/
Автор: Нефедов А.В. Аксенов А.И.
Теги: электротехника телевидение электроника электричество полупроводники полупроводниковые приборы серия ремонт
ISBN: 5-98003-185-5
Год: 2005
Текст
А. И. Аксенов, А. В. Нефедов
Серия «Ремонт», выпуск 59
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
Справочное пособие
Транзисторы биполярные
Диоды
Варикапы
Стабилитроны и стабисторы
Тиристоры
Оптоэлектронные приборы
Аналоги отечественных и зарубежных приборов
Издание 5-е, дополненное и исправленное
Москва
СОЛОН-Пресс
2005
УДК 621.397
ББК 32.94-5
А42
Серия «Ремонт», выпуск 59
Аксенов А. И., Нефедов А. В.
А42 Отечественные полупроводниковые приборы / 5-е изд., доп. и испр.
СОЛОН-Пресс, 2005. — 584 с: ил. — (Серия «Ремонт»)
М.
ISBN 5-98003-185-5
В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой по-
следовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполне-
нию на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и
блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, светоизлучающие и инфракрасные
диоды, линейные шкалы и цифро-буквенные индикаторы, диодные и транзисторные оптопары.
По приведенным в книге приборам даны соответствующие аналоги.
5-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов.
Удобная форма поиска и восприятия информации об интересующих приборах даетлзозмож-
ность пользователю по достоинству оценить приобретенную им книгу. Она будет полезна широ-
кому кругу специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре-
монтом радиоэлектронной аппаратуры.
УДК 621.397
ББК 32.94-5
КНИГА — ПОЧТОЙ
Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом по
фиксированной цене. Оформить заказ можно одним из двух способов:
1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/я 20.
2. Передать заказ по электронной почте на адрес: magazin@solon-r.ru.
Бесплатно высылается каталог издательства по почте.
При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому
должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желате-
льно дополнительно указать свой телефон и адрес электронной почты.
Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства
«СОЛОН-Пресс». Для этого надо послать пустое письмо на робот-автоответчик по ад-
ресу: katalog@solon-r.ru
Получать информацию о новых книгах нашего издательства вы сможете, подписав-
шись на рассылку новостей по электронной почте. Для этого пошлите письмо по адре-
су. news@solon-r.ru.
В теле письма должно быть написано слово SUBSCRIBE.
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «Альянс-книга»
Тел: @95) 258-91-94, 258-91-95
www.abook.ru
ISBN 5-98003-185-5
© Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2005
© А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, 2005
Содержание
Содержание
Об этом справочном пособии 4
Алфавитно-цифровой указатель приборов в справочном пособии 6
РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов 25
1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов 25
1.2. Корпуса полупроводниковых приборов 27
1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные полупроводниковые приборы 28
1.4. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов 29
1.5. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов 37
РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы 43
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 45
2.2. Параметры биполярных германиевых транзисторов 48
2.3. Параметры биполярных кремниевых транзисторов 72
2.4. Параметры кремниевых сборок 216
РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы 224
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов 230
3.2. Параметры полевых транзисторов 234
РАЗДЕЛ 4. Диоды 278
4.1. Виды приборов и основные параметры 278
4.2. Буквенные обозначения параметров диодов 281
4.3. Параметры диодов, столбов и блоков 283
4.4. Параметры варикапов 310
4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов 324
РАЗДЕЛ 5. Тиристоры 354
5.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров 354
5.2. Параметры тиристоров 358
РАЗДЕЛ 6. Оптоэлектронные приборы 372
6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров 372
6.2. Параметры светоизлучающих приборов 376
6.3. Параметры линейных шкал 380
6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов 382
6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов 402
6.6. Параметры диодных оптопар 406
6.7. Параметры транзисторных оптопар 412
РАЗДЕЛ 7. Аналоги 416
7.1. О взаимозаменяемости полупроводниковых приборов 416
7.2. Сокращенные обозначения зарубежных фирм и стран 417
7.3. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов 418
7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги 421
7.5. Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов 448
7.6. Буквенные обозначения зарубежных диодов 460
7.7. Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги 465
7.8. Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги 473
7.9. Зарубежные оптоэлектронные приборы и их отечественные аналоги 474
7.10. Аналоги отечественных транзисторов 475
7.11. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов 483
7.12. Аналоги отечественных тиристоров 486
7.13. Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов 487
Литература 488
Приборы, вошедшие в дополнение 489
О 5 издании справочного пособия
О 5 издании справочного пособия
Справочное пособие представляет собой компактно сформированные таблицы, содержащие справоч-
ную информацию по каждому типономиналу полупроводникового прибора от условного обозначения с
электрическими параметрами, до иллюстрации конструкции корпуса с габаритными размерами и
цоколевкой выводов.
5-е издание справочного пособия отличается от предыдущих изданий «Отечественные
полупроводниковые приборы. Справочное пособие» тем, что оно дополнено рядом новых биполярных
и полевых транзисторов, их аналогами и корпусами.
Для удобства пользования в справочном пособии приведены в табличной форме, в алфавитно-
цифровой последовательности зарубежные полупроводниковые приборы и их отечественные прибли-
женные аналоги. Даны сокращенные условные буквенные обозначения зарубежных приборов и фирм,
их производящих.
Работа со справочным пособием
Все приборы, вошедшие в пособие, расположены по классам в порядке последовательного возрастания
цифры третьего элемента условного обозначения — цифры, по которой классифицируются полупро-
водниковые приборы по рассеиваемой мощности и предельной рабочей частоте.
Стандартизованные корпуса конструкций отечественных приборов с обозначениями и габаритны-
ми размерами приведены в отдельном параграфе.
Алфавитно-цифровой указатель приборов, вошедших в книгу, построен на системе условных
обозначений полупроводниковых приборов (ОСТИ 336. 919-81).
Для определения фирмы изготовителя прибора приводятся их сокращенные обозначения, а также
сокращенные обозначения стран изготовителей приборов, которые приводятся в зарубежных каталогах
и справочнике «DATA».
В справочном пособии систематизированы материалы книг, выпущенных авторами ранее, в
частности «Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги», «Полупроводнико-
вые оптоэлектронные приборы», «Бескорпусные полупроводниковые приборы», «Мощные транзисто-
ры», и нескольких десятков статей, посвященных вопросам применения отечественных и зарубежных
изделий электронной техники.
Приборы, дополнившие это издание
Транзисторы
Тип прибора
КТ220А9
КТ220Б9
КТ220В9
КТ220Г9
КТ3143А
КТ3144А
КТ3184А9
КТ3184Б9
КТ3193А
КТ3193Б
КТ3193В
КТ3193Г
КТ3193Д
КТ3193Е
KT319SA9
КТ3198Б9
КТ3198В9
КТ3198Г9
Стр.
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
Тип прибора
КТ3198Д9
КТ3198Е9
КТ3198Ж9
КТ3198А92
КТ3198Г92
KT3W9A9
КТ3199А91
КТ3199А92
КТ3201А9
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
KTS29A
КТ530А
КТ538А
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
Стр.
540
540
540
540
540
542
542
542
542
542
542
542
542
542
542
544
544
544
Тип прибора
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ6131А
КТ6132А
КТ6135А9
КТ6135Б9
КТ6135В9
КТ6135Г9
КТ6135Д9
КТ6141А9
КТ6141Б9
КТ6142А
КТ6142Б
КТ678АС
КТ731А
КТ731Б
КТ731В
КТ731Г
Стр.
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
546
546
546
546
Тип прибора
КТ738А
КТ739А
КТ8113А
КТ8113Б
КТ8113В
КТ8163А
КТ8165А
КТ8165Б
КТ8165В
КТ8165Г
КТ8166А
КТ8166Б
КТ8166В
КТ8166Г
КТ8167А
КТ8167Б
КТ8167В
КТ8167Г
Стр.
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
548
548
548
548
О 5 издании справочного пособия
Тип прибора
КТ8167Д
КТ8168А
КТ8168Б
КТ8168В
КТ8168Г
КТ8168Д
КТ8212А
КТ8212Б
КТ8212В
КТ8213А
КТ8213Б
КТ8213В
КТ8214А
КТ8214Б
КТ8214В
КТ8215А
КТ8215Б
КТ8215В
КТ8216А
КТ8216Б
КТ8216В
КТ8216Г
КТ8216А1
КТ8216Б1
КТ8216В1
КТ8216Г1
КТ8217А
КТ8217Б
КТ8217В
КТ8217Г
КТ8217А1
КТ8217Б1
КТ8217В1
КТ8217Г1
КТ8218А
КТ8218Б
КТ8218В
КТ8218Г
КТ8218А1
КТ8218Б1
КТ8218В1
КТ8218Г1
КТ8219А
КТ8219Б
КТ8219В
КТ8219Г
КТ8219А1
КТ8219Б1
КТ8219В1
КТ8219П
КТ8224А
КТ8224Б
КТ8225А
КТ8228А
КТ8228Б
Стр.
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550 '
550
550
550
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
Тип прибора
КТ8229А
КТ8230А
КТ8247А
КТ8248А1
КТ8251А
КТ8255А
КТ8261А
КТ8270А
КТ8271А
КТ8271Б
КТ8271В
КТ8272А
КТ8272Б
КТ8272В
КТ8290А
КТ9Ю6АС-2
КТ9106БС-2
КТД8264А
КТД8264А5
АП354А-5
АП354Б-5
АП354В-5
АП355А-5
АП355Б-5
АП355В-5
АП356А-5
АП356Б-5
АП356В-5
АП357А-5
АП357Б-5
АП357В-5
АП358А-5
АП358Б-5
АП358В-5
АП381А-5
КП214А-9
КП383А-9
КП507А
КП508А
КП509А-9
КП509Б-9
КП509В-9
КП510А9
КП511А
КП511Б
КП523А
КП523Б
КП7128
КП7130А
КП713ОБ
КП7130В
КП7131А-9
КП7132А
КП7133А
КП7134А
Стр.
552
554
554
554
554
554
554
554
556
556
556
556
556
556
556
556
556
556
556
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
560
560
560
560
560
560
560
560
560
560
560
562
562
562
562
562
562
562
Тип прибора
КП7135А
КП7136А
КП7137А
КП7138А
КП731А
КП731Б
КП731В
КП737А
КП737Б
КП737В
КП737Г
КП739А
КП739Б
КП739В
КП740А
КП740Б
КП740В
КП741А
КП741Б
КП742А
КП742Б
КП743А
КП743Б
КП743В
КП743А1
КП744А
КП744Б
КП744В
КП744Г
КП745А
КП745Б
КП745В
КП745Г
КП746А
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746П
КП747А
КП748А
КП748Б
КП748В
КП749А
КП749Б
КП749В
КП75ОА
КП750Б
КП75ОВ
КП75ОГ
КП750А1
КП750Б1
КП75ОВ1
Стр.
564
564
564
564
564
564
564
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
572
572
572
Тип прибора
КП751А
КП751Б
КП751В
КП751А1
КП751Б1
КП751В1
КП752А
КП752Б
КП752В
КП753А
КП753Б
КП753В
КП771А
КП771Б
КП771В
КП775А
КП775Б
КП775В
КП776А
КП776Б
КП776В
КП776Г
КП777А
КП777Б
КП777В
КП778А
КП779А
КП780А
КП780Б
КП780В
КП780АС1
КП781А
КП783А
КП784А
КП785А
КП786А
КП787А
КП796А
КП936А
КП936Б
КП936В
КП936Г
КП936Д
КП936Е
КП936А-5
КП936Б-5
КП936В-5
КП936Г-5
КП936Д-5
КП936Е-5
КП962А
КП962А-5
КП963А
КП963А-5
Стр.
572
572
572
572
572
572
572
572
572
572
572
572
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
576
576
576
576
576
576
576
578
578
578
578
578
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Алфавитно-цифровой указатель приборов
в справочном пособии
Тип
прибора
МП9А
МП10
МП10А
МП10Б
МП11
МП11А
МП13
МП13Б
МП14
МП14А
МП14Б
МП14И
МИ15
МП15А
МП15И
МП16
МП16А
МП16Б
МП16Я1
МП16Я11
МП20А
МП20Б
МП21В
МП21Г
МП21Д
МП21Е
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
МП26А
МП26Б
П27
П27А
П28
П29
П29А
ПЗО
МП35
МП36А
МП37А
МП37Б
МП38
МП38А
МП39
МП39Б
МП40
МП40А
МП41
МП41А
МП42
МП42А
МП42Б
Стр.
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
54
54
54
54
54
Германиевые
Тип
прибора
ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ1О8Г
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108Д
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТ115А
ГТ115Б
ГТ115В
ГТ115Г
ГТ115Д
ГТ122А
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГП25Е
ГТ125Ж
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
П201Э
П201АЭ
П202Э
П203Э
П207
П207А
П208
П2О8А
П209
П209А
П210
П210А
П210Б
Стр.
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
58
58
58
транзисторы
Тип
прибора
П210В
П210Ш
П213
П213А
П213Б
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
ГТ305А
ГТ305Б
ГТ305В
ГТ308А
ГТЗО8Б
ГТ308В
ГТЗО8Г
ГТ309А
ГТЗО9Б
ГТ309В
ГТ309Г
ГТ309Д
ГТЗО9Е
ГТ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
гтзюд
ГТ310Е
ГТ311А
ГТ311Б
ГТ311В
ГТ311Г
гтзид
ГТ311Е
ГТ311Ж
гтзни
ГТ313А
ГТ313Б
ГТ313В
ГТ320А
Стр.
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
€0
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
Тип
прибора
ГТ320Б
ГТ320В
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ322Г
ГТ322Д
ГТ322Е
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ329А
ГТ329Б
ГТ329В
ГТ329Г
ГТЗЗОД
ГТЗЗОЖ
ГТЗЗОИ
ГТ335А
ГТ335Б
ГТ335В
ГТ335Г
ГТ335Д
ГТ338А
ГТ338Б
ГТ338В
ГТ341А
ГТ341Б
ГТ341В
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
ГТ362А
ГТ362Б
ГТ376А
ГТ383А-2
ГТ383Б-2
ГТ383В-2
П401
П402
ГТ402А
ГТ402Б
ГТ402В
ГТ402Г
Стр.
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
ГГ402Д
ГТ402Е
ГТ402Ж
ГТ402И
И403
П403А
ГТ403А
ГТ403Б
ГТ403В
ГТ403Г
ГТ403Д
ГТ403Е
ГТ403Ж
ГТ403И
ГТ403Ю
ГТ404А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404Г
Стр.
64
64
64
64
64
64
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
Тип
прибора
КЕ702А
КЕ702Б
КЕ702В
КТ104А
КТ104Б
КТ104В
КТ104Г
КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КТ119А
КТ119Б
КТ120А
КТ120Б
КТ120В
КТ120А-1
КТ120В-1
КТ120А-5
КТ120В-5
KT127A-I
КТ127Б-1
КТ127В-1
КТ127Г-1
КТ132А
КТ132Б
КТ133А
КТ133Б
КТ201А
КТ201Б
КТ201В
КТ201Г
КТ201Д
КТ201АМ
Стр.
514
514
514
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
Тип
прибора
ГТ404Д
ГТ404Е
ГТ404Ж
ГТ404И
ГТ405А
ГТ405Б
ГТ405В
ГТ405Г
ГТ406А
П416
П416А
П416Б
П417
П417А
П417Б
П422
П423
П605
П605А
Стр.
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
Тип
прибора
П606
П606А
П607
П607А
П608
П608А
П609
П609А
ГТС609А
ГТС609Б
ГТС609В
ГТ612А-4
ГТ701А
ГТ703А
ГТ7ОЗБ
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ703Д
ГТ705А
Стр.
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
70
70
70
70
70
70
Кремниевые транзисторы
Тип
прибора
КТ201БМ
КТ201ВМ
КТ201ГМ
КТ201ДМ
КТ202А-1
КТ202Б-1
КТ202В-1
КТ2О2Г-1
КТ2О2Д-1
КТ203А
КТ203Б
КТ203В
КТ203АМ
КТ203БМ
КТ203ВМ
КТ206А
КТ206Б
КТ2О7А
КТ207Б
КТ207В
КТ208А
КТ208Б
КТ208В
КТ208Г
КТ208Д
КТ208Е
КТ208Ж
КТ208И
КТ208К
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ209В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
Стр.
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
Тип
прибора
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТ210А
КТ210Б
КТ210В
КТ2ИА-1
КТ211Б-1
КТ211В-1
КТ214А-1
КТ214Б-1
КТ214В-1
КТ214Г-1
КТ214Д-1
КТ214Е-1
КТ215А-1
КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
КТ216А
.КТ216Б
КТ216В
КТ218А-9
КТ218Б-9
КТ218В-9
КТ218Г-9
КТ218Д-9
КТ218Е-9
КТ301
КТ301А
КТ301Б
КТ301В
Стр.
76
76
76
76
76
76
76
76
76
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
Тип
прибора
ГТ7О5Б
ГТ7О5В
ГТ705Г
ГТ7О5Д
ГТ804А
ГТ804Б
ГТ804В
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
ГТ810А
ГТ905А
ГТ905Б
ГТ906А
ГТ906АМ
Стр.
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
Тип
прибора
КТ301Г
КТ301Д
КТ301Е
КТ301Ж
КТ302А
КТ302Б
КТ302В
КТ302Г
КТ306А
КТ306Б
КТ306В
КТ306Г
КТ306Д
КТ306АМ
КТ306БМ
КТ306ВМ
КТ306ГМ
КТ306ДМ
ПЗО7
П307А J
П307Б
П307В
ПЗО7Г
КТ307А-1
КТ307Б-1
КТ307В-1
КТ307Г-1
П308
П309
КТ3101А-2
КТ3101АМ
КТ3102А
КТ3102Б
КТ3102В
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ3102Е
Стр.
78
78
78
78
78
78
78
78
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
82
82
82
82
82
82
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КТ3102Ж
КТ3102И
КТ3102К
КТ3102АМ
КТ3102БМ
КТ3102ВМ
КТ3102ГМ
КТ3102ДМ
КТ3102ЕМ
КТ3102ЖМ
КТ3102ИМ
КТ3102КМ
КТ3104А
КТ3104Б
КТ3104В
КТ3104Г
КТ3104Д
КТ3104Е
КТ3106А-2
КТ3106А-9
КТ3107А
КТ3107Б
КТ3107В
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107И
КТ3107К
КТ31О7Л
КТ3108А
КТ3108Б
КТ3108В
КТ3109А
КТ3109Б
КТ3109В
КТ3114Б-6
КТЗИ4В-6
КТ3115А-2
КТ3115В-2
КТЗИ5Г-2
КТ3115Д-2
КТ3117А-1
КТ3117А
КТ3117А9
КТ3117Б
КТ3117Б9
КТ312А
КТ312А1
КТ312Б
КТ312Б1
КТ312В
КТ312В1
КТ3120А
КТ3121А-6
КТ3122А
КТ3122Б
КТ3123А-2
КТ3123Б-2
КТ3123В-2
КТ3123АМ
Стр.
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
490
84
490
84
490
84
490
84
490
84
86
86
86
86
86
86
86
Тип
прибора
КТ3123БМ
КТ3123ВМ
КТ3126А
КТ3126Б
КТ3126А-9
КТ3127А
КТ3128А
КТ3128А-1
КТ3128Б-1
КТ3128А-9
КТ3129А-9
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
КТ313А
КТ313Б
КТ313А-1
КТ313Б-1
КТ313В-1
КТ313Г-1
КТ3130А-9
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
КТ3132А-2
КТ3132Б-2
КТ3132В-2
КТ3132Г-2
КТ3132Д-2
КТ3132Е-2
КТ3139А
КТ3139Б
КТ3139В
КТ3139Г
КТ314А-2
КТ3140А
КТ3140Б
КТ3140В
КТ3140Г
КТ3140Д
КТ3142А
КТ3145А-9
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТ3145Г-9
КТ3145Д-9
КТ3146А-9
КТ3146Б-9
КТ3146В-9
КТ3146Г-9
КТ3146Д-9
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
Стр.
86
86
86
86
86
86
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
92
92
92
92
92
92
Тип
прибора
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
КТ315А-1
КТ315Б-1
KT31SB-1
КТ315Г-1
КТ315Д-1
КТ315Е-1
КТ315Ж-1
КТ315И-1
КТ315Н1
КТ315Р1
КТ3150Б-2
КТ3151А-9
КТ3151Б-9
КТ3151В-9
КТ3151Г-9
КТ3151Д-9
КТ3151Е-9
КТ3153А-9
КТ3153А-5
КТ3157А
КТ316А
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ316ГМ
КТ316ДМ
КТ3165А
КТ3165А-9
КТ3166А
КТ3168А-9
КТ3169А-9
КТ3169А9-1
КТ317А-1
КТ317Б-1
КТ317В-1
КТ3170А-9
КТ3171А-9
КТ3172А-9
КТ3173А-9
КТ3176А-9
КТ3179А-9
КТ3184А9
КТ3184Б9
КТ318А-1
КТ318Б-1
КТ318В-1
КТ318Г-1
КТ318Д-1
КТ318Е-1
КТ3180А-9
КТ3186А-9
КТ3187А-9
КТ3187А-91
Стр.
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
96
96
96
96
96
96
96
96
96
98
490
490
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
Тип
прибора
КТ3187В-91
КТ3189А-9
КТ3189Б-9
КТ3189В-9
КТ3191А-9
КТ3191А-91
КТ3192А-9
КТ3196А-9
КТ3197А-9
КТ3198А
КТ3198Б
КТ3198В
КТ3198Г
КТ319А-1
КТ319Б-1
КТ319В-1
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
КТ321Г
КТ321Д
КТ321Е1
КТ324А-1
КТ324Б-1
КТ324В-1
КТ324Г-1
КТ324Д-1
КТ324Е-1
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
КТ325АМ
КТ325БМ
КТ325ВМ
КТ326А
КТ326Б
КТ326АМ
КТ326БМ
КТ331А-1
КТЗЗШ-1
КТ331В-1
КТ331Г-1
КТ332А-1
КТ332Б-1
КТ332В-1
КТ332Г-1
КТ332Д-1
КТЗЗЗА-3
КТЗЗЗБ-3
КТЗЗЗВ-3
ктзззг-з
ктзззд-з
КТЗЗЗЕ-3
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
КТ337А
КТ337Б
Стр.
98
98
98
98
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КТ337В
КТ339АМ
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ340В
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ342Г
КТ342АМ
КТ342БМ
КТ342ВМ
КТ342ГМ
КТ342ДМ
КТ343А
КТ343Б
КТ343В
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ348В-3
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
КТ350А
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
КТ354А-2
КТ354Б-2
КТ355А
КТ355АМ
КТ357А
КТ357Б
КТ357В
КТ357Г
КТ358А
КТ358Б
КТ358В
КТ359А-3
КТ359Б-3
КТ359В-3
КТ360А-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
КТ361А
КТ361А1
КТ361Б
Стр.
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
106
106
106
106
106
.106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
НО
ПО
по
Тип
прибора
КТ361В
КТ361Г
КТ361П
КТ361Д
КТ361Д1
КТ361Е
КТ361Ж
КТ361И
КТ361К
КТ361Л
КТ361М
КТ361Н
КТ361П
КТ361А-2
КТ361А-3
КТ361Б-2
КТ361В-2
КТ361Г-2
КТ361Г-3
КТ361Д-2
КТ361Д-3
КТ361Е-2
КТ361Ж-2
КТ361И-2
КТ361К-2
КТ361Л-2
КТ361М-2
КТ361Н-2
КТ36Ш-2
КТ363А
КТ363Б
КТ363АМ
КТ363БМ
КТ364А-2
КТ364Б-2
КТ364В-2
КТ366А
КТ366Б
КТ366В
КТ368А
КТ368Б
КТ368А-5
КТ368А-9
КТ368Б-9
КТ368АМ
КТ368БМ
КТ369А
КТ369Б
КТ369В.
КТ369Г
КТ369А-1
КТ369Б-1
КТ369В-1
КТ369Г-1
КТ37ОА-1
КТ37ОБ-1
КТ37ОА-9
КТ370Б-9
КТ371А
КТ371АМ
КТ372А
Ctj».
ПО
по
по
по
по
110
по
по
но
по
по
по
по
но
по
по
по
по
по
по
по
по
по
110
по
по
по
по
по
112
112
Н2
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114 -
116
Тип
прибора
КТ372Б
КТ372В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
КТ375А
КТ375Б
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
КТ38ОА
КТ380Б
КТ380В
КТ381Б
КТ381В
КТ381Г
КТ381Д
КТ381Е
КТ382А
КТ382Б
КТ382АМ
КТ382БМ
КТ384А-2
КТ384АМ
КТ385А-2
КТ385АМ
КТ388Б-2
КТ388БМ-2
КТ389Б-2
КТ391А-2
КТ391Б-2
КТ391В-2
КТ392А-2
КТ396А-2
КТ396А-9
КТ397А-2
КТ399А
КТ399АМ
КТ501А
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
КТ501Е
КТ501Ж
КТ501И
КТ5О1К
КХ5О1Л
КТ5О1М
КТ5О2А
КТ5О2Б
КТ502В
КТ502Г
КТ5О2Д
КТ502Е
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
Стр.
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
118
118
118
118
118
118
118
118
120
120
120
120
120
120
120
120
120
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
Тип
прибора
КТ503Д
КТ5ОЗЕ
КТ504А
КТ504Б
КТ504В
КТ5О5А
КТ505Б
КТ506А
КТ506Б
КТ5О9А
КТ511А9
КТ511Б9
КТ511В9
КТ511Г9
КТ511Д9
КТ511Е9
КТ511Ж9
КТ511И9
КТБ11К9
КТ512А9
КТ512Б9
КТ512В9
КТ512Г9
КТ512Д9
КТ512Е9
КТ512Ж9
КТ512И9
КТ512К9
КТ513А9
КТ513Б9
КТ513В9
КТ513Г9
КТ513Д9
КТ514А9
КТ514Б9
КТ514В9
КТ514Г9
КТ514Д9
КТ515А9
КТ515Б9
КТ515В9
КТ516А9
КТ516Б9
КТ516В9
КТ517А
КТ517Б
КТ517В
КТ517Г
КТ517Д
КТ517Е
КТ517А-1
КТ517Б-1
КТ517В-1
КТ517Г-1
КТ517Д-1
КТ517Е-1
КТ517А-9
КТ517Б-9
КТ517В-9
КТ517Г-9
КТ517Д-9
Стр.
122
122
122
122
122
122
122
122
122
124
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492'
492
492
492
492
492
492
10
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КТ517Е-9
КТ519А
КТ519Б
КТ519В
КТ520А
КТ520Б
КТ521А
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
КТ523В
ктвгз!'
КТ523Д
КТ523А9
КТ523Б9
КТ523В9
КТ523Г9
КТ523Д9
КТ524А
КТ524А-5
КТ525А
КТ525А-5
КТ526А
КТ526А-5
КТ528А9
КТ528Б9
KT52SB9
КТ528Г9
КТ528Д9
КТ601А
КТ601АМ
КТ602А
КТ602Б
КТ602В
КТ602Г
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604А
КТ604Б
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605А
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608А
КТ608Б
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
Стр.
492
492
492
492
492
492
494
494
494
494
494
494
494
494
•494
494
494
494
494
494
494
494
494
496
496
496
496
496
496
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
" 126
126
Тип
прибора
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ610А
КТ610Б
КТ6102А
КТ6103А
КТ6104А
КТ6105А
КТ6107А
КТ6108А
КТ611А
КТ611Б
КТ611В
КТ611Г
КТ611АМ
КТ611БМ
КТ6110А
КТ6110Б
KT6U0B
КТ6110Г
КТ6110Д
КТ6111А
КТ6ШБ
КТ6ШВ
КТ6ШГ
КТ6112А
КТ6112Б
КТ6112В
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6113В
КТ6113Г
КТ6113Д
КТ6113Е
КТ6114А
КТ6114Б
КТ6114В
КТ6114Г
КТ6114Д
KT6U4E
КТ6115А
КТ6115Б
КТ6115В
КТ6Н5Г
КТ6115Д
КТ6И5Е
КТ6116А
КТ6117А
КТ6127А
КТ6127Б
КТ6127В
КТ6127Г
КТ6127Д
КТ6127Е
КТ6127Ж
КТ6127И
КТ6127К
КТ6128А
КТ6128Б
КТ6128В
КТ6128Г
Стр.
126
126
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
496
496
496
496
Тип
прибора
КТ6128Д
КТ6128Е
КТ6129А-9
КТ6129Б-2
КТ6130А-9
КТ6133А
КТ6133Б
КТ6133В
КТ6134А
КТ6134Б
КТ6134В
КТ6135А
КТ6135Б
КТ6135В
КТ6135Г
КТ6136А
KT6I37A
КТ6138А
КТ6138Б
КТ6138В
КТ6138Г
КТ6138Д
КТ6139А
КТ6139Б
КТ6139В
КТ6139Г
КТ6139Д
КТ6140А
КТ616А
КТ616Б
КТ617А
КТ618А
КТ620А
КТ620Б
КТ624А-2
КТ624АМ-2
КТ625А
КТ625АМ
КТ625АМ-2
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТ629А-2
КТ629Б-2
КТ629БМ-2
КТ630А
КТ630Б
КТ630В
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Е
КТ630А-5
КТ630Б-5
КТ630В-5
КТ630Г-5
КТ632Б
КТ632Б-1
КТ633А
КТ633Б
Стр.
496
496
130
130
132
132
132
132
132
J32
132
132
132
132
132
496
496
496
496
496
496
496
, 496
496
496
496
496
496
132
132
132
132
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
Тип
прибора
КТ634А-2
КТ634Б-2
КТ635А
КТ635Б
КТ637А-2
КТ637Б-2
КТ638А
КТ638А1
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ639А-1
КТ639Б-1
КТ639В-1
КТ639Г-1
КТ639Д-1
КТ639Е-1
КТ639Ж-1
КТ639И-1
КТ640А-2
КТ640Б-2
КТ640В-2
КТ642А-2
КТ642А-5
КТ643А-2
КТ644А
КТ644Б
КТ644В
КТ644Г
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ647А-2
КТ647А-5
КТ648А-2
КТ648А-5
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ657В-2
КТ657А-5
КТ657Б-5
КТ657В-5
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
КТ666А-9
КТ667А-9
КТ668А
КТ668Б
Стр.
136
136
138
138
138
138
138
496
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
144
144
144
144
144
144-
144
144
144
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
11
Тип
прибора
КТ668В
КТ677А
КТ680А
КТ681А
КТ682А-2
КТ682Б-2
КТ682А-5
КТ682Б-5
КТ683А
КТ683Б
КТ683В
КТ683Г
КТ683Д
КТ683Е
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ685Д
КТ685Е
КТ685Ж
КТ686А
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
КТ692А
КТ695А
КТ698А
КТ698Б
КТ698В
КТ698Г
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
П701
П701А
П701Б
П7О2
П702А
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ710А
КТ712А
КТ712Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
КТ721А
Стр.
144
514
144
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
Тип
прибора
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728А
КТ729А
КТ729Б
КТ730А
КТ732А
КТ733А
КТ734А
КТ734Б
КТ734В
КТ734Г
КТ735А
КТ735Б
КТ735В
КТ735Г
КТ736А
КТ736Б
КТ736В
КТ736Г
КТ737А
КТ737Б
КТ737В
КТ737Г
КТ740А
КТ740А1
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ803А
КТ8О5А
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
кТ805ВМ
КТ807А
КТ807Б
КТ807АМ
КТ807БМ
КТ808А
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808АЗ
КТ808БЗ
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
КТ809А
КТ8101А
КТ8101Б
КТ8102А
КТ8102Б
КТ8104А
КТ8105А
КТ8106А
КТ8106Б
КТ81О7А
Стр.
150
150
150
150
152
152
152
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
500
500
152
152
152
152
152
152
152
152
152
154
154
154
154
154
500
500
500
500
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
156
156
156
156
156
Тип
прибора
КТ81О7Б
КТ8107В
КТ8107Г
КТ8107Д
КТ8107Е
КТ81О7А2
КТ8107Б2
КТ8107В2
КТ81О7Г2
КТ8Ю7Д2
КТ8107Е2
КТ8108А
КТ8108Б
КТ8108В
КТ8108А-1
КТ8108Б-1
КТ8108В-1
КТ8109А
КТ8109Б
КТ8110А
КТ81ШБ-
КТ8110В
KT8U1A9
КТ8ШБ9
КТ8ШВ9
КТ8112А
КТ8114А
КТ8Н4Б
КТ8И5А
КТ8И5Б
КТ8115В
КТ8116А
КТ8116Б
КТ8116В
КТ8117А
КТ8Ц7Б
КТ8118А
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
КТ8120А
КТ8121А
КТ8121Б
КТ8121А-1
КТ8121Б-1
КТ8121А-2
КТ8121Б-2
КТ8123А
КТ8124А
КТ8124Б
КТ8124В
КТ8125А
КТ8125Б
КТ8125В
КТ8126А
КТ8127А
КТ8127Б
КТ8127В
КТ8127А-1
КТ8127Б-1
КТ8127В-1
Стр.
156
156
156
156
156
156
156
156 :
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
500
500
500
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
Тип
прибора
КТ8129А
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
КТ8134А
КТ8135А
КТ8136А
КТ8136А-1
КТ8137А
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
КТ8138Г
КТ8138Д
КТ8138Е
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8140А
КТ8140А-1
КТ8141А
КТ8141Б
КТ8141В
КТ8141Г
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ8143А
КТ8143Б
КТ8143В
КТ8143Г
КТ8143Д
КТ8143Е
КТ8143Ж
КТ81433
КТ8143И
КТ8143К
КТ8143Л
КТ8143М
КТ8143Н
КТ8143П
КТ8143Р
КТ8143С
КТ8143Т
КТ8143У
КТ8143Ф
КТ8144А
КТ8144Б
KT814SA
КТ8145Б
КТ8146А
КТ8146Б
КТ8147А
КТ8147Б
КТ8149А
КТ8149А-1
КТ8149А-2
КТ8150А
Стр.
160
162
162
162
162
162
162
500
500
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
166
166
12
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КТ8150А-1
КТ8150А-2
КТ8154А
КТ8154Б
КТ8155А
КТ8155Б
КТ8156А
КТ8156Б
КТ8157А
КТ8157Б
КТ8158А
КТ8158Б
КТ8158В
КТ8159А
КТ8159Б
КТ8159В
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ8164А
КТ8164Б
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
КТ816А-2
КТ817ОА-1
КТ8171А
КТ8175А
КТ8175Б
КТ8175А-1
КТ8175Б-1
КТ8176А
КТ8176Б
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
KT8I77B
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
КТ8181А
КТ8181Б
КТ8182А
КТ8182Б
КТ8183А
КТ8183Б
КТ8183А-1
КТ8183Б-1
КТ8183А-2
КТ8183Б-2 .
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
КТ818АМ
КТ818БМ
Стр.
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
500
168
168
168
168
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
172
172
Тип
прибора
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ818А-1
КТ818Б-1
КТ818В-1
КТ818Г-1
КТ8196А
КТ8197А-2
КТ8197Б-2
КТ8197В-2
КТ8199А
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ819А-1
КТ819Б-1
КТ819В-1
КТ819Г-1
КТ8201А
КТ8203А
КТ8205А
КТ8207А
КТ8209А
КТ820А-1
КТ820Б-1
КТ820В-1
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
КТ822А-1
КТ822Б-1
КТ822В-1
КТ8231А
КТ8231А1
КТ8231А2
КТ8232А1
КТ8232Б1
КТ8233А5
КТ8233Б5
КТ8233В5
КТ8234А5
КТ8234Б5
КТ8234В5
KT823SA
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
КТ8240А5
КТ8240Б5
KT8240BS
КТ8240Г5
КТ8240Д5
КТ8240Е5
КТ8240Ж5
КТ8241А5
КТ8241Б5
Стр.
172
172
172
172
172
172
502
502
502
502
502
172
172
172
172
172
172
172
172
^ 172
172
172
172
502
502
502
504
504
172
172
172
172
172
172
172
172
172
504
504
504
504
504
504
504
504
506
506
506
506
172
172
172
506
506
506
506
506
506
506
506
506
Тип
прибора
КТ8241В5
КТ8241Г5
КТ8241Д5
КТ8241Е5
КТ8241Ж5
КТ8242А5
КТ8242Б5
КТ8242В5
КТ8243А5
КТ8243Б5
КТ8243В5
КТ8244А5
КТ8244Б5
КТ8244В5
КТ8244Г5
КТ8245А5
КТ8245Б5
КТ8245В5
КТ8245Г5
КТ8246А
КТ8246Б
КТ8246В
КТ8246Г
КТ8250А
КТ8250Б
КТ825Г
КТ825Д
КТ825Е
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ830А
КТ830Б
КТ830В
КТ830Г
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
Стр.
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
508
508
508
508
508
508
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
• 174'
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
Тип
прибора
КТ837М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ838А
КТ838Б
КТ839А
КТ840А
КТ840Б
КТ840В
КТ841А
КТ841Б
КТ841В
КТ841Г
КТ841Д
КТ841Е
КТ842А
КТ842Б
КТ842В
КТ844А
КТ845А
КТ846А
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ848А
КТ850А
КТ850Б
KT8S0B
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ856А
КТ856Б
КТ856А-1
КТ856Б-1
КТ857А
КТ858А
КТ859А
КТ862Б
КТ862В
КТ862Г
КТ863А
КТ863Б
Стр.
176
176
176
176
176 .
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
180
180
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
13
Тип
прибора
КТ863В
КТ864А
КТ865А
КТ866А
КТ866Б
КТ867А
КТ868А
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ872В
КТ874А
КТ874Б
КТ878А
КТ878Б
КТ878В
КТ879А
КТ879Б
КТ885А
КТ885Б
КТ886А-1
КТ886Б-1
КТ887А
КТ887Б
КТ888А
КТ888Б
КТ890А
КТ890Б
КТ890В
КТ892А
КТ892Б
КТ892В
КТ893А
КТ896А
КТ896Б
КТ897А
КТ897Б
КТ898А
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
КТ899А
КТ902А
КТ902АМ
КТ903А
КТ903Б
КТ904А
КТ904Б
КТ907А
КТ907Б
КТ908А
КТ908Б
КТ909А
КТ909Б
КТ909В
КТ909Г
KT9W1AC
КТ9104А
КТ9104Б
КТ9105АС
КТ9109А
Стр.
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
188
188
Тип
прибора
КТ9111А
КТ9116А
КТ9116Б
КТ911А
КТ911Б
КТ9ПВ
КТ911Г
КТ912А
КТ912Б
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
КТ9115А
КТ9115Б
КТ9120А
КТ9121А
КТ9121Б
КТ9121В
КТ9121Г
КТ9125АС
КТ9126А
КТ9127А
КТ9127Б
КТ9128АС
КТ9130А
KT913LA
КТ9132АС
КТ9133А
КТ9134А
КТ9134Б
КТ9136АС
КТ914А
КТ9141А
КТ9141А-1
КТ9142А
КТ9143А
КТ9143Б
КТ9143В
КТ9144А-5
КТ9144А-9
КТ9145А-5
КТ9145А-9
КТ9146А
КТ9146Б
КТ9146В
КТ9147АС
КТ9150А
КТ9151А
КТ9152А
КТ9153АС
КТ9153БС
КТ9155А
КТ9155Б
KT915SB
КТ9156АС
КТ9156БС
КТ9157А
КТ9160А
КТ9160Б
КТ9160В
КТ9161АС
Стр.
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
508
508
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
508
508
192
192
192
192
192
192
192
192
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
508
194
194
194
508
196
196
196
196
510
196
196
196
196
196
196
Тип
прибора
KT9I64A
КТ9166А
КТ916А
КТ916Б
КТ9173А
КТ9174А
КТ9176А
КТ9177А
КТ9180А
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г v
КТ9181А
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
КТ9189А-2
КТ9189Б-2
КТ9189В-2
КТ918А-2
КТ918Б-2
КТ9182А
КТ9190А
КТ9190А-4
КТ9192А-2
КТ9192Б-2
КТ9193А
КТ9193Б
КТ9193А-4
КТ9193Б-4
КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
Стр.
196
196
196
196
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
510
510
510
198
198
198
510
510
512
512
512
512
512
512
198
198
198-
198
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
202
202
202
Тип
прибора
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ933А
КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
КТ935А
КТ936А
КТ936Б
КТ937А-2
КТ937Б-2
КТ938А-2
КТ938Б-2
КТ939А
КТ939Б
КТ940А
КТ940А1
КТ940А9
КТ940Б
КТ940Б1
КТ94ОБ9
КТ940В
КТ940В1
КТ940А-5
КТ940Б-5
КТ940В-5
КТ942В
КТ943А
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ943Д
КТ944А
КТ945А
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
КТ946А
КТ947А
КТ948А
КТ948Б
КТ955А
КТ956А
КТ957А
КТ958А
КТ960А
КТ961А
КТ961А1
КТ961Б
КТ961Б1
КТ961В
КТ961В1
КТ961Г
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ963А-2
Стр.
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
204
204
204
204
204
204
204
512
512
204
512
512
204
512
204
204
204
204
204
204
204
204
204
206
206
514
514
514
206
206
206
206
206
206
206
208
208
208
514
208
514
208
514
208
208
208
208
208
и
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КТ963Б-2
КТ963А-5
КТ963Б-5
КТ965А
КТ966А
КТ967А
КТ969А
КТ969А1
КТ969А-5
КТ970А
КТ971А
КТ972А
Стр.
208
208
208
208
208
210
210
514
210
210
210
210
Тип
прибора
КТСЗОЗА-2
КТС3103А
КТСЗЮЗБ
КТС3103А1
КТС3103Б1
КТС3161АС
КТС3174АС-2
КТС381Б
КТС381В
КТС381Г
КТС381Д
КТС381Е
КТС393А
Стр.
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
218
Тип
прибора
АП320А-2
АП320Б-2
АП324А-2
АП324Б-2
АП324В-2
АП324Б-5
АП325А-2
АП326А-2
АП326Б-2
АП328А-2
АПЗЗОА-2
АПЗЗОБ-2
АПЗЗОВ-2
АП330В1-2
АП330В2-2
АПЗЗОВЗ-2
АП331А-2
АП331А-5
АП339А-2
АП343А-2
АП343А1-2
АП343А2-2
АП343АЗ-2
АП344А-2
АП344А1-2
АП344А2-2
Стр.
234
234
•234
234
234
234
234
234
234
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
238
238
238
Тип
прибора
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
КТ973А
КТЭ73Б
КТ973В
КТ973Г
КТ976А
КТ977А
КТ979А
КТ980А
КТ980Б
Стр.
2ф
514
514
210
210
514
514
2f0
212
212
212
212
Тип
прибора
КТ981А
КТ983А
КТ983Б
КТ983В
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
КТ986А
КТ986Б
КТ986В
КТ986Г
КТ991АС
Стр.
212
212
212
212
212
212
212
214
214
214
214
214
Кремниевые сборки
Тип
прибора
КТС393Б
КТС393А-1
КТС393Б-1
КТС393А-9
КТС393Б-9
КТС394А-2
КТС394Б-2
КТС395А-1
КТС395Б-1
КТС395А-2
КТС395Б-2
КТС395В-2
КТС398А-1
Стр.
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
Тип .
прибора
КТС398Б-1
КТС398А94
КТС398Б94
КТС613А
КТС613Б
КТС613В
КТС613Г
КТС622А
КТС622Б
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
Стр.
218
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
Полевые транзисторы
Тип
прибора
АП344АЗ-2
АП344А4-2
АП362А-9
АП362Б-9
АП379А-9
АП379Б-9
АП602А-2
АП602Б-2
АП602В-2
АП602Г-2
АП602Д-2
АП603А-2
АП603Б-2
АП603А-1-2
АП603Б-1-2
АП603А-5
АП603Б-5
АПБ04А-2
АП604Б-2
АП604В-2
АП604Г-2
АП604А1-2
АП604Б1-2
АП604В1-2
АП604Г1-2
АП605А-2
Стр.
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
Тип
прибора
АП6О5А1-2
АП605А2-2
АП606А-2
АП606Б-2
АП606В-2
АП606А-5
АП606Б-5
АП606В-5
АП607А-2
АП608А-2
АП608Б-2
АП608В-2
АП608А-5
АП608Д-5
АП608Е-5
АП915А-2
АП915Б-2
АП925А-2
АП925Б-2
АП925В-2
АП930А-2
АП930Б-2
АП930В-2
АП967А-2
АП967Б-2
АП967В-2
Стр.
240
240
240
240
240
240
240
240
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
244
244
244
Тип
прибора
КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
КТ996А-5
КТ996Б-5
КТ996В-5
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
Стр.
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
Тип
прибора
КТ674АС
КТ693АС
К1НТ251
К1НТ661А
K129HTIA-1
К129НТ1Б-1
К129НТ1В-1
К129НТ1Г-1
К129НТ1Д-1
К129НТ1Е-1
К129НТ1Ж-1
К129НТ1И-1
Стр.
220
220
222
222
222
222
222
222
222
222
222
222
Тип
прибора
АП967Г-2
АП967Д-2
АП967Е-2
АП967Ж-2
КП101Г
КП101Д
КП101Е
КП103Е
КП103Е9
КШОЗЖ
КП103Ж9
КП103И
КШ03И9
КШОЗК
КП103К9
КШОЗЛ
КП103Л9
КП103М
КП103М9
КП103ЕР1
КП103ЖР1
КП103ИР1
КШ03КР1
КП1ОЗЛР1
КП103МР1
КП150
Стр.
244
244
244
244
244
244
244
244
516
244
516
244
516
244
516
244
516
244
516
244
244
244
244
244
244
244
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
15
Тип
прибора
КП201Е-1
КП201Ж-1
КП201И-1
КП201К-1
КП201Л-1
КП202Д-1
КП202Е-1
КП240
КП250
КП301Б
КП301В
КП301Г
КП302А
КП302Б
КП302В
КП302Г
КП302АМ
КП302БМ
КПЗО2ВМ
КП302ГМ
КПЗОЗА
КПЗОЗА9
КПЗОЗБ
КП303Б9
КПЗОЗВ
КПЗОЗВ9
КПЗОЗГ
КП303Г9
кпзозд
КП303Д9
КПЗОЗЕ
КП303Е9
КПЗОЗЖ
КП303Ж9
кпзози
КПЗОЗИ9
КП304А
КПЗО5Д
КПЗО5Е
КП305Ж
КПЗО5И
КП306А
КП306Б
КПЗО6В
КПЗО7А
КПЗО7А1
КП307Б
КПЗО7Б1
КП307В
КПЗО7Г
КПЗО7Г1
КП307Д
КПЗО7Е
КП307Е1
КП307Ж
КП307Ж1
КП308А-1
КП308Б-1
КП308В-1
КП308Г-1
КПЗО8Д-1
Стр.
244
244
244
244
244
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
248
248
248
248
248
248
248
248
516
248
516
248
248
516
248
248
516
248
516
248
248
248
248
248
Тип
прибора
КП310А
КП310Б
КП312А
КП312Б
КП313А
КП313Б
КП313В
КП314А
КП322А
КП323А-2
КП323Б-2
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327Г
КП329А
КП329Б
КП340
КП341А
КП341Б
КП346А-9
КП346Б-9
КП346В-9
КП347А-2
КП350
КП350А
КП350Б
КП350В
КП361А
КП364А
КП364Б
КП364В
КП364Г
КП364Д
КП364Е
КП364Ж
КП364И
КП365А
КП365Б
КП382А
КП401АС
КП401БС
КП402А
КП403А
КП440
КП450
КП501А
КП501Б
КП502А
КП503А
КП504А
КП505А
КП510
КП520
КП530
КП540
КП601А
КП601Б
КП610
КП620
КП630
Стр.
248
248
248
248
248
248
248
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
252
252
252
252
252
.. 252
252
252
516
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
256
256
256
256
256
256
256
Тип
прибора
КП640
КП704А
КП704Б
КП705А
КП7О5Б
КП705В
КП706А
КП706Б
КП706В
КП7О7А
КП7О7Б
КП7О7В
КП707А1
КП7О7Б1
КП7О7В1
КП7О7В2
КП708А
КП708Б
КП709А
КП709Б
КП710
КП712А
КП712Б
КП712В
КП717А
КП717Б
КП717В
КП717Г
КП717Д
КП717Е
КП717А1
КП717Б1
КП717В1
КП717П
КП717Д1
КП717Е1
КП718А
КП718Б
КП718В
КП718Г
КП718Д
КП718Е
КП718А1
КП718Б1
КП718В1
КП718П
КП718Д1
КП718Е1
КП720
КП722А
КП723А
КП723Б
КП723В
КП723Г
КП724А
КП724Б
КП725А
КП726А
КП727А
КП727Б
КП727В
Стр.
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
Тип
прибора
КП727Г
КП727Д
КП727Е
КП727Ж
КП728А
КП730
КП73ОА
КП731А
КП733А
КП733Б
КП733В-1
КП734А
КП734Б
КП734В
КП734А-5
КП734Б-5
КП735А
КП735Б
КП735В
КП735Г
КП740
КП759А-5
КП759Б-5
КП759В-5
КП759Г-5
КП760А-5
КП760Б-5
КП760В-5
КП760Г-5
КП761А-5
КП761Б-5
КП761В-5
КП761Г-5
КП801А
КП801Б
КП801В
КП801Г
КП802А
КП802Б
КП804А
КП805А
КП805Б
КП805В
КП809А
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1
КП810А
КП81ОБ
КП810В
КП812А1
КП812Б1
КП812В1
Стр.
260
260
260
260
262
262
262
262
262
262
262
516
516
516
516
516
516
516
516
516
262
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518.
518
264
264
264
L264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
266
266
266
16
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КП813А
КП813Б
КП813Л1
КП813Б1
КП813А1-5
КП813Б1-5
КП814А
КП814Б
КП814В
КП814Г
КП814Д
КП814Е
КП814Ж
КП814И
КП814К
КП814Л
КП814М
КП814Н
КП814П
КП814Р
КП814С
КП814Т
КП814У
КП814Ф
КП817А
КП817Б
КП817В
КП820
КП830
КП840
КП901А
КП901Б
КП902А
КП902Б
КП902В
КП903А
КП903Б
Стр.
266
266
266
266
266
266
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
266
266
266
266
266
266
266
266
268
268
Тип
прибора
Д2Б
Д2В
Д2Г
Д2Д
Д2Е
Д2Ж
Д2И
Д7А
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж
Д9Б
Д9В
Д9Г
дед
Д9Е
Стр.
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
Тип
прибора
КП903В
КП904А
КП904Б
КП905А
КП905Б
КП905В
КП9О7А
КП907Б
КП907В
КП908А
КП908Б
КП921А
КП922А
КП922Б
КП922А1
КП922Б1
КП923А
КП923Б
КП923В
КП923Г
КП928А
КП928Б
КП934А
КП934Б
КП937А
КП937А-5
КП938А
КП938Б
КП938В
КП938Г
КП938Д
КП944А
КП944Б
КП945А
КП945Б
КП946А
КП946Б
Стр.
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
272
272
272
272
272
272
Тип
прибора
КП948А
КП948Б
КП948В
КП948Г
КП951А-2
КП951Б-2
КП951В-2
КП953А
КП953Б
КП953В
КП953Г
КП953Д
КП954А
КП954Б
КП954В
КП954Г
КП955А
КП955Б
КП956А
КП956Б
КП957А
КП957Б
КП957В
КП958А
КП958Б
КП958В
КП958Г
КП959А
КП959Б
КП959В
КП960А
КП960Б
КП960В
КП961А
КП961Б
КП961В
КП961Г
Стр.
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
2>4
274
274
274
274
Диоды, столбы, блоки
Тип
прибора
Д9Ж
Д9И
Д9К
Д9Л
Д9М
дю
ДЮА
ДЮБ
ДЮ1
Д101А
ДЮ2
Д102А
КД102А
КД102Б
дюз
ДЮЗА
КД103А
КДЮЗБ
Д104
Стр.
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
284
284
284
Тип
прибора
Д104А
КД104
Д105
Д105А
КД105Б
КД105В
КД105Г
ДЮ6
Д106А
КД106А
ГД107А
ГД1О7Б
КД109А
КД109Б
КДЮ9В
АД110А
АД112А
ГД113А
КД116А-1
Стр.
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
285
285
285
285
285
285
285
Тип
прибора
КП961Д
КП961Е
КП964А
КП964Б
КП964В
КП964Г
КП965А
КП965Б
КП965В
КП965Г
КП965Д
КП971А
КП971Б
КП973А
КП973Б
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
КПС2О2А-2
КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2
КПС203А-1
КПС203Б-1
КПС203В-1
КПС203Г-1
КПС315А
КПС315Б
КПС316Д-1
КПС316Е-1
КПС316Ж-1
КПС316И-1
Стр.
274
274
274
274
274
274
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
Тип
прибора
КДИ6Б-1
КД126А
КД127А
КД128А
КД128Б
КД128В
КД130АС
Д202
КД202А
КД202В
КД202Д
КД202Ж
КД202К
КД202М
КД202Р
Д203
КД203А
КД203Б
КД203В
Стр.
285
530
530
530
530
530
530
285
285
285
285
285
285
285
285
285
286
286
286
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
17
Тип
прибора
КД203Г
КД203Д
КД203Е
КД203Ж
КД203И
КД203К
КД203Л
КД203М
Д204
КД204А
КД204Б
КД204В
Д205
КД205А
КД205Б
КД205В
КД205Г
КД205Д ч
КД205Е
КД205Ж
КД205И
КД205К
КД205Л
Д206
КД206А
КД206Б
КД206В
Д207
Д2О8
КД208А
КД208А-1
Д209
КД209А
КД209Б
КД209В
КД209А-1
КД209Б-1
КД209В-1
КД209Г-1
Д2Ю
КД210А
КД210Б
КД210В
КД210Г
КД210А1
КД210Б1
КД210В1
КД210П
Д211
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212Г
КД213А
КД213Б
КД213В
КД213Г
Д214
Д214А
Д214Б
Д215
Стр.
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
530
530
530
530
287
288
288
288
288
288:
288
288
288
288
288
288
288
Тип
прибора
Д215А
Д215Б
МД217
МД218
МД218А
КД221А
КД221Б
КД221В
КД221Г
КД221А1
КД221Б1
КД221В1
КД221Г1
КД22Щ1
КД221Е1
КД222А-5
КД222Б-5
КД222В-5
Д223
Д223А
Д223Б
КД223А
Д226
Д226А
Д226Е
КД226А
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е
МД226
МД226А
МД226Е
КД227ГС
КД227ЕС
КД227ЖС
Д229А
Д229Б
Д229В
Д229Г
Д229Д
Д229Е
Д229Ж
Д229И
Д229К
Д229Л
Д231
Д231А
Д231Б
Д232
Д232А
Д232Б
Д233
Д233Б
Д234Б
Д237А
Д237Б
Д237В
Д237Е
Д237Ж
Стр.
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
530
530
530
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
Тип
прибора
КД237А
КД237Б
КД238АС
КД238БС
КД238ВС
КД240А
КД240Б
КД240В
КД240Г
КД240Д
КД240Е
КД240Ж
КД240И
КД240К
КД241А
Д242
Д242А
Д242Б
Д243
Д243А
Д243Б
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД243Е
КД243Ж
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244Г
Д245
Д245А
Д245Б
Д246
Д246А
Д246Б
Д247
Д247Б
КД247А
КД247Б
КД247В
КД247Г
КД247Д
КД247Е
Д248Б
КД248А
КД248Б
КД248В
КД248Г
КД248Д
КД248Е
КД248Ж
КД248И
КД248К
КД249А
КД249Б
КД249В
КД267А
КД257Б
Стр.
530
530
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
530
530
530
530
530
530
530
530
530
531
531
531
291
291
Тип
прибора
КД257В
КД257Г
КД257Д
КД258А
КД258Б
КД258В
КД258Г
КД258Д
КД259А
КД259Б
КД259В
КД268А
КД268Б
КД268В
КД268Г
КД268Д
КД268Е
КД268Ж
КД268И
КД268К
КД268Л
КД269А
КД269Б
КД269В
КД269Г
ВД269Д
КД269Е
КД269Ж
КД269И
КД269К
КД269Л
КД270А
КД270Б
КД27ОВ
КД270Г
КД27ОД
КД27ОЕ
КД270Ж
КД270И
КД270К
КД27ОЛ
КД271А
КД271Б
КД271В
КД271Г
КД271Д
КД271Е
КД271Ж
КД271И
КД271К
КД271Л
КД272А
КД272Б
КД272В
КД272Г
КД272Д
КД272Е
КД272Ж
КД272И
КД272К
КД272Л
Стр.
291
291
291
292
292
292
292
292
531
531
531
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292 J
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
18
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КД273А
КД273Б
КД273В
КД273Г
КД273Д
КД273Е
КД273Ж
КД273И
КД273К
КД273Л
КД273АС
КД273БС
КД273ВС
КД273ГС
КД273ДС
КД273ЕС
КД275А
КД275Б
КД275В
КД275Г
КД275Д
КД275Е
КД280А
КД280Б
КД280В
КД280Г
КД280Д
КД280Е
КД280Ж
КД281А
КД281Б
КД281В
КД281Г
КД281Д
КД281Е
КД281Ж
КД281И
КД281К
КД281Л
КД281М
КД28Ш
КД28Ш
КД292АС
КД292БС
КД2988А
КД2988Б
КД2988В
КД2989А
КД2989Б
КД2989В
КД2989А-1
КД2989Б-1
КД2989В-1
КД2991А
КД2994А
КД2994Б
КД2994В
КД2994Г
КД2995А
КД2995Б
КД2995В
Стр.
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
L 531
531
531
531
531
531
531
531
293
293
293
532
532
532
532
532
532
293
293
293
293
293
293
293
293
Тип
прибора
КД2995Г
КД2995Д
КД2996А
КД2996Б
КД2996В
КД2997А
КД2997Б
КД2997В
КД2998А
КД2998Б
КД2998В
КД2998Г
КД2998Д
КД2999А
КД2999Б
КД2999В
Д302
ДЗОЗ
Д304
ДЗО5
КД401А
КД401Б
ГД402А
ГД402Б
ГД403А
ГД403Б
ГД403В
КД407А
КД409А
КД409А-9
КД409Б-9
КД410А
КД410Б
КД411А
КД411Б
КД411В
КД411Г
КД4ПАМ
КД4ПБМ
КД411ВМ
КД411ГМ
КД412А
КД412Б
КД412В
КД412Г
КД413А
КД413Б
КД416А
КД416Б
КД417А
КД419А
КД419Б
КД419В
КД419Г
КД419Д
КД424А
КД424В
КД424Г
КД503А
КД503Б
КД503В
Стр.
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
, 295
295
532
532
296 .
296
296
Тип
прибора
КД504А
ГД507А
ГД508А
ГД508Б
КД509А
КД510А
КД512А
КД512А1
КД513А
КД514А
КД514А1
АД516А
АД516Г
КД518А
КД519А
КД519Б
КД520А
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД521Д
КД521А2
КД521Б2
КД521А9
КД522А
КД522Б
КД522А2
КД522Б2
КД522Б9
КД529А
КД529Б
КД529В
КД529Г
КД532А
КД629АС
КД636АС
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
КД704АС
КД706АС9
КД707АС9
КД708А
КД708Б
КД708В
КД7ЮА
КД711А
КД803АС9
КД805А
КД805А9
КД808А
КД810А
КД811А
КД811Б
КД811В
КД811А-9
КД811Б-9
КД8НВ-9
Стр.
296
296
296
296
296
296
296
532
296
297
532
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
532
297
297
297
297
532
298
298
298
298
532
298
533
533
533
533
533
533
298
298
298
533
533
533
533
533
298
298
533
298
533
299
299
299
299
299
299
Тип
прибора
КД812А
КД812Б
КД812В
КД901А-1
КД901Б-1
КД901В-1
КД9О1Г-1
КД903А
КД903Б
КД904А-1
КД904Б-1
КД904В-1
КД904Г-1
КД904Д-1
КД904Е-1
КД906А
КД906Б
КД906В
КД906Г
КД906Д
КД906Е
КД907Б-1
КД907В-1
КД908А
КД908АМ
КД909А
КД910А-1
КД910Б-1
КД910В-1
КД9ИА-1
КД911А-1
КД912А-3
КД912Б-3
КД912В-3
КД913А-3
КД914А
КД914Б
КД914В
КД917А
КД917АМ
КД918Б-1
КД918В-1
КД919А
КД921А
КД921Б
КД922А
КД922Б
КД922В
КД923А
КД927А
Д1004
Д1005А
Д1005Б
Д1006
Д1007
Д1008
Д1009
Д1009А
ДЮН
КДСША
КДСШБ
Стр.
533
533
533
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
302
533
533
302
302
302
302
534
302
302
302
302
302
302
302
302
303
303
303
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
19
Тип
прибора
КДСШВ
КДС111А2 .
КДСШБ2
КДСШВ2
КДС132А1
КДС132Б1
КДС132В1
КДС133А1
КДС133Б1
КДС133В1
КДС413А
КДС413Б
КДС413В
КДС414А
КДС414Б
КДС414В
КДС415А
КДС415Б
КДС415В
КДС523А
КДС523Б
КДС523В
КДС523Г
КДС523АМ
КДС523БМ
КДС523ВМ
КДС523ГМ
КДС525А
КДС525Б
КДС525В
КДС525Г
КДС525Д
КДС525Е
КДС525Ж
КДС525И .
КДС525К
КДС525Л
КДС526А
КДС526Б
КДС526В
КДС627А
КДС628А
КЦ103А
КЦ105В
Стр.
303
535
435
535
535
535
535
535
535
535
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
305
305
305
305
305
534
305
Тип
прибора
Д901А
Д901Б
Д901В
Д901Г
Д901Д
Д901Е
Д902
КВ101А
КВ102А
КВ102Б
КВ102В
КВ102Г
Стр.
322
322
322
322
322
322
322
310
310
310
310
310
Тип
прибора
КЦ105Г
КЦ105В
КЦ106А
КЦ106Б
КЦ106В
КЦ106Г
КЦ106Д
КЦ108А
КЦ108Б
КЦ108В
КЦ109А
КЦ109АМ
КЦША
КЦ114А
КЦ114Б
КЦША
КЦ117Б
КЦП8А
КЦ118Б
КЦ122А
КЦ122Б
КЦ122В
КЦ201А
КЦ201Б
КЦ201В
КЦ201Г
КЦ201Д
КЦ201Е
КЦ206А
КЦ206Б
КЦ206В
КЦ208А
КЦ302А
КЦ302Б
КЦ302В
КЦ302Г
КЦЗОЗА
КЦЗОЗБ
КЦЗОЗВ
кцзозг
кцзозд
КЦЗОЗЕ
кцзозж
кцзози
Стр.
305
305
306
306
306
306
306
306
306
306
306
534
306
306
306
306
306
534
534
534
534
534
306
306
307
307
307
307
534
534
534
307
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
Тип
прибора
КЦЗОЗК
КЦЗОЗЛ
КЦЗОЗМ
КЦЗОЗН
КЦ401А
КЦ401Г
КЦ402А
КЦ402Б
КЦ402В
КЦ402Г
КЦ402Д
КЦ402Е
КЦ402Ж
КЦ402И
КЦ403А
КЦ403Б
КЦ403В
КЦ403Г
КЦ403Д
КЦ403Е
КЦ403Ж
КЦ403И
КЦ404А
КЦ404Б
КЦ404В
КЦ404Г
КЦ404Д
КЦ404Е
КЦ404Ж
КЦ404И
КЦ405А
КЦ405Б
КЦ405В
КЦ405Г
КЦ405Д
КЦ405Е
КЦ405Ж
КЦ405И
КЦ407А
КЦ409А
КЦ409Б
КЦ409В
КЦ409Г
КЦ409Д
Стр.
534
534
534
534
307
307
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
309
309
309
309
309
309
Варикапы
Тип
прибора
КВ102Д
КВ103А
КВ103Б
КВ104А
КВ104Б
КВ104В
КВ104Д
КВ104Е
КВ105А
КВ1О5Б
КВ106А
КВ106Б
Стр.
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
Тип
прибора
КВ107А
КВ107Б
КВ1О7В
КВ107Г
КВ109А
КВ109Б
КВ109В
КВ109Г
КВ109А-1
КВ109Б-1
КВ109В-1
КВ109Г-1
Стр.
310
310
310
310
310
310
310
310
312
312
312
312
Тип
прибора
КЦ409Е
КЦ409Ж
КЦ409И
КЦ410А
КЦ410Б
КЦ410В
КЦ412А
КЦ412Б
КЦ412В
КЦ417А
КЦ417Б
КЦ417В
КЦ418А
КЦ418Б '
КЦ418В
КЦ418Г
КЦ418Д
КЦ419А
КЦ419А1
КЦ419А2
КЦ419Б
КЦ419Б1
КЦ419Б2
КЦ419В
КЦ419В1
КЦ419В2
КЦ419Г
КЦ419Г1
КЦ419Г2
КЦ419Д
КЦ419Д1
КЦ419Д2
КЦ419Е
КЦ419Е1
КЦ419Е2
КЦ419Ж
КЦ419Ж1
КЦ419Ж2
КЦ422А
КЦ422Б
КЦ422В
КЦ422Г
ГД404АР
Стр.
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
534
534
534
534
535
Тип
прибора
КВ109А-4
КВ109Б-4
КВ109В-4
КВ109Г-4
КВ109Д-4
КВ109Е-4
КВ109Ж-4
КВ109А-5
КВ109Б-5
КВ109В-5
КВ109Г-5
КВ109Д-5
Стр.
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
20
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КВ109Е-5
КВ109Ж-5
КВ110А
КВ110Б
КВ110В
КВ110Г
КВИОД
КВ11ОЕ
КВС111А
КВСШБ
КВС111А-2
КВСШБ-2
КВСШВ-2
КВСШГ-2
КВ112А-1
КВ112Б-1
КВ113А
КВ113Б
КВ114А
КВ114Б
КВ115А
КВ115Б
КВ115В
КВ116А-1
КВ117А
КВ117Б
КВ119А
КВС12ОА
КВС12ОБ
КВС12ОА-1
КВ121А
КВ121Б
Стр.
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
3J2
312
312
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
Тип
прибора
Д219С
Д22ОС
Д223С
Д808
Д809
Д8Ю
Д811
Д813
Д814А
Д814Б
Д814В
Д814Г
Д814Д
Д814А1
Д814Б1
Д814В1
Д814П
Д814Д1
Д814А2
Д815А
Д815Б
Д815В
Д815Г
Д815Д
Стр.
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
Тип
прибора
КВ121А-1
КВ121Б-1
КВ121А-2
КВ121Б-2
КВ121В-2
КВ121А-3
КВ121Б-3
КВ121В-3
КВ121А-9
КВ121Б-9
КВ121В-9
КВ122А
КВ122Б
КВ122В
КВ122А-1
КВ122Б-1
КВ122В-1
КВ122А-4
КВ122Б-4
КВ122В-4
КВ122А-9
КВ122Б-9
КВ122В-9
КВ123А
КВ126А-5
КВ126АГ-5
КВ127А
КВ127Б
КВ127В
КВ127Г
КВ128А
КВ128АК
Стр.
314
314
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
318
318
318
318
318
318
318
318
Тип
прибора
КВ129А
КВ130А
КВ132А
КВ130А-9
КВ131А-2
КВ134А
КВ134А-1
КВ135А
КВ136А
КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
КВ138А
КВ138Б
КВ139А
КВ140А-1
КВ140Б-1
КВ142А
КВ142Б
КВ143А
КВ143Б
КВ143В
КВ144А
КВ144Б
КВ144В
КВ144Г
КВ144А-Г
КВ144Б-1
КВ144В-1
КВ144Г-1
КВ146А
КВ148А9
Стр.
318
318
318
318
318
318
318
320
320
320
320
320
320
320. /
320
520
520
320
320
520
520
520
320
320
320
320
320
320
320
320
320
520
Стабилитроны и стабисторы
Тип
прибора
Д815Е
Д815Ж
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Г
Д816Д
Д817А
Д817Б
Д817В
Д817Г
Д818А
Д818Б
Д818В
Д818Г
Д818Д
Д818Е
КС102А
КС106А
КС106А-1
КС107А
КС107А1
КС108А
КС108Б
Стр.
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324 .
324
324
324
324
324
324
524
524
324
326
524
326
326
Тип
прибора
КС108В
КС113А
КС113В
КС115А
КС119А
КС121А
КС124Д-1
КС126А
КС126Б
КС126В
КС126Г
КС126Д
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
КС126Л
КС126М
КС126В1
КС126Г1
КС126Д1
КС127Д-1
КС128А
КС128Б
Стр.
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
Тип
прибора
КВ148Б9
КВ148В9
КВ149А
КВ149А1 '
КВ149А2
КВ149АЗ
КВ149Б
КВ149Б1
КВ149Б2
КВ149БЗ
КВ149В
КВ149В1
КВ149В2
КВ149ВЗ
КВ149ГЗ
КВ152А
КВ153А-9
КВ154А
КВ155А-9
КВ156А-9
КВ157А-9
КВ163А
КВ163А9
КВ164А
КВ164А9
КВ165А
КВ165А9
КВ166А
КВ166А9
Стр.
520
520
322
520
520
520
322
520
520
520
322
520
520
520
520
322
322
322
322
322
322
520
520
522
522
522
522
522
522
Тип
прибора
КС128В
КС128Г
КС128Д
КС128Е
КС128Ж
КС128И
КС128К
КС128Л
КС128М
КС128В1
КС128Г1
КС128Д1
КС130Д-1
КС130Д-5
КС133А
КС133Г
КС133Д-1
КС136Д-1
КС139А
КС139Г
КС139Д-1
КС143Д-1
КС147А
КС147Г
Стр.
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
328
328
328
328
328
328
328
328
328
328
328
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
21
Тип
прибора
КС156А
КС156А9
КС156Г
КС162А
КС162А2
КС162А-3
КС164М-1
КС166А
КС166Б
КС166В
КС168А
КС168А1
КС168В
КС168В2
КС168ВЗ
КС170А
КС175А
КС175Е
КС175Ж
КС175Ц
КС175А-2
КС175Ж-1
КС182А
КС182Е
КС182Ж
КС182Ц
КС182А2
КС182Ц-1
КС190Б
КС190В
КС190Г
КС190Д
КС191А
КС191Б
КС191В
КС191Е
КС191Ж
КС191М
КС191Н
КС19Ш
КС191Р
КС191С
КС191Т
КС191У
КС191Ф
КС191Ц
КС191А2
КС191Ж-1
КС191С1
КС191Т1
КС191У1
КС191Ф1
КС201В
КС201Г
КС207А
Стр.
330
524
330
330
330
330 .
330
330
330
330
330
524
330
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
336
336
336
336
336
336
524
524
336
Тип
прибора
КС207Б
КС207В
КС208А
КС208Б
КС208В
КС210Б
КС210Е
КС210Ж
КС210Ц
КС210Б2
КС211Б
КС211В
КС211Г
КС211Д
КС211Е
КС211Ж
КС211Ц
КС211Ж-1
КС212Е
КС212Ж
КС212Ц
КС213Б •
КС213Е
КС213Ж
КС213Б2
КС215Ж
КС216Ж
КС216Ж-1
КС218Ж
КС220Ж
КС220Ж-1
КС222Ж
КС224Ж
КС224Ж-1
КС291А
КС405А
КС405Б
КС406А
КС406Б
КС407А
КС407Б
КС407В
КС407Г
КС407Д
КС407Е
КС409А
КС410АС
КС412А
КС413Б
КС415А
КС417А
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Д
Стр.
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
340
340
340
340
340
340
524
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
, 340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
Тип
прибора
КС417Е
КС417Ж
КС433А
КС433А1
КС439А
КС439А1
КС447А
КС447А1
КС451А
КС456А
КС456А1
КС468А
КС468А1
КС468А-9
КС482А
КС482А1
КС482А-9
КС506А
КС506Б
КС506В
КС506Г
КС506Д
КС507А
КС508А
КС508Б
КС508В
КС508Г
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС509В
КС510А
КС510А1
КС511А
КС511Б
КС512А
КС512А1
КС513А
КС515А
КС515А1
КС515Г
КС515Г1
КС515Г-2
КС518А
КС518А1
КС520В
КС520В1
КС520В-2
КС522А
КС522А1
КС523А
КС524А1
КС524Г
КС524Г-2
КС527А
Стр.
340
340
342
524
342
526
342
526
342
342
526
342
526
342
342
526
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
344
526
344
344
344
526
344
344
526
344
526
344
344
526
344
526
346
346
526
528
528
346
346
346
Тип
прибора
КС527А1
KCS28A
КС528Б
КС528В
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
KCS28K
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
КС530А
КС530А-1
KCS31B
КС531В1
КС531В-2
КС533А
КС533А1
КС535А
КС535Б
КС535В
КС535Г
КС536А-1
КС539Г
КС539Г-2
КС547В
КС547В-2
КС551А
КС551А1
КС568В
КС568В-2
КС582А1
КС582Г
КС582Г-2
КС591А
КС591А1
КС596В
КС596В-2
КС600А
КС600А1
КС620А
КС630А
КС650А
КС680А
Стр.
528
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
348
528
348
348
528
348
348
348
348
348
348
348
348
350
350
528
350
350
528
350
350
350
528
350
352
352
528
352
352
352
352
22
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тиристоры
Тип
прибора
КУ101А
КУ101Б
КУ101Г
КУ101Е
КУ102А
КУ102Б
КУ102В
КУ102Г
КУ103А
КУ103В
КУ104А
КУ104Б
КУ104В
КУ104Г
КУ105А
КУ105Б
КУ105В
КУ105Г
КУ105Д
КУ105Е
КУ108В
КУ108Ж
КУ108М
КУ108Н
КУ108С
КУ108Т
КУ108Ф
КУ108Ц
КУ109А
КУ109Б
КУ109В
КУ109Г
КУ110А
КУ110Б
КУ110В
КУША
КУШБ
КУ113В
КУ113Г
КУ120А
КУ120Б
КУ120В
КУ120А-5
КУ120Б-5
КУ120В-5
КУША
КУ121Б
КУ121В
КУ201А
КУ201Б
КУ201В
КУ201Г
КУ201Д
КУ201Е
КУ201Ж
Стр.
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
Тип
прибора
КУ20Ш
КУ201К
КУ201Л
КУ202А
КУ202Б
КУ202В
КУ202Г
КУ202Д
КУ202Е
КУ202Ж
КУ202И
КУ202К
КУ202Л
КУ202М
КУ202Н
КУ203А
КУ203Б
КУ203В
КУ2ОЗГ
КУ203Д
КУ203Е
КУ203Ж
КУ203И
КУ204А
КУ204Б
КУ204В
КУ208А
КУ208Б
КУ208В
КУ208Г
КУ210А
КУ210Б
КУ210В
КУ211А
КУ211Б
КУ211В
КУ211Г
КУ2ИД
КУ211Е
КУ211Ж
КУ211И
КУ215А
КУ215Б
КУ215В
КУ216А
КУ216Б
КУ216В
КУ218А
КУ218Б
КУ218В
КУ218Г
КУ218Д
КУ218Е
КУ218Ж
КУ218И
Стр.
360
360
360
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
Тип
прибора
КУ219А
КУ219Б
КУ219В
КУ220А
КУ220Б
КУ220В
КУ220Г
КУ220Д
КУ221А
КУ221Б
КУ221В
КУ221Г
КУ221Д
КУ222А
КУ222Б
КУ222В
КУ222Г
КУ222Д
КУ222Е
КУ224А
КУ228А1
КУ228Б1
КУ228В1
КУ228П
КУ228Д1
КУ228Е1
КУ228Ж1
КУ228И1
КУ239А
КУ239Б
КУ240А
КУ240Б
КУ240В
КУ501А
КУ502А
КУ503А
КУ503Б
КУ503В
КУ601А
КУ601Б
КУ601В
КУ601Г
КУ606А
КУ610А
КУ610Б
КУ610В
КУ701А
КУ701Б
КУ701В
КУ701Г
КУ701Д
КУ701Е
КУ701Ж
КУ70Ш
КУ7О2А
Стр.
364
364
364
364
364
364
364
364
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
Тип
прибора
КУ702Б
КУ702В
КУ702Г
КУ702Д
КУ7О2Е
КУ706А
КУ706Б
КУ706В
КУ709А
КУ709Б
КУ709В
КУ7О9А-1
КУ7О9Б-1
КУ7О9В-1
КУ709А-2
КУ709Б-2
КУ709В-2
КУ710А
КУ710Б
КУ710В
КУ711А
КУ711Б
КУ711В
КУ712А
КУ712Б
КУ712В
КУ712Г
КУ712А-1
КУ712Б-1
КУ712В-1
КУ712Г-1
КУ712А-2
КУ712Б-2
КУ712В-2
КУ712Г-2
КУ901А
КН102А
КН102Б
КН102В
КН102Г
КН102Д
КН102Ж
КН102И
Д235А
Д235Б
Д235В
Д235Г
Д238А
Д238Б
Д238В
Д238Г
Д238Д
Д238Е
Стр.
368
368
368
368
368
368
368
368
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
538
538
538
538
1 538
538
538
538
538
538
538
538
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
23
Светоизлучающие приборы
Тип
прибора
АЛ102А
АЛ102Б
АЛ102В
АД102Г
АЛ102Д
АЛ102АМ
АЛ102БМ
АЛ102ВМ
АЛ102ГМ
АЛ102ДМ
АЛ112А
АЛ112Б
АЛП2В
АЛ112Г
АЛ112Д
АЛ112Е
АЛ112Ж
АЛ112И
АЛ112К
АЛ112Л
Стр.
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
Тип
прибора
АЛС317А
АЛС317Б
АЛС317В
АЛС317Г
АЛС343А-5
АЛС345А
АЛС345Б
АЛС345В
АЛС345Г
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
прибора
АЛ112М
АЛ301А
АЛ301Б
АЛ307А
АЛ307Б
АД307В
АД307Г
АЛЗО7Д
АЛ307Е
АЛЗО7Ж
АЛ307К
АЛЗО7Н
АЛ307АМ
АЛ307БМ
АЛ307ВМ
АЛ307ГМ
АЛ307ДМ
АЛ307ЕМ
АЛ307ЖМ
АЛ307КМ
Стр.
376
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
Тип
прибора
АЛ307ЛМ
АЛ307НМ
АЛ307ПМ
АЛ310А
АЛ310Б
АЛ310В
АЛ310Г
АЛ310Д
АЛ310Е
АЛ316А
АЛ316Б
АЛ336А
АЛ336Б
АЛ336В
АЛ336Г
АЛ336Д
АЛ336Е
АЛ336Ж
АЛ336И
АЛ336К
Стр.
377
377
377
377
377
377
377
377
377
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
Линейные шкалы
Тип
прибора
АЛС362А
АЛС362Б
АЛС362В
АЛС362Г
АЛС362Д
АЛС362Е
АЛС362Ж
АЛС362И
АЛС362К
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
прибора
АЛ336Н
АЛ341А
АЛ341Б
АЛ341В
АЛ341Г
АЛ341Д
АЛ341Е
АЛ341И
АЛ341К
АЛ360А
АЛ360Б
КИПД21А-К
КИПД21Б-К
КИПД21В-К
КИПД23А-К
КИПД23А1-К
КЙПД23А2-К
КЛ101А
КЛ104А
Стр.
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
379
379
379
379
Тип
прибора
АЛС362Л
АЛС362М
АЛС362Н
АЛС362П
АЛС362А-1
АЛС362Б-1
АЛС362Д-1
АЛС362Е-1
АЛС362К-1
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
прибора
АЛС364А-5
АЛС366А-5
АЛС367А-5
КИПТ02-50Л-5
КИПТ03А-10Ж
КИПТ03А-10Л
Стр.
380
380
381
381
381
381
Цифро-буквенные индикаторы
Тип
прибора
АЛ113А
АЛ113Б
АЛ113В
АЛ113Г
АЛ113Д
АЛ113К
АЛ113Л
АЛ113М
АЛ113Е
АЛ113Ж
АЛ113И
АЛ113Н
АЛ113Р
АЛ113С
АЛ304А
АЛ304Б
АЛ304В
АЛ304Г
АЛЗО5А
АЛ305Б
Стр.
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
Тип
прибора
АЛ305В
АЛ305Г
АЛ305Д
АЛ305Е
АЛ305Ж
АЛ305И
АЛ305К
АЛ305Л
АЛ306А
АЛ306Б
АЛ306В
АЛ306Г
АЛ306Д
АЛ306Е
АЛ306Ж
АЛ306И
АЛС311А
АЛС312А
АЛС312Б
АЛС313А-5
Стр.
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
384
384
384
384
Тип
прибора
АЛС314А
АЛС318А
АЛС318Б
АЛС318В
АЛС318Г
АЛС320А
АЛС320Б
АЛС320В
АЛС320Г
АЛС321А
АЛС321Б
АЛС322А-5
АЛС323А-5
АЛС324А
АЛС324Б
АЛС326А
АЛС326Б
АЛС327А
АЛС327Б
АЛС328А
Стр.
384
386
386 ,
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
388
388
388
Тип
прибора
АЛС328Б
АЛС328В
АЛС328Г
АЛС329А
АЛС329Б
АЛС329В
АЛС329Г
АЛС329Д
АЛС329Е
АЛС329Ж
АЛС329И
АЛС329К
АЛС329Л
АЛС329М
АЛС329Н
АЛСЗЗОА
АЛСЗЗОБ
АЛСЗЗОВ
АЛСЗЗОГ
АЛСЗЗОД
Стр.
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
24
Алфавитно-цифровой указатель лриборов в пособии
Тип
прибора
АЛСЗЗОЕ
АЛСЗЗОЖ
АЛСЗЗОИ
АЛСЗЗОК
АЛСЗЗЗА
АЛСЗЗЗБ
АЛСЗЗЗВ
АЛСЗЗЗГ
АЛС334А
АЛС334Б
АЛС334В
АЛС334Г
АЛС335А
АЛС335Б
Стр.
388
388
388
388
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
Тип
прибора
АЛС335В
АЛС335Г
АЛС337А
АЛС337Б
АЛС338А
АЛС338Б
АЛС338В
АЛС339А
АЛС340А
АЛС342А
АЛС342Б
АЛС348А
АЛС354А
АЛС355А-5
Стр.
390
390
390
390
390
390
390
390
392
392
392
392
392
394
Тип
прибора
АЛС355Б-5
АЛС358А
АЛС358Б
АЛС359А
АЛС359Б
АЛС363А
КЛЦ201А
КЛЦ201Б
КЛЦ202А
КЛЦ301А-5
КЛЦ302А
КЛЦ302Б
КЛЦ401А
КЛЦ402А
Стр.
394
394
394
396
396
396
396
396
396
396
398
398
398
398
Тип
прибора
АЛ103А
АЛ1ОЗБ
АЛ106А
АЛ106А
АЛ106В
АЛ107А
Стр.
402
402
402
402
402
402
Тип
прибора
АОД101А
АОД101Б
АОД101В
АОД101Г
АОД101Д
АОД107А
АОД107Б
АОД107В
АОД109А 3-кан.
АОД109Б 3-кан.
Стр.
406
406
406
406
406
406
406
406
406
406
Инфракрасные излучающие диоды
Тип
прибора
АЛ107Б
АЛ107В
АЛ107Г
АЛ108А
АЛ109А
АЛ115А
Стр.
402
402
402
402
402
402
Тип
прибора
АЛ118А
АЛП9А
АЛ119Б
АЛ120А
АЛ120Б
АЛ123А
Стр.
402
402
402
404
404
404
Диодные оптопары
Тип
прибора
АОД109В 2-кан.
АОД109Г 2-кан.
АОД109Д 2-кан.
АОД109Е 1-кан.
АОД109Ж 1-кан.
АОД109И 1-кан.
АОДП2А-1
АОД120А-1
АОД120Б-1
АОД129А
Стр.
406
406
406
406
406
406
406
406
406
406
- Тип
прибора
АОД129Б
АОД130А
АОД133А
АОД133Б
АОД134АС
АОД201А-1
АОД201Б-1
АОД201В-1
АОД201Г-1
АОД201Д-1
Стр.
406
408
408
408
408
408
408
408
408
408
Тип
прибора
КЛЦ402Б
КИПВ01А-1/10К-5
КИПЦ01А-1/7К
КИ1Щ01Б-1/7К
КИПЦ01В-1/7К
КИПЦ01Г-1/7К
КИПЦ01Д-1/7К
КИПЦ01Е-1/7К
КИПЦ02А-1/7КЛ
КИПЦО2Б-1/7КЛ
КИПЦ04А-1/8К
Стр.
398
398
398
398
398
398
398
398
400
400
400
Тип
прибора
АЛ124А
АЛС126А-5
АЛ132А
АЛ135А
АЛ136А-5
АЛ137А
Стр.
.404
404 '
404
404
404
404
Тип
прибора
АОД201Е-1
АОД202А
АОД202Б
КОД301А
КОД302А
КОД302Б
КОД302В
КОЛ201А
Cfp.
408
408
408
410
410
410
410
410
Транзисторные оптопары
Тип
прибора
АОТ101АС
АОТ101БС
АОТ101ВС
АОТ101ГС
АОТ101ДС
АОТ101ЕС
АОТ101ЖС
АОТ101ИС
АОТ110А
АОТ110Б
Стр.
412
412
412
412
412
412
412
412
412
412
Тип
прибора
АОТ110В
АОТ110Г
АОТ11ОД
АОТ122А
АОТ122Б
АОТ122В
АОТ122Г
АОТ123А
АОТ123Б
АОТ123В
Стр.
412
412
412
412
412
412
412
412
412
412
Тип
прибора
АОТ123Г
АОТ126А
АОТ126Б
АОТ127А
АОТ127Б
АОТ127В
АОТ127Г
АОТ128А
АОТ128Б
АОТ128В
Стр.
412
412
412
414
414
414
414
414
414
414
Тип
прибора
АОТ128Г
АОТ128Д
АОТ128Е
АОТ135А
АОТ135Б
АОТ136А
АОТ136Б
Стр.
414
414
414
414
414
414
414
Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов
25
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса
полупроводниковых приборов
1.1. Система условных обозначений и классификация
полупроводниковых приборов
Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов широкого
применения основывается на ОСТ 11.336.919-81.
Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материала,
из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктивно-тех-
нологические особенности.
Первый элемент обозначения. Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на ос-
нове которого изготовлен полупроводниковый прибор.
Условное обозначение
Г или 1
К или 2
А или 3
И или 4
Исходный материал
Германий или его соединения.
Кремний или его соединения.
Соединения галлия (например, арсенид галлия).
Соединения индия (например, фосфид индия).
Второй элемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора.
Условное обозначение
Т
П
д
к
ц
с
в
л
О
н
У
и
г
в
А
Подкласс (или группа) приборов
Транзисторы (за исключением полевых).
Транзисторы полевые.
Диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды.
Стабилизаторы тока.
Выпрямительные столбы и блоки.
Стабилитроны, стабисторы и ограничители.
Варикапы.
Излучающие оптоэлектронные приборы.
Оптопары.
Тиристорные диоды.
Тиристорные триоды.
Туннельные диоды.
Генераторы шума.
Приборы с объемным эффектом (приборы Ганна).
Сверхвысокочастотные диоды.
Третий элемент обозначения. Цифра, которая определяет основные функциональные возможности (допу-
стимое значение рассеиваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту).
Условное
обозначение
Назначение прибора
Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк-0,3 Вт):
низкой частоты (frp<3 МГц)
средней частоты (frp=3...3O МГц)
высокой частоты (frp>30 МГц)
26
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Условное
обозначение
4
5
6
7
8
9
1
2
3
1-
2
3
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
Назначение прибора
Транзисторы средней мощности {Рк-0,З..Л,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мощности (Рк>1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Диоды выпрямительные с прямым током, А:
не более 0,3
0,3...10
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды)
Выпрямительные столбы с прямым током, А:
не более 0,3
0,3...10
Выпрямительные блоки с прямым током, А:
не более 0,3
0.3...10
Стабилитроны, стабисторы и ограничители с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее 0,3 Вт:
менее 10
10... 100
более 100
мощностью 0,3. .5 Вт:
менее 10
10...100
более 100
мощностью 5...10 Вт:
менееЮ
10...100
более 100
Варикапы:
подстроечные
умножительные (варакторы)
Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядко-
вый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов — напряжение стабилиза-
ции и последовательность разработки.
Условное
обозначение
От 01 до 999
От А до Я
Назначение прибора
Определяет порядковый номер разработки технологического типа.
Для стабилизаторов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабили-
зации, а шестой элемент — последовательность разработки.
Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по параметрам.
Условное
обозначение
От А до Я
(кроме букв 3, О, Ч)
Назначение прибора
Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по
единой технологии.
Корпуса полупроводниковых приборов 27
Для наборов приборов, не соединенных электрически или соединенных по одноименному выводу,
после второго элемента обозначения добавляется буква «С».
Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисторов с парным подбором
после последнего элемента обозначения вводится буква «Р».
Для импульсных тиристоров после второго элемента обозначения вводится буква «И».
Для бескорпусных приборов после условного обозначения вводится (через дефис) дополнительная
цифра, показывающая конструктивное исполнение (модификацию):
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 — с жесткими (объемными) выводами без кристаллодержателя;
4 — с жесткими (объемными) выводами на кристаллодержателе;
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (кристалл без выводов);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе (кристалл без выводов на подложке);
9 — микросборки для поверхностного монтажа.
Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то
на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полоски). Цветовой код указывается в ТУ.
1.2. Корпуса полупроводниковых приборов
Кристаллы полупроводникового прибора устанавливают в металлостеклянные, металлические с про-
ходным изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной (пластмассовой) герметиза-
цией и пластмассовые корпуса различных форм и размеров.
Металлостеклянный корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпачка), герметично
соединяемых друг с другом электроконтактной и холодной сваркой или пайкой. Наружные металличе-
ские детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь металлическое (золочение, никели-
рование) или лакокрасочное покрытие. Выводы корпусов могут иметь одно- или двухстороннее
расположение и находиться с той стороны, которой прибор прижимается к тешюотводу или шасси
(направляться вниз), могут располагаться со стороны, противоположной контактирующей (обычно в
мощных приборах), например в корпусе КТ-4, а также могут иметь радиальное расположение (обычно
у ВЧ и СВЧ-транзисторов).
Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан с
корпусом или все выводы могут быть электрически изолированы от него. Для улучшения теплоотвода
с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто используется держатель из
бериллиевой керамики, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изолято-
ром и в то же время обладает высокой теплопроводностью.
Габаритные и присоединительные размеры корпусов отечественных диодов и транзисторов
стандартизированы ГОСТ 18472-88. По габаритно-присоединительным размерам ряд конструкций
корпусов с учетом международной стандартизации взаимозаменяем в нашей стране:
• металлостеклянный корпус типа КТ-1 с двумя, тремя (аналогичный зарубежный корпус типа
ТО-18), четырьмя (ТО-72) или пятью выводами для транзисторов с рабочей частотой до 1,5 ГГц;
• металлостеклянный корпус типа КТ-2 (ТО-5, ТО-39) для транзисторов малой и средней
мощности (до 15 Вт);
• металлокерамический корпус типа КТ-4 (ТО-60), имеющий три изолированных вывода, крепя-
щий болт и предназначенный для мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов;
• металлокерамические корпуса типов КТ-б, КТ-7 (ТО-61, ТО-63 соответственно) для транзисто-
ров большой мощности (до 200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или тремя (для
высокочастотных транзисторов) изолированными от корпуса выводами;
• металлостеклянные корпуса типов КТ-8, КТ-9 (ТО-66, ТО-3 соответственно) для транзисторов
большой мощности.
Корпуса диодов КД-2, КД-4, КД-6 соответствуют по габаритным размерам зарубежным корпусам
DO-35, DO-6, SO-45.
Корпус типа КТ-9 обычно используется для работы на частотах до 100... 150 МГц, типа КТ-4 — до
500 МГц; для работы на более высоких частотах применяются специальные конструкции.
На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают влиять паразитные
параметры корпуса: межэлектродные емкости, емкости электродов относительно корпуса и индуктив-
ности выводов. Для работы на СВЧ (более 1 ГГц) индуктивность выводов должна быть менее 1 нГн.
28 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
В отличие от низкочастотных приборов, у высокочастотных выводы делаются короткими, толсты-
ми, широкими и далеко расположенными друг от друга.
Были разработаны коаксильный корпус и различные модификации корпуса с полосковыми
выводами (для сопряжения с полосковыми линиями). Например, у коаксильного корпуса индуктив-
ность общего вывода 0,1 нГн, у керамического полоскового корпуса индуктивность эмиттерного вывода
0,275 нГн.
Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов существуют два способа монтажа кристалла в корпус: для схем с
ОЭ (эмиттер электрически связан с корпусом) и с ОБ (общей базой). Наилучшие результаты работы
усилительных транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме с ОБ (класс С), так как при этом
получаются высокие Кур и достигается лучшая стабильность усилителя. Транзисторы, включаемые по
схеме с ОЭ, являются оптимальными для генераторов, так как паразитные параметры корпуса
оказываются включенными в цепь обратной связи.
1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные
полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы в пластмассовом корпусе имеют меньшую стоимость по сравнению с
аналогичными- по электрическим параметрам приборами в металлостеклянных корпусах, но более
низкий диапазон температур окружающей среды, при которой они могут надежно работать.
Герметизация полимерами, применяемая как для маломощных, так и для мощных приборов,
осуществляется либо в виде монолитной конструкции (герметизирующий материал контактирует с
кристаллом), созданной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрессовкой
или формовкой, либо в виде капсульной конструкции, при которой контакт кристалла с герметизиру-
ющим материалом отсутствует. Герметизация может быть односторонней (для мощных приборов) или
двусторонней (для маломощных приборов).
Пластмассовые приборы имеют высокую механическую прочность, вибро- и ударопрочность.
Однако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет плохой отвод тепла. В ряде случаев
при использовании пластмассовых приборов в радиоэлектронной аппаратуре требуется дополнитель-
ная магнитная и электрическая экранировка их корпуса.
За рубежом для маломощных транзисторов наиболее часто используются пластмассовые корпуса
типов RO-67 или SOT-54, ТО-92 (отечественный КТ-26), ТО-98, Х-55, для мощных транзисторов —
типов ТО-220 или SOT-78 (КТ-28), ТО-202 или SOT-128 (КТ-50), ТО-126 или SOT-32 (КТ-27), ТО-218
или SOT-93 (КТ-43).
Для мощных приборов в качестве основания пластмассового корпуса и теплоотвода служит
металлическая пластина (например, медная), на которую непосредственно монтируется кристалл
прибора и запрессовывается пластмассой.
Следует отметить, что транзисторы в корпусах ТО-202 или SOT-128 по сравнению с аналогичными
транзисторами в корпусах ТО-126 или SOT-32 имеют рассеиваемую мощность примерно на 20%
больше за счет имеющегося металлического радиатора с площадью поверхности 250 мм , т.е. при
эксплуатации в одинаковых режимах температура переходов у них будет примерно на 20% ниже,
поэтому прогнозируемый срок их службы выше.
Существуют три способа монтажа приборов в аппаратуре: навесной, печатный и поверхностный.
Для поверхностного монтажа применяются специальные малогабаритные пластмассовые корпуса
(например, отечественные КТ-46, КТ-47, аналогичные зарубежным SOT-23, SOT-89, а также SOT-143,
SOD-80), которые позволяют более эффективно использовать поверхность платы.
Технология поверхностного монтажа (SMT — Surface mount technology) дает возможность при
автоматизированном процессе сборки повысить плотность монтажа в 3 раза и уменьшить размеры плат,
т.е. уменьшить массогабаритные показатели аппаратуры, исключить технологический процесс изготов-
ления отверстий на печатных платах, сократить время монтажа по сравнению с монтажом на платах
со сквозными отверстиями.
Бескорпусные приборы в виде кристаллов (пластин) с шариковыми, балочными, проволочными
или ленточными выводами, на керамических держателях, в малогабаритных пластмассовых корпусах
(КТ-46, SOT-23, SOT-89) применяются в составе гибридных интегральных микросхем. При этом
осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы.
Необходимо отметить, что корпуса транзисторов КТ-16-1, КТ-17-1, КТ-18-1, КТ-19-1, КТ26-1,
КТ-28-1 имеют два вывода; КТ-16-2, КТ-17-2, КТ-18-2, КТ-19-2, КТ-28-2 — три вывода; КТ-19А-3,
КТ-19В-3 — четыре вывода.
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов 29
1.4. Конструктивное исполнение стандартизованных
корпусов транзисторов
30 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Конструктивное исполнение стандартизованные корпусов транзисторов
31
04*
32
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов 33
34 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов
35
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов
37
КТ-90
1.5. Конструктивное исполнение стандартизованных
корпусов диодов
38
Раздел 1. Условные обозначениям корпуса полупроводниковых приборов
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов
39
40
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов
41
42
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Биполярные транзисторы 43
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя р-n переходами,
имеют три электрода (эмиттер, база, коллектор) и применяются для усиления, преобразования и
переключения электрических сигналов. Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы
как общего назначения (малошумящие, переключательные и генераторные), так и специализирован-
ные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматиче-
ской регулировкой усиления, для работы в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные,
однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по
сочетаникгпараметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы.
В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары),
изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преобра-
зующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, должны
иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора
ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в
зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п переходов
транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy
приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении (Uy приложено между базой и
коллектором). Если Uy приложено, например, в р-п-р транзисторе минусом к базе, то оба перехода
транзистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения — ключ открыт). При
изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки — ключ
закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не
совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным
сопротивлением Roct и напряжением Uoct в открытом состоянии, а также сопротивлением Изакр и
остаточным током Ьакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Roct=0, UOct=0, Кзакр=ос, 1закр=0).
Остаточные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует
отметить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие
значения Uoct и Ьакр, чем в прямом включении "(особенно для сплавных транзисторов, у которых
площадь коллектора много больше площади эмиттера).
Для некоторых Транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры
(UOct^12mB). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие
значения остаточных параметров (например, у КТ118 Uoct менее 0,2 мВ).
Транзистор типа КТ339, предназначенный специально для работы в усилителях промежуточной
частоты (УПЧ), имеет малую емкость обратной связи, что позволяет обеспечить стабильное усиление
без использования внешних дополнительных цепей нейтрализации.
Транзисторы типов ГТ328, КТ3128 и КТ3153А9 предназначены для применения в радиоприемни-
ках с автоматической регулировкой усиления, телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ
приемников: за счет смещения их рабочей точки можно регулировать усиление в широком диапазоне.
Комплементарные транзисторы (со структурами p-n-р и п-р-п) КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ403,ТТ703
и ГТ705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТббб и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720, КТ721 и
КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102, КТ969 и
КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах
с дополнительной симметрией.
Имеется также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в
составе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТ3130, КТ682; переключательные
КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах,
модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТ3170А9, КТ3173А9,
КТ3179А9, КТ3180А9.КТ3186А9, КТ3187А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169).
Транзисторы универсального назначения (например, КТбЗО) имеют оптимальное сочетание пара-
метров и характеристик, удовлетворяющих различным требованиям, что позволяет использовать их в
аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов.
Лавинные транзисторы ГТ338 и КТ3122 предназначены для работы в режиме электрического
пробоя коллекторного перехода. Они применяются в релаксационных генераторах в ждущем или
автоколебательном режиме и позволяют получить необходимые быстродействие и амплитуду импуль-
44 Раздел 2. Биполярные транзисторы
сов при более высоких надежности и стабильности, чем обычные транзисторы, используемые в режиме
электрического пробоя.
Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по
определенной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база
первого транзистора, а эмиттером — эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы
функционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно
равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав-
ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972, КТ973,
КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158,
КТ8159) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсного действия, бескон-
тактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сгорания (например, КТ848),
устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах.
Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с
различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне токов
(например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130).
Кроме того, разработаны транзисторы;
• высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно-белых и цветных телевизо-
ров (например, КТ872);
• импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997);
• для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных
каскадов класса А и широкополосных усилителей (КТ3109);
• для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококачественных УНЧ и видеоусилителей
телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и
КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999;
• для высокочастотных широкополосных усилителей с малой постоянной времени тс (КТ368);
• для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887,
КТ888);
• для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807);
• для линейных и импульсных устройств (КТ315 — первый отечественный прибор в пластмассо-
вом корпусе);
• универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352);
• для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342);
• для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных
каскадах усилителей (КТ201 и КТ203);
• высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) — при непосредственном вклю-
чении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы 800... 1000 В;
• для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926).
Для линейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Un=:10 В), КТ912
и КТ921 (Un=27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Un=28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966,
КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 (Un=12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим эмиттером, Un=28 В).
Транзисторы КТ117, КТ119, КТ132, КТ133 представляют собой однопереходные транзисторы. Транзи-
стор КТ120Б-1 имеет два вывода (используется в качестве диода). Транзисторные сборки, состоящие
из двух транзисторов с согласующими LC-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101,
КТ9105 предназначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С
в схеме с общей базой (ОБ).
Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно-
жителей используются транзисторы КТ606 (Un=28 В), КТ607 (Un=20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ,
Un=15 В), КТ642, КТ647 (Un=15 В), КТ648 (Un=10 В), КТ657 (с ОЭ, Un=15 В), КТ682, КТ996
(Un=10 В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913, КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934,
КТ944, КТ970, КТ971 (Un=28 В), КТ930 (Un=30 В), КТ918, КТ938 (Un=20 В), КТ919 (с ОБ, Un=28 В),
КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Un=12,6 В), КТ929 (Un=8 В), КТ937 (с ОБ, Un=21 В), КТ942, КТ946,
КТ948, КТ962, КТ976 (допускает работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ, Un=28 В),
КТ945, КТ947 (Un=27 В), КТ977 (с OK, Un=40 В), КТ9142.
Транзистор КТ921В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе-
ратур -6О...+2ОО°С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141, а
для схем фотовспышек — КТ863 и КТ9137.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
45
Транзисторы КТ698, КТ6127, относящиеся к классу биполярных транзисторов со статической
индукцией (БСИТ), применяются для работы в качестве переключателя в бесконтактных коммутиру-
ющих устройствах, для управления электродвигателями, для использования в быстродействующих
ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в пультах дистанционного управления, в
тахометрах автомобилей, реле поворотов и блоках питания.
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
Ниже приводятся буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие публикации
МЭК 148 и стандартизованные ГОСТ 20003-74.
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
1КБО
1ЭБ0
1кэо
IK3R
1кэк
1кэу
1кэх
IK max
1Э max
IB max
1к, и max
1э, и max
Ikp
UkBO проб
UsBO проб
Uk3O проб
UK3R проб
UK3K проб
UK3V проб
UK3X проб
UK3O гр
Ucmk
UK3 нас
международное
1сво
Iebo
ICEO
ICER
Ices
Icev
ICEX
Ic max
IE max
IB max
ICM max
JEM max
—
U(BR) CBO
U(BR) EBO
U(BR) CEO
U(BR) CER
U(BR) CES
U(BR) CEV
U(BR) CEX
U(L) CEO
Upt
UcE sat
Параметр
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном
обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
лектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
лектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
лектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
Максимально допустимый постоянный ток базы.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
Критический ток биполярного транзистора.
Пробивное напряжение коллектор — база при заданном обратном токе
коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
Пробивное напряжение эмиттер — база при заданном обратном токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
разомкнутой цепи базы.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в
цепи база-эмиттер.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря-
жении база-эмиттер* и токе коллектор-эмиттер.
Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и
эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Напряжение смыкания транзистора.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и
коллектора.
46
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
Ub3 нас
USB пл
UKB max
UKSmax
USB max
Uk3. и max
UKB, и max
UsB, и max
Р
Рср
Ри
Рк
Рк, т max
Рвых
Ри max
Рк max
Рк ср max
Гб
Гкэ нас
С11э, СПб
С22э, С226
Ск
Сэ
frp
Imax
fh2l3, fh216
teiui
teblKfl
W
tHp
tpac
ten
hiia, hue
П21э, h216
hl2a, hl26
международное
UBE sat
Uebh
UcB max
UCE max
UeB max
UCEM max
UcBM max
UEBM max
Ptot
Pav
Pm
Pc
—
Pout
Pm max
Pc max
—
гьь, гь
ГСЕ, sat
Clle, CUb
C22e, C22b
Cc
Ce
fr
imax
fh21e, fhfe;
fh21b, fhfb
ton
toff
td
tr
ts
tf
hiie, hub;
hie, hib
П21е, h21b!
hfe, hfb
hl2e, hl2bl
hre, hrb
Параметр
Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
Плавающее напряжение эмиттер — база — напряжение между эмиттером
и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой
цепи эмиттера.
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — база.
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер.
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер — база.
Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор — эмиттер.
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база.
Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер — база.
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Выходная мощность транзистора.
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
Сопротивление базы.
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно.
Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно.
Емкость коллекторного перехода.
Емкость эмиттерного перехода.
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
общим эмиттером.
Максимальная частота генерации.
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с
общим эмиттером и общей базой.
Время включения.
Время выключения.
Время задержки.
Время нарастания.
Время рассасывания.
Время спада.
Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмитте-
ром и общей "базой соответственно.
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
47
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
П22э, h226
|Ь21э1
Ьиэ
П21Э
Y213
Yii9,Yii6
Y123. Yl26
Y213, Y216
Y22a, Y226
Sib, Si 16, SllK
Sl2a, Sl26, Sl2K
S22a, S226, S22k
S219, S216, S21k
—
Ky, p
—
tK (г'бСк)
Токр
Тк
Тп
Rt, п-с
Rt, п-к
Rt, k-c
Тт, п-к
Тт, п-с
Тт, к-с
международное
h22e, h22b!
hoe, hob
lh2lel
hiiE, hiE
H21E, Hfe
Y21E
Yne, Ynb;
Yie, Yib
Yl2e, Yl2b;
Yre, Yrb
Y21e, Y2lb;
Yfe, Yfb
Y22e, Y22b;
Yoe, Yob
Slle, Sub, Slic
Sie, Sib, Sic
Sl2e, Si*2b, Si2C;
Sre, Srb, Src
S22e, S22b, S22cJ
Soe> Sob, Soc
S21e, S21b, S21c;
Sfc, Sfb, Sfc
Ise, lsb, isc
Gp
Ga, Ga
F
Tc (r'bb CK)
Та, Tamb
Tc, Tease
T]
Rthja
Rthjc
Rthca
tthjc
tthja
tthca
Параметр
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы
с общим эмиттером.
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в
режиме большого сигнала.
Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базовой соответственно.
Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигна-
ла для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте-
ром, общей базой и общим коллектором соответственно.
Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой
и общим коллектором соответственно.
Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S2ie—1,
S21b=l, S21c=0.
Коэффициент усиления мощности.
Номинальный коэффициент усиления по мощности.
Коэффициент шума транзистора.
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Температура окружающей среды.
Температура корпуса.
Температура перехода.
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
Тепловая постоянная времени переход-корпус.
Тепловая постоянная времени переход — окружающая среда.
Тепловая постоянная времени корпус — окружающая среда.
48
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.2. Параметры
Тип
прибора
МП9А
МП10
МП10А
МП10Б
МПП
МППА
МП13
МП13Б
МП14
МШ4А
МП14Б
МП14И
МП15
МП15А
МП15И
МП16
МШ6А
МП16Б
МП16Я1
МП16Я11
Структу-
ра
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
биполярных
PKmax,
Рк, т max»
"К, и max,
мВт
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
200.
200
200
150
150
. германиевых транзисторов
frp, fh216,
fh2l3,
imax,
МГц
>1*
>1*
?l*
?1*
>2*
>2*
>0,5*
>1*
>1*
>1*
>2*
>2*
>1*
>1*
>2*
— ¦
UkBO проб,
U|<3R проб,
UJOO проб,
В
15
15
30
30
15
15
15
15
15
30
30
30
15
15
15 .
15
15
15
15* A00)
15* A00)
ЧЭБО проб,
В
15
15
30
30
15
15
15
15
15
30
30
30
15
15
15
15
15
15
15
15
IK max,
Ik, и max,
мА
20 A50*)
20 A50*)
20 A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20A50*)
20 A50*)
20A50*)
20 A50*)
50 C00*)
50 C00*)
50 C00*)
300*
300*
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
mkA
30* C0 B)
30* C0 B)
30* C0 B)
50* C0 B)
30* C0 B)
30* C0 B)
<30A5B)
<30A5B)
<30A5B)
<30 C0 B)
<50 C0 B)
<50 C0 B)
<30<15 B)
<30 A5 B)
<25 A5 B)
<25 A5 B)
<25 A5 B)
<50* A5 B)
<50* A5 B)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
49
э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, пс
tpaci
¦**
1ВЫКЛ,
Тпк, НС
Корпус
15...45 E В; 1 мА)
15...30 E В; 1 мА)
15...30EВ; 1 мА)
25...50 E В; 1 мА)
<60 E В)
<$0 E В)
<60 E В)
<60 E В)
<10A кГц)
<10 A кГц)
<10 A кГц)
<10 A кГц)
25...Б5 E В; 1 мА)
45...100 E В; 1 мА)
?60 E В)
<60EВ)
<10 A кГц)
<10 A кГц)
>12 E В; 1 мА)
20...60 E В; 1 мА)
<50 E В)
<50 E В)
<150*
<12 A кГц)
20...40 E В; 1 мА)
20...40 E В; 1 мА)
30...60 E В; 1 мА)
20...80 E В; 1 мА)
<50 E В)
<50 E В)
<50 E В)
<50 E В)
<150*
<150*
<150*
<20
30...60 E В; 1 мА)
5О...1ООEВ; 1 мА)
<50 E В)
<50 E В)
<150*
20...35 A В; 10 мА)
30...50 A В; 10 мА)
45...100 A В; 1 мА)
20...70 A0 В; 100 мА)
10...70 A0 В; 100 мА)
<2000*
<1500*
<1000*
<6,6
<6,6
50
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
МП20А
МП20Б
МП21В
МП21Г
МП21Д
МП21Е
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
МП26А
МП26Б
П27
П27А
П28
П29
П29А
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
РКтах,
Рк, т max,
Рк, и max,
мВт
150
150
150
150
150
150
to to to
888
200
200
200
30
30
30
30
30
frp, fh2I6,
fh213,
«max,
МГц
?2*
?1,5*
?1,5*
?1*
?0,7*
?0,2*
?0,2*
?0,5*
?0,2*
?0,2*
?0,5*
?1*
?1*
?5*
?5*
?5*
UkBO проб,
UlQR проб,
Uk3O проб,
в
30
30
40
60
60
70
40
40
40
70
70
70
5* @,5к)
5* @,5к)
5* @,5к)
10*
10*
иЭБОпроб,
В
30
30
40
40
40
40
40
- 40
40
70
70
70
12
12
Ik max,
1к, и max,
мА
300*
300*
8888
со со со со
300*
400*
400*
300*
400*
400*
6
6
6
100*
100*
1кбо,
Ik3R,
1кэо,
мкА
<50C0В)
<50 C0 В)
<50 D0 В)
<50 F0 В)
<50 E0 В)
<50E0В)
<75 D0 В)
<75 D0 В)
<75 D0 В)
<75 G0 В)
<75 G0 В)
<75G0В)
<3EВ)
<3EВ)
<3 E В)
<4 A2 В)
<4 A2 В)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
51
э, И21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ насг
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, пс
1выкл»
tnK, НС
Корпус
5О...15ОEВ;25мА)
80...200 E В; 25 мА)
20...100 E В; 25 мА)
20...80 E В; 25 мА)
60...200 E В; 25 мА)
ЗО...15ОEВ;25мА)
13...25 B0 В; 2,5 мА)
20...50 B0 В; 2,5 мА)
30...80 B0 В; 2,5 мА)
<20 B0 В)
<20 B0 В)
<20 B0 В)
<2,2
<2
<1500***
<1500***
<1500***
13...25 C5 В; 1,5 мА)
2О...5ОC5В; 1,5 мА)
ЗО...8ОC5В; 1,5 мА)
<15 C5 В)
<15 C5 В)
<15 C5 В)
<2,2
<2,2
^1500***
<1500***
<1500***
20... 100 E В; 0,5 мА)
20... 170 E В;0,5мА)
<10A кГц)
<5 A кГц)
20...200 E В; 0,5 мА)
<5 A кГц)
20...50 @,5 В; 20 мА)
40...100 @,5 В; 20 мА)
?20 F В)
<20 F В)
10
10
<6000
<6000
52
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ПЗО
МП35
МП36А
МП37А
МП37Б
МП38
МП38А
МП39
МП39Б
МП40
МП40А
Структу-
ра
р-п-р
п-р-п
п-р-п
n-p-ri
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
РКтах»
Рк, t maxi
Рк, и max,
мВт
30
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
frp, fh216,
fh2ls,
-.*¦
imaxt
МГц
>10*
>0,5*
>1*
>1*
>1*
>2*
>2*
>0,5*
>0,5*
>1*
>1*
UKBO проб,
UK3R проб,
UioO проб,
В
12*
15
15
30
30
15
15
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
30* (Юк)
иэБОпроб,
В
12
5
5
5
5
IK max,
1к, и max,
мА
100*
20 A50*)
20.A50*)
20A50*)
20A50*)
20 A50*)
20 A50*)
20 A50*)
20 A50*)
20 A50*)
20A50*)
1кбо,
IK3R,
lioo,
мкА
<4A2В)
<30 E В)
<30 E В)
<30 E В)
<30 E В)
<30<5В)
<30 E В)
<15 E В)
<15 E В)
<15 E В)
<15 E В)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
53
Ь21э, h2
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
к, пс
tpac,
1ВЫКЛ,
tnK, НС
Корпус
8О...18О(О,5В;2ОмА)
<20 F В)
10
6000
13...125 E В; 1 мА)
?220*
13...45 E В; 1 мА)
<10 A кГц)
15...30 E В; 1 мА)
25...50 E В; 1 мА)
^220"
<220*
25...55 E В; 1 мА)
45...100 E В; 1 мА)
^220*
>12 E В; 1 мА)
2О...6ОEВ; 1 мА)
<50 E В)
<50 E В)
<12 A кГц)
20...40 E В; 1 мА)
20...40 E В; 1 мА)
<50 E В)
<50 E В)
54
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
МП41
МП41А
МП42
МП42А
МП42Б
ГТЮ8А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108Д
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТ115А
ГТИ5Б
ГТ115В
ГТ115Г
ГТ115Д
ГТ122А
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
РКтах»
Рк, т max»
г»**
"К, и max,
мВт
150
150
200
200
200
75
75
75
75
75
75
75
75
75
30
30
30
30
30
30
30
30
50
50
50
50
50
150
150
150
150
frp, fh216,
,**
1П21э,
Imax»
МГц
>1*
>1*
>2*
>1,5*
>1*
0,5*
1*
1*
1*
>0,5*
>1*
>1*
>l*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>3*
>5*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>2*
>2*
UkBO проб,
Uk3R проб,
TT**
UK3O проб,
В
.15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
5
5
5
5
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
10A8 имп.)
10A8 имп.)
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
10A8 имп.)
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
10 A8 имп.)
. 20
30
20
30
20
35
20
20
20
USBO проб,
В
5
5
—
5
5
5
5
5
5
5
5
5
—
20
20
20
20
20
—
1к max,
1к, и max,
мА
20A50*)
20 A50*)
150*
150*
150*
50
50
50
50
50
50
50
50
50
20
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
20 A50*)
20 A50*)
20A50*)
20A50*)
1кбо,
IK3R,
1кэо,
мкА
<15EВ)
<15EВ)
III
10 E В)
10 E В)
10 E В)
10 E В)
<10 E В)
<10E В)
<10 E В)
<10 E В)
<10EВ)
<? E В)
<5 E В)
<5 E В)
^5 E В)
<2A,2В)
<2 A,2 В)
<1 A,5 В)
<5 E В)
<40 B0 В)
<40C0В)
<40 B0 В)
<40 C0 В)
<40 B0 В)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<20E В)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
55
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
*
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
г?, Ом
Рвых, ВТ
Тк, пс
1ВЫКЛ1
ttiK, НС
Корпус
30...60 E В; 1 мА)
50...100EВ; 1 мА)
550 E В)
?50 E В)
20...35* A В; 10 мА)
30...50* A В; 10 мА)
458... 100* A В; 10 мА)
520
520
520
52000***
51500***
51000***
2О...50 E В; 1 мА)
35...80EВ; 1 мА) 60... 130
E В; 1 мА) П0...250E В;
1 мА)
50 E0 В)
50 E0 В)
50 E0 В)
50 E0 В)
5000
5000
5000
5000
25...50 F В; 1 мА)
35...80 E В; 1 мА)
6О...13ОEВ; 1 мА)
110...250 E В; 1 мА)
30... 120 E В; 1 мА)
56 A кГц)
55000
55000
55000
55000
55000
20...50 E В; 1 мА)
35...80 E В; 1 мА)
60... 130 E В; 1 мА)
110...250 E В; 1 мА)
20...70 E В; 1 мАО
50... 100 E В; 1 мА)
?100* A,5 В)
20...80 E В; 1 мА)
<30 E В)
<30 E В)
<30 E В)
<30 E В)
<40A,2В)
<40A,2В)
530 E В)
512 A кГц)
510000
510000
510000
510000
510000
510000
510000
510000
20...80 A В; 25 мА)
20...80U В;25мА)
60... 150 A В; 25 мА)
60...150О В;25мА)
125...250 (I В;25мА)
15...45 E В; 1 мА)
15...45 E В; 1 мА)
30...60 E В; 1 мА)
30...60 E В; 1 мА)
200*
200*
200*
200*
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
П201Э
П201АЭ
П202Э
П203Э
П207
П207А
П208
П208А
П209
П209А
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
РКтах,
Рк, Т max,
г»**
гК, и max,
мВт
75
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
60* Вт
60* Вт
frp, fh216,
fh2l3,
Imax,
МГц
SI*
SI*
IV IV IV IV IV IV IV IV IV IV
**********
S0.1*
>0,2*
S0,l*
>0,2*
SO.'l**
UkBO проб,
UfeR проб,
Uioo проб,
в
25
25
25
25
35
35
35
35
35
35
35
70
70
70
45
45
70
70
40**
40**
60**
60**
40**
40**
USBO проб,
В
10
10
10
10
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
25
25
IK max,
1к, и max»
мА
100*
100*
100*
100*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
1,5 A
1,5 A
2A
2A
25 A
25 A
25 A
25 A
12 A
12 A
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<15 A5 B)
<15 A5 B)
515 A5 B)
<15 A5 B)
515 A5 B)
515 A5 B)
<15 A5 B)
<15 A5 B)
- 515 A5 B)
<15 A5 B)
<15 A5 B)
<15 A5 B)
<15 A5 B)
<15A5B)
<0,4 мА
<0,4 мА
<0,4 мА
<0,4 мА
<16mA
<16 мА
<25 мА
<25 мА
<8 мА
<8 мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов
57
П21э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ нас.
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, пс
tpac,
¦**
1ВЫКЛ,
tiiK, НС
Корпус
28...56 @,5 В; 0,1 А)
45...90 @,5 В; 0,1 А)
71...162 @,5 В; 0,1 А)
120...200 @,5 В; 0,1 А)
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
28...56 @,5 В; 25 мА)
45...90 E В; 25 мА)
71...140 E В; 25 мА)
12О...2ОО.EВ; 25 мА)
>28* @,5 В; 100 мА)
45...90 E В; 25 мА)
7U140E В; 25 мА)
25...56* @,5 В; 100 мА)
45...90* @,5 В; 100 мА)
71...140* @,5 В; 100 мА)
>20* A0 В; 0,2 А)
>40* A0 В; 0,2 А)
<1,25
<1,25
>20* A0 В; 0,2 А)
<1,25
<1,25
5...15
5...12
58
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
П210
П210А
П210Б
П210В
П210Ш
П213
П213А
П213Б
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
ГТ305А
ГТ305Б
ГТ305В
ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308В
ГТ308Г
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
РКтах,
РК, т max»
Рк, и max»
мВт
60* Вт
60* Вт
45* Вт
45* Вт
60* Вт
11,5* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
11,5* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
30* Вт
30* Вт
24* Вт
24* Вт
24* Вт
24* Вт '
30* Вт
30* Вт
30* Вт
24 Вт
24 Вт
75
75
75
150C60**)
150 C60**)
150 C60**)
150 C60**)
frp, fh216,
fh2l3,
1***
•max,
МГц
>0,l**
>0,l**
>0,l**
>0,l**
>0,l**
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
?0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>0,2*
>140
>160
>160
>90
>120
^120
>120
UKBO проб,
UioR проб,
Uioo проб,
в
60**
65**
65
45
64*
45
45
45
60
60
60
60
60
80
40
40
35
35
50
50
60
60
60
60
60
15
15
15
20
20
20
20*
USBO проб,
в
25
25
25
25
25
15
10
10
15
15
15
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
1,5
1.5
0,5
3
3
3
3
IK max,
1к, и max,
мА
12 A
12 A
12 A
12 A
12 A
5A
5A
5 A
5A
5A
5A
5A
5A
5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7.5 A
7,5 A
40A00*)
40 A00*)
40A00*)
50 A20*)
50A20*)
50 A20*)
50A20*)
Ikbo,
iioR,
_•»
1кэо,
мкА
?12 мА
?8 мА D5 B)
<15mA
?15 мА
<& мА F5 B)
<0,15 мА
<1 мА
<1 мА
?0,3 мА
?0,3 мА
?0,15 мА
?1,5 мА
?1,5 mA
?0,3 mA
?0,5 mA
?0,5 mA
?1,5 mA
?2 mA
?2,5 mA
?2 mA
?0,5 mA
?0,5 mA
?0,5 mA
?3 mA
<3 mA
?4 A5 B)
?2 E B)
?2EB)
?2 E B)
?2EB)
Параметры биполйрных германиевых транзисторов
59
Ск,
СГ2э,
пФ
ГКЭ нас,
»
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
га, Ом
Рвых, Вт
Корпус
>15* B В; 5 А)
>15* B В; 5 А)
>10* B В; 5 А)
>10* B В; 5 А)
>15* B В; 5 А)
20...50* E В; 1 А)
>20* E В; 0,2 А)
>40* E В; 0,2 А)
<0,16
?1,25
20...60* E В; 0,2 А)
50... 150* E В; 0,2 А)
20...150* E В; 0,2 А)
>20* E В; 0,2 А)
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
20... 150* E В; 0,2 А)
>16 @,75 В; 4 А)
20...80 @,75 В; 4 А)
>10 C В; 2 А)
>30(ЗВ; 2 А)
>5 C В; 2 А)
15...30 C В; 2 А)
<0,3
<0,2
<0,2
<0,25
<0,25
<0,25
>16 @,75 В; 4 А)
20...60 E В; 1 А)
^20 E В; 1 А)
>15* A В; 4 А)
15...40C В; 2 А)
<0,5 -
<0,5
<0,5
<0,25
<0,5
25...80* A В; 10 мА)
60...180* A В; 10, мА)
40...120* E В; 5 мА)
<7 E В)
<7EВ)
<5,5 E В)
<50
<50
<6 A,6 МГц)
<300
<300
<300
20...75* A В; 10 мА)
50...120* A В; 10 мА)
80...200* A В; 10 мА)
80...150A В; 10 мА)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<30
^24
<24
<24
<8 A,6 МГц)
<8 A,6 МГц)
<400
<1000*
<400
<500
<1000*
60
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ГТ309А
ГТ309Б
ГТ309В
ГТ309Г
ГТЗО9Д
ГТ309Е
ГХ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
ГТ310Д
ГТ310Е
ГТ311А
ГТ311Б
ГТ311В
ГТЗИГ
ГТ311Д
ГТ311Е
гтзиж
ГТ31Ш
ГТ313А
ГТ313Б
ГТ313В
ГТ320А
ГТ320Б
ГТ320В
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322В
ГГ322Г
ГТ322Д
ГТ322Е
Структу-
ра
, Р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-П-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
РКтах,
Рк, т max,
РК, и max,
мВт
75
75
75
75
75
75
20 C5вС)
20 C5°С)
20 C5-С)
20 C5°С)
20 C5°С)
20 C5-С)
150
150
150
150
150
150
150
150
100
100
100
200
200
200
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
160B0** Вт)
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
50
50
50
50
50
50
fro, fh216,
?**
fh21a,
Imaxi
МГц
>120
>120
>80
>80
>80
>80
>160
>160
>120
?120
>80
>80
>300
>300
>450
>450
>600
>250
>300
>450
>300
>450
>35O
>80
>120
>160
. >60
>60
?60
>60
>60
>60
>80
>80
>80
>50
>50
>50
UKBO проб,
UK3R проб,
UlOO проб,
в
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12 B0 имп.)
12 B0 имп.)
10
15
15
15
20
20
20
40**
40**
40**
30**
30**
30**
25
25
25
15
15
15
UsBO проб,
В
1,5
1.5
1.5
1,5
1,5
1,5
—
—
—
—
2
2
2
2
2
2
2
1.5
0,7
0,7
0,7
3
3
3
4
4
4
2,5
2,5
2,5
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
IK max,
IK, и max,
мА
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
50
50
50
50
50
50
50
50
30
30
30
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
10
10
10
5
5
5
1КБО,
IK3R,
-•*
1КЭО,
мкА
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5EВ)
<5 E В)
<5EВ)
<5 E В)
<5 E В)
<5EВ)
<5 E В)
<? E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 A2 В)
<5 A2 В)
<5 A0 В)
<5 A2 В)
<S A2 В)
<5 A2 В)
<10 B0 В)
<10 B0 В)
<10 B0 В)
<500 F0 В)
<500 F0 В)
<500 F0 В)
<500 D5 В)
<500 D5 В)
<500 D5 В)
<4 B5 В)
<& B5 В)
<4 B5 В)
<4 A5 В)
<4 A5 В)
<4 A5 В
Параметры биполярных германиевых транзисторов
61
1э. Ь21Э
ск,
пФ
ГКЭ нас,
*
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
re, Ом
Рв"х, ВТ
Тк, пс
tpac,
1аыкл,
tnK, НС
Корпус
20...70 E В; 1 мА)
6О...18ОEВ; 1 мА)
20...70 E В; 1 мА)
60... 180 E В; 1 мА)
20...70 E В; 1 мА)
60... 180 E В; 1 мА)
?7,5 E В)
?7,5 E В)
?7,5 E В)
?7,5 E В)
?7,5 E В)
?7,5 E В)
?6A,6 МГц)
?6A,6 МГц)
?500
<500
?1000
?1000
?1000
?1000
ГТЗО9
20...70 E В; 1 мА)
60...180 E В; 1 мА)
20...70 E В; 1 мА)
60... 180 E В; 1 мА)
20...70 E В; 1 мА)
6О...18ОEВ; 1 мА)
?4 E В)
?4 E В)
<5 E В)
?5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<3 A,6 МГц)
^3 A,6 МГц)
?4 A,6 МГц)
<4 A,6 МГц)
?4 A,6 МГц)
?4A,6 МГц)
<300
?300
?300
<300
?500
<500
15...80*(ЗВ;5мА)
30... 180* C В; 5 мА)
15...50* C В; 5 мА)
30...80* C В; 5 мА)
60... 180* C В; 5 мА)
20...80* C В; 5 мА)
50...200* C В; 5 мА)
100...300* C В; 5 мА)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?20
?20
?20
?20
?20
?20
?20
?20
?50*
?50*
?50*
?50*
?50*
?75; ?50*
?100; ?50*
?100; ?50*
20...250 E В; 5 мА)
20...250 E В; 5 мА)
ЗО...17ОEВ;5мА)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?4,6
?4,6
?4,6
?75
?40
?75
20...80* A В; 10 мА)
50...160* A В; 10 мА)
80...250* A В; 10 мА)
?8 E В)
?8 E В)
?8 E В)
?8,5
?8,5
?8,5
?500
?500
?600
20...60* C В; 0,5 мА)
40... 120* (ЗВ;0,5мА)
80...200* C В; 0,5 мА)
20...60* C В; 0,5 мА)
40... 120* C В; 0,5 мА)
80...200* C В; 0,5 мА)
?80 A0 В)
?80 A0 В)
?80 A0 В)
?80 A0 В)
?80 A0 В)
?80 A0 В)
?3,5
?3,5
?3,5
?3,5
?3,5
?3,5
?600
?600
?600
?600
?600
?600
4о...1ОО E В; 1 мА)
5О...12ОEВ; 1 мА)
20... 120 E В; 1 мА)
50... 120 E В; 1 мА)
20...70 E В; 1 мА)
5О...ШEВ; 1 мА)
?1,8 E В)
?1,8 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?1,8 E В)
?1,8 E В)
?4 A,6 МГц)
?4 A,6 МГц)
?4 A,6 МГц)
?50
?100
?200
62
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ329А
ГТ329Б
ГТ329В
ГТ329Г
ГТЗЗОД
ГТЗЗОЖ
ГТЗЗОИ
ГТ335А
ГТ335Б
ГТ335В
ГТ335Г
ГТ335Д
ГТ338А
ГТ338Б
ГТ338В
ГТ341А
ГТ341Б
ГТ341В
Структу-
ра
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
РКпгах,
Рк, т max,
"К, и max,
мВт
500
500
500
50 E5°C)
50 E5°C)
50 E5'C)
50 D0°C)
50 D0eC)
50D0°C)
25 F0°C)
50 D5eC)
50 D5°C)
50 D5°C)
200 D5°C)
200 D5°C)
200 D5°C)
200 D5°C)
200 D5X)
100
100
100
35 F0°C)
35 F0eC)
35 F0eC)
frp, fh216,
t*** *
Imax,
МГц
>200 ч
>200
>300
>400
>300
>300
>1200
>1680
>990
>700
>500
>1000
>500
>80
>80
>8,0
>300
>300
III
>1500
Si 980
S1500
UKBO проб,
UK3R проб,
Uk3O проб,
В
20
20
20
ел ел ел
* * #
слсл ел
XXX
о о о о
10 B0 имп.)
10 B0 имп.)
10B0 имп.)
20
20
20
20
20
20 (8**)
20A3**)
20 E**)
10
10
10
UsBO проб,
В
2
2
2
0,25
0,25
0,25
0,5
0,5
1
0,5
ел сл ел
3
3
3
3
3
—
0,3
0,3
0,5
Ik max,
1к, и max,
мА
1000
1000
1000
10
10
10
20
20
20
20
20
20
20
150B50*)
150 B50*)
150B50*)
150 B50*)
150 B50*)
1000
1000
1000
10
10
10
1КБО,
Iksr,
_*»
1кэо,
мкА
<ЗС
<30
<30
<10 A5 В)
<10 A5 В)
<10 A5 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<5A0В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<ю
<10
<10
<10
<10
<30 B0 В)
<30 B0 В)
<30 B0 В)
?5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
h2ls. Ь21Э
Ск,
с*2э,
пФ
ГКЭ нас,
*
ГБЭ нас»
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, пс
tpac,
**
i
tnK, НС
Корпус
20...60 E В; 0,5 А)
40... 120 E В; 0,5 А)
80...200 E В; 0,5 А)
<30
<30
<30
20...200* E В; 4 мА)
40...200* E В; 3 мА)
10...70* EВ;3 мА)
51,5 E В)
<1,5 E В)
<1,5 E В)
<7 A80 МГц)
<7 A80 МГц)
<7 A80 МГц)
<5
15...300* E В; 5мА)
15...300* E В; 5 мА)
15...3OO* E В; 5 мА)
15...300* E В; 5 мА)
<2 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<2 E В)
<4 D00 МГц)
<6 D00 МГц)
<6 D00 МГц)
<5 D00 МГц)
<30
<20
30...400* E В; 5 мА)
30...400* E В; 5 мА)
10...400* E В; 5 мА)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<8 D00 МГц)
<8 D00 МГц)
<30; <50*
<50; <50*
<30; <50*
40...70* C В; 50 мА)
60...100* C В; 50 мА)
40...70* <3 В; 50 мА)
60...100* C В; 50 мА)
50... 100* C В; 50 мА)
<8,5
<8,5
<8,5
<8,5
<8,5
<100*
<150*
<150*
<2 E В)
<2 E В)
<2 E В)
tH<IHc
tH<IHc
15...300* E В; 5 мА)
15...300* E В; 5 мА)
15...300* E В; 5 мА)
<1 E В)
<1 E В)
<1 E В)
<4,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
64
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
ГТ362А
ГТ362Б
ГТ376А
ГТ383А-2
ГТ383Б-2
ГТ383В-2
П401
П402
ГТ402А
ГТ402Б
ГТ402В
ГТ402Г
ГТ402Д
ГТ402Е
ГТ402Ж
ГТ402И
П403
П403А
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
РКтах,
РК, т max»
Рк, и maxt
мВт
50 E5°С)
50 E5°С)
50E5°С)
40
40
35 (85°С)
25 E5°С)
25 E5°С)
25 E5°С)
100
100
300; 600
ЗОО;6ОО
300; 600
300; 600 -
0,3 Вт; 0,6 Вт
0,3 Вт; 0,6 Вт
0,3 Вт; 0,6 Вт
0,3 Вт; 0,6 Вт
100
100
frp, fh2l6,
!п21э,
Imaxt
МГц
>700
>550
>550
>2400
>2400
>1020
>2400
2:1500
>36OO
>30
>50
?1*
?1*
>1*
?l*
Zl*
2:1*
>1*
?1*
?100
?80
UkBO проб,
UK3R проб,
Uioo проб,
в
20
20
20
5 E5eC)
5 E5°C)
7**
5* (Ik)
5* (Ik)
5* (Ik)
10
10
25* @,2k)
25* @,2k)
40* @,2k)
40* @,2k)
25* @,2k)
25* @,2k)
40* @,2k)
40* @,2k)
10
10
U3BO проб,
В
о;з
0,3
0,3
0,2
0,2
0,25
0,5
0,5
0,5
1
1
—
1
1
IK max,
IR, и max,
мА
10
10
10 ¦
10
10
10
10
10
10
20
20
500
500
500
500
500
500
500
500
20
20
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<10 B0 B)
<10 B0 B)
<10 B0 B)
<5 E B)
<5 E B)
<5GB)
<5 E B)
<5 E B)
<5 E B)
<10 E B)
<5 E B)
<20A0B)
<20 A0 B)
<20A0B)
<20 A0 B)
<25 A0 B)
<25 A0 B)
<25 A0 B)
<25 A0 B)
<5 E B)
<5 E B)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
65
Ь21э. Ь21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, пс
tpac,
t**
1выкл,
triK, НС
Корпус
10...150 A0 В; 2 мА)
10...150 A0 В; 2 мА)
15...150 A0 В; 2 мА)
?1,3 E В)
<1,3 E В)
?1,3 E В)
<6 (800 МГц)
<8 (800 МГц)
<7 B00 МГц)
<3
?5,5
<6
10...200 C В; 5 мА)
10...250 C В; 5 мА)
E В)
E В)
<4,5 B,25 ГГц)
<5,5 B,25 ГГц)
<20
10...150* E В; 2 мА)
?1,2 E В)
<3,5 A80 МГц)
15...250 C,2 В; 5 мА)
10...250 C,2 В; 5 мА)
15...250 C,2 В; 5 мА)
?1 C,2 В)
<\ C,2 В)
<1 C,2 В)
<4,5 B,25 ГГц)
<4 A ГГц)
<5,5 B,83 ГГц)
16...300 E В; 5 мА)
16„.250EВ; 5мА)
^15 E В)
?10 E В)
?3500
<1000
30...80 A В; 3 мА)
60... 150A В;ЗмА)
30...80 A В;ЗмА)
60...150A В;3 мА)
30...80 A В; 3 мА)
60...150 A В; 3 мА)
30...80 A В; 3 мА)
30...80 A В; 3 мА)
<5
?5
?5
?5
30... 100 E В; 5 мА)
16...200 E В; 5 мА)
?10 E В)
?10 E В)
?500
?500
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ГТ403А
ГТ403Б
ГТ403В
ГТ403Г
ГТ403Д
ГТ403Е
ГТ403Ж
ГТ403И
ГТ403Ю
ГТ404А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404Г
ГТ404Д
ГТ404Е
ГТ404Ж
ГТ404И
ГТ405А
ГТ405Б
ГТ405В
ГТ405Г
ГТ406А
П416
П416А
П416Б
П417
П417А
П417Б
П422
П423
П605
П605А
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
РКтах»
Рк, т maxi
Рк, и max,
мВт
4* Вт
4* Вт
5* Вт
4* Вт
4* Вт
5* Вт
4* Вт
4* Вт
4* Вт
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
100 C60*)
100 C60*)
100 C60*)
50
50
50
100
100
3 Вт
3 Вт
frp, fh216*
fh2b,
t***
Imax,
МГц
>0,008**
>0,008**
>0,008**
>0,006**
>0,006**
, >0,008**
?0,008**
>0,008**
>0,008**
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
>1*
?1*
>1*
>1*
0,006**
>40
>60
>80
>200
>200
?200
?50
?100
UKBO проб,
Uk3R проб,
икЭОпроб,
В
45
45
60
60
60
60
80
80
45
25* @,2к)
25* @,2к)
40* @,2к)
40* @,2к)
25* @,2к)
25* @,2к)
40* @,2к)
40* @,2к)
25* @,2к)
25* @,2к)
40* @,2к)
40* @,2к)
25
12
12
12
8
8
8
10* Aк)
10* Aк)
45
45
UsBO проб,
В
20
20
20
20
30
20
20
20
20
—
20
3
3
3
0,7
0,7
0,7
1
0,5
IK max,
т*
1К, и max,
мА
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
500
500
500
500
500
500
. 500
500
500
500
500
500
1250
25A20*)
25 A20*)
25A20*)
10
10
10
20
20
1500
1500
1КБО,
IK3R,
1кэо,
мкА
<50 D5 В)
<50 D5 В)
<50 F0 В)
<50 F0 В)
<50 F0 В)
<50 F0 В)
<50 (80 В)
<50 (80 В)
<50 D5 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25A0В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<50 B5 В)
<3 A0 В)
<3 A0 В)
<3 A0 В)
<3 A0 В)
<3 A0 В)
<3 A0 В)
<5 E В)
<5 E В)
<2000 D5 В)
<2000 D5 В)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
67
*к'
С*2э,
пФ
ГКЭнас,
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
re, Ом
'" Рв"х, ВТ
Тк, пс
tpact
1ВЫКЛ)
1пк, НС
Корпус
20...60 E В; 0,1 А)
50...150 E В; 0,1 А)
20...60EВ;0,1 А)
50... 150 E В; 0,1 А(
50...150 E В; 0,1 А)
30* @,45 А)
20...60EВ;0,1 А)
30* @,45 А)
ЗО...6ОEВ; 0,1 А)
30...80 A В; 3 мА)
60... 150 A В; 3 мА)
30...80A В; 3 мА)
60... 150A В; 3 мА)
30...80 (I В; 3 мА)
60... 150A В; 3 мА)
30...80 A В; 3 мА)
60... 150A В; 3 мА)
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
30...80 A В; 3 мА)
60...15О A В; 3 мА)
30...80 A В; 3 мА)
60...150A В;ЗмА)
5а..150 E В; 0,1 А)
20...8О E В; 5 мА)
60... 120 E В; 5 мА)
90...250 E В; 5 мА)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<40
<40
<40
<500; <1000*
<500; <1000*
<500; <1000*
24...100 E В; 5 мА)
65...200 E В; 5 мА)
75...250 E В; 5 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<6 E В)
<400
<400
<400
24...100 E В; 1 мА)
24...100 E В; 1 мА)
<10 E В)
<10 E В)
<10A,6МГц)
<10A,6МГц)
<1000
<500
20...60 C В; 0,5 А)
40... 120 C В; 5 А)
<130 B0 В)
<130 B0 В)
<40
<40
<3000"
<4000*
68
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
П606
П606А
П607
П607А
П608
П608А
П609
П609А
ГТС609А
ГТС609Б
ГТС609В
ГТ612А-4
ГТ701А
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
р-п-р
РКтах,
Рк, т max,
Рк, и max,
мВт
1,25 Вт
1,25 Вт
1,5 Вт
1,5 Вт
1,5 Вт
1,5 Вт
1,5 Вт
1,5 Вт
500 D3°С)
500 D3°С)
500 D3°С)
570
50* Вт
frp, fh216,
с**
1п21э,
Imax,
МГц
>30
>30
>60
>60
>90
>90
>120
>120
>60
>60
>60
>1500
>0,05*
ЧКБО проб,
UK3R проб,
UioOnpo6,
В
35
35
30
30
30
30
30
30
ел ел ел
о о о
12
55* A40 имп.)
UsBO проб,
В
1
0,5
1.5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
2,5
2,5
2,5
0,2
15
Ik max,
т*
А К, и max,
мА
1500
1500
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
700*
700*
700*
120 B00*)
12 А
1КБО,
Ik3R,
1кэо,
мкА
<2000 C5 В)
<2000C5В)
<300C0 В)
<300 C0 В)
<300 C0 В)
<ЗОО(ЗОВ)
<300 C0 В)
<300 C0 В)
<40 C0 В)
<40 C0 В)
<40C0В)
<5 A2 В)
<6 мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов
69
Ь21э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, пс
tpac,
*•*
1выкл,
triK, НС
Корпус
20...60 C В; 0,5 А)
40... 120C В; 5 А)
<130 B0 В)
<130 B0 В)
<40
<40
<3000*
<4000*
20...80* C B; 0,25 A)
60...200 C B; 0,25 A)
<50 A0 B)
<50A0B)
<3000*
<3000*
40...120 C B; 0,25 A)
8O...240 C B; 0,25 A)
<50A0B)
<80 A0 B)
<3000*
<3000*
40...120C B; 0,25 A)
80...240 C B; 0,25 A)
<50 A0 B)
<80A0B)
<3000*
<3000*
30...200 C В; 0,5 A)
5O...160CB;0,5A)
80...420 C B; 0,5 A)
<50A0B)
<50A0B)
<50A0B)
<3,2
<3,2
<3,2
<700*
<700*
<700*
<3,5 E B)
>0,2** Вт B ГГц)
<7
10* B B; 6 A)
70
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
ГТ703А
ГТ703Б
ГТ703В
ТТ703Г
ГТ7ОЗД
ГТ705А
ГТ705Б
ГТ705В
ГТ7О5Г
ГТ705Д
ГТ804А
ГТ804Б
ГТ804В
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
ГТ810А
ГТ905А
ГТ905Б
ГТ906А
ГТ906АМ
Структу-
ра
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p^n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
РКтах,
Рк, т max,
Рк, и max,
мВт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
. 15* Вт
15* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
15* Вт
б Вт
6 Вт
15* Вт;
300** Вт
15* Вт;
300** Вт
frp, fh216,
,**
1И21э,
,**¦
Imaxi
МГц
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010**
>0,010
>10
>10
>10
>10*
>10*
>10*
>10*
>10*
>15
>60
>60
>30
>30
UkBO проб,
UK3R проб,
Uioo проб,
В
20 @,05к)
20 @,05к)
30 @,05к)
30 @,05к)
40 @,05к)
20*
20*
20*
20*
20*
100**
140**
190**
75
100
120
50
140
200
75 .
60
75
75
USBO проб,
В
10
10
10
10
10
10
10
30
10
10
—
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1.4
0,4
0,4
1,4
1,4
*К max,
Т*
*К, и max,
мА
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
10 А
10 А
10 А
15 А
15 А
15 А
15 А
15 А
10 А
3 А G* А)
ЗА G* А)
6 А
6А
1КБО,
IK3R,
_•*
1юо,
мкА
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<3,5 мА
<3,5 мА
<500
<500
—
—
<20 мА
<20 мА
<20 мА
<8 мА G5 В)
<8 мА G5 В)
Параметры биполярных германиевых транзисторов
71
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас»
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
'рас,
1ВЫКЛ,
t»K, НС
Корпус
30...70* A В;50мА)
50... 100* (I В; 50 мА)
30...70* A В; 50 мА)
50... 100* A В;50мА)
20...45* A В;50мА)
<0,2
<0,2
<0,2
<0,2
<0,2
30...70* A В; 50 мА)
50... 100* A В; 50 мА)
30...70* A В; 50 мА)
50... 100* A В; 50 мА)
90...250* A В; 50 мА)
<0,6
<0,6
<0,б
<0,б
<0,6
20...150* A0 В; 5 А)
20...150* A0 В; 5 А)
20... 150* A0 В; 5 А)
<1000
<1000
<1000
10...100* A0 А)
10...100* A0 А)
10...100* A0 А)
10...100* A0 А)
10...100* A0 А)
<0,04
<0,04
<0,04
<0,04
<0,04
15*; A0 В; 5 А)
<0,07
5*мкс
35...100* G0 В; 3 А)
35... 100* G0 В; 3 А)
<200 C0 В)
<200 C0 В)
<0,17
<300; 4*мкс
<300; 4*мкс
30...150* A0 В; 5 А)
<5000*
30...150* A0 В; 5 А)
<5000"
72
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.3. Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ104А
КТ104Б
КТ104В
КТ104Г
КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КТ119А
КТ119Б
КТ120А
КТ120Б
КТ120В
КТ120А-1
КТ120В-1
КТ120А-5
КТ120В-5
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-база
п-база
п-база
п-база
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-база
п-база
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max,
PR, т max»
PR, и max,
мВт
150 F0°С)
150F0°С)
150F0°С)
150 F0°С)
300
300
300
300
100 A00°С)
100 A00°С)
100 A00°С)
25
25
10
10
10
10
10
10
20
frp, fh2l6,
fh2l3,
Imax,
МГц
>5*
>5*
>5*
>5*
0,2***
0,2***
0,2***
0,2***
—
0,2***
0,2***
>1
>1
>1
UKBO max,
Ul<3R max,
Ui<30 max,
В
30**
15**
15**
30**
30
30
30
30
15
15
15
20
20
60
30
60
60
60
60
60
UsBO max,
В
10
10
10
10
30
30
30
30
31
31
31
20
20
10
10
10
10
10
10
10
Ik max,
Ik, и max,
mA
50
50
50
50
50A* A)
50A* A)
50A* A)
50A* A)
50
50
50
10 E0*)
10 E0*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10
10
10
10
Ikbo,
Iksr,
?**
1кэо,
mkA
<1 (ЗОВ)
<1 A5 B)
<1 A5 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<0,l A5 B)
<0,l A5 B)
<0,l A5 B)
<0,5 F0 B)
<0,5 C0 B)
<0,5 F0 B)
<0,5 F0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
73
П21э, Ы
Ск,
С*2э|
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас. Ом
Ку.р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Хк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
9...36 E В; 1 мА)
20...80 E В; 1 мА)
40...160 E В; 1 мА)
15...60 E В; 1 мА)
<50 E В)
<50 E В)
<50 E В)
<50 E В)
<50
<50
<50
<50
<120*
<120*
<120*
?120'
0.5...0.7 (Ubib2=10 В)
0.65...0.9 (Ubib2=10 В)
0,5...0,7 (UbiB2=10 В)
0,65...0,9 (Ubib2=10 В)
100
100
120
<500**
<500**
<500**
0.5...0.65 Шб2Б1=Ю В)
0,6...0,75 (иБ2Б1=10 В)
20...200 E В; 1 мА)
20...200 E В; 1 мА)
20...200 E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<50
<110
20...200 E В; 1 мА)
20...200 E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<50
20...200 E В; 1 мА)
20...200 E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<50
74
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ127А-1
КТ127Б-1
КТ127В-1
КТ127Г-1
КТ132А
КТ132Б
КТ133А
КТ133Б
КТ201А
КТ201Б
КТ201В
КТ201Г
КТ201Д
КТ201АМ
КТ201БМ
КТ201ВМ
КТ201ГМ
КТ201ДМ
КТ202А-1
КТ202Б-1
КТ202В-1
КТ202Г-1
КТ202Д-1
КТ203А
КТ203Б
КТ203В
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n-
n-p-n
однопер.
однопер.
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
Рк max i
PR, t max»
. Рк, и max»
мВт
15 F0eC)
15 F0°C)
15 F0°C)
15 F0°C)
300
300
300
300
150(90°C)
150
150
150
150
ел ел ел ел ел
о о о о о
15 E5°С)
15 E5'С)
15 E5°С)
15 E5'С)
15 E5°С)
150 G5°С)
150 G5'С)
150 G5°С)
frp, fh2I6,
г**
1И21э,
• max»
МГц
>0,1**
>0,1**
>0,1**
>0,1**
>10
>10
>10
>10
>10
>10
>10
>10
>10
>10
IV IV IV IV IV
ел ел ел ел ел
IV IV IV
ел ел ел
# * *
UkBO max,
UlORmax,
Ui<30 max,
В
25
25
45
45
20
20
10
10
10
20
20
10
10
10
15
15
30
30
15
60
30
15
USBO max,
В
3
3
3
3
35
35
35
35
20
20
10
10
10
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
30
15
10
Ik max,
Ik, и max,
мА
50
50
50
50
2* A
2* A
1.5* A
1,5* A
20 A00*)
20A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20A00*)
10B5*)
10 B5*)
10 B5*)
10B5*)
10B5*)
10E0*)
10 E0*)
10 E0*)
Ikbo,
Iksr,
T**
1кэо,
мкА
<1 B5 B)
<1 B5 B)
?1 B5 B)
?1 B5 B)
12
0,2
1
1
<1 B0 B)
<1 B0 B)
<1 B0 B)
<1 B0 B)
^1 B0 B)
<1 B0 B)
?1 B0 B)
<1 B0 B)
<1 B0 B)
^1 B0 B)
<1 A5 B)
<1 A5 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<1 A5 B)
<1 F0 B)
<l C0 B)
<1 A5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
75
П21э, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
15...60 E В; 1 мА)
40...200 E В; 1 мА)
15..60 E В; 1 мА)
40...200-E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<170
<170
<170
<170
0.56..Д75
0.68..Д82
3,5
3,5
0.56...0.75
0.7...0.85
2,5
2,5
20...60 A В; 5 мА)
30...90A В; 5 мА)
30...90 A В; 5 мА)
70...210 A В; 5 мА)
30...90 A В; 5 мА)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<15 A кГц)
20..;60 A В; 5 мА)
30...90 A В; 5 мА)
30...90A В;5мА)
70...210A В;5мА)
30...90 A В; 5 мА)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<15 A кГц)
15...70 E В; 1 мА)
40...160 E В; 1 мА)
15...70 E В; 1 мА)
40... 160 E В; 1 мА)
100...300 E В; 1 мА)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<50
<50
<50
<50
• <50
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
>9 E В; 1 мА)
30... 150 E В; 1 мА)
30...200 E В; 1 мА)
<10 E В)
<10 E В)
?10E В)
<50
<25
?300*
<300*
<300*
76
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ203АМ
КТ203БМ
КТ203ВМ
КТ206А
КТ206Б
КТ207А
КТ207Б
КТ2О7В
КТ208А
КТ208Б
КТ208В
КТ208Г
КТ208Д
КТ208Е
КТ208Ж
КТ208И
КТ208К
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ209В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТ210А
КТ210Б
КТ210В
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max,
PR, т max,
Рк, и max»
мВт
150 G5°С)
150 G5вС)
150 G5°С)
15
15
15
15
15
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 F0°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5°С)
200 C5'С)
200 C5°С)
25
25
25
frp, fh2Iб,
fh2l3,
•max,
МГц
>5*
>5*
>5*
>10
>10
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
- >5
>5
>10
>10
>10
UkBO max,
UJOR max,
Ui<30 max,
В
60
30
15
20* (Зк)
12* (Зк)
60
30
15
20* (Юк)
20
20
30
30* (Юк)
30
45
45
45
60
60
15
15
Г5
15
30
30
30
45
45
45
60
60
15
30
60
UaBO max,
В
30
15
10
20
12
30
15
10
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
10
10
10
IK max,
1к, и max»
мА
10 E0*)
10 E0*)
10 E0*)
20
20
10 E0*)
10 E0*)
10 E0*)
300 E00*)
300E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
20 D0*)
20 D0*)
20 D0*)
1КБО,
1кэк»
1кэо,
мкА
<П F0 В)
<1 C0 В)
<1 A5 В)
<1 B0 В)
<1 A2 В)
<0,05 F0 В)
<0,05 C0 В)
<0,05 A5 В)
<ГB0В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
?1 B0 В)
<П B0 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
<1* A5 В)
<1*A5В)
¦ <П*A5В)
<1* A5 В)
<1* (ЗОВ)
<1* C0 В)
<1* (ЗОВ)
<1* D5 В)
<1* D5 В)
<1* D5 В)
<1* F0 В)
<1* F0 В)
<10 A5 В)
<10 C0 В)
<10 F0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
77
Ск,
С*2э|
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш, ДБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
tsumi, НС
Корпус
>9 E В; 1 мА)
30...15ОEВ; 1 мА)
30...200 E В; 1 мА)
<10E В)
<10 E В)
<10 E В)
<50
<25
?300*
<300*
<300*
30...90* A В; 5 мА)
70...120* A В; 5мА)
<20 E В)
<20 E В)
>9 E В; 1 мА)
ЗО...15ОEВ; 1 мА)
30...200 E В; 1 мА)
<10 E В)
<10 E В)
<10 E В)
<100
<100
<50
<300*
<300*
<300*
20...60* A В;
40...120* A В;
80...240* A В;
20...60* A В;
40... 120* A В;
80...240* A В;
20...60* AВ;
40... 120* A В;
80...240* A В;
20...60* A В;
40... 120* A В;
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
^50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<4 A кГц)
<4 A кГц)
<4 A кГц)
20...60* A В; 30 мА)
40...120* A В; 30 мА)
80...240* A В; 30 мА)
>200* A В; 30 мА)
20...60* A В;30мА)
40...120* A В; 30 мА)
80...240* A В; 30 мА)
20...60* A В; 30 мА)
40...120* A В; 30 мА)
80... 160* A В; 30 мА)
20...60* A В; 30 мА)
40..Л20* A В; 30 мА)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<5 A кГц)
<5 A кГц)
<5 A кГц)
<5 A кГц)
80.7.240 E В; 1 мА)
80...240 E В; 1 мА)
40...120 E В; 1 мА)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<50
<50
<50
78
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ2ПА-1
КТ211Б-1
KT2UB-1
КТ214А-1
КТ214Б-1
КТ214В-1
КТ214Г-1
КТ214Д-1
КТ214Е-1
КТ215А-1
КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
КТ216А
КТ216Б
КТ216В
КТ218А-9
КТ218Б-9
КТ218В-9
КТ218Г-9
КТ218Д-9
КТ218Е-9
КТ301
КТ301А
КТ301Б
КТ301В
КТ301Г
КТ301Д
КТ301Е
КТ301Ж
КТ302А
КТ302Б
КТ302В
КТ302Г
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
РК, т max»
Рк, и max»
мВт
25
25
25
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
75
75
75
200
200
200
200
200
200
150 F0°С)
150 F0°С)
150 F0°С)
150 F0°С)
150 F0вС)
150 F0"С)
150 F0°С)
150F0"С)
100 E0°С)
100 E0°С)
100 E0°С)
100 E0°С)
frp, fh216,
fh2b,
imax»
МГц
>10
>10
>10
IV IV IV IV IV IV
ел ел ел ел ел ел
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>5
>20
>20
>20
>20
>30
>30
>30
>30
—
ЧКБО max,
Ui<3Rmax,
UkIo max,
В
15
15
15
80**
80**
60**
40**
30**
20**
80**
80**
60**
40**
30**
20**
60
30
30
80
80
60
40
30
20
20
20
30
30
30
30
30
20
15
15
15
15
USBO max,
В
5
5
5
30
7
7
7
7
20
5
5
5
5
5
5
30
15
ю
30
7
7
7
7
20
3
3
3
3
3
3
3
3
4
4
4
4
IK max,
т*
IK, и max,
мА
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
50A00*)
50A00*)
50 A00*)
50A00*)
50A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50A00*)
50 A00*)
50 <100*)
5Q (-100*)
50A00*)
10
10
10
50
50
50
50
50
50
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10
10
10
10
10
10
10
10
1КБО,
IK3R,
• 1кэо,
мкА
?10 A5 В)
<10 A5 В)
<10 A5 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 (ЗОВ)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В) ¦
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<0,05
<0,05
<1
<п
<1
<1
<1
<1
<1
?10
<10
?10
?10
?10 B0 В)
?10 B0 В)
?10 C0 В)
?10 B0 В)
?1 A5 В)
?1 A5 В)
?1 A5 В)
?1 A5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
79
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
40...120 A В; 40 мА)
80...240 A В; 40 мА)
160...480 A В; 40 мА)
<20 E В)
<20 E В)
<20 E В)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
>20 E В; 10 мА)
30...90 E В; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
>80 A В; 40 мкА)
>40 A В; 40 мкА)
<50A0В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<60
<60
<60
<60
<60
<60
>1200*
>1200*
>1200*
>1200*
>1200*
>1200*
>20 E В; 10 мА)
30...90 E В; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
>80 A В;40мА)
>40 A В; 40 мкА)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<60
<60
<60
<60
<60
<60
>1200*
>1200*
>1200*
>1200*
>1200*
>1200*
>9 E В; 1 мА)
30... 150 E В; 1 мА)
ЗО...2ОО E В; 1 мА)
>20 E В; 10 мА)
>30 E В; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
^40 E В; 10 мА)
>80 A В; 40 мкА)
>40 A В; 40 мкА)
20...60 A0 В;
40...120 A0 В;
10...32 A0 В;
2О...6ОAОВ;
10...32 A0 В;
20...60 A0 В;
40...120 A0 В;
80...300 A0 В;
ЗмА)
ЗмА)
ЗмА)
3 мА)
3 мА)
ЗмА)
3 мА)
3 мА)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
?10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<300
<300
<300
<300
<300
<300
<300
<300
<2000
<2000
<2000
<2000
ПО...250 A В; 0,11 мА)
90... 150C В; 2 мА)
ПО-гбОО^В^бмА)
200...800 C,5 В; 5 мА)
<7 A кГц)
<7 A кГц)
<7 A кГц)
<7 A кГц)
80
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ306А
КТ306Б
КТ306В
КТ306Г
КТ306Д
КТ306АМ
КТ306БМ
КТ306ВМ
КТ306ГМ
КТ306ДМ
П307
ПЗО7А
П307Б
П307В
П307Г
КТ307А-1
КТ307Б-1
КТ307В-1
КТ307Г-1
П308
П309
КТ3101А-2
КТ3101АМ
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Pk max,
PR, т max,
PR, и max,
мВт
150 (90*C)
150 (90°C)
150(90°C)
150 (90°C)
150 (90°C)
150 (90°C)
150 (90°C)
150 (90°C)
150 (90°C)
150 (90°C)
250
250
250
250
250
15
15
15
15
250
250
100 D5°C)
100
frp, fh216,
**
«max,
МГц
8 8 8 8 8
CO ID CO ID CM
Л1 Л1 Л1 Л1 Л1
>300
>500
>300
>500
>200
>20
>20
>20
>20
>20
>250
>250
>250
>250
>20
>20
>4000
>4000
UkBO max,
Uk3R max,
Uk3O max,
В
ел ел ел ел ел
15
15
15
15
15
80*
80*
80*
60*
' 80*
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
120*
120*
15
15
иэБО max,
В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3 -
3
3
3
3
4
4
4
4
3
3
2,5
2,5
IK max,
1к, и max,
мА
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 A20*)
30A20*)
15A20*)
30A20*)
15A20*)
20E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
30 A20*)
30 A20*)
20 D0*)
20
1КБО,
_**
1кэо,
мкА
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<20 (80 В)
<20 (80 В)
<20 (80 В)
<20 F0 В)
<20 (80 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<20A20В)
<20 A20 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
81
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
20...60* A В; ЮмА)
40...120* A В; ЮмА)
2О.:.1ОО* A В; ЮмА)
40...200* A В; ЮмА)
30... 150* A В; ЮмА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<15 E В)
<5 E В)
<30
<30
<30"
<30*
<30'
<30*
<30*
<500
<500
<300
20...60* A В; ЮмА)
40...120* A В; ЮмА)
20... 100* A В; ЮмА)
40...200* A В; ЮмА)
30...150* A В; ЮмА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<30
<30
<30*
<30*
<30*
<30*
<500
<500
<300
16...50* B0 В; 10 мА)
30...90* B0 В; 10 мА)
50...150* B0В; ЮмА)
50...150* B0В; ЮмА)
15...50* B0 В; 10 мА)
<150
<200
<330
<250
<250
>20 A В; 10 мА)
>40 A В; 10 мА)
>40 A В; 10 мА)
>80 A В; 10 мА)
<б A В)
<6 A В)
<6 A В)
<6 A В)
<20
<20
<20
<20
<30*
<30*
<30*
<30*
30...90* B0 В; 10 мА)
16...50* B0 В; 10 мА)
<330
<200
35...300 A В; 5 мА)
<1,5 E В)
<4,5 B,25 ГГц)
35...300 A В; 5 мА)
?1.5 E В)
>8** A ГГц)
<4,5 A ГГц)
82
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ3102А
КТ3102Б
КТ3102В
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ3102Е
КТ3102Ж
КТ3102И
КТ3102К
КТ3102АМ
КТ3102БМ
КТ3102ВМ
КТ3102ГМ
КТЗШ2ДМ
КТ3102ЕМ
КТ3102ЖМ
КТ3102ИМ
КТ3102КМ
КТ3104А
КТ3104Б
КТ3104В
КТ3104Г
КТ3104Д
КТ3104Е
КТ3106А-2
КТ3106А-9
КТ3107А
КТ3107Б
КТ3107В
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107И
КТ31О7К
КТ3107Л
КТ3108А
КТ3108Б
КТ3108В
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р-
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк maxj
Рк, т max»
Рк, и max»
мВт
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
15 C5°С)
15 C5°С)
15C5°С)
15 C5°С)
15 C5°С)
15 C5°С)
30 E0°С)
100
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300 C60*)
300 C60*)
300 C60*)
frp, fh216,
-**
1Ь21э,
f***
•max»
МГц
>150
>150
>150
>300
>150
>300
>200
>200
>200
>150
>150
>150
>300
>150
>300
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>1000
>1000
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>250
>250
>300
UkBO max,
Uk3R max,
Uioo max,
В
50
50
50
20
- 30
20
50
50
30
50
50
30
20
50
20
50
50
30
30
30
30
15
15
15
15* A0к)
15* A0k)
50
50
30
30
30
25
25
50
30
25
60* A0k)
45* A0k)
45* A0k)
UaBO max",
В
5
5
5
5
5
¦5
5
5
5
5
5
5
5 .
5'
5
5
5
5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
2,5
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max,
Ik, и max,
mA
100 B00*)
100B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)'
100B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100B00*)
10
10
10
10
10
10
20 D0*)
20 D0*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100B00*)
100 B00*)
100B00*)
200
200
200
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<0,05 E0 B)
<0,05 E0 B)
<0,015 (ЗОВ)
?0,015 B0 В)
<0,015 C0 В)
<0,015B0B)
<0,05 E0 В)
<0,05 E0 В)
<O,O15COB)
<0,05 E0 В)
<0,05 E0 В)
<0,015 C0 В)
<0,015 C0 В)
<0,015C0В)
<0,015 C0 В)
<0,05 E0 В)
<Ю,05 E0 В)
<0,015C0В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 A5 В)
<1 A5 В)
<1 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<о,
<;о,
<о,
?0,
?0,
<о,
<о,
?0,
<о,
<о,
1 B0 В)
1 B0 В)
1 B0 В)
1 B0 В)
1 B0 В)
1 B0 В)
B0 В)
B0 В)
B0 В)
B0 В)
<0,2F0В)
<0,2D5В)
^0,2 D5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
83
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
Корпус
100...200 E В;
200...5ОО E В;
2О0...500 E В;
400... 1000 E В;
200...500 E В;
4ОО...1ОООEВ;
100...250 E В;
2OO...5OO E В;
200...500 EВ;
2 мА)
1 мА)
2мА)
2мА)
2мА)
2мА)
2 мА)
2 мА)
2мА)
<6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
?6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
<6 EВ)
<10 A кГц)
<10A кГц)
<10.A кГц)
<10 A кГц)
<4 A кГц)
<4 A кГц)
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
100...200 E В;
200...500 EВ;
200...500 EВ;
400... 1000 E В;
200...500 EВ;
400... 1000 E В;
100...250 E В;
200...500 E В;
200...500 EВ;
2 мА)
2мА)
2мА)
2мА)
2мА)
2 мА)
2 мА)
2мА)
2мА)
<6 EВ)
<6 EВ)
<6 EВ)
<6 EВ)
<6 EВ)
<6 EВ)
^6 EВ)
<6 EВ)
<6 EВ)
<10A кГц)
<10A кГц)
<10A кГц)
<10 A кГц)
<4A кГц)
<4 A кГц)
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
15...90 A В; 2 мА)
50... 150 A В; 2 мА)
70...280 A В; 2 мА)
15...90 A В; 2 мА)
50... 150 A В; 2 мА)
70...280 A В; 2 мА)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<25 E В)
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<8 F МГц)
<8 F МГц)
<8 F МГц)
^8 F МГц)
<8 F МГц)
<8 F МГц)
<800
<800
<800
<800
<800
<800
>40 E В; 5 мА)
<2 E В)
<2 A20 МГц)
>40 E В; 5 мА)
<2 E В)
<2 A20 МГц)
70... 140 E В;
120...220 E В;
70... 140 E В;
12O...22O E В;
180...460 E В;
120...220 E В;
180...460 E В;
180...460 E В;
38O...8OO E В;
380...800 E В;
2 мА)
2 мА)
2 мА)
2мА)
2 мА)
2 мА)
2мА)
2мА)
2мА)
2 мА)
<П A0 В)
<7 A0 В)
?7A0В)-
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
?20
<20
<10 A кГц)
<10 A кГц)
<10 A кГц)
<10A кГц)
<10 A кГц)
<4 A кГц)
<4 A кГц)
<10 A кГц)
<10 A кГц)
<4 A кГц)
50...150 A В; 10 мА)
50... 150 A В; 10 мА)
100...300 A В; 10 мА)
<Ь A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<25
?25
<25
<6 A00 МГц)
<6 A00 МГц)
?6 A00 МГц)
<250
<250
<250
84
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ3109А
КТ3109Б
КТ3109В
КТ3114Б-6
КТ3114В-6
КТ3115А-2
КТ3115В-2
КТ3115Г-2
КТ3115Д-2
КТ3117А-1
КТЗП7А
КТ3117Б
КТ312А
КТ312Б
КТ312В
КТ3120АМ
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max,
PR, т max,
Рк, и max,
мВт
170 D0°С)
170D0°С)
170D0°С)
25 A00°С)
25 A00°С)
70 G0°С)
70 G0°С)
50 (85°С)
50 (85°С)
500
300 (800**)
300
225
225
225
100
frp, fh216,
Imax,
МГц
>800
>800
>800
>4300
>4300
>5800
>5800
>5800
>5800
>200
>200
>200
>80
>120
>120
>1800
UkBO max,
Ul<3R max,
Uk3O max,
В
30
25
25
ел ел
10* Aк)
10* Aк)
7* (Ik)
7* (Ik)
60
60
75
20
35
20
15
USBO max,
В
3
3
3
1
1
1
1
1
1
4
4
4
4
4
4
3
Ik max,
Ik, и max,
mA
ел ел ел
о о о
15
15
8,5
8,5
8,5
8,5
400 @,8* А)
400 (800*)
400 @,8* А)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
20 D0*)
i
1КБО,
1кэо,
мкА
<0,1 B0 В)
<0,1 B0 В)
<0,1 B0 В)
<0,5 E В)
<0,5 E В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 G В)
<0,5 E В)
<10 F0 В)
<10 F0 В)
<10 G5 В)
<10 B0 В)
<10 C5 В)
<10 B5 В)
<0,5 A5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
85
П21э, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, ДБ
Гб, Ом
Р*ых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
[выкл, НС
Корпус
>15 A0 В; 10 мА)
?15 A0 В; 10 мА)
>15 A0 В; 10 мА)
A0 В).
A0 В)
A0 В)
>15** @,8 ГГц)
>13** @,8 ГГц)
>13** @,8 ГГц)
<6 (800 МГц)
<7 (800 МГц)
<8 (800 МГц)
<6
15...80 C В; 1 мА)
15...80 C В; 1 мА)
<0,44 C В)
<0,44 C В)
<2 D00 МГц)
<3 D00 МГц)
<8
<8
<15 E В; 5 мА)
<15EВ;5мА)
<15 E В; 5 мА)
70...150EВ; 5 мА)
<0,6 E В)
<0,6 E В)
<0,6 E В)
<0,6 E В)
>5** E ГГц)
>5** E ГГц)
>4,4** E ГГц)
>8** B,25 ГГц)
<4,6 E ГГц)
<4,4 E ГГц)
<5,7 E ГГц)
<2,5 B,25 ГГц)
<3,8
<3,8
<3,8
<3,8
40...200 E В; 0,2 А)
<10 A0 В)
<80*
40...200* E В; 0,2 А)
100...300* E В; 0,2 А)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<80*
<80*
10...100* B В; 20 мА)
25... 100* B В; 20 мА)
50...280* B В; 20 мА)
<3 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<40
<40
<40
<500; <100*
<500; <130*
<500; <130*
>40 A В;5мА)
<2 E В)
>10** D00 МГц)
<2 D00 МГц)
<8
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ3121А-6
КТ3122А
КТ3122Б
КТ3123А-2
КТ3123Б-2
КТ3123В-2
КТ3123АМ
КТ3123БМ
КТ3123ВМ
КТ3126А
КТ3126Б
КТ3126А-9
КТ3127А
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
Рк max,
Рк, т max,
Рк, и max»
мВт
25
150 G50**)
150G50**)
150
150
150
150
150
150
150C0°C)
150C0°C)
110
100 C5°C)
frp, fh216,
,»•
Ш1э,
t***
Imaxi
МГц
>100
5000
5000
3500
5000
5000
3500
>500
>500
>450
>600
UKBO max,
Ui<3R maxi
UioO max,
В
12
35* Bк)
35* Bk)
15
15
10
15
15
10
20
20
35.
20
UsBO max,
В
2
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
Ik max,
T*
IK, и max,
mA
10
100A* A)
100A* A)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30E0*)
20
20
30
25
Ikbo,
1кэн,
Iioo,
mkA
<lA0B)
<1 A2 B)
<1 A2 B)
<25 A5 B)
<25 A5 B)
<25 A0 B)
<25 A5 B)
<25 A5 B)
<25 A0 B)
?1 A5 B)
<1 A5 B)
<1 A5 B)
<1 A5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
87
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Хк, ПС
tpac, НС
teumi, НС
Корпус
>30 E В; 2 мА)
?1 E В)
>8** A ГГц)
<2 A ГГц)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
tH<1.5
40 A0 В; 10 мА)
40 A0 В; 10 мА)
40 A0 В; 10 мА)
A0 В)
A0 В)
A0 В)
>5** A ГГц)
>5** A ГГц)
>5** A ГГц)
2,4 A ГГц)
3 A ГГц)
2,4 A ГГц)
40 A0 В; 10 мА)
40 A0 В; 10 мА)
40 A0 В; 10 мА)
<1,2 A0 В)
<1,2 A0 В)
<1,2 A0 В)
>5** A ГГц)
>5** A ГГц)
>5** A ГГц)
2,4 A ГГц)
3 A ГГц)
2,4 A ГГц)
25...100EВ; 3 мА)
6О...18ОEВ; 3 мА)
<2,5 A0 В)
<2,5 A0 В)
<120
<120
25...100 E В; 3 мА)
<2,5 A0 В)
<120
25.-150E В; 3 мА)
<1 A0 В)
<5 A ГГц)
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ3128А
КТ3128А-1
КТ3128Б-1
КТ3128А-9
КТ3129А-9
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
КТ313А
КТ313Б
КТ313А-1
КТ313Б-1
КТ313В-1
КТ313Г-1
КТ3130А-9
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
3 3 3 3 3 3 3
тз тз тз тз "о -а "а
3 3 3 3 3 3 3
Рк max,
PR, т max,
Рк, и max,
мВт
100 C5°С)
300
300
100
75 A00**)
75 A00**)
75 A00**)
75 A00**)
75 A00**)
300 A000*)
300 A000*)
300 A000*)
300 A000*)
300A000*)
300A000*)
8888888
frp, Ih2l6,
*****
Imaxi
МГц
>800
>800
>800
>650
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>150
>150
>150
>300
>150
>300
>150
UkBO max,
UK3R max,
Uk30 max,
В
40
40
40
35
50
50
30
30
20
60
60
60
60
50
30
50
50
30
20
30
20
30
иЭБО max,
В
3
4
4
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IK max,
*K, и max,
mA
20
30 @,8* A)
30 @,8* A)
20
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
350 G00*)
350 G00*)
350
350
350
700*
100
100
100
100
100
100
100
Ikbo,
Iksr,
iioo,
mkA
<1 A5 B)
<0,l B0 B)
<0,l B0 B)
<1 A5 B)
<1 E0 B)
<1 E0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<1 B0 B)
<0,5 E0 B)
<0,5 E0 B)
<0,5 E0 B)
<0,5 E0 B)
<0,5 E0 B)
<0,5 E0 B)
<0,l E0 B)
<0,l E0 B)
<D,l C0 B)
<0,l B0 B)
<0,l C0 B)
<0,l B0 B)
<0,l C0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
89
П21э, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
V** Г!
Л.у,р, ДЬ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
,Тк, ПС
tpac, НС
tuuioi, НС
Корпус
15...150 E В; 3 мА)
< 1 A0 В)
>14** @,2 ГГц)
?34*
<5
35...150 A0 В; 3 мА)
25...200 A0 В; 3 мА)
?1 A0 В)
?1 A0 В)
>15** @,2 ГГц)
>15** @,2 ГГц)
<5 @,2 ГГц)
<5 @,2 ГГц)
<5
<5
15...150 A0 В; 3 мА)
<1 A0 В)
<5 B00 МГц)
30... 120 E В; 2мА)
80...250 E В; 3 мА)
80...250 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
?10 A0 В)
?10 A0 В)
?10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
?20
?20
?20
?20
<20
30...120 A0 В; 1 мА)
8О...ЗООAОВ; 1 мА)
<12 A0 В)
?12 Об В)
<3,3
<3,3
30...120О0В; 1 мА)
80...300 A0 В; 1 мА)
200...520 A0 В; 1 мА)
400...800 A0 В; 1 мА)
?12
<12
<\2
?12
A0
A0
00
00
В)
В)
В)
В)
<3,3
<3,3
<3,3
<3,3
<120*
<120*
<120*
100...250 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
400...1000 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
400...1000 E В; 2 мА)
100...500 E В; 2 мА)
?12 E В)
?12 E В)
<12 E В)
<12 E В)
?12 E В)
?12 E В)
?12 E В)
?10 A кГц)
?10 A кГц)
?10 0 кГц)
?10A кГц)
?10A кГц)
?4 A кГц)
<4 A кГц)
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ3132А-2
КТ3132Б-2
КТ3132В-2
КТ3132Г-2
КТ3132Д-2
КТ3132Е-2
КТ3139А
КТ3139Б
КТ3139В
КТ3139Г
КТ314А-2
КТ3140А
КТ3140Б
КТ3140В
КТ3140Г
КТ3140Д
КТ3142А
КТ3145А-9
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТ3145Г-9
КТ3145Д-9
КТ3146А-9
КТ3146Б-9
КТ3146В-9
КТ3146Г-9
КТ3146Д-9
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
Pk max»
Рк, т max»
r»**
rK, н max,
мВт
70
70
70
70
70 (85'C)
70 (85°C)
200
200
200
200
500
200
200
200
200
200
360
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
frp, fh2I6,
-**
Ih2U,
.•¦•
«max»
МГц
?5,5 ГГц
?5,5 ГГц
?5,5 ГГц
?5,5 ГГц
?5,5 ГГц
?5,5 ГГц
?150
?150
?150
?150
?300
?150
?150
?150
?150
?150
?500
?125
?125
?125
?125
?125
?125
?125
?125
?125
?125
UkBO max,
UlOR max,
Uk3O max,
В
10* Aк)
10* (Ik)
10* (Ik)
10* (Ik)
10* (Ik)
10* (Ik)
20
32
32
32
55
20
32
32
32
20
40
32* @,1k)
45* @,1k)
45* @,1k)
45* @,1k)
45* @,1k)
32* @,1k)
45* @,1k)
45* @,1k)
45* @,1k)
45* @,1k)
U3BO max,
В
1
1
1
1
1
1
5
5
5
5
4
5
5
5
5
5
4,5
5
5
5
5
5
5
5
. 5
5
5
IK max,
IK, и max,
mA
8,5
8,5
8,5
8,5
8,5
8,5
200
200
200
200
60 G0*)
200
200
200
200
200
200; 500*
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,02 B0 B)
<0,001 C2 B)
<0,001 C2 B)
<0,05 C2 B)
<O,O75 E5 B)
<0,02 B0 B)
<0,001 C2 B)
<0,001 C2 B)
?0,05 C2 B)
<0,02 B0 B)
<0,4 B0 B)
<0,02 C2 B)
<1 D5 B)
<1 D5 B)
<0,05 D5 B)
<0,05 D5 B)
<0,02 C2 B)
<1 D5 B)
<1 D5 B)
<0,05 D5 B)
<0,05D5B) ~
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
91
15...15O G В; 3 мА)
15...150 G В;3 мА)
15...150 G В; 3 мА)
15...150 G В; 3 мА)
20...150GВ;3 мА)
70...150G.В;3 мА)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
>6** C,6 ГГц)
>4** C,6 ГГц)
>5** E ГГц)
?7** D ГГц)
>8,1** B,25 ГГц)
>8,1** B,25 ГГц)
<2,5 C,6 ГГц)
<4,8 C,6 ГГц)
<4,8 C,5 ГГц)
<3,6 C,4 ГГц)
<2 B,25 ГГц)
<2,5 B,25 ГГц)
>200 E В; 0,2 мА)
>60 E В; 2 мА)
>120 E В; 2 мА)
100..310 E В; 2 мА)
<4,5 A0 В)
<4,5 A0 В)
<4,5 A0 В)
<4,5 A0 В)
<50
<50
<50
<50
<85**
<85**
<85**
<85**
<270*; <130***
<270*
<270*
<270*
30... 120 E В; 0,25 мА)
<10 E В)
<80; <300*
>200 E В; 2 мА)
>60 E В: 2 мА)
120...460 E В; 2 мА)
100...310 E В; 2 мА)
>200 E В; 2 мА)
<6,5 A0 В)
<6,5 A0 В)
<6,5 (Ю В)
<6,5 A0 В)
<6,5 A0 В)
<50
<50
<50
<50
<50
<85**
<85**
<85**
<85**
<85**
<27О*; <400**
<270*
<270*
<270*
<270*
40... 120 A В; 10 мА)
<4 A0 В)
<25
<13*; <18**
>200 E В; 2 мА)
>60 E В; 2 мА)
120...460 E В; 2 мА)
100...310 E В; 2 мА)
120...460 E В; 2 мА)
<50
<50
<50
<50
<50
<1100*
<1100*
<1100*
<1100*
<1Г00*
>200 E В; 2 мА)
>60 E В; 2 мА)
120...460 E В; 2 мА)
100...310 E В; 2 мА)
120...460 E В; 2 мА)
<50
<0
<50
<50
<50
<1100*
<1100*
<1100*
<1100*
<1100*
92
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
КТ315А-1
КТ315Б-1
КТ315В-1
КТ315Г-1
КТ315Д-1
КТ315Е-1
КТ315Ж-1
КТ315И-1
КТ315Н1
КТ315Р1
КТ3150Б-2
КТ3151А-9
КТ3151Б-9
КТ3151В-9
КТ3151Г-9
КТ3151Д-9
КТ3151Е-9
КТ3153А-9
КТ3153А-5
КТ3157А
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
Рк max,
PR, т max»
D**
* К, и max»
мВт
150 B50*)
150 B50*)
150 B50*)
150B50*)
150 B50*)
150 B50*)
100
100
150
150
150
150
150
150
150
150
100
100
150
150
120 F5°C)
200
200
200
200
200
200
300
300
200
frp, fh216,
fh2l3,
Imax,
МГц
>250
>250
>250 .
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>1200
IV IV IV IV IV IV
888888
>250
>250
>60
UKBO max,
UK3R max,
UioO max,
В
25
20
40
35
40* (Юк)
35* A0k)
20* A0k)
60* A0k)
35* A0k)
35* A0k)
25
20
40
35
40
35
15
60
20
35
35* A0k)
80*
80*
60*
40*
30*
20*
60
60
250* A0k)
IJ3BO max,
В
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
CD CD CO CD CO CD CD CD CD CD
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max,
IK, и max,
mA
100
100
100
100
100
100
50
50
100
100
8 8 88888888
30 E0*)
888 8 88
400 @,6* A)
0,4 A @,6* A)
30 A00*)
Ikbo,
?**
1кэо,
мкА
<0,5 A0 B)
<0,5A0B)
S3O.5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,6 A0 B)
<0,6 A0 B)
<0,6 A0 B)
<0,6 A0 B)
<0,6 A0 B)
<0,5A0B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5A0B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5A0B)
<0,5 A0 B)
<0,5 D0 B)
<1 A00 B)
<1 (90 B)
<1 (80 B)
<1 F0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
» <0,05 D5 B)
<0,05 D5 B)
<0,l B00 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
93
Ь21э, Ь21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выо, НС
Корпус
30...120* A0 В; 1 мА)
50...350* A0 В; 1 мА)
30...120* A0 В; 1 мА)
50...350* A0 В; 1 мА)
2О...9О*AОВ; 1 мА)
50...350* A0 В; 1 мА)
30...250* A0 В; 1 мА)
>30* A0 В; 1 мА)
50...350* A0 В; 1 мА)
150...350* A0 В; 1 мА)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<10 A0 В)
?10 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<20
<20
<20
<20
<30
<30
<25
<45
<5,5
<20
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<300
<500
<500
<500
<1000
<1000
<800
<950
<1000
<500
2О...9ОAОВ; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
2О...9ОAОВ; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
20...90 A0 В; 1 мА)
20...90 A0 В; 1 мА)
30...250 A0 В; 1 мА)
30 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
150...350 A0 В; 1 мА)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<300
<300
<300
<300
<300
<300
<300
<300
60...180* E В; 2,5 мА)
<2 A0 В)
<25
<30; <30*
>20 E В; 10 мА)
30...90 E В; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
>80 E В; 10 мА)
>40 E В; 10 мА)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
<15 A0 В)
<60
<60
<60
<60
<60
<60
100...300 E В; 2 мА)
<4,5 A0 В)
<2,6
<400*
100...300 E В; 2 мА)
<4,5 A0 В)
<2,3
<400*
^50* B0 В; 25 мА)
<3 C0 В)
<60
94
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ316А
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ316ГМ
КТ316ДМ
КТ3165А
KT316SA-9
КТ3166А
КТ3168А-9
КТ3169А-9
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
p-n-p
PK max»
' PR, т max»
Рк, и max»
мВт
150(90°C)
150(90°C)
150 (90°C)
150(90°C)
150 (90°C)
150(85°C)
150(85°C)
150 (85°C)
150 (85°C)
150 (85°C)
160 E5°C)
100
15
180 E5°C)
200
frp, fh216,
fh21s,
I***
•max»
МГц
>600
>800
>800
>600
>800
>600
>800
>800
>600
>800
>750
1060
>400
>3000
>750
UKBO max,
UK3R max,
UioO max,
В
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
40
40
15* Aк)
15* (Юк)
40
U3BO max,
В
4
4
4
• 4
4
4
4
4
4
4
3
5
2,5
3
IK max»
1к, и max»
мА
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
30
30
1
28 E6*)
30
1КБО,
IK3R,
lioo,
мкА
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,1 B0 В)
0,5
<0,5A5В)
^0,1 B0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
95
20...60* A В; 10 мА)
40...120* A В; 10 мА)
40... 120* A В; 10 мА)
20... 100* A В; 10 мА)
60...300* A В; 10 мА)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<40
<40
<40
<40
<40
<10*
<Ю*
<15*
<150
<150
20...60* A В; 10 мА)
40... 120* A В; 10 мА)
40...120* A В; 10 мА)
20... 100* A В; 10 мА)
60...300* A В; 10 мА)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<40
<40
<40
<40
<40
<10*
<10*
<15*
<150
<150
>25* A0 В; 3 мА)
<0,65 A0 В)
<8-A ГГц)
<3
>25 A0 В; 3 мА)
<3
280... 1000* E В; 0,1 мА)
6О...18ОEВ; 5мА)
<1,5 E В)
>7** A ГГц)
<3 A ГГц)
>25 A В; 3 мА)
<0,6 A0 В)
>13** @,8 ГГц)
<6 (800 МГц)
Раздел^. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ3169А9-1
КТ317А-1
КТ317Б-1
КТ317В-1
КТ3170А-9
КТ3171А-9
КТ3172А-9
КТ3173А-9
КТ3176А-9
Струк-
тура
р-п-р
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
p-n-p
n-p-n
PK max,
PR, т max,
Рк, и max,
мВт
200
15
15
15
250
200
200
200
200
frp, fh216,
-¦*
1И21э,
t ***
МГц
>750
>100
>100
>100
>300
>150
>500
>200
?150
UKBO max,
Ui<3R max,
UlOO max,
В
40
ел ел ел
40
15
20*
30
35
USBO max,
В
3
3,5
3,5
3,5
4
4
4,5
5
5
Ik max,
1к, и max,
мА
30 @,6* A)
15 D5*)
15 D5*)
15 D5*)
30
530
200*
530
500
1кбо,
Iioo,
мкА
?0.1 B0 В)
<1 E В)
<1 E В)
<1 E В)
0,1 B0 В)
<0,1 A2 В)
<0,4 B0 В)
<0,1 B0 В)
<0,1 C5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
97
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>25A0В;3 мА)
<0,6 A0 В)
>13** (800 МГц)
<6 (800 МГц)
2Б...75 A В; 1 мА)
35...120A В; 1 мА)
80...250 A В; 1 мА)
<11 A В)
<11 A В)
<11 A В)
<30
<30
<30
<130*
<130*
<130*
>100 A0 В; 7 мА)
<2 A0 В)
>50* B В; 100 мА)
<15 A5 В)
<20
>40 A В; 10 мА)
<3 A0 В)
<1
<45
50...500 E В; 30 мА)
<10 A0 В)
<20*
>60 A0 В; 150 мА)
<15 A0 В)
98
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ3179А-9
n-p-n
200
>150
150
55
<1 A00 В)
КТ318А-
КТ318Б-
КТ318В-
КТ318Г-
КТ318Д-
КТ318Е-
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
15
15
15
15
15
15
>430
>430
>430
>350
>350
>350
10'
10
10
10
10
10
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
<0,5 A0 В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
КТ3180А-9
р-п-р
200
>150
150
50
<1 A50 В)
КТ3186А-9
КТ3186Б-9
КТ3186В-9
п-р-п
п-р-п
п-р-п
300
90
250
>6 ГГц
>3,2 ГГц
>4ГГц
20
20
20
2,5
2,5
2,5
50
50
.50
<0,1 A0 В)
<0,1 A0 В)
<0,1 A0 В)
КТ3187А-9
п-р-п
200
>4,4 ГГц
20
25
<0,1 A0 В)
КТ3187А-91
КТ3187Б-91
КТ3187В-91
п-р-п
п-р-п
п-р-п
200
90
200
>4600
>3200
>3000
20; 12*
18; 12*
20
20
10
25
КТ3189А-9
КТ3189Б-9
КТ3189В-9
п-р-п
п-р-п
п-р-п
225
225
225
300
300
300
50
50
50
100
100
100
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
99
>65* E В; 10 мА)
<3
<33
30...90 A В; 10 мА)
50... 150A В; 10 мА)
70...280A В; 10 мА)
30...90 A В; 10 мА)
50...150A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<27
<27
<27
<27
<27
<27
<15*
<15*
<15*
<10*
<10*
<10*
>90* E В; 10 мА)
<33
>60 E В; 15 мА)
>40 C В; 2 мА)
>35 E В; 10 мА)
<0,9 (8 В)
<0,9 (8 В)
<0,9 (8 В)
>8** B ГГц)
>6** B ГГц)
>6** B ГГц)
<3,5 B ГГц)
<3 B ГГц)
<4 B ГГц)
>40 A0 В; 14 мА)
<0,9 A0 В)
>12** @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
>40 A0 В; 14 мА)
>40 C В; 2 мА)
>40 E В; 5 мА)
>12** @,8 ГГц)
>12** @,8 ГГц)
>12** @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<2,5 @,8 ГГц)
110.220
200...450
420...800
10
10
10
100
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ3191А-9
р-п-р
200
>4500
15'
25
<0,1 B0 В)
КТ3191А-91
р-п-р
200
>4500
15"
25
<0,1 B0 В)
КТ3192А-9
р-п-р
200
800
40
30
0,1
КТ3196А-9
р-п-р
225
250
40
200
10
КТ3197А-9
п-р-п
225
200
60
200
10
КТ3198А
КТ3198Б
КТ3198В
КТ3198Г
КТ3198Д
КТ3198Е
КТ3198Ж
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
280
280
300
300
280
300
300
4600
4600
4000
4000
3000
6000
6500
15*
15*
15*
15*
20
20
20
2,5
2,5
2,5
2,2
2,5
3
2,5
25
25
50
35
30
100
50
КТ319А-1
КТ319Б-1
КТ319В-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
15
15
15
>100
>100
>100
3,5
3,5
3,5
15
15
15
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
КТ321Г
КТ321Д
КТ321Е
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
>60
>60
>60
>60
>60
>60
60
60
60
45
45
45
200 B*
200 B*
200B"
200 B*
200 B*
200B*
А)
А)
А)
А)
А)
А)
<0,1 F0 В)
<0,1 F0В)
<0,1 F0 В)
<0,1 D5 В)
<0,1 D5 В)
<0,1 D5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
101
>20 A0 В; 14 мА)
<0,9 A0 В)
>16** @,5 ГГц)
<2,4 @,5 ГГц)
>20 A0 В; 14 мА)
<0,9 A0 В)
>16** @,5 ГГц)
<2,4 @,5 ГГц)
20
100...300
100...300
1,5
40
40
25
40
>20 A В; 2 мА)
>50 A0 В; 20 мА)
>60 (8 В; 15 мА)
>16** @,5 ГГц)
>12** @,5 ГГц)
14**
>11** @,8 ГГц)
>10** @,8 ГГц)
>12** @,8 ГГц)
>13** @,8 ГГц)
<2,4 @,5 ГГц)
2
1,9
1,6
<4 @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<1,8 @,8 ГГц)
15...55 A В; 1 мА)
45...90A В; 1 мА)
80...200 A В; 1 мА)
A В)
A В)
A В)
<30
<30
<30
<130*
<130*
<130*
20...60* C В; 0,5 А)
40... 120* C В; 0,5 А)
80...200* C В; 0,5 А)
20...60* C В; 0,5 А)
40..Л20* C В; 0,5 А)
80...200* C В; 0,5 А)
<80 A0 В)
<80 A0 В)
<80 A0 В)
<80 A0 В)
<80 A0 В)
<80 A0 В)
<3,6
<3,6
<3,6
<3,6
<3,6
<3,6
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
102
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ324А-1
КТ324Б-1
КТ324В-1
КТ324Г-1
КТ324Д-1
КТ324Е-1
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
КТ325АМ
КТ325БМ
КТ325ВМ
КТ326А
КТ326Б
КТ326АМ
КТ326БМ
КТ331А-1
КТ331Б-1
КТ331В-1
КТ331Г-1
КТ332А-1
КТ332Б-1
КТ332В-1
КТ332Г-1
КТ332Д-1
Струк-
тура
1 n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PR maxt
PJC, t max.
Рк, и max»
мВт
15
15
15
15
15
15
225 (85°C)
225 (85°C)
225 (85°C)
225 (85°C)
225 (85°C)
225 (85°C)
200 C0°C)
200 C0°C)
200 C0°C)
200 C0°C)
15
15
15
15
15
15
15
15
15
frp, fh216,
-•*
1Ь21э,
I max,
МГц
>800
>800
>800
>600
>600
?600
?800
?800
?1000
?800
?800
?1000
?250
?400
?250
?400
?250
?250
?250
?400
?250
?250
?250
?500
>500
UKBO max,
UK3R max,
Uk3O max,
В
10
10
10
10
10
10
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (ЮОк)
15* (ЮОк)
15* (ЮОк)
15* (ЮОк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
UsBO max,
В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
3
3
3
»К max,
IK, и max,
мА
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
50
50
50
50
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
1КБО,
Iksr,
1кэо,
мкА
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
?0,5 IK) В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 B0 В)
<0,5B0В)
<0;5 B0 В)
<0,5B0В)
¦50,2A5 В)
<0,2A5В)
<0,2 A5 В)
<0,2 A5 В)
^0,2 A5. В)
<0,2 A5 В)
<0,2 A5 В)
<0,2 A5 В)
^0,2 A5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
103
П21э, Л21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
PSx, Вт
Тк, ПС
,*
'рас, НС
.**
1выкл, НС
Корпус
20...60 A В; 10 мА)
40...120 A В; 10 мА)
80...250 A В; 10 мА)
40...120 A В; 10 мА)
20...80 A В; 10 мА)
60...250 A В; 10 мА)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
<2,5 E В)
?30
?30
?30
?30
?30
?30
?180; ?10*
?180; ?10*
?180; ?10*
?180; ?10*
?180; ?10*
?180; ?10*
30...90* E В; 10 мА)
70...210* E В; 10 мА)
160.,.400* E В; 10 мА)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?125
?125
?125
30...90* E В; 10 мА)
70...210* E В; 10 мА)
160...400* E В; 10 мА)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?2,5 E В)
?125
?125
?125
20...70* B В; 10 мА)
45...160* B В; 10 мА)
?5E В)
?5 E В)
?30
?30
?450
?450
20...70* B В; 10 мА)
45... 160* B В; 10 мА)
?5 E В).
?5 E В)
?30
?30
?450
?450
20...60 E В; 1 мА)
4О...12ОEВ; 1 мА)
80...220 E В; 1 мА)
40... 120 E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
?5 E В)
?5 E В)
?4,5 A00 МГц)
?4,5 A00 МГц)
?4,5 A00 МГц)
?4,5 A00 МГц)
?120
?120
?120
?120
2О...6ОEВ; 1 мА)
4О...12ОEВ; 1 мА)
8О...22ОEВ; 1 мА)
4О...12ОEВ; 1 мА)
80...220 E В; 1 мА)
?5 E В)
?5 E В)
<5 E В)
?5 E В)
?5 E В)
?8 A00 МГц)
?8 A00 МГц)
?8 A00 МГц)
?8 A00 МГц)
<8 A00 МГц)
?300
?300
?300
?300
?300
fO4
Раздел 2, Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТЗЗЗА-3
КТЗЗЗБ-3
КТЗЗЗВ-3
КТЗЗЗГ-3
ктзззд-з
КТЗЗЗЕ-3
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
КТ337А
КТ337Б
КТ337В
КТ339АМ
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ340В
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ342Г
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max.»
PR, т maxi
— *«
rK, и max,
мВт
15
15
15
15
15
15
50
50
50
50
50
50
150F0°C)
150F0°C)
150 F0°C)
260 E5°C)
260 E5 °C)
260 E5 °C)
260 E5 *C)
260 E5 °C)
260 E5 °C)
150 (85°C)
150 (85°C)
150 (85"C)
150 (85°C)
150 (85°C)
250
250
250
250
frp, fh216,
fh219,
,**¦
Imax,
МГц
>450
>450
>450
>350
>350
>350
>250
>250
>250
>450
>450
>450
>500
>600
>600
>300
>300
>250
>450
>250
?250
?300
>300
>300
>300
>300
>250
>300
>300
>300
UKBO max,
Ui<3R max,
Uk3O max,
В
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
6* (Юк)
6* (Юк)
6* (Юк)
40
40
25
40
40
40
15
20
15
15
15
35
30
25
60* (Юк)
UsBO max,
В
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max,
1к, и max,
мА
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20E0*)
20 E0*)
20 E0*)
30
30
30
25
25
25
25
25
25
50
50
50 B00*)
75 E00*)
50
50 C00*)
50 C00)
50 C00)
50 C00*)
1КБО,
1кэя,
1кэо,
мкА
<0,4 A0 В)
<0,4 A0 В)
<0,4 A0 В)
<0,4 A0 В)
<0,4 A0 В)
<0,4 A0 В)
<0,5 A0 В)
<Ю,5 A0 В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
?1F В)
<1 F В)
й\ F В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 A5 В)
<\ B0 В)
<1 A5 В)
<1 A5 В)
<1 A5 В)
<0,05 B5 В)
<0,05 B0 В)
<0,05 A0 В)
<0,05 F0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
105
П21э, Н21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, ДБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых,- ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
30...90A В; 10 мА)
50...I50 A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
30...90 A В; 10 мА)
50...150A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<27
<27
<27
<27
<27
<27
<25*
<25N
¦?25*
20...60 A В; 10 мА)
40...120A В; 10 мА)
>80 A В; 10 мА)
20...60A В; 10 мА)
40...120U В; 10 мА)
>80 A В; 10 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<30
<30
<30
<30
<30
<30
<30*
<30*
<50*
<15*
<15*
<15*
>30* @,3 В; 10 мА)
>50* @,3 В; 10 мА)
>70* @,3 В; 10 мА)
<6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
<20
<20
<20
<25*
<28*
<28"
>25* A0 В; 7 мА)
<2 E В)
<25
>25* A0 В; 7 мА)
>15* A0 В; 7 мА)
>25* A0 В; 7 мА)
>40* A0 В; 7 мА)
>15* A0 В; 7 мА)
<2 E В)
<2 E В)
<2 E В)
<2 E В)
<2 E В)
<25
<25
<50
<100
<150
100...300* A В; 10 мА)
>100* A В; 10 мА)
>35* B В; 0,2 А)
>16* B В; 0,5 А)
>40* B В; 0,2 А)
<3,7
<3,7
<3,7
<3,7
<б
E
E
E
E
E
В)
В)
В)
В)
В)
<20
<25
<2
<1,2
<30
<45;<10*
<40; <15*
<85; <15*
<85; <15*
<150; <75*
100...250* E В; 1 мА)
200...500* E В; 1 мА)
400... 1000* E В; 1 мА)
50... 120* E В; 1 мА)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<200
<300
<700
106
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ342АМ
КТ342БМ
КТ342ВМ
КТ342ГМ
КТ342ДМ
КТ343А
КТ343Б
КТ343В
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ348В-3
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
250
250
250
250
250
150 G5вС)
150 G5°С)
150 G5'С)
300 F00**)
300 F00**)
300 F00**)
150 G5вС)
150 G5'С)
150 G5'С)
15
15
15
200 C5вС)
200 C5°С)
200 C5°С)
frp, fh216*
fh2U,
Imax»
МГц
>250
?300
>300
>150
>150
>300
:>300
>300
>350
>350
>350
?500
>500
>500
>100
>100
>100
>300
>300
>300
UkbO max,
UioR max,
UlOO max,
В
35
30
25
30* (Юк)
25* A0k)
17* A0k)
17* A0k)
9* A0k)
20* A0k)
20* A0k)
20* A0k)
15* A0k)
9* A0k)
6* A0k)
5* (Зк)
5* (Зк)
5* (Зк)
15* A0k)
15* A0k)
15* A0k)
USBO max,
В
5
' 5
5
5
5
4
4
4
5
5
5
4
4
4
3,5
3,5
3,5
4
4
4
IK max»
Ik, и max»
mA
50 C00*)
50 C00*)
50 C00*)
50 C00*)
50 C00*)
50 A50*)
50 A50*)
50 A50*)
200 C00*)
200 C00*)
200 C00*)
50A10*)
50A10*)
50A10*)
15 D5*)
15 D5*)
15 D5*)
50 A00*)
50 A00*)
50A00*)
Ikbo,
iibR,
1кэо,
мкА
<0,05 B5 B)
<0,05 B0 B)
<0,05 A0 B)
<0,05 C0 B)
<0,05 B5 B)
<П A0 B)
<1 A0 B)
<1 G B)
<0,5 B0 B)
?0,5 B0 B)
<0,5 B0 B)
<1 A5 B)
?1 (9 B)
<1 F B)
<1EB)
^1 E B)
<П E B)
<1 A0 B)
<1 A0 B)
<1 A0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
107
П21э, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
ГкЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
100...250* E В; 2 мА)
200...500* E В; 2 мА)
400..Л000* E В; 2 мА)
1OO...25O* E В; 2 мА)
2OO...5OO* E В; 2 мА)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<Ю
<200
<300
<700
>30* @,3 В; 10 мА)
>5О*(О,ЗВ; 10 мА)
>30* @,3 В; 10 мА)
<6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
<30
<30
<30
<10*
<20*
<1О*
>20* A В; 100 мА)
>50* A В; 100 мА)
>70* A В; 100 мА)
<15 E В)
<15 E В)
<15 E В)
<3
<3
<3
<70*
<70*
<70*
30...400* @,3 В; 10 мА)
30...400* @,3 В; 10 мА)
50...400* @,3 В; 10 мА)
<6 E В)
<6 E В)
<6 E В)
<30
<30
<30
<25*
<25*
<40"
25..J5 A В; 1 мА)
35...120 A В; 1 мА)
80...250 A В; 1 мА)
<11 A В)
<11 A В)
<11 (I В)
<30
<30
<30
<130*
<130*
<130*
20...80* A В; 10 мА)
40...160* A В; 10 мА)
120...300* A В; 10 мА)
<6 E В)
<б E В)
<6 E В)
<30
?30
?30
108
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ350А
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
КТ354А-2
КТ354Б-2
КТ355А
КТ355АМ
КТ357А
КТ357Б
КТ357В
КТ357Г
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max»
PR, т max»
PR, и max»
мВт
300 C0-С)
300 C0°С)
300 C0°С)
300 C0°С)
300 C0°С)
30
30
225 (85°С)
225 (85°С)
100 E0°С)
100 E0°С)
100 E0°С)
100 E0°С)
frp, fh216,
fh2b,
Imax,
МГц
>100
>200
>200
>200
>200
>1100
>1500
>1500
>1500
>300
>300
>300
>300
UKBO max»
UK3R max,
Ui<30 max,
В
20
15* A0к)
15* A0k)
20
20
10* (Зк)
10* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
6*
6*
20*
20*
USBO max,
В
5.
5
5
5
5
4
4
4
4
3,5
3,5
3,5
3,5
IK max,
Ik, h max,
mA
600*
400*
400*
200*
200*
10 B0*)
10 B0*)
30 F0*)
30 F0*)
40 (80*)
40 (80*)
40 (80*)
40 (80*)
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<i do в)
<1 A0 B)
<1 A0 B)
<1 A0 B)
<1 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5A5B)
<0,5 A5 B)
<5F.B)
<5 F B)
<5 B0 B)
<5 B0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
109
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
тк, пс
tpac, НС
¦**
1выкл, НС
Корпус
20...200* A В; 0,5 А)
<70 E В)
<2
20...80* A В; 0,5 А)
50...200* A В; 0,3 А)
<20 E В)
<20 E В)
<2,25
25...125* A В; 0,2 А)
70...300* A В; 0,2 А)
<15 E В)
?15 E В)
<3
<3
40...200 B В; 5 мА)
90...360 B В; 5 мА)
<1,3EВ)
<1,3 E В)
<10*
<25
<30
80...300* E В; 10 мА)
<2EВ)
<5,5 F0 МГц)
<60
80...30О* E В; 10 мА)
<2 E В)
<5,5 F0 МГц)
<60
20... 100* @,5 В; 10 мА)
60...300* @,5 В; 10 мА)
20...100*@,5В; 10 мА)
60...300* @,5 В; 10 мА)
<7 E В)
<7 E В)
<7 E В)
<7 E В)
<30
?30
<30
<30
<150*
<250*
<150*
<250*
110
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ358А
КТ358Б
КТ358В
КТ359А-3
КТ359Б-3
КТ359В-3
КТ360А-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
КТ361А
КТ361А1
КТ361Б
КТ361В
КТ361Г
КТ361Г1
КТ361Д
КТ361Д1
КТ361Е
КТ361Ж
КТ361И
КТ361К
КТ361Л
КТ361М
КТ361Н
КТ361П
КТ361А-2
КТ361А-3
КТ361Б-2
КТ361В-2
КТ361Г-2
КТ361Г-3
КТ361Д-2
КТ361Д-3
КТ361Е-2
КТ361Ж-2
КТ361И-2
КТ361К-2
КТ361Л-2
КТ361М-2
КТ361Н-2
КТ36Ш-2
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Р'П-Р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max,
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
100 E0°С)
100 E0°С)
100 E0°С)
15
15
15
10 E5°С)
10 E5°С)
10 E5°С)
150 C5°С)
150
150 C5°С)
150 C5°С)
150 C5°С)
150
150C5°С)
150
150 C5°С)
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
frp, fh216,
,**
1Ь21э,
f***
МГц
>80
>120
>120
>300
?300
>300
>300
>400
>400
>250
>150
>250
>250
>250
>250
>250
>150
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>150
>300
>250
>150
>250
>250
>250
>250
>250
>150
^250
>250
>250
>250
>250
^250
>150
>300
UkBO max,
UioR max,
UlOO max,
В
15
30
15
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
25
20
20
25
25
20
40
35
35
40
40
35
10
15
60
20
40
45
50
25
25
20
40
35
35
40
40
35
10
15
60
20
40
45
50
USBO max,
В
4
4
4
3,5
3,5
3,5
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IK max,
1к, и max,
мА
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
2p
20
20
20 G5*)
20 G5*)
20 G5*)
50
100
50
50
50
100
50
50
50
50
50
50
100
100
50
50
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
100
100
50
50
1КБО,
IK3R,
т**
1кэо,
мкА
<10 A5 В)
<10 C0 В)
<10 A5 В)
<0,5 A5 В)-
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<1 B5 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В) .
<1 A0 В)
<1 A0 В)
^1 A0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
111
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГкЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
teuitn, НС
Корпус
10...100* E,5 В; 20 мА)
25... 100* E,5 В; 20 мА)
50...280* E,5 В; 20 мА)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<40
<40
<40
<500
<300
<500
30...90A В; 10 мА)
50...150 AВ; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<70
<70
<70
<6 B0 МГц)
<6 B0 МГц)
<6 B0 МГц)
<100
<100
<100
20...70 B В; 10 мА)
40...140 B В; 10 мА)
80...240 B В; 10 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<35
<35
<35
<450; <100*
<450; <200*
<450; <200*
20...90 A0 В; 1 мА)
20...90 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
40...160 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
1OO...35O A0 В; 1 мА)
20...90 A0 В; 1 мА)
20...90 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
>250 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
50...350 A0 В; 1 мА)
70... 160 A0 В; 1 мА)
20...90О0В; 1 мА)
100...350 A0 В; 1 мА)
<9 A0 В)
<9 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<9A0В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<50
<50
<50
<50
<50
<50
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<500
<500
<500
<1000
<500
<500
<250
<250
<1000
<100
<1000
<500
20...90 A0 В;
20...90 A0 В;
50...350 A0 В;
40...160 A0 В;
50...350 A0 В;
100...350 A0 В
20...90 A0 В;
20...90 A0 В;
50...350 A0 В;
50...350 A0 В;
250 A0 В; 1
50...350 A0 В;
50...350 A0 В;
70...160 A0 В;
20...90 A0 В;
100...350 A0 В
1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
; 1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
; 1 мА)
<9A0В)
<9 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<9 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<9 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<50
<50
<50
<50
<20
<20
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<500
<500
<500
<1000
<500
<500
<250
<250
<1000
<100
<1000
<500
112
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ363А
КТ363Б
КТ363АМ
КТ363БМ
КТ364А-2
КТ364Б-2
КТ364В-2
КТ366А
КТ366Б
КТ366В
КТ368А
КТ368Б
КТ368А-5
КТ368А-9
КТ368Б-9
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
150 D5°С)
150D5вС)
150 D5°С)
150 D5°С)
30
30
30
30 G0°С)
30 G0*С)
30 G0°С)
225 F5°С)
225 F543)
225 F5РС)
100
100
frp, fh216,
fh2l9,
'max»
МГц
>1200
>1500
?1200
?1500
?250
?250
?250
?1000
?1000
?1000
?900
?900
?900
?900
?900
UKBO max,
Ui<3R max,
UJOO max,
В
15* (Ik)
12* (Ik)
15* (Ik)
12* (Ik)
25
25
25
15
15
15
15
15
15*
15*
15*
UsBO max,
В
4,5
4,5
4,5
4,5
5
5
5
4,5
4,5
4,5
4
4
4
4
4
Ik max,
IK, и max,
mA
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*j
30 E0*)
200 D00*)
200 D00*)
200 D00*)
10 B0*)
20 D0*)
45 G0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
Ikbo,
Iksr,
?**
1кэо,
мкА
<0,5 A5 B)
<0,5 A5 B)
<0,5 A5 B)
<0,5A5B)
<1 B5 B)
<1 B5 B)
<1 B5 B)
<0,l A5 B)
<0,l A5 B)
<0,l A5 B)
<0,5A5B)
<0,5 A5 B)
0,5 A5 B)
0,5 A5 B)
0,5 A5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
113
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГбЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
teuwi, НС
Корпус
2О..Л2О* E В; 5 мА)
40...120* E В; 5 мА)
<2 E В)
<2 E В)
<35
<35
<50
<75
20...120* E В; 5 мА)
40...120* E В; 5 мА)
<2 E В)
<2 E В)
<35
<35
<50
<75
20...70* A В; 0,1 А)
40...120* A В; 0,1 А)
80...240* A В; 0,1 А)
<15E В)
<15 E В)
<15 E В)
<30
<30
<30
<500; <150*
<500; <18О*
<500; <230*
50...200 A В; 1 мА)
50...200 A В; 5 мА)
50...200 A В; 15 мА)
<1,1 @,1 В)
<1,8 @,1 В)
<3,3 @,1 В)
<80
<25
<60; <50*
<60; <80*
<60; <120*
50...300* E В; 10 А)
50...300* E В; 10 мА)
<1,7 E В)
?1,7 E В)
<3,3 F0 МГц)
50...450 A В; 10 мА)
<1,7 E В)
<3,3 F0 МГц)
<15 A0 мА)
50...300 A В; 10 мА)
50...300 A В; 10 мА)
<1,7 E В)
<1,7 E В)
<3,3 F0 МГц)
<15A0мА)
<15 A0 мА)
114
Раздел 2. Биполярные транзисторы
iiSl
KT368AM
КТ368БМ
KT368BM
KT369A
КТ369Б
KT369B
КТ369Г
KT369A-1
КТ369Б-1
KT369B-1
КТ369Г-1
KT370A-1
КТ370Б-1
KT370A-9
КТ370Б-9
KT371A
KT371AM
Ц
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
225 F5eC)
225 F5°C)
225 F5eC)
50
50
50
50
50
50
50
50
15
15
30 E0°C)
30 E0°C)
100 F5°C)
100 (85°C)
iliiflafiili
>900
>900
>900
>200
>200
>200
>200
IV IV IV IV
to to to to
8888
>1000
>1200
1000
1000
>3000
?3000
l§j§
15
15
15
45
45
65
65
45
45
65
65
15* (Ik)
12* (Ik)
15* (Ik)
12* (Ik)
10
10* (Зк)
'?:^:-Z::-:::.-:^V ¦¦¦<¦-:y¦/¦:¦::¦¦_.
;.;^'::.¦:¦;.:¦;:¦.._.;;¦¦:¦:¦¦ : .; /'. 'Л,1
;|]УЭБО maxi:
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
liiwiiiili
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
250 D00*)
250 D00*)
250 D00*)
250 D00*)
250 D00*)
250 D00*)
250 D00*)
250 D00*)
15 C0*)
15 C0*)
15 C0*)
15 C0*)
20 D0*)
20 D0*)
IlSiii
<0,5 A5 B)
<0,5 A5 B)
<0,5 A5 B)
<7 D5 B)
<7 D5 B)
<10 F5 B)
<10 F5 B)
<7 D5 B)
<7 D5 B)
<10 F5 B)
<10 F5 B)
<0,5 A5 B)
<0,5 A2 B)
<0,5 A5 B)
<0,5 A2 B)
<0.5A0B)
<0,5 A0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
115
50...450* E В; 10 мА)
50...450* E В; 10 мА)
100...450* E В; 10 мА)
<1,7 E В)
<1,7 E В)
<1,7 E В)
<3,3 F0 МГц)
<5
20... 100* B В; 0,15 А)
40...200* B В; 0,15 А)
20... 100* C В; 10 мА)
40...200* C В; 10 мА)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<4
<4
<2,5
<2,5
20... 100* B В; 0,15 А)
40...200* B В; 0,15 А)
20... 100* C В; 10 мА)
40...200* C В; 10 мА)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<4
<4
<2,5
<2E
20...70 E В; 3 мА)
4О...12ОEВ;ЗмА)
<2 E В)
<2EВ)
<35
<35
<50; <10*
<50; <10*
20...70 E В; 3 мА)
4О...12ОEВ;3 мА)
<2 E В)
<2 E В)
9,9
9,9
<10*
30...240 A В; 10 мА)
<1,2 E В)
>9** D00 МГц)
<5 D00 МГц)
<10*
30...240 A В; 10 мА)
<1,2 E В)
<5 D00 МГц)
116
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ372А
КТ372Б
КТ372В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
КТ375А
КТ375Б
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
КТ380А
КТ380Б
КТ380В
КТ381Б
КТ381В
КТ381Г
КТ381Д
КТ381Е
КТ382А
КТ382Б
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max,
PfC, t max,
"К, и max,
мВт
50 A00°C)
50 A00°C)
50 (lOO'C)
150 E5°C)
150 E5°C)
150 E5°C)
150E5°C)
200 D00**)
200 D00**)
25
25
' 25
25
15
15
15
ел ел ел ел ел
100 F5°С)
100 F5°С)
frp, fh216,
fh2l3,
Imax,
МГц
?2400
?3000
?2400
?350
?300
?300
?250
?250
?250
?250
?300
?300
?250
?300
?300
?300
?200
?200
?200
?200
?200
?1800
?1800
UkBO max,
Uk3R max,
UJOO max,
В
15* (Юк)
15* A0k)
15* A0k)
30* A0k)
25* A0k)
10* A0k)
60* A0k)
60
30
30* A0k)
25* A0k)
10* A0k)
60* A0k)
17* A0k)
17* A0k)
9* A0k)
25
25
25
25
25
15
15
UsBO max,
В
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
4
6,5
6,5
6,5
6,5
6,5
3
3
Ik max,
Ik, и max,
mA
10
10
10
50 B00*)
50 B00*)
50 B00*)
50 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
* * * *
88 88
о о о о
со со со со
10 B5*)
10B5*)
20 B5*)
.15
15
15
15
15
20 D0*)
20 D0*)
1КБО,
Iioo,
мкА
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,05 B5 В)
<0,05 B0 В)
<0,05 A0 В)
<0,05 B5 В)
<1 F0 В)
<1 C0 В)
<0,05 C0 В)
<0,05 B5 В)
<0,05 A0 В)
?0,05 F0 В)
<1 A0 В)
<1 A0 В)
<1 G В)
0,03 E В)
0,03 E В)
0,03 E В)
0,03 E В)
0,03 E В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
117
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл« НС
Корпус
>10* E В; 10 мА)
>10* E В; 10 мА)
>10* E В; 10 мА)
E В)
E В)
E В)
>10** A ГГц)
>10** A ГГц)
>10** A ГГц)
<3,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
<9
<9
<9
100...250 E В; 1 мА)
200...600 E В; 1 мА)
500... 1,000 E В; 1 мА)
5ОО...125EВ; 1 мА)
?8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<20
<200
<300
<700
<200
10... 100* B В; 20 мА)
50...280* B В; 20 мА)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<40
<40
<300
<300
100...250 E В; 1 мА)
200...500 E В; 1 мА)
4ОО...1ОООEВ; 1 мА)
5О...125EВ; 1 мА)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<8 E В)
<20
30...90 @,3 В; 10 мА)
5O...15O @,3 В; 10 мА)
30...90 @,3 В; 10 мА)
<6 E В)
<6 E В)
<б E В)
<30
<30
<30
10*
20*
10*
>40 E В; 10 мкА)
>30 E В; 10 мкА)
>20 E В; 10 мкА)
>20 E В; 10 мкА)
>20 E В; 10 мкА)
40...330 A В; 5 мА)
40...330 A В; 5 мА)
<2 E В)
<2 E В)
>9** D00 МГц)
>5** D00 МГц)
<3 D00 МГц)
<4,5 D00 МГц)
118
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ382АМ
КТ382БМ
п-р-п
п-р-п
100 (85°С)
100 (856С)
>1800
>1800
15
15
20 D0*)
20 D0*)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5.В)
КТ384А-2
п-р-п
300
>450
30* Eк)
300 E00*)
<10 C0 В)
КТ384АМ-2
п-р-п
300
?450
30* Eк)
300 E00*)
<10 C0 В)
КТ385А-2
п-р-п
300
>200
60
300 E00*)
<10 F0 В)
КТ385АМ-2
КТ385БМ-2
п-р-п
п-р-п
300
300
>200
>200
60
60
300 E00*)
300 E00*)
^10 F0 В)
<10 F0 В)
КТ388Б-2
р-п-р
300 (80°С)
>250
50
4,5
250
<2 E0 В)
КТ388БМ-2
р-п-р
300
>250
50
4,5
250
<2 E0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
119
40...330 A В; 5 мА)
40...330 A В; 5 мА)
<2 E В)
<2 E В)
>9** D00 МГц)
>5** D00 МГц)
<3 D00 МГц)
<4,5 D00 МГц)
30...180* A В; 0,15 А)
<4A0В)
<4
<15*
30...180* A В; 0,15 А)
<4 A0 В)
<4
20...200* A В; 0,15 А)
A0 В)
<5
<60*
20...200* A В; 0,15 А)
20...100* A В; 0,15 А)
<4A0В)
<4A0В)
<5
<5
<60*
<60*
25...1OO* A В; 0,12 А)
<7A0B)
<5
60; <60*
25...100* A В; 0,12 A)
<7 A0 В)
<5
60; <60*
120
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ389Б-2
КТ391А-2
КТ391Б-2
КТ391В-2
КТ392А-2
КТ396А-2
КТ396А-9
КТ397А-2
КТ399А
Струк-
тура
р-п-р
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max)
PR, т max,
PR, и max,
мВт
300 (80°C)
70 (85°C)
70 (85°C)
70 (85°C)
120 F5°C)
30 E0°C)
100
120 (90°C)
150 E5°C)
frp, fh216,
fh2l9,
•max,
МГц
>450
>5000
>5000
>4000
>300
>2100
>2100
>500
>1800
UKBO max,
Ui<3R max,
UJOO max,
В
25* (Ik)
15
15
10
40* E к)
15
15
40* (Юк)
15**
USBO max,
В
4,5
2
2
1
4
3
3
4
3
IK max,
Ik, и max,
mA
300 ,
10
10
10
10B0*)
40
40
10B0*)
20 D0*)
Ikbo,
li<3R,
1кэо,
мкА
<1 B5 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 G B)
<0,5 D0 B)
<0,5 A5 B)
<0,5 A5 B)
<1 D0 B)
<0,5 A5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
121
П21э, Ы>1Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
вш, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл> НС
Корпус
25...100* A В; 0,2 А)
?10 A0 В)
<3
<25*; <180
>20 G В; 5 мА)
>20 G В; 5 мА)
2:20 G В; 5 мА)
<0,7 E В)
<0,7 E В)
<0,7 E В)
<4,5 C,6 ГГц)
<5,5 C,6 ГГц)
<6 C,6 ГГц)
<3,7
<3,7
<3,7
40...180*EВ;2,5мА)
<2,5 E В)
<50
4,5 A00 МГц)
<120
40...250 B В; 5 мА)
<1,5 E В)
40...250 B В; 5 мА)
<2 E В)
40...300 E В; 2 мА)
<1,3 E В)
<25*
<40
>40* A В; 5 мА)
<1,7 E В)
>11,5** @,4 ГГц)
<2 D00 МГц)
<8
122
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ399АМ
КТ501А
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
КТ501Е
КТ501Ж
КТ501И
КТ501К
КТ501Л
КТ501М
КТ502А
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
КТ502Е
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
КТ503Е
КТ504А
КТ504Б
КТ504В
КТ505А
КТ505Б
КТ506А
КТ506Б
Струк-
тура
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
Рк max»
PR, т max»
"К, и max»
мВт
150 E5'С)
350 C5Т)
350 C5'С)
350 C5°С)
350 C5°С)
350 C5°С)
350C5°С) •
350 C5'С)
350 C5°С)
350 C5°С)
350 C5°С)
350 C5°С)
350
350
350
350
350
350
350
350
350
350
350
350
1 A0*) Вт
1 A0*) Вт
1 A0*) Вт
1 E*) Вт
1 E*) ВТ
0,8 A0*) Вт
0,8 A0*) Вт
frp, fh216,
Imax,
МГц
?1800
IV IV IV IV IV IV IV IV IV IV IV
слслслслслслслслслслсл
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
5...50
>20
?20
?20
?20
?20
?10
?10
UkbO max,
UK3R max,
UlOO max,
В
15**
15* (Юк)
15* A0k)
15* A0k)
30* A0k)
30* A0k)
30* A0k)
45* A0k)
45* A0k)
45* A0k)
60* A0k)
60* A0k)
40
40
60
60
80
90
40
40
60
60
80
100
400; 350*
200* @,1k)
275* @,1k)
300* @,1k)
250* @,1k)
800
600
ЧЭБО max,
В
3
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
6
6
6
5
5
5
5
Ik max,
_*
IK, и max,
mA
30 F0*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
300E00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
ел сл сл ел сл сл
о о о о о о
со со со со со со
888888
1 B*) А)
1 B*)А
1 B*)А
1 B*) А
1 B*) А
2 E*)А
2 E*) А
1КБО,
Iksr,
Iioo,
мкА
<0,5 A5 В)
<1* A5 В) **
<1*C0В)
<1* (ЗОВ)
<1* C0 В)
<1* D5 В)
<1*D5В)
<1* D5 В)
й\* F0 В)
<1* F0 В)
<1 D0 В)
?1 D0 В)
<1 F0 В)
?1 F0 В)
<1 (80 В)
<1 (90 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
?1 F0 В)
<1 F0 В)
<1 (80 В)
<1 A00 В)
<100 D00 В)
<100 B50 В)
<100 C00 В)
<100 C00 В)
<100 B50 В)
<200 F00 В)
<200 F00 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
123
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Хк, ПС
,*
tpac» НС
,»»
1выкл, НС
Корпус
>40* A В; 5 мА)
<1,7 E В)
>11,5** @,4 ГГц)
<2 D000 МГц)
<8
20...60* A В;
40...120* A В;
80...240* A В;
20...60* A В;
40...120* A В;
80...240* A В;
20...60* A В;
40...120* A В;
80...240* AВ;
20...60* A В;
40...120* A В;
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50A0В.)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<4 A кГц)
<4 A кГц)
<4 A кГц)
40...120 E В; 10 мА)
8О...24ОEВ; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
80...240 E В; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50A0В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<60
<60
<60
<60
<60
<60
<320*
<320*
<320*
<320*
<320*
<320*
4О...12ОEВ; 10 мА)
80...240 E В; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
80...240EВ; 10 мА)
40... 120 E В; 10 мА)
40...120EВ; 10 мА)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50A0В)
<60
<60
<6р
<60
<60
<60
<580*
<580*
<580*
<580*
<580*
<580*
15...100* E В; 0,5 А)
15...100*EВ;0,5А)
15...100* E В; 0,5 А)
<30 A0 В)
<30 A0 В)
<30A0В)
<2
<2
<2
<27О0*
<2700*
<2700*
25...140* A0 В; 0,5 А)
25...140* A0 В; 0,5 А)
<70 E В)
<70 E В)
<3,6
<3,6
<2600*
<2600*
30... 150* E В; 0,3 А)
30..Л50* E В; 0,3 А)
<40 E В)
<40 E В)
<2
<2
<1560"
124
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ509А
КТ601А
КТ601АМ
КТ602А
КТ602Б
КТ602В
КТ602Г
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604А
КТ604Б
Струк-
тура
р-п-р
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PK max,
Рк, т max,
Рк, и max,
мВт
300; 1* Вт
0,25 @,5*) Вт
0,5 Вт
0,85 B,8*) Вт
0,85 B,8*) Вт
0.85 B.8*) Вт
0,85 B,8*) Вт
0,85 B,8*) Вт
0,85 B,8*) Вт
0,5 Вт E0°С)
0,5 Вт E0°С)
0,5 Вт E0°С)
0,5 Вт E0°С)
0.5 Вт E0°С)
0,5 Вт E0°С)
0,5 Вт E0°С)
0.8 C*) Вт
0.8 C*) Вт
frp, fh216,
imax,
МГц
>40
>40
>150
>150
>150
>150
>150
>150
IV IV IV IV IV IV IV
to to to to to to to
8888888
>40
>40
UKBO max,
Uk3R max,
UlOO max,
В
500
.100*
100*
120
120
80
80
120
120
30* (Ik)
30* (Ik)
15* (Ik)
15* (Ik)
10* (Ik)
10* (Ik)
30* (Ik)
300
250* (Ik)
UsBO max,
В
5
3
3
5
5
5
5
5
5
со со со со со со со
5
5
Ik max,
Ik, и max,
mA
20
30
30
75 E00*}
75 E00*)
75 C00*)
75 C00*)
75 E00*)
75 C00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
200
200
Ikbo,
1кэо,
мкА
<5 E00 B)
<50 E0 B)
<300* A00 B)
<7O(I2OB}
<70 A20 B)
<70 (80 B)
<70(80B)
<70 A20 B)
<70 A20 B)
<10 C0 B)
<0 C0 B)
<5 A5 B)
<5 A5 B)
<1 A0 B)
<1 A0 B)
<10C0B)
<50 B50 B)
<50 B50 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
125
Ск,
С?2э,
пФ
ГкЭ нас, Ом
ГбЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
10...100 A0 В; 0,1 мА)
<2,9 A00 В)
10к
<500
>16 B0 В; 10 мА)
<15 B0 В)
<600
>16 B0 В; 10 мА)
<15 B0 В)
<600
20...80 A0 В; 10 мА)
>50 A0 В; 10 мА)
15...80 A0 В; 10 мА)
>50 A0 В; 10 мА)
<4 E0 В)
<4 E0 В)
<4 E0 В)
<4 E0 В)
<60
<60
<60
<60
<300
<300
<300
<300
20...80 A0 В; 10 мА)
>50 A0 В; 10 мА)
<4 E0 В)
<4 E0 В)
<60
<60
<300
<300
10...80* B В; 15 А)
>6О*BВ;О,15А)
10...80* B В; 0,15 А)
>60* B В; 0,15 А)
20...80* B В; 0,15 А)
60...200* B В; 0,15 А)
>20* B В; 0,35 А)
<15 A0 В)
<15A0В)
<15 A0 В)
$15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<7 D0 В)
<7 D0 В)
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<3,4
«<400
<400
<100**
<100**
<100**
<100**
<100**
<100**
<100**
10...40* D0 В; 20 мА)
30... 120* D0 В; 20 мА)
126
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605А
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608А
КТ608Б
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6109Г
КТ6109Д
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п s
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max»
PR, т max»
г»**
•гК, и max»
мВт
0,8 C*) Вт
0,8 C*) Вт
0,4 Вт A00°С)
0,4 Вт A00°С)
0,4 Вт A00°С)
0,4 Вт A00°С)
2,5 Вт D0°С)
2,5 Вт D0°С)
1,5 Вт
1,5 Вт
0,5 Вт
0,5 Вт
625
625
625
625
625
frp, fh216,
i**
Ш1э,
•max,
МГц
>40
>40
>40
>40
>40
>40
>350
>300
>700
>700
>200
>200
—
UkBO max,
UioR max,
UlOO max,
В
250* (Ik)
300
300
300
300
300
60
60
40
30
60
60
40
40
40
40
40
USBO max,
В
5
5
5
5
5
5
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
IK max,
IK, и max»
mA
200
200
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100B00*)
400 (800*)
400 (800*)
150
150
400 (800*)
400 (800*)
500
500
500
500
500
Ikbo,
IK3R,
T**
1кэо,
мкА
<20* B50 B)
<20 B50 B)
<50* B50 B)
<50* B50 B)
<20* B50 B)
<20* B50 B)
<1,5* F0 B)
<1,5* F0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<10 F0 B)
<10 F0 B)
<0,l
<0,l
<0.1
<0,l
<0,l
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
i27
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
re, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
10...40* D0 В; 20 мА)
30...120* D0 В; 20 мА)
<7 D0 В)
<7 D0 В)
<400
<400
10...40* D0 В; 20 мА)
30..Л20* D0 В; 20 мА)
<7 D0 В)
<7 D0 В)
<400
<400
<250
<250
10...40* D0 В; 20 мА)
30...120* D0В;20мА)
<7 D0 В)
<7 D0 В)
<400
<400
^250
?250
>15* A0 В; 0,10 А)
>15* A0 В; 0,10 А)
<10 B8 В)
<10 B8 В)
<5
<5
>0,8** D00 МГц)
^0,6** D00 МГц)
<4 A0 В)
<4,5 A0 В)
>4** A ГГц)
>3** A ГГц)
>1** A ГГц)
>1** A ГГц)
<25
2O...8O* E В; 0,2 А)
40...160* E В; 0,2 А)
?15 A0 В)
<15 A0 В)
<2,5
<2,5
?120*
64...91
78... 112
96... 135
112...166
144...202
1,2
1,2
1,2
1,2
.1,2
128
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ610А
КТ610Б
КТ6102А
КТ6103А
КТ6104А
КТ6105А
КТ6107А
КТ6108А
КТ611А
КТ611Б
КТ611В
КТ611Г
КТ611АМ
КТ611БМ
КТ6110А
КТ6110Б
КТ6110В
КТ6110Г
КТ6110Д
КТ6ША
КТ6ШБ
КТ6ШВ
КТ6ШГ
КТ6112А
КТ6112Б
KT6U2B
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6113В
КТ6113Г
КТ6113Д
КТ6113Е
Струк-
тура
п-р-п
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max,
PR, т max»
PR, и max»
мВт
1,5 Вт E0°С)
1,5 Вт E0°С)
1000
1000
1000
1000
1000
1000
0,8 C*) Вт
0,8 C*) Вт
0,8 C*) Вт
0.8 C*) Вт
0,8 C*) Вт
0,8 C*) Вт
625
625
625
625
625
' 450
450
450
450
450
450
450
400
400
400
400
400
400
frp, fh216,
fh2b,
• max,
МГц
>1000
>700
—
—
—
>60
>60
>60
>60
>60
>60
—
150
150
150
150
100
100
100
700
700
700
700
700
700
UKBO max,
Uk3R max,
Ui<30 max,
В
26
26
110
140
300
300
500
500
200
200
180
180
200
200
40
40
40
40
40
50
50
50
50
50
50
50
30
30
30
30
30
30
USBO max,
В
4
4
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
4
4
5
5
5
О
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max,
Ik, и max,
mA
300
1 300
1500
1500
150
1504
130
130
о о о о
о о о о
100
100
500
500
500
500
500
100
100
100
100
100
100
100
ел ел ел ел ел ел
о о о о о о
1КБО,
IK3R,
" ?**
1кэо,
мкА
<0,5 B6 В)
<0,5 B6 В)
2!
<0,1
<0,1
<200A80В)
<200A80В)
<100 A50 В)
<100 A50 В)
<100 A80 В)
<100 A80 В)
Si
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
<0,05
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
129
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нар, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых.Вт
Хк, ПС
t?ac, НС
tebimi, НС
Корпус
50...300* A0 В; 0,15 А)
20...300*(ЮВ;0,15А)
<4,1 A0 В)
<4,1 A0 В)
6 @,2 ГГц)
6 @,2 ГГц)
<55
<22
80...250
80...250
<5
<5
80...250
80...250
<5
<5
80...250
80...250
<5
<5
10...40* D0 В; 20 мА)
30...120*D0В;20мА)
10...40* D0 В; 20 мА)
30... 120* D0 В; 20 мА)
<5 D0 В)
<5 D0 В)
<5 D0 В)
<5 D0 В)
<400
<400
<400
<400
<200
<200
<200
<200
10...40* D0 В; 20 мА)
30... 120* D0 В; 20 мА)
<5 D0 В)
<5 D0 В)
<400
<400
<200
<200
64...91
78...112
96... 135
112... 166
144...202
1,2
1.2
1,2
1,2
1,2
60... 150
100...300
200...600
400... 1000
<3
<3
<3
<3
<10A кГц)
<10A кГц)
<10A кГц)
<10A кГц)
60... 150
100...300
200...600
<7
<7
<7
<10A кГц)
<10A кГц)
<10A кГц)
28...45
39...60
54...80
72... 108
97...146
132...198
130
Раздел 2. Биполярные транзисторы
ащЩхЩ!
!Яв11Щ1|
КТ6114А
КТ6114Б
КТ6114В
КТ6114Г
КТ6114Д
КТ6114Е
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1000
1000
1000
700
700
700
100
100
100
100
100
100
40
40
40
40
40
40
1500
1500
1500
1100
1100
1100
KT6115A
КТ6115Б
KT6115B
КТ6115Г
КТ6115Д
KT6115E
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1000
1000
1000
1000
1000
1000
100
100
100
100
100
100
40
40
40
40
40
40
1500
1500
1500
1100
1100
1100
KT6U6A
КТ6116Б
p-n-p
p-n-p
625
625
>100
>100
160
130
600
600
<0,05
<0,01
KT6117A
КТ6117Б
n-p-n
n-p-n
625
625
>100
>100
180; 160*
160; 140*
600
600
<0,05
KT6127A
КТ6127Б
KT6127B
КТ6127Г
КТ6127Д
KT6127E
КТ6127Ж
КТ6127И
KT6127K
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
600 F Вт**)
600 F Вт**)
600 F Вт**)
6Об F Вт**)
600 F Вт**)
600 F Вт**)
600 F Вт**)
600 F Вт**)
600 F Вт**)
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
90
70
50
30
20
10
120
160
200
2(8*)
2(8*)
2(8*)
2(8*)
2(8*)
2(8*)
2(8*)
2(8*)
2(8*)
<20 (90)
<20 G0)
<20 E0)
<20 C0)
<20 B0)
<20 A0)
<20 A20)
<20 A60)
<20 B00)
КТ6129А-9
КТ6129Б-2
р-п-р
р-п-р
700
?4500
20; 15*
1 Вт
>250
50
4,5
100
?0,1 A0 В)
1000
<5 E0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
131
85...160
120...200
160...300
85...160
120...200
160...300
85... 160
12О...200
160...300
85...160
120... 200
160... 300
60...240
40... 180
<8
80...250 E В; 10 мА)
60...250 E В; 10 мА)
<6
<6
<4
<5
<8
^30* E В;
>ЗО* E В;
>30* E В;
>50* E В;
>50* E В;
>50* E В;
>50* E В;
>30* E В;
>30* E В;
500 мА)
500 мА)
500 мА)
500 мА)
500 мА)
500 мА)
500 мА)
500 мА)
500 мА)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0Д5
<0,15
<0,2
<0,2
<0,25
<25О*
<250*
<250*
<250*
^250*
<250*
<25О*
<250*
<250*
20...150*(ЮВ;50мА)
<1,45 A0 В)
25...150EВ;0,2 А)
<25 A0 В)
<2
90"
132
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ6130А-9
КТ6133А
КТ6133Б
КТ6133В
КТ6134А
КТ6134Б
КТ6134В
КТ6135А
КТ6135Б
КТ6135В
КТ6135Г
КТ616А
КТ616Б
КТ617А
КТ618А
Струк-
тура
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Pk max,
PR, т max,
»*• ' / •
"К, и max,
мВт
700
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
800
800
800
0,3 Вт
0,3 Вт
0,5 Вт
0,5 Вт
frp, fh216,
fh2l9,
f***
•max,
МГц
?4000
IV IV IV
888
IV IV IV
888
IV IV IV IV
8888
?200
?200
?150
?40
UkBO max,
Uk3R max,
UlOO max,
В
15*
25*
25*
25*
25*
25*
25*
400*
300*
200*
100*
20*
20*
30
300
иЭБО max,
В
III
III
II 1 1
4
4
4
5
IK max,
Ik, h max,
mA
100
1200
1200
1200
to to to
888
500
500
500
500
400 F00*)
400 F00*)
400 F00*)
100
Ikbo,
1кэй,
Iioo,
mkA
—
Mil
<15 A0 B)
<15A0B)
<5 C0 B)
<50*B50B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
133
П21э, П21Э
Ск,
СГгэ,
пФ
Гкэ нас, Ом
1*БЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш, дБ
г?, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
Корпус
?20
85...160
120...200
160...300
85...160
120...200
160...300
50...500
50...500
50...500
50...500
>40* A В; 0,5 А)
>25*A В; 0,5 А)
^15 A0 В)
<15 A0 В)
<50"
>30* B В; 0,4 А)
<15 A0 В)
<7
<120
?30* D0 В; 1 мА)
<7 D0 В)
134
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ620А
КТ620Б
КТ624А-2
КТ624АМ-2
КТ625А
КТ625АМ
КТ625АМ-2
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТ629А-2
КТ629Б-2
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
РК max»
Рк, т max,
n**
* К, и max,
мВт
0,225 Вт
0,5 Вт
l Вт
l Вт
l Вт
l Вт
l Вт
6,5 Вт F0°С)
6,5 Вт F0°С)
6,5 Вт F0°С)
6,5 Вт F0°С)
6,5 Вт F0°G)
1 Вт (80°С)
1 Вт (80°С)
frp, fh216,
fh21s,
Imax,
МГц
>200
?200
?450
>450
>200
>200
>200
?75
>75
>45
>45
>45
>250
>250
UrBO max,
UkSR max,
Uk3O max,
В
50
50
30
30
40* Eк)
60
60
45
60
80
20* @,1k)
20* @,1k)
50
50
UsBO max,
в
3
4
4
4
5
5
5
4
4
4
4
4
4,5
4,5
IK max,
Ik, и max,
mA
400
400
1000 A300*)
1000A300*)
1000 A300*)
1000 A300*)
1000
500A500*)
500A500*)
500 A500*)
0,5A,5*) A
0,5A,5*) A
1000
1000
Ikbo,
Iksr,
Iioo,
mkA
<5 E0 B)
<5 E0 B)
: <100 C0 B)
<100C0B)
<30 F0 B)
<30 F0 B)
<30 F0 B)
<10C0B)
<150 C0 B)
<1 mA (80 B)
<150B0B)
<150 B0 B)
<5 E0 B)
<5 E0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
135
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш> дБ
Гб, Ом
Р?х, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
tttuui, НС
Корпус
100* A0 В; 10 мА)
30...100* E В; 0,2 А)
<2,5
<2,5
<100*
30... 180* @,5 В; 0,3 А)
<15 E В)
<9
30...180* @,5 В; 0,3 А)
<15 E В)
<9
20...200* A В; 0,5 А)
<9 A0 В)
<60
20...200* A В; 0,5 А)
20...200 A В; 0,5 А)
<9 A0 В)
<9 A0 В)
<2,4
<60
?60
40...260*BВ;0,15А)
30...100* B В; 0,15 А)
15...45* B В; 0,15 А)
15...60* B В; 0,15 А)
40...250* B В; 0,15 А)
<150 A0 В)
<150 A0 В)
<150 A0 В)
<150 A0 В)
<150 A0 Ш
<2
<2
<2
<2
<2
<500
<500
<500
<500
<500
25...150*EВ;0,5А)
25...150* E В; 0,2 А)
<25 A0 В)
<25 A0 В)
<2
90*
136
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ629БМ-2
р-п-р
I Вт
>250
50*
4,5
1000
<5 E0 В)
КТ630А
КТ630Б
КТ630В
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Е
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
0,8 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
>50
>:50
>50
^50
?50
>50
120
120
150
100
60
60
1000 B000*)
1000 B000*)
1000 B000*)
1000 B000*)
1Q00 B000*)
1000 B000*)
<1 (90 В)
<1 (90 В)
<1 (90 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
КТ630А-5
КТ630Б-5
КТ630В-5
КТ630Г-5
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
800
800
800
800
>50
>50
>50
>50
120
120
150
100
1 A B* A)
1 A B* A)
1 A B* A)
1 A B* A)
<100 A20 B)
<100 A20 B)
<100 A20 B)
<100A00B)
КТ632Б
p-n-p
0,5 Вт D5°С)
>200
120* (Ik)
100 C50*)
<1 A20 B)
КТ632Б-1
KT632B-1
p-n-p
p-n-p
350 D0*C)
350 D0°C)
>200
>200
120* (Ik)
120* (Ik)
100 C50*)
100 C50*)
<1 A20 B)
<1 A20 B)
KT633A
КТ633Б
n-p-n
n-p-n
1,2 Вт
1,2 Вт
>500
>500
30
30
4,5
4,5
200 E00*)
200 E00*)
<10 C0 B)
<10 C0 B)
KT634A-2
КТ634Б-2
n-p-n
n-p-n
1.2 Вт
1.3 Вт
>1500
>1500
30
30
150 B50*)
150B50*)
<0,5 мА C0 B)
<1 мА C0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
137
25...150* A,2 В; 0,5 А)
A0 В)
<2
90*
40... 120* A0 В; 150 мА)
80...240* A0 В; 150 мА)
40...120* A0 В; 15QmA)
40...120* A0 В; 150 мА)
80...240* A0 В; 150 мА)
160...480* A0 В; 150 мА)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<2
<2
<2
<2
<2
<2
>5*
>5*
>5*
>5*
>5*
>5*
<500**
<500**
<500**
<500**
<500**
<500**
40...120 A0 В; 0,1 А)
80...240 A0 В; 0,1 А)
40...120 A0 В; 0,1 А)
40...120 A0 В; 0,1 А)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
?15 A0В)
?15 A0 В)
<3,3
<3,3
<3,3
<3,3
>50A В; 1 мА)
<5 B0 В)
<25
<100
50... 350A В; 1 мА)
150...450 A0 В; 1 мА)
<5 B0 В)
<5 B0 В)
<25
<25
<100
2000*
40... 140A В; 10 мА)
20...160A В; 10 мА)
<4,5 A0 В)
?4,5 A0 В)
<5
<5
?6-B0 мГц)
<6 B0 мГц)
<30*
<30*
<2,5 A5 В)
<3A5В)
>1,4** E ГГц)
>1,4** E ГГц)
>0,2** E ГГц)
>0,45** E ГГц)
<2
<3,5
138
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ635А
КТ635Б
КТ637А-2
КТ637Б-2
КТ638А
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ639А-1
КТ639Б-1
КТ639В-1
КТ639Г-1
КТ639Д-1
КТ639Е-1
КТ639Ж-1
КТ639И-1
КТ640А-2
КТ640Б-2
КТ640В-2
КТ642А-2
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, т max»
"К, и max»
мВт
0,5 Вт
0,5 Вт
1,5 Вт
1,5 Вт
500
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 Вт C5°С)
1 Вт C5°С)
1 Вт C5'С)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
500 C0** Вт)
0.6 Вт F0°С)
0.6 Вт F0°С)
0.6ВтF0°С)
500
frp» fh216,
fh21s,
Imax»
МГц
?200
?250
?1300
?800
?200
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?80
?3000
?3800
?3800
UkBO max,
UK3R max,
UkIo max,
В
60
60
30
30
110
45
45
45
60
60
100
100
30
45
45
45
60
60
100*
100*
30
25
25
25
20
USBO max,
В
5
5
2,5
2,5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
3
3
3
2
IK max»
IK, и max»
„4
1 A,2*) A
1 A,2*) A
200 C00*)
200 C00*)
100C50*)
1,5 A B* A)
1,5 A B* A)
1,5 A B* A)
1,5 A B* A)
1,5 A B* A)
,5 A B* A)
,5 A B* A)
1,5 A B* A)
1,5 A B* A)
1,5 A B* A)
,5 A B* A)
,5 A B* A)
,5 A B* A)
,5 A B* A)
,5 A B* A)
1,5 A B* A)
60
60
60
60
Ikbo,
Iksr,
Iioo,
mkA
?30 F0 B)
?30 F0 B)
?0,1 мА (ЗОВ)
<2 мА C0 B)
?0,1 мА(ПОВ)
?0,1 C0 B)
?0,1 C0 B)
<o,i C0 в)
?0,1 C0 B)
?0,1 C0 B)
<0,l C0 B)
?0,1 C0 B)
?0,1 C0 B)
?0,1 (ЗОВ)
?0,1 C0 В)
?0,1 C0 В)
?0,1 (ЗОВ)
?0,1 (ЗОВ)
?0,1 (ЗОВ)
?0,1 (ЗОВ)
?0,1 C0 В)
?0,5 мА B5 В)
?0,5 мА B5 В)
?0,5 мА B5 В)
?1 мА B0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
139
1э, Н21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Хк,ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
25... 150* A В; 0,5 А)
20... 150* A В; 0,5 А)
<15 A0 В)
<10 A0 В)
<58; ?60**
<58; <60**
30... 140* E В; 50 мА)
30... 140* E В; 50 мА)
<4,5 A5 В)
<4,5 A5 В)
>0,5** C ГГц)
>0,25** C ГГц)
<3
50...350 A В; 10 мА)
?8 B0 В)
<25
<25 A* мкс)
40...100* B В; 0,15 А)
63...160* B В; 0,15 А)
10О...25О* B В; 0,15 А)
40... 100* B В; 0,15 А)
63... 160* B В; 0,15 А)
40... 100* B В; 0,15 А)
6О...1ОО*BВ;О,15А)
180...400* B В; 0,15 А)
<50A0В)
<50A0В)
<50 A0 В)
?50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 U0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<200*
<200*
<200*
<200*
<200*
<200*
<200*
<200*
40...100 B В; 0,15 А)
4О...16ОBВ;О,15А)
9О...16ОBВ;О,15А)
40...100 B В; 0,15 А)
63...160 B В; 0,15 А)
40...100 B В; 0,15 А)
63...160 B В; 0,15 А)
180...400 B В; 0,15 А)
<S0 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
?50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50A0В)
<50 A0 В)
<200*
<200*
<200*
<200*
<200"
<200"
<200*
<200*
>15* E В; 5 мА)
>15* E В; 5 мА)
>15* E В; 5 мА)
<1,3A5 В)
<1,3 A5 В)
<1,3 A5 В)
>6** G ГГц)
>6** G ГГц)
>6** G ГГц)
<8 F ГГц)
>0,1** G ГГц)
>0,1** G ГГц)
>0,08** G ГГц)
0,6
1
1
A5 В)
>3,5** (8 ГГц)
>0,1** (8 ГГц)
140
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ642А-5
КТ643А-2
КТ644А
КТ644Б
КТ644В
КТ644Г
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ646В
КТ647А-2
КТ647А-5
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max,
Рк, т max,
г»**
гК, и max,
мВт
500
1,1 ВтE0°С)
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
0,5A*) Вт
500
1 B,5*) Вт
1 Вт
1 Вт
560
560
frp, fh216,
-¦*
Ih2l3,
«•••¦
•max,
МГц
>200
>200
>200
>200
>200
>200
>200
2:200
>200
UKBO max,
Uk3R max,
Uk3O max,
В
20
25
60
60
40**
40**
60
40
60
40
40
18
18
UaBO max,
В
2
3
5
5
5
5
4
4
4E)
4
4
2
2
Ik max,
Ik, и max,
мА
60
120
0,6 A; 1* A
0,6 A; 1* A
0,6 A; 1* A
0,6 A; 1* A
0,3 A; 0,6* A
300 F00*)
1 A; 1,2 * A
1 A; 1,2* A
1 A; 1,2* A
90
90
Ikbo,
Iksr,
?**
1кэо,
мкА
<1 мА B0 B)
<l мА B5 B)
<0,lE0B)
<0,l E0 B)
<0,l E0 B)
^0,1 E0 B)
<10 F0 B)
<10 D0 B)
<10 F0 B)
<10 D0 B)
<10 D0 B)
<1 мА A8 B)
<1 мА A8 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
141
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рв*ых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл. НС
Корпус
<1,1 A5 В)
>3,5** (8 ГГц)
>0,1** (8 ГГц)
<1,8 A5 В)
>0,48** G ГГц)
40...120* A0 В; 0,15 А)
100...300* A0 В; 0,15 А)
40...120*(ЮВ;0,15А)
100...300* A0 В; 0,15 А)
<8A0В)
<8 A0 В)
<8 A0 В)
<8A0В)
<2,7
<2,7
^2,7
<2,7
?180*
20...200* B В; 0,15 А)
?80 A0 В; 2 мА)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<3,3
<120; <50*
40...200* E В; 0,2 А)
150...200* E В; 0,2 А)
150...300* E В; 0,2 А)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<0,06
<120; <60*
<120; <60*
<120;<60*
<1,5 A5 В)
?3** A0 ГГц)
0,2** A0 ГГц)
<1,5 A5 В)
>3** A0 ГГц)
0,2** A0 ГГц)
142
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ648А-2
КТ648А-5
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ657В-2
КТ657А-5
КТ657Б-5
КТ657В-5
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
Рк max»
PR, t max»
"К, и max,
мВт
420
420
375 F0*C)
375 F0°C)
375 F0°C)
375
375
375
1 Вт
0,5 Вт
0,5 Вт
0,4 Вт A,8* Вт)
frp, fh216,
fh2l9,
Imax»
МГц
>ЗГГц
>ЗГГц
>ЗГГц
>3 ГГц
?3 ГГц
>3 ГГц
>300
>200
?200
>200
UkBO max,
UibR max,
UlOO max,
В
18
18
12*
12*
12*
12*
12*
12*
60
50
30
60
USBO max,
В
2
2
2
2
2
2
2
2
6
5
5
5
IK max»
IK, и max,
mA
60
60
60
60
60
60
60
60
1,2 A
0,8 A
0,8 A
0,3 A; 0,6* A
Ikbo,
Iksr,
?**
1кэо,
мкА
<1 mA A8 B)
<1 mA A8 B)
<1* mAA2B)
<1* mAA2B)
^1* mAA2B)
<1* mA A2 B)
<1* мАA2 В)
<1* mAA2B)
?0,5 mA F0 B)
<1 E0 B)
?1 C0 B)
?0,01 mA E0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
143
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГкЭнас, ОМ
ГБЭ нас, Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
'выкл* НС
Корпус
<1,5 A0 В)
>3** A2 ГГц)
0,04** A2 ГГц)
<1,5 A0 В)
>3** A2 ГГц)
>0,04** <12 ГГц)
60...200 F, В; 30 мА)
35...70 F В; 30 мА)
A5 В)
A5 В)
A5 В)
>8** B ГГц)
^8** B ГГц)
>8** B ГГц)
^0,05** B ГГц)
>0,05** B ГГц)
>0,05** B ГГц)'
60...200 F В; 30 мА)
35...70 F В; 30 мА)
A5 В)
A5 В)
A5 В)
>8** B ГГц)
>8** B ГГц)
>8** B ГГц)
?0.05** B ГГц)
>0,05** B ГГц)
>0,05** B ГГц)
^35* A В; 0.3 А)
?10 A0 В)
<9
<80*
110...220* A0 В; 0,2 А)
200...450* A0 В; 0,2 А)
?10 A0 В)
?10 A0 В)
100...300* A0 В; 0,15 А)
?8 A0 В)
<3,2
<150*
144
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
КТ666А-9
КТ667А-9
КТ668А
КТ668Б
КТ668В
КТ680А
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
РК max,
Рк, т max,
"К, и max,
мВт
0,6 Вт C* Вт)
300A* Вт)
300 A Вт)
300A* Вт)
300A* Вт)
300A* Вт)
300; 1* Вт
0,5 Вт
0,5 Вт
0,5 Вт
350(85°С)
frp, fh216,
Ih2l3,
Imax,
МГц
>200
?50
>50
?50
>50
>60
>40
>200
>200
?200
>120
UKBO max,
UK3R max,
UkSO max,
В
60
120
100
120
100
300
300
50
50
50
30
USBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max,
IK, и max,
mA
0,4 A; 0,6* A
1 A A,5* A)
1 A A,5* A)
1 A A,5* A)
1 A A,5* A)
20 E0*)
20; 50*
0,1 A
0,1 A
0,1 A
0,6 A B* A)
Ikbo,
IK3R,
1кэо,
мкА
<0,01 mA E0 B)
<10 A00 B)
<10 A00 B)
<10A00B)
<10A00B)
<0,l mA C00 B)
<0,l C00 B)
\
<15 hA C0 B)
?15hAC0B)
<15 hA C0 B)
<10 B5 B)
•Параметры биполярных кремниевых транзисторов
145
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, ДБ
Кш, ДБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
100...300* A0 В; 0,15 А)
<8 A0 В)
<3,2
<200*
40...250 B В; 0,1 А)
4О...25ОBВ;О,1 А)
<25 E В)
<25 E В)
<2,3
?2,3
<700**
^700**
4О...25ОB В; 0,15 А)
4О...25ОBВ;О,15А)
<25 E В)
<25 E В)
<2
<2
>50 A0 В; 5 мА)
<80
>50 A0 В; 5 мА)
<80
75... 140 E В; 2 мА)
125...250 E В; 2 мА)
220...475 E В; 2 мА)
<7
<7
<6,5
<6,5
<6,5
?10 AкГц)
<10AкГц)
<10 AкГц)
85...300* A В; 0,5 А)
<0,5
146
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ681А
p-n-p
350 (85°С)
>120
30
0,6 А B* А)
<10 B5 В)
КТ682А-2
КТ682Б-2
n-p-n
n-p-n
350
350
>4,4 ГГц
>4,4 ГГц
10
10
50
50
A0 В)
A0 В)
КТ682А-5
КТ682Б-5
n-p-n
n-p-n
350
350
>4,4 ГГц
>4,4 ГГц
10
10
50
50
A0 В)
A0 В)
КТ683А
КТ683Б
КТ683В
КТ683Г
КТ683Д
КТ683Е
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,2
1,2
1.2
12"
1,2
1,2
(8*)
(8*)
(8*)
(8*)
(8*)
(8*)
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
>50
>50
>50
>50
>50
>50
150* (Зк)
120* (Зк)
120* (Зк)
100* (Зк)
60* (Зк)
60* (Зк)
1 А; 2* А
1 А; 2* А
1 А; 2* А
1 А; 2* А
1 А; 2* А
h А; 2* А
<1 (90 В)
<1 (90 В)
<1 (90 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
<1 D0 В)
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ684Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
0,8 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
>40
>40
>40
>40
45* Aк)
60* Aк)
100* Aк)
30
1 А A,5* А)
1 А A,5* А)
1 А A,5* А)
1 А A,5* А)
<0,1 (ЗОВ)
<0,1 (ЗОВ)
<0,1 (ЗОВ)
<0,1 C0 В)
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ685Д
КТ685Е
КТ685Ж
р-п-р
р-п-р
р-п-р
p-n-F
р-п-р
р-п-р
р-п-р
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
>200
>200
>200
>200
>350
>250
>250
60
60
60
60
30
30
30
0,6 А
0,6 А
0,6 А
0,6 А
0,6 А
0,6 А
0,6 А
<0,02 E0 В)
<0,01 E0 В)
<0,02 E0 В)
<0,01 E0 В)
<0,02 B5 В)
<0,02 B5 В)
<0,02 B5 В)
КТ686А
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
0,625 A,4*) Вт
0,625 A,4*) Вт
0,625 A,4*) Вт
0,625 A,4*) Вт
0,625 A,4*) Вт
0,625 A,4*) Вт
0,625 A,4*) Вт
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>100
50^
50<
50^
30^
30^
30^
30*
@)
@)
@)
@)
@)
@)
@)
0,8 А A,5* А)
0,8 А A,5* А)
0,8 А A.5* А)
0,8 А A,5* А)
0,8 А A,5* А)
0,8 А A,5* А)
0,8 А A,5* А)
<0,1 D5 В)
<0,1 D5 В)
?0,1 D5 В)
<0,1 B5 В)
<0,1 B5 В)
<0,1 B5 В)
<0,1 B5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
147
85...300* A В; 0,5 А)
50,5
40...45 G В; 2 мА)
8О...12ОGВ;2 мА)
50,9 A0 В)
50,9 A0 В)
>7** C,6 ГГц)
>7** C,6 ГГц)
54 C,6 ГГц)
54 C,6 ГГц)
40...45 G В; 2 мА)
80...120GВ;2 мА)
50,9 A0 В)
<0,9 A0 В)
>7** C,6 ГГц)
>7** C,6 ГГц)
4 C,6 ГГц)
<4 C,6 ГГц)
40...120* A0 В; 0,15 А)
80...240* A0 В; 0,15 А)
40...120* A0 В; 0,15 А)
40...120* A0 В; 0,15 А)
8O...24O* A0 В; 0,15 А)
16О...48О*AОВ;О,15А)
515 A0 В)
515 A0 В)
515 A0 В)
515 A0 В)
515 A0 В)
515 A0 В)
53; 56.6*
53; 56.6*
53; 56.6*
53; 56.6*
<3; 56.6*
53; 56.6*
<8*
<8*
<500**
<500**
5500**
5500**
5500**
5500**
4О...25О*BВ;О,15А)
40...160* B В; 0,15 А)
40... 160* B В; 0,15 А)
180...400BВ;0,15 А)
550 A0 В)
550 A0 В)
550 A0 В)
550 A0 В)
51
51
51
51
58 A0 В)
58 A0 В)
58 A0 В)
58 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
52,6
52,6
52,6
52,6
52,6
52,6
52,6
580*
580*
580*
580*
580*
5150
5150
100...250* A В; 0,1 А)
160...400* <1 В; 0.1 А)
250...630* A В; 0,1 А)
100...250* A В; 0,1 А)
160...400* A В; 0,1 А)
250...630* A В; 0,1 А)
100...250* A В; 0,1 А)
512 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
512 A0 В)
51,4
51,4
51,4
51,4
51,4
51,4
51,4
148
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ692А
КТ695А
КТ698А
КТ698Б
КТ698В
КТ698Г
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
П701
П701А
П701Б
П702
П702А
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ710А
Струк-
тура
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, т tnaxi
"К, и max)
мВт
1 Вт
450
600
600
600
600
600
600
600
600
600
10* Вт E0°С)
10* Вт E0вС)
10* Вт E0°С)
40* Вт E0°С)
40* Вт E0°С)
15* Вт E0вС)
15* Вт E0°С)
15* Вт E0°С)
50* Вт E0°С)
frp, fh216,
,«*
1Ь21э,
Imaxi
МГц
>200
>300
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>20*
?20*
?20*
>4
>4
>3
>3
>3
UKBO max,
Ui<3R max,
Uk30 max,
В
40
30
90*
70*
50*
30*
12*
12*
120*
160*
200*
40
60
' 35
60*
60*
500* A000 имп.)
400* G00 имп.)
400* E00 имп.)
3000* @,01к)
USBO max,
В
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
2 (80°C)
2 (80°C)
2 (80-C)
3
3
4
4
4
5
IK max,
Ik, и max,
mA
1 A
30
2 A
2 A
2 A
2A
2A
2 A
2 A
2A ¦
2 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
2A
2 A
2,5 D*) A
2,5 D*) A
2,5 D*) A
5 G,5*) A
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<0,l C0 B)
<0,l C0 B)
<20* (90 B)
<20* G0 B)
<20* E0 B)
<20* C0 B)
<20* A2B)
<20* A2 B)
<20*A20B)
<20* A60 B)
<20* B00 B)
<0,l mAD0B)
<0,l mA F0 B)
<0,l mA C5 B)
<5 mA G0 B)
<5 mA G0 B)
<5*mAA000B)
<5* mA G00 B)
<5* mA E00 B)
<2 mA C000 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
149
П21э, Ь2
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
Хвыкл, НС
>20 0 В; 0,5 А)
?20 C0 В)
?1
?90*
50...200 A0 В; 1 мА)
<1,5 A0 В)
>20
>20
>50
>50
>50
>50
E В;
E В;
E В;
E В;
E В;
E В;
>30* E В;
>30* E В;
>30* E В;
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
<74 E В)
<74 E В)
?74 E В)
<74 E В)
?74 E В)
?74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<74 E В)
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
<0,15
?0,17
?245*
?245*
?245*
?245*
?245*
?245*
?245*
?245*
?245*
10...40* A0 В; 0,5 А)
15.J60* A0 В; 0,2 А)
30..Л00* A0 В; 0,2 А)
?14
>25* A0 В; 1,1 А)
>10* A0 В; 1,1 А)
?2,5
?4
10...100* A5 В; 1 А)
10...100* A5 В; 1 А)
>10* A5 В; 1 А)
?50 B0 В)
?50 B0 В)
?50 B0 В)
?2,5
?2,5
?2,5
>3,5A0В;4А)
?0,9
30000*
150
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ712А
КТ712Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
КТ721А
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728А
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
p-n-p
n-p-n
p-n-p
n-p-n
Рк maxi
PR, т maxi
Рк, и max»
мВт
1,5 E0*) Вт
1,5 E0*) Вт
75* Вт E0°С)
1 Вт F0 Вт*)
1 Вт F0 Вт*)
1 Вт F0 Вт*)
1 Вт F0 Вт*)
10* Вт
10* Вт
25* Вт
25* Вт
60* Вт
60* Вт '
115* Вт
frp, fh216,
fh213,
Imax,
МГц
23
23
20,45
26
?6
26
26
23
23
23
23
23
23
>2,5
UkBO max»
Uk3R max,
Uk30 max,
В
200
160
5000
100
80
60
45
120
120
120
120
120
120
60
USBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
7
Ik max»
»*
IK, и max»
мА
10A5*) A
10 A5*) A
2 A
8A
8 A
8 A
8A
1,5 A
1,5 A
1,5 A
1,5 A
10 A
10 A
15 A
Ikbo,
IioR,
_•*
1кэо,
мкА
<1 мА B00 B)
<1 mAA60B)
<1 мА E000 B)
<0,l мА
<0,l мА
<0,l мА
<0,l мА
^0,7 мА F0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
151
П21Э
Ск,
сГгэ,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpa.c, не
tublwi, НС
Корпус
?500* E В; 2 А)
?400* E В; 2 А)
>15 A0 В; 0,2 А)
?15
<27500*
?750 E В; 5 А)
>750 E В; 5 А)
>750Х5В;5А)
>750 E В; 5 А)
150 E В)
150 E В)
150 E В)
150 E В)
<0,4
<0,4
<0,4
<7000*
<7000*
?7000*
?7000*
>20 B В; 0,15 А)
>20BВ;0,15А)
?1,2
?20 B В; 1 А)
?20 B В; 1 А)
<0,6
<0,6
?20 E В; 5 А)
?20 E В; 5 А)
<0,4
<0,4
20...70 E В; 4 А)
<0,3
152
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ729А
КТ729Б
КТ730А
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ803А
КТ805А
КТ805Б .
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
Струк-
тура
n-p-n
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
.п-р-п
п-р-п
1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк maxi
PR, т max»
гК, и maxi
мВт
150* Вт
150* Вт
150* Вт
5* Вт E5°С)
5* Вт E5вС)
50* Вт
60* Вт
30 Вт
30 Вт
30* Вт E0°С)
30* Вт E0°С)
30* Вт E0'С)
frp, fh216,
«**
Imaxi
МГц
>0,2
>0,2
>0,2
>10
>10
>10; >20
>20
>20
?20
>20
>20
>20
UkBO max»
UK3R max,
UlOO max,
В
50
100
160
80* @,1к)
60* @,1k)
150; 180
60* @,1k)
60* A60 имп.)
60* A35 имп.)
60* A60 имп.)
60* A35 имп.)
60* A35 имп.)
УЭБО max,
В
5
7
7
2,5
2,5
3; 5
4
5
5
5
5
5
IK max,
IK, и max,
mA
30 A
20 A
16 A
2 A
2A
5A
10 A
5 (8*) A
5 (8*) A
5 (8*) A
5 (8*) A
5 (8*) A
Ikbo,
Ikbr,
1кэо,
мкА
<2 mA E0 B)
<5 mA A00 B)
<2 mA A40 B)
10* mA (80 B)
10*mAF0B)
<60mAA50B)
<5*mAG0B)
<15* mAF0B)
^15* mA F0 B)
<15* mA F0 B)
<15*mAF0B)
<15* mA F0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
153
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ Haci Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
,*
ipaci НС
,*•
1выкл, НС
15...60* D В; 15 А)
15...60 D В; 10 А)
<0,13
230,14
15...60* D В; 8 А)
<0,17
15...50* E В; 1 А)
30...150* E В; 1 А)
<2
<2
A0 В; 2 А)
10...70* A0 В; 5 А)
^250 B0 В)
<0,5
>15* A0 В; 2 А)
>15* A0 В; 2 А)
<0,5
A0 В; 2 А)
?15* A0 В; 2 А)
?15* (Ю В; 2 А)
<0,5
<1
<1,25
154
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ807А
КТ8О7Б
КТ807АМ
КТ807БМ
КТ808А
КТ808АЗ
КТ808БЗ
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
КТ809А
КТ8101А
КТ8101Б
КТ8102А
КТ8102Б
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
Рк max,
PR, т max,
гк, и max,
мВт
10* Вт G0°С)
10* Вт G0°С)
10* Вт G0°С)
10* Вт G0°С)
50* Вт E0вС)
70* Вт
70* Вт
60* Вт E0вС)
60* Вт E0°С)
60* Вт E0вС)
60* Вт E0°С)
40* Вт E0°С)
2 Вт; 150* Вт
2 Вт; 150* Вт
2 Вт; 150* Вт
2 Вт; 150* Вт
frp, fh216,
«•*
ih2U,
imax,
МГц
IV IV
ел ел
?5
?5
?7,2
?8
?8
?8
?8
?8
?8
?10
?10
?10
UkBO max,
Uk3R max,
UjQO max,
В
100*
.100*
100* (Ik)
100* (Ik)
120* B50 имп.)
130
100
130* B50 имп.)
100* A60 имп.)
80* A35 имп.)
70* (80 имп.)
400* @,01k)
200
160
200
160
USBO max,
В
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
5
4
6
6
6
6
Ik max,
Ik, и max,
mA
0.5; 1.5* A
0.5; 1,5* A
0,5A,5*) A
0,5 A.5*) A
10 A
10A5*) A
10A5*) A
10 A
10 A
10 A
10 A
3 A; 5* A
16 A B5* A)
16 A B5* A)
16 A B5* A)
16 A B5* A)
Ikbo,
Ikbr,
1кэо,
мкА
?5* mA A00 B)
?5* мА-A00 В)
<5* mA A00 B)
?3* mA A20 B)
<2* mA A30 B)
<2*mAA00B)
?2* mA A20 B)
<2*mAA00B)
<2*mAA00B)
?2* mA G0 B)
?3* mA D00 B)
<1 mA B00 B)
<1 mA A60 B)
<1 mA B00 B)
<1 mA A80 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
155
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
Гю нас, ОМ
Ку,р, дБ
Кш, дБ
гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
15—45*45 В; 0,5 А)
30... 100* E В; 0,5 А)
<2
<2
15...45* E В; 0,5 А)
30...100*EВ;0,5А)
<2
<2
10...50* C В; 6 А)
<500 A0 В)
?2000*
20...125 C В; 2 А)
20... 125 (ЗВ;2 А)
?500 A00 В)
?500 A00 В)
?2000*
?2000*
20... 125* (ЗВ; 2 А)
20... 125* C В; 2 А)
20... 125* C В; 2 А)
20...125* (ЗВ; 2 А)
?500 A00 В)
<500A00В)
?500 A00 В)
?500 A00 В)
?0,33
?0,33
?0,33
?0,33
?2000*
?2000*
?2000*
?2000*
15...100* E В; 2 А)
?150 B0 В)
?0,75
?4000*
>20* A0 В; 2 А)
>20*A0В;2А)
?000 E В)
?1000 E В)
?3,3
?3,3
>20* A0 В; 2 А)
^20* A0 В; 2 А)
?1000 E В)
?1000 E В)
?3,3
?3,3
156
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ8104А
КТ8105А
КТ8106А
КТ8106Б
КТ8107А
КТ8107Б
КТ8107В
КТ8107Г
КТ8107Д
КТ8107Е
КТ8107А2
КТ8ГО7Б2
КТ8107В2
КТ8107Г2
КТ8107Д2
КТ8107Е2
КТ8108А
КТ8108Б
КТ8108В
КТ8108А-1
КТ8108Б-1
КТ8108В-1
КТ8109А
КТ8109Б
КТ8110А
КТ8110Б
КТ8110В
Струк-
тура
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max,
Рк, т max,
Рк, и max,
мВт
150 Вт
150 Вт
2 Вт; 125* Вт
2 Вт; 125* Вт
100* Вт
125* Вт
50* Вт
100 Вт
100 Вт
100 Вт
100* Вт
125* Вт
50* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
80* Вт
80* Вт
2 Вт; 60* Вт
2 Вт; 60* Вт
2 Вт; 60* Вт
Up, fh216,
fh2b,
•max,
МГц
>10
>10
?1
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>7
>15
>15
>15
15
15
15
>7
>7
>20
>20
>20
UkBO max,
UlOR max,
UlOO max,
В
350
200
90*
60
1500G00*)
1500G00*)
1500 F00*)
1500
1200
1000
1500 G00*)
1500 G00*)
1500F00*)
1500
1200
1000
850
850
900
850
850
900
350
300
500
500; 400**
500; 350**
U3B0 max,
В
5
5
5
5
5
5
5
6
6
6
5
5
5
6
6
6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IK max,
IK, и max,
„A
20 A B5 A*)
20 A B5 A*)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
8 A A5* A)
5 A G,5* A)
5 A (8* A)
10 A
10A
10 A
8 A A5* A)
5 A G,5* A)
5 A (8* A)
10 A
10 A
10 A
5G*)
5G*)
5 G*)
5 G*) A
5 G*) A
5 G*) A
7 A A0* A)
7 A A0* A)
7 A A4* A)
7 A A4* A)
7 A A4* A)
Ikbo,
IK3R,
1кэо,
mkA
<0,7 мА C50 B)
?0,7 мА C50 B)
<0,7 мА A500 B)
<0,7 mAA500B)
<0,7 мА A500 B)
<0,7 мА A500 B)
<0,7 мА A200 B)
<0,7 мА A000 B)
<0,7 мА A500 B)
<0,7 мА A500 B)
<0,7 мА A500 B)
<DJ мА A500 B)
<0,7 мА A200 B)
<0,7 мА A000 B)
0,5 мА (850 B)
0,5 мА (850 B)
0,5 мА (900 B)
<0,5 мА (850 B)
<0,5 мА (850 B)
<0,5 мА (850 B)
<3 мА C50 B)
<3 мА C00 B)
<1000 E00 B)
<100 D00 B)
<100 D00 B)
Параметры биполярных иремниевых транзисторов
157
Ск,
СГ2э,
пФ
ГКЭ нас, ОМ
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
trac, НС
Лвыкл, НС
Корпус
1000 E В; 5 А)
<0,2
>1000 E В; 5 А)
<0,2
750... 18000 A0 В; 5 А)
75О...18ОООAОВ;5А)
<700A0В)
<700 A0 В)
<0,4
<0,4
<4500**
<4500**
S:2,25* E В; 4,5 А)
>2,25* E В; 4,5 А)
8...12* E В; 1 А)
<0,22
<0,65
<0,22
<0,22
<0,4
<0,4
<35ОО*
<3500"
<3500*
^2,25* E B; 4,5 A)
>2,2,5* E B; 4,5 A)
8...12* E B; 1 A)
<0,22
<0,65
<022
<0,22
<0,4
<0,4
<3500*
<3500*
<3500*
10...50 E B; 0,5 A)
40...80 E B; 0,5 A)
10...50 E B; 0,5 A)
<75 A5 B)
<75 A5 B)
<75 A5 B)
<0,4
<0,4
<0,4
<3000*
<3000*
<3000*
10...50* E B; 0,5 A)
40...80* E B; 0,5 A)
10...50* E B; 0,5 A)
<75 E B)
<75 E B)
<75 E B)
<0,4
<0,4
<0,4
3* мкс
3* мкс
3* мкс
>150*EB;2,5A)
>150* E B; 2,5 A)
<0,75
^3* мкс
<3* мкс
15...30* E B; 0,8 A)
15...30*EB;0,8A)
15...30* E B; 0,8 A)
^0,2
<0,2
<0,2
<25OO*
<2500*
<2500*
158
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ8112А
КТ8114А
КТ8114Б
КТ8114В
КТ8114Г
КТ8115А
КТ8115Б
КТ8115В
КТ8116А
КТ8116Б
КТ8116В
КТ8117А
КТ8117Б
КТ8118А
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PK max,
PR, t max»
Рк, и max»
мВт
1 Вт; 10* Вт
125* Вт
125* Вт
100* Вт
100* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
100* Вт
100* Вт
50* Вт
50* Вт E0°С)
50* Вт E0вС)
50* Вт E0'С)
frp, fh216*
fh2l3,
'max»
МГц
>20
—
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>5
>5
>15
>3
>3
>3
UkBO max,
UJOR max,
Uioo max,
В
400* (Ik)
1500*
1200*
1200*
1500*
100
80
60
100
80
60
700
500
900
400* @,01k)
300* @,01k)
200* @,01k)
ЧЭБО max,
В
5
6
6
6
6
5
5
5
5
5
5
8
8
5
7
7
7
Ik max,
IK, и max,
мА
0,5 A A,5* A)
8 A; 15* A
8 A; 15* A
8 A; 15* A
8 A; 15* A
8 A6*)A
8 A6*) A
8 A6*) A
8 A A6* A)
8 A A6* A)
8 A A6* A)
10 B0*)A
10 B0*) A
3 A A0* A)
8 A; 12* A
8 A; 12* A
8 A; 12* A
Ikbo,
Ik3R,
1кэо,
mkA
?0,1 мА A500 B)
?0,1 мА A200 B)
?0,1 мА A200 B)
?0,1 мА A500 B)
?0,2 мА A00 B)
?0,2 мА (80 B)
?0,2 мА F0 B)
' ?200 A00 B)
?200 (80 B)
?200 F0 B)
<1 мА D00 B)
?1 мА D00 B)
?10 (800 B)
<5* мА G00 B)
?5* мА E00 B)
?5* мА C00 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
159
>300 E В; 0.05 А)
<40
8...40* E В; 0.7 А)
>6* E В; 0.03 А)
>6* E В; 0.03 А)
8...40* E В: 0,7 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
tcn=0,5 МКС
tcn=0,5 МКС
tcn=0,5 мкс
tcn^.S МКС
>1000* C В; 0.5...3 А)
>1000* C В; 0,5...3 А)
>1000* C В; 0.5...3 А)
<0,7
<0,7
<0,7
>1000* C В; 0,5 А)
>1000* C В; 0,5 А)
>1000* C В; 0,5 А)
<0,7
<0G
<0,7
>10* E В; 5 А)
>10* E В; 5 А)
<0,3
<0,3
<1,7* мкс
<1,7* мкс
10...40* E В; 0,2 А)
<2,5* мкс
>4* B,5 В; 8 А)
>4* B,5 В; 8 А)
>10* E В; 5 А)
<100 A00 В)
<100 A00 В)
<100 A00 В)
<0,3
<0,3
<0,3
tcn^l,3 МКС
tcn^l,3 МКС
tcn^l,3 МКС
160
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ8120А
n-p-n
60* Вт
>20
600; 450**
8 А A6* А)
<100 D50 В)
КТ8121А
КТ8121Б
п-р-п
п-р-п
75* Вт
75* Вт
>7
>7
1500; 700*;
400**
1500; 600*;
400**
8 А A0* А)
8 А A0* А)
<2000 G00 В)
<2000 F00 В)
KT812IA-1
КТ8121Б-1
п-р-п
п-р-п
75* Вт
75* Вт
>7
>7
1500; 700*
1500; 600*
"8 А A0* А)
8 А A0* А)
<2000 G00 В)
<2000 F00 В)
КТ8121А-2
КТ8121Б-2
п-р-п
п-р-п
75* Вт
75* Вт
>7
>7
1500; 700*
1500; 600*
8 А A0* А)
8 А A0* А)
<2000 G00 В)
<2000 F00 В)
КТ8123А
п-р-п
25* Вт
>5
200
2 А C* А)
<50A50В)
КТ8124А
КТ8124Б
КТ8124В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
60* Вт
60* Вт
60* Вт
400
400
330
7 А A5* А)
7 А A5* А)
7 А A5* А)
КТ8125А
КТ8125Б
КТ8125В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
65* Вт
65* Вт
65* Вт
>3
>3
>3
100
80
60
6 A0*) А
6 A0*) А
6 A0*) А
<0,4 мА A00 В)
<0,4 мА (80 В)
<0,4 мА F0 В)
КТ8126А1
КТ8126Б1
п-р-п
п-р-п
80* Вт
80* Вт
>4
>4
700; 400**
600; 300**
8A6*) А
8A6*) А
<1 мА G00 В)
?1 мА F00 В)
КТ8127А
КТ8127Б
КТ8127В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
56*
56*
56*
Вт
Вт
Вт
1500* A00 Ом)
1200* A00 Ом)
1500* A00 Ом)
5 G,5*) А
5 G,5*) А
5 G,5*) А
<0,9 мА A500* В)
<0,6мАA800* В)
<0,9 мА A500* В)
КТ8127А-1
КТ8127Б-1
КТ8127В-1
КТ8129А
п-р-п,
п-р-п
п-р-п
п-р-п
56* Вт
56* Вт
56* Вт
60* Вт
1500* A00 Ом)
1200* A00Ом)
1500* A00 Ом)
5 G,5*) А
5 G,5*) А
5 G,5*) А
<0,9 мА A500* В)
<0,6 мА A800* В)
<0,9 мА A500* В)
>4
1500
5А
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
161
ll
>10* E В; 0,2 А)
8...60* E В; 2 А)
8...60* E В; 2 А)
.60* E В; 2 А)
.60* E В; 2 А)
<0,25
<2* мкс
<0,25
<О,75
<3* мкс
<3*«кс
<0,25
<0,75
<3* мкс
<3* мкс
.60* E В; 2 А)
.60* E В; 2 А)
<0,25
<0,75
<3* мкс
<3* мкс
>40* A0 В; 0,4 А)
>10* E В; 5 А)
?10* E В; 5 А)
>10* E В; 5 А)
<2
<0,2
<0,17
<0,2
<1,5* мкс
<1,3* мкс
<1,5* мкс
15...75* D В; 3 А)
15...75* D В; 3 А)
15...75* D В; 3 А)
8...60* E В; 2 А)
8...60* E В; 2 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,5
<0,5
1,7* мкс
1,7* мкс
35* E В; 0,5 А)
35* E В; 0,5 А)
35* E В; 0,5 А)
<0,22
tcn=0,7 мкс
tcn=0,7 МКС
tcn^OJ МКС
<35* E В; 0,5 А)
<6* E В; 0,03 А)
<6* E В; 0,03 А)
<0,22
tcn=0,7 МКС
tcn=0,7 МКС
tcn=0,7 МКС
>2,25* E В; 4,5 А)
162
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
КТ8136А
КТ8136А-1
с демпферным
диодом между
коллектором и
эмиттером
КТ8137А
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
КТ8138Г
КТ8138Д
КТ8138Е
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8140А
КТ8140А-1
с демпферным
диодом между
коллектором и
эмиттером
КТ8141А
КТ8141Б
КТ8141В
КТ8141Г
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п, с
диодом
п-р-п
п-р-п, с
диодом
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк maxi
Рк, т max.
п**
"К, и max,
мВт
1 Вт; 20* Вт
1 Вт; 20* Вт
1 Вт; 20* Вт
1 Вт; 20* Вт
1 Вт; 20* Вт
1 Вт; 20* Вт
60* Вт
60* Вт
40* Вт
50* Вт
40* Вт
75* Вт
80* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
80* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
1 A0*) Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
frp, fh2I6,
Ш1э,
*•**
•max»
МГц
>25
>25
>25
>25
>25
>25
20
—
>4
>4
>10
?10
>10
?4
>10
>10
>7
>7
>7
>7
>3
>3
>3
>3
UkBO max,
Uk3R max,
UJOO max,
В
40
60
80
40
60
80
600
600
700*
500; 400**
450 400**
700; 400**
700; 400**
400; 200**
400; 200**
600; 350**
700; 400**
400
400
100
80
60
45
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
100* @,1 к)
UsBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
9
7
10
9
9
6
6
6
9
6
6
—
—
—
5
5
5
5
«К max,
1к, и max,
„«
МЛ
4 А; 8* А
4 А; 8* А
4 А; 8* А
4 А; 8* А
4 А; 8* А
4 А; 8* А
10 А A5 А*)
10 А A5 А*)
1,5 А (ЗА*)
7 А; 14* А
7 А; 14* А
4 А; 8* А
8 А; 16* А
7 А; 14* А
7 А; 14* А
10 А; 16* А
8 А; 16* А
7 А A0 А*)
7 А A0 А*)
8 А A2* А)
8 А A2* А)
8 А A2* А)
8 А A2* А)
1,5 C*) А
1,5C*) А
1,5 C*) А
1,5C*) А
1кбо,
li<3R,
1кэо,
мкА
<100 D0 В)
<100 F0 В)
<100 (80 В)
<100 D0 В)
<100 F0 В)
<100 (80 В)
<1 мА G00 В)
<0,01 мА E00 В)
<0,1 мА D50 В)
<1 мА G00 В)
<1 мА G00 В)
<1 мА D00 В)
<1 мА D00 В)
<1 мА F00 В)
<1 мА G00 В)
<1 D00 В)
<1 D00 В)*
<0,2 A00 В)
<0,2 (80 В)
<0,2 F0 В)
<0,2 D5 В)
<0,05 мА D0 В)
<0,05 мА D0 В)
<0,05 мА D0 В)
<0,05 мА D0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
163
П2!э,
Ск,
С12э,
пФ
ГКЭ нас, ОМ
ГбЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
Корпус
750... 15000* C В; 0,2 А)
750... 15000* C В; 0,2 А)
75O...15OOO* C В; 0,2 А)
?200 A0 В)
?200 A0 3)
?200 A0 В)
750...15000* C В; 0,2 А)
750...15000* C В; 0,2 А)
750...15000* C В; 0,2 А)
<100 A0 В)
<100 A0 В)
?100 A0 В)
?1
?1
10...50* E В; 0,8 А)
<0,25
tCn?0,2 мкс
10...50* E В; 0,8 А)
?0,25
tcn<0,2 мкс
8...40* B В; 0,5 А)
<2
<4* мкс
>10* E В; 4 А)
>10* E В; 4 А)
8...40* E В; 2 А)
5...30* E В; 5 А)
?10* E В; 5 А)
>10* E В; 5 А)
>20* E В; 2 А)
5...30* E В; 5 А)
<0,2
<0,2
<0,25
<0,4
<0,2
<0,2
<0,4
<0,25
<2,5* мкс
<2,5* мкс
?4* мкс
<3* мкс
Un< 0,75 мкс
ten й 0,75 мкс
ten ? 0,7 мкс
<3* мкс
>10* E В; 5 А)
>10* E В; 5 А)
<0,2
<0,2
>750* C В; 3 А)
>750* C В; 3 А)
>750* C В; 3 А)
>750* C В; 3 А)
?120 E В)
<120 E В)
<120EВ)
<120 E В)
<0,66
?0,66
?0,66
?0,66
5,8** мкс
5,8** мкс
5,8** мкс
5,8** мкс
>40*BВ;0,15А)
>40*BВ;0,15А)
>40*BВ;0.15А)
?30* B В; 0,15 А)
?60 E В)
?60 E В)
?60 E В)
?60 E В)
?1,2
?1,2
<а,2
?1,2
164
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ8143А
КТ8143Б
КТ8143В
КТ8143Г
КТ8143Д
КТ8143Е
КТ8143Ж
КТ81433
КТ8143И
КТ8143К
КТ8143Л
КТ8143М
КТ8143Н
КТ8143П
КТ8143Р
КТ8143С
КТ8143Т
КТ8143У
КТ8143Ф
КТ8144А
КТ8144Б
КТ8145А
КТ8145Б
КТ8146А
КТ8146Б
КТ8147А
КТ8147Б
КТ8149А
КТ8149А-1
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
Pk max»
Рк, т max»
PK, и max»
мВт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
100* Вт
100* Вт
150* Вт
150* Вт
100* Вт
100* Вт
115* Вт
90* Вт
frp, fh216,
***
fh2l3,
f***
•max»
МГц
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1
>5
>5
>10
>10
>5
>5
>5
>5
>4
>3
UKBO max,
UJOR max,
UkSO max,
В
120; 90**
120**
180**
400; 240**
90**
120**
180**
400; 240**
120; 90**
120**
180**
400; 240**
100**
150**
400; 200**
90**
120**
180**
400; 240**
800
600
700
500
800
600
700
500
70; 60**
70; 60**
ЧэБО max,
В
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
8
8
7
7
Ik max,
IK, и max,
мА
25 A; 40* A
25 A; 40* A
25 A; 40* A
25 A; 40* A
32 A; 50* A
32 A; 50* A
32 A; 50* A
32 A; 50* A
40 A; 63* A
40 A; 63* A
40 A; 63* A
40 A; 63* A
50 A; 125* A
50 A; 125* A
50 A; 125* A
63 A; 150* A
63 A; 150* A
63 A; 150* A
63 A; 150* A
25 A D0* A)
25 A D0* A)
15 A B0* A)
15 A B0* A)
15 A B5* A)
15 A B5* A)
10 A B0* A)
10 A B0* A)
15 A; 30* A
15 A; 30* A
Ikbo,
li<3R,
1кэо,
мкА
<5* мА (90 B)
<5* мА A20 B)
<5* мА A80 B)
<5* мА D00 B)
<5* мА (90 B)
<5* мА A20 B)
<5* mAA80B)
<5* мА D00 B)
<5* мА (90 B)
<5* мА A20 B)
<5* мА A80 B)
<5* мА D00 B)
<5* мА A00 B)
<5* mAA50B)
<5* мА D00 B)
<5* мА (90 B)
<5* mAA20B)
<5* мА A80 B)
<5* мА D00 B)
1 мА (800 B)
1 мА F00 B)
<5 мА G00 B)
<5 мА E00 B)
<1 мА (800 B)
<1 мА F00 B)
<1 мА G00 B)
<1 мА E00 B)
<1 мА G0 B)
<1 mAG0B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
165
!э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
г*>, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
>15* C В;
20 А)
20 А)
20 А)
20 А)
20 А)
32 А)
32 А)
32 А)
32 А)
32 А)
35 А)
35 А)
35 А)
35 А)
35 А)
35 А)
40 А)
40 А)
40 А)
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
<0,08
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1700*
1700*
1700*
>4* E В; 20 А)
>4* E В; 20 А)
<0,25
<0,25
МКС
МКС
>10* A В; 5 А)
>10* A В; 5 А)
<0,2
1.7*
1,7"
МКС
МКС
>5* E В; 15 А)
?5* E В; 15 А)
>5* A,5 В; 8 А)
>5* A,5 В; 8 А)
20... 150* D В; 4 А)
<0,15
<0,15
1,7*
1,7*
МКС
МКС
<0,2
1.7*
1,7"
МКС
МКС
<0,27
20...150* D В; 4 А)
<0,27
166
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ8149А-2
КТ8150А
КТ8150А-1
КТ8150А-2
КТ8154А
КТ8154Б
КТ8155А
КТ8155Б
КТ8156А
КТ8156Б
КТ8157А
КТ8157Б
Струк-
тура
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
РК max,
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
75* Вт
115* Вт
90* Вт
75* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
175* Вт
60* Вт
60* Вт
150* Вт
150* Вт
frp, fh216,
fh2l3,
Imax»
МГц
>3
>4
?3
>3
2:5
>5
>5
>5
>5
>5
UkBO max,
UioR max,
Uk3O max,
В
70; 60**
70; 60**
70; 60**
70; 60**
600; 450**
500; 400**
600; 450**
500; 400**
330; 150**
200**
1500
1500
UsBO max,
В
7
7
7
7
8
8
8
8
6
6
7
7
IK max,
Ik, и max,
мА
10 A; 15* A
15 A; 30* A
15 A; 30* A
10 A; 15* A
30 A; 60* A
30 A; 60* A
50 A; 80* A
50 A; 80* A
8A
8A -
10 A A5* A)
10 A A5* A)
Ikbo,
Iksr,
lioo,
mkA
^1 мА G0 B)
<1 мА G0 B)
<1 мА G0 B)
<1 мА G0 B)
<1 мА F00 B)
<1 мА E00 B)
<2 мА F00 B)
<2 мА E00 B)
3 мА A500 B)
3 мА A500 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
167
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭнас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
t?ac, НС
1выкл, НС
20...100* D В; 4 А)
<0,27
20..Л50* D В; 4 А)
<0,27
20... 150* D В; 4 А)
<0,27
20... 100* D В; 4 А)
<0,27
1700*
1700*
>8* E В; 1 А)
>8* E В; 1 А)
<0,12
<0,25
2* мкс
2* мкс
168
Раздел 2. Биполярные транзисторы
КТ8158А
КТ8158Б
КТ8158В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
125* Вт
125* Вт
125* Вт
60
80
100
12 А
12 А
12 А
<400 F0 В)
<400 (80 В)
<400 A00 В)
КТ8159А
КТ8159Б
КТ8159В
р-п-р
р-п-р
р-п-р
125* Вт
125* Вт
125* Вт
60
80
100
12 А
12 А
12 А
<400 F0 В)
<400 (80 В)
<400 A00 В)
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
>3
>3
>3
>3
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
100* @,1 к)
1,5C*) А
1,5 C*) А
1,5C*) А
1,5C*) А
<0,05 мА D0 В)
<0,05 мА D0 В)
<0,05 мА D0 В)
<0,05 мА D0 В)
КТ8164А
КТ8164Б
п-р-п
п-р-п
75* Вт
75* Вт
>4
>4
700
600
4 А
4А
<10 мА G00 В)
<10 мА F00 В)
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
>3
>3
>3
>3
40* Aк)
45* Aк)
60* Aк)
100* Aк)
3 F*) А
3 F*) А
3 F*) А
3 F*) А
<0,1 мАB5В)
<0,1 мАD5В)
<0,1 мАF0В)
<0,1 мА A00 В)
КТ816А-2
р-п-р
25* Вт
>3
40* Aк)
3 А F* А)
<100 B5 В)
КТ8170А-1
КТ8170Б-1
п-р-п
п-р-п
40* Вт
40* Вт
>4
>4
700
600
1,5 А
1,5 А
<1 мАG00В)
<1 мА F00 В)
КТ8175А
КТ8175Б
п-р-п
п-р-п
20* Вт
20* Вт
700*;
400**
600*;
300**
1,5C*) А
1,5 C*) А
КТ8175А-1
КТ8175Б-1
п-р-п
п-р-п
20* Вт
20* Вт
700*;
400**
600*;
300**
1,5C*) А
1,5 C*) А
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
169
2500
2500
2500
2500
2500
2500
>40* B B; 0,15 A)
>40* B B; 0,15 A)
>40* B B; 0,15 A)
>30* B B; 0,15 A)
<60 E B)
<60 E B)
<60EB)
<60EB)
10...60*
10...60*
>25*BB; 1 A)
>25* B B; 1 A)
>25* B B; 1 A)
>25* B B; 1 A)
<60 A0 B)
<60 A0 B)
<60 A0 B)
<60A0B)
<0,6
<0,6
<0,6
<0,6
>200* A B; 0,03 A)
<60 A0 B)
<0,6
5...25* B B; 1 A)
5...25* B B; 1 A)
8...40 B B; 1 A)
8...40BB; 1 A)
3000*
3000*
8...40 B B; 1 A)
8...40 B B; 1 A)
3000*
3000*
170
Раздел 2. Биполйрные транзисторы
Тип
прибора
КТ8176А
КТ8176Б
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
КТ8177В
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
КТ8181А
КТ8181Б
КТ8182А
КТ8182Б
КТ8183А
КТ8183Б
КТ8183А-1
КТ8183Б-1
КТ8183А-2
КТ8183Б-2
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
с диодом
и резис-
тором
п-р-п
с диодом
и резис-
тором
п-р-п
с диодом
и резис-
тором
п-р-п
с диодом
и резис-
тором
п-р-п
с диодом
и резис-
тором
п-р-п
с диодом
и резис-
тором
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
¦ 40* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
50* Вт
50* Вт
60* Вт
60* Вт
56* Вт
56* Вт
56* Вт
56* Вт
56* Вт
56* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
fro, fh216.
-•*
Imax»
МГц
>3
>3
?3
>3
2:3
?3
?3
?3
2:3
>3
23
?3
—
—
—
—
—
?3 ч
23
>3
23
UkbO max»
UK3R max,
UJOO max,
В
60
80
100
60
80
100
40* (Ik)
45* (Ik)
60* (Ik)
100* (Ik)
45* (Ik)
100* (Ik)
700*;
400**
600*;
300**
700*;
400**
600*;
300**
1500;
700**
1200;
600**
1500;
700**
1200;
600**
1500;
700**
1200;
600**
40* @,1k)
50* @,1k)
70* @,1k)
90* @,1k)
USBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
9
9
9
9
—
—
—
5
5
5
5
IK max,
Ik, и max,
мА
M/V
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
3 F*) А
3 F*) А
3 F*) А
3 F*) А
3 F*) А
3 F*) А
4 (8*) А
4(8*) А
8 A6*) А .
8 A6*) А
8 А; 15* А
8 А; 15* А
8 А; 15* А
8 А; 15* А
8 А; 15* А
8 А; 15* А
10A5*) А
10A5*) А
10 A5*) А
10A5*) А
1КБО,
IK3R,
?**
1кэо,
мкА
—
—
—
—
?0,1 мАB5В)
<0,1 мА D5 В)
<0,1 мА F0 В)
<0,1 мА A00 В)
<0,1 мА D0 В)
<0,1 мА D0 В)
—
—
—
—
'
?1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
171
П21э, П21Э
>25* D В; 1 А)
>25*DВ; 1 А)
?25* D В; 1 А)
>25* D В; 1 А)
>25* D В; 1 А)
>25* D В; 1 А)
>25* B В; 1 А)
>25* B В; 1 А)
>25* B В; 1 А)
>25* B В; 1 А)
>100* E В; 50 мА)
>100* E В; 50 мА)
J0...60* E В; 1 А)
10...60* E В; 1 А)
8...40* E В; 2 А)
8...40* E В; 2 А)
>5* E В; 3 А)
>5* E В; 3 А)
?5* E В; 3 А)
1 >5* E В; 3 А)
IV IV
ел ел
* *
ел ел
ю га
со со
> >
2:15* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
?15* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
Ск,
С12э,
пФ
—
—
<60 A0 В)
<60 A0 В)
<60 A0 В)
<60 A0 В)
<60 A0 В)
<60 A0 В)
—
—
—
—
—
<1000 EВ)
<1000EВ)
<1000 E В)
<1000 E В)
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
—
—
<0,б
<0,6
<0,б
<0,б
<0,08
^0,08
<0,25
<0,25
<0,4
<0,4
^0,17
<0,17
<0,17
<0,17
20,17
<0,17
<0,27
<0,27
<0,27
<0,27
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
—
—
—
—
—
—
—
—
¦ —
—
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
—
—
—
—
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
<2500**
<25ОО**
<25ОО**
<2500**
¦
Корпус
КТ8176, КТ8177
?
>
\
-
172
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ818АМ
КТ818БМ
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ818А-1
КТ818Б-1
КТ818В-1
КТ818Г-1
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ819А-1
КТ819Б-1
КТ819В-1
КТ819Г-1
КТ820А-1
КТ820Б-1
КТ820В-1
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
КТ822А-1
КТ822Б-1
КТ822В-1
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max,
Рк, т max,
Рк, и max»
мВт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
1,5 Вт; 60* Вт
1,5 Вт; 60* Вт
1,5 Вт; 60* Вт
1,5 Вт; 60* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
20* Вт
20* Вт
20* Вт
20* Вт
20* Вт
20* Вт
frp, fh216,
г**
fh2b,
•max,
МГц
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3-
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
?3
>3
UkBO max,
UibRmax,
UlOO max,
в
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
90* @,1 к)
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
90* @,1 к)
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
100* @,1 к)
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
100* @,1 к)
40* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
90* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
100* @,1 к)
50* @,1 к)
70* @,1 к)
100* @,1 к)
45* @,1 к)
60* @,1 к)
100* @,1 к)
45* @,1 к)
60* @,1 к)
100* @,1 к)
U3BO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IK max,
1к, и max»
мА
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
10A5*) А
10 A5*)А
10A5*) А
10A5*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
15B0*) А
15 B0*)А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
0,5 A,5*) А
0,5 A.5*) А
0,5 A,5*) А
0,5A,5*) А
0,5 A,5*) А
0,5 A,5*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
1кбо,
Ik3R,
1кэо,
мкА
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<1 мА D0 В)
<30 D0 В)
<30 D0 В)
<30 D0 В)
<30 D0 В)
<30 D0 В)
<30 D0 В)
<50D0В)
<50 D0 В)
<50 D0 В)
<50 D5 В)
<50 D5 В)
<50 D5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
173
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, ДБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых.Вт
Хк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
?15* E В; 5 А)
?20* E В; 5 А)
?15* E В; 5 А)
?12* E В; 5 А)
?1000 E В)
<1000 E В)
<1000 E В)
<1000 E В)
<0,27
<0,27
<0,27
<0,27
<2500**
<2500**
<2500**
<2500**
?15* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
?15* E В; 5 А)
?12* E В; 5 А)
<1000 E В)
<1000 E В)
<1000 E В)
<1000 E В)
<0,4
<0,4
<0,4
<0,4
<2500**
<2500**
<2500**
<2500**
>15* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
?15* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
<0,4
<0,4
<0,4
<0,4
<2500**
<2500**
<2500**
<2500**
E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
>15* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
<0,4
<0,4
<0,4
<0,4
<2500**
<2500**
<2500**
<2500**
>15* E В; 5 А)
?20* E В; 5 А)
?15* E В; 5 А)
?12* E В; 5 А)
<2500**
<2500**
<2500**
<2500**
?40* B В; 0,15 А)
?40* B В; 0,15 А)
?30* B В; 0,15 А)
<65 E В)
<65 E В)
<65 E В)
?40* B В; 0,15 А)
?40* B В; 0,15 А)
?30* B В; 0,15 А)
<40 E В)
<40 E В)
<40 E В)
?25* B В; 1 А)
?25* B В; 1 А)
?25* B В; 1 А)
<115 A0 В)
<115 A0 В)
<0,б
<0,б
<0,6
?25* B В; 1 А)
?25* B В; 1 А)
?25* B В; 1 А)
<75 A0 В)
<75 A0 В)
<75 A0 В)
<0,б
<0,6
<0,6
174
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ825Г
КТ825Д
КТ825Е
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ830А
КТ830Б
КТ830В
КТ830Г
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
Рк max,
PR, т max,
Рк, и max,
мВт
125* Вт
125* Вт
125* Вт
15* Вт E0°С)
15* Вт E0°С)
15* Вт E0°С)
125* Вт
125* Вт
125* Вт
50* Вт E0°С)
50* Вт
50* ВтE0°С)
50* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
5* Вт
5* Вт
5* Вт
5* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
25* Вт
25* Вт
frp, fh216,
-**
1Ь21э,
Imax,
МГц
>4
>4
>4
>6
>6
>6
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
, >4
>4
>4
>4
>4
>1
*1
UkBO max,
U*3R max,
UjOO max,
В
90
60
30
700* @,01k)
700* @,01k)
700* @,01k)
100* (Ik)
80* (Ik)
60* (Ik)
800* @,01k)
600* @,01k)
800* @,01k)
600* @,01k)
100* (Ik)
80* (Ik)
60* (Ik)
45* (Ik)
35
60
80
100
500* @,1k)
450* @,1k)
400* @,1k)
30
45
USBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
8
8
8
4
4
Ik max,
Ik, и max,
мА
20 C0*) A
20 C0*) A
20 C0*) A
1 A
1 A
1 A
. 20 D0*) A
20 D0*) A
20 D0*) A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
8 A2*) A
8 A2*)A
8 A2*) A
8 A2*) A
2 A; 4* A
2 A; 4* A
2 A\ 4* A
2 A;'4* A
15 B0*) A
15 B0*) A
15 B0*) A
ЗА
7,5 A
Ikbo,
lion,
T**
1кэо,
мкА
<1*mA(90B)
<1* mAF0B)
<1 * мА C0 B)
<2 мА G00 B)
?2 мА G00 B)
<2 мА G00 B)
<3* мА A00 B)
<3* мА (80 B)
<3* мА F0 B)
<5 мА A400 B)
<5 мА A200 B)
<5 мА (800 B)
<5 мА F00 B)
<1,5* mAA00B)
<1,5*mA(8OB)
<1,5* mAF0B)
<1,5* mAF0B)
<100 C5 B)
<100 F0 B)
<100 (80 B)
<100A00B)
^3* мА E00 B)
?3* мА D50 B)
<3* мА D00 B)
^),1 мА C0 B)
<0,15 мА D5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
175
П21э, h2
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tJ5ac, НС
1выю1, НС
Корпус
?750* A0 В; 10 А)
?750* A0 В; 10 А)
?750* A0 В; 10 А)
$600 A0 В)
$600 A0 В)
<600 A0 В)
<0,4
$0,4
$0,4
$4,5** мкс
$4,5** мкс
$4,5** мкс
10...120* A0 В; 0,1 А)
5...300* A0 В; 0,1 А)
5...120* A0 В; 0,1 А)
$25 A00 В)
<25A00В)
<25A00В)
<5
<5
<5
tcn<700
tcn<700
750... 18000* C B; 10 A)
750... 18000* C B; 10 B)
750... 18000* CB; 10 A)
<400 A0 B)
<400 A0 B)
<400 A0 B)
<0,2
<0,2
<0,2
<4,5* мкс
<4,5* мкс
<4,5* мкс
^2,25* E B; 4,5 A)
>2,25* E B; 4,5 A)
>2,25* E B; 4,5 A)
?2,25* E B; 4,5 A)
<0,66
<0,66
<0,66
<0,66
<10*
$10*
<10*
<10*
?750* C В; З А)
>750* C B; 3 A)
>75O* C B; 3 A)
>750* C B; 3 A)
<120
<120
<120
<120
<0,57
<0,57
<0,57
<0,57
?20* A В; 1 A)
?20* A В; 1 A)
?20* A В; 1 A)
?20* A В; 1 A)
$1,2
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
150...3000* E B; 5 A)
150...3000* E B; 5 A)
15O...3O00* E B; 5 A)
<100 A50 B)
<100 A50 B)
<100 A50 B)
<0,13
<0,13
<0,13
tcn$l,2 MKC
tcn$l,2 MKC
tcn$l,2 мкс
?25* A B; 1 A)
10... 100* E B; 2 A)
<800 A0 B)
<800 A0 B)
<0,35
$0,8
176
Раздел 2, Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
КТ837М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ838А
КТ838Б
КТ839А
КТ840А
КТ840Б
КТ840В
КТ841А
КТ841Б
КТ841В
КТ841Г
КТ841Д
КТ841Е
КТ842А
КТ842Б
КТ842В
КТ844А
КТ845А
КТ846А
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ847Б
КТ848А
КТ848Б
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Пф-П
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п'
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк. т max»
п**
"К, и max,
мВт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
12,5* Вт (90°С)
12,5* Вт
50* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
3 E0*) Вт
3 E0*) Вт
3 E0*) Вт
100* Вт
100* Вт
50* Вт
3 E0*) Вт
3E0*) Вт
100* Вт
50* Вт E0°С)
40* Вт E0°С)
12,5* Вт (90°С)
12,5* Вт (95°С)
12,5* Вт (95°С)
125* Вт
125* Вт
35* Вт A00вС)
35* Вт A00°С)
frp, fh216,
,**
1Ь21э,
•max,
МГц
>1
>1
>1
>1
>1
?1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>3
>3
>5
>8
>8
>8
>10
?10
?10
>7
>5
>7
>20
>20
>7
>7,2
?4,5
>2
>2
>2
>15
>10
>3
>3
UkbO max,
UK3R max,
Uic3O max,
В
80
80
80
60
60
60
45
45
45
80
80
80
60
60
60
45
45
45
1500
1200
1500
400*; 900
350*; 750
800; 375*
600
400
600
200
500
800
300
200
200
250* @,01к)
400* @,01k)
1500* @,01k)
1200
1500
650* @,01k)
650* @,01k)
520
400
USBO max,
В
15
15
15
15
15
15
15 -
15
15
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5; 7
5; 7
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
5; 7
5; 7
5; 7
8
8
15
15
IK max,
IK, h max,
мА
7,5 A
_ 7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7.5.A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
7,5 A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
10 A /
6 (8*) A
6 (8*) A
6 (8*) A
10A5*) A
10A5*) A
10A5*) A
10A5*) A
10 A5*) A
10 A5*) A
5 A0*) A
5 A0*) A
5A0*) A
10 B0*) A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
5 G,5*) A
15 B5*)A
15 B5*) A
15 A
15A
1КБО,
IJOR,
1кэо,
мкА
<0,15 мА (80 B)
<0,15 мА (80 B)
<0,15 мА (80 B)
<0,15mAF0B)
<0,15 мА F0 B)
<0,15 мА F0 B)
<0,15 мА D5 B)
<0,15mAD5B)
?0,15 мА D5 B)
<O,15mA(8OB)
<0,15 мА (80 B)
<0,15 mA(80B)
<0,15 мА F0 B)
<0,15mAF0B)
<0,15mA F0 B)
<0,15 мА D5 B)
<0.15 мА D5 B)
<0,15 mAD5B)
<1* mAA500B)
<1*mAA200B)
<1 mAA500B)
<3 мА (900 B)
<3 мА G50 B)
<3 мА (800 B)
<3 мА F00 B)
<3 мА D00 B)
<ГмА F00 В)
<ЗмАB00В)
<3 мА E00 В)
<3 мА (800 В)
<1 мАC00В)
<1 мА B00 В)
<1 мА B00 В)
<3* мА B50 В)
<3* мА D00 В)
<1* мАA500В)
<1* мАA200В)
<1*мАA500В)
5 мА F50 В)
5 мА F50 В)
<3* мА D00 В)
<3* мА D00 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
177
П21э, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Еб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
¦**
Твыкл, НС
Корпус
10...40*
20...80*
50... 150*
10...40*
20...80*
50... 150*
10...40*
20...80*
50... 150*
10...40*
20...80*
50... 150*
10...40*
20...80*
50... 150*
10...40*
20,..80*
50... 150*
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
E В; 2 А)
<0,8
<0,8
<0,8
<0,3
<0,3
<0,3
<0,25
<0,25
<0,25
<0,8
<0,8
<0,8
<0,3
<0,3
<0,3
<0,25
<0,25
<0,25
>4* E В; 3,5 А)
>4* E В; 3,5 А)
170 A0 В)
170 A0 В)
2:5* A0 В; 4 А)
240 A0 В)
<0,375
10...60* B,5 В; 8 А)
>10* B,5 В; 8 А)
10...100* B,5 В; 8 А)
<0,75
<0,75
<0,24
<10* мкс;
tcn^l ,5
<10* мкс
<10* мкс;
tcn<l,5
tcn<0,6
tcn<0,6
<3500*
>12* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
?12* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
>20* E В; 2 А)
?10* E В; 5 А)
<=300 A0 В)
<300A0В)
<300 A0 В)
<300 A0 В)
<300A0В)
<300 A0 В)
<0.3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
?15* D В; 5 А)
>15* D В; 5 А)
?20* D В; 5 А)
250 A0 В)
250 A0 В)
250 A0 В)
<0.36
<0,36
<0,44
10...50* C В; 6 А)
<300A0В)
<0,4
<1000*
<1000*
<1000*
<1000«
<1000*
<1000*
800*
800*
800*
<2000*
15...100* E В; 2 А)
<45 B00 В)
<0,75
<200
<0,22
8...25* C В; 15 А)
8...25* C В; 15 А)
<200 D00 В)
<200 D00 В)
>20* E В; 15 А)
>20*EВ; 15 А)
<0,2
<0,2
<4000*
<12000*
<12000*
<12000*
<2000"
<3000*
178
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ850А
КТ850Б
КТ850В
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
KT8S4A
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ856А
КТ856Б
КТ856А-1
КТ856Б-1
КТ857А
КТ858А
КТ859А
КТ862Б
КТ862В
КТ862Г
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк maxi
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
50* Вт
50* Вт
50* Вт
50* Вт "
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
. 75* Вт
75* Вт
50* Вт
50* Вт
60* Вт
60* Вт
40* Вт
50* Вт
50* Вт
50* Вт
frp, fh216,
fh2l3,
Imaxt
МГц
?20
?20
?20
?20
?20
?20
?7
?7
?7
?7
>7
>7
?7
>7
?10
?10
>5
>5
?5
?10
?10
10
10
?10
?10
?10
?20
?20
?20
UrBO max,
Uk3R max,
UJOO max,
В
250
300
180
250
300
180
100
80
60
45
100
80
60
45
600
400
250
150
150
800
700
800
600
250
400
800
450
600 C50**)
600 D00**)
UsBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
- 5
5
5
5
6
6
10
5
5
5
IK max,
Ik, и max,
мА
2 C*) A
2 C*) A
2 C*) A
2 C*) A
2 C*) A
2 C*) A
2,5 D*) A
2,5 D*) A
2,5 D*) A
2,5 D*) A
8 A2*) A
8 A2*) A
8A2*) A
8 A2*) A
10A5*) A
10A5*) A
5 (8*) A
5 (8*) A
5 (8*) A
10 A; 12* A
10 A; 12* A
10 A; 12* A
10 A; 12* A
7 A0*) A
7 A0*) A
3 D*) A
15 A; 25* A
10 A; 15* A
10 A; 15* A
Ikbo,
Iisr,
Iioo,
mkA
<100B50B)
<500 C00 B)
<500 A80 B)
<100 B50 B)
<500 C00 B)
<500 A80 B)
?1 mAA00B)
<1 мА (80 B)
<1 мА F0 B)
?1 мА D5 B)
<200 A00 B)
<200 (80 B)
<200 F0 B)
<200D5B)
?3 мА F00 B)
<3 мА D00 B)
<1000 B50 B)
<1000A50B)
<1000 A50 B)
<3 мА (800 B)
<3 мА F00 B)
<3 mA(800B)
<3 мА F00 B)
<5 мА B50 B)
<1 мА D00 B)
<1 mA(800B)
<2,5 мА C00 B)
<3 мА F00 B)
<3mAF00B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
179
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
Корпус
40...200* A0 В; 0,5 А)
>20* A0 В; 0,5 А)
>20* A0 В; 0,5 А)
?35 E В)
<35 E В)
<35 E В)
<2
<2
<2
40...200* A0 В; 0,5 А)
20...200* A0 В; 0,5 А)
20...200* A0 В; 0,5 А)
40 E В)
40 E В)
40 E В)
<2
<2
<2
>500* D В; 2 А)
>500* D В; 2 А)
>1000* D В; 1 А)
>1000* D В; 1 А)
?28 E В)
<28 E В)
<28 E В)
<28 E В)
?1,25
?1,25
?1,25
<1,25
1500"
1500*
1500*
1400*
1400*
1400*
2000**
2000**
2000**
2000**
>750* C В; 3 А)
>750* C В; 3 А)
>750* C В; 3 А)
>750* C В; 3 А)
<120 E В)
<120 E В)
<120 E В)
<120EВ)
<0,66
<0,66
<0,66
<0,66
>20* D В; 2 А)
>20* D В; 2 А)
200 A0 В)
200 A0 В)
<0,4
<0,4
>20* D В; 2 А)
>20* D В; 2 А)
>15*DВ;2 А)
200 A0 В)
200 A0 В)
200 A0 В)
?0,5
<0,5
<0,5
3300**
3300**
3300**
3300**
tcn=700
tcn=700
10...60* E В; 5 А)
[10...60* E В; 5 А)
<100 (90 В)
<100 (90 В)
<0,3
<0,3
<2* мкс
<2* мкс
10...60* E В; 5 А)
10...60* E В; 5 А)
<100 (90 В)
<100 (90 В)
<0,3
<0,3
<2* мкс
<2* мкс
>7,5* A В; 3 A)
<0,33
>10* E B; 5 A)
<0,2
>10* A0 B; 1 A)
<25OO"
<2500*
^3500"
12...100* E B; 8 A)
12...50* E B; 5 A)
12...50* E B; 5 A)
<300 C0 B)
<250 A0 B)
<250 A0 B)
<0,29
<0,29
<1000*
<2000*
<2000*
180
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ863А
КТ863Б
КТ863В
КТ864А
КТ865А
КТ866А
КТ866Б
КТ867А
КТ868А
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ872В
КТ874А
КТ874Б
КТ878А
КТ878Б
КТ878В
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п ,
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
РК max,
PR, т max,
Рк, и max,
мВт
50* Вт
50* Вт
50* Вт
ЮГ* Вт
ЮС Бт
30* Вт
30* Вт
100* Вт
70* Вт
70* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
75* Вт
75* Вт
150* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
frp, fh216,
,**
1Н21э,
Imax,
МГц
>4
>4
>4
>15
>15
25
25
>25
>8
28
>7
?7
>7
>20
>20
>10
>10
>10
UkBO max,
U|<3R max,
*-»КЭО max,
В
30
30
160
200
200
200; 100**
200; 80**
200
900
750
1500; 700*
1500; 700*
1200; 600*
150;
100* @,01к)
150;
120* @,01k)
900* @,01k)
800* @,01k)
600* @,01k)
ЧЭБО тал,
В
ел ел ел
6
6
4
4
7
5
5
6
6
6
5
5
5
6
6
IK max,
Ik, и max,
мА
10 A
10 A
10 A
10 A5*/ Л
10A5*) \
15 A; 20* A
15 A; 20* A
25 A D0* A)
6 (8*) A
6 (8*) A
8 A5*) A
8 A5*) A
8A5*) A
30 A; 50* A
30 A; 50* A
25 E0*) A
25 E0*) A
25 E0*) A
Ikbo,
Ikbr,
1кэо,
мкА
<1 мА C0 B)
<1 мА C0 B)
<1 мА C0 B)
<100 B00 B)
<100 B00 B>
<25mAU00B)
<25 мА A00 B)
<3 B50 B)
<3 мА (900 B)
<3 мА G50 B)
<1 мА A500 B)
<1 мА A500 B)
<1mAA200B)
<3 мА A50 B)
<3 mAA50B)
<3 мА (900 B)
<3 мА (800 B)
<3 мА F00 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
181
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Кш, ДБ
re, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
Корпус
>100* B В; 5 А)
>70* B В; 5 А)
>70* B В; 5 А)
<0,06
40...200* D В; 2 А)
<300 E В)
<0,6
40...200* D В; 2 А)
<300 E В)
<0,3
>15*1ЮВ; 10 А)
>15* A0 В; 10 А)
<400 A0 В)
<400A0В)
<0,15
<0,15
<450**
<450**
>10* E B; 20 A)
<400 A0 B)
<0,075
1,3* мкс
10...60* E B; 0,6 A)
10...100* E B; 0,6 A)
<100 (80 B)
<100 (80 B)
<0,75
<0,75
>6 E B; 30 mA)
>6 E B; 30 mA)
>6 E B; 30 mA)
<125 A5 B)
<125 A5 B)
?125 A5 B)
<0,-22
<3500*
<35OO*
<7500*
<75OO*
<7500*
15...50* E В; 30 A)
10...40* E В; 30 A)
200 A00 В)
200 A00 В)
<0,04
<0,04
0,5* мкс
0,5* мкс
12...50* E B; 10 A)
12...50* E B; 10 A)
12...50* E B; 10 A)
<500A0B)
<500 A0 B)
<500 A0 B)
<3000*
<3000*
<3000*
182
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ879А
КТ879Б
КТ885А
КТ885Б
КТ886А-1
КТ886Б-1
КТ887А
КТ887Б
КТ888А
КТ888Б
КТ890А
КТ890Б
КТ890В
КТ892А
КТ892Б
КТ892В
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
250* Вт
250* Вт
150* Вт
150* Вт
75* Вт
75* Вт
3 Вт; 75* Вт
3 Вт; 75* Вт
0,8 Вт; 7* Вт
0,8 Вт; 7* Вт
120* Вт
120* ВТ
120* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
frp, fh216,
,••
Ih2l3,
¦,***
•max»
МГц
2:10
>10
?15
*1.5
>10,5
>10,5
>15
>15
?15
>15
40
40
40
8
8
8
UkBO max,
Ui<3R max,
Uk3O max,
В
200
200
400* @,01k)
500* @,01k)
1400*@,01k)
1000*@,01k)
700
600
900
600
650
500
350
350* @,01k)
400* @,01k)
300* @,01k)
USBO max,
В
6
6
5
'•' 5
7
7
5
5
7
7
5
5
5
5
5
5
Ik max»
Ik, и max»
мА
50 A; G5*) A
50 A; G5*)A
40 F0*) A
40 F0*) A
10 A; A5*)A
10 A; A5*)A
2 A; E*) A
2 A; E*) A
100 B00*)
100 B00*)
20 A
20 A
20 A
15 C0*) A
15 C0*) A
15C0*) A
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<3mABOOB)
<3 мА B00 B)
Si mAE00B)
. <1 mAE00B)
<0,l mA(IOOOB)
<0,5 mAA000B)
<0,25 мА G00 B)
<0,25 мА ^F00 B)
<10 (900 B)
<10 F00 B)
0,5** мА C50 B)
0,25** мА C50 B)
0,25** мА C50 B)
<3 мА C50 B)
<3 мА D00 B)
<3 мА C00 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
183
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рв'ых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>20* D В; 20 А)
?15* D В; 20 А)
?800 A0 В)
?800 A0 В)
?0,06
?0,1
1,2* мкс
1,2* мкс
>12* E В; 20 А)
>12* E В; 20 А)
?200 A00 В)
?200 A00 В)
?0,08
?0,08
<2000*
?2000*
6...25* E В; 4 А)
6...25* E В; 4 А)
<135 A0 В)
<135 A0 В)
<0,25
<0,25
2,5* мкс
2,5* мкс
20... 120* (9 В; 1 А)
20...120* (9 В; 1 А)
350 A0 В)
350 A0 В)
?1,5
<5* мкс
?5* мкс
30... 120^
30... 120"
C0 В; 30 мА)
C0 В; 30 мА)
<50
<50
?3* мкс
<3* мкс
>200* E В; 5 А)
>200* E В; 5 А)
>200* E В; 5 А)
<0,23
?0,22
<0,2
?300* A0 В; 5 А)
?300* A0 В; 5 А)
>300*A0В;5А)
<0,225
?0,225
?0,225
tCn?4 мкс
tcn?4 мкс
tCn?4 мкс
184
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ893А
КТ896А
КТ896Б
КТ897А
KT897R
КТ898А
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
КТ899А
КТ902А
Струк-
тура
п-р-п
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
120* Вт
2 Вт; 125* Вт
2 Вт; 125* Вт
3 Вт; 150* Вт
3 Вт; 150* Вт
1.5 Вт; 125* Вт
1.5 Вт; 125* Вт
1.5 Вт; 60* Вт
1,5 Вт; 60* Вт
40* Вт
30* Вт E0°С)
frp, fh216,
.**
Ih2l3,
«max»
МГц
- >4
>4
>10
>10
>10
>10
>10
>10
>8
>35
UkBO max,
Uk3R max,
Uk3O max,
в -
800* @,01к)
90* (Ik)
60* (Ik)
350
200
350
200
350
200
160
65A10имп.)
UbBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max»
Ik, и max,
mA
6 A; 8* A
20 A C0* A)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
20 A C0* A)
8 A A5* A)
5A
Ikbo,
Ik3r,
1кэо,
мкА
<1*mA(800B)
<250 C50 B)
<250B00B)
<1 A60 B)
i
<10 mA G0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
185
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
10...20*
<0,6
<2* мкс
КТ893
750...18000* A0 В; 5 А)
750...18000* A0 В; 5 А)
<700 A0 В)
<700A0В)
<0,4
<0,4
<4500**
<4500**
>400* E В; 5 А)
<400* E В; 5 А)
<0,23
<0,23
>400* E В; 5 А)
>400* E В; 5 А)
<0,23
<0,23
>400* E В; 5 А)
>400* E В; 5 А)
<0,23
<0,23
?1000* E В; 5 А)
<0,26
>15* A0 В; 2 А)
<300A0В)
<1;>7**
?20** A0 МГц)
186
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ902АМ
КТ903А
КТ903Б
КТ904А
КТ904Б
КТ907А
КТ907Б
КТ908А
КТ908Б
КТ909А
КТ909Б
КТ909В
КТ909Г
КТ9101АС
КТ9104А
КТ9104Б
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Pk max,
PR, t max»
Рк, и max»
мВт
30* Вт E0°C)
30* Вт F0**)
30* Вт F0**)
5* Вт D0eC)
5* Вт D0вС)
13,5* Вт
13,5* Вт
50* Вт E0вС) '
50* Вт E0вС)
27* Вт
54* Вт
27* Вт
54* Вт
128* Вт
10** Вт
23** Вт
frp, fh21<5,
fh2l3,
•max,
МГц
>35
?120
>120
>350
>300
>350
?300
?30
>30
>350
>500
>300
?450
?350
?600
>600
UkBO max,
UK3R max,
UKBO max,
В
65 (ПОимп.)
60 (80 имп.)
60 (80 имп.)
60* @,1 к)
60* @,1 к)
60*@,1к)
60* @,1 к)
100* @,01 к)
60* @,25к)
60* @.01к)
60* @.01k)
60* @.01k)
60* @,01к)
50
50
50
UsBO max,
В
5
4
4
4
4
4
4
5
5
3,5
3,5
3,5
3,5
4
4
4
Ik max»
Ik, и max»
mA
5 A
3 E*)A
3 E*)A
0,8 A,5*) A
0,8 A,5*) A
1 C*) A
1 C*) A
10 A
10 A
2 D*) A
4 (8*) A
2 D*) A
4 (8*) A
7 A
1.5 A
5A
Ikbo,
Iksr,
Iioo,
mkA
<10mAG0B)
<10* mA G0 B)
<10* mA G0 B)
<1,5* mA F0 B)
<1,5* mAF0B)
<3* мА F0В)
<3* mA F0 B)
<25* мА A00 B)
<50* мАДбО В)
30* мА F0 В)
60* мА F0 В)
30* мА F0 В)
60* мА F0 В)
<30 мА E0 В)
<10 мА E0 В)
<22О мА E0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
187
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>15* A0 В; 2 А)
<300A0В)
>20** A0 МГц)
КТ902М
15...70*AОВ;2А)
40...180* A0 В; 2 А)
<18О(ЗОВ)
{30 В)
?10** E0 МГц)
>10** E0 МГц)
>10* E В; 0,25 А)
>10* E В; 0,25 А)
<12 B8 В)
<12 B8 В)
<5;>2,5**
<5; >2**
>3** D00 МГц)
>2,5** D00 МГц)
<20
>10* E В; 0,4 А)
>10* E В; 0,4 А)
<20 C0 В)
<20 C0 В)
<4; >2**
<4;>1,5**
?8** D00 МГц)
>6** D00 МГц)
^20
8...60* B В; 10 А)
>20* D В; 4 А)
<700 A0 В)
<700(ЮВ)
<0,15
<0,25
<2600*
<2600*
<30 B8 В)
<60 B8 В)
<35 B8 В)
<60 B8 В)
<0,3;>1,7**
<0,18;>1,75**
<0,3; >1,2**
<0,18;>1,5**
20** E00 МГц)
40** E00 МГц)
15** E00 МГц)
>30** E00 МГц)
<20
<20
<30
<30
^150 B8 В)
>100** @,7 ГГц)
<45
<20 B8 В)
<40 B8 В)
>8**
>7**
?5** @,7 ГГц)
>20** @,7 ГГц)
<20
<20
188
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ9105АС
КТ9109А
KT9U1A
КТ9116А
КТ9116Б
КТ911А
КТ911Б
КТ911В
КТ911Г
КТ912А
КТ912Б
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, т max»
Рк, и max»'
мВт
133* Вт
1120** Вт
200** Вт
46* Вт
76,7* Вт
3* Вт
3* Вт
3* Вт
3* Вт
30* Вт (85°С)
30* Вт (85°С)
4,7* Вт E5°С)
8* Вт G0°С)
12* Вт
frp, fh216,
,**
1Ь21э,
«**
Imax»
МГц
>660
>360
>200
>240
>230
>750
>600
>750
>600
>90
>90
>900
>900
>900
UKBO max,
Uk3R max,
UioO max,
В
50* @,01k)
65
120
55* @,01k)
55* @,01k)
55
55
40
40
70* @,01k)
70* @,01k)
55
55
55
USBO max,
В
4
4
4
4
4
3
3
3
3
5
5
3,5
3,5
3,5
IK max,
IK, и max,
mA
16 A
29* A
10 A
4 A
10 A
0,4 A
0,4 A
0,4 A
0,4 A
20 A
20 A
0,5A*) A
1 B*) A
1 B*) A
Ikbo,
Iksr,
iioo,
mkA
<120* mA E0 B)
<60 mA F5 B)
<100mAA00B)
<30 mA E5 B)
<100 mA E5 B)
<5 mA E5 B)
<5 mA E5 B)
<5 mA D0 B)
<5 mA D0 B)
<50* mA G0 B)
<50* mA G0 B)
<25* mA E5 B)
<50* mA E5 B)
<50* mA E5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
189
Ск,
С*2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Хк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
<160* E В; 0,1 А)
<240 B8 В)
?100** @,5 ГГц)
КТ9105
<140E0В)
?3,5** (820 МГц)
>500** (820 МГц)
>10* A0 B; 5 A)
<150 E0 B)
>150** (80 МГц)
>20* E B; 0,5 A)
>20* E B; 0,5 A)
<55 B8 B)
<155 B8 B)
>25**
>10**
>5** B25 МГц)
?15** B25 МГц)
<25
<30
<10B8 B)
<10 B8 B)
<10 B8 B)
<10 B8 B)
<5; >2,5**
<5; >2,6**
<5; >2,2**
<5; >2,2**
>1** A,8 ГГц)
>1**'A ГГц)
>0,8** A,8 ГГц)
>0,8** A ГГц)
<25
<25
<50
<100
10...50* A0 B; 5 A)
20...100* A0 B; 5 A)
<200 B7 B)
<200 B7 B)
<0,12;>10**
<0,12
>70** C0 МГц)
>70** C0 МГц)
>10* A0 B; 0,5 A)
>10* A0 B; 0,5 A)
>10*A0B;0,5A)
<6 B8 B)
<12 B8 B)
<14 B8 B)
>3** A ГГц)
>5** A ГГц)
>10** A ГГц)
190
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ9120А
КТ9121А
КТ9121Б
КТ9121В
КТ9121Г
КТ9125АС
КТ9126А
КТ9127А
КТ9127Б
КТ9128АС
КТ9130А
Струк-
тура
р-п-р
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PK max.
PR, т max»
"К, и max»
мВт
50* Вт
92** Вт
46** Вт
11,5** Вт
130** Вт
60* Вт D0°С)
330* Вт E0°С)
1151** Вт
524** Вт
180*ВтE0°С)
10* Вт
frp, fh2l6,
,**
1Ь21э,
Imax,
МГц
>50
—
>660
>100
—
>200
>200
UkBO max,
UK3R max,
UlOO max,
В
45* @,1к)
42
42
42
42
55* A0 Ом)
100* @,01к)
65
65
50* A0 Ом)
250
USBO max,
В
5
3
3
3
3
4
4
3
3
4
6
Ik max,
IK, и max,
mA
12 C0*) A
9,2* A
4,6* A
1,15* A
13* A
4 A
30 A
38* A
19* A
18 A
150
Ikbo,
li<3R,
lioo,
мкА
<0,l mA D5 B)
<15 mA D2 B)
<7,5 mA D2 B)
<2,5 mA D2 B)
<22 mA D2 B)
<60* mA E5 B)
<200* mA(IOOB)
<60* mA F5 B)
<30* mA F5 B)
<100* mA E0 B)
^1 мкА B50 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
191
>40* A В; 4 А)
<1900A0В)
<0,75
<500"
>6,4**
>6,4**
>6,4**
>12,5**
>35**
B.3...2.7 ГГц)
>17**
B.3...2.7 ГГц)
>4**
B,3.,.2,7 ГГц)
>50**
B.3...2.7 ГГц)
<110* E В; 0,5 А)
<70 B8 В)
>6** E00 МГц)
>50** E00 МГц)
<20
>10* A0 В; 5 А)
<500 E0 В)
>13**; <0,05
>500** A,5 МГц)
>5,6**
>6,2**
>550**
A,025...1,15 ГГц)
>250**
A,025...1,15 ГГц)
<100* E В; 0,5 А)
<430 B8 В)
7** A75 МГц)
>200** A75 МГц)
<30
10...45 (9 В; 20 мА)
<6A0В)
<50
192
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ9133А
КТ9134А
КТ9134Б
КТ9136АС
КТ914А
КТ9141А
ч
КТ9141А-1
КТ9142А
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, т max»
г»**
гК, и max»
мВт
130* Вт
2600** Вт
2100** Вт
700** Вт
7* Вт
3* Вт
5* Вт
72* Вт
frp» fh216,
fh2l3f
Imax,
МГц
>225 ,
>600
>600
>300
>300
>1 ГГц
>1 ГГц
UkBO max»
UlOR max»
UlOO max,
В
55* @,01к)
50
50
60
65
120
120
55
ЧэБО max,
В
4
3
3
4
4
3
3
3
Ik max,
Ik, и max»
мА
16 A
78* A
71* A
30* A
0,8 A,5* A)
300
400
15 A
Ikbo,
iioR,
T**
1кэо,
мкА
<200* мА E5 B)
<120mA E0 B)
<120 мА E0 B)
<140 мА F0 B)
2* мА F5 B)
<100A20B)
<0,l A20 B)
<100 мА E5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
193
Ь2!э,
Ск,
СГзэ,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, ДБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
Твыкл, НС
Корпус
<160 B8 В)
>7,5*<
?30** B25 МГц)
<30
>6**
>6**
>1000**
A,4... 1,6 ГГц)
>800**
A,4... 1,6 ГГц)
<260 D5 В)
>7** E00 МГц)
>500** E00 МГц)
<20
10...60* E В; 0,25 А)
B8 В)
>2,5** D00 МГц)
<20
15...45* E В; 50 мА)
<2,5 A0 В)
15...45* E В; 50 мА)
<2,5A0В)
?10 E В; 0,5 А)
<70 B8 В)
>6*"
50** (860 МГц)
194
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ9143А
КТ9143Б
КТ9143В
КТ9144А-5
КТ9145А-5
КТ9144А-9
КТ9145А-9
КТ9146А
КТ9146Б
КТ9146В
КТ9150А
КТ9151А
КТ9152А
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, т maxi
г»**
"К, и max»
мВт
3*Вт
3* Вт
3* Вт
5* Вт
5* Вт
0,3 Вт; 1* Вт
0,3 Вт; 1* Вт
380** Вт
260** Вт
65** Вт
50* Вт
280* Вт
246* Вт
frp, fh216,
fh21s,
•max»
МГц
?1500
?1500
?1000
?30
?50
?30
?50
?230
UkBO max,
Uk3R max,
UJ<3O max,
В
75
75
75
500
500
500
500
50
50
50
40* A0 Ом)
55
55
USBO max,
В
3
3
3
5
5
5
5
3
_ о
3
4
3
3
'К max»
IK, и max,
мА
100 C00*)
100 C00*)
100 C00*)
50 A00*)
50A00*)
50 A00*)
50 A00*)
19* A
13* A
3,3* A
5A
33 A
24 A
Ikbo,
Iksr, '
1кэо,
мкА
<S1*mAE0B)
<1* mAE0B)
<1* mAE0B)
<1 E00 B)
<1 E00 B)
<1 E00 B)
<1 E00 B)
<50 мА E0 B)
<33 мА E0 B)
<8 мА E0 B)
<25* мА D0 B)
^150* мА E5 B)
<200 мА E5 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
195
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
re, Ом
Рвых, ВТ
Тк.ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>20* E В; 50 мА)
20...60* E В; 50 мА)
>20* E В; 50 мА)
<3 A0 В)
<3 A0 В)
<4 A0 В)
>20* A0 В; 10 мА)
20...150 A0 В; 10 мА)
<100
<100
20...150 A0 В; 10 мА)
20...150 A0 В; 10 мА)
<60
<100
>200** A,55 ГГц)
>6**
>7**
>130** A,55 ГГц)
>35** A,55 ГГц)
>10* E В; 0,5 А)
<42 B5 В)
>8,5** (860 МГц)
ф8** (860 МГц)
>10* E В; 0,5 А)
<350 B8 В)
>7** B30 МГц)
>200** B30 МГц)
>10* E В; 0,5 А)
<100 B8 В)
>6** (860 МГц)
>100** (860 МГц)
196
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ9153БС
КТ9155А
КТ9155Б
КТ9155В
КТ9156БС
КТ9157А
КТ9160А
КТ9160Б
КТ9160В
КТ9161АС
КТ9164А
КТ9166А
КТ916А
КТ916Б
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max,
Pk, т maxi
Рк, и max»
мВт
94* Вт
43* Вт
100* Вт
181* Вт
94* Вт
1,2 Вт; 10* Вт
465* Вт E0°С)
465* Вт E0°С)
465* Вт E0°С)
700* Вт
—
60* Вт
30* Вт
30* Вт
frp, fh216,
f h21 э,
Imaxi
МГц
—
>100
>60
>60
>60
—
—
>1100
>900
UKBO max,
Uk3R max,
Ui<3O max,
В
50* A0 Ом)
50
50
50
50* A0 Ом)
30
140* A0 Ом)
140* A0 Ом)
140* A0 Ом)
60
* —
45
55* @,01 к)
55
U3BO max,
В
4
3
3
3
3
5
4
4
4
4
—
3,5
3,5
IK max,
IK, и max,
мА
10 А
4 А
15 А
24 А
10 А
5 A0*) А
30 А
30 А
30 А
25 А
—
15 А
2 D*) А
2 D*)А
1КБО,
IK3R,
1кэо,
мкА
<60* мА E0 В)
<25* мА E0 В)
<25* мА E0 В)
<25* мА E0 В)
<60* мАE0В)
<10 C0 В)
<200* мА A40 В)
<200* мА A40 В)
<200* мА A40 В)
<280 мА F0 В)
—
<25* мА E5 В)
<40* мА E5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
197
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГкЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,*р, ДБ
Кш> дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>10* E В; 0,5 А)
<66 B8 В)
>7*"
>50**
F15...840МГц)
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
<35 B8 В)
<35 B8 В)
>6,5** (860 МГц)
>6** (860 МГц)
>15** (860 МГц)
>50** (860 МГц)
>10* E В; 0,5 А)
<35 B8 В)
>5** (860 МГц)
>100** (860 МГц)
>10* E В; 0,5 А)
<66 B8 В)
>6** A ГГц)
>50** A ГГц)
140...450* A В; 0,5 А)
<150 E В)
<0,25
10...30* A0 В; 30 А)
20...50* A0 В; 30 А)
40...90* A0 В; 30 А)
<700 F0 В)
<700 F0 В)
<700 F0 В)
>15** A,5 МГц)
>15** A,5 МГц)
>15** A,5 МГц)
>700** A,5 МГц)
>700** A,5 МГц)
>700** A,5 МГц)
>20* E В; 0,5 А)
>7** E00 МГц)
>500** E00 МГц)
>6** A090 МГц)
>300** A090 МГц)
>50* A В; 4 А)
<0,06
35* E В; 0,25 А)
35* E В; 0,25 А)
?20 C0 В)
<20 C0 В)
<0,8; >2,25**
<0,8;>1,85**
>20** A ГГц)
>16** A ГГц)
198
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ9173А
КТ9174А
КТ9176А
КТ9177А
КТ9180А
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
КТ9181А
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
КТ918А-2
КТ918Б-2
КТ9182А
КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max,
PR, т maxi
Рк, и max»
мВт
140* Вт
400* Вт
10* Вт
10* Вт
1,5 Вт; 12,5*Вт
12,5*Вт
12,5*Вт
12,5*Вт
12,5*Вт
12,5*Вт
12,5*Вт
12,5*Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
300* Вт
10* Вт
5* Вт
3,25* Вт
10* Вт
frp, fh216,
«**
1Ь21э,
Imaxi
МГц
>90
>90
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>800
>1000
>1350
>1350
>1350
>1350
UKBO max,
Uk3R max,
Uioo max,
В
55* A0 Ом)
- 55* A0 Ом)
40
40
40
60
80
100
40
60
80
100
30
30
55* A0 Ом)
45
45
45
45
UsBO max,
В
4
3
5
5
5
7
7
7
5
7
7
7
2,5
2,5
3
3,5
3,5
3,5
3,5
Ik max,
т*
*К, и max,
мА
14 А
30 А
3 G*) А
3G*) А
3 А G* А)
3 А G* А)
3 А G* А)
3 А G* А)
- 3 А G* А)
3 А G* А)
3 А G* А)
3 А G* А)
250
250
24 А
0,7A,5*) А
0,35 @,7*) А
0,2 @,4*) А
0,7 A,5*) А
1КБО,
IK3R,
1кэо,
мкА
?250* мА E5 В)
<150* мА E5 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 F0 В)
<1 (80 В)
<1 A00 В)
<1 C0 В)
S1 F0 В)
<1 (80 В)
<1 A00 В)
<2 мА C0 В)
<2 мА(ЗОВ)
<200 мА E5 В)
?10 мА D5 В)
<5 мА D5 В)
?2 мА D5 В)
<10 мА D5 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
199
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГкЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Хк, ПС
tpac, НС
^ыкл, НС
Корпус
>20* E В; 0,5 А)
<230 B8 В)
>10** B30 МГц)
>50** B25 МГц)
>4** B30 МГц)
>300** B30 МГц)
60...400* B В; 1 А)
45 A0 В)
<0,25
60...400* B В; 1 А)
?0,25
60...400* B В; 1 А)
5О...25О*A В; 0,15 А)
50...250* A В; 0,15 А)
50...250* A В; 0,15 А)
<Ю,25
<0,4
<0,4
<0,4
60...400* B В; 1 А)
50...250* A В; 0,15 А)
50...250* A В; 0,15 А)
50...250* A В; 0,15 А)
<0,25
<0,4
<0,4
?4,2 A5 В)
<4,2 A5 В)
>2**
>2**
>0,25** C ГГц)
>0,5** C ГГц)
<4
>3** (860 МГц)
>150** (860 МГц)
<10 B8 В)
<6,5 B8 В)
<3 B8 В)
<12 B8 В)
?3,5** B ГГц)
?1,6** B ГГц)
?0,8** B ГГц)
>3** B ГГц)
<2,2
<2,2
<2,2
<2,2
200
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
Струк-
тура
п-р-п
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
h-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max»
PR, t max»
РК, и max»
мВт
5* Вт E0°С)
10* Вт E0°С)
25* Вт E0°С)
25* Вт E0°С)
12,5* Вт G5°С)
12,5* Вт G5°С)
8* Вт D0°C)
20* Вт D0°С)
40* Вт D0°С)
20* Вт D0°С)
40* Вт D0"С)
5,5* Вт D0°С)
11* ВтD0°С)
25* Вт D(ГС)
25* Вт D0°С)
50* Вт E0°С)
50* Вт E0°С)
83,3* Вт G5°С)
83,3* Вт G5-С)
83,3* Вт G5°С)
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
6* Вт D0°С)
frp, fh216,
,**
1Ь21э,
...»
Imax»
МГц
?400
?400
?400
?350
>90
?90
?300
?300
?300
>300
?250
?500
?500
?450
?450
?51
?51
?105
?105
?105
?250
?250
?250
?700
UkBO max,
UK3R max,
Uk3O max,
В
36
36
36 -
36
65* @,1к)
65* @,1k)
65* @,1k)
65* @,1k)
65* @,1k)
65* @,1k)
65* @,1k)
36* @,1k)
36* @,1k)
36* @,1k)
36* @,1k)
150* @,01k)
150* @,01k)
70* (Ok)
70* (Ok)
70* (Ok)
60
60
75
' 30* @,1k)
USBO max,
В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3,5
3,5
5
5
3,5
3,5
3,5
5
5
5
3
IK max,
_*
IK, и max»
mA
0,25 A*) A
1 B*) A
3 G*) A
3G*) A -
3,5 A
3,5 A
0,8 A,5*) A
1,5 D,5*) A
3(9*) A
1,5D,5*) A
3 (9*) A
0,5A*) A
1 C*) A
3,3 (8,5*) A
3,3 (8,5*) A
15 B5*) A
15B5*) A
10 C0*) A
10 C0*) A
10 C0*) A
0,8 A,2*) A
0,8 A,2*) A
0,8A,2*) A
0,8A,5*) A
Ikbo,
Iksr,
...
1кэо,
мкА
<2* mA C6 B)
<4* mA C6 B)
<7,5* mA C6 B)
<7,5* C6 B)
<10* mA G0 B)
<10* mA G0 B)
<5* mA F5 B)
<20* mA F5 B)
<40* mA F5 B)
<20* mA F5 B)
<40* mA F5 B)
<7 mA C6 B)
<12 mA C6 B)
<30mA C6 B)
<30 mA C6 B)
<25* mA A50 B)
<25*.mA A50 B)
<40* mA G0 B)
<40* mA G0 B)
<40* mA G0 B)
<5 F0 B)
<5 F0 B)
<1 F0 B)
<5* mA C0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
201
П2!э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Хк, ПС
,»
tpac, НС
¦**
Твыкл, НС
Корпус
<15 A0 В)
<25 A0 В)
?75 A0 В)
<75 A0 В)
?7**
?4,5**
>3**
>3**
>2** A75 МГц)
?5** A75 МГц)
?20** A75 МГц)
?15** A75 МГц)
<20
<20
<20
<20
>10* A0 В; 1 А)
?10* A0 В; 1 А)
<50 B0 В)
<50 B0 В)
<1,8;?8**
<1,8;>5**
?12,5** F0 МГц)
?12,5** F0 МГц)
<22; <300*
<22; <300*
<15 B8 В)
<35 B8 В)
<65 B8 В)
<35 B8 В)
<65 B8 В)
?10**
>5,5**
>4**
>5**
?3,5**
>5** A75 МГц)
?20** A75 МГц)
?40** A75 МГц)
?17** A75 МГц)
?35** A75 МГц)
<20
<20
<25
<20
<25
>8* E В; 0,2 А)
?17* E В; 0,2 А)
<15 A2,6 В)
<30 A2,6 В)
<60 A2,6 В)
<60 A2,6 В)
?6,3**
?5**
?3**
?2,5**
2** C20 МГц)
5** C20WV\rU)
20** C20 МГц)
15** C20 МГц)
<20
?35
<40
<40
10...60* G В; 15 А)
10...60* E В; 5 А)
<0,17
<0,25
?15* F В; 5 А)
?25* F В; 5 А)
?40* F В; 5 А)
<190 B8 В)
<190 B8 В)
<190 B8 В)
<0,07; ?13,4**
<0,07; ?13,4**
<0,07; ?13,4**
?75* B0 МГц)
?75** B0 МГц)
?75** B0 МГц)
20...100* E В; 150 мА)
50...200* E В; 150 мА)
100...300* E В; 150 мА)
<12 A0 В)
<12 A0 В)
<12 A0 В)
<3,3
<3,3
<3,3
<250*
<250*
<250*
?25* E В; 0,7 А)
<20 (8 В)
>8*
>2** A75 МГц)
<25
202
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ933А
КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
КТ935А
КТ936А
КТ936Б
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max,
PR, т max,
Рк, и max,
мВт
75* Вт D0°С)
120* Вт D0°С)
150** Вт D0°С)
20* Вт E0°С)
20* Вт E0вС)
20* Вт E0*С)
5* Вт E0вС)
5* Вт E0вС)
7,5* Вт
15* Вт
30* Вт
15* Вт
30* Вт
60* Вт E0°С)
28* Вт G5°С)
83,3* Вт G5'С)
fro, fh216,
-••
1Ь21э,
•max,
МГц
?450
?600
?250
?40
?60
>40
"Ч
?75
?75
?500
?500
?500
?450
?450
?51
UkBO max,
Uk3R max,
Uk30 max,
В
50* @,1к)
50* @,1к)
60* @,01к)
80
60
40
80
60
60* @,01k)
60* @,01k)
60* @,01k)
60* @,01k)
60* @,01k)
80* @,01k)
60
60
USBO max,
В
4
4
4
4,5
4,5
4,5
4,5
4,5
4
4
4
4
4
5
3,5
3,5
IK max,
_¦
IK, и max,
mA
6* A
6* A
15 A
2A
2A
2 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
1 A
2A
1 A
2 A
20 C0*) A
3,3 A
10A
Ikbo,
Ik3R,
1кэо,
мкА
?20* mA E0 B)
?100* mA E0 B)
?30* mA F0 B)
<1.5*mA(80B)
?1,5* mAF0B)
<1,5*mAD0B)
<0,5* mA (80 B)
<0,5* mA F0 B)
<7,5* mA F0 B)
<15* mA F0 B)
?30* mA F0 B)
<15* mA F0 B)
?30* mA F0 B)
?30* mA (80 B)
?10* mA F0 B)
?30* mA F0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
203
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
tebiKJi, НС
Корпус
40* E В; 0,5 А)
50* E В; 0,5 А)
<80 B8 В)
<170 B8 В)
>5**
>3,5**
>40** D00 МГц)
>75** D00 МГц)
11
25* E В; 0,5 А)
<240 B8 В)
0,18; >3,5**
>80** A75 МГц)
18
>15* C В; 1,5 А)
>30* (ЗВ; 1,5 А)
>40* C В; 1,5 А)
<300 B0 В)
<300 B0 В)
<300B0В)
>15* C В; 0,4 А)
>30* C В; 0,4 А)
<70 B0 В)
<70B0В.)
<3,75
<3,75
50* E В; 0,1 А)
50* E В; 0,15 А)
50* E В; 0,25 А)
<9 B8 В)
<16 B8 В)
<32 B8 В)
<16 B8 В)
<32 B8 В)
2; >6**
1;>4**
0,5; >3**
>3,3**
>2,4**
>3** D00 МГц)
>12** D00 МГц)
>25** D00 МГц)
>10** D00 МГц)
>20** D00 МГц)
<20
<20
<20
<25
<25
20...100* D В; 15 А)
<800A0В)
<0,066
^700*
>6* C В; 0,1 А)
>б* C В; 0,1 А)
204
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ937А-2
КТ937Б-2
КТ938А-2
КТ938Б-2
КТ939А
КТ939Б
КТ940А
КТ940Б
КТ940В
КТ940А-5
КТ940Б-5
КТ940В-5
КТ942В
КТ943А
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ943Д
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
п-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PK max,
PR, т max,
"К, и max»
мВт
3,6* Вт
7,4* Вт
1,5* Вт
1,5* Вт
4* Вт
4* Вт
1,2 A0*) Вт
1,2 A0*) Вт
1,2 A0*) Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
frp, fh216,
,**
Ih2l3,
•max,
МГц
6500
6500
>2000
>1800
>2500
>1500
>90
>90
>90
>90
>90
>90
>1950
>30
>30
>30
>30
>30
UKBO max,
UK3R max,
Uk3O max,
В
25
25
28
28
30* @,01к)
30* @,01k)
300* A0k)
250* A0k)
160* A0k)
300
250
160
45
45
60
100
100
100
USBO max,
В
2,5
2,5
2,5
2,5
3,5
3,5
5
5
5
5
5
5
3,5
5
5
5
5
5
IK max,
-*
IK, и max,
мА
250
450
180
180
400
400
0,1@,3*) A
0,1 @,3*) A
0,1 @,3*) A
100 C00*)
100 C00*)
100 C00*)
1,5 C*) A
2 F*) A
2 F*) A
2 F*) A
2 F*) A
2 F*) A
Ikbo,
li<3R,
Iioo,
mkA
<2 мА B5 B)
<5 мА B5 B)
<1 mAB8B)
<1 мА B8 B)
<2 мА(ЗОВ)
<2 мА C0 B)
<0,05 мА B50В)
<0,05 мА B00 B)
<0,05 мА A00 B)
<50 hA B50 B)
<50 hA B00 B)
<50 hA A00 B)
<20 мА D5 B)
<0,l мА D5 B)
<0,l мА F0 B)
<0,l мА A00 B)
<1 mAA00B)
<1 мА A00 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
205
П21э, 1*213
Ск,
С*2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, Вт
Хк,ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
<5,5 B0 В)
<7,5 B0 В)
>1,6** E ГГц)
>3,2** E ГГц)
0,78
0,6
<4 B0 В)
<4,5 B0 В)
>1** E ГГц)
>1** E ГГц)
<2
<2
40...200* A2 В; 0,2 А)
20...200 A2 В; 0,2 А)
<5,5 A2 В)
<6 A2 В)
<9
>25* A0 В; 30 мА)
>25* A0 В; 40 мА)
>25* A0 В; 30 мА)
4,2
4,2
4,2
C0
C0
C0
В)
В)
В)
<33
<33
<33
>25* A0 B; 30 мА)
>25* A0 B; 30 мА)
>25* A0 B; 30 мА)
<40
<40
<40
<25 B8 B)
>2,5**
>8** B ГГц)
<3
40...200* B В; 0,15 A)
40...160* B В; 0,15 A)
40... 120* B В; 0,15 A)
20...60* B В; 0,15 А)
30...100* B В; 0,15 А)
<0,6
<0,6
<0,6
206
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ944А
КТ945А
КТ946А
КТ947А
КТ948А
КТ948Б
КТ955А
КТ956А
КТ957А
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
55* Вт (90°С)
50* Вт E0°С)
37,5* Вт
200* Вт E0°С)
40* Вт
20* Вт
20* Вт A00°С)
70** Вт A00°С)
100** Вт (ЮО'С)
frp, fh216,
г**
v Ih2l3,
•max»
МГц
>105
>51
>72О
>75
>1950
>1950
>100
>100
>100
UkBO max,
Ui<3R max,
Uk3O max,
В
100* @,01k)
150* A0 Ом)
50
100* @,01k)
45
45
70* @,01k)
100* @.01k)
60* @,01k)
UsBO max,
В
5
5
3,5
5
2
2
4
4
4
IK max,
Ik, и max,
mA
12,5 B0*)A
15 B5*) A
2,5 E*) A
20 E0*) A
2,5 E*) A
1,25 B,5*) A
6 A
15 A
20 A
Ikbo,
iioR,
Iioo,
mkA
<80* mAA00B)
?25* мА A50 B)
<50 мА E0 B)
<100* мА A00 B)
<35 мА D5 B)
<15|^Д D5 В)
<10 мА F0 B)
<80* мА A00 B)
<100* мА F0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
207
10...80* E В; 10 А)
<350 B8 В)
<0,25; >10**
^100** C0 МГц)
КТ944
10...60* G В; 15 А)
<200 C0 В)
<0,17
<1,1* мкс
<50 A0 В)
>27** A МГц)
10...80* E В; 20 А)
<850 B7 В)
>10*<
^250** A,5 МГц)
<30 B8 В)
<17 B8 В)
>6,5**
>6,5**
>15** B ГГц)
>8** B ГГц)
10...80* E В; 1 А)
<75 B8 В)
>20*
>20** C0 МГц)
10...80* E В; 1 А)
<400 B8 В)
>20*<
>100** C0 МГц)
10...80* E В; 5 А)
<600 B8 В)
>17**
>125**(ЗОМГц)
208
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ958А
КТ960А
КТ961А
КТ961Б
КТ961В
КТ961Г
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ963А-2
КТ963Б-2
КТ963А-5
КТ963Б-5
КТ965А
КТ966А
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max,
PR, t max»
Рк, и max,
мВт
85** Вт D0°С)
70** Вт D0°С)
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
1 A2,5*) Вт
17** Вт D0°С)
27** Вт D0°С)
66** Вт D0°С)
1,1* Вт
1.1* Вт
1,1* Вт
1.1* Вт
32* Вт
64* Вт
frp, fh216,
t**
1Ь21э,
****
•max,
МГц
>300
?600
>50
>50
>50
>50
>750
>750
>600
>100
>100
иКБОтах,
UK3R max,
Uioo max,
В
36* @,01k)
36* @,01к)
100* (Ik)
80* (Ik)
60* (Ik)
40* (Ik)
50
50
50
18
18
18
18
36* @,01k)
36* @,01k)
UsBO max,
В
4
4
5
5
5
5
4
4
4
1.5
1,5
1,5
1,5
4
4
/
Ik max,
IK, и max,
mA
10 A
7 A
1.5 B*) A
1.5 B*) A
1,5 B*) A
2C*) A
1,5 A
2,5 A
4A
210
185
210
185
4 A
8 A
Ikbo,
Iksr,
Irao,
mkA
<25* mA C6 B)
<20* mA C6 B)
<10 F0 B)
<10 F0 B)
<10 F0 B)
<10 F0 B)
<20 mA E0 B)
<20 mA E0 B)
<30 mA E0 B)
<1 mAA8B)
<1 mAA8B)
<1 mA A8 B)
<1 mAA8B)
<10* mA C6 B)
r
<23* mA C6 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
209
>10* (8 В; 0,5 A)
<180 A2 B)
0,16; >4**
>4O** A75 МГц)
12
<120 A2 B)
0,16; >2,5**
>40** D00 МГц)
12,5
40... 100* B В; 0,15 A)
63...160* B В; 0,15 А)
100...250* B В; 0,15 А)
2O...5OO* B В; 0,15 А)
<20 B8 В)
<35 B8 В)
<50 B8 В)
>4**
>3,5**
>3**
>10** A ГГц)
>20** A ГГц)
>40** A ГГц)
1,5 E В)
1,5 E В)
>3** A0 ГГц)
>3** A0 ГГц)
>0,8** A0 ГГц)
>0,5** A0 ГГц)
1,5 E В)
1,5 E В)
>3** A0 ГГц)
>3** A0 ГГц)
>0,8** A0 ГГц)
>0,8** A0 ГГц)
10...60* E В; 1 А)
<100A2,6В)
>13**
>20** C0 МГц)
<250 A2,6 В)
>40** C0 МГц)
210
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ967А
КТ969А
КТ969А-5
КТ970А
КТ971А
КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
КТ973А
КТ973Б
КТ973В
КТ973Г
КТ976А
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
Рк maxi
PR. т maxt
Рк, н max»
мВт
100** Вт
1 F*) Вт
, 6* Вт
170** Вт
200** Вт
8* Вт
8* Вт
8* Вт
8* Вт
8* Вт
8* Вт
8* Вт
8* Вт
75** Вт D0°С)
frp, fh216,
***
fh21s,
Imax,
МГц
SI 80
?60
?60
?600
?220
>200
?200
>200
?200
?200
?200
?200
?200
?750
UkBO maxt
Uk3R max»
11КЭО max,
В
36* @,01k)
300
300
50* @,01k)
50* @,01k)
60* (Ik)
45* (Ik)
60* (Ik)
60* (Ik)
60* (Ik)
45* (Ik)
60* (Ik)
60* (Ik)
50
USBO max»
В
4
5
5
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
4
Ik max»
-•
IK, и max»
mA
15 A
100 B00*)
100B00*)
13 A
17 A
4* A
4* A
2 A
2A
4* A
4* A
2A
2A
6 A
Ikbo,
Iksr»
1кэо,
мкА
<20* mA C6 B)
<0,05 B00 B)
^50 нА B00 B)
100* mA E0 B)
<60* mA E0 B)
?1*mAF0B)
<1* mAD5B)
?1*mAF0B)
<1*mAF0B)
^1*mAF0B)
<1*mAD5B)
<1*mAF0B)
<1* mA F0 B)
^60 mA E0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
211
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, ОМ
Ку,р, дБ
Кш, дБ
га, Ом
Рвых, ВТ
Хк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
10...100* E В; 5 А)
<500 A2,6 В)
>18*
>90** C0 МГц)
50...250* A0 В; 15 мА)
?1,8 C0 В)
<60
>50* A0 В; 15 мА)
<70
180 B8 В)
<330 B8 В)
>3
>100** D00 МГц)
<150** A75 МГц)
<25
<40
>750* C В; 1 А)
>75О* C В; 1 А)
75O...5OOO C В; 1 А)
750...50О0 C В; 1 А)
<3
<3
<200*
<200*
<200*
<200*
>750* C В; 1 А)
>750* C В; 1 А)
75O...5OOO C В; 1 А)
750...50ОО C В; 1 А)
<200*
<3
<3
<2
^200*
<200*
?70 B8 В)
^60** A ГГц)
<25
212
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ977А
КТ979А
КТ980А
КТ980Б
КТ981А
КТ983А
КТ983Б
КТ983В
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, т max»
г»**
* К, и max»
мВт
200** Вт (85°С)
75* Вт
300* Вт
300* Вт
70* Вт
8,7* Вт
13* Вт
22,5* Вт
1,4* Вт
4,7* Вт
105* Вт
frp, fh216,
-**
1Ь21э,
,*•¦
• max»
МГц
>600
>150
?150
>1200
>900
?750
?720
>720
>660
УкБО max,
Uk3R max,
Uk3O max,
В
50
50
100* @,01к)
100* @,01к)
36* @,01к)
40* @,01k)
40* @,01к)
40* @,01к)
65
65
50* @,01k)
UsBO max,
В
3,5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
IK max»
Ik, и max,
mA
8* A
5 A; 10* A
15 A
15 A
10 A
0,5 A
1 A
2A
7* A
16* A
17A
Ikbo,
Ik3R,
?**
1кэо,
мкА
<25 mA E0 B)
<100 mA E0 B)
<100mAA00B)
<100 mA A00 B)
<50* mA C6 B)
<5* mA D0 B)
<8* mA D0 B)
<18* mA D0 B)
<30 mA F5 B)
<80 mA F5 B)
<120* mA E0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
213
П21э, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, ДБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Ршх, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
tebiiui, НС
Корпус
>50** A,5 ГГц)
КТ977
>50** A,3 ГГц)
A0 В; 5 А)
A0 В; 5 А)
?450 E0 В)
<450 E0 В)
>25** C0 МГц)
?5** (80 МГц)
>250** C0 МГц)
>250* (80 МГц)
10...90* E В; 5 А)
?400 A2,6 В)
>50** (80 МГц)
?20* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
<& B8 В)
<12 B8 В)
?24 B8 В)
?4**
>3,6**
>3,2**
>0,5** (860 МГц)
>!** (860 МГц)
>3,5** (860 МГц)
<35 C0 В)
?80 C0 В)
>5**
>4**
>75** (820 МГц)
>250** (820 МГц)
?20
?20
?270 B8 В)
2Й.5* <
>125** @,4 ГГц)
?21
214
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТ986А
КТ986Б
КТ986В
КТ986Г
КТ991АС
КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
КТ996А-5
КТ996Б-5
КТ996В-5
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
PR, т max»
г»**
гК, и max,
мВт
910** Вт
910** Вт
910** Вт
910** Вт
67* Вт
2.5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2.5* Вт
2,5* Вт
2.5* Вт
50* Вт .
50* Вт
50* Вт
1,6 Вт; 5* Вт
frp, fh216,
fh2l3,
Imax»
МГц
—
>600
>4ГГц
>4 ГГц
>4 ГГц
?4 ГГц
>4ГГц
>4 ГГц
>51
?51
?51
?60
ЧКБО max,
Ui<3R max,
Uk3O max,
В
50
50
50
50
50
20
20
20
20
20
20
45
45
60
250
ЧэБО max,
В
3
3
3
3
4
2.5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
5
5
5
5
Ik max,
т*
IK, и max,
мА
26* А
26* А
26* А
26* А
3,7 А
200 @,3* А)
200 @,3* А)
. 200 @,3* А)
200 @,3* А)
200 @.3* А)
200 @,3* А)
10 B0*) А
10 B0*) А
10 B0*) А
50A00*)
1КБО,
Iksr,
1кэо,
мкА
<60 мА E0 В)
<50 мА E0 В)
<50 мА E0 В)
?40 мА E0 В)
?50 мА E0 В)
<1* мАB0В)
?1* мАB0В)
<1*мАB0В)
?5 мА B0 В)
?5 мА B0 В)
й5 мА B0 В)
?10 мА D5 В)
<10 мА D5 В)
?10мАF0В)
<0,1 B50 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
215
3,8
4
5
5
>6**
>6**
>7**
>7**
>350**
A,4... 1,6 ГГц)
>300** A,6 ГГц)
>350** A,6 ГГц)
>350** @,8 ГГц)
КТ986
<75 B8 В)
>55** @,7 ГГц)
<6,8
>35* A0 В; 0,1 А)
>70*A0В;0,1 А)
>35* A0 В; 0,1 А)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
>0,11** F50 МГц)
>35* A0 В; 0,1 А)
>70* A0 В; ОД А)
>35* A0 В; 0,1 А)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
>0,11**F50МГц)
>40* A В; 4 А)
>20*A В; 4 А)
>20* A В; 4 А)
<27ОAОВ)
<270A0В)
<0,125
<0,125
<0,125
<500*
<500"
>50 A0 В; 25 мА)
<2 C0 В)
<66
216
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.4. Параметры кремниевых сборок
Тип
прибора
КТСЗОЗА-2
КТС3103А
КТС3103Б
КТС3103А1
КТС3103Б1
КТС3161АС
КТС3174АС-2
КТС381Б
КТС381В
КТС381Г
КТС381Д
КТС381Е
Струк-
тура
р-п-р,
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1 п-р-п,
2 р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
РК max»
РК, t max,
Рк, и max,
мВт
500 E0°С)
300 E5°С)
300 E5°С)
300
300
300
150
15
15
15
15
15
frp, fh216,
fh213,
'max,
МГц
>300
>600
>600
>600
>600
>400
600
—
UkBO max,
UiCR max,
UJQO max,
В
,45* (Юк)
15* A5k)
15* A5k)
15* A5k)
15* A5k)
12
10
25
25
25
25
25
•
USBO max,
В
5
5
5
5
4
1
6,5
6,5
6,5
6,5
6,5
Ik max,
Ik, и max,
mA
100 E00*)
20 E0*)
20 E0*)
20E0*)
20 E0*)
200
7,5
15
15
15
15
/ 15
/
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
<0,5 D5 B)
?200 A5 B)
<200 A5 B)
?0,2 мА A5 B)
<0,2 mAA5B)
<10A2 B)
<1 A0 B)
<30 E B)
<30 E B)
<30 E B)
<30 E B)
<30 E B)
Параметры кремниевых сборок
217
40...180 E В; 1 мА)
<8 E В)
<20
>0,7*
<80
40...200 A В; 1 мА)
40...200A В; 1 мА)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<60
<60
<5 F0 МГц); >0,9*
<5 F0 МГц); >0,8*
<3**
<5**
<80
<80
40...200A В; 1 мА)
40...200A В; 1 мА)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<60
<60
>0,8"
<80
<80
>20 A В; ОД А)
<8
>80 E В; З мА)
0,65 F B)
A00 МГц)
>40 E B; 10 mkA)
>30 E B; 10 mkA)
>20 E B; 10 mkA)
>20 E B; 10 mkA)
>20 E B; 10 mkA)
<1,5EB)
<1,5 E B)
<1,5EB)
<1,5 E B)
<1,5EB)
<5
<5
<5
>0,9*; <4**
>0,85*; S4
>0,9*
218
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТС393А
КТС393Б
КТС393А-1
КТС393Б-1
КТС393А-9
КТС393Б-9
КТС394А-2
КТС394Б-2
КТС395А-1
КТС395Б-1
КТС395А-2
КТС395Б-2
КТС395В-2
КТС398А-1
КТС398Б-1
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк max»
Рк, t max»
Рк, и max»
мВт
20 D5°С)
20D5°С)
20
20
20
20
300*
300*
30
30
150 E00**)
150 E00**)
150E00**)
30(85вС)
30(85°С)
frp, fh2t6,
fh213,
•max»
МГц
>500
?500
2>5OO
>500
>500
>500
?300
>300
>300
>300
?300
>300
?300
>1000
>1000
UkBO max,
UK3R max,
Uk3O max,
В
10* (Юк)
15* (Юк)
10A5
10
15
45* (Юк)
45* (Юк)
45* (Юк)
45* (Юк)
45* (Юк)
45* (Юк)
45* (Юк)
10* (Юк)
10* (Юк)
USBO max,
В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
Ik max,
1к, и max,
мА
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
100
100
20
20
100
100
100
10 B0*)
10 B0*)
1кбо,
IK3R,
.**
1кэо,
мкА
<0,1 A0 В)
<0,2 A5 В)
?0,1 A0 В)
<0,2 A5 В)
<0,1 A0 В)
?0,2.05 В)
<0,5 D5 В)
?0,5 A0 В)
<0,5 D5 В)
?0,5 A0 В)
<0,5 D5 В)
45* (Юк)
45* (Юк)
?0',5 A0 В)
?0,5 A0 В)
Параметры кремниевых сборок
219
Ск, С|2э,
пФ
ГКЭ нас,
*
ГБЭ нас,
Ом
Кш> дБ
*6, мВ
Тк, пс
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
40... 180A В; 1 мА)
30...140 A В; 1 мА)
?2 E В)
?2 E В)
?60
?60
<6 F0 МГц); >0,9*
<6 F0 МГц); >0,8*
<80
<80
40... 180 A В; 1 мА)
30...140 A В; 1 мА)
<2EВ)
й2 E В)
<60
<60
?6 F0 МГц)
<6 F0 МГц)
<80
<80
40...180 A В; 1 мА)
30... 140A В; 1 мА)
?2 E В)
?2 E В)
<60
<60
<6 F0 МГц)
<6F0МГц)
<80
<80
40...120 E В; 1 мА)
100...300 E В; 1 мА)
<8A0В)
<8 A0 В)
?30
<30
40... 120 E В; 1 мА)
?350 E В; 1 мА)
йВ A0 В)
<8 A0 В)
<30
<30
<10*"
4О...12ОEВ; 1 мА)
100...300 E В; 1 мА)
>350 E В; 1 мА)
A0 В)
A0 В)
A0 В)
S30
?30
?230
<10*
40...250 A В; 1 мА)
40...250 A В; 1 мА)
?1,5 E В)
?1.5 E В)
0,8...1,25*;?1,5**
0,9...1,1*;?3**
?50
?50
220
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КТС398А94
КТС398Б94
КТС613А
КТС613Б
КТС613В
КТС613Г
КТС622А
КТС622Б
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
КТ674АС
КТ693АС
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
- п-р-п
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
Рк max»
Рк, t max»
Рк, и max»
мВт
30
_ 30
800E0вС)
800 E0'С)
800 E0°С)
800 E0°С)
0,4 A0**) Вт
0,4 A0**) Вт
4 Вт E5°С)
4 Вт E5вС)
4 Вт E5°С)
4 Вт E5'С)
900
600
*
frp, fh216,
fh213,
«max»
МГц
>1 ГГц
?1 ГГц
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?350
?350
?350
?350
?250.
UkBO max,
Ui<3R max,
UioO max,
В
10* (Юк)
10* A0k)
60
60
40
40
45* (Ik)
35* (Ik)
30
30
60
60
40
150
USBO max»
В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
Ik max,
Ik, и max,
mA
10 B0*)
10 B0*)
400 (800*)
400 (800*)
400 (800*)
400 (800*)
400 F00*)
400 F00*)
1 A.3*) A
1 A.3*) A
1 A.3*) A
1 A.3*) A
0.2 A @.5* A)
150 B00*)
Ikbo,
Iksr,
1кэо,
мкА
$0,5 A0 B)
$0,5 A0 B)
$8 F0 B)
<8 F0 B)
<8 D0 B)
<8 D0 B)
$10 D5 B)
$20 C5 B)
$200 C0 B)
$50 C0 B)
$50 F0 B)
$200 F0 B)
$0,05 C0 B)
$10* A20 B)
Параметры кремниевых сборок
221
э, П21Э
Ск, С*2э,
пФ
ГКЭ нас»
ГБЭ нас,
Ом
Кш, дБ
1121э1/Ь21э2,
^б, мВ
Хк, пс
tpac, НС
¦**
1выкл> НС
Корпус
40...250 A В; 1 мА)
40...250 A В; 1 мА)
<1,5 E В)
?1,5 E В)
0.8...1.25*
<50
<50
25...100* E В; 0,2 А)
40...200* E В; 0,2 А)
20..Л20* E В; 0,2 А)
50...300* E В; 0,2 А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
?15 A0 В)
<2,5
<2,5
<2,5
<2,5
<100*
<100*
<100*
<100*
25... 150* E В; 0,2 А)
E В; 0,2 А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<3,25
<3,25
<120*
<200*
2О...115*A В; 0,3 А)
20...125* A В; 0,3 А)
20...125М1 В; 0,3 А)
20...115* A В; 0,3 А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
<2,8
?12
<12
<2,8
<40; <30*
<40; <30*
<40; <60*
<40; <60*
75 A В; 10 мА)
<4,4 A5 В)
<25
<30
>40 E В; 0.1 А)
<4
222
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
прибора
КШТ251
КШТ661А
К129НТ1А-1
К129НТ1Б-1
К129НТ1В-1
К129НТ1Г-1
К129НТ1Д-1
К129НТ1Е-1
К129НТ1Ж-1
К129НТ1И-1
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Pk max»
PR, t max,
"К, и max»
мВт
400 E0eC)
100 E0°C)
15 (85°C)
15 (85'C)
15 (85°C)
15 (85X)
15 (85°C)
15(85°C)
15 (85eC)
15 (85°C)
frp, fh216,
1И21Э,
Imax»
МГц
>200
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
>250
UkBO max,
Uk3R max,
Ui<30 max,
В
45* (Ik)
300
15
15
15
15
15
15
15
15
ЧЭБО max,
В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
IK max»
IK, и max,
mA
400 (800*)
5A0*)
оооооооо
оооооооо
1КБО,
lib»,
ifoo,
мкА
' <6 mA D5 B)
<30 B50 B)
<0,2 A5 B)
<0,2 A5 B)
<0,2A5B)
<0,2 A5 B)
<0,2 A5 B)
<0,2 A5 B)
<0,2 A5 B)
<0,2 A5 B)
Параметры кремниевых сборок
223
э, П21Э
Ск, С*2э,
пФ
ГКЭ нас,
ГБЭ нас.
Ом
Кш.дБ
h2I*l/h21s2,
Диэ*б, мВ
Тк, пс
pac, НС
**
euwi, НС
Корпус
?10* E В; 0,2 А)
<15 A0 В)
<5
<200«
?5* E В; 10 мА)
<1000
20...80 E В; 1 мА)
60...80 E В; 1 мА)
?80 E В; 50 мкА)
20...80 E В; 1 мА)
60...80 E В; 1 мА)
?80 E В; 50 мкА)
4О...16ОEВ; 1 мА)
40... 160 E В; 1 мА)
<4 E В)
<4 E В)
?4 E В)
?4 E В)
<4 E В)
<4 E В)
<4 E В)
?4 E В)
?0,85*;
?0,85*;
?0,85*;
?0,75*;
?0,75*;
?0,75*;
?0,85*;
?0,75*;
<3**
<3**
<3**
^15**
^15**
<15**
^3**
<15**
224 * Раздел 3. Полевые транзисторы
Раздел 3. Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании эффекта внешнего электрического
поля для управления проводимостью. Их еще называют униполярными, так как перенос тока
осуществляется носителями заряда одного типа (в отличие от биполярных транзисторов, где носите-
лями заряда являются дырки и электроны).
Особенностями полевых транзисторов являются высокое входное сопротивление, малые шумы,
повышенная температурная стабильность, квадратичность переходной (проходной) характеристики,
что позволяет получать малый уровень перекрестных и модуляционных помех по сравнению с
биполярными транзисторами.
Полевые транзисторы по принципу действия подразделяются на транзисторы с управляющим р-п
переходом и МДП-транзисторы (в частности, МОП-транзисторы, имеющие структуру металл-окисел-
полупроводник). Управляющим электродом служит затвор.
В транзисторах с управляющим переходом затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п
переходом. В МОП-транзисторах (их называют также транзисторами с изолированным затвором),
затвор отделен от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используются
пленки двуокиси кремния, нитрида кремния и окиси алюминия.
В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или
р-типа. Например, МОП-транзисторы с каналом n-типа основаны на электронной проводимости
(носители зарядов — электроны), а с каналом р-типа .>— на дырочной проводимости. У п-канальных
приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, *а к выводу истока прикладывается
больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т.е. полярность напряжения стока положи-
тельная), а у р-канальных — наоборот.
Существуют два основных режима работы полевых транзисторов: обеднения (проводимость
канала может быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения
изи) и обогащения (проводимость канала может быть увеличена в результате приложенного напряже-
ния изи определенной полярности). У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе
изи=0 протекает небольшой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях изи,
близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально
закрытыми. В частности, полевые транзисторы с управляющим р-п переходом являются нормально
открытыми; они закрываются (т.е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря-
жении, называемом напряжением отсечки. По конструктивно-технологическим признакам, полевые
транзисторы подразделяются на приборы с встроенным и индуцированным каналами. Встроенный
канал создается технологическими приемами, а индуцированный канал наводится в поверхностном
слое полупроводника в результате воздействия поперечного электрического поля.
В транзисторах со встроенным каналом (например, КП305, КПЗ 13) уменьшение тока на выходе
осуществляется подачей на затвор напряжения с полярностью, соответствующей знаку носителей
заряда в канале (для р-канала изи>0, для n-канала 11зи<0), что вызывает обеднение канала носителями
заряда. При изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями
и выходной ток увеличится. Такие приборы могут работать в режимах обеднения и обогащения.
В транзисторах с индуцированным каналом при U3=0 В канал отсутствует и только при
напряжении, равном пороговому, образуется (индуцируется) канал. Такие приборы работают только в
режиме обогащения (нормально закрытый прибор).
В полевых транзисторах с управляющим р-п переходом канал существует только при U3=0, т.е.
они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда
(нормально открытый прибор). Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
(зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) подобны
характеристикам усилительных ламповых пентодов.
В отличие от транзисторов с управляющим р-п переходом (у них рабочая область находится между
О и изИзап), МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любом значении
напряжения на§ затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
В графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом имеют штриховую линию
в обозначении канала, а со встроенным каналом — сплошную; стрелки определяют тип канала:
направлена к каналу — канал n-типа, от канала — канал р-типа.
Полевые транзисторы
225
В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора)
от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она
отделена только р-n переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же
требуется иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами
(МОП-тетроды — КП322, КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не
требуют цепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет
нормированную квадратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро-
ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ.
Графическое обозначение полевых транзисторов.
Тип канала
п-канал
р-канал
Класс прибора
Транзистор с одним
затвором
Транзистор с двумя
затворами (тетрод)
Транзистор с одним
затвором
Транзистор с двумя
затворами (тетрод)
С р-n переходом
нормально открытый
(с обеднением)
\-°
У-С
3 -*+- И
С изолированным затвором
нормально открытый
(с обеднением)
3->&-И
3->у-и
нормально закрытый
(с обогащением)
•—С
i— С
3-&-И
Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувствитель-
ны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защиты
между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны). МОП-транзисторы
имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с полевыми транзисторами
с р-n переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах.
Среди мощных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом необходимо отметить
транзисторы со статической индукцией (например, КП801). Они имеют выходные характеристики,
подобные ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов,
используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при
больших токах стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень
шумов; низкое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагруз-
кой.
Рассмотрим назначение некоторых конкретных типов полевых транзисторов.
АП320 (А-2, Б-2) — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
пленарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-тйпа. Предназначены для применения
в малошумящих СВЧ усилителях (Кш^4,5-6 дБ на 8 ГГц, Ку,р>3 дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -6О...+85°С.
АП325А-2 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш^2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС.
АП328А-2 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш^4,5 дБ на 8 ГГц, Ку>р>9 дБ) в
составе ГИС.
АП362А9 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа в корпусе для поверхно-
стного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразовательных
СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+7О°С.
АП379А9 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в
корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных
телевизионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах 100...2000 МГц. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -6О...+7О°С.
АП602 (А2-Д2) — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
226 Раздел 3. Полевые транзисторы
для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне частот
3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -
6О...+85°С
АП603 — арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки
и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобра-
зователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц.
АП605 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в
малошумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+85°С.
АП606 — арсенидгаллиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом
n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях
частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
АП608 — арсенидгаллиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом
n-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в составе
ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц.
АП967 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа с
внутренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилите-
лях мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
КШ01 (Г-Е) — малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором
на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45...+85°С.
КШОЗ (Е-М) — малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -55...+85°С.
КП201 (Е-Д-1) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа-
ющей среды -4О...+85°С.
КП202 (Д-Е-1) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа-
ющей среды -4О...+85°С.
КП301 (Б-Г) — малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и
нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе-
ратур окружающей среды -45...+70°С.
КП302 (А-Г, АМ-ГМ) — высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с
затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных
усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
КПЗОЗ (А-И) — высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисто-
ры с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ — в зарядочувствительных
усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружающей
среды -4О...+85°С.
КП304А — диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуци-
рованным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных каскадах
с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
КПЗО5 (Д-И) — высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы
с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и
низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+125°С.
Полевые транзисторы 227
КП306 (А-В) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя
изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных
и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружа-
ющей среды -6О...+125°С.
КП307 (А-Ж) — малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей
высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувствительных
усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды
-4О...+85°С.
КП308 (А-Д) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения: КП308 (А-В) — во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока;
КП308 (Г-Д) — в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
КП310 (А, Б) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро-
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устройст-
вах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+125°С.
КП312 (А, Б) — малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и
преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+1ОО°С.
КП313 (А-В) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро-
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с
высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
КП314А — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе
р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предваритель-
ных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-17О...+85вС.
КП322А — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на
основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных
каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
КП323 (А-2, Б-2) — бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми
выводами и приклеиваемой керамической крышкой эпитакриально-планарные полевые транзисторы с
затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих
усилительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+7О°С.
КП327 (А-Г) — кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затвора-
ми (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах
телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательно-
сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45...+85°С.
КП329 (А, Б) — высокочастотные малошумящие полевые транзисторы на основе р-n перехода
с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200
МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
КП341 (А, Б) — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе р-п
перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -60...+125°С.
КП346 (А9, Б9) — малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя
изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа. Диапа-
зон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
КП347А2 — малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затворами,
двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах радиопри-
емников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
КП350 (А-В) — диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными
затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и
228 Раздел 3. Полевые транзисторы
преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружа-
ющей среды -45...+85°С.
КП401 (АС, БС) — сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран-
зисторов A-й и 3-й транзисторы с п-каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р- каналом). Предназначены для
работы в переключающих иимпульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды
-45...+85°С.
КП402А — полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко-
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6O...+7GeC/
КП403А — полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко-
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О.,.+7О°С.
КП601 (А, Б) — сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые
транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во
входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
КП704 (А, Б) — эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных
каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45...+85°С.
КП705 (А-В) — мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом
n-типа. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источни-
ках электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.
КП707 (А-В) — мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс-
ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
КП709 (А, Б) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных
устройствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+100°С.
КП712 (А-В) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных
устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
КП801 (А-Г) — мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзистора (СИТ)
с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Имеют характеристики, подобные ламповому
триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппарату-
ры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью и
крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-4О...+85°С.
КП802 (А, Б) — мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
каналом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и
линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
КП804А — эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устрой-
ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
КП805 (А-В) — мощные МДП-полевые транзисторы- с каналом n-типа. Предназначены для
применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -6О...+85°С.
КП901 (А, Б) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах
в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+125°С.
КП902 (А-В) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
КП903 (А-В) — мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе р-п
перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах
до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...-Н00°С.
Полевые транзисторы 229
КП904 (А, Б) — мощные пленарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, преобразовательных и
генераторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -6О...+125°С.
КП905 (А, Б) — мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до
1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.
КП907 (А, Б) — мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.
КП908 (А, Б) — планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до 2,25 ГГц и
быстродействующих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -4О...+85°С.
КП921А — мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю-
щих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
КП923 (А-Г) — мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17...50 Вт на
частоте 1 ГГц.
КП928 (А, Б) — мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи-
сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до 400
МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -6О...+125°С.
КП937 (А, А-5) — мощные планарные полевые транзисторы с р-n переходом и вертикальным
каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобразо-
вателях напряжения, импульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+125°С.
КП938 (А-Д) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-n переходом и
вертикальным каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках
электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях
низкой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+125°С.
КП944 (А, Б) — мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом р-типа.
Предназначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких
магнитных дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
КП945 (А, Б) — мощные МДП-транзисторы с каналом n-типа. Предназна.чены для применения
в импульсных и переключательных схемах.
КП951 (А2-В2) — бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиально-
планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для
применения в СВЧ усилителях и генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+85°С.
КПС104 (А-Е) — сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзисто-
ры с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей
постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей
среды -45...+85вС.
КПС2О2 (А2-Г2) — сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные
малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназна-
чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите-
лей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением
(например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже
транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с
защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом
(минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее
0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более 3°С/мВт. При
пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен
превышать +125°С. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+7О°С.
230
Раздел 3. Полевые транзисторы
КПС203 (А1-Г1) — сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
малошумящие планарно-диффузионные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и
каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих
дифференциальных и операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким
входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба
должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба — не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки — не менее
1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов свыше +125°С. Диапазон рабочих температур окружаю-
щей среды —45...+85°С,
КПС315 (А, Б) — сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на
основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах диффе-
ренциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Диапазон рабочих температур
окружающей среды-60...+100°С.
КПС316 (Д1-И1) — сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом п-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных
каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на индивидуальной
или групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов в соответствии со стандартом МЭК
(публикация 747-8, 1984 г.) приводятся ниже.
Буквенное обозначение по ГОСТ 19095-73
отечественное
1з
13 отс
13 пр
13ут
1зио
1зсо
1и
Ж нач
1И ост
1с
1с нагр
1С нач
1С ост
In
и3и
U3H обр
U3H отс
U3H пор
U3H пр
U3 проб
U3n
международное
Ig
Igsx
Igf
Igss
Igso
Igdo
!s
ISDS
ISDX
Id
Idsr
Idss
Idsx
Ib, Iu
Ugs
Ugsr
UgS(OFF), UGS(off)
UGST, UGS(th), UgS(TO)
Ugsf
U(BR) GSS
Ugb, Ugu
Параметр
Ток затвора (постоянный).
Ток отсечки затвора.
Прямой ток затвора.
Ток утечки затвора.
Обратный ток перехода затвор-исток.
Обратный ток перехода затвор-сток.
Ток истока (постоянный).
Начальный ток истока.
Остаточный ток истока.
Ток стока (постоянный).
Ток стока при нагруженном затворе.
Начальный ток стока.
Остаточный ток стока.
Ток подложки.
Напряжение затвор-исток (постоянное).
Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором
и истоком (полевого транзистора с р-n переходом и с изолирован-
ным затвором.
Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затво-
ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором.
Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-ис-
ток при замкнутых стоке и истоке.
Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
231
Буквенное обозначение по ГОСТ 19095-73
отечественное
Use
Шп
иси
Ucn
U31-U32
Реи
РСИ, т max
S
R3H
R3C
R3C0
Rch
RCH отк
Rch закр
Сзио
Сзсо
Ссио
Спи. Свх, и
С12и
С22и
С22с
gllH
g22n
Yiih
Yl2H
Y21h.
Y22h
Ky,P
международное
Ugd
Usb, Usu
Uds
Udb, Udu
UG1-UG2
Pds
—
gms
TGS, rgs
TGD, Tgd
TGSS, rgss
TDSi Tds
rDS(ON), rds(on), TDS on
rDS(OFF), rds(off), TDS off
Cgso
Cgdo
Cdso
Ciss, Cllss
Crss, Cl2ss
Coss, C22ss
Cods, C22ds
giss, glls
goss, g22s
Yis, Yns
Yrs, Yl2s
Yfs, Y21s
Yos, Y22s
Gp
Параметр
Напряжение затвор-сток (постоянное). .
Напряжение исток-подложка (постоянное).
Напряжение сток-исток (постоянное).
Напряжение сток-подложка (постоянное).
Напряжение затвор-затвор (для приборов с несколькими
затворами).
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
(постоянная).
Крутизна характеристики.
Сопротивление затвор-исток.
Сопротивление затвор-сток.
Сопротивление затвора (при Uds=O или Uds=O).
Сопротивление сток-исток.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление
между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при
заданном напряжении сток-исток.
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление
между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при
заданном напряжении сток-исток.
Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и исто-
ком.
Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
Выходная емкость транзистора — емкость между стоком и исто-
ком.
Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании
на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменно-
му току).
Активная составляющая входной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в
схемес общим истоком при коротком замыкании на входе).
Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто-
ком при коротком замыкании на выходе).
Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на входе).
Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yfc=gfc+gbfs=lD/UGS; на НЧ | Yfe =gfs).
Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы-
кании на входе).
Коэффициент усиления по мощности.
232
Раздел 3. Полевые транзисторы
Буквенное обозначение по ГОСТ 19095-73
отечественное
fY2lH
Еш
Кш
—
—
1ВКЛ
1выкл
t3fl,BIUI
t3fl,BbliUI
tHp
ten
международное
fVfs
Un
F
ID
CCrds
ton
toff
td(on)
td(off)
tr".
tf
Параметр
Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Шумовое напряжение транзистора.
Коэффициент шума транзистора.
Температурный коэффициент тока стока.
Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
Время включения транзистора.
Время выключения транзистора.
Время задержки включения.
Время задержки выключения.
Время нарастания
Время спада
Для сдвоенных полевых транзисторов:
1з(утI-1з(утJ
1С нач1/1с нач2
изи1-изи2
|AU3H1-U3H2)I/AT
g22Hl-g22n2
g2lHl/g2lH2
IGSS1-IQSS2
Idssi/Idss2
Ugsi-Ugs2
Ia(Ugsi-uGs2)I/at
gosl-gos2
gfsl/gfs2
Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изоли-
рованным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых
транзисторов с р-n переходом) .
Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток
Разность напряжения затвор-исток
Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значе-
ниями температуры
Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в
схеме с общим истоком
Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме
малого сигнала в схеме с общим истоком
234
Раздел 3. Полевые транзисторы
3.2. Параметры полевых транзисторов
Тип
прибора
Структура
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
изи отс,
В
UCH max,
U3C max,
В
ЧзИ max,
В
1с,
1с. и,
мА
1С нач,
ICoct, мА
Параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов
АП320А-2
АП320Б-2
АП324А-2
АП324Б-2
АП324В-2
АП324Б-5
АП325А-2
АП326А-2
АП326Б-2
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
80
80
80
80
80
80
25
30
30
III
4
4; 8*
4; 8*
4
4
4
4
2
6*
2,5; -5.5*
2.5; 5.5*
СЛ СЛ
со со со
3
4.5
4
4
III
Параметры полевых транзисторов
235
S, мА/В
Спи, С?2и,
С22и, ПФ
КсИотк, Ом
Ку.р, дБ
Рвых; Вт
дизй\ мВ
КШ| дБ
IJm, МкВ
Еш*. нВ/л/Гц"
<Г',Кл
tew, НС
1выкл» НС
fp*f МГц
дизи/дт***,
мкВ/Х
Корпус
Параметры арсенидгаллйевых полевых транзисторов
5...16
5...16
0,18; 0,15*
0,15*; 0,18**
>3* (8 ГГц)
>5* (8 ГГц)
<4,5 (8 ГГц)
<6 (8 ГГц)
>6* A2 ГГц)
>6* A2 ГГц)
>6* A2 ГГц)
<1,5 A2 ГГц)
<2 A2 ГГц)
<2,5 A2 ГГц)
>6* A2 ГГц)
<2 A2 ГГц)
>5 A,5 В; 10 мА)
>4,5* (8 ГГц)
<2 (8 ГГц)
B B; 8 мА)
B B; 8 мА)
>3* A7,4 ГГц)
>3* A7,4 ГГц)
,5 A7,4 ГГц)
<5,5 A7,4 ГГц)
23$
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
АП328А-2
АПЗЗОА-2
АПЗЗОБ-2
АПЗЗОВ-2
АП330В1-2
АП330В2-2
АПЗЗОВЗ-2
АП331А-2
АП331А-5
АП339А-2
АП343А-2
АП343А1-2
АП343А2-2
АП343АЗ-2
Структура
С барьером Шотки,
с двумя затворами
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
50
30
30
30
100
100
100
250
250 G0°С)
250
35
35
35
35
U3H отс,
иЗИ пор,
В
4 т
МММ
2,5...5
2Д..5
2...4
2...4
2...4
2...4
UCH max,
U3C max,
В
6
3;-6*
3;-6*
3; -6*
5; -7*
5; -7*
5;-7*
5;-8*
5; 8*
5,5; -7*
3,5; -6*
3,5; -6*
3,5; -6*
3,5; -6*
иЗИ max,
В
4; 6
МММ
4
со со со со
1с,
1с, и,
мА
МММ
—
1с нач,
1С ост, МА
МММ
>100 C В)
>20 B В)
>20 B В)
>20 B В)
>20 B В)
Параметры полевых транзисторов
237
S, мА/В
Сци, С*2и,
С22и, пФ
СИ отк, Ом
Kj,p, дБ
Рв'ых, Вт
зи*, мВ
КШ| дБ
11ш, мкВ
Е", нВ/УГц"
Q~ Кл
teiui, НС
1выкл, НС
fP", МГц
дизи/дт"*
мкВ/'С
Корпус
>7 D В; 8 мА)
>4 D В; 8 мА)
>9* (8 ГГц)
<4,5 (8 ГГц)
>5 E кГц)
>5 E кГц)
>5 E кГц)
>20 E кГц)
>20 E кГц)
>20 E кГц)
>3* A7,4 ГГц)
>3* B5 ГГц)
>6* B5 ГГц)
>8* A7,4 ГГц)
>8* A7,4 ГГц)
>8* A7,4 ГГц)
<6 B5 ГГц)
<4,5 B5 ГГц)
<3,5 B5 ГГц)
<2 A7,4 ГГц)
<1,5 A7,4 ГГц)
<1 A7,4 ГГц)
>15 E кГц)
^8* (Ю ГГц)
>0,03** A0 ГГц)
<2,5 A0 ГГц)
>15 D В; 40 мА)
>5,5* A0 ГГц)
>0,03** A0 ГГц)
<2,5 A0 ГГц)
. >10 E кГц)
>5* A7,4 ГГц)
>0,015** A7,4 ГГц)
<4 A7,4 ГГц)
>10 E кГц)
>20 E кГц)
>20 E кГц)
>20 E кГц)
>8,5* A2 ГГц)
>8,5* A2 ГГц)
>8,5* A2 ГГц)
>8,5* A2 ГГц)
<2 A2 ГГц)
<1,5 A2 ГГц)
<1,1 A2 ГГц)
<0,9 A2 ГГц)
238
Раздел 3. Полевые транзисторы
IliSill
АП344А-2
АП344А1-2
АП344А2-2
АП344АЗ-2
АП344А4-2
АП362А-9
АП362Б-9
АП379А-9
АП379Б-9
АП602А-2
АП602Б-2
АП602В-2
АП602Г-2
АП602Д-2
АП603А-2
АП603Б-2
АП603А-1-2
АП603Б-1-2
||||1рЩ||||11|||||1
IlilililEiiieWilliili
ЩёШШШШШшШ&ШШЁШШ
С барьером Шотки,
с п-каналом
С двумя затворами,
п-каналом
С двумя затворами
с п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
И!!
:Цв1И:
llliilillil
100
100
100
100
100
90
90
240
240
900
900
900
1800
1800
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
ilSilt
lililif
liiliSlilliiill
¦
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Ц||
1111111111111
4,5; -7*
5; -7*
5; -7*
5; -7*
5; -7*
4,5; -7*
4,5; -4,5*
10; 6*
8; -8*
7
7
7
7,5
7,5
—
—
lllljll
liliiii
iiiliiii
4
4
4
4
4
-4
4
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
iiiiii
111111111
—.
—
—
-
—
—
—
—
—
—
—
—
?S: I'¦:'.':'::'''.¦''.'-.'''¦ '¦' ¦•.¦'-''--¦' ''¦ :¦:-"-'-. --¦ '¦ '" ¦:-'
.^^¦¦^^¦¦¦¦V-kV'.'vl;^:'1.--^' ¦.- ¦¦.¦'. '¦-'?'''.'¦ ':¦ ¦.¦¦¦'-':
IlllftSlilii
—
—
—
—
>220 C B)
>180 C B)
>110 C B)
>440 C B)
>360 C B)
400; 5*
400; 5*
400; 5*
400; 5*
Параметры полевых транзисторов
239
щщш
|СцДй«:
ШШ1
llliiil
lKiiill
еа»
шшш.
>15 E кГц)
>40 E кГц)
>40 E кГц)
>40 E кГц)
>40 E кГц)
>10 D ГГц)
>10 D ГГц)
>10 D ГГц)
>10 D ГГц)
>15 A ГГц)
<1 D ГГц)
<0,7 D ГГц)
<0,5 D ГГц)
<0,3 D ГГц)
<0,3 A ГГц)
>15 C В; 20 мА)
>20 C В; 20 мА)
>9* A ГГц)
>9* A ГГц)
<1 A ГГц)
<1 A ГГц)
>20 E В; 10 мА)
>20 E В; 10 мА)
>16* @,8 ГГц)
>16* @,8 ГГц)
>14* A750 МГц)
<1,4 A ГГц)
<1,4 A ГГц)
<2,1 A750 МГц)
2О...1ООBВ)
20...80 B В)
20...70 B В)
40...200 B В)
4О...16ОBВ)
>0,18** A2 ГГц)
>2,6* A2 ГГц)
>0,1** A2 ГГц)
>3* A2 ГГц)
>0,2** (8 ГГц)
>3* (8 ГГц)
>0,4** A0 ГГц)
>2,6* A0 ГГц)
>0,5** (8 ГГц)
>3* (8 ГГц)
>50 C В; 0,4 А)
>80 C В; 0,4 А)
<4
>3* A2 ГГц)
>0,5** A2 ГГц)
<4;>3*;>1**
0,24
0,24
>50 C В; 0,4 А)
>80 C В; 0,4 А)
<4
>3* A2 ГГц)
>0,5** A2 ГГц)
<4
>3* A2 ГГц);>1**
0,24
0,24
240
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
АП603А-5
АП603Б-5
АП604А-2
АП604Б-2
АП604В-2
АП604Г-2
АП604А1-2
АП604Б1-2
АП604В1-2
АП604П-2
АП605А-2
АП605А1-2
АП605А2-2
АП606А-2
АП606Б-2
АП606В-2
АП606А-5
АП606Б-5
АП606В-5
Структура
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
2,5*
2,5*
900
900
500
500
900
900
500
500
450
41
450
450
2*
2*
2*
2*
2*
2*
U3H отс,
U3H пор,
В
—
1 1 1 1
1 1 1 1
<5,5
—
Ill
' —
UCH max,
U3C max,
В
—
7
7
7
7
8
8
8
8
6;-4*
6; -8*
6;-8*
8
8
8
ОО ОО ОО
В
3,5
3,5
со со со со
со со со со
—
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
1с,
1с, и,
мА
—
1 1 1 1
ММ
—
—
—
1С нач,
1С ост, мА
400; 5*
450; 5*
1 1 1 1
1 1 1 1
>150 C В)
—
160; 5*
160; 5*
160; 5*
160; 5*
160; 5*
160; 5*
Параметры полевых транзисторов
241
S, мА/В
Сии, С*2и,
С22и, пФ
RCH отк, Ом
Ку.р, дБ
Рвых, ВТ
ДЧзи*, мВ
Кш, дБ
Ui, мкВ
~, нВ/>/Гц~
<Г*. Кл
tutu, НС
Хвыкл, НС
fP", МГц
дизи/лт"*
мкВ/'С
Корпус
?50 C В; 0,4 А)
>80 C В; 0,4 А)
0,24
0,24
АП603-5
0,77 0,34
20...40 C В; 0,1 А)
15...40 C В; 0,1 А)
10...20 C В; 50 мА)
10...20 C В; 50 мА)
>3* A7.4 ГГц)
?0,2** A7,4 ГГц)
>3 A7,4 ГГц)
?0,125** A7,4 ГГц)
?3* A7.4 ГГц)
?0,075** A7,4 ГГц)
>3* A7,4 ГГц)
?0,005** A7,4 ГГц)
20...40 C В; 0,1 А)
15...40 C В; 0.1 А)
10...20 C В; 50 мА)
10...20 C В; 50 мА)
?0,2** A7,4 ГГц)
?0,125** A7,4 ГГц)
?0,075** A7,4 ГГц)
?0,05** A7,4 ГГц)
>30 D В; 30 мА)
^3,5 (8 ГГц)
>8* (8 ГГц)
>0,1** (8 ГГц)
<3,5 (8 ГГц)
>6* (8 ГГц)
>0.1**(8ГГц)
>7* (8 ГГц)
>0,15** (8 ГГЦ)
<2 (8 ГГц)
<1.5 (8 ГГц)
>70 C В; 0,25 А)
>90 C В; 0,25 А)
>100 C В; 0,25 А)
3E В)
3 E В)
3E В)
>4*A2ГГц)
>0.4** A2 ГГц)
>6* A2 ГГц)
>0,4** A2 ГГц)
>5* A2 ГГц)
>0.75** A2 ГГц)
tH=100
tH=100
tH=100
>70 C В; 0,25 А)
>90 C В; 0,25 А)
>100 C В; 0.25 А)
3E В)
3E В)
3 E В)
>4*
>0,4** A2 ГГц)
?6*
?0,4** A2 ГГц)
>5* A2 ГГц)
>0,75** A2 ГГц)
tH=100
tH=100
tH=100
242
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
АП607А-2
АП608А-2
АП608Б-2
АП608В-2
АП608А-5
АП608Д-5
АП608Е-5
АП915А-2
АП915Б-2
АП925А-2
АП925Б-2
АП925В-2
АП930А-2
АП930Б-2
АП930В-2
Структура
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
РСИ max,
мВт
• РСИ т max,
Вт
3.5*
0.6*
1,1*
1*
30
30
10
12*
12*
7*
16*
7*
21*
21*
21*
изи отс,
U3H пор,
В
—
—
—
—
UCH max,
U3C max,
В
8
—
7
7
9
9
9
8
8
8
и|и max,
В
5
со со со
со со со
ел ел
ел сп и\
ел ел ел
1с,
1с, и,
мА
—
—
—
—
1С нач,
1С ост, мА
?1600; ?5*
—
—
ЗА
>3,6 А C В)
ЗА
?4,5; ?15*
?4.5; ?15*
?4,5; ?15*
Параметры полевых транзисторов
243
S, мА/В
Спи, С*2и,
С22и, пФ
к, Ом
Ку.р, дБ
Рвых, ВТ
дизи, мВ
Кш> дБ
lC, мкВ
ш, нВ/VFiT
Q*", Кл
Uka, НС
1выкл, НС
f р\ МГц
дизи/ДТ***,
мкВ/'С
Корпус
>80 C В)
>1** A0 ГГц); >4,5*
>15 C В; 50 мА)
>20 C В; 100 мА)
>20 C В; 100 мА)
>3,5* B6 ГГц)
>0,1** B6 ГГц)
>4* B6 ГГц)
>0,15** B6 ГГц)
>4* B6 ГГц)
>0,15** B6 ГГц)
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
>4* C7 Гц)
>0,03** C7 ГГц)
>3,5* C7 ГГц)
>0,15** C7 ГГц)
>4* C7 ГГц)
>0,01* C7 ГГц).
>350 A,5 В; 0,5 А)
>300 A,5 В; 0,5 А)
>5** (8 ГГц); >3*
>3** (8 ГГц); >3*
>500 C В; 1,8 А)
>500(ЗВ; 1,8 А)
>500(ЗВ; 1,8 А)
>2** C,7...4,2 ГГц)
>7* C.7...4.2 ГГц)
>5** C,7...4,2 ГГц)
>4,5** D.3...4.8 ГГц)
>1000 C В; 4 А)
?1000 C В; 4 А)
>1000 C В; 4 А)
?5** E,7...6,3 ГГц)
>7,5** E,7...6,3 ГГц)
>10** E.7...6.3 ГГц)
244
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
АП967А-2
АП967Б-2
АП967В-2
АП967Г-2
АП967Д-2
АП967Е-2
АП967Ж-2
Структура
С барьером Шотки,
с п-каналом,
с внутренними цепями
согласования
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
14*
14*
7*
7*
7*
14*
14*
v/ЗИ отс,
U3H пор,
В
1 1 1 1 1 1 1
UcHmax,
U3C max,
В
8
8
8
8
8
8
8
U3H max,
В
ел ел ел ел ел ел ел
1с,
1с. и,
мА
1 1 1 1 1 1 1
1С нач,
1с ост, мА
—
Параметры кремниевых полевых транзисторов
КШ01Г
КП101Д
КП101Е
КП103Е
КП103Ж
КП103И
КП103К
КП103Л
КП103М
КП103ЕР1
КП103ЖР1
КП103ИР1
КП103КР1
КП103ЛР1
КП103МР1
КП150
КП201Е-1
КП201Ж-1
КП201И-1
КП201К-1
КП201Л-1
С р-n переходом
и р-каналом
С р-n переходом
и р-каналом
С р-n переходом и
р-каналом
пМОП
С р-n переходом
и р-каналом
50
50
50
7
12
21
38
66
120
7
12
21
38
66
120
150*
60
60
60
60
60
5
6
6
0,4... 1,5
0,5...2,2
0.8...3
1.4...4
2...6
2Д..7
0,4...1,5
0,5...2,2
0.8...3
1.4...4
2...6
2.8..J
2*...4*
<2,2
<3
<4
<6
10
10
10
10
10
12
10
12
10
10
10
12
10
12
10
100
10; 15*
10; 15*
10; 15*
10; 15*
10; 15*
10
10
10
МММ
МММ
±20
-0,5
-0.5
-0,5
-0,5
-0,5
2
5
5
МММ
МММ
38A40*) А
1 1 М 1
0.15..2
0.3...4
0.5...5
0,3...2,5
0.35...3.8
0.8...1.8
1...5.5
1.8...6.6
3...12
0.3...2.5
0.35...3.8
0.8...1.8
1...5.5
1.8...6.6
3...12 "
<25* мкА A00 В)
0.3...0.65
0.55...1.2
1...2.1
1.7...3
3...6
Параметры полевых транзисторов
245
S, мА/В
_
—
—
Си и, С*2и|
С22И1 пФ
—
—
лСИ oTKf Ом
Ку,р, дБ
Рвых» Вт
дизи, мВ
?7*
?4** E,9...6,4 ГГц)
?7*
>5** C 7 4 2 ГГц)
?6*
?2** C.7...4.2 ГГц)
?2** D.3...4.8 ГГц)
?2** C.4...3.9 ГГц)
?7*
?4** E,6...6,2 ГГц)
?7*
?5** C.4...3.9 ГГц)
Кш, дБ
11ш, мкВ
Еш, нВ/Vfu"
Q*", Кл
¦ . —
—
_
teiu, НС
1выкл» НС
fP", МГц
дизи/ДТ*",
мкВ/*С
_
—
—
** _?
И
Корпус
АП967-2
12,2
«w >
с 1в \
1
1
г
Параметры кремниевых полевых транзисторов
?0,15 E В)
?0,4 E В)
?0,3 E В)
0.4...2.4 E В)
0,5.„2,8 E В)
0.8...2.6 E В)
1...3 E В)
1.8...3.8 E В)
1.3...4.4 E В)
0.4...2.4
0,5...2.8
0.8...2.6
1...3
1.8...3.8
1.3...4.4
?13-103
B5 В; 25 А)
?0,4 A0 В)
?0,7 A0 В)
?0,8 A0 В)
?1,4 A0 В)
?1,8 A0 В)
?10; ?0,4**
?10; ?0.4**
?10; ?0.4**
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?2800; 1100**
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
'
—
-
_
—
—
__
—
—.
—
_
?0,055
—
—
?4 A кГц)
?7 A кГц)
?7 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
_
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
—
3**
3**
3**
3**
3**
3**
_
—
— ¦
—
—
tcn=81
—
—
—
—
см1'
«•*!'
«?
сч
, 1
¦
А
КП101
04,75
С «оТ%
—i IT
КП103
*i.c a
95,0
; Ш
С
^^\ 9
LJ т4
КШОЗР
15,2
И 1 '
III I .11
пЯВг "»
_И *;
m
И ЗС
КП150
27, t
\i
II
К
и
о
КП201-1
=1С=
246
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП2О2Д-1
КП202Е-1
КП240
КП250
КП301Б
КП301В
КП301Г
КП302А
КП302Б
КП302В
КП302Г
КП302АМ
КП302БМ
КП302ВМ
КП302ГМ
КПЗОЗА
КПЗОЗБ
КПЗОЗВ
кпзозг
кпзозд
КПЗОЗЕ
кпзозж
кпзози
КП304А
Структура
С р-п переходом
и р-каналом
пМОП
пМОП
С изолированным затвором,
с индуцированным
р-каналом
С р-n переходом
и п-каналом
С р-п переходом
и п-каналом
С р-п переходом
и п-каналом
С изолированным затвором
и индуцированным каналом
р-типа
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
60
60
125*
150*
200
200
200
300
300
300
300
300
300
300
300
200
200
200
- 200
200
^200
200
200
200
113И отс,
U3H пор,
в
0.4...2
1...3
2...4*
2...4*
2,7...5,4*
2,7...5,4*
2,7...5,4*
1...5
2.5..J
3...10
2...7
1...5
2,5...7
3...10
2...7
0.5...3
0.5...3
1...4
<8
<8
<8
0.3...3
0.5...2
?5*
UCH max,
ЧЗС max,
В
15; 20*
15; 20*
200
200
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
и|и max,
В
0,5
0,5
±20
±20
30
30
30
10
10
12
10
10
10
12
10
30
30
30
30
30
30
30
30
30
1с,
1с, и,
мА
18 G2*) А
30 A20*) А
15
15
15
24
43
24
43
20
20
20
20
20
20
20
20
30 F0*)
1С нач,
1С ост, мА
<1,5
1.1...3
<25* мкА B00 В)
<25* мкА B00 В)
?0,5 мкА A5 В)
<0,5 мкА A5 В)
<0,5 мкА A5 В)
<24;6*
<43; 6*
<33; 6*
<65; 6*
<24; 6*
<43; 6*
<33;6*
<65; 6*
<2,5;5*
<2,5; 5*
?5; 5*
<12; 5*
S9; 5*
<20;5*
<3; 5*
<5;5*
<0,2 мкА
Параметры полевых транзисторов
247
S, мА/В
Сии, C*2hi
С22и, пФ
КСИ отк, Ом
к;,р,дб
Рвых, ВТ
дизи, мВ
Кш. дБ
Uui, мкВ
Е~, нВ/л/Гц
СГ, Кл
tewi, НС
1выклт НС
fp", МГц
Дизи/АТ"*
мкВ/'С
Корпус
>0.65
<6; ?2*
<6;<2*
?6,9'103
B5 В; 11 А)
>12-103
B5 В; 18 А)
<1300; 130**
<0,18
tcn=36
<2800; 780*
<0,085
tcn=62
1...2.6
A5 В; 5мА)
2...3
A5 В; 5мА)
0.5...1.6
A5 В; 5мА)
^3,5; ?1*; ?3,5**
?3,5; <1*; ?3,5**
<3,5;?1*;<3,5*
<9,5 A00 МГц)
<9,5 A00 МГц)
?9,5 A00 МГц)
100**
100**
100**
5...12 G В)
7...14 G В)
7...14 G В)
?20; <8*
?20; ?8*
?20; <8*
?20; ?8*
?3A кГц)
?150
?100
?150
?4; ?5*
?4; <5*
?4; ?5*
?4; ?5*
5...12 G В)
7...14 G В)
7...14GВ)
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?20; ?8*
?3 A кГц) "
?150
?100
?150
<4; ?5*
?4; ?5*
?4; ?5*
?4; ?5*
1...4 A0 В)
1...4 A0 В)
2...5A0В)
3...7A0В)
>2,бA0В)
>4 A0 В)
1...4 A0 В)
2...6U0B)
<6; <2*
?6; ?2*
?6; ?2*
?б; ?2*
?6; <2*
?6; ?2*
?6; ?2*
?6; ?2*
?30** B0 Гц)
?20** A кГц)
?20** A кГц)
?F-1017)***
?4 A00 МГц)
?4 A00 МГц)
?100** A кГц)
?100** A кГц)
>4A0В; 10 мА)
?9; ?2*; ?6**
?100
248
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП305Д
КП305Е
КП305Ж
КП305И
КП306А
КП306Б
КП306В
КП307А
КП307Б
КП307В
КП307Г
КП307Д
КП307Е
КП307Ж
КП308А-1
КП308Б-1
КП308В-1
КП308Г-1
КП308Д-1
КП310А
КП310Б
КП312А
КП312Б
КП313А
КП313Б
КП313В
Структура
С изолированным затвором
и п-каналом
С двумя изолированными
затворами и
п-каналом
С р-п переходом
и п-каналом
С р-п переходом
и п-каналом
С изолированным затвором
и каналом п-типа
С р-п переходом
и п-каналом
С изолированным затвором
и п-каналом
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
150
150
150
150
150
150
150
250
250
250
250
250
250
250
60
60
60
60
60
80
80
100
100
75
75
75
U3H пор,
в
со со со со
Л1 Л1 Л1 Л1
<4
<4
0.5...3
1...5
1...5
1.5...6
1.5...6
<2,5
<7
0,2... 1.2
0.3...1,8
0.4...2.4
1...6
1...3
2...8
0.8...6
?6
?6
>6
UCJi max,
U3C max,
В
15; ±15*
15; ±15*
15; ±15*
15; ±15*
20
20
20
25; 27*
25; 27*
25; 27*
25; 27*
25; 27*
25; 27*
25; 27*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
8; 10*
8; 10*
20; 25*
20; 25*
15; 15*
15; 15*
15; 15*
иЗИ max,
В
±15
±15
±15
±15
о о о
см см см
см см см см см см см
30
30
30
30
30
10
10
25
25
10
10
10
1с,
1с, и,
мА
15
15
15
- 15
to to to
о о о
25
25
25
25
25
25
25
to to to to to
о о о о о
20
20
25
25
15
15
15 .
1с нач,
1С ост, мА
—
<0,005
5&.005
<0.005
24
8...24
<5
<25
<3
<5; <0,1*
<2Ъ
<7
• —
Параметры полевых транзисторов
249
S, мА/В
Сци, С*2и«
КСИ отк, Ом
к;,?, дб
Рвых, ВТ
зй*1 мВ
Кш> дБ
Uui, мкВ
~, нВ/Vfu"
Q"', Кл
tewi, НС
1выкл, НС
fp*, МГц
дизи/ДТ**'
мкВ/'С
Корпус
5,2...10,5
A0 В; 5 мА)
4...8
A0 В; 5 мА)
5,2...10,5
A0 В; 5 мА)
4...10.5
A0 В; 5 мА)
<5; ?0,8*
<5; <0,8*
?5; ?0,8*
<5; <0,8*
?13* B50 МГц)
?13* B50 МГц)
?7,5 B50 МГц)
<7,5 B50 МГц)
4...8 Шз2И=Ю В)
4...8Шз2И=ЮВ)
4...8Шз2И=ЮВ)
<Ь\ ^0,07*
<5; ?0,07*
<5; ?0,07*
<6 B00 МГц,
и32И=Ю В)
?6 B00 МГц)
<6 B00 МГц)
800**
800**
800**
4...Э A0 В)
5...10 <10 В)
5...10 A0 В)
6...12 A0 В)
6...12 A0 В)
3...8 A0 В)
4...14 A0 В)
<5;<1,5*
<Ь\ ?1,5*
<5;<1,5*
<5;<1,5*
<20** A кГц)
?2,5** A00 кГц)
<2,5** A00 кГц)
<6 D00 МГц)
?6 D00 МГц)
?20** A кГц)
?D-10-17)***
1...4U0B)
1...4 A0 В)
2...6,5 A0 В)
<6; ?2**
?6: ?2**
<б; ?2**
?6: <2**
<6; ?2**
?20** A кГц)
?20** A кГц)
?20** A кГц)
?250
?250
?20; ?20*
?20; ?20*
3...6 E В; 5 мА)
3...6 E В; 5 мА)
?2,5; ?0,5*
?2,5; ?0,5*
?5* A ГГц)
>5* A ГГц)
<6 A ГГц)
?7 A ГГц)
4...5,8 A5 В)
2...5 A5 В)
?4;?1*
?4;<1*
?2* D00 МГц)
>2* D00 МГц)
?4 D00 МГц)
?6 D00 МГц)
4,5...10,5
A0 В; 5 мА)
4.5...105
A0 В; 5мА)
4,5...10,5
A0В;5мА)
?7; ?0,9*
?7; ?0,9*
?7; ?0,9*
?10* B50 МГц)
?10* B50 МГц)
?10* B50 МГц)
?7,5 B50 МГц)
?7,5 B50 МГц)
?7,5 B50 МГц)
300**
300**
300**
250
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП314А
КП322А
КП323А-2
КП323Б-2
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327Г
КП329А
КП329Б
КП340
КП341А
КП341Б
Структура
С р-n переходом
и п-каналом
С двумя затворами, с
р-n переходом
и п-каналом
С р-n переходом
и п-каналом
С двумя изолированными
затворами и защитными ди-
одами, с п-каналом
С р-n переходом
и п-каналом
пМОП
С р-n переходом
и каналом п-типа
Реи max,
мВт
РСИ т max,
Вт
200
200
100
100
to to to to
8888
250
250
125*
150F0*0
150F0°C)
изи отс,
изи пор,
В
2.2...12
0.74...6
0.74...6
?2,7
<2,7
?1,5
2...4*
?3
<3
UCH max,
U3Cmax,
В
25
20
20
20
18
18
14; 16*
14; 16*
50
40
400
15; 15*
15; 15*
113И max,
В
30
20
25
25
6
6
5
5
45
35
±20
10
10
1с,
1с. и,
мА
20
12
12
30
30
30
30
10 C8*) А
—
1С нач,
1С ост, мА
2.5...20
?42
3...12
3...12
S
?25* мкА D00 В)
?20
?30
Параметры полевых транзисторов
251
S, мА/В
Сци, С*2и|
С22и, пФ
RCH отк, Ом
к;,?, дб
Рвых;Вт
Аизи*, мВ
Кш, дБ
Um, МкВ
", нВ/л/Гц
tew. НС
1выкЛ| НС
fp", МГц
лизи/ДТ***,
мкВЛС
>4 A0 В)
: <,2
<A,35-10'17)***
3.2...6.3 A0 В)
; <0,2*
<6 B50 МГц)
4...5,8A0В)
4...5,8A0В)
<4; ^1,
<5**
<5**
400**
400**
>11 A0 В; 10 мА)
^11 A0 В; 10 мА)
?9,5 A0 В; 10 мА)
?9,5 A0 В; 10 мА)
<2,5
<2,5
<2,5;<1,6*
<3,6; <3*
>12* @,8 ГГц)
>18*B50МГц)
>12* @,8 ГГц)
>18* @,2 ГГц)
<4,5 @,8 ГГц)
<3 @,2 ГГц)
<4,5 @,8 ГГц)
^3 @,2 ГГц)
>3 A0 В)
>1 A0 В)
<6
<1500
<1500
<20**
<20**
200**
200**
E0 В; 6 А)
<1400; 130*
<0,55
tcn=24
15...30 E В)
18...32 E В)
<5; 1*; 1,6**
<5; 1*; 1,6**
2,8 D00 МГц)
<1,2**A00кГц)
1,8 B00 МГц)
<1,2** A00 кГц)
252
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП346А-9
КП346Б-9
КП346В-9
КП347А-2
КП350
КП350А
КП350Б
КП350В
КП364А
КП364Б
КП364В
КП364Г
КП364Д
КП364Е
КП364Ж
КП364И
КП365А
КП365Б
КП382А
Структура
С двумя изолированными
затворами
и п-каналом
С n-каналом, с двумя изоли-
рованными затворами,с
двумя защитными диодами
пМОП
С двумя изолированными
затворами и встроенным
п-каналом
С р-п переходом,
п-каналом
С р-п переходом,
п-каналом
пМОП, с двумя затворами
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
200
200
200
200
150*
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
150
150
U3H отс,
и|и пор,
в
—
3
2...4*
0.17...6
0.17...6
0.17...6
0.5...3
0.5...3
1...4
?8
<8
?8
0.3...3
0.5...2
-0.4...-3
-O.4...-3
2.7
UCH max,
U3C max,
В
14; 16*
14; 16*
14: 16*
14
400
15
15
15
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
20
20
15
и!и max,
В
10
10
10
5
±20
15
15
15
30
30
30
30
30
30
30
30
20
20
1с,
1с, и,
мА
30
30
30
14 E6*) А
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
— •
1Снач,
1С ост, мА
2...20
«20
2...20.
<5
?25* мкА D00 В)
<3.5
?3.5
<3,5
0.5...2.5
0.5...2.5
1.5...5
3...12
3...9
5...20
О.З...З
1.5...5
4.5...20
12...35
?20
Параметры полевых транзисторов
253
S, мА/В
, С*2и,
ЙСИ отк, Ом
Kj.p, дБ
Рвых, Вт
дизи, мВ
Кш, дБ
Uui« мкВ
Е", hB/VFu"
Q"', Кл
Ukji, НС
1выкл, НС
fp*. МГц
дизи/дт***
мкВ/'С
Корпус
>12 A0 В; 10 мА)
>10 A0 В; 10 мА)
>12 A0 В; 10 мА)
<2,6; <0,035*;
<1,3**
?3; ?0,035*;
?1,5**
<2,6; <0,035*;
<1,3**
>15* @,8 ГГц)
<13 @,8 ГГц)
?21 B00 МГц)
<3,5 @,8 ГГц)
<4,5 (800 МГц)
<1,9B00МГц)
>10 A0 B; 10 мА)
<3,5 A0 B)
0,04*
>18*B00МГц)
<2,5 B00 МГц)
?1O«103
B5 B; 25 A)
<2600; 2504
<0,3
tcn=47
?6 A0 B; 10 мА)
>6 A0 B; 10 мА)
>6 A0 B; 10 мА)
; <0,07*;
<6**
; <0,07*;
<6**
6; <0,07*;
<6**
<6 D00 МГц)
<5 A00 МГц)
<8 D00 МГц)
1...4 A0 В)
1...4 A0 В)
2.5 A0 В)
3...7 A0 В)
>2,6 A0 В)
>4 A0 В)
1...4 A0 В)
2...6 A0 В)
<6;<2
<6;<2
<6;<2
<6;<2
<6;<2
<6;<2
<6;<2
<6; <2
<30** B0 Гц)
<20** A кГц)
<20** A кГц)
<4 A00 МГц)
<4 A00 МГц)
<100** A кГц)
<100** A кГц)
?18
1,5*
1,8*
254
Раздел 3. Полевые транзисторы
illBffiil
mi
Щ$МШ&ШШШ
«Л
КП401АС
КП401БС
Сборка из четырех
транзисторов
1 и 3 с п-каналами,
2 и 4 с р-каналами
420
420
>0,8
>0,8
30
30
20
20
3A и 3)
1 B и 4)
КП402А
С р-каналом
@,8-2,8)
200
150
<60
КП403А
С п-каналом
@,8...2,8)
200
300
<60
КП440
пМОП
125*
2...4*
500
±20
8 C0*) А
<25* мкА E00 В)
КП450
пМОП
150*
500
±20
12 E2*) А
<25* мкА E00 В)
КП501А
КП5О1Б
КП501В
С изолированным затвором
и n-каналом ч
500
500
500
1...3"
1...3"
1...3*
240
200
200
±20
±20
±20
180
180
180
10 мкА
10 мкА
10 мкА
КП502А
КП503А
КП504А
КП504Б
КП504В
КП505А
КП505Б
КП505В
КП505Г
С изолированным затвором
и п-каналом
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
700
1.5...2.5*
-1,8...-0,7*
0,6... 1,2*
0.6...1.2*
0,6...1,2*
0.8...2*
0.8...2*
0,8...2*
0.4...0.8*
400
240
240
240
200
50
50
60
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
120
150
250
250
250
1400
1400
1400
500
1 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
1 мкА
КП510
пМОП
43"
2...4
100
±20
5,6 B0*) А
<25* мкА(ЮОВ)
КП520
пМОП
60*
2..Л*
100
±20
9,2 C7*) А
<25* мкАA00В)
Параметры полевых транзисторов
255
>280 A и 3)
>130 B и 4)
<1,2 (п-кан.);
<2,5 (р-кан.)
<2 (п-кан.);
<5 (р-кан.)
КП401
>60B5В;0,1 А)
>60B5В;0,1 А)
<20
<6
>5,3 B5 В; 5 А)
<1300; 120*
>9,3 B5 В; 7,75 А)
<2600; 720**
<0,85
<0,4
tcn=20
tcn=44
^100
S100
>100
10
10
15
>0.1 А/В
>0,14 А/В
>0,14 А/В
>О,14А/В
>0,14А/В
>0,5 А/В
>0,5 А/В
>0,5 А/В
>0,5 А/В
28
20
8
8
8
0,3
0,3
0,3
1,2
>1300 E0 В; 3,4 А)
180; 15*
>2700 E0 В; 5,5 А)
360; 150**
<0,54
<0,27
tcn=9,4
tcn=20
256
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП530
КП540
КП601А
КП601Б
КП610
КП620
КП630
КП640
КП704А
КП704Б
КП705А
КП705Б
КП705В
КП706А
КП706Б
КП706В
КП707А
КП7О7Б
КП707В
Структура
пМОП
пМОП
С р-n переходом
и п-каналом
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
С изолированным затвором,
с п-каналом
С п-каналом
пМОП
С изолированным затвором,
с п-каналом
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
88*
150*
500; 2* Вт
500; 2* Вт
36*
50*
74* "¦
125*
75*
75*
125*
125*
125*
100*
100*
100*
100*
100*
100*
изи отс,
и§И пор,
В
2...4*
2...4*
4...Э
6...12
2...4*
2...4*
2...4*
2...4*
1.5...4*
1,5—4*
—
—
?5
?5
UCH max,
Ulc max,
В
100
100
20; 20*
20; 20*
200
200
200
200
200
200
1000; 1010*
800; 840*
800; 800*
500
400
400
400
600
750
U|h max,
В
±20
±20
15
15
±20
±20
±20
±20
±20
±20
со со со
О О О
со со со
20
20
20
1с,
1с. и,
мА
14 E6*) А
28 (ПО*) А
3,3 A0*) А
5,2 A8*) А
9C6*)А
18 G2*) А
10 А; 30* А
10 А; 30* А
5,4 А; 6* А
5.4 А; 7* А
5.4 А; 7* А
22 А
22 А
22 А
25* А
16,5* А
12.5* А
1С нач,
1С ост, МА
?25* мкА A00 В)
?25* мкА A00 В)
?400
?400
?25* мкА B00 В)
?25* мкА B00 В)
?25* мкА B00 В)
?25* мкА B00 В)
?0.8
?7; ?10*
?7; ?10*
?15; ?5*
1; 4* E00 В)
1;4* D00 В)
1; 4* D00 В)
?25; ?1*
?25; ?1*
?25; ?1*
Параметры полевых транзисторов
257
S, мА/В
Сци, С*2и,
С22и, ПФ
к, Ом
Рвых, ВТ
зй\ мВ
Кш, дБ
иш, мкВ
ЧЕ~, н
temit НС
tebimit НС
fp", МГц
мкВ/Х
Корпус
>5100 E0 В; 8,4 А)
670; 60*
?0,16
tcn=24
>8700E0В; 17 А)
1700; 120*
?0,077
tcn=43
40...87 A0 В)
40...87U0B)
?6*
<6 D00 МГц)
<6 D00 МГц)
>800 E0 В; 2 А)
140; 15*
>1500 E0 В; 3,1 А)
260; 30*
<0.8
?3800 E0 В; 3,4 А)
950; 76*
<0,4
>6700 E0 В; 11 А)
1600; 130*
<0,18
1000...2500 A А)
100О...250ООА)
250**
250**
?0,35
<0,5
tcn=8,9
tcn=13
tcn=25
tcn=40
<100; <100*
<100; <100*
>1000 C0 В; 2 А)
>1000 C0 В; 2 А)
>1000 C0 В; 2 А)
1500 E0 В); 20*
1500 E0 В); 20*
1500 E0 В); 20*
<4,3
?3,3
<3,3
<60; <80*
<60; <80*
<60; <80*
2300 C0 В; 2 А)
2300 C0 В; 2 А)
2300 C0 В; 2 А)
2500; 300**
2500; 300**
2500; 300**
0,65
0,44
0,6
70; 100*
70; 100*
70; 100*
>1600 B0 В; 3 А)
>1600 B0 В; 3 А)
?1600 B0 В; ЗА)
<1600 B5 В); <45*
<1600B5В);<45*
<1600 B5 В); ?45*
<2,5
?3
?80*
?80*
?80*
258
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП707А1
КП707Б1
КП707В1
пМОП
60*
60*
55*
2...5
2...5
2...5
400
600
750
±20
±20
±20
6 B5*) А
4 A6,5*) А
3 A2,5*) А
<25* мкА D00 В)
<25* мкА F00 В)
<25* мкА G50 В)
КП707В2
пМОП
50*
2...4,5
800
±20
3,5 (9*) А
<25* мкА(800 В)
КП708А
КП708Б
С изолированным затвором
и п-каналом
75*
75*
2...4,5*
2...4,5*
500
500
±20
±20
4,5 А
4,5 А
0,5
0,5
КП709А
КП709Б
КП709В
КП7О9Г
КП709Д
С изолированным затвором,
с п-каналом
75*
75*
75*
75*
75*
2...4
2...4
2...5
2...5
2...5
600
600
600
500
500
±20
±20
±20
±20
±20
4,5 А; 18* А
4,5 А; 14* А
3,5 А; 16* А
4,5 А; 18* А
4 А; 14* А
<0,5
<0,5
<0,25 B0 В)
<0,25 B0 В)
<0,25 B0 В)
КП710
пМОП
36*
2...4
400
±20
2 F*) А
<25* мкА D00 В)
КП712А
КП712Б
КП712В
С изолированным затвором,
с р-каналом
50*
50*
50*
-2...-5
-2...-5
-2...-5
-80
-100
-100
±20
±20,
±20
10 А
10 А
8 А
КП717А
КП717Б
КП717В
КП717Г
КП717Д
КП717Е
пМОП
150*
150*
150*
150*
150*
150*
350
400
350
400
350
400
±20
±20
±20
±20
±20
±20
15 А
15 А
13 А
13 А
11 А
11 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
КП717А1
КП717Б1
КП717В1
КП717П
КП717Д1
КП717Е1
пМОП
170*
170*
170*
170*
170*
170*
350
400
350
400
350
400
±20
±20
±20
±20
±20
±20
15 А
15 А
13 А
13 А
11 А
11 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
КП718А
КП718Б
КП718В
КП718Г
КП718Д
КП718Е
пМОП
125*
125*
125*
125*
125*
125*
500
450
500
450
500
450
±20
±20
±20
±20
±20
±20
9,6 А
9,6 А
8,3 А
8,3 А
10 А
10 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
Параметры полевых транзисторов
259
>1600 B0 В; 3 А)
>1600 B0 В; 3 А)
>1600 B0 В; 3 А)
<2600; 95*
<2600; 95*
<2600; 95*
<2,5
<3
>1600 B0 В; 3 А)
<1600; 95*
<2,8
<80**
<80**
<80**
<80*
>2000 B5 В; 2 А)
>2000 B5 В; 2 А)
<650; <70*
<650; <70*
<0,75
>2000 B5 В; 2 А)
>2000 B5 В; 2 А)
<1500 B5 В; 2,5 А)
<1500 B5 В; 2,5 А)
<1500 B5 В; 2,5 А)
<650 B5 В); <70*
<650 B5 В); <70*
<950 B5 В)
<950 B5 В)
<950 B5 В)
<4,6
<2
<2,5
?1,5
<2
>1 E0 В; 1,2 А)
170; 6,3*
<0,36
<50
<50
<50
<50
<30; 150*
<30; 150*
<30; 150*
tcn=H
>2000 D В; 2 А)
>2000 D В; 2 А)
>1800 D В; 2 А)
<1800 B5 В); 100*
<1800 B5 В); 100*
<1800 B5 В); 100*
<0,25
<0,3
<0,4
130; 350*
130; 350*
130; 350*
8-Ю3
8000
7000
7000
6000
6000
0,3
0,3
0,35
0,35
0,4
0,4
8-103
8000
7000
7000
6000
6000
0,3
0,3
0,35
0,35
0,4
0,4
2700
2700
2700
2700
2700
2700
0,6
0,6
0,8
0,8
0,5
0,5
260
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП718А1
КП718Б1
КП718В1
КП718Г1
КП718Д1
КП718Е1
125"
125"
125"
125"
125"
125"
500
450
500
450
500
450
±20
±20
±20
±20
±20
±20
9,6 А
9,6 А
8,3 А
8,3 А
10 А
10 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
КП720
пМОП
50*
2...4
400
±20
3,3 A3*) А
<25* мкА D00 В)
КП722А
пМОП
125"
200
±20
22 А
0,25"
КП723А
КП723Б
КП723В
КП723Г
пМОП
150*
150*
150*
150*
60
50
60
50
±20
±20.
±20
±20
35 А
35 А
35 А
35 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
КП724А
КП724Б
пМОП
125*
125*
600
500
±20
±20
6 А
6 А
0,25*
0,25"
КП725А
пМОП
125"
500
±20
13 А
0,25*
КП726А
КП726Б
пМОП
75*
75*
2...4*
2...4*
600
600
±20
±20
4 А; 16* А
4,5 А; 18* А
0,25* F00 В)
0,25* F00 В)
КП727А
КП727Б
КП727В
КП727Г
КП727Д
пМОП
40*
90*
90*
90*
75*
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
50
50
50
50
50
±20
±20
±20
±20
±20
14 А
2,6 А
ЗА
4 А
3,3 А
<0,25*
<0,25*
<0,25*
<0,25*
<0,25*
КП727Е
КП727Ж
пМОП
90*
90*
2...4
2...4
50
50
±20
±20
ЗА
2,6 А
<0,25"
<0,25*
Параметры полевых транзисторов
261
2700
2700
2700
2700
2700
2700
0,6
0,6
0,8
0,8
0,5
0,5
>1700 E0 В; 2 А)
9000
490; 47*
0,12
tcn=15
10000
10000
10000
10000
2000
2000
0,028
0,028
0,035
0,035
1,2
1
7800
0,4
2500 B5 B; 2,8 A)
2500 B5 B; 2,8 A)
>9300
?1000
?1000
>15O0
>2100
^1050
<1050
<2
<4
<3
^2
<3
<150*
<150*
>1000
>1000
<3
<4
262
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора ,
КП728А
КП730
КП730А
КП731А
КП733А
КП733Б
КП733Г
КП733Д
КП733В-1
КП740
Структура
пМОП
пМОП
Биполярный
транзистор с
изолированным
затвором с п-каналом
Биполярный
транзистор с
изолированным
затвором с п-каналом
пМОП
пМОП
пМОП
РСИ max,
мВт
РсИттах,
Вт
75*
74*
200*
160*
125*
125*
125*
125*
1*
125*
U3H отс,
и|и пор,
В
2...4
3...5.5
3...5.5
2...4*
1...2*
2...4*
2...4*
2...4*
2...4
UCH max,
Ulc max,
В
800
400
Uio=1200
Uk3=600
400
400
600
650
550
400
и|и max,
В
±20
±20
и3э=±20
изэ=±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
1с,
1с. и,
мА
ЗА
5.5 B2*) А
1к=45
(90*) А
1к=40
(80*) А
1.5 F*) А
1.5F*) А
5* А
4* А
500 B000*)
10 D0*) А
1С нач,
1С ост, мА
<0,25*
?25* мкА D00 В)
<25* A200 В)
<25* F00 В)
<0,1*
<0,1*
<0,1*
<0,1*
<0.1* E50 В)
<25* мкА D00 В)
Параметры полевых транзисторов
263
S, мА/В
Спи, С*2и,
С22и, пФ'
отк, Ом
Ку.р, дБ
Рвых, ВТ
дизи, мВ
Кш> дБ
Ui, мкВ
Е", нВ/л/Гц"
tBM. НС
1выкл, НС
fp*. МГц
Дизи/АТ***,
мкВ/#С
Корпус
>1000
<3
>2900 E0 В; 3,3 А)
^2600; 95*
<1
W=15
^7500 A00 В; 25 А)
<2400; 28*
>9200 A00 В; 24 А)
^1500; 20*
<480*
^500 B0 В; 1 А)
>500 B0 В; 1 А)
^500 B0 В; 1 А)
>500 B0 В; 1 А)
<400; 15*
<400; 15*
<400; 15*
<400; 15*
?3,6
<3,6
?4,4
<5
tcn<80
tcn?80
tcn<80
tcn<80
?500 B0 B; 1 A)
<150** B5 B);
<15* B5 B);
>5800 E0 B; 6 A)
?1400; 120*
<0,55
tcn=24
264
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП801А
КП801Б
КП801В
КП801Г
КП802А
КП802Б
КП804А
КП805А
КП805Б
КП805В
КП809А
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809К
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1
КП810А
КП810Б
КП810В
Структура
С р-п переходом и
п-каналом
С р-n переходом и
п-каналом
С изолированным затвором,
с п-каналом
С изолированным затвором,
с п-каналом
пМОП
пМОП
Биполярный со
статической индукцией,
п-канал
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
60*
60*
100*
100*
40*
40*
2*
60*
60*
60*
100*
100*
100*
100*
100*
100*
150*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
U3H отс,
U3M пор,
В
о о о о
СО СО СО СО
-25
-28
<4*
<4*
<4*
<4*
1,5...5
—
—
UCH max,
U3C max,
В
75; ПО*
75; 90*
ПО; 150*
140; 180*
500; 535*
450: 480*
60
600; 600*
600; 600*
500; 500*
400
500
600
700
800
750
400
400
500
600
700
800
750
1500
1300
1100
U3H max,
В
-35
-35
-40
-40
-35
-30
20
±20
±20
±20
• ±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
^ ±20
±20
±20
5
5
5
Jc,
1с, и,
мА
5 А
5 А
8А
8 А
2,5 А
2,5 А
1 А
4 А
4А
4 А
9,6C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
20* А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*) А
9,6 C5*)А
7А
7А
5 А
1С нач,
1С ост, мА
4500
4500
3500
3000
0,5*
0,5*
<0,25;
<1*
<1;<3*
<1; <3*
<1;<3*
<1 мА D00 В)
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;?1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
<0,25;<1*
—
Параметры полевых транзисторов
265
S, мА/В
Сци, С*2и,
С22и, пФ
СИ отк, Ом
Ку.р, дБ
Рюх, Вт
* мВ
КШ| дБ
Ui!i, мкВ
ш*, HB/VFn~
Q*", Кл
1вкл, НС
.*
1выкл» НС
fp", МГц
дизи/ДТ***
мкВ/*С
Корпус
?600 A5 В; 4 А)
?450 A5 В; 3 А)
?800 B0 В; 4 А)
?600 B0 В; 4 А)
<2,2
<4,4
<2,2
<2,2
?800 B0 В; 3,5 A)
?800 B0 В; 3,5 A)
<3
<3
<80;<30*
<80;<30*
>800 A0 B; 0,8 A)
<200 B5 B)
<25*; <100**
<0,6
<54;
<45*
>2500 B0 B; 2 A)
>2500 B0 B; 2 A)
>2500 B0 B; 2 A)
<1300 B0 B); <40*
<1300 B0 B); <40*
<1300 B0 B); <40*
<130**
<2
<2
<2,5
<180; <220*
<180; <220*
<180; <220*
>1500 B0 B; 3 A)
>1500 B0 B; 3 A)
>1500B0B; ЗА)
?1500 B0 В; З А)
?1500 B0 В; З А)
?1500 B0 В; З А)
?1500 B0 В; З А)
<3000; <220*
<3000; <220*
<3000; <220*
<3000; <220*
<3000; <220*
<3000; <220*
<3000; <220*
<0,3
<0,6
<2,5
?0.15
tcn<100
tcn<100
tcn<100
tcn<100
tcr,<100
?1500 B0 B; 3 A)
?1500 B0 B; 3 A)
?1500 B0 B; 3 A)
?1500 B0 В; ЗА)
?1500 B0 В; З А)
?1500 B0 В; З А)
<3000; ?220*
<3000; «S220*
<3000; <220*
?3000; <220*
<3000; <220*
<3000; <220*
<0,3
<0,6
?1,2
?1.5
?1.8
<2,5
tcn<100
tcn<100
tcn<100
tcn<100
tcn<100
0,2
0,2
0,2
200
200
200
266
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП812А1
КП812Б1
КП812В1
125*
80*
70*
2..Л*
2..Л*
2...4*
60
60
60
±20
±20
±20
50 B00*) А~
35 F8*) А
30A20*) А
?0,25*F0 В)
<0,25*F0 В)
<0,25*F0 В)
КП813А
КП813Б
КП813Г
С изолированным затвором
и п-каналом
150*
150*
150*
2,1
2,1
2,1
...4
...4
...4
200
200
200
±20
±20
±20
22 (88*) А
22 (88*)А
20 А
<О,25*BОО В)
?0,25*BQ0 В)
?0,25*B00 В)
КП813А1
КП813Б1
С изолированным затвором
и п-каналом
125'
125*
2,1...4
2Д...4
200
200
±20
±20
22 (88*) А
22 (88*) А
<Ю,25*B00 В)
<О,25*BОО В)
КП813А1-5
КП813Б1-5
С изолированным затвором
и п-каналом
125*
125*
2,1...4
2,1...4
200
200
±20
±20
22 (88*)А
22 (88*)А
<0,25*B00 В)
<0,25*B00 В)
КП820
КП830
КП840
пМОП
50*
74*
125*
2...4
2...4
2...4
500
500
500
±20
±20
±20
2,5 (8*) А
4,5A8*) А
8 C2*) А
<0,25*E00 В)
?О,25*EОО В)
<0,25*E00 В)
КП901А
КП901Б
С изолированным затвором
и индуцированным
п-каналом
20*
20*
70; 85*
70; 85*
30
30
4А
4А
?200; <50*
<200; <50*
КП902А
КП902Б
КП902В
С изолированным затвором
и п-каналом
3,5*
3,5*
3.5*
50
50
50
30
30
30
200
200
200
<10; <0,5*
<10; <0,5*
<10; ?0,5*
Параметры полевых транзисторов
267
>15000 B5 В; 31 А)
>550О B5 В; 24 А)
>9300B5В; 18 А)
1900; 920**
640; 360**
1200; 600**
<0,028
<0,035
<0,05
tcn=92
tcn=42
tcn=52
>9000 B0 B; 10 A)
>9000 B0 B; 10 A)
>9000 B0 B; 10 A)
2700; 540**
2700; 540**
2700; 540**
<0,12
«SO, 12
<0,06
fcn<140
tcn<140
tcn<140
>5500 B0 B; 10 A)
>55OO B0 B; 10 A)
2700; 540**
2700; 540**
<0,12
<0,18
tcn<140
tcn<140
>55OO B0 B; 10 A)
>55O5 B0 B; 10 A)
2700; 540**
2700; 540**
<0,12
<0,18
tcn<140
tcn<140
>1500E0B; 1,5 A)
>2500 E0 В; 2,7 A)
>4900 E0 B; 4,8 A)
360; 92**
610; 160**
1300; 310**
<3
<1,5
<0,85
tcn=16
tcn=16
tcn=20
50... 160
B0 B; 0,5 A)
60... 170
B0 B; 0,5 A)
<100;<10*
<10*
>7* A00 МГц)
>10** A00 МГц)
>6,7** A00 МГц)
10...25
B0 В; 50 мА)
10...25
B0 В; 50 мА)
1O...25
B0 В; 50 мА)
>6,6* B50 МГц)
>0,8** F0 МГц)
>0,8** F0 МГц)
>0,8** F0 МГц)
<6 B50 МГц)
<8 B50 МГц)
268
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП903А
КП903Б
КП903В
С р-n переходом
и п-каналом
6*
6*
6*
5...12
1...6.5
1...10
20; 20*
20; 20*
20; 20*
15
15
15
700
700
700
<700; <0,05*
<480; <0,05*
<600; <0,05*
КП904А
КП904Б
С изолированным затвором
и индуцированным п-кана-
лом
75*
75*
70; 90*
70; 90*
30
30
5А
ЗА
<350; <200*
<350; <200*
КП905А
КП905Б
КП905В
С изолированным затвором
и п-каналом
4*
4*
4*
60; 70*
60; 70*
60; 70*
±30
±30
±30
350
350
350
<20;<1*
<20; <1*
<20;<1*
КП907А
КП907Б
КП907В
С изолированным затвором
и п-каналом
11,5*
11,5*
11,5*
60; 70*
60; 70*
60; 70*
±30
±30
±30
2,7 А
1,7 А
1,3 А
<100; <10*
<100; <10*
<100;
КП908А
КП908Б
С изолированным затвором
и индуцированным
п-каналом
3,5*
3,5*
40; 50*
40; 50*
20
20
280
200
<25; <0,5*
<25; <0,2*
КП921А
КП921Б
С изолированным затвором
и индуцированным каналом
п-типа
15*
15*
2...8
45
40
40 (имп.)
±40
10 А
7А
<2,5 D0 В)
<2,5 D0 В)
КП922А
КП922Б
КП922В
С изолированным затвором
и индуцированным п-кана-
лом
60*
60*
60*
2...8*
2...8*
2...8*
100
100
100
±30
±30
±30
10 А
10 А
10 А
Параметры полевых транзисторов
269
85...140(8В)
50... 130 (8 В)
6О...14О(8В)
>0,09** C0 МГц);
<10; >7,6*
>0,09* C0 МГц);
<10; >7,6*
>0,09** C0 МГц);
<10; >7,6*
<5** A00 кГц)
<5* A00 кГц)
<5** A00 кГц)
250...510
250...510
<300 C0 В)
<300 C0 В)
>50** F0 МГц)
>30** F0 МГц)
>13* F0 МГц)
18...39
B0 В; 50 мА)
18...39
B0 В; 50 мА)
18...39
B0 В; 50 мА)
<7; <0,6*; <4**
<11;<0,6*;<4**
<13; <0,8*; <6**
>1**; >8* A ГГц)
>6* A ГГц)
S4* A ГГц)
<6,5 A000 МГц)
110...200
B0 В; 0,5 А)
100...200
B0 В; 0,5 А)
80... ПО
B0 В; 0,5 А)
<3* B5 В)
<3* B5 В)
<3* B5 В)
>4** A ГГц)
>3** A ГГц)
>5** @,4 ГГц)
<2
<2*
<2
>24 B0 В; 80 мА)
>24 B0 В; 80 мА)
<4,5 B5 В); <0,6*
<6,5 B5 В); <0,6*
>1** A,76 ГГц)
<25
800... 1500
B5 В; 1 А)
>800
B5 В; 1 А)
<2000; <280**
<0,13
<0,2
<100"
1000...2100 A А)
1000...2100 A А)
1000...2100 A А)
<2000 B0 В)
<2000 B0 В)
<2000 B0 В)
<0,2
<0,4
<100; <100*
<100; <100*
<100; <100*
270
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП922А1
КП922Б1
КП922В1
КП922Г1
С изолированным затвором
и индуцированным
п-каналом
60*
60*
60*
60*
2...8*
2...8*
2...8*
2...8*
100
100
100
100
±30
±30
±30
±30
10 А
10 А
10 А
10 А
КП923А
КП923Б
КП923В
КП923Г
С изолированным затвором
и п-каналом
100 s1
100*
50*
50*
50; 60*
50; 60*
50; 60*
50; 60*
20
20
20
20
12 А
8А
6 А
4А
<50; <50*
<50; <50*
<25; <25*
525; <25*
КП928А
КП928Б
С изолированным затвором
и каналом п-типа
250*
250*
50; 60*
55; 65*
25
25
21 А
16 А
<150; ?150*
<150; <150*
КП934А
КП934Б
Со статической индукцией,
с каналом п-типа
40*
40*
450
300
10 A5*) А
10 A5*) А
КП937А
С р-n переходом и
п-каналом
50*
-15
450; 475*
20
17,5 А
КП937А-5
С р-п переходом и
п-каналом
50*
-15
450; 475*
20
17,5 А
КП938А
КП938Б
КП938В
КП938Г
КП938Д
С р-п переходом и
п-каналом
50*
50*
50*
50*
50*
500; 500*
500; 500*
450; 450*
400; 400*
300; 300*
-5
-5
-5
-5
-5
12 А
12 А
12 А
12 А
12 А
<3*
<3*
<3*
<3*
<3*
Параметры полевых транзисторов
271
1000...2100 A А)
1000...2100 A А)
1000...2100 A А)
1000...2100 A А)
<2000 B0 В)
<2000 B0 В)
<2000 B0 В)
<2000 B0 В)
<0,2
<0,4
<1
<0,17
<100;<100*
<100; <100*
<100; <100*
<100; <100*
>1000 B0 В; 3 А)
>700 B0 В; 3 А)
>550 B0 В; 2 А)
>350 B0 В; 2 А)
<400 A0 В)
<400 A0 В)
<22О A0 В)
<220 A0 В)
>50** A ГГц);
>4*
>25** A ГГц)
>4*
<1;>25** A ГГц)
>4*
<3; >17** A ГГц)
?4*
1800 B0 В; 3 А)
1800 B0 В; 3 А)
530 A0 В); 50*
530 A0 В); 50*
<0,4; >6,2*
>250** @,4 ГГц)
<0,4;>6*
>200** @,4 ГГц)
Ь21Э=1О...8О E А)
h2i3=10...80 E А)
<100; <2500*
<100; <2500*
20* E В; 5 А)
?0,07
>20* E В; 5 А)
<0,07
Ь21Э>20* E В; 5 А)
Ь21Э>20* E В; 5 А)
h2i3>20* E В; 5 А)
Ь21Э>20* E В; 5 А)
Ь21Э>20* E В; 5 А)
<0,07
<0,07
<200
<200
<200
<200
<200
272
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП944А
КП944Б
КП945А
КП945Б
КП946А
КП946Б
КП948А
КП948Б
КП948В
КП948Г
КП951А-2
КП951Б-2
КП951В-2
КП953А
КП953Б
КП953В
КП953Г
КП953Д
КП954А
КП954Б
КП954В
КП954Г
Структура
С изолированным затвором
и р-каналом
С изолированным затвором
и п-каналом
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
С изолированным затвором,
с п-каналом
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
30*
30*
30*
30*
40*
40*
20*
20*
20* '
20*
* * *
со со со
50*
50*
50*
50*
50*
40*
40*
40*
40*
U3H отс,
U5n пор,
В
-1.5...-4.5
-1.5...-4.5
1,5...4,5
1,5.. .4,5
—
ММ
<6*
<6*
1 II II
1 1 1 1
UCH max,
U3C max,
В
50; 50*
60; 60*
50; 50*
70; 70*
400
200
400
300
370
250
36:41*
36; 41*
36; 41*
450
300
450
300
450
150
100
60
20
и§И max,
В
20
20
20
20
5
5
5
5
5
5
20
20
20
сл сл сл сл ел
5
5
5
5
1с,
1с, и,
мА
15 А
10 А
15 А
10А
15 А
15 А
5 А
5 А
5А
5 А
600
600
600
15 А
15 А
15 А
15 А
15 А
20 А
20 А
20 А
20 А
1С нач,
1С ост, мА
<0,5;<1*
<0,5;<1*
<0,5;<1*
1 1 1 1
<2; <4*
<2; <8* -
1 1 II 1
1 1 1 1
Параметры полевых транзисторов
273
S, мА/В
Сии, С*2и,
С22и, ПФ
СИ отк, Ом
Ку;Р, дБ
РвЫХ| ВТ
зи*, мВ
Кип дБ
Um, мкВ
е",
Q~ Кл
tBMt НС
tebiKJi, НС
f ", МГц
Дизи/АТ***,
мкВ/'С
?3000 A0 В; 4 А)
?3000 A0 В; 4 А)
700 B0 В; 1 МГц)
80* B0 В)
700 B0 В; 1 МГц)
80* B0 В)
<0,4
90; 120*
90; 120*
?2300 C В; 2 А)
?2300 C В; 2 А)
600
B5 В; 1 МГц)
150*
600
B5 В; 1 МГц)
300**
?0,1
?0,15
60; 180*
60; 180*
0,1
0,1
80
80
0,15
0,15
0,15
0,15
80
80
80
80
>200 A0 В; 0,5 А)
?500 A0 В; 1,5 А)
?1000 A0 В; ЗА)
?3** @,4 ГГц)
?5** @,4 ГГц)
?15** @,4 ГГц)
0,06
0,06
0,06
0,06
0,064
150; 50**
150; 50**
150; 50**
150; 50**
150; 50**
0,03
0,03
0,025
0,025
50; 100**
50; 100**
50; 100**
50; 100**
274
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП955А
КП955Б
КП956А
КП956Б
КП957А
КП957Б
КП957В
КП958А
КП958Б
КП958В
КП958Г
КП959А
КП959Б
КП959В
КП960А
КП960Б
КП960В
КП961А
КП961Б
КП961В
КП961Г
КП961Д
КП961Е
КП964А
КП964Б
КП964В
КП964Г
Структура
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
БСИТ
р-канал
БСИТ
п-канал
БСИТ
р-канал
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
70*
70*
10*
10*
10*
10*
10*
70*
70*
70*
70*
7*
7*
7*
7*
7*
7*
о о о о о о
40*
40*
40*
40*
U3H отс,
и§И пор,
В
—
—
1 1 1 1
III
—
1 1 1 1 1 1
ММ
UcH max,
U3C max,
В
700
450
350
200
800
800
700
150
100
60
20
220
200
120
220
200
120
120
80
60
40
20
10
150
100
60
20
U3H max,
В
ел ел
ел ел
5
5
5
ел ел ел ел
ел ел ел
ел ел ел
5
5
5
5
5
5
ел ел ел ел
1с. и,
мА
20 А
20 А
2 А
2 А
1 А
1 А
1 А
30 А
30 А
30 А
20 А
to to to
88 8
to to to
888
ел ел ел ел ел ел
. >>>>>>
20 А
20 А
20 А
20 А
1С нач,
1С ост, мА
—
—
1 1 1 1
—
—
1 1 1 1 1 1
1 1 1 1
Параметры полевых транзисторов
275
S, мА/В
Спи, С*2и1
С22и, пФ
КСИ отк, Ом
Ку,Р, ДБ
Рвых, ВТ
зи*, мВ
Кш, дБ
Um, МКВ
Е",
Q~, Кл
1вкл, НС
tebiiui, НС
fP", МГц
дизи/дт***
мкВ/*С
0,04
0,003
100; 100**
100; 100**
0,6
0,6
0,8
0,8
0,8
100; 50**
100; 50**
80; 50**
80; 50**
80; 50**
0,02
0,02
0,02
0,02
80; 100**
80; 100**
80; 100**
80; 100**
57
57
57
200**
200**
200**
57
57
57
150**
150**
150**
0,16
0,13
0,11
0,10
0,10
0,8
40; 100**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
0,03
0,03
0,025
0,025
50; 100**
50; 100**
50; 100**
50; 100**
276
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
прибора
КП965А
КП965Б
КП965В
КП965Г
КП965Д
КП971А
КП971Б
КП973А
КП973Б
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
КПС202А-2
КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2
КПС203А-1
КПС203Б-1
КПС203В-1
КПС203Г-1
КПС315А
КПС315Б
КПС316Д-1
КПС316Е-1
КПС316Ж-1
КПС316И-1
Структура
БСИТ
р-канал
БСИТ
п-канал
БСИТ
п-канал
Сдвоенные, с р-п переходом
и п-каналом
Сдвоенные, с р-п переходом
и п-каналом
Сдвоенные, с р-п переходом
и р-каналом
Сдвоенные, с р-п переходом
и каналом п-типа
Сдвоенные, с р-п переходом
и каналом п-типа
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
о о о о о
100*
100*
100*
100*
45
45
45
45
45
45
60
60
60
60
30 E5°С)
30 E5°С)
30 E5°С)
30 E5°С)
300
300
60
60
60
60
иЗИ пор,
В"
1 1 1 1 1
—
—
0.2...1
0,2...1
0.4...2
0,4...2
0,8...3
0.8...3
0.4...2
0,4...2
0.4...2
1...3
0.2...2
0,2...2
0,4...2
1...3
1...5
0.4...2
0.3...2.2
0,3...2,2
1.3...4
2,5...6
UCH max,
U3C max,
В
250
160
120
60
20
900
800
700
600
КЗ КЗ КЗ КЗ КЗ КЗ
сл сл сл сл сл сл
со со со со со со
О О О О О О
******
сл сл сл сл
КЗ КЗ КЗ КЗ
о о о о
* * * *
15; 20*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
25; 30*
25; 30*
25; 25*
25; 25*
25; 25*
25; 25*
изи max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
-30; 0,5
-30; 0,5
-30; 0,5
-30; 0,5
-30; 0,5
-30; 0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
р р р р
СЛ СЛ СЛ СЛ
30
30
КЗ КЗ КЗ КЗ
сл сл сл сл
1с,
1с, и,
мА
сл сл сл сл сл
> > > > >
25 А
25 А
30 А
30 А
1 1 1 1 1 1
ММ
1 1 1 1
1 1 1 1
1С нач,
1С ост, мА
1 1 1 1 1
—
—
<0,8
<0,8
<0,8
<0,8
<0,8
<0,8
<3
0,25...1,5
0,25...1,5
0,35... 1,5
1,1...3
1...20
1...20
1 1 1 1
Параметры полевых транзисторов
S, мА/В
Сии, С*2и,
С22и, пФ
КСИ отк, Ом
KyjP, дБ
Рвых, Вт
AU3H*, мВ
Кш, дБ
\3ш, мкВ
Е", нВ/л/Гц~
Q~. Кл
tewi, НС
1выкЛ| НС
fp*, МГц
Дизи/АТ"*,
мкВ/'С
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
40; 200**
40; 200**
40; 200**
40; 200**
40; 200**
0,04
0,04
200
150'
0,03
0,03
150
150
>0,35 A0 В)
>0,35 A0 В)
>0,65 A0 В)
>1 A0 В)
>1 A0 В)
>0,65 A0 В)
<4,5;<1,5*
<4,5;<1.5*
<4,5;<1,5*
<4,5;<1,5*
<4,5;<1,5*
<4,5;<1,5*
<30***
<30***
<50***
<50***
<30***
^20***
<0,4* A0 Гц)
<1* A0 Гц)
<5* A0 Гц)
<1* A0 Гц)
<5* A0 Гц)
<50***
<150***
<150***
<Ю0***
<150***
<20***
>0,5 E В)
>0,5 E В)
>0,65 E В)
>1 E В)
<6;<2*
<6; <2*
<6; <2*
<6; <2*
<Ю***
<Ю***
<зо***
<30***
30**
30**
30**
30**
>0,5A0В)
>0,5 A0 В)
>0,65A0В)
>1 A0 В)
<6 A0 В); <2*
<6 A0 В); <2*
<6 A0 В); <2*
<6 A0 В); <2*
<10***
<Ю***
<30***
<30***
<2,5'
A0 Гц)
A0 Гц)
<40***
<40***
<150***
<150***
>2,8 E В)
<8 A0 В)
<8 A0 В)
<30***
<30***
<30***; 60**
?30***; 60**
>0,5 E В; 0,3 мА)
>0,5 E В; 0,3 мА)
>0,5 E В; 0,3 мА)
>0,5 E В; 0,3 мА)
<6 A0В);<2*
<6 A0 В); <2*
<6A0В);?2*
<6 A0 В); <2*
<50***
<50***
<50***
<50***
<40***
<40***
<40***
<40***
278 Раздел 4. Диоды
Раздел 4. Диоды
4.1. Виды приборов и основные параметры
Диоды по функциональному назначению подразделяются на выпрямительные и импульсные диоды,
стабилитроны, варикапы.
Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного тока промышленной
частоты 50 Гц ... 50 кГц в постоянный (например, КД102, КД106, КД204, КД212).
Работу выпрямительных диодов характеризуют следующие основные параметры:
• максимально допустимое обратное напряжение U06p.max любой формы и периодичности, кото-
рое может быть приложено к диоду;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max;
• постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе Unp;
• обратный ток утечки 10бр при заданном обратном напряжении;
• рабочая частота ia, при которой обеспечиваются заданные токи, напряжение и мощность.
Если частота переменного напряжения, приложенного к диоду, превышает fA, то потери в диоде
резко возрастают и он нагревается. В состав параметров всех диодов входят также диапазон
температур окружающей среды Т и максимальная температура корпуса Тк.
В качестве выпрямительных используются диоды не только на основе р-n переходов (полупровод-
ник-полупроводник), но и на основе переходов металл-полупроводник, так называемые диоды с
барьером Шотки, отличающиеся более высокими быстродействием и рабочими токами и меньшими
значениями напряжений в прямом направлении, например КД238, КД2991, КД2998, КД419 (для
преобразования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора). Диоды с барьером Шотки для
импульсных устройств являются практически безынерционными, так как перенос заряда в них
обусловлен только основными носителями.
Для работы на более высоких частотах используются универсальные диоды, например КД401,
КД407 (для детектирования сигналов до 300 кГц), КД409 (для селекторов телевизоров на частоты до
1 МГц), КД410 (для строчной развертки телевизоров), КД416 (для формирования импульсов с частотой
500 кГц), КД248 (для источников вторичного электропитания). • - -
В качестве выпрямительных диодов используются КД241 (демпфер в оконечных каскадах строч-
ной развертки телевизоров), КД226 (обеспечивает требования "мягкого" восстановления, поэтому у
него нормируется скорость спада обратного тока восстановления 1 А/мкс), КД223 (для автотрактор-
ных генераторов для работы в диапазоне температур -6О...+15О°С), КД2994 (для ВИП и систем
телефонной связи, в частности для аппаратуры МТ 20/25).
Выпрямительные диоды выпускаются в стеклянных (Д2, Д9, ГД113), металлостеклянных (Д7,
Д101, КД202-КД210, Д226), металлопластмассовых (КД212, КД213) и пластмассовых (КД106, КД109,
КД208, КД209) корпусах.
Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов при переключении
(малую инерционность). При переключениях диода из прямого направления на обратное (запирающее)
накопленные носители зарядов обуславливают протекание через диод обратного тока, который может
в течение некоторого времени значительно превышать статический обратный ток. Этот процесс
называется переходным процессом запирания или процессом восстановления обратного сопротивления
диода. При переключениях диода из запирающего направления в прямое имеет место переходный
процесс установления прямого сопротивления диода. Такие диоды используются в качестве ключевых
элементов схем с сигналами малой длительности. Наименьшее время переключения имеют диоды с
выпрямляющим переходом металл-полупроводник.
Основные параметры импульсных диодов:
• время обратного восстановления диода tBoc, обр — интервал времени от момента подачи
импульса обратного напряжения, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный
ток диода уменьшается до заданного значения;
• заряд восстановления диода Qboc — полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при
переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение;
Виды приборов и основные параметры ' 279
• время прямого восстановления диода tBoc,np — время, в течение которого напряжение на диоде
устанавливается от нуля до установившегося значения;
• максимальный ток восстановления Ьбр.тах — наибольший обратный ток через диод после
переключения напряжения на нем с прямого направления;
• постоянное прямое напряжение Unp; емкость диода Сд;
• максимально допустимые значения обратного напряжения U06p.max и прямого тока Inp.max.
Примерами импульсных диодов являются КД116 (для гашения ЭДС самоиндукции электромагнит-
ного реле и преобразования переменного напряжения), КД126, КД127 (для строчной развертки
видеокамер), КД247, КД257, КД258 (со скоростью спада обратного тока 5-6 А/мкс), КД424 и КД805
(для импульсных и выпрямительных схем телевизоров), КД 411 (для цветных телевизоров), КД412 (для
цепей регулирования вторичных источников электропитания, инверторов и прерывателей), КД5ОЗ,
КД509, КД512, КД513 (для быстродействующих устройств наносекундного диапазона), КД504 (для
ограничения и модуляции импульсов), ГД507, ГД508 (для быстродействующих формирователей
импульсов), КД922 и КД923 (для преобразования переменного напряжения высокой частоты).
Во многих случаях применения возникает проблема идентичности параметров диодов, подобран-
ных в одну группу или пару (особенно при разработке быстродействующих схем). Основным парамет-
ром, по которым должна быть обеспечена аналогичность диодов, является прямое падение напряжения
(иногда и значение емкости). Обратный ток при этом не играет существенной роли, так как в
быстродействующих схемах для кремниевых диодов значение обратного сопротивления много больше
нагрузки.
Для обеспечения идентичности диодов при работе в широком диапазоне токов и температур
требуется их подбор в нескольких точках вольт-амперных характеристик. Например, выпускаются
сдвоенные диоды КД205, два диода с общим катодом (ОК) КД704, два последовательно соединенных
диода КД629 (для АТС МТ-20), КДС413 — диодные сборки из 12 диодов с ОК, КДС414 — диодные
сборки из 12 диодов с общим анодом (ОА), КДС415 — диодные сборки из шести изолированных диодов
(для применения в дешифраторах, диодных функциональных преобразователях и умножителях), КД238
— сборка из двух диодов с барьером Шотки с ОК (для ВИП в качестве выходного двухтактного
выпрямителя со средней точкой), КД901 — матрицы из одного (группа А1), двух (гр. Б1), трех (гр.
В1) и четырех (гр. П) диодов с общим катодом; КД904 — матрицы из одного (гр. А1), двух (гр. Б1),
трех (гр. В1) и четырех (гр. Е1) диодов с ОА; КД908 — матрицы из восьми диодов с ОК; КД910 —
матрицы из одного (гр. А1), двух (гр. Б1) и трех (гр. В1) диодов; КД911 — матрицы из одного, двух
или трех диодов с ОК; КД912, КД913 —бескорпусные матрицы с шариковыми выводами из трех диодов
соответственно с ОА и ОК; КД917 — матрицы из восьми диодов с ОА в корпусе для микросхем.
Принцип действия варикапа основан на свойстве емкостей р-n перехода изменять свое
значение при изменении внешнего смещения. Изменяя напряжения на варикапе, подключенном к
колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной
частотой контура в перестраиваемых генераторах и синтезаторах частот. Таким образом, варикап
представляет собой малогабаритный электронный конденсатор переменной емкости, управляемый
напряжением.
По функциональному назначению и технологии изготовления приборы этого класса подразделя-
ются на: варикапы общего назначения с резкой зависимостью емкости от напряжения, высоковольтные
матрицы, умножительные, а также высокодобротные варикапы с резкой зависимостью емкости от
напряжения; варикапы для телевизоров и аппаратуры всеволнового диапазона с очень резкой зависи-
мостью емкости от напряжения.
Основными параметрами варикапов являются:
• номинальная Сном, минимальная Cmin и максимальная Стах емкости между выводами при
номинальном, максимальном и минимальном напряжениях смещения;
• номинальная добротность Qhom — отношение реактивного сопротивления варикапа к полному
сопротивлению потерь при номинальном напряжении;
• коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношение значений максимальной и минимальной
емкостей;
• температурный коэффициент емкости ас в (ТКЕ) — относительное изменение емкости варикапа
при заданном смещении в интерэале температур;
• максимально допустимые напряжения Umax — максимальное мгновенное значение переменного
напряжения, при котором сохраняется заданная надежность и мощность Ртах.
280 Раздел 4. Диоды
В варикапах имеется взаимосвязь между некоторыми параметрами: увеличение Кс однозначно
приводит к уменьшению Qb и пробивного напряжения Unpo6.
Из множества выпускаемых варикапов необходимо отметить KB 127 (со сверхрезкой проводимо-
стью для АМ-устройств), КВ130 (для селекторов каналов на полевых транзисторах с большим
коэффициентом перекрытия), KB 142 (с большим коэффициентом перекрытия по емкости для диапазо-
нов ДВ, СВ и KB приемников), КВ138 (для блоков УКВ радиоприемников), КВ136 (для схем управления
кварцевых генераторов), КВ129А9, КВ130А9, КВ134А9 (для поверхностного монтажа), КВ139 (для
диапазонов СВ, ДВ и растянутых диапазонов KB с управляющим напряжением до 5 В, для малогаба-
ритных радиоприемников с электронной настройкой), KB 144 (для селекторов каналов кабельного
телевидения), КВ101 (для радиокапсул медицинской аппаратуры), KB 103", КВ106 (для схем умножения
частоты и частотной модуляции), КВС111 (сдвоенные с общим катодом, для перестройки блоков УКВ
радиоприемников), КВ112А-1, КВ114, КВ116, КВ126 (для гибридных микросхем), КВ102, КВ104,
КВ105, КВ107, КВ109, КВ110, КВ113, КВ115 (подстроечные для подстройки контуров резонансных
усилителей), KB 117 (подстроечные с большим коэффициентом перекрытия по емкости и резкой
зависимостью емкости от напряжения), КВ119 (подстроечные для настройки широкополосных усили-
телей), КВС120 (КВС120В — сборки из трех варикапов, КВС120Б — сборки из двух варикапов с
общим катодом) для электронной настройки приемников, KB 121, KB 123 (подстроечные для селекторов
телевизионных каналов с электронным управлением), КВ122 (подстроечные для селекторов телевизи-
онных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением), KB 127 (подстроечные для
электронной настройки приемников), KB 128 (подстроечные для блоков УКВ автомобильных приемни-
ков и магнитол), КВ129 (подстроечные для схем частотных модуляторов), КВ132 (подстроечные для
ЧМ-трактов приемно-усилительной аппаратуры), КВ134, КВ135 (подстроечные для избирательных
цепей радиоприемников). Следует отметить и варикапы, выпускаемые в пластмассовых корпусах:
КВ121, КВ122, КВ123, КВ127, КВ130, КВ132, КВ134, КВ135 и др.
Стабилитроны имеют на вольт-амперной характеристике участок со слабой зависимостью
напряжения от протекающего тока, поэтому уровень напряжения на них остается постоянным при
изменении тока в широких пределах. Рабочий участок вольт-амперной характеристики стабилитронов
находится в области электрического пробоя р-n. перехода. Стабилитроны подразделяются на: стабилит-
роны общего назначения, термокомпёнсируемые и аттестуемые прецизионные. Стабилитроны общего
назначения используются прежде всего в стабилизаторах и ограничителях постоянного тока или
импульсного напряжения, термокомпенсированные и прецизионные — в качестве источников эталон-
ного или опорного напряжения в устройствах, где необходима высокая точность стабилизации уровня
напряжения. .
Основными параметрами стабилитронов являются:
• номинальное напряжение стабилизации Uct;
• динамическое гДИн и статическое гСтат сопротивления;
• температурный коэффициент напряжения стабилизации аист (при постоянном токе стабилиза-
ции);
• мощность рассеяния РПр;
• номинальный сток стабилизации Ict.hom— ток, при котором определяются значения классифи-
кационных параметров;
• минимальный ток стабилизации 1ст.тт(при токах меньше IcT.min увеличивается дифференциаль-
ное сопротивление, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микроплазменные
шумы);
• максимально допустимый ток стабилизации Ier.max — определяется максимально допустимой
рассеиваемой мощностью.
Для снижения аист (в термокомпенсированных стабилитронах) в корпусе размещаются последо-
вательно соединенные р-n переходы, работающие в прямом направлении, с равными по значению, но
противоположными по знаку температурными коэффициентами стабилизации (КС211, КС515, КС596).
В качестве источников опорного напряжения могут использоваться не только дискретные, но и
интегральные стабилитроны. Прецизионные интегральные стабилитроны превосходят классические
дискретные прецизионные стабилитроны по основным параметрам и имеют ряд эксплуатационных
преимуществ (не требуется прецизионное поддержание рабочих режимов по температуре окружающей
среды и току стабилизации). Основные недостатки дискретных прецизионных стабилитронов (высокое
Буквенные обозначения параметров диодов
281
Гст, зависимость аист от 1Ст) устраняется в интегральных стабилитронах с помощью схемотехнических
решений.
Интегральные стабилитроны в зависимости от используемого опорного элемента создаются на
основе как электрического пробоя обратносмещенного р-n перехода с использованием эффекта
термокомпенсации, так и прямосмещенных р-n переходов. Низковольтные интегральные прецизионные
стабилитроны, имеющие Uct=1,2...2,5 В, изготовляются по совмещенной технологии с лазерной
подгонкой тонкопленочных резисторов на кристалле ИС, обеспечивающей режим оптимальной компен-
сации и гарантирующей высокое значение аист.
Для изготовления стабилитронов с UCt=8 В используется стандартная технология ИС, не
требующая лазерной подгонки. Совместная реализация принципов термокомпенсации и термостабили-
зации кристалла ИС позволила создать стабилитроны с аист=10 ...10 %/°С. Базовые серии интег-
ральных стабилитронов позволяют создать на их основе источники опорного напряжения с широким
спектром номинальных значений Uer: 1,2; 2,4; 5; 7,5; 10В.
Стабисторы являются разновидностью стабилитронов; для стабилизации напряжения до 1 В
здесь используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики р-n перехода.
4.2. Буквенные обозначения
Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82
отечественное
международное
параметров диодов
Параметр
Общие параметры диодов
Inp
Inp, и
Inp, cp
1обр
1обр, и
'обр, вое
Unp
Unp, И
Unp, cp
U06p
Uo6p, и
Unpo6
Unp, вое
Unp, и, вое
Pnp
Ри
Pep
Робр
Гдиф
Гп
Re
Иви
Кбпер-окр
Квпер-кор
Сд
Спер
If
Ifm
If(av)
Ir
Irm
Irr
Uf
Ufm
Uf(av)
Ur
Urm
U(BR)
Ufr
Ufrm
Pf
Pm
P
Pr
г
rs
Rth
R(th)p
Rthja
Rthjc
Ctot
Q
Постоянный прямой ток.
Импульсный прямой ток.
Средний прямой ток.
Постоянный обратный ток.
Импульсный обратный ток.
Обратный ток восстановления.
Постоянное прямое напряжение.
Импульсное прямое напряжение.
Среднее прямое напряжение.
Постоянное обратное напряжение.
Импульсное обратное напряжение.
Пробивное напряжение.
Напряжение прямого восстановления.
Импульсное напряжение прямого восстановления.
Прямая рассеиваемая мощность.
Импульсная рассеиваемая мощность.
Средняя рассеиваемая мощность.
Обратная рассеиваемая мощность.
Дифференциальное сопротивление.
Последовательное сопротивление потерь.
Тепловое сопротивление.
Импульсное тепловое сопротивление.
Тепловое сопротивление переход-среда.
Тепловое сопротивление переход-корпус.
Общая емкость.
Емкость перехода.
282
Раздел 4. Диоды
Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82
отечественное
Скор
Qboc
Qhk
teoc, обр
teoc, пр
международное
Cease
—
Qs
trr
tfr
Параметр
Емкость корпуса.
Заряд восстановления.
Накопленный заряд.
Время обратного восстановления.
Время прямого восстановления.
Параметры выпрямительных диодов
'пр, и, п
1вп, ср
Inp, д )
Inp, уд
Inpr
1обр, и, п
1обр, ср
Uo6p, и, р
Uo6p, и, п
Uo6p, и, нп
Unop
Рпр, ср
Робр, ср
Робр, и, п
Ifrm
Io
If(rms)
Ifsm
I(OV)
Irrm
Ir(av)
Urwm
Urrm
URSM
U(TD)
Pf(av)
Pr(av)
Prrm
Повторяющийся импульсный прямой ток.
Средний выпрямленный ток.
Действующий прямой ток.
Ударный прямой ток.
Ток перегрузки.
Повторяющийся импульсный ток.
Средний обратный ток.
Рабочее импульсное обратное напряжение.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.
Пороговое напряжение.
Средняя прямая рассеиваемая мощность.
Средняя обратная рассеиваемая мощность.
Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность.
Параметры стабилитронов
1ст
1ст, и
1ст min
1ст max
Ucx
Гст
аист
бист; Аист
Iz
Izm
Iz min
IZ max
Uz
rz
exuz; Sz
Suz
Ток стабилизации стабилитрона.
Импульсный ток стабилизации стабилитрона.
Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона.
Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона.
Напряжение стабилизации стабилитрона.
Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилит-
рона.
Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона.
Основные параметры варикапов, шумовых диодов и стабисторов
Qb
Кс
иш
—
—
—
—
—
Q, M
—
Unz
Is
II
Us
Ul
als
Добротность варикапа.
Коэффициент перекрытия по емкости варикапа.
Постоянное напряжение шумового диода.
Ток стабилизации стабистора.
Предельный ток стабистора.
Напряжение стабилизации стабистора.
Предельное напряжение стабистора.
Температурный коэффициент тока стабилизации стабистора.
Параметры диодов, столбов и блоков
283
4.3. Параметры диодов, столбов и блоков
Тип
прибора
Uo6p max,
В
Uo6p и max,
В
Inp maxi MA
*np, cp maxt MA
Inp, и max» MA
>д max,
кГц
ипр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6P, В)
'вое, обр,
МКС
Сд, пФ
(при
Uocp, В)
Корпус
Д2Б
Д2В
Д2Г
Д2Д
Д2Е
Д2Ж
Д2И
10
30
50
50
100
150
100
16
25
16
16
16
8
16
100
100
100
100
100
100
100
1 E)
1(9).
1B)
1 D,5)
1 D,5)
1 B)
1 B)
100A0)
250 C0)
250 E0)
250 E0)
250 A00)
250A50)
250A00)
0,2 A,5)
0,2 A,5)
0,2A,5)
0,2 A,5)
0,2A,5)
0,2 A,5)
0,2 A,5)
Д7А
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж
50
100
150
200
300
350
400
300
300
300
300
300
300
300
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2.4
0,5 C00)
0,5 C00)
0,5 C00)
0,5 C00)
0,5C00)
0,5 C00)
0,5 C00)
100 E0)
100 A00)
100A50)
100 B00)
100 C00)
100 C50)
100D00)
Д9Б
Д9В
Д9Г
Д9Д
Д9Е
Д9Ж
Д9И
Д9К
Д9Л
Д9М
10
30
30
30
30
50
100
30
30
100
40
20
30
30
20
15
30
30
15
30
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1(90)
1 A0)
1 C0)
1 F0)
1C0)
1 A0)
1 C0)
1 F0)
1 C0)
1 F0)
250 A0)
250 C0)
250 C0)
250 C0)
250 C0)
250 E0)
120A00)
60 C0)
250C0)
250 A00)
дю
ДЮА
Д10Б
10
10
10
100
100
100
1,5C)
1,5E)
1,5(8)
100A0)
200A0)
200 A0)
ДЮ1
Д101А
75
75
30
30
2B)
1 A)
10 G5)
10 G5)
ДЮ2
Д102А
50
50
30
30
2B)
1A)
10 E0)
10 E0)
КД102А
КД102Б
250
300
50
50
1
20
1 A00)
1 A00)
0,1 B50)
1 C00)
дюз
ДЮЗА
30
30
30
30
2B)
1A)
30 C0)
30 C0)
284
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
p
В
Uo6p и max.
В
*пр max* МЛ
Inp, cp max» MA
Дпр, и max» MA
кГц
и„Р, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6P, В)
(вое, обр,
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД103А
КД103Б
50
50
50
50
20
20
1 A00)
1,2 A00)
0,5 E0)
0,5 E0)
20E)
20E)
Д104
Д104А
100
100
30
30
150
150
2B)
1A)
5A00)
5A00)
0,5
0,5
0,7 A)
0,7 @,3)
КД104
300
50
20
1 A0)
3C00)
ДЮ5
Д105А
100
100
30
30
150
150
2B)
1A)
5G5)
5G5)
0,5
0.5
0,7A)
0,7 @,3)
КД105Б
КД105В
КД105Г
400*
800*
800*
300
300
300
1 C00)
1 C00)
1 C00)
100D00)
100 F00)
100 (800)
ДЮ6
Д106А
100
100
30
30
150
150
2B)
1A)
5C0)
5C0)
0,5
0,5
0,7A)
0,7 @,3)
КД106А
100*
300; 3* А
1 C00)
10A00)
0,385
74...153
E)
ГД107А
ГД107Б
15
25
20
20
1 00)
0,4A,5)
20 A0)
100 B0)
Параметры диодов, столбов и блоков
285
Тип
прибора
Uобр max»
В
Uo6p и max:
В
1пр max» МЛ
1пр, ср max» мА
1пр, и max» МА
•д max»
кГц
ипр, в,
не более
(при 1пр, мА)
1обр» мкА
не более
(при Uo6P, В)
1вос, обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
В)
Корпус
КД109А
КД109Б
КД109В
100*
300*
600*
300
300
300
1 C00)
J C00)
1 C00)
100A00)
100 C00)
100 F00)
АД110А
30
10
1000
1,5A0)
5B0)
10
АДИ2А
50
300
3C00)
100 E0)
ГД113А
115*
15
1 C0)
250 (80)
КДП6А-1
КД116Б-1
100
50
25
100
<0,95
B5 мА)
1 B5 мА)
1 A00 В)
0,4 E0 В)
в1,5
<4
Д202
100
400
20
1 D00)
500 A00)
КД202А
КД202В
КД202Д
КД202Ж
КД202К
КД2О2М
КД2О2Р
50^
100
200
300
400
500
600
5 А
5 А
5 А
5 А
5 А
5 А
5А
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
800 E0)
800 A00)
800 B00)
800 C00)
800 D00)
800 E00)
800 F00)
Д203
200
400
20
1 D00)
500 B00)
286
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p max»
В
p и maxi
В
Inp maxi MA
Inp, cp maxi MA
*пр, и maxt MA
'д max?
кГц
ипр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обр> мкА
не более
(при Uo6P, В)
Твое, обр.
МКС
Сд, ПФ
(при
UoeP, В)
Корпус
КД203А
КД203Б
КД203В
КД203Г
КД203Д
КД203Е
КД203Ж
КД203И
КД203К
КД203Л
КД203М
420
560
560
1000
720
800
800
1000
1000
400
600
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
1
1
1 E А)
1 A0 А)
1 E А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1,5 мА (800 В)
1,5 мА (800 В)
1,5 мА A000 В)
1,5 мА A000 В)
1,5 мА D00 В)
1,5 мА F00 В)
1500 F00)
1500 (800)
1500 (800)
1500A000)
1500A000)
Д204
300
400
20
1 D00)
500 C00)
КД204А
КД204Б
КД204В
400*
200*
50*
400
600
1 А
1,4 F00)
1,4 F00)
1,4 F00)
150 D00)
100 B00)
50 E0)
1,5
1,5
1,5
Д205
400
400
20
1 D00)
500 D00)
КД205А
КД205Б
КД205В
КД205Г
КД205Д
КД205Е
КД205Ж
КД205И
КД205К
КД205Л
500
400
300
200
100
500
600
700
100
200
500
500
500
500
500
300
500
300
700
700
1 E00)
1 E00)
1 E00)
1 E00)
1 E00)
1 C00)
1 E00)
1 C00)
1 G00)
1 G00)
100 E00)
100 D00)
100 C00)
100 B00)
100A00)
100 E00)
100 F00)
100 G00)
100A00)
100 B00)
Д206
100
400
1 A00)
50 A00)
КД206А
КД206Б
КД206В
400
500
600
10 А
10 А
10 А
1,2A000)
1,2A000)
1,2A000)
700 D00)
700 E00)
700 F00)
10
10
10
Д2О7
200
400
1 A00)
50 B00)
Параметры диодов, столбов и блоков
287
Тип
прибора
Uo6p max»
В
Uo6p и maxi
В
Inp max» MA
Inp, cp max» МЛ
1д max»
кГц
ипр,в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обр» мкА
не более
(при Uo6p, В)
teoc, обр»
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Д208
300
400
1 A00)
50 C00)
КД208А
100
1,5 А
1 A000)
100 A00)
КД208А-1
100
1,5 А
1A А)
100 A00 В)
Д209
400
400
1 A00)
50 D00)
КД209А
КД209Б
КД209В
400
600
800
700
500
500
1 G00)
1 E00)
1 E00)
100 D00)
100 F00)
100 (800)
КД209А-1
КД209Б-1
КД209В-1
КД209Г-1
400
600
800
1000
700
700
500
200
1 @,7 А)
1 @,7 А)
1 @,5 А)
1 @,2 А)
30 D00 В)
30 F00 В)
30 (800 В)
50 A000 В)
Д210
500
400
1 A00)
50 E00)
КД210А
КД210Б
КД210В
КД210Г
800
800
1000
1000
5 А
10А
5 А
10 А
1 A0 А)
2 A0 А)
2 A0 А)
2 A0 А)
4,5 мА (800)
4,5 мА (800)
4,5 мА A000)
4,5 мА A000)
Д2И
600
400
1 A00)
50 F00)
288
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
p
В
Inp maxt MA
Inp, cp maxi MA
Inp, и max» MA
¦д maxi
кГц
ипр, в,
не более
(при Inp, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6P, В)
teoc, обр.
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212Г
200
200
100
100
1 А
1 А
1 А
1 А
100
100
100
100
1A А)
1,2A А)
1A А)
1,2 A А)
50 B00)
100 B00)
100A00)
100A00)
0,3
0,3
0,5
0,5
45 A00)
45 A00)
45 A00)
45 A00)
КД213А
КД213Б
КД213В
КД213Г
200
200
200
100
10А
10 А
10 А
10 А
100
100
100
100
1 A0 А)
1,2 A0 А)
1,2 A0 А)
1,2 A0 А)
200 B00)
200 B00)
200 B00)
200A00)
0,3
0,17
0,5
0,3
550 A00)
550 A00)
550 A00)
550 A00)
Д214
Д214А
Д214Б
100
100
100
10 А
10 А
5А
1,1
1.1
1.1
1,2 A0 А)
1 A0 А)
1,5E А)
ЗмАООО)
3 мА A00)
3 мА A00)
Д215
Д215А
Д215Б
200
200
200
10 А
10 А
5 А
1.1
1.1
1.1
1.2 A0 А)
1 A0 А)
1,5 E А)
3000 B00)
3000 B00)
3000 B00)
МД217
800
100
1 A00)
50 (800)
МД218
МД218А
1000
1200
100
100
1 A00)
1,1 A00)
50 A000)
50 A200)
КД221А
КД221Б
КД221В
КД221Г
100
200
400
600
0,7 А
0,5 А
0,3 А
0,3 А
1,4 @,7 А)
1,4 @,5 А)
1.4 @,3 А)
1.4@,3 А)
50A00)
50 B00)
100 D00)
150F00)
1,5
1,5
1.5
1,5
КД221А1
КД221Б1
КД221В1
КД221П
КД221Д1
КД221Е1
100
200
400
600
100
400
700
500
300
300
700
300
,4 @,7 А)
.4 @,5 А)
.4 @,3 А)
,4 @,3 А)
.4 @,7 А)
.4@,3 А)
50 A00 В)
50 B00 В)
100 D00 В)
100 F00 В)
50 A00 В)
100 D00 В)
Параметры диодов, столбов и блоков
289
Тип
прибора
Uo6p m
В
p и max»
В
*пр max» MA
Inp, cp max» MA
1пр, и max» мА
1д max»
кГц
ипр, в,
не более
(при Inp, мА)
1обр» мкА
не более
(при Uo6P, В)
teoc. обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
Uoep, В)
Корпус
КД222А-5
КД222Б-5
КД222В-5
20
30
40
2 А
2 А
2 А
0.55 B А)
0,55 B А)
0.55 B А)
2 мА B0 В)
2 мА C0 В)
2 мА D0 В)
Д223
Д223А
Д223Б
50
100
150
50
50
50
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 A00)
1 A50)
КД223А
200
2 А; 50 А*
1,5
1,3 F А)
10 B00)
Д226
Д226А
Д226Е
400
300
200
300
300
300
1 C00)
1 C00)
I C00)
50 D00)
50 C00)
50 B00)
КД226А
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е
МД226
МД226А
МД226Е
100
200
400
600
800
600
400
300
200
1,7 А
1,7 А
1,7 А
1,7 А
1,7 А
2 А
50
50
50
50
50
50
1,4 A,7 А)
1,4A,7 А)
1,4 A,7 А)
1,4 A,7 А)
1.4 A.7 А)
1.3 A А)
50 A00)
50 B00)
50 D00)
50 F00)
50 (800)
10F00)
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
300
300
300
1 C00)
1 C00)
1 C00)
50 D00)
50 C00)
50B00)
Д229А
Д229Б
Д229В
Д229Г
Д229Д
Д229Е
Д229Ж
Д229И
Д229К
Д229Л
200
400
100
200
400
400
100
200
300
400
400
400
400
400
300
400
700
700
700
700
D00)
D00)
D00)
D00)
D00)
D00)
G00)
G00)
G00)
G00)
50 B00 )
50 D00)
200A00)
200 B00)
200 C00)
200 D00)
200 A00)
200 B00)
200 C00)
200 D00)
Д231
Д231А
Д231Б
300
300
300
10 А
10 А
5А
1,1
1,1
1,1
1 A0 А)
1 A0 А)
1,5E А)
3000 C00)
3000 C00)
3000 C00)
290
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p maxi
В
Uo6p и maxt
В
*пр maxt MA
Inp, cp max, MA
»пр, и maxi MA
¦д max*
кГц
ипр, в,
не более
(при Inp, мА)
Io6pi MKA
не более
(при Uoep, В)
1вос, обр>
МКС
Сд, ПФ
(при
Uoep, В)
Корпус
Д232
Д232А
Д232Б
400
400
400
10 А
10 А
5А
1,1
1,1
1,1
1 A0 А)
1 A0 А)
1,5 E А)
3000 D00)
3000 D00)
3000 D00)
Д233
Д233Б
500
500
10 А
5 А
1,1
1,1
1 A0 А)
1.5 E А)
3000 E00)
3000E00)
Д234Б
600
5 А
1,1
1,5E А)
3000F00)
Д237А
Д237Б
Д237В
Д237Е
Д237Ж
200
400
600
200
400
300
300
100
200
200
1 C00)
1 C00)
1 A00)
1 B00)
1 B00)
50 B00)
50 D00)
50 F00)
50 B00)
50 D00)
КД238АС
КД238БС
КД238ВС
КД240А
КД240Б
КД240В
КД240Г
ВД240Д
КД240Е
КД240Ж
КД240И
КД240К
25*
35*
45*
200*
400*
600*
200*
400*
600*
200*
400*
600*
7,5; 75* А
7,5; 75* А
7,5; 75* А
10...200
10...200
10...200
0,65 G.5 А)
0,65 G,5 А)
0,65 G,5 А)
<1мАB5)
<1мАC5)
<1мАD5)
200 B5)
200 B5)
200 B5)
2 А
2 А
2 А
1 А
1 А
1 А
2* А
2* А
2* А
20
20
20
20
20
20
1
1
1
1,45 C А)
1,45C А)
1,45 (ЗА)
1,35 A,5 А)
1,35 A,5 А)
1,35A,5 А)
1,15C А)
1,15C А)
1,15C А)
30 B00 В)
30 D00 В)
30 F00 В)
30 B00 В)
30 D00 В)
30 A00 В)
30 B00 В)
30 D00 В)
30 F00 В)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
50,25
КД241А
1500*
2 А; 5* А
20
1,4B А)
1 A500)
?1.5
КД241А
Д242
Д242А
Д242Б
100
100
100
10 А
10А
5 А
1.1
1,1
1,1
1,25 A0 А)
1 A0 А)
1,5 E А)
3000 A00)
3000 A00)
3000A00)
Д243
Д243А
Д243Б
200
200
200
10 А
10 А
5 А
1,1
1,1
1.1
1,25 A0 А)
1 A0 А)
1,5E А)
3000 B00)
3000 B00)
3000 B00)
Параметры диодов, столбов и блоков
291
Тип
прибора
Uo6p max>
В
U^pHmax
В
Inp max, MA
lnp, cp maxt MA
»пр, и maxi мА
«д maxi
кГц
ипр, в,
не более
(при 1пр, мА)
1обр. мкА
не более
(при Uo6P, В)
Iboc, o6pt
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД243Е
КД243Ж
50
100
200
400
600
800
1000
1 А; 6*
1 А; 6*
1 А; 6*
1 А; 6*
1 А; 6*
1 А; 6*
1 А; 6*
,1 A А)
.1 A А)
,1 A А)
.1 A А)
,1 A А)
,1 A А)
,1 A А)
10 E0)
10A00)
10 B00)
10 D00)
10F00)
10 (800)
10A000)
КД243
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244Г
100
100
200
200
10 А
10 А
10 А
10 А
200
200
200
200
1,3 A0 А)
1,3A0 А)
1,3 A0 А)
1,3 A0 А)
100A00)
100 B00)
100A00)
100 B00)
0,05
0,035
0,05
0,035
Д245
Д245А
Д245Б
300
300
300
10 А
10 А
5 А
1,1
1,1
1,1
1,25 A0 А)
1 A0 А)
1,5 E А)
3000 C00)
3000 C00)
3000C00)
Д246
Д246А
Д246Б
400
400
400
10 А
10 А
5 А
1,1
1,1
1,1
1,25 A0 А)
1 A0 А)
1,5E А)
3000 D00)
3000 D00)
3000 D00)
Д247
Д247Б
500
500
10 А
5 А
1,1
1,1
1,25 A0 А)
1,5 E А)
3000 E00)
3000 E00)
КД247А
КД247Б
КД247В
КД247Г
КД247Д
КД247Е
100
200
400
600
800
50
А; 30*
А; 30*
А; 30*
А; 30*
А; 30*
А; 30*
150
150
150
150
150
150
1,3A А)
1,3A А)
1,3 A А)
1,3A А)
1,3A А)
1,3A А)
5A00)
5B00)
5D00)
5F00)
5 (800 В)
5 E0 В)
<150
<150
<150
<150
<250
<150
Д248Б
600
5 А
1,1
1,5E А)
3000 F00)
КД257А
КД257Б
КД257В
КД257Г
КД257Д
200
400
600
800
1000
3 А; 15* А
3 А; 15* А
3 А; 15* А
3 А; 15* А
3 А; 15* А
1,5 E А)
1,5 E А)
1,5E А)
1,5E А)
1,5 E А)
2B00)
2 D00)
2F00)
2 (800)
2 A000)
<250
<250
<250
<300
<300
292
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КД258А
КД258Б
КД258В
КД258Г
КД258Д
КД268А
КД268Б
КД268В
КД268Г
КД268Д
КД268Е
КД268Ж
КД268И
КД268К
КД268Л
КД269А
КД269Б
КД269В
КД269Г
КД269Д
КП269Е
Il^kUvli
КД269Ж
КД269И
КД269К
КД269Л
КД270А
КД270Б
КД270В
КД270Г
КД270Д
КД270Е
КД270Ж
КД270И
КД270К
КД27ОЛ
КД271А
КД271Б
КД271В
КД271Г
КД271Д
КД271Е
КД271Ж
КД271И
КД271К
КД271Л
КД272А
КД272Б
КД272В
КД272Г
КД272Д
КД272Е
КД272Ж
КД272И
КД272К
КД272Л
КД273А
КД273Б
КД273В
КД273Г
КД273Д
КД273Е
КД273Ж
КД273И
КД273К
КД273Л
Uo6p max,
В
Uo6p и maxi
В
200
400
600
800
1000
25
50
75
100
150
200
250
300
350
400
25
50
75
100
150
200
250
300
350
400
25
50
75
100
150
200
250
300
350
400
25
50
75
100
150
200
250
300
350
400
25
50
75
100
150
200
250
300
350
400
25
50
75
100
150
200
250
300
350
400
*np maxi MA
*npf cp maxi MA
*пр, и maxj MA
3 A; 7,5* A
3 A; 7,5* A
3 A; 7,5* A
3 A; 7,5* A
3 A; 7,5* A
3 A; 300* A
3 A; 250* A
3 A; 200* A
ЗА; 150* A
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
5 А; 450* А
5 А; 300* А
5 А; 240* А
5 А; 210* А
5 А
5 А
5 А
5 А
5 А
5 А
7,5 А; 850* А
7,5 А; 700* А
7,5 А; 600* А
7,5 А; 525* А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
10 А; 1000* А
10 А; 800* А
10 А; 700* А
10 А; 600* А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
15 А; 1400* А
15 А; 1200* А
15 А; 1000* А
15 А- 800* А
15 А
15А
15 А
15А
15 А
15 А
20 А; 1800* А
20 А; 1500* А
20 А; 1400* А
20 А- 1400* А
&\J /\, 1 tj\J\J /Л
20 А
20 А
20 А
20 А
20 А
20 А
кГц
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
_
—
—
—
—
—
—
—
ипр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1,6C* А)
1,6C* А)
1,6C* А)
1,6 C* А)
1,6 C* А)
0,65 C А)
0,75 C А)
0,85 C А)
0,85 C А)
0,9 C А)
0,9 C А)
0,95 C А)
0,95 C А)
1 (ЗА)
1,1 (ЗА)
0,65 E А)
0,75 E А)
0,85 E А)
0,85 E А)
0,9 E А)
ПО (*\ АЪ
0,95 E А)
0,95 E А)
1 E А)
1,1 E А)
0,65 G,5 А)
0,75 G,5 А)
0,85 G,5 А)
0,85 G,5 А)
0,9 G,5 А)
0,9 G,5 А)
0,95 G,5 А)
0,95 G,5 А)
1 G,5 А)
1,1 G,5 А)
0,65A0 А)
0,75A0 А)
0,85A0 А)
0,85 A0 А)
0,9A0 А)
0,9 A0 А)
0,95A0 А)
0,95 A0 А)
1 A0 А)
1,1 A0 А)
0,65 A5 А)
0,75 A5 А)
0,85A5 А)
ОЯЧ f 14 А)
и,Ои \ 1 О П/
0,9 A5 А)
0,9 A5 А)
0,95 A5 А)
0,95 A5 А)
1 A5 А)
1,1 A5 А)
0,65 B0 А)
0,75 B0 А)
0,85 B0 А)
ft 84 (9П А}
0,9 B0 А)
0,9 B0 А)
0,95 B0 А)
0,95 B0 А)
1 B0 А)
1,1 B0 А)
не более
(при Uo6P, В)
2 B00)
2 D00)
2 F00)
2(800)
2 A000)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2мА
2 мА
ЗмА
3 мА
ЗмА
мА
мА
1 мА
мА
мА
о мд
2мА
2 мА
ЗмА
ЗмА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
2мА
ЗмА
ЗмА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2мА
2 мА
3 мА
3 мА
¦
мА
мА
мА
мА
тпп
мА
2 мА
2мА
5 мА
5 мА
5 мА
мА
мА
мА
ыА
мл
мА
2мА
2 мА
5 мА
5мА
5мА
1вос. обр,
МКС
<250
<250
<250
<300
<300
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
_
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Сд, пФ
(при
Uoep, В)
—
—
—
—
—
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
ЧОП
O\J\J
500
500
500
500 -
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
ЧОП
\J\J\J
500
500
500
500
500
500
500
500
500
чип
O\J\J
500
500
500
500
500
500
Корпус
КД258
#
A
BE
\ У
5
КД268
К
Щ51 ^ 4.8_
1
1
Щ
1
,_L_
|
L
ф ф I
К А
КД269
Г
Щ5 4,8
ffi.
1 i *
I
. i.
|
I
ф ф
К А
КД270
Г
3
t10,5t^ 4,8_
1
1 J L
1
]
\f Л
К А
КД271
_
a
10,5 4,8
i
r
ran
JTl
i
i .
I
Tlf Т
ф ф "
К А
КД272
mh J/R
4b
i
f
№
i
1
I
К А
КД273
Г
mh liR
г
I
\
i
rrfn
J<Pl
1
»
]
I
111 ? 1
Щ \
К А
г
Параметры диодов, столбов и блоков
293
Тип
прибора
«-•обр щах»
В
Uo6p н max
В
np max>
пр, ср
x» MA
пр, и шах
>д maxt
кГц
и„Р, в,
не более
(при 1Пр, мА)
не более
(при Uo6P, В)
*вос. обр,
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД2988А
КД2988Б
КД2988В
800
600
400
15 А; 100* А
15 А; 100* А
15 А; 100* А
1,6 A5 А)
1,5 A5 А)
1,4 A5 А)
0,1
0,1
0,05
0,3
0,3
0,3
КД2991А
45*
60 А
10...200
0,7 F0 А)
50 мА C5 В)
КД2994А
200
20 А
200
1,3B0 А)
100A00)
0,05
КД2995А
КД2995Б
КД2995В
КД2995Г
КД2995Д
КД2995Е
50"
70"
100
150
200
100
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
20...200
2O...2OO
20.. .200
20...200
2O...2OO
10...200
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
10 E0 В)
10 G0 В)
10 A00 В)
10 A50 В)
10 B00 В)
10 A00 В)
?0,05
?0,05
?0,05
<0,05
<0,05
<0,01
КД2996А
КД2996Б
КД2996В
50*
70*
100*
50А
50 А
50 А
20...200
20...200
20...200
1 E0 А)
1 E0 А)
I E0 А)
25 E0 В)
25 G0 В)
25 A00 В)
?0,06
?0,06
?0,06
КД2997А
КД2997Б
КД2997В
200; 250*
100; 200*
50; 100*
30 А; 100* А
30 А; 100* А
30 А; 100* А
200
200
200
1 C0 А)
1 C0 А)
1 C0 А)
200 B00)
200 A00)
200 E0)
?0,2
?0,2
?0,2
КД2998А
КД2998Б
КД2998В
КД2998Г
КД2998Д
15*
20*
25*
35*
30*
30 А
30 А
30 А
30 А
30 А
10...200
10...200
10...200
10...200
10...200
0,6 C0 А)
0,6 C0 А)
0,7 C0 А)
0,7 C0 А)
0,7 C0 А)
20мАA5В)
20 мА B0 В)
20 мА B5 В)
20 мА C5 В)
20 мА C0 В)
294
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uобр max*
* В
Uo6p и maxi
В
Inp maxi MA
Inp, ср maxt MA
|* МД
*пр, и шаХ| гчп
¦д maxi
кГц
ипр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обр, МКА
не более
(при Uo6P, В)
Iboc, o6pi
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД2999А
КД2999Б
КД2999В
200; 250*
100; 200*
50; 100*
20 А; 100* А
20 А; 100* А
20 А; 100* А
100
100
100
1 B0 А)
1 B0 А)
1 B0 А)
200 B50)
200 B00)
200 A00)
<0,2
S0.2
20,2
Д302
ДЗОЗ
Д304
Д305
200
150
100
50
1 А
ЗА
5 А
10 А
0,3 A А)
0,35C А)
0,3 E А)
0,35A0 А)
800 B00)
1000A50)
2000 A00)
2500 E0)
КД401А
КД401Б
75*
75*
30
30
150
150
1E)
1 (Ю)
5G5)
5G5)
1 E)
1,5E)
ГД402А
ГД402Б
15
15
30
30
60 МГц
10 МГц
0,45 A5)
0,45 A5)
50A0)
50 A0)
0,8 E)
0,5 E)
ГД403А
ГД403Б
ГД403В
465
465
465
0,5 E)
0,5 E)
0,5 E)
КД407А
24
50
E0... 300)
МГц
0,5 B4)
1 E)
КД409А
24
50
E0...300)
МГц
0,5 B4)
2A5)
КД409А-9
КД409Б-9
40
40
100; 500*
50; 500*
1,2 @,1 А)
1 @,1 А)
0,5 D0 В)
0,5 D0 В)
1
1,5
Параметры диодов, столбов и блоков
295
Тип
прибора
Uo6p maxi
В
Uobp и maxi
В
Inp maxi MA
Inp, cp maxi мА
*пр, и maxi MA
¦д maxi
кГц
и„р, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1овр, мкА
не более
(при Uo6P, В)
*вос, o6pi
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД410А
КД410Б
1000
600
50
50
2 E0)
2E0)
ЗмАA00)
3 мАA00)
КД411А
КД411Б
КД411В
КД411Г
700*
600*
500*
400*
2 А
2 А
2 А
2 А
30
30
30
30
1,4A А)
1.4 A А)
1,4 (I А)
2A А)
700 G00)
700 F00)
700 E00)
700 D00)
25
25
КД411АМ
КД411БМ
КД411ВМ
КД411ГМ
700*
750*
600*
500*
2 А
2 А
2 А
2А
30
30
30
30
1,4A А)
1.4A А)
1,4A А)
2A А)
300 G00)
300 G50)
300 F00)
300 E00)
0,5
0,5
1.5
1,5
КД412А
КД412Б
КД412В
КД412Г
1000*
800*
600*
400*
20* А
20* А
20* А
20* А
20
20
20
20
2 A0 А)
2 A0 А)
2 A0 А)
2 A0 А)
100 A000)
100 (800)
100 F00)
100 D00)
1.5
1.5
1,5
1.5
КД413А
КД413Б
24
24
20*
20*
100 МГц
100 МГц
1 B0)
1 B0)
0,7
0,7
КД416А
КД416Б
400
200
300; 15* А
300; 15* А
0.5
0.5
3A5 А)
3A5 А)
400 D00)
200 B00)
КД417А
24
20
1 B0)
0,4
КД419А
КД419Б
КД419В
КД419Г
КД419Д
15
30
50
15
10
10
10
10
10
10
400 МГц
400 МГц
400 МГц
400 МГц
400 МГц
0,4 A)
0,4A)
0,4 A)
0.4 A)
0.4 A)
10A5)
10 C0)
10 E0)
10A5)
10A0)
<2
КД424А
КД424Б
КД424В
250
200
150
350 B* А)
350 B* А)
350 B* А)
10 МГц
10 МГц
10 МГц
1,1 C00)
1,1 C00)
1,1 C00)
0,1 B50)
0,1 B00)
0,1 A50)
<1000
<1000
<1000
296
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p maxi
В
Uo6p н max»
В
Inp maxi **А
Inp, cp maxi MA
1д maxi
кГц
и„р, в,
не более
(при Inp, мА)
Io6pi МКА
не более
(при Uoep, В)
Твое, обр,
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД503А
КД503Б
30
30
20
20
350 МГц
350 МГц
1 A0)
1,2A0)
10 C0)
10 C0)
0,01
0,01
5
2,5
КД503В
10
10 B А*)
<1,3 A0)
A0)
<50
<6
КД504А
40
240
1,2 A00)
2D0)
20E)
ГД507А
20
16
0,5 E)
50 B0)
0,1
0,8 E)
ГД508А
ГД508Б
10; 30*
10; 30*
0,75
A0 мА)
0,65
A0 мА)
60 (8 В)
100 (8 В)
0,75
@,5 В)
0,75
@,5 В)
КД509А
50
100
1.1 @,1 А)
5 E0 В)
0,004
<4 @ В)
КД510А
50
200
1,1 @,2 А)
5 E0 В)
?0,004
<4 @ В)
КД512А
15
20
1 A)
5A5)
0,001
1 E)
КД513А
50
100
1,1 A00)
5E0)
0,004
Параметры диодов, столбов и блоков
297
Тип
прибора
Uo6p max»
В
Uo6p и max»
В
Inp max» Mi\ -
, MA
'пр,
1пр, н
iд max,
кГц
ипр, в,
не более
(при 1пр, мА)
Io6pi МКА
не более
(при Uoep, В)
Iboc, o6|)i
МКС
Сд, ПФ
(при
и.*,,, в)
Корпус
КД514А
10
10
1 A0)
5F)
0,9
АД516А
АД516Г
10
10
1,5B)
1,5B)
2A0)
2A0)
0,001
0,001
0,5
0,35
КД518А
100; 1,5* А
0,57A)
КД519А
КД519Б
30
30
30
30
1,1 A00)
1,1 A00)
5 C0)
5C0)
4,0
2,5
КД520А
15
20
1 B0)
1 A5)
0,004
3,0 E)
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД521Д
75
60
50
30
12
50
50
50
50
50
E0)
E0)
E0)
E0)
E0)
1 G5)
1 F0)
1 E0)
1 C0)
1 A2)
0,004
0,004
0,004
0,004
0,004
4,0 @)
4,0 @)
4,0 @)
4,0 @)
4,0 @)
КД521А2
КД521Б2
75
50
50
50
1 E0 мА)
1 E0 мА)
1 G5 В)
1 G5 В)
4 не
4 не
КД522А
КД522Б
30
50
100
100
1,1 A00)
1,1 A00)
2 C0)
5 E0)
0,004
0,004
4,0 @)
4,0 @)
КД522А2
КД522Б2
30
50
100
100
1,1 A00 мА)
1,1 A00 мА)
1 C0 В)
1 E0 В)
4 не
4 не
298
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p max»
в
Uo6p и max»
В
*np max» MA
«пр. ср max» MA
*пр, и max» МЛ
|Д !ШХ|
кГц
unpt в,
не более
(при Inp, мА)
1об|>, мкА
не более
(при Uo6P, В)
teoc, обр»
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД529А
КД529Б
КД529В
КД529Г
2000
2000
1600
1600
8 А
8 А
8 А
8А
3.5 B0 А)
3,5 B0 А)
3,5 B0 А)
3,5 B0 А)
1,5 мА
B000 В)
1.5 мА
B000 В)
1,5 мА
A600 В)
1.5 мА
A600 В)
КД629АС
90
200; 800*
I B00)
0,1 (90)
<35@)
КД704АС
70
100; 500*
1,3A00)
<3 G0)
<45*
< 1.5@)
КД706АС9
70
100; 1.5* А
1 A00 мА)
2,5 G0 В)
2,5 не
2,4
КД7О7АС9
70
100; 1,5* А
1 A00 мА)
2,5 G0 В)
2 не
1,8
КД803АС9
50
200; 1,5* А
1,1 @,2 мА)
1 E0 В)
КД805А
75
200; 450*
1 МГц
1 A00)
<5 G5)
<А
<2
КД808А
25; 30*
200; 500*
0,4 A0)
0,5 B5)
<5
Параметры диодов, столбов и блоков
299
Тип
прибора
Uo6p max»
В
Uo6p и max»
В
Inp, cp max
*пр, и max»
? МА
1д max»
кГц
ипр, в,
не более
(при Inp, мА)
Io6pf мкА
не более
(при Uo6P, В)
*вос, обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД811А
КД811Б
КД811В
75
50
50
1 E0 мА)
1 A00 мА)
1 E0 мА)
4 не
4 не
4 не
КД811
КД811А-9
КД811Б-9
КД811В-9
75
50
50
1 E0 мА)
1,1 A00 мА)
1 E0 мА)
4 не
4 не
4 не
КД901А-1
КД901Б-1
КД901В-1
КД901Г-1
10
10
10
10
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,7A)
0,7A)
0,7A)
0,7A)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
<20
<20
<20
<20
<4 @,1)
<4 @,1)
<4 @,1)
<4 @,1)
КД903А
КД903Б
20
20
75
75
1,2 G5)
1,2 G5)
0,5 B0)
0,5 B0)
150
150
150 E)
150 E)
КД904А-1
КД904Б-1
КД904В-1
КД904Г-1
КД904Д-1
КД904Е-1
10; 12*
10; 12*
10; 12*
10; 12*
10; 12*
10; 12*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
<2 @,1)
<2 @.1)
<2 @.1)
<2 @,1)
<2 @,1)
S2 @,1)
КД906А
КД906Б
КД906В
КД906Г
КД906Д
КД906Е
75
50
30
75
50
30
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
2G5)
2E0)
2C0)
2G5)
2E0)
2C0)
1
1
1
1
1
1
20E)
20E)
20E)
40E)
40E)
40E)
300
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
<->обр m
В
"обр н
В
Inp maxt MA
*пр, ср max? MA
**А
ffl max»
кГц
ипр, в,
не более
(при 1пр, мА)
1Обрг мкА
не более
(при Uo6P, В)
(вое, обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
lUp, В)
Корпус
КД907Б-1
КД907Г-1
40; 60*
40; 60*
50; 700*
50; 700*
10 МГц
10 МГц
I E0)
1 E0)
5D0)
5D0)
?5@)
?5@)
КД908А
40; 60*
200; -1,5* А
1,2B00)
5D0)
<30
?5@)
КД908АМ
40;60*
200; 1,5* А
10 МГц
1,2B00)
1 D0)
<20
?5@)
КД909А
40
200
1,2 B00)
10 D0)
70
КД910А-1
КД910Б-1
КД910В-1
10*
10*
10*
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,5 E)
0,5 E)
0,5 E)
<5
21,5@,1)
?1,5@,1)
КД911А-1
КД911Б-1
10
10
0,6 @.05)
0,6 @.05)
0,5 E)
0,5 E)
<160
<160
Параметры диодов, столбов и блоков
301
Тип
прибора
Uo6p maxt
В
Uo6p и max»
В
Inp max» MA
Inp. cp maxt MA
Inp. и max, MA
кГц
ипр,в,
не более
(при Inp, мА)
1обр, мкА
не более
(при Uo6P, В)
tew. обр,
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6p. В)
КД912А-3
КД912Б-3
КД912В-3
3,5; 10*
3,5; 10*
3,5; 10*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,5 @,05)
0,5 @,05)
0,5 @,05)
0,2 E)
0,2 E)
0,2 E)
<5
<30
<80
<1.8 @,1)
КД913А-3
10
5; 200*
10МГц
0,48 @.01)
0,2A0)
<4 @,1)
КД914А
КД914Б
КД914В
20
20
20
20
20
20
1E)
1 E)
1 E)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
КД917А
40
200
1,2 B00)
5E0)
10
40 @,05)
КД917АМ
40; 60*
200; 1,5* А
1,2B00)
1 D0)
<40
<6@)
КД918Б-1
КД918Г-1
40
40
50
50
10 МГц
10 МГц
1 E0)
1 E0)
5D0)
5D0)
<4
<4
<6@)
<6@)
302
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p maxi
В
Uo6p и max
В
Т мА
*пр maxi тп
Inp, cp maxi MA
Inp, и max, мА
кГц
Unp, В,
не более
(при 1Пр, мА)
не более
(при Uo6P, В)
»ВОС, Обр>
МКС
Сд, пФ
(при
Uoep, В)
Корпус
КД919А
40
100
1,35 A00)
1 D0)
100
6A0)
КД922А
КД922Б
КД922В
18
21
10
50
35
10
10 МГц
10 МГц
10 МГц
1 E0)
1 C5)
1 (Ю)
0,5 A5)
0,5 A5)
0,5 A0)
КД923А
14
100
0,7 МГц
1 A00)
5A0)
3,6
Д1004
2кВ
100
5A00)
100 B кВ)
Д1005А
Д1005Б
4 кВ
4 кВ
50
100
5 E0)
10A00)
100 D кВ)
100 D кВ)
Д1006
6кВ
100
10A00)
100 F кВ)
Д1007
8 кВ
75
10 A00)
100 (8 кВ)
Д1008
10 кВ
50
10A00)
100 A0 кВ)
Д1009
Д1009А
2 кВ
1 кВ
300
300
2,6 C00)
1,5 C00)
100 B кВ)
100A кВ)
Параметры диодов, столбов и блоков
303
Тип
прибора
Uобр maxi
В
p и maxi
В
Inp maxi MA
Inp, cp max» MA
Inp. и max» MA
*д max»
кГц
и„р, в,
не более
(при Inp, мА)
1о6р| МКА
не более
(при U06p, В)
taoc, обр,
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
Д1011
500
300
1,5C00)
100 E00)
if*
КДСША
КДСШБ
КДСШВ
300
300
300
200
200
200
20
20
20
1,2A00)
1,2A00)
1,2A00)
3C00)
3 C00)
3C00)
КДС413А
КДС413Б
КДС413В
20; 30*
20; 30*
20; 30*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
0,75A)
0,75A)
0,75A)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,04
0,04
0,04
3@)
3@)
3@)
КДС414А
КДС414Б
КДС414В
20; 30*
20; 30*
20; 30*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
0,75A)
0,75A)
0,75 A)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,04
0,04
0,04
3@)
3@)
3@)
КДС415А
КДС415Б
КДС415В
20; 30*
20; 30*
20; 30*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
0,75A)
0,75A)
0,75 A)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,04
0,04
0,04
3@)
3@)
3@)
КДС523А
КДС523Б
КДС523В
КДС523Г
50
50
50
50
20
20
20
20
1 B0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
5E0)
5 E0)
5E0)
5E0)
2@,1)
2 @,1)
2 @,1)
2 @,1)
304
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p max,
В
1п|> max» MA
»iip, cp max» MA
1пр, н max» мА
¦д max»
кГц
и„Р, в,
не более
(при Inp, мА)
IoCpt мкА
не более
(при Uoep, В)
tlJOC, Обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КДС523АМ
КДС523БМ
КДС523ВМ
КДС523ГМ
50
50
50
50
20
20
20
20
1 B0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
5E0)
5E0)
5E0)
5 E0)
4 не
4 не
4 не
4 не
2@,1)
2@,1)
2@,1)
2 @.1)
КДС523М
КДС525А
КДС525Б
КДС525В
КДС525Г
КДС525Д
КДС525Е
КДС525Ж
КДС525И
КДС525К
КДС525Л
15
15
15
15
15
20
20
20
20
20
20; 200*
20; 200*
20; 200*
20; 200*
20; 200*
20; 200*
20; 200*
20; 200*
20; 200*
2О;2ОО*
20,9 B).
20,9 B)
<0,9 B)
20,9 B)
?0,9 B)
<0,9 E)
20,9 E)
20,9 E)
20,9 E)
?0,9 E)
<1 A0)
21 A0)
<1 A0)
<1 A0)
21 A0)
<1 B0)
<1 B0)
<1 B0)
21 B0)
<1 B0)
<5 не
<5 не
25 не
25 не
<5 не
25 не
25 не
25 не
25 не
25 не
28E)
28E)
28E)
28E)
28 E)
28E)
28E)
28 E)
28E)
28E)
Параметры диодов, столбов и блоков
305
Тип
прибора
Uo6p max,
В
Uo6p и max,
В
I»|> max, MA
*ш>. ср max, MA
Inp. и max, MA
fama.x,
кГц
и„Р, в,
не более
(при Inp, мА)
IuG|>, МКА
не более
(при Uo6P, В)
tiioc. обр,
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6p,B)
Корпус
КДС526А
КДС526Б
КДС526В
15
15
15
20
20
20
1 E)
1 E)
1 E)
5 не
5 не
5 не
КДС627А
50
200
1,3B00)
2E0)
40
КДС628А
50
200
1,3B00)
5 E0)
50
32
КЩ05В
КЦ105Г
КЦ105В
6000
7000
8500
100
75
50
10
10
10
7 A00)
7G5)
7E0)
100 F000)
100 (8000)
100A0000)
306
Раздел 4. Диоды
Тип
прибор»
p
¦¦¦? -'
v/овр и hiaxi
В
Inp maxt MA
Inp. cp mexi MA
Inp, и maxi MA
1д maxi
кГц
ипр,в,
не более
(при 1Пр, мА)
»Обр1 М КЛ
не более
(при Uo6P, В)
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КЦ106А
КЦ106Б
КЦ106В
КЦ106Г
КЩ06Д
4000
6000
8000
10000
2000
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
25 A0)
25 A0)
25 A0)
25 A0)
25A0)
5D000)
5F000)
5(8000)
5A0000)
5B000)
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
КЦ108А
КЦ108Б
КЦ108В
2000
4000
6000
100
100
100
50
50
50
<6 A80)
<6 A80)
<10 A80)
< 150 B000)
< 150 D000)
< 150 F000)
0,9
0,6...0,9
0,6.-0,9
КЦ109А
6000*
300
7C00)
10 F000)
1.5
КЦ111А
3000
20
12A)
0,1 C000)
КЩ14А
КЩ14Б
4000
6000
50; 1000*
50; 1000*
10
10
<22 E0)
<22 E0)
<10 D000)
< 10 F000)
2.5
2,5
КЦ117А
КЦ117Б
10000
12000
1.3 А
ЗА
<35 A0)
<35 A0)
A0000)
A2000)
<300
<300
КЦ201А
КЦ201Б
2000
4000
500
500
3E00)
3E00)
100 B000)
100 D000)
Параметры диодов, столбов и блоков
307
Тип
прибора
Uo6p max»
В
Uo6p и maxi
В
Inp max» MA
*np, cp max? MA
Inp, и maxi MA
кГц
иПр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1Обр, мкА
не более
(при Uo6P, В)
'вое, обр,
МКС
Сд, ПФ
(при
Uoep, В)
Корпус
КЦ201В
КЦ201Г
КЦ201Д
6000*
8000*
10000*
500
500
500
6 E00)
6 E00)
6 E00)
100 F000)
100 (8000)
100A0000)
КЦ201Е
15000*
500
10 E00)
100A5000)
КЦ208А
7,5 кВ
300
<9 @,3 А)
100 (8 кВ)
КЦ401А
500*
400
2,5 D00)
500 E00)
КЦ401Г
500*
500
2,5 E00)
500 E00)
308
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
Uo6p maxi
В
Uo6p и max,
В
*np max» MA
Inp, cp maxi MA
*пр, и maxi MA
кГц
ипр, в,
не более
(при 1пр, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6P, В)
Iboc, обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
ио6р, в)
Корпус
КЦ402А
КЦ402Б
КЦ402В
КЦ402Г
КЦ402Д
КЦ402Е
КЦ402Ж
КЦ402И
600*
500*
400*
300*
200*
100*
600*
Й00*
1000
1000
1000
1000
1000
1000
600
600
<4 A000)
<4 A000)
<4 A000)
<4 A000)
<4 A000)
<4 A000)
<4 F00)
<4 F00)
<125 F00)
<125E00)
<125 D00)
<125 C00)
<125 B00)
<125 A00)
<125 F00)
<125 E00)
КЦ403А
КЦ403Б
КЦ403В
КЦ403Г
КЦ403Д
КЦ403Е
КЦ403Ж
КЦ403И
600
500
400
300
200
100
600
500
1000
1000
1000
1000
1000
1000
600
600
4 A000)
4 A000)
4A000)
4 A000)
4 A000)
4 A000)
4 F00)
4F00)
125 F00)
125 E00)
125D00)
125 C00)
125 B00)
125 A00)
125 F00)
125 E00)
КЦ404А
КЦ404Б
КЦ404В
КЦ404Г
КЦ404Д
КЦ404Е
КЦ404Ж
КЦ404И
600
500
400
300
200
100
600
500
1000
1000
1000
1000
1000
1000
600
600
4A000)
4A000)
4 A000)
4A000)
4 A000)
4 A000)
4F00)
4F00)
125 F00)
125 E00)
125 D00)
125 C00)
125 B00)
125A00)
125 F00)
125 E00)
КЦ405А
КЦ405Б
КЦ405В
КЦ405Г
КЦ405Д
КЦ405Е
КЦ405Ж"'
КЦ405И
600
500
400
300
200
100
600
500
1000
1000
1000
1000
1000
1000
600
600
4A000)
4 A000)
4A000)
4A000)
4A000)
4 A000)
4F00)
4F00)
125 F00)
125 E00)
125 D00)
125 C00)
125 B00)
125 A00)
125 F00)
125 E00)
Параметры диодов, столбов и блоков
309
Тип
прибора
В
Uo6p
Inp maxi MA
*пр, ср maxf MA
Inp, и max» MA
1д max,
кГц
ипр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обр, мкА
не более
(при Uo6P, В)
(вое, обр.
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КЦ407А
400*
500; 3* А
20
2,5 B00)
5 D00)
КЦ409А
КЦ409Б
КЦ409В
КЦ409Г
КЦ409Д
КЦ409Е
КЦ409Ж
КЦ409И
600*
500*
400*
300*
200*
100*
200*
100*
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
6 А
6А
2,5 C000)
2,5 C000)
2,5 C000)
2,5 C000)
2,5 C000)
2,5 C000)
2,5 F000)
2,5 F000)
3 F00)
3E00)
3D00)
3C00)
3 B00)
3A00)
3B00)
3A00)
КЦ410А
КЦ410Б
КЦ410В
50*
100*
200*
ЗА
ЗА
ЗА
1,2 C000)
1,2 C000)
1,2C000)
50 E0)
50 A00)
50 B00)
КЦ412А
КЦ412Б
КЦ412В
50*
100*
200*
1 А
1 А
1 А
1,2 E00)
1,2 E00)
1,2E00)
50 E0)
50 A00)
50 B00)
КЦ417А
КЦ417Б
КЦ417В
600
400
200
1 А; 4* А
1 А; 4* А
1 А; 4* А
3A А)
3A А)
3A А)
15 F00)
15 D00)
15 B00)
КЦ418А
КЦ418Б
КЦ418В
КЦ418Г
КЦ418Д
50
100
200
400
800
2,5 А
2,5 А
2,5 А
2,5 А
2,5 А
0,05... 1
0,05... 1
0,05... 1
0,05... 1
0,05... 1
2,3 C А)
2,3 C А)
2,3 C А)
2,3 C А)
2,3 C А)
50 E0 В)
50 A00 В)
50 B00 В)
50 D00 В)
50 (800 В)
КЦ419А
КЦ419А1
КЦ419А2
КЦ419Б
КЦ419Б1
КЦ419Б2
КЦ419В
КЦ419В1
КЦ419В2
КЦ419Г
КЦ419П
КЦ419Г2
КЦ419Д
КЦ419Д1
КЦ419Д2
КЦ419Е
КЦ419Е1
КЦ419Е2
КЦ419Ж
КЦ419Ж1
КЦ419Ж2
50
50
50
100
100
100
200
200
200
300
300
300
400
400
400
500
500
500
600
600
600
2 А
5 А
10 А
2 А
5 А
10 А
2 А
5 А
10 А
2 А
5 А
10 А
2 А
5 А
10 А
2 А
5 А
10 А
2 А
5 А
10 А
2 B А)
2 E А)
2 A0 А)
2B А)
2 E А)
2 A0 А)
2 B А)
2 E А)
2 A0 А)
2 B А)
2 E А)
2 A0 А)
2 B А)
2 E А)
2 A0 А)
2 B А)
2 E А)
2 A0 А)
2 B А)
2 E А)
2 A0 А)
2 E0 В)
2 E0 В)
2 E0 В)
2 A00 В)
2 A00 В)
2 A00 В)
2 B00 В)
2 B00 В)
2B00 В)
2 C00 В)
2 C00 В)
2 C00 В)
2D00 В)
2 D00 В)
2D00 В)
2E00 В)
2E00 В)
2 E00 В)
2 F00 В)
2 F00 В)
2 F00 В)
310
Раздел 4. Диоды
4.4. Параметры варикапов
Тип
прибора
КВ101А
КВ102А
КВ102Б
КВ102В
КВ102Г
КВ102Д
КВ103А
КВ103Б
КВ104А
КВ104Б
КВ104В
КВ104Д
КВ104Е
КВ105А
КВ105Б
КВ106А
КВ106Б
КВ107А
КВ107Б
КВ107В
КВ107Г
КВ109А
КВ109Б
КВ109В
КВ109Г
Сд, ПФ
мин.
200
14
19
25
19
19
18
28
90
106
128
128
95 .
400
400
20
15
10
10
30
30
2,3
2
8
8
макс.
240
23
30
40
30
30
32
48
120
144
192
192
143
600
600
50
35
40
40
65
65
2,8
2,3
16
17
Uo6P, В
0,8
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
2...9
6...18
2...9
6...18
25
25
3
3
!изм, МГц
5 5 5 5 5
10
10
5 5 5 5 5
1
1
1...10
1...10
5 5 5 5
2 2 2 2
Qb
МИН.
12
40
40
40
100
40
50
40
ел о о о о
о о о о о
500
500
40
60
to to to to
о о о о
300
300
160
160
Uo6p, В
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
—
со со со со
*изм, МГц
10
ел ел ел ел ел
О о о о О
50
50
5 5 5 5 5
1
1
50
50
5 5 5 5
50
50
50
50
Параметры варикапов
311
1обр, мкА
(при Uo6P, В)
1 D)
1 D5)
1 D5)
1D5)
1D5)
1 (80)
10 (80)
10 (80)
5D5)
5D5)
5D5)
5 D5)
5D5)
20(90)
20 (90)
20 A20)
20 (90)
100
100
100
100 -
<0,5 B5)
<0,5 B5)
<0,5B5)
<0,5 B5)
Uo6P, В
4
45
45
45
45
80
80
80
45
45
80
80
45
90
50
120
90
5,5...16
13...31
5,5...16
13...31
25
25
25
25
Рпр, Вт
(при Тизм, *С)
90 мВт
90 мВт
90 мВт
90 мВт
90 мВт
5 (-40...+70)
0,1 D0)
0,1 D0)
0,1 D0)
0,1 D0)
0,1 D0)
0,15E0)
0,15 E0)
7G5)
5G5)
0,1 (-40...+50)
0,1 (-40...+50)
0,1 (-40...+50)
0,1 (-40...+50)
5 мВт E0)
5 мВт E0)
5 мВт E0)
5 мВт E0)
т, *с
-5...+55
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+100
-40...+100
-60...+100
-60...+100
-40...+70
-40...+70
-40...+70
-4O...+7O
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
(при Uo6P, В)
—
—
—
5-10-4 D)
E00+300)-106 C)
E00+300) • 106 C)
E00+300)-106 C)
E00+300) -106 C)
Корпус
КВ1
СЭВ. 1
8"
в., г
1
1
»
•¦С
а
'\
Г"
1
<J
01
1 •
5 (о
= —if—i -
КВ102
' S
КВ103
\* >|< ' >\
Ln
'г m
КВ104
\
j
КВ105
<—
/^
19
>¦
КВ1О6
20 _Д5.
r Ж
КВ107
*? Г
«I- L
J
ф I
л
у
;:
г
КВ109
к
j
(
Т
t
312
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КВ109А-1
КВ109Б-1
КВ109В-1
КВ109Г-1
КВ109А-4
КВ109Б-4
КВ109В-4
КВ109Г-4
КВ109Д-4
КВ109Е-4
КВ109Ж-4
КВ109А-5
КВ109Б-5
КВ109В-5
КВ109Г-5
КВ109Д-5
КВ109Е-5
КВ109Ж-5
КВ110А
КВ110Б
КВ110В
КВ110Г
КВ110Д
КВПОЕ
KBC1UA
КВСШБ
КВСША-2
КВСШБ-2
КВС1ИВ-2
КВСШГ-2
КВП2А-1
КВ112Б-1
КВ113А
КВ113Б
КВ114А
КВ114Б
Сд, ПФ
мин.
2,24
2
1,9
8
2,24
2
1,9
8
7
2
1,8
2,24
2
1,9
8
7
2
1.8
10
14,4 '
17,6
12
14,4
17,6
29,7
29,7
29,7
29,7
33
33
9,6
12
54,4
54,4
54,4
54,4
макс.
2,74
5.3
3,1
17
2,74
2,3
3,1
17
16
2,3
2,8
2,74
2,3
3,1
17
16
2,3
2,8
18
21,6
26,4
18
21,6
26,4
36,3
36,3
36,3
36,3
36,3
36,3
14,4
18
81,6
81,6
81,6
81,6
Uo6p, В
25
25
25
3
II II 1 1 1
II II II 1
4
4
4
4
4
4
4
4
II 1 1
4
4
4
4
4
4
fH3M, МГц
сл сл сл сл
о о о о
МММ!
II М II 1
о о о о о о
1
1
—
1
1
1
1
1
1
Qb
МИН.
300
300
160
160
300
300
160
160
30
450
300
300
300
160
160
30
450
300
300
300
300
150
150
150
200
150
200
150
200
150
200
200
300
300
300
300
Uoop, В
со со со со
II II 1 II
II 1 1II 1
4
4
4
4
4
4
4
4
—
4
4
—
f изм, МГц
50
50
50
50
II II 1 II
1 II 1 1 1 1
сл сл сл сл сл сл
о о о о о о
50
50
—
50
50
10
10
10
10
Параметры варикапов
313
IoCpi мкА
(при Uo6p, В)
<0,5 B5)
<0,5 B5)
<0,5 B5)
<0,5 B5)
и„бР, В
25
25
25
25
Р,м, Вт
(при Ти.чм, °С)
Т, °С
асв, 1/*С
(при U06p, В)
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,02
0,02
28
28
28
28
28
28
28
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,02
0,02
28
28
28
28
28
28
28
D5)
D5)
D5)
D5)
D5)
D5)
45
45
45
45
45
45
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
C0)
C0)
30
30
-40...+100
-40...+ 100
500
500
10'6 D)
10 D)
зо
30
30
30
1 B5)
1 B5)
25
25
0,1 E0)
0,1 E0)
-40...+85
-40...+85
500-10'6D...25)
500-10D...25)
10A50)
10A15)
150
115
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
-40...+85
-40...+85
500-
500'
10'6 D)
106 D)
10 A50)
10A15)
150
115
-40...+85
-40...+85
5-Ю
314
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КВ115А
КВ115Б
КВ115В
КВ116А-1
КВ117А
КВ117Б
КВ119А
КВС120А
КВС120Б
КВС120А-1
КВ121А
КВ121Б
КВ121А-1
КВ121Б-1
Сд, ПФ
мин.
100
100
100
168
26.4
26.4
168
230
230
230
4.3
4,3
4.3
4,3
макс.
700
700
700
252
39,6
39,6
252
320
320
320
6
6
6
6
Uo6P, В
0
0
0
1
со со
1
1
1
1
25
25
25
25
f нзм. МГц
- —
1
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
50
50
Qb
МИН.
—
100
180
150
100
100
100
100
200
150
200
150
Uo6P, В
—
1
1
1
1
1
25
25
со со
fH3M, МГц
—
1
1
1
1
1
1
50
50
50
50
Параметры варикапов
315
1обр, мкА
(при иОбр, В)
Uo6P, В
РпР, Вт
(при Тизм, *С)
Т,'С
ОССв, 1/'С
(при Uo6P, В)
Корпус
0,1 E0)
0,05 E0)
0,01 E0)
100
100
100
-40...+85
-40...+85
-40...+85
0,5 A0)
10
-40...+85
2-10*3 A)
1 B5)
1 B5)
25
25
0,1 E0)
0,1 E0)
-40...+100
-40...+100
600-10 C)
600-10 C)
1 A0)
12
-40...+85
0,5C0)
0,5 C0)
32
32
-45...+85
-45...+85
0,5 C0)
32
-45...+85
0,5 B8)
0,5 B8)
30
30
-40...+100
-40...+100
0,5
0,5
28 -
28
316
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КВ121А-2
КВ121Б-2
КВ121В-2
КВ121А-3
КВ121Б-3
КВ121В-3
КВ121А-9
КВ121Б-9
КВ121В-9
КВ122А
КВ122Б
КВ122В
КВ122А-1
КВ122Б-1
КВ122В-1
КВ122А-4
КВ122Б-4
КВ122В-4
КВ122А-9
КВ122Б-9
КВ122В-9
КВ123А
Сд, ПФ
мин.
4,3
4,3
4,3
4,3
4,3
4,3
4,3
4,3
4,3
2,3
2
1,9
2,24
2
1,9
2,24
2
1,9
2,24
2
1,9
, 2,6
макс.
6
6
6
6
6
6
6
6
6
2,8
2,3
3,1
2,74
2,3
3,1
2,74
2,3
3
2,74
2,3
3,1
3,8
Uo6P, В
—
Ill
—
25
25
25
25
25
25
—
25
25
25
25
fH3M, МГц
—
—
—
1
1
1
СЛ СЛ СЛ
о о о
—
СЛ СЛ СЛ
о о о
1...10
Qb
МИН.
200
150
240
200
150
240
200
150
240
450
450
300
450 .
450
300
450
450
300
450
450
300
250
Uo6P, В
—
—
Ill
25
25
25
СО СО СО
—
со со со
25
f изм, МГц
III
—
—
50
50
50
50
50
50
—
50
50
50
50
Параметры варикапов
317
1Обр, мкА
(при Uo6pf В)
Uo6P, В
Рпр, Вт
(при Тизм, °С)
Т, 'С
асв, 1/*С
(при иОбр, В)
Корпус
0,5
0,5
0,02
30
30
30
0,5
0,5
0,02
30
30
30
<0,5
<0,5
<0,02
28
28
28
<0,02
<0,05
<0,05
28
28
28
<0,2 B8)
<0,02 B8)
<0,2 B8)
28
28
28
0,2
0,02
0,2
30
30
за
0,2
0,02
0,2
28
28
28
0,05 B5)
28
-40...+100
E00+300)-106 B5)
318
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КВ126А-5
КВ126АГ-5
КВ127А
КВ127Б
КВ127В
КВ127Г
КВ128А
КВ128АК
КВ129А
КВ129Б
КВ130А
КВ132А
КВ130А-9
КВ131А-2
КВ134А
КВ134А-1
Сд, пФ
мин.
2,6
2,6
230
230
260
230
22
22
7,2
1,5
3,7
38
3,7
450
18
18
макс.
3,8
3,8
280
360
320
320
28
28
10,8
4,5
4,5
520
22
22
Uo6p, В
to to
ел ел
1
1
1
1
1
1
3
25
12
1,6
12
1
"изм, МГц
1...10 "
1...10
о о о о
о о о о
1...10
1...10
1...10
1...10
Qb
мин.
200
200
140
140
140
140
300
300
50
45
300
300
300
130
400
400
Uo6p, В
25
25
1
1
1
1
1 1 1 1
4
4
*изм, МГц
50
50
о о о о
50
50
50
50
50
50
50
50
Параметры варикапов
319
*обр) мкА
(при Uo6P, В)
Uo6p» В
Рпр, Вт
(при Тизм, *С)
т,-с
асв, 1/*С
(при иОбр, В)
Корпус
0,5 B5)
0,5B5)
28
28
-60...+100
-60...+100
800-10 D)
800-106D)
КВ126-5
0,5 C0)
0,5 C0)
0,5 C0)
0,5 C0)
32
32
32
32
-60...+ 100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
0,05 A0)
0,05 A0)
0,005 (8)
0,005 (8)
12
12
25
25
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
800-10 D)
800-Ю-6 D)
800-10 D)
800-10 D)
<0,05B8)
<0,005 E)
28
12
-60...+100
-60...+100
<0,05 B8)
28
-60...+100
0,25
14
0,05 A0)
23
-60...+100
0,05
23
320
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КВ135А
КВ136А
КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
КВ138А
КВ138Б
КВ139А
КВ142А
КВ142Б
КВ144А
КВ144Б
КВ144В
КВ144Г
КВ144А-1
КВ144Б-1
КВ144В-1
КВ144Г-1
КВ146А
Сд, ПФ
мин.
486
17,1
19.8
17.1
19.8
14
17
500
60
70
2.6
2,8
2,6
2,8
2.6
2.8
2,6
2,8
.10
макс.
594
18,9
24,2
18,9
24,2
18
21
620
85
115
3
3,2
3
3,2
3
3,2
3
3,2
16
Uo6P, В
1
4
4
4
4
см см
1
10
10
28
28
.28
28
28
28
28
28
10
fH3M, МГц
1...10
о о о о
10
ю
10
—
—
Qb
МИН.
150
400
400
500
500
200
200
160
300
300
ПО
ПО
90
90
ПО
ПО
100
100
100
иОбр, В
1
4
4
4
4
со со
1,5
28
28
28
28
28
28
28
28
10
fH3M, МГЦ
1
40
40
40
40
50
50
1
1
1
50
50
50
50
ел ел ел ел
о о о о
50
Параметры варикапов
321
1обр, мкА
(при Uo6P, В)
Uo6P, В
Рпр, Вт
(при Т„зм, "С)
Т,-G
асв, 1/*С
(при Uo6p, В)
Корпус
0,05 A0)
13
-60...+100
0,02 B5)
0,02 B5)
0,02 B5)
0,02 B5)
30
30
30
30
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
4-Ю-4 D)
4-Ю D)
4-Ю-4 D)
4-Ю-4 D)
0,05 E)
0,05 E)
12
12
-60...+100
-60...+100
8-Ю-4 B)
8-10 B)
0,5 A2)
16
0,6 мВт A00)
-60...+100
8-Ю'4 C)
0,05 C2)
0,05 C2)
32
32
-60...+100
-60...+100
4.3-104 A)
4,3-10 A)
<0,01
<0,01
<0,01
<0,01
32
32
32
32
^0,01
<0,01
<0,01
<0,01
32
32
32
32
<0,05
15
322
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КВ149А
КВ149Б
КВ149В
КВ149Г
КВ152А
КВ153А-9
КВ154А
КВ155А-9
КВ156А-9
КВ157А-9
KBI58A-9
Д901А
Д901Б
Д901В
Д901Г
Д901Д
Д901Е
Д902
Сд, ПФ
мин.
1,9
1,8
2,2
2
1,85
1,85
2,5
2,9
1,85
2,4
2,9
22
22
28
28
34
34
6
макс.
2,35
2,4
2,8
2,4
2,25
2,25
3
3,4
2,25
2,9
3,4
32
32
38
38
44
44
12
Uo6P, В
28
28
28
28
28
28
28
4
4
4
4
4
4
4
fH3M, МГц
—
1
1
1
10
10
10
10
10
10
50
Qb
МИН.
450
350
450
400
340
455
260
245
450
300
200
25
30
25
30
25
30 -
30
Uo6P, В
28
28
28
28
—
4
4
4
4
4
4
4
fH3M, МГц
50
50
50
50
—
50
50
50
50
50
50
50
Параметры варикапов
323
1обр, мкА
(при Uo6P, В)
Uo6P, В
Рпр, Вт
(при Тизм, *С)
т,-с
асв, 1/*С
(при Uo6p, В)
Корпус
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
30
30
30
30
КВ149
0,02
30
0,02
30
0,02
30
0,02
30
<0,1 C0)
<0,01 C0)
<0,01 C0)
30
30
30
(80)
D5)
(80)
D5)
(80)
D5)
80
45
80
45
80
45
250 B5)
250 B5)
250 B5)
250 B5)
250 B5)
250 B5)
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
200
200
200
200
200
200
10 D5)
10 D5)
106 D5)
106 D5)
10:6D5)
10 D5)
10 B5)
25
-40...+100
324
Раздел 4. Диоды
4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов
Тип
прибора
Д219С
Д220С
Д223С
Д808
Д809
Д810
Д811
Д813
Д814А
Д814Б
Д814В
Д814Г
Д814Д
Д814А1
Д814Б1
Д814В1
Д814П
Д814Д1
Д814А2
Д815А
Д815Б
Д815В
Д815Г
Д815Д
Д815Е
Д815Ж
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Г
Д816Д
Д817А
Д817Б
Д817В
Д817Г
Д818А
Д818Б
Д818В
Д818Г
Д818Д
Д818Е
КС106А-1
Uct, В
мин.
—
7
8
9
10
11,5
7
8
9
10
11,5
7
8
9
10
11,5
7
5
6,1
7,4
9
10,8
13,3
16,2
19,6
24,2
29,5
35
42,5
50,5
61
74
90
—
7,65
8,1
8,55
8,55
8,55
2,9
ном.
0,57
0,59
0,59
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7,7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
9
9
9
9
9
3,2
макс.
—
8,5
9,5
10,5
12
14
8,5
8,5
10,5
12
14
8,5
9,5
10,5
12
14
8,5
6,2
7,5
9,1
11
13,3
16,4
19,8
24,2
29,5
36
43
51,5
61,5
75
90
ПО
10,35
_^
9,9
9,45
9,45
9,45
3,5
1ст, мА
1
1
1
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
—
—
—
—
—
1 А
1 А
1 А
500
500
500
500
150
150
150
150
150
50
50
50
50
10
10
10
10
10
10
0,5
ocUct, %/*С
—
0,07
0,08
0,09 .
0,095
0,095
0,07
0,08
0,09
0,095
0,095
0,07
0,08
0,09
0,095
0,095
0,07
0,045
0,05
0,07
0,08
0,09
0,10
0,11
0,12
0J2
0,12
0,12
0,12
0,14
0,14
0,14
0,14
+0,020
-0,029
±0,01
±0,005
±0,002
±0,001
-0.13
5UCT,%
—
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
—
—
—
—
±1
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
6
6
6
6
±0,11
±0.13
±0,12
±0,12
±0,12
±0,12
ипр, в
(при Inp, мА)
—
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
—
—
—
—
—
1,5E00)
1,5 E00)
1,5E00)
1,5 E00)
1,5 E00)
1,5 E00)
1,5 E00)
1,5E00)
1,5E00)
1.5 E00)
1,5E00)
1,5 E00)
1.5 E00)
1.5 E00)
1.5E00)
1,5E00)
—
L
—
—
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
325
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст, мА
мин.
РпР, Вт
Т,'С
Корпус
50
50
50
-60...+120
-60...+120
-60...+ 120
12A)
18.A)
25 A)
30A)
350A)
6E)
10E)
12E)
15E)
18E)
33
29
26
23
20
40
36
32
29
24
0,28
0,28
0,28
0,28
0,28
0,34
0,34
0,34
0,34
0,34
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
6 E мА)
10 E мА)
12 E мА)
15 E мА)
18 E мА)
20E)
40
0,34
-60...+125
0,6 A А)
0,8 A А)
1A А)
1,8 E00)
2E00)
2,5 E00)
3E00)
7 A50)
8 A50)
10 A50)
12 A50)
15 A50)
50
50
50
25
25
25
25
10
10
10
10
ПО
1,4 А
1,15 А
950
800
650
550
450
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
230
180
150
130
ПО
-60...+ 130
-60...+130
-60...+130
-60...+130
-60...+130
35 E0)
40 E0)
45 E0)
50 E0)
90
75
60
50
-60...+ 130
-60...+130
-6O...+13O
-60...+130
70C)
18 A0)
18 A0)
18A0)
18A0)
18A0)
18A0)
33
33
33
33
33
33
33
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
500 @,275)
0,01
0,5
0,002
-60...+ 125
326
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС107А
КС108А
КС108Б
КС108В
КС113А
КС113В
КС115А
КС119А
КС121А
КС124Д-1
КС126А
КС126Б
КС126В
КС126Г
КС126Д
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
КС126Л
КС126М
КС126В1
КС126П
КС126Д1
КС127Д-1
КС128А
КС128Б
КС128В
КС128Г
КС128Д
КС128Е
КС128Ж
КС128И
КС128К
КС128Л
КС128М
КС128В1
КС128Г1
КС128Д1
КС130Д-1
Uct, В
мин.
—
—
1,17
7,1
2,2
—
2,5
—
—
2,8
ном.
0,7
6,4
. 6,4
6,4
1,25
1,45
1,9
7,5
2,4
2,7
3
3,3
3,9
4,7
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
3,6
4,3
5,1
2,7
2,7
3
3,3
3,9
4,7
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
3,6
4,3
5,1
3
макс.
—
—
1,43
7,9
2,6
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
—
2,9
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
—
3,2
1ст, МА
10
7,5
7,5
7,5
10
10
3
10
—
—
5
5 -
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
—
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1*Uct» /°/ *•<
-0,3
±0,002
±0,001
±0,0005
-0,42
-0,3
-0,3
0,25
0,075
-0,075
-0,075
-0,075
-0,05
-0,01
0,03
0,06
0,06
0,07
0,08
0,09
—
0,075
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I
—
0,075
SUct, %
—
±1,3 мВ
±1,3 мВ
±1,3 мВ
±3,5
±0,5
±1,5
—
—
±1,5
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
—
±1,5
ипр,в
(при Inp, мА)
—
—
—
—
—
—
—
—
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
327
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
—
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<80 A мА)
12 A0)
15A0)
15E)
180 C)
120 EмА)
120 EмА)
120 EмА)
120 EмА)
100 EмА)
50 EмА)
35 EмА)
30 EмА)
20 EмА)
20 EмА)
30 EмА)
120 EмА)
115 EмА)
75 EмА)
180 C)
120 EмА)
120 EмА)
120 EмА)
120 EмА)
100 EмА)
50 EмА)
35 EмА)
30 EмА)
20 EмА)
20 EмА)
30 EмА)
120 EмА)
115 EмА)
75 EмА)
180 C)
Icti мА
мин.
1
со со
3
1
1
0,5
0?25
2
3
5
6
7
—
0,25
М М М 1 М М
—
0,25
макс.
100
10
10
10
100
100
3
100
35
21
J35
125
115
95
85
70
64
58
53
47
43
—
18
135
125
115
95
85
70
64
58
53
47
43
¦J-
17
Рпр, Вт
—
0,070
0,070
0,070
0,18
0,23
—
0,05
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,05
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,05
т, *с
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
МММ
—
—
-60...+125
М М М М М 1
—
-60...+125
Корпус
КС107, КС113
* —Й— :
9
Zfgaca
L
-J-
7
КС115
5.4
C3TT
КС119
КС
\(
rs.--
i\
с hi
9
< 15
1
:121, KC124-1
5,4
¦< •>{
Z1C3
КС126, КС126-1,
1 -Л
u
KC127-1
KC128, KC128-
01,7
3.7
(
I
э
KC130-1
it
ГЖ7.
32»
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС130Д-5
КС133А
КС133Г
КС133Д-1
КС136Д-1
КС139А
КС139Г
КС139Д-1
КС143Д-1
КС147А
КС147Г
ист, В
мин.
2,8
2,95
3,1
3,4
3,5
3,7
4
4,2
ном.
3,3
3,3
3,6
3,3
3,9
4,3
4,7
макс.
3,21
3,65
3,5
3,8
4,3
4,1
4,6
5,2
1ст, мА
3
10
5
—
—
10
5
10
5
ocUct, %ЛС
-о,п
0,075
0,07
-0,1
0,005
0,06
-0,09
5UCT, %
±0,5
—
±1,5
±1,5
±0,5
±1,5
и„Р, в
(при 1пР, мА)
1 E0)
180 C)
1 E0)
1 E0)
Параметры стабилитронов и стабисторов
329
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
180 C мА)
65 A0)
150E)
0,25
180 C)
60A0)
150 E)
180 C)
180 C)
56 A0)
150 E)
мин.
0,2
3
1
15
0,25
-3
1
0,25
0,25
3
1
мА
макс.
16,7
81
37,5
0,05
14
79
32
13
12
58
26,5
Рпр, Вт
0,050
0,3
125 мВт
0,05
*
0,05
0,3
125 мВт
0,05
0,05
0,3
125 мВт
т,-с
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
Корпус
\
fa
¦а.
1
1
КС130
-5
0,
Г
25
КС133
-Е
К(
7
ЛЗЗ-1, КС136-1
. 5.4
г-у—
__
КС139А
i
СПС
!
\
i
¦-W-
9
--^¦фо
КС139Г
i
7
«—»¦
КС139-1
csT
т_
""
\
1
КС143
1,1
-*-
-1
0,2
Г
15
КС147А
\
•а
i
9
—гн~—-
КС147Г
7
Z3CH
330
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС156А
КС156Г
КС162А
КС162А2
КС162А-3
КС164М-1
КС166А
КС166Б
КС166В
КС168А
КС168В
Uct, В
мин.
5
5,8
5,8
6
—
ном.
5,6
6.2
6,2
6,6
6,6
6,6
6,8
6,8
макс.
6,2
6,6
6,6
6,7
—
1ст, мА -
10
5
10
5
5
1,5
7,5
7,5
7,5
10
10
aUCT, %/*С
±0,05
±0,06
±0,01
±0,01
±0,005
±0.002
±0.001
±0.0005
±0,06
±0,05
5Ucx, %
±1,5
1,5
1.5
±0,1
±1,4 мВ
±1,4 мВ
±1,4 мВ
±1,5
ипр, в
(при 1Пр, мА)
1 E0)
0,25 E мА)
—
1 E0)
Параметры стабилитронов и стабисторов
331
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст, МА
Рш>, Вт
Т, *С
Корпус
46A0)
55
0,3
-60...+125
КС156А
100 E) ,
22,4
125'мВт
-60...+125
35A0)
0,15
-55...+Ю0
35 A0 мА)
50 E)
22
0,15
-60...+125
<120A,5 мА)
0,5
0,020
-60...+125
<20 G,5 мА)
<20 G,5 мА)
<20 G,5 мА)
10
10
10
0,070
0,070
0.070
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
28 A0)
45
0,3
-60...+ 125
28A0)
20
0,15
-55...+ 100
332
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС168В2
КС168ВЗ
КС170А
КС175А
КС175Е
КС175Ж
КС175Ц
КС175А-2
КС175Ж-1
КС182А
КС182Е
КС182Ж
Uct, В
мин.
6.3
6.3
6,65
7,1
7,1
7,1
7
6,8
7,4
7,4
ном.
6.8
7
7,5
7.5
7,5
7,5
7,5
8,2
8,2
8,2
макс.
7,3
7,3
7,35
7,9
7,9
7,9
8
8.3
9
9
1ст> МА
5
5
10
5
5
4
0,5
5
4
5
5
4
aUci, %/*C
0.05
0,05
±0,01
±0,04
±0,1
0,07
+0,065
0.04
0,07
±0,05
±0,1
0,08
5Uct, %
1,5
1.5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
1,5
±1,5
±1,5
±1,5
ипр, в
(при 1пр, мА)
0.27 E мА)
—
<2 E0 мА)
0,3 E мА)
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
333
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст,
Рпр, Вт
т, *с
Корпус
35 E мА)
КС168В-2
¦*-*—»
45E)
20
0,15
-60...+125
20 A0)
20
0,15
-55...+ 100
16 E)
18
0,15
-55...+100
40 D)
3
0,5
17
17
0,125
125 мВт
-60...+125
-60...+125
20 @,1 мА)
0,1
17
0,125
-60...+125
16 E мА)
40D)
0,5
17
125 мВт
-60...+ 125
14E)
17
0,15
-55...+100
40 D)
3
0,5
15
15
0,125
125 мВт
-60...+125
-60...+125
334
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС182Ц
КС182А2
КС182Ц-1
КС190Б
КС190В
КС190Г
КС190Д
КС191А
КС191Б
КС191В
КС191Е
КС191Ж
КС191М
КСЮШ
КС191П
КС191Р
КС191С
КС191Т
КС191У
КС191Ф
КС191Ц
Uct, В
мин.
7,8
7,6
7,8
8,5
8,5
8,5
8,5
8,7
8,7
8,6
8,6
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,6
ном.
8,2
8,2
9
9
9
9
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,
9,
макс.
8,6
8,8
8,6
9,5
9,5
9,5
9,5
9,6
9,6
9,6
9,6
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,6
1ст, мА
0,5
5
0,5
о о о о
5
5
5
5
4
оооооооо
0,5
аист, /о/ с
+0,070
0,05
0,065
±0,005
±0,002
±0,001
±0,0005
±0,06
±0,010
±0,010
±0,1
0,09
±0,005
±0,002
±0,001
±0,0005
±0,005
±0,0025
±0,001
±0,0005
+0,080
5UCT, %
±1,5
1,5
±3
—
±1,5
10
10
1,5
±0,05
±0,05
±0,05
±0,05
±2 мВ
±2 мВ
±2 мВ
±2 мВ
- ±1,5
и„р, в
(при 1Пр, мА)
<2 E0 мА)
0,33 E мА)
—
—
—
<2 E0 мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов
335
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст, мА
Рпр, Вт
Т, 'С
Корпус
20 @,1 мА)
0,1
15
0,125
-60...+125
КС182Ц
14 E мА)
820@,1)
0,1
2,5
0,02
-45...+85
15A0)
15A0)
15A0)
15A0)
15
15
15
15
0,1
0,1
0,1
0,1
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
18E)
15
0,15
-55...+100
15 (ЮмА)
15 (ЮмА)
15
15
0,15
0,15
-55...+ 1OO
-55...+100
40 <4)
3
0,5
14
14
0,125
125 мВт
-60...+ 125
-60...+125
18A0)
18A0)
18 A0)
18A0)
70C)
70C)
70C)
70C)
15
15
15
15
20
20
20
20
0,15
0,15
0,15
0,15
0,2
0,2
0,2
0,2
-60...+100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
20 @,1 мА)
0,1
14
0,125
-60...+125
336
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС191А2
КС191Ж-1
КС191С1
КС191Т1
КС191У1
КС191Ф1
КС2О7А
КС207Б
КС207В
КС208А
КС208Б
КС208В
КС210Б
КС210Е
КС210Ж
КС210Ц
КС210Б2
КС211Б
КС211В
КС211Г
КС211Д
Ucx, В
мин.
8,5
8,2
—
—
—
9
9
10,5
9,3
17
9,3
9,9
9,9
ном.
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
10
11
12
10
11
12
10
10
10
10
11
11
11
11
макс.
9,7
10
—
—
—
. 11
11
10.5
10.7
12,6
11
12.1
12,1
1ст» мА
5
4
10
10
10
10
5
5
5
ел ел ел
5
5
4
0,5
5
о о о о
aUci, %/*C
0,05
0,09
±56 мВ
±28 мВ
±11 мВ
±6 мВ
0,09
0,092
0,095
—
±0,07
±0,1
0,09
+0,085
0,07
+0,02
-0,02
@,01
(O.OOS7
5Ucti %
1,5
±1
10 мВ
10 мВ
10 мВ
10 мВ
—
—
±1,5
±1,5
±1,5
1,5
—
и„р, в
(при 1Пр, мА)
0,36 E мА)
—
—
—
—
<2 E0 мА)
0.4 E мА)
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
337
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
18 E мА)
40D)
70 C мА)
70 C мА)
70 C мА)
70 C мА)
30 E мА)
30 E мА)
30 E мА)
30 E мА)
30 E мА)
30 E мА)
22 E)
40 D)
20 @,1 мА)
22 E мА)
30 E)
30E)
30 E)
30E)
1Ст, МА
мин.
0,5
со со
3
3
0,5
0,5
0,5
—
3
3
0,5
0,1
—
5
5
5
5
макс.
14
15
15
15
15
40
36
32
40
36
32
14
со со
12,5
со со
со со
33
33
, Рпр, Вт
125 мВт
0,15
0,15
0,15
0,15
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,15
0,125
125 мВт
0,125
—
0,28
0,28
0,28
0,28
т, -с
-60...+125
-55...+100
-55...+100
-55...+100
-55...+100
—
—
-55...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
Корпус
К
i ^
к
V
А
C191A-2
С191Ж-1
' -
КС191-1
f
г
с
1
Г
&
А
м —ra__
9
KC207
эе
5,2
КС208
м
]
1
—»4-
Н
^
BE-
BE:
КС2
г
1i
1
1 t
«N" -E
Ъ.-
i \
К
V
с
X
4 1—
1,
3,7
i •>
ftC21OB
—I* *t"
_.<u
О
—I*-
\
10 (E, Ж)
7
4С210Ц
С210Б-2
КС211Б-Д
32 9
i >
:
i
I
338
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС211Е
КС211Ж
КС211Ц
КС211Ж-1
КС212Е
КС212Ж
КС212Ц
КС213Б
КС213Е
КС213Ж
КС213Б2
КС215Ж
КС216Ж
КС216Ж-1
ист, В
мин.
10,4
10,4
10,4
9,9
10,8
10,8
11,4
12,3
12,3
12,1
13,5
15,2
14
ном.
11
11
11
11
12
12
12
13
13
13
15
16
16
макс.
11,6
11,6
11,6
12
13,2
13,2
12,6
13,7
13,7
13,9
16,5
16,8
18
Ion мА
5
4
0,5
4
5
4
0,5
5
5
4
5
2
2
2
aUcr, %/'C
±0,1
0,092
+0,085
0,09
±0,1
0,095
+0,085
±0,08
±0,1
0,095
0,08
0,1
0,1
0,1
SUct, %
±1,5 j
±1,5
±1
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
1,5
±1,5
±1,5
±1
Unp» В
(при 1Пр, мА)
—
<2 E0 мА)
—
<2 E0 мА)
—
0,52 E мА)
—
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
339
гст, Ом
(при 1ст, мА)
40D)
20 @,1 мА)
40D)
40D)
20 @,1 мА)
25 E)
40D)
25 E мА)
70B)
70B)
70 B)
1ст, МА
мин.
3
0,5
0,1
0,5
3
0,5
0,1
3
3
0,5
0,5 ¦
0,5
0,5
макс.
12
12
11,2
12
11
11
10,6
10 .
10
10
8,3
7,3
7,8
Рпр, ВТ
0,125
125 мВт
0,125
125 мВт
0,125
125 мВт
0,125
0,15
125 мВт
125 мВт
125 мВт
125 мВт
125 мВт
т,-с
-60...125
-60...125
-60...+ 125
-60...125
-60...125
-60...+125
-60...+ 125
-55...+ 100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
Корпус
1
, \
К.С211 (Е, Ж)
7
КС21Щ
га.-
i
н
КС21
н
1Ж-1
5М
*—*
1
ИР
КС212Е
ПГ
7
КС212Ц
5.4
1
гитг
КС213Б
4 U
—Ы К аН К-
-&
¦В
]
1
со
г
т
4С213 (Е, Ж)
-ЕгЕ
i
7
КС213Б-2
\'
см
Л
КС
1
па
-эа
215Ж, КС216Ж
НЕ
\
7
¦*—>¦
КС216Ж-1
5.4
CN
тэ.
i\
340
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС218Ж
КС220Ж
КС220Ж-1
КС222Ж
КС224Ж
КС224Ж-1
КС405А
КС405Б
КС406А
КС406Б
КС407А
КС407Б
КС407В
КС407Г
КС407Д
КС407Е
КС409А
КС410АС
КС412А
КС413Б
КС415А
КС417А
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Д
КС417Е
КС417Ж
Uct, В
мин.
16,2
19
18
19,8
22,8
22
5,89
5,9
7,7
9,4
3,1
3,7
4,4
4,8
6,4
3,4
5,3
7,79
5,8
4,1
2,3
5,2
5,8
6,4
7
7,7
8,5
9,4
, ном.
18
20
20
22
24
24
6,2
6,2
8,2
10
3,3
3,9
4,7
5,1
6,8
3,6
—
8,2
6,2
4,3
2,4
—
макс.
19,8
21
22
24f2
25,2
26
6,51
6,51
8,7
10,6
3,5
4,1
5
5,4
7,2
3,8
5,9
8,61
6,6
4,5
2,5
6
6,6
7,2
7,9
8J
9,6
10,6
1ст, МА
2
2
2
2
2
2
0,5
0,5
15
12,5
20
20
20
20
18,5
20
5
10
5
—
—
cxUct, %/*C
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,002
0,005
—
0,05
—
<0,065
<0,06
0,01;-0,05
0,06;-0,09
—
5Uct, %
±1,5
±1,5
±1
±1,5
±1,5
±1
0,1
±0,1
—
±1,5
1,5
±1,5
±1,5
±1,5
—
Unp, В
(при Inp, мА)
—
—
. — .
—
— ¦
—
—
—
—
<1 A0 мА)
—
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
341
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
70 B)
70B)
70B)
70B)
70B)
70B)
200 @,5)
200B)
6,5 A5)
8,5 A2,5)
! 28 B0)
23 B0)
19 B0)
17 B0)
4,5 A8,5)
28 B0)
20E)
<10 E мА)
18 B0)
30 B0)
40 E мА)
10 E мА)
8 E мА)
7 E мА)
7 E мА)
10 E мА)
15 E мА)
1ст, мА
мин.
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,1
0,1
0,5
0,25
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
—
—
макс.
6,9
6,2
6,2
5,7
5,2
5,2
60
2,2
35
28
100
83
68
59
42
90
48
55
70
120
—
—
Рпр, ВТ
125 мВт
125 мВт
125 мВт
125 мВт
125 мВт
125 мВт
0,4
0,4
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,34
0,4
0,4
0,34
0,34
0,5
0,5
0,5
0,5
05
0,5
0,5
т, *с
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-45...+85
-45.„+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
—
—
—
Корпус
КС
218Ж, КС220Ж
i
?С
7
КС220Ж-]
esj-
КС
1
I
t
222Ж, КС224Ж
PC
I
7
КС224Ж-1, КС405
1
crrez
за '
i
КС406, КС407, КС409
t
КС410
7
]
?f
is.-
1
A
и
tC412, KC413
f h«—X
¦rycz
за
КС
DC-
415
-Й--
35
KC417
CM-
-t=A=
i
—"—'
342
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС433А
КС439А
КС447А
КС451А
КС456А
КС468А
КС468А-9
КС482А
КС482А-9
КС506А
КС506Б
КС506В
КС506Г
КС506Д
КС507А
КС508А
КС508Б
КС508В
КС508Г
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС509В
Uct, В
мин.
2,97
3,52
4
4,8
4,82
5,78
6,12
6,98
7,4
44
44
6,4
13,8
18,8
31
11,4
13,8
15,3
16,8
22,8
13,8
16,8
18,8
ном.
3,3
3,9
4,7
5,1
5,6
6,8
6,8
8,2
8,2
47
68
15
20
—
12
15
16
18
24
¦ —
макс.
3,89
4,69
5,3
5,3
6,16
7,48
7,48
9 .
9
50
50
72
15,6
21
35 .-
12,7
15,6.
17,1
19,1
25,6
15,6
19,1
21,2
1ст, мА
30
30
30
30
30
5
2,7
8
10,5
8,5 ,.
7,8
7
5,2
15
15
10
aUcr, %/*C
-0,1
-0,1
-0,08
0,04; -0,02
—
0,065
0,065
0,08
0,08
<0,09
0,09
0,1
0,75
0,09
<0,09
—
0,09
0,09
0,09
5Uct, %
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
—
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
<2
2
2
2
2
<2
—
1,5
1,5
1,5
Unp. В
(при Inp, мА)
—
—
—
—
—
1 E0)
<2 E0 мА)
<2 E0 мА)
—
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
343
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
мА
мин.
макс.
Рпр, Вт
Т, X
Корпус
25 C0)
25 C0)
18 C0)
191
176
159
-60...+100
-60...+100
-60...+100
16 C0)
148
-60...+125
5C0)
119
-60...+100
5C0)
52
0,4
-60...+125
200A)
96
-60...+100
25E)
43
0,4
-60...+125
<105 B,7 мА)
105 B,7)
200B)
30E)
55E)
<35 (8 мА)
0,25
0,25
1
1
1
0,25
8,5
6,5
5,5
27
20
33
0,5
0,34
0,4
0,5
0,5
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
1,3
-60...+125
11,5A0,5)
16 (8,5)
17 G,8)
21 G)
33 E,2)
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
23
18
17
15
11
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
500 @,5)
500 @,5)
600 @,5)
0,5
0,5
0,5
42
35
31
1,3
1,3
1,3
-40...+85
-40...+85
-40...+85
344
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС510А
КС511А
КС511Б
КС512А
КС513А
КС515А
КС515Г
КС515Г-2
КС518А
КС520В
Ucx, В
мин.
8,2
14,3
71,3
9,9
31
12,3
14,25
14
1.4.7
19
ном.
10
15
75
12
15
15
15
18
20
макс.
11
15,8
78,8
13,2
35
16,5
15,75
16
19,8
21
1ст> мА
5
1
1
5
5
10
5
5
aUcr, %/'C
0,1
<0,084
<0,105
0,1
<0,085
0,1
±0,005
±0,005
0,1
±0,001
5Uct, %
±1.5
—
±1,5
<2
±1,5
±1,5
Unpt В
(при 1Пр, мА)
1 E0)
—
1 E0)
<2 E0 мА)
1 E0)
-
1 E0)
Параметры стабилитронов и стабисторов
345
Гст, ОМ
(при Icti мА)
1ст, мА
Рпр, ВТ
Т, -С
Корпус
200A)
79
-60...+100
200A)
67
-60...+100
<45 A5 мА)
0,25
85
-60...+125
200A)
<25 A0 мА)
53
31
-60...+100
0,5
-60...+ 100
25 A0)
31
0,5
-60...+ 100
200A)
45
-60...+100
210C)
22
0,5
-55...+100
346
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС520В-2
КС522А
КС524Г
КС524Г-2
КС527А
КС528А
КС528Б
КС528В
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
KCS28P
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
КС530А
КС530А-1
Uct, В
мин.
19
17,9
22,8
23
22
10,4
11,4
12,4
13,8
15,3
16,8
18.8
20,8
22,8
25,1
28,5
30,4
34,2
37
40,9
44,7
48,5
53,2
58,9
64,6
28
27
ном.
20
22
24
24
27
—
—
. —
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
30
макс.
21
24,2
25,2
25
29,7
11,6
12,7
14,1
15,6
17,1
19,1
21,2
23,3
25,6
28,9
31,5
34,6
37,8
41
45,1
49,3
53,5
58.8
65,4
71,4
31
зз
*ст» МА
5
10
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
OtUcT, %/*С
±0,01
0,1
±0,005
±0,005
0,1
—
—
—
—
—
—
—
—
¦ —
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0,1
0,1
5Uct, %
±1
±1,5
±0,5
±1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
- —
—
—
—
—
±1,5
±1,5
U,,p, В
(при 1пР, мА)
1 E0)
1 E0)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
• —
Параметры стабилитронов и стабисторов
347
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
120 E)
200 A)
<40 A0 мА)
40A0)
200A)
20 E мА)
20 E мА)
25 E мА)
30 E мА)
40 E мА)
55 E мА)
55 E мА)
60 E мА)
80 E мА)
80 E мА)
120 E мА)
120 B,5 мА)
120 B,5 мА)
120 B,5 мА)
120 B,5 мА)
120 B,5 мА)
120 B,5 мА)
140 B,5 мА)
140 B,5 мА)
180 B,5 мА)
45E)
45E)
1ст, МА
мин.
3
1
3
3
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
1
макс.
22
37
19
9
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
27
27
Рпр, Вт
0,5
1
у
0,5
0,5
1
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0 15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
4
4
т, -с
-55...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
—
—
—
—,
—
—
—
—
—
—
—
-60...+ 125
-60...+125
Корпус
КС520В-2
10,5 4.8
ж k
i
1
КС522
9
Щ1
: * ,
КС524Г
¦&ЕЕ-
ч
1
\
5
L
КС524Г-2
10,5 4.8
тп
1
L
1 djld! ЧТ"
ф ф а
КС527
ч=эе
¦¦-&*--
- 9
: 4 -
КС528
CN-'
5.4
ззе =
КС530
г
^
5,2
348
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС531В
КС531В-2
КС533А
КС535А
КС535Б
КС535В
КС535Г
КС536А-1
КС539Г
КС539Г-2
КС547В
Uct, В
мин.
29,45
29
29,7
7
14
19
28
34
37
37
44,65
ном.
31
31
33
—
36
39
39
47
макс.
32,55
33
36,3
9
16
23
32
38
41
41
49,35
1ст, мА
10
10
—
10
3
5
aUcx, %/*C
±0,005
±0,005
0,1
-2 мВ
±0,5 мВ
+2 мВ
+4 мВ
0,1
±0,005
±0,005
±0,001
5UCT, %
±1
—
±1,5
±0,5
ипр, в
(при 1Пр, мА)
1 E0)
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
349
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст, МА
макс.
РпР, Вт
Т,'С
Корпус
350 C)
15
0,5
-50...+100
90E)
15
0.5
-60...+100
100C)
17
640 мВт
-40...+125
0,1
0.1
0,1
0.1
50
30
20
15
50E)
23
-60...+ 125
<65 A0 мА)
17
0,72
-60...+100
65 A0)
17
0,72
-60...+100
490 C)
10
0.5
-50...+100
350
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС547В-2
КС551А
КС568В
КС568В-2
КС582Г
КС582Г-2
КС591А
КС596В
UCT, В
мин.
45
48
64,6
65
37
78
86
91,2
ном.
47
51
68
68
39
82
91
96
макс.
49
54
71,4
71
41
86
96
100,8
1ст, мА
1,5
5
10
1,5
5
aUcx, %/Х
±0,01
±0,12
±0,001
±0,001
0,005
±0,001
±0,12
±0,001
5Uct, %
±1
±1,5
±1
±0,5
±1,5
ипр, в
(при Inp, мА)
1 E0)
1 E0)
Параметры стабилитронов и стабисторов
351
Гст, ОМ
(при 1ст, мА)
1ст, МА
Рпр, Вт
Т,-С
Корпус
280 E)
10
0,5
-60...+100
КС547В-2
200 A,5)
14,6
-60...+ 125
700 C)
10
0,72
-50...+100
400E)
10
0,72
-60...+100
480 A0)
0,428
-60...+100
480 E)
0,72
-60...+100
400 A,5)
-60...+125
980 C)
0,72
-50...+100
352
Раздел 4. Диоды
Тип
прибора
КС596В-2
КС600А
КС620А
КС630А
КС650А
КС680А
Uct, В
мин.
91
95
102
110,5
127,5
153
ном.
96
100
120
130
150
180
макс.
101
105
138
149,5
172,5
207
1ст, мА
1,5
50
50
25
25
ocUct, %/'С
±0,01
±0,12
0,1
0.2
0.2
0.2
SUcx, %
±1
±1,5
Unpt В
(при 1Пр, мА)
1 E0)
1,5 E00)
1,5 E00)
1,5E00)
1,5 E00)
Параметры стабилитронов и стабисторов
353
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст, мА
РпР, Вт
Т, *С
Корпус
560 E)
0,72
-60...+100
450A,5)
8,1
-60...+125
150 E0)
42
-60...+125
180 E0)
38
-60...+125
270 E0)
2,5
33
-60...+125
330 E0)
2,5
28
-60...+125
354 Раздел 5. Тиристоры
Раздел 5. Тиристоры
5.1. Буквенные обозначения параметров тиристоров
Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми
состояниями, имеющими три или более р-n переходов, объединяются под общим названием тиристоры.
Тиристоры работают как ключи в импульсных режимах с токами, значительно превышающими
допустимые постоянные токи в открытом состоянии. Предназначены для применения в схемах
преобразователей электрической энергии, импульсных модуляторов, бесконтактной регулирующей
аппаратуры, избирательных и импульсных усилителей, генераторов гармонических колебаний, инвер-
торов и других схем, выполняющих коммутационные функции.
В зависимости от вида вольт-амперной характеристики (ВАХ) и способа управления они подраз-
деляются на подклассы:
• диодные тиристоры (динисторы) имеют два вывода: анод и катод (у них отсутствует
управляющий электрод) и переходят в проводящее состояние, когда приложенное прямое
напряжение достигает определенного значения (напряжения переключения); к динисторам
относится КН102;
• симметричные диодные тиристоры (диаки) имеют приблизительно одинаковые характе-
ристики на положительной и отрицательной ветвях вольт-амперной характеристики;
• триодные тиристоры (тринисторы) имеют три вывода: анод, катод и управляющий
электрод; не проводят в обратном направлении, включаются с помощью тока управления в цепи
управляющего электрода, а выключаются путем уменьшения или прерывания протекающего
через них тока. После включения тиристора ток управления можно сделать равным нулю и
благодаря внутренней положительной обратной связи прибор останется в режиме насыщения.
В этом состоит принципиальное различие между приборами с р-п-р-п структурами и транзисто-
рами; у последних открытое состояние сохраняется лишь при наличии тока питания в цепи
базы. Действие управляющего электрода проявляется лишь в момент включения тринистора, а
закрыть его или изменить ток через открытый прибор, изменяя ток управления, невозможно.
Только специальные, так называемые запираемые тиристоры открываются положительным,
закрываются отрицательным сигналами на управляющем электроде. К запираемым относятся
, тиристоры КУ102, КУ204 (остальные приведенные типы незапираемые);
• симметричные триодные тиристоры (триаки или симисторы) имеют приблизительно
одинаковые переключательные характеристики на положительной и отрицательной ветвях
вольт-амперной характеристики и проводят ток в обоих направлениях, т.е. могут быть переклю-
чены из закрытого состояния в открытое и наоборот при любой полярности напряжения на
основных электродах (переключение при подаче сигнала управления на управляющий электрод,
а выключение — путем изменения полярности напряжения на основных электродах). Таким
образом, симистор может управляться током как положительного, так и отрицательного
направлений, т.е. имеет четыре режима включения. Однако целесообразно использовать
симистор в трех режимах (при включении положительным сигналом управления при прямой
полярности напряжения на основных электродах; отрицательным сигналом управления при
прямой полярности напряжения и отрицательным сигналом управления при обратной полярно-
сти напряжения), так как в четвертом режиме при управлении положительным сигналом при
обратной полярности напряжения требуется ток, значительно больший, чем в указанных трех
режимах. К симисторам относятся КУ208, КУ601 и КУ610.
К основным параметрам тиристоров, устанавливаемым ГОСТ 20332-84, относятся параметры
предельно допустимых режимов в закрытом состоянии, в обратном непроводящем состоянии, в
открытом состоянии и по цепи управления, а также динамические и тепловые параметры:
• постоянное напряжение в закрытом состоянии U3c — наибольшее прямое напряжение, которое
может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии;
• импульсное неповторяющееся напряжение в закрытом состоянии U3c, нп — наибольшее
мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на аноде, не вызывающее его
переключение из закрытого состояния в открытое;
Буквенные обозначения параметров тиристоров 355
• постоянное обратное напряжение Uo6p — наибольшее напряжение, которое может быть
приложено к прибору в обратном направлении;
• обратное напряжение пробоя Unpo6 — обратное напряжение прибора, при котором обратный
ток достигает заданного значения;
• напряжение переключения иПрк — прямое напряжение, соответствующее точке переключения
(перегиба вольт-амперной характеристики);
• напряжение в открытом состоянии UOc — падение напряжения на тиристоре в открытом
состоянии;
• импульсное напряжение в открытом состоянии Uoc, и — наибольшее мгновенное значение
напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии
заданного значения;
• импульсное отпирающее напряжение UOt, и — наименьшая амплитуда импульса прямого
напряжения, обеспечивающая переключение (динистора, тиристора) из закрытого состояния в
открытое; ' . -
• постоянное отпирающее напряжение управления Uy, от — напряжение между управляющим
электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управле-
ния;
• импульсное отпирающее напряжение управления Uy, от, и — импульсное напряжение на
управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления;
• неотпирающее постоянное напряжение управления Uy, нот — наибольшее постоянное напряже-
ние на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния
в открытое;
• повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии изс.п — наибольшее мгновенное
значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только
повторяющиеся переходные напряжения;
• повторяющееся импульсное напряжение U06p,n — наибольшее мгновенное значение обратного
напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напря-
жения;
• запирающее постоянное напряжение управления Uy, 3 — постоянное напряжение управления
тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления;
• запирающее импульсное напряжение управления Uy, 3, и — импульсное напряжение управления
тиристора, соответствующее запирающему току управления;
• незапирающее постоянное напряжение Uy, нз — наибольшее постоянное напряжение управле-
ния, не вызывающее выключение тиристора;
• пороговое напряжение Unop — значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересе-
чения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью
напряжения;
• постоянный ток в закрытом состоянии 13с — ток в закрытом состоянии при определенном
прямом напряжении;
• средний ток в открытом состоянии 1Ос, ср — среднее за период значение тока в открытом
состоянии;
• постоянный обратный ток 1Обр — обратный анодный ток при определенном значении обратного
напряжения;
• ток переключения 1Прк — ток через тиристор в момент переключения (иПрк и 1Прк указываются
только для динисторов);
• повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Ioc, п —¦ наибольшее мгновенное
значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи;
• ударный ток в открытом состоянии 1Ос, удр — наибольший импульсный ток в открытом
состоянии, протекание которого вызывает превышение допустимой температуры перехода, но
воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается с ограниченным числом
повторений;
• постоянный ток в открытом состоянии Ioc — наибольшее значение тока в открытом состоянии;
• повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Ioc, п — наибольшее мгновенное
значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи;
• повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии 1зс, п — импульсный ток в закрытом
состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии;
356 Раздел 5. Тиристоры
• повторяющийся импульсный обратный ток 10бр, п — обратный ток, обусловленный повторяю-
щимся импульсным обратным напряжением;
• отпирающий постоянный ток управления 1у, от — наименьший постоянный ток управления,
необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое);
• отпирающий ток управления 1у, от, и — наименьший импульсный ток управления, необходимый
для включения тиристора;
• запирающий импульсный ток управления 1У> 3, и — наибольший импульсный ток управления, не
вызывающий включение тиристора;
• ток удержания 1уд — наименьший прямой ток тиристора, необходимый для поддержания
тиристора в открытом состоянии;
• ток включения тиристора 1Вкл — наименьший основной ток, необходимый для поддержания
тиристора в открытом состоянии после окончания импульса тока управления после переключе-
ния тиристора из закрытого состояния в открытое;
• запираемый ток тиристора Ь — наибольшее значение основного тока, при котором обеспечи-
вается запирание тиристора по управляющему электроду;
• средняя рассеиваемая мощность РСр — сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристо-
ром;
• время включения тиристора ty, вкл, t3> вкл — интервал времени, в течение которого тиристор
включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в
открытое импульсным отпирающим током;
• время нарастания ty.rmp, tHp — интервал времени между моментом, когда основное напряжение
понижается до заданного значения, и моментом, когда оно достигает заданного низкого
значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импуль-
сным отпирающим напряжением;
• время выключения !выкл — наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток
тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в
который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключе-
ния тиристора;
• критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (сШзс/сЮкр — наибольшее
значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает
переключение тиристора из закрытого состояния в открытое;
• критическая'скорость нарастания коммутационного напряжения (сЮзс/сЮком — наибольшее
значение скорости нарастания основного напряжения, которое после нагрузки током в откры-
том состоянии или обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не
вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое.
объединенному кат
ессы России
358
Раздел 5. Тиристоры
5.2. Параметры тиристоров
Тип
прибора
КУ101А
КУ101Б
КУ101Г
КУ101Е
КУ102А
КУ102Б
КУ102В
КУ102Г
КУ103А
КУЮЗВ
КУ104А
КУ104Б
КУ104В
КУ104Г
КУ105А
КУ105Б
КУ105В
КУ105Г
КУ105Д
КУ105Е
КУ108В
КУ108Ж
КУ108М
КУ108Н
КУ108С
КУ108Т
КУ108Ф
КУ108Ц
Uo6p,n»
Uo6p, max»
В
10*
50*
80*
150*
5*
5*
5*
5*
6*
6*
6*
6*
30*
15*
5*
5*
30*
15*
500
500
400
400
400
400
300
300
U3C,n»
Use, max»
В
50*
50*
80*
150*
50*
100*
150*
200*
150*
150*
15*
30*
60*
100*
30*
15*
30*
15*
30*
15*
1000
1000
800
800
800
800
800
800
IoC, И|
А
1
1
1
1
5
5
5
5
3
3
3
3
2
2
2
2
2
2
150
150
150
150
150
150
150
150
loc, cpi
IoC, П|
A
0,075
0,075
0,075
0,075
0,05*
0,05*
0,05*
0,05*
0,001
0,001
0,1
0,1
0,1
0,1
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
—
—
—
—
—
—
Uoc, и»
Uoc,
в
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<3
<3
<2*
<2*
<2*
<2*
?1,1*
?1,1*
?1,1*
?1,1*
?1,1*
?1,1*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
Uy, HOT»
в
—
—
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
0,001
0,001
>1*
>1*
>1*
>1*
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>0,l
>o,i
>0,l
>0,l
1зс, n»
Ь*с,
мА
<0,15*
<0,15*
<0,15*
<0,15*
<0,l*
<0,l*
<0,l*
<0,l*
<o;i5*
<0,15*
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
<0,001
<0,001
<0,001
<0,001
<0,001
<0,001
<2,5
<2,5
<2,5
<2,5
<2,5
^2,5
<2,5
<2,5
Io6p, n,
Io6p,
мА
<0,15*
<0,15*
<0,15*
<0,15*
—
—
—
1*
1*
—
—
<0,003
<0,003
<0,003
<0,003
<0,003
<0,003
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
Параметры тиристоров
359
ly, от»
1у,з,и,
мА
Uy, OTj
Uy.OT.H»
в
dU3C/dt,
В/мкс
1вЫКЛ|
МКС
Корпус
1,5.. .8
1.5...8
1,5...8
1.5...8
100
100
100
100
35
35
35
35
20*
20*
20*
20*
20
20
20
20
7* A2)
7* A2)
7* A2)
7* A2)
200
200
200
200
20
20
20
20
40
40
0,4...2
0,4...2
10
10
10
10
0,29
0,29
0,29
0,29
2,5
2,5
2,5
2,5
<5*
<5*
<5*
<5*
<5*
<5*
<2*
<2и
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
1,5
1,5
1.5
1,5
1,5
1.5
<25*
<25*
<25*
<25*
<25*
<25*
<25*
<25*
20
20
20
20
20
20
20
20
35
100
35
35
100
100
4 35
100
360
Раздел 5. Тиристоры
Тип
прибора
КУ109А
КУ109Б
КУ109В
КУ109Г
КУ110А
КУ110Б
КУ110В
КУША
КУ111Б
КУ113В
КУ113Г
КУ120А
КУ120Б
КУ120В
КУ120А-5
КУ120Б-5
КУ120В-5
КУ121А
КУ121Б
КУ121В
КУ201А
КУ201Б
КУ201В
КУ201Г
КУ201Д
КУ201Е
КУ201Ж
КУ201И
КУ201К
КУ201Л
Uo6p,n»
Uo6p, max»
В
50
50
50
50
10*
10*
10*
100*
100*
—
6...10
12...16
18...20
6...10
12...16
18...20
12
18
20
25*
25*
50* ,
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
Uacn,
U3C, max»
В
700
750
700
600
300
200
100
400*
200*
300*
200*
—
—
—
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
Ioc, и»
A
12
12
12
12
0,6
0,6
0,6
15
15
100
100
—
—
—
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
Ioc, cpi
Ioc, n»
A
1
1
1
1
О р о
CO CO CO
0,3*
0,3*
—
—
—
—
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
Uoc, и»
Uo*c,
в
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<2^3
<2
<5
<5
<4
<4
<1,7*
<1,7*
<1,7*
<1,7*
<1,7*
?1,7*
<1,7*
<1,7*
<1,7*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
Uy, нот»
в
—
0,6
0,6
0,6
>0,2
>0,2
—
—
—
—
—
1зС, П|
1зС|
мА
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,075
<0,075
<0,075
<0,5*
<0,5*
<0,1
<0,1
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
<0,02
1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л
СЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛ
1обр, п»
1обр»
мА
1 1 1 1
—
<0,5*
<0,5*
—
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
<0,12
—
1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л
СЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛСЛ
**********
Параметры тиристоров
361
Iy, от,
1у,з,и,
мА
Uy, от»
Uy,OT,H»
в
dUac/dt,
В/мкс
*ВКЛ,
МКС
1ВЫКЛ,
МКС
Корпус
<100
<100
<100
<100
<3; <7*
<3; ?7*
<3; $7*
<3; <7*
<0,3
<0,3
<0,3
0,3...0,6; 7*
0,3...0,6; 7*
0,3...0,6; 7*
<40
<40
<40
<100*
<100*
50
50
<20
<20
50
50
20
20
<0,12
<0,12
<0,12
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
<100
<100
<100
^100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
362
Раздел 5. Тиристоры
Тип
прибора
КУ202А
КУ202Б
КУ202В
КУ202Г
КУ202Д
КУ202Е
КУ2О2Ж
КУ202И
КУ202К
КУ202Л
КУ202М
КУ202Н
КУ203А
КУ203Б
КУ203В
КУ203Г
КУ203Д
КУ203Е
КУ203Ж
КУ203И
КУ204А
КУ204Б
КУ204В
КУ208А
КУ208Б
КУ208В
КУ208Г
КУ210А
КУ210Б
КУ210В
Uo6p,n»
Uo6p, max»
В
25*
50*
100*
200*
300*
400*
50
100
150
200
100*
200*
300*
400*
600
500
400
изс.п»
Use, max»
В
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
400*
400*
50
100
150
200
50
100
150
200
50
100
200
100*
200*
300*
400*
600
500
400
Ioc, и»
А
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
оооооооо
оооооооо
12
12
12
о о о о
2000
2000
2000
Ioc, ср»
Ioc, п»
А
************
оооооооооооо
5
5
5
5
5
5
5
5
ел ел ел ел
# * * *
* * *
О О О
сч сч сч
Uoc, Hi
Uo*c.
в
1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л
слслелелслелслслслслелел
************
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
со со со
VI VI VI
<2*
<2*
<2*
<2*
1Л 1Л 1Л
Ъо 00 00
* * *
Uy, НОТ»
в
>0,2
>0.2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>0,2
>од
>од
РРР
ел ел ел
Mil
—
1зс, п»
1зс»
мА
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
1Л 1Л 1Л
1Л 1Л 1Л 1Л
ел ел ел ел
* * * *
1обр, п»
1обр»
мА
" <4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
********
оооооооо
VI VI VI VI VI VI.VI VI
—
in in in
vi vi vi
Параметры тиристоров
363
Iy, от,
1у,з,и,
мА
U у, ОТ»
Uy,OT,Vt»
в
dlWdt,
В/мкс
1выкл»
МКС
Корпус
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<П
<7
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<450
<450
<450
<450
<450
<450
<450
<450
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<150
<150
<150
<5
<5
<5
20
20
20
<160*
<160*
<160*
10
10
10
10
<150
<150
<150
<150
<150
<150
<150
50
50
50
<150
<150
<150
364
Раздел 5. Тиристоры
Тип
прибора
КУ211А
КУ211Б
КУ211В
КУ211Г
КУ211Д
КУ211Е
КУ2ИЖ
КУ211И
КУ215А
КУ215Б
КУ215В
КУ216А
КУ216Б
КУ216В
КУ218А
КУ218Б
КУ218В
КУ218Г
КУ218Д
КУ218Е
КУ218Ж
КУ218И
КУ219А
КУ219Б
КУ219В
КУ220А
КУ220Б
КУ220В
КУ220Г
КУ220Д
Uo6p,n»
Uo6p, max»
В.
800*
800*
700*
700*
600*
600*
500*
500*
500
400
300
400
400
300
2000
2000
1800
900
1600
800
1400
700
1200
1000
800
—
U3C, max»
В
800*
800*
700*
700*
600*
600*
500*
500*
1000
800
600
CD 00 00
О О О
О О О
2000
2000
1800
1800
1600
1600
1400
1400
1200
1000
800
1000
1000
1000
800
800
Ioc, и,
А
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
100
100
100
оооооооо
оооооооо
1200
1200
1200
100
100
100
100
100
Ioc, ср»
Ioc, п»
А
20
20
20
20
20
20
20
20
СЛ СЛ СЛ
* * *
СП сл сл
* * *
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
4
4
4
4
4
Uoc, и»
Uo*c,
в
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3*
<3*
<3*
2
2
2
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<2*
<2*
<2*
<1,5*
<1,5*
«?1,5*
<1,5*
<1,5*
Uy, НОТ»
в
II М 1 II 1
од
од
0,1
—
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,2
0,2
0,2
Mill
1зс, п»
1зс,
мА
********
VI VI VI VI VI VI VI VI
0,5
0,5
0,5
й
<1,5
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
1обр, п,
1обр»
мА
<2*
<2*
<2*
<2*
<2*
<2*
<2*
<2*
0,5
0,5
0,5
1
<1,5
<1,5
<1,5
Mill
Параметры тиристоров
365
Iy, от,
1у,з,и,
мА
Uy, от,
Uy.OT.H,
в
dU3C/dt,
В/мкс
Твкл,
МКС
1ВЫКЛ1
МКС
Корпус
?600
?600
?600
<600
?600
?600
?600
?600
200
200
200
200
200
200
200
200
60
120
60
120
60
120
60
120
50
50
50
<150
<150
<150
20*
20*
20*
50
50
50
20
80
80
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<120
<120
<120
<120
<120
<120
<120
<120
<250
^250
<250
<250
<250
<250
<250
<250
<40*
<40*
<40*
200
50
50
<100
<150
^200
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
100
100
100
100
100
<0,2
^0,2
<0,3
^0,3
?0,3
?50
?75
<75
?75
366
Раздел 5. Тиристоры
Тип
прибора
КУ221А
КУ221Б
КУ221В
КУ221Г
КУ221Д
КУ222А
КУ222Б
КУ222В
КУ222Г
КУ222Д
КУ222Е
КУ224А
КУ228А1
КУ228Б1
КУ228В1
КУ228Г1
КУ228Д1
КУ228Е1
КУ228Ж1
КУ228И1
КУ239А
КУ239Б
КУ240А
КУ240Б
КУ240В
Uo6p,n,
Uo6p, max,
В
50
50
50
50
50
II II II
50
100
200
300
400
—
тт *
U3C, max»
в
700
750
700
600
500
2000
1600
2000
1600
1200
1200
400
100
100
200
200
300
300
400
400
400*
400*
400*
400*
400*
loc, и,
А
5 5 5 5 5
о о о о о
400
400
400
400
150
OOOOOOOO
со со со со со со со со
250
250
888
loc, ср,
loc, п,
А
3,2
3,2
3,2
3,2
3,2
55 II II
OOOOOOOO
III
Uoc, и,
Uo*c,
В
1Л 1Л 1Л 1Л 1Л
со со со со со
СЛ Сп СЛ СЛ СП
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
II 1 II II 1
<20
<20
<2,5
<2,5
<2,5
Uy, НОТ,
в
10
30
30
10
10
>0,15
>0,15
>0,15
>0,15
>0,15
>0,15
II II 1 II 1
—
*зс, п,
Ь'с,
мА
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<20*
<20*
<0,3*
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<0,2
<0,2
<0,3
<0,3
<0,3
1обр, п,
1обр,
мА
II II 1
1 1 II II
II 1 1 II II
—
Параметры тиристоров
367
Iy, от»
»у,з,и»
мА
Uy, ОТ»
dlWdt,
В/мкс
<150
<150
<150
<150
<150
<7*
<7*
<7*
<7*
500
200
200
200
200
<20
<20
<50*
<50*
<50*
<50*
<50*
<50*
200
200
200
200
200
200
170
300
170
300
170
300
<125
<125
<250
<250
<250
<250
<100
<3
50
20
20
20
20
20
20
20
20
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<2
<2
50
50
10
100
0.5...2.2
0,5...2,2
200
200
200
25
25
25
368
Раздел 5. Тиристоры
Тип
прибора
КУ501А
КУ502А
КУ503А
КУ503Б
КУ503В
КУ601А
КУ601Б
КУ601В
КУ601Г
КУ606А
КУ610А
КУ610Б
КУ610В
КУ701А
КУ701Б
КУ701В
КУ701Г
КУ701Д
КУ701Е
КУ701Ж
КУ701И
КУ702А
КУ702Б
КУ702В
КУ702Г
КУ702Д
КУ702Е
КУ706А
КУ706Б
КУ706В
Uo6p,n,
Uo6p, max,
В
±F...10)
±A2...16)
±A8...24)
100*
200*
300*
400*
—
1 1 1 1 II 1 1
1 1 1 1 1 1
—
U3C,n,
тт*
изс, max,
В
400*
400*
III
100*
200*
300*
400*
700*
700
400
200
800*
800*
800*
800*
600*
600*
600*
600*
2000
2000
1600
1600
1200
1200
1600
1200
1000
Ioc, и,
А
—
—
90
90
90
1 1 1 1 1 1 1 1
II!!!!
—
Ioc, ср,
Ioc, п,
А
1
0,1
—
5*
5*
5*
5*
2
6
6:
6
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
40
40
40
Uoc, и,
Uo*c,
в
?1,4*
?1,6*
%
<2*
<2*
<2*
<2*
2*
<2*
<2*
<2*
********
CO<MCO<MCO<NCO(M
VI VI VI VI VI VI VI VI
1Л 1Л 1Л 1Л 1Л 1Л
со со со со со со
ел ел ел ел ел ел
******
<3*
<3*
Uy, НОТ,
в
—
1 1 1 1
—
1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1
—
1зс, п»
1зс,
мА
<0,05*
<0,05*
—
1 1 1 1
<0,3
<5
<5
<5
со со со со to со со со
VI VI VI VI VI VI VI VI
<:20
<20
<20
<20
<20 '
<20
<20
<20
<20
1обр, п,
1обр,
мА
±0,12
±0,12
±0,12
1 1 1 1
III
1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1
—
Параметры тиристоров
369
<5
<3
20
20
<0,02
<0,02
<0,02
<160*
<160*
<160*
<160*
<5
<5
<5
<5
10
10
10
10
<150
<150
<150
<150
<2
20
<50
<50
<50
<2,5
<2,5
<2,5
10
10
10
<5
<5
<5
<5
<5
<5
<5
<5
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<40*
<40*
<40*
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
<100
30
60
40
120
30
60
40
120
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
150
250
150
250
150
250
150
150
150
370
Раздел 5. Тиристоры
Тип
прибора
КУ901А
КН102А
КН102Б
КН102В
КН102Г
КН102Д
КН102Ж
КН102И
Д235А
Д235Б
Д235В
Д235Г
Д238А
Д238Б
Д238В
Д238Г
Д238Д
Д238Е
Uo6p,ni
Uo6p, max*
В
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
50*
100*
50
100
150
U3C,ri|
Uec, maxi
В
5
7
10
14
20
30
50
50*
100*
50*
100*
50
100
150
50
100
150
loc, и,
A
13
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
100
100
100
100
100
100
loc, cpi
loc, л»
A
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
2 •
2
2
2
5
5
5
5
5
5
Uoc, Hi
Uo*c,
в
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
2*
2*
2*
2*
52
52
52
52
52
52
Uy, HOTi
В
2
3
4
6
8
12
15
2*
2*
2*
2*
—
1зс, ni
й.
мА
50,3
50,08*
50.08*
50,08*
50,08*
50.08*
50.08*
50,08*
2*
2*
2*
2*
520
520
520
520
520
520
1обр, п,
Io6pf
мА
50,5*
50.5*
50,5*
50,5*
50,5*
50,5*
50,5*
2*
2*
2*
2*
520
520
520
520
520
520
Параметры тиристоров
371
ly, от,
1у,з.и,
мА
—
—
¦ —
—
—
250
250
250
250
<150
<150
<150
<150
?150
<150
Uy, ОТ,
Uy,OT,H,
в
<5
20
28
40
56
80
120
150
5*
5*
5*
5*
<8*
<8*
<8*
<8*
<8*
<8*
dU3C/dt,
В/мкс
20
—
—
—
—
—
—
—
>5
>5
>5
>5
>5
>5
МКС
—
—
—
_
—
5
5
5
5
<10
<ю
<10
<10
<10
<10
МКС
—
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
35
35
35
35
<35
<35
<35
<35
<35
<35
Корпус
КУ901
мю,в
ем
аг
JM
S J/.8
i
Г I
k ХАУЗ
КН102
i
11 ¦
[j _
Л ц
II У
f *o
11
Д235
i
i
¦
УЗ/
'ПТЦ"
Li
I
(Ф
i
I 1
c^ A
-i
Д238
гкПЯ
032
i i-»
i i i
:::
У
40,8% Ш _
0V,
7t
f
372
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров
К оптоэлектронным приборам относятся функциональные (электронные) устройства, в которых исполь-
зуются два способа обработки и передачи сигналов: оптический и электрический.
Принцип действия оптоэлектронных приборов основан на использовании электромагнитного
излучения в оптическом диапазоне длин волн видимого глазом света в интервале 0,45...0,68 мкм
(светодиоды)" и в инфракрасной (невидимой) области спектра в диапазоне длин волн 0,87...0,96 мкм
(ИК-диоды).
В соответствии с ОСТ 11 339.015-81 оптоэлектронные приборы имеют следующие условные
обозначения:
Первый элемент
Второй элемент
Третий элемент
Четвертый элемент
Пятый элемент
Шестой элемент
Седьмой элемент
Восьмой элемент
Девятый элемент
Буква К — указывает, что прибор широкого применения.
Буква И — указывает, что это знакосинтезирующий индикатор.
Вид индикатора оптоэлектронного прибора:
П — полупроводниковые;
Н — вакуумные накаливаемые;
Л — вакуумные люминесцентные;
Ж — жидкокристаллические.
Вид отображаемой информации:
Д — единичная;
Ц — цифровая;
В — буквенно-цифровая;
Г — графическая;
М — мнемоническая;
Т — шкальная.
Число, указывающее на порядковый номер разработки.
Буква, обозначающая классификацию по параметрам.
Число, указывающее на количественную характеристику информа-
ционного поля (кроме одноразрядных).
Буква, обозначающая цвет свечения для одноцветных: К — красный,
Л — зеленый, С — синий, Ж — желтый, Р — оранжевый, Г —
голубой, М — для многоцветных индикаторов всех видов.
Цифра, обозначающая модификацию конструктивного исполнения.
Светоизлучающие диоды — полупроводниковые приборы с одним переходом, в котором
осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излу-
чения, предназначены для визуального представления и восприятия отображаемой информации.
Наряду с одноцветными излучающими диодами выпускаются диоды с управляемым цветом свечения
от красного до зеленого. В зависимости от режима работы диодов изменяется результирующее
излучени'е и соответственно цвет свечения. Цвет светового излучения светодиодов (синий, голубой,
зеленый, желтый, оранжевый, красный) определяется диапазоном длин волн. Максимальная чувстви-
тельность глаза находится в диапазоне длин волн 0,55 мкм, что соответствует зеленому цвету свечения.
Широкое применение светоизлучающие диоды нашли в качестве элементов индикации включения
и настройки радиоаппаратуры, сигнализации и контроля в системах автоматики и связи, для оператив-
ного контроля работоспособности промышленных систем. Конструктивно светодиоды выполняются в
металлических корпусах со стеклянной линзой из оптически прозрачного материала, в пластмассовых
корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из оптически прозрачного компаунда и
бескорпусном варианте.
Параметры светоизлучающих диодов (по ГОСТ 23562-79):
. • сила света h — излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла
в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах;
Виды приборов и буквенные обозначения параметров 373
• яркость L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности.
Измеряется в канделах на квадратный метр;
• постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно-
го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе
диода;
• импульсный ток 1пр, и, max — максимальный импульсный ток при заданной длительности
импульса;
• максимально допустимое обратное постоянное напряжение U06p,max — максимальное значение
постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надеж-
ность при длительной работе;
• максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uo6p,H,max — максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся;
• максимум спектрального распределения А,тах — длина волны светового^излучения, соответст-
вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода.
Линейные шкалы на основе светоизлучающих диодов представляют собой сборки, состо-
ящие из последовательно размещенных диодных структур (сегментов) с соответствующей схемой
коммутации.
Предназначены для отображения непрерывно изменяющейся информации. Достоинство линейных
шкал — быстрота воспроизведения информации и наглядное ее отображение. Широкое применение
линейные шкалы нашли в радиоаппаратуре, авиационной и автомобильной технике как индикаторы
пикового уровня звука, величины скорости, уровня горючего в баках и различных динамических
процессов.
Конструктивно линейные шкалы выполняются в прямоугольных пластмассовых корпусах и
бескорпусном исполнении в виде пластин с планарными элементами свечения и контактными
площадками.
Параметры линейных шкал:
• сила света Iv — излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла
в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах;
• яркость L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности.
Измеряется в канделах на квадратный метр;
• постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно-
го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительности работы
диода;
• максимально допустимое постоянное напряжение Uo6p,max — максимальное значение постоян-
ного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при
длительной работе;
• максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uo6p, и — максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся;
• максимум спектрального распределения Хтах — длина волны светового излучения, соответст-
вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода.
Дополнительным параметром, характеризующим линейные шкалы, является относительный раз-
брос силы света между излучающими сегментами одной шкалы, определяемый отношением силы света
самого яркого сегмейта при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента.
Цифро-буквенные индикаторы представляют собой сборки светодиодных структур с соответ-
ствующими электрическими соединениями. Предназначены для отображения информации в микро-
калькуляторах, часах устройствах автоматики, измерительной технике, информационных табло.
Разновидностью цифро-буквенных индикаторов являются двухцветные индикаторы, в которых для
формирования сегмента используются два светоизлучающих диода: красного и зеленого цветов
374 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
свечения. Управление напряжением питания такого индикатора осуществляется с помощью двух шин:
одна — для включения красных диодов, другая — для включения зеленых диодов.
Конструктивно цифро-буквенные индикаторы выполняются в прямоугольных корпусах или моно-
литной керамической конструкции с моноблочной линзой.
Параметры цифро-буквенных индикаторов в основном аналогичны тем, которые характеризуют
светоизлучающие диоды. Специфическим параметром является параметр 61у.
Допустимый разброс силы света между излучающими сегментами 5Iv — отношение силы света
самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента.
Инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды) — полупроводниковые диоды, в которых
осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию инфракрасного
излучения.
Предназначены для работы в качестве преобразователей энергии и источников передачи инфор-
мации в узлах и линиях, требующих оптической связи или гальванической развязки. Широкое
применение ИК-диоды находят в преобразователях «угол-код», бесконтактных переключателях, датчи-
ках-счетчиках на конвейерах. Конструктивно выполняются в металлических корпусах со стеклянной
полусферической излучающей поверхностью, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью
выпуклого профиля из прозрачного бесцветного компаунда и бескорпусном варианте.
Параметры ИК-диодов:
• мощность излучения Ризл — поток излучения определенного спектрального состава, излучае-
мого диодом;
• импульсная мощность излучения Ризл, и — амплитуда потока излучения, измеряемая при
заданном импульсе прямого тока через диод;
• ширина спектра излучения АХ — интервал длин волн, в котором спектральная плотность
мощности излучения диода составляет половину максимальной; максимально допустимый
прямой импульсный ток 1пр, и;
• время нарастания импульса излучения tHap, изл — интервал времени, в течение которого
мощность излучения диода нарастает от 0,1 до 0,9 максимального значения;
• время спада импульса излучения ten, изл — интервал времени, в течение которого мощность
излучения диода изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения;
• скважность Q — отношение периода импульсных колебаний к длительности импульса;
• постоянное прямое, напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно-
го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе
диода;
• максимально допустимое обратное напряжение Uo6p,max — максимальное значение постоянного
напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при
длительной работе;
• максимально допустимое обратное импульсное напряжение U06p. и — максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся.
Диодные оптопары — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из излучаю-
щего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая
электрическую изоляцию между входом и выходом.
В диодной оптопаре в качестве фотоприемного элемента используется фотодиод, а излучателем
служит инфракрасный излучающий диод. Максимум спектральной характеристики излучения диода
лежки в области длины волны около 1 мкм.
Предназначены для схем защиты от перегрузок, согласования периферийных линий с центральным
процессором ЭВМ, низковольтного блока с высоковольтным.
Параметры диодных оптопар: .
• входное напряжение UBx — постоянное прямое напряжение на диоде-излучателе при заданном
входном токе;
• максимальный входной ток или максимальный импульсный входной ток Ьх.тах — максимальные
значения постоянного входного тока или амплитуды входного импульса, проходящего через
Виды приборов и буквенные обозначения параметров 375
входную цепь оптопары, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной
работе;
• максимальное входное обратное напряжение UBx,o6p,max — максимальное значение постоянного
напряжения, приложенного ко входу диодного оптрона в обратном направлении, при котором
обеспечивается заданная надежность при длительной работе;
• максимальное выходное обратное постоянное и импульсное напряжение иВых, обр, max и
Uubix, обр, и, max — максимальные напряжения в выходной цепи оптопары, при которых
обеспечивается ее надежная работа;
• выходной обратный ток (темновой) 1Вых, обр, т — ток, протекающий в выходной цепи диодной
оптопары при отсутствии входного тока и заданном напряжении на выходе;
• время нарастания выходного сигнала tHp — интервал времени, в течение которого выходной
сигнал оптопары изменяется от 0,1 до 0,5 максимального значения;
• время спада выходного сигнала ten — интервал времени, в течение которого выходной сигнал
изменяется от 0,9 до 0,5 максимального значения;
• статический коэффициент передачи тока Ki — отношение разности выходного темнового тока
к входному, выраженное в процентах;
• сопротивление изоляции RH3 — активное сопротивление между входной и выходной цепями
оптопары;
• проходная емкость СПр — емкость между входной и выходной цепями оптопары;
• максимальное напряжение изоляции иИз,тах или максимальное пиковое напряжение изоля-
ции Uh3, п, max — максимальное постоянное или пиковое напряжение изоляции, приложенное
между входом и выходом оптопары, при котором сохраняется ее электрическая прочность.
Транзисторные оптопары — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из
излучающего диода, большая часть света которого направляется на базовую область фототранзистора,
чувствительного к излучению с длиной волны около 1 мкм. Излучатель и приемник изолированы между
собой оптически прозрачной средой.
Предназначены для применения в аналоговых и ключевых коммутаторах сигналов, схемах
согласования датчиков с измерительными блоками, гальванической развязки в линиях связи, оптоэ-
лектронных реле, коммутирующих большие токи.
Параметры транзисторных оптопар:
• выходное остаточное напряжение UOct — напряжение на выходных выводах оптопары при
открытом фототранзисторе;
• ток утечки на выходе 1ут,вых — ток, протекающий в выходной цепи закрытого фототранзистора
при приложенном выходном напряжении;
• максимальная средняя рассеиваемая мощность Рр.тах — мощность, при которой обеспечивается
заданная надежность оптопары при длительной работе;
• максимальный выходной ток 1Вых, max — ток фототранзистора, при котором обеспечивается
заданная надежность при длительной работе;
• максимальный выходной импульсный ток 1Вых, и, max — ток фототранзистора в оптопаре;
• максимальное коммутируемое напряжение на выходе иком.тах транзисторной оптопары;
• время нарастания выходного сигнала tHp — интервал времени, в течение которого напряжение
на выходе оптопары изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения;
• время спада выходного сигнала ten — интервал времени, в течение которого напряжение на
выходе изменяется от 0,1 до 0,9 максимального значения;
• время включения 1Вкл — интервал времени между моментами нарастания входного сигнала до
уровня 0,1 и спада выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня 0,1 максималь-
ного значения;
• время выключения tBicn — интервал времени между моментами спада входного сигнала до
уровня 0,9 и нарастания выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня 0,9
максимального значения.
376
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.2. Параметры светоизлучающих приборов
Тип
Излучение
(свечение)
Iv, мкд
(кд/м2)
Unp
(при 1пр,
мА),
в
Inp.maxt
мА
Inp.H.maxi
(при tH,
мс),
мА
Uo6p,maxi
В
Чобр.и.г
АЛ102А
АЛ102Б
АЛ102В
АД102Г
АЛ102Д
Красное
Красное
Зеленое
Красное
Зеленое
>0,04
2:0,1
2:0,25
2:0,4
2:0,4
<2,8
52,8
S2.8
0,69
0,69
0,56
0,69
0,56
20
20
22
20
22
60B)
60B)
60B)
60B)
60B)
АЛ102АМ
АЛ102БМ
АЛ102ВМ
АЛ102ГМ
АЛ102ДМ
Красное
Красное
Зеленое
Красное
Зеленое
2Ю.13
S0.2
2Ю.45
2Ю.4
?0,6
<2,8
<2,8
<2,8
<2,8
?2,8
0,69
0,69
0,56
0,69
0,56
20
20
22
20
22
60B)
60B)
60B)
60 B)
60B)
АЛ112А
АЛ112Б
АЛ112В
Красное
Красное
Красное
B500)
(ЗОО...9ОО)
A25...375)
<2 A0)
<2 A0)
?2 A0)
0,68
0,68
0,68
12
12
12
АЛ112Г
АЛ112Д
АЛ112Е
АЛ112Ж
АЛ112И
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
A75...525)
G5...225)
(>500)
C00...900)
A27...375)
<2 A0)
<2 A0)
<2 A0)
<2 A0)
<2 A0)
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
АЛ112К
АЛ112Л
АЛ112М
Красное
Красное
Красное
(>500)
C00...900)
A25...375)
<2 A0)
<2 A0)
0,68
0,68
0,68
12
12
12
Параметры еветоизлучающих приборов
377
Тип
Излучение
(свечение)
Iv, мкд
(кд/м2)
Unp
(При 1лр,
мА),
В
лщах|
мкм
Inp.maxi
мА
Inp.H.maxi
(при tH,
мс),
мА
U обр,и.
Корпус
АЛ301А
АЛ301Б
Красное
Красное
(?10)
(?20)
S3 A0)
<3,8 A0)
АЛ307А
АЛ307Б
АД307В
АДЗО7Г
АЛ307Д
АЛ307Е
АЛ307Ж
АЛ307К
АЛ307Н
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Желтое
Красное
Зеленое
?0,15
?0,9
?0,4
?1,5
?0,4
?1,5
?2
?6
в2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
0,665
0,665
0,567
0,567
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,665
0,567
20
20
22
22
22
22
22
20
22
100
100
60
60
60
60
60
100
60
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2
2,8
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2,8
АЛ307АМ
АЛ307БМ
АЛ307ВМ
АЛ307ГМ
АЛ307ДМ
АЛ307ЕМ
АЛ307ЖМ
АЛ307КМ
АЛ307ЛМ
АЛ307НМ
АЛ307ПМ
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Желтое
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
?0,15
?0,9
?0,4
?1,5
?3,5
?2
?6
?6
?16
й2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
2,8
0,665
0,665
0,567
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,665
0,665
0,567
0,567
20
20
22
22
22
22
20
22
22
22
100
100
60
60
60
60
60
100
100
60
60 ¦
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2
2,8
2
2
2
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2
2,8
2
АЛ310А
АЛ310Б
АЛ310В
АЛ310Г
АЛ310Д
АЛ310Е
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
0.61...1.2
0.25...0.6
?0,6
?0,25
?0,6
?0,25
<2 A0)
<2 A0)
<3,5 A0)
<3,5 A0)
<3,5 A0)
<3,5 A0)
0,67
0,55
0,55
0,67
0,56
37S
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
Излучение
(свечение)
Iv, мкд
(кд/м2)
p
(при 1Пр,
мА),
В
Inp.maxt
мА
»пр,и.тах>
(при tH,
мс),
мА
Uo6p,m
В
Uo6p,H.t
Корпус
АЛ316А
АЛ316Б
Красное
Красное
?0,8
?0,25
52 A0)
<2 A0)
0,67
0,67
20
20
АЛ336А
АЛ336Б
АЛ336В
АЛ336Г
АЛ336Д
АЛ336Е
АЛ336Ж
АЛ336И
АЛ336К
АЛ336Н
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
Красное
Зеленое
?20
?10
?15
?4
?10
?15
?20
?40
?50
52A0)
52,8A0)
52,8A0)
52,8A0)
52,8A0)
52,8A0)
52,8A0)
52A0)
52,8A0)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
100
100
60
60
60
60
60
100
100
АЛ341А
АЛ341Б
АЛ341В
АЛ341Г
АЛ341Д
АЛ341Е
АЛ341И
АЛ341К
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Красное
Красное
?0,15
?0.5
?0,15
?0,5
?0,15
?0.5
?0,3
?0,7
52,8
52,8
52,8
52,8
52,8
52,8
52
52
0.69..Д71
0,69...0,71
0.55...0.56
0.55...0.56
0.68...0.7
0.68...0.7
0,69...0,71
0.69...0.71
20
20
22
22
22
22
30
30
60B)
60B)
60B)
60B)
22B)
22 B)
100B)
100B)
АЛ360А
АЛ360Б
Зеленое
Зеленое
?0,3
?0,6
51,7A0)
51,7A0)
0,55...0,56
0.55...0.56
20
20
80
80
КИПД21А-К
КИПД21Б-К
КИПД21В-К
Красное
Красное
Красное
?1
?4
?8
52B0)
52B0)
52B0)
0.65...0.67
0,65...0,67
0.65...0.67
30
30
30
100B)
100B)
100B)
2,2
2,2
2,2
Параметры светоизлучающих приборов
379
Тип
Излучение
(свечение)
Iv, мкд
(кд/м2)
Unp
(При 1пр,
мА),
В
nmaxi
мкм
*пр,тах>
мА
•np.H.maxi
(при tH,
мс),
мА
Uo6p,M,n
Корпус
КИПД23А-К
Красное
>0,2
<2B)
20
100A)
КИПД23А1-К
КИПД23А2-К
Красное
Красное
>0,7
>0,4
<2 B0)
<2B0)
20
20
100A)
100A)
КЛ101А
Желтое
<5,5 A0)
10
КЛ104А
Желтое
<6 A0)
12
380
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.3. Параметры линейных шкал
Тип
Излучение
(свечение)
Кол-во
сегмен-
тов
мкд
2)
(кд/м2)
5Iv
одного
сегмен-
та, не
более
(раз)
Unp,
(при 1„р,
мА),
В
мкм
Inp.max,
мА
Uo6p,maxi
В
Корпус
АЛС317А
АЛС317Б
АЛС317В
АЛС317Г
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
0,16
0,35
0,08
0,16
2A0)
2A0)
3A0)
3A0)
0,665
0,665
0,568
0,568
АЛС343А-5
Красное
100
50
2,8 A0)
0,66
АЛС345А
АЛС345Б
АЛС345В
АЛС345Г
Красное
Красное
Красное
Красное
0,3
0,2
0,3
0,15
2,3
3
3
3
2,2 A0)
2,2 A0)
2,2 A0)
2.2 A0)
0,67
0,67
0,67
0,67
АЛС362А
АЛС362Б
АЛС362В
АЛС362Г
АЛС362Д
АЛС362Е
АЛС362Ж
АЛС362И
АЛС362К
АЛС362Л
АЛС362М
АЛС362Н
АЛС362П
Красное
Красное
Красное
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красное
2
4
4
8
2
4
4
8
2
4
4
8
10
0,3
0,3
0,3
0,3
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,35
2A0)
2A0)
2A0)
2A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5A0)
2A0)
0,67
0,67
0,67
0,67
0,58
0,58
0,58
0,58
0,556
0,556
0,556
0,556
0,67
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
АЛС362А-
АЛС362Б-
АЛС362Д-
АЛС362Е-
АЛС362К-
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
0,15
0,15
0,15
0.15
0,15
2A0)
2A0)
3,5 A0)
3.5 A0)
3.5 A0)
0,655
0,655
0,66
0,66
0,552
АЛС364А-5
Красное
32
1,3
2C)
0,65
АЛС366А-5
Красное
128
60
2A0)
0,66
Параметры линейных шкал
381
Тип
АЛС367А-5
КИПТ02-50Л-5
КИПТОЗА-ЮЖ
КИПТ03А-10Л
Излучение
(свечение)
Красное
Зеленое
Желтое
Зеленое
Кол-во
сегмен-
тов
200
50
10
10
1и, мкд
(кд/м2)
70
35
0,25
0,25
5Iv
одного
сегмен-
та, не
более
(раз)
3
3
3
3
ипр,
(при Inp,
мА),
В
2 A0)
3,7 A0)
3,5A0)
3,5 A0)
ЛтаХ|
мкм
0,66
0,56
0,66
0,555
Inp,max,
мА
5
4
12
12
Uo6p,max,
В
3
5
4
4
Корпус
АЛС367
3,0
„ 20,3 ^
о,:
12
КИПТ02
3,2
и
tr
>
i
« 6,25 р
КИПТОЗ
9,95
н———н ь
1
Will
1
0,3
2
4,9
•—»>
1
]
ю
•ч-'
382
Раздел б.Оптоэлектронные приборы
6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов
Тип
АЛ113А
АЛ113Б
АЛ113В
АЛ113Г
АЛИЗД
АЛ113К
АЛ113Л
АЛ113М
АЛ113Е
АЛ113Ж
АЛ113И
АЛИЗН
АЛ113Р
АЛ113С
АЛ304А
АЛ304Б
АЛ304В
АЛ304Г
АЛ305А
АЛ305Б
АЛ305В
АЛ305Г
АЛ305Д
АЛ305Е
АЛЗОбЖ
АЛ305И
АЛ305К
АЛ305Л
АЛ306А
АЛ306Б
АЛ306В
АЛ306Г
АЛ306Д
АЛ306Е
АЛЗОбЖ
АЛ306И
Излучение
(свечение)
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Зеленое
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Высота
знаков,
мм
3x2
3x2
3x2
3x2
3x2
2х 1.3
2х 1,3
2х 1.3
3x2
3x2
3x2
2x1.3
2x1,3
2х 1,3
3
3
3
3
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
6.9
6,9
6,9
6,9
6,9
8,9
8,9
8,9
8.9
8,9
8,9
8,9
8.9
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
F00)
C50)
A20)
C50)
A20)
F00)
C50)
A20)
F00)
C50)
A20)
F00)
C50)
A20)
A40)
C20)
F0)
C50)
C50)
B00)
A20)
F0)
A20)
F0)
C50)
B00)
<120)
F0)
C50)
B00)
C50)
B00)
A20)
F0)
A20)
F0)
Unp
(при 1пр, мА),
В
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
% E)
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
2E)
3E)
3E)
4B0)
4B0)
4B0)
6B0)
6B0)
6 B0)
6B0)
6B0)
6B0)
6B0)
2A0)
2A0)
3A0)
3A0)
3 A0)
3A0)
3A0)
3A0)
Атах,
мкм
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
0.68
0,68
0.68
0.68
0,68
0,68
0,68
0,68
—
—
Параметры цифро-буквенных индикаторов
383
SIv, %
Iv,
децим.точки
мкд
1Пр,
р
1пр,И|
мА,
РР,
мВт
Uo6p, max.
В
Корпус
50
50
50
50
50
50
50
50
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
50
50
50
50
50
50
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
-60
-60
-60
-60
11
11
11
11
264
264
264
264
-60
±60
-60
±60
-50
±60
-60
±60
-60
±60
22
22
22
22
22
22
22
22
22
22
-60
+60
-60
+60
+60
+60
-50
+60
11; 300*
11; 300*
11; 300*
11; 300*
11;300*
11; 300*
11; 300*
11; 300*
792
792
1188
1188
1188
1188
1188
1188
384
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛС311А
АЛС312А
АЛС312Б
АЛС313А-5
АЛС314А
Излучение
(свечение)
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Высота
знаков,
мм
3
7
7
2,6
2,5
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0.4
C50)
A50)
57
C50)
Unp
(при 1Пр, мА),
В
2D)
2A0)
2A0)
1,65 E)
2E)
Атах)
мкм
0.65...0.66
0,65...0,66
0,65...0,66
0,66
0.65...0.67
Параметры цифро-буквенных индикаторов
385
8Iv, %
Iv,
децим, точки
мкд
1пр, мА,
Inp.Ht МА
мВт
Uo6p,
В
Корпус
5; ПО*
11
11
30
±50
зав
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛС318А
АЛС318Б
АЛС318В
АЛС318Г
АЛС320А
АЛС320Б
АЛС320В
АЛС320Г
АЛС321А
АЛС321Б
АЛС322А-5
АЛС323А-5
АЛС324А
АЛС324Б
АЛС326А
АЛС326Б
Излучение
(свечение)
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Красное
Желто-зеленое
Желто-зеленое
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Высота
знаков,
мм
2,5
2,5
2.5
2,5
5
5
5
5
7,5
7,5
2,6
2
7,5
7,5
7,5
7,5
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0,95
0,95
0,95
0,95
0,4
0,15
0,25
0,6
0,12
0,12
60 мккд
50 мккд
0,15
0,15
0.15
0.15
и„Р
(при 1Пр, мА),
В
1,9 E)
1,9 E)
1,9 E)
1,9 E)
2 A0)
3 A0)
3A0)
2A0)
3,6 B0)
3,6 B0)
1,65 E)
1,65 C)
2,5 B0)
2.5B0)
2,5B0)
2,5B0)
А.тах>
мкм
—
0.62...0.67
0.55...0.57
0.55...0.57
0.62...0.67
0.56
0.56
0,66
0,66
0,65...0,67
0.65...0.67
0.65...0.67
0.65...0.67
Параметры цифро-буквенных индикаторов
387
5Iv, %
Iv,
децим, точки
мкд
1пр» мА,
1пр,и, мА
мВт
Uo6p, max,
В
Корпус
-50
-50
-50
-50
40*
40*
40*
40*
45
45
45
45
12; 60*
12; 60*
12; 60*
12; 60*
<300
<300
0,02
0,02
25
25
720
720
30
16; 20*
^200
4; 20"
<300
<300
0,05
0,05
25; 300*
25; 300*
500
500
<300
<300
0,08
0,08
25; 300*
25; 300*
375
375
388
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛС327А
АЛС327Б
АЛС328А
АЛС328Б
АЛС328В
АЛС328Г
АЛС329А
АЛС329Б
АЛС329В
АЛС329Г
АЛС329Д
АЛС329Е
АЛС329Ж
АЛС329И
АЛС329К
АЛС329Л
АЛС329М
АЛС329Н
АЛСЗЗОА
АЛСЗЗОБ
АЛСЗЗОВ
АЛСЗЗОГ
АЛСЗЗОД
АЛСЗЗОЕ
АЛСЗЗОЖ
АЛСЗЗОИ
АЛСЗЗОК
Излучение
(свечение)
Желто-зеленое
Желто-зеленое
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Высота
знаков,
мм
7,5
7,5
2,5
2,5
3,75
3,75
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
5
5
5
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0,12
0,12
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
ипр
(при Inp, мА),
В
3,6 B0)
3,6 B0)
1,85 C)
1,85 C)
1,85 C)
1,85C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
,85 C)
1,85 C)
1,85 C)
1,85 C)
1,85 C)
1,85C)
1,85 C)
1,85C)
1,85 C)
1,85 C)
Атах»
мкм
0.55...0.61
0.55...0.61
—
Параметры цифро-буквенных индикаторов
389
5Iv, %
Iv,
децим, точки
мкд
*npf мА,
Inp.Ht мА
Pp.
мВт
Uo6p, max»
В
Корпус
?300
?300
0,04
0,04
25; 300*
25; 300*
540
540
?200
?200
?200
?200
5; 120* A мс)
5; 120* A мс)
5; 120* A мс)
5; 120* A мс)
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
5; 120*
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
A мс)
Aмс)
A мс)
A мс)
A мс)
390
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛСЗЗЗА
АЛСЗЗЗБ
АЛСЗЗЗВ
АЛСЗЗЗГ
АЛС334А
АЛС334Б
АЛС334В
АЛС334Г
АЛС335А
АЛС335Б
АЛС335В
АЛС335Г
АЛС337А
АЛС337Б
АЛС338А
АЛС338Б
АЛС338В
АЛС339А
Излучение
(свече'ние)
Красное
Красное
Красное
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красное
Высота
знаков,
мм
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
7,5
7,5
7
7
7
2,5
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0,2
0,2
0,15
0,15
0,2
0,2
0,15
0,15
0,25
0,25
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,16
Unp
(при 1Пр, мА),
В
2B0)
2 B0)
2 B0)
2 B0)
3,3 B0)
3,3 B0)
3,3 B0)
3,3 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
1,9C)
мкм
—
—
—
0,58
0,58
—
0,65
Параметры цифро-буквенных индикаторов
391
6Iv, %
Iv,
децим, точки
мкд
1пр, мА,
1пр,И| МА
Pp.
мВт
Uo6p, max,
В
Корпус
<300
?300
?300
?300
0,1
0,1
0,08
0,08
25
25
25
25
400
400
400
400
^300
<300
^300
<300
0,1
0,1
0,08
0,08
25
25
25
25
660
660
660
660
<300
^300
<300
?300
0,12
0,12
0,08
0,08
25
25
25
25
660
660
660
660
?300
?300
0,05
0,05
25; 200*
25; 200*
700
700
0,08
0,08
0,08
25; 200*
25; 200*
25; 200*
700
700
700
<300
5; 60*
76
392
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛС340А
АЛС342А
АЛС342Б
АЛС348А
АЛС354А
Излучение
(свечение)
Красное
Желтое
Желтое
Зеленое
Красное
Высота
знаков,
мм
9
7,5
7,5
2,5
2,5
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0,125
0,15
0,15
160 мккд
150 мккд
Unp
(при 1Пр, мА),
В
2.5 A0)
3,5 B0)
3,5 B0)
2,7 E)
1,8E)
Атах,
мкм
0,58
0,58
0,56
0,66
Параметры цифро-буквенных индикаторов
393
8Iv, %
Iv,
децим, точки
мкд
1Пр, мА,
1пр,И| МА
Pp.
мВт
Uo6p, maxi
В
Корпус
<400
0,06
200'
550
АЛС340
<300
<300
0,05
0,05
25; 200*
25; 200*
700
700
<300
8; 64"
170
<180
4; 40* A мс)
45
Z94
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛС355А-5
АЛС355Б-5
АЛС358А
АЛС358Б
Излучение
(свечение)
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Высота
знаков,
мм
1.4
1.4
9
9
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
20 мккд
20 мккд
0,04
0,04
Unp
(при 1пр, мА),
В
1.75C)
1.75C)
4 A0)
4A0)
Атах»
мкм
0,66
0,66
0,56
0,56
Параметры цифро-буквенных индикаторов
395
8lv,%
Iv,
децим.точки
МИД
Inp, мА,
1пр,и» МА
Pp.
мВт
Uo6p, maxi
В
Корпус
3; 40*
АЛС355А-5
0,32
3; 40*
АЛС355Б-5
<400
<400
0,02
0,02
10*; 280
10; 280*
550
550
АЛС358
12
7,5
1U выводов
396
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛС359А
АЛС359Б
АЛС363А
КЛЦ201А
КЛЦ201Б
КЛЦ202А
КЛЦ301А-5
Излучение
(свечение)
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красное
Красное
Красное
Зеленое
Высота
знаков,
мм
9
9
9
18
18
18
2,6
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0,2
0.2
0.1
2
0.5
0.5
20 мккд
и„р
(при 1Пр, мА),
В
2B0)
2B0)
2B0)
4B0)
4B0)
4B0)
2.5 E)
лтах,
мкм
0.56
0.56
0.55
0,65
0.65
0.65
0,55
Параметры цифро-буквенных индикаторов
397
5lv, %
Iv,
децим.точки
мкд
Inpt мА,
Inp.Mi мА
мВт
Uo6p, max,
В
Корпус
50
50
0,1
0,1
22; 120*
22; 120*
350
350
<400
?0,075
70*
720
АЛС363
10.2
S'IS'tS _
ТНЫводоб
<300
<300
0,1
0,07
25
25
750
750
10
10
КЛЦ201
20
-*Г
Ж*
'2JS4S J6 ,
<300
0,07
25
750
10
КЛЦ202
20
<300
3; 40*
14 И
КЛЦ301
2,2
0,32
398
Раздел 6, Оптоэлектронные приборы
Тип
КЛЦ302А
КЛЦ302Б
КЛЦ401А
КЛЦ402А
КЛЦ402Б
КИПВ01А-1/10К-5
КИПЦ01А-1/7К
КИПЦ01Б-1/7К
КИПЦ01В-1/7К
КИПЦ01Г-1/7К
КИПЦ01Д-1/7К
КИПЦ01Е-1/7К
Излучение
(свечение)
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Желтое
Красное
Красное N
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Высота
знаков,
мм
18
18
18
18
18
2.4
7
7
7
7
7
7
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
2
0,5
0,5
2
0,5
60 мккд
1
1
0,5
0,5
0,15
0,15
Unp
(при 1Пр, мА),
В
6 B0)
6 B0)
6 B0)
4 B0)
6 B0)
1,75A)
3 B0)
3 B0)
3B0)
3B0)
2.5E)
2.5E)
Атах,
мкм
0,56
0,56
0,7; 0,57
0,7; 0,57
0,7; 0.57
0.67
0.67
0.67
0.67
0,67
0,67
0,67
Параметры цифро-буквенных индикаторов
399
5lv, %
Iv,
децим.точки
мкд
Inpi мА,
1пр,И| мА
мВт
Uo6p, max.
В
Корпус
?300
<300
0,1
0,07
25
25
ИЗО
ИЗО
10
10
КЛЦ302
20
<300
0,07
<300
<300
0,1*
0,07
25
1135
10
25
25
ИЗО
ИЗО
10
10
КЛЦ401, КЛЦ402
<200
8; 60*
100
КИПВ01А-1/10К-5
<300
^300
<300
^300
<300
^300
0,3
0,3
0,2
0,2
0,03
0,03
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
700
700
700
700
700
700
КИПЦО1А-Е1/7К
10.2
400
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
КИПЦ02А-1/7КЛ
КИПЦО2Б-1/7КЛ
КИПЦ04А-1/8К
Излучение
(свечение)
С управляемым
цветом свечения
Красное-зеленое
Красное
Высота
знаков,
мм
9
9
18
Iv одного
сегмента, мкд
(кд/м2)
0,25
0,15
2
Unp
(при 1Пр, мА),
В
_3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
Атах,
мкм
Крас-0,65
Зел.-0,57
Крас-0,65
Зел.-0,57
0,67
Параметры цифро-буквенных индикаторов
401
8Iv, %
Iv,
децим, точки
мкд
1Пр, мА,
1пр,и, МА
Pp.
мВт
Uo6p, max»
В
Корпус
<300
<300
0,08
0,05
25; 180*
25; 180*,
700
700
КИПЦ02А.Б1/7КЛ
^выводов
<300
0,4
25; 180*
787
10
402
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов
Тип
АЛ103А
АЛ103Б
АЛ106А
АЛ106А
АЛ106В
АЛ107А
АЛ107Б
АЛ107В
АЛ107Г
АЛ108А
АЛ109А
АЛ115А
АЛ118А
АЛ119А
АЛ119Б
Ризл, мВт
(при Inp, мА)
?1 E0)
?0,6 E0)
?0,2 A00)
?0,4 A00)
?0,6 A00)
?5,5 A00)
?9 A00)
?9 A00)
?12 A00)
?1,5 A00)
0,2 B0)
?8,7 A00)
?2E0)
?10* E00)
?40 C00)
?40 C00)
Unp
(при 1Пр, мА),
В
<1,6 E0)
<1,6 E0)
<1,7 A00)
<1,7 A00)
<1,7 A00)
<2 A00)
<2A00)
<2 A00)
<2 A00)
<1,35 A00)
1,2 B0)
<2 E0)
<1,7 E0)
<3(ЗОО)
^3 C00)
Amax,
мкм
0,95
0,95
0.92...0.935
0,92...0,935
0,92...0,935
0.94...0.96
0,94...0,96
0.94..Д96
0.94...0.96
0,94
0,94
0,9... 1
0.82...091
0,93...0,96
0.93...0.96
мкм
0,05
0,05
—
0,03
0,03
0,03
0,03
0,05
0,04
0,04
in, и
(при Inp, A),
НС
2
2
—
—
2
2
2
100
1000
350
Параметры инфракрасных излучающих диодов
403
tc,H
(при 1пр, и, А),
НС
1пр,
мА
1пр, и
(при tH, мкс),
мА
Uo6p,
В
Uo6p, и»
в
Корпус
52
52
100
100
100
100
100
100
100
ПО
10 А B0)
22
50
150
50
500
1500
1500
300
300
404
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АЛ120А
АЛ120Б
АЛ123А
АЛ124А
АЛС126А-5
АЛ132А
АЛ135А
АЛ136А-5
АЛ137А
Риал, МВт
(при Inp, мА)
?0,8 E0)
?1 E0)
?80* A А)
?500* A0 А)
?4 A00)
?1,4 Вт F А)
?10 мкВт E0)
?150 мкВт A00)
?0,6 E0)
?0,22 E0)
Unp
(при 1Пр, мА),
В
<а. E0)
<2 E0)
<2C00)
<2 A00)
28 F А)
<2 E0)
S2 A00)
SI.9 E0)
<3 E0)
А-тах,
МКМ
0,88
0,88
0,94
0,86
0.8..Д81
1,26
O.82...O.9
0,82
0,81
АХ,
мкм
0,05
0,05
0,03
0,04
0,08
0,05
0,04
0,05
tH, И
(при Inp, A),
НС
10
20
350 A А)
20
20A00)
20A00)
14E0)
7E0)
Параметры инфракрасных излучающих диодов
405
*с,и
(при 1пр, и, А),
НС
мА
1пр, и
(при tH, мкс),
мА
U06p,
В
Uo6p, Ht
в
Корпус
10
20
55
55
200
200
500 A А)
400
10 А B0)
120
ПО
1 А A5)
2,5 А
7 АA мс)
60
20 A00)
20 A00)
50
100
1 А A5)
500 A00)
14 E0)
60
80 A5)
7E0)
60
80 B0)
406
Раздел 6. Оптоэлектронныё приборы
6.6. Параметры диодных оптопар
Тип
АОД101А
АОД101Б
АОД101В
АОД101Г
АОД101Д
АОД107А
АОД107Б
АОД107В
АОД109А 3-кан.
АОД109Б 3-кан.
АОД109В 2-кан.
АОД109Г 2-кан.
АОД109Д 2-кан.
АОД109Е 1-кан.
АОД109Ж 1-кан.
АОД109И 1-кан.
АОД112А-1
АОД120А-1
АОД120Б-1
АОД129А
АОД129Б
UBX
(при Ibx, MA),
В -
?1,5 A0)
<1,5 A0)
?1,5A0)
<1,5 A0)
?1.8A0)
?1,5A0)
?1,5A0)
?1.5A0)
<1,5A0)
?1,5 A0)
?1.5 A0)
?1.5 A0)
?1,5 A0)
?1,5 A0)
?1,5 A0)
?1,5A0)
?1,7B0)
?1.7A0)
?1,5A0)
?1,5A0)
(при 1вх, мА),
%
>1 A0)
>1,5 A0)
>1,2 A0)
>0,7 A0)
>1 (Ю)
>5 A0)
>3 A0)
>1 (Ш)
>1,2A0)
>1 (Ю)
>1,2 A0)
>1,2 A0)
^1,2 A0)
>1,2 A0)
>1,2 A0)
>1,2 A0)
>2,5 A0)
>1 (Ю)
>0,4 A0)
>1 (Ю)
>0,5 A0)
tH, tc
(при Ibx, MA),
НС
<100 B0)
<500 B0)
<1000 B0)
<500 B0)
<250 B0)
<500 B0)
<300 B0)
<300 B0)
<1 мкс B0)
<500 B0)
^ <1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<1 мксB0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<3 мкс B0)
<30 A0)
<50 A0)
<30 A0)
<30 A0)
1вцх,обр,
мкА
<2
<8
<2
<10
<5
<5
<5
<5
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
Низ,
ГОм
>1
>1
>1
>5
>10
>10
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>1
>100
>10
>10
Спрох,
пФ
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2,5 .
<2
<2
<2
<2
Параметры диодных оптопар
407
1вх,тах>
мА
1вх,и,тах
(при tH, мкс),
мА
UBX.o6p.max»
ивых.обр.тах»
В
Ueux,o6p,H,max»
(при tH, мкс),
в
(при tH, с),
В
Корпус
20
20
20
20
-20
100 A00)
100A00)
100 A00)
100A00)
100 A00)
3,5; 15*
3,5; 100*
3,5; 15*
3,5; 15*
3,5; 15*
20 A00)
100 A00)
20 A00)
20 A00)
20 A00)
20
20
20
2; 15*
2; 15*
2; 15*
20
20
20
20
20
20
20
20
100 A00)
100 A00)
100 A00)
100 A00)
100 A00)
100 A00)
100 A00)
100 A00)
3,5; 40*
3,5; 10*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
100
100
100
100
100
100
100
100
30
100
3,5
100
20
20
100 A0)
100A0)
3,5; 10*
3,5; 10*
200; 400* A с)
200; 400* A с)
20
20
100 A00)
100 A00)
3,5
3,5
10
10
500
500
408
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АОД130А
АОД133А
АОД133Б
АОД134АС
АОД201А-1
АОД201Б-1
АОД201В-1
АОД201Г-1
АОД201Д-1
АОД201Е-1
АОД202А
АОД202Б
Ubx
(при Ibx, MA),
В
<1,5 A0)
<1,5 A0)
<1,5 A0)
<1,7 A0)
<1,5 A0)
<1,5 A0)
<1,5 A0)
?1,5A0)
<1,5 A0)
<1,5 A0)
<1,7A0)
<1,7 A0)
Ki
(при 1вх, мА),
%
>1 (Ю)
>0,5 A0)
>0,5 A0)
>1 E)
>0,6...1,3 E)
>0,9...2 E)
>1,5...3,5 E)
>0,6...1,6 E)
>0,9...2 E)
>1,5...3,5 E)
>1,5
>2,5
tH, tc
(при Ibx, MA),
НС
<100 A0)
<100 A0)
<100 A0)
<100 A0)
<100 B0)
<100 B0)
<100 B0)
<250 B0)
<250 B0)
<250 B0)
^100
<150
1вых,обр,
мкА
-
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<1
<1
Низ,
ГОм
>100
>1
>1
>10
>10
>10
>10
>10
>10
>10
?10
>1
Спрох,
пФ
<0,5
<0,05
<0,05
<2
<1,8
<1,8
<1,8
<1,8
<1,8
<1,8
<1
<2
Параметры диодных оптопар
409
1вх,тах»
мА
1вх,и,тах
(при tH, мкс),
мА
ивых,обр,и,тах|
(при tH, мкс),
в
Чи
(при tH, с),
В
Корпус
20
100 A0)
3,5
30
1500; 3000* A0 мс)
20
20
100 A00)
100 A00)
3,5
3,5
20
20
500
1000
20
100 A00)
3,5
30
500; 1500* B0)
20
20
20
20
20
20
100
100
100
100
100
100
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; 6*
100
100
100
100
100
100
100A0)
100A0)
20
20
200
200
410
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
КОД301А
КОД302А
КОД302Б
КОД302В
КОЛ201А
UBX
(при Ibx, mA),
В
<1,5 A0)
?1.5A0)
<1,5 A0)
<1,5A0)
<1,5 A0)
Ki
(при Ibx, MA),
%
>1 A0)
>1 A0)
>1 A0)
>1 (Ю)
>10 @,5)
tH, tc
(при Ibx, mA),
НС
—
<1 мкс A0)
1вых,обр,
мкА
—
Низ,
ГОм
>1
>1
>1
>1
>10
Спрох,
пФ
?2
—
<2
Параметры диодных оптопар
411
1вх,тах»
мА
1вх,и,тах
(при tH, мкс),
мА
р
Чвых.обр.тах»
В
ивых,обр,и,тах»
(при tH, мкс),
в
(при tH, с),
В
Корпус
20
100A00)
3,5
20 A00)
500; 1000* A0 мс)
20
20
20
100 A00)
100 A00)
100A00)
3,5; 10
3,5; 10
3,5; 10
20 A0)
20 A0)
20 A0)
500; 1000* A00 не)
500; 1000* A00 нс)
500; 1000* A00 не)
10
50 A00)
3,5
10
500
412
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.7. Параметры транзисторных оптопар
Тип
АОТ101АС
АОТ101БС
АОТ101ВС
АОТ101ГС
АОТ101ДС
AOT101EC
АОТ101ЖС
АОТ101ИС
AOT110A
АОТ110Б
AOT110B
АОТ110Г
АОТ110Д
AOT122A
АОТ122Б
AOT122B
АОТ122Г
AOT123A
АОТ123Б
AOT123B
АОТ123Г
AOT126A
АОТ126Б
Ubx
(при Ibx, mA),
В
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,6E)
?1.6E)
?1.6E)
?1.6E)
?2 B5)
?2 B5)
?2B5)
?2B5)
?2B5)
?1,6 E)
?1.6E)
?1.6E)
?1,6 E)
?2 B0)
<2 B0)
?2B0)
?2B0)
?2B0)
?2B0)
Ubhx.oct
(при ЬхДвых MA),
в
?0.4 E)
?0,4 E)
?0,4 E)
?0,4 E)
?0,4 E)
?0,4 E)
?0,4 E)
?0,4 E)
?1,5 B00*)
?1,5A00*)
?1,5 A00*)
?1,5 A00*)
?1.5 B00*)
?1,5 E)
<l!5E)
?0,3 A0)
?0,5 B0)
?0,3 A0)
?0,5 B0)
?0.3 A0)
?0,3 A0)
1ут,вых
(при
UK,max, B),
mkA
?10 A0)
?10 A0)
?10 A0)
?10 A0)
?10 A0)
?10 A0)
?100 C0)
?100 E0)
?100 C0)
?100 A5)
?100 E0)
?10
?10
?10
?10
?10 E0)
?10 C0)
?10 C0)
?10A5)
?10
?10
Низ
(при Ibx, mA),
ГОм
IV IV IV IV IV IV IV IV
88888888
IV IV IV IV IV
>1
>1
>1
>1
>1
>100
>100
tH
(при Ibx, mA),
HC
?10 мкс (UK=10 B)
?10mkc(Uk=10B)
?10mkc (Uk=10B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
teut
1...50mkc B5)
temt
1...50мкс B5)
1...50 мкс B5)
1...50мкс B5)
tBiui?50 мкс
6 мкс E)
6 мкс E)
6 мкс E)
6 мкс E)
?2
?2
?2
<2
<2 B0)
?2B0)
ten
(при Ibx, mA),
HC
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10mkc(Uk=10B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
?10 мкс (UK=10 B)
Ibukji
5...100mkcB5)
5...100 мкс B5)
Хвыкл
5... 100 мкс B5)
5...100мксB5)
1выкл?100 мкс
100 мкс E)
100 мкс E)
100 мкс E)
100 мкс E)
?2
?2
?2
?2
?2 B0)
?2B0)
Параметры транзисторных оптопар
413
1вх,таХ)
1вх,и,тах
(при tii, МКС),
мА
Uex.oOp.
Чвых.к
В
1вых,тах,
1вых,н,тах
(при U, мс),
мА
В
Pp.
мВт
Корпус
20; 50* A0)
20; 50* A0)
20; 50* A0)
20; 50* A0)
20; 50* A0)
5; 50* A0)
5; 50* A0)
5; 50* A0)
1,5; 15*
1,5; 15*
1,5; 15*
1,5; 15*
1,5; 15*
1,5; 15*
1,5; 30*
1,5; 15*
5
10
5
5
10
10
30
15
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
ю
100* A0)
ю
100* A0)
ю
100* A0)
ю
100* A0)
ю
0,7; 30*
0,7; 50*
0,7; 30*
0,7; 15*
0,7; 50*
200
100
100
200
200
100
100
100
100
100
360
360
360
360
360
15; 85* A0)
15; 85* A0)
15; 85* A0)
15; 85* A0)
50*
30*
30*
15*
15
25
15
15
100
100
100
100
30; 100*
30; 100*
30; 100*
30; 100*
50*
30*
30*
15*
10
20
10
20
100
100
100
100
30; 100* A0)
30; 100* A0)
0,5; 30*
0,5; 15*
10
10
1000
1000
414
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Тип
АОТ127А
АОТ127Б
АОТ127В
АОТ127Г
АОТ128А
АОТ128Б
АОТ128В
АОТ128Г
АОТ128Д
АОТ128Е
АОТ135А
АОТ135Б
АОТ136А
АОТ136Б
Ubx
(при Ibx, mA),
В
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,6 A0)
?1,6A0)
?1,6 A0)
?1,6 A0)
?1,6 A0)
?1,6A0)
<1,6 D)
?1,6D)
<1,6E)
<1,6 E)
UflblX.OCT
(при Ibx.ILx МА),
В
?1,5 G0*)
?1,5 A5*)
?1,5A5*)
?1,5A5*)
?0,3 B,5*)
?0,4 A0*)
?0,4 E*)
?0,4 E*)
?0,4 E*)
<0,4 E*)
<1,5 A00*)
?1,5 A00*)
?1,2 E)
<1,2 E)
1ут,вых
(при
Un.max, В),
мкА
<10
<10
?10
?10
?10
?10
?10
?10
?10
?10
10 C0)
10 C0)
10A5)
10 C0)
Низ
(при Ibx, mA),
ГОм
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>100
>100
?100
>100
>100
>100
>100
tH
(при 1ВХ, МА),
НС
?10 мкс E)
?10 мкс E)
?10 мкс E)
?10 мкс E)
?5A0)
?5 A0)
?5A0)
?5A0)
?5 A0)
?5 A0)
5 мкс
5 мкс
5 мксA0)
5 мкс A0)
ten
(при Ibx, MA),
НС
?100 мкс E)
?100 мкс E)
?100 мкс E)
?100 мкс E)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
60 мкс
60 мкс
30 мкс A0)
30 мкс A0)
Параметры транзисторных оптопар
415
1вх,тах>
1вх,и,тах
(при tH, мкс),
мА
Uex.oOp.maxi
UeblX.KOM)
В
1вых,тах1
1вых,и,тах
(при tH, мс),
мА
В
Pp.
мВт
Корпус
15
15; 100* A0)
15
15
30*
30*
15*
15*
70
70
70
70
500
500
500
500
225
225
225
225
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
0,5; 50*
0,5; 30*
0,5; 30*
0,5; 15*
0,5; 15*
0,5; 15*
8
32
16
16
32
16
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
4500
20; 85*
20; 85*
30*
15*
200
200
10; 50*
10; 50*
15*
30*
20
20
1000
1000
АОТ136
416 Раздел 7. Аналоги
Раздел 7. Аналоги
7.1.0 взаимозаменяемости полупроводниковых приборов
Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых прибо-
ров, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппаратуре, а
также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы).
Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых при-
боров предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и харак-
теристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров.
Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полу-
проводниковых приборов — это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изготови-
теля.
Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно
отличаться от их реальных значений.
Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и климати-
ческих испытаний, нормы на параметры — критерии годности при испытаниях, методы измерений, от
которых в общем зависят устанавливаемые параметры, многообразны, принципиально различны и не
универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят не только от режима работы и
температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы и при хранении).
Эксплуатационные свойства транзисторов описываются большим числом параметров, поэтому
можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных транзисторов
недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или
приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной
электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов (показате-
лей функционирования) в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении
технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться, прежде всего, требования к
выходным параметрам. Поэтому не все параметры транзисторов будут одинаково важными, а только
те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.
Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов зависит не только от их свойств,
условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитываю-
щей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене
зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка
схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация.
Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров (показателей
функционирования) отечественных и зарубежных приборов из справочников, стандартов или техниче-
ских условий на эти приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, технология
изготовления, структура (p-n-р или п-р-п), предельные (предельно допустимые) параметры, данные об
электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и другие сведения.
Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологическом процессе, иногда
разделяются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например,
транзисторы ВС107-ВС109 имеют металлостеклянный корпус ТО-18, приборы с таким же сочетанием
параметра ВС107Р-ВС109Р, ВС147-ВС149, ВС207-ВС209, РВС107-РВС109 имеют соответственно
корпуса Х-55, ММ-12, RO-110, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквива-
ленты в пластмассовом корпусе.
Сокращенные обозначения зарубежных фирм
417
7.2. Сокращенные обозначения зарубежных фирм
Обозначение
ACR
АЕС
AI
AMI
AMS
AS1
BE
BEL
CDI
CSC
CSD
CHERRY
DI
DTC
ЕЕ
El
ETC
FEL
FS
GDC
GE
GPD
GSI
GTC
HP
HSE
HVS
IC
IDI
II
IPS
IR
ITT
KMC
KPD
LS
MAI
MEC
MED
ME
MEL
MIS
-ML
MOT
MPS
Фирма, страна
ACRIAN, INC., США
AMPEREX ELECTRONIC CORP., США
AVANTEK, INC.
AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR, INC., США
AMERICAN MICROSSYSTEMS, INC., США
ADVANCED SEMICONDUCTORS, INC., США
BOEING ELECTRONICS, Швейцария
BHARAT ELECTRONICS, LTD., Индия
CONTINENTAL DEVICES INDIA, Индия
CRIMSON SEMICONDUCTOR CORP., США
CENTRAL SEMICONDUCTOR DIV, США
CHERRY SEMICONDUCTOR CORP., США
DIONICS INC., США
DIODE TRANSISTOR COMP., США
ЕЛЕКТРОННИ ЕЛЕМЕНТИ, Болгария
ELECTRONSKA INDUSTRIJA, Югославия
ELECTRONIC TRANSISTOR CORP., США
FERANTI ELECTRONICS, LTD., Англия
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP., США
GENERAL DIODE CORP., США
GENERAL ELECTRONIC COMP., США
GERMANIUM POWER DEVICES CORP., США
GENERAL SEMICONDUCTOR INDUSTRIES, INC., США
GENERAL TRANSISTOR CORP., США
HEWLETT PACKARD, США
HYBRID SEMICONDUCTOR ELECTRONIC, INC., США
HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR, США
INTERFET CORP., США
INTERNATIONAL DEVICES, INC., США
INTERSIL, INC., США
INTERNATIONAL POWER SEMICONDUCTOR, Индия
INTERNATIONAL RECTIFIER SEMICONDUCTOR, США
INTERMETALL (DER DEUTSCHE ITT), ФРГ
KMC SEMICONDUCTOR CORP., США
KELTRON POWER DEVICES, Индия
LAMBDA SEMICONDUCTOR, США
MICROWAVE ASSOCIATES, INC., США
MATSUSHITA ELECTRONICS, CORP., Япония
MARCONI ELECTRONIC DEVICES, LTD., Англия
MITSUBISHI ELECTRIC CORP., Япония
MICROELECTRONICS LTD., Гонконг
MISTRAL SPA, Италия
MULLARD LTD., Англия
MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC., США
MICRO POWER SYSTEMS, США
Обозначение
NEC
NSC
PEC
PHILCO
PI
PPC
PPI
PS
PTI
RCA
RTC
RFT
RS
SA
SDI
SEC
SEM
SGS
SI
SII
SPC
SPE
SSD
SSE
SSI
STC
STI
SUPERTEX
SECI
TAG
TC
TCI
TEL
TESLA
THOM
TI
TRW
TS
UA
UC
UNITRA
V
WDI
WEC
Фирма, страна
NIPPON ELECTRIC COMP., Япония
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., США
PHILIPS ELECTRONICS COMP., Нидерланды
PHILCO RADIO TELEVISAO, Бразилия
PIHER INTERNATIONAL CORP., США
PPC PRODUCTS CORP., США
PECOR PRISIDENT INTERPRISES CORP., США
PLESSEY SEMICONDUCTORS, Англия
POWER TECH, INC., США
RCA CORPORATION, США
RTC LARADIOTECHNIQUE COM., Франция
RFT, ФРГ
RAYTHEON SEMICONDUCTOR, США
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT, ФРГ
SOLITRON DEVICES INC., США
SPRAQUE ELECTRIC COMP., США
SHINDENGEN ELECTRIC MFG., Япония
SGS—ATES, Италия
SILICONIX, INC., США
SYNTAR INDUSTRIES, INC., США
SOLID POWER CORP., США
SPACE POWER ELECTRONICS, INC., США
SOLID STATE DEVICES, INC., США
SOLID STATE ELECTRONICS COMP., США
SOLID STATE INDUSTRIES, INC., США
SILICON TRANSISTOR CORP., США
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC., США
SUPERTEX, INC., США
SWAMPSCOTT ELECTRONICS COMP., США
TRANSISTOR AG, Швейцария
TOSHIBA CORP., Япония
TELEDYNE CRYSTALONICS, INC., США
TELEFUNKEN ELECTRONIC, ФРГ
TESLA, Чехо-Словакия
THOMSON—CSF, Франция
TEXAS INSTRUMENTS, INC., США
TRW SEMICONDUCTORS, INC., США
TELEDYNE SEMICONDUCTOR, США
UNITED AIRCRAFT, США
UNITRODE CORP., США
UNITRA, Польша
VALVO, ФРГ
WALBERN DEVICES, INC., США
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP., США
418
Раздел 7. Аналоги
7.3. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов
Обозначе-
ние транзи-
стора
А
АС
АСУ
AD
ADP
ADY
ADZ
AF
AFY
AL
AM
AMF
АР
ASY
ASZ
AT
AU
AUY
В
BAL
BAM
BAP
ВС
ВСЕ
BCF
BCP
BCV
BCW
BCX
BCY
BD
BDP
BDV
BDW
BDX
BDY
BE
BEL
BF
Фирма
AEC
BEL, CSD, El, GPD, ML,
PEC, RTC, SA, V, WDI
CSD, El, GPD, HSE,
THOM, SA
ASI, BEL, CSD, El, GPD,
ML, PEC, RTC, SA, V, WDI
UNITRA
GPD
CSD, GPD
El, GTC, HSE, IDI, ML,
PEC, RTC, UNITRA, V
WDI
CSD, GPD
AMI
AMI
ACR, ASC
CSD, GPD, UNITRA
BEL, CSD, GPD, WDI
AI
CSD, GPD
CSD, GPD, HSE
AI, STI, THOM
AI
AI
AI
AEC, ASI, BEL, CDI, El,,
CSC, CSD, FEL, IDI, ITT,
KRD, MEL, ML, PEC, RTC,
SA, SGS, THOM, UNITRA, V
UNITRA
AEC, ML, PEC, RTC,
THOM, V
UNITRA
AEC, FEL, ML, RTC, THOM,
SA, V
AEC, ASI, CSC, FEL, ML,
PEC, RTC, SEC, SA, THOM,
UNITRA, V, WDI
AEC, ASI, CSD, CSC, FEL,
ITT, ML, PEC, RTC, SEC,
SA, THOM, V, WDI
AEC, ASI, CSD, CSC, ML,
PEC, RTC, V, WDI
ASI, BEL, CSD, CSC, ML,
PEC, RTC, RFT, SA, UNITRA
UNITRA
ML, PEC, RTC, SGS, V
CSD, IPS, ML, PEC, RTC,
SGS, SSE, SDI
BEL, CSC, CSD, FEL, IPS,
ML, SGS, RTC, PEC, V
IPS, HSE, ML, PEC, RTC
SDI, TEL, SGS, UNITRA, V
BE
BEL
RFT, RTC, TEL, V, WDI.
CSD, ACR, CSC, El, IDI,
AEC, ASI, BEL, FEL, CDI,
KRD, IC, HSE, MIS, PEC,
UNITRA
Обозначе-
ние транзи-
стора
BFE
BFN
BFP
BFQ
BFR
BFS
BFT
BFV
BFW
BFX
BFY
BGY
BLU
BLV
BLW
BLX
BLY
BM
BP
BR
BRT
BRY
BS
BSJ
BSR
BSS
BST
BSV
BSW
BSX
BSXP
BSY
ВТ
BU
BUC
BUP
BUR
Фирма
UNITRA
RTC,SA
SA, UNITRA, TI
AEC, FEL, ML, RTC, PEC, V
AEC, ASI, CSD, IC, ML,
PEC, RTC, SA, THOM,
UNITRA, V, WDI
AEC, ASI, FEL, HSE, ML,
PEC, RTC, THOM, UNITRA,
SA, V, WDI
ASI, FEL, ML, PEC, RTC,
SA, SGS, TEL, THOM, V
TI
A UNITRA, V, WDI
EC, ASI, BEL, CDI, CSC,
CSD, ML, PEC, RTC,
ASI, CDI, CSD, CSC, FEL,
IDI, HSE, DTC, ML, PEC,
RTC, SGS, TEL, V, WDI
ASI, CSD, CSC, CDI, HSE,
IDI, FEL, ML, PEC, SGS,
TEL, V, WDI
ML, PEC, RTC
ML, PEC, RTC, V
ML, PEC, RTC, V
ML, PEC. RTC, V
ML, PEC, RTC, SDI, У
HSE, ML, PEC, RTC, V
SII
SII
MEL, SDI
SEM, TRW
ML, PEC, RTC, V
ITT. ML, PEC, RTC, V
El
AEC, ML, PEC, RTC,
THOM, V
AEC, ASI, CSD, FEL, IDI,
ML, PEC, RTC, SA, V, WDI
AEC, ML, PEC, RTC, V
AEC, CSD, ML, PEC, RTC,
SA, SGS, FEL, THOM. V.
WDI, TEL
AEC, ML, MIS, PEC, RTC,
SGS, TEL, UNITRA, V
ASI, CDI, CSC, CSD, El,
HSE, IDI, ML, MIS, PEC.
RTC. SGS, TEL, UNITRA,
V, WDI
UNITRA
ASI, CDI, CSC, HSE, IDI,
FEL, ML, PEC, RTC, SGS,
TEL, V
RS
ASI, CSD, DTC. GTC, HSE,
KPD, ML, NEC, PPI, RTC,
SDI, SGS, TEL, THOM.
UNITRA, V, WDI
MOT
UNITRA
SGS, SEM
Обозначе-
ние транзи-
стора
BUS
BUT
BUV
BUW
BUX
BUYP
BUY
BUZ
BZW
с
CA
CD
CDT
CF
CIL
CK
CM
CP
CQT
CS
CST
CT
CTR
CV
CX
D
DA
DB
DC
DD
DI
DM
DMP
DN
DP
DQN
DT
DTA
DTG
DTN
DTS
DV
DVD
E
EC
ED
EN
ERS
ESM
ETP
FC
FGT
FMMT
FM
Фирма
ML, PEC, RTC, THOM, V
ML, PEC, RTC, SGS, TEL, V
ML, PEC, RTC, SGS, SDI,
TEL, THOM, V
CSD, ML, PEC, RTC, SGS,
SDI, THOM, V
CSD, FEL, KPD, ML, PEC,
RTC, SGS, SDI, TEL,
THOM, UNITRA, UC, V, WDI
PPI, UNITRA
ASI, FEL, CSD, HSE, RTC,
SGS, SDJ, WDI
ML, PEC, RTC, SGS, SA, V
SA
ASI, ACR, TCI, TI, WDI
GPD
SII
GPD
SII
CDI
STI
TCI
TCI
GPD
ASI, NSC, WDI
GPD
SEC
STI, GPD
SEM
ASI, WDI
ACR. CSC, GE, MOT, NSC,
SGS, PPI, STI, TI, WEC
GPD, WEC
WEC
DI
AMS
DI
AMS
ML, PEC, RTC, V
DI, SI
DI
DI
MED
MEC
ASI, DTC, GPD, STI, WDI
DI
ASI, CSD, DTC, SPC, SSI,
TI, WDI
SI
SI
NSC, SDI, WDI
UA
NSC
ASI. CSD, IDI, STI, WDI
ETC
MIS, THOM
ETC
SEC •
FEL
FEL
ACR, NSC
Буквенные обозначения зарубежных транзисторов
419
Обозначе-
ние транзи-
стора
FN
FOS
FT
FTR
GC
GD
GE
GET
GF
GFY
GS
GSDB
GSDS
GSDU
GSRU
GSTU
GT
H
HA
HEP
HEPE
HEPS
HP
HS
HSE
HT
HV
IDA
IDB
IDC
IDD
IDI
IMF
IR
IRF
IRFD
IRFF
IRFZ
IT
ITE
J
JA
JC
JE
JH
JO
К
KA
KB
КС
KD
KE
KF
KFY
KJ
KM
KN
KP
KS
KSP
KSY
KU
KUY
L
Фирма
SI
FS
FS, MOT, STI
FS
RFT, TESLA
RET, TESLA
CSC, CSD, GE
GE
RET, TESLA
TESLA
RET, TESLA
GSI
GSI
GSI
GSI
GSI
GDC, HSE
SII
GDC
MOT
MOT
MOT
HP
GE, SEC
HSE
FEL
BEL
IDI
IDI
IDI
IDI
IDI
II, NSC
IR
FS, IR, MOT, RCA, SGS, SI
IR
IR
IR
II
II, NSC
IC, II, MOT, NSC, SI, SDI
ITT
ITT
NEC
SDI
TRW
ASI, HSE, WDI, KMC
TESLA
WEC
TESLA
KMC, TESLA, WEC
NSC, SDI, WDI, WEC
MAI, TESLA
TESLA
MAI
ASI, WDI
KPD
KPD
TESLA, WEC
PPS
TESLA
TESLA
TESLA
ASI, WDI
Обозначе-
ние транзи-
стора
LDA
LOT
LS
LT
M
MA
MC
MD
MDS
MEM
MEU
MF
MFE
MFEC
MG
MGM
MGP
MH
MHA
MJ
MJE
MJEC
MJH
MM
MMBA
MMBC
MMBF
MMBPU
MMBR
MMBT
MMBTA
MMBTH
MMBTS
MMC
MMCF
MMFF
MMCM
MMT
MN
MP
MPF
MPS
MPSA
MPSC
MPSD
MPSH
MPSK
MPSL
Фирма
AEC
TRW
SI
NSC
ASI, II, WDI
ASI, HSE, MEL, MOT,
STI, WDI
PI
CSC, MOT, PI
MOT
GI, SDI
MEL
MOT, PI, STI
CSC, MOT, SDI, SI
MOT
TC
MOT
MOT
MEL, WDI
FS
ASI, CSC, CSD, IDI, GTC,
IPS, MOT, PPI, RCA, SGS,
STC, STI, TI, WDI
ASI, CSD, CSC, GTC, IDI,
MEC, MOT, NSC, PPI, SGS,
STI, THOM, WDI
MOT
MOT
ASI, CSC, HSE, MOT,
STI, WDI
MOT, SEC
MOT, SEC
MOT, NSC
MOT
MOT .
MOT, NSC, SEC
MOT, SEC
MOT, NSC
MOT
MOT
MOT
MOT
MOT
MOT
STI
GPD, MPS, MEL, STC
MEL, MOT, NSC, SDI,
SI, WDI
FEL, FS, CSC, SCD, IDI, GE,
MOT, NSC, RC, SEC, STI,
TI, THOM, WDI
FEL, FS, CSD, GE, IDI, STI,
MEL, MOT, NSC, RC, SEC,
TI, THOM, WDI
MOT
CSC, CSD, GE, MEL, MOT,
RC, SEC, STI, WDI
CSC, CSD, FS, GE, IDI,
MEL, MOT, NSC, SEC,
STI, WDI
CSC, SEC
CSC, FS, GE, IDI, MOT,
NSC, SEC, STI, TI, WDI
Обозначе-
ние транзи-
стора
MPSU
MPSUC
MPSW
MPU
MPX
MRF
MRFC
MS
MSA
MSB
MSP
MST
MT
MTA
MTE
MTH
MTM
MTP
MTS
MTU
MU
N
NA
NB
NDF
NF
NKT
NPC
NPD
NR
NS
NSD
NSDU
NSE
NT
NTM
ОС
ON
P
PA
PB
PBM
PC
PD
PE
PEC
PET
PF
PG
PH
PL
PMD
PMS
PN
PT
Q
R
RCA
RCP
RCS
RFD
RFH
Фирма
MOT, SPE, WDI
MOT
MOT, NSC
GE, MOT
MOT
DTC, MOT
MOT
TI
FS
WDI
HSE, STI
HSE, STI
FS, MEL, PTI
MOT
MOT
MOT
MOT, SGS
FS, MOT, SGS
MOT
MEL
GE, MOT
CHERRY, KPD, TI
NSC
NSC
NSC
II, MEL, NSC, SI, TS
HSE
THOM
NSC
NSC
NSC
NSC, WDI
NSC
NSC
NEC
NEC
GPD, HSE, GTC, STI, TI
ML, PEC, RTC, V
CHERRY, NSC, SDI, SI, S,
SD, WDI
PHILCO
PHILCO
PHILCO
PHILCO
DI, PHILCO
FS, PHILCO, NSC, PPI
PPI
STI
NSC
SEC
AEC, ML, PEC, RTC, V
TI
CSD, LS
LS
CSD, CSC, FS, MEL, NSC,
RC, SSD, SSI
BEL, PTI, SSD, TRW
HSE
WDI
RCA
STI
RCA
FEL
RCA
420
Раздел 7. Аналоги
Обозначе-
ние транзи-
стора
RFK
RFL
RFM
RFP
RRF
RT
S
SC
SCA
SD
SDF
SDG
SDM
SDN
SDP
SDT
SE
SFMN
SFN
SFT
SGS
SGSP
SHA
SK
SL
SM
SMBT
SO
SOR
SP
SPC
SPK
SPM
SPT
SQ
SQD
SRF
SRL
SRLP
SRM
SRS
SS
SSP
SSX
ST
STA
STC
STI
STIP
STM
Фирма
RCA
RCA
RCA
RCA
RCA
RTC
ACR, SSD, ТС, UA
GPD, RFT, PI
PI
ML, RFT, RTC, TEL, SI,
THOM, V
SDI
GPD
SDI
STC
STC
CSC, GPD, SDI, SSD
ASI, CSD, FS, IDI. GTC,
MOT, NSC, SEC, STI, WDI
PI, RFT
SDI
MIS, PI, THOM
SGS
SGS
SSI
RCA, STI
PS
RFT
SA
THOM
THOM
RS, SDI
SPC
SDI
SDI
SSI
SEM
SEM
FEL
STC
STC
STC
STC, STI
RFT, SSI
SSI
PI
NSC, STI, TC
STC
PTI
STI
STI
STI
Обозначе-
ние транзи-
стора
STP
STS
su
sv
SVN
SVT
SWT
T
TBC
TBF
TC
TCH
TCS
TEC
TED
TF
TG
TH
THA
THB
THX
THY
TI
TIP
TIPC
TIPL
TIS
TIX
TIXM
TIXP
TIXS
TL
TMP
TN
TP
TPE
TPP
TPS
TPV
TQ
TR
TRF
TRL
TRM
TRS
TRSP
TRW
Фирма
STI
STC
RFT, SGS, TSC
NSC
SDI
SDI, SSD, STI, TRW
SECI
SEM
TC
TC
MED
TAG
TI
TC
TC
MED
UNITRA
SEC, THOM
THOM
THOM
THOM
THOM
HSE, STI, TI, WDI
ASI, CSC, CSD, FEL, GTC,
IDI, MEC, MEL, MOT, ML,
SC, PPI, PEC, RCA, RTC,
NSGS, SDI, STI, TI, V, WDI
MOT
TI
DIC, IDI, MEL, NSC, SDI,
STI, TI, WDI
TI
TI
PTI
TI
THOM
SEC
NSC, MEL, SUPERTEX,
TCI, TI
SEC
SEC
SEC
SEC
TPW
SEC
GDC, HSE, NVS, ME, STI
TI
GDC, HSE, STI
GDC, HVS, HSE, STI
GDC, HSE, HVS, SSD, STI
GDC, HSE, NVS, SSD, STI
TRW
Обозначе-
ние транзи-
стора
TS
TSB
TZ
и
uc
UMIL
UMT
UPT
UTV
V
VAM
VCR
VMIL
VMOB
VMP
VN
VNM
VNN
VNP
VP
VQ
VTV
w
WT
XGS
XGSA
XGSQ
XGSR
ZDT
ZT
ZTX
ZVN
2NU
3NU
4NU
5NU
6NU
7NU
101NU
102NU
103NU
104NU
105NU
106NU
107NU
152NU
153NU
154NU
155NU
156NU
2T
Фирма
TI
TC
SEC
IFC, II, NSC, MOT, SI, SDI,
UC, WDI
MOT, SDI
ACR
UC
UC
ACR
SGS, UA
ACR
II, SI
ACR
ACR
SI
II, SDI, SI, SUPERTEX
SDI
SDI
SDI
SDI, SUPERTEX
SUPERTEX
ACR
WDI
WEC
GSI
GSI
GSI
GSI
FEL
FEL
FEL
FEL
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
ЕЕ
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
421
7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
101NU70
102NU70
103NU70
104NU70
105NU70
106NU70
106NU70
1O7NU7O
152NU70
153NU70
154NU70
2N1024
2N1027
2N1028
2N104
2N105
2N1051
2N107
2N1O9
2NH75
2N1204
2N1204A
2N1218
2N1219
2N1220
2N1221
2N1222
2N1223
2N123
2N128
2N1292
2N130
2N1300
2N1301
2N1303
2N130A
2N131
2N131A
2N132
2N1321
2N1329
2N132A
2N133
2N1353
2N1354
2N1366
2N1384
2N1384
2N1387
2N139
2N1390
2N1413
2N1414
2N1415
2N1420
2N1494A
2N1499A
2N1499В
2N1500
2N1507
2N1524
Корпус
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-40
ТО-2
ТО-5
R-31
ТО-40
ТО-5
ТО-39
ТО-39
ТО-3
ТО-5
ТО-5
TQ-5
ТО-5
ТО-5
R-32
ТО-24
ТО-3
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-39
ТО-5
ТО-5
0V-16
ТО-5
ТОЮ
ТО-13
0V-16
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-11
ТО-11
ТО-5
ТО-40
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-ЗО
ТО-31
ТО-3
ТО-9
ТО-9
ТО-5
ТО-1
Приближенный
отечественный
аналог
МП35
МП35
МП37
МП36А
МП36А
МП36А
МП37А
МП36А, МП38А
МП36А, МП38
МП36А
МП38
КТ104Б
КТ104Б
КТ104А
МП40А
ГТ109Б
КТ601А
ГТ115А
МП20Б
МП20Б
КТ312Г
КТ312Г
ГТ7О5Г
КТ104Г
КТ104А
КТ104Г
КТ104А
KTI04A
МП42Б
ГТ310Д
ГТЗО5В
МГТ108А
ГТ308А
ГТ308А
МП20А
ГТ108А
МГТ108Б
МГТ108Б
МГТ108В
ГТ7О5В
ГТ7О5В
МГТ108В '
МГТ108Б
МП42А
МП42Б
ГТ122В
ГТ321Е, ГТ321Г
ГТ321Д
КТЗО1Б
ГТ109Е
КТ301Д
ЬМП39Б, МП20А
МП39Б, МП20А
МП39Б, МП20А
КТ630Е
ГТ321Г
ГТ305А
ГТЗО5Б
ГТ305Г
КТ630Е
П422 ¦
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N1526
2N1564
2N1565
2N1566
2N1566A
2N1572
2N1573
2N1574
2N1585
2N1613
2N1643
2N1671
2N1681
2N1683
2N17OO
2N1701
2N1702
2N1711
2N1714
2N1716
2N1726
2N1727
2N1728
2N1742
2N1743
2N1745
2N1746
2N1747
2N1748
2N175
2N1752
2N1754
2N1777
2N178
2N1785
2N1786
2N1787
2N1838
2N1839
2N1840
2N1854
2N1864
2N1865
2N186A
2N1889
2N189
2N1890
2N1893
2N190
2N1902
2N1904
2N191
2N1924
2N1925
2N1926
2N193
2N1958
2N1959
2N2020
2N2048
2N2048A
Корпус
ТО-1
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-8
MD-6
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-40
ТО-9
ТО-9
ТО-3
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-9
ТО-9
R-32
ТО-39
R-32
ТО-39
ТО-5
R-32
R-32
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-22
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-9
ТО-9
Приближенный
отечественный
аналог
П422
КТ601А '
КТ601А
П307Б, КТ602Г
КТ602Б
П309
П308
ПЗО8
ГТ311Ж
КТ63ОГ
КТ104А
KTU9A
МП42Б
ГТЗО8Б
КТ801Б
П702
КТ803А
КТ603 (Е, Г)
П701А
П701А
П417А
П417
П417А
ГТ313Б
ГТ313А
ГТ305Б
П417
П417
ГТЗО5В
П27
П417
ГТЗО5А
1СГ665Б9
П216Б
П417А
П417
П417
КТ617А
КТ617А
КТ617А
ГТ308Б
П417
П417Б
МП25Б, МП20А
КТ63ОГ
МП25А
КТ630Б
КТ630А
МП25А
КТ926А
КТ926Б
МП25Б
МП21Г
МП21Г
МП21Д
МП38
КТ608А
КТ608Б
КТ3117А
ГТЗО8Б
ГТЗО8Б
422
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N206
2N207
2N207A
2N207B
2N2089
2N2102
2N2102A
2N2121
2N2121A
2N2137
2N2138A
2N2142A
2N2143
2N2147
2N2148
2N215
2N218
2N2192
2N2192A
2N2193
2N2193A
2N2194
2N2194A
2N2195
2N2199
2N220
2N2200
2N2217
2N2218
2N2218A
2N2219
2N2219A
2N2221
2N2221A
2N2222
2N2222
2N2224
2N2236
2N2237
2N2237
2N2242
2N2243
2N2243A
2N2246
2N2270
2N2273
2N2274
2N2275
2N2276
2N2277
2N2297
2N233A
2N236O
2N2361
2N2368
2N2369
2N237
2N2372
2N2373
2N2400
2N2405
2N2410
2N2411
2N2412
Корпус
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-7
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-5
ТО-9
ТО-1
ТО-9
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-12
ТО-12
ТО-18
ТО-18
ТО-22
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-5
ТО-18
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
МГТ108А
МГТ108Г
МГТ108Г
МГТ108Г
П403, П416А
КТ630А
КТ630А
КТ3117А
КТ3117Б
ГТ7О1А
ГТ701А
ГТ701А
ГТ701А
ГТ905А
ГТ905Б
МП40А
ГТ109Е
КТ630Е
КТ630Е
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Д
КТ630Д
ГТЗО5А
П27А
ГТ305Б
КТ928А
КТ928Б
КТ928Б
КТ928Б
КТ928Б
КТ3117А
КТ3117А
КТ3117Б
КТ3117А
КТ608Б
КТ617А
КТ603Б
КТ608Б
КТ340В
КТ630А
КТ630А
КТ3151Е6
КТ630Д
ГТЗО5Б
КТ203Б
КТ203Б
КТ203В
КТ203В
КТ630Г
ГТ122Б
ГТ376А
ГТ376А
КТ633Б
КТ633А, КТ3142А
МП40А
КТ2ОЗВ
КТ203В
ГТ308Б
КТ630Б
КТ928А
КТ352А
КТ352А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N2415
2N2416
2N2428
2N2432
2N2432A
2N2475
2N2482
2N2483
2N2484
2N2537
2N2538
2N2539
2N2615
2N2616
2N2617
2N2635
2N2646
2N2647
2N265
2N2659
2N2660
2N266I
2N2665
2N2666
2N2667
2N2696
2N2708
2N2711
2N2712
2N2725
2N2727
2N273
2N2784
2N2811
2N2813
2N283
2N2835
2N2836
2N2844
2N2857
2N2868
2N289O
2N2891
2N2894
2N2904AL
2N2905A
2N2906
2N2906A
2N2907
2N2907A
2N2932
2N2933
2N2947
2N2948
2N2958
2N2987
2N2988
2N2989
2N2990
2N2999
2N3010
2N3012
2N3015
2N3019
Корпус
ТО-72
ТО-72
ТО-1
ТО-18
ТО-18
R-64
ТО-18
ТО-18
ТО-92
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
R-8
ТО-18
R-32
R-122
R-122
R-122
R-122
R-122
R-122
ТО-18
ТО-72
R-67
R-67
ТО-5
ТО-5
ТО-18
МТ-29
МТ-29
R-8
MD-17
ТО-3
ТО-72
ТО-39
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-92
ТО-92
ТО-3
ТО-3
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-72
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-39
Приближенный
отечественный
аналог
ГТ376А
ГТ376А
МП41А
КТ201Б
КТ201Б
КТ316Б
ГТ311И
КТ3102Б
КТ3102Д
КТ928Б
КТ928Б
КТ3117А
КТ325А
КТ325Б
КТ201А
ГТ320В
КТ132А
КТ117Б, КТ132Б
МГТ108Г
П214А
П215
П215
П214А
П214А
П215
КТ351А
КТ325Б
КТ315Ж
КТ315Б
КТ635Б
КТ504Б
МП39А
КТ316Б
КТ908Б
КТ908А
МП40А
П213
ГТ703Д
КПС104Б
КТ399А
КТ630Д
КТ801А
КТ801А
КТ347Б
КТ620Б
КТ662А
КТ313А
КТ313А
КТ313Б
КТ313Б, КТ661А
КТ201ГМ
КТ201ДМ
КТ903А
КТ903А
КТ608Б
КТ630Г
КТ630В
КТ630Г
КТ630В
ГТ341В
КТ316Б
КТ347Б
КТ928А
КТ630В
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
423
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N3020
2N3033
2N3053
2N3053
2N3054
2N3054A
2N3055
2N3055E
2N3107
2N3108
2N3109
2N3110
2N3114
2N3121
2N3127
2N3209
2N3210
2N3237
2N3240
2N3248
2N3249
2N3250
2N3250A
2N3251
2N326
2N3267
2N3279
2N3280
2N3281
2N3282
2N3283
2N3284
2N3286
2N3299
2N33O1
2N3302
2N3304
2N331
2N3329
2N3375
2N3390
2N3391
2N3392
2N3393
2N3394
2N3397
2N3399
2N3439
2N3440
2N3440S
2N3441
2N3442
2N3451
2N3495
2N3545
2N3546
2N3565
2N3570
2N3571
2N3572
2N3576
2N3583
2N3584
2N3585
Корпус
ТО-39
ТО-5
ТО-5
ТО-66
ТО-66
ТО-3
ТО-3
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-72
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-3
ТО-72
ТО-72
ТО-72
R-96
R-96
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-60
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-72
ТО-39
ТО-66
ТО-3
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-18
ТО-66
ТО-66
ТО-66
Приближенный
отечественный
аналог
КТ630В
КТ3122А
КТ608Б
КТ630Д
КТ805Б
КТ803А
КТ819ГМ, КТ8150А
КТ819ГМ
КТ630Б
КТ630Г
КТ630Б
КТ630Г
КТ611Г
КТ315А
ГТ328А, ГТ376А
КТ347А
КТ616Б
КТ729А
КТ730А
КТ351А
КТ345Б
КТ3108А, КТ313Б
КТ313Б, КТ3108В
КТ3108Б
ГТ705В
ГТ376А
ГТ328А
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ328А
ГТ328В
ГТ328Б
КТ608Б
КТ3117А
КТ3117А
КТ337А
МП39Б
КП103Е
КТ904А
КТ373В
КТ373В
КТ373А
КТ373А
КТ373Г
КТ315Е
ГТ346Б
КТ504А
КТ504Б
КТ940А
КТ802А
КТ945А
КТ337А
КТ632Б
КТ343Б
КТ363А
КТ201АМ
КТ399А
КТ399А
КТ399А
КТ347А
КТ704В
КТ809А
КТ704Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N3585
2N3600
2N3605
2N3606
2N3607
2N3611
2N3613
2N3638
2N3638A
2N3671
2N368
2N369
2N3702
2N3703
2N3709
2N3710
2N3711
2N3712
2N3717
2N3722
2N3724
2N3725
2N3730
2N3732
2N3733
2N3737
2N3738
2N3739
2N3740
2N3741
2N3742
2N3766
2N3767
2N3771
2N3772
2N3773
2N3821
2N3822
2N3823
2N3824
2N3839
2N3866
2N3878
2N3879
2N3880
2N3883
2N3903
2N3904
2N3905
2N3906
2N3953
2N3964
2N3971
2N3972
2N3974
2N4030
2N4031
2N4034
2N4034
2N4036
2N4037
2N4038 "
2N404
2N4046
Корпус
ТО-66
ТО-72
R-67
R-67
ТО-92
ТО-3
ТО-3
ТО-92
ТО-5
ТО-22
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-5
ТО-5
ТО-39
ТО-5
ТО-3
ТО-3
ТО-60
ТО-46
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-5
ТО-66
ТО-66
ТО-72
ТО-39
ТО-66
ТО-66
ТО-72
ТО-5
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-72
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-98
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-39
ТО-5
ТО-5
Приближенный
отечественный
аналог
КТ704А
КТ368А
КТ375Б
КТ375Б
КТ375Б
ГТ701А
ГТ701А
КТ686Г
КТ686Ж
КТ620А
МП40А
МП41А
КТ345Б
КТ685Е
КТ358А, КТ373А
КТ358В, КТ373А
КТ3102В
КТ611Г
КТ692А
КТ608Б
КТ608Б
КТ635Б
ГТ810А
ГТ905А
КТ907А
КТ659А
КТ809А
КТ809А
КТ932Б
КТ932А
КТ6О4Б
КТ805Б
КТ805Б
КТ729А
КТ729Б
КТ730А
КПЗОЗЖ, КП329Б
КПЗОЗИ
КПЗОЗА, КП329Д
КП302БМ
КТ399А
КТ939А
КТ908А
КТ908А
КТ399А
ГТ320Б
КТ375А
КТ375 (А, Б)
КТ361Г
КТ361Г
КТ3123А2
КТ3107Л
КП302А, КП302АМ
КП302ВМ
КТ3172А9
КТ933Б
КТ933А
КТ326Б
КТ347А
КТ933А
КТ933Б
КП301Б
МП42Б
КТ608Б
424
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N405
2N406
2N4077
2N4092
2N4093
2N4123
2N4124
2N4125
2N4126
2N4127
2N4128
2N4138
2N4207
2N4208
2N4209
2N4220
2N4223
2N4224
2N4231
2N4232
2N4233
2N4234
2N4237
2N4238
2N4239
2N4240
2N4254
2N4255
2N4260
2N4261
2N4268
2N4291
2N43
2N4301
2N4314
2N4360
2N438
2N4393
2N44
2N4400
2N4411
2N4416
2N4429
2N4430
2N4431
2N444
2N4440
2N444A
2N445
2N445A
2N44A
2N45
2N456
2N457
2N458
2N45A
2N4870
2N4871
2N4889
2N4891
2N4893
2N4898
2N4898
2N4899
Корпус
ТО-40
ТО-1
MD-6
ТО-92
ТО-92
ТО-92
10-92
МТ-59
МТ-59
ТО-46
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-66
ТО-92
ТО-92
ТО-72
ТО-72
ТО-92
R-32
ТО-61
ТО-39
R-32
ТО-92
МТ-59
ТО-129
ТО-129
ТО-5
ТО-60
ТО-5
ТО-5
ТО-5
R-32
ТО-29
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-29
ТО-66
ТО-66
Приближенный
отечественный
аналог
МП39А
МП39А
ГТ7О5Д
КП905А
КП302Г
КТ3102А
КТ3102Д
КТ361Б
КТ3107Ж
КТ922Г
КТ922Д
КТ201Б
КТ337Б
КТ337Б
КТ363А.
КП307Б
КП305Д, КП307Б
КП305Е, КПЗО7В
П702
П702
П702
КТ830А, КТ692А
КТ801А
КТ801Б
КТ801А
КТ704 (А, Б)
КТ316АМ
КТ316ГМ
КТ363А
КТ363Б
КП304А
КТ684Б
МП25Б
КТ908А
КТ933А
КП103МР1
ГТ122А
КП302ГМ
МП25Б
КТ645А
КТ3126А
КП323А2
КТ911Б
КТ913А
КТ913Б
МП35
КТ907Б
МП35
МП38
МП37
МП40А
МП40А
П210В
П210Б
П210Б
МП40А
КТ133А
КТ133Б
КТ686Ж
КТ117Б
КТ117В
КТ932В
КТ932В
КТ932Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N49OO
2N4910
2N4911
2N4912
2N4913
2N4914
2N4915
2N4923
2N4924
2N4925
2N4926
2N4927
2N4933
2N4960
2N497
2N4976
2N498
2N499A
2N501
2N502A
2N502B
2N5O3
2N5O31
2N5032
2N5043
2N5044
2N5050
2N5051
2N5052
2N5056
2N506
2N5067
2N5068
2N5069
2N5070
2N5090
2N5104
2N5146
2N5161
2N5177
2N5178
2N5179
2N5188
2N5190
2N5191
2N5192
2N5193
2N5194
2N5195
2N5196
2N5202
2N5209
2N5210
2N5219
2N5221
2N5223
2N5226
2N5228
2N5236
2N5239
2N5240
2N5313
2N5315
2N5317
Корпус
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-5
ТО-5
ТО-129
ТО-5
ТО-1
ТО-1
ТО-9
ТО-9
ТО-9
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-18
ТО-22
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-60
ТО-60
ТО-60
MD-36
MD-36
ТО-72
ТО-39
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-66
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-39
ТО-3
ТО-3
ТО-61
ТО-61
ТО-61
Приближенный
отечественный
аналог
КТ932А
П702А
П702
П702
КТ808А
КТ808А
КТ808А
КТ807БМ
КТ611Г
КТ611Г
КТ604Б
КТ604Б
КТ927А
КТ928Б, КТ635А
КТ630Д
КТ911А
КТ630Г
ГТ305А
ГТ305А
ГТ313А
ГТ313А
ГТ310Б
КТ399А
КТ399А
ГТ329Б
ГТ329А
КТ802А
КТ802А
КТ802А
КТ347Б
ГТ115Б
КТ803А
КТ803А
КТ803А
КТ912А
КТ606А
КП329А
КТС622А
КТ914А
КТ909А
КТ909Б
КТ399А
КТ603Б
КТ817А
КТ817В
КТ817Г
КТ816А, КТ818А
КТ816В, КТ818В
КТ816Г, КТ818Г
КПС104В
КТ908А
КТ3102Д
КТ3102Е
КТ375Б
КТ351А
КТ375Б
КТ350А
КТ357А
КТ3122Б
КТ812Б
КТ812А
КТ908А
КТ908А
КТ908А
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
425
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N5319
2N5334
2N5354
2N5356
2N535A
2N535B
2N536
2N5365
2N5366
2N5373
2N5394
2N5397
2N5401
2N5427
2N5427
2N5429
2N5447
2N5452
2N5481
2N5483
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N554
2N5540
2N555
2N5551
2N5556
2N5589
2N5590
2N5591
2N5596
2N560
2N5641
2N5642
2N5643
2N5652
2N5672
2N5681
2N5682
2N5707
2N5709
2N5719
2N5764
2N5765 .
2N5768
2N5769
2N577O
2N5771
2N581
2N5838
2N5839
2N5840
2N5842
2N5845
2N5851
2N5852
2N5887
2N5888
2N5889
2N5890
2N5891
2N59
Корпус
ТО-61
ТО-39
ТО-98
ТО-23
ТО-23
ТО-23
ТО-98
ТО-98
ТО-92
ТО-92
ТО-66
ТО-66
Х-55
МТ-74
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-61
ТО-3
ТО-92
ТО-29
МТ-71
МТ-72
МТ-72
ТО-72
ТО-3
ТО-39
ТО-39
ТО-128
МТ-77
МТ-77
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-5
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-72
ТО-92
ТО-72
ТО-72
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-5
Приближенный
отечественный
аналог
КТ908А
КТ685Е
КТ351А
КТ685Ж
ГТ115В
ГТ115В
ГТ115Г
КТ351А
КТ351Б
КТ686А
КП307А
КП302Б
КТ6116А
КТ808ГМ
КТ808А
КТ808А
КТ345Б
КПС104А
КТ911А
КТ919В
КТ819Б
КТ819В
КТ819В
КТ819Г
П216В
КТ854А
П216В
КТ6117А
КПЗОЗБ
КТ934Г, КТ920А
КТ934Д
КТ920В
КТ916А, КТ919А ,^
П307В
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ372В
КТ874А
КТ630Г
КТ630А
КТ921А
КТ936А
КТ929А
КТ913А
КТ913Б
КТ919Б
КТ3142А
КТ325ВМ
КТ363АМ
МП42А
КТ840Б
КТ840Б
КТ840А
КТ355А
КТ645А
КТ355А
КТ355А
ГТ701А, П216
ГТ701А, П216
ГТ701А, П216
ГГ701А, П216Г
ГТ701А, П217
МП20А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N591
2N5995
2N5996
2N59A
2N59B
2N59C
2N60
2N6011
2N6013
2N6015
2N602
2N603
2N6034
2N6035
2N6O36
2N6037
2N6038
2N6039
2N604
2N6047
2N6050
2N6051
2N6052
2N6057
2N6058
2N6059
2N6077
2N6078
2N6079
2N6080
2N6081
2N6093
2N6099
2N60A
2N60B
2N60C
2N61
2N6101
2N6107
2N6111
2N6121
2N6122
2N6123
2N6124
2N6125
2N6126
2N6129
2N6130
2N6131
2N6132
2N6133
2N6134
2N6135
2N6178
2N6179
2N6180
2N6181
2N61A
2N61B
2N61C
2N6202
2N6203
2N6204
2N6208
Корпус
ТО-1
МТ-78
МТ-78
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
R-203
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-63
ТО-3
•ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-66
ТО-66
ТО-66
МТ-72
МТ-72
МТ-67
ТО-220
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Х-110
Х-109
Х-109
ТО-126
ТО-126
ТО-5
ТО-5
ТО-6
Приближенный
отечественный
аналог
ГТ115Г
КТ920Г
КТ920Г
МП20А
МП21Д
МП21Д
МП20Б
КТ825Б
КТ685Д
КТ685А
П416
П416
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
П416А
КТ947А
КТ825Д
КТ825Г
КТ825Г
КТ827В
КТ827Б
КТ827А
КТ812Б
КТ812Б
КТ812А
КТ920Б
КТ920Г
КТ912Б, КТ927Б
КТ819В
МП21В
МП21Д
МП21Г
МП20А
КТ819Г
КТ818Г
КТ818А
КТ817А
КТ817В
КТ817Г
КТ837Ф
КТ837С
КТ837Н
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
КТ610А
КТ943Д
КТ943Б
КТ932А
КТ932А
МП20В
МП21Д
МП21Г
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ916Б
426
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N6216
2N6246
2N6247
2N6248
2N6253
2N6260
2N6263
2N6264
2N6266
2N6278
2N6279
2N6282
2N6283
2N6284
2N6285
2N6286
2N6287
2N6288
2N6289
2N629O
2N6291
2N6292
2N6293
2N6304
2N6305
2N6310
2N6341
2N6362
2N6364
2N6369
2N6371
2N6372
2N6373
2N6374
2N6448
2N6469
2N6470
2N6471
2N6472
2N6477
2N6499
2N65
2N653
2N654
2N6542
2N6543
2N6546
2N655
2N656
2N6560
2N657
2N6575
2N6617
2N6669
2N6672
2N6678
2N6772
2N6773
2N6928
2N6929
2N6930
2N6931
2N6932
2N696
Корпус
то-з
то-з
то-з
то-з
то-з
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-63
ТО-63
то-з
то-з
то-з
то-з
то-з
ТО-З
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-72
ТО-72
ТО-220
ТО-З
SOT-119
SOT-119
SOT-119
ТО-З
ТО-66
ТО-66
ТО-66
ТО-З
ТО-З
ТО-З
то-з
ТО-220
ТО-220
OV-4
ТО-5
ТО-5
ТО-З
ТО-З
ТО-204
ТО-5
ТО-5
ТО-З
ТО-5
ТО-З
ТО-220
ТО-204
ТО-204
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-204
ТО-204
ТО-5
Приближенный
отечественный
аналог
КТ684А
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ818ГМ
КТ819БМ
КТ805Б
КТ802А
КТ802А
КТ919В
КТ879Б
КТ879А
КТ827В
КТ827Б
КТ827А
КТ825Д
КТ825Г
КТ825Г
КТ819А
КТ819А
КТ819В
КТ819В
КТ819Г
КТ819Г
КТ399А
КТ399А
КТ818В
КТ867А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
КТ819БМ
КТ808ГМ
КТ808ГМ
КТ808БМ
КТ684А
КТ818БМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ8123А
КТ8П0А
МП20А
МП20А
МП20А
КТ840Б
КТ840А
КТ878Б
МП20Б
КТ630Д
КТ841А
КТ630Г
КТ8146А
КТ3132А
КТ863А, КТ997А
КТ847А
КТ847А, КТ878В
КТ8175Б1
КТ8175А1
КТ8120А
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8117Б
КТ856Б1
КТ630Д
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N697
2N698
2N699
2N700
2N7OOA
2N702
2N703
2N705
2N706A
2N7O8
2N709
2N709A
2N710
2N711
2N711A
2N711B
2N726.
2N727
2N728
2N729
2N734
2N735
2N735
2N738
2N739
2N741
2N741A
2N743
2N744
2N753
2N754
2N755
2N77
2N780
2N784A
2N795
2N796
2N797
2N797
2N834
2N835
2N842
2N843
2N844
2N845
2N869
2N869A
2N914
2N915
2N916
2N917
2N918
2N919
2N920
2N923
2N924
2N929
2N930
2N94
2N943
2N944
2N955
2N955A
2N978
Корпус
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-72
JO-17
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-2
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-72
ТО-72
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-2
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
КТ630Д
КТ630А
КТ630А
ГТ313Б, ГТ376А
ГТ376А
КТ312А
КТ312В
ГТ32ОВ
КТ340В
КТ340В
КТ316Б
КТ316Б
ГТ320В
ГТ320В
ГТ320Б
ГТ320Б
КТ349А
КТ349Б
КТ312В
КТ312Б
П307, КТ601А
П307А, КТ601А
КТ601А, П307А
П309
П308
ГТ313В
ГТ313А
КТ340В
КТ340В
КТ340Б
П307В
ПЗО8
ГТ109Б
КТ312Б
КТ340В
ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308А
ГТ311И
КТ340В
КТ340В
КТ301Д
КТ301 (В, Ж)
П307В, КТ601А
П308, КТ601А
КТ352А
КТ347А
КТ616Б
КТ342Г
КТ342А
КТ368Б
КТ368А
КТ340В
КТ340В
КТ203Б
КТ2ОЗБ
КТ342А
КТ342А
МП38
КТ203Б
КТ203Б
ГТ311И
ГТЗПИ
КТ350А
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
427
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N979
2N980
2N987
2N990
2N991
2N993
2N995
2N996
2NL234B
2NU72
2NU73
2NU74
2S2466
2S3640
2S564
2SA1009
2SA101
2SA1015
2SA102
2SA1O21
2SA1029В
2SA1029C
2SA1029D
2SA103
2SA1030
2SA1030B
2SA1O3OB
2SA1030C
2SA1031B
2SA1031C
2SA1031D
2SA1032
2SA1033В
2SA1033C
2SA1033D
2SA104
2SA105
2SA1052В
2SA1052C
2SA1052D
2SA106
2SA107
2SA108
2SA109
2SA1090
2SA110
2SA1106
2SA111
2SA112
2SAU6
2SA1160A
2SA1160B
2SA117
2SA118
2SA1180
2SA1274
2SA1356
2SA1356
2SA1515
2SA1584
2SA173
2SA174
2SA195
2SA204
Корпус
ТО-18
ТО-18
R-38
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-18
ТО-18
SOT-9
ТО-3
ТО-3
MD-10
ТО-220
ТО-1
ТО-92
ТО-1
ТО-220
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-72
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92.
ТО-92
ТО-1
ТО-44
ТО-236
ТО-236
ТО-236
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-18
ТО-44
ТО-218
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-92
ТО-92
ТО-44
ТО-44
ТО-3
ТО-92
ТО-126
SOT-82
ТО-92
ТО-92
ТО-5
ТО-5
ТО-1
ТО-5
Приближенный
отечественный
аналог
ГТ305А
ГТЗО5А
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ322В
ГТ322В
КТ352А
КТ352А
КП902Б
,ГТ403Б
ГТ703Б
ГТ701А, П210А
П201АЭ
КТ3126Б
КТ686Г
КТ851Б
ГТ322В
КТ3107Б
ГТ322В
КТ722А
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107И
ГТ322В
КТ668В
КТ668Б
КТ3107Б, КТ668В
КТ3107Д, КТ668В
КТ3107Г
КТ3107Ж
КТ3107Ж
КТ668А
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107К
ГТ322Б
ГТ310Е
КТ3129Б9
КТ3129Г9
КТ3129Г9
ГТ310Е ~
ГТ310Д
П422
П422
КТ313Б
П422 ;
КТ8101Б
П422
П422
ГТ310В
КТ686Д
КТ686Е
ГТ310Д
ГТ310Д
КТ865А
КТ684В
КТ626Г, КТ626Д
КТ626А
КТ686Б
КТ9144А9
ГТ125Б
ГТ125Б
ГТ124А
ГТ125Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SA205
2SA206
2SA211
2SA212
2SA219
2SA221
2SA223
2SA229
2SA230
2SA234
2SA235
2SA236
2SA237
2SA246
2SA254
2SA255
2SA256
2SA257
2SA258
2SA259
2SA260
2SA266
2SA267
2SA268
2SA269
2SA270
2SA271
2SA272
2SA277
2SA279
2SA282
2SA285
2SA286
2SA287
2SA312
2SA321
2SA322
2SA338
2SA339
2SA340
2SA341
2SA342
2SA343
2SA350
2SA351
2SA352
2SA354
2SA355
2SA374
2SA391 "
2SA396
2SA40
2SA400
2SA412
2SA414
2SA416
2SA422
2SA440
2SA467
2SA479
2SA49
2SA490
2SA494G
2SA495
Корпус
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-17
ТО-17
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-44
R-18
R-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-17
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-5
ТО-7
ТО-5
ТО-44
ТО-44
ТО-44
ТО-5
ТО-44
ТО-44
ТО-18
ТО-18
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-7
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-5
ТО-3
ТО-17
R-146
R-67
ТО-1
ТО-1
ТО-220
R-67
R-67
Приближенный
отечественный
аналог
ГТ125Д
ГТ125Б
ГТ125А
ГТ125А
ГТ322В
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ313А
ГТ313А
ГТ309Б
ГТ309Б
ГТ322В
ГГ322В
ГТ305В
ГТ109Е
ГТ109Д
ГГ322Б
ГТ322В
ГТ322В
ГТ322В
ГТ310А
ГТ309Г
ГТ309Г
ГТ309Д
ГТЗОЗД
ГТ309Г
ГТ309Г
ГТ309А
ГТ124В
П416Б, ГТ305Б
ГТ125 (В, Г)
ГТ322Б
ГГ322Б
ГТ322Б
ГТ321Д
ГТ322В
ГТ322В
ГТ322В
ГГ322Б
ГТ322Б
ГТ322Б
ГТ322Б
ГТ309Б
П422
П422
П422
П422
П422
П609А
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ124Б
ГТ309Г
ГТ308Б
ГТ125Б
П606А
ГТ346Б
ГТ313А
КТ351Б
ГТ331А
ГТ109Е
КТ816Б
КТ349В
КТ357Г
428
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SA495G
2SA496
2SA5O
2SA500
2SA504
2SA5O5
2SA52
2SA522
2SA53
2SA530
2SA537
2SA555
2SA556
2SA559
2SA564
2SA564A
2SA568
2SA58
2SA60
2SA603
2SA628
2SA640
2SA641
2SA65
2SA670
2SA671
2SA673
2SA69
2SA7O
2SA71
2SA715B
2SA715B
2SA715C
2SA715D
2SA718
2SA72
2SA73
2SA733
2SA738B
2SA738C
2SA738D
2SA740
2SA741H
2SA743
2SA743A
2SA743A
2SA750
2SA755A
2SA755B
2SA768
2SA769
2SA779K
2SA78
2SA78
2SA780AK
2SA781K
2SA811C5
2SA811C6
2SA812M4
2SA812M5
2SA815
2SA844C
2SA844D
2SA876H
Корпус
R-67
ТО-126
ТО-1
ТО-18
ТО-39
ТО-126
ТО-1
ТО-18
ТО-1
ТО-18
ТО-39
Х-20
Х-20
ТО-18
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-44
ТО-44
ТО-18
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-1
ТО-220
ТО-220
ТО-92
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-18
ТО-44
ТО-44
ТО-92
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-18
ТО-126
ТО-126
ТО-92
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-202
ТО-44
ТО-44
ТО-202
ТО-92
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
ТО-220
ТО-92
ТО-92
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
КТ357Г
КТ639Б
ПЗО
КТ352А
КТ933А
КТ639Д
ГТ1О9Е
КТ326Б
ГТ109Д
КТ313Б
КТ933Б
КТ361Е
КТ361Е
КТ352А
КТ3107Д
КТ3107И
КТ345В
ГТ322Б
ГТ322Б
КТ313Б
КТ357Г
КТ3107 (К, И)
КТ3107Л
ГТ125В
КТ816В
КТ816Б
КТ350А
ГТЗО9Е
ГТ309Е
ГТ309Е
КТ639И
КТ639В
КТ639В
КТ639В
КТ313Б
ГТ322В
ГТ322В
КТ3107И
КТ639В
КТ639В
КТ639В
КТ851В
КТ352А
КТ639Г
КТ639Ж
КТ639Г, КТ639Ж
КТ3107К
КТ932Б
КТ932Б
КТ816В
КТ816Г
КТ639В
ГТ321Д
ГТ321В
КТ639Д
КТ345Б
КТ3129Б9
КТ3129Г9
КТ3129Б9
КТ3129Б9
КТ814Г
КТ3107И
КТ3107И
КТ313Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SA92
2SA93
2SA952K
2SA952L
2SA952M
2SA962A
2SA966Y
2SA967
2SA983
2SA999
2SA999L
2SB1O16
2SB1017
2SB1018
2SB1019
2SB11O
2SB111
2SB112
2SB113
2SB114
2SB115
2SB116
2SB117
2SB12
2SB120
2SB1220Q
2SB13
2SB130
2SB135
2SB136
2SB136A
2SB15
2SB170
2SB171
2SB172
2SB173
2SB175
2SB176
2SB180A
2SB181A
2SB200
2SB201
2SB261
2SB262
2SB263
2SB302
2SB303
2SB32
2SB33
2SB335
2SB336
2SB361
2SB362
2SB367
2SB368
2SB37
2SB39
2SB40
2SB400
2SB43
2SB434
2SB434G
2SB435
2SB435G
Корпус
ТО-44
ТО-44
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-202
ТО-92
ТО-92
ТО-92 (
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-18
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
SC-70
ТО-1
MD-11
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-8
ТО-8
R-10
ТО-5
R-18
R-18
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
R-18
R-18
ТО-3
ТО-3
ТО-66
Тб-66
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
ГТ322Б
ГТ322В
КТ6115Е, КТ686Е
КТ6115Д, КТ686Д
КТ6115Г
КТ639Д
КТ686В
КТ3123АМ
КТ3109А
КТ3107И
КТ3107И
КТ818Г
КТ818Г
КТ818Г
КТ818В
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124В
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ124Г
ГТ124А
МП41А
КТ3180А9
ГТ124А
П201АЭ
ГГ124В
МП25А, МП20Б
МП25А.МП20Б
ГТ125А
МП39А, МП40А
МП40А
МП20А, МП25Б
МП39А
МП41А
МП25Б, МП20Б
П201АЭ
П2О2Э
МП25Б, МП20А
МП25Б, МП20А
ГТ115А
ГТ115В
МП25Б
ГТ109Е
ГТ115Г
МП39А
МП41А
МГТ108В
МГТ108В
ГТ806А
ГТ8О6Б
П201АЭ
П201АЭ
МП41А
ГТ115А
МП42Б
МГТ108Г
ГТ125В
КТ837Р
КТ837Р
КТ837У
КТ837Р
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
429
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SB435U
2SB439
2SB44
2SB440
2SB443A
2SB443B
2SB444A
2SB444B
2SB448
2SB456
2SB467
2SB468
2SB47
2SB473
2SB48
2SB481
2SB49
2SB497
2SB506A
2SB54
2SB546
2SB546A
2SB55
2SB551H
2SB553
2SB558
2SB56
2SB57
2SB595
2SB596
2SB60
2SB61
2SB630A
2SB650H
2SB693H
2SB709
2SB709
2SB709A
2SB710
2SB75
2SB754
2SB772
2SB834
2SB883
2SB9O
2SB906
2SB906
2SB97
2SB970
2SB996
2SC1000GTM
2SC1001
2SC1008
2SC1008A
2SC1009A
2SC101A
2SC1044
2SC105
2SC1056
2SC1080
2SC108A
2SC1090
2SC109A
2SC1111
Корпус
ТО-220
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
MD-11
ТО-8
MD-10
ТО-3
ТО-1
MD-9
ТО-5
MD-9
ТО-5
R-18
ТО-3
ТО-1
ТО-220
ТО-220
ТО-1
ТО-66
ТО-220
ТО-3
ТО-1
R-55
ТО-220
ТО-220
ТО-1
ТО-1
ТО-220
ТО-3
ТО-3
SOT-23
SOT-23
ТО-1
ТО-220
ТО-126
ТО-220
ТО-218
ТО-1
ТО-220
ТО-1
ТО-236
ТО-220
ТО-92
ТО-39
ТО-39
SOT-23
ТО-66
ТО-72
ТО-18
ТО-5
ТО-39
U-78
ТО-39
ТО-3
Приближенный
отечественный
аналог
КТ816А2
МП41А, МП39Б
ГТ124В
МП41А, МП39Б
МГТ108Г
МГТ108Г
МГТ108Г
МГТ108Г
П201АЭ
П2О2Э
П202Э
ГТ810А
МГТ108 (Д, Г)
П201АЭ
ГТ125Б
П201АЭ
ГТ125В
МГТ108Б
КТ842А
ГТ124Г
КТ851В
КТ851А
ГТ125Г
КТ932Б
КТ818В
КТ818ГМ
ГТ125Г
МГТ108Б У
КТ816Г
КТ816Г
МП41А
МП41А
КТ851А
КТ825Г
КТ825Г
КТ3129Д9
КТ3129Д9
КТ3129Г9
КТ3173А9
ГТ125В
КТ818Б
КТ9176А
КТ835Б, КТ837В
КТ8106Б
ГТГО9Г
КТ835А
КТ835Б, КТ837В
ГТ109В
КТ3171А9
КТ816Г
КТ3102Б
КТ925Г
КТ630Д
КТ630Б
КТ3151Д9
КТ902А
КТ355А
КТ312Б
КТ605Б
КТ683А
КТ630Г
КТ372А
КТ928Б
КТ802А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SC1112
2SC1113
2SC1114
2SC11172В
2SC1141
2SC1144
2SC1145
2SC1172
2SC1172A
2SC1173
2SC1188
2SC1215
2SC1236
2SC1254
2SC1260
2SC1262
2SC131
2SC1317
2SC132
2SC133
2SC134
2SC135
2SC137
2SC1395
2SC1440
2SC1454
2SC1504
2SC151H
2SC1550
2SC1566
2SC1569
2SC1576
2SC1617
2SC1618
2SC1618
2SC1619
2SC1619A
2SC1619A
2SC1622D6
2SC1622D7
2SC1623L
2SC1624
2SC1625
2SC170
2SC171
2SC172
2SC1789
2SC1805
2SC1815
2SC1826
2SC1826
2SC1827
2SC1828
2SC1846
2SC188 ,
2SC1894
2SC1895
2SC1896
2SC1950
2SC2001K
2SC2OO1L
2SC2036
2SC2042
2SC2068
Корпус
ТО-3
ТО-66
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-72
ТО-18
ТО-92
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-3
ТО-3 "
ТО-3
ТО-39
ТО-126
ТО-202
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
SOT-23
SOT-23
SOT-23
ТО-220
ТО-220
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-92
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-66
ТО-92
ТО-5
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-126
ТО-202
Приближенный
отечественный
аналог
КТ802А
КТ808А
КТ812Б
КТ839А
КТ8154А
КТ8154Б
КТ809БМ
КТ839А
КТ839А
КТ943А
КТ325БМ
КТ325АМ
КТ3101АМ
КТ3106А2
КТ399А
КТ939А
КТ616Б
КТ645А
КТ616Б
КТ616Б
КТ616А
КТ616А
КТ616Б
КТ325ВМ
КТ945А
КТ812Б
КТ809А
КТ603А
КТ940Б
КТ94ОБ
КТ940А
КТ812А, КТ828Б
КТ812Б
КТ808БМ
КТ808А
КТ808А
КТ808А
КТ808АМ
КТ3130Б9
КТ3130Б9
КТ3130А9
КТ943В
КТ943В
КТ306Д
КТ306Д
КТЗО6Д
КТ399АМ
КТ916А
КТ3102Б
КТ817Г2
КТ817Т
КТ817Г
КТ828А
КТ645А
КТ617А
КТ839А
КТ839А
КТ839А
КТ640Б2
КТ6144Е
КТ6144Д
ЮГ646А
КТ909В
КТ940А
430
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SC2121
2SC2122
2SC2137
2SC2138
2SC216B
2SC2173
2SC2188
2SC2231
2SC2231A
2SC2242
2SC2258
2SC227O
2SC2295
2SC2333
2SC2335
2SC2351
2SC2368
2SC2369
2SC2404
2SC2405
2SC2431
2SC2456
2SC247
2SC2481
2SC249
2SC2516
2SC253
2SC2562
2SC2611
2SC2688N
2SC279O
2SC279OA
2SC2791
2SC2794
2SC281
2SC282
2SC3O56
2SC3O57
2SC306
2SC3O61
2SC3O7
2SC3O8
2SC309
2SC310
2SC315O
2SC3217
2SC3218
2SC3257
2SC3277
2SC33
2SC33O6
2SC3335
2SC3419
2SC3422
2SC3422
2SC3423
2SC3424
2SC3450
2SC3459
2SC3480
2SC3568M
2SC3607
2SC3637
2SC3660
Корпус
то-з
то-з
то-з
то-з
ТО-202
ТО-202
ТО-220
ТО-126
ТО-220
ТО-220
SOT-23
SOT-23
ТО-З
ТО-126
ТО-39
ТО-126
ТО-39
ТО-220
ТО-72
ТО-220
ТО-126
ТО-126
ТО-З
ТО-З
ТО-З
ТО-126
ТО-1
ТО-1
ТО-220
ТО-220
ТО-5
ТО-З
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-220
ТО-220
ТО-218
ТО-5
ТО-247
ТО-126
ТО-126
SOT-82
SOT-82
SOT-82
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-220
SOT-89
ТО-218
Приближенный
отечественный
аналог
КТ828А
КТ841А
КТ812А, КТ828Б
КТ812А
КТ850А
КТ909Г
КТ3126А9
КТ940В
КТ940В
КТ940А
КТ940Б
КТ9157А
КТ3170А9
КТ8175А1
КТ8138А
КТ3168А9
КТ3123В2
КТ3123Б2
КТ3130Г9
КТ3130Г9
КТ945А
КТ940А
КТ602Г
КТ683Б
КТ602Б
КТ863Б
КТ325А
КТ805АМ
КТ604БМ
КТ9130А
КТ828А
КТ828А
КТ828А
КТ943Б
КТ312В
КТ312В
КТ8138Б
КТ8138Д
КТ630Д
КТ886А1
КТ63ОГ
КТ630Г
КТ630А
КТ630В
КТ8118А
КТ9155А
КТ9142А, КТ9155Б
КТ854А
КТ856Б1
КТ312Б
КТ8117А
КТ940Б
КТ646А
КТ805АМ
КТ940В
КТ940В
КТ940Б
КТ856А1
КТ8127В1
КТ8127Б1
КТ863В
КТ911Г
КТ886Б1
КТ9152А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SC366G
2SC367G
2SC3688
2SC370
2SC371
2SC372
2SC3801
2SC3812
2SC3827
2SC3840
2SC390
2SC395A
2SC40
2SC400
2SC4001
2SC401
2SC402
2SC403
2SC404
2SC41
2SC4106
2SC4106L
2SC4109
2SC42
2SC4242
2SC43
2SC44
2SC4542
2SC454B
2SC454C
2SC454D
2SC458
2SC458KB
2SC458KC
2SC458KD
2SC458LGB
2SC458LGC
2SC458LGD
2SC4756
2SC481
2SC482
2SC493
2SC497
2SC498
2SC503
2SC504
2SC505
2SC5O6
2SC507
2SC508
2SC510
2SC512
2SC517
2SC519A
2SC520A
2SC521A
2SC525
2SC538
2SC538A
2SC543
2SC549
2SC553
2SC563
2SC583
Корпус
ТО-92
ТО-92
ТО-247
R-67
R-67
R-67
ТО-126
ТО-72
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-126
R-37
R-37
R-37
R-37
ТО-З
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-З
ТО-220
ТО-З
ТО-З
ТО-220
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-220
ТО-39
ТО-5
ТО-З
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-66
ТО-39
ТО-39
ТО-37
ТО-З
ТО-З
ТО-З
МТ-29
ТО-92
ТО-92
ТО-60
ТО-60
ТО-60
ТО-72
ТО-72
Приближенный
отечественный
аналог
КТ645А
КТ645А
КТ8157А
КТ375Б
КТ375Б
КТ375Б
КТ368БМ
КТ9151А
КТ368Б9
КТ8175Б
КТ368А
КТ616А
КТ316Г
КТ306В
КТ9130А
КТ358В
КТ358В
КТ358Б
КТ358В
КТ802А
КТ8138А.КТ8110Б
КТ8П0В
КТ8145Б
КТ802А
КТ8138Б, КТ8110А
КТ802А
КТ803А
КТ8138В
КТ3102В, КТ342АМ
КТ3102В
КТ3102В
КТ3102В
КТ3102В
КТ3102В
КТ3102В
КТ31О2Д
КТ3102Д
КТ3102Д
КТ8121Б
КТ630Д
КТ617А
КТ803А
КТ630Б
КТ630Б
КТ630Г
КТ630Г
КТ618А
КТ611Б
КТ611Г
КТ802А
КТ630В
КТ630Г
КТ903А
КТ802А, КТ945А
КТ802А
КТ803А
П701А
КТ3102Г
КТ3102Б
КТ907Б
КТ904Б
КТ907Б
КТ339Г
КТ368Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
431
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SC589
2SC594
2SC598
2SC601
2SC612
2SC618
2SC620
2SC633
2SC634
2SC635
2SC64
2SC641
2SC642
2SC65
2SC66
2SC67
2SC68
2SC712
2SC727
2SC752GTM
2SC779
2SC788
2SC790
2SC793
2SC796
2SC8O9
2SC815
2SC825
2SC828
2SC828A
2SC829
2SC893
2SC900
2SC923K
2SC923
2SC945
2SC959S
2SC976
2SC977
2SC978
2SD1174
2SD127
2SD127
2SD1279
2SD128
2SD1287
2SD128A
2SD1308
2SD1348
2SD1354
2SD1356
2SD1406
2SD1408
2SD146
2SD147
2SD148
2SD1513K
2SD1513L
2SDL577F1
2SD1742
2SD195
2SD201
2SD202
2SD203
Корпус
ТО-39
ТО-60
ТО-18
ТО-72
ТО-72
ТО-92
R-37
R-37
ТО-60
ТО-5
ММ-12
ТО-60
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-92
ТО-18
ТО-92
ТО-66
ТО-5
ТО-220
ТО-3
ТО-5
ТО-72
ТО-92
ТО-66
ТО-92
ТО-92
ТО-92
МТ-29
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-39
МТ-83
МТ-83
МТ-83
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-126
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
MD-10
MD-10
MD-10
ТО-218
ТО-1
ТО-3
ТО-3
ТО-3
Приближенный
отечественный
аналог
КТ638А
КТ608А
КТ904А
КТЗО6Б
КТ325В
КТ325А
КТ375А
КТ315Б
КТ315Г
КТ904Б
КТ601А
КТ315Г
КТ904А
КТ611В
КТ611Г
КТ340В
КТ340В
КТ375Б
П307Б
КТ645А
КТ809А
КТ618А
КТ817Б
КТ8ОЗА
КТ603А
КТ325В
КТ645А
КТ809А
КТ3102В
КТ3102Б
КТ358Б
П701А
КТ3102Г
КТ3102ЕМ
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ630Б
КТ911Г
КТ913А
КТ913Б
КТ8129А
ГТ4О4Б
ГТ404Е
КТ839А
ГТ404И
КТ8105А
ПГ404И
КТ939Б
КТ9181Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817В
КТ817Г
П702А
П702
П702
КТ6114Е
КТ6114Д
КТ8127А1
КТ3171А9
МП38А
КТ808А
КТ808А
КТ808А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SD234
2SD235
2SD292
2SD31
2SD312
2SD312
2SD32
2SD33
2SD350
2SD37
2SD372
2SD373
2SD374
2SD380
2SD414
2SD415
2SD418
2SD467D
2SD47
2SD526
2SD536
2SD601
2SD601
2SD601A
2SD602
2SD605
2SD610
2SD621
2SD630
2SD640
2SD668
2SD668A
2SD675A
2SD68
2SD685
2SD686
2SD691
2SD692
2SD716
2SD72
2SD75
2SD75A
2SD814
2SD820
2SD821
2SD822
2SD838
2SD843
2SD867
2SD877
2SD88O
2SD880
2SD882
2SD995
2SK1057
2SK1O87
2SK123
2SK124
2SK133
2SK134
2SK14O9
2SK1616
2SK215
2SK28
Корпус
ТО-220
ТО-220
ТО-66
ТО-1
ТО-3
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-3
ТО-1
ТО-3
ТО-3
ТО-3 ,
ТО-3 .
ТО-126
ТО-126
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-3
SOT-23
SOT-23
ТО-3
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-126
ТО-126
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-202
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-66
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-220
ТО-247
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
МП35
КТ826Б
КТ826Б
МП38А
МП38А
КТ8157А
МП37А
КТ8143И, КТ8143С
КТ8143Л, КТ8143Р
КТ8143М
КТ839А
КТ683В
КТ683Д
КТ841Д
КТ660В
КТ908А
КТ817Г
КТ864А
КТ3130Ж9
КТ3130В9
КТ3130Б9
КТ3166А, КТ3176А9
КТ834А
КТ850А
КТ710А, КТ715А
КТ729А
КТ828Б, КТ828Г
КТ611БМ, КТ602АМ
КТ611БМ
КТ945А
КТ902А
КТ834А
КТ829А
КТ829А
КТ829А
КТ819ГМ
ГТ404И
МП38, МП36А
МП37А, МП36А
КТ3179А9
КТ839А
КТ839А
КТ839А
КТ710А
КТ819ГМ
КТ808АМ
КТ802А
КТ817Б2
КТ817В
КТ9177А
КТ715А
КП727Г
КП727Д
АП324А2
АП324В2
КП801Г
КП801В
КП937А
АП343А1-2
КП802А
КП722А
432
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2SK298
2SK313
2SK316
2SK506
2SK60
2SK700
2SK757
2SK76A
2Т3531
2Т3532
2Т3674
2Т3841
3N105
3№06
3N107
3N140
3N169
3N74
3NU72
3NU73
3NU74
40675
4NU72
4NU73
4NU74
5NU72
5NU73
5W74
6NU73
6NU74
714U74
7NU73
А50-12
АС116
АС117
АС121
АС 122
АС 124
АС 125
АС 126
АС 127
АС128
АС 132
АС 138
АС 139
АС141
АС141В
АС142
АС 150
АС 152
AC16Q
АС 170
АС171
АС 176
АС181
АС182
АС 183
АС 184
АС 185
АС 187
АС188
АС540
АС541
АС542
Корпус
ТО-3
ТО-3
ТО-126
ТО-220
ТО-5
ТО-5
ТО-72
ТО-18
S0T-9
ТО-3
ТО-3
МТ-67
SOT-9
ТО-3
ТО-3
SOT-9
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
Х-9
Х-9
ТО-1
R-60
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
R-60
R-60
R-60
ТО-1
R-134
R-134
ТО-1 А
R-134
ТО-11
ТО-1
ТО-1
ТО-58 __у
ТО-58
ТО-58
Приближенный
отечественный
аналог
КП707А
КП717А
КП323Б2, КП341А
КП341Б
КП801А
КП727Е
КП704А
КП801Б
П308, КТ602А
П308, КТ602А
КТ355А
КТ343А
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КП350А
КП908А
КТ118А
ГТ403Б
ГТ703Г
ГТ701А, П201А
КТ912Б
ГТ403Б
ГТ703Д
ГТ701А, П210А
ГТ403Е
П213
ГТ701А, П210А
П215
П210Б, ГТ701А
П210Б, ГТ701А
П215
КТ981А
МП25А
ГТ402И
МП20А
ГТ115Г
ГТ403И
МП20Б
МП20Б
ГТ404Б
ГТ402И
МП20Б, ГТ402Е
ГТ402И
ГГ402И
ГТ404Б
ГТ404Б
ГТ402И
МГТ108Д
ГТ402И
П28
МГТ108Г
МГТ108Г
ГТ404А
ГТ404Б
МП20Б
МП36А, МП38А
ГТ402И
ГТ404Г
ГТ404Б
ГТ402Е
МП39Б
МП39Б
МП39Б, МП41А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
ACY24
ACY33
AD1202
AD1203
AD130
AD131
AD132
AD138
AD139
AD142
AD143
AD145
AD148
AD149
AD150
AD152
AD155
AD161
AD162
AD163
AD164
AD169
AD262
AD263
AD301
AD302
AD303
AD304
AD312
AD313
AD314
AD325
AD431
AD436
AD438
AD439
AD457
AD465
AD467
AD469
AD542
AD545
ADP665
ADP666
ADP670
ADP671
ADP672
ADY27
AF106
AF106A
AF109R
AF124
AF139
AF178
AF200
AF201
AF202 '
AF239
AF239S
AF240
AF251
AF252
AF253
AF256
Корпус
ТО-18
ТО-1
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
MD-11
ТО-3
ТО-3
ТО-3
MD-23
ТО-3
ТО-3
MD-11
MD-11
MD-17
MD-17
ТО-3
MD-11
MD-11
SOT-9
SOT-9
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-66
ТО-66
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-12
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ММ-12
ММ-12
ММ-12
ММ-12
Приближенный
отечественный
аналог
МП26Б
ГТ402И
П213Б
П214Б
П217
П217
П217
П216
П213
П210Б
П210В
П210В, П216В
ГТ703В
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ403Б
ГТ403Е
ГТ705Д
ГТ703Г
П217
ГТ403Б
ГТ403Е
П213
П214А
ГТ703Г
П216
П217
П217
П216
П217
П217, ГТ701А
П210Б, ГТ701А
П213
П213
П214А
П215
П214А
П213Б
П214А
П215
П217, ГТ701А
П210Б
ГТ403Б
ГТ403Г
П201АЭ
П201АЭ
П202Э
ГТ703В
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ328А
ГТ322А
ГТ346Б
ГТ309Б
ГТ328А
ГТ328А
ГТ328А
ГТ346А
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346А
ГТ346А
ГТ346А
ГТ346Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
433
Зарубежный транзистор
Тип прибора
AF260
AF261
AF266
AF271
AF272
AF275
AF279
AF280
AF426
AF427
AF428
AF429
AF430
AFY11
AFY12
AFY13
AFY15
AFY29
AFZ11
AL10O
AL102
AL103
AM 1416-200
АМ82731-45
АР1009
ASX11
ASX12
ASY26
ASY26
ASY31
ASY33
ASY34
ASY35
ASY70
ASY76
ASY77
ASY80
ASZ1015
ASZ1016
ASZ1017
ASZ1018
ASZ15
ASZ16
ASZ17
ASZ18
АТ270
АТ275
АТ41485
АТ8040
АТ8041
АТ825О
ATF0135
AU103
AU104
AU107
AU108
AU110
AU113
AUY10
AUY18
AUY19
AUY20
AUY21
AUY21A v
Корпус
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
;ТО-18
ТО-50
ТО-50
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-72
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-72
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
R-9
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-1
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-8
ТО-3
ТО-3
ТО-41
ТО-3
Приближенный
отечественный
аналог
П29А
ПЗО
МП42Б, МП20А
ГТ322В
ГТ322В
ГТ322Б
ГТЗЗОЖ
ГТЗЗОИ
ГТ322Б
ГТ322Б
ГТ322Б
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ313А
ГТ328Б
ГТ305В
ПЗО
ГТ305Б
ГТ309Б
ГТ806В
ГТ806А
ГТ806Б
КТ9146А
КТ9121А
КТ887Б
МП42Б
МП42Б
МП20А
МП42А, МП20А
МП42А
МП42А, МП20А
МП42А, МП20А
МП42Б, МП20А
МП42
ГТ403Б
ГТ403Г
ГТ403Б
П217В
П217В
П217В
П217В
П217А, ГТ701А
П217А
П217А
П217В, ГТ701А
МП42Б, МП20А
МП42Б, МП20А
КТ642А2
АП324В2
АП326А2
АП605А2-2
АП344А2-2
ГТ810А
ГТ810А
ГТ810А
ГТ806Б
ГТ806Д
ГТ810А
П608А, ГТ905А
П214А
П217
П217
П210Б
П210Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
AUY22
AUY22A
AUY28
AUY35
AUY38
B2-8Z
В85О-35
BALO1O2-15O
BAL0105-100
BAL0105-50
BAL0204-125
ВС100
ВС101
ВС107А
ВС107АР
ВС107В
ВС107ВР
ВС108А
ВС108АР
ВС108В
ВС108ВР
ВС108С
ВС108СР
ВС109В
ВС109ВР
ВС109С
ВС109СР
ВСП9
ВС139
ВС 140
ВС141
ВС 142
ВС 143
ВС146-01
ВС 146-02
ВС 146-03
ВС147А
ВС147В
ВС148А
ВС148В
ВС148С
ВС149В
ВС149С
ВС 157
ВС158А
ВС 160-6
ВС161-6
ВС167А
ВС167В
ВС168А
ВС168В
ВС168С
ВС169В
ВС169С
ВС170А
ВС170В
ВС171А
ВС171В
ВС172А
ВС 172В
ВС172С
ВС173В
ВС173С
ВС177АР
Корпус
ТО-41
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
SOT-161
SOT-161
SOT-161
ТО-5
ТО-18
ТО-18
Х-55
ТО-18
Х-55
ТО-18
Х-55
ТО-18
Х-55
ТО-18
ТО-18
ТО-18
Х-55
ТО-18
Х-55
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
SOT-42
SOT-42
SOT-42
ММ-10
ММ-10
ММ-10
ММ-10
ММ-10
ММ-10
ММ-10
ММ-13
ММ-10
ТО-39
ТО-39
ТО-92
ТО>92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
Х-64
Х-64
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
Х-55
Приближенный
отечественный
аналог
П210Б
П210Б
П217
ГТ806А
ГТ806В
КТ929А
КП904А
КТ9128АС
КТ9105АС
КТ9125АС, КТ991АС
КТ985АС
КТ605А
КТ301Е
КТ342А
КТ3102А
КТ342Б
КТ3102Б
КТ342А
КТ3102В
КТ342Б
КТ31О2В
КТ342В
КТ3102Г
КТ342Б
КТ3102Д
КТ342В
КТ3102Е
КТ630Д
КТ933Б
КТ630Г
КТ630Г
КТ63ОГ
КТ933Б
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373А
КТ373Б
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Б
КТ373В
КТ361Г
КТ349В
КТ933Б
КТ933А
КТ373А
¦ КТ373Б
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Б
КТ373В
КТ375Б
КТ375В
КТ373А
КТ373Б
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373В '
КТ373В
КТ3107А
434
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BC177V1P
ВС178А
BCI78AP
ВС178ВР
BC178V1P
ВС179АР
ВС179ВР
ВС182А
ВС182В
ВС182С
ВС183А
ВС183В
ВС183С
ВС183С
ВС 184 А
ВС 184В
ВС192
ВС212А
ВС212В
ВС212С
ВС213А
ВС213В
ВС213С
ВС216
ВС216А
ВС218
ВС218А
ВС226
ВС226А
ВС234
ВС234А
ВС235
ВС235А
ВС237А
ВС237В
ВС238А
ВС238А
ВС238В
ВС238С
ВС239В
ВС239С
ВС250А
ВС25ОВ
ВС285
ВС286
ВСЗОО
ВС307А
ВСЗО7В
ВС308А
ВС308В
ВСЗО8С
ВС309В
ВС309С
ВС317
ВСЗ18
ВС319
ВС320А
ВС320В
ВС321А
ВС321В
ВС321С
ВС322В
ВС322С
ВС355
Корпус
Х-55
ТО-18
Х-55
Х-55
Х-55
Х-55
Х-55
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
Х-55
Х-55
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-18
ТО-39
ТО-5
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
Приближенный
отечественный
аналог
КТ3107Б
КТ349В, КТ326А
КТ3107В
КТ3107Д
КТ3107В
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3102А
КТ3102Б
КТ3102Б
КТ3102А, КТ3102ЖМ
КТ3102Б
КТ31О2Б
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ31О2Е
КТ351Б
КТ3107Б
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Б
КТ3107И
КТ3107К
КТ351А
КТ351А
КТ340Б
КТ340Б
КТ351Б
КТ351Б
КТ342А
КТ342А
КТ342Б
КТ342Б
КТ3102А
КТ3102Б
КТ3102А
КТ31О2В
КТ3102В
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ31О2Е
КТ361А
КТ361Б
П308
КТ630Г
КТ630Б
КТ3107Б
КТ31О7И
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107К
КТ3107Е
КТ3107Л
КТ3102А, КТ313Б-1
КТ3102Б, КТ313В-1
КТ3102Е, КТ313Г-1
КТ3107Б
КТ3107Д
КТ3107Б
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Ж
КТ31О7Л
КТ352Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
ВС355А
ВС382В
ВС382С
ВС383В
ВС383С
ВС384В
ВС384С
ВС451
ВС452
ВС453
ВС454А
ВС454В
ВС454С
ВС455А
ВС455В
ВС455С
ВС456А
ВС456В
ВС456С
ВС513
ВС521
ВС521С
ВС526А
ВС526В
ВС526С
ВС527-10
ВС527-6
ВС547А
ВС547В
ВС547С
ВС548А
ВС548В
ВС548С
ВС549А
ВС549В
ВС549С
ВС557
ВС557А
ВС557В
ВС558
ВС558А
ВС558В
ВС559
ВС847А
ВС847В
ВС847С
BCF29
BCF30
BCF32
BCF33
BCF7O
BCF72
BCF81
ВСР627А
ВСР627В
ВСР627С
ВСР628А
ВСР628В
ВСР628С
BCV52
BCV71.
BCV72
BCW29
BCW30
Корпус
ТО-92
Х-55
Х-55
Х-55
Х-55
Х-55
Х-55
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
Х-55
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
SOT-23
SOT-23
SOT-23 J
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Приближенный
отечественный
аналог
КТ352А
КТ3102Б
КТ3102Г
КТ31О2Д
КТ3102Е
КТ3102Д
КТ3102Е
КТ3102В
КТ3102Б, КТ3102ДМ
КТ3102Д
КТ3107Б
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107К
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107Л
КТ345А
КТ3102Д
КТ3102Д
КТ3107И
КТ3107И
КТ3107К
КТ644Б
КТ644А
КТ645Б, КТ3102А
КТ3102Б
КТ31О2Г
КТ3102А
КТ3102В
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ3102Д
КТ3102Е
КТ361Д
КТ3107А
КТ3107И
КТ3107Д
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107Ж
КТ3189А9
КТ3189Б9
КТ3189В9
КТ3129В9
КТ3129Г9
КТ3130В9
КТ3130Е9
КТ3129Г9
KT3172F9
КТ3130Б9
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ317А1
КТ3130А9
КТ3130Б9
КТ3129В9
КТ3129Г9
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
435
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BCW31
BCW32
BCW33
BCW47
BCW48
BCW49
BCW57
BCW58
BCW60
BCW60AA
BCW60AB
BCW60AR
BCW60B
BCW60BL
BCW60BR
BCW60C
BCW60D
BCW61A
BCW61B
BCW61C
BCW69
BCW70
BCW71
BCW72
BCW81
BCW89
ВСХ51
ВСХ52
ВСХ53
ВСХ54
ВСХ55
ВСХ56
ВСХ70
ВСХ70АН
BCX70G
ВСХ70Н
BCX70J
ВСХ70К
ВСХ71
ВСХ71Н
BCX71J
BCY10
BCY11
BCY12
BCY30
BCY31
BCY32
BCY33
BCY34
BCY38
BCY39
BCY40
BCY42
BCY43
BCY54
BCY56
BCY57
BCY58A
BCY58B
BCY58C
BCY58D
BCY59-IX
BCY59-VII
BCY59-VIII
Корпус
SOT-23
SOT-23
SOT-23
ММ-13
ММ-13
ММ-13
ММ-13
ММ-13
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
R-8
R-8
R-8
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-1Й
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
КТ3130В9, КТ3151А9
КТ3130В9
КТ3130Г9
КТ373А
КТ373 (В, В)
КТ373 (Б, В)
КТ361Г
КТ361Е
КТ3153А9 '
КТ3145А9
КТ3145Д9
КТ3139Б
КТ3130Б9
КТ3139Г, КТ3145Б9
КТ3139В
КТ3130В9
КТ3130Е9
КТ3129В9
КТ3129Г9
КТ3129Г9
КТ3129Б9
КТ3129Г9
КТ3130А9
КТ3130Б9
КТ3130Б9
КТ3129Б9
КТ664А9
КТ664Б9
КТ664А9
КТ665А9
КТ665Б9
КТ666А9
КТ3153А9
КТ3145А9
КТ3130А9
КТ3130Б9
КТ3130В9
КТ3130В9
К3146А9
КТ3129Г9
КТ3129Г9
КТ208Е
КТ208Л
КТ208Д
КТ208Л
КТ208М
КТ2О8М,
КТ208Г
КТ208Г
КТ501Д
КТ501М
КТ501Д
КТ312Б
КТ312В
КТ501К
КТ3102Б
КТ3102Е
КТ342А
КТ342Б
КТ342Б
КТ342В
КТ3102Б
КТ3102А
КТ3102Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BCY59-X
BCY65-IX
BCY65-VII
BCY65-VIII
B.CY69
BCY70
BCY71
BCY72
BCY78
BCY79
BCY90
BCY90B
BCY91
BCY91B
BCY92
BCY93
BCY93B
BCY94
BCY94B
BCY95
BCY95B
BD109
BD115
BD121
BD123
BD123
BD131
BD132
BD135-6
BD136
BD137-6
BD138
BD139-6
BD140
BD142
BD148
BD149
BD165
BD166
BD167
BD168
BD169
BD170
BD172
BD175
BD176
BD177
BD178
BD179 ...:
BD180
BD181
BD182
BD183
BD201
BD202
BD203
BD204
BD216
BD220
BD221
BD222
BD223
BD224
BD225
Корпус
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-5
MD-6
ТО-39
ТО-3
ТО-3
то-з
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-3
MD-17
MD-17
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
MD-17
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
КТ31О2Д
КТ3102Б
КТ3102А
КТ3102Б
КТ342В
КТ3107А
КТ3107Е
КТ3107В
КТ3107Д
КТ31О2Б
КТ208Е
КТ501Г
КТ208Е
КТ501Г
КТ208Е
КТ208К
КТ501Л
КТ208К
КТ501Л
КТ208К
КТ501М
КТ805Б
КТ604Б
КТ902А
КТ805Б
КТ902А
КТ943В
КТ961Г, КТ932Б, КТ9180А
КТ943А
КТ626А
КТ943Б
КТ626Б
КТ943В
КТ626В
КТ819БМ
КТ805Б
КТ805Б
КТ815А
КТ814Б
КТ815Б
КТ814В
КТ815В
КТ814Г, КТ720А
КТ721А
КТ817Б
КТ816Б
КТ817В
КТ816В
КТ817Г
КТ816Г
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ819В
КТ818Б
КТ819Г
КТ818В
КТ809А
КТ8Г7Г
КТ817В
КТ817Г
КТ837Н
КТ837Ф
КТ837С
436
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BD226
BD227
BD228
BD229
BD230
BD233
BD234
BD235
BD236
BD237
BD238
BD239
BD239A
BD239B
BD240
BD240A
BD240B
BD243A
BD243B
BD243C
BD246
BD253
BD263
BD263A
BD265
BD265
BD267
BD267A
BD291
BD292
BD293
BD294
BD295
BD296
BD326
BD330
BD331
BD333
BD335
BD375
BD377
BD379
BD386
BD410
BD433
BD434
BD435
BD436
BD437
BD438
BD439
BD440
BD441
BD442
BD466
BD477
BD501B
BD533
BD534
BD535
BD536
BD537
BD538
BD543D
Корпус
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Х-86
ТО-3
ТО-126
ТО-126
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
SOT-82
SOT-82
SOT-82
SOT-82
SOT-82
SOT-82
ТО-126
ТО-126
SOT-82
SOT-82
SOT-82
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-202
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-202
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
КТ943А
КТ639Б
КТ943Б
КТ639Д
КТ943В, КТ683Г
КТ817Б
КТ816Б, КТ837В
КТ817В
КТ816В
КТ817Г, КТ721А, КТ807АМ
КТ816Г
КТ817В
КТ817В
КТ817Г
КТ816В
КТ816В
КТ816Г
КТ8125В
КТ8125Б
КТ8125А
КТ818 (АМ-ГМ)
КТ809А
КТ829Б
КТ829А
КТ829Б
КТ829А
КТ829Б
КТ829А
КТ819А
КТ818А
КТ819Б
КТ818Б
КТ819В
КТ818В
КТ9181А
КТ9180А
КТ829В
КТ829Б
КТ829А
КТ943А
КТ943Б
КТ943В, КТ719А
КТ644Б
КТ8137А
КТ817А
КТ816А, КТ835Б
КТ817А
КТ816А
КТ817Б
КТ816Б
КТ817В
КТ816В
КТ817Г
КТ816Г
КТ973Б
КТ972Б
КТ723А
КТ819Б
КТ818Б, КТ837А
КТ819В
КТ818В, КТ837Б
КТ819Г
КТ818Г
КТ723А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BD545
BD545A
BD545B
BD545C
BD546
BD546A
BD546B
BD546C
BD546D
BD566
BD611
BD612
BD613
BD614
BD615
BD616
BD617
BD618
BD619
BD620
BD643
BD645
BD647
BD663
BD664
BD675
BD675A
BD677
BD677A
BD679
BD679A
BD681
BD7O5
BD706
BD707
BD708
BD7O9
BD710
BD711
BD712
BD719
BD720
BD744D
BD802
BD813
BD814
BD815
BD816 j
BD817
BD818
BD825
BD826
BD827
BD828
BD840
BD842
BD875
BD876
BD877
BD933
BD934
BD935
BD936
BD937
Корпус
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-220
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-202
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-126
ТО-126
ТО-220
ТО-220
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
Приближенный
отечественный
аналог
КТ819Г1
KT819B1
КТ819Б1
KT819A1
КТ818П
KT818B1
КТ818Б1
KT818A1
КТ8102Б
KT855A
KT817A
KT816A
KT817A
KT816A
КТ817Б
КТ816Б
KT817B
KT816B
КТ817Г
КТ816Г
KT829B
КТ829Б
KT829A
KT819A
КТ818Б
КТ829Г
КТ829Г
KT829B
KT829B
КТ829Б
КТ829Б
KT829A
KT819A
КТ818Б
KT8I9B
KT818B
КТ819Г
КТ818Г
КТ819Г
КТ818Г
КТ805БМ
KT805BM
KT724A
KT724A
KT815A
KT814A
КТ815Б
KT814B
KT815B
КТ814Г
KT646A
КТ639Б
KT646A
КТ639Д
KT639B
КТ639Д
КТ972Б
КТ973Б
КТ972Б
КТ817Б
КТ816Б
KT817B
KT816B
КТ817Г
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
437
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BD938
BD944
BD946
BD948
BD949
BD950
BD951
BD952
BD953
BD954
BDP620
BDT42C
BDT91
BDT92
BDT93
BDT94
BDT95
BDT96
BDV64
BDV64B
BDV65
BDV66B
BDV91
BDV92
BDV93
BDV94
BDV95
BDV96
BDW21
BDW21A
BDW21B
BDW21C
BDW22
BDW22A
BDW22B
BDW22C
BDW23
BDW23A
BDW23B
BDW23C
BDW51
BDW51A
BDW51A
BDW51B
BDW51C
BDW52
BDW52A
BDW52B
BDW52C
BDX10
BDX10C
BDX13C
BDX18
BDX25
BDX25
BDX34
BDX35
BDX53
BDX53A
BDX53B
BDX53C
BDX54A
BDX54B
BDX54C
Корпус
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-218
ТО-218
ТО-218
SOT-93
SOT-93
SOT-93
SOT-93
SOT-93
SOT-93
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
то-з
ТО-3
MD-17
MD-17
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
КТ816Г
КТ837Ф ¦
КТ837Ф
КТ837Ф, КТ837Г
КТ819Б
КТ818Б
КТ819В
КТ818В
КТ819Г
КТ819Г
КТ947А
КТ855Б, КТ855В
КТ819Б
КТ818Б
КТ819В, КТ808АЗ
КТ818В, КТ808АЗ
КТ819Г, КТ808БЗ
КТ818Г
КТ896Б, КТ8159А
КТ896А
КТ8158А
КТ8106А
КТ819Б
КТ818Б
КТ819В
КТ818В
КТ819Г
КТ818Г
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ.
КТ819ГМ
КТ818БМ
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ818ГМ
КТ829Г .
КТ829В
КТ829Б
КТ829А
КТ819АМ
КТ728А
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ819ГМ
КТ818БМ
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ818ГМ
КТ819ГМ
КТ819ГМ
КТ819БМ
КТ818ГМ
КТ802А
КТ808А
КТ853В
КТ902АМ
КТ829Г, КТ8141Г
КТ829В, КТ8141В, КТ853Г
КТ829Б, КТ8141Б
КТ829А, КТ8141А.КТ873А
КТ853Г
КТ853В
КТ853А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BDX54F
BDX62
BDX62A
BDX62B
BDX63
BDX63A
BDX64
BDX64A
BDX64B
BDX65
BDX65A
BDX66
BDX66A
BDX66B
BDX66C
BDX67
BDX67A
BDX71
BDX73
BDX77
BDX78
BDX85
BDX85A
BDX85B
BDX85G
BDX86
BDX86A
BDX86B
BDX86C
BDX87
BDX87A
BDX87B
BDX87C
BDX88
BDX88A
BDX88B
BDX88C
BDX91
BDX92
BDX93
BDX94
BDX95
BDX96
BDY12
BDY13
BDY20
BDY23
BDY24
BDY25
BDY34
BDY38
BDY60
BDY61
BDY71
BDY72
BDY73
BDY78
BDY79
BDY90
BDY91
BDY92
BDY93
BDY94
BDY95
Корпус
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3,
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
MD-17
MD-17
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-126
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-66
ТО-66
ТО-3
ТО-66
ТО-66
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
Приближенный
отечественный
аналог
КТ712А, КТ712Б
КТ825Д
КТ825Г
КТ825Г
КТ827Б
КТ827А
КТ825Д
КТ825Г
КТ825Г
КТ827Б
КТ827А
КТ825Д .
КТ825Г
КТ825Г
КТ8104А
КТ827Б
КТ827А
КТ819В
КТ819Г
КТ819Г
КТ818Г
КТ827В
КТ827В
КТ827Б
КТ827А
КТ825Б
КТ825Б
КТ825Г
КТ825Г
КТ827В
КТ827В
КТ827Б
КТ827А
КТ825Д
КТ825Д
КТ825Г
КТ825Г
КТ819БМ
КТ818БМ
КТ819БМ
КТ818ВМ
КТ819ГМ
КТ818ГМ, КТ841А
КТ805Б
КТ805Б
КТ819ГМ
КТ803А
КТ803А
КТ812В
КТ943А
КТ819ГМ
КТ805А
КТ805Б
КТ808БМ
КТ802А
КТ819ГМ
КТ805Б
КТ802А
КТ945А, КТ908А
КТ945А, КТ908А
КТ908А, КТ908Б, КТ863А
КТ704Б, КТ828
КТ812А, КТ704Б
КТ704Б
438
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BDY96
ВЕР179В
BF111
BF114
BF137
BF140A
BF173
BF177
BF178
BF179B
BF179C
BF182
BF183
BF186
BF197
BF199
BF208
BF223
BF240
BF245C
BF254
BF257
BF258
BF259
BF273
BF291
BF297
BF298
BF299
BF305
BF306
BF311
BF316
BF33O
BF336
BF337
BF338
BF362
BF363
BF410C
BF457
BF458
BF459
BF469
BF470
BF471
BF472
BF480
BF554
BF569
BF597
BF599
BF615
BF617
BF620
BF621
BF622
BF623
BF680
BF715
BF727
BF849
BF869
BF905
Корпус
то-з
ТО-39
ТО-39
ТО-5
ТО-39
ТО-5
ТО-72
ТО-39
ТО-39
ТО-5
ТО-39
ТО-1
ММ-10
ТО-92
ТО-72
ММ-10
ТО-18
ТО-92
ТО-92
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-72
ТО-5
Х-55
Х-55
Х-55
ТО-39
ТО-72
ТО-92
SOT-25
ТО-5
ТО-39
ТО-39
ТО-92
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
SOT-37
ТО-92
ТО-202
ТО-202
SOT-89
SOT-89
ТО-50
ТО-202
Приближенный
отечественный
аналог
КТ8101А
КТ611Б
КТ611А
КТ611Г
КТ611Г
КТ611В
КТ339В
КТ602А
КТ611Г
КТ611Б
КТ618А
КТ2127А
КТ2127А
КТ611Г
КТ339Г
КТ339АМ
КТ339А
КТ339В
КТ312В
КП365Б
КТ339АМ
КТ611Г
КТ604Б, КТ940Б
КТ604Б
КТ339А
КТ611Г
КТ940В
КТ940А
КТ940А
КТ611Г
КТ339В
КТ339Б
КТ392А2
КТ339В
КТ611Г
КТ604Б
КТ940А
КТ2128А
КТ2128А
КП365А
КТ940В
КТ940Б
КТ940А
КТ940Б
КТ940А
КТ605БМ, КТ94ОА
КТ9115А
КТ3120А
КТ3170А9
КТ3169А9, КТ3192А9
КТ368АМ
КТ368А9
КТ940Б
КТ940А
КТ666А9
КТ667А9
КТ9145А9
КТ9144А9
КТ3109А
КТ999А
КТ3165А
КТ9115А
КТ999А
КП350А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BF960
BF961
BF964
BF966
BF970
BF979
BF980
BF991
BF996
BFG67
BFG92A
BFJ57
BFJ70
BFJ93
BFJ98
BFP177
BFP178
BFP179A
BFP179C
BFP194
BFP719
BFP720
BFP721
BFP722
BFP95
BFQ253
BFR34
BFR34A
BFR90
BFR90
BFR90A
BFR91
BFR91A
BFR92
BFR92A
BFS17
BFS62
BFT19A
BFT28C
BFT92
BFW16
BFW30
BFW45
BFW89
BFW90
BFW91
BFW92
BFX12
BFX13
BFX29
BFX30
BFX44
BFX65
BFX73
BFX84
BFX85
BFX86
BFX87
BFX88
BFX89
BFX94
BFY19
BFY34
BFY45
Корпус
SOT-103
SOT-103
SOT-103
SOT-ЮЗ
SOT-37
SOT-37
SOT-103
TO-253
SOT-143
TO-5
TO-72
TO-18
TO-5
TO-39
TO-39
TO-39
TO-39
MM-10
MM-10
MM-10
MM-10
TO-50
TO-50
SOT-37
TO-236
TO-72
TO-39
TO-39
TO-39
TO-72
TO-39
MM-10
MM-10
MM-10
SOT-37
TO-18
TO-18
TO-5
TO-5
TO-18
TO-18
TO-72
TO-5
TO-5
TO-5
TO-5
TO-5
TO-72
TO-18
TO-18"
TO-39
TO-39
Приближенный
отечественный
аналог
КП327А, КП350А, КП382А,
КП801А
КП327Б
КП327В
КП347А2, КП327Г
KT3109B, KT3165A
KT3109A
КП327А
КП346Б9
КП346А9
KT3186A9
KT3186A9
КТ602Б
KT339B
КТ342Б
КТ611Г
KT611B
КТ611Г
КТ611Г
KT618A
KT6129A9
KT315A
КТ315Б
KT315B
КТ315Г
KT996A2
KT9143A
КТ372Б
КТ372Б
KT3198A
KT371A, KT3190A
КТ3198Б
KT3198B
КТ3198Г
KT3187A91
KT3187A9
KT3187B91
KT368A
КТ505Б
КТ505Б
KT3191A9, KT3191A91
KT610A
KT399A
КТ611Г
КТ351Б
КТ351Б, KT371AM
КТ351Б
КТ382Б
KT326AM
КТ326БМ
КТ933Б
КТ933Б
KT340B
KT3102E
KT368A
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Д
КТ933Б
КТ933Б
KT355A
KT3117A
КТ326Б
КТ630Г
КТ6ПГ
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
439
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BFY46
BFY50
BFY51
BFY52
BFY53
BFY55
BFY56
BFY56A
BFY56B
BFY65
BFY66
BFY67A
BFY67C
BFY68
BFY68A
BFY78
BFY80
BFY90
BLJY55
BLW18
BLW24
BLX92
BLX93
BLX96
BLX97
BLX98
BLY47
BLY47A
BLY48
BLY48A
BLY49
BLY49A
BLY5O
BLY50A
BLY63
BLY88A
ВМ100-28
ВМ40-12
ВМ80-28
BRY56
BSJ36
BSJ63
BSS124
BSS129
BSS27
BSS28
BSS29
BSS295
BSS38
BSS38
BSS42
BSS68
BSS69
BSS88
BSS89
BSS92
BSV15-10
BSV15-165
BSV15-6
BSV16
BSV49A
BSV59-VHI
BSV64
BSW19
Корпус
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-5
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-39
ТО-5
ТО-72
ТО-18
ТО-72
ТО-3
ТО-117
ТО-117
МТ-84
МТ-84
ТО-3
ТО-66
ТО-3
ТО-66
ТО-3
ТО-66
ТО-3
ТО-66
ТО-117
МТ-72
,
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-92
ТО-39
ТО-92
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
КТ630Д
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Д
КТ630Д
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Г
КТ611Г
КТ355А
КТ630А
КТ630А
КТ630Е
КТ630Б
КТ368А
П308, КТ601А
КТ399А
КТ808А
КТ920Б
КТ922Г
КТ913А
КТ913Б
КТ981А
КТ981Б
КТ981В
КТ808А
КТ808А
КТ808А
КТ808А
КТ809А
КТ809А
КТ809А
КТ809А
КТ920Г
КТ92ОГ
КТ971А
КТ958А
КТ931А
КТ117А
КТ351Б
КТ340Б
КП502А
КП503А
КТ928А
КТ928Б
КТ928А
КП505А
КТ602АМ
КТ503Е, КТ602АМ
КТ630А
КТ502Е
КТ3145Б9
КП504А
КП403А
КП402А
КТ639Д
КТ639В
КТ639Г
. КТ639Д
КТ351Б
КТ3117А
КТ321А
КТ343Б
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BSW20
BSW21
BSW27
BSW36
BSW39-10
BSW39-16
BSW39-6
BSW41
BSW51
BSW52
BSW61
BSW62
BSW65
BSW66
BSW66A
BSW67
BSW67A
BSW68
BSW68A
BSW88A
BSX21
BSX32
BSX32
BSX38
BSX38A
BSX45
BSX45-10
BSX45-16
BSX45-6
BSX46
BSX46-10
BSX46-16
BSX46-6
BSX47
BSX47-10
BSX47-6
BSX51
BSX52
BSX53A
BSX59
BSX60
BSX61
BSX62
BSX63
BSX66
BSX67
BSX72
BSX75
BSX79A
BSX79B
BSX80
BSX81A
BSX89
BSX97
BSXP59
BSXP60
BSXP6I
BSXP87
BSY17
BSY18
BSY26
BSY27
BSY34
BSY38
Корпус
ТО-92
ТО-18
ТО-39
ТО-5
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-39
ТО-39
Х-73
ТО-18
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО'39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ММ-11
ММ-11
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
КТ361Г
КТ343Б
КТ928А
КТ603Б
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Г
КТ616А
КТ928Б
КТ928Б
КТ3117А
КТ3117А
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Г
КТ630А
КТ630А
КТ630В
КТ630В
КТ375А
П308
КТ928Б
КТ928Б
КТ802АМ
КТ340А
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Б
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Б
КТ630Г
КТ630Б
КТ630Б
КТ630А
КТ340В
КТ340В
КТ340А
КТ928А
КТ928А
КТ928А
КТ801Б
КТ801А
КТ306Д, КТ306А
КТ306Д, КТ306А
КТ630Д
КТ3117А
КТ342А, КТ3117А
КТ342Б
КТ375Б
КТ375А
КТ616А
КТ3117А
КТ928А
КТ928А
КТ928А
КТ340В
КТ616Б
КТ616Б
КТ340В
КТ340В
КТ608А
КТ340В
440
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BSY39
BSY40
BSY41
BSY51
BSY52
BSY53
BSY54
BSY55
BSY56
BSY58
BSY62
BSY72
BSY73
BSY79
BSY81
BSY95
BSY95A
BSYP62
BSYP63
BSZ10
BSZ11
BSZ12
BU106
BU108
BU120
BU123
BU126
BU129
BU132
BU133
BU204
BU205
BU207
BU207A
BU208
BU208A
BU208A
BU208DX
BU2520A
BU286
BU326
BU326A
BU406
BU406D
BU408
BU408D
BU409
BU409
BU426
BU426A
BU508
BU508A
BU508D
BU508F1
BU606
BU607
BU608
BU608
BU8O7
BU9302P
BU931Z
Корпус
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-204
ТО-3
SOT-93
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-218
ТО-218
ТО-218
SOT-93A
SOT-93A
ТО-218
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
Приближенный
отечественный
аналог
КТ340Б
КТ343А
КТ343Б
КТ630Д
КТ630Е
КТ630Г
КТ630Г
КТ630А
КТ630Б
КТ608А
КТ616Б
КТ352А
КТ312Б
П309
КТ347А, КТ347Б
КТ340В
КТ340В
КТ340В
КТ340В
КТ104Б
КТ104Б
КТ203А
КТ812Б
КТ839А
КТ809А
КТ802А
КТ704Б, КТ828А, КТ840Б
КТ809А
КТ704А, КТ826А, КТ826Б
КТ704Б, КТ828А
КТ838А
КТ838А
КТ838А, КТ846Б
КТ838А, КТ8107Е2
КТ838Б, КТ846В, КТ8127Б1,
КТ8157Б, КТ8107Б2, КТ8121Б2
КТ8157А, КТ846А, КТ8107А2,
КТ8107В2, КТ8127А, КТ8121А2
КТ838А
КТ8183А
КТ856А1
КТ893А
КТ840А, КТ8108Б
КТ828А, КТ840А, КТ8108В
КТ8130А, КТ858А, КТ8138Д
КТ8138Е, КТ8140А1
КТ858А, КТ8140А, КТ8124А
КТ8136А1
КТ857А
КТ812Б
КТ868Б
КТ868А
КТ872А, КТ8127Б1, КТ8107Б,
КТ8107Г
КТ886Б1, КТ872Б, КТ8107А,
КТ8107Б
КТ872В, КТ895А9, КТ8107Т
КТ8127А1
КТ840А
КТ840Б
КТ848А
КТ848А
КТ8156А
КТ890В
КТ897А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BU931ZP
BU931ZPFI
BU932Z
BUH313D
BUH315D
BUL47
BUL47A
BUP46
BUP47
BUP47A
BUP51
BUP52
BUP53
BUP54
BUS98
вит н
BUT90
BUT91
BUT92
BUV18
BUV19
BUV37
BUV46
BUV66A
BUV74
BUV98A
BUW11
BUW11A
BUW24
BUW26
BUW35
BUW39
BUX15
BUX25
BUX37
BUX47
BUX48
BUX48A
BUX48B
BUX54
BUX77
BUX82
BUX83
BUX84
BUX86
BUX97
BUX97A
BUX97B
BUX98
BUX98A
BUX98AX
BUY18
BUY21
BUY26
BUY43
BUY46
BUYP52
BUYP53
BUYP54'
BUZ22O
BUZ307
BUZ31
BUZ32
BUZ323
Корпус
ТО-218
ТО-218
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-204
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО.З
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-218
ТО-218
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-204
ТО-204
ТО-39
ТО-66
ТО-3
ТО-3
ТО-39
ТО-126
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
MD-17
MD-17
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-218
ТО-220
ТО-220
ТО-218
Приближенный
отечественный
аналог
КТ898А
КТ898А1
КТ892Б
КТ8183Б2
КТ8183А2
КТ8143Г
КТ8143Д, КТ8155А
КТ8143К
КТ8143А, КТ8143Д, КТ8143Н
КТ8143Г
КТ8143Х
КТ8143Ф
КТ8143Ж, КТ8143М
КТ8143Г
КТ885А
КТ8108Б1
КТ8143Б
КТ8143В
КТ81433
КТ8143Г
КТ8143А
КТ890А, КТ890Б
КТ8108В1
КТ8108А1
КТ885А
КТ885Б
КТ868Б
КТ868А
КТ8147Б
КТ8147А
КТ841Е
КТ874А
КТ8147Б
КТ878В
КТ848А, КТ8146Б
КТ8147А, КТ8108А
КТ856А
КТ856Б
КТ8146А
КТ506А
КТ908А
КТ812А
КТ812А
КТ506Б, КТ859А
КТ8137А
КТ828А
КТ828А
КТ828А
КТ878А
КТ8154Б
КТ8155Б
КТ840А
КТ867А
КТ9166А
П702
П7О2А
КТ802А
КТ802А
КТ802А
КП809Д
КП728А
КП7О4Б
КП704А
КП717Б1
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
441
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BUZ330
BUZ350
BUZ354
BUZ36
BUZ385
BUZ45
BUZ45A
BUZ53A
BUZ60
BUZ71
BUZ90
BUZ90A
BUZ94
С12-12
С12-28
С25-12
С25-28
С2М-10-28А
СЗ-12
СЗ-28
CD 160
CF739
CFX14
CFX31
CFY12
CFY25
CFY25-17
CFY25-25
СМ40-12
СМ75-28
СР640
СР651
D12-28
D41D1
D41D1
D41D4
D41D7
D44H1
D44H2
D44H5
D45H5
DM10-28
DM20-28
DM40-28
DME250
DME375
DT4305
DV1202S
DXL2608A
DXL2608A
DXL3501
DXL3610A
EFT212
EFT213
EFT214
EFT250
EFT306
EFT307
EFT308
EFT311
EFT312
EFT313
EFT317
EFT319
Корпус
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-3
TO-2L8
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
S0T-9
SOT-143
FO-93
FO-85
ТО-120
ТО-126
Х-51
Х-51
Х-51
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-18
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
Приближенный
отечественный
аналог
КП718А1
КП813А1
КП718В1
КП722А, КП813А
КП706В
КП718А, КП809Б
КП718Б
КП705А
ГкП707А1
КП727А
КП7О7Б1, КП709Б
КП726А
КП809В
КТ925Б
КТ934Б
КТ925В
КТ934В
КТ970А
КТ925А
КТ934А
П213Б
АП379А9
АП326Б2, АП320В2
АП6О2В2
АП331А2
АП343А1-2
АП343А1-2
АП343А2
КТ960А, КТ980А
КТ930А
КП601А
КП601Б, КП903А
КТ946А
КТ626А
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ997Б
КТ997В
КТ9166В
КТ9120В
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ986Б
КТ986В
КТ845А
КП902В
АП605А2
АП605А2
АП602А2
АП604А2
П216
П216
П217
П217
МП40
МП40
КТ208Б
МП20А
МП20А
МП20Б
П401
П401
Зарубежный транзистор
Тип прибора
EFT320
EFT321
EFT322
EFT323
EFT331
EFT332
EFT333
EFT341
EFT342
EFT343
F1027
F1053
F1201
F1203
F2001
F2002
F2003
F2OO5
F2013/H
FHC30LG/FA
FHC30LG/FA
FJ0880-28
FJ201F
FJ203
FJ401
FJ403
FJ9295CC
FLM7177-5
FLX102MH-12
FRH01FH
FSC10
GAT5
GAT6
GC100
GC101
GC112
GC116
GC117
GC118
GC121
GC121
GC122
GC123
GC500
GC501
GC502
GC507
GC508
GC5O9
GC510K
GC512K
GC515
GC516
GC517
GC518
GC519
GC525
GC525
GC526
GC527
GCN55
GCN56
GD175
GDI 80
Корпус
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
А-1
А-1
А-1
А-1
А-1
А-1
А-2
А-2
А-2
А-2
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-7
А-7
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
А-6
SOT-9
SOT-9
Приближенный
отечественный
аналог
П401
МП20А
МП20А
МП20Б
МП20А
МП20А
МП20Б
МГШД
МП21Д
МП21Д
КП928А
КП923В
КП951А2
КП951Б2
КП923А
КП923Б
КП923В
КП923Г
КП923Б
АП344АЗ-2
АП344АЗ-2
КТ9101АС
КТ3132А2
КТ3121А6
КТ3115А2
КТ682А2
КТ996Б2
АП915А2
АП607А2
АП330В2-2
АП344А2-2
АП325А2
АП326А2
ГТ109А
ГТ109А
МП26А
МГТ108Д
МГТ108Д
МГТ108Д
МП20А
МП39Б
МП20А
МП21Г
ГТ402Д
ГТ402Е
ГТ402И
МП20А
МП20Б
МП21Г
ГТ403Е
ГТ403Е
МП20А
МП20А
МП20Б
МП20Б
МП20Б
МП35А
МП36А
МП36А, МП37А
МП36А, МП38А
МП20А
МП21Г
П213Б
П214А
442
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
GD240
GD241
GD242
GD243
GD244
GD6O7
GD608
GD609
GD617
GD618
GD619
GDI 170
GES2219
GF126
GF128
GF130
GF145
GF147
GF501
GF502
GF5O3
GF504
GF506
GF507
GF514
GF514
GF515
GF516
GF517
GFY50
GS109
GS111
GS112
GS121
НЕМ3508В-20
HP3586L
HXTR2101
HXTR6101
HXTR6102
IRF132
IRF150
IRF240
IRF25O
IRF340
IRF341
IRF350
IRF352
IRF353
IRF420
IRF440
IRF441
IRF450
1RF452 "~
IRF453
IRF510
IRF520
IRF530
IRF540
IRF610
IRF620
IRF630
IRF640
IRF710
IRF710A
Корпус
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
А-3
А-3
А-3
А-4
А-4
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-72
ТО-7
А-1
А-1
А-1
А-1
ТО-204
ТО-3
ТО-204
ТО-204
ТО-204
ТО-3
ТО-204
ТО-3
ТО-3
ТО-204
ТО-204
ТО-3
ТО-204
ТО-3
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
П213
П213
П214А
П214А
П215
ГТ404Г
ГТ404Б
ГТ4О4Б
П201АЭ
П201АЭ
П203Э
П213Б
КТ660А
ГТЗО9Г
ГТЗО9Б
ГТ309Д
ГТ346А
ГТ346А
ГТ313Б
ГТ313А
ГТ313Б
ГТ313А
ГТ328Б
ГТ346Б
ГТ313Б
ГТ322А
ГТ322А
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322Б
МП42А
МП42Б
МП25А
МП42
КТ9134А
КТ391А2
КТ648А2
КТ3132В2
КТ3132Б2, КТ682А
КП922А
КП150
КП240
КП250
КП340, КП717Е, КП809А
КП717Д
КП350, КП717Б
КП717Г
КП717В
КП420
КП440
КП718Г
КП450, КП725А
КП718Д
КП718А, КП718Е
КП510
КП520
КП530
КП540
КП610
КП620
КП630
КП640
КП710, КП733А
КП731А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
IRF720A
IRF730A
IRF740A
IRF82O
IRF830
IRF840
IRF841
IRF9O2O
IRF9130
IRFBC20
IRFBC40
IRFBE30
IRFBE32
IRFD111
IRFP340
IRFP352
IRFP353
IRFP441
IRFP452
IRFR020
IRFZ34
IRFZ40
IRFZ42
IRFZ44
IRFZ45
IRGBC40M
IVN5200
IXTM4N95
Л 75
JO2058
JS830
JS8830AS
JS8864AS
К2113В
К2122СВ
К5002
КС147
КС 148
КС 149
КС507 •
КС508
КС509
KD601
KD602
KF173
KF503
KF504
KF507
KSA539O
KSA539R
KSA539Y
KSA545O
KSA545R
KSA545Y
KSC1395
KSC1730
KSC853O
KSC853R
KSC853Y
KSD227O
KSD227Y
KSY21
KSY34
KSY62
Корпус
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-250
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-218
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО^220
ММ-10
ММ-10
ММ-10
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-3
ТО-3
ТО-72
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-18
ТО-5
ТО-18
Приближенный
отечественный
аналог
КП720
КП707А1.КП730
КП740
КП820
КП830
КП840
КП706Б
КП944А
КП712А
КП733Г
КП805Б
КП707В1
КП707В2
КП804А
КП717Е1
КП717П
КП717В1
КП718П
КП717Д1
КП945А
КП812В1
КП723В
КП723Г
КП723А, КП812А1
КП723Б, КП812Б1
КП730А
КП908А
КП705Б
КП304А
КТ9155А
АП330В1-2
АП330А2
АП608А2
КТ382БМ
КТ382АМ
КТ3120А
КТ373А, КТ373Б
КТ373А, КТ373Б
КТ373Б, КТ373В
КТ342Б
КТ342Б
КТ342Б
КТ803А
КТ808А
КТ339В
КТ602Б
КТ611Г
КТ617А
КТ502Г
КТ502В
КТ502Г
КТ502(Г, Д)
КТ5О2Д
КТ502(Г, Д)
КТ316ГМ
КТ316ДМ
КТ5ОЗГ
КТ503(Г, Д)
КТ503Г
КТ503Н
КТ503Б
КТ616Б
КТ608А
КТ606Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
443
Зарубежный транзистор
Тип прибора
KSY63
KSY81
KU601
KU602
KU605
KU606
KU607
KU611
KU612
KUY12
LAE4000Q
LDA405
LKE32002T
LT1817
LT1839
LT5839
МА2123
МА909
МА910
MD1129
MD1130
MD5000
MD5000B
MD918AF
MD918F
MD986
MFE121
MFE2001
MFE2002
MFE2098
MFE2098
MGF2116
MGF2324-01
MGF4310
MGF4415
MGF-X35M-01
MHQ2221
MHQ2369
MHQ2906
МЛ 0002
МЛ 1020
МЛ 1021
MJ25O
MJ25OO
MJ2501
MJ2955
MJ3000
MJ3001
MJ3480
MJ3520
MJ3521
MJ4030
MJ4031
MJ4032
MJ4033
MJ4034
MJ4035
MJ410
MJ420
MJ4646
MJ480
MJ481
MJE1002
MJE13003
корпус
ТО-18
ТО-18
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
SOT-9
SOT-9
ТО-3
ТО-5
ТО-5
ТО-99
ТО-99
ТО-99
ТО-99
ТО-206
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-204
ТО-5
ТО-205
ТО-3
ТО-3
ТО-126
Приближенный
отечественный
аналог
КТ616Б
КТ347Б
КТ801Б
КТ801А
КТ812В
КТ808А
КТ8П2В
КТ801Б
КТ801А
КТ812В
КТ657Б2
К1НТ254
КТ918Б2
КТ9141А1
КТ9141А
КТ9143А
КТЗН4Б6
МП26А
МП26А
КТС395А1
КТС394А2
КТС3103А1, КТС393А9
КТС3103Б1, КТС393Б9
КТС398Б94
КТС398А94
КТС303А2
КП306В
КП307Г
КП307Д
КП302В
КП302В
АП605А2
АП606Б2
АП343А2-2
АП343АЗ-2
АП603А2
КТС631В, КТС631Г
КТС631А, КТС631Б
КТС622А
КТ841В
КТ8105В
КТ8104В
КТ963А2
КТ825Д
КТ825Г
КТ8102А, КТ8149А
КТ827В
КТ827Б
КТ839А
КТ827В
КТ827А
КТ825Д
КТ825Г
КТ825Г
КТ827В
КТ827Б
КТ827А
КТ842А
КТ618А
КТ505А *
КТ803А
• КТ803А
КТ815В
КТ8112А, КТ8170А1, КТ8175А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
MlJE 13004
MJE13005
MJE13006
MJE13007
MJE13008
MJE13009
MJE170
MJE171
MJE172
MJE180
MJE181
MJE182
MJE230
MJE233
MJE2955T
MJE3055
MJE3055T
MJE4353T
MJE4553T
MJE710
MJE711
MJE712
MJE720
MJE721
MJE722
MJH6285
MJH6286
ML3000
ML500
ММ 1748
ММЗООО
ММ3001
ММ3375
ММ404
ММ80О6
ММ8007 ,
ММ8015
MMBF54592
ММВТ3904
ММВТ3906
ММВТА20
MMST3906
ММТ2857
ММТ2857
MPQ3906
MPS2711
MPS2712
MPS2713 ~
MPS2714
MPS2907AL
MPS2907AM
MPS2907K
MPS2925
MPS3395
MPS3638
MPS3638A
MPS3639
MPS3640
MPS3702
MPS3703
MPS3705
MPS3707
MPS3708
MPS3709
Корпус
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-218
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-126
ТО-52
ТО-39
ТО-39
ТО-60
ТО-18
ТО-72
ТО-72
SOT-37
SOT-37
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
Приближенный
отечественный
аналог
КТ8164Б, КТ8181Б
КТ8138В, КТ8164А, КТ872А,
КТ8181А, КТ854Б
КТ8136А, КТ8182Б
КТ8138Г, КТ8126А, КТ8182Б
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
КТ683Д
КТ9181В
КТ9181Г
КТ9180Б
КТ9180В
КТ8149А2
КТ819Б
КТ8150А2
КТ8101А
КТ8102Б
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ8106А
КТ8106Б
КТ602В
КТ963Б2
КТ316А
КТ602А
КТ611В
КТ904Б
МП42Б
КТ399А
КТ399А
КТ382А
КП308А1
КТ3197А9
КТ3196А9, КТ3140Г
КТ3151Д9
КТ3146В9
КТ382А
КТ382Б
КТ674АС
КТ503А
КТ503Б
КТ306БМ
КТ306БМ
КТ685Г
КТ685В
КТ685Б
КТ680А
КТ681А
КТ351А
КТ351А
КТ357А
КТ347Б
КТ3107Д
КТ31О7А
КТ645А
КТ3102Д
КТ3102В
КТ3102А
444
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
MPS3710
MPS3711
MPS404
MPS404A
MPS6512
MPS6513
MPS6514
MPS6515
MPS6516
MPS6517
MPS6518
MPS6519
MPS6530
MPS6532
MPS6541
MPS6543
MPS6562
MPS6563
MPS6565
MPS6566
MPS6571
MPS706
MPS706A
MPS834
MPS9600
MPS9601
MPSA09
MPSA42
MPSA43
MPS-H37
MPSL01
MPSL07
MPSL08
MPSL51
MPSU01
MPSU01A
MPSU04
MPSU05
MPSU06
MPSU07
MPSU51
MPSU51A
MPSU55
MPSU56
MQ2218
MRA0510-50H
MRA0610-18
MRA0610-3
MRF148
MRF2005M
MRF2010
MRF430
MS0146
MSA7505
MSC1075M
MSC1250M
MSC155OM
MSC2001M
MSC2003M
MSC2005M
MSC4001
MSC81550
MTM15N50
MTP3N08L
Корпус
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-226
ТО-226
ТО-92
ТО-226
ТО-92
ТО-92
ТО-226
Х-81
Х-81
Х-81
Х-81
Х-81
Х-81
Х-81
Х-81
Х-81
ТО-60
ТО-204
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
КТ3102В
КТ3102Г
КТ209Е
КТ209К
КТ3102Д
КТ3102Д
КТ3102Д
КТ3102Д
КТ3107Е
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107Л
КТ645А
КТ645А
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ350А
КТ350А
КТ645А
КТ645А
КТ3102Г
КТ645А
КТ375А
КТ306ВА
КТ201ВМ
КТ201БМ
КТ3102Б
КТ6135Б
КТ6135В
КТ339АМ
КТ632Б1
КТ363А
КТ363А
КТ638А
КТ807Б
КТ807Б
КТ85ОБ
КТ807Б
КТ807Б
КТ807А
КТ639Б
КТ639Б
КТ639Г
КТ639Б, КТ626Б
КТС613А
КТ9156БС
КТ9104Б
КТ9104А
КП908Б
КТ948А
КТ942В
КТ9160А
КТ937А2
КТ907А
КТ984А
КТ984Б
КТ9109А
КТ919В
КТ919Б
КТ919А
КТ938А2
КТ9127А
КП706А
КП727Б, КП727В
Зарубежный транзистор
Тип прибора
MTP6N60
MU4894
NE021-60
NE1010E
NE13783
NE388-06
NE46383
NE500
NE56755
NE695
NE72089A
NE73435
NE76184A
NE90089A
NEZ1112
NKT11
NKT73
NT2222
NTE107
ОС1016
ОС 1044
ОС 1045
ОС 1070
ОС1071
ОС 1072
ОС 1074
ОС1075
ОС 1076
ОС 1077
ОС 1079
ОС112
ОС 170
ОС171
ОС200
ОС201
ОС202
ОС203
ОС204
ОС205
ОС206
ОС207
ОС25
ОС26
ОС27
ОС28
ОСЗО
ОС35
ОС41
ОС42
ОС57 \
ОС58
ОС59
ОС60
ОС70
ОС71
ОС75
ОС76
ОС77
РВС107А
РВС107В
РВС108А
РВС108В
РВС108С
РВС109В
Корпус
ТО-220
ТО-128
ТО-1
ТО-1
ТО-3
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
R-8
ТО-1
ТО-1
ТО-7
ТО-7
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
MD-11
ТО-3
R-8
R-8
R-19
R-19
R-19
R-19
R-9
R-9
R-9
R-8
R-8
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-98
ТО-98
Приближённый
отечественный
аналог
КП724А
КТ117Г
КТ657А2
КТ913Б
АП320Б2
АП339А2
АП328А2
КП302Г
КТ647А?
АП320А2
АП344А2
КТ3114В6
АП344А1-2
АП605А1-2
АП602Б2
МГТ108Г
МГТ108Б
КТ3117А1
КТ316АМ
ГТ703В
ГТ109Е
ГТ109Д
МП40А
МП40А, МП39Б
МП41А, МП39Б
МП20А
МП41А, МП39Б
МП42Б, МП20А
МП21Г
МП20А
МП26
ГТ309Г, ГТ322Б
ГТ309Г
КТ104Г
КТ104Б
КТ104В
КТ203А
КТ208Г
КТ208Л
КТ208Г
КТ208А
П216
ГТ703Д
ГТ703Г
П217
П201Э
П217
П29
П29А
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109В
МП40А
МП40А
МП40А, МП41А
МП40А
МП26Б
КТ373А
КТ373Б
КТ373А
КТ373В
КТ373В
КТ373Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
445
Зарубежный транзистор
Тип прибора
РВС109С
PBMS3906
РВМТ3906
РН1114-50С
РН1114-60
PKB23OO3U
PKB3000U
PN2484
РТ6680
РТ9790А
РТВ42003Х
PZB16040U
QF505
RFD401
RFD410
RFD420
RFD421
S10-12
S10-28
S150-28
S2000F1
S30-12
S3640
S7O-12
S80-28
SC206D
SC206E
SC206F
SC207D
SC207E
SC207F
SD1300
SD1301
SD1308
SD1540
SD1543
SD1546
SD1565
SD200
SD201
SD211
SD300
SDN6000
SDN6001
SDN6002
SDN6251
SDN6252
SDN6253
SDT3207
SDT3208
SDT7012
SDT7013
SE9300
SF121A
SF121B
SF122A
SF122B
SF123A
SF123B
SF123C
SF126A
SF126B
SF126C
SF128A
Корпус
ТО-98
ТО-92
ТО-129
ТО-72
ТО-60
ТО-129
ТО-129
ТО-60
А-5
А-5
А-5
А-5
А-5
А-5
ТО-72
ТО-72
ТО-52
(ТО-72)
ТО-52
ТО-72
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-61
ТО-61
ТО-61
ТО-61
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
Приближенный
отечественный
аналог
КТ373В
КТ3146Г9
КТ3146Д9, КТ3140В
КТ976А
КТ979А
КТ919Г
КТ918А2
КТ3102(Б, Д)
КТ909В
КТ9111А
КТ937Б2
КТ979А
ГТ328Б
КТ606Б
КТ913А
КТ913Б
КТ904А
КТ965А, КТ921А
КТ955А
КТ957А
КТ8183А1
КТ966А
КТ3126Б
КТ967А
КТ956А, КТ944А
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373А
КТ373Б
КТ373.Б
КТ399А
КТ399А
КТ938Б
КТ9164А
КТ9134Б
КТ9774
КТ9136АС, КТ9161АС
КП310А
КПЗ 1 ОБ
КП98ОБ
КП314А
КТ834В
КТ834Б
КТ834А
КТ834В
КТ834Б
КТ834А
КТ908Б
КТ908А
КТ908Б
КТ908А
КТ716Г
КТ617А
КТ617В
КТ617А
КТ617А
КТ602В
КТ602Г
КТ602Г
КТ617А
КТ617А
КТ617А
КТ630Г
Зарубежный транзистор
Тип прибора
SF128B
SF128C
SF128D
SF129A
SF129B
SF129C
SF129D
SF131E
SF131F
SF132E
SF132F
SF136D
SF136E
SF136F
SF137D
SF137E
SF137F
SF150B
SF150C
SF21
SF215C
SF215D
SF215E
SF216C
SF216D
SF216E
SF22
SFE264
SFT124
SFT125
SFT130
SFT131
SFT143
SFT144
SFT145
SFT146
SFT163
SFT187
SFT212
SFT213
SFT214
SFT223
SFT238
SFT239
SFT240
SFT250
SFT251
SFT252
SFT253
SFT306
SFT307
SFT308
SFT316
SFT319
SFT320
SFT321
SFT322
SFT323
SFT325
SFT351
SFT352
SFT353
SFT354
SFT357
Корпус
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
А-4
А-4
А-4
А-4
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-5
А-5
А-5
А-5
А-5
А-5
А-5
ТО-5
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
ТО-44
ТО-5
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-5
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-3
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-1
ТО-1
ТО-1
Т-44
ТО-
ТО-
ТО-
ТО-
ТО-
Х-47
ТО-
ТО-
ТО-
ТО-44
ТО-44
Приближенный
отечественный
аналог
КТ630Г
КТ630Г
КТ630Г
КТ630А
КТ630А
КТ630А
КТ63ОБ
КТ3102В
КТ3102Г
КТ3102Б
КТ3102Г
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ611Г
КТ611Г
КТ617А
КТ375Б, КТ373А
КТ373А
КТ373Б
КТ375А, КТ373Г
КТ373А
КТ373Б
КТ617А
КП312А
КТ501Е
КТ501Е
КТ501Е
КТ501Е
КТ501Ж
КТ501И
КТ501Ж
КТ501И
П423
КТ602А
ГТ703Г
ГТ703Г
П217
МП20Б
П216
П217
П217
П217, ГТ701А
МП20А, МП39Б
МП20А, МП39Б
МП20А, МП39Б
МП39Б
КТ208В
КТ208В
П422
П416
П416
МП20А
МП20Б
МП20Б
ГТ402И
МП39Б
МП39Б
МП39Б
П422
П422
446
Раздел 7. Аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
SFT358
SFT377
SGSD200
SGSF344
SGSF444
SGSF564
SGSP201
SGSP574
SL3552
SL362
SS106
SS1O8
SS109
SS125
SS126
SS216
SS218
SS219
SS8O5OB
SS8050C
SS8050D
SS855OB
SS855OC
SS8550D
SS9012D
SS9O12E
SS9O12F
SS9O12G
SS9012H
SS9013D
SS9O13E
SS9O13F
SS9O13G
SS9013H
SS9O14A
SS9014B
SS9014C
SS9014D
SS9015A
SS9015B
SS9O15C
SS9018D
SS9018E
SS9O18F
SS9018G
SS9018H
SS9018I
SSY2O
STHI08100
STHI20N50
STP60S
STP7OS
Т241
Т242
Т243
Т316Н
Т317
Т319
Т320
T321N
T322R
T323N
Т354Н
Т357Н
Корпус
ТО-44
ТО-1
SOT-82
ТО-3
ТО-39
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-5
А-5
А-5
А-5
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-92
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
ТО-1
Приближенный
отечественный
аналог
П423
ГТ404Ж
КТ896А
КТ8121А
КТ8114Б, КТ8127Б
КТ8107Д2, КТ8183Б
КП727Ж
КП718Б, КП718Б1
КТ830Б
КТС3174АС2
КТ340В
КТ340В
КТ340В
КТ617А
КТ608А
КТ375Б, КТ340Г
КТ375Б, КТ349Г
КТ375Б, КТ340Г
КТ6114А, КТ6134А
КТ6114Б, КТ6134Б
КТ6114В, КТ6134В
КТ6115А,КТ6133А
КТ6115Б, КТ6133Б
КТ6П5В, КТ6133В
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ6110А
КТ6110Б
КТ6110В
КТ6П0Г
КТ6110Д
КТ6111А
КТ6111Б
КТ6111В
КТ6111Г
КТ6112А
КТ6112Б
КТ6112В
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6ИЗВ
КТ6113Г '
КТ6113Д
КТ6113Е
КТ617А
КП810А
КП955Б, КП953А
КТ888Б
КТ888А
МП20А
МП21В
МП21Г
П402, П416А
П401
П401
П401
МП38, МП37А
МП37Б
МП38А
П403, П416А
П403А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Т358Н
ТСН98
ТСН98В
ТСН99
TG2
TG3A
TG3F -
TG4
TG5
TG50
TG51
TG52
TG53
TG55
TG5E
ТН430
TIP110
TIP111
TIP112
TIP115
TIP116
TIP117
TIP120
TIP121
TIP122
TIP125
TIP126
TIP127
TIP132
TIP146
TIP151
TIP29
TIP2955
TIP29A
TIP29B
TIP29C
TIP30
TIP3055
TIP30A
TIP30B
TIP30C
TIP31
TIP31A
TIP31B
TIP31C
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP50
TIP519
TIP61
TIP61A -
TIP61B
TIP61C
TIP62
TIP62A
TIP62B
TIP62C
TIP661
Корпус
ТО-1
ТО-18
ТО-5
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-18
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-5
ТО-18
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-218
ТО-220
ТО-218
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-218
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-3
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
ТО-220
Приближенный
отечественный
аналог
П403
КТ208Е
КТ501К
КТ208К
МГТ108А
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108А
ГТГ15Б
МП20А
МП21Г
МП20А
МП20А
МП20А
ГТ115А,П27
КТ9126А, КТ980Б
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ852В
КТ852Б
КТ852А
КТ716В, КТ829В, КТ8116А
КТ716Б, КТ829Б, КТ8116Б
КТ716А, КТ829А, КТ8116В
КТ853В.КТ8115А
КТ853Б, КТ8115Б
КТ853А, КТ8115В
КТ899А
КТ896А
КТ8109А
КТ815А
КТ8149А1
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ814А
КТ8150А1
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ817А
КТ817Б, КТ8176А
КТ817В, КТ8176Б
КТ817Г, КТ8176В
КТ816А, КТ8177А
КТ816Б, КТ8177Б
КТ816В, КТ8177В
КТ816Г
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ854А
КТ842Б
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ892Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
447
Зарубежный транзистор
Тип прибора
TIP662
TIX3024
TIXM101
TIXM103
TIXM104
TPQ7041
TPV375
TPV376
TPV394
TPV5O51
TPV595A
TRSP5014
TRW2020
U291
U32O
U320
UC714
Корпус
U-26
ТО-72
Х-60
Х-60
Приближенный .
отечественный
аналог
КТ892В
ГТ341Б
ГТ341А
ГТ362А
ГТ341В
КТ693АС
КТ9116Б
КТ9133А1.КТ91173А1
КТ9116А
КТ9153А
КТ9150А
КТ509А
КТ948А
КП601А
КП601Б
КП601Б
КП302А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
UDR500
UF28100
UMIL40FT
UPT315
VMP1
VMP4
VN89AD
VSF9330
WSH71G
XGSR10040
YTF4125
YTF4126
YTF832
ZT2475
ZTX658
ZVN2120
Корпус
то-з
SOT-123
ТО-220
SOT-23
ТО-220
R-64
ТО-92
Приближенный
отечественный
аналог
КТ9136АС
КП928Б
КП923А
КТ841Г
КП901А
КП902А
КП901Б
АП331А2
КТ3129Б9
КТ862Б
КТ3140А
КТ3140Б
КП805А
КТ316Б
КТ6135А
КП501А
448
Раздел 7. Аналоги
7.5. Конструктивное исполнение корпусов
зарубежных транзисторов
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов 449
450
Раздел 7. Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов 451
452
Раздел 7. Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов
453
454
Раздел 7. Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов 455
456
Раздел 7. Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов
457
458
Раздел 7. Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов 459
1,7
460
Раздел 7. Аналоги
7.6. Буквенные обозначения зарубежных диодов
Обозначение
диода
А
АА
ААР
AAY
AAZ
АВ
АС
AD
АЕ
AEY
AF
AGP
АР
AR
ARF
AS
ASZ
AU
AW"
AY
AZ
В
BA
BAE
BAL
BAP
BAR
BAS
BAT
BAV
BAVP
BAW
BAX
BAY
BAYP
BB
BBP
BBY
BCD
BD
BFW
BH
BOD
BOV
BP
BPH
BPHV
BQ
BR
BRV
Фирма
AI, EH. GDC. GE, IRC, HL,
MDP. NJS, SSI, SI
AEI, CSR, ITT, Mist, ML.PEC,
SA, SI, STI, Tel, Thorn., V
Unitra
ML, Unitra
El, Mist., PI, Thorn.
SI
SI
SE
AS. ML
ML
DTC
GIC
APD
AS, GIC
AS
ASI
SL
HL
HL
El
El
BB, EH, FE, MEL, RC, UC
AEI, El, EH, FE, FSC, SGS.HS
ITT, ML, NAS, PEC, PI, SA,
Tel., Thorn., V, WDI, Unitra
Unitra
SA, Thorn.
Unitra
EH, SA, Thorn., Unitra
AEI, ML, PEC, RTC, SA,
Thorn., V '
AEI, ML, PEC, RTC, Thorn., V
AEI, FE
PEC, RTC, SA, SEC, Tel.,
L, FSC, ITT, ML, Thorn., V
Unitra
AEI, FEL, FSC, ML, PEC,
RTC, V, SA, SEC, Tel.,
Thorn., Unitra
FSC, ITT, ML, PEC, RTC,
SGS, Thorn., V
FSC, ML, PEC, SA, Tel,
Thorn., Unitra
Unitra
IRC, ITT, HL, PEC, Thorn.,
Unitra
Unitra
PEC
EH
MED, RC
STI
EDI
BB
BB
El
RCC
RCC
El
EH, RL, TRW
RCC
Обозначение
диода
BS
BXY
BXYP
BY
BYD
BYM
BYP
BYQ
BYR
BYS
BYT
BYV
BYM
BYX
BYY
BYYP
BZ
BZD
BZP
BZT
BZV
BZW
BZWP
BZX
BZY
BZYP
BZZ
С
CA
CAX
CAY
CB
CD
CER
CF
CFR
CG
CH
CIL
CL
CLR
CLVA
CND >
CNM
COD
CP
CR
CRD
CRG
CRHG s
lcrs
CRT
CSB
Фирма
IRC, LEC
ML
Unitra
AEI, BEL, EDI, El, FE, ITT,
LEC, ML, NAS, PEC, RTC,
SA, SGS, Thorn., WDI
PEC
PEC
Unitra
PEC
PEC
SA
PEC, Thorn.
ML, PEC, RTC, Tel, Thorn., V ,
AEI, FEL, ML, PEC, RTC,,
Tel., Thorn., V
CSD, MED, ML, NAS, PEC,,
RTC, SCL, Thorn., V
CSD, ML, Tel.
Unitra
AEI, CSD, El, NJRC, RC, Tel
PEC, SA
Unitra
PEC, RTC
FEL, ML, PEC, RTC, SA,,
Thorn., V
PEC.fiTC, SA, SGS,
Thorn., V
Unitra
AEI, CDI, CSD, FE, FEL, ITT,
ML, NAS, PEC, RTC, SA,
SEC, Tel., Thorn., Unitra, V
AEI, El, FE, ML, PEC, RTC,
SA, SCL, Thorn., V
Unitra
PEC
BB, CODI, HL, SCL, UC
RCA
UC
ML
EDI
CDI, MSC
SDI, SI
CODI
CODI
GIC
SA, Thorn.
TCI
CODI
CODI
TRW
CODI
CODI
CODI
EDI
SCL
CODI
CODI
SSDI
CODI
CODI
CSD
Обозначение
диода
CSKB
CTM
CTR
CTU
CTZC
CXY
CY
CZ
D
DA
DAC
DBA
DB
DC A
DD
DE
DF
DFA
DFB
DFC
DG
DHA
DHB
DHD
DHR
DI
DK
DL
DMG
DNN
DR
DRN
DRX
DS
DSA
DSD
DSF
DSH
DSR
DSZ
DT
DTZ
DZ
DZG
E
EA
EC
ED
EF
EG
EGP
EH
EK
EM
EQ
EQA
EQB
ER
ERA
ERB
ERC
ERD
Фирма
SII
SE
MDP
SE
SI
ML
Thorn.
CSR
SEM, SI, TEL, Tel., Thorn.
GE, LEC, Rohm, Tel.
SL
San.
SL
San.
CODI, LEC, Tel.
DI, GE
CODI, DI
San.
San.
San.
GIC, Unitra
San.
San.
GE
Thom.
DI, MEL
Unitra
SDI
Unitra
Thom.
BEL, HS, EDI, STI
Thom.
BEL
BB, MED, San.
BB, San.
BB
MED
AI
TRW
MED, TRW
GDC, GE
Thom.
GE, San.
Unitra
EII, STSI
ED
EDI
OEC, SI
EDI
EDI
GIC
EDI
EDI
ITT
Thom.
FEC
FEC
GDC, Thom.
FEC
FEC
FEC
FEC
Буквенные обозначения зарубежных диодов
461
Обозначение
диода
ESAB
ESAC
ESAD
ESDA
ESJA
ESM
ESP
ESZ
EV
EW
EZ
F
FA
FB
FC
FD
FDC
FDH
FE
FF
FG
FH
FJT
FM
FR
FS
FSA
FSN
FSY
FWL
FWLA
FWLC
FWLD
FZD
G
GA
GAY
GD
GEM
GER
GEX
GFA
GFB
GFD
GFE
GH
GHV
GI
GLA
GLT
GM
GMP
GP
GR
GS
GSA
GSB
GSD
GSV
GSZ
GU
GY
GZ
GZA
Фирма
FEC
FEC
FEC
GSI
FEC
Thom.
ESPI
SI>
Thom.
Thom.
NJRC
EH, NEC, Samtech, SDI,
STSI, Thom.
FSC
FE
SE
FSC, GS, MEC, PSI
FSC
FSC
GIC, GS
GS, Samtech
GS
FSC
FSC
Samtech
RL
Mist., RCC, Thom.
FSC
RCC
FE
SI
SI
SI
SI
Thom.
APD, EII, GIC, UC, Thom.
RFT, Tesla
Tesla
PSI, SA
ML
GDC, GE
ML
San.
San.
San.
San.
SEC
GSI, SE
GIC
CODI
Thom.
GIC, SE
GSI
GIC, RFT
Thom.
Thom.
San.
San.
GSS
GSI, GSS
SL
GPD, SE
RFT
Thom.
San.
Обозначение
диода
GZB
H
HA
HAB
HB
HC
HCR
HCV
HD
HF
HG
HM
HMG
HP
HPA
HR
HS
HSCH
HSE
HSKE
HSM
HTR
HTV
HV
HVC
HVE
HVF
HVFS
HVG
HVH
HVHF
HVHJ
HVHS
HVJX
HVPR
HVR
HVRG
HVS
HVT
HVX
HW
HX
HZ
ICT
1CTE
ID
IDA
IDBC
IDCC
IDDC
IN
IRD
IRWC
IS
ISS
ISV
ITT
J
JD
JKV
К
KA
KBCTD
KBCTP
KBF
Фирма
San.
EII, HL, MDP, SI, VSI
MENA, SI, UC
EDI
SI
ASI, SDI, SE, SI
LT
SDI
PSI. STI
SE
STI
Harris
Semicoa.
CODI, HP
CODI
CODI
MENA, Tel., UC
HP
HS
SII
HL
Thom.
MENA
ASI, HL, MENA, SDI, SE, SI
SI, STSI
UC
UC
UC
GIC
UC
UC
UC
UC
UC
GIC
SDI, SE
CODI
SE
SE
UC
SI
MENA
HL
GSI
GSI, Mot., Thom.
IDC
IDC
SL
SL
SL
CD-
IRC
SL
QC, San.
HL
HL
ITT
ASI, EII, HL, MEL, SDI
PSI
CSD
CODI, EII, MA, MEL
Tesla
GIC
GIC
GIC
Обозначение
диода
KBL
KBP
KBPC
KBPS
KD
KGB
KGD
КНР
KL
KLR
KS
KSA
KSD
KSL
KU
KV
KVF
KVP
KX
KXS
KY
KYZ
KZ
KZZ
L
LA
LAA
LAB
LAC
LB
LC
LCC
LCD
LCE
LCS
LD
LDD
LDZ
LE
LFD
LHC
LK
LM
LMS
LMZ
LNA
LPM
LS
LWA
M
MA
MB
MBD
MBI
MBR
MC
MCL
MCLT
MCV
MD
MDA
MDD
MDX
ME
Фирма
GIC
GIC
GIC
GIC
ЕЕ, РРС, PSI
BB
BB
EDI
CODI
CODI
FEL
IRC
GE
IRC
Thom.
EDI, FSI
EDI
EDI
UC
UC
Tesla
Tesla
FSI, IRC, STSI, Tesla
Tesla
HL, Samtech, SCL
IRC, SI, UC
SI
SI
SI
IRC
IRC, GSI, UC
SI
EDI
GSI
UC
CODI, IRC
Amp.
Amp.
IRC
EDI
EDI
EDI
NSC, UC
UC
GSI, SI
CODI
SI
UC
TRW
EII, MED, Samtech, SDI,
TC, Thom.
MA, MEC, UC
MED, MS, SE
Mot.
Mot.
Mot.
MS, Thom.
Mot.
Mot.
SDI
MEC, OEC, SL.Thom., UC
Mot.
BB
UC
Thom.
462
Раздел 7. Аналоги
Обозначение
диода
MF
MFE
MGLA
МН
MHD
MHF
MHO
MHV
MI
ML
MLNA
MLV
MMB
MMD
MO
MP
MPD
MPI
MPR
MPT
MPTE
MPZ
MQ
MR
MRD
MRF
MS
MSD
MSK
MSZ
MT
MTR
MTZ
MU
MUR
MV
MVAM
MVS
MX
MXS
MZ
MZA
MZC
MZD
MZL
N
NBS
NCR
ND
NLA
NPC
NS
NSD
NSR
NSS
NTD
NV
OA
ODB
ODC
ODD
OF
OSB
OSM
Фирма
MED
MED
CODI
SDI
GE
BB
BB
CODI
SE
MS
CODI
CODI
SEC
Mot.
TAG
GE, TAG, GIC
GE
Mot.
TAG
GSI
GSI, Mot.
Mot.
SCL
CODI, Mot., SE, SI
CODI
CODI
CODI, SDI, UC
Mot., SEC
SII
SL
MS, TAG
TAG
MS, Rohm
Thorn.
Mot.
SDI
Mot.
Mot.
MS, UC
UC
MED, Mot., MS
MEC
Mot.
Thorn.
MEC
HL
NAE
NAE
CODI
NEI
Thorn.
SDI
SDI
NAE
NAE
EDI
RCC
BEL, ME, ML, Mist, PEC,
SL, RTC, Tesla, V
SL
SL
SL
RTC
RTC, V
RTC, V
Обозначение
диода
OSS
p
PAD
PBC
PBR
PBT
PBY
PD
PDR
PE
PF
PFC
PFG
PFR
PFZ
PFZD
PH
PHR
PHSD
PIP
PK
PKK
PL
PLE
PLQ
PLR
PM
PMA
PMB
PMC
PMD
PME
PMR
PR
PS
PSZ
PT
PTC
PTR
PTS
PTSR
PW
PY
PZD
Q
R
RA
RB
RBA
RBC
RBD
RC
RCD
RCP
RD
REG
RF
RFD
RG
RGM
RGP
RH
RHC
RHR
Фирма
RTC, V
EH, GSI, HL, GIC, PI.SI, Thorn.
TSC
EDI
EDI
EDI
PSDI
EDI, PI, TRW
PSDI
EDI
SE, Thorn.
Thorn.
RI
PSDI, Thorn.
Thorn.
Thom.
ML, PEC
PSDI
PEC
GSI
PI
PI
LEC, Thom.
Thom.
Thom.
Thom.
MED, TRW
UC
UC
UC
RI, UC
UC
LS
ITT, PI, SSS, Thom.
TRW
SL
TAG
MDP
TAG
TAG
TAG
MEL
Thom.
Thom.
IDC
CODI, MEL, Mot.Samtech,
SCL, Thom., VSI, WEC
EDI, SE, WEC
SE
RL
RL
RL
RCC, SE
EDI
RCC
APD, NEC
RCC
EDI, SE
EDI
GIC, Thom.
GIC
GIC
SE
EDI
EDI
Обозначение
диода
RIB
RIG
RK
RKB
RKBP
RKBPC
RL
RM
RN
RO
RP
RPP
RS
RTD
RTF
RU
RV
RVP
RW
RY
RZ
S
SA
SAM
SAX
SAY
SAZ
SB
SBEA
SBEB
SBEC
SBMA
SBMB
SBMC
SBR
SBT
SC
SCA
SCAJ
SCAS
SCBA
SCBAR
SCBH
SCBK
SCBR
SCDA
SCDAR
SCDAS
SCDE
SCF
SCFC
SCH
SCHC
SCHF
SCHJ
SCHS
SCKV
SCM
SCMS
SCMW
SCNA
SCNAS
SCNE
SCPA
Фирма
EDI
RCC
EDI
GIC
GIC
GIC
EDI, RL
MEC, SE
Thom.
SCL, SE
GIC, SSDI, Thom.
Thom.
RL
EDI
Thom.
SE
EDI
EDI
GIC
RCC
Thom.
GS, HL, MDP, MED, MEL.SA,
SE, Samtech, SI, STSI, WS
43SI, RFT, SE, SL, WS
RFT
RFT
RFT
RFT
GIC, RL, SE
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech, SI
MED
Samtech, SE, SL, SI
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Буквенные обозначения зарубежных диодов
463
Обозначение
диода
SCPB
SCPD
SCPE
SCPH
SCPN
SCPP
SCSDF
SCSDFF
SCSDL
SCSDM
SCSF
SCSFF
SCSHF
SCSHM
SCSM
SCSNF
SCSNFF
SCSNL
SCSNM
SCSPF
SCSPFF
SCSPL
SCSPM
SD
SDA
SDFF
SDH
SDR
SER
SES
SF
SFC
SFD
SFF
SFM
SFMS
SG
SGA
SGB
SGF
SGM
SH
SHVM
SI
SIB
SIST
SISTE
Siek
SIF
SIM
SK
SKB
SKBB
SKD
SKE
SKHM
SKKD
SKN
SKNA
SKR
SKS
SKSA
SKV
SKXA
Фирма
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
DII, ITT, OEC, PEC, SL,
Mot., TRW
SSDI, SI
Samtech
Samtech
SSDI, CODI
SSDI
UC
CODI, NAE, SE
NAE
Mist., Thorn.
Samtech
Samtech
Samtech
SE
SE
SE
SE
SE
Samtech, SE, SL
Samtech
MDP, Samtech, SI
FEC
SMC
SMC
ВНР
Samtech
ML
SII
SII
SII
SII
SH
SII
SII
SII
SII
SII
SII
SII
SII
SII
Обозначение
диода
SL
SLC
SLCE
SLD
SLDHV
SLF
SLZ
SM
SMFR
SMHF
SMHR
SN
SNFF
SNR
SO
SOD
SODSPC
SP
SPC
SPCHV
SPD
SPDA
SPFF
SR
SRB
SRF
SRP
SRS
SRSFR
SS
SSCDA
SSCNA
SSCPA
SSH
SSiB
SSiC
SSiD
SSiE
SSiF
SSiG
SSiK
SSiL
SSiN
SSiP
SSP
ST
STB
STF
STFF
STV
SU
SUES
SV
SVD
SW
SX
SXS
SY
SZ
SZL
SZX
SZY
T
Фирма
CODI, 51, SSD
SI
SI
SDI
SDI
CODI
MED
CODI, OEC, Samtech, SL,
SI, WS
Samtech
Samtech
Samtech
SII
Samtech
SE
SI
SDI, SSXI
SDI
CODI
SDI
SDI
CODI, SSDI
CODI
Samtech
MEC, SE, SI, SL
OEC
OEC
GIC
SSD
SSD
OEC, Samtech, SE, SMC
SSD
SSD
SSD
SI
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SDI
APD, EC, IRC, STSI, Samtech
APD, GE
Samtech
Samtech
SE
MED
SI
GIC, NEC, SE, SI, SEM,
SMC, Thorn., VEC
TRW
WS
ML, Samtech, UC
UC
RFT, Samtech, SE
ML, PS, RFT, SA, SL, SMC
SA
RFT
RFT
GS, HL, SDI, SI
Обозначение
диода
ТА
TAV
TCR
TD
TFR
THD
TI
TID
TIDM
TIR
TJ
TMPD
TR
TS
TSC
TSD
TSV
TSZ
TV
TVP
TVPC
TVR
TVS
TZ
TZB
TZC
TZV
цРА
U
UDC
UDE
UDF
UDZ
UES
UF
UFB
UFS
UGB
UGD
UGE
UGF
CHV
UPI
UR
US
USB
USD
USR
USS
UT
UTR
UTX
UZ
V
VA
VB
VC
VE
VF
VG
VGB
VGF
VH
VHE
VHP
Фирма
SDI
SDI
TSC
SE
TC
SEC
UC
TI, UC
TI
UC
SDI
SEC
EDI
MS, Samtech, SDI
TSI
SEC
SDI
SL
Tel., Thorn.
TRW
TRW
TC
UC
Rohm, STSI
SI
SI
SI
NEC
HL
UC
UC
UC
UC
SI, UC
SE
UC
UC
BB, UC
UC
BB
UC
CSD
UPI
LUC
UC
UC
UC
MS, SA, UC
UC
UC
UC
UC
UC
GE, HL, SI, VEC, VSI
VSI
LBB, MDP, VSI
VSI
VSI
SI, VSI
VSI
BB
BB
VSI
VSI
RCC
464
Раздел 7. Аналоги
Обозначение
диода
VJ
VK
VKP
VL
VM
VR
VRU
VS
VSB
VSF
VSH
VSK
VT
VTA
VTC
VTD
VTE
VTH
VX
VXS
VY
VYA
VYB
VYC
VYD
VYH
VZ
W
WAC
WBC
WCN
WG
WL
WO
WZ
X
XF
ХМ
XS
Z
ZA
ZB
ZBC
ZC
ZCC
ZD
ZDX
ZE
ZF
ZG
ZGP
ZH
ZJ
ZPD
ZPU
ZPY
ZR
ZS
ZSA
ZSY
Фирма
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
DII, MED, SE, STSI
SCL
SI, VSI
VSI
RFT
SL
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
UC
ис
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
MED
FE, GIC, HL, VSI
SL
SL
GIC
ITT
FE, GIC
MEL
NJRC
Samtech, SCL, Thorn.
RCC
Thorn.
SI
IRC, SCL, SMC, TRW
SI
MDP, SI
SI
FEL, LEC, SI
SI
ITT
FEL
EL
El, Thom.
El
GIC
SI
TC
FE, ITT
ITT
ITT
El, SCL
FEL, SCL
SCL
SCL
Обозначение
диода
ZTE
VJ
VK
VKP
VL
VM
VR
VRU
VS
VSB
VSF
VSH
VSK
VT
VTA
VTC
VTD
VTE
VTH
VX -
VXS
VY
VYA
VYB
VYC
VYD
VYH
VZ
W
WAC
WBC
WCN
WG
WL
WO
WZ
X
XF
XM
XS
Z
ZA
ZB
ZBC
ZC
ZCC
ZD
ZDX
ZE
ZF
ZG
ZGP
ZH
ZJ
ZPD
ZPU
ZPY
ZR
ZS
ZSA
Фирма
ITT
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
DII. MED, SE, STSI
SCL
SI, VSI
VSI
RFT
SL
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
UC
UC
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
VSI
MED
FE, GIC, HL, VSI
SL
SL
GIC
ITT
FE, GIC
MEL
NJRC
Samtech, SCL, Thom.
RCC
Thom.
SI
IRC, SCL, SMC, TRW
SI
MDP, SI
SI
FEL, LEC, SI
SI
ITT
FEL
EL
El, Thom.
El
GIC
SI
TC
FE, ITT
ITT
ITT
El, SCL
FEL, SCL
SCL
Обозначение
диода
ZSY
ZTE
ZTK
ZX
ZY
ZZ
ZZY
1NZ
IP
1QE
1R
1RM
IS
1SF.
ISM
1SR
1SS
1SV
1SX
1SZ
IT
1Z
2A
2AA
2AF
2ASLD
2B
2C
2D
2DL
2DS
2EZ
2FB
2G
2KBP
2KZ
2L
2OA
2R
2SB
2SBF
2SD
2SF
2SFD
2SFF
2SM
2VR
2W
ЗА
3AF
3B
3C
3CC
3CD
3D
3DD
3DF
3DH
3DZ
3E
Фирма
SCL
ITT
ITT
ITT
ITT
FE, ITT
ITT
Tesla
FE,ITT
TC
TC
Thom.
AM
Samtech
SL
Rohm, SE
FL, HL, HS, NEC, Rohm, TC
HL, NEC
SCL
NEC, TC
CEIL, SC
SC
SSDI
CEIL, Mist., PEC
IRC
SDI
SSDI, TC
SSDI
TC
IRC
LEC
MS, SA
CODI
CEIL, SDJ, TC
GIC
STSI
EII
Mist.
SSDI
CODI
CODI
SI
Samtech
Mist
Samtech
SL
STSI
GIC
SDI
STSI
TC
SDI
TC
TC
TC
CODI
CODI
TC
TC
ASI
Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги
465
7.7. Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их
отечественные аналоги
Тип диода
0102
0112
0502
0507
0604
100D10
100R48
100R5B
100К10
101Р02
10CTQ169
10F5
10L60
10РМ2
10РМ4
10РМ6
10R10B
10R6B
10S20
10SP04
10SP06
10SR01
10TQ045
10А400
10CTQ169
11R2S
11R3S
11R4S
13193
14Р2
15CTQ045
16CTQ100
16Р2
16CTQ100
16CTQ100
19R2
1DMB10
1DMB20
1GSP02
1N1031
IN 1032
1N1033
1N1041
1N1053
1N1059
1N1061
IN 1062
1N1063
1N1067
1N1068
1N1069
1N1073
1N1075
1N1079
1N1081A
1 N1082А
1N1083
1N1083A
1N1084
Приближенный
отечественный
аналог
КД102А
КД102А
Д226В
КД105Г
КД206В
МД218
КД411Г
КД411ГМ
МД218
Д215Б
КД238ВС
Д304
КЦ105В
Д243
Д246Б
КД206В
МД218
Д211
КЦ106Д
Д231Б
Д223Б
Д214Б
КД271Б
Д232, 232А
КД238ВС
Д243
Д245
Д246Б
КД205Л
Д232Б
КД272Б
КД272Г
Д2Г
КД272Г
КД272Г
КД922В
КДС627А
КДС628А
Д215Б
КД2О5Г
КД205В
КД205Б
КЦ412Б
КД208А
Д304
Д243Б
Д245Б
Д246Б, Д232Б
Д243Б ч-
Д245Б
Д246Б, Д232Б
Д243Б
КД246Б, Д232Б
КД416Б
Д229Ж
КД205Л .
КД205В
Д229К
КД205Б
Тип диода
1N1085
1N1090
1N1091
1N1092
1N1092A
1N1115
1N1124
1N1126
1N1126A
1N1128
1N1169A
1N1251
IN 1253
1N1254
1N1255
1N1256
1N1257
1N1258
1N1259
1N137A
1N138A
1N1407
1N1440
1N1441
1N1446
1N1450
1N1487
1N1488
1N1489
1N1490
1N1520A
1N1557
1N1559
1N155S
1N1563
1N1582
1N1584
1N1613
1N1613A
1N1614A
1N1615A
1N1616
1N1616A
1N1617
1N1621
1N1623
1N1624
1N1632
1N1645
1N1647
1N1649
1N1651
1N1694
1N1695
1N1701
1N1703
1N1706
1N1709
1N1710
Приближенный
отечественный
аналог
КД208А
Д243Б
Д245Б
Д246Б, Д232Б ;
Д246Б
КД208А
КД212 (А, Б)
КД209А
КД411БМ
КД209Б
КД205Б
КД2О4В
КД205Г
КД205В
КД2О5Б
КД205Е
КД105В
КД205И
КД105Г
КД519 (А, Б)
ГД511А
МД217
КД205Л *
Д229К
КД208А
КД208А
Д229Ж
КД2О5Л
КД205Л
Д229Л
КС456А
^ВД205Л
Д229Л
Д229К
КД208А
КЦ410Б
КД2020, Д304
Д304
Д243Б
Д246Б
Д248Б
КД208А
Д242
Д248Б
Д245
Д246Б
КД412Г, КД104А
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229Л
Д229К
Д229Л
АД112А
КД204Б
КД205Е
КД2О5Г
КД205В
КД205В
Тип диода
1N17U
1N1712
1N1764
1N1764A
1N1765
IN 1765А
1N1795
1N1844
1N1846
1N1847
1N1849
1N1888
1N1898A
1N1927
1N1931
1N1984
1 N1984А
1N1985
1 N1985А
1N1985B
1N1986
1N1986A
1N1986B
1N1988
1 N1988А
Ш1988Б
1N1989
Ш1989Б
1N1990
1N1990A
1N1990B
1N2023
1N2025
1N2034
1N204
1N2063
1N2069
1N2O7O
1N2070A
1N2O73
1N2080
1N2082
1N2083
1N2084
1N2O85
1N2086
1N2091
1N2092
1N2093
1N2094
1N2104
1N2105
1N2106
1N2107
1N210
1N211
1N212
1N213
1N215
Приближенный
отечественный
аналог
КД205А
КД205А
КД411В
КС456А
КС456А
КС600А
ДЮ2
Д2Е
Д2Ж
КД104А
КС596В
КС139А
КС218Ж
Д814А
КС 168В
КС168В
КС 182 А
КС182А
КС210Б
КС210Б
КС2ЮБ
КС215Ж
КС215Ж
КС215Ж
КС218Ж
КС218Ж
КС218Ж
КС218Ж
КС222Ж
КС222Ж
КС222Ж
Д245
Д246
KG482A
ГД402Б
КД521А -
КД2О5Л
Д229Л
Д229Л
Д229Ж
КД204В
КД2О5Г
КД205В
КД205Б
КД205А
КД205Ж
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229Л
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229К
Д102
Д102
ДЮ1
ДЮ1
Д2И
466
Раздел 7. Аналоги
Тип диода
1N219
1N220
1N2230
1N223OA
1N223I
JN2232
1N2232A
1N2233A
1N2234
1N2234A
1N2235
1N2235A
1N2236
1N2237
1N2237A
1N2238
1N2238A
1N2239
1N2239A
1N2246
Ш2246А
1N2247A
1N2248
1N2248A
1N2249
1 N2249А
1N2250
1N2250A
1N2251
1N2251A
1N2252
1N2252A
1N2253
1N2253A
1N2254
1N2254A
1N2255
1 N2255А
1N2256
1N2256
1N2256A
1N2257
1 N2257А
1N2258
1N2258A
1N2259
1N2259A
1N2260
1N2260A
1N2261
1N2289
1 N2289А
1N2290
1N2349
1N2350
1N2373
Ш2374
1N2391
1N2400
IN2409
1N2418
1N2482
1N2483
1N2487
Приближенный
отечественный
аналог
КД104А
КД104А
Д243Б
Д243Б
Д243Б
Д245Б
Д245Б
Д245Б
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д247Б
Д247Б
Д247Б
Д248Б
Д248Б
Д248Б
Д248Б
ДЗО5
ДЗО5
Д305
Д242, Д214А, Д214
Д242
Д242
Д214А, Д242
Д243
Д243
Д243
Д243
Д245
Д245
Д245
Д245
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д233
КД206Б
КД206Б
КД206Б, Д233
КД206Б
КД206В
КД206В
КД206В
КД206В
КД210Б
КД210Б
КД210Б
КД208А
КД208А
ДЗО4
КД221А
ДЗОЗ
Д211
МД218
КД208А
КД208А
КД208А
КД208А
КД205Л
Д229Л
Д229Л
Тип диода
1N248
1N249
1N2505
1N250
1N2559
1N2571
1N2574
1N2598
1N259X
1N2610
1N2611
1N2613
1N2621
1N2624
1N2638
1N2705
1N2708
1N2786
1N2793
1N2847
1N2859
1N2860
1N2862
1N2878
1N2879
1N300
1N300B
1N3020A
1N302
1N3030B
1N3064
1N3064M
1N3065
1N3067
1N3082
1N3083
1N3097
1N3121
1N3184
1N3194
1N320
1N3228
1N3229
1N3238
1N3239
1N324
1N3253
1N3254
1N3270
IN3277
1N3278
1N327
1N3282
1N332
1N3359
1N3361
1N3367
1N339
1N341
1N344 _
1N348
1N34AS
1N3545
1N3547
Приближенный
отечественный
аналог
КД2997А
КД2999Б
КД105Г
Д243
КД412А
КД412В
КД412А
КД2999В
Д9В
Д229Ж
КД205Л
Д229Л
КС191С
КС191Ф-1
КД208А
КЦ410В
КЦ409Г
Д243
ДЗО5
КД208А
Д229Ж
КД205Л
Д229Л
КД205И
КД205И
ГД4О2 (А, Б)
КД922А, КД923А
КС510А
Д2В
КС527А
КД521А
КД521А
КД509А
КД521Г
КД205Г
КД2О5Б
КД407А
Д220
КД205А
Д229Л
КД205Е
КД205Г
КД205А
Д229Ж
КД205Л
Д229В
КД205Л
Д229Л
Д246Б
КД205Л
Д229Л
КЦ401А
МД218
Д229Е
КД212 (В, Г), КД106А,
КД221А, КД226А
КД212 (А, Б)
КД209В
Д229В
Д229Е
ДЮЗА
Д229В
КД401А
КД205Г
Д229
Тип диода
1N354
1N3575
1N358
1N3600
IN3604
1N3606
1N3607
1N3639
1N3640
1N3656
1N365
1N3748 ••
1N3749
1N3750
1N3827
1N3827A
1N3873
1N3873H
1N388
1N3894
1N391
1N3938
1N3939
1N393
1N3940
1N3954
1N398I
1N3982
1N3983
1N4001
1N4002 .
1N4003
1N4004
1N4005
1N4005C
1N4006
1N4007
1N4008
1N401AM
1N4099
1N4142
1N4147
1N4148
1N4149
1N4153
1N4305
1N4364
IN4366
1N4367
1N440B
1N441
1N441B
1N442B
1N4437
1N4438
1N4439
1N443
1N4446
1N4447
1N4448
1N4449
1N444
1N4450
1N4454
Приближенный
отечественный
аналог
КД104А
КД522Б
КС212Ж
КД509А
КД521А
КД521А
КД521А
КД205Л
Д229Л
КД205Л
МД218
КД205Г
КД205Б
КД205Ж
КС456А
КС456А
КД509А
КД509А
ДЮ2
Д205
ДЮ1
КД240Ж
КД240И
Д2И
КД240К
КД509А
КД221Б
КД209А, КД211В
КД209Б, КД221Г
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД4ПВМ
КД243Е
КД243Ж
МДЗБ, КД503А
КД522А
КС168А
КЦ409В
КД503А
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
Д229Ж
Д229К
Д229Л
Д229Ж
КД204Б, Д237А
КД205Л
Д229К
Д246Б
КД2О6В
КД210Б
Д7Ж
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
КД205Е
КД504А
КД521А
Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги
467
Тип диода
1N445
1N4531
IN4542
1N458
1N4622
1N4624
1N462M
1N4655
1N4661
1N4686
1N4688
1N4721
1N4724
1N4734
1N4748A
1N4762
1N4774
1N4817
1N4835B
1N483
1N485
1N486
1N487A
1N488
1N5006
1N5061
1N5209
1N5216
1N5217
1N527
1N5318
1N531
1N533
1N534
1N535
1N537
1N538
1N5392
1N539
1N5405
1N5406
1N5446B
1N5448
1N5466B
1N5466C
1N5466D
1N551
1N552
1N553
1N554
1N555
1N560
1N5720
1N573
Ш5770
1N5816
1N5997
1N6007B
1N602
1N602A
1N604
1N605
1N605A
1N606A
Приближенный
отечественный
аналог
КД105В
КД521А
Д205
Д223Б
КС139А
КС147А
КД401А
КС456А
КС510А
КС139А
КС147А
КД202Д
КД202В
КС456А
КД522А
КС591А
КС191Б, КС191В
КД208А
КС515А
КД103А
Д207
Д207
Д226В
Д209
КД240Д
КД240Е
Д233Б
КД205Б, КЦ407А
КД205Ж
ДЮЗА
КД521А
КД204Б
КД205Б
КД205Е
КД105В
Д229Ж
КД205Л
КД208А
Д229К
КЦ409Б
КД202Р
КВ136А, KB 138 (А, Б)
КВ138 (А, Б), КВ136Б
KB136B
КВ136Г
КВ136Г
КД205Г
КД205В
КД205Б, Д237А
КД205А
КД205Ж
КД105Г
КД503А
Д229Е
КД908А
КД2995А
Д808
КС520В
КД204Б
КД204Б
Д7Ж, Д237Ж
КД205Е ^
КД2О5Е
КД105В
Тип диода
1N616
1N625
1N627
1N6478
1N647
1N662
1N662A
1N663
1N667
1N679
1N695
1N74
1N75
1N770
1N777
1N844
1N866
1N87
1N873
1N874
1N876
1N878
1N885
1N899
1N903A
1N903AM
1N903M
1N904
1N905A
1N905AM
1N905M
1N906A
1N906AM
1N906M
1N907
1N908A
1N908AM
1N913
1N914A
1N914B
1N914M
1N916A
1N916B
1N932
1N942
1N993
1N994
1N999
1Р644
1Р647
1RM150
1RM40
1RN60
1S032
1S034
1S101
IS 103
1S113
1S1219
1S1220
1S1230
IS1231
1S1232
1S136
Приближенный
отечественный
аналог
Д10Б
КД413 (А, Б), КД417А
Д312А, ГД313А
КЦ412А
Д229Е
Д220Б
Д220Б
Д220Б
Д229В
Д203
Д310
ДЮ1
Д104, Д104А
дзю
Д312А
Д220Б
КД410А
Д9В
Д210
Д2П
МД217
МД218
КД410Б
Д105А, Д106А
КД509А
КД509А
КД509А
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД509А
КД509А
Д220, Д223
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
Д237Е
КС212Е
КД520А, ГД507А, КД413
(А, Б),КД417А
ГД107(А,Б)
ДЗЮ
Д229В
Д229Е
КЦ201Е
КЦ201Б
КЦ201В
КД205Л
Д229Л
КД205Л
Д229Л
Д229Е
КД521Г
КД521Г
КД205Б
КД205А
КД205Ж
Д237В
Тип диода
1S1473
1S148
1S1618
1S1619
1S162
1S163
1S164
1S165
1S1660
1S1763
1S1943
1S1944
1S231
1S307
1S313
1S314
1S315
1S41OA)
1S411 A)
1S41
1S421
1S423
1S426
1S427
1S431
1S43
1S4716
1S544
1S558
1S559
1S743
1S953
1S954
1SR19-100
1SS135
1SS174
1SS181
1SS181
1SS184
1SS226
1SS99
1Z16
1М5
1Т5О2
1Т504
1Т505
20S5
20TQ045
24J2
2G8
2Т5О2
2Т504
2Т505
2Т506
30AS
30F5
30S5
30WQ03F
30WQ04F
30WQ06F
30WQ10F
366D
366F
366К
Приближенный
отечественный
аналог
КД521Г
Д229К
KB129А
KB129А
Д243
Д245
Д246Б
КД206Б
ДЗОЗ
КД205Б
КД205Б
КД205Ж
КС518А
Д818
КД205В
КД205Б
КД205А
КД213Г, КД244 (А, Б)
КД213 (А-В)
КД205Л
Д243, КД2997А
Д246Б
Д10, Д10Б, КД514А
КД210Б
КЦ410
Д229Л
КВ129А
КД210Б
КД205А
КД205В
Д811
КД509А, КД522А
КД510А
КД2997Б
КД710А
КД810А
КД706АС9
КД706АС9
КД704АС9
КД629АС9
КД812А
КС518А
КД410Б
КД2О5Г
КД205Б
КД205А
КД205Г
КД273Б
Д223Б
КД205Л
КД205Г
КД205Б
КД205А
КД205Ж
КД205В
Д245Б
КД205В
КД268А
КД268Б
КД268В
КД268Г
Д234Б
Д245Б
Д247Б
468
Раздел 7. Аналоги
Тип диода
366М
366Н
367D
367В
367К
367М
367Н
ЗС15
ЗА5ОО
ЗЕ2
ЗЕ2
ЗЕ2
ЗТ5О2
ЗТ5О4
ЗТ5О5
40109
40110
40111
40112
40113
40114
40115
407К
407М
408
408Р
408S
408К
408М
40AS
40S5
4D4
4Т502
4Т503
4Т504
4Т505
4Т506
50AS
50F5
5OJ2P
50J2P
50L70
SOLF
50S5
50WQ04F
50WQ10F
5D4
5J3
5J4
5J6
5L85
5РМ4
5РМ6
5Е1
5Е2
5ЕЗ
5Е4
5Е5
5Е6
5МА2
5МА4
60AS •
60F5
60LF
Приближенный
отечественный
аналог
Д248Б
Д246Б
Д243
Д242
КД206Б
КД206В
Д246
ДЗОЗ
КД202М
КЦ409Д
КЦ409Е
КЦ409Е
КД205Г
КД2О5Б
КД205А
Д242
Д243
Д245
Д246
КД206Б
КД206В
КД210Б
Д247Б
Д248Б
Д229Л
КД203Г
КД2ЮБ
КД206В
КД206В
КД206Б
КД205Б
Д229Е
КД205Г
КД2О5В
КД205Б
КД205А
КД2О5Ж
КД2О5А
Д247Б
КД206Б
КД206Б
КЦ1О5Г
Д247Б
КД205А
КД269Б
КД269Г
К246Б
КД205В
КД205Б
КД205Ж
КЦ105Д
Д246Б
Д248Б
Д229Ж
КД205Г
КД205В
КД205ВБ
КД2О5А
КД205Ж
КД205Л
Д246Б
КД205Ж
Д248Б
Д248Б
Тип диода
6OS5
60М
616С
618С
6А1
6Д100
75R2B
7Л
7J2
7Е1
8TQ100
8TQ808
8TQ8O8
А100
А114А
А115
А121-1Т
А132-1Т
А14В
А15А
A15F
А168-1Т
А2А4
А2С4
A2D1
A2D5
A2D9
А2Е1
А2ЕЗ
А2Е4
А2Е5
А2Е9
A2F4
АЗОО
АЗС1
АЗСЗ
АЗС5
АЗС9
A3D1
A3D3
A3D5
A3D9
АЗЕ1
АЗЕ5
АЗЕ9
АА112
АА112Р
АА114Е
АА130 B)
АА137
AAZ15
ААПЗГ
ААУ32
AD150
АЕ150
АЕЗА
АМ12
АМ410
АМ42
АМОЗО
AS3A
AS3C
AS3C
AZ6.8
Приближенный
отечественный
аналог
КД205Ж
КД2О5Ж
ДЮ2 ,
ДШ1
КЦ409 (Ж, И)
КЦ409 (Ж, И)
КД205Л
Д229Ж
КД205Л
Д229Ж
КД270Г
КД271А
КД271А
Д229Ж
КЦ412Б
КЦ410В
КД208А
КД208А
КЦ4Г2В
КД202В
КД202А
КД208А
КД204В
КД205Г
Д229К
КД205В
КД205В
Д229Л
Д229Л
КД2О5Б
Д229Л
Д229Л
КД205А
Д229К
КД205Л
КД2О5Л
КД205Л
КД2О5Л
Д229К
Д229К
Д229К
Д229К
Д246Б
Д246Б
Д246Б
дш
дю
КД411В
Д10А
Д9В
Д312А
ДЮ1
дзп
Д223Б
Д223Б
КЦ410А
Д229В
Д229К
Д229Е
Д229В
КЦ410А
КЦ409Д
КЦ409Е
КС168В
Тип диода
В125/110-10
В250/220-10
В250С300
В2В5
B2D1
B2D5
B2D9
В2Е1
В2Е5
ВЗВ9
ВЗС1
ВЗЕ1
ВЗЕ9
ВЗЕ9
В40/35-10
В587-70
В587-85
В5С1
В5С5
В5С9
В80/70-10
В80С300
В125/110-10
В250/220-10
ВА128
ВА145
ВА147/220
ВА147/300
ВА179
ВА180
ВА582
ВА5Н5
BAS16
BAS29
BAS32
BAS70
BAS82
ВАТ18
ВАТ42
BAV682
BAV70 -
BAV94
BAV99
BAW101
BAW14
BAW14TF24
BAW49
BAW56G
BAW56GT
BAW62
BAW63A
ВАХ53
ВАХ54
ВАХ61
ВАХ63
ВАХ63А
ВАХ80
ВАХ91С/ТЕ102
BAX95/TF600
BAY21
BAY38
BAY45
BAY46
Приближенный
отечественный
аналог
КЦ419Д
КЦ419Ж
КД205И
Д229Ж
Д229К
1Д229К
Д229К
Д229Л
Д229Л
Д229Ж
КД205Л
Д246Б
Д229Л
Д246Б
КЦ419Б
КД105Г
КД105Д
ДЗО2
Д302
ДЗО2
КЦ419В
КД204Б
КЦ419Д
КЦ419Ж
КД103А
МД226А
Д207
Д2О8
Д102
ГД511 (А-В),КД922В
КД409А-9
КД411 (A, AM)
КД811А1
КД8ПБ1
КД8ПА.КД811А1
ГД113А
КД409В9
КД409А9
КД808А
КД811Б
КД704АС-9, КД629АС-9
КД8ОЗАС-9
КД8ПВ1, КД707АС9
КДС627А, КДС628А,
КДСП1 (А-В)
Д226В
Д226В
КД106А
КДС523 (А-Г), КДС523
(АМ-ГМ)
КДС627А.КДСП1А
ВД521А
КД521Г
КД906 (А-В)
КД906 (А-В)
КДС526Б, КД914В
КДС526Б
КД521Г
КД509А
КД521А
КД521А
Д226В
КД5О9А
КД407А, КД409А
КД109Б
Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги
469
Тип диода
BAY63
BAY74
BAY74
BAY89
ВВ104
ВВ1О9
ВВ1О9
BB109G
ВВ113
ВВ205
ВВ2О9
ВВ240
ВВ309
ВВ404
ВВ4О5
ВВ417
ВВ5ОЗ
ВВ505
ВВ5О5
ВВ515
ВВ6О9
ВВ609А
ВВ619
ВВ619
ВВ620
ВВ721
ВВ9О9
BBY31
BBY42
ВС619
ВСА71
BLY168B
BLYA168
BLYA468
BLYA468A
BLYA468B
BR101A
BR102A
BR1O4A
BR106A
BR205
BR22
BR24
BR42
BR44
BRB1D
BUS41
BUT42
BVS41
BY118
BY157
BY228
BY289-300
BY289-900
BYD33
BYV32-15
BYV95
BYW17-100
BYW17-200
BYW80-200
BYW95
BYX42/300
Приближенный
отечественный
аналог
КД509А
КД509А
КД510А
КД105А
КВС111 (А, Б)
KB 109 (А-Г)
КВ154А
КВ121 (А, Б)
КВС120 (А, В),
КВС120А1, КВ127(А-Г),
KB 142 (А,Б)
KB 122 (А-В)
КВ123А, КВ126А5,
КВ126АГ-5
KB122А
КВ130А
КВ107В
KB 109 (А-Г)
КВ109А
KB 109 (А-Г)
КВ109 (А-Г)
KB152А
КВ153А-9, КВ156.КВ156А9
KB154А
КВ154Б
КВ157А9
КВ159А-9, KB 157
КВ155А-9, KB 158
КВ121А-9
КВ144А
КВ109 (А-В), КВ122А9
КВ130А-9 .
КВПО(А-Е)
КД5О9А
КС168А
КС168А
КС168А
КС168А
КС 168 А
Д242
Д243
Д246Б
КД2О6В
КД204В
КД205Г
КД205Б
КД205Л
Д246Б
КД208А
КД2998А
КД8О8А
КД2998А
Д245Б
КД105Г
КД241А
КД126А
КД127А
КД240И
КД244А
КД240Д
КД213Г. КД244 (А, Б)
КД213 (А-Г), КД244В
КД244Г
КД24ОГ
Д245
Тип диода
BYX42/600
BYX60-400
BYY67
BYY68
BZX29C35V6
BZX29C4V7
BZX30C10
BZX30C11
BZX30C12
BZX3OC13
BZX30C15
BZX30C18
BZX30C20
BZX3OC22
BZX3OC24
BZX30C5V6
BZX3OC7V5
BZX3OC8V2
BZX3OC9V1
BZX46C10
BZX46C15
BZX46C18
BZX46C20
BZX46C24
BZX46C3V3 .
BZX46C3V9
BZX46C4V7
BZX46C5V1
BZX46C6V8
BZX55C1O0B
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C120B
BZX55C12
BZX55C2V7
BZX55C3
BZX55C3V3
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX78C51
BZX79B12
BZX83C10
BZX83C11
BZX83C12
BZX83C13
BZX83C14
BZX83C15
BZX83C16
BZX83C18
BZX83C20
BZX83C22
BZX83C24
BZX83C27
BZX83C30
Приближенный
отечественный
аналог
КД2О6В
Д229Е
Д245
Д245
Д246
КС447А
КС210Е, КС210Ж
КС211Е
КС212Ж
КС213Е
КС215Ж
КС218Ж
КС220Ж
КС222Ж
КС224Ж
КС156Г
КС175Е, КС175Ж
КС182Е, КС182Ж
КС191Е
КС508А
КС508Б
КС508В
КС508Г
КС508Д
КС133А, КС407А
КС407Б
КС407В
КС407Г
КС407Д
КС600А
КС207А, КС208А
КС207Б, КС208Б
КС620А
КС207В, КС208В
КС126А, КС128А
КС126Б, КС128Б
КС133А
КС 126В, КС 128В
КС126В1, КС128В1
КС126Г, КС128Г
КС126П, КС128П
КС126Д, КС128Д
КС126Д1, КС128Д1
КС126Е, КС128Е
КС126Ж, КС128Ж
КС126И, КС128И
КС126К, КС128К
КС126Л, КС128Л
КС126М, КС128М
КС55А1
Д813
КС417Ж
КС528А
КС528Б
КС528В
КС528Г
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
Тип диода
BZX83C33
BZX83C36
BZX83C39
BZX83C3V3
BZX83C43
BZX83C47
BZX83C4V7
BZX83C51
BZX83C56
BZX83C5V6
BZX83C62
BZX83C68
BZX83C6V2
BZX83C6V8
BZX83C7V5
BZX83C7V5
BZX83C8V2
BZX83C9V1
BZX85C15
BZX85C18
BZX85C2O
BZX85C4V7
BZX98C12O
BZX98C130
BZX98C150
BZX98C18O
BZY29C4V7
BZY83C4V7
BZY83C4V7
BZY83D4V7
BZY85B3V3
BZY85C4V7
BZY88C3V9
BZY95C12
BZY95C15
BZY95C18
BZY95C22
BZY95C27
BZY95C51
BZY98C120
BZY98C130
BZY98C15O
BZY98C180
С4010
С6041
С6041М
С6042
CD21
CD4156
CDLL200
CDLL300
CDLL400
CDLL4157
CDLL5540
CER500B
CER69
CER69C
CER70
CER71B
CER72C
CG84H
COD1531
COD155&
COD1556
Приближенный
отечественный
аналог
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС133 А
КС528С
КС528Т
КС147Г
КС528У
КС528Ф
КС417А
КС528Х
КС528Ц
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Г
КС417Д
КС417Е
КС509А
КС5О9Б
КС5О9В
КС456А
КС620А
КС630А
КС650А
КС680А
КС447А
КС147А
КС147Г
КС147А
КС133А
КС447А
КС139Г
КС512А
КС515А
КС518А
КС522А
КС527А
КС551А
КС620А
КС630А
КС650А
КС680А
Д102
КС107А
КС107А
КС115А
КД922Б
Д2В
АД1ЮА
Д2 (Г. Д)
Д2Е
АД110А
КД22ОЖ
КД205Е
КД205Г
КД105В
КД105В
КД105В
КД205Е
КД503В
Д222Ж
КД205Е
КДЮ5В
470
Раздел 7. Аналоги
Тип диода
COD 16044
CRG20
CRG40
CRG60
CSB-6
CTN100
СТР100
CV1930
CV40
CV7
CV836
СА100
СА50
СВ100
СВ150
CTI63
СТ23
СТЗЗ
D100
D226
D25C
D2D
D60H
D80H
DA106K
DA203
DA203X
DA204X
DAN202K
DAN235K
DAN401
DAN403
DAN801
DAP201
DAP202KVA
DAP203
DAP209
DAP401
DAP801
DD003
DD006
DD056
DD236
DD266
DD4521
DD4526
DEI 12
DFC10
DK751
DK752
DKV6516
DKV6517
DP695
DP698
DP699
DS866
DT230H
E1M3
E2M3
E3B3
E3E
Приближенный
отечественный
аналог
КС119А
КЦ106Ж
КЦ106А
КЦ106Б
КЦ418
КД208А
КД208А
КВ128А, КВ128АК
Д246Б
Д808
КВ107Г
Д223А
ДЮ2
Д223А
ДЮ2
Д2Ж
Д206
Д206
Д229Ж
Д37Б
КД205Г
ДЮ1
КЦ201В
КЦ201Г
КДС526А
КД914Б, КДС526В
Д2Б
Д2Б
КДС523 (А-Г), КДС523
(АМ-ГМ)
КД906 (Г-Е)
КД914А
КДС526А, КДС906 (Г-Е)
КД909А, КД903 (А, Б)
КДС526В
КДС523 (А-Г), КДС523
(АМ-ГМ)
КДС526В
КДС523 (А-Г), КДС523
(АМ-ГМ)
КДС526А
КД903 (А-В), КД908А,
КД909А
КД205Г
КД205Б
КД205Б
Д246Б
Д246Б
Д242
Д246Б
КД922Б
КД411Б
Д229К, Д205Л
КВ119А
КВ116А-1
Д226В
Д208
Д209
Д208
КЦ201Д
Д2Л9
КД411А, КД411 (AM, БМ)
КД409БМ
Д304
Д245Б
Тип диода
ЕЗНЗ
ЕЗКЗ
Е5АЗ
Е6ВЗ
Е6СЗ
Е6ЕЗ
E6G3
Е6МЗ
E6N3
EG100
END400
EQA01-06
EQA03-09B
ER405
ERD600
ESP5100
ESP53OO
F1E3
F1K3
F2A3
F2B3
F2C3
F2H3
F2M3
F2N3
FD100
FD600
FDN600
FPZ5V6
FSA2510M
FSA2563M
G1010
G129
G1502
G233
G3010
G4010
G65HZ
G6HZ
G8010
GD11E
GD3E
GD72E3
GD72E4
GD72E5
GP330
GP350
GP360
GPM2NA
GPP15B
GPP1J
GSA30E
GV35Z
GV3SY
Н6010
HD4101
HD5000
HDS9009
HDS901
HMG3064
HMG3596
HMG3598
HMG3600
HMG3873
Приближенный
отечественный
аналог
Д247Б
Д248Б, Д234Б
Д305
Д242
Д215, Д215А, КЦ109А
Д245
КД412Г
КД203Г
КД210Б
КД205Б
КД205Б
КС468А
Д809
КД411ВМ
КД205Ж
Д304
Д245Б
КД2997В
Д248Б, Д234Б
Д242
Д242
КД509А
КД206Б
КД203Г
КД210Б
Д245Б
КД521А
КД521А
К2456А
КД919А
КД903 (А, Б)
Д242,Д424
Д219С, Д220С, Д223С
КД213(А-В)
КВ117(А,Б)
Д425
Д426Б
Д248Б
КД206В, КД2ЮБ
КД210Б
ДЮА
Д104А
Д9В
Д9В
ДЮЗ
КД521Г
КД509А
КД521Б
Д9В
КД208А-1
КД4ПБ
КД202К
КД221Б
КД212 (В, Г)
КД206В
КД519 (А, Б)
КД514А, ГД508 (А, Б)
КД509А
КД521Г
КД521А
КД521Г
КД521А
КД509А
КД509А
Тип диода
HMG4150
HMG4319
HMG4322
HMG626A
HMG662
HMG662A
HMG663
HMG844
HMG904
HMG904A
HMG907
HMG907A
НР9
HS033A
HS033B
HS2039
HS3 B)
HS6
HS7033
HS9010
HS9501
HS9504
HS9507
HV035S
HV03SS
HVC40
IN4365
JE2
К1С5
К2С5
KLR10
KVF10
LAC2OO2
LD2A
LD4RA
LDD10
LDD15
LDD50
LDD5
LFD8
LR33H
М101Р04
М14
М1В1
М1В5
М1В9
М4Е9
M4HZ
М500В .
М500С
М68
М69С
М70В
М70С
М72В
МА1120
МА145
МА161
МА165
МА166
МА215
МА231
МА232
МА240
Приближенный
отечественный
аналог
КД509А
КД521А
КД509А
Д220
Д22ОБ
Д220Б
Д220Б
Д220Б
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
Д818А
КС133А
КС133А
КС139А
КЦ106А
КЦ106В
КС133А
КД521Г
КД521А
КД521А
КД521А
КЦ11ГА
КЦ111А
КЦ201Б
КД205Л
КД205Л
Д2375
Д237А
КС106Г
КЦ201Д
КС147А
КД109А
КД109А
КД521Б
КД521Б
КД521Б
КД521Б
КД106В
КС133А
Д231Б
Д229В
КД208А
КД208А
КД208А
КЦ409В
Д229Е
КД205Е
КД205А
Д229Ж
КД205Г
Д7Ж
КД407А, КД205Б
КД105В
Д813
KB 146
КД513А
КД711А
КД513А, КД513Б
КД205В
Д242
Д243
Д243
Зарубежные диоды, варикапы,
стабилитроны и их отечественные аналоги 471
Тип диода
MA27W
МА345
МА4303
МА4304
МА4305
МА4306
МА4307
МА4308
МА4761
МА4К072-184
МА4К072-975
МА56
МА856
MAD1108C
MAD1108P
MAD1130C
МВ236
МВ253
МВ254
МВ258
МВ259
МВ260
МВ261
МВ262
МВ263
МВ264
МВ265
МВ267
МВ27О
МВ271
МВ272
МВ273
МВ336
MBR10100
MBR1070
MBR1520
MBR1545CT
MBR2402F
MBR2520
MBR750
МСОЗО
МС030А ~"
МС0905А
МС108
МС433
МС461А
МС51
МС52
МС5321
МС53
МС55
МС58
МС59
МС6010А
МС6015А
МС60
МС903
МС905
МС906
МС906А
МС908
МС908А
MCPD521A
MCPD521B
Приближенный
отечественный
аналог
КС115А
KB 146
КД509А
КД5О9А
КД5О9А
КД509А
КД512А
КД512А
КВПЗБ
КВ115(А-В)
КВ115(А-В)
КД923А
КД532А
КД917А
КД917А
КД919А
КД208А
Д229К
Д229Л
Д229Ж
КД2О5Г
КД205Л
КД2О5В
Д229К
КД2О5Б
Д229Л
КД205А
КД205Ж
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229Л
КД1О6А
КД271Г
КД271В
КД272А
КД238А
КД273Г
КД273А
КД27ОВ
Д226В
Д226В
КД521Г
КД5О9А
КД521А
КД522А
Д226В
КД521А
КД521Г
КД521Г
КД521Б
КД5О9А
КД521Б
КД168А
Д811
КД4О1Б
КД5О9А
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД5О9А
КД509А
КД521Б
КД521Б
Тип диода
MCPD521C
MGD73
MGDA39
MHD611
MHD612
MHD614
MHD615
MHD616
МК39С-Н
ММ1001
MMBD511
ММС1002
ММС1003
ММС1004
ММС1005
ММС1007
MR100
MR1337-2
MR1337-4
MR 1337-5
MR2402F
MR47C-H
MR80
MR90
MS5
МТ020А
МТОЗО
МТОЗОА
МТ040
МТ040А
МТ050
МТ050А
МТ060
МТ060А
МТ14
МТ2061
МТ2О6
МТ44
МТ458
МТ462А
МТ482В
МТ5140
МТ705
MV1656
MZ1009
MZ4622
MZ4624
MZ4A
MZ6A
MZC3
N5465C
NC47
ОА91А
Р1ООА
Р1ООВ
Р1010
Р12О7ОА
Р15ОВ
Р20ОА
Р2010
Р205
Р2К5
Р2М5
Р3010
Приближенный
отечественный
аналог
КД521Б
КД521А
(А, В) КС139А
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
КД509А
КС139А
КД521А
АД110А
КД521А
КД5214
КД521А
КД521А
КД521А
МД218
Д229Ж
Д229К
Д229Л
КД273Г
КС147А
МД217
МД218
ДЗО5
КД2О5Г
КД205В
КД2О5Б
КД2О5В
КД2О5Б
КД205А
КД2О5А
КД2О5Ж
КД205Ж
Д229В
КД109В
КД109В
Д229Е
Д223Б
КД103А
КД522Б
КД109А
КД512Б
КВ116А-1
Д818А
КС139А
КС147А
КС147А
КС168А
КС133А
КС112А-1, КВ112Б-1
КС547В
ДЮ4
Д229Ж
КД208А
Д242
Д229Л
КД208А
КД205Л .
Д243
Д206
Д210
Д211
Д245
Тип диода
Р400А
P4F5
P4HZ
Р4К5
Р4М5
Р4Н5
Р5010
P5D5
Р665
P6F6
P6HZ
Р6К5
Р6М5
P7G5
Р7Н5
Р8010
P8HZ
РС116
PD116
PD126
PD127
PD133
PD5006A
PD60O4A
PD6010
PD6010A
PD6045
PD6O47
PD6051 ••
PD6056
PD6202
PD6206
PD911
PD912
PD914
PD915
PD916
PFF2
PR1O3
PS12O
PS13O
PS140
PS15O
PS16O
PS2415
PS2416
PS2417
PS440
PS53O1
PS53O2
PS53O3
PS632
PS633
PV003
PVOO8
PVI5O5-15
РХ1ОО
РХ5О
РАО5
РЕЮ
РЕ2О -
РЕ4О
РЕ60
РК236
Приближенный
отечественный
аналог
Д229Л
КД2О4Б, МД226А
Д246Б
КД205Е
КД105В
Д7Ж, МД226
КД2О6Б
Д229В
КД2О5В
КД2О5Г
КД206В
КД205А
КД205Ж
Д229К
Д246Б
КД210Б
КД210Б
Д901 (А-Е)
МД218
Д220Б
Д312А
ДЮ1
КС147А
КС139А
КД2О6В
КС168А
КС139А '
КС147А
КС168А
Д811
КС147А
КС168А
Д210
Д211
МД217
МД218
МД218
КЦ412В
КД226А
КД205Г
КД2О5В
КД2О5Б
КД205А
КД205Ж
Д211
МД217
МД218
Д229Е
Д204
Д205
КЦ4ОА1
Д226В
Д226В
КВ1ОЗ (А, Б)
KB 106 (А, Б)
КВ101
Д2206
Д220
Д305
Д304
Д243Б
Д246Б
Д248Б
КС 162 А
472
Раздел 7. Аналоги
Тип диода
РН1217
PHI 237
РТ520
РТ530
РТ540
Q12-200
Q12-200A
Q12-200T
Q12-300
Q12-300A
Q12-300B
R040
R250C
R3400606
R3400806
R421
R602
R604
R606
R612
R614
R616
R704
RD264
RD30EC
RD7AN
RD91MB1
RL252
RLS4450
RM15TC40
RZ18
RZ22
RZZ11
SI ,5-0,1
S101
S106
S10VB60
S125
S15
S15S6
S17
S18A
S19
S1R60
S1RBA60
S20-06
S205
S206
S208
S210
S219
S222
S223
S234
S23A
S252
S253
S256
S26
S28
S2A-12
S2E20
S2E60
S30
Приближенный
отечественный
аналог
KB107A
КВ107Б
КД2О5Л
Д229К
Д229Л
КД521Д
КД521Д
КД521Д
КД521Д
КД521Д
КД521Д
КД411Г
КД412Б
КД412В
КД412Б
Д243
Д243Б
Д246
КД206В
Д243
Д246Б
КД206В
КД416А
ДЮ
КД531В
KC482A
Д809
ДЮЗ, ДЮЗА
КД504А
КД529 (А, В, Г)
КС218Ж
КС222Ж
КС211Ж
КД208А
КД205Г
Д7Ж
Д233Б
КД206В
КД205А
КД272В
КД205Г
КД205А
Д7Ж
КД109В
КД109В
Д248Б
Д210
Д211
МД217
МД218
Д7Ж
КД205Г
КД205В
КД105Г
КД205Ж
КД205Г
КД205В
КД105Ж
Д229К
КД105Г
Д243
КД205Г
КД205Ж
КД205Ж
Тип диода
S31
S35A32OFR
S427
S48
S4M
S5A1
S5A2
S5A3
S5A6
S5AN12
S65250
S83
S8A12
S92A
SA283
SC5100
SD11F
SD17
SD1A
SD4756A
SD51
SD91A
SD92A
SD93
SDA113B
SDA113C
SDA113D
SDA113E
SDA113P
SDR30O8
SDR6003
SE05
SE05B
SE1.5
SED107
SED107
SFD83
SG211 A)
SG52OO
SG5260
SHVM15
SJ103 (Е, к)
SJ104 (Е, К)
SJ203 (Е, К)
SJ304 (Е, К)
SK802
SK808
SL3
SL92
SM20
SM230
SM400
SN3142B
SP6
SPD5817
SPG100
SR1002
SR504
SR520
SR580
SR712F
SR714F
SRS360
ST23
Приближенный
отечественный
аналог
КД2О5В
Д215,Д215А
КД210Б
КД205А
Д232, Д232А
Д304
Д243Б
Д245Б •
Д248Б
КД206 (Б-Г)
КД509А
Д229К
КД210Б
КД205Л
Д202
КД509А
ДЮ1
КД205Г
КД205Ж
КС547В
КД2991А
Д229Ж
КД205Л
Д229К
КД226А
КД226Б
КД226В .
КД226Г
КД226Д
КЦ401Г
КД243В
КД205Г
КД205Ж
КД208А
ДЮ
ДЮ
КД521Г
Д105, Д106
КД521А
КД521А
КЦ201Е
Д304
Д242
Д243Б
Д243
КД270А
КД270В ,
Д245Б
МД226Е
КД205Л
Д229К
КЦ412А
КС119А
КЦ106Б
АД516 (А, Б)
КЦ106Г
КД271А
КД270Г
КД269А
КД269В
КД416Б
КД416А
КД202Р
Д219С, Д220С, Д223С
Тип диода
STB2
SV131
SV134
SV31
SVC151
SVC252
SVM9010
SVM9011
SVM9020
SVM9021
SVM905
SVM91
SW05
SW05B
SWISS
SZ11
SZ3-120-20-25
SZ3-120-5-25
SZ3-130-10-25
SZ3-150-20-25
SZ3-180-20-25
SZ9
SZP5-2O-2O-1
TF24
ТК20
ТК40
ТМ17
ТМ37
ТМ47
ТМ57Р
ТМ64
ТМ7
TMD45
TR251
TR251
TS1
TS2
TS4
TSZ6.2
UC1610
UP12069
UP 12070
UR215
URE100X
URF100X
URG100X
US60A
UT112
UT113
UT114
UT115
UT212
UT213
UT3020
UT3040
UTX3105
UTX3105
V10
V346
V910
VC556V
VC885D
VLA-722
VSK2045
Приближенный
отечественный
аналог
КС113А
Д818А
Д811
КД109Б
КВ135А
KB132А
Д818А
Д818А
Д818А
Д818А
Д818А
Д818А
КД205Г
КД206Ж
КД205Л, Д229Ж
Д811
КС620А
КС620Н
КС630А
КС650А
КС680А
Д818А
КС220Ж
Д226В
КД205Л
Д229Л
КД202В
КД202Ж
КД202К
КД202М
КД2О2Р
КД202АП
Д207
КД2994 (Б-Г), КД2999А
КД2994А
Д229Ж
КД205Л
Д229Л
КС162А
КД917А
КД205Л
Д229Л
ДЗОЗ
Д304
Д304
КЦ109А
Д902
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229Л
Д229К
Д229Л
КД226Г
Д304
АД516А
АД516Б
КЦ409А
Д902
КВ114А
КВ139А
КВ110А
КВ114Б, КВ139А
КД238БС
Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги
473
Тип диода
VSK2045
VVC861
WC898
WC901
VVC
WC
WC925
Х60С
XS10
XS17
Z1500
Приближенный
отечественный
аналог
КД238БС
КВНО(Б-Е), КВПЗА
KB104А
KB 104 (Б-Е), КВ105А
1027КР105Б, КВ117А
1638КВ117Б, KB 102А
КВ102 (Б-Д), КЦ105В
Д229Ж
КД205Л
КЦ201Г
КС156А
Тип диода
Z1555
Z1560
Z1565
Z1570
Z1A11
Z1A5.6
Z1A6.8
Z4A15
Z4B68
Z80F
ZC831
Приближенный
отечественный
аналог
КС156А
KG 156 А
КС156А
КС156А
Д811
КС 156 А
КС 168 А
КС551А
КС568В
КС156А
КД134А9
Тип диода
rZC833
ZD13
ZF3.3
ZMM5257
ZP151 -
ZPD3.3
ZR936-50
ZR937-50
ZRY82
Приближенный
отечественный
аналог
КВ134А, КВ117(А,В)
КС515А
КС113А
КС533А
КС551А-
КС106А9
Д810
Д810
КС591А
7.8. Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги
Тип
150-325РАН1200
1N4202
2-ТА92525
2-ТА95525
25ТА2525
2N2323
2N4990
2N4992
2N5062
2N5756
2N6027
2N6565
2N683A
3N4988
50-Т52081200
8N2O0
BR103
ВТА08-400
ВТХ328100
С103
DT151-500R
EGG6404
МАС94-2
Приближенный
отечественный
аналог
КУША, КУ111Б, КУ211Д
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г,
КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н
КУ220А, КУ220Б, КУ220В, КУ220Г, КУ220Д
КУ220В
КУ222Г
КУ101 (А-Е)
КУ121А, КУ120Б, КУ503А
КУ503Б, КУ503В
КУ104Г
КУ221Д
КУ113 -.
КУП8А, КУ118Б, КУ118В, КУ118Г
КУ211В, КУ211Д
КУ120В, КУ120Б
КУ221В, КУ221Г
КУ110А, КУ110Б, КУ110В
КУ112
КУ208Г
КУ202Н
КУ104А, КУ104Б, КУ104В
КУ228Б1
КУ120В, КУ120Б, КУ120А
КУ224А, КУ223И
Тип
MCR100
NAS4443
NASB
NCM700C
РО102
S2800
SC141D
TAG307-800
TAG661-600
TIC106D
T1C206D
TIC206M
TIC216M
TL8003
TL8005
TO509NH
TXN1010
TY4010
TY6010
TYAL224B
Приближенный
отечественный
аналог
КУ118А, КУ118Б, КУ118В, КУ118Г
КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д,
КУ202Е, КУ202Ж. КУ202И, КУ202К,
КУ202Л, КУ202М
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г,
КУ202Д, КУ2О2Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М
КУ201А, КУ201Б, КУ201В, КУ201Г,
КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И,
КУ201К, КУ201Л
КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г
КУ228В1
КУ601Г
КУ208Г
КУ223
КУ223
КУ601Г
КУ208Б
КУ202В-1, КУ208В
КУ223И
КУ223И
КУ601Г
КУ228И1
КУ228А1
КУ210В, КУ211А.КУ220Г
КУ601А, КУ601Б, КУ601В
474
Раздел 7. Аналоги
7.9. Зарубежные оптоэлектронные приборы и их
отечественные аналоги
Тип
1354G
1371R
1374G
15RAG3011
15RAR3005
15RAY3013
170-4R
1N6094
225AD
5082-7404
5082-7405
5082-7415
5082-7431
споо 7449
5082-7433
5082-7441
5082-7740
5353R10
7610R
BR5334S
CGW89A
CQS94L
CQS95E4
CQS95E5
CQS95L
CQX24-9
CQX28
CQX29
CQX32
CQX74D6(A)
CQY49C
CQY58A
CQY89
CQY89A-2
CQY89A2
CQY89F(A)
CQY94BL
CQYP95
FCD830
FLEDG313A
GBG1000
GL107N12
GL107R12
GL450A
GL5ND5
GL5NP5
GLI05M11
GLI05R5
НА-1075
НА-1077
НА-1181
НА-1181
Приближенный
отечественный
аналог
АЛ305Г
АЛ305(Ж-Л)
АЛ305(А, Б)
КИПТ26Б-15Л
КИПТ26АЧ5К
КИПТ26В-15Ж
АЛЗОб(А-И)
АЛ102ДМ, АЛ360Б,
АЛ360Б1
КИПД17
АЛС311
АЛС328А
АЛС328В, АЛС328Г,
АЛС328Б
АЛС324Б-1
А Т\СХ\ $Ш
АЛС318Г
АЛС318А
АЛС324А-1
АЛ307ЖМ
АЛС309Б
АЛС307КМ
АЛ156Б
КИПД24А-Л
КИПД35Б-Л
КИПД35В-Л
КИПД35А-Л, КИПД17А-Л
АЛ336К
АЛ102(АМ-ГМ)
АЛ102ВМ
АЛ360А, АЛ360А1
КИПД36Е1-Ж
АЛ164А
АЛ 144 А
АЛ107А
АЛ107(Б-Г)
АЛ 164В
АЛ164Б
КИПД02Г-1Л
АЛС318А, АЛСЗЗО
АОТ126Б
КИПД06В-1Л
КИПТ24Д-10Л,
КИПТ24Е-ЮЛ,
КИПТ24Ж-10Л,
КИПТ24И-10Л
КИПТ22Б-7Л
КИПТ22В-7К
АЛ 144 А
КИПД37А-М,
КИПД37А1-М
КИПД19А-М
АЛС317В
АЛС317А
КИПЦ01А-1/7К,
КИПЦ01Е-1/7К
АЛЗО5Д
КИПЦ04А-1/8К.
КЛЦ302,
КЛЦ401
КЛЦ201
Тип
HD-1106
HD-1106
HD-11750
HDSP-3530
HDSP-4036
HLMP1071
HLMP1503
HLMP1600
HLMP2600
HLMP3000
HLMP3001
HLMP3003
HLMP3050
HLMP3105
HLMP3112
HLMP3315
HLMP3351
HLMP3451
HLMP3502
HLMP3554
HLMP3565
HLMP3650
LHLMP3762
HLMP6754
HLP30RB
HLP50RLB
IHD4252
LIRD4252
IRRD9451
L2347-01
L59EGW
L835/24DT
L835/2GDT
L835/2HDT
L835/2RDT
L835/4HDT
L835/4RDT
L851/2GDT
L851/2YDT
L865/4GDT
L865/4YDT
LD1005
LD1007
LD460
LD484
LD57C
LDR5093
LDY5391
LG3369EH
LN04202P
LN04302P
LN07302P
Приближенный
отечественный
аналог
АЛС324А, АЛС324Б,
АЛС324А-1, АЛС324Б-1
АЛС324В
АЛС321А, АЛС337А
АЛС321Б, АЛС337Б
АЛС326А, АЛС326Б,
АЛС327А, АЛС327Б
АЛ316А
АЛ307ВМ, КИПД14Г-Л
АЛ307БМ
КИПТ18А-4К
КИПД17Б-К
КИПД14Б-К
КИПД17А-К
КИПД14А-К,
КИПД14А1-К
АЛ316Б
КИПД17В-К
КИПДЮБ-К
АЛ307КМ
АЛ307ЖМ
АЛ307ГМ, КИПД14Д-Л
АЛ307НМ
КИПДЮВ-Л
АЛ307ЕМ
КИПД10А-К
КИПТ17В-4Ж,
КИПТ17В1-4Ж,
КИПТ18Б1-4Ж
АЛ177А
АЛ177Б
КИПД07А-К
КИПД07Б-К
КИПД05А-1К
АЛ 154 А
КИПДПА-М
АЛС362Д
АЛС362К1
АЛС362А
АЛС362А1
АЛС362Б
АЛС362В, АЛС362Б1
АЛС362Л1, АЛС362К,
АЛС362М
АЛС362Д1
АЛС362Л
АЛС362Е, АЛС362Ж,
АЛС362Е1
КИПД19Б-М
КИПДПБ-М
АЛС362П
КИПТ18Б-4Ж
АЛ336И
КИПД09А-К
АЛ336Е
АЛ310Г, КИПД01Б-1Л
КИПТ17А-4К,
КИПТ17А1-4К
КИПТ17Б-4Л,
КИПТ17Б1-4Л
КИПТ22А-7Л
Тип
LN66L
LNO5103P
LNO7202P
LNO7302P
LST1052
LST4253F
LTL254
LTL2600HR
LTL2620HR
LTL2720Y
LTL28OOG
LTL2820G
LTL52163
LY5480GK
MAN-1A
MAN-51A
MAN3900A
MAN78A
MBG5373SY
МСТ271
МСТ275
МСТ276
MGB51D
MMN39240
MY31D
MY31W
MY51W
NSC4830
OBG1000
OBG4830
OLP713
OP232TXV
OPL712
ОРТ601
ОРТ601
ОРТ603
PLED-512B
PLED-G313A6
PLED-G313A7
PLED-G511C9(A)
PLED-G533ML6
PLED-G543CL6
PLED-G543CL6
PLED-H514B
PLED-H514B5
PLED-H514B6
PLED-H541CL8
PLED-P513M
PLED-P513M5
PLED-P513M7(A)
PLED-P513M7
PLED-P514M4
PLED-P533ML6
PLED-Y513M(A)
PLED-Y5148
PLED-Y514B
PLED-Y514B5
Приближенный
отечественный
аналог
АЛ145А
АЛС317Б
КИПТ22А-7К
КИПТ22Б-7Л
АЛ 160 А
КИПД05Б-1Л
КИПД14Е-Ж
КИПТ18А1-4К
АЛС362Г
АЛС362И
КИПТ18В1-4Л
АЛС362Н
КИПД35А-Ж
КИПД14И-Ж
АЛС312Б
АЛС338А, АЛС338Б,
АЛС338В
АЛ305Е
АЛЗО9А
АЛ307ГМ
АОТ123Г
АОТ 123 А
АОТ123Б, АОТ123В
КИПД14В-Л
АЛ308
КИПД05В-1Ж
КИПД02Д-1Ж
КИПД17Б-Ж
КИПТ24А-10К
КИПТ24Г-10К
КИПТ24А-1ОК,
КИПТ24Б-10К
КИПД18А-М
АЛ 163 А
АЛС331АМ
АОТ 128В
АОТ128Б, АОТ128Г
АОТ128Д
КИПД18Б-М
КИПД09В-Л
КИПД09Г-Л
АЛ336Н
КИПД36В1-Л
АЛ336В
КИПД36П-Л
КИПД21Б-К
АЛ336А
КИПД21В-К
АЛ336Б
КИПД35А-К
КИПД35В-К
КИПД09Б-К
КИПД36Б1-К
КИПД35Б-К
КИПД36А1-К
КИПД17А-Ж
АЛ307ДМ
АЛ310Е
КИПД24В-Ж
Аналоги отечественных транзисторов
475
Тип
PLED-Y544CL
R1M-053-052
RBG1000
SFH400-3
SFH480
SFP8706-2
SG1009
SG1010
SL5004
SLA-2232
SLH56MT
TIHR4605
TIL264
TIL268
TIN 105
TIN111
Приближенный
отечественный
аналог
АЛ310Д, КИПД24А-Ж,
КИПД17В-Л
КИПТ09А-53Л,
КИПТ09Б-53Л
КИПТ24В-10К
АЛ156А
АЛ156Б
АЛ159(А-Б)
АЛ136А, АЛ138А
АЛ137А
КИПД21А-К
КИПГ02А-8Х8Л
КИПД02В-1Л
АЛ307АМ
АЛС345В, АЛС345Г
АЛС345А, АЛС345Б
АЛ 154 А
АЛ154Б
Тип
TIN115
TKG144
TLG102A
TLG145
TLG163
TLG259
TLHG5400
TLHG5403
TLHY5101
TLHY5414
TLLR4400
TLPY144
TLQ132
TLQ133A
TLR114
TLR145
TLS124EH
Приближенный
отечественный
аналог
АЛ 154В
КИПД06Г-1Л
АЛ310В, КИПД01А-1Л
КИПД10Г-Л
АЛ336И1
КИПТ18В-4Л
АЛ336И, КИПД24Б-Л
КИПД24В-Л
АЛ336Ж
АЛ336Д
АЛ310А
КИПД24Б-Ж
КИПД36И1-Р
КИПД36Ж1-Р
КИПД24А-К
КИПД24Б-К
КИПД02Б-1К
Тип
TLUH6413
TLUR114
TLUR120
TLUR5101
TLUR5403
TLUH6601
TLY134A
TLY255
TSHA55OO
TSHA5501
TSHA5502
TSTS7201
TSUS5400
TSUS5402
UQB37
UQB71/A
Z252YH
Приближенный
отечественный
аналог
КИПД31Г-К
КИПД06А-1К, КИПД24В-К
КИПД06Б-1К
КИПД31В-К
КИПД31Б-К
КИПД31А-К
КИПД35В-Ж
КИПД35Б-Ж
АЛ 145В
АЛ145Г
АЛ145Д
АЛ145А
АЛ145Б, АЛ165А
АЛ165Б
КЛ114А, КЛ114Б, КЛ114В
АЛ304(А-Г), АЛС312А
КИПД36Д1-Ж
7.10. Аналоги отечественных транзисторов
Тип
прибора
АП320А-2
АП320Б-2
АП324А-2
АП324Б-2
АП324В-2
АП325А-2
АП326А-2
АП326Б-2
АП328А-2
АПЗЗОА-2
АПЗЗОБ-2
АП330В1-2
АПЗЗОВ-2
АП330В2-2
АПЗЗОВЗ-2
АП331А-2
АП339А-2
АП343А1-2
АП343А-2
АП343А2-2
АП343АЗ-2
АП344А1-2-
АП344А-2
АП344А2-2
АП344АЗ-2
АП379А-9
АП602А-2
АП602Б-2
АП602В-2
АП6О2Г-2
АП603А-2
АП604А-2
АП605А1-2
АП605А-2
АП605А2-2
АП606А-2
АП606Б-2
АП607А-2
Аналог
NE695
NE13783
2SK123
2SK124
АТ8040, CFX13
GAT-5
AT8041.GAT6
CFX14
NE46383
JS8830AS
NE673
JS83O
CFX14
FRH01FH
FRH01FH
CFY12, VSF9330
NE388-06
CFY25-17, 2SK1616
CFY25-2O
MGF4310
MGF4415
NE76184A
NE72089A
FSC10, ATF0135
FHC30LG/FA
GF739
DXL3501
NEZ1112
CFX31
МТС-Т1250
MGF-X35M-01
DXL3610A
NE90089A
DXL2608A
АТ8250
MGF2116
MGF2324-01
FLX102MH-12
Тип
прибора
АП608А-2
АП915А-2
ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГГ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТ115А
ГТ115Б
ГТ115В
ГТ115Г
ГТ115Д
ГТ122А
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
ГТ305А
Аналог
JS8864AS
FLM7177-5
2N130A
2N1352
2N220
2N1471
ОС57
OC58.2N77
ОС59
2SB90
2SA53
2N139, 2SA49
2SB90
2SA49
АС107, 2N107
2N506
2N535A
АС122, 2N536
2SB262
2N438
2N233A
2N1366
2N1366
2SA195
2SA40
2SA277
2SB55
2SA211
2SA173
2SA391
2SA396
2SA205
2SA204
2SA206
2SB15
2SB55
2SB15
2N499A
Тип
прибора
ГТ305Б
ГТ305В
ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308В
ГТ309А
ГТ309Б
ГТ309В
ГТ309Г
ГТ309Д
IT3Q9E
ГТ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
ГТ310Д
ГТ310Е
ГТ311А
ГТ311Б
ГТ311В
ГТ311Г
гтзпд
ГТ311Е
гтзпж
гтзпи
ГТ313А
ГТ313Б
ГТ313В
ГТ320А
ГТ320Б
ГТ32ОВ
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
Аналог
AFY39
2N1292
2N797
2N796
2N2048
2SA272
AF178, AFZU
2SA272
2SA266
2SA268
2SA69
2SA260
2N503
AFY13
2SA116
2N128
2SA105
2N2699
2N2699
2N2482
2N1585
2N2482
2N2699
2N1585
2N797
AFY11
2N1742
2N741
2N3883
2N711A
2N705
2SA479
2SA312
2^А78
2N1384
2SA312
2N1384
AF124
476
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ329А
ГТ329Б
ГТЗЗОЖ
ГТЗЗОИ
ГТ338А
ГТ341А
ГТ341Б
ГТ341В
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
ГТ362А
ГТ362Б
ГТ376А
ГТ402Д
ГТ4О2Е
ГТ402Ж
ГТ4О2И
ГТ4ОЗА
ГТ4ОЗБ
ГГ403В
ГТ4ОЗГ
ГТ403Д
ГТ403Е
ГТ403Ж
ГТ4ОЗИ
ГТ403Ю
ГТ4О4А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404Г
ГТ404Д
ГТ404Е
ГТ404Ж
ГТ404И
ГТ405А
ГТ405Б
ГТ4О5В
ГТ405Г
ГТ406А
ГТ701А
ГТ7ОЗА
ГТ7ОЗБ
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ7ОЗД
ГТ705А
ГТ7О5Б
ГТ705В
ГТ7О5Г
ГТ7О5Д
ГТ8О6А
ГТ8О6Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
ГТ81ОА
ГТ905А
ГТ9О5Б
К1НТ251
Аналог
AF275, AF427
AF271, AF430
AF109R, AF2OO
AF106, AFY12
AF106A
2N5044
2N5043
AF279, 2N5044
AF28O
ASZ23
TIXM101
TIX3024
TIXM104, 2N2999
AF239, AF253
AF139, AF240
AF239S
TIXM103
TIXM103
2N700A, 2N2360
АС152
АС 132. АС 188
АС 124
АС117, АС128
AD152
AD152, AD164
ASY77
ADP466, ASY77
ASY80
AD155, AD169
5NU72
АС124
ASY80
АС 176
АС127, АС141В
GD607
АС181
АС141В
2SD127 *
2SD128A
2SD128
АС152
АС132
АС124
АС117
AD164
AD314, AD542
AD14S
2NU73
AD148, ADY27
AD150, AD162
4NU73
2^41292
2N4077
2N326
2N1218
AD161
AL102, AUY35
AL103. АШ08
AL100, AUY38
AUY35
AUllI
AU104, AU113
AUY10
2N2148
LDA405
Тип
прибора
КШТ661А
КП103Е
КП103МР1
КП150
КП24О
КП250
КПЗО1Б
КП302А
КПЗО2АМ
КП302Б
КП302БМ
КП302В
КП302ВМ
КПЗО2Г
КП302ГМ
КПЗОЗА
КПЗОЗБ
КПЗОЗД
КПЗОЗЕ
КПЗОЗЖ
кпзози
КПЗО4А
КП305Д
КП305Е
КП305Ж
КПЗО5И
КП306А
КП306Б
КПЗО6В
КПЗО7А
КПЗО7Б
КПЗО7В
КП307Г
КП307Д
КПЗО8А-1
КП310А
КП310Б
КП312А
КП314А
КП322А
КП323А-2
КП323Б-2
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327Г
КП329А
КП329Б
КП340
КП341А
КП341Б
КП346А-9
КП346Б-9
КП347А-2
КП350
КП350А
КП350Б
КП350В
КП365А
КП365Б
КП382А
КП402А
КП403А
КП440
КП450
Аналог
2SC1515K
2N3329
2N4360
IRF150
IRF24O
IRF25O
2N4038
UC714, 2N3791
2N3771
2N5397
2N3824
MFE2098
2N3972
NF500, 2N4093
2N3971, 2N4393
2N3823
2N5556
2N3823
MFE3006
2N3821
2N3822
2N4268, Л 75
MFE3004, 2N4223
2N4224
MFE3004, 2N4223
2N4224
MFE3107
ТА7262
MFE121
2N5394
2N4223, 2N4220
2N4224
MFE2001, 2N4216
MFE2002
MMBF54592
SD200
SD201
SFE264
SD300
3SK28
2N4416
SD30O, 2SK316
BF96O, BF980
BF961
BF964
BF966
2N5104
2N3821
1RF340
2SK316
2SK5O8
BF996
BF991
BF966
IRF35O
3N140
BF905
BF960
BF410C
BF245C
BF960
BSS92
BSS89
IRF440
IRF45O
Тип
прибора
КП501А
КП501Б
КП5О2А
КП5ОЗА
КП504А
КП505А
КП510
КП52О
КП530
КП540
КП601А
КП601Б
КП610
КП620
КП630
КП640
КП704А
КП704Б
КП705А
КП705Б
КП706А
КП706Б
КП706В
КП707А
КП707А1
КП707Б1
КП707В1
КП707В2
КП709А
КП709Б
КП710
КП712А
КП717А
КП717А1
КП717Б
КП717Б1
КП717В
КП717В1
КП717Г
КП717Г1
КП717Д
КП717Д1
КП717Е
КП717Е1
КП718А
КП718А1
КП718Б
КП718Б1
КП718В
КП718В1
КП718Г
КП718П
КП718Д
КП718Д1
КП718Е
КП718Е1
КП720
КП722А
КП723А
КП723Б
КП723В
КП723Г
КП724А
КП724Б
КП725А
Аналог
ZVN2120A
ZVN2120C
BSS124
BSS129
BSS88
BSS295
IRF51O
IRF52O
IRF530
IRF54O
СР640, U291
СР651, U320
IRF61O
IRF62O
IRF630
IRF640
BUZ32, 2SK757
BUZ31
BUZ53A
IXTM4N95
MTM15N50
IRF841
BUZ385
2SK298
BUZ6O, IRF73O
BUZ90
IRFBE30
IRFBE32
BUZ90A
BUZ90
IRF71O
IRF9130
IRF453, 2SK313
IRFP453
IRF35O
BUZ323
IRF353
IRFP353, 2SK556
IRF352
IRFP352
IRF341
IRFP341
1RF340
IRFP340
BUZ45
BUZ330
SGSP574
SGAP574
BUZ45A
BUZ354
IRF441
IRFP441
IRF452
IRFP452
IRF453
IRFP453
IRF72O
BUZ36
IRFZ44
IRFZ45
IRFZ40
IRF42
MTP6N60
IRF842
IRF450
Аналоги отечественных транзисторов
477
Тип
прибора
КП726А
КП727А
КП727Б
КП727В
КП727Г
КП727Д
КП727Е
КП727Ж
КП728А
КП730
КП730А
КП731А
КП733А
КП740
КП801А
КП801Б
КП801В
КП8О1Г
КП802А
КП802Б
КП803
КП804А
КП805А
КП805Б
КП809А
КП809Б
КП809В
КП809Д
КП810А
КП810В
КП812А1
КП812Б1
КП812В1
КП813А
КП813А1
КП820
КП830
КП840
КП901А
КП901Б
КП902А
КП902Б
КП902В
КП903А
КП9О4А
КП904Б
КП905А
И1908А
КП922А
КП923А
КП923Б
кП923В
КП923Г
КП928А
КП928Б
КП937А
КП944А
КП945А
КП951А-2
КП953(А-Г)
КТ1О4А
КТ104Б
КТ104В
КТ1О4Г
КТ117А
Аналог
BUZ90
BUZ71, IRF720
MTP3N08L
MTP3N08L
2SK1057
2SK1087
2SK700
SGSP201
BUZ307
IRF730
IRGBC40M
IRF710A
IRF710
IRF740
BF96O, 2SK6O
2SK76A
2SK134
2SK133
2SK215, IRF42O
IRF420
BUZ54A
IRFD111
YTF832
IRFBC40
IRF340
BUZ45
BUZ94
BUZ22O
STHI08100
STHI08N100
IRFZ44
IRFZ45
IRFZ34
BUZ36
BUZ350
IRF820
IRF830
IRF84O
VMP1
VN89AD
VMP4
2NL234B
DV1202S
СР651
В85О-35
MRF148
2N4092
3N169, IVN5200
IRF132
F2001, UMIL40FT
F2002, F2013/H
F2003, F1053
F2005
F1O27
UF28120
2SK1409
IRF9020
IRFR020
F1201
BUV48.2SC3040 C277,3318)
2N1028
BSZ10
ОС202
ОС200, 2N1219
BRY56
Тип
прибора
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КТ119А
КТ119Б
КТ132А
КТ132Б
КТ133А
КТ133Б
КТ201А
КТ201АМ
КТ201Б
КТ201БМ
КТ201В
КТ201ВМ
КТ2О1Г
КТ201ГМ
КТ201Д
КТ201ДМ
КТ203А
КТ203Б
КТ203В
КТ208А
КТ208Б
КТ208В
КТ2О8Г
КТ208Д
КТ208Е
КТ208Ж
КТ208И
КТ208К
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ2О9В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТЗО1Г
КТ301Д
КТЗО1Е
КТ301Ж
КТЗО6А
КТ306АМ
КТ306Б
КТ306БМ ¦
КТЗО6В
КТ306ВМ
КТ306Г
КТ306ГМ
КТ306Д
КТ306ДМ
КТ3101АМ
КТ3102А
КТ3102АМ
Аналог
2N2647
2N4893
MU4894
3N105, 3N74
3N106
3N107
2N1671
2N4891
2N2646
2N2647
2N4870
2N4871
2N2432
2N3565
2N2432A
MPS9601
2N1590
MPS9600
2N2617
2N2932
2N2617
2N2933
ОС203
2N923
2N2277
2N2332
2N2333
BCY91
BCY33, 2N2334
BCY12, 2N2335
BCY10, BCY90
2N923
BCY92
BCY93
BCY11
BCY31
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404A -
MPS404A
MPS404A
2N1390
2N842
ВС101
2N843
BSX66
MPS2713
2SC601
MPS2713
2SC400
MPS834
BSX67
MPS2714
BSX67
MPS834
2SC1236
ВС107АР, ВСЗ17
ВС182А
Тип
прибора
КТ3102Б
КТ3102БМ
КТ3102В
КТ3102ВМ
КГ3102Г
КТ3102ГМ
КТ3102Д
КТ3102ДМ
КТ3102Е
КТ3102ЕМ
КТ3102Ж
КТ3102ЖМ
КТ3102И
КТ3102ИМ
КТ3102К
КТ3102КМ
КТ3106А-2
КТ3107А
КТ3107Б
КТ3107В
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Л
КТ3108А
КТ3108Б
КТ3108В
КТ3109А
КТ3109Б
КТ3109В
КТ3114Б-6
КТ3114В-6
КТЗП5А-2
КТ3117А
KT31I7A-1
КТ3117Б
КТ3120А
КТ3121А-6
КТ3122А
КТ3122Б
КТ3123А-2
КТ3123АМ
КТ3123Б-2
КТ3123В-2
КТ3126А
КТ3126А-9
КТ3126Б
КТ3127А
КТ3128А'
КТ3129А-9
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
КТ312А
КТ312Б
КТ312В
КТ3130А-9
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
Аналог
ВС107ВР, ВСЗ 18
ВС182В
ВС108АР, 2SC1815
ВС183В
ВС108СР
BCY57
ВС184А, 2N2484
ВС452
ВС109СР, ВС319
ВС538, 2SC923K
2N4123
ВС183А
BCY65
2N4123, ВС382С
ВС452
2N4124, ВС548В
2SC1254
ВС557А, MPS3703
ВС212А, ВС307А
ВС178АР, BCY72
ВС308А, ВС558А
ВС178ВР, ВС308В
ВС179АР, ВСЗО9В
ВС179ВР, ВС559
ВС212С, ВС307В
ВС213С, ВС308С
ВС309С, ВС322С
2N3250
2N3251
2N325OA
BF680, 2SA983
BF979
BF970
МА2123
NE73435
FJ401
2N2121, 2N2221
BFX94, NT2222
2N2121A, 2N2222
BF480, К5002
FJ2O3
2N3033
2N5236, 2N5270
2N3953
2SA967
2SC2369
2SC2368
2N4411
2SC2188
S3640
BF182, BF183
BF362, BF363
BCW89
BCW69
BCF29, BCW29
BCF30, BCW30
2SB709
2N702
BCY42. 2SC105
BCY43, 2N703
BCV71, BCW60A
BCF81, BCV72
BCF32, BCW60C
BCW33
BCW32
478
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
КТ3132А-2
КТ3132Б-2
КТ3132В-2
КТ3139А
КТ3139Б
КТ3139В
КТ3139Г
КТ313А
КТ313А-1
КТ313Б
КТ313Б-1
КТ313В-1
КТ313Г-1
КТ3140А
КТ3140Б
КТ3140В
КТ3140Г
КТ3140Д
КТ3142А
КТ3145А-9
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТ3145Г-9
КТ3145Д-9
КТ3146А-9
КТ3146Б-9
КТ3146В-9
КТ3146Г-9
КТ3146Д-9
КТ3151А-9
КТ3151Д-9
КТ3151Е-9
КТ3153А-9
КТ3157А
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
КТ3165А
КТ3166А
КТ3168А-9
КТ3169А-9 ч
КТ3169А9-1
КТ316А
КТ316АМ
КТ316Б
КТ316БМ
КТ316В
КТ316ВМ
КТ316Г
КТ316ГМ
КТ316Д
КТ316ДМ
КТ3170А-9
КТ3171А-9
КТ3172А-9
КТ3173А-9
Аналог
BCF33
2SD601
FJ2O1F, 2N6617
HXTR6102
HXTR6101
BCW60A
BCW60AR
BCW60BR
BCW60BL
2N2906, 2SA530
2N4123
2N3250, 2SA718
ВСЗ17
ВСЗ18
ВС319
YTS4126
YTS4125
РМВТ3906
ММВТ3906
ММВТ3906
2N2369, 2N5769
BCW60AA, ВСХ70АН
BCW60BL
BCW60AR
BCW60A
BCW60AB
ВСХ71
BSS69
MMST3906
PBMS3906
РВМТ3906
BCW31
2SC1009A, ММВТА20
2N2246
BCW60, ВСХ70
BF423
BFP719
BFP72Q, 2N2712
BFP721
BFP722
2SC641
2N3397
2N2711
2SC634
2SC633
BFP722
BF727, BF970
2SD602
2SC2351
BF569
BF569
2N3010
2N4254, NTE107
2N709
MPS6541
2N709A
MPS6543
2SC4O
2N4255, KSC1395
2N2784
KSC173O
2SC2295, BF554
2SB97O, 2SD1742
BCF72, 2N3974
2SB71O
Тип
прибора
КТ3176А-9
КТ3179А-9
КТ317А-1
КТ3180А-9
КТ3186А-9
КТ3187А-9
КТ3187А-91
КТ3187В-91
КТ3189А-9
КТ3189Б-9
КТ3189В-9
КТ3191А-9
КТ3191А-91
КТ3192А-9
КТ3196А-9
КТ3197А-9
КТ3198А
КТ3198Б
КТ3198В
КТ3198Г
КТ321А
КТ321Б
КТ325А
КТ325АМ
КТ325Б
КТ325БМ
КТ325В
КТ325ВМ
КТ326А
КТ326АМ
КТ326Б
КТ326БМ
КТ337А
КТ337Б
КТ337В
КТ339А
КТ339АМ
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ340В
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
КТ342АМ
КТ342Б
КТ342БМ
КТ342В
КТ342ВМ
КТ342Г
КТ342ГМ
КТ342ДМ
КТ343А
КТ343Б
КТ343В
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ349А
Аналог
2SD602
2SD814
BCV52
2SB1220Q
BFG67, BFG92A
BFR92A
BFR92
BFS17
ВС847А
ВС847В
ВС847С
BFT92
BFT92
BF569
ММВТ3906
ММВТ3904
BFR90
BFR90A
BFR91
BFR91A
BSV64
ММ2260
2N2615
2SC1215
2N2616
2SC1188
2SC612
2N5770, 2SC1395
ВС178
BFX12
BFY19
BFX13
2N3304
2N4207
2N3451
BF208
BF199
BF3U
BF173
BF197
MPSH37
BSX38A, 2N753
ВС218
BFX44, 2N706A
BSY38
BSY26
ВС107А, 2N929
2SC454B
ВС107В
ВС239В
ВС109С
ВС239С
ВС108С
2N4124
2N4123
2N3545
BSW19
BSY40
ВС513
BSY81.2N3249
2SA568
2N869A
BSY81
BSY81
2N726
Тип
прибора
КТ349Б
КТ349В
КТ350А
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
КТ355А
КТ355АМ
КТ357А
КТ357Б
КТ357В
КТ357Г
КТ358А
КТ358Б
КТ358В
КТ361А
КТ361А1
КТ361А-2
КТ361Б
КТ361В
КТ361Г
КТ361Г1
КТ361Д
КТ361Д1
КТ361Е
КТ361Ж
КТ361И
КТ361К
КТ361Л
КТ361М
КТ361Н
КТ361П
КТ363А
КТ363АМ
КТ363Б
КТ363БМ
КТ366А
КТ368А
КТ368А-9
КТ368АМ
КТ368Б
КТ368Б-9
КТ368БМ
КТ371А
КТ371АМ
КТ372А
КТ372Б
КТ372В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
КТ375А
КТ375Б
КТ382А
КТ382АМ
КТ382Б
КТ382БМ
КТ391А-2
КТ392А-2
КТ399А
КТ399АМ
КТ501А
КТ501Б
Аналог
2N727
ВС158А
MPS6563
ВС216
ВС 192
ВС355А, 2N869
ВС355
BFX89, 2N5842
2SC1954
2SA628
2SA495G
MPS3639
2SA495
2N3709
2N3710
2N3710
ВС52ОА, 2SA778
2SA555
2SA610
ВС250В
BCW58
ВС 157, 2N3905
BCW58
ВС557
ВС 157
2SA566
ВС 157
ВС 157
BCW62A
2N3964
ВС 157
2SA556
ВС557
2N3546, 2N4260
2N5771
2N4261
MPSL08
BFS62
2N918
BF599
BF597
2N917
2SC3827
2SC3801
BFR90
BFR90
2SC1090
BFR34
2N5652
ВС 147А, ВС 168А
ВС147В, ВС167В
ВС148С, ВС168С
ВС 157, BCW47
BCW88A, 2N3903
BSX80, 2N3904
ММТ2857
К2122СВ
BFW92
К2113В
HP3586L
BF316
BFW30, 2N2857
2SC1789
SFT130
SF125
Аналоги отечественных транзисторов
479
Тип
прибора
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
КТ501Е
КТ501Ж
КТ501И
КТ501К
КТ501Л
КТ501М
КТ502А
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
КТ502Е
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
КТ503Е
КТ504А
КТ504Б
КТ504В
КТ505А
КТ505Б
КТ506А
КТ506Б
КТ5О9А
КТ601А
КТ602А
КТ602АМ
КТ602Б
КТ6О2БМ
КТ602В
КТ602Г
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604А
КТ604АМ
КТ604Б
КТ604БМ
КТ605А
КТ605АМ
КТ605Б
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ608А
КТ608Б
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ610А
КТ6110А
КТ6110Б
КТ6110В
КТ6110Г
Аналог
SF131
BCY90B, 2N1221
BCY38
SFT124
SFT143
SFT144
BCY54
BCY94B
BCY39, BCY95B
KSA539R
KSA539O
KSA545O
KSA539Y
KSA545R
BSS68
KSD227O
MPS2712
KSC853R
KSC853R
KSC853R
BSS38
2N3439
2N2727
2N3440
2N5416, MJ4646
BFT19A, BFT28C
BUX54
BUX84
TRSP5014
BFY80
BF177
BSS38, 2SD668
2N1566A
2SC1567
ММЗООО
SF123C
BSW36
2SC796
2N2237
BSW36
BSW36
BSW36
2SC151H
2N3742
2SC2611
BD115
2SC1611
ВС1ОО
BF471
2SC1O56
BF471
2N5090
RFD401
BSY34
2N1959
SS9O12D
SS9012E
SS9O12F
SS9012G
SS9O12H
BFW16, 2N6135
SS9O13D
SS9O13E
SS9013F
SS9O13G
Тип
прибора
КТ6110Д
КТ61Г1А
КТ6111Б
КТ6111В
КТ6111Г
КТ6112А
КТ6112Б
КТ6112В
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6113В
КТ6113Г
КТ6113Д
КТ6113Е
КТ6114А
КТ6114Б
КТ6114В
КТ6114Г
КТ6114Д,
КТ6114Е
КТ6115А
КТ6115Б
КТ6115В
КТ6115Г
КТ6115Д
КТ6115Е
КТ6116А
КТ6117А
КТ611А
КТ611АМ
КТ611Б
КТ611БМ
КТ611В
КТ6ПГ
КТ6129А-9
КТ6133А
КТ6133Б
КТ6133В
КТ6134А
КТ6134Б
КТ6134В
КТ6135А
КТ6135Б
КТ6135В
КТ616А
КТ616Б
КТ617А
КТ618А
КТ620А
КТ620Б
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТ630А
КТ630Б
КТ630В
КТ63ОГ
КТ630Д
КТ63ОЕ
КТ632Б
КТ632Б-1
КТ633А
КТ633Б
Аналог
SS9013H
SS9014A
SS9O14B
SS9O14C
SS9014D
SS9O15A
SS9O15B
SS9015C
SS9O18D
SS9O18E
SS9O18F
SS9O18G
SS9018H
SS9O18I
SS8O5OB
SS8O5OC
SS8O5OD
2SC2OO1M
2SC2OO1L, 2SD1513L
2SC2OO1K, 2SD1513K
SS8550B
SS855OC
SS855OD
2SA952M
2SA952L
2SA952K
2N54O1
2N5551
BF111
2SD668A
BF179B
2SD668
BF140A
BF114
BFP194
SS8550B
SS8550C
SS855OD
SS8O5OB
SS8O5OC
SS8050D
ZTX§58
MPSA42
MPSA43
BSX89
BSY17, 2N914
2N1838
BF179C, MJ420
2N3671
2N2904AL
BD136, D41D1
BD138
BD140
2SA1356
2SA1356
BFY67A, 2N1893
ВСЗОО, 2N1890
2N2990
ВС 140, 2N1889
ВС 119, 2N697
BFY68
2N3495
MPSL51
2N2369
2N2368
Тип
прибора
КТ635А
КТ635Б
КТ638А
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ640А-2
РСГ640Б-2
КТ642А-2
КТ643А-2
КТ644А
КТ644Б
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ647А-2
КТ648А-2
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
КТ666А-9
КТ667А-9
КТ668А
КТ668Б
КТ668В
КТ674АС
КТ680А
КТ681А
КТ682А-2
КТ682Б-2
КТ683А
КТ683Б
КТ683В
КТ683Г
КТ683Д
КТ683Е
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ685Д
КТ685Е
КТ685Ж
КТ686А
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
Аналог
2N4960
2N2725, 2N3725
MPSL01.2SC589
BD227
BD227, 2SA743
BD840
MPSU55
BD229
MPSU56
2SA743A
2SA715B
NE21960
2SC195O
АТ41485
HXTR4101, NE98203
ВС527-6
ВС527-10
MPS6532
ВС547, 2SC367G
BD827, 2SC495
2SC496, BD825
NE56755
HXTR2101
NE021-60
LAE4000Q
2N3737
GES2219
2SD467D
2N2907A
2N2905A
ВСХ51, ВСХ53
ВСХ52
ВСХ54, ВСХ56
ВСХ55, 2N1777
BF620
BF621
2SA1032
2SA1030В
2SA1030
MPQ3906
MPS2925, ВС368
MPS3395, ВС369
HXTR6102, FJ403
АТ41485
2SC1080
2SC2481
2SD414
2N6178, BD230
MJE180, 2SD415
2N6179
2N6448
2N4291
2SA1274
2N6015
MPS2907K
MPS2907AM
MPS2907AL
2N6013
2N3703, 2N5334
2N5356
2N5373
2SA1515
2SA966Y
2N3638, 2S564
2SA1160A, 2SA952L
480
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
КТ686Е
КТ686Ж
КТ692А
КТ693АС
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ710А
КТ712А
КТ712Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
КТ721А
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728А
КТ729А
КТ729Б
КТ730А
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ803А
КТ805А
КТ805АМ
КТ8О5Б
КТ805БМ
КТ805ВМ
КТ807А
КТ807АМ
КТ807Б
КТ807БМ
КТ808А
КТ808АЗ
КТ808АМ
КТ808БЗ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
КТ809А
КТ8101А
КТ8101Б
КТ8102А
КТ8102Б
КТ8104А
КТ8105А
КТ8106А
КТ8106Б
КТ8107А
КТ8107А2
КТ8107Б
КТ8107Б2
КТ8107В
КТ81О7В2
КТ8107Г
КТ8107Г2
КТ8107Д
КТ8107Д2
КТ8107Е
Аналог
2SA1160В, 2SA952K
2N4889, 2N3638A
2N4234, 2N3717
TPQ7041
2N3585, BU143
BDY93
2N3583
2SD621.2SD838
BDX54F
BDX54F '
2SD621.2SD995
TIP112, TIP122
TIP111, TIP121
TIP110, TIP120
SE9300
BD379, MJE290
BD170
BD172, BD237
2SA1021
BD501B, BD543D
BD744D, BD802
BDW51A
2N3771, 2SD630
2N3237, 2N3772
2N3240, 2N3773
BSX63
BSX62
BDX25, 2N5051
BDY23
BDY60
2SC3422
BD109, BD123
BD719
BD720
MPSU07
BD237
MPSU05
2N4923
BLY47
BDT93, BDT94
2SC1619A
BDT95
BDY71, 2SC1618
2SC1619A
2N5427
BD216, BLY49
MJE4353, BDY96
2SA1106
MJ2955
BD546D, MJE4553
МЛ 1021, BDX66C
МЛ 1020, 2SD1287
BDV66B, MJH6285
2SB883, MJH6286
BU508A, BUV48A
BU208A
BU508
BU208
BU508A
BU208A
BU508
BU2O8
SGSF464
SGSF564
BU508D
Тип
прибора
КТ8107Е2
КТ8108А
КТ8108А-1
КТ8108Б
КТ8108Б-1
КТ8108В
RT8108B-1
КТ8109А
КТ8110А
КТ8110Б
КТ8110В
КТ8112А
КТ8114А
КТ8114Б
КТ8115А
КТ8115Б
КТ8115В
КТ8116А
КТ8116Б
КТ8116В
КТ8117А
КТ8117Б
КТ8118А
КТ8120А
КТ8121А
КТ8121А-2
КТ8121Б
КТ8121Б-2
-КТ8123А
КТ8124А
КТ8125А
КТ8125Б
КТ8125В
КТ8126А
КТ8127А
КТ8127А-1
КТ8127Б
КТ8127Б-1
КТ8127В
КТ8127В-1
КТ8129А
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
КТ8136А
КТ8136А-1
КТ8137А
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
КТ8138Г
КТ8138Д
КТ8138Е
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8140А
КТ8140А-1
КТ8141А
КТ8141Б
Аналог
BU207A
BUX47
BUV66A
BU326
BUT11
BU326A
BUV46
TIP151
2SC4242, 2N6499
2SC4106
2SC4106L
MJE13003
BU508A
SGSF444
TIP 125
TIP126
TIP127
TIP120
TIP121
TIP122
2SC3306
2N6931
2SC3150
2N6928
SGSF344
BU208A
2SC4756
BU208
2N6477
BU408
BD243C
BD243B
BD243A
MJE13007
BU208A
BU5O8F1, 2SD1577F1
BU208
BU5O8, 2SC3480
SGSF444
2SC3459
2SD1174
BDY94
BU106
BDY25
2N6034, BU406
2N6035
2N6036
2N6037
2N6038
2N6039
MJE13006
BU408D
BD410, BUX86
2SC4106, 2SC2335
2SC4242, 2SC3056
MJE 13005, 2SC4542
MJE13007
BU406, 2SC3057
BU406D
MJE 13008, 2N6929
MJE 13009, 2N6930
BU4O8
BU4O8D
BDX53C
BDX53B
Тип
прибора
KT8141B
КТ8141Г
KT8143A
КТ8143Б
KT8143B
КТ8143Г
КТ8143Д
KT8143E
КТ8143Ж
KT81433
КТ8143И
KT8143K
КТ8143Л
KT8143M
KT8143H
КТ8143П
KT8143P
KT8143C
KT8143T
КТ8143У
КТ8143Ф
KT8144A
КТ8144Б
KT8145A
КТ8145Б
KT8146A
КТ8146Б
KT8147A
КТ8147Б
KT8149A
KT8149A-1
KT8149A-2
KT814A
КТ814Б
KT814B
КТ814Г
KT8150A
KT8150A-1
KT8150A-2
KT8154A
КТ8154Б
KT8155A
КТ8155Б
KT8156A
KT8157A
КТ8157Б
KT8158A
KT8159A
KT815A
КТ815Б
KT815B
КТ815Г
KT8164A
КТ8164Б
KT816A
KT816A-2
КТ816Б
KT816B
КТ816Г
KT8170A-1
KT8175A
KT8175A-1
КТ8175Б
КТ8175Б-1
KT8176A
Аналог
BDX53A
BDX53
BUP47, BUV19
BUT90
BUT91
BUL47A, BUP54
BUP47, 2N6274
BUP47
BUP53
BUT92
2SD372
BUP46
2SD373
2SD374, BUP53
BUP47
2SD373
2SD373
2SD372
BUV18
BUP51
BUP52
МЛ 3334, BUX98
2SC1139
MJE 13009
MJE 13009, 2SC4109
BUX48B, 2N6575
BUX37
BUX47, BUW26
BUW24, BUX15
MJ2955
TIP2955
MJE2955T
TIP30
BD166, MJE710
BD168, MJE711
BDI70, MJE712
2N3055
TIP3055
MJE3055T
2SC1141
BUX98A, 2SC1144
BUL47A, ESG99
BUX98AX, 2SC2147
BU807
BU208A, 2SD350
2SC3688, BU208
BDV65
BDV64
BD165, TIP29
BD167, MJE720
BD169, MJE721
BD818, MJE722
MJE13005
MJE13004
BD436, TIP32
2SB435U
BD176, BD234
BD178, BD236
BD180, BD238
MJE13003
MJE 13003, BUX79
2N6773, 2SC2333
2SC3840
2N6772
TIP31A
Аналоги отечественных транзисторов
481
Тип
прибора
КТ8176Б
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
КТ8177В
КТ817А
КТ817Б
КТ817Б-2
КТ817В
КТ817Г
КТ817Г-2
КТ8181А
КТ8181Б
КТ8182А
КТ8182Б
КТ8183А
КТ8183А-1
КТ8183А-2
КТ8183Б
КТ8183Б-1
КТ8183Б-2
КТ818А
КТ818А-1
КТ818АМ
КТ818Б
КТ818Б-1
КТ818БМ
КТ818В
КТ818В-1
КТ818ВМ
КТ818Г
КТ818Г-1
КТ818ГМ
КТ819А
КТ819А-1
КТ819АМ
КТ819Б
КТ819Б-1
КТ819БМ
КТ819В
КТ819В-1
КТ819ВМ
КТ819Г
КТ819Г-1
КТ819ГМ
КТ825Г
КТ825Д
КТ825Е
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ830А
КТ830Б
КТ830В
Аналог
TIP31B
TIP31C
TIP32A
TIP32B
TIP32C
BD433, TIP31
BD175
2SD880
BD177
BD179
BD179-16, 2SC1826
MJE13005
MJE13004
MJE13007
MJE13006
BU208DX
S2000F1
BUH315D
SGSF564
SGSF464
BUH313D
BD292
BD546C
2N6469, BDW52
BD202, BDT92
BD546B
BDW22
BD204, BDT94
BD546A
BDW52A
BD538, BDT96
BD546
BDW22C
BD291, TIP41
BD545C
BD181
BD202, BDT91
BD545B
BD142
BD201, BDt93
BD545A
BD182
BD203, BDT95
BD545
BD183
BDX62A, MJ4031
BDX62, MJ25OO
BDX86
BUI 32
2SD312
BUI 32
BDX63A, MJ3521
BDX65
BDX85, MJ3520
BU326A
2SD640
BUX97B
2SD640
BD263A, Т1Р122
BD263, TIP121
BD331.TIP120
BD675
2N4234
SML3552, 2N4235
2N4236
Тип
прибора
КТ830Г
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
КТ837М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ838А
КТ838Б
КТ839А
КТ840А
КТ840Б
КТ840В
КТ841А
КТ841Б
КГ841В.
КТ841Г
КТ841Д
КТ841Е
КТ842А
КТ842Б
КТ842В
КТ844А
КТ845А
КТ846А
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ848А
КТ850А
КТ850Б
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ856А
Аналог
2N4236
SDN6OO2
SDN6001
SDN6000
2SB906
BD434
BD534, TIP42C
BD536
BD234
BD225
2SB434
2N6125
2N6124
2SB435
BD944
2N6126
BD223
-BD223
2SB435G
2SB434
BD225
BD948
2SB435
BD224
BU204
BU2O8
MJ3480, 2SD380
2N6543, BU326A
BU126, 2N6542
BU326
BDX96, 2N6560
2SC2122
МЛ 0002
UPT315, BDX96
2SD418
BUW35
2SB506A
TIP519
MJ41Q
UPT732
DT43O5
BU208A
BU207
BU208
2N6678, 2N6672
BU608, BUX37
2SC216B, 2SD610
MPSU04
2SB546A, 2SB630
2SA1009
2SA740, 2SB546
Т1Р117
TIP116
TIP115
TIP115
TIP127, BDX54C
TIP126, BDX54B
TIP125, BDX34
BDX54A
2SC3257, TIP50
MJE13O06, 2N5540
BD566
BDT42C
BDT45C
BUX48A
Тип
прибора
КТ856А-1
КТ856Б
КТ856Б-1 /
КТ857А
КТ858А
КТ859А
КТ862Б
КТ863А
КТ863Б
КТ863В
КТ864А
КТ865А
КТ867А
КТ868А
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ872В
КТ873А
КТ874А
КТ874Б
КТ878А
КТ878Б
КТ878В
КТ879А
КТ879Б
КТ885А
КТ885Б
КТ886А-1
Kt886B-l
КТ887Б
КТ888А
КТ888Б
КТ890А
КТ890Б
КТ890В
КТ892А
КТ892Б
КТ892В
КТ893А
КТ895А9
КТ896А
КТ896Б
КТ897А
КТ898А
КТ898А-1
КТ899А
КТ902А
КТ902АМ
КТ903А
КТ903Б
КТ904А
КТ904Б
КТ907А
КТ9О7Б
КТ908А
КТ908Б
КТ909А
КТ909Б
КТ909В
КТ909Г
КТ9101АС
КТ9104А
КТ9104Б
КТ9105АС
Аналог
2SC3450, BU2520A
BUX48
2N6932, 2SC3277
BU409
BU408-, BU406
BUX84
XGSR10040
BDY92, 2N6669
BD245
2SC2516, 2SC3568M
2SD536, 2N6216
2SA1180
BUY21.2N6341
BU426A, BUW11A
BU426, BUW11
BU508, MJE13005
BU508A
BU508D
BDX53C
BUW39
2N5672
BUX98
2N6546
2N6678, BUX25, BUX98, А
2N6279, 2N6282
2N6278, 2N6281
BUS98, BUV74
BUV98A
2SC3061
BU508A, 2SC3637
АР1009
STP70S
STP60S
BUV37
BUV37
BU9302P
TIP661
BU932Z
TIP662
BU286
BU508D
BDV64B, SGSD200
BDV64, TIP 146
BU931Z
BU931ZP
BU931ZPFI
TIP 132
BD121
BDX35
2N2947
2SC517
2N3375
2SC549
2N3733
2N4440
BDY92
BDY92
2N5177
2N5178
2SC2042
2SC2173
FJ0880-28
MRA0610-3
MRA0610-18
ВАШ 05-100
482
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
КТ9109А
КТ9111А
КТ9115А
КТ9116А
КТ9116Б
КТ911А
КТ911Б
КТ911В
КТ9ПГ
КТ9120А.
КТ9121А
КТ9121Б
КТ9125АС
КТ9126А
КТ9127А
КТ9128АС
КТ912А
КТ912Б
КТ9130А
КТ9133А
КТ9134А
КТ9134Б
КТ9136АС
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
КТ9141А
КТ9141А-1
КТ9142А
КТ9143А
КТ9144А-9
КТ9145А-9
КТ9146А
КТ914А
КТ9150А
KT9I51A
КТ9152А
КТ9153БС
КТ9155А
КТ9155Б
КТ9155В
КТ9156БС
КТ9157А
КТ9160А
КТ9161АС
КТ9164А
КТ9166А
КТ916А
КТ916Б
КТ9173А
КТ9176А
КТ9177А
КТ9180А
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
КТ9181А
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
КТ9182А
КТ918А-2
КТ918Б-2
КТ919А
КТ919Б
Аналог
MSC1550M
РТ9790А
BF472, BF849
TPV394
TPV375
2N4976
2N4429
2N5481
2SC3607
D45H5
АМ82731-45
27АМ05
BAL0105-50
ТН430
MSC81550M
BAL0102-150
2N5070, 2N6093
2N6093
2SC2688N, 2SC4001
TPV376
НЕМ3508В-20
SD1543
SD1565, UDR500
BLX92, 2N4430
BLX93, 2N4431
NE1010E-28
LT1839
LT1817
2SC3218, TPY5051
LT5839, BFQ253
BF623, 2SAI584
BF622
AM 1416-200
2N5161
TPV595A
2SC3812
2SC3660
TPV5051
2SC3217
2SC3218
J02058
MRA0510-50H
2SC2270
MRF430
SD1565
SD1540
D44H5, BUY26
2SC1805
2N5596, 2N6208
TPV376
2SB772
2SD882
BDI32, BD330
MJE170, MJE230
MJE171.MJE233
MJE172
BD326
2SD1348
MJE181
MJE182
SD1492
PKB3000U
LKE32OO2T
2N5596, MSC2005
2N5768, MSC2OO3
Тип
прибора
КТ919В
КТ919Г
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
КТ927Б
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ933А
КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
КТ935А
КТ936А
КТ937А-2
КТ937Б-2
КТ938А-2
КТ939А
КТ939Б
КТ940А
КТ940Б
КТ940В
КТ942В
КТ943А
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ943Д
КТ944А
КТ945А
КТ946А
КТ947А
КТ948А
КТ948Б
КТ955А
КТ956А
КТ957А
КТ958А
КТ960А
КТ961А
Аналог
2N5483, MSC2001
PKB23003U
2N5589
BLW18
2N5591
BLY88A
2N57O7, S10-12
2N5641
2N5642
2N5643
BLW24
2N4128
СЗ-12
С12^12
С25-12
2SC1001
2N1902
2N1904
2N4933
2N6093
BSS29, 2N2217
BSX32, 2N2218
2N2219
B2-8Z, 2N5719
2N6362, СМ75-28
2N6364
2N6369, ВМ8О-28
2N3741
BD132
2N4898
ВС16О-2
ВС139
СЗ-28, 2N6202, 2SC1021
С12-28, 2N6203, BLY22
С25-28, 2N6204, BLY92A
2N5589
2N5590
BDU53
2N57O9
MS0146
РТВ42003Х
MSC4001
2SC1262, 2N3866
SD1308
BF298, 2N3440S
BF458
BF297, BF457
MRF2010
BD375
BD377
BD131
BD230
BD379
S8O-28
BDY90, 2SC519A
D12-28
2N6047, BDP620
MRF2005M
TRW2020
S10-28
S80-28
S150-28
ВМ40-12
СМ40-12
BD139
Тип
прибора
КТ961Б
КТ961В
КТ961Г
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ963А-2
КТ963Б-2
КТ965А
КТ966А
КТ967А
КТ969А
КТ970А
КТ971А
КТ972А
КТ972Б
КТ973А
КТ973Б
КТ976А ^
КТ977А
КТ979А
КТ980А
КТ980Б
КТ981А
КТ983А
КТ983Б
КТ983В
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
КТ986А
КТ986Б
КТ986В
КТ991АС
КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
КТСЗОЗА-2
КТСЗЮЗА
КТСЗЮЗБ
КТС3174АС-2
КТС393А-9
КТС393Б-9
КТС394А-2
КТС395А-1
КТС398А94
КТС398Б94
КТС613А
КТС613Б
КТС613В
КТС613Г
КТС622Б
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108Д
МП20А
Аналог
BD137
BD135
BD132
DM 10-28
DM20-28
DM40-28
MJ25O
ML500
S10-12
S30-12
S7O-12
BF469
С2М100-28 А
ВМ1ОО-128
BD877
BD875, BD477
BD876
BD466B
РН1114-50С
SD1546
PZB16040U, РН1114-60
СМ40-12
ТН430
А50-12
BLX96
BLX97
BLX98
MSC1075M
MSC1250M
BAL0204-125
1214Р400
DME250
DM'E375
BALO1O5-5O
BFP95
FJ9295CC
2N6669
D44H1
D44H2
BF869, BF715
MD986
MD5000
MD5000B
SL362
MD5000
MD5000B
MD1130
MD1129
MD918F
MD918AF
MQ2218
MQ2218A
MQ2218
MQ2218
MHQ2906, 2N5146
MHQ2369
MHQ2369
MHQ2221
MHQ2221
2N13O
NKT73
2N132
АС170, АС171
АС150
АС121, ASY26
Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов
483
Тип
прибора
МП20Б
МП21В
МП21Г
МП21Д
МП21Е
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
МП26А
МП26Б
МП35
МП36А
МП37А
МП37Б
МП38
МП38А
МП39
МП39Б
МП40
МП40А ,
МП41
МП41А
МП42
МП42А
МП42Б
П201АЭ
П201Э
П202Э
П203Э
П210
П210А
Аналог
АС 125, АС 132
2N60A
2N60C
2N59C
2N61C
2N189
АС116
2N43
ОС112
МА909
ACY24
2N444
АС183
2N444A
2SD75
2N94
АС183
SFT3O6
АС540
2SB173
ОС70, 2N44A
АС540
АС542
ASY70
ASY26
AF266, ASX11
ADP671
ADP670
ADP672
2SB467
2N3614
2N3614
Тип
прибора
П210Б
П210В
П210Ш
П213
П213А
П213Б
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
П27
П27А
П28
П29
П29А
ПЗО
ПЗО7
П307А
П307Б
Аналог
AD142, AD545
AD143
2N3614
AD139, AD262
2N2835
AD12O2
2N2660
AD263, AD457
AD1203
AD263
AD262
AD469, AD439
AD138, AD302
AD130
2N178
AD145
AD313
AD312
AD130, AD163
ASZ16
AUY19
ASZ18, ASZ1017
ASZ17
2N175
2N220
АС160
ОС41
ОС42
AFY15
2N734
2N735
2N1566
Тип
прибора
П307В
П307Г
П308
ПЗО9
П401
П402
П4ОЗ
П403А
П416
П416А
П416Б
П417
П417А
П417Б
П422
П423
П605
П6О5А
П606
П606А
П607
П607А
П608
П608А
П609
П609А
П701
П701А
П701Б
П702
П702А
Аналог
2N560
2N738
ВС285
2N738, BSY79
SFT317
SFT316H
2N2089, SFT357
2N2089
2N602
2N604
2SA279
2N1727
2N1726
2N1865
2N1524
2SA111
2SA416
2SA416
2SA416
2SA416
AUY10
AUY10
AUY10
AUY10
2SA374
2SA374
2SC893
2N1714
2SC525
BUY43
BUY46
7.11. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов
Тип
прибора
ГД107А
ГД107Б
ГД402А
ГД4О2Б
ГД511А
ДЮ1
Д101А
ДЮ2
Д102А
ДЮЗА
Д104
Д104А
ДЮ5
Д105А
Д106
Д106А
дю
ДЮА
Д10Б
Д202
Д207
Д208
Д209
Д210
Аналог
1N994
1N994
1N300
1N204
1N138A
1N391
1N388
1N1795, 1N210
1N1844
1N344
1N75
1N75
SG211
1N899
SG211
1N899
АА112, SED107
АА130
1N616
SA283
1N485
1N487
1N488
1N873
Тип
прибора
Д211
Д223
Д223Б
Д229А
Д229В
Д229Е
Д229Ж
Д229К
Д229Л
Д232
Д232А
Д232Б
Д233
Д234Б
Д237А
Д237Ж
Д242
Д243
Д243Б
Д245
Д245Б
Д246
Д246Б
Д247Б
Аналог
1N874
1N913
1N458
1N341
1N324
1N332
1N1487
1N539
1N1490
10А400
10А400
1N1069
1N2256
ЕЗКЗ
1N553
1N604
1N2248
1N250
IN1061
Ш2023
1N1062
1N2025
IN 1063
1N2236
Тип
прибора
Д2Б
Д2В
Д2Г
Д2Д
Д2Е
Д2Ж
Д2И
ДЗОЗ
Д304
Д305
Д7Ж
Д811
Д814А
Д901А
Д901Б
Д901В
Д901Г
Д901Д
Д901Е
Д902
Д9В
КВ101А
КВ101Б
КВ102А •
Аналог
DA2O3X
1N302
CDLL300
CDLL300
CDLL400, 1N1844
СТ163, 1N1846
1N393
1N2350
1N1059
1N2246
1N443
1S743
Ш1927
РС116
РС116
РС116
PCU6
РС116
РСП6
V910
АА137, 1N87
PV1505-15
PV1505-15
WC925
484
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
КВ102Б
КВ102В
КВ102Г
КВ102Д
КВ103А
КВ103Б
KB104 А
КВ105А
КВ106А
KB106Б
КВ107А
КВ107Б
КВ107В
КВ107Г
KB109А
КВ109Б
KBI09B
КВ109Г
КВ110В
KB1I2A-1
КВ112Б-1
КВПЗА
КВ113Б
КВ114А
КВ114Б
КВ115А
КВ115Б
КВ115В
КВ116А-1
КВ117А
КВП7Б
КВП9А
КВ121А-9
KB12IA
КВ121Б
КВ122А-9
KB122А
КВ122Б
KB122B
KB123А
KB124А
КВ126А-5
КВ126АГ-5
КВ127А
КВ127Б
КВ127В
КВ127Г
КВ128А
КВ128АК
KB129А
КВ130А-9
КВ130А
КВ131А
KB 132 А
КВ134А9
КВ136А
КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
KB138А
КВ138Б
KB139B
KB139А
КВ142А
KB142Б
Аналог
WC925
WC925
WC925
WC925
PV003
PV003
WC901
WC1027
PV008
PV008
РН1217
РН1237
ВВ404
CV836
ВВ405
ВВ5О5
ВВЮ9
BBY31
WC861
N5465C, BA102ALB
N5465C, BA102ALB
WC898
МА4761
VLA722S
VLA722S
МА4КО72-184
МА4КО72-184
МА4КО72-975
DKV6517
WCI638
ZC833
DKV6516
ВВ721
BB109G, ВВ109
BB109G, BBI09
BBY31, ВВ105В
ВВ205
ВВ105
ВВ405
ВВ209
ВВ504
ВВ209
ВВ209
ВВ313
ВВ313
ВВ313
ВВ313
CV1630
CV1630
1S1617
BBY42, ВВ309
ВВ309
ВВ313
SVC251
ZC831, SVC151
1N5446B
IN5448A
1N5448
1N5448
VSK14O
VSK14O
ВВ212
VC885D, ВВН2
ВВ113
ввпз
Тип
прибора '
KB144А
КВ246А
КВ149А
КВ152А
KBI53A,
KB 154 А
КВ154Б
"кШЗбА-Э, А1
КВ156А-9
КВ157А-9
КВ158А-9
КВС1ПА
КВС111Б
КВС120А-1
КВС120А
КВС120Б
КД102А
КД102Б
КД103А
КД104
КД104А
КДЮ5В
КД105Г
КД106А
КД109А
КД109Б
КД109В
КД126А
КД127А
КД2О2Р
КД2О2А
КД202В
КД202Д
КД202Ж
КД202К
КД2О2М
КД204Б
КД204В
КД205А
КД205Б
КД2О5В
КД205Г
КД205Е
КД205Ж
КД205И
КД2О5Л
КД206Б
КД206В
КД208А-1
КД208А
КД209А
КД209Б
КД209В
КД2ШБ
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212Г
КД213А
КД213Б
КД213В
КД213Г
КД221А
КД221Б
КД221В
Аналог
ВВ909
МА345
JJB113, ВВ505В
ВВ505
ВВ515
ВВ609
ВВ609А
ВВ620, ВВ551
BB5I5
ВВ619
ВВ620
ВВ104
[ВВ104
ВВПЗ
ВВПЗ
ВВПЗ
Ш3183
1N487
NS2000
IN1624
1N220
Ш535
Ш1257
Ш3359, BAW49
МТ5140
BAY46
МТ2061
BY289-300
BY229-900
11^5406
АП5Г
1N4724
1N1584
Ш1584
GSA30E
ТМ57
1N531
1N1251
1S1231
1N533
1N552
IN551
1N320
Ш555
1N1258
1N538
1N2256
Ш2258
GPP15B
ШШ53
ШП26
1N1128
IN3367
Ш2260
1N1124
1N3361
1N3359
1N3359
BYW17-200
1S411
G1502
1S410
Ш2349
IN3981
1N3982
Тип
прибора
КД221Г
КД226А
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД238АС
КД238БС
КД238ВС
КД240Г
КД240Д
КД240Е
КД240Ж
КД240И
КД240К
КД241А
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД243Е
КД243Ж
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244Г
КД247Б
КД248А
КД268А
КД268Б
КД268В
КД268Г
КД269А
КД269Б
КД269В
КД269Г
КД270А
КД27ОБ
КД270В
КД270Г
КД271А
КД271Б
КД271В
КД271Г
КД272А
КД272Б
КД272В
КД272Г
КД273А
КД273Б
КД273Г
КД2991А
КД2995А
КД2997Б
КД2998А
КД407А
КД409А-9
КД409Б-9
КД412А
КД412В
КД503
КД5О4А
КД509А
КД510А
Аналог
Ш3983
Ш3359, BY259
UT3020
IN487A
SDA113E
SDA113P
MBR1545CT
VSK2045
10CTQ169
1N4245, BYW95
Ш5006, BYV95
Ш5061
1N3938, BYD33
1N3939
1N3940
BY228
IN4001
1N1067, IN4002
SDR6003, 1N4003
1N4004
1N4005
1N4006
1N4007
BYV32-15O
BYWl 7-I00
BYW80-200, ВYW17-200
BYW80-200
1N2236
BUT13-1000
3OWQO3F
3OWQO4F
30WQ06F
30WQ10F
SR520
50WQ04F
SR580
50WQ10F
SK802
MBR750
SK808
8TQ100, SR504
SR1002
10TQ945
MBR1070
MBR10100
MBR1520
15CTQ045
S15S6
16CTQIO0
MBR2520
2OTQO45
MR2402F
SD51
1N5816
1SRI9-I0O
BUS41
Ш3097
ВАТ18
BAS82
1N2559
1N2571
1SV87
IN4450
1N903A, 1S953
BAY74, 1S954
Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов
485
Тип
прибора
КД513А
КД514А
КД519А
КД519Б
КД520А
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД522А
КД529В
КД529А
КД532А
КД629АС9
КД7О4АС
КД706АС9
КД707АС9
КД710А
КД711А
КД805А
КД808А
КД810А
КД811А1
КД811А
КД811Б1
КД811Б
КД811В1
КД901А-1
КД901Б-1
КД901В-1
КД910А-1
КД910Б-1
КД91ОВ-1
КД922А
КД922Б
КД922В
КДСША
КДСШБ
КДСШВ
КДС523А
КДС523Б
КДС523В
КДС526Б
КДС526В
КДС627А
КДС628А
КС106А-9
KCI07A
КС113А
КС114А
КС115А
КС119А
КС126А
КС126Б
КС126В1
КС126В
КС126П
КС126Г
КС126Д1
КС126Д
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
Аналог
МА166
1S426
1NI37A
1N137A
1N993
1N914A
1N914A
1N914A
1N904A
1S953
RM15TC40
RM15TC40
МА856
SOBAX-12D, BAY84,
1SS226
BAV70, 1SS184
BAW56, 1SS181
BAV99, МА161К
1SS135
МА165
BAW62
ВАТ42
1SS174
BAS16
BAS32
BAS29
BAV682
BAV99
НР50822900
НР50822900
НР50822900
1N5390
1N5390
1N5390
1N300B
CD21
ВА180
1N333. BAW101
BAW101
BAW101
DAP209
BAW56
DAN202KVA
ВАХ61, ВАХ63
DAP201, DA203
BAW56GT, BAW101
BAW101
ZPD3, 3
С6041
STB2
1N823
MA27W
SN3142B
BZX55C2V7
BZX55C30
BZX55C3V6
вгхйсзуз
BZX55C4V3
BZX55C3V9
BZX55C5VI
BZX55C4V7
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
Тип
прибора
КС126Л
КС126М
КС128А
КС128Б
КС128В1
КС128В
КС128П
КС128Г
КС128Д1
КС128Д
КС128Е
КС128Ж
КС128И
КС128К
КС128Л
КС128М
КС133А
КС133Г
КС139А
КС139Г
КС147А
КС147Г
КС156А
КС156Г
КС162А
КС168А
КС168В
КС175Е
КС175Ж
КС182А
КС182Е
КС182Ж
КС190Б
КС190В
КС190Г
КС190Д
КС191С1
КС191С
КС191Р
КС191Б
КС191В
КС191Е
КС191Ж
КС191М
KCI91H
КС191П
КС191Т1
КС191Т
КС191У1
КС191У
КС191Ф1
КС191Ф
КС207А
КС2О7Б
КС207В
КС2О8А
КС2О8Б
КС2О8В
КС210Б
КС21ОЕ
КС210Ж
КС211Е
КС211Ж
КС212Е
КС212Ж
Аналог
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C2V7
BZX55C30
BZX55C3V6
BZX55C3V3
BZX55C4V3
BZX55C3V9
BZX55C5VI
BZX55C4V7
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
1N5588B
1S2033
1N1888
BZY88C3V9
1N4624
BZY83C4V7
Z155O
BZX30C5V6
TSZ6, 2
1N710
1N1984
BZX3OC7V5
BZX30C7V5
1N1985
BZX3OC8V2
BZX30C8V2
1N93S
IN935
1N935
1N935
1N262I
1N713A
МА3091
1N4774
1N4774
BZX30C9V1
BZX3OC9V1
МА3091
МА3091
МА3091
Ш2622
MSZ9, t
1N2623
MSZ9. 1
1N2624
MSZ9, 1
BXZ55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C10
BZX55CH
BZX55C12
IN 1985А
BZX30C10
BZX30C10
BZX30C11
1N358
1N942
BZX3OC12
Тип
прибора
КС213Е
КС213Ж
КС215Ж
КС216Ж
КС218Ж
КС220Ж
КС222Ж
КС224Ж
КС407А
КС4О7Б
КС407В
КС4О7Г
КС407Д
КС409А
КС410А
КС412А
КС417А
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Д
КС417Е
КС417Ж
КС433А
КС439А
КС447А
КС456А
КС468А
КС482А
КС508А
КС5О8Б
КС508В
КС508Г
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС5О9В
КС510А
КС511А
КС5НБ
КС512А
KCS1SA
КС52ОВ
КС522А
КС527А
КС528А
КС528Б
KCS28B
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
Аналог
BZX30C13
BZX30C13
1 N1986А
BZX30C15
BZX30C18
BZX30C20
BZX30C22
1N1990, BZX30C24
BZX46C3V3
BZX46C3V9
BZX46C4V7
BZX46C5V1
BZX46C6V8
RD5, 6JB
PFZD8V2
BZ79CV2
BZX83C5V6
BZX83C6V2
BZX83C6V8
BZX83C7V5
BZX83C8V2
BZX83C9V1
BZX83C1O
VZ33CH
VZ39CH
BZX29C4V7
1N152OA
RD6.2
IN2034
BZX46C10
BZX46C15
BZX46C18
BZX46C2O
BZX46C24
BZX85C15
BZX85C18
BZX85C20
1N3020A, BZY95C10
PFZ15
PFZ75
BZY95C12
1N4853B. BZY95C18
1N6007B
1N4748A, BZY95C22
1N3030B, BZY95C27
BZX83C11
BZX83C12
BZX83C13
BZX83CI4
BZX83C15
BZX83C16
BZX83C20
BZX83C22
BZX83C24
BZX83C27
BZX83C30
BZX83C33
BZX83C36
BZX83C39
BZX83C43
BZX83C47
BZX83C51
BZX83C56
BZX83C62
BZX83C68
486
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
КС531В
КС535(А-Д)
КС551А
КС591А
КС596В
КС600А
КС620А
КС630А
КС650А
КС680А
КЦ105В
КЦ105Г
КЦ105Д
КЦ106А
КЦ106Б
КЦ106В
КЦ106Г
Аналог
RD30EC
DZS535-8,-15, -21,-30, -40
BZY95C51
1N4762
1N1849
1N1795
BZX98C120
BZX98C130
BZX98C150
BZX98C180
Х60С
В587-70
5L85
CRG40
CRG60
LFD8
SRG100
Тип
прибора
КЦ106Д
КЦ109А
КЦ111А
КЦ201А .
КЦ201Б
КЦ201В
КЦ201Г
КЦ201Д
КЦ201Е
КЦ208А
КЦ401А
КЦ401Г
КЦ407А
КЦ409А
КЦ409Б
КЦ409В
КЦ4О9Г
Аналог
SRG20
ED6C3
HV035S
501V200
HVC40
1RN60
Z80F
DS866
1RM150
HVRIX
1N327
SDR3OO8
1N5216
V346
1N5405
1N4142
1N2708
Тип
прибора
КЦ409Д
КЦ409Е
КЦ409Ж
КЦ409И
КЦ410А
КЦ410Б
КЦ410В
КЦ412А
КЦ412Б
КЦ412В
КЦ418А
КЦ419Б
КЦ419В
КЦ419Д
КЦ419Ж
МД217
МД218
Аналог
ЗЕ2
ЗЕ2
6А1
6D100
AS3A
1N1582
1N2705
1N6478
1N1041
PFF2
CSB-6, BY224
В40/35-10
В80/70-10
В125/110-10
В25О/22О-1О
1N876
1N878
7.12. Аналоги отечественных тиристоров
Тип
прибора
КУ101А
КУ101Б
КУ101Г
КУ101Е
КУ102А
КУ102Б
КУ102В
КУ102Г
КУ104А
КУ104Б
КУ104В
КУ104Г
КУ110А
КУ110Б
КУ110В
КУ111А
КУ111Б
КУП2
КУ113
КУ118А
КУ118Б
КУ118В
КУ118Г
КУ120А
КУ120Б
КУ120В
КУ121А, А1
КУ124
КУ201А
КУ201Б
КУ201В
КУ201Г
КУ201Д
КУ201Е
КУ201Ж
КУ201И
КУ201К
КУ201Л
КУ202А
КУ202Б
Аналог
2N2323
2N2323
2N2323
2N2323
РО102
РО102
РО102
РО102
С103
С103
С103
2N5062
8N200
8N200
8N200
150-325РАН1200
150-325РАН1200
BR103
2N6027
2N6565, MCR100, 2N5064
2N6565, MCR100
2N6565, MCR100
2N6565, MCR100
EGG6404, 3N4988
2N4990, EGG6404, 3N4988
2N4988, EGG6404, 3N4988
2N4990, HUD16
2N4990, 2N4988
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
NCM700C
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
Тип
прибора
КУ202В
КУ202В-1
КУ202Г
КУ202Д
КУ202Е
ЯУ202Ж
КУ202И
КУ202К
КУ202Л
КУ202М
КУ202Н
КУ208Б
КУ208В
КУ208Г
КУ210В
КУ211А
КУ2ПВ
КУ2ПД
КУ220А
КУ220Б
КУ220В
КУ22ОГ
КУ220Д
КУ221В
КУ221Г
КУ221Д
КУ223
КУ223И
КУ224А
КУ228А1
КУ228Б1
КУ228В1
КУ228И1
КУ503А
КУ503Б
КУ503В
КУ601А
КУ601Б
КУ601В
КУ601Г
Аналог
1N4202, NAS4443, NASB
TIC216M
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
1N4202, NAS4443, NASB
BTX32S100, H10T15CN, 1N4202
TIC206M
TIC216M
TAG3O7-8OO, BTA08-400
TY6010
TY6010
2N683A
2N683A, 150-325PAH1200-
2-TA92525
2-TA92525
2-TA92525
TY6010, 2-TA92525
2-TA92525
5O-T52OS12OO
50-T520S1200
2N5756
TL8003, TAG661-600, TIC106D
MAC94-2, TL8003, TL8005
MAC94-2
TY4010
DT151-500R
S28OO
TXN1010
2N4992, ECG6403
2N4992, ECG6403
2N4992, ECG6403
TYAL224B
TYAL224B
TYAL224B
SC141D, TO509NH, TIC206D
Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов
487
7.13. Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов
Тип
прибора
АЛ102АМ
АЛ102БМ
АЛ102ВМ
АЛ102ГМ
АЛ102ДМ
АЛ106А
АЛ107А
АЛ107Б
АЛ 107В
АЛ107Г
АЛ136А
АЛ137А
АЛ138А
АЛ144А
АЛ145А
АЛ145Б
АЛ 145В
АЛ145Г
АЛ145Д
АЛ 154 А
АЛ154Б
АЛ 154В
АЛ156А
АЛ156Б
АЛ 156В
АЛ159А
АЛ159Б
АЛ160А
АЛ 163 А
АЛ 164 А
АЛ164Б
АЛ 164В
АЛ165А
АЛ165Б
АЛ177А
АЛ177Б
АЛ304А
АЛ304Б
АЛ304В
АЛ304Г
АЛ305А
АЛ305Б
АЛ305Г
АЛ305Д
АЛ305Е
АЛЗО5Ж
АЛ305И
АЛ305К
АЛ305Л
АЛ306А
АЛ306Б
АЛ306В
АЛ306Г
АЛ306Д
АЛ306Е
АЛ306Ж
АЛ306И
АЛ307АМ
АЛ307БМ
АЛ307ВМ
АЛ307ГМ
Аналог
CQX28
CQX28
CQX29
CQX28
1N6094
SG1010A
CQY89
CQY89A-2
CQY89A-2
CQY89A-2
SG1009
SG1010
SG1009
CQY58A, GL450A
TSTS7201, LN66L
TSUS5400
TSHA5500
TSHA5501
TSHA5502
TIN 105, L2347-01
TIN111
TIN115
SFH400-3
SFH480, CGW89A
SFH409-2
SFP8706-2
SFP8706-2
LST1052
OP232TXV
CQY49C
CQY89F(A)
CQY89A2
TSUS54OO
TSUS5402
HLP30RB
HLP50RLB
UQB71/A
UQB71/A
UQB71/A
UQB71/A
1374G
1374G
1354G
НА-1077
MAN3900A
137IR
1371R
1371R ~-
1371R, 1374R, MAN39OOA
170-4R
170-4R '
i70-4R
170-4R
170-4R
170-4R
170-4R
170-4R
TIHR4605
HLMP1600
HLMP1503
HLMP3502, MBG5373SY
Тип
прибора
АЛ307ДМ
АЛ307ЕМ
АЛ307ЖМ
АЛ307ИМ
АЛ307КМ
АЛ307НМ
АЛ308АМ
АЛ309А
АЛ309Б
АЛ310А
АЛ310В
АЛ310Г
АЛ310Д
АЛ310Е
АЛ316А
АЛ316Б
АЛ336А
АЛ336Б
АЛ336В
АЛ336Д
АЛ336Е
АЛ336Ж
АЛ336И
АЛ336И1
АЛ336К
АЛ336Н
АЛ360А
АЛ360А1
АЛ360Б
АЛ360Б1
АЛС311
АЛС312А
АЛС312Б
АЛС317А
АЛС317Б
АЛС317В
АЛС317Г
АЛС318А
АЛС318Б
АЛС318В
АЛС318Г
АЛС321А
АЛС321Б
АЛС324А
АЛС324А-1
АЛС324Б
АЛС324Б-1
АЛС324В
АЛС326А
АЛС326Б
АЛС327А
АЛС327Б
АЛС328А
АЛС328Б
АЛС328В
АЛС328Г
АЛСЗЗО
АЛС331АМ
АЛС337А
АЛС337Б
АЛС338А
Аналог
PLED-Y5148
HLMP3650
5353R10, HLMP3451
HLMP3650
HLMP3351, BR5334S
HLMP3554
MMN39240, L2347-02
MAN78A
7610R
TLLR4400
TLG102A
LG3369EH
PLED-Y544CL
PLED-Y514B
HLMP1071
HLMP3105
PLED-H514B5
PLED-H541CL8
PLED-G543CL6
TLHY5414
LDY5391
TLHY5101
TLHG5400, LD57C
TLG163
CQX24-9, NSC554R12
PLED-G511C9(A)
CQX32
CQX32
1N6094
1N6094
5082-7404, 5082-7405
UQB71/A
MAN-1A, DL-10
GLI05R5
LNO5103P
GLI05M11
CLI05N11
CQYP95, 5082-7441
5082-7441
5082-7432
5082-7433
HD-11750
HDSP-3530
HD-1106
5082-7740
HD-1106
5082-7731
HD-1106
HDSP4036
HDSP-4036
HDSP-4036
HDSP-4036
5082-7405
5082-7415
5082-7415
5082-7415
CQYP95
OPL712
HD-11750
HDSP-3530, HDSP-4030
MAN-51A, 1712G
Тип
прибора
АЛС338Б
АЛС338Б
АЛС338В
АЛС338В
АЛС345А
АЛС345Б
АЛС345В
АЛС345Г
АЛС362А
АЛС362А1
АЛС362Б
АЛС362Б1
АЛС362В
АЛС362Г
АЛС362Д
АЛС362Д1
АЛС362Е
АЛС362Е1
АЛС362Ж
АЛС362И
АЛС362К
АЛС362К1
АЛС362Л
АЛС362Л1
АЛС362М
АЛС362Н
АЛС362П
КИПГ02А-8Х8Л
КИПД01А-1Л
КИПД01Б-1Л
КИПД02Б-1К
КИПД02В-1Л
КИПД02Г-1Л
КИПД02Д-1Ж
КИПД05А-1К
КИПД05Б-1Л
КИПД05В-1Ж
КИПД06А-1К
КИПД06Б-1К
КИПД06В-1Л
КИПД06Г-1Л
КИПД07А-К
КИПД07Б-К
КИПД09А-К
КИПД09Б-К
КИПД09В-Л
КИПД09Г-Л
КИПДЮА-К
КИПД10Б-К
КИПДЮВ-Л
КИПДЮГ-Л
КИПД11А-М
КИПДПБ-М
КИПД14А-К
КИПД14А1-К
КИПД14Б-К
КИПД14В-Л
КИПД14Г-Л
КИПД14Д-Л
КИПД14Е-Ж
КИПД14И-Ж
Аналог
MAN-51A, 1712G
MAN-51A, 1712G
MAN-51A, 1712G
MAN-51A, 1712G
TIL268
TIL268
T1L264
TIL264
L835/2HDT
L835/2RDT
L835/4HDT
L835/4RDT
L835/4RDT
LTL2620HR
L835/24DT
L851/2YDT
L865/4YDT
L865/4YDT
L865/4YDT
LTL2720Y
L851/2GDT
L835/2GDT
L865/4GDT
L851/2GDT
L851/2GDT
LTL2820G
LD460
SLA-2232
TLG102A
LG3369EH
TLS124EH, ESBR3431
SLH56MT
CQY94BL, CQY15-6
MY31W
IRRD9451
LST4253F
MY31D
TLUR114
TLUR120
FLEDG313A
TKG144
IHD4252
IRD4252
LDR5093
PLED-P513M7(A)
PLED-G313A6
PLED-G313A7
HLMP3762
HLMP3315
HLMP3565
TLG145
L59EGW
LD1007
HLMP3050
HLMP3050
HLMP3001, HLMP1385
MGB51D
HLMP1503
HLMP3502
LTL254
LY5480GK
488
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора
КИПД17А-Ж
КИПД17А-К
КИПД17А-Л
КИПД17Б-Ж
КИПД17Б-К
КИПД17В-Ж
КИПД17В-К
КИПД17В-Л
КИПД18А-М
КИПД18Б-М
КИПД19А-М
КИПД19Б-М
КИПД21А-К
КИПД21Б-К
КИПД21В-К
КИПД24А-Ж
КИПД24А-К
КИПД24А-Л
КИПД24Б-Ж
КИПД24Б-К
КИПД24Б-Л
КИПД24В-Ж
КИПД24В-К
КИПД24В-Л
КИПД31А-К
КИПД31Б-К
КИПД31В-К
КИПД31Г-К
КИПД35А-Ж
КИПД35А-К
Аналог
PLED-Y513M(A)
HLMP3003
CQS95L
MY51W
HLMP3000
225AD
HLMP3112
PLEDY544CL
OLP713
PLED-512B
GL5NP5
LD1005
SL5004
PLED-H514B
PLED-H514B6
PLED-Y544CL
TLR114
CQS94L
TLPY144
TLR145
TLHG5400
PLED-Y514B5
TLUR114
TLHG5403
TLUR6601
TLUR5403
TLUR5101
TLHR6413
LTL5263
PLED-P513M
Тип
прибора
КИПД35А-Л
КИПД35Б-Ж
КИПД35Б-К
КИПД35Б-Л
КИПД35В-Ж
КИПД35В-К
КИПД35В-Л
КИПД36А1-К
КИПД36Б1-К
КИПД36В1-Л
КИПД36П-Л
КИПД36Д1-Ж
КИПД36Е1-Ж
КИПД36Ж1-Р
КИПД36И1-Р
КИПД37А1-М
КИПД37А-М
КИПЕ17А1-4К
КИПТОЗА-ЮЖ
КИПТ03Б-10Л
КИПТ09А-53Л
КИПТ09Б-53Л
КИПТ17А-4К
КИПТ17Б-4Л
КИПТ17Б1-4Л
КИПТ17В-4Ж
КИПТ17В1-4Ж
КИПТ18А-4К
КИПТ18А1-4К
КИПТ18Б-4Ж
ч Аналог
CQS95L
TLY255
PLED-P514M4
CQS95E4
TLY134A
PLED-P513M5
CQS95E5
PLED-P533ML6
PLED-P513M7
PLED-G533ML6, LTL327HR
PLED-G543CL6, LTL327G
Z252YH
CQX74D6(A)
TLQ133A
TLQ132
GL5ND5
GL5ND5
LNO4202P
LD480
LN10204-P
RIM-053-052
RIM-053-052
LNO4202P
LNO4302P
LNO4302P
HLMP6754
HLMP6754
HLMP2600
LTL2600HR
LD484
Тип
прибора
КИПТ18Б1-4Ж
КИПТ18В-4Л
КИПТ18В1-4Л
КИПТ22А-7К
КИПТ22А-7Л
КИПТ22Б-7К
КИПТ22Б-7Л
КИПТ22В-7К
КИПТ22В-7Л
КИПТ24А-10К
КИПТ24Б-10К
КИПТ24В-10К
КИПТ24Г-10К
КИПТ24Д-10Л
КИПТ24Е-10Л
КИПТ24Ж-10Л
КИПТ24И-10Л
КИПТ26А-15К
КИПТ26Б-15Л
КИПТ26В-15Ж
КИПЦ01Е-1/7К
КИПЦ01А-1/7К
КИПЦ04А-1/8К
КЛ114А
КЛ114Б
КЛ114В
КЛЦ201
КЛЦ202
КЛЦ302
КЛЦ401
Аналог
HLMP6754
TLG259
LTL2800G
LNO7202P
LNO7302P
GL107R12
LNO7302P
GL107R12
GL107N12
HDSP4830
OBG4830
RBG1000
OBG1000
HDSP4850
GBG1000
GBG1000
GBG1000
15RAR3005 "
15RAG3011
15RAY3013
НА-1075, НА-1077
НА-1075, LD-913AR
НА-1181
UQB37
UQB37
UQB37
НА-1181
НА-1181
НА-1181
НА-1181
Литература
1. Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. Транзисторы бипо-
лярные и полевые. Диоды. Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные
приборы. Аналоги отечественных и зарубежных приборов. Справочное пособие. М., Солон, 2000 г.
2. Иванов В.И. Аксенов А.И., Юшин A.M. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы.
Справочник., М., Энергоатомиздат., 1988 г.
3. Нефедов А.В., Аксенов А.И. Кремниевые транзисторы для бытовой и промышленной радиоэлек-
тронной аппаратуры. Справочник., УПЦ ИПК Московская правда., 1993 г.
4. Петухов В.М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги. Том 1., М., КУбК-а., 1997 г.
5. Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные и их
зарубежные аналоги. Том 2., М., КУбК-а., 1997 г.
6. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой
мощности и их зарубежные аналоги. Том 3., М., КУбК-а., 1997 г.
7. Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и
их зарубежные аналоги. Том 4., М., КУбК-а., 1997 г.
8. Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы. Справочник., Солон, Микротех, 2000 г.
9. В. Кожевников, В. Асессоров, А. Асессоров, В. Дикарев. Мощные высоковольтные СВЧ
транзисторы. — Радио, 1999, № 10, с. 46.
10. Беляева С. Транзисторы КТ732А, КТ733А. — Радиолюбитель, 2000, № 4, с. 41.
Приборы, вошедшие в дополнение 489
Назначение приборов, вошедших в дополнение
Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516,
предназначенные для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзи-
сторы выпускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для
поверхностного монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26.
Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в
различных вариантах корпусов (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для
применения в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47).
Транзисторы КТ519А предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а транзисто-
ры КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в режиме
класса "В" портативных радиоприемников. В малошумящем предварительном усилителе может
использоваться транзистор КТ526А.
Транзисторы КТ734...КТ737 предназначены для схем с дополнительной симметрией со структура-
ми n-p-п и р-п-р в линейных переключательных и усилительных схемах.
Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тюне-
ров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и переклю-
чателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высоковольтных ключей, стабилизаторов с
импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран-
зисторы КТ820.1, КТ8203, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав-
ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла).
Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и КТ8234,
КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном исполнении, и
мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 на ток 15 А, КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 на ток 20 А,
мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы в ВЧ и СВЧ
диапазонах и биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) КЕ702.
Полевые пМОП-транзисторы КП734 и КП735 предназначены для применения в устройствах
автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое
переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам, а транзи-
сторы КП759, КП760, КП761 предназначены для применения в устройствах, где уровень мощности
рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод между истоком и стоком для
подавления воздействий переходного процесса.
Полевые транзисторы КП759, КП761 имеют нормированное значение энергии однократного и
повторяющегося лавинного пробоя (соответственно 210 и 5 мДж, 280 и 7,4 мДж, типовое значение
скорости восстановления защитного диода 3,5 В/нс, ток лавинного пробоя B,5, 4,5 и 8 А соответст-
венно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а также внутренние индуктивности
стока и истока D,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы изготавливаются в корпусном и
бескорпусном исполнениях. Транзисторы КП814 предназначены для работы в переключающих уст-
ройствах, ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения.
В состав новой номенклатуры диодов вошли как вновь разработанные, так и ранее выпускавшиеся
приборы, но в другом конструктивном оформлении (например, стабилитроны Д818 в корпусах,
соответствующих зарубежным стандартам типа DO-7, DO-35), для поверхностного монтажа (КД521А9,
КД522Б9 в корпусе КТ-46, КВ163А—КВ166А в корпусах КТ-46 и КД-36), для высокочастотных
применений (в корпусах КД-34, КД-116) или совместимые по габаритам с интегральными схемами.
Необходимо также отметить сдвоенный германиевый диод ГД404АР, сдвоенные диоды КДС111А2,
КДС132А1, КДС133А1, КД292АС (все с общим катодом), КДС111Б2, КДС132Б1, КДС133Б1, КД292БС
(с общим анодом), КДС111В2, КДС132В1, КДС133В1 (два последовательных диода), сдвоенные диоды
Шоттки с общим катодом КД273АС—КД273ЕС, КД636АС—КД636ЕС.
Полевые транзисторы КП523, 731, 737, 739—753, 775—781, 783—787 предназначены для
применения в усилительных, импульсных и переключательных схемах, источниках электропитания,
схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дисплеев.
Транзисторы КТ738 и КТ739, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 КТ8230 представляют собой комплемен-
тарные пары (р-п-р и п-р-п) и предназначены для усилительных и переключательных схем. Транзистор
КТ8224 предназначен для применения в высоковольтных источниках питания и схемах строчной
развертки телевизоров. Транзисторы КТ8214, КТ8215, КТ 8225 — схемы Дарлингтона.
490
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ3117А9
КТ3117Б9
KT3I2A1
КТ312Б1
КТ312В1
КТ3184А9
КТ3184Б9
КТ511А9
КТ511Б9
КТ5ПВ9
КТ511Г9
КТ511Д9
КТ511Е9
КТ511Ж9
КТ511И9
КТ511К9
КТ512А9
КТ512Б9
КТ512В9
КТ512Г9
КТ512Д9
KTS12E9
КТ512Ж9
КТ512И9
КТ512К9
КТ513А9
КТ513Б9
КТ513В9
КТ513Г9
КТ513Д9
КТ514А9
КТ514Б9
КТ514В9
КТ514Г9
КТ514Д9
Параметры биполярных
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк maxi
Рк, т max?
Рк, и maxi
мВт
300 (800*)
300
225
225
225
1200
1200
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
frpf fh216t
«••
»Ь21э,
Imax,
МГц
>200
>200
>80
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>50
>50
>50
>50
>50
>50
>50
>50
>50
^50
кремниевых транзисторов
UkBO max,
UK3R max,
Uk3O max,
В
60
75
20
35
20
80; 65**
80; 65**
200*
160*
120*
90*
70*
50*
30*
20*
10*
200*
160*
120*
90*
70*
50*
30*
20*
10*
300*
250*
200*
160*
120*
300*
250*
200*
160*
120*
UsBO max,
В
4
4
4
4
4
6
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
IK max,
I*-
IK, и max,
mA
ПЛ
400 @,8*A)
400 @,8*A)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
200
200
1,5 A
1,5 A
1,5 A
2 A
2 A
2 A
2 A
2A
2 A
1,5 A
1,5 A
1,5 A
2 A
2A
2 A
2A
2A
2 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
0,5 A
Ikbo,
Iksr,
Iioo,
mkA
<10 F0 B)
<10 G5 B)
<10 B0 B)
<10 C5 B)
<10 B0 B)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
491
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
re, Ом
Рвых, Вт
tK, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
40...200* E В; 0,2 А)
10...300* E В; 0,2 А)
<10 A0 В)
<10 A0 В>
<80*
<80*
10...100 B В; 20 мА)
25... 100 B В; 20 мА)
50...280 B В; 20 мА)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<40
<40
<40
<500; <100*
<500; <130*
<500; <130*
20...80 E В; 0,2 А)
50... 180 E В; 0,2 А)
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
<0,3
<0,25
<0,25
<0,2
<0,2
<0,35
<0,35
<0,35
<0,35
>20 E В;
>20 E В;
?20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
>20 E В;
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
0,5 А)
<0,3
<0,25
<0,25
<0,2
<0,2
<0,35
<0,35
<0,35
<О,35
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600О0В; 50 мА)
<5
<5
<5
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600 A0 В; 50 мА)
40...600A0В; 50 мА)
<5
<5
<5
492
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ515А9
КТ515Б9
KTS15B9
КТ516А9
КТ516Б9
КТ516В9
КТ517А
КТ517Б
КТ517В
КТ517Г
КТ517Д
КТ517Е
КТ517А-1
КТ517Б-1
КТ517В-1
КТ517Г-1
КТ517Д-1
KTS17E-1
КТ517А-9
КТ517Б-9
КТ517В-9
КТ517Г-9
КТ517Д-9
КТ517Е-9
КТ519А
КТ519Б
КТ519В
КТ520А
КТ520Б
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
Р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
Рк maxt
Рк, т max,
Рк, и max*
мВт
1000
1000
1000
1000
1000
1000
500
500
500
500
500
500
800
800
800
800
800
800
300
300
300
300
300
300
450
450
450
625
625
frp, fh216,
fh2l3,
Imax,
МГц
>120
>120
>120
>120
>120
>120
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>125
>100
>100
>100
>50
>50
UKBOmax,
UKSRmax,
UlOO max,
В
80*
50*
25*
80*
50*
25*
30; 30**
30; 30**
40; 40**
40; 40**
50; 50**
60; 60**
30
30
40
40
50
60
30; 30**
30
40
40
50
60
50; 45**
50; 45**
50; 45**
300:300**
200; 200**
иЭБО max,
В
—
—
—
—
—
5
5
5
IK max,
IK, и max,
mA
2 A
2 A
2 A
2A
2 A
2 A
0.5 A
0,5 A
0,5 A
0.5 A
0.5 A
0.5 A
0.5 A
0.5 A
0,5 A
0.5 A
0.5 A
0,5 A
300
300
300
300
300
300
100
100
100
500
500
Ikbo,
Ik3R,
1кэо,
мкА
—
—
—
—
—
<30,05 E0 B)
?0,05 E0 B)
<3O,O5 E0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
493
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
г б, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tjac, НС
1выкл, НС
Корпус
>50 E В; 0,5 А)
>50 E В; 0,5 А)
>25 E В; 0,5 А)
>50 E В; 0,5 А)
>50 E В; 0,5 А)
>25 E В; 0,5 А)
>5000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
10000... 100000 EВ;10мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<П
>5000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
1ОООО...1ОООООEВ;1ОмА)
>10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<П
>5000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
10000... 100000 EВ;10мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
<7
<7
<7
<7
<7
<7
60...150EВ; 1 мА)
100...300 E В; 1 мА)
200...600 E В; 1 мА)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<7 A0 В)
<10 A кГц)
<10A кГц)
<10 A кГц)
>40 A0 В; 10 мА)
>40 A0 В; 10 мА)
<3
<4
<25
<20
494
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ521А
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
КТ523В
КТ523Г
КТ523Д
КТ523А9
КТ523Б9
КТ523В9
КТ523Г9
КТ523Д9
КТ524А
КТ524А-5
КТ525А
КТ525А-5
КТ526А
Струк-
тура
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
РК max»
PR, т max»
"К, н max»
мВт
625
625
500
500
500
500
500
88 888
со со со со со
1000
1000
625
625
450
frp, fh216,
fh21a,
imax,
МГц
>50
>50
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>100
>100
>150
UkBO max,
UlOR max,
UK3O max,
В
300; 300**
300; 300**
30; 30**
30; 30**
40; 40**
50; 50**
60; 60**
30; 30**
30; 30**
40; 40**
50; 50**
60; 60**
40; 25**
40; 25**
40;20**
40; 20**
50; 45**
иЭБО max»
В
II II 1
1 1 II 1
6
6
5
5
5
Ik max,
IK, и max,
mA
500
500
ел сл сл сл сл
88888
88888
со со со со со
1500
1500
500
500
100
1КБО,
IK3R,
1кэо,
мкА
—
—
<0,1 C5 В)
<0,1 C5 В)
<0,1 B5 В)
<0,1 B5 В)
<0,05E0В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
495
П21э, П21Э
Ск,
С?2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, ДБ
Кш, ДБ
гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>40 A0 В; 10 мА>
>40 A0 В; 10 мА)
<6
<8
<25
<20
>5000 E В; 10 мА)
2:10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
<7
<7
<7
<7
<7
>5000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
>40 A В;Д8 А)
9 A0 В)
<0,6
85...300 A В; 0,1 А)
9 A0 В)
<0,6
64...202 A В; 50 мА)
A В; 0,8 А)
6О...1ОООEВ; 1 мА)
<3,5 A0 В)
<3
<10 A МГц)
496
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Iliieiil
KT526A-5
KT528A9
КТ528Б9
KT528B9
КТ528Г9
КТ528Д9
KT6128A
КТ6128Б
KT6128B
КТ6128Г
КТ6128Д
KT6128E
KT6136A
KT6137A
KT6138A
КТ6138Б
KT6138B
КТ6138Г
КТ6138Д
KT6139A
КТ6139Б
KT6139B
КТ6139Г
КТ6139Д
KT6140A
|§§У?§|§
litltill
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
шшшщшшшш.
iiiiliiiBilili
:-::Щ:;- йЩ^Щ i? Kir И' ГП 3 X ШШЩ?:Ш'
450
600
600
600
600
600
400
400
400
400
400
400
625
625
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
400
liii|ili|iiPlii
lllllfllljlllf
>150
—
—
—
>400
>400
>400
>400
>400
>400
>250
>300
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
>700
iiiifiwiiliiil
ISiiSelill
llllliiollilil
ililllllillllli
50; 45**
100*
80*
50*
30*
12*
30; 20**
30; 20**
30; 20**
30; 20**
30; 20**
30; 20**
40**
60; 40**
300
250
200
160
120
300
250
200
160
120
30; 15**
Iliiillill
5
—
—
—
—
—
—
—
—
5
6
—
—
—
—
—
—
5
;||||||1к 1те\хуШнШ.
100
2000
2000
2000
2000
2000
25
25
25
25
25
25
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
<0,05 E0 В)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
<0,05*
<0,05*
—
—
—
—
—.
—
<0,05 A2 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
497
П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рв"х, ВТ
Тк,ПС
tpac, НС
Хвыкл, НС
Корпус
60... 1000 E В; 1 мА)
<3,5 A0 В)
<3
<10 A МГц)
20...200 E В; 1 А)
20...200 E В; 1 А)
50...250 E В; 1 А)
50...250 E В; 1 А)
50...250 E В; 1 А)
<0,25
<0,25
<О,25
<0,25
<0,25
300
300
300
300
300
28...45 E В; 1 мА)
39...60 E В; 1 мА)
54...80 E В; 1 мА)
72...108 E В; 1 мА)
97... 146 E В; 1 мА)
132... 198 E В; 1 мА)
100...300 A В; 10 мА)
<4,5
<8
100...300 A В; 10 мА)
<4
<6
40...600 A0 В; 30 мА)
40...600 A0 В; 30 мА)
40...600 A0 В; 30 мА)
40...600 A0 В; 30 мА)
40...600 A0 В; 30 мА)
<25
<25
<25
<25
<25
40...600 A0 В; 30 мА)
4О...6ООAОВ;ЗОмА)
40...600 A0 В; 30 мА)
40...600 A0 В; 30 мА)
40...600 A0 В; 30 мА)
<25
<25
<25
<25
<25
28...198EВ; 1 мА)
<1,7 A0 В)
<50
498
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ638А1
КТ732А
КТ733А
КТ734А
КТ734Б
КТ734В
КТ734Г
КТ735А
КТ735Б
КТ735В
КТ735Г
КТ736А
КТ736Б
КТ736В
КТ736Г
КТ737А
КТ737Б
КТ737В
КТ737Г
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р .
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max*
Рк, т max»
PR, и max,
мВт
500
90* Вт
90* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
frp, fh216,
fh2Ui
f***
«max,
МГц
>200
>1
>1
IV IV IV IV
со со со со
>3
>3
>3
?3
>3
>3
>3
>3
>3
>3
2>3
>3
UkBO max,
UK3R max,
икЭОтах,
В
120
160
160
40
60
80
100
40
60
80
100
40
60
80
100
40
60
80
100
UsBO max,
В
5
7
7
"' 5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Ik max,
IK, и max,
mA
100
16 A
20* A
16 A
20* A
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
3 A; 5 A*
6 A;10 A*
6 A;10 A*
6 A;10 A*
6 A; 10 A*
6 A; 10 A*
6 A; 10 A*
6 A;10 A*
6 A; 10 A*
Ikbo,
Iksr,
Iioo,
mkA
<0,l A20 B)
0,75 mA
A60 B)
0,75 mA
A60 B)
<0,3** C0 B)
<0,3* C0 B)
<0,3*F0B)
<0,3* F0 B)
<0,3* C0 B)
<0,3* C0 B)
<0,3* F0 B)
<0,3* F0 B)
<0,7* C0 B)
<0,7* C0 B)
<0,7* F0 B)
<0,7* F0 B)
<0,7* C0 B)
<0,7* C0 B)
<0,7* C0 B)
<0,7* (ЗОВ)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
499
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Хк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
?50 A0 В; 2 мА)
<6
<25
?15 B В; 8 А)
>8 D В; 16 А)
<0,25
?15 B В; 8 А)
>8 D В; 16 А)
<0,25
>25 D В; 1 А)
?25 D В; 1 А)
>10 D В; 3 А)
?10D В;3 А)
<0,4
<0,4
<0,4
<0,4
?25 D В; 1 А)
?25 D В; 1 А)
?10 D В; 3 А)
?10 D В; 3 А)
?0,4
<0,4
<0,4
?0,4
?30 D В; 3 А)
?30 D В; 3 А)
?15 D В; 3 А)
?15 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<О,25
?30 D В; 3 А)
?30 D В; 3 А)
?15 D В; 3 А)
?15 D В; ЗА)
<0,25
<0,25
<0,25
?0,25
500
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ740А
КТ740А1
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ8111А9
КТ8ШБ9
КТ8ШВ9
КТ8134А
КТ8135А
КТ8171А
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
Рк maxi
Рк, т maxi
"К, и maxi
мВт
125* Вт
60* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
125* Вт
125* Вт
125* Вт
25* Вт
25* Вт
100* Вт
frp, fh216i
*И21э,
f***
Imaxi
МГц
>8
>8
>8
>8
IV IV IV
>3
UkbO max.
UK3R max,
UlOO max,
В
200
200
130*
100*
80*
70*
100
80
60
20
20
350**
USBO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IK max,
IK, и max,
mA
20 A
20 A
10A
10 A
10 A
10A
20 A
20 A
20 A
4A
4A
20 A
Ikbo,
Iksr,
lioo,
mkA
<2* mA A30 B)
<2*mAA00B)
<2* mA(80B)
<2* mA G0 B)
•—
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
501
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш, дБ
гб, Ом
Рвых, Вт
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>30
?0,125
<0,125
2О...125(ЗВ;2А)
20... 125 C В; 2 А)
20..Л25 C В; 2 А)
20... 125 C В; 2 А)
?500 A0 В)
?500 A0 В)
?500 A0 В)
?500 A0 В)
?0,33
?0,33
?0,33
?0,33
750...18000 C В; 10 А)
75О...18ООО(ЗВ; 10 А)
750... 18000 C В; 10 А)
?400
?400
?400
?0,2
?0,2
?0,2
4,5* мкс
4,5* мкс
4,5* мкс
40...250
?0,8
40...250
?0,8
S10000
502
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ8196А
КТ8197А-2
КТ8197Б-2
КТ8197В-2
КТ8199А
КТ8201А
КТ8203А
КТ8205А
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PK maXi
PR, t max,
n**
"К, и max»
мВт
100* Вт
2** Вт
5** Вт
8** Вт
50* Вт
20* Вт
20* Вт
75* Вт
frp, fh216,
fh2l3,
• max»
МГц
400
400
400
4
UkBO max,
Ui<3Rmax,
UlOO max,
В
350**
III
30
700; 400**
700; 400**
700; 400**
UsBO max,
В
5
9
9
9
IK max,
IK, и max,
mA
10 A
0,5 A
1 A
1,6 A
10A
300; 600*
1,5 А; ЗА*
4 A; 8 A*
Ikbo,
1кэя,
lioo,
mkA
<10C0B)
<10C0B)
<10 C0 B)
<10 C0 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
503
П21э, П21Э
Ск,
с?2э,
пФ
Гкэ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
re, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>400
2
15
25
15** A75 МГц)
10** A75 МГц)
80** A75 МГц)
0,5** A75 МГц)
2** A75 МГц)
5** A75 МГц)
85 A В; 8 А)
<0,125
5...40 B В; 0,2 А)
<5
<0,3; <2*
5...25 B В; 1 А)
<1
<0,7; <4*
8...40 E В; 2 А)
<0,25
<0,9;
504
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ8207А
КТ8209А
КТ8231А
КТ8231А1
КТ8231А2
КТ8232А1
КТ8232Б1
КТ8233А5
КТ8233Б5
КТ8233В5
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
Рк max»
Рк, т max»
*гК, и max,
мВт
80* Вт
100* Вт
180* Вт
155* Вт
65* Вт
125* Вт
125* Вт
—
frp, fh216,
«•*
1Ь21э,
Imax»
МГц
2>4
>4
>4
UkBO max»
UioR max,
Uick) max,
В
700; 400**
700; 400**
350**
350**
350**
350
350
100
80
60
UsBO max,
В
9
9
5
5
5
5
5
IK max,
IK, и max,
mA
8 A;16 A*
12 A; 24 A*
15A
15 A
15 A
20 A
20 A
5A
5A
5 A
Ikbo,
li<3R,
Iioo,
mkA
<10 C0 B)
<10 C0 B)
—
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
505
5...30 E В; 5 А)
<0,4
<0,7; <3*
6...30 E В; 8 А)
<0,25
<0,7; <3*
>400
>400
>400
300...8000 A0 В; 5 А)
300...8000 A0 В; 5 А)
<0,18
<0Д8
>1000 C В; 0,5 А)
>1000 C В; 0,5 А)
>1000 C В; 0,5 А)
<300
<300
<300
<3
<3
<3
506
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ8234А5
КТ8234Б5
КТ8234В5
КТ8235А
КТ8240А5
КТ8240Б5
КТ8240В5
КТ8240Г5
КТ8240Д5
КТ8240Е5
КТ8240Ж5
КТ8241А5
КТ8241Б5
КТ8241В5
КТ8241Г5
КТ8241Д5
КТ8241Е5
КТ8241Ж5
КТ8242А5
КТ8242Б5
КТ8242В5
КТ8243А5
КТ8243Б5
КТ8243В5
КТ8244А5
КТ8244Б5
КТ8244В5
КТ8244Г5
КТ8245А5
КТ8245Б5
КТ8245В5
КТ8245Г5
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
БСИТ
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Pk max,
PR, t max,
Рк, и max,
мВт
—
1000
1 1 II 1 II
II II 1 1 1
—
—
—
II II
frp, fh216,
ffi2ia,
fmax,
МГц
>4
>4
>4
>30
>150
>150
>150
2:150
>150
>150
>150
2:150
>150
>150
>150
>150
>150
>150
>25
2:25
>25
>:25
>25
>25
>150
2:150
>150
>150
IV IV IV IV
UkBO max,
UJOR max,
UJOO max,
В
100
80
60
700; 400**
30
30
40
50
60
70
80
30
30
40
50
60
70
80
100
80
60
100
80
60
45
60
60
80
45
60
60
80
USBO max,
В
5
5
5
5
II I.I II 1
II 1 II II
—
—
—
—
IK max,
Ik, и max,
mA
5A
5A
5A
2 A
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
Ikbo,
Ik3R,
lioo,
mkA
—
II II II 1
II II 1 II
—
—
—
—
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
507
П21э, П21Э
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
8...40 B В; 0,5 А)
?5000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
>10000EВ; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?5000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
>10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?10000 E В; 10 мА)
?500 C В; 0,5 А)
?500 C В; 0,5 А)
?500 C В; 0,5 А)
?500 C В; 0,5 А)
?500 C В; 0,5 А)
?500 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
?1000 C В; 0,5 А)
пФ
<200
<200
<200
<30
—
—
I
—
—
.
—
— ¦
<200
<200
<200
888
vi vi vi
<200
<200
<200
<200
8 8 8 8
vi vi vi vi
ГКЭ нас, Ом
ГВЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
со со со
VI VI VI
3
<15
<\1
<15
<!s
<!s
<15
со со со
VI VI VI
СО СО СО
VI VI VI
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
JYuj, Д*э
Гб, Ом
Рвых.Вт
III
—
—
—
—
—
—
—
—
Ill
—
MM
1 1 1 1
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
—
Ill
—
—
—
—
—
Ill
—
1 1 1 1
MM
Корпус
1,6
г
«::
1,6
1,6
1,6
1,6
1,6
со_ И
КТ8234-5
1,6
1
КТ8235
<
ги
11
_
[
КТ8240-5
1.6
¦ 1
КТ8241-5
1,6
КТ8242-5
1,6
¦<—*Ц —э^
КТ8243-5
1,6
КТ8244-5
1,6
КТ8245-5
1,6
1
0,5
j
Б it 3
0,5
0,5
1
0,5
i
0.5
]
0,5
J
0.5
-+<
j
508
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ8246А
КТ8246Б
КТ8246В
КТ8246Г
КТ8250А
КТ8250Б
КТ9115А
КТ9И5Б
КТ9131А
КТ9132АС
КТ9147АС
КТ9153АС
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Рк maxi
PR, т maxi
п**
"К. и max,
мВт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
60* Вт
50* Вт
50* Вт
10* Вт
10* Вт
350* Вт
163** Вт
233** Вт
50** Вт
frp. fh216,
fh2l3,
«max»
МГц
—
?90
?90
?100
UKBOmax,
UK3Rmax,
Uk3O max,
В
100
120
160
160
190; 40**
190; 80**
300* A0к)
150* (Юк)
100
50
50* A0 Ом)
50* A0 Ом)
U3BO max,
В
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
4
4
Ik max,
IK, и max,
мА
15 А
15 А
15 А
15 А
15А
15 А
100; 300*
100; 300*
25А; 40*А
11,2 А
29 А
4А
1КБО,
IlQR,
Iioo,
мкА
—
<0,05 B50 В)
<0,05A5ОВ)
^200* мА
A00 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
509
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГВЭ нас, Ом
Ку(р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Р»ых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
йыкл, НС
>1000
>1000
?1000
>1000
<2,5
<2,5
<2,5
<2,5
^100
^100
<0,05
<0,05
^25 A0 В; 30 мА)
>25 AQ В; 30 мА)
<5,5C0В)
,5 C0 В)
^33
<33
A0 В; 10 А)
<800 E0 В)
>10**
C0 МГц)
30,1
>400** C0 МГц)
?3,5** раз
>140**F50МГц)
>160**D00МГц)
>7,8**
C9О...64ОМГц)
510
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ9156АС
КТ9189А-2
КТ9189Б-2
КТ9189В-2
КТ9190А
КТ9190А-4
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
PK max»
PR, t max,
Рк, и max»
мВт
50** Вт
2** Вт
5** Вт
8** Вт
40** Вт
40** Вт
frp, fh216,
fh2l3,
.••¦.
Imax»
МГц
1000
1000
900
720
720
UkBO max,
U?C3R max,
UlOOmax,
В
50* A0 Ом)
UsBO max,
В
3
Ik max,
Ik, и max,
mA
4 A
0,5 A
1 A
1,6 A
8A
8A
Ikbo,
iibR,
lioo,
mkA
<60** mA E0 B)
III
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
511
П21э, П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Хк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
>15** @.65...1 ГГц)
4,5
13
20
12** D70 МГц)
10** D70 МГц)
6** D70 МГц)
0,5** A75 МГц)
2** A75 МГц)
5** A75 МГц)
65
20** D70 МГц)
65
20** D70 МГц)
512
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Тип
прибора
КТ9192А-2
КТ9192Б-2
КТ9193А
КТ9193Б
КТ9193А-4
КТ9193Б-4
КТ940А1
КТ940Б1
КТ940В1
КТ940А9
КТ940Б9
Струк-
тура
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Рк max»
PR, т max»
Рк, и max»
мВт
2** Вт
5** Вт
23** Вт
40** Вт
23** Вт
40** Вт
500, 10* Вт
500, 10* Вт
500, 10* Вт
1200
1200
frp, fh216,
fh2l3,
•max»
МГц
1200
1200
1000
1000
1000
1000
>90
>90
>90
>90
>90
UKBO max,
Uk3R max,
UlOO max,
В
300
250
160
300
250
ЧэБО max,
В
5
5
5
5
5
Ik max,
Ik, и max,
mA
0,5 A
1,6 A
4A
8 A
4A
8A
100; 300*
100; 300*
100; 300*
100
100
Ikbo,
iioR,
?**
1кэо,
мкА
<0,05 B50 B)
<0,05 B00 B)
<0,05 A00 B)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
513
П21э, П21Э
Ск,
С?2>,
пФ
ГкЭ нас, Ом
ГБЭ нас» Ом
Ку,р, дБ
Кш, ДБ
Гб, Ом
Рв"х, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1выкл, НС
Корпус
6** (900 МГц)
5** (900 МГц)
0,5** (900 МГц)
2** (900 МГц)
КТ9192-2
4 (900 МГц)
10** (900 МГц)
20** (900 МГц)
4 (900 МГц)
10** (900 МГц)
20** (900 МГц)
>25A0В; 30 мА)
>25 A0 В; 30 мА)
>25 A0 В; 30 мА)
<4,2 C0 В)
<4,2 C0 В)
<4,2 C0 В)
<3,3
^3,3
>25 A0 В; 30 мА)
>25A0В;30мА)
<4,2 C0 В)
<4,2 C0 В)
<3,3
<3,3
514
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
n-p-n
n-p-n
n-p-n
50* Вт
50* Вт
50* Вт
>50
>50
>50
150
150
150
15 А
10 А
15 А
<25* мАA50В)
<25*мАA50В)
<25* мА A50 В)
КТ961А1
КТ961Б1
КТ961В1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
500
500
500
>50
>50
100
80
60
1000
1000
1000
<10 F0 В)
<10 F0 В)
<10 F0 В)
КТ969А1
n-p-n
S6.1* Вт
>60
300
100
<0,05 B00 В)
КТ972В
КТ972Г
n-p-n
n-p-n
8* Вт
8* Вт
?200
>200
60
60
2 А; 4* А
2 А; 4* А
КТ973В
КТ973Г
р-п-р
р-п-р
8* Вт
8* Вт
>200
>200
60
60
2 А; 4* А
2 А; 4* А
КТ677АС
п-р-п
сборка
2500
100
60
1 А
<0,05
КЕ702А
КЕ702Б
КЕ702В
БТИЗ
75 Вт*
75 Вт*
75 Вт*
600
1000
900
50А
33 А
25 А
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
515
10...60 G В; 15 А)
10...60 G В; 10 А)
12...60 G В; 15 А)
<200 C0 В)
<200 C0 В)
<200 C0 В)
<0,17
<0,25
<0,17
<1,1* мкс
<1,1* мкс
<1,1* мкс
4О...1ООBВ;О,15 А)
63...160 B В; 0,15 А)
100...250 B В; 0,15 А)
<45
<45
<45
50...250 A0 В; 15 мА)
<1,8 (ЗОВ)
<60
750...5000 C В; 1 А)
75O...5OOO C В; 1 А)
<3
<2
<200*
<200*
750...5000 C В; 1 А)
75O...5OOO C В; 1 А)
<3
<2
<200*
<200*
>25
0,8
0,35
0,4
0,4
516
Параметры полевых транзисторов
Параметры полевых транзисторов
Тип
прибора
КП103Е9
КП103Ж9
КП103И9
КШ03К9
КШ03Л9
КШ03М9
КП303А9
КП303Б9
КП303В9
КП303Г9
КП303Д9
КП303Е9
КП303Ж9
КП303И9
КП307А1
КП307Б1
КП307Г1
КП307Е1
КП307Ж1
КП361А
КП734А
КП734Б
КП734В
КП734А5
КП734Б-5
КП735А
КП735Б
КП735В
КП735Г
Структура
С р-n переходом
и п-каналом
С р-n переходом
и п-каналом
С р-n переходом
и п-каналом
п-канал, для электретных
микрофонов
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
7
12
21
38
66
120
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
150
72*
72*
72*
72*
72*
100*
100*
100*
100*
U3H отс,
изИпор,
В
0.4... 1.5
0.5...2.2
0.6...3
1...4
2...6
2Д..7
0.5...3
0.5...3
1...4
<8
?8
?8
0.3...3
0.5...2
0.5...3
1...5
1.5...6
?2,5
57
1...2
1...2
1...2
to to
2...4
2...4
2...4
2...4
UcHmax,
Ulc max,
В
15
15
15
15
17
17
оооооооо
СО СО СО СО СО СО СО СО
27*
27*
27*
27*
27*
20
60; 60*
60; 60*
15; 15*
60; 60*
60; 60*
60; 60*
60; 60*
50; 50*
50; 50*
ЧЗИ max,
В
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
27
27
27
27
27
±10
±10
±10
±10
±10
±20
±20
±20
±20
1с,
1с. и,
мА
1 1 1 1 1 1
—
25
25
25
25
25
10
19 А
18 А
19 А
19 А
18 А
48 А
42 А
48 А
42 А
1С нач,
ICoct, «А
0.3...2,5
0.35...3.8
0.8...1.8
1...5.5
1.8...6.6
3...12
20
20
20
20
20
20
20
20
—
?0,25
?0,25
?0,25
20,25
?0.25
?0,25
?0,25
?0,25
?0.25
Параметры полевых транзисторов
517
S, мА/В
С*2и.
Сии, пФ
ПСИ отк, Ом
к;,Р> дБ
Рвых, Вт
дизи*. мВ
Кш, дБ
1С мкВ
i*t нВ/л/Гц
Корпус
0.4...2.4 A0 В)
О.5...2,8AОВ)
0.8...2.6 A0 В)
1...3.3 A0 В)
1,8...3,8A0В)
1.3.-4,4 A0 В)
?8«
<8*
3 A кГц)
3 A кГц)
3 A кГц)
3 A кГц)
3 A кГц)
3 A кГц)
1...4 A0 В)
1...4 A0 В)
2...5 A0 В)
3...7A0В)
2-2,6 A0 В)
?4 A0 В)
1...4 A0 В)
2...6 A0 В)
<2*
?2*
<2*
<2*
<2*
<2*
<2*
<2*
<4 A00 МГц)
<4 A00 МГц)
4...9A0В)
5...10 A0 В)
6..Л2 A0 В)
3...8 A0 В)
4...14 A0 В)
?4 A кГц)
<4 A кГц)
<1000; 400**
^1000; 400**
?1000; 400**
<0,05
<0,06
<25; ^50*
<25; ?50*
?30;<60*
?1000; 400**
?1000; 200*
?0,05
?0,06
?200**
?200**
?1800; 800*
?1800; 800*
?1800; 800*
?1800; 800*
?0.025
?0,028
?0,025
?0,025
?30; ?60*
?30; ?60*
?30; ?60*
?30; ?60*
518
Параметры полевых транзисторов
Тип
прибора
КП759А-5
КП759Б-5
КП759В-5
КП759Г-5
КП760А-5
КП760Б-5
КП760В-5
КП760Г-5
КП761А-5
КП761Б-5
КП761В-5
КП761Г-5
КП814А
КП814Б
КП814В
КП814Г
КП814Д
КП814Е
КП814Ж
КП814И
КП814К
КП814Л
КП814М
КП814Н
КП814П
КП814Р
КП814С
КП814Т
КП814У
КП814Ф
КП817А
КП817Б
КП817В
Структура
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канйл
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
МДП, п-канал
рМОП
рМОП
рМОП
РСИ max,
мВт
РСИ т max,
Вт
50*
50*
50*
50*
74*
74*
74*
74*
125
125
125
125
—
—
U3H отс,
иЗИ пор,
В
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
—
UcH max,
U3C max,
В
500
450
500
450
500
450
500
450
500
450
500
450
300
300
400
400
500
500
600
600
700
700
800
800
900
900
950
950
1000
1000
30
40
60
U3H max,
В
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
—
1с,
1с, и,
мА
2,5 А
2,5 А
2,5 А
2,5 А
4,5 А
4,5 А
4,5 А
4,5 А
8А
8 А
8А
8 А
10 А
12 А
8 А
10 А
7 А
10 А
6 А
8 А
5А
6 А
ЗА
4 А
ЗА
3,8 А
ЗА
3.6 А
ЗА
3.6 А
200*
150*
100*
1С нач,
1С ост, мА
—
—
—
СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО СО
VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI VI
—
Параметры полевых транзисторов
519
S, мА/В
Сци, С*2и,
СЙи, ПФ
отк, Ом
KJ.P, дБ
Рвых, Вт
Дизи, мВ
Кш, дБ
XJm, МКВ
Е", h
Q*", Кл
tewi, НС
teuKJi, НС
fp", МГц
Дизи/АТ*"
мкВ/'С
Корпус
360; 92**
360; 92**
360; 92**
360; 92**
?3
<3
<4
?4
8**
8**
8**
8**
610; 68*
610; 160**
610; 68*
610; 160**
16**
16**
16**
16**
1300; 120*
1300; 310**
1300; 120*
1300; 310**
?0,85
<0,85
23**
23**
23**
23**
1300...3000C0В;2,5А)
1300...3000(ЗОВ;2,5А)
13О0...3О0О(ЗОВ;2,5А)
1300...3000C0В;2,5А)
13О0...3ОО0C0В;2.5А)
13О0...300ОC0В;2,5А)
13О0...30О0(ЗОВ;2,5А)
1300...3000C0В;2,5А)
13О0...30О0(ЗОВ;2,5А)
13О0...3000C0В;2,5А)
13О0...300О(ЗОВ;2,5А)
13О0...30О0(ЗОВ;2,5А)
13О0...3О0ОC0В;2.5А)
13О0...3О0О(ЗОВ;2.5А)
13О0...3ОО0C0В;2,5А)
1300...3000C0В;2,5А)
13О0...3О0О(ЗОВ;2,5А)
13О0...3ООО(ЗОВ;2,5А)
<0,8
<1,5
?1,2
<2
<1,3
<2,3
?1,8
?3
?2,5
?4,2
?3
?4,5
?4
?4,5
?4
?4,7
?4
?0,04
?0,05
?0,15
520
Параметры варикапов
Тип
прибора
КВ140А-1
КВ140Б-1
КВ143Л
КВ143Б
КВ143В
КВ148А9
КВ148Б9
КВ148В9
КВ149А1
КВ149Б1
КВ149В1
КВ149А2
КВ149Б2
КВ149В2
КВ149АЗ
КВ149БЗ
КВ149ВЗ
КВ149ГЗ
КВ163А
КВ163А9
мин.
160
190
24
24
24
0,85
1
1,2
.1,9
1,8
2,2
1,9
1,8
2,2
1,9
1,8
2,2
2
1,85
1,85
Параметры
Сд,
макс.
210
240
30
30
30
1,2
1,3
1,5
2,4
2,4
2,7
2,4
2,4
2,7
2,4
2,4
2,7
2,4
2,3
2,3
варикапов
пФ
Uo6P, В
3
3
3
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
*изм, МГц
1
1
—
—
—
—
Qb
мин.
200
200
400
400
350
200
250
300
450
350
450
450
350
450
450
350
450
400
470
470
Uo6P, В
—
—
—
—
50
50
fH3M, МГц
—
_
—
—
.
—
—.
—
Параметры варикапов
521
1обр, мкА
(при и0бр, В)
Uo6P, В
РпР, Вт
(при Тизм, *С)
Т, *С
ОССв, 1/Х
(при U06p, В)
15
15
0,05
0,05
0,05
18
18
28
15
15
15
0,02
0,02
0,02
30
30
30
0,02
0,02
0,02
30
30
30
0,02
0,02
0,02
0,02
30
30
30
30
522
Параметры варикапов
Тип
прибора
КВ164А
КВ164А9
КВ165А
КВ165А9
КВ166А
КВ166А9
Сд, ПФ
мин.
2.4
2.4
2.9
2.9
0.85
0.85
макс.
2.9
2.9
3,4
3.4
1.2
1,2
Uo6P, В
28
28
28
28
28
28
f иш, МГц
Ов
мин.
300
300
60
60
250
250
Uo6pf В
50
50
50
50
50
50
1иэм,МГц
Параметры варикапов
523
Io6pt мкА
(при Uo6P, В)
Uo6P, В
Рпр, Вт
(при Тизм, *С)
Т, «С
ОССв, 1/*С
(при U06p, В)
Корпус
524
Параметры стабилитронов и стабисторов
Параметры стабилитронов и стабисторов
Тип
прибора
КС102А
КС106А
КС107А1
КС130Д-5
КС156А9
КС168А1
КС201В
КС201Г
КС291А
КС405А
КС433А1
Uct, В
мин.
4.76
2.9
0,67
2.8
5.04
6.3
11.34
12.35
86
5,89
3
ном.
5,1
0.7
5,6
6,8
12,6
13
91
6.2
3.3
макс.
5.36
3,5
0,77
3,2
6,16
7,3
13.86
13,65
96
6,51
3,6
1ст, МА
20
0,5
10
3
5
5
5
5
1
0.5
30
ccUct, %/*С
0,01
-0,13
0,3
±0,05
0.06
0,095
0.095
0.11
±0.002
0.1
5Ucr, %
±1.5
±1
±1,5
±1.5
±1,5
и„р, в
(при 1пр, мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов
525
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
1ст,
мин.
макс.
РпР, Вт
Токр.,
•с
Корпус
500 @,275)
0,01
0,5
0,4
-60...125
2 мВт
-60..70
100
-60...125
180 C)
0,2
16,7
0,05
-60...125
46 A0)
36
0,225
-60... 125
35E)
45
0,4
-60... 125
0,25
-60... 125
0,25
-60... 125
700A)
0.5
2,7
0,25
-45... 125
200 @.5)
0.1
60
0,4
-60... 125
25C0)
191
-60... 125
526
Параметры стабилитронов и стабисторов
Тип
прибора
КС439А1
КС447А1
KC4S6A1
КС468А1
КС482А1
КС510А1
КС512А1
КС515А1
КС515Г1
КС518А1
КС520В1
КС522А1
Uct, В
мин.
3,5
4,2
5
6,12
7,8
9,5
11
14
14,25
16
19
21
ном.
3,9
4,7
5,6
6,8
8,2
10
12
15
15
18
20
22
макс.
4,3
5,2
6,2
7,48
8,6
11
13
16
15,75
19
21
23
1ст, МА
30
30
30
30
5
5
5
5
10
5
5
5
ocUct, %/'С
0,1
0,03...0,08
0,05
0,065
0,08
0,1
0,1
0,1
±0,005
0,1
±0,01
0,1
бист, %
±1,5
±а,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±0,5
±1,5
±1
±1,5
Unp» В
(при 1Пр, мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов
527
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
25 C0)
18 C0)
10 C0)
5C0)
25E)
25 E)
25E)
25 E)
25A0)
25E)
120E)
25 E)
1ст, МА
мин.
3
3
3
3
1
1
1
1
1
1
макс.
176
159
139
52
96
79
67
53
31
45
22
37
Рпр, ВТ
1
1
1
0,4
1
1
1
1
0,5
1
0,5
1
Токр.»
•с
-60...125
-60... 125
-60...125
-60...125
-60... 125
-60... 125
-60...125
•60...125
-60... 125
-60...125
-60... 125
-60... 125
Корпус
001
с
1
м
/
COl
см
1
с
с
^
с
с
01
м
1
м
1
со'
с
м
С)
1
col
см
¦©..
1
001
см
1
001
см
/
ем l
f
КС439-1
¦
5,8
КС447-1
5,8
-чг-
КС456-1
¦ЕгЕ
5,8
*—>
КС468-1
-Е
5,8
*—»>
-
КС482-1
1
5,8
КС510-1
¦5Е
L
5,8
«—»¦
эг-
КС512-1
5,8
э^
КС515-1
¦ЕгЕ
5,8
КС515Г-1
1 i
..
i _
fllflH ''
1
fa
i
ex
coi
с
м
)
i
1
1
/д10\ Г
КС518-1
l
7
за
КС520-1
1
.
, т
т
М-
КС522-1
5,8
528
Параметры стабилитронов и стабисторов
Тип
прибора
КС523А
КС524А1
КС527А1
КС531В1
КС533А1
КС551А1
КС582А1
КС591А1
КС600А1
Д818А
Д818Б
Д818В
Д818Г
Д818Д
Д818Е
Ucx, В
мин.
28,5
23
26
29,45
31
48
78
86
95
9
7,2
7,6
7,6
7,6
8,1
ном.
30
24
27
31
33
51
82
91
100 '
9,5
8,3
8,4
8,7
8,6
8,5
макс.
31,5
25
28
32,55
35
54
86
96
105
11
9
10
10
10
8,9
1ст, мА
10
5
10
2
2,8
2,5
10
10
10
10
10
10
ccUct, %/*С
0,11
0,1
0,1
±0,005
0,1
0,12
0,12
0,12
0,12
±0,023
±0,023
±0,011
±0,006
±0,002
±0,001
5Uct, %
±1,5
±1,5
±1,5
±0,5,
2
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±0,11
±0,13
±0,12
±0,12
±0,12
±0,12
Unpt В
(при Inp, мА)
—
—
Параметры стабилитронов и стабисторов
529
Гст, Ом
(при 1ст, мА)
80B) ¦.
30E)
40E)
50A0)
90 E)
200A,5)
400A,5)
400A,5)
450 A,5)
70C)
18A0)
18 A0)
« 18A0)
18 A0)
18 A0)
1ст, МА
мин.
0,5
1
1
3
1
1
1
1
1
3
3
3
3
3
3
макс.
10
33
30
15
10
15
9,8
8,8
8,1
33
33
33
33
33
33
Рпр, ВТ
0,3
1
1
0,5
0,35
1
1
1
1
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
Токр.,
•с
-60...125
-6.0... 125
-60...125
-60...125
-60... 125
-60... 125
-60...125
-60... 125
-60...125
-60... 125
-60...125
-60... 125
-60... 125
-60...125
-60...125
Корпус
"Ч.
col
CM
i
со'
см
KC523
KC524-1
BE
k
5,8
3Q.
KC527-1
5,8
за
KC531
CM i
f
\
Cvi-
col
CM
1
col
CM
i
col
см
1
col
см
i
*4;
is.-
i
KC533-1
| Д—
i
KC551-1
5,8
KC582-1
r-\r~
1
5,8
э^
KC591-1
czzz.
5,8
* *
за
KC600-1
Д
5,8
*—*
518
Д818
BE
7,6
530
Параметры диодов, столбов и блоков
Параметры диодов, столбов и блоков
Тип
прибора
p
в
Uo6p и max»
В
Inp maxi MA
Inp, cp таю MA
Inp, и maxi МЛ
>д max,
кГц
и„Р, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6P, В)
*вос, обр,
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД126А
КД127А
300
800
250; 1100*
250; 1100*
20
20
1,4B50)
1,4 B50)
2C00)
2(800)
<0,2
<0,2
КД128А
КД128Б
КД128В
50
75
95
160
160
160
1 A60)
1 A60)
1 A60)
21
21
21
КД130АС
50
300; 1000*
200
1,25C00)
1 E0)
0,03
2,5.
КД210А1
КД210Б1
КД210В1
КД210Г1
800*
800*
1000*
1000*
10 А; 50* А
10 А; 50* А
10 А; 50* А
10 А; 50* А
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
4.5 мА (800В)
4,5 мА (800В)
4,5 мА A000В)
4,5 мА A000В)
КД227ГС
КД227ЕС
КД227ЖС
280
420
560
5 А; 15* А
5 А; 15* А
5 А; 15* А
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
800
800
800
КД237А
КД237Б
100
200
1 А
1 А
1,3A А)
1,3A А)
5A00)
5A00)
50
50
КД248А
КД248Б
КД248В
КД248Г
КД248Д
КД248Е
КД248Ж
КД248И
КД248К
1000
1000
800
800
600
600
400
400
1000*
3 А; 9,6* А
1 А; 3,2* А
3 А; 9,6* А
1 А; 3,2* А
3 А; 9,6* А
1 А; 3,2* А
3 А; 9,6* А
1 А; 3,2* А
1,5 А; 4,8* А
100
100
100
100
100
100
100
100
65
1.4 (ЗА)
1,4 A А)
1,4C А)
1.4A А)
1,4C А)
1.4 A А)
1,4 C А)
1.4A А)
1.1 A,5 А)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
<0,25
<0,25
50,25
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
Параметры диодов, столбов и блоков
531
Тип
прибора
КД249А
КД249Б
КД249В
КД259А
КД259Б
КД259В
КД273АС
КД273БС
КД273ВС
КД273ГС
КД273ДС
КД273ЕС
два диода
КД275А
КД275Б
КД275В
КД275Г
КД275Д
КД275Е
КД280А
КД280Б
КД280В
КД280Г
КД280Д
КД280Е
КД280Ж
КД281А
КД281Б
КД281В
КД281Г
КД281Д
КД281Е
КД281Ж
КД281И
КД281К
КД281Л
КД281М
КД281Н
КД281П
КД292АС
два диода
КД292БС
два диода
Uo6p max»
В
Uo6p и max»
В
40
30
20
90
80
60
25
50
75
100
150
200
50
100
200
400
600
800
50
100
200
400
600
800
100
50
100
200
400
600
800
1000
400
600
800
400
600
800
450
450
Inp max» MA
Inp, cp max, MA
Inp, и max, MA
3 А; 10* А
3 А; 10* А
3 А; 10* А
3 А; 10* А
3 А; 10* А
3 А; 10* А
20 А; 1200* А
20 А; 1000* А
20 А; 800* А
20 А; 700* А
20 А; 600* А
20 А; 520* А
2,2 А
2.2 А
2,2 А
2,2 А
2,2 А
2,2 А
3 А; 100* А
3 А; 100* А
3 А; 100* А
3 А; 100* А
. 3 А; 100* А
3 А; 100* А
3 А; 100* А
1 А; 30* А
1 А; 30* А
1 А; 30* А
1 А; 30* А
1 А; 30* А
1 А; 30* А
1 А; 30* А
0,7 А; 30* А
0,7 А; 30* А
0,5 А; 30* А
0.3 А; 30* А
0,3 А; 30* А
0.3 А; 30* А
500
500
fд iftax,
кГц
—
—
—
—
ипр,в,
не более
(при 1Пр, мА)
0,475 C А)
0,475 C А)
0,475 C А)
0,8C А)
0,75 C А)
0,7 C А)
0,65 B0 А)
0,75 B0 А)
0,85 B0 А)
0,9 B0 А)
1 B0 А)
1,05 B0 А)
1,4B,2 А)
1.4B.2 А)
1,4B,2 А)
1.4 B,2 А)
1.4 B.2 А)
1.4 B,2 А)
.2 C А)
,2 C А)
.2 C А)
,2 C А)
.2 C А)
.2 C А)
.2 C А)
.1 A А)
.1 A А)
.1 A А)
.1 A А)
Л A А)
,1 A А)
Л A А)
@.7 А)
@.7 А)
@.5 А)
@.3 А)
@,3 А)
@,3 А)
1,2 E00)
1.2E00)
1обр» МКА
не более
(при Uo6P, В)
3000
3000
3000
3000
3000
.3000
1 B5)
1 E0)
1 G5)
1 A00)
1 A50)
2B00)
50E0)
50 A00)
50B00)
50 D00)
50 F00)
50 (800)
10
10
10
10
10
10
10
50 E0 В)
50 A00 В)
50 B00 В)
50 D00 В)
50 F00 В)
50 (800 В)
50 A000 В)
50 D00 В)
50 F00 В)
50 (800 В)
50 D00 В)
50 F00 В)
50 (800 В)
50 D50 В)
50 D50 В)
'вое, обр»
МКС
—
—
—
0,25
0,25
. 0,25
0,25
0,25
0.25
—
—
Сд, пФ
(при
Uo6P, В)
750
750
750
—
1700
1700
1700
1700
1700
1700
—
—
—
Корпус
см
со
см
<о
«с
\
¦«г
КД249
9,65
и
1ч]
КД259
9,65
1 , ¦¦¦¦¦¦¦¦
и
1 /
1С
1
К.
h
ГА
Ц273
4.8
2
КД275
см
со
\
<•>
«к
4
\<
Н
, 7,
ч
КД280
9,65
—up—
и
КД281
СМ 1 i
at
ем 11
&::
/" N
12,5
КД292АС
,pwr
iffl
-Ш
у_
КД292БС
т\ , Г .
/_1-\ Т'
532
Параметры диодов, столбов и блоков
Тип
прибора
Uo6p mm
В
Uobp н max
В
Inp, cp max
1пр, и maxi
» МЛ
•я max,
кГц
ипр, в,
не более
(при 1пр, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6p, В)
teoc, o6pt
МКС
Сд, пФ
(при
Uo6p, В)
КД2989А
КД2989Б
КД2989В
600
400
200
20 А; 60* А
20 А; 60* А
20 А; 60* А
100
100
100
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
200F00)
200 D00)
200 B00)
S0.15
?0,15
<0,15
КД2989А-1
КД2989Б-1
КД2989В-1
600
400
200
20 А
20 А
20 А
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
200F00)
200 D00)
200 B00)
КД409А9
КД409Б9
40
40
100;500*
100:500*
5О...ЗООМГц
50...300МГц
1,2 A00)
1 E0)
0,5
0,5
1
1,5
КД424В
КД424Г
200
150
2 А; 5* А
2 А; 5* А
1,1 C00)-
1,1 C00)
0,1
0,1
10
10
КД512А1
20
20; 200*
1,1 (Ю)
0,001
КД514А1
10
20:50*
1,1 A0)
0,9
КД521А9
75
50;500*
1E0)
1 G5)
КД522Б9
50
100; 1500*
1 A00)
1E0)
КД532А
300
100; 200*
1,2 A00)
0,1
0,25
2 B0 В)
Параметры диодов, столбов и блоков
533
Тип
прибора
Uo6p max.
В
Uo6p и max»
В
*пр max» МЛ
Im>, cp maxi МЛ
1пр, и тех, мА
1дтах>
кГц
и„р, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1обР, мкА
не более
(при Uo6P, В)
Хвое, обр>
МКС
Сд, пФ
(при
Uoep, В)
Корпус
КД636АС
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
60
120
200
400
600
800
15 А; 50* А
15 А; 50* А
15 А; 50* А
15 А; 50* А
12 А; 50* А
12 А; 50* А
1 A0 А)
1.1 A0 А)
1.2 A0 А)
1.3 A0 А)
1.4 A0 А)
1.5 A0 А)
1 мА F0)
1 мА A20)
1 мА B00)
3 мА D00)
3 мА F00)
3 мА (800)
КД708А
КД708Б
КД708В
200
200
100
1 А; 5* А
1 А; 5* А
1 А; 5* А
1,2A А)
1.2 A А)
1A А)
0,01
0,015
0,025
20
20
25
КД710А
35
100; 200*
1,2A00)
0,1 B0 В)
0,006
2 A0 В)
КД711А
35
100; 200*
1,2 A00)
0,025 A5 В)
0,01
КД805А9
75
200; 450*
1 A00)
5G5)
0,004
КД810А
10; 30*
0,4 A0)
100C)
0.002
Л A В)
КД812А
КД812Б
КД812В
30; 60*
30; 60*
30; 60*
0,23 (I)
0,23 A)
0,24 A)
100
100
100
0.002
0.002
0,002
1 A В)
1.5 A В)
1.1 A В)
КД921А
КД921Б
18
21
100:200*
75; 150*
900 МГц
900 МГц
1G5)
1,6G5)
0.5 A8)
0,5 B1)
1.5
1.5
534
Параметры диодов, столбов и блоков
Тип
прибора
Uo6p max»
¦ В *
v/обр и maxi
В
»пр max» MA
*пр, ср тах> МА
*пр, и maxi MA
¦д maxi
кГц
ипр, в,
не более
(при 1Пр, мА)
1о5р| МКА
не более
(при Uoep, В)
(вое, обр»
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
КД927А
35
10; 20*
0,23 @,1)
15 C5)
0,5
КЦ103А
2000*
10; 1* А
50
9E0)
10 B000)
КЩ09АМ
6000*
300
C00)
10 F000)
1.1
i
КЦ118А
КЩ18Б
7кВ
10 кВ
2; V
2; 1*
35 A0)
35 A0)
0,3
0,3
КЦ122А
КЦ122Б
КЦ122В
14 кВ
12 кВ
10 кВ
16
16
16
21 E)
21E)
21E)
0,5
1
1
0,4
0,4
0,4
КЦ206А
КЦ2О6Б
КЦ206В
6кВ
8кВ
9,5 кВ
350; 30* А
350; 30* А
350; 30* А
12 C50)
9 C50)
9 C50)
25
100
100
КЦ302А
КЦ302Б
КЦ302В
КЦ302Г
1400
1000
600
180
300; 15* А
300; 15* А
300; 15* А
300; 15* А
2 C00)
2C00)
2C00)
2 C00)
КЦЗОЗА
КЦЗОЗБ
КЦЗОЗВ
кцзозг
кцзозд
КЦЗОЗЕ
кцзозж
кцзози
кцзозк
кцзозл
кцзозм
кцзозн
100
200
300
400
500
600
100
200
300
400
500
600
1 А; 35* А
1 А; 35* А
1 А; 35* А
1 А; 35* А
1 А; 35* А
1 А; 35* А
2 А; 35* А
2 А; 35* А
2 А; 35* А
2 А; 35* А
2 А; 35* А
2 А; 35* А
2,5 A А)
2,5 A А)
2,5 A А)
2,5 A А)
2,5 A А)
2,5A А)
3B А)
3B А)
3B А)
3B А)
3B А)
3B А)
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
КЦ422А
КЦ422Б
КЦ422В
КЦ422Г
50
100
200
400
500
500
500
500
1,1 @,5 А)
1,1 @,5 А)
1.1 @,5 А)
1,1 @,5 А)
50 E0 В)
50 A00 В)
50 B00 В)
50 D00 В)
Параметры диодов, столбов и блоков
535
Тип
прибора
Uобр max?
В
Uo6p н пих»
В
*пр maxi MA
*пр, cp max» MA
Inp, и maxi MA
1д maxt
кГц
ипр, в,
не более
(при 1„р, мА)
1обр, мкА
не более
(при Uo6P, В)
teoc, овр|
МКС
Сд, ПФ
(при
Uo6P, В)
Корпус
ГД404АР
3; 20*
0.4 A0)
КДС111А2
КДСШБ2
КДС1ИВ2
два диода
300
300
300
200;500*
200; 500*
2ОО;5ОО*
20
20
20
1.2 A00)
1.2A00)
1.2A00)
3C00)
3C00)
3C00)
КДС132А1
КДС132Б1
КДС132В1
два диода
250
250
250
200; 500*
200; 500*
200; 500*
1.2A00)
1,2A00)
1,2A00)
3C00)
3C00)
3C00)
КДС133А1
КДС133Б1
КДС133В1
два диода
200
200
200
200; 500*
200:500*
200; 500*
1.2 A00)
1.2A00)
1,2 A00)
3C00)
3 C00)
3C00)
<5
536
Параметры тиристоров
Параметры тиристоров
Тип
прибора
КУ709А
КУ709Б
КУ709В
КУ709А-1
КУ709Б-1
КУ709В-1
КУ709А-2
КУ709Б-2
КУ709В-2
КУ710А
КУ710Б
КУ710В
КУ711А
КУ711Б
КУ711В
Uo6p,n,
Uo6p, max,
В
800
1200
1600
800
1200
1600
800
1200
1600
800
1200
1600
600
1200
1600
IT*
L>3c, max»
В
III
IN
Ioc, и,
A
—
Ioc, cp,
Ioc, n,
A
16
16
16
16
16
16
25
25
25
55
55
90
90
90
Uoc<( и,
В
—
Ill
Uy, HOT,
в
—
Ill
III
1зс, n,
мА
—
Ill
III
Io6p, n,
loop,
мА
—
Ill
Параметры тиристоров
537
Iy, OTf
1у.з,и,
мА
Uy, ОТ»
Uy,OT,H»
в
dUac/dt,
В/мкс
МКС
1ВЫКЛ|
МКС
Корпус
45
45
45
500
500
500
КУ709А, Б, В
45
45
45
500
500
500
45
45
45
500
500
500
150
150
150
2,5
2,5
2,5
500
500
500
150
150
150
2,5
2,5
2,5
500
500
500
538
Параметры тиристоров
Тип
прибора
КУ712А
КУ712Б
КУ712В
КУ712Г
КУ712А-1
КУ712Б-1
КУ712В-1
КУ712Г-1
КУ712А-2
КУ712Б-2
КУ712В-2
КУ712Г-2
Uo6p,n,
Uo6p, max»
В
500
800
1000
1100
500
800
1000
1100
500
800
1000
1100
U3C,n!
U3C, max.
В
—
— ¦
Ioc, Hi
A
II II
—
Ioc, cpi
Ioc, n,
A
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
Uoc.H,
В
—
—
Uy, HOT»
в
1 II 1
—
—
1зс, п»
й.
мА
1 1 II
—
—
Io6p, п»
1обр,
мА
—
—
Параметры тиристоров
539
Iy. OTt
1у,з,и>
мА
U У, OTf
Uy.OT.Ht
в
dUsc/dt,
В/мкс
1ВКЛ|
МКС
1выкл>
МКС
Корпус
500
500
500
500
2
2
2
2
500
500
500
500
2
2
2
2
500
500
500
500
540
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ220А9
КТ220Б9
КТ220В9
КТ220Г9
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
2СЮ
200
200
200
?250
?250
?250
?250
60
60
60
60
100
100
100
100
КТ3143А
п-р-п
50
?600
10
10
<0,5A0В)
КТ3144А
п-р-п
50
?1800
15
10
\ <0,5A5В)
КТ3184А9
КТ3184Б9
п-р-п
п-р-п
1200
1200
?200
?200
80; 65*
80; 65*
500
500
<10 F0 В)
<10 F0 В)
КТ3193А
КТ3193Б
КТ3193В
КТ3193Г
КТ3193Д
КТ3193Е
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
200
200
200
200
200
200
?50
?50
?50
?50
?50
?50
50* (Юк)
40* (Юк)
30* (Юк)
50* (Юк)
40* (Юк)
30* (Юк)
20
20
20
5
5
5
150; 300*
150; 300*
150; 300*
150; 300*
150; 300*
150; 300*
<50 E0 В)
<50D0В)
<50 C0 В)
<50 E0 В)
<50 D0 В)
<50 C0 В)
КТ3198А9
КТ3198Б9
КТ3198В9
КТ3198Г9
КТ3198Д9
КТ3198Е9
КТ3198Ж9
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
280
280
300
300
280
300
200
?4200
?4200
?4000
?4000
?3000
?6000
?6500
20
20
20
15
20
20
20
2,5
2,5
2,5
2
2,5
3
2.5
30
30
50
35
30
100
50
КТ3198А92
КТ3198Г92
п-р-п
п-р-п
300
300
?4500
?5000
20
15
2,5
2
30
35
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
541
90... 180
135...270
200... 400
300...600
40...300 E В; ЮмА)
<3 E В)
<0,4
>40A В;5мА)
<1,9 E В)
<5 D00 МГц)
20...80 E В; 0,2 А)
5О...18ОEВ;О,2 А)
<15 A0 В)
<15A0В)
<4; 7,5*
<4; 7,5*
<6 A00 МГц)
<6 A00 МГц)
<400
<400
80...400 E В; 30 мА)
80...400 E В; 30 мА)
80...400 E В; 30 мА)
100...40О E В; 30 мА)
100...400 E В; 30 мА)
100...400 E В; 30 мА)
<35 B0 В)
<35 B0 В)
<35 B0 В)
<60 B0 В)
<60 B0 В)
<60 B0 В)
<400*
<400*
<400*
<400*
<400*
>40A0В; 14 мА)
>40A0В; 14 мА)
>25 E В; 30 мА)
>40 E В; 30 мА)
>20 A В; 2 мА)
>50A0В;20мА)
>50 E В; 15 мА)
>13** @,5 ГГц)
>11** @,8 ГГц)
>13** @,5 ГГц)
@,8 ГГц)
@,8 ГГц)
>11**
>10**
>12**
>16**
@,8 ГГц)
@,8 ГГц)
<2,4 @,5 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<2,3 @,5 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<4 @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<1,8 @,8 ГГц)
>35 E В; 10 мА)
>40A0В; 14 мА)
>11** @,8 ГГц)
>12** @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
<3,4 @,8 ГГц)
542
Параметры полевых транзисторов
КТ3199А9
n-p-n
300
>6000
20
2,5
50
КТ3199А91
n-p-n
300
>6000
20
2,5
50
КТ3199А92
n-p-n
300
>5500
15
50
КТ3201А9
КТ32О1Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
КТ529А
КТ53ОА
КТ538А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
n-p-n
n-p-n
300
300
300
300
500
500
700
>100
>100
>100
>100
450
400
300
250
>150
60
>150
60
>4
600
400
400
400
400
1 A
1 A
500
SI (80 B)
<1 (80 B)
<100*
Параметры полевых транзисторов
543
>60 E В; 15 мА)
>15** @,8 ГГц)
<1,8 @,8 ГГц)
?60 E В; 15 мА)
>15** @,8 ГГц)
<1,8 @,8 ГГц)
>80 (8 В; 15 мА)
>12** @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
>30A0В;50мА)
>30A0В;50мА)
>30 A0 В; 50 мА)
>30 A0 В; 50 мА)
<4,5 B0 В)
<4,5 B0 В)
<4,5 B0 В)
<4,5 B0 В)
<10; 1,5*
<10; 1,5*
<10; 1,5*
<10; 1,5*
>180 E В; 300 мА)
>0,7
>180 E В; 300 мА)
>0,7
5..90
544
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6109Г
КТ6109Д
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
625
625
625
625
625
>300
>300
>300
>300
>300
40; 20* (Юк)
40; 20* (Юк)
40; 20* (Юк)
40; 20* (Юк)
40; 20* (Юк)
500
500
500
500
500
<0,1 мкАB5В)
<0,1 мкАB5В)
<0,1 мкА B5 В)
<0,1 мкАB5В)
<0,1 мкА B5 В)
КТ6131А
п-р-п
1,3 Вт
>3,5 ГГц
A0 В; 50 мА)
40; 20* Aк)
150
<0,5 мкА D0 В)
КТ6132А
р-п-р
1,3 Вт
>3,5 ГГц
A0 В; 50 мА)
40
150
<0,5 мкА D0 В)
КТ6135А9
КТ6135Б9
КТ6135В9
КТ6135Г9
КТ6135Д9
КТ6142А9
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1 Вт
1 Вт
1 Вт
1 Вт
1 Вт
600
>90
>90
>90
>90
>90
5000
400
300
200
100
50
20
500
500
500
500
500
100
КТ6141А9
КТ6141Б9
п-р-п
п-р-п
500
700
>3200
>3200
20
20
50
70
КТ6142А
КТ6142Б
КТ678АС
п-р-п
п-р-п
600
600
6000
4000
20
25
70
100
п-р-п
500; 1** Вт
>250
60
200; 750*
<0,05 D0 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
545
64...91 A В; 50 мА)
78... 112 A В; 50 мА)
98... 135 A В; 50 мА)
112...166A В; 50 мА)
144...202 A В; 50 мА)
>40A0В; 100 мА)
<2 A0 В)
>40A0В; 100 мА)
<2 A0 В)
>50 A0 В; 50 мА)
>50 A0 В; 50 мА)
>50 A0 В; 50 мА)
>50 A0 В; 50 мА)
>100A0В;50мА)
>50A0В;20мА)
<10; 16*
<10; 16*
<10; 16*
<10; 16*
<12; 16*
>11** @,8 ГГц)
<2 @,8 ГГц)
>50A0В; 50 мА)
>50 A0 В; 50 мА)
>14** @,5 ГГц)
>9** @,8 ГГц)
<3,6 @,5 ГГц)
<4 @,8 ГГц)
>50A0В;50мА)
>40A0В;50мА)
>11** @,8 ГГц)
>12** @,8 ГГц)
<3 @,8 ГГц)
<3 @,8 ГГц)
75...230 A В; 10 мА)
<4 E В)
<20; 85*
<510*
546
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ731А
КТ731Б
КТ731В
КТ731Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1 Вт; 10* Вт
1 Вт; 10* Вт
1 Вт; 10* Вт
1 Вт; 10* Вт
>30
?30
>30
>30
25; 20**
40;35**
60; 55**
80; 70**
1,5 А; 3* А
1,5 А; 3* А
1,5 А; 3* А
1,5 А; 3* А
<20 C0 В)
<20 C0 В)
<20 C0 В)
<20 C0 В)
КТ738А
п-р-п
90 Вт
70
10 А
1 мА A00 В)
КТ739А
р-п-р
90 Вт
70
10 А
1 мА A00 В)
КТ8113А
КТ8113Б
КТ8113В
р-п-р
р-п-р
р-П-р
2 Вт; 65* Вт
2 Вт; 65* Вт
2 Вт; 65* Вт
>3
>3
>3
100
80
60
6 A0*) А
6 A0*) А
6 A0*) А
<700 F0 В)
<700 F0 В)
<700 C0 В)
КТ8163А
п-р-п
50 Вт
600
7 А; 10* А
<100 F00 В)
КТ8165А
КТ8165Б
КТ8165В
КТ8165Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
3 Вт; 50* Вт
3 Вт; 50* Вт
3 Вт; 50* Вт
3 Вт; 50* Вт
>20
>20
>20
>20
90
70
50
90
10A5*) А
10 A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
<3 мА (90 В)
<3 мА G0 В)
<3 мА E0 В)
<3 мА (90 В)
КТ8166А
КТ8166Б
КТ8166В
КТ8166Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
50 Вт
50 Вт
50 Вт
50 Вт
>20
>20
>20
>20
90
70
50
90
10 А A5* А)
10 А A5* А)
10 А A5* А)
10 А A5* А)
<3 мА (90 В)
<3 мА G0 В)
<3 мА E0 В)
<3 мА (90 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
547
>40A0В; 50 мА)
>40A0В; 50 мА)
>40 A0 В; 50 мА)
>30 A0 В; 50 мА)
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
20...70 D В; 4 А)
<0,3
<Г
20...70 D В; 4 А)
<0,3
<0,7*
15...75* D В; 3 А)
15...75* D В; 3 А)
15...75* D В; 3 А)
<0,27
<0,27
<0,27
10...30 B В; 1 А)
<100 A0 В)
<0,5
<1,5* мкс
80...250 E В; 5 А)
80...250 E В; 5 А)
80...250 E В; 5 А)
4О...16ОEВ;5 А)
<1300 A0 В)
<1300 A0 В)
<1300 A0 В)
<1300 A0 В)
<1000**
<1000**
<1000**
<1000**
80..250 E В; 5 А)
80...250 E В; 5 А)
80...250 E В; 5 А)
40...160EВ;5 А)
<1300 A0 В)
<1300A0В)
<1300 A0 В)
<1300 A0 В)
?1000**
<1000**
<1000**
<1000**
548
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ8167А
КТ8167Б
КТ8167В
КТ8167Г
КТ8167Д
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
>30
>30
>30
>30
100* Aк)
80* Aк)
50* Aк)
100* Aк)
80* Aк)
4,5
4,5
4,5
4,5
4,5
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
<200 A00 В)
<200 (80 В)
<200 E0 В)
<200 A00 В)
<200 (80 В)
КТ8168А
КТ8168Б
КТ8168В
КТ8168Г
КТ8168Д
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
0,8 Вт; 10* Вт
>30
>30
>30
?30
>30
100* Aк)
80* Aк)
50* Aк)
100* Aк)
80* Aк)
4,5
4,5
4,5
4,5
4,5
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
2 D*) А
?200 A00 В)
<200 (80 В)
<200 E0 В)
<200 A00 В)
<200(80В)
КТ8212А
КТ8212Б
КТ8212В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
65 Вт
65 Вт
65 Вт
>3
>3
>3
60
80
100
6А
6А
6 А
<400* мА F0 В)
<400* мА (80 В)
<400* мА A00 В)
КТ8213А
КТ8213Б
КТ8213В
р-п-р
р-п-р
р-п-р
65 Вт
65 Вт
65 Вт
60
80
100
6А
6 А
6А
<400* мА F0 В)
<400* мА (80 В)
<400* мАA00В)
КТ8214А
КТ8214Б
КТ8214В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
50 Вт
50 Вт
50 Вт
60
80
100
2 А
2А
2А
<1000 F0 В)
<1000 (80 В)
<1000A00В)
KT82I5A
КТ8215Б
КТ8215В
р-п-р
р-п-р
р-п-р
50 Вт
50 Вт
50 Вт
60
80
100
2 А
2А
2А
<1000F0В)
<1000 (80 В)
<1000A00В)
КТ8216А
КТ8216Б
КТ8216В
КТ8216Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>3
>3
40**
60**
80**
100**
10 A5*)А
10 A5*)А
10 A5*)А
10 A5*) А
<0,2 D0 В)
<0,2 F0 В)
<0,2 (80 В)
<0,2A00В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
549
80...250 A В; 1 А)
80...250 A В; 1 А)
8O...25OU В; 1 А)
40... 160A В; 1 А)
160...350 (I В; 1 А)
<400 E В)
<400 E В)
<400 E В)
<400 E В)
<400 E В)
<0,35
<0,35
<0,35
<0,35
<О,35
<1,8* мкс
<1,8* мкс
<1,8* мкс
<1,8* мкс
<1,8* мкс
?80...250 A В; 1 А)
^80...250 A В; 1 А)
^80...250 A В; 1 А)
?40... 160A В; 1 А)
>160...350 A В; 1 А)
<400 E В)
<400 E В)
<400 E В)
<400 E В)
<400 E В)
<0,35
<0,35
<0,35
<0,35
<0,35
<1,8* мкс
<1,8* мкс
<1,8* мкс
<1,8* мкс
<1,8* мкс
15...75 D В; 3 А)
15...75 D В; 3 А)
15...75 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,7**
<0.7**
<0,7**
15. 75 D В; 3 А)
15...75 D В; 3 А)
15...75 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<О,7**
<0,7**
<0,7**
>500 D В; 2 А)
>500 D В; 2 А)
>500 D В; 2 А)
<1,25
<1,25
<1Г25
<4,5**
<4,5**
<4,5**
>500 D В; 2 А)
>500 D В; 2 А)
>500 D В; 2 А)
<1,25
<1,25
<1,25
<4,5**
<4,5**
<4,5**
15...275 D В; 3 А)
20...275 D В; 3 А)
15...275 D В; 3 А)
12...275 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
550
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ8216А1
КТ8216Б1
КТ8216В1
КТ8216Г1
-а-р-п
, п-р-п
п-р-п
п-р-п
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>3
>3
>3
>3
40**
60**
80**
100**
10 A5*) А
10A5*) А
10 A5*) А
10A5*) А
<0,2 D0 В)
<0,2 F0 В)
<0,2 (80 В)
<0,2 A00 В)
КТ8217А
КТ8217Б
КТ8217В
КТ8217Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>3
>3
>3
>3
40**
60**
80**
100**
10A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
<0,2 D0 В)
<0,2 F0 В)
<0,2 (80 В)
<0,2 A00 В)
КТ8217А1
КТ8217Б1
КТ8217В1
КТ8217П
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>3
>3
>3
>3
40**
60**
80**
100**
10 A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
<0,2 D0 В)
<0,2 F0 В)
<0,2 (80 В)
<0,2 A00 В)
КТ8218А
КТ8218Б
КТ8218В
КТ8218Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>25
>25
>25
>25
40
60
80
100
4 (8*) А
4 (8*) А
4 (8*) А
4 (8*) А
<0,1 мА D0 В)
<0,1 мА F0 В)
<0,1 мА (80 В)
<0,1 мА A00 В)
КТ8218А1
КТ8218Б1
КТ8218В1
КТ8218Г1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>25
>25
>25
>25
40
60
80
100
4 (8*) А
4 (8*) А
4 (8*) А
4 (8*) А
мАD0В)
мАF0В)
мА(80В)
мАA00В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
551
15...275 D В; 3 А)
20...275 D В; 3 А)
15...275 D В; 3 А)
12...275 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<О,25
<0,25
15...275 D В; 3 А)
20...275 D В; 3 А)
15...275 D В; 3 А)
12...275 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
15...275 D В; 3 А)
20...275 D В; 3 А)
15...275 D В; 3 А)
12...275 D В; 3 А)
<0,25
<0,25
<0,25
<0,25
75O...15OOO C В; 2 А)
750...15000(ЗВ;2А)
750... 15000 C В; 2 А)
750...15000(ЗВ;2 А)
<100 A0 В)
<100A0В)
S100 A0 В)
<100 A0 В)
750...15000 C В; 2 А)
750..Л5000 C В; 2 А)
750... 15000 C В; 2 А)
750...15000 C В; 2 А)
<100 A0 В)
<100A0В)
<100 A0 В)
<100 A0 В)
552
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
KT8219A
КТ8219Б
KT8219B
КТ8219Г
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт.
1,75; 40* Вт
>25
>25
>25
>25
40
60
80
100
4(8*
4 (8*
4(8"
4(8"
А)
А)
А)
А)
<0,1 мАD0В)
<0,1 мАF0В)
<0,1 мА(80В)
<0,1 мА(ЮОВ)
КТ8219А1
КТ8219Б1
КТ8219В1
КТ8219П
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
1,75; 40* Вт
>25
>25
>25
>25
40
60
80
100
4 (8* А)
4 (8* А)
4 (8* А)
4 (8* А)
<0,1 мАD0В)
<0,1 мАF0В)
<0,1 мА(80В)
<0,1 мА A00 В)
КТ8224А
КТ8224Б
п-р-п
п-р-п
100 Вт
100 Вт
1500; 700**
1500; 700**
7,5
7,5
8 А
8 А
<1000
<1000
КТ8225А
п-р-п
155 Вт
350
15 А
<100
КТ8228А
КТ8228Б
п-р-п
п-р-п
125 Вт
125 Вт
1500; 800*
1500; 800*
7,5
7,5
12 А
12 А
КТ8229А
п-р-п
125 Вт
>3
180
25 А
<100
<100
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
553
750...15000 C В; 2 А)
750...15000 C В; 2 А)
750...15000 C В; 2 А)
750...15000(ЗВ;2 А)
<200A0В)
<200 A0 В)
<200 A0 В)
<200A0В)
750... 15000 C В; 2 А)
750...15000 C В; 2 А)
750... 15000 C В; 2 А)
750... 15000 C В; 2 А)
<200A0В)
<200A0В)
<200A0В)
<200 A0 В)
4..J E В; ОД А)
23 E В; 0,1 А)
>300
5...Э.5 E В; 0,1 А)
15...25 E В; 0,1 А)
<0,12
<0,12
<900**
<900**
15...75 D В; 15 А)
<0,12
<800**
554
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
КТ8230А
КТ8247А
КТ8248А1
КТ8251А
КТ8255А
КТ8261А
КТ8270А
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
125 Вт
75 Вт
90 Вт
125 Вт
60 Вт
25 Вт
7 Вт
>3
>4
180
700
1500*
180
330
700
600
12
7,5
25 А
5А
5А
10 А
7А
2А
500
<100*
<100
<1* мА
<50«
<100*
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
555
15...75 D В; 15 А)
<0,12
<800*
>22
3,8...9
>1000
5...90
556
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
KT827LA
КТ8271Б
КТ8271В
р-п-р
р-п-р
р-п-р
10 Вт
10 Вт
10 Вт
45
60
80
1500
1500
1500
<0Д D5 В)
<0,1 F0 В)
<0,1 (80 В)
КТ8272А
КТ8272Б
КТ8272В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
10 Вт
10 Вт
10 Вт
45
60
80
1500
1500
1500
<0,1 D5 В)
<0,1 F0 В)
<0,1 (80 В)
КТ8290А
п-р-п
100 Вт
700
10 А
<100
КТ9106АС-2
КТ9106БС-2
2Т642-2
+ два
2Т996А5
300 и 2500
300 и 2500
12* и 20*
12* и 20*
2 и 2,5
2 и 2,5
60 и 200
60 и 200
<1 мА
мА
КТД8264А
Состав-
ной
п-р-п
1,5 Вт;125»Вт
350* @,1 к)
20 А
<0,1 C00 В)
КТД8264А5
Состав-
ной
п-р-п
1,5Вт;125*Вт
350* @,1 к)
20А
<0,1 C00 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
557
>25
>25
>25
>25
>25
>25
30...100EВ;0,1 А)
6О...15ОEВ;О,1 А)
300 A0 В; 5 А)
<0,18
300 A0 В; 5 А)
<0,18
558
Параметры полевых транзисторов
Параметры полевых транзисторов
АП354А-5
АП354Б-5
АП354В-5
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
100
100
100
3,5; -5*
3,5; -5*
3,5; -5*
-2,5
-2,5
-2,5
<50
7...40
7...40
АП355А-5
АП355Б-5
АП355В-5
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
70
70.
70
3,5; -5*
3,5; -5*
3,5; -5*
-2,5
-2,5
-2,5
20
5...20
5...20
АП356А-5
АП356Б-5
АП356В-5
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
40
40
40
3,5
3,5
3,5
-2,5
-2,5
-2,5
<20
3...15
3...15
АП357А-5
АП357Б-5
АП357В-5
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
30
30
30
3,5
3,5
3,5
2...8
2...8
2...8
АП358А-5
АП358Б-5
АП358В-5
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
30
30
30
3,5; -4,5*
3,5
3,5
2...8
2...8
2...8
АП381А-5
С п-каналом
80
3; -6*
60
КП214А-9
С п-каналом
200
1...2.5*
60
±40
115
0,Г
КП383А-9
С двумя изолир. затворами,
п-каналом
200
14; 16*
±5
30
<0,5 C0 В)
Параметры полевых транзисторов
559
>50 B,5 В)
>50 B,5 В)
>50 B,5 В)
>13*
>13*
>13*
<1 C,6 ГГц)
<0,8 C,6 ГГц)
<0,6 C,6 ГГц)
>30
>30
>30
2:10*
>10*
<1,55(8ГГц)
<1,3 (8 ГГц)
<1 (8 ГГц)
>20
>20
>20
>7,5*
>7,5*
>7,5*
<2,04 A2 ГГц)
<1,70 A2 ГГц)
<1,46 A2 ГГц)
>6,5*
>6,5*
<2,5 A8 ГГц)
<1,95A8ГГц)
<1,76 A8 ГГц)
>7 C В)
>7 C В)
>7 C В)
>5*
S5*
>5,5*
<5,5 C7 ГГц)
<4,3 C7 ГГц)
<3,4 C7 ГГц)
15...35 B,5 В)
>9*
<0,8 F,5 ГГц)
80
7,5
>13 A0 В; 10 мА)
<2,5 A0 В)
>13* @,8 ГГц)
<3 @,8 ГГц)
560
Параметры полевых транзисторов
КП507А
С р-каналом
1000
-0,8...-2
-50
±20
1100
КП508А
С р-каналом
1000
-0,8...-2
-240
±20
150
КП509А-9
КП509Б-9
КП509В-9
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
360
500
360
0,8...2*
0,6... 1,2*
0,8...2*
240
240
200
±14
±14
±14
100
250
100
КП510А9
С п-каналом
540
0,7... 1,6*
20
±12
1200
КП511А
КП511Б
С п-каналом
С п-каналом
750
750
0,8...2
0.8...2
350
400
±20
±20
140
140
КП523А
КП523Б
КП7128
пМОП
пМОП
1 Вт
1 Вт
0.8...2
0.8...2
200
200
±20
±14
480
480
С р-каналом
200 Вт
-100
±20
40 А
Параметры полевых транзисторов
561
250
0,8
20
160
140
60
16
8
16
1300
0,25
125
125
22
22
>500 @,45 А)
>500 @,45 А)
0,06
562
Параметры полевых транзисторов
КП7130А
КП7130Б
КП7130В
С изолир. затвором, п-канал
С изолир. затвором, п-канал
С изолир. затвором, п-канал
125 Вт
125 Вт
125 Вт
2...451
2..Л*
2...4*
600
600
550
6,2 А
6,2 А
6,2 А
КП7131А-9
Сдвоенный, п-канал
2 Вт
1...3*
20
3,5 А
КП7132А
С п-каналом
45 Вт
2..А*
55
15 А
КП7133А
С изолир. затвором, п-канал
125 Вт
2...4*
200
±20
18 А
КП7134А
С п-каналом
82 Вт
2...
200
9,3 А
563
4700
4700
4700
1,2
1,5
1,2
>поо
0,1
0,09
6700
0,16
3000
0,3
564
Параметры полевых транзисторов
КП7135А
С п-каналом
50 Вт
2...4"
200
5,2 А
КП7136А
С п-каналом
125 Вт
2...4*
400
10 А
КП7137А
С п-каналом
125 Вт
500
8А
КП7138А
С п-каналом
35 Вт
600
1,4 А
КП731А
КП731Б
КП731В
С изолированным затвором,
п-каналом, с защитным
;, диодом
36 Вт
36 Вт
36 Вт
2...4
2...4
2...4
400
350
400
±20
±20
±20
2 А
2А
1,7 А
<0,25 D00 В)
<0,25 C50 В)
?0,25 D00 В)
Параметры полевых транзисторов
565
1300
0,8
5600
0,55
4900
0,85
?1000 B5 В; 1,2 А)
>1000B5В; 1,2 А)
>1ОО0B5В; 1,2 А)
<250; 20*
<250; 20*
<250; 20*
?3,6
<3,6
<5
<45*
<45*
?45*
566
Параметры полевых транзисторов
КП737А
КП737Б
КП737В
КП737Г
С изолированным затвором,
п-каналом, с защитным
диодом
74 Вт
74 Вт
74 Вт
74 Вт
2...4
2...4
2...4
1...2*
200
250
250
200
±20
±20
±20
±10
9А
8,1 А
6,5 А
9А
<0,25 B00 В)
?0,25 B50 В)
<О,25 B50 В)
КП739А
КП739Б
КП739В
С изолированным затвором,
n-каналом, с защитным
диодом
43 Вт
43 Вт
43 Вт
2...4
2...4
2...4
60
60
60
±20
±20
±20
10 А
10 А
8,3 А
КП740А
КП740Б
КП740В
С изолированным затвором,
п-каналом, с защитным
диодом
60 Вт
60 Вт
60 Вт
2...4
2...4
2...4
60
50
60
±20
±20
±20
17 А
17 А
14 А
КП741А
КП741Б
С изолированным затвором,
п-каналом, с защитным
диодом
190 Вт
150 Вт
2...4
2...4
60
50
±20
±20
50 А
50 А
КП742А
КП742Б
С изолированным затвором,
п-каналом, с защитным
диодом
200 Вт
200 Вт
2...4
2...4
60
50
±20
±20
75 А
80 А
Параметры полевых транзисторов
567
>3800 B5 В; 5,4 А)
>3600B5В;5,1 А)
>2500 B5 В; 4,1 А)
<1300 B5 В)
<1300 B5 В)
<1300 B5 В)
<0,4
<0,45
<0,68
0,4
<62*
<62*
>6000 F В)
>2400 E0 В; 6 А)
>2400 E0 В; 5,8 А)
<0,2
<0,2
<0,3
>4500 B5 В; 10 А)
>5000A,5В;9 А)
<0,12
^27000 B5 В; 43 А)
>27000 B5 В; 32 А)
<0,018
<0,024
>25000 D0 А)
<0,014
<0,012
568
Параметры полевых транзисторов
КП743А
КП743Б
КП743В
пМОП
пМОП
пМОП
43 Вт
43 Вт
43 Вт
2...4
2...4
2...4
100
80
100
±20
±20
±20
5,6 А
5,6 А
4,9 А
КП743А1
С п-каналом
40 Вт
2...4"
100
±20
5,5 А
КП744А
КП744Б
КП744В
КП744Г
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
60 Вт
60 Вт
60 Вт
60 Вт
2...4
2...4
2...4
1...2
100
80
100
100
±20
±20
±20
±10
9,2 А
9,2 А
8А
9,2 А
КП745А
КП745Б
КП745В
КП745Г
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
88 Вт
88 Вт
88 Вт
88 Вт
2...4
2...4
2...4
1...2
100
80
100
100
±20
±20
±20
±10
14 А
14 А
12 А
15 А
КП746А
КП746Б
КП746В
КП746Г
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
150 Вт
150 Вт
150 Вт
150 Вт
2...4
2...4
2...4
1...2
100
80
100
100
±20
±20
±20
±10
28 А
28 А
25 А
28 А
Параметры полевых транзисторов
569
>1300 E0 В; 3,4 А)
>1300 E0 В; 3,4 А)
>1300 E0 В; 3,4 А)
<0,54
<0,54
<0,74
0,54
>1500 B4 В; 4 А)
>2700 E0 В; 5,6 А)
>2700 E0 В; 5,6 А)
>3200 E0 В; 5,5 А)
<0,27
<0,27
<0,36
<0,27
>5100 E0 В; 8,3 А)
>5100 E0 В; 8,3 А)
>5100 E0 В; 8,3 А)
>6400E0.В; 9 А)
<0,16
<0,16
<0,23
<0,22
>8700E0В; 17 А)
>8700 E0 В; 17 А)
>8700E0В; 17 А)
>12000 E0 В; 17 А)
<0,077
<О,О77
<0,1
<0,077
570
Параметры полевых транзисторов
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
150 Вт
150 Вт
150 Вт
150 Вт
2..А*
2...4"
2...4*
1...2"
100
80
100
100
±20
±20
±20
±10
28 А
28 А
25 А
28 А
КП747А
пМОП
230 Вт
2...4
100
±20
41 А
КП748А
КП748Б
КП748В
пМОП
пМОП
пМОП
50 Вт
50 Вт
50 Вт
2...4
2...4
2...4
200
150
200
±20
±20
±20
3,3 А
3,3 А
2,6 А
КП749А
КП749Б
КП749В
пМОП
пМОП
пМОП
50 Вт
50 Вт
50 Вт
2...4
2...4
2...4
200
150
200
±20
±20
±20
5,2 А
5,2 А
4 А
КП750А
КП750Б
КП750В
КП750Г
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
125 Вт
125 Вт
125 Вт
125 Вт
2...4
2...4
2...4
1...2
200
150
200
200
±20
±20
±20
±10
18 А
18А
16 А
18 А
Параметры полевых транзисторов
571
>8700 E0 В; 17 А)
>8700 E0 В; 17 А)
>8700 E0 В; 17 А)
<0,077
<0,077
<0,1
<0,077
>1300 B0 А)
<0,055
>800E0В; 1,6 А)
>800E0В; 1,6 А)
>800E0В; 1,6 А)
<2,4
>1300 B,5 А)
>1300 B,5 А)
>1300B,5 А)
<0,8
<0,8
>6700 E0 В; 10 А)
>6700 E0 В; 10 А)
>6700 E0 В; 10 А)
>9000 E В; 8 А)
<0,18
<0,18
<0,22
<0,18
572
Параметры полевых транзисторов
КП750А1
КП750Б1
КП750В1
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
125 Вт
125 Вт
125 Вт
2...4*
2...4*
2...4*
200
150
200
±20
±20
±20
18 А
18 А
16 А
КП751А
КП751Б
КП751В
пМОП
пМОП
пМОП
50 Вт
50 Вт
50 Вт
2...4
2...4
2...4
400
350
400
±20
±20
±20
3,3 А
3,3 А
2,8 А
КП751А1
КП751Б1
КП751В1
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
50 Вт
50 Вт
50 Вт
2...4*
2...4*
2...4*
400
350
400
±20
±20
±20
3,3 А
3,3 А
2,8 А
КП752А
КП752Б
КП752В
пМОП
пМОП
пМОП
74 Вт
74 Вт
74 Вт
2...4
2...4
2...4
400
350
400
±20
±20
±20
5,5 А
5,5 А
4,5 А
КП753А
КП753Б
КП753В
пМОП
пМОП
пМОП
74 Вт
74 Вт
74 Вт
2...4
2...4
2...4
500
450
500
±20
±20
±20
4,5 А
4,5 А
4А
Параметры полевых транзисторов
573
>6700 E0 B; 10 A)
>6700 E0 B; 10 A)
>67O0 E0 B; 10 A)
<0,18
<0,18
<0,22
>18O0E0B; 1,8 A)
>1800E0B; 1,8 A)
>1800E0B; 1,8 A)
<2,5
>18O0E0B; 1,8 A)
>1800E0B; 1.8 A)
>1800E0B; 1,8 A)
<2,5
>29O0 E0 B; 3 A)
>2900 E0 B; 3 A)
>2900 E0 B; 3 A)
>27OO E0 B; 2,5 A)
>2700 E0 B; 2,5 A)
>27OO E0 B; 2,5 A)
<2
574
Параметры полевых транзисторов
tiiiiiiiii
iiiSllllillliii
КП771А
КП771Б
КП771В
КП775А
КП775Б
КП775В
КП776А
КП776Б
КП776В
КП776Г
КП777А
КП777Б
КП777В
КП778А
iiiiiisiieeillli
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
\ 11ЙШЙ811Я1!
! ¦1|1111||1Й|11|||||
150 Вт
150 Вт
150 Вт
200 Вт
200 Вт
200 Вт
125 Вт>
125 Вт
125 Вт
125 Вт
125 Вт
125 Вт
125 Вт
190 Вт
§§1з||§|§
iiSiit
ffPll!!i
2...4*
2...4*
2...4*
1...2
•1...2
1...2
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
2...4
iiiis
Jlliiliil
100
100
125
60
55
60
400
350
400
450
500
450
500
200
|ю|||||
liS№if
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
;«;.;¦.¦¦:: /¦¦¦v-:: :s:jilA'i\:-y:: ¦'¦:¦ ¦¦ '^ ¦
:''.-;; <¦¦:¦..: .¦-v-fv-.f'***¦ ¦: ¦¦¦ ¦/¦; ;¦¦:¦: ¦¦ ¦-.¦. ¦:-.¦:
40 A
35 A
30 A
50 A
50 A
50 A
10 A
10 A
8,3 A
8,8 A
8 A
8 A
7A
30 A
—
—
—
—
—
Параметры полевых транзисторов
575
0,04
0,055
0,077
<0,09
<0,09
>5800 E0 В; 5,2 А)
>5800 E0 В; 5,2 А)
>5800 E0 В; 5,2 А)
>4500 E0 В; 5,3 А)
<0,55
<0,55
<0,8
<0,63
>4900 E0 В; 4,4 А)
>4900 E0 В; 4,4 А)
>49О0 E0 В; 4,4 А)
<0,85
<0,85
<0,085
576
Параметры полевых транзисторов
КП779А
пМОП
190Bt
2...4
500
±20
14 A
КП780А
КП780Б
КП780В
КП780АС1
КП781А
КП783А
пМОП
пМОП
пМОП
С п-каналом
пМОП
пМОП
50 Вт
50 Вт
50 Вт
2...4
2...4
2...4
500
450
500
±20
±20
±20
50 Вт
2...4*
500
±20
190 Вт
2...4
400
±20
200 Вт
2...4
55
±20
2,5 А
2,5 А
2,2 А
2,4 А
16 А
70 А
Параметры полевых транзисторов
577
>9000 A5 В; 19 А)
<0,4
>55ОО A5 В; 7,5 А)
>1500A5В; 1,4 А)
<3
<3
<4
>8000 (8 А)
<0,3
>44000 B5 В; 59 А)
<0,008
578
Параметры полевых транзисторов
КП784А
КП785А
КП786А
КП787А
КП796А
рМОП
рМОП
пМОП
пМОП
С р-каналом
88 Вт
150 Вт
100 Вт
150 Вт
74* Вт
-2..Л
2..Л
2..А
-60
-100
800
600
-250
±20
±20
±20
±20
±20
19 А
4А
8 А
4,1 А
Параметры полевых транзисторов
579
>5900 B5 В; 11 А)
<0,14
>6200 E0 В; 11 А)
<0,2
>1000B5В; 1,5 А)
<3
>5000 B5 В; 5 А)
2200
580
Параметры полевых транзисторов
КП936А
КП936Б
КП936В
КП936Г
КП936Д
КП936Е
С изолированным затвором,
с п-каналом
75 Вт
75 Вт
75 Вт
75 Вт
75 Вт
75 Вт
350
400
350
400
300
400
30
30
30
30
30
30
10 А
7 А
10 А
7А
10 А
7 А
<1,4B80В)
<1,4 C20 В)
<1,4 B80 В)
<1,4 B80 В)
<1,4B60В)
<1,4 C20 В)
КП936А-5
КП936Б-5
КП936В-5
КП936Г-5
КП936Д-5
КП936Е-5
КП962А
С изолированным затвором,
с п-каналом
СИТ, п-канал
75 Вт
75 Вт
75 Вт
75 Вт
75 Вт
75 Вт
10*
-15
350
400
350
400
300
400
400
30
30
30
30
30
30
-20
10 А
7А
10 А
7 А
10 А
7 А
2; 8* А
КП962А-5
СИТ, п-канал
10*
-15
400
-20
2; 8* А
КП963А
СИТ, п-канал
40*
150
-5
15; 50* А
КП963А-5
СИТ, п-канал
40*
150
-5
15; 50* А
<1,4B80В)
?1,4 C20 В)
<1,4B80В)
<1,4 B80 В)
<1,4 B60 В)
<1,4 C20 В)
Параметры полевых транзисторов
581
800...2500 A А)
800...2500 A А)
80О...2500 A А)
800...2500 A А)
800...2500 A А)
8OO...25OO A А)
<23ОО B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<0,5
<0,85
<0,4
<0,6
<120*
<120*
<120*
<120*
^120*
<120*
800...2500 A А)
800...2500 A А)
800...2500 A А)
8OO...25OO A А)
8ОО...25ООA А)
800...2500A А)
<23ОО B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<2300 B5 В)
<0,5
<0,85
<0,4
<0,6
<120*
<120*
<120*
<120*
<120*
<120*
<0,5
<100*
<0,5
100
<0,03 A0 А)
0,9
400
<0,03 A0 А)
0,9
400
582
Аналоги приборов, дополнивших 5-е издание
Аналоги приборов, дополнивших 5-е издание
liiiiiiiiiiilit
КТ220А9
КТ220Б9
КТ220В9
КТ220Г9
КТ3143А
КТ3144А
КТ3184А9
КТ3184Б9
КТ3193А
КТ3193Б
КТ3193В
КТ3193Г
КТ3193Д
КТ3193Е
КТ3198А9
КТ3198Б9
КТ3198В9
КТ3198Г9
КТ3198Д9
КТ3198Е9
КТ3198Ж9
КТ3198А92
КТ3198Г92
КТ3199А9
КТ3199А91
КТ3199А92
КТ3201А9
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
КТ529А
КТ530А
КТ538А
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ6131А
КТ6132А
КТ6135А9
КТ6135Б9
КТ6135В9
КТ6135Г9
КТ6135Д9
КТ6141А9
КТ6141Б9
КТ6142А
КТ6142Б
КТ678АС
КТ731А
КТ731Б
КТ731В
KSC1623
KSC1623
KSC1623
KSC1623
BFR180W
BFP405
SMBTA05
SMBTA05
2SA1090
2N4964
2N4058
2N4965
ВС479
2SA5S0
BFR92
BFR92A
BFR93
BFR93A
BFS17A
2SC3356
BFQ67
BFG92A
BFG93A
BFG67
BFP67
BFG92A
ММВТ6517
ММВТА42
BFN24
ММВТА43
2SA891
PN2219
MJE13001
SS9012D
SS9O12E
SS9O12F
SS9O12G
SS9012H
LAE4001RA
BFQ54T
BST39
SXTA42
BST4O
—
—
BFR96T
BFR96TS
2SC3355
2S2570A
—
—
—
—
КТ731Г
КТ738А
КТ739А
КТ8113А
КТ8113Б
КТ8113В
КТ8163А
КТ8165А
КТ8165Б
КТ8165В
КТ8165Г
КТ8166А
КТ8166Б
КТ8166В
КТ8166Г
КТ8167А
КТ8167Б
КТ8167В
КТ8167Г
КТ8167Д
КТ8168А
КТ8168Б
КТ8168В
КТ8168Г
КТ8168Д
КТ8212А
КТ8212Б
КТ8212В
КТ8213А
КТ8213Б
КТ8213В
КТ8214А
КТ8214Б
КТ8214В
КТ8215А
КТ8215Б
КТ8215В
КТ8216А
КТ8216Б
КТ8216В
КТ8216Г
КТ8216А1
КТ8216Б1
КТ8216В1
КТ8216П
КТ8217А
КТ8217Б
КТ8217В
КТ8217Г
КТ8217А1
КТ8217Б1 -
КТ8217В1
КТ8217П
111§н1Щг1||
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2N5675
2N6303
2N3719
2N5333
2N3720
2N4300
2N3507
2N3506
2N5320
2N5321
TIP41C
TIP41B
TIP41A
TIP42C
TIP42B
TIP42A
TIP110
TIP111
TIP112
TIP115
TIP116
TIP117
KSH3055
KSH3055
MJD3055-1
MJD41C
—
KSH3055I
MJD3055
—
—
KSH2955I
—
MJD42C1
2SB14S0Q
KSH2955
MJD2955
2SB1452Q
>:щТйпШриб>о|»а1&
КТ8218А
КТ8218Б
КТ8218В
КТ8218Г
КТ8218А1
КТ8218Б1
КТ8218В1
КТ8218П
КТ8219А
КТ8219Б
КТ8219В
КТ8219Г
КТ8219А1
КТ8219Б1
КТ8219В1
КТ8219П
КТ8224А
КТ8224Б
КТ8225А
КТ8228А
КТ8228Б
КТ8229А
КТ8230А
КТ8247А
КТ8248А1
КТ8251А
КТ8255А
КТ8261А
КТ8270А
КТ8271А
КТ8271Б
КТ8271В
КТ8272А
КТ8272Б
КТ8272В
КТ8290А
КТ9106АС-2
КТ9106БС-2
КТД8264А
КТД8264А5
АП354А-5
АП354Б-5
АП354В-5
АП355А-5
АП355Б-5
АП355В-5
АП356А-5
АП356Б-5
АП356В-5
АП357А-5
АП357Б-5
АП357В-5
АП358А-5
ьйй'АнйЛог»^
KSH31I
KSC3074
—
KSH44H11I
KSH31
2SC4668
MJD31BT4
2SD2200Q
2N6034
2SB1214
KSH1171
KSH127I
KSB907
2SB1474A
2SB1316A
KSH117
BU2508A
BU2508D
BU941ZP
BU2525A
BU2525D
TIP35F
TIP36F
BUL45D2
BU2506D
BDV65F
BU407
BUD44D2
MJE13001
BD136
BD138
BD140
BD135
BD137
BD139
вишоо
—
—
—
—
MCF1402
FSC10FA
MCF1305
ALF3000
S8870
NE13783
АТ10650-1
—
NE75O83
—
—
MGF4511D
—
АП358Б-5
АП358В-5
АП381А-5
КП214А-9
КП383А-9
КП507А
КП508А
КП509А-9
КП509Б-9
КП509В-9
КП510А9
КП511А
КП511Б
КП523А
КП523Б
КП7128
КП7130А
КП7130Б
КП713ОВ
КП7ША-9
КП7132А
КП7133А
КП7134А
КП7135А
КП7136А
КП7137А
КП7138А
КП731А
КП731Б
КП731В
КП737А
КП737Б
КП737В
КП737Г
КП739А
КП739Б
КП739В
КП740А
КП740Б
КП740В
КП741А
КП741Б
КП742А
КП742Б
КП743А
КП743Б
КП743В
КП743А1
КП744А
КП744Б
КП744В
КП744Г
КП745А
¦.^УДЙалог ¦¦¦.¦:;;¦
—
NE045
CFY18-12
2N7002LT1
BF989S
BSS315
BSS92
BSS131
—
—
IRLML2402
TN0535
TN0540
BSS297A
—
IRF5210
IRFBC40
—
—
IRF7101
HUF7507P3
IRF640
IRF630
IRF620
IRF740
IRF840
IRFRN60
IRF710
IRF711
IRF712
IRF630
IRF634
IRF635
IRL630
IRFZ14
IRFZ10
IRFZ15
IRFZ24
IRFZ20
IRFZ25
IRF48
IRF46
STH75N06
STH80N05
IRF510
IRF511
IRF512
—
IRF520
IRF521
IRF522
IRL520
IRF530
Аналоги приборов, дополнивших 5-е издание
583
КП745Б
КП745В
КП745Г
КП746А
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746П
КП747А
КП748А
КП748Б
КП748В
КП749А
КП749Б
КП749В
КП750А
КП750Б
ШИШИ!!;
IRF531
IRF532
IRL530
IRF540
IRF541
IRF542
IRL540
—
—•
—
—
IRFP150
IRF610
IRF611
IRF612
IRF620
IRF621
IRF622
IRF640
IRF641
КП750В
КП750Г
КП750А1
КП750Б1
КП750В1
КП751А
КП751Б
КП751В
КП751А1
КП751Б1
КП751В1
КП752А
КП752Б
КП752В
КП753А
КП753Б
КП753В
КП771А
КЛ771Б
КП771В
IRF642
IRL640
—
—
—
IRF720
IRF721
IRF722
—
— ¦
—
IRF730
IRF731
IRF732
IRF830
IRF831
IRF832
STP40N10
—
—
КП775А
КП775Б
КП775В
КП776А
КП776Б
КП776В
КП776Г
КП777А
КП777Б
КП777В
КП778А
КП779А
КП780А
КП78ОБ
КП780В
КП780АС1
КП781А
КП783А
КП784А
КП785А
Illlllllill
2SK2498A
2SK2498B
—
IRF740
IRF741
IRF742
IRF744
IRF840
IRF841
IRF842
IRFP250
IRFP450
IRF820
IRF821
IRF822
—
IRFP350
IRF3205
IRF9Z34
IRF9S40
КП786А
КП787А
КП796А
КП936А
КП936Б
КП936В
КП936Г
КП936Д
КП936Е
КП936А-5
КП936Б-5
КП936В-5
КП936Г-5
КП936Д-5
КП936Е-5
КП962А
КП962А-5
КП963А
КП963А-5
BUZ80A
BUZ91A
IRF9634
IRFS741
—
—
—
2SK1917M
IRFY340M
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Серия «Ремонт», выпуск 59
Аксенов Алексей Иванович
Нефедов Анатолий Владимирович
Отечественные полупроводниковые приборы
Справочное пособие
Издание 5-е, дополненное и исправленное
Ответственный за выпуск
В. Митин
Верстка
С. Тарасов
Обложка
Е. Жбанов
ООО «СОЛОН-Пресс»
123242, г. Москва, а/я 20
Телефоны:
@95) 254-44-10, 252-36-96, 252-25-21
E-mail: Solon-Avtor@coba.ru
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «Альянс-книга»
Тел: @95) 258-91-94, 258-91-95
www.abook.ru
ООО «СОЛОН-Пресс»
127051, г. Москва, М. Сухаревская пл., д. 6, стр. 1 (пом. ТАРП ЦАО)
Формат 60x88/8. Объем 73 п. л. Тираж 1000
ООО «ПАНДОРА-1»
Москва, Открытое ш., 28
Заказ № 14