Отечественные полупроводниковые приборы специального назначения. Ремонт №62 - Нефедов А.В., Аксенов А.И.

Автор: Нефедов А.В. Аксенов А.И.
Теги: электроника электротехника радиоэлектронные аппараты полупроводники полупроводниковые приборы серия ремонт
ISBN: 5-93455-165-5
Год: 2002
Похожие
Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное пособие. Аналоги и буквенные обозначения
Справочник. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги
Энциклопедия радио-любителя. Современная элементная база. Изадние 2-е
Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы. Справочник
Текст
                    А. И. Аксенов, А. В. Нефедов
Серия «Ремонт», выпуск 62
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
Транзисторы биполярные и полевые
Выпрямительные диоды
Варикапы
Стабилитроны и стабисторы
Ограничительные диоды
Тиристоры
Оптоэлектронные приборы
Аксенов А. И., Нефедов А. В.
Отечественные полупроводниковые приборы специального назначения / А. И. Ак-
Аксенов, А. В. Нефедов. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 312 с.
ISBN 5-93455-165-5
В книге 2 систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой последователь-
последовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполнению на оте-
отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные и ограничительные диоды,
столбы и блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, светоизлучающие и инф-
инфракрасные диоды, линейные шкалы и цифро-буквенные индикаторы, диодные и транзисторные
оптопары, предназначенные для применения в специальной радиоэлектронной аппаратуре.
Эти приборы, как правило, имеют улучшенные параметры и более высокую надежность по
сравнению с аналогичными (по цифровому обозначению) приборами для бытовой техники.
В книге представлены и оригинальные приборы специального назначения, не имеющие
аналогов среди приборов бытового назначения.
По приведенным в книге приборам даны соответствующие аналоги.
Удобная форма поиска и восприятия информации об интересующих приборах дает возмож-
возможность пользователю по достоинству оценить приобретенную им книгу. Она будет полезна широ-
широкому кругу специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре-
ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
Зарубежные аналоги отечественных приборов
Книга 2
Эту книгу можно заказать по почте (наложенным платежом — стоимость 236 руб.)
двумя способами:
1) выслать почтовую открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/я 20;
2) передать заказ по электронной почте (e-mail) по адресу: magazin@solon-r.ru.
Необходимо написать полный адрес, по которому выслать книги.
Обязательно указывать индекс и Ф. И. О. получателя!
При наличии — указать телефон, по которому с вами можно связаться, и адрес
электронной почты (E-mail).
Цены действительны до 1 сентября 2002 г.
Вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Р» по Интер-
Интернету, послав пустое письмо на робот-автоответчик по адресу katalog@solon-r.ru, а также подпи-
подписаться на рассылку новостей о новых книгах издательства, послав письмо по адресу
news@solon-r.ru с текстом «SUBSCRIBE» (без кавычек) в теле письма.
Москва
СОЛОН -Р
2002
ISBN 5-93455-165-5
© Макет, обложка СОЛОН-Р, 2002
©Аксенов А. И., Нефедов А. В., 2002

Содержание
О книге 2 "Отечественные полупроводниковые приборы" 4
Алфавитно-цифровой указатель приборов в справочном пособии 6
РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения и классификация полупроводниковых приборов 17
1.1. Система условных обозначений и классификация отечественных
полупроводниковых приборов 17
1.2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов 19
РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы 22
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 23
2.2. Параметры германиевых транзисторов 26
2.3. Параметры биполярных кремниевых транзисторов 36
2.4. Параметры кремниевых сборок 126
РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы 130
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов 135
3.2. Параметры полевых транзисторов 138
РАЗДЕЛ 4. Диоды 174
4.1. Виды приборов и основные параметры 174
4.2. Буквенные обозначения параметров диодов 177
4.3. Параметры диодов, столбов и блоков 180
4.4. Параметры варикапов 196
4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов 202
4.6. Параметры ограничительных диодов 228
РАЗДЕЛ 5. Тиристоры 232
5.1. Буквенные обозначения параметров тиристоров 232
5.2. Параметры тиристоров 234
РАЗДЕЛ 6. Оптоэлектронные приборы 246
6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров 246
6.2. Параметры светоизлучающих приборов 250
6.3. Параметры шкальных индикаторов 253
6.4. Параметры знакосинтезирующих индикаторов 260
6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов 270
6.6. Параметры диодных оптопар : 274
6.7. Параметры транзисторных оптопар 280
РАЗДЕЛ 7. Аналоги 286
7.1. Аналоги отечественных транзисторов 286
7.2. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов 288
7.3. Аналоги отечественных тиристоров 289
Приложение. Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3 290

О книге 2 "Отечественные полупроводниковые приборы"
О книге 2 "Отечественные полупроводниковые
приборы"
Справочное пособие представляет собой компактно сформированные таблицы, содержащие справоч-
справочную информацию по каждому типономиналу полупроводникового прибора, от условного обозначения
с электрическими параметрами, до иллюстрации конструкции корпуса с габаритными размерами и
цоколевкой выводов.
2-я книга справочного пособия отличается от 1-й книги «Отечественные полупроводниковые
приборы» выпуска 2002 г. тем, что в него вошли полупроводниковые приборы для специальных
устройств и некоторых коммерческих изделий, где первостепенное значение имеют требования к
стабильности параметров полупроводниковых приборов в условиях воздействия ускорения, ударных
нагрузок, вибрации, термоциклирования и радиации. Это представляет интерес для разработчиков
радиоэлектронной аппаратуры, которая предназначена для длительной работы без обслуживания и
ремонта. Такие полупроводниковые приборы, как правило, имеют и более широкий рабочий диапазон
температур, чем приборы для бытовой техники.
Справочное пособие содержит информацию по транзисторам биполярным германиевым и кремни-
кремниевым, транзисторам полевым арсенидгаллиевым и кремниевым; диодам выпрямительным и импульс-
импульсным, выпрямительным столбам и блокам, варикапам, стабилитронам, стабисторам, ограничителям
напряжения, тиристорам и оптоэлектронным приборам.
Работа со справочным пособием
Все приборы, вошедшие в пособие, расположены по классам в порядке последовательного возрастания
цифры третьего элемента условного обозначения — цифры, по которой классифицируются полупро-
полупроводниковые приборы по рассеиваемой мощности и предельной рабочей частоте.
Табличная форма представления справочных материалов может быть удобна для поиска необхо-
необходимого прибора, позволит Вам, открыв соответствующую страницу, указанную в алфавитно-цифровом
указателе, получить необходимую информацию об электрических параметрах, внешнем виде корпуса,
габаритных размерах и цоколевке выводов.
Для удобства пользователя на каждый тип прибора дан внешний вид корпуса, даже если он и
повторяется с рядом стоящим прибором.
Алфавитно-цифровой указатель приборов, вошедших в книгу, построен на системе условных
обозначений полупроводниковых приборов (ОСТИ 336. 919-81).
Раздел 1 содержит описание условных обозначений и классификацию полупроводниковых прибо-
приборов.
Разделы 2 и 3 содержат справочные материалы по электрическим и эксплуатационным характе-
характеристикам биполярных и полевых транзисторов, составленные на основе государственных стандартов и
технических условий, каталогов, статей и рекламных сообщений.
Разделы 4, 5 и б построены аналогично разделам 2 и 3. Отличие содержания таблиц диодов от
предыдущего издания справочника состоит в том, что в первые колонки таблицы параметров вынесены
параметры, являющиеся определяющими при выборе полупроводникового прибора (максимальное
обратное напряжение и максимальный прямой ток). Введен новый класс полупроводниковых прибо-
приборов — ограничительные диоды.
Раздел 7 содержит информацию об аналогах. Аналогом, по классическому определению, считают
прибор, имеющий полное соответствие электрических параметров, режимов их измерения, корпус и
цоколевку, т.е. такой прибор, который воспроизводился с полным соблюдением технологии изготовле-
изготовления для полной взаимозаменяемости. Однако это не всегда удается, поэтому прибор, имеющий
примерно одинаковые электрические параметры, но другую конструкцию или габаритные размеры, т. е.
отсутствует внешняя взаимозаменяемость, считают функциональным аналогом.
Некоторые отличия по конструктивному исполнению обусловлены тем, что выпуск приборов произво-
производится различными фирмами и в разных странах по своим стандартам. Однако, эти приборы могут быть
практически использованы при ремонте радиоэлектронной аппаратуры, когда необходима соответствующая
замена полупроводникового прибора.

О книге 2 "Отечественные полупроводниковые приборы"
В пособии использовано название приближенный аналог — это прибор, который может быть
близким заменяемому по своим электрическим параметрам, но отличаться по конструкции и габарит-
габаритно-присоединительным размерам. Для практического использования различных приближенных анало-
аналогов, иногда необходимо произвести незначительные изменения в схеме для подстройки режима ее
работы.
В справочном пособии систематизированы материалы книг, выпущенных авторами ранее, в
частности «Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги», «Полупроводнико-
«Полупроводниковые оптоэлектронные приборы», «Бескорпусные полупроводниковые приборы», «Мощные транзисто-
транзисторы», и нескольких десятков статей, посвященных вопросам применения отечественных и зарубежных
изделий электронной техники.
Для получения информации о полной номенклатуре отечественных полупроводниковых приборов
в приложении приводится перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3.
Номенклатура изделий электронной техники может быть пополнена новыми классами, которые не
вошли в этот выпуск, но представляют интерес для радиолюбителей и специалистов по радиоэлектронике.
Соответствие отечественных стандартизованных корпусов зарубежным
Транзисторы
КТ-1-7
КТ-1-12
КТ-2-7
КТ-2-10
КТ-2-12
КТ-2-13
КТ-2-15
КТ-4-2
КТ-6
КТ-7
КТ-8
КТ-9
КТ-14
КТ-17
КТ-24
КТ-26
КТ-27
КТ-28
КТ-29
КТ-30
КТ-31
КТ-35-7
КТ-43
КТ-43С
КТ-44
КТ-45
КТ-46
КТ-47
КТ-48
КТ-50
КТ-51
КТ-53
КТ-54
КТ-55
КТ-58
КТ-82
ТО-18
ТО-72
ТО-39
ТО-5
ТО-12
ТО-205АВ
ТО-33
ТО-60
ТО-61
ТО-63
SOT-9, ТО-66
ТО-3
ТО-119
SOT-48
FO-93
ТО-92
ТО-126, SOT-32, SOT-82
ТО-220, SOT-78
SOT-37
SOT-123
SOT-121
ТО-46
ТО-218, SOT-93
SOT-199
SOT-279
SOT-161
SOT-23, SC-7O
SOT-89, TO-243, SC-62
SOT-143, ТО-253
SOT-128, TO-205AC
SC-71
SOT-103
FO-83
FO-91
SOT-289
SOT-262A1
Диоды
КД-1-1
КД-1А
КД-1-2
КД-2
кд-з
КД-ЗА
КД-4-1
КД-46
КД-6
КД-7С, Е
КД-9
КД-П
- КД-11А
КД-17
КД-20А
КД-29А
КД-29С
КД-32
КД-34
КД-36
КД-103
КД-ПЗ
КД-122В
КД-127
DO-16, DO-204AD
SOD-81
SOD-C8
DO-35
DO-7, DO-204AA
DO-41
DO-6
DO-14, DO-204AB
DO-45
DO-26, DO-204AE
DO-3
DO-4, DO-203AA
DO-5, DO-203AB
SOD-23
SOD-23
SOD-57
SOD-64
DO-13
DO-213AA, SOD-80
SOD-123
DO-19
DO-22
DO-213AB
DO-36

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Алфавитно-цифровой указатель приборов
в пособии
Германиевые транзисторы
Тип
прибора
1Т101
1Т101А
1Т101Б
1Т102
1Т102А
1Т115А
1Т115Б
1Т115В
1Т115Г
1Т116А
1Т116Б
1Т116В
1Т116Г
1ТЗОЗ
1Т303А
1ТЗОЗБ
1Т303В
1Т303Г
1Т303Д
1Т305А
1Т305Б
1Т305В
1Т308А
1Т308Б
Стр.
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
26
Тип
прибора
2Т104А
2Т104Б
2Т104В
2Т104Г
2Т117А
2Т117Б
2Т117В
2Т117Г
2Т117А-5
2Т118А
2Т118Б
2Т118В
2Т118А-1
2ТИ8Б-1
2Т126А-
2Т126Б-
2Т126В-
2Т126Г-
2Т127А-1
2Т127Б-1
2Т127В-1
2Т127Г-1
2Т201А
2Т201Б
2Т201В
2Т201Г
Стр.
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
36
Тип
прибора
1ТЗО8В
1ТЗО8Г
1T3UA
1Т311Б
1Т311Г
1Т311Д
1Т311К
1Т311Л
1Т3110А-2
1Т313А
1Т313Б
IT313B
1Т320А
1Т320Б
1Т320В
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
1Т321Г
1Т321Д
1Т321Е
1Т329А
1Т329Б
1Т329В
Стр.
26
26
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
Тип
прибора
1Т330А
1Т330Б
1ТЗЗОВ
1ТЗЗОГ
1Т335А
1Т335Б
1Т335В
1Т335Г
1Т335Д
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
1Т362А
1Т374А-6
1Т376А
1Т383А-2
1Т383Б-2
1Т383В-2
1Т386А
1Т387А-2
1Т387Б-2
1Т403А
1Т403Б
1Т403В
Стр.
28
28
28
28
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
32
32
32
32
32
Кремниевые транзисторы
Тип
прибора
2Т201Д
2Т202А-1
2Т202Б-1
2Т202В-1
2Т202Г-1
2Т202Д-1
2Т203А
2Т203Б
2Т203В
2Т203Г
2Т203Д
2Т205А-3
2Т205Б-3
2Т2О8А
2Т208Б
2Т208В
2Т208Г
2Т208Д
2Т208Е
2Т208Ж
2Т208И
2Т208К
2Т2О8Л
2Т208М
2Т211А-1
2Т2ИБ-1
Стр.
36
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38.
Тип
прибора
2Т2ПВ-1
2Т214А-1
2Т214Б-1
2Т214В-1
2Т214Г-1
2Т214Д-1
2Т214Е-1
2Т214А-9
2Т214Б-9
2Т214В-9
2Т214Г-9
2Т214Д-9
2Т214Е-9
2Т215А-1
2Т215Б-1
2Т215В-1
2Т215Г-1
2Т215Д-1
2Т215Е-1
2Т215А-9
2Т215Б-9
2Т215В-9
2Т215Г-9
2Т215Д-9
2Т215Е-9
2Т301Г
Стр.
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
38
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
Тип
прибора
1Т403Г
1Т403Д
1Т403Е
1Т403Ж
1Т403И
1Т612А-4
1Т614А
1Т615А
1Т702А
1Т7О2Б
1Т702В
1Т806А
1Т806Б
1Т806В
1Т813А
1Т813Б
1Т813В
1Т901А
1Т901Б
1Т905А
IT906A
1Т910АД
Стр.
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
34
34
34
34
34
34
34
34
Тип
прибора
2Т301Д
2Т301Е
2Т301Ж
2Т306А
2Т306Б
2ТЗО6В
2Т306Г
2ТЗО7А-1
2Т307Б-1
2Т307В-1
2Т307Г-1
2Т3101А-2
2Т3106А-2
2Т3108А
2Т3108Б
2Т3108В
2Т3114А-6
2Т3114Б-6
2Т3114В-6
2Т3115А-2
2Т3115Б-2
2Т3115А-6
2Т3117(А, Б)
2Т312А
2Т312Б
2Т312В
Стр.
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
42
42
42
42
42
42
42
42
42
42

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
2Т3120А
2Т3121А-6
2Т3123А-2
2Т3123Б-2
2Т3123В-2
2Т3124А-2
2Т3124Б-2
2Т3124В-2
2Т3129А9
2Т3129Б9
2Т3129В9
2Т3129Г9
2Т3129Д9
2Т313А
2Т313Б
2Т3130А-9
2Т3130Б-9
2Т3130В-9
2Т3130Г-9
2Т3130Д-9
2Т3130Е-9
2Т3132А-2
2Т3132Б-2
2Т3132В-2
2Т3132Г-2
2Т314А-2
2Т3150Б2
2Т3152А
2Т3152Б
2Т3152В
2Т3152Г
2Т3152Д
2Т3152Е
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
2Т3162А
2Т3162А5
2Т317А-1
2Т317Б-1
2Т317В-1
2Т3175А
2Т318А-1
2Т318Б-1
2Т318В-1
2Т318Г-1
2Т318Д-1
2Т318Е-1
2Т318В1-1
2Т319А-1
2Т319Б-1
2Т319В-1
2Т321А
2Т321Б
2Т321В
2Т321Г
2Т321Д
2Т321Е
2Т324А-1
2Т324Б-1
2Т324В-1
Стр.
42
42
42
42
42
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
46
46
46
46
46
46
- 46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
46
48
48
48
Тип
прибора
2Т324Г-1
2Т324Д-1
2Т324Е-1
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
2Т326А
2Т326Б
2Т331А-1
2Т331Б-1
2Т331В-1
2Т331Г-1
2Т331Д-1
2Т332А-1
2Т332Б-1
2Т332В-1
2Т332Г-1
2Т332Д-1
2ТЗЗЗА-3
2ТЗЗЗБ-3
2ТЗЗЗВ-3
2ТЗЗЗГ-3
2ТЗЗЗД-3
2ТЗЗЗЕ-3
2Т336А
2Т336Б
2Т336В
2Т336Г
2Т336Д
2Т336Е
2Т348А-3
2Т348Б-3
2Т348В-3
2Т354А-2
2Т354Б-2
2Т355А
2Т360А-1
2Т360Б-1
2Т360В-1
2Т363А
2Т363Б
2Т364А-2
2Т364Б-2
2Т364В-2
2Т366А-1
2Т366Б-1
2Т366В-1
2Т366БЫ
2Т367А
2Т368А
2Т368Б
2Т368А-9
2Т368Б-9
2Т370А-1
2Т370Б-1
2Т370А9
2Т370Б9
2Т371А
2Т372А
2Т372Б
2Т372В
2Т377А-2
2Т377Б-2
Стр.
48
48
48
48
48
48
48
48,
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52 •
52
52
Тип
прибора
2Т377В-2
2Т377А1-2
2Т377Б1-2
2Т377В1-2
2Т378А-2
2Т378Б-2
2Т378Б-2-1
2Т378А1-2
2Т378Б1-2
2Т381А-1
2Т381Б-1
2Т381В-1
2Т381Г-1
2Т381Д-1
2Т382А
2Т382Б
2Т384А-2
2Т384АМ-2
2Т385А-2
2Т385А-9
2Т385АМ-2
2Т388А-2
2Т388АМ-2
2Т389А-2
2Т391А-2
2Т391Б-2
2Т392А-2
2Т396А-2
2Т397А-2
2Т399А
2Т504А
2Т504Б
2Т504А-5
2Т504Б-5
2Т505А
2Т505Б
2Т505А-5
2Т506А
2Т506Б
2Т506А-5
2Т509А
2Т509А-5
2Т602А
2Т602Б
2Т602АМ
2Т602БМ
2Т603А
2Т603Б
2Т603В
2Т603Г
2Т603И
2Т606А
2Т607А-4
2Т608А
2Т608Б
2Т610А
2Т610Б
2Т624А-2
2Т624АМ-2
2Т625А-2
2Т625Б-2
2Т625АМ-2
2Т625БМ-2
Стр.
52
52
52
52
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
56
56
56
56
56
56
56
56
56
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
62
62
62
62
62
62
62
62
Тип
прибора
2Т629А-2
2Т629АМ-2
2Т630А
2Т630Б
2Т630А-5
2Т632А
2Т633А
2Т634А-2
2Т635А
2Т637А-2
2Т638А
2Т640А-2
2Т640А1-2
2Т640А-5
2Т640А-6
2Т642А-2
2Т642А1-2
2Т642Б1-2
2Т642В1-2
2Т642П-2
2Т642А-5
2Т642А1-5
2Т643А-2
2Т643Б-2
2Т643А-5
2Т647А-2
2Т647А-5
2Т648А-2
2Т648А-5
2Т649А-2
2Т652А
2Т652А-2
2Т653А
2Т653Б
2Т657А-2
2Т657Б-2
2Т657В-2
2Т658А-2
2Т658Б-2
2Т658В-2
2Т664А9-1
2Т664Б9-1
2Т665А9-1
2Т665Б9-1
2Т671А-2
2Т672А-2
2Т682А-2
2Т682Б-2
2Т687АС2
2Т687БС2
2Т688А2
2Т688Б2
2Т691А2
2Т693АС
2Т704А
2Т704Б
2Т708А
2Т708Б
2Т708В
2Т709А
2Т709Б
2Т709В
2Т709А2
Стр.
62
62
62
62
64
64
64
64
64
64
64
64
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
68
68
68
68
68
68
68
68
.68
68
68
68
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
79
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
2Т709Б2
2Т709В2
2Т713А
2Т716А
2Т716Б
2Т716В
2Т716А-1
2Т716Б-1
2Т716В-1
2Т718А
2Т718Б
2Т803А
2Т808А
2Т808А-2
2Т809А
2Т812А
2Т812Б
2Т818А
2Т818Б
2Т818В
2Т818А-2
2Т818Б-2
2Т818В-2
2Т819А
2Т819Б
2Т819В
2Т819А-2
2Т819Б-2
2Т819В-2
2Т824А
2Т824Б
2Т824АМ
2Т824БМ
2Т825А
2Т825Б
2Т825В
2Т825А-2
2Т825Б-2
2Т825В-2
2Т825А-5
2Т826А
2Т826Б
2Т826В
2Т826А-5
2Т827А
2Т827Б
2Т827В
2Т827А-5
2Т827А-2
2Т827Б-2
2Т827В-2
2Т828А
2Т828Б
2Т830А
2Т830Б
2Т830В
2Т830Г
2Т830В-1
2Т83ОГ-1
2Т831А
2Т831Б
2Т831В
2Т831Г
Стр.
72
72
72
72
72
72
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78.
78
78
78
78
78
78
78
80
80
80
80
Тип
прибора
2Т831В-1
2Т831Г-1
2Т832А
2Т832Б
2Т834А
2Т834Б
2Т834В
2Т836А
2Т836Б
2Т836В
2Т836А-5
2Т837А
2Т837Б
2Т837В
2Т837Г
2Т837Д
2Т837Е
2Т839А
2Т841А
2Т841Б
2Т841В
2Т841А-1
2Т841Б-1
2Т842А
2Т842Б
2Т842А-1
2Т842Б-1
2Т844А
2Т845А
2Т847А
2Т847Б
2Т848А
2Т856А
2Т856Б
2Т856В
2Т856Г
2Т860А
2Т860Б
2Т860В
2Т861А
2Т861Б
2Т861В
2Т862А
2Т862Б
2Т862В
2Т862Г
2Т866А
2Т867А
2Т874А
2Т874Б
2Т875А
2Т875Б
2Т875В
2Т875Г
2Т876А
2Т876Б
2Т876В
2Т876Г
2Т877А
2Т877Б
2Т877В
2Т878А
2Т878Б
Стр.
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
86
86
86
86
86
86 '
86
86
86
86
86
86
86
86
86
Тип
прибора
2Т878В
2Т879А
2Т879Б
2Т880А
2Т880Б
2Т880В
2Т880Г
2Т880А-5
2Т880Б-5
2Т881А
2Т881Б
2Т881В
2Т881Г
2Т881А-5
2Т881Б-5
2Т882А
2Т882Б
2Т882В
2Т883А
2Т883Б
2Т884А
2Т884Б
2Т885А
2Т885Б
2Т886А
2Т886Б
2Т887А
2Т887Б
2Т888А
2Т888Б
2Т891А
2Т903А
2Т903Б
2Т904А
2Т907А
2Т908А
2Т909А
2Т909Б
2Т9101АС
2Т9102А-2
2Т9102Б-2
2Т9103А-2
2Т91ОЗБ-2
2Т9104А
2Т9104Б
2Т9105АС
2Т9107А-2
2Т9108А-2
2Т9109А
2Т9Н0А-2
2Т9И0Б-2
2Т9111А
2Т9112А
2Т9113А
2Т9114А
2Т9114Б
2Т911А
2Т911Б
2Т912А
2Т912Б
2Т912А-5
2Т912Б-5
2Т913А
Стр.
86
86
86
86
86
86
86
86
86
86
86
86
86
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
Тип
прибора
2Т913Б
2Т913В
2Т9117А
2Т9117Б
2Т9117В
2Т9117Г
2Т9118А
2Т9118Б
2Т9118В
2Т9119А-2
2Т9121А
2Т9121Б
2Т9121В
2Т9121Г
2Т9122А
2Т9122Б
2Т9123А
2Т9123Б
2Т9124А
2Т9124Б
2Т9125АС
2Т9126А
2Т9127А
2Т9127Б
2Т9128АС
2Т9129А
2Т9130А
2Т9131А
2Т9132АС
2Т9133А
2Т9134А
2Т9134Б
2Т9135А-2
2Т9136АС
2Т9137А
2Т9137Б
2Т9139А
2Т9139Б
2Т9139В
2Т9139Г
2Т9140А
2Т914А
2Т9146А
2Т9146Б
2Т9146В
2Т9146Г
2Т9146Д
2Т9146Е
2Т9146Ж
2Т9146И
2Т9146К
2Т9147АС
2Т9149А
2Т9149Б
2Т9153АС
2Т9153БС
2Т9155А
2Т9155Б
2T91S5B
2Т9156АС
2Т9156БС
2Т9158А
2Т9158Б
Стр.
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
98
98
98
98
98
98
98
98
98
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
102
102
102
102
102
102
102

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
2Т9159А
2Т9159А5
2Т916А.
2Т9161АС
2Т9162А
2Т9162Б
2Т9162В
2Т9162Г
2Т9164А
2Т917А
2Т9176А
2Т9175Б
2Т9175В
2Т9175А-4
2Т9175Б-4
2Т9175В-4
2Т9188А
2Т9188А-4
2Т919А
2Т919Б
2Т919В
2Т919А-2
2Т919Б-2
2Т919В-2
2Т920А
2Т920Б
2Т920В
2T92IA
2Т921А-4
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
2Т92БА
2Т925Б
2Т925В
2Т926А
2Т928А
Стр.
102
102
102
102
102
102
102
102
104
104
104
104
104
104
104
104
104
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
108
108
108
108
108
Тип
прибора
2ТС303А-2
2ТС3103А
2ТС3103Б
2ТСЗША-1
2ТСЗШБ-1
2ТСЗШВ-1
Стр.
126
126
126
126
126
126
Тип
прибора
2Т928Б
2Т929А
2Т930А
2Т930Б
2T93IA
2Т932А
2Т932Б
2Т933А
2Т933Б
2Т934А
2Т934Б
2Т934В
2Т935А
2Т935А-5
2Т937А-2
2Т937Б-2
2Т937А-5
2Т938А-2
2Т939А
2Т939Б
2Т941А
2Т942А
2Т942Б
2Т942А-5
2Т942Б-5
2Т944А
2Т945А
2Т945Б
2Т945В
2Т945А-5
2Т946А
2Т947А
2Т948А
2Т948Б
2Т949А
2Т950А
2Т950Б
Стр.
108
108
108
108
108
108
108
108
108
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
по
по
по
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
Тип
прибора
2Т951А
2Т951Б
2Т951В
2Т955А
2Т956А
2Т957А
2Т958А
2Т960А
2Т962А
2Т962Б
2Т962В
2Т963А-2
2Т963Б-2
2Т963А-5
2Т964А
2Т965А
2Т966А
2Т967А
2Т968А
2Т968А-5
2Т97ОА
2Т971А*
2Т974А
2Т974Б
2Т974В
2Т974Г
2Т975А
2Т975Б
2Т976А
2Т977А
2Т978А
2Т978Б
2Т979А
2Т980А
2Т98ОБ
2Т981А
2Т982А-2
Стр.
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114"
114
116
116
116
116
116
116
116
116
118
118
118
118
118
118
118
118
118
118
118
118
118
118
120
120
Кремниевые сборки
Тип
прибора
2ТСЗШГ-1
2ТСЗШД-1
2ТС3136А-1
2ТС393А-1
2ТС393Б-1
2ТС393А-93
Стр.
126
126
126
126
126
126
Тип
прибора
2ТС393Б-93
2ТС398А-1
2ТС398Б-1
2ТС398А-94
2ТС398Б-94
2ТС613А
Стр.
126
126
126
126
126
128
Полевые транзисторы
Тип
прибора
ЗП320А-2
ЗП32ОБ-2
ЗП321А-2
ЗП324А-2
ЗП324Б-2
ЗП324В-2
ЗП325А-2
ЗП325А-5
ЗП326А-2
Стр.
138
138
138
138
138
138
138
140
140
Тип
прибора
ЗП326Б-2
ЗП326А-5
ЗП328А-2
ЗП328А-5
ЗПЗЗОА-5
ЗПЗЗОА-2
ЗПЗЗОБ-2
ЗПЗЗОВ-2
ЗП330В1-2
Стр.
140
140
140
140
140
140
140
140
142
Тип
прибора
ЗП330В2-2
ЗПЗЗОВЗ-2
ЗП331А-2
ЗП331А-5
ЗП339А-2
ЗП343А-2
ЗП343А1-2
ЗП343А2-2
ЗП343АЗ-2
Стр.
142
142
142
142
142
142
142
142
142
Тип
прибора
2Т982А-5
2Т983А
2Т983Б
2Т983В
2Т984А
2Т984Б
2Т985АС
2Т986А
2Т986Б
2Т986В
2Т986Г
2Т987А
2Т988А
2Т988Б
2Т989А
2Т989Б
2Т989В
2Т989Г
2Т990А-2
2Т991АС
2Т993А
2Т994А-2
2Т994Б-2
2Т994В-2
2Т995А-2
2Т996А-2
2Т996Б-2
2Т996В-2
2Т996Г-2
2Т996А-5
2Т996Б-5
2Т998А
2Е701А
2Е7О1Б .
2Е7О1В
2Е7О1Г
Стр.
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
Тип
прибора
2ТС613Б
2ТС622А,
2ТС622Б
2ТС622Б-1
2ТС843А
2ТС941А-2
Стр.
128
128
128
128
128
128
Тип
прибора
ЗП344А-2
ЗП344А1-2
ЗП344А2-2
ЗП344АЗ-2
ЗП344А4-2
ЗП345А-2
ЗП345Б-2
ЗП345А-5
ЗП351А-2
Стр.
142
142
142
142
142
144
144
144
144

10
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
ЗП351А-5
ЗП353А-5
ЗП372А-2
ЗП373А-2
ЗП373Б-2
ЗП373В-2
ЗП376А-5
ЗП384А-5
ЗП602А-2
ЗП602Б-2
ЗП602В-2
ЗП602Г-2
ЗП602Д-2
ЗП602Б-5
ЗП602Д-5
ЗП603А-2
ЗП603Б-2
ЗП603А1-2
ЗП603Б1-2
ЗП603А-5
ЗП603Б-5
ЗП604А-2
ЗП604Б-2
ЗП604В-2
ЗП604Г-2
ЗП604А1-2
ЗП604Б1-2
ЗП604В1-2
ЗП604П-2
ЗП604А-5
ЗП604Б-5
ЗП604В-5
ЗП604Г-5
ЗП605А-2
ЗП605А-5
ЗП606А-2
ЗП606Б-2
ЗП606В-2
ЗП606Б-5
ЗП606В-5
ЗП607А-2
ЗП608А-2
ЗП608Б-2
ЗП608В-2
ЗП608Г-2
ЗП608А-5
ЗП608Д-5
ЗП608Е-5
ЗП910А-2
ЗП910Б-2
ЗП910А-5
ЗП910Б-5
ЗП915А-2
ЗП915Б-2
ЗП925А-2
ЗП925Б-2
ЗП925В-2
ЗП925А-5
ЗП927А-2
ЗП927Б-2
ЗП927В-2
ЗП927Г-2
ЗП927Д-2
Стр.
144
144
144
144
144
144
144
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
Тип
прибора
ЗП929А-2
ЗП930А-2
ЗП930Б-2
ЗП930В-2
2П101А
2П101Б
2П101В
2П103А
2П103Б
2П103В
2П103Г
2П103Д
2Ш03АР
2П103БР
2П103ВР
2Ш03ГР
2П103ДР
2П2О1А-1
2П201Б-1
2П201В-1
2П2О1Г-1
2П201Д-1
2П201Е-1
2П201Ж-1
2П202Д-1
2П202Е-1
2П301А
2П301Б
2П301В
2П301А-1
2П301Б-1
2П301В-1
2П301А-5
2П302А
2П302Б
2П302В
2П302А-1
2П302Б-1
2П302В-1
2П303А
2П303Б
2П303В
2П303Г
2П303Д
2П303Е
2П303И
2П304А
2П305А
2П305Б
2П305В
2П305Г
2П305А-2
2П305Б-2
2П305В-2
2П305Г-2
2П306А
2П306Б
2П306В
2П306Г
2П306Д
2П306Е
2П307А
2П307Б
Стр.
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
* 152
152
152
152
152
152
152
152
152
152
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
156
156
156 '
156
156
156
156
156
156
156
156
156
Тип
прибора
2П307В
2П307Г
2П307Д
2П308А
2П308Б
2П308В
2П308Г
2П308Д
2П308А-1
2П308Б-1
2П308В-1
2ПЗО8Г-1
2П308Д-1
2П308А-9
2П308Б-9
2П308В-9
2П308Г-9
2П308Д-9
2П308Е-9
2П310А
2П310Б
2П312А
2П312Б
2П312А-5
2П312Б-5
2П313А
2П313Б
2П313В
2П322А
2ПЗЗЗА
2ПЗЗЗБ
2П334А
2П334Б
2П335А-2
2П335Б-2
2П336А-1
2П336Б-1
2П337АР
2П337БР
2П338АР-1
2П340А-1
2П340Б-1
2П341А
2П341Б
2П347А-2
2П350А
2П350Б
2П601А
2П601Б
2П601А9
2П609А
2П609Б
2П609А-5
2П609Б-5
2П701А
2П7О1Б
2П702А
2П7ОЗА
2П703Б
2П706А
2П706Б
2П706В
2П712А
Стр.
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
162
162
162
162
162
162
Y62
162
162
Тип
прибора
2П712Б
2П712В
2П712А-5
2П712Б-5
2П712В-5
2П762А
2П762В
2П762Д
2П762Ж -
2П762К
2П762Л
2П762М
2П762Н
2П762Б1
2П762Г1
2П762Е1
2П802А
2П803А
2П803Б
2П815А
2П815Б
2П815В
2П815Г
2П816А
2П816Б
2П816В
2П816Г
2П901А
2П901Б
2П901А-5
2П901Б-5
2П902А
2П902Б
2П903А
2П903Б
2П903В
2П903А-5
2П903Б-5
2П903В-5
2П904А
2П904Б
2П905А
2П905Б
2П905А-5
2П907А
2П907Б
2П908А
2П908Б
2П909А
2П909Б
2П909В
2П909Г
2П911А
2П9ПБ
2П912А
2П912Б
2П913А
2П913Б
2П914А
2П917А
2П917Б
2П918А
2П918Б
Стр.
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
11
Тип
прибора
2П920А
2П920Б
2П922А
2П922Б
2П922А-5
2П922Б-5
2П923А
2П923Б
2П923В
Стр.
168
168
170
170
170
170
170
170
170
Тип
прибора
2Д101А
2Д102А
2Д102Б
2Д103А
2Д104А
2Д106А
2Д108А
2Д108Б
ЗДПОА
2Д115А-1
2Д116А-1
2Д118А-1
2Д120А
2Д120А-1
2Д121А
2Д123А-9
2Д125А-5
2Д125Б-5
2Д201А
2Д201Б
2Д201В
2Д201Г
2Д202В
2Д202Д
2Д202Ж
2Д202К
2Д202М
2Д202Р
2Д203А
2Д203Б
2Д203В
2Д2ОЗГ
2Д203Д
2Д204А
2Д204Б
2Д204В
2Д206А
2Д206Б
2Д206В
2Д207А
2Д210А
2Д210Б
2Д210В
2Д210Г
2Д212А
2Д212Б
2Д213А
2Д213Б
2Д213В
Стр.
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
181
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
Тип
прибора
2П923Г
2П926А
2П926Б
2П928А
2П928Б
2П933А
2П933Б
2П934А
2П934Б
Стр.
170
170
170
170
170
170
170
170
170
Тип
прибора
2П938А
2П938Б
2П938В
2П938Г
2П938Д
2П941А
2П941Б
2П941В
2П941Г
Стр.
172
172
172
172
172
172
172
172
172
Диоды, столбы, блоки
Тип
прибора
2Д213Г
2Д215А
2Д215Б
2Д215В
2Д216А
2Д216Б
2Д217А
2Д217Б
2Д219А
2Д219Б
2Д219В
2Д219Г
2Д220А
2Д220Б
2Д220В
2Д22ОГ
2Д220Д
2Д22ОЕ
2Д220Ж
2Д220И
2Д222А-5
2Д222Б-5
2Д222В-5
2Д222АС
2Д222БС
2Д222ВС
2Д222ГС
2Д222ДС
2Д222ЕС
2Д225АС
2Д225БС
2Д225ВС
2Д229АС
2Д229БС
2Д229ВС
2Д230А
2Д230Б
2Д230В
2Д230Г
2Д231А
2Д231Б
2Д231В
2Д231Г
2Д232А
2Д232Б
2Д232В
2Д234А
2Д234Б
2Д234В
Стр.
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
183
Тип
прибора
2Д235А
2Д235Б
2Д236А
2Д236Б
2Д237А
2Д237Б
2Д238АС
2Д238БС
2Д238ВС
2Д239А
2Д239Б
2Д239В
2Д245А
2Д245Б
2Д245В
2Д249А
2Д249Б
2Д249В
2Д250А
2Д251А
2Д251Б
2Д251В
2Д251Г
2Д251Д
2Д251Е
2Д252А
2Д252Б
2Д252В
2Д253А
2Д253Б
2Д253В
2Д253Г
2Д253Д
2Д253Е
2Д254А
2Д254Б
2Д254В
2Д254Г
2Д255А-5
2Д255Б-5
2Д255В-5
2Д260А-5
2Д260Б-5
2Д262А-3
2Д262Б-3
2Д262В-3
2Д262Г-3
2Д288АС
2Д288БС
Стр.
183
183
183
183
183
183
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
Тип
прибора
2П941Д
2П942А
2П942Б
2П942В
2П942А-5
2П942Б-5
2П942В-5
Стр.
172
172
172
172
172
172
172
Тип
прибора
2Д288ВС
2Д2990А
2Д2990Б
2Д2990В
2Д2992А
2Д2992Б
2Д2992В
2Д2993А
2Д2993Б
2Д2993В
2Д2995А
2Д2995Б
2Д2995В
2Д2995Г
2Д2995Д
2Д2995Е
2Д2995Ж
2Д2995И
2Д2997А
2Д2997Б
2Д2997В
2Д2998А
2Д2998Б
2Д2998В
2Д2999А
2Д2999Б
2Д2999В
2Д401А
2Д401Б
2Д401В
2Д411А
2Д411Б
2Д412А
2Д412Б
2Д412В
2Д413А
2Д413Б
2Д416А
2Д416Б
2Д419А
2Д419Б
2Д419В
2Д420А
2Д422А
2Д423А
2Д423Б
2Д426А
2Д502А
2Д502Б
Стр.
185
185
185
185
185
185
185
185
185
185
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
187
187
187
187
187
187
187
187
187
187

12
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
2Д502В
2Д502Г
2Д503А
2Д503Б
2Д504А
1Д507А
1Д508А
2Д509А
2Д510А
2Д520А
2Д522Б
2Д703АС-1
2Д703БС-1
2Д705А9
2Д806А
2Д806Б
2Д809А
2Д809Б
2Д901А-1
2Д901Б-1
2Д901В-1
2Д901Г-1
2Д903А
2Д903Б
2Д904А-1
2Д904Б-1
2Д904В-1
2Д904Г-1
2Д904Д-1
2Д904Е-1
2Д906А
2Д906Б
2Д906В
2Д907Б-1
Стр.
187
187
187
187
187
187
187
187
188
188
188
188.
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
189
189
189
189
189
189
189
189
189
189
Тип
прибора
2В102А
2В102Б
2В102В
2В102Г
2В102Д
2В102Е
2В102Ж
2В103А
2В103Б
2В104А
2В104Б
2В104В
2В104Д
2В104Е
Стр.
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
Тип
прибора
2С101А
2С101Б
2С101В
2С101Г
Стр.
202
202
202
202
Тип
прибора
2Д907Г-1
2Д908А
2Д908А1
2Д910А-1
2Д910Б-1
2Д910В-1
2Д9ИА-1
2Д9ИБ-1
2Д912А-3
2Д912Б-3
2Д912В-3
2Д913А-3
2Д917А
2Д917А-1
2Д918Б-1
2Д918Г-1
2Д919А
2Д920А
2Д921А
2Д921Б
2Д922А
2Д922Б
2Д922В
2Д924А
2Д925А
2Д925Б
2Д926А
2Д927А
2ДС408А-1
2ДС408Б-1
2ДС408В-1
2ДС408Г-1
2ДС413А-1
2ДС413Б-1
Стр.
189
189
189
189
189
189
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
191
Тип
прибора
2ДС414А-1
2ДС414Б-1
2ДС415А-1
2ДС415Б-1
2ДС415В-1
2ДС4151Ч
2ДС415Д-1
2ДС415Е-1
2ДС523А
2ДС523Б
2ДС523В
2ДС523Г
2ДС523АМ
2ДС523БМ
2ДС523ВМ
2ДС523ГМ
2ДС627А
2ДС628А
1Ц104АИ
2Ц101А
2Ц102А
2Ц102Б
2Ц102В
2Щ03А
2Ц106А
2Ц106Б
2Ц106В
2Ц106Г
2Ц108А
2Ц108Б
2Ц108В
2Ц110А
2Ц110Б
2Ц112А
Стр.
191
191
191
191
191
191
191
191
192
192
192
192
192
192
192
192
192
192
192
192
193
193
193
193
193
193
193
193
193
193
193
193
193
193
Варикапы
Тип
прибора
2В105А
2В105Б
2В106А
2В106Б
2BU0A
2В110Б
2В110В
2В110Г
2В110Д
2ВИ0Е
2В112А-1
2В112Б-1
2В112Б-9
2В113А
Стр.
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
196
198
Тип
прибора
2В113Б
2В111А-1
2В114Б-1
2В116А-1
2BU7A
2В117Б
2ВСП8А
2ВС118Б
2В119А
2В124А
2В124А-5
2В124АК-5
2В124АГ-5
2В124А-9
Стр.
198
198
198
198
198
198
198
198
193
198
198
198
198
198
Стабилитроны и стабисторы
Тип
прибора
2С101Д
2С101А-1
2С101Б-1
2С101В-1
Стр.
202
202
202
202
Тип
прибора
2С101Г-1
2С101Д-1
2С1О7А
2С108А
Стр.
202
202
202
202
Тип
прибора
2Ц113А-1
2Ц114А
2Ц114Б
2Ц116А
2Ц119А
2Ц119Б
2Ц120А
2Ц202А
2Ц202Б
2Ц202В
2Ц202Г
2Ц202Д
2Ц202Е
2Ц203А
2Ц203Б
2Ц203В
2Ц204А
2Ц414А
2Ц414Б
2Ц414В
2Ц414Г
2Ц414Д
2Ц415А
2Ц415Б
2Ц415В
2Ц415Г
2Ц415Д
2Ц416А
2Ц416Б
2Ц416В
2Ц416Г
2Ц416Д
Стр.
193
193
193
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
195
195
195
195
195
195
195
195
195
195
195
195
195
195
195
Тип
прибора
2В125А
2В127А
2В127Б
2В127В
2В127Г
2В127А-5
2В133А
2В133АР
2В141А-6
2В143А
2В143Б
2В143В
Стр.
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
Тип
прибора
2С108Б
2С108В
2С108Г
2С108Д
Стр.
202
202
202
202

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
13
Тип
прибора
2С108Е
2С108Ж
2С108И
2С108К
2С108Л
2С108М
2С108Н
2С108П
2С108Р
2С108С
2С111А
2С111Б
2СШВ
2С112А
2С112Б
2С112В
2С113А
2С117А
2С117Б
2CU7B
2С117Г
2С117Д
2СП7Е
2С117Ж
2С117И
2С117К
2С117Л
2С117М
2С117Н
2С117П
2С118А
2С119А
2С120А
2С120Б
2С120В
2С120Г
2С123А
2С123Б
2С123В
2С123Г
2С123Д
2С123Е
2С124Д-1
2С127А-1
2С127Д-1
Стр.
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
204
204
204
204
204
204
204
204
204
204
204
204
204
204
204
Тип прибора
2С401А
2С401БС
2С408А
2С414А
2С416А
2С501А
2СБ01АС
2СБ01Б
2С501БС
2С503АС
2С503БС
2С503ВС
2С514А
Стр.
228
228
228
228
228
228
228
228
228
228
228
228
228
Тип
прибора
2С130Д-1
2С133А
2С133Б
2С133В
2С133Г
2С133Д-1
2С136Д-1
2С139А
2С139Б
2С139Д-1
2С143Д-1
2С147А
2С147Б
2С147В
2С147Г
2С156А
2С156Б
2С156В
2С156Г
2С156Ф
2С162А .
2С162Б1
2CI62B-1
2С164М-1
2С166А
2С166Б
2С166В
2CI68A
2С168Б
2С168В
2С168Х
2CI68K-1
2С170А
2С175А
2С175Ж
2С175Х
2С176Ц
2С180А
2С182А
2С182Е
2С182К-1
2С182Ц
2С182Х
2С190А
2С190Б
Стр.
204
206
206
206
206
206
206
206
206
206
206
208
208
208
208
208
208
208
208
208
208
208
208
208
210
210
210
210
210
210
210
210
210
212
212
210
212
212
212
212
212
212
212
212
214
Тип
прибора
2С19ОВ
2С190Г
2С190Д
2С190Е
2С190Ж
2С190И
2С190К
2С190Л
2С190М
2С190Н
2С190П
2С190Р
2С190С
2С190Т
2С190У
2С190Ф
2С191А
2С191Е
2С191Ж
2С191К-1
2С191С
2С191Т
2С191У
2С191Ф
2С191Х
2С191Ц
2С205А
2С210А
2С21ОБ
2С210Е
2С210Ж
2С210К
2С210Х
2С210К-1
2С210Ц
2C21LA
2С211Б
2С211В
2С2ИГ
2С211Д
2С211Е
2С211Ж
2С211И
2C2UK-1
2С211Ц
Стр.
214
214
214
214
214
214
244
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
218
218
218
218
218
Ограничительные диоды
Тип прибора
2C6I4A1
2С514Б
2С514Б1
2С514В
2С514В1
2С517А
2С617А1
2СБ17Б
2С517Б1
2С517В
2С517ВГ
2С517Г
2С617Г1
Стр.
228
228
228
228
228
230
230
230
230
230
230
230
230
Тип прибора
2С521А
2С602А
2С602А1
2С603А
2С603А1
2С6ОЗБ
2С603Б1
2С604А
2С604А1
2С604Б
2С604Б1
2С801А
2С802А
Стр.
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230
Тип
прибора
2С212Е
2С212Ж
2С212И
2С212Х
2С212Ц
2С212К-1
2С213А
2С213Б
2С213Е
2С215Ж
2С216Ж
2С218Ж
2С220Ж
2С222Ж
2С224Ж
2С291А
2С411А
2С411Б
2С433А
2С439А
2С447А
2С456А
2С468А
2С482А
2С510А
2С512А
2С515А
2С516А
2С516Б
2С516В
2С518А
2С522А
2С524А
2СБ27А
2С530А
2С536А
2С551А
2С591А
2С600А
2С920А
2С930А
2С950А
2С956А
2С980А
Стр.
218
218
218
218
218
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
222
222
222
222
222
222
222
222
222
222
224
224
224
224
224
224
224
224
224
224
224
224
226
226
226
226
226
226
Тип прибора
2С802А1
2С802Б
2С802Б1
2С803А
2С803А1
2С8ОЗБ
2С803Б1
2С804А
2С901А
2С901А1
2С901Б
2С9О1Б1
Стр.
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230
230

14
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тиристоры
Тип
прибора
2У101А
2У101Б
2У101Г
2У101Д
2У101Е
2У101Ж
2У101И
2У102А
2У102Б
2У102В
2У102Г
2У103А
2У103Б
2У104А
2У104Б
2У104В
2У104Г
2У105А
2У105Б
2У105В
2У105Г
2У105Д
2У105Е
2У106А
2У106Б
2У106В
2У106Г
2У1О7А
2У107Б
2У107В
2У107Г
2У1О7Д
2У107Е
2У110А
2У110Б
2У110В
Стр.
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
234
236
236
236
236
236
236
236
236
236
Тип
прибора
2У111А
2УШБ
2УШВ
2УШГ
2У113А
2У113Б
2У114А
2У116АС
2У201А
2У201Б
2У201В
2У2О1Г
2У201Д
2У201Е
2У2О1Ж
2У201И
2У201К
2У201Л
2У202Д
2У202Е
2У202Ж
2У202И
2У202К
2У202Л
2У202М
2У202Н
2У203А
2У203Б
2У203В
2У203Г
2У203Д
2У2ОЗЕ
2У203Ж
2У203И*
2У204А
2У204Б
Стр.
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236 •
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
Тип
прибора
2У204В
2У205А
2У205Б
2У205В
2У205Г
2У206А
2У206Б
2У206В
2У206Г
2У207А
2У207Б
2У207В
2У207Г
2У2О7Д
2У207Е
2У208А
2У208Б
2У208В
2У208Г
2У215А
2У215Б
2У220А
2У220Б
2У220В
2У22ОГ
2У220Д
2У220Е
2У221А
2У221Б
2У221В
2У222А
2У222Б
2У222В
2У222Г
2У225А
2У229А
Стр.
238
238
238
238
238
238
238
238
238
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
242
242
242
242
242
242
Тип
прибора
2У229Б
2У229В
2У229Г
2У229Д
2У229Е
2У229Ж
2У229И
2У229К
2У229Л
2У229М
2У229Н
2У7О1А
2У701Б
2У701В
2У7О1Г
2У702А
2У702Б
2У702В
2У702Г
2У703А
2У703Б
2У703В .
2У703Г
2У706А
2У706Б
2У706В
2Н1О2А
2Н102Б
2Н102В
2Н102Г
2Н102Д
2Н102Е
2Н102Ж
2Н102И
2Н102К
2Н1О2Л
Стр.
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
244
Светоизлучающие приборы
Тип
прибора
1П10А-К
1П10А-3
1Ш0А-Ж
1П10А-О
1П10А-И
1П10А-Л
1П10А-П
1П10Б-К
1П10Б-3
1Ш0Б-Ж
1П10Б-О
Ш10Б-И
1Ш2А-П
1ШЗА-Ж
Ш13Б-Ж
1П13В-Ж
1П14А-0
Стр.
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
Тип
прибора
1Ш4Б-О
1Ш4В-О
1П15А-И
1П15Б-И
1Ш5В-И
1П16А-П
1Ш7-К/3
1Ш8А-К
Ш18А-3
Ш18А-Ж
1П18А-О
Ш18А-И
1П18А-Л
Ш18А-П
1П18Б-К
1П18Б-3
1Ш8Б-Ж
Стр.
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
251
251
251
Тип
прибора
1П18Б-0
1П19А-К
1П19А-3
1П19А-Ж
1Ш9А-О
1Ш9А-И
Ш19А-Л
Ш19А-П
1П19Б-К
Ш19Б-3
1П19Б-Ж
Ш19Б-О
1П19Б-И
Ш21-К/3
ЗЛ102А
ЗЛ102Б
ЗЛ102В
Стр.
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
251
Тип
прибора
ЗЛ102Г
ЗЛ102Д
ЗЛ336Б
ЗЛ336Ж
ЗЛ336И
ЗЛ336К
ЗЛ341А
ЗЛ341Б
ЗЛ341В
ЗЛ341Г
ЗЛ341Д
ЗЛ341Е
ЗЛ341И
ЗЛ341К
ЗЛ360А
ЗЛ360Б
Стр.
251
251
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252

Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
15
Шкальные индикаторы
Тип
прибора
1П5А-К
1П5А-3
1П5А-Ж
Ш5А-О
1П5А-И
1П5Б-К
1П5Б-3
1П5Б-Ж
1П5Б-О
1П5Б-И
1П6А-К
1П6А-3
1П6А-Ж
1П6А-0
1П6А-И
1П6А-Л
1П6А-П
1П6Б-К
1П6Б-3
1П6Б-Ж
1П6Б-О
1П6Б-И
1П7А-К
Ш7А-3
1П7А-Ж
1П7А-О
1П7А-И
Ш7А-Л
1П7А-П
Ш7А-К
Ш7А-3
1П7А-Ж
1П7А-0
1П7А-И
1П8А-К
1П8А-3
Стр.
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
253
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
Тип
прибора
ЗЛС314А
ЗЛС320А
ЗЛС320Б
ЗЛС320В
ЗЛС320Г
ЗЛС320Д
ЗЛС320Е
ЗЛС321А
ЗЛС321Б
ЗЛС324А
ЗЛС324Б
ЗЛС324В
ЗЛС324А1
ЗЛС324Б1
ЗЛС324В1
ЗЛС331А
ЗЛС331АМ
ЗЛС337А
ЗЛС337Б
ЗЛС337В
Стр.
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
262
262
262
Тип
прибора
1П8А-Ж
1П8А-О
1П8А-И
1П8А-Л
1П8А-П
1П8Б-К
Ш8Б-3
1П8Б-Ж
1П8Б-О
1П8Б-И
Ш9А-К
1П9А-3
1П9А-Ж
1П9А-0
1П9А-И
1П9А-Л
1П9А-П
Ш9Б-К
1П9Б-3
Ш9Б-Ж
1П9Б-О
Ш9Б-И
1П22А-К
1П22А-3
1П22А-Ж
1П22А-О
1П22А-И
Ш22А-Л
1П22А-П
1П25-К
1П25-3
1П26-К
1П26-3
1П28-К
1П28-3
1П29-К
Стр.
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
255
256
256
256
256
256
Тип
прибора
1П29-3
1П27-К
Ш27-3
ШЗО-К
1П30-3
1ПЗЗА-К
1ПЗЗА-3
ШЗЗА-Ж
ШЗЗА-О
1ПЗЗА-И
1ПЗЗА-Л
ШЗЗА-П
ШЗЗА-К
1ПЗЗА-3
ШЗЗА-Ж
ШЗЗА-О
1ПЗЗА-И
1П35А-К
1П35А-3
1П35А-Ж
1П35А-О
1П35А-И
1П35А-Л
Ш35А-П
1П35А-К
1П35А-3
1П35А-Ж
1П35А-О
1П35А-И
Ш37А-К
Ш37А-3
Ш37А-Ж
1П37А-О
Ш37А-И
Ш37А-Л
1П37А-П
Стр.
256
256
256
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
257
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
Тип
прибора
ЗЛС317А
ЗЛС317Б
ЗЛС317В
ЗЛС317Г
ЗЛС343А-5
ЗЛС345А
ЗЛС345Б
ЗЛС345В
ЗЛС345Г
ЗЛС361А
ЗЛС361Б
ЗЛС362А
ЗЛС362Б
ЗЛС362В
ЗЛС362Г
ЗЛС362Д
ЗЛС362Е
ЗЛС362Ж
ЗЛС362И
ЗЛС362К
ЗЛС362Л
ЗЛС362М
ЗЛС362Н
ЗЛС362А-1
ЗЛС362Б-1
ЗЛС362Д-1
ЗЛС362Е-1
ЗЛС362К-1
ЗЛС364А-5
ЗЛС366А-5
ЗЛС367А-5
ЗЛС368А-5
ИПТ02-50Л-5
ИПТ04-11К
Стр.
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
259
Цифро-буквенные индикаторы
Тип
прибора
ЗЛС337Г
ЗЛС338А
ЗЛС338Б
ЗЛС338В
ЗЛС338Г
ЗЛС338Д
ЗЛС338Е
ЗЛС338А1
ЗЛС338Б1
ЗЛС338Б2
ЗЛС338В1
ЗЛС338Г2
ЗЛС339А
ЗЛС340А
ЗЛС342А
ЗЛС342Б
ЗЛС342В
ЗЛС342Г
ЗЛС348А
ЗЛС357А
Стр.
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
262
264
264
Тип
прибора
ЗЛС358А
ЗЛС359А
ЗЛС359Б
ЗЛС359А-1
ЗЛС359Б-1
ЗЛС363А
ИПД13А-К
ИПД13Б-Ж
ИПД13В-Л
ИПД14А-К
ИПД14Б-К
ИПД14В-Л
ИПД14Г-Л
ИПД14Д-Л
ИПЦ01А-1/7К
ИПЦ01Б-1/7К
ИПЦ01В-1/7К
ИПЦ01Г-1/7К
ИПЦ01Д-1/7К
ИПЦ01Е-1/7К
Стр.
264
264
264
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
266
Тип
прибора
ИПЦ02А-1/7КЛ
ИПЦ02Б-1/7КЛ
ИПЦ05А-1/8К
ИПЦ05Б-1/8К
ИПЦ05В-1/8К
ИПЦ05Г-1/8К
ИПЦ06А-5/40К
ИПЦ07А-1/8Л
ИПЦ07Б-1/8Л
ИПЦ07В-1/8Л
ИПЦ07Г-1/8Л
ИПЦ10А-5/8К
ИПЩ1А-1/7Ж
ИПЦ11Б-1/7Ж
ИПЦ24А-1/7С
ИПЩ2А-2/7К
ИПЩ9А-1/7Л
ИПЦ19А1-1/7Л
Стр.
266
266
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268

16
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Инфракрасные излучающие диоды
Тип
прибора
ЗЛ103А
ЗЛ103Б
ЗЛ107А
ЗЛ107Б
ЗЛ107В
ЗЛ1О7Г
Стр.
270
270
270
270
270
270
Тип
прибора
ЗЛ108А1
ЗЛ118А
ЗЛ119А
ЗЛ120А
ЗЛ120Б
ЗЛ123А _
Стр.
270
270
270
270
270
270
Тип
прибора
ЗЛ124А
ЗЛС127
ЗЛ132А
ЗЛ135А
ЗЛ135Б
ЗЛ136
Стр.
270
272
272
272
272
272
Тип
прибора
ЗЛ137А
ЗЛ141А
ЗЛ141АС
ЗЛ148А
ЗЛ148АС
ЗЛ153А
Стр.
272
272
272
272
272
272
Диодные оптопары
Тип
прибора
ЗОД101А
ЗОД101Б
ЗОД101В
ЗОД101Г
ЗОД107А
ЗОД107Б
ЗОД109А 3-кан.
ЗОД109Б 3-кан.
ЗОД109В 2-кан.
Стр.
274
274
274
274
274
274
274
274
274
Тип
прибора
ЗОД109Г 2-кан.
ЗОД109Д 2-кан.
ЗОД109Е 1-кан.
ЗОД109Ж 1-кан.
ЗОД109И 1-кан.
ЗОД112А-1
ЗОД120А-1
ЗОД120Б-1
ЗОД121А-1
Стр.
274
274
274
274
274
274
274
274
276
Тип
прибора
ЗОД121Б-1
ЗОД121В-1
ЗОД129А
ЗОД129Б
ЗОД130А
ЗОД139А
ЗОД140А
ЗОД141А-1
ЗОД148А-1
Стр.
276
276
276
276
276
276
276
278
278
Тип
прибора
ЗОД201А-1
ЗОД201Б-1
ЗОД201В-1
ЗОД201Г-1
ЗОД201Д-1
ЗОД201Е-1
Стр.
278
278
278
278
278
Транзисторные оптопары
Тип
прибора
ЗОТ102А
ЗОТ102Б
ЗОТ102В
ЗОТ102Г
ЗОТ110А
ЗОТ110Б
ЗОТ110В
ЗОТ110Г
ЗОТ122А
Стр.
280
280
280
280
280
280
280
280
280
Тип
прибора
ЗОТ122Б
ЗОТ122В
ЗОТ122Г
ЗОТ123А
ЗОТ123Б
ЗОТ123В
ЗОТ123Г
ЗОТ126А
ЗОТ126Б
Стр.
280
280
280
280
280
280
280
280
280
Тип
прибора
ЗОТ127А
ЗОТ127Б
ЗОТ127В
ЗОТ128А
ЗОТ128Б
ЗОТ128В
ЗОТ128Г
ЗОТ128Д
ЗОТ128Е
Стр.
282
282
282
282
282
282
282
282
282
Тип
прибора
ЗОТ135А
ЗОТ135Б
ЗОТ136А
ЗОТ136Б
ЗОТ138А
ЗОТ138Б
ЗОТ144А
ЗОТ150А
ЗОТ150Б
Стр.
282
282
282
282
284
284
284
284
284

Раздел 1. Условные обозначения и классификация полупроводниковых приборов
17
Раздел 1. Условные обозначения и классификация
полупроводниковых приборов
1.1. Система условных обозначений и классификация
отечественных полупроводниковых приборов
Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов широкого
применения основывается на ОСТ 11.336.919-81.
Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материала,
из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктивно-тех-
конструктивно-технологические особенности.
Первый элемент обозначения. Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на ос-
основе которого изготовлен полупроводниковый прибор.
Условное обозначение
Г или 1
Кили 2
А или 3
И или 4
Исходный материал
Германий или его соединения.
Кремний или его соединения.
Соединения галлия (например, арсенид галлия).
Соединения индия (например, фосфид индия).
Второй элемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора.
Условное обозначение
Т
П
д
к
ц
с
в
л
о
н
У
и
г
в
А
Подкласс (или группа) приборов
Транзисторы (за исключением полевых).
Транзисторы полевые.
Диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды.
Стабилизаторы тока.
Выпрямительные столбы и блоки.
Стабилитроны, стабисторы и ограничители.
Варикапы.
Излучающие оптоэлектронные приборы.
Оптопары.
Тиристорные диоды.
Тиристорные триоды.
Туннельные диоды.
Генераторы шума.
Приборы с объемным эффектом (приборы Ганна).
Сверхвысокочастотные диоды.
Третий элемент обозначения. Цифра, которая определяет основные функциональные возможности (допу-
(допустимое значение рассеиваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту).
Условное
обозначение
Назначение прибора
Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк=0,3 Вт):
низкой частоты (fГр<3 МГц)
средней частоты (frp=3...3O МГц)
высокой частоты (frp>30 МГц)

18
Раздел 1. Условные обозначения и классификация полупроводниковых приборов
Условное
обозначение
4
5
6
7
8
9
1
2
3
1
2
3
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
Назначение прибора
Транзисторы средней мощности (Рк=0,3...1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мощности (Рк>1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Диоды выпрямительные с прямым током, А:
не более 0,3
0,3... 10
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды)
Выпрямительные столбы с прямым током, А:
не более 0,3
0,3...10
Выпрямительные блоки с прямым током, А:
не более 0,3
0.3...10
Стабилитроны, стабисторы и ограничители с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее 0,3 Вт:
менее 10
10...100
более 100
мощностью 0,3...5 Вт:
менее 10
10...100
более 100
мощностью 5...10 Вт:
менее10
10...100
более 100
Варикапы:
подстроечные
умножительные (варакторы)
Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядко-
порядковый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов — напряжение стабилиза-
стабилизации и последовательность разработки.
Условное
обозначение
Назначение прибора
От 01 до 999
Определяет порядковый номер разработки технологического типа.
От А до Я
Для стабилизаторов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабили-
зации, а шестой элемент — последовательность разработки.
Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по параметрам.
Условное
обозначение
Назначение прибора
От А до Я
(кроме букв 3, О, Ч)
Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по
единой технологии.

Раздел 1. Условные обозначения и классификация полупроводниковых приборов
19
Для наборов приборов, не соединенных электрически или соединенных по одноименному выводу,
после второго элемента обозначения добавляется буква «С».
Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисторов с парным подбором
после последнего элемента обозначения вводится буква «Р».
Для импульсных тиристоров после второго элемента обозначения вводится буква «И».
Для бескорпусных приборов после условного обозначения вводится (через дефис) дополнительная
цифра, показывающая конструктивное исполнение (модификацию):
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 — с жесткими (объемными) выводами 'без кристаллодержателя;
4 — с жесткими (объемными) выводами на кристаллодержателе;
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (кристалл без выводов);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе (кристалл без выводов на подложке);
9 — микросборки для поверхностного монтажа.
Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то
на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полоски). Цветовой код указывается в ТУ.
1.2. Условные обозначения и классификация
зарубежных полупроводниковых приборов
За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее
распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим сове-
советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом,
маркировкой), в котором первая цифра соответствует числу р-n переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;
3 — тетрод (тиристор). За цифрой следуют буква N и серийный номер, который регистрируется
ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или
несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным
параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного
материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения.
Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегистрирован-
зарегистрированным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC.
В Европе кроме JEDEC широко используется система, по которой обозначения полупроводнико-
полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association Pro Electron. По этой системе приборы для
бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, для
промышленной и специальной аппаратуры - тремя буквами и двумя цифрами. Так, у приборов широкого
применения после двух букв стоит трехзначный порядковый номер от 100 до 999. У приборов,
применяемых в промышленной и специальной аппаратуре, третий знак — буква (буквы используются
в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и т. д.), за которой следует порядковый номер от 10 до 99.
Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов, то обозначение производится в
соответствии с кодом (маркировкой) для одиночных дискретных приборов. При наличии в одном
корпусе нескольких разных приборов в качестве второй буквы обозначения используется буква G.
К основному обозначению может добавляться буква, указывающая на отличие прибора от основного
типа по каким-либо параметрам или корпусу.
В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения:
Первый элемент
Исходный материал
Германий
Кремний
Арсенид галлия
Антимонид индия
Ширина запрещенной
зоны, эВ
0.6...1
1...1.3
более 1,3
менее 0,6
Условное обозначение
А
В
С
D
Примечание. Приборы на основе других полупроводниковых материалов обозначаются буквой R.

20
Раздел 1. Условные обозначения и классификация полупроводниковых приборов
Второй элемент
Подкласс приборов
Диоды детекторные, быстродействующие, смесительные .
Диоды с переменной емкостью
Транзисторы низкочастотные маломощные (Rthja > 15 °С/Вт)
Транзисторы низкочастотные мощные (Rthja < 15 вС/Вт)
Диоды туннельные
Транзисторы высокочастотные маломощные (Rthja > 15 вС/Вт)
Генераторные диоды, сложные приборы
(в одном корпусе несколько различных приборов)
Измерители напряженности поля (магниточувствительные диоды)
Генератор Холла (приборы на основе эффекта Холла)
Транзисторы высокочастотные мощные (Rthja < 15 "С/Вт)
Модуляторы и умножители на основе эффекта Холла
Светочувствительные (фотоприемные) приборы (фотодиоды, фототранзисторы и др.)
Излучающие приборы
Приборы, работающие в области пробоя
Транзисторы переключающие маломощные
Регулирующие и переключающие приборы, мощные управляемые выпрямители
(Rthja < 15 сС/Вт)
Транзисторы переключающие мощные
Диоды умножительные
Диоды выпрямительные мощные
Стабилитроны
Условное
обозначение
А
В
С
D
Е
F
G
Н .
К
L
М
Р
Q
R
S
Т
и
X
Y
Z
Для некоторых типов приббров, таких как стабилитроны, мощные диоды и тиристоры, может
применяться дополнительная классификация, согласно которой к основному пятизначному обозначе-
обозначению через дефис или дробь добавляется дополнительный код. Например, для стабилитронов дополни-
дополнительный код содержит сведения о номинальном напряжении и его допусках в процентах. Первая буква
указывает допуск: А — 1%, В — 2%, С — 5%,D — 10%, Е — 15%. После буквы в дополнительном
коде следует номинальное напряжение в вольтах. Если это не целое число, то вместо запятой ставится
буква V. Например, BZY85-C6V8 — это кремниевый стабилитрон специального назначения с регист-
регистрационным номером 85, напряжением стабилизации 6,8 В и допуском на напряжение ±5%.
В дополнительном коде для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда
обратного напряжения, для тиристоров — меньшее из значений максимального напряжения включения
или максимальной амплитуды обратного напряжения. Например, ВТХ10-200 — это кремниевый
управляемый выпрямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером 10 и
напряжением 200 В. В конце дополнительного обозначения может стоять буква R, обозначающая
соединение анода с корпусом. Соединение катода с корпусом и симметричное исполнение выводов в
коде не указываются.
Система Pro Electron широко применяется в ФРГ, Франции, Италии, Венгрии, Польше и других
странах. Она заменила старую европейскую систему, по которой после начальной буквы О следовали
буквы, указывающие основной класс приборов: А — диод; АР — фотодиод; AZ — стабилитрон; С —
транзистор; СР — фототранзистор; RP — фотопроводящий элемент.
По существующей в настоящее время в Японии системе стандартных обозначений (стандарт
JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ — Electronic Industries Association of Japan) можно определить
класс прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости. Вид полупроводникового
материала в этой системе не отражается. Условное обозначение состоит из пяти элементов.

Раздел 1. Условные обозначения и классификаций полупроводниковых приборов
21
Первый элемент
Класс приборов
Фотодиоды, фототранзисторы
Диоды
Транзисторы
Четырехслойные приборы
Условное обозначение
0
1
2
3
Второй элемент, указывающий на то, что данный прибор является полупроводниковым, обозна-
обозначается буквой S (Semiconductor).
Третий элемент
Подкласс
приборов
Транзисторы p-n-р высокочастотные
Транзисторы p-n-р низкочастотные
Транзисторы n-p-п высокочастотные
Транзисторы n-p-п низкочастотные
Диоды Есаки
Тиристоры
Диоды Ганна
Однопереходные транзисторы
Полевые транзисторы с р-каналом
Условное
обозначение
А
В
С
D
Е
F
G
Н
I
Подкласс
приборов
Полевые транзисторы с п-каналом
Симметричные тиристоры
Светоизлучающие диоды
Выпрямительные диоды
Малосигнальные диоды
Лавинные диоды
Диоды с переменной емкостью, pin-
диоды, диоды с накоплением заряда
Стабилитроны
Условное
обозначение
К
М
Q
R
S
Т
V
Z
Примечание. У фототранзисторов и фотодиодов третий член маркировки отсутствует.
Четвертый элемент обозначает регистрационный номер и начинается с числа 11.
Пятый элемент отражает усовершенствование (А и В — первая и вторая модификации).
После маркировки могут быть дополнительные индексы (N, M, S), отражающие требования
специальных стандартов.
Кроме вышеуказанных, систем стандартных обозначений, изготовители приборов широко исполь-
используют внутренние (внутрифирменные) обозначения. В этом случае за основу буквенного обозначения
чаще всего берется принцип сокращенного названия фирмы, коды материала и применения,
Фирма NEC (Япония) маркирует свои приборы следующим образом.
Подкласс
приборов
Лавинно-пролетные диоды
Диоды Ганна
Смесительные германиевые диоды
Фототранзисторы
Фотоприемники (оптопары)
Стабилитроны
Малосигнальные диоды
Инфракрасные диоды
Условное
обозначение
AD
GD
GH
РН
PS
RD
SD
SE
Подкласс
приборов
Светодиоды зеленого цвета свечения
Точечно-контактные кремниевые диоды
Арсенид-галлиевые диоды с барьером
Шотки
Светодиоды красного цвета свечения
Варакторы
Светодиоды желтого цвета свечения
Новые полупроводниковые приборы
Варисторы
Условное
обозначение
SG
SH
SM
SR
SV
SY
V
VD

22 Раздел 2. Биполярные транзисторы
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы, предназначенные для аппаратуры специального назначения, применя-
применяются в различных устройствах:
малошумящих усилителях — 2Т372, 2Т391, 2Т3114, 2Т3115, 2Т3124, 2Т3132, 2Т682;
импульсных и переключательных схемах, преобразователях, импульсных мощных модуляторах,
вторичных источниках электропитания — 2Т867, 2Т718, 2Т812, 2Т826, 2Т827, 2Т828, 2Т834, 2Т839,
2Т844, 2Т845, 2Т847, 2Т848 (для систем зажигания), 2Т862, 2Т866, 2Т874, 2Т878, 2Т879, 2Т885, 2Т889,
2Т891, 2Т917, 2Т926, 2Т945, 2Т949, 2Т974, 2Т9112, 2Т9113, 2Т9123, 2Т9159, 2Т9109, 2Т9161, 2Т9164;
линейных широкополосных усилителях — 2Т610 (Un=10 В), 2Т912 (Un=27 В), 2Т932, 2Т939
(Un=28 В), 2Т955, 2Т956, 2Т957, 2Т905, 2Т906, 2Т967, 2Т980, 2Т981 (Un=12,6 В), 2Т996 (в частности,
для усилителей линейного тракта многоканальной кабельной системы связи), 2Т9155 (Un=28 В, в
диапазоне 150...860 МГц, для 4 и 5 телевизионных диапазонов);
для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умножи-
умножителей — 2Т606 (Un=28 В), 2Т607 (Un=20 В), 2Т640 и 2Т643 (в схемах с общей базой — ОБ, Un=15 В),
2Т642, 2Т647 (Un=15 В), 2Т648, 2Т671 (Un=12 В), 2Т657 и 2Т9137 (в схемах с общим эмиттером —
ОЭ, Un=15 В), 2Т904, 2Т907 (с ОЭ), 2Т909 (с ОЭ), 2Т911 (с ОЭ), 2Т913, 2Т914, 2Т916, 2Т922, 2Т930
(с ОЭ), 2Т931, 2Т934 (с ОЭ), 2Т944, 2Т970 (с ОЭ), 2Т971 (Un=28 В), 2Т938 (Un=20 В), 2Т919 и 2Т979
(с ОБ, Un=28 В), 2Т920, 2Т925, 2Т960, 2Т963 (с ОБ, Un=12,6 В), 2Т929 (Un=8 В), 2Т937 (с ОБ,
Un=21 В), 2Т942, 2Т946 (с ОБ), 2Т948, 2Т962, 2Т976 (допускает работу на рассогласованную
нагрузку), 2Т945, 2Т947 (Un=27 В), 2Т977 (с общим коллектором — OK, Un=40 В), 2Т982, 2Т987,
2Т988 (с ОБ), 2Т995, 2Т9124 (для РЛС и аппаратуры связи), 2Т9103, 2Т9119, 2Т9122, 2Т9135;
для работы в качестве генераторов в режиме класса С — 2Т958 (Un=12,5 В), 2Т9104 (Un=28 В,
с ОБ);
усилительных и генераторных устройствах СВЧ мощности в импульсном режиме — 2Т975 с
Рвых>100 Вт, 2Т986 с РВых>300 Вт, 2Т9134 с РВых>800 Вт в диапазоне 0,6... 1,6 ГГц, 2Т9127 с РВЫх>125,
250, 500 Вт в диапазоне 1,025... 1,15 ГГц, 2Т9146 с Рвых=40, 100 и 200 Вт (с ОБ) в диапазоне
1,35...1,55 ГГц, 2Т9162 с РВых>400 Вт в диапазоне 1,4...1,6 ГГц, 2Т9118, 2Т9140 с Рвых=75 и 125 Вт
соответственно в диапазоне 1,2...1,4 ГГц, а также 2Т9149, 2Т9158, 2Т9121, 2Т9139 (с ОБ), 2Т9129
(с ОБ) для работы в диапазонах 2...3,3 ГГц, 2,3...2,7 ГГц, 2,7...3,1 ГГц, 3,1...3,5 ГГц и 2Т984 в диапазоне
720...820 МГц (Un=50 В, с ОБ);
в выходных каскадах мощных ВЧ усилителей — 2Т921, 2Т950, 2Т951, 2Т964, 2Т9111 (в
передающих устройствах), 2Т9131 в диапазонах частот 1,5...30 МГц, 1,5...60 МГц, 1,5...80 МГц,
1,5... 100 МГц или 30...80 МГц;
для переносных средств связи (в режиме класса С) — 2Т9175 (Un=7,5 В), 2Т9188 (Un=12,5 В);
для стационарных и бортовых средств связи для работы в режиме класса С — 2Т9128 и 2Т9147
Шп=28 В), 2Т9132 (Un=30 В, с ОБ), для работы в режиме класса АВ — 2Т9153 и 2Т9156 (Un=28 В,
сОЭ).
Транзисторные сборки, состоящие из двух транзисторов с согласующими LC-цепями (балансовые
транзисторы) — 2Т985 (Un=28 В, с ОЭ), 2Т991, 2Т9101 и 2Т9105 (Un=28 В, с ОБ), предназначены
для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с общей базой
(база у них соединена с корпусом транзистора).
Транзисторные сборки для работы в двухтактных усилителях мощности в схеме с ОЭ в режиме
классов АВ, В, С в диапазоне частот 100...400 МГц — 2Т9147 (Un=28 В, с ОЭ).
Транзисторы 2Е701 представляют собой биполярные транзисторы с изолированным затвором
(БТИЗ).

Раздел 2. Биполярные транзисторы
23
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
Ниже приводятся буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие публикации
МЭК 148 и стандартизованные ГОСТ 20003-74.
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
1КБО
1ЭБО
1кэо
Iksr
1кэк
Iksv
Ыэх
IK max ~
1э max
1б max
1к, и max
1э, и max
Ikp
UKBt) проб'
U3B0 проб
Uk3O проб
0k3R проб
^КЭК проб
ЦКЭУ проб
UK3X проб
икэогр
Ucmk
Uk3 нас
UBS нас
иЭБм
Ukb max
международное
1сво
Iebo
ICEO
ICER
Ices
Icev
ICEX
Ic max
IE max
Ib max
ICM max
IEM max
—
U(BR) CBO
U(BR) EBO
U(BR) CEO
U(BR) CER
U(BR) CES
U(BR) CEV
U(BR) CEX
U(L) CEO
upt
UcE sat
UBE sat
Uebh
UcB max
Параметр
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном
обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
Максимально допустимый постоянный ток базы.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
Критический ток биполярного транзистора.
Пробивное напряжение коллектор — база при заданном обратном токе
коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
Пробивное напряжение эмиттер — база при заданном обратном токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
разомкнутой цепи базы.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в
цепи база-эмиттер.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря-
напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и
эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Напряжение смыкания транзистора.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и
коллектора.
Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и
базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой
цепи эмиттера.
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — база.

24
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
UK3max
UsB max
Uk3, и max
UkB, и max
иЭБ, и max
Р
Pep
Ри
Рк
Рк, т max
Рвых
Ри max
Рк max
Рк ср max
ГБ
ГКЭ нас
СПэ, СПб
С22э, С226
Ск
Сэ
Imax
fh2l3, fh216
1вкл
teblKJl
t3fl
tHP
tpac
ten
hi 1э, hue
h2b, h216
П21э, hl26
Ь22э, h226
|Ь21э1
hi is
международное
UcE max
UEB max
UcEM max
UcBM max
UEBM max
Ptot
Pav
Pm
Pc
—
Pout
Pm max
Pc max
—
гьь, гь
ГСЕ. sat
СПе, СПЬ
C22e, C22b
CC
Ce
fr
'max
fh21e, fhfel
fh21b, fhfb
ton
toff
td
tr
ts
tf
hiie, hub;
hie. hjb
h21e, h21b;
hfe, hfb
hl2e, hl2bl
hre, hrb
h22e, h22b!
hoe, hob
Ih21el
hi IE, hiE
Параметр
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер.
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер — база.
Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор — эмиттер.
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база.
Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер — база.
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
'Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Выходная мощность транзистора.
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
Сопротивление базы.
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно.
Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно.
Емкость коллекторного перехода.
Емкость эмиттерного перехода.
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
.общим эмиттером.
Максимальная частота генерации.
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора -для схем с
общим эмиттером и общей базой.
Время включения.
Время выключения.
Время задержки.
Время нарастания.
Время рассасывания.
Время спада.
Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмитте-
эмиттером и общей базой соответственно.
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы
с общим эмиттером.

Раздел 2. Биполярные транзисторы
25
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
П21Э
У21Э
Yiia, Yii6
Yl23, Yl26
Y219, Y216
Y22a, Y226
Sib, Sue, Suk
Sl2a, Sl26, Si2k
S22a, S226, S22k
S219, S2I6» S21k
—
Ky, p
—
Кщ
Тк (г'б CK)
Токр
Тк
Тп
Rt, п-с
Rt, п-к
Rt, k-c
Ът, n-к
Тт, n-c
^T, K-C
международное
h21E- hFE
Y21E
Yne, Ynb;
Yie, Yib
Yl2e, Yl2b;
Yre, Yrb
Y2le, Y2lb;
Yfe, Yfb
Y22e, Y22bJ
Yoe, Yob
Slle, Sllb, Sllc
Sie, Sjb, Sjc
Sl2e, Sl2b, Sl2c;
Sre, Srb. Src
S22e, S22b, S22cl
Soe, Sob» Soc
S21e, S21b, S21c;
Sfc, Sfb, Sfc
Ise» Isb, »sc
GP
Ga, Ga
F
Тс (г'ьь CK)
Та, Tamb
Tc, Tease
Tj
Rthja
Rthjc
Rthca
Xthjc
Tthja
Tthca
Параметр
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в
режиме большого сигнала.
Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базовой соответственно.
Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигна-
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базрй соответственно.
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте-
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой
и общим коллектором соответственно.
Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S2ie=l,
S21b=l, S21c=D.
Коэффициент усиления мощности.
Номинальный коэффициент усиления по мощности.
Коэффициент шума транзистора.
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Температура окружающей среды.
Температура корпуса.
Температура перехода.
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
Тепловая постоянная времени переход-корпус.
Тепловая постоянная времени переход — окружающая среда.
Тепловая постоянная времени корпус — окружающая среда.

26
Раздел 2, Биполярные транзисторы
2.2. Параметры германиевых транзисторов
1Т101
1Т101А
1Т101Б
1Т102
1Т102А
1Т115Л
1Т115Б
1Т115В
1Т115Г
1Т116А
1Т116Б
1Т116В
1Т116Г
1Т303
1Т303А
1Т303Б
1Т303В
1Т303Г
1Т303Д
1Т305А
1Т305Б
1Т305В
1Т308А
1Т308Б
1Т308В
1Т308Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+73
-60...+73
-60...+73
-60...+73
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+73
-60...+73
-60...+73
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-6O...+7O
ел ел ел
о о о
30
30
ел ел ел ел
О О О О
ел ел ел ел
о о о о
888888
75
75
75
150
150
150
' 150
2*
2*
5*
1*
1*
1
1
1
¦ 1
1
1
1
1
36
36
36
72
72
72
160
140
160
100
120
120
120
15
15
15
5
5
50
50
70
70
15*
15*
15*
15*
о о о о о о
12**
12**
12**
20
20
20
20
15
15
15
5
5
ел ел ел ел
о о о о
15
15
15
15
1 1 1 1 1 1
1,5
1,5
1,5
со со со со
10
10
10
6
6
8888
50 C00*)
50 C00*)
50 C00*)
50 C00*)
15 A20*)
15 A20*)
15 A20*)
15 A20*)
15 A20*)
15 A20*)
40 A00*)
40 A00*)
40 A00*)
50 A20*)
50 A20*)
50 A20*)
50 A20*)
15
15
15
10
10
50
50
50
50
-зо
30
30
-зо
6
6
6
6
6
6
6
6
6
5
5
5
5

Параметры германиевых транзисторов
27
¦'S
30...60
20...40
60...120
>20 E В; 1 мА)
>20 E В; 1 мА)
50
50
50
1Т101, 1Т1О2
30
30
<7 A кГц)
<12 A кГц)
20...60
50... 150
20...60
50...150
50
50
1Т116
15...65
15...65
20...65
15...65
1Т116
011,7
15...30
30...80
60...160
15...30
30...80
60...160
10
10
10
10
10
10
1* МКС
1* МКС
1* МКС
1* МКС
1* МКС
1* МКС
1Т303
011,7
25...80*
60... 180*
40... 120
1Т305
25...75
50...120
80...150
100...3О0
1* МКС
1* МКС
1* МКС
1Т308
011J

28
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1Т311А
1Т311Б
1Т311Г
1Т311Д
1Т311К
1Т311Л
1ТЗИ0А-2
1Т313А
1Т313Б
1Т313В
1Т320А
1Т320Б
1Т320В
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
1Т321Г
1Т321Д
1Т321Е
1Т329А
1Т329Б
1Т329В
1Т330А
1Т330Б
1Т330В
1Т330Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р.
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
150
150
150
150
150
150
175
100
100
100
200
200
200
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
160 B0** Вт)
50
50
50
50
50
50
50
0,45 ГГц
0,3 ГГц
0,3 ГГц
0,45 ГГц
0,6 ГГц
0,45 ГГц
>2,5 ГГц
>300
>450
>350
>160
>160
>200
>60
>60
>60
>60
>60
>60
> 1,2 ГГц
> 1,7 ГГц
>1 ГГц
>1 ГГц
>1,5 ГГц
>1 ГГц
>0,7 ГГц
12
12
12
12
12
12
10
12
12
12
20
20
20
60
60
60
45
45
45
10 ¦
10
10
13
13 "
13
13
2
2
2
2
2
2
0,2
0,7
0,7
0,7
3
3
3
4
4
4
2,5
2,5
2,5
0,7
0,7
1
1,5
1,5
1»5
1,5
50
50
50
50
50
50
17,5 A40*)
50
50
50
200 C00*)
200 C00*)
200 C00*)
200 B000*)
200 B000*)
200 B000*)
200 B000*)
200 B000*)
200 B000*)
20
20
20
20
20
20
20
<10
<5
<5
<5
<5
<5
<50
<5
<5
<5
<5
<5
<5
<500
<500
<500
<500
<500
<500
<5
<5
<5
<5
<5
<5
?5

Параметры германиевых транзисторов
29
15...180
30... 180
30... 180
60... 180
60...180
15О...ЗОО
<2,5
<2,5
<2,5
<2,5
<2,5
^2,5
50*
50*
50*
50*
50*
50*
1Т311
Корп.
<3,5
3 @,5 ГГц)
>0,05** D ГГц)
<5
1Т3110А-2
\
со
1
1
»
—¦—
1
И
и
я
н
Чг
1
\
13,3)
о
•*-1
10 A3,3)
J
L—I
h
к
JlJ
Э
10...230 C В; 15 мА)
10...75 C В; 15 мА)
30...230 C В; 15 мА)
<2,5
^2,5
<2,5
<8 F0 мГц)
<8 F0 мГц)
<8 F0 мГц)
<75
<40
<40
1Т313
Корп.
40...100A В; 10 мА)
70... 160A В; 10 мА)
1OO...25O A В; 10 мА)
<8
<8
<8
0,2* мкс
0,2* мкс
0,2* мкс
1Т320
011J
20...60 C В; 0,5 А)
4О...12О(ЗВ;О,5 А)
80...200 C В; 0,5 А)
20...60 C В; 0,5 А)
4О...12О(ЗВ;О,5 А)
80...200 C В; 0,5 А)
<80
<80
<80
<80
<80
^80
1* мкс
1* мкс
1* мкс
1* мкс
1* мкс
1* мкс
1Т321
011J
15...300 E В; 5 мА)
15...3OO E В; 5 мА)
15...300 E В; 5 мА)
<2
?3
<3
<4 @,4 ГГц)
<6 @,4 ГГц)
<6 @,4 ГГц)
15
30
20
1Т329
30...400 E В; 5 мА)
30...400 E В; 5 мА)
80...400 E В; 5 мА)
30...400 E В; 5 мА)
<2
<2
<2
<3
<5 @,4 ГГц)
<5 @,4 ГГц)
<5 @,4 ГГц)
<5 @,4 ГГц)
25; 50*
50
100
30; 50*
1Т330

30
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1Т335А
1Т335Б
1Т335В
1Т335Г
1Т335Д
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
1Т362А
1Т374А-6
1Т376А
1Т383А-2
1Т383Б-2
1Т383В-2
1Т386А
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+125
-60...+185
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+70
200
200
200
200
200
35
35
35
40
25
35
25
25
25
40
8 8888
СО СО СО СО СО
Л1 Л1 Л1 Л1 Л1
>1,5 ГГц
>2ГГц
>1,5 ГГц
>2,4 ГГц
>2,4 ГГц
>1 ГГц
>2,4.ГГц
>1,5ГГц
>3,6 ГГц
>0,45 ГГц
20
20
20
20
20
10
10
10
5
5
7
5
5
5
15
W W W W W
0,3
0,3
0,5
0,2
0,3
0,25
0,5
0,5
0,5
0,3
150 B50*)
150 B50*)
150 B50*)
150 B50*)
150 B50*)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
?10
?10
?10
?10
?10
<5
?5
?5
?5
?5
<5
?5
<5
?5
?10

Параметры германиевых транзисторов
31
40...70 C В; 50 мА)
60... 100 C В; 50 мА)
4O...7O C В; 50 мА)
6Q... 100C В;50мА)
50... 100C В; 50 мА)
<8,5
<8,5
<8,5
?8,5
<8,5
0,1* мкс
0,15* мкс
0,15* мкс
0,15* мкс
15...25O E В; 5 мА)
15...250 E В; 5 мА)
15...250 E В; 5 мА)
<1
$1
<1
<4,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
10...200 C В; 5 мА)
<1
<4,5 B,25 ГГц)
1Т362А
1О...1ОО(ЗВ;2мА)
<1
4,5
1Т374А-6
р
та
J
1О...15ОEВ;2мА)
?1,2
<3,5A80МГц)
15...250 C,2 В; 5 мА)
10...250 C,2 В; 5 мА)
15...25O C,2 В; 5 мА)
<1
<1
<1
<4,5 B,25 ГГц)
<4 A ГГц)
<5,5 B,83 ГГц)
1Т383
W
10
¦||11
TJ
/л
10...100 E В; 3 мА)
?1.5
<4 A80 МГц)

32
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1Т387А-2
1Т387Б-2
1Т403Л
1Т403Б
1Т403В
1Т403Г
1Т403Д
1Т403Е
1Т403Ж
1Т403И
1Т612А-4
1Т614А
1Т615
1Т702А
1Т702Б
1Т702В
1Т806А
1Т806Б
1Т806В
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-55...+70
-60...+85
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60.. .+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
175
175
4 Вт
4 Вт
5 Вт
4 Вт
4 Вт
5 Вт
4 Вт
4 Вт
0,36 Вт -
0,4 Вт
0,7 Вт
150* Вт
150* Вт
150* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
?2,16 ГГц
>ЗГГц
0,008**
0,008**
0,008**
0,008**
0,008**
0,008**
0,008**
0,008**
>1,5 ГГц
?1 ГГц
0,4 ГГц
0,12
0,12
0,12
?10
>10
?10
10
10
45
45
69
60
60
60
80
80
12
12
12
60
60
40
40**
65**
80**
0,2
0,2
20
20
20
20
30
20
20
20
0,2
0,5
0,5
4
4
4
2
* 2
2
140*
140*
,25 А
,25 А
1,25 А
1,25 А
,25 А
,25 А
,25 А
,25 А
0,2* А
200
500
30 А
30 А
30 А
20 А B5* А)
20 А B5* А)
20 А B5* А)
?10
?10
<5** мА
?5**мА
<5** мА
<5** мА
<5** мА
<5** мА
?6** мА
?6** мА
?0,005 мА
?0,01 мА
?12 мА
?12 мА
?12 мА
?12 мА
?12 мА
?12 мА

Параметры германиевых транзисторов
33
<з
?3
S5 A ГГц)
?4,8 A ГГц)
>0,05** D ГГц)
1Т387
\
со
1
1.8
13,3)
Тг °
и **i
1
10 A3,3)
1
h
к
v^-
JlU
^г
э
20...60 E В; 0,1 A)
5O...15OEB;O,1 A)
20...60 E B; 0,1 A)
50...150EB;0,l A)
5O...15OEB;O,1 A)
30 E B; 0,1 A)
2O...6OEB;O,1 A)
30 E B; 0,1 A)
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
1T403
15...250 E B; 50 мА)
<3,5
>0,15** B ГГц)
<7
1T612, 1T614, 1T615
>0,200** @,5 ГГц)
<15
7,5
Ml
i
6,3
P
15...100(l,5B;30A)
15...1OOA,5B;3OA)
15...100(l,5B;30 A)
<0,02
<0,04
<0,02
10...100A0A)
10...100 A0 A)
10...100A0A)
<0,03
<0,03
<0,03
<30** мкс
<30** мкс
<30** мкс
1T806
02J.5

34
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1Т813А
1Т813Б
1Т813В
р-п-р
р-л-р
р-п-р
-60...+70
-60...+70
-60...+70
50*
50*
50*
Вт
Вт
Вт
60**
35**
80**
30 А D0* А)
30 А D0* А)
30 А D0* А)
1Т901А
1Т901Б
1Т905А
1Т906А
1Т910АД
р-п-р
р-п-р
-60...+70
-60...+70
15*
15*
Вт
Вт
?30
?30
50
40
10 А
10 А
р-п-р
-60...+70
6* Вт
?30
75
3 А G* А)
р-п-р
-60...+70
15* Вт
?30
75
1.4
10 А
р-п-р
-60...+70
35* Вт
?30
33
10 А B0* А)
<8 мА
<8мА
<2 мА
<8 мА
<6 мА

Параметры германиевых транзисторов
35
10...60 B0 А)
10...60 B0 А)
10...60 B0 А)
<0,026
<0,026
<0,026
3** мкс
5** мкс
5** мкс
1Т813
2О...5ОAОВ; 5 А)
4О...1ООAОВ;5 А)
<0,12
<0,12
tH^0,7 мкс
tH<0,7 мкс
1Т901
1 if*
KlfO
Ш
35...100A0B;3 A)
<250
SO, 16
<4* мкс
1T905A
30...150A0B;5 A)
<0,l
<5* мкс
1T906A
50...320 A0 B; 20 A)
<0,06
tcn^l MKC
1Т910АД

36
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.3. Параметры биполярных кремниевых транзисторов
2Т104А
2Т104Б
2Т104В
2Т104Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
150 F0-С)
150 F0'С)
150 F0*С)
150 F0°С)
?5«
?5'
?5*
>5«
30**
15**
15**
30
10
10
10
10
50
50
50
50
<1 C0 В)
<1 A5 В)
<1 A5 В)
<1 C0 В)
2ТП7А
2Т117Б
2Т117В
2Т117Г
п-база
п-база
п-база
п-база
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
300
300
300
300
?0,2***
?0,2***
?0,2***
?0,2***
30
30
30
30
30
30
30
30
50 A* А)
50 A* А)
50 A* А)
50A* А)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
?1 C0 В)
2Т117А-5
п-база
-60...+125
30
?0,2*'
30
30
50
<1 C0 В)
2ТП8А
2Т118Б
2Т118В
р-.п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
100 A00°С)
100 A00'С)
100 A00Х)
15
15
15
31
31
31
50
50
50
<0,1 A5 В)
<0,1 A5 В)
<0,1 A5 В)
2ТП8А-1
2ТИ8Б-1
р-п-р
р-п-р
-60...+85
-60...+85
30 (85'С)
30 (85'С)
15«
15"
(Юк)
(Юк)
31
16
50
50
<0,1 A5 В)
2Л26А-1
2Т126Б-1
2Т126В-1
2Т126Г-1
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
15 G0'С)
15 G0-С)
15 G0*С)
15 G0'С)
?0,1**
?0,1**
?0,1**
?0,1**
25
25
45
45
60
50
50
50
<1 B5 В)
<1 B5 В)
<1 D5 В)
<1 D5 В)
2Л27А-1
2П27Б-1
2П27В-1
2П27Г-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
15 F0'С)
15 F0*С)
15 F0'С)
15 F0*С)
?0,1**
?0,1**
?0,1**
?0,1**
25
25
45
45
50
50
50
50
<1 C0 В)
<1 C0 В)
?1 C0 В)
<1 C0 В)
2Т201А
2Т201Б
2Т201В
2Т201Г
2Т201Д
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
150 (+75'С)
150 (+75'С)
150 (+75'С)
150 (+75'С)
150 (+75'С)
10
10
10
10
10
20
20
10
10
10
20
20
10
10
10
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
20 A00*)
<0,5 B0 В)
<0,5 B0 В)
<0,5A0В)
<0,5 B0 В)
<0.5 B0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
37
7...40 A В; 10 мА)
15...80A В; 10 мА)
19...160A В; 10 мА)
10...60 A В; 10 мА)
?50.E В)
?50 E В)
?50 E В)
?50 E В)
?50
?50
?50
?50
<120«
<120"
?120*
^гО*
2Т104
0,5...0,7 (иБ1Б2=Ю В)
0,65...0,9 (Ubib2=10 В)
0,5...0,7 (иБ1Б2-Ю В)
0.65...0.9 (Ubib2=10 В)
2Т117
05,84
i
t
i
i
j
M
0,5...0,9 (Ubib2=10B)
«Si-
2ТП7А-5
0,15
100
100
100
<500**
<500**
<500**
30
30
<50*
<50*
2T118A-1, 2ТП8Б-1
15...60 E B; 1 мА)
15...60 E B; 1 мА)
40...200 E B; 1 мА)
4O...2OO E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
^5 E В)
<5 E В)
<1бб
<166
?166
<166
2Т126
115 0,95
15...60 E В; 1 мА)
40...20О E В; I мА)
15...60 E В; 1 мА)
40...200 E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
?5 E В)
?170
<170
<170
?170
2П27-1
I
W
а
ЗбК
20...6Q A В; 5 мА)
30...90 A В; 5 мА)
З0...90A В; 5мА)
70...210 A В; 5 мА)
ЗО...9ОA В;5мА)
?20 E В)
?20 E В)
?20 E В)
?20 E В)
?20 E В)
2Т201
?15 A кГц)

38
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т202А-1
2Т202Б-1
2Т202В-1
2Т202Г-1
2Т202Д-1
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
25 C5*С)
25 C5'С)
25 C5-С)
25 C5*С)
25 C5-С)
15
15
30
30
15
10
10
10
10
10
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
?1 A5 В)
<1 A5 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
<1 A5 В)
2Т203А
2Т203Б
2Т203В
2Т203Г
2Т2ОЗД
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
150 G5*С)
150 G5*С)
150 G5-С)
150 G5-С)
150 G5'С)
?5*
?5*
?5*
?10*
?10*
60
30
15
60
15
30
15
10
30
10
10 E0*)
10 E0*)
10 E0*)
10 E0*)
10 E0*)
?1 F0 В)
?1 C0 В)
?1 A5 В)
?1 F0 В)
<1 A5 В)
2Т205А-3
2Т205Б-3
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
40 (90-С)
40 (90'С)
?20
?20
250
250
20 D5*)
20 D5*)
3* B50 В)
2* B00 В)
2Т2О8А
2Т208Б
2Т2О8В
2Т2О8Г
2Т208Д
2Т208Е
2Т208Ж
2Т208И
2Т208К
2Т208Л
2Т208М
*>-п-р
р-п-р
р-п-р
Р-п-р
р-п-р
р-п-р
?-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
200 F0-С)
200 F0°С)
200 F0-С)
200 F0-С)
200 F0'С)
200 F0-С)
200 F0-С)
200 F0-С)
200 F0-С)
200 F0-С)
200 F0-С)
>5
?5
?5
>5
>5
>5
?5
>5
?5
?5
?5
20* A0к)
20
20
30
30* (Юк)
30
45
45
45
60
60
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
<1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
?1 B0 В)
2Т211А-1
2Т211Б-1
2Т211В-1
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
25 E0**)
25 E0**)
25 E0**)
?10
?10
?10
15
15
15
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
?0,01 A5 В)
?0,01 A5 В)
?0,01 A5 В)
2Т214А-1
2Т214Б-1
2Т214В-1
2Т214Г-1
2Т214Д-1
2Т214Е-1
р-п,р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
50
50
50
50
50
50
>5
?5
?5
?5
?5
?5
100* (Юк)
80* (Юк)
80* (Юк)
60* (Юк)
30* (Юк)
30* (Юк)
30
7
7
7
7
20
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
<1 C0 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
2Т214А-9
2Т214Б-9
2Т214В-9
2Т214Г-9
2Т214Д-9
2Т214Е-9
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+85
-60...+85
-6<Ъ.+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
200
200
200
200
200
200
?5
?5
?5
?5
?5
?5
80**
80**
60**
40**
30**
20**
30
7
7
7
7
20
50 A00*)
50 A00*)
50 (ЮО*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)
?1 C0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
39
15...70 E В; 1 мА)
40... 160 E В; 1 мА)
15...7O E В; 1 мА)
40...160 E В; 1 мА)
100...300 E В; 1 мА)
?25 C В)
?25 C В)
?25 C В)
?25 C В)
?25 C В)
?1000*
?1000*
?1000*
?1000*
?1000*
>9 E В; 1 мА)
30...90 E В; 1 мА)
15...100 E В; 1 мА)
>4 E В; 1 мА)
60...200 E В; 1 мА)
?10 E В)
?10 E В)
?10 E В)
?10 E В)
?10 E В)
?50
?50
?35
300*
300*
300*
300*
300*
2Т203А
10...40 A0 В; 2,5 мА)
1О...4ОAОВ;2,5мА)
?10 A0 В)
?10 A0 В)
?400
?400
?1000*
?1000*
2Т2О5А
КПЮЧ
20...60* A В;
40...120* A В;
80...240* 0 В;
20...60* A В;
40... 120* A В;
80...240* A В;
20...60* A В;
40...120* A В;
80...240* A В;
2O...6O* A В;
40... 120* A В;
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
30 мА)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?50 A0 В)
?1,3
?1,3
?1,3
?1,3
?1,3
?1,3
?1,3
?1.3
?1,3
?1,3
?1,3
?4 A кГц)
?4 A кГц)
?4 A кГц)
2Т208
05,84
40...120 A В; 40 мА)
80...240 A В; 40 мА)
160...480 A В; 40 мА)
?20 E В)
?20 E В)
?20 E В)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
?3 A кГц)
/ I \
6 К 3
>20 E В; 10 мА)
30...90 E В; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
40... 120 E В; 10 мА)
?80 A В; 40 мкА)
>40A В;40мкА)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?45
?45
?45
?45
?45
?45
?1200*
?1200*
?1200*
?1200*
?1200*; ?5 A кГц)
?1200*
?5
?5
?5
?5
?5
?5
2Т214А-1
>20 E В; 10 мА)
30...9Q E В; 10 мА)
40... 120 E Й; 10 мА)
40...120 E В; L0 мА)
>80 A В; 40 мкА)
>40 A В; 40 мкА)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?30 A0 В)
?60
?60
?60
?60
?60
?60
?1200*
?1200*
?1200*
?1200*
?1200*; ?5 A кГц)
?1200*
?5
?5
?5
?5
?5
<5
2Т214А-9
а а
j
0,95
в
б з
1г

40
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т215А-1
2Т215Б-1
2Т215В-1
2Т215Г-1
2Т215Д-1
2Т215Е-1
2T21SA-9
2Т215Б-9
2Т215В-9
2Т215Г-9
2Т215Д-9
2Т215Е-9
2Т301Г
2Т301Д
2Т301Е
2Т301Ж
2Т306А
2Т306Б
2Т306В
2Т306Г
2Т307А-1
2Т307Б-1
2Т307В-1
2Т307Г-1
2Т3101А-2
2Т3106А-2
2Т3108А
2Т3108Б
2Т3108В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50
50
50
50
50
50
200
200
200
200
200
200
150 F0'С)
150 F0'С)
150 F0'С)
150 F0'С)
150 (90'С)
150 (90'С)
150 (90*С)
150 (90*С)
15
15
15
15
100 D5'С)
30 E0'С)
300 C60*)
300 C60*)
300 C60*)
>5
>5
?5
>5
>5
>5
>5
?5
>5
?5
?5
>5
?30
?30
?20
?30
?300
?500
?300
?500
?300
?300
?300
?300
?4000
?900
?250
?250
?300
80**
80**
60**
40**
30**
20**
100* (Юк)
90* (Юк)
80* (Юк)
60* (Юк)
30* (Юк)
30* (Юк)
30
30
20
20 *
15
15
15
15
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
15
15* (Юк)
60* (Юк)
45* (Юк)
45* (Юк)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
4
4
4
4
4
4
4
4
2,5
2,5
5
5
5
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
50 A00*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
10 B0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 D0*)
20 D0*)
200
200
200
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<100* C0 В)
<1*(Ю0В)
<1* (90 В)
<1* (80 В)
<1*F0В)
<1* (ЗОВ)
<1* C0 В)
<5* C0 В)
<5* C0 В)
<5* B0 В)
<5* B0 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
?0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5A0В)
<0,5(ЮВ)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В) .
^о.гЛбо в)
<0,2 D5 В)
<0,2 D5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
41
?20 E В; 10 мА)
30...90 E В; 10 мА)
40... 120 E В; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
>80 A В; 40 мА)
>40 A В; 40 мкА)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<0,45
<0,45
<0,45
<0,45
<0,45
<0,45
<1200*
<1200*
<1200*
<1200*
<1200*; <5 A кГц)
?1200*
<5
<5
<5
<5
<5
<5
2Т215А-1
>20 E В; 10 мА)
30...90 E В; 10 мА)
4О...12ОEВ; 10 мА)
40...120 E В; 10 мА)
>80 A В; 40 мкА)
>40 A В; 40 мкА)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<50 A0 В)
<60
<60
<60
<60
<60
<60
<1200*
<1200*
<1200*
<1200*
<5A кГц);<1200*
<1200*
<5
<5
<5
<5
<5
<5
10...32 A0 В; 3 мА)
20...60 A0 В; 3 мА)
4О...12ОAОВ;3 мА)
80...300 A0 В; 3 мА)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<10A0В)
<10 A0 В)
<300
<300
<300
<300
<4500; <4500*
^4500; <4500*
<45О0; <8000*
<2000; <8000*
20...60* A В; ЮмА)
40...120* A В; ЮмА)
20...100* A В; ЮмА)
40...200* A В; ЮмА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<30
<30
<30 A кГц)
<8 (90 МГц)
<30
<30
<30*
<30*
<500
<500
2Т306
>20 A В; ЮмА)
>40 A В; 10 мА)
>40 A В; 10 мА)
>80 A В; ЮмА)
<5 A В)
<5 A В)
<5 A В)
<5 A В)
<20
<20
<20
<20
<30*
^30*
<50
<50
2ТЗО7-1
0,7 W
БКЭ
35...300 A В; 5 мА)
<1,5 E В)
>6**
<4,5 B,25 ГГц)
<10
2Т31О1-2
2,2
10
э:
( к
* *¦
1 If
>40 E В; 5 мА)
<2 E В)
>17** A20 МГц)
<2 A20 МГц)
2Т3106-2
1,15 0,95
-*Н—Н*-
50... 150 A В; 10 мА)
50...150 A В; ЮмА)
100...300 A В; 10 мА)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<25
<25
<25
<6 A00 МГц)
<6 A00 МГц)
<6 A00 МГц)
<250; <175*
<250; <175*
<250; <175*
2Т3108
05,84
«—•-

42
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т3114А-6
2ТЗИ4Б-6
2ТЗН4В-6
2ТЗИ5А-2
2Т3115Б-2
2Т3115А-6
2Т3117А
2Т3117Б
2Т312А
2Т312Б
2Т312В
2Т3120А
2Т3121А-6
2Т3123А-2
2Т3123Б-2
2Т3123В-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
•60...+125
-60...+125
-60...+125
25 A00°С)
25 A00-С)
25 A00'С)
70 G0°С)
70 G0°С)
50 (85°С)
300
300
225
225
225
100
25
150 ¦
150
150
?4300
?4300
?4300
?5800
?5800
?5800
?300
?300
?80
?120
?120
?1800
?100
5000
5000
3500
5
5
5
10* Aк)
10* Aк)
10* Aк)
60
75
30
30
30
15
10
15
15
10
1
1
1
1
1
1
4
4
4
4
4
3
2
3
3
3
15
15
15
8,5
8,5
8,5
400 @,8* А)
400 @,8* А)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
20 D0*)
10
30 E0*)
30 E0*)
30 E0*)
?0,5 E В)
?0.5 E В)
?0,5 E В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
<5 F0 В)
<5 G5 В)
?1 C0 В)
<1 C0 В)
<1 C0 В)
?0,5 A5 В)
?1 A0 В)
?25 A5 В)
?25 A5 В)
?25 A0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
43
h219, П21Э
Ск,
С12э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку.р, дБ
Кш, дБ
re, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tpac, НС
1вы
¦*'
IBW1
¦выкл» НС
•••
НС
Корпус
15...80 C В; 1 мА)
15...80 C В; 1 мА)
15...80 C В; 1 мА)
<0,44 C В)
<0,44 C В)
?0,44 C В)
>11,5** @,4 ГГц)
>11,5** @,4 ГГц)
?3** B,25 ГГц)
<1,5 D00 МГц)
<2 D00 МГц)
<3 D00 МГц)
<8
<8
<8
2ТЗП4-6
>15 E В; 5 мА)
?15 E В; 5 мА)
<0,6 E В)
<0,6 E В)
?5** E ГГц)
?6** D ГГц)
<4,6 E ГГц)
<4,4 E ГГц)
<3,8
<3,8
2Т3115-2
ю
ечГ-
1
1
П
,1Ь
о
и.
fl-
^15 E В; 5 мА)
<0,6 E В)
?5 A ГГц)
<9** A ГГц)
<3,8
2ТЗИ5-6
р
——
&1
1
1 /
1 '
k
40...200 E В; 0.2 А)
100...300 E В; 0,2 А)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<1
<1
<60*
<60*
2Т3117
05,84. L .
—' К »
10...100* BВ;20мА)
25...100* B В; 20 мА)
50...280* B В; 20 мА)
?5 A0 В)
<5 A0 В)
<5 A0 В)
<25
<25
<17
<500; <100*
<500; <130*
<500; <130*
2Т312
?40 A В; 5 мА)
<2 E В)
?10** D00 МГц)
<2 D00 МГц)
<8
2Т312О
30...400 E В; 2 мА)
<П E В)
?8** A ГГц)
<2 A ГГц)
2Т3121-6
Г
t
i
f *
J
20 A0 В; 10 мА)
20 A0 В; 10 мА)
20 A0 В; 10 мА)
?1 A0 В)
<1 A0 В)
?1 A0 В)
?5** A ГГц)
?5** A ГГц)
?5** A ГГц)
2,4 A ГГц)
3 A ГГц)
2,4 A ГГц)
<10
?10
2Т3123-2
1,15 9J

44
газоел i. ьиполярныв транзисторы
2Т3124А-2
2Т3124Б-2
2Т3124В-2
n-p-n
n-p-n
n-p-n
-60...+125
-60...+125
-60...+125
70 (85'C)
70 (85*C)
70 (85'C)
?6* ГГц
?6* ГГц
>6* ГГц
10
10
10
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
?0,5 A0 B)
2T3129A9
2Т3129Б9
2T3129B9
2Т3129Г9
2Т3129Д9
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
200
200
200
200
200
?200
?200
?200
?200
?200
50
50
30
30
20
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
100 B00*)
«П E0 B)
<1 E0 B)
<1 C0 B)
<1 C0 B)
<1 B0 B)
2T313A
2Т313Б
p-n-p
p-n-p
-60...+125
-60...+125
300 A000*)
300 A000*)
?200
?200
60
60
350 G00*)
350 G00*)
<0,5 E0 B)
<0,5 E0 B)
2T3130A-9
2Т3130Б-9
2T3130B-9
2Т313ОГ-9
2Т3130Д-9
2T3130E-9
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
200
200
200
200
200
200
?150
?150
?150
?300
?150
?300
50
50
30
20
30
20
100
100
100
100
100
100
<0,l E0 B)
<0,l E0 B)
<0,l C0 B)
<0,l B0 B)
<0,l (ЗОВ)
<0,l B0 B)
2T3132A-2
2Т3132Б-2
2T3132B-2
2Т3132Г-2
П-Р'П
n-p-n
n-p-n
n-p-n
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
70 (85*C)
70 (85*C)
70 (85'C)
70 (85*C)
?5,5 ГГц
?5,5 ГГц
?5,S ГГц
?5,5 ГГц
10* Aк)
10* Aк)
10* (Ik)
10* (Ik)
8,5
8,5
8,5
8,5
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
<0,5 A0 B)
?0,5 A0 B)
2T314A-2
n-p-n
-60...+125
500
?300
55
60 G0*)
50,075 E5 B)
2Т3150Б2
p-n-p
-60...+125
120 F5*C)
?1200
35* A0k)
30 E0*)
<0,5 D0 B)
2T3152A
2Т3152Б
2T3152B
2Т3152Г
2Т3152Д
2T3152E
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60.?.+125
200 F0°C)
200 F0'C)
200 F0'C)
200 F0*C)
200 F0*C)
200 F0*C)
?50
?50
?50
?50
?50
?50
50*
40*
30*
50*
40*
30*
20
20
20
5
5
5
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
150 C00*)
<10<
<10"
<iO<
?1O«
<10<
<10<
E0 B)
D0 B)
(ЗОВ)
E0 В)
D0 В)
(ЗОВ)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
45
15...200* E мА; 7 В)
15...2OO* E мА; 7 В)
15...200* E мА; 7 В)
0,5
0,5
0,5
>4** F ГГц)
?5** E ГГц)
?6** D ГГц)
<5 F ГГц)
<5 E ГГц)
<3,б D ГГц)
<2,5
<2,5
<2,5
2Т3124-2
1,15
30...120EВ;2 мА)
80...250 E В; 3 мА)
80...250 E В; 2 мА)
2OO...5OO E В; 2 мА)
2OO...5OO E В; 2 мА)
<10 A0 В)
<ЮA0В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
<10 A0 В)
?20
<20
?20
<20
?20
30...120 A0 В; 1 мА)
80...30О A0 В; 1 мА)
?12 A0 В)
?12 A0 В)
?3,3
?3,3
?120*
<1204
2Т313
100...250 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
200...500 E В; 2 мА)
400... 1000 E В; 2 мА)
2ОО...5ОО E В; 2 мА)
4ОО...1ОООEВ;2 мА)
?12 E В)
?12 E В)
?12 E В)
?12 E В)
?12 E В)
?12 E В)
?10 A кГц)
?10 A кГц)
?10 A кГц)
?10 A кГц)
?10A кГц)
<4 A кГц)
2Т313О-9
15...150 G В; 3 мА)
15...150 G В; 3 мА)
15...150 G В; 3 мА)
15...150GВ;ЗмА)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
<5,5 G В)
?6** C,6 ГГц)
?4** F ГГц)
?5** E ГГц)
?6** D ГГц)
<2,5 C,6 ГГц)
<5 F ГГц)
<5 E ГГц)
<3,6 D ГГц)
2Т3132-2
1,15
30...120EВ;0,25 мА)
10 E В)
<10
<80; <300*
2Т314-2
2.2
т
/1\
5 К 3
%5
*п
60... 180* EВ;2,5мА)
<2A0В)
?25
<30; ?30*
2Т315О-2
W
?80 E В; 30 мА)
>80 E В; 30 мА)
?80 E В; 30 мА)
>100 E В; 30 мА)
>100 E В; 30 мА)
>100 E В; 30 мА)
<35 B0 В)
<35 B0 В)
<35 B0 В)
<35 B0 В)
?35 B0 В)
<35 B0 В)
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<400*
<4О0*
<400*
<400*
<400*
<400*
2Т3152
05,84

46
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60.. .+125
-60...+125
-6O...+125
150 G5*С)
150 G5'С)
150 G5*С)
150 G5-С)
150 G5-С)
?600
?800
?800
?600
?800
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
50
50
50
50
50
<0,5 A0 В)
<0,5A0В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
2Т3162А
р-п-р
-60...+125
300
?700
60* Eк)
150
<0,5 F0 В)
2Т3162А5
р-п-р
-60...+125
300
?700
60* Eк)
150
<0,5 F0 В)
2Т317А-1
2Т317Б-1
2Т317В-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
^-60...+85
-60...+85
-60...+85
15
15
15
?100
?100
?100
3,5
3,5
3,5
15 D5*)
15 D5*)
15 D5*)
<1 E В)
<П E В)
<1 E В)
2Т3175А
л-р-п
-60...+125
350
?300
45* (Юк)
100 B00*)
<0,05 E0 В)
2Т318А-1
2Т318Б-1
2Т318В-1
2Т318Г-1
2Т318Д-1
2Т318Е-1
2Т318В1-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
15
15
15
15
15
15
15
?430
?430
?430
?350
?350
?350
?350
10
10
10
10
10
10
10
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
<0,5A0В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
2Т319А-1
2Т319Б-1
2Т310В-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+85
-60...+,85
-60...+85
?100
?100
?100
3,5
3,5
3,5
15
15
15
?1
<1
<1
2Т321А
2Т321Б
2Т321В
2Т321Г
2Т321Д
2Т321Е
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60:..+125
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
210 B0** Вт)
?60
?60
?60
?60
?60
?60
60
60
60
.45
45
45
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
200 B* А)
,<100 F0 В)
?100 F0 В)
<100 F0 В)
<100 D5 В)
<100 D5 В)
<100 D5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
47
20...60* A В; 10 мА)
4O...12O* A В; 10 мА)
40... 120* A В; 10 мА)
20...100* A В; 10 мА)
60...300* A В; 10 мА)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<3 E В)
<40
<40
<40
<40
?40
<10*
<10*
<15*
<150
<150
2Т316
60...200 C В; 10 мА)
<5 A0 В)
<25
<150; <100*
60...200 C В; 10 мА)
<5 A0 В)
<25
<150; <100*
2Т3162-5
оо '
1
1
0,8
0,3
и
25...75 A В; 1 мА)
35...120 A В; 1 мА)
80...250 A В; 1 мА)
<11 A В)
<11 A В)
<11 A В)
<30
<30
<30
<130*
<130*
<130*
2Т317-1
250... 1000 E В; 2 мА)
2T317S
30...90О В; 10 мА)
50...150 A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
30...90 A В; 10 мА)
50...150 A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<27
<27
<27
<33
<33
<33
<27
<15*
<15*
<15*
<25*
<25*
<25*
<10*
2Т318-1
15...55 A В; 1 мА)
45...90 A В; 1 мА)
80...220 A В; 1 мА)
<11 A В)
<11 A В)
<11 A В)
<30
<30
<30
<130*
<130*
<130*
2Т319-1
И
/|\
/ 1 У
OS
1
1
1
20...60* C В; 0,5 А)
40...120* C В; 0,5 А)
80...200* C В; 0,5 А)
20...60* C В; 0,5 А)
40...120*(ЗВ;0,5А)
80...200* C В; 0,5 А)
<40 A0 В)
<40 A0 В)
<40 A0 В)
<40 A0 В)
<40 A0 В)
<40 A0 В)
<3,б
<3,6
<3,6
<3,6
<3,6
<3,6
<400;
<400;
<400;
<400;
<400;
<400;
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*
<1000*

48
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т324А-1
2Т324Б-1
2Т324В-1
2Т324Г-1
2Т324Д-1
2Т324Е-1
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
2Т326А
2Т326Б
2T331A-I
2Т331Б-1
2Т331В-1
2Т331Г-1
2Т331Д-1
2Т332А-1
2Т332Б-1
2Т332В-1
2Т332Г-1
2Т332Д-1
2ТЗЗЗА-3
2ТЗЗЗБ-3
2ТЗЗЗВ-3
2ТЗЗЗГ-3
2ТЗЗЗД-3
2ТЗЗЗЕ-3
2Т336А
2Т336Б
2Т336В
2Т336Г
2Т336Д
2Т336Е
2Т348А-3
2Т348Б-3
2Т348В-3
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п *
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
15
15
15
15
15
15
225 (85*С)
225 (85-С)
225 (85-С)
250 B5-С)
250 B5*С)
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
50
50
50
50
50
50
15
15
15
?800
?800
?800
?600
?600
?600
?800
?800
?1000
?250
?400
?250
?250
?250
?400
?500
?250
?250
?250
?500
?500
?450
?450
?450
?350
?350
?350
?250
?250
?250
?450
?450
?450
?100
?100
?100
10
10
10
10
10
10
15* (Зк)
15* (Зк)
15* (Зк)
15* A00к)
15* A00к)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
10* (Зк)
5* (Зк)
5* (Зк)
5* (Зк)
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
4
4
4
4
4
4
3,5
3,5
3,5
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
60
60
60
50
50
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20; 50*
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 D5*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
20 E0*)
15 D5*)
15 D5*)
15 D5*)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0.5 A0 В)
?0,5 A5 В)
?0,5 A5 В)
?0,5 A5 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,2 A5 В)
?0,4 A0 В)
?0,4 A0 В)
?0,4 A0 В)
?0,4 A0 В)
?0,4 A0 В)
?0,4 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?0,5 A0 В)
?1 E В)
?1 E В)
?1 E В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
49
20...60 A В; 10 мА)
40...120 A В; 10 мА)
80...250 A В; 10 мА)
40...120A В; 10 мА)
20...80 A В; 10 мА)
60...250О В; 10 мА)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<30
<30
<30
<30
<30
<30
<10*
<10*
<10*
<15*
<180
<180
2Т324-1
М
/US \
5КЭ
30...90* E В; 10 мА)
70...210* E В; 10 мА)
160...400* E В; 10 мА)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<125
<125
<125
2Т325
99Л
20...70* B В; 10 мА)
45... 160* B В; 10 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<30
<30
<450
<450
2Т326
20...60* A мА; 5 В)
40... 120* A мА;5В)
80...220* A мА; 5 В)
40... 120* A мА; 5 В)
80...220* A мА; 5 В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<4,5A00МГц)
<4,5AООМГц)
<4,5A00МГц)
<4,5AООМГц)
<120
<120
<120
<120
2Т331-1
U
AS
ОТ
20...60* E В; I мА)
40... 120* E В; 1 мА)
80...220* E В; 1 мА)
40... 120* E В; 1 мА)
80...220* E В; 1 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<8 A00 МГц)
<8 A00 МГц)
<8 A00 МГц)
<8 A00 МГц)
<8 A00 МГц)
<300
<300
<300
<300
<300
30...90 (I В; 10 мА)
50...150 A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
30...90 A В; 10 мА)
50...150A В; 10 мА)
70...280 A В; 10 мА)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<3,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<4,5 E В)
<27
<27
<27
<27
<27
<27
<15"
<15'
<\5>
<25"
<25^
<25"
1>Э
2ТЗЗЗ-3
о о
О О)
Ключ
20...60 A В; 10 мА)
40...120 A В; 10 мА)
>80 A В; 10 мА)
20...60 A В; 10 мА)
40...120A В; 10 мА)
>80A В; 10 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<30
<30
<30
<30
<30
<30
<30*
<30*
<50*
<15*
<15«
<15*
2Т336
я
оо
оо,
Кпюч
25..J5 A В; 1 мА)
35...120A В; 1 мА)
80...250A В; 1 мА)
<11 A В)
<11 A В)
<11 A В)
<30
<30
<30
^130*
?130*
<130*
2Т348-3
0.7
«—»
о о
oqJ?
Кпюч

50
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т354А-2
2Т354Б-2
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
30
30
?1100
?1500
10* (Зк)
10* (Зк)
10 B0*)
10 B0*)
<0,5 A0 В)
<0,5 A0 В)
2Т355А
п-р-п
-60...+125
225 (85'С)
?1500
15* (Зк)
30 F0*)
<0,5 A5 В)
2Т36ОА-1
2Т360Б-1
2Т360В-1
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+85
-60...+85
-60...+85
10 E5-С)
10 E5*С)
10 E5-С)
?300
?400
?400
25
20
20
20 G5*)
20 G5*)
20 G5*)
<1 B5 В)
<1 B0 В)
<1 B0 В)
2Т363А
2Т363Б
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
150 D5'С)
150 D5-С)
?1000
?1500
15* Aк)
12* Aк)
4,5
4,5
30 E0*)
30 E0*)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
2Т364А-2
2Т364Б-2
2Т364В-2
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+85
-60...+85
-60...+85
30
30
30
?250
?250
?250
25
25
25
200 D00*)
200 D00*)
200 D00*)
<1 B5 В)
<1 B5 В)
<1 B5 В)
2Т366А-1
2Т366Б-1
2Т366В-1
2Т366Б1-1
2Т367А
п-р-п
п-р-п
n-p-ri
-60...+85
-60...+85
-60...+85
30 G0*С)
50 G0'С)
90 G0-С)
?1000
?1000
?1000
15
15
15
4,5
4,5
4,5
10 B0*)
20 D0*)
45 G0*)
п-р-п
-60...+85
50 G0*С)
?800
15
4,5
10 D0*)
п-р-п
-60...+125
100
1,5 ГГц
10
20 D0*)
<0,1 A5 В)
<0,1 A5 В)
<0,1 A5 В)
<0,1 A5 В)
<0,5 A5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
51
40...200 B В; 5 мА)
90...360 B В; 5 мА)
<1,3 E В)
<1,3EВ)
<10*
<10*
<25
<30
БК 3
80...300* E В; 10 мА)
<2 E В)
<60
2Т355
9SJI
25...70 B В; 10 мА)
40...120 B В; 10 мА)
80...240 B В; 10 мА)
<5 E В)
<5 E В)
<5 E В)
<35
<35
<35
<450; <100*
<450; <200*
<450; <200*
2Т360-1
0,7 0,8
/liZi I
БКЭ
20...120* E В; 5 мА)
40...120* E В; 5 мА)
<2 E В)
<2 E В)
<35
<35
<50; <10*
<75; <50*
2Т363
05,34
20...70* A В; 0,1 А)
40...120* A В; 0,1 А)
80...240* A В; 0,1 А)
<15 E В)
<15 E В)
<15 E В)
<3
<3
<3
<500; <100*
<500; <130*
<500; <160*
2Т364-2
J /
1
*—»
"СГ
/l\ '
6 К Э
II
5O...2OO A В; 1 мА)
50...200 A В; 5 мА)
50...200 A В; 15 мА)
<1,1 @,1 В)
<1,8 @,1 В)
<3,3 @,1 В)
<80
<25
<16
<60; <50*
<50; <80*
<10;<120*
2Т366
0,85
«*.
0,6
4S
6КЭ
50...200* A5 мА; 1 В)
<1,8 @,1 В)
<25
<50; <80*
2Т366-1-1
В КЗ
40...330 E В; 10 мА)
1,5
4,5
2Т367

52
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т368А
2Т368Б
2Т368А-9
2Т368Б-9
2Т370А-1
2Т370Б-1
2Т370А9
2Т370Б9
2Т371А
2Т372А
2Т372Б
2Т372В
2Т377А-2
2Т377Б-2
2Т377В-2
2Т377А1-2
2Т377Б1-2
2Т377В1-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
а-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60... + 125
-60...+100
-60... + 100
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
225 F5'С)
225F5-С)
100 F5'С)
100 F5-С)
15 •
15
30
30
100 (85*С)
50 A00*0
50A00#С)
50 A00°O
50
50
50
50
50
50
2900
?900
2900
2900
21000
21200
21000
21200
23000
22400
23000
22400
2200
2200
2200
2200
2200
2200
15
15
15
15
15* Aк)
12* Aк)
15* Aк)
12* Aк)
10
15* (Юк)
15* (Юк)
15* (Юк)
30* A к)
30* A к)
30* A к)
30* A к)
30* A к)
30* A к)
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
30 F0*)
15 C0*)
15 C0*)
15 C0*)
15 C0*)
20 D0*)
10
10
10
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
<0,5A5В)
<0,5A5В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<0,5A2В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A2 В)
<0,5 A0 В)
<0,5 A5 В)
<О,5A5В)
<0,5A5В)
<3 C0 В)
<3 C0 В)
<3 C0 В)
<3 C0 В)
<3 C0 В)
<3 C0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
53
50...300* (I В; 10 А)
50...300* A В; 10 мА)
?1,7 E В)
?1,7 E В)
?3,3 F0 МГц)
?3,3 F0 МГц)
?15
?15
2Т368
05,8
50...300 A В; 10 мА)
50...300 A В; 10 мА)
?1,7 E В)
?1,7 E В)
?3,3 F0 МГц)
?15
?15
2Т368-9
3 0,95
20...70 E В; 3 мА)
4О...12ОEВ;ЗмА)
?2E В)
<2 E В)
?35
?35
?50; ?10*
?75; ?10*
2Т370-1
РА '
Ш.
/I \*и
б К Э
20...70 E В; 3 мА)
40...120EВ;ЗмА)
<2 E В)
<2 E В)
<35
<35
<50; <10*
<75; <10*
2Т37О-9
5 0J95
30...240A В; 10 мА)
?1,2 E В)
>9** @,4 ГГц)
?4 D00 МГц)
?10*
?15
2Т371
10...90 E В; 10 мА)
10...90 E В; 10 мА)
10...90 E В; 10 мА)
?1 E В)
?1 E В)
<1 E В)
?10** A ГГц)
>10** A ГГц)
>10** A ГГц)
?3,5 A ГГц)
?5,5 A ГГц)
<5,5 A ГГц)
?9
?9
?9
2Т372
05,6
^ 1 |
1 1
1—Ш
¦ f—
1
1
j
га
и
F
20...80* A50 мА; 2 В)
5О...12О*A5ОмА;2В)
80...220* A50 мА; 2 В)
?15 A0 В)
<15<ЮВ)
?15 A0 В)
?6
?6
?6
?400; ?70*
?400; ?70*
?400; ?70*
2Т377
V
!\\&LJi
20...80* A50 мА; 2 В)
50...120* A5ОмА;2В)
80...220* A50 мА; 2 В)
?15 A0 В)
?15 A0 В)
?15 A0 В)
?6
?6
?6
?400; ?70*
?400; ?70*
?400; ?70*
2Т377-2
ht
К 63

54
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т378А-2
2Т378Б-2
2Т378Б-2-1
2Т378А1-2
2Т378Б1-2
2Т381А-1
2Т381Б-1
2Т381В-1
2Т381Г-1
2Т381Д-1
2Т382А
2Т382Б
2Т384А-2
2Т384АМ-2
2Т385А-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
П-р-П
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+70
-60...+70
-60.. .+70
-60...+70
-60...+70
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50
50
50
50
50
15 D0°С)
15 D0*С)
15 D0'С)
15 D0-С)
15 D0*0
100 F5*С)
100 F5*С)
300
300
300
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?200
?1800
?1800
?450
?450
?200
60
60
" 30
60
60
15* A к)
15* A к)
15* A к)
25* A к)
15* A к)
15
15
30* Eк)
30* Eк)
60
4
4
4
4
4
6,5
6,5
6,5
6,5
6,5
3
3
5
5
5
400 (800*)
400 (800*)
400 (800*)
400 (800*)
400 (800*)
15
15
15
15
15
20 D0*)
20 D0*)
300 E00*)
300 E00*)
300 E00*)
?10 F0 В)
<10 F0 В)
<10 F0 В)
<10 F0 В)
<10 F0 В)
<10 нА E В)
<10 нА E В)
<10 нА E В)
<10 нА E В)
<10 нА E В)
<0,5 A5 В)
<0,5 A5 В)
<10 C0 В)
йЮ C0 В)
й\0 F0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
55
20...80* B00 мА; 5 В)
50... 180* B00 мА; 5 В)
?15 A0 В)
<15 A0 В)
?4
<4
?400; ?70*
?400; ?70*
2Т378
V
Jll *и
40... 180* B00 мА; 5 В)
?15 A0 В)
?4
?400; ?70*
2Т378Б-2
JU
ы
hhU
II
К 63
«Г,
л
20...80* B00 мА; 5 В)
50... 180* B00 мА; 5 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
<4
?4
?400; ?70*
<400; <70*
2Т378-2
ьР ^
in *i_ij
К 53
>50* A0 мкА; 5 В)
>40* A0 мкА; 5 В)
>30* A0мкА;5В)
>20* A0 мкА; 5 В)
>20* A0 мкА; 5 В)
<40
<40
<40
<40
<40-
2Т381
%1
0,9
Ф
^LU\ i
б Э К
40...330 A В; 5 мА)
40...330 A В; 5 мА)
?2 E В)
?2 E В)
>9** @,4 ГГц)
>5** @,4 ГГц)
?3 D00 МГц)
?4,5 D00 МГц)
?15
?10
2Т382
30... 180* A В; 0,15 А)
?4 A0 В)
?4
?12*
2Т384-2
19
V
л\ ^
30...180* A В; 0,15 А)
?4 A0 В)
?4
?12*
2Т384М-2
J
т—»
ft?
*А*
•о
iii 4J\
К 63
30...150* A В; 0,15 А)
?4 A0 В)
?5
?60*
2Т385-2
Р.
/А °

56
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т385А-9
2Т385АМ-2
2Т388А-2
2Т388АМ-2
2Т389А-2
2Т391А-2
2Т391Б-2
2Т392А-2
2Т396А-2
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60.. .+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+85
-60...+125
150
300
300 (80°С)
300 (80*С)
300 (80'С)
70 (85"С)
70 (85вС)
120 F5*С)
30 E0°С)
>250
>200
>250
>250
>450
>5000
?5000
>300
>2100
60
60
50
50
25* Aк)
15
15
40* A0 к)
15
5
5
4,5
4,5
4,5
2
2
4
3
300
300 E00*)
250
250
300
10
10
10 B0*)
40 D0*)
<100нА
<10 F0 В)
<2 E0 В)
<2 E0 В)
<1 B5 В)
<0,5A0В)
<0,5 A0 В)
<0,5 D0 В)
<О,5A5В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
57
40...150* A В; 0,15 А)
30...150* A В; 0,15 А)
<4 A0 В)
<5
<60*
2Т385М-2
J
««—+¦
1
ы
КбЭ
25...100* A В; 0,12 А)
?7A0 В)
<5
60; <60*
ем*г
2Т388-2
2,2
1,5
т
/l\ -Lj
Б К Э
25...100* A В; 0,12 А)
<7 A0 В)
<5
60; <60*
2Т388М-2
1,9 V
6 К Э
25...100* A В; 0,2 А)
<10 A0 В)
<3
<25*; <180
ечГи
2Т389-2
т
/|\
Б К Э
>20 G В; 5 мА)
>20 G В; 5 мА)
<0,7 E В)
<0,7 E В)
?6**
>6**
<4,5 C,6 ГГц)
<5,5 C,6 ГГц)
<3,7
<3,7
2Т391-2
1,15
СМ
I' '
• ***
jn/r
4О...18О*EВ;2,5мА)
?2,5 E В)
<50
4,5 A00 МГц)
<120
tv«J
2Т392-2
2,2
1.4
11 \ N И
6 К Э
Л
4O...25O B В; 5 мА)
<1,5 E В)
<1Г
<15
W]l
2Т396-2
/
0,8
4,1
Б КЗ

58
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т397А-2
п-р-п
-60...+125
120 (90'С)
?500
40* (Юк)
10 B0*)
<1 D0 В
2Т399А
п-р-п
-60...+125
150 F5'С)
?1800
15
20 D0*)
<0,5 A5 В)
2Т504А
2Т504Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
1 A0*) Вт
1 A0*) Вт
?20
?20
1 B*) А
1 B*) А
1 B*) А
1 B*) А
<100 D00 В)
<100 B50 В)
2Т504А-5
2Т504Б-5
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
0,025 A0*) Вт
0,025 A0*) Вт
?20
?20
400; 350*
200* @,1 к)
1 B*) А
1 B*) А
<100 D00 В)
<100 B50 В)
2Т5О5А
2Т505Б
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
1 E*) Вт
1 E*) ВТ
?20
?20
300* @,1 к)
250* @,1 к)
1 B*) А
1 B*) А
<100 C00 В)
?100 B50 В)
2Т505А-5
р-п-р
-60...+125
1 E*) Вт
?20
300* @,1 к)
1 B*) А
<100 C00 В)
2Т506А
2Т506Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
0,8 A0*) Вт
0,8 A0*) Вт
?10
?10
800
600
2 E*)А
2 E*) А
<1000 (800 В)
<200 F00 В)
2Т506А-5
п-р-п
-60...+125
0,8 A0*) Вт
?10
800
2 E*)А
<1000 (800 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
59
40...300 E В; 2 мА)
?1,3 E В)
<25<
<40
2Т397-2
т
1,5
/l\al_i
Б К д
>40*.A В; 5мА)
<1,7 E В)
?11,5 @,4 ГГц)
<2 D00 МГц)
<8
15...1ОО*EВ;О,5А)
15...100* E В; 0,5 А)
?30 A0 В)
<30 A0 В)
<2
<2
<2700*
<2700*
2TS04
15...100* E В; 0,5 А)
15...1ОО*EВ;О,5А)
<30 A0 В)
<30 A0 В)
<2
<2
<2700*
<27ОО*
2T504-S
1 0,32
*Н ¦ >¦! К
25...140* A0 В; 0,5 А)
25... 140* A0 В; 0,5 А)
<70 E В)
<70 E В)
<3,6
<3,6
<2600*
<2600*
2Т505
I
1
1
\ 1
1
П
5f
tor
25... 140* A0 В; 0,5 А)
<70 E В)
<3,6
<2600*
2Т5О5-5
1 0,32
•*—н »i к
30... 150* E В; 0.3 А)
30... 150* E В; 0,3 А)
<40 E В)
<40 E В)
<2
<2
<1560*
?1560*
2Т506
30...150* E В; 0,3 А)
<40 E В)
<2
<1560*
2Т5О6-5
1
0,32

60
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т509А
р-п-р
-60...+125
0,3 A*)Вт
?10
450* (Юк)
20
<5 E00 В)
2Т5О9А-5
р-п-р
-40...+85
0,025 A*)Вт
?10
450* (Юк)
20
<5 E00 В)
2Т602А
2Т602Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
0,85 B,8*) Вт
0,85 B,8*) Вт
?150
?150
120
120
75 E00*)
75 E00*)
<10 A20 В)
<10 A20 В)
2Т602АМ
2Т602БМ
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
0,85 B,8*) Вт
0,85 B,8*) Вт
?150
?150
120
120
75 E00*)
75 E00*)
<10 A20 В)
<10 A20 В)
2Т603А
2Т603Б
2Т6ОЗВ
2Т603Г
2Т603И
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
0,5 Вт E0*С)
0,5 Вт E0*С)
0,5 Вт E0*С)
0,5 Вт E0*С)
0,5 Вт E0*С)
?200
?200
?200
?200
?200
30* Aк)
30* Aк)
15* Aк)
15* Aк)
30* Aк)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
300 F00*)
<3 C0 В)
<3 C0 В)
<3 A5 В)
<3 A5 В)
<3 C0 В)
2Т606А
п-р-п
-60.. .+125
2,5** Вт D0*С)
?350
65
400 (800*)
?1.5* F5 В)
2Т6О7А-4
п-р-п
-60...+125
1,5 Вт
?700
40
150
<1 C0 В)
2Т608А
2Т608Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
0,5 Вт
0,5 Вт
?200
?200
60
60
400 (800*)
400 (800*)
<10 F0 В)
<10 F0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
61
15...100 A0В;0,ГмА)
<2,9 A00 В)
Юк
<500
2Т509
15...100 A0 В; 0,1 мА)
<2,9 A00 В)
Юк
<500
2Т5О9-5
1
0,32
20...80U0B; 10 мА)
>50 A0 В; 10 мА)
<4 E0 В)
<4 E0 В)
<60
<60
<300
<300
2Т602
011,7^
«о
i
1
1
[-
!
2О...8ОAОВ; 10 мА)
^50 A0 В; 10 мА)
<4 E0 В)
<4 E0 В)
<60
<60
<300
<300
2Т602М
20...80* B В; 15 А)
>60* B В; 0,15 А)
20...80* B В; 0,15 А)
>60* B В; 0,15 А)
?20* B В; 0,35 А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
<15 A0 В)
?15 A0 В)
<7
<7
<7
<7
<3,4
<400; <70*
<4О0; <70*
<400; <70*
<400; <70*
<400; <70*
2Т603
011J.
*\Ь* A0 В; 0,1 А)
<10 B8 В)
<5; >2,5**
?0,8** @,4 ГГц)
<10
<4 A0 В)
>4** A ГГц)
>!** A ГГц)
<18
2Т6О7-4
25...80* E В; 0,2 А)
5О...16О*EВ;О,2А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<2,5
<2,5
<120*
<120*

62
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т610А
2Т610Б
2Т624А-2
2Т624АМ-2
2Т625А-2
2Т625Б-2
2Т625АМ-2
2Т625БМ-2
2Т629А-2
2Т629АМ-2
2Т630А
2Т630Б
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-П-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
1,5ВтE0*С)
1,5 Вт E0'С)
1 Вт
1 Вт
1 Вт
0,7 Вт A25-С)
1 Вт
0,7 Вт A25-С)
1 Вт
1 Вт
0,8 Вт
0,8 Вт
?1000
?700
?450
>450
>200
>200
>200
>200
>250
>250
>50
' >50
26
26
30
30
40* Eк)
40* Eк)
40* Eк)
40* Eк)
50* Aк)
60
120
120
4
4
4
4
5
5
5
4,5
4,5
7
7
300
300
1000 A300*)
1000 A300*)
1000 A300*)
1 А A,3* А)
1000 A300*)
1 А A,3* А)
1000
1А
1000 B000*)
1000 B000*)
?0,5 B0 В)
?0,5 B0 В)
?100 C0 В)
?100 C0 В)
?30 F0 В)
?30 F0 В)
?30 F0 В)
?30 F0 В)
?5 E0 В)
?5 E0 В)
?1 (90 В)
?1 (90 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
63
50...250* A0 В; 0,15 А)
20...250* A0*В; 0,15 А)
<4,1 A0 В)
<4,1 A0 В)
>6,4** @,4 ГГц)
6 @,2 ГГц)
6 @,2 ГГц)
<35
<18
2Т61О
30./180* @,5 В; 0,3 А)
<15 E В)
<9
<18
2Т624-2
л\ ^
30...180* @,5 В; 0,3 А)
<15 E В)
<9
<18
2Т624М-2
J
«—»
Ь\
К 63
LA\
30...120* A В; 0,5 А)
20... 120* E00мА; 1 В)
<9A0В)
<9 A0 В)
<2,4
^1,3
<60
<60
2Т625
/м s
5 К Э
30...120* A В; 0,5 А)
20... 120* E0ОмА; 1 В)
<9 A0 В)
<9 A0 В)
<2,4
<1,3
<60
<60
2Т625М
J
«—»
^irft?
*U
Ш
КбЭ
ч1
^У II
25...80* A,2 В; 0,5 А)
<20 A0 В)
<1,6
<120; 90*
ем*!1
2Т629А-2
Ж
15
/l\ -jLJ
6 К Э
25...80*A,2В;0,5А)
<20 A0 В)
?1,6
2Т629АМ-2
Б К Э
4О...12О*(ЮВ; 150 мА)
8О...24О*AОВ; 150 мА)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<2
<2
2>5«
<500**
<500**

64
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т630А-5
2Т632А
2Т633А
2Т634А-2
2Т635А
2Т637А-2
2Т638А
2Т640А-2
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+125
-60...+125
0,8 Вт
0,5 Вт D0'С)
1,2* Вт
1,2 Вт
0,5 Вт
1,5 Вт
0,5 Вт; 1** Вт
0,6 Вт F0*С)
>50
>200
>500
>1500
>25О
>1300
>200
>ЗГГц
120
120* Aк)
30
50
60
30
120* Aк)
25
7
5
4,5
3
5
2,5
5
3
1000 B000*)
0,1 А @,35*А)
200 E00*)
150 B50*)
1 A,2*) А
200 C00*)
0,1 А @,35* А)
60
?0,1 (90 В)
<1 A20 В)
<3 C0 В)
?1 мА C0 В)
S10 F0 В)
<0,1 мА C0 В)
<0,1 мАA20В)
<0,5 мА B5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
65
4O...12O* A0 В; 150 мА)
?15 A0 В)
<2
>5*
<500«
2Т630-5
1 ,
0,32
>50 A мА; 10 В)
<8 B0 В)
<25
?100; <2000«
2Т632
ча !
чл, I |
8411 pip
40...140 A В; 10 мА)
<4,5 A0 В)
<5
<& B0 МГц)
?13*;<18*<
2Т633
*г
0М_
<2,5 A5 В)
.^1,4** E ГГц)
>0,45** E ГГц)
<2
25.150* A В; 0,5 А)
<10 A0 В)
^1
<58; <60**
30... 140* EВ;5ОмА)
<4,5 A5 В)
>0,5** C ГГц)
<3
>50 A В; 10 мА)
<8 B0 В)
<25
$25; 1* мкс
2Т638
09,4^
>15* E В; 5 мА)
<1,3 A5 В)
>6** G ГГц)
<8FГГц);>0,1**
0,6
2Т64О-2
1
i
I
/
©>
6
9
J
К
3
б

66
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т640А1-2
п-р-п
-60...+125
0,6 Вт F0*С)
?ЗГГц
25
60
<0,5 мА B5 В)
2Т64ОА-6
п-р-п
-60...+100
0,6 Вт F0*С)
?ЗГТц
15
30
<0,5 мА B5 В)
2Т640А-5
п-р-п
-60...+100
0,6 Вт F0*С)
?ЗГГц
15
30
<0,5 мА B5 В)
2Т642А-2
п-р-п
-60...+125
500 G5*С)
20
60
<1 мА B0 В)
2Т642А1-2
2Т642Б1-2
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60.. .+125
350
350
3600
3600
15
15
40
40
<500 A5 В)
<500 A5 В)
2Т642В1-2
2Т642П-2
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
230
230
15
15
40
40
<0,5 мА A5 В)
<0,5 мА A5 В)
2Т642А-5
2Т642А1-5
2Т643А-2
2Т643Б-2
2Т643А-5
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
500
500
20
20
п-р-п
-60...+125
1,1 Вт E0*С)
25
п-р-п
-60...+125
1,1 Вт E0*С)
25
п-р-п
-60...+125
1,1 ВтE0*С)
25
60
60
120
120
120
<1 мА B0 В)
<1 мА B0 В)
<1 мА B5 В)
<1 мА B5 В)
<1 мА B5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
67
?15* E В; 5 мА)
?1,3 A5 В)
фб** G ГГц)
?65** мВт G ГГц)
0,6
2Т640-1-2
?15* E В; 5 мА)
?1,3 A5 В)
?6** G ГГц)
?65** мВт G ГГц)
0,6
2Т640-6
?15* E В; 5 мА)
?1,3 A5 В)
?6** G ГГц)
?65** мВт G ГГц)
0,6
2Т64О-5
йГЕ
И
а
*
?1,1 A5 В)
?3,5** (8 ГГц)
?100** мВт (8 ГГц)
?1,1 A5 В)
?1,1 A5 В)
?9** B,25 ГГц)
?8** B,25 ГГц)
?4,5 B,25 ГГц>
?4,5 B,25 ГГц)
?6** C,6 ГГц)
?5,5** C,6 ГГц)
<5 C,6 ГГц)
?5,5 C,6 ГГц)
2Т642-2,
2Т642-1
^. ., _Й ^
\
/
г
J
1
Г *:
f
—ffl^
Ш?
<1,1 A5 В)
<1,1 A5 В)
?3,5** (8 ГГц)
?3,5** (8 ГГц)
?0,1** (8 ГГц)
?0,07** (8 ГГц)
2Т642А-5, 2Т642-1-5
0,45 0,1
<—э»
О ir
<1,8 A5 В)
?0,48** G ГГц)
1
i
А
1
2Т643-2
1« -' -
1 1
Г *:
jtj^
ТЧГб
—Ш^
50...150* A0 В; 50 мА)
?1,8 A5 В)
?0,48** G ГГц)
2Т643-2
1 ,
О)
11
Т
9
—^
К
Г*
3
?1,8 A5 В)
?0,48** G ГГц)
2Т643-5
0,45 0,1
О |
I
г
<—*1
1
f*

68
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т647А-2
2Т647А-5
2Т648А-2
2Т648А-5
2Т649А-2
2Т652А
2Т652А-2
2Т653А
2Т653Б
2Т657А-2
2Т657Б-2
2Т657В-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
0,56 Вт (80*С)
0,56 Вт (80'С)
420 D5°С)
420 D5-С)
1,5 Вт
1 Вт E0вС)
0,5 Вт E0*С)
5 Вт D0-С)
5 Вт D0-С)
375
375
375
>1,3 ГГц
?200
?200
?50
?50
?ЗГГц
?ЗГГц
?ЗГГц
18
18
18
18
30
50
50
130
130
12*
12*
12*
2
2
2
2
2,5
4
4
7
7
2
2
2
90
90
60
60
200
1 А BА*)
1 А BА*)
1 А BА*)
1 А BА*)
60
60
60
1000 A8 В)
1000 A8 В)
<1 мА A8 В)
<1 мА A8 В)
<300 E0 В)
<300 E0 В)
10* A20 В)
10* A00 В)
<1 мА A2 В)
<1 мА A2 В)
<1 мА A2 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
69
<l,5 A5B)
>3** A0 ГГц)
>170** мВт A0 ГГц)
2Т647-2
<1,5 A5 В)
>3** A0 ГГц)
>170** мВт A0 ГГц)
2Т647-5
0,45
*—Н >1 К
0,1
о If
?1,5 A0 В)
. 3** A2 ГГц)
50** мВт A2 ГГц)
2Т648-2
и
Г
\
го
1
J
В '
г *
1
я
i
к
3
ЭЕ
Б
51,5A0 В)
3** A2 ГГц)
50** мВт A2 ГГц)
«о '
1
1
2Т648-5
0,5
h*—Н —*++
Н
0,1
<
20...90* E В; 50 мА)
<3
3** A2 ГГц)
>0,4** C ГГц)
2Т649-2
2,'i
)
\
\
i
1
10
25... 100* E00 мА; 3 В)
?12 A0 В)
<1,3
<100*
2Т652
10 2,4
О'
—•!
1\\ ^
25...1ОО*EООмА;ЗВ)
<12 A0 В)
<1,3
?100*
2Т652-2
V 1,5
э к б
40... 150 A50 мА; 10 В)
80...250 A50 мА; 10 В)
<20 A0 В)
<20 A0 В)
?3,3
?3,3
<1** мкс
?1** мкс
2Т653
09,4
60...200 F В; 30 мА)
35...70 F В; 30 мА)
?1,1 A5 В)
?1,1 A5 В)
?1,1 A5 В)
>8** B ГГц)
?8** B ГГц)
>8** B ГГц)
>0,05** B ГГц)
?0,05** B ГГц)
>0,05** B ГГц)
2Т657-2
i
2,1
}
f
>
«1 S
I
10
III 5

70
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т658А-2
2Т658Б-2
2Т658В-2
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
600 F0'С)
600 F0'С)
600 F0'С)
?4 ГГц
?4 ГГц
?2 ГГц
12* Aк)
8* Aк)
15* Aк)
75 A50*)
75 A50*)
75 A50*)
?0,5 мА A5 В)
?0,5 мА A0 В)
?0,5 мА B0 В)
2Т664А9-1
2Т664Б9-1
р-п-р
р-п-р
-60...+100
-60...+100
1 Вт*
1 Вт*
?140
?140
120
100
?1 А A,5* А)
«ПА A,5* А)
?10 A00 В)
?10 A00 В)
2Т665А9-1
2Т665Б9-1
п-р-п
п-р-п
-60...+100
-60...+100
Вт
Вт
?50
?50
120
100
1 А
1 А
?10 A00 В)
?10 A00 В)
2Т671А-2
vn-p-n
-60...+125
900
?2 ГГц
15
1.5
150
?1 мА A5 В)
2Т672А-2
п-р-п
-60...+125
1*Вт
?200
50
1 А; 2* А
2Т682А-2
2Т682Б-2
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
350
350
?4,4 ГГц
?4,4 ГГц
10
10
50
50
?1 A0 В)
?1 A0 В)
2Т687АС2
2Т687БС2
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
1,5 Вт
1,5 Вт
300
300
70
60
1,5 C*) А
1,5C*) А
?2 мА E0 В)
?2 мА E0 В)
2Т688А2
2Т688Б2
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
750
750
16
16
100
100
?1 мА A6 В)
?1 мА A6 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
71
h21* П21Э
Ск,
С*2э,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГБЭ нас, Ом
Ку,р, дБ
Кщ, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
Тк, ПС
tjac, НС
1выкл, НС
teiu, НС
Корпус
?20* E0 мА; 5 В)
?30* E0 мА; 5 В)
?20* E0 мА; 5 В)
?2 A0 В)
<2 A0 В)
?2 A0 В)
?6** A ГГц)
?6** A ГГц)
?6** A ГГц)
?7,8 A ГГц)
?7,8 A ГГц)
?7,8 A ГГц)
2Т658-2
2,2 10
40...250* B В; 0,1 А)
40...250* B В; 0,1 А)
?25 E В)
?25 E В)
?2,3
?2,3
?700**
?700**
2Т664-9
40...250BВ;0,15А)
4О...25ОBВ;О,15А)
?25
?25
?2
?2
?500**
?500**
2Т665-9
1,45 (8 В)
?4,8**
?0.3** (8,5 ГГц)
2Т671-2
\
1
г
А
Я '
г *
я
А
93
30... 120
2Т672А-2
2 1,1
П
/Тг-LJ
Б Э К
40...75 G В; 2 мА)
80... 120 G В; 2 мА)
?0,9 A0 В)
?0,9 A0 В)
?7** C,6 ГГц)
?7** C,6 ГГц)
?4 C,6 ГГц)
?4 C,6 ГГц)
2Т682-2
1 1
10
ш 1 J*
2O...9O* E В; 0,3 А)
20...90* E В; 0.3 А)
?3,3
?2,6
70
70
2Т687
4.2 »
4.2
1
I
2O...9O'
20...90*
E В; 0.3 А)
E В; 0,3 А)
?i.l (8 В)
?1,1 (8 В)
?1,6** A5 ГГц)
?1,6** A2 ГГц)
?0,04** A5 ГГц)
?0,08** A2 ГГц)
2Т688
1» U
-Z3lZ
i i.
и.
ч
J
ML

72
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т691А2
2Т693АС
2Т704А
2Т704Б
2Т708А
2Т708Б
2Т708В
2Т709А
2Т709Б
2Т709В
2Т709А2
2Т709Б2
2Т709В2
2Т713А
2Т716А
2Т716Б
2Т716В
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
1200
750
15* Вт E0-С)
15* Вт E0*С)
0,7 Вт
0,7 Вт
0,7 Вт
2 C0*) Вт
2 C0*) Вт
2 C0*) Вт
1 C0*) Вт
1 C0*) Вт
1 C0*) Вт
50* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
>ЗГГц
?3
?3
?3
?3
?3
?3
>3
?3
>3
?3
?3
•
*1,5
?6
?6
?6
40
150*
500**
ООООимп)
400*
G00имп)
100* Aк)
80* Aк)
60* Aк)
100
80
60
100
80
60
2,5 кВ
100
80
60
3
5
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
6
5
5
5
• 200
150
2,5 D*) А
2,5 D*) А
2,5 А E А*)
2,5 А E А*)
2,5 А E А*)
10 B0*) А
10 B0*) А
10 B0*) А
10 B0*) А
10 B0*) А
10 B0*) А
ЗА
10 B0*) А
10 B0*) А
10 B0*) А
<1 мА D0 В)
<10 A20 В)
?5* мА A000В)
<5* G00В)
<1 мАA00В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)
<1 мА A00 В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)
<1 мА A00 В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)
?1 мА B,5 кВ)
<1 мА A00 В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
73
<3,5 A0 В)
?6,6**
<4 A ГГц)
2Т691
I
2,2
г
я
1
\ а
J
10
Щ
f ш
?40 E В; 0,1 А)
<4
2Т693
10...100* A5В; 1А)
10...100* A5В; 1А)
<50 B0 В)
?50 B0 В)
?2,5
?2,5
[
а,
п
Ш
2Т7О4
i
f
-втН
>500* B А; 5 В)
>750* B А; 5 В)
>75О* B А; 5 В)
?1
<1
<1
<4** мкс
<4** мкс
<4** мкс
>500* E А; 5 В)
>750* E А; 5 В)
>750* E А; 5 В)
?230 E В)
<230E В)
<230E В)
вО,4
<0,4
<0,4
<4,5** мкс
<4,5** мкс
<4,5** мкс
2Т7О9
41'
1
Л
$
¦
1
^500* E А; 5 В)
>75О* E А; 5 В)
?750* E А; 5 В)
<250 E В)
<250 E В)
<250E В)
<0,4
<0,4
<0,4
1
1
„In
т
Мб
2Т709-2
10,7 И»
5...20* A0 В; 1,5 А)
<0,66
<15* мкс
2Т713
»
gJ
ли
ч
?750* E А; 5 В)
?750* E А; 5 В)
?750* E А; 5 В)
<150EВ)
?150 E В)
<150EВ)
<0,4
ч ?0,4
<0,4
?7000**
?7000**
?7000**
2Т716

74
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т716А-1
2Т716Б-1
2Т716В-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+100
-60...+100
-60.. .+100
30* Вт
30* Вт
30* Вт
>3
>3
>3
100
80
60
10 А
10 А
10 А
<1 мАA00В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)
2Т718А
2Т718Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
200* Вт
200* Вт
>0,2
>0,2
400
300
10 A2*) А
10 A2*) А
<0,2 мА D00 В)
^0,2 мА C00 В)
2Т803А
п-р-п
-60...+125
60* Вт
>20
60* @,1 к)
10 А
?5* мА G0 В)
2Т808А
п-р-п
-60...+125
50* Вт E0*С)
>8
120*
B50 имп.)
10 А
<3* мА A20 В)
2Т808А-2
п-р-п
-60...+125
50* Вт
?8
120*
10 A5*) А
<3* мА A20 В)
2Т8О9А
п-р-п
-60...+125
40* Вт E0*С)
>5,1
400* @,01 к)
3 А; 5* А
<3* мА D00 В)
2Т812А
2Т812Б
п-р.-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
50^
50<
Вт E0*С)
Вт E0'С)
?3
?3
400'
300<
@,01к)
@,01к)
10 А; 17* А
10 А; 17* А
<5<
<5<
мА G00 В)
мА E00 В)
2Т818А
2Т818Б
2Т818В
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-6O...+125
-6O...+125
40* Вт
40* Вт
40* Вт
>3
^3
>3
100* @,1к)
80* @,1 к)
60* @,1 к)
15 А; 20* А
15 А; 20* А
15 А; 20* А
?1*мАA00В)
?1*мА(80В)
?1*мАF0В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
75
т:
?500* E А; 5 В)
?750* E А; 5 В)
?750* E А; 5 В)
?150 E В)
?150 E В)
?150 E В)
?0,4
?0,4
?0,4
?7000**
?7000**
?7000**
2Т716-1
Ю,7 <fA
Мб
?20 D В; 2 А)
?20 D В; 2 А)
?0,2
?0,2
?2500*
?2500*
2Т718
10...50* A0 В; 5 А)
?500 A0 В)
0,5
<2500*
2Т803
10...50* C В; 6 А)
<500A0В)
<2000*
2Т808
P23.S
10...50* C В; 6 А)
<500 A0 В)
<0,33
<2000*
2Т808-2
1
8
!
Б/ \9
15...100*EВ;2А)
?270 E В)
<0,75
<3* мкс
2Т809
5...30* C В; 8 А)
5...30* C В; 8 А)
?100 A00 В)
?100 A00 В)
?0,3
?0,3
tCn?l,3 МКС
tCn?l,3 мкс
2Т812
?20* E В; 5 А)
?20* E В; 5 А)
?20* E В; 5 А)
?100 E В)
?100 E В)
?100 E В)
?0,2
?0,2
?0,2
?2500**
?2500**
?2500**
2Т818
!
т
1
\
\
J

76
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т818А-2
2Т818Б-2
2Т818В-2
2Т819А
2Т819Б
2Т819В
2Т819А-2
2Т819Б-2
2Т819В-2
2Т824А
2Т824Б
2Т824АМ
2Т824БМ
2Т825А
2Т825Б
2Т825В
2Т825А-2
2Т825Б-2
2Т825В-2
2Т825А-5
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-40...+100
-40...+100
-40...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
40* Вт
40* Вт
40* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
50* Вт
50* Вт
50* Вт
50* Вт
3 Вт; 125* Вт
3 Вт; 125* Вт
3 Вт; 125* Вт
1 Вт; 30* Вт
1 Вт; 30* Вт
1 Вт; 30* Вт
3 Вт; 125* Вт
?3
?3
?3
>3
?3
?3
?3
>3
?3
?3,5
?3,5
?3,5
?3,5
?4
?4
?4
?4
?4
?4
?4
100* @,1 к)
80* @,1 к)
60* @,1 к)
100
80
60
100
80
60
400
350
400
350
100* Aк)
80* Aк)
60* Aк)
100* Aк)
80* Aк)
60* Aк)
100* Aк)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
7
7
7
7
5
5
5
5
5
5
5
15 А; 20* А
15 А; 20* А
15 А; 20* А
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*)А
15 B0*)А
15 B0*)А
15 B0*) А
10 А; 17* А
10 А; 17* А
10 А; 17* А
10 А; 17* А
20 А D0* А)
20 А D0* А)
20 А D0* А)
15 А C0* А)
15 А C0* А)
15 А C0* А)
20 А D0* А)
<1* мАA00В)
<1* мА (80 В)
<1*мАF0В)
<1* мА(ЮОВ)
<1* мА(80В)
<1* мА F0 В)
<1* мАA00В)
<1*мА(80В)
?1* мАF0В)
<5 мА G00 В)
<5 мА E00 В)
?5 мА G00 В)
?5 мА E00 В)
?1 мА A00 В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)
<1 мА A00 В)
<1 мА (80 В)
<1 мА F0 В)
<1 мАA00В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
77
>20* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
<100 E В)
<100 E В)
<100 E В)
<0,2
<0,2
<0,2
<2500**
<25ОО**
<2500**
2Т818-2
10,7 Ufi
>20* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
<1000 E В)
<1000 E В)
<1000 E В)
<0,2
<0,2
<0,2
<2500**
<2500**
<2500**
2Т819
U
?20* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
>20* E В; 5 А)
<1000 E В)
<1000 E В)
<1000 E В)
<0,2
<0,2
<0,2
<2500**
<2500**
<2500**
2Т819-2
1
10,7
Ц
\
ч
ЭКб
>5* (8 А; 2,5 В)
>5* (8 А; 2,5 В)
<250 A00 В)
<25О A00 В)
<0,3
<0,3
1,8* мкс
1,8* мкс
2Т824
я,
1
1Г
< h
?
19,5
* »
>5* (8 А; 2,5 В)
>5* (8 А; 2,5 В)
<250 A00 В)
<250 A00 В)
<0,3
<0,3
1,8* мкс
1,8* мкс
2Т824М
5О0...18О00* A0 А; 10 В)
75О...180О0* A0 А; 10 В)
,75О...18ООО*AОА; 10 В)
<600A0В)
<600A0В)
<600A0В)
<0,2
<0,2
<0,2
<4,5** мкс
<4,5** мкс
<4,5** мкс
2Т825
50О...18000* A0 А; 10 В)
75O...18OOO* A0 А; 10 В)
750...18000* A0 А; 10 В)
<600 A0 В)
<600 A0 В)
<600 A0 В)
<0,2
<0,2
<0,2
<4,5** мкс
<4,5** мкс
<4,5** мкс
6КЭ
5ОО...18ООО*AОА; 10 В)
?600 A0 В)
<0,2
<4,5** мкс
ю
2Т825-5
5
*—*
0,32

78
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т826А
2Т826Б
2Т826В
2Т826А-5
2Т827А
2Т827Б
2Т827В
2Т827А-5
2Т827А-2
2Т827Б-2
2Т827В-2
2Т828А
2Т828Б
2Т830А
2Т830Б
2Т830В
2Т830Г
2Т830В-1
2Т830Г-1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60... + 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60.. .+100
-60...+100
15* Вт E0*С)
15* Вт E0*С)
15* Вт E0'С)
15* Вт E0'С)
125* Вт
125* Вт
125* Вт
125* Вт
125* Вт
125* Вт
125* Вт
50* Вт E0°С)
50* Вт E0'С)
1 Вт
1 Вт
1 Вт
1 Вт
1 E*) Вт
1 E*) Вт
?6
>6
>6
>6
?4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
>4
700* @,01 к)
700* @,01 к)
700* @,01 к)
700* @,01 к)
100* Aк)
80* Aк)
60* Aк)
100
100
80
60
800* @,01 к)
600* @,01 к)
35
60
80
100
80
100
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1 А
1 А
1 А
1 А
20 D0*) А
20 D0*) А
20 D0*) А
20 D0*) А
20 D0*) А
20 D0*) А
20 D0*) А
5 G,5*) А
5 G,5*) А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
<2* мА G00 В)
<2* мА G00 В)
<2* мА G00 В)
<2 мА G00 В)
3* мА A00 В)
3* мА* (80 В)
3* мА* F0 В)
<3 мА A00 В)
<3 мА A00 В)
?3 мА (80 В)
<3 мА F0 В)
55* мА (800 В)
<Ь* мА F00 В)
<100 C5 В)
?100 F0 В)
<100 (80 В)
?100 (80 В)
<100 (80 В)
<100 (80 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
79
10...120* A0 В; 0,1 А)
10...120* A0 В; 0,1 А)
10...120* A0 В; 0,1 А)
<25 A00 В)
<25 A00 В)
<25 A00 В)
<5
<5
<5
tcn<1500
tcn<700
2Т826
27.t
i
1
/
I
«—¦—»•
1
1
1
J
10...120* A0 B; 0,1 A)
<25 A00 B)
<5
tcn<1500
750...18000* C B; 10 A)
750...18000* C B; 10 B)
750...18000* C B; 10 A)
<400 A0 B)
<400A0B)
<400 A0 B)
<0,2
<0,2
<0,2
2T827
<4,5*' мкс
<4,5* мкс
750... 18000* CB; 10 A)
<400A0B)
<0,2
<4,5* мкс
2T827-5
0,5
750... 18000* C B; 10 A)
750... 18000* CB; 10 B)
750... 18000* C B; 10 A)
<400 A0 B)
<400 A0 B)
<400 A0 B)
<0,2
<0,2
<0,2
MKC
2T827-2
10,7 U,8
?2,25* E B; 4,5 A)
>2,25* E B; 4,5 A)
<0,66
<0,66
<10* мкс;
tcn^l,2 MKC
<10* мкс;
tcn<1.2 MKC
25...55* A A; 1 B)
25...55* A A; 1 B)
25...55* A A; 1 B)
20...50* A A; 1 B)
?150 E B)
?150 E B)
<150 E B)
<150 E B)
<0,6
<0,6
<0,6
<0,6
<1* MKC
?1* MKC
<1* MKC
<1* MKC
2T830
a
25...2OO* A A; 1 B)
25...2OO* A A; 1 B)
<150 E B)
<150 E B)
<0,6
<0,6
<1* MKC
<1*'MKC
2T830-1
Cm
1
Ir
i
Bl \э

80
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т831А
2Т831Б
2Т831В
2Т831Г
2Т831В-1
2Т831Г-1
2Т832А
2Т832Б
2Т834А
2Т834Б
2Т834В
2Т836А
2Т836Б
2Т836В
2Т836А-5
2Т837А
2Т837Б
2Т837В
2Т837Г
2Т837Д
2Т837Е
2Т839А
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
-60...+125
-60.. .+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
1 E*) Вт
1 E*) Вт
1 E*) Вт
1 E*) Вт
1 Вт
1 Вт
10* Вт
10* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
0,7 E*) Вт
0,7 E*) Вт
0,7 E*) Вт
0,7 Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
50* Вт
>4
>4
>4
>4
?4
?4
6
6
>4
?4
>4
>4*
>4*
>4*
>4*
>3
>3
?3
>3
?3
>3
5
30* Aк)
50* Aк)
70* Aк)
90* Aк)
70* Aк)
90* Aк)
1000*A0Ом)
800*A0Ом)
500* @,1 к)
450* @,1 к)
400* @,1 к)
90
85
60
90
80
60
45
80
60
45
1500
5
5
5
5
5
5
7
7
8
8
8
5
5
5
5
15
15
15
5
5
5
5
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А; 4* А
100
100
15 B0*) А
15 B0*) А
15 B0*) А
3 А D* А)
3 А D* А)
3 А D* А)
3 А D* А)
8А
8А
8 А
8А
8 А
8 А
10 A0*) А
?100 C5 В)
?100 F0 В)
?100 (80 В)
?100 (80 В)
?100 (80 В)
?100 (80 В)
—
<3* мА E00 В)
<3* мА D50 В)
<3* мА D00 В)
?0,1 мА(90В)
?0,1 мА (85 В)
?0,1 мА F0 В)
?0,1 мА (90 В)
<5 мА (80 В)
?5 мА F0 В)
<5 мА D5 В)
<5 мА (80 В)
<5 мА FО В)
?5 мА D5 В)
?1 мАA500В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
81
П21э, П21Э
Ск,
С?2»,
пФ
ГКЭ нас, Ом
ГбЭ нас, ОМ
Ку,р, дБ
Кш, дБ
Гб, Ом
Рвых, ВТ
¦Хк, ПС
tpac, НС
Гвыкл, НС,
ttw, НС
Корпус
25...200* A А; 1 В)
25...2OO* A А; 1 В)
25...200* A А; 1 В)
25...150* A А; 1 В)
<150 E В)
<150 E В)
<150 E В)
<150 E В)
<0,6
<0,б
<0,6
<0,6
<1* МКС
<1* МКС
<1* МКС
<1* МКС
25...200* A А; 1 В)
25...200* A А; 1 В)
<150 E В)
<150 E В)
<0,б
<0,6
<1* МКС
<1* МКС
2Т831-1
см-|
2,2
Г1
i i
5/ \Э 1_1
10...50* C0 мА; 10 В)
10...50* C0 мА; 10 В)
20 E В)
20 E В)
150...3000* E В; 5 А)
150...3000* E В; 5 А)
150...3000* E В; 5 А)
<0,13
<0,13
<0,13
tcn^l,2 мкс
tcn^l,2 МКС
tcn^l,2 МКС
20... 100* B А; 5 В)
20...100* B А; 5 В)
20... 100* B А; 5 В)
<370 E В)
<370 E В)
<37О E В)
<0,3
<0,3
<0,3
<1,6** мкс
<1,б** мкс
<1,6** мкс
2Т836
20... 100* B А; 5 В)
<37О E В)
<0,3
<1,6** мкс
2Т836-5
ос
™,
1
i
2,8
0,32
U
15...120* E В; 2 А)
30... 150* E В; 2 А)
40...180* E В; 2 А)
15...120* E В; 2 А)
30...150* E В; 2 А)
40... 180* E В; 2 А)
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<0,3
<1** мкс
<1** мкс
<1** мкс
<!** мкс
<1** мкс
<!** мкс
>5* мА A500 В)
240 A0 В)
<0,375
<10* мкс;
tcn^l,5 МКС
2Т839
T
1
J

82
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т841А
2Т841Б
2Т841В
2Т841А-1
2Т841Б-1
2Т842А
2Т842Б
2Т842А-1
2Т842Б-1
2Т844А
2Т845А
2Т847А
2Т847Б
2Т848А
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60..+125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60.. .+100
-60...+125
3 E0*) Вт
3 E0*) Вт
3 E0*) Вт
30* Вт
30* Вт
3 E0*) Вт
3 E0*) Вт
30* Вт
30* Вт
50* Вт E0°С)
40* Вт E0*С)
125* Вт
125* Вт
35* Вт
>10
>10
>10
?10
>10
>20
>20
>10
>10
>7,2
>4,5
>15
>15
>3
600
400
800
600
400
300
200
300
200
250* @,01 к)
400* @,01 к)
650*
A0 Ом)
400**
400*
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
8
8
7
10A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
10A5*) А
5 (8*) А
5 (8*) А
5 (8*) А
5 (8*) А
10 B0*) А
5 G,5*) А
15 А
15 А
15 А
<3 мА F00 В)
<3 мА D00 В)
<3 мА (800 В)
<3 мА F00 В)
<3 мА D00 В)
<1 мА C00 В) .
<1 мА B00 В)
<1 мА C00 В)
<1 мА B00 В)
<3* мА B50 В)
<3* мА D00 В)
<5 мА F50 В)
<5 мА
<250* D00 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
83
>12* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
<300 A0 В)
<300 A0 В)
<300 A0 В)
<0,3
<0,3
<0,3
<1000*
<1000«
2Т841
&
>10* E В; 5 А)
>10* E В; 5 А)
<185 A0 В)
<185 A0 В)
<0,3
<0,3
<1* мкс
<1* мкс
2Т841-1
6КЗ
>15* D В; 5 А)
>15* D В; 5 А)
<40ОA0В)
<400 A0 В)
<0,36
<0,36
800*
800*
2Т842
>10* D В; 5 А)
>10* D В; 5 А)
<400A0В)
<400 A0 В)
<0,36
<0,36
2,2* мкс
2,2* мкс
2Т842-1
10,7 . «,5
6КЭ
10...50* C В; 6 А)
<300 A0 В)
<0,4
<2000"
2Т844
]
11
w
I
1 1
t
I
1
1
15... 100* E В; 2 A)
<45 B00 B)
<0,75
^OOO"
2T845
27,1
.25* C B; 15 A)
.25* C B; 15 A)
<200 D00 B)
<200 D00 B)
?0,1
<0,l
<3000*
<3000*
>20* E B; 15 A)
<0,2
2T848
1
L
III

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
83
?12* E В; 5 А)
>12* E В; 5 А)
?12* E В; 5 А)
<300A0В)
<300A0В)
<300 A0 В)
<0,3
<0,3
<0,3
?1000*
?1000*
2Т841
?10* E В; 5 А)
?10* E В; 5 А)
<185 A0 В)
<185 A0 В)
<0,3
<0,3
<1* МКС
<1* мкс-
2Т841-1
6КЗ
>15* D В; 5 А)
>15* D В; 5 А)
<400 A0 В)
<400A0В)
<0,36
<0,36
800*
800*
2Т842
?10* D В; 5 А)
>10* D В; 5 А)
<400 A0 В)
S400 A0 В)
<0,36
<0,36
2,2* мкс
2,2* мкс
?
2Т842-1
10J JA
дКЭ
10...50* C В; 6 А)
<300A0В)
_ 10,4
<2000*
2Т844
fc*
1
т
L
' 1
'. I
.Л
II
15...100* E В; 2 А)
<45 B00 В)
<0,75
^ООО"
2Т845
8...25* C В; 15 А)
8...25* C В; 15 А)
<200 D00 В)
<200 D00 В)
<0,1
<0,1
<3000*
<3000*
1
I
1
\
2Т847
5
?20* E В; 15 А)
<0,2
2Т848

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
85
10...30* E А; 5 В)
10.60* E А; 5 В)
10...60* E А; 5 В)
<100 (90 В)
<100 (90 В)
<100 (90 В)
<0,3
<0,3
<0,3
<2* мкс
<2* мкс
<2* мкс
10...30* E А; 5 В)
<100 (90 В)
<0,3
<2* мкс
J
1
2Т856
"К
;1
м
1
1
5
1
I
В К 3
40...160* A А;2В)
50...200* A А; 2В)
80...300* A А;2В)
<150 E В)
<150 E В)
<150 E В)
<0,35
<0,35
<0,35
<1** мкс
<1** мкс
<1** мкс
2Т860
«о
>о'
\
Ж
40... 160* A А;2В)
5O...2OO* A А; 2В)
80...300* A А; 2В)
<150EВ)
<150 E В)
<150 E В)
<0,35
<0,35
<0,35
<1** мкс
<!** мкс
<1'
2Т861
мкс
3-
10...100* A5 А; 5 В)
<300 C0 В)
<0,13
<1* мкс
2Т862
10...100* A5 А; 5 В)
12...50* E В; 5 А)
12...50* E В; 5 А)
<300 C0 В)
<250 A0 В)
<250A0В)
<0,13
<0,19
<0,13
<1* мкс
<2* мкс
<2* мкс
i
г
5,4
2Т862
i
«—
j
<
1 <
>
21,2
15...100* A0 А; 10 В)
<400A0В)
<0,15
<450*
о'
1Ш
1 |
2Т866
i
j
i
у.
«—
л
\<
|<
у.
)
21,2
L
12... 100* B0 А; 5 В)
<400A0В)
<0,08
<1,3* мкс
а)
1
i
Ч
2Т867
J
i
1
25,2
1 <
>
Щ21,2
\
JL

86
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т874А
2Т874Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
75* Вт
75* Вт
20
20
150
150
30 А; 50* А
30 А; 50* А
S3 мА A50 В)
<ЗмА A50 В)
2Т875А
2Т875Б
2T87SB
2Т875Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
•60...+125
-60...+125
50* Вт
50* Вт
50* Вт
50* Вт
?20
?20
?20
?20
90
70
50
90
10 А; 15* А
10 А; 15* А
10 А; 15* А
10 А; 15* А
<3 мА (90 В)
<3 мА G0 В)
<3 мА E0 В)
<3 мА (90 В)
2Т876А
2Т876Б
2Т876В
2Т876Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50*
50*
50*
50*
Вт
Вт
Вт
Вт
?20
?20
?20
?20
90
70
50
90
10 А A5* А)
10 А A5* А)
10 А A5* А)
10 А A5* А)
<3 мА (90 В)
<3 мА G0 В)
<3 мА E0 В)
<3 мА (90 В)
2Т877А
2Т877Б
2Т877В
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50*
50*
50*
Вт
Вт
Вт
?100
?100
?100
80
60
40
20 А A0* А)
20 А A0* А)
20 А A0* А)
<1* мА (80 В)
<1* мАF0В)
<1*мАDОВ)
2Т878А
2Т878Б
2Т878В
п-р-п
ft-p-n
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
10*
10*
10*
Вт
Вт
Вт
?10
?10
?10
800
600
900
25 А C0* А)
25 А C0* А)
25 А C0* А)
<3 мА (800 В)
<3 мА F00 В)
$3 мА (900 В)
2Т879А
2Т879Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
250*
250*
Вт
Вт
?10
?10
200
200
50 А G5* А)
50 А G5* А)
<3 мА B00 В)
<3 мА B00 В)
2Т880А
2Т880Б
2Т88ОВ
2Т880Г
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
5* Вт
5* Вт
5* Вт
5* Вт
?30
?30
?30
?30
100
80
50
100
2 А D* А)
2 А D* А)
2 А D* А)
2 А D* А)
<0,2 мА(ЮОВ)
<0,2 мА (80 В)
?0,2 мА E0 В)
<0,2 мА A00 В)
2Т880А-5
2Т880Б-5
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
0,8 Вт; 5* Вт
0,8 Вт; 5* Вт
?30
?30
100
80
4,5
4,5
2 АD<
2 А D"
А)
А)
<0,2 мА A00 В)
<0,2 мА (80 В)
2Т881А
2Т881Б
2Т881В
2Т881Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
¦60...+125
-60...+125
-60...+125
5* Вт
5* Вт
5* Вт
5* Вт
?30
?30
?30
?30
100
80
50
100
2 А D* А)
2 А D* А)
2 А D* А)
2 А D* А)
<0,2 мА A00 В)
<0,2 мА (80 В)
<0,2 мА E0 В)
<0,2 мА A00 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
87
15...50* E В; 30 А)
10...40* E В; 30 А)
200 A00 В)
200 A00 В)
?0,04
?0,04
?0,5* мкс
?0,5* мкс
р'
о1
i ЦэЦ
2Т874
i
см
1 <
>
^21,2
it
80...250* E В; 5 А)
80...250* E В; 5 А)
80...250* E В; 5 А)
40...160* E В; 5 А)
910 A0 В)
910 A0 В)
910 A0 В)
910 A0 В)
?0,1
?0,1
?0,1
<0,1
400**
400**
400**
400**
2Т875
¦о
1
1
\
1
1
80...250* E В; 5 А)
80...250* E В; 5 А)
80...250* E В; 5 А)
>15* E В; 5 А)
910 A0 В)
910 A0 В)
910 A0 В)
910 A0 В)
<0,1
<0,1
<0,1
<0,1
мкс
?1** мкс
<Г
<Г
2Т876
L
' 1
' 1
~*1
.Л
1
75О...1ОООО*AОВ;1ОА)
25ОО...18ООО*AОВ;1ОА)
25О0...180О0*A0В;1ОА)
830 B0 В)
830 B0 В)
830 B0 В)
<0,2
<0,2
^0,2
0,75* мкс
0,75* мкс
0,75* мкс
2Т877
12...50* E В; 10 А)
12...50*EВ; 10 А)
12...50* E В; 10 А)
<500 A0 В)
<500A0В)
<500 A0 В)
<0,1
?0,1
<0,1
^3* мкс
<3* мкс
<3* мкс
2Т878
с»
27,1
п
>20* D А; 20 В)
>15* D А; 20 В)
<800 A0 В)
<800 A0 В)
<0,06
<0,1
<1,2* мкс
<1,2* мкс
2Т879
Юл
80...250* A В; 1 А)
80...250* A В; 1 А)
80...250* A В; 1 А)
40... 160* A В; 1 А)
<200 E В)
?200 E В)
<200 E В)
<200 E В)
<0,35
<0,35
?0,35
<0,35
0,5* мкс
0,5* мкс
0,5* мкс
0,5* мкс
2Т880
09,4
80...250* (I В; 1 А)
80...250* A В; 1 А)
<200 E В)
<200 E В)
<0,35
<0,35
0,5* мкс
0,5* мкс
см*
2Т880-5
2,5 0,32
< Н >| |<
80...250* A В; 1 А)
80...250* A В; 1 А)
80...250* A В; 1 А)
40... 160* A В; 1 А)
?200 E В)
?200 E В)
?200 E ВУ
?200 E В)
?0,35
?0,35
?0,35
?0,35
0,5* мкс
0,5* мкс
0,5* мкс
0,5* мкс

88
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т881А-5
2Т881Б-5
2Т882А
2Т882Б
2Т882В
2Т883А
2Т883Б
2Т884А
2Т884Б
2Т885А
2Т885Б
2Т886А
2Т886Б
2Т887А
2Т887Б
2Т888А
2Т888Б
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60... + 125
-60...+125
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
0,8 Вт
0,8 Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
15* Вт
15* Вт
150* Вт
150* Вт
175* Вт
175* Вт
75* Вт G50**)
75* Вт G50**)
7* Вт
7* Вт
>30
>30
>20
>20 -
2>2О
>20
>20
>10
>10
>15
>15
>10,5
>10,5
>15
>15
>15
>15
100
80
400
300
250
300
250
800
600
400*
500*
1400
1000
700
600
900
600
4,5
4,5
6
6
6
5 '
5
5
5
5
5
7
7
5
5
7
7
2 А D* А)
2 А D* А)
1 А B* А)
1 А B* А)
1 А B* А)
1 А B* А)
1 А B* А)
2 А E* А)
2 А E* А)
40 А F0* А)
40 А F0* А)
10A5*) А
10A5*) А
2 А; E*) А
2 А; E*) А
100 B00*)
100 B00*)
<200A00В)
<200 (80 В)
<0,1 мА D00 В)
<0,1 мА(ЗООВ)
<0,1 мАB50В)
<0,1 мА(ЗООВ)
<0,1 мАB50В)
<0,2 мА (800 В)
<0,2 мА (800 В)
<1 мА E00 В)
<1 мАE00В)
<0,1* мАA000В)
<0,1* мАA000В)
<0,25 мА G00 В)
<0,25 мА G00 В)
<10 мА (900 В)
<10 мА F00 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
89
80...250* A В; 1 А)
40...160* A В; 1 А)
<200 E В)
<200 E В)
<0,35
<0,35
500*
500*
cvf
2Т881-5
2,5
¦*—*.
0,32
>15* @,5 А; 5 В)
>15* @,5 А; 5 В)
>15* @,5 А; 5 В)
<50 E В)
<50 E В)
<50 E В)
<2
<2
<2
<3* мкс
<3* мкс
<3* мкс
о,'
а;
2Т882
70,65 4,8
,hii.
т
вкэ
1
>25* @,5 А; 10 В)
>25* @,5 А; 10 В)
<70 E В)
<70 E В)
<3,6
<3,б
<5,2* мкс
<5,2* мкс
2Т883
Щ?5 4&
>25* @,3 А; 5 В)
>25* @,3 А; 5 В)
<60 E В)
<60 E В)
<0,27
<0,27
<3* мкс
<3* мкс
\
2Т884
10,65 4,8
6КЭ
>12* E В; 20 А)
>12* E В; 20 А)
<60 E В)
<60 E В)
<0,08
<0,08
<2* мкс
<2* мкс
2Т885
«Г.
?5»
1
27, t
1
1 1
1
1
J
6...25* A0 В; 2 А)
6...25* A0 В; 2 А)
<135 A0 В)
<135 A0 В)
<0,25
<0,25
<3500*
<35ОО*
20... 120* (9 В; 1 А)
20...120* (9 В; 1 А)
?400 A0 В)
<400 A0 В)
<1,4
<1,4
<5000*
<5000*
2Т887
30... 120* C В; 30 А)
30... 120* C В; 30 А)
<400 A0 В)
<400 A0 В)
<50
<50
<3000*
<3000*

90
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т891А
2Т903А
2Т9ОЗБ
2Т904А
2Т907А
2Т908А
2Т909А
2Т909Б
2Т91О1АС
2Т91О2А-2
2Т91О2Б-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
П-р'П
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+1255
-60...+125
-60...+125
150* ВтF0**)
30* Вт F0**)
30* Вт F0**)
7* Вт D0*С)
16* Вт
50* Вт E0-С)
27** Вт
54** Вт
130* Вт
10** Вт
5** Вт
?12
?120
?120
?350
?350
?30
?350
?500
?350
?1,35 ГГц
?1,35 ГГц
250* @,01 к)
60 (80 имп.)
60 (80 имп.)
65* @,1 к)
65* (ОД к)
100* @,01 к)
60* @,01 к)
60* @,01 к)
50
45
45
7
4
4
4
4
5
3,5-
3,5
4
3,5
3,5
40 А; 60* А
3 А; E*) А
3 А; E*) А
0,8 A,5*) А
1 C*) А
10 А
2 D*) А
4 (8*) А
7,5 А
0,7 А
0,35 А
<2 мА B50 В)
<2* мА G0 В)
<2* мА G0 В)
<1* мА F5 В)
<2* мА F5 В)
<25* мА A00 В)
<25* мА F0 В)
<30* мА F0 В)
S30 мА E0 В)
<П0 мА D5 В)
<5 мА D5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
91
20...5О* D В; 5 А)
<400 A00 В)
<0,03
<1000*
2Т891
5,8
SJ
?
&
Э5
18,2
* >
15...70* A0 В; 2 А)
40...180* A0 В; 2 А)
<180 C0 В)
<180 C0 В)
<1,25;>3**
<1,25;>3**
S10** E0 МГц)
>10** E0 МГц)
<500*
<500*
2Т903
>10* E В; 0,25 А)
<2,6 B8 В)
<5; >2,5**
>3** D00 МГц)
>10* E В; 0,4 А)
<20 C0 В)
<4; ^2**
>8** D00 МГц)
8...60* B В; 10 А)
<700 A0 В)
?0,15
<2600*
2Т908
<30 B8 В)
<60 B8 В)
0,36; >1,7**
0,18; >1,75**
>17** E00 МГц)
>35** E00 МГц)
<20
<20
2Т909
09,2
<150 B8 В)
>3,5*<
>100** @,7 ГГц)
<45
2Т9101
5,8
Л
к
у
с
in
w
б
<10 B8 В)
<6,5 B8 В)
>3,5** B ГГц)
>1,6** B ГГц)
<2,2
<2,2
2Т9102
¦\
¦ S"
см
1
1 я
г
=
<
t
<
к
б
«Ml

92
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9103А-2
2Т9103Б-2
2Т9104А
2Т9104Б
2Т9105АС
2Т9107А-2
2Т9108А-2
2Т9109А
2Т9ПОА-2
2Т9110Б-2
2Т9111А
2Т9112А
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+125
-60.. .+100
-60...+100.
-60...+125
-60...+125
16,4** Вт
16,4** Вт
10** Вт
23** Вт
160* Вт
37,5* Вт
200** Вт
1,12** кВт
500 Вт**
200 Вт**
200 Вт** E0°С)
5* Вт
—
?600
?600
?660
?0,72 ГГц
?360
?0,6 ГГц
?0,6 ГГц
?300
?30
25
25
50
50
50* A0 Ом)
50
50
65
50
50
120*A0Ом)
65
2
2
4
4
4
3,5
3
4
3
3
4
4
1,1 А
1,1 А
1,5 А
5А
16 А
2,5 А E* А)
8 А*
29* А
15 А*
7 А*
10 А
20 А
<7 B5 В)
<7 B5 В)
<10 мА E0 В)
?20 мА E0 В)
<120* мА E0 В)
?50 мА E0 В)
<25 мА E0 В)
<60 мА F5 В)
<50 мА E0 В)
<25 мА E0 В)
<100мАA20В)
?40 мА F5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
93
>\,7**
>1,7**
>7** E ГГц)
>10** E ГГц)
It
2T9103
к
s
l<
ПБ
и
/Ж У
э
<20 B8 В)
<40 B9 В)
>8**
>7**
>5** @,7 ГГц)
>20** @,7 ГГц)
<20
<20
2Т9104
J
I
я
<
>
5
Э
<160* EB;0,l A)
<240 B8 B)
>3^
^100** @,5 ГГц)
<12
2T9105
<50 A0 B)
>44
>27** A ГГц)
2T9107
?50** A,5 ГГц)
2T9108
<140 E0 В)
?3,5**
>500** @,82 ГГц)
<10
}
2T9109
1
\
1
•!?
CM
\
К
(
>
i
6
3
—~
>200** A,4... 1,6 ГГц)
>100**A.4..1,6ГГц)
2Т9ИО
>10* A0 В; 5 A)
<150 E0 B)
>10*
>150** (80 МГц)
2Т9Ш
>10* G B; 20 A)
<0,16
100*
2T9112

94
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9113А
2Т9114А
2Т9114Б
2Т911А
2Т911Б
2Т912А
2Т912Б
2Т912А-5
2Т912Б-5
2Т913А
2Т913Б _
2Т913В
2Т9117А
2Т9117Б
2Т9117В
2Т9П7Г
2Т9118А
2Т9ШБ
2Т9118В
2Т9119А-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
П-р'П
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-я
п-р-п
п-р-п
-60... + 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60... + 125
-60...+125
-60...+125
82 Вт**
325 Вт**
85 Вт**
3*Вт
3* Вт
30* Вт (85-С).
30* Вт (85*С)
30* Вт
30* Вт
4,7* Вт E5-С)
8* Вт G0-С)
12* Вт
6* Вт
6* Вт
6* Вт
6* Вт
130 Вт**
130 Вт**
130 Вт**
3 Вт
?1000
?840
?90
?90
?90
?90
?900
?900
?900
?50
?50
?50
?50
?1400
?1400
?1400
150
50
50
55
55
70* @,01 к)
70* @,01 к)
70*
70*
55
55
55
100
80
50
100
50
50
50
20
4
3
3
3
3
5
5
5
5
3,5
3,5
3,5
4,5
4,5
4,5
4,5
3,5
3,5
3,5
1.5
3,25 * А
13 А*
3,25 А*
0,4 А
0,4 А
20 А
20 А
20 А
20 А
0,5 A*) А
1 B*) А
1 B*) А
1 А
1 А
1 А
1 А
15* А
15* А
15* А
1 АA* А)
?30 мА A60 В)
?30 мА E0 В)
<8 мА E0 В)
<3 мА E5 В)
<3 мА E5 В)
<50* мА G0 В)
?50* мА G0 В)
<50* мА
<50* мА
<10* мА E5 В)
<20* мА E5 В)
<20* мА E5 В)
<0,1* мАПООВ)
<0,1* мА(80В)
<0,1* мАE0В)
<0,1* мА A00 В)
<150 мА E0 В)
<150 мА E0 В)
<150 мА E0 В)
<2 мА B0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
95
>10* E В; 5 А)
<0,16
5,6
к!
in
»1
2Т9113
э1 |с -35'8-
1 Л '
-та °°-
> 1Г '
ш
-¦/ту-
>6**
>6**
>150** A,5 ГГц)
>40** A,5 ГГц)
2Т9114
>15* E В; 0,2 А)
>15* E В; 0,2 А)
<10 B8 В)
<10 B8 В)
>2**
>2**
>0,8** A,8 ГГц)
>0,8** A ГГц)
<25
<25
2Т<
30
<» *¦
»1
1
F
1
3
4
п
t
—»
10...50* A0 В; 5 А)
20...100* A0 В; 5 А)
<200 B7 В)
<200 B7 В)
<0,12;>10**
<0,12;>10**
?70** {30 МГц)
>70** C0 МГц)
1О...5О*(ЮВ;5А)
20... 100* A0 В; 5 А)
<200 B7 В)
<200 B7 В)
<0,12; >10**
<0,12;>10**
>70** C0 МГц)
>70** C0 МГц)
2Т912-5
6,8
у
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
<6 B8 В)
<12 B8 В)
<14 B8 В)
<1,1;>2,25**
<1,1; ^2,25**
?1,1; ^2,25**
>3** A ГГц)
>5** A ГГц)
>10** A ГГц)
?15
<12
<15
2Т913
1
см-
Is."
1
>
г
Иг
W
80...250* A0 В; 0,15 А)
80...250* A0 В; 0,15 А)
80...250* A0 В; 0,15 А)
4О...16О*AОВ;О,15А)
40 E В)
40 E В)
40 E В)
40 E В)
<2
<2
<2
<2
<900**
<900**
<900**
<900**
2Т9117
>б**
>6**
>б**
^75** A,3 ГГц)
>75**A,4ГГц)
^75** < 1,22 ГГц)
, 1
Si
j
\
i
—»
1
1
6,3
2Т9118
i
•м
к
а
>*-
-<
>
2t,S
t
<7,5 A5 В)
^2,7*
>4,5** G ГГц)
2T9U9-2

96
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9121А
2Т9121Б
2Т9121В
2Т9121Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
92** Вт
46** Вт
11,5** Вт
130** Вт
42
42
42
42
9,2* А
4,6* А
1,15* А
13* А
<15 мА D2 В)
<7,5 мА D2 В)
<2,5 мА D2 В)
<22 мА D2 В)
2Т9122А
2Т9122Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60... + 125
133** Вт
ПО** Вт
40
45
6,5 А G,5* А)
5,4 А F* А)
$150 мА D5 В)
<150мАD5В)
2Т9123А
2Т9123Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60... + 125
60* Вт
60* Вт
130
130
60<
¦70*
Aк)
Aк)
12,5 А; 30* А
12,5 А; 30* А
<5* мА F0 В)
<5* мА G0 В)
2Т9124А
2Т9124Б
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
23,5** Вт
21,5** Вт
30
30
1.5
1,5
1,5 А B* А)
1,5 А B* А)
<20 мА C0 В)
<20 мА C0 В)
2Т9125АС
п-р-п
-60...+125
64* Вт
?660
55* A0 Ом)
4А
<60* мА E5 В)
2Т9126А
п-р-п
-60...+125
330* Вт
?100
100* @,01к)
30 А; 50* А
<200* мА A00 В)
2Т9127А
2Т9127Б
п-р-п
п-р-п
-6(Х..+125
-60...+125
1151** Вт
524** Вт
?1025
?1025
65
65
38* А
19* А
<60* мА F5 В)
<30* мА F5 В)
2Т9128АС
п-р-п
-60...+125
115* Вт
?200
50"
18 А
<100* мА E0 В)

параметры оиполярных кремниевых транзисторов
Hf
7,5 A5 В)
7,5 A5 В)
7,5 A5 В)
7,5 A5 В)
>6**
>6**
>6**
>6**
>35**
B,3...2,7 ГГц)
>17**
B,3...2,7 ГГц)
>4**
B,3...2,7 ГГц)
>50**
B,3...2,7 ГГц)
!
12
i I
i
4,6^
Ей
2Т9121
• 1
«—
1
1 П
к\ ГГ
!
1П-Б
¦А
J^
.^.1
>4**
>4**
>55** B ГГц)
>45** B ГГц)
2Т9122
А
у
Л
i
1
s,s
- sf
\
I
1
«*—
9
-<
>-
>
1
1800...180О0AОВ; 10 А)
1600...7000 A0 В; 1 А)
<0,3
<1,3
250*
250*
2Т9123
к*-
27J »
I
1
1
>з**
>3,2**
>10** C,1.-3,5 ГГц)
?8** C,1...3,5 ГГц)
2Т9124
<110* E В; 0,5 А)
<70 B8 В)
^4*
>50** E00 МГц)
<20
2Т9125
>10* A0 В; 5 А)
<500 E0 В)
^13^
>500** A,5 МГц)
2Т9126
>5,6**
>6,2**
>55О**
A,О25...1,15ГГц)
^250**
A,025...1,15 ГГц)
1 1
4,6
О
1
2Т912?
1
N
г
гл
к\ ГГ
ЯГ
м
¦А
пН
Ь-
¦уэ
?100* E В; 0,5 А)
<430 B8 В)
7** A75 МГц)
>200** A75 МГц)
^30
2Т9128

98
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9129А
2Т9130А
2Т9131А
2Т9132АС
2Т9133А
2Т9134А
2Т9134Б
2Т9135А-2
2Т9136АС
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
¦60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
47* Вт
10* Вт
350* Вт
220** Вт
130* Вт G0*С)
2600** Вт
2100** Вт
3,4 Вт
700** Вт
?200
?100
?320
?240
?300
30
250
100*
50
55* @,01 к)
50
50
15
60
1,5
6
6
4
4
3
3
1,2
4
4А
150
25 А; 40* А
11,2 А; 22* А
16 А
78* А
63* А
950
30* А
<30 мкА C0 В)
<1 мкА B50 В)
<200* мА A00 В)
<150* мА E0 В)
<200* мА E5 В)
<120* мА E0 В)
<120* мА E0 В)
<2 мА A5 В)
<140 мА F0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
99
>4,5*
>20** C,5 ГГц)
2Т9129
At
<*-.
Ш
,5
J
^2Ы+
60...250 (9 В; 20 мА)
<б A0 В)
<50
<20
2Т9130
09,4^
10...100 A0 В; 10 мА)
<800 E0 В)
<0,1;>Ю**
>400** C0 МГц)
2Т9131
<170C0В)
>3,5^
>140** F50 МГц)
<20
2Т9132
S.8
Сч
и>
1
К
К
1
С
18\2
t*—-—i
Б
Щ~~ЦЗ
<160 B8 В)
>7,5**
>30** B25 МГц)
<ЗО
2Т9133
>6**
>б**
>1000** A,5 ГГц)
>800** A,5 ГГц)
^1,7*
>2,6**A0 ГГц)
2Т9135
<260 D5 В)
>7*
>500** @,5 ГГц)
<20
2Т9136
&
Л
±
18,2^

100
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9137А
2Т9137Б
2Т9139А
2Т9139Б
2Т9139В
2Т9139Г
2Т9140А
2Т914А
2Т9146А
2Т9146Б
2Т9146В
2Т9146Г
2Т9Н6Д
2Т9И6Б,
2Т9146Ж
2Т9146И
2Т9Г46К
2Т9147АС
2Т9149А
2Т9149Б
2T91S3AC
2Т9153БС
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п -'
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Л-Р-п..
п-р-п.
п-р-п
п-р-п
.' П-р-П
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60... + 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60.. .+ 125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
9* Вт
16* Вт
23,5** Вт
21,5** Вт
52** Вт
7,8** Вт
• 176 Вт
7* Вт
350** Вт
175** Вт
70** Вт
350** Вт
175** Вт
70** Вт
350** Вт
175** Вт
70** Вт
233* Вт
. 100** Вт
56** Вт
50* Вт
94* Вт
>27ОО
>27ОО
—
?300
__
—
—
—
—
—
—
—
__
22* @,1 к)
22* @,1 к)
' 30
30
30
30
50
65
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50; 45*
50* @,01 к)
45
45
50
50
3,5
3,5
1,5
1.5
1,5
1,5
4
3
3
3
3
3
3
3
3
3
4
2
2
4
4
500
1100
2* А
1,5* А
4* А
0,7* А
10 А
0,8A,5* А)
20* А
10* А
4* А
20* А
10* А
4* А
20* А
10* А
4* А
29 А
4,5* А
2,1* А
4А
10 А
?10* мА B2 В)
<25* мА B2 В)
?20* мА C0 В)
?20* мА C0 В)
?30* мА C0 В)
<5* мА C0 В)
2* мА F5 В)
?40 мА E0 В)
?20 мА E0 В)
?10 мА E0 В)
?40 мА E0 В)
?20 мА E0 В)
?10 мА E0 В)
?40 мА E0 В)
?20 мА E0 В)
?10 мА E0 В)
?120* иА E0 В)
?100 мА D5 В)
?50 мА D5 В)
?20 мА E0 В)
?60 мА E0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
101
<5,5 A8 В)
<5,5 A8 В)
>5,5**
>3,8**
>2Д** @Д...2.3 ГГц)
>4** (ОД...2,3 ГГц)
2Т9137
?3,5**
>3,6**
>3,3**
>3,3**
>10** B.7...3Д ГГц)
>9** B.7...3Д ГГц)
>20** B.7...3Д ГГц)
>3** B.7...3Д ГГц)
D'
1
г
5,4
2Т9139
ш
Щ
i
см
'Я
к
Л
J
|<
h .
)
П
L
>б,5^
>125** A,2... 1,4 ГГц)
2Т9140
1
1
•si
¦ jy
1
р
С
>-
>
п
|_
10...60* E В; 0,25 А)
<12 B8 В)
>2,5**
>2,5** D00 МГц)
<15
>6**
^6**
>7*
>б*
>6*
>7*
>7*
>7*
>7*
>200**A,45..Д,55ГГц)
>100**A,45...1,55ГТц)
>40**A,45...1,55ГГц)
>200**A.45...1,55ГГц)
>100**A,45..Д,55ГГц)
^40**A,45...1,55ГГц)
>200**A,45..Д,55ГГц)
>100**A,45...1,55ГГц)
>40**A,45..Д,55ГГц)
(КТ-62)
(КТ-55)
(КТ-55)
(КТ-62)
(КТ-55)
(КТ-55)
(КТ-62)
(КТ-55)
(КТ-55)
2Т9146 (А, Г, Ж)
Б
>10* E В; 0,5 А)
<340 B8 В)
>Ь,Ъ**
>160** @,4 ГГц)
2Т9147
23
Шт,
22Т"
*Г>1*Г5
бОбС
LB
>4**
>4**
>30** B,15...2,3 ГГц)
>12** BД5...2.3 ГГц)
г»1
а1
1
г
5,4
2Т9149
J
i
1
i
см
1
1 <
>
*5
гГ
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
<37 B8 В)
<66 B8 В)
>7,8**
Z7**
>15**@,39...0,84ГГц)
>50**@,39...0,84ГГц)
2Т9153
5.8
1
ем
см
К
К
1
с
9,
Б
с ЦЭ

102
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9155А
2Т9155Б
2Т9155В
2Т9156АС
2Т9156БС
2Т9158А
2Т9158Б
2Т9159А
2Т9159А5 .
2Т916А
2Т9161АС
2Т9162А
2Т9162Б
2Т9162В
2Т9162Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
; п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60.. .+125
-60...+I25
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
43* Вт
100* Вт
180** Вт
50* Вт
94* Вт
98** ВТ
45** Вт
5* Вт
5* Вт
30* Вт
700** Вт
1290** Вт
1165** Вт
1290** Вт
1265** Вт
>460
>450
>360
—
—
>1100
1,1 ГГц
>1100
500
0,6 ГГц
0,6 ГГц
0,6 ГГц
0,6 ГГц
50
50
50
50
50
40
40
120; 80**
1-20
55* @,01к)
60
50
50
50
50
3
-з
- 3
3
3
3
3
3
3
3,5
4
3
3
3
3
4 А
15 А
24 А
4 А
10 А
4,5* А
2,1* А
400
400
2 D*) А
25 А
39* А
35* А
39* А
39* А
<25* мА E0 В)
<25* мА E0 В)
<25* мА E0 В)
<20* мА E0 В)
<6О* мА E0 В)
<100 мА D0 В)
<50 мА D0 В)
<0,1 мАA20В)
<0,1 мАA20В)
<25* мА E5 В)
<280 мА F0 В)
<60 мА E0 В)
<60 мА E0 В)
<6О мА E0 В)
<60 мА E0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
103
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
<35 B8 В)
<35 B8 В)
>6,5**
?6,2**
>15** @,86 ГГц)
>50** (860 МГц)
2Т9155
"«Ml
Sfi-
$8
/f =
?
$J
цб
m
>10* E В; 0,5 A)
<35 B8 B)
>5«
>100** @,86 МГц)
2T9155B
23
Ш
22,5
'ЯНГК
BLJBf'l
>10* E B; 0,5 A)
>10* E B; 0,5 A)
<37 B8 B)
<66 B8 B)
>7**
>6**
>15** @,65... 1 ГГц)
>50** @,65... 1 ГГц)
2T9156
?5**
>6**
>30** B.3...2.7 ГГц)
>12** B.3...2.7 ГГц)
\
I
2T9158
,J
i
1
26,2
Э
<—
1
l<
>
,2/,?
!_
20...60* E B; 50 мА)
<2,5A0B)
20...6O* E B; 50 мА)
<2,5 A0 B)
2T9159-5
0,5 0,3
*—H >•! |<
35* E В; 0,25 A)
<20 C0 B)
<0,7
>20** A ГГц)
<10
>20* E B; 0,5 A)
>V
>500** @.4...0.5 ГГц)
2T9161
>6**
>6**
>6**
>7**
>500** A,4... 1,6 ГГц)
>400** A,4... 1,6 ГГц)
>500** A,4... 1,6 ГГц)
>500** A,4... 1,6 ГГц)
2T9162

104
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9164А
2Т917А
2Т9175А
2Т9175Б
2Т9175В
2Т9175А-4
2Т9175Б-4
2Т9175В-4
2Т9188А
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
П'р-П
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
^60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+ 125
-60...+125
875** Вт
50* Вт
3,75** Вт
7,5** Вт
15** Вт
3,75** Вт
7,5** Вт
15** Вт
35** Вт
>60
>900
>900
>780
900
900
780
700
65
150
20* A0 Ом)
20* A0 Ом)
20* A0 Ом)
5
3
3
3
20 А
10A5*) А
500
1 А
2А
500
1 А
2А
5А
<20мАA50В)
<1,5* мАB0В) .
<3* мА B0 В)
<5* мА B0 В)
-

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
105
>4<
>300**
A,03... 1,09 ГГц)
2Т9164
1
i
к
к
с
Ф'
78,2
Б
Е т" Щз
10...60* G А; 5 В)
30...50** A0 МГц)
2Т917
1
ё
19.5
^ »
<10
<16
<30
>10** раз
>6** раз
>4** раз
>О,5**BОО...512МГц)
>2**BОО...512МГц)
>5**B00...512МГц)
<18
<18
<18
2Т9175
8,2
20,5
°>, 3.2
^^Г
/Щ^
<
Ч5
1.6
<ю
<16
<30
>10** раз
>6** раз
>4** раз
>О,5**BОО...512МГц)
^2**BОО...512МГц)
^5**B0О...512МГц)
2Т9175-4
«VI
• ' -
б
i
«о
^.^
<50
?5** раз
>10** @.2...0.47 ГГц)
2Т9188
4,2
20,5
«о
3,2
sffi
Ж
15

106
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т9188А-4
2Т919А
2Т919Б
2Т919В
2Т919А-2
2Т919Б-2
2Т919В-2
2Т920А
2T920S
2Т92ОВ
2Т921А
2Т921А-4
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Пф-П
п-р-п
п»р-п
Птр-П
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-6O...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
-6O...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
35** Вт
10* Вт
5* Вт
3,25* Вт
10* Вт
5* Вт
3,25* Вт
5* Вт E0'С)
10* Вт E0*С)
25* Вт E0*С)
12,5* Вт G5-С)
12,5* Вт G5-С)
8* Вт D0*С)
20* Вт D0*С)
40* Вт D0-С)
700
>1350
>1350
>1350
?1350
?1350
?1350
?400
?400
?400
?90
?90
?300
?300
?300
45
45
45
45
45
45
36
36
36
65* @,1к)
65* @,1 к)
65* @,1 к)
65* @,1 к)
65* @,1 к)
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
4
4
4
4
4
4
4
4
5А
0,7 A,5*) А
0,35 @,7*) А
0,2 @,4*) А
0,7 A,5*) А
0,35 @,7*) А
0,2 @,4*) А
0,25 A*) А
1 B*) А
3 G*) А
3,5 А
3,5 А
0,8 A,5*) А
1,5 D,5*) А
3 (9*) А
?10 мА D5 В)
<5 мА D5 В)
<2 мА D5 В)
<10 мА D5 В)
<5 мА D5 В)
<2 мА D5 В).
<1* мА C6 В)
<2* мА C6 В)
<5* мА C6 В)
<10* мА G0 В)
<1* мАG0В)
<2* мА F5 В)
<10* мА F5 В)
<20* мА F5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
107
<50
?5** раз
?10** (O.2...O.47 ГГц)
2Т9188-4
evj
<
г8,2я
— t-r-> ¦-
6
1
3,5
3,2
<10 B8 В)
<6,5 B8 В)
<5 B8 В)
?3,5** B ГГц)
?1,6** B ГГц)
?0,8** B ГГц)
<2,2
<2,2
?2,2
2Т919
1
/
ю
¦ sf
см
\
{
Р
3
<
<
г
6,6
к
5
>;
<10 B8 В)
<6,5 B8 В)
?5 B8 В)
?4,1**
?3,2**
?4**
>4,1** B ГГц)
>1,6** B ГГц)
>0,8** B ГГц)
<2,2
<2,2
<2,2
2Т919-2
<30* мА E В; 50 мА)
<40* мА E В; 100 мА)
<25* мА E В; 250 мА)
<15 A0 В)
<25 A0 В)
<75 A0 В)
>7**
>4,5**
>3**
>2** A75 МГц)
?7** A75 МГц)
220** A75 МГц)
<20
<20
<20
2Т92О
?10* A0 В; 1 А)
?50 B0 В)
>8"
^12,5** F0 МГц)
<300*
>10* A0 В; 1 А)
<50 B0 В)
28*
>12,5** F0 МГц)
<300*
2Т921-4
i
ft
i
г
i
>10* @.5 В; 1 А)
>10* @,5 В; 0,25 А)
>10* @,5 В; 0,5 А)
<15 B8 В)
<35 B8 В)
<65 B8 В)
?10**
?5,5**
>4**
?5** A75 МГц)
>20**A75МГц)
?40** A75 МГц)
<20
<20
<25
2Т922
1
Г
II
6,8
|f-L-bi
1 miF
1
.Ьм
В
1
к
г
27
V
К
¦v

108
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т925А
2Т925Б
2Т925В
2Т926А
2Т928А
2Т928Б
2Т929А
2Т930А
2Т930Б
2Т931А
2Т932А
2Т932Б
2Т933А
2Т933Б
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
5,5* Вт D0*С)
11*ВтD0'С)
25* Вт D0°С)
50* Вт E0°С)
0,5 Вт B*) Вт
0,5 Вт B*) Вт
6 Вт D0*С)
75* Вт D0*С)
120* Вт D0*С)
150 Вт D0*С)
20* Вт E0*С)
20* Вт E0*С)
5* Вт E0*С)
5* Вт E0'С)
?600
?600
?500
?51
?300
?300
?700
?450
?600
?250
?30
?50
?75
?75
36* @,1 к)
36* @,1 к)
36* @,1 к)
150* @,01 к)
60
60
30* @.1 к)
50* @,1 к)
50* @,1 к)
60* @,01 к)
80
60
80
60
4
4
3,5
5
5
5
3
4
4
4
4.5
4,5
4.5
4.5
0,5 A*) А
1 C*) А
3,3 (8,5*) А
15 B5*) А
0,8 A,2*-) А
0,8 A,2*) А
0,8 A,5*) А
6 А
10 А
15 А
2А
2А
0,5 А
0,5 А
<5 мА C6 В)
<10 мА C6 В)
<30 мА C6 В)
<25* мАA50В)
<1 F0 В)
<1 F0 В)
<5О0 C0 В)
<20* мА E0 В)
<100* мА E0 В)
<20* мА F0 В)
<1,5*мА(80В)
<1,5* мА F0 В)
?0,5* мА (80 В)
^0,5* мА F0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
109
>8* E В; 0,2 А)
2:10* E В; 0,2 А)
>17* E В; 0,2 А)
<15 A2,6 В)
<30 A2,6 В)
<60 A2,6 В)
>6,3**
>4**
>3**
2** C20 МГц)
7** C20 МГц)
20** C20 МГц)
<20
<35
<40
2Т925
12...60* G В; 15 А)
?0,17
2Т926
U '
19,5
30... 100* E В; 150 мА)
50...200* E В; 150 мА)
<12 A0 В)
<12 A0 В)
<2
<2
<225*
<225*
>25* E В; 0,7 А)
<20 (8 В)
?10«
^2** A75 МГц)
<25
2Т929
1 i
И
6,8
ШЁ
5 ¦
\ ¦
si
Or
' э
40* E В; 0,5-А)
50* E В; 0,5 А)
<80 B8 В)
<170 B8 ВХ
>6**
^4**
^40** D00 МГц)
2>75** D00 МГц)
25* E В; 0,5 А)
<240 B8 В)
0,18; >4**
?80** A75 МГц)
18
>15* C В; 1,5 А)
?30* C В; 1,5 А)
<300 B0 В)
<300 B0 В)
<1
<1
2Т932
>15* C В; 0.4 А)
>30* C В; 0,4 А)
<100 B0 В)
<100 B0 В)
<3,75
<3,75
2Т933

110
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т934А
2Т934Б
2Т934В
2Т935А
2Т935А-5
2Т937А-2
2Т937Б-2
2Т937А-5
2Т938А-2
2Т939А
2Т939Б
2Т941А
2Т942А
2Т942Б
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
• %п^р-п
h-p-n
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
-60...+ 125
-60.. .+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125"
-60.. .+125
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
7,5* Вт
15* Вт
30* Вт
60* Вт E0*С)
60* Вт
3,6** Вт
7,4** Вт
3,6** Вт
1,5* Вт
4* Вт
4* Вт
4* Вт
25** Вт
22** Вт
?500
?500
?500
?51
?51
6500
6500
6500
?2000
?2500
?1500
?1500
?1950
?1950
60* @,01к)
60* @,01 к)
60* @,01 к)
80* @,01 к)
80*
25
25
25
28
30* @,01k)
30* @,01к)
30
45
45
4
4
4
5
5
2,5
2,5
• 2,5
2,5 В
3,5
3,5
3
3,5
3,5
0,5 А
1 А
2А
20 C0*) А
20 А
250
450
250
180
400
400
500
1,5 А
1,5 А
<5* мА F0 В)
<10* мА F0 В)
<20* мА F0 В)
<30* мА (80 В)
<30* мА
<2* мА B5 В)
<5* мА B5 В)
' <2 мА B5 В)
<1 мА B8 В)
<2 мА C0 В)
<2 мА C0 В)
<300 C0 В)
<20 мА D5 В)
<20 мА D5 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
111
50* E В; 0,1 А)
50* E В; 0,15 А)
50* E В; 0,25 А)
<9 B8 В)
<16 B8 В)
?32 B8 В)
2; ?6**
1;?4**
0,5; ?3**
?3** D00 МГц)
?12** D00 МГц)
?25** D00 МГц)
<20
<20
<20
2Т934
20... 100* D В; 15 А)
?800 A0 В)
<0,6б
<700*
2Т935
20...100* D В; 15 А)
<800 A0 В)
<0,66
<700«
2935-5
5,9 0,45
*—Н >| |<
<5,5 B0 В)
<7,5 B0 В)
>1,6**-
?1,8**
?1,6**EГГц)
>3,6**E ГГц)
0,78
0,6
2Т937
<5,5 B0 В)
?1,6**
?1,6** E ГГц)
0,78
ю'
2Т937-5
0,45
¦«—»
0,09
<4 B0 В)
?2**
?1** E ГГц)
<2
40...200* A2 В; 0,2 А)
20...200* A2 В; 0,2 А)
<5,5 A2 В)
<6 A2 В)
<9
<10
?20* E В; 0,1 А)
<5BОВ)
йб
<15
2Т941
чл
I?
i
(
|
И
|[
lJ
<20 B8 В)
<20 B8 В)
?2,5**
?2,5**
?8** B ГГц)
?6** B ГГц)
<2,2
<2,5
2Т942
i
f
А
i ¦
ю
\
1
3
<>
к
б
>;

112
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т942А-5
2Т942Б-5
2Т944А
2Т945А
2Т945Б
2Т945В
2Т945А-5
2Т946А
2Т947А
2Т948А
2Т948Б
2Т949А
2Т950А
2Т950Б
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
. П-р'П
Пф-Л
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
25** Вт
22** Вт
55* Вт (90*С)
50* Вт E0-С)
50* Вт E0-С)
50* Вт E0-С)
50* Вт E0'С)
37,5** Вт
200* Вт E0*С)
40* Вт
20* Вт
60* Вт
84 Вт
60 Вт
>1950
?1950
>105
>51
>51
>51
>51
>720
>75
>1950
>1950
180
>150
>90
45
45
100* @,01к)
200*
A00Ом)
150*
A00 Ом)
150*
A00Ом)
200*
A00Ом)
50
100* @,01 к)
45
45
60*
60*
65*
3,5
3,5
5
5
5
5
5
3,5
5
2
2
5
4
4
1,5 А
1,5 А
12,5 B0*) А
15 B5*)А
15 B5*) А
10 B0*) А
15 B5*) А
2,5 E*) А
20 E0*) А
2,5 E*) А
1,25 B,5*) А
20 А
10 А
7А
<20 мА D5 В)
<20 мА D5 В)
<8О* мАA00В
<25* мА B00 В)
<25* мАA50В)
<25* мАA50В)
<25* мА B00 В)
<50 мА E0 В)
<100* мА A00 В)
<30 мА D5 В)
<15 мА D5 В)
<50мА
<30 мА* F0 В)
<30 мА* F0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
113
<20 B8 В)
<20 B8 В)
>2,5**
>2,5**
>8** B ГГц)
>6** B ГГц)
<2,2
<2,5
8*
ей
2Т942-5
.1,7. . . .0,08
10...80* E В; 10 А)
<350 B8 В)
<0,25; >10**
>100** C0 МГц)
«ОН
КГ'
22,5
Д
i I
f ijf]
2Т944
L
Jw*
Ф
10...60* G B; 15 A)
10...60* GB; 15 A)
10...60* G B; 10 A)
<200 C0 B)
<200 C0 B)
<200 C0 B)
<0,17
<0,17
SO, 17
<1,1* мкс
<1,1* мкс
<1,1* мкс
2T945
If1
13,9
I
27J
J_
i
1
1
10...60* G B; 15 A)
<200 C0 B)
<0,17
<1,1* мкс
со/
in"
2T945-5
5,1 0,45
<50 A0 B)
>4*<
>27** A ГГц)
2T946
10...80* E В; 20 A)
<850 B7 B)
>10**
>250** A,5 МГц)
2T947
<30 B8 B)
<17 B8 B)
>15** B ГГц)
>8** B ГГц)
2T948
10...90* A0 В; 15 A)
550
140*
2T949
Kt
15...100 E A; 10 B)
10...100 E A; 10 B)
<165 B8 B)
<220 B8 B)
0,15; >7**
0,15; >10**
>70** (80 МГц)
>50** C0 МГц)

114
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т951А
2Т951Б
2Т951В
2Т955А
2Т956А
2Т957А
2Т958А
2Т960А
2Т962А
2Т962Б
2Т962В
2Т963А-2
2Т963Б-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
45 Вт**
30 Вт**
6,3 Вт**
20* Вт A00вС)
70** ВтA00°С)
100** Вт A00°С)
85** Вт D0*С)
70** Вт D0*С)
17** Вт D0-С)
27** Вт D0-С)
66** Вт D0*С)
1,1* Вт
1,1* Вт
?150
?90
?150
?100
?100
?100
?400
?600
?750
?750
?600
60*
65*
60*
70* @,01 к)
100* @,01к)
60* @,01 к)
36* @,01к)
36* @,01 к)
ел ел ел
о о о
18
18
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
1.5
1,5
5А
ЗА
0,5 А
6 А
15 А
20 А
10 А
7А
1,5 А
2,5 А
4А
210
185
<20 мА F0 В)
<20 мА F0 В)
<5 мА F0 В)
<10* мА F0 В)
<80* mAUOOB)
<100* мА F0 В)
<15* мА C6 В)
<20* мА C6 В)
<20 мА E0 В)-
<20 мА E0 В)
<30 мА E0 В)
<1 мАA8В)
<1 мА A8 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
115
15...100 B А; 10 В)
10...100 B А; 10 В)
30...200 B А; 10 В)
<70 B8 В)
<70 B8 В)
<12 B8 В)
>8,3**
>10**
?15**
>25** (80 МГц)
>20** C0 МГц)
>3** (80 МГц)
2Т951
1
S
ъ
—»•
10...80* E В; 1 А)
<75 B8 В)
>20** раз
>20** C0 МГц)
2Т955
10...80* E В; 1 А)
<4005 B8 В)
>20"
^100** C0 МГц)
2Т956
10...80* E В; 5 А)
<600 B8 В)
>17*
?125** C0 МГц)
2Т957
?10* (8 В; 0,5 А)
^180 A2 В)
>4*<
>40** A75 МГц)
12
<120 A2 В)
22,5*
>40** D00 МГц)
12,5
<20 B8 В)
?35 B8 В)
<50 B8 В)
>4**
>3,5**
>3**
>10** A ГГц)
?20** A ГГц)
>40** A ГГц)
<15
<14
<11
1,5 E В)
1,5 E В)
>3** A0 ГГц)
?3** A0 ГГц)
>0,8** A0 ГГц)
>0,5** A0 ГГц)
2Т963
к.»
1
1
К
f
ЯЛ
1
5\*
э_
(
Б

116
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т963А-5
2Т964А
2Т965А
2Т966А
2Т967А
2Т968А
2Т968А-5
2Т970А
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+ 125
1,1* Вт
200* Вт E0-С)
32* Вт
64* Вт
100** Вт
4 Вт* D0*С)
4 Вт* D0*С)
170** Вт
10 ГГц
?150
?100
?100
?180
?90
?90
?600
18
80*A00Ом)
36* @,01к)
36* @,01к)
36* @,01 к)
300
300
50* @,01 к)
1.5
4
4
4
4
5
5
4
185
10 А
4А
8 А
15 А
100 B00*)
100 B00*)
13 А
<1 мАA8В)
<100 мА (80 В)
<10* мА C6 В)
<23* мА C6 В)
<20* мА C6 В)
<0.5* мА B50 В)
?0,5* ыА B50 В)
100* мА E0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
117
1,5 E В)
>0,8** A0 ГГц)
2Т963-5
0,45 0,08
ю
О
/
!
г
—*
10...50* E А; 10 В)
<290 D0 В)
>5"
>150** (80 МГц)
2Т964
10...60* E В; 1 А)
<100 A2,6 В)
>13*
>20** C0 МГц)
2Т965
<250 A2,6 В)
>16*<
>40** C0 МГц)
2Т966 ¦•¦¦.:
10...100* E В; 5 А)
<500 A2,6 В)
>18*
>90** C0 МГц)
2Т967
35...320* C0 мА; 10 В)
<2,8 C0 В)
<33*
<2**
2Т968
45
«сГ1
дм.
35...320* C0 мА; 10 В)
<2,8 C0 В)
<33"
<2**
2T968-S -
°")
0,9
*
0,2
с
J
180 B8 В)
?4*'
>100** D00 МГц)
<25
2Т970

118
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т971А
2Т974А
2Т974Б
2Т974В
2Т974Г
2Т975А
2Т975Б
2Т976А
2Т977А
2Т978А
2Т978Б
2Т979А
2Т980А
2Т980Б
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
200** Вт
5* Вт E0'С)
5* Вт E0*С)
5* Вт E0Х)
5* Вт E0'С)
500 Вт** (85°С)
200 Вт** (85°С)
75** Вт D0-С)
200** Вт (85°С)
40* Вт
40* Вт
75* Вт
300* Вт (ЗО'С)
300* Вт C0°С)
>220
>450
>450
>450
>450
>750
>600
>75
>75
>150
>150
50* @,01 к)
80
60
50
60
50
50
50
50
300*
A00Ом),
120**
300*
A00Ом),
150**
50
100* @,01 к)
100* @,01к)
4
3
3
3
3
3
3
4
3
5
5
3,5
4
4
17 А
2 А A0* А)
2 А A0* А)
2 А A0* А)
2 А A0* А)
15 А*
7 А*
6А
8* А
10 А A5* А)
10 А A5* А)
5 А; 10* А
15 А
15 А
<60* мА E0 В)
<5 мА (80 В)
<5 мА F0 В)
<5 мА E0 В)
<5 мА F0 В)
<40* мА D5 В)
<20* мА D5 В)
<60 мА E0 В)
<25 мА E0 В)
<2 мА C00 В)
<2 мА C00 В)
<100 мА E0 В)
<100мАA00В)
<100мАA00В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
119
<330 B8 В)
>3<
>150** A75 МГц)
<40
2Т971
ii.
t-H
I1
«я
¦«г>*
э?ЖЗ
=пЁг-
«?' >
5...50 E А; 5 В)
5...50 G А; 5 В)
5...50 E А; 5 В)
>10* G А; 5 В)
80 C0 В)
80 C0 В)
80 C0 В)
80 C0 В)
<1
<0,6
<1
<0,6
<0,2 мкс
<0,2 мкс
<0,2 мкс
<0,2 мкс
2Т974
09,4
^6**
>б**
200** A,4...1,6 ГГц)
100** A,4... 1,6 ГГц)
<0,2 мкс
2Т975
<70 B8 В)
>2<
>60** A ГГц)
<25
2Т976
>50**A,5ГГц)
2Т977
а.
1 ¦
-1
Ч,Ц5
^20,3 _t
i
[-<
У
h
Jfifi
S
К
>15* E A; 5 B)
>15* E A; 5 B)
<12O E0 B)
<120 E0 B)
<0,2
<0,2
<1,2* мкс
<l,2* мкс
2T978
W
>6*
>50** A,3 ГГц)
2T979
15...60* A0 В; 5 A)
10...60* A0 В; 5 A)
<450 E0 B)
<450 E0 B)
>16** раз
>16** раз
>250** C0 МГц)
>250** (80 МГц)
2T98O

120
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т981А
2Т982А-2
2Т982А-5
2Т983А
2Т983Б
2Т983В
2Т984А
2Т984Б
2Т985АС
2Т986А
2Т986Б
2Т986В
2Т986Г
2Т987А
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
- п-р-п
п-ри*
" п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
70* Вт
5,8 Вт**
5,8 Вт**
8,7* Вт
13* Вт
22,5* Вт
1,4* Вт
4,7* Вт
185* Вт
910** Вт
775** Вт
910** Вт
910** Вт
93* Вт
>300
>1200
>900
>750
720
720
>660
—
1 ГГц
36* @,01 к)
20
20
40* @,01 к)
40* @,01к)
40* @,01 к)
65
65
50* A0 Ом)
i
50
50
50
50
50
4
1,5
1,5
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3,5
10 А
600
600
0,5 А
1 А
2 А
7* А
16* А
17 А
26* А
26* А
26* А
26* А
5А
<50* мА C6 В)
<1 мА B0 В)
<1 мА B0 В)
<5* мА D0 В)
<8* мА D0 В)
<18* мА D0 В)
<30 мА F5 В)
<80 мА F5 В)
<120 мА E0 В)
<60 мА E0 В)
<50 мА E0 В)
<40 мА E0 В)
<50 мА E0 В)
100 мА E0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
121
10...90* E В; 5 А)
<400A2,6В)
>5*
>50** (80 МГц)
2Т981
<6 A5 В)
2,5*
?3,2** G ГГц)
2Т982
<6 A5 В)
2,5*
>3,2** G ГГц)
2Т982-5
0,45 0,08
о у
>20* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
>10* E В; 0,5 А)
<8 B8 В)
<12 B8 В)
<24 B8 В)
?4**
>3,6**
>3,2**
?0,5** (860 МГц)
?1** (860 МГц)
>3,5** (860 МГц)
2Т983
\
«•
j
1
г
и
<35 C0 В)
<80 C0 В)
>5**
^4**
>75** (820 МГц)
>250** (820 МГц)
Су
X
2Т984
R <2-+~Щ
'л
у
К
I <
)
-Л-
б
э
<270 B8 В)
^З.б"
>125** @,4 ГГц)
<21
2Т985
>6**
>6**
>7**
^7**
^350**
A,4...1,6 ГГц)
>300** A,6 ГГц)
>350** A,6 ГГц)
^350**
@.6...0.8 ГГц)
2Т986
>6*
>45** A ГГц)
2Т987
1
D
J
1
1
\
К1
ЕС2
a
2
<
<
>
Б
т

122
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т988А
2Т988Б
2Т989А
2Т989Б
2Т989В
2Т989Г
2Т990А-2
2Т991АС
2Т993А
2Т994А-2
2Т994Б-2
2Т994В-2
2Т995А-2
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
; и-р"-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
43* Вт
33* Вт
40* Вт A15°С)
30*ВтA15'С)
14* ВтA15*С)
25* ВтA15*С)
25* Вт
67* Вт
50* Вт
1290** Вт(85*С)
1165**Вт(85*С)
1290** Вт (85-С)
3* Вт
—
1,95 ГГц
>540
>180
—
10 ГГц
50
50
45
45
45
45
45
50
150
50
50
50
18
3,5
3,5
2
2
2
2
3.5
4
4
3
3
3
1,5
2,5 А
1,7 А
5 А G,5* А)
4 А E* А)
1,7 А
2,5 А
1,5 А C* А)
3,7 А
5 А A0* А)
39 А*
35 А*
39 А*
600 -
<50 мА E0 В)
<30 мА E0 В)
<100 мА D5 В)
<100 мА D5 В)
?30 мА D5 В)
<50 мА D5 В)
<20 мА D5 В)
<50 мА E0 В)
30 мА A50 В)
?60 мА E0 В)
<60 мА E0 В)
<60 мА E0 В)
<2 мА A8 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
123
?6**
?7,8**
?15** @,7 ГГц)
?18** A,4 ГГц)
2Т988
?3,2**
?4,3**
>7**
>7**
?35** B ГГц)
?26** B ГГц)
?12** B ГГц)
?25** A,7 ГГц)
2Т989
<22 B8 В)
?8** B ГГц)
<2,5
2Т990-2
<75 B8 В)
?6"
>55** @,7 ГГц)
<6,8
2Т991
5.8
i
ем
см
1
к
к
с
.9J
в
=13
10...70* E В; 5 А)
375
2Т993
<120 D5 В)
<120 D5 В)
<120 D5 В)
>6**
?6**
>7**
>500**A,4...1,6ГГц)
>400** A,4...1,6ГГц)
>500** A,4...1,6ГГц)
2Т994
*\,Ь*
?1,5** A0 ГГц)
к*
2Т995
К
*
Ж

124
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2Т996А-2
2Т996Б-2
2Т996В-2
2Т996Г-2
2Т996А-5
2Т996Б-5
2Т998А
2Е7О1А
2Е701Б
2Е701В
2Е7О1Г
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
¦ п-р-п
бнполяр.
транз. с
изолир.
затвор.
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
75 Вт A7,5**кВт)
75 Вт B4.5**кВт)
75ВтA7,5**кВт)
75 Вт B4,5***Вт)
>4 ГГц
>4ГГц
>4 ГГц
>4 ГГц
?4 ГГц
>4ГГц
1 1 1 1
го ю w to
о о о о
20
20
100
500**
700**
500**
700**
2,5
2,5
2,5
2,5
сл ел
4
—
200 @,3* А)
200 @,3* А)
200; 300*
200; 300*
200 @,3* А)
200 @,3* А)
30 А
25 А
25 А
25 А
25 А
<5* мА B0 В)
<5* мА B0 В)
<1* мАB0В)
<1* мА B0 В)
<5* мА B0 В)
<5* мА B0 В)
<60 мА A00 В)
50 C0 В)
50 C0 В)
50 C0 В)
50 C0 В)

Параметры биполярных кремниевых транзисторов
125
>35* A0В;0,1 А)
>70* A0 В; 0,1 А)
>35* A0 В; 0,1 А)
>35* A0 В; 0,1 А)
?35* A0 В; 0,1 А)
>70* A0 В; 0,1 А)
>10* E В; 15 А)
S>12A/B E В; 10 мА)
S>12A/B E В; 10 мА)
S>12A/B E В; 10 мА)
S>12A/B E В; 10 мА)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
<2,3 A0 В)
— •
>3,8**
>4,5**
—
<0,2
<0,25
<0,25
<0,35
<0,35
?0,115** F50 МГц)
?0,135** F50 МГц)
—
—
—
—
500**; 200***
700**; 200***
500**; 200***
700**; 200***
2.3L.
05,2
J
п
0,57
1
1
1
о"
ч
1
2Т996
И
—йк
IJb*
2Т996-5
0.57 0,09
^*—»Н »1 К
1
2Т998
19,5
^ *
2Е7О1
\ f
l<>
-A*
e
rf
. 21,2 _

126
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.4. Параметры кремниевых сборок
2ТС303А-2
2ТС3103А
2ТС3103Б
2ТСЗША-1
2ТСЗШБ-1
2ТСЗШВ-1
2ТСЗШГ-1
2ТСЗШД-1
2ТС3136А-1
2ТС393А-1
2ТС393Б-1
2ТС393А-93
2ТС393Б-93
2ТС398А-1
2ТС398Б-1
2ТС398А-94
2ТС398Б-94
п-р-п,
р-п-р
р-п-р
р-п-р
'' п-р-п
п-р-п
Пф-Т1 '"
Пф-П
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60.. .+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 100
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+ 100
500 F0"С)
300 E5'С)
300 E5°С)
10
10
10
10
10
50 A00'С)
20 D5'С)
20 D5*С)
20
20
30 (85*С)
30 (85*С)
30
30
300
>600
>600
>250
?250
>250
>25О
^250
>500
^500
>500
>500
^500
^1000
^1000
>1 ГГц
>1 ГГц
45* (Юк)
15* A5к)
15* A5к)
30
30
30
30
30
15
10* Eк)
10* Eк)
10
15
10* (Юк)
10* (Юк)
10
10
5
5
7
7
7
7
7
4
4
4
4
4
4
4
4
4
100 E00*)
20 E0*)
20 E0*)
1000
1000
1000
1000
1000
20
10 B0*)
10 B0*)
10
10
10 B0*)
10 B0*)
10
10
50,5 D5 В)
?0,2 A5 В)
<0,2 A5 В)
<10 мА B5 В)
<10 мА B5 В)
?10 мА B5 В)
<10 мА B5 В)
<10 мА B5 В)
<0,1 A5 В)
<0,1 A0 В)
<0,2 A5 В)
<100мА
<Ю0мА
<0,5 A0 В)
<0,5<10В)
<0,5
?0,5

Параметры кремниевых сборок
127
40...180 E В; 1 мА)
<8 E В)
<20
?0,7*
<30**
<80
2ТС303А-2
40...200U В; 1 мА)
4O...2OO A В; 1 мА)
<2,5 E В)
<2,5 E В)
<60
<60
<5 F0 МГц); ?0,9*
<5 F0 МГц); >0,8*
<80
<80
2ТС31ОЗ
150...400* A0 мкА; 5 В)
100...400* A0 мкА; 5 В)
50...400* A0 мкА; 5 В)
2O...4OO* A0 мкА; 5 В)
20...400* (ЮмкА; 5 В)
<2,5 A В)
<2,5 A В)
<2,5 A В)
<2,5 A В)
<2,5 A В)
2ТСЗШ-1
0.9S О*
70...180EВ; 5 мА)
40... 180A В; 1 мА)
30... 140A В; 1 мА)
<2 E В)
<2 E В)
<2 E В)
<50
<1*; <5**
<6 F0 МГц)
<6 F0 МГц)
<40
<80
<80
2ТС336-1, 2ТС393-1
\№
й
40... 180
30...140
<60
<60
<3**
<5**
2ТС393-93
Li j >Ц
Б2,
Э2|
.
1
i
К2
Э1
Б2
Kt
Клю»
40...250 A В; 1 мА)
40...250 A В; 1 мА)
<1.5 E В)
<1,5 E В)
0,8...1,25*; <1,5**
0,9...1,1*;<3**
<50
<50
2ТС398-1
¦ в — Р^—б
40...250
40...250
<1,5**
<3**
2ТС398А-94, 2ТС398Б-94
Б К
екД
Б К Э

128
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2ТС613А
2ТС613Б
2ТС622А
2ТС622Б
2ТС622Б-1
2ТС843А
2ТС941А-2
п-р-п
п-р-п "
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
Р-п-р,
п-р-п
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
800 E0*С)
800 E0*С)
-0,4 A0**) Вт
0,4 A0**) Вт
0,4 Вт
25* Вт A00°С)
5* Вт
>200
>200
>200
>200
>200
>300
60
60
45* Aк)
35* Aк)
45
120
60
4
4
4
4
4
4
4
400 (800*)
400 (800*)
400 F00*)
400 F00*)
400 F00*)
12 А B5* А),
3 А F* А)
800 A500*)
<8 F0 В)
<8 F0 В)
<Ю D5 В)
<20 C5 В)
10
?12 мАA20В)
<5 мА F0 В)

Параметры кремниевых сборой
129
25... 100* E В; 0,2 А)
40...200* E В; 0,2 А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
<100*
<100*
2ТС613
25...150*EВ;0,2А)
25... 150* E В; 0,2 А)
<15 A0 В)
<15 A0 В)
?120*
<200*
2ТС622
25...15O*
15
2ТС622Б-1
\4HHHHHb!/J!
10...50 A2 А; 5 В)
<0,2
<2* мкс
40...150 E В; ОД А)
12 B8 В)
<3,3
?0,7
?90; $500*
2ТС941А-2
М/
U
б/
Mf\J

130 Раздел 3. Полевые транзисторы
Раздел 3. Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании эффекта внешнего электрического
поля для управления проводимостью. Их еще называют униполярными, так как перенос тока
осуществляется носителями заряда одного типа (в отличие от биполярных транзисторов, где носите-
носителями заряда являются дырки и электроны).
Особенностями полевых транзисторов являются высокое входное сопротивление, малые шумы,
повышенная температурная стабильность, квадратичность переходной (проходной) характеристики,
что позволяет получать малый уровень перекрестных и модуляционных помех по сравнению с
биполярными транзисторами.
Полевые транзисторы по принципу действия подразделяются на транзисторы с управляющим р-п
переходом и МДП-транзисторы (в частности, МОП-транзисторы, имеющие структуру металл-окисел-
полупроводник). Управляющим электродом служит затвор.
В транзисторах с управляющим переходом затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п
переходом. В МОП-транзисторах (их называют также транзисторами с изолированным затвором),
затвор отделен от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используются
пленки двуокиси кремния, нитрида кремния и окиси алюминия.
В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или
р-типа. Например, МОП-транзисторы с каналом n-типа основаны на электронной проводимости
(носители зарядов — электроны), а с каналом р-типа — на дырочной проводимости. У п-канальных
приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, а к выводу истока прикладывается
больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т.е. полярность напряжения стока положи-
положительная), а у р-канальных — наоборот.
Существуют два основных режима работы полевых транзисторов: обеднения (проводимость
канала может быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения
изи) и обогащения (проводимость канала может быть увеличена в результате приложенного напряже-
напряжения U3H определенной полярности). У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе
изи=0 протекает небольшой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Щи,
близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально
закрытыми. В частности, полевые транзисторы с управляющим р-п переходом являются нормально
открытыми; они закрываются (т.е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря-
напряжении, называемом напряжением отсечки.
По конструктивно-технологическим признакам полевые транзисторы подразделяются на приборы
с встроенным и индуцированным каналами. Встроенный канал создается технологическими приемами,
а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в результате воздействия
поперечного электрического поля.
В транзисторах со встроенным каналом (например, 2ПЗО5, 2П313) уменьшение тока на выходе
осуществляется подачей на затвор напряжения с полярностью, соответствующей знаку носителей
заряда в канале (для р-канала U3H>0, для n-канала изи<0), что вызывает обеднение канала носителями
заряда. При изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями
и выходной ток увеличится. Такие приборы могут работать в режимах обеднения и обогащения.
В транзисторах с индуцированным каналом при U3=0 В канал отсутствует и только при
напряжении, равном пороговому, образуется (индуцируется) канал. Такие приборы работают только в
режиме обогащения (нормально закрытый прибор).
В* полевых транзисторах с управляющим р-п переходом канал существует только при U3 = 0, т.е.
они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда
(нормально открытый прибор).
Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов (зависимость тока стока от
напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) подобны характеристикам усилительных
ламповых пентодов.
В отличие от транзисторов с управляющим р-п переходом (у них рабочая область
находится между 0 и изИзап), МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление
при любом значении напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя
изолятора затвора.

Полевые транзисторы 131
Назначение некоторых конкретных типов полевых транзисторов
ЗП320 (А-2, Б-2) — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения
в малошумящих СВЧ усилителях (Кш^4,5-6 дБ на 8 ГГц, Ку,р>3 дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -6О...+85°С.
ЗП324-2 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
работы во входных каскадах СВЧ диапазона (Кш < 5 дБ на 12 ГГц).
ЗП325А-2 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш^2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС.
ЗП328А-2 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш^4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р>9 дБ) в
составе ГИС.
ЗП345А-2 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
работы в малошумящих фотоприемных устройствах (иш^1,4 нВ/^[Гцна 100 МГц).
ЗП602 (А2-Д2) — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне частот
3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -
6О...+85°С.
ЗП603 — арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки
и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобра-
преобразователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц.
ЗП604 (А-2-Г-2) — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены
для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях в диапазоне до 18 ГГц.
ЗП605 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в
малошумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+85°С.
ЗП606 (А-2-В-2) — арсенидгаллиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и
каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобра-
преобразователях частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
ЗП607А-2 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
работы в усилителях мощности и генераторах на частоте 10 ГГц.
ЗП608 — арсенидгаллиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом
n-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в составе
ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц.
ЗП910А-2, ЗП915 (А-2-В-2) — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом п-типа.
Предназначены для работы в усилителях мощности и генераторах в диапазоне 8 ГГц.
ЗП925 (А-2, Б-2) — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены
для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 3,7...4,2 ГГц.
ЗП927-2 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях частоты.
ЗП930-2 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
применения в усилителях и генераторных устройствах сантиметрового диапазона длин волн
(Af=5,7...6,3 ГГц).
ЗП967 — арсенидгаллиевые полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа с
внутренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилите-
усилителях мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
2Ш01 (А-В) — малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором
на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45...+85°С.
2Ш03 (А-Г) — малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей

132 Раздел 3. Полевые транзисторы
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -55...+85°С.
2П201 (А-1-Е-1) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа-
окружающей среды -4О...+85°С. х
2П202 (Д-Е-1) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа-
окружающей среды -4О...+85°С.
2П301 (Б, В) — малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и
нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе-
температур окружающей среды -45...+70 °С.
2П302 (А-В) — высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях
на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
2П303 (А-И) — высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисто-
транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ — в зарядочувствительных
усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружающей
среды -4О...+85°С.
2П304А — диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуци-
индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных каскадах
с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
2П305 (А-Г) — высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы
с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и
низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+125вС.
2П306 (А-Е) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя
изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных
и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружа-
окружающей среды -6О...+ 125°С.
2П307 (А-Г) — малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей
высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувствительных
усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды
-4О...+85°С.
2П308 (А-Д) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения: КП308 (А-В) — во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока;
КП308 (Г-Д) — в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
2П31О (А, Б) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро-
изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устройст-
устройствах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+ 125°С.
2П312 (А, Б) — малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и
преобразовательных каскадах СВЧ диапазона радиоприемных устройств. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -6О...+1ОО°С.
2П313 (А-В) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолирован-
изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высоким
входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды —45...+85вС.

Полевые транзисторы 133
2П322А — малошумящие планарноэпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на
основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных
каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
2П329 (А, Б) — высокочастотные малошумящие полевые транзисторы на основе р-п перехода
с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200
МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
2П341 (А, Б) — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе р-п
перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -6О...+125вС.
2П347А2 — малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затворами,
двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах" радиопри-
радиоприемников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
2П350 (А-В) — диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затво-
затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразова-
преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей среды
-45...+85°С.
2П601 (А, Б) — сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности, планарные полевые
транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во
входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
2П701 (А, Б), 2П702А — мощные полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
применения во вторичных источниках питания, стабилизаторах и преобразователях напряжения,
импульсных устройствах.
2П703 (А, Б) — эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с каналом р-типа. Предназна-
Предназначены для применения в импульсных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-45...+85°С.
2П706 (А-3) — мощные полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом п-типа.
Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источниках
электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды ~40...+85°С.
2П712 (А-В) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных
устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+1ОО°С.
2П802 (А, Б) — мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
каналом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и
линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+85°С.
2П803 (А, Б) — мощные полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для примене-
применения во вторичных источниках питания, стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных
устройствах.
2П901 (А, Б) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах
в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+125вС.
2П902 (А, Б) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
2П903 (А-В) — мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе р-п
перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах
до 30 МГц (в качестве усилителей и генераторов). Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+1ОО°С.
2П904 (А, Б) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначены длячработы в усилительных, преобразовательных и
генераторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -6О...+125вС.
2П905 (А, Б) — мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до
1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.

134 Раздел 3. Полевые транзисторы
2П907 (А, Б) — мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа.
Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.
2П908 (А, Б) — планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до 2,25 ГГц и
быстродействующих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -4О...+85°С.
2П909 (А-В) — мощные полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для работы в
усилительных и генераторных устройствах в диапазоне 400 МГц.
2П911 (А, Б), 2П913 (А, Б), 2П920 (А, Б) — мощные полевые транзисторы с каналом п-типа.
Предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах.
2П919 (А, Б) — мощные полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для"применения
в усилителях мощности. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85°С.
2П923 (А-Г) — мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17...50 Вт на
частоте 1 ГГц.
2П928 (А, Б) — мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзисто-
ры. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до 400
МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -6О...+ 125°С.
2П933 (А, Б) — мощные полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для работы в
линейных и широкополосных усилителях и автогенераторах с Рвых ^ 60 Вт на f = 1 ГГц.
2П937 (А, А-5) — мощные планарные полевые транзисторы с р-n переходом и вертикальным
каналом п-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобразо-
преобразователях напряжения, импульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-6О...+125°С.
2П938 (А-Д) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-n переходом и
вертикальным каналом п-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках
электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях
низкой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -6О...+ 125°С.
2П941 (А-Д) — мощные полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения
в генераторных устройствах на частоте 400 МГц.
2ПС104 (А-Е) — сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзисто-
транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей
постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей
среды -45...+85°С.
2ПС202 (А2-Г2) — сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные
малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом п-типа. Предназна-
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите-
усилителей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением
(например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже
транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с
защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом
(минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее
0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более 3°С/мВт. При
пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен
превышать +125°С. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+7О°С.
2ПС316 (Д1-И1) — сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом п-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных
каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на индивидуальной
или групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -4О...+85°С.

Полевые транзисторы
135
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов в соответствии со стандартом МЭК
(публикация 747-8, 1984 г.) приводятся ниже.
Буквенное обозначение по ГОСТ 19095-73
отечественное
1з
13 отс
1з пр
Ьут
1зио
1зсо
1и
1Инач
1Иост
1с
1С нагр
1С нач
ICoct
In
и3и
U3H обр
изй отс
U3H пор
U3H пр .
U3 проб
Usn
Use
иИп
иСи
Ucn
U31-U32
U32 И отс
Реи
РСИ, т max
S
S32
Изи
йзе
R3C0
международное
Ig
Iqsx
Igf
Igss
Igso
Igdo
Is
ISDS
ISDX
Id
Idsr
Idss
Idsx
Ib.Iu
Ugs
Ugsr
Ugs(OFF), UGS(off)
UgsT, UGS(th), UgS(TO)
Ugsf
U(BR) GSS
Ugb, Ugu
Ugd
Usb, Usu
Uds
Udb, Udu
UQ1-UG2
Pds
—
gms
rGS« rgs »
rGD> rS<*
rGSS» rgss
Параметр
Ток затвора (постоянный).
Ток отсечки затвора.
Прямой ток затвора.
Ток утечки затвора.
Обратный ток перехода затвор-исток.
Обратный ток перехода затвор-сток.
Ток истока (постоянный).
Начальный ток истока.
Остаточный ток истока.
Ток стока (постоянный).
Ток стока при нагруженном затворе.
Начальный ток стока.
Остаточный ток стока.
Ток подложки.
Напряжение затвор-исток (постоянное).
Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором
и истоком (полевого транзистора с р-n переходом и с изолирован-
изолированным затвором) с каналом п-типа.
Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затво-
затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором)
с каналом п-типа.
Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-ис-
затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Напряжение затвор-сток (постоянное).
Напряжение исток-подложка (постоянное).
Напряжение сток-исток (постоянное).
Напряжение сток-подложка (постоянное).
Напряжение затвор-затвор (для приборов с несколькими
затворами).
Напряжение отсечки по второму затвору
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
(постоянная).
Крутизна характеристики.
Крутизна характеристики на втором затворе.
Сопротивление затвор-исток.
Сопротивление затвор-сток.
Сопротивление затвора (при Uds=0 или Uds=O).

136
Раздел 3. Полевые транзисторы
Буквенное обозначение по ГОСТ 19095-73
отечественное
Rch
RCH отк
Rch закр
Сзио
Сзсо
Ссио
Спи. Свх, и
С12и
С22и
С22с
gllH
g22H
Yhh
У12и
Y21h
Y22h
Ку.Р
fY2lH
Ещ
—
—
teiui
teblKJI
t3A,BUt
t3A,BbllCn
t«p
ten
S|1h
международное
rDS> Tds
rDS(ON)« rds(on), Г on
rDS(OFF)' rds(off), rDS off
Cgso
Cgdo
Cdso
Ciss» Cllss
Crss, Cl2ss
Coss, C22ss
Cods, C22ds
giss, glls
goss, g22s
Yis, Yns
Yrs, Yi2s
Yfs, Y2ls
Yos, Y22s
Gp
fYfs
Un
F
«ID
ards
ton
toff
td(on)
td(off)
tr
tf
Параметр
Сопротивление сток-исток.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление
между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при
заданном напряжении сток-исток.
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление
между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при
заданном напряжении сток-исток.
Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и исто-
истоком.
Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
Выходная емкость транзистора — емкость между стоком и исто-
истоком.
Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании
на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменно-
переменному току).
Активная составляющая входной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто-
истоком при коротком замыкании на выходе).
Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на входе).
Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yfc=gfc+gbfs=lD/UGs; на НЧ |Yfs|=gfs).
Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы-
замыкании на входе).
Коэффициент усиления по мощности.
Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Шумовое напряжение транзистора.
Коэффициент шума транзистора.
Температурный коэффициент тока стока.
Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
Время включения транзистора.
Время выключения транзистора.
Время задержки включения.
Время задержки выключения.
Время нарастания.
Время спада.
Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим истоком.

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
137
Буквенное обозначение по ГОСТ 19095-73
отечественное
Sl2H
S22h
Ln
Лс
международное
Параметр
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим
истоком.
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим истоком.
Индуктивность потока.
КПД стока.
''-¦ •<Для сдвоенных под1евык*трйнзистороге::7/";?"' k*SJ?&>- ':*'.. . -:v;. :'-K-*-'u- ->¦ .
1з(утI-1з(утJ
1Снач1/1Снач2
изи1-изи2
|AU3H1-U3H2)I/AT
g22«l-g22H2
g2lHl/g2lH2
Igssi-Igss2
Idssi/Idss2
Ugsi-Ugs2
|a(UGsi-Ugs2)I/AT
gosl-gos2
gfsl/gfs2
Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изоли-
изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых
транзисторов с р-n переходом)
Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток
Разность напряжения затвор-исток
Изменение разности напряжений-затвор-исток между двумя значе-
значениями температуры
Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в
схеме с общим истоком
Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме
малого сигнала в схеме с общим истоком

138
Раздел 3. Полевые транзисторы
3.2. Параметры полевых транзисторов
Параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов
ЗП320А-2
ЗП320Б-2
ЗП321А-2
ЗП324А-2
ЗП324Б-2
ЗП324В-2
ЗП325А-2
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
-60...+85
-60...+85
-60...+70
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
80
80
30
80
80
80
25
1.5...4.5
4
4; 8*
4; 8*
3;4*
4
4
4
2,5; 5.*
5
5
3*
3
3
3
3,5

Параметры полевых транзисторов
139
Параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов
5...16 A,5 В)
5...16 A,5 В)
0.18; 0,15*
0,15*; 0,18**
?3* (8 ГГц)
?5* (8 ГГц)
<4,5 (8 ГГц)
<6 (8 ГГц)
ЗП32О-2
03
<—»
*5 B В; 8 мА)
?3* (8 ГГц)
2,8 (8 ГГц)
ЗП321А-2
03
$
15...40 A5 мА)
15...40 A5 мА)
15...40 A5 мА)
?6* A2 ГГц)
?6* A2 ГГц)
?6* A2 ГГц)
?1,5 A2 ГГц)
<2 A2 ГГц)
<2,5 A2 ГГц)
ЗП324-2
?8 A,5 В; 10 мА)
?5* (8 ГГц)
<2 (8 ГГц)
ЗП325А-2

140
Раздел 3. Полевые транзисторы
ЗП325А-5
ЗП326А-2
ЗП326Б-2
ЗП326А-5
ЗП328А-2
ЗП328А-5
ЗПЗЗОА-5
ЗПЗЗОА-2
ЗПЗЗОБ-2
ЗПЗЗОВ-2
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с двумя затворами
с п-каналом
С барьером Шотки,
с двумя затворами
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
25
30
30
30
50
50
30
30
30
30
4
1...4
1...4
1...4
4
4
1.5...4.5
1,5...4,5
1,5...4,5
1,5...4,5
2,5; 5*
2,5; 5,5*
2,5; 5,5*
2,5; 5,5*
6
6
3;6*
3;6*
3;6*
3;6*
3,5
4
4
4
4; 6
4; 6
4
4
4
4
15...50
15...50
15...50
15...50
—

Параметры полевых транзисторов
141
?8 A,5 В; 10 мА)
?5* (8 ГГц)
<2 (8 ГГц)
ЗП325А-5
0,47 0,15
о у
?8* B В; 8 мА)
?8* B В; 8 мА)
?3* A7,4 ГГц)
>3* A7,4 ГГц)
<4,5 A7,4 ГГц)
<5,5 A7,4 ГГц)
ЗП326-2
*8* B В; 8 мА)
?3* A7,4 ГГц)
^4,5 A7,4 ГГц)
ЗП326А-5
0,47 0,15
*¦ »i к
?8* D В; 8 мА)
>9* (8 ГГц)
<3,5 (8 ГГц)
ЗП328А-2
?8* D В; 8 мА)
>10* (8 ГГц)
<1,4 A ГГц)
ЗП328А-5
0,47 0,15
см ¦
° J'
>5 E кГц)
<3 A7,4 ГГц)
ЗПЗЗОА-5
0,5
<—»
0,15
>5 E кГц)
?5 E кГц)
>5 E кГц)
>3* A7,4 ГГц)
>3* B5 ГГц)
>б* B5 ГГц)
<6 B5 ГГц)
<4,5 B5 ГГц)
<3,5 B5 ГГц)
ЗПЗЗОА-2

142
Раздел 3. Половые транзисторы
ЗП330В1-2
ЗП330В2-2
ЗПЗЗОВЗ-2
ЗП331А-2
ЗП331А-5
ЗП339А-2
ЗП343А-2
ЗП343А1-2
ЗП343А2-2
ЗП343АЗ-2
ЗП344А-2
ЗП344А1-2
ЗП344А2-2
ЗП344АЗ-2
ЗП344А4-2
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-ВО...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
888
250
250
250
35
35
35
35
88888
1.5...4.5
1.5...4.5
1,5...4,5
2,5...5
2,5...5
5
2...4
2...4
2...4
2...4
—
5; 7*
5; 7*
5; 7*
5,5; 8*
5,5; 8*
5,5; 7*
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; 6*
4,5; 7*
5; 7*
5; 7*
5; 7*
5; 7*
4
4
4
5
5
5
3
3
3
3
4
4
4
4
4
15...50
15...50
15...50
—
—
—
100...150
?100 C В)
50...90
?20 B В)
?20 B В)
?20 B В)
?20 B В)
—

Параметры полевых транзисторов
143
?20 E кГц)
?20 E кГц)
?20 E кГц)
?8* A7,4 ГГц)
?8* A7,4 ГГц)
?8* A7,4 ГГц)
<2 A7,4 ГГц)
<1,5 A7,4 ГГц)
<1 A7,4 ГГц)
ЗПЗЗОВ1-2
?25 E кГц)
?5* (Ю ГГц)
?45** A0 ГГц)
<2,8 A0 ГГц)
?15* D В; 40 мА)
?5,5* A0 ГГц)
?45* * A0 ГГц)
<2,8 A0 ГГц)
ЗП331А-5
0,5 0,17
*¦ >i к
?10 E кГц)
?5* A7,4 ГГц)
?15** A7,4 ГГц)
<4 A7,4 ГГц)
?10 E кГц)
?20 E кГц)
?20 E кГц)
?20 E кГц)
?8,5* A2 ГГц)
?8,5* A2 ГГц)
?8,5* A2 ГГц)
?8,5* A2 ГГц)
<2 A2 ГГц)
<1,1 A2 ГГц)
<1,1 A2 ГГц)
<0,9 A2 ГГц)
ЗП343-2
?15 E кГц)
?40 E кГц)
?40 E кГц)
?40 E кГц)
?40 E кГц)
?10 D ГГц)
?10 D ГГц)
?10 D ГГц)
?10 D ГГц)
?15 A ГГц)
<1 D ГГц)
<0,7 D ГГц)
<0,5 D ГГц)
<0,3 D ГГц)
<0,3 A ГГц)
ЗП344-2
ЗП339А-2

144
Раздел 3. Полевые транзисторы
ЗП345А-2
ЗП345Б-2
ЗП345А-5
ЗП351А-2
ЗП351А-5
ЗП353А-5
ЗП372А-2
ЗП373А-2
ЗП373Б-2
ЗП373В-2
ЗП376А-5
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом,
с двумя затворами
С барьером Шотки,
с п-каналом,
с двумя затворами
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
НЕМТ
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
НЕМТ
с п-каналом
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60.. .+85
-6O...+85
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
80
80
80
\
75
75
30
60
100
100
100
40
2...4
•1...-2,5^
—
4
4
4
5,5
5.5
4; 4,5*
3;6*
4,5; -7
4,5; -7
4,5; -7
3
2
2
2
-9
9
3
3
3
3
1.5
—
20...60
20...60
20.. .60
20...50
—

Параметры пояевьгх йфднзисторов
145
?15 B В; 20 мА)
?25 B В; 20 мА)
?0,35 B В)
?0,35 B В)
?2,8** C0 МГц)
?2,5** C0 МГц)
?15 B В; 20 мА)
?0,35 B В)
?2,8** C0 МГц)
?1,4** @,1 ГГц)
ЗП345А-5
0,47 0,15
?8 C В; 10 мА)
?9*
?4,5 A2 ГГц)
ЗП351А-2
?5,5 A7,5 ГГц)
8...13 C В; 8 мА)
>6*
?4 C7 ГГц)
ЗП353А-5
0,47 0,15
*—Н »! К
10...35 B,5В; ЮмА)
?30 C В; 20 мА)
?30 C В; 20 мА)
?30 C В; 20 мА)
>7«
?12,5* D ГГц)
?12* D ГГц)
?11* D ГГц)
?1,5 A5 ГГц)
?0,4 D ГГц)
?0,5 D ГГц)
?0,6 D ГГц)
ЗП372А-2, ЗП373-2
§1
а
?12 C В)
?5*
?4 F0 ГГц)
ЗП376А-5
0,4 0,1

146
Раздел 3. Полевые транзисторы
ЗП384А-5
ЗП602А-2
ЗП602Б-2
ЗП602В-2
ЗП602Г-2
ЗП602Д-2
ЗП602Б-5
ЗП602Д-5
ЗП603А-2
ЗП603Б-2
ЗП603А1-2
ЗП603Б1-2
ЗП603А-5
ЗП603Б-5
ЗП604А-2
ЗП604Б-2
ЗП604В-2
ЗП604Г-2
n-канал НЕМТ
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60.. .+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
550
900
900
900
1800
1800
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
900
900
500
500
1 1 1 1 1
—
—
—
—
7
7
7
7,5
7,5
—
—
—
7
7
7
7
3
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
со со
ел ел
со со
ел ел
3,5
3,5
со со со со
—
—
—
—
1 1 1 1
>220 C В)
?180C В)
?110C В)
>440 C В)
?360 C В)
400; 5*
400; 5*
400; 5*
400; 5*
400; 5*
400:5*
1 1 1 1

Параметры полевых транзисторов
147
30...42 C В; 50 мА)
?0,06** C7 ГГц)
?4*
ЗП384А-5
0,45 0,1
20...100BВ)
20...80 B В)
20...70 B В)
40...200 B В)
40...160 B В)
?0,18** A2 ГГц)
?2,6* A2 ГГц)
?0,1** A2 ГГц)
?3* A2 ГГц)
>0,2** (8 ГГц)
?3* (8 ГГц) •
?0,4** A0 ГГц)
>2,6* A0 ГГц)
>0,5** (8 ГГц)
?3* (8 ГГц)
ЗП602
20...100 B В)
40...160 B В)
ЗП602-5
0,45
0,1
О w
?50 C В; 0,4 А)
?80 C В; 0,4 А)
<4
?3* A2 ГГц)
?0,5** A2 ГГц)
<4; ?3*; ?1**
0,24
0,24
ЗП603-2
Маркировка
9 yf ,.
Сток
?50 C В; 0,4 А)
?80 C В; 0.4 А)
<4
?3* A2 ГГц)
?0,5** A2 ГГц)
?4;?3*;?1**
0,24
0,24
ЗП603
г~ч^А
Маркировка
?50 C В; 0,4 А)
?80 C В; 0,4 А)
?4
?3* A2 ГГц)
?0,5** A2 ГГц)
<4;?3*;?1**
0,24
0,24
ЗП603-5
0,45 0,1
0,45
1
I
U
20...40О В; 0,1 А)
15...40 C В; 0.1 А)
10...20 C В; 50 мА)
10...20 C В; 50 мА)
?3* A7,4 ГГц)
?0,2** A7,4 ГГц)
?3A7,4 ГГц)
?0,125** A7,4 ГГц)
?3* A7,4 ГГц)
?0,075** A7,4 ГГц)
?3* A7,4 ГГц)
?0,005** A7,4 ГГц)
ЗП604-2

148
Раздел 3. Полевые транзисторы
ЗП604А1-2
ЗП604Б1-2
ЗП604В1-2
ЗП604П-2
ЗП604А-5
ЗП604Б-5
ЗП604В-5
ЗП604Г-5
ЗП605А-2
ЗП605А-5
ЗП606А-2
ЗП606Б-2
ЗП606В-2
ЗП606Б-5
ЗП606В-5
ЗП607А-2
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+85
-60...+85
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
900
900
500
500
900
900
500
500
450
450
2*
2*
2*
2*
2*
3,5*
1 1 1 1
1 1 1 1
<5,5
<5,5
—
—
7
7
7
7
7
7
7
7
6,8
6,8
8
8
8
8
8
8
со со со со
СО СО СО СО
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
-3,5
1 1 1 1
1 1 1 1
-
—
—
1 1 1 1
1 1 1 1
>150 C В)
' >150 C В)
160; 5*
160; 5*
160; 5*
160; 5*
160; 5*
?160; 5*

Параметры полевых транзисторов
149
2О...40(ЗВ;О.1 А)
15...40 C В; 0,1 А)
10...20 C В; 50 мА)
10...20 C В; 50 мА)
?3* A7,4 ГГц)
2Ю.2** A7,4 ГГц)
>3 A7,4 ГГц)
?0,125** A7,4 ГГц)
?3* A7,4 ГГц)
?0,075** A7,4 ГГц)
?3* A7,4 ГГц)
?0,005** A7,4 ГГц)
ЗП604
20...40 C В; 0,1 А)
15...40 C В; 0,1 А)
10...20 C В; 50 мА)
10...20 C В; 50 мА)
?3* A7,4 ГГц)
?0,2** A7,4 ГГц)
>з A7,4 то
?0,125** A7,4 ГГц)
?3* A7,4 ГГц)
?0,075** A7,4 ГГц)
?3* A7,4 ГГц) •
?0,005** A7,4 ГГц)
ЗП604
?30 D В; 30 мА)
<3,5 (8 ГГц)
>8* (8 ГГц)
?0,1** (8 ГГц)
<3,5 (8 ГГц)
ЗЛ605А-2
?30 D В; 30 мА)
<3,5 (8 ГГц)
?8* (8 ГГц)
?0,1** (8 ГГц)
^3,5 (8 ГГц)
ЗП605А-5
0.45 0,1
3 *
?70 C В; 0,25 А)
?90 C В; 0,25 А)
?100 C В; 0,25 А)
3E В)
3E В)
3E В)
?4* A2 ГГц)
?0,4** A2 ГГц)
?6* A2 ГГц)
?0.4** A2 ГГц)
?5* A2 ГГц)
?0.75** A2 ГГц)
tH=100
tM=100
tH=100
ЗП606
Маркировка
Сток
?90 C В; 0,25 А)
?100 C В; 0,25 А)
3E В)
3E В)
?6* A2 ГГц)
?0,4** A2 ГГц)
?5* A2 ГГц)
?0.75** A2 ГГц)
tH=100
tH=100
ЗП606-5
?80 C В)
?1** A0 ГГц); ?4,5*
ЗП607А-2
2
+
. 4.г
tt.s
3
з1

150
Раздел 3. Полевые транзисторы
ЗП608А-2
ЗП608Б-2
ЗП608В-2
ЗП608Г-2
ЗП608А-5
ЗП608Д-5
ЗП608Е-5
ЗП910А-2
ЗП910Б-2
ЗП910А-5
ЗП910Б-5
ЗП915А-2
ЗП915Б-2
ЗП925А-2
ЗП925Б-2
ЗП925В-2
ЗП925А-5
ЗП927А-2
ЗП927Б-2
ЗП927В-2
ЗП927Г-2
ЗП927Д-2
С п-каналом
С п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С барьером Шотки,
с п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
С п-каналом
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
3,5*
3,5*
3,5*
3,5*
3,5*
3,5*
3,5*
3*
3*
3*
3*
12*
12*
7*
7*
16*
7*
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
—
—
—
—
7
7
7
7
7
—
—
7
7
7
7
7
7
9
9
9
9
—
-3
-3
-3
-3
—
3,5
3,5
3,5
3,5
-5
-5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
—
—
—
—
—
800...2000
800...2000
800...2000
800...2000
18ОО...ЗООО
1800...3000
3600...6000
<ЗА
—

Параметры полевых транзисторов
151
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
ЗП608-2
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
>15 C В; 50 мА)
>4* C7 Гц)
>0,03** C7 ГГц)
>3,5* C7 ГГц)
>0,15** C7 ГГц)
>4* C7 ГГц)
?0,01* C7 ГГц)
ЗП608-5
0,52 0,15
>50 C В)
?200 C В)
>3*; >0,5** (8 ГГц)
>3*;>1** (8 ГГц)
W
ЗП910
8
//.*
ffi
Ж
о
>100 C В)
^100 C В)
>3*; >0,5** (8 ГГц)
>3*;?1** (8 ГГц)
ЗП910-5
0,52
^—а-
°*Jf
0,15
>350A,5В;0,5 А)
>300A,5В;0,5 А)
>5** (8 ГГц); ?3*
>3** (8 ГГц); >3*
ЗП915
>2** C,7...4,2 ГГц)
>2** D.3...4.8 ГГц)
>5** C.7...4.2 ГГц)
ЗП925-2
500C В; 1,8 А)
>3** D,2 ГГц)
>7* D,2 ГГц)
ЗП925-5
0,68
>*—*•
0,15
50...150 C В; 0,4 А)
50...200 C В; 0.4 А)
50...200 C В; 0,4 А)
50...200 C В; 0,4 А)
50...200 C В; 0.4 А)
>3*;
>5*;
>5*;
>3*;
?3*;
?0,5*'
>0,5*
?0,6*'
>0,7*
>0,5*
* A7.4ГГц)
* A7,4ГГц)
* A7,4ГГц)
> A7,4ГГц)
* A7,4ГГц)

152
Раздел 3. Полевые транзисторы
ЗП929А-2
ЗП930А-2
ЗП930Б-2
ЗП930В-2
С п-каналом
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
14*
21*
21*
21*
—
8
8
8
8
-5
-5
-5
-5
—
23,5 А; 15*
?4,5; <15*
<4,5; <15*
<4,5; <15*
Параметры кремниевых полевых транзисторов
2Ш01А
2П101Б
2П101В
2П103А
2П103Б
2П103В
2П1ОЗГ
2П103Д
2П103АР
2П103БР
2П103ВР
2П103ГР
2П103ДР
2П201А-1
2П201Б-1
2П201В-1
2П201Г-1
2П201Д-1
2П201Е-1
2П201Ж-1
2П202Д-1
2П202Е-1
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
п-канал
п-канал
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+ 125
-60...+125
50
50
50
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
60
60
60
60
60
60
60
60
60
5
5
8
0,5...2,2
0,8...3
1,4...4
2...6
2,8...7
0,5...2,2
0,8...3
1,4...4
2...6
2,8...7
0,4...1,4
0,5...2,2
0,8...3
1,4...4
2...6
2...6
2...6
10
10
10
10; 15*
10; 15*
10; 15*
10; 17*
10; 17*
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
15
15
20
20
—
—
—
—
0,3...1
0.7...2.2
0.5...5
0,55...1,2
1...2.1
1,7...3.8
3...6.6
5,4...12
0,55.-1,2
1...2.1
1,7...3,8
3...6.6
5,4...12
0,3...0,65
0.55...1,2
1...2.1
1,7...3,8
3...6
2,1
3,8
1,5
3

Параметры полевых транзисторов
153
?1000 C В; 4 А)
>4,5*; ?4** (8,4 ГГц)
ЗП929А-2
>1000 C В; 4 А)
>1000 C В; 4 А)
?1000 C В; 4 А)
>5** E,7...б,3 ГГц)
>7,5** E,7...6,3 ГГц)
?10** E,7...6,3 ГГц)
ЗП930
Параметры кремниевых полевых транзисторов
0,3
0,3
0.5
12; 2,7*
12; 2,9*
12; 3*
<5 A кГц)
<5A кГц)
<10A кГц)
3**
3**
3**
3**
3**
250***
250***
300***
300***
300***
2П103АР
0,4...1,8
0.7...2.1
0.8...2.6
1.4.-3,5
1.8...3.8
1...2.6
1.4...3.5
17; 8*
17; 8*
17; 8*
17; 8*
17; 8*
17; 8*
17; 8*
<3 A кГц)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
<3 A кГц)
2П201-1
0,65
1
2П202-1
W
и
0.5
00,01 30°ijp

154
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П301А
2П301Б
2П301В
2П301А-1
2П301Б-1
2П301В-1
2П301А-5
2П302А
2П302Б
2П302В
2П302А-1
2П302Б-1
2П302В-1
2П303А
2П303Б
2П303В
2П303Г
2П303Д
2П303Е
2П303И
2П304А
2П305А
2П305Б
2П305В
2П305Г
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
р-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
С изолированным
затвором и индуци-
индуцированным каналом
р-типа
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
-60...+85
-60.. .+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
200
200
200
200
200
200
200
300
300
300
300
300
300
200
200
200
200
200
200
200
200
150
150
150
150
2,7...5,4*
2,7.. .5,4*
>2,7*
2,7...5,4*
2,7...5,4*
2,7*
2,7...5,4*
<7
<10
<5
<7
<10
0,5...3
0,5...3
1...4
<8
<8
<8
1...3
>5*
?6
?6
?6
>6
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
15; ±30*
15; ±30*
15; ±30*
15; ±30*
30
30
30
30
30
30
30
10
10
12
10
10
12
30
30
30
30
30
30
30
30
±30
±30
±30
±30
15
15
15
15
15
15
15
24
43
24
43
20
20
20
20
20
20
20
30
15
15
15
15
<0,5 мкА
<0,5 мкА
<0,5 мкА
<0,5 мкА
?0,5 мкА
<0,5 мкА
<0,5 мкА
3...24
18...43
33...66
3...24
18...43
33...66
0.5...2,5
0,5...2.5
1.5...5
3...12
3...9
5...20
1.5...5
<0,2 мкА
1* мкА
1* мкА
1* мкА
1* мкА

Параметры полевых транзисторов
155
1...2.6
1...2.6
?l A5 В; 5 мА)
<5 A00 МГц)
2П301
1...2.6
1...2.6
?1
<3,5
<3,5
?3.5
<5 A00 МГц)
2ПЗО1-1
И
?1
<3,5
<5 A00 МГц)
О I
2П301-5
0,47 0,15
¦<—*н >i к
5...12
7...14
20**
20**
20* *
<150
<150
<150
<2,75 A кГц)
<2,75 A кГц)
<2,75 A кГц)
<4; <5*
<4; <5*
<4; <5*
2П302А
09.2
5...12
7...14
20**
20**
20**
<150
<150
<150
<2,75A кГц)
<2,75 A кГц)
?2,75 A кГц)
<4; <5*
<4; <5*
^4; <5*
2П302А-1
1...4
1...4
2...5
3...7
?2,6
?4
2...6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
<6
30** B0 Гц)
20** A к-Гц)
20** A кГц)
2П303А
<F«10"")***
<4 A00 МГц)
<4 A00 МГц)
<4 A00 МГц)
Корп.
>4 A0 В; 10 мА)
<9; <6**
<100
2П304
6...10 A0 В; 5 мА)
6...10 A0 В; 5мА)
6...10 A0 В; 5мА)
6...10 A0 В; 5мА)
<5
<5
<5
<5
?13 B50 МГц)
?13 B50 МГц)
?13 B50 МГц)
?13 B50 МГц)
<6,5 B50 МГц)
<6,5 B50 МГц)
2П305
05,84
v*—*i
Под/i.
корп.

156
Раздел 3, Полевые транзисторы
2П305А-2
2П305Б-2
2П305В-2
2П305Г-2
2П306А
2П306Б
2П306В
2П306Г
2П306Д
2П306Е
2П307А
2П307Б
2П307В
2П307Г
2П307Д
2П308А
2П308Б
2П308В
2П308Г
2П308Д
2П308А-1
2П308Б-1
2П308В-1
2П308Г-1
2П308Д-1
2П308А-9
2П308Б-9
2П308В-9
2П308Г-9
2П308Д-9
2П308Е-9
2П310А
2П310Б
2П312А
2П312Б
п-канал
л-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
С изолированным
затвором и кана-
каналом п-типа
п-канал
п-канал
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-6O...+125
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
80
80
80
80
150
150
150
150
150
150
250
250
250
250
250
60
60
60
60
60
60
60
60
60
- 60
80
80
80
80
80
80
80
80
100
100
?6
?6
?6
>6
0,8...4
0,2...4
1,3...6
0,8...4
0,2...4
1,3...6
0,5...3
1...5
1...5
1,5...6
1,5...6
0,2...1,2
0,3...1,8
0,4...2,4
1...6
1...3
0,2...1,2
0,3...1,8
0.4...2.4
1...6
1...3
0,2...1,2
0,3...1,8
0,4...2,4
1...6
1...3
0.2...6
2...8
0.8...6
15; ±30*
15; ±30*
15; ±30*
15; ±30*
20
20
20
20
20
20
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
8; 10*
8; 10*
20
20
±30
±30
±30
±30
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
10
10
25
25
15
15
15
15
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
25
25
1* мкА
1* мкА
1* мкА
1* мкА
?5* мкА
<5* мкА
<5* мкА
<5* мкА
?5* мкА
<5* мкА
3...9
5...15
5...15
8...24
8...24
0,4...1
0,8...1,6
1.4...3
0,4...1
0,8...1.6
1,4...3
0.4...1
1.4...3
1,4...3
6
0,35...5
0.35...5
i
8...25
1.5...7

Параметры полевых транзисторов
157
6...10 00В; 5мА)
6...Ю(ЮВ;5мА)
6...Ю(ЮВ;5мА)
6...10 A0 В; 5 мА)
6.8
6,8
6,8
6,8
12*
12"
12*
12"
<6 B50 МГц)
<б B50 МГц)
<6 B50 МГц)
<6 B50 МГц)
2ПЗО5А-2
3...8 A5 В; 5 мА)
3...8 A5 В; 5 мА)
3...8 A5 В; 5 мА)
3...8 A5 В; 5 мА)
3...8 A5 В; 5 мА)
3...8 A5 В; 5 мА)
10*
10*
10*
10*
10*
10*
<6 B00 МГц)
<6 B00 МГц)
<б B00 МГц)
<8 B00 МГц)
<8 B00 МГц)
<8 B00 МГц)
2П306
*,
4...9
5...10
5...10
6...12
6... 12
<6 @,4 ГГц)
<20** A кГц)
<2,5** A кГц)
<6 @,4 ГГц)
<2,5** A кГц)
<б @,4 ГГц)
2ПЗО7
1...4
1...4
2...5
20**
20* *
20**
2П308-1
<250
<500
<20
<20
1...4
1...4
2...5
20**
20* *
2П308-1
<250
<500
<20
<20
1...4
1...4
2...5
>1
20**
20**
20**
2П308-9
3
<250
<500
<20
^20
3...6
3...6
<2,5
^2.5
>5* A ГГц)
?5* A ГГц)
^6 A ГГц)
?7 A ГГц)
2П310
4...5.8
2...5
?2*
S2*
<4 @,4 ГГц)
<6 @,4 ГГц)

158
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П312А-5
2П312Б-5
2П313А
2П313Б
2П313В
2П322А
2ПЗЗЗА
2ПЗЗЗБ
2ПЗЗЗВ
2ПЗЗЗГ
2П334А
2П334Б
2П335А-2
2П335Б-2
2П336А-1
2П336Б-1
2П337АР
2П337БР
2П338АР-1
2П340А-1
2П340Б-1
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
С двумя затворами,
с р-п переходом
и п-каналом
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
С р-п-переходом,
с п-каналом
С р-п-переходом,
с п-каналом
С р-п-переходом,
с п-каналом
С р-п-переходом,
с п-каналом
С р-п-переходом,
с п-каналом
С р-п-переходом,
с п-каналом
-60...+ 125
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-45...+85
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
50
50
120
120
120
200
250
250
250
250
200
200
100
100
60
60
200
200
60
60
60
2...8
0.8...6
>6
>6
>6
1...8
0,6...4
1...8
0,6...4
0,3...2
2...8
2...8
0,8...6
0,4...2,5
1,5...6
2...6
2...6
0,2...4,5
0,4...2,5
1.5...6
20; 25*
20; 25*
15
15
15
20
50
40
50
40
25; 30*
25; 30*
20; 25*
20; 25*
25
25
25; 30*
25; 30*
20
25
25
25
25
10
10
10
25
45
35
45
35
30
30
25
25
30
30
30
30
25
25
15
15
15
1 1 о о о о
25
25
—
5
5
8...25
1,5...7
—
5...42
?1 мкА
<1 мкА
<1 мкА
<1 мкА
8...25
1.5...7
—
20...87
20...87
о
—

Параметры полевых транзисторов
159
24
22
<4
<4
?2* D00 МГц)
22* D00 МГц)
?4 D00 МГц)
<6 D00 MFu)
со.
2П312А-5
0,35 0,12
5...10
5...10
5...10
<6,8; 0,8*
<6,8; 0,8*
<б,8; 0,8*
300**
300**
300**
2П313
Z2. 3
СИЗ
4...6.3
<6; <0,2*
<6 B50 МГц)
2П322
А
4...5,8 A0 В)
2...5
4...5,8
2...5
4...16.5 A0 В)
6...21 A0 В)
<6 A0 В)
<6 A0 В)
<6 A0 В)
<6 A0 В)
<6A0В)
<6 A0 В)
20** G5 Гц)
20** G5 Гц)
<14** A кГц)
<14** A кГц)
<20** A кГц)
<5,5**B00 МГц)
200**
200**
200**
200**
2ПЗЗЗ, 2П334
>4
^2
<4;<Г
<4
^1,8*
>1,8*
<4 D00 МГц)
<б D00 МГц)
2П335-2
13.8 10
?4 A0 В)
24 A0 В)
6 A0 В)
6 A0 В)
<20** A кГц)
2П336-1
210
210
<5,5
<5.5
?200***
<200***
<1,5**A00кГц)
?3,5**A00 кГц)
<400***
<400***
2П337Р
25
<5
<5**A кГц)
2П338Р
24 A0 В)
22 A0 В)
<20** A кГц)
<20** A кГц)
2П340А-1

160
Раздел З.Полеаы* транзисторы
2П341А
2П341Б
2П347А-2
2П350А
2П350Б
2П601А
2П601Б
2П601А9
2П609А
2П609Б
2П609А-5
2П609Б-5
п-канал
п-канал
С двумя изолиро-
изолированными затворами,
с п-каналом
С двумя изолиро-
изолированными затворами
и встроенным
п-каналом
п-канал
п-канал
С р-п переходом
и п-каналом
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+85
-60...+85
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
-6O...+125
-60...+125
-60...+125
150
150
200
200
200
2*
2*
1 Вт
1.2*
1.2*
1,2*
1,2*
0,4...3
0,4...3
-0,1...-0,3*
<;б
?6
4...9
6...12
4...12
6...8
3...6
6...8
3...6
15; 15*
15; 15*
14; 16*
15
15
20; 20*
20; 20*
25
25
20
25
20
10
10
5
15
15
15
15
25
25
20
25
20
30
30
190
190
190
190
190
4.5...20
16...30
<5
<3,5
?3,5
169...400
169...400
169...400
100...190
60...110
100...190
60...110

Параметры полевых транзисторов
161
?15 E В)
?18 E В)
<5
<5
<1,2** A00 кГц)
1,8 B00 МГц)
2П341А
?10 A0 В; 10 мА)
<3,5; <0,04*
?12* @,8 ГГц)
<3,9 (800 МГц)
2П347А-2
1,8
пг
32
6...И
6...П
<6
<б
<б D00 МГц)
<б D00 МГц)
2П350
50...87
50...87
<б
<6
?2** A00 кГц)
•<2** A00 кГц)
50...87
<10; <3,2*
5 D00 МГц);
3 B00 МГц)
2П601А9
!Ai
>30
?25
<10; <3,2*
<10; <3,2*
5 D00 МГц);
3 B00 МГц)
5 D00 МГц);
3 B00 МГц)
?30
?25
<10; <3,2»
<10; <3,2*
5 D00 МГц);
3 B00 МГц)
5 D00 МГц);
3 B00 МГц)
2П6О9-5
0,77
0,2
О и

162
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П701А
2П701Б
2П702А
2П703А
2П703Б
2П706А
2П706Б
2П706В
2П712А
2П712Б
2П712В
2П712А-5
2П712Б-5
2П712В-5
2П762А
2П762В
2П762Д
2П762Ж
2П762К
2П762Л
2П762М
2П762Н
С изолированным
затвором,
с п-каналом
С изолированным
затвором,
с п-каналом
С изолированным
затвором,
с р-каналом
С изолированным
затвором,
с п-каналом
С изолированным
затвором,
с р-каналом
С изолированным
затвором,
с р-каналом
С изолированным
затвором,
с п-каналом
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
40*
40*
50*
60*
60*
100*
100*
100*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
80*
80*
80*
80*
60*
60*
80*
80*
4...9*
4...9*
-2...-5*
-2...-5*
-2...-5*
-2...-5*
-2...-5*
-2...-5*
2...5*
2...5*
2...5*
2...5*
1,5...4*
1.5...4*
2...5*
2...5*
500
400
300; 320*
-150
-100
500
400
400
-80
-100
-100
-80
-100
-100
100
100
150
150
100
200
60
200
25
25
30
30
30
30
30
30
±20
±20
±20
±20
±20
±20
15
15
15
15
15
15
15
15
5...17 А
5...17 А
8...16 А
12...25 А
12...25 А
15 А
15 А
15 А
18...27 А
18...27 А
18...27 А
18...27 А
18...27 А
18...27 А
30 А; 100* А
30 А; 100* А
30 А; 100* А
20 А; 80* А
15 А; 40* А
10 А; 40* А
30 А; ПО* А
20 А; 80* А
30; <35*
30; <35*
10
5; 10*
5; 10*
10; 4* E00 В)
10; 4* D00 В)
10; 4* D00 В)
<1
<1
<1
$1
<1
<1
<2
<2
<2
<2
S1
<1
<2
<2

Параметры полевых транзисторов
163
800...2100 B,5 А)
800...2100 B.5 А)
<30<
?30<
A0 МГц)
A0 МГц)
?3,5
?3,5
30; 40*
30; 40*
55
5.4
2П7О1
«S»
800...2100 B,5 А)
7*
?1
60; 80*
52
%*
2П7О2А
?800 C0 В; 1 А)
?800 C0 В; 1 А)
?1500; ?30*
?1500; ?30*
?1,1
?0,9
2П7ОЗ
?1500 C0 В; 2 А)
?1500 C0 В; 2 А)
?1500 C0 В; 2 А)
2500; 300*
2500; 300*
2500; 300*
?0,8
?0,5
?0,65
70; 100*
70; 100*
70; 100*
?2000 D В; 2 А)
?2000 D В; 2 А)
?1800 D В; 2 А)
?1800 B5 В); 100*
?1800 B5 В); 100*
<1800 B5 В); 100*
0,25
0,3
0,4
130; 350*
130; 350*
130; 350*
?2000 D В; 2 А)
?2000 D В; 2 А)
?1800 D В; 2 А)
<1800 B5 В); 100*
<1800 B5 В); 100*
<1800 B5 В); 100*
0,25
0,3
0,4
130; 350*
130; 350*
130; 350*
2П712-5
0,34
<3330 B0 В)
<3330 B0 В)
<3330 B0 В)
<3330 B0 В)
?1600 B0 В)
?1600 B0 В)
?3330 B0 В)
?3330 B0 В)
?0,085
?0,1
?0,1
?0,2
?0,2
?0,5
?0,5
?0,2
40;80*
40;80*
40;80*
40;80*
30;60*
30;60*
40;80*
40;80*
2П762
* И

164
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П762Б1
2П762П
2П762Е1
2П802А
2П803А
2П803Б
2П815А
2П815Б
2П815В
2П815Г
2П816А
2П816Б
2П816В
21Ш6Г
2П901А
2П901Б
2П901А-5
2П901Б-5
2П902А
2П902Б
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
С изолированным
затвором,
с п-каналом
С изолированным
затвором,
с п-каналом
С изолированным
затвором,
с п-каналом
п-канал
п-канал
п-канал
п-канал
С изолированным
затвором и п-кана-
п-каналом
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125'
-60...+125
-60...+125
-60...+125
80*
80*
80*
40*
60*
60*
125*
125*
125*
125*
125*
125*
125*
125*
20*
20*
20*
20*
3,5*
3.5*
2...5*
2...5*
2...5*
-25
2...7*
2...7*
2...7*
2...7*
5
5
5
5
—
—
100; 100*
100; 100*
150; 150*
500
1000
800
400
500
400
500
800
800
1000
1000
70
70
70
70
50
50
15
15
15
-35
30
30
20
20
20
20
25
25
25
25
30
30
30
30
30
30
30 А
30 А
30 А
2,5 А
2,6...3,5 А
3...4 А
20 А
20 А
15 А
15 А
25 А
25 А
25 А
25 А
4 А
4А
4 А
4 А
200
200
<2
<2
<2
0,5* D00 В)
<7; <10*
<7; <10*
2; 5*
2; 5*
2; 5*
2; 5*
2; 5*
2; 5*
1; 5*
1;5*
200
200
200
200
•S10; 5»,5*
<10; ?0.5*

Параметры полевых транзисторов
165
?3330 B0 В)
?3330 B0 В)
?3330 B0 В)
?0,085
?0,1
?0,1
?800
40; 80*
40; 80*
40; 80*
<80;<30*
2П762-1, 2П802А
?750 C0 В; 1 А)
?750 C0 В; 1 А)
?3100; <20*
?3100; <20*
<5
?4,5
2П8ОЗ
?4500 B5 В; 2 А)
?4500 B5 В; 2 А)
?4500 B5 В; 2 А)
?4500 B5 В; 2 А)
?5600 B0 В)
?130*
^440**
^440**
<0,3
<0,8
<0,5
^1
40; 160*
40; 160*
40; 160*
40; 160*
2П815
>10000 B5 В; 10 А)
?10000 B5 В; 10 А)
?10000 B5 В; 10 А)
?10000 B5 В; 10 А)
<2600 B0 В)
<150*
?400**
?400**
й\
<1
<1,2
<1,2
<90;?110*
?90; ?110*
<90;<110*
?90;<110*
2П816
50..160
60... 170
?100
?100
?10**; 7* A00 МГц)
?6,7**; 7* A00 МГц)
2П9О1
50...160
60... 170
?100
?100
?10**; 7* A00 МГц)
?6,7**; 7* A00 МГц)
2П901-5
1.9
0,175
>н к
10...26
B0 В; 50 мА)
10...26
B0 В; 50 мА)
?11; ?0,6*
?11; ?0,6*
?6,6* B50 МГц)
?0,8* F0 МГц)
?6 B50 МГц)
?6 B50 МГц)
2П9О2

166
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П903А
2П903Б
2П903В
2П903А-5
2П903Б-5
2П903В-5
2П904А
2П904Б
2П905А
2П905Б
2П905А-5
2П907А
2П907Б
2П908А
2П908Б
2П909А
2П909Б
2П909В
2П909Г
С р-n переходом
и п-каналом
С р-n переходом
и п-каналом
С изолированным
затвором и индуци-
индуцированным п-кана-
п-каналом
С изолированным
затвором
и индуцированным
п-каналом
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
6*
6*
6*
6*
6*
6*
75*
75*
4*
4*
4*
11,5*
11,5*
3,5*
3,5*
60
60
40
40
5...12
1...6.5
1...10
5...12
1...6.5
1...10
—
—
—
20; 20*
20; 20*
20; 20*
20; 20*
20; 20*
20; 20*
70; 90*
70; 90*
60; 70*
60; 70*
60; 70*
60; 70*
60; 70*
40; 50*
40; 50*
50; 60*
50; 60*
50; 60*
50; 60*
15
15
15
15
15
15
30
30
±30
±30
±30
±30
±30
20
20
25
25
25
25
700
700
700
700
700
700
5А
ЗА
350
350
350
2,7 к
1,7 А
280
200
6,5 А
6,5 А
6,5 А
6,5 А
<700; <0,05*
?480; <0,05*
<600; <0,05*
?700; <0,05*
<480; <0,05*
<600; <0,05*
<350; <200*
<350; <200*
20*; 1*
20*; 1*
20*; 1*
<100; <10*
?100; <10*
<25; <0,5*
<25; <0,2*
200; 100*
200; 100*
200; 100*
30; 30*

Параметры полевых транзисторов
167
85...140(8В)
50...130 (8 В)
60...140 (8 В)
<18
<18
?18
>0,09** C0 МГц);
<10; >7,6*
2>О,О9* C0 МГц);
<10; >7,6*
>0,09** C0 МГц);
<10; ?7,6*
<1** A00 кГц)
<2,5** A00 кГц)
<4,6** A00 кГц)
2П9ОЗ
И 3
85...140 (8 В)
50...130(8В)
60...140 (8 В)
<18
<18
<18
>0,09** C0 МГц);
<10; >7,6*
>0,09* C0 МГц);
<10; ^7,6*
>0,09** C0 МГц);
<10; >7,6*
<1** A00 кГц)
<2,5** A00 кГц)
<4,6** A00 кГц)
2П903-5
250...510
250...510
<300 C0 В)
<300 C0 В)
>50** F0 МГц)
>30** F0 МГц)
>13* F0 МГц)
18...39
18...39
<7 B5 В)
<11 B5 В)
>1** A ГГц)
>6** A ГГц)
<6 A ГГц)
<6,5 A ГГц)
2П905
18...39
<7 B5 В)
>1** A ГГц)
<6 A ГГц)
2П905А-5
0,47 0,15
о \
ПО...200
B0 В; 0,5 А)
110...200
B0 В; 0,5 А)
<3* B5 В)
<3* B5 В)
>4** A ГГц)
>3** A ГГц)
<2; <2*
<2; <2*
2П907
>24 B0 В; 80 мА)
>24 B0 В; 80 мА)
<4,5 B5 В); <0,6*
<6,5 B5 В); <0,6*
>1** A,76 ГГц)
<25
2П908
350... 1000
350...1000
35O...1OOO
350...1000
<225 E В)
<225 E В)
<225 E В)
<225 E В)
>50** @,4 ГГц)
>30** @.4 ГГц)
>30** @,4 ГГц)
<1,6
4; 4*
4; 4*
4; 4*
4; 4*
2П909

168
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П911А
2П911Б
2П912А
2П912Б
2П913А
2П913Б
2П914А
2П917А
2П917Б
2П918А
2П918Б
2П920А
2П920Б
С изолированным
затвором
и индуцированным
п-каналом
С изолированным
затвором, п-канал
С изолированным
затвором, п-канал
С р-п-переходом,
п-каналом
С изолированным
затвором, п-канал
С изолированным
затвором, п-канал
С изолированным
затвором, п-канал
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
30
30
40*
40*
100*
100*
2,5*
30*
30*
45*
45*
130*
130*
8...30
50; 60*
50; 60*
100; ПО*
60; 70*
50; 60*
50; 60*
50; 80*
300; 310*
150; 160*
45; 55*
45; 55*
50; 60*
50; 60*
25
25
20
20
20
20
-30
25
25
20
20
25
25
6,5 А
6,5 А
8А
12 А
14 А
10 А
100
5А
5А
6А
4 А
15 А
12 А
1...150; 50*
1...70; 30*
0,1...20
0,1...20
<200*; <300*
<200*; <300*
<250*;<0,01*
60; 50*
60; 50*
100; 100*
100; 100*

Параметры полевых транзисторов
169
200...600
200...600
80 (-5 В)
80 (-5 В)
?10** A ГГц)
?3,5
2П911
3;5«
И
8О0...2200
800...2200
500 E В)
16* (-5 В)
<0,8
<0,4
30; 30*
30; 30*
2П912
27,1
1OOO...25OO
1OOO...25OO
<390 B5 В)
<390 B5 В)
>100** @,4 ГГц)
?70** @,4 ГГц),
>4* @,4 ГГц)
2П913
10...30 A0 В)
<10; <2,5*
>3* B00 МГц)
<& B00 МГц)
2П914А
200... 1700
200... 1700
55O...7OO
350...600
<130 (-5 В)
<130 (-5 В)
?25** A ГГц)
>17** A ГГц)
2П918
1000...2300
1000.. .2000
<160**
<7*
?150** @,4 ГГц)
?120** @,4 ГГц)
2П920

170
Раздел 3, Полевые транзисторы
2П922А
2П922Б
2П922А-5
2П922Б-5
2П923А
2П923Б
2П923В
2П923Г
2П926А
2П926Б
2П928А
2П928Б
2П933А
2П933Б
2П934А
2П934Б
С изолированным
затвором и индуци-
индуцированным п-кана-
лом
С изолированным
затвором и индуци-
индуцированным
п-каналом
С изолированным
затвором и п-кана-
п-каналом
С р-п-переходом,
п-каналом
С изолированным
затвором и п-кана-
п-каналом
С изолированным
затвором и кана-
каналом п-типа
СИТ, п-канал
-60...+ 125
-60...+125
-60... + 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
75*
75*
75*
75*
100*
100*
50*
50*
50*
50*
250*
250*
160*
160*
50*
50*
2...8*
2...8*
2...8*
2...8*
—
-15
-15
100
100
100
100
50; 60*
50; 60*
50; 60*
50; 60*
450; 475*
400; 420*
50; 60*
55; 65*
45; 55*
45; 55*
450
300
±30
±30
±30
±30
20
20
20
20
-25
-20
25
25
20
20
-5
-5
10 А
10 А
10 А
10 А
12 А
8А
6 А
4А
16,5 А
16,5 А
21 А
16 А
9 А
7.5 А
15 А
15 А
2
2
2
2
<50; <50*
<50; <50*
<25; <25*
<25; <25*
<150; <150*
<150; <150*
75; 75*
75; 75*

Параметры полевых транзисторов
171
1000... 2100A А)
1000...2100A А)
<2000 B0 В)
?2000 B0 В)
<0,2
<0,4
<100; <100*
<100; <100*
2П922
1000...2100 A А)
1000...2100 A А)
<2000 B0 В)
<2000 B0 В)
<0,2
<0,4
<100; <100*
<100;^100*
2П922-5
0,77 0,34
?1000 B0 В; 3 А)
?700 B0 В; 3 А)
?550 B0 В; 2 А)
?350 B0 В; 2 А)
<400 A0 В)
<400A0В)
<220 A0 В)
<220A0В)
?50** A ГГц)
?30** A ГГц)
?25** A ГГц)
?17** A ГГц)
2П923
И
?2000 B0 В; 4 А)
?2000 B0 В; 4 А)
<0,1
?0,1
100; 100*
100; 100*
2П926
S3"
1800 B0 В; 3 А)
1800 B0 В; 3 А)
?150** B0 В)
?150** B0 В)
?250** @,4 ГГц)
?200** @,4 ГГц)
2П928
?650 B0 В; 2 А)
?550 B0 В; 2 А)
210 A0 В)
210 A0 В)
?70** A ГГц)
?60** A ГГц)
2П933
h2i3?20 E В; 5 А)
h2ia?20 E В; 5 А)
<0,07
<0,07
100; 2500*
100; 2500*
2П934А
211

172
Раздел 3. Полевые транзисторы
2П938А
2П938Б
2П938В
2П938Г
2П938Д
2П941А
2П941Б
2П941В
2П941Г
2П941Д
2П942А
2П942Б
2П942В
2П942А-5
2П942Б-5
2П942В-5
С р-n переходом и
п-каналом
С изолированным
затвором и п-кана-
п-каналом
С изолированным
затвором и п-кана-
п-каналом
С изолированным
затвором и п-кана-
п-каналом
СИТ
с п-каналом
СИТ
с п-каналом
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50*
50*
50*
50*
50*
3*
15*
30*
30*
30*
40*
40*
40*
40*
40*
40*
1 1 1 1 1
—
—
500; 505*
500; 505*
450; 455*
400; 405*
300; 305*
36; 41*
36; 41*
36; 41*
36; 41*
36; 41*
800; -10*
700; -10*
600; -10*
800;-10*
700; -10*
600; -10*
ел ел ел ел ел
20
20
20
20
20
-25
-25
-25
-25
-25
-25
15 А
15 А
15 А
15 А
15 А
600
ЗА
6 А
5А
ЗА
10 А; 30* А
10 А; 30* А
10 А; 30* А
10 А; 30* А
10 А; 30* А
10 А; 30* А
<3* Шзи = 0)
<3* Шзи = -3 В)
<3* Шзи = -3 В)
<3* Шзи = -3 В)
<3* Шзи = -3 В)
<10;<2*
?20; ?8*
<30; <16*
<30; <1б*
520; <8*
—
—

Параметры полевых транзисторов
173
Ь21Э>20* E В; 5 А)
h2is>>20* E В; 5 А)
Ь21Э>20* E В; 5 А)
Ь21Э>20* E В; 5 А)
Ь21Э>20* E В; 5 А)
<0,07
<0,07
<0,07
<0,07
<0,07
<200
<200
<200
<200
<200
2П938
27, f
200...400 @,5 А)
<20 A2 В)
?7,5*; >3** @,4 ГГц)
2П941А
600... 1800 B А)
<100 A2 В)
>4,3*;
^15** @,4 ГГц)
2П941Б
1200...3600 D А)
1000...3600 D А)
>600 B А)
<200 A2 В)
<200 A2 В)
<200 A2 В)
^5*; >30** @,4 ГГц)
>4,5*;>25** @,4 ГГц)
?5*; >30** @,4 ГГц)
2П941 (В - Д)
h2i3>8 E А)
Ь21Э>8 E А)
Ь21Э>8 E А)
2П942А
Ь21Э>8 E А)
Ь21Э>8 E А)
h2i-?8 E А)
2П942Л-5
5,5 0,45

174 Раздел 4. Диоды
Раздел 4. Диоды
4.1. Виды приборов и основные параметры
Диоды по функциональному назначению подразделяются на выпрямительные, импульсные и ограничи-
ограничительные, стабилитроны, варикапы.
Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного тока промышленной
частоты 50 Гц ... 150 кГц в постоянный (например, 2Д102, 2Д106, 2Д204, 2Д212, 2Д213, 2Д215, 2Д216,
2Д217, 2Д220, 2Д230).
Работу выпрямительных диодов характеризуют следующие основные параметры:
• максимально допустимое обратное напряжение U06p.mac любой формы и периодичности, кото-
которое может быть приложено к диоду;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max;
• постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе Unp;
• обратный ток утечки 1обр при заданном обратном напряжении;
• рабочая частота fA, при которой обеспечиваются заданные токи, напряжение и мощность.
Если частота переменного напряжения, приложенного к диоду, превышает fo, то потери в диоде
резко возрастают и он нагревается. В состав параметров всех диодов входят также диапазон
температуры окружающей среды Т и максимальная температура корпуса Тк.
В качестве выпрямительных используются диоды не только на основе р-n переходов (полупровод-
(полупроводник-полупроводник), но и на основе переходов металл-полупроводник, так называемые диоды с
барьером Шотки, отличающиеся более высокими быстродействием и рабочими токами и меньшими
значениями напряжений в прямом направлении, например 2Д252, 2Д288, 2Д2998, 2Д219, 2Д419 (для
преобразования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора). Диоды с барьером Шотки для
импульсных устройств являются практически безынерционными, так как перенос заряда в них
обусловлен только основными носителями.
Для работы на более высоких частотах используются универсальные и быстродействующие диоды,
например 2Д401, 2Д416 (для формирования импульсов с частотой 500 кГц), 2Д231, 2Д251, 2Д2995,
(до 200 кГц).
Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов при переключении
(малую инерционность). При переключениях диода из прямого направления на обратное (запирающее)
накопленные носители зарядов обуславливают протекание через диод обратного тока, который может
в течение некоторого времени значительно превышать статический обратный ток. Этот процесс
называется переходным процессом запирания или процессом восстановления обратного сопротивления
диода. При переключениях диода из запирающего направления в прямое имеет место переходный
процесс установления прямого сопротивления диода. Такие диоды используются в качестве ключевых
элементов схем с сигналами малой длительности. Наименьшее время переключения имеют диоды с
выпрямляющим переходом металл-полупроводник.
Основные параметры импульсных диодов:
• время обратного восстановления диода tBoc, обр — интервал времени от момента подачи
импульса обратного напряжения, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный
ток диода уменьшается до заданного значения;
• заряд восстановления диода Qboc — полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при
переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение;
• время прямого восстановления диода tBoc,np — время, в течение которого напряжение на диоде
устанавливается от нуля до установившегося значения;
• максимальный ток восстановления Ьбр.тах — наибольший обратный ток через диод после
переключения напряжения на нем с прямого направления;
• постоянное прямое напряжение Unp; емкость диода Сд;
• максимально допустимые значения обратного напряжения U06p.max и прямого тока Inp.max-

Виды приборов и основные параметры 175
Примерами импульсных диодов являются 2Д411 (для~ цветных телевизоров), 2Д412 (для цепей
регулирования вторичных источников электропитания, инверторов и прерывателей), 2Д5ОЗ, 2Д509;
2Д504 (для ограничения и модуляции импульсов), 1Д507, 1Д508 (для быстродействующих формирова-
формирователей импульсов).
Во многих случаях применения возникает проблема идентичности параметров диодов, подобран-
подобранных в одну группу или пару (особенно при разработке быстродействующих схем). Основным парамет-
параметром, по которым должна быть обеспечена аналогичность диодов, является прямое падение напряжения
(иногда и значение емкости). Обратный ток при этом не играет существенной роли, так как в
быстродействующих схемах для кремниевых диодов значение обратного сопротивления много больше
нагрузки.
Для обеспечения идентичности диодов при работе в широком диапазоне токов и температур
требуется их подбор в нескольких точках вольт-амперных характеристик. Например, выпускаются
2ДС415 — диодные сборки из шести изолированных диодов (для применения в дешифраторах, диодных
функциональных преобразователях и умножителях), 2Д238 — сборка из двух диодов с барьером
Шотки с ОК (для ВИП в качестве выходного двухтактного выпрямителя со средней точкой), 2Д901 —
матрицы из одного (группа А1), двух (гр. Б1), трех (гр. В1) и четырех (гр. П) диодов с общим катодом;
2Д904 — матрицы из одного (гр. А1), двух (гр. Б1), трех (гр. В1) и четырех (гр. Е1) диодов с ОА;
2Д908 — матрицы из восьми диодов с ОК; 2Д910 — матрицы из одного (гр. А1), двух (гр. Б1) и трех
(гр. В1) диодов; 2Д911 — матрицы из одного, двух или трех диодов с ОК; 2Д912, 2Д913 —
бескорпусные матрицы с шариковыми выводами из трех диодов соответственно с ОА и ОК; 2Д917 —
матрицы из восьми диодов с ОА в корпусе для микросхем; 2Д918 — матрицы из двух и четырех диодов
с ОА; 2Д919 — матрица из 16 диодов с ОК; 2Д920 — матрица из 16 диодов с ОА.
Варикапы представляет собой малогабаритные электронные конденсаторы переменной емкости,
управляемые напряжением.
Принцип действия варикапа основан на свойстве емкостей р-n перехода изменять свое значение
при изменении внешнего смещения. Изменяя напряжения на варикапе, подключенном к колебатель-
колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной частотой
контура в перестраиваемых генераторах и синтезаторах частот.
По функциональному назначению и технологии изготовления приборы этого класса подразделя-
подразделяются на варикапы общего назначения с резкой зависимостью емкости от напряжения, высоковольтные
матрицы, у множительные, а также высокодобротные варикапы с резкой зависимостью емкости от
напряжения; варикапы для телевизоров и аппаратуры всеволнового диапазона с очень резкой зависи-
зависимостью емкости от напряжения.
Основными параметрами варикапов являются:
• номинальная Сном, минимальная Cmin и максимальная Стах емкости между выводами при
номинальном, максимальном и минимальном напряжениях смещения;
• номинальная добротность Qhom — отношение реактивного сопротивления варикапа к полному
сопротивлению потерь при номинальном напряжении;
• коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношение значений максимальной и минимальной
емкостей;
• температурный коэффициент емкости ас в (ТКЕ) — относительное изменение емкости варикапа
при заданном смещении в интервале температур;
• максимально допустимое напряжение Umax — максимальное мгновенное значение переменного
напряжения, при котором сохраняется заданная надежность и мощность Ртах-
В варикапах имеется взаимосвязь между некоторыми параметрами: увеличение Кс однозначно
приводит к уменьшению Qb и пробивного напряжения Unpo6.
Из множества выпускаемых варикапов необходимо отметить 2В1ОЗ, 2В106 (для схем умножения
частоты и частотной модуляции), 2В112А-1, 2В114, 2В102, 2В1О4, 2В105, 2В110, 2В113, 2В117
(подстроечные с большим коэффициентом перекрытия по емкости и резкой зависимостью емкости от
напряжения), 2В119 (подстроечные для настройки широкополосных усилителей), 2ВС120
BВС120В — сборки из трех варикапов. 2В124АР-5, 2В124АГ-5 и 2В124АК-5 — подстроечные для
дециметрового диапазона представляют собой сборки из двух, четырех и шести варикапов 2В124А-5.
Стабилитроны имеют на вольт-амперной характеристике участок со слабой зависимостью
напряжения от протекающего тока, поэтому уровень напряжения на них остается постоянным при

176 Раздел 4. Диоды
изменении тока в широких пределах. Рабочий участок вольт-амперной характеристики стабилитронов
находится в области электрического пробоя р-n перехода. Стабилитроны подразделяются на стабилит-
стабилитроны общего назначения, термокомпенсируемые и аттестуемые прецизионные. Стабилитроны общего
назначения используются прежде всего в стабилизаторах и ограничителях постоянного тока или
импульсного напряжения, термокомпенсированные и прецизионные — в качестве источников эталон-
эталонного или опорного напряжения в устройствах, где необходима высокая точность стабилизации уровня
напряжения.
Основными параметрами стабилитронов являются:
• номинальное напряжение стабилизации UCt;
• динамическое гДИн и статическое гСтат сопротивления;
• температурный коэффициент напряжения стабилизации аист (при постоянном токе стабилиза-
стабилизации);
• мощность рассеяния РПр;
• номинальный сток стабилизации Ict.hom — ток, при котором определяются значения классифи-
классификационных параметров;
• минимальный ток стабилизации 1ст.гтип(при токах меньше Icrmin увеличивается дифференциаль-
дифференциальное сопротивление, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микроплазменные
шумы);
• максимально допустимый ток стабилизации 1ст.тах — определяется максимально допустимой
рассеиваемой мощностью.
Для снижения аист (в термокомпенсированных стабилитронах) в корпусе размещаются последо-
последовательно соединенные р-n переходы, работающие в прямом направлении, с равными по значению, но
противоположными по знаку температурными коэффициентами стабилизации BС211, 2С515).
В качестве источников опорного напряжения могут использоваться не только дискретные, но и
интегральные стабилитроны. Прецизионные интегральные стабилитроны превосходят классические
дискретные прецизионные стабилитроны по основным параметрам и имеют ряд эксплуатационных
преимуществ (не требуется прецизионное поддержание рабочих режимов по температуре окружающей
среды и току стабилизации). Основные недостатки дискретных прецизионных стабилитронов (высокое
Гст, зависимость аист от 1Ст) устраняется в интегральных стабилитронах с помощью схемотехнических
решений.
Интегральные стабилитроны в зависимости от используемого опорного элемента создаются на
основе как электрического пробоя обратносмещенного р-n перехода с использованием эффекта
термокомпенсации, так и прямосмещенных р-n переходов. Низковольтные интегральные прецизионные
стабилитроны, имеющие UcT=slf2...2,5 В, изготовляются по совмещенной технологии с лазерной
подгонкой тонкопленочных резисторов на кристалле ИС, обеспечивающей режим оптимальной компен-
компенсации и гарантирующей высокое значение аист. Например, интегральные стабилитроны 2С483 (Г, Д)
с термостабилизацией кристалла используются в качестве источника эталонного напряжения в
прецизионной измерительной технике: цифровых вольтметрах, калибраторах тока и напряжения,
переносных стандартах ЭДС; они проходят аттестацию долговременной стабильности в течение 1000
часов наработки.
Для изготовления стабилитронов с Uct=8 В используется стандартная технология ИС, не
требующая лазерной подгонки. Совместная реализация принципов термокомпенсации и термостабили-
термостабилизации кристалла ИС позволила создать стабилитроны с аист=10 ...10" %/°С. Базовые серии интег-
интегральных стабилитронов позволяют создать на их основе источники опорного напряжения с широким
спектром номинальных значений Uct: 1,2; 2,4; 5; 7,5; 10В.
Для стабилизации напряжения и двустороннего ограничения напряжения предназначены
двухдиодные стабилитроны 2С162А, 2С168А, 2С175А, 2С191А, 2С210А, 2С211А, 2С212В, 2С213Б.
Стабисторы являются разновидностью стабилитронов; для стабилизации напряжения до 1 В
здесь используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики р-n перехода BС107, 2С113, 2С119).
Ограничительные диоды используются для защиты радиоэлектронной аппаратуры от
перегрузок, возникающих в результате различных переходных процессов, разрядов статического
электричества, грозовых или наведенных электромагнитными импульсами. В ограничительных
диодах (ограничителях напряжения), используется обратимый лавинный пробой обратно
смещенного р-п-перехода.

Буквенные обозначения параметров диодов
177
Они подразделяются на симметричные: 2С401БС, 2С410А, 2С414А, КС501 (AC-ВС), 2С5ОЗ
(АС, БС), КС511А и несимметричные: 2С401А, 2С416А, 2С501 (А, Б), 2С511 (А, Б), 2С514 (А-В),
2С517 (А-Г), 2С521А, 2С6О2А, 2С603 (А, Б), 2С604 (А, Б), 2С8О1А, 2С802 (А, Б), 2С8ОЗ (А, Б),
2С901 (А, Б).
Ограничительные диоды выпускаются: общего применения с напряжением пробоя от 3,9 до 700 В
и выше; с повышенной стойкостью к импульсным перегрузкам с напряжением пробоя от 3,9 до 15 В;
малоемкостные для применения в цепях высокой частоты с напряжением пробоя от 3,9 до 200 В и
емкостью до 100 пФ (например, 2С517Г, 2С604А).
Ограничители напряжения имеют нормированные импульсные мощности 0,15; 0,5; 1,5; 5 и 15 кВт.
Время включения симметричных диодов составляет примерно 1...5 не, а несимметричных — 1 пс.
4.2. Буквенные обозначения
Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82
отечественное
международное
параметров диодов
Параметр
Общие параметры диодов
1пр
'пр, и
1пр, ср
1обр
»обр, и
1обр, вое
ипр
Unp, и
Unp, ср
Uo6p
Uo6p, и
U проб
Unp, вое
Unp, и, вое
Рпр
Ри
Рср
Робр
Гдиф
Гп
Re
R8h
Renep-окр
R8nep-Kop
Сд
Спер
Скор
If
Ifm
If(av)
Ir
Irm
Irr
Uf
Ufm
Uf(av)
Ur
Urm
U(BR)
Ufr
Ufrm
Pf
Pm
P
Pr
r
rs
Rth
R(th)p
Rthja
Rlhjc
Ctot
Q
Cease
Постоянный прямой ток.
Импульсный прямой ток.
Средний прямой ток.
Постоянный обратный ток.
Импульсный обратный ток.
Обратный ток восстановления.
Постоянное прямое напряжение.
Импульсное прямое напряжение.
Среднее прямое напряжение.
Постоянное обратное напряжение.
Импульсное обратное напряжение.
Пробивное напряжение.
Напряжение прямого восстановления.
Импульсное напряжение прямого восстановления.
Прямая рассеиваемая мощность.
Импульсная рассеиваемая мощность.
Средняя рассеиваемая мощность.
Обратная рассеиваемая мощность.
Дифференциальное сопротивление.
Последовательное сопротивление потерь.
Тепловое сопротивление.
Импульсное тепловое сопротивление.
Тепловое сопротивление переход-среда.
Тепловое сопротивление переход-корпус.
Общая емкость.
Емкость перехода.
Емкость корпуса.

178
Раздел 4. Диоды
Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82
отечественное
Qboc
Qhk
Iboc, обр
*вос, пр
международное
—
Qs
trr
tfr
Параметр
Заряд восстановления.
Накопленный заряд.
Время обратного восстановления.
Время прямого восстановления.
Параметры выпрямительных диодов
1пр, и, п
1вп, ср
Inp, A
'пр, уд
1прг
'обр, и, п
1обр, ср
Uo6p, и, р
Uo6p, и, п
Uo6p, и, нп
Unop
Рпр, ср
Робр, ср
Робр, и, п
Ifrm
Io
If(rms)
Ifsm
I(OV)
Irrm
Ir(av)
Urwm
Urrm
URSM
U(TD)
Pf(av)
Pr(av)
Prrm
Повторяющийся импульсный прямой ток.
Средний выпрямленный ток.
Действующий прямой ток.
Ударный прямой ток.
Ток перегрузки.
Повторяющийся импульсный ток.
Средний обратный ток.
Рабочее импульсное обратное напряжение.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.
Пороговое напряжение.
Средняя прямая рассеиваемая мощность.
Средняя обратная рассеиваемая мощность.
Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность.
Параметры стабилитронов
1ст
1ст, и
1ст min
1ст max
Uct
Гст
аист
5ист; Аист
Iz
Izm
IZ min
Iz max
Uz
rz
auz; Sz
5uz
Ток стабилизации стабилитрона.
Импульсный ток стабилизации стабилитрона.
Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона.-
Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона.
Напряжение стабилизации стабилитрона.
Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилит-
стабилитрона.
Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона.
Основные параметры варикапов, шумовых диодов и стабисторов
Qb
Кс
иш
—
—
—
—
—
Q, M
—
Unz
Is
II
Us
Ul
als
Добротность варикапа.
Коэффициент перекрытия по емкости варикапа.
Постоянное напряжение шумового диода.
Ток стабилизации стабистора.
Предельный ток стабистора.
Напряжение стабилизации стабистора.
Предельное напряжение стабистора.
Температурный коэффициент тока стабилизации стабистора.

Буквенные обозначения параметров диодов
179
Основные параметры ограничительных диодов:
Unpo6,обр,макс
Цпроб.пр.макс
ираб.обр.макс
ираб.пр.макс
Uorp.np.MaKC
иогр.обр.макс
1раб,пр
1огр,пр,и,макс
1раб,обр
1огр,обр,и
1проб
Рпр.ср
Робр.ср
Робр.и
Гдиф.пр
Гдиф.обр
CCUnpo6.np
CtU проб,обр
Korp,npo6,np=Uorp,np / Unpo6,np
Korp,npo6,o6p=Uorp,o6p / Unpo6,o6p
Korp,pa6,np=Uorp,np,MaKc / Цраб.пр.макс
Korp,pa6,o6p=Uorp,o6p,MaKc / ираб.обр.макс
tcp.np
tcp,o6p
Максимально допустимое обратное напряжение пробоя
Максимально допустимое прямое напряжение пробоя
Максимально допустимое обратное рабочее напряжение
Максимально допустимое прямое рабочее напряжение
Максимально допустимое прямое напряжение ограничения
Максимально допустимое обратное напряжение ограничения
Прямой рабочий ток
Максимально допустимый прямой импульсный ток ограничения
Обратный рабочий ток
Максимально допустимый обратный импульсный ток ограничения
Ток пробоя
Средняя (постоянная) прямая рассеиваемая Мощность
Средняя (постоянная) обратная рассеиваемая мощность
Импульсная обратная рассеиваемая мощность
Прямое дифференциальное сопротивление
Обратное дифференциальное сопротивление
Температурный коэффициент прямого напряжения пробоя
Температурный коэффициент обратного напряжения пробоя
Коэффициент ограничения на уровне прямого напряжения пробоя
Коэффициент ограничения на уровне обратного напряжения пробоя
Коэффициент ограничения на уровне максимально допустимого
прямого рабочего напряжения
Коэффициент ограничения на уровне максимально допустимого
обратного рабочего напряжения
Время срабатывания в прямом направлении
Время срабатывания в обратном направлении

180
Раздел 4. Диоды
4.3. Параметры диодов, столбов и блоков
2Д101А
-60...+85
30
20; 300*
1 A00)
5 C0)
2Д101
2Д102А
2Д102Б
-60.. +120
-60...+120
250
300
100
100
1
20
1 E0)
1 E0)
0,1 B50)
1 C00)
2Д102
СИ
2Д103А
-60...+120
75
100
20
1 E0)
0,5 G5)
1B А)
20E)
2Д1ОЗ
=е
г
Полярность
2Д104А
-60 ..+70
300
50
20
1 A0)
3 C00)
2Д104
г
Полярность
2Д106А
-60...+125
100*
300; 3* А
30
1 C00)
10A00)
0,385
74...153
E)
vo
2Д106
7
¦БЕ
¦«¦•
Эв
2Д108А
2Д108Б
-60...+125
-60...+125
800
1000
100
100
1,5A00)
1,5 A00)
100 (800)
100A000)
2Д108
ЗД110А
-60...+85
30
10
1,45 A0)
0,001 B0)
0,005
ЗД11О
2Д115А-1
-60.. .+125
100
30; 100*
1,5 E0)
1 A00)
1,6
45@)
2Д115-1
а 1,4
.-<!
2Д116А-1
-60...+125
100
ПО*
0,95 B5)
1 A00)
51,5
2Д116-1
? 1,0
Р~
2ДП8А-1
-60...+100
200
0,3 А
100
1.2
50 B00)
0.3
2Д118

Параметры диодов, столбов и блоков
181
2Д120А
-60...+175
100
300
100
1,0
2,0
<0,3
2Д120
6
<—»
ее
-KJ-
э&
2Д12ОА-1
-60 ..+ 155
100
300
100
1,0
2,0
<0,3
2Д12ОА1
2Д121А
-60...+ 100
80
100
20
0,82 E0)
1,0(80)
<0,3
2Д121
•2.
ос:
¦+Э-
эа
2Д123А-9
-60 ..+ 125
100
300
100
1 C00)
1 A00)
<0,3
2Д123
<цг*5
2Д125А-5
2Д126Б-5
-60...+126
-60...+125
600*
800*
300
300
200
50
1.5A А)
1,5A А)
50 F00)
50 (800)
?0,25
<0,5
23
23
2Д125-5
3
«<—*
0,25
2Д201А
2Д2О1Б
2Д2О1В
2Д201Г
-60...+130
-60...+130
-60...+130
-60...+ 130
100
100
200
200
5 А
10 А
5А
10 А
1,1
1,1
1,1
1,1
1,0
1,0
1,0
1,0
3 мА
3 мА
3 мА
3 мА
2Д201
2Д202В
2Д202Д
2Д202Ж
2Д202К
2Д2О2М
2Д2О2Р
-60...+ 130
-60.. .+ 130
-60...+130
-60...+130
-60 ..+ 130
-60...+130
100*
200*
300*
400*
500*
600*
5 А
5 А
5 А
5 А
5 А
5 А
1,2
1,2
1.2
1,2
1,2
1,2
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
0,9 E А)
800 A00)
800 B00)
800 C00)
800D00)
800 E00)
800 F00)
2Д2ОЗА
2Д203Б
2Д203В
2Д203Г
2Д203Д
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
42О;6ОО*
560;800*
560;800*
700; 1000*
700;1000«
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
A0 А)
A0 А)
A0 А)
A0 А)
A0 А)
\
1500 F00)
1500 (800)
1500 (800)
1500 A000)
1500A000)
2Д203
2Д204А
2Д204Б
2Д2О4В
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
400
200
50
400
600
1 А
1
50
50
1,4 F00)
1,4 F00)
1,4 F00)
150 D00)
100 B00)
50 E0)
51,5
51,5
51,5
2Д2О4

182
Раздел 4. Диоды
2Д206А
2Д206Б
2Д206В
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
400
500
600
5 А
5 А
5 А
1,2 A000)
1,2 A000)
1,2 A000)
700 D00)
700 E00)
700 F00)
«ПО
<10
?10
2Д2О6
2Д2О7А
-60...+ 125
600
500; 4,5*
1,5 E00)
150 F00)
2Д2О7
2Д210А
2Д21ОБ
2Д21ОВ
2Д21ОГ
-60...+ 130
-60 ..+ 130
-60...+ 130
-60...+130
800
800
1000
1000
10 А
10 А
10 А
10 А
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
4,5 мА (800)
4,5 мА (800)
4,5 мАA000)
4,5 мА A000)
2Д210
2Д212А
2Д212Б
-60. .+ 125
-60...+ 125
200
100
1 А
1 А
100
100
1 A А)
1 A А)
50 B00)
50 A00)
20,3
?0,3
45 A00)
45 A00)
2Д213А
2Д213Б
2Д213В
2Д213Г
-60...+ 125
-60 +125
-60...+ 125
-60 ..+ 125
200
200
100
100
10 А
10 А
10 А
10 А
100
100
100
100
1,0A0 А)
1,2 A0 А)
1,0A0 А)
1,2 A0 А)
200 B00)
200 B00)
200 A00)
200 A00)
?0,3
?0,17
?0,3
?0,17
2Д213
0/4
2Д215А
2Д215Б
2Д215В
-60...+125
-60...+ 125
-60. .+55
400
600
200
1 А; 10* А
1 А; 10* А
1 А; 13* А
1,2 @,5 А)
1,2 @,5 А)
1,1 A А)
50 D00)
50 F00)
50 B00)
2Д215
я г к и
2Д216А
2Д216Б
-60 ..+ 175
-60. .+ 175
100
200
10 А
10 А
100
100
1,4 A0 А)
1,4 A0 А)
50A00)
50 B00)
2Д216
2Д217А
2Д217Б
-60...+125
-60...+ 125
100
200
ЗА
ЗА
100
100
1,3 (ЗА)
1,3C А)
50 A00)
50 B00)
2Д219А
2Д219Б
2Д219В
2Д219Г
-60... + 115
-60...+ 115
-60 ..+85
-60...+85
15
20
15
20
10 А
10 А
10 А
10 А
200
200
200
200
0,6 A0 А)
0,6 A0 А)
0,45 A0 А)
0,45 A0 А)
20A5)
20 B0)
20A5)
20 B0)
2Д219
2Д22ОА
2Д22ОБ
2Д22ОВ
2Д220Г
2Д220Д
2Д220Е
2Д22ОЖ
2Д220И
-60...+155
-60 ..+ 155
-60...+ 155
-60...+ 155
-60...+155
-60...+ 155
-60...+ 155
-60 ..+ 155
400
600
800
1000
400
600
800
1000
6 А
6 А
6 А
6 А
6А
6 А
6 А
6 А
10
10
10
10
10
10
10
10
1,5 (ЗА)
1,5C А)
1,5C А)
1,5C А)
1,3 (ЗА)
1,3 (ЗА)
1,3C А)
1,3 C А)
45 D00)
45 F00)
45 (800)
45 A000)
45 D00)
45 F00)
45 (800)
45 A000)
?0,5
?0,5
?0,5
?0,5
?1,0
?1,0
?1,0
?1,0
2Д220

Параметры диодов, столбов и блоков
183
2Д222А-5
2Д222Б-5
2Д222В-5
-60...+125
-60...+125
-60...+125
20
30
40
2 А
2 А
2 А
200
200
200
0,55 B А)
0,55 B А)
0,55 B А)
2 мА B0 В)
2 мА B0 В)
2 мА B0 В)
2Д222АС
2Д222БС
2Д222ВС
2Д222ГС
2Д222ДС
2Д222ЕС
-60...+125
-60..+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
20
30 .
40
20
30
40
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
200
200
200
200
200
200
0,6 C А)
0,6 C А)
0,6 C А)
0,65 C А)
0,65 C А)
0,65 C А)
200 B0)
200 C0)
200 D0)
200 B0)
200 C0)
200 D0)
2Д222АС
r\tV
2Д225АС
2Д225БС
2Д225ВС
2Д229АС
2Д229БС
2Д229ВС
-60...+125
-60...+125
-60...+125
15
25
35
ЗА
ЗА
ЗА
200
200
200
0,55 C А)
0,55 C А)
0,55 C А)
3 мА A5 В)
3 мА B5 В)
3 мА C5 В)
2Д225, 2Д229
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
15
25
35
ЗА
ЗА
ЗА
200
200
200
0,55 C А)
0,55 C А)
0,55 C А)
3 мА A5 В)
3 мА B5 В)
3 мА C5 В)
2Д229
2Д23ОА
2Д23ОБ
2Д23ОВ
2Д23ОГ
2Д231А
2Д231Б
2Д231В
2Д231Г
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
400
600
800
1000
ЗА
ЗА
ЗА
ЗА
50
50
50
50
1,5 C А)
1,5C А)
1,5 (ЗА)
1,5C А)
45 D00)
45 F00)
45 (800)
45A000)
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
2Д23О, 2Д231
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
150
200
150
200
10 А
10 А
10 А
10 А
200
200
200
200
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
1 A0 А)
50 A50)
50 B00)
50 A50)
50 B00)
<0,05
<0,05
?0,1
<0,1
2Д232А
2Д232Б
2Д232В
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
15
25
35
10 А
10 А
10 А
200
200
200
0,6 A0 А)
0,7 A0 А)
0,7A0 А)
7500A5)
7500 B5)
7500 C5)
2Д232
10,65 4,8
•-Ш
А1КА2
2Д234А
2Д234Б
2Д234В
-60...+125
-60...+125
-60...+125
100
200
400
ЗА
ЗА
ЗА
50
50
50
1,5 (ЗА)
1,5 C А)
1,5 (ЗА)
100A00)
100 B00)
100 D00)
<0,4
<0,4
<0,4
2Д234
2Д235А
2Д235Б
-60...+85
-60...+85
40
30
ЗА
ЗА
4000
4000
0,9 C А)
0,9 C А)
800 D0)
800 C0)
<220
<220
2Д235
2Д236А
2Д236Б
-60...+ 155
-60...+155
600
800
1 А; 30* А
1 А; 30* А
100
100
1,5A А)
1,5A А)
5 F00)
5 (800)
<0,115
<0,15
io
2Д236
7
<—»
GE
нз-
э^
2Д237А
2Д237Б
-60...+155
-60...+155
100
200
1 А
1 А
300
300
1,3A А)
1,3A А)
5A00)
5B00)
<0,05
<0,05

184
Раздел 4. Диоды
2Д238АС
2Д238БС
2Д238ВС
-60...+125
-60.. .+ 125
-60...+125
25*
35*
45'
7,5; 75*
7,5; 75*
7,5; 75*
200
200
200
0,65 G,5)
0,65 G,5)
0,65 G,5)
1 мА B5)
1 мА C5)
1 мА D5)
200 B5)
200 B5)
200 B5)
100
fAl/(A2
2Д239А
2Д239Б
2Д239В
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
100
150
200
20 А
20 А
20 А
500
500
500
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
1.4 B0 А)
20 A00)
20 A50)
20 B00)
50,035
50,035
50,035
2Д239
и1
L
Т
2Д245А
2Д245Б
2Д245В
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
400
200
100
10 А
10 А
10 А
200
200
200
1,4 A0 А)
1,4 A0 А)
1,4 A0 А)
100 D00)
100 B00)
100A00)
50,07
50,07
50,07
2Д245
М^
2Д249А
2Д249Б
2Д249В
-60...+85
-60...+85
-60...+85
40
30
20
ЗА
ЗА
ЗА
1000
1000
1000
0,475 C А)
0,475 C А)
0,475 C А)
3 мА D0)
3 мА C0)
3 мА B0)
5750
5750
5750
v«
2Д249
7
<—»
-BE
НЗ'
эо
2Д250А
-60...+ 100
125
10 А
100
1,4 A0 А)
50A25)
50,1
<55
2Д251А
2Д251Б
2Д251В
2Д251Г
2Д251Д
2Д251Е
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50
70
100
50
70
100
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
200
200
200
200
200
200
1 (Ю)
КЮ)
КЮ)
1A0)
КЮ)
1A0)
50 E0)
50 G0)
50 A00)
50 E0)
50 G0)
50 A00)
50,05
50,05
50,05
50,1
50,1
50,1
2Д252А
2Д252Б
2Д252В
-60...+155
-60.. .+155
-60...+155
80
100
120
30 А
30 А
20 А
200
200
200
0,95 C0 А)
0,95 C0 А)
0,95 B0 А)
2000 (80)
2000A00)
2000 A20)
2Д252
2Д253А
2Д253Б
2Д253В
2Д253Г
2Д253Д
2Д253Е
-6O...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
800
800
600
600
400
400
ЗА
1 А
ЗА
1 А
ЗА
1 А
100 МГц
100 МГц
100 МГц
100 МГц
100 МГц
100 МГц
1,5C А)
1,5A А)
1,5 C А)
1.5A А)
1,5 C А)
1,5A А)
20 (800)
20 (800)
20 F00)
20 F00)
20 D00)
20 D00)
50,22
50,22
50,22
50,22
50,22
50,22

Параметры диодов, столбов и блоков
185
2Д254А
2Д254Б
2Д254В
2Д254Г
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
1000
800
600
400
1 А
1 А
1 А
1 А
150 МГц
150 МГц
150 МГц
150 МГц
1,4 A А)
1,4 A А)
1,4 A А)
1,4 A А)
1 A000)
1 (800)
1 F00)
1 D00)
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
2Д254
2Д255А-5
2Д255Б-5
2Д255В-5
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
60
80
100
ЗА
ЗА
ЗА
1000
1000
1000
0,9 C А)
0,9 C А)
0,9 C А)
2000 F0)
2000 (80)
2000 A00)
2Д260А-5
2Д260Б-5
-60 ..+125
-60...+125
40*
60'
30 А
30 А
100
100
0,75 C0)
0,75 C0)
1000 D0)
1000 F0)
2Д260
1,6 0,5
2Д262А-3
2Д262Б-3
2Д262В-3
2Д262Г-3
-6O...+7O
-60...+70
-60...+70
-60...+70
10 А
•5А
2 А
0,7 А
100
100
100
100
0,49 G,5 А)
0,43 C,5 А)
0,49 A,5 А)
0,43 @,5 А)
20 мА E)
20 мА E)
20 мА E)
20 мА E)
2Д262
2Д288АС
2Д288БС
2Д288ВС
-60...+100
-60...+ 100
-60..+100
80»
100*
120*
10 А
10 А
10 А
500
500
500
0,85 A0)
0,85 A0)
0,85 A0)
2 мА (80)
2 мА A00)
2 мА A20)
2Д288АС
2Д299ОА
2Д299ОБ
2Д299ОВ
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
600
400
200
20 А
20 А
20 А
200
200
200
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
1,4 B0 А)
100 F00)
100 D00)
100 B00)
?0,15
?0,15
?0,15
2Д2990
№
28
<«—•>
ве
/f\
М^
26
2Д2992А
2Д2992Б
2Д2992В
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
200
100
50
30 А
30 А
30 А
100
100
100
1 C0 А)
1 C0 А)
1 C0 А)
300 B00)
300 A00)
300 E0)
?0,1
?0,1
?0,1
2Д2992
Ч^
2Д2993А
2Д2993Б
2Д2993В
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
200
100
50
20 А
20 А
20 А
100
100
100
0,82 B0 А)
0,82 B0 А)
0,82 B0 А)
200 B00)
200 A00)
200 E0)
?0,1
?0,1
?0,1
2Д2993
М^

186
Раздел 4. Диоды
2Д2995А
2Д2995Б
2Д2995В
2Д2995Г
2Д2995Д
2Д2995Е
2Д2995Ж
2Д2995И
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50»
70*
100*
150*
200*
100*
150*
200*
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
200
200
200
200
200
200
200
200
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
1,1 C0 А)
10 E0)
10 G0)
10A00)
10A50)
10 B00)
10A00)
10A50)
10 B00)
<0,05
50,05
<0,1
<0,05
<0,05
<0,1
<0,1
<0,1
2Д2995
2Д2997А
2Д2997Б
2Д2997В
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
200
100
50
30 А
30 А
30 А
200
200
200
1 C0 А)
1 C0 А)
1 C0 А)
200 B00)
200 A00)
2О0 E0)
<0,2
<0,2
<0,2
2Д2997
28
>*—•¦
fts
М>
28
2Д2998А
2Д2998Б
2Д2998В
-60...+125
-60...+125
-60...+125
15'
25*
35'
30 А
30 А
30 А
200
200
200
0,6 C0 А)
0,68 C0 А)
0,68 C0 А)
20мАA5 В)
20 мА B5 В)
20 мА C5 В)
2Д2998
2Д2999А
2Д2999Б
2Д2999В
-60. .+ 125
-60...+125
-60...+125
200
100
50
20 А
20 А
20 А
100
100
100
1 B0 А)
1 B0 А)
1 B0 А)
200 B50)
200 B00)
200A00)
<0,2
<0,2
<0,2
2Д2999
2Д401А
2Д401Б
2Д4О1В
-60...+100
-60. .+ 100
75*
75*
100*
30
30
30
150
150
150
1 E)
1 (Ю)
1 E)
5G5)
5G5)
5 A00)
<2
<2
<2
<1 E)
21,5E)
<1 E)
2Д411А
2Д411Б
-60...+85
-60 ..+85
800*
800*
2 А; 8* А
2 А; 8* А
30
30
1.1 A А)
1,5 A А)
100 (800)
100 (800)
<1,5AА)
<1,5AА)
2Д411
е*=*
¦&-
9
2Д412А
2Д412Б
2Д412В
-60.. .+ 125
-60...+125
1000*
800*
600*
10 А; 20* А
10 А; 20* А
10 А; 20* А
20
20
20
2 A0 А)
2 A0 А)
2 A0 А)
100A000)
100 (800)
100 F00)
<1.5
<1,5
<1,5
2Д412
20,3 _tf,j
ъу
2Д413А
2Д413Б
-60...+125
-60...+ 125
24
24
20
20
50 МГц
50 МГц
1 B0)
1 B0)
<0,7
<0,7
2Д413
J
с—»
сне:
2Д416А
2Д416Б
-60...+100
-60...+100
400
200
300*; 15* А
300*; 15* А
500
500
3A5 А)
3 A5 А)
400 D00)
200 B00)
2Д416

Параметры диодое, столбов и блоков
187
2Д419А
2Д419Б
2Д419В
•60...+100
•60...+100
-60...+100
15
30
50
10
10
10
400 МГц
400 МГц
400 МГц
0,4 A)
0,4 A)
0,4 A)
10A5)
10 C0)
10 E0)
?1,5
?1,5
?1,5
2Д419
J
•—»•
C3CZ
ээ-
2Д420А
-60...+125
24; 35»
50; 500*
300 МГц
1 E)
?1
2Д42О
ее --КЭ-- зв
2Д422А
-60...+ 100
1,5
0,35 @,5)
50A)
?0,6
2Д423А
2Д423Б
-60...+85
-60...+85
1000
800
400* А
400* А
3 B0 А)
3 B0 А)
?1,5 мА
?1,5 мА
?2
?2
2Д423
Pff
НО
2Д426А
-60...+125
150
200; 500*
1,2 A00)
10A50)
?1,5
?4 E В)
2Д426
t 7,2
ВыШ I
выыг
2Д502А
2Д502Б
2Д502В
2Д502Г
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
30
30
100
100
20; 300*
20; 300*
20; 300*
20; 300*
1 (Ю)
1 (Ю)
1 E0)
1 E0)
5C0)
5 C0)
5 A00)
5A00)
?0,5
<0,5
?0,5
?0,5
2Д5О2
Вывод Г. 0jjs
Bvtcdl
ВыШ 2
2Д503А
2Д503Б
-60.. .+ 125
-60...+125
30
30
20; 200*
20; 200*
350 МГц
350 МГц
1 (Ю)
1,2 A0)
4C0)
4C0)
?0,01
?0,01
?5
?2,5
2Д5ОЗ
7,5
[ззд
2Д504А
•60...+125
40
300
1,2 A00)
2D0)
?20E)
1Д507А
1Д508А
-60...+70
20
16
0,5 E)
50 B0)
?0,1
?0,8 E)
-60...+70
10; 30*
0,7 A0)
60(8)
?0,75 E)
1Д5О7, 1Д5О8А
15
-fc*+
2Д509А
-60...+125
50
100; 1,5* А
1,1 @,1 А)
5E0)
?0,004
?4@)
2Д5О9А
ээ

188
Раздел 4. Диоды
2Д510А
-60. .+125
50; 70*
200; 1,5* А
1,1 @,2 А)
5 E0)
<0,0О4
<4 @)
2Д510А
сзс:
ээ
2Д52ОА
-60...+125
15; 25'
20; 50*
1 B0)
1 A5)
<0,004
<3,0 E)
2Д52ОА
J
«—»•
¦сзс:
2Д522Б
-60...+125
50
100; 1,5* А
1,1 A00)
5 E0)
<0,0О4
<4@)
2Д522Б
сэс:
зэ
2Д703АС-1
2Д7ОЗБС-1
2Д705А9
-60 .+125
-60...+ 125
-60...+ 125
40
40
12
50
50
0,7A)
5D0)
5D0)
0,2 A0)
<0,5
<0,8
<0,02
2Д7ОЗАС, 2Д7О5А9
3
<А @,1)
2Д806А
2Д8О6Б
-60.. .+125
-60...+ 125
35
25
500; 1000*
500; 1000*
0,55A00)
0.55A00)
250 C5)
200 B5)
<2 не
A0 мА)
<2 не
A0 мА)
<20
?20
2Д8О9А
2Д8О9Б
-60...+85
-60...+85
100
80
1 А; 5* А
1 А; 5* А
1,3 A000)
1,1 A000)
1000 A00)
1000 (80)
<2 не
E00 мА)
<2 не
E00 мА)
250E)
<50E)
«о
2Д809
7
-ве
-&¦
эш
2Д901А-1
2Д901Б-1
2Д901В-1
2Д901Г-1
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
10
10
10
10
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,7 A)
0,7A)
0,7A)
0,7 A)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
<20 не
<20 не
520 не
<20 не
<А @,1)
<4 @,1)
<4 @,1)
<4 @,1)
AJ
2Д901А-1 2А901Б-1
[3
2Д901В-1 2Д901Н
К Aj AgAj К AtAf A$At
""OO"
2Д903А
2Д903Б
-60...+70
-60 ..+70
20
20
75
75
1,2 G5)
1,2 G5)
0,5 B0)
0.5 B0)
<0,150
20,150
110E)
110E)
2Д903

Параметры диодов, столбов и блоков
189
2Д904А-
2Д904Б-
2Д904В-
2Д904Г-1
2Д904Д-
2Д904Е-
-G0 ..+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
10; 12*
10; 12*
10; 12*
10; 12*
10; 12*
10; 12*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
5; 100*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,8A)
0,8@
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,8A)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
0,2 A0)
<10 не
<10 не
<10 не
?10 не
<10 не
<10 не
<2 @,1)
<2@.1)
52@.1)
<2 @,1)
<2 @,1)
<2 @,1)
К1
00,04
гД90ЬА-1к 2ДШ6-1
"9 Р <гфъ
Ж21
2Д№В-Ц-1 2ДШН,Е-1
2Д906А
2Д9О6Б
2Д9О6В
-60 ..+ 125
-60...+ 125
-60...+ 125
75
50
30
200; 2* А
200; 2* А
200; 2* А
500
500
500
1 E0)
1 E0)
1 E0)
2G5)
2E0)
2 C0)
<0,4
<0,4
<0,4
<20E)
<20E)
<20E)
2Д906
6
«—»
2Д9О7Б-1
2Д9О7Г-1
-60 ..+85
-60...+85
40; 60*
40; 60*
50; 700*
50; 700*
10 МГц
10 МГц
1 E0)
1 E0)
5D0)
5D0)
<5@)
<5@)
о/ о2 о/ о2 oJ <?<r
h>5 i>5 66
2Д907Б-»
2ДЭО7Г-1
2Д908А
-60...+ 125
50; 60*
200; 1,5 А
10 МГц
1,2 B00)
1 D0)
<20 не
<5@)
2Д908А1
-60...+125
50; 60*
200; 1,5 А
1,2 B00)
5E0)
<30 не
<5@)
2Д908А1
щи
гттт
7J 7? 7/ Ю
2Д910А-1
2Д910Б-1
2Д910В-1
-60...+85
-60..+85
-60...+85
10*
10*
10*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,8A)
0,8 A)
0,8 A)
0,5 E)
0,5 E)
0,5 E)
<5 не
<5 не
<5 не
21,5@,1)
<1,5 @,1)
<1,5@,1)
ШЮА-12А9Ю51 2Д9ЮВ-1
12 12 3 1 23<i

190
Раздел 4. Диоды
2Д911А-1
2Д911Б-1
-60...+85
-60...+85
0,6 @,05)
0,6 @,05)
0,5 E)
0,5 E)
?160
?160
2Д911А-1
2Д912А-3
2Д912Б-3
2Д912В-3
-60...+85
-60...+85
-60...+85
3,5; 10*
3,5; 10*
3,5; 10*
10 МГц
10 МГц
10 МГц
0,6 @,05)
0,6 @,05)
0,5 @,05)
0,2 E)
0,2 E)
0,2 E)
?5 не
?0,14 не
SO, 18 не
?1,8 @,1)
?1,8 @,1)
?1.8@,1)
2Д912
0,7 0,25
2Д913А-3
-60...+85
10
5; 200*
10 МГц
0,48 @,01)
0,2 A0)
?10 не
<4 @,1)
2Д913А-3
ч/з
0,7
0.25
КЛЮЧ
At К
А2 Ц«*
2Д917А
-60...+125
50
200
1,2 B00)
5 E0)
?50 не
40 '@,05)
s;
2Д917А
пппппппп
*Ш1
и и
10
«« »¦
«*'»
2Д917А-1
-60... +125
50; 60*
200; 1,5* А
1,2 B00)
5E0)
<5 не
?0,5
2Д917А-1
1W
Т Г Т Ч1
7J 7? 11 10
2Д918Б-1
2Д918Г-1
-60...+85
-60...+85
40
40
50; 700*
50; 700*
10 МГц
10 МГц
1 E0)
1 E0)
5D0)
5D0)
?4 не
?4 не
?6@)
?6@)
2Д918
/ о2 oJ о*
>1 Р2
i5 "^5 6в
2Д910Б 2Д918Г
2Д919А
2Д920А
-60...+85
40
100
10 МГц
1,35A00)
1 D0)
?100 не
?6A0)
2Д919А, 2Д920А
-60...+85
40
100
1,5 A00)
1 D0)
?100 не
?6A0)
at
uuuy uuuu
?DOD aODD
22
U

Параметры диодов, столбов и блоков
191
2Д921А
2Д921Б
-60...+ 100
-60...+ 100
18
21
100; 200*
75; 150*
600 МГц
600 МГц
1 G5)
1,6 G5)
0,5 A5)
0,5 A5)
<0,1* не
?0,1* не
?1,5
?1,5
2Д921
2Д922А
2Д922Б
2Д922В
-6O...+125
-60...+ 125
-60...+125
18
21
10
50
35
10
1000МГц
1000МГц
1000МГц
1 E0)
1 C5)
0,55 A0)
0,5 A5)
0,5 A5)
0,5 A0)
?0,1* не
?0,1* не
?0,1* не
?1
?1
?1
2Д922
J
«—»
¦Be
3S-
2Д924А
-60...+100
18
200; 300*
1 A50)
5A5)
?0,1* не
<3
2Д924, 2Д925, 2Д926А
2Д925А
2Д925Б
-60...+ 100
-60...+100
30
30
200*
200*
600 МГц
600 МГц
0,38 A)
0,38 A)
1 C0)
4C0)
?0,1* нс
?0,1* нс
2Д926А
-60...+100
25
20*
1 E00)
200 B5)
?2 нс
?20
2Д927А
-60...+85
35
20*
0,23
15C5)
0,5
2Д927А
4,4
¦«—*¦
2ДС408А-1
2ДС408Б-1
2ДС408В-1
2ДС408Г-1
-60...+85
-60...+85
-60...+85
-60...+85
10; 100*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
0,73 @,01)
0,73 @,01)
0,73 @,01)
0,73 @,01)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,01 A0)
0,1 A0)
?40 нс
<40 нс
?40 нс
?40 нс
<1,3@,5В)
<1,3(О,5В)
<1,3@,5В)
<1,3@,5В)
2ДС408
н»
Выбод подложки
2ДС413А-1
2ДС413Б-1
-60...+ 100
-60...+ 100
20; 30*
20; 30*
10; 100*
10; 100»
0,75 A)
0,75 A)
0,025 A0)
0,010A0)
<0,04
<0,04
<3
<3
2ДС414А-1
2ДС414Б-1
-60...+100
-60...+ 100
20; 30*
20; 30*
10; 100*
10; 100*
0,75 A)
0,75 A)
0,025 A0)
0,01 A0)
0,04
0,04
3@)
3@)
2ДС413, 2ДС414
7/ Ю 9
к?
/ j У'т
2ДС415А-1
2ДС415Б-1
2ДС415В-1
2ДС415Г-1
2ДС415Д-1
2ДС415Е-1
-60...+100
-60. .+100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+ 100
20; 30*
20; 30*
20; 30*
20; 30*
20; 30»
20; 30*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
10; 100*
0,75 A)
0,75 A)
0,75 A)
0,75 A)
0,75 A)
0,75 A)
0,025 A0)
0,1 A0)
0,025 A0)
0,1 A0)
0,025 A0)
0,1 A0)
?0,04
?0,04
?0,04
?0,04
?0,04
?0,04
?3@)
?3@)
<3@)
?3@)
?3@)
?3@)
2ДС415

192
Раздел 4. Диоды
2ДС523А
2ДС523Б
-60...+ 125
-60...+125
50
50
20
20
1 B0)
1 B0)
5E0)
5 E0)
<4 не
<А не
<2 @,1)
<2 @,1)
2 о.
¦«-
-о J
1 о-
-?4-
¦ok
2ДС523В
2ДС523Г
-60...+125
-60. .+ 125
50
50
20
20
1 B0)
1 B0)
5 E0)
5 E0)
<4 не
<4 не
<2 @,1)
<2 @,1)
2ДС523
ц о—?4-
J о—?4-
2 о-
7 о-
-W-
¦^Ь
^5
-о 7
-о5
2ДС523АМ
2ДС523БМ
-60...+125
-60...+ 125
50
50
20
20
1 B0)
1 B0)
5E0)
5E0)
?4 не
<4 не
<2 @,1)
<2 @,1)
2ДС523
2ДС523ВМ
2ДС523ГМ
-60...+ 125
-60...+125
50
50
20
20
1 B0)
1 B0)
5E0)
5E0)
<4 не
<4 не
<2 @,1)
?2 @,1)
2ДС523
2ДС627А
-60...+125
50
300
1,15B00)
2E0)
?40 не
<5
2ДС627А
16
2ДС628А
-60. .+125
50
200
1,25C00)
5E0)
?50 не
<32
2ДС628А
1Щ04АИ
-60...+70
1 кВ;
2*кВ
10; 20* А
10
8 E0)
150 B кВ)
1Ц104АИ
2Ц101А
-60...+70
700
10; 1* А
20
8,3 E0)
10 G00)
2Ц101А

Параметры диодов, столбов и блоков
193
2Ц102А
2Ц102Б
2Ц102В
-60...+125
-6O...+125
-60...+125
800
1000
1200
100
100
100
1,5 E0)
1.5 E0)
1,5E0)
90 (800)
90A000)
90 A200)
2Ц103А
-60...+75
2000
МО; I* A
50
9E0)
10 B000)
2Ц103А
2Ц106А
2Ц106Б
2Ц106В
2Ц106Г
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
4000
6000
8000
10000
10; 1* А
10; 1* А
10; 1* А
10; 1* А
20
20
20
20
25 A0)
25A0)
25 A0)
25 A0)
5D000)
5 F000)
5 (8000)
5 A0000)
53,5
53,5
53,5
53,5
2Ц106
<©1
1п
22
«—»
2Ц108А
2Ц108Б
-60...+125
-60...+ 125
2000
4000
100
100
50
50
<6 A80)
<6 A80)
< 150 B000)
< 150 D000)
50,9
0,6...0,9
2Ц108
if>
Od
2Ц1О8В
-60...+125
6000
100
50
< 10 A80)
< 150 F000)
0.6...0,9
2Ц108
Й
сьс:
ЧЁг
70
Бе
2Ц11ОА
2Щ10Б
-60...+125
-60...+ 125
10000
15000
100
100
10A00)
10 A00)
100A0кВ)
100A5кВ)
2Ш10
*о
НЭ*
2Ц112Л
-60...+125
2000
10; I* A
10
10A0)
10 B кВ)
50,3
2Ц112А
Л*
2ЦИЗА-1
-40 ..+85
1600
0,5
20
8 @,5)
0,05 A,6 кВ)
2Ц113А-1
-Н7Д
д.
эеэ О
2Ц114А
2Ц114Б
-60...+125
-60...+ 125
4000
6000
50; 1000*
50; 1000*
10
10
22 E0)
22 E0)
10 D000)
10F000)
52,5
52,5
2Ц114
«©!»=
А

194
Раздел 4. Диоды
2Щ16А
-60...+155
5000
100
24 A00)
5 E кВ)
<2
2Ц116
2Щ19А
2Ц119Б
-60...+125
-60...+125
10000
10000
100
100
20
20
22 A00)
22 A00)
<1
<1
<2,5
<1,5
2Ц119
2Ц120А
-60...+ 155
2000
50; 200*
50
6E0)
<1
<0,3
2Ц120А
2Ц2О2А
2Ц2О2Б
-60...+ 125
-60...+125
2000
4000
500
500
3 E00)
3 E00)
100 B кВ)
100 D кВ)
2Ц202
58
2Ц202В
2Ц202Г
2Ц202Д
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
6000
8000
10000
500
500
500
6 E00)
6E00)
6E00)
100 F кВ)
100 (8 кВ)
100A0кВ)
2Ц2О2
SS
18
2Ц2О2Е
-60...+125
15000
300
10 E00)
100A5 кВ)
2Ц202
2Ц203А
2Ц203Б
2Ц203В
-60...+125
-60...+125
-60...+125
6000*
8000*
10000*
1 А
1 А
1 А
8A А)
8A А)
8A А)
100 F кВ)
100 (8 кВ)
100A0кВ)
2Ц2О4А
6000
1 А
50
1,15 A А)
510
<0,22
2Ц2О4А
Ю-
О
1
[
к
к.
/0
н-
—>
у

Параметры диодов, столбов и блоков
195
2Ц414А
2Ц414Б
2Ц414В
2Ц414Г
2Ц414Д
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60.. .+ 125
50
100
200
400
600
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
20
20
20
20
20
1,5C А)
1,5C А)
1,5 (ЗА)
1,5 C А)
1,5 (ЗА)
80 E0)
80 A00)
80 B00)
80 D00)
80 F00)
?500 не
5500 не
?500 не
?500 не
?500 не
2Ц414
2Ц415А
2Ц415Б
2Ц415В
2Ц415Г
2Ц415Д
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
50
100
200
400
600
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
1,3C А)
1,3 (ЗА)
1,3C А)
1,3 C А)
1,3 C А)
50 E0)
50 A00)
50 B00)
50 D00)
50 F00)
2Ц415
Ш I
01.2
I ^
2Ц416А
2Ц416Б
2Ц416В
2Ц416Г
2Ц416Д
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
50
100
200
400
600
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
1,3 C А)
1,3 (ЗА)
1,3 (ЗА)
1,3C А)
1,3 C А)
50 E0)
50 A00)
50 B00)
50 D00)
50 F00)
2Ц416

196
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
4.4. Параметры варикапов
2В102А
2В102Б
2В102В
2В102Г
2В102Д
2В102Е
2В102Ж
2В103А
2В103Б
2В104А
2В104Б
2В104В
2В104Д
2В104Е
2В105А
2В105Б
2В106А
2В106Б
2В110А
2В110Б
2В110В
2В110Г
2В110Д
2В110Е
2В112А-1
2В112Б-1
2В112Б-9
20
20
25
14
19
25
19
18
28
90
106
128
128
95
400
400
а
20
15
12
14,4
17,6
12
14,4
17,6
9,6
12
12
25
27
37
22
28
37
28
32
48
120
144
192
192
143
600
600
50
35
18
21,6
26,4
18
21,6
26,4
14,4
18
18
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1
1
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1
1
1
40
40
50
50
100
100
50
50
40
100
100
100
100
150
500
500
40
60
300
300
300
150
150
150
200
200
200
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
50
50
50
50
50
50
50
50
50
10
10
10
10
10
1
1
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50

Параметры варикапов
197
1 D5)
1 D5)
1D5)
1 D5)
1 (80)
1D5)
I (80)
45
45
45
45
45
45
80
90 мВт
90 мВт
90 мВт
90 мВт
90 мВт
90 мВт
90 мВт
-60...+120
-60...+ 120
-60...+ 120
-60...+120
-60...+120
-60...+120
-60...+120
2В102
^^
**?*
10 (80)
10 (80)
80
80
5 (-40...+70)
5 (-40...+70)
-60...+ 130
-60...+ 130
2В103
5D5)
5D5)
5D5)
5D5)
5D5)
45
45
80
80
45
0,1 D0)
0,1 D0)
0,1 D0)
0,1 D0)
0,1 D0)
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
-40...+85
2В104
+ 4
-&е
ээ
«А.
20(90)
20 (90)
90
50
0,15 E0)
0,15E0)
-60...+130
-60...+130
5-10 D)
5-10-4 D)
2В1О5
20 A20)
20(90)
120
90
7G5)
5G5)
-60...+130
-60...+130
1D5)
1D5)
1D5)
1D5)
1D5)
1D5)
45
45
45
45
45
45
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0.1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-6O...+125
-60...+125
2В110
-ве
7
«—»
1B5)
1B5)
25
25
0,1 E0)
0,1 E0)
-60...+ 125
-60...+ 125
500* 10 D..25)
500-10D...25)
1B5)
25
0,1 E0)
-40...+85
5О0-10D...25)
2ВИ2-9

198
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
2В113А
2В113Б
2В114А-1
2ВИ4Б-1
2ВН6А-1
2В117А
2В117Б
2ВС118А
2ВС118Б
2В119А
2В124А
2В124А-5
2В124АК-5
2В124АГ-5
2В124А-9
54,4
54,4
54,4
54,4
168
26,4
26,4
54,4
54,4
168
9
24,3
24,3
24,3
24,3
81,6
81,6
81,6
81,6
252
39,6
39,6 ,
81,6
81,6
252
11
29,7
29,7
29,7
29,7
4
4
4
4
1
3
3
4
4
1
3
3
3
3
3
1
1
1
1
1
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
300
300
300
300
100
180
150
200
250
100
250
200
200
200
200
—
1
&
1
—
10
10
10
10
1
1
1
10
10
1
50
50
50
50
50

Параметры варикапов
199
10 A50)
10A15)
150
115
0,1 (-60...+50)
0,1 (-60...+50)
-60...+125
-60...+ 125
500-10'6 D)
500*106 D)
2В113
10 A50)
10A15)
150
115
-60...+125
-60...+ 125
5-Ю4
5-Ю4
0,5A0)
10
-60...+125
2-103 A)
2В116
а/,2
1 B5)
1 B5)
25
25
0,1 E0)
0,1 E0)
-60...+ 125
-60...+125
600«10"бC)
600* 106 C)
2В117
-&Е
ДО
7
«—»
1 A15)
1 F0)
115
60
-60...+ 125
-60...+125
2ВС118
1 (Ю)
12
-60...+125
2ВИ9
еде
3D
7
«•—»
0,5 C0)
30
-60...+ 125
2В124А
>вю-
й
2,5
0,5 B5)
0,5 B5)
0,5 B5)
28
28
28
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2В124-5
0,7 0,2
0,5 B5)
28
-60...+125
2В124-9
_1_

200
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
2В125А
2В127А
2В127Б
2В127В
2В127Г
2В127А-5
2В133А
2В133АР
2В141А-6
2В143А
2В143Б
2В143В
24 36 1 1...10
230
230
260
230
230
120
120
3
24
24
24
280
360
320
320
280
180
180
6,6
30
30
30
1
1
1
1
1
4
4
8
со со со
о о о о
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
1...10
150 — 50
140
140
140
140
140
100
100
199
400
400
350
1
1
1
1
1
—
—
о о о о
10
1...10
1...10
300
50
50
50

Параметры варикапов
201
0,5 A2)
14
-60...+ 125
2В125
а
2,5
0,5 C0)
0,5 C0)
0,5 C0)
0,5 C0)
32
32
32
32
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
2В127
csTiicJi '««?
>»
а
2,5
0,5 C0)
32
-60...+100
2В127А-5
0,7 0,2
1B7)
1B7)
32
32
-60...+ 125
-60...+ 125
2В133
Эв»
й
15A4)
16
-60...+ 125
в-Ю^О)
2В141-6 ,
от , от
ооч
0,05 A5)
0,05 A5)
0,05 B5)
18
18
28
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
8-104C)
8 • 10-4 C)
8 • 10^C)
2В143
•ве
/ ; ; I
эет

202
Раздел 4. Диоды
4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов
2С101А
2С101Б
2С101В
2С1О1Г
2С101Д
2C1OLA-1
2С101Б-1
2С101В-1
2С101Г-1
2С101Д-1
2С107А
2С108А
2С108Б
2С108В
2С108Г
2С108Д
2С108Е
2С108Ж
2С108И
2С108К
2С108Л
2С108М
2С108Н
2С108П
2С108Р
2С108С
2СП1А
2СШБ
2СШВ
2СИ2А
2С112Б
2С112В
2СИЗА
2С117А
2С117Б
2С117В
2СИ7Г
2С117Д
2С117Е
2С117Ж
2С117И
2С117К
2С117Л
2С117М
2CU7H
2С117П
3,0
3,5
4,2
5
6,1
3,0
3,5
4,3
5,5
6,1
0,63
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
5,66
6,24
6,43
6,82
7,49
8,25
1,2
1 1 1 1 1 1 1 1 I I I I I
3,3
3,9
4,7
5,6
4,8
3,3
3,9
4,7
5,6
6,8
0,715
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
—
—
1,25
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
3,6
4,3
5,2
6,2
7,5
3,6
4,3
5,2
6,2
7,5
0,77
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
6,76
7,38
7,59
8,21
8,95
9,98
1,4
1
1
1
1
1
15
13
11
9
7
10
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
10
10
5
5
5
10
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
-0,1
-0,08
-0,06
-0,04
-0,1
0,08
0,06
0,04
0,06
-0,45
±0,002
±0,001
±0,0005
±0,002
±0,002
±0,001
±0,005
±0,002
±0,001
±0,005
±0,001
±0,005
±0,001
±0,005
±0,005
0,06
0,05
0,01
0,04
0,04
0,06
-0,42
0,002
0,001
0,0005
0,002
0,001
0,0005
0,002
0,001
0,0005
0,001
0,0005
0,0005
0,0005
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
±3,2
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±0,8
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±3,5
±1,3
±1,3
±1.3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1.3
1 1 1 1 1
1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
—
—
1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

Параметры стабилитронов и стабисторов
203
180 C)
180 C)
200C)
100C)
50C)
30
26
21
18
15
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С1О1
180 C)
180 C)
200C)
100C)
50C)
15
15
13
9
7
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С1О1-1
<7 A0 мА)
120
0,125
-60...+125
2С1О7А
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G.5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
<15 G,5 мА)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
0,070
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60... + 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С1О8
QE
эе-
7
«—»>
<35 A0)
<28 A0)
<18 A0)
<16 E)
<14 E)
<18A8)
22
20
20
150
150
.150
-60...+125
-60...+125
-60...+125
18
17
15
150
150
150
-60...+125
-60...+125
-60...+125
80 AмА)
100
0,18
2С113
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
2С117
«—»
эо-

204
Раздел 4. Диоды
2С118А
2С119А
2С120А
2С120Б
2С120В
2С120Г
2С123А
2С123Б
2С123В
2С123Г
2С123Д
2С123Е
2С124Д-1
2С127А-1
2С127Д-1
2С130Д-1
2,9
—
1 1 1 1 1 1
* 2'2
2,5
2.8
3,2
1,9
1,225
1,225
1,225
1,225
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
6,4
2,4
2,7
2,7
3,0
3,5
—
1 1 1 1 1 1
2,6
2,9 .
3,2
0,5
10
—
12
12
12
12
12
12
3
3
3
3
+0,15
-0,3
0,01
0,0005
0,0025
0,0005
0,002
0.0005
0,002
0,0005
0,002
-0,075
-0,2
-0,075
-0,075
—
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,3
±1,5
±2,5
±1,5
±1,5
1
—
1 1 1 1 1 1
0,9 A0)
0,9 A0)
0,9 A0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
205
500 @,2)
0,01
0,5
2,0
-60...+125
2С118
15A0)
100
0,26
-60...+125
2С119
*4'
-W-
15
0,05
0,05
0,05
0,05
0,125
0,125
0,125
0,125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С12О
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
<20 G,5)
12
12
12
12
12
12
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
2С123
^Е
7
«—••
Э&
1200 C)
0,25
20,8
0,05
-60...+125
2С124-1
1,6
I
180 C)
0,02
-60...+85
2С127А-1
.0.6
1250 C)
0,25
18,5
0,05
-60...+125
2С127Д-1
1.6
1300 C)
0,25
16,7
0,05
-60...+125
2С13ОД-1

206
Раздел 4. Диоды
2С133А
2С133Б
2С133В
2С133Г
2С133Д-1
2С136Д-1
2С139А
2С139Б
2С139Д-1
2С143Д-1
2,97
3
3,1
3
3,1
3,4
3,5
3,7
4
3,3
з.з
3,3
3,3
3,3
3,6
3,9
3,9
3,9
4,3
3,63
3,7
3,5
3,6
3,5
3,8
4,3
4,1
4,6
10
10
5
5
3
3
10
10
3
3
-0,11
-0,11
-0,11
-0,11
-0,075
-0,07
-од
-0,1
-0,065
-0,06
±1
±1
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1
±1
±1,5
±1,5
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
0,9A0)
0,9 A0)
1 E0)
1 E0)
0,9 A0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
207
65 A0)
81
0,3
-60...+125
2С133А
-5Е
-й-
9
« *¦
15
65 A0)
30
0,1
-60...+125
2С133Б
04
:->«НФ
680 A)
680 A)
37,5
37,5
125 мВт
125 мВт
-60...+125
-60...+125
2С133
•BE
«—»
Э&
1400 C)
0,25
15,2
0,05
-60...+125
2С133Д-1
1.6
1
/ \
1500
0,25
13,9
0,05
-60...+125
2С136Д-1
1,6 .1
I I
I \
60 A0)
79
0,3
-60...+125
2С139А
-В€
"«-
9
* ••
15
180C)
30
0,1
-60...+125
2С139Б
04
^«нН^
1600
0,25
12,8
0,05
-60...+125
2С139Д-1
1.6
I I
/ \
1650
0,25
11,6
0,05
-60... + 125
2С143Д-1
/ \ LJ

208
Раздел 4. Диоды
2С147А
2С147Б
2С147В
2С147Г
2С156А
2С156Б
2С156В
2С156Г
2С156Ф
2С162А
2С162Б-1
2С162В-1
2С164М-1
4,23 4,7 5,17 10
4,1
4,5
4,2
5,04
5
5,3
5
5,3
5,6
6
4,7
4,7
4,7
5,6
5,6
5,6
5,6
5,6
6,2
6,2
6.2
5,2
4,9
5,2
6,16
6,14
5,9
6,2
5,9
6,76
6,7
10
ел ел
10
10
5
5
5
10
3
4
1,5
-0,09
-0,08
-0,07
-0,07
±0,05
-0,04
±0,05
0,07
0,04
±0,06
0,06
0,006
±0,005
±1
±1
±1,5
±1,5
±1
±1
±1,5
±1,5
0,01...0,04
±1,5
±1
±1
±0,1
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
209
56 A0)
58
0,3
-60...+125
180C)
21
0,1
-60...+125
2С147Б
04
^„ft-^
680A)
680 A)
37,5
37,5
0,125
0,125
-60...+125
-60...+125
46 A0)
55
0,3
2С156А
160C)
18
0,1
-60...+125
2С156Б
04
ФЕШ*
470 A)
470 A)
22,4
22,4
125 мВт
125 мВт
-60...+125
-60...+125
2С156В, Г
30E)
20
125 мВт
-60...+125
2С156Ф
12
**¦
35 A0)
22
0,15
-60.. .+125
2С162
>i к—*¦ — •
ЭЕ:_ ^'
15C)
25C)
34
34
21 мВт
21 мВт
-60...+85
-60...+85
?120 A,5 мА)
0,5
0,020
-6O...+125
2С164М-1
1.6 .1
W

210
Раздел 4. Диоды
2С166А
2С166Б
2С166В
2С168А
2С168Б
2С168В
2CI68X
2С168К-1
2С170А
2С175А
—
6,1
6,0
6,2
6,5
6,46
6,4
6,8
6,6
6,6
6,6
6,8
6,8
6,8
6,8
6,8
7,0
7,5
—
7,5
7,5
7,4
7,1
7,14
7,6
8,2
7,5
7,5
7,5
10
10
10
0,5
0,5
20
18
±0,002
±0,001
±0,005
±0,06
±0,07
±0,06
±0,095
0,05
±0,01
±0,04
±1,4 мВ
±1,4 мВ
±1,4 мВ
±1
±1
±1,5
±1,5
±1
±1,5
—
1 E0)
1 E0)
1 E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
211
<20 G,5 мА)
<20 G,5 мА)
<20 G,5 мА)
10
10
10
0,070
0,070
0,070
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С166
¦BE
ЭВ-
7
«—*
28 A0)
45
0,15
-60...+125
2С168А
-ее
-Й-
/5
40C)
15
0,1
-60...+125
2С168Б
04
"ЕЕЕсЁ
28 A0)
15
0,15
-10...+125
2С168В
4 U
I
200 @,5)
0,5
20 мВт
-10...+125
2С168Х
0,25
1000A00)
0,1
2,94
0,02
-1O...+125
2С168К-1
18A0)
20
0,15
-60...+125
2С17ОА
е
16E)
18
0,15
-60...+125
2С175А
it U
i

212
Раздел 4. Диоды
2С175Ж
2С175Х
2С175Ц
2С180А
2С182А
2С182Е
2С182К-1
2С182Ц
2С182Х
2С190А
7,1
7,1
7,1
7
7,4
7,79
7,8
7,8
8
7,5
7,5
7,5
8
8,2
8,2
8,2
8,2
8,2
9
7,9
7,9
7,9
8,5
9
8,61
8,6
8,6
9,5
4
0,5
0,5
5
5
4
0,5
0,5
0,5
5
±0,07
±0,065
±0,065
0,07
±0,05
±0,1
0,075
0,07
±0,075
±0,008
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
2E0)
2E0)
1E0)
2E0)
2E0)
1E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
213
200 @,5)
0,5
20
0,15
-60.. .+125
2С175Ж
е>Г
it
эг
0,5
2,65
20 мВт
-60...+125
2С175Х
0,25
А2 1
820 @,1)
0,1
17
0,125
-60...+125
2С175Ц
¦ОЕ
7
эе-
15A)
13
125 мВт
-60...+125
2С180А
04
"ЕЕЁЁ
14E)
17
0,15
-60...+125
2С182А
4 U
< ¦>
15
0,125
-60...+125
2С182Е
^Е
ЭВ-
1000
0,1
2,44
0,02
-60...+125
2С182К-1
1.6
I \
820 @,1)
0.1
15
0,125
-60...+125
2С182Ц
200 @,5)
22A)
0,5
2,5
20 мВт
-60...+125
13
125 мВт
-60...+125
2С182Х
0,25
2С19ОА
04

214
Раздел 4. Диоды
2С190Б
2С190В
2С190Г
2С190Д
2С190Е
2С190Ж
2С190И
2С190К
2С190Л
2С190М
2С190Н
2С190П
2С190Р
2С190С
2С190Т
2С190У
2С190Ф
2С191А
2С191Е
2С191Ж
2С191К-1
2С191С
2С191Т
2С191У
2С191Ф
2С191Х
2С191Ц
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,6
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,6
8,6
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,1
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,4
9,6
9,6
9,56
9,55
9,55
9,55
9,55
9,6
9,6
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
4
0,5
о о о о
0,5
0,5
±0,005
±0,002
±0,002
±0,002
±0,005
±0,002
±0,001
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,005
±0,06
±0,1
±0,09
±1,5
±0,005
±0,0025
±0,001
±0,0005
0,08
+0,080
±0,02
±0,02
±0,02
±1.5
±1,5
1,5
±2 мВ
±2 мВ
±2 мВ
±2 мВ
±1.5
±1,5
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
2E0)
—
<2 E0 мА)

Параметры стабилитронов и стабистороэ
215
15 A0)
15 A0)
15 A0)
15A0)
15 A0)
15 A0)
15A0)
15A0)
15A0)
15 A0)
15 A0)
15A0)
15A0)
15A0)
15 A0)
15A0)
15A0)
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
0,15
0,15
0,15
0,15
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
150 мВт
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60.:.+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С19О
18E)
15
0,15
-60...+125
14
0,125
-60...+125
2С191Е
¦BE
т—»
Э&
200 @,5)
0,5
16
0,15
-60...+125
eg*
2С191Ж
pwd
Э9
1000A000)
0,1
2,2
20 мВт
-60...+125
70C)
70C)
70C)
70C)
20
20
20
20
0,2
0,2
0,2
0,2
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
2С191
«ВС
-«-
15
200 @,5)
0,5
2,24
20 мВт
-60...+125
2С191Х
20 @,1 мА)
0,1
14
0,125
-60...+125
2С191Ц

216
Раздел 4. Диоды
2С205А
2С210А
2С210Б
2С210Е
2С210Ж
2С210К
2С210Х
2С210К-1
2С210Ц
2С211А
2С211Б
2С211В
2С211Г
2С211Д
9,12 — 10,92 5
9
9
9
9,5
9,5
9,5
9,5
10
17
9,3
9,9
9,9
10
10
10
10
10
10
10
10
11
И
11
И
11
10,5
11
11
10
12
12,6
11
12,1
12,1
5
5
5
4
10,5
10,5
10,5
12
5
о о о о
0,06
±0,07
±0,07
±0,1
0,09
*
0,5
0,5
0,5
0,085
±0,095
+0,02
-0,02
@,01)
@,005)
±1
±1,5
±1,5
±1,5
0,09
0,09
±1,5
±1,5
—
' 1 E0)
—

Параметры стабилитронов и стабисторов
217
35C)
14
150
-60...+125
2С2О5А
4 U
I
22E)
14
0,15
-60.. .+125
2С21ОА
04
"?ЕЗ±
22E)
14
0,15
-60...+125
2С210Б
К U
I
13
0Д25
-60...+125
40D)
0,5
13
125 мВт
-60...+125
с*
2С21ОЖ
«—»
скз
э^
-60...+125
2С210К
-ее
¦*-
15
200 @,5)
0,5
200 мВт
-60...+125
2С21ОХ
1 0,25
1000@,1)
0,1
0,02
-60...+125
2С21ОК-1
1,6 .1
/ \
200 @,5)
0,1
12
125 мВт
60...+125
36A)
10
125 мВт
-60...+125
2С211А
04
^ge|gf^
30E)
30E)
30E)
30E)
33
33
33
33
0,28
0,28
0,28
0,28
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
е*Г
2С2ИБ-Д
сза
э^

218
Раздел 4. Диоды
2С211Е
2С211Ж
2С211И
2С2НК-1
2С211Ц
2С212Е
2С212Ж
2С212И
2С212Х
2С212Ц
10,4 11 11,6 5 '
10
10
10,45
10,4
10,8
11,4
П.4
11,4
П.4
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
12
11,55
11,6
13,2
12,6
12,6
12,6
12,6
14
13
0,1
0,5
5
4
4
4
4
±0,1
0,002
0,07
0,095
+0,085
±0,1
±0,095
±0,095
±0,095
±0,095
0,092
0,07
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1.5
±1,5
<2 E0 мА)
2E0)
2E0)
2E0)
2E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
219
12
0,125
6O...+125
2С211Е
40D)
0,5
14
0,15
-60...+125
«NT
2С211Ж
it
ээ
23E)
13
0,15
-60...+125
2С211И
4 U
I
1000@,1)
0,1
1,8
20 мВт
-60...+125
2С2ПК-1
1,6
/ \ l_i
20 @,1 мА)
0,1
11,2
0,125
-60...+125
11
0,125
-60...+125
2С212Е
¦^Е
за-
7
«—»¦
200 @,5)
0,5
13
0,15
-60...+125
2С212Ж
it
cap
200 @,5)
0,5
13
0,15
-60...+125
2С212В
4 4
i
200 @,5)
0,5
13
0,15
-60...+125
2С212Х
0,25
200 @,5)
0,5
13
0,15
-60...+ 125
2С212Ц
эг

220
Раздел 4. Диоды
2С212К-1
2С213А
2С213Б
2С213Е
2С215Ж
2С216Ж
2С218Ж
2С220Ж
2С222Ж
2С224Ж
2С291А
11,4
11,5
12,3
13,5
15,2
16,2
19
19.8
22,8
86
12
13
13
13
15
16
18
20
22
24
91
12,6
14
13,7
16,5
17
19,8
21
24,2
25,2
%
0,5
5
5
5
2
4
2
- 2
2
2
1
±0,095
±0.095
±0,08
±0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,11
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1.5
±1,5
±1,5
±1.5
±1,5
1 E0)
2E0)
1 E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
221
1000@,1)
од
17
20 мВт
-60...+125
2С212К-1
1,6
1
/ \
44A)
125 мВт
-60...+125
2С213А
04
ФЕЁ&
25E)
10
0,15
-60...+125
2С213Б
U к
I
10
125 мВт
-60...+125
2С213Е
¦ве
7
<—»
Э&
70B)
0,5
8,3
125 мВт
-60...+125
aJ
2С215Ж
XZSZZ
э^
200 @,5)
0,5
9,4
150 мВт
-60...+125
tvT
2С216Ж
5,1
еда
эг
70B)
0,5
6,9
125 мВт
-60..+125
#
^
2С218Ж
70B)
0,5
6,2
125 мВт
-60...+125
esT
2С22ОЖ
it
¦вг
эг
70B)
0,5
5,7
125 мВт
-60...+125
ъ.-
2С222Ж
it
ээ
70B)
0,5
5,2
125 мВт
-60...+125
&-
2С224Ж
it
сза
э&
700A)
0,5
2,7
250 мВт
-60...+125
2С291А
П
\т I
=П1м tf

222
Раздел 4. Диоды
2С411А
2С411Б
2С433А
2С439А
2С447А
2С456А
2С468А
2С482А
2С510А
2С512А
7 8,5 5
8
2,97
3,52
4
5,04
5,78
6,98
8,2
11
3,3
3,9
4,7
5,6
6,8
8,2
10
12
9,5
3,89
4,69
5,3
6,16
7,48
9
11
13
5
60
51
43
36
30
5
5
1
0,07
0,08
-0,1
-0,1
-0,08
0,05
0,065
0,08
0,1
0,1
±1
±1
±1.5
±1.5
±1,5
±1.5
±1.5
±1,5
±1,5
±1,5
1 E0)
1 E0)
1E0)
1 E0)
1 E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
223
6E)
10E)
25 C0)
25 C0)
18 C0)
7C6)
5C0)
200A)
200A)
25E)
3 40
3
3
3
3
3
3
1
1
1
36
191
176
159
167
119
96
79
67
340 мВт
340 мВт
1
1
1
1
1
1
1
1
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С411Л
+ г*Ч
см
9.
1
IS =
i
\
/
2С411Б
И**
ie =
as
2С433А
-
1
i /
I
ы. .
0
с 1S
JC439
KJ
ft
< 1S
—*.
А
—».
2С447А
0
с »
aaca
2С456А
к'
1 ,
N.
1
i f
с '5
—*-
JC468A
э^
2С482А
9
*_»
»
2С510А
tut! ¦
i
-«-
9
»>
ZC512A
¦-W-
9

224
Раздел 4. Диоды
2С515А
2С516А
2С516Б
2С516В
2С518А
2С522А
2С524А
2С527А
2С530А
2С536А
2C55IA
2С591А
12,3
9
10
11,5
14.7
270
23
22
28
34
48
86
15
18
22
24
27
30
36
51
91
16,5
10,5
12
14
19,8
24
25
29,7
31
38
54
96
5
5
5
5
5
5
1
5
1,5
1,5
од
±0,09
±0,095
±0,09
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,12
0,12
±1,5
±1
±1
±1
±1.5
±1,5
±15
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
±1,5
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)

Параметры стабилитронов и стабисторов
225
200 A)
12E)
15E)
18 E)
200A)
200A)
30E)
200A)
45E)
50E)
200A,5)
400A,5)
1 53
3
3
3
1
1
1
1
1
1
1
1
32
29
24
45
37
33
30
27
23
14,6
8,8
1 •
340 мВт
340 мВт
340 мВт
1
1
1
1
4
1
1
1
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-6O...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
2С515А
[
hi
9
1 15
—1*-—
- -^Ь^
2С516
см
1
1
2С518А
9
с *
2С522А
-W-
9
с *
=^«
2С524А
>
-W-
9
: *
—».
2С527А
J
1
i
Я
. *
•—•„„
—*—
—>.
2С53ОА
9
с 1S
—чЬ
2С536А
4
i
/
0
с К
—^
2C55L
|Л
9
< *
2С591А
-&-
а
с ^
=^

226
Раздел 4, Диоды
2С600А
2С920А
2С930А
2С950А
2С956А
2С980А
95
108
117
136
162
100
120
130
150
156
180
105
132
143
164
198
1,5
50
50
25
25
25
0,12
•0,16
0,16
0,16
0,16
0,16
±1,5
4
4
4
4
4
1 E0)
1,5E00)
1,5E00)
1,5 E00)
1,5 E00)
1,5 E00)

Параметры стабилитронов и стабисторов
227
450 A,5)
1
8,1
1
-60...+125
2С600А
^эе
-W-
9
« »
15
100 E0) ,
42
-60...+125
120 E0)
38
-60...+125
170 B5)
33
-60...+125
170 B5)
30
-60...+ 125
280 B5)
28
-60...+125

228
Раздел 4. Диоды
2С401А
2С401БС
2С408А
2С414А
2С416А
2С501А
2С501АС
2С501Б
2С501БС
2С503АС
2С503БС
2С503ВС
2С514А
2С514А1
2С514Б
2С514Б1
2С514В
2С514В1
6,1
6,8
5,89
3,5
7,22
13,5
13,5
27
27
10,8
29,7
35,1
58,9
55,8
64,6
61,2
77,9
73,8
7,5
8,2
6,51
4,3
7,98
16,5
16,5
33
33
13,2
36,3
42,9
65,1
68,2
71,4
74,8
86,1
90,2
10
10
1
10
10
1
1
' 1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10,8A)
11,7A)
8,5A)
7,5A)
11 A)
22A)
22A)
43,5 A)
43,5 A)
17A)
47A)
56A)
80A)
89A)
85A)
98A)
100A)
110A)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
—
—
—
1 E0)
1E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
0,57 A0)
0.061 A0)
0,07 A)
-0,1 A0)
0,061 A0)
0,084 A)
0,084 A)
0,097 A)
0,097 A)
0,078 A)
0,098 A)
0,1A)
0,088...0,104 A)
0,088...0,104 A)
0,104 A)
0,104 A)
0,92...0,105 A)
0,92...0,105A)
1000 E,5)
1000 E,5)
300E)
800 B,4)
1000 F,5)
5A1)
5A1)
5B4)
5B4)
5(9)
5B6)
5C1)
5 E3)
5 E0,2)
5E8,1)
5 E5,1)
5 G0,1)
5 F6,4)
4.6. Параметры ограничительных диодов

Параметры ограничительных диодов
229
139 A0)
128A)
150A)
1,5A)
10
-9
-60...+125
2С4О1А, 2С401БС, 2С408А
1,5A)
10
-9
-60...+ 125
1,5A)
10
-12
-60...+125
200A)
100A)
1,5A)
10
,-12
-60...+125
2С414А, 2С416А
ВыЬод катода
1,5A)
-60...+125
28
8.8
~IL
HiS
J8
68A)
68A)
34,5 A)
34,5 A)
87A)
31,5A)
26,5 A)
1,5A)
10
-9
-60...+125
1,5A)
10
,-9
-60...+125
2С5О1...2С5ОЗ
SO
1,5A)
10
-9
-60...+125
1,5A)
10
-9
-60...+125
1,5A)
10
,-9
-60...+125
1,5A)
10
,-9
-60...+125
1,5A)
10
-9
-60...+125
17,7A)
8,85 A)
16,3 A)
15,3 A)
13,3A)
12,7A)
1,5A)
10
,-12
-60...+125
2C514
Butod катода
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
1Q
,-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
2в
8.8
H.i8
1,5A)
1,5A)
10
-12
10
,-12
-60...+125
-60...+125

230
Раздел 4. Диоды
2С517А
14,3
15,8
21,2A)
1 E0)
0,084 A)
5 A2,8)
2С517А1
13,5
16,5
22A)
1 E0)
0,084 A)
5A2,1)
2С517Б
20,9
23,1
29,4 A)
100 @,1)
0,092 A)
5 A8,8)
2С517Б1
19,8
24,2
30,6 A)
100 @,1)
0,092 A)
5 A7,8)
2С517В
37,1
41
51,7A)
100 @,1)
0,1 A)
5 C3,3)
2С517В1
35,1
42,9
54,1 A)
100 @,1)
0,1 A)
5C1,6)
2С517Г
71,3
78,8
99A)
100 (ОД)
0,105 A)
5 F4,1)
2С517Г1
67,5
82,5
104 A)
100 @,1)
0,105 A)
5 F0,7)
2С521А
11,1
12,3
16,8A)
100@,1)
0,078 A)
5A0)
2С602А
108
116
135A)
1 E0)
0,07...0,096A)
5(94)
2С602А1
2С6ОЗА
2С603А1
2С603Б
2С603Б1
2С604А
2С604А1
2С604Б
2С604Б1
2С801А
2С802А
2С802А1
2С802Б
2С802Б1
2С803А
2С803А1
2С8ОЗБ
2С803Б1
2С804А
2С901А
2С901А1
2С901Б
2С901Б1
99
143
135
190
180
105
99
190
180
29,7
15,2
14,4
34,2
32,4
64,6
61,2
77,9
73,8
30
105
99
190
180
121
158
165
210
220
116
121
210
220
36,3
16,8
17,6
37,8
39,6
71,4
74,8
86,1
90,2
36,6
116
121
210
220
40
_70_
_70_
_30_
_30_
_20_
_20_
_15_
15
12
12
158A)
207A)
215A)
274 A)
287 A)
146A)
152A)
263 A)
276 A)
47A)
21A)
23,5 A)
46A)
52A)
92A)
98A)
113A)
118A)
48,3
152 A)
158A)
274 A)
287 A)
1 E0)
2E0)
2E0)
2E0)
2E0)
400 @,1)
400 @,1)
400 @,1)
400 @,1)
0,8 D0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
1 E0)
2E0)
2E0)
1 E0)
1 E0)
0,07...0,096 A)
0,11 A)
0,11 A)
0,11 A)
0,11 A)
0,107 A)
0,107 A)
0,108 A)
0,108 A)
0,098 A)
0,086 A0)
0,086 A0)
0,099 C0)
0,099 C0)
0,13 B0)
0,13 B0)
0,13 A5)
0,13 A5)
0,098
0,13A2)
0,13 A2)
0,13 E)
0,13 E)
5 (89,2)
5A28)
5A21)
5A71)
5 A62)
5(94)
5 (89,2)
5A71)
5 A62)
5 B6,8)
5 A3,6)
5 A2,9)
5 C0,8)
5 C9,1)
5 E8,1)
5 E5,1)
5 (86,1)
5 F6,4)
5(94)
5 (89,2)
5A71)
5 A62)

Параметры ограничительных диодов
231
71 A)
68A)
49A)
47A)
28A)
26,5 A)
14,6A)
13,9A)
88A)
9,9 A)
9,5A)
7,2 A)
7A)
5,5A)
5,2A)
9,9A)
9,5A)
5,5 A)
5,2 A)
1,5A)
10
,-12
-60...+125
2С517...2С604
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
ВыШ катода
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
1,5A)
10
-12
-60...+125
1.5A)
10
-12
-60...+125
1.5A)
10
,-12
-60...+125
1.5A)
10
-12
-60...+125
1.5A)
10
,-12
-60...+125
1,5A)
10
,-12
-60...+125
21A)
222 A)
212 A)
100A)
96A)
54A)
51A)
44A)
42A)
1.5A)
10
,-12
-60...+125
2С801...2С803
10
-12
-60...+125
10
,-12
-60...+125
10
,-12
-60...+125
10
,-12
-60...+125
10
,-12
-60...+125
10
,-12
-60...+125
10
,-12
-60...+125
10
,-12
-60...+ 125
100A)
-60...+125
2С804А
32A)
18A)
18A)
17A)
10
-12
-60...+125
2С901А
10
-12
-60...+125
10
,-12
10
-12
-60...+125
-60...+125

232 Раздел 5. Тиристоры
Раздел 5. Тиристоры
5.1. Буквенные обозначения параметров тиристоров
Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми
состояниями, имеющими три или более р-n переходов, объединяются под общим названием тиристоры.
Тиристоры работают как ключи в импульсных режимах с токами, значительно превышающими
допустимые постоянные токи в открытом состоянии. Предназначены для применения в схемах
преобразователей электрической энергии, импульсных модуляторов, бесконтактной регулирующей
аппаратуры, избирательных и импульсных усилителей, генераторов гармонических колебаний, инвер-
инверторов и других схем, выполняющих коммутационные функции.
К основным параметрам тиристоров, устанавливаемым ГОСТ 20332-84, относятся параметры
предельно допустимых режимов в закрытом состоянии, в обратном непроводящем состоянии, в
открытом состоянии и по цепи управления, а также динамические и тепловые параметры:
• постоянное напряжение в закрытом состоянии U3c — наибольшее прямое напряжение, которое
может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии;
• импульсное неповторяющееся напряжение в закрытом состоянии изс, нп — наибольшее
мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на аноде, не вызывающее его
переключение из закрытого состояния в открытое;
• постоянное обратное напряжение Uo6p — наибольшее напряжение, которое может быть
приложено к прибору в обратном направлении;
• обратное напряжение пробоя Unpo6 — обратное напряжение прибора, при котором обратный
ток достигает заданного значения;
• напряжение переключения иПрк — прямое напряжение, соответствующее точке переключения
(перегиба вольт-амперной характеристики);
• напряжение в открытом состоянии UOc — падение напряжения на тиристоре в открытом
состоянии;
• импульсное напряжение в открытом состоянии UOc, и — наибольшее мгновенное значение
напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии
заданного значения;
• импульсное отпирающее напряжение -Uot, и — наименьшая амплитуда импульса прямого
напряжения, обеспечивающая переключение (динистора, тиристора) из закрытого состояния в
открытое;
• постоянное отпирающее напряжение управления Uy, от — напряжение между управляющим
электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управле-
управления;
• импульсное отпирающее напряжение управления Uy, от, и — импульсное напряжение на
управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления;
• неотпирающее постоянное напряжение управления иУ)Нот — наибольшее постоянное напряже-
напряжение на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния
в открытое;
• повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии U3c,n — наибольшее мгновенное
значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только
повторяющиеся переходные напряжения;
• повторяющееся импульсное напряжение U06p,n — наибольшее мгновенное значение обратного
напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напря-
напряжения;
• запирающее постоянное напряжение управления Uy, 3 — постоянное напряжение управления
тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления;
• запирающее импульсное напряжение управления Uy,3,H — импульсное напряжение управления
тиристора, соответствующее запирающему току управления;
• незапирающее постоянное напряжение Uy, Нз — наибольшее постоянное напряжение управле-
управления, не вызывающее выключение тиристора;

Буквенные обозначения параметров тиристоров 233
• пороговое напряжение Unop — значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересе-
пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью
напряжения;
• постоянный ток в закрытом состоянии Ьс — ток в закрытом состоянии при определенном
прямом напряжении;
• средний ток в открытом состоянии 1Ос, ср — среднее за период значение тока в открытом
состоянии;
• постоянный обратный ток 1обр — обратный анодный ток при определенном значении обратного
напряжения;
• ток переключения 1Прк — ток через тиристор в момент переключения (иПрк и 1Прк указываются
только для динисторов);
• повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Ьс, п — наибольшее мгновенное
значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи;
• ударный ток в открытом состоянии 1Ос, удр — наибольший импульсный ток в открытом
состоянии, протекание которого вызывает превышение допустимой температуры перехода, но
воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается с ограниченным числом
повторений;
• постоянный ток в открытом состоянии Ioc — наибольшее значение тока в открытом состоянии;
• повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Ioc, п — наибольшее мгновенное
значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи;п
• повторяющийся импульсный обратный ток 1обр, п — обратный ток,- обусловленный повторяю-
повторяющимся импульсным4 обратным напряжением;
• отпирающий постоянный ток управления 1у, от — наименьший постоянный ток управления,
необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое);
• отпирающий ток управления 1у, от, и — наименьший импульсный ток управления, необходимый
для включения тиристора;
• запирающий импульсный ток управления 1У, 3, и — наибольший импульсный ток управления, не
вызывающий включение тиристора;
• ток удержания 1уд — наименьший прямой ток тиристора, необходимый для поддержания
тиристора в открытом состоянии;
• ток включения тиристора Ькл — наименьший основной ток, необходимый для поддержания
тиристора в открытом состоянии после окончания импульса тока управления после переключе-
переключения тиристора из закрытого состояния в открытое;
• запираемый ток тиристора Ь — наибольшее значение основного тока, при котором обеспечи-
обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду;
• средняя рассеиваемая мощность РСр — сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристо-
тиристором;
• время включения тиристора ty, вкл, t3, вкл — интервал времени, в течение которого тиристор
включается отпирающим током управления или. переключается из закрытого состояния в
открытое импульсным отпирающим током;
• время нарастания ty.nHp, tHp — интервал времени между моментом, когда основное напряжение
понижается до заданного значения, и моментом, когда оно достигает заданного низкого
значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импуль-
импульсным отпирающим напряжением;
• время выключения 1Выкл — наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток
тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в
который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключе-
переключения тиристора;
• критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (dU3c/dt)Kp — наибольшее
значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает
переключение тиристора из закрытого состояния в открытое;
• критическая скорость нарастания коммутационного напряжения (dU3c/dt)KoM — наибольшее
значение скорости нарастания основного напряжения, которое после нагрузки током в откры-
открытом состоянии или обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не
вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое.

234
Раздел 5. Тиристоры
5.2. Параметры тиристоров
2У101А
2У101Б
2У101Г
2У101Д
2У101Е
2У101Ж
2У101И
2У102А
2У102Б
2У102В
2У102Г
2У103А
2У103Б
2У104А
2У104Б
2У104В
2У104Г
2У105А
2У105Б
2У105В
2У105Г
2У105Д
2У105Е
2У106А
2У106Б
2У106В
2У106Г
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+110
-60...+ПО
-60...+ПО
-60...+110
-60...+70
-60...+70
-6O...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
-60...+125
10*
50*
80*
150*
150*
10*
50*
5*
5*
5*
5*
6*
6*
6*
6*
30*
15*
5*
5*
30*
15*
30
30
30
30
50*
50*
80*
150*
150*
50*
50*
50*
100*
150*
200*
150*
150*
15*
30*
60*
100*
30*
15*
30*
15*
30*
15*
50
50
100
100
1
1
1
1
1
1
1
5
5
5
5
3
3
3
3
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,05
0,05
0,05
0,05
0,001
0,001
од
0,1
0,1
0,1
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,1
0,1
0,1
0,1
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
?2,5*
<3
<3
?2*
?2*
?2*
<2*
?1,1*
?1,1*
?1,1*
?1.1*
?1,1*
?1,1*
?2*
?2*
?2*
?2*
—
—
—
—
—
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
0,001
0,001
?1*
?1*
?1*
?1*
>0.1
?0,1
>0,1
?0,1
?0,1
?0,1
?1*
?1*
?1*
?1*
?0,15*
?0,15*
?0,15*
?0,15*
?0,15*
?0,15*
?0,15*
?0,1*
?0,1*
?0,1*
?0,1*
?0,15*
?0,15*
?0.5
?0,5
?0,5
?0,5
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001
?0,001

Параметры тиристоров
235
<0,15*
<0,15*
?0,15*
<0,15«
<0,15*
<0,15«
<0,15<
<12
<12
<12
<12
<12
<12
<12
1.5...8
1.5...8
0.25...4
1.5...8
0,25...4,5
0.25...4.5
0.25...4.5
100
100
100
100
100
100
100
35
35
35
35
35
35
35
2У1О1
0,5*
0,5*
0,5*
0,5*
20*
20*
20*
20*
20
20
20
20
7* A2)
7* A2)
7* A2)
7* A2)
200
200
200
200
20
20
20
20
2У1О2
40
40
0,4...2
0,4...2
2У103
tS8 ..
?15
<15
<15
<15
<2*
<2*
<2*
<2*
10
10
10
10
0,29
0,29
0,29
0,29
2,5
2,5
2,5
2,5
2У104
09.5
<0,003
<0,003
<0,003
<0,003
?0,003
<0,003
<5*
<5*
<5*
<5*
<5*
<5*
<2*
й2*
S2*
<2*
<2*
?10
?10
?10
>10
?10
?10
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
1.5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
2У105
1,3
00,05
<10
<10
<10
<10
?2«
<2*
<2*
10
10
10
10
25
25
25
25
2У1О6
ч%*
«W,
&и

236
Раздел 5. Тиристоры
2У107А
2У107Б
2У107В
2У107Г
2У107Д
2У107Е
2У110А
2У110Б
2У110В
2У111А
2УШБ
2УШВ
2УШГ
2У113А
2У113Б
2У114А
2У116АС
2У201А
2У201Б
2У201В
2У201Г
2У201Д
2У201Е
2У201Ж
2У201И
2У2О1К
2У201Л
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 100
-60...+100
-60...+125
-60...+125
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+100
-60..+ 100
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
100
100
100
100
50
50
200
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
250*
150*
250*
150*
60*
60*
300
200
100
400*
400*
400*
400*
600; 500*
400; 300*
100*
50*
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
15
15
15
15
15
15
15
7,5
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
<30; 1,5*
<30; 1,5*
<25; 1,5*
<25; 1,5*
<25; 1,5*
<25; 1,5*
- ?1,9
?2,3
<2
?5
<5
<5
<5
?4
<4
2,4*...4*
<4
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
—
0,6
0,6
0,6
>0,2
>0.1
>0,2
>0,1
0,05
0,05
—
<0,02*
<0,02*
<0,02*
<0,015*
<0,015*
<0,015*
<0,075
<0,075
<О,О75
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,1
<0,1
<0,1
0,01*
<5*
<5*
<5*
<5*
<5*
<5*
?5*
<5*
?5*
<5*

— -20...+10 мкА 0,35...0,55 10 — <40
— -20...+20 мкА 0.35...0.55 10 — <40
— -20...+20 мкА 0,35...0,55 10 — ?40
— -20...+20 мкА 0,35...0,55 10 — <40
— -20...+20 мкА 0,35...0,55 10 — <40
— -20...+5 мкА 0,35...0,55 10 — <40
— <0,3 0,3...0,6; 7* — <1 <8
— <0,3 ' 0,3...0,6; 7* — <1 <8
— <0,3 0,3...0,6; 7* — <1 <8
<0,5* <100* — 50 — <20
<0,5* <100* — 50 — <20
<0,5* <100* — 50 — <100
<0,5* <100* — 50 — <100
— — 7* 100 20 10
— — 7* 100 20 10
<0,1 8...30 7* 50 — <75
— 7...20 0,7...1,5 50 100 —
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 ' <6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 ^6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100
<5* <100 <6 5 <10 <100

238
Раздел 5. Тиристоры
2У202Д
2У202Е
2У202Ж
2У202И
2У202К
2У202Л
2У202М
2У202Н
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+ 100
100*
200*
300*
400*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
400*
400*
30
30
30
30
30
30
30
30
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
?0,2
54*
54*
54*
54*
54*
54*
54*
54*
2У203А
2У203Б
2У203В
2У2ОЗГ
2У2ОЗД
2У203Е
2У2ОЗЖ
2У2ОЗИ
-60...+125
-60...+ 125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+ 125
-60...+125
-60...+125
-60...+ 125
50
100
150
200
50
100
150
200
50
100
150
200
100
100
100
100
100
100
100
100
52
52
52
52
52
52
52
52
?0,1
?0.1
?0,1
?0,1
?0,1
?0,1
?0,1
?0,1
510*
510*
510*
510*
510*
510*
510*
510*
2У204А
2У204Б
2У2О4В
-60...+110
-60...+ 110
-60...+ 110
50
100
200
12
12
12
53
53
53
?0,15
?0,15
?0,15
55
55
55
2У2О5А
2У205Б
2У205В
2У2О5Г
-60...+100
-60...+ 100
-60...+ 100
-60...+ 100
100
100
400
800
400*
600*
800*
800*
100
100
100
100
4*
4*
4*
4*
?0,1
?0,1
?0,1
?0.1
55
55
55
55
2У206А
2У2О6Б
2У2О6В
2У206Г
-60...+110
-60...+110
-60...+ПО
-бо...+nd
5*
5*
5*
5*
50*
100*
150*
200*
20
20
20
20
0,1
0,1
0,1
0,1
1...4*
1...4*
1...4*
1...4*
^0,1
?0,1
?0.1
?0,1
51,5*
51,5*
51,5*
51,5*

Параметры тиристоров
239
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<4*
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<200
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<100
<100
<100
<100
<100
<100
^100
<100
2У202
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<10*
<450
?450
<450
<450
<450
<450
<450
<450
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<2,5; 10*
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<3
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
<7
2У2ОЗ
Ф22,6
<150
<150
<150
<5
<5
<5
20
20
20
2У204
021JS
<5
<Ь
<Ь
<5
<25О
<250
<25О
<250
30
30
30
30
<45
<45
<30
<30
2У2О5
2...5O; 70*
2...50; 70*
2...5O; 70*
2...5O; 70*
200
200
200
200
<3
<3
<3
<3
<7
<7
<7
<7
2У2О6

240
Раздел 5. Тиристоры
2У207А
2У207Б
2У207В
2У207Г
2У207Д
2У207Е
2У208А
2У208Б
2У208В
2У208Г
2У215А
2У215Б
2У220А
2У220Б
2У220В
2У220Г
2У220Д
2У220Е
2У221А
2У221Б
2У221В
-60...+110
-60...+ 110
-60...+ 110
-60...+110
-60...+110
-60...+ 110
-60...+ 110
-60...+110
¦-60...+ 110
-60...+ 110
-60...+90
-60...+90
-60...+90
-60...+90
-60...+90
-60...+90
-60...+90
-60...+90
-60...+85
-60...+85
-60...+85
100*
—
200*
—
300*
100*
200*
300*
400*
500
400
_
—
—
—
—
50
50
50
100*
100*
200*
200*
300*
300*
100*
200*
300*
400*
1000
800
1000
1000
1000
800
800
800
800; 500*
600; 500*
700; 400*
100
100
100
100
100
100
10
10
10
10
250
250
100
100
100
100
100
100
100
100
100
10
10
10
10
10
10
5*
5*
5*
5*
5*
5*
6
6
6
6
6
3,2
3,2
3,2
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2,5*
<2*
<2*
?2*
?2*
?1,7*
?1,7*
?1,5*
?1,5*
?1,5*
?1,5*
?1,5*
?1,5*
?3,5
?3,5
?3,5
—
—
—
—
.
—
—
0,1
0,1
—
—
—
—
10
30
30
?5
?5
?5
?5
?5
?5
?5*
?5*
?5*
?5*
?1.5
?1,5
?0,5
?0,5
?0,5
?0,5
?0,5
?0,5
?0,2
?0,2
?0,2

Параметры тиристоров
241
<5
<5
<5
<5
<5
<5
>10
>10
>10
>10
>10
>10
?0,5
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
<0,5
<15
<15
<15
<15
<15
<15
2У207
<160*
<160*
<160*
^160*
<5^
<5*
10
10
10
10
<10
<10
<10
<10
<150
<150
<150
<150
2У2О8
<1,5
<1,5
50
50
<100
^100
2У215
?40*
<40*
<40*
<40*
<40*
<40*
100
100
100
100
100
100
<0,2
<0,2
?0,3
?0,3
<0,3
<0,3
<50
<50
?75
?75
?75
?75
2У22О
?100
?100
?100
700
200
200
?6
?4
?15
2У221
012,5

242
Раздел 5. Тиристоры
2У222А
2У222Б
2У222В
2У222Г
2У225А
2У229А
2У229Б
2У229В
2У229Г
2У229Д
2У229Е
2У229Ж
2У229И
2У229К
2У229Л
2У229М
2У229Н
2У701А
2У701Б
2У7О1В
2У7О1Г
2У702А
2У702Б
2У702В
2У702Г
-60...+ПО
-60...+ 110
-60...+ 110
-60...+ 110
-60...+85
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+80
-60...+ 110
-60...+ПО
-60...+ПО
-60...+110
. -60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
1 1 1 1
• 600
1 1 1 1 1 1 I I I I I I
800
800
600
600
—
2000
1600
2000
1600
2000
1000
1000
1000
1000
1000
800
800
800
600
600
1000
800
800
800
600
600
2000
2000
1600
1600
400
400
400
400
100
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
! II 1
1 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
20
20
20
20
20
20
20
20
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
<3,5*
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
<2*
<2*
<2*
<2*
<3,5
?3,5
<3,5
<3,5
>0,15
>0,15
>0,15
>0,15
0,1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
—
—
1Л [Л 1Л 1Л
"ел "сп "сп "ел
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
15
15
15
15

Параметры тиристоров
243
?50*
?50*
?50*
?50*
200
200
200
200
170
300
170
300
?125
?125
?250
?250
2У222
'I г^ря
?1,5 F00 В)
100
?100
2У225
50...100
50...100
50...100
50...100
50...100
50...100
50... 100
50... 100
50... 100
50...100
50...100
50... 100
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
?20*
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
15
35
35
50
50
15
50
50
15
50
35
35
2У229
?2*
?2*
?2*
?2*
?120
?120
?120
?120
?3,5
?3,5
?3,5
?3,5
100
100
100
100
30
40
30
40
2У701
?7
?7
?7
?7
120
250
120
250
135
250
250
250
2У7О2
с м

244
Раздел 5. Тиристоры
2У703А
2У703Б
2У703В
2У703Г
2У706А
2У706Б
2У706В
2Н102А
2Н102Б
2Н102В
2Н102Г
2Н102Д
2Н102Е
2Н102Ж
2Н102И
2Н102К
2Н102Л
-60...+ 110
-60...+110
-60...+ 110
-60...+ 110
-60...+85
-60...+85
-60.. .+85
-60...+ 100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+100
-60...+ 100
-60...+100
-60...+ 100
-60.. .+100
-60...+ 100
1200
1200
1000
800
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
40*
1200; 1000*
1200; 1000*
1000; 800*
800; 600*
1600
1200
1000
5
7
10
14
20
30
30
50
13,2
13,2
1200
1200
1200
1200
оооооооооо
20
20
20
20
40
40
40
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
<3*
<3*
<3*
<3*
2,5
2,5
2,5
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
0,2
0,2
0,2
0,2
2
3
4
6
8
7,5
12
15
35
35
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
ел ел ел
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*
<0,08*

Параметры тиристоров
245
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<1,5*
<3
<3
<3
<3
200
50
50
50
<100
<100
<100
<100
2У7ОЗ
25
25
25
200
200
200
130
130
130
2У7О6
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<0,5*
<1
<1
20
28
40
56
80
75
120
150
40
40
0,3
0,5
0,7
0,9
1,3
2
2
3,3
3,3
3,3
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
<40
2Н1О2
-«/#.
I

246
Раздел 6. Оптоэлвктронные приборы
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров
К оптоэлектронным приборам относятся функциональные (электронные) устройства, в которых исполь-
используются два способа обработки и передачи сигналов: оптический и электрический.
Принцип действия оптоэлектронных приборов основан на использовании электромагнитного
излучения в оптическом диапазоне длин волн видимого глазом света в интервале 0,45...0,68 мкм
(светодиоды) и в инфракрасной (невидимой) области спектра в диапазоне длин волн 0,87...0,90 мкм
(ИК-диоды).
В соответствии с ОСТ 11 339.015-81 оптоэлектронные приборы имеют следующие условные
обозначения:
Первый элемент
Второй элемент
Третий элемент
Четвертый элемент
Пятый элемент
Шестой элемент
Седьмой элемент
Восьмой элемент
Девятый элемент
Буква К — указывает, что прибор широкого применения.
Буква И — указывает, что это знакосинтезирующий индикатор.
Вид индикатора оптоэлектронного прибора:
П — полупроводниковые;
Н — вакуумные накаливаемые;
Л — вакуумные люминесцентные;
Ж — жидкокристаллические.
Вид отображаемой информации:
Д — единичная;
Ц — цифровая;
В — буквенно-цифровая;
Г — графическая;
М — мнемоническая;
Т — шкальная.
Число, указывающее на порядковый номер разработки.
Буква, обозначающая классификацию по параметрам.
Число, указывающее на количественную характеристику информа-
информационного поля (кроме одноразрядных).
Буква, обозначающая цвет свечения для одноцветных: К — красный,
Л — зеленый, С — синий, Ж — желтый, Р — оранжевый, Г —
голубой, М — для многоцветных индикаторов всех видов.
Цифра, обозначающая модификацию конструктивного исполнения.
Светоизлучающие диоды — полупроводниковые приборы с одним переходом, в котором
осуществляется непосредственное, преобразование электрической энергии в энергию светового излу-
излучения, предназначены для визуального представления и восприятия отображаемой информации.
Наряду с одноцветными излучающими диодами выпускаются диоды с управляемым цветом свечения
от красного до зеленого. В зависимости от режима работы диодов изменяется результирующее
излучение и соответственно цвет свечения. Цвет светового излучения светодиодов (синий, голубой,
зеленый, желтый, оранжевый, красный) определяется диапазоном длин волн. Максимальная чувстви-
чувствительность глаза находится в диапазоне длин волн 0,55 мкм, что соответствует зеленому цвету свечения.
Широкое применение светоизлучающие диоды нашли в качестве элементов индикации включения
и настройки радиоаппаратуры, сигнализации и контроля в системах автоматики и связи, для оператив-
оперативного контроля работоспособности промышленных систем. Конструктивно светодиоды выполняются в
металлических корпусах со стеклянной линзой из оптически прозрачного материала, в пластмассовых
корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из оптически прозрачного компаунда и
бескорпусном варианте.
Параметры светоизлучающих диодов (по ГОСТ 23562-79):
• сила света Iv — излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла
в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах;

Виды приборов и буквенные обозначения параметров 247
• яркость L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности.
Измеряется в канделах на квадратный метр;
• постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно-
постоянного прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе
диода;
• импульсный ток 1пр, и, max — максимальный импульсный ток при заданной длительности
импульса;
• максимально допустимое обратное постоянное напряжение Uo6p,max — максимальное значение
постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надеж-
надежность при длительной работе;
• максимально допустимое обратное импульсное напряжение иобр,и,тах — максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся;
• максимум спектрального распределения Хтах — длина волны светового излучения, соответст-
соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода.
Линейные шкалы на основе светоизлучающих диодов представляют собой сборки, состо-
состоящие из последовательно размещенных диодных структур (сегментов) с соответствующей схемой
коммутации.
Предназначены для отображения непрерывно изменяющейся информации. Достоинство линейных
шкал — быстрота воспроизведения информации и наглядное ее отображение. Широкое применение
линейные шкалы нашли в радиоаппаратуре, авиационной и автомобильной технике как индикаторы
пикового уровня звука, величины скорости, уровня горючего в баках и различных динамических
процессов.
Конструктивно линейные шкалы выполняются в прямоугольных пластмассовых корпусах и
бескорпусном исполнении в виде пластин с планарными элементами свечения и контактными
площадками.
Параметры линейных шкал:
• сила света Iv — излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла
в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах;
• яркость L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности.
Измеряется в канделах на квадратный метр;
• постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно-
постоянного прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительности работы
диода;
• максимально допустимое постоянное напряжение Uo6p,max — максимальное значение постоян-
постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при
длительной работе;
• максимально допустимое обратное импульсное напряжение U06p, и — максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся;
• максимум спектрального распределения Лтах — длина, волны светового излучения, соответст-
соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода.
Дополнительным параметром, характеризующим линейные шкалы, является относительный раз-
разброс силы света между излучающими сегментами одной шкалы, определяемый отношением силы света
самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента.
Цифро-буквенные индикаторы представляют собой сборки светодиодных структур с соответ-
соответствующими электрическими соединениями. Предназначены для отображения информации в микро-
микрокалькуляторах, часах, устройствах автоматики, измерительной технике, информационных табло.
Разновидностью цифро-буквенных индикаторов являются двухцветные индикаторы, в которых для
формирования сегмента используются два светоизлучающих диода: красного и зеленого цветов

248 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
свечения. Управление напряжением питания такого индикатора осуществляется с помощью двух шин:
одна — для включения красных диодов, другая — для включения зеленых диодов.
Конструктивно цифро-буквенные индикаторы выполняются в прямоугольных корпусах или моно-
монолитной керамической конструкции с моноблочной линзой.
Параметры цифро-буквенных индикаторов в основном аналогичны тем, которые характеризуют
светоизлучающие диоды. Специфическим параметром является параметр 5Iv.
Допустимый разброс силы света между излучающими сегментами 5Iv — отношение силы света
самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента.
Инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды) — полупроводниковые диоды, в которых
осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию инфракрасного
излучения.
Предназначены для работы в качестве преобразователей энергии и источников передачи инфор-
информации в узлах и линиях, требующих оптической связи или гальванической развязки. Широкое
применение ИК-диоды находят в преобразователях «угол-код», бесконтактных переключателях, датчи-
датчиках-счетчиках на конвейерах. Конструктивно выполняются в металлических корпусах со стеклянной
полусферической излучающей поверхностью, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью
выпуклого профиля из прозрачного бесцветного компаунда и бескорпусном варианте.
Параметры ИК-диодов:
• мощность излучения Ризл — поток излучения определенного спектрального состава, излучае-
излучаемого диодом;
• импульсная мощность излучения Ризл, и — амплитуда потока излучения, измеряемая при
заданном импульсе прямого тока через диод;
• ширина спектра излучения ДА, — интервал длин волн, в котором спектральная плотность
мощности излучения диода составляет половину максимальной;
• максимально допустимый прямой импульсный ток 1Пр, и;
• время нарастания импульса излучения tHap, изл — интервал времени, в течение которого
мощность излучения диода нарастает от 0,1 до 0,9 максимального значения;
• время спада импульса излучения ten, изл — интервал времени, в течение которого мощность
излучения диода уменьшается от 0,9 до 0,1 максимального значения;
• скважность Q — отношение периода импульсных колебаний к длительности импульса;
• постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
• максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно-
постоянного прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе
диода;
• максимально допустимое обратное напряжение U06p,max — максимальное значение постоянного
напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при
длительной работе;
• максимально допустимое обратное импульсное напряжение U06p. и — максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся.
Диодные оптопары — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из излучаю-
излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая
электрическую изоляцию между входом и выходом.
В диодной оптопаре в качестве фотоприемного элемента используется фотодиод, а излучателем
служит инфракрасный излучающий диод. Максимум спектральной характеристики излучения диода
лежит в области длины волны около 1 мкм.
Предназначены для схем защиты от перегрузок, согласования периферийных линий с центральным
процессором ЭВМ, низковольтного блока с высоковольтным.
Параметры диодных оптопар:
• входное напряжение UBx — постоянное прямое напряжение на диоде-излучателе при заданном
входном токе;
• максимальный входной ток или максимальный импульсный входной ток 1вх,тах — максимальные
значения постоянного входного тока или амплитуды входного импульса, проходящего через

Виды приборов и буквенные обозначения параметров 249
входную цепь оптопары, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной
работе;
• максимальное входное обратное напряжение UBx,o6p,max — максимальное значение постоянного
напряжения, приложенного ко входу диодного оптрона в обратном направлении, при котором
обеспечивается заданная надежность при длительной работе;
• максимальное выходное обратное постоянное и импульсное напряжение иВых, обр, max и
иВых, обр, и, max — максимальные напряжения в 'выходной цепи оптопары, при которых
обеспечивается ее надежная работа;
• выходной обратный ток (темновой) 1Вых, обр, т — ток, протекающий в выходной цепи диодной
оптопары при отсутствии входного тока и заданном напряжении на выходе;
• время нарастания выходного сигнала tnp — интервал времени, в течение которого выходной
сигнал оптопары изменяется от 0,1 до 0,5 максимального значения;
• время спада выходного сигнала ten — интервал времени, в течение которого выходной сигнал
изменяется от 0,9 до 0,5 максимального значения;
• статический коэффициент передачи тока Ki — отношение разности выходного и входного
темновых токов к входному, выраженное в процентах;
• сопротивление изоляции RH3 — активное сопротивление между входной и выходной цепями
оптопары;
• проходная емкость Спр — емкость между входной и выходной цепями оптопары;
• максимальное напряжение изоляции ииз.тах или максимальное пиковое напряжение изоля-
изоляции иИз, п, max — максимальное постоянное или пиковое напряжение изоляции, приложенное
между входом и выходом оптопары, при котором сохраняется ее электрическая прочность.
Транзисторные оптопары — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из
излучающего диода, большая часть света которого направляется на базовую область фототранзистора,
чувствительного к излучению с длиной волны около 1 мкм. Излучатель и приемник изолированы между
собой оптически прозрачной средой.
Предназначены для применения в аналоговых и ключевых коммутаторах сигналов, схемах
согласования датчиков с измерительными блоками, гальванической развязки в линиях связи, оптоэ-
лектронных реле, коммутирующих большие токи.
Параметры транзисторных оптопар:
• выходное остаточное напряжение Uoct — напряжение на выходных выводах оптопары при
открытом фототранзисторе;
• ток утечки на выходе 1ут,вых — ток, протекающий в выходной цепи закрытого фототранзистора
при приложенном выходном напряжении;
• максимальная средняя рассеиваемая мощность Рр.тах — мощность, при которой обеспечивается
заданная надежность оптопары при длительной работе;
• максимальный выходной ток 1Вых, max — ток фототранзистора, при котором обеспечивается
заданная надежность при длительной работе;
• максимальный выходной импульсный ток 1ВЫх, и, max — ток фототранзистора в оптопаре;
• максимальное коммутируемое напряжение на выходе иком.тах транзисторной оптопары;
• время нарастания выходного сигнала tj*p — интервал времени, в течение которого напряжение
на выходе оптопары изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения;
• время спада выходного сигнала tCn — интервал времени, в течение которого напряжение на
выходе изменяется от 0,1 до 0,9 максимального значения;
• время включения tBim — интервал времени между моментами нарастания входного сигнала до
уровня 0,1 и спада выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня 0,1 максималь-
максимального значения;
• время выключения Ькл — интервал времени между моментами спада входного сигнала до
уровня 0,9 и нарастания выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня 0,9
максимального значения.

250
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.2. Параметры светоизлучающих приборов
1Ш0А-К
1Ш0А-3
1П10А-Ж
Ш10А-О
Ш10А-И
1П10А-Л
1Ш0А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
Красное
Красное"
?0,9
?0,4
?0,4
?0,4
?0,4
?10
?0,7
<2 A0)
<2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
<2 A0)
<2 A0)
0,65...0,675
O.55...O.57
0.58...0.6
0,63...0,65
0.55...0.57
0,66
0.65..Д675
12
12
12
12
12
12
12
1Ш0А
Ш10Б-К
1П10Б-3
Ш10Б-Ж
1ШОБ-0
1Ш0Б-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
?0,2
?1
?1
?1
?1
?2A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
0,65...0,675
O.55...O.57
0.58..Д6
0,63...0,65
0,66
22
22
22
22
22
1П10Б
/5 19
1Ш2А-П
Ш13А-Ж
Ш13Б-Ж
1П13В-Ж
Ш14А-0
1Ш4Б-О
1Ш4В-0
Ш15А-И
1Ш5Б-И
1П15В-И
1П16А-П
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Оранжевое
Оранжевое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Зеленое
(насыщен.)
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
0,7
0,4
1
2
0,4
1
2
0,4
1
2
20
?2A0)
<2 A0)
<2 A0)
<2 A0)
<2A0)
<2 A0)
?2A0)
<2 A0)
<2 A0)
<2 A0)
<2 A0)
0,65...0,68
0,58...0,6
0.58...0.6
0.58...0.6
0,63...0,65
0,63...0,65
0.63...0.65
0,55...0,57
0,55...0,57
0.55..Д57
0,66
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
22
1П12 - 1Ш6
7.1
1Ш7-К/3
Красное
или
зеленое
?0,4
для зеленого
?1 (Ю)
для красного
<2,8
<2
0.55...0.57
0,65...0,67
22
12
1Ш8А-К
1П18А-3
1П18А-Ж
1П18А-О
1П18А-И
Ш18А-Л
1Ш8А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0,9
0,4
0,4
0,4
0,4
1,0
0,7
<2 A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2 A0)
?2 A0)
0,65...0,675
0.55...0.57
0,58...0,6
0,63...0,65
О,55...О,57
0,66
0,65...0,675

Параметры светоизлучающих приборов
251
1Ш8Б-К
Ш1&Б-3
1П18Б-Ж
Ш18Б-О
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
22A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
0.65...0.675
0.55...0.57
0.58...0.6
0,63...0,65
22
22
22
22
1П19А-К
1П10А-3
1П19А-Ж
1П19А-0
1П19А-И
1П19А-Л
Ш19А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
?0,9
?0,4
?0,4
?0,4
?0,4
?10
0,7
?2
?2,8
?2,8
?2,8
?2,8
?2
?2
0,65...0,675
0.55...0.57
0.58..Д6
0,63...0,65
0,55...0,57
0.65...0.675
0.65...0.675
12
22
22
22
22
12
12
1П19А
U . . 29 . 1U
¦-±:z^^^=^r——
- —f^4i=^~~~
&6
В
0.5
05 в
1П19Б-К
Ш19Б-3
Ш19Б-Ж
1П19Б-0
1П19Б-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
?2
?2,8
?2,8
?2,8
?2,8
0.65...0.675
O.55...O.57
0,58...0,6
0.63...0.65
0,66
22
22
22
22
22
1Ш9Б
12 29 U.S
8.6
1П21-К/3
Красное
или
зеленое
?1 (Ю)
для зеленого
?1 B0)
для красного
?2.8
?2
0.65...0.67
O.55...O.57
12
22
1П21-К/3
К . Ю
У I/ V
ЗЛ102А
ЗЛ102Б
ЗЛ102В
ЗД1О2Г
ЗЛ102Д
Красное
Красное
Зеленое
Красное
Красное
?0,2
?0,1
?0,25
?0,6
?0,2
?3
?3
?2,8
?3
?3
0,69
0,69
0,56
0,69
0,56
20
20
22
20
22
60B)
60B)
60B)
60B)
60B)

252
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗЛ336Б
ЗЛ336Ж
ЗЛ336И
ЗЛ336К
Красное
Желтое
Зеленое
Красное
?20
?15
?20
?40
<2A0)
<2,8A0)
<2,8A0)
<2A0)
20
20
20
20
100
60
60
100
ЗЛ336
*>
ЗЛ341А
ЗЛ341Б
ЗЛ341В
ЗЛ341Г
ЗЛ341Д
ЗЛ341Е
ЗЛ341И
ЗЛ341К
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Желтое
Желтое
Красное
Красное
?0,15
. ?0,5
?0,15
?0,5
?0,15
?0,5
?0,3
?0,7
52,8
?2,8
52,8
52,8
52,8
52,8
<2
<2
0.69..Д71
0,69...0,71
0,55...0,56
O.55...O.56
0.68-..0.7
0.68...0.7
0.69...0.71
0,69...0,71
20
20
22
22
22
22
30
30
60B)
60B)
60B)
60B)
22 B)
22B)
100B)
100B)
ЗЛ341
04
ЗЛ360А
ЗЛ360Б
Зеленое
Зеленое
?0,3
?0,6
<1,7 A0)
51,7 A0)
0,55...0,56
0,55...0,56
20
20
80
80
Анод
Катод

Параметры шкальных индикаторов
253
6.3. Параметры шкальных индикаторов
1П5А-К
1П5А-3
1П5А-Ж
1П5А-0
Ш5А-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщенное)
0,9A0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
2A0)
2,8 B0)
2.8 B0)
2,8 B0)
2,8 B0)
0.65...0.67
0,55...0,57
0.58..Д6
0,63...0,65
0,55...0,57
12
22
22
22
22
1П5А
1П5Б-К
1П5Б-3
Ш5Б-Ж
1П5Б-О
1П5Б-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщенное)
2A0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
2A0)
2,8 B0)
2,8 B0)
2,8 B0)
2,8 B0)
0,65...0.67
0.55...0.57
0.58...0.6
0,63...0,65
0,55.. 0,57
12
22
22
22
22
1П5Б
1S 12
Ш6А-К
1П6А-3
1П6А-Ж
1П6А-О
1П6А-И
Ш6А-Л
Ш6А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0,9 A0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
4 A0)
0,7 A0)
?2 A0)
<2,8 B0)
52,8 B0)
<2,8 B0)
?2,8 B0)
52A0)
52A0)
0.65...0.675
0,55...0,57
0,58...0,6
0,63...0,65
0,55...0,57
0,66
0,65...0,675
12
22
22
22
22
12
12
- К
Ш6Б-К
1П6Б-3
1П6Б-Ж
1П6Б-О
Ш6Б-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
2A0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
52A0)
52,8 B0)
52,8 B0)
52,8 B0)
52,8 B0)
0.65...0.675
0.55...0.57
0.58..Д6
0.63...0.65
O.55...O.57
12
22
22
22
22
1П6Б
15 . 12
ZH
2.5
¦-+--'

254
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
5&?Ш
Ш7А-К
Ш7А-3
1П7А-Ж
Ш7А-0
1П7А-И
1П7А-Л
Ш7А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0,9 A0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
4A0)
0,7 A0)
52A0)
?2,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
?2,8 B0)
22A0)
22A0)
0.65...0.675
0.55...0.57
0.58...0.6
0,63...0,65
0,55...0,57
0,66
0,65...0,675
Ш7А-К
Ш7А-3
Ш7А-Ж
Ш7А-О
1П7А-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
2 A0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
1 B0)
22 A0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
0.65...0.675
0,55...0,57
0.58...0.6
0,63...0,65
0,66
12
22
22
22
22
1П7Б
/5 12
Ч. j jr^i
Ш8А-К
Ш8А-3
1П8А-Ж
Ш8А-0
1П8А-И
Ш8А-Л
1П8А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0,6 A0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
1,5 A0)
0,7 A0)
22A0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22A0)
22A0)
0.65...0.675
O.55...O.57
0.58...0.6
0.63...0.65
0.55...0.57
0,66
0.65...0.675
12
12
12
12
12
12
12
Ш8А
Ш8Б-К
Ш8Б-3
Ш8Б-Ж
Ш8Б-0
Ш8Б-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
A0)
B0)
B0)
B0)
B0)
22A0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
22,8 B0)
0.65...0.675
O.55...O.57
0.58...0.6
0,63...0,65
0,66
22
22
22
22
22

Параметры шкальных индикаторов
255
1П9А-К
1П9А-3
Ш9А-Ж
Ш9А-О
1П9А-И
1П9А-Л
1П9А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0.6 A0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
1,5A0)
0,7 A0)
?2A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
<2 A0)
<2 A0)
0.65...0.675
0,55...0,57
0.58...0.6
0,63...0,65
0,55...0,57
0,66
0.65...0.675
12
12
12
12
12
12
12
1П9Б-К
1П9Б-3
1П9Б-Ж
1П9Б-О
1П9Б-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
A0)
B0)
B0)
B0)
B0)
?2 A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
52,8 B0)
?2,8 B0)
0.65..Д675
0.55...0.57
0.58..Д6
0.63...0.65
0,66
22
22
22
22
22
Ш9Б
15 . 12
ZZI
1П22А-К
1П22А-3
Ш22А-Ж
1П22А-О
1П22А-И
1П22А-Л
1П22А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0,9 A0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
0,4 B0)
4A0)
0,7A0)
?2 A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2A0)
?2A0)
0,65...0,675
0.55..Д57
0,58...0,6
0.63...0.65
0,55...0,57
0,66
0,65...0,675
12
12
12
12
12
12
12
1П25-К
1П25-3
Красное
Зеленое
1,5 A0)
1,5A0)
?2,5 B0)
?2,8 A0)
0.64...0.67
О,55...О,57
12
22
1П25
«о

256
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Ш26-К
1П26-3
Красное
Зеленое
2A0)
4A0)
2,5 A0)
2,8 A0)
0.64...0.67
O.55...O.57
12
22
1П26
10
Ш28-К
1П28-3
Красное
Зеленое
1,5 A0)
1.5 A0)
<2,0 B0)
<2,8 A0)
0,64...0,67
O.55...O.57
12
22
1П28
hf \Г W SiiU
Г Т Т V
Ш29-К
Ш29-3
Красное
Зеленое
2A0)
4 A0)
2,0 A0)
2,8 B0)
0.64...0.67
0,55...0,57
12
22
1П29
\l V V7VAJ
Г Г V ?
Ш27-К
1П27-3
Красное
Зеленое
2A0)
4 A0)
2,5 A0)
2,8 B0)
0.64...0.67
0,55...0,57
12
22
1П27
20

Параметры шкальных индикаторов
257
шзо-к
шзо-з
Красное
Зеленое
2A0)
4A0)
2,5 A0)
2,8 B0)
0.64...0.67
0,55...0,57
12
22
шзо
20
ШЗЗА-К
ШЗЗА-3
1ПЗЗА-Ж
ШЗЗА-О
ШЗЗА-И
ШЗЗА-Л
ШЗЗА-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
?0,9
?0,6
?0,4
?0,6
?0,6
?0,6
?0,7
?2 A0)
?2.8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,0
?2,0
0.65...0.675
0.55..Д57
0.58...0.6
0,63...0,65
0.55...0.57
0,66
0.65...0.675
1ПЗЗА
15.9
ШЗЗА-К
ШЗЗА-3
1ПЗЗА-Ж
ШЗЗА-О
ШЗЗА-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
?2,8
?2.8
?2,8
?2,8
?2,8
0,65...0.675
0.55...0.57
0.58...0.6
0.63..Д65
0,66
12
22
22
22
22
ШЗЗБ
15.9
rf
5.5
0.6
г-гул
I I
1П35А-К
1П35А-3
Ш35А-Ж
Ш35А-О
1П35А-И
Ш35А-Л
Ш35А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
?0,9
?0,6
?0,4
?0.6
?0.6
?0,6
?0.7
?2A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,0
?2,0
0,65...0,675
O.55...O.57
0.58..Д6
0,63...0,65
0,55...0,57
0,66
0.65...0.675
/

258
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
Ш35Л-К
Ш35А-3
1П35А-Ж
1П35А-О
1П35А-И
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
?2,8
?2,8
?2,8
?2,8
?2,8
0.65...0.675
0.55..Д57
0.58..Д6
0.63...0.65
0,66
12
22
22
22
22
JN
1П37А-К
1П37А-3
1П37А-Ж
Ш37А-О
1П37А-И
Ш37А-Л
1П37А-П
Красное
Зеленое
Желтое
Оранжевое
Зеленое
(насыщен.)
Красное
(особоярк.)
Красное
0,6
0,4
0,4
0,6'
0,6
0,6
0,7
52A0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,8 B0)
?2,0
?2,0
0.65...0.675
О,55...О,57
0,58...0,6
0.63...0.65
0.55..Д57
0,66
0,65...0,675
1П37А
<5
ггггп
ЗЛС317А
ЗЛС317Б
ЗЛС317В
ЗЛС317Г
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
0,16
0,35
0,08
0,16
2A0)
2A0)
3A0)
3A0)
0,665
0,665
0,568
0,568
12
12
12
12
ЗЛС317
ЗЛС343А-5
Красное
100
50
2,8 A0)
0,66
ЗЛС343
, 0,32
ЗЛС345А
ЗЛС345Б
ЗЛС345В
ЗЛС345Г
Красное
Красное
Красное
Красное
0,3
0,2
0,3
0,15
2,3
3
3
3
2,2 A0)
2,2 A0)
2,2 A0)
2,2 A0)
0,67
0,67
0,67
0,67
12
12
12
12
ЗЛС361А
ЗЛС361Б
Красное
Красное
10
10
0,3
0,15
2,2 A0)
0,66

Параметры шкальных индикаторов
259
ЗЛС362А
ЗЛС362Б
ЗЛС362В
ЗЛС362Г
ЗЛС362Д
ЗЛС362Е
ЗЛС362Ж
ЗЛС362И
ЗЛС362К
ЗЛС362Л
ЗЛС362М
ЗЛС362Н
Красное
Красное
Красное
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
0,3
0,3
0,3
0,3
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
2A0)
2A0)
2A0)
2A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
0,67
0,67
0,67
0,67
0,58
0,58
0,58
0,58
0,556
0,556
0,556
0,556
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
ЗЛС362
ЗЛС362А-
ЗЛС362Б-
ЗЛС362Д-
ЗЛС362Е-
ЗЛС362К-
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
2A0)
2A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
3,5 A0)
0,655
0,655
0,66
0,66
0,552
ЗЛС36.2-1
9,95 , 4,9
ЗЛС364А-5
Красное
32
1,3
2C)
0,65
ЗЛС364
0,32
ЗЛС366А-5
Красное
128
60
2A0)
0,66
ЗЛС366
0,32
ЗЛС367А-5
Красное
200
70
2A0)
0,66
ЗЛС367
0,32
ЗЛС368А-5
Красное
200
80
2,6 A0)
0,66
ЗЛС368
0,32
ИПТ02-50Л-5
Зеленое
50
35
3,7 A0)
0,56
ИПТ02
0,32
ИПТ04-11К
Красное
80
2,6 A0)
0,66
10
ИПТ04
9,95

260
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.4. Параметры знакосинтезирующих индикаторов
ЗЛС314А
ЗЛС320А
ЗЛС320Б
ЗЛС320В
ЗЛС320Г
ЗЛС320Д
ЗЛС320Е
ЗЛС321А
ЗЛС321Б
ЗЛС324А
ЗЛС324Б
ЗЛС324В
ЗЛС324А1
ЗЛС324Б1
ЗЛС324В1
ЗЛС331А
ЗЛС331АМ
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Красное
Желтое
Желтое
Желто-зеленое
Желто-зеленое
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное, зеленое
Красное, зеленое
2,5
5
5
5
5
5
5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
0,2 C50)
0,4
0,15
0,25
0,6
0,4
0,7
0,12
0,12
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,25
1
2E)
2A0)
3A0)
3A0)
2A0)
2,5 A0)
2,5 A0)
3,6 B0)
3,6 B0)
2,5 B0)
2,5 B0)
2,5 B0)
2,5 B0)
2,5 B0)
2,5 B0)
3
2
0,65...0,67
0.62...0.67
0.55...0.57
0,55...0,57
0.62...0.67
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0.55...0.51
0,55...0,51
0.65...0.67
0,65...0,67
0,65...0,67
0,65...0,67
0,65...0,67
0.65...0.67
0.67...0.75
O.67...O.75

Параметры знаиосинтезирующих индикаторов
261
±50
8; 40
ЗЛС314
S.3 _ W
12; 60*
12; 60*
12; 60*
12; 60*
12; 60*
12; 60*
ЗЛС32О
5678
<300
<300
0,02
0,02
25
25
720
720
ЗЛС321
10,2
1S.S
5^а
В*У'15 ^
¦ЩИыНода
<300
<300
<300
<300
<300
<300
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
25; 300*
25; 300*
25; 300*
25; 300*
25; 300*
25; 300*
800
800
375
800
800
375
ЗЛС324
20; 70* B мс)
ЗЛС331
05.8
20; 100* B мс)
ЗЛС331АМ
05.8
r*T*h
>; ч и

262
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗЛС337А
ЗЛС337Б
ЗЛС337В
ЗЛС337Г
ЗЛС338А
ЗЛС338Б
ЗЛС338В
ЗЛС338Г
ЗЛС338Д
ЗЛС338Е
ЗЛС338А1
ЗЛС338Б1
ЗЛС338Б2
ЗЛС338В1
ЗЛС338Г2
ЗЛС339А
ЗЛС340А
ЗЛС342А
ЗЛС342Б
ЗЛС342В
ЗЛС342Г
Желтое
Желтое
Желтое
Желтое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красное
Красное
Желтое
Желтое
Желтое
Желтое
«
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
2,5
9
7,5
7,5
7,5
7,5
0,45
0,45
0,15
0,15
0,45
0,45
0,15
0,15
0,45
0,15
0,45
0,15
0,45
0,15
0,45
0,16
0,125
0,45
0,45
0,15
0,15
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0) ^
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
1.9 C)
2,5 A0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
0,58
0,58
0,58
0,58
0,56...0,58
0.56..Д58
0.56...0.58
0.56...0.58
0,56...0,58
0,56...0,58
0.56...0.58
0.56...0.58
0.56...0.58
0,56...0,58
0.56...0.58
0,65
0,58
0,58
0,58
0,58

Параметры знакосинтезирующих индикаторов
263
<300
<300
<300
<300
0,15
0,15
0.05
0,05
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
700
700
700
700
0,08
0,08
0,08
0,08
0,23
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
700
700
700
700
525
525
700
700
700
700
700
ЗЛС338
ЯМ
jg-ja
<зоо
5; 60*
76
<400
0,06
200*
550
ЗЛС340
ill [%
«1*-*
<300
?300
<300
<300
0,15
0,15
0,05
0,05
25; 200*
25; 200*
25; 200*
25; 200*
700
700
700
700

264
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗЛС348А
ЗЛС357А
ЗЛС358А
ЗЛС359А
ЗЛС359Б
Зеленое
Желтое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
2,5
9
9
9
9
100 мквд
40 мккд
0,06
0,2
0,2
2,7 E)
4A0)
4A0)
2B0)
2 B0)
0,56
0,58
0,56
0,56
0,56

Параметры знакосинтезирующих индикаторов
265
<300
8; 64«
170
20 мккд
10; 200*
550
ЗЛС357А
П
7,5
4Y*
ШбыВодоб
as
<400
0,03
10*; 280
550
ЗЛС358А
12
7,5
0,31/
ШвыВодоб
0,6
50
50
0,1
0,1
22; 120*
22; 120*
350
350
Шбыдодоб

266
Раздел б. Оптоэлектронные приборы
ЗЛС359А-1
ЗЛС359Б-1
ЗЛС363А
ИПД13А-К
ИПД13Б-Ж
ИПД13В-Л
ИПД14А-К
ИПД14Б-К
ИПД14В-Л
ИПД14Г-Л
ИПД14Д-Л
ИПЦ01А-1/7К
ИПЦ01Б-1/7К
ИПЦ01В-1/7К
ИПЦ01Г-1/7К
ИПЦ01Д-1/7К
ИПЦ01Е-1/7К
ИПЦО2А-1/7КЛ
ИПЦ02Б-1/7КЛ
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красный
Желтое
Зеленое
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
С управляемым
цветом свечения
Красное-зеленое
9
9
9
—
1 1 1 1 1
7
7
7
7
7
7
9
9
о о
од
14
8
11,5
1
2,5
0,5
1
1,5
1
1
0,5
0,5
0,15
0,15
0,25
0,15
2 B0)
2 B0)
2B0)
17,5
17,5
17,5
<2
<2
2,5
2,5
2,5
3 B0)
3B0)
3B0)
3B0)
2,5 E)
2,5 E)
3,5 B0)
3,5 B0)
0,56
0,56
0,55
0.66...0.675
0.582...0.595
O.558...O.57
0,65...0,675
0.65...0.675
0.65...0.675
O.65...O.675
0.65...0.675
0,67
0,67
0,67
0,67
0,67
0,67
Крас.-0,65
Зел.0.57
Крас-0,65
Зел.-0,57

Параметры знакосинтезирующих индикаторов
267
*. ^.-Н'-¦*"*,.•
50
50
0,1
0,1
22; 120*
22; 120*
350
350
<400
?0,075
70*
720
ЗЛС363
ад?
«J
iuK?e
mj\t7.S .1
2?
S4J545
VhSodoS
25; 55*
25; 55*
25; 55*
40
40
40
ИПД13
2,2 0,32
"•—Н »| t<
20; 100*
20; 100*
20; 60*
20; 60*
20; 60*
ИПД14
<300
<300
<300
^300
<300
<300
0,3
0,3
0,2
0,2
0,03
0,03
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
700
700
700
700
700
700
ИПЦ01А-Е1/7К
10.2
<300
<300
0,08
0,05
25; 180*
25; 180*.
700
700
ИПЦО2А.Б1/7КЛ
jtr
S'Zf-t3 ,
ntuiodet

268
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ИПЦ05А-1/8К
ИПЦ05Б-1/8К
ИПЦ05В-1/8К
ИПЦ05Г-1/8К
ИПЦ06А-5/40К
ИПЦ07А-1/8Л
ИПЦ07Б-1/8Л
ИПЦ07В-1/8Л
ИПЦ07Г-1/8Л
ИПЦ10А-5/8К
ИПЦ11А-1/7Ж
ИПЦ11Б-1/7Ж
ИПЦ24А-1/7С
ИПЦ12А-2/7К
ИПЦ19А-1/7Л
ИПЩ9А1-1/7Л
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Зеленое
Красное
Желтое
Желтое
Синее
Красное
Зеленое
Зеленое
12
12
12
12
1.2
12
12
12
12
1,2
7,5
7,5
7
2,5
9,4
9,4
1
1
0,5
0,5
0,025
1
1
0,5
0,5
0,04
0,35
0,35
0,05
0,04
0,6
0,6
3B0)
3 B0)
3B0)
3 B0)
2C)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
3,5 B0)
2A)
6B0)
6 B0)
10 B0)
2A)
3
3
1 1 1 1
1 1 1 1
0,05
0,587
0,587
0,45...0,55
•

Параметры знакосинтезирующих индикаторов
269
0,3
0,3
0,15
0,15
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
600
600
600
600
0,01
0,3
0,3
0,15
0,15
4; 20*
80
ИПЦ06А-5/40К, ИПЦО7
20,0 . .; 12.S
25; 180*
25; 180*
25; 180*
25; 180*
700
700
700
700
OTW
7,5
cto dp tto oca ob cfei ota
i
2*
30
ИПЦ10А-5/8К
20,0 . U
0,15
0,15
20; 65*
20; 65*
900
900
ИПЩ1А-1/7Ж, ИПЦ24А-1/7С
19.S 10.S
ii
22; 44*
1000
Svww^bczf
i*> cto «to ф ев ел d^
1\ 1
!1.\. ^. i. n. ». J
Л) OD QV1 G№ ^D CV ЩХ
'/7/c.,
22; 44*
10
ИПЦ12А-2/7К
11Л
Ф—1—Ф
«¦1 \ V
i^j
30; 200*
30; 200*
660
660
ИПЦ19
2OA
тк
15,0
10Л
Ф I Ф
Л5

270
Раздел 6. Оптоэлвктронные приборы
6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов
ЗЛ103А
ЗЛ1ОЗБ
>1 E0)
?0,6 E0)
<1,б E0)
<1,6 E0)
0,95
0,95
0,05
0,05
ЗЛ107А
ЗЛ107Б
ЗЛ107В
ЗЛ107Г
?5,5 A00)
?9 A00)
>9 A00)
?12 A00)
<2 A00)
<2 A00)
<2A00)
<2 A00)
0.94...0.96
0.94...0.96
0.94...0.96
0.94...0.96
0,03
0,03
0,03
0,03
ЗЛ108А1
?1,5 A00)
<1,35 A00)
0,94
0,05
ЗЛ118А
?2 E0)
?10* E00)
< 1,7 E0)
0.82...091
0,04
100
ЗЛ119А
?40 C00)
<3 C00)
0.93...0.96
1000
ЗЛ120А
ЗЛ120Б
?0,8 E0)
>1 E0)
<2 E0)
<2 E0)
0,88
0,88
0,05
0,05
10
20
ЗЛ123А
ЗЛ124А
?70* A А)
?500* A0 А)
?2C00)
0,94
0,03
?4 A00)
?2 A00)
0.84...0.9
0,04
350 A А)
20

Параметры инфракрасных излучающих диодов
271
52
52
ЗЛ103
ц-
Z5
100
100
100
100
ЗЛ107
«Si
*1
Зл1
«. 6,3 J 3/1 j -»0- 3/1 2
ПО
10 А B0)
150
50
500
ЗЛ118
«s;
*±
6,3
Зл1
3//7—&-3/??
1500
300
ЗЛ119
10
20
55
55
200
200
ЗЛ120
500A А)
400
10 А B0)
20
ПО
1 А A5)
ЗЛ124
«—*
В
4.2
3S-I
«.
_¦
jy

272
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗЛС127А-1
?0,06 A0)
<2 A0)
0,75
ЗЛС127А-5
?0,06 A0)
52 A0)
0,75
ЗЛ132А
?10 мкВт E0)
52 E0)
1,26
0,08
20 A00)
ЗЛ135А
ЗЛ135Б
^130 мкВт A00)
2:160 мкВт A00)
52 A00)
52 A00)
0.82...0.9
0,05
20A00)
ЗЛ136А-5
?0,6 E0)
51,9E0)
0,82
0,04
14 E0)
ЗЛ136А
ЗЛША
?0,6 E0)
?0,22 E0)
52E0)
53 E0)
0,81
0,81
0,05
0,05
514 E0)
57 E0)
ЗЛ141А
ЗЛ141АС
?0,01
?0,01
52
14
0.85...0.89
ЗЛ148А
ЗЛ148АС
ЗЛ153А
?700
?60
52,2
52,2
0,85...0,9
0,9...0,96
?60
52,2
0,95...0,96

Параметры инфракрасных излучающих диодов
273
15
100 A0)
ЗЛ127А
3
0J5
0.1
15
100 A0)
ЗЛ127-5
0.8
0.1
0.6 _Г Контактная
площадка +
20 A00)
20 A00)
50
100
100
1 А A5)
500 A00)
14 E0)
60
80 A5)
ЗЛ136-5
0,38 0,25
о ,i
<14 E0)
<7 E0)
60
60
80 B0)
80 B0)
ЗЛ136, ЗЛ137
50
600
500
1200
1
25
ЗЛ141
?«
12 ^
ЗЛ148
300
с—»
а
4?
ем *о ,
*? "I
'М
300E)
ЗЛ153А
<—»
а
4,7
J^

274
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.6. Параметры диодных оптопар
ЗОД101А
ЗОД101Б
ЗОД101В
ЗОД101Г
<1,5A0)
<1,5 A0)
<1.5 A0)
<1,5 A0)
?1 (Ю)
?1,5A0)
?1,2 A0)
?0,5 A0)
?100 B0)
<500 B0)
<1000 B0)
<500 B0)
<2
<8
<2
<2
?1
?5
?5
>5
<2
<2
<2
<2
ЗОД107А
ЗОД107Б
<1,5 A0)
<1,5A0)
>5 A0)
?3 A0)
<500 B0)
<300 B0)
<5
<5
>10
>10
<2
<2
ЗОД109А 3-кан.
ЗОД109Б 3-кан.
ЗОД109В 2-кан.
ЗОД109Г 2-кан.
ЗОД109Д 2-кан.
ЗОД109Е 1-кан.
ЗОД109Ж 1-кан.
ЗОД109И 1-кан.
<1,5 A0)
<1,5A0)
<1,5 A0)
<1,5 A0)
<1,5A0)
<1.5A0)
<1,5 A0)
<1.5A0)
?1,2 A0)
?1,5 A0)
>1,2 A0)
?1,2A0)
?1,2 A0)
?1,2A0)
?1,2A0)
?1,2 A0)
<1 мкс B0)
<500 B0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<1 мкс B0)
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
?1
?1
?1
?1
?1
?1
?1
?1
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
ЗОДП2А-1
<1,7 B0)
?2,5A0)
<3 мкс B0)
?100
<2,5
ЗОД120А-1
ЗОД120Б-1
<1,6 A0)
<1,5 A0)
?1 (Ю)
>1 (Ю)
<30 A0)
<70 A0)
<2
<2
?10
?10
<2
<2

Параметры диодных оптопар
275
20
20
20
20
100 A00)
100 A00)
100A00)
100 A00)
3,5; 15*
3,5; 100*
3,5; 15*
3,5; 40*
20 A00)
100 A00)
20 A00)
60 A00)
ЗОД101
30
5,3
20
20
2; 15*
2; 15*
ЗОД107
20
20
20
20
20
20
20
20
100 A00)
100 A00)
100A00)
100 A00)
100A00)
100 A00)
100 A00)
100A00)
3,5; 40*
3,5; 12,6
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
3,5; 40*
100
100
100
100
100
100
100
100
30
100
3,5
100
ЗОД112
20
20
100A0)
100 A0)
3,5; 10*
3,5; 10*
200; 400* A с)
200; 400* A с)
ЗОД120
1.5
h
31.5
Ж
оМ

276
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗОД121А-1
ЗОД121Б-1
ЗОД121В-1
<1,7 A0)
?1,7A0)
?1,7 A0)
>1,5 A0)
>2,5 A0)
>3,2 A0)
?70 E0)
?100 E0)
?100 E0)
?1
?2
<2
^10
^10
?10
ЗОД129А
ЗОД129Б
ЗОД130А
ЗОД139А
ЗОД140А
?1,5 A0)
<1,5 A0)
*1 (Ю)
^2 A0)
<30 A0)
<30 A0)
^10
^10
<2
<1,5A0)
^1 (Ю)
<100 A0)
S100
?0,5
<1,5 A0)
*1 (Ю)
<100 A0)
iioa
<0,5
?1.5 A0)
^1 (Ю)
<100 A0)
^100
?0,5

Параметры диодных оптопар
277
ю
10
10
100 A0)
100 A0)
100 A0)
5; 20*
5; 20*
5; 20*
500; 1000 A)
500; 1000A)
500; 1000 A)
ЗОД121
Т=Ъ*
I
07
«J
U
20
20
100 A00)
100 A00)
3,5; 10*
3,5; 10*
10
10
500
500
ЗОД129
Of
6,6
3G
20
20
100 A0)
3,5
30
1500; 3000* A0 мс)
ЗОД130
mjs _ _ s,5
20
100 A0)
3,5
30
1500; 3000* A0 мс)
ЗОД139
0&.S А
т
+
r«S
00.6
лг
1$
К/тч
20
100 A0)
3,5
30
1500; 3000* A0 мс)
ЗОД140

278
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗОД141А-1
?1,7 B0)
?0,5
<50 A0)
<2
ЗОД145А-1
<1.5
?1,5
?10
ЗОД201А-
ЗОД201Б-
ЗОД201В-
ЗОД201Г-1
ЗОД201Д-
ЗОД201Е-
<1,5 A0)
<1,5A0)
<1,5 A0)
<1,5A0)
<1,5A0)
<1,5 A0)
>0,6...1,3 E)
>0,9...2 E)
>1,5...3,5 E)
>0,б...1,6E)
?0,9...2 E)
>1,5...3,5E)
<100 B0)
<100 B0)
<100 B0)
<250 B0)
<250 B0)
<250 B0)
<2
<2
<2
<2
<2
<2
?10
?10
?10
?10
?10
?10
<1,8
<1,8
?1,8
<1,8
<1,8
?1,8

Параметры диодных оптопар
279
30
100
3,5
100
ЗОД141А
20
20»
1200
ЗОД145
8.6
эа-
эа
20
20
20
20
20
20
20
100
100
100
100
100
100
3,5; 6*
3,5; 6*
3,5; б*
3,5; 6*
3,5; б*
3,5; 6*
100
100
100
100
100
100

280
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
6.7. Параметры транзисторных оптопар
ЗОТ102А
ЗОТ102Б
ЗОТ102В
ЗОТ102Г
ЗОТ110А
ЗОТ110Б
ЗОТ110В
ЗОТ110Г
ЗОТ122А
ЗОТ122Б
ЗОТ122В
ЗОТ122Г
ЗОТ123А
ЗОТ123Б
ЗОТ123В
ЗОТ123Г
ЗОТ126А
ЗОТ126Б
1Л 1Л 1Л 1Л
<2 B5)
<2 B5)
<2 B5)
<2 B5)
<1,б E)
' ?1,6E)
<1,6 E)
<1,6 E)
<2 B0)
<2 B0)
<2 B0)
<2 B0)
<2 B0)
<2 B0)
<4 E0)
<4 E0)
<4 E0)
<4 E0)
<1,5 A25*)
<1,5 F5*)
<1,5 F5*)
<1,5A25*)
<1,5 A5)
S1.5 E)
<1,5 E)
<1,5 E)
<0,3 A0)
<0,5 B0)
<0,3 A0)
<0,5 B0)
?0,3 A0)
<0,3 A0)
vl vi vi vi
<100 C0)
<100 E0)
<100 C0)
<100 A5)
1Л 1Л 1Л 1Л
о о о о
<10 E0)
?10 C0)
<10 C0)
<10 A5)
?10
<10
^0,1
>0,1
>0,1
>0,1
IV IV IV IV
IV IV IV IV
?1
?1
>1
>1
>100
>100
1 1 1 1
teiui
1...50 мкс B5)
1...50 мкс B5)
1...50 мкс B5)
teiui
1...50 мкс B5)
6 мкс E)
6 мкс E)
6 мкс E)
6 мкс E)
1Л 1Л 1Л 1Л
to to м to
<2 B0)
<2 B0)
1 1 1 1
tsbimi
5...100 мкс B5)
Хвыкл
5...100 мкс B5)
*выкл
5...100 мкс B5)
tebJKJl
5... 100 мкс B5)
100 мкс E)
100 мкс E)
100 мкс E)
100 мкс E)
<2
<2
<2
<2
<2 B0)
<2 B0)

Параметры транзисторных оптопар
281
40
40
40
40
30*
30*
30*
30*
50
50
50
50
500
500
500
500
ЗОТ102
30
100* A0)
30
100* A0)
30
100* A0)
30
100* A0)
0,7; 50*
0,7; 50*
0,7; 30*
0,7; 15*
200
100
100
200
100
100
100
100
360
360
360
360
15; 85* A0)
15; 85* A0)
15; 85* A0)
15; 85* A0)
50*
30*
30*
15*
15
25
15
15
100
100
100
100
ЗОТ122
30; 100*
30; 100*
30; 100*
30; 100*
50*
30*
30*
15*
10
20
10
20
100
100
100
100
ЗОТ123
30; 100* A0)
30; 100* A0)
0,5; 30*
0,5; 15*
10
10
1000
1000
ЗОТ126

282
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗОТ127А
ЗОТ127Б
ЗОТ127В
?1,6 E)
?1,6 E)
?1.6 E)
?1,5 G0*)
<1,5 G0*)
?1,5 G0*)
?10
?10
?10
?100
?100
?100
?10 мкс E)
?10 мкс E)
?10 мкс E)
?100 мкс E)
< 100 мкс E)
?100 мкс E)
ЗОТ128А
ЗОТ128Б
ЗОТ128В
ЗОТ128Г
ЗОТ128Д
ЗОТ128Е
<1,6 A0)
<1,б A0)
<1,6 A0)
<1,6 A0)
?1,6 A0)
<1,6 A0)
<0,3 B,5*)
<0,4 A0*)
<0,4 E*)
?0,4 E*)
<0,4 E*)
?0,4 E*)
<10
<10
?10
?10
?10
?10
?100
?100
?100
>100
>100
?100
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5A0)
?5A0)
?5 A0)
?5 A0)
?5A0)
?5 A0)
ЗОТ135А
ЗОТ135Б
?1,6 D)
?1.6D)
?1,5 A00*)
?1,5 A00*)
10 C0)
10 C0)
?100
?100
5 мкс
5 мкс
60 мкс
60 мкс
ЗОТ136А
ЗОТ136Б
?1,6 E)
?1,6 E)
?1,2 E)
?1,2 E)
10A5)
10 C0)
?100
?100
5 мкс A0)
5 мкс A0)
30 мкс A0)
30 мкс A0)

Параметры транзисторных оптопар
283
20
20; 100* A0)
20
30*
30*
30*
70
70
70
1000
1000
1000
225
225
225
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
40; 100* A0)
0,5; 50*
0,5; 30*
0,5; 30*
0,5; 15*
0,5; 15*
0,5; 15*
8
32
16
16
32
16
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
4500
20; 85*
20; 85*
30*
15*
200
200
12 3 4
10; 50*
10; 50*
15*
30*
20
20
1000
1000
ЗОТ136

284
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
ЗОТ138А
ЗОТ138Б
?2
<2
?1,2 E)
?1,2 E)
10 A5)
10 C0)
?100
?100
5 мкс A0)
5 мкс A0)
30 мкс A0)
30 мкс A0)
ЗОТ144А
?1,6 D)
<1,5 A00*)
10 C0)
?100
5 мкс
60 мкс
ЗОТ150А
ЗОТ150Б
?1.6 D)
?1,6 D)
?1,5 A00*)
?1,5 A00*)
10C0)
10 C0)
?100
?100
5 мкс
5 мкс
60 мкс
60 мкс

Параметры транзисторных оптопар
285
10; 50*
10; 50*
15*
30*
10
1000
1000
ЗОТ138
20; 85*
30*
200
ЗОТ144
20; 85*
20; 85*
15*
30*
200
200
ЗОТ150
10
fti rti rtt ffr
Ф ф ф ifr
/ 2 I H

286
Раздел 7. Аналоги
Раздел 7. Аналоги
7.1. Аналоги отечественных транзисторов
ЗП32ОА-2
ЗП320Б-2
ЗП324А-2
ЗП324Б 2
ЗП324В-2
ЗП325А-2
ЗП326А-2
ЗП326Б-2
ЗП328А-2
ЗЛЗЗОА-2
ЗПЗЗОБ-2
ЗПЗЗОВ1-2
ЗПЗЗОВ-2
ЗПЗЗОВ2-2
ЗПЗЗОВЗ-2
ЗП331А-2
ЗП339А-2
ЗП343А1-2
ЗП343А-2
ЗП343А2-2
ЗП343АЗ-2
ЗП344А1-2
ЗП344А 2
ЗП344А2-2
ЗП344АЗ-2 *
ЗП6О2А-2
ЗП6О2Б-2
ЗП602В-2
ЗП6О2Г-2
ЗП6ОЗА-2
ЗП6О4А 2
ЗП605А1-2
ЗП605А-2
ЗП605А2-2
ЗП6О6А-2
ЗП606Б-2
ЗП6О7А-2
ЗП6О8А-2
ЗП915А-2
1Т1О8Г
1Т115А
1Т115Б
1Т115В
1Т115Г
1Т115Д
1ТЗО5Б
1Т305В
1Т308А
1ТЗО8Б
1ТЗО8В -<
1Т311А
1Т311Б
1Т311В
NE695
NE13783
2SK123
2SK124
АТ8040, CFX13
GAT-5
AT8041.GAT6
CFX14
NE46383
JS8830AS
NE673
JS83O
CFX14
FRH01FH
FRH01FH
CFY12, VSF9330
NE388 06
CFY25-17, 2SK1616
CFY25 20
MGF4310
MGF4415
NE76184A
NE72089A
FSC10, ATF0135
FHC30LG/FA
DXL3501
NEZ1112
CFX31
МТС-Т1250
MGF-X35M-01
DXL3610A
NE90089A
DXL2608A
АТ8250
MGF2116
MGF2324 01
FLX1O2MH-12
JS8864AS
FLM7177-5
Ш71
АС107, 2N107
2N506
2N535A
АС 122, 2N536
2SB262
AFY39
2N1292
2N797
2N796
2N2048
2N2699
2N2699
2N2482
1Т311Г
1Т311Д
1Т311Е
1Т311Ж
1Т311И
1Т313А
1Т313Б
1Т313В
1Т320А
1Т320Б
1Т320В
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
1Т321Г
1Т321Д
1Т321Е
1Т322А
1Т329А !
1Т329Б
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
1Т362А
1Т362Б
1Т376А
1Т403А
1Т403Б
1Т403В
1Т403Г
1Т403Д
1Т403Е
1Т403Ж
1Т403И
1Т806А
1Т806Б
1Т806В
1Т905А
1Т905Б
2П301Б
2П302А
2П302Б
2П302В
2П303А
2П303Б
2П303Д .
2П303Е
2П303И
2ПЗО4А
2П306А-* -
2П306Б
2П306В
2П307А
2N1585
2N2482
2N2699
2N1585
2N797
AFY11
2N1742
2N741
2N3883
2N711A
2N705
2SA479
2SA312
2SA78
2N1384
2SA312
2N1384
AF124
2N5O44
2N5043
TIXM101
Т1Х3024
TIXM104 2N2999
TIXM103
TIXM103
2N7OOA 2N2360
AD152
AD152, AD164
ASY77
ADP466 ASY77
ASY80
AD155, AD169
5NU72
АС 124
AL102, AUY35
AL103, AU108
AL100, AUY38
AUY10
2N2148
2N4038
UC714 2N3791
2N5397
MFE2098
2N3823
2N5556
2N3823
MFE3006
2N3822
2N4268, Л 75
MFE31O7
ТА7262
MFE121
2N5394
2П307Б
2П307В
2П3071\
2П307Д
2П308А-1
2П310А
2П310Б
2П312А
2П322А
2П340 ~Л
2П341А -
2П341Б
2П347А-2
2П35ОА
2П350Б
2П601А
2П706А
2П706Б
2П706В
2П712А
2П724А
2П802А
2П802Б
2П803
2П901А
2П901Б
2П902А
2П902Б
2П9ОЗА
2П904А
2П904Б
2П905А
2П9О8А
2П922А
2П923А
2П923Б
2П923В
2П923Г
2П928А
2П928Б
2П953(А-Г)
2Т1СЙА
2Т104Б«^. .
2Т1О4В
2Т104Г*\
2Т117А-.
2Т117Б
2Т117В
2Т117Г* *
2TU8A.V
2Т118Б. ^,-
2Т118В
2Т201Ал* ^ ~\
2N4223, 2N4220
2N4224
MFE2001.2N4216
MFE2002
MMBF54592
SD200
SD201
SFE264
3SK28
IRF340
2SK316
2SK508
BF966
3N140
BF905
СР640, U291
MTM15N50
IRF841
BUZ385
IRF9130
MTP6N60
2SK215, IRF420
IRF420
BUZ54A
VMP1
VN89AD
VMP4
2NL234B
СР651
В850-35
MRF148
2N4092
3N169, IVN5200
IRF132
F2001, UM1L40FT
F2002, F2013/H
F2003, F1053
F2005
F1027
UF28120
BUV48 2SC3040 C277 3318)
2N1028
BSZ10
ОС202
ОС200, 2N1219
BRY56
2N2647
2N4893
MU4894
3N105, 3N74
3N106
3N107
2N2432

Аналоги
287
2Т2О1Б
2Т201В
2Т201Г
2Т2О1Д
2Т203А
2Т203Б
2Т203В "
2Т208А
2Т208Б
2Т208В
2Т2О8Г
2Т2О8Д -ч ^
2Т208Е
2Т208Ж
2Т208И
-ЭТ208К
2Т208Л
2Т208М
2Т301Г
2Т301Д
2Т301Е v
2Т301Ж -
2Т306А
2Т306Б " ~
2Т306В
2Т306Г
2Т306Д
2Т3102Б
2Т3106А-2
2Т3108А
2ТЗЮ8Б
2Т3108В
2Т3114Б-6^
2Т3115А-2 ~^ .
2Т3117А * -* *
2Т3117Б „ *
2Т3120А
2Т3121А-6
2Т3123А-2
2Т3123Б-2 ' ~~
2Т3123В-2 * «
2Т2124А-2
2Т3129А-9
2Т3129Б-9
2Т3129В-9 ?
2Т3129Г-9 *¦*-»**
2Т3129Д-9 * «¦
2Т312А , is
2Т312Б»?-*> <**^
2Т312В, »**ft
2Т3130А-9 > ч&
2Т3130Б-9 > к
2Т3130В-9 %* "^
2Т3130Г-9^ -х
2Т3130Д-9 w.
2Т3130Е-9 ^ '
2T3132A-2»«V<.
2Т3132Б-2,?*\4
2T3132B-2V**^
2T313AV^ *-
2Т313Бл€ ^
2Т3145А-9 %***«*
2T315W«5r
2N2432A
2N1590
2N2617
2N2617
ОС203
2N923
2N2277
2N2332
2N2333
BCY91
BCY33, 2N2334
BCY12, 2N2335
ВСУЮ, BCY90
2N923
BCY92
BCY93
BCY11
BCY31
2N139O
2N842
ВС 101
2N843
BSX66
2SC6O1
2SC400
BSX67
BSX67
ВС107ВР, ВСЗ18
2SC1254
2N3250
2N3251
2N3250A
МА2123
FJ401
2N2121.2N2221
2N2121A, 2N2222
BF480, К5002
FJ203
2N3953, 2SA967
2SC2369
2SC2368
НР122
BCW89
BCW69
BCF29, BCW29
BCF30, BCW30
2SB709
2N7O2
BCY42, 2SC105
BCY43, 2N703
BCV71, BCW60A
BCF81, BCV72
BCF32, BCW60C
BCW33
BCW32
BCF33
FJ201F, 2N6617
HXTR6102
HXTR6101
2N2906, 2SA530
2N3250, 2SA718
BCW60AA, ВСХ70АН
BFP722
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
2Т321А-.
2Т321Б
2Т325А -
2Т325Б
2Т325В
2Т326А
2Т326Б
2Т331А-1
2Т339Г
2Т339Д
2Т340В
2Т354А-2 *
2Т363А
2Т363Б
2Т366А
2Т368А
2Т368Б
2Т371А
2Т372А ч
2Т372Б
2Т372В
2Т382А
2Т382Б
2Т392А-2
2Т399А
2Т5О4А
2Т5О4Б * *0 ¦?
2Т5О4В
2Т505А
2Т505Б * ^ •.
2Т506А - и
2Т506Б
2Т5О9А
2Т6О2А
2Т602АМ
2Т602Б *
2Т602БМ
2Т6ОЗА
2Т603Б
2Т603В
2Т603Г
2Т6ОЗИ
2Т606А
2Т60вА<
2Т608Б ^ ,
2Т53ОА ^ < s*
2Т630Б »* *.
гтбззА4-^^ "л-
гтезбАч***^*
2T638A^^^V
2Т640А-2^ п
2Т642А-2 - *<
2Т643А-24-,
2Т645АЖ%^. 1
2Т647А-2 •*ЙЙ«'
2Т648А-2^>. *.
2T657A-2^i^
явагА-лЗДёН
2N3010
2N709
2N7O9A
2SC40
2N2784
BSV64
ММ2260
2N2615
2N2616
2SC612
ВС 178
BFY19
А141
BF197
MPSH37
BFX44 2N706A
2N1249
2N3546, 2N426O
2N4261
BFS62
2N918
2N917
BFR90
2SC1090
BFR34
2N5652
ММТ2857
BFW92
BF316
BFW30, 2N2857
2N3439
2N2727
2N3440
2N5416, MJ4646
BFT19A, BFT28C
BUX54
BUX84
TRSP5014
BF177
BSS38, 2SD668
2N1566A
2SC1567
BSW36
2SC796
2N2237
BSW36
2SC151H
2N5090
BSY34
2N1959
BFY67A, 2N1893
ВС300, 2N1890
2N2369
2N4960
MPSL01, 2SC589
NE21960
АТ41485
HXTR4101, NE982O3
MPS6532
NE56755
HXTR2101
NE021-60
HXTR6102, FJ403
2Т682Б-2
2Т685А
2Т685Ж -
2Т7О4А
2Т7О4Б
2Т716А
2Т716Б
2Т716В
2Т803А ^ ^*~
2Т808А "
2Т809А" -
2Т8104А
2Т8105А
2Т8106А
2Т812А
2Т815А *
2Т8164Б
2Т817В
2Т818А
2Т818Б
2Т818В
2Т819А
2Т819Б
2Т819В
2Т825Е
2Т826А >
2Т826Б
2Т826В
2Т827А
2Т827Б
2Т827В
2Т828А
2Т828Б
2Т830А -
2Т830Б
2Т830В
2Т830Г
2Т834А
2Т834Б
2Т834В
2Т837А
2Т837Б
2Т837В -
2Т837Г
2Т837Д
2Т837Е
2Т839А
2Т841А
2Т841Б
2Т842А
2Т842Б
2Т844А
2Т845А
2Т847А^^
2Т848А%
2Т851В '
2Т856А** * .*
2Т856Б X*^Sr »«¦
2Т862Б\* «^ 1Л
2Т863А4* -^«
2T867A^tV«vt*
2Т874А- I "i ^
2Т874Б** Чч *> А
АТ41485
2N6O15
2N5356
2N3585, BU143
BDY93
TIP112, TIP122
TIP111. TIP121
TIP 110, TIP 120
BDY23
BLY47
BD216, BLY49
МЛ 1021, BDX66C
MJ11020, 2SD1287
BDV66B, MJH6285
BDY94
BD165, TIP29
MJE13004
BD177
BD292
BD202, BDT92
BD204, BDT94
BD291.TIP41
BD202, BDT91
BD201, BDT93
BDX86
BUI 32
2SD312
BUI 32
BDX63A, MJ3521
BDX65
BDX85, MJ3520
BU326A
2SD640
2N4234
SML3552, 2N4235
2N4236
2N4236
SDN6OO2
SDN6001
SDN6000
BD534, TIP42C
BD536
BD234
BD225
2SB434
2N6125
MJ3480, 2SD380
BDX96, 2N6560
2SC2122
2SB5O6A
TIP519
UPT732
DT4305
2N6678, 2N6672
BU608, BUX37
2SA74O, 2SB546
BUX48A
BUX48
XGSR10040
BDY92, 2N6669
BUY21.2N6341
BUW39
2N5672

288
Раздел 7. Аналоги
Тип
прибора -
2Т878А, Б
2Т879А
2Т896А
2Т903А
2Т903Б
2Т904А
2Т907А
2Т908А
2Т909А
2Т909Б
2Т9101АС
2Т9104А
2Т9104Б
2Т9105АС
2Т9109А
2Т9П1А
2Т911А
2Т911Б
2Т912А
2Т912Б
2Т9120А
2Т9121А
2Т9121Б
2Т9125АС
2Т9126А
2Т9127А
2Т9128АС
2Т912А
2Т912Б
2Т9130А
2Т9133А
2Т9134А
2Т9134Б
2Т9136АС
2Т913А
2Т913Б
2Т913В
2Т9142А
2Т9146А
2Т914А
2Т9153БС
2Т9155А
Аналог
BUX98A, BUX98
2N6282, 2N6281
BDV64B, SGSD200
2N2947
2SC517
2N3375
2N3733
BDY92
2N5177
2N5178
FJO88O-28 ч
MRA0610-3
MRA0610-18
BAL0105-100
MSC1550M
РТ9790А
2N4976
2N4429
2N5O7O, 2N6093
2N6O93
D45H5
АМ82731-45
27АМ05
BAL0105-50
ТН430
MSC81550M
BAL0102-150
2N5O7O, 2N6093
2N6O93
2SC2688N, 2SC4001
TPV376
НЕМ3508В-20
SD1543
SD1565, UDR500
BLX92, 2N4430
BLX93, 2N4431
NE1010E-28
2SC3218, TPY5O51
АМ1416-200
2N5161
TPV5O51
2SC3217
прибора
2Т9155Б
2Т9155В
2Т9156БС
2Т9161АС
2Т9164А ,*
2Т916А
2Т919А
2Т919Б
2Т919В
2Т920А
2Т920Б
2Т920В
2Т921А
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
2Т925А
2Т925Б
2Т925В
2Т926А''
2Т928А
2Т928Б
2Т929А - v, ,
2Т930А *
2Т930Б
2Т931А^
2Т932А • - *
2Т932Б * *
2Т933А <». '
2Т933Б t* -
2Т934А ^
2Т934Б
2Т934В
2Т935А
2Т937А-2
2Т937Б-2
2Т938А-2
2Т939А 1
2Т944А
2Т945А *
2Т946А
2Т947А
Аналог
2SC3218
J02058
MRA0510-50H
SD1565
SD1540
2SC1805
2N5596, MSC2OO5
2N5768, MSC2OO3
2N5483, MSC2001
2N5589
BLW18
2N5591
2N57O7. S10-12
2N5641
2N5642
2N5643
СЗ-12
С12-12
С25-12
2N1902
BSS29, 2N2217
BSX32, 2N2218
B2-8Z, 2N5719
2N6362, СМ75-28
2N6364
2N6369, ВМ8О-28
2N3741
BD132
ВС 160-2
ВС 139
СЗ-28, 2N6202. 2SC1021
С12-28, 2N6203, BLY22
С25-28, 2N62O4, BLY92A
BDU53
MS0146
РТВ42ООЗХ
MSC4001
2SC1262, 2N3866
S8O-28
BDY90, 2SC519A
D12-28
2N6047, BDP620
Тип
прибора
2Т948А
2Т948Б
2Т955А
2Т956А
2Т957А
2Т958А
2Т960А
2Т962А
2Т962Б
2Т962В
2Т963А-2
2Т963Б-2
2Т965А
2Т966А
2Т967А
2Т970А
2Т971А
2Т976А
2Т977А
2Т979А
2Т980А
2Т980Б
2Т981А ~
2Т984А
2Т984Б
2Т985АС
2Т986А
2Т986Б*
2Т986В
2Т991АС -
2Т996А-2
2Т996Б-2
2ТС303А-2
2ТС3103А '
2ТС3103Б
2ТС3174АС-2
2ТС393А-9
2ТС393Б-9
2ТС613А
2ТС613Б
2ТС622Б
Аналог
MRF2OO5M
TRW2020
S10-28
S8O-28
S150-28
ВМ40-12
СМ4О-12
DM 10-28
DM20-28
DM40-28
MJ250
ML500
S10-12
S3O-12
S7O-12
С2М1ОО-28А
ВМ100-128
РН1114-50С
SD1546
PZB16040U, PHI 114-60
СМ4О-12
ТН430
А5О-12
MSC1075M
MSC1250M
BALO2O4-125
1214Р40О
DME25O
DME375
BALO105-50
BFP95
FJ9295CC
MD986
MD5000
MD5000B
SL362
MD5000
MD5000B
MQ2218
MQ2218A
MHQ2906, 2N5146
7.2. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов
Тип
прибора
2В102А
2В102Б
2В102В
2В102Г
2В102Д
2В1ОЗА
2В103Б
2В104А
2В105А
2В106А
2В106Б
2В110В
2В112А-1
Аналог
WC925
WC925
WC925
WC925
WC925
PV003
PV003
WC901
WC1027
PV008
PV008
WC861
N5465C, BA102ALB
, Тип
прибора
2В112Б-1
2В113А > -
2В113Б
2В114А
2В114Б
2В116А-1
2ВН7А -
2В119А
2В122А-9
2В124А
2В127А-
2В143А х
2В143В *
Аналог
N5465C, BA102ALB
WC898
МА4761
VLA722S
VLA722S
DKV6517, ВА163
WC1638
DKV6516
BBY31.BB105B
ВВ5О4
ВВ113
DKV6534
MV109
Тип
прибора
2Д22ОБ
2Д222А
2Д231А -
2Д238А
2Д251А
2Д922А
2ДС523В
2С1О7А
2С108А '
2С119А
2С133А
2С139А ч
2С147А -
Аналог
BYX38-300
VSK2445
BYW3O-2OO
VSK2045
SDFF15
1N300B
FA4361E
С6О41, STB1
MZ605
SN3142B
1N5588B
1N1888
1N4624

Аналоги
289
Тип
прибора
2С156А
2С162А
2С164А
2С168А
2С168В
2С182А
2С190Б
2С190В
2С190Г
2С190Д
2С191Р
2С191Е
Аналог
Z1550
TSZ6, 2
1N4895A
1N710
1N1984
1N1985
1N935
1N935
1N935
1N935
МА3091
BZX30C9V1
Тип
прибора
2С210Б
2С210Е
2С211Е
2С213Е
2С408А
2С416А
2С501А
2С501АС -
2С501БС
2С503АС
2С514А
2С517А
Аналог
IN 1985А
BZX30C10
BZX3OC11
BZX30C13
1N5907
PFC6V4
1N5637
1N6043
1N6050
1N6041
PFZ82A
PFC13
Тип
прибора
2С521А
2С6О2А
2С603А
2С6О4А
2С802А
2С803А
2С804А
2С9О1А
2Ц106А
2ЦН6А
Аналог
PFC9V4
PFZ110A
PFZ15OA
PFC94
BZW5O-12
BZW50-56
BZW50-27
BZW50-82
CRG40
SM100, VF10
7.3. Аналоги отечественных тиристоров
v Тип
прибора
2У101А
2У101Б
2У101Г
2У1О1Е
2У102А
2У102Б
2У1О2В
2У1О2Г
2У1О4А
2У104Б
2У104В
2У1О4Г
2У110А
2N2323
2N2323
2N2323
2N2323
РО102
РО102
РО102
РО102
С1ОЗ
С103
С1ОЗ
2N5062
8N200
Аналог
Тип
прибора
2У110Б
2УП0В
2У111А
2У111Б
2У113А
2У20КА-Л)
2У2О2(А-В) -
2У220(А-В)
2У220Г
2У221В
2У221Г
2У221Д
Аналог
8N2OO
8N200
15О-325РАН12ОО
150 325РАН1200
2N6O27
NCM700C
1N4202, NAS4443, NASB
2-ТА92525
TY6010, 2-ТА92525
5O-T52OS12OO
50-T520S1200
2N5756

290
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Приложение. Перечень приборов, представленных
в книге 1,издание 3
Германиевые транзисторы
Тип
прибора
МП9А
МП10
МП10А
МП10Б
МПИ
МП11А
МП13
МП13Б
МПИ
МП14А
МП14Б
МШ4И
МП15
МП15А
МП15И
МП16
МШ6А
МП16Б
МП16Я1
МШ6Я11
МП20А
МП20Б
МП21В
ЛШ21Г
МП21Д
МП21Е
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
МП26А
МП26Б
П27
П27А
П28
П29
П29А
ПЗО
МП35
МП36А
МП37А
МП37Б
МП38
МП38А
МП39
МП39Б
МП40
МП40А
МП41
МП41А
МП42
МП42А
МП42Б
Стр.
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
54
54
54
54
54
Тип
прибора
ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108Д
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТ115А
ГТ115Б
ГТ115В
ГТ115Г
ГТИ5Д
ГТ122А
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
П201Э
П201АЭ
П202Э
П203Э
П2О7
П2О7А
П208
П208А
П209
П209А
П210
П210А
П210Б
Стр.
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
56
56
56
56
56
56
56
56
56-
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
58
58
58
Тип
прибора . -
П210В
П210Ш
П213
П213А
П213Б
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
ГГ305А
ГТ305Б
ГТ305В
ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308В
ГТЗО8Г
ГТ309А
ГТ309Б
ГТ309В
ГТ309Г
ГТЗО9Д
ГТ309Е
ГТ310А
ГГ310Б
ГТ31ОВ
ГТ310Г
ГТ310Д
ГТ310Е
ГТЗИА
ГТЗИБ
ГТ311В
гтзиг
гтзид
ГТ311Е
ГТ311Ж
гтзпи
ГТ313А
ГТ313Б
ГТ313В
ГТ320А
Стр.
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
Тип
. прибора
ГТ320Б
ГТ320В
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ322Г
ГТ322Д
ГТ322Е
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ329А
ГТ329Б
ГТ329В
ГТ329Г
ГТЗЗОД
ГТЗЗОЖ
ГТЗЗОИ
ГТ335А
ГТ335Б
ГТ335В
ГТ335Г
ГТ335Д
ГТ338А
ГТ338Б
ГТ338В
ГТ341А
ГТ341Б
ГТ341В
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
ГТ362А
ГТ362Б
ГТ376А
ГТ383А-2
ГТ383Б-2
ГТ383В-2
П401
П402
ГТ402А
ГТ402Б
ГТ402В
ГТ402Г
Стр.
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
291
Тип
прибора
ГТ402Д
ГТ402Е
ГТ402Ж
ГТ402И
П403
П403А
ГТ403А
ГТ403Б
ГТ403В
ГТ403Г
ГТ403Д
ГТ403Е
ГТ403Ж
ГТ403И
ГТ403Ю
ГТ404А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404Г
Стр.
64
64
64
64
64
64
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
Тип
прибора
КЕ7О2А
КЕ702Б
КЕ702В
КТ104А
КТ104Б
КТ104В
КТ104Г
КТИ7А
КТИ7Б
КТ117В
КТ117Г
КТ118А
КТ118Б
КТП8В
КТ119А
КТ119Б
КТ120А
КТ120Б
КТ120В
КТ120А-1
КТ120В-1
КТ120А-5
КТ120В-5
КТ127А-1
КТ127Б-1
КТ127В-1
КТ127Г-1
КТ132А
КТ132Б
КТ133А
КТ133Б
КТ201А
КТ201Б
КТ201В
КТ201Г
КТ201Д
КТ201АМ
' Стр.
514
514
514
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
Тип
прибора
ГТ404Д
ГТ404Е
ГТ404Ж
ГТ404И
ГТ405А
ГТ405Б
ГТ405В
ГТ405Г
ГТ406А
П416
П416А
П416Б
П417
П417А
П417Б
П422
П423
П605
П605А
Стр.
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
Тип
прибора
П606
П606А
П607
П607А
П608
П608А
П609
П609А
ГТС609А
ГТС609Б
ГТС609В
ГТ612А-4
ГТ701А
ГТ703А
ГТ703Б
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ703Д
ГТ705А
Стр.
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
70
70
70
70
70
70
Кремниевые транзисторы
Тип
прибора
КТ201БМ
К.Т201ВМ
КТ201ГМ
КТ201ДМ
КТ202А-1
КТ202Б-1
КТ202В-1
КТ202Г-1
КТ202Д-1
КТ203А
КТ203Б
КТ203В
КТ203АМ
КТ203БМ
КТ203ВМ
КТ206А
КТ206Б
КТ207А
КТ207Б
КТ207В
КТ208А
КТ208Б
КТ208В
КТ208Г
КТ208Д
КТ208Е
КТ208Ж
КТ2О8И
КТ208К
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ209В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
Стр.
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
Тип
прибора
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТ210А
КТ210Б
КТ210В
КТ2ИА-1
КТ211Б-1
КТ211В-1
КТ214А-1
КТ214Б-1
КТ214В-1
КТ214Г-1
КТ214Д-1
КТ214Е-1
КТ215А-1
КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
КТ216А
КТ216Б
КТ216В
КТ218А-9
КТ218Б-9
КТ218В-9
КТ218Г-9
КТ218Д-9
КТ218Е-9
КТ301
КТ301А
КТ301Б
КТ301В
Стр.
76
76
76
76
76
76
76
76
76
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
Тип
прибора
ГТ705Б
ГТ705В
ГТ705Г
ГТ705Д
ГТ804А
ГТ804Б
ГТ804В
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
ГТ810А
ГТ905А
ГТ905Б
ГТ906А
ГТ906АМ
Стр.
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
Тип
прибора
КТЗО1Г
КТ301Д
КТ301Е
КТ301Ж
КТ302А
КТ302Б
КТ302В
КТ302Г
КТ306А
КТ306Б
КТ306В
КТ306Г
КТ306Д
КТ306АМ
КТ306БМ
КТ306ВМ
КТ306ГМ
КТ306ДМ
П307
П307А
П307Б
П307В
П307Г
КТ307А-1
КТ307Б-1
КТЗО7В-1
КТ307Г-1
П308
П309
КТ3101А-2
КТ3101АМ
КТ3102А
КТ3102Б
КТ3102В
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ3102Е
Стр.
78
78
78
78
78
78
78
78
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
82
82
82
82
82
82

292
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
• \ • ' Тип _ -'- ""'
* прибора
КТ3102Ж
КТ3102И
КТ3102К
КТ3102АМ
КТ3102БМ
КТ3102ВМ
КТ3102ГМ
КТ3102ДМ
КТ3102ЕМ
КТ3102ЖМ
КТ3102ИМ
КТ3102КМ
КТ3104А
КТ3104Б
КТ3104В
КТ3104Г
КТ3104Д
КТ3104Е
КТ3106А-2
КТ3106А-9
КТ31О7А
КТ3107Б
КТ3107В
КТ31О7Г
КТ3107Д
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Л
КТ3108А
КТ3108Б
КТ3108В
КТ3109А
КТ3109Б
КТ3109В
КТЗИ4Б-6
КТЗИ4В-6
КТЗИ5А-2
КТ3115В-2
КТ3115Г-2
КТ3115Д-2
КТЗИ7А-1
КТ3117А
КТ3117А9
КТ3117Б
КТ3117Б9
КТ312А
КТ312А1
КТ312Б
КТ312Б1
КТ312В
КТ312В1
КТ3120А
КТ3121А-6
КТ3122А
КТ3122Б
КТ3123А-2
КТ3123Б-2
КТ3123В-2
КТ3123АМ
Стр.
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
490
84
490
84
490
84
490
84
490
84
86
86
86
86
86
86
86
Тип
прибора
КТ3123БМ
КТ3123ВМ
КТ3126А
КТ3126Б
КТ3126А-9
КТ3127А
КТ3128А
KT3128A-I
КТ3128Б-1
КТ3128А-9
КТ3129А-9
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
КТ313А
КТ313Б
КТ313А-1
КТ313Б-1
КТ313В-1
КТ313Г-1
КТ3130А-9
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
КТ3132А-2
КТ3132Б-2
КТ3132В-2
КТ3132Г-2
КТ3132Д-2
КТ3132Е-2
КТ3139А
КТ3139Б
КТ3139В
КТ3139Г
КТ314А-2
КТ3140А
КТ3140Б
КТ3140В
КТ3140Г
КТ3140Д
КТ3142А
КТ3145А-9
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТ3145Г-9
КТ3145Д-9
КТ3146А-9
КТ3146Б-9
КТ3146В-9
КТ3146Г-9
КТ3146Д-9
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
Стр.
86
86
86
86
86
86
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
92
92
92
92
92
92
Тип
. .. прибора , .
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
КТ315А-1
КТ315Б-1
КТ315В-1
КТ315Г-1
КТ315Д-1
КТ315Е-1
КТ315Ж-1
КТ315И-1
КТ315Н1
КТ315Р1
КТ3150Б-2
КТ3151А-9
КТ3151Б-9
КТ3151В-9
КТ3151Г-9
КТ3151Д-9
КТ3151Е-9
КТ3153А-9
КТ3153А-5
КТ3157А
КТ316А
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ316ГМ
КТ316ДМ
КТ3165А
КТ3165А-9
КТ3166А
КТ3168А-9
КТ3169А-9
КТ3169А9-1
КТ317А-1
КТ317Б-1
КТ317В-1
КТ3170А-9
КТ3171А-9
КТ3172А-9
КТ3173А-9
КТ3176А-9
КТ3179А-9
КТ3184А9
КТ3184Б9
КТ318А-1
КТ318Б-1
КТ318В-1
КТ318Г-1
КТ318Д-1
КТ318Е-1
КТ3180А-9
КТ3186А-9
КТ3187А-9
КТ3187А-91
Стр.
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
96
96
96
96
96
%
96
96
%
98
490
490
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
Тип
прибора
КТ3187В-91
КТ3189А-9
КТ3189Б-9
КТ3189В-9
КТ3191А-9
КТ3191А-91
КТ3192А-9
КТ3196А-9
КТ3197А-9
КТ3198А
КТ3198Б
КТ3198В
КТ3198Г
КТ319А-1
КТ319Б-1
КТ319В-1
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
КТ321Г
КТ321Д
КТ321Е
КТ324А-1
КТ324Б-1
КТ324В-1
КТ324Г-1
КТ324Д-1
КТ324Е-1
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
КТ325АМ
КТ325БМ
КТ325ВМ
КТ326А
КТ326Б
КТ326АМ
КТ326БМ
КТ331А-1
КТ331Б-1
КТ331В-1
КТ331Г-1
КТ332А-1
КТ332Б-1
КТ332В-1
КТ332Г-1
КТ332Д-1
КТЗЗЗА-3
КТЗЗЗБ-3
КТЗЗЗВ-3
ктзззг-з
ктзззд-з
КТЗЗЗЕ-3
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
КТ337А
КТ337Б
Стр.
98
98
98
98
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
293
Тип
прибора
КТ337В
КТ339АМ
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ340В
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ342Г
КТ342АМ
КТ342БМ
КТ342ВМ
КТ342ГМ
КТ342ДМ
КТ343А
КТ343Б
КТ343В
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ348В-3
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
КТ350А
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
КТ354А-2
КТ354Б-2
КТ355А
КТ355АМ
КТ357А
КТ357Б
КТ357В
КТ357Г
КТ358А
КТ358Б
КТ358В
KT3S9A-3
КТ359Б-3
КТ359В-3
КТ360А-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
КТ361А
КТ361А1
КТ361Б
Стр.
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
ПО
по
* Тип
. • прибора
КТ361В
КТ361Г
КТ361П
КТ361Д
КТ361Д1
КТ361Е
КТ361Ж
КТ361И
КТ361К
КТ361Л
КТ361М
КТ361Н
КТ361П
КТ361А-2
КТ361А-3
КТ361Б-2
КТ361В-2
КТ361Г-2
КТ361Г-3
КТ361Д-2
КТ361Д-3
КТ361Е-2
КТ361Ж-2
КТ361И-2
КТ361К-2
КТ361Л-2
КТ361М-2
КТ361Н-2
КТ36Ш-2
КТ363А
КТ363Б
КТ363АМ
КТ363БМ
КТ364А-2
КТ364Б-2
КТ364В-2
КТ366А
КТ366Б
КТ366В
КТ368А
КТ368Б
КТ368А-5
КТ368А-9
КТ368Б-9
КТ368АМ
КТ368БМ
КТ369А
КТ369Б
КТ369В
КТ369Г
КТ369А-1
КТ369Б-1
КТ369В-1
КТ369Г-1
КТ37ОА-1
КТ370Б-1
КТ370А-9
КТ370Б-9
КТ371А
КТ371АМ
КТ372А
Стр.
ПО
по
по
по
по
по
110
по
по
по
по
по
по
по
по
по
по
по
по
по
по
по
но
по
110
по
по
по'
по
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
116
Тип ч
прибора .
КТ372Б
КТ372В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
КТ375А
КТ375Б
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
КТ380А
КТ380Б
КТ380В
КТ381Б
КТ381В
КТ381Г
КТ381Д
КТ381Е
КТ382А
КТ382Б
КТ382АМ
КТ382БМ
КТ384А-2
КТ384АМ
КТ385А-2
КТ385АМ
КТ388Б-2
КТ388БМ-2
КТ389Б-2
КТ391А-2
КТ391Б-2
КТ391В-2
КТ392А-2
КТ396А-2
КТ396А-9
КТ397А-2
КТ399А
КТ399АМ
КТ501А
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
КТ501Е
КТ501Ж
КТ5О1И
КТ501К
КТ501Л
КТ501М
КТ502А
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
КТ5О2Е
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
Стр.
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
118
118
118
118
118
118
118
118
120
120
120
120
120
120
120
120
120
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
. 122
122
122
122
122
122
Тип
прибора
КТ503Д
КТ503Е
КТ504А
КТ504Б
КТ504В
КТ5О5А
КТ505Б
КТ506А
КТ506Б
КТ509А
КТ511А9
КТ511Б9
КТ511В9
КТ511Г9
КТ511Д9
КТ511Е9
КТ511Ж9
КТ511И9
КТ511К9
КТ512А9
КТ512Б9
КТ512В9
КТ512Г9
КТ512Д9
КТ512Е9
КТ512Ж9
КТ512И9
КТ512К9
КТ513А9
КТ513Б9
КТ513В9
КТ513Г9
КТ513Д9
КТ514А9
КТ514Б9
КТ514В9
КТ514Г9
КТ514Д9
КТ515А9
КТ515Б9
КТ515В9
КТ516А9
КТ516Б9
КТ516В9
КТ517А
КТ517Б
КТ517В
КТ517Г
КТ517Д
КТ517Е
КТ517А-1
КТ517Б-1
КТ517В-1
КТ517Г-1
КТ517Д-1
КТ517Е-1
КТ517А-9
КТ517Б-9
КТ517В-9
КТ517Г-9
КТ517Д-9
Стр.
122
122
122
122
122
122
122
122
122
124
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492

294
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тип
прибора
КТ517Е-9
КТ519А
КТ519Б
КТ519В
КТ520А
КТ520Б
КТ521А
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
КТ523В
КТ523Г
КТ523Д
КТ523А9
КТ523Б9
КТ523В9
КТ523Г9
КТ523Д9
КТ524А
КТ524А-5
КТ525А
КТ525А-5
КТ526А
КТ526А-5
КТ528А9
КТ528Б9
КТ528В9
КТ528Г9
КТ528Д9
КТ601А
КТ601АМ
КТ602А
КТ602Б
КТ602В
КТ602Г
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604А
КТ604Б
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605А
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608А
КТ608Б
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
Стр.
492
492
492
492
492
492
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
494
496
496
496
496
496
496
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
Тип
прибора
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ610А
КТ610Б
КТ6102А
КТ6103А
КТ6104А
КТ6105А
КТ6107А
КТ6108А
КТ611А
КТ611Б
КТ611В
КТ6ИГ
КТ611АМ
КТ611БМ
КТ6И0А
КТ6110Б
КТ6110В
КТ6110Г
КТ6110Д
КТ6ША
КТ6ШБ
КТ6ШВ
КТ6ШГ
КТ6112А
КТ6112Б
КТ6112В
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6113В
КТ6113Г
КТ6113Д
КТ6113Е -
КТ6114А
КТ6114Б
КТ6114В
КТ6114Г
КТ6114Д
КТ6114Е
КТ6115А
КТ6115Б
КТ6115В
КТ6115Г
КТ6115Д
КТ6115Е
КТ6116А
КТ6117А
КТ6127А
КТ6127Б
КТ6127В
КТ6127Г
КТ6127Д
КТ6127Е
КТ6127Ж
КТ6127И
КТ6127К
КТ6128А
КТ6128Б
КТ6128В
КТ6128Г
Стр.
126
126
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
128
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
496
496
496
496
Тип
прибора
КТ6128Д N—
КТ6128Е
КТ6129А-9
КТ6129Б-2
КТ6130А-9
КТ6133А
КТ6133Б
КТ6133В
КТ6134А
КТ6134Б
КТ6134В
КТ6135А
КТ6135Б
KT613SB
КТ6135Г
КТ6136А
КТ6137А
КТ6138А
КТ6138Б
КТ6138В
КТ6138Г
КТ6138Д
КТ6139А
КТ6139Б
КТ6139В
КТ6139Г
КТ6139Д
КТ6140А
КТ616А
КТ616Б
КТ617А
КТ618А
КТ620А
КТ620Б
КТ624А-2
КТ624АМ-2
КТ625А
КТ625АМ
КТ625АМ-2
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТ629А-2
КТ629Б-2
КТ629БМ-2
КТ630А
КТ630Б
КТ630В
ктвзог
КТ630Д
КТ630Е
КТ630А-5
КТ630Б-5
КТ630В-5
КТ630Г-5
КТ632Б
КТ632Б-1
КТ633А
КТ633Б
Стр.
496
496
130
130
132
132
132
132
132
132
132
132
132
132
132
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
132
132
132
132
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
136
Тип
прибора
КТ634А-2
КТ634Б-2
КТ635А
КТ635Б
КТ637А-2
КТ637Б-2
КТ638А
КТ638А1
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ639А-1
КТ639Б-1
КТ639В-1
КТ639Г-1
КТ639Д-1
КТ639Е-1
КТ639Ж-1
КТ639И-1
КТ640А-2
КТ640Б-2
КТ640В-2
КТ642А-2
КТ642А-5
КТ643А-2
КТ644А
КТ644Б
КТ644В
КТ644Г
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ647А-2
КТ647А-5
КТ648А-2
КТ648А-5
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ657В-2
КТ657А-5
КТ657Б-5
КТ657В-5
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
КТ666А-9
КТ667А-9
КТ668А
КТ668Б
Стр.
136
136
138
138
138
138
138
496
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
144
144
144
144
144
144
144
144
144

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
295
Тип ,-
прибора
КТ668В
КТ677А
КТ680А
КТ681А
КТ682А-2
КТ682Б-2
КТ682А-5
КТ682Б-5
КТ683А
КТ683Б
КТ683В
КТ683Г
КТ683Д
КТ683Е
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ685Д
КТ685Е
КТ685Ж
КТ686А
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
КТ692А
КТ695А
КТ698А
КТ698Б
КТ698В
КТ698Г
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
П701
П701А
П701Б
П7О2
П702А
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ710А
КТ712А
КТ712Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
КТ721А
Стр.
144
514
144
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
Тип
прибора .
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728А
КТ729А
КТ729Б
КТ730А
КТ732А
КТ733А
КТ734А
КТ734Б
КТ734В
КТ734Г
КТ735А
КТ735Б
КТ735В
КТ735Г
КТ736А
КТ736Б
КТ736В
КТ736Г
КТ737А
КТ737Б
КТ737В
КТ737Г
КТ740А
КТ740А1
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ803А
КТ805А
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
КТ807А
КТ807Б
КТ807АМ
КТ807БМ
КТ808А
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808АЗ
КТ808БЗ
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
КТ809А
КТ8101А
КТ8101Б
КТ8102А
КТ8102Б
КТ8104А
КТ8105А
КТ8106А
КТ8106Б
КТ8107А
Стр.
150
150
150
150
152
152
152
498
498
498
498
498
498
498
498
49S
498
498
498
498
498
498
498
498
498
500
500
152
152
152
152
152
152
152
152
152
154
154
154
154
154
500
500
500
500
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
156
156
156
156
156
Тип4- •
прибора
КТ8107Б
КТ8107В
КТ8107Г
КТ8107Д
КТ8107Е
КТ8107А2
КТ8107Б2
КТ8107В2
КТ8107Г2
КТ8107Д2
КТ8107Е2
КТ8108А
КТ8108Б
КТ8108В
КТ8108А-1
КТ8108Б-1
КТ8108В-1
КТ8109А
КТ8109Б
КТ8П0А
КТ8110Б
КТ8110В
КТ8П1А9
КТ8ШБ9
КТ8ШВ9
КТ8И2А
КТ8114А
КТ8114Б
КТ8115А
КТ8115Б
КТ8115В
КТ8116А
КТ8116Б
КТ8116В
КТ8117А
КТ8117Б
КТ8118А
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
КТ8120А
КТ8121А
КТ8121Б
КТ8121А-1
КТ8121Б-1
КТ8121А-2
КТ8121Б-2
КТ8123А
КТ8124А
КТ8124Б
КТ8124В
КТ8125А
КТ8125Б
КТ8125В
КТ8126А
КТ8127А
КТ8127Б
КТ8127В
КТ8127А-1
КТ8127Б-1
КТ8127В-1
Стр.
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
500
500
500
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
Тип
прибора
КТ8129А
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
КТ8134А
КТ8135А
КТ8136А
КТ8136А-1
КТ8137А
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
КТ8138Г
КТ8138Д
КТ8138Е
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8140А
КТ8140А-1
КТ8141А
КТ8141Б
КТ8141В
КТ8141Г
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ8143А
КТ8143Б
КТ8143В
КТ8143Г
КТ8143Д
КТ8143Е
КТ8143Ж
КТ81433
КТ8143И
КТ8143К
КТ8143Л
КТ8143М
КТ8143Н
КТ8143П
КТ8143Р
КТ8143С
КТ8143Т
КТ8143У
КТ8143Ф
КТ8144А
КТ8144Б
КТ8145А
КТ8145Б
КТ8146А
КТ8146Б
КТ8147А
КТ8147Б
КТ8149А
КТ8149А-1
КТ8149А-2
КТ8150А
Стр.
160
162
162
162
162
162
162
500
500
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
166
166

296
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тип
прибора ;
КТ8150А-1
КТ8150А-2
КТ8154А
КТ8154Б
КТ8155А
КТ8155Б
КТ8156А
КТ8156Б
КТ8157А
КТ8157Б
КТ8158А
КТ8158Б
КТ8158В
КТ8159А
КТ8159Б
КТ8159В
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ8164А
КТ8164Б
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
КТ816А-2
КТ8170А-1
КТ8171А
KT817SA
КТ8175Б
КТ8175А-1
КТ8175Б-1
КТ8176А
КТ8176Б
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
КТ8177В
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
КТ8181А
КТ8181Б
КТ8182А
КТ8182Б
КТ8183А
КТ8183Б
КТ8183А-1
КТ8183Б-1
КТ8183А-2
КТ8183Б-2
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
КТ818АМ
КТ818БМ
Стр.
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
500
168
168
168
168
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
172
172
Тип
.прибора
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ818А-1
КТ818Б-1
КТ818В-1
КТ818Г-1
КТ8196А
КТ8197А-2
КТ8197Б-2
КТ8197В-2
КТ8199А
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ819А-1
КТ819Б-1
КТ819В-1
КТ819Г-1
КТ8201А
КТ8203А
КТ8205А
КТ8207А
КТ8209А
КТ820А-1
КТ820Б-1
КТ820В-1
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
КТ822А-1
КТ822БЧ
КТ822В-1
КТ8231А
КТ8231А1
КТ8231А2
КТ8232А1
КТ8232Б1
КТ8233А5
КТ8233Б5
КТ8233В5
КТ8234А5
КТ8234Б5
КТ8234В5
KT823SA
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
КТ8240А5
КТ8240Б5
КТ8240В5
КТ8240Г5
КТ8240Д5
КТ8240Е5
КТ8240Ж5
КТ8241А5
КТ8241Б5
Стр.
172
172
172
172
172
172
502
502
502
502
502
172
172
172
172
172
172
172
172
172
172
172
172
502
502
502
504
504
172
172
172
172
172
172
172
172
172
504
504
504
504
504
504
504
504
506
506
506
506
172
172
172
506
506
506
506
506
506
506
506
506
Тип
прибора
КТ8241В5
КТ8241Г5
КТ8241Д5
КТ8241Е5
КТ8241Ж5
КТ8242А5
КТ8242Б5
КТ8242В5
КТ8243А5
КТ8243Б5
КТ8243В5
КТ8244А5
КТ8244Б5
КТ8244В5
КТ8244Г5
КТ8245А5
КТ8245Б5
КТ8245В5
КТ8245Г5
КТ8246А
КТ8246Б
КТ8246В
КТ8246Г
КТ8250А
КТ8250Б
КТ825Г
КТ825Д
КТ825Е
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ830А
КТ830Б
КТ830В
КТ830Г
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
Стр.
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
506
508
508
508
508
508
508
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
Тип
прибора
КТ837М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ838А
КТ838Б
КТ839А
КТ840А
КТ840Б
КТ840В
КТ841А
КТ841Б
КТ841В
КТ841Г
КТ841Д
КТ841Е
КТ842А
КТ842Б
КТ842В
КТ844А
КТ845А
КТ846А
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ848А
КТ850А
КТ850Б
КТ850В
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ856А
КТ856Б
КТ856А-1
КТ856Б-1
КТ857А
КТ858А
КТ859А
КТ862Б
КТ862В
КТ862Г
КТ863А
КТ863Б
Стр.
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176 %
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
180
180

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
297
Тип
прибора
КТ863В
КТ864А
КТ865А
КТ866А
КТ866Б
КТ867А
КТ868А
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ872В
КТ874А
КТ874Б
КТ878А
КТ878Б
КТ8783
КТ879А
КТ879Б
КТ885А
КТ885Б
КТ886А-1
КТ886Б-1
КТ887А
КТ887Б
КТ888А
КТ888Б
КТ890А
КТ890Б
КТ890В
КТ892А
КТ892Б
КТ892В
КТ893А
КТ896А
КТ896Б
КТ897А
КТ897Б
КТ898А
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
КТ899А
КТ902А
КТ902АМ
КТ903А
КТ903Б
КТ904А
КТ904Б
КТ9О7А
КТ907Б
КТ908А
КТ908Б
КТ909А
КТ909Б
КТ909В
КТ909Г
КТ9101АС
КТ9104А
КТ9104Б
КТ9105АС
КТ9109А
Стр.
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
188
188
\>~ j. - Тип'-. ; - ;'
прибора
КТ9111А
КТ9116А
КТ9116Б
КТ911А
КТ911Б
КТ911В
КТ911Г
КТ912А
КТ912Б
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
КТ9115А
КТ9115Б
КТ9120А
КТ9121А
КТ9121Б
КТ9121В
КТ9121Г
КТ9125АС
КТ9126А
КТ9127А
КТ9127Б
КТ9128АС
КТ9130А
КТ9131А
КТ9132АС
КТ9133А
КТ9134А
КТ9134Б
КТ9136АС
КТ914А
КТ9141А
КТ9141А-1
КТ9142А
КТ9143А
КТ9143Б
КТ9143В
КТ9144А-5
КТ9144А-9
КТ9145А-5
КТ9145А-9
КТ9146А
КТ9146Б
КТ9146В
КТ9147АС
КТ9150А
КТ9151А
КТ9152А
КТ9153АС
КТ9153БС
КТ9155А
КТ9155Б
КТ9155В
КТ9156АС
КТ9156БС
КТ9157А
КТ9160А
КТ9160Б
КТ9160В
КТ9161АС
Ъгр.
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
508
508
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
508
508
192
192
192
192
192
192
192
192
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
508
194
194
194
508
196
196
196
196
510
196
196
196
196
196
196
¦/ ч Тип ' Л -''-.
прибора
КТ9164А
КТ9166А
КТ916А
КТ916Б
КТ9173А
КТ9174А
КТ9176А
КТ9177А
КТ918ОА
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
КТ9181А
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
КТ9189А-2
КТ9189Б-2
КТ9189В-2
КТ918А-2
КТ918Б-2
КТ9182А
КТ9190А
КТ9190А-4
КТ9192А-2
КТ9192Б-2
КТ9193А
КТ9193Б
КТ9193А-4
КТ9193Б-4
КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
Стр.
¦
196
196
196
196
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
510
510
510
198
198
198
510
510
512
512
512
512
512
512
198
198
198
198
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
202
202
202
: Тип
прибора
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ933А
КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
КТ935А
КТ936А
КТ936Б
КТ937А-2
КТ937Б-2
КТ938А-2
КТ938Б-2
КТ939А
КТ939Б
КТ940А
КТ940А1
КТ940А9
КТ940Б
КТ940Б1
КТ940Б9
КТ940В
КТ940В1
КТ940А-5
КТ940Б-5
КТ940В-5
КТ942В
КТ943А
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ943Д
КТ944А
КТ945А
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
КТ946А
КТ947А
КТ948А
КТ948Б
КТ955А
КТ956А
КТ957А
КТ958А
КТ960А
КТ961А
КТ961А1
КТ961Б
КТ961Б1
КТ961В
КТ961В1
КТ961Г
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ963А-2
Стр.
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
204
204
204
204
204
204
204
512
512
204
512
512
204
512
204
204
204
204
204
204
204
204
204
206
206
514
514
514
206
206
206
206
206
206
206
208
208
208
514
208
514
208
514
208
208
208
208
208

298
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
]'\ -*-;?'Оркбор*-^»**^"-'
КТ963Б-2
КТ963А-5
КТ963Б-5
КТ965А
КТ966А
КТ967А
КТ969А
КТ969А1
КТ969А-5
КТ970А
КТ971А
КТ972А
\.СтрГг
208
208
208
208
208
210
210
514
210
210
210
210
•*"V."'"прибора/?':->-;.'?
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
КТ973А
КТ973Б
КТ973В
КТ973Г
КТ976А
КТ977А
КТ979А
КТ980А
КТ980Б
с Стр?;
210
514
514
210
210
514
514
210
212
212
212
212
Ь;/^:; Тип ' '"¦ р -
-•^" прибора
КТ981А
КТ983А
КТ983Б
КТ983В
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
КТ986А
КТ986Б
КТ986В
КТ986Г
КТ991АС
Стр.
212
212
212
212
212
212
212
214
214
214
214
214
Кремниевые сборки
Тип
прибора
КТСЗОЗА-2
КТС3103А
КТС3103Б
КТС3103А1
КТС3103Б1
КТС3161АС
КТС3174АС-2
КТС381Б
КТС381В
КТС381Г
КТС381Д
КТС381Е
КТС393А
Стр.
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
218
Тип
прибора
КТС393Б
КТС393А-1
КТС393Б-1
КТС393А-9
КТС393Б-9
КТС394А-2
КТС394Б-2
КТС395А-1
КТС395Б-1
КТС395А-2
КТС395Б-2
КТС395В-2
КТС398А-1
Стр.
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
Тип
прибора
КТС398Б-1
КТС398А94
КТС398Б94
КТС613А
КТС613Б
КТС613В
КТС613Г
КТС622А
КТС622Б
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
Стр.
218
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
Полевые транзисторы
Тип
прибора
АП320А-2
АП320Б-2
АП324А-2
АП324Б-2
АП324В-2
АП324Б-5
АП325А-2
АП326А-2
АП326Б-2
АП328А-2
АПЗЗОА-2
АПЗЗОБ-2
АПЗЗОВ-2
АП330В1-2
АП330В2-2
АПЗЗОВЗ-2
АП331А-2
АП331А-5
АП339А-2
АП343А-2
АП343А1-2
АП343А2-2
АП343АЗ-2
АП344А-2
АП344А1-2
АП344А2-2
Стр.
234
234
234
234
234
234
234
234
234
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
238
238
238
Тип
прибора
АП344АЗ-2
АП344А4-2
АП362А-9
АП362Б-9
АП379А-9
АП379Б-9
АП602А-2
АП602Б-2
АП602В-2
АП602Г-2
АП602Д-2
АП603А-2
АП603Б-2
АП603А-1-2
АП603Б-1-2
АП603А-5
АП603Б-5
АП604А-2
АП604Б-2
АП604В-2
АП604Г-2
АП604А1-2
АП604Б1-2
АП604В1-2
АП604П-2
АП605А-2
Стр.
238
238
238
238
238
238
238 "
238
238
238
238
238
238
238
238
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
;V ТИП .
11 *"..'. прибора
АП605А1-2
АП605А2-2
АП606А-2
АЛ606Б-2
АП606В-2
АП606А-5
АП606Б-5
АП606В-5
АП607А-2
АП608А-2
АП6О8Б-2
АП608В-2
АП608А-5
АП608Д-5
АП608Е-5
АП915А-2
АП915Б-2
АП925А-2
АП925Б-2
АП925В-2
АП930А-2
АП930Б-2
АП930В-2
АП967А-2
АП967Б-2
АП967В-2
Стр.
240
240
240
240
240
240
240
240
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
244
244
244
'* '. ¦ ,.Тип
прибора
КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
КТ996А-5
КТ996Б-5
КТ996В-5
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
Стр.
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
Тип
прибора
КТ674АС
КТ693АС
К1НТ251
КШТ661А
К129НТ1А-1
К129НТ1Б-1
К129НТ1В-1
К129НТ1Г-1
К129НТ1Д-1
К129НТ1Е-1
К129НТ1Ж-1
К129НТ1И-1
Стр.
220
220
-222
222
222
222
222
222
222
222
222
222
Тип
прибора
АП967Г-2
АП967Д-2
АП967Е-2
АП967Ж-2
КП101Г
КП101Д
КП101Е
КП103Е
КП103Е9
КП103Ж
КП103Ж9
КП103И
КП103И9
КП103К
КП103К9
КП103Л
КП103Л9
КП103М
КП103М9
КП103ЕР1
КП103ЖР1
КП103ИР1
КШ03КР1
КП103ЛР1
КШ03МР1
КП150
Стр.
244
244
244
244
244
244
244
244
516
244
516
244
516
244
516
244
516
244
516
244
244
244
244
244
244
244

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
299
4' ' - прибора i;~:'.
КП201Е-1
КП201Ж-1
КП201И-1
КП201К-1
КП201Л-1
КП202Д-1
КП202Е-1
КП240
КП250
КП301Б
КП301В
КП301Г
КП302А
КП302Б
КП302В
КП302Г
КП302АМ
КП302БМ
КП302ВМ
КП302ГМ
КПЗОЗА
КП303А9
КПЗОЗБ
КП303Б9
КПЗОЗВ
КП303В9
КПЗОЗГ
КПЗОЗГ9
кпзозд
КП303Д9
КПЗОЗЕ
КП303Е9
кпзозж
КП303Ж9
кпзози
КПЗОЗИ9
КП304А
КПЗО5Д
КП305Е
КП305Ж
КП305И
КП306А
КП306Б
КП306В
КПЗО7А
КП307А1
КПЗО7Б
КПЗО7Б1
КПЗО7В
КПЗО7Г
КПЗО7Г1
КПЗО7Д
КПЗО7Е
КП307Е1
КП307Ж
КП307Ж1
КПЗО8А-1
КП308Б-1
КПЗО8В-1
КПЗО8Г-1
КП308Д-1
Стр.
244
244
244
244
244
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
248
248
248
248
248
248
248
248
516
248
516
248
248
516
248
248
516
248
516
248
248
248
248
248
;" - - -ч . Тип
' . , прибора
КП310А
КП310Б
КП312А
КП312Б
КП313А
КП313Б
КП313В
КП314А
КП322А
КП323А-2
КП323Б-2
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327Г
КП329А
КП329Б
КП340
КП341А
КП341Б
КП346А-9
КП346Б-9
КП346В-9
КП347А-2
КП350
КП350А
КП350Б
КП350В
КП361А
КП364А
КП364Б
КП364В
КП364Г
КП364Д
КП364Е
КП364Ж
КП364И
КП365А
КП365Б
КП382А
КП401АС
КП401БС
КП402А
КП403А
КП440
КП450
КП501А
КП501Б
КП502А
КП503А
КП504А
КП505А
КП510
КП520
КП530
КП540
КП601А
КП601Б
КП610
КП620
КП630
Стр.
248
248
248
248
248
248
248
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
252
252
252
252
252
252
252
252
516
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
256
256
256
256
256
256
256
" Тип
прибора
КП640
КП704А
КП704Б
КП705А
КП705Б
КП705В
КП706А
КП706Б
КП706В
КП707А
КП7О7Б
КП7О7В
КП7О7А1
КП7О7Б1
КП7О7В1
КП707В2
КП708А
КП708Б
КП709А
КП709Б
КП710
КП712А
КП712Б
КП712В
КП717А
КП717Б
КП717В
КП717Г
КП717Д
КП717Е
КП717А1
КП717Б1
КП717В1
КП717Г1
КП717Д1
КП717Е1
КП718А
КП718Б
КП718В
КП718Г
КП718Д
КП718Е
КП718А1
КП718Б1
КП718В1
КП718П
КП718Д1
КП718Е1
КП720
КП722А
КП723А
КП723Б
КП723В
КП723Г
КП724А
КП724Б
КП725А
КП726А
КП727А
КП727Б
КП727В
Стр.
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
Тип
прибора
КП727Г
КП727Д
КП727Е
КП727Ж
КП728А
КП730
КП730А
КП731А
КП733А
КП733Б
КП733В-1
КП734А
КП734Б
КП734В
КП734А-5
КП734Б-5
КП735А
КП735Б
КП735В
КП735Г
КП740
КП759А-5
КП759Б-5 "^
КП759В-5
КП759Г-5
КП760А-5
КП760Б-5
КП760В-5
КП760Г-5
КП761А-5
КП761Б-5
КП761В-5
КП761Г-5
КП801А
КП801Б
КП801В
КП801Г
КП802А
КП802Б
КП804А
КП805А
КП805Б
КП805В
КП809А
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809П
КП809Д1
КП809Е1
КП810А
КП810Б
КП810В
КП812А1
КП812Б1
КП812В1
Стр.
260
260
260
260
262
262
262
262
262
262
262
516
516
516
516
516
516
516
516
516
262
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
266
266
266

300
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тип с
. прибора
КП813А
КП813Б
КП813А1
КП813Б1
КП813А1-5
КП813Б1-5
КП814А
КП814Б
КП814В
КП814Г
КП814Д
КП814Е
КП814Ж
КП814И
КП814К
КП814Л
КП814М
КП814Н
КП814П
КП814Р
КП814С
КП814Т
КП814У
КП814Ф
КП817А
КП817Б
КП817В
КП820
КП830
КП840
КП901А
КП901Б
КП902А
КП902Б
КП902В
КП903А
КП903Б
Стр.
266
266
266
266
266
266
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
266
266
266
266
266
266
266
266
268
268
Тип
- прибора
КП903В
КП904А
КП904Б
КП905А
КП905Б
КП905В
КП907А
КП907Б
КП907В
КП908А
КП908Б
КП921А
КП922А
КП922Б
КП922А1
КП922Б1
КП923А
КП923Б
КП923В
КП923Г
КП928А
КП928Б
КП934А
КП934Б
КП937А
КП937А-5
КП938А
КП938Б
КП938В
КП938Г
КП938Д
КП944А
КП944Б
КП945А
КП945Б
КП946А
КП946Б
Стр.
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
272
272
272
272
272
272
Тип
прибора
КП948А
КП948Б
КП948В
КП948Г
КП951А-2
КП951Б-2
КП951В-2
КП953А
КП953Б
КП953В
КП953Г
КП953Д
КП954А
КП954Б
КП954В
КП954Г
КП955А
КП955Б
КП956А
КП956Б
КП957А
КП957Б
КП957В
КП958А
КП958Б
КП958В
КП958Г
КП959А
КП959Б
КП959В
КП960А
КП960Б
КП960В
КП961А
КП961Б
КП961В
КП961Г
Стр.
272
272
272
272 -
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
Диоды, столбы, блоки
Тип
прибора . *
Д2Б
Д2В
Д2Г
Д2Д
Д2Е
Д2Ж
Д2И
Д7А
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж
Д9Б
Д9В
Д9Г
Д9Д
Д9Е
Стр.
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
Тип
прибора
Д9Ж
Д9И
Д9К
Д9Л
Д9М
дю
ДЮА
ДЮБ
ДЮ1
Д101А
Д102
Д102А
КД102А
КД102Б
дюз
ДЮЗА
КД103А
КД1ОЗБ
ДЮ4
Стр.
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
284
284
284
Тип
прибора
Д104А
КД104
ДЮ5
Д105А
КД105Б
КД105В
КД105Г
ДЮ6
Д106А
КД106А
ГД107А
ГД107Б
КД109А
КД109Б
КД109В
АД110А
АД112А
ГД113А
КД116А-1
Стр.
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
285
285
285
285
285
285
285
Тип
- ' прибора
КП961Д
КП961Е
КП964А
КП964Б
КП964В
КП964Г
КП965А
КП965Б
КП965В
КП965Г
КП965Д
КП971А
КП971Б
КП973А
КП973Б
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
КПС202А-2
КПС2О2Б-2
КПС2О2В-2
КПС202Г-2
КПС203А-1
КПС203Б-1
КПС203В-1
КПС203Г-1
КПС315А
КПС315Б
КПС316Д-1
КПС316Е-1
КПС316Ж-1
КПС316И-1
Стр.
274
274
274
274
274
274
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
Тип
прибора
КД116Б-1
КД126А
КД127А
КД128А
КД128Б
КД128В
КД130АС
Д202
КД202А
КД202В
КД202Д
КД202Ж
КД202К
КД202М
КД202Р
Д203
КД203А
КД203Б
КД203В
Стр.
285
530
530
530
530
530
530
285
285
285
285
285
285
285
285
285
286
286
286

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
301
' .".:. Тип .•' -
прибора '> -
КД203Г
КД203Д
КД203Е
КД203Ж
КД203И
КД203К
КД203Л
КД203М
Д204
КД204А
КД204Б
КД204В
Д205
КД205А
КД205Б
КД205В
КД205Г
КД205Д
КД205Е
КД205Ж
КД205И
КД205К
КД205Л
Д206
КД206А
КД206Б
КД206В
Д207
Д208
КД208А
КД208А-1
Д209
КД209А
КД209Б
КД209В
КД209А-1
КД209Б-1
КД209В-1
КД209Г-1
Д210
КД210А
КД210Б
КД210В
КД210Г
КД210А1
КД210Б1
КД210В1
КД210П
Д211
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212Г
КД213А
КД213Б
КД213В
КД213Г
Д214
Д214А
Д214Б
Д215
Стр.
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
530
530
530
530
287
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
Тип -
прибора <
Д215А
Д215Б
МД217
МД218
МД218А
КД221А
КД221Б
КД221В
КД221Г
КД221А1
КД221Б1
КД221В1
КД221Г1
КД221Д1
КД221Е1
КД222А-5
КД222Б-5
КД222В-5
Д223
Д223А
Д223Б
КД223А
Д226
Д226А
Д226Е
КД226А
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е
МД226
МД226А
МД226Е
КД227ГС
КД227ЕС
КД227ЖС
Д220А
Д229Б
Д229В
Д229Г
Д229Д
Д229Е
Д229Ж
Д229И
Д229К
Д229Л
Д231
Д231А
Д231Б
Д232
Д232А
Д232Б
Д233
Д233Б
Д234Б
Д237А
Д237Б
Д237В
Д237Е
Д237Ж
Стр.
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
530
530
530
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290 •
290
Тип
прибора
КД237А
КД237Б
КД238АС
КД238БС
КД238ВС
КД240А
КД240Б
КД240В
КД240Г
КД240Д
КД240Е
КД240Ж
КД240И
КД240К
КД241А
Д242
Д242А
Д242Б
Д243
Д243А
Д243Б
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД243Е
КД243Ж
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244Г
Д245
Д245А
Д245Б
Д246
Д246А
Д246Б
Д247
Д247Б
КД247А
КД247Б
КД247В
КД247Г
КД247Д
КД247Е
Д248Б
КД248А ^
КД248Б
КД248В
КД248Г
КД248Д
КД248Е
КД248Ж
КД248И
КД248К
КД249А
КД249Б
КД249В
КД257А
КД257Б
Стр!
530
530
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
530
530
530
530
530
530
530
530
530
531
531
531
291
291
. Тип
прибора
КД257В
КД257Г
КД257Д
КД258А
КД258Б
КД258В
КД258Г
КД258Д
КД259А
КД259Б
КД259В
КД268А
КД268Б
КД268В
КД268Г
КД268Д
КД268Е
КД268Ж
КД268И
КД268К
КД268Л
КД269А
КД269Б
КД269В
КД269Г
КД269Д
КД269Е
КД269Ж
КД269И
КД269К
КД269Л
КД270А
КД270Б
КД270В
КД27ОГ
КД270Д
КД27ОЕ
КД270Ж
КД27ОИ
КД27ОК
КД270Л
КД271А
КД271Б
КД271В
КД271Г
КД271Д
КД271Е
КД271Ж
КД271И
КД271К
КД271Л
КД272А
КД272Б
КД272В
КД272Г
КД272Д
КД272Е
КД272Ж
КД272И
КД272К
КД272Л
Стр.
291
291
291
292
292
292
292
292
531
531
531
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292

302
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тип \.
прибора -
КД273А
КД273Б
КД273В
КД273Г
КД273Д
КД273Е
КД273Ж
КД273И
КД273К
КД273Л
КД273АС
КД273БС
КД273ВС
КД273ГС
КД273ДС
КД273ЕС
КД275А
КД275Б
КД275В
КД275Г
КД275Д
КД275Е
КД280А
КД280Б
КД280В
КД280Г
КД280Д
КД280Е
КД280Ж
КД281А
КД281Б
КД281В
КД281Г
КД281Д
КД281Е
КД281Ж
КД281И
КД281К
КД281Л
КД281М
КД281Н
КД281П
КД292АС
КД292БС
КД2988А
КД2988Б
КД2988В
КД2989А
КД2989Б
КД2989В
КД2989А-1
КД2989Б-1
КД2989В-1
КД2991А
КД2994А
КД2994Б
КД2994В
КД2994Г
КД2995А
КД2995Б
КД2995В
Стр.
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
293
293
293
532
532
532
532
532
532
293
293
293
293
293
293
293
293
Тип
прибора ч>
КД2995Г
КД2995Д
КД2996А
КД2996Б
КД2996В
КД2997А
КД2997Б
КД2997В
КД2998А
КД2998Б
КД2998В
КД2998Г
КД2998Д
КД2999А
КД2999Б
КД2999В
Д302
ДЗОЗ
Д304
Д305
КД401А
КД401Б
ГД402А
ГД402Б
ГД403А
ГД403Б
ГД403В
КД407А
КД409А
КД409А-9
КД409Б-9
КД410А
КД410Б
КД411А
КД411Б
КД411В
КД411Г
КД411АМ
КД411БМ
КД411ВМ
КД411ГМ
КД412А
КД412Б
КД412В
КД412Г
КД413А
КД413Б
КД416А
КД416Б
КД417А
КД419А
КД419Б
КД419В
КД419Г
КД419Д
КД424А
КД424В
КД424Г
КД503А
КД503Б
КД503В
Стр.
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
532
532
296
296
296
s\'/v. s тип ¦ * ¦-..:.
V прибора :
КД504А
ГД507А
ГД508А
ГД508Б
КД509А
КД510А
КД512А
КД512А1
КД513А
КД514А
КД514А1
АД516А
АД516Г
КД518А
КД519А
КД519Б
КД52ОА
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД621Д
КД521А2
КД521Б2
КД521А9
КД522А
КД522Б
КД522А2
КД522Б2
КД522Б9
КД529А
КД529Б
КД529В
КД529Г
КД532А
КД629АС
КД636АС
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
КД704АС
КД706АС9
КД7О7АС9
КД708А
КД7О8Б
КД7О8В
КД710А
КД711А
КД803АС9
КД805А
КД805А9
КД808А
КД810А
КД811А
КД811Б
КД811В
КД811А-9
КД811Б-9
КД8ПВ-9
Стр.
296
296
296
296
296
296
296
532
296
297
532
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
532
297
297
297
297
532
298
298
298
298
532
298
533
533
533
533
533
533
298
298
298
533
533
533
533
533
298
298
533
298
533
299
299
299
299
299
299
- „ ^ч Тип
i прибора \
КД812А
КД812Б
КД812В
КД901А-1
КД901Б-1
КД901В-1
КД901Г-1
КД903А
КД903Б
КД904А-1
КД904Б-1
КД904В-1
КД904Г-1
КД904Д-1
КД904Е-1
КД906А
КД906Б
КД906В
КД906Г
КД906Д
КД906Е
КД907Б-1
КД907В1
КД908А
КД908АМ
КД909А
КД910А-1
КД910Б-1
КД910В-1
КД9ПА-1
КД911А-1
КД912А-3
КД912Б-3
КД912В-3
КД913А-3
КД914А
КД914Б
КД914В
КД917А
КД917АМ
КД918Б-1
КД918В-1
КД919А
КД921А
КД921Б
КД922А
КД922Б
КД922В
КД923А
КД927А
Д1004
Д1005А
Д1005Б
Д1006
Д1007
Д1008
Д1009
Д1009А
дюп
КДСША
КДСШБ
Стр,
533
533
533
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
302
533
533
302
302
302
302
534
302
302
302
302
302
302
302
302
303
303
303

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
303
¦ ».;> .Теп''' . '¦-,.
.N'". прибора
КДСШВ
КДСША2
КДСШБ2
КДСШВ2
КДС132А1
КДС132Б1
КДС132В1
КДС133А1
КДС133Б1
КДС133В1
КДС413А
КДС413Б
КДС413В
КДС414А
КДС414Б
КДС414В
КДС415А
КДС415Б
КДС415В
КДС523А
КДС523Б
КДС523В
КДС523Г
КДС523АМ
КДС523БМ
КДС523ВМ
КДС523ГМ
КДС525А
КДС525Б
КДС525В
КДС525Г
КДС525Д
КДС525Е
КДС525Ж х
КДС525И
КДС525К
КДС525Л
КДС526А
КДС526Б
КДС526В
КДС627А
КДС628А
КЦ103А
КЦ105В
Стр.
303
535
435
535
535
535
535
535
535
535
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303,
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
305
305
305
305
305
534
305
Тип" '~,
прибора
Д901А
Д901Б
Д901В
Д901Г
Д901Д
Д901Е
Д902
КВ101А
КВ102А
КВ102Б
КВ102В
КВ102Г
.Стр.
322
322
322
322
322
322
322
310
310
310
310
310
;•._; -тли.,.,;;.
прибора
КЦ105Г
КЦ105В
КЦ106А
КЦ106Б
КЦ106В
КЦ106Г
КЦ106Д
КЦ108А
КЦ108Б
КЦ108В
КЦ109А
КЦ109АМ
КЦ111А
КЦ114А
КЦ114Б
КЦ117А
КЦ117Б
КЦ118А
КЦ118Б
КЩ22А
КЦ122Б
КЦ122В
КЦ201А
КЦ201Б
КЦ201В
КЦ201Г
КЦ201Д
КЦ201Е
КЦ206А
КЦ206Б
КЦ206В
КЦ208А
КЦ302А
КЦ302Б
КЦ302В
КЦ302Г
КЦЗОЗА
КЦЗОЗБ
КЦЗОЗВ
КЦЗОЗГ
кцзозд
КЦЗОЗЕ
кцзозж
кцзози
Стр.
305
305
306
306
306
306
306
306
306
306
306
534
306
306
306
306
306
534
534
534
534
534
306
306
307
307
307
307
534
534
534
307
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
_;¦'-¦ -^^Тии-v - : .
прибора
КЦЗОЗК
КЦЗОЗЛ
КЦЗОЗМ
КЦЗОЗН
КЦ401А
КЦ401Г
КЦ402А
КЦ402Б
КЦ402В
КЦ402Г
КЦ402Д
КЦ402Е
КЦ402Ж
КЦ402И
КЦ403А
КЦ403Б
КЦ403В
КЦ403Г
КЦ403Д
КЦ4ОЗЕ
КЦ403Ж
КЦ403И
КЦ404А
КЦ404Б
КЦ404В
КЦ404Г
КЦ404Д
КЦ404Е
КЦ404Ж
КЦ404И
КЦ405А
КЦ405Б
КЦ405В
КЦ4О5Г
КЦ405Д
КЦ405Е
КЦ405Ж
КЦ405И
КЦ407А
КЦ409А
КЦ409Б
КЦ409В
КЦ409Г
КЦ409Д
Стр.
534
534
534
534
307
307
308
308
Зб8
308
308
308
308
308 '
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
309
309
309
309
309
309
Варикапы
, .Тип',--,,
прибора ~
КВ102Д
КВ103А
КВ103Б
КВ104А
КВ104Б
КВ104В
КВ104Д
КВ104Е
КВ105А
КВ105Б
КВ106А
КВ106Б
Стр.
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
Тип
прибора
КВ107А
КВ107Б
КВ107В
КВ107Г
КВ1О9А
КВ109Б
КВ109В
КВ109Г
КВ109А-1
КВ109Б-1
КВ1О9В-1
КВ109Г-1
Стр.
310
310
310
310
310
310
310
310
312
312
312
312
Тип
прибора
КЦ409Е
КЦ409Ж
КЦ409И
КЦ410А
КЦ410Б
КЦ410В
КЦ412А
КЦ412Б
КЦ412В
КЦ417А
КЦ417Б
КЦ417В
КЦ418А
КЦ418Б
КЦ418В
КЦ418Г
КЦ418Д
КЦ419А
КЦ419А1
КЦ419А2
КЦ419Б
КЦ419Б1
КЦ419Б2 /
КЦ419В
КЦ419В1
КЦ419В2
КЦ419Г
КЦ419Г1
КЦ419Г2
КЦ419Д
КЦ419Д1
КЦ419Д2
КЦ419Е
КЦ419Е1
КЦ419Е2
КЦ419Ж
КЦ419Ж1
КЦ419Ж2
КЦ422А
КЦ422Б
КЦ422В
КЦ422Г
ГД404АР
Стр.
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
534
534
534
534
535
Тип
прибора
КВ109А-4
КВ109Б-4
КВ109В-4
КВ109Г-4
КВ109Д-4
КВ109Е-4
КВ109Ж-4
КВ109А-5
КВ109Б-5
КВ109В-5
КВ109Г-5
КВ109Д-5
Стр.
312
. 312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312

304
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тип
прибора
КВ109Е-5
КВ109Ж-5
КВ110А
КВ110Б
KBUOB
КВ110Г
КВ110Д
КВ110Е
КВС111А
КВСШБ
КВСША-2
КВСШБ-2
КВСШВ-2
КВСШГ-2
КВ112А-1
КВ112Б-1
КВ113А
КВ113Б
КВИ4А
КВ114Б
КВ115А
КВ115Б
КВ115В
КВ116А-1
КВ117А
КВ117Б
КВ119А
КВС120А
КВС120Б
КВС120А-1
КВ121А
КВ121Б
Стр.
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
Тип
прибора .
Д219С
Д220С
Д223С
Д808
Д809
Д810
Д811
Д813
Д814А
Д814Б
Д814В
Д814Г
Д814Д
Д814А1
Д814Б1
Д814В1
Д814П
Д814Д1
Д814А2
Д815А
Д815Б
Д815В
Д815Г
Д815Д
Стр.
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
Тип
приборка -ч. :¦ .
КВ121А-1
КВ121Б-1
КВ121А-2
КВ121Б-2
КВ121В-2
КВ121А-3
КВ121Б-3
KBI21B-3
КВ121А-9
КВ121Б-9
КВ121В-9
КВ122А
КВ122Б
КВ122В
КВ122А-1
КВ122Б-1
КВ122В-1
КВ122А-4
КВ122Б-4
КВ122В-4
КВ122А-9
КВ122Б-9
КВ122В-9
КВ123А
КВ126А-5
КВ126АГ-5
КВ127А
КВ127Б
КВ127В
КВ127Г
КВ128А
КВ128АК
Стр.
314
314
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
318
318
318
318
318
318
318
318
Тип
прибора
КВ129А
КВ130А
КВ132А
КВ130А-9
КВ131А-2
КВ134А
КВ134А-1
КВ135А
КВ136А
КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
КВ138А
КВ138Б
КВ139А
КВ140А-1
КВ140Б-1
КВ142А
КВ142Б
КВ143А
КВ143Б
КВ143В
КВ144А
КВ144Б
КВ144В
КВ144Г
КВ144А-1
КВ144Б-1
КВ144В-1
КВ144Г-1
КВ146А
КВ148А9
Стр.
318
318
318
318
318
318
318
320
320
320
320
320
320
320
320
520
520
320
320
520
520
520
320
320
320
320
320
320
320
320
320
520
Стабилитроны и стабисторы
Тип
прибора
Д815Е
Д815Ж
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Г
Д816Д
Д817А
Д817Б
Д817В
Д817Г
Д818А
Д818Б
Д818В
Д818Г
Д818Д
Д818Е
КС102А
КС106А
КС106А-1
КС107А
КС107А1
КС108А
КС108Б
Стр.
324
324
324
324
¦ 324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
524
524
324
326
524
326
326
Тип
прибора
КС108В
KCU3A
KCU3B
КС115А
КС119А
КС121А
КС124Д-1
КС126А
КС126Б
КС126В
КС126Г
КС126Д
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
КС126Л
КС126М
КС126В1
КС126П
КС126Д1
КС127Д-1
КС128А
КС128Б
Стр.
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
Тип
прибора
КВ148Б9
КВ148В9
КВ149А
КВ149А1
КВ149А2
КВ149АЗ
КВ149Б
КВ149Б1
КВ149Б2
КВ149БЗ
КВ149В
КВ149В1
КВ149В2
КВ149ВЗ
КВ149ГЗ
КВ152А
КВ153А-9
КВ154А
КВ155А-9
КВ156А-9
КВ157А-9
КВ163А
КВ163А9
КВ164А
КВ164А9
КВ165А
КВ165А9
КВ166А
КВ166А9
Стр.
520
520
322
520
520
520
322
520
520
520
322
520
520
520
520
322
322
322
322
322
322
520
520
522
522
522
522
522
522
Тип
прибора
КС128В
КС128Г
КС128Д
КС128Е
КС128Ж
КС128И
КС128К
КС128Л
КС128М
КС128В1
КС128П
КС128Д1
КС130Д-1
КС130Д-5
КС133А
КС133Г
КС133Д-1
КС136Д-1
КС139А
КС139Г
КС139Д-1
КС143Д-1
КС147А
КС147Г
Стр.
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
328
328
328
328
.328
328
328
328
328
328
328

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
305
Тип
прибора
КС156А
КС156А9
КС156Г
КС162А
КС162А2
КС162А-3
КС164М-1
КС166А
КС166Б
КС166В
КС168А
КС168А1
КС168В
КС168В2
КС168ВЗ
КС170А
КС175А
КС175Е
КС175Ж
КС175Ц
КС175А-2
КС175Ж-1
КС182А
КС182Е
КС182Ж
КС182Ц
КС182А2
КС182Ц-1
КС190Б
КС190В
КС190Г
КС190Д
КС191А
КС191Б
КС191В
КС191Е
КС191Ж
КС191М
КС191Н
КС191П
КС191Р
КС191С
КС191Т
КС191У
КС191Ф
КС191Ц
КС191А2
КС191Ж-1
КС191С1
КС191Т1
КС191У1
КС191Ф1
КС201В
КС201Г
КС2О7А
Стр.
330
524
330
330
330
330
330
330
330
330
330
524
330
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
336
336
336
336
336
336
524
524
336
Тип
прибора
КС207Б
КС2О7В
КС208А
КС208Б
КС208В
КС210Б
КС210Е
КС210Ж
КС210Ц
КС210Б2
КС211Б
КС211В
КС211Г
КС211Д
КС211Е
КС211Ж
КС21Щ
КС211Ж-1
КС212Е
КС212Ж
КС212Ц
КС213Б
КС213Е
КС213Ж
КС213Б2
КС215Ж
КС216Ж
КС216Ж-1
КС218Ж
КС220Ж
КС220Ж-1
КС222Ж
КС224Ж
КС224Ж-1
КС291А
КС405А
КС405Б
КС406А
КС406Б
КС407А
КС407Б
КС407В
КС407Г
КС407Д
КС407Е
КС409А
КС410АС
КС412А
КС413Б
КС415А
КС417А
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Д
Стр.
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
338
340
340
340
340
340
340
524
340
340
340^
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340'
340
340
340
340
340
340
340
* Тип
прибора
КС417Е
КС417Ж
КС433А
КС433А1
КС439А
КС439А1
КС447А
КС447А1
КС451А
КС456А
КС456А1
КС468А
КС468А1
КС468А-9
КС482А
КС482А1
КС482А-9
КС506А
КС506Б
КС506В
КС506Г
КС506Д
КС507А
КС508А
КС508Б
КС508В
КС508Г
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС509В
КС510А
КС510А1
КС5ИА
КС511Б
КС512А
КС512А1
КС513А
КС515А
КС515А1
КС515Г
КС515П
КС515Г-2
КС518А
КС518А1
КС520В
КС520В1
КС520В-2
КС522А
КС522А1
КС523А
КС524А1
КС524Г
КС524Г-2
КС527А
Стр.
340
340
342
524
342
526
342
526
342
342
526
342
526
342
342
526
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
344
526
344
344
344
526
344
344
526
344
526
344
344
526
344
526
346
346
526
528
528
346
346
346
Тип
прибора
КС527А1
КС528А
КС528Б
КС528В
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
КС530А
КС530А-1
КС531В
КС531В1
КС531В-2
КС533А
КС533А1
КС535А
КС535Б
КС535В
КС535Г
КС536А-1
КС539Г
КС539Г-2
КС547В
КС547В-2
КС551А
КС551А1
КС568В
КС568В-2
КС582А1
КС582Г
КС582Г-2
КС591А
КС591А1
КС596В
КС596В-2
КС600А
КС600А1
КС620А
КС630А
КС650А
КС680А
Стр.
528
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
348
528
348
348
528
348
348
348
348
348
348
348
348
350
350
528
350
350
528
350
350
350
528
350
352
352
528
352
352
352
352

306
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тиристоры
Тип
прибора
КУ101А
КУ101Б
КУ101Г
КУ101Е
КУ102А
КУ102Б
КУ102В
КУ102Г
КУ103А
КУ103В
КУ104А
КУ104Б
КУ104В
КУ104Г
КУ105А
КУ105Б
КУ105В
КУ105Г
КУ105Д
КУ105Е
КУ108В
КУ108Ж
КУ108М
КУ108Н
КУ108С
КУ108Т
КУ108Ф
КУ108Ц
КУ109А
КУ109Б
КУ109В
КУ109Г
КУ110А
КУПОБ
КУ110В
КУША
КУШБ
КУ113В
КУ113Г
КУ120А
КУ120Б
КУ120В
КУ120А-5
КУ120Б-5
КУ120В-5
КУ121А
КУ121Б
КУ121В
КУ201А
КУ201Б
КУ201В
КУ201Г
КУ201Д
КУ201Е
КУ201Ж
Стр.
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
" , Тип
прибора
КУ201И
КУ201К
КУ201Л
КУ202А
КУ202Б ,
КУ202В
КУ202Г
КУ202Д
КУ202Е
КУ202Ж
КУ202И
КУ202К
КУ202Л
КУ202М
КУ202Н
КУ203А
КУ203Б
КУ203В
КУ203Г
КУ203Д
КУ203Е
КУ203Ж
КУ203И
КУ204А
КУ204Б
КУ204В
КУ208А
КУ208Б
КУ208В
КУ208Г
КУ210А
КУ210Б
КУ210В
КУ211А
КУ211Б
КУ211В
КУ2НГ
КУ211Д
КУ211Е
КУ211Ж
КУ211И
КУ215А
КУ215Б
КУ215В
КУ216А
КУ216Б
КУ216В
КУ218А
КУ218Б
КУ218В
КУ218Г
КУ218Д
КУ218Е
КУ218Ж
КУ218И
Стр.
360
360
360
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
Тип *
прибора
КУ219А
КУ219Б
КУ219В
КУ220А
КУ220Б
КУ220В
КУ220Г
КУ220Д
КУ221А
КУ221Б
КУ221В
КУ221Г
КУ221Д
КУ222А
КУ222Б
КУ222В
КУ222Г
КУ222Д
КУ222Е
КУ224А
КУ228А1
КУ228Б1
КУ228В1
КУ228П
КУ228Д1
КУ228Е1
КУ228Ж1
КУ228И1
КУ239А
КУ239Б
КУ240А
КУ240Б '
КУ240В
КУ501А
КУ502А
КУ503А
КУ503Б
КУ503В
КУ801А
КУ601Б
КУ601В
КУ601Г
КУ606А
КУ610А
КУ610Б
КУ610В
КУ701А
КУ701Б
КУ701В
КУ701Г
КУ701Д
КУ701Е
КУ701Ж
КУ701И
КУ702А
Стр.
364
364
364
364
364
364
364
364
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
Тип
прибора
КУ7О2Б
КУ702В
КУ702Г
КУ702Д
КУ702Е
КУ706А
КУ706Б
КУ706В
КУ709А
КУ709Б
КУ709В
КУ709А-1
КУ709Б-1
КУ709В-1
КУ709А-2
КУ709Б-2
КУ709В-2
КУ710А
КУПОБ
КУ710В
КУ711А
КУ741Б
КУ711В
КУ712А
КУ712Б
КУ712В
КУ712Г
КУ712А-1
КУ712Б-1
КУ712В-1
КУ712Г-1
КУ712А-2
КУ712Б-2
КУ712В-2
КУ712Г-2
КУ901А
КН102А
КН102Б
КН102В
КН102Г
КН102Д
КН102Ж
КН102И
Д235А
Д235Б
Д235В
Д235Г
Д238А
Д238Б
Д238В
Д238Г
Д238Д
Д238Е
Стр.
368
368
368
368
368
368
368
368
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
538
538
538
538
538
538
538
538
538
538
538
538
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370

Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
307
Светоизлучающие приборы
Тип .
¦ - - прибора
АЛ102А
АЛ102Б
АЛ102В
АД102Г
АЛ102Д
АЛ102АМ
АЛ102БМ
АЛ102ВМ
АЛ102ГМ
АЛ102ДМ
АЛ112А
АЛ112Б
АЛИ2В
АЛ112Г
АЛ112Д
АЛ112Е
АЛП2Ж
АЛ112И
АЛ112К
АЛ112Л
• 1
Стр.
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
Тип
прибора
АЛС317А
АЛС317Б
АЛС317В
АЛС317Г
АЛС343А-5
АЛС345А
АЛС345Б
АЛС345В
АЛС345Г
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип ,
прибора
АЛП2М
АЛ301А
АЛ301Б
АЛ307А
АЛ307Б
АДЗО7В
АД307Г
АЛ307Д
АЛЗО7Е
АЛ307Ж
АЛ307К
АЛ307Н
АЛ307АМ
АЛЗО7БМ
АЛ307ВМ
АЛ307ГМ
АЛ307ДМ
АЛ307ЕМ
АЛ307ЖМ
АЛ307КМ
Стр.
376
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
Тип
прибора
АЛ307ЛМ
АЛ307НМ
АЛ307ПМ
АЛ310А
АЛ310Б
АЛ310В
АЛ310Г
АЛ310Д
АЛ310Е
АЛ316А
АЛ316Б
АЛ336А
АЛ336Б
АЛ336В
АЛ336Г
АЛ336Д
АЛ336Е
АЛ336Ж
АЛ336И
АЛ336К
Стр.
377
377
377
377
377
377
377
377
377
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378 -
378
Линейные шкалы
Тип
прибора
АЛС362А
АЛС362Б
АЛС362В
АЛС362Г
АЛС362Д
АЛС362Е
АЛС362Ж
АЛС362И
АЛС362К
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
прибора
АЛ336Н
АЛ341А
АЛ341Б
АЛ 341В
АЛ341Г
АЛ341Д
АЛ 34 IE
АЛ341И
АЛ341К
АЛ360А
АЛ360Б
КИПД21А-К
КИПД21Б-К
КИПД21В-К
КИПД23А-К
КИПД23А1-К
КИПД23А2-К
КЛ101А
КЛ104А
Стр.
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
379
379
379
379
Тип
прибора
АЛС362Л
АЛС362М
АЛС362Н
АЛС362П
АЛС362А-1
АЛС362Б-1
АЛС362Д-1
АЛС362Е-1
АЛС362К-1
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
прибора
АЛС364А-5
АЛС366А-5
АЛС367А-5
КИПТ02-50Л-5
КИПТ03А-10Ж
КИПТ03А-10Л
Стр.
380
380
381
381
381
381
Цифро-буквенные индикаторы
4 Тип
\ прибора
АЛ113А
АЛ113Б
АЛ113В
АЛ113Г
АЛ113Д
АЛ113К
АЛПЗЛ
АЛ113М
АЛ113Е
АЛ113Ж
АЛ113И
АЛ113Н
АЛ113Р
АЛ113С
АЛ304А
АЛ304Б
АЛ304В
АЛ304Г
АЛ305А
АЛ305Б
Стр.
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
Тип
прибора
АЛ305В
АЛЗО5Г
АЛ305Д
АЛ305Е
АЛ305Ж
АЛ305И
АЛ305К
АЛ306Л
АЛ306А
АЛ306Б
АЛ306В
АЛ306Г
АЛ306Д
АЛ306Е
АЛ306Ж
АЛ306И
АЛС311А
АЛС312А
АЛС312Б
АЛС313А-5
Стр.
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
384
384
384
384
Тип
прибора
АЛС314А
АЛС318А
АЛС318Б
АЛС318В
АЛС318Г
АЛС320А
АЛС320Б
АЛС320В
АЛС320Г
АЛС321А
АЛС321Б
АЛС322А-5
АЛС323А-5
АЛС324А
АЛС324Б
АЛС326А
АЛС326Б
АЛС327А
АЛС327Б
АЛС328А
Стр.
384
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
388
388
388
Тип
прибора
АЛС328Б
АЛС328В
АЛС328Г
АЛС329А
АЛС329Б
АЛС329В
АЛС329Г
АЛС329Д
АЛС329Е
АЛС329Ж
АЛС329И
АЛС329К
АЛС329Л
АЛС329М
АЛС329Н
АЛСЗЗОА
АЛСЗЗОБ
АЛСЗЗОВ
АЛСЗЗОГ
АЛСЗЗОД
Стр.
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388

308
Перечень приборов, представленных в книге 1, издание 3
Тип
прибора
АЛСЗЗОЕ
АЛСЗЗОЖ
АЛСЗЗОИ
АЛСЗЗОК
АЛСЗЗЗА
АЛСЗЗЗБ
АЛСЗЗЗВ
АЛСЗЗЗГ
АЛС334А
АЛС334Б
АЛС334В
АЛС334Г
АЛС335А
АЛС335Б
Стр.
388
388
388
388
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
Тип
прибора '
АЛС335В
АЛС335Г
АЛС337А
АЛС337Б
АЛС338А
АЛС338Б
АЛС338В
АЛС339А
АЛС340А
АЛС342А
АЛС342Б
АЛС348А
АЛС354А
АЛС355А-5
Стр.
390
390
390
390
390
390
390
390
392
392
392
392
392
394
:.j . - . '. Тип", - *'"-- С:
.4 прибора*"" .
АЛС355Б-5
АЛС358А
АЛС358Б
АЛС359А
АЛС359Б
АЛС363А
КЛЦ201А
КЛЦ201Б
КЛЦ2О2А
КЛЦ301А-5
КЛЦ302А
КЛЦ302Б
КЛЦ401А
КЛЦ402А
Стр.
394
394
394
396
396
396
396
396
396
396
398
398
398
398
Тип
прибора
АЛ103А
АЛ103Б
АЛ106А
АЛ106А
АЛ106В
АЛ107А
Стр.
402
402
402
402
402
402
Тип
прибора
АОД101А
АОД101Б
АОД101В
АОД101Г
АОД101Д
АОД107А
АОД107Б
АОД107В
АОД109А 3-кан.
АОД109Б 3-кан.
Стр.
406
406
406
_ 406
406
406
406
406
406
406
Тип
прибора
АОТ101АС
АОТ101БС
АОТ101ВС
АОТ101ГС
АОТ101ДС
АОТ101ЕС
АОТ101ЖС
АОТ101ИС
АОТ110А
АОТИОБ
Стр.
412
412
412
412
412
412
412
412
412
412
Инфракрасные излучающие диоды
Тип
прибора
АЛ107Б
АЛ107В
АЛ107Г
АЛ108А
АЛ109А
АЛ115А
Стр.
402
402
402
402
402
402
Тип
прибора
АЛ118А
АЛ119А
АЛ119Б
АЛ120А
АЛ120Б
АЛ123А
Стр.
402
402
402
404
404
404
Диодные оптопары
Тип
прибора
АОД109В 2-кан.
АОД109Г 2-кан.
АОД109Д 2-кан.
АОД109Е 1-кан.
АОД109Ж 1-кан.
АОД109И 1-кан.
АОД112А-1
АОД120А-1
АОД120Б-1
АОД129А
Стр.
406
406
406
406
406
406
406
-106
406
406
Тип
прибора
АОД129Б
АОД130А
АОД133А
АОД133Б
АОД134АС
АОД201А-1
АОД201Б-1
АОД201В-1
АОД201Г-1
АОД201Д-1
Стр.
406
408
408
408
408
408
408
408
408
408
Транзисторные оптопары
Тип
прибора
АОТ11ОВ
АОТ110Г
АОТ110Д
АОТ122А
АОТ122Б
АОТ122В
АОТ122Г
АОТ123А
АОТ123Б
АОТ123В
Стр.
412
412
412
412
412
412
412
412
412
412
Тип
прибора
КЛЦ402Б
КИПВ01А-1/10К-5
КИПЦ01А-1/7К
КИПЦ01Б-1/7К
КИПЦ01В-1/7К
КИПЦ01Г-1/7К
КИПЦ01Д-1/7К
КИПЦ01Е-1/7К
КИПЦ02А-1/7КЛ
КИПЦО2Б-1/7КЛ
КИПЦ04А-1/8К
Стр.
398
398
398
398
398
398
398
398
400
400
400
Тип
прибора
АЛ124А
АЛС126А-5
АЛ132А
АЛ135А
АЛ136А-5
АЛ137А
Стр.
404
404
404
404
404
404
Тип
прибора
АОД201Е-1
АОД202А
АОД202Б
КОД301А
КОД302А
КОД302Б
КОД302В
КОЛ201А
Стр.
408
408
408
410
410
410
410
410
Тип
прибора
АОТ123Г
АОТ126А
АОТ126Б
АОТ127А
АОТ127Б
АОТ127В
АОТ127Г
АОТ128А
АОТ128Б
АОТ128В
Стр.
412
412
412
414
414
414
414
414
414
414
Тип ,
прибора
АОТ128Г
АОТ128Д
АОТ128Е
АОТ135А
АОТ135Б
АОТ136А
АОТ136Б
Стр.
414
414 '
414
414
414
414
414

Книги издательства «СОЛОН-Р»
можно приобрести
в Москве:
/ Торговый дом «Библио-Глобус»
(тел. 928-35-67)
ул. Мясницкая, 6
/ магазин «Московский Дом Книги»,
(тел. 203-82-42, 291-78-32)
ул. Новый Арбат, 8
/ магазин «Дом технической книги»,
(тел. 137-60-38, 137-60-39)
Ленинский пр-т, 40
/ магазин «Молодая Гвардия»
(тел. 238-26-86, 238-50-01)
ул. Б. Полянка, 28
/ магазин «Дом книги Пресня»
(тел. 255-10-68)
ул. Красная Пресня, 14
• магазин «Дом книги на Соколе»
(тел. 152-82-82, 152-45-11)
Ленинградский пр-т, 78, к. 1
/ магазин «Дом книги на Войковской»
(тел. 150-99-92, 150-69-17)
Ленинградское шоссе, 13, стр. 1
/ Торговый дом книги «Москва»
(тел. 797-87-16, 229-73-55)
ул. Тверская, 8, стр. 1
• магазин «Дом книги на Новой»
(тел. 361-68-34, 362-25-16)
ш. Энтузиастов, 24/43
/ магазин «Дом книги в Медведково»,
Заревый проезд, д. 12
(тел. 478-48-97)
/ магазин «Книга на Таганке»
(тел. 911-14-03)
ул. Воронцовская,2/10
• магазин «Дом книги в Бибирево»
(тел. 407-95-55, 406-47-77)
ул. Мурановская, 12
/ магазин «Дом книги на Трофимова»
(тел. 279-55-76, 279-56-61)
ул.Трофимова, 1/7
/ магазин «Дом книги в Выхино»
(тел. 377-13-66, 376-60-83)
ул. Ташкентская, 1 9
/ магазин «Дом книги в Чертаново»
(тел. 312-27-02, 311-61-18)
ул. Чертановская, 14
/ магазин «Книинком»
(тел. 177-21-00, 172-88-87)
Волгоградский проспект, 78
/ магазин «Мир печати»
(тел. 978-50-47)
ул. 2-я Тверская-Ямская, 54
/ магазин «Знание-Универсал»
Ул. Петра Романова, д. 6
(тел. 279-68-04)
/ магазин «Дом книги
на Преображенке»
Преображенский вал, 16, стр. 1
(тел. 964-42-26)
/ магазин «Дом книги в Сокольниках»
ул. Русаковская, 27
(тел. 264-81-21)
• радиорынки:
Митинский — ряд 1, место 17
(контейнер);
Царицынский — место 13/А
/ магазин «Чип и Дип»,
(тел. 281-99-17, 971-18-27)
ул. Гиляровского, 39

Книги издательства «СОЛОН-Р»
можно приобрести
в городах России
и стран СНГ:
¦ г. Санкт-Петербург
/ Издательство
«BHV -Санкт-Петербург»
(тел. 541-85-51,541-84-61)
/ магазин
«Санкт-Петербургский Дом Книги»
(тел. 318-64-02, 318-64-38)
Невский пр., д. 28
/ ООО «Санкт-Петербургская
Книготорговая компания»
(тел. 245-06-57)
/ ООО «Наука и техника»
(тел. 567-70-25)
• магазин «Техническая книга»
(тел. 164-65-65, 164-62-77)
Пушкинская пл., д. 2
¦ г. Астрахань
ООО «Elkom»
(тел. 39-08-53)
¦ г. Красноярск
ООО «Книжный меридиан»
(тел. 27-14-29)
¦ г. Липецк
ЧП Ващенко С. В.,
рынок 9 мкр-на, контейнер 37
Пр-т Победы, 29, Дом быта, 2 этаж,
«Бизнес-книга»
(тел. 77-04-25, 46-33-34)
¦ г. Нальчик
ООО «Книжный мир»
(тел. 5-52-01)
¦ г. Новосибирск
/ ООО «Топ-книга»
(тел. 36-10-26, 36-10-27)
/ ООО «Эмбер»
(тел. 22-33-45)
¦ г. Орел
магазин «На Бульваре»
(тел. 43-54-69)
бульвар Победы, 1
¦ г. Пермь
Комаров Виктор Анатольевич —
региональный представитель
(тел. 64-56-41)
¦ г. Ростов-на-Дону
радиорынок
(тел. 53-60-54)
¦ г. Самара
/ магазин «Чакона»
(тел. 42-96-28, 42-96-29)
ул. Чкалова, 100
/ магазин радиодеталей «Элком»
— Пр-т Кирова, 229,
(тел. 59-85-14)
— ул. Ивана Булкина, 81,
(тел. 24-25-04)
¦ г. Саратов
магазин «Стрелец»
(тел. 50-79-65)
ул. Б. Садовая, 158
¦ г. Тольятти
магазин «Электронные
компоненты»
ул. Дзержинского, 70
¦ г. Тюмень
ООО «Саша» (тел. 32-20-04)
¦ г. Улан-Удэ
магазин «Радиодетали»
(тел. 26-54-00)
пр-т 50 лет Октября, 20
¦ г. Уфа,
магазин «Электроника»
ул. Проспект Октября, 108
(тел. 33-10-29)
¦ г. Ярославль
«Чип и Дип» (тел. 27-57-15)
¦ Казахстан
/ г. Алматы
магазин «Компьютеры»
(тел. 26-14-04)
ул. Фурманова, 77/85
¦ Украина
/ г. Донецк
ООО «Дискон»
(тел. 385-01-35, 332-93-25)
/ г. Запорожье
«Розбудова» (тел. 33-82-67)
Магазин «Риола»
69093, а/я 6116
/ г. Киев
— «Техкнига»
(тел. 418-7-418, 459-05-37)
— ООО «Наука и техника»
(тел. 516-38-66, 519-93-95)

Серия «Ремонт», выпуск 62
Аксенов Алексей Иванович
Нефедов Анатолий Владимирович
Отечественные полупроводниковые приборы
специального назначения
Ответственный за выпуск
В. Митин
Верстка
С. Тарасов
Обложка
Е. Жбанов
Издательство «СОЛОН-Р»
123242, г. Москва, а/я 20
Телефоны:
@95) 254-44-10, 252-36-96, 252-25-21
E-mail: Solon-R@coba.ru
ООО Издательство «СОЛОН-Р»
ЛР№ 066584 от 14.05.99
Москва, ул. Тверская, д. 10, стр. 1, ком. 522
Формат 60x88/8. Объем 39 п. л. Тираж 2000
ООО«ПАНДОРА-1»
Москва, Открытое ш., 28
Заказ № 81