Текст
                    Аксенов А. И., Нефедов А. В.
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
уi ч *
ISBN 978-5-91359-043-5
785913
0435
Ucn“ const
UcM>UcMHac
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОР
СПРАВОЧНОЕ ПОСОБИЕ
Биполярные и полевые транзисторы
Аналоги отечественных и зарубежных приборов
Диоды и варикапы (
Стабилитроны и стабисторы
Тиристоры	|
Оптоэлектронные приборы

УДК 621.397 ББК 32.94-5 А42 Серия «Компоненты и технологии» Аксенов А. И., Нефедов А. В. А42 Отечественные полупроводниковые приборы / 6-е изд., доп. и испр. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. — 592 с.: ил. — (Серия «Компоненты и технологии») ISBN 978-5-91359-043-5 В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой по- следовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполне- нию на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, светоизлучающие и инфракрасные диоды, линейные шкалы и цифро-буквенные индикаторы, диодные и транзисторные оптопары. По приведенным в книге приборам даны соответствующие аналоги. 6-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов. Удобная форма поиска и восприятия информации об интересующих приборах дает возмож- ность пользователю по достоинству оценить приобретенную им книгу. Она будет полезна широ- кому кругу специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре- монтом радиоэлектронной аппаратуры. УДК 621.397 ББК 32.94-5 КНИГА - ПОЧТОЙ Книги издательства «СОЛОН-ПРЕСС» можно заказать наложенным платежом (оплата при получении) по фиксированной цене. Заказ оформляется одним из двух способов: 1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/я 20. 2. Оформить заказ можно на сайте www.solon-press.ru в разделе «Книга — почтой». 3.Заказать книги по телефону (495) 254-44-10, (495) 252-36-96. Бесплатно высылается каталог издательства по почте. Для этого высылайте конверт с мар- кой по адресу, указанному в п.1. При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желательно дополни- тельно указать свой телефон и адрес электронной почты. Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-ПРЕСС», считав его с aдpecawww.solon-press.гuДat.doc Интернет-магазин размещен на сайте www.solon-press.ru По вопросам приобретения обращаться: ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК» Тел: (495) 258-91-94, 258-91-95, www.alians-kniga.ru Сайт издательства СОЛОН-ПРЕСС: www.solon-press.ru. E-mail: solon-avtor@coba.ru ISBN 978-5-91359-043-5 © Макет, обложка СОЛОН-ПРЕСС, 2008 © А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, 2008
Содержание О 6-м издании справочного пособия...............................................4 РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения полупроводниковых приборов 1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов.5 РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов ................8 2.2. Применение биполярных транзисторов .................................... 11 2.3. Биполярные германиевые транзисторы .................................... 16 2.4. Биполярные кремниевые транзисторы ......................................36 2.5. Биполярные кремниевые сборки ...........................................226 РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов .................234 3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов.........................236 3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов ........................242 3.4. Полевые транзисторы ...................................................248 РАЗДЕЛ 4. Диоды 4.1. Виды приборов и основные параметры ....................................354 4.2. Буквенные обозначения параметров диодов ...............................357 4.3. Параметры диодов, столбов и блоков ....................................359 4.4. Параметры варикапов ...................................................392 4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов .................................410 РАЗДЕЛ 5. Тиристоры 5.1. Буквенные обозначения параметров тиристоров ...........................446 5.2. Параметры тиристоров ..................................................448 РАЗДЕЛ 6. Оптоэлектронные приборы 6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров ......................466 6.2. Параметры светоизлучающих приборов ....................................470 6.3. Параметры линейных шкал ...............................................474 6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов .................................476 6.5. Параметры инфракрасных излучающих диоодов .............................496 6.6. Параметры диодных оптопар .............................................500 6.7. Параметры транзисторных оптопар .......................................506 РАЗДЕЛ 7. Аналоги 7.1. Условные обозначения и классификация ..................................510 7.2. Сокращенные обозначения зарубежных фирм ...............................511 7.3. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов .........................513 7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги .................... 516 7.5. Аналоги отечественных транзисторов ....................................537 7.6. Буквенные обозначения зарубежных диодов .............................. 553 7.7. Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги ...558 7.8. Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги ...................... 566 7.9. Зарубежные оптоэлектронные приборы и их отечественные аналоги .........567 7.10. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов ..............568 7.11. Аналоги отечественных тиристоров .................................... 571 7.12. Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов ........................ 572 Алфавитно-цифровой указатель ................................................ 574
О 6-м издании справочного пособия Справочное пособие представляет собой компактно сформированные таблицы, содержащие справоч- ную информацию по каждому типономиналу полупроводникового прибора от условного обозначения с электрическими параметрами, до иллюстрации конструкции корпуса с габаритными размерами и цоколевкой выводов. 6-е издание справочного пособия отличается от предыдущих изданий «Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное пособие» тем, что оно дополнено рядом новых биполярных и полевых транзисторов, их аналогами и корпусами. Для удобства пользования в справочном пособии приведены в табличной форме, в алфавитно- цифровой последовательности зарубежные полупроводниковые приборы и их отечественные прибли- женные аналоги. Даны сокращенные условные буквенные обозначения зарубежных приборов и фирм, их производящих. Работа со справочным пособием Все приборы, вошедшие в пособие, расположены по классам в порядке последовательного возрастания цифры третьего элемента условного обозначения — цифры, по которой классифицируются полупро- водниковые приборы по рассеиваемой мощности и предельной рабочей частоте. Стандартизованные корпуса конструкций отечественных приборов с обозначениями и габаритны- ми размерами приведены в отдельном параграфе. Алфавитно-цифровой указатель приборов, вошедших в книгу, построен на системе условных обозначений полупроводниковых приборов (ОСТ11 336. 919-81). Для определения фирмы изготовителя прибора приводятся их сокращенные обозначения, а также сокращенные обозначения стран изготовителей приборов, которые приводятся в зарубежных каталогах и справочнике «DATA». В справочном пособии систематизированы материалы книг, выпущенных авторами ранее, в частности «Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги», «Полупроводнико- вые оптоэлектронные приборы», «Бескорпусные полупроводниковые приборы», «Мощные транзисто- ры», и нескольких десятков статей, посвященных вопросам применения отечественных и зарубежных изделий электронной техники.
Раздел 1. Условные обозначения полупроводниковых приборов 1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов широкого применения основывается на ОСТ 11.336.919-81. Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материала, из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктивно-тех- нологические особенности. Первый элемент обозначения. Буква или цифра обозначает исходный полупроводниковый материал, на ос- нове которого изготовлен полупроводниковый прибор. Условное обозначение Исходный материал Г или 1 Германий или его соединения. К или 2 Кремний или его соединения. А или 3 Соединения галлия (например, арсенид галлия). И или 4 Соединения индия (например, фосфид индия). Второй элемент обозначения. Буква определяет подкласс полупроводникового прибора. Условное обозначение Подкласс (или группа) приборов т Транзисторы (за исключением полевых). п Транзисторы полевые. д Диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды. к Стабилизаторы тока. ц Выпрямительные столбы и блоки. с Стабилитроны, стабисторы и ограничители. в Варикапы. л Излучающие оптоэлектронные приборы. О Оптопары. н Тиристорные диоды. У Тиристорные триоды. и Туннельные диоды. г Генераторы шума. в Приборы с объемным эффектом (приборы Ганна). А Сверхвысокочастотные диоды. Третий элемент обозначения. Цифра, которая определяет основные функциональные возможности (допу- стимое значение рассеиваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту). Условное обозначение Назначение прибора Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк~0,3 Вт): 1 низкой частоты (frp<3 МГц) 2 средней частоты (frp=3...3O МГц) 3 высокой частоты (frp>30 МГц)
6 Раздел 1. Условные обозначения полупроводниковых приборов Условное обозначение Назначение прибора 4 Транзисторы, средней мощности (Рк=0,3...1,5 Вт) : низкой частоты 5 средней частоты 6 высокой и сверхвысокой частот 7 Транзисторы большой мощности (Рк>1,5 Вт) : низкой частоты 8 средней частоты 9 высокой и сверхвысокой частот 1 Диоды выпрямительные с прямым током, А: не более 0,3 2 0,3...10 3 Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды) 1 Выпрямительные столбы с прямым током, А: не более 0,3 2 0,3...10 3 Выпрямительные блоки с прямым током, А: не более 0,3 4 0,3...10 1 Стабилитроны, стабисторы и ограничители с напряжением стабилизации, В: мощностью менее 0,3 Вт: менее 10 2 10...100 3 более 100 4 мощностью 0,3...5 Вт: менее 10 5 10...100 6 более 100 7 мощностью 5...10 Вт: менееЮ 8 10...100 9 более 100 1 Варикапы: подстроечные 2 умножительные (варакторы) Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядко- вый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов — напряжение стабилиза- ции и последовательность разработки. Условное обозначение Назначение прибора От 01 до 999 Определяет порядковый номер разработки технологического типа. От А до Я Для стабилизаторов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабили- зации, а шестой элемент — последовательность разработки. Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по параметрам. Условное обозначение Назначение прибора От А до Я Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по (кроме букв 3, О, Ч) единой технологии.
Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов 7 Для наборов приборов, не соединенных электрически или соединенных по одноименному выводу, после второго элемента обозначения добавляется буква «С». Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисторов с парным подбором после последнего элемента обозначения вводится буква «Р». Для импульсных тиристоров после второго элемента обозначения вводится буква «И». Для бескорпусных приборов после условного обозначения вводится (через дефис) дополнительная цифра, показывающая конструктивное исполнение (модификацию): 1 — с гибкими выводами без кристалл ©держателя (подложки); 2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); 3 — с жесткими (объемными) выводами без кристаллодержателя; 4 — с жесткими (объемными) выводами на кристаллодержателе; 5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (кристалл без выводов); 6 — с контактными площадками на кристаллодержателе (кристалл без выводов на подложке); 9 — микросборки для поверхностного монтажа. Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полоски). Цветовой код указывается в ТУ.
Раздел 2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов Буквенное обозначение Параметр отечественное международное 1КБО 1сво Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при за- данном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. 1ЭБО Iebo Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном об- ратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. 1кэо ICEO Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- лектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы. 1кэи 1CER Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол- лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. 1кэк Ices Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. IK3V 1CEV Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи ба- за-эмиттер. 1кэх ICEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол- лектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. Ik max IC max Максимально допустимый постоянный ток коллектора. max IE max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. 1б max Ib max Максимально допустимый постоянный ток базы. 1к, и max ICM max Максимально допустимый импульсный ток коллектора. 1э, и max lEM max Максимально допустимый импульсный ток эмиттера. Ikp — Критический ток биполярного транзистора. ИКБО проб U(BR) CBO Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера. ПэБО проб U(BR) EBO Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. ПКЭО проб U(BR) CEO Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы. UK3R проб U(BR) CER Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. ПкЭК проб U(BR) CES Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. ПКЭУ проб U(BR) CEV Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
Раздел 2. Биполярные транзисторы 9 Продолжение буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр отечественное международное икэх проб U(BR) СЕХ Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря- жении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер. икэо гр U(L) CEO Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. UcMK Upt Напряжение смыкания транзистора. МКЭ нас UCE sat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора. МбЭ нас UBE sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмит- тера. ПэБ пл Uebh Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. UKB max UcB max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. ПкЭтах UcE max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер. U3B max UEB max Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. Uk3, и max UcEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер. UKB, и max UCBM max Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база. USB, и max UEBM max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база. Р Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. Рср Pav Средняя рассеиваемая мощность транзистора. Ри Pm Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. Рк Pc Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Рк, т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. Рвых Pout Выходная мощность транзистора. Ри max Pm max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. Рк max Pc max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Рк ср max — Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. Гб ГЬЬ, Fb Сопротивление базы. ГКЭ нас rCE, sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. СНэ, СПб Clle, Cl lb Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. С22э, С226 C22e, C22b Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей ба- зой соответственно. Ск Cc Емкость коллекторного перехода. Сэ Ce Емкость эмиттерного перехода. frp (t Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером. fmax fmax Максимальная частота генерации. fh21a, fh216 fh21e, fhfe; fh21b, fhfb Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. 1вкл ton Время включения. 1выкл toff Время выключения. 1зд td Время задержки. tnp tr Время нарастания. tpac ts Время рассасывания. ten tf Время спада.
10 Раздел 2. Биполярные транзисторы Окончание буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр отечественное международное Ьпэ, hue hue, hub; hie. hib Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмит- тером и общей базой соответственно. h2l3, h2l6 h21e, h21b; hfe, hfb Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1121э, hl26 hl2e, hi2b! hre. hrb Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало- го сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Й22э, h226 h22e. h22b! hoe, hob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1Ь21э1 1h21e1 Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте. hl 1Э hl IE. hiE Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схе- мы с общим эмиттером. 1121Э H21E, Hfe Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала. У21Э Y21E Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. Yib, Yue Ylle, Yllb; Yie, Yib Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. У12э, Y126 Y12e. Y12b; Yre, Yrb Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Y213. Y216 Y21e, Y21bl Yfe, Yfb Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сиг- нала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. У22э, Y226 Y22e. Y22b; Yoe, Yob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. S113, S116, S11K Slle, Si lb, Si 1c Sie, Sib, Sic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. S129, S126. S12k S12e, S12b, S12c; Sre, Srb, Src Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте- ром, общей базой и общим коллектором соответственно. $22э, $226, S22k S22e, S22b, S22cJ Soe, Sob, Soc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. S213, S216, S21k S21e, S21b, S21C; Sfc, Sfb, Sfc Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. — fse, fsb, fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21e=l, S21b=l, S21c=D- Ky p Gp Коэффициент усиления мощности. — Ga, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности. Кш F Коэффициент шума транзистора. Tr (г’б Ск) Tc (r’bb Cc) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. Токр Ta, Tamb Температура окружающей среды. Тк Tc, Tease Температура корпуса. Tn Tj Температура перехода. Rt, П-С Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. Rt, П-К Rthjc Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. Rt, k-c Rthca Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. Tt, п-к Tthjc Тепловая постоянная времени переход-корпус. Tt, n-c Tthja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда. Tt, k-c ^thca Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.
Раздел 2. Биполярные транзисторы 11 2.2. Применение биполярных транзисторов Надежность полупроводниковых приборов существенно зависит от электрических и тепловых режимов работы, т. е. определяется реальными условиями их эксплуатации. Приборы работают на- дежно, если их рабочие токи, напряжения, мощности, температура перехода и температура окружаю- щей среды не превышают максимально допустимых значений. Надежность полупроводниковых приборов закладывается еще на этапе разработки и в даль- нейшем обеспечивается на всех стадиях их изготовления. В производственных условиях надеж- ность приборов зависит от конструкции, технологии изготовления (например, надежность планарных приборов выше надежности сплавных и сплавно-диффузионных) и методов контроля ка- чества и надежности. В ТУ на приборы определены условия, при которых гарантируется их надежная и устойчивая работа и предусмотрен комплекс мероприятий для обеспечения высокой надежности. При заводских испытаниях проводятся испытания приборов на безотказность и долговечность, позволяющие опреде- лить производственную надежность (для оговоренных в ТУ режимов, условий испытаний и критери- ев отказов), как правило, в условиях и режимах более тяжелых, чем условия эксплуатации, и с оценкой результатов испытаний по более жестким критериям. Количественные показатели надежно- сти приборов в процессе работы в аппаратуре определяются эксплуатационной надежностью. Экс- плуатационная надежность (в конкретных режимах, условиях и схемах применения) обычно выше производственной, т. е. интенсивность отказов приборов в аппаратуре меньше, чем при заводских ис- пытаниях. Разница между производственной и эксплуатационной надежностями более значительна, если приборы работают в облегченных электрических и эксплуатационных режимах по сравнению с максимально допустимыми (предусмотрены запасы по напряжению, току и мощности рассеяния) и если работа схемы (устройства) допускает большой диапазон изменения параметров используемых приборов. Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации необходимо выбирать рабо- чие режимы с коэффициентом нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7...0,8. Не ре- комендуется применять транзисторы при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне рабочих температур, а также в совмещенных предельных ре- жимах. Данные об эксплуатационной надежности накапливаются при эксплуатации аппаратуры и учи- тываются при ее доработке или усовершенствовании. Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумя- щие, переключательные и генераторные), так и специализированные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления, для рабо- ты в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию параметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы. Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока, низкой частоты, проме- жуточной частоты, высокой частоты и др.) являются входное и выходное сопротивления каскада, соотношения, определяющие усиление, частотные свойства, режимы работы, температурная ста- бильность и прочие показатели. В соответствии с назначением различают каскады предварительного усиления (напряжения, тока или мощности), предназначенные для получения максимального усиления (обычно по резистор- ной или трансформаторной схемам), и каскады усиления мощности, обеспечивающие на заданной нагрузке необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях и мощности потребле- ния от источника питания. В многокаскадных усилителях с отрицательной обратной связью имеют место фазовые сдвиги между входными и выходными токами, поэтому для их устойчивой работы транзисторы выбирают исходя из условия fB < O,3fh2ia (fe — верхняя рабочая частота усилителя); при малой обратной связи fB < fh21 э- Возможны два варианта усилителя с мощным выходным каска- дом: бестрансформаторный (с выходной мощностью не более 5... 10 Вт) и трансформаторный (на де- сятки и сотни ватт). При выходной мощности 0,1... 1 Вт каскады выполняются однотактными с режимом работы в классе А; при больших значениях мощности — двухтактными с режимом работы в классах А, АВ или В. В схемах с дополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов со структурами р-п-р и п-р-п, приборы должны иметь одинаковые параметры и характеристики. Требуется подбор пар последовательно включенных транзисторов по параметрам Н21э и Гь21э с разбросом не более 10... 15%.
12 Раздел 2. Биполярные транзисторы Для этой цели разработаны специальные (комплементарные) пары транзисторов, например отечест- венные транзисторы со структурами п-р-п и р-п-р соответственно: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815; КТ816 и КТ817; КТ818 и КТ819 и другие. В каскадах предварительного усиления напряжение Uks в рабочей точке мало (несколько вольт). Оно выбирается из соображений получения малого напряжения шумов или неискаженной формы сигнала на выходе. В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилизацию, замена транзисто- ра на однотипный с более высоким значением 1т21э обычно не приводит к значительному увеличению тока коллектора в рабочей точке. В транзисторных генераторах наиболее предпочтительными являются режимы классов В и С (реже АВ). При расчете транзисторного генератора с внешним возбуждением по заданным выходной мощности и верхней рабочей частоте выбирают тип транзистора и проверяют его пригодность по па- раметрам Рк, frp и предельно допустимым параметрам Ukbo max, Пэбо max, Ik max для заданного угла от- сечки коллекторного тока. Для расчета генераторов необходимо также знать Ск, Тк, fmax. Следует учитывать, что чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше коэффициент усиления по мощности Кур. Для получения Кур = 5...7 дБ необходимо, чтобы частота fB была в 4... 10 раз ниже fh2i6. В каскадах усиления и генерации мощности Uks выбирается достаточно большим для получения максимального КПД и малых нелинейных искажений. Транзисторы некоторых типов используются в специфических классах схем и характеризуются рядом особенностей режима и условий работы. Эти специализированные транзисторы образуют свое- образный класс приборов, например, транзисторы для схем с автоматической регулировкой усиления (АРУ), для усилителей промежуточной частоты, для работы в микроамперном диапазоне токов, для работы в ВЧ- и СВЧ-диапазонах, лавинные транзисторы, сдвоенные, составные, двухэмиттерные и т. п. Есть узлы, в которых требуются высоковольтные транзисторы. Кроме того, разработаны тран- зисторы универсального назначения. Оптимальное сочетание параметров и характеристик, удовле- творяющих различным требованиям, дает возможность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов (например, транзи- стор КТ630). Для схем с АРУ разработаны специальные транзисторы (германиевые и кремниевые), обладаю- щие регулируемым усилением при увеличении рабочего тока (прямая АРУ). Уменьшение усиления таких транзисторов на высокой частоте происходит вследствие снижения frp при увеличении тока эмиттера и уменьшения напряжения на коллекторе, например, КТ3128, ГТ328, КТ3153, предназна- ченные для применения в радиоприемниках с АРУ и телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ приемников (за счет смещения их рабочей точки можно регулировать усиление в широком диапазо- не). В связи с этим наблюдается сильная зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют мень- шую зависимость коэффициента усиления от электрического режима. Для зарубежных транзисторов, предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления (отношение максималь- ного коэффициента усиления к минимальному). Жесткие требования к экономичности радиоэлектронной аппаратуры в ряде специальных приме- нений способствовали созданию кремниевых транзисторов, функционирующих при малых токах (еди- ницы и десятки микроампер), поскольку германиевые транзисторы вследствие большого обратного тока коллектора для этой цели непригодны. Такие приборы (например, транзисторы КТ3102, КТ3107) имеют малые токи 1кбо и большие коэффициенты усиления. Однако при работе в микрорежиме у них ухудшаются частотные свойства, но несколько улучшаются шумовые характеристики. Кроме того, при малых токах обычно увеличивается зависимость параметров от температуры, снижается крутиз- на и затрудняется стабилизация режима. Реализация большого коэффициента усиления по мощности в высокочастотных усилителях свя- зана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзи- стора Y12. Разработаны транзисторы (например, КТ339АМ), у которых для снижения емкости обратной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (электростатический экран Фарадея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирую- щего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и ба- зовым выводами в 2,5...4 раза (емкость С12Э снижается до значения не более 0,3 пФ) и обеспечить большой коэффициент усиления Кур без применения схем нейтрализации. Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллектор- ного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные (со сто- роны коллектора или эмиттера) и N-образные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики.
Раздел 2. Биполярные транзисторы 13 Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно и встречается на практике, но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда импульсов, ста- бильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность применения обыч- ных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты frp при увеличении коллекторного тока. Лавинные транзисторы имеют следующие основные параметры: напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода Ukbo проб, напряжение пробоя при отключенной базе Окэо проб, напряжение и'кэо проб в максимуме вольт-амперной характеристики, зависящее от сопротивления Кбэ и управ- ляющего тока, максимальный ток разряда и время нарастания лавинного импульса. Область лавинно- го пробоя лежит между напряжениями Ukbo проб и икэо проб. Лавинные транзисторы применяются в релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необ- ходимое быстродействие и амплитуду импульсов при более высоких надежности и стабильности, чем обычные транзисторы, исггользуемые в режиме пробоя. С помощью лавинных транзисторов можно формировать амплитуды импульсов 10... 15 В и выше на низкоомной нагрузке (50...70 Ом) и при малом времени нарастания фронта (менее 1 нс). Отечественной промышленностью выпускаются лавинные транзисторы типов ГТ338 и КТ3122, за рубежом — лавинные транзисторы типов ASZ23, ECL1239, NS1110—NS1116, PADT51, RTU10—RT1116, SYL3013, 2N3033—2N3035, 2N5236, 2N5271, 2SA252, 2SA411. В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары), изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преоб- разующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, долж- ны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п-переходов транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении Uy приложено между базой и кол- лектором). Если Uy приложено, например, в р-п-р транзисторе минусом к базе, то оба перехода тран- зистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения — ключ открыт). При изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки — ключ закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротив- лением Roct и напряжением U0Ct в открытом состоянии, а также сопротивлением R3aKp и остаточным током 13акр в закрытом состоянии (у идеального ключа R0Ct = 0, U0Ct = 0, R3aKp = °о, 1закр = 0). Оста- точные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отме- тить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие значения иост и 13акр, чем в прямом включении (особенно для сплавных транзисторов, у которых пло- щадь коллектора много больше площади эмиттера). Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры (и0Ст< 12 мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие значения остаточных параметров (например, у КТ118 UOct менее 0,2 мВ, зарубежные 3N74, 3N111). Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использования в инверсном включе- нии (например, зарубежные транзисторы 2N2432, 2N2944—2N2946, 2N4138), которые имеют малое остаточное напряжение (менее 1 мВ) и применяются в модуляторах для стабильных усилителей по- стоянного тока, построенных по схеме модуляции—демодуляции, в схемах управления реверсивными двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах, например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, при запирании транзистор может переходить в режим инверсного включения при работе на комплексную нагрузку. Для работы в выходных каскадах усилителя низких частот радиовещательных приемников, вы- сококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые тран- зисторы разного типа проводимости (например ГТ401, ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они характеризуются слабой зависимостью коэффициента усиления от тока, высокой частотой 1ь21э, низким напряжением икэ нас, что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых частот. В свою очередь, это дает возможность упрощать схемы усилителей, уменьшать число приме- няемых транзисторов, повышать надежность и снижать себестоимость устройств. Зависимость коэф- фициента передачи Ьь21э от тока характеризуется коэффициентом линейности — отношением коэффициентов передачи при двух значениях тока эмиттера.
14 Раздел 2. Биполярные транзисторы Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по опре- деленной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого транзистора, а эмиттером — эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функ- ционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав- ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972, КТ973, КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158, КТ8159, КТ8214, КТ8215, КТ8225) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и им- пульсного действия, бесконтактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сго- рания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах. Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне то- ков (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130). Ряд транзисторов разработан для целевого применения: • высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно-белых и цветных телевизоров (например, КТ872) и высоковольтных источников питания (КТ8126, КТ8224, КТ8228); • импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997); • для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных каскадов класса А и широкополосных усилителей; • для селекторов телевизоров, с повышенной устойчивостью к интермодуляционным искаже- ниям (КТ3109); • для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококачественных УНЧ и видеоусилителей телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999; • для высокочастотных широкополосных усилителей с малой постоянной времени тк (КТ368); • для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887, КТ888); • для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807); • для линейных и импульсных устройств (КТ315 — первый отечественный прибор в пластмас- совом корпусе); • универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352); • для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342); • для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных каскадах усилителей (КТ201 и КТ2ОЗ); • высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) — при непосредственном включении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы 800... 1000 В; • для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926). Для линейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Un = 10 В), КТ912 и КТ921 (Un = 27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Un = 28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 Un = 12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим эмиттером, Un = 28 В). Транзисторы КТ117, КТ119, КТ132, КТ133 являются однопереходными. Транзистор КТ120Б-1 имеет два вывода (используется в качестве диода). Транзисторные сборки, состоящие из двух транзи- сторов с согласующими LC-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 пред- назначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с общей базой (ОБ). Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно- жителей используются транзисторы КТ606 (Un = 28 В), КТ607 (Un = 20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ, Un = 15 В), КТ642, КТ647 (Un = 15 В), КТ648 (Un = 10 В), КТ657 (с ОЭ, Un = 15 В), КТ682, КТ996 Un=10 В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913, КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 Un = 28 В), КТ930 (Un = 30 В), КТ918, КТ938 (Un = 20 В), КТ919 (с ОБ, Un = 28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Un= 12,6 В), КТ929 (Un = 8 В), КТ937 (с ОБ, Un = 21 В), КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускают работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ, Un = 28 В), КТ945, КТ947 (U„ = 27 В), КТ977 (с OK, Un = 40 В), КТ9142. Транзистор КТ921В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе- ратур -60...+200 °C). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141,
Раздел 2. Биполярные транзисторы 15 а для схем фотовспышек — КТ863 и КТ9137, транзистор КТ3166 — для контроля температуры воз- духа и элементов конструкции систем (у него соединены коллектор и база). Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516, предна- значены для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзисторы вы- пускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для поверхностного монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26. Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в различных корпусах (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для примене- ния в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47). Транзисторы КТ519А, КТ6128 предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а транзисторы КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в режиме класса «В» портативных радиоприемников. В малошумящем предварительном усилителе мо- жет использоваться транзистор КТ526А. Транзисторы КТ732—КТ739, КТ6136 и КТ6137, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 и КТ8230 предназна- чены для схем с дополнительной симметрией со структурами п-р-п и р-п-р в линейных переключа- тельных и усилительных схемах. Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тю- неров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и пере- ключателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высоковольтных ключей, стабилизаторов с импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран- зисторы КТ8201, КТ82ОЗ, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав- ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла). Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и КТ8234, КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном испол- нении, и мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 (на ток 15 А), КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 (на ток 20 А), мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы в ВЧ и СВЧ диапазонах. Комплементарные транзисторы (со структурами р-п-р и п-р-п) КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ403, ГТ703 и ГТ705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720, КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102, КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах с дополнительной симметрией. Имеется также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в со- ставе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТ3130, КТ682; переключательные КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, моду- ляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТ3170А9, КТ3173А9, КТ3179А9, КТ3180А9, КТ3186А9, КТ3187А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169). Приборы серий КТ718 рассчитаны на работу в блоках питания квантовых генераторов. Для импульсных блоков питания разработаны транзисторы серий КТ8144, КТ8155; для выход- ных ступеней строчной развертки бытовых телевизоров цветного изображения — серии КТ8121; для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры, блоков бесперебойного питания — серии КТ8143. Составные транзисторы КТ892, КТ8232 предназначены для работы в электронной системе зажи- гания автомобилей, в узлах привода электродвигателей. Транзисторы КТ8157А—КТ8157В разработа- ны для использования в блоках питания телевизионных приемников и мониторов с диагональю экрана более 61 см (с частотой преобразования 64 кГц), транзисторные модули КТ8191А—КТ8191В и КТ8223А—КТ8223Г — для устройств управления мощными электродвигателями и сварочного обо- рудования с электронным управлением. Ряд транзисторов (КТ8143, КТ8144, КТ8155, КТ8174, КТ8190 оформлены в металлических кор- пусах (КТ-9М и КТ-9МИ), причем у транзисторов в корпусе КТ-9МИ кристалл надежно изолирован электрически от корпуса без ухудшения теплового сопротивления. Изолятор выполнен на основе окиси бериллия, обладающей высокими изоляционными свойствами и одновременно хорошей тепло- проводностью.
16 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.3. Биполярные германиевые транзисторы Тип прибора Структу- ра р max ’ р* К. т max» р*» К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^121э» Г*, тпах» МГц ^КБО проб» и* '-’КЭИ проб» и** '-’кэо проб» В 1^ЭБО проб » В max 1к. и max» мА 1кБО» 1кэи» 1^эо» мкА ГТ108А р-п-р 75 0,5* 5 5 50 10 (5 В) ГТ108Б р-п-р 75 1* 5 5 50 10 (5 В) ГТ108В р-п-р 75 1* 5 5 50 10 (5 В) ГТ108Г р-п-р 75 1* 5 5 50 10 (5 В) ГТ109А р-п-р 30 >1* 10 (18 имп.) — 20 <5 (5 В) ГТ109Б р-п-р 30 >1* 10 (18 имп.) — 20 <5 (5 В) ГТ109В р-п-р 30 >1* 10 (18 имп.) — 20 £5 (5 В) ГТ109Г р-п-р 30 >1* 10 (18 имп.) — 20 <5 (5 В) ГТ109Д р-п-р 30 >3* 10 (18 имп.) — 20 <2 (1,2 В) ГТ109Е р-п-р 30 >5* 10 (18 имп.) — 20 <2 (1,2 В) ГТ109Ж р-п-р 30 — 10 (18 имп.) — 20 £1 (1,5 В) ГТ109И р-п-р 30 >1* 10 (18 имп.) — 20 £5 (5 В) ГТ115А р-п-р 50 >1* 20 20 30 <40 (20 В) ГТ115Б р-п-р 50 >1* 30 20 30 <40 (30 В) ГТ115В р-п-р 50 >1* 20 20 30 <40 (20 В) ГТ115Г р-п-р 50 >1* 30 20 30 £40 (30 В) ГТ115Д р-п-р 50 >1* 20 20 30 £40 (20 В) ГТ122А п-р-п 150 >1* 35 — 20 (150*) £20 (5 В) ГТ122Б п-р-п 150 >1* 20 — 20 (150*) £20 (5 В) ГТ122В п-р-п 150 >2* 20 — 20 (150*) £20 (5 В) ГТ122Г п-р-п 150 >2* 20 20 (150*) £20 (5 В) ГТ124А р-п-р 75 >1* 25 10 100* £15 (15 В) ГТ124Б р-п-р 75 >1* 25 10 100* £15 (15 В) ГТ124В р-п-р 75 >1* 25 10 100* £15 (15 В) ГТ124Г р-п-р 75 >1* 25 10 100* £15 (15 В) ГТ125А р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125Б р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125В р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125Г р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125Д р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125Е р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125Ж р-п-р 150 >1* 35 20 300* £15 (15 В) ГТ125И р-п-р 150 >1* 70 20 300* £15 (15 В) ГТ125К р-п-р 150 >1* 70 20 300* £15 (15 В) ГТ125Л р-п-р 150 >1* 70 20 300* £15 (15 В) ГТ305А р-п-р 75 >140 15 1,5 40 (100*) ГТ305Б р-п-р 75 >160 15 1,5 40 (100*) — ГТ305В р-п-р 75 >160 15 0,5 40 (100*) £4 (15 В)
Биполярные германиевые транзисторы 17 ^21э» ^21Э ск. ^12э» пФ ГКЭ нас» ГБЭ нас» Ом Кш, дБ г’, Ом Р" , Вт вых» * тк, ПС ^рас» ^ВЫКЛ» С» нс Корпус 20...50 (5 В; 1 мА) 35...80 (5 В; 1 мА) 60...130 (5 В; 1 мА) ПО...250 (5 В; 1 мА) 50 (50 В) 50 (50 В) 50 (50 В) 50 (50 В) — — 5000 5000 5000 5000 ГТ 108 ж 1 20...50 (5 В; 1 мА) 35...80 (5 В; 1 мА) 60...130 (5 В; 1 мА) 110...250 (5 В; 1 мА) <30 (5 В) <30 (5 В) <30 (5 В) <30 (5 В) — <10000 <10000 <10000 <10000 ГТ 109 2U.../U (□ В; 1 МАО 50... 100 (5 В; 1 мА) >100* (1,5 В) 20...80 (5 В; 1 мА) <40 (1,2 В) <40 (1,2 В) <30 (5 В) — <12 (1 кГц) <10000 <10000 <10000 <10000 л т <3* 20...80 (1 В; 25 мА) 20...80 (1 В; 25 мА) 60...150 (1 В; 25 мА) 60...150 (1 В; 25 мА) 125 250 (1 R- 25 мА) — — — — ГТ115 25 3 mn 1 к 15...45 (5 В; 1 мА) 15...45 (5 В; 1 мА) 30...60 (5 В; 1 мА) 1 30...60 (5 В; 1 мА) — — 200* 200* 200* 200* — п 0/47 122 4 . К! Б J' L 1 1ППГ ipp 28...56 (0,5 В; 0,1 А) 45...90 (0,5 В; 0,1 А) 71...162 (0,5 В; 0,1 А) 120...200 (0,5 В; 0,1 А) — <0,5 <0,5 <0,5 <0,5 — — ГТ 07^ 124 'то 1ная яка ТА /Я J * f V V' 28...56 (0,5 В; 25 мА) 45...90 (5 В; 25 мА) 71...140 (5 В; 25 мА) 120...200 (5 В; 25 мА) >28* (0,5 В; 100 мА) 45...90 (5 В; 25 мА) 71...140 (5 В; 25 мА) 25...56* (0,5 В; 100 мА) 45...90* (0,5 В; 100 мА) 71... 140* (0,5 В; 100 мА) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ГТ 0/47 125 4 =" T-j II III pip '$) -"Б 25...80* (1 В; 10 мА) 60... 180* (1 В; 10 мА) 40...120* (5 В; 5 мА) <7 (5 В) <7 (5 В) <5,5 (5 В) <50 <50 <6 (1,6 МГц) <300 <300 <300 ГТ 074 305 ж к »•> *4 JIJ Л 9
18 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра Рк max » Рк. т max» р“ К. и max 1 мВт Чгр» Я1216» Смэ» С, ллах 9 МГц ^КБО проб» и* '“'кэк проб» и“ '“'кэо проб» В ^ЭБО проб » В >К max К, и max » мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА ГТ308А р-п-р 150 (360**) >90 20 3 50 (120*) <2 (5 В) ГТ308Б р-п-р 150 (360**) >120 20 3 50(120*) <2 (5 В) ГТ308В р-п-р 150 (360**) >120 20 3 50(120*) <2 (5 В) ГТ308Г р-п-р 150 (360**) >120 20* 3 50 (120*) <2 (5 В) ГТ309А р-п-р 75 >120 10 1,5 10 <5 (5 В) ГТ309Б р-п-р 75 >120 10 1,5 10 <5 (5 В) ГТ309В р-п-р 75 >80 10 1,5 10 <5 (5 В) ГТ309Г р-п-р 75 >80 10 1,5 10 <5 (5 В) ГТ309Д р-п-р 75 >80 10 1,5 10 <5 (5 В) ГТ309Е р-п-р 75 >80 10 1,5 10 <5 (5 В) ГТ310А р-п-р 20 (35°С) >160 12 — 10 <5 (5 В) ГТ310Б р-п-р 20 (35°С) >160 12 — 10 <5 (5 В) ГТ310В р-п-р 20 (35°С) >120 12 — 10 <5 (5 В) ГТ310Г р-п-р 20 (35°С) >120 12 — 10 <5 (5 В) ГТ310Д р-п-р 20 (35°С) >80 12 — 10 <5 (5 В) ГТ310Е р-п-р 20 (35°С) >80 12 10 <5 (5 В) ГТ311А п-р-п 150 >300 12 2 50 <5 (5 В) ГТ311Б п-р-п 150 >300 12 2 . 50 <5 (5 В) ГТ311В п-р-п 150 >450 12 2 50 <5 (5 В) гтзпг п-р-п 150 >450 12 2 50 <5 (5 В) гтзид п-р-п 150 >600 12 2 50 <5 (5 В) ГТ311Е п-р-п 150 >250 12 (20 имп.) 2 50 <5 (12 В) гтзпж п-р-п 150 >300 12 (20 имп.) 2 50 <5 (12 В) гтзпи п-р-п 150 >450 10 1,5 50 <5 (10 В) ГТ313А р-п-р 100 >300 15 0,7 30 <5 (12 В) ГТ313Б р-п-р 100 >450 15 0,7 30 <5 (12 В) ГТ313В р-п-р 100 >350 15 0,7 30 <5 (12 В) ГТ320А р-п-р 200 >80 20 3 150 (300*) <10 (20 В) ГТ320Б р-п-р 200 >120 20 3 150 (300*) <10 (20 В) ГТ320В р-п-р 200 >160 20 3 150 (300*) <10 (20 В) ГТ321А р-п-р 160 (20** Вт) >60 4Q** 4 200 (2* А) <500 (60 В) ГТ321Б р-п-р 160 (20** Вт) >60 4Q** 4 200 (2* А) <500 (60 В) ГТ321В р-п-р 160 (20** Вт) >60 4Q** 4 200 (2* А) <500 (60 В) ГТ321Г р-п-р 160 (20** Вт) >60 30** 2,5 200 (2* А) <500 (45 В) ГТ321Д р-п-р 160 (20** Вт) >60 30** 2,5 200 (2* А) <500 (45 В) ГТ321Е р-п-р 160 (20** Вт) >60 30** 2,5 200 (2* А) <500 (45 В)
Биполярные германиевые транзисторы 19 **21э» 1*213 ск, С|2э» пФ ГКЭ нас» **БЭ нас» Ом кш, дБ Ом PL. Вт Тк, ПС ^рас» f* , •ВЫКЛ» С» нс Корпус 20...75* (1 В; 10 мА) <8 (5 В) <30 — <400 ГТ308 50...120* (1 В; 10 мА) ЯП 900* fl R- 10 мЛ1 <8 (5 В) <а (R <24 <94 <Я(1 fi ЛЛГтО <1000* <400 0/7,7 < -—эч 8O...15O (1 В; 10 мА) £8 (5 В) <24 £8 (1,6 МГц) <500 J' <1000* «ъ /л— х\ jnimrtWZ 20...70 (5 В; 1 мА) <7,5 (5 В) — — <500 ГТ309 60... 180 (5 В; 1 мА) <7,5 (5 В) — £6 (1,6 МГц) <500 20...70 (5 В; 1 мА) <7,5 (5 В) — £6 (1,6 МГц) <1000 60...180 (5 В; 1 мА) <7,5 (5 В) — — <1000 20...70 (5 В; 1 мА) <7,5 (5 В) — — <1000 v LJ /Г 60... 180 (5 В; 1 мА) <7,5 (5 В) — — <1000 ^1Г~Т10г ill 2O...7O (5 В; 1 мА) <4 (5 В) — £3 (1,6 МГц) <300 ГТ310 60...180 (5 В; 1 мА) <4 (5 В) — £3 (1,6 МГц) <300 at? 20...70 (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — £4 (1,6 МГц) <300 60... 180 (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — <4 (1,6 МГц) <300 20...70 (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — £4 (1,6 МГц) <500 LJ л 60...180 (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — £4 (1,6 МГц) <500 jnir "LJi 15...80* (3 В; 5 мА) <2,5 (5 В) <20 — <50* ГГ311 30... 180* (3 В; 5 мА) <2,5 (5 В) <20 — <50* 15...50* (3 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <20 <50* 077 30...80* (3 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <20 — <50* 60... 180* (3 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <20 — <50* 20...80* (3 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <20 — <75; <50* •^Пппг vcK/ 50...200* (3 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <20 — <100; <50* 1II111 100...300* (3 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <20 — <100; <50* i—ill шт корп. 20...250 (5 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <4,6 — <75 ГТ313 20...250 (5 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <4,6 — <40 30... 170 (5 В; 5 мА) £2,5 (5 В) <4,6 — <75 077 ^ПППГ W -I—11 цИ 1 Kopn. 20...80* (1 В; 10 мА) £8 (5 В) <8,5 — <500 ГТ320 50...160* (1 В; 10 мА) £8 (5 В) <8,5 — <500 80...250* (1 В; 10 мА) £8 (5 В) <8,5 <600 __—I-..., ft jRnnr-HW SJii 20...60* (3 В; 0,5 мА) £80 (10 В) <3,5 — <600 ГТ321 40... 120* (3 В; 0,5 мА) £80 (10 В) <3,5 — <600 80...200* (3 В; 0,5 мА) £80 (10 В) <3,5 <600 0 //,/ t 20...60* (3 В; 0,5 мА) £80 (10 В) <3,5 — <600 40... 120* (3 В; 0,5 мА) £80 (10 В) <3,5 — <600 * J=I==L 80...200* (3 В; 0,5 мА) £80 (10 В) <3,5 — <600
20 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра р ГК max ’ Р|С. т max » р** К. и max > мВт ^•р» ^1216» Сь» ^тах > МГц ^КБО проб » ^КЭЙ проб» UK3O проб » В ^ЭБО проб» В 1К max I* К, и max » мА ^КБО» ^КЭЙ» ^КЭО» мкА ГТ322А р-п-р 50 >80 25 0,25 10 <4 (25 В) ГТ322Б р-п-р 50 >80 25 0,25 10 <4 (25 В) ГТ322В р-п-р 50 >80 25 0,25 10 <4 (25 В) ГТ322Г р-п-р 50 >50 15 0,25 5 <4 (15 В) ГТ322Д р-п-р 50 >50 15 0,25 5 <4 (15 В) ГТ322Е р-п-р 50 >50 15 0,25 5 <4 (15 В ГТ323А п-р-п 500 >200 20 2 1000 <30 ГТ323Б п-р-п 500 >200 20 2 1000 <30 ГТ323В п-р-п 500 >300 20 2 1000 <30 ГТ328А р-п-р 50 (55°С) >400 15* (5к) 0,25 10 <10 (15 В) ГТ328Б р-п-р 50 (55°С) >300 15* (5к) 0,25 10 <10 (15 В) ГТ328В р-п-р 50 (55°С) >300 15* (5к) 0,25 10 <10 (15 В) ГТ329А п-р-п 50 (40’С) >1200 10 0,5 20 <5 (10 В) ГТ329Б п-р-п 50 (40’С) >1680 10 0,5 20 <5 (10 В) ГТ329В п-р-п 50 (40’0 >990 10 1 20 <5 (10 В) ГТ329Г п-р-п 25 (60’0 >700 10 0,5 20 <5 (10 В) ГТЗЗОД п-р-п 50 (45’0 >500 10 (20 имп.) 1,5 20 <5 (10 В) ГТЗЗОЖ п-р-п 50 (45’0 >1000 10 (20 имп.) 1,5 20 <5 (10 В) ГТЗЗОИ п-р-п 50 (45’0 >500 10 (20 имп.) 1,5 20 <5 (10 В) ГТ335А р-п-р 200 (45’0 >80 20 3 150 (250*) <10 ГТ335Б р-п-р 200 (45’0 >80 20 3 150 (250*) <10 ГТ335В р-п-р 200 (45’0 >80 20 3 150 (250*) <10 ГТ335Г р-п-р 200 (45’0 >300 20 3 150 (250*) <10 ГТ335Д р-п-р 200 (45’0 >300 20 3 150 (250*) <10 ГТ338А р-п-р 100 — 20 (8**) — 1000 £30 (20 В) ГТ338Б р-п-р 100 — 20 (13**) — 1000 <30 (20 В) ГТ338В р-п-р 100 20 (5**) 1000 <30 (20 В)
Биполярные германиевые транзисторы 21 Ь21э» h2J3 с„, ^12э» пФ ГКЭ нас» ГБЭнас» Ом к., дБ J, Ом P.L. Вт тк, ПС ^рас» ^выкл» *пк» НС Корпус 30... 100 (5 В; 1 мА) 50...120 (5 В; 1 мА) 20...120 (5 В; 1 мА) 50...120 (5 В; 1 мА) 20...70 (5 В; 1 мА) 50...120 (5 В; 1 мА) <1,8 (5 В) <1,8 (5 В) <2,5 (5 В) <2,5 (5 В) <1,8 (5 В) <1,8 (5 В) — <4 (1,6 МГц) <4 (1,6 МГц) <4 (1,6 МГц) <50 <100 <200 ГТ322 **4 ЧГИ 3 ърпА Jii к 20...60 (5 В; 0,5 А) 40... 120 (5 В; 0,5 А) 80...200 (5 В; 0,5 А) <30 <30 <30 — — — ГТ2 0/7,7 (23 л к г "" г < 1ППГ to 1 I 2O...2OO* (5 В; 4 мА) 40...200* (5 В; 3 мА) 10...70* (5 В; 3 мА) S1.5 (5 В) S1.5 (5 В) S1.5 (5 В) — <7 (180 МГц) <7 (180 МГц) <7 (180 МГц) <5 <10 <10 ГП 05,8 128 Щ11Щ ЛЧ0ЛЛ Jjj ч< 15...300* (5 В; 5 мА) 15...300* (5 В; 5 мА) 15...300* (5 В; 5 мА) 15...300* (5 В; 5 мА) <2 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <2 (5 В) 1111 <4 (400 МГц) <6 (400 МГц) <6 (400 МГц) <5 (400 МГц) <15 <30 <20 <15 ГП (29 17 Г *55* n !э •» tesES :: i \к I 30...400* (5 В; 5 мА) 30...400* (5 В; 5 мА) 10...400* (5 В; 5 мА) <3 (5 В) <3 (5 В) S3 (5 В) <15 <15 <15 <8 (400 МГц) <8 (400 МГц) <30; <50* <50; <50* <30; <50* i ГТс (30 17 Ч 4 !э i 1Л 40...70* (3 В; 50 мА) 60...100* (3 В; 50 мА) 40...70* (3 В; 50 мА) 60...100* (3 В; 50 мА) 50...100* (3 В; 50 мА) <8,5 <8,5 <8,5 <8,5 <8,5 — — <100* <150* <150* ГГ335 _ 077,7 _ it «О _ 1 1 1 Csi ЯппГ _ф!)ф — <2 (5 В) <2 (5 В) <2 (5 В) — — 1н<1нс 1н^1нс 1н<1нс ГТ338 077 1 <s~ llllt llllffi Kopn.
22 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра Рк max» Р* К, т max» р** К, и max * мВт ^гр» ^1216» ^21э» С* , тпах» МГц ^КБО проб» и* ^КЭК проб» и** ’-'кэо проб» В ^ЭБО проб» В Ik max I* К, и max» мА ^КБО» ^КЭК» I** хкэо» мкА ГТ341А п-р-п 35 (60’0 >1500 10 0,3 10 <5 (10 В) ГТ341Б п-р-п 35 (60’С) >1980 10 0,3 10 <5 (10 В) ГТ341В п-р-п 35 (60°С) >1500 10 0,5 10 <5 (10 В) ГТ346А р-п-р 50 (55’С) >700 20 0,3 10 <10 (20 В) ГТ346Б р-п-р 50 (55’С) >550 20 0,3 10 <10 (20 В) ГТ346В р-п-р 50 (55’0 >550 20 0,3 10 <10 (20 В) ГТ362А п-р-п 40 >2400 5 (55’С) 0,2 10 <5 (5 В) ГТ362Б п-р-п 40 >2400 5 (55’0 0,2 10 <5 (5 В) ГТ376А р-п-р 35 (85’0 >1020 у** 0,25 10 <5 (7В) ГТ383А-2 п-р-п 25 (55’0 >2400 5* (1к) 0,5 10 <5 (5 В) ГТ383Б-2 п-р-п 25 (55’0 >1500 5* (1к) 0,5 10 <5 (5 В) ГТ383В-2 п-р-п 25 (55’0 >3600 5* (1к) 0,5 10 <5 (5 В) ГТ402А р-п-р 300; 600 >1* 25* (0,2к) — 500 <20 (10 В) ГТ402Б р-п-р 300; 600 >1* 25* (0,2к) — 500 <20 (10 В) ГТ402В р-п-р 300; 600 >1* 40* (0,2к) — 500 <20 (10 В) ГТ402Г р-п-р 300; 600 >1* 40* (0,2к) — 500 <20 (10 В) ГТ402Д р-п-р 0,3 Вт; 0,6 Вт >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ402Е р-п-р 0,3 Вт; 0,6 Вт >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ402Ж р-п-р 0,3 Вт; 0,6 Вт >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ402И р-п-р 0,3 Вт; 0,6 Вт >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ403А р-п-р 4* Вт >0,008** 45 20 1250 <50 (45 В) ГТ403Б р-п-р 4* Вт >0,008** 45 20 1250 <50 (45 В) ГТ403В р-п-р 5* Вт >0,008** 60 20 1250 <50 (60 В) ГТ403Г р-п-р 4* Вт >0,006** 60 20 1250 <50 (60 В) ГТ403Д р-п-р 4* Вт >0,006** 60 30 1250 <50 (60 В) ГТ403Е р-п-р 5* Вт >0,008** 60 20 1250 <50 (60 В) ГТ403Ж р-п-р 4* Вт >0,008** 80 20 1250 <50 (80 В) ГТ403И р-п-р 4* Вт >0,008** 80 20 1250 <50 (80 В) ГТ403Ю р-п-р 4* Вт >0,008** 45 20 1250 <50 (45 В)
Биполярные германиевые транзисторы 23 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» **БЭ нас» Ом к.. дБ Ом p,L. Вт тк, ПС ^рас» г , выкл » *пк» НС Корпус 15...300* (5 В; 5 мА) 15...300* (5 В; 5 мА) 15...300* (5 В; 5 мА) <1 (5 В) <1 (5 В) <1 (5 В) — <4,5 (1 ГГц) <5,5 (1 ГГц) <5,5 (1 ГГц) <10 <10 <10 0; ГТ34 U 1 77 55 1 IJ !э Ем Di. ,,) I ( К . 11 Iх 10...150 (10 В; 2 мА) 10...150 (10 В; 2 мА) 15...150 (10 В; 2 мА) <1,3 (5 В) <1,3 (5 В) <1,3 (5 В) — <6 (800 МГц) <8 (800 МГц) <7 (200 МГц) <3 <5,5 <6 ГТ346 05,5 J bjl • ^RB * Щ11Ш Jo 10...200 (3 В; 5 мА) 10...250 (3 В; 5 мА) <1 (5 В) <1 (5 В) — <4,5 (2,25 ГГц) <5,5 (2,25 ГГц) <10 <20 0< ГТ36 2 77 1J h == I I \K 10...150* (5 В; 2 мА) <1,2 (5 В) <3,5 (180 МГц) <15 ГТ376 05,5 .5 15 iff 15...250 (3,2 В; 5 мА) 10...250 (3,2 В; 5 мА) 15...250 (3,2 В; 5 мА) <1 (3,2 В) <1 (3,2 В) <1 (3,2 В) — <4,5 (2,25 ГГц) <4 (1 ГГц) <5,5 (2,83 ГГц) <10 <10 <15 ГГ383 03,8 10 i 1 Ьч» Г1— j | c r_ _i 1 К 30...80 (1 В; 3 мА) 60... 150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1 В; 3 мА) 60...150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1 В; 3 мА) 60...150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1 В; 3 мА) 30...80 (1 В; 3 мА) — <5 <5 <5 <5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ГТ402 _ 077,7 _ к JL f T 1 I 1® Wj I «SI mnr1 | иф 20...60 (5 В; 0,1 А) 50... 150 (5 В; 0,1 А) 20...60 (5 В; 0,1 А) 50... 150 (5 В; 0,1 А( 50...150 (5 В; 0,1 А) 30* (0,45 А) 20...60 (5 В; 0,1 А) 30* (0,45 А) 30...60 (5 В; 0,1 А) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ГТ40 010 3 072 A ' I \ /?© пфг" \k ( 7J
24 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра Рк max » ₽К. т max » р** К. и max > мВт ^гр» ^1216» ^21э» Сх» МГц ^КБО проб » U K3R проб » UK3O проб» В ^ЭБО проб » В Ik max I* К, и max » мА ^КБО» ^КЭй» Гкэо» мкА ГТ404А п-р-п 600; 300 >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404Б п-р-п 600; 300 >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404В п-р-п 600; 300 >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404Г п-р-п 600; 300 >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404Д п-р-п 600; 300 >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404Е п-р-п 600; 300 >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404Ж п-р-п 600; 300 >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ404И п-р-п 600; 300 >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ405А р-п-р 0,6 Вт >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ405Б р-п-р 0,6 Вт >1* 25* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ405В р-п-р 0,6 Вт >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ405Г р-п-р 0,6 Вт >1* 40* (0,2к) — 500 <25 (10 В) ГТ406А р-п-р 0,6 Вт 0,006** 25 20 1250 <50 (25 В) ГТС609А р-п-р 500 (43°С) >60 50 2,5 700* <40 (30 В) ГТС609Б р-п-р 500 (43°С) >60 50 2,5 700* <40 (30 В) ГТС609В р-п-р 500 (43°С) >60 50 2,5 700* <40 (30 В) ГТ612А-4 п-р-п 570 >1500 12 0,2 120 (200*) <5 (12 В) ГТ701А р-п-р 50* Вт >0,05* 55* (140 имп.) 15 12 А <6 мА ГТ703А р-п-р 15* Вт >0,010** 20 (0,05к) 10 3,5 А <500 ГТ703Б р-п-р 15* Вт >0,010** 20 (0,05к) 10 3,5 А <500 ГТ703В р-п-р 15* Вт >0,010** 30 (0,05к) 10 3,5 А <500 ГТ703Г р-п-р 15* Вт >0,010** 30 (0,05к) 10 3,5 А <500 ГТ703Д р-п-р 15* Вт >0,010** 40 (0,05к) 10 3,5 А <500 ГТ705А п-р-п 15* Вт >0,010** 20* 10 3,5 А <500 ГТ705Б п-р-п 15* Вт >0,010** 20* 10 3,5 А <3,5 мА ГТ705В п-р-п 15* Вт >0,010** 20* 30 3,5 А <3,5 мА ГТ705Г п-р-п 15* Вт >0,010** 20* 10 3,5 А <500 ГТ705Д п-р-п 15* Вт >0,010 20* 10 3,5 А <500
Биполярные германиевые транзисторы 25 ^21э» ^21Э ск, С|2э> пФ ГКЭ нас» 1*БЭ нас» Ом к., дБ г;. Ом p.Lx. Вт 30...80 (1 В; 3 мА) — <6 — 60...150 (1 В; 3 мА) — <6 — 30...80 (1 В; 3 мА) — <6 — 60...150 (1 В; 3 мА) — <6 — 30...80 (1 В; 3 мА) — <6 — 60... 150(1 В; 3 мА) — <6 — 30...80 (1 В; 3 мА) — <6 — 60... 150 (1 В; 3 мА) — <6 — Корпус ГТ404 077,7 30...80 (1 В; 3 мА) 60... 150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1 В; 3 мА) 60...150 (1 В; 3 мА) 50...150 (5 В; 0,1 А) 30...200 (3 В; 0,5 А) <50 (10 В) <3,2 — <700* 50...160 (3 В; 0,5 А) <50 (10 В) <3,2 — <700* 80...420 (3 В; 0,5 А) <50 (10 В) <3,2 <700* — <3,5 (5 В) — >0,2** Вт (2 ГГц) <7 ГТС609 ГТ612 10* (2 В; 6 А) ГТ701 30...70* (1 В; 50 мА) 50... 100* (1 В; 50 мА) 30...70* (1 В; 50 мА) 50... 100* (1 В; 50 мА) 20.. 45* (1 В; 50 мА) <0,2 <0,2 <0,2 <0,2 <0,2 ГТ703 30...70* (1 В; 50 мА) 50...100* (1 В; 50 мА) 30...70* (1 В; 50 мА) 50...100* (1 В; 50 мА) 90...250* (1 В; 50 мА) <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 ГТ705
26 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра р rK max ’ Р* ГК, т max» р** К, и max » мВт G. МГц ^КБО проб» ^K3R проб» и** КЭО проб» В ^ЭБО проб» В IK max I* К, и max» мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА ГТ804А р-п-р 15* Вт >10 100** — 10 А — ГТ804Б р-п-р 15* Вт >10 140** — 10 А — ГТ804В р-п-р 15* Вт >10 190** 10 А ГТ806А р-п-р 30* Вт >10* 75 1,5 15 А — ГТ806Б р-п-р 30* Вт >10* 100 1,5 15 А — ГТ806В р-п-р 30* Вт >10* 120 1,5 15 А — ГТ806Г р-п-р 30* Вт >10* 50 1,5 15 А — ГТ806Д р-п-р 30* Вт >10* 140 1,5 15 А ГТ810А р-п-р 15* Вт >15 200 1,4 10 А <20 мА ГТ905А р-п-р 6 Вт >60 75 0,4 3 А (7* А) <20 мА ГТ905Б р-п-р 6 Вт >60 60 0,4 3 А (7* А) <20 мА ГТ906А р-п-р 15* Вт; 300** Вт >30 75 1,4 6 А <8 мА (75 В) ГТ906АМ р-п-р 15* Вт; 300** Вт >30 75 1,4 6 А £8 мА (75 В) МГТ108А р-п-р 75 >0,5* 10 (18 имп.) 5 50 £10 (5 В) МГТ108Б р-п-р 75 >1* 10 (18 имп.) 5 50 <10 (5 В) МГТ108В р-п-р 75 >1* 10 (18 имп.) 5 50 £10 (5 В) МГТ108Г р-п-р 75 >1* 10 (18 имп.) 5 50 £10 (5 В) МГТ108Д р-п-р 75 >1* 10 (18 имп.) 5 50 £10 (5 В) МП9А п-р-п 150 >1* 15 15 20 (150*) 30* (30 В) МП10 п-р-п 150 >1* 15 15 20 (150*) 30* (30 В) МП10А п-р-п 150 >1* 30 30 20 (150*) 30* (30 В) МШОБ п-р-п 150 >1* 30 30 20 (150*) 50* (30 В) МП11 п-р-п 150 >2* 15 15 20 (150*) 30* (30 В) МП11А п-р-п 150 >2* 15 15 20 (150*) 30* (30 В) МП13 р-п-р 150 >0,5* 15 15 20 (150*) £30 (15 В) МП13Б р-п-р 150 >1* 15 15 20 (150*) £30 (15 В)
Биполярные германиевые транзисторы 27 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» 1*БЭ нас» Ом кш, дБ г;. Ом Вт тк, ПС ^рас» ^•выкл» С» нс 20...150* (10 В; 5 А) — — — <1000 20...150* (10 В; 5 А) — — — <1000 20...150* (10 В; 5 А) — — — <1000 Корпус 10...100* (10 А) 10...100* (10 А) 10...100* (10 А) 10...100* (10 А) 10...100* (10 А) <0,04 <0,04 <0,04 <0,04 <0,04 ГТ806 15*; (10 В; 5 А) <0,07 5*мкс 35... 100* (70 В; 3 А) 35...100* (70 В; ЗА) 30...150* (10 В; 5 А) <200 (30 В) <200 (30 В) <0,17 <300; 4*мкс <300; 4*мкс <5000* 30...150* (10 В; 5 А) <5000* 25...50 (6 В; 1 мА) 35...80 (5 В; 1 мА) 60...130 (5 В; 1 мА) ПО ..250 (5 В; 1 мА) 30...120 (5 В; 1 мА) <6 (1 кГц) <5000 <5000 <5000 <5000 <5000 15...45 (5 В; 1 мА) <60 (5 В) — S10 (1 кГц) — 15...30 (5 В; 1 мА) <60 (5 В) — <10 (1 кГц) — 15...30 (5 В; 1 мА) <60 (5 В) — <10 (1 кГц) — 25...50 (5 В; 1 мА) <60 (5 В) — <10 (1 кГц) — 25...55 (5 В; 1 мА) <60 (5 В) — <10 (1 кГц) — 45... 100 (5 В; 1 мА) <60 (5 В) — <10 (1 кГц) — >12 (5 В; 1 мА) <50 (5 В) — <150* — 20...60 (5 В; 1 мА) <50 (5 В) — <12 (1 кГц) — ГТ810, ГТ905 ГТ906 ГТ906АМ МГТ108 0/7,7 МП9, МП10, МП11, МП13 011,7
28 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра Рк max » р‘ * К, Т max » Р“ К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^*21 э» ^пах» МГц ^КБО проб» U)OR проб» и*‘ КЭО проб» В ^ЭБО проб » В Ik max I* К, и max » мА ^КБО» г ЖКЭЙ» 1“ дкэо» мкА МП14 р-п-р 150 >1* 15 15 20 (150*) <30 (15 В) МШ4А р-п-р 150 >1* 30 30 20 (150*) <30 (30 В) МП14Б р-п-р 150 >1* 30 30 20 (150*) 250 (30 В) МП14И р-п-р 150 >1* 30 30 20 (150*) 250 (30 В) МП 15 р-п-р 150 >2* 15 15 20 (150*) 230 (15 В) МП15А р-п-р 150 >2* 15 15 20 (150*) 230 (15 В) МП15И р-п-р 150 — 15 15 20 (150*) — МП16 р-п-р 200 >1* 15 15 50 (300*) 225 (15 В) МП16А р-п-р 200 >1* 15 15 50 (300*) 225 (15 В) МП16Б р-п-р 200 >2* 15 15 50 (300*) 225 (15 В) МП16Я1 р-п-р 150 — 15* (100) 15 300* 250* (15 В) МП16Я11 р-п-р 150 — 15* (100) 15 300* 250* (15 В) МП20А р-п-р 150 >2* 30 30 300* 250 (30 В) МП20Б р-п-р 150 >1,5* 30 30 300* 250 (30 В) МП21В р-п-р 150 >1,5* 40 40 300* 250 (40 В) МП21Г р-п-р 150 >1* 60 40 300* 250 (60 В) МП21Д р-п-р 150 >1* 60 40 300* 250 (50 В) МП21Е р-п-р 150 >0,7* 70 40 300* 250 (50 В) МП25 р-п-р 200 >0,2* 40 40 300* 275 (40 В) МП25А р-п-р 200 >0,2* 40 40 400* 275 (40 В) МП25Б р-п-р 200 >0,5* 40 40 400* 275 (40 В) МП26 р-п-р 200 >0,2* 70 70 300* 275 (70 В) МП26А р-п-р 200 >0,2* 70 70 400* 275 (70 В) МП26Б р-п-р 200 >0,5* 70 70 400* 275 (70 В) МП35 п-р-п 150 >0,5* 15 — 20 (150*) 230 (5 В) МП36А п-р-п 150 >1* 15 — 20 (150*) 230 (5 В) МП37А п-р-п 150 >1* 30 — 20 (150*) 230 (5 В) МП37Б п-р-п 150 >1* 30 20 (150*) 230 (5 В) МП38 п-р-п 150 >2* 15 — 20 (150*) 230 (5 В) МП38А п-р-п 150 >2* 15 20 (150*) 230 (5 В) МП39 р-п-р 150 >0,5* 15* (Юк) 5 20 (150*) 215 (5 В) МП39Б р-п-р 150 >0,5* 15* (Юк) 5 20 (150*) 215 (5 В) МП40 р-п-р 150 >1* 15* (Юк) 5 20 (150*) 215(5 В) МП40А р-п-р 150 >1* 30* (Юк) 5 20 (150*) 215(5 В)
Биполярные германиевые транзисторы 29 20...40 (5 В; 1 мА) 20...40 (5 В; 1 мА) 30...60 (5 В; 1 мА) 20...80 (5 В; 1 мА) Ск, С12э» пФ КЭнэс» ВЭ нас* Ом кш, дБ г-, Ом Р" , Вт ж вых » 30...60 (5 В; 1 мА) 50... 100 (5 В; 1 мА) 20...35 (1 В; 10 мА) 30...50 (1 В; 10 мА) 45... 100 (1 В; 1 мА) 20...70 (10 В; 100 мА) 10...70 (10 В; 100 мА) 50...150 (5 В; 25 мА) 80...200 (5 В; 25 мА) 20...100 (5 В; 25 мА) 20...80 (5 В; 25 мА) 60...200 (5 В; 25 мА) 30...150 (5 В; 25 мА) 13...25 (20 В; 2,5 мА) 20...50 (20 В; 2,5 мА) 30...80 (20 В; 2,5 мА) 13...25 (35 В; 1,5 мА) 20...50 (35 В; 1,5 мА) 30...80 (35 В; 1,5 мА) 13...125 (5 В; 1 мА) 13...45 (5 В; 1 мА) 15...30 (5 В; 1 мА) 25...50 (5 В; 1 мА) 25...55 (5 В; 1 мА) 45...100 (5 В; 1 мА) >12 (5 В; 1 мА) 20...60 (5 В; 1 мА) 20...40 (5 В; 1 мА) 20...40 (5 В; 1 мА) £50 (5 В) £50 (5 В) £50 (5 В) £50 (5 В) £50 (5 В) £50 (5 В) <20 <10 £150* £150* £150* £150* <150* £150* тк, ПС ^рас» к* ВЫ К Л > Корпус МП14, МП15 £15 £15 £15 £6,6 £6,6 £2000* £1500* £1000* МП21, МП25 <20 (20 В) <20 (20 В) <20 (20 В) £2,2 £2 £1,8 <1500*** £1500*** £1500*** <15 (35 В) £15 (35 В) £15 (35 В) £2,2 £2,2 £1,8 <220* <10 (1 кГц) £220* £220* £220* £220* <50 (5 В) <50 (5 В) <50 (5 В) <50 (5 В) МП16, МП20 011,7 МП26, МП35 <1500*** £1500*** <1500*** МП36, МП37 МП38, МП39, МП40 <12 (1 кГц)
30 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра Рк max » Р* ГК, т max » Р** К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^21э» С, плах» МГц ^КБО проб» ^КЭй проб» UK3O проб» В ^ЭБО проб » В 1К max I* К, и max» мА ^КБО» ®K3R» ®КЭО» мкА МП41 р-п-р 150 >1* 15* (Юк) 5 20 (150*) <15 (5 В) МП41А р-п-р 150 >1* 15* (Юк) 5 20 (150*) <15 (5 В) МП42 р-п-р 200 >2* 15* (Зк) — 150* — МП42А р-п-р 200 >1,5* 15* (Зк) — 150* — МП42Б р-п-р 200 >1* 15* (Зк) — 150* — П201Э р-п-р 10* Вт >0,1* 45 — 1,5 А <0,4 мА П201АЭ р-п-р 10* Вт >0,2* 45 — 1,5 А <0,4 мА П202Э р-п-р 10* Вт >0,1* 70 — 2 А <0,4 мА П203Э р-п-р 10* Вт >0,2* 70 — 2 А <0,4 мА П207 р-п-р 100* Вт — 40** — 25 А <16 мА П207А р-п-р 100* Вт — 40** — 25 А <16 мА П208 р-п-р 100* Вт — 60** — 25 А <25 мА П208А р-п-р 100* Вт — 60** — 25 А <25 мА П209 р-п-р 60* Вт >0,1** 40** 25 12 А <8 мА П209А р-п-р 60* Вт >0,1** 40** 25 12 А <8 мА П210 р-п-р 60* Вт >0,1** 60** 25 12 А <12 мА П210А р-п-р 60* Вт >0,1** 65** 25 12 А <8 мА (45 В) П210Б р-п-р 45* Вт >0,1** 65 25 12 А <15 мА П210В р-п-р 45* Вт >0,1** 45 25 12 А <15 мА П210Ш р-п-р 60* Вт >0,1** 64* 25 12 А <8 мА (65 В) П213 р-п-р 11,5* Вт >0,2* 45 15 5 А <0,15 мА П213А р-п-р 10* Вт >0,2* 45 10 5 А <1 мА П213Б р-п-р 10* Вт >0,2* 45 10 5 А <1 мА П214 р-п-р 10* Вт >0,2* 60 15 5 А <0,3 мА П214А р-п-р 10* Вт >0,2* 60 15 5 А <0,3 мА П214Б р-п-р 11,5* Вт >0,2* 60 15 5 А <0,15 мА П214В р-п-р 10* Вт >0,2* 60 10 5 А <1,5 мА П214Г р-п-р 10* Вт >0,2* 60 10 5 А <1,5 мА П215 р-п-р 10* Вт >0,2* 80 15 5 А <0,3 мА П216 р-п-р 30* Вт >0,2* 40 15 7,5 А <0,5 мА П216А р-п-р 30* Вт >0,2* 40 15 7,5 А <0,5 мА П216Б р-п-р 24* Вт >0,2* 35 15 7,5 А <1,5 мА П216В р-п-р 24* Вт >0,2* 35 15 7,5 А <2 мА П216Г р-п-р 24* Вт >0,2* 50 15 7,5 А <2,5 мА П216Д р-п-р 24* Вт >0,2* 50 15 7,5 А <2 мА П217 р-п-р 30* Вт >0,2* 60 15 7,5 А <0,5 мА П217А р-п-р 30* Вт >0,2* 60 15 7,5 А <0,5 мА П217Б р-п-р 30* Вт >0,2* 60 15 7,5 А <0,5 мА П217В р-п-р 24 Вт >0,2* 60 15 7,5 А <3 мА П217Г р-п-р 24 Вт >0,2* 60 15 7,5 А <3 мА
Биполярные германиевые транзисторы 31 ^21э» ^21Э Ск. ^12э» пФ ГКЭ нас» 1*БЭ нас» Ом Кш, ДБ Г?» Ом Р** , Вт вых » " * тк, ПС ^рас» г , * выкл » <пк» НС 30...60 (5 В; 1 мА) <50 (5 В) — — — 50...100 (5 В; 1 мА) <50 (5 В) — — — 20...35* (1 В; 10 мА) — <20 — <2000*** 30...50* (1 В; 10 мА) — <20 — <1500*** 458... 100* (1 В; 10 мА) — <20 — <1000*** >20* (10 В; 0,2 А) — <1,25 — — >40* (10 В; 0,2 А) — <1,25 — — >20* (10 В; 0,2 А) — <1,25 — — — <1,25 — — 5...15 — 5...12 — — — — >15 — — — — >15 — — — — Корпус МП41, МП42 0/7,7 П201, П202 П207, П208 >15 >15 — — — >15* (2 В; 5 А) — — — >15* (2 В; 5 А) — — — >10* (2 В; 5 А) — — — >10* (2 В; 5 А) — — — >15* (2 В; 5 А) — — — 20...50* (5 В; 1 А) — <0,16 — >20* (5 В; 0,2 А) — — — >40* (5 В; 0,2 А) — <1,25 — 20...60* (5 В; 0,2 А) — <0,3 — 50. .150* (5 В; 0,2 А) — <0,3 — 20... 150* (5 В; 0,2 А) — <0,3 — >20* (5 В; 0,2 А) — <0,3 — — — <0,3 — 2O...15O* (5 В; 0,2 А) — <0,3 — >16 (0,75 В; 4 А) — <0,2 — 20...80 (0,75 В; 4 А) — <0,2 — 1>10 (3 В; 2 А) — <0,25 — >30 (3 В; 2 А) — <0,25 — >5 (3 В; 2 А) — — — 15...30 (3 В; 2 А) — <0,25 — >16 (0,75 В; 4 А) — <0,5 — 20...60 (5 В; 1 А) — <0,5 — >20 (5 В; 1 А) — <0,5 — >15* (1 В; 4 А) — <0,25 — 15...40 (3 В; 2 А) — <0,5 — П209, П210 П213, П214 П215, П216
32 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра р rK max » Р* К, т max1 Р** К, и max » мВт ip» ii216» Смэ» Сх» МГц ^КБОпроб» ^Кэи „роб ♦ UjOO проб» В ^ЭБО проб » В 1К max I* К, и max » мА ^КБО» ^КЭИ» I** хкэо» мкА П27 р-п-р 30 >1* 5* (0,5к) — 6 <3 (5 В) П27А р-п-р 30 >1* 5* (0,5к) 6 <3 (5 В) П28 р-п-р 30 >5* 5* (0,5к) 6 <3 (5 В) П29 р-п-р 30 >5* 10* 12 100* <4 (12 В) П29А р-п-р 30 >5* 10* 12 100* <4 (12 В) ПЗО р-п-р 30 >10* 12* 12 100* <4 (12 В) П401 р-п-р 100 >30 10 1 20 <10 (5 В) П402 р-п-р 100 >50 10 1 20 <5 (5 В) П403 р-п-р 100 >100 10 1 20 <5 (5 В) П403А р-п-р 100 >80 10 1 20 <5 (5 В) П416 р-п-р 100 (360*) >40 12 3 25 (120*) <3 (10 В) П416А р-п-р 100 (360*) >60 12 3 25 (120*) <3 (10 В) П416Б р-п-р 100 (360*) >80 12 3 25 (120*) <3 (10 В)
Биполярные германиевые транзисторы 33 1*213» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ГБЭ нас» Ом к», дБ г;, Ом P.L. Вт Тк, ПС ^рас» г , выкл» <пк» НС Корпус 20... 100 (5 В; 0,5 мА) 20... 170 (5 В; 0,5 мА) — — <10 (1 кГц) £5 (1 кГц) — Я п ни [27 «6» т Sv ' 5— § ‘ II -11 1111 HI 20...200 (5 В; 0,5 мА) <5 (1 кГц) я и Ш. 7 [28 1 । ц— / f § 1 и -II 1ПГ vn Illi Hi 20...50 (0,5 В; 20 мА) 40... 100 (0,5 В; 20 мА) <20 (6 В) <20 (6 В) 10 10 — <6000 <6000 я п 111.7 29 Ча т ’ 5— § ‘ II _|| 1ПГ \VI 1111 >7 -"'в 80... 180 (0,5 В; 20 мА) <20 (6 В) 10 6000 я п 111,7 [30 1 1 ' г.. JAI 1 @ HI Hi § П1 Ш1 1111 16...300 (5 В; 5 мА) 16...250 (5 В; 5 мА) <15 (5 В) <10 (5 В) — — <3500 <1000 0 П401 77,7 , П402 т к ' лт; з( S3 OI -11 Uli vr nil ’ 1 30... 100 (5 В; 5 мА) 16...200 (5 В; 5 мА) <10 (5 В) £10 (5 В) — — <500 <500 0 П 77,7 э 403 т к ""“Г (Ci OI Ш1 Uli \\ГГЛ 0 20...80 (5 В; 5 мА) 60...120 (5 В; 5 мА) 90...250 (5 В; 5 мА) <8 (5 В) <8 (5 В) <8 (5 В) <40 <40 <40 — <500; <1000* <500; <1000* <500; <1000* п 0tf 416 1 ^3 л
34 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Структу- ра max » т max» Р“ К, и max » мВт t-р» ti2l6» ?21 з» tnax » МГц ^КБО проб» и‘ ’-’КЭй проб» ’-’кэо проб» В ^ЭБОпроб» В IK max I* К, и max» мА ^КБО» I ^КЭй» 1“ хкэо» мкА П417 р-п-р 50 >200 8 0,7 10 <3 (10 В) П417А р-п-р 50 >200 8 0,7 10 <3 (10 В) П417Б р-п-р 50 >200 8 0,7 10 <3 (10 В) П422 р-п-р 100 >50 10* (1к) — 20 £5 (5 В) | П423 р-п-р 100 >100 10* (1к) 20 <5 (5 В) П605 р-п-р 3 Вт — 45 1 1500 <2000 (45 В) П605А р-п-р 3 Вт 45 0,5 1500 <2000 (45 В) П606 р-п-р 1,25 Вт >30 35 1 1500 <2000 (35 В) П606А р-п-р 1,25 Вт >30 35 0,5 1500 <2000 (35 В) П607 р-п-р 1,5 Вт >60 30 1,5 300 (600*) <300 (30 В) П607А р-п-р 1,5 Вт >60 30 1,5 300 (600*) <300 (30 В) П608 р-п-р 1,5 Вт >90 30 1,5 300 (600*) <300 (30 В) П608А р-п-р 1,5 Вт >90 30 1,5 300 (600*) <300 (30 В) П609 р-п-р 1,5 Вт >120 30 1,5 300 (600*) <300 (30 В) П609А р-п-р 1,5 Вт >120 30 1,5 300 (600*) <300 (30 В)
Биполярные германиевые транзисторы 35 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ *КЭ нас» ^*БЭ нас» Ом к., дБ rj. Ом PBL. Вт тк, ПС ^рас» г , выкл» *пк» НС Корпус 24...100 (5 В; 5 мА) 65...200 (5 В; 5 мА) 75...250 (5 В; 5 мА) 25 (5 В) 25 (5 В) 26 (5 В) — — <400 <400 <400 О» 07 1- 1 П 1,5 ) 417 з/Л, к Ji га it 24...100 (5 В; 1 мА) 24...100 (5 В; 1 мА) 210 (5 В) 210 (5 В) — 210 (1,6 МГц) 210 (1,6 МГц) <1000 <500 О tv С п J ч Гм ±4 Л 422 1г 1 , П423 20...60 (3 В; 0,5 А) 40 .120 (3 В; 5 А) 2130 (20 В) 2130 (20 В) <40 <40 — 23000* 24000* СО ОТ 0И :3f *24,1 п в э 60f Й? Jow jOZW 20...60 (3 В; 0,5 А) 40...120 (3 В; 5 А) 2130 (20 В) 2130 (20 В) <40 <40 — <3000* <4000* СО от 01; п 1» 7 в э 60( 1 Й? vV • ozZj/ 20...80* (3 В; 0,25 А) 60...200 (3 В; 0,25 А) <50 (10 В) <50 (10 В) 23000* <3000* П607 40... 120 (3 В; 0,25 А) 80...240 (3 В; 0,25 А) <50 (10 В) <80 (10 В) <10 <10 23000* 23000* П608 40... 120 (3 В; 0,25 А) 80...240 (3 В; 0,25 А) 250 (10 В) 280 (10 В) 23000* 23000* П609
36 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.4. Биполярные кремниевые транзисторы Тип прибора Струк- тура max » ₽К. т max » Р” К, и max » мВт t-р» С216» С1Э» С» МГц ^КБО max» ГГ 'JK3R max» U” ’-'кэо max» В ^ЭБО max» В Ik max I* К, и max» мА ^КБО» ^K3R» I” хкэо» мкА КТ104А р-п-р 150 (60’С) >5* 30** 10 50 <1 (30 В) КТ104Б р-п-р 150 (60’С) >5* 15** 10 50 <1 (15 в) КТ104В р-п-р 150 (60’С) >5* 15** 10 50 <1 (15 В) КТ104Г р-п-р 150 (60’С) >5* 30** 10 50 <1 (30 В) КТ117А п-база 300 q 2*** 30 30 50 (1* А) <1 (30 в) КТ117Б п-база 300 Q 2*** 30 30 50 (1* А) <1 (зо в) КТ117В п-база 300 Q 2*** 30 30 50 (1* А) £1 (30 в) КТ117Г п-база 300 Q 2*** 30 30 50(1* А) <1 (30 в) КТ118А р-п-р юо аоо’О — 15 31 50 <0,1 (15 В) КТ118Б р-п-р loo (loo’O — 15 31 50 <0,1 (15 В) КТ118В р-п-р 100 (100’0 15 31 50 <0,1 (15 В) КТ119А п-база 25 0,2*** 20 20 10 (50*) — КТ119Б п-база 25 Q 2*** 20 20 10 (50*) КТ120А р-п-р 10 >1 60 10 10 (20*) <0,5 (60 В) КТ120Б р-п-р 10 >1 30 10 10 (20*) <0,5 (30 В) КТ120В р-п-р 10 >1 60 10 10 (20*) <0,5 (60 В) КТ120А-1 р-п-р 10 — 60 10 10 <0,5 (60 В) КТ120В-1 р-п-р 10 60 10 10 КТ120А-5 р-п-р 10 — 60 10 10 — КТ120В-5 р-п-р 20 60 10 10 КТ127А-1 п-р-п 15 (60’0 >0,1** 25 3 50 <1 (25 В) КТ127Б-1 п-р-п 15 (60’0 >0,1** 25 3 50 £1 (25 В) КТ127В-1 п-р-п 15 (60’0 >0,1** 45 3 50 <1 (25 В) КТ127Г-1 п-р-п 15 (60’0 >0,1** 45 3 50 <1 (25 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 37 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ОМ ГБЭнас» ОМ к;;» дб Кш, дБ г!, Ом Р** , Вт тк, ПС НС нс Корпус 9...36 (5 В; 1 мА) 20...80 (5 В; 1 мА) 40 160 (5 В- 1 мА) £50 (5 В) <50 (5 В) £50 (5 В) <50 <50 <50 <120* <120* <120* — КТ104 от 15...60 (5 В; 1 мА) £50 (5 В) <50 <120* — 18 2,7 3 J Б, ii 0,5—0,7 (иБ1Б2=Ю В) 0,65...0,9 (иБ1Б2=Ю В) — — — — KT117 0,5-0,7 (иБ1Б2=10 В) 0,65-0,9 (Ubib2=10 В) — — — — ЧГ S', — Q 3b JL % ? 1 1 1 — 100 100 120 — <500** <500** <500** KI 15,84 sr Г118 52 1 к 51 0,5...0,65 (иБ2Б1=Ю В) 0,6...0,75 (иБ2Б1=10 В) — — — — KT119 875 bik 51623 /7/ V u 20...200 (5 В; 1 мА) 20...200 (5 В; 1 мА) 20-200 (5 В; 1 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) <50 <110 — — KT120 1,2 I (Г 11 ui И1Й 20...200 (5 В; 1 мА) 20...200 (5 В; 1 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) <50 <110 — — KT120- / 1 ' l К 3 p L 20...200 (5 В; 1 мА) 20...200 (5 В; 1 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) <50 <110 — — к 4* :ti20- ( 5 0,15 1 Cq3** i Eb —6 —3 K' 15...60 (5 В; 1 мА) 40-200 (5 В; 1 мА) 15...60 (5 В; 1 мА) 40-200 (5 В; 1 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) <170 <170 <170 <170 1111 — c * A KT127- 7,2 _ A if -in Э5К 1 0,6 E 1
38 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р * К max ’ Р* К, т max » р** К, и max1 мВт ^Гр» ^216» £1э» ^тах » МГц U КБОтах» ^K3R max» ^КЭО max » В ^ЭБО max » В Ik max I* К, и max » мА ^КБО» ^КЭК» Г дкэо» мкА КТ132А однопер. 300 — — 35 2* А 12 КТ132Б 300 35 2* А 0,2 КТ133А однопер. 300 — — 35 1,5* А 1 КТ133Б 300 35 1,5* А 1 КТ201А п-р-п 150 (90°С) >10 20 20 20(100*) <1 (20 В) КТ201Б п-р-п 150 >10 20 20 20 (100*) <1 (20 В) КТ201В п-р-п 150 >10 10 10 20 (100*) <1 (20 В) КТ201Г п-р-п 150 >10 10 10 20 (100*) <1 (20 В) КТ201Д п-р-п 150 >10 10 10 20 (100*) <1 (20 В) КТ201АМ п-р-п 150 >10 20 20 20 (100*) <1 (20 В) КТ201БМ п-р-п 150 >10 20 20 20 (100*) <1 (20 В) КТ201ВМ п-р-п 150 >10 10 10 20 (100*) <1 (20 В) КТ201ГМ п-р-п 150 >10 10 10 20 (100*) <1 (20 В) КТ201ДМ п-р-п 150 >10 10 10 20 (100*) <1 (20 В) КТ202А-1 р-п-р 15 (55°С) >5 15 10 10 (25*) <1 (15 В) КТ202Б-1 р-п-р 15 (55’С) >5 15 10 10 (25*) <1 (15 В) КТ202В-1 р-п-р 15 (55’С) >5 30 10 10 (25*) <1 (30 В) КТ202Г-1 р-п-р 15 (55’С) >5 30 10 10 (25*) <1 (30 В) КТ202Д-1 р-п-р 15 (55’С) >5 15 10 10 (25*) <1 (15 В) КТ203А р-п-р 150 (75’0 >5* 60 30 10 (50*) <1 (60 В) КТ203Б р-п-р 150 (75’0 >5* 30 15 10 (50*) <1 (30 В) КТ203В р-п-р 150 (75’0 >5* 15 10 10 (50*) <1 (15 В) КТ203АМ р-п-р 150 (75’0 >5* 60 30 10(50*) <1 (60 В) КТ203БМ р-п-р 150 (75’0 >5* 30 15 10(50*) <1 (30 В) КТ203ВМ р-п-р 150 (75’0 >5* 15 10 10(50*) <Л (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 39 ^21э» ^21Э ск» С12э» пФ Ом «»».. Ом к;.;, дб Кш, дБ г;, Ом Р"х. Вт тк, ПС fpae. НС Сил. НС Корпус 0,56...0,75 0,68...0,82 — 3,5 3,5 — — 01 К1 132 Сь м Б2 э —10 Б1 0,56...0,75 0,7...0,85 — 2,5 2,5 — — КТ133 0^2 f ЯГ 36162 20...60 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 70...210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) <20 (5 В) <20 (5 В) <20 (5 В) <20 (5 В) £20 (5 В) — £15 (1 кГц) — 0. КЗ 534 Г201 • К ISiR !_JPP б 20...60 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 7O...21O (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) <20 (5 В) <20 (5 В) <20 (5 В) <20 (5 В) <20 (5 В) — £15 (1 кГц) — KT2O1-J Л 13,5 5,2 Н L—J У wp 15...70 (5 В; 1 мА) 40... 160 (5 В; 1 мА) 15...70 (5 В; 1 мА) 40... 160 (5 В; 1 мА) 100...300 (5 В; 1 мА) <25 (5 В) <25 (5 В) <25 (5 В) <25 (5 В) <25 (5 В) <50 <50 <50 <50 <50 — <1000* <1000* <1000* <1000* <1000* КТ202- 0,1 1 /1 \ 5 К 3 4 >9 (5 В; 1 мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) <10 (5 В) £10 (5 В) £10 (5 В) <50 <25 <300* <300* <300* — 0 КЗ 5,84 Г203 Гъ * к /Г б ‘ ШИШ Г< г ФО >9 (5 В; 1 мА) 30...150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) £10 (5 В) £10 (5 В) £10 (5 В) <50 <25 <300* <300* <300* — (2 KT203J А 13,5 5,2 н L_J J КБЭ | f I V mi
40 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max * ₽К. т max * Р“ К, и max * мВт ^гр» ^1216» ^Ь21э» G» МГц ^КБОтах» UjOR max» u*‘ ’-’КЭОтах» В UЭВО тах» В 1К max I* К, и max♦ мА ^КБО» ^КЭЙ» ^КЭО» мкА КТ206А п-р-п 15 >10 20* (Зк) 20 20 <1 (20 В) КТ206Б п-р-п 15 >10 12* (Зк) 12 20 <1 (12 В) КТ207А р-п-р 15 >5 60 30 10 (50*) <0,05 (60 В) КТ207Б р-п-р 15 >5 30 15 10(50*) <0,05 (30 В) КТ207В р-п-р 15 >5 15 10 10(50*) <0,05 (15 В) КТ208А р-п-р 200 (60’С) >5 20* (Юк) 10 300 (500*) <1 (20 В) КТ208Б р-п-р 200 (60’С) >5 20 10 300 (500*) <1 (20 В) КТ208В р-п-р 200 (60’С) >5 20 10 300 (500*) <1 (20 В) КТ208Г р-п-р 200 (60’С) >5 30 10 300 (500*) <1 (20 В) КТ208Д р-п-р 200 (60’0 >5 30* (Юк) 10 300 (500*) <1 (20 В) КТ208Е р-п-р 200 (60’0 >5 30 10 300 (500*) <1 (20 В) КТ208Ж р-п-р 200 (60’0 >5 45 20 300 (500*) <1 (20 В) КТ208И р-п-р 200 (60’0 >5 45 20 300 (500*) <1 (20 В) КТ208К р-п-р 200 (60’0 >5 45 20 300 (500*) <1 (20 В) КТ208Л р-п-р 200 (60’0 >5 60 20 300 (500*) <1 (20 В) КТ208М р-п-р 200 (60’0 >5 60 20 300 (500*) <1 (20 В) КТ209А р-п-р 200 (35’0 >5 15 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ209Б р-п-р 200 (35’0 >5 15 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ209В р-п-р 200 (35’0 >5 15 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ209В2 р-п-р 200 (35’0 >5 15 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ209Г р-п-р 200 (35’0 >5 30 10 300 (500*) <1* (30 В) КТ209Д р-п-р 200 (35’0 >5 30 10 300 (500*) <1* (30 В) КТ209Е р-п-р 200 (35’0 >5 30 10 300 (500*) <1* (ЗОВ) КТ209Ж р-п-р 200 (35’0 >5 45 20 300 (500*) <1* (45 В) КТ209И р-п-р 200 (35’С) >5 45 20 300 (500*) <1* (45 В) КТ209К р-п-р 200 (35’0 >5 45 20 300 (500*) <1* (45 В) КТ209Л р-п-р 200 (35’0 >5 60 20 300 (500*) <1* (60 В) КТ209М р-п-р 200 (35’0 >5 60 20 300 (500*) <1* (60 В) КТ209К9 р-п-р 200 >4 40 25 150 <1 КТ210А р-п-р 25 >10 15 10 20 (40*) <10 (15 В) КТ210Б р-п-р 25 >10 30 10 20 (40*) <10 (30 В) КТ210В р-п-р 25 >10 60 10 20 (40*) <10 (60 В) КТ211А-1 р-п-р 25 >10 15 5 20 (50*) <10 (15 В) КТ211Б-1 р-п-р 25 >10 15 5 20 (50*) <10 (15 В) КТ211В-1 р-п-р 25 >10 15 5 20 (50*) <10 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 41 30...90* (1 В; 5 мА) 70...120* (1 В; 5 мА) Ск, С|2э» пФ ГКЭ нас* Ом Чэкас* ОМ к*;, «в <20 (5 В) <20 (5 В) Кш, дБ г5 Ом Вт Т„, ПС *'рас. ИС Со* НС Корпус >9 (5 В; 1 мА) 30...150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) <10 (5 В) <100 <300* <Я0 (5 В) <100 <300* <10 (5 В) <50 <300* КТ206 0J a /И вкэ 0,8 КТ207 3 'К о о О Oj 07 0,25 К 6 Ключ ) Ь» 20...60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) >200* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...160* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) >30 (0,2 В; 12 мА) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,1 80...240 (5 В; 1 mA) <25 (5 B) <50 80...240 (5 В; 1 mA) <25 (5 B) <50 40... 120 (5 В; 1 mA) <25 (5 B) <50 40...120 (1 В; 40 мА) 80...240 (1 В; 40 мА) 160...480 (1 В; 40 мА) <20 (5 В) <20 (5 В) <20 (5 В) <4 (1 кГц) <4 (1 кГц) <4 (1 кГц) <5 (1 кГц) <5 (1 кГц) <5 (1 кГц) <5 (1 кГц) КТ208 КТ209 05,2 1°?°1 КБЗ t*a j 3. ЧГ ——J 6*1 Л JJ г К5Э | J[ JU 5 , h< > УУ’гГ 1 Il КТ210 07 0,25 КТ209К9 0,95 i . 1 1 4> 5 3 ^3 о о О O| К Б Ключ 12 Г§ 1 <3 (1 кГц) <3 (1 кГц) <3 (1 кГц) КТ211-1 б К 3 Ji
42 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » р* К, т max» К, и max * мВт ^р» ?21б» С?1э» С» МГц I^KBO max» ^K3R max» If* ’“'КЭО max» В U3BO max» В IK max Ik, и max» мА 9 ИМ ИМ II 11 КТ214А-1 р-п-р 50 >5 80** 30 50 (100*) <1 (30 B) КТ214Б-1 р-п-р 50 >5 80** 7 50 (100*) <1 (30 B) КТ214В-1 р-п-р 50 >5 60** 7 50 (100*) <1 (30 B) КТ214Г-1 р-п-р 50 >5 4Q** 7 50 (100*) <1 (30 B) КТ214Д-1 р-п-р 50 >5 30** 7 50 (100*) SI (30 B) КТ214Е-1 р-п-р 50 >5 20** 20 50 (100*) SI (30 B) КТ215А-1 п-р-п 50 >5 80** 5 50 (100*) Si00* (30 B) КТ215Б-1 п-р-п 50 >5 80** 5 50(100*) S100* (30 B) КТ215В-1 п-р-п 50 >5 60** 5 50 (100*) S100* (30 B) КТ215Г-1 п-р-п 50 >5 40** 5 50 (100*) S100* (30 B) КТ215Д-1 п-р-п 50 >5 30** 5 50 (100*) SI00* (30 B) КТ215Е-1 п-р-п 50 >5 20** 5 50(100*) SI00* (30 B) КТ216А р-п-р 75 >5 60 30 10 <0,05 КТ216Б р-п-р 75 >5 30 15 10 <0,05 КТ216В р-п-р 75 >5 30 10 10 <1 КТ218А-9 р-п-р 200 >5 80 30 50 <1 КТ218Б-9 р-п-р 200 >5 80 7 50 <1 КТ218В-9 р-п-р 200 >5 60 7 50 <1 КТ218Г-9 р-п-р 200 >5 40 7 50 <1 КТ218Д-9 р-п-р 200 >5 30 7 50 <1 КТ218Е-9 р-п-р 200 >5 20 20 50 <1 КТ220А9 п-р-п 200 >250 60 5 100 <0,1 КТ220Б9 п-р-п 200 >250 60 5 100 <0,1 КТ220В9 п-р-п 200 >250 60 5 100 <0,1 КТ220Г9 п-р-п 200 >250 60 5 100 <0,1 КТ301 п-р-п 150 (60’С) >20 20 3 10(20*) slO КТ301А п-р-п 150 (60’С) >20 20 3 10 (20*) S10 КТ301Б п-р-п 150 (60’С) >20 30 3 10(20*) SlO КТ301В п-р-п 150 (60’С) >20 30 3 10 (20*) SlO КТ301Г п-р-п 150 (60’С) >30 30 3 10 SlO (20 B) КТ301Д п-р-п 150 (60’С) >30 30 3 10 SlO (20 B) КТ301Е п-р-п 150 (60’С) >30 30 3 10 SlO (30 B) КТ301Ж п-р-п 150 (60’С) >30 20 3 10 SlO (20 B) КТ302А п-р-п 100 (50’0 — 15 4 10 SI (15 B) КТ302Б п-р-п 100 (50’0 — 15 4 10 SI (15 B) КТ302В п-р-п 100 (50’С) — 15 4 10 SI (15 B) КТ302Г п-р-п 100 (50’С) 15 4 10 SI (15 B) КТ306А п-р-п 150 (90’С) >300 15 4 30 (50*) SO,5 (15 B) КТ306Б п-р-п 150 (90’0 >500 15 4 30 (50*) SO,5 (15 B) КТ306В п-р-п 150 (90’С) >300 15 4 30 (50*) SO,5 (15 B) КТ306Г п-р-п 150 (90’С) >500 15 4 30 (50*) SO,5 (15 B) КТ306Д п-р-п 150 (90’С) >200 15 4 30 (50*) SO,5 (15 B)
Биполярные кремниевые транзисторы 43 ^21э» ^21Э С* ^12э» пФ «•КЭ нас* ОМ ГБЭ„аС* ОМ к" , дБ к., дБ г;. Ом PL* Вт т«,пс С’ ИС С.. НС Корпус >20 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — КТ214-1, КТ215-1 30 ..90 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — 40... 120 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — 40...120 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — ЛллЛ ими >80 (1 В; 40 мкА) <50 (10 В) <60 >1200* — тчНг >40 (1 В; 40 мкА) <50 (10 В) <60 >1200* — хУ и /11 1 /11 1 SQ >20 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — /1 \ d 30...90 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — Б К Э 40...120 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — 40...120 (5 В; 10 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — >80 (1 В; 40 мА) <50 (10 В) <60 >1200* — >40 (1 В; 40 мкА) <50 (10 В) <60 >1200* — >9 (5 В; 1 мА) <10 — — — КТ216, КТ218-9 30... 150 (5 В; 1 мА) <10 — — — 30...200 (5 В; 1 мА) <10 — — — 3 0,95 >20 (5 В; 10 мА) <15 — — — г >30 (5 В; 10 мА) <15 — — — 40...120 (5 В; 10 мА) <15 — — — >40 (5 В; 10 мА) <15 — — — >80 (1 В; 40 мкА) <15 — — — >40 (1 В; 40 мкА) <15 — — — 90... 180 — — — — КТ220-9 135...270 — — — — 3 0,95 200...400 — — — — >1 к- 300...600 2O...6O (10 В; 3 мА) <10 (10 В) <300 — — КТ301 40...120 (10 В; 3 мА) <10 (10 В) <300 — — 10...32 (10 В; 3 мА) <10 (10 в) <300 — — 20...60 (10 В; 3 мА) <10 (10 В) <300 — — 7L 05,6 10...32 (10 В; 3 мА) £10 (10 В) <300 <2000 20...60 (10 В; 3 мА) <10 (10 В) <300 — <2000 40...120 (10 В; 3 мА) <10 (10 В) <300 — <2000 80...300 (10 В; 3 мА) £10 (10 В) <300 — <2000 110...250 (1 В; 0,11 мА) — — <7 (1 кГц) — КТ302 90... 150 (3 В; 2 мА) — — <7 (1 кГц) — 110...250 (1,5 В; 0,5 мА) <7 (1 кГц) 07,4. „ 200...800 (3,5 В; 5 мА) <7 (1 кГц) * черная ч /точка 3 ®Lj|i 20...60* (1 В; ЮмА) <5 (5 В) <30 — <30* КТ306 40...120* (1 В; ЮмА) <5 (5 В) <30 — <30* 20 ..100* (1 В; ЮмА) <5 (5 В) — <30* <500 07,3 40...200* (1 В; ЮмА) <5 (5 В) <30* <500 30... 150* (1 В; ЮмА) <5 (5 В) <30* <300 L a W | о “И* TV4& Я
44 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » р* К, т max » К, и max » мВт ^•р» С216» С1э» Сх» МГц ^КБО max» и* ^КЭИ max» UfOOmax» В ^ЭБО max » В 1К max I* К,и max » мА ^КБО» г дкэн» ^кэо» мкА КТ306АМ п-р-п 150 (90’С) >300 15 4 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ306БМ п-р-п 150 (90'С) >500 15 4 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ306ВМ п-р-п 150 (90’С) >300 15 4 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ306ГМ п-р-п 150 (90’С) >500 15 4 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ306ДМ п-р-п 150 (90’С) >200 15 4 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ307А-1 п-р-п 15 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ307Б-1 п-р-п 15 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) £0,5 (10 В) КТ307В-1 п-р-п 15 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ307Г-1 п-р-п 15 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ3101А-2 п-р-п 100 (45’С) >4000 15 2,5 20 (40*) £0,5 (15 В) КТ3101АМ п-р-п 100 >4000 15 2,5 20 £0,5 (15 В) КТ3102А п-р-п 250 >150 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102Б п-р-п 250 >150 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102В п-р-п 250 >150 50 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102Г п-р-п 250 >300 20 5 100 (200*) £0,015 (20 В) КТ3102Д п-р-п 250 >150 30 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102Е п-р-п 250 >300 20 5 100 (200*) £0,015 (20 В) КТ3102Ж п-р-п 250 >200 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102И п-р-п 250 >200 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102К п-р-п 250 >200 30 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102АМ п-р-п 250 >150 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102БМ п-р-п 250 >150 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102ВМ п-р-п 250 >150 30 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102ГМ п-р-п 250 >300 20 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102ДМ п-р-п 250 >150 50 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102ЕМ п-р-п 250 >300 20 5 100 (200*) . £0,015 (30 В) КТ3102ЖМ п-р-п 250 >200 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102ИМ п-р-п 250 >200 50 5 100 (200*) £0,05 (50 В) КТ3102КМ п-р-п 250 >200 30 5 100 (200*) £0,015 (30 В) КТ3102А2 п-р-п 250 >200 50 5 200 — КТ3102Б2 п-р-п 250 >200 50 5 200 — КТ3102В2 п-р-п 250 >200 30 5 200 — КТ3102Г2 п-р-п 250 >200 20 5 200 — КТ3102Д2 п-р-п 250 >200 30 5 200 — КТ3102Е2 п-р-п 250 >300 20 5 200 — КТ3102Ж2 п-р-п 250 >200 50 5 200 — КТ3102И2 п-р-п 250 >200 50 5 200 — КТ3102К2 п-р-п 250 >200 30 5 200 —
Биполярные кремниевые транзисторы 45 ^21э» 1*213 ск» ^12э» пФ Ом Ом К", ДБ К., ДБ rj, Ом Р " , Вт вых » " ж ТК, ПС Час» НС Чыкл» НС Корпус 20...60* (1 В; Юм А) 40...120* (1 В; ЮмА) 20... 100* (1 В; ЮмА) 40...200* (1 В; ЮмА) 30...150* (1 В; ЮмА) <5 (5 В) <5 (5 В) <5 (5 В) <5 (5 В) <5 (5 В) <30 <30 <30* <30* <30* <30* <30* <500 <500 <300 KT3061 и 5,2 I Mil m f 36X1 k is! >20 (1 В; 10 мА) >40 (1 В; 10 мА) >40 (1 В; 10 мА) >80 (1 В; 10 мА) <6 (1 В) <6 (1 В) <6 (1 В) <6 (1 В) <20 <20 <20 <20 — <30* <30* <30* <30* 0,7 KTS 107-1 4* 1 & 7П ) /im 'КЭ 35...300 (1 В; 5 мА) <1,5 (5 В) <4,5 (2,25 ГГц) <10 КТ31О1 и -2 . 70 _ 6 ' 1 ?E \5 35...300 (1 В; 5 мА) £1,5 (5 В) £8** (1 ГГц) £4,5 (1 ГГц) <10 KT31O1 M t . 13,5 5,2 L_ f КБЭ | JPW k is! 100...200 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 1 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 400... 1000 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 400... 1000 (5 В; 2 мА) 100...250 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) <6 (5 В) £6 (5 В) £6 (5 В) £6 (5 В) £6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <4 (1 кГц) <4 (1 кГц) <100 <100 <100 <100 <100 ; <100 <100 <100 <100 )2 KT 3102 f 1 1 К f 43 T Jul * 100...200 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 400... 1000 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 400... 1000 (5 В; 2 мА) 100...250 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) £6 (5 В) £б (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <4 (1 кГц) <4 (1 кГц) <100 <100 <100 <100 <100 <100 <100 <100 <100 KT31O2 _0$2 _ !M l‘S S4l L_ 1 J f КБЗ 1 f t \ яг I 100...200 200...500 200...500 400...500 200...500 400... 1000 100...250 200...500 200...500 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 KT3102 .042 , 1-2 7J,5 5,2 f n f КБЭ , i ПИШИ I Iflff
46 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р 17К max ’ Р* К, т max » р** К, и max » мВт ^гр» ^216» ^21э» ^тах » МГц U КБОтах» ^КЭИ max » и** '-'кэо тах» В ^ЭБО max » В IK max I* К,и тах» мА ^КБО» ^КЭИ» I** якэо» мкА КТ3104А р-п-р 15 (35’С) >200 30 3,5 10 <1 (30 В) КТ3104Б р-п-р 15 (35’С) >200 30 3,5 10 <1 (30 В) КТ3104В р-п-р 15 (35’0 >200 30 3,5 10 <1 (30 в) КТ3104Г р-п-р 15 (35’0 >200 15 3,5 10 <1 (15 В) КТ3104Д р-п-р 15 (35’0 >200 15 3,5 10 <1 (15 В) КТ3104Е р-п-р 15 (35’0 >200 15 3,5 10 <1 (15 В) КТ3106А-2 п-р-п 30 (50’0 >1000 15* (Юк) 2,5 20 (40*) £0,5 (15 В) КТ3106А-9 п-р-п 100 >1000 15* (Юк) 3 20 (40*) <0,5 (15 В) КТ3107А р-п-р 300 >200 50 5 100 (200*) <0,1 (20 В) КТ3107Б р-п-р 300 >200 50 5 100 (200*) <0,1 (20 В) КТ3107В р-п-р 300 >200 30 5 100 (200*) <0,1 (20 В) КТ3107Г р-п-р 300 >200 30 5 100 (200*) <0,1 (20 В) КТ3107Д р-п-р 300 >200 30 5 100 (200*) <0,1 (20 В) КТ3107Е р-п-р 300 >200 25 5 100 (200*) £0,1 (20 В) КТ3107Ж р-п-р 300 >200 25 5 100 (200*) £0,1 (20 В) КТ3107И р-п-р 300 >200 50 5 100 (200*) £0,1 (20 В) КТ3107К р-п-р 300 >200 30 5 100 (200*) £0,1 (20 В) КТ3107Л р-п-р 300 >200 25 5 100 (200*) £0,1 (20 В) КТ3108А р-п-р 300 (360*) >250 60* (Юк) 5 200 £0,2 (60 В) КТ3108Б р-п-р 300 (360*) >250 45* (Юк) 5 200 £0,2 (45 В) КТ3108В р-п-р 300 (360*) >300 45* (Юк) 5 200 £0,2 (45 В) КТ3109А р-п-р 170 (40’С) >800 30 3 50 £0,1 (20 В) КТ3109Б р-п-р 170 (40’С) >800 25 3 50 £0,1 (20 В) КТ3109В р-п-р 170 (40’0 >800 25 3 50 £0,1 (20 В) КТ3114Б-6 п-р-п 25 (100’0 >4300 5 1 15 £0,5 (5 В) КТ3114В-6 п-р-п 25 (100’0 >4300 5 1 15 £0,5 (5 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 47 ^21э» ^21Э ск, ^12э> пФ ГКЭ нас* ГБЭнас> О’* к;;, дь кш, дБ г;. Ом Р^х* Вт ПС С* НС Со* НС Корпус 15...90 (1 В; 2 мА) 50... 150 (1 В; 2 мА) 70...280 (1 В; 2 мА) 15...90 (1 В; 2 мА) 50...150 (1 В; 2 мА) 70...280 (1 В; 2 мА) <25 (5 В) <25 (5 В) <25 (5 В) <25 (5 В) £25 (5 В) £25 (5 В) <100 <100 <100 <100 <100 <100 £8 (6 МГц) £8 (6 МГц) £8 (6 МГц) £8 (6 МГц) £8 (6 МГц) £8 (6 МГц) <800 <800 <800 <800 <800 <800 1 Б V U К1 3104 1 т 1 £40 (5 В; 5 мА) £2 (5 В) £2 (120 МГц) КТ3106- 7,15 "т Б КЭ 2 0,95 £40 (5 В; 5 мА) £2 (5 В) £2 (120 МГц) <10 ктзк J jrW Б 3 )6-9 ДА 5 Л- 70... 140 (5 В; 2 мА) 120...220 (5 В; 2 мА) 70...140 (5 В; 2 мА) 12O...22O (5 В; 2 мА) 180...460 (5 В; 2 мА) 120...220 (5 В; 2 мА) 180...460 (5 В; 2 мА) 180...460 (5 В; 2 мА) 380...800 (5 В; 2 мА) 380...800 (5 В; 2 мА) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) £7 (10 В) <20 <20 <20 <20 <20 <20 <20 <20 <20 <20 £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £4 (1 кГц) £4 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £4 (1 кГц) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ3107 .1 13,5 5,2 1 Тн КБЭ I 50...150 (1 В; 10 мА) 50...150 (1 В; 10 мА) 100...300 (1 В; 10 мА) £5 (10 В) £5 (10 В) £5 (10 В) <25 <25 <25 £6 (100 МГц) £6 (100 МГц) £6 (100 МГц) <250 <250 <250 ктз 0W 1108 J 0 JK - ‘ Ш1101 ’ £15 (10 В; 10 мА) £15 (10 В; 10 мА) £15 (10 В; 10 мА) £1 (10 В) £1 (10 В) £1 (10 В) £15** (0,8 ГГц) £13** (0,8 ГГц) £13** (0,8 ГГц) £6 (800 МГц) £7 (800 МГц) £8 (800 МГц) <6 <10 <10 ктз з jk $5,2 5 . -ad к . co 1 1 T D 2,7 Эта ™ 5—1 15...80 (3 В; 1 мА) 15...80 (3 В; 1 мА) £0,44 (3 В) £0,44 (3 В) — £2 (400 МГц) £3 (400 МГц) <8 <8 L -1 я Г31 ( 114-1 у? в о
48 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » р* ГК, ттах» Р** К, и max » мВт tp’ ^1216» ^121э» Сах» МГц ^КЕОтах» ^КЭЙ тах» и** ’“’КЭО тах» В ^ЭБО тах» В IK max I* К,и тах» мА ®КБО» ^КЭЙ» ®КЭО» мкА КТ3115А-2 п-р-п 70 (70’С) >5800 10* (1к) 1 8,5 <0,5 (10 В) КТ3115В-2 п-р-п 70 (70’С) >5800 10* (1к) 1 8,5 <0,5 (10 В) КТ3115Г-2 п-р-п 50 (85’С) >5800 7* (1 к) 1 8,5 <0,5 (7 В) КТ3115Д-2 п-р-п 50 (85’С) >5800 7* (1 к) 1 8,5 £0,5 (5 В) КТ3117А п-р-п 300 (800**) >200 60 4 400 (800*) <10 (60 В) КТ3117Б п-р-п 300 >200 75 4 400 (0,8* А) <10 (75 В) КТ3117А-1 п-р-п 500 >200 60 4 400 (0,8* А) £10 (60 В) КТ3117А9 п-р-п 300 (800*) >200 60 4 400 (0,8*А) £10 (60 В) КТ3117Б9 п-р-п 300 >200 75 4 400 (0,8*А) £10 (75 В) КТ312А п-р-п 225 >80 20 4 30 (60*) £10 (20 В) КТ312Б п-р-п 225 >120 35 4 30 (60*) £10 (35 В) КТ312В п-р-п 225 >120 20 4 30 (60*) £10 (25 В) КТ312А1 п-р-п 225 >80 20 4 30 (60*) £10 (20 В) КТ312Б1 п-р-п 225 >120 35 4 30 (60*) £10 (35 В) КТ312В1 п-р-п 225 >120 20 4 30 (60*) £10 (20 В) КТ3120АМ п-р-п 100 >1800 15 3 20 (40*) £0,5 (15 В) КТ3121А-6 п-р-п 25 >100 12 2 10 £1 (10.В)
Биполярные кремниевые транзисторы 49 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас* °М ГБЭиае. О» к;;, ДБ кш, дБ г:, Ом Р** , Вт вых» ж ПС fpac. НС См» НС Корпус £15 (5 В; 5 мА) £15 (5 В; 5 мА) £15 (5 В; 5 мА) 70...150 (5 В; 5 мА) £0,6 (5 В) <0,6 (5 В) <0,6 (5 В) <0,6 (5 В) >5** (5 ГГц) >5** (5 ГГц) >4,4** (5 ГГц) >8** (2,25 ГГц) £4,6 (5 ГГц) <4,4 (5 ГГц) £5,7 (5 ГГц) £2,5 (2,25 ГГц) <3,8 <3,8 KT31U 1,8^ >-2 9,5 <3,8 <3,8 00- Л V L 1И Ом 40...200* (5 В; 0,2 А) 100...300* (5 В; 0,2 А) £10 (10 В) £10 (10 В) <1,2 <1,2 — • <80* <80* 13,7 5,3 г >r*i £ ктзи 1 К 40...200 (5 В; 0,2 А) £10 (10 В) <1,2 <80* 13,5 5,2 !**!**! * КТ311 М2 ML -ИОД 7-1 у КбЗ Ь 40...200* (5 В; 0,2 А) 10...300* (5 В; 0,2 А) <10 (10 В) <10 (10 В) <1,2 <1,2 — <80* <80* КТ311 3 7-9 0,9 ^1 5 Б Э 10... 100* (2 В; 20 мА) 25... 100* (2 В; 20 мА) 50...280* (2 В; 20 мА) £5 (10 В) £5 (10 В) £5 (10 В) <40 <40 <40 — <500; <100* <500; <130* <500; <130* 16 2,7 гл~ КТ31 И | < < л 12 6 \K 10...100 (2 В; 20 мА) 25...100 (2 В; 20 мА) 50...280 (2 В; 20 мА) <5 (10 В) £5 (10 В) £5 (10 В) <40 <40 <40 — <500; <100* <500; <130* <500; <130* 13,7 5,3 list >К>| и? ктзи К >40 (1 В; 5 мА) £2 (5 В) >10** (400 МГц) £2 (400 МГц) <8 б 5,5 КТ31! 3 лга ✓’Т\ < —г—г 1 Ж —1 . 20 :JL >ч ’’I э D 2J >30 (5 В; 2 мА) £1 (5 В) >8** (1 ГГц) £2 (1 ГГц) f КТ312 15 1-6
50 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура I*K max > Р* ГК. т max» Р** К. и max ’ мВт с. МГц ^КБО max» и* КЭЙ max » и** ’“'КЭО max» В ^ЭБО max » В Ik max 1к, и max » мА 1кБО» г жкэй» 1кэо» мкА КТ3122А п-р-п 150 (750**) — 35* (2к) — 100 (1* А) <1 (12 В) КТ3122Б п-р-п 150 (750**) 35* (2к) 100 (1* А) <1 (12 В) КТ3123А-2 р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) <25 (15 В) КТ3123Б-2 р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) <25 (15 В) КТ3123В-2 р-п-р 150 3500 10 3 30 (50*) £25 (10 В) КТ3123АМ р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) <25 (15 В) КТ3123БМ р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) £25 (15 В) КТ3123ВМ р-п-р 150 3500 10 3 30 (50*) <25 (10 В) КТ3126А р-п-р 150 (ЗО’С) >500 20 3 20 <1 (15 В) КТ3126Б р-п-р 150 (ЗО’С) >500 20 3 20 <1 (15 В) КТ3126А-9 р-п-р ПО >450 35 3 30 <1 (15 В) КТ3127А р-п-р 100 (35°С) >600 20 3 25 £1 (15 В) КТ3128А р-п-р 100 (35’С) >800 40 3 20 £1 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 51 ^21э» ^21Э С„, С12э» пФ ГКЭ „ас» Ом ГБЭ»а<. ОМ к;;, дб Кш, ДБ г;, Ом р.:,. вт тк, ПС 5“’нс ^выкл» Корпус — <7 (10 В) <7 (10 В) — — tH<l tH<1.5 KT3 7,2 122 I «о|_ 111 III № БКЭ 0 40 (10 В; 10 мА) 40 (10 В; 10 мА) 40 (10 В; 10 мА) <1 (10 В) <1 (10 В) <1 (10 В) >5** (1 ГГц) >5** (1 ГГц) >5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 3 (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) <10 <10 <10 1 KT3123 [,15 -2 02,15 । J.' к r 3 о 40 (10 В; 10 мА) 40 (10 В; 10 мА) 40 (10 В; 10 мА) <1,2 (10 В) <1,2 (10 В) <;1,2 (ю в) >5** (1 ГГц) >5** (1 ГГц) >5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 3 (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) <10 <10 <10 з KT3123 jl \ Cm — --4 irT Wod 1 Ы 2,7 л — 25...100 (5 В; 3 мА) 60... 180 (5 В; 3 мА) <2,5 (10 В) <2,5 (10 В) <120 <120 — <15 <15 KT312I в . _4—1 CM i ЧГ’ F *£ и to ( КБЭ | -Й 1 25...100 (5 В; 3 мА) <2,5 (10 В) <120 <10 KT31 5 126 -9 15 I : г _$H 6 3 ? J 25... 150 (5 В; 3 мА) 51 (10 В) <5 (1 ГГц) <10 кт: И27 1 Э ЦИШ AW-i / ^41 1 jpijO к 15...15O (5 В; 3 мА) <1 (10 В) >14** (0,2 ГГц) <34* <5 KT2 05fi 1128 *4 1 ЧГ, 1 Э «к •3* ||ШШ Kopn. 1 1 iio к
52 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк грах » р* К. т max » Р** К, и max » мВт ^р» ?21б» ^Й1э» С» МГц 1^КБО max» I^K3R max » max » В 1^ЭБО max » В IK max I* К, и max» mA Irbo» Iksr» Гюо» мкА КТ3128А-1 р-п-р 300 >800 40 4 30 (0,8* A) <0,1 (20 B) КТ3128Б-1 р-п-р 300 >800 40 4 30 (0,8* A) <0,1 (20 B) 1кТ3128А-9 р-п-р 100 >650 35 3 20 <1 (15 B) КТ3129А-9 р-п-р 75 (100**) >200 50 5 100 (200*) <1 (50 B) КТ3129Б-9 р-п-р 75 (100**) >200 50 5 100 (200*) <1 (50 B) КТ3129В-9 р-п-р 75 (100**) >200 30 5 100 (200*) <1 (30 B) КТ3129Г-9 р-п-р 75 (100**) >200 30 5 100 (200*) <1 (30 B) КТ3129Д-9 р-п-р 75 (100**) >200 20 5 100 (200*) <1 (20 B) КТ313А р-п-р 300 (1000*) >200 60 5 350 (700*) <0,5 (50 B) КТ313Б р-п-р 300 (1000*) >200 60 5 350 (700*) <0,5 (50 B) КТ313А-1 р-п-р 300 (1000*) >200 60 5 350 <0,5 (50 B) КТ313Б-1 р-п-р 300 (1000*) >200 60 5 350 <0,5 (50 B) КТ313В-1 р-п-р 300 (1000*) >200 50 5 350 <0,5 (50 B) КТ313Г-1 р-п-р 300 (1000*) >200 30 5 700* <0,5 (50 B) КТ3130А-9 п-р-п 100 >150 50 5 100 <0,1 (50 B) КТ3130Б-9 п-р-п 100 >150 50 5 100 <0,1 (50 B) КТ3130В-9 п-р-п 100 >150 30 5 100 <0,1 (30 B) КТ3130Г-9 п-р-п 100 >300 20 5 100 <0,1 (20 B) КТ3130Д-9 п-р-п 100 >150 30 5 100 <0,1 (30 B) КТ3130Е-9 п-р-п 100 >300 20 5 100 <0,1 (20 B) КТ3130Ж-9 п-р-п 100 >150 30 5 100 <0,1 (30 B) КТ3132А-2 п-р-п 70 >5,5 ГГц 10* (1к) 1 8,5 <0,5 (10 B) КТ3132Б-2 п-р-п 70 >5,5 ГГц 10* (1к) 1 8,5 <0,5 (10 B) КТ3132В-2 п-р-п 70 >5,5 ГГц 10* (1к) 1 8,5 <0,5 (10 B) КТ3132Г-2 п-р-п 70 >5,5 ГГц 10* (Ik) 1 8,5 <0,5 (10 B) КТ3132Д-2 п-р-п 70 (85°С) >5,5 ГГц 10* (Ik) 1 8,5 <0,5 (10 B) КТ3132Е-2 п-р-п 70 (85°С) >5,5 ГГц 10* (Ik) 1 8,5 <0,5 (10 B) КТ3139А п-р-п 200 >150 20 5 200 <0,02 (20 B) КТ3139Б п-р-п 200 >150 32 5 200 <0,001 (32 B) КТ3139В п-р-п 200 >150 32 5 200 <0,001 (32 B) КТ3139Г п-р-п 200 >150 32 5 200 <0,05 (32 B)
Биполярные кремниевые транзисторы 53 ^21э» ^21Э ск. ^12э» пФ ГКЭнас* ГБЭ нас» к;;» дб кш, дБ ij. Ом Вт ПС С> НС Си,. НС Корпус 35...150 (10 В; 3 мА) 25...200 (10 В; 3 мА) £1 (10 В) <11 (10 В) £15** (0,2 ГГц)' >15** (0,2 ГГц) £5 (0,2 ГГц) £5 (0,2 ГГц) <5 <5 КТ3128-1 052 ч КЭ 6\ Ы: 15—150 (10 В; 3 мА) <1 (10 В) — £5 (200 МГц) — KT312 >8-9 0,4 5 ГЛ 1,2 ,-JP 1 Ф 5 3 30... 120 (5 В; 2 мА) 80...250 (5 В; 3 мА) 80...250 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) 200...500 (5 В; 2 мА) £10 (10 В) £10 (10 В) £10(10 В) £10 (10 В) £10 (10 В) <20 <20 <20 <20 <20 — — KT3129-9 J 03 < X 1,2 I n—m । ф 5 3 30...120 (10 В; 1 мА) 80...300 (10 В; 1 мА) £12 (10 В) £12 (10 В) <3,3 <3,3 — <120* <120* 0 KT3 <5,M 13 ЧТ" 30...120 (10 В; 1 мА) 80 .300 (10 В; 1 мА) 200...520 (10 В; 1 мА) 400...800 (10 В; 1 мА) £12 (10 В) £12 (10 В) £12 (10 В) £12 (10 В) <3,3 <3,3 <3,3 <3,3 — <120* <120* <120* <120* KT313-1 Я? 5,2 W: nw V ХВЭ | у \Ll/ f 100—250 (5 В; 2 мА) 200—500 (5 В; 2 мА) 200—500 (5 В; 2 мА) 400 .1000 (5 В; 2 мА) 200-500 (5 В; 2 мА) 400-1000 (5 В; 2 мА) 100-500 (5 В; 2 мА) £12 (5 В) £12 (5 В) £12 (5 В) £12 (5 В) £12 (5 В) £12 (5 В) £12 (5 В) — £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £10 (1 кГц) £4 (1 кГц) £4 (1 кГц) — KT3130-9 3 o,i 15 — t I 5 3 T 15...150 (7 В; 3 мА) 15...15O (7 В; 3 мА) 15...150 (7 В; 3 мА) 15...15O (7 В; 3 мА) 20...150 (7 В; 3 мА) 70... 150 (7 В; 3 мА) £5,5 (7 В) £5,5 (7 В) £5,5 (7 В) £5,5 (7 В) £5,5 (7 В) £5,5 (7 В) >6** (3,6 ГГц) £4** (3,6 ГГц) >5** (5 ГГц) £7** (4 ГГц) £8,1** (2,25 ГГц) £8,1** (2,25 ГГц) £2,5 (3,6 ГГц) £4,8 (3,6 ГГц) £4,8 (3,5 ГГц) £3,6 (3,4 ГГц) £2 (2,25 ГГц) £2,5 (2,25 ГГц) 1 1 1 1 1 1 J, KT3i: 15 $2-2 к CM- ' 1 ‘ 1 U’ г ^1 о >200 (5 В; 0,2 мА) >60 (5 В; 2 мА) >120 (5 В; 2 мА) 100—310 (5 В; 2 мА) £4,5 (10 В) £4,5 (10 В) £4,5 (10 В) £4,5 (10 В) <50 <50 <50 <50 <85** <85** <85** <85** <270*; <130*** <270* <270* <270* KT3l 3 139 03 •^1 V —-tJF 2.2 I n—Ф l Ф 5 3
54 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р "К max ♦ Р* К, т max ’ р~ К, и max ’ мВт ^гр» ^216» ^121э» с. МГц ^КЕОтах» UK3R max» и” КЭО max » В ^ЭБО max » В Ik max 1к. и max » мА 1кБО» 1кэи» I** Акэо» мкА КТ314А-2 п-р-п 500 >300 55 4 60 (70*) <0,075 (55 В) КТ3140А р-п-р 200 >150 20 5 200 <0,02 (20 В) КТ3140Б р-п-р 200 >150 32 5 200 <0,001 (32 В) КТ3140В р-п-р 200 >150 32 5 200 <0,001 (32 В) КТ3140Г р-п-р 200 >150 32 5 200 <0,05 (32 В) КТ3140Д р-п-р 200 >150 20 5 200 <0,02 (20 В) КТ3142А п-р-п 360 >500 40 4,5 200; 500* <0,4 (20 В) КТ3143А п-р-п 50 >600 10 4 10 <0,5 (10 В) КТ3144А п-р-п 50 >1800 15 3 10 <0,5 (15 В) КТ3145А-9 п-р-п 200 >125 32* (0,1 к) 5 200 <0,02 (32 В) КТ3145Б-9 п-р-п 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <1 (45 В) КТ3145В-9 п-р-п 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <1 (45 В) КТ3145Г-9 п-р-п 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <0,05 (45 В) КТ3145Д-9 п-р-п 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <0,05 (45 В) КТ3146А-9 р-п-р 200 >125 32* (0,1 к) 5 200 <0,02 (32 В) КТ3146Б-9 р-п-р 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <1 (45 В) КТ3146В-9 р-п-р 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <1 (45 В) КТ3146Г-9 р-п-р 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <0,05 (45 В) КТ3146Д-9 р-п-р 200 >125 45* (0,1 к) 5 200 <0,05 (45 В) КТ315А п-р-п 150 (250*) >250 25 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Б п-р-п 150 (250*) >250 20 6 100 <0,5 (10 В) КТ315В п-р-п 150 (250*) >250 40 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Г п-р-п 150 (250*) >250 35 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Д п-р-п 150 (250*) >250 40* (Юк) 6 100 <0,6 (10 В) КТ315Е п-р-п 150 (250*) >250 35* (Юк) 6 100 <0,6 (10 В) КТ315Ж п-р-п 100 >250 20* (Юк) 6 50 <0,6 (10 В) КТ315И п-р-п 100 >250 60* (Юк) 6 50 <0,6 (10 В) КТ315Н п-р-п 150 >250 35* (Юк) 6 100 <0,6 (10 В) КТ315Р п-р-п 150 >250 35* (Юк) 6 100 <0,5 (10 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 55 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» Ом Ом к;;, дб Кш» ДБ Г*, Ом Р** , Вт вых ’ и и и й Я л 1. i Корпус 30...120 (5 В; 0,25 мА) <10 (5 В) <10 <80; <300* КТ314-2 22 СчА I /г б к ; 3 -A —1 1 1 £200 (5 В; 2 мА) £60 (5 В; 2 мА) 120...460 (5 В; 2 мА) 100...310 (5 В; 2 мА) £200 (5 В; 2 мА) <6,5 (10 В) <6,5 (10 В) <6,5 (10 В) <6,5 (10 В) <6,5 (10 В) <50 <50 <50 <50 <50 <85** <85** <85** <85** <85** <270*; <400** <270* <270* <270* <270* ктз 3 14( ) °г95. 1 ; г ' I, Ш I ч Б 3 ' I 40...120 (1 В; 10 мА) <4 (10 В) <25 <13*; <18** КТ31 '5,04 142A S5 1 _Ы 40...300 (5 В; ЮмА) <3 (5 В) <0,4 — <15* КТ3143, КЗ Г3144 13,5 5,2 tc —Нт £40 (1 В; 5 мА) <1,9 (5 В) — <5 (400 МГц) — f .1.1 /—I—r— яг £200 (5 В; 2 мА) £60 (5 В; 2 мА) 120...460 (5 В; 2 мА) 100...310 (5 В; 2 мА) 120...460 (5 В; 2 мА) <11 <11 <11 <11 <11 <50 <50 <50 <50 <50 — <1100* <1100* <1100* <1100* <1100* КТ 3145-9 И I 1лХ 3J Tz Э in V si га» 1 Л к I £200 (5 В; 2 мА) £60 (5 В; 2 мА) 120...460 (5 В; 2 мА) 100...310 (5 В; 2 мА) 120...460 (5 В; 2 мА) <12 <12 <12 <12 <12 <50 <0 <50 <50 <50 — <1100* <1100* <1100* <1100* <1100* КТ31 46-9 95 ; I j. ч> 1 1 Б 3 30...120* (10 В; 1 мА) 50...350* (10 В; 1 мА) 30...120* (10 В; 1 мА) 50...350* (10 В; 1 мА) 20...90* (10 В; 1 мА) 50...350* (10 В; 1 мА) 30...250* (10 В; 1 мА) £30* (10 В; 1 мА) 50...350* (10 В; 1 мА) 150...350* (10 В; 1 мА) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <;10 (10 В) <10 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <20 <20 <20 <20 <30 <30 <25 <45 <5,5 <20 <40* <40* <40* <40* <40* <40* <300 <500 <500 <500 <1000 <1000 <800 <950 <1000 <500 кт 7,2 315 J 7,3 5 1 in it 5 nj h (3 1 и 0
56 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max * р* 17К, т max » р** К, и max » мВт ^гр» ^216» ^21э» Сх» МГц ^КБО max» Uk3R max » UK3O max» В ^ЭБО max » В 1К max Г К,и max» мА ^КБО» ^K3R» I** дкэо» мкА КТ315А-1 п-р-п 150 >250 25 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Б-1 п-р-п 150 >250 20 6 100 <0,5 (10 В) КТ315В-1 п-р-п 150 >250 40 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Г-1 п-р-п 150 >250 35 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Д-1 п-р-п 150 >250 40 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Е-1 п-р-п 150 >250 35 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Ж-1 п-р-п 100 >250 15 6 100 <0,5 (10 В) КТ315И-1 п-р-п 100 >250 60 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Н-1 п-р-п 150 >250 20 6 100 <0,5 (10 В) КТ315Р-1 п-р-п 150 >250 35 6 100 <0,5 (10 В) КТ3150Б-2 р-п-р 120 (65°С) >1200 35* (Юк) 4 30 (50*) <0,5 (40 В) КТ3151А-9 п-р-п 200 >100 80* 5 100 <1 (100 В) КТ3151Б-9 п-р-п 200 >100 80* 5 100 <1 (90 В) КТ3151В-9 п-р-п 200 >100 60* 5 100 <1 (80 В) КТ3151Г-9 п-р-п 200 >100 40* 5 100 <1 (60 В) КТ3151Д-9 п-р-п 200 >100 30* 5 100 <1 (30 В) КТ3151Е-9 п-р-п 200 >100 20* 5 100 <1 (30 В) КТ3153А-9 п-р-п 300 >250 60 5 400 (0,6* А) <0,05 (45 В) КТ3153А-5 п-р-п 300 >250 60 5 0,4 А (0,6* А) <0,05 (45 В) КТ3157А р-п-р 200 >60 250* (Юк) 5 30 (100*) <0,1 (200 В) КТ316А п-р-п 150 (90’С) >600 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316Б п-р-п 150 (90’С) >800 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316В п-р-п 150 (90’С) >800 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316Г п-р-п 150 (90’0 >600 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316Д п-р-п 150 (90’0 >800 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316АМ п-р-п 150 (85’0 >600 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316БМ п-р-п 150 (85’С) >800 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316ВМ п-р-п 150 (85’0 >800 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316ГМ п-р-п 150 (85’0 >600 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В) КТ316ДМ п-р-п 150 (85’0 >800 10* (Зк) 4 50 <0,5 (10 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 57 ^21э» 1*213 ск. ^12э» пФ Ом С нас. ОМ дб Кш, дБ г;. Ом pL. Вт Т„ ПС С’ ИС Сл. НС Корпус 20...90 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <20 <20 <20 <20 <40* <40* <40* <40* <300 <300 <300 <300 КТ315-1 1 20...90 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 30. .250 (10 В; I мА) 30 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 150...350 (10 В; 1 мА) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <20 <20 <20 <20 <40* <40* <40* <40* <300 <300 <300 <300 1— zs s'tn •— и г J г эк ’Б -М 60 „180* (5 В; 2,5 мА) <2 (10 В) <25 <30; <30* КТ31 2,2 СмА Игт1 счГу ||Дд| 50-2 II \ б К 3 Т ” £л >20 (5 В; 10 мА) ЗО.*9О (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) >80 (5 В; 10 мА) >40 (5 В; 10 мА) £15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <60 <60 <60 <60 <60 <60 — — КТ31 5 151-9 0,9. и -*1 5 —rf/ 1 V ф 1 1 Б , 2 100...300 (5 В; 2 мА) £4,5 (10 В) <2,6 <400* КТ31 5 153-9 ^1 - 5 1 100...300 (5 В; 2 мА) £4,5 (10 В) <2,3 <400* 1 СТ3153А- J),8 >5 0,3 со о" .. >50* (20 В; 25 мА) <3 (30 В) <60 КТ3157 _Я^.- 13,5 5,2 'U КБЗ , Z--Ь—V ! 20...60* (1 В; 10 мА) 40...120* (1 В; 10 мА) 40. .120* (1 В; 10 мА) 20...100* (1 В; 10 мА) 60...300* (1 В; 10 мА) <3 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <40 <40 <40 <40 <40 — <10* <10* <15* <150 <150 /2 кт 15J4 316 * 6 ффф 20...60* (1 В; 10 мА) 40...120* (1 В; 10 мА) 40...120* (1 В; 10 мА) 20...100* (1 В; 10 мА) 60...300* (1 В; 10 мА) <3 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <3 (5 В) <40 <40 <40 <40 <40 — <10* <10* <15* <150 <150 КТ316М .0^., /J,5 5,2 1 J КБЭ , Г-1—\ Lji
58 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max * Рк, т max * Р“ К, и max * мВт С» ^1216» С>1э» Сах» МГц ^КБО max» ^K3R max » Uk30 max» В ^ЭБОтах» В 1К max I* К, и max » мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА КТ3165А р-п-р 160 (55’С) >750 40 3 30 <0,1 (20 В) КТ3165А-9 р-п-р 100 1060 40 5 30 0,5 USBnp КТ3166А п-р-п 15 >400 15* (1к) >546,6 мВ 1 — КТ3166Б п-р-п 15 >400 15* (1к) >545,1 мВ 1 — КТ3166В п-р-п 15 >400 15* (1к) >543,6 мВ 1 — КТ3166Г п-р-п 15 >400 15* (Ik) >540,6 мВ 1 КТ3168А-9 п-р-п 180 (55’С) >3000 15* (10k) 2,5 28 (56*) 50,5 (15 В) КТ3169А-9 р-п-р 200 >750 40 3 30 50,1 (20 В) КТ3169А91 р-п-р 200 >750 40 3 30 (0,6* А) 50,1 (20 В) КТ317А-1 п-р-п 15 >100 5 3,5 15 (45*) 51 (5 В) КТ317Б-1 п-р-п 15 >100 5 3,5 15 (45*) 51 (5 В) КТ317В-1 п-р-п 15 >100 5 3,5 15 (45*) 51 (5 В) КТ3170А-9 п-р-п 250 >300 40 4 30 0,1 (20 В) КТ3171А-9 р-п-р 200 >150 15 4 530 50,1 (12 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 59 ^21э» ^21Э ск. С*12э» пФ ? *1 1 » а © о w Ж з Кш, дБ г;, Ом p;ix. Вт тк, ПС Час» НС ^выкл» Корпус >25* (10 В; 3 мА) <0,65 (10 В) <8 (1 ГГц) <3 к 71 f i кт: L 5165 t } 1 “I 0 2t7 5£ 1 >25 (10 В; 3 мА) 7 <3 к Т3161 J >А-9 0,95 1./ t я. ф 1 ф б 3 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) — — — — КТ31 05,2 66 < SJ М л*!/ Mil КБЭ , 1гэ Л V? V 60...180 (5 В; 5 мА) <1,5 (5 В) >7** (1 ГГц) <3 (1 ГГц) <10 К :тз161 3 ЗА-9 0,9 5 •г ) W Г 1,2 ,_зр 1 ф Б 3 J >25 (1 В; 3 мА) <0,6 (10 В) >13** (0,8 ГГц) <6 (800 МГц) 1 КТ316 3 9-9 0,9 5 its iL ф 1 ф Б 3 >25 (10 В; 3 мА) <0,6 (10 В) >13** (800 МГц) <6 (800 МГц) В 1Т3169-91 3 JP'. 5 t л. I ф1 ф 3 Б 25...75 (1 В; 1 мА) 35...120 (1 В; 1 мА) 80...250 (1 В; 1 мА) <11 (1 В) <11 (1 В) <11 (1 В) <30 <30 <30 — <130* <130* <130* КТ317-1 К® # J /1 \ ч б к э >100 (10 В; 7 мА) <2 (10 В) — — — ктз И7 9-9, KT317L 3 V9 5 _хЛ L Л- >50* (2 В; 100 мА) <15 (15 В) <1,5 — <20 и- 1 1—Ф 1 Ф б 3
60 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » ₽К. т max » р** К, и max ’ мВт ^р» ^1216» ^213» Сх> МГц ^КБО max » и* КЭИгпах’ и** '“'кЭОтах» В ^ЭБО max > В Ik max I* К, и max ’ мА ^КБО» ^КЭИ’ I” дкэо» мкА КТ3172А-9 п-р-п 200 >500 20* 4,5 200* <0,4 (20 В) КТ3173А-9 р-п-р 200 >200 30 5 530 <0,1 (20 В) КТ3176А-9 п-р-п 200 >150 35 5 500 <0,1 (35 В) КТ3179А-9 п-р-п 200 >150 150 5 55 <1 (100 В) КТ318А-1 п-р-п 15 >430 10 3,5 20 (45*) <0,5 (10 В) КТ318Б-1 п-р-п 15 >430 10 3,5 20 (45*) S0,5 (10 В) КТ318В-1 п-р-п 15 >430 10 3,5 20 (45*) <0,5 (10 В) КТ318Г-1 п-р-п 15 >350 10 3,5 20 (45*) <0,5 (10 В) КТ318Д-1 п-р-п 15 >350 10 3,5 20 (45*) <0,5 (10 В) КТ318Е-1 п-р-п 15 >350 10 3,5 20 (45*) <0,5 (10 В) КТ3180А-9 р-п-р 200 >150 150 5 50 S1 (150 В) КТ3184А9 п-р-п 1200 >200 80; 65* 6 500 <10 (60 В) КТ3184Б9 п-р-п 1200 >200 80; 65* 6 500 <10 (60 В) КТ3186А-9 п-р-п 300 >6 ГГц 20 2,5 50 <0,1 (10 В) КТ3186Б-9 п-р-п 90 >3,2 ГГц 20 2,5 50 <0,1 (10 В) КТ3186В-9 п-р-п 250 >4 ГГц 20 2,5 50 <0,1 (10 В) КТ3187А-9 п-р-п 200 >4,4 ГГц 20 2 25 <0,1 (10 В) КТ3187А91 п-р-п 200 >4600 20; 12* 2 20 — КТ3187Б91 п-р-п 90 >3200 18; 12* 2 10 — КТ3187В91 п-р-п 200 >3000 20 2 25 —
Биполярные кремниевые транзисторы 61 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ГБЭнас» °М к;;, дб кш, дБ г!, ОМ Р" , Вт * вых» ** ж Тк, ПС С.нс Со. НС Корпус >40 (1 В; 10 мА) <3 (10 В) <i — <45 КТ 317 2-9, I 3 СГ317, 09. $-9 У К 50 .500 (5 В; 30 мА) S1O (10 В) <1,5 — <20** 1—ф 1 ф Б 3 2 £60 (10 В; 150 мА) <15 (10 В) <1,2 — — кт; 317 6-9, ] 3 4Т317! 0,9 9-9 5 г (L. 1,2 £65* (5 В; 10 мА) <3 <33 — — —Ф ' • Б 3 I 30...90 (1 В; 10 мА) 50...150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) 30...90 (1 В; 10 мА) 50...150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) <3,5 (5 В) <3,5 (5 В) <3,5 (5 В) <4,5 (5 В) <4,5 (5 В) <4,5 (5 В) <27 <27 <27 <27 <27 <27 — <15* <15* <15* <10* <10* <10* КТ318-1 1 VSA?' К / I ' -1_ Б К 3 1 £90* (5 В; 10 мА) <33 ] ECT3I8 3 10-9 15 '.я. ф 1 ф Б 3 2 20...80 (5 В; 0,2 А) 50... 180 (5 В; 0,2 А) S15 (10 В) ^15 (10 В) <4; 7,5* <4; 7,5* <6 (100 МГц) <6 (100 МГц) <400 <400 1 КТЗ 4 I1J 6 14-9 Н 1 0,4^ 15 £60 (5 В; 15 мА) £40 (3 В; 2 мА) £35 (5 В; 10 мА) <0,9 (8 В) <0,9 (8 В) <0,9 (8 В) >8** (2 ГГц) >6** (2 ГГц) >6** (2 ГГц) S3,5 (2 ГГц) <3 (2 ГГц) <4 (2 ГГц) — £ с V с 1 рч Л- КТ3186- J 9 8 I f 3 3 „Г-Ш К ’ 5 £40 (10 В; 14 мА) <0,9 (10 В) >12** (0,8 ГГц) <2 (0,8 ГГц) — КТЗ 181 Г-9 (8 3 1Т3187 Г-91) 5 (Ъх 1,2 £40 (10 В; 14 мА) £40 (3 В; 2 мА) £40 (5 В; 5 мА) — >12** (0,8 ГГц) £12** (0,8 ГГц) £12** (0,8 ГГц) <2 (0,8 ГГц) <2 (0,8 ГГц) <2,5 (0,8 ГГц) — I ф 1 ф г 3 В (Б) (3)
62 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р rK max ’ Р* К, т max1 Р** К. и max1 мВт Д>21б» С. МГц ^КБО max» и* ’“'КЭЙ max» и** ’JK30 max» В 1^ЭБО max » В IK max IK, и max » мА Irbo» Irsr» 1кэо» мкА КТ3189А-9 п-р-п 225 300 50 6 100 — КТ3189Б-9 п-р-п 225 300 50 6 100 — КТ3189В-9 п-р-п 225 300 50 6 100 КТ319А-1 п-р-п 15 >100 5 3,5 15 <1 КТ319Б-1 п-р-п 15 >100 5 3,5 15 <1 КТ319В-1 п-р-п 15 >100 5 3,5 15 <1 КТ3191А-9 р-п-р 200 >4500 15** 2 25 <0,1 (20 В) КТ3191А91 р-п-р 200 >4500 15** 2 25 <0,1 (20 В) КТ3192А-9 р-п-р 200 800 40 3 30 0,1 КТ3193А р-п-р 200 >50 50* (Юк) 20 150; 300* <50 (50 В) КТ3193Б р-п-р 200 >50 40* (Юк) 20 150; 300* <50 (40 В) КТ3193В р-п-р 200 >50 30* (Юк) 20 150; 300* <50 (30 В) КТ3193Г р-п-р 200 >50 50* (Юк) 5 150; 300* <50 (50 В) КТ3193Д р-п-р 200 >50 40* (Юк) 5 150; 300* <50 (40 В) КТ3193Е р-п-р 200 >50 30* (Юк) 5 150; 300* <50 (30 В) КТ3196А-9 р-п-р 225 250 40 5 200 10 КТ3197А-9 п-р-п 225 200 60 6 200 10 КТ3198А п-р-п 280 4600 15* 2,5 25 — КТ3198Б п-р-п 280 4600 15* 2,5 25 — КТ3198В п-р-п 300 4000 15* 2,5 50 — КТ3198Г п-р-п 300 4000 15* 2,2 35 — КТ3198Д п-р-п 280 3000 20 2,5 30 — КТ3198Е п-р-п 300 6000 20 3 100 КТ3198Ж п-р-п 300 6500 20 2,5 50 — КТ3198А9 п-р-п 280 >4200 20 2,5 30 — КТ3198Б9 п-р-п 280 >4200 20 2,5 30 — КТ3198В9 п-р-п 300 >4000 20 2,5 50 — КТ3198Г9 п-р-п 300 >4000 15 2 35 — КТ3198Д9 п-р-п 280 >3000 20 2,5 30 — КТ3198Е9 п-р-п 300 >6000 20 3 100 — КТ3198Ж9 п-р-п 200 >6500 20 2,5 50 —
Биполярные кремниевые транзисторы 63 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ^КЭ нас* ОМ ГБЭ нас* О»» к;;, дб кш, дБ г;. Ом р,::,, вт Тк, ПС t’pac* НС Со,* НС Корпус ПО...220 200...450 420...800 — 6 6 6 10 10 10 — ] КТ3189-9 J 0,9, —Ъг t 1 41 1 Ф 3 6 J 15...55 (1 В; 1 мА) 45...90 (1 В; 1 мА) 80...200 (1 В; 1 мА) <11 (1 В) <11 (1 В) <11 (1 В) <30 <30 <30 — <130* <130* <130* KI z,r> 31 9-1 0,9 74 7,7 К ЖХ /1\ 1 \ 1 6 э к 1 >20 (10 В; 14 мА) <0,9 (10 В) >16** (0,5 ГГц) <2,4 (0,5 ГГц) КТ3191-9 3 0,9 5 ; t H- 1 п—41 । 4 3 ь >20 (10 В; 14 мА) <0,9 (10 В) >16** (0,5 ГГц) <2,4 (0,5 ГГц) — ктз 19] L-91 ( 3 KT319! г-9) 4 Jf 1 20 — — 6 — Ф 1 Ф Г 5 3 J (5) (5) 80...400 (5 В; 30 мА) 80 .400 (5 В; 30 мА) 80...400 (5 В; 30 мА) 100 ..400 (5 В; 30 мА) 100...400 (5 В; 30 мА) 100...400 (5 В; 30 мА) <35 (20 В) <35 (20 В) <35 (20 В) <60 (20 В) <60 (20 В) <60 (20 В) <1 <1 <1 <1 <1 <1 — <400* <400* <400* <400* <400* <400* ктз 05,84 193 13,7 5,3 == 5 j 100. .300 2 100...300 1,5 40 40 25 40 >20 (1 В; 2 мА) >50 (10 В; 20 мА) >60 (8 В; 15 мА) >16** (0,5 ГГц) >12** (0,5 ГГц) 14** >11** (0,8 ГГц) >10** (0,8 ГГц) £12** (0,8 ГГц) >13** (0,8 ГГц) <2,4 (0,5 ГГц) 2 1,9 1,6 <4 (0,8 ГГц) <2 (0,8 ГГц) <1,8 (0,8 ГГц) КТ3198 >40 (10 В; 14 мА) >40 (10 В; 14 мА) >25 (5 В; 30 мА) >40 (5 В, 30 мА) >20 (1 В; 2 мА) >50 (10 В; 20 мА) >50 (5 В; 15 мА) >13** (0,5 ГГц) >11** >13** >11** >10** >12** >16** (0,8 ГГц) (0,5 ГГц) (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) <2,4 (0,5 ГГц) <2 (0,8 ГГц) <2,3 (0,5 ГГц) <2 (0,8 ГГц) <4 (0,8 ГГц) <2 (0,8 ГГц) <1,8 (0,8 ГГц) КТ3198-9
64 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р 17К max ’ Р* ^К, т max » р** К. и max1 мВт ^гр* ^1216’ с... С’х. МГц ^КБО max» Uk3R max » ^КЭО max» В ^ЭБО max » В Ik max I* К,и max » мА ^КБО» ^КЭК» ГКЭО» мкА КТ3198А92 п-р-п 300 >4500 20 2,5 30 — КТ3198Г92 п-р-п 300 >5000 15 2 35 КТ3199А9 п-р-п 300 >6000 20 2,5 50 КТ3199А91 п-р-п 300 >6000 20 2,5 50 КТ3199А92 п-р-п 300 >5500 15 2 50 КТ3201А9 п-р-п 300 >100 450 6 400 — КТ3201Б9 п-р-п 300 >100 400 6 400 — КТ3201В9 п-р-п 300 >100 300 6 400 — КТ3201Г9 п-р-п 300 >100 250 6 400 КТ321А р-п-р 210 (20** Вт) >60 60 4 200 (2* А) <0,1 (60 В) КТ321Б р-п-р 210 (20** Вт) >60 60 4 200 (2* А) <0,1 (60 В) КТ321В р-п-р 210 (20** Вт) >60 60 4 200 (2* А) <0,1 (60 В) КТ321Г р-п-р 210 (20** Вт) >60 45 4 200 (2* А) <0,1 (45 В) КТ321Д р-п-р 210 (20** Вт) >60 45 4 200 (2* А) <0,1 (45 В) КТ321Е р-п-р 210 (20** Вт) >60 45 4 200 (2* А) :S0,l (45 В) КТ324А-1 п-р-п 15 >800 10 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ324Б-1 п-р-п 15 >800 10 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ324В-1 п-р-п 15 >800 10 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ324Г-1 п-р-п 15 >600 10 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ324Д-1 п-р-п 15 >600 10 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ324Е-1 п-р-п 15 >600 10 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ325А п-р-п 225 (85°С) >800 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ325Б п-р-п 225 (85°С) >800 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ325В п-р-п 225 (85’С) >1000 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 65 ^21Э с„, ^12э» пФ ГКЭ»ае. °М ГБЭ„„< О»» к" , дБ кш, дБ г:, Ом Р** , Вт вых’ Т„, ПС fp». нс Скл- НС Корпус >35 (5 В; 10 мА) >40 (10 В; 14 мА) — >11** (0,8 ГГц) £12** (0,8 ГГц) £2 (0,8 ГГц) £3,4 (0,8 ГГц) — КТ3198-92, КТ3199-9 ♦ ♦ I 1 Ф э э 1—71 1 п- 4 £60 (5 В; 15 мА) — >15** (0,8 ГГц) £1,8 (0,8 ГГц) — I -L-I | U 11 К б >60 (5 В; 15 мА) £15** (0,8 ГГц) £1,8 (0,8 ГГц) кт; 3199-91 J _ г. §1 гт| rjl 3 5 L П 1 п ’ 1Г"Н Ла. csT 1 II л к 1 3 >80 (8 В; 15 мА) £12** (0,8 ГГц) £2 (0,8 ГГц) э кт; 4--Ч 2 № вв 1 /»</» 1 С 1 92 LJ "1 0 L ь .! J 5 ф ы цгс б И— >30 (10 В; 50 мА) >30 (10 В; 50 мА) >30 (10 В; 50 мА) >30 (10 В; 50 мА) <4,5 (20 В) <4,5 (20 В) <4,5 (20 В) <4,5 (20 В) <10; 1,5* <10; 1,5* <10; 1,5* <10; 1,5* — — К1 3201-9 г 4 95 ' V 1 ш 6 20...60* (3 В; 0,5 А) 40...120* (3 В; 0,5 А) 80...200* (3 В; 0,5 А) 20...60* (3 В; 0,5 А) 40... 120* (3 В; 0,5 А) 80...200* (3 В; 0,5 А) <80 (10 В) <80 (10 В) <80 (10 В) £80 (10 В) <80 (10 В) <80 (10 В) <3,6 <3,6 <3,6 <3,6 <3,6 <3,6 — <1000* <1000* <1000* <1000* <1000* <1000* 1 СГ321 . г— л Sv f Ш111 -ОЙ 20...60 (1 В; 10 мА) 40...120 (1 В; 10 мА) 80...250 (1 В; 10 мА) 40...120 (1 В; 10 мА) 20...80 (1 В; 10 мА) 60...250 (1 В; 10 мА) <2,5 (5 В) <2,5 (5 В) £2,5 (5 В) £2,5 (5 В) £2,5 (5 В) £2,5 (5 В) <30 <30 <30 <30 <30 <30 — <180; <10* <180; <10* <180; <10* <180; <10* <180; <10* <180; <10* к Т324-1 ILL & 1 1 5 КЗ 30. .90* (5 В; 10 мА) 7O...21O* (5 В; 10 мА) 160...400* (5 В; 10 мА) £2,5 (5 В) £2,5 (5 В) £2,5 (5 В) — — <125 <125 <125 I 09 СГ325 1 J 5> II1 —11 [ J з\х° 1 °J)
66 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р rK max » р* К, т max » р** К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^21э» С» МГц U КБОтах» и* 'JK3R тах» и** ^КЭО тах» В ^ЭБО тах» В max 1к, и max» мА 1кбо» г *K3R» 1кэо» мкА КТ325АМ п-р-п 225 (85°С) >800 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ325БМ п-р-п 225 (85°С) >800 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ325ВМ п-р-п 225 (85°С) >1000 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ326А р-п-р 200 (30°С) >250 15* (100к) 5 50 <0,5 (20 В) КТ326Б р-п-р 200 (ЗО’С) >400 15* (100к) 5 50 <0,5 (20 В) КТ326АМ р-п-р 200 (30°С) >250 15* (100к) 5 50 <0,5 (20 В) КТ326БМ р-п-р 200 (30°С) >400 15* (100к) 5 50 <0,5 (20 В) КТ331А-1 п-р-п 15 >250 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ331Б-1 п-р-п 15 >250 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ331В-1 п-р-п 15 >250 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ331Г-1 п-р-п 15 >400 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ332А-1 п-р-п 15 >250 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ332Б-1 п-р-п 15 >250 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ332В-1 п-р-п 15 >250 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ332Г-1 п-р-п 15 >500 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТ332Д-1 п-р-п 15 >500 15* (Юк) 3 20 (50*) <0,2 (15 В) КТЗЗЗА-З п-р-п 15 >450 10* (Зк) 3,5 20 (45*) <0,4 (10 В) КТЗЗЗБ-З п-р-п 15 >450 10* (Зк) 3,5 20 (45*) <0,4 (10 В) КТЗЗЗВ-З п-р-п 15 >450 10* (Зк) 3,5 20 (45*) <0,4 (10 В) ктзззг-з п-р-п 15 >350 10* (Зк) 3,5 20 (45*) <0,4 (10 В) ктзззд-з п-р-п 15 >350 10* (Зк) 3,5 20 (45*) <0,4 (10 В) КТЗЗЗЕ-З п-р-п 15 >350 10* (Зк) 3,5 20 (45*) <0,4 (10 В) КТ336А п-р-п 50 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ336Б п-р-п 50 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ336В п-р-п 50 >250 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ336Г п-р-п 50 >450 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ336Д п-р-п 50 >450 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ336Е п-р-п 50 >450 10* (Зк) 4 20 (50*) <0,5 (10 В) КТ337А р-п-р 150 (60°С) >500 6* (Юк) 4 30 <1 (6 В) КТ337Б р-п-р 150 (60°С) >600 6* (Юк) 4 30 <1 (6 В) КТ337В р-п-р 150 (60°С) >600 6* (Юк) 4 30 <1 (6 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 67 30...90* (5 В; 10 мА) 70...210* (5 В; 10 мА) 160...400* (5 В; 10 мА) 20...70* (2 В; 10 мА) 45...160* (2 В; 10 мА) С„, гкэ„ас. Ом С]2э* гюн«. Ом пФ к;;, дв <2,5 (5 В) £2,5 (5 В) — <2,5 (5 В) £5 (5 В) <30 £5 (5 В) <30 Кш, дБ Ч, пс Ом нс р;;х. вт с.,, нс Корпус <125 <125 <125 <450 <450 КТ325М 052 — *- 20...70* (2 В; 10 мА) 45...16O* (2 В; 10 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) <30 <30 — <450 <450 ктз , 05,2 I26M сч к? _ I II ч 3 КБ , 1 штат — 1 20...60 (5 В; 1 мА) 40...120 (5 В; 1 мА) 80...220 (5 В; 1 мА) 40...120 (5 В; 1 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) — £4,5 (100 МГц) £4,5 (100 МГц) £4,5 (100 МГц) £4,5 (100 МГц) <120 <120 <120 <120 кт; 1,2 331-1 я/ 1 1 1 о LI збк 20...60 (5 В; 1 мА) 40...120 (5 В; 1 мА) 80...220 (5 В; 1 мА) 40...120 (5 В; 1 мА) 80...220 (5 В; 1 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) — £8 (100 МГц) £8 (100 МГц) £8 (100 МГц) £8 (100 МГц) £8 (100 МГц) <300 <300 <300 <300 <300 КТ332-1 1,2 ,0,6 1 1 1 о А Г“ | LI ЗБК 30...90 (1 В; 10 мА) 50...150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) 30...90 (1 В; 10 мА) 50...150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) £3,5 (5 В) £3,5 (5 В) £3,5 (5 В) £4,5 (5 В) £4,5 (5 В) £4,5 (5 В) <27 <27 <27 <27 <27 <27 — <15* <15* <15* <25* <25* <25* ктззз-з 0J . 0,25 1 1 О о ' о о к В J zli Кто 20...60 (1 В; 10 мА) 40...120 (1 В; 10 мА) >80 (1 В; ЮмА) 20...60 (1 В; 10 мА) 4O...12O (1 В; 10 мА) >80 (1 В; 10 мА) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) £5 (5 В) <30 <30 <30 <30 <30 <30 — <30* <30* <50* <15* <15* <15* КТ336 0,7 о;. оо OOj 3 к ') 1 r Ключ 1 | >30* (0,3 В; 10 мА) >50* (0,3 В; 10 мА) >70* (0,3 В; 10 мА) £6 (5 В) £6 (5 В) £6 (5 В) <20 <20 <20 — <25* <28* <28* КТ337 05,84 УI 1 1 II J J| 6 { 1 as
68 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* ГК, т max » Р‘* К, и max » мВт ^т>> Сам» G... G. МГц ^КБОтах» и* ,JK3R тах» ^КЭО тах» В 1^ЭБО max » В JK max 1к, и тах» мА 11СБ0» 1кэк» I** дкэо» мкА КТ339АМ п-р-п 260 (55’С) >300 40 4 25 <1 (40 В) КТ339А п-р-п 260 (55 ’С) >300 40 4 25 <1 (40 В) КТ339Б п-р-п 260 (55 "О >250 25 4 25 £1 (40 В) КТ339В п-р-п 260 (55 °C) >450 40 4 25 £1 (40 В) КТ339Г п-р-п 260 (55 ’С) >250 40 4 25 <1 (40 В) КТ339Д п-р-п 260 (55 “С) >250 40 4 25 <1 (40 В) КТ340А п-р-п 150 (85’С) >300 15 5 50 <1 (15 В) КТ340Б п-р-п 150 (85’С) >300 20 5 50 <1 (20 В) КТ340В п-р-п 150 (85’0 >300 15 5 50 (200*) <1 (15 В) КТ340Г п-р-п 150(85’0 >300 15 5 75 (500*) £1 (15 В) КТ340Д п-р-п 150 (85’0 >300 15 5 50 £1 (15в) КТ342А п-р-п 250 >250 35 5 50 (300*) <0,05 (25 В) КТ342Б п-р-п 250 >300 30 5 50 (300) <0,05 (20 В) КТ342В п-р-п 250 >300 25 5 50(300) <0,05 (10 В) КТ342Г п-р-п 250 >300 60* (Юк) 5 50 (300*) <0,05 (60 В) КТ342АМ п-р-п 250 >250 35 5 50 (300*) <0,05 (25 В) КТ342БМ п-р-п 250 >300 30 5 50 (300*) <0,05 (20 В) КТ342ВМ п-р-п 250 >300 25 5 50 (300*) <0,05 (10 В) КТ342ГМ п-р-п 250 >150 30* (Юк) 5 50 (300*) <0,05 (30 В) КТ342ДМ п-р-п 250 >150 25* (Юк) 5 50 (300*) £0,05 (25 В) КТ343А р-п-р 150 (75’0 >300 17* (Юк) 4 50(150*) £1 (10 В) КТ343Б р-п-р 150 (75’0 >300 17* (Юк) 4 50(150*) <1 (10 В) КТ343В р-п-р 150 (75’0 >300 9* (Юк) 4 50(150*) £1 (7 В) КТ345А р-п-р 300 (600**) >350 20* (Юк) 5 200 (300*) £0,5 (20 В) КТ345Б р-п-р 300 (600**) >350 20* (Юк) 5 200 (300*) <0,5 (20 В) КТ345В р-п-р 300 (600**) >350 20* (Юк) 5 200 (300*) <0,5 (20 В) КТ347А р-п-р 150 (75’0 >500 15* (Юк) 4 50(110*) £1 (15 В) КТ347Б р-п-р 150 (75’0 >500 9* (Юк) 4 50(110*) £1 (9 В) КТ347В р-п-р 150 (75’0 >500 6* (Юк) 4 50(110*) £1 (6 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 69 1*21э» 1*21Э ск. ^12э» пФ Ом Гй„ас> ОМ к”. дБ кш, дБ г:, Ом Р** , Вт вых » " ж Т„, ПС С«нс Со,. НС Корпус £25* (10 В; 7 мА) <2 (5 В) <25 КТ339М I CS| 1 ЧГ’ 1 5?’ F Tn ^3* mu £25* (10 В; 7 мА) £15* (10 В; 7 мА) £25* (10 В; 7 мА) £40* (10 В; 7 мА) £15* (10 В; 7 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) <2 (5 В) <2 (5 В) <2 (5 В) — — <25 <25 <50 <100 <150 ктз 05Л4, 39 13,7 5,3 6 к 100...300» (1 В; 10 мА) £100* (1 В; 10 мА) £35* (2 В; 0,2 А) £16* (2 В; 0,5 А) £40* (2 В; 0,2 А) <3,7 (5 В) <3,7 (5 В) <3,7 (5 В) <3,7 (5 В) £6 (5 В) <20 <25 <2 <1,2 <30 — <45; <10* <40; <15* <85; <15* <85; <15* <150; <75* 0 к .T3 34 >40 чг h ' ШШШ -4Р 100...250* (5 В; 1 мА) 200...500* (5 В; 1 мА) 400...1000* (5 В; 1 мА) 50...120* (5 В; 1 мА) <8 (5 В) <8 (5 В) <3 (5 В) <8 (5 В) <10 <10 <10 <10 — <200 <300 <700 $ KT3 <5,84 (42 — ‘И £ 9 0£ IJ !_Л|| ^6 100...250* (5 В; 2 мА) 200...500* (5 В; 2 мА) 400... 1000* (5 В; 2 мА) 100...250* (5 В; 2 мА) 200...500* (5 В; 2 мА) <8 (5 В) <3 (5 В) <8 (5 В) £8 (5 В) <8 (5 В) <10 <10 <10 <10 <10 — <200 <300 <700 КТ342Л 1 13,5 5,2 • 1^. 1 rn i 563 £30* (0,3 В; 10 мА) £50* (0,3 В; 10 мА) £30* (0,3 В; 10 мА) <3 (5 В) <3 (5 В) <6 (5 В) <30 <30 <30 1 1 1 <10* <20* <10* KTJ 05,84 _ 143 чг 6 1ЙСЙ г £20* (1 В; 100 мА) £50* (1 В; 100 мА) £70* (1 В; 100 мА) <15 (5 В) <15 (5 В) <15 (5 В) <3 <3 <3 — <70* <70* <70* KT345 -4-J СЧ1 1 4TJ Ч> ' F T1 /(ДЭ I S 30...400* (0,3 В; 10 мА) 30...400* (0,3 В; 10 мА) 50...400* (0,3 В; 10 мА) <3 (5 В) £6 (5 В) <6 (5 В) <30 <30 <30 — <25* <25* <40* ктг 05,84 _ И7 чг I 5
70 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* К, т max ♦ Р** К, и max » мВт ^р» ^Ь24б» С>1э» Сах» МГц ^КБО max» и* '“'K3R max» IT VКЭО max» В ^ЭБО max ♦ В max I* К,и max» мА ^КБО» ^КЭИ» ^КЭО» мкА КТ348А-3 п-р-п 15 >100 5* (Зк) 3,5 15 (45*) <1 (5 В) КТ348Б-3 п-р-п 15 >100 5* (Зк) 3,5 15 (45*) <1 (5 В) КТ348В-3 п-р-п 15 >100 5* (Зк) 3,5 15 (45*) <1 (5 В) КТ349А р-п-р 200 (35’0 >300 15* (Юк) 4 50(100*) £1 (10 В) КТ349Б р-п-р 200 (35’С) >300 15* (Юк) 4 50(100*) <1 (10 В) КТ349В р-п-р 200 (35’0 >300 15* (Юк) 4 50 (100*) 21 (10 В) КТ350А р-п-р 300 (ЗО’С) >100 20 5 600* <1 (10 В) КТ351А р-п-р 300 (30’0 >200 15* (Юк) 5 400* <1 (10 В) КТ351Б р-п-р 300 (ЗО’С) >200 15* (Юк) 5 400* <1 (10 В) КТ352А р-п-р 300 (30’0 >200 20 5 200* <1 (10 В) КТ352Б р-п-р 300 (ЗО’С) >200 20 5 200* <1 (10 В) КТ354А-2 п-р-п 30 >1100 10* (Зк) 4 10 (20*) <0,5 (10 В) КТ354Б-2 п-р-п 30 >1500 10* (Зк) 4 10 (20*) <0,5 (10 В) КТ355А п-р-п 225 (85’0 >1500 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ355АМ п-р-п 225 (85’0 >1500 15* (Зк) 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ357А р-п-р 100 (50’0 >300 6* 3,5 40 (80*) 25 (6 В) КТ357Б р-п-р 100 (50’0 >300 6* 3,5 40 (80*) 25 (6 В) КТ357В р-п-р 100 (50’0 >300 20* 3,5 40 (80*) 25 (20 В) КТ357Г р-п-р 100 (50’0 >300 20* 3,5 40 (80*) 25 (20 В) КТ358А п-р-п 100 (50’0 >80 15 4 30 (60*) 210 (15 В) КТ358Б п-р-п 100 (50’0 >120 30 4 30 (60*) 210 (30 В) КТ358В п-р-п 100 (50’0 >120 15 4 30 (60*) 210 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 71 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭнас* °М Чэ нас* Ом к;.;* дб кш, дБ «•;. Ом ₽.”Ux* В’ тк» ПС Час* «С ^выкл* ИС Корпус 25...75 (1 В; 1 мА) 35...120 (1 В; 1 мА) 80...250 (1 В; 1 мА) <11 (1 В) <11 (1 В) £11 (1 в) <30 <30 <30 — <130* <130* <130* КТ348-3 «7 0,25^ rJ 3 < о о К о 0)5 i 2O...8O* (1 В; 10 мА) 40...160* (1 В; 10 мА) 120...300* (1 В; 10 мА) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <30 <30 <30 — — $5М КТ349 r s'ff i‘a и М Ь 2O...2OO* (1 В; 0,5 А) <70 (5 В) <2 — — КТ350, КТ351, КТ352 2O...8O* (1 В; 0,5 А) 50...200* (1 В; 0,3 А) <20 (5 В) <20 (5 В) <1,5 <2,25 — — 0 $2 CM 1) «31 I ИГ-. i НЦф 25...125* (1 В; 0,2 А) 70...300* (1 В; 0,2 А) <15 (5 В) <15 (5 В) £3 £3 — <150* 40...200 (2 В; 5 мА) 90...360 (2 В; 5 мА) <1,3 (5 В) £1,3 (5 В) — <10* <10* <25 <30 б КТ354-2 1 0,8 КЗ Л | II 80...300* (5 В; 10 мА) £2 (5 В) £5,5 (60 МГц) <60 КТ355 [ ПГ III 4 ixufjn. 80...300* (5 В; 10 мА) £2 (5 В) £5,5 (60 МГц) <60 1 KT355M 15,2 13,5 5,2 ПНР 63 Ki 20...100* (0,5 В; 10 мА) 60...300* (0,5 В; 10 мА) 20...100* (0,5 В; 10 мА) 60...300* (0,5 В; 10 мА) £7 (5 В) £7 (5 В) £7 (5 В) £7 (5 В) <30 <30 <30 <30 — <150* <250* <150* <250* KT357 5 III fpjicil M 1 K63 10... 100* (5,5 В; 20 мА) 25...100* (5,5 В; 20 мА) 50 .280* (5,5 В; 20 мА) £5 (10 В) £5 (10 В) £5 (10 В) <40 <40 <40 — <500 <500 <500 KT358 15,2 Ur- ПНР 1Г К6Э йу
72 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » р* *К, т max » р»» К. и max » мВт ^гр* Сь. с. МГц ^КБО max» ^K3R max» UКЭО max» В ^ЭБО max» В Ik max I* К,и max» мА ^КБО» I* *K3R» ®КЭО» мкА КТ359А-3 п-р-п 15 >300 15* (Зк) 3,5 20 <0,5 (15 В) КТ359Б-3 п-р-п 15 >300 15* (Зк) 3,5 20 <0,5 (15 В) КТ359В-3 п-р-п 15 >300 15* (Зк) 3,5 20 <0,5 (15 В) КТ360А-1 р-п-р 10 (55°С) >300 25 5 20 (75*) <1 (25 В) КТ360Б-1 р-п-р 10 (55°С) >400 20 4 20 (75*) <1 (20 В) КТ360В-1 р-п-р 10 (55“С) >400 20 4 20 (75*) <1 (20 В) КТ361А р-п-р 150 (35°С) >250 25 4 50 <1 (10 В) КТ361А1 р-п-р 150 >150 25 4 100 <1 (10 В) КТ361Б р-п-р 150 (35°С) >250 20 4 50 <1 (10 В) КТ361В р-п-р 150 (35“С) >250 40 4 50 <1 (10 В) КТ361Г р-п-р 150 (35°С) >250 35 4 50 <1 (10 В) КТ361Г1 р-п-р 150 >250 35 4 100 <1 (10 В) КТ361Д р-п-р 150 (35°С) >250 40 4 50 <1 (10 В) КТ361Д1 р-п-р 150 >150 40 4 50 <1 (10 В) КТ361Е р-п-р 150 (35°С) >250 35 4 50 <1 (10 В) КТ361Ж р-п-р 150 >250 10 4 50 <1 (10 В) КТ361И р-п-р 150 >250 15 4 50 <1 (10 В) КТ361К р-п-р 150 >250 60 4 50 <1 (10 В) КТ361Л р-п-р 150 >250 20 4 100 <1 (10 В) КТ361М р-п-р 150 >250 40 4 100 <1 (10 В) КТ361Н р-п-р 150 >150 45 4 50 <1 (10 В) КТ361П р-п-р 150 >300 50 4 50 <1 (10 В) КТ361А-2 р-п-р 150 >250 25 5 100 <1 (10 В) КТ361А-3 р-п-р 150 >150 25 5 100 <1 (10 В) КТ361Б-2 р-п-р 150 >250 20 5 50 <1 (10 В) КТ361В-2 р-п-р 150 >250 40 5 50 <1 (10 В) КТ361Г-2 р-п-р 150 >250 35 5 50 <1 (10 В) КТ361Г-3 р-п-р 150 >250 35 5 50 <1 (10 В) КТ361Д-2 р-п-р 150 >250 40 5 50 <1 (10 В) КТ361Д-3 р-п-р 150 >150 40 5 50 <1 (10 В) КТ361Е-2 р-п-р 150 >250 35 5 50 <1 (10 В) КТ361Ж-2 р-п-р 150 >250 10 5 50 <1 (10 В) КТ361И-2 р-п-р 150 >250 15 5 50 <1 (10 В) КТ361К-2 р-п-р 150 >250 60 5 50 <1 (10 В) КТ361Л-2 р-п-р 150 >250 20 5 100 <1 (10 В) КТ361М-2 р-п-р 150 >250 40 5 100 <1 (10 В) КТ361Н-2 р-п-р 150 >150 45 5 50 <1 (10 В) КТ361П-2 р-п-р 150 >300 50 5 50 <1 (10 В) КТ363А р-п-р 150 (45°С) >1200 15* (1к) 4,5 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ363Б р-п-р 150 (45°С) >1500 12* (1к) 4,5 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ363АМ р-п-р 150 (45°С) >1200 15* (1к) 4,5 30 (50*) <0,5 (15 В) КТ363БМ р-п-р 150 (45°С) >1500 12* (1к) 4,5 30 (50*) <0,5 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 73 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭ нас» Ом ГБЭ нас» °М к”. дБ кш, дБ <•;, Ом P.L. Вт тк» ПС С. нс См. НС Корпус 30...90 (1 В; 10 мА) 50... 150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) <5 (5 В) <5 (5 В) <5 (5 В) <70 <70 <70 <6 (20 МГц) <6 (20 МГц) <6 (20 МГц) <100 <100 <100 KI 0,7 Г359-3 r k 3 о < о । о к 0j5 J 1 Чзич 20...70 (2 В; 10 мА) 40...140 (2 В; 10 мА) 80...240 (2 В; 10 мА) <5 (5 В) <5 (5 В) <5 (5 В) <35 <35 <35 — <450; <100* <450; <200* <450; <200* К 0,7 Г360-1 / IB Б L p 1 fib 20...90 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 40...160 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 100...350 (10 В; 1 мА) 20 ..90 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) >250 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 70 .160 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 100...350 (10 В; 1 мА) <9 (10 В) <9 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <9 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <20 <20 <20 <20 <20 <20 <50 <50 <50 <50 <50 <50 <40* <40* <40* <40* <40* <40* <500 <500 <500 <1000 <500 <500 <250 <250 <1000 <100 <1000 <500 ] K.T36 7. 1, KT361-1 ? J 1 ГПП LJi 5 J h <(3 и D 20...90 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 40. .160 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 100...350 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 50—350 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 250 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 50...350 (10 В; 1 мА) 70...160 (10 В; 1 мА) 20...90 (10 В; 1 мА) 100—350 (10 В; 1 мА) <9 (10 В) <9 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <9 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <9 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) <20 <20 <20 <20 <20 <20 <50 <50 <50 <50 <20 <20 <40* <40* <40* <40* <40* <40* <500 <500 <500 <1000 <500 <500 <250 <250 <1000 <100 <1000 <500 К T361 -2, kt: *61-3 о 1с и § J ' * 4 Г | j 'Hl <5 Ln in i I 20...120* (5 В; 5 мА) 40... 120* (5 В; 5 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) <35 <35 — <50 <75 1 05,~ [СГ363 Б кг Г. 1 1 гэ" 20... 120* (5 В; 5 мА) 40...120* (5 В; 5 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) <35 <35 — <50 <75 к 04 T363M \2 L CSI 1 VrTj Io i k J МЦ r$. K63 1 / t \
74 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max» Р* К,т max» р** К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^тах» МГц U КБОтах» ^K3R max ♦ ^КЭО max ♦ В 1^ЭБО max » В Jk max 1к, и max» мА 1кБ0» 1кэи» 1кэо» мкА КТ364А-2 р-п-р 30 >250 25 5 200 (400*) <1 (25 В) КТ364Б-2 р-п-р 30 >250 25 5 200 (400*) <1 (25 В) КТ364В-2 р-п-р 30 >250 25 5 200 (400*) <;1 (25 В) КТ366А п-р-п 30 (70’С) >1000 15 4,5 10 (20*) <0,1 (15 В) КТ366Б п-р-п 30 (70’0 >1000 15 4,5 20 (40*) <0,1 (15 В) КТ366В п-р-п 30 (70’0 >1000 15 4,5 45 (70*) <0,1 (15 В) КТ368А п-р-п 225 (65’0 >900 15 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ368Б п-р-п 225 (65’0 >900 15 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ368А-5 п-р-п 225 (65’0 >900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 В) КТ368А-9 п-р-п 100 >900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 В) КТ368Б-9 п-р-п 100 >900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 В) КТ368АМ п-р-п 225 (65’0 >900 15 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ368БМ п-р-п 225 (65’0 >900 15 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ368ВМ п-р-п 225 (65’0 >900 15 4 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ369А п-р-п 50 >200 45 4 250 (400*) <7 (45 В) КТ369Б п-р-п 50 >200 45 4 250 (400*) <7 (45 В) КТ369В п-р-п 50 >200 65 4 250 (400*) ^10 (65 В) КТ369Г п-р-п 50 >200 65 4 250 (400*) ^10 (65 В) КТ369А-1 п-р-п 50 >200 45 4 250 (400*) <7 (45 В) КТ369Б-1 п-р-п 50 >200 45 4 250 (400*) <7 (45 В) КТ369В-1 п-р-п 50 >200 65 4 250 (400*) <10 (65 В) КТ369Г-1 п-р-п 50 >200 65 4 250 (400*) <10 (65 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 75 ^21э» Ь21Э ск. ^12э» пФ ГКЭн,е> ОМ ГБЭн.с. ОМ к;;., дб кш, дБ г:, Ом Р‘* , Вт вых ♦ " ж Тк, ПС fpac» НС ^выкл» НС Корпус 20...70* (1 В; 0,1 А) 40...120* (1 В; 0,1 А) 80...240* (1 В; 0,1 А) <15 (5 В) <15 (5 В) <15 (5 В) <30 <30 <30 — <500; <150* <500; <180* <500; <230* ""ITl 1 б КТ364-2 J 1 1лЫ II к э 50...200 (1 В; 1 мА) 50...200 (1 В; 5 мА) 50...200 (1 В; 15 мА) <1,1 (0,1 В) <1,8 (0,1 В) <3,3 (0,1 В) <80 <25 <16 — <60; <50* <60; <80* <60; <120* OS'.— 1 б КТ366 185 0,6 О’ II КЗ 50...300* (5 В; 10 А) 50...300* (5 В; 10 мА) £1,7 (5 В) <1,7 (5 В) — £3,3 (60 МГц) <15 <15 0 чг । I КТ368 5,8 -j А Щ Корп.4^6 50...450 (1 В; 10 мА) <1,7 (5 В) — £3,3 (60 МГц) £15 (10 мА) 1 ю о .. КТ368А-^ 0,5 5 0,15 50...300 (1 В; 10 мА) 50...300 (1 В; 10 мА) <1,7 (5 В) <1,7 (5 В) — £3,3 (60 МГц) £15 (10 мА) £15 (10 мА) КТ368-9 J 85 5 Ы 1 5 3 _J_ 50...450* (5 В; 10 мА) 50...450* (5 В; 10 мА) 100...450* (5 В; 10 мА) £1,7 (5 В) <1,7 (5 В) <1,7 (5 В) — £3,3 (60 МГц) <5 <15 КТ368М CSI I II I II .. .ш. " m “ЯГ •**- >5 V UlllflO 1 г КБЭ | 20... 100* (2 В; 0,15 А) 40...200* (2 В; 0,15 А) 20...100* (3 В; 10 мА) 40...200* (3 В; 10 мА) <15 (10 В) £15 (10 В) <10 (10 В) <10 (10 В) £4 £4 £2,5 £2,5 — — КТ369 2,2 1,4 б к э 20—100* (2 В; 0,15 А) 40...200* (2 В; 0,15 А) 20...100* (3 В; 10 мА) 40...200* (3 В; 10 мА) <15 (10 В) <15 (10 В) <10 (10 В) <10 (10 В) £4 £4 £2,5 £2,5 — — КТ369-1 7 . 7- II Кб fLI 1 3 Lf
76 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* К, т max » Р** К, и max » мВт ^216’ Сы с. МГц ^КВОтах» и* КЭйтах» max* В ^ЭБО max » В 1К max I* К, и max* мА ^КБО» ^КЭй» I** дкэо» мкА КТ370А-1 р-п-р 15 >1000 15* (1к) 4 15 (30*) £0,5 (15 В) КТ370Б-1 р-п-р 15 >1200 12* (1к) 4 15 (30*) £0,5 (12 В) КТ370А-9 р-п-р 30 (50°С) 1000 15* (1к) 4 15 (30*) £0,5 (15 В) КТ370Б-9 р-п-р 30 (50°С) 1000 12* (1к) 4 15 (30*) £0,5 (12 В) КТ371А п-р-п 100 (65’С) >3000 10 3 20 (40*) £0,5 (10 В) КТ371АМ п-р-п 100 (85’0 >3000 10* (Зк) 3 20 (40*) £0,5 (10 В) КТ372А п-р-п 50 (100’С) >2400 15* (Юк) 3 10 £0,5 (15 В) КТ372Б п-р-п 50 (100’0 >3000 15* (Юк) 3 10 £0,5 (15 В) КТ372В п-р-п 50 (100’0 >2400 15* (Юк) 3 10 £0,5 (15 В) КТ373А п-р-п 150 (55’С) >350 30* (Юк) 5 50 (200*) £0,05 (25 В) КТ373Б п-р-п 150 (55’0 >300 25* (Юк) 5 50 (200*) £0,05 (20 В) КТ373В п-р-п 150 (55’0 >300 10* (Юк) 5 50 (200*) £0,05 (10 В) КТ373Г п-р-п 150 (55’0 >250 60* (Юк) 5 50 (200*) £0,05 (25 В) КТ375А п-р-п 200 (400**) >250 60 5 100 (200*) £1 (60 В) КТ375Б п-р-п 200 (400**) >250 30 5 100 (200*) £1 (30 В) КТ379А п-р-п 25 >250 30* (Юк) 5 30 (100*) £0,05 (30 В) КТ379Б п-р-п 25 >300 25* (Юк) 5 30(100*) £0,05 (25 В) КТ379В п-р-п 25 >300 10* (Юк) 5 30 (100*) £0,05 (10 В) КТ379Г п-р-п 25 >250 60* (Юк) 5 30(100*) £0,05 (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 77 ^21э» 1*21Э ск, ^12э> пФ Гкэшк. Ом ГВЭ нас* Ом к*;, дб К», дБ г;, Ом PL, Вт ТК, ПС tpac» «С ^выкл» НС Корпус 20...70 (5 В; 3 мА) 40...120 (5 В; 3 мА) <2 (5 В) £2 (5 В) <35 <35 — <50; <10* <50; <10* КТ37О-1 1 иг г у 1 \и D к J 20...70 (5 В; 3 мА) 40...120 (5 В; 3 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) 9,9 9,9 — <10* <10* КТ370-9 3 < J Б 3 _ 30...240 (1 В; 10 мА) £1,2 (5 В) 29** (400 МГц) <5 (400 МГц) £10* <15 31 дд Eh к • КТ371 У l^j- 1 °’ J ‘ 1 0 2,7 30...240 (1 В; 10 мА) £1,2 (5 В) £5 (400 МГц) <15 31 БЛ Eh к ’ КТ371М с 1 V У 1 °* I • 1 0 Z7 2:10* (5 В; 10 мА) 210* (5 В; 10 мА) >10* (5 В; 10 мА) £1 (5 В) £1 (5 В) <1 (5 В) 210** (1 ГГц) 210** (1 ГГц) >10** (1 ГГц) £3,5 (1 ГГц) £5,5 (1 ГГц) £5,5 (1 ГГц) <9 <9 <9 0i КТ372 ц, , ,to — - э Л & тг р ’ J* -L 11И 100—250 (5 В; 1 мА) 200 .600 (5 В; 1 мА) 500—1000 (5 В; 1 мА) 500—125 (5 В; 1 мА) £8 (5 В) <8 (5 В) £8 (5 В) <8 (5 В) <10 <10 <10 <20 — <200 <300 <700 £200 $ КТ373 5 сч i 1 чГ Jo±d К53 10...100* (2 В; 20 мА) 50—280* (2 В; 20 мА) <5 (10 В) <5(10 В) <40 <40 — <300 <300 z‘s sii 9 Li КТ375 Jef: is* 100—250 (5 В; 1 мА) 200—500 (5 В; 1 мА) 400—1000 (5 В; 1 мА) <8 (5 В) <8 (5 В) <8 (5 В) <10 <10 <10 — — кт «7и 379 0,25 50-125 (5 В; 1 мА) £8 (5 В) <20 \э < .лг < > о > О) К в "j Ключ
78 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » ₽К. т max » Р** К, и max » мВт ^гр» ?21б» ?21э» с» МГц ^КБО max » и* ’“'кэк max» UoOmax» В ^ЭБО max » В 1К max I* К, и тах» мА и И нм нм НМ Л КТ380А р-п-р 15 >300 17* (Юк) 4 10 (25*) <1 (10 В) КТ380Б р-п-р 15 >300 17* (Юк) 4 10 (25*) <1 (10 В) КТ380В р-п-р 15 >300 9* (Юк) 4 20 (25*) <1 (7 В) КТ381Б п-р-п 15 >200 25 6,5 15 0,03 (5 В) КТЗ81В п-р-п 15 >200 25 6,5 15 0,03 (5 В) КТ381Г п-р-п 15 >200 25 6,5 15 0,03 (5 В) КТ381Д п-р-п 15 >200 25 6,5 15 0,03 (5 В) КТ381Е п-р-п 15 >200 25 6,5 15 0,03 (5 В) КТ382А п-р-п 100 (65’С) >1800 15 3 20 (40*) <0,5 (15 В) КТ382Б п-р-п 100 (65’0 >1800 15 3 20 (40*) £0,5 (15 В) КТ382АМ п-р-п 100 (85’0 >1800 15 3 20 (40*) £0,5 (15 В) КТ382БМ п-р-п 100 (85’0 >1800 15 3 20 (40*) £0,5 (15 В) КТ384А-2 п-р-п 300 >450 30* (5к) 4 300 (500*) £10 (30 В) КТ384АМ-2 п-р-п 300 >450 30* (5к) 4 300 (500*) £10 (30 В) КТ385А-2 п-р-п 300 >200 60 4 300 (500*) £10 (60 В) КТ385АМ-2 п-р-п 300 >200 60 4 300 (500*) £10 (60 В) КТ385БМ-2 п-р-п 300 >200 60 4 300 (500*) £10 (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 79 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭкас- ОМ ГБЭнаС ОМ К” , дБ Кш, дБ г:, Ом Р" , Вт вых» Тк, ПС tpaO ИС Ска. «С Корпус 30...90 (0,3 В; 10 мА) 50...150 (0,3 В; 10 мА) 30...90 (0,3 В; 10 мА) <6 (5 В) <6 (5 В) <6 (5 В) <30 <30 <30 — 10* 20* 10* КТ380 Л э 1 \ >40 (5 В; 10 мкА) >30 (5 В; 10 мкА) >20 (5 В; 10 мкА) >20 (5 В; 10 мкА) >20 (5 В; 10 мкА) — — — — «и КТ381 б! 1 \ 3 б 1 \ 40...330 (1 В; 5 мА) 40...330 (1 В; 5 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) >9** (400 МГц) >5** (400 МГц) <3 (400 МГц) <4,5 (400 МГц) <15 <10 1 Б СТ382 у 1|Пс , KT38 LI Гу 1' <Xf d 2M L 40...330 (1 В; 5 мА) 40 ..330 (1 В; 5 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) >9** (400 МГц) >5** (400 МГц) S3 (400 МГц) <4,5 (400 МГц) <15 <10 hk К ®— 30...180* (1 В; 0,15 А) <4 (10 В) <4 <15* К1 1,91 /н Б КЗ Г384-2 J .I 30...1ВО* <1 В; 0,15 А) <4 (10 В) <4 <15* КТ384М , _ ,7._ k w- III К 63 J 20...200* (1 В; 0,15 А) <4 (10 В) <5 <60* KI Г385-2 -S /П Б К . ^L. 20...200* (1 В; 0,15 А) 20...100* (1 В; 0,15 А) <4 (10 В) <4 (10 В) <5 <5 — <60* <60* 1 KT385M , ,7._ hW- i и К 63 У
80 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р К max» Р* К, т max» Р** К, и max’ мВт ^гр’ ^>216’ с. МГц ^КБО max» и* ’'K3R max» и** ^КЭО max» В ^ЭБО max» В ^Ктах I* К,и max» мА ^КБО» ^КЭИ» I** *кэо» мкА КТ388Б-2 р-п-р 300 (80°С) >250 50 4,5 250 <2 (50 В) КТ388БМ-2 р-п-р 300 >250 50 4,5 250 <2 (50 В) КТ389Б-2 р-п-р 300 (80’0 >450 25* (1к) 4,5 300 <1 (25 В) КТ391А-2 п-р-п 70 (85’С) >5000 15 2 10 <0,5 (10 В) КТ391Б-2 п-р-п 70 (85’0 >5000 15 2 10 <0,5 (10 В) КТ391В-2 п-р-п 70 (85’0 >4000 10 1 10 <0,5 (7 В) КТ392А-2 р-п-р 120 (65’0 >300 40* (5к) 4 10 (20*) <0,5 (40 В) КТ396А-2 п-р-п 30 (50’С) >2100 15 3 40 <0,5 (15 В) КТ396А-9 п-р-п 100 >2100 15 3 40 <0,5 (15 В) КТ397А-2 п-р-п 120 (90’С) >500 40* (Юк) 4 10 (20*) <1 (40 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 81 ^121э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас’ ®М Ггёнас. ОМ К”. ДБ Кш, ДБ г:, Ом Р” , Вт вых» тк> ПС »рас* НС Сына. НС Корпус 25...1OO* (1 В; 0,12 А) <7 (10 В) <5 — 60; <60* КТ388- 1,2(2 2 (КТ388Е \2) 7,. iM-2 5 !) 1 счА 1 In / ы. z 25—100* (1 В; 0,12 А) <7 (10 В) <5 — 60; <60* 1 \ а л Б К 3 25... 100* (1 В; 0,2 А) <10 (10 В) <3 <25*; <180 КТ389-2 2,2 1,9 5 К 3 £20 (7 В; 5 мА) £20 (7 В; 5 мА) £20 (7 В; 5 мА) £0,7 (5 В) £0,7 (5 В) £0,7 (5 В) — £4,5 (3,6 ГГц) £5,5 (3,6 ГГц) £6 (3,6 ГГц) <3,7 <3,7 <3,7 КТ391-2 _ 9 I 1 ”1 1 ЦЛ I-W 5 40...18О* (5 В; 2,5 мА) £2,5 (5 В) <50 4,5 (100 МГц) <120 КТ392-2 2,2 7,4 б К 3 40...250 (2 В; 5 мА) £1,5 (5 В) <11* <15 КТ396-2 1 1 8^ Б X 3 40...250 (2 В; 5 мА) £2 (5 В) <15 — КТ396-9 3 L 195 ЖГТ б 3 1,2 40...300 (5 В; 2 мА) £1,3 (5 В) <25* <40 счА I СМ у 1 / Б КТ397-2 2.2 J н К 3 (5
82 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max > Р* ГК, т max » К, и max » мВт t-р» С216» Ск» ^max » МГц КБОтах» ^K3R max » Uk30 max » В ^ЭБО тах» В IK max 1к, и max » мА 1кБО» 1кэк» I** хкэо» мкА КТ399А п-р-п 150 (55’С) >1800 15** 3 20 (40*) <0,5 (15 В) КТ399АМ п-р-п 150 (55’С) >1800 15** 3 30 (60*) <0,5 (15 В) КТ501А р-п-р 350 (35’0 >5 15* (Юк) 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ501Б р-п-р 350 (35’0 >5 15* (Юк) 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ501В р-п-р 350 (35’0 >5 15* (Юк) 10 300 (500*) <1* (15 В) КТ501Г р-п-р 350 (35’0 >5 30* (Юк) 10 300 (500*) <1* (30 В) КТ501Д р-п-р 350 (35’0 >5 30* (Юк) 10 300 (500*) <1* (30 В) КТ501Е р-п-р 350 (35’0 >5 30* (Юк) 10 300 (500*) <1* (30 В) КТ501Ж р-п-р 350 (35’0 >5 45* (Юк) 20 300 (500*) <1* (45 В) КТ501И р-п-р 350 (35’0 >5 45* (Юк) 20 300 (500*) <1* (45 В) КТ501К р-п-р 350 (35’0 >5 45* (Юк) 20 300 (500*) <1* (45 В) КТ501Л р-п-р 350 (35’0 >5 60* (Юк) 20 300 (500*) <1* (60 В) КТ501М р-п-р 350 (35’0 >5 60* (Юк) 20 300 (500*) <1* (60 В) КТ502А р-п-р 350 5...50 40 5 150(300*) <1 (40 В) КТ502Б р-п-р 350 5...50 40 5 150 (300*) <1 (40 В) КТ502В р-п-р 350 5...50 60 5 150 (300*) <1 (60 В) КТ502Г р-п-р 350 5...50 60 5 150 (300*) <1 (60 В) КТ502Д р-п-р 350 5...50 80 5 150 (300*) <1 (80 В) КТ502Е р-п-р 350 5...50 90 5 150(300*) <1 (90 В) КТ503А п-р-п 350 5...50 40 5 150 (300*) <1 (40 В) КТ503Б п-р-п 350 5...50 40 5 150 (300*) <1 (40 В) КТ503В п-р-п 350 5...50 60 5 150 (300*) <1 (60 В) КТ503Г п-р-п 350 5...50 60 5 150 (300*) <1 (60 В) КТ503Д п-р-п 350 5...50 80 5 150 (300*) <1 (80 В) КТ503Е п-р-п 350 5...50 100 5 150 (300*) <1 (100 В) КТ504А п-р-п 1 (10*) Вт >20 400; 350* 6 1 (2*) А <100 (400 В) КТ504Б п-р-п 1 (10*) Вт >20 200* (0,1 к) 6 1 (2*) А <100 (250 В) КТ504В п-р-п 1 (10*) Вт >20 275* (0,1 к) 6 1 (2*) А <100 (300 В) КТ505А р-п-р 1 (5*) Вт >20 300* (0,1 к) 5 1 (2*) А <100 (300 В) КТ505Б р-п-р 1 (5*) Вт >20 250* (0,1 к) 5 1 (2*) А <100 (250 В) КТ506А п-р-п 0,8 (10*) Вт >10 800 5 2 (5*)А <200 (600 В) КТ506Б п-р-п 0,8 (10*) Вт >10 600 5 2 (5*) А <200 (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 83 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭМе> Ом «•йнас. ОМ к;;, дб кш, дБ г;, Ом Р.ЫХ. Вт Тк» ПС t*ac, НС ^выкл» Корпус >40* (1 В; 5 мА) <1,7 (5 В) >11,5** (0,4 ГГц) £2 (400 МГц) <8 1 ЧГи 0 KT £0 399 Э 1 —1 2:40* (1 В; 5 мА) £1,7 (5 В) >11,5** (0,4 ГГц) £2 (4000 МГц) <8 9 KT3 >99M 7J.J 5,2 H L_j j •У 1 К6Э | 1 ' 20...60* (1 В; 30 мА) 40—120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <50 (10 В) <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <4 (1 кГц) — 05М KI 501 40...12О* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) <50 (10 В) <1,3 — £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <1,3 <4 (1 кГц) <4 (1 кГц) — £'S L£l A 5 3. 40...120 (5 В; 10 мА) 80...240 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) 80...240 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) <60 <60 <60 <60 <60 <60 <320* <320* <320* <320* <320* <320* — 9 KI '5,2 502 — 13,5 5,2 1^- L_. s И) >4. I K53 | 40...120 (5 В; 10 мА) 80...240 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) 80...240 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) 40...120 (5 В; 10 мА) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) £50 (10 В) <60 <60 <60 <580* <580* <580* — 5 Kl *5,2 503 <60 <60 <60 <580* <580* <580* — CM 1 S.1 L_. ill И , КБЭ | 15...100* (5 В; 0,5 А) 15 ..100* (5 В; 0,5 А) 15...100* (5 В; 0,5 А) £30 (10 В) £30 (10 В) £30 (10 В) <2 <2 <2 — <2700* <2700* <2700* KT504, KT5O5, KT506 25...140* (10 В; 0,5 А) 25...140* (10 В; 0,5 А) <70 (5 В) £70 (5 В) <2600* <2600* 09Л 30...150* (5 В; 0,3 А) <40 (5 В) 30...150* (5 В; 0,3 А) <40 (5 В) <2 <2 <1560* <1560*
84 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max» Рк, т max » Рк. и max * мВт ^гр» ^216» ^21э» Сх» МГц ^КЕОтах» Ur3R max» и** ’-’КЭОтах» В ^ЭБО тах» В max 1к. и max» мА 1кБО» Iksr» 1*^0» мкА КТ509А р-п-р 300; 1* Вт >10 500 5 20 <5 (500 В) КТ511А9 р-п-р 1000 >120 200* — 1,5 А — КТ511Б9 р-п-р 1000 >120 160* — 1,5 А — КТ511В9 р-п-р 1000 >120 120* — 1,5 А — КТ511Г9 р-п-р 1000 >120 90* — 2 А — КТ511Д9 р-п-р 1000 >120 70* — 2 А — КТ511Е9 р-п-р 1000 >120 50* — 2 А — КТ511Ж9 р-п-р 1000 >120 30* — 2 А — КТ511И9 р-п-р 1000 >120 20* — 2 А — КТ511К9 р-п-р 1000 >120 10* — 2 А — КТ512А9 п-р-п 1000 >120 200* — 1,5 А — КТ512Б9 п-р-п 1000 >120 160* — 1,5 А — КТ512В9 п-р-п 1000 >120 120* — 1,5 А — КТ512Г9 п-р-п 1000 >120 90* — 2 А — КТ512Д9 п-р-п 1000 >120 70* — 2 А — КТ512Е9 п-р-п 1000 >120 50* — 2 А — КТ512Ж9 п-р-п 1000 >120 30* — 2 А — КТ512И9 п-р-п 1000 >120 20* — 2 А — КТ512К9 п-р-п 1000 >120 10* — 2 А — КТ513А9 р-п-р 1000 >50 300* — 0,5 А — КТ513Б9 р-п-р 1000 >50 250* — 0,5 А — КТ513В9 р-п-р 1000 >50 200* — 0,5 А — КТ513Г9 р-п-р 1000 >50 160* — 0,5 А — КТ513Д9 р-п-р 1000 >50 120* — 0,5 А — КТ514А9 п-р-п 1000 >50 300* — 0,5 А — КТ514Б9 п-р-п 1000 >50 250* — 0,5 А — КТ514В9 п-р-п 1000 >50 200* — 0,5 А — КТ514Г9 п-р-п 1000 >50 160* — 0,5 А — КТ514Д9 п-р-п 1000 >50 120* — 0,5 А — КТ515А9 р-п-р 1000 >120 80* — 2 А — КТ515Б9 р-п-р 1000 £120 50* — 2 А — КТ515В9 р-п-р 1000 >120 25* 2 А КТ516А9 п-р-п 1000 >120 80* — 2 А — КТ516Б9 п-р-п 1000 >120 50* — 2 А — КТ516В9 п-р-п 1000 £120 25* 2 А КТ517А п-р-п 500 >125 30; 30** — 0,5 А — КТ517Б п-р-п 500 >125 30; 30** — 0,5 А — КТ517В п-р-п 500 >125 40; 40** — 0,5 А — КТ517Г п-р-п 500 >125 40; 40** — 0,5 А — КТ517Д п-р-п 500 >125 50; 50** — 0,5 А КТ517Е п-р-п 500 >125 60; 60** — 0,5 А ——
Биполярные кремниевые транзисторы 85 Ск, С|2э’ пФ 10...100 (10 В; 0,1 мА) <2,9 (100 В) *КЭ нас» ОМ дБ Кш, дБ г;, Ом Вт Тк» ПС t’pac’ НС Сел» НС <500 Корпус >20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) <0,3 £0,25 £0,25 £0,2 £0,2 £0,35 £0,35 £0,35 £0,35 КТ511-9 46 0,48 3 5 ' 1 £20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) >20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) £20 (5 В; 0,5 А) £0,3 £0,25 £0,25 £0,2 £0,2 £0,35 £0,35 £0,35 £0,35 КТ512-9 0,48' 4,5 S3 1,5 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) <10 £10 <5 <5 <5 40...600 (10 В; 50 мА) — <10 40...600 (10 В; 50 мА) — <10 40...600 (1U В; 50 мА) — <5 40...600 (10 В; 50 мА) — <5 40...600 (10 В; 50 мА) — <5 >50 (5 В; 0,5 А) >50 (5 В; 0,5 А) >25 (5 В; 0,5 А) £50 (5 В; 0,5 А) £50 (5 В; 0,5 А) £25 (5 В; 0,5 А) >5000 (5 В; 10 мА) <7 <11 >10000 (5 В; 10 мА) <7 <11 £10000 (5 В; 10 мА) <7 <11 10000... 100000 <7 <11 (5 В; ЮмА) £10000 (5 В; 10 мА) <7 <11 >10000 (5 В; 10 мА) <7 <11 КТ513-9, КТ514-9 4,6 Al 7,5 Ь55 J,5 1fi КТ515-9, КТ516-9 *зЛ£Й . 1 Б 0,48 J,5 .0,4 5 J.4 КТ517 05,2 ,35К
86 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » р* К, т max » Р‘* К, и max » мВт Ер» ?21б» ?21э» Г*, тпах» МГц ^КБО max» U(OR max» и** ^КЭОтах» В ^ЭБО max » В Ik max I* К, и тах» мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА КТ517А-1 п-р-п 800 >125 30 — 0,5 А — КТ517Б-1 п-р-п 800 >125 30 — 0,5 А — КТ517В-1 п-р-п 800 >125 40 — 0,5 А — КТ517Г-1 п-р-п 800 >125 40 — 0,5 А КТ517Д-1 п-р-п 800 >125 50 — 0,5 А — КТ517Е-1 п-р-п 800 >125 60 — 0,5 А — КТ517А-9 п-р-п 300 >125 30; 30** — 300 — КТ517Б-9 п-р-п 300 >125 30 — 300 — КТ517В-9 п-р-п 300 >125 40 — 300 — КТ517Г-9 п-р-п 300 >125 40 — 300 — КТ517Д-9 п-р-п 300 >125 50 — 300 — КТ517Е-9 п-р-п 300 >125 60 — 300 — КТ519А р-п-р 450 >100 50; 45** 5 100 <0,05 (50 В) КТ519Б р-п-р 450 >100 50; 45** 5 100 <0,05 (50 В) КТ519В р-п-р 450 >100 50; 45** 5 100 <0,05 (50 В) КТ520А п-р-п 625 >50 300; 300** — 500 — КТ520Б п-р-п 625 >50 200; 200** 500 КТ521А р-п-р 625 >50 300; 300** — 500 — КТ521Б р-п-р 625 >50 300; 300** 500 КТ523А р-п-р 500 >150 30; 30** — 500 КТ523Б р-п-р 500 >150 30; 30** — 500 КТ523В р-п-р 500 >150 40; 40** — 500 — КТ523Г р-п-р 500 >150 50; 50** — 500 — КТ523Д р-п-р 500 >150 60; 60** — 500 КТ523А9 п-р-п 300 >150 30; 30** — 300 КТ523Б9 п-р-п 300 >150 30; 30** — 300 — КТ523В9 п-р-п 300 >150 40; 40** — 300 — КТ523Г9 п-р-п 300 >150 50; 50** — 300 — КТ523Д9 п-р-п 300 >150 60; 60** 300 КТ524А п-р-п 1000 >100 40; 25** 6 1500 <0,1 (35 В) КТ524А-5 п-р-п 1000 >100 40; 25** 6 1500 <0,1 (35 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 87 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас. Ом ГБЭ„ае> О»* к;.;, «в Кш, дБ г’, Ом Р** , Вт вых» тк> ПС t'pac. НС Ска. НС Корпус I 25000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) 10000... 100000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) <7 <7 <7 <7 <7 <7 <11 <11 <11 <11 <11 <11 Illi II — КТ517-1 Г' ф с О’” "zr: йч m < ЭЛ Б >5000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) 10000... 100000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) <7 <7 <7 <7 <7 <7 <11 <11 <11 <11 <11 <11 — — КТ51 3 7-9 о, Л 3,1 F V Ь; —Ш"П*г Б 3 1 60... 150 (5 В; 1 мА) 100...300 (5 В; 1 мА) 200...600 (5 В; 1 мА) <7 (10 В) <7 (10 В) <7 (10 В) — <210 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) — 1 K.T51S ), КП > 520 V 74,5 5,2 |< >1 ~|'||| >40 (10 В; 10 мА) 240 (10 В; 10 мА) <3 <4 <25 <20 — — u >40 (10 В; 10 мА) >40 (10 В; 10 мА) <6 <8 <25 <20 — — ] КТ521 1, КТ > 523 V >5000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) S10000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) <7 <7 <7 <7 <7 <12 <12 <12 <12 <12 — — Сч J f 3b _Ц| I 25000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) — <12 <12 <12 <12 <12 — — КТ523-9 3 Л9 5 л t д ж 3 240 (1 В; 0,8 А) 9 (10 В) <0,6 К ^055 Г524 V 74,5 5,2 |*М-Ч д J f 3b I 85.300 (1 В; 0,1 А) 9 (10 В) <0,6 кт 0,5 52 !4-f _0,15 io м о .. 1
88 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* гК, т max » Р** К, и max » мВт ^р» ?21б» ?21э» Сх» МГц КБОтах» ^КЭИ max» и** ’-'кэо тах» В ^ЭБО max » В Ik max I* К, и max » мА ^КБО» ^кэи» ^кэо» мкА КТ525А п-р-п 625 40; 20** 5 500 <0,1 (25 В) КТ525А-5 п-р-п 625 40; 20** 5 500 <0,1 (25 В) КТ526А п-р-п 450 >150 50; 45** 5 100 <0,05 (50 В) КТ526А-5 п-р-п 450 >150 50; 45** 5 100 <0,05 (50 В) КТ528А9 п-р-п 600 — 100* — 2000 КТ528Б9 п-р-п 600 — 80* — 2000 — КТ528В9 п-р-п 600 — 50* — 2000 — КТ528Г9 п-р-п 600 — 30* — 2000 — КТ528Д9 п-р-п 600 12* 2000 КТ529А р-п-р 500 >150 60 4 1 А <1 (80 В) КТ530А п-р-п 500 >150 60 4 1 А £ (S0 в) КТ538А п-р-п 700 £4 600 9 500 <100*
Биполярные кремниевые транзисторы 89 ^21э» ^21Э Ск, ^*12э» пФ ГКЭ нас’ ГБЭ„.,с- ОМ к”, дБ кш, дБ г;, Ом Р.ш. Вт Тк, ПС *рэ<’ НС Сил. НС Корпус 64...2O2 (1 В; 50 мА) <1,2 в 1Т525 i? сч к || Н >40 (1 В; 0,8 А) <1,2 К' 0, Г525-Е ,5 0,15 J ю 1 о . 60...1000 (5 В; 1 мА) <3,5 (10 В) <3 <10 (1 МГц) й 1Т526 & СЧ ‘с* 1 1 UI Ilf № III 1 1 60...1ИЮ (S В; 1 нА) <3,5 (10 В) <3 £10 (1 МГц) К 0, Г5264 5 0,15 ю i о . 20...200 (5 В; 1 А) 20-200 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) 50—250 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) — <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 300 300 300 300 300 — к Г528-< ^6 ) 1, 0^ i —1—4 L С р/и 0,48' 1 9 | *с '4. ДДе?» 5 >180 (5 В; 300 мА) >0,7 1 I ГГ529 j2 ем i 01 1“ Hit № ц f31 >180 (5 В; 300 мА) >0,7 1 1 СГ530 Ц2 и. сч U г f9Kfi I 5...90 ] , 05 СГ538 ;? г ft sii 4j К- эк г и Q | &
90 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура *К max » т max1 Р** К, и max » мВт ip» ^216» £.э» inax» МГц ^КБО max » и* K3R max » Ur3O max » В ^ЭБО max » В Ik max I* К,и max » мА ^КБО» ^КЭК» I*’ *кэо» мкА КТ601А п-р-п 0,25 (0,5*) Вт >40 100* 3 30 <50 (50 В) КТ601АМ п-р-п 0,5 Вт >40 100* 3 30 <300* (100 В) КТ602А п-р-п 0,85 (2,8*) Вт >150 120 5 75 (500*) <70 (120 В) КТ602Б п-р-п 0,85 (2,8*) Вт >150 120 5 75 (500*) <70 (120 В) КТ602В п-р-п 0,85 (2,8*) Вт >150 80 5 75 (300*) <70 (80 В) КТ602Г п-р-п 0,85 (2,8*) Вт >150 80 5 75 (300*) <70 (80 В) КТ602АМ п-р-п 0,85 (2,8*) Вт >150 120 5 75 (500*) <70 (120 В) КТ602БМ п-р-п 0,85 (2,8*) Вт >150 120 5 75 (300*) <70 (120 В) КТ603А п-р-п 0,5 Вт (50°С) >200 30* (1к) 3 300 (600*) <10 (30 В) КТ603Б п-р-п 0,5 Вт (50°С) >200 30* (1 к) 3 300 (600*) <0 (30 В) КТ603В п-р-п 0,5 Вт (50°С) >200 15* (1 к) 3 300 (600*) <5 (15 В) КТ603Г п-р-п 0,5 Вт (50’С) >200 15* (1к) 3 300 (600*) <5 (15 В) КТ603Д п-р-п 0,5 Вт (50’С) >200 10* (1к) 3 300 (600*) <1 (10 В) КТ603Е п-р-п 0,5 Вт (50’С) >200 10* (1к) 3 300 (600*) <1 (10 В) КТ603И п-р-п 0,5 Вт (50’С) >200 30* (1к) 3 300 (600*) <10 (30 В) КТ604А п-р-п 0,8 (3*) Вт >40 300 5 200 <50 (250 В) КТ604Б п-р-п 0,8 (3*) Вт >40 250* (1к) 5 200 <50 (250 В) КТ604АМ п-р-п 0,8 (3*) Вт >40 250* (1 к) 5 200 <20* (250 В) КТ604БМ п-р-п 0,8 (3*) Вт >40 300 5 200 <20 (250 В) КТ605А п-р-п 0,4 Вт (100’С) >40 300 5 100 (200*) <50* (250 В) КТ605Б п-р-п 0,4 Вт (100’С) >40 300 5 100 (200*) <50* (250 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 91 ^2!э» ^21Э ск. С12э» пФ ГКЭ нас* °М Ом к;;, дб к., дБ г;. Ом Р.»«. Вт Т_, ПС fpac’ НС Сына. НС Корпус >16 (20 В; 10 мА) <15 (20 В) <600 со К' с 011’7? 1101II JH Г601 J- Sv >16 (20 В; 10 мА) <15 (20 В) <600 1 "у со -( KT Й 601? co- cC и k ЭК 6 20...80 (10 В; 10 мА) >50 (10 В; 10 мА) 15...80 (10 В; 10 мА) >50 (10 В; 10 мА) <4 (50 В) <4 (50 В) <4 (50 В) <4 (50 В) <60 <60 <60 <60 — <300 <300 <300 <300 со ®'L JI K' 7,7Э 111 ii Г602 20...80 (10 В; 10 мА) >50 (10 В; 10 мА) <4 (50 В) <4 (50 В) <60 <60 — <300 <300 Г KT i 602; «4. и 1 эк 6 10...80* (2 В; 15 А) >60* (2 В; 0,15 А) 10...80* (2 В; 0,15 А) >60* (2 В; 0,15 А) 20...80* (2 В; 0,15 А) 60...200* (2 В; 0,15 А) >20* (2 В; 0,35 А) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <7 <7 <7 <7 <7 <7 <3,4 — <100** <100** <100** <100** <100** <100** <100** «о ктбо: 077,7 -t-' w II ши KT604 Sv 10...40* (40 В; 20 мА) 30...120* (40 В; 20 мА) <7 (40 В) <7 (40 В) <400 <400 — — JI Ul IU J 10...40* (40 В; 20 мА) 30...120* (40 В; 20 мА) <7 (40 В) <7 (40 В) <400 <400 — — г KT fi 604 co M Б 10...40* (40 В; 20 мА) 30...12О* (40 В; 20 мА) <7 (40 В) <7 (40 В) <400 <400 — <250 <250 К 0/7,7 —I— M= НЩН Jiio Г605 J Sy
92 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max ’ т max» р** К, и max » мВт ^р» Д>21в’ Сь. с. МГц ^КБО max » и* '“'КЭР max» иКЭО max» В ^ЭБО max » В IK max Г К, и max » мА ^КБО» ^КЭР» Г* *кэо» мкА КТ605АМ п-р-п 0,4 Вт (100’С) >40 300 5 100 (200*) <20* (250 В) КТ605БМ п-р-п 0,4 Вт (100’С) >40 300 5 100 (200*) £20* (250 В) КТ606А п-р-п 2,5 Вт (40°С) >350 60 4 400 (800*) <1,5* (60 В) КТ606Б п-р-п 2,5 Вт (40°С) >300 60 4 400 (800*) £1,5* (60 В) КТ607А-4 п-р-п 1,5 Вт >700 40 4 150 £1 (30 В) КТ607Б-4 п-р-п 1,5 Вт >700 30 4 150 £1 (30 В) КТ608А п-р-п 0,5 Вт >200 60 4 400 (800*) £10 (60 В) КТ608Б п-р-п 0,5 Вт >200 60 4 400 (800*) £10 (60 В) КТ6109А р-п-р 625 >300 40; 20* (Юк) 5 500 £0,1 мкА (25 В) КТ6109Б р-п-р 625 >300 40; 20* (Юк) 5 500 £0,1 мкА (25 В) КТ6109В р-п-р 625 >300 40; 20* (Юк) 5 500 £0,1 мкА (25 В) КТ6109Г р-п-р 625 >300 40; 20* (Юк) 5 500 £0,1 мкА (25 В) КТ6109Д р-п-р 625 >300 40; 20* (Юк) 5 500 £0,1 мкА (25 В) КТ610А п-р-п 1,5 Вт (50°С) >1000 26 4 300 £0,5 (26 В) КТ610Б п-р-п 1,5 Вт (50°С) >700 26 4 300 £0,5 (26 В) КТ6102А р-п-р 1000 — ПО 5 1500 <0,1 КТ6103А п-р-п 1000 — 140 5 1500 <0,1 КТ6104А п-р-п 1000 — 300 5 150 <0,1 КТ6105А р-п-р 1000 300 5 150 <0,1 КТ6107А п-р-п 1000 — 500 5 130 <0,1 КТ6108А р-п-р 1000 500 5 130 <0,1
Биполярные кремниевые транзисторы 93 ^21э» ^21Э Ск, С|2э» пФ ГКЭ нас» ОМ ГБЭ нас» к;;> дб Кш, дБ г:, Ом Р" , Вт * вых» Тк, ПС нс Скл. НС Корпус 10...40* (40 В; 20 мА) 30...12О* (40 В; 20 мА) <7 (40 В) <7 (40 В) <400 <400 — <250 <250 КТ605М г Ф ж r . № 1 ЭЛ*5 >15* (10 В; 0,10 А) >15* (10 В; 0,10 А) <10 (28 В) <10 (28 В) <5 <5 >0,8** (400 МГц) >0,6** (400 МГц) <10 <12 КТ606 JLJUl’ li It? J4 сч — £4 (10 В) £4,5 (10 В) >4** (1 ГГц) >3** (1 ГГц) >1** (1 ГГц) >1** (1 ГГц) <18 <25 j KT li IS 607- 4 '"'f э 6 ^✓1 .B. 3 20...80* (5 В; 0,2 А) 40...160* (5 В; 0,2 А) <15 (10 В) <15 (10 В) <2,5 <2,5 — £120* £120* K' 077,7 Г608 | J1 f «V 1 ДУ 1 1 Ou ill 64...91 (1 В; 50 мА) 78...112 (1 В; 50 мА) 98...135 (1 В; 50 мА) 112...166 (1 В; 50 мА) 144...202 (1 В; 50 мА) — <1,2 <1,2 <1,2 <1,2 <1,2 — — KT610 0^- 9 1 -пр-4-тГ !< и z's sit -WL -JW 1 1 K63 | k is* 50...300* (10 В; 0,15 А) 20 .300* (10 В; 0,15 А) £4,1 (10 В) £4,1 (10 В) — 6 (0,2 ГГц) 6 (0,2 ГГц) <55 <22 й'т! KT610 Ls м J. Ma 9 11.1* |Г| ад г 80...250 80...250 — <5 <5 — — КТ6102, КТ6104, КТ6107 КТ6103, КТ6105, КТ6108 80...250 80...250 — <5 <5 — — 95,2 _ z‘s sii 5 [ 1 , КБЭ | 5; 1 I 80...250 80...250 — <5 <5 — — —W i
94 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р 17 К max ’ р* “К, т max ’ Р** К, и max ♦ мВт ^гр» ^1216» ^121э» ^тпах » МГц ^КБО тах» и* K3R max » и** v КЭО max » в ^ЭБО max > В IK max I* К,и max’ мА ^КБО» ^K3R» ^ЗО’ мкА КТ611А п-р-п 0,8 (3*) Вт >60 200 3 100 <200 (180 В) КТ611Б п-р-п 0,8 (3*) Вт >60 200 3 100 <200 (180 В) КТ611В п-р-п 0,8 (3*) Вт >60 180 3 100 <100 (150 В) КТ611Г п-р-п 0,8 (3*) Вт >60 180 3 100 <100 (150 В) КТ611АМ п-р-п 0,8 (3*) Вт >60 200 4 100 <100 (180 В) КТ611БМ п-р-п 0,8 (3*) Вт >60 200 4 100 <100 (180 В) КТ6110А п-р-п 625 — 40 5 500 <0,1 КТ6110Б п-р-п 625 — 40 5 500 <0,1 КТ6110В п-р-п 625 — 40 5 500 <0,1 КТ6110Г п-р-п 625 — 40 5 500 <0,1 КТ6110Д п-р-п 625 — 40 5 500 <0,1 КТ6111А п-р-п 450 150 50 5 100 <0,05 КТ6111Б п-р-п 450 150 50 5 100 <0,05 КТ6111В п-р-п 450 150 50 5 100 <0,05 КТ6111Г п-р-п 450 150 50 5 100 <0,05 КТ6112А р-п-р 450 100 50 5 100 <0,05 КТ6112Б р-п-р 450 100 50 5 100 <0,05 КТ6112В р-п-р 450 100 50 5 100 <0,05 КТ6113А п-р-п 400 700 30 5 50 <0,05 КТ6113Б п-р-п 400 700 30 5 50 <0,05 КТ6113В п-р-п 400 700 30 5 50 <0,05 КТ6113Г п-р-п 400 700 30 5 50 <0,05 КТ6113Д п-р-п 400 700 30 5 50 <0,05 КТ6113Е п-р-п 400 700 30 5 50 <0,05 КТ6114А п-р-п 1000 100 40 6 1500 <0,1 КТ6114Б п-р-п 1000 100 40 6 1500 <0,1 КТ6114В п-р-п 1000 100 40 6 1500 <0,1 КТ6114Г п-р-п 700 100 40 6 1100 <0,1 КТ6114Д п-р-п 700 100 40 6 1100 <0,1 КТ6114Е п-р-п 700 100 40 6 1100 <0,1 КТ6115А р-п-р 1000 100 40 6 1500 <0,1 КТ6115Б р-п-р 1000 100 40 6 1500 <0,1 КТ6115В р-п-р 1000 100 40 6 1500 <0,1 КТ6115Г р-п-р 1000 100 40 6 1100 <0,1 КТ6115Д р-п-р 1000 100 40 6 1100 <0,1 КТ6115Е р-п-р 1000 100 40 6 1100 <0,1 КТ6116А р-п-р 625 >100 160 5 600 <0,05 КТ6116Б р-п-р 625 >100 130 5 600 <0,01
Биполярные кремниевые транзисторы 95 ^21э» ^21Э Ск, . ^12э» пФ «-КЭН». Ом «•Юное. °М К”. ДБ Кш, дБ rS Ом Р** , Вт вых » "ж ТК, ПС fpae. НС Сил. НС Корпус 10...40* (40 В; 20 мА) 30... 120* (40 В; 20 мА) 10...40* (40 В; 20 мА) 30...120* (40 В; 20 мА) <5 (40 В) <5 (40 В) <5 (40 В) <5 (40 В) <400 <400 <400 <400 — <200 <200 <200 <200 1 - -- Г" JL •4 । KI Ъ11,7 -ь DO Г611 10...40* (40 В; 20 мА) 30...120* (40 В; 20 мА) <5 (40 В) <5 (40 В) <400 <400 — <200 <200 xouiHi 9i KT di 611Л 4 ЭК Б 64...91 78...112 96...135 112...166 144...202 — 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 — — £ CS| 1 к А LT61K ,0^2 JU ), К *1 Г6111 f К6Э | k is! 60... 150 100...300 200...600 400... 1000 — <3 <3 <3 <3 <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) — 60...150 100...300 200...600 — <7 <7 <7 <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) <10 (1 кГц) — КТ6112, КТ6113 052 28...45 39...60 54...80 72...108 97...146 132.. 198 — <10 <10 <10 <10 <10 <10 — — 7J,5 5,2 l**t**1 ... ill Ji 1 КВЭ | 1 is! 85.. 160 120...200 160...300 85...160 120...200 160...300 — — — — 1 CSI A ^’L A LT6114 e042 Jill Ji I, K' Г6115 1 #53 | к 85...16O 120. .200 160...300 85...160 120...200 160...300 1 1 1 1 1 1 — — — КТ6116 60...240 40...180 0Д2 см i L_ Ш lo 1 Lji
96 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Pr, т max » Р** К, и max » мВт с. МГц I^KBO max’ ^K3R max» UK3O max» В ^ЭБО max » В Ik max I* К, и max » мА 1кБО» 1кэп» I КЭО» мкА 1 КТ6117А п-р-п 625 >100 180; 160* 5 600 <0,05 КТ6117Б п-р-п 625 >100 160; 140* 5 600 <0,1 КТ6127А р-п-р 600 (6 Вт**) >150 90 4 2 (8*) <20 (90) КТ6127Б р-п-р 600 (6 Вт**) >150 70 4 2 (8*) <20 (70) КТ6127В р-п-р 600 (6 Вт**) >150 50 4 2 (8*) <20 (50) КТ6127Г р-п-р 600 (6 Вт**) >150 30 4 2 (8*) <20 (30) КТ6127Д р-п-р 600 (6 Вт**) >150 20 4 2 (8*) <20 (20) КТ6127Е р-п-р 600 (6 Вт**) >150 10 4 2 (8*) <20 (10) КТ6127Ж р-п-р 600 (6 Вт**) >150 120 4 2 (8*) <20 (120) КТ6127И р-п-р 600 (6 Вт**) >150 160 4 2 (8*) <20 (160) КТ6127К р-п-р 600 (6 Вт**) >150 200 4 2 (8*) <20 (200) КТ6128А п-р-п 400 >400 30; 20** — 25 — КТ6128Б п-р-п 400 >400 30; 20** — 25 — КТ6128В п-р-п 400 >400 30; 20** — 25 — КТ6128Г п-р-п 400 >400 30; 20** — 25 — КТ6128Д п-р-п 400 >400 30; 20** — 25 — КТ6128Е п-р-п 400 >400 30; 20** — 25 — КТ6129А-9 р-п-р 700 >4500 20; 15* 3 100 <0,1 (10 В) КТ6129Б-2 р-п-р 1 Вт >250 50 4,5 1000 <5 (50 В) КТ6130А-9 п-р-п 700 >4000 15* 100 КТ6131А п-р-п 1,3 Вт >3,5 ГГц (10 В; 50 мА) 40; 20* (1к) 3 150 <0,5 мкА (40 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 97 ^21э» ^21Э ск. ^12э» пФ ГКЭ нас* ®м W Ом к;.;, дб Кш, дБ г5 Ом Р** , Вт * вых» тк> ПС fpac* НС Со* НС Корпус 80...250 (5 В; 10 мА) <6 <4 <8 — КТ6117 60...250 (5 В; 10 мА) <6 <5 — — ?5,2 >30* (5 В; 500 мА) <74 (5 В) <0,15 >30* (5 В; 500 мА) £74 (5 В) <0,15 >30* (5 В; 500 мА) <74 (5 В) <0,15 >50* (5 В; 500 мА) <74 (5 В) <0,15 >50* (5 В; 500 мА) <74 (5 В) <0,15 £50* (5 В; 500 мА) £74 (5 В) <0,15 £50* (5 В; 500 мА) <74 (5 В) <0,2 £30* (5 В; 500 мА) £74 (5 В) <0,2 £30* (5 В; 500 мА) £74 (5 В) <0,25 <250* <250* <250* <250* <250* <250* <250* <250* <250* КТ6127 28...45 (5 В; 1 мА) 39...60 (5 В; 1 мА) 54...80 (5 В; 1 мА) 72...108 (5 В; 1 мА) 97...146 (5 В; 1 мА) 132... 198 (5 В; 1 мА) КТ6128 20...150* (10 В; 50 мА) £1,45 (10 В) 25... 150 (5 В; 0,2 А) £25 (10 В) <2 >20 £40 (10 В; 100мА) £2 (10 В) — 90* КТ6129Б-2 КТ6130-9 К 1 б J
98 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max» Р* К, т max » Р** К, и max » мВт ®Н21в» с... с. МГц ^КБОтах» и* ’JK3R тах» и** ^КЭО тах» В ^ЭБО max» В Ik max I* К,и тах» мА ^КБО» I ^КЭК» 1*^0» мкА КТ6132А р-п-р 1,3 Вт >3,5 ГГц (10 В; 50 мА) 40 3 150 <0,5 мкА (40 В) КТ6133А р-п-р 1000 >100 25* — 1200 — КТ6133Б р-п-р 1000 >100 25* — 1200 — КТ6133В р-п-р 1000 >100 25* — 1200 КТ6134А п-р-п 1000 >100 25* — 1200 — КТ6134Б п-р-п 1000 >100 25* — 1200 — КТ6134В п-р-п 1000 >100 25* — 1200 КТ6135А п-р-п 800 >100 400* — 500 — КТ6135Б п-р-п 800 >100 300* — 500 — КТ6135В п-р-п 800 >100 200* — 500 — КТ6135Г п-р-п 800 >100 100* — 500 — КТ6135А9 п-р-п 1 Вт >90 400 6 500 — КТ6135Б9 п-р-п 1 Вт >90 300 6 500 — КТ6135В9 п-р-п 1 Вт >90 200 6 500 — КТ6135Г9 п-р-п 1 Вт >90 100 6 500 — КТ6135Д9 п-р-п 1 Вт >90 50 5 500 — КТ6142А9 п-р-п 600 5000 20 3 100 КТ6136А р-п-р 625 >250 40** 5 200 <0,05* КТ6137А п-р-п 625 >300 60; 40** 6 200 <0,05* КТ6138А р-п-р 500 50 300 — 100 — КТ6138Б р-п-р 500 50 250 — 100 — КТ6138В р-п-р 500 50 200 — 100 КТ6138Г р-п-р 500 50 160 — 100 КТ6138Д р-п-р 500 50 120 — 100 — КТ6139А п-р-п 500 50 300 — 100 — КТ6139Б п-р-п 500 50 250 — 100 — КТ6139В п-р-п 500 50 200 — 100 — КТ6139Г п-р-п 500 50 160 — 100 — КТ6139Д п-р-п 500 50 120 — 100 — КТ6140А р-п-р 400 >700 30; 15** 5 50 <0,05 (12 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 99 ^21э» ^21Э Ск, С12э» пФ ГКЭ».. ОМ гю„ас. Ом К". ДБ >40 (10 В; 100 мА) <2 (10 В) 85...160 — — 120. .200 — — 160...300 — — кш, дБ г;. Ом PL. Вт Тк» ПС tjac» НС ^выкл» НС Корпус КТ6132 Л КТ6133, КТ6134, КТ6135 85...160 120...200 160...300 50...500 50...500 50...500 50...500 >50 (10 В; 50 мА) >50 (10 В; 50 мА) >50 (10 В; 50 мА) >50 (10 В; 50 мА) >100 (10 В; 50 мА) >50 (10 В; 20 мА) <10; <10; <10; <10; <12; >11** (0,8 ГГц) 16* 16* 16* 16* 16* <2 (0,8 ГГц) 100...300 (1 В; 10 мА) <4,5 100...300 (1 В; ЮмА) КТ6135-9 <6 КТ6136, КТ6137 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) <25 <25 <25 <25 <25 КТ6138, КТ6139, КТ6140 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) 40...600 (10 В; 30 мА) <25 <25 <25 <25 <25 95,2 и 1 36 к | иг 28...198 (5 В; 1 мА) <1,7 (10 В) <50
100 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » т max ♦ К. и max » мВт ^р» ^216» Г21э* с* МГц ^КБОтах» и* '-'кэи max* ^КЭО max* В ^ЭБО max* В max ^К.и тах» мА ^КБО» ^K3R* ^КЭО» мкА КТ6141А9 п-р-п 500 >3200 20 3 50 — КТ6141Б9 п-р-п 700 >3200 20 3 70 КТ6142А п-р-п 600 6000 20 3 70 — КТ6142Б п-р-п 600 4000 25 3 100 КТ616А п-р-п 0,3 Вт >200 20* 4 400 (600*) <15 (10 В) КТ616Б п-р-п 0,3 Вт >200 20* 4 400 (600*) <15 (10 В) КТ617А п-р-п 0,5 Вт >150 30 4 400 (600*) 25 (30 В) КТ618А п-р-п 0,5 Вт >40 300 5 100 <50* (250 В) КТ620А р-п-р 0,225 Вт >200 50 3 400 25 (50 В) КТ620Б р-п-р 0,5 Вт >200 50 4 400 25 (50 В) КТ624А-2 п-р-п 1 Вт >450 30 4 1000(1300*) 2100 (30 В) 1кТ624АМ-2 п-р-п 1 Вт >450 30 4 1000(1300*) 2100 (30 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 101 ^2!э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» Ом ГБЭнас» к;;, дб Кш, дБ г;, Ом Р~ , Вт * вых» Тк, ПС С» нс Со,. НС Корпус >50 (10 В; 50 мА) >50 (10 В; 50 мА) — £14** (0,5 ГГц) £9** (0,8 ГГц) £3,6 (0,5 ГГц) £4 (0,8 ГГц) — 3 Б КТ6141-9 5 j l ф v ^±7 ’ x_j 1 ЙО (10 В; 50 мА) >40 (10 В; 50 мА) — £11** (0,8 ГГц) £12** (0,8 ГГц) £3 (0,8 ГГц) £3 (0,8 ГГц) — IS ЯП .1 К1 6142 Ё ч 3 'Кб , f >40* (1 В; 0,5 А) >25* (1 В; 0,5 А) <15 (10 В) £15 (10 В) <1,2 <1,2 — <50* <15* 0 к Г616 1 к Л ^б >30* (2 В; 0,4 А) <15 (10 В) <7 <120 КТ617, КТ618 MJ 1 (( 1а я >30* (40 В; 1 мА) <7 (40 В) 100* (10 В; 10 мА) 30... 100* (5 В; 0,2 А) — <2,5 <2,5 — <100* К' х 0117, Г620 СО ( 1 1 н 30...180* (0,5 В; 0,3 А) <15 (5 В) <9 <18 К' 1,9 б КЗ Г624 J Л 1 30...180* (0,5 В; 0,3 А) £15 (5 В) <9 <18 кт 3 624М !Г I -W-I III К 63 J
102 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max ♦ Р* К, т max ♦ Р** К, и max1 мВт Кг1б> с. МГц ^КБО max» и* K3R max > и** ’-’КЭОтах» В ^ЭБО max » В max I* К,и тах» мА ^КБО» ^КЭИ» I** якэо» мкА КТ625А п-р-п 1 Вт >200 40* (5к) 5 1000(1300*) <30 (60 В) КТ625АМ п-р-п 1 Вт >200 60 5 1000 (1300*) <30 (60 В) КТ625АМ-2 п-р-п 1 Вт >200 60 5 1000 <30 (60 В) КТ626А р-п-р 6,5 Вт (60’С) >75 45 4 500 (1500*) <10 (30 В) КТ626Б р-п-р 6,5 Вт (60’С) >75 60 4 500 (1500*) <150 (30 В) КТ626В р-п-р 6,5 Вт (60’С) >45 80 4 500 (1500*) <1 мА (80 В) КТ626Г р-п-р 6,5 Вт (60’С) >45 20* (0,1 к) 4 0,5 (1,5*) А <150 (20 В) КТ626Д р-п-р 6,5 Вт (60’С) >45 20* (0,1 к) 4 0,5 (1,5*) А <150 (20 В) КТ629А-2 р-п-р 1 Вт (80’С) >250 50 4,5 1000 <5 (50 В) КТ629Б-2 р-п-р 1 Вт (8О’С) >250 50 4,5 1000 <5 (50 В) КТ629БМ-2 р-п-р 1 Вт >250 50* (1к) 4,5 1000 <5 (50 В) КТ630А п-р-п 0,8 Вт >50 120 7 1000 (2000*) <1 (90 В) КТ630Б п-р-п 0,8 Вт >50 120 7 1000 (2000*) <1 (90 В) КТ630В п-р-п 0,8 Вт >50 150 7 1000 (2000*) <1 (90 В) КТ630Г п-р-п 0,8 Вт >50 100 5 1000 (2000*) <1 (40 В) КТ630Д п-р-п 0,8 Вт >50 60 5 1000 (2000*) <1 (40 В) КТ630Е п-р-п 0,8 Вт >50 60 5 1000 (2000*) <1 (40 В) КТ630А-5 п-р-п 800 >50 120 7 1 А (2* А) <100(120 В) КТ630Б-5 п-р-п 800 >50 120 7 1 А (2* А) <100(120 В) КТ630В-5 п-р-п 800 >50 150 7 1 А (2* А) <100 (120 В) КТ630Г-5 п-р-п 800 >50 100 5 1 А (2* А) <100 (100 В) КТ632Б р-п-р 0,5 Вт (45’0 >200 120* (1 к) 5 100 (350*) <1 (120 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 103 20...200* (1 В; 0,5 А) Ск. О)2э> пФ Гкэнас. ОМ Гюрж» °М к;.;, дб <9 (10 В) <2,4 Кш, дБ гЬ Ом Вт тк, ПС {рас. НС ^выкл’ НС Корпус <60 КТ625 Z2 1,5 Б К Э 20...200* (1 В; 0,5 А) 20...200 (1 В; 0,5 А) <9 (10 В) <9 (10 В) <2,4 <1,3 <60 <60 КТ625М 3 КБЭ 40...260* (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <2 30...100* (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <2 15...45* (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <2 15...6O* (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <2 40...250* (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <2 <500 <500 <500 <500 <500 КТ626 Я (пг ‘ эк Б 25...15O* (5 В; 0,5 А) 25...15O* (5 В; 0,2 А) <25 (10 В) <25 (10 В) <2 <2 90* КТ629А-2, КТ629М 25... 150* (1,2 В; 0,5 А) <25 (10 В) <2 90* 12 12 Б К Э 40...120* (10 В; 150 мА) 80...24О* (10 В; 150 мА) 40...12О* (10 В; 150 мА) 40...120* (10 В; 150 мА) 80...24О* (10 В; 150 мА) 160...480* (10 В; 150 мА) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <2 <2 <2 <2 <2 <2 >5* >5* >5* >5* >5* >5* <500** <500** <500** <500** <500** <500** 40...120 (10 В; 0,1 А) <15 (10 В) <3,3 80...240 (10 В; 0,1 А) <15 (10 В) <3,3 40...120 (10 В; 0,1 А) <15 (10 В) <3,3 40...120 (10 В; 0,1 А) <15 (10 В) <3,3 >50 (1 В; 1 мА) <5 (20 В) <25 КТ630-5 <100 —=* 0,32
104 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Pr, т max » Р“ К, и max » мВт С» С16» С1э» Сах» МГц ^КБОтах» ^K3R max » и** ’JR9O тах» В ^ЭБО тах» В Ik max I* К,и тах» мА ^КБО» Ir9R» Irso» мкА КТ632Б-1 р-п-р 350 (40’С) >200 120* <1к) 5 100 (350*) <1 (120 В) КТ632В-1 р-п-р 350 (40’С) >200 120* <1к) 5 100 (350*) £1 (120 В) КТ633А п-р-п 1,2 Вт >500 30 4,5 200 (500*) <10 (30 В) КТ633Б п-р-п 1,2 Вт >500 30 4,5 200 (500*) <10 (30 В) КТ634А-2 п-р-п 1,2 Вт >1500 30 3 150 (250*) <0,5 мА (30 В) КТ634Б-2 п-р-п 1,3 Вт >1500 30 3 150 (250*) £1 мА (30 В) КТ635А п-р-п 0,5 Вт >200 60 5 1 (1,2*) А £30 (60 В) КТ635Б п-р-п 0,5 Вт >250 60 5 1 (1,2*) А <30 (60 В) КТ637А-2 п-р-п 1,5 Вт >1300 30 2,5 200 (300*) <0,1 мА (30 В) КТ637Б-2 п-р-п 1,5 Вт >800 30 2,5 200 (300*) <2 мА (30 В) КТ638А п-р-п 500 >200 но 5 100 (350*) <0,1 мА (НОВ) КТ638А1 п-р-п 500 >200 120 5 100 <0,1 (120 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 105 ^21э» ^21Э ^12э» пФ «•кЭиле. ОМ Ом к;;, дб Кш, дБ г;, Ом Р‘ , Вт * вых» тк, ПС Час. НС ^аикл. НС Корпус 50—350 (1 В; 1 мА) 150—450 (10 В; 1 мА) <5 (20 В) <5 (20 В) <25 <25 — <100 2000* CS КТ632- 1 N 1 W JU *4, лггз I <г> л 40...140 (1 В; 10 мА) 20...160 (1 В; 10 мА) £4,5 (10 В) £4,5 (10 В) <5 <5 <6 (20 мГц) <6 (20 мГц) <30* <30* J КТ633 19,4 ~ !£ • KL сч, ‘ 1 L_l IIЦ — <2,5 (15 В) <3 (15 В) £1,4** (5 ГГц) £1,4** (5 ГГц) £0,2** (5 ГГц) £0,45** (5 ГГц) <2 <3,5 КТ6 , _61 у 134-2 L 1г I 1 60 sro L ’А e IV -J 1чн ь ж 25...150* (1 В; 0,5 А) 20—150* (1 В; 0,5 А) £15 (10 В) £10 (10 В) £1 £1 — <58; <60** <58; <60** J КТ635 ^,4^ 45 чг. !£ 1 сч, 1 и Il IU Щ1Щ 30—140* (5 В; 50 мА) 30—140* (5 В; 50 мА) £4,5 (15 В) £4,5 (15 В) — £0,5** (3 ГГц) £0,25** (3 ГГц) <3 <15 КП 5 V >37-2 3.75 0.9 « 14- ь Ж 50-350 (1 В; 10 мА) £8 (20 В) <25 <25 (1* мкс) С 1 кт /42 638 1Г 3 № '35 К >50 (10 В; 2 мА) <6 <25 КТ638А1 Г L KL k 1 ! 1 II1Ш
106 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р * К max’ *К. т max ’ р** К, и max ’ мВт ?21в> с,», с. МГц ^КБО max’ ^K3R max ’ и** КЭО max ’ В ^ЭБОтах’ В Ik max I* К,и max’ мА ^КБО’ ^K3R’ I** *КЭО’ мкА КТ639А р-п-р 1 (12,5*) Вт >80 45 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Б р-п-р 1 (12,5*) Вт >80 45 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639В р-п-р 1 (12,5*) Вт >80 45 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Г р-п-р 1 (12,5*) Вт >80 60 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Д р-п-р 1 (12,5*) Вт >80 60 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Е р-п-р 1 Вт (35’С) >80 100 5 1,5 А (2* А) £0,1 (30 в) КТ639Ж р-п-р 1 Вт (35’С) >80 100 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639И р-п-р 1 Вт (35’0 >80 30 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639А-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 45 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Б-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 45 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639В-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 45 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Г-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 60 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 в) КТ639Д-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 60 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Е-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 100* 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639Ж-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 100* 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ639И-1 р-п-р 500 (30** Вт) >80 30 5 1,5 А (2* А) <0,1 (30 В) КТ640А-2 п-р-п 0.6 Вт (60’0 >3000 25 3 60 <0,5 мА (25 В) КТ640Б-2 п-р-п 0.6 Вт (60’0 >3800 25 3 60 <0,5 мА (25 В) КТ640В-2 п-р-п 0.6 Вт (60’0 >3800 25 3 60 <0,5 мА (25 В) 1кТ642А-2 п-р-п 500 20 2 60 <1 мА (20 В) КТ642А-5 п-р-п 500 20 2 60 <1 мА (20 В) КТ643А-2 п-р-п 1,1 Вт (50’0 25 3 120 <1 мА (25 В) КТ644А р-п-р 1 (12,5*) Вт >200 60 5 0,6 А; 1* А <0,1 (50 В) КТ644Б р-п-р 1 (12,5*) Вт >200 60 5 0,6 А; 1* А <0,1 (50 В) КТ644В р-п-р 1 (12,5*) Вт >200 40** 5 0,6 А; 1* А <0,1 (50 В) КТ644Г р-п-р 1 (12,5*) Вт >200 40** 5 0,6 А; 1* А <0,1 (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 107 ск, «•кэнас. О“ кш» дБ С|2э* Г*э нас» Ом г;, Ом пФ к" . дБ Р“ , Вт вых » "ж 40...100* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 63...16O* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 100...250* (2 В; 0,15 А) £50 (10 В) <1 40... 100* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 63...16O* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 40... 100* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 60...100* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 180...400* (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 40...100 (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 40...160 (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 90...160 (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 40...100 (2 В; 0,15 А) £50 (10 В) <1 63...16O (2 В; 0,15 А) £50 (10 В) <1 40... 100 (2 В; 0,15 А) £50 (10 В) <1 63...16O (2 В; 0,15 А) £50 (10 В) <1 180...400 (2 В; 0,15 А) £50 (10 В) <1 <8 (6 ГГц) >0,1** (7 ГГц) >0,1** (7 ГГц) >0,08** (7 ГГц) Тк» ПС ♦рас» «С Сел» НС Корпус >15* (5 В; 5 мА) >15* (5 В; 5 мА) >15* (5 В; 5 мА) 40...120* (10 В; 0,15 А) 100...300* (10 В; 0,15 А) 40...120* (10 В; 0,15 А) 100...300* (10 В; 0,15 А) <1,3 (15 В) <1,3 (15 В) <1,3 (15 В) <1,1 (15 В) <1,1 (15 В) <1,8 (15 В) >6** (7 ГГц) >6** (7 ГГц) >6** (7 ГГц) >3,5** (8 ГГц) >0,1** (8 ГГц) >3,5** (8 ГГц) >0,1** (8 ГГц) <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* <200* КТ639 Г' ОТ КТ639-1 \э я1 К ЭК б >0,48** (7 ГГц) £8 (10 В) <2,7 £8 (10 В) <2,7 £8 (10 В) <2,7 £8 (10 В) <2,7 КТ640-2 0,6 КТ642-2 КТ642-5 и 4 • О» *£0* 1 0,45 <—> Ю j o’ i 0,1 КТ643-2 <180* <180* <180* <180* КТ644 1 г I"4- ^"1 91 tffl со Со Ч.
108 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » Р** К. и max » мВт ^гр» ^1216» Сиэ» С» МГц ^КБОтах» ГГ ^КЭЙ тах» и** КЭО тах» В ^ЭБО тах» В ®К max I* К, и max » мА ^КБО» ^КЭИ» Г‘ лкэо» мкА КТ645А п-р-п 0,5 (I*) Вт >200 60 4 0,3 А; 0,6* А <10 (60 в) КТ645Б п-р-п 500 >200 40 4 300 (600*) 510 (40 В) КТ646А п-р-п I (2,5*) Вт >200 60 4(5) 1 А; 1,2 * А 510 (60 В) КТ646Б п-р-п I Вт >200 40 4 1 А; 1,2* А <10 (40 В) КТ646В п-р-п I Вт >200 40 4 1 А; 1,2* А <10 (40 В) КТ647А-2 п-р-п 560 18 2 90 <1 мА (18 В) КТ647А-5 п-р-п 560 18 2 90 51 мА (18 В) КТ648А-2 п-р-п 420 18 2 60 51 мА (18 В) КТ648А-5 п-р-п 420 18 2 60 51 мА (18 В) КТ653А п-р-п 5 Вт > 50 120* 7 1 А 10* (120 В) КТ653Б п-р-п 5 Вт > 50 100* 7 1 А 10* (100 В) КТ657А-2 п-р-п 375 (60’С) >3 ГГц 12* 2 60 51* мА (12 В) КТ657Б-2 п-р-п 375 (60’С) >3 ГГц 12* 2 60 51* мА (12 В) КТ657В-2 п-р-п 375 (60’С) >3 ГГц 12* 2 60 51* мА (12 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 109 ^21э» 1*21Э ^12э» пФ ГКЭнас» ГБЭ нас» к;;, дб Кш, дБ О*1 pL. Вт тк, ПС Час» «С Чыкл» НС Корпус 20...200* (2 В; 0,15 А) £80 (10 В; 2 мА) <5 (10 В) £5 (10 В) <3,3 — <120; <50* KT64J 13,5 5,2 ill ЛИ ** f КБЭ | k is! 40...200* (5 В; 0,2 А) 150...200* (5 В; 0,2 А) 150...300* (5 В; 0,2 А) <10(10 В) <10 (10 В) ^10 (10 В) <1,7 <1,2 <0,06 — <120; <60* <120; <60* <120; <60* КТ646 11,1тм Ф I »L in k эЛб <1,5 (15 В) >3** (10 ГГц) 0,2** (10 ГГц) KT6 47- 2 9 I ’ IIя llr^ Ho <а,5 (15 В) £3** (10 ГГц) 0,2** (10 ГГц) KT647-5 0,45 0,1 0,45 l~l <1,5 <10 В) £3** (12 ГГц) 0,04** (12 ГГц) 18 KT648 •2 9 I 4 J I • * - Ш9 £1,5 (10 В) £3** (12 ГГц) £0,04** (12 ГГц) KT648-5 0.5 0,1 Ю o’ 40...150 (10 В; 150 мА) 80...250 (10 В; 150 мА) £20 (10 В) £20 (10 В) <3,3 <3,3 <1** мкс <1** мкс KT653 09t9 «3 I и 4^3 null IO ^Б 60...2ОО (6 В; 30 мА) 35...7O (6 В; 30 мА) <1,1 (15 В) <1,1 (15 В) £1,1 (15 В) £8** (2 ГГц) £8** (2 ГГц) £8** (2 ГГц) £0,05** (2 ГГц) £0,05** (2 ГГц) £0,05** (2 ГГц) — KT657- 2 9 JL TSl. _ li б
110 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max ’ Р* К, т max » Р** К, и max1 мВт tp' ^1216* с.», с. МГц ^КБО max ’ U]K3R max » U КЭО max » В ^ЭБО max > В Ik max I* К, и max1 мА ^КБО» Ik3R’ ^кэо» мкА КТ657А-5 п-р-п 375 >3 ГГц 12* 2 60 <1* мА (12 В) КТ657Б-5 п-р-п 375 >3 ГГц 12* 2 60 <1* мА (12 В) КТ657В-5 п-р-п 375 >3 ГГц 12* 2 60 <1* мА (12 В) КТ659А п-р-п 1 Вт >300 60 6 1,2 А <0,5 мА (60 В) КТ660А п-р-п 0,5 Вт >200 50 5 0,8 А <1 (50 В) КТ660Б п-р-п 0,5 Вт >200 30 5 0,8 А £1 (30 В) КТ661А р-п-р 0,4 Вт (1,8* Вт) >200 60 5 0,3 А; 0,6* А <0,01 мА (50 В) КТ662А р-п-р 0,6 Вт (3* Вт) >200 60 5 0,4 А; 0,6* А <0,01 мА (50 В) КТ664А-9 р-п-р 300 (1* Вт) >50 120 5 1 А (1,5* А) <10 (100 В) КТ664Б-9 р-п-р 300 (1* Вт) >50 100 5 1 А (1,5* А) <10 (100 В) КТ665А-9 п-р-п 300 (1* Вт) >50 120 5 1 А (1,5* А) <10 (100 В) КТ665Б-9 п-р-п 300 (1* Вт) >50 100 5 1 А (1,5* А) <ао (loo в) КТ666А-9 п-р-п 300 (1* Вт) >60 300 5 20 (50*) <0,1 мА (300 В) КТ667А-9 р-п-р 300 (1* Вт) >40 300 5 20; 50* <0,1 (300 в)
Биполярные кремниевые транзисторы 111 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ».С. Ом Ом к;.;., «в кш, дБ Ом PL. Вт Тк,пс Час» НС ^ВЫКЛ» НС Корпус 60. .200 (6 В; 30 мА) 35...7O (6 В; 30 мА) <1,1 (15 В) <1,1 (15 В) <1,1 (15 В) >8** (2 ГГц) >8** (2 ГГц) >8** (2 ГГц) >0,05** (2 ГГц) >0,05** (2 ГГц) >0,05** (2 ГГц) — ю 1 o' . KI o, Г657-5 5 0,1 >35* (1 В; 0,3 А) <10 (10 В) <9 <80** «е. I к 09,4 llllj J® LT659 i 110...220* (10 В; 0,2 А) 200...450* (10 В; 0,2 А) £10 (10 В) £10 (10 В) £1 £1 — — zs sii и MJ LT660 > КЭ6 7 * Jf 4 I00...300* (10 В; 0,15 А) £8 (10 В) <3,2 <150** 37АА is I W c LT661 1 к ||MH| w WA 100...300* (10 В; 0,15 А) £8 (10 В) <3,2 <200** 4s‘ «$> t?1 1 I в 09Л Y"' III 111 Ji LT662 5 40...250 (2 В; 0,1 А) 40...250 (2 В; 0,1 А) £25 (5 В) £25 (5 В) <2,3 <2,3 <700** <700** Jt S31 KT664 4 ’ Lllr 9, KT6 16 II, ft» Л?-5 65- 9 40...250 (2 В; 0,15 А) 40...250 (2 В; 0,15 А) £25 (5 В) £25 (5 В) <2 <2 — — 5 >50 (10 В; 5 мА) <80 — I СГ666А 9, KT6 16 № 67Д J l-9 A9 >50 (10 В; 5 мА) <80 — 0,‘
112 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » т max» Р** К, и max » мВт К>21в» с. МГц ^КБОтах» и’ ^КЭЙ тах» ^КЗО max » В ЧэБО max » В 1К max I* К,и тах» мА ^КБО» ^КЭЙ» ^КЭО» мкА КТ668А р-п-р 0,5 Вт >200 50 5 0,1 А <15 нА (30 В) КТ668Б р-п-р 0,5 Вт >200 50 5 0,1 А <15 нА (30 В) КТ668В р-п-р 0,5 Вт >200 50 5 0,1 А <15 нА (30 В) КТ680А п-р-п 350 (85’С) >120 30 5 0,6 А (2* А) <10 (25 В) КТ681А р-п-р 350 (85’С) >120 30 5 0,6 А (2* А) <10 (25 В) КТ682А-2 п-р-п 350 >4,4 ГГц 10 1 50 <1 (10 В) КТ682Б-2 п-р-п 350 >4,4 ГГц ю 1 50 <1 (10 В) КТ682А-5 п-р-п 350 >4,4 ГГц 10 1 50 <1 (10 В) КТ682Б-5 п-р-п 350 >4,4 ГГц 10 1 50 <1 (10 В) КТ683А п-р-п 1,2 (8*) Вт >50 150* (Зк) 7 1 А; 2* А <1 (90 В) КТ683Б п-р-п 1,2 (8*) Вт >50 120* (Зк) 7 1 А; 2* А <1 (90 В) КТ683В п-р-п 1,2 (8*) Вт >50 120* (Зк) 7 1 А; 2* А <1 (90 В) КТ683Г п-р-п 1,2 (8*) Вт >50 100* (Зк) 5 1 А; 2* А <1 (40 В) КТ683Д п-р-п 1,2 (8*) Вт >50 60* (Зк) 5 1 А; 2* А <1 (40 В) КТ683Е п-р-п 1,2 (8*) Вт >50 60* (Зк) 5 1 А; 2* А <1 (40 В) КТ684А р-п-р 0,8 Вт >40 45* (1 к) 5 1 А (1,5* А) <0,1 (30 В) КТ684Б р-п-р 0,8 Вт >40 60* (1к) 5 1 А (1,5* А) <0,1 (30 В) КТ684В р-п-р 0,8 Вт >40 100* (1 к) 5 1 А (1,5* А) <0,1 (30 В) КТ684Г р-п-р 0,8 Вт >40 30 5 1 А (1,5* А) <0,1 (30 В) КТ685А р-п-р 0,6 Вт >200 60 5 0,6 А <0,02 (50 В) КТ685Б р-п-р 0,6 Вт >200 60 5 0,6 А <0,01 (50 В) КТ685В р-п-р 0,6 Вт >200 60 5 0,6 А <0,02 (50 В) КТ685Г р-п-р 0,6 Вт >200 60 5 0,6 А <0,01 (50 В) КТ685Д р-п-р 0,6 Вт >350 30 5 0,6 А <0,02 (25 В) КТ685Е р-п-р 0,6 Вт >250 30 5 0,6 А <0,02 (25 В) КТ685Ж р-п-р 0,6 Вт >250 30 5 0,6 А <0,02 (25 В) КТ686А р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 50* (0) 5 0,8 А (1,5* А) <0,1 (45 В) КТ686Б р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 50* (0) 5 0,8 А (1,5* А) iSO.l (45 В) КТ686В р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 50* (0) 5 0,8 А (1,5* А) <0,1 (45 В) КТ686Г р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 30* (0) 5 0,8 А (1,5* А) <0,1 (25 В) КТ686Д р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 30* (0) 5 0,8 А (1,5* А) <0,1 (25 В) КТ686Е р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 30* (0) 5 0,8 А (1,5* А) <0,1 (25 В) КТ686Ж р-п-р 0,625 (1,4*) Вт >100 30* (0) 5 0,8 А (1,5* А) <0,1 (25 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 113 ^21э» ^21Э ск» ^12э» пФ «кЭнас. О’1 «•йнае. ОМ к;;, дб Кш, дБ г;. Ом Р."х. Вт Тк, ПС t'pae. НС Ска» НС Корпус 75...140 (5 В; 2 мА) 125...250 (5 В; 2 мА) 220...475 (5 В; 2 мА) <7 <7 <7 <6,5 <6,5 <6,5 210 (1кГц) 210 (1кГц) 210 (1кГц) — KT668 .#2 _ 13,5 5,2 !**!** и КБЭ , f 1 4 -И Чг 85...3OO* (1 В; 0,5 А) — <0,5 — — КТ680, КТ 0^2 681 "тТт 85...3OO* (1 В; 0,5 А) — <0,5 — — CS» Л 1гэ л Jill JW -Ж4 5-. 40...45 (7 В; 2 мА) 80...120 (7 В; 2 мА) <0,9 (10 В) 20,9 (10 В) >7** (3,6 ГГц) >7** (3,6 ГГц) 24 (3,6 ГГц) 24 (3,6 ГГц) — КТ682-1 2,2 1 ’ 10 э V —-L ¥ i г 9 1 < _!и 40...45 (7 В; 2 мА) 80...120 (7 В; 2 мА) <0,9 (10 В) <0,9 (10 В) >7** (3,6 ГГц) >7** (3,6 ГГц) 4 (3,6 ГГц) 24 (3,6 ГГц) КТ682-5 0,4 0,1 ° JL 40 .120* (10 В; 0,15 А) 80...240* (10 В; 0,15 А) 40...120* (10 В; 0,15 А) 40...120* (10 В; 0,15 А) 80...240* (10 В; 0,15 А) 160...480* (10 В; 0,15 А) 215 (10 В) 215 (10 В) 215 (10 В) 215 (10 В) 215 (10 В) 215 (10 В) <3; <6.6* <3; <6.6* <3; <6.6* <3; <6.6* <3; <6.6* <3; <6.6* <8* <8* <8* <8* <8* <8* <500** <500** <500** <500** <500** <500** КТ683 11,1 так ф Ж «О' ' И Э/( Б 40...250* (2 В; 0,15 А) 40...160* (2 В; 0,15 А) 40...160* (2 В; 0,15 А) 180 .400 (2 В; 0,15 А) 250 (10 В) 250 (10 В) 250 (10 В) 250 (10 В) 21 21 21 21 — — кт *05,2 684 СМ j ^ЭКБ i 40...120* (10 В; 0,15 А) 40...120* (10 В; 0,15 А) 100...300* (10 В; 0,15 А) ЮО...ЗОО* (10 В; 0,15 А) 70...200* (1 В; 0,15 А) 40... 120* (1 В; 0,3 А) 100...300* (1 В; 0,3 А) 28 (10 В) 28 (10 В) 28 (10 В) 28 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) <2,6 <2,6 <2,6 <2,6 <2,6 <2,6 <2,6 — <80* <80* <80* <80* <80* <150 <150 KT685 05,2 _ 13,5 5,2 J КБЭ , /14 □ЯГ ч 100...250* (1 В; 0,1 А) 160...400* (1 В; 0,1 А) 250...630* (1 В; 0,1 А) 100...250* (1 В; 0,1 А) 160...400* (1 В; 0,1 А) 250...630* (1 В; 0,1 А) 100...250* (1 В; 0,1 А) 212 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) 212 (10 В) <1,4 <1,4 <1,4 <1,4 <1,4 <1,4 <1,4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ686 13,5 5,2 !**!** 'И КБЭ , / Г 4 -JW
114 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » р** К, и max » мВт С.,, с. МГц I^KBO max » U[<3R max» и** ’-’КЭО max» В ^ЭБО max» В JK max 1к, и max» мА ХКБО» г хкэи» г хкэо» мкА КТ692А р-п-р 1 Вт >200 40 5 1 А <0,1 (30 В) КТ695А п-р-п 450 >300 30 4 30 iSO.l (30 В) КТ698А п-р-п 600 >150 90* 4 2 А <20* (90 В) КТ698Б п-р-п 600 >150 70* 4 2 А £20* (70 В) КТ698В п-р-п 600 >150 50* 4 2 А £20* (50 В) КТ698Г п-р-п 600 >150 30* 4 2 А £20* (30 В) КТ698Д п-р-п 600 >150 12* 4 2 А £20* (12 В) КТ698Е п-р-п 600 >150 12* 4 2 А £20* (12 В) КТ698Ж п-р-п 600 >150 120* 4 2 А £20* (120 В) КТ698И п-р-п 600 >150 160* 4 2 А £20* (160 В) КТ698К п-р-п 600 >150 200* 4 2 А £20* (200 В) КТ704А п-р-п 15* Вт (50’С) >3 500* (1000 имп.) 4 2,5 (4*) А £5* мА (1000 В) КТ704Б п-р-п 15* Вт (50’С) >3 400* (700 имп.) 4 2,5 (4*) А £5* мА (700 В) КТ704В п-р-п 15* Вт (50’0 >3 400* (500 имп.) 4 2,5 (4*) А КТ708А р-п-р 5 Вт >3 100; 80* 5 2 А — КТ708Б р-п-р 5 Вт >3 80; 60* 5 2 А — КТ708В р-п-р 5 Вт >3 60; 40* 5 2А КТ709А р-п-р 30 Вт >3 100; 80* 5 10 А — КТ709Б р-п-р 30 Вт >3 80; 60* 5 10 А — КТ709В р-п-р 30 Вт >3 60; 40* 5 10 А КТ710А п-р-п 50* Вт (50’0 3000* (0,01 к) 5 5 (7,5*) А £2 мА (3000 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 115 >20 (I В; 0,5 А) Ск, С12э» пФ ’кЭнас» ГБЭ нас» ОМ , ДБ <20 (30 В) 50...200 (10 В; 1 мА) <1,5(10 В) >20* (5 В; 1 А) >20* (5 В; 1 А) >50* (5 В; 1 А) >50* (5 В; 1 А) >50* (5 В; 1 А) >50* (5 В; 1 А) >30* (5 В; 1 А) >30* (5 В; 1 А) >30* (5 В; 1 А) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <74 (5 В) <0,12 <0,12 <0,12 <0,12 <0,12 <0,12 <0,12 <0,15 <0,17 Корпус <90** Кш, ДБ г;, Ом Вт Тк> ПС tJaC, НС ^выкл» НС КТ698 КТ695А 7.2 28 К 10... 100* (15 В; 1 А) 10...100* (15 В; 1 А) >10* (15 В; 1 А) <50 (20 В) <50 (20 В) <50 (20 В) <2,5 <2,5 >500 >700 >700 >500 >700 >700 >3,5 (10 В; 4 А) <0,9 <245* <245* <245* <245* <245* <245* <245* <245* <245* 052 КТ704 19.5 КТ708 КТ709 30000* 0М «а I г 1 см, 1 1 н 5i 1$ г *г л /< /5 А Г 1 ° о \ 7 \< КТ710 — " — 1_ 1 || л /< /я А • ( ° о \ ч \<
116 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max » Р* ГК, ттах» р- К, и max » мВт tp» С216» С1э» Сах» МГц U КБОтах» ^кэи тах» Uкэо тах» В ^ЭБО max » В IK max I* К, и тах» мА ^КБО» ^КЭЙ» ^КЭО» мкА КТ712А р-п-р 1,5 (50*) Вт >3 200 5 10(15*) А <1 мА (200 В) КТ712Б р-п-р 1,5 (50*) Вт >3 160 5 10 (15*) А <1 мА (160 В) КТ715А п-р-п 75* Вт (50°С) >0,45 5000 5 2 А <1 мА (5000 В) КТ716А п-р-п 1 Вт (60 Вт*) >6 100 5 8 А <0,1 мА КТ716Б п-р-п 1 Вт (60 Вт*) >6 80 5 8 А <0,1 мА КТ716В п-р-п 1 Вт (60 Вт*) £6 60 5 8 А <0,1 мА КТ716Г п-р-п 1 Вт (60 Вт*) >6 45 5 8 А <0,1 мА КТ719А п-р-п 10* Вт >3 120 5 1,5 А — КТ720А р-п-р 10* Вт £3 120 5 1,5 А КТ721А п-р-п 25* Вт >3 120 5 1,5 А — КТ722А р-п-р 25* Вт >3 120 5 1,5 А КТ723А п-р-п 60* Вт >3 120 5 10 А — КТ724А р-п-р 60* Вт £3 120 5 10 А КТ728А п-р-п 115* Вт >2,5 60 7 15 А <0,7 мА (60 В) КТ729А п-р-п 150* Вт 2:0,2 50 5 30 А <2 мА (50 В) КТ729Б п-р-п 150* Вт >0,2 100 7 20 А <5 мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 117 ^21э» ^21Э ск, С|2э» пФ «-КЭнас. О” ГБЭ нас’ ОМ к;;, дб кш. дБ г;, Ом P.L. вт тк, ПС tjac. "С ^выкл’ ИС Корпус >500* (5 В; 2 А) £400* (5 В; 2 А) — <i <i — — 11« >гх sii sto КТ712 10,7 _ ф Л Ш 40 I £15 (10 В; 0,2 А) <15 <27500* L ,1, Ц * л? КТ715 ^>3 £750 (5 В; 5 А) £750 (5 В; 5 А) £750 (5 В; 5 А) £750 (5 В; 5 А) 150 (5 В) 150 (5 В) 150 (5 В) 150 (5 В) <0,4 <0,4 <0,4 <0,4 — <7000* <7000* <7000* <7000* «о КТ716 Г0,7 |ф1 й ш 40 I £20 (2 В; 0,15 А) £20 (2 В; 0,15 А) — <1,2 <1,2 — — К В11 Г719, КТ i- Й Л 720 й* £20 (2 В; 1 А) £20 (2 В; 1 А) — <0,6 <0,6 — — к Т721, КТ 4 {Н 722 э. й ► £20 (5 В; 5 А) £20 (5 В; 5 А) — <0,4 <0,4 — — *1 1..Л1 * 1723, КТ 10,7 ф Ш 724 40 ч т о 20...70 (5 В; 4 А) — <0,3 — — К Г728, КТ 728 X’ 1 15...6O* (4 В; 15 А) 15...6O (4 В; 10 А) — — <0,13 <0,14 — — сэ>л У 1
118 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р rK max » Р* ^К, т max» р~ К, и max » мВт ^гр» ^216» ^21э» С» МГц ^КБОтах» и* ’“'K3R тах» и‘* КЭО тах» в ^ЭБО тах» В 1К max I* К, и тах» мА ^КБО» г *K3R» 1гео» мкА КТ730А п-р-п 150* Вт >0,2 160 7 16 А <2 мА (140 В) КТ731А п-р-п 1 Вт; 10* Вт >30 25; 20** 5 1,5 А; 3* А <20 (30 В) КТ731Б п-р-п 1 Вт; 10* Вт >30 40; 35** 5 1,5 А; 3* А <20 (30 В) КТ731В п-р-п 1 Вт; 10* Вт >30 60; 55** 5 1,5 А; 3* А <20 (30 В) КТ731Г п-р-п 1 Вт; 10* Вт >30 80; 70** 5 1,5 А; 3* А <20 (30 В) КТ732А п-р-п 90* Вт >1 160 7 16 А 20* А 0,75 мА (160 В) КТ733А р-п-р 90* Вт >1 160 7 16 А 20* А 0,75 мА (160 В) КТ734А п-р-п 40* Вт >3 40 5 3 А; 5 А* <0,3** (30 В) КТ734Б п-р-п 40* Вт >3 60 5 3 А; 5 А* <0,3* (30 В) КТ734В п-р-п 40* Вт >3 80 5 3 А; 5 А* <0,3* (60 В) КТ734Г п-р-п 40* Вт >3 100 5 3 А; 5 А* <0,3* (60 В) КТ735А р-п-р 40* Вт >3 40 5 3 А; 5 А* £0,3* (30 В) КТ735Б р-п-р 40* Вт >3 60 5 3 А; 5 А* £0,3* (30 В) КТ735В р-п-р 40* Вт >3 80 5 3 А; 5 А* £0,3* (60 В) КТ735Г р-п-р 40* Вт >3 100 5 3 А; 5 А* £0,3* (60 В) КТ736А п-р-п 65* Вт >3 40 5 6 А; 10 А* £0,7* (30 В) КТ736Б п-р-п 65* Вт >3 60 5 6 А; 10 А* £0,7* (30 В) КТ736В п-р-п 65* Вт >3 80 5 6 А; 10 А* £0,7* (60 В) КТ736Г п-р-п 65* Вт >3 100 5 6 А; 10 А* £0,7* (60 В) КТ737А р-п-р 65* Вт >3 40 5 6 А; 10 А* £0,7* (30 В) КТ737Б р-п-р 65* Вт >3 60 5 6 А; 10 А* £0,7* (30 В) КТ737В р-п-р 65* Вт >3 80 5 6 А; 10 А* £0,7* (30 В) КТ737Г р-п-р 65* Вт >3 100 5 6 А; 10 А* £0,7* (30 В) КТ738А п-р-п 90 Вт >10 70 5 10 А 1 мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 119 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ОМ ГБЭ нас» к;;» дб Кш, дБ г;, Ом Р*’ , Вт вых » " ж Тк, ПС t'pae. НС С», нс Корпус 15...60* (4 В; 8 А) <0,17 Ц—। КТ73( Y7,1 j »| ' ==д § ) /5 [ о г \ А о 1 и У1 >40 (10 В; 50 мА) £40 (10 В; 50 мА) £40 (10 В; 50 мА) >30 (10 В; 50 мА) — <0,5 <0,5 <0,5 <0,5 — — Г • U КТ731 i- 1 ^0 1 Э/(б >15 (2 В; 8 А) £8 (4 В; 16 А) <0,25 КТ731 W ] __L& 1 & $5*7 IS ] £15 (2 В; 8 А) >8 (4 В; 16 А) <0,25 к- KT73; j -□У 3 S £25 (4 В; 1 А) £25 (4 В; 1 А) £10 (4 В; 3 А) £10 (4 В; 3 А) — <0,4 S0,4 <0,4 SO,4 — — к Г734, К ф T73f «Л ч I £25 (4 В; 1 А) £25 (4 В; 1 А) £10 (4 В; 3 А) £10 (4 В; 3 А) — <0,4 <0,4 <0,4 <0,4 — — ! ЭКО £30 (4 В; 3 А) £30 (4 В; 3 А) £15 (4 В; 3 А) £15 (4 В; 3 А) — <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 — — 74Д 16,5 -ТГ-П1 и Т736, К ф Т731 4Л т Q г £30 (4 В; 3 А) £30 (4 В; 3 А) £15 (4 В; 3 А) £15 (4 В; 3 А) — <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 — — эко 20...70 (4 В; 4 А) <0,3 <1** in Л КТ73 Й! 8 I 5 Г I D
120 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Pr. т max » Р** К, и max » мВт С’ ^Ь21в’ Ci,, с. МГц ^КБО max» UK3R max» LT ^КЭО max» В ^ЭБО max» В 1К max I* К,и max» мА ^КБО» ^КЭЙ» 1“ дкэо» мкА КТ739А р-п-р 90 Вт >10 70 5 10 А 1 мА (100 В) КТ740А п-р-п 125* Вт 200 5 20 А КТ740А1 п-р-п 60* Вт 200 5 20 А КТ801А п-р-п 5* Вт (55’С) >10 80* (0,1 к) 2,5 2 А 10* мА (80 В) КТ801Б п-р-п 5* Вт (55’С) >10 60* (0,1 к) 2,5 2 А 10* мА (60 В) КТ802А п-р-п 50* Вт >10; >20 150; 180 3; 5 5 А <60 мА (150 В) КТ803А п-р-п 60* Вт >20 60* (0,1 к) 4 10 А <5* мА (70 В) КТ805А п-р-п 30 Вт >20 60* (160 имп.) 5 5 (8*) А S15* мА (60 В) КТ805Б п-р-п 30 Вт >20 60* (135 имп.) 5 5 (8*) А <15* мА (60 В) КТ805АМ п-р-п 30* Вт (50’С) >20 60* (160 имп.) 5 5 (8*) А <15* мА (60 В) КТ805БМ п-р-п 30* Вт (50’С) >20 60* (135 имп.) 5 5 (8*) А <15* мА (60 В) КТ805ВМ п-р-п 30* Вт (50’0 >20 60* (135 имп.) 5 5 (8*) А <15* мА (60 В) КТ807А п-р-п 10* Вт (70’С) >5 100* 4 0,5; 1,5* А <5* мА (100 В) КТ807Б п-р-п 10* Вт (70’С) >5 100* 4 0,5; 1,5* А <5* мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 121 1*21э» 1*213 ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ГЮнас» ОМ к;.;» дб К», ДБ <» Ом р."х» Вт Тк, ПС *'рас» НС Сына» «С 20...70 (4 В; 4 А) <0,3 <0,7** >30 <0,125 >30 <0,125 15...5O* (5 В; 1 А) <2 — 30... 150* (5 В; 1 А) >15* (10 В; 2 А) — <1 — — 10...70* (10 В; 5 А) <250 (20 В) <0,5 — <190** 2:15* (10 В; 2 А) — <0,5 — — >15* (10 В; 2 А) — <1 — — >15* (10 В; 2 А) — <0,5 >15* (10 В; 2 А) — <1 — — 215* (10 В; 2 А) <1,25 15...45* (5 В; 0,5 А) — <2 30...100* (5 В; 0,5 А) <2 Корпус КТ740А 15,9 5 КТ740А1 10,65 4,8 КТ801 0 16 _ КТ802, КТ803, КТ805 КТ805М 10,7 4,8 ‘l I КТ807
122 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* К, т max » р*» К, и max » мВт G>,. С. МГц ^КБО max» ^K3R max » ’“'КЭО max» В ^ЭБО max» В >К max I* К,и max» мА ^КБО» ^K3R» Г* дкэо» мкА |КТ8О7АМ п-р-п 10* Вт (70’С) >5 100* (1к) 4 0,5 (1,5*) А <5* мА (100 В) КТ807БМ п-р-п 10* Вт (70’0 >5 100* (1к) 4 0,5 (1,5*) А <5* мА (100 В) КТ808А п-р-п 50* Вт (50’0 >7,2 120* (250 имп.) 4 10 А <3* мА (120 В) КТ808А1 п-р-п 70* Вт >8 130* 5 10 А <2* мА (130 В) КТ808Б1 п-р-п 70* Вт >8 100* 5 10 А <2* мА (100 В) КТ808В1 п-р-п 70* Вт >8 80* 5 10 А <2* мА (80 В) КТ808Г1 п-р-п 70* Вт >8 70* 5 10 А <2* мА (70 В) КТ808АЗ п-р-п 70* Вт >8 130 5 10 (15*) А <2* мА (130 В) КТ808БЗ п-р-п 70* Вт >8 100 5 10(15*) А <2* мА (100 В) КТ808АМ п-р-п 60* Вт (50’0 >8 130* (250 имп.) 5 10 А <2* мА (120 В) КТ808БМ п-р-п 60* Вт (50’0 >8 100* (160 имп.) 5 10 А <2* мА (100 В) КТ808ВМ п-р-п 60* Вт (50’С) >8 80* (135 имп.) 5 10 А <2* мА (100 В) КТ808ГМ п-р-п 60* Вт (50’0 >8 70* (80 имп.) 5 10 А >2* мА (70 В) КТ809А п-р-п 40* Вт (50’0 >5,1 400* (0,01 к) 4 3 А; 5* А £3* мА (400 В) КТ8101А п-р-п 2 Вт; 150* Вт >10 200 6 16 А (25* А) <1 мА (200 В) КТ8101Б п-р-п 2 Вт; 150* Вт >10 160 6 16 А (25* А) <1 мА (160 В) КТ8102А р-п-р 2 Вт; 150* Вт >10 200 6 16 А (25* А) <1 мА (200 В) КТ8102Б р-п-р 2 Вт; 150* Вт >10 160 6 16 А (25* А) <1 мА (180 В) КТ8104А р-п-р 150 Вт >10 350 5 20 А (25 А*) <0,7 мА (350 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 123 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГкЭиас- ОМ гБэ«ас- Ом . дБ кш, дБ г;, Ом Р~ , Вт вых » " Тк, ПС Час. "С *1». ис Корпус 15...45* (5 В; 0,5 А) 30...100* (5 В; 0,5 А) — <2 <2 — — КТ8С F Лк )7М 4ii ffl' 9i :±Z7 Кб 10...50* (3 В; 6 А) <1500 (10 В) <2000* £ ||с> И 1 ж КТ808 23,5 VJWl 20...125 (3 В; 2 А) 20... 125 (3 В; 2 А) 20... 125 (3 В; 2 А) 20...125 (3 В; 2 А) <500 (10 В) <500 (10 В) <500 (10 В) £500 (10 В) <0,33 <0,33 <0,33 <0,33 — — КТ8( 75,9 >8-1 4W /‘/г s’tii jh б К 3 ] 1 1 r 1 20... 125 (3 В; 2 А) 20... 125 (3 В; 2 А) £500 (100 В) <500 (100 В) — — <2000* <2000* КТ808-3 ^10»7_ 14J5 16,5 >l h-hj ф 3Кб L I 20... 125* (3 В; 2 А) 20... 125* (3 В; 2 А) 20...125* (3 В; 2 А) 20...125* (3 В; 2 А) <500 (100 В) <500 (100 В) <500 (100 В) <500 (100 В) <0,33 <0,33 <0,33 <0,33 — <2000* <2000* <2000* <2000* 1 КТ8С 27,1 )8М Е 15...100* (5 В; 2 А) <150 (20 В) <0,75 <4000* 0. КТ8 23,5 «и | й 09 Я >20* (10 В; 2 А) ЙО* (10 В; 2 А) <000 (5 В) <1000 (5 В) <3,3 <3,3 — — к Т8101, 75,9 КТ810 2 F сч S п r 1 ЙО* (10 В; 2 А) ЙО* (10 В; 2 А) £1000 (5 В) £1000 (5 В) <3,3 <3,3 — — б К 3 1000 (5 В; 5 А) <0,2 КТ81 27,1 L; 104 S’ Л Е
124 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » р* К, т max » р** * К, и max » мВт t-р» ?21б» ^21э» С» МГц ^КБО max» и* ’“'КЭЙ max» и** КЭО max» В ^ЭБО max » В 1К max I* К, и max» мА ^КБО» ^КЭЙ» Г^О» мкА | КТ8105А п-р-п 150 Вт >10 200 5 20 А (25 А*) £0,7 мА (350 В) КТ8106А п-р-п 2 Вт; 125* Вт >1 90* 5 20 А (30* А) КТ8106Б п-р-п 2 Вт; 125* Вт >1 60 5 20 А (30* А) КТ8107А п-р-п 100* Вт >7 1500 (700‘) 5 8 А (15* А) <0,7 мА (1500 В) КТ8107Б п-р-п 125* Вт >7 1500 (700*) 5 5 А (7,5* А) <0,7 мА (1500 В) КТ8107В п-р-п 50* Вт >7 1500 (600*) 5 5 А (8* А) £0,7 мА (1500 В) КТ8107Г п-р-п 100 Вт >7 1500 6 10 А £0,7 мА (1500 В) КТ8107Д п-р-п 100 Вт >7 1200 6 10 А £0,7 мА (1200 В) КТ8107Е п-р-п 100 Вт >7 1000 6 10 А £0,7 мА (1000 В) КТ8107А2 п-р-п 100* Вт >7 1500 (700*) 5 8 А (15* А) £0,7 мА (1500 В) КТ8107Б2 п-р-п 125* Вт >7 1500 (700*) 5 5 А (7,5* А) £0,7 мА (1500 В) КТ8107В2 п-р-п 50* Вт >7 1500 (600*) 5 5 А (8* А) £0,7 мА (1500 В) КТ8107Г2 п-р-п 100* Вт >7 1500 6 10 А £0,7 мА (1500 В) КТ8107Д2 п-р-п 100* Вт >7 1200 6 10 А £0,7 мА (1200 В) КТ8107Е2 п-р-п 100* Вт >7 1000 6 10 А £0,7 мА (1000 В) КТ8108А п-р-п 70* Вт >15 850 5 5 (7*) 0,5 мА (850 В) КТ8108Б п-р-п 70* Вт >15 850 5 5 (7*) 0,5 мА (850 В) КТ8108В п-р-п 70* Вт >15 900 5 5 (7*) 0,5 мА (900 В) КТ8108А-1 п-р-п 70* Вт 15 850 5 5 (7*)А £0,5 мА (850 В) КТ8108Б-1 п-р-п 70* Вт 15 850 5 5 (7*) А £0,5 мА (850 В) КТ8108В-1 п-р-п 70* Вт 15 900 5 5 (7*) А £0,5 мА (850 В) КТ8109А п-р-п 80* Вт >7 350 5 7 А (10* А) £3 мА (350 В) КТ8109Б п-р-п 80* Вт >7 300 5 7 А (10* А) £3 мА (300 В) КТ8110А п-р-п 2 Вт; 60* Вт >20 500 5 7 А (14* А) £1000 (500 В) КТ8110Б п-р-п 2 Вт; 60* Вт >20 500; 400** 5 7 А (14* А) £100 (400 В) КТ8110В п-р-п 2 Вт; 60* Вт >20 500; 350** 5 7 А (14* А) £100 (400 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 125 ^2!э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ОМ ГБЭ нас» к;;» дб Кш, дБ г;, Ом Р** , Вт вых» Тк, ПС Час» «С ^ВЫКЛ» НС Корпус I >1000 (5 В; 5 А) <0,2 КТ8105 т Д г /& - —1 £Г'_ г 1 $ 1 и 750...18000 (10 В; 5 А) 750...18000 (10 В; 5 А) £700 (10 В) <700 (10 В) <0,4 <0,4 — <4500** <4500** КТ8 15,9 106 5 См «OJ «С’ А? Г г J I Р1 6 К 3 >2,25* (5 В; 4,5 А) >2,25* (5 В; 4,5 А) 8...12* (5 В; 1 А) — <0,22 <0,65 <0,22 <0,22 <0,4 <0,4 — <3500* <3500* <3500* КТ8 15,9 107 5 3: г г п г 1 V1/’ ffi 1 1 1 5 К 3 >2,25* (5 В; 4,5 А) >2,25* (5 В; 4,5 А) 8...12* (5 В; 1 А) — <0,22 <0,65 <022 <0,22 <0,4 <0,4 — <3500* <3500* <3500* I LT8107-2 , КТ8108 7л 1 tf’L г I 5 м § 1 1 10...50 (5 В; 0,5 А) 40...80 (5 В; 0,5 А) 10...50 (5 В; 0,5 А) £75 (15 В) £75 (15 В) £75 (15 В) £0,4 £0,4 £0,4 — <3000* <3000* <3000* и 10...50* (5 В; 0,5 А) 40...80* (5 В; 0,5 А) 10...50* (5 В; 0,5 А) £75 (5 В) £75 (5 В) £75 (5 В) <Ю,4 <0,4 <0,4 — 3* мкс 3* мкс 3* мкс КТ81 10,7 в 108-1 Г «о § ф ш ч 1 >150* (5 В; 2,5 А) >150* (5 В; 2,5 А) — <0,75 <0,75 — <3* мкс <3* мкс J КТ8 ’0,15 >109 1 1 7 й См i £ 15...30* (5 В; 0,8 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) 15...3O* (5 В; 0,8 А) — <0,2 <0,2 <0,2 — <2500* <2500* <2500* KTJ 10,7 1110 1 § ф Ш 1
126 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура РК max » Р* ГК, Т max » Р** К, и max » мВт ^р’ ^1216’ £1,. с. МГц ^КБОтах» ^КЭЙ max » и** КЭО тах» В ^ЭБО max» В 1К max I* К, и тах» мА ^КБО» г ДКЭЙ» I** дкэо» мкА КТ8111А9 п-р-п 125* Вт >1 100 5 20 А КТ8111Б9 п-р-п 125* Вт >1 80 5 20 А — КТ8111В9 п-р-п 125* Вт >1 60 5 20 А КТ8112А п-р-п 1 Вт; 10* Вт >20 400* (1 к) 5 0,5 А (1,5* А) КТ8113А р-п-р 2 Вт; 65* Вт >3 100 6 6 (10*)А <700 (60 В) КТ8113Б р-п-р 2 Вт; 65* Вт >3 80 6 6 (10*) А <700 (60 В) КТ8113В р-п-р 2 Вт; 65* Вт >3 60 6 6 (10*) А <700 (30 В) КТ8114А п-р-п 125* Вт — 1500* 6 8 А; 15* А £0,1 мА (1500 В) КТ8114Б п-р-п 125* Вт — 1200* 6 8 А; 15* А £0,1 мА (1200 В) КТ8114В п-р-п 100* Вт — 1200* 6 8 А; 15* А <0,1 мА (1200 В) КТ8114Г п-р-п 100* Вт 1500* 6 8 А; 15* А <0,1 мА (1500 В) КТ8115А р-п-р 65* Вт >4 100 5 8 (16*)А £0,2 мА (100 В) КТ8115Б р-п-р 65* Вт >4 80 5 8 (16*) А £0,2 мА (80 В) КТ8115В р-п-р 65* Вт >4 60 5 8 (16*) А £0,2 мА (60 В) КТ8116А п-р-п 65* Вт >4 100 5 8 А (16* А) £200 (100 В) КТ8116Б п-р-п 65* Вт >4 80 5 8 А (16* А) £200 (80 В) КТ8116В п-р-п 65* Вт >4 60 5 8 А (16* А) £200 (60 В) КТ8117А п-р-п 100* Вт >5 700 8 10 (20*) А £1 мА (400 В) КТ8117Б п-р-п 100* Вт >5 500 8 10 (20*) А £1 мА (400 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 127 ^21э» ^21Э ск. ^12э» пФ «•кЭиас. °М О»» к;.;, дб кш, дБ г;, Ом PL. вт Тк» ПС tU*нс Скл. НС Корпус 750...18000 (3 В; 10 А) 750...18000 (3 В; 10 А) 750...18000 (3 В; 10 А) <400 <400 <400 <0,2 <0,2 <0,2 — 4,5* мкс 4,5* мкс 4,5* мкс KT8111 15,9 L-9 5 «О j 1 rm 5 К 3 1 1 Г г 3 >300 (5 В; 0,05 А) — <40 — — 11,1тах 7=3 KI i Г811 12 V 1 4 с “7Z .-..А С\ L.JC м 3 КБ 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В; 3 А) — <0,27 <0,27 <0,27 — — КЗ , 10,7 Г8113 14J5 16,5 >| |< H ф лй ЭКб L л 8...40* (5 В; 0,7 А) >6* (5 В; 0,03 А) >6* (5 В; 0,03 А) 8...40* (5 В; 0,7 А) — <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 — tCn=0,5 мкс tcn=0,5 мкс tcn=0,5 мкс tcn=0,5 мкс КТ81 15,9 14 5 — — гЙ h 1' <N CM 1 п г= б К 3 г О >1000* (3 В; 0,5...3 А) >1000* (3 В; 0.5...3 А) >1000* (3 В; 0.5...3 А) — <0,7 <0,7 <0,7 — — К1 10,7 Г8115 г ф -й ЭКб L т >1000* (3 В; 0,5 А) >1000* (3 В; 0,5 А) >1000* (3 В; 0,5 А) — <0,7 <0,7 <0,7 — — — к: 10,65 -ф лй 6КЭ Г8116 1 3 >10* (5 В; 5 А) >10* (5 В; 5 А) — <0,3 <0,3 — <1,7* мкс <1,7* мкс КТ81 15,9 17 5 Z/J Sty б К 3 ! г—г-/ Ъэа
128 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max» Р* ГК, т max » р** К, и max » мВт Д1216» с... с. МГц ^КБО max» и* <JK3R max» и** КЭО max» В ^ЭБО max » В IK max I* К, и max» мА ^КБО» I* дкэк» I** дкэо» мкА КТ8118А п-р-п 50* Вт >15 900 5 ЗА (10* А) 210 (800 В) КТ812А п-р-п 50* Вт (50”С) £3 400* (0,01 к) 7 8 А; 12* А 25* мА (700 В) КТ812Б п-р-п 50* Вт (50°С) £3 300* (0,01к) 7 8 А; 12* А 25* мА (500 В) КТ812В п-р-п 50* Вт (50°С) S3 200* (0,01 к) 7 8 А; 12* А 25* мА (300 В) КТ8120А п-р-п 60* Вт >20 600; 450** 5 8 А (16* А) 2100 (450 В) |КТ8121А п-р-п 75* Вт >7 1500; 700*; 400** 5 8 А (10* А) <2000 (700 В) КТ8121Б п-р-п 75* Вт >7 1500; 600*; 400** 5 8 А (10* А) <2000 (600 В) КТ8121А-1 п-р-п 75* Вт >7 1500; 700* 5 8 А (10* А) <2000 (700 В) КТ8121Б-1 п-р-п 75* Вт >7 1500; 600* 5 8 А (10* А) <2000 (600 В) КТ8121А-2 п-р-п 75* Вт >7 1500; 700* 5 8 А (10* А) <2000 (700 В) КТ8121Б-2 п-р-п 75* Вт >7 1500; 600* 5 8 А (10* А) 22000 (600 В) 1 КТ8123А п-р-п 25* Вт >5 200 5 2 А (3* А) <50 (150 В) КТ8124А п-р-п 60* Вт >10 400 5 7 А (15* А) КТ8124Б п-р-п 60* Вт >10 400 5 7 А (15* А) — КТ8124В п-р-п 60* Вт >10 330 5 7 А (15* А) — КТ8125А п-р-п 65* Вт S3 100 5 6 (10*) А 20,4 мА (100 В) КТ8125Б п-р-п 65* Вт S3 80 5 6 (10*) А <0,4 мА (80 В) КТ8125В п-р-п 65* Вт S3 60 5 6 (10*) А 20,4 мА (60 В) КТ8126А1 п-р-п 80* Вт S4 700; 400** 9 8 (16*) А 21 мА (700 В) . КТ8126Б1 п-р-п 80* Вт S4 600; 300** 9 8 (16*)А <1 мА (600 В) . 1 КТ8127А п-р-п 56* Вт — 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А 20,9 мА (1500* В) КТ8127Б п-р-п 56* Вт — 1200* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А 20,6 мА (1800* В) КТ8127В п-р-п 56* Вт 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А 20,9 мА (1500* В)
Биполярные кремниевые транзисторы 129 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭ Ом ГБЭна=> °М к;;, дб кш, дБ rj. Ом Р " , Вт вых’ Хк» ПС Час’ НС Чыкл» НС Корпус 10...40* (5 В; 0,2 А) <1,3 <2,5* мкс КТ8118 10,65 Ы См‘ «е 11 _m 1 5КЭ >4* (2,5 В; 8 А) 2:4* (2,5 В; 8 А) 210* (5 В; 5 А) 5100 (100 В) 5100 (100 В) 5100 (100 В) <0,3 <0,3 <0,3 — tcn<l,3 мкс tcn<l,3 МКС tcn<l,3 МКС К x27t1 Г8П J /к ?\ ** i Г п Is r ® [ c V \ > О \ к» f — У >10* (5 В; 0,2 А) — <0,25 — <2* мкс КТ812О, КТ8121, КТ8121-1 in fin л о 8...60* (5 В; 2 А) 8...6O* (5 В; 2 А) — <0,25 <0,75 — <3* мкс <3* мкс см' 1 i 1 8...60* (5 В; 2 А) 8...60* (5 В; 2 А) — <0,25 <0,75 — <3* мкс <3* мкс ПкЭ 8...60* (5 В; 2 А) 8...60* (5 В; 2 А) — <0,25 <0,75 — <3* мкс <3* мкс КТ! 3121 -2 /б 3 Е ( < >__o A о»'1 S’ i II J L_! 240* (10 В; 0,4 А) — 52 — — См КТ 1 i 'П 8121 ’0,65 *кэ КТ811 i 24 3 210* (5 В; 5 А) 210* (5 В; 5 А) 210* (5 В; 5 А) — <0,2 <0,17 <0,2 — <1,5* мкс <1,3* мкс <1,5* мкс 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В; 3 А) — <0,25 <0,25 <0,25 — — 74.2 15.9 .. кт р с 8121 W.S5 ф W >, KT811 ^“1 1 26 3 8...6O* (5 В; 2 А) 8...60* (5 В; 2 А) — <0,5 <0,5 — 1,7* мкс 1,7* мкс 35* (5 В; 0,5 А) 35* (5 В; 0,5 А) 35* (5 В; 0,5 А) — <0,22 <1,1 <1,1 — tcn=0,7 мкс tcn=0,7 мкс tcn=0,7 мкс К1 27.1 • Г812 7 1 / Е о»' || J 4/
130 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max » Р* К, т max» р** . К, и max » мВт ^гр» ^1216» Сгь» Сх» МГц ^КБО max» UjOR max» и** КЭО max» В 1^ЭБО max » В JK max 1к, и max» мА 1кБО» 1кэи» I** Акэо» мкА КТ8127А-1 п-р-п 56* Вт — 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А <0,9 мА (1500* В) КТ8127Б-1 п-р-п 56* Вт — 1200* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А <0,6 мА (1800* В) КТ8127В-1 п-р-п 56* Вт 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А <0,9 мА (1500* В) КТ8129А п-р-п 60* Вт >4 1500 5 5 А КТ8130А р-п-р 1 Вт; 20* Вт >25 40 5 4 А; 8* А <100 (40 В) КТ8130Б р-п-р 1 Вт; 20* Вт >25 60 5 4 А; 8* А <100 (60 В) КТ8130В р-п-р 1 Вт; 20* Вт >25 80 5 4 А; 8* А <100 (80 В) КТ8131А п-р-п 1 Вт; 20* Вт >25 40 5 4 А; 8* А <100 (40 В) КТ8131Б п-р-п 1 Вт; 20* Вт >25 60 5 4 А; 8* А <100 (60 В) КТ8131В п-р-п 1 Вт; 20* Вт >25 80 5 4 А; 8* А <100 (80 В) КТ8133А п-р-п 60* Вт >30 240 5 8 А — КТ8133Б п-р-п 60* Вт >30 160 5 8 А КТ8134А р-п-р 25* Вт >3 20 — 4 А — КТ8135А п-р-п 25* Вт >3 20 — 4 А — КТ8136А п-р-п 60* Вт — 600 5 10 А (15 А*) — КТ8136А-1 с демпферным диодом между коллектором и эмиттером п-р-п 60* Вт — 600 5 10 А (15 А*) — КТ8137А п-р-п 40* Вт >4 700* 9 1,5 А (3 А*) <1 мА (700 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 131
132 Раздел 2. Биполярные транзисторы ₽К max » ^гр» ^1216» ^КБО max» т ^КБО» Тип Струк- Pr, т max » С1э» и* ’“'lORmax» ^ЭБО max » К max I* , ^КЭЯ» прибора тура Pr. и max» с. и** ’“'КЭОтах» В К, и max♦ мА I** дкэо» мВт МГц В мкА КТ8138А п-р-п 50* Вт 20 500; 400** 7 7 А; 14* А <0,01 мА (500 В) КТ8138Б п-р-п 40* Вт — 450 400** 10 7 А; 14* А <£0,1 мА (450 В) КТ8138В п-р-п 75* Вт >4 700; 400** 9 4 А; 8* А <1 мА (700 В) КТ8138Г п-р-п 80* Вт >4 700; 400** 9 8 А; 16* А <1 мА (700 В) КТ8138Д п-р-п 60* Вт >10 400; 200** 6 7 А; 14* А <1 мА (400 В) КТ8138Е п-р-п, с диодом 60* Вт >10 400; 200** 6 7 А; 14* А <1 мА (400 В) КТ8138Ж п-р-п 60* Вт >10 600; 350** 6 10 А; 16* А £1 мА (600 В) КТ8138И п-р-п, с диодом 80* Вт >4 700; 400** 9 8 А; 16* А 31 мА (700 В) КТ8140А п-р-п 60* Вт >10 400 6 7 А (10 А*) <1 (400 В) КТ8140А-1 с демпферным диодом между коллектором и эмиттером п-р-п 60* Вт >10 400 6 7 А (10 А*) <1 (400 В) КТ8141А п-р-п 60* Вт >7 100 — 8 А (12* А) 30,2 (100 В) КТ8141Б п-р-п 60* Вт >7 80 — 8 А (12* А) 30,2 (80 В) КТ8141В п-р-п 60* Вт >7 60 — 8 А (12* А) 30,2 (60 В) КТ8141Г п-р-п 60* Вт >7 45 — 8 А (12* А) <0,2 (45 В) КТ814А р-п-р 1 (10*) Вт >3 40* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А <0,05 мА (40 В) КТ814Б р-п-р 10* Вт >3 50* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А <0,05 мА (40 В) КТ814В р-п-р 10* Вт >3 70* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А 30,05 мА (40 В) КТ814Г р-п-р 10* Вт >3 100* (0,1 к) 5 1,5 (3*)А 30,05 мА (40 В) КТ8143А п-р-п 175* Вт — 120; 90** 6 25 А; 40* А 35* мА (90 В) КТ8143Б п-р-п 175* Вт — 120** 6 25 А; 40* А 35* мА (120 В) КТ8143В п-р-п 175* Вт — 180** 6 25 А; 40* А 35* мА (180 В) КТ8143Г п-р-п 175* Вт — 400; 240** 6 25 А; 40* А 35* мА (400 В) КТ8143Д п-р-п 175* Вт — 90** 6 32 А; 50* А 35* мА (90 В) КТ8143Е п-р-п 175* Вт — 120** 6 32 А; 50* А 35* мА (120 В) КТ8143Ж п-р-п 175* Вт — 180** 6 32 А; 50* А 35* мА (180 В) КТ81433 п-р-п 175* Вт — 400; 240** 6 32 А; 50* А 35* мА (400 В) КТ8143И п-р-п 175* Вт — 120; 90** 6 40 А; 63* А 35* мА (90 В) КТ8143К п-р-п 175* Вт — 120** 6 40 А; 63* А 35* мА (120 В) КТ8143Л п-р-п 175* Вт — 180** 6 40 А; 63* А 35* мА (180 В) КТ8143М п-р-п 175* Вт — 400; 240** 6 40 А; 63* А 35* мА (400 В) КТ8143Н п-р-п 175* Вт — 100** 6 50 А; 125* А 35* мА (100 В) КТ8143П п-р-п 175* Вт — 150** 6 50 А; 125* А 35* мА (150 В) КТ8143Р п-р-п 175* Вт — 400; 200** 6 50 А; 125* А 35* мА (400 В) КТ8143С п-р-п 175* Вт — 90** 6 63 А; 150* А 35* мА (90 В) КТ8143Т п-р-п 175* Вт — 120** 6 63 А; 150* А 35* мА (120 В) КТ8143У п-р-п 175* Вт — 180** 6 63 А; 150* А 35* мА (180 В) КТ8143Ф п-р-п 175* Вт — 400; 240** 6 63 А; 150* А 35* мА (400 В) КТ8144А п-р-п 175* Вт >5 800 8 25 А (40* А) 1 мА (800 В) КТ8144Б п-р-п 175* Вт >5 600 8 25 А (40* А) 1 мА (600 В) КТ8145А п-р-п 100* Вт >10 700 8 15 А (20* А) 35 мА (700 В) КТ8145Б п-р-п 100* Вт >10 500 8 15 А (20* А) 35 мА (500 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 133 ^21э» 1*21Э ск» С|2э» пФ Гкэиае. ОМ Ом к;;, дб К„, дБ rj. Ом Сх. Вт тк» ПС нс ^выкл* НС >10* (5 В; 4 А) — <0,2 — <2,5* мкс £10* (5 В; 4 А) — <0,2 — <2,5* мкс 8...40* (5 В; 2 А) — <0,25 — <4* мкс 5...3O* (5 В; 5 А) — <0,4 — <3* мкс >10* (5 В; 5 А) — <0,2 — ten 0,75 мкс £10* (5 В; 5 А) — <0,2 — ten 0,75 мкс >20* (5 В; 2 А) — <0,4 — ten 0,7 МКС 5...30* (5 В; 5 А) — <0,25 — <3* мкс >10* (5 В; 5 А) — <0,2 . — — >10* (5 В; 5 А) <0,2 >750* (3 В; 3 А) <;120 (5 В) <0,66 — 5,8** мкс >750* (3 В; 3 А) <120 (5 В) <0,66 — 5,8** мкс >750* (3 В; 3 А) <120 (5 В) <0,66 — 5,8** мкс >750* (3 В; 3 А) <120 (5 В) <0,66 — 5,8** мкс £40* (2 В; 0,15 А) <60 (5 В) <1,2 — — >40* (2 В; 0,15 А) <60 (5 В) <1,2 — — >40* (2 В; 0,15 А) <60 (5 В) <1,2 — — >30* (2 В; 0,15 А) <60 (5 В) <1,2 >15* (3 В; 20 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 20 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 20 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 20 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 20 А) — <0,08 — 1300* £15* (3 В; 32 А) — <0,08 — 1300* £15* (3 В; 32 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 32 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 32 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 32 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 35 А) — <0,08 — 1300* £15* (3 В; 35 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 35 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 35 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 35 А) — <0,08 — 1300* >15* (3 В; 35 А) — <0,08 — 1300* £15* (3 В; 40 А) — <0,08 — 1700* £15* (3 В; 40 А) — <0,08 — 1700* >15* (3 В; 40 А) — <0,08 — 1700* >4* (5 В; 20 А) — <0,25 — <2,5* мкс >4* (5 В; 20 А) <0,25 <2,5* мкс £10* (1 В; 5 А) — <0,2 1,7* мкс >10* (1 В; 5 А) <0,2 1,7* мкс Корпус КТ8138 КТ8140, КТ8141 10,65 Сч‘ — к _ Ер 5КЭ 4>д КТ814 1 ,1, г 11 /пг хеА 1 эк б КТ8143 5 ¥ о КТ8144 27,1
134 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Рк, т max * Р** К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^121э» Сх» МГц ^КБО max» UjQR max» и** ’“'КЭОтах» В 1^ЭБО max » В Jk max IK, и max » мА 1кБО» I1OR» I** дкэо» мкА КТ8146А п-р-п 150* Вт >5 800 8 15 А (25* А) <1 мА (800 В) КТ8146Б п-р-п 150* Вт >5 600 8 15 А (25* А) <1 мА (600 В) КТ8147А п-р-п 100* Вт >5 700 8 10 А (20* А) <1 мА (700 В) КТ8147Б п-р-п 100* Вт >5 500 8 10 А (20* А) <1 мА (500 В) КТ8149А р-п-р 115* Вт >4 70; 60** 7 15 А; 30* А <1 мА (70 В) КТ8149А-1 р-п-р 90* Вт >3 70; 60** 7 15 А; 30* А <1 мА (70 В) КТ8149А-2 р-п-р 75* Вт >3 70; 60** 7 10 А; 15* А <1 мА (70 В) КТ8150А п-р-п 115* Вт >4 70; 60** 7 15 А; 30* А <1 мА (70 В) КТ8150А-1 п-р-п 90* Вт >3 70; 60** 7 15 А; 30* А <1 мА (70 В) КТ8150А-2 п-р-п 75* Вт >3 70; 60** 7 10 А; 15* А <1 мА (70 В) КТ8154А п-р-п 175* Вт >5 600; 450** 8 30 А; 60* А <1 мА (600 В) КТ8154Б п-р-п 175* Вт >5 500; 400** 8 30 А; 60* А <1 мА (500 В) КТ8155А п-р-п 175* Вт >5 600; 450** 8 50 А; 80* А <2 мА (600 В) КТ8155Б п-р-п 175* Вт >5 500; 400** 8 50 А; 80* А <2 мА (500 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 135 ^21э» 1*21Э Ск» ^12э» пФ Г® нас- Ом «йнас- ОМ к;;, дь Кш, дБ г:, Ом Р" , Вт вых» " Тк» ПС Час- НС ^выкл* НС Корпус >5* (5 В; 15 А) >5* (5 В; 15 А) — <0,15 <0,15 — 1,7* мкс 1,7* мкс КТ8146, КТ8147, КТ8149 Z/,7 к >5* (1,5 В; 8 А) >5* (1,5 В; 8 А) — <0,2 <0,2 — 1,7* мкс 1,7* мкс 1 4 7 кг 1 JJU 20... 150* (4 В; 4 А) — <0,27 — — I V \! 20...150* (4 В; 4 А) <0,27 КТ 1 8149-1 w 6 Сч ] 1 n r 1 1 '1 — 1 s ry 6 1 К 3 20... 100* (4 В; 4 А) <0,27 KT 1Q,Sl • 8149-2 F i r [ I § сч A n 5K3 20...150* (4 В; 4 А) <0,27 КТ8150 £61 i 1 7-4 <5 j 7 ^/k g t JI 1 7 20... 150* (4 В; 4 А) <0,27 KI 1 '8150-1 5,9 F fig S'H 6 ] 1 r Г r 1 lJ П б к 3 20...100* (4 В; 4 А) <0,27 KT 10,Si 8150-2 5 > 9,8 L T 6Ы 691 c $ tizsil ir6KS i r — — — — 1700* 1700* KT8154, KT8155 о — — — — — jLa^a I s L 7 g F JI 1 7
136 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* К, т max » р~ К, и max » мВт Я-р» Сги» с.», с. МГц ^КБОтах» и* ’“'lOR тах» ^КЭОтах» В ^ЭБО max » В Ik max I* К, и тах» мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА КТ8156А п-р-п 60* Вт — 330; 150** 6 8 А КТ8156Б п-р-п 60* Вт 200** 6 8 А КТ8157А п-р-п 150* Вт >5 1500 7 10 А (15* А) 3 мА (1500 В) КТ8157Б п-р-п 150* Вт >5 1500 7 10 А (15* А) 3 мА (1500 В) КТ8158А п-р-п 125* Вт — 60 5 12 А <400 (60 В) КТ8158Б п-р-п 125* Вт — 80 5 12 А <400 (80 В) КТ8158В п-р-п 125* Вт 100 5 12 А <400 (100 В) КТ8159А р-п-р 125* Вт — 60 5 12 А <400 (60 В) КТ8159Б р-п-р 125* Вт — 80 5 12 А <400 (80 В) КТ8159В р-п-р 125* Вт 100 5 12 А £400 (100 В) КТ815А п-р-п 10* Вт >3 40* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А <0,05 мА (40 В) КТ815Б п-р-п 10* Вт >3 50* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А <0,05 мА (40 В) КТ815В п-р-п 10* Вт >3 70* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А £0,05 мА (40 В) КТ815Г п-р-п 10* Вт >3 100* (0,1 к) 5 1,5 (3*) А £0,05 мА (40 В) КТ8163А п-р-п 50* Вт >10 600 5 7 А; 10* А £100 (600 В) КТ8164А п-р-п 75* Вт >4 700 9 4 А £10 мА (700 В) КТ8164Б п-р-п 75* Вт >4 600 9 4 А £10 мА (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 137 ^21э» ^21Э ^к» С12э» пФ ГКЭ нас. О’» Ом к;;, дб Кш, дБ г‘, Ом Р" , Вт * вых ♦ ж Тк, ПС tjac» НС ^выкл’ НС Корпус С t См' _Д а 5 Ь V KT8156 0,65 ф1 1 W 1 КЭ /4 Г/Г2 1 D2 в 2SW >8* (5 В; 1 А) >8* (5 В; 1 А) — <0,12 <0,25 — 2* мкс 2* мкс KT8157 ТЦ I A Ф |o<o^ 2500 2500 2500 — — — — KT8158 15,9 JH Б К 3 5 'Г J 2500 2500 2500 — — — — s см- — KT8159 10,65 4 Ф Jw 5КЭ 18 Г” I >40* (2 В; 0,15 А) >40* (2 В; 0,15 А) >40* (2 В; 0,15 А) >30* (2 В; 0,15 А) <60 (5 В) <60 (5 В) <60 (5 В) £60 (5 В) <1,2 <1,2 <1,2 <1,2 — — Г1 »й KT815 i. iL lit г ЭК Б 10...30 (2 В; 1 А) 10...60* 10...60* £100 (10 В) <0,05 — <1,5* мкс 8163, KT8 10,65 4 Ф 6КЭ 164 18 I
138 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » ₽•* К, и max » мВт ^р» ^216» ^21э» Сх» МГц UИБО max» и* 'JK3R max» и** ^КЭО max» В ^ЭБО max » В IK max I* К, и max» мА ^КБО» ^КЭИ» Г* > дкэо» мкА КТ816А р-п-р 25* Вт S3 40* (1к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (25 В) КТ816Б р-п-р 25* Вт S3 45* (1к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (45 В) КТ816В р-п-р 25* Вт >3 60* (1 к) 5 3 (6*) А <0,1 мА (60 В) КТ816Г р-п-р 25* Вт >3 100* (1 к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (100 В) КТ816А-2 р-п-р 25* Вт S3 40* (1к) 5 3 А (6* А) <100 (25 В) КТ8165А р-п-р 3 Вт; 50* Вт >20 90 5 10 (15*) А <3 мА (90 В) КТ8165Б р-п-р 3 Вт; 50* Вт >20 70 5 10 (15*) А <3 мА (70 В) КТ8165В р-п-р 3 Вт; 50* Вт >20 50 5 10 (15*) А <3 мА (50 В) КТ8165Г р-п-р 3 Вт; 50* Вт >20 90 5 10 (15*) А <3 мА (90 В) КТ8166А п-р-п 50 Вт >20 90 5 10 А (15* А) <3 мА (90 В) КТ8166Б п-р-п 50 Вт >20 70 5 10 А (15* А) 23 мА (70 В) КТ8166В п-р-п 50 Вт >20 50 5 10 А (15* А) 23 мА (50 В) КТ8166Г п-р-п 50 Вт >20 90 5 10 А (15* А) 23 мА (90 В) КТ8167А р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт >30 100* (1к) 4,5 2 (4*) А 2200 (100 В) КТ8167Б р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт >30 80* (1к) 4,5 2 (4*) А 2200 (80 В) КТ8167В р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт >30 50* (1 к) 4,5 2 (4*)А 2200 (50 В) КТ8167Г р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт >30 100* (1 к) 4,5 2 (4*)А 2200 (100 В) КТ8167Д р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт >30 80* (1 к) 4,5 2 (4*)А 2200 (80 В) КТ8168А п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт >30 100* (1 к) 4,5 2 (4*) А 2200 (100 В) КТ8168Б п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт >30 80* (1к) 4,5 2 (4*) А 2200 (80 В) КТ8168В п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт >30 50* (1 к) 4,5 2 (4*)А 2200 (50 В) КТ8168Г п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт >30 100* (1 к) 4,5 2 (4*) А 2200 (100 В) КТ8168Д п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт >30 80* (1 к) 4,5 2 (4*)А 2200 (80 В) КТ8170А-1 п-р-п 40* Вт S4 700 9 1,5 А 21 мА (700 В) КТ8170Б-1 п-р-п 40* Вт S4 600 9 1,5 А 21 мА (600 В) КТ8171А п-р-п 100* Вт 350** 20 А КТ8175А п-р-п 20* Вт — 700*; 400** 9 1,5 (3*) А — КТ8175Б п-р-п 20* Вт 600*; 300** 9 1,5 (3*) А
Биполярные кремниевые транзисторы 139 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭнас* ®М ГБЭ«.<. ОМ к;;, дб кш, дБ г-, Ом р;;х. вт Тк, ПС С- НС С™. нс Корпус >25* (2 В; 1 А) <60 (10 В) <0,6 — — КТ816, КТ816-2, >25* (2 В; 1 А) <60 (10 В) <0,6 — — >25* (2 В; 1 А) <60 (10 В) <0,6 — — >25* (2 В; 1 А) <60 (10 в) <0,6 — — S Ж 1 >200* (1 В; 0,03 А) <60 (10 В) <0,6 — 80...250 (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** КТ8165, КТ8166 8O...25O (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** 80...250 (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** 40...160 (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 <1000** w з-. Г--Г-1-П \ I 1 v* / о о \ 80...250 (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** ‘7 80...250 (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** *4 IIII1 80...250 (5 В^ 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** 40...160 (5 В; 5 А) <1300 (10 В) <0,1 — <1000** 80...250 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс КТ8167 80...250 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс 80...250 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс 04,4 40...160 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс ~ 7" 160...350 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс 11 чппг СО >80 .250 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс КТ8168 >80.250 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс >80...250 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс 04,4 >40 .160 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс ТГ—У* \ . >160—350 (1 В; 1 А) <400 (5 В) <0,35 — <1,8* мкс ; 5...25* (2 В; 1 А) 5...25* (2 В; 1 А) >10000 8...40 (2 В; 1 А) 8...40 (2 В; 1 А) КТ8170-1 3000* КТ8175 3000* В" й 6 ЭК б ЭК Б
140 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Р rK max » Р* ГК, т max » р“ К, и max » мВт ^гр» ^216» ?21э» С» МГц ^КБО max» и* ’-'K3R max» и“ КЭО max’ В ^ЭБО max » В Jk max 1к, и max» мА 1кБО» 1кэи» I** дкэо» мкА КТ8175А-1 п-р-п 20* Вт — 700*; 400** 9 1,5 (3*) А — КТ8175Б-1 п-р-п 20* Вт 600*; 300** 9 1,5 (3*) А КТ8176А п-р-п 40* Вт S3 60 5 3 А — КТ8176Б п-р-п 40* Вт S3 80 5 3 А — КТ8176В п-р-п 40* Вт >3 100 5 3 А — КТ8177А р-п-р 40* Вт >3 60 5 3 А — КТ8177Б р-п-р 40* Вт >3 80 5 3 А — КТ8177В р-п-р 40* Вт >3 100 5 3 А — КТ817А п-р-п 25* Вт >3 40* (1к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (25 В) КТ817Б п-р-п 25* Вт S3 45* (1 к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (45 В) КТ817В п-р-п 25* Вт >3 60* (1 к) 5 3 (6*) А <0,1 мА (60 В) КТ817Г п-р-п 25* Вт S3 100* (1 к) 5 3 (6*) А <0,1 мА (100 В) КТ817Б-2 п-р-п 25* Вт >3 45* (1к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (40 В) КТ817Г-2 п-р-п 25* Вт >3 100* (1к) 5 3 (6*)А <0,1 мА (40 В) КТ8181А п-р-п 50* Вт — 700*; 400** 9 4 (8*) А — КТ8181Б п-р-п 50* Вт — 600*; 300** 9 4 (8*) А — КТ8182А п-р-п 60* Вт — 700*; 400** 9 8 (16*)А — КТ8182Б п-р-п 60* Вт — 600*; 300** 9 8 (16*) А — КТ8183А п-р-п с диодом и резис- тором 56* Вт — 1500; 700** — 8 А; 15* А — КТ8183Б п-р-п с диодом и резис- тором 56* Вт 1200; 600** 8 А; 15* А КТ8183А-1 п-р-п с диодом и резис- тором 56* Вт — 1500; 700** — 8 А; 15* А — КТ8183Б-1 п-р-п с диодом и резис- тором 56* Вт 1200; 600** 8 А; 15* А КТ8183А-2 п-р-п с диодом и резис- тором 56* Вт — 1500; 700** — 8 А; 15* А — КТ8183Б-2 п-р-п с диодом и резис- тором 56* Вт 1200; 600** 8 А; 15* А
Биполярные кремниевые транзисторы 141 ^21э» ^21Э с„, ^12э» пФ ^*КЭ нас* Ом ^*БЭ нас* ОМ к" * дБ Кш, дБ г:, Ом Р** , Вт * вых» Хк» ПС Час* НС ^шкл* НС Корпус 1 8...40 (2 В; 1 А) 8...40 (2 В; 1 А) — <1 <1 — 3000* 3000* KT8 10,65 И75-1 1 1 f^l -ffl 6КЭ >25* (4 В; 1 А) >25* (4 В; 1 А) >25* (4 В; 1 А) — — — — к T817f 10,65 h KT8U 4tt 1 17 Г g" С*£ “ >25* (4 В; 1 А) >25* (4 В; 1 А) >25* (4 В; 1 А) — — — — ЛП БКЭ >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) <60 (10 В) £60 (10 В) <60 (10 В) £60 (10 В) <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 — — КТ817, КТ817-2 8" V- *'•4 Ф JL >100* (5 В; 50 мА) >100* (5 В; 50 мА) <60 (10 В) £60 (10 В) <0,08 <0,08 — — со сЧ м ЭК5 10...60* (5 В; 1 А) 10...60* (5 В; 1 А) — <0,25 <0,25 — 3000* 3000* к 'T8181 10,65 lt KT8U i 12 3 ЕЙ 8...40* (5 В; 2 А) 8...40* (5 В; 2 А) — £0,4 £0,4 — 3000* 3000* I ли БКЭ >5* (5 В; 3 А) >5* (5 В; 3 А) — <0,17 <0,17 — 3000* 3000* КТ8183 ►i j LS J 1 1 X ^/к ||| 1 >5* (5 В; 3 А) >5* (5 В; 3 А) — <0,17 <0,17 — 3000* 3000* КТ818: Я# м S S' 14 См £ А г г п V ty- sgfi i в гг 1 I Б К 3 >5* (5 В; 3 А) >5* (5 В; 3 А) — <0,17 <0,17 — 3000* 3000* с изол» KT818J [рованным 15# 1-2 1и выводами 1 I □ 5*1! и ’ 3
142 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* К, т max » р** К. и max » мВт tp’ С16» С»1э» Сах» МГц ^КБО max » и* <JK3R max» IT* КЭО max’ В ^ЭБО max» В IK max I* К, и max» мА ^КБО» ^КЭИ’ ^КЭО» мкА КТ818А р-п-р 60* Вт >3 40* (0,1 к) 5 10 (15*)А £1 мА (40 В) КТ818Б р-п-р 60* Вт >3 50* (0,1 к) 5 10 (15*) А <1 мА (40 В) КТ818В р-п-р 60* Вт >3 70* (0,1 к) 5 10 (15*) А <1 мА (40 В) КТ818Г р-п-р 60* Вт >3 90* (0,1 к) 5 10(15*)А <1 мА (40 В) КТ818АМ р-п-р 100* Вт >3 40* (0,1 к) 5 15 (20*) А £1 мА (40 В) КТ818БМ р-п-р 100* Вт >3 50* (0,1 к) 5 15 (20*)А <1 мА (40 В) КТ818ВМ р-п-р 100* Вт >3 70* (0,1 к) 5 15 (20*)А <1 мА (40 В) КТ818ГМ р-п-р 100* Вт >3 90* (0,1 к) 5 15 (20*)А <1 мА (40 В) КТ818А-1 р-п-р 100* Вт >3 40* (0,1 к) 5 15 (20*)А <1 мА (40 В) КТ818Б-1 р-п-р 100* Вт >3 50* (0,1 к) 5 15 (20*)А <1 мА (40 В) КТ818В-1 р-п-р 100* Вт >3 70* (0,1 к) 5 15 (20*) А <1 мА (40 В) КТ818Г-1 р-п-р 100* Вт >3 90* (0,1 к) 5 15 (20*) А <1 мА (40 В) КТ8196А п-р-п 100* Вт 350** 10 А КТ8197А-2 п-р-п 2** Вт 400 — — 0,5 А — КТ8197Б-2 п-р-п 5** Вт 400 — — 1 А — КТ8197В-2 п-р-п 8** Вт 400 1,6 А КТ8199А р-п-р 50* Вт 30 5 10 А <10 (30 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 143 ^2!э» ^21Э ск, ^12э» пФ ^*КЭ нас* Ом ГБЭн.с* ОМ к;.;, дб к», дБ г;, Ом Р” , Вт * вых♦ * тк» ПС t'pac* НС CL* НС Корпус >15* (5 В; 5 А) >20* (5 В; 5 А) >15* (5 В; 5 А) >12* (5 В; 5 А) <1000 (5 В) <1000 (5 В) <1000 (5 В) <11000 (5 В) <0,27 <0,27 <0,27 <0,27 — <2500** <2500** <2500** <2500** 11 KT818 745 16,5 > в 1 3/ L I 4B >15* (5 В; 5 А) >20* (5 В; 5 А) >15* (5 В; 5 А) >12* (5 В; 5 А) £1000 (5 В) <1000 (5 В) <1000 (5 В) <1000 (5 В) <0,27 <0,27 <0,27 <0,27 — <2500** <2500** <2500** <2500** КТ818М /б 4-° < < 1 9\ J —L? _O \ 4 \ U ' >15* (5 В; 5 А) >20* (5 В; 5 А) >15* (5 В; 5 А) >12* (5 В; 5 А) <1000 (5 В) £1000 (5 В) £1000 (5 В) £1000 (5 В) <0,4 <0,4 <0,4 <0,4 — <2500** <2500** <2500** <2500** i ЕСГ811 15$ 3-1 5 Сч 1 4S Г ill r 1 h 1 i ВИЗ >400 KT81 ,S5 96 I СЧ !' E ГЭ 2 3 VT1 I £0 . Г 2S [1/7 I R1 k R2 — 2 15 25 15** (175 МГц) 10** (175 МГц) 80** (175 МГц) 0,5** (175 МГц) 2** (175 МГц) 5** (175 МГц) — KT8197 -G. § 1 □P,5 4 I hn ’C' 10$ 1' Sb 6 __ «О J / 0,5 85 (1 В; 8 А) <0,125 16 KT81 \65 99 I 05 Й СЧ iV6i до 43
144 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* ГК, т max » Р** К, и max » мВт ip» ?21б» ^21э» Сх» МГц ^КБО max » и* 'JK3R max» и** ’“'КЭО max» В ^ЭБО max » В Ik max I* К, и max » мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА КТ819А п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт >3 40* (0,1 к) 5 10 (15*) А £1 мА (40 В) КТ819Б п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт >3 50* (0,1 к) 5 10(15*) А £1 мА (40 В) КТ819В п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт S3 70* (0,1 к) 5 10(15*) А £1 мА (40 В) КТ819Г п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт >3 100* (0,1 к) 5 10 (15*) А <1 мА (40 В) КТ819АМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт >3 40* (0,1 к) 5 15 (20*) А . £1 мА (40 В) КТ819БМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт >3 50* (0,1 к) 5 15 (20*)А £1 мА (40 В) КТ819ВМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт >3 70* (0,1 к) 5 15 (20*) А £1 мА (40 В) КТ819ГМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт S3 100* (0,1 к) 5 15 (20*) А £1 мА (40 В) КТ819А-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт S3 40* (0,1 к) 5 15 (20*) А £1 мА (40 В) КТ819Б-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт >3 50* (0,1 к) 5 15 (20*) А <1 мА (40 В) КТ819В-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт >3 70* (0,1 к) 5 15 (20*)А £1 мА (40 В) КТ819Г-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт >3 90* (0,1 к) 5 15 (20*) А £1 мА (40 В) КТ8201А п-р-п 20* Вт 700; 400** 9 300; 600* <10 (30 В) КТ8203А п-р-п 20* Вт 4 700; 400** 9 1,5 А; ЗА* £10 (30 В) КТ8205А п-р-п 75* Вт 700; 400** 9 4 А; 8 А* <10 (30 В) КТ8207А п-р-п 80* Вт 700; 400** 9 8 А; 16 А* £10 (30 В) КТ8209А п-р-п 100* Вт 700; 400** 9 12 А; 24 А* £10 (30 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 145 1*21э» 1*213 С|2э» пФ ГКЭнас» С «ас- ОМ к;.;, дб Кш, дБ rh Ом Р" , Вт * вых» Тк» ПС fpae. НС Ска. НС Корпус 215* (5 В; 5 А) 220* (5 В; 5 А) 215* (5 В; 5 А) 212* (5 В; 5 А) — <0,4 <0,4 <0,4 <0,4 — <2500** <2500** <2500** <2500** КТ819 10,7 4. 8 ф 1 А t Й 1 Ш Г 215* (5 В; 5 А) 220* (5 В; 5 А) 215* (5 В; 5 А) 212* (5 В; 5 А) — <0,4 <0,4 <0,4 <0,4 — <2500** <2500** <2500** <2500** КТ819М Г/,7 п О | о \ ’ / a; L _Zb- С ' F У '5 215* (5 В; 5 А) 220* (5 В; 5 А) 215* (5 В; 5 А) 212* (5 В; 5 А) — <1 <1 <1 <1 — <2500** <2500** <2500** <2500** КТ819-1 15,9 5 ,2b Г I а&! tj К 3 5...4O (2 В; 0,2 А) <5 <0,3; <2* КТ8201 Й L г и С.,А IL JI г «СМ if? |фф *1 6 К 3 5...25 (2 В; 1 А) <1 <0,7; <4* КТ8203 г ф |'г,41гХ ГШ11 J 111г 111 j |фф ‘ 5 К 3 8...40 (5 В; 2 А) <0,25 <0,9; <4* КТ 8205, КТ8 10.S5 1 Я07 18 СМ'— V ф ИТ 5КЭ L* I 5...30 (5 В; 5 А) <0,4 <0,7; <3* — 6...30 (5 В; 8 А) <0,25 <0,7; <3* КТ8209 10,15 4 18 >? S:__ ф 5/(Э L<
146 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » •^К, т max » р** К, и max » мВт ^т>> ^121в> с. МГц ^КБО max» и* ’JK3Rmax» ^КЭО тах» В ^ЭБОтах» В IK max I* К,и тах» мА ^КБО» ^КЭИ» 1кэо» мкА КТ820А-1 р-п-р 10* Вт >3 50* (0,1 к) 5 0,5 (1,5*) А <30 (40 В) КТ820Б-1 р-п-р 10* Вт >3 70* (0,1 к) 5 0,5 (1,5*) А <30 (40 В) КТ820В-1 р-п-р 10* Вт >3 100* (0,1 к) 5 0,5 (1,5*) А <30 (40 В) КТ8212А п-р-п 65 Вт >3 60 5 6 А <400* мА (60 В) КТ8212Б п-р-п 65 Вт >3 80 5 6 А <400* мА (80 В) КТ8212В п-р-п 65 Вт >3 100 5 6 А £400* мА (100 В) КТ8213А р-п-р 65 Вт >3 60 5 6 А <400* мА (60 В) КТ8213Б р-п-р 65 Вт >3 80 5 6 А <400* мА (80 В) КТ8213В р-п-р 65 Вт >3 100 5 6 А £400* мА (100 В) КТ8214А п-р-п 50 Вт — 60 5 2 А <1000 (60 В) КТ8214Б п-р-п 50 Вт — 80 5 2 А <1000 (80 В) КТ8214В п-р-п 50 Вт 100 5 2 А <S1000 (100 В) КТ8215А р-п-р 50 Вт — 60 5 2 А <1000 (60 В) КТ8215Б р-п-р 50 Вт — 80 5 2 А £iooo (во в) КТ8215В р-п-р 50 Вт 100 5 2 А £1000 (100 В) КТ8216А п-р-п 1,75; 40* Вт >3 40** 5 10 (15*) А £0,2 (40 В) КТ8216Б п-р-п 1,75; 40* Вт >3 60** 5 10 (15*) А £0,2 (60 В) КТ8216В п-р-п 1,75; 40* Вт >3 80** 5 10 (15*) А £0,2 (80 В) КТ8216Г п-р-п 1,75; 40* Вт >3 100** 5 10 (15*) А £0,2 (100 В) КТ8216А1 п-р-п 1,75; 40* Вт >3 40** 5 10 (15*) А £0,2 (40 В) КТ8216Б1 п-р-п 1,75; 40* Вт >3 60** 5 10 (15*) А £0,2 (60 В) КТ8216В1 п-р-п 1,75; 40* Вт >3 80** 5 10 (15*)А £0,2 (80 В) КТ8216Г1 п-р-п 1,75; 40* Вт >3 100** 5 10 (15*)А £0,2 (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 147 ^21э» 1*213 Ск> ^12э» пФ ГКЭ нас* ГЮиае. ОМ Ср.. дБ Кш, дБ Р" , Вт ж вых* тк> пс tjac, НС ^выкл* НС >40* (2 В; 0,15 А) <65 (5 В) <1 — — >40* (2 В; 0,15 А) £65 (5 В) <1 — — >30* (2 В; 0,15 А) £65 (5 В) <1 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 — <0,7** 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 — <0,7** 15...75 (4 В; 3 А) <0,25 <0,7** 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 — <0,7** 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 — <0,7** 15...75 (4 В; 3 А) <0,25 <0,7** S500 (4 В; 2 А) — <1,25 — <4,5** 2:500 (4 В; 2 А) — <1,25 — <4,5** >500 (4 В; 2 А) <1,25 <4,5** >500 (4 В; 2 А) — <1,25 — <4,5** >500 (4 В; 2 А) — <1,25 — <4,5** >500 (4 В; 2 А) <1,25 <4,5** 15...275 (4 В; 3 А) — <0,25 — — 20...275 (4 В; 3 А) — <0,25 — — 15...275 (4 В; 3 А) — <0,25 — — 12...275 (4 В; 3 А) <0,25 15...275 (4 В; 3 А) — <0,25 — — 20...275 (4 В; 3 А) — <0,25 — — 15...275 (4 В; 3 А) — <0,25 — — 12...275 (4 В; 3 А) <0,25 Корпус КТ820-1 КТ8212 КТ8213 КТ8215 КТ8216-1 6,54 2,285
148 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max ♦ Р* * К. т max » Р** К, и max » мВт ip> ?21в> с... с. МГц ^КБО max ♦ ^lOR max» и** ’-'КЭОтах» В ^ЭБО max » В Ik max I* К,и max* мА ^КБО» ^КЭИ» 1^0, мкА КТ8217А р-п-р 1,75; 40* Вт >3 40** 5 10(15*) А <0,2 (40 В) КТ8217Б р-п-р 1,75; 40* Вт >3 60** 5 10(15*) А <0,2 (60 В) КТ8217В р-п-р 1,75; 40* Вт >3 80** 5 10(15*) А 20,2 (80 В) КТ8217Г р-п-р 1,75; 40* Вт >3 100** 5 10 (15*) А <0,2 (100 В) КТ8217А1 р-п-р 1,75; 40* Вт >3 40** 5 10(15*) А <0,2 (40 В) КТ8217Б1 р-п-р 1,75; 40* Вт >3 60** 5 10(15*) А 20,2 (60 В) КТ8217В1 р-п-р 1,75; 40* Вт >3 80** 5 10(15*) А 20,2 (80 В) КТ8217Г1 р-п-р 1,75; 40* Вт >3 100** 5 10(15*) А 20,2 (100 В) КТ821А-1 п-р-п 10* Вт £3 50* (0,1 к) 5 0,5 (1,5*) А 230 (40 В) КТ821Б-1 п-р-п 10* Вт >3 70* (0,1 к) 5 0,5 (1,5*) А 230 (40 В) КТ821В-1 п-р-п 10* Вт >3 100* (0,1к) 5 0,5 (1,5*) А 230 (40 В) КТ8218А п-р-п 1,75; 40* Вт >25 40 5 4 (8*)А 20,1 мА (40 В) КТ8218Б п-р-п 1,75; 40* Вт >25 60 5 4 (8*)А 20,1 мА (60 В) КТ8218В п-р-п 1,75; 40* Вт >25 80 5 4 (8*)А 20,1 мА (80 В) КТ8218Г п-р-п 1,75; 40* Вт >25 100 5 4 (8*)А 20,1 мА (100 В) КТ8218А1 п-р-п 1,75; 40* Вт >25 40 5 4 (8*) А 20,1 мА (40 В) КТ8218Б1 п-р-п 1,75; 40* Вт >25 60 5 4 (8*) А 20,1 мА (60 В) КТ8218В1 п-р-п 1,75; 40* Вт >25 80 5 4 (8*) А 20,1 мА (80 В) КТ8218Г1 п-р-п 1,75; 40* Вт >25 100 5 4 (8*) А 20,1 мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 149 ^21э» ^21Э с„, О12э» пФ ГКЭ нас’ ГБЭнас> ОМ к" . дБ 15...275 (4 В; 3 А) — <0,25 20...275 (4 В; 3 А) — <0,25 15...275 (4 В; 3 А) — <0,25 12...275 (4 В; 3 А) — <0,25 Кш, дБ г;» Ом Р** , Вт вых ♦ " ж Т„ ПС t'pac’ «С НС Корпус КТ8217 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 >40* (2 В; 0,15 А) 240 (5 В) <1,2 >40* (2 В; 0,15 А) <40 (5 В) <1,2 >30* (2 В; 0,15 А) <40 (5 В) <1,2 750... 15000 (3 В; 2 А) <100 (10 В) <1 750...15000 (3 В; 2 А) <100 (10 В) <1 750...15000 (3 В; 2 А) <100(10 В) <1 750... 15000 (3 В; 2 А) 2100 (10 В) <1 750...15000 (3 В; 2 А) 2100 (10 В) <1 750...15000 (3 В; 2 А) 2100 (10 В) <1 750 .15000 (3 В; 2 А) 2100 (10 В) <1 750 .15000 (3 В; 2 А) 2100 (10 В) <1 КТ821-1 КТ8218
150 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* ГК, т max * Рк, и max » мВт С216» с... с. МГц ^КБО max» и* '-'кэи max» IF ’“'кЭОтах» В ^ЭБО max » В 1К max I* К, и тах» мА I ДКБО» 1 ^КЭК» ^КЭО» мкА , 1кТ8219А р-п-р 1,75; 40* Вт >25 40 5 4 (8* А) <0,1 мА (40 В) КТ8219Б р-п-р 1,75; 40* Вт >25 60 5 4 (8* А) <0,1 мА (60 В) КТ8219В р-п-р 1,75; 40* Вт >25 80 5 4 (8* А) <0,1 мА (80 В) КТ8219Г р-п-р 1,75; 40* Вт >25 100 5 4 (8* А) <0,1 мА (100 В) КТ8219А1 р-п-р 1,75; 40* Вт >25 40 5 4 (8* А) <0,1 мА (40 В) КТ8219Б1 р-п-р 1,75; 40* Вт >25 60 5 4 (8* А) <0,1 мА (60 В) КТ8219В1 р-п-р 1,75; 40* Вт >25 80 5 4 (8* А) <0,1 мА (80 В) КТ8219Г1 р-п-р 1,75; 40* Вт >25 100 5 4 (8* А) <0,1 мА (100 В) КТ8220А п-р-п 65* Вт >3 40 5 6 А КТ8220Б п-р-п 65* Вт >3 60 5 6 А КТ8220В п-р-п 65* Вт >3 80 5 6 А КТ8220Г п-р-п 65* Вт >3 100 5 6 А КТ8221А р-п-р 65* Вт >3 40 5 6 А КТ8221Б р-п-р 65* Вт >3 60 5 6 А КТ8221В р-п-р 65* Вт >3 80 5 6 А КТ8221Г р-п-р 65* Вт >3 100 5 6 А КТ8224А п-р-п 100 Вт — 1500; 700** 7,5 8 А <1000 КТ8224Б п-р-п 100 Вт 1500; 700** 7,5 8 А <1000
Биполярные кремниевые транзисторы 151 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭк.е> О’* Ом к;.;, дб Кш, дБ г*, Ом Р** , Вт * вых» 750...15000 (3 В; 2 А) <200 (10 В) <1 — 750... 15000 (3 В; 2 А) <200 (10 В) <1 — 750...15000 (3 В; 2 А) £200 (10 В) <1 — 750...15000 (3 В; 2 А) <200 (10 В) <1 750... 15000 (3 В; 2 А) <200 (10 В) <1 — 750... 15000 (3 В; 2 А) <200 (10 В) <1 — 750... 15000 (3 В; 2 А) <200(10 В) <1 — 750...15000 (3 В; 2 А) £200 (10 В) <1 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 15...75 (4 В; 3 А) <0,25 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 15...75 (4 В; 3 А) — <0,25 15...75 (4 В; 3 А) <0,25 4...7 (5 В; 0,1 А) — — — 23 (5 В; 0,1 А) — — — Тк» ПС t’pac» НС ^выкл» Корпус КТ8219 2,285 КТ8221 КТ8219-1 2,285 КТ8220 4 1 Э L 8J1 КТ8224 75Л сч щ Б К 3
152 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max ’ Р* ГК, т max » Р** К, и max » мВт ^1216» ^Ь21э» Сах» МГц ^КБО max» и* '“'K3R max» ^КЭО max» В ^ЭБО max » В max I* К,и max» мА ®КБО» ^КЭЯ» । Г^О» мкА КТ8225А п-р-п 155 Вт 350 5 15 А <100 [ । КТ8228А п-р-п 125 Вт — 1500; 800* 7,5 12 А <100 КТ8228Б п-р-п 125 Вт 1500; 800* 7,5 12 А <100 КТ8229А п-р-п 125 Вт S3 180 5 25 А КТ822А-1 р-п-р 20* Вт S3 45* (0,1 к) 5 2 (4*) А <50 (40 В) КТ822Б-1 р-п-р 20* Вт S3 60* (0,1 к) 5 2 (4*) А <50 (40 В) КТ822В-1 р-п-р 20* Вт S3 100* (0,1 к) 5 2 (4*) А <50 (40 В) КТ823А-1 п-р-п 20* Вт >3 45* (0,1к) 5 2 (4*) А <50 (45 В) КТ823Б-1 п-р-п 20* Вт >3 60* (0,1 к) 5 2 (4*) А <50 (45 В) КТ823В-1 п-р-п 20* Вт >3 100* (0,1 к) 5 2 (4*) А <50 (45 В) КТ825Г р-п-р 125* Вт S4 90 5 20 (30*) А <1* мА (90 В) КТ825Д р-п-р 125* Вт S4 60 5 20 (30*) А <1* мА (60 В) КТ825Е р-п-р 125* Вт S4 30 5 20 (30*) А £1* мА (ЗОВ) КТ826А п-р-п 15* Вт (50’С) S6 700* (0,01 к) 5 1 А <2 мА (700 В) КТ826Б п-р-п 15* Вт (50’С) S6 700* (0,01 к) 5 1 А <2 мА (700 В) КТ826В п-р-п 15* Вт (50’С) S6 700* (0,01 к) 5 1 А £2 мА (700 В) КТ827А п-р-п 125* Вт S4 100* (1 к) 5 20 (40*) А <3* мА (100 В) КТ827Б п-р-п 125* Вт S4 80* (1к) 5 20 (40*) А <3* мА (80 В) КТ827В п-р-п 125* Вт S4 60* (1к) 5 20 (40*) А <3* мА (60 В) КТ828А п-р-п 50* Вт (50’С) S4 800* (0,01 к) 5 5 (7,5*) А <5 мА (1400 В) КТ828Б п-р-п 50* Вт S4 600* (0,01 к) 5 5 (7,5*) А <5 мА (1200 В) КТ828В п-р-п 50* Вт (50’С) S4 800* (0,01 к) 5 5 (7,5*) А <5 мА (800 В) КТ828Г п-р-п 50* Вт S4 600* (0,01 к) 5 5 (7,5*) А <5 мА (600 В) КТ829А п-р-п 60* Вт S4 100* (1к) 5 8 (12*)А £1,5* мА (100 В) КТ829Б п-р-п 60* Вт S4 80* (1к) 5 8(12*)А <1,5* мА (80 В) КТ829В п-р-п 60* Вт S4 60* (1к) 5 8 (12*) А £1,5* мА (60 В) КТ829Г п-р-п 60* Вт S4 45* (1к) 5 8 (12*) А £1,5* мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 153 Ck, пФ 15...75 (4 В; 15 А) >300 >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) <115 (10 В) <115 (10 В) <115 (10 В) >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) >25* (2 В; 1 А) <75 (10 В) <75 (10 В) <75 (10 В) >750* (10 В; 10 А) >750* (10 В; 10 А) >750* (10 В; 10 А) <600 (10 В) <600 (10 В) <600 (10 В) 10...120* (10 В; 0,1 А) 5...300* (10 В; 0,1 А) 5...12O* (10 В; 0,1 А) <25 (100 В) <25 (100 В) <25 (100 В) 750...18000* (3 В; 10 А) 750...18000* (3 В; 10 В) 750...18000* (3 В; 10 А) <400 (10 В) <400 (10 В) <400 (10 В) ГКЭ нас» Ом Гбэм«. Ом к;;.. дБ Кш, дБ п, Ом Р‘* , Вт вых» Тк, ПС t'pae. НС Корпус <0,12 <0,12 <0,12 <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 <0,4 <0,4 <0,4 <5 <5 <5 <0,2 <0,2 <0,2 >2,25* (5 В; 4,5 А) >2,25* (5 В; 4,5 А) >2,25* (5 В; 4,5 А) >2,25* (5 В; 4,5 А) <0,66 <0,66 <0,66 <0,66 >750* (3 В; 3 А) >750* (3 В; 3 А) >750* (3 В; 3 А) >750* (3 В; 3 А) <120 <120 <120 <120 <0,57 <0,57 <0,57 <0,57 <800** КТ822-1, КТ823-1 2,2 <900** <900** <4,5** мкс <4,5** мкс <4,5** мкс ten— 1500 ten—700 ten—700 КТ825, КТ826 27.1 КТ827, КТ828 27.1 <4,5* мкс <4,5* мкс <4,5* мкс <10* <10* <10* <10* КТ829 10,65 4,8
154 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » ₽К, т max» р** К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^21э» С» МГц ^КБО max» и* *JK3R max» и** '-’кэо max» В ^ЭБО max» В Jk max 1к, и max» мА 1кБО» IjOR» 1кэо» мкА КТ8230А р-п-р 125 Вт >3 180 5 25 А КТ8231А п-р-п 180* Вт 350** 15 А КТ8231А1 п-р-п 155* Вт 350** 15 А КТ8231А2 п-р-п 65* Вт • 350** 15 А КТ8232А1 п-р-п 125* Вт — 350 5 20 А — КТ8232Б1 п-р-п 125* Вт 350 5 20 А КТ8233А5 р-п-р — >4 100 5 5 А — КТ8233Б5 р-п-р — >4 80 5 5 А — КТ8233В5 р-п-р >4 60 5 5 А
Биполярные кремниевые транзисторы 155 ^21э» 1*21Э Ск, ^12э» пФ ГКЭ нас’ ®М С нас’ ОМ к;;, дб Кш, дБ г:, Ом Р" , Вт вых» Тк, ПС *'рас’ НС Сна. НС Корпус 15...75 (4 В; 15 А) <0,12 <800** V* см *4 i КТ823 15,9 Ж Я! ю 5 1 I >400 /у 2 1 КТ8 7,1 > И г: и 5 ук >400 >400 300...8000 (10 В; 5 А) 300...8000 (10 В; 5 А) <0,18 <0,18 >1000 (3 В; 0,5 А) >1000 (3 В; 0,5 А) >1000 (3 В; 0,5 А) <300 <300 <300 КТ8233-5 1,6 0,5
156 Раздел 2. Биполярные транзисторы I Тип прибора Струк- тура max » ₽К. т max» Р*’ К, и max ’ мВт ^гр’ ^1216* Cla* Сх* МГц ^КБО max* и’ ^КЭИ max* и” '“'КЭО max* В ^ЭБО max » В 1К max I* К,и max* мА ^КБО» I* дкэи» I” жкэо» мкА КТ8234А5 п-р-п — >4 100 5 5 А — КТ8234Б5 п-р-п — >4 80 5 5 А — КТ8234В5 п-р-п >4 60 5 5 А КТ8235А п-р-п БСИТ 1000 >30 700; 400** 5 2 А КТ8240А5 п-р-п — >150 30 — 800 — КТ8240Б5 п-р-п — >150 30 — 800 — КТ8240В5 п-р-п — >150 40 — 800 — КТ8240Г5 п-р-п — >150 50 — 800 — КТ8240Д5 п-р-п — >150 60 — 800 — КТ8240Е5 п-р-п — >150 70 — 800 — КТ8240Ж5 п-р-п — >150 80 — 800 — КТ8241А5 р-п-р — >150 30 — 800 — КТ8241Б5 р-п-р — >150 30 — 800 — КТ8241В5 р-п-р — >150 40 — 800 — КТ8241Г5 р-п-р — >150 50 — 800 — КТ8241Д5 р-п-р — >150 60 — 800 — КТ8241Е5 р-п-р — >150 70 — 800 — КТ8241Ж5 р-п-р — >150 80 — 800 — КТ8242А5 р-п-р — >25 100 — 2000 — КТ8242Б5 р-п-р — >25 80 — 2000 — КТ8242В5 р-п-р — >25 60 — 2000 — КТ8243А5 п-р-п — >25 100 — 2000 — КТ8243Б5 п-р-п — >25 80 — 2000 — КТ8243В5 п-р-п — >25 60 — 2000 — КТ8244А5 р-п-р — >150 45 — 2000 — КТ8244Б5 р-п-р — >150 60 — 2000 — КТ8244В5 р-п-р — >150 60 — 2000 — КТ8244Г5 р-п-р — >150 80 — 2000 — КТ8245А5 п-р-п — >150 45 — 2000 — КТ8245Б5 п-р-п — >150 60 — 2000 — КТ8245В5 п-р-п — >150 60 — 2000 — КТ8245Г5 п-р-п — >150 80 — 2000 — КТ8246А п-р-п 60* Вт — 100 5 15 А — КТ8246Б п-р-п 60* Вт — 120 5 15 А — КТ8246В п-р-п 60* Вт — 160 5 15 А — КТ8246Г п-р-п 60* Вт 160 5 15 А
Биполярные кремниевые транзисторы 157 ^21э» ^21Э Ск, С12э» пФ ГКЭн«с> ГБЭ«,с- ОМ к*;, дб Кш, дБ г:» Р" , Вт вых» ж t„, ПС «'рас. НС Со. НС Корпус >1000 (3 В; 0,5 А) 2:1000 (3 В; 0,5 А) >1000 (3 В; 0,5 А) <200 <200 <200 <3 <3 <3 — — КТ81 1,6 234-5 0,5 СО Л т— 8...40 (2 В; 0,5 А) <30 <1 — — КТ8235 'лзил'н со" 40 ‘1 Сч1 1 б К 3 25000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) — <15 <15 <15 — KT8l 1,6 240-5 0,5 >10000 (5 В; 10 мА) — <15 — — >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) — <15 <15 — — (0 л >10000 (5 В; 10 мА) — <15 — — >5000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) — <15 <15 <15 <15 — — КТ8 1,6 241-5 0,5 — — — 210000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) >10000 (5 В; 10 мА) — <15 <15 <15 — — СО Л т— >500 (3 В; 0,5 А) 2500 (3 В; 0,5 А) 2500 (3 В; 0,5 А) <200 <200 <200 <3 <3 <3 — — КТ8 >242-5 1,6 , КТ8 243-5 0,5 2500 (3 В; 0,5 А) 2500 (3 В; 0,5 А) 2500 (3 В; 0,5 А) <100 <100 <3 <3 — — со_ А т— <100 <3 — — 21000 (3 В; 0,5 А) 21000 (3 В; 0,5 А) 21000 (3 В; 0,5 А) 21000 (3 В; 0,5 А) <200 <200 <200 <200 <3 <3 <3 <3 — — КТ8 >244-5 1,6 , КТ8 245-5 0,5 21000 (3 В; 0,5 А) 21000 (3 В; 0,5 А) 21000 (3 В; 0,5 А) 21000 (3 В; 0,5 А) <100 <100 <100 <100 00 СО 00 со VI VI VI VI — — со — — >1000 >1000 >1000 — <2,5 <2,5 <2,5 — — KTi 10,7 3246 4 >1000 <2,5 "В ЗА 3 l" I
158 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* К, т max » Р** К, и max » мВт tp’ Ч«21в» С. МГц ^КБО max » и* ^KSR max» и“ ’“’КЭО max» В ^ЭБО max » В IK max I* К,и max» мА ^КБО» I* MK3R» ^КЭО» мкА КТ8247А п-р-п 75 Вт 700 12 5 А <100* КТ8248А1 п-р-п 90 Вт 1500* 7,5 5 А КТ8250А п-р-п 50* Вт — 190; 40** 5 15 А — КТ8250Б п-р-п 50* Вт 190; 80** 5 15 А КТ8251А п-р-п 125 Вт 180 5 10 А <100 КТ8254А п-р-п 20 Вт >10 800 2 А КТ8255А п-р-п 60 Вт 330 6 7 А <1* мА
Биполярные кремниевые транзисторы 159 Корпус КТ8247 >22 4,8 3,8...9 >1000 >30* (5 В; 0,3 А) >100 >100 ск» С12э» пФ Кш, дБ г;, Ом РГ‘ Вт ГКЭ нас» Ом ГБЭнас, ОМ ДБ тк, ПС tpac» НС выкл» НС КТ8250 КТ8254 6,54 6КЗ 10,65 а 5КЗ <0,05 <0,05 /ZZ7 ❖Л ЭКб 2,285 КТ8255 10,7 4,8
160 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура р rK max » Pr т max » Р** К, и max » мВт ^1216* с... с. МГц Ureo max» и* ^RSR max» и** R30 max » В ^ЭБО max » В ^R max I* R, и max» мА Irbo» Ir3R» I** XR3O» мкА КТ8261А п-р-п 25 Вт — 700 9 2 A <50* КТ8270А п-р-п 7 Вт >4 600 9 500 <100* КТ8271А р-п-р 10 Вт — 45 5 1500 £0,1 (45 B) КТ8271Б р-п-р 10 Вт — 60 5 1500 £0,1 (60 B) КТ8271В р-п-р 10 Вт — 80 5 1500 <0,1 (80 B) КТ8272А п-р-п 10 Вт — 45 5 1500 <0,1 (45 B) КТ8272Б п-р-п 10 Вт — 60 5 1500 £0,1 (60 B) КТ8272В п-р-п 10 Вт — 80 5 1500 <0,1 (80 B) КТ829А п-р-п 60 Вт >4 100* (1 к) 5 8 A; 12* A <!1,5 (100 B) КТ829Б п-р-п 60 Вт >4 80* (1 к) 5 8 A; 12* A £1,5 (80 B) КТ829В п-р-п 60 Вт >4 60* (1к) 5 8 A; 12* A £1,5 (60 B) КТ829Г п-р-п 60 Вт >4 45* (1к) 5 8 A; 12* A £1,5 (45 B) КТ829АТ п-р-п 50 Вт >4 100 5 5 A — КТ829АП п-р-п 50 Вт >4 160 5 5 A — КТ829АМ п-р-п 60 Вт >4 240 5 8 A КТ8290А п-р-п 100 Вт 700 9 10 A <100 КТ830А р-п-р 5* Вт >4 35 5 2 A; 4* A £100 (35 B) КТ830Б р-п-р 5* Вт >4 60 5 2 A; 4* A £100 (60 B) КТ830В р-п-р 5* Вт >4 80 5 2 A; 4* A £100 (80 B) КТ830Г р-п-р 5* Вт >4 100 5 2 A; 4* A £100 (100 B) КТ831А п-р-п 5 Вт >4 35 12 2 A — КТ831Б п-р-п 5 Вт >4 60 5 2 A — КТ831В п-р-п 5 Вт >4 80 5 2 A — КТ831Г п-р-п 5 Вт >4 100 5 2 A
Биполярные кремниевые транзисторы 161 ^21э» ^21Э Ск> С12э» пФ ГКЭ нас. Ом «йнае. ОМ к;.;, дб кш, дБ г;, Ом Р” , Вт вых» ж тк, пс tpac» НС ^выкл» НС Корпус >10 — — — — 16 11,1таи К Т826] 4- ш 1, К] ®СГ Г8270 ! . 5...90 — — — — >25 >25 >25 — — — — wiui'h 91 к LT827] д 1, К1 Г8272 £44 1 зя'я >25 >25 >25 — — — — ®о“ КТ829 >750* (3 В; 3 А) >750* (3 В; 3 А) >750* (3 В; 3 А) >750* (3 В; 3 А) >1000 >700 400...3000 >10 >20* (1 В; 1 А) >20* (1 В; 1 А) >20* (1 В; 1 А) >20* (1 В; 1 А) ’1 КТ829(Т-М) КТ8290 КТ830 0М >2 >5 >25 >20 <0,57 <0,57 <0,57 <0,57 <120 <120 <120 <120 <0,3 <0,25 <0,66 <1,2 <1,2 <1,2 <1,2 <0,6 <0,6 <0,6 <0,6 10,7 1 , <1000* <1000* <1000* <1000*
162 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура max > т max» Р** К, и max > мВт ^гр» ^216 > ^21э> С» МГц ^КЕОтах» и* тах» и** ^КЭО тах» В ^ЭБОтах» В Ik max I* К, и тах» мА ^КБО» ^КЭИ» I** дкэо» мкА КТ834А п-р-п 100* Вт >4 500* (0,1 к) 8 15 (20*) А <3* мА (500 В) КТ834Б п-р-п 100* Вт >4 450* (0,1 к) 8 15 (20*) А <3* мА (450 В) КТ834В п-р-п 100* Вт >4 400* (0,1 к) 8 15 (20*) А <3* мА (400 В) КТ835А р-п-р 25* Вт >1 30 4 ЗА <0,1 мА (30 В) КТ835Б р-п-р 25* Вт *1 45 4 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ836А р-п-р 5 Вт >4 90 5 3 А <100 (90 В) КТ836Б р-п-р 5 Вт >4 85 5 3 А <100 (85 В) КТ836В р-п-р 5 Вт >4 60 5 3 А <100 (60 В) КТ837А р-п-р 30* Вт >1 80 15 7,5 А <0,15 мА (80 В) КТ837Б р-п-р 30* Вт >1 80 15 7,5 А <0,15 мА (80 В) КТ837В р-п-р 30* Вт >1 80 15 7,5 А <0,15 мА (80 В) КТ837Г р-п-р 30* Вт >1 60 15 7,5 А <0,15 мА (60 В) КТ837Д р-п-р 30* Вт >1 60 15 7,5 А <0,15 мА (60 В) КТ837Е р-п-р 30* Вт >1 60 15 7,5 А <0,15 мА (60 В) КТ837Ж р-п-р 30* Вт >1 45 15 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ837И р-п-р 30* Вт >1 45 15 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ837К р-п-р 30* Вт >1 45 15 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ837Л р-п-р 30* Вт >1 80 5 7,5 А <0,15 мА (80 В) КТ837М р-п-р 30* Вт >1 80 5 7,5 А <0,15 мА (80 В) КТ837Н р-п-р 30* Вт >1 80 5 7,5 А <0,15 мА (80 В) КТ837П р-п-р 30* Вт >1 60 5 7,5 А <0,15 мА (60 В) КТ837Р р-п-р 30* Вт >1 60 5 7,5 А <0,15 мА (60 В) КТ837С р-п-р 30* Вт >1 60 5 7,5 А <0,15 мА (60 В) КТ837Т р-п-р 30* Вт >1 45 5 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ837У р-п-р 30* Вт >1 45 5 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ837Ф р-п-р 30* Вт >1 45 5 7,5 А <0,15 мА (45 В) КТ838А п-р-п 12,5* Вт (90’С) >3 1500 5; 7 5 (7,5*) А <1* мА (1500 В) КТ838Б п-р-п 12,5* Вт >3 1200 5; 7 5 (7,5*) А <1* мА (1200 В) КТ839А п-р-п 50* Вт >5 1500 5 10 А <1 мА (1500 В) КТ840А п-р-п 60* Вт >8 400*; 900 5 6 (8*) А <3 мА (900 В) КТ840Б п-р-п 60* Вт >8 350*; 750 5 6 (8*) А <3 мА (750 В) КТ840В п-р-п 60* Вт >8 800; 375* 5 6 (8*) А <3 мА (800 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 163 ^21э» Ь21э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас’ «ВЭ-е. °М к;;, дб Кш, дБ г;, Ом Р»х. Вт Тк» ПС tjae. "С ^выхл» ИС Корпус 150...3000* (5 В; 5 А) 150...3000* (5 В; 5 А) 150...3000* (5 В; 5 А) <100 (150 В) <100 (150 В) <100 (150 В) <0,13 <0,13 <0,13 — tcn<l,2 мкс tcn<l,2 мкс tcn<l,2 мкс 1 1 КТ83' >7,1 j __Ls- 1 ( с А > I о \ эЬ И ] >25* (1 В; 1 А) 10 .100* (5 В; 2 А) <800 (10 В) 2800 (10 В) <0,35 <0,8 — — С * и fl КТ835 0.S5 4.S ф [ Й 1 Г 20...100 (5 В; 2 А) 20. .100 (5 В; 2 А) 20... 100 (5 В; 2 А) — <0,3 <0,018 <0,022 КТ836 -=J vo А 1 шш IO 10...40* (5 В; 2 А) 20...80* (5 В; 2 А) 50...150* (5 В; 2 А) 10...40* (5 В; 2 А) 20...80* (5 В; 2 А) 50... 150* (5 В; 2 А) 10...40* (5 В; 2 А) 20...80* (5 В; 2 А) 50...150* (5 В; 2 А) 10...40* (5 В; 2 А) 20...80* (5 В; 2 А) 50...150* (5 В; 2 А) 10...40* (5 В; 2 А) 20...80* (5 В; 2 А) 50...15О* (5 В; 2 А) 10...40* (5 В; 2 А) 20...80* (5 В; 2 А) 50...150* (5 В; 2 А) — <0,8 <0,8 <0,8 <0,3 <0,3 <0,3 <0,25 <0,25 <0,25 <0,8 <0,8 <0,8 <0,3 <0,3 <0,3 <0,25 <0,25 <0,25 1 1 1 1 1 1 1 — КТ837 10,7, _ 4,5 г 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 й зкв L 1 >4* (5 В; 3,5 А) >4* (5 В; 3,5 А) 170 (10 В) 170 (10 В) <1,1 <1,1 — <10* мкс; tcn^l ,5 <10* мкс КТ838, КТ83 271 9, К Т840 >5* (10 В; 4 А) 240 (10 В) <0,375 — <10* мкс; tcn^l ,5 __1й Л ( < ТА > I о \ кг1 у; } 10...60* (2,5 В; 8 А) £10* (2,5 В; 8 А) Ю...100* (2,5 В; 8 А) — <0,75 <0,75 <0,24 — tcn—0,6 ten—0,6 <3500*
164 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max ’ р* ГК, т max» р“ К, и max ♦ мВт С* ^1216» ^121э» Сах» МГц ^КБО max» ^K3R max ♦ и** КЭО max » В ^ЭБО max» В IK max I* К, и max ♦ мА ^КБО» ^K3R» ГКЭО> мкА КТ841А п-р-п 3 (50*) Вт >10 600 5 10 (15*)А S3 мА (600 В) КТ841Б п-р-п 3 (50*) Вт >10 400 5 10 (15*) А S3 мА (400 В) КТ841В п-р-п 3 (50*) Вт >10 600 5 10 (15*)А S3 мА (600 В) К.Т841Г п-р-п 100* Вт >7 200 5 10 (15*)А S3 мА (200 В) КТ841Д п-р-п 100* Вт >5 500 5 10(15*) А S3 мА (500 В) КТ841Е п-р-п 50* Вт >7 800 5 10 (15*) А S3 мА (800 В) КТ842А р-п-р 3(50*) Вт >20 300 5 5 (10*) А S1 мА (300 В) КТ842Б р-п-р 3 (50*) Вт >20 200 5 5 (10*) А S1 мА (200 В) КТ842В р-п-р 100* Вт >7 200 5 5 (10*) А S1 мА (200 В) КТ844А п-р-п 50* Вт (50“С) >7,2 250* (0,01 к) 4 10 (20*) А S3* мА (250 В) КТ845А п-р-п 40* Вт (50°С) >4,5 400* (0,01 к) 4 5 (7,5*) А S3* мА (400 В) КТ846А п-р-п 12,5* Вт (90“С) >2 1500* (0,01 к) 5; 7 5 (7,5*) А S1* мА (1500 В) КТ846Б п-р-п 12,5* Вт (95“С) >2 1200 5; 7 5 (7,5*) А S1* мА (1200 В) КТ846В п-р-п 12,5* Вт (95“С) >2 1500 5; 7 5 (7,5*) А S1* мА (1500 В) КТ847А п-р-п 125* Вт >15 650* (0,01 к) 8 15 (25*)А 5 мА (650 В) КТ847Б п-р-п 125* Вт >10 650* (0,01 к) 8 15 (25*) А 5 мА (650 В) КТ848А п-р-п 35* Вт (100“С) £3 520 15 15 А S3* мА (400 В) КТ848Б п-р-п 35* Вт (100”С) £3 400 15 15 А S3* мА (400 В) КТ850А п-р-п 25* Вт >20 250 5 2 (3*) А S100 (250 В) КТ850Б п-р-п 25* Вт >20 300 5 2 (3*) А S500 (300 В) КТ850В п-р-п 25* Вт >20 180 5 2 (3*)А S500 (180 В) КТ851А р-п-р 25* Вт >20 250 5 2 (3*)А S100 (250 В) КТ851Б р-п-р 25* Вт >20 300 5 2 (3*)А S500 (300 В) КТ851В р-п-р 25* Вт >20 180 5 2 (3*)А S5OO(18OB) КТ852А р-п-р 50* Вт >7 100 5 2,5 (4*) А S1 мА (100 В) КТ852Б р-п-р 50* Вт >7 80 5 2,5 (4*) А S1 мА (80 В) КТ852В р-п-р 50* Вт >7 60 5 2,5 (4*) А S1 мА (60 В) КТ852Г р-п-р 50* Вт >7 45 5 2,5 (4*) А S1 мА (45 В) КТ853А р-п-р 60* Вт >7 100 5 8 (12*) А S200 (100 В) КТ853Б р-п-р 60* Вт >7 80 5 8(12*) А S200 (80 В) КТ853В р-п-р 60* Вт >7 60 5 8 (12*)А S200 (60 В) К.Т853Г р-п-р 60* Вт >7 45 5 8 (12*)А S200 (45 В) КТ854А п-р-п 60* Вт >10 600 5 10 (15*) А S3 мА (600 В) КТ854Б п-р-п 60* Вт >10 400 5 10 (15*) А S3 мА (400 В) КТ855А р-п-р 40* Вт >5 250 5 5 (8*) А S1000 (250 В) КТ855Б р-п-р 40* Вт >5 150 5 5 (8*) А S1000 (150 В) КТ855В р-п-р 40* Вт >5 150 5 5 (8*) А S1000 (150 В) КТ856А п-р-п 75* Вт >10 800 5 10 А; 12* А S3 мА (800 В) КТ856Б п-р-п 75* Вт >10 700 5 10 А; 12* А S3 мА (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 165 ^2!э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭнас* ГЮ нас* О»* к;;, дб Кш, дБ Ом Р" , Вт вых» тк, ПС tpac* «С ^ВЫКЛ» НС Корпус £12* (5 В; 5 А) £12* (5 В; 5 А) £12* (5 В; 5 А) £20* (5 В; 5 А) £20* (5 В; 2 А) £10* (5 В; 5 А) <300 (10 В) <300 (10 В) <300 (10 В) £300 (10 В) £300 (10 В) £300 (10 В) <0,3 <0,3 <0,3 <0,3 <0,3 <0,3 — <1000* <1000* <1000* <1000* <1000* <1000* КТ841, КТ842, КТ844 1 >| ( 1 /< /5 [ о з\ о \ г: _L« ! £15* (4 В; 5 А) £15* (4 В; 5 А) £20* (4 В; 5 А) 250 (10 В) 250 (10 В) 250 (10 В) <0,36 <0,36 <0,44 — 800* 800* 800* — 1J 10...50* (3 В; 6 А) £300 (10 В) <0,4 — <2000* 15...100* (5 В; 2 А) £45 (200 В) <0,75 — <4000* КТ845, КТ846, КТ847, КТ848 — <200 <0,22 <1,1 <1,1 — <12000* <12000* <12000* f х| j /Л /б А —•4 1 1 S 8...25* (З В; 15 А) 8...25* (3 В; 15 А) £200 (400 В) £200 (400 В) <0,1 <0,1 — <2000* <3000* ( ° 1 Хч К? 1 £20* (5 В; 15 А) £20* (5 В; 15 А) — <0,2 <0,2 — — 40...200* (10 В; 0.5 А) £20* (10 В; 0,5 А) £20* (10 В; 0,5 А) £35 (5 В) £35 (5 В) £35 (5 В) £2 £2 £2 — 1500* 1500* 1500* КТ850, КТ851, КТ852 40...200* (10 В; 0,5 А) 20...2ОО* (10 В; 0,5 А) 20 .200* (10 В; 0,5 А) 40 (5 В) 40 (5 В) 40 (5 В) <2 <2 <2 — 1400* 1400* 1400* П 65 4Л ТЕ й См св £500* (4 В; 2 А) £500* (4 В; 2 А) £1000* (4 В; 1 А) >1000* (4 В; 1 А) £28 (5 В) £28 (5 В) £28 (5 В) £28 (5 В) <1,25 <1,25 <1,25 <1,25 — 2000** 2000** 2000** 2000** ^бКЭ £750* (3 В; 3 А) £750* (3 В; 3 А) £750* (3 В; 3 А) £750* (3 В; 3 А) £120 (5 В) £120 (5 В) £120 (5 В) £120 (5 В) <0,66 <0,66 <0,66 <0,66 — 3300** 3300** 3300** 3300** КТ853, КТ854, КТ855 ' >| ) £20* (4 В; 2 А) £20* (4 В; 2 А) 200 (10 В) 200 (10 В) <0,4 <0,4 — tcn=700 tcn=700 J -1s X 1 /и II £20* (4 В; 2 А) £20* (4 В; 2 А) £15* (4 В; 2 А) 200 (10 В) 200 (10 В) 200 (10 В) <0,5 <0,5 <0,5 — — L—S у/к 10...60* (5 В; 5 А) 10...60* (5 В; 5 А) £100 (90 В) £100 (90 В) <0,3 <0,3 — <2* мкс <2* мкс КТ856 7 j А I -Is X ^/к ГО ' 1 и ’
166 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура РК max * Р* К, т max * р~ К, и max » мВт £р» Слб» Спэ» С. плах» МГц ^КБОтах» и* <JK3R тах» и** ^КЭО тах» В ^ЭБО max» В IK max Г К, и max » мА ^КБО» ^КЭК» ^КЭО» мкА КТ856А-1 п-р-п 50* Вт 10 800 5 10 А; 12* А <3 мА (800 В) КТ856Б-1 п-р-п 50* Вт 10 600 5 10 А; 12* А <3 мА (600 В) КТ857А п-р-п 60* Вт >10 250 6 7 (10*)А <5 мА (250 В) КТ858А п-р-п 60* Вт >10 400 6 7(10*)А <1 мА (400 В) КТ859А п-р-п 40* Вт >25 800 10 3 (4*) А <1 мА (800 В) 1кТ862Б п-р-п 50* Вт >20 450 5 15 А; 25* А <2,5 мА (300 В) КТ862В п-р-п 50* Вт >20 600 (350**) 5 10 А; 15* А <3 мА (600 В) КТ862Г п-р-п 50* Вт >20 600 (400**) 5 10 А; 15* А <3 мА (600 В) 1 КТ863А п-р-п 50* Вт >4 30 5 10 А <1 мА (30 В) । КТ863Б п-р-п 50* Вт >4 30 5 10 А <1 мА (30 В) I КТ863В п-р-п 50* Вт >4 160 5 10 А <1 мА (30 В) 1 КТ864А п-р-п 100* Вт >15 200 6 10 (15*)А <100 (200 В) КТ865А р-п-р 100* Вт >15 200 6 10 (15*) А <100 (200 В) КТ866А п-р-п 30* Вт 25 200; 100** 4 15 А; 20* А <25 мА (100 В) ! КТ866Б п-р-п 30* Вт 25 200; 80** 4 15 А; 20* А <25 мА (100 В) i 1 КТ867А п-р-п 100* Вт >25 200 7 25 А (40* А) <3 (250 В)
биполярные кремниевые транзисторы 167 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭН.С ОМ Ом к;;, дб кш, дБ «•;, Ом р.:«. вт тк, ПС t’pac. НС ^ВЫКЛ» ДС Корпус 10...60* (5 В; 5 А) 10...60* (5 В; 5 А) <100 (90 В) <100 (90 В) <0,3 <0,3 — <2* мкс <2* мкс KT8I 75,9 >6-1 s Иг S 91 А? 1 1 7 ’. у э к □ >7,5* (1 В; 3 А) — <0,33 — <2500* КТ857 — , КТ8 Ю,65 ►58, К 4, 1Т85 8^ 9 СЧ 11 Ц |ф1 МГ а1 1 >10* (5 В; 5 А) — <0,2 — <2500* г Я0* (10 В; 1 А) — <1,5 — <3500* 12...100* (5 В; 8 А) 12...5O* (5 В; 5 А) 12...50* (5 В; 5 А) <300 (30 В) <250 (10 В) <250 (10 В) <0,13 <0,29 <0,29 — <1000* <2000* <2000* КТ862 {ОТ . оу 5,4 см ‘ - Qjf CN L£Y2 Г Г5 27,2 2>100* (2 В; 5 А) 2>7О* (2 В; 5 А) >70* (2 В; 5 А) — <0,06 <0,1 <0,1 — — КТ1 10,65 163 4, 1 1 д г § сч 1 5КЭ 40...200* (4 В; 2 А) £300 (5 В) <0,6 — — КТ864, КТ865 £ 1 40...2ОО* (4 В; 2 А) <300 (5 В) <0,3 — — <э»0 u 215* (10 В; 10 А) J15* (10 В; 10 А) £400 (10 В) £400 (10 В) <0,15 <0,15 — <450** <450** КТ866 CM • £ JL 1 J г' Г {ОТ . ру 5? | _ 27,2 >10* (5 В; 20 А) £400 (10 В) <0,075 1,3* мкс КТ867 А SfjL J 1 У
168 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » Р** К, и max » мВт ^гр» ^1216» ^219» С» МГц ^КБО max» ^K3R max » и** ’“'КЭО max» В ^ЭБО max » В Ik max ^К,и max» мА ^КБО» ^КЭИ» I** дкэо» мкА КТ868А п-р-п 70* Вт >8 900 5 6 (8*) А <3 мА (900 В) КТ868Б п-р-п 70* Вт >8 750 5 6 (8*) А <3 мА (750 В) КТ872А п-р-п 100* Вт >7 1500; 700* 6 8 (15*) А <1 мА (1500 В) КТ872Б п-р-п 100* Вт >7 1500; 700* 6 8 (15*) А £1 мА (1500 В) КТ872В п-р-п 100* Вт >7 1200; 600* 6 8 (15*) А <1 мА (1200 В) КТ874А п-р-п 75* Вт >20 150; 100* (0,01к) 5 30 А; 50* А <3 мА (150 В) КТ874Б п-р-п 75* Вт >20 150; 120* (0,01 к) 5 30 А; 50* А <3 мА (150 В) КТ878А п-р-п 150* Вт >10 900* (0,01 к) 5 25 (50*) А <3 мА (900 В) КТ878Б п-р-п 2 Вт; 100* Вт >10 800* (0,01 к) 6 25 (50*) А <3 мА (800 В) КТ878В п-р-п 2 Вт; 100* Вт >10 600* (0,01 к) 6 25 (50*) А <3 мА (600 В) КТ879А п-р-п 250* Вт >10 200 6 50 А;(75*) А <3 мА (200 В) КТ879Б п-р-п 250* Вт >10 200 6 50 А;(75*) А <3 мА (200 В) КТ885А п-р-п 150* Вт >15 400* (0,01 к) 5 40 (60*) А <1 мА (500 В) КТ885Б п-р-п 150* Вт >15 500* (0,01 к) 5 40 (60*) А <1 мА (500 В) КТ886А-1 п-р-п 75* Вт >10,5 1400*(0,01к) 7 10 А; (15*) А <;о,1 мА (1000 В) КТ886Б-1 п-р-п 75* Вт >10,5 1000*(0,01к) 7 10 А;(15*) А <0,5 мА (1000 В) КТ887А р-п-р 3 Вт; 75* Вт >15 700 5 2 А; (5*) А <0,25 мА (700 В) КТ887Б р-п-р 3 Вт; 75* Вт >15 600 5 2 А; (5*) А <0,25 мА (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 169 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ «•кэнас. ОМ ^БЭ иас’ ОМ к;.;, дб Кш, дБ г5 Ом Р*’ , Вт вых I " * тк, ПС t’pac. НС НС Корпус 10...60* (5 В; 0,6 А) 10... 100* (5 В; 0,6 А) <100 (80 В) <100 (80 В) <0,75 <0,75 — <3500* <3500* кте 168, КТ872 15,9 5 1 >6 (5 В; 30 мА) >6 (5 В; 30 мА) >6 (5 В; 30 мА) <125 (15 В) <125 (15 В) <125 (15 В) <0,22 <1,1 <1,1 — <7500* <7500* <7500* = Ц 1 hir i 6 к э 15...5O* (5 В; 30 А) 10...40* (5 В; 30 А) 200 (100 В) 200 (100 В) <0,04 <0,04 — 0,5* мкс 0,5* мкс KT874 гот И _ ОТ Р1 ^1 ь о Г>. - ,5 _3 сч -Я I v ГФ ~ 27,2 12...5O* (5 В; 10 А) 12...50* (5 В; 10 А) 12...50* (5 В; 10 А) <500 (10 В) 2500 (10 В) <500 (10 В) <0,1 <0,1 <0,1 — <3000* <3000* <3000* 27, KT878 1 i i Л A -is-A КГ 1 lil к >20* (4 В; 20 А) >15* (4 В; 20 А) <800 (10 В) <800 (10 В) <0,06 <0,1 — 1,2* мкс 1,2* мкс КТ879 л гГ li Kg ,<l nfr ™ >12* (5 В; 20 А) >12* (5 В; 20 А) 2200 (100 В) <200 (100 В) <0,08 <0,08 i <2000* <2000* 27, KT885 л A /R 1\ г J _15 41 к» 1 и К 6...25* (5 В; 4 А) 6...25* (5 В; 4 А) <135 (10 В) <135(10 В) <0,25 <0,25 — 2,5* мкс 2,5* мкс 1 KT886-1 15, 9 Z F Iе 1 1 7г 1 Ш I 6 К 3 20... 120* (9 В; 1 А) 20... 120* (9 В; 1 А) 350 (10 В) 350 (10 В) <1,5 <1,5 — <5* мкс <5* мкс 27 KT887 и A /в A a; J_ J>«41 оД КГ f и к К
170 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » т max » Р** К, и max» мВт ^гр» Д«21в» G„. С. МГц ^КБО max > и* ’“'КЭЙ max» и** '“'КЭО max’ В ^ЭБО max» В 1К max I* К, и max » мА ^КБО» ^КЭЙ’ дкэо» мкА КТ888А р-п-р 0,8 Вт; 7* Вт >15 900 7 100 (200*) £10 (900 В) КТ888Б р-п-р 0,8 Вт; 7* Вт >15 600 7 100 (200*) <10 (600 В) КТ890А п-р-п 120* Вт 40 650 5 20 А 0,5** мА (350 В) КТ890Б п-р-п 120* ВТ 40 500 5 20 А 0,25** мА (350 В) КТ890В п-р-п 120* Вт 40 350 5 20 А 0,25** мА (350 В) КТ892А п-р-п 100* Вт 8 350* (0,01к) 5 15 (30*) А £3 мА (350 В) КТ892Б п-р-п 100* Вт 8 400* (0,01к) 5 15 (30*) А £3 мА (400 В) КТ892В п-р-п 100* Вт 8 300* (0,01 к) 5 15 (30*) А £3 мА (300 В) КТ893А п-р-п 120* Вт 800* (0,01 к) 5 6 А; 8* А £1* мА (800 В) КТ896А р-п-р 2 Вт; 125* Вт >4 90* (1 к) 5 20 А (30* А) — КТ896Б р-п-р 2 Вт; 125* Вт >4 60* (1 к) 5 20 А (30* А) КТ897А п-р-п 3 Вт; 150* Вт >10 350 5 20 А (30* А) £250 (350 В) КТ897Б п-р-п 3 Вт; 150* Вт >10 200 5 20 А (30* А) £250 (200 В) КТ898А п-р-п 1,5 Вт; 125* Вт >10 350 5 20 А (30* А) — КТ898Б п-р-п 1,5 Вт; 125* Вт >10 200 5 20 А (30* А)
Биполярные кремниевые транзисторы 171 ^21э» ^21Э ск. ^12э> пФ ^КЭ нас* ОМ Чэ нас* ОМ к;;, дб кш, дБ г:, Ом Р~ , Вт вых» Тк, ПС Час* НС Чио. НС Корпус 30...12О* (30 В; 30 мА) 30...120* (30 В; 30 мА) — <50 <50 — <3* мкс <3* мкс KT888 044. у. к ^«"Л счм Illlll Иф >200* (5 В; 5 А) >200* (5 В; 5 А) >200* (5 В; 5 А) — <0,23 <0,22 <0,2 — — KT89 0 _5 1 «Он аг' I б К 3 >300* (10 В; 5 А) >300* (10 В; 5 А) >300* (10 В; 5 А) — <0,225 <0,225 <0,225 — tCn<4 мкс tcn<4 мкс tCn<4 мкс КТ892 Z/,7 _ 3 k I I CSJ ' | р. s съ*1 n 10...20* <0,6 <2* мкс KI 2,2 P8S 13 1 r сч 1 с\Г’' б w / \ 3 J a J' 750.18000* (10 В; 5 А) 750...18000* (10 В; 5 А) <700 (10 В) <1700 (10 В) <0,4 <0,4 — <4500** <4500** KT8S 15,9 16 5 1 см е? виз T Q >400* (5 В; 5 А) <400* (5 В; 5 А) — <0,23 <0,23 — — КТ897 Z/,7 _ c\Ti! I 1 - J 111 >400* (5 В; 5 А) >400* (5 В; 5 А) — <0,23 <0,23 — — KT8S 15fi 18 5 1 cf $5 :_L1 «>11 r w T n б К 3
172 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Рк, т max » Р** * К. и max » мВт ^гр» ?21б» ^1213» С» МГц ^КВОтах» и* ’-'K3R тах» Ц*КЭО тах» В ^ЭБО тах» В Jk max 1к, и max» мА 1кБО» 1кэй» Г *кэо» мкА КТ898А-1 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт >10 350 5 20 А (30* А) КТ898Б-1 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт >10 200 5 20 А (30* А) КТ899А п-р-п 40* Вт >8 160 5 8 А (15* А) <1 (160 В) КТ902А п-р-п 30* Вт (50’С) >35 65 (110 имп.) 5 5 А <10 мА (70 В) КТ902АМ п-р-п 30* Вт (50’С) >35 65 (110 имп.) 5 5 А <10 мА (70 В) КТ903А п-р-п 30* Вт (60**) >120 60 (80 имп.) 4 3 (5*) А £10* мА (70 В) КТ903Б п-р-п 30* Вт (60**) >120 60 (80 имп.) 4 3 (5*) А £10* мА (70 В) КТ904А п-р-п 5* Вт (40’С) >350 60* (0,1 к) 4 0,8 (1,5*) А £1,5* мА (60 В) КТ904Б п-р-п 5* Вт (40’С) >300 60* (0,1 к) 4 0,8 (1,5*) А £1,5* мА (60 В) КТ907А п-р-п 13,5* Вт >350 60* (0,1 к) 4 1 (3*) А £3* мА (60В) КТ907Б п-р-п 13,5* Вт >300 60* (0,1 к) 4 1 (3*) А £3* мА (60 В) КТ908А п-р-п 50* Вт (50’С) >30 100* (0,01к) 5 10 А £25* мА (100 В) КТ908Б п-р-п 50* Вт (50’С) >30 60* (0,25к) 5 10 А £50* мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 173 ^2!э» 1*21Э с„, С12э» пФ «•|Энае> ОМ ГБЭ„ас< ОМ к;;, «в к», дБ г', Ом Р“ , Вт вых » " ж Тк, ПС tpae- НС Сел. НС Корпус >400* (5 В; 5 А) *400* (5 В; 5 А) — <0,23 <0,23 — — с изолир< KT898 эванным 15,9 и [и выводами _5 _ сч tr г ч ё 1 виз I >1000* (5 В; 5 А) <0,26 KT89 15,9 9 _5 _ 14,5 21,1 1 1 Б К 3 н 0 *15* (10 В; 2 А) <300 (10 В) £1; ^7** >20** (10 МГц) К' 023.5 Г902 А т |сч( -БГ, I | II *15* (10 В; 2 А) <300 (10 В) £1; J.?** >20** (10 МГц) КТ902М 16 11,1 max k - r S- «О н зАб сч 15...7O* (10 В; 2 А) 40...180* (10 В; 2 А) <180 (30 В) <180 (30 В) <1,25; >3** <1,25; >3** >10** (50 МГц) >10** (50 МГц) — к 023.5 Г903 жЖ Il сч A 1 *10* (5 В; 0,25 А) *10* (5 В; 0,25 А) <12 (28 В) <12 (28 В) <5; >2,5** <5; >2** S3** (400 МГц) S2.5** (400 МГц) <15 <20 K' Г904, II г Xм5 - -Я J LT907 мк^^з *10* (5 В; 0,4 А) *10* (5 В; 0,4 А) <20 (30 В) <20 (30 В) £4; ^2** <4; S1.5** >8** (400 МГц) >6** (400 МГц) <15 <20 U Ju Ti Jn? ом 5 -еМу 8...6O* (2 В; 10 А) *20* (4 В; 4 А) <700 (10 В) <700 (10 В) <0,15 <0,25 — <2600* <2600* К 023,5 ||См^ 1 Г908
174 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » р»» К, и max » мВт Сг16’ с... с. МГц ^КБО max» ^K9R max » и** ’“’КЭО max» В ^ЭБО max » В IK max I* К, и max» мА ^КБО» ^K3R» ГКЭО» мкА [ КТ909А п-р-п 27* Вт >350 60* (0,01 к) 3,5 2 (4*) А 30* мА (60 В) КТ909Б п-р-п 54* Вт >500 60* (0,01 к) 3,5 4 (8*) А 60* мА (60 В) КТ909В п-р-п 27* Вт >300 60* (0,01 к) 3,5 2 (4*) А 30* мА (60 В) КТ909Г п-р-п 54* Вт >450 60* (0,01 к) 3,5 4 (8*)А 60* мА (60 В) КТ9101АС п-р-п 128* Вт >350 50 4 7 А £30 мА (50 В) i КТ9104А п-р-п 10** Вт >600 50 4 1,5 А <10 мА (50 В) КТ9104Б п-р-п 23** Вт >600 50 4 5 А <20 мА (50 В) КТ9105АС п-р-п 133* Вт >660 50* (0,01 к) 4 16 А <120* мА (50 В) КТ9106АС-2 2Т642-5 + два 2Т996А5 300 и 2500 — 12* и 20* 2 и 2,5 60 и 200 <1 мА КТ9106БС-2 300 и 2500 12* и 20* 2 и 2,5 60 и 200 <1 мА КТ9109А п-р-п 1120** Вт >360 65 4 29* А £60 мА (65 В) КТ9111А — п-р-п 200** Вт >200 120 4 10 А £100 мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 175 ^21э» ^21Э с„, ^12э» пФ «•кэиас. ОМ ГБЭнас» °М к;.;, дб Кш, дБ г;. Ом Р” , Вт Тк» ПС Час. НС ^выкл* НС Корпус — 230 (28 В) <60 (28 В) 235 (28 В) 260 (28 В) <0,3; >1,7** <0,18; >1,75** <0,3; >1,2** <0,18; >1,5** 20** (500 МГц) 40** (500 МГц) 15** (500 МГц) >30** (500 МГц) <20 <20 <30 <30 КТО 032. , . J Л «г ЗЕ а —— о> ; jj О Z4Z 2150 (28 В) >5,5** >100** (0,7 ГГц) <45 КТ9 1 Id «и £ -Be — d UU о, Си Си — 220 (28 В) 240 (28 В) >8** >7** >5** (0,7 ГГц) >20** (0,7 ГГц) <20 <20 КТ9 ' л 2-4 -Ц. j* 1 У Ш-L 104 к 4- э х 24 х| <160* (5 В; 0,1 А) 2240 (28 В) >5** £100** (0,5 ГГц) <12 & & Ж । 1 j, удр? СС> , Mia 105 |с2X2 J 30... 100 (5 В; 0,1 А) 60... 150 (5 В; 0,1 А) — — — — - КТ91 К1Б2 Б1( 032 \2 отб. V—J 06-2 32.БЗ 1кзэз ш L шпг Б1Э1К2 Б1 К1 Б2 ии кзэз Э2.БЗ КЗ 33 д? Б1 3t / 1 (2 КЗ 33 2140 (50 В) >3,5** (820 МГц) >500** (820 МГц) <10 .Со .„..и.ТГ . 23 Н СО 109 К -f- э х 24 х| >10* (10 В; 5 А) 2150 (50 В) >10** >150** (80 МГц) кт< А.* и ?==|” Х М 12,5 I >111 I—rti*7 х-Ж ^35,0 J
176 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max ’ Р* *К, т max » р»* К, и max1 мВт С’ С>1б» С1э» Сах» МГц ^КБОтах» и* ^KSR тах» и** КЭО max » В ^ЭБО тах» В IK max 1к, и тах» мА 1кБО» Irsr» 1кэо» мкА КТ9115А р-п-р 10* Вт >90 300* (Юк) 5 100; 300* <0,05 (250 В) КТ9115Б р-п-р 10* Вт >90 150* (Юк) 5 100; 300* <0,05 (150 В) КТ9116А п-р-п 46* Вт >240 55* (0,01к) 4 4 А <30 мА (55 В) КТ9116Б п-р-п 76,7* Вт >230 55* (0,01 к) 4 10 А 2100 мА (55 В) КТ911А п-р-п 3* Вт >750 55 3 0,4 А 25 мА (55 В) КТ911Б п-р-п 3* Вт >600 55 3 0,4 А 25 мА (55 В) КТ911В п-р-п 3* Вт >750 40 3 0,4 А 25 мА (40 В) КТ911Г п-р-п 3* Вт >600 40 3 0,4 А 25 мА (40 В) КТ912А п-р-п 30* Вт (85°С) >90 70* (0,01 к) 5 20 А 250* мА (70 В) КТ912Б п-р-п 30* Вт (85°С) >90 70* (0,01к) 5 20 А 250* мА (70 В) КТ9131А п-р-п 350* Вт >100 > 100 4 25А; 40*А 2200* мА (100 В) КТ9132АС п-р-п 163** Вт 50 4 11,2 А КТ913А п-р-п 4,7* Вт (55’С) >900 55 3,5 0,5 (1*) А 225* мА (55 В) КТ913Б п-р-п 8* Вт (70’0 >900 55 3,5 1 (2*) А 250* мА (55 В) КТ913В п-р-п 12* Вт >900 55 3,5 1 (2*) А 250* мА (55 В) КТ9120А р-п-р 50* Вт >50 45* (0,1к) 5 12 (30*) А 20,1 мА (45 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 177 ^21э» 1*213 с„, ^12э» пФ ГКЭ нас* ^БЭ нас* ОМ к;;, дб кш, дБ г;, Ом PL. Вт тк» ПС ' С. нс ^выкл» НС Корпус >25 (10 В; 30 мА) >25 (10 В; 30 мА) £5,5 (30 В) <5,5 (30 В) <33 <33 — к w n Ml :Т9П5 1 L I У >20* (5 В; 0,5 А) >20* (5 В; 0,5 А) £55 (28 В) £155 (28 В) >25** >10** £5** (225 МГц) £15** (225 МГц) <25 <30 К О Т~П1 ф 41 • “ < □ ¥ Н < 2 I ТГ7Г Г 1 5 «Г* h /‘cz । — £10 (28 В) £10 (28 В) £10 (28 В) £10 (28 В) <5; >2,5** <5; >2,6** <5; >2,2** <5; >2,2** >1** (1,8 ГГц) >1** (1 ГГц) £0,8** (1,8 ГГц) >0,8** (1 ГГц) <25 <25 <50 <100 1 K.T911 a « Si J0 10...50* (10 В; 5 А) 20...100* (10 В; 5 А) £200 (27 В) £200 (27 В) <0,12; >10** <0,12 >70** (30 МГц) >70** (30 МГц) — 1 йяг .. * 1т=^= = <T912 & mOI >10 (10 В; 10 А) £800 (50 В) >10** (30 МГц) <0,1 >400** (30 МГц) “ гЛ Н LT9131 J 1л >3,5** раз £140** (650 МГц) й 1 ^jLJ LT9132 ъзг Й 1—= К л-F 1 : LJ4J СЪ 1л ГМП Г >10* (10 В; 0,5 А) >10* (10 В; 0,5 А) >10* (10 В; 0,5 А) £6 (28 В) £12 (28 В) £14 (28 В) <1,1; >2** <1,1; >2** <1,1; >2** £3** (1 ГГц) £5** (1 ГГц) £10** (1 ГГц) <18 <15 <15 ] KT913 1лг X a- - j J- '“c J р >40* (1 В; 4 А) £1900 (10 В) <0,75 <500* "Ф1— . _ —» «ъ $“91 ФЛ LT9120 7 1 L J I 6
178 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max» Р* К, т max » р** К, и max » мВт ip» £16» £1э» inax» МГц I^KBO max » и* ^KSR max» и** '-'КЭОтах» В 1^ЭБ0 max » В IK max IK. и тах» мА 1кБ0» IjOR» 1£ю» мкА КТ9121А п-р-п 92** Вт — 42 3 9,2* А £15 мА (42 В) КТ9121Б п-р-п 46** Вт — 42 3 4,6* А £7,5 мА (42 В) КТ9121В п-р-п 11,5** Вт — 42 3 1,15* А £2,5 мА (42 В) КТ9121Г п-р-п 130** Вт — 42 3 13* А £22 мА (42 В) КТ9125АС п-р-п 60* Вт (40’С) >660 55* (10 Ом) 4 4 А £60* мА (55 В) КТ9126А п-р-п 330* Вт (50’С) >100 100* (0,01к) 4 30 А £200* мА (100 В) КТ9127А п-р-п 1151** Вт — 65 3 38* А £60* мА (65 В) КТ9127Б п-р-п 524** Вт 65 3 19* А £30* мА (65 В) КТ9128АС п-р-п 180* Вт (50’С) >200 50* (10 Ом) 4 18 А £100* мА (50 В) КТ9130А п-р-п 10* Вт >200 250 6 150 £1 мкА (250 В) КТ9133А п-р-п 130* Вт >225 55* (0,01 к) 4 16 А £200* мА (55 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 179 1*21э» 1*213 ск, ^12э» пФ ГКЭ нас* «Юн.с» ОМ К". дБ Кш, дБ г‘» Ом Р" , Вт Л вых » " ж t„ ПС fpac. НС Сая. НС Корпус — — >6,4** >6,4** >6,4** >12,5** >35** (2,3...2,7 ГГц) >17** (2,3...2,7 ГГц) >4** (2,3...2,7 ГГц) >50** (2,3...2,7 ГГц) — КТ9121 ПЛ;Б ”1Е1 к\ иы 55 Hr fe' г~~тт~т1 г И ** гГ* Г 1 тут3 4,6э Ц 20,5 <110* (5 В; 0,5 А) £70 (28 В) >6** (500 МГц) >50** (500 МГц) <20 КТ9125 n h |ф| Э 11 Ш г 1 >10* (10 В; 5 А) <500 (50 В) >13**; <0,05 >500** (1,5 МГц) 017,7 a 401 m Я —4^ 3 ^35,8^, й I ric* pS =4 j|b=4 I — — >5,6** >6,2** >550** (1,025...1,15 ГГц) £250** (1,025... 1,15 ГГц) — KT9127 52 ffll- w 4ariH fl i ter3 4.6^ Ц 20,5 a <100* (5 В; 0,5 А) £430 (28 В) 7** (175 МГц) >200** (175 МГц) <30 KT9128 n A | ф | Э зт я rfe » v h! 54 rTa Ь 1Л L ГпУТТ Jg.5]^ 1 x Ш r | 10...45 (9 В; 20 мА) <6 (10 В) <50 2 й *1 IB * or • • S-S- 9У £160 (28 В) >7,5** £30** (225 МГц) <30 KT9133 C*uJ
180 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* ГК, т max » Р** К. и max » мВт ^р» ^216» G... С. МГц ^КБО max» тт* ’-’КЭКтах» КЭО тах» В ^ЭБО тах» В 1К max I* К,и тах» мА ^КБО» I* жкэи» ^кэо» мкА КТ9134А п-р-п 2600** Вт >600 50 3 78* А <120 мА (50 В) КТ9134Б п-р-п 2100** Вт >600 50 3 71* А <120 мА (50 В) КТ9136АС п-р-п 700** Вт >300 60 4 30* А <140 мА (60 В) КТ914А р-п-р 7* Вт >300 65 4 0,8 (1,5* А) 2* мА (65 В) КТ9141А п-р-п 3* Вт >1 ГГц 120 3 300 <100 (120 В) 1 КТ9141А-1 п-р-п 5* Вт >1 ГГц 120 3 400 1S0.1 (120 В) ' КТ9142А п-р-п 72* Вт 55 3 15 А <П0О мА (55 В) КТ9143А р-п-р 3* Вт >1500 75 3 100 (300*) <1* мА (50 В) КТ9143Б р-п-р 3* Вт >1500 75 3 100 (300*) <1* мА (50 В) КТ9143В р-п-р 3* Вт >1000 75 3 100 (300*) £1* мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 181 1*21э» 1*213 ск, ^12э» пФ «Ънм- Ом гю„ас- Ом к;.;, дб Кш, дБ rb Ом Р" , Вт * вых » " ж Тк» ПС «рас. "С Скл. НС Корпус । — — >6** >6** £1000** (1,4...1,6 ГГц) £800** (1,4...1,6 ГГц) — КТ9134 i I Д 1 Б 4 4 St»-* V ; э1иц|1рц1 OCUJ <260 (45 В) £7** (500 МГц) >500** (500 МГц) <20 ** □ КТ9136 R смЧ г КС 1 Ю...60* (5 В; 0,25 А) £12 (28 В) <12 >2,5** (400 МГц) <20 КТ914 st V-. -J I* =ш 15...45* (5 В; 50 мА) £2,5 (10 В) КТ9141 ,03,4, J=wj 1 "Д 1 11НЙ V 11$ 15...45* (5 В; 50 мА) £2,5 (10 В) КТ9141-1 \6J Ъ. ' - j * ' 2L 2^ >10 (5 В; 0,5 А) £70 (28 В) >6** 50** (860 МГц) **• ¥_ J КТ9142 .9 J * Й £ 1 К ATF s 4» 1^2 £20* (5 В; 50 мА) 20...6О* (5 В; 50 мА) £20* (5 В; 50 мА) £3 (10 В) £3 (10 В) £4 (10 В) — 1 1 1 — КТ9143 1 ч» «г 1 г L •з^ ! JIII1 * io ”11 ^5
182 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура р ГК max ’ ^К. т max » Р” К, и max » мВт С. МГц U КБОтах» ^КЭИ тах» и“ КЭО max » В ^ЭБО max » В JK max ^К,и тах» мА ^КБО» ^КЭИ» жкэо» мкА КТ9144А-5 р-п-р 5* Вт >30 500 5 50 (100*) <1 (500 В) КТ9145А-5 п-р-п 5* Вт >50 500 5 50 (100*) <1 (500 В) КТ9144А-9 р-п-р 0,3 Вт; 1* Вт >30 500 5 50 (100*) <1 (500 В) КТ9145А-9 п-р-п 0,3 Вт; 1* Вт >50 500 5 50 (100*) <1 (500 В) КТ9146А п-р-п 380** Вт 50 3 19* А <50 мА (50 В) КТ9146Б п-р-п 260** Вт — 50 3 13* А <33 мА (50 В) КТ9146В п-р-п 65** Вт 50 3 3,3* А <8 мА (50 В) КТ9147АС п-р-п 233** Вт 50* (10 Ом) 4 29 А КТ9150А п-р-п 50* Вт 40* (10 Ом) 4 5 А <25* мА (40 В) 1 КТ9151А п-р-п 280* Вт >230 55 3 33 А <150* мА (55 В) КТ9152А п-р-п 246* Вт — 55 3 24 А <200 мА (55 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 183 ^219» ^21Э Ск» С12э» пФ ГКЭ»ас> гйн.с. Ом к;;, дб Кш, дБ rh Ом Р‘* , Вт Л вых’ тк, ПС *рзс* НС ^выкл» НС Корпус £20* (10 В; 10 мА) 20...15О (10 В; 10 мА) — <100 <100 —— — КТ91 ю о V 44-5, 0,5 КТ9 145-5 0,3 20...15О (10 В; 10 мА) 20...150 (10 В; 10 мА) — <60 <100 — — КТ914 у — 2 4-S 1, 1 СТ9145 Ifi I J -9 Jt5 ;>6** £160** (400 МГц) '’Г ' —«, co* 1 KT9147 1 23 r J1.4 |t 11,4 L as j . KO KL2> '5 | бО б[1 £10* (5 В; 0,5 А) <42 (25 В) >8,5** (860 МГц) >8** (860 МГц) — КТ9150 со со' 5,1 со. ° 1 к — Б Г\ Б J Пэ 19,7 г £10* (5 B; 0,5 A) <350 (28 B) >7** (230 МГц) £200** (230 МГц) — со* К Г9 151, КП 1 23 г J1.4 „ 11,4 1152 £10* (5 B; 0,5 A) <1100 (28 B) £6** (860 МГц) £100** (860 МГц) — । К 38 J КО к1.2> Э| о БШ бО1
184 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max > Pr. т max » р** К, и max » мВт ^р» ^1216» ?21э» Сх» МГц ^КБО max» UK3R тах» ^КЭО тах» В ^ЭБО max» В Ik max I* К,и тах» мА ^КБО» ^K3R» I** хкэо» мкА КТ9153АС п-р-п 50** Вт 50* (10 Ом) 4 4 А КТ9153БС п-р-п 94* Вт — 50* (10 Ом) 4 10 А <60* мА (50 В) КТ9155А п-р-п 43* Вт — 50 3 4 А <25* мА (50 В) КТ9155Б п-р-п 100* Вт — 50 3 15 А <25* мА (50 В) КТ9155В п-р-п 181* Вт 50 3 24 А £25* мА (50 В) КТ9156АС п-р-п 50** Вт 50* (10 Ом) 3 4 А <60** мА (50 В) КТ9156БС п-р-п 94* Вт 50* (10 Ом) 3 10 А £60* мА (50 В) КТ9157Л п-р-п 1,2 Вт; 10* Вт >100 30 5 5 (10*) А £10 (30 В) КТ9160А п-р-п 465* Вт (50°С) >60 140* (10 Ом) 4 30 А £200* мА (140 В) КТ9160Б п-р-п 465* Вт (50°С) >60 140* (10 Ом) 4 30 А £200* мА (140 В) КТ9160В п-р-п 465* Вт (50°С) >60 140* (10 Ом) 4 30 А £200* мА (140 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 185 ^2!э» ^21Э ск» С12э» пФ «•кэиас- °М ом к;;, дб кш, дБ Р** , Вт вых ’ тк, ПС fpae. НС НС Корпус >7,8** £15** (390..,640МГц) КТ9153 1 Е] см СМ 1 к с 3 э /Г|= L$j 18.2 >10* (5 В; 0,5 А) <66 (28 В) >7** £50** (615...840 МГц) — КТ9153, КТ9155 < *** * п см К? См 1 К с о» £10* (5 В; 0,5 А) >10* (5 В; 0,5 А) <35 (28 В) <35 (28 В) £6,5** (860 МГц) £6** (860 МГц) £15** (860 МГц) >50** (860 МГц) — № L$J~ 18.2 >10* (5 В; 0,5 А) <35 (28 В) £5** (860 МГц) £100** (860 МГц) КТ9155 23 В м- (О . J1.4 „ J1.4 . 38 г| N ЭС D 1 5‘ бП б1Г 3 >7** £15** (0,65... 1 ГГц) КТ9156 g ' К с Ээ /Г|= L$j V 18.2 >10* (5 В; 0,5 А) <66 (28 В) £6** (1 ГГц) >50** (1 ГГц) Л КТ9156 g J V*. * 1 I 04 г 1 К с 32 | : /ГЕ ф/ A3 140...450* (1 В; 0,5 А) <150 (5 В) <0,25 КТ9157 16 и,плох i f ' h Со" Oil “zr: да 1 Б Ю...30* (10 В; 30 А) 20 .50» (10 В; 30 А) 40...90* (10 В; 30 А) <700 (60 В) <700 (60 В) <700 (60 В) £15** (1,5 МГц) >15** (1,5 МГц) £15** (1,5 МГц) £700** (1,5 МГц) £700** (1,5 МГц) £700** (1,5 МГц) — КТ9160 |K 5 [о_ OJ |Б 1 41 г
186 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* К. т max » Р** К, и max » мВт ^р> ^1216» ?21э» тпах» МГц ^КБОтах» и* КЭИтах» и** ’“'кЭОтах’ В 1^ЭБО max » В JK max 1к. и max’ мА |.т 1 КТ9161АС п-р-п 700* Вт 60 4 25 А £280 мА (60 В) КТ9164А п-р-п КТ9166А п-р-п 60* Вт 45 15 А |КТ916А п-р-п 30* Вт £1100 55* (0,01 к) 3,5 2 (4*) А £25* мА (55 В) КТ916Б п-р-п 30* Вт £900 55 3,5 2 (4*)А £40* мА (55 В) КТ9173А п-р-п 140* Вт 55* (10 Ом) 4 14 А £250* мА (55 В) КТ9174А п-р-п 400* Вт 55* (10 Ом) 3 30 А £150* мА (55 В) КТ9176А р-п-р 10* Вт Й90 40 5 3 (7*)А £1 (30 В) рТМТТЛ п-р-п 10* Вт >90 40 5 3 (7*) А £1 (30 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 187 ^2!э» 1*21Э ск, С12э» пФ ГКЭ нас* ГБЭкае* Ом к*;, дб Кш, дБ г;, Ом Р** , Вт вых » " ж Т„, ПС t'pac. НС Ска* НС Корпус ЙО* (5 В; 0,5 А) 27** (500 МГц) >500** (500 МГц) КТ9161 к & "J 04 1 Сч м к с Э2 1 /TF 1 ы =и /«2 >6*» (1090 МГц) >300** (1090 МГц) KT9164 к 4 V 1 К с 2Z 1 ) № ш 18,2 >50* (1 В; 4 А) <0,06 кт 1005 916( > 1Г“ т uf СЧ* “ 6КЭ 35’ (5 В; 0,25 А) 35* (5 В; 0,25 А) <20 (30 В) <20 (30 В) <0,8; >2,25** <0,8; >1,85** 2:20** (1 ГГц) S16** (1 ГГц) <10 <10 СЧ- -J > КТ916 6J К ..р р 20 5 >20* (5 В; 0,5 А) <230 (28 В) >10** (230 МГц) >50** (225 МГц) KT9173 П±1ГГ 1 н да L ш 24** (230 МГц) >300** (230 МГц) KT9174 23 1 J1,4 и J1,j СО Ц 38 rl КП1 кг?1 см ) э о с * бП sir 60...400* (2 В; 1 А) 45 (10 В) <0,25 — — КТ9176, КТ9177 ф 60.400*= (2 В; 1 А) — <0,25 — — "хг: 41 ш эк Б
188 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » ₽К т max » Р“ * К, и max » мВт С’ С1б» Сь» Сах» МГц ^КБО max» и* КЭЙтах» UКЭО тах» В ^ЭБОтах» В IK max I* К,и тах» мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА КТ9180А р-п-р 1,5 Вт; 12,5*Вт >100 40 5 3 А (7* А) <1 (30 В) КТ9180Б р-п-р 12,5*Вт >100 60 7 3 А (7* А) <1 (60 В) КТ9180В р-п-р 12,5*Вт >100 80 7 3 А (7* А) £1 (80 В) КТ9180Г р-п-р 12,5*Вт >100 100 7 3 А (7* А) £1 (100 В) КТ9181А п-р-п 12,5*Вт >100 40 5 3 А (7* А) £1 (30 В) КТ9181Б п-р-п 12,5*Вт >100 60 7 3 А (7* А) <1 (60 В) КТ9181В п-р-п 12,5*Вт >100 80 7 3 А (7* А) £1 (80 В) КТ9181Г п-р-п 12,5*Вт >100 100 7 3 А (7* А) <1 (100 В) КТ918А-2 п-р-п 2,5* Вт >800 30 2,5 250 <2 мА (30 В) КТ918Б-2 п-р-п 2,5* Вт >1000 30 2,5 250 <2 мА (30 В) КТ9182А п-р-п 300* Вт 55* (10 Ом) 3 24 А <200 мА (55 В) КТ9186А п-р-п 5 Вт >50 100; 60* — 1 А — КТ9186Б п-р-п 5 Вт >50 80; 60* — 1 А — КТ9186В п-р-п 5 Вт >50 50; 40* — 1 А — КТ9186Г п-р-п 5 Вт >50 40* — 1 А — КТ9186Д п-р-п 5 Вт >50 40* 1 А КТ9189А-2 п-р-п 2** Вт 1000 — — 0,5 А — КТ9189Б-2 п-р-п 5** Вт 1000 — — 1 А — КТ9189В-2 п-р-п 8** Вт 900 1,6 А КТ919А п-р-п 10* Вт >1350 45 3,5 0,7 (1,5*) А £10 мА (45 В) КТ919Б п-р-п 5* Вт >1350 45 3,5 0,35 (0,7*) А £5 мА (45 В) КТ919В п-р-п 3,25* Вт >1350 45 3,5 0,2 (0,4*) А £2 мА (45 В) КТ919Г п-р-п 10* Вт >1350 45 3,5 0,7 (1,5*) А £10 мА (45 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 189 ^21э» ^2!Э Ск, С|2э» пФ ГКЭнас> гвэн.«. Ом к". дБ кш, дБ г;» Ом Р~ , Вт * вых» Тк» ПС tpac» НС ^выкл» НС Корпус 1 60...400* (2 В; 1 А) 50...250* (1 В; 0,15 А) 50...25О* (1 В; 0,15 А) 50...250* (1 В; 0,15 А) — <0,25 <0,4 <0,4 <0,4 — — КТ9180, КТ9181 юин'й £• Е5 " 60...400* (2 В; 1 А) 50...25О* (1 В; 0,15 А) 50...25О* (1 В; 0,15 А) 50...250* (1 В; 0,15 А) — <0,25 <0,4 <0,4 <0,4 — — 4 /пП ПП Jt н h 3K 6 — £4,2 (15 В) £4,2 (15 В) >2** >2** S0,25** (3 ГГц) >0,5** (3 ГГц) £15 £4 6 КТ918-2 4,1 If |. Us” ,1 aj с» 1 off J I 15 f » g~~b / S3*» (860 МГц) S150** (860 МГц) KT9182 23 м _ со' 1 J1,4 „ 11,4 38 r| КП1 ко 5 1 бШ бГ~Г 80...250 80...250 80...250 80...250 80...250 — <0,2 <0,2 £0,2 <0,2 <0,2 < । < 0 KT9186 ТЛ)-? S'v L || urn — 4,5 13 20 12** (470 МГц) 10** (470 МГц) 6** (470 МГц) 0,5** (175 МГц) 2** (175 МГц) 5** (175 МГц) — 990*0 94 КТ9189 » .. . - □г*. TTTT____ 10,8 4 вывода r-J | l— 5' / к- 0,5 ~ £10 (28 В) £6,5 (28 В) £5 (28 В) £12 (28 В) — S3,5** (2 ГГц) S1.6** (2 ГГц) S0,8** (2 ГГц) S3** (2 ГГц) <2,2 <2,2 <2,2 <2,2 см— «сГ - KT919 Д-1 № ST ds x I V < 1i 9J
190 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max ♦ ₽К. т max » Р** К, и max ♦ мВт ^1216* С... с. МГц ^КБОтах» ^K3R max » и** КЭО max’ В ^ЭБО max * В IK max I* К, и max ♦ мА jJJl КТ9190А п-р-п 40** Вт 720 8 А КТ9190А-4 п-р-п 40** Вт 720 8 А КТ9192А-2 п-р-п 2** Вт 1200 — — 0,5 А — КТ9192Б-2 п-р-п 5** Вт 1200 1,6 А КТ9193А п-р-п 23** Вт 1000 — 4 А КТ9193Б п-р-п 40** Вт 1000 8 А
биполярные кремниевые транзисторы 191
192 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура ₽К max» Р* ГК, т max » Р** К, и max » мВт ip» ^1216» Сгь» Сх» МГц ^КБОтах» Ur3R тах» и** '-'КЭО тах» В ^ЭБО max » В 1К max I* К, и тах» мА ^КБО» ^КЭЙ» Г^о, мкА КТ9193А-4 п-р-п 23** Вт 1000 — — 4 А — КТ9193Б-4 п-р-п 40** Вт 1000 8 А КТ920А п-р-п 5* Вт (50’С) >400 36 4 0,25 (1*) А <2* мА (36 В) КТ920Б п-р-п 10* Вт (50’С) >400 36 4 1 (2*) А £4* мА (36 В) КТ920В п-р-п 25* Вт (50’С) >400 36 4 3 (7*) А £7,5* мА (36 В) КТ920Г п-р-п 25* Вт (50’С) >350 36 4 3 (7*)А <7,5* (36 В) КТ921А п-р-п 12,5* Вт (75’0 >90 65* (0,1 к) 4 3,5 А £10* мА (70 В) КТ921Б п-р-п 12,5* Вт (75’0 >90 65* (0,1к) 4 3,5 А £10* мА (70 В) КТ922А п-р-п 8* Вт (40’0 >300 65* (0,1к) 4 0,8 (1,5*) А £5* мА (65 В) КТ922Б п-р-п 20* Вт (40’0 >300 65* (0,1 к) 4 1,5 (4,5*) А £20* мА (65 В) КТ922В п-р-п 40* Вт (40’0 >300 65* (0,1 к) 4 3 (9*) А £40* мА (65 В) КТ922Г п-р-п 20* Вт (40’0 >300 65* (0,1 к) 4 1,5 (4,5*) А £20* мА (65 В) КТ922Д п-р-п 40* Вт (40’С) >250 65* (0,1 к) 4 3 (9*)А £40* мА (65 В) КТ925А п-р-п 5,5* Вт (40’С) >500 36* (0,1 к) 4 0,5 (1*) А £7 мА (36 В) КТ925Б п-р-п 11* Вт (40’0 >500 36* (0,1 к) 4 1 (3*) А £12 мА (36 В) КТ925В п-р-п 25* Вт (40’0 >450 36* (0,1 к) 3,5 3,3 (8,5*) А £30 мА (36 В) КТ925Г п-р-п 25* Вт (40’0 >450 36* (0,1 к) 3,5 3,3 (8,5*) А £30 мА (36 В) КТ926А п-р-п 50* Вт (50’0 >51 150* (0,01 к) 5 15 (25*) А £25* мА (150 В) КТ926Б п-р-п 50* Вт (50’0 >51 150* (0,01 к) 5 15 (25*) А £25* мА (150 В) КТ927А п-р-п 83,3* Вт (75’0 >105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А £40* мА (70 В) КТ927Б п-р-п 83,3* Вт (75’0 >105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А £40* мА (70 В) КТ927В п-р-п 83,3* Вт (75’0 >105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А £40* мА (70 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 193 Ск, С12э» пФ ^КЭ нас’ ОМ ГБЭнас> °М к;;, дб Кш, дБ г;, Ом Р£х7 Вт Тк, ПС Час» НС ^выкл» НС Корпус 4 (900 МГц) 10** (900 МГц) 20** (900 МГц) 215 (10 В) 225 (10 В) 275 (10 В) 275 (10 В) >7** >4,5** >3** >3** £2** (175 МГц) £5** (175 МГц) £20** (175 МГц) £15** (175 МГц) КТ9193-4 8,2 КТ920 220 220 220 220 ‘ <$• б 1 3,2 3 74 * 11 ** 3 К 7^** и М4 А 2Я 27 >10* (10 В; 1 А) >10* (10 В; 1 А) >8* (5 В; 0,2 А) >17* (5 В; 0,2 А) 10...60* (7 В; 15 А) 10...60* (5 В; 5 А) £15* (6 В; 5 А) >25* (6 В; 5 А) >40* (6 В; 5 А) 250 (20 В) 250 (20 В) 215 (28 В) 235 (28 В) 265 (28 В) 235 (28 В) 265 (28 В) 215 (12,6 В) 230 (12,6 В) 260 (12,6 В) 260 (12,6 В) <190 (28 В) <:190 (28 В) 2190 (28 В) 21,8; £8** 21,8; £5** >Ю** >5,5** >4** >5** >3,5** >6,3** >5** >3** >2,5** 20,17 20,25 20,07; £13,4** 20,07; £13,4** 20,07; £13,4** £12,5** (60 МГц) £12,5** (60 МГц) £5** (175 МГц) £20** (175 МГц) £40** (175 МГц) £17** (175 МГц) £35** (175 МГц) 2** (320 МГц) 5** (320 МГц) 20** (320 МГц) 15** (320 МГц) 222; 2300* 222; 2300* КТ921 I М5 220 220 225 220 225 220 235 240 240 КТ922, КТ925 чГ Л п Г Ь"> J Ш1 КТ926 19,5 КТ927 £75* (20 МГц) £75** (20 МГц) £75** (20 МГц) 4 : 1 г 4 4 .4* 1J ''диод 21,9
194 Раздел 2. Биполярные транзистор! Тип прибора Струк- тура Рк max * Р* К, т max » Р’* К, и max * мВт ^гр» ^216» ^213» ^тах » МГц ^КБО max * и* ’-'K3R тах» и’* ’-’КЭОтах» В ^ЭБО max » В IK max I* К,и max » мА ^КБО» ^K3R» ^КЭО» мкА КТ928А п-р-п 0,5 Вт; 2* Вт >250 60 5 0,8 (1,2*) А <5 (60 В) КТ928Б п-р-п 0,5 Вт; 2* Вт >250 60 5 0,8 (1,2*) А <5 (60 В) КТ928В п-р-п 0,5 Вт; 2* Вт >250 75 5 0,8 (1,2*) А <1 (60 В) КТ929А п-р-п 6* Вт (40°С) >700 30* (0,1 к) 3 0,8 (1,5*) А <5* мА (30 В) КТ930А п-р-п 75* Вт (40’С) >450 50* (0,1 к) 4 6* А <20* мА (50 В) КТ930Б п-р-п 120* Вт (40’С) >600 50* (0,1 к) 4 6* А £100* мА (50 В) КТ931А п-р-п 150** Вт (40’С) >250 60* (0,01 к) 4 15 А <30* мА (60 В) КТ932А р-п-р 20* Вт (50’С) >40 80 4,5 2 А <1,5* мА (80 В) КТ932Б р-п-р 20* Вт (50’0 >60 60 4,5 2 А <1,5* мА (60 В) КТ932В р-п-р 20* Вт (50’0 >40 40 4,5 2 А <1,5* мА (40 В) КТ933А р-п-р 5* Вт (50’0 >75 80 4,5 0,5 А <0,5* мА (80 В) КТ933Б р-п-р 5* Вт (50’0 >75 60 4,5 0,5 А <0,5* мА (60 В) КТ934А п-р-п 7,5* Вт >500 60* (0,01 к) 4 0,5 А £7,5* мА (60 В) КТ934Б п-р-п 15* Вт >500 60* (0,01 к) 4 1 А £15* мА (60 В) ! КТ934В п-р-п 30* Вт >500 60* (0,01 к) 4 2 А £30* мА (60 В) КТ934Г п-р-п 15* Вт >450 60* (0,01 к) 4 1 А £15* мА (60 В) ' КТ934Д п-р-п 30* Вт >450 60* (0,01 к) 4 2 А £30* мА (60 В) КТ935А п-р-п 60* Вт (50’0 >51 80* (0,01 к) 5 20 (30*) А £30* мА (80 В) ; 1 КТ936А п-р-п 28* Вт (75’0 60 3,5 3,3 А £10* мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 195 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ^"кэ нас* Ом Ггёна<. °М к;;, дб кш, дБ г;. Ом Р.~Их. Вт тк» ПС ♦’рае» НС ^выкл’ НС Корпус 1 20...100* (5 В; 150 мА) 50...2ОО* (5 В; 150 мА) 100.300* (5 В; 150 мА) £12 (10 В) <12 (10 В) <12 (10 В) <3,3 <3,3 <3,3 — <250* <250* <250* КТ928 04,4 _ «ЛГ «Гн J III 4—ji ju Vt III >25* (5 В; 0,7 А) £20 (8 В) >8** 22** (175 МГц) <25 ЧГ1 lflf=s KT929 MM V J>= д г у x 27 r 40* (5 В; 0,5 А) 50* (5 В; 0,5 А) <80 (28 В) <170 (28 В) >5** >3,5** 240** (400 МГц) 275** (400 МГц) 8 11 КТ930, КТ931 6 J J 1 25* (5 В; 0,5 А) £240 (28 В) 0,18; >3,5** >80** (175 МГц) 18 Г 2У *J7 215* (3 В; 1,5 А) >30* (3 В; 1,5 А) >40* (3 В; 1,5 А) £300 (20 В) £300 (20 В) £300 (20 В) VI VI VI — — n KT932 /к A 1 _h- A 1 l\ 2:15* (3 В; 0,4 А) 230* (3 В; 0,4 А) £70 (20 В) £70 (20 В) <3,75 <3,75 — — 0i KT933 (4 'с IL, III c4__|i Г м 10 50* (5 В; 0,1 А) 50* (5 В; 0,15 А) 50* (5 В; 0,25 А) £9 (28 В) £16 (28 В) £32 (28 В) £16 (28 В) £32 (28 В) 2; >6** 1; >4** 0,5; >3** >3,3** >2,4** 23** (400 МГц) 212** (400 МГц) 225** (400 МГц) 210** (400 МГц) 220** (400 МГц) <20 <20 <20 <25 <25 KT934 MM д wk r 2 _ 27 20...100* (4 В; 15 А) £800 (10 В) <0,066 <700** KT935 1 jk I. 1 1 J i 15 -J йЬг1 T и >6* (3 В; 0,1 А) ] и r—"1 ECT936A aS г J 1 cft7 г 1 61
196 Раздел 2. Биполярные транзистор» Тип прибора Струк- тура max » т max» р** К. и max * мВт ^1216* G... с. МГц ^КБО max» и* ’“'КЭК max» ^КЭО max» В ^ЭБО max » В IK max I* К, и max » мА ^КБО» ®кэи» Г^О, мкА КТ936Б п-р-п 83,3* Вт (75“С) 60 3,5 10 А <30* мА (60 В) КТ937А-2 п-р-п 3,6* Вт 6500 25 2,5 250 <2 мА (25 В) КТ937Б-2 п-р-п 7,4* Вт 6500 25 2,5 450 <5 мА (25 В) КТ938А-2 п-р-п 1,5* Вт >2000 28 2,5 180 <1 мА (28 В) КТ938Б-2 п-р-п 1,5* Вт >1800 28 2,5 180 <1 мА (28 В) КТ939А п-р-п 4* Вт >2500 30* (0,01 к) 3,5 400 <2 мА (30 В) КТ939Б п-р-п 4* Вт >1500 30* (0,01 к) 3,5 400 <2 мА (30 В) КТ940А п-р-п 1,2 (10*) Вт >90 300* (Юк) 5 0,1 (0,3*) А £0,05 мА (250В) КТ940Б п-р-п 1,2 (10*) Вт >90 250* (Юк) 5 0,1 (0,3*) А <0,05 мА (200 В) КТ940В п-р-п 1,2 (10*) Вт >90 160* (Юк) 5 0,1 (0,3*) А <0,05 мА (100 В) КТ940А1 п-р-п 500, 10* Вт >90 300 5 100; 300* <0,05 (250 В) КТ940Б1 п-р-п 500, 10* Вт >90 250 5 100; 300* <0,05 (200 В) КТ940В1 п-р-п 500, 10* Вт >90 160 5 100; 300* <0,05 (100 В) КТ940А-5 п-р-п 10* Вт >90 300 5 100 (300*) £50 мА (250 В) КТ940Б-5 п-р-п 10* Вт >90 250 5 100 (300*) <50 мА (200 В) КТ940В-5 п-р-п 10* Вт >90 160 5 100 (300*) £50 мА (100 В) КТ940А9 п-р-п 1200 >90 300 5 100 — КТ940Б9 п-р-п 1200 >90 250 5 100
Биполярные кремниевые транзисторы 197 1*219» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭнас> Гюнм- °М к;;, «в кш, дБ г;, Ом PL- Вт Тк, ПС Час» НС Чыкл» НС Корпус £6* (3 В; 0,1 А) КТ! )36Б 13,6 x — £5,5 (20 В) £7,5 (20 В) — £1,6** (5 ГГц) >3,2** (5 ГГц) 0,78 0,6 КТ! *g | v e? If eo he — £4 (20 В) £4,5 (20 В) — >1** (5 ГГц) >1** (5 ГГц) £2 £2 КТ! 6 м Н Г, w st uM ЧТ1 138-2 b / 4D...2OO* (12 В; 0,2 А) 20.200 (12 В; 0,2 А) £5,5 (12 В) £6 (12 В) — — £9 £10 кт чё - !|1 939 /JiLf >25* (10 В; 30 мА) >25* (10 В; 40 мА) >25* (10 В; 30 мА) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) <33 <33 <33 — — 116 11,1 max t и 940 h Э/(Б >25 (10 В; 30 мА) >25 (10 В; 30 мА) >25 (10 В; 30 мА) £4,2 (30 В) £4,2 (30 В) £4,2 (30 В) <3,3 <3,3 <3,3 — — КТ! см 1 1 щш| «1 III )40-l ]f3tK Л >25* (10 В; 30 мА) >25* (10 В; 30 мА) >25* (10 В; 30 мА) — £40 £40 £40 — — КТ! 0,8 со о’ .. 140-5 0,45 Й5 (10 В; 30 мА) >25 (10 В; 30 мА) £4,2 (30 В) £4,2 (30 В) <3,3 <3,3 — — КТ! 4,1 140-9 1 АЛ *•* _L^ /У У 0,48 ‘Ц»[ ,
198 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » Р** К, и max » мВт ip> СзЮ» Q. МГц ^КБО max» и* ^КЭИ max» и** ’-’кЭОтах» В 1^ЭБО max » В JK max 1к, и max» мА 1кБ0» Iksr» I** дкэо» мкА КТ942В п-р-п 25* Вт >1950 45 3,5 1,5 (3*)А <20 мА (45 В) КТ943А п-р-п 25* Вт >30 45 5 2 (6*)А <0,1 мА (45 В) КТ943Б п-р-п 25* Вт >30 60 5 2 (6*) А <;о,1 мА (60 В) КТ943В п-р-п 25* Вт >30 100 5 2 (6*) А <0,1 мА (100BI КТ943Г п-р-п 25* Вт >30 100 5 2 (6*) А <1 мА (100 В) КТ943Д п-р-п 25* Вт >30 100 5 2 (6*) А <1 мА (100 В) КТ944А п-р-п 55* Вт (90’С) >105 100* (0,01 к) 5 12,5 (20*) А <80* мА (100 В| КТ945А п-р-п 50* Вт (50’С) >50 150* (10 Ом) 5 15 (25*) А <25* мА (150 В) КТ945Б п-р-п 50* Вт (50’С) >50 150* (10 Ом) 5 15 (25*) А <25* мА (150 В) КТ945В п-р-п 50* Вт (50’С) >50 150* (10 Ом) 5 10 (25*) А <25* мА (150 В) КТ945Г п-р-п 50* Вт (50’С) >50 150* (10 Ом) 5 15 (25*) А <25* мА (150 В) КТ946А п-р-п 37,5* Вт >720 50 3,5 2,5 (5*) А <50 мА (50 В) КТ947А п-р-п 200* Вт (50’С) >75 100* (0,01 к) 5 20 (50*)А <100* мА (1001 КТ948А п-р-п 40* Вт >1950 45 2 2,5 (5*) А <35 мА (45 В) КТ948Б п-р-п 20* Вт >1950 45 2 1,25 (2,5*) А <15 мА (45 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 199 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭн.с> ОМ Гй»ас> Ом к;.;, дб к., дБ г;. Ом р.;х, Вт Тк, ПС ‘‘рас- НС Ска. «С Корпус <25 (28 В) >2,5** >8** (2 ГГц) <3 Ift КТ942 й|_ к F £ 40...200* (2 В; 0,15 А) 40...160* (2 В; 0,15 А) 40...12О* (2 В; 0,15 А) 20...60* (2 В; 0,15 А) 30...100* (2 В; 0,15 А) — <0,6 <0,6 <0,6 <1,2 <1,2 — — КТ943 г1; • Ч|_| со" *0 и" 1 ЭКб 10...80* (5 В; 10 А) £350 (28 В) <0,25; >10** >100** (30 МГц) КТ944 £ о Щи 21 10...60* (7 В; 15 А) Ю...60 (7 В; 15 А) 10...60 (7 В; 10 А) 12...6O (7 В; 15 А) £200 (30 В) <200 (30 В) <200 (30 В) £200 (30 В) <0,17 <0,17 <0,25 <0,17 — <1,1* мкс <1,1* мкс <1,1* мкс <1,1* мкс КТ945 7,7 j Л ( с 4 1Х А > | О \ —Is- IM <50 (10 В) >4** >27** (1 МГц) КТ946 ТЕ А < к — В 1 J0L №БН1 10...80* (5 В; 20 А) £850 (27 В) >10** >250** (1,5 МГц) КТ947 <С> 1 1 п|1 II 2 ул. ЙЬ (1 [Ц1 — £30 (28 В) £17 (28 В) >6,5** >6,5** >15** (2 ГГц) >8** (2 ГГц) — КТ948 —и-. К е'ог л * 1 l/ц 1^
200 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура р rK max1 Р* К, т max ♦ Р” К, и max > мВт t-p» ^216» ^213» МГц ^КБО max ♦ и’ и K3R max ♦ ^КЭОтах» В ^ЭБО max ♦ В >К max I* К, и тах» мА ^КБО» ^КЭК» мкА КТ955А п-р-п 20* Вт (100’С) >100 70* (0,01 к) 4 6 А £10 мА (60 В) КТ956А п-р-п 70** Вт (100’С) >100 100* (0,01к) 4 15 А £80* мА (100 В) КТ957А п-р-п 100** Вт (100’С) >100 60* (0,01 к) 4 20 А £100* мА (60 В) КТ958А п-р-п 85** Вт (40’С) >300 36* (0,01 к) 4 10 А £25* мА (36 В) КТ960А п-р-п 70** Вт (40’С) >600 36* (0,01к) 4 7 А £20* мА (36 В) КТ961А п-р-п 1 (12,5*) Вт >50 100* (1к) 5 1,5 (2*) А £10 (60 В) КТ961Б п-р-п 1 (12,5*) Вт >50 80* (1к) 5 1,5 (2*) А £10 (60 В) КТ961В п-р-п 1 (12,5*) Вт >50 60* (1к) 5 1,5 (2*) А £10 (60 В) КТ961Г п-р-п 1 (12,5*) Вт >50 40* (1к) 5 2 (3*) А £10 (60 В) КТ961А1 п-р-п 500 >50 100 5 1000 £10 (60 В) КТ961Б1 п-р-п 500 >50 80 5 1000 £10 (60 В) КТ961В1 п-р-п 500 >50 60 5 1000 £10 (60 В) КТ962А п-р-п 17** Вт (40’С) >750 50 4 1,5 А £20 мА (50 В) КТ962Б п-р-п 27** Вт (40’С) >750 50 4 2,5 А £20 мА (50 В) КТ962В п-р-п 66** Вт (40’С) >600 50 4 4 А £30 мА (50 В) КТ963А-2 п-р-п 1,1* Вт — 18 1,5 210 £1 мА (18 В) КТ963Б-2 п-р-п 1,1* Вт 18 1,5 185 £1 мА (18 В) КТ963А-5 п-р-п 1,1* Вт — 18 1,5 210 £1 мА (18 В) КТ963Б-5 п-р-п 1,1* Вт 18 1,5 185 £1 мА (18 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 201 ^21э» ^21Э Ск, ^12э> пФ «•КЭН.0 °М Гю»е> °М к". дБ Кш, дБ г!, ОМ Р" , Вт ж вых» тк, ПС С> НС С». НС Корпус 10...80* (5 В; 1 А) £75 (28 В) >20** 220** (30 МГц) КТ955 41 п nis. Ih । k В Li 10...80* (5 В; 1 А) £400 (28 В) >20** >100** (30 МГц) — 1 К.Т956, К1 957 rh* в 10...80* (5 В; 5 А) <600 (28 В) >17** 2125** (30 МГц) — x35,8r 2:10* (8 В; 0,5 А) <180 (12 В) 0,16; >4** >40** (175 МГц) 12 1 см КТ958, KI й 960 1 J7 Ц, — <120 (12 В) 0,16; >2,5** >40** (400 МГц) 12,5 40...100* (2 В; 0,15 А) 63... 160* (2 В; 0,15 А) 100...250* (2 В; 0,15 А) 20...500* (2 В; 0,15 А) — <1 <1 <1 <1 — — КТ961 Л Э/(б 40...100 (2 В; 0,15 А) 63...16O (2 В; 0,15 А) 100...250 (2 В; 0,15 А) <45 <45 <45 <1 <1 <1 — 1 1 1 ’И— ZS Stl КТ961- 152 1 * 1^1^/ — £20 (28 В) £35 (28 В) £50 (28 В) >4** >3,5** >3** 210** (1 ГГц) >20** (1 ГГц) 240** (1 ГГц) <15 <14 <11 I 09,S КТ962 1» й > — дДд f lilT — 1,5 (5 В) 1,5 (5 В) 23** (10 ГГц) 23** (10 ГГц) 20,8** (10 ГГц) 20,5** (10 ГГц) — 2£ КТ963- 71 <о * “1 1 г _ N) I ill*" '* 1,5 (5 В) 1,5 (5 В) 23** (10 ГГц) >3** (10 ГГц) 20,8** (10 ГГц) 20,8** (10 ГГц) 0,45 КТ963- 0,45 5 0,08
202 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max» т max» Р** К, и max » мВт t-p» ^1216» ^21э» Сах» МГц ^КБО max» и* ’JK3Rmax» и** КЭО max» В ^ЭБО max » В JK max ^К,и max» мА ^КБО» ^K3R» Сэо» мкА КТ965А п-р-п 32* Вт >100 36* (0,01 к) 4 4 А £10* мА (36 В) КТ966А п-р-п 64* Вт >100 36* (0,01 к) 4 8 А <23* мА (36 В) КТ967А п-р-п 100** Вт >180 36* (0,01 к) 4 15 А <20* мА (36 В) КТ969А п-р-п 1 (6*) Вт >60 300 5 100 (200*) <0,05 (200 В) КТ969А1 п-р-п >6,1* Вт >60 300 5 100 £0,05 (200 В) КТ969А-5 п-р-п 6* Вт >60 300 5 100 (200*) £50 мА (200 В) КТ970А п-р-п 170** Вт >600 50* (0,01 к) 4 13 А 100* мА (50 В) КТ971А п-р-п 200** Вт >220 50* (0,01 к) 4 17 А £60* мА (50 В) КТ972А п-р-п 8* Вт >200 60* (1 к) 5 4* А £1* мА (60 В) КТ972Б п-р-п 8* Вт >200 45* (1к) 5 4* А £1* мА (45 В) КТ972В п-р-п 8* Вт >200 60* (1к) 5 2 А £1* мА (60 В) КТ972Г п-р-п 8* Вт >200 60* (1к) 5 2 А £1* мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 203 1*21э» 1*213 ск, ^12э» пФ ГкЭкае. О” СхаС О'» к;;, дб кш, дБ г;, Ом Р^х. Вт тк» ПС *рас» НС С.» НС Корпус 10...60* (5 В; 1 А) <:100 (12,6 В) >13** >20** (30 МГц) КТ965 $5 V ! Ж§. < УК 1 & <250 (12,6 В) >16** >40** (30 МГц) К1 966 V о < п ' 1 41 й & 5 9 1 10... 100' <5 В; S А) <500 (12,6 В) >18** >90** (30 МГц) Л10 1 К1 } g,5 Г967 4.3 р 50...250* (10 В; 15 мА) <1,8 (ЗОВ) <60 г KI -i- Г969 V 4 да (ал ЭЛ / £ 50...250 (10 В; 15 мА) <1,8 (30 В) <60 14,5 5,2 Н >! ’ к кт 0Д2 -г 969- J 1 >50* (10 В; 15 мА) <70 ю ° V кт 0,57 969-1 г 0,35 — 180 (28 В) <330 (28 В) >4** >3** >100** (400 МГц) <150** (175 МГц) <25 <40 КТ970, КТ971 Iй •*^Н-Е 5 J" I 21 >750* (3 В; 1 А) >750* (3 В; 1 А) 750...5000 (3 В; 1 А) 750...5000 (3 В; 1 А) — <3 <3 <3 <1,9 — <200* <200* <200* <200* г К! 4 Д- Г972 »1 Й1ТП ОФ - jfef ЗА £
204 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max» Р* К, т max1 Р** К, и max » мВт с. МГц ^КБО max > и* ’JK9R max» U КЭО max » В ^ЭБО max » В IK max I* К, и max» мА ^КБО» ^КЭЙ» ^КЭО» мкА КТ973А р-п-р 8* Вт >200 60* (1 к) 5 4* А £1* мА (60 В) КТ973Б р-п-р 8* Вт >200 45* (1к) 5 4* А <1* мА (45 В) КТ973В р-п-р 8* Вт >200 60* (1к) 5 2 А £1* мА (60 В) КТ973Г р-п-р 8* Вт >200 60* (1к) 5 2 А <1* мА (60 В) КТ976А п-р-п 75** Вт (40’С) >750 50 4 6 А <60 мА (50 В) КТ977А п-р-п 200** Вт (85’С) >600 50 3 8* А £25 мА (50 В) КТ979А п-р-п 75* Вт 50 3,5 5 А; 10* А <: 100 мА (50 В) КТ980А п-р-п 300* Вт >150 100* (0,01к) 4 15 А <100 мА (100 В) КТ980Б п-р-п 300* Вт >150 100* (0,01 к) 4 15 А <100 мА (100 В) КТ981А п-р-п 70* Вт 36* (0,01 к) 4 10 А <50* мА (36 В) КТ983А п-р-п 8,7* Вт >1200 40* (0,01 к) 4 0,5 А <5* мА (40 В) КТ983Б п-р-п 13* Вт >900 40* (0,01 к) 4 1 А <8* мА (40 В) КТ983В п-р-п 22,5* Вт >750 40* (0,01 к) 4 2 А £18* мА (40 В)
Заполярные кремниевые транзисторы 205 ^21Э» Ь21Э ск, ^12э» пФ ГКЭнас’ Гюиас. О» к;.;, дб кш, дБ «£» Ом PL. Вт тк» ПС Чае. НС ^выкл’ НС Корпус >750* (3 В; 1 А) >750* (3 В; 1 А) 750...5000 (3 В; 1 А) 750...5000 (3 В; 1 А) — <3 <3 <3 <2 — <200* <200* <200* <200* КТ973 ф ж «г л Э1(б <70 (28 В) >2** £60** (1 ГГц) <25 КТ9' teg: Гб .Л и ^~i 5 11,0 —1 р 3 25, >50** (1,5 ГГц) & КТ977 -ГЛ,- ж 4г 1 _ 1№Ш >6** £50** (1,3 ГГц) *2 1 1 ру | КТ9 а i - “с S] сч JL. 79 Б 'э - 21,2 . £15* (10 В; 5 А) >10 (10 В; 5 А) <450 (50 В) <450 (50 В) >25** (30 МГц) £5** (80 МГц) £250** (30 МГц) £250* (80 МГц) — КТ9< 80 .3 Z2/0 1 kjv. IT 1 Г l г J 72,5| 13 ^8 10...90* (5 В; 5 А) <400 (12,6 В) >5** £50** (80 МГц) L 07,7 ГяГс=Ек£з КТ9 L 81 JO .3 I* ЗП.5 *ъ1 1э ^35,8 * >20* (5 В; 0,5 А) >10* (5 В; 0,5 А) >10* (5 В; 0,5 А) £8 (28 В) <12 (28 В) <24 (28 В) >4** >3,6** >3,2** £0,5** (860 МГц) £1** (860 МГц) £3,5** (860 МГц) — KT9I 83 э 1 5 ЦО 1? 3 2э,
206 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура max> Р* К, т max » р" К. и max » мВт с. МГц ^КБО max » I^K3R max » U‘* КЭО max» В 1^ЭБО max » В IK max I* К, и max » мА Irbo» i* дкэк» 1^ЭО» мкА КТ984А п-р-п 1,4* Вт >720 65 4 7* A <30 мА (65 В) КТ984Б п-р-п 4,7* Вт >720 65 4 16* A <80 мА (65 В) КТ985АС п-р-п 105* Вт >660 50* (0,01к) 4 17 A £120* мА (50 В) КТ986А п-р-п 910** Вт — 50 3 26* A <60 мА (50 В) 910** Вт — 50 3 26* A <50 мА (50 В) ; КТ986Б п-р-п 1 КТ986В п-р-п 910** Вт — 50 3 26* A <50 мА (50 В) j КТ986Г п-р-п 910** Вт 50 3 26* A <40 мА (50 В) КТ991АС п-р-п 67* Вт >600 50 4 3,7 A £50 мА (50 В) КТ996А-2 п-р-п 2,5* Вт >4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* A) <1* мА (20 В) КТ996Б-2 п-р-п 2,5* Вт >4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* A) £1* мА (20 В) КТ996В-2 п-р-п 2,5* Вт >4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* A) £1* мА (20 В) КТ996А-5 п-р-п 2,5* Вт >4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* A) £5 мА (20 В) КТ996Б-5 п-р-п 2,5* Вт >4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* A) £5 мА (20 В) КТ996В-5 п-р-п 2,5* Вт >4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* A) £5 мА (20 В) КТ997А п-р-п 50* Вт >51 45 5 10 (20*) A £10 мА (45 В) КТ997Б п-р-п 50* Вт >51 45 5 10 (20*) A £10 мА (45 В) КТ997В п-р-п 50* Вт >51 60 5 10 (20*) A £10 мА (60 В)
ьтлярные кремниевые транзисторы 207 ^21э» ^21Э ск» С12э» пФ ^кэ нас. Ом ГБЭнас> ОМ К". ДБ к», дБ г;. Ом PL. Вт Т„, ПС t’pac. НС Сил. НС Корпус — <35 (30 В) <80 (30 В) >5** >4** >75** (820 МГц) >250** (820 МГц) <20 <20 КТ984 £ W С-- £ J “dr" 24 J 2270 (28 В) >3,5** >125** (0,4 ГГц) <21 КТ985 Я 8,5 CM V П 4Й я$вТг ' 1 - ?X2 J 3,8 4 5 5 — >6** >6** >7** >7** £350** (1,4...1,6 ГГц) >300** (1,6 ГГц) >350** (1,6 ГГц) >350** (0,8 ГГц) — КТ986 б 52 f-i о V Е 4£. — и! о 1 t </ Ц2.,| 275 (28 В) >6** £55** (0,7 ГГц) <6,8 КТ991 к 1 .. й * £ /Г|= 1 =р 4J 18,2 >35* (10 В; 0,1 А) >70* (10 В; 0,1 А) >35* (10 В; 0,1 А) 22,3 (10 В) 22,3 (10 В) 22,3 (10 В) — £0,11** (650 МГц) — КТ996-1 1^ ь-; 2 , 9 К .'1 "ПИ Г ч 3 >35* (10 В; 0,1 А) >70* (10 В; 0,1 А) >35* (10 В; 0,1 А) 22,3 (10 В) 22,3 (10 В) 22,3 (10 В) — £0,11** (650 МГц) — КТ996-^ 0,57 5 0,085 0,57 —э- >40* (1 В; 4 А) £20* (1 В; 4 А) £20* (1 В; 4 А) 2270 (10 В) 2270 (10 В) <0,125 <0,125 <0,125 — <500* <500* КТ997 ‘IT I о? иГ п 5КЭ
208 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура Рк max * Р* * К, т max » Р“ К, и max » мВт ^р» ^1216» ^121э» с, МГц ^КБО max» UK3R max» ^КЭОтах» В ^ЭБО max » В Ik max I* К,и max* мА ^КБО» ^КЭИ» ^КЭО» мкА КТ999А п-р-п 1,6 Вт; 5* Вт >60 250 5 50(100*) <0,1 (250 В) КТД8264А Состав- ной п-р-п 1,5 Вт; 125*Вт 350* (0,1 к) 5 20 А <0,1 (300 В) КТД8264А5 Состав- ной п-р-п 1,5 Вт; 125*Вт 350* (0,1 к) 5 20 А <0,1 (300 В) КТД8275А Состав- 125* Вт >15 100 5 20 А — КТД8275Б ной 125* Вт >15 80 5 20 А — КТД8275В п-р-п 125* Вт >15 60 5 20 А КТД8276А Состав- 60* Вт >15 100 5 8 А — КТД8276Б ной 60* Вт >15 80 5 8 А — КТД8276В п-р-п 60* Вт >15 60 5 8 А — КТД8276Г 60* Вт >15 45 5 8 А
Биполярные кремниевые транзисторы 209 ^21э» ^21Э Ск, ^12э» пФ ®*КЭ нас* °М ^ВЭ нас* ОМ к;;., дб кш, дБ г!, Ом Р** , Вт * вых ’ тк, пс Час» НС ^выкл» НС Корпус >50 (10 В; 25 мА) <2 (30 В) <66 1 КТ9 о,4 99 4,6 й-1 1 10,16 ОфО1 ЯГ л I 3КБ 300(10 В; 5 А) <0,18 КТД8 15,9 ►264 5 Г к п См о :т dm 6 К 3 300(10 В; 5 А) <0,18 КТД8264-5 5,16 0,38 (О ID ./ 750... 18000 750... 18000 750... 18000 — <0,2 <0,2 <0,2 КТД8275 Z/,7 1 ъ >750 >750 >750 >750 — <0,66 <0,66 <0,66 <0,66 КТД! 10,65 . - * 8276 4, п 1 8 Г 1ф1 JW 6КЭ
210 Раздел 2. Биполярные транзистора Новые биполярные кремниевые транзисторы Тип прибора Струк- тура р ГК max ’ РК. т max » р** К, и max » Вт Ci,, с. МГц ^КБО max » и* ’“'КЭй max» КЭО max» В ^ЭБО max » В 1К max I* К, и max» мА ^КБО» | ^КЭЙ» ! I** хкэо» мА КТ718А п-р-п 200 *400 (10 Ом) 10 А; *12 А <2 (400 В) КТ718Б п-р-п 200 *300 (10 Ом) 10 А; *12 А <2 (300 В) КТ818А2 р-п-р 20 £ 3 40 5 8 А <1 (40 В) КТ818Б2 р-п-р 20 > 3 50 5 8 А <1 (50 в) КТ818В2 р-п-р 20 > 3 70 5 8 А <1 (70 В) КТ818Г2 р-п-р 20 > 3 100 5 8 А <1 (100 В) КТ819А2 п-р-п 20 > 3 40 5 8 А <1 (40 В) КТ819Б2 п-р-п 20 > 3 50 5 8 А <1 (50 В) КТ819В2 п-р-п 20 > 3 70 5 8 А <1 (70 В) КТ819Г2 п-р-п 20 > 3 100 5 8 А <1 (100 В) КТ829А2 п-р-п 20 > 4 120 5 8 А <1,5 КТ850А2 п-р-п 15 > 20 300 5 2 А <0,1 КТ851А2 р-п-р 15 > 20 300 5 2 А <0,1 КТ853А2 р-п-р 20 > 7 100 5 8 А; 12* А <0,2 (100 В) КТ863А2 п-р-п 20 > 4 30 5 10 А <1 (зо в) КТ863Б2 п-р-п 20 > 4 30 5 10 А <1 (зо в) КТ863В2 п-р-п 20 £ 4 160 5 10 А <1 (30 в) КТ8155А п-р-п 175 > 5 600; 450** 8 50 А; 80* А <2 (600 В) КТ8155Б 175 > 5 500; 400** 8 50 А; 80* А <2 (500 В) КТ8155В 175 > 5 600; 450** 8 25 А <2 (600 В) КТ8155Г п-р-п 175 > 5 500; 400** 8 25 А <2 (500 В) КТ8157А п-р-п 150 > 5 1500; 800** 7 10 А; 15* А <3 (1500 В) КТ8157Б 150 > 5 1000; 800** 7 10 А; 15* А <3 (1000 В) КТ8157В 150 > 5 1500; 800** 7 10 А; 15* А <3 (1500 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 211 ^21э» ^21Э ^12э» пФ ГКЭнас. °М ГБЭн»е> О” к;.;, дб Кш, дБ Ом р;ь вт Тк, ПС ♦рас» НС ^выкл» НС Корпус >20 (4 В; 2 А) — <0,2 — < 2,5; < 0,4 । 1 КТ718 2^ > 11 bU и 21 >20 (4 В; 2 А) — <0,2 — — July 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 КТ818—КТ819 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 6,54 2,285 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 — V» о> о> и 2 3 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 ю о 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 < о 3 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 II и 11 1 1 0 1 7 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 Б К э 15...275 (5 В; 5 А) — <0,2 — *< 2,5 КТ829—КТ863 700...8000 — <0,6 — — 6,54 2,285 >20 (10 В; 0,5 А) — < 2 ч* о> оГ и 4 2 3 >20 (10 В; 0,5 А) — < 2 «о S sl >750 (3 В; 3 А) — <0,66 о 1 1 1 5:100 (2 В; 5 А) — <0,06 — — II L И (1) э 1 с >100 (2 В; 5 А) — <0,1 — Б К >100 (2 В; 5 А — <0,1 — — **0,5 |. _ . I |“ i n W-ozi | кт 1 8155 я **0,5 -я* 1 ^0^ _ >8 (5 В; 1 А) >8 (5 В; 1 А) >8 (5 В; 1 А) <0,12 <0,25 <0,2 < 2; **0,15 < 2; **0,15 < 2; **0,15 КТ8157 р- А г о\ Ш 12.1 J 1 J 1 —•4 - 1 Г» < 1 1 У 1 г 1 к* i ’L? г 1 Sfu т 6 К 3 1
212 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура р 17К max» Р* ГК, т max ♦ Р“ К, и max » Вт t-p» ^1216» ^121э» С» МГц ^КБО max* и* ’JK3Rmax* ^КЭО тах» В ^ЭБО тах» В 1К max I* К, и max* мА ^КБО» Г жкэн» 1“ жкэо» мА КТ8191А п-р-п 1250 — **600 — 200 А — КТ8191Б п-р-п 620 — **600 — 100 А — КТ8191В п-р-п 310 — **600 — 50 А — КТ8223А п-р-п 1000 — 1000;**800 7 45 А — КТ8223Б п-р-п 1000 — 800;**800 7 45 А — КТ8223В п-р-п 500 — 1000;**800 7 45 А — КТ8223Г п-р-п 500 — 800;**800 7 45 А — КТ8232А2 п-р-п 125 10 *350 — 20 А <0,1 КТ8232Б2 п-р-п 125 10 *300 — 20 А <0,1 КТ8232А91 п-р-п 125 10 *350 20 А i£0,l КТ8232Б91 п-р-п 125 10 *300 20 А <0,1 К1В254А1 п-р-п 20 > 10 800 5 2 А <0,2 (600 В) КТ8254Б1 п-р-п 20 > 10 600 5 2 А <0,2 (600 В) КТ847А/ЭЗ п-р-п 125 15 650, 360** 8 15 А, 25 А <150 (650 В) КТ847Б/ЭЗ п-р-п 125 15 650, 400** 8 15 А, 25 А i£150 (650 В) КТ847В/ЭЗ п-р-п 125 15 650, 450** 8 15 А, 25 А <150 (650 В) КТ8258А п-р-п, ЭП 60 4 700, 400** 9 4 А, 8 А <50 (700 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 213 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭнас» Ом ГБЭнае- 014 К" . дв кш, дБ Ом P.L. Вт тк» ПС Час- НС ^аыкл» Корпус 275* (200 А) — <0,01 **< з КТ8191—КТ8223 275* (100 А) — <0,02 **< з ч> Лг-UUm" □.STET тк 1\°4 $ 275* (50 А) — <0,04 **< 3 С 32 I Д| >75* (150 А) — <0,02 — **< з *5,4 W /5-0,/ а ” г/ >75* (150 А) — <0,02 — **< з >75* (75 А) — <0,04 — **< з 68 Jo 80-0,1 92 275* (75 А) — <0,04 — **< з >300 (10 В; 5 А) — <0,2 — — КТ8 10,65 232-2 "ПГ- 1 о? Й* Сч“ к * ffl 2300 (10 В; 5 А) — <0,2 — ! 1 6КЭ >300 (10 В; 5 А) — <0,2 КТ8232-91 10,28 . 7.11 .. 4-55 • И ' я •1 э со >300 (10 В; 5 А) <0,2 J—U 1 0 4 к э 1 _ 4,55 >30 (5 В; 0,3 А) — < 2 **< 1,5 КТ8254-1 . 6,54 2,285 г: 8 СО 1 4 л 1Ь >30 (5 В; 0,3 А) — <2 **< 1,5 fl! Б к э 8...25* (3 В; 15 А) — <0,1 — <0,8** КТ847 П1 1—ZX 8...25* (3 В; 15 А) — <0,1 — <0,8** : I J 1 \ 7 8...25 (3 В; 15 А) — <0,1 — <0,8** ч \<ъ4 10...40 (5 В; 2 А) <0,3 кт 70,65 8258 § Сч St’ 1ГбКЭ ’ V I
214 Раздел 2. Биполярные транзистор Тип прибора Струк- тура ₽К max » Р* К, т max » Р** К, и max » Вт ^гр» С1б» С1э» Сах» МГц ^КБО max» Uj(3R max» UK3O max» В 1^ЭБО max » В С max I* К, и max » мА 1кБО» 1кэк» I** дкэо» мА КТ8258Б п-р-п, ЭП 60 4 600, 300* 9 4 А, 8* А <50 (600 В) КТ8258А1 п-р-п, ЭП 60 4 700, 400* 9 4 А, 8* А <50 (700 В) КТ8258Б1 п-р-п, ЭП 60 4 600, 300* 9 4 А, 8* А <50 (600 В) КТ8258А2 п-р-п, ЭП 60 4 700, 400* 9 4 А, 8* А <50 (700 В) КТ8258Б2 п-р-п, ЭП 60 4 600, 300* 9 4 А, 8* А <50 (600 В) КТ8258А5 п-р-п, ЭП 60 4 700, 400* 9 4 А, 8* А <50 (700 В) КТ8258Б5 п-р-п, ЭП 60 4 600, 300* 9 4 А, 8* А <50 (700 В) КТ8259А п-р-п, ЭП 70 4 700, 400* 9 8 А, 16* А <50 (700 В) КТ8259Б п-р-п, ЭП 70 4 600, 300* 9 8 А, 16* А <50 (600 В) КТ8259А1 п-р-п, ЭП 70 4 700, 400* 9 8 А, 16* А <50 (700 В) КТ8259Б1 п-р-п, ЭП 70 4 600, 300* 9 8 А, 16* А <50 (600 В) КТ8259А2 п-р-п, ЭП 70 4 700, 400* 9 8 А, 16* А <50 (700 В) КТ8259Б2 п-р-п, ЭП 70 4 600, 300* 9 8 А, 16* А <50 (600 В) КТ8260А п-р-п, ЭП 100 4 600, 300* 9 15 А, 25* А <100 (600 В) КТ8260Б п-р-п, ЭП 100 4 700, 400* 9 15 А, 25* А <100 (700 В) КТ8260В п-р-п, ЭП 100 4 1000, 500* 9 15 А, 25* А <100 (800 В) КТ8282А п-р-п, ЭП 120 4 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТ8282Б п-р-п, ЭП 120 4 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (100 В) КТ8282В п-р-п, ЭП 120 4 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТ8282А5 п-р-п, ЭП 120 4 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТ8282Б5 п-р-п, ЭП 120 4 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (100 В) КТ8282В5 п-р-п, ЭП 120 4 120, 120* 5 60 А, 80* А <100(120 В) КТ8283А р-п-р, ЭП 120 4 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТ8283Б р-п-р, ЭП 120 4 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (100 В) КТ8283В р-п-р, ЭП 120 4 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТ8283А5 р-п-р, ЭП 120 4 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТ8283Б5 р-п-р, ЭП 120 4 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 215 ^21э> ^21Э ск. С12э» пФ Л s’-s’ •d *5 S a ° о и a st Кш, дБ «й Ом p.L. Вт Тк» ПС Чае. НС Чыка. НС Корпус 10...40 (5 В; 2 А) — <0,3 — — КТ8258 10.65 4.8 ЛЛ СЛ D. О Л \ —> 4U...6U 1,0 Ь, z А) <U,o — ] 40...80 (5 В; 2 А) — <0,3 — — 3 т 1 >80 (5 В; 2 А) — <0,3 — — >80 (5 В; 2 А) — <0,3 — — п 1КЭ 10...40 (5 В; 2 А) — <0,3 — — КТ82 1,6 58-5 0,5 10...40 (5 В; 2 А) — <0,3 — — CD i г- 8...40 (5 В; 8 А) — <0,3 — — I СТ8 >259- -KT8 26 >0 8...40 (5 В; 8 А) — <0,3 — — 40...80 (5 В; 8 А) — <0,3 — — т с к л D 40...80 (5 В; 8 А) — <0,3 — — t 1 'U,OXJ О >80 (5 В; 8 А) — <0,3 — — у "И ф 1 W 1 i >80 (5 В; 8 А) — <0,3 — — >15 (5 В; 8 А) — <0,2 — — ^БКЭ i!5 (5 В; 8 А) — <1,9 — — >15 (5 В; 8 А) — <1,9 — — >100* (5 В; 50 А) — <0,27 — — КТ8282 >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — t 73,У 3 /7г 9‘н l >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — *41 1 П >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — ' ф ? ф 0 б К 3 >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — KT8282-5 JI _ 0,4 >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — о ' LO >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — 14,5 21,1 >1 KT8 15,9 283 5 >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — 5'1 $ 1 ТГ >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — I ж ж а —Ф И □ б к 3 >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — KT82 5,6 83-5 _ 0,4 >100* (5 В; 50 А) — <0,027 — — со 1Л
216 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Р rK max ’ Р* ГК, ттах» Р** К, и max » Вт *гр» ^1216» Смэ» Сх» МГц I^KBO max» Ur3R max» и** ^КЭО max» В ^ЭБОтах» В IK max 1к, и тах» мА 1кБО» г дкэи» 1кэо» мА КТ8283В5 р-п-р, ЭП 120 4 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТ8284А п-р-п, ЭП 60 — 120, 60** 8 12 А, 15* А <50 (100 В) КТ8284Б п-р-п, ЭП 60 — 160, 80** 8 12 А, 15* А <50 (120 В) КТ8284В п-р-п, ЭП 60 — 200, 100** 8 12 А, 15* А <50 (160 В) КТ8284А1 п-р-п, ЭП 60 — 120, 60** 8 12 А, 15* А <50 (100 В) КТ8285А п-р-п, ЭП 95 0,1 600, 300** 12 30 А, 50* А iUOO (600 В) КТ8285Б п-р-п, ЭП 95 0,1 700, 400** 12 30 А, 50* А <100 (700 В) КТ8285В п-р-п, ЭП 95 0,1 800, 450** 12 30 А, 50* А <100 (800 В) КТ8285А1 п-р-п, ЭП 125 0,1 600, 300** 12 30 А, 50* А <100 (600 В) КТ8285Б1 п-р-п, ЭП 125 0,1 700, 400** 12 30 А, 50* А £100 (700 В) КТ8285В1 п-р-п, ЭП 125 0,1 800, 450** 12 30 А, 50* А <100 (800 В) КТ8286А п-р-п, ЭП 50 0,1 1000, 600* 12 5 А, 7,5* А <1000* (500 В) КТ8286Б п-р-п, ЭП 50 0,1 1200, 700* 12 5 А, 7,5* А <1000* (600 В) КТ8286В п-р-п, ЭП 50 0,1 1500, 800* 12 5 А, 7,5* А £1000* (700 В) КТ8286А1 п-р-п, ЭП 90 0,1 1000, 600* 12 5 А, 7,5* А <1000* (500 В) КТ8286Б1 п-р-п, ЭП 90 0,1 1200, 700* 12 5 А, 7,5* А <1000* (600 В) КТ8286В1 п-р-п, ЭП 90 0,1 1500, 800* 12 5 А, 7,5* А <1000* (700 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 217 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭнас» ГБЭ нас» Ср-’ дБ к», дБ г;. Ом P.L. Вт Тк, ПС Час» НС ^ВЫКЛ» НС Корпус 1 >100* (5 В; 50 А) <0,27 КТ82 5,6 83-5 0,4 со 1О >150* (1,5 В; 50 А) — <0,13 — — 74.2 159 .. р КТ8 10,65 284 '“Т 1 3 >150* (1,5 В; 50 А) — <0,2 — — 1 йт 5КЭ >150* (1,5 В; 50 А) — <0,23 — — ,л i ~1 КТ82 '0,65 FX3 184-1 ’Т: 1 3 >500* (1,5 В; 50 А) — <0,13 — — 10...40* (5 В; 15 А) — 0,1 — — КТ8285 75,0 2 10...40* (5 В; 15 А) — 0,1 — — 14,5 21.1 >1 ’ ч J 3 10...40* (5 В; 15 А) — 0,1 — 100** Hi б К 3 1 10...40* (5 В; 15 А) — 0,1 — — КТ82 27,1 >85-1 10...40* (5 В; 15 А) — 0,1 — — I 1S 10...40* (5 В; 15 А) — 0,1 — 100** — 8...4O (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — КТ8286 15,9 5 8...40 (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — V* См «С 4 1 V 0 8...40 (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — Ln б к 3 8...40 (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — КТ82 27,1 >86-1 ft 8...4O (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — Sf'L L __1 ъ фк Й'£ — [|| 8...4O (5 В; 4,5 А) — <0,3 — —
218 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура р rK max ’ Р* ГК, т max » Р** К, и max » Вт ^р» Я1216» ?21э» Сх, МГц ^КБОтах» и* '“'K3R тах» и** ’“'КЭО тах» В ^ЭБО тах» В max 1к, и max» мА 1кБ0» IjOR» I** дкэо» мА КТ8286А5 п-р-п, ЭП 90 0,1 1000, 600* 12 5 А, 7,5* А <1000* (500 В) КТ8286Б5 п-р-п, ЭП 90 0,1 1200, 700* 12 5 А, 7,5* А <1000* (600 В) КТ8286В5 п-р-п, ЭП 90 0,1 1500, 800* 12 5 А, 7,5* А <1000* (700 В) КТД8252А п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 120 0,1 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252Б п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 120 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252В п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 120 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) । КТД8252Г п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 120 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,15* (300 В) КТД8252А1 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) ' КТД8252Б1 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) , КТД8252В1 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252Г1 п-р-п, составной С диодом и стаби- литроном 75 — 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,15* (300 В) i КТД8252А2 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 350, 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) I i i
Биполярные кремниевые транзисторы 219 ^21э» ^21Э ск. ^12э» пФ «•кэ нас* Ом ГБЭ«ас* О'» к;;., дб Кш, дБ г:, Ом Р" , Вт вых ’ Тк, ПС t’pac* НС Сна* НС Корпус 8...40 (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — КТ82 J5,6^ 86-5 0,4 8...40 (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — с© tn 8...40 (5 В; 4,5 А) — <0,3 — — 600...2000 (5 В; 5 А) — <0,17 — — ктд? 15,9 *252 5 74, g 21,1 Г 350 .2000 (5 В; 5 А) — <0,17 — — г п В К Э >1700 (5 В; 5 А) — <0,17 — — КТД! 15,9 *252 5 V* Г r-i- S160 (5 В; 5 А) — <0,22 — — f 8 1 о 3 /f к : 600...2000 (5 В; 5 А) — <0,22 — — КТД8 10,65 252-1 "1 8 О; Й о 350 .2000 (5 В; 5 А) — <0,22 — — f Jiy а 6 КЗ в >1700 (5 В; 5 А) — <0,22 — — КТД8 10,65 252-1 1 ,8 1 с U с чГ £ _ 1ф1 5КЭ >160 (5 В; 5 А) — <0,22 — — 600 .2000 (5 В; 5 А) <0,22 КТД8252-2 10,28 й. .7.12 / 4,55 Г 1 4 3— ’ 1 3 со "-t L 11 Л 1 1 * — fr ю
220 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max » Р*‘ К, и max » Вт ^-р» С216» Сгь» Сх» МГц ^КБО max» и* v’lOR max» и** ’-’кЭОтах» В ^ЭБО max » В max 1К. и тах» мА 1кБО» I1OR» Г’ дкэо» мА КТД8252Б2 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 330; 330* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252В2 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350; 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252Г2 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350; 350* 5 15 А, 30* А <0,15* (300 В) КТД8252А5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350; 350* 5 15 А, 30* А £0,05* (300 В) КТД8252Б5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 330; 330* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252В5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350; 350* 5 15 А, 30* А <0,05* (300 В) КТД8252Г5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 75 — 350; 350* 5 15 А, 30* А <0,15* (300 В) КТД8257А п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 50 — 100, 100* 5 20 А, 30* А <50* (90 В) КТД8257Б п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 50 — 140, 140* 5 20 А, 30* А <50* (130 В) КТД8257В п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 50 — 180, 180* 5 20 А, 30* А £50* (170 В) КТД8257А5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 50 — 100, 100* 5 20 А, 30* А £50* (90 В) КТД8257Б5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 50 — 140, 140* 5 20 А, 30* А £50* (130 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 221
222 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура р rK max » Р* К, т max » Р** К, и max » Вт ^р» Сне» ^21э» ^гпах» МГц ^КБО max» U КЭЙтах» и** КЭО тах» В ^ЭБО max » В IK max I* К, и max» мА I ХКБО’ ^КЭй» Г^О» i мА t КТД8257В5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 50 180, 180* 5 20 А, 30* А <50* (170В) 1 1 i | КТД8262А п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 350, 350* 5 7 А, 15* А <50* (330 В) КТД8262Б п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 330, 330* 5 7 А, 15* А <50* (310 В) КТД8262В п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 270, 270* 5 7 А, 15* А <50* (260 В) КТД8262А5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 350, 350* 5 7 А, 15* А <50* (330 В) КТД8262Б5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 330, 330* 5 7 А, 15* А <50* (310 В) КТД8262В5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 270, 270* 5 7 А, 15* А <50* (260 В) КТД8279А п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 500, 350* 5 10 А, 20* А <100 (500 В) КТД8279Б п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 400, 330* 5 10 А, 20* А <100 (400 В) КТД8279В п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 70 — 300, 270* 5 10 А, 20* А <100 (300 В) КТД8279А1 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном 100 500, 350* 5 10 А, 20* А <100 (500 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 223 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭкае. Ом «-БЭкас. О»1 к;;, дб кш, дБ Ом P.L. Вт Тк> ПС t;ac, нс ^ВЫКЛ» НС Корпус >1000* (5 В; 5 А) <0,1 Ю JL- КТД1 5 $257-5 0,32 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — КТД8262 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — 10,65 ф ж 6. 1 8 1 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — 6КЭ >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — КТД8262-5 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — со А 5,1 0,45 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — КТД8279 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — 10,65 ф _Ж 1,8 Г" I >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — 6КЭ >300 (5 В; 5 А) <0,36 (‘/г s‘9i КТД82 15t9 гй б К 3 179-1 5 Г V О
224 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура max » Р* К, т max1 Р** К, и max1 Вт ^гр’ с. МГц ^КБО max » UjoR max» и** ’-’КЭО max» В ^ЭБО max» В Ik max I* К, и max» мА ^КБО» ^КЭИ» ^КЭО» мА КТД8279А5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном — — 500, 350* 5 10 А, 20* А <100 (500 В) КТД8279Б5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном — — 400, 330* 5 10 А, 20* А <100 (400 В) КТД8279В5 п-р-п, составной с диодом и стаби- литроном — — 300, 270* 5 10 А, 20* А <100 (300 В) КТД8280А п-р-п, составной с диодом 120 — 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТД8280Б п-р-п, составной с диодом 120 — 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8280В п-р-п, составной с диодом 120 — 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8280А5 п-р-п, составной с диодом 120 — 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) ! КТД8280Б5 п-р-п, составной с диодом 120 — 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8280В5 п-р-п, составной с диодом 120 — 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8281А Р-П-Р, составной с диодом 120 — 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТД8281Б р-п-р, составной с диодом 120 — 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8281В р-п-р, составной с диодом 120 — 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8281А5 р-п-р, составной с диодом 120 — 80, 80* 5 60 А, 80* А <100 (80 В) КТД8281Б5 р-п-р, составной с диодом 120 — 100, 100* 5 60 А, 80* А <100 (120 В) КТД8281В5 р-п-р, составной с диодом 120 — 120, 120* 5 60 А, 80* А <100 (120 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 225 ^21э» ^21Э сь, С12э» пФ ^КЭ нас* Ом ГБЭ»ас* ОМ к" , дБ кш, дБ г;. Ом P.L* Вт Т„ ПС fpac* «С Сына* НС Корпус >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — КТД8279-5 £300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — со 1 <5-1> _ 0,45 >300 (5 В; 5 А) — <0,36 — — >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — КТД8280 15,9 5 >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — >•» toi А 1 >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — б К 3 В 0 >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — КТД8280-5 £1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — со ' 5,16 0,38 £1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — КТД81 15,9 281 5_ >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — Сч -S w-4—г 1 >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — — б К 3 I о >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — RNL8281-5 >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — — со in 5,6 _ 0,4 >1000* (5 В; 50 А) — <0,05 — —
226 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.5. Биполярные кремниевые сборки Тип прибора Струк- тура Рк max ♦ Р* r K,t max ♦ Р~ К, и max » мВт *ГР' ^1216’ с;,э. с. МГц ^КБО max» ^КЭй тах» ^ЭО max» В ^ЭБО max ♦ В Ik max к и тах» мА ^КБО» ^КЭИ» Г^, мкА КТСЗОЗА-2 р-п-р, п-р-п 500 (50’С) >300 45* (Юк) 100 (500*) <0,5 (45 В) КТС3103А р-п-р 300 (55’С) >600 15* (15к) 5 20 (50*) <200 (15 В) КТС3103Б р-п-р 300 (55’С) >600 15* (15к) 5 20 (50*) £200 (15 В) КТС3103А1 р-п-р 300 >600 15* (15к) 5 20 (50*) <0,2 мА (15 В) КТС3103Б1 р-п-р 300 >600 15* (15к) 5 20 (50*) <0,2 мА (15 В) КТС3161АС 1 п-р-п, 2 р-п-р 300 >400 12 4 200 <10 (12 В) КТС3174АС-2 п-р-п 150 600 10 1 7,5 <1 (10 В) КТС381Б п-р-п 15 — 25 6,5 15 £30 (5 В) КТС381В п-р-п 15 — 25 6,5 15 £30 (5 В) КТС381Г п-р-п 15 — 25 6,5 15 £30 (5 В) КТС381Д п-р-п 15 — 25 6,5 15 £30 (5 В) КТС381Е п-р-п 15 25 6,5 15 £30 (5 В)
Биполярные кремниевые сборки 227 ^21э» ^21Э ск, С12э» пФ ГКЭнас» ГБЭ нас» Ом кш, дБ 1*2|э1/1*21э2> и,;, мв Тк, ПС Час. НС Со,. НС Корпус 40... 180 (5 В; 1 мА) <8 (5 В) <20 >0,7* <80 КТСЗОЗ-2 о К g \ \! / t •4 b 6/ 1К\Э e э 40...200 (1 В; 1 мА) 40...200 (1 В; 1 мА) <2,5 (5 В) <2,5 (5 В) <60 <60 <5 (60 МГц); >0,9* <5 (60 МГц); >0,8* <3** <5** <80 <80 KTC UIllU JW 3103 м 51 1(2 Б2 >3/ ^32 40...200 (1 В; 1 мА) 40...200 (1 В; 1 мА) <2,5 (5 В) <2,5 (5 В) <60 <60 £0,9* >0,8* <80 <80 КТС3103-1 1 в сч »l 1c ' 5 8 g Л M1"' >20 (1 В; 0,1 А) <8 I КТС3161 1Я5 >15 1 1 1 * li ^тах 4 выводов) 0J5max КЗ-Б2 К1Б1\ ЭЗБ1 fti rh rh rh rh rh rh 1. 1' 14 # up Lp Ip Ip lp lp lp К1К2К2Э1Э2БЗ Б1 x 19.5max э >80 (5 В; 3 мА) 0,65 (6 В) <3 (100 МГц) KTC :3174 3,2 э <sr г J в a ^3\ ’tfj V=- ?r- fr —- К2 К1 <5Г $5 >40 (5 В; 10 мкА) £30 (5 В; 10 мкА) >20 (5 В; 10 мкА) >20 (5 В; 10 мкА) >20 (5 В; 10 мкА) <1,5 (5 В) <1,5 (5 В) <1,5 (5 В) <1,5 (5 В) <1,5 (5 В) <5 <5 <5 <5 >0,9*; <4** >0,85*; <4** >0,85*; <3** >0,9* 1 1 1 1 1 сч т KTC381 (Г T ИТ4 M 121 \ 3 к
228 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* *К, t max » Р" К, и max » мВт ^П>» ^216» ^213 » С, плах» МГц ^квотах» U|OR тах» и** ’-’кэо тах» В ^ЭБО тах» В max I* К, и max » мА ®КБО» Г жкэи» Г* жкэо» мкА КТС393А р-п-р 20 (45’С) >500 10* (Юк) 4 10 (20*) <0,1 (10 В) КТС393Б р-п-р 20 (45’С) >500 15* (Юк) 4 10 (20*) <0,2 (15 В) КТС393А-1 р-п-р 20 >500 10 4 10 (20*) <0,1 (10 В) КТС393Б-1 р-п-р 20 >500 15 4 10 (20*) <0,2 (15 В) КТС393А-9 р-п-р 20 >500 10 4 10(20*) £0,1 (10 В) КТС393Б-9 р-п-р 20 >500 15 4 10(20*) <0,2 (15 В) КТС394А-2 р-п-р 300* >300 45* (Юк) 4 100 <0,5 (45 В) КТС394Б-2 р-п-р 300* >300 45* (Юк) 4 100 <0,5 (10 В) КТС395А-1 п-р-п 30 >300 45* (Юк) 4 20 <0,5 (45 В) КТС395Б-1 п-р-п 30 >300 45* (Юк) 4 20 £0,5 (10 В) КТС395А-2 п-р-п 150 (500**) >300 45* (Юк) 4 100 <0,5 (45 В) КТС395Б-2 п-р-п 150 (500**) >300 45* (Юк) 4 100 45* (Юк) КТС395В-2 п-р-п 150 (500**) >300 45* (Юк) 4 100 45* (Юк) КТС398А-1 п-р-п 30 (85’С) >1000 10* (Юк) 4 10 (20*) £0,5 (10 В) КТС398Б-1 п-р-п 30 (85’С) >1000 10* (Юк) 4 10 (20*) £0,5 (10 В)
Биполярные кремниевые сборки 229 ^21э» ^21Э ск, ^12э» пФ ГКЭ нас» ГБЭ нас» Ом кш, дБ 1С мВ тк, ПС нс Скл. ИС Корпус 40... 180 (1 В; 1 мА) 30... 140 (1 В; 1 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) <60 <60 <6 (60 МГц); >0,9* <6 (60 МГц); >0,8* <80 <80 к ГС393 /3 . . is. D 1 7 гтГ lm 2 *2 40... 180 (1 В; 1 мА) 30... 140 (1 В; 1 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) <60 <60 <6 (60 МГц) <6 (60 МГц) <80 <80 5 I кт 111 Wi-d С393-1 0 ТтТ Mtt id h 1 7 40... 180 (1 В; 1 мА) 30... 140 (1 В; 1 мА) <2 (5 В) <2 (5 В) <60 <60 <6 (60 МГц) <6 (60 МГц) <80 <80 1 Б2« Э2 < < 8« ктсз .—Г ж : >93-9 аэ i SD SD зо: 1 1 (r* I K2 Э1 Б2 KI 40...120 (5 В; 1 мА) 100...300 (5 В; 1 мА) <8 (10 В) <8 (10 В) <30 <30 <10** ктсз W /1 \ В КЗ (94-2 % 40...12О (5 В; 1 мА) =>350 (5 В; 1 мА) <8 (10 В) <8 (10 В) <30 <30 <10** — KTCi J Щб! 1 К 195-1 k s 1 \ 40...120 (5 В; 1 мА) 100...300 (5 В; 1 мА) £350 (5 В; 1 мА) <8 (10 В) <8 (10 В) <8 (10 В) <30 <30 <230 <10** — о ктсз 2,5 W /1 \ Б К Э 195-2 7 Vo- 40...25О (1 В; 1 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) <1,5 (5 В) <1,5 (5 В) — 0,8...1,25*; <1,5** 0,9...1,1*; <3** <50 <50 КТО 198-1 J I Б
230 Раздел 2. Биполярные транзистора Тип прибора Струк- тура Рк max » Р* rK,t max » Р“ К, и max ♦ мВт *ГР» ^216» ^21Э» Сх» МГц ^КБО max» Ujqr тах» ^КЗО max» В ^ЭБО max ♦ В 1К max I* К, и max» мА ^КБО» ^K3R» I** хкэо» мкА КТС398А94 п-р-п 30 >1 ГГц 10* (Юк) 4 10 (20*) <0,5 (10 В) КТС398Б94 п-р-п 30 >1 ГГц 10* (Юк) 4 10 (20*) <0,5 (10 В) КТС613А п-р-п 800 (50°С) >200 60 4 400 (800*) <8 (60 В) КТС613Б п-р-п 800 (50°С) >200 60 4 400 (800*) <8 (60 В) КТС613В п-р-п 800 (50°С) >200 40 4 400 (800*) <8 (40 В) КТС613Г п-р-п 800 (50°С) >200 40 4 400 (800*) <8 (40 В) КТС622А р-п-р 0,4 (10**) Вт >200 45* (1 к) 4 400 (600*) <10 (45 В) КТС622Б р-п-р 0,4 (10**) Вт >200 35* (1 к) 4 400 (600*) <20 (35 В) КТС631А п-р-п 4 Вт (55°С) >350 30 4 1 (1,3*) А <200 (30 В) КТС631Б п-р-п 4 Вт (55°С) >350 30 4 1 (1,3*) А <50 (30 В) КТС631В п-р-п 4 Вт (55°С) >350 60 4 1 (1,3*) А <50 (60 В) КТС631Г п-р-п 4 Вт (55°С) >350 60 4 1 (1,3*) А <200 (60 В) КТ674АС р-п-р 900 >250 40 5 0,2 А (0,5* А) <0,05 (30 В) КТ677АС п-р-п 2500 100 60 1 А <0,05
Биполярные кремниевые сборки 231 ^21э» ^21Э Ск, ^12э» пФ ^КЭ нас» ГБЭ нас» Ом кш, дБ ЬгыЛЪьг» LQ, мВ тк, ПС t;ac, нс ^выкл* НС Корпус 40...250 (1 В; 1 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) <1,5 (5 В) <1,5 (5 В) — 0,8...1,25* 0,9...1,1* <50 <50 КТС398-94 1_!5 ". 1 0,7 со .Ьё к I )S X _ в ? S s — Э' S- 4 25...1OO* (5 В; 0,2 А) 40...200* (5 В; 0,2 А) 2O...12O* (5 В; 0,2 А) 50...300* (5 В; 0,2 А) <15 (10 В) £15 (10 В) <15 (10 В) <15 (10 В) <2,5 <2,5 <2,5 <2,5 — £100* £100* £100* £100* КТС613 А»/Г <о1. F I Л <о 1 У У УШ У У*> 7Д7,72-3 5,2 щцо J8.11-K -K ’ Ш 1-ffi to r 25...150* (5 В; 0,2 А) >10* (5 В; 0,2 А) <215 (10 В) £15 (10 В) <3,25 <3,25 — <120* <200* КТС622 1 «о I W I |7| □i ии ТПЛППШГ JQODOOflfl °> In 2|© 7J in bo Г ^5 20...115* (1 В; 0,3 А) 20... 125* (1 В; 0,3 А) 20...125* (1 В; 0,3 А) 20...115* (1 В; 0,3 А) <15 (10 В) £15 (10 В) £15 (10 В) £15 (10 В) <2,8 <12 <12 <2,8 — <40; <30* <40; <30* <40; <60* <40; <60* КТС631 АГ .7 Д С i ->* £ У Jo 1 У У УI 1УУ*о life 5МН-К 3&9J0-6 Ши 75 (1 В; 10 мА) £4,4 (15 В) <25 <30 КТС674АС |25 Ф i*r£L6*Z5*i5 |lL|l бтах № бы водой) 0J5max К Б Э Э Б К rh rh rh rh rh rh rh I * > ' ''' 8 19,5max x >25 0,8 KT677AC r~6*2J5*15 max (КБыбодоб) 0,5max ь К Б Э 3 BK rh rh rh rh rh rh rh 1 /4 1'4 ‘ p a Q C\|n 1 ,7 19,5max
232 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип прибора Струк- тура max » Р* *K,t max » Р** К. и max » мВт frpt ^216» ^21Э’ С, тпах ’ МГц ^Квотах» ^K3R max» и“ *^КЭО max’ В ^ЭБО max ’ В IK max к и max ’ мА 1кБ0» 1кэп’ ГКЭО’ мкА КТ678АС п-р-п 500; 1** Вт >250 60 5 200; 750* 50,05 (40 В) КТ693АС п-р-п 600 150 5 150 (200*) <10* (120 В) К1НТ251 п-р-п 400 (50°С) >200 45* (1 к) 4 400 (800*) <6 мА (45 В) К1НТ661А п-р-п 100 (50’С) 300 5 (10*) <30 (250 В) К129НТ1А-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1Б-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1В-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1Г-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1Д-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1Е-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1Ж-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В) К129НТ1И-1 п-р-п 15 (85’0 >250 15 4 10 (40*) 50,2 (15 В)
Биполярные кремниевые сборки 233 ^21э» ^21Э ск, ^*12э» пФ ГКЭ нас» 1*БЭ нас» Ом кш, дБ U", мВ Тк, ПС «рее. НС «1». нс Корпус 75...230 (1 В; 10 мА) 54 (5 В) <20 5510** Зона ключа г~ й%к | . 1 JTT1 (14t к 6 KT6: ~6*2& Modal 3 5 jMM фф|^ ХЯ5/П Г8/ 75 1 в M и ax VC г к 4 d 1 1 » tr- i: 11 \25max !$ 2:40 (5 В; 0,1 А) 54 LJJ f 1—4^ 1 DhQiUK DH0£ 0 (»i К 5 И |7? KTC6 $ Ш ~6*2& Modal 3 i 4Ф фф1 7Я5/И 93 75 1)6 i в M ax A( J5z i Л 4 c Is vox f fLj u t p \25max 4^ >10* (5 В; 0,2 А) <15 (10 В) <5 <200* i co о? J "DUOUUUIT Л Ш10000П X KI] о 16 HT2 boW за !s 3S5 51 2 3 4 5 *7| ^3/4 Sj77 JW >5* (5 В; 10 мА) <1000 co od ! 15 K1HT6 к 61 1 7. J QW 20...80 (5 В; 1 мА) 60...80 (5 В; 1 мА) >80 (5 В; 50 мкА) 20...80 (5 В; 1 мА) 60...80 (5 В; 1 мА) >80 (5 В; 50 мкА) 40...160 (5 В; 1 мА) 40... 160 (5 В; 1 мА) 54 (5 В) 54 (5 В) 54 (5 В) 54 (5 В) 54 (5 В) 54 (5 В) 54 (5 В) 54 (5 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 >0,85*; <3** >0,85*; <3** >0,85*; <3** >0,75*; <15** >0,75*; <15** >0,75*; <15** >0,85*; <3** >0,75*; <15** 1 1 1 1 1 1 1 1 3 Si K129H Б К u 1 T1 1 J Ofi
Раздел 3. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенное обозначение Параметр отечественное международное 1з Ig Ток затвора (постоянный). 1з отс Igsx Ток отсечки затвора. 13 пр Igf Прямой ток затвора. 1з ут Igss Ток утечки затвора. 1зио Igso Обратный ток перехода затвор-исток. 1зсо Igdo Обратный ток перехода затвор-сток. 1и Is Ток истока (постоянный). 1и нач ISDS Начальный ток истока. 1и ост IsDX Остаточный ток истока. 1с Id Ток стока (постоянный). 1с нагр Idsr Ток стока при нагруженном затворе. 1С нач Idss Начальный ток стока. 1С ост Idsx Остаточный ток стока. In Ib, Iu Ток подложки. изи Ugs Напряжение затвор-исток (постоянное). изи обр Ugsr Обратное напряжение затвор-исток (постоянное). ПзИ отс Ugs(OFF), UGS(off) Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с р-п-переходом и с изолирован- ным затвором). изи пор UgST, UGS(th), UgS(TO) Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затво- ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затво- ром). изи пр Ugsf Прямое напряжение затвор-исток (постоянное). U3 проб U(BR) GSS Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-ис- ток при замкнутых стоке и истоке. изп Ugb, Ugu Напряжение затвор-подложка (постоянное). Use Ugd Напряжение затвор-сток (постоянное). Чип Usb, Usu Напряжение исток-подложка (постоянное). Uch Uds Напряжение сток-исток (постоянное). UCn Udb, Udu Напряжение сток-подложка (постоянное). U31-U32 UG1-UG2 Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами). Реи Pds Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). РСИ, т max — Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом (постоянная). S gms Крутизна характеристики.
Раздел 3. Полевые транзисторы 235 Продолжение буквенных обозначений | Буквенное обозначение Параметр отечественное международное йзи TGS, Fgs Сопротивление затвор-исток. йзс rGD, Fgd Сопротивление затвор-сток. йзсо FGSS, Fgss Сопротивление затвора (при Uds = 0 или Uds = 0). Кси TDS, Tds Сопротивление сток-исток. RCH отк fDS(ON), rds(on), TDS on Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивле- ние между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток. RCH закр rDS(OFF), rds(off), TDS off Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивле- ние между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток. Сзио Cgso Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Сзсо Cgdo Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при ра- зомкнутых по переменному току остальных выводах. Ссио Cdso Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при ра- зомкнутых по переменному току остальных выводах. С11и, Свх, и Cjss, Cllss Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком. С12и Crss, C12ss Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току. С22и Coss, C22ss Выходная емкость транзистора — емкость между стоком и истоком. С22с Cods, C22ds Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыка- нии на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по пере- менному току). gllH giss, glls Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). ?22и goss, g22s Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). | Упи Yis, Yus Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто- ком при коротком замыкании на выходе). У12и Yrs, Y12s Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). У21и Yfs, Y21S Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с об- щим истоком при коротком замыкании на выходе; Yfs = gfs + gbfs = Id/Ugs; на НЧ | Yfs| = gfs). У22и Yos, Y22s Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы- кании на входе). Ку.р Gp Коэффициент усиления по мощности. 1У21и fYfs Частота отсечки в схеме с общим истоком. Еш Un Шумовое напряжение транзистора. Кш F Коэффициент шума транзистора. — aId Температурный коэффициент тока стока. — CX-rds Температурный коэффициент сопротивления сток-исток. {вкл ton Время включения транзистора. {выкл toff Время выключения транзистора. 1зд,вкл td(on) Время задержки включения. 1зд,выкл td(off) Время задержки выключения. |
236 Раздел 3. Полевые транзисторы Окончание буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр отечественное международное tnp tr Время нарастания. ten tf Время спада. Для сдвоенных полевых транзисторов: 1з(ут)1*1з(ут)2 IGSS1-IGSS2 Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изо- лированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для по- левых транзисторов с р-п-переходом). 1С нач1 / 1с нач2 IDSS1/IDSS2 Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток. изИ1-изИ2 UGS1-UGS2 Разность напряжений затвор-исток. |лизи1-изи2)|/ДТ |a(Ugsi-Ugs2)I/at Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя зна- чениями температуры. g22Hl-g22n2 gosl"gos2 Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком. g21Hl/g21n2 gfsl/gfs2 Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме ма- лого сигнала в схеме с общим истоком. 3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов К полевым транзисторам относятся полупроводниковые приборы, принцип действия которых ос- нован на использовании эффекта внешнего электрического поля для управления проводимостью транзистора. Такие транзисторы называются также униполярными, так как перенос тока в них осу- ществляется только одним типом носителя заряда: в п-канальных — электронами; в р-канальных - дырками (в отличие от биполярных транзисторов, где ток переносится двумя типами носителей — основными и неосновными, т. е. и дырками, и электронами). Для управления током в униполярных транзисторах либо меняется концентрация носителей полупроводникового слоя, либо его площадь под действием электрического поля (эффект поля). От- сюда название «полевые транзисторы». Проводящий слой, по которому проходит ток, называют ка- налом (канальные транзисторы). Каналы могут быть приповерхностными (обогащенные слои из-за наличия доноров в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего поля) или объемными (участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обеднен- ным слоем). Транзистор с приповерхностным слоем называют МОП-транзистором (металл—окисел—полу- проводник). За рубежом его называют MOSFET. У транзисторов с объемным каналом обедненный слой создается с помощью р-п-перехода, поэтому их называют транзисторами с р-п-переходом (или просто полевыми), за рубежом — JFET. Структуры полевых транзисторов приведены на рис. 3.1. Меток Затвф Сток Исток Затвор Сток Исток Затвор Сток Исток Затвор Сток Рис. 3.1. Структуры МОП-транзисторов: а — n-канальная обогащенного типа; б — n-канальная обедненного типа; в — р-канальная обогащенного типа; г — р-канальная обедненного типа Полевой транзистор с р-п-переходом состоит из полупроводниковой пластинки (стержня), кото- рая образует канал, с омическими выводами от каждого ее конца (стока и истока) и на поверхности
Раздел 3. Полевые транзисторы 237 которой с противоположных сторон формируется р-п-переход параллельно направлению тока, вывод от которого называется затвором — электродом, управляющим сопротивлением (движением зарядов) между стоком и истоком. Затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п-переходом. Входной импеданс затвора является импедансом обратно смещенного р-п-перехода, что значительно ниже им- педанса МОП-приборов. Сопротивление между стоком и истоком изменяется с изменением напряжения на затворе. Через запертый переход затвор-канал протекает ток утечки, который экспоненциально изменяет- ся с температурой и который, проходя через резистор цепи затвора, может изменить напряжение смещения, если сопротивление резистора велико (особенно при высоких температурах). Этот эффект отсутствует у МОП-транзисторов. Их называют также транзисторами с изолированным затвором, так как у них затвор электрически изолирован от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика: ди- электрическими пленками двуокиси кремния (SiO2), нитрида кремния и окиси алюминия, поэтому они сохраняют высокое входное сопротивление независимо от величины и полярности и3и. Условия, возникающие на поверхности раздела Si-SiO2 таковы, что все приборы с каналом n-типа в исходном состоянии, т. е. при изи = 0 открыты, а с каналом p-типа закрыты. Каждый МОП-транзистор состоит из подложки, двух противоположно легированных подложке областей (истока и стока) и металлического затвора, лежащего сверху над тонким слоем окисла. На- пряжение затвора регулирует движение зарядов в канале между истоком и стоком. Слой диэлектрика тонкий, поэтому при подаче напряжения на затвор в нем возникает сильное электрическое поле, которое вызывает образование инверсионного слоя (поверхностный канал), где основными носителями являются электроны в р-подложке. Падение напряжения между затвором и подложкой в основном происходит в диэлектрике, и направление поля вызывает увеличение инверси- онного слоя. На границе раздела образуется поверхностный заряд. Когда U3 > 0, поле притягивает электроны (неосновные носители материала p-типа) и появляется отрицательный заряд. Образуется обедненный слой (неподвижные ионы акцепторов). Если U3 > 0, то происходит обогащение первона- чального инверсионного слоя (увеличивается концентрация электронов на поверхности), если U3 < 0, то происходит его обеднение (концентрация электронов у поверхности ниже, чем в объеме, так как они отталкиваются от поверхности). В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электро- проводности. В режиме обеднения концентрация дырок будет превышать концентрацию электронов, т. е. тип электропроводности слоя изменится на противоположный (произойдет инверсия типа прово- димости). Потенциал затвора изменяет ширину канала (концентрацию электронов), т. е. образуется канал с регулируемой электронной проводимостью (она увеличивается при увеличении U3). В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или p-типа. Например, пМОП-транзисторы имеют электронную проводимость (носители зарядов — элек- троны), а рМОП-транзисторы — дырочную проводимость (носители зарядов — дырки). У п-каналь- ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, а к выводу истока прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т. е. полярность напряже- ния стока положительная), а у р-канальных — наоборот. Таким образом существуют два основных режима работы: обеднения (проводимость канала мо- жет быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения изи) и обогащения. У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе изи = 0 протекает не- большой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях изи, близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В частности, полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом (с диффузионным каналом) являются нормально открытыми; они закрываются (т. е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря- жении, называемом напряжением отсечки — это такое напряжение изи, которое необходимо, чтобы уменьшить ток стока 1с от 1снач до 0. По конструктивно-технологическим признакам полевые приборы делятся на транзисторы с встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Встроенный канал создается техно- логически путем, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в ре- зультате воздействия поперечного электрического поля. В транзисторах со встроенным каналом (например, КП305, КПЗ 13) уменьшение тока на выходе вызывается подачей напряжения на затвор с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале (для p-канала Чзи > 0, для n-канала изи < 0), что вызывает обеднение канала носителями
238 Раздел 3. Полевые транзистора заряда и ток 1с уменьшается. При соответствующем изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями и выходной ток 1с увеличится. Такие приборы могут ра- ботать при обеих полярностях Изи как в режимах обеднения, так и обогащения. Для них вводится понятие «пороговое напряжение» (напряжение открывания). Это такое U3, при котором электроны равновесного инверсионного слоя отталкиваются от поверхности и встроенный канал исчезает (кон- центрация электронов в слое под окислом затвора становится равной концентрации дырок в объеме кремния). В транзисторах с индуцированным каналом, имеющих наибольшее распространение, при напря- жении U3 = 0 канал отсутствует и только при U3, равном пороговому напряжению, образуется (ин- дуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый прибор) при одной полярности 11зи. В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом канал существует при U3 = 0, т. е. они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нор- мально открытый прибор). У приборов обедненного типа канал имеет тот же тип проводимости, что и сток с истоком, у приборов обогащенного типа канал легирован противоположной примесью по от- ношению к стоку и истоку. На рис. 3.2, 3.3, 3.4 приведены выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) полевых тран- зисторов (зависимость тока стока 1с от напряжения на стоке Uc) при различных напряжениях на за- творе U3). Они напоминают характеристики усилительных пентодов. Рис. 3.2. Стоковые характеристики схемы с общим истоком (с р-п-переходом) Рис. 3.3. Типичные вольт-амперные характеристики n-канального МОП-транзистора обогащенного типа Рис. 3.4. Типичные вольт-амперные характеристики n-канального МОП-транзистора обедненного типа Ток 1с зависит как от величины, так и полярности напряжений Uch и изи. Из ВАХ следует, что при изменении Изи ток 1с сначала линейно возрастает (линейная область), затем выходит на поло- гий участок (область насыщения) и затем резко возрастает (область пробоя) (см. рис. 3.2).
Раздел 3. Полевые транзисторы 239 В линейной области при Uc < Uotc проводимость между истоком и стоком является функцией 1)зи (с изменением Щи изменяется проводимость канала). В области насыщения, если Uc > Uotc, транзистор входит в режим насыщения (канал перекрывается), причем для каждого Щи насыщение будет происходить при разном Uc. При увеличении | Щи I < 0 ток 1с падает. В области пробоя при увеличении Uc ток резко возрастает из-за лавинного пробоя обратно смещенного диода стока. Проходные (передаточные) ВАХ (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неиз- менном напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом и МОП-транзи- сторов с каналами п- и p-типов проводимости приведены на рис. 3.5, 3.6. В отличие от транзисторов с управляющим р-п-переходом, у которых рабочая область составля- ет от 0 вольт до запирания Щиотс, МОП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. При графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом (у них при Щи = 0,1с = = 0) имеют пунктирную линию в обозначении канала, а со встроенным каналом (у них при Щи = О течет ток 1снач) — сплошную (рис. 3.6, б); стрелки определяют тип канала: направлена к каналу — канал n-типа, от канала — канал р-типа. Рис. 3.5. Квадратичные передаточные характеристики МОП-транзисторов Рис. 3.6. Передаточные характеристики полевых транзисторов: a — с n-каналом и p-каналом и их условные графи- ческие обозначения; б — передаточные характеристики МОП-транзисторов с встроенным каналом (с обеднением) с /г-каналом и p-каналом и их условные графические обозначения В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора) от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отде- лена только р-п-переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требует- ся иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами (МОП-тетроды — КП322, КП327, КП346, КП35О). Они имеют малую емкость обратной связи, не тре-
240 Раздел 3. Полевые транзистора буют цепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет нормированную квадратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ. Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувстви- тельны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защи- ты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны) МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с по левыми транзисторами с р-п-переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах. Среди мощных полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом необходимо отметить би- полярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) с вертикальным нормально закры- тым каналом, например, КП801, КП810. Они имеют выходные характеристики (рис. 3.7), подобные ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших то ках стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низ- кое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагрузкой; они имеют более высокий коэффициент усиления, низкое напряжение насыщения и устойчивость ко вто- рому пробою по сравнению с биполярными транзисторами. Схемы включения БСИТ аналогичны схемам включения биполярных транзисторов. ВАХ биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) не имеет области насыщения тока стока (без пологой части), т. е. RBbix очень маленькое, что повышает энергетические показатели линейных усилителей мощности. У него, если Из = 0, то сопротивление канала минимально (БСИТ — нормально открытый транзистор) и с ростом Иси ток 1с увеличивается, но его ограниче- ния не наступает. Выходные ВАХ при малых токах 1с приближенно описываются экспонентой. При больших токах 1с выходные ВАХ приближаются к линейной. RBbix у них меньше, чем у МОП-типа, что обеспечивает хорошее согласование с низкоомной нагрузкой и повышает КПД усилителя; дина- мический диапазон шире, что снижает нелинейные искажения, рабочая температура выше. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), например КП730, КЕ702, представляет собой р-п-р транзистор, управляемый низковольтным МОП-транзистором с индуциро- ванным каналом (рис. 3.8, 3.9) и объединяет в себе достоинства как биполярных (малое падение на- пряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и МОП-транзисторов (малая мощность управления, высокие скорости коммутации), потери у него растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. По быстродействию уступает МОП-транзисто- рам, но превосходит биполярные. Остаточное напряжение у них слабо зависит от температуры. На рис. 3.10 представлена ВАХ БТИЗ. Усилительные свойства БТИЗ характеризуются крутизной S, которая определяется усилитель- ными свойствами МОП- и биполярного транзисторов в структуре. Значение S для БТИЗ (зарубежное название IGBT) более высокое по сравнению с биполярными и МОП-транзисторами. БТИЗ применяются в высоковольтных силовых преобразователях, для управления маломощны- ми приводами для регулирования скорости вращения, в стиральных машинах, инверторных конди- ционерах, в качестве высоковольтных ключей для электронного зажигания автомобилей, импульсных блоках питания.
Раздел 3. Полевые транзисторы 241 Рис. 3.8. Эквивалентная схема БТИЗ-транзистора Рис. 3.9. Структура БТИЗ-транзистора Напряжение коллектор-эмиттер, В Рис. 3.10. Выходные вольт-амперные характеристики БТИЗ-транзистора Эксплуатационным недостатком БСИТ является эффект «защелки», который связан с наличием триггерной схемы, образованной биполярной частью структуры и паразитным п-р-п транзистором, ко- торый при определенных условиях работы, открывается, триггер опрокидывается, происходит защел- кивание и лавинообразный выход прибора из строя. Для ограничения тока короткого замыкания при аварийном режиме рекомендуется включение между затвором и эмиттером параллельно цепи затвор-эмиттер последовательно соединенных диода Шоттки и конденсатора, заряженного до напряжения +15...16 В. Допускается применение в качестве защитного элемента стабилитрона на напряжение 15...16 В. Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер не должно превышать +20 В, чтобы ис- ключить пробой изоляции затвора. Не рекомендуется работа БТИЗ-транзистора и при «подвешен- ном» затворе, так как в противном случае возможно ложное включение прибора. С целью снижения динамических потерь и увеличения частоты коммутации необходимо обес- печить малое время переключения прибора (100... 10000 нс). Необходимо также уменьшать отрица- тельную обратную связь, которая может возникнуть из-за индуктивности слишком длинного соединительного проводника к эмиттеру прибора. Монтажные работы с БТИЗ необходимо производить при наличии антистатического браслета, а непосредственно в схеме необходимо параллельно цепи затвор-эмиттер подключить резистор сопро- тивлением 10...20 кОм. Преимущества применения мощных полевых транзисторов в выходных каскадах усилителей зву- ковой частоты (усилителях мощности): • простота управления, так как для управления мощным полевым транзистором требуется ничтожный по мощности сигнал; • высокая линейность передаточных характеристик полевых транзисторов, что позволяет существенно снизить уровень нелинейных искажений; • крутизна мощных полевых транзисторов S = Д1с/ДУзи при Uc = const — основной параметр усилительного режима эксплуатации практически не зависит от мощности выходного сигнала.
242 Раздел 3. Полевые транзисторы Однако пороговое напряжение МОП-транзисторов зависит от температуры: Пзипор (Токр) = Пзипор (20 °C) — ТКИзипор • ДТ, где ТКПзипор — температурный коэффициент порогового напряжения, равный (-5...-10) мВ/'С (при сильном увеличении температуры МОП-транзистор превращается в прибор с встроенным кана- лом), что нежелательно для двухтактных усилителей. 3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов АП320 (А-2, Б-2) — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для примене- ния в малошумящих СВЧ усилителях (Кш 4,5...6 дБ на 8 ГГц, Ку>р > 3 дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. АП325А-2 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар- ные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш < 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС. АП328А-2 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар- ные с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш 4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р > 9 дБ) в составе ГИС. АП362А9 — арсенид-галлиевые полевые транзисторы с каналом n-типа в корпусе для поверх- ностного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразова- тельных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+70 °C. АП379А9 — арсенид-галлиевые полевые транзисторы с двумя затворами и каналом п-типав корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных теле- визионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах 100...2000 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+70 °C. АП602(А-2—Д-2) — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне час- тот 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. АП603 — арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шот- ки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, пре- образователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц. АП605 — бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в мало- шумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. АП606 — арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В. АП608 — арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в соста- ве ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц. АП967 — арсенид-галлиевые полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа с внут- ренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В. КП101(Г—Е) — малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси- лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КШ03(Е—М) — малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилите- лей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих тем- ператур окружающей среды -55...+85 °C.
Раздел 3. Полевые транзисторы 243 КП201(Е-1—Л-1) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планар- ные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окру- жающей среды -40...+85 °C. КП202(Д-1—Е-1) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-пла- нарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким вход- ным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КПЗО1(Б—Г) — малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе- ратур окружающей среды -45...+70 °C. КП302(А—Г, AM—ГМ) — высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополос- ных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапа- зон рабочих температур окружающей среды -60...+100 °C. КП303(А—И) — высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзи- сторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во вход- ных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ — в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружаю- щей среды -40...+85 °C. КП304А — диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду- цированным каналом p-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных кас- кадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КПЗО5(Д—И) — высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзи- сторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру- жающей среды -60...+125 °C. КП306(А— В) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру- жающей среды -60...+125 °C. КПЗ 07 (А—Ж) — малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси- лителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувстви- тельных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КП308(А—Д) — бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планар- ные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения: КП308(А—В) — во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока; КП308(Г—Д) — в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. КП310(А, Б) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро- ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устрой- ствах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+125 °C. КП312(А, Б) — малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60..+ЮО °C. КП313(А—В) — малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро- ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высо- ким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП314А — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предвари-
244 Раздел 3. Полевые транзистора тельных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающее среды -170...+85 °C. КП322А — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительнш каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среда -60...+85 °C. КП323(А-2, Б-2) — бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми вм- водами и приклеиваемой керамической крышкой эпитаксиально-планарные полевые транзисторы t затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих уси- лительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среда -60...+70 °C. КП327(А—Г) — кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затво- рами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селектора! телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательно сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочт температур окружающей среды -45...+85 °C. КП329(А, Б) — высокочастотные малошумящие полевые транзисторы на основе р-n перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах да 200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+100 °C. КП341(А, Б) — малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+125 °C. КП346(А9, Б9) — малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с дву- мя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каска- дах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. КП347А2 — малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затвора- ми, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах ра- диоприемников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП350(А—В) — диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными за- творами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобра- зовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП401(АС, БС) — сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран- зисторов (1-й и 3-й транзисторы с n-каналом; 2-й и 4-й транзисторы с p-каналом). Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП402А — полевой ДМОП-транзистор с каналом p-типа. Предназначен для работы в высоко- вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+70 °C. КП403А — полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко- вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+70 °C. КП601(А, Б) — сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапа- зон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. КП704(А, Б) — эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выход- ных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабо- чих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП705(А-В) — мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом n-типа. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источ- никах электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КП707(А-В) — мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным за- твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс- ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+100 °C.
Раздел 3. Полевые транзисторы 245 КП709(А, Б) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за- твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой- ствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+100 °C. КП712(А—В) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за- твором и каналом p-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой- ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+100 °C. КП734 и КП735 — полевые пМОП-транзисторы, предназначены для применения в устройст- вах автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам. КП759, КП760, КП761 — полевые транзисторы, предназначены для применения в устройст- вах, где уровень мощности рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод меж- ду истоком и стоком для подавления воздействий переходного процесса. КП759, КП760, КП761 — полевые транзисторы имеют нормированное значение энергии од- нократного и повторяющегося лавинного пробоя (соответственно 210 и 5 мДж, 280 и 7,4 мДж, 510 и 13 мДж), пиковое значение скорости восстановления защитного диода 3,5 В/нс, ток лавинного про- боя (2,5, 4,5 и 8 А соответственно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а также внутренние индуктивности стока и истока (4,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы из- готавливаются в корпусном и бескорпусном исполнениях. КП814 — полевые транзисторы, предназначены для работы в переключающих устройствах, ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения. КП523, КП731, КП(739—753), КП(775—781), КП(783—787) — полевые транзисторы, предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключательных схемах, источни- ках электропитания, схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дис- плеев. КП7130(А, А2, А9) — полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, предна- значены для применения в источниках электропитания, электросварочном оборудовании, в стираль- ных машинах и пылесосах, в схемах управления электродвигателями, имеют возможность параллельного включения и стойкость к статическому электричеству (1 кВ). КП7132(А, Б и А9, Б9), КП7150(А, А2, А9) — полевые ДМОП транзисторы со встроен- ным обратным диодом и КП7132(А1, Б1 и А91, Б91) со встроенным обратным диодом и стабили- тронами защиты предназначены для применения в источниках электропитания аппаратуры связи, управления, светотехнике, автомобильной электронике, системах внутреннего и автономного элек- троснабжения в промышлености и жилищно-коммунальном хозяйстве, в аппаратуре управления и защиты. КП7133(А, А9) — полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, применяют- ся, кроме указанных для КП7132 областей, в преобразователях напряжения DC—DC, в высокочас- тотных преобразователях. КП7138(А, А9, А91) — полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом приме- няются в источниках электропитания, бытовой технике, осветительных приборах, схемах управления электродвигателями. КП801(А—Г) — мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзисторы (СИТ) с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Имеют характеристики, подобные лампо- вому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей ап- паратуры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью, крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КП802(А, Б) — мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с ка- налом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. КП804А — эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и кана- лом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. КП805(А—В) — мощные МДП-полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур ок- ружающей среды -60...+85 °C.
246 Раздел 3. Полевые транзистора КП901(А, Б) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду- цированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах! диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среда -60...+125 °C. КП902(А—В) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и кана- лом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП903(А—В) — мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе p-n nt рехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частота до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+100 °C. КП904(А, Б) — мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду- цированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, преобразовательных и гене- раторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+125 °C. КП905(А, Б) — мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затворомн каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КП907(А, Б) — мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КП908(А, Б) — планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до 2,25 ГГц и быстродействующих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КП921А — мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затворомн индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю- щих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП923(А—Г) — мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17...50 Вт на частоте 1 ГГц. КП928(А, Б) — мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи- сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до 400 МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабо- чих температур окружающей среды -60...+125 °C. КП937(А, А-5) — мощные планарные полевые транзисторы с р-n переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобра- зователях напряжения, импульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среда -60...+125 °C. КП938(А—Д) — мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-п-переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях низ- кой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+125 °C. КП944(А, Б) — мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом p-типа. Пред- назначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких магнитны! дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 °C. КП945(А, Б) — мощные МДП-транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применен™ в импульсных и переключательных схемах. КП951(А2—В2) — бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиаль- но-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены дм применения в СВЧ усилителях и генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 °C. КПС104(А—Е) — сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзи- сторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во вход- ных каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур ок ружающей среды -45...+85 °C.
Раздел 3. Полевые транзисторы 247 КПС202(А2—Г2) — сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназна- чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите- лей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением (например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом (минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее 0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более 3 °C/мВт. При пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен превышать +125 °C. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+70 °C. КПС2ОЗ(А1—П) — сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя малошумящие планарно-диффузионные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и ка- налом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих дифференциальных и операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба — не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки — не ме- нее 1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов свыше +125 °C. Диапазон рабочих температур окру- жающей среды -45...+85 °C. КПС315(А, Б) — сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на ос- нове р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифферен- циальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Диапазон рабочих температур ок- ружающей среды -60...+100 °C. КПС316(Д1—И1) — сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на индивидуальной или групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 °C. КЕ7О5А—КЕ7О5Д, КЕ705А91—КЕ705Г91 предназначены для работы в системе электронно- го зажигания бензиновых двигателей внутреннего сгорания, а транзисторы серии КЕ707 — в источни- ках бесперебойного питания, в сварочной электронной аппаратуре, в импульсных высокочастотных преобразователях напряжения, в устройствах электропривода на транспорте, а также в различных устройствах бытового применения. КЕ716А, КЕ718А, КЕ718А1 могут быть использованы в различных переключательных устройст- вах, в импульсных источниках питания. КП707 и КП7130 рассчитаны на использование в импульсных источниках питания, в электро- сварочном оборудовании, в различных узлах электропривода, в стиральных машинах и пылесосах. КП7132 со встроенным обратновключенным защитным диодом и стабилитроном, КП7150 с за- щитным диодом — для источников питания аппаратуры связи, светотехнических устройств, автомо- бильной электроники, систем внутреннего и автономного электроснабжения в промышленности и жилищно-коммунальном хозяйстве, аппаратуры управления и защиты. КП7133 с защитным диодом — для автомобильной электроники, вцусокочастотных преобразо- вателей напряжения различного назначения, а КП7138 также с защитным диодом — для быстродей- ствующих источников питания, осветиительной аппаратуры, узлов управления электродвигателями. КП7154 разработаны для аппаратуры, работающей в экстремальных условиях (авиация, космос, нефтегазовый комплекс в условиях Арктики и др.), для широкополосных устройств и преобразовате- лей напряжения с частотой коммутации до 200 кГц. КП7155А со встроенным быстровосстанавливающимся обратновключенным диодом предназна- чен для быстродействующих источников питания, электросварочного электронного оборудования, стиральных машин, пылесосов и другой бытовой техники, для устройств электропривода.
248 Раздел 3. Полевые транзисторы 3.4. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи шах » мВт РсИ т шах » Вт U3H отс» и3И пор» В UcH max » U3C max » В U3H max » В ®с» ^с. и» мА 1С нач» 1сост , МА 1_ -ЛИ АП320А-2 АП320Б-2 С п-каналом 80 80 4; 8* 4; 8* 5 — 5 1лП324А-2 С п-каналом 80 — 4 3 — — АП324Б-2 80 — 4 3 — — 1АП324В-2 80 4 3 1аП324Б-5 С п-каналом 80 — 4 3 — — АП325А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 25 4 2 6* 4,5 АП326А-2 С п-каналом 30 2,5; -5,5* 4 — АП326Б-2 30 2,5; 5,5* 4
Полевые транзисторы 249 S, мА/В Суй» С|2и> С22И. пФ В СИ от,» О** К* дБ вт AU3H » мВ Кш» дБ 1ГШ, мкВ е:,нв/7гП Q ", Кл t».ис *L..нс С МГ1* дизи/дт***, мкВ/’С Корпус ЦЦ^ЕН® ВЙВЯ11|И1||1И 5...16 0,18; 0,15* 0,15*; 0,18** >3* (8 ГГц) >5* (8 ГГц) <4,5 (8 ГГц) <6 (8 ГГц) — — >6* (12 ГГц) £6* (12 ГГц) 2:6* (12 ГГц) 21,5 (12 ГГц) 22 (12 ГГц) 22,5 (12 ГГц) >6* (12 ГГц) 22 (12 ГГц) >5(1,5 В; 10 мА) >4,5* (8 ГГц) 22 (8 ГГц) >8 (2 В; 8 мА) £8 (2 В; 8 мА) — 2>3* (17,4 ГГц) >3* (17,4 ГГц) 24,5 (17,4 ГГц) 25,5 (17,4 ГГц) АП324-2 с / Ъя К 1 —!! -1 1 V и И 1 5 # г СЧ ( ю о’ ’ АП324-5 0Д7 0,15 АП325-2 02,15 о —.f 1 L-":: I т с / И к- 1 К I I 1 и И / 3 9J5 . АП326-2
250 Раздел 3. Полевые транзистора Тип прибора Структура Реи max > мВт Р* СИ т max > Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор » В UcH max» U3C max > В U3H max » В Jc» 1с,И» мА нач’ 1сост» МА АП328А-2 С барьером Шотки, с двумя затворами с п-каналом 50 4 6 4; 6 АПЗЗОА-2 С барьером Шотки, 30 — 3; -6* — — — АПЗЗОБ-2 с п-каналом 30 — 3; -6* — — — АПЗЗОВ-2 30 — 3; -6* — — — АП330В1-2 100 — 5; -7* — — — АП330В2-2 100 — 5; -7* — — — АПЗЗОВЗ-2 100 5; -7* АП331А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 250 2,5...5 5; -8* АП331А-5 с п-каналом 250 (70°С) 2,5...5 5; 8* 4 >100 (3 В) АП339А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 250 5,5; -7* АП343А-2 С барьером Шотки, 35 2...4 3,5; -6* 3 — >20 (2 В) АП343А1-2 с п-каналом 35 2...4 3,5; -6* 3 — >20 (2 В) АП343А2-2 35 2...4 3,5; -6* 3 — >20 (2 В) АП343АЗ-2 35 2...4 3,5; -6* 3 >20 (2 В)
Полевые транзисторы 251 S, мА/B С||и> С12и, С” , пФ ®СИотк> К* дБ ₽2х. Вт ди"*, мВ Кш, дБ <4, мкВ е:, нв/Tni Q’”, Кл *вкя» НС 1*ыкл, НС С» МГц дизи/дт*", мкВ/’С Корпус >7 (4 В; 8 мА) >4 (4 В; 8 мА) >9* (8 ГГц) <4,5 (8 ГГц) 1 А JI328 V2J5 i-2 >2 G «о ОТ <5Г 1 С Z «""« 1 f г L32 V I J1"-!1!- м и И /$7 9,5 >5 (5 кГц) >5 (5 кГц) >5 (5 кГц) >20 (5 кГц) >20 (5 кГц) >20 (5 кГц) — >3* (17,4 ГГц) >3* (25 ГГц) >6* (25 ГГц) >8* (17,4 ГГц) >8* (17,4 ГГц) >8* (17,4 ГГц) <6 (25 ГГц) <4,5 (25 ГГц) <3,5 (25 ГГц) <2 (17,4 ГГц) <1,5 (17,4 ГГц) <1 (17,4 ГГц) — А ЛЗЗО-2 43 ^*1 -4 С 3 А- / 4. >15 (5 кГц) >8* (10 ГГц) >0,03** (10 ГГц) <2,5 (10 ГГц) JI331-2 4,55 _ ^1 7:4 С 3 /11 1 у \ 4. >15 (4 В; 40 мА) >5,5* (10 ГГц) >0,03** (10 ГГц) <2,5 (10 ГГц) АП331-5 J),5 0,17 ю о~ >10 (5 кГц) >5* (17,4 ГГц) >0,015** (17,4 ГГц) <4 (17,4 ГГц) А Л339-2 7:4 с 3 1 У'\"" 4 и7 >10 (5 кГц) >20 (5 кГц) >20 (5 кГц) >20 (5 кГц) — >8,5* (12 ГГц) >8,5* (12 ГГц) >8,5* (12 ГГц) >8,5* (12 ГГц) <2 (12 ГГц) 21,5 (12 ГГц) 21,1 (12 ГГц) <0,9 (12 ГГц) — А Л343 02,75 ^2 V а 11 Г** о? г 9J5
252 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max » мВт р* СИ т max ♦ Вт Изи отс > Пзи пор» В Пси max » Uor , ЗС max » В Пзи max» В ®с» 1с, и» мА *С нач ' мА АП344А-2 С барьером Шотки, 100 — 4,5; -7* 4 — — АП344А1-2 с п-каналом 100 — 5; -7* 4 — — АП344А2-2 100 — 5; -7* 4 — — АП344АЗ-2 100 — 5; -7* 4 — — АП344А4-2 100 5; -7* 4 АП354А-5 С п-каналом 100 — 3,5; -5* -2,5 <50 — АП354Б-5 С п-каналом 100 — 3,5; -5* -2,5 7...40 — АП354В-5 С п-каналом 100 3,5; -5* -2,5 7...40 АП355А-5 С п-каналом 70 — 3,5; -5* -2,5 20 — АП355Б-5 С п-каналом 70 — 3,5; -5* -2,5 5...20 — АП355В-5 С п-каналом 70 3,5; -5* -2,5 5...20 АП356А-5 С п-каналом 40 — 3,5 -2,5 <20 — АП356Б-5 С тьканалом 40 — 3,5 -2,5 3...15 — АП356В-5 С п-каналом 40 3,5 -2,5 3...15 АП357А-5 С п-каналом 30 — 3,5 -2 2...8 — АП357Б-5 С п-каналом 30 — 3,5 -2 2...8 — АП357В-5 С п-каналом 30 3,5 -2 2...8 АП358А-5 С п-каналом 30 — 3,5; -4,5* -2 2...8 — АП358Б-5 С п-каналом 30 — 3,5 -2 2...8 — АП358В-5 С п-каналом 30 3,5 -2 2...8 АП362А-9 С двумя затворами, 90 — 4,5; -7* -4 — — АП362Б-9 п-каналом 90 4,5; -4,5* 4
Полевые транзисторы 253 S, мА/В Сци» ^12и» С22и» пФ ^СИотк» ОМ К* дБ Р** , Вт ж вых» AU3H , мВ Кш» дБ и’ш, мкВ Е'ш\ нВ/^'Гц Q ", Кл *«.» нс С..нс с МГц дизи/дт”*, мкВ/°С Корпус >15 (5 кГц) £40 (5 кГц) >40 (5 кГц) >40 (5 кГц) >40 (5 кГц) — £10 (4 ГГц) >10 (4 ГГц) >10 (4 ГГц) >10 (4 ГГц) £15 (1 ГГц) <1 (4 ГГц) <0,7 (4 ГГц) <0,5 (4 ГГц) <0,3 (4 ГГц) <0,3 (1 ГГц) — А 1П342 02,75- 1-2 f о 1 ОТ 1 V ЧэТ <5Г1 С / гя ——. ,..,,1 -t я 1 1^3 >50 (2,5 В) >50 (2,5 В) >50 (2,5 В) — >13* >13* >13* <1 (3,6 ГГц) <0,8 (3,6 ГГц) <0,6 (3,6 ГГц) — АП354-5 0,52 _ 0,15 О >30 >30 >30 — >10* >10* >10* <1,55 (8 ГГц) <1,3 (8 ГГц) <1 (8 ГГц) — АШ 0,52 555-5 0,15 О >20 >20 >20 — >7,5* >7,5* >7,5* <2,04 (12 ГГц) <1,70 (12 ГГц) £1,46 (12 ГГц) АП2 0,77 551 5-5 0,34 а с 5 ‘ > 1 >15 >15 >15 >6,5* >6,5* >7* £2,5 (18 ГГц) £1,95 (18 ГГц) £1,76 (18 ГГц) ап; 0,47 J5 7-5 _ 0,15 сх 1С с 1 J Г ( >7 (3 В) >7(3 В) >7 (3 В) >5* >5* £5,5* £5,5 (37 ГГц) £4,3 (37 ГГц) £3,4 (37 ГГц) АП358-5 0,52 0,15 >15 (3 В; 20 мА) >20 (3 В; 20 мА) >9* (1 ГГц) >9* (1 ГГц) <1 (1 ГГц) <1 (1 ГГц) АП362-9
254 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура р * СИ max » мВт Р* ГСИ т max » Вт U3H отс» и3И пор» В UCH max» U3C max» В U3H max» в Jc» 1с.и» мА ^Снач’ 1с.с. “А АП379А-9 С двумя затворами 240 — 10; 6* — — — АП379Б-9 с п-каналом 240 8; -8* АП381А-5 С п-каналом 80 3; -6* -3 60 АП602А-2 С п-каналом 900 — 7 3,5 — >220 (3 В) АП602Б-2 900 — 7 3,5 — >180 (3 В) АП602В-2 900 — 7 3,5 — >110 (3 В) АП602Г-2 1800 — 7,5 3,5 — >440 (3 В) АП602О-2 1800 — 7,5 3,5 — >360 (3 В) АП603А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 2,5* — — 3,5 — 400; 5* АП603Б-2 2,5* 3,5 400; 5* АП603А-1-2 С барьером Шотки, с п-каналом 2,5* — — 3,5 — 400; 5* АП603Б-1-2 2,5* 3,5 400; 5* АП603А-5 С п-каналом 2,5* — — 3,5 — 400; 5* АП603Б-5 С п-каналом 2,5* 3,5 450; 5* АП604А-2 С п-каналом 900 — 7 -3 — — АП604Б-2 С п-каналом 900 — 7 -3 — — АП604В-2 С п-каналом 500 — 7 -3 — — АП604Г-2 С п-каналом 500 — 7 -3 — —
Полевые транзисторы 255 S, мА/B . SO и в s* (N О и ^СИотк» КуР1 дБ Р , Вт вых» ди;;*, мв Кш, дБ и*ш, мкВ е:, нв/^ Q™, Кл *вкл» НС ^выкл» НС С» МГц дизи/дт*“, мкВ/°С Корпус >20 (5 В; 10 мА) >20 (5 В; 10 мА) — >16* (0,8 ГГц) >16* (0,8 ГГц) S14* (1750 МГц) 21,4 (1 ГГц) 21,4 (1 ГГц) 22,1 (1750 МГц) — АПЗ 1 . J у Г^" Т 3l 79-9 ! <?2 L *< 4 J. у С f 1 15...35 (2,5 В) — S9* 20,8 (6,5 ГГц) — АПЗ 0,45 (81 -5 0,08 1 < $ н D и 20...100 (2 В) 20...80 (2 В) 20...70 (2 В) 40...200 (2 В) 40...160 (2 В) — >0,18** (12 ГГц) >2,6* (12 ГГц) >0,1** (12 ГГц) S3* (12 ГГц) S0,2** (8 ГГц) S3* (8 ГГц) S0,4** (10 ГГц) S2,6* (10 ГГц) S0,5** (8 ГГц) S3* (8 ГГц) — — АП60 Д 12 11,U 1 1--- *4 з 2 < Е * '£*с ) >50 (3 В; 0,4 А) >80 (3 В; 0,4 А) — 24 S3* (12 ГГц) S0,5** (12 ГГц) <4; S3*; S1** — 0,24 0,24 АП603-2 Маркировка о г1 й- ч£ Исток J 9 Сток 43 г 11 ,2,5, >50 (3 В; 0,4 А) >80 (3 В; 0,4 А) — 24 S3* (12 ГГц) S0,5** (12 ГГц) 24 S3* (12 ГГц); S1** — 0,24 0,24 АП603-1-2 Маркировка с» Сток Затвор Исток 74 *2,5* >50 (3 В; 0,4 А) >80 (3 В; 0,4 А) — — 0,24 0,24 АП€ 0,77 (о: 1-5 0,34 0,67 20...40 (3 В; 0,1 А) I5...4O (3 В; 0,1 А) 10...20 (3 В; 50 мА) 10...20 (3 В; 50 мА) — S3* (17,4 ГГц) S0.2** (17,4 ГГц) S3 (17,4 ГГц) S0.125** (17,4 ГГц) S3* (17,4 ГГц) S0,075** (17,4 ГГц) S3* (17,4 ГГц) S0,005** (17,4 ГГц) — — АП604-2 Маркировк ^а °< У ь Сток к 43 г i ^2,5^ чу Исток J
256 Раздел 3. Полевые транзистора Тип прибора Структура ₽СИ шах» мВт Реи т шах» Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор » В UCH max » ^ЗС max» В иЗИ max» В 1с. *с и» мА 1С нач» 1с ост » АП604А1-2 С п-каналом 900 — 8 -3 — — АП604Б1-2 С п-каналом 900 — 8 -3 — — АП604В1-2 С п-каналом 500 — 8 -3 — — АП604Г1-2 С п-каналом 500 8 -3 АП605А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 450 <5,5 6; -4* >150 (3 В) АП605А1-2 С п-каналом 450 — 6; -8* — — — АП605А2-2 450 6; -8* АП606А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 2* — 8 -3,5 — 160; 5* АП606Б-2 2* — 8 -3,5 — 160; 5* АП606В-2 2* 8 -3,5 160; 5* АП606А-5 С барьером Шотки, с п-каналом 2* — 8 -3,5 — 160; 5* АП606Б-5 2* — 8 -3,5 — 160; 5* АП606В-5 2* — 8 -3,5 — 160; 5* АП607А-2 С п-каналом 3,5* 8 5 <1600; <5*
Полевые транзисторы 257 S, мА/B •у В *• S* ^СИотк» ОМ К* дБ Р , Вт вых» Дизи , мВ Кш» дБ <4. мкВ е:, нв/^ Q", Кл *вкл» НС НС С МГ« дизи/дт”', мкВ/’С Корпус 20...40 (3 В; 0,1 А) 15...4O (3 В; 0,1 А) 10...20 (3 В; 50 мА) 10...20 (3 В; 50 мА) — 20,2** (17,4 ГГц) 20,125** (17,4 ГГц) 20,075** (17,4 ГГц) 20,05** (17,4 ГГц) — — «о 2 АП604-1-2 3 7 re C И 2,1 * Я5 230 (4 В; 30 мА) <3,5 (8 ГГц) 28* (8 ГГц) >0,1** (8 ГГц) <3,5 (8 ГГц) A П605-2 «J si S-i c 3 * /§v ,\ .4, —/“ 4 и' H- I ' — — 26* (8 ГГц) 20,1** (8 ГГц) 27* (8 ГГц) 20,15** (8 ГГц) <2 (8 ГГц) £1,5 (8 ГГц) АП6О5 i (Al-2, A2- 4J 2) «4 7:4 c 3 1 /c§Y & ,4Э / 4 И' H 270 (3 В; 0,25 А) 290 (3 В; 0,25 А) 2100 (3 В; 0,25 А) 3 (5 В) 3 (5 В) 3 (5 В) 24* (12 ГГц) 20,4** (12 ГГц) 26* (12 ГГц) 20,4** (12 ГГц) 25* (12 ГГц) 20.75** (12 ГГц) — tH=100 tH=100 tH=100 АП606-2 Моркировк a .ZLT & - Л QI O-— Jal Исток J ьток 5 p 270 (3 В; 0,25 А) 290 (3 В; 0,25 А) >100 (3 В; 0,25 А) 3 (5 В) 3 (5 В) 3 (5 В) 24* 20,4** (12 ГГц) 26* 20,4** (12 ГГц) 25* (12 ГГц) 20,75** (12 ГГц) — tH=100 tH=100 tH=100 Гт АП606-5 Исток _ is San fail z *0,75* Затвор >80 (3 В) 21** (10 ГГц); 24,5* АП607-2 8j co t- | ' ''H 3* 3 3 I-- V— . 4.2 _ 11.5 1
258 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max > мВт РсИ т max > Вт ^зиотс» и3И пор > В UcH max » U3C max» В U3M max > В Ic. ^с. и» мА 1с нач* 1с«г, мА АП608А-2 С барьером Шотки, с п-каналом 0,6* — — -3 — — АП608Б-2 1,1* — — -3 — — АП608В-2 1* — — -3 — — АП608А-5 С барьером Шотки, с п-каналом 30 — — -3 — — АП608О-5 30 — — -3 — — АП608П-5 10 — — -3 — — АП915А-2 С барьером Шотки, 12* — 7 -5 — — АП915Б-2 с п-каналом 12* 7 -5 АП925А-2 С п-каналом 7* — 9 5 — ЗА АП925Б-2 16* — 9 5 — >3,6 А (3 В) АП925В-2 7* 9 5 ЗА АП930А-2 С барьером Шотки, 21* — 8 -5 — <4,5; <15* АП930Б-2 с п-каналом 21* — 8 -5 — <4,5; <15* АП930В-2 21* 8 -5 <4,5; <15* АП967А-2 С барьером Шотки, с п-каналом, 14* — 8 -5 — — АП967Б-2 с внутренними цепями согласования 14* — 8 -5 — — АП967В-2 7* — 8 -5 — — АП967Г-2 7* — 8 -5 — — АП967О-2 7* — 8 -5 — — АП967П-2 14* — 8 -5 — — АП967Т-2 14* — 8 -5 — —
Полевые транзисторы 259 S, мА/В Сци> С12и> С22и» пФ ^СИотк» к* дБ Вт AU^*, мВ Кш, дБ 1ГШ, мкВ Еш', нВ/ТГц Q ", Кл НС нс с. МГц Дизи/ДТ***, мкВ/*С Корпус £15 (3 В; 50 мА) >20 (3 В; 100 мА) >20 (3 В; 100 мА) — £3,5* (26 ГГц) £0,1** (26 ГГц) >4* (26 ГГц) >0,15** (26 ГГц) £4* (26 ГГц) £0,15** (26 ГГц) — — Зотвоо 7,5 А Л6 i -1 □О а —> 2 JL * J>iouj3 2 с’7> Исток >15 (3 В; 50 мА) >15 (3 В; 50 мА) >15 (3 В; 50 мА) — £4* (37 Гц) £0,03** (37 ГГц) £3,5* (37 ГГц) £0,15** (37 ГГц) £4* (37 ГГц) £0,01* (37 ГГц) — — 0,47 АП6 0,52 08-5 _ 0,15 >350 (1,5 В; 0,5 А) — £5** (8 ГГц); £3* — >300 (1,5 В; 0,5 А) £3** (8 ГГц); £3* >500 (3 В; 1,8 А) — £2** (3,7...4,2 ГГц) — >500 (3 В; 1,8 А) — £7* (3,7...4,2 ГГц) £5** (3,7...4,2 ГГц) — >500 (3 В; 1,8 А) £4,5** (4,3...4,8 ГГц) >1000 (3 В; 4 А) — £5** (5,7...6,3 ГГц) — >1000 (3 В; 4 А) — £7,5** (5,7...6,3 ГГц) — £1000 (3 В; 4 А) — £10** (5.7...6.3 ГГц) — АП915-2 АП925-2 АП930-2 >7* >4** (5,9...6,4 ГГц) >7* £5** (3,7...4,2 ГГц) >6* £2** (3,7...4,2 ГГц) £6* £2** (4,3...4,8 ГГц) >6* £2** (3,4...3,9 ГГц) >7* £4** (5,6...6,2 ГГц) >7* £5** (3,4...3,9 ГГц)
260 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора КЕ702А КЕ702Б КЕ702В Структура БТИЗ Р *СИ max » мВт Р* ^СИ т max » Вт 75 Вт 75 Вт 75 Вт ^ЗИ отс» изИ пор» В Ukb=600 Ukb=1000 Ukb=900 Uch max» и* ’-'ЗСтах» В иЗИ max » В ^с» 1с.и» мА 1к=50 А 1к=33 А 1к=25 А ®С нач » 1*ост, мА КЕ707А БТИЗ — Ukb=600 — — 1к=34 А — КЕ707Б Ukb=600 1к=23 А КЕ707А2 БТИЗ — Ukb=600 — — 1к=34 А — КЕ707Б2 Ukb=600 1к=23 А КП101Г С р-п-переходом 50 5 10 10 2 0,15...2 КП101Д и р-каналом 50 6 10 10 5 0,3...4 КП101Е 50 6 10 10 5 0,5...5 КШОЗЕ С р-п-переходом 7 0,4...1,5 10 — — 0,3...2,5 кшозж и р-каналом 12 0,5...2,2 10 — — 0,35...3,8 кшози 21 0,8...3 12 — — 0,8... 1,8 КП103К 38 1,4...4 10 — — 1...5.5 кшозл 66 2...6 12 — — 1,8...6,6 кшозм 120 2,8...7 10 — — 3...12 КП103ЕР1 С р-п-переходом 7 0,4...1,5 10 — — 0,3...2,5 КП103ЖР1 и р-каналом 12 0,5...2,2 10 — — 0,35...3,8 КП103ИР1 21 0,8...3 12 — — 0,8...1,8 КП103КР1 38 1,4...4 10 — — 1...5.5 КШ03ЛР1 66 2...6 12 — — 1,8...6,6 КП103МР1 120 2,8...7 10 3...12 КШ03Е9 С р-п-переходом 7 0,4...1,5 15 30 — 0,3...2,5 КП103Ж9 и п-каналом 12 0,5...2,2 15 30 — 0,35...3,8 КП103И9 21 0.6...3 15 30 — 0,8...1,8 КП103К9 38 1...4 15 30 — 1...5,5 КП103Л9 66 2...6 17 30 — 1,8...6,6 КП103М9 120 2,6...7 17 30 —— 3...12
Полевые транзисторы 261
262 Раздел 3. Полевые транзистора Тип прибора Структура р * СИ max » мВт Р* СИ т max » Вт ^ЗИотс» иЗИ пор » В иСИ max > u‘r , ЗС max ’ В и3И max > В 1с. 1с.и. мА 1с нам* Ice, мА КП150 пМОП 150* 2*...4* 100 ±20 38 (140*) А <25* мкА (100 В) КП201Е-1 С р-п-переходом 60 <1,5 10; 15* -0,5 — 0,3...0,65 КП201Ж-1 и р-каналом 60 <2,2 10; 15* -0,5 — 0,55...1,2 КП201И-1 60 <3 10; 15* -0,5 — 1...2Д КП201К-1 60 <4 10; 15* -0,5 — 1.7...3 1КП201Л-1 60 <6 10; 15* -0,5 3...6 КП202Д-1 С р-п-переходом 60 0,4...2 15; 20* 0,5 — iS1.5 КП202Е-1 и р-каналом 60 1...3 15; 20* 0,5 1.1...3 КП214А-9 С п-каналом 200 1...2.5* 60 ±40 115 0,1* КП240 пМОП 125* 2...4* 200 ±20 18 (72*) А <25* мкА (200 В) КП250 пМОП 150* 2...4* 200 ±20 30 (120*)А <25* мкА (200 В) КП301Б С изолированным затвором, с индуцированным 200 2,7...5,4* 20 30 15 <0,5 мкА (15 В) КП301В р-каналом 200 2,7...5,4* 20 30 15 <0,5 мкА (15 В) КП301Г 200 2,7...5,4* 20 30 15 <0,5 мкА (15 В) КПЗ 02А С р-п-переходом 300 1...5 20 10 24 <24; 6* КП302Б и п-каналом 300 2,5...7 20 10 43 <43; 6* КП302В 300 3...10 20 12 — <33; 6* КП302Г 300 2...7 20 10 <65; 6*
Полевые транзисторы 263 S, мА/B С" , пФ ^СИотк» К р, дБ Р , Вт * вых» дизи*, мВ Кш, дБ U^t мкВ е:, Q", Кл НС Со» НС С» МГц дизи/дт***, мкВ/еС Корпус >13 103 (25 В; 25 А) <2800; 1100** <0,055 tcn=81 С\ к 2 гД - J S4 Ik7 Д 0 ( о r V( A у » ' 1J 2Ю.4 (10 В) >0,7 (10 В) >0,8 (10 В) >1,4 (10 В) >1,8 (10 В) <20; <8* <20; <8* <20; <8* <20; <8* <20; <8* 1 1 1 1 1 <3 (1 кГц) <3 (1 кГц) <3 (1 кГц) <3 (1 кГц) <3 (1 кГц) — т1 КП201-1 L—1—J c 5 > C • 3 И >0,65 >1 <6; <2* <6; <2* — — — 00,04 КП202 uk 2 1-1 • 80 7,5 КП214-9 3 o,$ >6,9-103 (25 В; 11 А) <1300; 130** <0,18 — tcn=36 кл 2 Г 1240, К 7t1 - Js П25С X f о A о \ S12-103 (25 В; 18 А) <2800; 780** <0,085 — tcn=62 £ «у Ц--. 1...2.6 (15 В; 5 мА) 2...3 (15 В; 5 мА) 0,5... 1,6 (15 В; 5 мА) <3,5; <1*; <3,5** <3,5; <1*; <3,5** <3,5; <1*; <3,5* — <9,5 (100 МГц) <9,5 (100 МГц) <9,5 (100 МГц) 100** 100** 100** 0 КП301 5J C ‘ и L_o io И 5...12 (7 В) 7...14 (7 В) 7...14 (7 В) <20; <8* <20; <8* <20; <8* <20; <8* <150 <100 <150 <3 (1 кГц) <4; <5* <4; <5* <4; <5* <4; <5* <о Nb СМ 09. КП30 2 si 2 И Il < И-е- < -e-W r 1,1 Ol ij § il
264 Раздел 3. Полевые транзистор Тип прибора Структура Реи max» мВт Р* *СИттах* Вт U3M отс» иЗИ пор» В UcH max » ^зстах» В иЗИ max* В 1с. 1с.и. мА * нач* ^Сост» КП302АМ С р-п-переходом 300 1...5 20 10 24 <24; 6* КП302БМ и п-каналом 300 2,5...7 20 10 43 <43; 6* КП302ВМ 300 3...10 20 12 — <33; 6* КП302ГМ 300 2...7 20 10 <65; 6* КПЗОЗА С р-п-переходом 200 0,5...3 25; 30* 30 20 <2,5; 5* КПЗОЗБ и п-каналом 200 0,5...3 25; 30* 30 20 <2,5; 5* КПЗОЗВ 200 1...4 25; 30* 30 20 <5; 5* КПЗОЗГ 200 <8 25; 30* 30 20 <12; 5* кпзозд 200 <8 25; 30* 30 20 <9; 5* КПЗОЗЕ 200 <8 25; 30* 30 20 <20; 5* кпзозж 200 о,з...з 25; 30* 30 20 <3; 5* кпзози 200 0,5...2 25; 30* 30 20 <5; 5* КП303А9 С р-п-переходом 200 0,5...3 30* 30 — 20 1 КП303Б9 и п-каналом 200 0,5...3 30* 30 — 20 КП303В9 200 1...4 30* 30 — 20 : КП303Г9 200 <8 30* 30 — 20 КП303Д9 200 <8 30* 30 — 20 : КП303Е9 200 <8 30* 30 — 20 i КП303Ж9 200 о,з...з 30* 30 — 20 КП303И9 200 0,5...2 30* 30 20 КП304А С изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа 200 >5* 25; 30* 30 30 (60*) <0,2 мкА КП305Д С изолированным затвором и п-каналом 150 >6 15; ±15* ±15 15 — КП305Е 150 >6 15; ±15* ±15 15 — КП305Ж 150 >6 15; ±15* ±15 15 — КП305И 150 >6 15; ±15* ±15 15 — КП306А С двумя изолированными затворами и 150 <4 20 20 20 <0,005 КП306Б п-каналом 150 <4 20 20 20 <0,005 КП306В 150 <6 20 20 20 <0,005
Полевые транзисторы 265 ( S, мА/B Сии, С12и» ^22и» ПФ ^СИотк» ОМ К* , дБ рв;х> вт Дизи , мВ Кш, дБ <4, мкВ Е~ нВД/гП Q*", Кл *вкл» НС нс V. мг« дизи/дт“*, мкВ/*С Корпус 5...12 (7 В) 7...14 (7 В) 7...14 (7 В) <20; <8* <20; <8* <20; <8* <20; <8* <150 <100 <150 <3 (1 кГц) <4; <5* <4; <5* <4; <5* <4; <5* КП 05,04 302М с И 1 Уз II 111 11 ii /ММ1 । : 1 1...4 (10 В) 1...4 (10 В) 2...5 (10 В) 3...7 (10 В) >2,6 (10 В) >4 (10 В) 1...4 (10 В) 2...6 (10 В) <6; <2* <6; <2* <6; <2* <6; <2* <6; <2* <6; <2* <6; <2* <6; <2* 1 1 1 1 1 1 1 1 <30** (20 Гц) <20** (1 кГц) <20** (1 кГц) 5(61017)*** <4 (100 МГц) <4 (100 МГц) <100** (1 кГц) <100** (1 кГц) 1 1 1 1 1 1 1 1 К1 1303 1 Г Й* iro ni 1 1 Кр рп. 1...4 (10 В) 1...4 (10 В) 2...5 (10 В) 3...7 (10 В) >2,6 (10 В) >4 (10 В) 1...4 (10 В) 2...6 (10 В) <2* <2* <2* <2* <2* <2* <2* <2* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 <500; <100* <500; <130* <500; <130* КПЗОЗ-9 3 А9'. 5 3 t si я. 1 Цг -Ш’ГЖ с и J >4 (10 В; 10 мА) <9; <2*; <6** <100 5.2...10.5 (10 В; 5 мА) <5; <0,8* 2:13* (250 МГц) <7,5 (250 МГц) — 4...8 (10 В; 5 мА) <5; <0,8* — — — 5,2...10,5 (10 В; 5 мА) <5; <0,8* >13* (250 МГц) <7,5 (250 МГц) — 4...10,5 (10 В; 5 мА) <5; <0,8* — — 4...8 (и32И=Ю В) <5; <0,07* — 56 (200 МГц, U32H=10 В) 800** 4...8 (и32И=Ю В) <5; <0,07* — <6 (200 МГц) 800** 4...8 (и32И=Ю В) <5; <0,07* — <6 (200 МГц) 800** КП304 05,8 КП 305 КП306 05,04 $1
266 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* СИ т max » Вт ^ЗИ отс» и3И пор » В UcH max» U3C max » В U3H max » В 1С» ^с.и» мА нач* Icoct.mA КП307А С р-п-переходом 250 0,5...3 25; 27* 27 25 <9 КП307Б и п-каналом 250 1...5 25; 27* 27 25 <15 КП307В 250 1...5 25; 27* 27 25 <15 КП307Г 250 1,5...6 25; 27* 27 25 24 КП307Д 250 1,5...6 25; 27* 27 25 8...24 КП307Е 250 <2,5 25; 27* 27 25 <5 КП307Ж 250 <7 25; 27* 27 25 <25 КП307А1 С р-п-переходом 250 0,5...3 27* 27 25 — КП307Б1 и п-каналом 250 1...5 27* 27 25 — КП307Г1 250 1,5...6 27* 27 25 — КП307Е1 250 <2,5 27* 27 25 — КП307Ж1 250 <7 27* 27 25 КП308А-1 С р-п-переходом 60 0,2...1,2 25; 30* 30 20 <1 КП308Б-1 и п-каналом 60 0,3...1,8 25; 30* 30 20 <1,6 КП308В-1 60 0,4...2,4 25; 30* 30 20 <3 КП308Г-1 60 1...6 25; 30* 30 20 — КП308Д-1 60 1...3 25; 30* 30 20 — |КП31ОА С изолированным затвором 80 — 8; 10* 10 20 <5; <0,1* КП310Б и каналом п-типа 80 8; 10* 10 20 <5; <0,1* КП312А С р-п-переходом 100 2...8 20; 25* 25 25 <25 КП312Б и п-каналом 100 0,8...6 20; 25* 25 25 <7 КПЗ 13 А С изолированным затвором и п-каналом 75 >6 15; 15* 10 15 — КП313Б 75 >6 15; 15* 10 15 — КП313В 75 >6 15; 15* 10 15 — КП314А С р-п-переходом и п-каналом 200 25 30 20 2,5...20 КП322А С двумя затворами, с р-п-переходом и п-каналом 200 2,2...12 20 20 <42
Полевые транзисторы 267 S, мА/B Сци> С|2и» ^22и» ^СИотк» ОМ К* дБ Р , Вт вых» ди;;*, мв Кш, дБ и*ш, мкВ е:, нв/7гп Q™, Кл *вкл» НС ^ВЫКЛ» НС С, МГц дизи/дт“*, мкВ/’С Корпус 4...Э (10 В) 5...10 (10 В) 5...10 (10 В) 6...12 (10 В) 6...12 (10 В) 3...8 (10 В) 4...14 (10 В) <5; <1,5* <5; <1,5* <5; <1,5* <5; <1,5* <5; <1,5* <5; <1,5* <5; <1,5* — <20** (1 кГц) <2,5** (100 кГц) <2,5** (100 кГц) <6 (400 МГц) <6 (400 МГц) <20** (1 кГц) <(4-1017)*** — к 05,0 П307 4 i 1 о i и -3 Ё 14 inn ши 11 " Подл. 4...Э (10 В) 5...10 (10 В) 6...12 (10 В) 3...8 (10 В) 4...14 (10 В) — — — — 13,5 5,2 КГ 45.2 1307-1 ЗСИ, Т-Н-1 i шш (ф) i 1...4 (10 В) 1...4 (10 В) 2...6,5 (10 В) <6; <2** <6: <2** <6; <2** <6: <2** <6; <2** <250 <250 <20** (1 кГц) <20** (1 кГц) <20** (1 кГц) <20; <20* <20; <20* КП308-1 /г—п > - 3 1 •U, 47 . Я 1 3...6 (5 В; 5 мА) 3...6 (5 В; 5 мА) <2,5; <0,5* <2,5; <0,5* >5* (1 ГГц) >5* (1 ГГц) <6 (1 ГГц) <7 (1 ГГц) — К 05,6 П310 Г4 1 1 1 1 1 к» пп 1111 UI И /7/7/Й. 4-5,8 (15 В) 2...5 (15 В) <4; £1* <4; <1* >2* (400 МГц) >2* (400 МГц) <4 (400 МГц) <6 (400 МГц) — КП312 10 Эч гу - V1 J J 3 4,5—10,5 (10 В; 5 мА) 4,5...105 (10 В; 5 мА) 4,5... 10,5 (10 В; 5 мА) <7; <0,9* <7; <0,9* <7; <0,9* >10* (250 МГц) >10* (250 МГц) >10* (250 МГц) <7,5 (250 МГц) <7,5 (250 МГц) <7,5 (250 МГц) 300** 300** 300** к с7,2 П313 3 _ f -4, г 1 3 И с >4 (10 В) <6: <2* < (1.3510’17)*** >100** К 04,7; П314 5 ' -1—- И ! ОШ и и 3,2...6,3 (10 В) <6; <0,2* <6 (250 МГц) К М4 П322 51 К^Х^Подл. 1 .. 1 н щш if if io И
268 Раздел 3. Полевые транзистора Тип прибора Структура р *СИ max» мВт Р* СИ т max » Вт U3H отс» и3И пор» В Uch max » U3C max » В U3H max » В >с» 1с.И» мА 1с нач» I* , мА КП323А-2 С р-п-переходом 100 0,74...6 20 25 12 3...12 КП323Б-2 и п-каналом 100 0,74...6 20 25 12 3...12 КП327А С двумя изолированными 200 <2,7 18 6 30 <10 КП327Б затворами и защитными 200 <2,7 18 6 30 <10 КП327В диодами, с п-каналом 200 — 14; 16* 5 30 <17 КП327Г 200 14; 16* 5 30 <17 КП329А С р-п-переходом 250 >1,5 50 45 — >1 КП329Б и п-каналом 250 >1,5 40 35 >1 КПЗЗЗА С р-п-переходом 250 1...8 50; 50* 45 — <1 мкА КПЗЗЗБ и п-каналом 250 0,6...4 40; 40* 35 <1 мкА КП340 пМОП 125* 2...4* 400 ±20 10 (38*)А <25* мкА (400 В) КП341А С р-п-переходом и каналом п-типа 150 (60’С) <3 15; 15* 10 — <20 КП341Б 150 (60’С) <3 15; 15* 10 <30 КП346А-9 С двумя изолированными затворами 200 — 14; 16* 10 30 2...20 КП346Б-9 и п-каналом 200 — 14; 16* 10 30 <20 КП346В-9 200 — 14: 16* 10 30 2...20
Полевые транзисторы 269 S, мА/B ^Пи» С12и» ^22и» пФ ^СИотк» КуР» дБ р , Вт вых» лизи , мВ Кш, дБ и^, мкВ е:, нВ/Tn! Q"’, Кл НС нс С МГц дизи/дт*“, мкВ/’С Корпус 4...5,8 (10 В) 4...5,8 (10 В) 54; 51,2* 54; 51,2* <5** <5** 400** 400** КП323-2 i 1 ” с ill (10В; ЮмА) ill (10В; ЮмА) i9,5 (10 В; 10 мА) i9,5 (10 В; 10 мА) <2,5 <2,5 <2,5; <1,6* <3,6; <3* >12* (0,8 ГГц) £18* (250 МГц) £12* (0,8 ГГц) £18* (0,2 ГГц) 54,5 (0,8 ГГц) 53 (0,2 ГГц) 54,5 (0,8 ГГц) 53 (0,2 ГГц) КП327 ШУ 2,7 & с: 5.6 >3 (10 В) >1 (10 В) 56 56 51500 51500 520** 520** 200** 200** 4...5,8 (10 В) 2...5 (10 В) <6 (10 В) <6 (10 в) 51500 51500 <20** >7,7-103 (50 В; 6 А) <1400; 130* <0,55 15...3O (5 В) 18...32 (5 В) £12 (10 В; 10 мА) £10 (10 В; 10 мА) >12 (10 В; 10 мА) 55; 1*; 1,6** <5; 1*; 1,6** 52,6; 50,035*; <3; <0,035*; <1,5** <2,6; <0,035*; <1,3** и-; 32 КП329 05.2 С И 3 Мл. tcJl=24 1 «О «•ъ /‘А £ 1 кпззз 05,84 КП340 27,1 2,8 (400 МГц) 51,2** (100 кГц) 1,8 (200 МГц) 51,2** (100 кГц) КП341 10 058 f £15* (0,8 ГГц) 513 (0,8 ГГц) >21 (200 МГц) 53,5 (0,8 ГГц) 54,5 (800 МГц) 51,9 (200 МГц) КП346-9 1 3 , ¥ К . *1 ’ [ 1 Ifrr-1—ГН I 1 р И С
270 Раздел 3. Полевые транзистора Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт р* СИ т max » Вт U3H отс» и3и пор » в UcH max » и* ЗС max » В изи шах» В 1с» 1с.и» мА ^Снач' Icoct-MA , КП347А-2 С п-каналом, с двумя изолированными затворами, с двумя защитными диодами 200 3 14 5 <5 1 1 ! КП350 пМОП 150* 2...4* 400 ±20 14 (56*) А <25* мкА (400 В) КП350А С двумя изолированными затворами и встроенным 200 0,17...6 15 15 30 <3,5 КП350Б п-каналом 200 0,17...6 15 15 30 <3,5 КП350В 200 0,17...6 15 15 30 <3,5 КП361А п-канал, для электретных микрофонов 150 20 10 <1,2 КП364А С р-п-переходом, 200 0,5...3 25; 30* 30 20 0,5...2,5 КП364Б п-каналом 200 0.5...3 25; 30* 30 20 0,5...2,5 КП364В 200 1...4 25; 30* 30 20 1,5...5 КП364Г 200 <8 25; 30* 30 20 3...12 КП364Д 200 <8 25; 30* 30 20 3...9 КП364Е 200 <8 25; 30* 30 20 5...20 КП364Ж 200 0,3...3 25; 30* 30 20 о,з...з КП364И 200 0,5...2 25; 30* 30 20 1,5...5 КП365А С р-п-переходом, 150 -0,4...-3 20 20 — 4,5...20 КП365Б п-каналом 150 -0,4...-3 20 20 12...35 КП382А пМОП, с двумя затворами 2,7 15 <20
Полевые транзисторы 271 S, мА/B С|1и> С121|, С“, пФ ®СИотк> ®М к* дБ Р»х. Вт ли;;*, мв Кш, дБ и’ш, мкВ е;, нв/7гН Q ", Кл НС tL..нс С мг« дизи/дт***, мкВ/’С Корпус >10 (10 В; ЮмА) <3,5 (10 В) 0,04* >18* (200 МГц) <2,5 (200 МГц) 1,8t КП347А-2 t 9 j ц о> t: сэ л м* - тт - 1 и и JI 32 Й10103 (25 В; 25 А) <2600; 250* <0,3 tcn=47 КП350 971 - % ! ° J \ ° 1 >6 (10 В; 10 мА) >6(10 В; ЮмА) >6 (10 В; 10 мА) <6; <0,07*; <6** <6; <0,07*; <6** <6; <0,07*; <6** — <6 (400 МГц) <5 (100 МГц) <8 (400 МГц) — КП350. \А£под/!. С ю 1 1 г L У z'rz 1ПГ V III 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КП361 l'S 1 МОИ. 11\ 1 1 1...4 (10 В) 1...4(1ОВ) 2...5 (10 В) 3...7 (10 В) >2,6 (10 В) >4 (10 В) 1...4 (10 В) 2...6 (10 В) <6; <2 <6; <2 <6; <2 <6; <2 <6; <2 <6; <2 <6; <2 <6; <2 1 1 1 1 1 1 1 1 <30** (20 Гц) <20** (1 кГц) <20** (1 кГц) <4 (100 МГц) <4 (100 МГц) <100** (1 кГц) <100** (1 кГц) 1 1 1 1 1 1 1 1 КП364 05,2^ tS *Stl 1 мне, 1 >15 >18 — — 1,5* 1,8* КП365 05,2 Сч ЧГ 1» Is-; МИС r i **0 I >10 >13* 3 0 Т-Л СЧ^ п КП382 [5,5 4 3. ► • и Я $5 3, 2,7 D 0 II ЧТУ 9 : i
272 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Р ГСИ max » мВт Реи т max » Вт U3H отс» и3И пор» В UcH max » U3C max » В U3H max» В Ic. 1с.и. мА нач * IcocT.MA КПЗ 83 А-9 С двумя изолир. затворами, п-каналом 200 14; 16* ±5 30 <0,5 (30 В) КП401АС Сборка из четырех транзисторов 420 >0,8 30 20 — 3 (1 иЗ) КП401БС 1 и 3 с п-каналами, 2 и 4 с р-каналами 420 >0,8 30 20 1 (2 и 4) КП402А С р-каналом (0,8...2,8) 200 150 <60 КП403А С п-каналом (0.8...2,8) 200 300 <60 КП440 пМОП 125* 2...4* 500 ±20 8 (30*) А <25* мкА (500 В) КП450 пМОП 150* 2...4* 500 ±20 12 (52*) А <25* мкА (500 В) КП501А С изолированным затвором 500 1...3* 240 ±20 180 10 мкА КП501Б и п-каналом 500 1...3* 200 ±20 180 10 мкА КП501В 500 1...3* 200 ±20 180 10 мкА
Полевые транзисторы 273 S, мА/В Спи» ^12и» ^22и» ПФ ^СИотк» ОМ К* дБ Р , Вт * вых» ДИзи*, мВ Кш» дБ и*ш, мкВ е:, нв/Tni Q***, К л *«>НС ^ВЫКЛ* НС С-МГц дизи/дт** мкВ/°С Корпус >13 (10 В; 10 мА) <2,5 (10 В) >13* (0,8 ГГц) <3 (0,8 ГГц) а: КП383-9 <—> 1 1 31 ’ 32 т п н 1 >280 (1 и 3) КП401 >130 (2 и 4) >60 (25 В; 0,1 А) >60 (25 В; 0,1 А) >5,3 (25 В; 5 А) <1,2 (п-кан.); <2,5 (р-кан.) <2 (п-кан.); <5 (р-кан.) КП403А КП440, КП450 =20 <1300; 120* <0,85 2’516 выводов 0,52 КП402А 1 И5,2 'z's's'a 1 1 >9,3 (25 В; 7,75 А) <2600; 720** >100 10 >100 10 >100 15 05,2 271 <0,4 tcn-44 КП501 05,2
274 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура max » мВт т max » Вт Чзи отс» и3И пор » в UcH max » и* ’-’ЗСтах» В и3И max» В <С. ^с, и» мА ^Снач* ^Сост* МА 1кП502А С изолированным затвором 1000 1.5...2.5* 400 ±10 120 1 мкА КП503А и п-каналом 1000 -1,8...-0,7* 240 ±10 150 1 мкА КП504А 1000 0,6...1,2* 240 ±10 250 1 мкА КП504Б 1000 0,6...1,2* 240 ±10 250 1 мкА КП504В 1000 0,6...1,2* 200 ±10 250 1 мкА КП505А 1000 0,8...2* 50 ±10 1400 1 мкА 1КП505Б 1000 0,8...2* 50 ±10 1400 1 мкА КП505В 1000 0,8...2* 60 ±10 1400 1 мкА КП505Г 700 0,4...0,8* 8 ±10 500 1 мкА КП507А С р-каналом 1000 -0,8...-2 -50 ±20 1100 1* КП508А С р-каналом 1000 -0,8...-2 -240 ±20 150 КП509А-9 С п-каналом 360 0,8...2* 240 ±14 100 — КП509Б-9 С п-каналом 500 0,6...1,2* 240 ±14 250 — КП509В-9 С п-каналом 360 0,8...2* 200 ±14 100 КП510 пМОП 43* 2...4* 100 ±20 5,6 (20*) А <25* мкА (100 В) КП510А9 С п-каналом 540 0,7...1,6* 20 ±12 1200
Полевые транзисторы 275 S, мА/B ОР ?•- вР, .А. ЬО ф х ^СИотк» к* дБ Р , Вт ж вых» "ж Дизи , мВ Кш. дБ и’ш, мкВ е:, нв/7гп Q™, Кл t«,.нс См. НС С МГц дизи/дт”*, мкВ/’С Корпус 20,1 А/В 20,14 А/В 2:0,14 А/В >0,14 А/В >0,14 А/В 20,5 А/В 20,5 А/В 20,5 А/В 20,5 А/В 1 1 1 1 1 1 1 1 1 28 20 8 8 8 0,3 0,3 0,3 1,2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КП КП 1 502 50' 1 1, Ш503, КП505 < :ч 3 ||| । jMC3 «О' 1 250 0,8 1 К1 П5 07 1 1 СЧ & J Й ]СИ । 20 1 К1 ^52 11508 1 сч i 1 «о' 1 160 140 60 — 16 8 16 — — КП509-9 3 М 5 — t 17 i. I л—Я I Ф 3 И >1300 (50 В; 3,4 А) 180; 15* <0,54 tcn=9,4 КП510 7Z?55 «« . 5*. - L — О» V? п Г" - со чг Сч I 3j||| №/ г /,75 го 11 г| | \х2,5 1300 0,25 I— КП510-9 3 0,9!. 1 $ (k 3 И r| 5
276 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max » мВт РсИ т max » Вт ^зиотс» ^зипор» В UCH max » и* ’“'ЗС max» В иЗИ max » В 1с. 1с.и. мА 1С нач» ост » КП511А С п-каналом 750 0,8...2 350 ±20 140 — КП511Б С п-каналом 750 0,8...2 400 ±20 140 КП520 пМОП 60* 2...4* 100 ±20 9,2 (37*) А <25* мкА (100 В) КП523А пМОП 1 Вт 0,8...2 200 ±20 480 1* КП523Б пМОП 1 Вт 0,8...2 200 ±14 480 1* КП523В пМОП 700 0,8...2 200 ±20 480 1* КП523Г пМОП 700 0,8...2 200 ±14 480 1* КП530 пМОП 88* 2...4* 100 ±20 14 (56*) А <25* мкА (100 В) КП540 пМОП 150* 2...4* 100 ±20 28 (НО*) А <25* мкА (100 В) КП601А С р-п-переходом 500; 2* 4...9 20; 20* 15 — <400 КП601Б и п-каналом 500; 2* 6...12 20; 20* 15 <400 КП610 пМОП 36* 2...4* 200 ±20 3,3 (10*) А <25* мкА (200 В) КП620 пМОП 50* 2...4* 200 ±20 5,2 (18*) А <25* мкА (200 В) КП630 пМОП 74* 2...4* 200 ±20 9 (36*) А <25* мкА (200 В) КП640 пМОП 125* 2...4* 200 ±20 18 (72*) А <25* мкА (200 В) КП704А С изолированным затвором, 75* 1,5...4* 200 ±20 10 А; 30* А <0,8 КП704Б с п-каналом 75* 1,5...4* 200 ±20 10 А; 30* А <1
Полевые транзисторы 277 S, мА/B Сци» С12и» С22и» пФ ^СИотк» К* ДБ Р . Вт вых» ди;;*, мв Кш, дБ и'ш, мкВ е:, нВ/ТГц Q*~, Кл *«.. нс ^выкл’ НС С. МГц дизи/дт***, мкВ/°C Корпус 125 125 1 72700 (50 В; 5,5 А) — 22 22 — — КП511 ^,2 ПК 5- 73И 360; 150** <0,27 tCn=20 4 7« КП520 9 Sil Z*U 4 .—L 03 ЧГ ' 1 I № UU/1 in 7т v tl 11 7^^ r I il 11 Ир- 9C 111 9 К >500 (0,45 А) >500 (0,45 А) >500 (0,45 А) >500 (0,45 А) — 2 4 2 4 — — КП521 I Сч ЧГ 1 1 WO Co e>>k. Ч3Л £J1 > p: М3 >5100 (50 В; 8,4 А) 670; 60* <0,16 tcn=24 KI ч I53O, KI Я540 1 mJ JLL 03 ЧГ 1 .1. S8700 (50 В; 17 А) 1700; 120* <0,077 tcn=43 J 19 1,1 ' _J1 J.5 9C 1 40...87 (10 В) 40...87 (10 В) <6* <6* — <6 (400 МГц) <6 (400 МГц) — J КП60 99,2 1 If ^3 u L_ Щ 1ПГ Ji £800 (50 В; 2 А) 140; 15* <1,5 — tcn=8,9 КП610, КП620, КП630, КП640, КП704 £1500 (50 В; 3,1 А) 260; 30* <0,8 — tcn=13 <4 7fl |-c ,37^ L Z 6 >3800 (50 В; 3,4 А) 950; 76* <0,4 — tCn=25 t j mj П1..Г длЬ 03 • ЧГ £6700 (50 В; 11 А) 1600; 130* <0,18 — tcn=40 s- Ж e* Co 1 III ,u 1000...2500 (1 А) 1000...2500 (1 А) 250** 250** <0,35 <0,5 — <100; <100* <100; <100* 7^^
278 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* 17 СИ т max » Вт изИ ОТС» изИ пор » В UcH max» ^Зс max » В U3H max» В 1С» ^с, и» мА >С нач* ’с ост - ««А КП705А с п-каналом 125* — 1000; 1010* 30 5,4 А; 6* А <7; <10* КП705Б 125* — 800; 840* 30 5,4 А; 7* А <7; <10* КП705В 125* 800; 800* 30 5,4 А; 7* А <15; <5* КП706А пМОП 100* — 500 30 22 А 1; 4* (500 В) КП706Б 100* — 400 30 22 А 1; 4* (400 В) КП706В 100* 400 30 22 А 1; 4* (400 В) КП707А С изолированным затвором, 100* 5 400 ±20 25* А <25; <1* с п-каналом КП707Б 100* 5 600 ±20 16,5* А <25; <1* КП707В 100* 5 750 ±20 12,5* А <25; <1* КП707Г 100* 2...5 700 ±20 8* А <0,1 КП707Д 100* 2...5 500 ±20 8* А <0,1 КП707Е 100* 2...5 750 ±20 8* А <0,1 КП707А1 пМОП 60* 2...5 400 ±20 6 (25*) А <25* мкА (400 В) КП707Б1 60* 2...5 600 ±20 4 (16,5*) А <25* мкА (600 В) КП707В1 55* 2...5 800 ±20 3 (12,5*) А <25* мкА (750 В) КП707Г1 60* 2...5 700 ±20 8* А <25* мкА (400 В) КП707Д1 60* 2...5 500 ±20 12* А <25* мкА (600 В) КП707Е1 50* 2...5 750 ±20 8* А <25* мкА (750 В) КП707А2 пМОП 50* — 350 ±20 2 А <0,1; <0,1* КП707В2 50* 2...4,5 800 ±20 3,5 (9*) А <25* мкА (800 В) КП708А С изолированным затвором 75* 2...4,5* 500 ±20 4,5 А 0,5 КП708Б и п-каналом 75* 2...4,5* 500 ±20 4,5 А 0,5 КП709А С изолированным затвором, 75* 2...4 600 ±20 4,5 А; 18* А <0,5 КП709Б с п-каналом 75* 2...4 600 ±20 4,5 А; 14* А <0,5 КП709В 75* 2...5 600 ±20 3,5 А; 16* А <0,25 (20 В) КП709Г 75* 2...5 500 ±20 4,5 А; 18* А <0,25 (20 В) КП709Д 75* 2...5 500 ±20 4 А; 14* А <0,25 (20 В) КП710 пМОП 36* 2...4 400 ±20 2 (6*) А <25* мкА (400 В)
Полевые транзисторы 279 S, мА/B <£..пф ^СИ-отк» ОМ К* , дБ Г™. Вт AU3H у мВ Кш» дБ и*ш, мкВ е:, нв/7гп Q ", Кл *«,.НС ^выкл* НС С, МГц дизи/дт**-, мкВ/’С Корпус >1000 (30 В; 2 А) 2:1000 (30 В; 2 А) >1000 (30 В; 2 А) 1500 (50 В); 20* 1500 (50 В); 20* 1500 (50 В); 20* <4,3 <3,3 <3,3 — <60; <80* <60; <80* <60; <80* КП705 071 L м\ • ДТ > ( ° 0 h : ii ат \ О \ V \< л. 2300 (30 В; 2 А) 2300 (30 В; 2 А) 2300 (30 В; 2 А) 2500; 300** 2500; 300** 2500; 300** 0,65 0,44 0,6 — 70; 100* 70; 100* 70; 100* КП706 Д?/ rl Со Со с -ф- „....J и К > 1 Г" Я L 2L _ф ^1^ 21600 (20 В; 3 А) 21600 (20 В; 3 А) >1600 (20 В; 3 А) >1600 (20 В; 3 А) >1600 (20 В; 3 А) >1600 (20 В; 3 А) <1600 (25 В); <45* <1600 (25 В); <45* <1600 (25 В); <45* >1200 >1200 >1200 <1 <2,5 <3 <2,5 <1,5 <5 Ill 1 1 1 <80* <80* <80* / с КП707 11 .125 0? 012 . га _ ®п)г §§• 25 | Р 21600 (20 В; 3 А) >1600 (20 В; 3 А) 21600 (20 В; 3 А) 21600 (20 В; 3 А) 21600 (20 В; 3 А) >1600 (20 В; 3 А) <2600; 95* <2600; 95* <2600; 95* <1200 <2600 <2600 <1 <2,5 <3 <2,5 <1,5 <5 — <80* <80* <80* к а П707-1, ] КП707-2 ^577 съ IzLl ЧГ 21500 21600 (20 В; 3 А) 1200; 200** 1200; 200** <5 <2,8 I W [j z,zz 7,7 . 7,$J ис з 22000 (25 В; 2 А) 22000 (25 В; 2 А) <650; <70* <650; <70* <0,75 <1 <50 <50 КП708, КП709, КП710 >2000 (25 В; 2 А) >2000 (25 В; 2 А) 1500 (25 В; 2,5 А) 1500 (25 В; 2,5 А) 1500 (25 В; 2,5 А) <650 (25 В); <70* £650 (25 В); <70* £950 (25 В) £950 (25 В) £950 (25 В) <4,6 <2 <2,5 <1,5 <2 — <50 <50 <30; 150* <30; 150* <30; 150* 31 V 1 F- чг Сч г з-HU г /У/ 7.75 J,1 >1 (50 В; 1,2 А) 170; 6,3* <0,36 — tcn= 1 1
280 Раздел 3. Полевые транзисторы । Тип прибора Структура Реи max > мВт РсИ т max » Вт и3И отс» и* '-'зи пор» В UCH max» ^ЗСтах» В и3И max » В 1е» к и» мА >с нач’ Icocr. «А КП7128 С р-каналом 200 Вт -2...-4* -100 ±20 40 А КП712А С изолированным затвором, с р-каналом 50* -2...-5 -80 ±20 10 А <1 КП712Б 50* -2...-5 -100 ±20 10 А <1 КП712В 50* -2...-5 -100 ±20 8 А <1 КП7130А ДМОП, с п-каналом, 125* Вт 2...4* 600 ±30 6,2 А <0,1 КП7130Б с обратным диодом 125* Вт 2...4* 600 ±30 6,2 А <0,1 КП7130В 125* Вт 2...4* 550 ±30 6,2 А <0,1 КП7130А2 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 2...4* 600 ±30 6,8 А <0,1 КП7130А9 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 2...4* 600 ±30 6,2 А <0,1 КП7131А-9 Сдвоенный, п-канал 2 Вт 1...3* 20 3,5 А
Полевые транзисторы 281 S, мА/B Сци» С12ит с;;и, пФ ^СИотк» ОМ К* , дБ Кш, дБ U*... мкВ кл» НС ккл» НС Р** , Вт вых» AU***, мВ W о. - \ 1 я • • W J3 1 С, МГц дизи/дт***, Корпус мкВ/вС >2000 (4 В; 2 А) >2000 (4 В; 2 А) >1800 (4 В; 2 А) <=1800 (25 В); 100* <1800 (25 В); 100* <1800 (25 В); 100* <0,25 <0,3 <0,4 4700 1300; 160** 1,2 4700 1300; 160** 1,5 4700 1300; 160** 1,2 4700 1300; 160** 1,2 130; 350* 130; 350* 130; 350* 4700 1300; 160** КП7130-9 >1100 КП7131-9
282 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура РСИ max’ мВт Реи т max » Вт ^ЗИотс» и3И пор» В UcH max» U3C max» В U3H max» В Ic. 1си. мА ®Снач> Icoer. МА КП7132А ДМОП, с п-каналом, 45* 2...4* 70 ±20 15 А <1 мкА КП7132Б с обратным диодом 45* 2...4* 55 ±20 15 А <1 мкА КП7132А1 ДМОП, с п-каналом, 45* 2...4* 70 ±20 15 А <1 мкА КП7132Б1 с обратным диодом и стабилитронами защиты 45* 2...4* 55 ±20 15 А <1 мкА КП7132А9 ДМОП, с п-каналом, 45* 2...4* 70 ±20 15 А <1 мкА КП7132Б9 с обратным диодом 45* 2...4* 55 ±20 15 А <1 мкА КП7132А91 ДМОП, с п-каналом, 45* 2...4* 70 ±20 15 А <1 мкА КП7132Б91 с обратным диодом и стабилитронами защиты 45* 2...4* 55 ±20 15 А <1 мкА КП7133А ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 125* 2...4* 200 ±20 18 А
Полевые транзисторы 283 S, мА/В С|1и» С12и» ^22и» ЧФ ^СИотк» ОМ К* дБ Рвых» Вт AU^*, мВ 250; 100** 250; 100** <0,09 <0,09 I 250; 160** 250; 160** <0,09 <0,09 — 250; 100** 250; 100** <0,09 <0,09 Кш, дБ и’ш, мкВ е;,нв/7гП Q*", Кл кл» НС Сл» НС С мг« дизи/дт***, мкВ/’С Корпус КП7132-9, КП7132-91 250; 160** 250; 160** <0,09 <0,09 КП7132-9 КП7132-91
284 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт т max » Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор » В UcH max » U3C max» В иЗИ max» В 1с» ^с,и» мА ^Свач’ 1с«:т. МА КП7133А9 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 125* 2...4* 200 ±20 18 А КП7134А С п-каналом 82* 2...4* 200 — 9,3 А — КП7135А С п-каналом 50* 2...4* 200 5,2 А — КП7136А С п-каналом 125* 2...4* 400 10 А КП7137А С п-каналом 125* 2...4* 500 8 А КП7138А ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 35* 2...4* 600 ±30 1,4 А <0,025
Полевые транзисторы 285 S, мА/B Сци» С12и» С22и» ПФ ^СИотк» ОМ К* , дБ Р , Вт ж вых» AU3H , мВ Кш. дБ и*ш, мкВ е:, HBA/rii Q’, Кл нс ^выкл’ НС С МГц Дизи/ДТ-, мкВ/’С Корпус 6700 1300; 430** <0,18 КП7133 10.28 4,55 г 7,11 Г| ** eo ю | _jj I И 3^ с I 4,55 * 3000 0,3 1 31 Ш7134, КП7135 1H65 г К 37Т —Сь гъ t дЛ чг 1300 0,8 — г \t15 S- а|1 7,9^_ о к Цу ос ITT 5600 0,55 31 КП7136 7065 л« J77J сь иг - Дь «6Г чг \15 к ГЛ.-; ОС ITT 1 4900 0,85 31 КП7137 1065 А« j/г X 7 ГГ ДЛ чг 5 di lit4 г Lv 9С ITT *9~^_ 229; 32,5** <7 31 КП7138 1065 Л,е J-8.. / 4 съ -1 j л 4 чг 1 1 Сч *л 1 гг М|||||Ь •> к ОС ITT Е
286 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* * СИ т max » Вт U3H отс» и3И пор» В Uch max » U3C max » В и3И max » В 1с. 1с. и. мА ^Снач» 1с«т. МА КП7138А9 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 35* 2...4* 600 ±30 1,4 А <0,025 КП7138А91 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 35* 2...4* 600 ±30 1,4 А <0,025 КП7150А ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 35* 2...4* 60 ±20 50 А <0,025 КП7150А2 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 35* 2...4* 60 ±20 50 А <0,025 КП7150А9 ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом 35* 2...4* 60 ±20 50 А <0,025
Полевые транзисторы 287 S, мА/B Спи» С12и» С22и» пФ ®СИотк» ОМ К* дБ Рвы‘х, Вт ди;;*, мв Кш, дБ <4. мкВ е:, нва/й; Q’", Кл ta„, нс Cv нс V. МГц дизи/дт"*, мкВ/’С Корпус 1 229; 32,5** <7 н ю сч | КП71 6.73 4 38-9 2,37 L i 2 =ц 3 V 4,58 C 1 a> /о,85 И “ 0,61 229; 32,5** <7 Kim: 6,6 \.5,2 38-91 J5 Э" f ? < ЧГ 4 4.57^ rfpg 1900; 920** <0,028 КП7] 7Ш g 15OA ^1.37* I 9 <6 <Ni — 04 =—f T 1 9 _ V 1900; 920** <0,028 КП71 15t S 50A2 ' 5 CM 3C Л и 1900; 920** <0,028 КП71 10,28 7,11 ' 50A9 4,55 * — 1 co* sM { 4,55 । Ю* 1
288 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max ♦ мВт Р* * СИ т max » Вт и3И отс» и* ’-’ЗИ пор» В UCH max» U3C max » В U3H max » В 1С» 1С и» мА ^С«ач> Icoer. “А КП717А пМОП 150* — 350 ±20 15 А 0,25* КП717Б 150* — 400 ±20 15 А 0,25* КП717В 150* — 350 ±20 13 А 0,25* КП717Г 150* — 400 ±20 13 А 0,25* КП717Д 150* — 350 ±20 11 А 0,25* КП717Е 150* — 400 ±20 11 А 0,25* КП717А1 пМОП 170* — 350 ±20 15 А 0,25* КП717Б1 170* — 400 ±20 15 А 0,25* КП717В1 170* — 350 ±20 13 А 0,25* КП717Г1 170* — 400 ±20 13 А 0,25* КП717Д1 170* — 350 ±20 11 А 0,25* КП717Е1 170* 400 ±20 11 А 0,25* КП718А пМОП 125* 500 ±20 9,6 А 0,25* КП718Б 125* — 450 ±20 9,6 А 0,25* КП718В 125* — 500 ±20 8,3 А 0,25* КП718Г 125* — 450 ±20 8,3 А 0,25* КП718Д 125* — 500 ±20 10 А 0,25* КП718Е 125* — 450 ±20 10 А 0,25* КП718А1 пМОП 125* — 500 ±20 9,6 А 0,25* КП718Б1 125* — 450 ±20 9,6 А 0,25* КП718В1 125* — 500 ±20 8,3 А 0,25* КП718Г1 125* — 450 ±20 8,3 А 0,25* КП718Д1 125* — 500 ±20 10 А 0,25* КП718Е1 125* 450 ±20 10 А 0,25* КП72О пМОП 50* 2...4 400 ±20 3,3 (13*) А <25* мкА (400 В) КП722А пМОП 125* — 200 ±20 22 А 0,25* КП723А пМОП 150* — 60 ±20 35 А 0,25* КП723Б 150* — 50 ±20 35 А 0,25* КП723В 150* — 60 ±20 35 А 0,25* КП723Г 150* — 50 ±20 35 А 0,25* КП724А пМОП 125* 600 ±20 6 А 0,25* КП724Б 125* 500 ±20 6 А 0,25* КП725А пМОП 125* 500 ±20 13 А 0,25*
Полевые транзисторы 289 S, мА/B Сци» ^12и» ^22и» ®СИотк> К* ДБ Вт ди”*. мВ Кш, дБ и’ш, мкВ е:, нв/^ Q", Кл нс нс С, МГц дизи/дт***, мкВ/’С Корпус 8-103 8000 7000 7000 АЛОП — 0,3 0,3 0,35 0,35 Л 4 — — КП717 о 21 7 т—Z м A о \ 7 /о 1 f О 6000 — 0,4 — — ►/ ъ ’’ 1 ь 8-103 8000 7000 7000 6000 6000 — 0,3 0,3 0,35 0,35 0,4 0,4 — — КП717-1 15t9 5 ф 1 И I зси 2700 2700 2700 2700 2700 2700 — 0,6 0,6 0,8 0,8 0,5 0,5 — — 1 2\ КП718 77 -г—7 A о \ -7 /7 (о Z 1 17 2700 2700 2700 2700 2700 2700 — 0,6 0,6 0,8 0,8 0,5 0,5 — 1 1 1 1 1 1 КП718-1 15J9 5 & 1 sgfi г Ш I ЗСИ >1700 (50 В; 2 А) 490; 47* <1,8 — tcn=15 КП720, КП722 07/ A о \ С h Л 9000 — 0,12 — — £ ( о ►/ »& * 10000 10000 10000 10000 — 0,028 0,028 0,035 0,035 — — КП •г Ш 723, КП724 27^ _ сь ЧГ 2000 2000 — 1,2 1 — — <О чг Tz5 d. 25г|] 7800 0,4 КП725 07/ A о \ С h * И Zz /о I cS I о k/ 117
290 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Р ^СИ max » мВт Р* ГСИ Т max » Вт и3И отс» и3И пор» В UcH max » U3C max » В и3И max » В 1С» 1с, и» мА нач » Icocr. МА КП726А пМОП 75* 2...4* 600 ±20 4 А; 16* А 0,25* (600 В) КП726Б 75* 2...4* 600 ±20 4,5 А; 18* А 0,25* (600 В) КП726А1 пМОП 75* 2...4* 600 ±20 4 А; 16* А 0,25* (600 В) КП726Б1 75* 2...4* 600 ±20 4,5 А; 18* А 0,25* (600 В) КП727А пМОП 40* 2...4 50 ±20 14 А <0,25* КП727Б 90* 2...4 50 ±20 2,6 А <0,25* КП727В 90* 2...4 50 ±20 3 А <0,25* КП727Г 90* 2...4 50 ±20 4 А <0,25* КП727Д 75* 2...4 50 ±20 3,3 А <0,25* КП727Е пМОП 90* 2...4 50 ±20 3 А <0,25* КП727Ж 90* 2...4 50 ±20 2,6 А <0,25*
Полевые транзисторы 291 S, мА/В <£., пФ ^СИотк» ОМ К Р, дБ Р , Вт вых» au;;\ мв Кш, дБ и’ш, мкВ в:, нВ/ТГц СГ, Кл <«.. НС С. МГц Дизн/ДТ" мкВ/’С Корпус 2500 (25 В; 2,8 А) 2500 (25 В; 2,8 А) <1050 <1050 <2 <1,6 2500 (25 В; 2,8 А) 2500 (25 В; 2,8 А) <1050 <1050 <2 <1,6 >9300 >1000 >1000 >1500 >2100 >1000 >1000 <0,1 <4 <3 <2 <3 <3 <4 КП726-1 <150* <150* <150* <150* И КП727 (А-Д) 7,75 2.5 КП727 (Е, Ж) зси
292 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Р *СИ max» мВт Р* ГСИ т max» Вт ^ЗИотс» и* ЗИ пор » В UcM max » и* ^ЗСтах» В иЗИ max » В 1с» 1с.и, мА ^Скач’ 1с«,, мА КП728А пМОП 75* 2...4* 800 ±20 ЗА <0,25* КП728Г1 пМОП 75* 2...4* 700 ±20 3 А — КП728С1 пМОП 75* 2...4* 650 ±20 3 А — КП728Е1 пМОП 75* 2...4* 600 ±20 3,3 А КП728Г2 пМОП 75* 2...4* 700 ±20 3 А — КП728С2 пМОП 75* 2...4* 650 ±20 ЗА — КП728Е2 пМОП 75* 2...4* 600 ±20 3,3 А КП730 пМОП 74* 2...4 400 ±20 5,5 (22*) А <25* мкА (400 В) КП730А Биполярный транзистор с изолированным затвором с п-каналом 200* 3...5.5 икэ=1200 Пзэ=±20 1к=45 (90*)А <25* (1200 В) КП731 Биполярный транзистор с изолированным затвором с п-каналом 160* 3...5.5 икэ=600 Пзэ=±20 1к=40 (80*) А <25* (600 В)
Полевые транзисторы 293
294 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max» мВт Р* * СИ т max » Вт иЗИ отс» и* ^ЗИпор» В Uch max» U3C max » В U зИтах» В 1С» 1с.И» мА ^Снач» ^С ост » МА КП731А С изолированным затвором, 36 Вт 2...4 400 ±20 2 А <0,25 (400 В) КП731Б п-каналом, с защитным 36 Вт 2...4 350 ±20 2 А <0,25 (350 В) КП731В диодом 36 Вт 2...4 400 ±20 1,7 А <0,25 (400 В) КП733А пМОП 125* 2...4* 400 ±20 1,5 (6*) А <0,1* КП733Б 125* 1...2* 400 ±20 1,5 (6*) А <0,1* КП733Г 125* 2...4* 600 ±20 5* А <0,1* КП733Д 125* 2...4* 650 ±20 4* А £0,1* КП733В-1 пМОП 1* 2...4* 550 ±20 500 (2000*) <0,1* (550 В) КП734А пМОП 72* 1...2 60; 60* ±10 19 А <0,25 КП734Б пМОП 72* 1...2 60; 60* ±10 18 А <0,25 КП734В пМОП 72* 1...2 15; 15* ±10 19 А <0,25 КП734А-1 пМОП 72* 1...2 60; 60* ±10 19 А <0,25 КП734Б-1 пМОП 72* 1...2 60; 60* ±10 18 А <0,25
Полевые транзисторы 295 S, мА/В Спи» С12и» ^22и» ВсИотк» ОМ К Р, дБ Р , Вт вых’ *** Дизи , мВ 1а tfl <5^5. Ч ► * М - Э * S 5 м к., нс С., нс С, МГц дизи/дт**', мкВ/’С Корпус >1000 (25 В; 1,2 А) £1000 (25 В; 1,2 А) >1000 (25 В; 1,2 А) <250; 20* <250; 20* <250; 20* <3,6 <3,6 <5 — <45* <45* <45* 31 КП731 W ш - У. - ^137^ чг пг чэ ЧГ Сч f Ян1 Iя |У( /,/5 х7,7 IIе 1 о 1 I 25 * . £500 (20 В; 1 А) >500 (20 В; 1 А) £500 (20 В; 1 А) >500 (20 В; 1 А) <400; 15* <400; 15* <400; 15* <400; 15* <3,6 <3,6 <4,4 <5 — ten—80 tcn^80 ten—80 ten—80 3 К1 W5 1733 4,8 rv^1 ТГ^ / 1J7 пг •Л ча чг is>_ 4 К» г 1 IIе ю 2У-. 1 Z5 >500 (20 В; 1 А) <150** (25 В); <15* (25 В); <1000; 400** <1000; 400** <1000; 400** <0,05 <0,06 <0,02 <1000; 400** <1000; 200* <0,05 <0,06 КП734-1
296 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max » мВт Р* ^СИ т max » Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор» В UcH max » U3C max » В U3H max ’ В IC> 1с.и. мА 1с яач* Ic-г. МА КП735А пМОП 100* 2...4 60; 60* ±20 48 А <0,25 КП735Б пМОП 100* 2...4 60; 60* ±20 42 А <0,25 КП735В пМОП 100* 2...4 50; 50* ±20 48 А <0,25 КП735Г пМОП 100* 2...4 50; 50* ±20 42 А <0,25 КП737А С изолированным затвором, 74 Вт 2...4 200 ±20 9 А <0,25 (200 В) КП737Б п-каналом, с защитным 74 Вт 2...4 250 ±20 8,1 А <0,25 (250 В) КП737В диодом 74 Вт 2...4 250 ±20 6,5 А <0,25 (250 В) КП737Г 74 Вт 1...2* 200 ±10 9 А КП739А С изолированным затвором, 43 Вт 2...4 60 ±20 10 А — КП739Б п-каналом, с защитным 43 Вт 2...4 60 ±20 10 А — КП739В диодом 43 Вт 2...4 60 ±20 8,3 А КП740 пМОП 125* 2...4 400 ±20 10(40*) А <25* мкА (400 В) КП740А С изолированным затвором, 60 Вт 2...4 60 ±20 17 А — КП740Б п-каналом, с защитным 60 Вт 2...4 50 ±20 17 А — КП740В диодом 60 Вт 2...4 60 ±20 14 А
Полевые транзисторы 297 S, мА/В >3800 (25 В; 5,4 А) >3600 (25 В; 5,1 А) >2500 (25 В; 4,1 А) >6000 (6 В) >2400 (50 В; 6 А) >2400 (50 В; 5,8 А) >5800 (50 В; 6 А) >4500 (25 В; 10 А) >5000 (1,5 В; 9 А) ^пи» С12и» ^22и> <1800; 800* <1800; 800* <1800; 800* <1800; 800* <1300 (25 В) <1300 (25 В) <1300 (25 В) <1400; 120* ®СИотк» Ом К* дБ Р , Вт вых» AU3H , мВ <0,025 <0,028 <0,025 <0,025 <0,4 <0,45 <0,68 0,4 <0,2 <0,2 <0,3 <0,55 <0,1 <0,1 <0,12 Кш, дБ и*ш, мкВ Е’ш\ нВЛ/Гц Q*, Кл <«.. ис €«.. нс С. МГц дизи/дт" мкВ/*С Корпус КП737 КП740 4* \И 1.15 1,1 1,15 Z5 ъ <59* <62* <62* 2,5 10.65
298 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max » мВт РсИ т max » Вт ^ЗИ отс> и3И пор » В UcH max » и‘ , v ЗС max ’ В и3И max » В 1с» 1с.И» мА ^Снач’ Ic-О МА КП741А С изолированным затвором, 190 Вт 2...4 60 ±20 50 А — КП741Б п-каналом, с защитным диодом 150 Вт 2...4 50 ±20 50 А КП742А С изолированным затвором, 200 Вт 2...4 60 ±20 75 А — КП742Б п-каналом, с защитным диодом 200 Вт 2...4 50 ±20 80 А КП743А пМОП 43 Вт 2...4 100 ±20 5,6 А — КП743Б пМОП 43 Вт 2...4 80 ±20 5,6 А — КП743В пМОП 43 Вт 2...4 100 ±20 4,9 А КП743А1 пМОП 40 Вт 2...4* 100 ±20 5,5 А КП744А пМОП 60 Вт 2...4 100 ±20 9,2 А — КП744Б пМОП 60 Вт 2...4 80 ±20 9,2 А — КП744В пМОП 60 Вт 2...4 100 ±20 8 А — КП744Г пМОП 60 Вт 1...2 100 ±10 9,2 А |КП745А пМОП 88 Вт 2...4 100 ±20 14 А КП745Б пМОП 88 Вт 2...4 80 ±20 14 А — КП745В пМОП 88 Вт 2...4 100 ±20 12 А — КП745Г пМОП 88 Вт 1...2 100 ±10 15 А
Полевые транзисторы 299 S, мА/B С> Р я Д в- ®СИотк» к* дБ рв:х; вт AU3H 1 мВ Кт* дВ и’ш, мкВ Е“, нВ/ТП! Q", Кл к.» НС ^выкл» С, МГц дизи/дт***, мкВ/’С Корпус £27000 (25 В; 43 А) >27000 (25 В; 32 А) <0,018 <0,024 Чг КП741 10,65 4,6 /4^ 7^1 съ Ь] <4 « чг М 1,9 |,У 9С ITT 9 К S25OOO (40 А) — <0,014 <0,012 — — КП7^ 15,9 12 5 ©f £ 1 I 0 3“ =т= 'Ч г4-п 1 ли зси £1300 (50 В; 3,4 А) £1300 (50 В; 3,4 А) £1300 (50 В; 3,4 А) — <0,54 <0,54 <0,74 — — «S3 КП743 10,65 лт 74* L t съ - Д11 чг it 1 1,15 9 к 1,9 1,1 9С ITT 0,54 КП743-1 ll,lmax I* 1 ф А © а" ж с 1 3( зи £1500 (24 В; 4 А) £2700 (50 В; 5,6 А) £2700 (50 В; 5,6 А) £3200 (50 В; 5,5 А) — <0,27 <0,27 <0,36 <0,27 — — ] КП744, КП745 10,65 7 4 Jz; L — съ пг t ди чг >5100 (50 В; 8,3 А) £5100 (50 В; 8,3 А) £5100 (50 В; 8,3 А) £6400 (50 В; 9 А) — <0,16 <0,16 <0,23 <0,22 — — 4» : ^,1 9С ITT 9 * >1 1
300 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max» мВт ₽СИ т max » Вт ^ЗИотс» иЗИ пор» В Uch max » и* ’-’ЗСтах» В иЗИ max » В 1с» 1с,И» мА ®Снач* 1с<кт.мА КП746А пМОП 150 Вт 2...4 100 ±20 28 А — КП746Б пМОП 150 Вт 2...4 80 ±20 28 А — КП746В пМОП 150 Вт 2...4 100 ±20 25 А — КП746Г пМОП 150 Вт 1...2 100 ±10 28 А КП746А1 С п-каналом 150 Вт 2...4* 100 ±20 28 А — КП746Б1 С п-каналом 150 Вт 2...4* 80 ±20 28 А — КП746В1 С п-каналом 150 Вт 2...4* 100 ±20 25 А — КП746П С п-каналом 150 Вт 1...2* 100 ±10 28 А 1кП747А пМОП 230 Вт 2...4 100 ±20 41 А КП748А пМОП 50 Вт 2...4 200 ±20 3,3 А КП748Б пМОП 50 Вт 2...4 150 ±20 3,3 А — КП748В пМОП 50 Вт 2...4 200 ±20 2,6 А КП749А пМОП 50 Вт 2...4 200 ±20 5,2 А — КП749Б пМОП 50 Вт 2...4 150 ±20 5,2 А — КП749В пМОП 50 Вт 2...4 200 ±20 4 А КП750А пМОП 125 Вт 2...4 200 ±20 18 А КП750Б пМОП 125 Вт 2...4 150 ±20 18 А — КП750В пМОП 125 Вт 2...4 200 ±20 16 А — КП750Г пМОП 125 Вт 1...2 200 ±10 18 А
Полевые транзисторы 301 S, мА/B Спи> C|2llt ^22и’ пФ >8700 (50 В; 17 А) >8700 (50 В; 17 А) &8700 (50 В; 17 А) S12000 (50 В; 17 А) Кси О,к. Ом К“> «Б 5“’ “® К* дБ 1ГШ, мкВ “С pLbt е:,нв/7п1 J.*®?.. к°рпус ди;**, мВ Q~, Кл . ’ зи мкВ/ С <0,077 — — КП746 | <0.077 — — ля 1 <0,1 - - £ П77 1 li J. ’ J пг 1 । ’Tr I <4 чг 3 1 1 1,15 1,1 £8700 (50 В; 17 А) £8700 (50 В; 17 А) £8700 (50 В; 17 А) <0,077 <0,077 <0,1 <0,077 КП746-1 £1300 (20 А) S0,055 КП747 £800(50 B; 1,6 A) — <1,5 — — £800 (50 B; 1,6 A) — <1,5 £800 (50 B; 1,6 A) <2,4 £1300 (2,5 A) — <0,8 £1300 (2,5 A) — <0,8 £1300 (2,5 A) <1,2 £6700 (50 B; 10 A) — <0,18 £6700 (50 B; 10 A) — <0,18 — — £6700 (50 B; 10 A) — <0,22 — — £9000 (5 B; 8 A) — <0,18 — — КП749, КП75О
302 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max > мВт РсИ т max > Вт ^зиотс» иЗИ пор » В UcH max > U3C max > В U3H max > В IC> и> мА ^Сиач» 1соет. “А КП750А1 С п-каналом 125 Вт 2...4* 200 ±20 18 А — КП750Б1 С п-каналом 125 Вт 2...4* 150 ±20 18 А — КП750В1 С п-каналом 125 Вт 2...4* 200 ±20 16 А КП751А пМОП 50 Вт 2...4* 400 ±20 3,3 А — КП751Б пМОП 50 Вт 2...4* 350 ±20 3,3 А — КП751В пМОП 50 Вт 2...4* 400 ±20 2,8 А КП751А1 пМОП 50 Вт 2...4* 400 ±20 3,3 А — КП751Б1 пМОП 50 Вт 2...4* 350 ±20 3,3 А — КП751В1 пМОП 50 Вт 2...4* 400 ±20 2,8 А КП752А пМОП 74 Вт 2...4 400 ±20 5,5 А — КП752Б пМОП 74 Вт 2...4 350 ±20 5,5 А — КП752В пМОП 74 Вт 2...4 400 ±20 4,5 А КП753А пМОП 74 Вт 2...4 500 ±20 4,5 А КП753Б пМОП 74 Вт 2...4 450 ±20 4,5 А — КП753В пМОП 74 Вт 2...4 500 ±20 4 А
Полевые транзисторы 303 S, мА/B Сци» С|2и> ^22и» ПФ >6700 (50 В; 10 А) >6700 (50 В; 10 А) >6700 (50 В; 10 А) RCHot«. ОМ К* , дБ ₽вы*х. Вт ди”*, мВ Кш, дБ и*ш, мкВ в:, нВ/7Гц СТ, К л t«.. нс С», нс С. мг« дизи/дт*”, мкВ/’С Корпус I <0,18 <0,18 <0,22 — — КП 750-1 2,35 5.2 0,5 4,57 <сГ Ofi >1800 (50 В; 1,8 А) >1800 (50 В; 1,8 А) >1800 (50 В; 1,8 А) <1,8 <2,5 >1800 (50 В; 1,8 А) >1800 (50 В; 1,8 А) >1800 (50 В; 1,8 А) <1,8 <1,8 <2,5 >2900 (50 В; 3 А) >2900 (50 В; 3 А) >2900 (50 В; 3 А) >2700 (50 В; 2,5 А) >2700 (50 В; 2,5 А) >2700 (50 В; 2,5 А) <1,5 <1,5 <2 КП751-1 4,57 10,65 ™19£ 1,9 1,1 2,5 1,15 1,9 1,1 2,5 6,6 5£ КП752 4/ Г 1,15 3 С 2,35 0,5* -е» - ——в § КП753 № «37
304 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Р ГСИ max » мВт Р* ГСИ т max » Вт ^ЗИ отс» и3И пор» В UcH max» U3C max» В U3H тах» В 1с» 1с.и» мА нач * 1со„. мА КП759А пМОП 50* 2...4 500 ±20 2,5 А — КП759Б пМОП 50* 2...4 450 ±20 2,5 А — КП759В пМОП 50* 2...4 500 ±20 2,5 А — КП759Г пМОП 50* 2...4 450 ±20 2,5 А — 1кП760А пМОП 74* 2...4 500 ±20 4,5 А — КП760Б пМОП 74* 2...4 450 ±20 4,5 А — КП760В пМОП 74* 2...4 500 ±20 4,5 А — КП760Г пМОП 74* 2...4 450 ±20 4,5 А — КП761А пМОП 125 2...4 500 ±20 8 А — КП761Б пМОП 125 ' 2...4 450 ±20 8 А — КП761В пМОП 125 2...4 500 ±20 8 А — КП761Г пМОП 125 2...4 450 ±20 8 А КП771А С п-каналом 150 Вт 2...4* 100 ±20 40 А — КП771Б С п-каналом 150 Вт 2...4* 100 ±20 35 А — КП771В С п-каналом 150 Вт 2...4* 125 ±20 30 А КП775А пМОП 200 Вт 1...2 60 ±20 50 А — КП775Б пМОП 200 Вт 1...2 55 ±20 50 А — КП775В пМОП 200 Вт 1...2 60 ±20 50 А КП776А пМОП 125 Вт 2...4 400 ±20 10 А — КП776Б пМОП 125 Вт 2...4 350 ±20 10 А — КП776В пМОП 125 Вт 2...4 400 ±20 8,3 А — КП776Г пМОП 125 Вт 2...4 450 ±20 8,8 А КП777А пМОП 125 Вт 2...4 500 ±20 8 А — КП777Б пМОП 125 Вт 2...4 450 ±20 8 А — КП777В пМОП 125 Вт 2...4 500 ±20 7 А
Полевые транзисторы 305 S, мА/В КЗ *х а Л .А. ю IQ* х ^СИотк» ОМ К* дБ Рвы‘х. Вт AU3H у мВ — 360; 92** <3 — 360; 92** <3 — 360; 92** <4 — 360; 92** <4 — 610; 68* <1,5 — 610; 160** <1,5 — 610; 68* <2 — 610; 160** <2 — 1300; 120* <0,85 — 1300; 310** <0,85 — 1300; 120* <1,1 — 1300; 310** <1,1 Кш, дБ <«.» нс и*.., мкВ С». нс W О’ !е : Я • • И С» МГц дизи/дт’**, Корпус мкВ/°С 0,04 — — 0,055 — — 0,077 КП761, КП771 <0,09 <0,09 <0,011 КП775 >5800 (50 В; 5,2 А) >5800 (50 В; 5,2 А) >5800 (50 В; 5,2 А) >4500 (50 В; 5,3 А) <0,55 <0,55 <0,8 <0,63 КП776 >4900 (50 В; 4,4 А) >4900 (50 В; 4,4 А) >4900 (50 В; 4,4 А)
306 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* *СИ т max» Вт U3M отс» иЗИ пор» В UcH max» и* ^ЗСтах» В иЗИ тах» В 1с, 1(3. и» мА >С иач» 1с«,, мА КП778А пМОП 190 Вт 2...4 200 ±20 30 А КП779А пМОП 190 Вт 2...4 500 ±20 14 А КП780А пМОП 50 Вт 2...4* 500 ±20 2,5 А — КП780Б пМОП 50 Вт 2...4* 450 ±20 2,5 А — КП780В пМОП 50 Вт 2...4* 500 ±20 2,2 А КП780АС1 С п-каналом 50 Вт 2...4* 500 ±20 2,4 А КП781А пМОП 190 Вт 2...4 400 ±20 16 А
Полевые транзисторы 307 S, мА/B ^Пи» С12и» С22и» пФ ®СИотк> ®М К* дБ р.* . Вт AU3„ , мВ Кш, дБ и*ш, мкВ е;, нвд/гц О’", Кл *«.. "С нс с. МГц дизи/дт***, мкВ/*С Корпус <0,085 KIE 15# Г78 5 1 i 'l й"' 1 1 H n зис >9000 (15 В; 19 А) 1 <0,4 KIE 15# Г79 5 <м i '] 1—Гн 1 1 1 II V n зис >5500 (15 В; 7,5 А) >1500 (15 В; 1,4 А) — <3 <3 <4 — — 3 КШ 1^65 r A Г80 Jffi ^1371 1 - Л Л /Lil Sb D 1^7,1 25х| J |XZ< 5 , . 3 1 U КП71 6.73 80-1 2,37 ▼ p '1 in сч । 1 “S ! 4 Л 1 1 » г 1 со сч G з L ! ГП-* С» Ф 4.58 0.85, |4 w = 0.61 I с >8000 (8 А) £0,3 а КП781 Ш65 ж X > I П37Т 1 - ;пг iii 15# см fe — Ё1ЙПВ# ИШШ< 1D 4 1 1 #х| | |хг 5 , » R
308 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max» мВт Р* *СИ т max » Вт отс» и3И пор» В Ucn max » U3C max » В U3M max » В 1с» *с.и» мА ®Снач» мА КП783А пМОП 200 Вт 2...4 55 ±20 70 А КП784А рМОП 88 Вт -2...-4 -60 ±20 18 А КП785А рМОП 150 Вт -2...-4 -100 ±20 19 А КП786А пМОП 100 Вт 2...4 800 ±20 4 А КП787А пМОП 150 Вт 2...4 600 ±20 8 А КП796А С р-каналом 74* -(2...4*) -250 ±20 4,1 А КП801А С р-п-переходом и 60* -30 75; ПО* -35 5 А 4500 КП801Б п-каналом 60* -30 75; 90* -35 5 А 4500 КП801В 100* -30 ПО; 150* -40 8 А 3500 КП801Г 100* -30 140; 180* -40 8 А 3000
Полевые транзисторы 309 S, мА/B Сци» С12и» пФ ®СИотк» К* дБ рвых» Вт AU3H , мВ Кш, дБ и*ш, мкВ е:, нв/7гц Q", Кл *вкл» НС ^выкл» с» МГц дизи/дт** мкВ/*С Корпус 2200 >44000 (25 В; 59 А) <0,008 КП783, КП784 4,5 >5900 (25 В; 11 А) <0,14 7,7 £6200 (50 В; 11 А) <0,2 >1000 (25 В; 1,5 А) >5000 (25 В; 5 А) >600 (15 В; 4 А) >450 (15 В; 3 А) >800 (20 В; 4 А) >600 (20 В; 4 А) 1,9 2.5 <0,9 <2,2 <4,4 <2,2 <2,2 7,75 КП785, КП786 КП796 КП801 27» 1
310 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* *СИ ттах» Вт U3M отс» и3И пор» в UcH max* ^ЗС max » В и3И max » в 1С» ^с,и» мА нач* Icoct. «А КП802А С р-п-переходом и 40* -25 500; 535* -35 2,5 А 0,5* КП802Б п-каналом 40* -28 450: 480* -30 2,5 А 0,5* КП804А С изолированным затвором, с п-каналом 2* <4* 60 20 1 А <0,25; <1* КП805А С изолированным затвором, с п-каналом 60* <4* 600; 600* ±20 4 А <1; <3* КП805Б 60* <4* 600; 600* ±20 4 А <1; <3* КП805В 60* <4* 500; 500* ±20 4 А <1; <3* КП809А пМОП 100* 1,5...5 400 ±20 9,6 (35*) А <1 мА (400 В) КП809Б 100* — 500 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809В 100* — 600 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Г 100* — 700 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Д 100* — 800 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Е 100* — 750 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809К 150* — 400 ±20 20* А <0,25; <1* КП809А1 пМОП 50* — 400 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Б1 50* — 500 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809В1 50* — 600 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Г1 50* — 700 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Д1 50* — 800 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП809Е1 50* — 750 ±20 9,6 (35*) А <0,25; <1* КП810А Биполярный со статической 50* — 1500 5 7 А — КП810Б индукцией, 50* — 1300 5 7 А — КП810В п-канал 50* 1100 5 5 А КП812А1 пМОП 125* 2...4* 60 ±20 50 (200*) А <0,25*(60 В) КП812Б1 80* 2...4* 60 ±20 35 (68*)А <0,25*(60 В) КП812В1 70* 2...4* 60 ±20 30 (120*)А <0,25*(60 В)
Полевые транзисторы 311 S, мА/B ^Пи» С|2и» ^22и» ^СИотк» К* дБ Вт Дизи , мВ Кш, дБ и*ш, мкВ е:, нВ/7Гц Q*", К л ♦ж,. НС С,, нс С мг« дизи/дт***, мкВ/’С Корпус £800 (20 В; 3,5 А) £800 (20 В; 3,5 А) — £3 £3 — <80;<30* <80;<30* r 2 КП80 7t1 - 2 /4 t о о \ S-:JL U I £800 (10 В; 0,8 А) £200 (25 В) £25*; £100** <0,6 <54; <45* < V s ! КП804 /7't flL... 3 —7r 1/ 1 4J III Sip £2500 (20 В; 2 А) £2500 (20 В; 2 А) £2500 (20 В; 2 А) <1300 (20 В); <40* <1300 (20 В); <40* <1300 (20 В); <40* <130** <2 <2 <2,5 — <180; <220* <180; <220* <180; <220* КП80 «?7 5 T eg- «Е1 г.З я № !C3 8 £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* <0,3 <0,6 <1,2 <1,5 <1,8 <2,5 <0,15 1 1 1 1 1 1 1 ten— 100 ten— 100 ten—100 ten—100 tcn< 100 ten—100 tcn<100 КП809 97/ A о \ ( > /3 ( о r \j 2*’L| T - £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) £1500 (20 В; 3 А) <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* , <3000; <220* <3000; <220* <3000; <220* <0,3 <0,6 <1,2 <1,5 <1,8 <2,5 — ten—100 ten—100 ten— 100 ten—100 ten— 100 ten— 100 КП 809-1, 1 75,0 КЛ811 5 0 ‘1 ’Ll — — 0,2 0,2 0,2 200 200 200 <Oj l _ш n ЗСИ £15000 (25 В; 31 А) £5500 (25 В; 24 А) £9300 (25 В; 18 А) 1900; 920** 640; 360** 1200; 600** <0,028 <0,035 <0,05 — сч CM CM О in II II II c c c ,9 (Q to «г ад КП812 137* L — V I ЧГ 4 j, J 19 J91 III 1 IT ’ *" J
312 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура РСИ max» мВт Р* ГСИ т max» Вт U3H отс» иЗИ пор» В Uси max» U3C max» В и3и max» В 1с. к и» мА >С нам . Icoer. МА КП813А С изолированным затвором 150* 2,1...4 200 ±20 22 (88*)А ^0,25*(200 В) КП813Б и п-каналом 150* 2,1...4 200 ±20 22 (88*)А <0,25*(200 В) КП813Г 150* 2,1...4 200 ±20 20 А <0,25*(200 В) КП813А1 С изолированным затвором 125* 2,1...4 200 ±20 22 (88*)А <0,25*(200 В) КП813Б1 и п-каналом 125* 2,1...4 200 ±20 22 (88*)А <0,25*(200 В) КП813А1-5 С изолированным затвором 125* 2,1...4 200 ±20 22 (88*)А <0,25*(200 В) КП813Б1-5 и п-каналом 125* 2,1...4 200 ±20 22 (88*) А <0,25*(200 В) К.П814А МОП, п-канал — — 300 25 10 А <6 К.П814Б МОП, п-канал — — 300 25 12 А <6 КП814В МОП, п-канал — — 400 25 8 А <6 К.П814Г МОП, п-канал — — 400 25 10 А <6 КП814Д МОП, п-канал — — 500 25 7 А <6 КП814Е МОП, п-канал — — 500 25 10 А <6 КП814Ж МОП, п-канал — — 600 25 6 А <6 КП814И МОП, п-канал — — 600 25 8 А <6 КП814К МОП, п-канал — — 700 25 5 А <6 КП814Л МОП, п-канал — — 700 25 6 А <6 КП814М МОП, п-канал — — 800 25 ЗА <6 КП814Н МОП, п-канал — — 800 25 4 А <6 КП814П МОП, п-канал — — 900 25 ЗА <6 КП814Р МОП, п-канал — — 900 25 3,8 А <6 КП814С МОП, п-канал — — 950 25 ЗА <6 К.П814Т МОП, п-канал — — 950 25 3,6 А <6 КП814У МОП, п-канал — — 1000 25 3 А <6 КП814Ф МОП, п-канал — — 1000 25 3,6 А <6 КП817А рМОП — — 30 — 200* — КП817Б рМОП — — 40 — 150* — КП817В рМОП 60 100*
Полевые транзисторы 313 S, мА/В Спи» С12и, ^22и» ^СИотк» ОМ КуР» дБ Р , Вт вых» дизи*, мВ Кш, дБ и*ш, мкВ е:, нва/гп Q", Кл »вкл> НС ^выкл» С мгч дизи/дт***, мкВ/°С Корпус £9000 (20 В; 10 А) >9000 (20 В; 10 А) >9000 (20 В; 10 А) 2700; 540** 2700; 540** 2700; 540** <0,12 <0,12 <0,06 — tcn<140 tcn^l40 ten— 140 КП813 071 A О \ /3 ( о *- ii £_ 5 r \( к/ II >5500 (20 В; 10 A) >5500 (20 В; 10 A) 2700; 540** 2700; 540** <0,12 <0,18 £5500 (20 В; 10 A) 2700; 540** <0,12 £5500 (20 В; 10 A) 2700; 540** <0,18 1300...3000(30B;2,5A) — <1 1300...3000(30B;2,5A) — <0,8 1300...3000(30B;2,5A) — <1,5 1300...3000(30B;2,5A) — <1,2 1300...3000(30B;2,5A) — <2 1300...3000(30B;2,5A) — <1,3 1300...3000(30B;2,5A) — <2,3 1300...3000(30B;2,5A) — <1,8 1300...3000(30B;2,5A) — <3 1300...3000(30B;2,5A) — <2,5 1300...3000(30B;2,5A) — <4,2 1300...3000(30B;2,5A) — <3 1300...3000(30B;2,5A) — <4,5 1300...3000(30B;2,5A) — <4 1300...3000(30B;2,5A) — <4,5 1300...3000(30B;2,5A) — <4 1300...3000(30B;2.5A) — <4,7 1300...3000(30B;2,5A) — <4 — — <0,04 — — <0,05 — <0,15 tcn<140 tcn<140 КП81; 15,9 3-1 ©4 r: 1 1 w ЗСИ T — tcn^140 ten— 140 КП8 5,6 3-5 _ 0,4 CO 1 LQ КП814
314 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ^СИтах» мВт Р* СИ т max » Вт U3H отс» иЗИ пор » В Uch max» U3C max» В иЗИ max » В !с» к и» мА 1С нач» 1с ост » МА КП820 пМОП 50* 2...4 500 ±20 2,5 (8*) А <0,25* (500 В) КП830 74* 2...4 500 ±20 4,5 (18*) А <Ю,25*(500 В) КП840 125* 2...4 500 ±20 8(32*)А <0,25*(500 В) КП901А С изолированным затвором и индуцированным 20* — 70; 85* 30 4 А <200; <50* КП901Б п-каналом 20* 70; 85* 30 4 А <200; <50* КП902А С изолированным затвором и п-каналом 3,5* — 50 30 200 <10; <0,5* КП902Б 3,5* — 50 30 200 <10; <0,5* КП902В 3,5* — 50 30 200 <10; <0,5* КП903А С р-п-переходом и п-каналом 6* 5...12 20; 20* 15 700 <700; <0,05* КП903Б 6* 1...6,5 20; 20* 15 700 <480; <0,05* КП903В 6* 1...10 20; 20* 15 700 <600; <0,05* КП904А С изолированным затвором 75* — 70; 90* 30 5 А <350; <200* КП904Б и индуцированным п-каналом 75* 70; 90* 30 3 А <350; <200* КП905А С изолированным затвором и п-каналом 4* — 60; 70* ±30 350 <20; <1* КП905Б 4* — 60; 70* ±30 350 <20; <1* КП905В 4* — 60; 70* ±30 350 <20; <1* КП907А С изолированным затвором и п-каналом 11,5* — 60; 70* ±30 2,7 А <100; <10* КП907Б 11,5* — 60; 70* ±30 1,7 А <100; <10* КП907В 11,5* — 60; 70* ±30 1,3 А <100; <10*
Полевые транзисторы 315 S, мА/B Сци» С12и, с;;и, пФ ^СИотк» К* ДБ р^, Вт AU^*, мВ Кш» дБ и*ш, мкВ в:, нв/vni Q", Кл нс нс с МГц дизи/дт*", мкВ/’С Корпус >1500 (50 В; 1,5 А) >2500 (50 В; 2,7 А) >4900 (50 В; 4,8 А) 360; 92** 610; 160** 1300; 310** <3 <1,5 <0,85 50...160 (20 В; 0,5 А) 60... 170 (20 В; 0,5 А) <100; <10* <10* >7* (100 МГц) >10** (100 МГц) >6,7** (100 МГц) 10...25 <11; <0,6*; <11** >6,6* (250 МГц) (20 В; 50 мА) S0,8** (60 МГц) 10...25 (20 В; 50 мА) <11; <0,6*; <11** >0,8** (60 МГц) 10...25 (20 В; 50 мА) <11; <0,8*; <11** S0,8** (60 МГц) 85-140 (8 В) <18 S0,09** (30 МГц); <10; S7,6* 50-130 (8 В) <18 SO,09* (30 МГц); S10; S7.6* 60-140 (8 В) <18 SO,09** (30 МГц); :S10; S7,6* 250...510 250...510 <300 (30 В) <300 (30 В) 18...39 <7; <0,6*; <4** (20 В; 50 мА) 18-39 (20 В; 50 мА) <11; <0,6*; <4** 18...39 <13; <0,8*; <6** (20 В; 50 мА) ПО...200 (20 В; 0,5 А) <3* (25 В) 100-200 (20 В; 0,5 А) <3* (25 В) 80-110 (20 В; 0,5 А) £3* (25 В) >50** (60 МГц) >30** (60 МГц) >13* (60 МГц) >1**; >8* (1 ГГц) >6* (1 ГГц) >4* (1 ГГц) >4** (1 ГГц) >3** (1 ГГц) >5** (0,4 ГГц) Ш5 <8 (250 МГц) <5** (100 кГц) <5* (100 кГц) <5** (100 кГц) tcn=16 tcn=16 tcn=20 КП820, КП830, КП840 4,8 КП903 КП904 КП905, КП907 <2; <2* <2; <2* <2; <2* <6 (250 МГц) <6,5 (1000 МГц) 1,15 2,5 КП901 1 it 1 1 1 L_U ( |iu КП902 1 1LL 1 1 1 J L_U ( ju Подл. Подл. V “ см Г 20t5
316 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* *СИттах» Вт U3M ОТС» и3И пор» В UcH max » и* ’“’ЗСтах» В иЗИ max » В ^с» ^с.и» мА ^Снач» 1сост» МА КП908А С изолированным затвором 3,5* — 40; 50* 20 280 <25; <0,5* КП908Б и индуцированным п-каналом 3,5* 40; 50* 20 200 <25; <0,2* КП921А С изолированным затвором и индуцированным каналом 15* — 45 40 (имп.) 10 А <2,5 (40 В) КП921Б п-типа 15* 2...8 40 ±40 7 А <2,5 (40 В) КП922А С изолированным затвором 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП922Б и индуцированным 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП922В п-каналом 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП922А1 С изолированным затвором 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП922Б1 и индуцированным 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП922В1 п-каналом 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП922Г1 60* 2...8* 100 ±30 10 А 2 КП923А С изолированным затвором и п-каналом 100* — 50; 60* 20 12 А <50; <50* I КП923Б 100* — 50; 60* 20 8 А <50; <50* КП923В 50* — 50; 60* 20 6 А <25; <25* КП923Г 50* — 50; 60* 20 4А <25; <25* КП928А С изолированным затвором и каналом п-типа 250* — 50; 60* 25 21 А <150; <150* КП928Б 250* 55; 65* 25 16 А <150; <150*
Полевые транзисторы 317 S, мА/B Спи* С12и» С22и» пФ ^СИотк» ОМ к* дБ Вт ДИзи*, мВ Кш, дБ и*ш, мкВ е;, нв/Vni Q**\ Кл НС Со. нс С’. МГц дизи/дт“*, мкВ/’С Корпус £24 (20 В; 80 мА) £24 (20 В; 80 мА) <4,5 (25 В); £0,6* £6,5 (25 В); £0,6* >1** (1,76 ГГц) £25 — — KI 1908 k t j F 1 12,1* J 1 1 2Д 5 > 800...1500 (25 В; 1 А) >800 (25 В; 1 А) <2000; <280** <0,13 <0,2 — <100* Kl [1921 Iffi «о S’ L ‘ ИСЗ I 1000...2100 (1 А) 1000...2100 (1 А) 1000...2100 (1 А) £2000 (20 В) £2000 (20 В) £2000 (20 В) <0,2 <0,4 <1 — <100; <100* <100; <100* <100; <100* Kl 27,1 1922 i **** I □<*" /з И foe CSf. / 1 \<>y Нъ ' JI 1000...2100 (1 А) 1000...2100 (1 А) 1000...2100 (1 А) 1000...2100 (1 А) £2000 (20 В) £2000 (20 В) £2000 (20 В) £2000 (20 В) <0,2 <0,4 <1 <0,17 — <100; <100* <100; <100* <100; <100* <100; <100* КП922- 1Ц65 1 4/ 4 Jjl Л Г < 1,15 1 llr 9 К ITT £1000 (20 В; 3 А) £700 (20 В; 3 А) £550 (20 В; 2 А) £350 (20 В; 2 А) £400 (10 В) £400(10 В) £220 (10 В) £220 (10 В) £50** (1 ГГц); £4* >25** (1 ГГц) >4* £1; £25** (1 ГГц) £4* £3; £17** (1 ГГц) >4* — — КП923 03,1 k/w 3am& — MODKU- роока =2ju£= 1 1 x 20 : 1800 (20 В; 3 А) 1800 (20 В; 3 А) 530 (10 В); 50* 530(10 В); 50* £0,4; £6,2* £250** (0,4 ГГц) £0,4; £6* £200** (0,4 ГГц) — — IT КП928 А т— J *4 J JL_ <JlL>C2 if 'Ги| 1 31Г-1Т-1 OUZJ32
318 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max » мВт Р* * СИ т max » Вт иЗИ отс» и3И пор » В UcH max ♦ U3C max » В иЗИ max » В 1с» ®с, и» мА 1с нам» Icoe,» МА КП931А пМОП 20* 800 — 5 А — — КП931Б пМОП 20* 600 — 5 А — — КП931В пМОП 20* 450 5 А КП932А пМОП 10* 250 300 0,1 0,1 > КП934А Со статической индукцией, 40* — 450 5 15 А — КП934Б с каналом п-типа 40* — 300 5 15 А — КП934В 40* 400 5 15 А КП934А1 Со статической индукцией, 20* — 450 5 15 А — КП934Б1 с каналом п-типа 20* — 300 5 15 А — КП934В1 20* 400 5 15 А КП936А С изолированным затвором, 75 Вт — 350 30 10 А <1,4 (280 В) КП936Б с п-каналом 75 Вт — 400 30 7 А <1,4 (320 В) КП936В 75 Вт — 350 30 10 А <1,4 (280 В) КП936Г 75 Вт — 400 30 7 А <1,4 (280 В) КП936Д 75 Вт — 300 30 10 А <1,4 (260 В) КП936Е 75 Вт 400 30 7 А <1,4 (320 В) КП936А-5 С изолированным затвором, 75 Вт — 350 30 10 А <1,4 (280 В) КП936Б-5 с п-каналом 75 Вт — 400 30 7 А <1,4 (320 В) КП936В-5 75 Вт — 350 30 10 А <1,4 (280 В) КП936Г-5 75 Вт — 400 30 7 А <1,4 (280 В) КП936Д-5 75 Вт — 300 30 10 А <1,4 (260 В) КП936Е-5 75 Вт — 400 30 7 А <1,4 (320 В)
Полевые транзисторы 319 S, мА/B ^Ни» С12и» ^22и» ®СИотк» К* дБ Р . Вт вых» *** AU3H у мВ Кш, дБ и*ш. мкВ е:, нв/vfii Q*", Кл нс tL,.нс С МГц дизи/дт‘”, мкВ/*С Корпус >20 >20 >20 — —— — 400 400 400 Ъ 11 КП931 1^ ** / /,* Съ jLlL 03 ЧГ сз Со 7^ x7,7 ' 1 I n HJ 9С 1 Т Т 9 К 55...93 п 11 КП932 J 4,8 С\э L— <з> £Г -3 c ЧГ Сч я llfc 1,1 и 1 11» 9/7 1 IT 9/7 h2i3=10...80 (5 А) h2i3=10...80 (5 А) h2i3=lO...8O (5 А) — <0,1 <0,1 <0,1 — <100; <2500* <100; <2500* <100; <2500* < 1 КП934 27J j 1 /3 t ° A о \ 2-1J1 . H 1 h2i3=lO...8O (5 А) h2i3=10...80 (5 А) h2i3=10...80 (5 А) — <0,1 <0,1 <0,1 — <100; <2500* <100; <2500* <100; <2500* Ч 11 КП934 •1 37^ дАЕ оз ЧГ J,1 и iBir* 9С ITT 9 К 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) £2300 (25 В) <2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) <0,5 <0,85 <1,1 <1,1 <0,4 <0,6 — <120* <120* <120* <120* <120* <120* КП93( > 4,8 L— о» -3 IfiL 03 ЧГ Сч J з-| II lllk И У//,75 19 J,1 ' 1 9/7 ITT 9/7 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) 800.-2500 (1 А) 800...2500 (1 А) 800...2500 (1 А) | 800...2500 (1 А) £2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) £2300 (25 В) <0,5 <0,85 <1,1 <1,1 <0,4 <0,6 — <120* <120* <120* <120* <120* <120* КП936- 3 5 0,38 СМ ____
320 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* *СИ т max » Вт U3H отс» иЗИ пор» В UcH max » U3C max » В U3H max » В Ic. 1с,и. мА нач» I* ост, мА КП937А С р-п-переходом и п-каналом 50* -15 450; 475* 20 17,5 А КП937А-5 С р-п-переходом и п-каналом 50* -15 450; 475* 20 17,5 А КП938А С р-п-переходом и 50* — 500; 500* -5 12 А <3* КП938Б п-каналом 50* — 500; 500* -5 12 А <3* КП938В 50* — 450; 450* -5 12 А <3* КП938Г 50* — 400; 400* -5 12 А <3* КП938Д 50* 300; 300* -5 12 А <3* КП944А С изолированным затвором и р-каналом 30* -1,5...-4,5 50; 50* 20 15 А <0,5; <1* КП944Б 30* -1,5...-4,5 60; 60* 20 10 А <0,5; <1* КП945А С изолированным затвором и п-каналом 30* 1,5...4,5 50; 50* 20 15 А <0,5; <1* КП945Б 30* 1,5...4,5 70; 70* 20 10 А <0,5; <1* КП946А БСИТ 40* — 400 5 15 А — КП946Б п-канал 40* 200 5 15 А КП948А БСИТ 20* — 400 5 5 А — КП948Б п-канал 20* — 300 5 5 А — КП948В 20* — 370 5 5 А — КП948Г 20* 250 5 5 А КП951А-2 С изолированным затвором, 3* <6* 36; 41* 20 600 <1; <2* КП951Б-2 с п-каналом 3* <6* 36; 41* 20 600 <2; <4* КП951В-2 3* <6* 36; 41* 20 600 <2; <8*
Полевые транзисторы 321 S, мА/B Сци» С|2и, с;;и, пФ 20* (5 В; 5 А) ^СИотк» ОМ К р, дБ Р , Вт * вых» AU3M 1 мВ Кш, дБ 1Г», мкВ е:, нВ/д/Гц Q*~, Кл <0,07 — tBKJ1, нс ^выкл» С МГц дизи/дт" мкВ/°С Корпус КП937 27.1 >20* (5 В; 5 А) <0,07 Ьг 1э^20* h2i3^20* 11213^20* 11213^20* h2i3^20* (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) <0,07 <0,07 <0,1 <0,1 <0,1 КП937-5 6 <—>► ► J f 0,4 >3000 (10 В; 4 А) >3000 (10 В; 4 А) 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) <0,3 <0,4 >2300 (3 В; 2 А) >2300 (3 В; 2 А) >200 (10 В; 0,5 А) >500 (10 В; 1,5 А) >1000 (10 В; 3 А) <200 <200 <200 <200 <200 90; 120* 90; 120* КП938 27.1 1_ & ' 1 600 (25 В; 1 МГц) 150* 600 (25 В; 1 МГц) 300** <0,1 <0,15 0,1 0,1 0,15 0,15 0,15 0,15 >3** (0,4 ГГц) >5** (0,4 ГГц) >15** (0,4 ГГц) 60; 180* 60; 180* 80 80 КП944, КП945 i \35 5,2 * 0.5 —« гт- — ЧГ з. 0,8 4,57 КП946, КП948 КП951-2 20 80 80 80 80
322 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max’ мВт Р* * СИ т max » Вт и3И отс» и* '-’ЗИ пор» В UcH max» U3C max» В U3M max» В Jc» ^с.и» мА 1с нам’ Icoc.mA КП953А БСИТ 50* — 450 5 15 А — КП953Б п-канал 50* — 300 5 15 А — КП953В 50* — 450 5 15 А — КП953Г 50* — 300 5 15 А — КП953Д 50* 450 5 15 А КП954А БСИТ 40* — 150 5 20 А КП954Б п-канал 40* — 100 5 20 А — КП954В 40* — 60 5 20 А — КП954Г 40* — 20 5 20 А — КП954Д 40* 60 5 20 А КП955А БСИТ 70* — 700 5 20 А — КП955Б п-канал 70* 450 5 20 А КП956А БСИТ 10* — 350 5 2 А КП956Б п-канал 10* 200 5 2 А КП957А БСИТ 10* — 800 5 1 А — КП957Б п-канал 10* — 800 5 1 А — КП957В 10* 700 5 1 А КП958А БСИТ 70* — 150 5 30 А — КП958Б п-канал 70* — 100 5 30 А — КП958В 70* — 60 5 30 А — КП958Г 70* 20 5 20 А 1 КП959А БСИТ 7* — 220 5 200 КП959Б п-канал 7* — 200 5 200 — КП959В 7* 120 5 200
Полевые транзисторы 323 S, мА/B х А *у В у и ^СИотк» к* дБ Рвы*х, Вт Дизи*, мВ Кш» дБ и*ш, мкВ е:, нВД/Гц Q ", Кл *.«я. ИС ^выкл» ИС С. МГц дизи/дт***, мкВ/’С Корпус 1 1 1 1 1 — 0,06 0,06 0,06 0,06 0,064 — 150; 50** 150; 50** 150; 50** 150; 50** 150; 50** КП95 15,9 3 5 S»|ч* СМ ‘1 «С’1 U ш п зси — — <0,03 <0,03 <0,025 <0,025 <0,05 — 50; 100** 50; 100** 50; 100** 50; 100** 50; 100** КП954 137^ съ V? гг:: [ Ь «о чг CSI СЪ Со К, ^91 9 К 9 С ITT — — 0,04 0,003 — 100; 100** 100; 100** КП9Е 15,9 >5 £ ‘з <« ч _1_ _Ш I зси — — 0,6 0,6 — 100; 50** 100; 50** КП95( >, КП957 Г -ф- ж н —• 0,8 0,8 0,8 — 80; 50** 80; 50** 80; 50** ** 11 Т 1 ОС L ~2ZZ 1 111 ЛII о л 3 СИ — — 0,02 0,02 0,02 0,02 — 80; 100** 80; 100** 80; 100** 80; 100** КП9£ >8 5 п 0 2/, Г Х/2.7. *1 m JH зси — — 57 57 57 — 200** 200** 200** KI 1959 I" ф оо 1 /гч Г Г К1*' 1 III ЛII сч л И( ; з 1
324 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ^СИ max » мВт Р’ * СИ т max ♦ Вт U3„ ОТС» U3H пор» В UcH max» U3C max » В U3h max* В Ic. ^с. и» мА вам* 1с<кг. “А КП960А БСИТ 7* — 220 5 200 — КП960Б р-канал 7* — 200 5 200 — КП960В 7* 120 5 200 КП961А БСИТ 10* — 120 5 5 А — КП961Б п-канал 10* — 80 5 5 А — КП961В 10* — 60 5 5 А — КП961Г 10* — 40 5 5 А — КП961Д 10* — 20 5 5 А — КП961Е 10* —— 10 5 5 А —- КП962А СИТ, п-канал 10* -15 400 -20 2; 8* А КП962А-5 СИТ, п-канал 10* -15 400 -20 2; 8* А КП963А СИТ, п-канал 40* 150 -5 15; 50* А 1 КП963А-5 СИТ, п-канал 40* 150 -5 15; 50* А КП964А БСИТ 40* — 150 5 20 А — КП964Б р-канал 40* — 100 5 20 А — КП964В 40* — 60 5 20 А — КП964Г 40* 20 5 20 А
Полевые транзисторы 325 S, мА/B ?•- И Л ®СИотк> К Р, дБ Р , Вт * вых» AU"*, мВ — — 57 — — 57 57 — — 0,16 — — 0,13 — — 0,11 — — 0,10 — — 0,10 — — 0,8 <0,5 — <0,5 Кш, дБ и’ш, мкВ е:, нва/гц Q”, Кл НС ^ВЫКЛ» с» МГц дизи/дт***, мкВ/*С Корпус — 150** 150** 150** KI I960 1' i. 4 $5 u u4 и /1 IQ co’ ИСЗ — 40; 100** 40; 100** 40; 100** 40; 100** 40; 100** 40; 100** 7g щтм t - Kl 4- 1961 co’’ ИС 3 <100* (s'sl) зи'мГ f /4 p 1 Kl 7 >1 № >3 1962 4,8 (5,3) -e —»| |<— L T 100 Ю i сч КП 3 962- 5 0,38 I <0,03 (10 A) 0,9 400 i । < i Kl 10,7 1963 4,8 । (5,3) 'I*— ; si) s 9i li l' I 4 J И( <0,03 (10 A) 0,9 400 КП 5,К 963-5 5 __ 0,38 5,6 Illi Illi 0,03 0,03 0,025 0,025 — 50; 100** 50; 100** 50; 100** 50; 100** KI 1964 Ж flr*t 5 I i ЧГ .L Sr 2$ 1 fej ’ 1
326 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура р ГСИ max » мВт Реи т max » Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор » в UcH max» U3C max» В U3H max » В Ic. 1си. мА ^Снач* >С ост • “А КП965А БСИТ 10* — 250 5 5 А — КП965Б р-канал 10* — 160 5 5 А — КП965В 10* — 120 5 5 А — КП965Г 10* — 60 5 5 А — КП965О 10* 20 5 5 А КП971А БСИТ 100* — 900 5 25 А — КП971Б п-канал 100* — 800 5 25 А — КП973А БСИТ 100* — 700 5 30 А — КП973Б п-канал 100* — 600 5 30 А — КПС104А Сдвоенные, с р-п-переходом 45 0.2...1 25; 30* -30; 0,5 — <0,8 КПС104Б и п-каналом 45 0,2...1 25; 30* -30; 0,5 — <0,8 КПС104В 45 0,4...2 25; 30* -30; 0,5 — <0,8 КПС104Г 45 0,4...2 25; 30* -30; 0,5 — <0,8 КПС104Д 45 0,8...3 25; 30* -30; 0,5 — <0,8 КПС104Е 45 0,8...3 25; 30* -30; 0,5 — <0,8 КПС202А-2 Сдвоенные, с р-п-переходом 60 0,4...2 15; 20* 0,5 — <1,5 КПС202Б-2 и п-каналом 60 0,4...2 15; 20* 0,5 — <1,5 КПС202В-2 60 0,4...2 15; 20* 0,5 — <1,5 КПС202Г-2 е 60 1...3 15; 20* 0,5 <3 КПС203А-1 Сдвоенные, с р-п-переходом 30 (55”С) 0,2...2 15; 20* 0,5 — 0,25...1,5 КПС203Б-1 и р-каналом 30 (55°С) 0,2...2 15; 20* 0,5 — 0,25...1,5 КПС203В-1 30 (55°С) 0,4...2 15; 20* 0,5 — 0,35...1,5 КПС203Г-1 30 (55°С) 1...3 15; 20* 0,5 1,1...3 КПС315А Сдвоенные, с р-п-переходом 300 1...5 25; 30* 30 — 1...20 КПС315Б и каналом п-типа 300 0,4...2 25; 30* 30 1...20 КПС316Д-1 Сдвоенные, с р-п-переходом 60 0,3...2,2 25; 25* 25 — — КПС316Е-1 и каналом п-типа 60 0,3...2,2 25; 25* 25 — — КПС316Ж-1 60 1.3...4 25; 25* 25 — КПС316И-1 60 2,5...6 25; 25* 25
Полевые транзисторы 327 S, мА/B Спи» Ci2H» С22и» пФ ^СИотк» к* дБ Р , Вт ди;;\ мв Кш, дБ и*ш, мкВ Е“, нВ/^Гц Q***, К л <«.. нс нс С МГц AU^/AT***, мкВ/*С Корпус — — 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 — 40; 200** 40; 200** 40; 200** 40; 200** 40; 200** КП965 ф ж со сч: m ^пгрп^ И Г т ИС 3 — — 0,04 0,04 — 200 150 £ 1П971, Kl 15,9 [1973 S 1 — 0,03 0,03 — 150 150 :1 ₽ 1 I зси SO,35 (10 В) S0,35 (10 В) S0,65 (10 В) S1 (10 В) S1 (10 В) SO,65 (10 В) <4,5; <1,5* <4,5; <1,5* <4,5; <1,5* <4,5; <1,5* <4,5; <1,5* <4,5; <1,5* <30*** <30*** <50*** <50*** <зо*** <20*** 20,4* (10 Гц) 21* (10 Гц) 25* (10 Гц) 21* (10 Гц) 25* (10 Гц) <50*** <150*** <150*** <100*** <150*** <20*** КП С104 Gt J ^2 шиш ФФФ С 2 SO,5 (5 В) SO,5 (5 В) SO,65 (5 В) >1 (5 В) <6; <2* <6; <2* <6; <2* <6; <2* <10*** <10*** <30*** <30*** — 30** 30** 30** 30** £ 3 И КПС202-2 » ^3*~f ЕТ SO,5 (10 В) SO,5 (10 В) SO,65 (10 В) S1 (10 В) <6 (10 В); 22* <6 (10 В); 22* <6 (10 В); 22* <6 (J0 В); 22* <10*** <10*** <30*** <30*** 22,5* (10 Гц) 212* (10 Гц) <40*** <40*** <150*** <150*** КПС203-1 г—\ 1 1 Ji ^з2 •с2 4^ 4* 1. 6 S2,8 (5 В) S1...5 (5 В) 28 (10 В) 28 (10 В) <30*** <30*** — <30***; 60** <30***; 60** КП S9t5 [С315 Л \ Подл. иЦд | оп И •о I *'Vkolo7/^ л [ г ill SO,5 (5 В; 0,3 мА) SO,5 (5 В; 0,3 мА) >0,5 (5 В; 0,3 мА) SO,5 (5 В; 0,3 мА) <6 (10 В); 22* 26 (10 В); 22* 26(10 В); 22* 26 (10 В); 22* <50*** <50*** <50*** <50*** — <40*** <40*** <40*** <40*** КП З2 ^2^ \l/j С31 к !п- 16 /п
328 Раздел 3. Полевые транзисторы Новые полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max * мВт Р* * СИ т max» Вт и3И отс» и3И пор » В UcH max» U3C max * В Ч3И max * В Ic. 1с.И» мА, С 1с нач » 1сост» мА КЕ713А9 БТИЗ, п-канал с диодами Рк = 20 Вт 0,5...2,5* 400* ±6; ±8 8* А; 150***А КЕ713А5 БТИЗ, п-канал с диодами Рк = 1,3 Вт 0,5...2,5* 400* ±6; ±8 8* А; 150***А КЕ714А БТИЗ, п-канал с внутренней защитой Рк = 150 Вт 1...2,4 <440* <15* 20** А КЕ714А9 БТИЗ, п-канал с внутренней защитой Рк = 150 Вт 1...2,4 <440* <15* 20** А КЕ714А5 БТИЗ, п-канал с внутренней защитой 1...2,4 <440* <15* 20** А КП7174А п-МОП с диодом 80* 2...4 75 ±20 21 А; ПО* А <0,025
Полевые транзисторы 329
330 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт ₽СИ т max » Вт ^ЗИотс» и3И пор» В UcH max ♦ ^ЗСтах» В и3И max ♦ В 1С. 1с,и. мА, С нам » мА КП7174А9 n-МОП с диодом 80* 2...4 75 ±20 21 А; И* А <0,025 КП7175А п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 100 ±20 75 А; 300* А <0,026 КП7175А1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 100 ±20 75 А; 300* А <0,026 КП7176А п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 100 ±20 80 А КП7176Л1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 100 ±20 80 А КП7177А п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 200 ±20 50 А; 200* А <0,2 КП7177А1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 200 ±20 50 А; 200* А <0,2
Полевые транзисторы 331 S, мА/B A/B* Сци’ С12и» С22и» пФ КсИотк» ОМ к*, дБ Р , Вт вых» дизи*» мВ Кш, дБ и‘ш, мкВ е:, нв/#п Q"*, Кл ♦ж,. нс Сыкл. НС С МГ« дизи/дт***, мкВ/’С Корпус 1600; 110*; 660** <0,075 15; 30*; tcn=60 КП7174-9 10,28 J. Ь” 4,55 3* • > „ 1 > 00* «-t I LIE lib и V-4'— J и r> /7^ >25* (10 B, 75 A) 4500; 1600*; 800** <0,026 <30; <110*; tcn<90 КП71 175 Z F Сч ю Iе f JI I r г 1 ЗСИ 4500; 1600*; 800** <0,026 <30; <110*; tcn<90 КП7175-1 07/ Л/Х. •• • » • 1 1 ° Y J IT — 4500; 1600*; 800** <0,018 <30; <110*; tcn<90 4500; 1600*; <0,018 800** >26* (10 B, 50 A) 4500; 285*; 800** <0,049 — 4500; 285*; 800** <0,049 <30; <110*; tcn<90 <25; <90*; tcn<25 <25; <90*; tcn<25 КП7176-1 КП7177-1
332 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max» мВт Р* * СИ т max » Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор» в Ucn max » U3C max» В изи max » В 1с» 1с. и» мА, С 1с нач» Icoct» МА КП7177Б п-МОП с диодом 250* 2,5...4,5 200 ±20 45 А; 180* А <0,2 КП7177Б1 п-МОП с диодом 250* 2,5...4,5 200 ±20 45 А; 180* А <0,025 КП7177АМ п-МОП 300* 2,5...4,5 200 ±20 50 А; 200* А <0,2 / КП7178А п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 300 ±20 40 А; 160* А 20,2 КП7178А1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 300 ±20 40 А; 160* А 20,2 КП7179А п-МОП 2,5...4,5 300 ±20 52 А
Полевые транзисторы 333 S, мА/B A/В* Сци» С12и» С”, пФ ®СИотк» ОМ К„р» дБ Р . Вт вых’ ли"*, мВ Кш» дБ 1ГШ, мкВ е;, нВД/rii Q"’, Кл *вкл. НС ^выкл> НС £.мгц Диэи/ДТ** мкВЛС Корпус >24* (50 В, 28 А) 5200; 310*; 1100** 5200; 310*; 1100** 4500; 285*; 800** 4800; 280*; 745** 4800; 280*; 745** <0,055 <0,055 <0,049 <0,085 <0,085 <0,06 <29; <110*; tcn<92 <29; <110*; tcn<92 <25; <90*; tcn<25 <30; <100*; tcn<90 КП7177-1 27J КП7177-М 3,7 КП7178-1 27J <30; <100*; tcn<90 КП7179 5,08*0,15 17.7max I iJS1 5,08*0,15
334 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* СИ т max » Вт ^ЗИ отс» и3И пор» в UCH max» и* '“'ЗСтах» В иЗИ max » В 1с» 1с.и» мА, I*.* ^Снач» Ic-e,» мА КП7180А п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 500 ±20 24 А; 96* А <0,2 КП7180А1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 500 ±20 24 А; 96* А <0,2 КП7180Б п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 500 ±20 26 А; 100* А <0,025 КП7180Б1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 500 ±20 26 А; 100* А <0,2 КП7181А п-МОП 300* 2,5...4,5 500 ±20 40 А КП7181А1 п-МОП 300* 2,5...4,5 500 ±20 40 А
Полевые транзисторы 335 S, мА/B А/В* Спи» С12и» С22и» ПФ ^СИотк» ОМ к* дБ Р . Вт * вых» Дизи , мВ Кш» дБ и’ш, мкВ в:, нВ/Tri! Q™, Кл к», нс ^вмкл» НС С мг« дизи/дт***, мкВ/’С Корпус >24* (50 В, 28 А) 3900; 135*; 450** <0,23 <25; <80*; tcn<40** KU Л ‘ П f L_ 3C 171 9 и 80 5 1 V 0 >15* (10 В, 24 А) 3900; 135*; 450** <0,23 <25; <80*; tcn<40** 7J Ш КП 27,1 ? \ JI 718 I Ю-1 5 3900; 135*; 450** <0,2 <25; <80*; tcn<40** lx /7г s'9i КП71 75^ ЗСИ 80 5 1 I 3900; 135*; 450** <0,2 <25; <80*; tcn<40** Л+^Т]. Г-, •*! /г/ n КП 27,1 JI 718 Jb Ю-1 3900; 135*; 450** 0,14 <OH st’' КП71 15t9 гй jh ЗСИ 181 5 1 V Q 0,14 КП7181 17,7mai -1 0.1 6,5mca HO,12 1-^. 37,6 max L 3 С И >2 I . 04 5,6± -Ф 9,15 Й p T_ Js,w*(l15
336 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура р *СИ max1 мВт ^СИт max» Вт ^ЗИ ОТС» и3И пор » в иСИ max » U ЗСтах» В и3И тах» В Jc» к и» мА, 1с нач» 1с.<т. «А КП7182А п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 600 ±20 20 А; 80* А <0,025 КП7182А1 п-МОП с диодом 300* 2,5...4,5 600 ±20 20 А; 80* А <0,025 КП7183А п-МОП 300* 2,5...4,5 600 ±20 30 А КП7183А1 п-МОП 300* 2,5...4,5 600 ±20 30 А КП7184А п-МОП 300* 2,5...4,5 800 ±20 15 А; 60* А <0,025 КП7184А1 п-МОП 300* 2,5...4,5 800 ±20 15 А; 60* А <0,025
Полевые транзистор^ 337 S, мА/В А/В* Сци» С12и» С^и. пФ ^СИотк» ОМ Ср, дБ Рвы‘х, Вт AU~\ мВ Кш, дБ 1ГШ, мкВ ж:, нВД/Гц Q”, Кл ♦«.. нс ^выкл» НС С МГц Дизи/ДТ" мкВ/’С Корпус >11* (10 В, 10 А) 3300; 140*; 420** <0,35 <40; <90*; tcn<60 >11* (10 В, 10 А) 3300; 140*; 420** <0,35 <0,23 <0,23 >8* (10 В, 7,5 А) 4870; 120*; 395** <0,6 >8* (10 В, 7,5 А) 4870; 120*; 395** <0,6 1*0,12 <40; <90*; tcn<60 5,08*0,15 КП7182-1 КП7183 17J max КП7183-1 ЗСИ <50; <100*; tcn<50 15,9 !UL 5 1 КП7184 ЗСИ 5 ‘з Г <50; <100*; tcn<50 КП7184-1 27,1 с ч. f J 1 о
338 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура max ’ мВт т max ’ Вт ^ЗИ отс» иЗИ пор’ В UcM max ’ U3C max ’ В U3H max’ в Iе* ^С, И’ мА, 1Г ^Сиач> мА КЕ705А n-канальный БТИЗ 100* 2,4 430 — 1к=20 А — КЕ705Б n-канальный БТИЗ 100* 2,4 390 — 1к=20 А — КЕ705В n-канальный БТИЗ 100* 2,4 430 12 1к=20 А — КЕ705Г n-канальный БТИЗ 100* 2,4 390 — 1к=20 А — КЕ705Д n-канальный БТИЗ 175* 2,4 600 — 1к=20 А — КЕ705А91 n-канальный БТИЗ 100* 2,4 430 — 1к=20 А — КЕ705Б91 n-канальный БТИЗ 100* 2,4 390 — 1к=20 А — КЕ705В91 n-канальный БТИЗ 100* 2,4 430 — 1к=20 А — КЕ705Г91 n-канальный БТИЗ 100* 2,4 390 — 1к=20 А — КЕ716А n-канальный БТИЗ 250* 3,5 600 20 1к=41 А - КЕ717А n-канальный БТИЗ 250* 3...5 400 1к=20 А КЕ717А9 n-канальный БТИЗ 250* 3...5 400 1к=20 А
Полевые транзисторы 339 S, мА/B A/B* С|1и» С|2и» ^22и» ^СИотк» к* дБ PBL Вт Дизи , мВ дБ <4, мкВ е:, нвд/гн <Г, Кл tj«. нс НС С, МГц дизи/дт***, мкВ/’С Корпус 15* — <0,07 — tHp<2,8 KE705 4/ 15* — <0,1 — tHp<2,8 ±' 15* — <0,1 — tnp<12 £ «Г I 15* — <0,1 — 1нр<12 З-lll III * 1 VS 15* <0,1 — tHp<12 чЭ!Ь^ x7,7 15* — <0,07 — tHp<2,8 KE705-91 15* <0,07 tHp<2,8 15* <0,1 tnp<12 15* <0,1 tHp<l2 12* <0,07 tHp=0,058 12* <0,09 <0,09 KE717-9
340 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 т Тип прибора Структура РсИ max » мВт Реи т max » Вт U3H отс» и3И пор» В UcH max » и* w ЗСтах» В и3И max * В 1с» ^с,и» мА, С ,^Снач> !с»<г. мА КЕ718А n-канальный БТИЗ 600 1к=60 А КЕ718А1 n-канальный БТИЗ 600 1к=60 А КП406АЗ с п-каналом *2...4 20 20 ЗА КП406А5 с п-каналом *2...4 20 20 ЗА КП406А9 с п-каналом *2...4 20 20 ЗА
Полевые транзисторы 341 S, мА/B А/В* го X “ яЛ .A. to ф х ^СИотк» ОМ К* ДБ Р . Вт вых» ди;*\ мВ Кш, дБ и*ш, мкВ Еш\ нВ/7гП Q™, Кл ♦«.. нс ^выкл> С. мг« дизи/дт***, мкВ/°С Корпус <0,04 10,65 КЕ718 1 Г сз& <>□ ЧГ i S-J Ik | /,75 li 7^J хУ <0,04 0,15 КП406-3
342 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура РСИ max» мВт РсИ т max » Вт ^ЗИ ОТС» и3И пор» В «СИ max » U ЗСтах» В и3И тах» В !с» ^с, и» мА, С м о » § о" - S КП767А п-МОП 50* *2...4 200 20 5,2 А; 18* А *25 (200 В) I КП767Б п-МОП 74* *2...4 200 20 9 А *25 (200 В) КП767В п-МОП 125* *2...4 200 20 18 А *25 (200 В) КП767Г п-МОП 50* *2...4 200 20 2,8 А *25 (200 В) КП767Д п-МОП 74* *2...4 200 20 8,1 А *25 (200 В) КП767В2 п-МОП 150* *2...4 200 20 20 А *25 (200 В) КП767А9 п-МОП 42* *2...4 200 20 4,5 А *25 (200 В) КП767Б91 п-МОП 74* *2...4 200 20 9 А *25 (200 В) КП767В91 п-МОП 125* *2...4 200 20 18 А *25 (200 В)
Полевые транзисторы 343 S, мА/B A/В* С|2и> С“, пФ ^СИотк» К* дБ Дизи , мВ Кш, дБ и‘ш, мкВ е:, нв/7гП Q-, Кл к.» нс ^выкл> НС С, МГц дизи/дт*“, мкВ/°С Корпус >1,5* (50 В; 3,1 А) 260; 30* 0,8 — tcn=13 КП767 >3,8* (50 В; 3,4 А) 950; 76* 0,4 — tcn=45 4? 31 пг 10,Ь «to 3 >6,7* (50 В; 11 А) 1600; 130* 0,18 — tcn=40 Ч) ЧГ 7 lib >1,5* (50 В; 2,6 А) — 1,1 — — У/ 7,75 25 1>1,6* (50 В; 5,1 А) — 0,45 — — >6,7* (50 В; 3,1 А) 0,18 2:1,5* (50 В; 3,1 А) 260; *30 0,8 >6,7* (50 В; 11 А) 950; *76 0,4 >6,7* (25 В; 9,5 А) 1600; *130 0,18 tcn=40
344 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура р * СИ max ♦ мВт Р* *СИттах» Вт ^ЗИ отс» и3И пор» В UcH max ♦ U3C max ♦ В U3H max ♦ В 1с» 1с. и» мА, I** 1с нач» Icoct, мА КП768А п-МОП 50* *2...4 400 20 3,3 А <25* (400 В) КП768Б п-МОП 50* *2...4 350 20 3,3 А 225* (350 В) КП768В п-МОП 50* *2...4 400 20 3,3 А 225* (400 В) КП768Г п-МОП 50* *2...4 350 20 3,3 А <25* (350 В) КП768Д п-МОП 74* *2...4 400 20 5,5 А 225* (400 В) КП768Е п-МОП 74* *2...4 350 20 5,5 А <25* (350 В) КП768Ж п-МОП 74* *2...4 400 20 5,5 А <25* (400 В) КП768И п-МОП 74* *2...4 350 20 5,5 А *225* (350 В) КП768К п-МОП 125* *2...4 400 20 10 А <25* (400 В) КП768Л п-МОП 125* *2...4 350 20 10 А 225* (350 В) КП768М п-МОП 125* *2...4 400 20 10 А 225* (400 В) КП768Н п-МОП 125* *2...4 350 20 10 А 225* (350 В) КП768А9 п-МОП 42* *2...4 400 20 2,8 А 225* (400 В) КП768А91 я==- - - г === п-МОП 125* *2...4 400 20 10 А 225* (400 В)
Полевые транзисторы 345 S, мА/В А/В* Сци» С|2и» ^22и» ^СИотк» к* дБ Рвых» Вт AU^*, мВ Кш» дБ Ц*ш, мкВ е;, нв/д/гп Q ", Кл НС ^выкл1 НС С. МГц AU^/AT***, мкВ/*С Корпус £1,7* (50 В; 2 А) 490; *47 1,8 — tcn=15 КП768 ЛЯ £1,7* (50 В; 2 А) 490; *47 1,8 — tcn=15 £1,7* (50 В; 2 А) 490; *47 2,5 — tcn=15 £1,7* (50 В; 2 А) 490; *47 2,5 — tcn=15 2,9* — 1,0 — tcn=15 31 10,65 fliTjp - 37^ 4. Г 1 2,9* — 1,0 — tcn=15 n 0Э ЧГ 2,9* — 1,5 — tcn=15 54111 lib 1 4 IK 2,9* — 1,5 — tcn=15 •r,< ок I 1 5,8* — 0,55 — tcn=15 5,8* — 0,55 — tcn=15 5,8* — 0,8 — tcn=15 5,8* — 0,8 — tcn=15 1,8 tcn=15 КП768- 6,6 9 0 QR ! 5,2 1 • 4 1 ‘i 3 CD 5,8* 490; *47 0,55 — 15 КП768-91 10,28
346 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура р * СИ max » мВт Р* * СИ т max » Вт U3M отс» и3И пор» В UcH max » ^ЗСтах» В иЗИ тах» В 1с. ^с.и» мА, С ^Снач» >С ост » ^А КП769А п-МОП 60* *2...4 *100, 100 20 9,2 А *225 (100 В) КП769Б п-МОП 88* *2...4 *100, 100 20 14,0 А *225 (100 В) КП769В п-МОП 150* *2...4 *100, 100 20 28,0 А *225 (100 В) КП769А9 п-МОП 42* *2...4 *100, 100 20 7,0 А *225 (100 В) КП769В91 п-МОП 150* *2...4 *100, 100 20 28,0 А *225 (100 В) КП770А с п-каналом 50* *2...4 500 20 2,5 А *225 (500 В) КП770Б с п-каналом 50* *2...4 450 20 2,5 А *225 (450 В) КП770В с п-каналом 50* *2...4 500 20 2,5 А *225 (500 В) КП770Г с п-каналом 50* *2...4 450 20 2,5 А *225 (450 В) КП770Д с п-каналом 74* *2...4 500 20 4,5 А *225 (500 В)
Полевые транзисторы 347 S, мА/B А/В* Сци, С12и, Син» пф КСИотк» ОМ К* дБ pJx, Вт Дизи , мВ Кш, дБ и*ш, мкВ еш\ нв/Tni Q ", Кл *«.. нс ^ВЫКЛ» С, МГц дизи/дт** мкВ/’С Корпус >2,7* (50 В; 5,5 А) 360; **150 0,27 >5,1* (50 В; 8,4 А) 870; *60 0,16 >8,7* (50 В; 17 А) 1700; *120 0,077 tcn=20 tcn=24 tcn=43 0,27 КП769-9 >8,7* (50 В; 17 А) 0,077 КП769-91 £1,5* (50 В; 1,5 А) 360; **92 3 — tcn=16 £1,5* (50 В; 1,4 А) 360; **92 3 — tcn=16 £1,5* (50 В; 1,4 А) 360; **92 4 — tcn=16 £1,5* (50 В; 1,4 А) 360; **92 4 tcn=16 £2,5* (50 В; 2,7 А) 610; **160 1,5 — tcn=16
348 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура РсИ max » мВт Реи т max * Вт U3M отс» и3И пор» В UcH max » U ЗСтах» В иЗИ max » В 1с» 1с.И» мА, С <С нач • 1с«с. МА КП770Е с п-каналом 74* *2...4 450 20 4,5 А *<25 (450 В) КП770Ж с п-каналом 74* *2...4 500 20 4,5 А *<25 (500 В) КП770И с п-каналом 74* *2...4 450 20 4,5 А *<25 (450 В) КП770К с п-каналом 125* *2...4 500 20 8,0 А *<25 (500 В) КП770Л с п-каналом 125* *2...4 450 20 8,0 А *<25 (450 В) КП770М с п-каналом 125* *2...4 500 20 8,0 А *<25 (500 В) КП770Н с п-каналом 125* *2...4 450 20 8,0 А *<25 (450 В) КП770А1 с п-каналом 42* *2...4 500 20 2,5 А *<25 (500 В) КП782А п-МОП 43* *2...4 50 20 10 А — КП782Б п-МОП 43* *2...4 60 20 10 А — КП782В п-МОП 60* *2...4 50 20 17 А — КП782Г п-МОП 60* *2...4 60 20 17 А — КП782Д п-МОП 88* *2...4 50 20 30 А — КП782Е п-МОП 88* *2...4 60 20 30 А <250 (60 В)
Полевые транзисторы 349 S, мА/B А/В* Спи, С12и» С22и» пФ ^СИотк» К у р» дБ Р . Вт ж вых» Ди^*, мВ Кш» дБ и*ш, мкВ е:, нвд/fii Q ", Кл tBKJI, НС ^выкл» ПС МГц Дизи/дТ'”, мкВ/’С Корпус £2,7* (50 В; 2,5 А) 610; **160 1,5 — tcn=16 КП770 >2,7* (50 В; 2,5 А) 610; **160 2,5 — tcn=16 >2,7* (50 В; 2,5 А) 610; **160 2,5 — tcn=16 3 Щ5 I L* XL -3 £4,7* (15 В; 5 А) 1300; **120 0,85 — tcn=20 £5^ V ft J £4,7 (15 В; 5 А) 1300; **120 0,85 — tcn=20 J,1 £4,7 (15 В; 5 А) 1300; **120 1,0 — tcn=20 £4,7 (15 В; 5 А) 1300; **120 1,0 — tcn=20 £1,5 (50 В; 1,5 А) 360; **92 3 tcn=16 7,7 KE 4*0,64 1770-1 2,67*0/ 4 я 00 1 *2,92*0,4 Теплоотвс дящая^ плоскость r- 2,3*0Д o' 1,27*0/ 0,76*0,13 1*0,3 0,51* 0,13 — — 0,2 — — 3 К] t 10,65 _ П782 4 — — 0,2 — — id чг t I H 1 7.5 £5* (1,5 В; 9 А) — 0,1 — — V £6,6* (25 В; 10 А) — 0,1 — — 3 K] 10,65 [1782 в iFT" -1 £9* (1,5 В; 16 А) — 0,05 — — ftJJ £9,3* (50 В; 15 А) 1200; *600 0,05 — — ^1,1
350 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура ₽СИ max » мВт Р* СИ т max » Вт ^ЗИотс» изи пор» в d е W *П М п S юэ 3 8 £ U3H max » В 1с. 1с и» мА, С 1с нач» 1с ост » ®*А КП790А с п-каналом 230* *2...4 100 20 41 А — КП793А с п-каналом 190* *2...4 200 20 30 А *<25 (200 В) КП793Б с п-каналом 150* *2...4 200 20 22 А *<25 (200 В) КП794А с п-каналом 190* *2...4 400 20 16 А *<25 (400 В) КП795А с п-каналом 190* *2...4 500 20 14 А *<25 (500 В) КП7128А с р-каналом 150* *2...4 100 20 40 А КП7133А-5 с п-каналом *2...4 200 20 18 А *<25 (200 В) КП7138А2 с п-каналом *2...4 600 30 1,4 А *<25 (600 В) КП7150А-5 ДМОП с п-каналом, с обратным диодом *2...4 60 20 50 А *<25 (60 В) КП7153А с п-каналом *2...4 600 20 15 А
Полевые транзисторы 351 S, мА/B А/В* Суй» С12и> ^22и» ®СИотк» ОМ К* дБ Pt. Вт ди;;*, мв Кш, дБ и*ш, мкВ е:, нв/7гц Q™, Кл *вк». ИС С™, нс С МГц AU^/AT***, мкВ/’С Корпус £13* (20 А) — 0,055 — — КП790—КП795 £12* (25 В; 18 А) — 0,085 — — 16 т ax 1„.2Х , / .18 max . 19...21J . 4Х.. 5 П _ <»з...зл т >12* (25 В; 18 А) — 0,12 — — .□IT _ I .. 1У _ 1,55max _ £10* (25 В; 25 А) — 0,3 — tcn=47 ф! ИЙ Ст 5,5 О*к..О М— '5,5 £10* (25 В; 25 А) — 0,4 — — £10* (25 В; 21 А) 0,06 •ч 10, КП7128 65 . V., с\э I <• V _ со чг СЧ J 1|р У//,75 :<7,7 П*25 1 W ^-1 1 * £6,7* (50 В; 11 А) 1300; **430 <0,18 КП7133-5 5,16 0,38 5,6 Г 229; **32,5 <7 КП7138-2 75,5 5 2b 1 **!* 1 СЧ " V «Он Ш I ЗСИ £15* (25 В; 31 А) 1900; **920 <0,028 < 1 j КП7150-5 5,16 ( JJ38 D А О v 0,25 п к КП7153 165 .4'8.. L— Z 7.3/ж «ъ £Г L !Т_1 ] ci ЧГ Сч 1g 3-11 FVI llllll* 1125 J I
352 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип прибора Структура Реи max » мВт РсИ т max » Вт U3H отс» ПЗИ пор» В ПСИ max » U3C max » В иЗИ max» В 1с. ^с, и» мА, 1Г нам » 1с«т. МА КП7154АС с п-каналом 875* *2...4 1200 — 50 А — КП7154БС с п-каналом 875* *2...4 800 — 60 А — КП7154ВС с п-каналом 875* *2...4 600 — 75 А — КП7155А с п-каналом *3...5 600 30 11 А <1 (600 В) КП7156А с п-каналом *3...5 600 30 20 А <1 (600 В) КП7156А1 с п-каналом — *3...5 600 30 20 А £1 (600 В) КП7157А с п-каналом — — 600 — 45 А — КП7159А с п-каналом — — 600 — 27 А —
Полевые транзисторы 353
Раздел 4. ДИОДЫ 4.1. Виды приборов и основные параметры Диоды по функциональному назначению подразделяются на выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, варикапы. Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного тока промышленной частоты 50 Гц ... 50 кГц в постоянный (например, КД102, КД106, КД204, КД212). Работу выпрямительных диодов характеризуют следующие основные параметры: • максимально допустимое обратное напряжение иобр.тж любой формы и периодичности, кото- рое может быть приложено к диоду; • максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max; • постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе Unp; • обратный ток утечки 10бр при заданном обратном напряжении; • рабочая частота fA, при которой обеспечиваются заданные токи, напряжение и мощность. Если частота переменного напряжения, приложенного к диоду, превышает Гд, то потери в диоде резко возрастают и он нагревается. В состав параметров всех диодов входят также диапазон температур окружающей среды Т и максимальная температура корпуса Тк. В качестве выпрямительных используются диоды не только на основе р-n переходов (полупровод- ник-полупроводник), но и на основе переходов металл-полупроводник, так называемые диоды с барьером Шотки, отличающиеся более высокими быстродействием и рабочими токами и меньшими значениями напряжений в прямом направлении, например КД238, КД2991, КД2998, КД419 (для преобразования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора). Диоды с барьером Шотки для импульсных устройств являются практически безынерционными, так как перенос заряда в них обусловлен только основными носителями. Для работы на более высоких частотах используются универсальные диоды, например КД401, КД407 (для детектирования сигналов до 300 кГц), КД409 (для селекторов телевизоров на частоты до 1 МГц), КД410 (для строчной развертки телевизоров), КД416 (для формирования импульсов с частотой 500 кГц), КД248 (для источников вторичного электропитания). В качестве выпрямительных диодов используются КД241 (демпфер в оконечных каскадах строч- ной развертки телевизоров), КД226 (обеспечивает требования "мягкого" восстановления, поэтому у него нормируется скорость спада обратного тока восстановления 1 А/мкс), КД223 (для автотрактор- ных генераторов для работы в диапазоне температур ~60...+150°С), КД2994 (для ВИП и систем телефонной связи, в частности для аппаратуры МТ 20/25). Выпрямительные диоды выпускаются в стеклянных (Д2, Д9, ГД113), металлостеклянных (Д7, Д101, КД202-КД210, Д226), металлопластмассовых (КД212, КД213) и пластмассовых (КД106, КД109, КД208, КД209) корпусах. Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов при переключении (малую инерционность). При переключениях диода из прямого направления на обратное (запирающее) накопленные носители зарядов обуславливают протекание через диод обратного тока, который может в течение некоторого времени значительно превышать статический обратный ток. Этот процесс называется переходным процессом запирания или процессом восстановления обратного сопротивления диода. При переключениях диода из запирающего направления в прямое имеет место переходный процесс установления прямого сопротивления диода. Такие диоды используются в качестве ключевых элементов схем с сигналами малой длительности. Наименьшее время переключения имеют диоды с выпрямляющим переходом металл-полупроводник. Основные параметры импульсных диодов: • время обратного восстановления диода tBoc, обр — интервал времени от момента подачи импульса обратного напряжения, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный ток диода уменьшается до заданного значения; • заряд восстановления диода QBoc — полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение;
Виды приборов и основные параметры 355 • время прямого восстановления диода tBoc,np — время, в течение которого напряжение на диоде устанавливается от нуля до установившегося значения; • максимальный ток восстановления Ьбр.шах — наибольший обратный ток через диод после переключения напряжения на нем с прямого направления; • постоянное прямое напряжение Unp‘, емкость диода Сд; • максимально допустимые значения обратного напряжения U06p.max и прямого тока Inp.max. Примерами импульсных диодов являются КД116 (для гашения ЭДС самоиндукции электромагнит- ного реле и преобразования переменного напряжения), КД 126, КД 127 (для строчной развертки видеокамер), КД247, КД257, КД258 (со скоростью спада обратного тока 5-6 А/мкс), КД424 и КД805 (для импульсных и выпрямительных схем телевизоров), КД 411 (для цветных телевизоров), КД412 (для цепей регулирования вторичных источников электропитания, инверторов и прерывателей), КД5ОЗ, КД509, КД512, КД513 (для быстродействующих устройств наносекундного диапазона), КД504 (для ограничения и модуляции импульсов), ГД507, ГД508 (для быстродействующих формирователей импульсов), КД922 и КД923 (для преобразования переменного напряжения высокой частоты). Во многих случаях применения возникает проблема идентичности параметров диодов, подобран- ных в одну группу или пару (особенно при разработке быстродействующих схем). Основным парамет- ром, по которым должна быть обеспечена аналогичность диодов, является прямое падение напряжения (иногда и значение емкости). Обратный ток при этом не играет существенной роли, так как в быстродействующих схемах для кремниевых диодов значение обратного сопротивления много больше нагрузки. Для обеспечения идентичности диодов при работе в широком диапазоне токов и температур требуется их подбор в нескольких точках вольт-амперных характеристик. Например, выпускаются сдвоенные диоды КД205, два диода с общим катодом (ОК) КД704, два последовательно соединенных диода КД629 (для АТС МТ-20), КДС413 — диодные сборки из 12 диодов с ОК, КДС414 — диодные сборки из 12 диодов с общим анодом (ОА), КДС415 — диодные сборки из шести изолированных диодов (для применения в дешифраторах, диодных функциональных преобразователях и умножителях), КД238 — сборка из двух диодов с барьером Шотки с ОК (для ВИП в качестве выходного двухтактного выпрямителя со средней точкой), КД901 — матрицы из одного (группа А1), двух (гр. Б1), трех (гр. В1) и четырех (гр. П) диодов с общим катодом; КД904 — матрицы из одного (гр. А1), двух (гр. Б1), трех (гр. В1) и четырех (гр. Е1) диодов с ОА; КД908 — матрицы из восьми диодов с ОК; КД910 — матрицы из одного (гр. А1), двух (гр. Б1) и трех (гр. В1) диодов; КД911 — матрицы из одного, двух или трех диодов с ОК; КД912, КД913 — бескорпусные матрицы с шариковыми выводами из трех диодов соответственно с ОА и ОК; КД917 — матрицы из восьми диодов с ОА в корпусе для микросхем. Принцип действия варикапа основан на свойстве емкостей р-n перехода изменять свое значение при изменении внешнего смещения. Изменяя напряжения на варикапе, подключенном к колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной частотой контура в перестраиваемых генераторах и синтезаторах частот. Таким образом, варикап представляет собой малогабаритный электронный конденсатор переменной емкости, управляемый напряжением. По функциональному назначению и технологии изготовления приборы этого класса подразделя- ются на: варикапы общего назначения с резкой зависимостью емкости от напряжения, высоковольтные матрицы, умножительные, а также высокодобротные варикапы с резкой зависимостью емкости от напряжения; варикапы для телевизоров и аппаратуры всеволнового диапазона с очень резкой зависи- мостью емкости от напряжения. Основными параметрами варикапов являются: • номинальная Сном, минимальная Cmin и максимальная Стах емкости между выводами при номинальном, максимальном и минимальном напряжениях смещения; • номинальная добротность Qhom — отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь при номинальном напряжении; • коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношение значений максимальной и минимальной емкостей; • температурный коэффициент емкости ас в (ТКЕ) — относительное изменение емкости варикапа при заданном смещении в интервале температур; • максимально допустимые напряжения Umax — максимальное мгновенное значение переменного напряжения, при котором сохраняется заданная надежность и мощность Ртах.
356 Раздел 4. Диоды В варикапах имеется взаимосвязь между некоторыми параметрами: увеличение Кс однозначно приводит к уменьшению QB и пробивного напряжения иПроб. Из множества выпускаемых варикапов необходимо отметить КВ 127 (со сверхрезкой проводимо- стью для AM-устройств), КВ 130 (для селекторов каналов на полевых транзисторах с большим коэффициентом перекрытия), КВ 142 (с большим коэффициентом перекрытия по емкости для диапазо- нов ДВ, СВ и КВ приемников), КВ 138 (для блоков УКВ радиоприемников), КВ 136 (для схем управления кварцевых генераторов), КВ129А9, КВ130А9, КВ134А9 (для поверхностного монтажа), КВ 139 (для диапазонов СВ, ДВ и растянутых диапазонов КВ с управляющим напряжением до 5 В, для малогаба- ритных радиоприемников с электронной настройкой), КВ 144 (для селекторов каналов кабельного телевидения), КВ101 (для радиокапсул медицинской аппаратуры), КВ103, КВ106 (для схем умножения частоты и частотной модуляции), КВС111 (сдвоенные с общим катодом, для перестройки блоков УКВ радиоприемников), КВ112А-1, КВ114, КВ116, КВ126 (для гибридных микросхем), КВ102, КВ104, КВ 105, КВ 107, КВ 109, КВ ПО, КВ 113, КВ115 (подстроечные для подстройки контуров резонансных усилителей), КВ117 (подстроечные с большим коэффициентом перекрытия по емкости и резкой зависимостью емкости от напряжения), КВ119 (подстроечные для настройки широкополосных усили- телей), КВС120 (КВС120В — сборки из трех варикапов, КВС120Б — сборки из двух варикапов с общим катодом) для электронной настройки приемников, КВ121, КВ123 (подстроечные для селекторов телевизионных каналов с электронным управлением), КВ 122 (подстроечные для селекторов телевизи- онных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением), КВ 127 (подстроечные для электронной настройки приемников), КВ 128 (подстроечные для блоков УКВ автомобильных приемни- ков и магнитол), КВ129 (подстроечные для схем частотных модуляторов), КВ132 (подстроечные для ЧМ-трактов приемно-усилительной аппаратуры), КВ 134, КВ 135 (подстроечные для избирательных цепей радиоприемников). Следует отметить и варикапы, выпускаемые в пластмассовых корпусах: КВ121, КВ122, КВ123, КВ127, КВ130, КВ132, КВ134, КВ135 и др. Стабилитроны имеют на вольт-амперной характеристике участок со слабой зависимостью напряжения от протекающего тока, поэтому уровень напряжения на них остается постоянным при изменении тока в широких пределах. Рабочий участок вольт-амперной характеристики стабилитронов находится в области электрического пробоя р-n перехода. Стабилитроны подразделяются на: стабилит- роны общего назначения, термокомпенсируемые и аттестуемые прецизионные. Стабилитроны общего назначения используются прежде всего в стабилизаторах и ограничителях постоянного тока или импульсного напряжения, термокомпенсированные и прецизионные — в качестве источников эталон- ного или опорного напряжения в устройствах, где необходима высокая точность стабилизации уровня напряжения. Основными параметрами стабилитронов являются: • номинальное напряжение стабилизации Uct; • динамическое гДИн и статическое гСтат сопротивления; • температурный коэффициент напряжения стабилизации аист (при постоянном токе стабилиза- ции); • мощность рассеяния РПр; • номинальный сток стабилизации Ict.hom — ток, при котором определяются значения классифи- кационных параметров; • минимальный ток стабилизации 1ст.тш(при токах меньше IcT.min увеличивается дифференциаль- ное сопротивление, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микроплазменные шумы); • максимально допустимый ток стабилизации 1Ст.тах — определяется максимально допустимой рассеиваемой мощностью. Для снижения аист (в термокомпенсированных стабилитронах) в корпусе размещаются последо- вательно соединенные р-n переходы, работающие в прямом направлении, с равными по значению, но противоположными по знаку температурными коэффициентами стабилизации (КС211, КС515, КС596). В качестве источников опорного напряжения могут использоваться не только дискретные, но и интегральные стабилитроны. Прецизионные интегральные стабилитроны превосходят классические дискретные прецизионные стабилитроны по основным параметрам и имеют ряд эксплуатационных преимуществ (не требуется прецизионное поддержание рабочих режимов по температуре окружающей среды и току стабилизации). Основные недостатки дискретных прецизионных стабилитронов (высокое
Буквенные обозначения параметров диодов 357 Гст, зависимость аист от 1Ст) устраняется в интегральных стабилитронах с помощью схемотехнических решений. Интегральные стабилитроны в зависимости от используемого опорного элемента создаются на основе как электрического пробоя обратносмещенного р-n перехода с использованием эффекта термокомпенсации, так и прямосмещенных р-n переходов. Низковольтные интегральные прецизионные стабилитроны, имеющие UCt=1,2...2,5 В, изготовляются по совмещенной технологии с лазерной подгонкой тонкопленочных резисторов на кристалле ИС, обеспечивающей режим оптимальной компен- сации и гарантирующей высокое значение аист. Для изготовления стабилитронов с Uct=8 В используется стандартная технология ИС, не требующая лазерной подгонки. Совместная реализация принципов термокомпенсации и термостабили- зации кристалла ИС позволила создать стабилитроны с аист==10’4...10’5%/°С. Базовые серии интег- ральных стабилитронов позволяют создать на их основе источники опорного напряжения с широким спектром номинальных значений UCt: 1,2; 2,4; 5; 7,5; 10В. Стабисторы являются разновидностью стабилитронов; для стабилизации напряжения до 1 В здесь используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики р-n перехода. 4.2. Буквенные обозначения параметров диодов Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82 Параметр отечественное международное Общие параметры диодов || 1пр If Постоянный прямой ток. 1пр, и Ifm Импульсный прямой ток. 1пр, ср If(AV) Средний прямой ток. 1обр Ir Постоянный обратный ток. 1обр, и Irm Импульсный обратный ток. 1обр, ВОС Irr Обратный ток восстановления. Unp Uf Постоянное прямое напряжение. Unp, и Ufm Импульсное прямое напряжение. Unp, ср Uf(av) Среднее прямое напряжение. Uo6p Ur Постоянное обратное напряжение. Uo6p, и Urm Импульсное обратное напряжение. Unpo6 U(BR) Пробивное напряжение. Unp, ВОС Ufr Напряжение прямого восстановления. Unp, и, ВОС Ufrm Импульсное напряжение прямого восстановления. Рпр Pf Прямая рассеиваемая мощность. Ри Pm Импульсная рассеиваемая мощность. Рср p Средняя рассеиваемая мощность. Робр Pr Обратная рассеиваемая мощность. | гдиф Г Дифференциальное сопротивление. [ Гп rs Последовательное сопротивление потерь. | Re Rth Тепловое сопротивление. | Реи R(th)P Импульсное тепловое сопротивление. | ROnep-окр Rthja Тепловое сопротивление переход-среда. ROnep-кор Rthjc Тепловое сопротивление переход-корпус. Сд Ctot Общая емкость. || Спер Cj Емкость перехода. |
358 Раздел 4. Диоды Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82 Параметр отечественное международное Скор Cease Емкость корпуса. Qboc — Заряд восстановления. Qhk Qs Накопленный заряд. teoc, обр trr Время обратного восстановления. teoc, пр tfr Время прямого восстановления. Параметры выпрямительных диодов 1пр, и, п Ifrm Повторяющийся импульсный прямой ток. 1вп, ср Io Средний выпрямленный ток. 1пр, д If(RMS) Действующий прямой ток. 1пр, уд Ifsm Ударный прямой ток. 1прг I(OV) Ток перегрузки. 1обр, и, п Irrm Повторяющийся импульсный ток. 1обр, ср Ir(av) Средний обратный ток. Uo6p, и, р Urwm Рабочее импульсное обратное напряжение. Uo6p, и, п Urrm Повторяющееся импульсное обратное напряжение. Uo6p, и, нп URSM Неповторяющееся импульсное обратное напряжение. Unop U(TD) Пороговое напряжение. Рпр, ср Pf(AV) Средняя прямая рассеиваемая мощность. Робр, ср Pr(AV) Средняя обратная рассеиваемая мощность. Робр, и, п Prrm Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность. Параметры стабилитронов 1ст Iz Ток стабилизации стабилитрона. 1ст, и Izm Импульсный ток стабилизации стабилитрона. 1ст min Iz min Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона. 1ст max Iz max Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона. Uct Uz Напряжение стабилизации стабилитрона. Гст rz Дифференциальное сопротивление стабилитрона. OCUct auz; Sz Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилит- рона. SuctJ AUct 8uz Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона. Основные параметры варикапов, шумовых диодов и стабисторов Qb Q, M Добротность варикапа. Кс — Коэффициент перекрытия по емкости варикапа. иш Unz Постоянное напряжение шумового диода. — Is Ток стабилизации стабистора. — II Предельный ток стабистора. — Us Напряжение стабилизации стабистора. — Ul Предельное напряжение стабистора. — als Температурный коэффициент тока стабилизации стабистора.
Параметры диодов, столбов и блоков 359 4.3. Параметры диодов, столбов и блоков Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, мА 1п|>, ср max, мА 1пр, и max, мА 1д max, кГц Unp, В, не более (при 1Пр, мА) 10бр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус Д2Б Д2В Д2Г Д2Д Д2Е Д2Ж Д2И 10 30 50 50 100 150 100 16 25 16 16 16 8 16 100 100 100 100 100 100 100 1 (5) 1 (9) 1 (2) 1 (4,5) 1 (4,5) 1 (2) 1 (2) 100(10) 250 (30) 250 (50) 250 (50) 250 (100) 250 (150) 250 (100) 3 3 3 3 3 3 3 0,2 (1,5) 0,2 (1,5) 0,2 (1,5) 0,2 (1,5) 0,2 (1,5) 0,2 (1,5) 0,2 (1,5) Д2 1 — Гч Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж 50 100 150 200 300 350 400 300 300 300 300 300 300 300 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 0,5 (300) 0,5 (300) 0,5 (300) 0,5 (300) 0,5 (300) 0,5 (300) 0,5 (300) 100 (50) 100 (100) 100 (150) 100 (200) 100 (300) 100 (350) 100 (400) — — Д7 сч Ш л m у Д9Б Д9В Д9Г Д9Д Д9Е Д9Ж Д9И Д9К Д9Л Д9М 10 30 30 30 30 50 100 30 30 100 40 20 30 30 20 15 30 30 15 30 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 1 (90) 1 (10) 1 (30) 1 (60) 1 (30) 1 (Ю) 1 (30) 1 (60) 1 (30) 1 (60) 250 (10) 250 (30) 250 (30) 250 (30) 250 (30) 250 (50) 120 (100) 60 (30) 250 (30) 250(100) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 § Д9 .9,5 ДЮ ДЮА ДЮБ 10 10 10 16 16 16 100 100 100 1,5 (3) 1,5 (5) 1,5 (8) 100 (10) 200 (10) 200(10) — — дю 1 дю1 Д101А 75 75 30 30 — 2 (2) 1 (1) 10 (75) 10 (75) — — ДЮ1 12 _ "О. _ ДЮ2 Д102А 50 50 30 30 — 2 (2) 1 (1) 10 (50) 10 (50) — — у ДЮ2 12 _ КД102А КД102Б 250 300 50 50 1 20 1 (100) 1 (100) 0,1 (250) 1 (300) — — 1 2 кдм 12 )2 ;=ЗСЗ^Л *“'1"“—Хч У Сч* Полярность ДЮЗ ДЮЗА 30 30 30 30 — 2(2) 1 (1) 30 (30) 30 (30) — — дюз 12 — ""ч""*» I hr 1—Э V—1 и
360 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max» В Inp max» мА InjJ, ср max, мА 1пр, и max, мА f д max, кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД103А КД103Б 50 50 50 50 20 20 1 (100) 1,2 (100) 0,5 (50) 0,5 (50) 1 4 20 (5) 20 (5) J кдюз 3,2 Полярность ДЮ4 Д104А 100 100 30 30 150 150 2 (2) 1 (1) 5 (100) 5 (100) 0,5 0,5 0,7(1) 0,7 (0,3) Д104 72 та id 1—зч_ 1 КД104 300 50 20 1 (Ю) 3 (300) 3 КД104 ^3,2 ^1—1 СЗ Поля[ юность ДЮ5 Д105А 100 100 30 30 150 150 2(2) 1 (1) 5(75) 5(75) 0,5 0,5 0,7 (1) 0,7 (0,3) Д105 .,72 о та hd II J—’T—1 j КД105Б КД105В КД105Г 400* 800* 800* 300 300 300 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (300) 100 (400) 100 (600) 100 (800) — — Ко КД 1 Ц05 7 -nr"! r—ti— и 1—J1— 1ХГ —J 1—1 Д106 Д106А 100 100 30 30 150 150 2(2) 1 (1) 5 (30) 5 (30) 0,5 0,5 0,7 (1) 0,7 (0,3) ДЮ6 72 та id It 1 к КД106А 100* 300; 3* А 1 1 (300) 10(100) 0,385 74...153 (5) кд ! Ц06 7 —f—1 Г—tf— L—bl— IxJ —J V—1 ГД107А ГД107Б 15 25 20 20 — 1 (Ю) 0,4 (1,5) 20 (10) 100 (20) — — ГД 1107 —tr—4 1 а. “Ivj —JI—1
Параметры диодов, столбов и блоков 361 Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, мА Injp, ср max, мА 1пр, и max, мА f д max, кГц Unp, в, не более (при 1„р, мА) 1обр, мкА не более (при Побр, В) taoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД109А КД109Б КД109В 100* 300* 600* 300 300 300 — 1 (300) 1 (300) 1 (300) 100(100) 100 (300) 100 (600) — — КД109 Г""!"""" х5з I АД 110 А 30 10 1000 1,5 (10) 5(20) 10 3 см АДИО _ 15,5 I 29~* АД112А 50 300 3(300) 100 (50) АД112 is в «3 ГД113А 115* 15 1 (30) 250 (80) ГД1 13 —ТГ—1 _)LJ КД116А-1 КД116Б-1 100 50 25 100 — <0,95 (25 мА) <1 (25 мА) 1 (100 В) 0,4 (50 В) в1,5 <4 — со о" ВД11 □1 '6-1 ,0 i± Д202 100 400 20 1 (400) 500 (100) Д202 35 КД202А КД202В КД202Д КД202Ж КД202К КД202М КД202Р 50* 100* 200* 300* 400* 500* 600* 5 А 5 А 5 А 5 А 5 А 5 А 5 А 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 800 (50) 800 (100) 800 (200) 800 (300) 800 (400) 800(500) 800(600) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КД202 J7 t 2 II 1 Д203 200 400 20 1 (400) 500(200) Д2( г )3 1
362 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Injp, ср max» мА 1пр, и max» мА f д max» кГц ипр, В, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, в) Корпус КД203А КД203Б КД203В КД203Г КД203Д КД203Е КД203Ж КД203И КД203К КД203Л КД203М 420 560 560 1000 720 800 800 1000 1000 400 600 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 1 1 1 1 1 1 (5 А) 1 (10 А) 1 (5 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 мА (800 В) 1,5 мА (800 В) 1,5 мА (1000 В) 1,5 мА (1000 В) 1,5 мА (400 В) 1,5 мА (600 В) 1500 (600) 1500 (800) 1500 (800) 1500(1000) 1500 (1000) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КД203 1 1 47 Д204 300 400 20 1 (400) 500 (300) Д204 1 |с < КД204А КД204Б КД204В 400* 200* 50* 400 600 1 А 1 1 1 1,4 (600) 1,4 (600) 1,4 (600) 150 (400) 100 (200) 50 (50) 1,5 1,5 1,5 — КД204 77,5 « J0,32_ Д205 400 400 20 1 (400) 500 (400) Д205 £ Г Ц||1 35 КД205А КД205Б КД205В КД205Г КД205Д КД205Е КД205Ж КД205И КД205К КД205Л 500 400 300 200 100 500 600 700 100 200 500 500 500 500 500 300 500 300 700 700 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (500) J (500) 1 (300) 1 (500) 1 (300) 1 (700) 1 (700) 100 (500) 100 (400) 100 (300) 100 (200) 100 (100) 100 (500) 100 (600) 100 (700) 100 (100) 100 (200) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КД205 55 7 Г «2 j [ о-£Н> о-Й-о Д206 100 400 1 1 (100) 50 (100) Д206 см х 1''' _ JMI В. — 5 КД206А КД206Б КД206В 400 500 600 10 А 10 А 10 А 1 1 1 1,2 (1000) 1,2 (1000) 1,2 (1000) 700 (400) 700 (500) 700 (600) 10 10 10 — КД206 _J7,5. Sil t Д207 200 400 1 1 (100) 50 (200) Д207 см В. |-ы- Ш /1 9
Параметры диодов, столбов и блоков 363 Тип прибора Uo6p max» В Иобр и max, В Inp max, мА Injj, ср max, мА 1пр, и max, мА 1 д max, кГц Unp, в, не более (при Inp, мА) 1обр, мкА не более (при иобр, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус Д208 300 400 1 1 (100) 50 (300) Д208 Сч' --Ы-Е 9 КД208А 100 1,5 А 1 1 (1000) 100 (100) ! [Д208 7 —nr—1 2 гчг —- |Х| 1—31 — 14 ——31—J КД208А-1 100 1,5 А 1 (1 А) 100 (100 в) 1 КД208-1 Ч-Э о та А 5 Д209 400 400 1 1 (100) 50 (400) Д209 сч fsj_ та L—ЛлЩ Л 9 КД209А КД209Б КД209В 400 600 800 700 500 500 1 1 1 1 (700) 1 (500) 1 (500) 100 (400) 100 (600) 100 (800) — — I СД2О9 7 1 f—1g — и L—31 — N J КД209А-1 КД209Б-1 КД209В-1 КД209Г-1 400 600 800 1000 700 700 500 200 1 (0,7 А) 1 (0,7 А) 1 (0,5 А) 1 (0,2 А) 30 (400 В) 30 (600 В) 30 (800 В) 50 (1000 В) — — 1 1 1 1 КД209-1 5 та А f—f 1 к 5 Д2Ю 500 400 1 1 (100) 50 (500) Д2Ю Сч 'а ш-ы- Ш 9 КД210А КД210Б КД210В КД210Г 800 800 1000 1000 5 А 10 А 5 А 10 А 1 1 1 1 1 (10 А) 2 (10 А) 2 (10 А) 2 (10 А) 4,5 мА (800) 4,5 мА (800) 4,5 мА (1000) 4,5 мА (1000) — — КД210А , ~20 _ JI 5 1 I 3 Д2П 600 400 1 1 (100) 50 (600) Д211 сч 11 1 ISI " а С-зЩ 1| I RT - —^^1 1 11—1 ‘ 9
364 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max* В Inp max» мА Injp, ср max» мА Inp, и max» мА Iд max» кГц Unp, в, не более (при Inp, мА) 1обр* мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД212А КД212Б КД212В КД212Г 200 200 100 100 1 А 1 А 1 А 1 А 100 100 100 100 1 (1 А) 1.2 (1 А) 1 (1 А) 1.2 (1 А) 50 (200) 100 (200) 100 (100) 100 (100) 0,3 0,3 0,5 0,5 45 (100) 45 (100) 45 (100) 45 (100) КД212 _ 1.6 ( 4 $ 1 Ш КД213А КД213Б КД213В КД213Г 200 200 200 100 10 А 10 А 10 А 10 А 100 100 100 100 1 (10 А) 1,2 (10 А) 1,2 (10 А) 1,2 (10 А) 200 (200) 200 (200) 200 (200) 200 (100) 0,3 0,17 0,5 0,3 550 (100) 550 (100) 550 (100) 550 (100) КД213 Й Д214 Д214А Д214Б 100 100 100 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1,2 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3 мА (100) 3 мА (100) 3 мА (100) — — Д214 _ *4 См V SFflH Ы mH И □ Д215 Д215А Д215Б 200 200 200 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1,2 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (200) 3000 (200) 3000 (200) — — Д215 44 См МД217 800 100 1 1 (100) 50 (800) МД2Е 70 Г 10 МД218 МД218А 1000 1200 100 100 1 1 1 (100) 1,1 (100) 50 (1000) 50 (1200) — — МД2П 70 1 10 КД221А КД221Б КД221В КД221Г 100 200 400 600 0,7 А 0,5 А 0,3 А 0,3 А 1 1 1 1 1,4 (0,7 А) 1,4 (0,5 А) 1,4 (0,3 А) 1,4 (0,3 А) 50 (100) 50 (200) 100 (400) 150 (600) 1,5 1,5 1,5 1,5 — со со К, у Д221 ,7 ГЧ1— и “ 11—1 h 1 оЧ.., 1st — -3V-J КД221А1 КД221Б1 КД221В1 КД221Г1 КД221Д1 КД221Е1 100 200 400 600 100 400 700 500 300 300 700 300 1 1 1 1 1 1 1,4 (0,7 А) 1,4 (0,5 А) 1,4 (0,3 А) 1,4 (0,3 А) 1,4 (0,7 А) 1,4 (0,3 А) 50 (100 В) 50 (200 В) 100 (400 В) 100 (600 В) 50 (100 В) 100 (400 В) 1,5 1,5 1,5 1,5 1,8 1,8 — КД221-1 *4 о 1SI А г—ч г— 5
Параметры диодов, столбов и блоков 365 прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Injp, ср max» мА 1пр, и max» мА f д max» кГц Unp» в, не более (при Inp, мА) 1обр, мкА не более (при иОбр, В) teoc, обр, мкс Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус I КД222А-5 КД222Б-5 КД222В-5 20 30 40 2 А 2 А 2 А — 0,55 (2 А) 0,55 (2 А) 0,55 (2 А) 2 мА (20 В) 2 мА (30 В) 2 мА (40 В) — — сч со" КД222-5 1,3 ° 1,5 Д223 Д223А Д223Б 50 100 150 50 50 50 — 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (100) 1 (150) — — Д223 12 _ та Ъ КД223А 200 2 А; 50 А* 1,5 1,3 (6 А) 10 (200) 06,2 КД f [223 9,65 ДИ— . 1—31— —3 U-J Д226 Д226А Д226Е 400 300 200 300 300 300 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (300) 50 (400) 50 (300) 50 (200) — — Д226 “““I 1 ~ / —зТ—1 1^1 — 9 КД226А КД226Б КД226В КД226Г КД226Д КД226Е 100 200 400 600 800 600 1,7 А 1,7 А 1,7 А 1,7 А 1,7 А 2 А 50 50 50 50 50 50 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1.4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,3 (1 А) 50 (100) 50 (200) 50 (400) 50 (600) 50 (800) 10 (600) 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 — 06,2 кд V [226 9,65 П с—1 1—.з1— —1st" —34—Г МД226 МД226А МД226Е 400 300 200 300 300 300 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (300) 50 (400) 50 (300) 50 (200) — — МД226 Оч ——1 т—/ ГУ- - —34—1 9 Д229А Д229Б Д229В Д229Г Д229Д Д229Е Д229Ж Д229И Д229К Д229Л 200 400 100 200 400 400 100 200 300 400 400 400 400 400 300 400 700 700 700 700 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (700) 1 (700) 1 (700) 1 (700) 50 (200 ) 50 (400) 200(100) 200 (200) 200 (300) 200 (400) 200 (100) 200 (200) 200 (300) 200 (400) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Д229 I 1 1 J5 Д231 Д231А Д231Б 300 300 300 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (300) 3000 (300) 3000 (300) — — Д231 44 «< та
366 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Injp, ср max, мА 1пр, и max, мА f д max, кГц Unp, В, не более (при 1пр, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при иобр, в) Корпус Д232 Д232А Д232Б 400 400 400 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (400) 3000 (400) 3000 (400) — — л [232 44 Д233 Д233Б 500 500 10 А 5 А 1,1 1,1 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (500) 3000 (500) — — Д233 44 —>4 оГ[]~~ Д234Б 600 5 А 1,1 1,5 (5 А) 3000 (600) Д234 44 J Д237А Д237Б Д237В Д237Е Д237Ж 200 400 600 200 400 300 300 100 200 200 1 1 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (100) 1 (200) 1 (200) 50 (200) 50 (400) 50 (600) 50 (200) 50 (400) — — CSI —।/ 1237 ISJ _ — Т^Г — 9 , 11—J КД238АС КД238БС « КД238ВС 25* 35* 45* 7,5; 75* А 7,5, 75* А 7,5; 75* А 10.. 200 10.. 200 10 ..200 0,65 (7,5 А) 0,65 (7,5 А) 0,65 (7,5 А) <1мА (25) <1мА (35) <1мА (45) — 200 (25) 200 (25) 200 (25) КД238, КД240 КД240А КД240Б КД240В КД240Г КД240Д КД240Е КД240Ж КД240И КД240К 200* 400* 600* 200* 400* 600* 200* 400* 600* 2 А 2 А 2 А 1 А 1 А 1 А 2* А 2* А 2* А 20 20 20 20 20 20 1 1 1 1,45 (3 А) 1,45 (3 А) 1,45 (3 А) 1,35 (1,5 А) 1,35 (1,5 А) 1,35 (1,5 А) 1,15 (3 А) 1,15 (3 А) 1,15 (3 А) 30 (200 В) 30 (400 В) 30 (600 В) 30 (200 В) 30 (400 В) 30 (100 В) 30 (200 В) 30 (400 В) 30 (600 В) <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 — о OJ MS' 1±1 УШ □ DO { А1КА ’1 п 1 2 г 0 КД241А 1500* 2 А; 5* А 20 1,4 (2 А) 1 (1500) <1,5 — КД241А Е ' г « 10 =30 -► ю § Д242 Д242А Д242Б 100 100 100 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1,25 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (100) 3000 (100) 3000 (100) — — Д242 44 гГ 3 и J Д243 Д243А Д243Б 200 200 200 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1,25 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (200) 3000 (200) 3000 (200) — — см 1 Д243 44 1^
Параметры диодов, столбов и блоков 367 т Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max, мА Inj>, ср max, мА 1пр, и max, мА max, кГц иПр, в, не более (при 1„р, мА) 10бр, мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД243А КД243Б КД243В КД243Г ВД243Д КД243Е КД243Ж 50 100 200 400 600 800 1000 1 А; 6* А 1 А; 6* А 1 А; 6* А 1 А; 6* А 1 А, 6* А 1 А, 6* А 1 А; 6* А 1 1 1 1 1 1 1 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 10(50) 10 (100) 10 (200) 10 (400) 10 (600) 10 (800) 10 (1000) — КД243 [ 7 КД244А КД244Б КД244В КД244Г 100 100 200 200 10 А 10 А 10 А 10 А 200 200 200 200 1,3 (10 А) 1,3 (10 А) 1,3 (10 А) 1,3 (10 А) 100 (100) 100 (200) 100 (100) 100 (200) 0,05 0,035 0,05 0,035 — КД 10,5 1244 4 18 >1 ф 1 Д245 Д245А Д245Б 300 300 300 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1,25 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (300) 3000 (300) 3000 (300) — — Д245 В. « Csi ( ЧЁ Д246 Д246А Д246Б 400 400 400 10 А 10 А 5 А 1,1 1,1 1,1 1,25 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (400) 3000 (400) 3000 (400) — — Д246 Д247 Д247Б 500 500 10 А 5 А 1,1 1,1 1,25 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (500) 3000 (500) — — Д247 44 П »|} П И | 4 КД247А КД247Б КД247В КД247Г КД247Д КД247Е 100 200 400 600 800 50 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 150 150 150 150 150 150 1,3 (1 А) 1,3 (1 А) 1,3 (1 А) 1,3 (1 А) 1,3 (1 А) 1,3 (1 А) 5 (100) 5(200) 5(400) 5(600) 5 (800 В) 5 (50 В) <150 <150 <150 <150 <250 <150 — КД247 N-s 7 Д248Б 600 5 А 1,1 1,5 (5 А) 3000 (600) Д248 * м КД257А КД257Б КД257В КД257Г КД257Д 200 400 600 800 1000 3 А; 15* А 3 А; 15* А ЗА; 15* А 3 А; 15* А ЗА; 15* А — 1,5 (5 А) 1,5 (5 А) 1,5 (5 А) 1,5 (5 А) 1,5 (5 А) 2 (200) 2(400) 2 (600) 2(800) 2(1000) <250 <250 <250 <300 <300 — КД257 г">г —? о <25,4 L 7 03,6 1
368 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max, мА Injp, ср max, мА 1пр, и max, мА IA max, кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД258А 200 3 А; 7,5* А — 1,6 (3* А) 2 (200) <250 — КД258 КД258Б 400 3 А; 7,5* А — 1,6 (3* А) 2 (400) <250 — КД258В 600 3 А; 7,5* А 1,6 (3* А) 2 (600) <250 А К •> НЕ КД258Г 800 3 А; 7,5* А — 1,6 (3* А) 2 (800) <300 — 5 ВД258Д 1000 3 А; 7,5* А — 1,6 (3* А) 2 (1000) <300 — КД268А 25 3 А; 300* А — 0,65 (3 А) 1 мА — 500 КД268 КД268Б 50 3 А; 250* А — 0,75 (3 А) 1 мА — 500 КД268В 75 3 А; 200* А — 0,85 (3 А) 1 мА — 500 10,5 9,8 КД268Г 100 3 А; 150* А — 0,85 (3 А) 1 мА — 500 КД268Д 150 3 А — 0,9 (3 А) 2 мА — 500 к л 1 КД268Е 200 3 А — 0,9 (3 А) 2 мА — 500 >5 L КД268Ж 250 3 А — 0,95 (3 А) 2 мА — 500 1 1 КД268И 300 3 А — 0,95 (3 А) 3 мА — 500 1Г КД268К 350 3 А — 1 (3 А) 3 мА — 500 Ф ф о КД268Л 400 ЗА — 1,1 (3 А) 3 мА — 500 1 к А КД269А 25 5 А; 450* А — 0,65 (5 А) 1 мА — 500 КД269 КД269Б 50 5 А; 300* А — 0,75 (5 А) 1 мА — 500 КД269В 75 5 А; 240* А — 0,85 (5 А) 1 мА — 500 10,5 4,8 КД269Г 100 5 А; 210* А — 0,85 (5 А) 1 мА — 500 КД269Д 150 5 А — 0,9 (5 А) 1 мА — 500 п Л 1 КД269Е 200 5 А — 0,9 (5 А) 2 мА — 500 ^5 1- КД269Ж 250 5 А — 0,95 (5 А) 2 мА — 500 КД269И 300 5 А — 0,95 (5 А) 2 мА — 500 {Ц й у КД269К 350 5 А — 1 (5 А) 3 мА — 500 ф ф КД269Л 400 5 А — 1,1 (5 А) 3 мА — 500 к А КД270А 25 7,5 А; 850* А — 0,65 (7,5 А) 1 мА — 500 КД270 КД270Б 50 7,5 А; 700* А — 0,75 (7,5 А) 1 мА — 500 КД270В 75 7,5 А; 600* А — 0,85 (7,5 А) 1 мА — 500 10,5 4,8 КД270Г 100 7,5 А; 525* А — 0,85 (7,5 А) 1 мА — 500 ВД270Д 150 7,5 А — 0,9 (7,5 А) 1 мА — 500 Г Л КД27ОЕ 200 7,5 А — 0,9 (7,5 А) 2 мА — 500 КД270Ж 250 7,5 А — 0,95 (7,5 А) 2 мА — 500 КД270И 300 7,5 А — 0,95 (7,5 А) 2 мА — 500 % d т КД270К 350 7,5 А — 1 (7,5 А) 3 мА — 500 1/ ф А о КД27ОЛ 400 7,5 А — 1,1 (7,5 А) 3 мА — 500 IX Я КД271А 25 10 А; 1000* А — 0,65 (10 А) 1 мА — 500 КД271 КД271Б 50 10 А; 800* А — 0,75 (10 А) 1 мА — 500 КД271В 75 10 А; 700* А — 0,85 (10 А) 1 мА — 500 10,5 4,6 г КД271Г 100 10 А; 600* А — 0,85 (10 А) 1 мА — 500 КД271Д 150 10 А — 0,9 (10 А) 1 мА — 500 р Г 1 КД271Е 200 10 А — 0,9 (10 А) 2 мА — 500 L КД271Ж 250 10 А — 0,95 (10 А) 2 мА — 500 КД271И 300 10 А — 0,95 (10 А) 2 мА — 500 у КД271К 350 10 А — 1 (10 А) 3 мА — 500 ф ф КД271Л 400 10 А — 1,1 (Ю А) 3 мА — 500 к А КД272А 25 15 А; 1400* А — 0,65 (15 А) 1 мА — 500 КД272 КД272Б 50 15 А; 1200* А — 0,75 (15 А) 1 мА — 500 КД272В 75 15 А; 1000* А — 0,85 (15 А) 1 мА — 500 1П5 Off КД272Г 100 15 А; 800* А 0,85 (15 А) 1 мА 500 г 150 15 А 0,9 (15 А) 1 мА 500 КД272Д — — п л L КД272Е 200 15 А — 0,9 (15 А) 2 мА — 500 *5 КД272Ж 250 300 15 А 15 А — 0,95 (15 А) 0,95 (15 А) 2 мА 5 мА — 500 500 КД272И — — $ ЛГ КД272К 350 15 А — 1 (15 А) 5 мА — 500 и КД272Л 400 15 А — 1,1 (15 А) 5 мА — 500 к А КД273А 25 20 А; 1800* А — 0,65 (20 А) 1 мА — 500 КД273 КД273Б 50 20 А; 1500* А — 0,75 (20 А) 1 мА — 500 КД273В 75 20 А; 1400* А — 0,85 (20 А) 1 мА — 500 1ПЛ Off КД273Г КД273Д 100 150 20 А; 1300* А 20 А — 0,85 (20 А) 0,9 (20 А) 1 мА 1 мА — 500 500 г< Л 1 КД273Е 200 20 А — 0,9 (20 А) 2 мА — 500 L КД273Ж 250 300 20 А 20 А — 0,95 (20 А) 0,95 (20 А) 2 мА 5 мА — 500 500 КД273И — — d пг КД273К 350 20 А — 1 (20 А) 5 мА — 500 U КД273Л 400 20 А — 1,1 (20 А) 5 мА — 500 к А
Параметры диодов, столбов и блоков 369 Тип прибора Uo6p max, В Иобр и max, В Inp max, мА Injp, ср max, мА Inp, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при иОбр, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p> В) 1 н !i Корпус । КД2988А КД2988Б КД2988В 800 600 400 15 А; 100* А 15 А; 100* А 15 А; 100* А — 1,6 (15 А) 1,5 (15 А) 1,4 (15 А) 0,1 0,1 0,05 0,3 0,3 0,3 — КД2988 1М АВ J I I 5 КД2991А 45* 60 А 10...200 0,7 (60 А) 50 мА (35 В) КД2991 ^4 4 7 КД2994А 200 20 А 200 1,3 (20 А) 100 (100) 0,05 10,5 7(2994 I |<[> I г КД2995А КД2995Б КД2995В КД2995Г КД2995Д КД2995Е 50* 70* 100* 150* 200* 100* 25 А 25 А 25 А 25 А 25 А 25 А 20...200 20...200 20...200 20...200 20...200 10. .200 1,1 (30 А) 1,1 (30 А) 1,1 (30 А) 1,1 (30 А) 1,1 (30 А) 1,1 (30 А) 10 (50 В) 10 (70 В) 10(100 В) 10 (150 В) 10 (200 В) 10 (100 В) <0,05 <0,05 <0,05 <0,05 <0,05 <0,01 1 1 1 1 1 1 КД2995 77,5 л у 20,32 КД2996А КД2996Б КД2996В 50* 70* 100* 50 А 50 А 50 А 20...200 20...200 20. .200 1 (50 А) 1 (50 А) 1 (50 А) 25 (50 В) 25 (70 В) 25 (100 В) <0,06 <0,06 <0,06 — КД2996 Ък 1 77,5 20,32 КД2997А КД2997Б КД2997В 200, 250* 100; 200* 50; 100* 30 А; 100* А 30 А; 100* А 30 А; 100* А 200 200 200 1 (30 А) 1 (30 А) 1 (30 А) 200 (200) 200 (100) 200 (50) <0,2 <0,2 <0,2 — 1 <Д299 |. 7 C=JCZ -—I— j =эс j Лэ Е —— 20 КД2998А КД2998Б КД2998В КД2998Г КД2998Д 15* 20* 25* 35* 30* 30 А 30 А 30 А 30 А 30 А 10 ..200 10...200 10 ..200 10...200 10...200 0,6 (30 А) 0,6 (30 А) 0,7 (30 А) 0,7 (30 А) 0,7 (30 А) 20 мА (15 В) 20 мА (20 В) 20 мА (25 В) 20 мА (35 В) 20 мА (30 В) — — КД2998 I *1 ! 77,5 2/7,32
370 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Injp, ср max» мА 1пр, и max» мА 1д max, кГц Unp, в, не более (при 1„р, мА) 1обр, мкА не более (при иобР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД2999А КД2999Б КД2999В 200; 250* 100; 200* 50; 100* 20 А; 100* А 20 А; 100* А 20 А; 100* А 100 100 100 1 (20 А) 1 (20 А) 1 (20 А) 200 (250) 200 (200) 200(100) <0,2 <0,2 <0,2 — КД291 )9 —”— —! i =зса 1 28 га Д302 ДЗОЗ Д304 ДЗО5 200 150 100 50 1 А 3 А 5 А 10 А 1 1 1 1 0,3 (1 А) 0,35 (3 А) 0,3 (5 А) 0,35 (10 А) 800 (200) 1000 (150) 2000(100) 2500 (50) — — Д302-Д 20J 305 11,5 1 г 1 1 КД401А КД401Б 75* 75* 30 30 150 150 1 (5) 1 (Ю) 5(75) 5(75) 2 2 1 (5) 1,5 (5) I СД401 12 TSi ТГ""П JI—J Л ГД402А ГД402Б 15 15 30 30 60 МГц 10 МГц 0,45 (15) 0,45 (15) 50(10) 50 (10) — 0,8 (5) 0,5 (5) 1 Д402 ,7,5^ : ll-lf ГД403А ГД403Б ГД403В 5 5 5 5 5 5 465 465 465 0,5 (5) 0,5 (5) 0,5 (5) — — — I Д403 72 , у —[ ] J J КД407А 24 50 (50...300) МГц 0,5 (24) 1 (5) I 1 СД407 |1 м II/-11 1 • КД409А 24 50 (50. .300) МГц 0,5 (24) 2 (15) КД409 '—Iff / ) Ве 4 КД409А-9 КД409Б-9 40 40 100; 500* 50; 500* — 1,2 (0,1 А) 1 (0,1 А) 0,5 (40 В) 0,5 (40 В) — 1 1,5 КД401 5 )-9 7 у Ф I Ф А г 1,2
Параметры диодов, столбов и блоков 371 Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, Inj>, ср max, мА Inp, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при Inp, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус I КД410А 1000 50 — 2 (50) 3 мА (100) 3 — КД410 КД410Б 600 50 2 (50) 3 мА (100) 3 05 -L =f=3 КД411А 700* 2 А 30 1,4 (1 А) КД411Б 600* 2 А 30 1,4 (1 А) КД411В 500* 2 А 30 1,4 (1 А) КД411Г 400* 2 А 30 2(1 А) КД411АМ 700* 2 А 30 1,4 (1 А) КД411БМ 750* 2 А 30 1,4 (1 А) КД411ВМ 600* 2 А 30 1,4 (1 А) КД411ГМ 500* 2 А 30 2 (1 А) КД412А 1000* 20* А 20 2 (10 А) КД412Б 800* 20* А 20 2 (10 А) КД412В 600* 20* А 20 2 (10 А) КД412Г 400* 20* А 20 2 (10 А) КД413А 24 20* 100 МГц 1 (20) КД413Б 24 20* 100 МГц 1 (20) КД416А 400 300; 15* А 0,5 3 (15 А) КД416Б 200 300; 15* А 0,5 3(15 А) КД417А 24 20 1 (20) КД419А 15 10 400 МГц 0,4 (1) КД419Б 30 10 400 МГц 0,4 (1) КД419В 50 10 400 МГц 0,4 (1) КД419Г 15 10 400 МГц 0,4 (1) КД419Д 10 10 400 МГц 0,4 (1) КД424А 250 350 (2* А) 10 МГц 1,1 (300) КД424Б 200 350 (2* А) 10 МГц 1,1 (300) КД424В 150 350 (2* А) 10 МГц 1,1 (300) 700 (700) 700(600) 700 (500) 700 (400) 300 (700) 300 (750) 300(600) 300(500) 100 (1000) 1,5 100 (800) 1,5 100 (600) 1,5 100 (400) 1,5 400 (400) 200 (200) КД416 10 (15) — <1,5 КД419 10 (30) — <1,5 10 (50) — <1,5 t 3 t 10 (15) — <2 10 (10) <1,0 'S- ot=| 1 0,1 (250) <1000 <10 КД424А | 0,1 (200) <1000 <10 0,1 (150) <1000 <10 со «чг LJL эе ф II
372 Раздел 4. Диоды
Параметры диодов, столбов и блоков 373 Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, мА Inj>, ср max, мА 1пр, и max, мА f д max, кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) taoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6P, В) Корпус КД514А 10 10 1 (10) 5(6) 0,9 К Д514 7,5. £ .. n L-4— 1' J4-4 АД516А АД516Г 10 10 2 2 — 1.5 (2) 1,5 (2) 2(10) 2(10) 0,001 0,001 0,5 0,35 < АД516 S L 6 КД518А 100; 1,5* А 0,57 (1) К 5 Д518 Z5 и КД519А КД519Б 30 30 30 30 — 1,1 (100) 1,1 (100) 5 (30) 5(30) — 4,0 2,5 КД519 .7,5 •о ’SU III Ю lipac КД520А 15 20 1 (20) 1 (15) 0,004 3,0 (5) К и Д620 J • г-i г- —ЧГ—Ч КД521А КД521Б I КД 521В КД521Г КД521Д 75 60 50 30 12 50 50 50 50 50 — 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (75) 1 (60) 1.(50) 1 (30) 1 (12) 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 4,0 (0) 4,0 (0) 4,0 (0) 4,0 (0) 4,0 (0) КД521 Сч <=»<=dHKi- J,5 КД521А2 КД521Б2 75 50 50 50 — 1 (50 мА) 1 (50 мА) 1 (75 В) 1 (75 В) 4 нс 4 нс 4 4 КД521-2 2 : 4 25 КД522А КД522Б 30 50 100 100 — 1,1 (100) 1,1 (100) 2 (30) 5 (50) 0,004 0,004 4,0 (0) 4,0 (0) КД522 Сч ч "ас=Ч111^ А— КД522А2 КД522Б2 30 50 100 100 — 1,1 (100мА) 1,1 (100 мА) 1 (30 В) 1 (50 В) 4 нс 4 нс 4 4 КД522-2 гП-д/ _Z2 &е- 4 25
374 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max* В Uo6p и max» В Inp max» мА Injp, ср max* мА 1пр, и max, мА fд max, кГц Unp, в, не более (при 1пр, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД529А КД529Б КД529В КД529Г 2000 2000 1600 1600 8 А 8 А 8 А 8 А 5 5 5 5 3,5 (20 А) 3,5 (20 А) 3,5 (20 А) 3,5 (20 А) 1,5 мА (2000 В) 1,5 мА (2000 В) 1,5 мА (1600 В) 1,5 мА (1600 В) 2 3 2 3 — КД5 a2±= St/— _ 40 29 a КД629АС 90 200; 800* 1 (200) 0,1 (90) 535 (0) ВД6 3 29 nos K1,A2 t /.2 а! I С»- Jj l-tf А1 K2 ± КД704АС 70 100; 500* 1,3 (100) <3 (70) <45* <1.5 (0) КД7 3 04 K1,K2 ^1* а ; t V К 1 1 'Ey —ш H A1 A КД706АС9 70 100; 1,5* А 1 (100 мА) 2,5 (70 2,5 нс 2,4 КД70 3 16-9 K1A2 3 t Н- I —$ |“Ф А1 K2 КД707АС9 70 100; 1,5* А 1 (100 мА) 2,5 (70 В) 2 нс 1,8 ВД7С J 17-9 K1A2 а t IS its. } 1-51- —4» I 4 А1 Ю 1 КД803АС9 50 200; 1,5* А 1.1 (0,2 мА) 1 (50 В) 4 КД8С 3 13-9 /7^5 K1,K2 t V Ьз. —Ф I 4 A1 A Jj КД805А 75 200; 450* 1 МГц 1 (100) 55(75) £4 <2 Ж КД805 — jl 5Л . КД808А 1 3 25; 30* 200; 500* f t (10) гадаем % 0.5 (2Ь< j 1 ! j 1 | i . £10 1 1 ад» 1 й I Hbt ' 1—г« -
Параметры диодов, столбов и блоков 375 Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max, В Inp max, мА Injp, ср max, мА Inp, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при иобр, В) КД811А 75 — — 1 (50 мА) — 4 нс 3 КД811Б 50 — — 1 (100 мА) — 4 нс 3 КД811В 50 1 (50 мА) 4 нс 3 КД811А-9 75 — — 1 (50 мА) — 4 нс 3 КД811Б-9 50 — — 1,1 (100 мА) — 4 нс 3 КД811В-9 50 1 (50 мА) 4 нс 3 КД901А-1 10 5; 100* 10 МГц 0,7(1) 0,2 (10) <20 <4 (0,1) КД901Б-1 10 5; 100* 10 МГц 0,7 (1) 0,2 (10) <20 <4 (0,1) КД901В-1 10 5; 100* 10 МГц 0,7(1) 0,2 (10) <20 S4 (0,1) КД901Г-1 10 5; 100* 10 МГц 0,7 (1) 0,2 (10) <20 <4 (0,1) КД903А 20 75 — 1,2 (75) 0,5 (20) 150 150 (5) КД903Б 20 75 1,2 (75) 0,5 (20) 150 150 (5) КД904А-1 10; 12* 5; 100* 10 МГц 0,8 (1) 0,2 (10) <10 <2 (0,1) КД904Б-1 10; 12* 5; 100* 10 МГц 0,8 (1) 0,2 (10) <10 <2 (0,1) КД904В-1 10, 12* 5; 100* 10 МГц 0,8 (1) 0,2 (10) <10 <2 (0,1) КД904Г-1 10; 12* 5; 100* 10 МГц 0,8 (1) 0,2 (10) <10 <2 (0,1) КД904Д-1 10; 12* 5; 100* 10 МГц 0,8 (1) 0,2 (10) <10 <2 (0,1) КД904Е-1 10; 12* 5, 100* 10 МГц 0,8(1) 0,2 (10) <10 <2 (0,1) КД906А 75 100 100 1 (50) 2 (75) 1 20(5) КД906Б 50 100 100 1 (50) 2 (50) 1 20(5) КД906В 30 ' 100 100 1 (50) 2 (30) 1 20(5) КД906Г 75 100 100 1 (50) 2(75) 1 40(5) КД906Д 50 100 100 1 (50) 2 (50) 1 40(5) КД906Е 30 100 100 1 (50) 2 (30) 1 40(5) Корпус КД811 01,7 3,7 КД811-9 3 Т~’ Ь i—Ф I Ф А 0,95 1,2 КД901 1,0 1,0 АЗ м мрц КД901А-1КД901Б-1 К <№ЯА2 КД901В-1 КД901Г-1 К A, А,А3 К А,А,А3А^ КД903 CS| i^oc v nc ОС ОС r/B >9 40 • КД904 00,09 КДЭМА-^ КЗ™ \9Мб-1 ткг КД909В-1^-1 КД904Г-1,Е-1 A К< К,К3А К,КгК3Кл КД906 2 J э в J
376 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Injp, ср max» мА 1пр, и max» мА 1д max» кГц Unp» в, не более (при Inp, мА) 1обр» мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр» МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус 1 КД907Б-1 КД907Г-1 40; 60* 40; 60* 50; 700* 50; 700* 10 МГц 10 МГц 1 (50) I (50) 5 (40) 5 (40) — 25 (0) 25(0) КД907-1 7х х2 х—_ W,06 >6 : г 117 ’ _ 7 г КД908А 40; 60* 200; 1,5* А 1,2 (200) 5 (40) <30 25 (0) КД9 Ипппппппп 08 Ч?' чг 1 JI-+ — и и х 70 u КД908АМ 40;60* 200; 1,5* А 10 МГц 1,2 (200) 1 (40) <20 25 (0) КД908М КД908АМ 1Щ _0>2> ' 1$ м*! j 14 ' II.II- "j; °о fl ж= = Еэ“ 7 С— 'И Ж 5 6 7 8 to 6 о 11 10 9° < 12 а о 7J > 3 9 1 о 12 КД909А 40 200 1,2 (200) 10 (40) 70 5 КД909 См ВС ОС ОС /si 3 3 a9 ; КД910А-1 КД910Б-1 КД910В-1 5* 5* 5* 10* 10* 10* — 0,8 (1) 0,8 (1) 0,8(1) 0,5 (5) 0,5 (5) 0,5 (5) <5 <5 <5 21,5 (0,1) 21,5 (0,1) 21,5 (0,1) КД910-1 г ; i r V» V 00,04 / if 7 % 2</ кююмкююи 7 2 72 J 3 КД910В- 1 239 1 КД911А-1 КД911Б-1 5 5 10 10 0,6 (0.05) 0,6 (0.05) 0,5 (5) 0,5 (5) <160 <160 кд< 1 Ш 1 L *1 ^04^ 1 kJ? Ill'll KAfKA^o t иш
Параметры диодов, столбов и блоков 377 Тип прибора Uo6p max» В Побр и max» В Inp max» мА Inj>, ср max, мА 1пр, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при Inp, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) КД912А-3 5 3,5; 10* 10 МГц 0,5 (0,05) 0,2 (5) КД912Б-3 5 3,5; 10* 10 МГц 0,5 (0,05) 0,2 (5) КД912В-3 5 3,5; 10* 10 МГц 0,5 (0,05) 0,2 (5) КД913А-3 10 5; 200* 10МГц 0,48 (0.01) 0,2 (10) КД914А 20 20 — 1 (5) 1 (20) КД914Б 20 20 — 1 (5) 1 (20) КД914В 20 20 1 (5) 1 (20) КД917А 40 200 — 1,2 (200) 5(50) teoc, обр» МКС <5 <30 <80 <10 Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус <1,8 (0,1) <1,8 (0,1) <1,8 (0,1) КД912 _ 0,7 . 0,2 5 К1 К2 1 \0.М ©О ОО <4 (0,1) КД913 °’7 А1 А2 ] (о|о o[jo ключ КД914 схемы включения см. КДС526 10 40 (0,05) КД917 КД917АМ 40; 60* 200; 1,5* А 1,2 (200) 1 (40) <40 <6(0) КД917М КД918Б-1 40 50 10 МГц 1 (50) КД918Г-1 40 50 10 МГц 1 (50) 5 (40) <4 5 (40) <4 <6 (0) <6 (0) КД918 КД918Г-1
378 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, мА Inj>, ср max, мА Inp, и max, мА Iд max, кГц ипр, В, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при иобр, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КД919А 40 100 1,35 (100) I (40) 100 6(10) КД919 1 □ooH-lLaaao - 22 "о 24 КД922А КД922Б КД922В 18 21 10 50 35 10 10 МГц 10 МГц 10 МГц 1 (50) 1 (35) 1 (Ю) 0,5 (15) 0,5 (15) 0,5 (10) — 1 1 1 кл V [922 J г— г—- . 2LCS3. КД923А 14 100 0,7 МГц 1 (100) 5(10) — 3,6 КД923 Д1004 2 кВ 100 1 5(100) 100 (2 кВ) Д1005А 4 кВ 50 1 5 (50) 100 (4 кВ) — — Д1005Б 4 кВ 100 1 10(100) 100 (4 кВ) Д1006 6 кВ 100 1 10 (100) 100 (6 кВ) Д1007 8 кВ 75 1 10 (100) 100 (8 кВ) Д1008 10 кВ 50 1 10 (100) 100 (10 кВ) Д1009 2 кВ . 300 1 2,6 (300) 100 (2 кВ) Д1009А 1 кВ 300 1 1,5 (300) 100 (1 кВ) Д1004 М5 Д1005 М5 Д1006 М5 J&W1 М5 Д1008 М5
Параметры диодов, столбов и блоков 379 Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, мА 1п£, ср max, мА 1пр, и max, мА f д max, кГц ДЮН 500 300 1 КДС111А 300 200 20 КДСШБ 300 200 20 КДСШВ 300 200 20 КДС413А 20; 30* 10; 100* — КДС413Б 20; 30* 10; 100* — КДС413В 20; 30* 10; 100* КДС414А 20; 30* 10; 100* — КДС414Б 20; 30* 10; 100* — КДС414В 20; 30* 10; 100* КДС415А 20; 30* 10; 100* — КДС415Б 20; 30* 10; 100* — КДС415В 20; 30* 10; 100* КДС523А 50 20 — КДС523Б 50 20 — КДС523В о 20 — КДС523Г 50 20 * ипр, в, не более (при 1Пр, мА) 1обР, мкА не более (при иОбр, В) 1,5 (300) 100 (500) 1,2 (100) 1,2 (100) 1,2 (100) 3(300) 3(300) 3(300) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,04 0,75 (1) 0,01 (10) 0,04 0,75 (1) 0,01 (10) 0,04 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 0,75 (1) 0,01 (10) 0,04 0,75 (1) 0,01 (10) 0,04 0,75 (1) 0,01 (10) 0,04 1 (20) 5(50) * 1 (20) 5(50) 4 । 1 • 1; 5 (50) 4 ; <21 < 5 (50) 4 ! i 1 3(0) 3(0) 3(0) Сд, пФ (при UoCpi В) Корпус кдсш 7, 5 <3 г il Il 1 г 3(0) 3(0) 3 (0) 3 (0) 3(0) 3(0) КДС413 КДС414 КДС415 7,2 2 (0.1) КДС523А, Б 2 (0,1) 2 (0.1) i ! SUUS'-« сзс Ьи? . гм - й ° Р! Зм © -J 2(0.1) * J Г ? f Г 1 J f | г=^О -к i 1Л i И*пи| 1 8 Й4 “Г 3 0 -н ё *
380 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max» В Uo6p н max» В Inp max» мА Inj>, ср max» мА Inp, и max» мА Iд max» кГц Unp» в, не более (при Inp, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР» В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) КДС523АМ 50 20 — 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523БМ 50 20 — 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523ВМ 50 20 — 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523ГМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС525А 15 20; 200* — 20,9 (2) 21 (10) <5 нс 28(5) КДС525Б 15 20; 200* — 20,9 (2) 21 (10) <5 нс 28(5) КДС525В 15 20; 200* — 20,9 (2) 21 (10) <5 нс 28(5) КДС525Г 15 20; 200* — 20,9 (2) 21 (10) <5 нс 28(5) КДС525Д 15 20; 200* — 20,9 (2) 21 (10) <5 нс 28(5) КДС525Е 20 20; 200* — 20,9 (5) 21 (20) <5 нс 28(5) КДС525Ж 20 20; 200* — 20,9 (5) 21 (20) <5 нс 28 (5) КДС525И 20 20; 200* — 20,9 (5) 21 (20) <5 нс 28 (5) КДС525К 20 20; 200* — 20,9 (5) 21 (20) <5 нс 28(5) КДС525Л 20 20; 200* 20,9 (5) S1 (20) £5 нс 28(5) Корпус 2 °—И“-°J 1 О—КЗ 04 5 в IX —oj Jo- —0Н- —Об 2 о— —£*— —о? 7 о— — —оЯ КДС525 Сч •’S’ i 1»O се 1,5 0,0 МШФ| 18.5 4 1 КДС525А КДС5255 7 о К , tX off ?°М чЫ°М 7о-КМ °8 •—оО КДС525В КДС525Г 1 о-м-т-М-о» ;<H4-^-off 7о-» КДС525Д ЗоИММ oftjo-H-r 7 <н34—<>д . КДС525Ж I д-иЧ^-ой 2 о Ц < о?3 , КДС525К 1 о M-tH-off 2 O-S--R--. °# 77 7о-М' КДС525И 7oW-tH<>74 po^-P-o/j ♦ # 10 7 КДС525Л J о-&-Яфо7Р 4^ ой ро;/ А 4W0 7ой4- og
Параметры диодов, столбов и блоков 381 Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Inp, ср max» мА Inp, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при 1пР, мА) 1обР, мкА не более (при иОбР, В) taoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6P, В) Корпус КДС526А КДС526Б КДС526В 15 15 15 20 20 20 — 1 (5) 1 (5) 1 (5) — 5 нс 5 нс 5 нс 5 5 5 КДС526 я п* Г 1 1- г Е г г м i •***. о» О-t <ьм с=*'» —*. F 1 КДС627А 50 200 1,3 (200) 2 (50) 40 5 КДС627 ИИ и kg 75 □а Я, .1 КДС628А 50 200 1,3 (200) 5 (50) 50 32 кл (С628 7 1 см 1 |==>) КЦ105В КЦ105Г КЦ105В 6000 7000 8500 100 75 50 10 10 10 7 (100) 7(75) 7(50) 100(6000) 100(8000) 100(10000) 3 3 3 — К1 НО Ц105 | J0_ а □ й
382 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uo6p max* В Uo6p и max* В Inp max* мА Inp, ср max* мА Inp, и max* мА Iд max* кГц Unp, В, не более (при Inp, мА) КЦ106А 4000 10 20 25 (10) КЦ106Б 6000 10 20 25 (10) КЦ106В 8000 10 20 25 (10) КЦ106Г 10000 10 20 25 (10) КЦ106Д 2000 10 20 25 (10) КЦ108А 2000 100 50 <6 (180) КЦ108Б 4000 100 50 <6 (180) КЦ108В 6000 100 50 <10(180) КЦ109А 6000* 300 7(300) КЦ111А 3000 1 20 12(1) КЦ114А 4000 50; 1000* 10 <22 (50) КЦ114Б 6000 50; 1000* 10 <22 (50) КЦ117А 10000 1,3 А — <35 (10) КЦ117Б 12000 ЗА <35 (10) КЦ201А 2000 500 1 3(500) КЦ201Б 4000 500 1 3(500) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус 5(4000) 5(6000) 5(8000) 5(10000) 5(2000) 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 — о КЦ106 — 22 <150(2000) <150(4000) 0,9 0,6...0,9 — КЦ108 KUIDBfA.S} 1 <150 (6000) 0,6...0,9 — ( t—jCZ 7Г А to *=—*| f—, г— 1 I КЦ108В >3 ; 70 I——31— 10(6000) 1,5 § КЦ109 т 0,1 (3000) КЦ111 СЧ □ -S 5 <10(4000) <10 (6000) 2,5 2,5 — ] <4°с 1 4 КЦ1 ?2э 14 SC3 О 6 <1 (10000) <1 (12000) <300 <300 — КЦИ7 7® зсэ О £ 100 (2000) 100 (4000) — — 1 < 58 Щ201 о 18
Параметры диодов, столбов и блоков 383 Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp max, мА 1п|э, ср max, мА 1пр, и max, мА КЦ201В КЦ201Г КЦ201Д 6000* 8000* 10000* 500 500 500 КЦ201Е 15000* 500 КЦ208А 7,5 кВ 300 КЦ401А 500* 400 КЦ401Г 500* 500 f д max, кГц Unp, в, не более (при 1„р, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус I 1 1 1 6 (500) 6 (500) 6 (500) 100 (6000) 100 (8000) 100(10000) — — КЦ201 • 100 18 — >4 ->Ь—кс- 1 10(500) 100 (15000) — — КЦ201 ч 1 2,5 (400) 500 (500) — — КЦ401А s' Сл < ^7 i Кз дня ней -f —Е А д > £ 7 Сй ydt 1ряя н- и— 1 А3 -> един*, hume сения JL S WL ИЯ !Я 1 2,5 (500) 500 (500) 1 i 6’( о, о < 5 5 4 СО дл FM-I W Ч дм Hi к > J 0 1 <е. и i 1 :Ц4С й 3 2 'хеш дине ' М01 ~ 4 ydfa пряж 1 Ч 3 иг г и нии чти I 1 чтеля шия тг 15 F
384 Раздел 4. Диоды 1 Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Inj>, ср max» мА 1пр, и max» мА f д max» кГц Unp» В, не более (при Inp, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр» МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус КЦ402А КЦ402Б КЦ402В 600* 500* 400* 1000 1000 1000 5 5 5 <4 (1000) <4 (1000) <4 (1000) <125 (600) «£125 (500) <125 (400) — — КЦ402 “А. / | КЦ402Г КЦ402Д КЦ402Е КЦ402Ж КЦ402И 300* 200* 100* 600* 500* 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 <4 (1000) <4 (1000) <4 (1000) <4 (600) <4 (600) <125 (300) <125 (200) <125 (100) 2125 (600) 2125 (500) — — № 4 и, 2g 40 J tn w зг зг КЦ403А КЦ403Б КЦ403В КЦ403Г КЦ403Д КЦ403Е КЦ403Ж КЦ403И 600* 500* 400* 300* 200* 100* 600* 500* 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4 (1000) 4 (1000) 4 (600) 4(600) 125 (600) 125 (500) 125 (400) 125 (300) 125 (200) 125 (100) 125 (600) 125 (500) — 1 1 1 1 1 1 1 1 КЦ403 ] п п Г"Г— г 13. g .. & и ИЗ § 1 1 ~20 "+1 "0 '40 ' O? Ol 0? 0 1 2 3 « ; 2 1Z1 Ч V JVJ -4- Л 2 L 2 КЦ404А КЦ404Б КЦ404В КЦ404Г КЦ404Д КЦ404Е КЦ404Ж КЦ404И 600 500 400 300 200 100 600 500 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4 (600) 4 (600) 125 (600) 125 (500) 125 (400) 125 (300) 125 (200) 125 (100) 125 (600) 125 (500) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Ьч' КЦ404 ?n § £ £ [-Що] {♦НднЛ о Т 1 i 2 Л t 2 I 2 т КЦ405А КЦ405Б КЦ405В КЦ405Г КЦ405Д КЦ405Е КЦ405Ж КЦ405И 600 500 400 300 200 100 600 500 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4(1000) 4 (600) 4 (600) 125 (600) 125 (500) 125 (400) 125 (300) 125 (200) 125 (100) 125 (600) 125 (500) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КЦ405 ПИ _ П^. 1 1 а + с х 22 х д»ч, —JL 0+ ОТ £ £ > 5г з г
Параметры диодов, столбов и блоков 385 Тип прибора Uo6p max, В Uo6p и max, В Inp maxj мА Injp, ср max, мА 1пр, и max, мА max, кГц Unp, В, не более (при 1„р, мА) 1обр, мкА. не более (при иобр, В) teoc, обр, МКС КЦ407А 400* 500; 3* А 20 2,5 (200) 5(400) 5 КЦ409А 600* 3 А 1 2,5 (3000) 3 (600) — КЦ409Б 500* ЗА 1 2,5 (3000) 3 (500) — КЦ409В 400* ЗА 1 2,5 (3000) 3 (400) — КЦ409Г 300* 3 А 1 2,5 (3000) 3 (300) — КЦ409Д 200* 3 А 1 2,5 (3000) 3 (200) — КЦ409Е 100* 3 А 1 2,5 (3000) 3 (100) — КЦ409Ж 200* 6 А 1 2,5 (6000) 3 (200) — КЦ409И 100* 6 А 1 2,5 (6000) 3 (100) — КЦ410А 50* ЗА — 1,2 (3000) 50 (50) — КЦ410Б 100* 3 А 1 1,2 (3000) 50 (100) — КЦ410В 200* ЗА 1 1,2 (3000) 50 (200) КЦ412А 50* 1 А — 1,2 (500) 50 (50) — КЦ412Б 100* 1 А — 1,2 (500) 50 (100) — КЦ412В 200* 1 А 1,2 (500) 50 (200) КЦ417А 600 1 А; 4* А 5 3(1 А) 15 (600) — КЦ417Б 400 1 А; 4* А 5 3 (1 А) 15 (400) — КЦ417В 200 1 А; 4* А 5 3 (1 А) 15 (200) КЦ418А 50 2,5 А 0,05... 1 2,3 (3 А) 50 (50 В) — КЦ418Б 100 2,5 А 0,05... 1 2,3 (3 А) 50 (100 В) — КЦ418В 200 2,5 А 0,05... 1 2,3 (3 А) 50 (200 В) — КЦ418Г 400 2,5 А 0,05... 1 2,3 (3 А) 50 (400 В) — КЦ418Д 800 2,5 А 0,05... 1 2,3 (3 А) 50 (800 В) КЦ419А 50 2 А 1 2 (2 А) 2 (50 В) — КЦ419А1 50 5 А 1 2 (5 А) 2 (50 В) — КЦ419А2 50 10 А 1 2 (10 А) 2 (50 В) — КЦ419Б 100 2 А 1 2 (2 А) 2(100 В) — КЦ419Б1 100 5 А 1 2(5 А) 2 (100 В) — КЦ419Б2 100 10 А 1 2 (10 А) 2 (100 В) — КЦ419В 200 2 А 1 2 (2 А) 2 (200 В) — КЦ419В1 200 5 А 1 2(5 А) 2(200 В) — КЦ419В2 200 10 А 1 2 (10 А) 2 (200 В) — КЦ419Г 300 2 А 1 2 (2 А) 2 (300 В) — КЦ419Г1 300 5 А 1 2(5 А) 2(300 В) — КЦ419Г2 300 10 А 1 2 (10 А) 2(300 В) — КЦ419Д 400 2 А 1 2 (2 А) 2 (400 В) — КЦ419Д1 400 5 А 1 2 (5 А) 2(400 В) — КЦ419Д2 400 10 А 1 2 (10 А) 2(400 В) — КЦ419Е 500 2 А 1 2 (2 А) 2(500 В) — КЦ419Е1 500 5 А 1 2(5 А) 2 (500 В) — КЦ419Е2 500 10 А 1 2 (10 А) 2 (500 В) — КЦ419Ж 600 2 А 1 2 (2 А) 2 (600 В) — КЦ419Ж1 600 5 А 1 2 (5 А) 2 (600 В) — КЦ419Ж2 600 10 А 1 2 (10 А) 2 (600 В) — Сд, пФ (при Uo6p» В) Корпус 3 КЦ407А i j Точка Я > КЦ409 1 о о 1 го го го ♦ 0 0 — =3 52 17 КЦ410 + Ц UU U □ □□ 0 КЦ412 U U U U DODD 25 тг D 10 КЦ417 КЦ418 КЦ419 u u u u 0 00 Q c 15 x - ~~ + Ц uiru 0 DD 0 If 5 К ID ч D 28’5 I 05,2 21,7 o> o” 7,8 LJ CM
386 Параметры диодов, столбов и блоков Параметры диодов, столбов и блоков Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max, мА Injp, ср max, мА Inp, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при 1пР, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, в) Корпус КД126А КД127А 300 800 250; 1100* 250; 1100* 20 20 1,4 (250) 1,4 (250) 2 (300) 2(800) <0,2 <0,2 — о со КД126, КД127 12,5 r КД128А КД128Б КД128В 50 75 95 160 160 160 — 1 (160) 1 (160) 1 (160) — — 21 21 21 KJ Ц28 J S & l 1 lJ ПГ РФ IP ф IT D КД130АС 50 300; 1000* 200 1,25 (300) 1 (50) 0,03 2,5 КД130 115 5.2 II 8 КД210А1 КД210Б1 КД210В1 КД210Г1 800* 800* 1000* 1000* 10 А; 50* А 10 А; 50* А 10 А; 50* А 10 А; 50* А 1 1 1 1 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 4,5 мА (800В) 4,5 мА (800В) 4,5 мА (1000В) 4,5 мА (1000В) — — <4 кд 10,5 x 210-1 8 a л л T I КД227ГС КД227ЕС КД227ЖС 280 420 560 5 А; 15* А 5 А; 15* А 5 А; 15* А 1 1 1 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 800 800 800 — — Ci КД227 ft?,7, 8 1 ‘ 1 I й ¥ о КД237А КД237Б 100 200 1 А 1 А — 1,3 (1 А) 1,3 (1 А) 5 (100) 5 (100) 50 50 — 5_ КД237 ,5t 2,5 ¥ КД248А КД248Б КД248В КД248Г КД248Д КД248Е КД248Ж КД248И КД248К 1000 1000 800 800 600 600 400 400 1000* 3 А; 9,6* А 1 А; 3,2* А 3 А, 9,6* А 1 А, 3,2* А 3 А, 9,6* А 1 А; 3,2* А 3 А; 9,6* А 1 А; 3,2* А 1,5 А; 4,8* А 100 100 100 100 100 100 100 100 65 1,4 (3 А) 1,4 (1 А) 1,4 (3 А) 1,4 (1 А) 1,4 (3 А) 1,4 (1 А) 1,4 (3 А) 1,4 (1 А) 1,1 (1,5 А) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 <0,25 — KJ _ 7,6 (248 0 «=>э J I
Параметры диодов, столбов и блоков 387 Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max, мА Injp, ср max, мА 1пр, и max, мА Iд max, кГц Unp, в, не более (при 1пр, мА) 1обр, мкА не более (при иОбР, В) teoc. обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, в) Корпус КД249А КД249Б КД249В 40 30 20 3 А; 10* А 3 А; 10* А 3 А; 10* А — 0,475 (3 А) 0,475 (3 А) 0,475 (3 А) 3000 3000 3000 — 750 750 750 сч со’ KJ V 1249 9,65 —tt—i Р-IF— L—31—: КД259А КД259Б КД259В 90 80 60 3 А; 10* А 3 А; 10* А 3 А; 10* А — 0,8 (3 А) 0,75 (3 А) 0,7 (3 А) 3000 3000 3000 — — сч со KJ V 1259 9,65 r~~l r-tl— I. IV- IxJ —JI—J КД273АС КД273БС КД273ВС КД273ГС КД273ДС КД273ЕС два диода 25 50 75 100 150 200 20 А; 1200* А 20 А; 1000* А 20 А; 800* А 20 А; 700* А 20 А; 600* А 20 А; 520* А — 0,65 (20 А) 0,75 (20 А) 0,85 (20 А) 0,9 (20 А) 1 (20 А) 1,05 (20 А) 1 (25) 1 (50) 1 (75) 1 (100) 1 (150) 2 (200) — 1700 1700 1700 1700 1700 1700 КД273 10,7 ja _ 1 L -Ж » A7AA2 КД275А КД275Б КД275В КД275Г ВД275Д КД275Е 50 100 200 400 600 800 2,2 А 2,2 А 2,2 А 2,2 А 2,2 А 2,2 А — 1,4 (2,2 А) 1,4 (2,2 А) 1,4 (2,2 А) 1,4 (2,2 А) 1,4 (2,2 А) 1,4 (2,2 А) 50(50) 50 (100) 50 (200) 50 (400) 50 (600) 50(800) 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 — КД275 ч —n— 4^ 7 КД280А КД280Б КД280В КД280Г КД280Д КД280Е КД280Ж 50 100 200 400 600 800 100 3 А; 100* А 3 А; 100* А 3 А; 100* А 3 А; 100* А 3 А; 100* А 3 А; 100* А 3 А; 100* А 1 1 1 1 1 1 1 1,2 (3 А) 1,2 (ЗА) 1,2 (3 А) 1,2 (3 А) 1,2 (3 А) 1,2 (3 А) 1,2 (3 А) 10 10 10 10 10 10 10 1 1 1 1 1 1 1 — сч со’ К V Ц280 9,65 И 1. >u- 1st —JLJ КД281А КД281Б КД281В КД281Г КД281Д КД281Е КД281Ж КД281И КД281К КД281Л КД281М КД281Н КД281П 50 100 200 400 600 800 1000 400 600 800 400 600 800 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 1 А; 30* А 0,7 А; 30* А 0,7 А; 30* А 0,5 А; 30* А 0,3 А; 30* А 0,3 А; 30* А 0,3 А; 30* А 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1,1 (1 А) 1 (0,7 А) 1 (0,7 А) 1 (0,5 А) 1 (0,3 А) 1 (0,3 А) 1 (0,3 А) 50 (50 В) 50 (100 В) 50 (200 В) 50 (400 В) 50(600 В) 50 (800 В) 50(1000 В) 50 (400 В) 50 (600 В) 50 (800 В) 50 (400 В) 50(600 В) 50(800 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КД281 <*> Г*1Г*П *сзс A —IV—J 12,5 КД292АС два диода 450 500 1,2 (500) 50 (450 В) КД292АС о;. см А чту КД292БС два диода 450 500 1,2 (500) 50 (450 В) КД292БС 7J,5 5,2 1 JW Xl
388 Параметры диодов, столбов и блоков
Параметры диодов, столбов и блоков 389 Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max* В Inp max» мА Injp, ср max» мА 1пр, и max, мА 1д max» кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус । КД636АС КД636БС КД636ВС КД636ГС КД636ДС КД636ЕС 60 120 200 400 600 800 15 А; 50* А 15 А; 50* А 15 А; 50* А 15 А; 50* А 12 А; 50* А 12 А; 50* А — 1 (10 А) 1,1 (10 А) 1,2 (10 А) 1,3 (10 А) 1,4 (10 А) 1,5 (10 А) 1 мА (60) 1 мА (120) 1 мА (200) 3 мА (400) 3 мА (600) 3 мА (800) — — 4 KJ Л Ц636 i*-4 1 1 9 г КД708А КД708Б КД708В 200 200 100 1 А; 5* А 1 А; 5* А 1 А; 5* А — 1,2 (1 А) 1,2 (1 А) 1 (1 А) 5 5 5 0,01 0,015 0,025 20 20 25 КД708 .25,4^ =3< ZJ 7 03,6 КД710А 35 100; 200* 1,2(100) 0,1 (20 В) 0,006 2 (10 В) КД710 ZDEZ 25 г =3^ ZJ л 4-4 г см КД711А 35 100; 200* 1,2 (100) 0,025 (15 В) 0,01 2 ВД7И ZJ 25 Z3< 4«4 Г- см 1* * КД805А9 75 200; 450* 1 (100) 5 (75) 0,004 2 КД805 й 5 Э -9 № КД810А 3 10; 30* 0,4 (10) 100 (3) 0,002 1 (1 В) КД810 => EZ _ 25 _ =3< =1 _ 5,8 02,8 КД812А КД812Б КД812В 5 5 5 30; 60* 30; 60* 30; 60* — 0,23 (1) 0,23 (1) 0,24 (1) 100 100 100 0,002 0,002 0,002 1 (1 В) 1,5 (1 В) 1,1 (1 В) КД812 - 25 _ =3^ -J _ 5,8 02,8 1 КД921А КД921Б 18 21 100; 200* 75; 150* 900 МГц 900 МГц 1 (75) 1,6 (75) 0,5 (18) 0,5 (21) — 1,5 1,5 со 2. КД92 1 . 2г [ т см' Q 3,1 _
390 Параметры диодов, столбов и блоков Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА 1п£, ср max» мА Inp, и max, мА Iд max» кГц Unp, в, не более (при 1Пр, мА) 1обр, мкА не более (при Uo6P, В) teoc, обр, МКС Сд, пФ (при Uo6p, в) Корпус КД927А 35 10; 20* 0,23 (0,1) 15 (35) — 0,5 КД927 КЦ103А 2000* 10; 1* А 50 9 (50) 10 (2000) 2 КЩ09АМ 6000* 300 — 8 (300) 10(6000) 1.1 КЦ118А 7 кВ 2; 1* А — 35 (10) 1 0,3 КЦ118Б 10 кВ 2; 1* А 35 (10) 1 0,3 КЦ122А 14 кВ 3 16 21 (5) 0,5 0,4 КЦ122Б 12 кВ 3 16 21 (5) 1 0,4 КЦ122В 10 кВ 3 16 21 (5) 1 0,4 КЦ206А 6 кВ 350; 30* А 1 12 (350) 25 — КЦ206Б 8 кВ 350; 30* А 1 9(350) 100 — КЦ206В 9,5 кВ 350; 30* А 1 9(350) 100 — КЦ302А 1400 300; 15* А 1 2 (300) 15 — КЦ302Б 1000 300; 15* А 1 2(300) 15 — КЦ302В 600 300; 15* А 1 2 (300) 15 — КЦ302Г 180 300; 15* А 1 2 (300) 15 КДЗОЗА 100 1 А; 35* А 1 2,5 (1 А) 500 — КЦЗОЗБ 200 1 А; 35* А 1 2,5 (1 А) 500 — КЦЗОЗВ 300 1 А; 35* А 1 2,5 (1 А) 500 — КЦЗОЗГ 400 1 А; 35* А 1 2,5 (1 А) 500 — кцзозд 500 1 А; 35* А 1 2,5 (1 А) 500 — КЦЗОЗЕ 600 1 А; 35* А 1 2,5 (1 А) 500 — КЦЗОЗЖ 100 2 А; 35* А 1 3 (2 А) 500 — КЦЗОЗИ 200 2 А; 35* А 1 3(2 А) 500 — кдзозк 300 2 А; 35* А 1 3(2 А) 500 — кцзозл 400 2 А; 35* А 1 3(2 А) 500 — кцзозм 500 2 А; 35* А 1 3 (2 А) 500 — кцзозн 600 2 А; 35* А 1 3 (2 А) 500 — КЦ422А 50 500 — 1,1 (0,5 А) 50(50 В) — КЦ422Б 100 500 — 1,1 (0,5 А) 50 (100 В) — КЦ422В 200 500 — 1,1 (0,5 А) 50 (200 В) — КЦ422Г 400 500 1,1 (0,5 А) 50 (400 В) 25 =31 ZZJ 4,4 сч — кцюз Ча 1 h D 1 22 КЦ109 — КЦ118 — — КЦ122 L 22 J 16 1 11 22 “I 1“ □ — КЦ206 «=»<=!/ == о 22. 6 — КЦЗО2 Сч ’ Ц U U Ur U I DODD D 25 ДЮ Ц — кцзоз
Параметры диодов, столбов и блоков 391 Тип прибора Uo6p max» В Uo6p и max» В Inp max» мА Inj>, ср max» мА 1пр, и max» мА f д max, кГц Unp, в, не более (при 1пр, мА) 1обр, мкА не более (при иобр, В) teoc, обр, мкс Сд, пФ (при Uo6p, В) Корпус ГД404АР 3 3; 20* 0,4 (10) ч ГД404 со ю гзг □□ □ □ с8,бэ 25 2 « 1 ' о—— —и Csl “O« J КДС111А2 КДС111Б2 КДС111В2 два диода 300 300 300 200; 500* 200; 500* 200; 500* 20 20 20 1,2 (100) 1,2 (100) 1,2 (100) 3(300) 3(300) 3(300) <5 <5 <5 — кл [СШ СМ I 1 А2- Б2- В2- -обш -оби -два J / А1 KA2) (ий катод (Д (ий анод (К' диода пост d KA2) 1 AK2) (едователь г >но( КДС132А1 КДС132Б1 КДС132В1 два диода 250 250 250 200; 500* 200; 500* 200; 500* — 1,2 (100) 1,2 (100) 1,2 (100) 3(300) 3(300) 3 (300) <5 <5 <5 С КДС1 15,2 L32 CM 1 ; 1 L_ j -А1 I -К1 i -А1 I lJ А1- Б1- В1- Ш **1 &KA KA2 \K2 KA2 RJ КДС133А1 КДС133Б1 КДС133В1 два диода 200 200 200 200; 500* 200; 500* 200; 500* 1 1 1 1,2 (100) 1,2 (100) 1,2 (100) 3 (300) 3 (300) 3 (300) <5 <5 <5 — КДС1 .04?.. 133 СМ I А1 Б1 В1 <£< 1 III 11 /—t—\ IW КАК KA2 AK2 KA2 R
392 Раздел 4. Диоды 4.4. Параметры варикапов Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. иобр, в 1изм» МГц мин. Uo6p» в {изм» МГц КВ101А 200 240 0,8 12 4 10 КВ102А 14 23 4 10 40 4 50 КВ102Б 19 30 4 10 40 4 50 КВ102В 25 40 4 10 40 4 50 КВ102Г 19 30 4 10 100 4 50 КВ102Д 19 30 4 10 40 4 50 КВ103А 18 32 4 10 50 4 50 КВ103Б 28 48 4 10 40 4 50 КВ104А 90 120 4 1...10 100 4 10 КВ104Б 106 144 4 1...10 100 4 10 КВ104В 128 192 4 1...10 100 4 10 КВ104Д 128 192 4 1...10 100 4 10 КВ104Е 95 143 4 1...10 150 4 10 КВ105А 400 600 4 1 500 4 1 КВ105Б 400 600 4 1 500 4 1 КВ106А 20 50 4 1...10 40 4 50 КВ106Б 15 35 4 1...10 60 4 50 КВ107А 10 40 2...9 1...10 20 — 10 КВ107Б 10 40 6...18 1...10 20 — 10 КВ107В 30 65 2...9 1...10 20 — 10 КВ107Г 30 65 6...18 1...10 20 10 КВ109А 2,3 2,8 25 1...10 300 3 50 КВ109Б 2 2,3 25 1...10 300 3 50 КВ109В 8 16 3 1...10 160 3 50 КВ109Г 8 17 3 1...10 160 3 50
Параметры варикапов 393 1обр, мкА (при Uo6p, в) Uo6pi в Рпр, Вт (при Тизм» •С) т, °с ОССв» 1/-С (при Uo6p, В) Корпус 1 (4) -5...+55 КВ101 1 1 1 1 1 (45) (45) (45) (45) (80) 45 45 45 45 80 90 мВт 90 мВт 90 мВт 90 мВт 90 мВт -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 КВ102 Г '"'Х, I1—И11 'I . к -JV—1 10 (80) 10 (80) 80 80 5 (-40...+70) -40...+85 -40...+85 5(45) 5 (45) 5 (45) 5(45) 5 (45) 45 45 80 80 45 0,1 (40) 0,1 (40) 0,1 (40) 0,1 (40) 0,1 (40) -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 КВ104 Ж 1 L L-J1— 20 (90) 20 (90) 90 50 0,15 (50) 0,15 (50) -40...+100 -40...+100 КВ105 1 1 ж 19 > —ДЪ—J 20 (120) 20 (90) 120 90 7 (75) 5(75) -60...+100 -60...+100 100 100 100 100 5,5...16 13...31 5,5...16 13...31 0,1 (-40...+50) 0,1 (-40...+50) 0,1 (-40...+50) 0,1 (-40...+50) -40...+70 -40...+70 -40...+70 -40...+70 <0,5 (25) <0,5 (25) <0,5 (25) <0,5 (25) 25 25 25 25 5 мВт (50) 5 мВт (50) 5 мВт (50) 5 мВт (50) -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 5’10"4 (4) КВ109 (500+300) • 10’6 (3) (500+300) • 10*6 (3) (500+300)-1 О*6 (3) (500+300) -10'6 (3) КВ107 ь / 2,5 №
394 Раздел 4. Диоды Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. Uo6p» в 1изм» МГц мин. Uo6p» в 1изм» МГц КВ109А-1 2,24 2,74 25 50 300 3 50 КВ109Б-1 2 2,3 25 50 300 3 50 КВ109В-1 1,9 3,1 25 50 160 3 50 КВ109Г-1 8 17 3 50 160 3 50 КВ109А-4 2,24 2,74 — — 300 — — КВ109Б-4 2 2,3 — — 300 — — КВ109В-4 1,9 3,1 — — 160 — — КВ109Г-4 8 17 — — 160 — — КВ109Д-4 7 16 — — 30 — — КВ109Е-4 2 2,3 — — 450 — — КВ109Ж-4 1,8 2,8 — — 300 — — КВ109А-5 2,24 2,74 — — 300 — — КВ109Б-5 2 2,3 — — 300 — — КВ109В-5 1,9 3,1 — — 160 — — КВ109Г-5 8 17 — — 160 — — КВ109Д-5 7 16 — — 30 — — КВ109Е-5 2 2,3 — — 450 — — КВ109Ж-5 1,8 2,8 — — 300 — — КВ110А 10 18 4 1...10 300 4 50 КВ110Б 14,4 21,6 4 1...10 300 4 50 КВПОВ 17,6 26,4 4 1...10 300 4 50 КВПОГ 12 18 4 1...10 150 4 50 КВИОД 14,4 21,6 4 1...10 150 4 50 КВ11ОЕ 17,6 26,4 4 1...10 150 4 50 КВСША 29,7 36,3 4 1 200 4 50 КВСШБ 29,7 36,3 4 1 150 4 50 КВСША-2 29,7 36,3 — — 200 — — КВСШБ-2 29,7 36,3 — — 150 — — КВСШВ-2 33 36,3 — — 200 — — КВС111Г-2 33 36,3 150 КВ112А-1 9,6 14,4 4 1 200 4 50 КВ112Б-1 12 18 4 1 200 4 50 КВ113А 54,4 81,6 4 1 300 — 10 КВ113Б 54,4 81,6 4 1 300 10 КВ114А 54,4 81,6 4 1 300 — 10 КВ114Б 54,4 81,6 4 1 300 10
Параметры варикапов 395 1обр, мкА (при Uo6p, В) 1)обр» в Рпр, Вт (при Тизм, *С) т, -с асв, 1/*С (при Uo6p, В) Корпус <0,5 (25) <0,5 (25) <0,5 (25) 25 25 25 — — — КВ109-1 <0,5 (25) 25 ее ъ.- 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,02 0,02 28 28 28 28 28 28 28 1 1 1 1 1 1 1 — — КВ1О9-4 7J,5 5,2 1* >|сэ" -ЛИ 1 *1 / I V 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,02 0,02 28 28 28 28 28 28 28 — — — r--i см КВ109-5 E3CZ с7,6- 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 45 45 45 45 45 45 0,1 (-60...+50) 0,1 (-60...+50) 0,1 (-60...+50) 0,1 (-60...+50) 0,1 (-60...+50) 0,1 (-60...+50) -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 —- JL КВ11О ее -so 7 а 1 (30) 1 (30) 30 30 — -40...+100 -40...+100 500-1О'6 (4) 500-10’6 (4) КВ 7.2 1С111 .2А <о о А1 К У А2 т 1 1 1 1 30 30 30 30 — — — КВС111-2 У5,2 f А1КА2| 13,5 5,2 1« llllllll -ЛИ 1 (25) 1 (25) 25 25 0,1 (50) 0,1 (50) -40...+85 -40...+85 500-10'6 (4...25) 500-Ю'6 (4...25) КВ112-1 1,2 - П “ Щд! — в 10 (150) 10 (115) 150 115 0,1 (-60...+50) 0,1 (-60...+50) -40...+85 -40...+85 500- 10’6 (4) 500-1О'6 (4) КВ113 7,2_ 3 г СМ 11 1 1 10 (150) 10(115) 150 115 — -40...+85 -40...+85 5-Ю"4 5-Ю4 КВ114 _ 2 t - СЧ д
396 Раздел 4. Диоды Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. Uo6p* в 5изм» МГц мин. Uo6pf в (изм* МГц КВ115А 100 700 0 — — — — КВ115Б 100 700 0 — — — — КВ115В 100 700 0 КВ116А-1 168 252 1 1 100 1 1 КВ117А 26,4 39,6 3 1...10 180 — 1 КВ117Б 26,4 39,6 3 1...10 150 1 КВ119А 168 252 1 1...10 100 1 1 КВС120А 230 320 1 1...10 100 1 1 КВС120Б 230 320 1 1...10 100 1 1 KBC120A-1 230 320 1 1...10 100 1 1 КВ121А 4,3 6 25 1...10 200 25 50 КВ121Б 4,3 6 25 1...10 150 25 50 КВ121А-1 4,3 6 25 50 200 3 50 КВ121Б-1 4,3 6 25 50 150 3 50
Параметры варикапов 397 1обр* мкА. (при Uo6p, В) Uo6p« в Рпр, Вт (при Тизм» ’С) т, -с ОССв, 1/-С (при Uo6p, В) Корпус 0,1 (50) 0,05 (50) 0,01 (50) 100 100 100 — -40...+85 -40...+85 -40...+85 — КВ115 1=1 С —I. L >1—Г 9 * 15 0,5 (10) 10 -40...+85 2-10'3(1) КВ116 о7,2^ □- - J=c И 0 1 (25) 1 (25) 25 25 0,1 (50) 0,1 (50) -40...+100 -40...+100 600-1О’6 (3) 600-1О’6 (3) V КВ117 hrx г~"' 1 f— * «м —.11_Г л 7 1 (10) 12 -40...+85 J! КВ119 -ЕЯ г F— —хегх -Jl-J л 7 0,5 (30) 0,5 (30) 32 32 — -45...+85 -45...+85 — ] КВС12О 09,4 Q ф и 0,5 (30) 32 -45...+85 КВС120-1 М j Точка mm rht[кптпл □ dL г: 3 -^7» rrh 0,5 (28) 0,5 (28) 30 30 — -40...+ 100 -40...+100 — КВ121 2,5 0,5 0,5 28 28 — — — КВ121-1 Д -Гс-Ч >
398 Раздел 4. Диоды Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. Uo6pi в {изм» МГц мин. Uo6pi в fw3Mf МГц КВ121А-2 4,3 6 — — 200 — — КВ121Б-2 4,3 6 — — 150 — — КВ121В-2 4,3 6 240 КВ121А-3 4,3 6 — — 200 — — КВ121Б-3 4,3 6 — — 150 — — КВ121В-3 4,3 6 240 КВ121А-9 4,3 6 — — 200 — — КВ121Б-9 4,3 6 — — 150 — — КВ121В-9 4,3 6 240 КВ122А 2,3 2,8 25 1 450 25 50 КВ122Б 2 2,3 25 1 450 25 50 КВ122В 1,9 3,1 25 1 300 25 50 КВ122А-1 2,24 2,74 25 50 450 3 50 КВ122Б-1 2 2,3 25 50 450 3 50 КВ122В-1 1,9 3,1 25 50 300 3 50 КВ122А-4 2,24 2,74 — — 450 — — КВ122Б-4 2 2,3 — — 450 — — КВ122В-4 1,9 3 300 КВ122А-9 2,24 2,74 25 50 450 3 50 КВ122Б-9 2 2,3 25 50 450 3 50 КВ122В-9 1,9 3,1 25 50 300 3 50 КВ123А 2,6 3,8 25 1...10 250 25 50
Параметры варикапов 399 1обр, мкА (при Uo6p, в) Uo6p> в Рпр, Вт (при Тизм, *С) т, -с асв, VC (при Uo6p, В) 0,5 30 — — — 0,5 30 — — — 0,02 30 — — — Корпус КВ121-2 05,2 0,5 30 0,5 30 0,02 30 <0,5 28 <0,5 28 <0,02 28 КВ121-3 <0,02 <0,05 <0,05 <0,2 (28) 28 <0,02 (28) 28 <0,2 (28) 28 0,2 30 0,02 30 0,2 30 0,2 0,02 0,2 28 28 28 0,05 (25) — — — Г- 1 см - КВ122-4 •ЕЭС 3S- 7,6 — — — £ КВ122-9 3 1 7,Л 7 —нЛ а- 1 i——*г 1 Ф А — -40...+ 100 (500+300)-10’6 (25) КВ123 А
400 Раздел 4. Диоды Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. иобр, в Тизм, МГц мин. иОбр, в Тизм, МГц КВ126А-5 2,6 3,8 25 1...10 200 25 50 КВ126АГ-5 2,6 3,8 25 1...10 200 25 50 КВ127А 230 280 1 1...10 140 1 10 КВ127Б 230 360 1 1...10 140 1 10 КВ127В 260 320 1 1...10 140 1 10 КВ127Г 230 320 1 1...10 140 1 10 КВ128А 22 28 1 1...10 300 — 50 КВ128АК 22 28 1 1...10 300 — 50 КВ129А 7,2 10,8 3 1...10 50 — 50 КВ129Б 1,5 25 1...10 45 50 КВ130А 3,7 4,5 12 1...10 300 — 50 КВ132А 38 1,6 1...10 300 4 50 КВ130А-9 3,7 4,5 12 1...10 300 50 КВ131А-2 450 520 130 КВ134А 18 22 1 1...10 400 4 50 КВ134А-1 18 22 400
Параметры варикапов 401 1обрУ мкА (при Uo6p, В) U06p, в Рпр, Вт (при Тизм, *С) т, -с асв, 1/’С (при Uo6p, в) Корпус 0,5 (25) 0,5 (25) 28 28 — -60...+100 -60...+100 800-1О’6 (4) 800-10’6 (4) КВ126-5 “1г =П nt 5г О) оД7 а? 0,5 (30) 0,5 (30) 0,5 (30) 0,5 (30) 32 32 32 32 -60...+100 -60...+100 -60...+100 -60...+100 КВ127 а г л ‘б'г :—г 2,5 0,05 (10) 12 — -60...+100 800-10 6 (4) 0,05 (10) 12 — -60...+100 800-10-8 (4) 0,005 (8) 25 — -60...+100 800-10-8(4) 0,005 (8) 25 — -60...+100 800-10’6 (4) , к I В128 сч j <0,05 (28) <0,005 (5) 28 12 — -60...+100 -60...+100 — КВ130 I сч-. Z3 3» 2,5 <0,05 (28) 28 -60...+100 sh k- KB13 3 Ц-J 0-9 0,95 3 1,2 0,25 14 — — — КВ131-2 0,05 (10) 23 -60...+100 0,05 23 95,2 КВ134
402 Раздел 4. Диоды Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. Uo6p, в fw3M, МГц мин. Uo6p, в 1изм» МГц КВ135А 486 594 1 1...10 150 1 1 КВ136А 17,1 18,9 4 10 400 4 40 КВ136Б 19,8 24,2 4 10 400 4 40 КВ136В 17,1 18,9 4 10 500 4 40 КВ136Г 19,8 24,2 4 10 500 4 40 КВ138А 14 18 2 10 200 3 50 КВ138Б 17 21 2 10 200 3 50 КВ139А 500 620 1 10 160 1,5 1 КВ142А 60 85 10 — 300 — 1 КВ142Б 70 115 10 300 1 КВ144А 2,6 3 28 — НО 28 50 КВ144Б 2,8 3,2 28 — ПО 28 50 КВ144В 2,6 3 28 — 90 28 50 КВ144Г 2,8 3,2 28 90 28 50 КВ144А-1 2,6 3 28 — ПО 28 50 КВ144Б-1 2,8 3,2 28 — ПО 28 50 КВ144В-1 2,6 3 28 — 100 28 50 КВ144Г-1 2,8 3,2 28 100 28 50 КВ 14 6 А 10 16 10 100 10 50
Параметры варикапов 403
404 Раздел 4. Диоды 1 Тип прибора Сд, пФ Qb мин. макс. UoCpy В 1изм» МГц мин. U06p, в fw3M» МГц КВ149А 1,9 2,35 28 — 450 28 50 КВ149Б 1,8 2,4 28 — 350 28 50 КВ149В 2,2 2,8 28 — 450 28 50 КВ149Г 2 2,4 28 400 28 50 КВ152А 1,85 2,25 340 КВ153А-9 1,85 2,25 455 КВ154А 2,5 3 260 1 КВ155А-9 2,9 3,4 245 КВ156А-9 1,85 2,25 28 1 450 — — КВ157А-9 2,4 2,9 28 1 300 — — КВ158А-9 2,9 3,4 28 1 200 — Д901А 22 32 4 10 25 4 50 Д901Б 22 32 4 10 30 4 50 Д901В 28 38 4 10 25 4 50 Д901Г 28 38 4 10 30 4 50 Д901Д 34 44 4 10 25 4 50 Д901Е 34 44 4 10 30 4 50 Д902 6 12 4 50 30 4 50
Параметры варикапов 405 1обр» мкА. (при Uo6p, В) U06p, в Рпр, Вт (при Тизм, *С) т, -с асв, 1/’С (при U06p, В) Корпус <0,02 30 — — — КВ149 <0,02 30 — — — <0,02 30 — — — lib <0,02 30 — — — V gi СЭЕ 3S 0,02 30 — — — КВ152 0,02 30 — — — КВ153-9 3 Жг* А 0,9. 1 5 л. 0,02 30 — — — КВ154 0,02 30 — — — КВ155-9 3 0,95 Jk 20,1 (30) 20,01 (30) <0,01 (30) 30 30 30 — — — КВ156А-9, КВ157А-9 КВ158А-9 J 0.95 1 (80) 1 (45) 1 (80) 1 (45) 1 (80) 1 (45) 80 45 80 45 80 45 250 (25) 250 (25) 250 (25) 250 (25) 250 (25) 250 (25) -60...+ 125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 200-10"6 (45) 200-1О'6 (45) 200-1О’6 (45) 200-1О’6 (45) 200-1О’6 (45) 200-1О'6 (45) Л 1901 12 10 (25) 25 -40...+100 1 1902 72 j
406 Параметры варикапов Параметры варикапов Тип прибора Сд, пФ Qb | мин. макс. Uo6p, в 5изм, МГц мин. Uo6p, в 1изм, МГц КВ140А-1 160 210 — 1 200 — — КВ140Б-1 190 240 1 200 КВ143А 24 30 3 — 400 — — КВ143Б 24 30 3 — 400 — — КВ143В 24 30 3 350 КВ148А9 0,85 1,2 28 — 200 — — КВ148Б9 1 1,3 28 — 250 — — КВ148В9 1,2 1,5 28 300 КВ149А1 1,9 2,4 28 — 450 — — КВ149Б1 1,8 2,4 28 — 350 — — КВ149В1 2,2 2,7 28 450 КВ149А2 1,9 2,4 28 — 450 — — КВ149Б2 1,8 2,4 28 — 350 — — КВ149В2 2,2 2,7 28 450 КВ149АЗ 1,9 2,4 28 — 450 — — КВ149БЗ 1,8 2,4 28 — 350 — — КВ149ВЗ 2,2 2,7 28 — 450 — — КВ149ГЗ 2 2,4 28 400 КВ163А 1,85 2,3 28 470 50 КВ163А9 1,85 2,3 28 470 50
Параметры варикапов 407
408 Параметры варикапов Тип прибора Сд, пФ Qb I мин. макс. U06P, в 1изм» МГц мин. Uo6p, в 1изм, МГц И КВ164А 2,4 2,9 28 300 50 КВ164А9 2,4 2,9 28 300 50 KB165A 2,9 3,4 28 60 50 КВ165А9 2,9 3,4 28 60 50 КВ166А 0,85 1,2 28 250 50 КВ166А9 0,85 1,2 28 250 50
Параметры варикапов 409
410 Раздел 4. Диоды 4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов Тип прибора Uct, В аист, %/’С 8Uct, % Unp» В (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА Д219С — 0,57 — 1 — — — Д220С — 0,59 — 1 — — — Д223С 0,59 1 Д808 7 — 8,5 5 0,07 ±1 1 (50) Д809 8 — 9,5 5 0,08 ±1 1 (50) Д810 9 — 10,5 5 0,09 ±1 1 (50) Д811 10 — 12 5 0,095 ±1 1 (50) Д813 11,5 — 14 5 0,095 ±1 1 (50) Д814А 7 — 8,5 5 0,07 ±1 1 (50) Д814Б 8 — 8,5 5 0,08 ±1 1 (50) Д814В 9 — 10,5 5 0,09 ±1 1 (50) Д814Г 10 — 12 5 0,095 ±1 1 (50) Д814Д 11,5 — 14 5 0,095 ±1 1 (50) Д814А1 7 — 8,5 — 0,07 — — Д814Б1 8 — 9,5 — 0,08 — — Д814В1 9 — 10,5 — 0,09 — — Д814Г1 10 — 12 — 0,095 — — Д814Д1 11,5 — 14 — 0,095 — — Д814А2 7 7,7 8,5 — 0,07 ±1 — Д815А 5 — 6,2 1 А 0,045 4 1,5 (500) Д815Б 6,1 — 7,5 1 А 0,05 4 1,5 (500) Д815В 7,4 — 9,1 1 А 0,07 4 1,5 (500) Д815Г 9 — 11 500 0,08 4 1,5 (500) Д815Д 10,8 — 13,3 500 0,09 4 1,5 (500) Д815Е 13,3 — 16,4 500 0,10 4 1,5 (500) Д815Ж 16,2 — 19,8 500 0,11 4 1,5 (500) Д816А 19,6 — 24,2 150 0,12 5 1,5 (500) Д816Б 24,2 — 29,5 150 0,12 5 1,5 (500) Д816В 29,5 — 36 150 0,12 5 1,5 (500) Д816Г 35 — 43 150 0,12 5 1,5 (500) Д816Д 42,5 — 51,5 150 0,12 5 1,5 (500) Д817А 50,5 — 61,5 50 0,14 6 1,5 (500) Д817Б 61 — 75 50 0,14 6 1,5 (500) Д817В 74 — 90 50 0,14 6 1,5 (500) Д817Г 90 ПО 50 0,14 6 1,5 (500) Д818А — 9 10,35 10 +0,020 ±0,11 — Д818Б 7,65 9 — 10 -0,029 ±0,13 Д818В 8,1 9 9,9 10 ±0,01 ±0,12 — Д818Г 8,55 9 9,45 10 ±0,005 ±0,12 — Д818Д 8,55 9 9,45 10 ±0,002 ±0,12 — Д818Е 8,55 9 9,45 10 ±0,001 ±0,12 КС106А-1 2,9 3,2 3,5 0,5 -0,13
Параметры стабилитронов и стабисторов 411 Гст, ОМ (при 1ст, мА) 1ст, мА Рпр, Вт Т, X Корпус мин. макс. — 1 1 1 50 50 50 — -60...+120 -60...+120 -60...+120 д 219-Д223 72 I t. h J—Ю 12(1) 18(1) 25(1) 30(1) 350 (1) 6(5) 10 (5) 12 (5) 15(5) 18(5) 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 33 29 26 23 20 40 36 32 29 24 0,28 0,28 0,28 0,28 0,28 0,34 0,34 0,34 0,34 0,34 -60...+125 -60...+125 -60...+ 125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+ 125 -60...+125 Д808-Д814 ГМ--— с Я 6 (5 мА) 10 (5 мА) 12 (5 мА) 15 (5 мА) 18 (5 мА) — — — — J с 1 [(814-1, J 1814 <4 A-2 sT 4 — 20(5) 3 40 0,34 -60...+125 0,6 (1 А) 0,8 (1 А) 1 (1 А) 1,8 (500) 2(500) 2,5 (500) 3 (500) 50 50 50 25 25 25 25 1,4 А 1,15 А 950 800 650 550 450 8 8 8 8 8 8 8 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 Д815, Д816 ta в, 7 (150) 8(150) 10 (150) 12 (150) 15 (150) 10 10 10 10 ПО 230 180 150 130 ПО 5 5 5 5 5 -60...+130 -60...+130 -60...+130 -60...+130 -60...+130 35 (50) 40(50) 45 (50) 50(50) 5 5 5 5 90 75 60 50 5 5 5 5 -60...+130 -60...+130 -60...+130 -60...+130 Д817 , _ 37 - Я**- ri 70(3) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 3 3 3 3 3 3 3 33 33 33 33 33 33 33 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 Д818 fw — —jt; — < 500 (0,275) 0,01 0,5 0,002 -60...+125 см и* 1 KC106-1 1 r
412 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %/’С SUcr, % Unp, в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС107А — 0,7 — 10 -0,3 — — КС108А — 6,4 — 7,5 ±0,002 ±1,3 мВ — КС108Б — 6,4 — 7,5 ±0,001 ±1,3 мВ — КС108В — 6,4 — 7,5 ±0,0005 ±1,3 мВ — КС113А 1,17 1,25 1,43 10 -0,42 ±3,5 — КС113В — 1,3 — 10 -0,3 — — КС115А 1,45 3 КС119А 1,9 10 -0,3 КС121А 7,1 7,5 7,9 — 0,25 ±0,5 — КС124Д-1 2,2 2,4 2,6 — 0,075 ±1,5 — КС126А — 2,7 — 5 -0,075 — — КС126Б — 3 — 5 -0,075 — — КС126В — 3,3 — 5 -0,075 — — КС126Г — 3,9 — 5 -0,05 — — КС126Д — 4,7 — 5 -0,01 — — КС126Е — 5,6 — 5 0,03 — — КС126Ж — 6,2 — 5 0,06 — — КС126И — 6,8 — 5 0,06 — — КС126К — 7,5 — 5 0,07 — — КС126Л — 8,2 — 5 0,08 — — КС126М — 9,1 — 5 0,09 — — КС126В1 — 3,6 — 5 — — — КС126Г1 — 4,3 — 5 — — — КС126Д1 — 5,1 — 5 — — — КС127Д-1 2,5 2,7 2,9 — 0,075 ±1,5 — КС128А — 2,7 — 5 — — — КС128Б — 3 — 5 — — — КС128В — 3,3 — 5 — — — КС128Г — 3,9 — 5 — — — КС128Д — 4,7 — 5 — — — КС128Е — 5,6 — 5 — — — КС128Ж — 6,2 — 5 — — — КС128И — 6,8 — 5 — — — КС128К — 7,5 — 5 — — — КС128Л 8,2 — 5 — — — КС128М 9,1 — 5 — — — КС128В1 — 3,6 — 5 — — КС128Г1 — 4,3 — 5 — — — КС128Д1 — 5,1 — 5 — — — КС130Д-1 2,8 3 3,2 0,075 ±1,5
Параметры стабилитронов и стабисторов 413 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст* мА. Рпр, Вт т, °с Корпус мин. макс. — 1 100 — -60...+125 к< 3107, К СИ • g pi _ <15 (7,5 мА) <15 (7,5 мА) £15 (7,5 мА) 3 3 3 10 10 10 0,070 0,070 0,070 -60...+125 -60...+125 -60...+125 J с g з * 15 КС108 <80 (1 мА) 12 (10) 1 1 100 100 0,18 -60...+125 -60...+125 с7 х 3 0,23 -60...+125 КС 115 EZKZ Ъ-- 15 (10) 1 100 -60...+125 КС119 * = Pi "^1 Р х * 15 15(5) 0,5 35 — -60...+125 КС 11 121, ] КС12- м 14 180 (3) 0?25 21 0,05 -60...+125 1 1 Сч- — csT 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 100 (5мА) 50 (5мА) 35 (5мА) 30 (5мА) 20 (5мА) 20 (5мА) 30 (5мА) 1 1 1 1 1 1 2 3 5 6 7 135 125 115 95 85 70 64 58 53 47 43 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КС1 26, КС12 !6-1, 1 КС127-1 дез с\Г bi-- 120 (5мА) 115 (5мА) 75 (5мА) — — 0,45 0,45 0,45 — 180 (3) 0,25 18 0,05 -60...+125 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 100 (5мА) 50 (5мА) 35 (5мА) 30 (5мА) 20 (5мА) 20 (5мА) 30 (5мА) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 135 125 115 95 85 70 64 58 53 47 43 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 . 01.7, 128, КС12 3,7 8-1 120 (5мА) 115 (5мА) 75 (5мА) — 0,45 0,45 0,45 180 (3) 0,25 17 0,05 -60...+125 КС1 30-1 ве 1 Ъи--
414 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В CtUcT» Л>/ С SUct, % Unp, в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС130Д-5 2,8 3,21 3 ±0,5 1 КС133А КС133Г 2,95 3,3 3,65 10 5 -0,11 1 (50) КС133Д-1 3,1 3,3 3,5 — 0,075 ±1,5 180 (3) КС136Д-1 3,4 3,6 3,8 — 0,07 ±1,5 КС139А 3,3 10 -0,1 1 (50) КС139Г 3,5 4,3 5 КС139Д-1 3,7 3,9 4,1 0,005 ±0,5 КС143Д-1 4 4,3 4,6 0,06 ±1,5 КС147А 4,7 10 -0,09 1 (50) КС147Г 4,2 5,2 5 —
Параметры стабилитронов и стабисторов 415 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст» мА Рпр, Вт Т, °C Корпус мин. макс. 180 (3 мА) 0,2 16,7 0,050 -60...+125 I СС130-5 1,1 .,.,0.25 I г-’. 65 (10) 150 (5) 3 1 81 37,5 0,3 125 мВт -60...+125 -60...+125 КС133 1 1 с7э 0,25 15 0,05 0,05 -60...+125 КС 3133-1, КС 136-1 — ~it-ч 180 (3) 0,25 14 0,05 -60...+125 сч- счГ 1 ! 60(10) 3 79 0,3 -60...+125 КС139А -СЭ-Е 9 1 15 150 (5) 1 32 125 мВт -60...+125 КС139Г S. 1 -JLJ <7j 180 (3) 0,25 13 0,05 -60...+125 КС1 I39-1 1 ssxssx csT L-П— 180 (3) 0,25 12 0,05 -60...+125 КС143- 1.1 1 0,25 т- 56 (10) 3 58 0,3 -60...+125 КС147А 9 С 15 150 (5) 1 26,5 125 мВт -60...+125 КС147Г | ’ "G.- с7 э
416 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В aUcT, %/’С 8Uct, % Unp, в (при 1Пр, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС156А 5,6 10 ±0,05 1 (50) КС156Г 5 6,2 5 КС162А 6,2 10 ±0,06 ±1,5 КС162А2 5,8 6,6 5 ±0,01 1,5 0,25 (5 мА) КС162А-3 5,8 6,2 6,6 5 ±0,01 1,5 КС164М-1 6 6,7 1,5 ±0,005 ±0,1 КС166А — 6,6 — 7,5 ±0,002 ±1,4 мВ КС166Б — 6,6 — 7,5 ±0,001 ±1,4 мВ — КС166В 6,6 7,5 ±0,0005 ±1,4 мВ КС168А 6,8 10 ±0,06 1 (50) КС168В 6,8 10 ±0,05 ±1,5
Параметры стабилитронов и стабисторов 417 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст* мА Рпр, Вт т, -с Корпус мин. макс. 46 (10) 3 55 0,3 -60...+ 125 КС Л56А J у- 9 100 (5) 1 22,4 125 мВт -60...+125 S. К( 3156Г = = <7х га- 35 (10) 3 22 0,15 -55...+100 К 4 С162 i Л ' <>- 35 (10 мА) сч КС 162А-2 44 50 (5) 3 22 0,15 -60...+125 сч- сч кс: 163А-3 га- <120 (1,5 мА) 0,5 3 0,020 -60...+125 КС164-1 1,7 1 / \ L j <20 (7,5 мА) <20 (7,5 мА) <20 (7,5 мА) 3 3 3 10 10 10 0,070 0,070 0,070 -60...+125 -60...+125 -60...+125 К st С166 35- "Gl с7 28 (10) 3 45 0,3 -60...+125 Ю D168A -Э€ - - ; W =0 9 К 28 (10) 3 20 0,15 -55...+100 К( 30 4 3168В 4 г эе- j
418 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %ЛС 8Uct, % ипр, в (при 1пр, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС168В2 6,3 7,3 5 0,05 1,5 0,27 (5 мА) КС168ВЗ 6,3 6,8 7,3 5 0,05 1,5 КС 170 А 6,65 7 7,35 10 ±0,01 ±1,5 КС175А 7,5 5 ±0,04 ±1,5 КС175Е 7,1 7,5 7,9 5 ±0,1 — — КС175Ж 7,1 7,5 7,9 4 0,07 ±1,5 КС175Ц 7,1 7,5 7,9 0,5 +0,065 ±1,5 <2 (50 мА) КС175А-2 7 8 5 0,04 1,5 0,3 (5 мА) КС175Ж-1 6,8 7,5 8,3 4 0,07 ±1,5 КС182А 8,2 5 ±0,05 ±1,5 КС182Е 7,4 8,2 9 5 ±0,1 — КС182Ж 7,4 8,2 9 4 0,08 ±1,5
Параметры стабилитронов и стабисторов 419 Гст, Ом (при 1сту мА) 1ст, мА Рпр, Вт Т, *С Корпус мин. макс. 35 (5 мА) — 1 КСИ >8В-2 N Э. 45 (5) 3 20 0,15 -60...+ 125 сч- ОТ Ъ.- КСК >8В-3 20 (10) 3 20 0,15 -55...+100 30 КС170 t4 _ ЭЕ 1 . л Г 16(5) 3 18 0,15 -55...+100 30 КС175А ,4 _ 4 f 1 ЭВ и 40(4) 3 0,5 17 17 0,125 125 мВт -60...+125 -60...+125 2 КС] 175Е О;. 1 с?х 20 (0,1 мА) 0,1 17 0,125 -60...+125 Сч- с>Г КС! -её 175Ц 16 (5 мА) V КСГ 7 5 А-2 х44г^ сч Л 40 (4) 0,5 17 125 мВт -60...+125 КС11 Г5Ж-1 А ве Й Ъ.- -BE 14(5) 3 17 0,15 -55...+100 КС182А 4 _ 4 ф Ф 4=1 21 1 40(4) 3 0,5 15 15 0,125 125 мВт -60...+125 -60...+125 rrs КС 182Е Фи <7j
420 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %/*С 8Uct, % Unp, В (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст* мА КС182Ц 7,8 8,2 8,6 0,5 +0,070 ±1,5 <2 (50 мА) I КС182А2 7,6 8,8 5 0,05 1,5 0,33 (5 мА) КС182Ц-1 7,8 8,2 8,6 0,5 0,065 ±3 КС190Б 8,5 9 9,5 10 ±0,005 — КС190В 8,5 9 9,5 10 ±0,002 — — КС190Г 8,5 9 9,5 10 ±0,001 — — КС190Д 8,5 9 9,5 10 ±0,0005 КС191А 9,1 5 ±0,06 ±1,5 КС191Б 8,7 — 9,6 5 ±0,010 10 КС191В 8,7 9,6 5 ±0,010 10 КС191Е 8,6 9,1 9,6 5 ±0,1 — КС191Ж 8,6 9,1 9,6 4 0,09 1,5 КС191М 8,65 9,1 9,55 10 ±0,005 ±0,05 КС191Н 8,65 9,1 9,55 10 ±0,002 ±0,05 — КС19Ш 8,65 9,1 9,55 10 ±0,001 ±0,05 — КС191Р 8,65 9,1 9,55 10 ±0,0005 ±0,05 — КС191С 8,65 9,1 9,55 10 ±0,005 ±2 мВ — КС191Т 8,65 9,1 9,55 10 ±0,0025 ±2 мВ — КС191У 8,65 9,1 9,55 10 ±0,001 ±2 мВ — КС191Ф 8,65 9,1 9,55 10 ±0,0005 ±2 мВ КС191Ц 8,6 9,1 9,6 0,5 +0,080 ±1,5 <2 (50 мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов 421 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст» мА Рпр, Вт т, *с Корпус мин. макс. 20 (0,1 мА) 0,1 15 0,125 -60...+125 К С182Ц CmJ счГ tSki jeb 14 (5 мА) к С182-2 4,4 х о 18 4 к Л 820 (0,1) 0,1 2,5 0,02 -45...+85 см- КС Л82Ц-1 rt= _JI—J 15 (10) 15(10) 15(10) 15 (10) 5 5 5 5 15 15 15 15 0,1 0,1 0,1 0,1 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 I СС19( ) ЕЭС -и- —~ , 9 э : is 18(5) 3 15 0,15 -55...+100 1 к 4 С191А 4 If"— “ “ 1 — -<ъ 1—J 15 (ЮмА) 15 (ЮмА) 3 3 15 15 0,15 0,15 -55...+100 -55...+100 КС1 91 (Е В) •®€ -И- 9 э 15 40 (4) 3 0,5 14 14 0,125 125 мВт -60...+125 -60...+125 ] КС191 (Е, Ж) ' Е <7х 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 70 (3) 70 (3) 70 (3) 70(3) 5 5 5 5 3 3 3 3 15 15 15 15 20 20 20 20 0,15 0,15 0,15 0,15 0,2 0,2 0,2 0,2 -60...+100 -60...+100 -60...+100 -60...+100 -60...+100 -60...+100 -60...+100 -60...+100 КС191 Рг 9 э ‘ 15 20 (0,1 мА) 0,1 14 0,125 -60...+125 к С191Ц | А« ss csT -в VS
422 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В aUcr, %/’С 5Uct, % Unp, В (при 1пр, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС191А2 8,5 9,7 5 0,05 1,5 0,36 (5 мА) КС191Ж-1 8,2 9,1 10 4 0,09 ±1 КС191С1 — 9,1 — 10 ±56 мВ 10 мВ — КС191Т1 — 9,1 — 10 ±28 мВ 10 мВ — КС191У1 — 9,1 — 10 ±11 мВ 10 мВ — КС191Ф1 9,1 10 ±6 мВ 10 мВ КС207А — 10 — 5 0,09 — — КС207Б — 11 — 5 0,092 — — КС207В 12 5 0,095 КС208А — 10 — 5 — — КС208Б — 11 — 5 — — — КС208В 12 5 КС210Б 10 5 ±0,07 ±1,5 КС210Е 9 10 11 5 ±0,1 — КС210Ж 9 10 11 4 0,09 ±1,5 КС210Ц 10,5 10 10,5 0,5 +0,085 ±1,5 <2 (50 мА) КС210Б2 9,3 10,7 5 0,07 1,5 0,4 (5 мА) КС211Б 17 11 12,6 10 +0,02 — КС211В 9,3 11 11 10 -0,02 — — КС211Г 9,9 11 12,1 10 (0,01 — — КС211Д 9,9 11 12,1 10 (0,005 —
Параметры стабилитронов и стабисторов 423 Гст, Ом (при 1ст» мА) 1ст, мА Рпр, Вт т, *с Корпус мин. макс. 18 (5 мА) К С191А-2 44 1 с» X! U 4 -F=3, к 40 (4) 0,5 14 125 мВт -60...+125 К< С191Ж-1 сч- 70 (3 мА) 70 (3 мА) 70 (3 мА) 70 (3 мА) 3 3 3 3 15 15 15 15 0,15 0,15 0,15 0,15 -55...+ 100 -55...+100 -55...+100 -55...+100 КС191-1 N ““"П И=4. 9 * 15 . 30 (5 мА) 30 (5 мА) 30 (5 мА) 0,5 0,5 0,5 40 36 32 0,45 0,45 0,45 « 1 КС207 5,2 30 (5 мА) 30 (5 мА) 30 (5 мА) — 40 36 32 0,45 0,45 0,45 — 01,7 КС2О8 3,7 22 (5) 3 14 0,15 -55...+100 1 К.С210Б 4 ее- -<Ъ 40(4) 3 0,5 13 13 0,125 125 мВт -60...+125 -60...+125 КС2 2! ►10 (Е, Ж) £ -Е ЭЕ= = Л с7 20 (0,1 мА) 0,1 12,5 0,125 -60...+125 1 КС21ОЦ 5* ЭВ -Е B4Z( Ъ.- 22 (5 мА) К С210Б-2 44 с 1 V —чг—1 II N г~~- * л 30 (5) 30(5) 30(5) 30(5) 5 5 5 5 33 33 33 33 0,28 0,28 0,28 0,28 -60...+100 -60...+125 -60...+125 -60...+125 к е К С211Б-Д 32 ; 9 г _L ее 11 1 ф 1
424 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %/*С 8Uct, % Unp» в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС211Е 10,4 11 11,6 5 ±0,1 — — КС211Ж 10,4 11 11,6 4 0,092 ±1,5 КС211Ц 10,4 11 11,6 0,5 +0,085 ±1,5 <2 (50 мА) КС211Ж-1 9,9 11 12 4 0,09 ±1 КС212Е 10,8 12 13,2 5 ±0,1 — — КС212Ж 10,8 12 13,2 4 0,095 ±1,5 КС212Ц 11,4 12 12,6 0,5 +0,085 ±1,5 <2 (50 мА) КС213Б 13 5 ±0,08 ±1,5 КС213Е 12,3 13 13,7 5 ±0,1 — — КС213Ж 12,3 13 13,7 4 0,095 ±1,5 КС213Б2 12,1 13,9 5 0,08 1,5 0,52 (5 мА) КС215Ж 13,5 15 16,5 2 0,1 ±1,5 — КС216Ж 15,2 16 16,8 2 0,1 ±1,5 КС216Ж-1 14 16 18 2 0,1 ±1 1
Параметры стабилитронов и стабисторов 425 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст, мА Рпр, Вт Т, "С Корпус мин. макс. 40 (4) 3 0,5 12 12 0,125 125 мВт -60...125 -60...125 I СС211 (Е, Ж) | S. э» <7> 20 (0,1 мА) 0,1 11,2 0,125 -60...+125 сч- Сч* КС211Ц Оа 1 40 (4) 0,5 12 125 мВт -60... 125 КС21 11Ж-1 л* ст Ъи 40 (4) 3 0,5 11 11 0,125 125 мВт -60... 125 -60...+125 •*5 КС 212Е эе- 1SL. с7х 20 (0,1 мА) 0,1 10,6 0,125 -60...+125 КС >12Ц й СТ 25 (5) 3 10 0,15 -55...+100 КС213Б 4 _ 4 0 lb г ₽= 40 (4) 3 0,5 10 10 125 мВт 125 мВт -60...+125 -60...+125 ] 4С213 (Е, Ж) ' t*3 ее 7 25 (5 мА) — КС2 13Б-2 *4,4 э 1 сч Ъ... 70 (2) 0,5 8,3 125 мВт -60...+125 КС 1 :215Ж, КС2 16Ж 70(2) 0,5 7,3 125 мВт -60...+125 S. 7^ 70 (2) 0,5 7,8 125 мВт -60...+125 Сч КС21 16Ж-1 ‘ -SE = : ъ.
426 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %/*С Шет, % Unpt в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС218Ж 16,2 18 19,8 2 0,1 ±1,5 — КС220Ж 19 20 21 2 0,1 ±1,5 — КС220Ж-1 18 20 22 2 0,1 ±1 КС222Ж 19,8 22 24,2 2 0,1 ±1,5 — КС224Ж 22,8 24 25,2 2 0,1 ±1,5 — КС224Ж-1 22 24 26 2 0,1 ±1 — КС405А 5,89 6,2 6,51 0,5 0,002 0,1 — КС405Б 5,9 6,2 6,51 0,5 0,005 ±0,1 — КС406А 7,7 8,2 8,7 15 — — — КС406Б 9,4 10 10,6 12,5 — — — КС407А 3,1 3,3 3,5 20 — — — КС407Б 3,7 3,9 4,1 20 — — — КС407В 4,4 4,7 5 20 — — — КС407Г 4,8 5,1 5,4 20 — — — КС407Д 6,4 6,8 7,2 18,5 — — — КС407Е 3,4 3,6 3,8 20 0,05 ±1,5 — КС409А 5,3 — 5,9 5 — 1,5 — КС410АС 7,79 8,2 8,61 10 <0,065 КС412А 5,8 6,2 6,6 5 <0,06 ±1,5 <1 (ЮмА) КС413Б 4,1 4,3 4,5 — 0,01; -0,05 ±1,5 — КС415А 2,3 2,4 2,5 0,06; -0,09 ±1,5 КС417А 5,2 — 6 — — — КС417Б 5,8 — 6,6 — — — — КС417В 6,4 — 7,2 — — — — КС417Г 7 — 7,9 — — — — КС417Д 7,7 — 8,7 — — — — КС417Е 8,5 — 9,6 — — — — КС417Ж 9,4 — 10,6 — — — —
Параметры стабилитронов и стабисторов 427 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст, мА Рпр, Вт Т, °C мин. макс. жкириус 70 (2) 0,5 6,9 125 мВт -60...+125 КС 218Ж, КС220Ж 70 (2) 0,5 6,2 125 мВт -60...+125 «*ъ 1 с7 70 (2) 0,5 6,2 125 мВт -60...+125 сч- сч* Ъ.- КС22 10Ж-1 I -E3RE : 70 (2) 0,5 5,7 125 мВт -60...+125 КС 222Ж, КС224Ж [ 70 (2) 0,5 5,2 125 мВт -60...+125 1*5 7 70(2) 0,5 5,2 125 мВт -60...+125 КС Сч- 224Ж -1, К( i-М. 3405 200 (0,5) 200 (2) 0,1 0,1 60 2,2 0,4 0,4 -45...+85 -45...+85 <хГ -ЭЕ 6,5(15) 8,5 (12,5) 0,5 0,25 35 28 0,5 0,5 -40...+85 -40...+85 КС406, КС407, КС409 28 (20) 23 (20) 19 (20) 17 (20) 4,5 (18,5) 28 (20) 1 1 1 1 1 1 100 83 68 59 42 90 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,34 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 Сч- Сч нМ. -ЭЕ 20(5) 1 48 0,4 -40...+85 КС 410 7 3S BE <10 (5 мА) 1 55 0,4 -60...+125 1 ЕСС412 , КС4 13 18 (20) 1 70 0,34 -60...+125 сч- схГ Ък- -ееуе: — 30 (20) 1 120 0,34 -60...+125 та КС 415 —тт "CZ3X^ " "IM ' 40 (5 мА) 10 (5 мА) 8 (5 мА) 7 (5 мА) 7 (5 мА) 10 (5 мА) 15 (5 мА) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 1 1 zin КС417 эц-- рдсэ 1 ।
428 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %/’С SUct, % Unp, В (при 1пр, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС433А 2,97 3,3 3,89 30 -о,1 ±1,5 — КС439А 3,52 3,9 4,69 30 -0,1 ±1,5 — КС447А 4 4,7 5,3 30 -0,08 ±1,5 — КС451А 4,8 5,1 5,3 0,04; -0,02 ±1,5 КС456А 4,82 5,6 6,16 30 — — — КС468А 5,78 6,8 7,48 30 0,065 ±1,5 — КС468А-9 6,12 6,8 7,48 0,065 ±1,5 КС482А 6,98 8,2 9 5 0,08 ±1,5 1 (50) КС482А-9 7,4 8,2 9 0,08 ±1,5 КС506А 44 — 50 2,7 <0,09 <2 <2 (50 мА) КС506Б 44 47 50 — 0,09 2 — КС506В 6,4 68 72 — 0,1 2 — КС506Г 13,8 15 15,6 — 0,75 2 — КС506Д 18,8 20 21 — 0,09 2 — КС507А 31 — 35 8 <0,09 <2 <2 (50 мА) КС508А 11,4 12 12,7 10,5 — КС508Б 13,8 15 15,6 8,5 — — — КС508В 15,3 16 17,1 7,8 — — — КС508Г 16,8 18 19,1 7 — — — КС508Д 22,8 24 25,6 5,2 — — — КС509А 13,8 — 15,6 15 0,09 1,5 КС509Б 16,8 — 19,1 15 0,09 1,5 КС509В 18,8 21,2 10 0,09 1,5 —
Параметры стабилитронов и стабисторов 429 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст» мА Рпр, Вт т, *с Корпус 1 мин. макс. 25 (30) 3 191 1 -60...+100 КС433, К( 3439, 1 КС447 25 (30) 3 176 1 -60...+100 I 9 18 (30) 3 159 1 -60...+100 15 16 (30) 3 148 1 -60...+125 КС451 02,8 k-i-i еэ-€= 13 си х £5 — — — — — КС45( е- г<- >, КС468 ЭВ- 5 (30) 3 119 1 -60...+100 9 г 75 5 (30) 3 52 0,4 -60...+125 •Ч-"; 0, КС 4 ( ад"6£_ 468-9 & —* ? J-L'-5 6 200 (1) 1 96 1 -60...+100 к "в€'“ С482 И =3= 9 15 ЭВ- 25 (5) 1 43 0,4 -60...+125 cst о,- КС 482-9 ,5 ip . ]^7.5 S <105 (2,7 мА) 105 (2,7) 200 (2) 30(5) 55 (5) 0,25 0,25 1 1 1 8,5 6,5 5,5 27 20 0,5 0,34 0,4 0,5 0,5 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 -60...+125 I СС50( 6, КС5 А» 07 ъ.- -в; = . ЭВ I <35 (8 мА) 0,25 33 1,3 -60...+125 11,5 (10,5) 16 (8,5) 17 (7,8) 21 (7) 33 (5,2) 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 23 18 17 15 11 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 -40...+85 со ’ К С508 t 4,8 ЭВ схГ 1 = Ъ.4 500 (0,5) 500 (0,5) 600 (0,5) 0,5 0,5 0,5 42 35 31 1,3 1,3 1,3 -40...+85 -40...+85 -40...+85 02,7 КС509 | 5,2
430 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В aUd, %/‘С 8Uct, % Unp, в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС510А 8,2 10 11 5 0,1 ±1,5 1 (50) КС511А КС511Б 14,3 71,3 15 75 15,8 78,8 1 1 <0,084 <0,105 — КС512А 9,9 12 13,2 5 0,1 ±1,5 1 (50) КС513А 31 35 <0,085 <2 <2 (50 мА) КС515А 12,3 15 16,5 5 0,1 ±1,5 1 (50) КС515Г 14,25 15 15,75 10 ±0,005 КС515Г-2 14 15 16 ±0,005 КС518А 14,7 18 19,8 5 0,1 ±1,5 1 (50) КС520В 19 20 21 5 ±0,001 j
Параметры стабилитронов и стабисторов 431 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст» мА Рпр, Вт т, *с Корпус мин. макс. 200 (1) 1 79 1 -60...+100 КС510 - — 1%’С=ЭС 9 * 15 — — — — — КС511 7 -С -ч—— L**! =п= ГТ л 200 (1) 1 67 1 -60...+100 КС512 9 _ * 15 <45 (15 мА) 0,25 85 3 -60...+125 KC5L 18 3 ' LZL < > И 1 * та 10 200(1) 1 53 1 -60...+100 КС515А <25 (10 мА) 3 31 0,5 -60...+100 & к tzMZZ * 5* 25 (10) 3 31 0,5 -60...+100 ] КС5151 Г-2 «б Г Л !! т 200 (1) 1 45 1 -60...+100 КС515А, КС518 ^."с:зс —РГ“ 9 * 15 210 (3) 3 22 0,5 -55...+100 КС520 i 1 Ч Ч 1- h 1 ТЭС: * 5*
432 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В aUcr, %/*С 8Ucr, % Unp» в (при 1пр» мА) мин. ном. макс. 1ст» мА КС520В-2 19 20 21 ±0,01 ±1 КС522А 17,9 22 24,2 5 0,1 ±1,5 1 (50) КС524Г 22,8 24 25,2 10 ±0,005 КС524Г-2 23 24 25 ±0,005 ±0,5 КС527А 22 27 29,7 5 0,1 ±1,5 1 (50) КС528А 10,4 — 11,6 — — — КС528Б 11,4 — 12,7 — — — — КС528В 12,4 — 14,1 — — — — КС528Г 13,8 — 15,6 — — — — КС528Д 15,3 — 17,1 — — — — КС528Е 16,8 — 19,1 — — — — КС528Ж 18,8 — 21,2 — — — — КС528И 20,8 — 23,3 — — — — КС528К 22,8 — 25,6 — — — — КС528Л 25,1 — 28,9 — — — — КС528М 28,5 — 31,5 — — — — КС528Н 30,4 — 34,6 — — — — КС528П 34,2 — 37,8 — — — — КС528Р 37 — 41 — — — — КС528С 40,9 — 45,1 — — — — КС528Т 44,7 — 49,3 — — — — КС528У 48,5 — 53,5 — — — — КС528Ф 53,2 — 58,8 — — — — КС528Х 58,9 — 65,4 — — — — КС528Ц 64,6 — 71,4 — — — — КС530А 28 30 31 — 0,1 ±1,5 КС530А-1 27 30 33 0,1 ±1,5
Параметры стабилитронов и стабисторов 433 Гст» Ом (при 1ст, мА) 1ст, мА Рпр, Вт Т, *С мин. макс. 120 (5) 3 22 0,5 -55...+100 200(1) 1 37 1 -60...+100 <40 (10 мА) 3 19 0,5 -60...+100 40 (10) 3 9 0,5 -60...+100 200(1) 1 30 1 -60...+ 100 20 (5 мА) — — 0,15 — 20 (5 мА) — — 0,15 — 25 (5 мА) — — 0,15 — 30 (5 мА) — — 0,15 — 40 (5 мА) — — 0,15 — 55 (5 мА) — — 0,15 — 55 (5 мА) — — 0,15 — 60 (5 мА) — — 0,15 — 80 (5 мА) — — 0,15 — 80 (5 мА) — — 0,15 — 120 (5 мА) — — 0,15 — 120 (2,5 мА) — — 0,15 — 120 (2,5 мА) — — 0,15 — 120 (2,5 мА) — — 0,15 — 120 (2,5 мА) — — 0,15 — 120 (2,5 мА) — — 0,15 — 120 (2,5 мА) — — 0,15 — 140 (2,5 мА) — — 0,15 — 140 (2,5 мА) — — 0,15 — 180 (2,5 мА) — — 0,15 — 45 (5) 1 27 4 -60...+125 45 (5) 1 27 4 -60...+125 Корпус КС522 КС524Г *ЕЭ"Е= Г—* КС527 9 г * 15 — КС528
434 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В аист, %/’С 8Uct, % Unp» В (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС531В 29,45 31 32,55 10 ±0,005 КС531В-2 29 31 33 ±0,005 ±1 КС533А 29,7 33 36,3 10 0,1 1 (50) КС535А 7 — 9 — -2 мВ — КС535Б 14 — 16 — ±0,5 мВ — — КС535В 19 — 23 — +2 мВ — — КС535Г 28 32 +4 мВ КС536А-1 34 36 38 0,1 ±1,5 КС539Г 37 39 41 10 ±0,005 КС539Г-2 37 39 41 3 ±0,005 ±0,5 КС547В 44,65 47 49,35 5 ±0,001
Параметры стабилитронов и стабисторов 435 Гст, Ом (при 1ст» мА) 1ст, мА Рпр, Вт т, *с Корпус мин. макс. 350 (3) 3 15 0,5 -50...+100 KC531 О СЕ — 1 5 90(5) 1 15 0,5 -60...+100 KC52 10,5 ИВ-2 o. 8 |<|)1 । 1 \ 1 100(3) 3 17 640 мВт -40...+125 W KC533 0 _ j 9 — 0,1 0,1 0,1 0,1 50 30 20 15 — — <N КС 9 535 u к if A1A2 50(5) 1 23 1 -60...+125 02,7 KC536A-1 5,2 <65 (10 мА) 3 17 0,72 -60...+100 КС539Г s T LJL— 1—, i L— 65 (10) 3 17 0,72 -60...+100 Kes: 10,5 ( 19Г-2 4 l<l>l H T 490 (3) 3 10 0,5 -50...+100 KC547 У—» f— A & Г*- ♦ , 1 L_J L.
436 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct, В aUCT, %/*С 8Uct, % Unp, в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст» мА КС547В-2 45 47 49 ±0,01 ±1 КС551А 48 51 54 1,5 ±0,12 ±1,5 1 (50) КС568В 64,6 68 71,4 5 ±0,001 КС568В-2 65 68 71 ±0,001 ±1 КС582Г 37 39 41 10 0,005 КС582Г-2 78 82 86 ±0,001 ±0,5 КС591А 86 91 96 1,5 ±0,12 ±1,5 1 (50) КС596В 91,2 96 100,8 5 ±0,001
Параметры стабилитронов и стабисторов 437
438 Раздел 4. Диоды Тип прибора Uct» В аист, %/“С 8Uct, % Unp, В (при 1пр, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС596В-2 91 96 101 ±0,01 ±1 КС600А 95 100 105 1,5 ±0,12 ±1,5 1 (50) КС620А 102 120 138 50 0,1 1,5 (500) КС630А 110,5 130 149,5 50 0,2 1,5 (500) КС650А 127,5 150 172,5 25 0,2 1,5 (500) КС680А 153 180 207 25 0,2 1,5 (500)
Параметры стабилитронов и стабисторов 439 Гст, Ом (при 1Ст, мА) 1ст, мА Рпр» Вт Т, °C Корпус I мин. макс. 560 (5) 3 7 0,72 -60...+100 КС596В-1 10,5 Ц] 2 L I 450 (1,5) 1 8,1 1 -60...+125 т— КС600 LJCS ы_- — с Р 15 ->• 150 (50) 5 42 5 -60...+125 КС620 37 5VA— IZI IlLr d dim 180 (50) 5 38 5 -60...+ 125 КС630 37 bEf 270 (50) 2,5 33 5 -60...+125 КС650 37 >Yfl—(kl 111^1 JlFt 1 i 330 (50) 2,5 28 5 -60...+125 КС680 37 & IM HI j j 1 r
440 Параметры стабилитронов и стабисторы Параметры стабилитронов и стабисторов Тип прибора Uct, В aUcr, %/*С SUcr, % Unp, В (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС102А 4,76 5,1 5,36 20 0,01 КС106А 2,9 — 3,5 0,5 -0,13 — — КС107А1 0,67 0,7 0,77 10 0,3 — — КС130Д-5 2,8 3,2 3 ±1,5 КС156А9 5,04 5,6 6,16 5 ±0,05 ±1 КС168А1 6,3 6,8 7,3 5 0,06 — — КС201В 11,34 12,6 13,86 5 0,095 — — КС201Г 12,35 13 13,65 5 0,095 — — КС291А 86 91 96 1 0,11 ±1,5 — КС405А 5,89 6,2 6,51 0,5 ±0,002 ±1,5 — КС433А1 3 3,3 3,6 30 0,1 ±1,5 —
Параметры стабилитронов и стабисторов 441 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст, мА Рпр, Вт Токр.» •с Корпус I мин. макс. 500 (0,275) 0,01 0,5 0,4 -60... 125 КС102 вед И pa — — — 2 мВт -60...70 КС106 -ЕУН — 1 100 — -60... 125 КС107 I .Я, 180 (3) 0,2 16,7 0,05 -60... 125 КС130 1 0,32 46 (10) 3 36 0,225 -60...125 КС156 3 0.95 If I A >| 35 (5) 3 45 0,4 -60... 125 KC168 oo V CM 3Q. 1 ТмГ — — 0,25 -60... 125 KC201B § BE Э& A *7 x — — — 0,25 -60...125 КС201Г V Й es э& A c7x 700(1) 0,5 2,7 0,25 -45...125 KC291 A c7x 200 (0,5) 0,1 60 0,4 -60... 125 KC405 cxT 1 ^3— “ 1 25 (30) 3 191 1 -60...125 KC433-1 oo’; | « BE—ЭВ | *5,g] I
442 Параметры стабилитронов и стабисторов Тип прибора Uct> В аист, %/"С 8Uct, % Unp, в (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС439А1 3,5 3,9 4,3 30 0,1 ±1,5 —— КС447А1 4,2 4,7 5,2 30 0,03...0,08 ±1,5 — КС456А1 5 5,6 6,2 30 0,05 ±1,5 — КС468А1 6,12 6,8 7,48 30 0,065 ±1,5 — КС482А1 7,8 8,2 8,6 5 0,08 ±1,5 — КС510А1 9,5 10 11 5 0,1 ±1,5 — КС512А1 11 12 13 5 0,1 ±1,5 — КС515А1 14 15 16 5 0,1 ±1,5 — КС515Г1 14,25 15 15,75 10 ±0,005 ±0,5 КС518А1 16 18 19 5 0,1 ±1,5 — КС520В1 19 20 21 5 ±0,01 ±1 — КС522А1 21 22 23 5 0,1 ±1,5 —
Параметры стабилитронов и стабисторов 443 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст* мА Рпр, Вт Токр.» •с Корпус мин. макс. 25 (30) 3 176 1 -60... 125 а о DJ KC439-1 —in ^Sl. JLJ <5,8 18 (30) 3 159 1 -60...125 а с DJ KC447-1 —If—I LJL. -JLJ <5,> 10 (30) 3 139 1 -60... 125 а с х Oj KC456-1 ч k. —I1ZJ l 5,8 5(30) 3 52 0,4 -60... 125 а с Oj KC468-1 4 i—л.»—- ф,. Т7П ;.z 5,8 25 (5) 1 96 1 -60... 125 0 с X Oj KC482-1 4 ) nn <5,э 25 (5) 1 79 1 -60... 125 с с X oj KC510-1 4 Г—IF- "ПГ*~1 1—31= 5,8 25 (5) 1 67 1 -60... 125 с с X oj KC512-1 i f— L—31— ^5,8 25 (5) 1 53 1 -60... 125 0 с Dj KC515-1 4* Г— Sl 5,8 25 (10) 31 0,5 -60... 125 /J,5 5,2 L. L KCS 042 Щ JW И5Г-1 >4. 'У. I 25 (5) 1 45 1 -60...125 1 1 KC518-1 § f—"\F— 1—31= —JXZZ! 1 <7> 120 (5) — 22 0,5 -60... 125 г‘у ут/ KC520-1 М2 25 (5) 1 37 1 -60... 125 с с 1 oj KC522-1 \i‘ f— —nm I—-hi— .LJIZJ II 5,8
444 Параметры стабилитронов и стабисторов Тип прибора Uct» В аист, %/"С Шет, % Unp, В (при Inp, мА) мин. ном. макс. 1ст, мА КС523А 28,5 30 31,5 0,11 ±1,5 КС524А1 23 24 25 10 0,1 ±1,5 — КС527А1 26 27 28 5 0,1 ±1,5 — КС531В1 29,45 31 32,55 10 ±0,005 ±0,5 КС533А1 31 33 35 0,1 2 КС551А1 48 51 54 2 0,12 ±1,5 — КС582А1 78 82 86 — 0,12 ±1,5 — КС591А1 86 91 96 2,8 0,12 ±1,5 — КС600А1 95 100 105 2,5 0,12 ±1,5 — Д818А 9 9,5 11 10 ±0,023 ±0,11 — Д818Б 7,2 8,3 9 10 ±0,023 ±0,13 Д818В 7,6 8,4 10 10 ±0,011 ±0,12 — Д818Г 7,6 8,7 10 10 ±0,006 ±0,12 — Д818Д 7,6 8,6 10 10 ±0,002 ±0,12 — Д818Е 8,1 8,5 8,9 10 ±0,001 ±0,12 —
Параметры стабилитронов и стабисторов 445 Гст, Ом (при 1ст, мА) 1ст, мА Рпр, Вт Токр.» •с Корпус мин. макс. 80(2) 0,5 10 0,3 -60... 125 КС 523 <4 с с **^r*-l 5* l"ll _ 30(5) 1 33 1 -60... 125 сс с\ > V КС524-1 4 BE ЭВ - А 5,8 40(5) 1 30 1 -60... 125 а с\ >v KC527-1 4 ЗВ Л *5,8 50(10) 3 15 0,5 -60... 125 КС531 - 13,5 5,2 w JU is* 90(5) 1 10 0,35 -60...125 Сч- KCf >33-1 1 200 (1,5) 1 15 1 -60...125 а 0 * 5J KG 551-1 4 BE 33€B *5,8 400 (1,5) 1 9,8 1 -60...125 а 0 Z>J KC582-1 4 BE Э& <5,8 400 (1,5) 1 8,8 1 -60... 125 а о KC591-1 4 BE ЭВ 5,8 450 (1,5) 1 8,1 1 -60... 125 а е X KC600-1 4 L—Ji= --JI—J *5,8 70(3) 18 (10) 3 3 33 33 0,3 0,3 -60...125 -60...125 Д 818 .А» < 1 Sj- . SSUSX Л- 11" 18 (10) 18(10) 18 (10) 18 (10) 3 3 3 3 33 33 33 33 0,3 0,3 0,3 0,3 -60... 125 -60... 125 -60... 125 -60... 125 с X Д818 1 4 LJU: — I 7,6
Раздел 5. ТИРИСТОРЫ 5.1. Буквенные обозначения параметров тиристоров К основным параметрам тиристоров относятся: • постоянное напряжение в закрытом состоянии U3c — наибольшее прямое напряжение, которое может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии; • импульсное неповторяющееся напряжение в закрытом состоянии Use, нп — наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на аноде, не вызывающее его переключение из закрытого состояния в открытое; • постоянное обратное напряжение Uo6p — наибольшее напряжение, которое может быть приложено к прибору в обратном направлении; • обратное напряжение пробоя иПроб — обратное напряжение прибора, при котором обратный ток достигает заданного значения; • напряжение переключения иПрк — прямое напряжение, соответствующее точке переключения (перегиба вольт-амперной характеристики); • напряжение в открытом состоянии Uoc — падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии; • импульсное напряжение в открытом состоянии Uoc, и — наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения; • импульсное отпирающее напряжение UOt, и — наименьшая амплитуда импульса прямого напряжения, обеспечивающая переключение (динистора, тиристора) из закрытого состояния в открытое; • постоянное отпирающее напряжение управления Uy, от — напряжение между управляющим электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управле- ния; • импульсное отпирающее напряжение управления Uy, от, и — импульсное напряжение на управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления; • неотпирающее постоянное напряжение управления Uy, нот — наибольшее постоянное напряже- ние на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния в открытое; • повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии U3c,n — наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения; • повторяющееся импульсное напряжение U06p,n — наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напря- жения; • запирающее постоянное напряжение управления Uy, 3 — постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления; • запирающее импульсное напряжение управления Uy, 3, и — импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему току управления; • незапирающее постоянное напряжение Uy, нз — наибольшее постоянное напряжение управле- ния, не вызывающее выключение тиристора; • пороговое напряжение Unop — значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересе- чения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения; • постоянный ток в закрытом состоянии 1зс — ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении; • средний ток в открытом состоянии 10с, ср — среднее за период значение тока в открытом состоянии; • постоянный обратный ток 10бр — обратный анодный ток при определенном значении обратного напряжения;
Буквенные обозначения параметров тиристоров 447 • ток переключения 1Прк — ток через тиристор в момент переключения Шпрк и 1Прк указываются только для динисторов); • повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 1ос, п — наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи; • ударный ток в открытом состоянии 10с, удр — наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается с ограниченным числом повторений; • постоянный ток в открытом состоянии 1ос — наибольшее значение тока в открытом состоянии; • повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 1ос, п — наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи; • повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии 1зс, п — импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии; • повторяющийся импульсный обратный ток 10бр, п — обратный ток, обусловленный повторяю- щимся импульсным обратным напряжением; • отпирающий постоянный ток управления 1у, от — наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое); • отпирающий ток управления 1у, от, и — наименьший импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора; • запирающий импульсный ток управления 1у, 3, и — наибольший импульсный ток управления, не вызывающий включение тиристора; • ток удержания 1уд — наименьший прямой ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии; • ток включения тиристора 1Вкл — наименьший основной ток, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии после окончания импульса тока управления после переключе- ния тиристора из закрытого состояния в открытое; • запираемый ток тиристора 13 — наибольшее значение основного тока, при котором обеспечи- вается запирание тиристора по управляющему электроду; • средняя рассеиваемая мощность РСр — сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристо- ром; • время включения тиристора ty, вкл, t3, Вкл — интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим током; • время нарастания ty,nHp, tHp — интервал времени между моментом, когда основное напряжение понижается до заданного значения, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импуль- сным отпирающим напряжением; • время выключения 1ВЫкл — наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключе- ния тиристора; • критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (dU3C/dt)Кр — наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое; • критическая скорость нарастания коммутационного напряжения (dU3C/dt)KoM — наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения, которое после нагрузки током в откры- том состоянии или обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое.
448 Раздел 5. Тиристоры 5.2. Параметры тиристоров Тип прибора Uo6p,n» Uo6p. max» В Uac.n, Use, max» В loc, и» A loc, ср» loc, П» A Uoc, И» Uo*c, в Uy, HOT» В 1зс, п» 1з*с, мА 1обр, п» 1обр» мА КУ101А 10* 50* 1 0,075 <2,5* — <0,15* <0,15* КУ101Б 50* 50* 1 0,075 <2,5* — <0,15* <0,15* КУ101Г 80* 80* 1 0,075 <2,5* — <0,15* <0,15* КУ101Е 150* 150* 1 0,075 <2,5* <0,15* <0,15* КУ102А 5* 50* 5 0,05* <2,5* >0,2 <0,1* КУ102Б 5* 100* 5 0,05* <2,5* >0,2 <0,1* — КУ102В 5* 150* 5 0,05* <2,5* >0,2 <0,1* — КУ102Г 5* 200* 5 0,05* <2,5* >0,2 <0,1* КУ103А — 150* — 0,001 <3 0,001 <0,15* 1* КУ103В 150* 0,001 <3 0,001 <0,15* 1* КУ104А 6* 15* 3 0,1 <2* >1* <0,5 КУ104Б 6* 30* 3 0,1 <2* >1* <0,5 — КУ104В 6* 60* 3 0,1 <2* >1* <0,5 — КУ104Г 6* 100* 3 0,1 <2* >1* <0,5 КУ105А 30* 30* 2 0,05 <1,1* >0,1 <0,001 <0,003 КУ105Б 15* 15* 2 0,05 <1,1* >0,1 <0,001 <0,003 КУ105В 5* 30* 2 0,05 <1,1* >0,1 <0,001 <0,003 КУ105Г 5* 15* 2 0,05 <1,1* >0,1 <0,001 <0,003 КУ105Д 30* 30* 2 0,05 <1,1* >0,1 <0,001 <0,003 КУ105Е 15* 15* 2 0,05 <1,1* >0,1 <0,001 <0,003 КУ 108В 500 1000 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108Ж 500 1000 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108М 400 800 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108Н 400 800 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108С 400 800 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108Т 400 800 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108Ф 300 800 150 — <4* >0,1 <2,5 <0,3 КУ108Ц 300 800 150 <4* >0,1 <2,5 <0,3
Параметры тиристоров 449 1у, от» 1у,3,И» мА Uy, ОТ» Uy,ОТ,И» В dUsc/dt, В/мкс teiwi» МКС <12 1,5...8 100 2 <12 1,5...8 100 2 <12 1,5...8 100 2 <12 1,5...8 100 2 20* 20 7* (12) 200 5 20* 20 7* (12) 200 5 20* 20 7* (12) 200 5 20* 20 7* (12) 200 5 40 0,4...2 — — 40 0,4...2 <15 <2* 10 0,29 <15 <2* 10 0,29 <15 <2* 10 0,29 <15 <2* 10 0,29 <5* <2* >10 0,1 <5* <2* >10 0,1 <5* <2* >10 0,1 <5* <2* >10 0,1 <5* <2* >10 0,1 <5* <2* >10 0,1 — <25* 20 35 — <25* 20 100 — <25* 20 35 — <25* 20 35 — <25* 20 100 — <25* 20 100 — <25* 20 35 <25* 20 100 tsbllOIf МКС 35 35 35 35 20 20 20 20 2,5 2,5 2,5 2,5 Корпус КУ102 КУ104
450 Раздел 5. Тиристоры Тип прибора Uo6p,n» Uo6p, max» В Озс.п» и3с, max, В 1ос, и, А 1ос, ср, 1ос, п, А Uoc, и, Uo*c, В Uy, НОТ, В 1зс, п, 1з*с, мА 1обр, п, 1обр, мА КУ109А 50 700 12 1 <3,5* <0,3 — КУ109Б 50 750 12 1 <3,5* — <0,3 — 1КУ109В 50 700 12 1 <3,5* — <0,3 — КУ109Г 50 600 12 1 <3,5* <0,3 КУ110А 10* 300 0,6 0,3 <1,9 0,6 <0,075 — КУ110Б 10* 200 0,6 0,3 <2,3 0,6 <0,075 — КУНОВ 10* 100 0,6 0,3 <2 0,6 <0,075 КУША 100* 400* 15 0,3* <5 >0,2 <0,5* <0,5* КУШБ 100* 200* 15 0,3* <5 >0,2 <0,5* <0,5* КУ113В — 300* 100 — <4 — <0,1 КУ113Г — 200* 100 — <4 — <0,1 — КУ120А 6...10 — — — <1,7* <0,02 <0,12 КУ120Б 12...16 — — — <1,7* — <0,02 <0,12 КУ120В 18...20 <1,7* <0,02 <0,12 КУ120А-5 6...10 — — — <1,7* <0,02 <0,12 КУ120Б-5 12...16 — — — <1,7* — <0,02 <0,12 КУ120В-5 18...20 <1,7* <0,02 <0,12 КУ121А 12 — — — <1,7* — <0,02 — КУ121Б 18 — — — <1,7* — <0,02 КУ121В 20 <1,7* <0,02 КУ201А 25* 25* 30 2* 2* <5* <5* КУ201Б 25* 25* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201В 50* 50* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201Г 50* 50* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201Д 100* 100* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201Б 100* 100* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201Ж 200* 200* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201И 200* 200* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201К 300* 300* 30 2* 2* — <5* <5* КУ201Л 300* 300* 30 2* 2* — <5* <5*
Параметры тиристоров 451 1у, от» 1у,з,и» мА Uy, от» Uy,от,и» в «Шзс/dt, В/мкс 1вкл» МКС 4выкл» МКС <100 <3; <7* — — 6 <100 <3; <7* — — 4 <100 <3; <7* — — 8 <100 <3; <7* <0,3 0,3...0,6; 7* — <1 <40 <0,3 0,3...0,6; 7* — <1 <40 <0,3 0,3...0,6; 7* <1 <40 <100* — 50 — <20 <100* —— 50 — 220 — 7* 50 20 — — 7* 50 20 — — — — — — — — — — — ___ Корпус КУ109 КУ110 КУШ, КУНЗ КУ120 КУ120-5 0,4 <0,12 <0,12 <0,12 — — — — КУ121 0# /3,5 5,2 > ЗКА | LJi 1 <100 <6 5 <10 <100 КУ201 <100 <6 5 <10 <100 <100 <6 5 <10 <100 х—1 <100 <6 5 <10 <100 <100 <6 5 <10 <100 И* 1* «О <100 <6 5 <10 <100 УЗ 1 1 <100 <6 5 <10 <100 - -а <100 лл <6 5 Е <10 ^1 л <100 лл ^£^20 <1UU <100 <0 <6 о 5 <1и <10 <1UU <100 мбД
452 Раздел 5. Тиристора Тип прибора Uo6p,n» Uo6p, max* В Изс.п» Изе, max* В 1ос, ср» 1ос, п» А Uoc, и» Ujc, в Uy, НОТ» В 1зс, п» 1з*с, мА 1обр, п, 1обр» мА КУ202А 25* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Б 25* 25* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202В — 50* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Г 50* 50* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Д — 100* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Е 100* 100* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Ж — 200* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202И 200* 200* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202К — 300* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Л 300* 300* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202М — 400* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ202Н 400* 400* 30 10* <1,5* >0,2 <4* <4* КУ203А — 50 100 5 <9 >0,1 sio* <10* КУ203Б — 100 100 5 S2 >0,1 S10* <10* КУ203В — 150 100 5 <9 >0,1 S10* <10* КУ203Г — 200 100 5 <2 >0,1 sio* <10* КУ203Д 50 50 100 5 <2 >0,1 S10* <10* КУ203Е 100 100 100 5 <2 >0,1 sio* <10* КУ203Ж 150 150 100 5 S2 >0,1 <10* <10* КУ203И 200 200 100 5 >0,1 S10* <10* КУ204А — 50 12 — S3 >0,15 <5 КУ204Б — 100 12 — S3 >0,15 <5 — КУ204В 200 12 S3 >0,15 <5 КУ208А 100* 100* 10 5* <2* <5* КУ208Б 200* 200* 10 5* <2* — <5* — КУ208В 300* 300* 10 5* <2* — <5* — КУ208Г 400* 400* 10 5* <2* <5* КУ210А 600 600 2000 20* <1,8* <1,5 <1,5 КУ210Б 500 500 2000 20* <1,8* — <1,5 <1,5 КУ210В 400 400 2000 20* <1,8* <1,5 <1,5
Параметры тиристоров 453 1у, от, 1у,з,и, 1 мА Uy, от, Uy,от,И, В dUsc/dt, В/мкс teioi, мкс 1выкл, мкс <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 2200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <200 <7 5 <10 <100 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <450 <2,5; 10* <20 <3 <7 <150 <5 20 — — <150 <5 20 — — <150 <5 20 <160* <5* 10 <10 <150 <160* <5* 10 <10 <150 <160* <5* 10 <10 <150 <160* <5* 10 <10 <150 <150 — 50 — <150 <150 — 50 — <150 <150 50 <150 Корпус КУ202 КУ203 КУ204 КУ208
454 Раздел 5. Тиристоры Тип прибора Uo6p,flt Uобр, max* В Uac.n* Use, max* В 1ос, и* А 1ос, ср* 1ос, п* А Uoc, и* Uo*c, в Uy, нот» В 1зс, п* 1з*с, мА 1обр, п, 1обр* мА КУ211А 800* 800* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211Б 800* 800* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211В 700* 700* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211Г 700* 700* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211Д 600* 600* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211Е 600* 600* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211Ж 500* 500* 200 20 <3 — <2* <2* КУ211И 500* 500* 200 20 <3 <2* <2* КУ215А 500 1000 250 5* <3* 0,1 <1,5 <1,5 КУ215Б 400 800 250 5* <3* 0,1 <1,5 <1,5 КУ215В 300 600 250 5* <3* 0,1 <1,5 <1,5 КУ216А 400 800 100 5* 2 0,5 0,5 КУ216Б 400 800 100 5* 2 — 0,5 0,5 КУ216В 300 600 100 5* 2 0,5 0,5 КУ218А 2000 2000 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218Б 2000 2000 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218В 1800 1800 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218Г 900 1800 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218Д 1600 1600 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218Е 800 1600 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218Ж 1400 1400 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ218И 700 1400 100 20* <3,5* 0,1 <1,5 <1,5 КУ219А 1200 1200 1200 20* <2* 0,2 <1,5 <1,5 КУ219Б 1000 1000 1200 20* <2* 0,2 <1,5 <1,5 КУ219В 800 800 1200 20* <2* 0,2 <1,5 <1,5 КУ220А — 1000 100 4 <1,5* <0,5 КУ220Б — 1000 100 4 <1,5* — <0,5 КУ220В — 1000 100 4 <1,5* — <0,5 — КУ220Г — 800 100 4 <1,5* — <0,5 — КУ220Д 800 100 4 <1,5* <0,5
Параметры тиристоров 455 1у, от» 1у,3,И» мА <600 <600 <600 <600 <600 <600 <600 <600 Uy, ОТ» Uy.OT.H, в dU3C/dt, В/мкс 200 200 200 200 200 200 200 200 {вкл, МКС 1выкл, МКС 60 120 60 120 60 120 60 120 Корпус КУ211 04# 20* 50 20* 50 20* 50 <7 <120 <7 <120 <7 <120 <7 <120 <7 <120 <7 <120 <7 <120 <7 <120 240* 200 <40* 50 <40* 50
456 Раздел 5. Тиристоры Тип прибора Uo6p,n» Uo6p, max» В U3c,n» U3C, max» В loc, и» A loc, ср» loc, П» A Uoc, И, Uo*c» в Uy, HOT, В 1зс, п, 1з*с, мА 1обр, п» 1обр, мА КУ221А 50 700 100 3,2 <3,5 10 <0,3 КУ221Б 50 750 100 3,2 <3,5 30 <0,3 — КУ221В 50 700 100 3,2 <3,5 30 <0,3 — КУ221Г 50 600 100 3,2 <3,5 10 <0,3 — КУ221Д 50 500 100 3,2 <3,5 10 <0,3 КУ222А — 2000 400 — <3,5* >0,15 <1,5 КУ222Б — 1600 400 — <3,5* >0,15 <1,5 — КУ222В — 2000 400 — <3,5* >0,15 <1,5 — КУ222Г — 1600 400 — <3,5* >0,15 <1,5 — КУ222Д — 1200 — 10 <3,5* >0,15 <20* — КУ222Е 1200 10 <3,5* >0,15 <20* КУ224А 50 400 150 <15 <0,3* КУ228А1 — 100 30 10 — <2 КУ228Б1 100 100 30 10 — — <2 КУ228В1 — 200 30 10 — — <2 КУ228Г1 200 200 30 10 — — <2 — КУ228Д1 — 300 30 10 — — <2 — КУ228Е1 300 300 30 10 — — <2 КУ228Ж1 — 400 30 10 — — <2 — КУ228И1 400 400 30 10 — — <2 — КУ239А — 400* 250 — <20 — <0,2 - КУ239Б 400* 250 <20 <0,2 КУ240А — 400* 100 — <2,5 <0,3 КУ240Б — 400* 100 — <2,5 — <0,3 — КУ240В 400* 100 <2,5 <0,3
Параметры тиристоров 457 1у, ОТ» 1у.З,И» мА Uy, ОТ» Uy,ОТ,и» в dUsc/dt, В/мкс 4вкл» МКС 1выкл» МКС Корпус и <150 <7* 500 — <10 КУ221 <150 <7* 200 — <10 <150 <7* 200 — <10 072,5 <150 <7* 200 — <20 <150 <7* 200 <20 Ф 31,4 — <50* 200 170 <125 КУ222 — <50* 200 300 <125 54 — <50* 200 170 <250 — <50* 200 300 <250 04# д?с_ — <50* 200 170 <250 |< — >| <50* 200 300 <250 /Г f ....А iff ft фд---—^ZZZJ-, kj 1 ( <100 <3 50 — <10 КУ224 0; Z5 J44 к ^^4 УЭ‘ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 20 20 20 20 20 20 20 20 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <40 <40 <40 <40 <40 <40 <40 <40 к: 10. & И228 У к 18 *сг L Jm FКА i I & У <2 50 50 10 100 — к юл У239 4.8 о £ о § г ] л КА УЭ т 1 1 1 0,5...1,4 0,5...2,2 0,5...2,2 200 200 200 25 25 25 — КУ240 Г ^3 К 77
458 Раздел 5. Тиристоры Тип прибора Uo6p,n> U06p, max» В Uac.n» Use, max» В loc, и» A loc, ср, loc, П, A Uoc, И, Uoc, в Uy, HOT, В 1зс, п, 1з*с, мА 1обр, п, 1обр, мА КУ501А 400* 1 <1,4* <0,05* КУ502А — 400* — 0,1 <1,6* — <0,05* — КУ503А ±(6...1O) — — — <1,7 — ±0,12 КУ503Б ±(12...16) — — — <1,7 — — ±0,12 КУ503В ±(18...24) <1,7 ±0,12 КУ601А 100* 100* — 5* <2* — — КУ601Б 200* 200* — 5* <2* — — — КУ601В 300* 300* — 5* <2* — — — КУ601Г 400* 400* 5* <2* КУ606А 700* 2 2* <0,3 КУ610А — 700 90 6 22* <5 КУ610Б — 400 90 6 22* — <5 — КУ610В 200 90 6 <2* <5 КУ701А — 800* — 20 <3* — 26 КУ701Б — 800* — 20 <2* — <6 КУ701В — 800* — 20 <3* — 26 — КУ701Г — 800* — 20 <2* — <6 — КУ701Д — 600* — 20 <3* — 26 — КУ701Е — 600* — 20 <2* — 26 — КУ701Ж — 600* — 20 <3* — 26 — КУ701И — 600* — 20 <2* — 26 — КУ702А —. 2000 — 20 <3,5* <20 КУ702Б — 2000 — 20 <3,5* — <20 КУ702В — 1600 — 20 <3,5* — <20 КУ702Г — 1600 — 20 <3,5* — <20 КУ7О2Д — 1200 — 20 <3,5* — <20 КУ702Е — 1200 — 20 <3,5* — <20 КУ706А — 1600 — 40 <3* <20 КУ706Б — 1200 — 40 <3* — <20 КУ706В — 1000 — 40 <3* — <20
Параметры тиристоров 459 1у. от, 1у.З,И, мА Uy, ОТ, Uy,OT,H, В dUsc/dt, В/мкс 1вкл, МКС <5 20 — <3 20 — <0,02 — — — <0,02 — — — <0,02 <160* <5 10 <10 <160* <5 10 <10 <160* <5 10 <10 <160* <5 10 <10 20 <50 <2,5 10 — <50 <2,5 10 — <50 <2,5 10 — <5 <100 30 — <5 <100 60 — <5 <100 40 — <5 <100 120 — <5 <100 30 — <5 <100 60 — <5 <100 40 — <5 <100 120 — <7 <200 150 — <7 <200 250 — <7 <200 150 — <7 <200 250 — <7 <200 150 — <7 <200 250 — <40* <200 150 — <40* <200 150 — <40* <200 150 teblKJlt МКС <150 <150 <150 <150 Корпус КУ501, КУ502 09,5 г—1— X» $ -4 -'УЗ КУ503 КУ701, КУ702, КУ706
460 Раздел 5. Тиристоры Тип прибора Uo6p,n, Uo6p, max» В Uac.n, Use, max» В loc, и» A loc, cp, loc, П» A Uoc, И» Uo*c, в Uy, HOT, В 1зс, п, 1зс, мА 1обр, п, 1обр, мА КУ901А 13 <2 <0,3 КН102А 10* 5 10 0,2 <1,5* 2 <0,08* <0,5* КН102Б 10* 7 10 0,2 <1,5* 3 <0,08* <0,5* КН102В 10* 10 10 0,2 <1,5* 4 <0,08* <0,5* КН102Г 10* 14 10 0,2 <1,5* 6 <0,08* <0,5* КН102Д 10* 20 10 0,2 <1,5* 8 <0,08* <0,5* КН102Ж 10* 30 10 0,2 <1,5* 12 <0,08* <0,5* КН102И 10* 50 10 0,2 <1,5* 15 <0,08* <0,5* Д235А — 50* 10 2 2* 2* 2* 2* Д235Б — 100* 10 2 2* 2* 2* 2* Д235В 50* 50* 10 2 2* 2* 2* 2* Д235Г 100* 100* 10 2 2* 2* 2* 2* Д238А — 50 100 5 <2 — <20 <20 Д238Б — 100 100 5 <2 — <20 <20 Д238В — 150 100 5 <2 — <20 <20 Д238Г 50 50 100 5 <2 — <20 <20 Д238Д 100 100 100 5 <2 — <20 <20 Д238Е 150 150 100 5 <2 <20 <20
Параметры тиристоров 461 1у, от, 1у.З.И, мА Uy, от, Uy,от,И, в dUac/dt, В/мкс 1вкл, МКС £выкл, мкс Корпус <5 20 к: И901 г О» «ч г[о L ПГЛ ! 1 I 1 1 1 1 1 1 1 20 28 40 56 80 120 150 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 <40 <40 <40 <40 <40 <40 <40 КН102 * Г ' шт к 1 > ( 1 250 250 250 250 5* 5* 5* 5* — 5 5 5 5 35 35 35 35 Д235 1 1 [ Ml iHi A L4d Сч <150 <150 <150 <150 <150 <150 <8* <8* <8* <8* <8* <8* >5 >5 >5 >5 >5 >5 <10 <10 <10 <10 <10 <10 <35 <35 <35 <35 <35 <35 л [238 UiT Ьч-1 , г 032 I 40,8^ 937^^
462 Параметры тиристоров Параметры тиристоров Тип прибора Uo6p,n» Uo6p, max» В Чзс.п» Use, max» В loc, и» А loc, ср» loc, п» А Uoc, и» ui, В Uy, нот» в 1зс, п, 1зс, мА 1обр, п» 1обр, мА КУ709А 800 — — 16 — КУ709Б 1200 — — 16 — — — — КУ709В 1600 16 КУ709А-1 800 16 — — КУ709Б-1 1200 — — 16 — — — — КУ709В-1 1600 16 КУ709А-2 800 — 25 КУ709Б-2 1200 — — 25 — — — — КУ709В-2 1600 25 КУ710А 800 — — 55 — КУ710Б 1200 — — 55 — — — — КУ710В 1600 55 КУ711А 600 — — 90 — КУ711Б 1200 — — 90 — — КУ711В 1600 90
Параметры тиристоров 463
464 Параметры тиристоров Тип прибора Uo6p,n» Uo6p, max» В Uac.n» U3C, max» В loc, и» A loc, ср» loc, П» A Uoc, И, Uo*c, В Uy, HOT» В 1зс, п» 1з*с, мА 1обр, п» 1обр» мА КУ712А 500 — — 8 — — — — КУ712Б 800 — — 8 — — — — КУ712В 1000 — — 8 — — — — КУ712Г 1100 8 КУ712А-1 500 — — 8 — — КУ712Б-1 800 — — 8 — — — — КУ712В-1 1000 — — 8 — — — — КУ712Г-1 1100 8 КУ712А-2 500 — — 8 — — — КУ712Б-2 800 — — 8 — — — — КУ712В-2 1000 — — 8 — — — — КУ712Г-2 1100 8
Параметры тиристоров 465 1у, от, 1у,з,и» мА Uy, от, Uy,от,и, в dUac/dt, В/мкс {вкл, МКС 8 2 500 — 8 2 500 — 8 2 500 — 8 2 500 8 2 500 — 8 2 500 — 8 2 500 — 8 2 500 — 500 500 500 500 КУ712А-2, Б-2, В-2, Г-2
Раздел 6. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров К оптоэлектронным приборам относятся функциональные (электронные) устройства, в которых исполь- зуются два способа обработки и передачи сигналов: оптический и электрический. Принцип действия оптоэлектронных приборов основан на использовании электромагнитного излучения в оптическом диапазоне длин волн видимого глазом света в интервале 0,45...0,68 мкм (светодиоды) и в инфракрасной (невидимой) области спектра в диапазоне длин волн 0,87...0,96 мкм (ИК-диоды). В соответствии с ОСТ 11 339.015-81 оптоэлектронные приборы имеют следующие условные обозначения: Первый элемент Буква К — указывает, что прибор широкого применения. Второй элемент Буква И — указывает, что это знакосинтезирующий индикатор. Третий элемент Вид индикатора оптоэлектронного прибора: П — полупроводниковые; Н — вакуумные накаливаемые; Л — вакуумные люминесцентные; Ж — жидкокристаллические. Четвертый элемент Вид отображаемой информации: Д — единичная; Ц — цифровая; В — буквенно-цифровая; | Г — графическая; М — мнемоническая; Т — шкальная. Пятый элемент Число, указывающее на порядковый номер разработки. Шестой элемент Буква, обозначающая классификацию по параметрам. Седьмой элемент Число, указывающее на количественную характеристику информа- ционного поля (кроме одноразрядных). Восьмой элемент Буква, обозначающая цвет свечения для одноцветных: К — красный, Л — зеленый, С — синий, Ж — желтый, Р — оранжевый, Г — голубой, М — для многоцветных индикаторов всех видов. Девятый элемент Цифра, обозначающая модификацию конструктивного исполнения. Светоизлучающие диоды — полупроводниковые приборы с одним переходом, в котором осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излу- чения, предназначены для визуального представления и восприятия отображаемой информации. Наряду с одноцветными излучающими диодами выпускаются диоды с управляемым цветом свечения от красного до зеленого. В зависимости от режима работы диодов изменяется результирующее излучение и соответственно цвет свечения. Цвет светового излучения светодиодов (синий, голубой, зеленый, желтый, оранжевый, красный) определяется диапазоном длин волн. Максимальная чувстви- тельность глаза находится в диапазоне длин волн 0,55 мкм, что соответствует зеленому цвету свечения. Широкое применение светоизлучающие диоды нашли в качестве элементов индикации включения и настройки радиоаппаратуры, сигнализации и контроля в системах автоматики и связи, для оператив- ного контроля работоспособности промышленных систем. Конструктивно светодиоды выполняются в металлических корпусах со стеклянной линзой из оптически прозрачного материала, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из оптически прозрачного компаунда и бескорпусном варианте. Параметры светоизлучающих диодов (по ГОСТ 23562-79): • сила света Iv — излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах;
Виды приборов и буквенные обозначения параметров 467 • яркость L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. Измеряется в канделах на квадратный метр; • постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока; • максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно- го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе диода; • импульсный ток 1пр, и, max — максимальный импульсный ток при заданной длительности импульса; • максимально допустимое обратное постоянное напряжение U06p,max — максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надеж- ность при длительной работе; • максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uo6p,H,max — максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся; • максимум спектрального распределения Лтах — длина волны светового излучения, соответст- вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода. Линейные шкалы на основе светоизлучающих диодов представляют собой сборки, состо- ящие из последовательно размещенных диодных структур (сегментов) с соответствующей схемой коммутации. Предназначены для отображения непрерывно изменяющейся информации. Достоинство линейных шкал — быстрота воспроизведения информации и наглядное ее отображение. Широкое применение линейные шкалы нашли в радиоаппаратуре, авиационной и автомобильной технике как индикаторы пикового уровня звука, величины скорости, уровня горючего в баках и различных динамических процессов. Конструктивно линейные шкалы выполняются в прямоугольных пластмассовых корпусах и бескорпусном исполнении в виде пластин с планарными элементами свечения и контактными площадками. Параметры линейных шкал: • сила света Iv — излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах; • яркость L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. Измеряется в канделах на квадратный метр; • постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока; • максимально допустимый постоянный прямой ток Inp, max — максимальное значение постоянно- го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительности работы диода; • максимально допустимое постоянное напряжение Uo6p,max — максимальное значение постоян- ного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uo6p, и — максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся; • максимум спектрального распределения Хтах — длина волны светового излучения, соответст- вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода. Дополнительным параметром, характеризующим линейные шкалы, является относительный раз- брос силы света между излучающими сегментами одной шкалы, определяемый отношением силы света самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента. Цифро-буквенные индикаторы представляют собой сборки светодиодных структур с соответ- ствующими электрическими соединениями. Предназначены для отображения информации в микро- калькуляторах, часах устройствах автоматики, измерительной технике, информационных табло. Разновидностью цифро-буквенных индикаторов являются двухцветные индикаторы, в которых для формирования сегмента используются два светоизлучающих диода: красного и зеленого цветов
468 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы свечения. Управление напряжением питания такого индикатора осуществляется с помощью двух шин: одна — для включения красных диодов, другая — для включения зеленых диодов. Конструктивно цифро-буквенные индикаторы выполняются в прямоугольных корпусах или моно- литной керамической конструкции с моноблочной линзой. Параметры цифро-буквенных индикаторов в основном аналогичны тем, которые характеризуют светоизлучающие диоды. Специфическим параметром является параметр 8IV. Допустимый разброс силы света между излучающими сегментами 5IV — отношение силы света самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента. Инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды) — полупроводниковые диоды, в которых осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию инфракрасного излучения. Предназначены для работы в качестве преобразователей энергии и источников передачи инфор- мации в узлах и линиях, требующих оптической связи или гальванической развязки. Широкое применение ИК-диоды находят в преобразователях «угол-код», бесконтактных переключателях, датчи- ках-счетчиках на конвейерах. Конструктивно выполняются в металлических корпусах со стеклянной полусферической излучающей поверхностью, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из прозрачного бесцветного компаунда и бескорпусном варианте. Параметры ИК-диодов: • мощность излучения РИзл — поток излучения определенного спектрального состава, излучае- мого диодом; • импульсная мощность излучения Ризл, и — амплитуда потока излучения, измеряемая при заданном импульсе прямого тока через диод; • ширина спектра излучения ДА, — интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения диода составляет половину максимальной; максимально допустимый прямой импульсный ток 1пр, и; • время нарастания импульса излучения tHap, изл — интервал времени, в течение которого мощность излучения диода нарастает от 0,1 до 0,9 максимального значения; • время спада импульса излучения ten, изл — интервал времени, в течение которого мощность излучения диода изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения; • скважность Q — отношение периода импульсных колебаний к длительности импульса; • постоянное прямое напряжение Unp — значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока; • максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.max — максимальное значение постоянно- го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе диода; • максимально допустимое обратное напряжение UoCp.max — максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимально допустимое обратное импульсное напряжение U06p. и — максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся. Диодные оптопары — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из излучаю- щего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом. В диодной оптопаре в качестве фотоприемного элемента используется фотодиод, а излучателем служит инфракрасный излучающий диод. Максимум спектральной характеристики излучения диода лежит в области длины волны около 1 мкм. Предназначены для схем защиты от перегрузок, согласования периферийных линий с центральным процессором ЭВМ, низковольтного блока с высоковольтным. Параметры диодных оптопар: • входное напряжение Ubx — постоянное прямое напряжение на диоде-излучателе при заданном входном токе; • максимальный входной ток или максимальный импульсный входной ток iex.max — максимальные значения постоянного входного тока или амплитуды входного импульса, проходящего через
Виды приборов и буквенные обозначения параметров 469 цепь оптопары, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимальное входное обратное напряжение UBX,o6p,max — максимальное значение постоянного напряжения, приложенного ко входу диодного оптрона в обратном направлении, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимальное выходное обратное постоянное и импульсное напряжение иВых, обр, max и Ubhx, обр, и, max — максимальные напряжения в выходной цепи оптопары, при которых обеспечивается ее надежная работа; • выходной обратный ток (темновой) 1Вых, обр, т — ток, протекающий в выходной цепи диодной оптопары при отсутствии входного тока и заданном напряжении на выходе; • время нарастания выходного сигнала tHp — интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары изменяется от 0,1 до 0,5 максимального значения; • время спада выходного сигнала ten — интервал времени, в течение которого выходной сигнал изменяется от 0,9 до 0,5 максимального значения; • статический коэффициент передачи тока Ki — отношение разности выходного темнового тока к входному, выраженное в процентах; • сопротивление изоляции RH3 — активное сопротивление между входной и выходной цепями оптопары; • проходная емкость СПр — емкость между входной и выходной цепями оптопары; • максимальное напряжение изоляции 11из,тах или максимальное пиковое напряжение изоля- ции Чиз, и, max — максимальное постоянное или пиковое напряжение изоляции, приложенное между входом и выходом оптопары, при котором сохраняется ее электрическая прочность. Транзисторные оптопары — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из излучающего диода, большая часть света которого направляется на базовую область фототранзистора, чувствительного к излучению с длиной волны около 1 мкм. Излучатель и приемник изолированы между собой оптически прозрачной средой. Предназначены для применения в аналоговых и ключевых коммутаторах сигналов, схемах согласования датчиков с измерительными блоками, гальванической развязки в линиях связи, оптоэ- лектронных реле, коммутирующих большие токи. Параметры транзисторных оптопар: • выходное остаточное напряжение UOct — напряжение на выходных выводах оптопары при открытом фототранзисторе; • ток утечки на выходе 1ут,Вых — ток, протекающий в выходной цепи закрытого фототранзистора при приложенном выходном напряжении; • максимальная средняя рассеиваемая мощность Рр.тах — мощность, при которой обеспечивается заданная надежность оптопары при длительной работе; • максимальный выходной ток 1ВЫх, max — ток фототранзистора, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимальный выходной импульсный ток 1Вых, и, max — ток фототранзистора в оптопаре; • максимальное коммутируемое напряжение на выходе иком.тах транзисторной оптопары; • время нарастания выходного сигнала tHp — интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптопары изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения; • время спада выходного сигнала ten — интервал времени, в течение которого напряжение на выходе изменяется от 0,1 до 0,9 максимального значения; • время включения Ькл — интервал времени между моментами нарастания входного сигнала до уровня 0,1 и спада выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня 0,1 максималь- ного значения; • время выключения 1Вкл — интервал времени между моментами спада входного сигнала до уровня 0,9 и нарастания выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня 0,9 максимального значения.
470 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы 6.2. Параметры светоизлучающих приборов Тип Излучение (свечение) Iv, МВД (кд/м2) иПр (при 1пр* мА), В А^пах, мкм Inp.max» мА 1пр.и,тах, (при tH, мс), мА Цобр.тах, В Uo6p,H,max Корпус АЛ102А АЛ102Б АЛ102В АД102Г АЛ102Д Красное Красное Зеленое Красное Зеленое >0,04 >0,1 >0,25 >0,4 >0,4 <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 0,69 0,69 0,56 0,69 0,56 20 20 22 20 22 60(2) 60(2) 60(2) 60(2) 60(2) 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 АЛК С 92 (5' <Вод(-) Вывод е) ок 1(й /Ж\11 li VXZ АЛ102АМ АЛ102БМ АЛ102ВМ АЛ102ГМ АЛ102ДМ Красное Красное Зеленое Красное Зеленое >0,13 >0,2 >0,45 >0,4 >0,6 ев а ей оо оо оо оо оо 0,69 0,69 0,56 0,69 0,56 20 20 22 20 22 60(2) 60(2) 60(2) 60(2) 60(2) 2 2 2 2 2 j 1 1 1 1 1 АЛ102М _ 04 _ % 3 *0 у L -XI J' 1 1Г 5^ АЛ112А АЛ112Б АЛ112В Красное Красное Красное (>500) (300...900) (125...375) <2 (10) <2 (10) <2 (10) 0,68 0,68 0,68 12 12 12 — АЛ1 12 - П SI*и АЛ112Г АЛ112Д АЛ112Е АЛ112Ж АЛ112И Красное Красное Красное Красное Красное (175...525) (75...225) (2500) (300...900) (127...375) 22(10) <2 (10) <2 (10) <2 (10) <2 (10) 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 12 12 12 12 12 — — — АЛ112 (Г-И) + st к «о а 17 АЛ112К АЛ112Л АЛ112М Красное Красное Красное (2500) (300...900) (125...375) 22(10) 22 (10) 22(10) 0,68 0,68 0,68 । : 12 12 12 1 1 1 111 1 1 1 1 АЛН2( :к-м> г гУ Г! 1 g
Параметры светоизлучающих приборов 471 Тип Излучение (свечение) Iv, МВД (вд/м2) Unp (при Inpt мА), В А-тах, МКМ Inp.maxt мА 1пр,и,тах> (при tH, мс), мА Uo6p,maxt в Uo6p,H,max АЛ301А Красное (>ю) S3 (10) — 11 — — — АЛ301Б Красное (>20) S3,8 (10) И АЛ307А Красное >0,15 в2 0,665 20 100 2 2 АЛ307Б Красное >0,9 <2 0,665 20 100 2 2 АД307В Зеленое >0,4 <2 0,567 22 60 2,8 2,8 АД307Г Зеленое >1,5 <2 0,567 22 60 2,8 2,8 АЛ307Д Желтое >0,4 <2 0,56; 0,7 22 60 2,5 2,5 АЛ307Е Желтое >1,5 <2 0,56; 0,7 22 60 2,5 2,5 АЛ307Ж Желтое >3,5 <2 0,56; 0,7 22 60 2,5 2,5 АЛ307К Красное >2 <2 0,665 20 100 2 2 АЛ307Н Зеленое >6 <2 0,567 22 60 2,8 2,8 АЛ307АМ Красное >0,15 <2 0,665 20 100 2 2 АЛ307БМ Красное >0,9 <2 0,665 20 100 2 2 АЛ307ВМ Зеленое >0,4 <2 0,567 22 60 2,8 2,8 АЛ307ГМ Зеленое >1,5 <2 0,567 22 60 2,8 2,8 АЛ307ДМ Желтое >0,4 <2 0,56; 0,7 22 60 2,5 2,5 АЛ307ЕМ Желтое >1,5 <2 0,56; 0,7 22 60 2,5 2,5 АЛ307ЖМ Желтое >3,5 <2 0,56; 0,7 22 60 2,5 2,5 АЛ307КМ Красное >2 <2 0,665 20 100 2 2 АЛ307ЛМ Красное >6 <2 0,665 22 100 2 2 АЛ307НМ Зеленое >6 <2 0,567 22 60 2,8 2,8 АЛ307ПМ Зеленое >16 2,8 0,567 22 60 2 2 АЛ310А Красное 0.61...1.2 S2 (10) 0,67 12 — 4 — АЛ310Б Красное 0,25...0,6 S2 (10) — 12 — 4 — АЛ310В Зеленое >0,6 S3,5 (10) 0,55 12 — 4 — АЛ310Г Зеленое >0,25 S3,5 (10) 0,55 12 — 4 — АЛ310Д Желтое >0,6 S3,5 (10) 0,67 12 — 4 — АЛ310Е Желтое >0,25 S3,5 (10) 0,56 12 4 Корпус АЛ301 АЛ307М 06
472 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Iv, МИД (кд/м2) Unp (при 1пр, мА), В Атах* мкм Inp,max* мА 1пр,и,тах* (При мс), мА Uo6p,max» В Uo6p,H.max АЛ316А Красное >0,8 <2 (10) 0,67 20 — — — АЛ316Б Красное £0,25 <2 (10) 0,67 20 АЛ336А Красное £6 <2(10) — 20 100 2 — АЛ336Б Красное £20 22(10) — 20 100 2 — АЛ336В Зеленое £10 22,8(10) — 20 60 2 АЛ336Г Зеленое £15 22,8(10) — 20 — 2 — АЛ336Д Желтое £4 22,8(10) — 20 60 2 —. АЛ336Е Желтое £10 22,8(10) — 20 60 2 — АЛ336Ж Желтое £15 22,8(10) — 20 60 2 — АЛ336И Зеленое £20 22,8(10) — 20 60 2 — АЛ336К Красное £40 22(10) —. 20 100 2 — АЛ336Н Зеленое £50 22,8(10) 20 100 2 АЛ341А Красное £0,15 <2,8 0,69...0,71 20 60(2) 2 АЛ341Б Красное £0,5 <2,8 0,69...0,71 20 60(2) 2 АЛ341В Зеленое £0,15 <2,8 0,55...0,56 22 60(2) 2 — АЛ341Г Зеленое £0,5 ^2,8 0,55...0,56 22 60(2) 2 — АЛ341Д Желтое £0,15 <2,8 0,68...0,7 22 22 (2) 2 — АЛ341Е Желтое £0,5 <2,8 0,68...0,7 22 22(2) 2 — АЛ341И Красное £0,3 <2 0,69...0,71 30 100 (2) 2 — АЛ341К Красное £0,7 <2 0,69...0,71 30 100 (2) 2 АЛ360А Зеленое £0,3 21,7(10) 0,55...0,56 20 80 АЛ360Б Зеленое £0,6 21,7 (10) 0,55...0,56 20 80 КИПД21А-К Красное £1 22(20) 0,65...0,67 30 100(2) 2,2 КИПД21Б-К Красное £4 22(20) 0.65...0.67 30 100 (2) 2,2 — КИПД21В-К Красное £8 22(20) 0.65...0.67 30 100 (2) 2,2 Корпус АЛ316 АЛ360 04,8
Параметры светоизлучающих приборов 473 Тип Излучение (свечение) Iv, МИД (кд/м2) Unp (при 1пр* мА), В А^пах» мкм Inp.max, мА 1пр,и,тах, (при tH, мс), мА Uo6p,maxt В Uo6p,H,max Корпус 1 КИПД23А-К Красное £0,2 <2 (2) 20 100(1) КИПД23 ^04 а J0 и. i у КИПД23А1-К КИПД23А2-К Красное Красное £0,7 £0,4 22 (20) 22 (20) 20 20 100(1) 100(1) кицл С23-1, Ы КИПД23-2 р0* э ШИ [1 иг । ♦Ж £ КЛ101А Желтое £10 25,5 (10) 10 >.1 КЛ101 £ X CS|i —X + • 1 о 1 КЛ104А Желтое £15 26(10) 12 КЛ104 с И” “1 к.1 4J 1Й 1 6 0бщий(-)
474 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы 6.3. Параметры линейных шкал Тип Излучение (свечение) Кол-во сегмен- тов 1и, мкд (кд/м2) 8IV одного сегмен- та, не более (раз) Unp, (при 1пр, мА), В Хщах, МКМ Inp.maXf мА Uo6p,maxt В Корпус АЛС317А АЛС317Б АЛС317В АЛС317Г Красное Красное Зеленое Зеленое 5 5 5 5 0,16 0,35 0,08 0,16 3 3 3 3 2(10) 2 (10) 3 (10) 3 (10) 0,665 0,665 0,568 0,568 12 12 12 12 — АЛС317 2,5 ^,7 ю н Л _£1У А ' Цветная, \ ° точка 5 1 АЛС343А-5 Красное 100 50 3 2,8 (10) 0,66 4 3 АЛС343 ю ' со 3,32 е >,18 г ( АЛС345А АЛС345Б АЛС345В АЛС345Г Красное Красное Красное Красное 8 8 4 4 0,3 0,2 0,3 0,15 2,3 3 3 3 2,2 (10) 2,2 (10) 2,2 (10) 2,2 (10) 0,67 0,67 0,67 0,67 12 12 12 12 4 4 4 4 АЛС345 9,9 . Ключ со / ю" / 3,8 ю со' АЛС362А АЛС362Б АЛС362В АЛС362Г АЛС362Д АЛС362Е АЛС362Ж АЛС362И АЛС362К АЛС362Л АЛС362М АЛС362Н АЛС362П Красное Красное Красное Красное Желтое Желтое Желтое Желтое Зеленое Зеленое Зеленое Зеленое Красное 2 4 4 8 2 4 4 8 2 4 4 8 10 0,3 0,3 0,3 0,3 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,35 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 2(10) 2 (10) 2 (10) 2 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 2 (10) 0,67 0,67 0,67 0,67 0,58 0,58 0,58 0,58 0,556 0,556 0,556 0,556 0,67 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 < АЛС362 Э,95 4 ,9 со_ ю ' 1 со' I. I I II ° II u 0 о' АЛС362А-1 АЛС362Б-1 АЛС362Д-1 АЛС362Е-1 АЛС362К-1 Красное Желтое Желтое Желтое Зеленое 2 4 2 4 2 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 3 3 3 3 3 2(10) 2(10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 0,655 0,655 0,66 0,66 0,552 12 12 12 12 12 4 4 4 4 4 АЛС362-1 9,95 А 1,9^ со_н ю ‘ к со" Е 1 II ( II 1 о о' АЛС364А-5 Красное 32 1,3 3 2 (3) 0,65 5 3 АЛС364 2,98 ,32 х 6, 38 0 АЛС366А-5 Красное 128 60 3 2(10) 0,66 5 3 АЛС366 ю 04 ] .32 ( S,7 г 0
Параметры линейных шкал 475 Тип Излучение (свечение) Кол-во сегмен- тов 1и, МИД (кд/м2) 8Iv одного сегмен- та, не более (раз) Unp, (при 1Пр, мА), В Хтах» мкм Inp,max, мА Uo6p»max, В Корпус АЛС367А-5 Красное 200 70 3 2(10) 0,66 5 3 АЛС :зб7 о 1 со" ж 0,32 20,3 г КИПТ02-50Л-5 Зеленое 50 35 3 3,7 (10) 0,56 4 5 КИПТ02 сч со’ 0,32 6,26 г КИПТ03А-10Ж КИПТОЗА-ЮЛ Желтое Зеленое 10 10 0,25 0,25 3 3 3,5 (10) 3,5 (10) 0,66 0,555 12 12 4 4 КИПТОЗ 9,95 4,9 , 10' со’ — у 1 н
476 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы 6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В А/щах, мкм АЛ113А Красное 3x2 (600) 2 (5) 0,68 АЛ113Б Красное 3x2 (350) 2(5) 0,68 АЛ113В Красное 3x2 (120) 2 (5) 0,68 АЛ113Г Красное 3x2 (350) 2 (5) 0,68 АЛ113Д Красное 3x2 (120) 2 (5) 0,68 АЛ113К Красное 2х 1,3 (600) 2 (5) 0,68 АЛ113Л Красное 2 х 1,3 (350) 2 (5) 0,68 АЛ113М Красное 2 х 1,3 (120) 2 (5) 0,68 АЛ113Е Красное 3x2 (600) 2 (5) 0,68 АЛ113Ж Красное 3x2 (350) 2 (5) 0,68 АЛ113И Красное 3x2 (120) 2 (5) 0,68 АЛ113Н Красное 2 х 1,3 (600) 2 (5) 0,68 АЛ113Р Красное 2 х 1,3 (350) 2 (5) 0,68 АЛ113С Красное 2 х 1,3 (120) 2 (5) 0,68 АЛ304А Красное 3 (140) 2(5) — АЛ304Б Красное 3 (320) 2 (5) — АЛ304В Зеленое 3 (60) 3 (5) — АЛ304Г Красное 3 (350) 3 (5) АЛ305А Красное 6,9 (350) 4 (20) — АЛ305Б Красное 6,9 (200) 4 (20) — АЛ305В Красное 6,9 (120) 4 (20) — АЛ305Г Красное 6,9 (60) 6 (20) — АЛ305Д Зеленое 6,9 (120) 6 (20) — АЛ305Е Зеленое 6,9 (60) 6 (20) — АЛ305Ж Красное 6,9 (350) 6 (20) — АЛ305И Красное 6,9 (200) 6 (20) — АЛ305К Красное 6,9 (120) 6 (20) — АЛ305Л Красное 6,9 (60) 6 (20) — АЛ306А Красное 8,9 (350) 2 (10) — АЛ306Б Красное 8,9 (200) 2 (10) — АЛ306В Красное 8,9 (350) 3 (10) — АЛ306Г Красное 8,9 (200) 3 (10) — АЛ306Д Красное 8,9 (120) 3 (10) — АЛ306Е Красное 8,9 (60) 3 (10) — АЛ306Ж Зеленое 8,9 (120) 3 (10) — АЛ306И Зеленое 8,9 (60) 3 (10) -
Параметры цифро-буквенных индикаторов 477 8Iv, % Iv, децим, точки мкд 1пр> мА, 1пр,и» мА Рр. мВт Uo6p, max» В 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 5,5 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 — 5,5 — — 50 5,5 -60 11 264 — -60 — 11 264 — -60 — 11 264 — -60 11 264 -60 — 22 — — ±60 — 22 — — -60 — 22 — — ±60 — 22 — — -50 — 22 — — ±60 — 22 — — -60 — 22 — — ±60 — 22 — — -60 — 22 — — ±60 — 22 — — -60 — 11; 300* 792 — +60 — 11; 300* 792 — -60 — 11; 300* 1188 — +60 — 11; 300* 1188 — +60 — 11; 300* 1188 — +60 — 11; 300* 1188 — -50 — 11; 300* 1188 — +60 — 11; 300* 1188 — Корпус АЛ113 (А-Д), (К-М) 2,4 АЛ305 АЛ306 j/T 4 ' 1Ы flu 7,5 1 [] щ 21 Ш ф ф 7 г
478 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В Хщах, мкм АЛС311А Красное 3 0,4 2 (4) 0,65...0,66 АЛС312А Красное 7 (350) 2 (10) 0,65...0,66 АЛС312Б Красное 7 (150) 2 (10) 0,65...0,66 АЛС313А-5 Красное 2,6 57 1,65 (5) 0,66 АЛС314А Красное 2,5 (350) 2 (5) 0,65...0,67
Параметры цифро-буквенных индикаторов 479
480 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В Хтах, мкм АЛС318А Красное 2,5 0,95 1,9 (5) — АЛС318Б Красное 2,5 0,95 1.9 (5) — АЛС318В Красное 2,5 0,95 1,9 (5) — АЛС318Г Красное 2,5 0,95 1,9 (5) АЛС320А Красное 5 0,4 2(10) 0,62...0,67 АЛС320Б Зеленое 5 0,15 3(10) 0,55...0,57 АЛС320В Зеленое 5 0,25 3(10) 0,55...0,57 АЛС320Г Красное 5 0,6 2(10) 0,62...0,67 АЛС321А Желто-зеленое 7,5 0,12 3,6 (20) 0,56 АЛС321Б Желто-зеленое 7,5 0,12 3,6 (20) 0,56 АЛС322А-5 Красное 2,6 60 мккд 1,65 (5) 0,66 АЛС323А-5 Красное 2 50 мккд 1,65 (3) 0,66 АЛС324А Красное 7,5 0,15 2,5 (20) 0,65...0,67 АЛС324Б Красное 7,5 0,15 2,5 (20) 0,65...0,67 АЛС326А Красное 7,5 0,15 2,5 (20) 0,65...0,67 АЛС326Б Красное 7,5 0,15 2,5 (20) 0,65...0,67
Параметры цифро-буквенных индикаторов 481 8Iv, % IV, децим, точки МВД 1пр» мА, 1пр,и» мА Рр. мВт -50 — 40* 45 -50 — 40* 45 -50 — 40* 45 -50 40* 45 — — 12; 60* — — — 12; 60* — — — 12; 60* — 12; 60* <300 0,02 25 720 <300 0,02 25 720 30 — 16; 20* — иобр, max» В Корпус АЛС320 АЛС321 19,5 АЛС322-5 2 0,32 <200 4; 20* со с\Г АЛС323-5 5 0,32 <300 <300 0,05 0,05 25; 300* 25; 300* 500 500 5 5 |_ 1 J х 7,5 х АЛС324 Wni J. т <300 <300 0,08 0,08 25; 300* 25; 300* 375 375 5 5 1 АЛС326 19 «о. ! ! J 1 III |с
482 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В Хтах, мкм АЛС327А Желто-зеленое 7,5 0,12 3,6 (20) 0,55...0,61 АЛС327Б Желто-зеленое 7,5 0,12 3,6 (20) 0,55...0,61 АЛС328А Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС328Б Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС328В Красное 3,75 50 мккд 1.85 (3) — АЛС328Г Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) АЛС329А Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329Б Красное 2,5 50 мккд 1.85(3) — АЛС329В Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329Г Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329Д Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329Е Красное 2,5 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329Ж Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) АЛС329И Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) АЛС329К Красное 3,75 50 мккд 1,85(3) — АЛС329Л Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329М Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛС329Н Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) АЛСЗЗОА Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛСЗЗОБ Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛСЗЗОВ Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛСЗЗОГ Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛСЗЗОД Красное 3,75 50 мккд 1.85(3) — АЛСЗЗОЕ Красное 3,75 50 мккд 1,85 (3) — АЛСЗЗОЖ Красное 5 50 мккд 1.85 (3) — АЛСЗЗОИ Красное 5 50 мккд 1,85 (3) АЛСЗЗОК Красное 5 50 мккд 1,85(3)
Параметры цифро-буквенных индикаторов 483 8Iv, % Iv, децим, точки мкд 1пр, мА, 1пр,Иу мА ₽Р. мВт Uo6p, max» В <300 0,04 25; 300* 540 5 <300 0,04 25; 300* 540 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 5; 120* (1 мс) 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 5; 120* (1 мс) 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 — 5; 120* (1 мс) — 5 <200 5; 120* (1 мс) 5 Корпус АЛС327
484 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В А,тах» мкм АЛСЗЗЗА Красное 12 0,2 2 (20) — АЛСЗЗЗБ Красное 12 0,2 2 (20) — АЛСЗЗЗВ Красное 12 0,15 2 (20) — АЛСЗЗЗГ Красное 12 0,15 2 (20) АЛС334А Желтое 12 0,2 3,3 (20) АЛС334Б Желтое 12 0,2 3,3 (20) — АЛС334В Желтое 12 0,15 3,3 (20) АЛС334Г Желтое 12 0,15 3,3 (20) АЛС335А Зеленое 12 0,25 3,5 (20) — АЛС335Б Зеленое 12 0,25 3,5 (20) — АЛС335В Зеленое 12 0,15 3,5 (20) — АЛС335Г Зеленое 12 0,15 3,5 (20) АЛС337А Желтое 7,5 0,15 3,5 (20) 0,58 АЛС337Б Желтое 7,5 0,15 3,5 (20) 0,58 АЛС338А Зеленое 7 0,15 3,5 (20) — АЛС338Б Зеленое 7 0,15 3,5 (20) — АЛС338В Зеленое 7 0,15 3,5 (20) АЛС339А Красное 2,5 0,16 1,9 (3) 0,65
Параметры цифро-буквенных индикаторов 485 8Iv, % Iv, децим, точки мкд 1пр, мА, Inp,и* мА <300 0,1 25 <300 0,1 25 <300 0,08 25 <300 0,08 25 <300 0,1 25 <300 0,1 25 <300 0,08 25 <300 0,08 25 <300 0,12 25 660 <300 0,12 25 660 <300 0,08 25 660 <300 0,08 25 660 <300 0,05 25; 200* 700 <300 0,05 25; 200* 700 0,08 25; 200* 700 0,08 25; 200* 700 0,08 25; 200* 700 <300 5; 60* АЛС335 АЛС339
486 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В А.щах, мкм АЛС340А Красное 9 0,125 2,5 (10) АЛС342А Желтое 7,5 0,15 3,5 (20) 0,58 АЛС342Б Желтое 7,5 0,15 3,5 (20) 0,58 АЛС348А Зеленое 2,5 160 мккд 2,7 (5) 0,56 АЛС354А Красное 2,5 150 мккд 1.8 (5) 0,66
Параметры цифро-буквенных индикаторов 487 SIv, % IV, децим, точки МВД Inp, мА, Inp,и» мА Рр> мВт Uo6p, max, В Корпус <400 0,06 200* 550 <300 <300 0,05 0,05 25; 200* 25; 200* 700 700 <300 <180 8; 64* 4; 40* (1 мс) АЛС340 10.2 0,Ы 7,5 АЛС348 12 АЛС354 ЕЭ ЕЭ Ml E5 ез T (1 ф ф ф ф n 5_ t e»2fi»№ r АЛС342 15.5 5*25*15 & & s II1IH inn) НИИ Ml
488 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В Хтах» мкм АЛС355А-5 Красное 1,4 20 мккд 1,75 (3) 0,66 АЛС355Б-5 Красное 1,4 20 мккд 1,75 (3) 0,66 АЛС358А Зеленое 9 0,04 4(10) 0,56 АЛС358Б Зеленое 9 0,04 4(10) 0,56
Параметры цифро-букеенных индикаторов 489 8lv, % Iv, децим, точки мкд 1пр» мА, Inp,и, мА Рр. мВт Uo6p, max» В Корпус 3; 40* 5 АЛС355А-5 0,32 *" " 7,7 с ^вввИащД йаввВщ^ Q В g цнццд r-xL 3; 40* 5 АЛС355Б-5 ’’tgg* 7,7 T | |p] I Sf nnjjj. -Rl <400 <400 0,02 0,02 10*; 280 10; 280* 550 550 4 4 АЛС358 /2 i T r 7,5 >F re 41j|L||L||L|TU|U|L1|lJ ч! ! ! ж ¥ И х ф ф ф ф J 6*25‘15 .I1*
490 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при 1пр, мА), В ^4пах» мкм АЛС359А Зеленое 9 0,2 2 (20) 0,56 АЛС359Б Зеленое 9 0,2 2 (20) 0,56 АЛС363А Зеленое 9 0,1 2 (20) 0,55 КЛЦ201А Красное 18 2 4 (20) 0,65 КЛЦ201Б Красное 18 0,5 4 (20) 0,65 КЛЦ202А Красное 18 0,5 4 (20) 0,65 КЛЦ301А-5 Зеленое 2,6 20 мккд 2,5 (5) 0,55
Параметры цифро-буквенных индикаторов 491 SIv, % Iv, децим, точки мкд 1пру мА| 1пр,и> мА 50 0,1 22; 120* 50 0,1 22; 120* <400 >0,075 70* <300 0,1 25 <300 0,07 25 <300 0,07 25 <300 — 3; 40* Рр. мВт 350 350 Uo6p, max» В 3 3 Корпус АЛС359 АЛС363 КЛЦ301 2,2 0,32 со оГ
492 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при Inp, мА), В Хтах» мкм КЛЦ302А Зеленое 18 2 6 (20) 0,56 КЛЦ302Б Зеленое 18 0,5 6 (20) 0,56 КЛЦ401А Желтое 18 0,5 6 (20) 0,7; 0,57 КЛЦ402А Желтое 18 2 4 (20) 0,7; 0,57 КЛЦ402Б Желтое 18 0,5 6 (20) 0,7; 0,57 КИПВ01А-1/10К-5 Красное 2,4 60 мккд 1,75(1) 0,67 КИПЦ01А-1/7К Красное 7 1 3 (20) 0,67 КИПЦ01Б-1/7К Красное 7 1 3 (20) 0,67 КИПЦ01В-1/7К Красное 7 0,5 3 (20) 0,67 КИПЦ01Г-1/7К Красное 7 0,5 3 (20) 0,67 КИПЦ01Д-1/7К Красное 7 0,15 2,5 (5) 0,67 КИПЦ01Е-1/7К Красное 7 0,15 2,5 (5) 0,67
Параметры цифро-буквенных индикаторов 493 Slv, % Iv, децим, точки мкд 1пр» мА, 1пр,и» мА Рр. мВт иобр, max» В Корпус <300 <300 0,1 0,07 25 25 ИЗО ИЗО КЛЦ302 <300 0,07 1135 <300 <300 0,1 0,07 25 25 ИЗО ИЗО 10 10 10 10 КЛЦ401, КЛЦ402 <200 8; 60* 100 КИПВ01А-1/10К-5 2,2 <— 0,32 <300 <300 <300 <300 <300 <300 0,3 0,3 0,2 0,2 0,03 0,03 25; 25; 25; 25; 25; 25; 180* 180* 180* 180* 180* 180* 700 700 700 700 700 700 6 6 6 6 6 6 КИПЦ01А-Е1/7К 10.2 ДО 15,5 ед 6*2.5*15
494 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Излучение (свечение) Высота знаков, мм Iv одного сегмента, мкд (кд/м2) Unp (при 1пр, мА), В Хтаху МКМ КИПЦ02А-1/7КЛ КИПЦ02Б-1/7КЛ С управляемым цветом свечения Красное-зеленое 9 9 0,25 0,15 3,5 (20) 3,5 (20) Крас.-0,65 Зел.-0,57 Крас.-0,65 Зел.-0,57 КИПЦ04А-1/8К Красное 18 2 3,5 (20) 0,67
Параметры цифро-буквенных индикаторов 495 8Iv, % Iv, децим, точки мкд 1пр» мА, 1пр,и, мА ₽р. мВт иобр, max, В Корпус <300 <300 0,08 0,05 25; 180* 25; 180* <300 25; 180* 700 700 5 КИПЦ02А,Б1/7КЛ 5 1М 6»2&15 КИПЦ04А-1/8К 6*2,5*15 03 20
496 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы 6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов Тип Ризл, мВт (при 1пр, мА) Unp (при 1пр, мА), В Хщах, МКМ дх, мкм 1н, и (при 1пр, А), НС АЛ103А 21 (50) =£1,6 (50) 0,95 0,05 2 АЛ103Б 20,6 (50) 21,6 (50) 0,95 0,05 2 АЛ106А 20,2 (100) 21,7 (100) 0,92...0,935 — — АЛ106А 20,4 (100) 21,7 (100) 0,92...0,935 — — АЛ106В 20,6 (100) 21,7 (100) 0,92...0,935 АЛ107А 25,5 (100) 22 (100) 0,94...0,96 0,03 — АЛ107Б 29(100) 22 (100) 0,94...0,96 0,03 — АЛ107В >9 (100) 22 (100) 0,94...0,96 0,03 — АЛ107Г 212 (100) 22 (100) 0,94...0,96 0,03 АЛ108А 21,5 (100) <1,35 (100) 0,94 0,05 2 АЛ109А 0,2 (20) 1,2 (20) 0,94 0,04 2 АЛ115А 28,7 (100) 22 (50) 0,9... 1 2 АЛ118А 22 (50) 210* (500) 21,7 (50) 0,82...091 0,04 100 АЛ119А 240 (300) 23 (300) 0,93...0,96 1000 АЛ119Б 240 (300) 23 (300) 0,93...0,96 350
Параметры инфракрасных излучающих диодов 497
498 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы Тип Ризл, мВт (при Inp, мА) Unp (при Inp, мА), В Хтах, мкм ДА, мкм tn, и (при Inp, А), НС АЛ120А SO,8 (50) <2 (50) 0,88 0,05 10 АЛ120Б >1 (50) <2 (50) 0,88 0,05 20 АЛ123А >80* (1 А) >500* (10 А) <2 (300) 0,94 0,03 350 (1 А) АЛ124А S4 (100) <2 (100) 0,86 0,04 20 АЛС126А-5 >1,4 Вт (6 А) 28 (6 А) 0,8...0,81 АЛ132А >10 мкВт (50) <2 (50) 1,26 0,08 20 (100) АЛ 13 5 А >150 мкВт (100) <2 (100) 0,82...0,9 0,05 20 (100) АЛ136А-5 >0,6 (50) <1,9 (50) 0,82 0,04 14 (50) АЛ137А SO,22 (50) <3 (50) 0,81 0,05 7 (50)
Параметры инфракрасных излучающих диодов 499
500 Раздел 6. Оптоэлектронные приборы 6.6. Параметры диодных оптопар Тип Ubx (при 1вх, мА), В Ki (при 1вх, мА), % tw» tc (при Ibx, мА), нс 1вых,обр» мкА Виз» ГОм Спрох» пФ АОД101А 21.5 (10) >1 (10) 2100 (20) <2 >1 22 АОДЮ1Б 21,5 (10) S1.5 (10) 2500(20) <8 >1 22 АОДЮ1В 21,5 (10) >1,2 (10) 21000 (20) <2 >1 22 АОДЮ1Г 21,5 (10) >0,7 (10)