Автор: Нефедов А.В. Аксенов А.И.
Теги: общее машиностроение технология машиностроения телевидение микроэлектроника электроника справочник детали
ISBN: 5-98003-185-5
Год: 2005
Текст
А.И. Аксенов
А.В. Нефедов
ICI
r»
« СОЛОН »
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
Издание 5-е
доnопненное
Да, я разбираюсь в электронике".
Поэтому и устроился работать
давцом-консультантом
про-
в магазин
электронных компонентов и nрибо-
ей домашней лаборатории. Но самое
вую -
важное
покупатели особенные._
- это люди в нашем магазине.
Мне нравится общаться с лаку-
мы
единомышленники.
они
Мои
любят
-------
"'"--"-"~ро_н_"'~'-'
пателями, помогать им сориентиро-
Единая а~равочная служба:
ров "Чип и Диnм. Здесь я нашел то,
ваться
тел. : (095) 780-9509 (многоканальный)
что искал ;
электронных компонентов и расход-
приборы, инструменты,
конструкторы
-
все, что нужно для мо-
в
таком
большом
выборе
ных материалов, потому что я чувст-
факс:
(095) 631-3145
e-mail: sales@chipdip.ru
Все товары оптом в фирме "ЧИП ИНДУСТРИЯ". Тел./факс: (095) 780-9500 (многоканапьный)
."иn и DИn Aдpecaм<1raJMll08 411п мДмn:
Цектральный. r. Москва. ул. Беrова~ . д. 2 • r. Мос111", ул. Землl!Ж1Й Вал , д. 34 • r. Москва. ул . Гммро!!СWfО, д- 39
г. Москза , ул. Ив.Франко,д. 40, к. 1, стр. 2 • r.Москва, Т.Ц .'Эпектрон~llЗ fl<I Преаю', wесто 6-18
r.Москва Т.Ц. 'СзsелоеQ(Ий" , мостоD-25 • r.C.·Пerepбypr. Кро!iвер!(С-.ийnросn .. д 73,
тел. (812)232-83-06 , 232-59-87.e-mail:chipdip@mail .wplus. пet • г.Вороне•,Леt№Кmйпр-f,Д159
r. Ярославль, np. Леt111~. д 8а, тел. : (0852) 30·15-68. e-maU: chiiн;jip@yaroslavl.ru
::н:~:::;=ч
;;.
•i;
. :.!!!Л!:, '';~~!! !!i~~ .
щ
::.: .:.: · " __ · ·: . ·:::::: ·:
': ·.. ,.,:,". , i i::t: .~·
А~сенов, А. В. Нефедов
;1;
:·:::!.!i!ii!i~~M,~f' «Peмвi'jrm».
;;,
щш=~ t!Ш!!!ii!!ii!!!~~!Ш!:~,··
:~~=;
.. ~::
."·е ч~: :"
i'ш:·;т!:';. ,.
".:~·:~ ·н .tt; '?!.1; .~ . "
. ·; А· л
· ". ·у
"., . · п Р А В;! ~,!' м 1 ш i,;il:i.u :o
:;" . ,;!; 611 !ь
·,. 1Е
V
V
·
п
1
1
.~!~~~ А :~ •·1~~:В
.р
п ~iи
' 11!1150
·. · · · P~'l ,.i'!' ~:::,.,.
'1 ;·
::;:!::.
·.
.. ....
. .}'
".
~!::;:·
-
:!'j}·
;·:;, ·;;
Справq~ ное q,Ь собие
-----
...
~-=~!!~,:!!,.
,;;' :~;
"·,:i:i· i= _•. -":
..
"
"
......
Транзистор;';?/ биполярные
ДЦоды
ВаJг: ~капы
... . · '· · СтабилитронЬ1 и стабисторы
ТирЦ~торы
.
-;: ..
.~;,:::ЛiiПШ!i'':"'''':'''';'":.;; , ", ". "·
. '··· . .
:: ::::
'":.. .
.
..::~:.:;:·:,:;,,ii,:f!/j/rtJ,~i~tJ.eкmifipнны~ .приборы
..': · "."
.
..;
..."
~-'··=· ·
!-•<-· -'· ·· :::··
..•..
·• · :;;;::;=:;:.
' • •::;::·::·-,,.,· .• ,;,--.
".:":;~;"' · '
:.: .
•.•
Ан а л' ь;:~. ~ от е ч ·~ -~. ~,.!J;е";я:·: ;-: : :•;" ' ''"""'"'""':·:' ]!: ~~ .,~ .p , r . ~. ~ ~ :11. ·~ ~.х ' : !"П р и 6 о р о в
·•:i i~1iii.i11 ' ··= =1<1i i1:i;~':ii
~i~1ii~:ii~1iii
ii'' ::·
Издание 5-е, д
:рпненное и исправленное
~;;
'\)\Ме, р ква
co.ho fl';.Пpecc
\ :('",·20.05
::~:
....
:~;
.;_
~
УДК
ББК
621.397
32.94-5
А42
Серия «Ремонт», выпуск
59
Аксенов А. И., Нефедов А. В.
А42
Отечественные полупроводниковые приборы
СОЛОН-Пресс,
2005. -
584
с.: ил.
-
/
5-е изд., доп. и испр.
-
М.:
(Серия «Ремонт»)
ISBN 5-98003-185-5
В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой по
следовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполне
нию на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и
блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, светоизлучающие и инфракрасные
диоды, линейные шкалы и цифро-буквенные индикаторы, диодные и транзисторные оптопары.
По приведенным в книге приборам даны соответствующие аналоги.
5-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов.
Удобная форма поиска и восприятия информации об интересующих приборах дает "возмож
ность пользователю по достоинству оценить приобретенную им книгу. Она будет полезна широ
кому кругу специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре
монтом радиоэлектронной аппаратуры.
УДК
ББК
КНИГА -
621.397
32.94-5
ПОЧТОЙ
Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом по
фиксированной цене. Оформить заказ можно одним из двух способов:
1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20.
2. Передать заказ по электронной почте на адрес: magazin@solon-r.ru.
Бесплатно высылается каталог издательства по почте.
При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому
должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желате·
льно дополнительно указать свой телефон и адрес электронной почты.
Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства
«СОЛОН-Пресс». Для этого надо послать пустое письмо на робот-автоответчик по ад
ресу:
katalog@solon-r.ru
Получать информацию о новых книгах нашего издательства вы сможете, подписав
шись на рассылку новостей по электронной почте. Для этого пошлите письмо по адре
су.
news@solon-r.ru.
В теле письма должно быть написано слово
SUBSCRIBE.
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «Альянс-книга»
Тел:
(095) 258-91-94, 258-91-95
www.abook.rи
ISBN 5-98003-185-5
©Макет, обложка СОЛОН-Пресс,
2005
©А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, 2005
Содержание
3
Содержание
Об этом справочном пособии
Алфавитно-цифровой
......................................................... ~ .................................... 4
указатель приборов в справочном пособии ...................................... 6
обозначения и корпуса полупроводниковых приборов .................... 25
РАЗДЕЛ 1. Условные
1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов
.................... 25
1.2. Корпуса полупроводниковых приборов ........... " ............... "."""" ... " .... " .... "" ..... " ... """ .... "" ... " 27
1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные полупроводниковые приборы " .. """." 28
1.4. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов .. """""""""""" .... ". 29
1.5. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов"""""""""""""""""""""" 37
РАЗД ЕЛ 2. Биполярные транзисторы .............................................................................. 43
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов"""""""""".""""."""."""."" 45
2.2. Параметры биполярных германиевых транзисторов """"""."".".""" .... """"".".""""""".""" 48
2.3. Параметры бипQЛярных кремниевых транзисторов"""""."""""".".""""""".""."""""""""". 72
2.4. Параметры кремниевых сборок ."" ....... ""." .. "" ...... "" .... " ... """ .............. "" ............................ 216
РАЗДЕЛ
3.
Полевые транзисторы
.................................................................................. 224
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов .. " ................................................ 230
3.2. Параметры полевых транзисторов .. "" ....... """" .. " .. "" ... "." ... """."."."".""""" .. "" ............ " .. 234
РАЗД ЕЛ
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
4.5.
4.
Диоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.
Тиристоры
278
Виды приборов и основные параметры ... " ............... " ....... ""." ..... " ......... " .................... "" ....... 278
Буквенные обозначения параметров диодов"" ........ "" ............................................. " .............. 281
Параметры диодов, столбов и блоков ... " ......... " ....................................................................... 283
Параметры варикапов ................................................................ ""."."." ... """"."""."."." .... ". 31 О
Параметры стабилитронов и стабисторов ." .. """ ... """""""" .. " .. """ ... """"" .. " .... ".""". "" .. 324
РАЗДЕЛ
.................................................................................................... 354
5.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров .... "." ..... "." .... "" .. " ......... " ... " ... " ...... " 354
5.2. Параметры тиристоров .... " .......... " .... "" ....... """"""" ..... " .. " .. " .. "." .... "." ... "."" .. " .. "" .. "."." .. 358
РАЗДЕЛ
6.
Оптоэлектронные приборы
.......................................................................... 372
6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров ."" .. " ... """" .. "" .. """"".""" .. " .. " .. "". 372
6.2. Параметры светоизлучающих приборов."." ..... " ............... " .. "." .. "." ......... """" .. "" ... " .... "." .. 376
6.3. Параметры линейных шкал ... """ ....... " ....... " .. "" .... "" .............................................................. 380
6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов ............................................................................... 382
6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов ....................................................................... 402
6.6. Параметры диодных оптопар .................................................................................................... 406
6. 7. Параметры транзисторных оптопар ............... " .......... " ............................................................. 412
РАЗДЕЛ 7. Аналоги ......................................................................................................... 416
7 .1. О взаимозаменяемости полупроводниковых приборов .............................. " ............................. 416
7.2. Сокращенные обозначения зарубежных фирм и стран ................ " .......................................... 417
7.3. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов" ... """"" .... ""."" .... """ ....... "" .. """ .... "" 418
7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги .. "" .... """ ... "."."""". "" .... """ ..... " "" 421
7.5. Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов"""" .. """""""".""."." .... " 448
7.6. Буквенные обозначения зарубежных диодов."" .... " ............... """ ... "." ... " .... " ... " .. " .... """." .. 460
7.7. Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги""." .. """""""."" 465
7.8. Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги"" .. """" ....... "."" .... """".""" ........ ""." 473
7.9. Зарубежные оптоэлектронные приборы и их отечественные аналоги." ... """" ........ "" .... "." .. 474
7.10. Аналоги отечественных транзисторов""""."" .... "" .... " ... " ...... """." .... " ... ".""" .. " ... """."." 475
7 .11. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов """. """ .. " .. "." .. "" .... """"""" 483
7.12. Аналоги отечественных тиристоров."" ... """ .. ".""" .... "."""" .. "" ......... " ... """." ... "" ...... " .... 486
7 .13. Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов .............................................................. 487
Литература
Приборы,
................................................................................................................... 488
вошедшие в дополнение ................................................................................... 489
О
4
О
5
5
издании справочного пособия
издании справочного пособия
Справочное пособие представляет собой компактно сформированные таблицы, содержащие справоч
ную информацию по каждому типономиналу полупроводникового прибора от условного обозначения с
электрическими параметрами, до иллюстрации конструкции корпуса с габаритными размерами и
цоколевкой выводов.
5-е
издание
справочного
пособия
отличается
от
предыдущих
изданий
«Отечественные
полупроводниковые приборы. Справочное пособие» тем, что оно дополнено рядом новых биполярных
и полевых транзисторов, их аналогами и корпусами.
Для удобства пользования в справочном пособии приведены в табличной форме, в алфавитно
цифровой последовательности зарубежные полупроводниковые приборы и их отечественные прибли
женные аналоги. Даны сокращенные условные буквенные обозначения зарубежных приборов и фирм,
их производящих.
Работа со справочным пособием
Все приборы, вошедшие в пособие, расположены по классам в порядке последовательного возрастания
цифры третьего элемента условного обозначения
-
цифры, по которой классифицируются полупро
водниковые приборы по рассеиваемой мощности и предельной рабочей частоте.
Стандартизованные корпуса конструкций отечественных приборов с обозначениями и габаритны
ми размерами приведены в отдельном параграфе.
Алфавитно-цифровой указатель приборов, вошедших в книгу, построен на системе условных
обозначений полупроводниковых приборов (OCTl 1 336. 919-81).
Для определения фирмы изготовителя прибора приводятся их сокращенные обозначения, а также
сокращенные обозначения стран изготовителей приборов, которые приводятся в зарубежных каталогах
и справочнике
«DATA».
В справочном пособии систематизированы материалы книг,
выпущенных авторами ранее, в
частности «Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги», «Полупроводнико
вые оптоэлектронные приборы», «Бескорпусные полупроводниковые приборы», «Мощные транзисто
ры», и нескольких десятков статей, посвященных вопросам применения отечественных и зарубежных
изделий электронной техники.
Приборы, дополнившие это издание
Транзисторы
Тип прибора
КТ220А9
КТ220Б9
КТ220В9
КТ220Г9
КТ3143А
КТ3144А
КТ3184А9
КТ3184Б9
КТ3193А
КТ3193Б
КТ3193В
КТ3193Г
КТ3193Д
КТ3193Е
КТ3198А9
КТ3198Б9
КТ3198В9
КТ3198Г9
Стр.
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
540
Тип прибора
КТ3198Д9
КТ3198Е9
КТ3198Ж9
КТ3198А92
КТ3198Г92
KT3t09A9
КТ3199А91
КТ3199А92
KT320lA9
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
КТ529А
КТ530А
КТ538А
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
Стр.
540
540
540
540
540
542
542
542
542
542
542
542
542
542
542
544
544
544
Тип прибора
Стр.
Тип прибора
КТ6109Г
544
КТ738А
КТ6109Д
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
544
546
546
546
546
КТ739А
KT613lA
КТ6132А
КТ6135А9
КТ6135Б9
КТ6135В9
КТ6135Г9
КТ6135Д9
KT614lA9
КТ6141Б9
КТ6142А
КТ6142Б
КТ678АС
КТ731А
КТ731Б
КТ731В
КТ731Г
КТ8113А
КТ8113Б
KT8ll3B
КТ8163А
КТ8165А
КТ8165Б
КТ8165В
КТ8165Г
КТ8166А
КТ8166Б
КТ8166В
КТ8166Г
КТ8167А
КТ8167Б
КТ8167В
КТ8167Г
Стр.
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
546
548
548
548
548
1
О
5
издании справочного пособия
Тип· прибора
КТ8167Д
КТ8168А
КТ8168Б
КТ8168В
КТ8168Г
КТ8168Д
КТ8212А
КТ8212Б
КТ8212В
КТ8213А
К"r8213Б
КТ8213В
КТ8214А
КТ8214Б
КТ8214В
КТ8215А
КТ8215Б
КТ8215В
КТ8216А
IКТ8216Б
КТ8216В
КТ8216Г
КТ8216А1
КТ8216Б1
КТ8216В1
КТ8216Г1
КТ8217А
КТ8217Б
КТ8217В
КТ8217Г
КТ8217А1
КТ8217Б1
КТ8217В1
КТ8217Г1
КТ8218А
КТ8218Б
КТ8218В
КТ8218Г
КТ8218А1
КТ8218Б1
КТ8218В1
КТ8218Г1
КТ8219А
КТ8219Б
КТ8219В
КТ8219Г
КТ8219А1
КТ8219Б1
КТ8219В1
КТ8219П
КТ8224А
КТ8224Б
КТ8225А
КТ8228А
КТ8228Б
Стр.
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
548
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
550
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
552
Тип прибора
КТ8229А
КТ8230А
КТ8247А
КТ8248А1
КТ8251А
КТ8255А
КТ8261А
КТ8270А
КТ8271А
КТ8271Б
КТ8271В
КТ8272А
КТ8272Б
КТ8272В
КТ8290А
КТ9106АС-2
КТ9106БС-2
КТД8264А
КТД8264А5
АП354А-5
АП354Б-5
АП354В-5
АП355А-5
АП355J?-5
АП355В-5
АП356А-5
АП356Б-5
АП356В-5
АП357А-5
АП357Б-5
АП357В-5
АП358А-5
АП358Б-5
АП358В-5
АП381А-5
КП214А-9
КП383А-9
КП507А
КП508А
КП509А-9
КП509Б-9
КП509В-9
КП510А9
КП511А
КП511Б
КП523А
КП523Б
КП7128
КП7130А
КП7130Б
КП7130В
КП7131А-9
КП7132А
КП7133А
КП7134А
5
Стр.
552
554
554
554
554
554
554
554
556
556
556
556
556
556
556
556
556
556
556
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
558
560
560
560
560
560
560
560
560
560
560
560
562
562
562
562
562
562
562
Тип прибора
КП7135А
КП7136А
КП7137А
КП7138А
КП731А
КП731Б
КП731В
КП737А
КП737Б
КП737В
КП737Г
КП739А
'
КП739Б
КП739В
КП740А
КП740Б
КП740В
КП741А
КП741Б
КП742А
КП742Б
КП743А
КП743Б
КП743В
КП743А1
КП744А
КП744Б
КП744В
КП744Г
КП745А
КП745Б
КП745В
КП745Г
КП746А
КП746Б
КП746В
КП746Г
КП746А1
КП746Б1
КП746В1
КП746Г1
КП747А
КП748А
КП748Б
КП748В
КП749А
КП749Б
КП749В
КП750А
КП750Б
КП750В
КП750Г
КП750А1
КП750Б1
КП750В1
'
Стр.
564
564
564
564
564
564
564
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
566
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
568
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
570
572
572
572
.
Тип прибора
Стр.
КП751А
КП751Б
КП751В
КП751А1
КП751Б1
КП751В1
1
КП752А
1
КП752Б
КП752В
КП753А
КП753Б
КП753В
КП771А
КП771Б
КП771В
КП775А
КП775Б
КП775В
КП776А
КП776Б
КП776В
КП776Г
КП777А
КП777Б
КП777В
КП778А
КП779А
КП780А
КП780Б
КП780В
КП780АС1
КП781А
КП783А
КП784А
КП785А
КП786А
КП787.А
КП796А
КП936А
КП936Б
КП936В
КП936Г
КП936Д
КП936Е
КП936А-5
КП936Б-5
КП936В-5
КП936Г-5
КП936Д-5
КП936Е-5
КП962А
КП962А-5
КП963А
КП963А-5
572
572
572
572
572
572
572
572
572
572
572
572
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
574
576
576
576
576
576
576
576
578
578
578
578
578
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
580
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
6
Алфавитно-цифровой указатель приборов
в справочном пособии
Германиевые транзисторы
Тип
прибора
МП9А
МО10
МО10А
МОlОБ
мон
МОНА
МО13
МП13Б
МО14
МП14А
МО14Б
МП14И
MR15
МО15А
МО15И
МП16
МО16А
МО16Б
МО16Я1
МО16ЯН
МО20А
МО20Б
МП21В
МО21Г
МО21Д
МО21Е
МП25
МО25А
МП25Б
МО26
МО26А
МО26Б
027
027А
028
029
029А
030
МП35
МП36А
МО37А
МО37Б
МП38
МО38А
МО39
МО39Б
МО40
МО40А
МО41
МО41А
МО42
МО42А
МО42Б
Тип
Стр.
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
52
54
54
54
54
54
прибора
ГП08А
ГТf08Б
ГТ108В
ГТ108Г
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108Д
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТ115А
ГТН5Б
ГТ115В
rтнsr
rтнsд
ГТ122А
ГТf22Б
ГТ122В
ГТ122Г
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
0201Э
0201АЭ
0202Э
0203Э
0207
0207А
0208
0208А
0209
0209А
0210
0210А
0210Б
Тип
Стр.
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
.54
54
54
54
54
54
54
54
54
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
56
58
58
58
прибора
Тип
Стр.
прибора
Стр.
ГТ320Б
60
ГТ320В
60
ГТ321А
60
ГТ321Б
ГТ322В
60
60
60
60
60
60
60
60
ГТ322Г
60
ГТ322Д
60
ГТ322Е
ГТ309А
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
60
ГТ309Б
60
ГТ335Г
ГТ309В
ГТ335Д
ГТ309Г
60
60
ГТ309Д
60
П338Б
ГТ309Е
60
60
60
П338В
60
60
tт341В
П310Е
iIO
60
П346Б
60
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
62
64
64
П346В
64
П311А
60
П362А
ГТ3НБ
П362Б
64
64
rт311r
60
60
60
rт311д
60
П383Б-2
ГТ3НЕ
60
П383В-2
П3НЖ
0401
ГТ313А
60
60
-60
П402А
.,___
ГТ313Б
60
,П'402Б
ГТ313В
60
60
ГТ402В
02fOB
0210Ш
0213
0213А
0213Б
0214
0214А
0214Б
0214В
0214Г
0215
0216
0216А
0216Б
0216В
0216Г
0216Д
0217
0217А
0217Б
0217В
0217Г
ГТ305А
ГТ305Б
ГТ305В
П308А
ГТ308Б
П308В
ГТ308Г
ГТ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
П310Д
П3НВ
rт311и
П320А
П321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ329А
ГТ329Б
ГТ329В
ГТ329Г
ГТ33Од
ГТ33ОЖ
ГТ33ОИ
ГТ335А
ГТЗ35Б
ГТ335В
П338А
ГТ341А
П341Б
П346А
П376А
П383А-2
П402
П402Г
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
64
64
64
64
64
64
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
П402Д
П402Е
П402Ж
П402И
П403
0403А
П403А
ГТ403Б
ГТ403В
П403f
П403Д
ГТ403Е
ГТ403Ж
П403И
ГТ403Ю
ГТ404А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404f
Тип
Стр.
прибора
ГТ404Е
ГТ404Ж
ГТ404И
ГТ405А
ГТ405Б
П405В
ГТ405f
ГТ406А
0416
0416А
0416Б
0417
0417А
0417Б
0422
0423
0605
0605А
Тип
Стр.
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
ГТ404Д
7
прибора
Тип
Стр.
прибора
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
68
70
70
70
70
70
70
0606
0606А
0607
0607А
0608
0608А
0609
0609А
ГТС609А
ГТС609Б
ПС609В
ГТ612А-4
ГТ701А
П703А
ГТ703Б
П703В
ГТ703f
ГТ703Д
П705А
ГТ705Б
ГТ705В
П705f
П705Д
ГТ804А
ГТ804Б
ГТ804В
ГТ806А
ГТ806Б
П806В
П806f
ГТ806Д
ГТ810А
П905А
ГТ905Б
ГТ906А
ГТ906АМ
Стр.
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
Кремниевые транзисторы
Тип
прибора
КЕ702А
КЕ702Б
КЕ702В
КТ104А
КТ104Б
КТ104В
KT104f
КТ117А
КТ117Б
КТ117В
KT117f
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КТ119А
КТ119Б
КТ120А
КТ120Б
КТ120В
КТ120А-1
КТ120В-1
КТ120А-5
КТ120В-5
КТ127А-1
КТ127Б-1
КТ127В-1
КТ127f-1
КТ132А
КТ132Б
КТ133А
КТ133Б
КТ201А
КТ201Б
КТ201В
КТ201Г
КТ201Д
КТ201АМ
Стр.
514
514
514
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
72
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
Тип
прибора
КТ201БМ
КТ201ВМ
кт201rм
КТ201ДМ
КТ202А-1
КТ202Б-1
КТ202В-1
кт202r-1
КТ202Д-1
КТ203А
КТ203Б
КТ203В
КТ203АМ
КТ203БМ
КТ203ВМ
КТ206А
КТ206Б
КТ207А
КТ207Б
КТ207В
КТ208А
КТ208Б
КТ208В
KT208f
КТ208Д
КТ208Е
КТ208Ж
КТ208И
КТ208К
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ209В
КТ209В2
KT209f
КТ209Д
Тип
Стр.
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
74
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
76
прибора
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТ210А
КТ210Б
КТ210В
КТ211А-1
КТ211Б-1
КТ211В-1
КТ214А-1
КТ214Б-1
КТ214В-1
КТ214Г-1
КТ214Д-1
КТ214Е-1
КТ215А-1
КТ215Б-1
КТ215В-1
KT215f-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
КТ216А
КТ216Б
КТ216В
КТ218А-9
КТ218Б-9
КТ218В-9
KT218f-9
КТ218Д-9
КТ218Е-9
КТ301
КТ301А
КТЗ01Б
КТ301В
Тип
Стр.
76
76
76
76
76
76
76
76
76
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
прибора
ктзо1r
КТ301Д
КТ301Е
КТ301Ж
КТ302А
78
78
78
78
78
КТ302Б
7~
КТ302В
78
78
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
82
82
82
82
82
82
кт302r
КТ306А
КТ306Б
КТ306В
KT306f
КТ306Д
КТ306АМ
КТ306БМ
КТ306ВМ
KT306fM
КТ306ДМ
0307
0307А
0307Б
0307В
0307f
КТ307А-1
КТ307Б-1
КТ307В-1
•
Стр.
KT307f-1
0308
0309
КТ3101А-2
КТ3101АМ
КТ3102А
КТ3102Б
КТ3102В
кт3102r
КТ3102Д
КТ3102Е
в
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КТ3102Ж
КТ3102И
КТ3102К
КТ3102АМ
КТ3102БМ
КТ3102ВМ
КТ3102ГМ
КТ3102ДМ
КТ3102ЕМ
КТ3102ЖМ
КТ3102ИМ
КТ3102КМ
КТ3104А
КТ3104Б
КТ3104В
КТ3104Г
КТ3104Д
КТ3104Е
КТ3106А-2
КТ3106А-9
КТ3107А
КТ3107Б
КТ3107В
КТ3107Г
КТ3107Д
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Л
КТ3108А
КТ3108Б
КТ3108В
КТ3109А
КТ3109Б
КТ3109В
КТ3114Б-6
KT3ll4B-6
KT3ll5A-2
KT3l15B-2
КТ3115Г-2
КТ3115Д-2
KT3ll7A-l
KT3ll7A
KT3ll7A9
КТ3117Б
КТ3117Б9
КТ312А
KT312Al
КТ312Б
КТ312Бl
КТ312В
КТ312В1
КТ3120А
КТ3121А-6
КТ3122А
КТ3122Б
КТ3123А-2
КТ3123Б-2
КТ3123В-2
КТ3123АМ
Стр.
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
82
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
84
490
84
490
84
490
84
490
84
490
84
86
86
86
86
86
86
86
Тип
прибора
КТ3123БМ
КТ3123ВМ
КТ3126А
КТ3126Б
КТ3126А-9
КТ3127А
КТ3128А
KT3128A-l
КТ3128Б-l
КТ3128А-9
КТЗ129А-9
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
КТ313А
КТ313Б
KT313A-l
КТ313Б-l
KT313B-l
КТ313Г-l
КТ3130А-9
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
КТ3132А-2
КТ3132Б-2
КТ3132В-2
КТ3132Г-2
КТ3132Д-2
КТ3132Е-2
КТ3139А
КТ3139Б
КТ3139В
КТ3139Г
КТ314А-2
КТ3140А
КТ3140Б
КТ3140В
КТ3140Г
КТ3140Д
КТ3142А
КТ3145А-9
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТ3145Г-9
КТ3145Д-9
КТ3146А-9
КТ3146Б-9
КТ3146В-9
КТ3146Г-9
КТЗ146Д-9
'
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
1
Стр.
86
86
86
86
86
86
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
88
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
90
92
92
92
92
92
92
Тип
прибора
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
KT315A-l
КТ315Б-1
KT315B-l
КТ315Г-1
КТ315Д-1
KT315E-l
КТ315Ж-l
КТ315И-l
KT315Hl
KT315Pl
КТ3150Б-2
KT315lA-9
КТ3151Б-9
КТ3151В-9
КТ3151Г-9
КТ315lД-9
КТ3151Е-9
КТ3153А-9
КТ3153А-5
КТ3157А
КТ316А
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ316ГМ
КТ316ДМ
КТ3165А
КТ3165А-9
КТ3166А
КТ3168А-9
КТ3169А-9
КТ3169А9-1
KT317A-l
КТ317Б-l
KT317B-l
КТ3170А-9
КТ3171А-9
КТ3172А-9
КТ3173А-9
КТ3176А-9
КТ3179А-9
1.П3184А9
КТ3184Б9
KT318A-l
КТ318Б-l
KT318B-l
КТ318Г-l
КТ318Д-l
KT318E-l
КТ3180А-9
КТ3186А-9
КТ3187А-9
КТ3187А-91
Стр.
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
92
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
94
96
96
96
96
96
96
96
96
96
98
490
490
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
Тип
прибора
КТ3187В-91
КТ3189А-9
КТ3189Б-9
КТ3189В-9
КТ3191А-9
КТ3191А-91
КТ3192А-9
КТ3196А-9
КТ3197А-9
КТ3198А
КТ3198Б
КТ3198В
КТ3198Г
KT319A-l
КТ319Б-l
KT319B-l
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
КТ321Г
КТ321Д
КТ321Е
1
KT324A-l
КТ324Б-1
KT324B-l
КТ324Г-l
КТ324Д-l
KT324E-l
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
КТ325АМ
КТ325БМ
КТ325ВМ
КТ326А
КТ326Б
КТ326АМ
КТ326БМ
KT331A-l
КТ331Б-l
KT331B-l
КТ331Г-l
KT332A-l
КТ332Б-l
KT332B-l
КТ332Г-l
КТ332Д-l
КТ333А-3
КТ333Б-3
КТ333В-3
КТ333Г-3
КТ333Д-3
КТ333Е-3
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
КТ337А
КТ337Б
Стр.
98
98
98
98
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
102
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
Алфаfwтно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
Стр.
Тип
КТ361В
КТ340В
104
104
104
104
104
104
104
104
104
104
КТ340Г
104
КТ361М
КТ340Д
104
104
104
104
104
106
106
106
106
106
КТ361Н
КТ337В
КТ339АМ
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТЗ42Г
КТ342АМ
КТ342БМ
КТ342ВМ
КТ342ГМ
КТ342ДМ
КТ361Г
КТ~61П
КТ361Д
КТ36Щ1
КТЗ61Е
КТ361Ж
КТ361И
КТ361К
КТ361Л
КТ361П
КТ361А-2
КТ361А-3
КТ361Б-2
КТ361В-2
КТ361Г-2
КТ361Г-3
КТ36Щ-2
КТ361Д-3
КТ34ЗА
)06
КТ361Е-2
КТ34ЗБ
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
108
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
КТ361Ж-2
КТ343В
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ348В-3
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
КТ350А
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
КТ354А-2
КТ354Б-2
КТ355А
КТ355АМ
КТ357А
КТ357Б
КТ357В
КТ357Г
КТ358А
КТ358В
КТ358В
КТ359А-3
КТ359Б-3
КТ359В-3
КТ360А-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
КТ361А
КТ361А1
КТ361Б
/
КТ361И-2
КТ361К-2
КТ361Л-2
КТ361М-2
КТ361Н-2
КТ361П-2
КТ363А
КТ363Б
КТ363АМ
КТЗ63БМ
КТ364А-2
КТ364Б-2
КТ364В-2
КТ366А
КТ366Б
КТ366В
КТ368А
КТ368Б
КТ368А-5
КТ368А-9
КТ368Б-9
КТ368АМ
КТ368БМ
КТ369А
КТ369Б
КТ369В.
КТ369Г
КТ369А-1
КТ369Б-1
КТ369В-1
KT369f-1
КТ370А-1
КТ370Б-1
КТ370А-9
КТ370Б-9
КТ371А
КТ371АМ
КТ372А
Тип
Стр..
прибора
-·
110
110
110
110
110
i 10
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
112
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
116
9
прибора
КТ381Г
КТ381Д
116
КТ511К9
КТ381Е
116
116
116
118
118
118
118
118
118
118
118
120
120
120
120
120
120
120
120
120
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
122
КТ512А9
КТ372В
КТЗ73А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
КТ375А
КТ375Б
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
КТ380А
КТ380Б
КТ380В
КТ381Б
КТ381В
КТ382А
КТ382Б
КТ382АМ
КТ382БМ
КТ384А~
КТ384АМ
КТ385А-2
КТЗ85АМ
КТ388Б-2
КТ388БМ-2
КТ389Б-2
КТЗ91А-2
КТ391Б-2
КТ391В-2
КТ392А-2
КТ396А-2
КТ396А-9
КТ397А-2
КТ399А
КТЗ99АМ
КТ501А
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
ктsощ
КТ501Е
КТ501Ж
КТ601И
КТ501К
КI501Л
КТ501М
КТ502А
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
КТ502Е
КТ503А
КТ503Б
~
КТ503В
ктsозr
Стр.
прибора
116
116
· 116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
116
КТ372Б
'
Тип
Стр.
КТ503Д
КТ503Е
КТ504А
КТ504Б
КТ504В
КТ505А
КТ505Б
КТ506А
КТ506Б
КТ509А
КТ511А9
КТ5НБ9
КТ511В9
КТ511Г9
КТ51Щ9
КТ511Е9
КТ511Ж9
КТ5НИ9
КТ512Б9
КТ512В9
КТ512Г9
КТ512Д9
КТ512Е9
КТ512Ж9
КТ512И9
КТ512К9
КТ513А9
КТ51ЗБ9
КТ513В9
КТ513Г9
КТ513Д9
КТ514А9
КТ514Б9
КТ514В9
КТ514Г9
КТ514Д9
КТ515А9
КТ515Б9
КТ515В9
КТ516А9
КТ516Б9
КТ516В9
КТ517А
КТ517Б
КТ517В
КТ517Г
КТ517Д
КТ517Е
КТ517А-1
КТ517Б-1
КТ517В-1
КТ517Г-1
КТ517Д-1
КТ517Е-1
КТ517А-9
КТ517Б-9
КТ517В-9
КТ517Г-9
КТ517Д-9
-
122
122
122
122
122
122
122
122
122
124
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
490
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492
492/
492
492
492
492
492
492
Алфавитно-цифровой_ указатель приборов в пособии
10
Тип
прибора
КТ517Е-9
КТ519А
КТ519Б
КТ519В
КТ520А
КТ520Б
КТ521А
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
КТ523В
KT523f
КТ523Д
КТ523А9
КТ523Б9
КТ523В9
KT523f9
КТ523Д9
КТ524А
КТ524А-5
КТ525А
КТ525А-5
КТ526А
КТ526А-5
КТ528А9
КТ528Б9
КТ528В9
KT528f9
КТ528Д9
КТ601А
КТ601АМ
КТ602А
КТ602Б
КТ602В
KT602f
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604А
КТ604Б
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605А
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608А
КТ608Б
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
'
Стр.
492
492
492
492
492
492
494
494
494
494
494
494
494
494
•494
494
494
494
494
494.
494
494
494
496
496
496
496
496
496
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
тип
Стр.
прибора
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ610А
КТ610Б
КТ6102А
КТ6103А
КТ6104А
КТ6105А
КТ6107А
КТ6108А
K'f611A
КТ611Б
КТ611В
KT611f
КТ611АМ
КТ611БМ
КТ6НОА
КТ6110Б
КТ6110В '
KT6110f
КТ6110Д
КТ6111А
КТ6111Б
КТ6111В
КТ6111Г
КТ6112А
КТ6112Б
КТ6112В
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6113В
КТ6НЗГ
КТ6113Д
КТ6113Е
КТ6114А
КТ6114Б
КТ6114В
KT6114f
КТ6114Д
КТ6114Е
КТ6115А
КТ6115Б
КТ611~В
КТ6115Г
КТ6115Д
КТ6115Е
КТ6116А
КТ6117А
КТ6127А
Кt6127Б
КТ6127В
KT6127f
КТ6127Д
КТ6127Е
КТ6127Ж
КТ6127И
КТ6127К
КТ6128А
КТ6128Б
КТ6128В
KT6128f
.
Тип
прибора
КТ6128Д
126
КТ6128Е
126
КТ6129А-9
128
КТ6129Б-2
128
КТ6130А-9
128
КТ6133А
128
КТ6133Б
128
КТ6133В
128
128
КТ61З4А
КТ6134Б
128
КТ6134В
128
КТ6135А
128
КТ6135Б
128
КТ6135В
128
КТ6135Г
128
КТ6136А
128
128
КТ6137А
КТ6138А
128
КТ6138Б
128
КТ6138В
128
КТ6138Г
128
КТ6138Д
128
КТ6139А
128
КТ6139Б
128
КТ6139В
128
KT6139f
128
КТ6139Д
128
КТ6140А
128
КТ616А
128
КТ616Б·
128
КТ617А
128
КТ618А
128
КТ620А
128
КТ620Б
128
КТ624А-2
130
КТ624АМ-2
130
КТ625А
130
КТ625АМ
130
КТ625АМ-2
130
КТ626А
130
КТ626Б
130
КТ626В
130
KT626f
130
130/ . КТ626Д
КТ629А-2
130
КТ629Б·2
130
КТ629БМ-2
130
КТ630А
130
КТ630Б
130
КТ630В
130
KT630f
130
КТ630Д
13Q
КТ630Е
130
'КТ630А-5
130
КТ6ЗОБ-5
130
КТ630В-5
130
KT630f-5
130
.
КТ632Б
496
КТ632Б-1
496
КТ633А
496
КТ63ЗБ
496
Стр.
496
496
130
130
132
132
132
132
132
132
132
132
132
132
132
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
496
132
132
132
132
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
134
136
136
136
136
136
136
136
136·
136
136
136
136
. 136
136
136
Тип
Стр.
прибора
КТ634А-2
КТ6З4Б-2
КТ635А
КТ635Б
КТ637А-2
КТ63~-2
КТ638А
КТ638А1
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
KT639f
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ639А-1
КТ639Б-1
КТ639В-1
KT639f-l
КТ639Д-1
КТ639Е-1
КТ639Ж-1
КТ639И-1
КТ640А-2
КТ640Б-2
КТ640В-2
КТ642А-2
КТ642А-5
КТ643А-2
КТ644А
КТ644Б
КТ644В
KT644f
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ647А-2
КТ647А-5
КТ648А-2
КТ648А-5
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ657В-2
КТ657А-5
КТ657Б-5
КТ657В-5
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
КТ666А-9
КТ667А-9
КТ668А
КТ668Б
,
136
136
138
138
138
138
138
496
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
138
t38
138
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
140
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
142
144
144
144
144
144
144 144
144
144
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
Стр.
Тип
прибора
К1722А
КТ68ЗБ
144
514
144
146.
146
146
146
146
146
146
КТ68ЗВ
Н6
КТ734Б
ктвsзr
КТ734В
КТ685Е
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
146
КТ685Ж
Н6
КТ737В
КТ686А
146
146
146
146
146
146
146
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
148
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
КТ737f
КТ668В
КТ677А
КТ680А
КТ681А
КТ682А-2
КТ682Б-2
КТ682А-5
КТ682Б-5
КТ68ЗА
КТ68ЗД
КТ68ЗЕ
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ685Д
КТ686Б
КТ686В
KT686f
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
КТ692А
КТ695А
КТ698А
КТ698Б
КТ698В
KT698f
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
0701
П701А
П701Б
Пi02
П702А
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ710А
КТ712А
КТ7l2Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
KT716f
КТ719А
КТ720А
КТ721А
КТ72ЗА
КТ724А
КТ728А
КТ729А
КТ729Б
КТ7ЗОА
КТ732А
КТ7ЗЗА
КТ734А
КТ734Г
КТ735А
КТ735Б
КТ735В
кттзsr
КТ736А
КТ736Б
КТ736В
КТ736f
КТ737А
КТ737Б
КТ740А
КТ740А1
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ80ЗА
КТ805А
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
КТ807А
КТ807Б
КТ807АМ
КТ807БМ
КТ808А
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
J{T808f1
КТ808АЗ
КТ808БЗ
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
ктsоsrм
КТ.809А
КТ8101А
КТ8101Б
КТ8102А
КТ8102Б
КТ8104А
КТ8_105А
КТ8106А
КТ8106Б
КТ8107А
Стр.
11
Тип
прибора
150
· 1so
150
150
152
152
152
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
498
. 498
498
500
КТ8107Б
500
КТ8114А
152
152
152
152
152
152
. 152
152
152
154
154
154
154
154
500
КТ8Н4Б
500
500
КТ8121:&
500
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
156
156
156
156
156
КТ8121Б-1'
КТ8107В
КТ8107Г
КТ8107Д
КТ8107Е
КТ8107А2
КТ8107р2
КТ8107В2
KT8107f2
КТ8107Д2
КТ8107Е2
КТ8108А
КТ8108Б
КТ8108В
КТ8108А-1
КТ8108Б-1
КТ8108В-1
КТ8109А
КТ8109Б
КТ8110А
КТ811ОБКТ8110В
КТ8111А9
КТ8111Б9
КТ8111В9
КТ8112А
КТ8115А
КТ8115Б
КТ8115В
КТ8116А
КТ8116Б
КТ8116В
КТ8117А
КТ8Ц7Б
КТ8118А
КТ812А
КТ812:&
КТ812В
КТ8120А
КТ8121А
КТ8121А-1
КТ8121А-2
КТ8121Б-2
КТ812ЗА
КТ8124А
КТ8124Б
КТ8124В
КТ8125А
КТ8125Б
КТ8125В
КТ8126А
КТ8127А
КТ8127:&
КТ8127В
КТ8127А-1
КТ8127Б-1
КТ8127В-1
Тип
Стр.
156
156
156
156
156
156
. 156
156:
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
500
500
500
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
160
прибора
КТ8129А
КТ81ЗОА
КТ81ЗОБ
КТ81ЗОВ
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
КТ8134А
КТ81ЗSА
КТ8136А
КТ8136А-1
КТ8137А
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
ктstзsr
КТ8138Д
КТ8138Е
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8140А
КТ8140А-1
КТ8141А
КТ8141Б
КТ8141В
KT8141f
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
KT814f
КТ814ЗА
КТ814ЗБ
.
КТ814ЗВ
КТ814Зf
КТ814ЗД
КТ814ЗЕ
КТ814ЗЖ
КТ81433
КТ814ЗИ
КТ814ЗК
КТ814ЗЛ
КТ814ЗМ
КТ814ЗН
КТ814ЗП
КТ814ЗР
КТ814ЗС
КТ814ЗТ
КТ814ЗУ
КТ814ЗФ
КТ8144А
КТ8144Б
КТ8145А
КТ8145:&
КТ8146А
КТ8146Б
КТ8147А
КТ8147Б
КТ8149А
КТ8149А-1
КТ8149А-2
КТ8150А
Стр.
160
162
162
162
162
162
162
500
500
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
162
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
166
166
12
Алфавитно-цифровой указатель приб.оров в пособии
Тип
прибора
Тип
Стр.
прибора
<
КТ8150А-1
lбб
КТ818ВМ
КТ8150А-2
166
166
166
166
166
166
166
166
166
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
500
168
168
168
168
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
170
172
172
КТ818ГМ
КТ8154А
КТ8154Б
КТ8155А
КТ8155Б
КТ8156А
КТ8156Б
КТ8157А
КТ8157Б
КТ8158А
КТ8158Б
КТ8158В
КТ8159А
КТ8159Б
КТ8159В
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ8164А
КТ8164Б
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
КТ816А-2
КТ8170А-1
КТ8171А
КТ8175А
КТ8175Б
КТ8175А-1
КТ8175Б-1
КТ8176А
КТ8176Б
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
КТ8177В
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
КТ8181А
КТ8181Б
КТ8182А
КТ8182Б
КТ8183А
КТ818ЗБ
КТ8183А-1
КТ8183Б-1
КТ8183А-2
КТ8183Б-2.
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
КТ818АМ
КТ818БМ
КТ818А-1
КТ818Б-1
КТ818В-1
КТ818Г-1
КТ8196А
КТ8197А-2
КТ8197Б-2
КТ8197В-2
КТ8199А
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ819А-1
КТ819Б-1
КТ819В-1
КТ819Г-1
КТ8201А
КТ8203А
КТ8205А
КТ8207А
КТ8209А
КТ820А-1
КТ820Б-1
КТ820В-1
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
КТ822А-1
КТ822Б-1
КТ822В-1
КТ8231А
КТ8231А1
КТ8231А2
KT8232Al
КТ8232Б1
КТ8233А5
КТ8233Б5
КТ8233В5
КТ8234А5
КТ8234Б5
КТ8234В5
КТ8235А
КТ823А-1
КТ82ЗБ-1
КТ823В-1
КТ8240А5
.
КТ8240Б5
КТ8240В5
КТ8240Г5
КТ8240Д5
КТ8240Е5
КТ8240Ж5
КТ8241А5
КТ8241Б5
-
Стр.
172
172
172
172
172
172
502
502
502
502
502
172
172
172
172
172
172
172
172
' 172
172
172
172
502
502
502
504
504
172
172
172
172
172
172
172
172
172504
504
504
504
504
504
504
504
506
506
506
506
172
172
172
506
506
506
506
506
506
506
506
506
Тип
Стр.
прибора
Тип
прибора
КТ837М
КТ8242Б5
506
506
506
506
506
506
506
КТ8242В5
506
КТ837Ф
КТ8243А5
КТ838А
КТ8243Б5
506
506
КТ8243В5
. 506
КТ839А
КТ8241В5
КТ8241Г5
КТ8241Д5
КТ8241Е5
КТ8241Ж5
КТ8242А5
КТ8244А5
КТ8244Б5
КТ8244В5
КТ8244Г5
КТ8245А5
КТ8245Б5
КТ8245В5
KT8245f5
КТ8246А
КТ8246Б
КТ8246В
KT8246f
КТ8250А
КТ8250Б
КТ825Г
КТ825Д
КТ825Е
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ830А
КТ830Б
КТ830В
ктsзоr
КТ834А
КТ834Б
КТ834ВКТ835А
КТ835Б
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ~37Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
-
506
506
506
506
506
506
506
506
508
508
508
508
508
508
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174 1
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
174
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ838Б
КТ840А
КТ840Б
КТ840В
КТ841А
КТ841Б
КТ841В
КТ841Г
КТ841Д
КТ841Е
КТ842А
КТ842Б
КТ842В
КТ844А
КТ845А
КТ846А
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ848А
КТ850А
КТ850Б
КТ850В
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ85ЗВ
КТ853Г
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ856А
КТ856Б
КТ856А-1
КТ856Б-1
КТ857А
КТ858А
КТ859А
КТ862Б
КТ862В
КТ862Г
КТ863А
КТ863Б
J
Стр.
176
176
176
176
176.
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
176
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
178
180
180
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
13
1
Тип
прибора
КТ863В
КТ864А
КТ865А
КТ866А
КТ866Б
КТ867А
КТ868А
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ872В
КТ874А
КТ874Б
КТ878А
КТ878Б
КТ878В
КТ879А
КТ879Б
КТ885А
КТ885Б
КТ886А-1
КТ886Б-1
КТ887А
КТ887Б
КТ888А
КТ888Б
КТ890А
КТ890Б
КТ890В
КТ892А
КТ892Б
КТ892В
КТ89ЗА
КТ896А
КТ896Б
КТ897А
КТ897Б
КТ898А
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
КТ899А
КТ902А
КТ902АМ
К'Г903А
КТ903Б
КТ904А
КТ904Б
КТ907А
КТ907Б
КТ908А
КТ908Б
КТ909А
КТ909Б
КТ909В
КТ909Г
КТ9101АС
КТ9104А
КТ9104Б
КТ9105АС
КТ9109А
Тип
Стр.
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
182
1'82
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
182
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
184
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
186
188
188
прибора
КТ9111А
КТ9116А
КТ9116Б'
КТ911А
-
КТ911Б
КТ911В
КТ911Г
КТ912А
КТ912Б
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
КТ9115А
КТ911рБ
КТ9120А
КТ9121А
КТ9121Б
КТ9121В
КТ9121Г
КТ9125АС
КТ9126А
КТ9127А
КТ9127Б
КТ9128АС
КТ9130А
КТ9131А
КТ9132АС
КТ9133А
КТ9134А
КТ9134Б
КТ9136АС
КТ914А
КТ9141А
КТ9141А-1
КТ9142А
КТ9143А
КТ9143Б
КТ9143В
КТ9144А-5
КТ9144А-9
КТ9145А-5
КТ9145А-9
КТ9146А
КТ9146Б
КТ9146В
КТ9147АС
КТ9150А
КТ9151А
КТ9152А
КТ9153АС
КТ9153БС
КТ9155А
КТ9155Б
КТ9155В
КТ9156АС
КТ9156БС
КТ9157А
КТ9160А
КТ9160Б
КТ9160В
КТ9161АС
Стр.
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
508
508
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
508
508
192
192
192
192
192
192
192
192
194
194
194
194
194
194
194
194
194
194
508
194
194
194
508
196
196
196
196
510
196
196
196
196
196
196
Тип
прибора
КТ9164А
KT916GA
КТ916А
КТ916Б
КТ9173А
КТ9174А
КТ9176А
КТ9177А
КТ9180А
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
\
КТ9181А
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
КТ9189А-2
КТ9189Б-2
КТ9189В-2
КТ918А-2
КТ918Б-2
КТ9182А
КТ9190А
КТ9190А-4'
КТ9192А-2
КТ9192Б-2
КТ9193А
КТ9193Б
КТ9193А-4
КТ9193Б-4
КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
Стр.
196
196
196
196
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
198
510
510
510
198
198
198
510
510
512
512
512
512
512
512
198
198
198'
198
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
202
202
202
Тип
прибора
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ9ЗЗА
КТ9ЗЗБ
КТ934А
КТ934В
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
КТ935А
КТ936А
КТ936Б
КТ937А-2
КТ937Б-2
КТ938А-2
КТ938Б-2
КТ939А
КТ939Б
КТ940А
КТ940А1
КТ940А9
КТ940Б
КТ940Б1
КТ940Б9
КТ940В
КТ94ОВ1
КТ940А-5
КТ940Б-5
КТ940В-5
КТ942В
КТ94ЗА
КТ94ЗБ
КТ94ЗВ
КТ94ЗГ
Кt94ЗД
КТ944А
КТ945А
.КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
КТ946А
КТ947А
КТ948А
КТ948Б
КТ955А
КТ956А
КТ957А
КТ958А
КТ960А
КТ961А
КТ961А1
КТ961Б
КТ961Б1
КТ961В
КТ961В1
КТ961Г
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ96ЗА-2
'
/
Стр.
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
202
204
204
204
204
204
'204
204
512
512
204
512
512
204
512
204
204
204
204
204
204
204
204
204
206
206
514
514
514
206
206
206
206
206
206
206
208
208
208
514
208
514
208
514
208
208
208
208
208
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
14
Тиn
прибора
КТ96ЗБ-2
КТ96ЗА-5
КТ96ЗБ-5
КТ965А
КТ966А
КТ967А
КТ969А
КТ969А1
КТ969А-5
КТ970А
КТ971А
КТ972А
Стр.
208
208
208
208
208
210
210
514
210
210
210
210
Тип
Стр.
прибора
Тип
прибора
КТ972Б
21р
КТ981А
КТ972В
КТ98ЗА
КТ_97ЗГ
514
514
210
210
514
514
КТ976А
2(0
КТ986А
КТ977А
212
212
212
212
КТ986Б
КТ972Г
КТ97ЗА
КТЭ7ЗБ
КТ97ЗВ
КТ979А
КТ980А
КТ980Б
212
212
212
212
212
212
212
214
214
214
214
214
КТ98ЗБ
КТ98ЗВ
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
КТ986В
КТ986Г
КТ991АС
Тип
Стр.
прибора
КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
КТ996А-5
КТ996Б-5
КТ996В-5
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
Стр.
214
214
214
214
214
214
214
214
214
214
Кремниевые сборки
Тип
прибора
КТСЗОЗА-2
КТСЗIОЗА
КТСЗIОЗБ
КТСЗ10ЗА1
КТСЗ10ЗБ1
КТСЗ161АС
КТСЗ174АС-2
КТСЗ81Б
КТСЗ81В
КТСЗ81Г
КТСЗ8tд
КТСЗ81Е
КТСЗ93А
Стр.
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
216
218
Тип
Стр.
прибора
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
218
КТСЗ9ЗБ
КТСЗ9ЗА-1
КТСЗ9ЗБ-1
КТСЗ9ЗА-9
КТСЗ9ЗБ-9
КТСЗ94А-2
КТСЗ94Б-2
КТСЗ95А-1
КТСЗ95Б-1
КТСЗ95А-2
КТСЗ95Б-2
КТСЗ95В-2
КТСЗ98А-1
Тип
прибора
КТСЗ98Б-1
КТСЗ98А94
КТСЗ98Б94
КТС61ЗА
КТС61ЗБ
КТС61ЗВ
КТС61ЗГ
КТС622А
КТС622Б
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
Тип
Стр.
218
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
220
прибора
КТ674АС
КТ69ЗАС
К1НТ251
К1НТ661А
К129НТ1А-1
К129НТ1Б-1
К129НТ1В-1
К129НТ1Г-1
К129НТtд-1
К129НТ1Е-1
К129НТ1Ж-1
К129НТ1И-1
Стр.
220
220
222
222
222
222
222
222
222
222
222
222
Полевые транзисторы
Тип
прибора
АПЗ20А-2
АПЗ20Б-2
АПЗ24А-2
АПЗ24Б-2
АПЗ24В-2
АПЗ24Б-5
АПЗ25А-2
АПЗ26А-2
АПЗ26Б-2
АПЗ28А-2
АПЗЗОА-2
АПЗЗОБ-2
АПЗЗОВ-2
АПЗЗОВl-2
АПЗЗОВ2-2
АПЗЗОВЗ-2
АПЗЗ1А-2
АПЗЗ1А-5
АПЗЗ9А-2
АПЗ4ЗА-2
АПЗ4ЗА1-2
АПЗ4ЗА2-2
АПЗ4ЗАЗ-2
АПЗ44А-2
АПЗ44А1-2
АПЗ44А2-2
Стр.
234
234
·234
234
234
234
234
234
234
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
236
238
238
238
Тип
Стр.
прибора
АПЗ44АЗ-2
АП~44А4-2
АПЗ62А-9
АПЗ62Б-9
АПЗ79А-9
АПЗ79Б-9
АП602А-2
АП602Б-2
АП602В-2
АП602Г-2
АП602Д-2
АП60ЗА-2
АП603Б:2
АП60ЗА-1-2
АП60ЗБ-1-2
АП603А-5
АП60ЗБ-5
АП804А-2
АП604Б-2
АП604В-2
АП604Г-2
АП604А1-2
АП604Б1-2
АП604В1-2
АП604Г1-2
АП605А-2
,
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
Тип
прибора
Тип
Стр.
прибора
АП967Г-2
АП9ЗОА-2
240
240
240
240
240
240
240
240
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
242
АП9ЗОБ-2
242
КП10ЗИР1
АП9ЗОВ-2
242
244
244
244
КШОЗКРI
АП605А1-2
АП605А2-2
АП606А-2
АП606Б-2
АП606В-2
АП606А-5
АП606Б-5
АП606В-5
АП607А-2
АП608А-2
АП608Б-2
АП608В-2
АП608А-5
АП608Д-5
АП608Е-5
АП915А-2
АП915Б-2
АП925А-2
АП925Б-2
АП925В-2
АП967А-2
АП967Б-2
АП967В-2
АП967Д-2
АП967Е-2
АП967Ж-2
кп101r
КП101Д
КП101Е
КШОЗЕ
КП10ЗЕ9
КПIОЗЖ
КП10ЗЖ9
КПIОЗИ
КП10ЗИ9
КПIОЗК
КП10ЗК9
КПIОЗЛ
КП103Л9
КПIОЗМ
КП10ЗМ9
КП10ЗЕР1
КП10ЗЖР1
КП10ЗЛР1
КП10ЗМР1
КП150
Стр.
244
244
244
244
244
244
244
244
516
244
516
244
516
244
516
244
516
244
516
244
244
244
244
244
244
244
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
15
•
Тип
прибора
КП201Е-1
КП201Ж-1
КП201И-1
КП201К-1
КП201Л-1
КП202Д-1
КП202Е-1
КП240
КП250
КП301Б
КП301В
КП301f
КП302А
КП302Б
КП302В
КП302f
КП302АМ
КП302БМ
КП302ВМ
КП302fМ
КП303А
КП303А9
КП303Б
КП303Б9
КП303В
КП303В9
кпзозr
КП303f9
КП303Д
КП303Д9
КП303Е
КП303Е9
КП303Ж
КП303Ж9
КП303И
КП303И9
КП304А
КПЗО!)Д
КП305Е
КП305Ж
КП305И
КП306А
КП306Б
КП306В
КП307А
КП307А1
"КП307Б
~
КП307Б1
КП307В
КП307f
КП307f1
КП307Д
КП307Е
КП307Е1
КП307Ж
КП307Ж1
КП308А-1
КП308Б-1
КП308В-1
КП308f-1
КП308Д-1
Тип
Стр.
244
244
244
244
244
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
516
246
248
248
248
248
248
248
248
248
516
248
516
248
248
516
248
248
516
248
516
248
248
248
248
248
прибора
кnз~ол
КП310Б
К0312А
КПЗ12Б
КП313А
КП313Б
КП313В
КП314А
КП322А
КП323А-2
КП323Б-2
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327f
КП329А
КП329Б
КП340
КП341А
КП341Б
КП346А-9
КП346Б-9
КП346В-9
КП347А-2
КП350
КП350А
КП350Б
КП350В
КП361А
КП364А
КП364Б
КП364В
КП364Г
КП364Д
КП364Е
КП364Ж
КП364И
КП365А
КП365Б
КП382А
КП401АС
КП401БС
КП402А
КП403А
КП440
КП450
КП501А
КП501Б
КП502А
КП503А
КП504А
КП505А
КП510
КП520
КП530
КП540
КП601А
КП601Б
КП610
КП620
КП630
Тип
Стр.
248
248
248
248
248
248
248
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
252
252
252
252
252
.. 252
252
252
516
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
252
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
254
256
256
256
256
256
256
256
КП640
КП704А
КП704Б
КП705А
КП705Б
КП705В
КП706А
КП706Б
КП706В
КП707А
КП707Б
КП707В
КП707А1
КП707Б1
КП707В1
КП707В2
КП708А
КП708Б
КП709А
КП709Б
КП710
КП712А
КП712Б
КП712В
КП717А
КП717Б
КП717В
КП717Г
КП717Д
КП717Е
КП717А1
КП717Б1
КП717В1
КП717Г1
КП717Д1
КП717Е1
КП718А
КП718Б
КП718В
КП718Г
КП718Д
КП718Е
КП718А1
КП718Б1
КП718В1
КП718Г1
КП718Д1
КП718Е1
КП720
КП722А
КП723А
КП72ЗБ
КП723В
КП723Г
КП724А
КП724Б
КП725А
КП726А
КП727А
КП727Б
КП727В.
Тип
Стр.
прибора
.
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
256
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
258
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
260
прибора
КП727f
КП727Д
КП727Е
КП727Ж
КП728А
КП730
КП730А
КП731А
Kll733A
КП733Б
КП733В-1
КП734А
КП734Б
КП734В
КП734А-5
КП734Б-5
КП735А
КП735Б
КП735В
КП735Г
КП740
КП759А-5
КП759Б-5
КП759В-5
КП759Г-5
КП760А-5
КП760Б-5
КП760В-5
КП760Г-5
КП761А-5
КП761Б-5
КП761В-5
КП761Г-5
КП801А
КП801Б
КП801В
КП801Г
КП802А
КП802Б
КП804А
КП805А
КП805Б
КП805В
КП809А
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1
КП810А
КП810Б
КП810В
КП812А1
КП812Б1
КП812В1
Стр.
260
260
260
260
262
262
262
262
262
262
262
516
516
516
516
516
516
516
516
516
262
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518.
518
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
264
266
266
266
~фавитно-цифровой указатель приборов в пособии
16'
Тип
КП81ЗА
КП81ЗБ
КП81ЗА1
КП81ЗБ1
КП81ЗА1-5
КП81ЗБ1-5
КП814А
КП814Б
КП814В
КП814Г
КП814Д
КП814Е
КП814Ж
КП814И
КП814К
КП814Л
КП814М
КП814Н
КП814П
КП814Р
КП814С
КП814Т
КП814У
КП814Ф
КП817А
КП817Б
~
КП817В
КП820
кпsзо
КП840
КП901А
КП901Б
КП902А
КП902Б
КП902В
КП90ЗА
КП90ЗБ
Тип
Стр.
прибора
266
266
266
266
266
266
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
518
266
266
266
266
266
266
266
266
268
268
КП90ЗВ
КП904А
КП904Б
КП905А
КП905Б
КП905В
КП907А
КП907Б
КП907В
-
КП908А
КП908Б
КП921А
КП922А
,
КП922Б
КП922А1
КП922Б1
КП92ЗА
КП92ЗБ
КП92ЗВ
КП92ЗГ
КП928А
КП928Б
КП934А
КП934Б
КП937А
КП937А-5
КП938А
КП938Б
КП938В
КП938Г
КП938Д
КП944А
КП944Б
КП945А
КП945Б
КП946А
КП946Б
Тип
Стр.
прибора
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
268
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
270
272
272
272
272
272
272
прибора
Тип
Стр.
прибора
КП960Б
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
272
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
274
КП960В
2~4
КПСЗ16Е-1
КП961А
274
274
274
274
КПСЗ16Ж-1
КП948А
КП948Б
КП948В
КП948Г
КП951А-2
КП951Б-2
КП951В-2
КП95ЗА
КП95ЗБ
КП95ЗВ
КП-95ЗГ
КП95ЗД
КП954А
КП954Б
КП954В
КП954Г
КП955А
КП955Б
КП956А
КП956Б
КП957А
КП957Б
КП957В
КП958А
КП958Б
КП958В
КП958Г
КП959А
КП959Б
КП959В
КП960А
КП961Б
КП961В
КП961Г
КП961Д
КП961Е
КП964А
КП964Б
КП964В
КП964Г
КП965А
КП965Б
КП965В
КП965Г
КП965Д
КП971А
КП971Б
КП97ЗА
КП97ЗБ
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
КПС202А-2
КПС202Б-2
КПС202В-2
кпс202r-2
КПС20ЗА-1
КПС20ЗБ-1
КПС20ЗВ-1
кпс2озr-1
КПСЗ15А
КПСЗ15Б
КПСЗ16Д-1
КПСЗ16И-1
Стр.
274
274
274
274
274
274
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
276
Диоды, ,столбы, блоки
Тип
прибора
Тип
Стр.
прибора
283
283
283
283
Д9Ж
Д2Е
283
Д9М
Д2Ж
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
ДIО
Д2Б
Д2В
Д2Г
Д2Д
Д2И
Д7А
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж
Д9Б
Д9В
Д9Г
дзд
Д9Е
Д9И
Д9К
Д9Л
ДIОА
Д10Б
Д101
Д101А
Д102
Д102А
Кд102А
Кд102Б
Д103
ДIОЗА
Кд10ЗА
Кд10ЗБ
Д104
Тип
Стр.
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
283
284
284
284
прибора
Д104А
Кд104
Д105
Д105А
Кд105Б
Кд105В
Кд105Г
Д106
Д106А
Кд106А
ГД107А
ГД107Б
Кд109А
Кд109Б
Кд109В
АД110А
АД112А
ГД11ЗА
Кд116А-1
Тип
Стр.
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
284
285
285
285
285
285
285
285
прибора
Кд116Б-1
Кд126А
Кд127А
Кд128А
Кд128Б
Кд128В
Кд1ЗОАС
Д202
КД202А
Кд202В
Кд202Д
КД202Ж
Кд202К
Кд202М
Кд202Р
Д203
Кд20ЗА
Кд20ЗБ
Кд20ЗВ
Стр.
285
530
530
530
530
530
530
285
285
285
285
285
285
285
285
285
286
286
286
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
кд2озr
КД20ЗД
КД20ЗЕ
КД20ЗЖ
КД20ЗИ
КД20ЗК
КД20ЗЛ
КД20ЗМ
Д204
КД204А
КД204Б
КД204В
Д205
КД205А
КД205Б
КД205В
КД205f
КД205Д
\
КД205Е
КД205Ж
КД205И
КД205К
КД205Л
Д206
КД206А
КД206Б
КД206В
Д207
Д208
КД208А·
КД208А-1
Д209
КД209А
КД209Б
КД209В
КД209А-1
КД209Б-1
КД209В-1
КД209f-1
Д210
КД210А
КД210Б
КД210В
КД210f
КД210А1
КД210Б1
КД210В1
КД210f1
Д211
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212f
КД213А
КД21ЗБ
КД21ЗВ
кд21зr
Д214
Д214А
Д214Б
Д215
Тип
Стр.
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
286
287
287
287
287
2&7
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
287
530
530
530
530
287
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
Д215А
Д215Б
МД217
МД218
МД218А
КД221А
КД221Б
КД221В
КД221f
КД221А1
КД221Б1
КД221В1
КД221f1
КД221Д1
КД221Е1
КД222А-5
КД222Б-5
КД222В-5
Д223
Д22ЗА
Д22ЗБ
КД22ЗА
Д226
Д226А
Д226Е
КД226А
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е
МД226
МД226А
МД226Е
КД227fС
КД227ЕС
КД227ЖС
Д229А
Д229Б
Д229В
Д229Г
Д229Д
Д229Е
Д229Ж
Д229И
Д229К
Д229Л
Д231
Д231А
Д231Б
Д232
Д232А
Д232Б
Д233
Д233Б
Д234Б
Д237А
Д237Б
Д237В
Д237Е
Д237Ж
Тип
Стр.
прибора
.•
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
288
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
530
530
530
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
289
2S9
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
17
прибора
КД237А
КД237Б
КД238АС
КД238БС
КД238ВС
КД240А
КД240Б
КД240В
:КД240f
КД240Д
·Кд24ОЕ
КД240Ж
КД240И
КД240К
КД241А
Д242
д242А
д242Б
Д243
Д24ЗА
Д24ЗБ
КД24ЗА
КД24ЗБ
КД24ЗВ
КД24Зf
КД24ЗД
КД24ЗЕ
КД24ЗЖ
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244f
Д245
Д245А
Д245Б
Д246
д246А
д246Б
д247
Д247Б
КД247А
КД247Б
КД247В
КД247f
КД247Д
КД247Е
Д248Б
КД248А
КД248Б
КД248В
КД248Г
КД248Д
КД248Е
КД248Ж
КД248И
КД248К
КД249А
КД249Б
КД249В
КД257А
кд257Б
-
Стр.
530
530
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
291
530
530
530
530
530
530
530
530
530
531
531
531
291
291
Тип
Стр.
прибора
КД257В
КД257Г
КД257Д
КД258А
КД258Б
КД258В
КД258Г
КД258Д
-
КД259А
КД259Б
КД259В
IЩ268А
.........
КД268Б
КД268В
КД268Г
КД268Д
КД268Е
КД268Ж
КД268И
КД268К
КД268Л
КД269А
КД269Б
КД269В
КД269Г
КД269Д
КД269Е
КД269Ж
КД269И
КД269К
КД269Л
КД270А
КД270Б
КД270В
КД270Г
КД270Д
КД270Е
КД270Ж
КД270И
КД270К
КД270Л
КД271А
КД271Б
КД271В
КД271Г
КД271Д
КД271Е
КД271Ж
КД271И
КД271К
КД271Л
КД272А
КД272Б
КД272В
КД272Г
КД272Д
КД272Е
КД272Ж
КД272И
КД272К
КД272Л
~
291
291
291
292
292
292
292
292
531
531
531
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292 '
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
Алфавитно-.цифровой указатель приборов в пособии
18
Тип
прибора
КД27ЗА
КД27ЗБ
КД27ЗВ
КД27ЗГ
КД27ЗД
КД27ЗЕ
КД27ЗЖ-
КД27ЗИ
кд27ЗК
КД27ЗЛ
КД27ЗАС
КД27ЗБС
КД27ЗВС
КД27ЗГС
КД27ЗДС
КД27ЗЕС
КД275А
КД275Б
КД275В
КД275Г
КД275Д
КД275Е
кд280А
кд280Б
КД280В
КД280Г
КД280Д
КД280Е
КД280Ж
кд281А
КД281Б
КД281В
КД281Г
КД281Д
кд281Е
КД281Ж
КД281И
КД281К
кд281Л
КД281М
КД281Н
КД281П
КД292АС
КД292БС
КД2988А
КД2988Б
КД2988В
КД2989А
КД2989Б
КД2989В
КД2989А-1
КД2989Б-1
КД2989В-1
КД2991А
КД2994А
КД2994Б
КД2994В
КД2994Г
КД2995А
КД2995Б
КД2995В
Тип
Стр.
292
292
292
292
292
292
292
292
292
292
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
531
293
293
293
532
532
532
532
532
532
293
293
293
293
293
293
293
293
прибора
кд2995Г
КД2995Д
КД2996А
КД2996Б
КД2996В
КД2997А
КД2997Б
КД2997В
КД2998А
КД2998Б
КД2998В
КД2998Г
КД2998Д
КД2999А
КД2999Б
КД2999В
ДЗ02
Д303
ДЗО4
ДЗ05
КД401А
КД401Б
ГД402А
ГД402Б
ГД403АГД40ЗБ
ГД40ЗВ
КД407А
КД409А
КД409А-9
КД409Б-9
КД410А
КД410Б
КД411А
КД411Б
КД411В
КД411Г
КД411АМ
КД411БМ
КД411ВМ
КД411ГМ
КД412А
КД412Б
КД412В
КД412Г
КД41ЗА
КД413Б
КД416А
КД416Б
КД417А
КД419А
КД419Б
КД419В
КД419Г
КД419Д
КД424А
КД424В
КД424Г
КД50ЗА_
_КД50ЗБ
КД503В
Стр.
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
293
294
294
294
294
294
2,g.4
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
294
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
295
' 295
295
532
532
296
296
296
Тип
прибора
КД504А
ГД507А
ГД508А
ГД508Б
КД509А
КД510А
КД512А
КД512А1
КД51ЗА
КД514А
КД514А1
АД516А
АД516Г
КД518А
КД519А
КД519Б
КД520А
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД521Д
КД521А2
КД521Б2
КД521А9
КД522А
КД522Б
КД522А2
КД522Б2
КД522Б9
КД529А
КД529Б
КД529В
КД529Г
КД532А
;кд629АС
КД636АС
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
КД704АС
КД706АС9
КД707АС9
КД708А
КД708Б
КД708В
КД710А
КДiНА
КД80ЗАС9
КД805А
КД805А9
КД808А
КД810Х
КД811А
КД811Б
КД811В
КД811А-9
КД811Б-9
КД811В-9
Тип
Стр.
296
296
296
296
296
296
296
532
296
297
532
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
297
532
297
297
297
297
532
298
298
298
298
532
298
533
533
533
533
533
533
298
298
298
533
533
533
533
533
298
298
533
298
533
299
299
299
299
299
299
прибора
КД812А
КД812Б
КД812В
КД901А-1
КД1JО1Б-1
КД901В-1
КД9{)1Г-1
КД90ЗА
КД903Б
КД904А-1
КД904Б-1
КД904В-1
КД904Г-.1
КД904Д-1
КД904Е-1
КД906А
КД906Б
КД906В
КД906Г
КД906Д
КД906Е
КД907Б-1
КД1JО7В-1
КД908А
КД908АМ
КД909А
КД910А-1
КД910Б-1
КД910В-1
КД911А-1
КД911А-1
КД912А-3
КД912Б-З
КД912В-3
КД91ЗА-З
КД914А
КД914Б
КД914В
КД917А
КД917АМ
КД918Б-1
КД918В-1
КД919А
КД921А
КД921Б
КД922А
КД922Б
КД922В
КД92ЗА
КД927А
Д1004
Д1005А
Д1005Б
Д1006
Д1007
Д1008
Д1009
Д1009А
Д1011
КДС111А
КДС111Б
Стр.
533
533
533
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
299
300
300
300
300
300
300
300
300
' 300
300
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
302
533
533
302
302
302
302
534
302
302
302
302
302
302
302
302
303
303
303
Алфавитно-цифровой указатель приборов-в пособии
Тип
Стр.
прибора
КДС111В
КДС111А2
_
КДС111Б2
КДС111В2
КДСJЗ2А1
КДС132Б1
КДС132В1
КДС1ЗЗА1
КДС1ЗЗБ1
КДС1ЗЗВ1
КДС41ЗА
КДС41ЗБ
КДС41ЗВ
КДС414А
КДС414Б
КДС414В
КДС415А
КДС415Б
КДС415В
КДС52ЗА
КД~52ЗБ
КДС52ЗВ
КДС52ЗГ
КДС52ЗАМ
КДС52ЗБМ
КДС52ЗВМ
КДС52ЗГМ
КДС525А
КДС525Б
КДС525В
КДС525Г
'
КДС525Д
КДС525Е
КДС525Ж
КДС525И
КДС525К
КДС525Л
КДС526А
КДС526Б
КДС526В
КДС627А
КДС628А
КЦ10ЗА
КЦ105В
303
535
435
535
535
535
535
535
535
535
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
303
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
304
305
305
305
305
305
534
305
Тип
прибора
КЦ105Г
КЦ105В
КЦ106А
КЦ106Б
КЦ106В
КЦ106Г
КЦ106Д
КЦ108А
КЦ108Б
КЦ108В
КЦ109А
КЦ109АМ
КЦ111А
КЦ114А
КЦ114Б
КЦ117А
КЦU7Б
КЦ118А
КЦ118Б
КЦ122А
КЦ122Б
КЦ122В
КЦ201А
КЦ201Б
КЦ201В
КЦ201Г
КЦ201Д
КЦ201Е
КЦ206А
КЦ206Б
КЦ206В
КЦ208А
КЦЗ02А
КЦ302Б
КЦЗО2В
к·цзо2r
КЦЗОЗА
КЦЗОЗБ
кцзозв
кцзозr
кцзозд
-
КЦЗОЗЕ
кцзозж
КЦЗОЗИ
Тип
Стр.
305
305
306
306
306
306
306
306 '
306
306
306
534
306
306
306
306
306
534
534
534
534
534
306
306
307
307
307
307
534
534
534
307
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
534
19
прибора
Стр.
534
534
534
534
307
307
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
308
309
309
309
309
309
309
КЦЗОЗК
кцзозл
кцзозм
кцзозн
КЦ401А
КЦ401Г
КЦ402А
КЦ402Б
КЦ402В
КЦ402Г
КЦ402Д
КЦ402Е
КЦ402Ж
КЦ402И
КЦ40ЗА
КЦ40ЗБ
КЦ40ЗВ
КЦ40ЗГ
КЦ403Д
КЦ403Е
КЦ403Ж
КЦ40ЗИ
КЦ404А
КЦ404Б
КЦ404В
КЦ404Г
КЦ404Д
КЦ404Е
КЦ404Ж
КЦ404И
КЦ405А
КЦ405Б
КЦ405В
КЦ405Г
КЦ405Д
КЦ405Е
КЦ405Ж
КЦ405И
КЦ407А
КЦ409А
КЦ409Б
КЦ409В
КЦ409Г
КЦ409Д
Тип
прибора
КЦ409Е
КЦ409Ж
КЦ409И
КЦ410А
КЦ410Б
КЦ410В
КЦ412А
КЦ412Б
КЦ412В
КЦ417А
КЦ417Б
КЦ417В
КЦ418А
.
КЦ418Б
КЦ418В
КЦ418Г
КЦ418Д
КЦ419А
КЦ419А1
КЦ419А2
КЦ419Б
КЦ419Б1
КЦ419Б2
КЦ419В
КЦ419В1
КЦ419В2
КЦ419Г
КЦ419Г1
КЦ419Г2
КЦ419Д
КЦ419Д1
КЦ419Д2
КЦ419Е
КЦ419Е1
КЦ419Е2
КЦ419Ж
КЦ419Ж1
КЦ419Ж2
КЦ422А
КЦ422Б
КЦ422В
КЦ422Г
ГД404АР
Стр.
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
309
534
534
534
534
535
Варикапы
Тип
прибора
Д901А
Д901Б
Д901В
Д901Г
Д901Д
Д901Е
Д902.
КВ101А
КВ102А
КВ102Б
КВ102В
кв102r
Стр.
322
322
322
322
322
322
322
310
310
310
310
310
Тип
прибора
КВ102Д
КВ10ЗА
КВ10ЗБ
КВ104А
КВ104Б
КВ104В
КВ104Д
КВ104Е
КВ105А
КВ105Б
КВ106А
КВ106Б
Стр.
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
310
•
Тип
прибора
КВ107А
КВ107Б
КВ107В
КВ107Г
КВ109А
КВ109Б
КВ109В
КВ109Г
КВ109А-1
КВ109Б-1
КВ109В-1
КВ109Г-1
Стр.
310
310
310
310
310
310
310
310
312
312
312
312
Тип
прибора
КВ109А-4
КВ109Б-4
КВ109В-4
КВ109Г-4
КВ109Д-4
КВ109Е-4
КВ109Ж-4
КВ109А-5
КВ109Б-5
КВ109В-5
КВ109Г-5
КВ109Д-5
Стр.
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
20
Тип
КВ109Е-5
КВ109Ж-5
КВН О А
КВН ОБ
КВ110В
квноr
I(ВНОД
КВ110Е
КВС111А
КВС111Б
КВCtttA-2
КВС111Б-2
КВС111В-2
квс111r-2
КВ112А-1
КВ112Б-t
КВ113А
КВ113Б
КВ114А
КВ114Б
КВ115А
КВ115Б
КВ115В
КВ116А-1
КВ117А
КВ117Б -
КВ119А
КВС120А
КВС120Б
КВС120А-1
КВ121А
КВ121Б
Тип
Стр.
прибора
.
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
312
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
314
прибора
Стр.
Тип
прибора
КВ130А-9
КВ121Б-3
314
314
316
316
316
316
316
КВ121В-3
~16
КВ135А
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
316
318
318
318
318
318
318
318
318
КВ13GА
КВ121А-1
КВ121Б-1
КВ121А-2
КВ121Б-2
КВ121В-2
КВ121А-3
КВ121А-9
КВ121Б-9
КВ121В-9
КВ122А
КВ122Б
КВ122В
КВ122А-1
КВ122Б-1
КВ122В-1
КВ122А-4
КВ122Б-4
КВ122В-4
КВ122А-9
КВ122Б-9
КВ122В-9
КВ123А
КВ126А-5
КВ126АГ-5
КВ127А
КВ127Б
КВ127В
КВ127Г
КВ128А
КВ128АК
КВ129А
КВ130А
КВ132А
КВ131А-2
КВ134А
КВ134А-1
КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
КВ138А
КВ138Б
КВ139А
КВ140А-1
КВ140Б-1
КВ142А
КВ142Б
КВ143А
КВ143Б
КВ143В
КВ144А
КВ144Б
КВ144В.
КВ144Г
КВ144А-l
КВ144Б-1
КВ144В-1
КВ144Г-1
КВ146А
КВ148А9
Стр.
318
318
318
318
318
318
318
320
320
320
320
320
320
320. '
320
520
520
320
320
520
520
520
320
320
320
320
320
320
320
320
320
520
Тип
прибора
КВ148Б9
КВ148В9
КВ149А
1
КВ149А1
КВ149А2
КВ149А3
КВ149Б
·
КВ149Б1
КВ149Б2
КВ149Б3
КВ149В
КВ149В1
КВ149В2
КВ149В3
КВ149Г3
КВ152А
КВ153А-9
КВ154А
КВ155А-9
КВ156А-9
КВ157А-9
КВ163А
КВ163А9
КВ164А
КВ164А9
КВ165А
КВ165А9
КВ166А
КВ166А9
Стр.
520
520
322
520
520
520
322
520
520
520
322
520
520
520
520
322
322
322
322
.322
322
520
520
522
522
522
522
522
Щ2
Стабилитроны и стабисторы
Тип
прибора
Д219С
Д220С
Д223С
Д808
Д809
Д810
Д811
Д813
Д814А
Д814Б
Д814В
Д814Г
Д814Д
Д814А1
Д814Б1
Д814В1
Д814П
Д814Д1
Д814А2
Д815А
Д815Б
Д815В
Д815Г
Д815Д
Тип
Стр.
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
прибора
Д815Е
Д815Ж
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Г
Д816Д
Д817А
Д817Б
Д817В
Д817Г
Д818А
Д818Б
Д818В
Д818Г
Д818Д
Д818Е
КС102А
КС106А
КС106А-1
КС107А
КС107А1
КС108А
КС108Б
Стр.
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324
324 •
324
324
324
324
324
324
524
524
324
326
524
326
326
Тип
прибора
КС108В
КС113А
КС113В
КС115А
КС119А
КС121А
КС124Д-1
КС126А
КС126Б
КС126В
КС126Г
КС126Д
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
КС126Л
КС126М
КС126В1
КС126Г1
КС126Д1
КС127Д-1
КС128А
КС128Б
Стр.
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
Тип
прибора
КС128В
КС128Г
КС128Д
КС128Е
КС128Ж
КС128И
КС128К
КС128Л
КС128М
КС128В1
КС128Г1
КС128Д1
КС130Д-1
КС130Д-5
КС133А
·
КС133Г
КС133Д-1
КС136Д-1
КС139А
КС139Г
КС139Д-1
КС143Д-1
КС147А
КС147Г
Стр.
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
326
328
328
328
328
328
328
328
328
328
328
328
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тип
прибора
КС156А
КС156А9
KC156f
КС162А
КС162А2
КС162А-З
КС164М-1
КС166А
КС166Б
КС166В
КС168А
КС168А1
КС168В
КС168В2
КС168ВЗ
КС170А
КС175А
КС175Е
КС175Ж
КС175Ц
КС175А-2
КС175Ж-1
КС182А
КС182Е
КС182Ж
КС182Ц
КС182А2
КС182Ц-1
КСt90Б
КС190В
KC190f
КС190Д
КС191А
КС191Б
КС191В
КС191Е
КС191Ж
КС191М
КС191Н
КС191П
КС191Р
КС191С
КС191Т
КС191У
КС191Ф
КС191Ц
КС191А2
КС191Ж-1
КС191С1
КС191Т1
КС191У1
КС191Ф1
КС201В
KC201f
КС207А
Тип
Стр.
330
524
330
330
330
330
330
330
330
330
330
524
330
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
332
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
334
336
336
336
336
336
336
524
524
336
Стр.
прибора
Тип
КС417Е
КС212Ж
КС212Ц
~38
KC506f
КС21ЗБ.
338
338
338
338
338
338
338
340
340
340
340
340
340
524
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340
340 .
340
340
340
340
КС506Д
КС207В
КС208А
КС208Б
КС208В
КС210Б
КС210Е
КС210Ж
КС210Ц
КС210Б2
кс211:Б
КС211В
KC211f
КС211Д
КС211Е
КС211Ж
КС211Ц
КС211Ж-1
КС212Е
КС21ЗЕ
КС21ЗЖ
КС213Б2
КС215Ж
КС216Ж
КС216Ж-1
КС218Ж
КС220Ж
КС220Ж-1
КС222Ж
КС224Ж
КС224Ж-1
КС291А
КС405А
КС405Б
КС406А
КС406Б
КС407А
КС407Б
КС407В
KC407f
КС407Д
КС407Е
КС409А
КС410АС
КС412А
КС41ЗБ
КС415А
КС417А
КС417Б
КС417В
KC417f
КС417Д
r
Стр.
прибора
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
336
338
338
338
338
338
338
КС207Б
21
КС417Ж
КС4ЗЗА
КС4ЗЗА1
КС4~9А
КС439А1
КС447А
КС447А1
КС451А
КС456А
КС456А1
КС468Л
КС468А1
КС468А-9
КС482А
КС482А1
КС482А-9
КС506А
КС506Б
КС506В
КС507А
КС508А
КС508Б
КС508В
KC5_08f
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС509В
КС510А
КС510А1
КС511А
КС511Б
КС512А
КС512А1
КС51ЗА
КС515А
КС515А1
KC515f
KC515f1
KC515f-2
КС518А
КС518А1
КС520В
КС520В1
КС520В-2
КС522А
КС522А1
КС52ЗА
КС524А1
KC524f
KC524f-2
КС527А
-
340
340
342
524
342
526
342
526
342
342
526
342
526
342
342
526
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
342
344
526
344
344
344
526
344
344
526
344
526
344
344
526
344
526
346 .
346
526
528
528
346
346
346
Тип
Стр.
прибора
КС527А1
КС528А
'-
КС528Б
КС528В
KC528f
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
КС5ЗОА
КС5ЗОА-1
КС531В
КС531В1
КС531В-2
КС5ЗЗА
КС5ЗЗА1
КС535А
КС535Б
КС535В
KC535f
КС536А-1
KC539f
KC539f-2
КС547В
КС547В-2
КС551А
КС551А1
КС568В
КС568В-2
КС582А1
KC582f
KC582f-2
КС591А
КС591А1
КС596В
КС596В-2
КС600А
КС600А1
КС620А
КС6ЗОА
КС650А
КС680А
'
528
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
346
348
528
348
348
528
348
348
348
348
348
348
348
348
350
350
528
350
350
528
350
350
350
528
350
352
352
528
352
352
352
352
22
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
Тиристоры
Тип
прибора
КУ101А
КУ101Б
KY101f
KYIOIE
КУ102А
КУ102Б
КУ102В
KY102f
КУ103А
КУ103В
КУ104А
КУ104Б
КУ104В
KY104f
КУ105А
КУ105Б
КУ105В
KY105f
КУ105Д
КУ105Е
КУ108В
КУ108Ж
КУ108М
КУ108Н
КУ108С
КУ108Т
КУ108Ф
КУ108Ц
КУ109А
КУ109Б
КУ109В
KY109f
КУ110А
КУ110Б
КУНОВ
КУ111А
КУ111Б
КУ113В
KY113f
КУ120А
КУ120Б
КУ120В
КУ120А-5
КУ120Б-5
КУ120В-5
КУ121А
КУ121Б
КУ121В
КУ201А
КУ201Б
КУ201В
KY201f
КУ201Д
КУ201Е
КУ201Ж
Тип
Стр.
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
358
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
360
прибора
КУ201И
КУ201К
КУ201Л
КУ202А
КУ202Б
КУ202В
KY202f
КУ202Д
КУ202Е
КУ202Ж
КУ202И
КУ202К
КУ202Л
КУ202М
КУ202Н
КУ203А
КУ203Б
КУ203В
KY203f
КУ203Д
КУ203Е
КУ203Ж
КУ203И
КУ204А
КУ204Б
КУ204В
КУ208А
КУ208Б
КУ208В
KY208f
КУ210А
КУ210Б
КУ210В
КУ211А
КУ211Б
КУ211В
KY211f
КУ211Д
КУ211Е
КУ2НЖ
КУ2НИ
КУ215А
КУ215Б
КУ215В
КУ216А
КУ216Б
КУ216В
КУ218А
КУ218Б
КУ218В
KY218f
КУ218Д
КУ218Е
КУ218Ж
КУ218И
Стр.
360
360
360
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
362
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
364
Тип
прибора
КУ219А
КУ219Б
КУ219В
КУ220А
КУ220Б
КУ220В
KY220f
КУ220Д
КУ221А
КУ221Б
КУ221В
KY221f
КУ221Д
КУ222А
КУ222Б
КУ222В
KY222f
КУ222Д
КУ222Е
КУ224А
КУ228А1
КУ228Б1
КУ228В1
KY228f1
КУ228Д1
КУ228Е1
КУ228Ж1
КУ228И1
КУ239А
КУ239Б
КУ240А
КУ240Б
КУ240В
КУ501А
КУ502А
КУ503А
КУ503Б
КУ503В
КУ601А
КУ601Б
КУ601В
KY601f
КУ606А
КУ610А
КУ610Б
КУ610В
КУ701А
КУ701Б
КУ701В
KY701f
КУ701Д
КУ701Е
КУ701Ж
КУ701И
КУ702А
Тип
Стр.
364
364
364
364
364
364
364
364
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
366
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
368
Стр.
прибора
КУ702Б
КУ702В
KY702f
КУ702Д
КУ702Е
КУ706А
КУ706Б
КУ706В
КУ709А
КУ709Б
КУ709В
КУ709А-1
КУ709Б-1
КУ709В-1
КУ709А-2
КУ709Б-2
КУ709В-2
КУ710А
КУ710Б
КУ710В
КУ711А
КУ7НБ
КУ711В
КУ712А
КУ712Б
КУ712В
KY712f
КУ712А-1
КУ712Б-1
КУ712В-1
KY712f-1
КУ712А-2
КУ712Б-2
КУ712В-2
KY712f-2
КУ901А
КН102А
КН102Б
КН102В
кн102r
КН102Д
КН102Ж
КН102И
Д235А
д235Б
Д235В
Д235f
Д238А
Д238Б
Д238В
Д238f
Д238Д
Д238Е
!
368
368
368
368
368
368
368
368
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
536
538
538
538
5-38
538
538
538
538
538
538
538
538
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
370
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
23
Светоизлучающие приборы
Тип
Стр.
прибора
АЛ102А
\
,_АЛ102Б
АЛ102В
АД102f
АЛ102Д
АЛ102АМ
АЛ102БМ
АЛ102ВМ
АЛ102fМ
АЛ102ДМ
АЛ112А
АЛ112Б
АЛ112В
АЛ112f
АЛ112Д
АЛ112Е
АЛ112Ж
АЛ112И
АЛ112К
АЛ112Л
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
376
Тип
Стр.
прибора
376
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
377
·377
377
377
377
377
377
377
АЛ112М
АЛ301А
АЛ301Б
АЛ307А
АЛ307Б
АД307В
АД307f
АЛ307Д
АЛ307Е
АЛ307Ж
АЛ307К
АЛ307Н
АЛ307АМ
АЛ307БМ
АЛ307ВМ
АЛ307fМ
АЛ307ДМ
АЛ307ЕМ
АЛ307ЖМ
АЛ307КМ
Тип
прибора
АЛ307ЛМ
АЛ3{)7НМ
АЛ307ПМ
АЛ310А
АЛ310Б
АЛ310В
АЛ310f
АЛ310Д
АЛ310Е
АЛ316А
АЛ316Б
АЛ336А
АЛ336Б
АЛ336В
АЛ336f
АЛ336Д
АЛ336Е
АЛ336Ж
АЛ336И
АЛ336К
Стр.
377
377
377
377
377
377
377
377
377
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
Тип
прибора
АЛ336Н
АЛ341А
АЛ341Б
АЛ341В
АЛ341f
АЛЗ41Д
АЛ341Е
АЛЗ41И
АЛ341К
АЛ360А
АЛ360Б
КИПд21А-К
КИПД21Б-К
КИПД21В-К
КИПД23А-К
КИПД23А1-К
КИПД23А2-К
КЛ101А
КЛ104А
Стр.
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
378
379
379
379
379
Линейные шкалы
Тип
прибора
АЛС317А
АЛС317Б
АЛС317В
АЛС317f
АЛС343А-5
АЛС345А
АЛС345Б
АЛС345В
АЛС345f
Стр.
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
Стр.
прибора
АЛСЗ62А
АЛС362Б
АЛС362В
AJJC362f
АЛС362Д
АЛС362Е
АЛС362Ж
АЛС362И
АЛС362К
'
380
380
380
380
380
380
380
380
380
Тип
прибора
АЛС362Л
Стр.
380
Тип
прибора
АЛС364А-5
АЛС362М
380
АЛС366А-5
АЛС362Н
380
380
380
380
380
380
380
АЛС367А-5
АЛС362П
АЛС362А-1
АЛС362Б-1
АЛС362Д-1
АЛС362Е-1
АЛС362К-1
КИПТ02-50Л-5
КИПТО3А-l0Ж
КИПТ03А-10Л
Стр.
380
380
381
381
381
381
Цифро-буквенные индикаторы
Тип
прибора
АЛ113А
АЛ113Б
АЛ113В
АЛ113f
АЛ113Д
АЛ113К
АЛНЗЛ
АЛ113М
АЛ113Е
АЛ113Ж
АЛ113И
АЛ113Н
АЛ113Р
АЛ113С
АЛЗО4А
АЛ304Б
АЛ304В
АЛ304f
АЛ305А
АЛЗОSБ
Стр.
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
Тип
прибора
АЛ305В
АЛ305f
АЛ305Д
АЛ305Е
АЛ305Ж
АЛ305И
АЛ305К
АЛ305Л
АЛ306А
АЛ306В
АЛЗО6В
АЛ306f
АЛ306Д
АЛ306Е
АЛ306Ж
АЛ306И
АЛС311А
АЛС312А
АЛС312~
АЛС313А-5
Стр.
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
382
384
384
384
384
Тип
прибора
АЛС314А
АЛС318А
АЛС318Б
АЛС318В
АЛС318f
АЛС320А
АЛС320Б
АЛС320В
АЛС320f
АЛС321А
АЛС321Б
АЛС322А-5
АЛС323А-5
АЛС324А
АЛС324Б
АЛС326А
АЛС326Б
АЛt327А
АЛС327Б
АЛС328А
Стр.
384
386
386 386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
386
388
388
388
Тип
прибора
АЛС328Б
АЛС328В
АЛС328f
АЛС329А
АЛС329Б
АЛС329В
АЛС329f
АЛС329Д
АЛС329Е
АЛС329Ж
АЛС329И
АЛС329К
АЛС329Л
АЛС329М
АЛС329Н
АЛС330А
АЛС330Б
АЛСЗЗОВ
АЛС330f
АЛС330Д
Стр.
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
388
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии
24
Тип
прибора
АЛС330Е
АЛС330Ж
АЛС330И
АЛС330К
АЛС333А
АЛС333Б
АЛС333В
АЛС333Г
АЛС334А
АЛС334Б
АЛС334В
АЛС334Г
АЛС335А
АЛС335Б
Тип
Стр.
прибора
388
388
388
388
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
390
392
392
392
392
392
394
АЛС335В
АЛС335Г
АЛС337А
АЛС337Б
АЛС338А
АЛСЗ38Б
АЛС338В
АЛС339А
АЛС340А
АЛС342А
АЛС342Б
АЛС348А
АЛС354А
АЛС355А-5
Тип
Стр.
прибора
АЛС355Б-5
АЛС358А
АЛС358Б
АЛС359А
АЛС359Б
АЛС363А
КЛЦ201А
КЛЦ201Б
КЛЦ202А
КЛЦ301А-5
КЛЦ302А
КЛЦ302Б
КЛЦ401А
КЛЦ402А
Стр.
394
394
394
396
396
396
396
396
396
396
398
398
398
398
Тип
Стр.
прибора
398
398
398
398
398
398
398
398
400
400
400
КЛЦ402Б
КИПВ01А-1/10К-5
КИПЦ01А-1/7К
КИПЦО1Б-1/7К
КИПЦО1В-1/7К
КИПЦ01Г -1/7К
КИПЦО1Д-1/7К
КИПЦО1Е-1/7К
КИПЦ02А-1/7КЛ
КИПЦО2Б-1/7КЛ
КИПЦ04А-1/8~
Инфракрасные излучающие диоды
Тип
прибора
Тип
Стр.
прибора
402
402
402
402
402
402
АЛ103А
АЛ103Б
АЛ106А
АЛ106А
АЛ106В
АЛ107А
402
402
402
402
402
402
АЛ107Б
АЛ107В
АЛ107Г
АЛ108А
АЛ109А
АЛ115А
Тип
Стр.
прибора
Стр.
402
402
402
404
404
404
АЛ118А
АЛ119А
АЛ119Б
АЛ120А
АЛ120Б
АЛ123А
Тип
Стр.
прибора
404
404
404
404
404
404
АЛ124А
АЛС126А-5
АЛ132А
АЛ135А
АЛ136А-5
АЛ137А
Диодные опт·опары
Тип
прибора
АОД101А
АОД101Б
АОД101В
АОД101Г
АОД101Д
АОД107А
АОД107Б
АОД107В
АОД109А 3-к~н.
АОД109Б 3-каи.
Тип
Стр.
1
406
406
. 406
406
406
406
406
406
406
406
прибора,
АОД109В 2-каи.
АОД109Г 2•кан.
АОД109Д 2-кан.
АОД109Е 1-кан.
АОД109Ж 1-кан.
АОД109И 1-каи.
АОД112А-1
АОД120А-1
АОД120Б-1
АОД129А
Стр.
406
406
406
406
406
406
406
406
406
406
-
Тип
прибора
АОД129Б
АОД130А
АОД133А
АОД133Б
АОД134АС
АОД201А-1
АОД201Б-1
АОД201В-1
АОД201Г-1
АОД201Д-1
Стр.
406
408
408
408
408
408
408
408
408
408
Тип
прибора
АОД201Е-1
АОД202А
АОД202Б
КОД301А
КОД302А
КОД302Б
КОД302В
КОЛ201А
~
Стр.
408
408
408
410
410
410
410
410
Транзисторные оптопары
Тип
прибора
АОТ101АС
АОТ101БС
AOTIOIBC
АОТ101ГС
АОТ101ДС
АОТ101ЕС
АОТ101ЖС
АОТ101ИС
АОТ110А
АОТ110Б
Стр.
412
412
412
412
412
412
412
412
412
412
Тип
прибора
АОТ110В
АОТНОГ
АОТНОД
АОТ122А
АОП22Б
АОТ122В
АОП22Г
АОП23А
АОП23Б
АОП23В
Стр.
412
412
412
412
412
412
412
412
412
412
Тип
прибора
АОТ123Г
АОП26А
АОТ126Б
АОТ127А
АОТ127Б
АОТ127В
АОП27Г
АОТ128А
АОТ128Б
АОТ128В
Стр.
412
412
412
414
414
414
414
414
414
414
Тип
прибора
АОТ128Г
АОТ128Д
АОТ128Е
АОП35А
АОТ135Б
АОТ136А
АОТ136Б
Стр.
414
414
414
414
414
414
414
Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов
Раздел
25
Условные обозначения и корпуса_
1.
полупроводниковых приборов
1.1. Система
условных обозначений и классификация
полупроводниковых приборов
Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов широкого
применения основывается на ОСТ
11.336.919-81.
Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материала,
из которого ~зготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктивно-тех
нологические особенности.
Первый элемент обозначения. Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на ос
нове которого изготовлен полупроводниковый прибор.
Исходный материал
Условное обозначение
гили
к или
А или
и или
Германий или его соединения.
1
2
3
4
Кремний или его соещшения.
Соединения галлия (например, арсенид галлия).
Соединения индия (например, фосфид индия).
Второй элемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора.
,.
Подкласс (или группа) приборов
Условное обозначение
т
Транзисторы (за исключением полевых).
п
Транзисторы полевые.
д
Диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды.
к
Стабилизаторы тока.
ц
Выпрямительные столбы и блоки.
с
Стабилитроны, стабисторы и ограничители.
в
Варикапы.
л
Излучающие оптоэлектронные приборы.
о
Оптопары.
н
Тиристорные д11оды.
у
Тиристорные триоды.
и
Туннельные диоды.
г
Генераторы шума.
в
Приборы с объемным эффектом (приборы Ганна).
А
Сверхвысокочастотные диоды.
Третий элемент обозначения. Цифра, которая определяет основные функциональные возможности (допу
стимое значение рассеиваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту).
Условное
Назначение прибора
обозначение
Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк=О,3 Вт):
1
2
3
низкой частоты (fгр<З МГц)
средней частоты (fгр=З".30 МГц)
высокой частоты (fгр>ЗО МГц)
~
Раздел
26
1.
Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
Усповное
Назначение прибора
обозначение
Транзисторы средней мощности
4
низкой частоты
5
6
средней част_оты
( Рк=О,3 ... 1,5 Вт):
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мощности
7
низкой частоты
8
средней частоты
9
высокой и сверхвысокой частот
( Рк> 1,5 Вт):
Диоды выпрямительные с прямым током, А:
1
2
3
_не более
0,3
0,3 .. .10
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды)
Выпрямительные столбы с прямым током, А:
12
не более
0,3
0,3 .. .10
Выпрямительные блоки с прямым током, А:
3
не более
4
0,3 ... 10
0,3
Стабилитроны, стабисторы и ограничители с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее О ,3 Вт:
1
2
3
менее
10
10 ... 100
более 100
мощностью
0,3 ...5
Вт:
менее
10
10... 100
более 100
4
5
6
мощностью
7
менееlО
8
10 .. .100
более 100
9
5 ... 10
Вт:
Варикапы:
1
2
подстроечные
умножительные (варакторы)
....
Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядковый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов
-
напряжение стабилиза
ции и последовательность разработки.
Усповное
Назначение прибора
обозначение
От
01
От А
до
999
до Я ·
Определяет порядковый номер разработки технологического типа.
Для стабилизаторов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабили-
зации, а шестой элемент
-
п'оследовательность разработки.
·
Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по параметрам.
Условное
Назначение прибора
обозначение
От А до Я
(кроме букв 3, О, Ч)
Определяет классификацию (разбраковку) по
единой технологии.
параметрам приборов, изготовленных по
Корпуса полупроводниковых приборов
27
Для наборов· приборов, не соединенных электрически или соединенных по одноименному выводу,
после второго элемента обозначения добавляется буква «С».
Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисторов с парным подбором
после последнего элемента обозначения вводится буква «Р».
Для импульсных тиристоров после второго элемента обозначения вводится буква «И».
Для бескорпусных приборов после условного обозначения вводится (через дефис) дополнительная
цифра, показывающая конструктивное исполнение (модификацию):
1
2
3
4
5
6
9
с гибкими выводами без кристаллодержателя (подлоЖки);
с
с
с
с
с
гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
жесткими (объемными) вы~одами без кристаллодержателя;
жесткими (объемными) выводами на кристаллодержателе;
контактными площадками без кристаллодержателя (кристалл без выводов);
контактными площадками на кристаллодержателе (кристалл без выводов на подложке);
микросборки для поверхностного монтажа.
Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то
на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полоски). Цветовой код указывается в ТУ.
1.2. Корпуса
полупроводниковых приборов
Кристаллы полупроводникового прибора устанавливают в металлостеклянные, металлические с про
ходным изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной (пластмассовой) герметиза
цией и пластмассовые корпуса различных форм и размеров.
Металлостеклянный корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпач~а), герметично
соединяемых друг с другом электроконтактной и холодной сваркой или пайкой. Наружньiе металличе-
. ские детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь металлическое (золочение, никели
рование) или лакокрасочное покрытие. Выводы корпусов могут иметь одно- или двухстороннее
расположение и находиться с той стороны, которой прибор прижимается к теплоотводу или шасси
(направляться вниз), могут располагаться со стороны, противоположной контактирующей (об~1чно в
мощных приборах), например в корпусе КТ-4, а также могут иметь радиальное расположение (обычно
у ВЧ и СВЧ-транзисторов).
Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан с
корпусом или все выводы могут быть электрически изолированы от него. Для улучшения теплоотвода
с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто.используется держатель из
бериллиевой керамики, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изолято
ром и в то же время обладает высокой теплопроводностью.
Габаритные
и
присоединительные
стандартизированы ГОСТ
184 72-88.
размеры
корпусов
отечественных
диодов
и
транзисторов
По гаqаритно-присоединительным размерам ряд конструкций
корпусов с учетом международной стандартизации взаимозаменяем в нашей стране:
•
•
•
металлостеклянный корпус типа КТ-1 с двумя, тремя (аналогичный зарубежный корпус типа
ТО-18), четь~рьмя (ТО-72) или пят;ью выводами для транзисторов с рабочей частотой до 1,5 ГГц;
металлостеклянный корпус типа КТ-2 (ТО-5, ТО-39) для транзисторов малой и средней
мощности (до 15 Вт);
металлокерамический корпус типа КТ-4 (ТО-60), имеющий три изолированных вывода, крепя
щий болт и предназначенный для мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов;
• металлокерамические корпуса типов КТ-6, КТ-7 (ТО-61, ТО-63 соответственно) для транзисто
ров большой мощности (до 200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или тремя (для
•
высокочас:;готных транзисторов) изолированными от корпуса выводами;
металлостеклянные корпуса типов КТ-8, КТ-9 (ТО-66, ТО-3 соответственно) для транзисторов
большой мощности.
Корпуса диодов КД-2, КД-4, КД-6 соответствуют по габаритным размерам зарубежным корпусам
D0-35, D0-6, S0-45.
500
Корпус типа КТ-9 обычно используется для работы на частотах до 100."150 МГц, типа КТ-4 - до
МГц; для работы на более высоких частотах применяются специальные конструкч.ии.
На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают влиять паразитные
параметры корпуса: межэлектродные емкости, емкости электродов относительно корпуса и индуктив
ности выводов. Для работы на СВЧ (более
1
ГГц) индуктивность выводов должна быть менее
1 нГн.
Раздел
28
1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
В отличие от низкочастотных приборов, у высокочастотных выводы делаются короткими, толсты
ми, широкими и далеко расположенными друг от друга.
Были
разработаны
коаксильный
корпус
и
различные
модификации
ко.рпуса
с
полосковыми
выводами (для сопряжения с полосковыми линиями). Например, у коаксильного корпуса индуктив
ность общего .вывода О, 1 нГн, у керамического полоскового корпуса индуктивность эмиттерного вывода
0,275
нГн.
Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов существуют два способа монтажа кристалла в корпус: для схем с
ОЭ (эмиттер электрически связан с корпусом) и с ОБ (общей базой). Наилучшие результаты работы
усилительных транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме с ОБ (класс С), так как при этом
получаются высокие Кур и достигается лучшая стабильность усилителя. Транзисторы, включаемые по
схеме
с
ОЭ,
являются
оптимальными для
генераторов,
так
как
паразитные
параметры
корпуса
оказываются включенными в цепь обратной связи.
1.3. Особенности
пластмассовых корпусов и бескорпусные
полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы в пластмассовом корпусе имеют меньшую стоимость по сравнению с
аналогичными по электрическим параметрам приборами в металлостеклянных корпусах, но более
низкий диапазон температур окружающей среды, при которой они могут надежно работать.
Герметизация полимерами, применяемая как для маломощных, так и для мощных приборов,
осуществляется либо в виде монолитной конструкции (герметизирующий материал контактирует с
кристаллом), созданной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрессовкой
или формовкой, либо_ в виде капсульной конструкции, при которой контакт кристалла с герметизиру
ющим материалом отсутствует. Герметизация может быть односторонней (для мощных приборов) или
двусторонней (для маломощных приборов).
·
Пластмассовые приборы имеют высокую механическую прочность,
вибро- и ударопрочность.
Однако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет плохой отвод тепла. В ряде случаев
при использовании пластмассовых приборов в радиоэлектронной аппаратуре требуется дополнитель
ная магнитная и электрическая экранировка их корпуса.
За рубежом для ма{Iомощных транзисторов наиболее часто используются пластмассовые корпуса
типов R0-67 или SOT-54, ТО-92 (отечественный КТ-26), ТО-98, Х-55, для мощных транзисторов типов ТО-220 или SOT-78 (КТ-28), ТО-202 или SOT-128 (КТ-50), ТО-126 или SOT-32 (КТ-27), ТО-218
или
SOT-93
(КТ-43).
.
Для мощных приборов в качестве основания пластмассового корпуса и теплоотвода служит
металлическая пластина (например, медная), на которую непосредственно монтируется кристалл
прибора и запрессовывается пластмассой.
Следует отметить, что транзисторы в корпусах ТО-202 или
SOT-128
по сравнению с аналогичными
транзисторами в корпусах ТО-126 или
SOT-32 им.еют рассеиваемую мощность примерно на 20%
больше за счет имеющегося металлического радиатора с площадью поверхности 250 мм 2 , т.е. при
эксплуатации в одинаковых режимах температура переходов у них будет примерно на 20% ниже,
поэтому прогнозируемый срок их службы выше.
Существуют три способа монтажа приборов в аппаратуре: навесной, печатный и поверхностный.
Для поверхностного
монтажа
прим~няются специальные малогабаритные
пластмассовые корпуса
(например, отечественные КТ-46, КТ-47, аналогичные зарубежным SOT-23, SOT-89, а также SOT-143,
SOD-80), которые позволяют более эффективно использовать поверхность платы.
Технология поверхностного монтажа (SMT - Surface mount technology) дает возможность при
автоматизированном процессе сборки повысить плотность монтажа в
3
раза и уменьшить размеры плат,
т.е. уменьшить массогабаритные показатели аппаратуры, исключить технологический процесс изготовления отверстий на печатных платах, сократить время монтажа по сравнению с монтажом на платах
со сквозными отверстиями.
Бескорпусные приборы в виде кристаллов (пластин) с шариковыми, балочными, проволочными
или ленточными выводами, на керамических держателях, в малогабаритных пластмассовых корпусах
(КТ-46,
SOT-23, SOT-89) применяются в составе гибридных интегральных микросхем. При этом
осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы.
Необходимо отметить, что корпуса транзисторов КТ-16-1, КТ-17-1, КТ-18-1, КТ-19-1, КТ26-1,
КТ-28-1
имеют два вьщода; КТ-16-2, КТ-17-2, КТ-18-2, КТ-19-2, КТ-28-2
КТ-19В-З
-
четыре вывода.
-
три вывода; КТ-19А-3,
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов
.1.4.
29
Конструктивное исполнение стандартизованных
корпусов
транзисторов
t/J 5,81,
01/,95 - --
ф
~·
~",,
1'
~·
t-...'.
QJl,•.95
--
-
~""
·1w
1•
°"
~
t/J5,8'1 -
tA. '1.!J5
- --
·w
t::!".,
~·
1
11
1
'J J
))
t/JS,81
~
--
!J5 -
.,
~
JШ
1
r/J5,8'1
r/Jt.95
~
~"
-
..
~
t-..." /
1
r/J 5,8'1
f/Jl/,15 -
~.
-
j\
1
~'·
--
-
~·
~"
1
~.
·1111
·1
t/J S:8'1
IШ
-
-
ф'1.Н
~·
~"
'
ffil 1
""
r/J 5,8'1
-
t/J '1.15 -
н 11
~"
1
~11
~ t/J.9,# -
ф,
\
-_t/Jl.5
~11
~"
-
' 1 .
1
~
~
кт-1-1'1-
ф
КТ-1-/7
1
11 J
~
r/J5,8'1 Ф.~ 15
!
"' ,,
r/J~8+.
нт
-
КТ-1-9
-
~·
~".
!'-.
t"i ' /
т
111
t/J5,8'1
'/J#•.95 -
--
~·
1
~·
t:!'
11 • 1
11 1J
r/J5,81
~t.95
-
-
~·
~"
1.
~·
lllШ
.
1
~
фкт-1-12
ф
кт-1-15
ф
111.w
Ф5,81
t/!_'1,!J5
-
-·-
~·
"
~
~
кт-1-и
1
ф'1,95
~"
ф-
.. ф
11
~
,.ш
1m
'
КТ-/-/8
•
/
- t/JI, ~
_f/Jl,5 -1
-
!
С<:)
~",,
~
t-..'. ~
11
~_"
к.т-2-1
~
-
- .
~~
_t/)9,# -
KT-2-J
е
---
~
~"
кт-1-J
J
111
кт-1-20
•
--
~
~"
-
1
~·
~
t/J 5,8'1
t/)'1,15
1/
•
Шl'I
~
~"
кт-2-2
~
С<:)'
~
m·
"5,8# tf!.'1..95
•
111 IU
·lфШ
'
-
Сс:1
·u
~
t-.:"
~j
- ".9, +.
"J!JI. 5 _-
...
~".
.
ho;i '
~" /
-
ф
~·
кт-1-1и
-
· кт-1-11
-- -
gJ#..vь
•
1
)
,'
;,s;n
КТ-1-16
-
•
...
~
~
фКТ.;.1-8
~~
$
·JW
ш
фiJ..85
кт-1-1.1
~"
·1w
'
r/JS".81 -
$-
~"
-
1
~
кr-1-10
~
Qj~
~"
m
t/J5,8#
"".95 - -
кт-1-5
~
ф
1
~·
~
'А_Ф,95
кт-1-1
~·
~"
t/J5,8# -
rm
•1
ф-
~
~"
~
ф
,
-
~"
KT-f-'1
~·
кт-1-2
~·
1
1
ф5,8'1 -
r/Ji,81/
t/Jl/,15 -
кт-1-1
.
8.5_-
С<:)'
tc:;',,
1
~l
IШ
кт-2-'1
ф
30
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
кт-2-5
кт-t-8
кт-2-.9
кт-2-11
кт-2-12
кт-.1-3
кт-2-1,т
КТ-2-/6'
кт-2-11t
кт-1-17
кт-1-111
кт-2-18
кт-1-1.9
кт-3-1
КТ-3-2
Конструктивное исполнение стандартизованные корпусов транзисторов
KT-J-6'
кт-J-8
кт-J-9
KT-J-/'1
KT-J-/2
KT-J-/l'
KT-J.-/.7
кт-.т-1в
кт-в
27,1
"
кт-+-2
кт-1-11
КТ-8
(КТ-8А)
31
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
32
5
кт-12
.......
"
J КТ-!JА
КТ-1.l
7. 2
l,S
ir
~
~
~
~
о
о
t..."
о
КТ-/S
КТ-15
~
S:.'
~
2,7
КТ-/7
°
кт-11
.......
кт-11
кт-21 rкт-22 J
KT-2d
KT-2J (KT-2JA)
2,2 (2, 7)
1, 15 (2,2)
10 (13,3)
Ц)'
~+--...........
ll)
(\J.
+-.........
'Q
КТ-25
КТ-26
(КТ-26А)
КТ-28 (КТ-28А)
КТ-27
Ц)'
-
...,...._.._~
кт-21
4,8 (5,3)
а:)'--
'-
D
о
KT-JD ~
2,7
KT-Jf ~
~
~"
'S.
6,1
KT-J2
~"
-..;::
'Q
' 6,1
- 7
-
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов
~5,8'1
KT-3J (KT-3JA)
11
- 27, 1 .
'
r
~
Cli::I'
1\
1
!
oio
'~
l/
~
~
~"
""
''
- --
t/J Ф.15
ф
S::,"
"-= ,,
~
111
t-..' '
111
t/JS,8'1 -
- -.
- .-
.1~
1
~
"-=
'
нw
1,
~\
~
t/J5,8+
.
-
ФФ.15
-
~11
,,
ни·
11
~.
....."'
t/J5,8'1 -
-
tA. ~15
HI 1
t/J5,8'1 1\
~"
,
кт:-J+-12
\
!
~·
\с:. J '
~"
t/15,811
t/Jl.J.,95
... '
~"
"'
~·
~·
r/J5,8~
9J ~•.95
...
-
--
$
кт-J~-15
-
.
~ШJ~
•
--
KT-J'1-/8
-- -
-
-
1
'
~"
.1
~1
1•
"' '
""
•
ф
1
Ф+.15
•
""
КТ-31/-6
КТ-3+-9
... '
~.
ф-
.
!;:::)'
""'
1
!
~s;8+
•
-
......·~
"-=
'
111
~~~
~.f,81
КТ-J+-7
~"
.....
1
1 1
1 11
t/J 5.8'1 - -
~IJ.95
...
-
1\
. S::,'
"-=
'
.ШJ
~·v
t/J5. 8'1 ~'1,15
~.
-
-
,..1~
S::,'
"-=
ШI
11
~·
t/J o;I+
f;IJ,15
- --
~"
1
'j 11
~·
t-..'
)~
t/J5,8'1
~1/,15
...
KT-Jl/-//l
KT-J'1-fJ
кт-J+-11
--
-
•
КТ-3'1-/9
-
;,
~"
.....
'
~
•
•
•
-
...
"
...
кт-J+-,;
-
- -
.
l'Ш
•
ф
1\
~"
.....:
.
'.
11
1
~·
1
~",,
f/J5,81/
~ 1\
-
~1
1
~~.95
1111
~~./5
'
~.
кт-J+-11
ф
~
•
"-=
""
--- -
9Jll,l,f
.;:а..
1
~"
~
КТ-3'1-J
;
S::,'
~",
1
t/J~.9.f
...
кт-.т+-2
-- -
f/J~15
- -
... '
t/J5,8'1
кт-1+-1
)1
~,f,8~
...
KT-Jl/-8
-
f/J+: .95
- -
1
~
"-=
''IШ
111
~.'
~$'.8'1
-
.-
--
f/J_l,85
КТ-3~-Н
-
'
+
~"
.....:
1
~
1
t-..' •
j 1
11
~5;8"
-
9)9,15 -
...
-
1
~"
"'
1
~·
~
1•ш'1
11
t/J5,8'1
(/)'1,95 -
-
-, -
КТ-3'1-17
1
1
~"
"
нш
~·
t:i·
Ф5.1'1
Qjlf.95
........
•
•
KT-J'1-f'1
-
!
1
...
$-
_
-
-
-
1\
~"
•
~-
т11
18
•
кт-J+-21J
•
33
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
34
KT-J5-/
1
КТ-.15-2
•
-
-
Фt15
KT-JS-1/
КТ-J.f-4'
KT-JS-7
KT-J.f-8
- -~5:8~
t{Jlt.15
KT-J.f"-J
~
~
~
KT-J.f-6
-
•
".
1· 1
1
']
КТ-J5-/IJ
1
t95
-
-
KT-J.f-.9,
КТ-J5-!1
KT-J.f-/2
KT-.l,f-/~
КТ-J5-/.f
-
1
"
...
КТ-J,f-/.l
КТ-35-/6
·1ш
1Ш
КТ-35-11
,
#.15
'
КТ-35-18
-
~
j
. 1
1
KT-JS-11
КТ-WJ
КТ-35-28
КТ-f/
КТ-JТ
КТ-#2
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов
(~~5 ) КТ-43
15,9
(16,5)
'
5
35
KT--;t.3C
(KT-43D)
КТ-438
(КТ-43А)
о
<О
N
о
КТ-++
'
._.
1
-~
::!t>o.'
.......
-
...
\
8,5
--
-
КТ-1/6
"
1
5,8
КТ-1/5
-
-
КТ1!1
7,8
~
"-f'
кт-~
КТ-51
7,2
·1~~:1
4
кт-п
,
- 3.3
2,6
"
...
~
"
"
"
~
"
КТ-5'1
КТ-55
о
Qi:.
~
4'
~
~
'Q.
~·
~
~"
4,6
+,1
__ J
КТ-56
...
КТ-51
КТ-37
.....
~
"
'
-
...
8,5
-
11
1
3,8
1-
КТ-61
.
КТ-60
КТ-5"8
-j~
.
J,8
-
6,3 (6,
-
(КТ-61А)
Раздел
36
1. Условнь1е обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
КТ-63
15
КТ-64
18
46
46
.....,.
КТ-65
21
КТ-бб
45
46
КТ-69
~
t-...
_"
.....,.
[]
30
КТ-71
кт-12
о
~
......"
lc-.i
t-...
~"
Q
а
КТ-75'
КТ-76
КТ-79
4,3
12
о
о
кт-вое
о
N
23
~1 14 !illclil J
<")
КТ-82
.
38
а;;
5,1
19 7
21:1:1~ NI .
КТ-5
...,.
aD
N
с:э
22
12,5
20
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов
37
КТ-90
КТ-89
КТ-92
10,28
4,55
2.37
4,55
7,11
hi
;::
-....
aS
оО
.,,
"'~
,,
-
~
;i
"'...;
С11;
t
3
.,;
....
.,;
4.58
1.5. Конструктивное ис11олнение стандартизованных
корпусов диодов
(кд-1-1)
(кд·1А)
(кд-1-2)
р
30
44
3
22
N
3
IS}
(кд-1-з)
10
25
3
( КД-3 )
76
(кд-2А)
254
54
58
N'
28
11О
N'
IS}
IS}
(кд+1)
54
(кд-зв (КД-ЗС), (КД-ЗGJ)
(КД-ЗА)
.....
lll
.....
IS}
( КД-2 )
(кд+А)
5,8
(7,6)
(7,6)
11О
N'
IS}
(кд+в)
р
75
25
7
254
<О
(кд+2)
IS}
( КД-6 )
( !!lJ.·5 ( КД-5А))
25
75
(7,5)
С")
IS}
( КД-6А)
(
30
'О:1'
IS}
<О
~
IS}
IS}
75
7
~
С")
Ц)
......
12
'О:1'
IS}
(КД-7А)
КД-7)
р
26
12 7
7
lt)
IS}
11О
~
IS}
25
12
1
JЬ.
U}
4,55
~
.......
............
"":.N
N
--!:2.
38
Раздел
1.
Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
(КД-78)
14 5
25
(КД-7G)
( КД-7С)
.
9 53
(КД-7D J
25
17 52
( КД-7К)
(КД-7Е)
10
25
( КД·7L)
30
10
9
( КД-9 )
( КД-8 )
о
о
N
26
СХ)
762
( КД-10)
18
(КД-108)
(КД-10А)
о
.....
N
6,90
5,04
12
5,04
(КД-11А J
( КД-11 )
10,2
1
11,5
----
12,7
1
12,7
11)
о
20,3
о
......
~
о
11
( КД-12)
'<t
О)
о
ф
......
~
25,4
( КД-13)
-
со
......
о
о
('1 .
~
17
( КД-14 )
15
2,5
5
---Ln.
Lt)n====;i1
::Е .ц=:==:===::ц
'<t
о
""·
.....
11,5
30
14,04
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов
(КД-14А)
(@-16А)
( КД-16)
2,5
5
39
·
5
14,5
""':.
"1Т
...:
""
( КД-17)
D
D
D
( КД-20)
D
D
D
(КД·20А)
~и~~-. CJ-"--11
( КД-21)
( КД-23 (КД·23А) J
( КД-25)
08
lt)
..,;
05,5
( КД-26)
014
(11,5)
( КД-28)
( КД-29 )
011
3,5
( КД·29А (КД-298) (КД·29С) )
(КД-29D (КД-29Е} (КД·29GJ)
4,8
( КД-30 )
03,2
- eJ ~г
о- "" lt)
~ ~~
457
{12.5)
(5,0)
( КД-31)
7,0
(7,0)
(7,5)
{ КД-32)
9
===О===
( КД-34 )
qnгllQ
~
Раздел
40
1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
( КД-35)
( КД-36)
·~tJ з -~· ~
g
а~о
j~
?-
4,8
(кд-102)
(КД-103)
( кд-104)
м_
......
CSI
~
N
CSI
1
06
06
06
1,3
'2,9
1,6
(КД-105)
(КД-106)
2
2
(КД-106А)
2
2
2
3,1
2
(кд-1068)
( КД-107)
[КД-108]
2
N
......
1()
CSI
CSI
0,6
0,5
з
1,1
(кд-109А)
(КД-109)
......
~
N
С")
CSI
2
CSI
0,6
( КД-110)
С")
С")
С')
C'i
CSI
CSI
1,5
2
0,6
3,1
1
......
(кд-1108)
C'l
CSI
С')
N
CSI
0,75
2,65
N
0,6
(кд-11ос)
..~
С")
C'l
CSI
С")
CSI
2
(КД-110А)
CSI
......
N
<"'t
.....
N
CSI
CSI
0,55
1,5
1,65
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов
(КД-111)
41
(кд-113)
(кд-112)
..
....
~
00
Lt)
tS1
,....
,..:
cD
tS1
~
-~
.'
~
tS1
11
--
11
u
13
20,8
(КД-114)
( КД-118)
(КД-116)
..q:_
N
tS1
,....
Lt)
....С"!.
'<t.
....~
N
ci
tS1
tS1
tS1
00
м
tS1
tS1
05
06
6,1
1,2
1,2
(кд-119)
N
~
,....
Lt)
м
N'
Lt)
N
...;
~
tS1
4,3
( КД-120)
(КД-119А)
tS1
1,6
4,3
N
м
~
tS1
3
2,6
( КД-122)
(КД-121А)
( КД-121 )
1,3
8
С')
tS1
-
11
....~·
1
-
11
7,5
tS1
7,5
1,2
-
(кд-12#4
,....
ф
C'<i
tS1
ci
tS1
0,7
-
( КД-124)
1
4,5
-
5,2
'
N
tS1
4,5
-
,
(КД-125А)
( КД-125)
(кд-124А)
15
::
(кд-123)
(кд-1228)
05
1
С')
(")
N'
tS1
N'
tS1
4,5
С')
,...._
'
....
tS1
tS1
'
4,5
:::
3,7
со
cD
tS1
Раздел
42
1. Условнь1е обозначения и корпуса полупроводниковых приборов
(КД-128]
(КД-127)
(КД-126)
....~
~
t
О)
t
...tS!
~t
in
16,3
(КД-129)
f! 16,З ~
(КД-131)
(КД-130)
6
-
g
-
-'
"t '
...tS!
~
'
2,6
-
'll
...-
~
0,65
2
( КД-132)
(КД-1318)
(КД·131А}
5,1
1,1
2
4,4
'll
....
-
tS!
0,95
5,1
0,65
4,7
[КД-133)
( КД-134)
in
(")
tS!
,.... '
-
о t
4,7
--
1,25
~
-
5
5,8
О)
Биполярные транзисторы
Раздел
2.
43
Биполярные транзисторы
J?иполярные транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя
p-n
переходами,·
имеют три 'электрода (эмиттер, база, коллектор) и применяются для усиления, преобразования и
переключения электрических сигналов. Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы
как общего назначения (малошумящие, переключательные и генераторные), так и специализирован
ные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматиче
ской
регулировкой
усиления,
для
работы
в
микроамперном
диаf!азоне
токов,
двухэмиттерные,
однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по
сочетанию-параметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы.
В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары),
изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преобра
зующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, должны
иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора
ключевым элементом служиr промежуток коллектор-эмиттер,
зависимости
от
полярности
управляющего
напряжения,
сопротивление
приложенного
к
которого изменяется в
одному
из
p-n
переходов
транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy
приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении (Uy приложено между базой и
коллектором). Если Uy приложено, например, в p-n-p транзисторе минусом к базе, то оба перехода
транзистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения ключ открыт). При
изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ
закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не
совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным
сопротивлением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и
остаточным током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост=О, Uост=О, Rзакр-ос, Iзакр-0).
Остаточные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует
отметить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие
значения Uост и Iзакр, чем в прямом включении -(особенно для сплавных транзисторов, у которых
площадь коллектора много больше площади эмиттера).
Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры
(Uост~12мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие
значения остаточных параметров (например, у KTI 18 Uост менее 0,2 мВ).
Транзистор типа КТ339, предназначенный специально для работы в усилителях промежуточной
частоты (УПЧ), имеет малую емкость обратной связи, что позволяет обеспечить стабильное усиление
без использования внешних дополнительных цепей нейтрализации.
Транзисторы типов П328, КТЗ 128 и КТЗ 153А9 предназначены для применения в радиоприемни
ках с автоматической регулировкой усиления, телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ
приемников: за счет смещения их рабочей точки можно регулировать усиление в широком диапазоне.
Комплементарные транзисторы (со структурами
p-n-p
и
n-p-n)
КТ315 и КТЗбl, ГТ402 и П40З,· П703
и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720, КТ721 и
КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102, КТ969 и
КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах
с дополнительной симметрией.
Имеется также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в
составе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТЗIЗО, КТ682; переключательные
КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях,
в системах спутниковой связи,
ключевых схемах,
модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТ3170А9, КТ3173А9,
КТ3179А9, КТ3180А9,КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169).
Транзисторы универсального назначения (например, КТбЗО) имеют оптимальное сочетание пара
метров и характеристик, удовлетворяющих различным требованиям, что позволяет испольЗовать их в
аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов.
.
Лавинные транзисторы П338 и КТЗ 122 предназначены для работы в режиме электрического
пробоя коллекторного перехода. Они применяются в релаксационных генераторах в ждущем или
автоколебательном режиме и позволяют получить необходимые быстродействие и амплитуду импуль-
Раздел 2. Бипопярнь1е транзисторы
44
сов при более высоких надежности и стабильности, чем обычные транзисторы, используемые в режиме
электрического пробоя.
Составные
транзисторы
представляют
собой
соединение двух
биполярных
транзисторов
по
определенной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база
первого транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы
функционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно
-
равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав·
ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972, КТ973,
КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158,
КТ8159) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсного действия, бескон·
тактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сгорания (например, КТ848),
устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах.
Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с
различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне токов
(например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130).
Кроме того, разработаны транзисторЬJ:
•
высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно·белых и цветных телевизо
•
•
ров (например, КТ872);
импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997);
для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных
каскадов класса А и широкополосных усилителей (КТ3109);
•
для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококаче~твенных УНЧ и видеоусилителей
•
•
•
•
телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и
КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999;
для высокочастотных широкополосных усилителей с мсэ.лой постоянной времени 'tc (КТ368);
для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887,
КТ888);
для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807);
для линейных и импульсных устройств (КТЗ 15 - первый отечественный прибор в пластмассовом корпусе);
универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352);
для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342);
•
•
•
для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных
•
каскадах усилителей (КТ201 и КТ203);
высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808)
-
при непосредственном вклю
чении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы
•
800... 1ООО
В;
для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926).
Для лИнейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Uп=lO В), КТ912
и КТ921 (Uп=27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Uп=28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966,
КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 (Uп=12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим 1 Эмиттером, Un=28 В).
Транзисторы КТl
17,
КТl
19,
КТ132, КТ133 представляют собой однопереходньа(транзисторы. Транзи
стор КТ120Б·1 имеет два вывода (используется в качестве диода). ·транзисторные сборки, состоящие
из двух транзисторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101,
КТ9105 предназначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С
в схеме с общей базой (ОБ).
Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно
жителей используются транзисторы КТ606 (Uп=28 В), КТ607 (Uп=20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ,
Uп=15 В), КТ642, КТ647 (Uп=15 В), КТ648 (Uп=lO В), КТ657 (с ОЭ, Uп=15 В), КТ682, КТ996
(Uп=lO В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913, КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934,
КТ944, КТ970, КТ971 (Uп=28 В), КТ930 (Uп=ЗО В), КТ918, КТ938 (Uп=20 В), КТ919 (с ОБ, Uп=28 В),
КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Uп=12,6 В), КТ929 (Uп=8 В), КТ937 (с ОБ, Uп=21 В), КТ942, КТ946,
КТ948, КТ962, КТ976 (допускает работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ, Un=28 В),
КТ945, КТ947 (Uп=27 В), КТ977 (с ОК, Uп=40 В), КТ9142.
Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе
ратур -60 ... +200°С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141, а
для схем фотовспышек
-
КТ863 и КТ9137.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
45
Транзисторы КТ698, КТб 127, относящиеся к классу биполярных транзисторов со статической
индукцией (БСИТ), применяются для работы в качестве переключателя в бесконтактных коммутиру
ющих устройствах, для управления электродвигателями, для использования в быстродействующих
ключевых
схемах
с
низким
напряжением
насыщения,
в
пультах
дистанционного
управления,
в
тахометрах автомобилей, реле поворотов и блоках питания.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
2.1.
Ниже приводятся буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие публикации
МЭК
148
и стандартизованные ГОСТ
20003-7 4.
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
Iкво
Параметр
'
международное
Обратный ток коллектора
lсво
-
ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
Iэво
Обратный ток эмиттера
lEBO
-
ток через эмиттерный переход при заданном
обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Iкэо
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
lcEO
лектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IкэR
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
kER
лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Iкэк
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
lcES
лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
Iкэv
kEV
Iкэх
lcEX
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-
лектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
Iк
max
1с
Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
lэ
max
IE max
Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
Iв
max
Iв
Максимально допустимый постоянный ток базы.
max
max
Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
Iк, и
max
lсм
Iэ, и
max
IEM max
Максимально Допустимый импульсный ток эмиттера.
lкр
-
Критический ток биполярного транзистора.
Uкво проб
U(BR)
max
сво
Пробивное напряжение коллектор
-
база при заданном обратном
токе
коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
Uэво проб
U(BR)
ЕВО
Пробивное
напряжение
эмиттер
-
база
при
заданном
обратном
токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
Uкэо проб
U(BR)
СЕО
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
разомкнутой цепи базы.
UкэR проб
U(BR) CER
Uкэк проб
U(BR) CES
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
Uкэv проб
U(BR) CEV
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в
цепи база-эмиттер.
Uкэх проб
U(BR)
СЕХ
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряженин база-эмиттер~и токе коллектор-эмиттер.
Uкэо гр
U(L)
СЕО
Граничное напряжение транзистора
-
напряжение между коллектором и
эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uсмк
Upt
Uкэ нас
UcE sat
Напряжение смыкания транзистора.
Напряжение
коллектора.
насыщения
коллектор-эмиттер
при
заданных токах базы и
Раздел
46
2.
Биполярные транзисторы
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003·74
отечественное
Параметр
_международное
Uвэ нас
UвЕ
Uэв пл
UЕвп
sat
Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
,
Плавающее напряжение эмиттер
база
-
-
напряжение между эмиттером
и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой
цепи эмиттера.
Uев
max
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор
-
база.
Uкэmах
UeE ·max
Максимально допустимое постоянное· напряжение коллектор
-
эмиттер.
Uэв
UЕв
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер
Uкв
max
max
max
база.
-
Uкэ. и
max
UeEM max
Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор
Uкв. и
max
Uевм
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор
Uэв. и
max
UEBM max
Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер
р
Ptot
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
Рср
Рлv
Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Ри
Рм
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
Рк
Ре
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
-
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Рвых
Pout
Выходная мощность транзистора.
Ри
max
Рм
max
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
Рк
max
Ре
max
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Рк. т
max
max
эмиттер.
-
база.
-
-
база.
-
-
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
rб
rьь. rь
Сопротивление базы.
rкэ нас
reE. sat
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
Clle, C!lb
Входная емкость транзистора для схем с обtцим эмиттером и общей базой
Рк ер
с
max
11 э. с 11 б
соответственно.
с22э, С22б
Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
с22е, с22ь
соответственно.
Ск
Се
Емкость коллекторного перехода.
Сэ
Се
Емкость эмиттерного перехода.
fгр
fт
Граничная частота коэффициента
передачи
тока
транзистора
для
схемы
с
для схем
с
общим эмиттером.
Максимальная частота генерации.
fmax
fmax
fh2lэ, fh2lб
fh2le.
fh21 ь,
tвкл
tоп
Время включения.
tвыкл
torr
Время выключения.
tзд
td
Время задержки.
tнр
tг
Время нарастания.
tpac
ts
tсп
tr
Время спада.
h1 lэ, h 116
h1 le. h11ь;
hie. hiь
Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмитте-
h21e. h21ь;
hre, hrь
Статический коэффициент передачи тока транзистора· в режиме малого
h12ь;
hге, hгь
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого
h2lэ, h2Iб
h12э, h12б
h12e.
fые;
fыь
Предельная частота коэффициента
общим эмиттером и общей базой.
'
передачи
тока
транзистора
Время рассасывания.
ром и общей 'б_азой соответственно.
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
47
Буквенное обозначение по ГОСТ
20003-74
отечественное
Параметр
международное
h22э, h22б
h22e.
h22ь;
11ое, hоь
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
1h2lэ1
1h2Je1
Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h11э
h1 lE, h1E
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сиrнала для
Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы
с общим эмиттером.
h2IЭ
Н21Е.
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в
HFE
режиме большого сигнала.
Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
У21э
У21Е
У1 lэ, У1 lб
У11е, У11ь;
Уiь
Yie,
У12э, У12б
У21э, У21б
У22э, У22б
Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
схем с общим эмиттером и общей базовой соответственно.
Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого
У12е, У12ь;
Уге, Угь
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигна
У21е, У21ь;
Yre. Уrь
ла для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
У22е, У22ь;
Уое, Уоь
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для
S1 lэ, S1 lб, S1 lк
S1 le, S11ь. S1 lc
Sie, Siь, Sic
Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12к
S12e, Si2ь. S12c:
Sre, Sгь. Src
.
S22э, S22б, S22к
S21э, S21б. S21к
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте
'
ром, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22e, S22ь, S22c;
Soe, Sоь. Soc
Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим
S21e, S2iь. S21c;
Src, Srь. Src
Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
и общим коллектором соответственно.
-
fse,
Ку, Р
Gp
Коэффициент усиления мощности.
-
GA, Ga
Номинальный коэффициент усиления по мощности.
Кш
F
Коэффициент шума транзистора.
tк (r'б Ск)
't'c (r'ьь Ск)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Токр
ТА,
Tamb
Температура окружающей среды.
Тк
Те,
Tcase
Температура корпуса.
Тп
Tj
Температура перехода.
Rт, п-с
Rthja
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-к
Rthjc
Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт. к-с
Rthca
Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
't'т, п-к
't'thjc
Тепловая постоянная времени переход-корпус.
't'т, п-с
't'thja
Тепловая постоянная времени переход
't'т, к-с
't'thca
Тепловая постоянная времени корпус
fsь,
fsc
Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1
S21ь=l, S21c=l).
-
-
окружающая среда.
окружающая среда.
(S21e=l,
Раздел
48
2. Биполярные транзисторы
Параметры биполярных германиевых транзисторов
2.2.
•
••
fh21э,
•••
fmax,
fгр, fh2lб,
Ркmах,
Тип
С тру к ту-
прибора
ра
МП9А
П·р·П
МП10
п-р-п
МП10А
п-р-п
МП10Б
п-р-п
мпн
п-р-п
МПНА
п-р-п
• т max,
Рк,
••
Рк, и max,
UкБО nроб,
• проб,
UкэR
••
Uкэо проб,
UэБО проб,
в
Iк max,
•
Iк. и max,
мА
lкБО,
•
lкэR,
Ii<Эo,
мВт
Мfц
в
150
150
150
150
~1 •
~1 •
~1 •
~1 •
15
15
30
30
15
15
30
30
20
20
20
20
(150*)
(150*)
(150*)
(150*)
зо• (30 в>
30• (30 в>
~2*
15
15
15
15
20 ( 150*)
20 (150*)
30• (30 в>
30* (30 В)
150
150
'
~2*
мкА
30• (30 в)
50* (30 В)
1
...
МП13
р-п-р
МП13Б
р-п-р
МП14
р-п-р
МП14А
р-п-р
МП14Б
р-п-р
МП14И
p·n·p
МП15
p-n-p
~.5•
~1 *
15
15
15
15
20 (150*)
20 (150*)
150
150
150
150
~1 •
~1 •
~1 •
~1 *
15
30
30
30
15
30
30
30
20
20
20
20
~2·
15
15
15
15
15
15
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
SЗО {15 В)
SЗО (15 В)
~1 •
~1 •
15
15
15
15* (100)
15* (100)
15
15
15
15
15
50 (300*)
50 (300*)
50 (300*)
300*
300*
S25 (15 В)
S25 (15 В)
S25 (15 В)
s5o• (15 в)
s5o• (15 в>
МП15А
р-п-р
МП15И
p-n-p
150
150
150
МП16
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
200.
200
200
150
150
МП16А
МП16Б
МП16Я1
МП16Я11
. S30 (15 В)
S30(15B)
150
150
~2·
-
~2·
-
-
(150*)
(150*)
(150*)
(150*)
S30
S30
S50
S50
(15
(30
(30
(30
В)
В)
В)
В)
-
-
nараметрь1 биполярных германиевых транзисторов
Ck,
rкэ нас,
С12э,
rБэ нас,
•
•
.
пФ
15."45
15 ... 30
15".30
25".50
(5
(5
(5
(5
В; 1 мА)
В;
В;
В;
1 мА)
1 мА)
1 мА)
S60
S60
S60
S60
(5
(5
(5
(5
Ом
В)
В)
Кш, дБ
•
••
Рвых,
rб, Ом
SlO
SlO
SlO
SIO
В)
В)
(1
Вт
49
'tк, пс
•
••
tвыкл,
••• НС
tпк,
tpac,
Корпус
кГц)
МП9, МП10
(1 кГц)
(1 кГц)
(1 кГц)
~11,7 -
1
1
-25".55 (5 В; 1 мА)
45".100 (5 В; 1 мА)
S60 (5
S60 (5
В)
В)
SlO (1
SlO (1
1
кГц)
кГц)
мпн
~11,7
Clt:>I~
1
1
1
~·
1
-~12 (5 В; 1 мА)
20".60 (5 В; 1 мА)
S50 (5
S50 (5
В)
В)
з
/(
5
МП13
$150*
Sl2 (1 кГц)
~11,7 -
at:>-f--l-rl1'...............
~
20".4'0
20".40
30".60
20".80
(5
(5
(5
(5
В;
В;
В;
В;
1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
30".60 (5 В; 1 мА)
50".100 (5 В; 1 мА)
·s5o (5
в>
S50 (5 В)
S50 (5 В)
s50 (5 В)
S20
s50 (5 В)
S50 (5 В)
•
1
1
/(~3
- ~11.7 -
МП15
$150*
Sl50*
Sl5
Sl5
Sl5
$6,6
$6,6
1
МП14
Sl50*
Sl50*
Sl50*
.$150*
~11,7
SlO
20".35 (1 В; 10 мА)
30".50 (1 В; 10 мА)
45".100 (1 В; 1 мА)
20".70 (10 В; 100 мА)
10".70 (10 В; 100 мА)
1
МП16
s2000•
$1500*
$1000*
~11,7 -
1
~ 1f
--
IJ
1
J
1
5
Раздел
50
Ркmах,
Тип
Структу-
прибора
ра
МП20А
МП20Б
p-n-p
p-n-p
• т max,
Рк.
•• и max,
Рк,
•
••
fh2Jэ,
•••
fmax,
fгр, fh2Jб,
2.
UКБО проб,
UКэR проб,
•• проб,
Uкэо
мВт
Мfц
в
150
150
~2·
2::1,5*
30
30
UэБО проб,
в
30
30
Б~n,олярные транзисторы
..
IКБо,
Iк
max,
•
Iк. и max,
lкэR,
1··
кэо,
мА
мкА
300•
300•
~50
~50
(30
(30
В)
В)
"
МП21В
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
150
150
150
150
2::1,5*
;;:::1 •
;;:::1 •
2::0, 7•
p-n-p
p-n-p
p-n-p
200
200
200
2::0.2•
2::0.2•
2::0,5*
p-n-p
p-n-p
p-n-p
200
200
200
2::0.2•
2::0.2•
2::0,5•
П27А
p-n-p
p-n-p
30
30
;;:::1 •
;;:::1 •
П28
p-n-p
30
;;:::5•
МП21f
МП21Д
МП21Е
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
МП26А
МП26Б
П27
~
40
60
60
70
40
40
40
40
300•
300•
300•
300•
~50
~50
~50
~50
(40
(60
(50
(50
В)
В)
В)
В)
40
40
40
40
-- 40
40
300•
400*
400*
~75
~75
~75
(40
(40
(40
В)
В)
В)
70
70
70
70
70
70
300•
400*
400*
~75
~75
~75
(70
(70
(70
В)
В)
В)
5*
5*
(О,5к)
(О,5к)
-
6
6
~
~
(5
(5
В)
В)
5*
(0,5к)
-
6
~
(5
В)
10•
10•
12
12
100•
100•
~
~
П29
П29А
p-n-p
p-n-p
30
30
2::5*
;;:::5•
-
~4
~4
(12
(12
В)
В)
Параметры 6иполярнь1х германиевых транзисторов
h21э, h21э
50."150 (5 В; 25 мА)
80... 200 (5 В; 25 мА)
Ck,
Сi2э,
rкэ нас,
пФ
Ом
-
-
*
rвэ нас,
51
51
Кш, дБ
rб, Ом
** 1 Вт
Рвых
-
51
't'к, пс
*
fpac,
Корпус
**
fвыкл,
*** НС
fпк,
-
МП20
~11,7 -
,кфэ
J
Q:;)
1
~
1
J
1
'
)
--
20.. .100 (5 В; 25 мА)
20... 80 (5 В; 25 мА)
60... 200 (5 В; 25 мА)
30... 150 (5 В; 25 мА)
-
51
51
51
51
-
1
-
5
МП21
-
~11,7 -
-
-
,кфэ
J
Q:;)
~
13 ... 25 (20 В; 2,5 мА)
20... 50 (20 В; 2,5 мА)
. 30... 80 (20 В; 2,5 мА)
520 (20 В)
520 (20 В)
520 (20 В)
52,2
52
51,8
-
J
J
.
1 1
i
МП25
51500***
51500***
51500***
~11,7 -
-
·\~)э
'
Q:;)
'
1
1
~
1
-1.-......J
13 ... 25 (35 В; 1,5 мА)
20... 50 (35 В; 1,5 мА)
30... 80 (35 В; 1,5 мА)
515 (35 В)
515 (35 В)
515 (35 В)
52,2
52,2
51,8
-
-
МП26
51500***
51500***
51500***
~11,7 -
-
кф
Q:;)
1
1
J
~
----
20.. .100 (5 В; 0,5 мА)
20... 170 (5 В; 0,5 мА)
-
-
510 (1 кГц)
55 (1 кГц)
-
П27
-
~11,7
-
\~)э
J
Q:;)
~
20... 200 (5 В; 0,5 мА)
-
-
55 (1 кГц)
5
J
J
L-1
1
-
П28
~11,7 -
кфэ
Q:;)
1
1
j
~
--
20 ... 50 (0,5 В; 20 мА)
40.. .100 (0,5 В; 20 мА)
520 (6 В)
520 (6 В)
10
10
-
-
56000
56000
1
П29
~11,7 -
-
-
~
~
'
1
1
~_LJ
1
кфэ
52
Раздел
2.
Биполярные транзисторы
frp, fh21б,
fi:2iэ,
•••
fmax,
Uкоо проб,
мВт
мrц
в
Ркmах,
Тип
Структу-
прибора
ра
• т max,
Рк,
•• max,
Рк, и
UКэR проб,
uКЭо проб,
пзо
р-п-р
30
2':10*
12*
МПЗS
n-p-n
150
2':0,5*
15
МП36А
n-p-n
150
~1*
МП37А
n-p·ri
П·р·П
150
150
~1 *
МП37Б
150
150
~2*
150
150
2':0,5*
2':0,5*
15*
15*
(lОк)
150
150
~l*
15*
30*
МП38
-мпзsл
n-p-n
П-р·П
МП39
p-n~p
МП39Б
p-n-p
МП40
р-п-р
МП40А
р-п-р
~1
*
~2*
~1
*
Uэво проб,
в
12
Iк
•
lк,
max,
и max,
мА
100*
IКБО,
IКэR,
1··
кэо,
мкА
:=;4 (12
В)
-
20 (150*)
SЗО
(5
В)
15
-
20 (150*)
S30 (5
В)
30
30
-
-
20 (150*)
20 (150*)
~30
~30
В)
В)
15
15
-
20 (150*)
20 (150*)
~0{5 В)
~О (5 В)
(10к)
5
5
20 (150*)
20 (150*)
~15
~15
(5 В)
(5 В)
(lОк)
(lОк)
5
5
20 (150*)
20 (150*)
~15
~15
(5 В)
(5 В)
-
(5
(5
Параметры бипоЛярных германиевых транзисторов
h21э. h21э
80 .. .180 (0,5 В; 20 мА)
Кш, дБ
Ck,
rкэ нас,
Сi2э,
rвэ нас,
rб, Ом
пФ
Ом
** Вт
Рвых,
::;20 (6 В)
10
*
-
53
't'к, пс
*
tpac,
**
tвыкл,
t~=~HC
Корпус
пзо
6000
tJ11,7
,кфэ
Q:;)
1
~
--- 1
13 ... 125 (5 В; 1 мА)
-
-
•
-
::;220*
МП35
tJ11,7 Q:;)
1 1
~1
13 .. .45 (5 В; 1 мА)
-
-
::;1 О (1 кГц)
1~
к
1
1
1
-
з
б
1
МП36
tJ11,7
Q:;)
•
~
15 ... 30 (5 В; 1 мА)
25 ... 50 (5 В; 1 мА)
-
-
i
r
-
::;220·
::;220*
1
1
1
МП37
-
tJ11,7 -
Q:;)
~
25... 55 (5 В; 1 мА)
45 .. .100 (5 В; 1 мА)
-
-
::;220* .
::;220*
кф
'
-
1
J
1
1
кфэ
МП38
- tJ11,7 -
-
кфэ
1
Q:;)
,.
;;:.:12 (5 В; 1 мА)
20... 60 (5 В; 1 мА)
~J
::;50 (5 В)
::;50 (5 В)
-
::;12 (1 кГц)
-
МП39
tJ11,7 -
-
кфэ
'
Q:;)
~1
---
20 .. .40 (5 В; 1 мА)
20 .. .40 (5 В; 1 мА)
::;50 (5 В)
::;50 (5 В)
-
-
-
J
1
МП40
tJ11,7
Q:;)
~
.
1
1
кфэ
Раздел
Ркmах,
Тип
прибора
Структура
*т
Рк,
max,
**
Рк, и max,
мВт
МП41
р-п-р
МП41А
р-п-р
МП42
р-п-р
МП42А
р-п-р
МП42Б
р-п-р
ПЮ8А
р-п-р
П108Б
р-п-р
П108В
р-п-р
пiosr
р-п-р
МП108А
р-п-р
МП108Б
р-п-р
МП108В
p-n-p
МП108f
р-п-р
МП108Д
p-n-p
П109А
р-п-р
П109Б
р-п-р
П109В
р-п-р
П109f
р-п-р
П109Д
р-п-р
П109Е
р-п-р
П109Ж
р-п-р
fТ109И
р-п-р
ПНSА
р-п-р
ПНSБ
р-п-р
пнsв
р-п-р
пнsr
р-п-р
пнsд
р-п-р
П122А
n-p-n
П122Б
п-р-п
П122В
n-р-п
п122r
п-р-п
150
150
fгр, fh21б,
·fh2tэ,
Uкво проб,
Ui{эR проб,
Uэво проб,
***
fmax,
** проб,
Uкэо
в
мrц
в
~1
~1
*
*
-
5
5
5
5
75
75
75
75
75
~.5*
50
50
50
50
50
150
150
150
150
~3*
~5*
-
~1 *
~1
10
10
10
10
10
(18
(18
(18
(18
(18
10
10
10
10
10
10
10
10
(18
(18
(18
(18
(18
(18
(18
(18
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
имп.)
5
5
5
5
50
50
50
50
5
5
5
5
5
50
50
50
50
50
-
10
10
10
10
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
~10(5В)
~10 (5 В)
~10 (5 В)
s;lO (5 В)
s;lO (5 В)
-
20
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
s;40 (20 В)
S:40 (30 В)
~40 (20 В)
( 150*)
(150*)
(150*)
(150*)
S:20
s;20
s;20
s;20
*
*
~1 *
~1 *
~1 *
20
30
20
30
20
20
20
20
20
20
~1 *
~1 *
~2*
~2*
35
20
20
20
-
~1
мкА
150*
150*
150*
0,5*
1*
1*
1*
*
~1 *
~1 *
~1 *
IКэR,
1**
кэо,
-
75
75
75
75
~1
мА
Iкво,
s=l5.(5 В)
~15 (5 В)
~1 *
*
~1 *
~1 *
~1 *
max,
* и max,
lк.
20 (150*)
20 (150*)
15* (3к)
15* (3к)
15* (3к)
~1
lк
5
5
~1.5*
~2*
Биполярные транзисторы
.15* (lОк)
15* (lОк)
200
200
200
30
30
30
30
30
30
30
30
2.
-
20
20
20
20
s;S (5 В)
~5
(5 В)
s=5 (5 В)
s;5 (5 В)
~2 (1,2 В)
~2 (1,2 В)
~1 (i,5B)
~5 (5 В)
~40 (20 В)
~40 (30 В)
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
,,
J
Параметры 6ипол11рных германиевых тра__н_зисторов
rкэ нас,
rвэ нас,
rб, Ом
Ом
** Вт
Рвых,
*
30 ... 60 (5 В; 1 мА)
50 ... 100 (5 В; 1 мА)
't'к, пс
*
tpac,
Корпус
**
tвыкл,
*** НС
tпк,
::;50 (5 В)
::;50 (5 В)
20 ... 35* ( 1 В; 10 мА)
30... 50* (1 В; 10 мА)
458 ... 100* (1 В; 1О мА)
20... 50 (5 В; 1 мА)
35 ... 80 ( 5 В; 1 мА) 60 ... 130
(5 В; 1 мА) 110... 250 (5 В;
1 мА)
Кш, дБ
55
МП41
g51f,7 -
::;20
::;20
::;20
50
50
50
50
(50
(50
(50
(50
В)
В)
В)
В)
25 ... 50 (6 В; 1 мА)
35 ... 80 (5 В; 1 мА)
60.. .130 (5 В; 1 мА)
110."250 (5 В; 1 мА)
30".120 (5 В; 1 мА)
МП42
::;2000***
:s;l 500* * *
- ::;1000***
::;6 (1 кГц)
. - g5ff,7 -
5000
5000
5000
5000
П108
::;5000
::;5000
::;5000
::;5000
::;5000
МП108
- tJ11,7 -
"
20... 50 (5 В; 1 мА)
35... 80 (5 В; 1 мА)
60... 130 (5 В; 1 мА)
110."250 (5 В; 1 мА)
20... 70 (5 В; 1 мАО
50.. .100 (5 В; 1 мА)
~100* (1,5 В)
20... 80 (5 В; 1 мА)
::;30 (5 в)
::;30 (5 в>
::;30 (5 в>
::;30 (5 В)
::;40 (1,2 В)
::;40 (1,2 В)
::;30 (5 В)
::; 12 (1 кГц)
::;10000
::;10000
::;10000
::;10000
::;10000
::;10000
::;10000
::;10000
~к~з
1
П109
~J.7
~
с-..
20... 80 (1 В; 25 мА)
20••. 80 ( 1 В; 25 мА)
60... 150 (1 В; 25 мА)
60... 150 (1 В; 25 мА)
125... 250 (1 В; 25 мА)
15.. .45
15.. .45
30... 60
30."60
(5
(5
(5
(5
В;
В;
В;
В;
1 мА)
1 мА)
1 мА)
1 мА)
200*
200*
200*
200*
П122
~11,7 -
Раздел
56
Ркmах,
Структу-
Тип
прибора
ра
*т
Рк,
max,
**
Рк, и max,
мВт
fгр, fh2\б,
fh2tэ,
2.
Uкво проб,
***
fmax,
UкэR проб,
uКЭо проб,
МГц
в
Uэво проб,
в
Биполярные транзисторы
Iкво,
lк
max,
* и max,
lк,
IКэR,
IКЭо,
мА
мкА
,
П124А
р-п-р
П124Б
р-п-р
П124В
р-п-р
П124Г
р-п-р
П125А
П125Б
-
р-п-р
р-п-р
П125В
р-п-р
П125f
р-п-р
П125Д
р-п-р
П125Е
p-n-p
П125Ж
р-п-р
П125И
p-n-p
П125К
р-п-р
П125Л
р-п-р
П201Э
р-п-р
П201АЭ
p-n-p
П202Э
р-п-р
П203Э
П207
75
75
75
75
~1
*
*
~1 *
~1 *
25
25
25
25
10
10
10
10
100*
100*
100*
100*
.s;l5 (15 В)
~15 (15 В)
~15 (15 В)
~15 (15 В)
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
~1
35
35
35
35
35
35
35
70
70
70
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
300*
300*
30(;*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
~15
~15
~15
~15
45
45
-
1,5
1,5
70
70
-
-
40**
40**
-
25
25
А
~16 мА
А
~16 мА
-
60**
60**
-
25
25
А
~5мА
А
~25 мА
40**
40**
25
25
12
12
А
~8 мА
А
~мА
~1
*
*
~1 *
~1 *
~1 *
~1 *
~1 *
~1
~1
*
*
-~1 *
~1
10*
10*
Вт
~0.1 *
Вт
~.2*
10*
10*
Вт
~.1*
р-п-р
Вт
~.2*
p-n-p
p-n-p
100*
100*
Вт
П208
p-n-p
р-п-р
100*
100*
Вт
П208А
П207А
П209
р-п-р
П209А
р-п-р
60*
60*
Вт
Вт
Вт
~.1*~
Вт
~.1**
-
.
~15
.s;l5
.s;l5
~15
.s;15
~15
(15 В)
(15 В)
(15 В)
(15 В)
(15 В)
{15 В)
(15 В)
(15 В)
(15 В)
(15 В)
А
~О.4 мА
А
~.4мА
2А
~О.4 мА
2А
.s;0,4
мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов
rкэ нас,
*
rвэ нас,
Ом
28".56 (0,5 В; О, 1 А)
45".90 (0,5 В; 0,1 А)
71".162 (0,5 В; 0,1 А)
120".200 (0,5 В; О, 1 А)
Кш, дБ
rб, Ом
**
Рвых,
Вт
57
't'к, пс
*
fpac,
Корпус
**
fвыкл,
*** НС
fпк,
~О.5
~О.5
~О.5
П124
-
~О.5
fll,4
1
l/ернан
/Уточки
3
;~t~~lii~ к$
...___11.
28".56 (0,5 В; 25 мА)
45".90 (5 В; 25 мА)
71".140 (5 В; 25 мА)
120".200 ,(5 В; 25 мА)
:2:28* (0,5 В; 100 мА)
45".90 (5 В; 25 мА)
71""140 (5 В; 25 мА)
25".56* (0,5 В; 100 мА)
45".90* (0,5 В; 100 мА)
71".140* (0,5 В; 100 мА)
~20*
~40*
(10
(10
В;
В;
0,2
0,2
А)
А)
П125
tJ11, 7
1.......-·
Q::)+--"-m.·.........
~--
1
~1.25
П201
~1.25
21
~,
~20*
(10
В;
0,2
А)
~1.25
~1.25
1
~1 }
П202
5".15
5".12
П207
~15
П208
~15
~15
~15
~з
w
J(
П209
Раздел
58
прибора
·
Структу-
П210
р-п-р
П210А
р-п-р
П210Б
р-п-р
П210В
р-п-р
П210Ш
р-п-р
П213
р-п-р
П213А
p·n-p
П213Б
р-п-р
П214
р-п-р
П214А
р-п-р
П214Б
р-п-р
П214В·
р-п-р
П214Г
р-п-р
П215
р-п-р
П216
р-п-р
П216А
р-п-р
П216Б
р-п-р
П216В
p-n-p
П216f
р-п-р
П216Д
р-п-р
fгр, fh21б,
fh2Iэ,
•••
fmax,
u& проб·,
мВт
мrц
в
20,1 **
20,1**
20,1 **
20,1**
20,1 **
60**
65**
65
45
64*
25
25
25
25
25
12
12
12
12
12
11,5* Вт
10* Вт
10* Вт
20,2*
20,2*
20,2*
45
45
45
15
10
10
5А
10* Вт
10* Вт
11,5* Вт
10* Вт
10* Вт
20,2*
20,2*
20,2*
20,2*
20,2*
60
60
60
60
60
15
15
15
10
10
БА
20,2*
20,2*
1515
15
15
15
15
15
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
Рк, т
ра
Биполярн~1е транзисторы
• max,
••
Рк, и max,
Ркmах,
'
Тип
2.
60*
60*
45*
45*
60*
10*
30*
30*
24*
24*
24*
24*
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Uкво проб,
UКэR пробt
Uэво nроб,
в
lк
•
Iк,
max,
и max,
мА
А
А
А
А
А
5А
5А
5А
5А
5А
5А
5А
Iкво,
IКэR,
1**
кэо,
мкА
::;12
мА
~мА (45 В)
::;15
::;15
мА
мА
~мА (65 В)
::;D,15 мА
::;1 мА
::;1 мА
::;D,3 мА
::;D,3 мА
::;D,15 мА
:s;l ,5 мА
:s;l,5 мА
S0,3 мА
::;D,5 мА
::;D,5 мА
:s;l,5 мА
:s;Z мА
::;2,5 мА
Вт
~.2*
Вт
20,2*
Вт
~0.2*
Вт
Вт
20,2*
20,2*
80
40
40
35
35
50
50
30* Вт
30* Вт
30* Вт
24 Вт
24 Вт
20,2*
20,2*
20,2*
20,2*
20,2*
60
60
60
60
60
15
15
15
15
15
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
S0,5 мА
::;D,5 мА
::;D,5 мА
75
75
75
~140
15
15
15
1,5
1,5
0,5
40 (100*)
40 (100*)
40 (100*)
S4 (15 В)
20
20
20
20*
3
3
3
3
50
50
50
50
S2
::;2
::;2
::;2
Вт
::;z мА
'
П217
р-п-р
П217А
p·n·p
П217Б
р-п-р
П217В
р-п-р
П217Г
р-п-р
П305А
р-п-р
ПЗОSБ
р-п-р
пзоsв
р-п-р
П308А
р-п-р
П308Б
р-п-р
П308В
р-п-р
П308f
р-п-р
150
150
150
150
(360**)
(360**)
(360**)
(360**)
~160
~160
~90
~120
~120
~120
.
(120*)
(120*)
(120*)
(120*)
::;з мА
::,;3
мА
-
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
Параметры биполярных германиевых 11)ранзисторов
rкэ нас,
rвэ нас,
rб, Ом
Ом
** 1 Вт
Рвых
*
;c:l5* (2
~15* (2
;c:lO* (2
;c:lO* (2
;с:15* (.2
В;
В;
В;
В;
В;
5
5
5
5
5
Кш, дБ
59
't'к, пс
* 1
fpac
** 1
fвыкл
Корпус
*** НС
fпк,
А)
П210
А)
А)
А)
А)
20 ... 50* (5 В; 1 А)
;с:20* (5 В; 0,2 А)
~ ;с:4О* (5 В; 0,2 А)
П213
~.16
$1,25
20 ... 60* (5 В; 0,2 А)
50... 150* (5 В; 0,2 А)
20".150* (5 В; 0,2 А)
;с:20* (5 В; 0,2 А)
$0,3
$0,3
$0,3
$0,3
$0,3
П214
20 ... 150* (5 В; 0,2 А)
;с:16 (0,75 В; 4 А)
20 ... 80 (О, 75 В; 4 А)
;с:10 (3 В; 2 А)
;с:30 (3 В; 2 А)
;с:5 (3 В; 2 А)
15 ... 30 (3 В; 2 А)
~.3
П215, П216
$0,2
$0,2
~.25
~.25
$0,25
;c:l 6 (0,75 В; 4 А)
20 ... 60 (5 В; 1 А)
~20 (5 В; 1 А)
;с:15* (1 В; 4 А)
15 .. .40 (3 В; 2 А)
25 ... 80* (l В; 10 мА)
60 ... 180* (l В; 10, мА)
40 ... 120* (5 В; 5 мА)
20 ... 75* (l В; 10 мА)
50 ... 120* (1 В; 10 мА)
80 ... 200* (l В; 10 мА)
80 ... 150 (l В; 10 мА)
П217
$0,5'
$0,5
$0,5
$0,25
$0,5
$7 (5
В)
$7 (5 В)
$5,5 (5 В)
$8
$8
$8
$8
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
$50
$50
$6 (1,6
$30
$24
$24
$8 (l,6
$8 (1,6
МГц)
МГц)
МГц}
$300
$300
$300
П305
$400
$1000*
$400
$500
$1000*
П308
- ~11,7 -
' !
Раздел
60
Тип
Структу-
прибора
ра
П309А
,
П309Б
р-п-р
р-п-р
Uкоо nроб,
** и max,
Рк.
fh2Iэ,
***
fmax,
UКэR nроб,
** nроб,
Uкэо
мВт
МГц
в
75
75
75
75
75
75
~120
10
10
10
10
10
10
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
10
10
10
10
10
10
:S5
S:5
:S5
s=5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
12
12
12
12
12
12
-
10
10
10
10
10
10
:S5 (5
~5 (5
:S5 (5
~5 (5
~5 (5
:S5 (5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
12
12
12
12
12
12 (20 имп.)
12 (20 имп.)
10
2
2
2
2
2
2
2
1,5
50
50
50
50
50
50
50
50
s;5 (5 В)
S:5 (5 В)
s;5 (5 В)
s;5 (5 В)
s;5 (5 В)
s;5 (12 В)
s;5 (12 В)
~5 (10 В)
15
15
15
0,7
0,7
0,7
30
30
30
:S5 (12
:S5 (12
s;5 (12
В)
В)
В)
20
20
20
3
3
3
150 (300*)
150 (300*)
150 (300*)
s;lO (20
s;lO (20
~10 (20
В)
40**
40**
40**
30**
30**
30**
4
4
4
2,5
2,5
2,5
25
25
25
15
15
15
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
* т max,
РК,
~120
~80
П309Г
р-п-р
р-п-р
П309Е
р-п-р
П.310А
р-п-р
П310Б
p-n-p
П310В
р-п-р
пз~оr
p-n-p
П310Д
р-п-р
П310Е
p-n-p
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
пзни
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150
150
150
150
150
150
150
150
П313А
р-п-р
П313Б
p-n-p
П313В
р-п-р
100
100
100
П320А
р-п-р
П320Б
р-п-р
П320В
р-п-р
П321А
р-п-р
П321Б
р-п-р
П321В
p-n-p
ПЗНБ
пзнв
пзнr
П311Д
ПЗНЕ
пзнж
•
пз21r
р-п-р
П321Д
р-п-р
ПЗ21Е
p-n-p
П322А
p-n-p
П322Б
р-п-р
П322В
р-п-р
пз22r
р-п-р
П322Д
р-п-р
П322Е
р-п-р
/
frp, fh2lб,
ПЗО9Д
П311А
Биполярные транзисторы
РКmах,
р-п-р
П309В
2.
~80
~80
~80
~160
~160
~120
~120
~80
~80
~300
~300
~450
~450
~600
~50
~300
~450
~300
~450
~350
~80
200
200
200
160
160
160
160
160
160
(20**
(20**
(20**
(20**
(20**
(20**
.
50
50
50
50
50
50
~120
~160
Вт)
Вт)
Вт)
Вт)
Вт)
Вт)
.
~60
~60
~60
~60
~60
~60
~80
~80
~80
~50
~50
~50
Uэво nроб,
в
Iк max,
* и max,
Iк,
мА
200
200
200
200
200
200
(2* А)
(2* А)
{2* А)
(2* А)
(2* А)
(2* А)
10
10
10
5
5
5
Iкоо,
l~R,
1**
кэо,
мкА
~5
~5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
~500
(60 В)
:SSOO (60 В)
:SSOO (60 В)
s;500 (45 В)
~500 (45 В)
~500 (45 В)
s;4 (25 В)
S:4 (25 В)
s;4 (25 В)
~ (15 В)
~4 (15 В)
~ (15 в
Параметры биполярных германиевых транзисторов
61
.
..
h21э, h21э
20 ... 70 (5 В; 1 мА)
60... 180 (5 В; 1 мА)
20 ... 70 (5 В;.1 мА)
60 .. .180 (5 В; 1 мА)
20 ... 70 (5 В; 1 мА)
60 ... 180 (5 В; 1 мА)
Ck,
rкэ нас,
Кш.дБ
С12э,
rвэ нас,
rб, Ом
пФ
Ом
•
:57,5
:57,5
:57,5
S7,5
:57,5
:57,5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
•
В)
В)
В)
В)
В)
В)
••
Рвых,
'tк, ПС
•
••
taыКJJ,
tpac,
Вт
•••
tпк, НС
-
:56 (1,6 МГц)
s6 (1,6 МГц)
-
-
-
-
-
S500
S500
:51000
SlOOO
:51000
SlOOO
-15 ... 80* (3 В; 5 мА)
30 ... 180* (3 В; 5 мА)
15 ... 50* (3 В; 5 мА)
30... 80* (3 В; 5 мА)
60 .. .180* (3 В; 5 мА)
20 ... 80* (3 В; 5 мА)
50... 200* (3 В; 5 мА)
100... 300* (3 В; 5 мА)
20 ... 250 (5 В; 5 мА)
20 ... 250 (5 В; 5 мА)
30... 170 (5 В; 5 мА)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
s5 (5' В)
:55 (5 В)
:54
:54
:55
:::;5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
:::;2,5 (5
:::;2,5 (5
:::;2,5 (5
В)
S2,5
:::;2,5
:::;2,5
:::;2,5
:52,5
:::;2,5
:::;2,5
:::;2,5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
-
:53
:53
:54
S4
:54
:54
-
(1,6 МГц)
( 1,6 МГц)
(1,6 МГц)
(1,6 МГц)
( 1,6 МГц)
( 1,6 МГU.)
~
1
~
:5300
:5300
:5300
:5300
:5500
S500
-
ПЗ10
fl.t,2
.
u
~
~-
~·=r
Ф11
-
~
1
~
'
:58 (5
В)
В)
В)
:58,5
:58,5
:58,5
1
~11
:53,5
:53,5
:::;3,5
:53,5
:53,5
SЗ,5
11
ssoo
-
-
:::;600
:5600
:5600
:5600
:5600
-
-
50... 120 (5 В; 1 мА)
20 ... 120 (5 В; 1 мА)
50... 120 (5 В; l мА)
20 ... 70 (5 В; J мА)
50... 120 (5 В; l мА)
:::;1,8
:51,8
:::;2,5
:::;2,5
:51,8
:51,8
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
-
Корп.
ПЗ20
:5500
S600
-
1
1 1
~11,7 -
-
!
11
1
1
1
,11,7
.
Q::i
.
!
1
J
1
11
sбоо·
-
S4 (1,6 МГц)
:54 ( 1,6 МГц)
:54 ( 1,6 МГц)
:550
S100
:5200
-
-
.
зф
ПЗ21
~ w
Зо ... 100 (5 В; 1 мА)
зеJ
~
~w
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
Корп.
ПЗ13
с-,,
SSO
:580
S80
s;80
S80
S80
11
1
Q::i
20 ... 60* (3 В; 0,5 мА)
40 .. .120* (3 В; 0,5 мА)
80... 200* (3 В; 0,5 мА)
20... 60* (3 В; 0,5 мА)
40 .. .120* (3 В; 0,5 мА)
80... 200* (3 В; 0,5 мА)
11
1
,,
:58 (5
зеJ
'
~
-
s8 (5
з
ПЗ11
~
со·
20 ... 80* (1 В; 1О мА)
50 ... 160* (1 В; 10 мА)
80... 250* (1 В; l О мА)
6.
~
:575
:540
s75
-
з~
•
sso•
:550*
s5o•
:550*
:575; :550*
S100; s50*
:5100; :::;50*
к
1
s50*
-
:54,6
:54,6
S4,6
JIU
!п ~
-
:::;20
:520
:520
:520
:520
:::;20
:::;20
:520
ПЗО9
~
.
20 ... 70 (5 В; 1 мА)
60 ... 180 (5 В; 1 мА)
20 ... 70 (5 В; 1 мА)
60 ... 180 (5 В; 1 мА)
20 ... 70 (5 В; 1 мА)
60 .. .180 (5 В; 1 мА)
Корпус
1
зф6
ПЗ22
~5.'!_
'":i
~~
-.
"
h~
'
1 !1
......_ 11
з
Кораф6
к
Разdеп
62
Uкво проб,
UкэR проб,
Uэво проб,
** и max,
Рк,
1··
h2lэ,
***
fmax,
uКЭо проб,
в
мВт
МГц
в
n-p-n
n-p-n
n-p-n
500
500
500
~200 '
20
20
20
2
2
2
1000
1000
1000
:S30
p-n-p
p-n-p
p-n-p
50 (55°С)
50 (55°С)
50 (55°С)
15* (5к)
15* (5к)
15* (5к)
0,25
0,25
0,25
10
10
10
SlO (15 В)
SlO (15 В)
SlO (15 В)
10
10
10
10
0,5
0,5
l
0,5
20
20
20
20
S5
S5
s5
S5
10 (20 имп.)
10 (20 имп.)
10 (20 имп.)
1,5
1,5
1,5
20
20
20
S5 (10 В)
S5 (10 В)
S5 (10 В)
20
20
20
20
20
3
3
3
3
3
прибора
ра
ПЗ23В
ПЗ28А
ПЗ28Б
ПЗ28В
IКБо,
IКэR,
1**
кэо,
frp, fh21б,
Структу-
ПЗ2ЗБ
б#!nолярные транзисторы
Ркmах,
Тип
ПЗ23А
•
2.
• т max,
РК,
...
~200
~300
~400
~300
~300
lк max,
* и max,
Iк,
мА
мкА
~о
~о
,
ПЗ29А
ПЗ29Б
ПЗ29В
ПЗ29Г
пззод
пззож
пззои
ПЗ35А
П335Б
ПЗЗ5В
пззsr
ПЗЗ5Д
ПЗ38А
ПЗЗ8Б
пззsв
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
50 (4о·с>
50 (40°С)
50 ·(40°С)
25 (бо с)
~1200
n-p-n
n-p-n
n-p-n
50 (45°С)
50 (45°С)
50 (45°С)
~500
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
200
200
200
200
200
p-n-p
p-n-p
p-n-p
0
(45°С)
(45°С)
(45°С)
(45°С)
(45°С)
100
100
100
~1680
~990
~700
~1000
~500
~80
~80
~&О
~300
~300
-
20 (8**)
20 (13**)
20 (5**)
-
150
150
150
150
150
(250*)
(250*)
(250*)
(250*)
(250*)
(10
(lO
(10
(10
В)
В)
В)
В)
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
1000
S30 (20 В)
S30 (20 В)
~О (20 В)
10
10
10
S5 (lO В)
S5 (10 В)
S5 (10 В)
1000
1000
'
tl
ПЗ41А
ПЗ41Б
П341В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
35 (6О С)
35 (6О 0 С)
35 (60°С)
0
~1500
10
10
10
~1980
~1·500
...
0,3
0,3
0,5
Пара_метры биnолярных германиевых транзисторов
Ck,
rкэ нас,
Кш,д.Б
С12э,
rБЭ нас,
rб, Ом
пФ
Ом
$30
S30
$30
-
•
h21э, h21э
20 ... 60 (5 В; 0,5 А)
40". J 20 (5 В; 0,5 А)
80."200 (5 В; 0,5 А)
•
'tк, пс
•
tpac,
•
••
Рвых,
-
63
Вт
••
••• НС
tпк,
tвыкл,
Корпус
-
-
-
ПЗ23
--
- , 11, 7
-
зф1
Q::i
•
с-....
1111
1 1I
~
20."200* (5 В; 4 мА)
40".200* (5 В; 3 мА)
1О ... 70* (5 В; .3 мА)
-
Sl,5(5B)
Sl,5 (5 В)
Sl,5 (5 В)
s7 (180 МГц)
s7 (180 МГц)
s7 (180 МГц)
ПЗ28
s5
sJO,
SlO
~5,8
~
~·
"')
..,.
......
,...,..
/1
..... 1
(5
(5
(5
(5
В;
В;
В;
В;
5
5
5
5
мА)
мА)
мА)
мА)
-
-
S2 (5 В)
S3 (5 В)
sЗ (5 В)
S2 (5 В)
-
~
(400 МГц)
s6 (400 МГц)
S6 (400 МГц)
S5 (400 МГц)
S15
s30
S20
Sl5
17
9)7,//
-$65,5
~
~
, 1<с.
--
-и.11
Sl5
Sl5
Sl5
МГц)
S30; S50*
S50; 550*
s8 (400 МГц)
$ЗО;s50*
s8 (400
-
rЩ
~
~111
......
1 1
~·
"".:"
-
-
В)
В)
В)
Sl50*
С1::.
J 1 J 11
с--,,
-
)
tнSlнc
tнSlнc
tнSlнc
11 1
~11
-
э$
~
-
~
1 1 1
cii::.·
1
Sl (5
:51 (5
Sl (5
В)
В)
В)
-
S4,5 (1 ГГц)
:55,5 ( 1 ГГц)
s5,5 ( 1 ГГц)
1
1
'
Корп.
1
ПЗ41
:510
:510
SlO
17
9)7,//_
~
"':)"
-165,5
~
1
#
, !"- -
.
~
ПЗЗ8
~
15... 300* (5 В; 5 мА)
15... 300* (5 В; 5 мА)
15".300* (5 В; 5 мА)
к
f/J11,7 -
.o:r-,
-
~5
ПЗЗ5
sJOO*
Sl50*
.
S2 (5
S2 (5
:52 (5
з
~ ~
1
1
-
к
17
•1"--ir:tr: ·-
-
~ ~
,,
9)7,//
~
S8,5
S8,5
S8,5
S8,5
s8,5
~/;1 ~5
пззо
"':)'
40 ... 70* (3 В; 50 мА)
60".100* (3 В; 50 мА)
40 ... 70* (3 В; 50 мА)
60."100* (3 В; 50 мА)
50.. .l 00* (3 В; 50 мА)
-
-
1з
'~
......
~·~
"".:"
SЗ (5 В)
$3 (5 В)
s3 (5 В)
к
ПЗ29
"':)"
30.. .400* (5 В; 5 мА)
30.. .400* (5 В; 5 мА)
1О" .400* (5 В; 5 мА)
К47дф
1
~
15".300*
15 ... 300*
15."300*
15."300*
з
~
"".:"
8.J::C...-
......
с:::
-з
~/;1 ~~~ ~
к
Раздел
frp, fh2\б,
fh21э,
***
fmax,
Uкво проб,
max,
**
Рк. н max,
мВт
МГц
в
50 (55°С)
50 (55°С)
50 (55°С}
~700
20
20
20
Ркmах,
Тип
Структу-
прибора
ра
p-n-p
p-n-p
p-n-p
П346А
П346Б
П346В
*т
Рк.
Ui(эR проб,
uКЭо проб,
~550
~550
-
2.
Биполярные транзисторы
lк
max,
lк. н rnax,
Uэво проб,
в
мА
0;3
0,3
0,3
-
Iкво,
li<эR,
Ii<Эo,
мкА
10
10
10
:510 (20 В)
:510 (20 В)
:510 (20 В)
'
·-
..•
~2400
5 (55°С)
5 (55°С)
0,2
0,2
10
10
:55 (5 В)
:55 (5 В)
35 (85°С)
~1020
7**
0,25
10
:55 (7В)
25 (55°С)
25 (55°С)
25 (55°С)
~2400
П383В-2
n-p-n
n-p-n
n-p-n
5* ( 1к)
5* (l к)
5* (lк)
0,5
0,5
0,5
10
10
10
:55 (5 В)
:55 (5 В)
:55 (5 В)
П401
~-n-p
П402
p-n-p
100
100
10
10
l
1
20
20
:510 (5 В)
:55 (5 В)
n-p-n
n-p-n
40
40
~2400
П376А
p-n-p
ПЗ83А-2
П362А
П362Б
'
П383Б-2
~1500
~3600
~30
~о
'
.
П402А
П402Б
П402В
П402Г
П402Д
П402Е
П402Ж
П402И
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
300;
300;
300;
300;
0,3 Вт;
0,3 Вт;
0,3 Вт;
0,3 Вт;
600
600
600
600
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
~l
*
~l *
~l *
~1 *
~1 *
~1 *
~1 *
~1 *
25*
25*
40*
40*
25*
25*
40*
40*
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
(0,2к)
(0,2к)
-
500
500
500
500
500
500
500
500
В)
В)
В)
В)
В)
~25(10В)
:525 (10 В)
:520
:520
:520
:520
:525
(10
(10
(10
(10
(10
:525 (10 В)
-
П403
П403А.
p-n-p
p-n-p
100
100
~100
~80
10
10
1
1
20
20
~
.
:55 (5 В)
:55 (5 В)
-
параметры биполярных германиевых транзисторов
rкэ нас,
Кш.дБ
rвэ нас,
rб, Ом
•
Ом
10... 150 (10
10... 150 (10
15 ... 150 (10
В;
В;
В;
2
2
2
мА)
мА)
мА)
Sl ,3 (5
Sl ,3 (5
Sl ,3 (5
10".200 (3
10... 250 (3
В;
В;
5
5
мА)
мА)
Sl (5
Sl (5
10... 150* (5
В;
2
мА)
Sl ,2 (5
В)
В)
В)
•
** 1
Рвых
Вт
S6 (800 МГц)
S8 (800 МГц)
s7 (200 МГц)
В)
В)
В)
65
'tк, пс
* 1
tpac
Корпус
••
tвыкл,
*** нс
tпк.
S3
s5,5
s6
S4,5 (2,25
s5,5 (2,25
ГГц)
slO
S20
П362
ГГц)
S3,5 (180
МГц)
Sl5
П376
::}j
...
1
~.:.___ 1
15".250 (3,2
10... 250 (3,2
15".250 (3,2
В;
В;
В;
5
5
5
мА)
мА)
мА)
16 ... 300 (5 В; 5 мА)
16.:.250 (5 В; 5 мА)
Sl (3,2
Sl (3,2
Sl (3,2
В)
sl5 (5
SlO (5
В)
S4,5 (2,25 ГГц)
S4 (1 ГГц)
s5,5 (2,83 ГГц)
В)
В)
В)
фз6
...._.,.
Корп.
$10
SlO
Sl5
П383
S3500
SlOOO
П401, П402
- , 11,7 1
1 1 11
t::...._-'l"I
30 ... 80 ( l В; 3 мА)
60".150 (l В; 3 мА)
30 ... 80 ( l В; 3 мА)
60 ... 150 (l В; 3 мА)
30 ... 80 (l В; 3 мА)
60".150 (l В; 3 мА)
30. "80 (l В; 3 мА)
30".80 ( l В; 3 мА)
30 ... 100 (5
16... 200 (5
В;
В;
5
5
мА)
мА)
1
П402
r/J11,7
S5
s5
S5
S5
SlO (5
slO (5
В)
В)
П403
S500
S500
,11,7
'
1
t::_11_"'1'1 1
1
к
Раздел
86
fгр, fh21б,
fh21э,
Ркmах,
Тип
Структу-
прибора
ра
•т
Рк,
••
Рк, н
•••
fmax,
МГц
в
Вт
~.008**
Вт
~.008**
45
45
60
60
60
60
80
80
45
мВт
П40ЗА
П40ЗБ
П40ЗВ
П40ЗГ
П40ЗД
П40ЗЕ
П40ЗЖ
П40ЗИ
П40ЗЮ
rТ404А
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
4*
4*
5*
4*
4*
5*
4*
4*
4*
n-p-n
n-p-n
П404В
n-р-п
П404Г
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
600;
600;
600;
600;
600;
600;
600;
600;
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
П404Б
П404Д
П404Е
П404Ж
П404И
П405А
П405Б
П405В
П405Г
П406А
П416
П416А
·П416Б
p-n-p
p-n-p
p-n-p
Uкво проб,
Ui(эR проб,
uКЭо проб,
max,
max,
Вт
~.008**
Вт
~.006**
Вт
~.006**
Вт
Вт
[,
~.008**
~О.008**
Вт
~О.008**
Вт
~О.008**
UэБО проб,
в
-
Вт
~1 *
(О,2к)
Вт
~1 *
-
Вт
~1
25*
25*
40*
40*
100 (360*)
100 (360*)
100 (360*)
~40
~60
~80
IКэR,
1**
кэо,
мкА
(45 В)
(45 В)
(60 В)
(60 В)
(60 В)
(60 В)
(80 В)
(80 В)
(45 В)
s25 (10 В)
S25 (10 В)
S25 (10 В)
s25(10B)
$25 (10 В)
S25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
Вт
мА
Iкво,
500
500
500
500
500
500
500
500
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
Вт
max,
•
Iк, н max,
-
2а
25*
25*
40*
40*
25*
25*
40*
40*
*
~l *
0,006**
lк
$50
$50
$50
$50
$50
S50
$50
$50
S50
*
*
~1 *
~l *
~1 *
~1 *
~l *
~1 *
~1
Биполярные транзисторы
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
20
20
20
20
30
20
20
20
300
300
300
300
300
300
300
300
~l
2.
s25
s25
$25
$25
S50
(lO
(10
(10
(10
(25
В)
В)
В)
В)
25
20
500
500
- 500
500
1250
12
12
12
3
3
3
25 (120*)
25 (120*)
25 (120*)
$3 (10
$3 (10
$3 (10
В)
В)
8
8
8
0,7
0,7
0,7
10
10
10
$3 (10
$3 (10
$3 (10
В)
В)
В)
-
20
20
$5 (5
S5 (5
(О,2к)
(О,2к)
(О,2к)
-
-
В)
В)
'
П417
П417А
П417Б
П422
П423
p-n-p
p-n-p
p-n-p
50
50
50
p-n-p
p-n-p
100
100
~200
~200
~200
~50
~100
10*
10*
(lк)
(lк)
-
В)
В)
-
П605
П605А
p-n-p
p-n-p
3
3
Вт
Вт
-
-
45
45
1
0,5
1500
1500
s2000 (45
(45
~2000
В)
В)
параметры биполярных германиевых транзисторов
rкэ нас,
С12э,
rвэ нас,
пФ
Ом
-
s1
s1
s1
•
h21э. h21э
,!;
....
20 ... 60 (5 В; О, 1 А)
50 ... 150 (5 В; 0,1 А)
20".60 (5 В; О, 1 А)
50 ... 150 (5 В; 0,1 А(
50".150 (5 В; О, 1 А)
30* (0,45 А)
20 ... 60 (5 В; О, 1 А)
30* (О,45 А)
30 ... 60 (5 В; О, 1 А)
Ck,
Кш, дБ
•
*
rб, Ом
,
,
** Вт
Рвых,
-
-
Sl
s1
s1
s1
s1
s1
30 ... 80 ( 1 В; 3 мА)
60".150 (l В; 3 мА)
30".80 ( 1 В; 3 мА)
60".150 (l В; 3 мА)
30 ... 80 (l В; 3 мА)
60".150 (1 В; 3 мА)
30. "80 (l В; 3 мА)
60 ... 150 ( 1 В; 3 мА)
-
S6
S6
S6
S6
S6
S6
S6
S6
-
30".80 (l В; 3 мА)
60".150 (l В; 3 мА)
30".80 (l В; 3 мА)
60."150 (1 В; 3 мА)
50. .. 150 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
-
-
-
--
-
67
't'к, пс
*
tpac,
Корпус
**
tвыкл,
*** НС
tnк,
П403
-
-
"
~
~
--
tJ10
/
!
С))
~
П404
- rJ 11,7
-
к
~
'
~
-
1
-
с-..,
-
~
'
1
J1
1
1
1
1
-
1
П405
-
'
"
7,5
~оо
Се
J11
1 J 11 )
1
'
S8 (5 В)
S8 (5 В)
S8 (5 В)
~о
S40
S40
-
-
П416
S500; SlOOO*
S500; SlOOO*
S500; SlOOO*
164;2
~
с:...
~-
~
24 ... 100 (5 В; 5 мА)
65" .200 (5 В; 5 мА)
75."250 (5 В; 5 мА)
S5 (5 В)
S5 (5 В)
S6 (5 В)
-
-
-
S400
S400
S400
--
вJ
lВНФ
~
20 ... 80 (5 В; 5 мА)
60".120 (5 В; 5 мА)
90".250 (5 В; 5 мА)
rJ12
--
j
'
-
\
1--=
'
i~ 6.
з
11 )
П417
"'
(1}11,5
к
~
~
i
f1 JL f
~j
1
эфб
----
1
24 .. .100 (5 В; 1 мА)
24".100 (5 В; 1 мА)
SlO (5 В)
SlO (5 В)
-
SlO (1,6 МГц)
SlO (1,6 МГц)
-
П422, П423
SIOOO
S500
164;2
~
l
с:...
~
~
1--=
' .._.
J
6ф
з
1
1
20".60 (3 В; 0,5 А)
40".120 (3 В; 5 А)
Sl 30 (20 В)
Sl 30 (20 В)
~о
S40
-
П605
S3000*
S4000*
~15,5
1
~
ot
" - u ,.~~_с
2//.8
l (,;. ~6
/J
~ ~
'Fo о"\ ~
~
О..1,
~
~ ~з
68
Раздел
Ркmах,
Тип
прибора
Структура
*т
Рк,
fгр, fh21б,
fh21э,
UкБо проб,
***
fmax,
Ui{эR проб,
u&проб,
мВт
МГц
в
max,
**
Рк. н max,
мкА
300 (600*)
300 (600*)
~ОО-(30 В)
:5300 (30 В)
30
30
1,5
1,5
300 (600*)
300 (600*)
~00 (30 В)
:5300 (30 В)
30
30
1,5
1,5
300 (600*)
300 (600*)
:5300 (30 В)
:5300 (30 В)
2,5
2,5
2,5
700*
700*
700*
:540 (30 В)
:540 (30 В)
:540 (30 В)
120 (200*)
:55 (12 В)
р-п-р
П607А
p·n·p
1,5 Вт
1,5 Вт
~60
~60
1,5 Вт
1,5 Вт
~90
~90
IКэR,
1**
кэо,
1,5
1,5
П607
р·П·р
мА
IКБО,
30
30
35
35
p·n·p
.
max,
* н max,
Iк.
:52000 (35 В)
:52000 (35 В)
~30
П608А
в
Iк
1500
1500
1,25 Вт
1,25 Вт
П608
UэБО проб,
Биполярные транзисторы
l
0,5
p-n·p
p·n·p
~30
П606А
П606
2.
'
П609
р·П·р
p·n·p
1,5 Вт
1,5 Вт
~120
П609А
ПС609А
500 (43°С)
500 (43°С)
500 (43°С)
~60
ПС609В
p·n·p
p·n·p
p·n·p
~о
50
50
50
П612А-4
п-р-п
570
~1500
12
0,2
П701А
р·П·р
50* Вт
~.05*
55* (140 имп.)
15
ПС609Б
~120
~60
.
12
А
:56
мА
nараметрЬ1 биполярнь1х германиевЬ1х транзисторов
rкэ нас,
Кш, дБ
СБЭ нас,
rб, Ом
Ом
Р:=х. Вт
•
69
'tк, пс
•
tpac,
Корпус
**
tвыкл,
•••
tпк, НС
20 ... 60 (3 В; 0,5 А)
40 ... 120 (3 В; 5 А)
:5130 (20 В)
:5130 (20 В)
:540
:540
:53000*
:54000*
20 ... 80* (3 В; 0,25 А)
60 ... 200 (3 В; 0,25 А)
:550 (10 В)
:550 (10 В)
:510
:510
:53000*
:53000*
П607
40".120 (3 В; 0,25 А) ·
80."240 (3 В; 0,25 А)
:550 (10 В)
:580 (10 В)
:51 о
:510
:53000*
:53000*
П608
40 ... 120 (3 В; 0,25 А)
80 ... 240 (3 В; 0,25 А)
:550 (10 В)
:580 (10 В)
:510
:510
:53000*
:53000*
П606
~15,5
~15,5
П609
~15,5
1
_
-
~113.~5
-..
1
ot~~-~ /J 'Fo о"" ~
~ ~ ~ jO) ~
"~
u J;
с
_211,8 -
30".200 (3 В; 0,5 А)
50 ... 160 (3 В; 0,5 А)
80".420 (3 В; 0,5 А)
:550 (10 В)
:550 (10 В)
:550 ( 10 В)
:53,5 (5
В)
:53,2
:53,2
:53,2
:5700*
:57_00*
:5700*
~.2** Вт
1
ПС609
1//
(2 ГГц)
-
П612
1,6
10* (2 В; 6 А)
Wз
6,J
П701
Раздел
70
2.
Биполярные транз_исторы
Ркmах,
Тип
Структу-
прибора
ра
* т max,
Рк,
** н max,
Рк,
мВт
П703А
ГТ703Б
П703В
П703Г
П703Д
П705А
П705Б
П705В
П705Г
П705Д
П804А
П804Б
П804В
П806А
П806Б
П806В
П806Г
П806Д
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
15*
15*
15*
15*
15*
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
15*
15*
15*
15*
15*
p-n-p
. p-n-p
p-n-p
15*
15*
15*
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p,n-p
'
30*
30*
30*
30*
30*
Вт
fгр, fh2\б,
fh21э,
Uкво проб,
***
fmax,
** проб,
Uкэо
МГц
в
~.010**
Вт
~.010**
Вт
~О.010**
Вт
~.010**
Вт
~О.010**
Вт
~О.010**
Вт
~.010**
Вт
~О.010**
Вт
~.010**
Вт
~.010
Вт
~10
Вт
~10
Вт
~10
Вт
~10*
Вт
~10*
Вт
~10*
Вт
~10*
Вт
~10*
Uкэн проб,
20
20
30
30
40
Uэво проб,
в
max,
* н max,
lк,
10
10
10
10
10
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
20*
20*
20*
20*
20*
10
10
30
10
10
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
А
-
10
10
10
А
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
15
15
15
15
15
А
75
100
120
50
140
IКэн,
IКЭо,
мА
(О,05к)
(О,05к)
(О,05к)
(О,05к)
(О,05к)
100**
140**
190**
lкво,
Iк
мкА
А
:5500
:5500
:5500
:5500
:5500
А
А
А
А
:5500
:53,5 мА
:53,5 мА
:5500
:5500
А
А
А
А
-
-
А
А
-
А
А
А
А
-
П810А
p-n-p
15*
П905А
П905Б
p-n-p
p-n-p
6
6
ГТ906А
p-n-p
П906АМ
p-n-p
Вт
200
1,4
Вт
~60
Вт
~60
75
60
0,4
0,4
15* Вт;
300** Вт
~30
75
1,4
бА
15* Вт;
300** Вт
~30
75
1,4
бА
10
3
3
А
А
:520
мА
:520
:520
мА
:58
мА
(75
В)
:58
мА
(75
В)
А
~15
(7*
(7*
А)
А)
мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов
rкэ нас,
Кш, дБ
rвэ нас,
rб, Ом
Ом
Рвых, Вт
•
30 ... 70* (1 В; 50 мА)
50".100* ( l В; 50 мА)
30". 70* (l В; 50 мА)
50".100* ( l В; 50 мА)
20".45* (1 В; 50 мА)
••
71
'tк, ПС
•
tpac,
Корпус
••
•••
tнк, НС
tвыкл,
П703
.S0,2
.S0,2
::;0,2
.s0,2
.S0,2
30". 70* (1 В; 50 мА)
50". l 00* (l В; 50 мА)
30... 70* ( l В; 50 мА)
50".100* (1 В; 50 мА)
90" .250* ( l В; 50 мА)
П705
.S0,6
::;0,6
.S0,6
.S0,6
.S0,6
27 -
1
1 1 -
j\
~
.
111
~
1
~~
20" .150* (1 О В; 5 А)
20".150* (10 В; 5 А)
20 ... 150* (10 В; 5 А)
.SlOOO
.SlOOO
.slOOO
~~
1---"
fllfЗ 6" ~
\\\\.@ ~ ~
"":»~~к
П804
, _21/,G
1гn
~~ ~~_
i~7
10... 100*
10 ... 100*
10... 100*
10".100*
10".100*
(10 А)
(10 А)
(10 А)
(10 А)
(10 А)
П806
.s0,04
.S0,04
.S0,04
.S0,04
.S0,04
1623,5
~t~· '-tJ~
~~ :(
~@~
~-
15*; (10
В;
5
А)
.s0,07
5*мкс
П810, П905
6 10
35 ... 100* (70 В; 3 А)
35 ... 100* (70 В; 3 А)
30... 150* (lO В; 5 А)
30... 150* (10
В;
5
А)
.S200 (30
.S200 (30
В)
В)
.S0, 17
.S300;
.S300;
4*мкс
4*мкс
.s5000*
П906
.S5000*
П906АМ
6
10_
0
Е_
-- •
1 .о._
{·О~
~Vп"~К
•1i..n
1~../
,
~
w
З ~Эj ~
"
Раздел
72
2.3. Параметры
Струк-
прибора
тура
fгр, fh2lб,
fh21э,
UкБо max,
•••
fmax,
• max,
UкэR
•
• max,
Uкэо
МГц
в
(60°С)
(60°С)
~5*
(60°С)
~5*
(60°С)
~5*
30**
15**
15**
30**
10
10
10
10
300
300
300
300
0,2***
0,2***
0,2***
0,2***
30
30
30
30
30
30
30
30
100 (l00°C)
100 (l00°C)
100 (l00°C)
-
15
15
15
31
31
31
50
50
50
::;O,l (15 В)
::;O,l (15 В)
::;й,l (15 В)
25
25
0,2***
0,2***
20
20
20
20
10 (50*)
10 (50*)
-
10
10
10
~l
~l
~l
60
30
60
10
10
10
10 (20*)
10 (20*)
10 (20*)
::;О,5
::;О,5
::;О,5
10
10
-
60
60
10
10
10
10
::;О,5
10
20
-
60
60
10
10
10
10
•
Рк. т max,
••
Рк. и max,
мВт
,
КТ104А
р-п-р
КТ104Б
р-п-р
КТ104В
р-п-р
КТ104Г
р-п-р
КТ117А
п-база
КТ117Б
п-база
КТ117В
п-база
КТ117Г
п-база
КТ118А
р-п-р
КТ118Б
р-п-р
КТ118В
р-п-р
КТ119А
п-база
КТ119Б
п-база
КТ120А
р-п-р
КТ120Б
р-п-р
КТ120В
р-п-р
КТ120А-1
р-п-р
КТ120В-1
р-п-р
КТ120А-5
р-п-р
КТ120В-5
р-п-р
Биполярные транзi.Jсторы
биполярных кремниевых транзисторов
Рк max,
Тип
2.
150
150
150
150
~5*
Uэво max,
в
lкБо,
Iк max,
IкэR,
IКЭо,
•
Iк. и max,
мА
мкА
::;1
::;1
::;l
::;1
50
50
50
50
50
50
50
50
(l *
(l *
(l *
(1 *
А)
А)
А)
А)
(30 В)
(15 В)
(15 В)
(30 В)
::;l (30 В)
::;1 (30 В)
~l (30 В)
::;1 (30 В)
(60 В)
(30 В)
(60 В)
(60 В)
-
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
сi2э,
пФ
9."36 (5 В; l мА)
20 ... 80 (5 В; l мА)
40 .. .160 (5 В; l мА)
15 ... 60 (5 В; l мА)
::;50
::;50
::;50
::;50
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
Ом
rб, Ом
..
• нас1
ГБэ
.
Ку,р, дБ
::;50
::;50
::;50
::;50
••
Рвых,
Вт
73
'tк, ПС
..
• нс
tpac,
tвыкл 1 НС
Корпус
.
КТ104
::;120*
::;120*
::;120*
::;120*
0,5 ... 0;7 (UБ1Б2=lО В)
0,65 ... 0,9 (UБ1Б2=lО В)
0,5 ... 0,7 (UБ1Б2=lО В)
0,65 ... 0,9 (UБ1Б2=10 В)
КТ117
f/J5,81/
51
3$2
-
100
100
120
1
::;500**
::;500**
::;500**
КТ118
145,Blt
~гffi
62~;,
..,t:J
32
0,5 ... 0,65 (UБ2Б1=lО В)
0,6 ... 0,75 (UБ2Б1=l0 В)
КТ119
0,75
~ Гt.
~, ;~~~'
-v
1LL.i
5162 з
20 ... 200 (5 В; l мА)
20 ... 200 (5 В; l мА)
20 ... 200 (5 В; l мА)
::;5 (5 В)
::;5 (5 В)
::;5 (5 В)
::;110
20 ... 200 (5 В; l мА)
20 ... 200 (5 В; l мА)
::;5 (5 В)
::;5 (5 В)
::;50
::;11 о
1 1\
::;50
::;110
\\
КТ120-1
5
::;5 (5 В)
::;5 (5 В)
L\1
КТ120
::;50
~
20 ... 200 (5 В; l мА)
20 ... 200 (5 В; l мА)
0,6
к э
КП20-5
J ~ ,,
('~
1-
Раздел
74
Рк max 1
Тип
прибора
• т max,
Рк,
С тру к-
•• и max,
Рк,
тура
мВт
КТ127А-1
КТ127Б-1
n-p-n
n-p-n
КТ127В-1
П-р-П-
КТ127Г-1
n-p-n
КТ132А
одноnер.
КТ132Б
КТ133А
однопер.
КТ133Б
КТ201А
КТ201Б
КТ201В
кт201r
КТ201Д
КТ201АМ
КТ201БМ
KT20lBM
кт201rм
КТ201ДМ
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
0
(6О С)
(60°С)
0
(6О С)
(60°С)
15
15
15
15
•••
fmax
1
Uкво max,
•
•• max,
Uкэо
UкэR max,
МГц
в
~.1**
~.1**
2::0,1 **
2::0,1 **
25
25
45
45
-
-
300
300
-
-
300
300
-
Uэво max,
в
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
IКэR,
1КЭ0,
• и max,
lк.
мА
3
3
3
3
мкА
$1
::s;l
$1
$1
50
50
50
50
А
(25
(25
(25
(25
В)
В)
в)
В)
35
35
2*
2*
-
35
35
1,5*
1,5*
150
150
150
150
2::10
2::10
2::10
2::1 о
2::10
20
20
10
10
10
20
20
10
10
10
20
20
20
20
20
(100*)
(100*)
(100*)
(100*)
(100*)
$1
$1
$1
$1
::;1
(20
(20
(20
(20
(20
150
150
t50
150
150
2::1 о
2::10
2::10
2::10
2::10
20
20
10
10
10
20
20
10
10
10
20
20
20
20
20
(100*)
(100*)
(100*)
(IOO*)
(100*)
::;1
Sl
$1
$1
Sl
(20 В)
(20 В)
(20 В)
(20 В)
(20 В)
15 (55°С)
15 (55°С)
15 (55°С)
15 (55°С)
15 (55°С)
2::5
2::5
2::5
2::5
2::5
15
15
30
30
15
10
10
10
10
10
10 (25*)
10(25*)
10 (25*)
10 (25*)
10 (25*)
$1
::;1
$1
::;1
$1
(15
(15
(30
(30
(15
150
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
* 1
f гр, fh21б
fh'21э,
2.
(90°С)
'
12
0,2
А
А
1
1
А
В)
В)
В)
В).
В)
КТ202А-1
р-п-р
КТ202Б-1
р-п-р
КТ202В-1
р-п-р
КТ202Г-1
р-п-р
КТ202Д-1
р-п-р
1
В)
В)
В)
В)
В)
'
1
КТ203А
р-п-р
КТ203:В
р-п-р
КТ203В
р-п-р
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
2::5*
2::5*
2::5*
60
30
15
30
15
10
10 (50*)
10 (50*)
10 (50*)
$1 (60
::;1 (30
::;1 (15
В)
В)
В)
flараметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
Ск,
Гкэ нас, Ом
Кш.дБ
Сi2э,
* нас, Ом
Гвэ
rб, Ом
к;.~, дБ
** 1 Вт
Рвых
пФ
75.
'tк, ПС
• 1 НС
tpac
•• 1
tвыКJ1
Корпус
НС
'
15 ... 60 (5 В; 1 мА)
40 ... 200 (5 В; 1 мА)
15" .60 (5 В; 1 мА)
40".200· (5 В; 1 мА)
.s5
.s5
.s5
::;5
(5
(5
(5
(5
В)
.S170
.S170
$170
$170
В)
В)
В)
-
-
-
.......
-
-
КТ127-1
-
~~ir
11
1
ЗбК
-
0,56".0,75
0,68 ... 0,82
-
3,5
3,5
-
,
-
КТ132
~5,81/
;fi Б2"Э
•'
..
·~'
0,56".0,75
0,7".0,85
'
-
2,5
2,5
-
-
-
-
КТ133
-
Ф5,2
~
.
20".60 ( 1 В; 5 мА}
30".90 (1 В; 5 мА)
30".90 {1 В; 5 мА)
70".210 (1 В; 5 мА)
30".90 (1 В; 5 мА)
20".60 (1 В; 5 мА)
30".90 (1 В; 5 мА)
30".90 (1 В; 5 мА)
70".210 (1 В; 5 мА)
30".90 (1 В; 5 мА)
.
::;20
.s20
.s20
.S20
.S20
.S20
.s20
.S20
$20
.S20
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
-
-
-
-
-
-
-
-
::;15 (1 кГц)
-
-
-
.sl5 (1 кГц)
1i
::;25
.s25
::;25
::;25
$25
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
$50
.s50
$50
.s50
$50
-
-
-
-
КТ201
-
~5,91/
-
3
-
WФ ~
$50
.S25
.S300*
$300*
.S300*
-
-
!.с')
......"
КТ202-1
~:rr
1 1\
6
.slO (5 В)
$10 (5 В)
.SlO (5 В)·
5
~вr{Щ!
'
~9 (5 В; 1 мА)
30".150 (5 В; J мА)
30" .200 (5 В; 1 мА)
кфэ
КТ201-М
;;
.SlOOO*
$1000*
$1000*
$1000* ..
$1000*
1
~
~·У!~
~
15".70 (5 В; 1 мА)
40".160 (5 В; 1 мА)
15".70 (5 В; 1 мА)
40."160 (5 В; 1 мА)
100."300 (5 В; 1 мА)
-
к э
КТ203
~5,81/
;IJ
кфэ
5
Раздел
76
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ203АМ
р-п-р
КТ203БМ
р-п-р
КТ203ВМ
р-п-р
•
Рк. т max,
••
Рк. н max,
fгр, fh21б 1
fh21э 1
п-р-п
КТ206Б
п-р-п
КТ207А
р-п-р
КТ207Б
р-п-р
КТ207В
р-п-р
КТ208А
р-п-р
КТ208Б
р-п-р
КТ208В
р-п-р
КТ208Г
р-п-р
КТ208Д
р-п-р
КТ208Е
р-п-р
КТ208Ж
p·n-p
КТ208И
р-п-р
КТ208К
р-п-р
КТ208Л
р-п-р
КТ208М
р-п-р
КТ209А
р-п-р
КТ209Б
р-п-р
КТ209В
р-п-р
КТ209В2
р-п-р
КТ209Г
р-п-р
КТ209Д
р-п-р
КТ209Е
р-п-р
КТ209Ж
р-п-р
КТ209И
р-п-р
КТ209К
р-п-р
КТ209Л
р-п-р
КТ209М
р-п-р
КТ210А
р-п-р
КТ210Б
р-п-р
КТ210В
р-п-р
Uкво max,
Биполярные транзисторьt
Iкво,
Iк max,
•••
fmax,
• max,
UкэR
•• max,
Uкэо
мВт
МГц
в
150 (75°С)
150 (75"С)
150 (75°С)
;;:::5*
2:5*
2:5*
60
30
15
30
15
10
10 (50*)
10 (50*)
10 (50*)
$1 (60 В)
:Sl (30 В)
::;1 (15 В)
КТ206А
2.
Uэво max,
в
IКэR,
IКЭо,
•
Iк. н max 1
мА
мкА
.
15
15
2:10
2:10
20* (3к)
12* (3к)
20
12
20
20
:Sl (20 В)
::;l (12 В)
15
15
15
;;:::5
2:5
2:5
60
30
15
30
15
10
10 (50*)
10 (50*)
10 (50*)
::;О,05 (60 В)
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
;;:::5
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
20* (lОк)
20
20
30
30* (lОк)
30
45
45
45
60
60
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
::;1
::;1
$1
::;1
::;1
:s;l
$1
::;1
::;1
::;1
::;1
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
;;:::5
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
15
15
1·5
15
30
30
30
45
45
45
60
60
10
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
:Sl * (15 В)
::;l*(l5B)
$l*(l5B)
::;J * (15 В)
$1 * (30 В)
::;1 * (30 В)
$1 * (30 В)
$1* (45 В)
::;1 * (45 В)
$1 * (45 В)
::;1 * (60 В)
::;1 * (60 В)
2:10
2:10
2:10
15
30
60
10
10
10
0
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
(6О С)
0
(6О С)
0
(6О С)
0
(6О С)
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(60"С)
(60"С)
0
(6О С)
0
(6О С)
0
(6О С)
0
(6О С)
(60"С)
(35"С)
(35"С)
(35°С)
(35"С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
25
25
25
-
20 (40*)
20 (40*)
20 (40*)
::;й,05 (30 В)
::;О,05 (l 5 В)
(20
(20
(20
(20
(20
(20
(20
(20
(20
(20
(20
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
::;10 (15 В)
::;10 (ЗОВ)
::;10 (60 В)
,
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
Ск,
rкэ нас, Ом
Кw,дБ
Сi2э,
rвэ нас, Ом
rб, Ом
к;.~, дБ
Рвых, Вт
•
пФ
~9 (5 В; l мА)
30... 150 (5 В; 1 мА)
30... 200 (5 В; l мА)
.:510 (5
.:510 (5
.:510 (5
.
В)
В)
В)
-
.:550
.:525
••
SЗОО*
.:5300*
SЗОО*
77
'tк, ПС
•
tpac,
••
Корпус
НС
tвым, НС
-
--
КТ203М
~fl:~
~
~-
~
30... 90* ( 1 В; 5 мА)
70 .. .120* (1 В; 5 мА)
S20 (5
.:520 (5
В)
В)
-
-
.
•
-
'«')
.........
КТ206
-
flV
5КЭ
~9 (5 В; 1 мА)
30... 150 (5 В; 1 мА)
30... 200 (5 В; 1 мА)
.:510 (5
.:510 (5
.:510 (5
В)
В)
В)
.:5100
.:5100
.:550
SЗОО*
SЗОО*
.:5300*
-
КТ207
'
~~кt
с::rкоо5
~
20 ... 60* (1 В; 30 мА)
40 ... 120* (1 В; 30 мА)
80... 240* ( 1 В; 30 мА)
20... 60* ( 1 В; 30 мА)
40 ... 120* (1 В; 30 мА)
80...240* ( 1 В; 30 мА)
20... 60* ( 1 В; 30 мА)
40 ... 120* (1 В; 30 мА)
80...240* ( 1 В; 30 мА)
20... 60* ( 1 В; 30 мА)
40 ... 120* (1 В; 30 мА)
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.s50
.:550
.:550
(1 О
( 10
(1 О
(1 О
(10
( 10
(10
(10
( 10
(10
(1 О
В)
В)
20... 60* (1 В; 30 мА)
40 ... 120* (l В; 30 мА)
80... 240* (1 В; 30 мА)
~200* ( l В; 30 мА)
20 ...60* ( l В; 30 мА)
40 ... 120* (1 В: 30 мА)
80... 240* ( l В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40 ... 120* (J В; 30 мА)
80.. .160* (1 В; 30 мА)
20... 60* ( 1 В: 30 мА)
40 ... 120* (1 В: 30 мА)
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
.:550
( 10
(10
(1 О
( 10
(10
(10
(10
(10
(IO
( 10
(10
(1 О
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
80.:.240 (5
80 ... 240 (5
40 ... 120 (5
0.01/
пюч
-
В;
В;
В;
1 мА)
1 мА)
l мА)
S25 (5
.:525 (5
S25 (5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.Sl,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51 ,3
.:51,3
.:51,3
.Sl ,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51,3
.:51 ,3
.Sl ,3
.:550
.:550
.:550
-
-
.:54 ( 1 кГц)
.:54 ( 1 кГц)
.:54 ( 1 кГц)
-
-
.:55 ( l кГц)
.:55 ( 1 кГц)
-
-
.:55 ( 1 кГц)
-
-
-
-
~5,81/
-
~~
D~~y
~:-Ч)'
-
-
-
-
-
-
-
.:55 ( 1 кГц)
КТ208
КТ209
~~~
~
~
~-
.
•
'«')
.........
5
~
~
!
~jf
~t i;;1
КТ210
0.7
0,25
~~к]:
с::) к о о 6
Кпюч
01/
Q,
Раздел
Рк max,
Тип
С тру к-
прибора
тура
КТ211А-1
КТ211Б-1
КТ211В-1
p-n-p
p-n-p
p-n-p
•
Рк, т max,
••
Рк, и max,
fгр, fh2lб,
UкБо max,
fmax,
•••
• max,
UкэR
••
Uкэо max,
мВт
МГц
в
25
25
25
;;:.:10
2:10
;;:.:10
15
15
15
f ••
h21э,
2.
UэБО max,
в
5
5
5
Биполярные транзисторы
lкБо,
Iк max,
1*К,
и
max,
'
мА
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
IКэR,
1кЭо,
мкА
::;10 (15 В)
:510 (15 В)
:510 (15 В)
..
КТ214А-1
(30 В)
(30 В)
(30 В)
(30 В)
(30 В)
(30 В)
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
80**
80**
60**
40**
30**
20**
30
7
7
7
7
20
50
50
50
50
50
50
(100*)
(100*)
(100*).
(100*)
(100*)
(100*)
:51
:51
:51
::;1
::;1
::;1
50
50
50
50
5Q
50
(100*)
(100*)
(100*)
(100*)
(.,100*)
(100*)
::;100*
:5100*
::;100*
::;100*
::;100*
:5100*
КТ214Г-1
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ214Д-1
р-п-р
КТ214Е-1
p-n-p
50
·50
50
50
50
50
КТ215А-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
50
50
50
50
50
50
2:5
2:5
2:5
2:5
2:5
;;:.:5
80*'
80**
60**
40**
30**
20**
5
5
5
5
5
5
p-n-p
p-n-p
p-n-p
75
75
75
2:5
2:5
2:5
60
30
30
30
15
10
10
1010
::;О,05
50
50
50
50
50
50
::;1
::; 1
:51
::; 1
::; 1
::;1
КТ214Б-1
КТ214В-1
КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
КТ216А
КТ216Б
КТ216В
(30
(30
(30
(30
(30
(30
В)
В)
В)
В)
В)
В)
::;О,05
::; 1
-
КТ218А-9
р-п-р
КТ218Б-9
КТ218В-9
p-n-p
p-n-p
КТ218Г-9
р-п-р
КТ218Д-9
p-n-p
КТ218Е-9
р-п-р
200
200
200
200
200
200
КТ301
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150 (6О С)
150 (60°С)
150 (60°С)
150 (60°С)
150 (6О С)
150 (60°С)
150 (6О 0 С)
150 (60°С)
;;:::20
2:20
2:20
2:20
2:30
2:30
2:30
2:30
20
20
30
30
30
30
30
20
3
3
3
3
3
3
3
3
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
100 (50°С)
100 (50°С)
100 (50°С)
100 (50°С)
-
15
15
15
15
4
4
4
4
КТ301А
КТ301Б
КТ301В
ктзо1r
КТ301Д
КТЗО1Е
КТ301Ж
КТ302А
КТ302Б
КТ302В
ктзо2r
0
0
2:5
2:5
;;:::5
2:5
2:5
2:5
80
80
60
40
30
20
30
7
7
7
7
20
-
1о
10
10
10
(20*)
(20*)
(20*)
(20*)
10
10
10
10
::;10
::;10
::;10
SlO
::;10 (20
:510 (20
slO (30
::;10 (20
10
10
10
10
::;1
:51
::;l
::;1
(15
(15
(15
(15
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
rвэ нас, Ом
rб, Ом
•
к;.~, дБ
40 .. .120 (l В; 40 мА)
80 ... 240 (l В; 40 мА)
160.. .480 (l В; 40 мА)
::;20 (5 В) ::;20 (5 В)
::;20 (5 В)
••
Рвых,
Вт
::;3 ( l
кГц)
::;з
(l
кГц)
::;3 ( l
кГц)
79
'tк, ПС
• НС
tpac,
••
tвыкл,
Корпус
НС
КТ211-1
~Jit
~tj
1 1\
б к э
~20 (5 В; 10 мА)
30 ... 90 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
40 .. .120 (5 В; 10 мА)
~80 (l В; 40 мкА)
~40 ( l В; 40 мкА)
::;50
::;50
::;50
::;50
::;50
::;50
(10
( 10
( 10
(10
(lO
(10
В)
::;60
::;60
::;60
::;60
::;60
::;60
В)
В)
В)
В)
В)
~1200*
КТ214-1
~1200*
1
~1200*
~r;~
11 \
~1200*
~1200*
~1200*
1 -.
5
~20 (5 В; 10 мА)
30."90 (5 В; 10 мА)
40 .. .120 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
~80 (1 В; 40 мА)
~40 (l В; 40 мкА)
::;50
::;50
::;50
::;50
::;50
::;50
(10
<10
(10
оо
(10
В)
(lO
В)
::;60
::;60
::;60
::;60
::;60
::;60
В)
В)
в>
В)
к э
КТ215-1
~1200*
~1200*
~1200*
1
~
~1200*
~1200*
~1200*
~
1 1\
5
~9
(5
В;
l
мА)
30 ... 150 (5 В; l мА)
30 ... 200 (5 В; l мА)
к э
::;10
::;1 о
КТ216
~10
j
О,95
~~х
'
~20 (5 В; 10 мА)
~30 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
~40 (5 В; 10 мА)
~80 ( l В; 40 мкА)
~40 (l В; 40 мкА)
20 ... 60 (lO В; 3 мА)
40 ... 120 (10 В; 3 мА)
10... 32 (10 В; 3 мА)
20 ... 60 ( 10 В; 3 мА)
10... 32 (10 В; 3 мА)
20 ... 60 (10 В; 3 мА)
40 ... 120 (10 В; 3 мА)
80".300 (lO В; 3 мА)
110... 250 (l В; O, l l мА)
90 ... 150 (3 В; 2 мА)
110.,.250 (l,5 В; 0,5 мА)
200 ... 800 (3,5 В; 5 мА)
КТ218-9
::;15
::;15
::;15
::;15
::;15
::;15
::;10
::;10
::;10
::;10
::;10
::;10
::;10
::;10
(lO
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
-
КТ301
::;300
::;300
::;300
::;300
::;300
::;300
::;300
::;300
::;2000
::;2000
::;2000
::;;2000
::;7 ( 1 кГц)
::;7 ( l
::;7 ( l
::;7 ( 1
1-
1
КТ302
кГц)
кГц)
кГц}
~7,4
:
l/ернон
/vточко
·
9
~!-~m::~ кф
Раздел
80
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max1
Рк,
••
fгр1 fh21б 1
fh21э,
2.
UкБо max,
• max,
UкэR
UэБо max,
в
Iк max 1
• н max,
Iк,
Iкоо,
IКэR,
Рк, н max,
••• 1
fmax
Uкэо max,
мВт
МГц
в
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150 (90"С)
150 (go·c>
150 (go·c>
150 (go·c>
150 (go·c>
~300
15
15
15
15
15
4
4
4
4
4
30
30
30
30
30
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
$0,5 (15
::;О,5 ( 15
::;D,5 ( 15
$0,5 (15
::;О,5 (15
КТ306БМ
n-p-n
n-p-n
КТ306ВМ
п-р-п
КТ306ГМ
n-p-n
n-p-n
150
150
150
150
150
15
15
15
15
15
4
4
4
4
4
30
30
30
30
30
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
::;D,5 (15 В)
::;D,5 (15 В)
::;D,5 (15 В)
::;О,5 ( 15 В)
::;D,5 (15 В)
80*
80*
80*
60*
80*
3
3
3
3
3
30
30
15
30
15
(120*)
( 120*)
(120*)
(120*)
(120*)
:;;20
$20
$20
$20
$20
20
20
20
20
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
$0,5 (l о
::;О,5 (10
::;О,5 (10
$0,5 (10
КТ306А
КТ306Б
КТ306В
КТ306Г
КТ306Д
КТ306АМ
КТ306ДМ
П307
(go·c>
(go·c>
(go·c>
(go·c>
(go·c>
~500
~300
~500
~200
~300
~500
~300
~500
~200
n-p-n
n·p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
250
250
250
250
250
~20
n-p-n
n-p-n
n·p·n
n-p-n
15
15
15
15
~250
250
250
~20
П309
n-p-n
n-p-n
КТ3101А-2
n-p-n
КТ3101АМ
n-p-n
П307А
П307Б
П307В
П307Г
КТ307А-1
КТ307Б-1
КТ307В-1
КТ307Г-1
П308
./
~20
~20
~20
~20
~250
~250
~250
••
Биполярные транзисторы
10*
l О*
10*
10*
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
4
4
4
4
мА
'
1··
кэо,
мкА
(80
(80
(80
(60
(80
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
в)
В)
В)
В)
~20
120*
120*
3
3
-30 (120*)
30 (120*)
$20 (120 В)
$20 (120 В)
100 (45°С)
~4000
15
2,5
20 (40*)
::;D,5 (15 В)
100
~4000
15
2,5
20
::;D,5 (15 В)
Параметрь1 6иполярн1:»1х кремниевь1х транзисторов·
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
·сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
пФ
20 ... 6а* (1 В;
4а".12а• (1 В;
2а.~.1аа* (1 В;
4а".2аа• ( 1 В;
за".15а* (1 В;
lамА)
lамА)
lамА)
1амА)
lамА)
=:;5
S5
S5
S5
S5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
=:;за
В)
В)
sза
••
Рвых,
Вт
'tк, ПС
• НС
tpac,
••
tвыкл,
Корпус
нс
sЗа*
:SЗа*
=:;за•
В)
В)
81
sЗа*
s5aa
s5aa
sЗа*
sзоо
· КТ306
3~
5
2а".6а* ( 1
4а".12а• (1
2а".1аа* (1
4а."2аа• (1
за."15а* (1
В; 1амА)
В; lамА)
В; lамА)
В; lамА)
В; lамА)
S5
S5
S5
=:;5
S5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
16" .50* (20 В; 1а мА)
За".9а* (2а В; 1а мА)
5а."15а* (2а В; 1а мА)
5а. "15а* (2а В; 1а мА)
15" .5а* (2а В; 1а мА)
sза.
sЗа*
=:;за
sЗа*
=:;за•
=:;За*
s5ao
S500
=:;За*
sзоо
КТ306М
=:;150
s2aa
П307
~11,7
sзза
s25a
S25a
~'
•''
~2а
~4а
~4а
~8а
(1
(1
(1
(1
В;
В;
В;
В;
la
la
l.a
la
мА)
мА)
мА)
мА)
S6
S6
S6
S6
(1
(1
(1
(1
В)
В)
В)
В)
1
sЗа*
s2a
s2a
s2a
s2a
1
1
КТ307-1
=:;За*
sЗа*
=:;За*
t;lt
5КЗ
за."9а* (2а В; la мА)
16".5а* (2а В; 1а мА)
sзза
П308
S200
-.
~, f
~ 11,7_
'
1
-
~ б~З
~.~~~ ~
к
З5".заа ( 1 В; 5 мА)
Sl ,5 (5 В)
З5".заа ( 1 В; 5 мА)
s;l ,5 (5
В)
~8** (1 ГГц)
S4,5 (2,25 ГГц)
sla
КТ3101-2
S4,5 (1 ГГц)
sla
КТ3101М
Раздел
82
fгр1 fh2Jб,
fh2Iэ,
Рк max,
Тип
прибора
Структура
КТ3102А
п-р-п
КТ3102Б
п-р-п
КТ3102В
п-р-п
КТ3102Г
п-р-п
КТ3102Д
п-р-п
КТ3102Е
п-р-п
КТ3102Ж
п-р-п
КТ3102И
п-р-п
КТ3102К
п-р-п
КТ3102АМ
п-р-п
КТ3102БМ
п-р-п
КТ3102ВМ
п-р-п
КТ3102ГМ
п-р-п
КТ3102ДМ
п-р-п
КТ3102ЕМ
п-р-п
КТ3102ЖМ
п-р-п
КТ3102ИМ
п-р-п
КТ3102КМ
п-р-п
* т max,
Рк,
** и
Рк,
2.
Uкво max,
* max,
UкэR
Uэво maX,
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
IКэR,
* и max,
Iк,
***
fmax,
** max,
Uкэо
мВт
МГц
в
250
250
250
250
250
250
250
250
250
~150
50
50
50
20
30
20
50
50
30
5
5
5
5
5
5
5
5
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
250
250
250
250
250
250
250
250
250
~150
50
50
30
20
50
20
50
50
30
5
~
5
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
(200*)
(200*)'
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
~200
30
30
30
15
15
15
3,-5
3,5
·3,5
3,5
3,5
3,5
10
10
10
10
10
10
~1000
15* (lОк)
2,5
20 (40*)
=:;О,5 (15 В)
20 (40*)
=:;О,5 (15 В)
max,
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
КТ3104А
р-п-р
КТ3104Б
р-п-р·
КТ3104В
р-п-р
КТ3104Г
р-п-р
КТ3104Д
р-п-р
КТ3104Е
р-п-р
15
15
15
15
15
15
КТ3106А-2
п-р-п
30 (S0°C)
~150
~150
~300
~150
~300
~200
~200
~00
~150
~150
'
~300
~150
~300
~200
~200
~200
-
~200
~200
~200
~200
~200
(35°С)
-
в
s··
5
5
5
5
1**
кэо,
мА
мкА
=:;О,05 (50 В)
=:;О,05 (50 В)
S0,015 (30 В)
S0,015 (20 В)
S0,015 (30 В)
=:;О,015 (20 В)
S0,05 (50 В)
S0,05 (50 В)
S0,015 (30 В)
=:;О,05 (50 В)
=:;О,05 (50 В)
=:;О,015 (30 В)
=:;О,015 (30 В)
=:;О,015 (30 В)
=:;О,015 (30 В)
=:;О,05 (50 В)
~О.05 (50 В)
=:;О,015
(30 В)
=:;1
=:;1
=:;1
=:;1
=:;1
В)
В)
В)
В)
(30
(30
(30
(15
(15
~1 (15
В)
В)
'
КТ3106А-9
п-р-п
100
~1000
15* (lОк)
3
КТ3107А
р-п-р
р-п-р
КТ3107В
р-п-р
КТ3107Г
р-п-р
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
~200
КТ3107Б
50
50
30
30
30
25
25
50
30
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
300 (360*)
300 (360*)
300 (360*)
~250
60* (lОк)
45* (lОк)
45* (lОк)
5
5
5
КТ3107Д
р-п-р
КТ3107Е
р-п-р
КТ3107Ж
р-п-р
КТ3107И
р-п-р
КТ3107К
р-п-р
КТ3107Л
р-п-р
КТ3108А
р-п-р
КТ3108Б
р-п-р
КТ3108В
р-п-р
~00
~200
~200
~200
~200
~200
~00
~00
~200
~250
~300
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
200
200
200
=:;О,1
(20 В)
=:;О,1 (20 В)
~О.1 (20 В)
=:;О,1 (20 В)
(20 В)
(20 В)
(20 В)
(20 В)
=:;О,1 (20 В)
SO,l
SO,l
SO,l
SO,l
SO,l (20 В)
. =:;О,2 (60 В)
=:;О,2 (45 В)
S0,2 (45 В)
v
83
Пара·метры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
**
Рвых,
100... 200 (5 8; 2 мА)
200".500 (5 8; 1 мА)
200".500 (5 8; 2 мА)
400".1 ООО (5 8; 2 мА)
200".500 (5 8; 2 мА)
400".1 ООО (5 8; 2 мА)
100".250 (5 8; 2 мА)
200".500 (5 8; 2 мА)
200".500 (58; 2мА)
=:;6 (5 8)
S6 (5 8)
=:;6 (5 8)
=:;6 (5 8)
=:;6 (5 8)
=:;6 (5 8)
$6 (5 8)
=:;6 (5 8)
$6 (58)
-
$10 (1
SlO (1
=:;10 .(1
$10 (1
=:;4 (1
=:;4 (1
-
-
100".200 (5 8; 2 мА)
200".500 (58; 2мА)
200".500 (58; 2мА)
400".1 ООО (5 8; 2 мА)
200... 500 (58; 2мА)
400."1 ООО (5 .8; 2 мА)
100."250 (5 8; 2 мА)
200".500 (5 8; 2 мА)
200... 500 (58; 2мА)
=:;6
$6
=:;6
=:;6
$6
=:;6
S6
$6
$6
-
15".90 (1 8; 2 мА)
50".150 (1 8; 2 мА)
70" .280 ( 1 8; 2 мА)
15".90 (1 8; 2 мА)
50".150 (1 8; 2 мА)
70".280 ( 1 8; 2 мА)
=:;25
=:;25
=:;25
=:;25
=:;25
=:;25
(58)
(58)
(58)
(58)
(58)
(58)
(58)
(58)
(58)
(5
(5
(5
(5
(5
(5
8)
8)
8)
8)
8)
В)
Вт
кГц)
кГц)
кГц)
$10 (l кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
=:;4 (1 кГц)
$4 (1 кГц)
-
-
'
$8
$8
$8
$8
$8
=:;8
(6
(6
(6
(6
(6
(6
МГц)
МГц)
МГц)
МГц)
МГц)
МГц)
.
Корпус
НС
$100
$100
$100
$100
=:;1·00
$100
$100
$100
$100
кГц)
кГц)
кГц)
-
-
$100
$100
$100
$100
$100
$100
**
tвыкл,
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
КТ3102
~rj
кфз
'с')"'
~
~m
5
КТ3102М
~f-µщ_
~
m~ ~
КТ3104
$800
$800
$800
$800
$800
$800
-
0,7
0,8
,.....
·ir
,.,
/l\ct)1
.
~
'
5КЭ
~40 (5 В; 5 мА)
=:;2 (5 8)
-
=:;2 (120 МГц)
~...
-
КТ3106-2
1,[5
0,95
~х
11\
5КЗ
~40
(5 8; 5 мА)
$2 (5 8)
-
$2 (120 МГц)
КТ3106-9
$10
3
0,95
~~х
1
.
8)
8)
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$10 (1 кГц)
$10 (l кГц)
$10 (1 кГц)
$10 ( 1 кГц)
$10 (1 кГц)
=:;4 (1 кГц)
=:;4 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
=:;4 (1 кГц)
S5 (10 8)
=:;5 (10 8)
=:;5 (10 8)
=:;25
$25
$25
=:;6 (100 МГц)
$6 (100 МГц)
=:;6 (100 МГц)
70".140 (5 8; 2 мА)
120".220 (5 8; 2 мА)
70... 140 (5 8; 2 мА)
120".220 (5 8; 2 мА)
180."460 (5 8; 2 мА)
120".220 (5 8; 2 мА)
180."460 (5 8; 2 мА)
180".460 (5 В; 2 мА)
380".800 (5 В; 2 мА)
380".800 (5 В; 2 мА)
S7
=:;7
S7
=:;7
=:;7
=:;7
=:;7
=:;7
=:;7
=:;7
50... 150 (1 В; 10 мА)
50".150 (l 8; 1О мА)
100."300 (1 8; 10 мА)
(10
(10
(10
(IO
(10
(10
(10
(10
(10
(10
8)
8)
8)·
8)
8)
В)
8)
В)
-
КТ3107
-
=:;250
=:;250
$250
~t]i:µщ
l.t-)
~
~
~·
'
~
КТ3108
~5,81/
5
~tj
зфк
"j
~
~-
Раздел
84
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
*
**
Рк, и max,
Рк, т max,
р-п-р
КТ3109Б
р-п-р
КТ3109В
р-п-р
КТ3114Б-6
п-р-п
КТ3114В-6
п-р-п
170
170
170
25
25
fh21э,
**
***
fmax,
Uкво max,
*
UкэR max,
**
Uкэо max,
Uэво max,
в
Биполярнь1е транзисторы
~800
(40°С)
(40°С)
~800
30
25
25
3
3
3
50
50
50
5
5
1
1
15
15
1
1
1
1
8,5
8,5
8,5
8,5
0
(100°С)
~4300
~4300
1**
кэо,
мА
(40°С)
(1ОО С)
IКэR,
* и max,
lк,
в
~800
Iкво,
lк max,
МГц
мВт
КТ3109А
fгр, fh2Jб,
2.
мкА
::;;О,1
::;;О,1
::;;О,1
::;;О,5
::;;О,5
(20
(20
(20
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
КТ3115А-2
п-р-п
КТ3115Д-2
n-p-n
n-p-n
n-p-n
70 (70°С)
70 (70°С)
50 (85°С)
50 (85°С)
~5800
КТ3115В-2
~5800
10* (1 к)
10* (1 к)
7* (1 к)
7* ( 1к)
КТ3117А-1
n-p-n
500
~200
60
4
400 (0,8*
А)
::;;10 (60
В)
КТ3117А
n-p-n
n-p-n
300 (800**)
300
~200
60
75
4
4
400 (800*)
400 (0,8* А)
::;;10 (60
::;;10 (75
В)
225
225
225
~120
~120
20
35
20
4
4
4
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
::;;10 (20
::;;10 (35
::;;10 (25
В)
КТ312В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ3120АМ
n-p-n
100
~1800
15
3
20 (40*)
::;;О,5
В)
КТ3115Г-2
КТ3117Б
КТ312А
КТ312Б
~5800
~5800
~200
~80
::;;О,5
(10 В)
(10 В)
::;;О,5 (7 В)
::;;О,5 (5 В)
::;;О,5
1
(15
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
~15
~15
~15
(10 В; 10 мА)
(10 В; 10 мА)
(10 В; 10 мА)
=:;1 (10 В).
=:;1 (10 В)
=:;1 (10 В)
15 ... ВО (3 В; 1 мА)
15 ... ВО (3 В; 1 мА)
=:;О,44
=:;О,44
=:;15 (5 В; 5 мА)
=:;15 (5 В; 5 мА)
=:;15 (5 В; 5 мА)
70".150 (5 В; 5 мА)
=:;О,6
40".200 (5 В; 0,2 А)
85
~15** (О,В ГГц)
~13** (О,В ГГц)
~13** (О,В ГГц)
(3 В)
(3 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
=:;О,6 (5 В)
=:;О,6
=:;О,6
=:;10 (10
**
Р-еых,
=:;6 (ВОО МГц)
=:;7 (ВОО МГц)
~В**
В)
(2,25 ГГц)
Корпус
НС
=:;6
=:;10
=:;10
КТ3109
МГц)
=:;в
КТ3114-6
МГц)
=:;в
=:;В (ВОО МГц)
=:;2 (400
=:;3 (400
~5** (5 ГГц)
~5** (5 ГГц)
~4.4** (5 ГГц)
Вт
**
tвыкл,
=:;4,6 (5 ГГц)
=:;4,4 (5 ГГц)
=:;5,7 (5 ГГц)
=:;2,5 (2,25 ГГц)
=:;1,2
=:;3,В
КТ3115-2
=:;3,В
=:;3,В
=:;3,В
~@,
(")
ll')
'&
<:)}
=:;ВО*
-
з
53
КТ3117-1
~fi:~_
l.t-)
~~
40 ... 200* (5 В; 0,2 А)
100... 300* (5 В; 0,2 А)
=:;10 (10 В)
=:;10 (10 В)
=:;1,2
=:;1,2
Wlll
=:;ВО*
~-
•
~...
КТ3117
=:;ВО*
'15,81/
6
~
зфк
&q'
".....
!"'".)'
10... 100* (2 В; 20 мА)
25".100* (2 В; 20 мА)
50 ... 2ВО* (2 В; 20 мА)
~40
(1 В; 5 мА)
~5
~5
~5
(10 В)
(10 В)
(10 В)
=:;2 (5
В)
~10**
~40
~500; ~100*
~40
~500;~130*
~40
=:;500; =:;130*
(400 МГц)
~2
(400 МГц)
~в
КТ312
~7,1/
КТ3120
о
2,7
86
Раздел
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
·тура
fгр, fh2lб,
fh21э,
Uэво max,
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
12
** и
Рк,
max,
n-p-n
25
2:100
КТ3122А
n-p-n
n-p-n
150 (750**)
150 (750**)
-
Биполярные транзисторы
Uкво max,
* max1
UкэR
* т max,
Рк,
КТ3121А-6
КТ3122Б
2.
35*
35*
•
lк, и max,
мА
2
(2к)
100 (l *
100 (l*
IКэе,
IКЭо,
мкА
10
-
(2к)
Iкво,
lк max,
А)
А)
Sl (IO
В)
Sl (12
Sl (12
В)
В)
-
КТ3123А-2
КТ3123Б-2
КТ3123В-2
КТ3123АМ
КТ3123БМ
КТ3123ВМ
КТ3126А
p-n-p
p-n-p
p-n-p
150
150
150
5000
5000
3500
15
15
10
3
3
3
30 (50*)
30 (50*)
30 (50*)
S25 (15 В)
=:;25 (15 В)
S25 (10 В)
p-n-p
p-n-p
p-n-p
150
150
150
5000
5000
3500
15
15
10
3
3
3
30 (50*)
30 (50*)
30 (50*)
S25 (15
·s25 (15
=:;25 (10
2:500
2:500
20
20
3
3
20
20
Sl (15
=:;1 (15
В)
В)
2:450
35
3
30
=:;1 (15
В)
2:600
20
3
25
=:;1 (15
В)
КТ3126Б
p-n-p
p-n-p
КТ3126А-9
p-n-p
КТ3127А
p-n-p
150
150
(30°С)
(3о·с)
11 о
1оо
(З5°С)
-
1
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
~30 (5 8; 2 мА)
87
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
* нас, Ом
rвэ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
~1
(5 8)
~8** (1 ГГц)
**
Рвых,
~2
Вт
Корпус
**
tвыкл,
НС
(1 ГГц)
КТ3121-6
~~"';
ы
40 (10 8; 10 мА)
40 (10 8; 10 мА)
40 (10 8; 10 мА)
40 <io 8; 10 мА)
40 (10 8; 10 мА)
40 (10 8; 10 мА)
~7
~7
(10 8)
(10 8)
~1
~1
~1
(10 8)
(10 8)
(10 В)
~1.2(108)
~1.2 (10 8)
~1.2(108)
-
~
::'\з ..d
~-
- 1,Ч
-
КТ3122
tн< 1
tн< 1,5
~5** (1 ГГц)
~5** (1 ГГц)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
3 (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
~5** (1 ГГц)
~5** (1 ГГц)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
3 (1 ГГц)
2,4 (l ГГц)
25 ... 100 (5 8; 3 мА)
60 ... 180 (5 В; 3 мА)
~2.5
~2.5
(10 8)
(10 8)
~120
25 ... 100 (5 8; 3 мА)
~2.5 (10 8)
~120
25 ... 150 (5 8; 3 мА)
~1 (10 8)
КТ3123-2
~10
~10
~10
КТ3123М
~10
~10
~10
КТ3126
~120
КТ3126-9
~5
(l ГГц)
КТ3127
~
з
~·
ф6
~.J-....J~l:;t;:;SKopn.
L-. 1 1
К
Раздел
88
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ3128А
p-n-p
2.
Рк max,
*
fгр, fh2lб,
Uкво max,
* т max,
Рк,
** и max,
Рк,
th'21э,
* max,
UкэR
Uэво max,
***
fmax,
*"' max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
100 (35°С)
~800
40
Биполярные транзисторы
Iкво,
lк max,
IКэR,
IКЭо,
* и max,
lк.
мА
3
мкА
20
:Sl (15 В)
:
p-n-p
p-n-p
300
300
~800
КТ3128Б-1
~800
40
40
4
4
30 (0,8* А)
30 (0,8* А)
:SO, l (20 В)
:SO, l (20 В)
КТ3128А-9
p-n-p
100
~650
35
3
20
:Sl (15 В)
КТ3128А-1
.
КТ3129А-9
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
КТ313А
КТ313Б
КТ313А-1
·
КТ313Б-1
КТ313В-1
ктЗ1зr-1
КТ3130А-9
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
75
75
75
75
75
(100**)
(100**)
(100**)
(100**)
(100**)
~200
~200
~200
~200
~200
p-n-p
p-n-p
300 ( 1000*)
300 (1000*)
~200
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
300
300
300
300
(1000*)
(1000*)
(1000*)
(1000*)
~200
100
100
100
100
100
100
100
~150
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
~200
~200
~200
~200
~150
~150
~300
~150
~300
~150
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
:Sl
:Sl
Sl
:Sl
:Sl
(50
(50
(30
(30
(20
В)
50
50
30
30
20
5
5
5
5
5
100
100
100
100
100
60
60
5
5
350 (700*)
350 (700*)
60
60
50
30
5
5
5
5
350
350
350
700*
:S0,5
:S0,5
:S0,5
S0,5
(50
(50
(50
(50
В)
В)
50
50
30
20
30
20
30
5
5
5
5
5
5
5
100
100
100
100
100
100
100
:SO, l
:SO,l
sO,l
:SO, l
SO,l
:SO, l
SO,l
(50
(50
(30
(20
(30
(20
(30
В)
В)
В)
В)
В)
В)
:S0,5 (50 В)
:S0,5 (50 В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
15".150 (5 В; 3 мА)
89
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
"' нас, Ом
rвэ
rб, Ом
"' НС
tpac,
пФ
к;~Р• дБ
=:;1 (IO
В)
~14** (0,2 ГГц)
**
Рвых,
Вт
$34*
.....
tвыкл,
·
Корпус
НС
КТ3128
$5
~5,8
~
!
~
~·
"'
~·~t_J
35."150 (10 В; 3 мА)
25".200 (l О В; 3 мА)
Sl (10 В)
$1 (10 В)
~15** (0,2 ГГц)
~15** (0,2 ГГц)
=:;5 (0,2 ГГц)
=:;5 (0,2 ГГц)
з
'Корл.ф6
к
КТ3128-1
$5
$5
~5,2
'
~f kt~t
С"-1
~
11
~·~ш
~·
15".150 (IO В; 3 мА)
$1 (10 В)
-
=:;5 (200
МГц)
-
КТ3128-9
0,95
J
~*Х
30."120 (5 В; 2 мА)
80".250 (5 В; 3 мА)
80".250 (5 В; 2 мА)
200".500 (5 В; 2 мА)
200".500 (5 В; 2 мА)
=:;10
$10
$10
$10
$10
30. "120 ( 1О В; 1 мА)
80".300 (l О В; 1 мА)
В)
В)
В)
$20
$20
$20
$20
$20
-
-
$12(108)
$12 (10 В)
$3,3
$3,3
-
$120*
$120*
(10
(IO
(IO
(10
(IO
В)
В)
-
КТ3129-9
--
0,95
J
~*Х
КТ313
rJ5,81/
;fi КФ,З
30".120 (10 В; 1 мА)
80".300 (10 В; 1 мА)
200" .520 ( 1О В; 1 мА)
400" .800 ( 1О В; 1 мА)
$12
=:;12
$12
=:;12
(10
(10
(10
(IO
В)
В)
В)
В)
$3,3
$3,3
$3,3
$3,3
-
КТ313-1
$120*
$120*
$120*
$120*
~EJ:~_"
l.t-)
~
Wlll
~·
'
~
/
100".250 (5 В; 2 мА)
200".500 (5 В; 2 мА)
200".500 (5 В; 2 мА)
400".1000 (5 В; 2 мА)
200".500 (5 В; 2 мА)
400".1 ООО (5 В; 2 мА)
100".500 (5 В; 2 мА)
$12
$12
$12
=:;12
=:;12
$12
=:;12
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
-
-
-
-
=:;10 (1 кГц)
=:;10 (1 кГц)
=:;10 (l кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
=:;4 (1 кГц)
=:;4 (1 кГц)
-
-
-
\
КТ3130-9
J
0,95
~*Х
Раздел
90
max,
* т max,
Рк.
** и max,
Рк.
fгр, fh2Jб,
fh2'1э,
***
fmax,
max,
* max,
UкэR
**
Uкэоmах,
мВт
МГц
в
70
70
70
70
~5.5 ГГц
Рк
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ3132А-2
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p·n
n-p·n
n-p-n
КТ3132Б-2
КТ3132В-2
КТ3132Г-2
КТ3132Д-2
КТ3132Е-2
70
70
2.
Uкво
(lк)
(lк)
(lк)
(lк)
(lк)
Uэво
max,
в
Биполярные транзисiпоры
lк
max,
* и max,
lк,
мА
S0,5 (10
S0,5 (10
S0,5 (10
=:;О,5 (10
S0,5 (10
=:;О,5 (10
8,5
8,5
8,5
8,5
8,5
8,5
~150
20
32
32
32
5
5
5
5
200
200
200
200
~300
55
4
60 (70*)
. ~5.5
ГГц
~5.5 ГГц
~5.5 ГГц
(85°С)
~5.5 ГГц
(85°С)
~5.5 ГГц
(lк)
IКэR,
1**
кэо,
мкА
1
1
1
1
1
1
10*
10*
10*
10*
10*
10*
Iкво,
В)
В)
В)
В)
В)
В)
,_
КТ3139А
n-p-n
n-p-n
n·p·n
n-p-n
КТ3139Б
КТ3139В
КТ3139Г
~150
200
200
200
200
~150
~150
=:;О,02 (20 В)
S0,001 (32 В)
S0,001 (32 В)
=:;О,05 (32 В)
-
КТ314А-2
n-p-n
500
=:;О,075
(55
В)
-
КТ3140А
200
200
200
200
200
~150
КТ3140Д
p·n·p
p-n-p
p·n-p
p-n-p
p-n·p
КТ3142А
n-p-n
~150
20
32
32
32
20
5
5
5
5
5
200
200
200
200
200
360
~500
40
4,5
200· 500*
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
200
200
200
200
200
~125
КТ3146Д-9
р·П·р
200
200
200
200
200
~125
КТ3146Г-9
p·n·p
p·n·p
p·n·p
p·n·p
КТ3140Б
КТ3140В
КТ3140Г
КТ3145А-9
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТ3145Г-9
КТ3145Д-9
КТ3146А-9
КТ3146Б-9
КТ3146В-9
,
~150
~150
~150
~125
~125
~125
~125
~125
~125
;::::125
;::::125
32*
45*
45*
45*
45*
(О,_1 к)
(О, 1к)
(О,lк)
32*
45*
45*
45*
45*
(О, 1к)
(0,lк)
(О,lк)
(О,lк)
(0,lк)
(О,lк)
(О,lк)
1
=:;О,02
(20 В)
(32 В)
S0,001 (32 В)
S0,05 (32 В)
=:;О,02 (20 В)
=:;О,001
S0,4 (20
В)
'
5
5
5
5
5
200
200
200
200
200
=:;О,02
(32 В)
Sl (45 В)
=:;1 (45 В)
=:;О,05 (45 В)
S0,05 (45 В)
5
5
5
5
5
200
200
200
200
200
S0,02 (32 В)
=:;1 (45 В)
=:;1 (45 В)
S0,05 (45 В)
S0,05 (45 В) --
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
15 ... 150
15 ... 150
15 ... 150
15 ... 150
20 ... 150
70 ... 150
(7
(7
(7
(7
(7
(7
В;
В;
В;
В;
В;
В;
3
3
3
3
3
3
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
s5,5
s5,5
s5,5
s5,5
s5,5
s5,5
(7
(7
(7
(7
(7
(7
В)
В)
В)
В)
В)
В)
~6** (3,6 ГГц)
~4** (3,6 ГГц)
~5** (5 ГГц)
~7** (4 ГГц)
~8, 1** (2,25 ГГц)
~8,1** (2,25 ГГц)
91
s2,5 (3,6 ГГц)
s4,8 (3,6 ГГц)
s4,8 (3,5 ГГц)
s3,6 (3,4 ГГц)
s2 (2,25 ГГц)
s2,5 (2,25 ГГц)
КТ3132-2
~@,
C\i"
l.t)
30 ... 120 (5 В; 0,25 мА)
::;4,5
s4,5
s4,5
s4,5
(IO
(10
(10
(10
В)
s5o
s85**
$270*;Sl30***
В)
В)
В)
s5o
s5o
s5o
s85**
s85**
s85**
s270*
s270*
s270*
slO (5 В)
slO
•
О)' з
'&
~200 (5 В; 0,2 мА)
~60 (5 В; 2 мА)
~120 (5 В; 2 мА)
100... 310 (5 В; 2 мА)
·
53
КТЗ139
0,95
j
~*Х
КТ314-2
s80;s300*
~~~
11 \
5
~200 (5 В; 2 мА)
~60 (5 В: 2 мА)
120.. .460 (5 В; 2 мА)
100... 310 (5 В; 2 мА)
~200 (5 В; 2 мА)
40 ... 120 ( l В; 10 мА)
s6,5
s6,5
s6,5
s6,5
s6,5
(10
(lO
(10
(10
(lO
В)
В)
В)
В)
В)
s4(10B)
s50
s5o
s5o
s5o
s5o
s25
s85**
s85**
s85**
s85**
s85**
s270*; s400**
s270*
s270*
s270*
s270*
sl3*; sl8**
~
к э
КТ3140
0,95
j
~*Х
КТ3142А
115,81/
;fi
~200
(5 В; 2 мА)
(5 В; 2 мА)
120... 460 (5 В; 2 мА)
100... 310 (5 В; 2 мА)
120.. .460 (5 В; 2 мА)
~60
sl 1
Sl 1
sl 1
sl 1
sl 1
s5o
s5o
s50
s5o
s50
Sl 100*
sl 100*
sl 100*
sl 100*
sl ГОО*
~60
(5
120.. .460
100... 310
120 .. .460
В;
2 мА)
(5 В; 2 мА)
(5 В; 2 мА)
(5 В; 2 мА)
s12
Sl2
Sl2
s12
Sl2
s5o
so
s5o
s5o
s5o
sl 100*
sllOO*
sllOO*
Sl 100*
sl 100*
5
КТ3145-9
~~
:~
к
~200 (5 В; 2 мА)
кфз
6
КТ3146-9
j
0,95
~*Х
Раздел
92
Рк max,
* т max,
Рк,
f гр, fh2lб,
2.
Uкво max,
fh2Iэ,
* max,
UкэR
Uэво max,
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
МГц
в
(250*)
(250*)
(250*)
(250*)
(250*)
(250*)
100
100
150
150
~250
25
20
40
35
150
150
150
150
150
150
100
100
150
150
~250
КТ315Р1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ3150Б-2
p-n-p
КТ3151А-9
Тип
Струк-
прибора
тура
** н max,
Рк,
мВт
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
KT315f
КТ315Д
КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
КТ315А-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150
150
150
150
150
150
~250
~250
-
~250
~250
40*
35*
20*
60*
35*
35*
~250
~250
~250
~250
~250
-
(lОк)
(lОк)
(IОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
Бип_олярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
IКэR,
* и max,
Iк,
1*"
кэо,
мА
мкА
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
100
100
100
100
100
100
50
50
100
100
s0,5 (10 В)
s0,5 (10 В)
~.5 (10 В)
s0,5 (10 В)
$0,6 (10 В)
~.6 (10 В)
S0,6 (10 В)
s0,6 (10 В)
s0,6 (10 В)
s0,5 (10 В)
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
s0,5
s0,5
s0,5
S0,5
s0,5
s0,5
s0,5
s0,5
s0,5
s0,5
~250
120 (65°С)
~1200
35* (lОк)
4
30 (50*)
s0,5 (40 В)
200
200
200
200
200
200
~100
КТ3151Е-9
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
~100
80*
80*
60*
40*
30*
20*
5
5
5
5
5
5
100
100
100
100
100
100
sl (100 В)
sl (90 В)
::;;1 (80 В)
sl (60 В)
::;;1 (30 В)
sl (30 В)
КТ3153А-9
n-p-n
300
~250
60
5
400 (О,6* А)
КТ315Б-1
КТ315В-1
KT315f-1
КТ315Д-1
КТ315Е-1
КТ315Ж-1
КТ315И-1
КТ315Н1
КТ3151Б-9
КТ3151В-9
KT3151f-9
КТ3151Д-9
~250
~250
~250
~250
~250
~250
~250
~250
~100
~100
~100
~100
~
'
(10
(10
(10
(lo
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
25
20
40
35
40
35
15
60
20
35
В)
В)
В)
В)
В)
В)
s0,05 (45 В)
1
~-
-
КТ3153А-5
n-p-n
300
~250
60
5
О.4 А (0,6* А)
~.05 (45 В)
КТ3157А
p-n-p
200
~60
250* ( lОк)
5
30 (lOO*)
~.1 (200 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
93
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
С12э,
rБэ нас, Ом
rб, Ом
пФ
к;.~, дБ
Раых, Вт
30 ... 120* (10 В; 1 мА)
50 ... 350* ( 10 В; 1 мА)
30 ... 120* (10 В; 1 мА)
50 ... 350* ( 10 В; 1 мА)
20 ... 90* (10 В; 1 мА)
50 ... 350* ( 10 В; 1 мА)
30 ... 250* (10 В; 1 мА)
~30* (l О В; 1 мА)
50 ... 350* ( 10 В; 1 мА)
150 ... 350* (10 В; 1 мА)
$7 (10 В)
$7 (10 В)
$7 (10 В)
$7 (10 В)
$7 (10 В)
$7 (10 В)
$10 (10 В)
$10 (10 В)
$7 (10 В)
$7 (10 В)
$20
$20
$20
$20
$30
$30
$25
$45
$5,5
$20
$40*
$40*
$40*
$40*
$40*
$40*
$300
$500
$500
$500
$1000
$1000
$800
$950
$1000
$500
КТ315
20 ... 90 (10 В; 1 мА)
50 ... 350 ( 10 В; 1 мА)
20... 90 (10 В; 1 мА)
50 ... 350 (10 В; 1 мА)
20 ... 90 (10 В; 1 мА)
20 ... 90(108; 1 мА)
30 ... 250 (10 В; 1 мА)
30 (10 В; 1 мА)
50 ... 350 ( 10 В; 1 мА)
150... 350 ( 10 В; 1 мА)
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$20
$40*
$40*
$40*
$40*
$40*
$40*
$40*
$40*
$300
$300
$300
$300
$300
$300
$300
$300
КТ315-1
60 .. .180* (5 В; 2,5 мА)
$2 (10 В)
•
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
•
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
$25
•
••
'tк, ПС
•
••
tвыКJJ,
Корпус
tpac, НС
НС
$30;$30*
-
(6~2 -
.
КТ3150-2
~20 (5 В; 10 мА)
30... 90 (5 В; 10 мА)
40 .. .120 (5 В; 10 мА)
40 .. .120 (5 В; 10 мА)
~80 (5 В; 10 мА)
~40 (5 В; 10 мА)
$15
$15
$15
$15
$15
$15
В)
В)
В)
В)
В)
В)
$60
$60
$60
$60
$60
$60
100... 300 (5 В; 2 мА)
$4,5 (10 В)
$2,6
$400*
КТ3153-9
100... 300 (5 В; 2 мА)
$4,5 ( 10 В)
$2,3
$400*
КТ3153А-5
$3 (30 В)
$60
~50*
(20 В; 25 мА)
(10
(10
(lO
(lO
(10
(10
КТ3151-9
j
0,95
~~х
КТ3157
Раздел
94
Рк max,
*
fгр, fh21б,
UкБо max,
* т max,
, Рк,
** н max,
Рк.
*"'
fh21э,
***
fmax,
"' max,
UкэR
** max,
Uкэо
мВт
мrц
в
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150 (90°С)
150 (90°С)
150 (90°С)
150 (90°С)
150 (90°С)
~600
150
150
150
150
150
(85°С)
(85°С)
(85°С)
~600
(85°С)
~600
КТ316ДМ
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
(85°С)
~800
КТ3165А
p-n-p
160
(55°С)
~750
КТ3165А-9
p-n-p
100
1060
КТ3166А
n-p-n
15
~400
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ316А
КТ316Б
КТ316В
KT316f
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
KT316fM
~800
~800
~600
~800
~800
~800
2.
UэБО max,
в
Биполярные транзи~торы
Iк max,
* и max,
Iк,
мА
IКБО,
IКэR,
1**
кэо,
мкА
10*
10*
10*
1О*
10*
(3к)
(3к)
(3к)
(Зк)
(Зк)
4
4
4
.4
4
50
50
50
50
50
.~О.5
~О.5
~О.5
~О.5
~О.5
10*
10*
10*
10*
10*
(3к)
4
4
4
4
4
50
50
50
50
50
~О.5
~О.5
40
3
30
~О.1
40
5
30
0,5
-
1
-
15*
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
(lк)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
~О.5 (10 В)
~О.5 (10 В)
~О.5 (10 В)
(20
В)
1
КТ3168А-9
n-p-n
КТ3169А-9
p-n-p
180
(55°С)
200
~3000
15*
~750
(lОк)
40
1
2,5
28 (56*)
~.5
(15 В)
3
30
~.1
(20 В)
95
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
20 ... 60* (l В; 10 мА)
40 ... 120* (l В; 10 мА)
40 ... 120* (l В; 10 мА)
20 ... 100* (l В; 10 мА)
60 ... 300* (l В; 1О мА)
20 ... 60* (l В; 10 мА)
40 ... 120* (l В; 10 мА)
40 ... 120* (l В; 10 мА)
20 ... 100* (l В; 10 мА)
60 ... 300* (l В; 10 мА)
~3
~3
~3
-~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
~40
~10*
~40
~10*
~40
~15*
В)
~40
~150
В)
~40
~150
В)
~40
~10*
В)
~40
~10*
В)
~40
~15*
В)
~40
~150
В)
~40
~150
КТ316
115,81/
;IJ
~rj:~_
~
В;
(lO
3
~О.65
мА)
(10 В)
~& (l ГГц)
5
КТ316М
&1-)
~25*
кфз
Ш111
~3
~'
•
~...
КТ3165
с-.,
\с')"
'Q
о
~25
(lO
В;
мА)
3
~3
7
2,7
КТ3165А-9
0,95
j
~*Х
280 ... l ООО* (5
В;
O, l
мА)
КТ3166
rif
42
~Jj:~_
&1-)
~
60 ... 180 (5
В;
5
мА)
~I.5
(5 В)
~7**
(l ГГц)
~3
(1
ГГц)
~10
Ш111
~'
•
~...
КТ3168А-9
j
0,95
~*Х
~25 (l В;
3
мА)
~О.6
(10
В)
~13**
(0,8
ГГц)
~6
(800
МГц)
КТ3169-9
j
0,95
~*Х
.
Раздел_2. Биполярные транзисторы
96
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
* т max,
Рк,
** н
Рк,
max,
fгр1 fh21б1
fh2lэ 1
***
fmax,
UкБО max,
* max,
UкэR
**
Uкэо
мВт
мrц
в
UэБО max,
в
max,
КТ3169А9-1
p-n-p
200
~750
40
з
КТ317А-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
15
15
15
~100
5
5
5
3,5
3,5
3,5
КТ317Б-1
КТ317В-1
~100
~100
lкБо,
Iк max,
* н max,
Iк.
мА
30 (0,6*
IКэR,
1**
кэо,
мкА
А)
1'5 (45*)
15 (45*)
15 (45*)
~0.1
~1
~1
~1
(20
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
.
КТ3170А-9
n-p-n
250
~300
0,1(208)
40
4
30
4
530
~О.1
(12
В)
4,5
200*
~0,4
(20
В)
.
КТ3171А-9
p-n-p
200
~150
15
КТ3172А-9
n-p-n
200
~500
20*
'
~
КТ3173А-9
p-n-p
200
~200
30
5
530
~О.1
(20
В)
КТ3176А-9
n-p-n
200
~150
35
5
500
~О.1
(35
В)
Параметры биполярных кремниевых транЗисторов
h21э, h21э
~25
(10 В; 3 мА)
97
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
Сi2э,
* нас, Ом
rБэ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
** Вт
Рвых,
**
tвыКJJ,
НС
~0.6
(10 В)
~13**
(800 МГц)
~6
(800 МГц)
-
Корпус
.
.
КТ3169-91
s
0,95
~~х
25 ... 75 (l В; 1 мА)
35 ... 120 (l В; 1 мА)
80 ... 250 (l В; 1 мА)
~11
~11
(l В)
(l В)
~11 (1 В)
-
~30
~30
~о
~130*
КТ317-1
~130*
w~
~130*
(
..>;
,,
/1\::::
б к з
~100
(10 В; 7 мА)
~2
(lO В)
-
-
-
КТ3170-9
s
О,95
~*Х
~50*
(2 В; 100 мА)
~15
(15 В)
-
~1.5
~20
КТ3171А-9
s
0,95
~щi;tjl]:_
-
~40 (l В;
10 мА)
~3
(10 В)
-
~1
~45
КТ3172-9
s
0,95
~*Х
50... 500 (5 В; 30 мА)
~10
(10 В)
~
-
~1.5
КТ3173-9
~20**
s
0,95
~щi;tjl]:_
'
~60
(10 В; 150 мА)
~15
(10 В)
-
~1.2
-
КТ3176-9
s
'
-
0,95
~*Х
_Раздел
98
55
.Sl (100
В)
(45*)
(45*)
(45*)
(45*)
(45*)
(45*)
.S0,5
.s0,5
.s0,5
.s0,5
.s0,5
.s0,5
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
В)
5
50
.Sl (150
В)
~4 ГГц
20
20
20
2,5
2,5
2,5
50
50
.50
.sO,l (10 В)
.sO,l (lOB)
.sO,l (lOB)
200
~4.4 ГГц
20
2
25
.S0,1 (lOB)
n-p-n
n-p-n
n-p-n
200
90
200
~4600
20; 12*
18; 12*
20
2
2
2
20
10
25
n-p-n
n-p-n
n-p-n
225
225
225
300
300
300
50
6
50
50
6
100
100
100
КТ3179А-9
n-p-n
200
~150
150
5
КТ318А-1
15
15
15
15
15
15
~430
КТ318Е-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
~350
lo·
10
10
10
10
10
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
КТ3180А-9
p-n-p
200
~150
150
КТ3186А-9
300
90
250
~б ГГц
~3,2 ГГц
КТ3186В-9
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ3187А-9
n-p-n
КТ3187А-91
КТ318Б-1
КТ318В-1
KT318f-1
КТ318Д-1
КТ3186Б-9
КТ3187Б-91
КТ3187В-91
КТ3189А-9
КТ3189Б-9
КТ3189В-9
2. Биполярные транзисторы
~430
~430
~350
~350
~3200
~3000
6
20
20
20
20
20
20
В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов
~65*
(5
В;
10
мА)
:5:3
99
КТ3179-9
:5:33
0,95
j
~*Х
30... 90 (l В; 10 мА)
50... 150 (l В; 10 мА)
70 ... 280 (l В; 10 мА)
30... 90 (l В; 10 мА)
50 ... 150 (l В; 10 мА)
70... 280 ( 1 В; 1О мА)
:5:3,5
:5:3.5
:5:3,5
:5:4,5
:5:4,5
:5:4,5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
:5:27
:5:27
:5:27
:5:27
:5:27
:5:27
В)
В)
:5:15*
:5:15*
:5:15*
:5:10*
:5:10*
:5:10*
КТ318-1
1
~
1
~
~
•
5
~90*
(5
В;
1О
мА)
1\
1
......
.......
к з
КТ3180-9
:5:33
0,95
j
~*Х
~60
(5 В; 15 мА)
~40 (3 В; 2 мА)
~35 (5 В; 10 мА)
:5:0,9 ,(8
:5:0,9 (8
:5:0,9 (8
В)
В)
В)
~8**
~6**
~6**
(2
(2
(2
ГГц)
ГГц)
ГГц)
:5:3,5 (2 ГГц)
:5:3 (2 ГГц)
:5:4 (2 ГГц)
КТ3186-9
~~
=~
к
~40
(10
В;
14
мА)
:5:0,9 (10 В)
~12**
(0,8 ГГц)
:5:2 (0,8 ГГц)
6
КТ3187-9
0,95
j
~~х
~40 (lO В;
~40 (3 В;
~40 (5 В;
14 мА)
2 мА)
5 мА)
~12**
~12**
~12**
(0,8 ГГц)
(0,8 ГГц)
(0,8 ГГц)
:5:2 (0,8 ГГц)
:5:2 (0,8 ГГц)
:5:2,5 (0,8 ГГц)
КТ3187-91
j
0,95
~~х
110... 220
200 .. .450
420 ... 800
6
6
6
10
10
10
КТ3189-9
~~t
Раздел
100
2. Биполярные транзисторы
КТ3191А-9
p-n-p
200
~4500
15**
2
25
S:O,l (20
В)
КТ3191А-91
p-n-p
200
~4500
15**
2
25
s:O, 1 (20
В)
КТ3192А-9
p-n-p •
200
800
40
3
30
0,1
КТ3196А-9
p-n-p
225
250
40
5
200
10
КТ3197А-9
n-p-n
225
200
60
6
200
10
КТ3198А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
280
280
300
300
280
300
300
4600
4600
4000
4000
3000
- 6000
6500
15*
15*
15*
15*
20
20
20
2,5
2,5
2,5
2,2
2,5
3
2,5
25
25
50
35
30
100
50
n-p-n
n-p-n
n-p-n
15
15
15
5
5
5
3,5
3,5
3,5
15
15
15
60
60
60
45
45
45
4
4
4
4
4
4
КТ3198Б
КТ3198В
KT3198f
КТ3198Д
КТ3198Е
КТ3198Ж
КТ319А-1
КТ319Б-1
КТ319В-1
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
KT321f
КТ321Д
КТ321Е
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
210
210
210
210
216
210
(20** Вт)
(20** Вт)
(20** Вт)
(20** Вт)
(20** Вт)
(20** Вт)
~100
~100
~100
~60
~60
~о
~60
~60
~60
200
200
200
200
200
200
(2* А)
(2* А)
{2* А)
(2* А)
(2* А)
(2* А)
S:l
S:l
S:l
s:O, 1 (60
s:O, l (60
s:O, 1 (60
S:O,l (45
s:O,l (45
s:O, 1 (45
В)
В)
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевы~ транзисторов
~20
(10
В;
14
мА)
~0,9
(10
В)
~16**
(0,5
ГГц)
~2.4
(0,5
101
ГГц)
КТ3191-9
~~t
~20
(10 В; 14 мА)
~0,9
(10
В)
~16**
(0,5
ГГц)
~2.4
(0,5 ГГц)
КТ3191-91
1
s
0,95
~~х
20
КТ3192-9
6
~~*
9-=r-r _ш
100... 300
КТ3196-9
2
s
0,95
~*Х
КТ3197-9
1,5
100... 300
~~*
9-=r-r _ш_
~16**
(0,5 ГГц)
(0,5 ГГц)
14**
;;::11 ** (0,8 ГГц)
~10** (0,8 ГГц)
~12** (0,8 ГГц)
~13** (0,8 ГГц)
40
40
25
40
~12**
~20 (1 В; 2 мА)
~50 (10 В; 20 мА)
~60 (8 В; 15 мА)
15 ... 55 (1 В; 1 мА)
45 ... 90 ( 1 В; 1 мА)
80... 200 (1 В; 1 мА)
~11 (1 В)
~11 (1 В)
~ll(lB)
~2,4
(0,5 ГГц)
2
1,9
1,6
~4 (0,8 ГГц)
~2 (0,8 ГГц)
~1.8 (0,8 ГГц)
КТ3198
о
~30
~130*
~30
~130*
~30
~130*
КТ319-1
~rf9 Цj
~tZК
6
эк
20 ... 60* (3 В; 0,5 А)
40 .. .120* (3 В; 0,5 А)
80... 200* (3 В; 0,5 А)
20 ... 60* (3 В; 0,5 А)
40 .. .l 20* (3 В; 0,5 А)
80... 200* (3 В; 0,5 А)
~80
~80
~80
~80
~80
~80
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
~3,6
~1000*
~3,6
~1000*
~3,6
~1000*
~3.6
~1000*
~3,6
~1000*
~3,6
~1000*
2,7
КТ321
1
Раздел
102
-
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ324А-1
1
п-р-п
КТ324Б-1
п-р-п
КТ324В-1
rt-p-n
КТ324Г-1
п-р-п
КТ324Д-1
п-р-п
КТ324Е-1
п-р-п
КТ325А
п-р-п
КТ325Б
п-р-п
КТ325В
п-р-п
КТ325АМ
п-р-п
КТ325БМ
п-р-п
КТ325ВМ
п-р-п
* т max,
Рк,
fгр, fh2lб,
fh2lэ 1
2.
Uкво max,
Биполярные транзисторы
lкво,
lк max1
IкэR,
1~<Эо,
* max,
UкэR
Uэ1ю max,
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
15
15
15
15
15
15
~800
10
10
10
10
10
10
4
4
4
4
4
4
20
20
20
20
20
20
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
~.5 (10 В)
· S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
225 (85°С)
225 (85°С)
225 (85°С)
~800
15* (3к)
15* (3к)
15* (3к)
4
4
4
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
S0,5 (15 В)
S0,5 (15 В)
S0,5 (15 В)
15* (Зк)
15* (3к)
15* (3к)
4
4
4
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
S0,5 (15 В)
S0,5 (15 В)
S0,5 (15 В)
15* (lООк)
1§* (lООк)
5
5
50
50
S0,5 (20 В)
S0,5 (20 В)
15* (lООк)
15* (lООк)
5
5
50
50
S0;5 (20 В)
~.5 (20 В)
** и max,
Рк,
225 (85°С)
225 (85°С)
225 (85°С)
~800
~800
~600
~600
~600
~800
~1000
~800
~800
~1000
* и max,
lк,
мА
мкА
r'
КТ326А
р-п-р
КТ326Б
р-п-р
200 (30°С)
200 (30°С)
~250
~400
.
КТ326АМ
р-п-р
КТ326БМ
р-п-р
200 (30°С)
200 (30°С)
~250
~400
КТ331А-1
п-р-п
КТ331Б-1
п-р-п
КТ331В-1
п-р-п
КТ331Г-1
п-р-п
15
15
15
15
~250
~50
~250
~400
15* (lОк)
15* (lОк)
15* (lОк)
15* (lОк)
3
3
3
3
20
20
20
20
S0,2 (15 В)
S0,2 (15 В)
~.2 (15 В)
S0,2 (15 В)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
-
КТ332А-1
п-р-п
КТ332Б-1
п-р-п
КТ332В-1
п-р-п
КТ332Г-1
п-р-п
КТ332Д-1
п-р-п
15
15
15
15
15
~250
~250
~50
~500
~500
15*
15*
15*
15*
15*
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
3
3
3
3
3
20
20
20
20
20
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
~.2 (15. В)
(15 В)
(15 В)
(15 В)
(15 В)
S0,2
S0,2
S0,2
S0,2
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
Рвых, Вт
**
tвыкл,
НС
пФ
20 ... 60 (l В; 10 мА)
40.. .120 (l В; l О мА)
80... 250 (l В; l О мА)
40" .120 (l В; 10 мА)
20" .80 (1 В; 10 мА)
60" .250 (1 В; 10 мА)
103
S2,5
S2,5
S2,5
S2,5
S2,5
,s2,5
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
••
Sl80;
:5180;
S:l 80;
Sl80;
:5180;
Sl80;
S30
S30
S30
S30
S30
S30
Корпус
КТ324-1
SlO*
SlO*
s;lQ*
~t
SlO*
SlO*
SlO*
6
30... 90* (5 В; 10 мА)
70 ... 210* (5 В; 10 мА)
160.. .400* (5 В; 10 мА)
S2,5 (5 В)
S2,5 (5 В)
S2,5 (5 В)
КТ325
Sl25
Sl25
Sl25
fl9,ll _
.
~.
~
30".90* (5 В; 10 мА)
70".21 О* (5 В; 10 мА)
160".400* (5 В; 10 мА)
S2,5 (5
S2,5 (5
S2,5 (5
В)
В)
В)
20." 70* (2 В; l О мА)
45".160* (2 В; 10 мА)
~
(5 В)
S5 (5
В)
20".70* (2 В; 10 мА)
45".160* (2 В; 10 мА)
S5 (5
S5 (5
В)
20."60 (5 В; l мА)
40."120 (5 В; l мА)
80."220 (5 В; l мА)
40 ... 120 (5 В; l мА)
55
S5
S5
S5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
20 ... 60 (5 В; l мА)
40".120 (5 В; l мА)
80... 220 (5 В; l мА)
40".120 (5 В; l мА)
80... 220 (5 В; l мА)
S5
S5
55
S5
S5
(5 В)
(5 В)'
В)
(5 В)
(5
(5
В)
В)
кз
1 !
l1 1
j
t
1
5@·0к
з
1·
Sl25
Sl25
Sl25
КТ325М
S30
S30
S450
S450
КТ326
S30
S30
S450
S450
КТ326М
S:l20
Sl20
Sl20
Sl20
КТЗЗ1-1
S300
S300
5300
S300
S300
КТ332-1
S:4,5
S4,5
S4,5
S4,5
(100 МГц)
(100 МГц)
( 100 МГц)
( 100 МГц)
S8 (100 МГц)
S8 (100 МГц)
s;8 ( l 00 МГц)
:58 (100 МГц)
S8 (100 МГц)
о,о
l(opn.
Раздел
104
Рк max,~
Uкво max,
** и max,
Рк,
frp 1 fh2J6,
** 1
, f h21э
fmax
*** 1
мВт
МГц
в
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
15
15
15
15
15
15
~450
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
50
50
50
50
50
50
~250
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ333А-3
КТ333Б-3
КТ333В-3
КТ333Г-3
КТ333Д-3
,КТ333Е-3
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
* т max,
Рк,
~450
~450
~350
~350
~350
~250
~250
~450
~450
~450
2.
* max,
UкэR
Uэво max,
** max,
Uкэо
в
Биполярные mранзисторы
Iк max 1
* и max,
Iк,
мА
Iкво,
IКэR,
1**
кэо,
мкА
20
20
20
20
20
20
(45*)
(45*)
(45*)
(45*)
(45*)
(45*)
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
(3к)
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
4
4
4
4
4
4
20
20
20
20
20
20
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
(50*)
:50,5 (10
~О.5 (10
:50,5 (10
:50,5 (10
:50,5 (10
:50,5 (10
13)
4
4
4
30
30
30
10*
1О*
10*
10*
10*
10*
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
(3к)
10*
10*
10*
1О*
10*
10*
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
'
150 (60°с)
150 (6О С)
150 (6О С)
~500
КТ337В
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ339АМ
n-p-n
250 (55°С)
КТ337А
КТ337Б
0
~600
0
~600
6* (lОк)
6* (lОк)
6* (lОк)
~300
40
4
25
·с>
·с>
;;::300
crc)
~450
40
25
40
40
40
4
4
4
4
4
·25
25
25
25
25
15
20
15
15
15
5
5
5
5
5
50
50
50 (200*)
75 (500*)
50
~300
35
30
25
~300
60* (lОк)
5
5
5
5
50 (300*)
50 (300)
50 (300)
50 (300*)
~1
(6 В)
~1 (6 В)
~1 (6 В)
:51 (40 В)
~
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ340В
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ342Г
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
260
250
260
250
250
(55
(55
(55
(55
(55
·с>
·с>
~250
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150
150
150
150
150
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
;;::300
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
250
250
250
250
~250
~250
~300
~300
~300
~300
~250
~300
:51
:51
:51
:51
:51
(40
(40
(40
(40
(40
В)
В)
В)
В)
В)
:51 (15 В)
:5J (20 В)
:51 (15 В)
~1 (15 В)
:51 (15 В)
:50,05
:50,05
:50,05
:50,05
(25
(20
( 1О
(60
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
30 ... 90 (1 В; 10 мА)
50 ... 150 (1 В; 10 мА)
70 ... 280 (1 В; 1О мА)
30."90 (1 В; 10 мА)
50 ... 150 (1 В; 10 мА)
70."280 (l В; 1О мА)
Ск,
Гкэ нас, Ом
Кш, дБ
Сi2э,
rБэ нас, Ом
rб, Ом
пФ
к**
у,р, дБ
$3,5
$3,5
$3,5
$4,5
$4,5
$4,5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
$27
В)
~7
В)
$27
$27
$27
$27
В)
В)
В)
**
Рвых,·
'
-
-
Вт
105
'tк, ПС
*
tpac
1
Корпус
НС
t:~кл, НС
$15*
$15*
$15*
$25*
$25*
525*
КТ333-3
~~кt
с::)'
К о о.Jб,
к.пюч
0,01/
/
20 ... 60 (l В; 1О мА)
40".120 (1 В; 10 мА)
~80 (l В; 10 мА)
20... 60 (1 В; 1О мА)
40."120 (1 В; 10 мА)
~80 (1 В; 10 мА)
$5
$5
$5
$5
$5
$5
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
$30
$30
$30
$30
$30
$30
-
-
$30*
$30*
$50*
$15*
$15*
$15*
КТ336
~~эL
5
c:::i'
о~ к
,Клюl/
~30*
(0,3 В; 10 мА)
~50* (0,3 В; 1О мА)
~70* (0,3 В; 1О мА)
$6 (5 В)
$6 (5 В)
$6 (5 В)
$20
$20
S:20
-
-
$25*
$28*
$28*
0,04
КТ337
~5,811
э
~·1
5$К
ч-; w
.,....._
,..._ '~
~"
...:::
~25*
(10 В; 7 мА)
$2 (5 В)
-
-
КТ339М
$25
~fi:tщ1
~
~
~25*
~15*
~25*
~40*
~15*
( 10
(10
(10
(l О
(10
В;
В;
В;
В;
В;
7
7
7
7
7
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
$2
$2
$2
$2
$2
-
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
-
-
-
-
-
$25
$25
$50
$100
$150
ф1/1
~'
.
~
...........
КТ339
~5,81/
-
~-'[j бфк
,..._ j
~,
100".300* (1 В; 1О мА)
~100* (l В; 1О мА)
~35* (2 В; 0,2 А)
~16* (2 В; 0,5 А)
~40* (2 В; 0,2 А)
$3,7 (5 В)
$3,7 (5 В)
$3,7 (5 В)
$3,7 (5 В)
$6 (5 В)
::;20
$25
$2
$1,2
$30
-
-
-
'$45; $10*
$40; $15*
$85; $15*
$85; $15*
$150; $75*
.
100."250* (5 В; 1 мА)
200".500* (5 В; l мА)
400 ... 1000* (5 В; 1 мА)
50."120* (5 В; 1 мА)
$8
$8
$8
$8
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
$10
$10
$10
$10
-
$200
$300
$700
-
КТ340
i15,8//
;fi
кфз
5
КТ342
i15,8//
;fi
кфз
5
'
Раздел
106
•• и max,
Рк.
•
••
fь21э,
•••
fmax,
max,
max,
u**
КЭО max,
мВт
МГц
в
~250
35
30
25
Ркmах 1
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ342АМ
п-р-п
КТ342БМ
п-р-п
КТ342ВМ
п-р-п
KT342fM
п-р-п
КТ342ДМ
п-р-п
.
• т max,
Рк,
250
250
250
250
250
fгр, fь216,
Uкво
*
UкэR
в
•
Iк.
max,
и max,
мА
50
50
50
50
50
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
(lОк)
(lОк)
17* (lОк)
17* (lОк)
9• (lОк)
4
4
4
50 (150*)
50 (150*)
50 (150*)
(lОк)
(lОк)
5
5
5
200 (300*)
200 (300*)
200 (300*)
15* (lОк)
9* (lОк)
6* (lОк)
4
4
4
50 (110*)
50 (110*)
50 (110*)
3,5
3,5
3,5
15 (45*)
15 (45*)
15 (45*)
~300
~150
max,
Iк
5
·5
5
5
5
~300
~150
Uэво
2. Биполярные транзисторы
30*
25*
Iкво,
Ii<эR,
1··
кэо,
мкА
S0,05 (25
S0,05 (20
~.05 (10
S0,05 (30
S0,05 (25
В)
В)
В)
В)
В)
-
КТ343А
р-п-р
КТ343Б
р-п-р
КТ343В
р-п-р
КТ345А
p-n·p
КТ345Б
р-п·р
КТ345В
p·n·p
КТ347А
р-п-р
КТ347Б
р-п-р
КТ347В
р-п-р
КТ348А-3
п-р-п
КТ348Б-3
п-р-п
КТ348В-3
п-р-п
150
150
150
(75°С)
(75°С)
~300
(75°С)
~300
~300
300 (600**)
300 (600**)
300 (600**)
~350
150 (75°С)
i5o (75°С)
150 (75°С)
~500
15
15
15
::::.100
'
~350
~350
~500
~500
~100
~100
20*
20*
20*
5*
5*
5*
(lОк)
(3к)
(3к)
(3к)
Sl (10 В)
Sl (lO В)
Sl (7 В)
~.5 (20
S0,5 (20
~.5 (20
В)
В)
В)
Sl (15 В)
~1 (9 В)
~l (6 В)
Sl (5
~l (5
Sl (5
В)
В)
В)
-
КТ349А
р·п-р
КТ349Б
р·п-р
КТ349В
р-л-р
~
200
200
- 200
(З5°С)
~300
(35°С)
~300
(35°С)
~300
15*
15*
15*
(lОк)
(lОк)
(lОк)
4
4
4
50 (100*)
50 (100*)
50 (100*)
Sl (10
sl (10
Sl (10
В)
В)
В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
*
С12э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* 1 НС
tpac
** 1 Вт
Рвых
** 1 НС
tвыкл
пФ
100... 250* (5 В; 2 мА)
200 ... 500* (5 В; 2 мА)
400 ... 1000* (5 В; 2 мА)
100... 250* (5 В; 2 мА)
200 ... 500* (5 В; 2 мА)
107
~8
~8
~8
(5
(5
(5
~8 (5
~8 (5
В)
В)
В)
~10
~10
~10
В)
В)
~10
~10
-
Корпус
'
КТ342М
~200
~300
~700
-
~EW:~
.
1о1')
~"
~
;;:::30* (0,3 В; 10 мА)
;;:::50* (0,3 В; 10 мА)
;;:::30* (0,3 В; 10 мА)
~6
~о
~6
(5 В)
(5 В)
~6 (5 В)
~30
~30
-
•
~
...........
КТ343
~10*
~20*
~10*
~5,811 - -
-
з
~·~
--
5$К
ч-)" 1
,..., ,,
~",,
-
:?:20* (1 В; 100 мА)
;;:::50* (1 В; 100 мА)
:?:70* (1 В; 100 мА)
~15
~15
~15
(5 В)
(5 В)
(5 В)
~3
~3
~3
-
-
КТ345
~70*
~70*
~70*
.
~Вi:µщ
!."':)"
30 .. .400* (0,3 В; 10 мА)
30 .. .400* (0,3 В; 10 мА)
50 .. .400* (О,3 В; 10 мА)
~6
~6
~6
(5 В)
(5 В)
(5 В)
~30
~о
~30
-
-
~
•
""'
~
...........
КТ347
~25*
~25*
~40*
~5,81/
--
з
5$К
,~~
. ._ ~rч-)"
~~~
-
25 ... 75 ( l В; 1 мА)
35 ... 120 (1 В; l мА)
80 ... 250 (1 В; 1 мА)
~ll(lB)
~ll(lB)
~11 (1 В)
~30
~30
~30
-
КТ348-3
~130*
~130*
~130*
~~кt
f::SKooб
к.пюч
20... 80* (l В; 10 мА)
40 ... 160* (1 В; 10 мА)
120... 300* (l В; 10 мА)
~6
~6
~6
(5 В)
(5 В)
(5 В)
~30
~30
~30
-
-
КТ349
-
-
0.01/
.
"~2
~вr~
.
1о1')
~"
~
~5,811
--
~·~
-ч-)" 1
,..._ 1\
~"
/
•
з
~
...........
5$К
.Раздел
108
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max,
Рк.
••
Рк, н max,
мВт
КТ350А
p-n-p
300 (ЗО С)
0
2.
"'
fгр, fh2lб,
Uкво max,
fh2°Iэ,
••• 1
fmax
"' max,
UкэR
Uэво max,
** max,
Uкэо
в
Мfц
в
~100
20
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
Ii<эR,
• н max,
Iк.
1**
кэо,
мА
мкА
600*
~i (10 В)
5
5
400*
400*
~l
20
20
5
5
200*
200*
~l
5
'
/
/
КТ351А
КТ351Б
p-n-p
p-n-p
300 (30°С)
300 (30°С)
~200
~200
15* (lОк)
15* (lОк)
~l
(10 В)
(10 В)
,
КТ352А
КТ352Б
p-n-p
p-n-p
300
300
(30°С)
~200
(30°С)
~200
~l
(10
(10
В)
В)
,
30
30
10* (3к)
10* (Зк)
4
4
10 (20*)
10 (20*)
~О.5
~1500
~О.5
(10 В)
(10 В)
225
(85°С)
~1500
15* (Зк)
4
30 (60*)
~О.5
(15 В)
n-p-n
225
(85°С)
~1500
15* (3к)
4
30 (60*)
~О.5 (15 В)
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
100 (50°С)
100 (50°С)
100 (50°С)
100 (50°С)
~300
6*
6*
20*
20*
3,5
3,5
3,5
3,5
КТ354Б-2
n-p-n
n-p-n
КТ355А
n-p-n
КТ355АМ
КТ357А
КТ354А-2
КТ357Б
КТ357В
KT357f
~1100
~300
~300
~300
40
40
40
40
~5
(80*)
(80*)
(80*)
(80*)
(6. В)
~5 (6 В)
~5 (20 В)
~5
.
(20 В)
Параметры биnОЛЯJJ'!ЫХ кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
** Вт
Рвых,
**
tвыкл,
НС
пФ
20 ... 200* ( l В; 0,5 А)
~70
(5
В)
20 ... 80* ( l В; 0,5 А)
50 ... 200* ( l В; 0,3 А)
~О
(5
(5
В)
~1.5
В)
~2.25
25 ... 125* (l В; 0,2 А)
70 ... 300* ( l В; 0,2 А)
~15 (5
:S:l5 (5
В)
~3
В)
~3
40".200 (2 В; 5 мА)
90 ... 360 (2 В; 5 мА)
80 ... 300* (5
В;
10
мА)
109
~20
~1.3
~1.3
~2
Корпус
КТ350
КТ351
КТ352
~150*
(5 В)
(5 В)
(5 В)
~5.5
~10*
~5
~10*
~30
(60 МГц)
~60
КТ354-2
КТ355
99,11
0 К
1!15~
IJ J 3
~ - - " t "1 ]
1
80 ... 300* (5 .В; 10 мА)
20". l 00*
60."300*
20 .. .100*
60 ... 300*
(0,5
(0,5
(0,5
(0,5
В;
В;
В;
В:
10 мА)
10 мА)
10 мА)
10 мА)
~
(5 В)
~7
(5
(5
(5
(5
~7
~7
~7
В)
~5.5
~30
(60 МГц)
~60
КТ355М
:S:l 50*
КТ357
В)
:s:зо
~50*
В)
:s:30
В)
:s:зо
:S:l 50*
:S:250*
о,о
Корп.
{10
Раздел
Рк max 1
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ358А
KT358:S
КТ358В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
* т max,
Рк,
** и max,
Рк,
- мВт
100
100
100
fгр, fh2lб 1
2.
Uкво max,
fh2Jэ 1
f max,
***
* max,
UкэR
Uэво max,
** max,
Uкэо
в
МГц
в
~80
15
30
15
(50°С)
(50°С)
~120
(50°С)
~120
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max 1
Ii<эR,
* и max,
Iк,
1**
кэо,
мА
мкА
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
~10
3,5
3,5
3,5
29
20
20
~О.5
5
4
4
20 (75*)
20 (75*)
20 (75*)
~l
~l
~l
(25
(20
(20
В)
В)
В)
~l
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
4
4
4
~10
~10
В)
(15
(30
(15
В)
В)
КТ359А-3
КТ359Б-3
КТ359В-3
КТ360А-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
~300
15
15
15
10
10
10
~300
~300
(55°С)
(55°С)
(55°С)
~300
~400
~400
15*
15*
15*
(3к)
(3к)
(3к)
25
20
20
~О.5
~О.5
(15
(15
(15
В)
В)
В)
'
КТ361П
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ361А-2
p•ll-p
КТ361А-3
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ361А
КТ361А1
КТ361Б
КТ361В
КТ361Г
КТ361Г1
КТ361Д
КТ361Д1
КТ361Е
КТ361Ж
КТ361И
КТ361К
КТ361Л
КТ361М
КТ361Н
КТ361Б-2
КТ361В-2
КТ361Г-2
КТ361Г-3
КТ361Д-2
КТ361Д-3
КТ361Е-2
КТ361Ж-2
КТЗ61И-2
КТ361К-2
КТ361Л-2
КТ361М-2.
КТ361Н-2
КТ361П-2
150
(35°С)
150
150
150
(35°С)
~250
(35°С)
~250
(35°С)
~250
~250
150
150
(35°С)
(35°С)
~250
~250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
~250
~150
150
150
~250
~150
150
~250
~250
~250
~250
~150
~300
~250
~150
~250
~250
~250
~250
~250
~150
;?;250
~250
;:::250
~250
~250
;?;250
~150
'
~300
25
25
20
40
35
35
40
40
35
10
15
60
20
40
45
50
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
50
100
50
50
50
100
50
50
50
50
50
50
100
100
50
50
25
25
20
40
35
35
40
40
35
10
15
60
20
40
45
50
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
100
100
50
50
~1
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~1
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~l
~1
~l
~1
~l
~l
(10
(10
(10
(10
(lO
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(lO
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов_
10.. .100* (5,5 В; 20 мА)
25".100* (5,5 В; 20 мА)
50".280* (5,5 В; 20 мА)
30".90 (1 В; 10 мА)
50".150 (1 В; 10 мА)
70".280 (1 В; 10 мА)
111
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
*
С12э,
* нас, Ом
rвэ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
::;5 (10
::;5 (10
::;5 (10
В)
В)
**
Рвых,
Вт
::;40
::;40
::;40
В)
::;5 (5 В)
::;70
::;70
::;70
:S5 (5 В)
::;5 (5 В)
::;6 (20
::;6 (20
::;б
(20
МГц)
МГц)
МГц)
** 1
tвыкл
Корпус
НС
::;500
::;500
::;500
КТ358
::;100
::;100
::;100
КТ359-3
::;450; ::; 100*
::;450; ::;200•
::;450; ::;200•
КТ360-1
•
20".70 (2 В; 10 мА)
40".140 (2 В; 1О мА)
80" .240 (2 В; 1О мА)
::;5 (5 В)
::;5 (5 В)
::;5 (5 В)
::;35
::;35
::;35
~t
5КЗ
20."90 (10 В; 1 мА)
20 ... 90 (10 В; 1 мА)
50".350 (10 В; 1 мА)
40".160 (1 О В; 1 мА)
50."350 ( 1О В; 1 мА)
100. "350 (1 О В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
20 ... 90 (10 В; 1 мА)
50".350 (1 О В; 1 мА)
50".350 ( 1О В; 1 мА)
~250 (1 О В; 1 мА)
50."350 (1 О В; 1 мА)
50".350 (1 О В; 1 мА)
70".160 (10 В; ·1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
100... 350 (10 В; 1 мА)
20".90 (1 О В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
50" .350 (1 О В; 1 мА)
40".160 (10 В; 1 мА)
50. "350 (1 О В; 1 мА)
100... 350 (1 О В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
50" .350 (1 О В; 1 мА)
50" .350 ( 1О В; 1 мА)
250 (10 В; 1 мА)
50".350 (1 О В; 1 мА)
50 ... 350 (1 О В; 1 мА)
70... 160 (10 В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
100... 350 (1 О В; 1 мА)
::;9 (10 В).
::;9 (10 В)
::;9 (10 В)
'5,7 (10 В)
::;7 (10 В)
::;7 (10 В)
'5,7 (10 В)
::;7 (10 В)
::;7 (10 В)
::;9 (10 В)
::;9 (10 В)
::;7 (10 В)
::;9 (10 В)
::;7 (10 В)
::;7 (10 В)
::;7 (10 В)
::;9
::;9
::;9
::;7
::;7
::;9
::;7
::;9
::;7
::;9
::;9
::;7
::;9
::;7
::;7
::;7
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
::;20
::;20
::;20
::;20
::;20
~о
::;40*
::;40*
::;40*
::;40•
::;40*
::;40*
::;50
::;50
::;50
::;50
~50
::;1000
:SlOO
::;1000
::;500
::;5о
::;50
::;20
::;20
::;20
::;20
~о
::;20
::;50
~50
::;50
::;50
::;20
::;20
'5,500
::;500
::;500
::;1000
::;500
::;500
::;250
::;40*
:S40*
:S40*
:S40*
:S40*
:S40*
:S500
:S500
:S500
:SlOOO
:S500
:S500
:S250
:S250
:SlOOO·
:SlOO
:SlOOO
:S500
КТ361, КТ361·1
;tmt
5КЗ
КТ361-2, КТ361-3
~5,2
'
Раздел
112
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ363А
р-п-р
КТ363Б
р-п-р
2.
Рк max,
* т max,
Рк,
*
frp, fh2\б,
f h2\э,
**
Uкво max,
* max,
UкэR
Uэво max,
** и max,
Рк.
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
мВт
мrц
в
150
150
(45°С)
(45°С)
~1200
(lк)
(lк)
Iкво,
Iк max,
IКэR,
* и max,
lк.
1**
кэо,
мА
мкА
4,5
4,5
30 (50*)
30 (50*)
~0.5
~О.5
(15 В)
(15 В)
4,5
4,5
30 (50*)
30 (50*)
~О.5
~.5
(15 В)
(15 В)
25
25
25
5
5
5
200 (400*)
200 (400*)
200 (400*)
~1
~1
~1
15
15
15
4,5
4,5
4,5
10 (20*)
20 (40*)
45 (70*)
~О.1 (15В)
~O.l
~О.1
(15
(15
В)
В)
~.5
~О.5
(15
(15
В)
В)
15*
12*
~1500
Биполярные транзисторы
\
1
КТ363АМ
КТ363БМ
р-п-р
р-п-р
150
150
(45°С)
(45°С)
~1200
15*
12*
~1500
(lк)
(lк)
1
КТЗ64А-2
р-п-р
КТ364Б-2
р-п-р
КТ364В-2
р-п-р
30
30
30
~250
~250
~250
(25
(25
(25
В)
В)
В)
.
КТ366А
n-p-n
КТ366Б
п-р-п
КТ366В
n-p-n
КТ368А
п-р-п
КТ368Б
п-р-п
30
30
30
(70°С)
(70°С)
(70°С)
~1000
~1000
~1000
225
225
(65°С)
(65°С)
~900
~900
15
15
4
4
30 (60*)
30 (60*)
225
(65°С)
~900
15*
4
30 (60*)
0,5 (15
~900
15*
15*
4
4
30 (60*)
30 (60*)
0,5 (15
'
КТ368А-5
п-р-п
КТ368А-9
n·p·n
КТ368Б-9
п-р-п
100
100
~900
В)
О,5(15В)
В)
113
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
*
С12э,
* нас, Ом
rвэ
* Ом
tб,
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
** Вт
Рвых,
** НС
tвыкл,
20 ... 120* (5 В; 5 мА)
40 ... 120* (5 В; 5 мА)
~2
~2
(5 В)
(5 В)
~35
~50
~35
~75
20 ... 120* (5 В; 5 мА)
40 ... 120* (5 В; 5 мА)
~2
(5 В}
~2 (5 В)
~35
~50
~5
~75
20 ... 70* (1 В; 0,1 А)
40 ... 120* (l В; 0,1 А)
80 ... 240* ( 1 В; О, 1 А)
~15
~15
~15
~30
~500; ~150*
~30
~500; ~180*
~о
~500; ~230*
(5 В)
(5 В)
(5 В)
Корпус
КТ363
КТ363М
КТ364-2
J
1
~tir т
бКЗ
50... 200 ( 1 В; 1 мА)
50 ... 200 ( 1 В; 5 мА)
50 ... 200 (l В; 15 мА)
50 ... 300* (5 В; 10 А)
50... 300* (5 В; 10 мА)
~l.l
~1.8
(0,1 В)
(0,1 В)
~3.3 (0.1 в>
~1,7
(5 В)
~о
~60;~50*
~25
~60; ~80*
~16
~60; ~120*
~3.3
(60 МГц)
КТ366
~15
~1.7 (5 В)
КТ368
~15
з
r-:i
\.r)1
......,,,
-
Корп. ф 5
ti..._·_"""'.
50 .. .450 (l.B; 10 мА)
~1.7 (5 В)
~3.3
(60 МГц)
~15
(10
50 ... 300 ( 1 В; 1О
50 ... 300 (l В; 1О
~1.7 (5 В)
~1.7 (5 В)
~3.3
(60 МГц)
~15
~15
(10
мА)
мА)
мА)
(10 мА)
мА)
КТ368А-5
КТ368-9
к
Раздел
114
КТ368АМ
. п-р-п
КТ368БМ
п-р-п
КТ368ВМ
п-р-п
КТ369А
п-р-п
КТ369Б
п-р-п
КТ369В
n-p-n
KT369f
п-р-п
КТ369А-1
п-р-п
КТ369Б-1
п-р-п
КТ369В-1
п-р-п
KT369f-1
n-p-n
КТ370А-1
р-п-р
КТ370Б-1
225 (65°С)
225 (65°С)
225 (65°С)
~900
50
50
50
50
~200
50
50
50
50
15
15
р-п-р
(50°С)
Биполярные транзисторы
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
'.5,0,5 (15 В)
'.5,0,5 (15 В)
'.5,0,5 (15 В)
15
15
15
4
4
4
45
45
65
65
4
4
4
4
250
250
250
250
(400*)
(400*)
(400*)
(400*)
'.5,7 (45 В)
'.5,7 (45 В)
'.5,10 (65 В)
'.5,10 (65 В)
45
45
65
65
4
4
4
4
250
250
250
250
(400*)
(400*)
(400*)
(400*)
5,7 (45 В)
'.5,7 (45 В)
'.5,10 (65 В)
'.5,10 (65 В)
~1200
15* (1 к)
12* (lк)
4
4
15 (30*)
15 (30*)
'.5,0,5 (15
'.5,0,5 (12
1000
1000
15* ( 1к)
12* (lк)
4
4
15 (30*)
15 (30*)
'.5,0,5 (15
'.5,0,5 (12
В)
10
3
20 (40*)
5,0,5 (10
В)
3
20 (40*)
'.5,0,5 (10
В)
~900
~900
~200
;:::200
~200
~200
~200
~200
~200
~1000
КТ370А-9
р-п-р
КТ370Б-9
р-п-р
30
30
КТ371А
п-р-п
100
(б5°С)
~3000
КТ371АМ
n-p-n
100 (85°С)
~3000
(50°С)
2.
1О*
(3к)
В)
В)
В)
Параметры -биполярных кремниевых транзисторов
30... 240 (1 В; 10 мА)
~1.2 (5 В)
~5
(400
МГц)
115
~15
КТ371М
Раздел
116
2.
Биполярнь1е транзисторы
--
fгр, fh2lб,
fh'21э,
Uкво max,
* т max,
Рк.
* max,
UкэR
Uэво max,
** и max,
Рк,
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
~2400
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ372А
п-р-п
КТ372Б
n-p-n
n-p-n
50 (I00°C)
50 (100°С)
50 (100°С)
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
150
150
150
150
КТ372В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
,
~3000
~2400
(55°С)
~350
(55°С)
(55°С)
~300
~300
(55°С)
~50
n-p-n
n-p-n
200 (400**)
200 (400**)
25
25
25
25
~50
КТ379Г
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
~300
~200
КТ375А
КТ375Б
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
.
КТЗSОА
р-п-р
КТ380Б
р-п-р
ктзsов
р-п-р
15
15
15
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
15
15
15
15
15
15*
15*
15*
(lОк)
(IОк)
30*
25*
10*
60*
(IОк)
~300
~300
~300
мА
3
3
3
IКэR,
1**
кэо,
мкА
10
10
10
S0,5 (15
S0,5 (15
S0,5 (15
(200*)
(200*)
(200*)
(200*)
s0,05
S0,05
S0,05
s0,05
В)
В)
В)
5
5
100 (200*)
100 (200*)
(IОк)
(lОк)
(IОк)
(IОк)
5
5
5
5
30
30
30
30
17* (lОк)
17* (lОк)
9* (IОк)
4
4
4
10 (25*)
10 (25*)
20 (25*)
Sl (10 В)
Sl (10 В)
Sl (7 В)
25
25
25
25
25
6,5
6,5
6,5
6,5
6,5
.15
15
15
15
15
0,03 (5 В)
0,03 (5 В)
о.аз (5 в>
0,03 (5 В)
0,03 (5 В)
15
15
3
3
20 (40*)
20 (40*)
(IОк)
(IОк)
(lОк)
60
30
30*
25*
10*
60*
(100*)
(100*)
( 100*)
(100*)
(25
(20
(10
(25
В)
В)
В)
В)
50
50
50
50
~250
~250
* и max,
Iк.
Iкво,
5
5
5
5
~250
~300
(IОк)
Iк max,
Sl (60
Sl (30
S0,05
s0,05
s0,05
S0,05
В)
В)
(30
(25
(10
(60
В)
В)
В)
В)
"'
КТ381Б
КТ381В
ктзs1r
КТ381Д
КТ381Е
КТ382А
п-р-п
КТ382Б
n-p-n
100
100
(65°С)
(65°С)
~200
~00
~200
~200
~1800
~1800
S0,5 (15
S0,5 (15
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
* Ом
tб,
* НС
tpac,
пФ
~10*
~10*
~10*
(5
(5
(5
В;
В;
В;
10
10
10
мА)
~1
мА)
~1
мА)
100 ... 250 (5 В; 1 мА)
200 ... 600 (5 В; 1 мА)
500 .. .1,000 (5 В; 1 мА)
500 ... 125 (5 В; 1 мА)
10 ... 100* (2 В: 20 мА)
50 ... 280* (2 В; 20 мА)
117
(5 В)
(5 В)
~1 (5 В)
~10**
(1 ГГц)
(1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
~10**
~8
~8
(5 В)
(5 В)
~8 (5 В)
~8 (5 В)
**
Рвых,
~.5
~5.5
~5.5
Вт
(1 ГГц)
(1 ГГц)
(1 ГГц)
**
tвыкл,
НС
~9
~9
~10
~200
~10
~00
~700
~20
~200
(10 В)
(10 В)
~о
~00
~о
~00
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
~10
(5 В)
~6 (5 В)
~6 (5 В)
~30
100 ... 250 (5 В; 1 мА)
200 ... 500 (5 В; 1 мА)
400 ... 1000 (5 В; 1 мА)
50 ... 125 (5 В; 1 мА)
~8
~8
~8
~8
30 ... 90 (0,3 В; 10 мА)
50... 150 (0,3 В; 10 мА)
30... 90 (0,3 В; 10 мА)
~6
КТ372
~9
~10
~5
~5
Корпус
КТ373
КТ375
КТ379
~10
~10
~20
10*
20*
10*
~о
~о
КТ380
1
~~ ~
/(
~40
~30
~20
~20
~20
(5
(5
(5
(5
(5
В;
В;
В;
В;
В;
10
10
10
10
10
мкА)
3
\
КТ381
мкА)
мкА)
мкА)
мкА)
1
$
~~
3
40 ... 330 (1 В; 5 мА)
40 ... 330 ( 1 В; 5 мА)
f
~2
~2
(5 В)
(5 В)
~9**
~5**
(400
(400
МГц)
МГц)
~3 (400 МГц)
~.5 (400 МГц)
~15
~10
/(
КТ382
\
Раздел
118
КТ382АМ
100
100
(85°С)
~1800
(85°С)
~1800
КТ382БМ
n-p-n
n-p-n
КТ384А-2
n-p-n
300
КТ384АМ-2
n-p-n
300
.
15
15
2.
Биполярные транзисторы
3
3
20 (40*)
20 (40*)
~О.5(15В)
~О.5 (15 В)
~450
30*
(5к)
4-
300 (500*)
~10
(30
В)
~450
30*
(5к)
4
300 (500*)
~10
(30
В)
/
КТ385А-2
n-p-n
300
~200
60
4
300 (500*)
~10
(60
В)
КТ385АМ-2
n-p-n
n-p-n
300
300
~200
КТ385БМ-2
~00
60
60
4
4
300 (500*)
300 (500*)
~10
~10
(60
(60
В)
В)
КТ388Б-2
р-п-р
~250
50
4,5
250
~
(50
В)
КТ388БМ-2
р-п-р
~250
50
4,5
250
~2
(50 В)
300
0
(8О С)
300
119
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
40 ... 330 ( l В; 5 мА)
40 ... 330 (1 В; 5 мА)
30 ... 180* (1
В;
0,15
А)
~2
~2
·~4
(5 В)
(5
(10
В)
В)
~9**
~5**
(400 МГц)
(400 МГц)
~3 (400 МГц)
~4.5 (400 МГц)
~15
КТ382М
~10
~15*
~4
КТ384-2
~-~
/ 1\
t
~
1
ока
30 ... 180* (1
В;
0,15
А)
~4
(10
В)
~4
.
~15*
КТ384М
J
1
-~ ~
К53
20 ... 200* ( 1 В;
О, 15 А)
~4
(10
В)
~5
~60*
КТ385-2
~Щ"'
11\-~
1,1
5КЗ
20 ... 200* ( 1 В; О, 15
20 ... 100'" (1 В; 0,15
А)
А)
~4
~4
(10 В)
(10 В)
~5
~60*
~5
~60*
КТ385М
1
J
-~ ~
К53
25 ... 100* (1
В;
0,12
А)
~7
(10
В)
~5
60;~60*
КТ388-2
~~t
1' \ ~
5
25 ... 100*
(1В;0,12 А)
'5.7 ( 10
В)
~5
к э
КТ38SБМ-2
60;~60*
~~t
11 \
5
к э
~
Раздел
120
*
**
Рк, и max,
fгр, fh'21б,
**
fh2lэ,
***
fmax,
Uкво max,
*
UкэR max,
**
Uкэо max,
мВт
мrц
в
~450
25* (lк)
Рк max,
Тип
Струк·
прибора
тура
КТ389Б·2
р-п-р
Рк, т max,
300 (8О С)
0
2.
Uэво max,
в
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
*
Iк,
IКэR,
**
и max,
Iкэо,
мА
мкА
~1
(25 В)
4,5
300'
2
2
1
10
10
10
~О.5 (10 В)
~О.5 (10 В)
~О.5 (7 В)
~О.5 (40 В)
~5000
п-р-п
70 (85°С)
70 (85°С)
70 (85°С)
~4000
15
15
10
КТ392А·2
р-п-р
120 (65°С)
~300
40* (5 к)
4
10 (20*)
КТ396А·2
n-p-n
30 (50°С)
~2100
15
3
40
~О.5
КТ396А·9
n-p-n
100
~2100
15
3
40
~О.5 (15 В)
КТ397А·2
п-р-п
120 (90°С)
~500
40* (lОк)
4
10 (20*)
КТ399А
п-р-п
150 (55°С)
~1800
15**
3
20 ~40*)
КТ391А·2
КТ391Б·2
n-p-n
n-p-n
КТ391В·2
~5000
'
'
~1
(15 В)
(40 В)
~О.5 (15 В)
121
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
Сi2э,
* нас, Ом
rвэ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
:510 (10 В)
:53
h21э, h21э
25 ... 100* (1 В; 0,2 А)
**
Рвых,
**
tвыКJJ,
Вт
-
Корпус
НС
КТ389-2
:525*; :5180
~it
"' 11 \
6 /(
~20
~20
(7 В; 5 мА)
(7 В; 5 мА)
~20 (7 В; 5 мА)
:50,7 (5 В)
:50,7 (5 В)
:50, 7 (5 В)
-
-
:54,5 (3,6 ГГц)
:55,5 (3,6 ГГц)
:56 (3,6 ГГц)
--l
1,4
з
КТ391-2
:53,7
:53,7
:53,7
l~@.
з
'&
.
з
б
40".180* (5 В; 2,5 мА)
:52,5 (5 В)
:550
4,5 (100 МГц)
КТ392-2
:5120
~it
"' 11\
6 /(
'
40".250 (2 В; 5 мА)
:51,5 (5 В)
:511 *
-
:515
--l
1,4
з
КТ396-2
.
~~~!
б
40".250 (2 В; 5 мА)
:52 (5
В)
-
-
/(
э
~
КТЗ96-9
:515
0,95
J
~~х
"
40" .300 (5 В; 2 мА)
:51,3 (5 В)
:525*
-
.
1
КТ397-2
:540
~~J
11 \
5
~40*
(1 В; 5 мА)
:51,7(5В)
~11,5**
(0,4 ГГц)
:52 (400 МГц)
к з
~
.
КТ399
:58
~5,8
~
з
l\r:)I
\.(')'
......
11
r<')-
1
Корлф5
к
122
Раздел
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТЗ99АМ
*
Рк, т max,
**
Рк, и max,
п-р-п
*
f гр, fh2Iб,
**
fh2Iз,
***
fmax,
2. .Биполярные транзисторы
Uкво max,
*
UкэR max,
**
Uкэо max,
мВт
Мfц
в
150 (55°С)
~1800
15**
Uэво max,
в
3
Iкво,
Iк max,
*
**
Iкэо,
lкэR,
*
Iк, и max,
мА
30 (60*)
мкА
:50,5 (15 В)
"
КТ501А
р-п-р
КТ501Б
р-п-р
КТ501В
р-п-р
KT501f
р-п-р
КТ501Д
р-п-р
КТ501Е
р-п-р
КТ501Ж
р-п-р
КТ501И
р-п-р
КТ501К
р-п-р
КТ501Л
р-п-р
КТ501М
р-п-р
КТ502А
р-п-р
КТ502Б
р-п-р
КТ502В
р-п-р
KT502f
р-п-р
КТ502Д
р-п-р
КТ502Е
р-п-р
КТ50ЗА
п-р-п
КТ50ЗБ
n-p-n
КТ50ЗВ
п-р-п
КТ50Зf
п-р-п
КТ50ЗД
КТ50ЗЕ
n-p-n
n-p-n
КТ504А
п-р-п
КТ504Б
п-р-п
КТ504В
п-р-п
КТ505А
р-п-р
КТ505Б
р-п-р
КТ506А
п-р-п
КТ506Б
п-р-п
350
350
350
350
350
350
350
350
350
350
350
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
(35°С)
~5
~5
~5
~5
~5
~5
~5
~5
~5
~5
~5
15*
15*
15*
30*
30*
30*
45*
45*
45*
60*
60*
(IОк)
(IОк)
(IОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(IОк)
(lОк)
(lОк)
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
(500*)
(500*)
(500*}
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
(500*)
S1*(15B)
:51* (15 В)
:51 * (15 В)
:51 * (30 В)
:51 * (30 В)
:51 * (30 В)
Sl * (45 В)
:51* (45 В)
:51 * (45 13)
Sl* (60 В)
:51 * (60 В)
В)
В)
350
350
350
350
350
350
5... 50
5... 50·
5 ... 50
5... 50
5... 50
5... 50
40
40
60
60
80
90
.5
5
5
5
5
5
150
150
150
150
150
150
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
:51
:51
Sl
:51
:51
:51
350
350
350
350
350
350
5... 50
5... 50
5 ... 50
5... 50
5 ... 50
5... 50
40
40
60
60
80
100
5
5
5
5
5
5
150
150
150
150
150
150
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
(300*)
Sl (40 В)
:51 (40 В)
:51 (60 В)
:51 (60 В)
:51 (80 В)
:51 (100 В)
1 (1 О*) Вт
1 (1 О*} Вт
1 (10*) Вт
~20
400; 350*
200* (0,1 к)
275* (0,lк)
6
6
6
1 (2*) А)
1 (2*) А
1 (2*) А
:5100 (400 В)
:5100 (250 В)
:5100 (300 В)
1 (5*) Вт
1 (5*) вт
~20
300* (0,lк)
250* (0,1 к)
5
5
1 (2*) А
1 (2*) А
~100 (300 В)
:5100 (250 В)
0,8 (10*) Вт
0,8 (10*) Вт
~10
800
600
5
5
2 (5*)А
2 (5*) А
:5200 (600 В)
:5200 (600 В)
~о
~20
~20
~10
\
,
(40
(40
(60
(60
(80
(90
В)
В)
В)
В)
~
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
5 мА)
:51, 7 (5 В)
20 ... 60* ( 1 В; 30 мА)
- 40 ... 120* (1 В; 30 мА)
80 ... 240* ( 1 В; 30 мА)
20 ... 60* (1 В; 30 мА)
40... 120* (1 В; 30 мА)
80... 240* (1 В; 30 мА)
20 ... 60* (1 В; 30 мА)
40 ... 120* (l В; 30 мА)
80... 240* ( 1 В; 30 мА)
20 ... 60* (1 В; 30 мА)
40 ... 120* (1 В; 30 мА)
В;
(5
(5
(5
(5
(5
(5
40 ... 120
80... 240
40 ... 120
80... 240
40 ... 120
40 ... 120
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
В;
В;
В;
В;
В;
10
10
10
10
1О
10
мА)
40 ... 120
80... 240
40 ... 120
80... 240
40 .. .120
40 ... 120
мА)
мА)-·
мА)
мА)
мА)
15 ... 100* (5 В; 0,5 А)
15 ... 100* (5 В; 0,5 А)
15 ... 100* (5 В; 0,5 А)
Кш, дБ
Ом
Ом
к;.~, дБ
пФ
~40* (1 В;
rкэ нас, Ом
• нас,
rвэ
•
С12з,
:550
:550
:550
:550
:550
:550
:550
:550
:550
:550
:550
(10
(10
( 10
(10
( 10
(10
(IO
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
:550
:550
:550
:550
:550
:550
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
:550
:550
:550
:550
:550
:550
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
В.)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
:530 (10 В)
:530 (10 В)
:530 (10 В)
~11,5*
* (0,4 ГГц)
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
:51,3
•
rб,
** Вт
Рвых,
123
'tк, ПС
•
••
tвыКJJ,
Корпус
tpac, НС
НС
:52 (4000 МГц)
КТ399М
КТ501
:54 ( 1 кГц)
:54 (1
кГц)
:54 (1 кГц)
:560
:560
:560
:560
:560
:560
:5320*
:5320*
:5320*
:5320*
:5320*
:5320*
КТ502
:560
:560
:5580*
:5580*
:5580*
:5580*
:5580*
:5580*
КТ503
:56Р
:560
:560
:560
:52
:52
:52
КТ504
:52700*
:52700*
:52700*
149,4 -
<о~
f1'·
ф
i.c:r.J-1'~~к
:. з
~......_::-~~fi f
25 ... 140* (10
25 ... 140* (10
В;
В;
0,5
0,5
А)
А)
:570 (5
:570 (5
В)
В)
:53,6
:53,6
5
КТ505
:52600*
:52600*
149,11
~ r '
~
с-.
30... 150* (5
30... 150* (5
В;
В;
0,3
0,3
А)
А)
:540 (5 В)
:540 (5 В)
:52
:52
IJI 1
/
111
1
КТ506
:51560*
:51560*
149,11
~
~
r
1
IJI 1
с-._,,_11....
11
1кф··з
5
Раздел
124
•
••
fh2Iэ 1
••• 1
fmax
fгр, fh2lб1
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max,
Рк,
••
Рк, и max,
p-n-p
Uкво max,
•
••
Uкэо max,
UкэR max,
Uэво max,
в
Биполярные транзисторы
Iк max,
•
Iк. и max,
мА
Iкво,
•
lкэR,
1**
кэо,
МГц
в
~10
500
5
20
:55 (500 В)
~40
100*
3
30
:550 (50 В)
~40
100*
3
30
(2,8*) Вт
(2,8*) Вт
(2,8*) Вт
(2,8*) Вт
~150
120
120
80
80
5
5
5
5
75
75
75
75
120
120
5
5
75 (500*)
75 (300*)
30* (lк)
30* (lк)
15* (lк)
15* (lк)
10* ( lк)
10* (1 к)
30* (lк)
3
3
3
3
3
3
3
300
250* (1 к)
5
5
мВт
КТ509А
2.
300; 1*
Вт
мкА
~
Вт
КТ601А
n-p-n
0,25 (0,5*)
КТ601АМ
n-p-n
0,5
KT60ZA
КТ602Б
n-p-n
n-p-n
КТ602В
п-р-п
КТ602Г
п-р-п
0,85
0,85
0,85
0,85
КТ602АМ
n-p-n
n-p-n
0,85 (2,8*)
0,85 (2,8*)
Вт
Вт
~150
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
0,5 Вт (50°С)
0,5 Вт (50°С)
0,5 Вт (50°С)
0,5 Вт (50°С)
0,5 Вт (50°С)
0,5 Вт (50°С)
0,5 Вт (50°С)
~00
КТ602БМ
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
Вт
~150
~150
~150
~150
~200
~200
~200
~200
~200
~200
300
300
300
300
300
300
300
(500*}
(500*)
(300*)
(300*)
s;300* (100
В)
s70 (120 В}
:570 (120 В)
:570 (80 В) .
:570 (80 В)
:570 (120 В)
:570 (120 В)
(600*)
(600*)
(600*)
(600*)
(600*)
(600*)
(600*)
:510 (30 В)
:50 (30 В)
:55 (15 В)
:55 (15 В)
:51 (IO В)
s;l (10 В)
:510 (30 В)
200
200
:550 (250 В)
:550 (250 В)
'
КТ604А
КТ604Б
п-р-п
n-p-n
0,8 (3*)
0,8 (3*)
Вт
~40
Вт
~40
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
h21э, h21э
Сi2э,
пФ
10 .. .100 (10
В;
0,1
мА)
:52,9 (100
В)
125
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
lОк
**
Рвых,
Вт
**
tвыКJJ,
Корпус
НС
КТ509
:5500
~9/1
со"
!
е
<Q'-J-'I~~к
.' • з
~"
с-.
JI J
111
1
5
"
;::16 (20
В;
10
мА)
:515 (20
В)
КТ601
:5600
~11,7_
1
;::16 (20
В;
1О
мА)
:515 (20
В)
20 ... 80 (1 О В; 1О мА)
;::50 (10 В; 10 мА)
15 ... 80 (10 В; 10 мА)
~50 (10 В; 10 мА)
:54-(50 В)
:54 (50 В)
:54 (50 В)
:54 (50 В)
20 ... 80 (1 О В; 1О мА)
~50 (10 В; 10 мА)
:54 (50
:54 (50
10 ... 80* (2 В; .15 А)
~60* (2 В; 0,15 А)
10 ... 80* (2 В; 0,15 А)
~60* (2 В; 0,15 А)
20 ... 80* (2 В; О, 15 А)
60 ... 200* (2 В; О, 15 А)
~20* (2 В; 0,35 А)
:515
:515
:515
$15
:515
:515
:515
10 .. .40* (40 В; 20 мА)
30".120* (40 В; 20 мА)
:57 (40
:57 (40
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
:5600
КТ601М
:560
:560
:560
:560
:5300
:5300
:5300
:5300
КТ602
:560
:560
:5300
:5300
КТ602М
:57
:57
:57
:57
:57
:57
:53,4
:5100**
:5100**
:5100**
:5100**
:5100**
:5100**
:5100**
КТ603
~11,7_
1
~11,7_
1
-
5
.
!~
1Jm1
.
Q:)
з
1
~,
qo~_Jw J
В)
В)
к
КТ604
~11,7_
-
Q:)::
1
1
~ 5~3
~:~J~il ~
Раздел
126
-
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ604АМ
п-р-п
КТ604БМ
п-р-п
"'
•
fгр, fh2lб,
Uкво max,
* "max,
Рк,
**
Рк, и max,
fh2°Iз,
***
fmax,
* max,
UкэR
**
Uкэо max,
мВт
мrц
в
0,8 (3*) Вт
0,8 (3*) Вт
~40
250* (lк)
300
Рк max,
~40
2.
Uэво max,
в
5
5
Биполярнь1е транзисторы
Iк max,
•
Iк, и max,
мА
200
200
Iкво,
•
••
Iкэо,
lкэR,
мкА
:520* (250 В)
:520 (250 В)
-
КТ605А
п-р-п
КТ605Б
п-р-п
КТ605АМ
п-р-п
КТ605БМ
п-р-п
,
0,4 Вт (100°С)
0,4 Вт (1 ОО 0 С)
~40
0,4 Вт ( 1ОО 0 С)
0,4 Вт ( 1ОО 0 С)
~40
~40
~40
300
300
5
5
100 (200*)
100 (200*)
:550.* (250 в)
:550* (250 В)
300
300
5
5
100 (200*)
100 (200*)
:520* (250 В)
:520* (250 -8)
-..
КТ606А
п-р-п
КТ606Б
n-p-n
КТ607А-4
п-р-п
КТ607Б-4
2,5 Вт (40°С)
2,5 Вт (40°С)
1,5
1,5
п-р-п
~350
60
~300
60
4
4
400 (800*)
400 (800*)
:51,5* (60 В)
:51,5* (60 В)
Вт
~700
Вт
~700
40
30
4
4
150
150
:51 (30 В)
:51 (30 В)
60
60
4
4
400 (800*)
400 (800*)
:510 (60 В)
:510 (60 В)
40,
40
40
40
40
5
5
5
5
5
500
500
500
500
500
:50,1
:50,1
:50,1
:50,1
:50,1
-
КТ608А
п-р-п
КТ608Б
п-р-п
КТ6109А
р-п-р
КТ6109Б
р-п-р
КТ6109В
р-п-р
KT6109f
p-n-p
КТ6109Д
р-п-р
0,5 Вт
0,5 Вт
.
625
625
625
625
625
~200
~200
-
f 27
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов
rкэ нас, Ом
• нас,
rвэ
Ом
к;.~, дБ
10 .. .40* (40 В; 20 мА)
30".120* (40 В; 20 мА)
S7 (40 В)
S7 (40 В)
S400
S400
1О .. .40* ( 40 В; 20 мА)
30".120* (40 В; 20 мА)
S7 (40
S7 (40
В)
S400
S400
В)
Кш, дБ
'tк, ПС
rб, Ом
Р:~х, Вт
t~ac, НС
**
tвыКJJ,
Корпус
НС
КТ604М
КТ605
S250
S250
- 1611,7
1
5
'
!~
~·' • 1 w11· · . ·
з
j
Q;:)I
~~L.JIШIJ
1О" .40* (40 В; 20 мА)
30. "120* (40 В; 20 мА)
-~15* (10 В;
~15* (IO В;
0,10 А)
0,10 А)
S7 (40
S7 (40
В)
В)
goo
SlO (28 В)
SlO (28 В)
S5
S5
КТ605М
~250
S400
к
5250
~.8**
~.6**
(400 МГц)
(400 МГц)
КТ606
SlO
Sl2
;:
....---,....;,~
М5
ш
1
~
!
~~пr
S4 (10 В)
S4,5 ( 10 В)
20."80* (5 В; 0,2 'А)
40".160* (5 В; 0,2 А)
Sl5 (10
Sl5 (10
В)
В)
~4**
~3**
(l ГГц)
(1 ГГц)
S2,5
s2,5
~l **
~l **
(l ГГц)
(l ГГц)
Sl8
S25
КТ607-4
Sl20*
Sl20*
КТ608
/
1611,7_
1
64."91
78".112
96".135
112".166
144".202
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
t:rmr
-
КТ6109
6
Раздел
128
Струк-
прибора
тура
Биполярные транзисторы
fгр, fh2lб,
fh21э,
Uкво max,
* т max,
Рк,
* max,
UкэR
Uэво max,
** и max,
Рк,
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
~1000
26
26
4
4
110
140
5
5
1500
1500
:50,1
:50,1
Рк max,
Тип
2.
Вт (50°С)
Вт (50°С)
Iкво,
Iк max,
* и max,
Iк,
мА
IКэR,
. 1**
кэо,
мкА
В)
В)
КТ610А
п-р-п
КТ610Б
n-p-n
КТ6102А
р-п-р
КТ6103А
п-р-п
КТ6104А
п-р-п
р-п-р
1000
1000
-
КТ6105А
-
300
300
5
5
150
150,
:50,1
:50,1
КТ6107А
n-p-n
p-n-p
1000
1000
-
500
500
5
5
130
130
~О.1
200
200
180
180
3
3
3
3
100
100
100
100
:5200
:5200
:5100
:5100
200
200
4
4
100
100
:5100 (180 В)
:5100 (180 В)
-
40
40
40
40
40
5
5
5
5
5
500
500
500
500
500
:50, 1
:50,1
:50,1
:50, 1
:50,1
450
450
450
450
150
150
150
150
50
50
50
50
5
5
5
5
100
100
100
100
:50,05
:50,05
:50,05
:50,05
450
450
450
100
100
100
50
50
50
5
5
5
100
100
100
:50,05
:50,05
:50,05
400
400
400
400
400
400
700
700
700
700
700
700
30
30
30
30
30
30
5
5
5
5
5
5
50
50
50
50
50
50
:50,05
:50,05
:50,05
:50,05
:50,05
:50,05
КТ6108А
-КТ611А
п-р-п
КТ611Б
п-р-п
КТ611В
п-р-п
КТ611Г
п-р-п
КТ611АМ
п-р-п
КТ611БМ
п-р-п
КТ6110А
п-р-п
КТ6110Б
n-p-n
КТ6110В
п-р-п
КТ6110Г
п-р-п
КТ6110Д
п-р-п
КТ6111А
n-p-n
n-p-n
1,5
1,5
~700
--
1000
1000
(3*)
(3*)
(3*)
(3•)
Вт
Вт
Вт
Вт
~60
0,8 (3*)
0,8 (3*)
Вт
Вт
~60
0,8
0,8
0,8
0,8
625
625
625
625
625
~60
~60
~60
~60
-
-
-
1
:50,5 (26
:50,5 (26
300
300
:50, 1
(180 в)
( 180 В)
(150 В)
(150 В)
'
КТ6111Б
КТ6111В
п-р-п
КТ6111Г
п-р-п
КТ6112А
р-п-р
КТ6112Б
р-п-р
КТ6112В
р-п-р
КТ611ЗА
КТ6113Б
n-p-n
n-p-n
КТ6113В
п-р-п
КТ6113Г
КТ6113Д
n-p-n
n-p-n
КТ6113Е
п-р-п
'
--
параметры биполярных кремниевых,транзисторов
h21э,
•
h21э
Ск,
•
С12э,
пФ
50 ... 300* (lO В; 0,15 А)
20 ... 300* (10 В; 0,15 А)
rкэ на~:, Ом
•
rвэ нас, Ом
к;.~, дБ
:54,l (10 В)
:54,1 (10 В)
<5
<5
80 ... 250
80... 250
<5
<5
80 ... 250
80 ... 250
<5
<5
:55
:55
:55
:55
(40 В)
(40 В)
(40 В)
(40 В)
•
••
Рвых,
rб, Ом
6 (0,2
6 (0,2
80 ... 250
80 ... 250
10 .. .40* (40 В; 20 мА)
30 ... 120* (40 В; 20 мА)
10 .. .40* (40 В; 20 мА)
30... 120* (40 В; 20 мА)
Кш.дБ
129
.••
'tк, ПС
-
Kopnyc
tpac 1 НС
Вт
tвыкл, НС
ГГц)
ГГц)
:555
:522
КТ610
КТ6102, КТ6104, КТ6107
КТ6103, КТ6105, КТ6108
:5400
:5400
:5400
:5400
:5200
:5200
:5200
:5200
КТ611
~11,7_
-
1
-
-1~
Q::)---·-....
5. . .~
~._1~1~
10.. .40* (40 В; 20 мА)
30 .. .120* (40 В; 20 мА)
:55 (40 В)
:55 (40 В)
:5400
:5400
к
КТ611М
:5200
:5200
КТ6110, КТ6111
64 ... 91
78 ... 112
96 .. .135
112 ... 166
144 ... 202
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
60 .. .150
100 ... 300
200 ... 600
400 .. .1000
<3·
<3
<3
<3
< 10
< 10
< 10
< 10
(l
(l
(l
(l
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
60 .. .150
100... 300
200 ... 600
-
<7
<7
<7
< 10 (l
< 10 (l
< 10 (l
28 .. .45
39 ... 60
54 ... 80
72 .. .108
97 .. .146
132 .. .198
-
<10
<10
<10
<10
<10
<10
-
-
-
-
КТ6112, КТ6113
~[j:~
~·
1.1')
~
'
•
~
.........
, Разд!Уf 2. Биполярные транзисторы
130
КТ6114А
п-р-п
КТ6114Б
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ6114В
KT6114f
КТ6114Д
п-р-п
КТ6114Е
n-p-n
КТ6115А
р-п-р
КТ6115Б
р-п-р
КТ6115В
p-n-p
KT6115f
р-п-р
КТ6115Д
p-n-p
p-n-p
KT6t1SE
1000
1000
1000
700
700
700
1000
1000
1000
1000
1000
1000
100
100
100 .
100
100
100
б
40
40
40
40
40
40
6
6
6
6
6
1500
1500
1500
1100
1100
1100
:50,1
:50, 1
:50,1
:50, 1
:50,1
40
40
40
40
40
40
6
6
6
6
6
6
1500 .
1500
1500
1100
1100
1100
:50, 1
:50, 1
:50,1
:50, 1
:50,l
::;;О,1
::;;О,1
p-n·p
p-n-p
. 625
625
>100
>100
160
130
5
5
600
600
:50,05
:50,01
n-p-n
n-p-n
625
625
>100
>100
180; 160*
160; 140*
5
КТ6117Б
600
600
:50,05
:50, 1
·КТ6127А
р-п-р
р-п-р
КТ6127Е
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ6127Ж
р-п-р
КТ6127И
КТ6127К
p-n-p
p-n-p
~150
90
70
50
30
20
10
120
160
200
4
4
КТ6127В
(6 Вт**)
(6 Вт**)
(6 Вт**)
(6 Вт**}
(6 Вт**)
(6 Вт**)
(6 Вт**}
(6 Вт**)
(6 Вт**)
~150
КТ6127Б
4
4
4
4
4
4
КТ6129А-9
р-п-р
700
~4500
20; 15*
3
100
КТ6129Б-2
p-n-p
1 Вт
~250
50
4,5
1000
КТ6116А
КТ6116Б
КТ6117А
KT6127f
КТ6127Д
600
600
600
6ОЬ
600
600
600
600
600
~150
~150
~150
~150
~150
~150
~150
5
4
2
2
2
2
2
2
2
2
2
(8*)
(8*}
(8*)
(8*}
(8*}
(8*)
(8*)
(8*)
(8*)
:520 (90)
:520 (70)
:520 (50)
:520 (30)
:520 (20)
:520 (10)
:520 (120)
:520 (160)
:520 (200)
:50,1 (IOB)
s5 (50
В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов
85 .. .160
120 ... 200
160 ... 300
85 .. .160
120... 200
160... 300
КТ6114
85 ... 160
120... 200
160... 300
85 ... 160
120... 200
160... 300
КТ6115
60... 240
40 .. .180
80 ... 250 (5
60 ... 250 (5
В;
В;
~30* (5 В;
~30* (5 В;
~30* (5 В;
~50* (5 В;
~50* (5 В;
~50* (5 В;
~50* (5 В;
~30* (5 В;
~30*
131
(5
В;
20 ... 150* (10
10
10
500
500
500
500
500
500
500
500
500
В;
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
мА)
~74
~74
~74
~74
~74
~74
мА)
~74
50
мА)
25 ... 150 (5 В; 0,2 А)
~25
КТ6116
~8
КТ6117
(5 В)
~0,15
~250*
(5 В)
-~0.15
~250*
(5 В)
~О.15
~250*
В)
В)
~0,15
~250*
~0,15
~250*
В)
В)
В)
В)
~0,15
~250*
~0.2
~250*
(5
(5
(5
~74 (5
~74 (5
(5
~l.45
~8
(lo
(lO
~0.2
~250*
~0,25
~250*
В)
В)
КТ6127
КТ6129-9.
~2
90*
КТ6129Б-2
,
132
Тип
прибора
•
Рк max,
Рк, т max,
)
Рк, н max,
•
••
Структура
frp, fh2Jб,
Uкво max,
fh21з,
UкэR max,
Uкэо max,
••
•••
fmax
•
••
1
мВт
МГц
в
Раздел
2.
Биполярные транзисторы
Iкво,
lк max,
Uэво max,
IКэR,
•
lк, н max,
в
1··
кэо,
мА
мкА
КТ6130А-9
n-p-n
700
~4000
15*
-
100
-
КТ6133А
p-n·p
p-n-p
p-n·p
1000
1000
1000
~100
25*
25*
25*
-
1200
1200
1200
-
КТ6133Б
КТ6133В
~100
~100
-
.
'
КТ6134А
n-p·n
КТ6134Б
П·р·П
КТ6134В
п-р-п
КТ6135А
П·р·П
КТ6135Б
п-р-п
КТ6135В
n-p·n
КТ6135Г
П·р·П
КТ616А
n-p-n
КТ616Б
П·р·П
~100
1000
1000
1000
~100
~100
800
800
800
800
-
0,3
0,3
~100
~100
~100
Вт
~00
Вт
~00
-
1200
1200
1200
400*
300•
200•
100*
-
500
500
500
500
20•
20•
4
4
25*
25*
25*
~100
-
-
-
-
400 (600*)
400 (600*)
Sl5 (10
Sl5 (10
В)
В)
КТ617А
'
n-p-n
0,5
Вт
~150
30
4
400 (600*)
300
5
100
~
(30
В)
'
КТ618А
n-p·n
0,5
Вт
.
~40
-
"'
~50*
(250
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
,
Ск,
h21з, h21э
Сi2з.
Кш, дБ
Ом
rб, Ом
• нас,
rвэ
к;.~, дБ
пФ
-
~20
rкэ нас, Ом
-
••
Рвых,
-
Вт
133
'tк, ПС
•
••
tвыкл,
Корпус
tpac, НС
НС
-
КТ6130-9
~~
=~
6
к
--
-
85 .. .160
120".200
160".300
-
-
-
-
-
КТ6133
~It~
~'
14')
t§'
-
85".160
120".200
160".300
-
-
-
КТ6134
-
~IJ:~--~
-
-
-
-
-
-
-
-
-
В;
В;
0,5
0,5
А)
А)
Sl5 (10
Sl5 (10
В)
В)
Sl,2
Sl,2
-
.
~
~EW:~
~
(1
(1
~'
КТ6135
~
~40*
~25*
~
........
-
-
~
50".500
50".500
50".500
50".500
•
•
~'
.
~
_...
КТ6'16
S50*
Sl5*
115,81/
;fi
-
~30*
(2
В;
0,4
А)
Sl5 (lO
В)
S7
-
кфз
5
КТ617
Sl20
~t]f $
~
~
~30*
(40
В;
l
мА)
S7 (40
В)
-
-
-
КТ618
:5fl$
Раздел
_.134
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ620А
р-п-р
КТ620Б
р-п-р
КТ624А-2
n-p-n
•
24 Биполярные транзисторы
IКБО,
Рк max,
fгр, fh21б,
Uкво max,
• max,
UкэR
UэБО max,
** и max,
Рк,
***
fmax,
Uкэо max,
в
.мВт
МГц
в
~200
;:::200
50
50
3
4
400
400
g> (50 В)
:::;5 (50 В)
;:::450
30
4
1000 (1300*)
:::;100 (30 В)
••
fh2Jэ,
• т max,
Рк,
0,225 Вт
0,5 Вт
l
,
Вт
..
.
Iк max,
IКэR,
1**
кэо,
* и max,
lк,
мА
мкА
.
КТ624АМ-2
n-p-n ·
l
Вт
~450
30
4
l ООО (1300*)
:::;100 (30 В)
КТ625А
n-p-n
1
Вт
~200
40* (5к)
5
1000 (1300*)
:::;30 (60 В)
n-p-n
n-p-n
1
l
Вт
;:::200
;:::200
60
60
5
5
1ООО (1300*)
1000
:::;зо (60 В)
.
КТ625АМ
КТ625АМ-2
Вт
:::;30 (60 В)
,.
КТ626А
р-п-р
КТ626Б
р-п-р
КТ626В
р-п-р
КТ626Г
р-п-р
КТ626Д
р-п-р
КТ629А-2
р-п-р
КТ629Б-2
р-п-р
6,5
6,5
6,5
6,5
6,5
0
Вт (6О С)
;:::75
Вт
Вт
Вт
Вт
~75
(6О С)
0
(6О С)
0
(6О С)
0
(6О С)
0
0
l Вт (8О С)
1 Вт (8О 0 С)
~45
~45
.
~45
;:::250
~250
20* (О;lк)
20* (О,lк)
4
4
4
4.
4
500 (1500*)
500 (1500*)
500 (1500*)
0,5 (1,5*) А
0,5 (1,5*) А
~10 (30 В)
~150 (30 В)
:::;1 мА (80 В)
~150 (20 В)
:::;150 (20 В)
50
50
4,5
4,5
1000
1000
~5 (50 В)
:::;5 (50 В)
45
60
80
.
.
135
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Сi2э,
rБэ нас, Ом
•• д Б
Ку,р,
пФ
100* (10 В; 10 мА)
30... 100• (5 в; 0,2 А)
Кw,дБ
• Ом
rб,
••
Рвых, Вт
'tк, ПС
•
••
tеыкл,
Корпус:
tpac, нс·
НС
КТ620
~2.5
~2.5
~100•
~11,7_
~.
(::)~'
-
'
5~3
1Jm 1 •
•
1
1
~~uJW
30.. .180* (0,5 В; 0,3 А)
~15
(5 В)
~9
~18
к
КТ624
~~~k
~и:
. /1\
6К3
30 .. .180* (0,5 В; 0,3 А)
~15
(5 В)
~9
~18
КТ624М
J
1
-f:i ~
КбЗ
20 ... 200* (l В; 0,5 А)
~9
(lO
В)
~2.4
~60
КТ625
~~ if
''\~о
6
20 ... 200* (l В; 0,5 А)
20 ... 200 ( l В; 0,5 А)
~9
~9
(lO
(10
В)
В)
~2.4
~60
~1.3
~60
к з
КТ625М
J
-J:i
КбЗ
40 ... 260* (2 В; О, 15 А)
30.. .100* (2 В; О, 15 А)
15 .. .45* (2 В; 0,15 А)
15 ... 60* (2 В; 0,15 А)
40 ... 250* (2 В; О, 15 А)
25 ... 150* (5 В; 0,5 А)
25 ... 150* (5 В; 0,2 А)
'
~150
(10 В)
~150 (lO В)
~150 (lO В)
~150 (lO В)
~150 (10 В1
~25
~25
(lO В)
(lO В)
~00
КТ626
~500
~500
~500
~500
90*
КТ629А-2
2,2
1,5
~~,~W
fj к э
Раздел
136
КТ629БМ-2
р-п-р
l
КТ630А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
о,8.Вт
~50
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
~50
КТ630Б
КТ630В
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Е
КТ630А-5
КТ630Г-5
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ632Б
p-n-p
КТ632Б-1
p-n-p
~Т630Б-5
КТ630В-5
Вт
Вт.
Вт
~50
Вт
250
Вт
~50
Вт
~50
800
800
800
800
0,5
Вт
350
350
~250
( 45°С)
~50
~50
~50
~50
120
120
150
100
60
60
7
7
7
5
5
5
120
120
150
100
7
7
7
1000
1000
1000
1000
(2000*)
(2000*)
(2000*)
(2000*)
lQOO (2000*)
1000 (2000*)
l
l
А
А
5
1А
1А
(2*
(2*
(2*
(2*
~5
(50
В)
~l
(90
(90
(90
(40
(40
(40
В)
В)
~l
~l
~1
~1
~l
А)
~100
~100
А)
~100
А)
~100
А)
В)
В)
В)
В)
(120 В)
(120 В)
(120 В)
(100 В)
(lк)
5
100 (350*)
~l
(120
>200
>200
120*
120*
(lк)
(lк)
5
5
100 (350*)
100 (350*)
~1
(40°С)
~l
(l20B)
(120 В)
30
30
4,5
4,5
200 (500*)
200 (500*)
~10
~10
30
30
3
3
150 (250*)
150 (250*)
(40°С)
КТ633А
n-p-n
n-p-n
1,2
1,2
Вт
~500
Вт
~500
n-p-n
n-p-n
1,2
1,3
Вт
~1500
Вт
~1500
КТ634Б-2
1000
4,5
120*
р-п-р
КТ634А-2
(lк)
Биполярные транзисторы
~200
КТ632В-1
КТ633Б
50*
2.
(30
(30
В)
В)
В)
~0,5 мА (30 В)
~1 мА (30 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
25 ... 150* (l ,2
В;
0,5
А)
В)
525 (lO
137
КТ629М
90*
52
~~ ~д
1,5
11 \
5
40 ... 120* (10 В; 150 мА)
80 ... 240* (lO В; 150 мА)
40 ... 120* (10 В; 150 мА)
40 ... 120* {10 В; 150 мА)
80 ... 240* (10 В; 150 мА)
160 ... 480* (lO В; 150 мА)
515
515
515
515
515
515
В)
(10
(10
(10
(10
(lO
(lO
В)
В)
В)
В)
В)
~5*
52
52
52
52
52
52
~5*
~5*
~5*
~5*
~5*
к э
КТ630
5500**
5500**
5500**
5500**
5500**
5500**
~9/i
кфз.
~
с-..
6
40 ... 120
80... 240
40 ... 120
40 ... 120
(10 В; 0,1 А)
(l О В; O, l А)
(lO В; 0,1 А)
(10 В; O, l А)
~50 (l В;
l
мА)
50... 350 (l В; l мА)
150 ... 450 (10 В; l мА)
40 ... 140 (l
20 .. .160 (l
В;
В;
10
10
мА)
мА)
515
515
515
515
(10 В)
(lO В)
(lO В)
(lO В)
КТ630-5
53,3
53,3
53,3
53,3
1
~mт
55 (20
В)
525
5100
55 (20
55 (20
В)
525
525
5100
2000*
КТ632-1
530*
530*
КТ633
В)
54,5 (lO
~4.5 (lO
В)
В)
52,5 (15 В)
53 (15 В)
56 (20 мГц)
56 (20 мГц)
55
55
~l.4**
~l.4**
(5
(5
0,32
ГГц)
ГГц)
~.2**
~.45**
(5 ГГц)
(5 ГГц)
52
53,5
Раздел
138
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ635А
КТ635Б
КТ637А-2
КТ637Б-2
Рк max,
РК. т max,
•
2. Биполярные транзисторы
-
fгpt fh2Jб,
fh21э,
UкБо max,
• max,
UкэR
UэБО max,
** н max,
Рк,
f***
max,
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
2:200
2:250
60
5
5
1 (1,2*)А
1 (l,2*) А
2:1300
2:800
30
30
2,5
2,5
200 (300*)
200 (300*)
500
~00
110
5
100 (350*)
1 (12,5*) Вт
1 (12,5*) Вт
1 (12,5*) Вт
1 (12,5*) Вт
1 (12,5*) Вт
1 Вт (35°С)
1 Вт (35°С)
1 Вт (35°С)
~80
45
45
45
60
60
100
100
30
5
5
5
5
5
5
5
5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
45
45
45
60
60
100*
100*
30
5
5
5
5
5
5
5
5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
3
3
3
60
60
60
~о.5 мА
g),5 мА
2:3800
25
25
25
-
20
2
60
~l мА
•
n-p-n
n-p-n
0,5
0,5
n-p-n
n-p-n
1,5
1,5
Вт
Вт
Вт
Вт
••
-
~о
Iк max,
IКБО,
IКэR,
lк. н max,
1**
кэо,
мА
мкА
SЗО
SЗО
.(60
(60
В)
В)
~О. 1 мА (30 В)
~2 мА (30 В)
/
КТ638А
п-р-п
~О.1 мА
В)
(110
~
КТ639А
р-п-р
КТ639Б
р-п-р
КТ639В
р-п-р
КТ639Г
р-п-р
КТ639Д
р-п-р
КТ639Е
р-п-р
КТ639Ж
р-п-р
КТ639И
р-п-р
КТ639А-1
р-п-р
КТ639Б-1
р-п-р
КТ639В-1
р-п-р
КТ639Г-1
р-п-р
КТ639Д-1
р-п-р
КТ639Е-1
р-п-р
КТ639Ж-1
р-п-р
КТ639И-1
р-п-р
КТ640А-2
КТ640В-2
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ642А-2
п-р-п
КТ640Б-2·
,
-
500
500
500
500
500
500
500
500
~80
2:80
~80
~80
~80
~80
~80
Вт)
Вт)
Вт)
2:80
Вт)
~80
(3о•• Вт)
~80
(3о•• Вт)
(30** Вт)
(3о•• Вт)
~80
(30**
(30**
(30**
(30*"'
~80
~80
2:80
~80
о.6 Вт (6О 0 С)
~3000
о.6 Вт (6О С)
. 0.6 Вт (6О 0 С)
~3800
0
500
А
А
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
А)
А)
g),l (30 В)
g),l (30 В)
~o.i (30 В)
g),l (30 В)
g),l (30 В)
g),l (30 В)
g),l (30 В)
g),1 (30 В)
А
А
А
А
А
А
А
А
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
(2*
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
g),l (30
g),l (30
g),l (30
~О.1 (30
g),l (30
g),l (30
g),l (30
g),1 (30
А
А
А
А
А
А
А)
А)
А)
А)
А)
А)
g),5
мА
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
(25
(25
(25
(20
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
139
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
С12э,
rвэ нас, Ом
rб, Ом
пФ
к;~, ДБ
•
•
25 ... 150* (1 В; 0,5 А)
20".150* (1 В; 0,5 А)
:::;15 (10
:::;10 (10
30".140* (5 В; 50 мА)
30".140* (5 В; 50 мА)
:::;4,5 (15 В)
:::;4,5 (15 В)
50".350 (1 В; 10 мА)
:::;8 (20 В)
В)
••
Рвых,
Вт
:::;1
:::;1
В)
'tк, пс
•
••
tвыкл,
Корпус
tpac, НС
НС
КТ635
:::;58; :::;60**
:::;58; :::;60**
~.5** (3 ГГц)
~.25** (3 ГГц)
КТ637-2
~25 (1 * мкс)
КТ638
С'-.11.
·~"
~
~"
.
40".100* (2 В; 0,15 А)
63".160* (2 В; 0,15 А)
100".250* (2 В; -О, 15 А)
40".100* (2 В; О, 15 А)
63".160* (2 В; 0,15 А)
40."100* (2 В; 0,15 А)
60".100* (2 В; 0,15 А)
180".400* (2 В; 0,15 А)
:::;50
40".100 (2 В; 0,15 А)
40".160 (2 В; 0,15 А)
90".160 (2 В; 0,15 А)
40".100 (2 В; 0,15 А)
63".160 (2 В; 0,15 А)
40."100 (2 В; 0,15 А)
63".160 (2 В; 0,15 А)
180."400 (2 В; 0,15 А)
:::;50 (10 В)
:::;50 оо В)
~50 (10 В)
::;50 ( 10 В)
~50 (10 В)
~50 (10 В)
~50 (10 В)
~50 (lo В)
~50
~50
~50
(10 В)
(10 В)
(10 В)
~200*
:::;200•
оо в)
~О (10 В)
:::;50 (10 В)
~50 (10 В)
~50 (10 В)
~200*
:::;200•
~200*
:::;200*
~оо·
~200*
(5 В; 5 мА)
~15* (5 В; 5 мА)
~15* (5 В; 5 мА)
~1.3
~1.3
(15 В)
(15 В)
:::;1,3 (15 В)
~1.1
(15
В)
КТ639-1
~200*
~200*
~200*
~00*
~200*
~200*
~оо·
:::;8 (6
~15*
КТ639
~200*
~6**
(7 ГГц)
~6** (7 ГГц)
~6** (7 ГГц)
~3.5**
(8 ГГц)
ГГц)
~. 1** (7 ГГц)
~. 1** (7 ГГц)
~О.08** (7 ГГц)
~. l
** (8
ГГц)
КТ640-2
0,6
1
1
КТ642-2
Раздел
140
frp, fh'21б,
Рк max,
Тип
прибора
КТ642А-5
•• и max,
Рк,
••
fh2lз,
•••
fmax,
Uкво max,
UкэR max,
Uкэо max,
мВт
МГц
в
'
К, т max,
р•
Структура
n-p-n
500
•
••
2.
UэБо max,
в
Биполярные транзисторы
Iк max,
•
Iк, и max,
мА
Iкво,
IКэR,
1··
кэо,
мкА
-
20
2
60
~l мА
(20
В)
-
25
3
120
~1 мА
(25
В)
60
60
40**
40**
5
5
5
5
60
40
4
4
60
40
40
18
/
КТ643А-2
l, l
n-p-n
Вт (50°С)
.
,
Вт
~200
Вт
~00
КТ644А
р-п-р
КТ644Б
р-п-р
КТ644В
р-п-р
КТ644Г
p-n-p
КТ645А
П·р·П
П·р-n
0,5 (l *)
500
Вт
КТ645Б
КТ646А
1 (2,5*)
1 Вт
1 Вт
В,т
КТ646В
n-p·n
n-p-n
n-p-n
КТ647А-2
П·р·П
КТ646Б
1 (12,5*)
1 (12,5*)
1 (12,5*)
1 (12,5*)
,
.
560
Вт
Вт
~00
?
~200
~200
~00
~200
~200
~200
-
~.l
~.l
~О.1
~.1
(50
(50
(50
(50
В)
В)
В)
В)
0,3 А; 0,6* А
300 (600*)
~10
(60
(40
В}
~10
4(5)
4
4
1 А; l,2_*A
1 А; 1,2* А
1 А; 1,2* А
~10
~10
~10
(60
(40
(40
В)
В)
В)
2
90
~l мА
0,6
0,6
0,6
0,6
А;
А;
А;
А;
1*А
1*А
1*А
1*А
В)
(18
В)
~
КТ647А-5
n-p-n
560
-
18
2
90
~1 мА
(18
В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
С12з,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
•
пФ
Кш, дБ
•
•• 1
Рвых
rб, Ом
Вт
141
'tк, ПС
•
•• 1
tвыкл
Корпус
tpac 1 нс
НС
Sl,l (15 В)
~3,5**
(8 ГГц)
~О. 1**
(8 ГГц)
-
КТ642-5
0,45
0,1
~ют
Sl,8 (15 В)
~О.48**
(7 ГГц)
КТ643-2
'\
40 ... 120* (10 В; 0,15 А)
100 ... 300* (10 В; 0,15 А)
40 ... 120* (10 В; 0,15 А)
100... 300* (IO В; 0,15 А)
S8 (IO В)
S8 (IO В)
S8 (10 В)
~ (10 В)
S2,7
S2,7
$2,7
S2,7
Sl80*
Sl80*
Sl80*
Sl80*
КТ644
~
~
~,
-Е~
_7:8
,, 11~"'
~'Utl
~
Q;)"
20 ... 200* (2 В; О, 15 А)
~80 (10 В; 2 мА)
S5 (10 В)
S5 (IO В)
S3,3
Sl20;S50*
КТ645
40 ... 200* (5 В; 0,2 А)
150... 200* (5 В; 0,2 А)
150... 300* (5 В; 0,2 А)
SlO (10 В)
SlO (10 В)
SlO (IO В)
Sl,7
Sl,2
S0,06
Sl20;S60*
Sl20;S60*
Sl20;S60*
КТ646
Sl,5 (15 В)
~3**
(10 ГГц)
0,2** (1 О ГГц)
КТ647-2
Sl,5(158)
~3** (10 ГГц)
0,2** (IO ГГц)
КТ647-5
0,45
3
6
0,1
~ют
Раздел·2. Биполярные транзисторы
142
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ648А-2
n-p-n
• т max,
Рк,
fгр, fь21б,
tь21з,
Uкво max,
Рк, и max,
•••
fmax,
• max,
UкэR
•
• max,
Uкэо
мВт
МГц
в
••
420
-
Uэво max,
в
Iкво,
Iк max,
IКэR,
• и max,
Iк,
1··
кэо,
мА
мкА
2
60
~1 мА
18
2
60
~1 мА (18 В)
12*
12*
12*
2
2
2
60
60
60
~1* мА (12 В)
~1* мА (12 В)
$l*мА(12В)
2
2
2
60
60
60
$1 *мА (12 В)
~1 * мА (12 В)
~1 * мА (12 В)
18
(18 В)
r
-
n-p-n
420
n-p-n
n·p-n
n-p·n
375 (6о·с>
375 (60°С)
375 (6О 0 С)
~3 ГГц
375
375
375
~3 ГГц
КТ657В-5
n·p-n
n-p-n
n-p-n
~3 ГГц
12*
12*
12*
КТ659А
n-p·n
1 Вт
~300
60
6
1,2
А
$0,5 мА (60 В)
КТ660А
n-p·n
n·p-n
Вт
;::200
КТ660Б
Вт
~200
50
30
5
5
0,8
0,8
А
А
~1 (50 В)
$1 (30 В)
КТ661А
p·n·p
~200
60
5
КТ648А-5
,.
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ657В-2
КТ657А-5
КТ657Б-5
0,5
0,5
0,4 Вт (l ,8* Вт)
~3 ГГц
~3 ГГц
~3 ГГц
0,3
А;
0,6*
А
$0,01 мА (50 В)
параметры биполярных-кремниевых транзисторов
143
'
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
Ом
пФ
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
•
С12э,
~1.5
(10
В)
~3**
(12
ГГц)
•
rб,
'tк, ПС
Р::х, Вт
0,04** (12
ГГц)
* 1 НС
tpac
Корпус
** 1 НС
tвыкл
-
КТ648-2
-
-
60".200 (~ В; 30 мА)
35 ... 70 (6 В; 30 мА) ·
~1.5
(10
В)
~l.t
~l .l
~I.l
(15
(15
(15
В)
В)
В)
~3**
~8**
~8**
~8**
(12
(2
(2
(2
ГГц)
ГГц)
ГГц)
ГГц)
~.04**
~.05**
~О.05**
~.05**
(12
ГГц)
(2
(2
(2
ГГц)
ГГц),
ГГц)
КТ648-5
-
КТ657-2
i~~
з
'&
з
6
-
60... 200 (6 В; 30 мА)
35 ... 70 (6 В; 30 мА)
~l.l
~l .l
~l.l
(15
(15
(15
В}
В)
В)
~8**
~8**
~8**
(2
(2
(2
ГГц)
ГГц)
ГГц)
~О.05**
~О.05**
~.05**
(2
(2
(2
ГГц)
ГГц)
ГГц)
-
КТ657-5
0,1
0,5
~шт
~35*
(1
В;
0,3
А)
~lO(IOB)
~9
~О**
КТ659
{49/i
~~r~~'·
Flкф··з
111111
~
с-........__111 111
110... 220* (10
200 .. .450* (10
В;
В;
0,2
0,2
А)
А)
~10
(10
SlO (10
В)
В)
КТ660
~1
~1
'65,2
100... 300* (10
В;
0,15
А)
~8
(10
В)
~150**
КТ661
1
6
'
Раздел
144
Рк
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ662А
p-n-p
max,
• т max,
Рк,
••
Рк, и max,
fгр, fь21б,
••
fь21з,
•••
fmax
Uкво
max,
••
max 1
•
UкэRmax,
1
Uкэо
мВт
МГц
в
0,6 Вт {3* Вт)
~00
60
Uэво
в
5
2. Биполярные транзисторы
max,
Iк
•
Iк,
IКБо,
max,
и max,
IКэR,
IКЭо,
мА
А;
0,4
мкА
0,6*
S0,01 мА (50 В)
А
•
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
120
100
5
5
1 А (1,5* А)
1 А {1,5* А)
~10
~10
(100
(100
~50
120
100
5
5
1 А {1,5* А)
1 А (1,5* А)
~10
~10
(100 В)
(100 В)
~О.1 мА
p-n-p
p-n-p
300 (1 *Вт)
300 (1 Вт)
~50
n-p-n
n-p-n
300 (1 * iт)
300 (1 *Вт)
~50
~50
В)
В)
'
КТ666А-9
n-p-n
300 (1 *Вт)
~60
300
5
20 (50*)
КТ667А-9
p·n·p
300; 1*Вт
~40
300
5
20; 50*
(300 В)
'
SO,l (300 В)
f
'
КТ668В
p·n-p
p·n·p
p·n·p
КТ680А
n-p-n
КТ668А
КТ668Б
0,5
0,5
0,5
Вт
~00
Вт
~200
Вт
~00
50
50
50
5
5
5
~120
30
5
0,1
0,1
0,1
~15 нА (30 В)
~15 нА (30 В)
~15 нА (30 В)
А
А
А
i
350 (85°С)
0,6
А
(2*
А)
~10
(25 В)
J1араметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
rб, Ом
пФ
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
•
С12з,
100... 300* (IO
В;
0,15
А)
~8
(IO
В)
••
Рвых,
Вт
145
'tк, ПС
• НС
tpac,
••
tвыкл,
Корпус
НС
~200**
~3.2
КТ662
r 1 lкф··з
~·
с-..
40... 250 (2 В; О, 1 А)
40 ... 250 (2 В; О, 1 А)
40 ... 250 (2
40.-:250 (2
В; О, 15 А)
В; 0,15 А)
~5
~5
(5
(5
В)
В)
~2.3
~700**
~2.3
f;;700**
ШU'I
,
rм1•
..._....., .....11
~25 (5 В)
~25 (5 В)
5
КТ665-9
-
1/,6
. 1.6
~i~~, (J: ~·4q
~
~ 6
448
~50
(10
В;
5 мА)
3 '/
o.ss
~5_
_1,5
~о
КТ666А-9
-
1/,6
1.6
~f~Ф~ ()- ~·4*
q.
·~ ·я
,
3 ""' •
~5_
448
~50 (10 В; 5 мА)
O.Si
1,5
~80
КТ667А-9
_1/,6 -
.
~~
,~
~ ....~
,~ ~1,6
' ь..
""--::_..,+.;i-tttмн,ttt11"11·:!:t"5
448
75 .. .140 (5 В; 2 мА)
125 ... 250 (5 В; 2 мА)
220 .. .475 (5 В; 2 мА)
85 ... 300* (1
В;
0,5
А)
~6.5
~6.5
~6.5
~.5
~10 (lкГц)
~10 (lкГц)
3""' '
O.Si
1.5
1,5
КТ668
~10 (lкГц)
КТ680
4*
Раздел
146
КТ681А
p-n-p
350 (85°С)
~120
КТ682А-2
n-p-n
n-p-n
350
350
~4.4 ГГц
КТ682А-5
п-р-п
КТ682Б-5
n-p-n
350
350
КТ68ЗА
КТ68ЗЕ
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,2 (8*)
1,2 {8*)
1,2 {8*)
1,~ {8*)
1,2 {8*)
1,2 {8*)
КТ684А
p-n-p
~40
р-п-р
Вт
~40
КТ684В
p-n-p
p-n-p
0,8
0,8
0,8
0,8
Вт
КТ684Б
Вт
~40
Вт
~40
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~350
Вт
~250
Вт
~250
КТ682Б-2
КТ68ЗБ
КТ68ЗВ
КТ68ЗГ
КТ683Д
КТ684Г
КТ685А
КТ685Д
p-n-p
p-n-p
p-n-p
·p-n-pp-n-p
КТ685Е
р-п-р
КТ685Ж
р-п-р
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ686А
p-n-p
КТ686Б
р-п-р
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p·n-p
0,625
0,625
0,625
0,625
0,625
0,625
0,625
(1,4*)
(1,4*)
(1,4*)
(1,4*)
{1,4*)
(1,4*)
(1,4*)
5
10
1
1
~4,4 ГГц
10
~4.4 ГГц
10
10 -
~4.4 ГГц
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
·
30
~50
~50
~50
~50
~50
~50
Вт
~100
Вт
Вт
Вт
~100
Вт
~100
Вт
Вт
~100
~100
~100
~100
7
7
7
5
5
5
45* (lк)
60* (lк)
100* (lк)
30
5
5
5
5
60
60
60
60
30
30
30
5
5
5
5
5
5
5
(О)
(О)
{О)
{О)
(О)
{О)
{О)
Биполярные транзист.оры
А
0,6
(2*
А)
5
5
5
5
5
5
5
510 (25
В)
В)
51 (10 В)
51 (10
50
50
150* (Зк)
120* (3к)
120* (3к)
100* (3к)
60* (3к)
60* (3к)
50*
50*
50*
30*
30*
30*
30*
2.
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
r А;
1А
1А
1А
1А
2*
2*
2*
2*
2*
2*
{1,5*
{1,5*
{1,5*
{1,5*
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А)
А)
А)
А)
А
В)
51
51
51
51
51
51
В)
(90
(90
(90
(40
(40
(40
А
А
А
А
А
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
В)
В}
В)
В)
В)
В)
50,1 (30 В)
g),l· (30 В)
50,1 (30 В)
50,1 (30 В)
50,02
50,01
50,02
50,01
50,02
50,02
50,02
А
{1,5*
(1,5*
(1,5*
(1,5*
(1,5*
(1,5*
(1,5*
51 (10
51 (10
(50 В)
(50 В)
(50 В)
(50 В)
(25 В)
(25 В)
(25 В)
50,1 (45
50,1 (45
50,1 (45
~О.1 (25
~О.1 (25
50, 1 (25
50, 1 (25
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов
85 ... 300* (1
В;
0,5
А)
147
~0,5
~0,9
КТ681
40 .. .45 (7 В; 2 мА)
80... 120 (7 В; 2 мА)
(10
(10
В)
"?::.7*~
~0,9
В)
"?::.7** (3,6 ГГц)
~4 (3,6
S4 (3,6
40 .. .45 (7 В; 2 мА)
80 ... 120 (7 В; 2 мА)
~0,9
~0,9
(10
(10
В)
В)
"?:.7** (3,6 ГГц)
"?:.7** (3,6 ГГц)
~4
(3,6
ГГц)
ГГц)
ГГц)
КТ682-2
4 (3,6 ГГц)
(3,6 ГГц)
КТ682-5
. 0,4
0,1
6шт
40 .. .120* (10 В; 0,15 А)
80... 240* (10 В; 0,15 А)
40 .. .120* (10 В; 0,15 А)
40 ... 120* (10 В; 0,15 А)
80 ... 240* (10 В; 0,15 А)
160.. .480* (10 В; 0,15 А)
40 ... 250*
40 .. .160*
40 ... 160*
180.. .400
(2
(2
(2
(2
В; О, 15
В; 0,15
В; 0,15
В; О, 15
А)
А)
А)
А)
40 ... 120* (10 В; 0,15 А)
40 ... 120* (10 В; 0,15 А)
100... 300* (10-В; 0,15 А)
100... 300* (10 В; О, 15 А)
70 ... 200* (1 В; О, 15 А)
40 .. .120* (1 В;' 0,3 А)
100... 300* (1 В; 0,3 А)
100... 250*
160.. .400*
250 ... 630*
. 100... 250*
160... 400*
250 ... 630*
100... 250*
(1 В; 0,1 А)
(1 В; 0,1 А)
( 1 В; О, 1 А)
(1 В; 0,1 А)
(1 В; 0,1 А)
( 1 В; О, 1 А)
(1 В; 0,1 А)
~15
В)
~3; ~6.6*
~8*
~500**
~15
В)
~3; ~6.6*
~8*
~500**
В)
~3; ~6.6*
S8*
~500**
В)
~: ~6.6*
~8*
~500**
В)
~3; ~6.6*
~8*
~500**
В)
~3; ~6.6*
~8*
S500**
В)
В)
В)
В)
~1
(10
(10
~15 (10
~15 (10
Sl5 (10
~15 (10
~50
~50
~50
~50
(10
(10
(10
(10
КТ684
~1
~1
~1
В)
~2.6
S80*
~8(IOB)
~2.6
~80*
S8 (10 В)
~8 (10 В)
~12 (10 В)
~2.6
~80*
S2,6
~80*
~2.6
S80*
~12
~12
S2,6
S2,6
~150
S8 (10
~12
~12
~12
~12
~12
~12
~12
(IO В)
(10
В)
(10
(10
(10
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
---
В)
В)
В)
В)
КТ683
Sl,4
~1.4
~1.4
~1.4
Sl,4
~1",4
~1.4
КТ685
Sl50
КТ686
Разде.r.~
148
fгр, tь21б,
fь21з 1
Рк max 1
Тип
Струк-
прибора
тура
'
* т max,
Рк,
2. Биполярные транзисторы
UКБо max 1
* max,
UкэR
Uэво max,
*** 1
fmax
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
** н max 1
Рк.
Iк max,
* н max,
Iк,
'мА
IКБО,
IКэR,
1**
кэо,
мкА
p-n-p
1
Вт
~200
40
5
1А
~О.1 (30 В)
КТ695А
n-p-n
450
~300
30
4
30
~О.1 (30 В)
КТ698А
n-p-n
n-p·n
n-p-n
n-p-n
n·p-n
n-p·n
n-p·n
n-p·n
n·p-n
600
600
600
600
600
600
600
600
600
~150
90*
70*
50*
30*
12*
12*
120*
160*
200*
4
4
4
4
4
4
4
4
4
2А
n-p-n
n-p-n
n·p·n
1О* Вт (50°С)
1О* Вт (50°С)
10* Вт (50°С)
КТ692А
.
КТ698Б
КТ698В
КТ698Г
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
П701
П701А
П701Б
~150
~150
~150
~150
~150
~150
~150
::::150
::::20*
~20*
~20*
2А
2А
2А
2А
2А
2А
2А
2А
2 (8О С)
2 (8О С)
2 (8О С)
0
40
60
- 35
0
0
о,5 А
А
0,5
0,5
А
~20*
(90 В)
~О* (70 В)
~20* (50 В)
~О* (30 В)
~О* (12 В)
~20* (12 В)
~20* (120 В)
~20* (160 В)
~20* (200 В)
~О.1 мА
~О.1 мА
(40 В)
(60 В)
~О.1 мА (35 В)
'
П702
П702А
n·p·n
n-p-n
40* Вт (50°С)
40* Вт (50°С)
~4
~4
60*
60*
3
3
2А
~5 мА
2А
~5 мА
500* (1000 имп.)
400* (700 имп.)
400* (500 имn.)
4
4
4
2,5 (4*) А
2,5 (4*) А
2,5 {4*) А
3000* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
(70 В)
(70 В)
.
15* Вт (50°С)
15* Вт (50°С)
15* Вт (50°С)
~3
КТ704В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ710А
П·р·П
50* Вт (50°С)
-
КТ704А
КТ704Б
~3
~3
~5* мА (1000 В)
~5* мА (700 В)
~5* мА (500 В)
~2 мА
(3000 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
Скэ нас, Ом
Кw,дБ
'tк, пс
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* 1 НС
tpac
** 1 Вт
Рвых
** 1 НС
tвыкл
пФ
~20
(1 В; 0,5 А)
149
В)
S20 (30
Sl
4
Корпус
КТ692А
S90**
!9/1 _
!
е
CQ".f..'~~~K
.'. З
~
1 JI JI 1
C(:)j
r
c-......___1ll JI 1
50 ... 200 ( 1О
В;
1 мА)
~О* (5 В; 1 А)
~20*
~50*
(5 В; 1 А)
(5 В; 1 А)
~50* (5 В; 1 А)
~50* (5 В; 1 А)
~50* (5 В; 1 А)
~30* (5 В; 1 А)
~30* (5 В; 1 А)
~30* (5 В; 1 А)
Sl ,5 (10
В)
~74 (5 В)
(5 В)
(5 В)
s74
S74
S74
S74
S74
S74
s74
S74
(5
(5
(5
В)
В).
В)
(5 В)
(5
(5
В)
В)
10.. .40* (10 В; 0,5 А)
15":60* (1 О В; 0,2 А)
30... 100* (10 В; 0,2 А)
5
КТ695А
S0,12
S0,12
S0,12
S0,12
S0,12
S0,12
S0,12
S0,15
S0,17
КТ698
S245*
S245*
S245*
S245*
S245*
:S245*
S245*
S245*
S245*
П701
Sl4
~~к,
~К..!'~
~ ~ IV U~
~;}5 ~f
~5* (10 В; 1,1 А)
~10* (10 В; 1,1 А)
10... 100* (15 В; 1 А)
10... 100* (15 В; 1 А)
~10* (15 В; 1 А)
~3.5
(10 В; 4 А)
S50 (20
:S50 (20
S50 (20
В)
В)
В)
S2,5
S4
П702
S2,5
S2,5
S2,5
КТ704
S0,9
КТ710
30000*
-rw27,1 . . .
~
..;;
~
Раздел
:150
Рк max,
Тип
С'tрук-
прибора
тура
1
* т max,
Рк,
** и max,
Рк,
мВт
КТ712А
КТ712Б
p-n-p
p-n-p
1,5 (50*)
1,5 (50*)
Вт
Вт
fгр 1 fh2lб,
fh2'iз 1
2.
Uкво max,
***
fmax,
* max1
UкэR
** max,
Uкэо
МГц
в
~3
~3
200
160
5
5
~.4.5
5000
5
U:Эво max1
в
Биполярные-транзисторы
Iкво,
Iк max,
IКэR,
IКЭо,
* и max,
Iк,
мА
10 {15*)
10 (15*)
мкА
А
А
Sl мА (200 В)
Sl мА Jl60 В)
-
КТ715А
n-p-n
75* Вт (50°С)
2А
Sl
мА
В)
(5000
...
.
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
1 Вт
1 Вт
1 Вт
1 Вт
(60
(60
(60
(60
10*
10*
Вт*)
Вт*)
Вт*)
Вт*)
~6
~6
~6
~6
Вт
~3
Вт
~3
100
80
60
45
5
5
5
5
ВА
120
120
5
5
1,5 А
1,5 А
SO,l
SO,l
SO,l
SO,l
ВА
ВА
ВА
мА
мА
мА
мА
-
~
КТ721А
КТ722А
КТ72ЗА
КТ724А
120
120
5
5
1,5
1,5
А
5
5
10
10
А
~3
120
120
~.5
60
7
15
А
n-p-n
p-n-p
25*
25*
Вт
~3
Вт
~3
n-p-n
p-n-p
60*
60*
Вт
~3
Вт
n-p-n
115*
А
А
.
-
-
...__
КТ728А
Вт
S0,7 мА (60 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
•
С12э,
• нас,
rвэ
к;.~, дБ
пФ
~500*
~400*
(5
(5
В;
В;
А)
А)
2
2
Ом
Кш, дБ
• Ом
rб,
••
Рвых, Вт
151
'tк, ПС
• нс
tpa.c,
••
tвыкл,
:корпус
НС
КТ712
~1
~1
10,7
lc')I~
~
1~
т
.1
~г-m
'
~15
(10
В;
~750 (5
~750 (5
~750 !5
~750 (5
А)
0,2
В;
В;
В;
В;
5
5
5
5
А)
А)
А)
А)
150
150
150
150
ЭК6
r
D
~15
~7500*
КТ71&
~7000*
КТ716
В)
g),4
g),4
g),4
~7000*
(5 В)
~О.4
~7000*
(5
В)
(5 В)
(5
~7000*
~· ;-т//,8
i
~r.m
ЭК6
~20
(2
(2
~20
1
В;
В;
0,15
0,15
А)
А)
КТ719, КТ720
~1.2
~l.2
!'ос
~
/
::::.
-
-Е[7
1
1·8
,_
tm
со
11' 11 c-.~. U I 111
~О
~О
(2
(2
В;
В;
1 А)
1 А)
КТТ21, КТ722
g),6
g),6
~ ' -ЕЭ::::.
-~ - i·8 -
,,
1~11
~~)111
~20
~О
(5 В; 5 А)
(5 В; 5 А)
g),4
з 6
tm
со
~
КТ723, КТ724
~О.4
.
10,7
20".70 (5 В; 4 А)
g),3
з
t
КТ728
6
152
Раздел
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max,
Рк,
••
Рк, и max,
мВт
КТ729А
КТ729Б
n-p-n
n-p-n
150*
150*
Вт
Вт
•
fгр 1 fh2lб,
2.
Uкво max,
••
fh2lэ,
•••
fmax,
• max,
UкэR
Uэво max,
Uкэо max,
в
Мfц
в
~.2
~.2
50
100
••
Бипопярные,rhранзисторы
Iк max,
•
Iк, и max,
мА
5
7
Iкво,
IКэR,
IКЭо,
мкА
20А
S2 мА (50 В)
S5 мА (100 В)
А
S2 мА (140 В)
30
А
,
КТ7ЗОА
n-p-n
150*
Вт
~.2
160
7
~10
2,5
2,5
2А
~10
80* (О,lк)
60* (О,lк)
2А
10* мА (80 В)
10* мА (60 В)
5А
S60 мА (150 В)
16
.
КТ801А
КТ801Б
5* Вт (55°С)
5* вт (55°С)
n-p-n
n-p-n
'
КТ802А
n·p-n
50*
Вт
~10;~0
150; 180
3; 5
n-p-n
60*
Вт
~о
60* (О,lк)
4
Вт
~20
Вт
~20
60* (160 имп.)
60* (135 имn.)
5
5
5 (8*) А
5 (8*) А
Sl5* мА (60 В)
Sl5* мА (60 В)
5
5
5
5 (8*) А
5 (8*) А
5 (8*) А
Sl5* мА (60 В)
Sl5* мА (60 В)
Sl 5* мА (60 В)
,,
КТ80ЗА
10
А
SS* мА (70 В)
КТ805А
КТ805Б
.n-p-n
n-p-n
30
30
•
1
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
n-p-n
n-p-n
n-p-n
30* вт (50°С)
30* Вт (50°С)
30* Вт (50°С)
~20
~20
~20
60* (160 имп.)
60* (135 имп.)
60* (135 имл.)
параметры биполярных кремниевь1х транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
С12э,
rвэ нас, Ом
•
•
к;.~, дБ
пФ
15... 60* (4 В; 15 А)
15 ... 60 (4 В; 10 А)
Кш, дБ
•
••
Рвых,
rб, Ом
Вт
153
'tк, пс
•
••
tрыкл,
Корпус
tpac, НС
нс
~.13
КТ729
~.14
~ffi:ii]~ .~1
~27,1
~Dlf ·
15... 60* (4
В;
8
А)
15 ... 50* (5 В; 1 А)
30... 150* (5 В; 1 А)
S0,17
КТ730
S2
S2
КТ801
~
1
/(
f6 16 -
-
1
-
:· ==,~r=1~
1sз ~ . 6
~~~1
~15*
(10
В;
2
А)
1
к
КТ802
Sl
1623,5
-~ -~~~
~,10... 70* (10 в; 5 А)
~15*
~15*
(10
(10
В;
В;
2
2
А)
А)
s250 (20
В)
S0,5
~.5
Sl90**
~~~
-
1
..................::
~--
~--
ктsоз
кrsos
Sl
--~15*
~15*
~15*
(10
(10
(10
В;
В;
В;
2
2
2
А)
А)
А)
~.5
Sl
Sl,25
КТ805М
10,7
r
Раздел
154
max,
* т max,
Рк.
** и max,
РК,
*
fгр, fь21б,
***
fmax,
**
Uкэоmах,
мВт
МГц
в
10* Вт (70°С)
10* Вт (70°С)
25
100*
100*
1О* Вт (70°С)
10* Вт (70°С)
25
25
Рк
Струк·
Тип
прибора
тура
КТ807А
п-р-п
КТ807Б
п-р-п
КТ807АМ
п-р-п
КТ&О7БМ
п-р-п
**
fь21э,
~5
Uкво
*
UкэR
100*
100*
max,
max,
(lк)
(lк)
Uэво
2.
Бипопярнь1е транзисторы
Iкво,
Iк
max,
* и max,
lк,
max,
в
ltGR,
1**
кэо,
мА
мкА
А
4
4
0,5; 1,5*
0,5; 1,5*
4
4
0,5 (1,5*)
0,5 (1,5*)
А
А
А
:5;5*
:5;5*
мА
мА
(100
(100
В)
В)
S5* мА-(JОО В)
:5;5* мА (100 В)
-
КТ808А
n-p-n
КТ808АЗ
п-р-п
КТ808БЗ
п-р-п
50* Вт (50°С)
70*
70*
~7.2
120* (250 имп.)
4
Вт
28
Вт
~8
130
100
5
5
10 (15*) А
10 (15*) А
:5;2* мА (130 В)
S2* мА (100 В)
~8
130* (250 имп.)
100* (160 имп.)
80* ( 1.35 имп.)
70* (80 имп.)
5
5
5
5
10 А
10 А
10 А
10 А
S2* мА (120 В)
S2* мА (100 В)
S2* мА (100 В)
22* мА (70 В)
25,1
400* (О,Оlк)
4
Вт
210
210
200
160
6
6
16 А (25* А)
16 А (25* А)
Sl мА (200 В)
Sl мА (160 В)
Вт
210
Вт
~10
200
160
6
6
16 А (25* А)
16 А (25* А)
~1 мА
Sl мА
10
-
SЗ* мА
А
(120
В)
1
.
КТ808АМ
п-р-п
КТ808БМ
п-р-п
КТ808ВМ
п-р-п
ктsоsrм
n-p-n
60* Вт (50°С)
60* Вт (50°С)
60* Вт (50°С)
60* Вт (50°С)
28
~8
28
1
-
КТ809А
п-р-п
40*
КТ8101А
n-p-n
n-p-n
2
2
p-n-p
p-n-p
2
2
КТ8101:&
КТ8102А
КТ8102Б
Вт (50°С)
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
150*
150*
150*
150*
Вт
3
А;
5*
А
SЗ* мА
(400
В)
(200 В)
(180 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
С12э,
Свэ нас, Ом
пФ
к;.~, дБ
•
•
Кw,дБ
•
••
Рвых,
rб, Ом
Вт
155
'tк, пс
• НС
tpac,
••
Корпус
tвыкл, НС
15 .. .45*·(5 В; 0,5 А)
30... 100* (5 В; 0,5 А)
КТ807
15 .. .45* (5 В; 0,5 А)
30.. .100* (5 В; 0,5 А)
КТ807М
1О ... 50* (3
В;
6
А)
S500 (10
20 .. .125 (3
20... 125 (3
В;
В;
2
2
А)
А)
S500 (100
S500 ( 100
В)
В)
В)
S2000*
КТ808
S2000*
S2000*
КТ808-З
10,7
r
20... 125*
20".125*
20 .. .125*
20."125*
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
15... 100* (5
~20*
~20*
(10
(10
В;
В;
В;
2
А)
2 А)
2 А)
S500 (100
~00 (100
S500 (100
S500 (100
В)
В)
В)
Sl50 (20
S0,33
S0,33
S0,33
S0,33
S2000*
S2000*
S2000*
S2000*
КТ808М
В)
S0,75
S4000*
КТ809
SOOO (5 В)
SlOOO (5 В)
S3,3
В)
SЗ,3
КТ8101, КТ8102
15,9
- 5
/.
l
т--~~
~О*
~О*
(10
(10
В;
В;
2
2
А)
А)
slOOO (5
SlOOO (5
В)
В)
S3,3
S3,3
1
!
-
Раздел
156
Uкво max,
UкэR max,
Рк, и max,
•
••
fh21э,
•••
fmax,
мВт
Мfц
в
Рк max,
Тип
Струк·
прибора
тура
•
Рк, т max,
••
fгр, fh2lб,
•
••
Uкэо max,
2.
Uэво max,
в
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
IКэR,
•
Iк. и max,
1··
кэо,
мА
мкА
КТ8104А
p-n-p
150 Вт
2:::10
350
5
20 А (25 А*)
~О.7 мА (350 В)
КТ8105А
п-р-п
150 Вт
2:::10
200
5
20 А (25 А*)
~о. 7 мА (350 В)
-
'
КТ8106А
n-p-n
КТ8106Б
п-р-п
КТ8107А
п-р-п
КТ8107Б
п-р-п
КТ81078
n-p-n
КТ8107Г
п-р-п
КТ8107Д
п-р-п
КТ8107Е
п-р-п
КТ8107А2
п-р-п
КТ81'07Б2
п-р-п
КТ810782
п-р-п
КТ8107Г2
п-р-п
КТ8107Д2
п-р-п
КТ8107Е2
п-р-п
КТ8108А
п-р-п
КТ8108Б
п-р-п
КТ81088
п-р-п
КТ8108А-1
п-р-п
КТ8108Б-1
п-р-п
КТ81088-1
п-р-п
2 Вт; 125* Вт
2 Вт; 125* Вт
;?: 1
90*
60
5
5
20 А (30* А)
20 А (30* А)
100* Вт
125* Вт
50* Вт
100 Вт
100 Вт
100 Вт
2:::7
2:::7
2:::7
2:::7
2:::7
2:::7
1500 (700*)
1500 (700*)
1500 (600*)
1500
1200
1000
5
5
5
6
6
6
8 А (15* А)
5 А (7,5* А)
5 А (8* А)
10 А
10 А
10 А
SO, 7 мА (1500
~О.7 мА (1500
S0,7 мА (1500
S0,7 мА (1500
s0,7 мА (1200
S0,7 мА (1000
100* Вт
125* Вт
50* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
~7
2:::7
2:::7
>7
>7
>7
1500 (700*)
1500 (700*)
1500 (600*)
'1500
1200
1000
5
5
6
6
6
8 А (15* А)
5 А (7,5* А)
5 А (8* А)
10 А
10 А
10 А
S0,7
s0,7
S0,7
S'JJ, 7
s0.7
s0,7
70* Вт
70* Вт
70* Вт
2:::15
2:::15
2:::15
850
850
900
5
5
5
5 (7*)
5 (7*)
5 (7*)
0,5 мА (850 В)
0,5 мА (850 В)
0,5 мА (900 В)
70* Вт
70* Вт
70* Вт
15
15
15
850
850
900
5
5
5
5 (7*) А
5 (7*) А
5 (7*) А
S0,5 мА (850 В)
S0,5 мА (850 В)
s0,5 мА (850 В)
80* Вт
80* Вт
2:::7
2:::7
350
300
5
5
7 А (10* А)
7 А (10* А)
S3 мА (350 В)
S3 мА (300 В)
2 Вт; 60* Вт
2 Вт; 60* Вт
2 Вт; 60* Вт
2:::20
2:::20
2:::20
500
500; 400**
500; 350**
5
5
5
7 А (14* А)
7 А (14* А)
7 А (14* А)
slOOO (500
2:::1
5
мА
мА
мА
мА
мА
мА
(1500
(1500
(1500
( 1500
(1200
(1000
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
'~
КТ8109А
п-р-п
КТ8109Б
п-р-п
КТ8110А
п-р-п
КТ8110Б
п-р-п
КТ81108
п-р-п
В)
SlOO (400 В)
SlOO (400 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
Скэ нас, Ом
С12э,
Свэ нас, Ом
•
пФ
1000 (5
~1000
В;
5
А)
к;.~, дБ
Кш, дБ
•
••
Рвых,
rб, Ом
Вт
'tк, пс
•
•• 1
tвыкл
Корпус
tpac 1 НС
НС
КТ8104, КТ8105
<0,2
(5 В; 5 А)
750... 18000 (10 В; 5 А)
750".18000 (10 В; 5 А)
•
157
<0,2
S700 (10 В)
:5700 (10 В)
S0,4
S0,4
КТ8106
S4500**
S4500**
~
15,9
5
~IJ~
i
6
~.25*
~.25*
(5 В; 4,5 А)
(5 В; 4,5 А)
8."12* (5 В; 1 А)
S0,22
S0,65
:50,22
к з
S3500*
S3500*
S3500*
КТ8107
S3500*
S3500*
S3500*
КТ8107-2, КТ8108
15,9
5
~.22
S0,4
~.4
~.25*
~2,2,5*
(5 В; 4,5 А)
(5 В; 4,5 А)
8 ... 12* (5 В; 1 А)
S0,22
S0,65
~22
<О,22
<0,4
<0,4
~t)
~t1~
~- ,,
27,1
10... 50 (5 В; 0,5 А)
40 ... 80 (5 В; 0,5 А)
10... 50 (5 В; 0,5 А)
S75 (15 В)
S75 (15 В)
S75 (15 В)
S0,4
S0,4
S0,4
S3000*
S3000*
10... 50* (5 В; 0,5 А)
40 ... 80* (5 В; 0,5 А)
10... 50* (5 В; 0,5 А)
S75 (5 В)
S75 (5 В)
S75 (5 В)
S0,4
S0,4
S0,4
3*
3*
3*
..s
. .
/(
SЗООО*
КТ8108-1
мкс
мкс
мкс
~"- ; - т//,8
.... ,
i
~:-m
ЭК6
1
~150*
~150*
(5 В; 2,5 А)
(5 В; 2,5 А)
~.75
:53*
S0,75
SЗ* мкс
КТ8109
мкс
~.-; Т"'в
а:дn
·
15 ... 30* (5 В; 0,8 А)
15 ... 30* (5 В; 0,8 А)
15 ... 30* (5 В; 0,8 ,А)
~.2
S0,2
~.2
6КЭ
КТ8110
:52500*
:52500*
:52500*
10,7 1
-
lc')j~
/фj
!
c.<:r_
..,...
,
i
~~
'
ЭК6
r
Раздел
158
*
fгр 1 fh2lб1
**
fh2Jэ,
Ркmах,
Тип
прибора
*
Рк, т max,
**
Рк, и max,
Структура
мВт
'-
КТ8112А
П·р·П
КТ8Н4А
П·р-П
КТ8114Б
П·р·П
КТ81148
n-p-n
n·p·n
KT8114f
КТ8Н5А
p-n·p
КТ8115Б
р-п-р
КТ81158
р-п-р
КТ8116А
п-р-п
КТ8116Б
п-р-п
КТ81168
n-p·n
КТ8117А
n-p·n
КТ8117Б
п-р-п
1
l
Вт;
10*
125*
125*
100*
100*
Вт
***
fmax,
мrц
в
-
Вт
Вт
Вт
65*
65*
65*
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4
65*
65*
65*
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4-
100*
100*
Биполярные транзисторы
max,
* max,
**
Uкэо max,
~20
Вт
Uкво
2.
UкэR
(lк)
Uэво
max,
*
lк, и max,
в
(l ,5*
А;
15*
15*
15*
15*
1500*
1200*
1200*
1500*
6
6
6
8
8
8
8
100
80
60
5
5
5
8 (16*)
8 (16*)
8 (16*)
100
80
60
5
5
5
Вт
~5
Вт
~5
700
500
8
8
~15
900
5
мкА
А
0,5
&
IКэR,
1**
кэо,
мА
5
400*
Iкво,
Iк
max,
А;
А;
А;
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
(16*
(16*
(16*
А)
А)
А)
10 (20*)
10 (20*)
А
А
8
8
8
-
А)
~.1 мА
мА
~.l мА
SO,l мА
SO,l
(1500
(1200
(1200
(1500
В)
В)
В)
В)
~.2 мА (100 В)
S0,2 мА (80 В)
S0,2 мА (60 В)
S200 (100 В)
S200 (80 В)
s200 (6о·в>
Sl
Sl
мА
мА
(400
(400
В)
В)
'
КТ8118А
50*
п-р-п
Вт
3
А
(lO*
А)
SlO (800
В)
.
КТ812А
п-р-п
КТ812Б
п-р-п
КТ8128
п-р-п
50*
50*
50*
Вт (5О С)
Вт (50°С)
Вт (50°С)
0
~3
~3
~3
400*
300*
200*
(О,Оlк)
(О,Оlк)
(О,Оlк)
7
7
7
8
8
8
А;
А;
А;
12*
12*
12*
А
А
А
S5*
S5*
S5*
мА
мА
мА
(700
(500
(300
В)
В)
В)
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов
~300
(5 В: 0,05 А)
159
КТ8112
S40
r
8.. .40* (5 В; 0,7 А)
~(?* (5 В; 0,03 А)
~* (5 В; 0,03 А)
8.. .40* (5 В: 0,7 А)
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
tcn=0,5
tcn=0,5
tcn=0,5
tcn=0,5
МКС
КТ8114
МКС
5
МКС
МКС
«(')
~"
....
о
6КЗ
1О .. .40* (5
В;
0,2
А)
Sl,3
S2,5*
мкс
КТ8118
10,G5
1/,8
r
~4* (2,5 В; 8 А)
~4* (2,5 В; 8 А)
~10* (5 В; 5 А)
SlOO (100
SlOO (100
SlOO (100
В)
В)
В)
S0,3
S0,3
S0,3
tcnSl,3
tcnSl,3
tcnSl,3
МКС
КТ812
МКС
МКС
-~~
..s
.
~
Раздел
160
2.
Биполярные транзисторы
В)
КТ8120А
п-р-п
60*
Вт
~20
600; 450**
5
8
А
(16*
А)
SlOO (450
КТ8121А
п-р-п
75*
Вт
~7
5
8
А
(10*
А)
s;2000 (700
В)
КТ8121Б
п-р-п
75*
Вт
~7
1500; 700*;
400**
1500; 600*;
400**
5
8
А
(10*
А)
s;2000 (600
В)
КТ8121А-1
п-р-п
75*
75*
Вт
~7
-8
8
(10*
(10*
А)
~7
5
5
А
Вт
1500; 700*
1500; 600*
А)
S2000 (700 В)
S2000 (600 В)
Вт
~7
~7
5
5
8
8
А
Вт
1500; 700*
1500; 600*
А
КТ8121Б-1
п-р-п
КТ8121А-2
п-р-п
КТ8121Б-2
п-р-п
75*
75*
КТ8123А
п-р-п
25*
Вт
~5
200
5
2 А (3* А)
КТ8124А
п-р-п
Вт
~10
n-p-n
n-p-n
Вт
~10
Вт
~10
400
400
330
5
5
5
7
КТ8124Б
60*
60*
60*
65*
65*
65*
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
100
80
60
5
5
5
6 (10*)
6 (10*)
6 (10*)
80*
80*
Вт
~4
Вт
~4
700; 400**
600; 300**
9
9
8 (16*)
8(16*)А
А
Sl
Sl
мА
(700
(600
56*
56*
56*
Вт
1500* (100 Ом)
1200* (100 Ом)
1500* (100 Ом)
5
5
5
5 (7,5*).А
5 (7,5*) А
5 (7,5*) А
s;0,9
s;0,6
s;0,9
мА
мА
мА
( 1500*
(1800*
(1500*
В)
В)
В)
Вт
Ом)
Ом)
Ом)
5
5
5
5 (7,5*)
5 (7,5*)
5 (7,5*)
А
s;0,9
s;0,6
s;0,9
мА
(1500*
(1800*
(1500*
В)
мА
мА
Вт
КТ81248
КТ8125А
п-р-п
КТ8125Б
п-р-п
КТ81258
n-p-n
КТ8126А1
п-р-п
КТ8126Б1
п-р-п
КТ8127А
п-р-п
КТ8127Б
п-р-п
КТ81278
п-р-п
КТ8127А-1
п-р-п,
КТ8127Б-1
п-р-п
КТ81278-1
п-р-п
56*
56*
56*
КТ8129А
п-р-п
60*
Вт
Вт
Вт
Вт
1500* (100
1200* (100
1500* (100
1500
5
7
7
А
А
А
А
(10*
(10*
(15*
(15*
(15*
5А
А)
А)
S2000 (700
S2000 (600
S50 (150
В)
В)
В)
А)
А)
А)
А
А
А
А
А
s;0,4 мА (100 В)
s;0,4 мА (80 В)
s;0,4 мА (60 В)
мА
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов.
~10*
А)
~О.25
~2* мкс
8...60* (5 В; 2 А)
~0,25
~3* мкс
8... 60* (5 В; 2 А)
~О.75
SЗ* мкс
8 ... 60* (5 В; 2 А)
8... 60* (5 В; 2 А)
~О.25
~3* мкс
~О.75
~*мкс
8 ... 60* (5 В; 2 А)
8... 60* (5 В; 2 А)
~0,25
~3* мкс
~О.75
~3* мкс
~40*
(5
В;
161
0,2
(10 В; 0,4 А)
~10*
5 А)
5 А)
~10* (5 В; 5 А)
~10*
(5
(5
В;
В;
~2
КТ8120, КТ8121, КТ8121-1
t
КТ8121-2
КТ8123, КТ8124
~0.2
~1.5* мкс
~О.17
~1.3* мкс
~О.2
~1.5* мкс
6КЭ
15 ... 75* (4 В; 3 А)
15 ... 75* (4 В; 3 А)
15 ... 75* (4 В; 3 А)
~0,25
~О.25
~О.5
В;
В;
В;
~О.22
35* (5
35* (5
35* (5
0,5
0,5
0,5
А)
А)
А)
~35* (5 В; 0,5 А)
~6* (5 В; 0,03 А)
~6* (5 В; 0,03 А)
ЩGS
~0,25
8... 60* (5 В; 2 А)
8... 60* (5 В; 2 А)
~0,5
~1.1
~1.1
~0.22
~1. 1
~1.1
t
КТ8125, КТ8126
1,7*
1,(*
мкс
мкс
tcn=0,7
tcn=0,7
tcn=0,7
МКС
tcn=0,7
tcn=0,7
tcn=0,7
МКС
КТ8127
МКС
МКС
КТ8127-1
МКС
5
МКС
6КЗ
~2.25*
(5
В;
4,5
А)
~1..1
КТ8129
Раздел
162
Тип
Струк-
прибора
тура
Рк max,
frp, 1ь21б,
Uкво max,
fь21э,
UкэR max,
•
•• max,
Uкэо
мВт
мrц
в
40
60
80
5
5
5
4
4
4
А;
40
60
80
5
5
5
4
4
4
А;
600
5
10
•
•• и max,
Рк.
••
•••
fmax,
1 Вт; 20*
1 Вт; 20*
1 Вт; 20*
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
1 Вт; 20*
1 Вт; 20*
1 Вт; 20*
Вт
~5
Вт
~25
КТ8131В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Вт
~25
КТ8136А
n-p-n
60*
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
Биполярные транзисторы
Рк, т max,
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ8130А
2.
Вт
-
Iкво,
Iк max,
Uэво max,
IКэR,
IКЭо,
•
Iк. и max,
В-
мА
А;
А;
А;
А;
мкА
8*
8*
8*
А
8*
8*
8*
А
А
А
А
А
~100
~100
~100
(40 В)
(60 В)
(80 В)
~100
~100
~100
(40 В)
(60 В)
(80 В)
(15
А*)
-
5
10 А (15
А*)
-
9
1,5 А (3 А*)
500; 400**
450 400**
700; 400**
700; 400**
400; 200**
400; 200**
7
10
7 А; 14* А
7 А; 14* А
4 А; 8* А
8 А; 16* А
7 А; 14* А
7 А; 14* А
600; 350**
700; 400**
6
9
400
400
А
,
КТ8136А-1
n-p-n
60*
Вт
-
n-p-n
40*
Вт
~4
600
с демпферным
ДИОДОМ между
ко.11.nектором и
змиттером
КТ8137А
700*
.
~1 мА
(700
В)
,
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
KT8138f
КТ8138Д
KT813SE
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n, с
50*
40*
75*
80*
60*
60*
Вт
20
Вт
-
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~10
Вт
~10
60*
80*
Вт
~10
Вт
~4
n-p-n
n-p-n
60*
60*
Вт
~10
Вт
~10
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
60*
60*
60*
60*
Вт
~7
Вт
~7
Вт
~7
Вт
~7
~О.01 мА (500 В)
$0,1 мА (450 В)
мА
мА
мА
мА
(700 В)
(700 В)
(400 В)
(400 В)
10 А; 16* А
8 А; 16* А
~1 мА
~1 мА
(600 В)
(700 В)
6
6
7 А (10 А*)
7 А (10 А*)
~1
100
80
60
45
-
8 А (12* А)
8А (12* А)
8A(l2*A)
8 А (12* А)
40* (О,lк)
50* (О,lк)
70* (О, lк)
100* (О,lк)
5
5
5
5
9
9
6
6
~1
~1
~1
~1
ДИОДОМ
КТ8138Ж
КТ8138И
n-p-n
n-p-n, с
ДИОДОМ
КТ8140А
КТ8140А-1
~1
(400
(400
В)
В)~
с демпферным
диодом между
коллектором и
змиттером
КТ8141А
КТ8141Б
КТ8141В
KT8141f
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
KT814f
1 (10*) Вт
10* Вт
10* Вт
10* Вт
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
-
~3
~3
~3
~3
1,5(3*)А
l,5(3*)A
1,5 (3*) А
1,5 (3*) А
'
~О.2 (100 В)
~О.2 (80 В)
~О.2 (60 В)
~О.2 (45 В)
~О.05 мА
(40 В)
~О.05 мА (40 В)
~О.05 мА (40 В)
~О.05 мА (40 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
750".15000* (3 В; 0,2 А)
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А)
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А)
:S200 (10 В)
:S200 (10 ]?)
:S200 (10 В)
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А)
750 .. .15000* (3 В; 0,2 А)
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А)
:slOO (10 В)
:slOO (10 В)
:slOO (10 В)
10... 50* (5 В; 0,8 А)
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
* нас, Ом
rвэ
* Ом
rб,
к;.~, дБ
** Вт
Рвых,
163
'tк, ПС
*
tpac,
Корпус
НС
** НС
tвыкл,
КТ8130, КТ8131
КТ8136, КТ8136-1
:S0,25
_ 70,G5 _ r l / , 8
:f~ ~
....... , f
i
с..
~·Jn
6КЭ
10... 50* (5 В; 0,8 А)
s;0,25
tcn:S0,2
КТ8136-1
МКС
_ 70,G5
t
8 .. .40* (2 В; 0,5 А)
:S4*
~10*
~10*
(5 В; 4 А)
(5 В; 4 А)
8... 40* (5 В; 2 А)
5 ... 30* (5 В; 5 А)
~10* (5 В; 5 А)
~10* (5 В; 5 А)
:S0,2
s;0,2
s;0,25
:S0,4
s;0,2
:S0,2
~О*
(5 В; 2 А)
5 ... 30* (5 В; 5 А)
:S0,4
s;0,25
~10* (5 В; 5 А)
~10* (5 В; 5 А)
:S0,2
:S0,2
мкс
:s2,5* мкс
:s2,5* Ml:<C
:S4* мкс
:SЗ* мкс
tcn ';S; О, 75 МКС
tcn :S О, 75 МКС
tcn :S О, 7 МКС
КТ8137
КТ8138
_ 70,G5
1/,8
~ ~~r
i
-
~r-f'tf
'
6КЭ
:SЗ* мкс
КТ8140, КТ8141
_ 70,G5
~'
~
....... , r
i
~750*
~750*
~750*
~750*
(3
(3
(3
(3
В;
В;
В;
В;
3
3
3
3
А)
А)
А)
А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~40*
~30*
(2 В; 0,15 А)
(2 В; 0,15 А)
:Sl20
:Sl20
:Sl20
:Sl20
S60
:S60
:S60
:S60
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
. :S0,66
S0,66
S0,66
:S0,66
:Sl ,2
:Sl ,2
Sl,2
Sl,2
5,8**
5,8**
5,8**
5,8**
мкс
мкс
~~
'
6КЭ
мкс
мкс
КТ814
t
Раздел
164
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
*
Рк, т max,
**
Рк. и max,
мВт
КТ814ЗА
КТ814ЗБ
КТ814ЗВ
КТ814ЗГ
КТ814ЗД
КТ814ЗЕ
КТ814ЗЖ
КТ81433
КТ814ЗИ
КТ814ЗК
КТ8143Л
КТ814ЗМ
КТ814ЗН
КТ814ЗП
КТ8143Р
КТ814ЗС
КТ814ЗТ
КТ814ЗУ
КТ814ЗФ
КТ8144А
КТ8144Б
*
frp, fь21б,
Uкво max,
fь21э,
UкэR max,
**
***
fmax,
МГц
-
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
11-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
175*
Вт
Вт
-
n-p-n
n-p-n
175*
175*
Вт
~5
Вт
~5
Вт
~10
Вт
~10
Вт
~5
Вт
~5
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
-
-
-
-
*
**
Uкэо max,
2.
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
Uэво max,
IКэR,
1**
кэо,
*
Iк. и max,
в
мА
в
мкА
120; 90**
120**
180**
400; 240**
90**
120**
180**
400; 240**
120; 90**
120**
180**
400; 240**
100**
150**
400; 200**
90**
120**
180**
400; 240**
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6·
6
6
6
6
6
25 А; 40* А
25 А; 40* А
25 А; 40* А
25 А; 40* А
32 А; 50* А
32 А; 50* А
32 А; 50* А
32 А; 50* А
40 А; 63* А
40 А; 63* А
40 А; 63* А
40 А; 63* А
50 А; 125* А
50 А; 125* А
50 А; 125* А
63 А; 150* А
63 А; 150* А
63 А; 150* А
63 А; 150* А
800
600
8
8
25
25
А
700
500
8
8
15
15
А
800
600
8
8
15
15
А
(40*
(40*
А)
(20*
(20*
А)
(25*
(25*
А)
А
А
А
(20*
(20*
А
А)
~5* мА (90 В)
~5* мА (120 В)
~5* мА (180 В)
~5* мА (400 В)
~5* мА (90 В)
~5* мА (120 В)
~5* мА (180 В)
~5* мА (400 В)
~*мА (90 В)
~5* мА
(120 В)
(180 В)
~5* мА (400 В)
~5* мА (100 В)
~5* мА (150 В)
~5* мА (400 В)
~*мА (90 В)
~5* мА (120 В)
~5* мА (180 В)
~*мА (400 В)
~*мА
1 мА (800 В)
1 мА (600 В)
-
~5 мА
~5 мА
(700 В)
(500 В)
А)
~1 мА
~1 мА
(800
(600
В)
В)
А)
А)
~1 мА
~1 мА
(700
(500
В)
В)
n-p-n
n-p-n
100*
100*
n-p-n
n-p-n
150*
150*
n-p-n
n-p-n
100*
100*
Вт
~5
КТ8147Б
Вт
~5
700
500
8
8
10
10
КТ8149А
p-n-p
115*
Вт
~4
70; 60**
7
15
А;
30*
А
~1 мА
(70 В)
КТ8149А-1
p-n-p
90*
~3
70; 60**
7
15
А;
30*
А
~1 мА
(70 В)
КТ8145А
КТ8145Б
КТ8146А
КТ8146Б
КТ8147А
Вт
А
А)
-
165
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15*
~15* (З
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
20
20
20
20
20
32
32
32
32
32
35
35
35
35
35
35
40
40
40
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
~4* (5 В;
~4* (5 В;
Ск,
rкэ нас, Ом
Кw,дБ
'tк, пс
*
С12э,
* нас, Ом
rвэ
* Ом
Сб,
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
** Вт
Рвых,
** НС
tвыкл,
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
:S0,08
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
20 А)
20 А)
~10* (1 В;
~10*
5 А)
(1 В; 5 А)
Корпус
КТ8143
1300*
1300*
1300*
1300*
. 1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1700*
1700*
1700*
:S0,25
:S0,25
:S2,5*
:S2,5*
:S0,2
:S0,2
1,7*
1,7*
15,9
~·
IJ
--4----5
5
и~
п
~
6КЗ
мкс
о
КТ8144
мкс
КТ8145
мкс
мкс
10,7 1
~г-m
ЗК6
'
~5* (5 В; 15 А)
~5*
(5
В;
~5*
~5*
(1,5
(1,5
15
В;
В;
8
8
:S0,15
:SO, 15
А)
А)
А)
-
:S0,2
:S0,2
-
1,7*
1,7*
мкс
1,7*
1,7*
мкс
r
КТ8146, КТ8147, КТ8149
мкс
мкс
~5r\j .~f
~
27,/
1":)
•
20 .. .150* (4
В;
4
А)
20 .. .150* (4
В;
4
А)
-
:S0,27
-
1
-
КТ8149-1
:S0,27
'
15,9
5
/~~
l
::" ....,.:т-11==1~
с-., ~
к
Раздел
166
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
*
Рк, т max,
**
Рк, и max,
мВт
Вт
2.
Биполярные транзисторы
*
**
fh2Jэ,
***
fmax,
Uкво max,
МГц
в
~3
70; 60**
7
10А;15*А
~4
70; 60**
7
15
А;
30*
fгр, fh2Jб,
* max,
UкэR
**
Uкэо max,
Uэво max,
в
-
ltGR,
*
lк. и max,
IКЭо,
мА
мкА
Sl
мА
(70
В)
А
Sl
мА
(70
В)
30*
А
::;;1
мА
(70
В)
А;
15*
А
Sl
мА
(70
В)
30
30
А;
60*
60*
А
50
50
А;
80*
80*
А
КТ8149А-2
p-n-p
75*
КТ8150А
n-p-n
115*
КТ8150А-1
n-p-n
90*
Вт
~3
70; 60**
7
15
А;
КТ8150А-2
n-p-n
75*
Вт
~3
70; 60**
7
10
Вт
~5
~5
600; 450**
500; 400**
8
8
Вт
~5
Вт
~5
600; 450**
500; 400**
8
8
-
330; 150**
200**
6
6
1500
1500
7
7
Вт
lкво,
lк max,
.
-
КТ8154А
КТ8154Б
КТ8155А
КТ8155Б
КТ8156А
КТ8156Б
КТ8157А
КТ8157Б
n-p-n
n-p-n
175*
175*
n-p-n
n-p-n
175*
175*
n-p-n
n-p-n
60*
60*
n-p-n
n-p-n
150*
150*
Вт
Вт
Вт
Вт
~5
Вт
~5
'
А;
А;
А
А
А
А
(15*
(15*
::;;2 мА (600 В)
::;;2 мА (500 В)
-
8А
-
8А
10
10
::;;1 мА (600 В)
Sl мА (500 В)
А)
А)
3 мА (1500 В)
3 мА (1500 В)
Параметры ~иполярных кремниевых транзисторов
167
Ск,
rкэ нас, Ом
Кw,дБ
'tк, ПС
*
С12э,
* нас, Ом
rвэ
* Ом
Сб,
пФ
к;,;, дБ
** Вт
Рвых,
* НС
tpac,
** НС
tвыкл,
Корпус
.
20 .. .100* (4 В; 4 А)
КТ8149-2
:S0,27
_ 10,G5 _ rl/,8
~\ ~
.......
i
с-..
1!11-.·
~
6КЭ
--~··
jl
20 ... 150* (4 В; 4 А)
20 .. .150* (4
В;
4
А)
:S0,27
КТ8150
:S0,27
КТ8150-1
15,9
20 .. .100* (4 В; 4 А)
КТ8150-2
:S0,27
~·
.......
с-..
:i
-
1700*
1700*
,
5
_ 10,G5
1*1i
-т"'в
~"
6КЭ
КТ8154, КТ8155
s
27,1
·.~~
~roii]i
-~_.!!.
з
~orur
КТ8156
~8*
~8*
(5 В; 1 А)
(5 В; 1 А)
:S0,12
:S0,25
2*
2*
мкс
мкс
КТ8157
-kк
•
Раздел
168
КТ8158А
КТ8158Б
КТ8158В
КТ8159А
КТ8159Б
КТ8159В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
125*
125*
125*
Вт
p-n-p
p-n-p
p-n-p
125*
125*
125*
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
2.
Биполярные транзисторы
60
80
100
5
5
5
12
12
12
А
60
80
100
5
5
5
12
12
12
А
40* (0,lк)
50* (О,lк)
70* (О,lк)
100* (О,lк)
5
5
5
5
700
600
9
9
5
5
5
5
::;;400 (60 В)
::;;400 (80 В)
$400 (100 В)
А
А
::;;400 (60 В)
::;;400 (80 В)
$400 (100 В)
А
А
•
КТ815А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
10*
Вт
~3
10*
Вт
~3
10*
10*
Вт
~3
Вт
~3
n-p-n
n-p-n
75*
75*
Вт
~4
Вт
~4
КТ816Г
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
25*
25*
25*
25*
КТ816А-2
p-n-p
КТ8170А-1
КТ8170Б-1
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ8164А
КТ8164Б
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
40* (lк)
45* (lк)
60* (lк)
100* (lк)
25*
Вт
~3
40*
n-p-n
n-p-n
40*
40*
Вт
~4
Вт
~4
КТ8175А
n-p-n
20*
Вт
КТ8175Б
n-p-n
20*
Вт
КТ8175А-1
n-p-n
20*
Вт
КТ8175Б-1
n-p-n
20*
Вт
КТ816А
КТ816Б
КТ8168
(lк)
5-
1,5
1,5
1,5
1,5
(3*)
(3*)
(3*)
(3*)
А
А
А
А
4А
3
(6*) А
(6*) А
(6*) А
(6*) А
А
(6*
::;;О,05 мА
::;;О,05 мА
::;;О,05 мА
::;;10
::;;10
4А
3
3
3
3
::;;О,05 мА
А)
мА
мА
(40 В)
(40 В)
(40 В)
(40 В)
(700 В)
(600 В)
::;;о, 1 мА
::;;О, 1 мА
(25 В)
(45 В)
::;;О, 1 мА (60 В)
::;;O,l мА (100 В)
~100 (25 В)
::;;1 мА (700 В)
::;;1 мА (600 В)
А
700
600
9
9
1,5
1,5
700*;
400**
600*;
300**
9
1,5 (3*)
9
1,5 (3*) А
700*;
400**
600*;
300**
9
1,5 (3*) А
9
1,5 (3*) А
А
А
Параметры бипf.Шярных кремниевых транзисторов
169
2500
2500
2500
КТ8158
2500
2500
2500
КТ8159
· ~40* (2
~40* (2
~40* (2
~30* (2
В;
В;
В;
В;
5
70,GS
t
0,15
О, 15
О, 15
0,15
А)
А)
А)
А)
::;;60 (5
::;;60 (5
S60'(5
::;;60 (5
В)
В)
В)
В)
::;;1,2
::;;1,2
::;;1,2
Sl,2
КТ815
КТ8164
10 ... 60*
10... 60*
70,GS
t
~25*
~25*
~25*
~25*
~200*
(2
(2
(2
(2
В;
В;
В;
В;
1 А)
1 А)
1 А)
1 А)
( 1 В; 0,03 А)
В)
::;;О,6
КТ816, КТ816-2,
В)
В)
В)
::;;О,б
КТ8170-1, КТ8175
S60 (10 В)
S0,6
::;;60
S60
S60
S60
(10
(10
(10
(10
::;;О,6
S0,6
~
.......
~
.....
..:'
5... 25* (2 В; 1 А)
5... 25* (2 В; 1 А)
~
8 .. .40 (2 В; 1 А)
::;; 1
3000*
8 .. .40 (2 В; 1 А)
Sl
3000*
8.. .40 (2 В; 1 А)
::;; 1
3000*
8.. .40 (2 В; 1 А)
::;; 1
3000*
КТ8175-1
70,GS
t
170
,
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
* т max,
Рк,
** и max,
Рк,
мВт
fгр, fь21б,
fь21э,
МГц
в
Вт
~з
Вт
~з
Вт
~з
p-n-p
p·n-p
p-n-p
40*
40*
40*
Вт
~3
Вт
~
Вт
~з
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
25*
25*
25*
25*
Вт
~з
Вт
~З-
Вт
~з
Вт
~з
n-p-n
n-p-n
25*
25*
Вт
~з
КТ817Г-2
Вт
~з
КТ8181А
n-p-n
50*
Вт
-
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
КТ8177В
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б·2
* max,
UкэR
** max,
Uкэо
40*
40*
40*
КТ8176Б
КТ8181Б
n-p·n
50*
Вт
-
КТ8182А
n-p-n
60*
Вт
-
КТ8182Б
n-p-n
60*
Вт
-
2.
Биполs~рные транзисторы
Uкво max,
***
fmax,
n·p-n
n-p·n
n-p-n
КТ8176А
Раздел
Iкво,
Iк max,
Uэво max,
IJGR,
* и max,
Iк,
в.
1**
кэо,
мА
мкА
-
ЗА
60
80
100 .
5
5
5
ЗА
60
80
100
5
ЗА
5
5
ЗА
40* (lк)
45* (lк)
60* (lк)
100* (lк)
5
5
5
5
З
З
З
З
(6*) А
(6*) А
(6*) А
(6*) А
45* (lк)
100* (lк)
5
5
З
З
(6*)
(6*)
А
g),l
А
::;;О,1 мА
700*;
400**
600*;
300**
9
4 (8*)
А
9
4 (8*)
700*;
400**
600*;
9
8 (16*)
А
-
9
8 (16*)
А
-
ЗА
-
ЗА
.
sO, 1 мА (25 В)
SO,l мА-(45 В)
SO,l мА (60 В)
SO,l мА (100 В)
мА
(40
(40
В)
В)
-
-
-
А
ЗОО**
КТ818ЗА
n-p-n
56*
Вт
-
1500;
700**
-
8А;15*А
56*
Вт
-
1200;
600**
-
8
А
-
56*
Вт
-
1500;
700**
-
8А;15*А
-
56*
Вт
-
1200;
600**
-
8
А;
15*
А
-
56*
Вт
-
1500;
700**
-
8
А;
15*
А
-
56*
Вт
-
1200;
600**
-
8
А;
15*
А
-
(15*)
(15*)
(15*)
(15*)
А
с диодом
-
н резнетором
КТ818ЗБ
n·p·n
с диодом
А;
15*
н резнетором
КТ818ЗА-1
n·p-n
с диодом
н резнетором
КТ818ЗБ-1
n-p·n
с диодом
н резиетором
КТ818ЗА-2
n-p-n
с диодом
н резнетором
КТ818ЗБ-2
n-p-n
е ДИОДОМ
и резнетором
-
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n•p
60*
60*
(60*
60*
Вт
~з
Вт
~з
Вт
~з
Вт
~з
"
40* (О,lк)
50* (О,lк)
70* (О,lк)
90* (О,lк)
5
5
5
5
10
10
10
10
А
А
А
::;;1
::;;1
::;;1
::;;J
мА
мА
мА
мА
(40
(40
(.40
(40
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
пФ
Кш, дБ
•
••
Рвых,
tб, Ом
Вт
171
'tк, ПС
•
••
tвыКл 1
tpac, НС
Корпус
НС
~25* (4 В; 1 А)
~25* (4 В; 1 А)
~25* (4 В; 1 А)
КТ8176, КТ8177
~25* (4 В; 1 А)
~25* (4 В; 1 А)
~5* (4 В; 1 А)
~5*
~5*
~25*
~5*
~100*
(2 В; 1 А)
(2 В; 1 А)
(2 В; 1 А)
(2 В; 1 А)
(5 В; 50 мА)
~100* (5 В; 50 мА)
~60 (10 В)
~60 (10 В)
~60 (10 В)
~60 (10 В)
~60
~60
(10 В)
(10 В)
~О.6
~О.6
КТ817, КТ817-2
~0,6
~О.6
~о.ов
~О.08
10."60* (5 В; 1 А)
~О.25
3000*
10 ... 60* (5 В; 1 А)
~О.25
3000*
8.. .40* (5 В; 2 А)
~О.4
3000*
8.. .40* (5 В; 2 А)
~0,4
3000*
~5*
(5 В; 3 А)
~0,17
3000*
~5*
(5 В; 3 А)
~О.17
3000*
~О.17
3000*
;;::5* (5
В;
3
А)
КТ8181, КТ8182
70,G5
КТ8183
КТ8183-1
15,9
' ~5* (5 В; 3 А)
;;::5* (5
В;
3
А)
~О.17
3000*
~О.17
3000*
5
КТ8183-2
с изолированными выводами
15,9
~5*
~15*
(5 В; 3 А)
(5 В; 5 А)
~20* (5 В; 5 А)
;::::15* (5 В; 5 А)
~12* (5 В; 5 А)
~1000 (5,В)
~1000 (5 В)
~1000 (5 В)
~1000 (5 В)
~0,17
3000*
~О.27
~2500**
~О.27
~2500**
~О.27
~2500**
~О.27
~2500**
КТ818
5
Раздел
172
f гр,
Ркmах,
Тип
Струк-
прибора
тура
••
р-п-р
КТ818БМ
р-п-р
мrц
в
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
40* (О,lк)
50* (0,1 к)
70* (0,1 к)
90* (О,lк)
5
5
5
5
15
15
15
15
40* (0,1 к)
50* (О,lк)
70* (О, 1к)
90* (0,1 к)
5
5
5
5
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
40* (О, 1к)
50* (0,1 к)
70* (О, 1к)
100* (О,lк)
5
5
5
5
10
10
10
10
(15*)
(15*)
(15*)
(15*)
40* (0,1 к)
50* (О, 1к)
70* (О, 1к)
100* (О,lк)
5
5
5
5
15
15
15
15
(20*) А
(20*) А
(20*) А
(20*}. А
max,
КТ818ВМ
р-п-р
KT818fM
р-п-р
КТ818А-1
р-п-р
КТ818Б-1
р-п-р
КТ818В-1
р-п-р
KT818f-1
р-п-р
100*
100*
100*
100*
100*
100*
100*
100*
Iкво,
•••
fmax,
fh2lз,
мВт
КТ818АМ
Uкво
Биполярные транзисторы
max,
max,
•• max,
Uкэо
• т max,
Рк,
Рк, и
•
fh2lб,
2.
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3-
Вт·
~3
•
UкэR
Uэво
в
max,
Iк
m;ix,
•
Iк, и max,
Ii<эR,
1··
кэо,
мА
мкА
(20*) А
(20*) А
(20*) А
(20*) А
15(20*)А
~1
~1
~1
~1
мА
мА
мА
мА
(40 В)
(40 В)
(40 В)
(40 В)
~1 мА
~1 мА
~1 мА
(40 В)
(40 В)
(40 В)
~1 мА (40 В)
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
KT819f
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
KT819fM
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,5
1,5
1,5
1,5
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
2
2
2
2
60*
60*
60*
60*
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
100*
100*
100*
100*
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
А
~1 мА (40 В)
А
~1 мА
~1 мА
~1 мА
(40
(40
(40
~1
~1
~1
~1
(40 В)
(40 В)
(40 В)
(40 В)
А
А
мА
мА
мА
мА
В)
В)
В)
\
КТ819А-1
КТ819Б-1
КТ819В-1
KT819f-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
2
2
2
2
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
100*
100*
100*
100*
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
А
А
А
~1 мА
А
~1 мА
40* (0,1 к)
50* (О, lк)
70* (О, lк)
90* (О, 1к)
5
5
5
5
50* (О,lк)
70* (О, lк)
100* (О,lк)
5
5
5
0,5 (1,5*)
0,5 (1,5*)
0,5 (1,5*)
А
~О
А
~30
А
~О
50* (О, lк)
70* (О, lк)
100* (О,lк)
5
5
5
0,5 (1,5*)
0,5 (1,5*)
0,5 (1,5*)
А
А
~30
~30
А
~30
45* (О,lк)
60* (О,lк)
100* (О,lк)
5
5
5
2 (4*)
2 (4*)
2 (4*)
45* (О, 1к)
60* (О, 1к)
100* (О,lк)
5
2 (4*)
2 (4*)
2 (4*)
15
15
15
15
(20*)
(20*)
(20*)
(20*)
~1 мА
~1 мА
(40
(40
(40
(40
В)
В)
В)
В)
,
КТ820А-1
Вт
~3
Вт
~3
р-п-р
10*
10*
10*
Вт
~3
n-p-n
n-p-n
n-p-n
10*
10*
10*
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
р-п-р
КТ820Б-1
р-п-р
КТ820В-1
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
(40 В)
(40 В)
(40 В)
(40
(40
(40
В)
В)
В)
,
КТ822А-1
р-п-р
КТ822Б-1
р-п-р
КТ822В-1
р-п-р
20*
20*
20*
КТ82ЗА-1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
20*
20*
20*
КТ82ЗБ-1
КТ82ЗВ-1
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
:?::3
Вт
~3
5
5
А
~50
А
~50
А
А
А
А
В)
В)
~О
(40
(40
(40
~50
~50
~50
(45
(45
(45
В)
В)
В)
В)
Параметрь1 биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
С12э,
rвэ нас, Ом
пФ
к;.~, дБ
•
~15*
В;
А)
(5
(5
В;
5
5
А)
В;
А)
::;;1000
SlOOO
51000
SlOOO
(5
(5
(5
:?::12* (5
В;
В;
В;
В;
5
5
5
5
А)
А)
А)
А)
SlOOO
SlOOO
s;lOOO
SlOOO
~15*
~О*
~15*
~12*
В;
В;
В;
В;
5
5
5
5
А)
А)
А)
А)
(5
5
~О* (5 В; 5 А)
~15*
~12*
~15*
~О*
~15*
(5
(5
(5
(5
•
Кш, дБ
•
••
Рвых,
tб, Ом
Вт
173
'tк, ПС
•
••
tвыкл,
Корпус
tpac, НС
НС
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
S0,27
s;0,27
S0,27
S0,27
52500**
S2500**
S2500**
S2500**
КТ818М
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
S0,4
S0,4
S0,4
S0,4
::;;2500**
S2500**
52500**
52500**
КТ818-1
S0,4
s;0,4
50,4
s;0,4
::;;2500**
S2500**
52500**
::;;2500**
КТ819
15,9
~15* (5 В; 5
~О* (5 В; 5
:?::15* (5 В; 5
~12* (5 В; 5
А)
А)
А)
А)
~40* (2 В; 0,15 А)
:?::40* (2 В; 0,15 А)
:?::30* (2 В; 0,15 А)
S65 (5
S65 (5
S65 (5
В)
В;
В;
В;
540 (5
S40 (5
S40 (5
В)
:?::40* (2
:?::40* (2
:?::30* (2
~5*
~5*
~5*
(2
(2
(2
0,15
0,15
0,15
В;
В;
В;
А)
А)
А)
1 А)
1 А)
1 А)
В)
В)
В)
В)
Sl 15 (10
5115 (10
Sl 15 (10
В)
В)
В)
г--'"
(2
(2
(2
В;
В;
В;
1 А)
1 А)
1 А)
575 (10
S75 (10
S75 (10
В)
В)
В)
D
ЗК5
S0,4
S0,4
S0,4
S0,4
52500**
S2500**
52500**
S2500**
КТ819М
::;;1
51
s;l
Sl
S2500**
52500**
52500**
S2500**
КТ819-1
КТ820-1, КТ821-1
Sl
Sl
Sl
51,2
51,2
::;;1,2
S0,6
S0,6
S0,6
-
-
s;0,6
S0,6
S0,6
-
-
~25*
~25*
~5*
11,8
~··~ vw
'
:?::15* (5 В; 5 А)
~О* (5 В; 5 А)
~15* (5 В; 5 А)
~12* (5 В; 5 А)
;- vv
10,7
'1'
5
КТ822-1, КТ823-1
~Щ
л/
\з
11
-
Раздел
174
•
••
fh2lэ,
•••
fmax,
•
•• max,
Uкэо
мrц
в
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4
90
60
30
Рк max,
Тип
Струк-·
прибора
тура
• т max,
Рк,
•• и max,
Рк,
мВт
KT825f
КТ825Д
КТ825Е
p-n-p
p-n-p
p-n-p
125*
125*
125*
f гр, fh2lб,
2.
Бипопярнь1е транзисторы
Uкво max,
UкэR max,
Uэво max,
в
5
5
5
-
Iкво,
Iк max,
•
lкэR,
•
Iк. и max,
1**
кэо,
мА
20 (30*)
20 (30*)
20 (30*)
мкА
А
А
А
~1 *мА
~1* мА
~1 *мА
(90 В)
(60 В)
(30 В)
--
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
15* Вт (50°С)
15* Вт (50°С)
15* Вт '(50°С)
n-p-n
n-p-n
n-p-n
~6
~6
~6
700* (0,01 к)
700* (О,Оlк)
700* (О,Оlк)
5
5
5
1А
1А
1А
~2 мА
мА
~2 мА
100* (1 к)
80* (lк)
60* (lк)
5
5
5
20 (40*) А
20 (40*) А
26 (40*) А
~з· мА (100 В)
SЗ* мА (80 В)
~3* мА (60 В)
800* (0,01 к)
600* (0,01 к)
800* (О,01 к)
600* (О,Оlк)
5
5
5
5
5
5
5
5
(7,5*)
(7,5*)
(7,5*)
(7,5*)
А
А
А
А
~5 мА (1400 В)
~5 мА (1200 В)
~5 мА (800 В)
~5 мА (600 В)
100* (lк)
80* (lк)
60* (lк)
45* (lк)
5
5
5
5
8
8
8
8
(12*) А
(12*) А
(12*) А
(12*) А
S2
(700 В)
(700 В)
(700 В}
'
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ828В
KT828f
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
KT829f
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1~5*
125*
125*
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4
50* Вт (50°С)
50* Вт
50* Вт (50°С)
50* Вт
60*
60*
60*
60*
~4
~4
~4
~4
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4
~1.5* мА (100 В)
~1.5* мА (80 В)
~1.5* мА (60 В)
~1.5* мА (60 В)
~
КТ830А
КТ8ЗОБ
КТ8ЗОВ
ктsзоr
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
Вт
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
5*
5*
5*
5*
n-p-n
n-p-n
n-p-n
100*
100*
100*
p-n-p
p-n-p .
25*
25*
~4
Вт
Вт
Вт
~4
.
~4
~4
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~4
Вт
~1
Вт
*1
35
60
80
100
500*
450*
400*
(О,lк)
(О,lк)
(О,lк)
30
45
5
5
5
5
2 А; 4* А
2 А; 4* А
2 А\ 4* А
2 А;' 4* А
8
8
8
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
4
4
ЗА
7,5 А
~100
(35 В)
(60 В)
~100 (80 В)
~100 (100 В)
~100
SЗ* мА
(500 В)
(450 В)
~3* мА (400 В)
SЗ* мА
~.1 мА
~.15
(30 В)
мА (45 В)
Параf,Аетрь1 биполярных кремниевых транзисторов
~750*
~750*
~750*
(10 В; 10 А)
(10 В; 10 А)
(10 В; 10 А)
10 .. .120* (JO В; 0,1 А)
5... 300* (1 О В; О, 1 А)
5... 120* (10 В; 0,1 А)
750 ... 18000* (3 В; 1О А)
750 ... 18000* (3 В; 10 В)
750 ... 18000* (3 В; 1О А)
~2.25*
~2.25*
~.25*
~.25*
(3 В;
(3 В;
~750* (3 В;
~750* (3 В;
rкэ нас, Ом
rвэ нас, Ом
пФ
к;.~, дБ
~600
~600
~600
~25
~5
~5
(10
(10
(10
•
••
Рвых,
tб, Ом
~О.4
~.4
~О.4
В)
В)
В)
·~5
В).
В)
В)
~О.2
-
3 А)
3 А)
3 А)
3 А)
Кш, дБ
•
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(100
(100
(100
~400
~400
~400
(5 В; 4,5 А)
(5 В; 4,5 А)
(5 В; 4,5 А)
(5 В; 4,5 А)
~750*
~750*
Ск,
С12э,
•
h21э, h21э
~5
~5
~О.2
~О.2
50,66
.
~О.66
~О.66
~.66
5120
~О.57
~1·20
~О.57
~120
~О.57
~120
~.57
-
Вт
175
iк, ПС
•
tpac,
••
tвыкл,
Корпус
нс
НС
-
~4.5** мкс
-
tcn~l500
-
~4.5* мкс
-
510*
-
-
КТ825, КТ826
~4.5** мкс
~4.5** мкс
tcn~700
tcn~700
~№~ .~!
~~.
V,1
..:r
.
-
КТ827, КТ828
~4.5* мкс
~4.5* мкс
:№ '~!
27,1
-...
~10*
~10*
~
~10*
КТ829
- 70,G5
O)j
~
-~л
с....
~О*
~20*
(1
(1
(1
(1
В;
В;
В;
В;
-
1 А)
1 А)
1 А)
1 А)
~1.2
~1.2
~1.2
~1.2
-
~1000*
99//
~1000*
~1000*
((:)
j~
.
'1ф
11 J11
к
~,
~.13
~О.13
~.13
-
.
-
~
5100 (150 В)
~100 (150 В)
~100 (150 В)
-r
1/,8
КТ830
51000*
((:)"
150... 3000* (5 В; 5 А)
150 ... 3000* (5 В; 5 А)
150... 3000* (5 В; 5 А)
к
'1
~
~20*
о о
63
·-.-·
""":.
~
~w
~20*
к
1
111
tcn~l,2 МКС
]1
з
5
КТ834
tcn~l.2 мкс
tcn~l,2 МКС
'.~!
~r1~~
27,1
•
ff::)'
1
•
1
к
~5*
(1 В; 1 А)
1'0... 100* (5 В; 2 А)
~soo оо В)
·~800 оо в>
~О.35
50,8
-
-
КТ835
_ 70,G5
0)1 1
~
-
~ -т
-~п
с....
~-
1/,8
176-
Раздел
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max,
Рк.
•• н max,
Рк,
мВт
КТ837Ф
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n·p
p-n-p
p-n-p
КТ838А
n-p-n
КТ838Б
n-p-n
КТ837А
КТ837Б
КТ8З7В
КТ8371'
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
КТ8З7М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
12,5*
•
••
•••
fmax,
f гр, fh2lб,
fh2lэ,
~1
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~l
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~l
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
Биполярные транзисторы
Uкво max,
•
•• max,
Uкэо
UкэR max,
мrц
Вт
2.
в
-
во
1··
кэо,
мА
5
5
5
5
5
5
5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
15
15
15
15
15
15·
15
15
15
5
5
80
80
80
60
60
60
45
45
45
80
•
IКЭR,
•
Iк. н max,
в
-
Iкво,
Iк max,
Uэво max,
-
-...
мкА
А
~О.15 мА
~О.15 мА
~О.15 мА
А
~О.15
А
~О.15
А
А
~О.15
~О.15
~О.15
А
~0,15
А
А
А
А
~О.15
А
~О.15
А
А
~О.15
~О.15
~О.15
А
50,15
А
~О.15
А
~О.15
~О.15
(80 В)
(80 В)
(80 В)
мА (60 В)
мА (60 В)мА (60 В)
мА (45 В)
мА (45 В)
мА (45 В)
мА (80 В)
мА {80 В)
мА (80 В)
мА (60 В)
мА (60 В)
мА (60 В)
мА (45 В)
мА (45 В)
мА (45 В)
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
Вт
~1
80
60
60
60
45
45
45
Вт (90°С)
~3
1500
5; 7
5 (7,5*)
А
~1 *мА
(1500
В)
Вт
~3
1200
5; 7
5 (7,5*)
А
~1 * мА
(1200
В)
5
10
А
/
~1 мА
(1500
В)
12,5*
А
А
~
КТ839А
n-p-n
50*
Вт
~5
1500
КТ840А
n-p-n
n-p·n
n-p-n
60*
60*
60*
Вт
~8
Вт
~8
Вт
~8
400*; 900
350*; 750
800; 375*
КТ840Б
КТ840В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p·n
3 (50*) Вт
3 (50*) Вт
3 (50*) Вт
100* Вт
100* Вт
50* Вт
КТ842В
p-n-p
p-n-p
p-n-p
3 (50*) Вт
3 (50*) Вт
100* Вт
КТ844А
n-p-n
50*
КТ845А
n-p-n
КТ846А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ841А
КТ841Б
КТ841В
-
КТ841Г
-КТ841Д
КТ841Е
КТ842А
КТ842Б
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ847Б
·
~10
.
5
5
5
6 (8*) А
6 (8*) А
6 (8*) А
10{15*)А
~мА
(15*) А
(15*) А
(15*) А
(15*) А
(15*) А
~мА
600
400
600
200
500
800
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
~7
300
200
200
5
5
5
5 (10*)
5 (10*)
5 (10*)
Вт (50°С)
~7.2
250* (0,01 к)
4
10 (20*)
40* Вт (50°С)
~4.5
400* (О,Оlк)
4
Вт (90°С)
~2
Вт (95°С)
~2
Вт (95"С)
~2
1500* (О,01 к)
1200
1500
5; 7
5; 7
5; 7
650* (О,01 к)
650* (О,Оlк)
8
8
520
400
15
15
12,5*
12,5*
12,5*
n-p-n
n-p-n
125*
125*
~10
~10
~7
~5
~7
~20
~20
Вт
~15
Вт
~10
~мА
мА
~мА
(900
(750
(800
53
В)
В)
В)
(600 В)
(400 В)
~З-мА (600 В)
~мА (200 В)
~мА (500 В)
~3 мА (800 В)
А
~1 мА
А
~1 мА
А
~1 мА
(300
(200
(200
А
~3* мА
(250
5 (7,5*)
А
~3* мА
(400 В)
5 (7,5*)
5 (7,5*)
5 (7,5*)
А
~1 * мА
А
~1 * мА
А
~1 * мА
15 (25*) А
15 (25*) А
5
5
мА
мА
В)
В)
В)
(1500
(1200
(1500
(650
(650
В)
В)
В)
В)
В)
В)
'
КТ848А
КТ848Б
n-p-n
n-p-n
35*
35*
Вт (1ОО С)
0
~3
0
~3
Вт (1ОО С)
-
15
15
А
А
~3* мА
(400 В)
~3* мА (400 В)
Параметрь1 бипопярньtх кремниевь1х транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кw,дБ
r.6,Ом
пФ
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
•
С12з,
h21з, h21э
-
1О .. .40* (5 В; 2 А)
20".80* (5 В; 2 А)
50".150* (5 В; 2 А)
10.. .40* (5 В; 2 А)
20 ... 80* (5 В; 2 А)
50... 150* (5 В; 2 А)
10.. .40* (5 В; 2 А)
20... 80* (5 В; 2 А)
50-... 150* (5 В; 2 А)
10.. .40* (5 В; 2 А)
20 ... 80* (5 В; 2 А)
50... 150* (5 В; 2 А)
10.. .40* (5 В; 2 А)
20... 80* (5 В; 2 А)
50 .. .150* (5 В; 2 А)
10.. .40* (5 В; 2 А)
20 •.. 80* (5 В; 2 А)
50 ... 150* (5 В; 2 А)
-
~.8
~.8
:::;;о,8
~.3
:::;;О,3
~.3
~.25
~.25
~.25
~.8
:::;;О,8
~.8
~.3
:::;;о,3
~.з
:::;;О,25
:::;;О,25
-
~.25
~4*
(5
В;
3,5
А)
170 (10
В)
:::;;1,1
~4*
(5
В;
3,5
А)
170 (10
В)
:::;;1t1
А)
240 (10
В)
:::;;О,375
•• 1
Рвых
-
-
Вт
177,
'tк, ПС
• 1
tpac
••
tвыкл,
НС
:::;;10* мкс;
tcn:::;;l ,5
:::;;10* мкс
~5*
(10
В;
4
10... 60* (2,5 В; 8 А)
~10* (2,5 В; 8 А)
10... 100* (2,5 В; 8 А)
~12*
~12*
~12*
~О*
~О*
~10*
~15*
~15*
~20*
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(4
(4
(4
В;
В;
В;
В;
В;
В;
5 А)
5 А)
5 А)
5 А)
2 А)
5 А)
В;
В;
В;
10... 50* (3
15 ... 100* (5
А)
А)
5
5
5
В;
А)
6
В;
А)
2 А)
.
-
:::;;О,75
:::;;О,75
~.24
:::;;300 оо в)
:::;;300 (10 В)
:::;;300 оо в>
:::;;300 оо в)
:::;;300 (10 В)
:::;;300 оо в)
250 (10
250 (10
250 (10
В)
В)
В)
:::;;300 оо в>
:::;;45 (200
В)
-
-
:::;;о,4
-
~.75
-
:::;;О,3
~.3
~.3
:::;;о,3
:::;;о,3
~.3
:::;;О,36
:::;;О,36
:::;;О,44
Корпус
НС
:::;;10* мкс;
tcn:::;;l ,5
КТ837
10,7
1
1
т
1*1i
1с') j ~
5ct
-.~
~
.......
IJ,8
-
~
КТ838,КТ839,КТ840
,~!)
~№~
~·
V,I
..:r
.
.к
tсп:::;;О,6
tсп~.6
:::;;3500*
:::;;1000*
:::;;1000*
:::;;1000*
:::;;1000*
:::;;1000*
:::;;1000*
800*
. 800*
800*
КТ841, КТ842, КТ844
. .
--№~ ~t)
~
~
27,/
О)
..:r
~
•
.
-
1
к
:::;;200
:::;;О,22
-
:::;;1, 1
:::;;1, 1
-
:::;;4000*
КТ845, КТ846, КТ847,
:::;;12000*
:::;;12000*
:::;;12000*
~№~"~!т
27,/
~
'
8... 25* (3
8... 25* (3
~О*
_~20*
(5
(5
В;
В;
В;
В;
15
15
15
15
А)
А)
А)
А)
:::;;200 (400
:::;;200 "(400
-
В)
~.1
В)
~.1
:::;;0,2
~.2
.
:::;;2000*
КТ848
-
/
-
:::;;2000*
:::;;3000*
-
-
-
1
•
11
к
Раздел
178
f гр,
fh2lб,
f h21э,
••
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
•
•• и max,
Рк,
Рк, т max,
•••
fmax,
КТ850А
КТ850В
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
KT852f
Бипопярнь1е транзисторы
Uкво max,
.
UКэR
max,
Uэво max,
КЭО
max,
в
u••
Iкво,
Iк max,
"?:.20
"?:.20
5
5
5
2 (3*)
2 (3*)
2 (3*)
А
А
2 (3*)
2 (3*)
2 (3*)
Вт
Вт
~о
250
300
180
p-n-p
p-n-p
p-n-p.
25*
25*
25*
Вт
"?:.20
"?:.20
"?:.20
250
300
180
5
5
5
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
50*
50*
50*
50*
Вт
"?:.7
"?:.7
"?:.7
"?:.7
100
80
60
45
5,
5
5
5
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
'
кэо,.
мкА
Вт
25*
25*
25*
1··
мА
в
n-p-n
n-p-n
n-p-n
•
IКЭR,
•
Iк, и max,
мrц
мВт
КТ850Б
2.
А
В)
В)
А
А
А
~100
~500
~500
В)
В)
В)
(4*)
(4*)
(4*)
(4*)
А
А
А
А
(12*)
(12*)
(12*)
{12*)
А
2,5
2,5
2-;5
2,5
В)
::;100 (250
~500 (300
~500 (180
(250
(300
(180
~1 мА
~1 мА
~1 мА
~1 мА
(100 В)
(80 В)
(60 В)
(45 В)
КТ85ЗА
КТ85ЗБ
КТ85ЗВ
КТ85Зf
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ856А
КТ856Б
КТ856А-1
КТ856Б-1
"?:.7
"?:.7
"?:.7
"?:.7
100
80
60
45
5
5
5
5
8
8
8
8
"?:.10
"?:.10
600
400
5
5
10 (15*)
10 (15*)
"?:.5
"?:.5
"?:.5
250
150
150
5
5
5
5 (8*)
5 (8*)
5 (8*)
"?:.10
"?:.10
800
700
Вт
10
10
Вт
"?:.10
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
60*
60*
60*
60*
Вт
n-p-n
n-p-n
60*
60*
Вт
p-n-p
p-n-p
p-n-p
40*
40*
40*
Вт
n-p-n
n-p-n
. 75*
75*
Вт
n-p-n
n-p-n
50*
50*
Вт
60*
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
5
5
10
800
600
5
5
10
250
6
7 (10*)
~
А
А
А
А
~3 мА
мА
(600
(400
В)
В)
А
А
~1000
~1000
В)
В)
А
~1000
(250
(150
(150
мА
(800
В)
А
10А;12*А
А;
12*
А
S3
S3
S3
В)
мА (бОО В)
~3 мА
S3 мА
(800
(600
В)
В)
А
~5 мА
(250
В)
А
~1 мА
(400
В)
~1 мА
(800
В)
10А;12*А
А;
::;200 (100 в)
::;200 (80 В)
::;200 (60 В)
~00 (45 В)
12*
А
.
КТ857А
n-p-n
.
КТ858А
n-p-n
60*
Вт
"?:.10
400
6
7 (10*)
КТ859А
n-p-n
40*
Вт
"?:.10
800
10
3 (4*)
КТ862Б
n-p-n
n-p-n
.. n·p-n
50*
50*
50*
Вт
Вт
"?:.20
"?:.20
"?:.20
450
600 (350**)
600 (400**)
5
5
5
КТ862В
KT862f
Вт
.
1
15
10
10
-
А;
А;
А;
А
25*
15*
15*
А
А
А
::;2,5 мА (300 В)
S3 мА (600 В)
S3 мА (600 В)
Параметрь1 биполярных кремниев_ых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
•
С12э,
• нас,
rвэ
Ом
к;.~, дБ
пФ
Кш, дБ
•
••
Рвых,
rб, Ом
Вт
179
'tк, ПС
•
tpac,
••
tвыкл,
НС
40".200* (10 В; 0,5 А)
~О* (10 В; 0,5 А)
~20* (1 О В; 0,5 А)
S35 (5 В)
:s;35 (5 В)
:s;35 (5 В)
1500*
1500*
1500*
40."200* (10 В; 0,5 А)
20".200* (1 О В; 0,5 А)
20."200* (10 В; 0,5 А)
40 (5 В)
40 (5 В)
40 (5 В)
1400*
1400*
1400*
~5QO*
~500*
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
~1000* (4 В; 1 А)
~1000* (4 В; 1 А)
~750*
~750*
~750*
~750*
~20*
(3
(3
(3
(3
В;
В;
В;
В;
3
3
3
3
А)
А)
А)
А)
:s;28
:s;28
:s;28
:s;28
(5
(5
(5
(5
:s;120
:s;l20
:s;l20
:s;l20
(5
(5
(5
(5
В)
В)
:s;l,25
В)
:s;l,25
:s;l,25
В)
~1.25
В)
:s;0,66
В)
В)
В)
~.66
~О.66
~О.66
В)
~.4
В)
~О.4
200 (10 В)
200 (10 В)
200 (10 В)
:s;0,5
~20*
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
200 (10
200 (10
~20*
~20*
~15*
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
КТ850, КТ851, КТ852
2000**
2000**
2000**
2000**
3300**
3300**
3300**
3300**
КТ853, КТ854, КТ855
tcn=700
tcn=700
~О.5
~О.5
10... 60* (5 В; 5 А)
\il0 ... 60* (5 В; 5 А)
:s;lOO (90
:s;lOO (90
В)
:s;0,3
~.3
:s;2*
:s;2*
мкс
В)
10."60* (5 В; 5 А)
10... 60* (5 В; 5 А)
:s;lOO (90
:s;lOO (90
В)
~.3
~о.3
:s;2*
:s;2*
мкс
В)
Корпус
НС
КТ856
мкс
КТ856-1
мкс
15,9
.....--~+::--i
5
~~
::::" "':rij::=t~
с.,. ~
~~
~и~
о к з
~7.5*
(1
В;
3
А)
:s;0,33
:s;2500*
КТ857, КТ858, КТ859
70,G5
~10*
(5
В;
5
А)
:s;0,2
:s;2500*
::f'
-,
1*1i
-т"'в
с...
~10*
(10
В;
1 А)
12".100* (5 В; 8 А)
12 ... 50* (5 В; 5 А)
12".50* (5 В; 5 А)
:s;l,5
S3500*
SЗОО
~.13
:s;lOOO*
~50
:s;0,29
:s;0,29
~ООО*
(30 В)
(10 В)
:s;250 (10 В)
~ООО*
~-r-lrr
6КЗ
КТ862
Раздел
180
2.
Биполярнь1е mранзисторь1
-
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ86ЗА
КТ86ЗБ
КТ86ЗВ
r.-p-n
n-p-n
n-p-n
•
•• н max,
Рк,
Рк, т max,
f гр,
•
fh2lб,
**
fh2lз,
Uкво max,
* max,
UкэR
•••
fmax,
** max,
Uкэо
мВт
мrц
в
50* Вт
50* Вт
50* Вт
24
24
24
30
30
IКэR,
•
Iк, и max,
в
1··
кэо,
мА
мкА
~1 мА
~1 мА
~1 мА
10 А
10 А
10 А
5
5
5
1~0
Iкво,
Iк max,
Uэво rгал,
(30 В)
(30 В)
(30 В)
1
-
--- - - - - - - -
КТ864А
n-p-n
-11JC*
Вт
215
200
6
КТ865А
p-n-p
lOC · .DT
215
200
6
--'
С_\
n-p-n
n-p-n
30* Вт
30* Вт
25
25
200; 100**
200; 80**
4
4
15 А; 20* А
1 15 А; 20* А
225
200
7
25 А (40* А)
28
900
750
5
5
6 (8*) А
6 (8*) А
~3 мА (900 В)
~3 мА (750 В)
1500; 700*
1500; 700*
1200; 600*
6
6
6
8 (15*) А
8 (15*) А
8 (15*) А
~1 мА (1500 В)
~1 мА (1500 В)
150;
100* (О,Оlк)
150;
120* (О,Оlк)
5
30 А; 50* А
~3 мА
5·
30 А; 50* А .
~3 мА (150 В)
900* (0,01 к)
800* (0,01 к)
600* (0,01 к)
5
6
6
25 (50*) А
25 (50*) А
25 (50*) А
~3 мА (900 В)
~мА (800 В)
~мА (600 В)
КТ866А
КТ866Б
10 (15*1 "·
~100
(200 В)
~100
(200
--в:
--
'
1
'
1
~25 мА
~25 мА
\ 100 В)
llOO В)
·-
КТ867А
n-p-n
100*
КТ868А
n-p-n
n-p-n
70* Вт
70* Вт
100*· Вт
100* Вт
100* Вт
27
КТ872В
n-p-n
n-p-n
n-p-n .
КТ874А
n-p-n
75* Вт
220
КТ874Б
n-p-n
75*
Вт
220
КТ878А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ878Б
КТ878В
Вт
150* Вт
2 Вт; 100* Вт
2 Вт; 100* Вт
~8
~7
27
210
210
210
-
~3
(250 В)
~1· мА (1200 В)
(150 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
Сi2э,
пФ
~100* (2 В; 5 А)
~70* (2 В; 5 А)
~70* (2 В; 5 А)
181
Скэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
* нас,
Свэ
rб, Ом
* НС
tpac,
Ом
к;.~, дБ
**
Рвых,
Вт
**
tвыкл,
Корпус
НС
КТ863
:S0,06
:SO,l
:SO,l
_70,G5 -тlt,8
~
1*1i
-
~·un
~
40 ... 200* ( 4 В; 2 А)
::;300 (5 В)
:S0,6
40... 200* (4 В; 2 А)
:S300 (5 В)
::;О,3
:S400 (10 В)
:S400 (10 В)
:S0, 15
:S0,15
~15* 110 В; 10 А)
~15*
(10
В;
10
А)
.
6КЭ
КТ864,КТ865
КТ866
:S450**
:S450**
212
~10*
(5 В; 20 А)
:S400 (10 В)
:S0,075
1,3*
мкс
КТ867
.
j,~f
.,
.
-"~~
lli
°'
.
27,1
~
~
~
к
10... 60* (5 В; 0,6 А)
10... 100* (5 В; 0,6 А)
:Sl 00 (80 В)
:Sl 00 (80 В)
:S0,75
:S0,75
КТ868, КТ872
:S3500*
:S3500*
15,9
~).
j
~6
~6
~6
(5 В; 30 мА)
(5 В; 30 мА)
(5 В; 30 мА)
:Sl25 (15 В)
:Sl25 (15 В)
:Sl25 (15 В)
:S0,22
::; 1, 1
::; 1, 1
200 (100 В)
:S0,04
0,5* мкс
10.. .40* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
:S0,04
0,5*
12 ... 50* (5 В; 10 А)
12 ... 50* (5 В; 10 А)
12 ... 50* (5 В; 10 А)
:S500 (10 В)
:S500 (10 В)
:S500 (10 В)
· :SO,l
:SO,l
:SO,l
::" ":n;:::::::i:=::И
с-.. ~
•
:S7500*
:S7500*
:S7500*
15 ... 50* (5 В; 30 А)
5
~·.
~ ~: ~
"к
з
КТ874
мкс
::;3000*
:S3000*
:S3000*
КТ878
,~f
·~~~~.
27,1
~
-
1
к
Раздел
182
'
Рк max,
Тип
Струк-
приб.ора
тура
* т max,
Рк,
**
Рк, и max,
п:р-п
КТ879Б
п-р-п
КТ885А
П•р-Л
КТ885Б
п-р-п
Uкво max,
* max,
UкэR
** max,
Uкэо
. fmax,
***
МГц
в
Вт
~10
Вт
~10
200
200
150* Вт
150* Вт
~15
мВт
КТ879А
fгр, fh2lб,
fi;2'1э,
250*
250*
~15
2. Биполярные транзисторы
400* (О,Оlк)
500* (О,Оlк)
Iк max,
Uэво max,
* и max,
lк,
в
.
мА
Iкво,
IКэR,
1КЭ0,
мкА
6
6
50 А; (75*) А
50 А; (75*) А
SЗ мА (200 В)
S3 мА (200 В)
5
5
40 (60*) А
40 (60*) А
Sl мА (500 В)
S1 ~А (500 В)
.,
КТ886А-1
'
75*
75*
п-р-п
КТ886Б-1
п-р-п
КТ887А
р-п-р
КТ887Б
р-п-р
3
3
Вт;
Вт;
Вт
~10,5
Вт
~10,5
75*
75*
Вт
~15
Вт
~15
1400*{0,Оlк)
1000*(0,Оlк)
7
7
10 А; (15*) А
10 А; (15*) А
SO,l мА (1000 В)
S0,5 мА (1000 В)
700
600
5
5
2 А; (5*) А
2 А; (5*) А
S0,25 мА (700 В)
S0,25 мА ~600 В)
7
7
100 (200*)
100 (200*)
SIO (900 В)
SlO (600 В)
-
КТ888А
р-п-р
КТ888Б
p-n-p
КТ890А
n-p-n
КТ890Б
п-р-п
КТ890В
п-р-п
КТ892А
п-р-п
КТ892Б
п-р-п
КТ892В
п-р-п
0,8
0,8
Вт;
Вт;
120*
120*
120*
100*
100*
100*
7*
7*
Вт
вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
~15
Вт
~15
900
600
40
40
40
650
500
350
5
5
5
8
8
8
350* (О,Оlк)
400* (О,Оlк)
300* (0,01 к)
5
5
5
20
20
20
А
А
А
15 (30*) А
15(30*)А
15 (30*) А
'
·t~
0,5** мА (350 В)
0,25** мА (350 В)
0,25** мА (350 В)
s3 мА (350 В)
S3 мА (400 В)
S3 мА (300 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
*
С12э,
183
Скэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, пс
* нас,
Свэ
rб, Ом
* НС
tpac,
** Вт
Рвых,
** НС
tвыкл,
Ом
пФ
к;.~, дБ
~20*
~15*
(4 В; 20 А)
(4 В; 20 А)
$800 (10 В)
S800 (10 В)
S0,06
SO,l
1,2*
1,2*
~12*
~12*
(5 В; 20 А)
(5 В; 20 А)
S200 (100 В)
S200 (100 В)
S0,08
S0,08
S2000*
S2000*
6".25* (5 В; 4 А)
6."25* (5 В; 4 А)
Sl35 (10 В)
Sl35 (10 В)
S0,25
S0,25
2,5*
2,5*
Корпус
/
мкс
КТ879
мкс
КТ885
мкс
КТ886-1
мкс
15,9
,--~;:-t
5
j
/~~
::" r-..;:r11=t=I
(',с
20".120* (9 В; 1 А)
,;оо."120* (9 В; 1 А)
,,
1
30".120* (30 В; 30 мА)
30".120* (30 В; 30 мА)
350 (10 В)
350 (10 В)
Sl,5
Sl,5
S5*
s5*
S50
:SSO
S3*
S3*
t::!
1
мкс
КТ887
мкс
мкс
КТ888
мкс
{49,11 -
-
~. r' кфз
~.µ=:и;;111~JI~,
С'&
~200* (5 В; 5 А)
~00*
~00*
(5 В; 5 А)
(5 В; 5 А)
1
'1111
б
КТ890
·so.23
S0,22
S0,2
15,9
5
l
~300* (10 В; 5 А)
~300* (10 В; 5 А)
~300* ( 10 В; 5 А)
/
S0,225
S0,225
S0,225
tcnS4 ~кс
tcnS4 МКС
tcnS4 МКС
КТ892
Разоел 2. Биполярные транзисторы
184
fгр 1 fh2lб,
fh'21э,
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
* т max1
Рк,
**
Рк, и max1
мВт
КТ89ЗА
120*
п-р-п
Uкво max,
f max,
***
* max,
UкэR
** max,
Uкэо
МГц
в
-
Вт
Uэво max,
в
,
800* (0,Оlк)
5
90* (lк)
60* (lк)
5
5
Iкво,
lк max,
IКэR,
IКЭо,
* и max1
lк,
мА
6
А;
8*
мкА
А
~1 * мА
(800 В)
,
'
КТ896А
р-п-р
КТ896Б
р-п·р
,
2 Вт; 125* Вт
2 Вт; 125* Вт
~4
~4
-
20 А (30* А)
20 А (30* А)
,
•
КТ897А
п-р-п
КТ897Б-
п-р-п
3
3
Вт;
Вт;
150*
150*
Вт
Вт
~10
~10
350
200
5
5
~250
~250
20 А (30* А)
20 А (30* А)
(350 В)
(200 В)
'
~
"
КТ898А
п-р-п
КТ898Б
п-р-п
1,5
1,5
Вт;
Вт;
125*
125*
350
200
5
5
20 А_(30* А)
20 А (30* А)
-
350
200
5
5
20 А (30* А)
20 А (30* А)
-
~10
~8
160
5
8А(15*А)
Вт
~10
Вт
~10
-
КТ898А-1
п-р-п
КТ898Б-1
п-р-п
КТ899А
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
1,5 Вт; 60* Вт
40*
Вт
~10
-
~1 (160В)
1
КТ902А
п-р-п
30* Вт (50°С)
~35
65 (110 имп.)
5
5А
~10 мА (70 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Кw,дБ
Ск,
Скэ нас, Ом
"'
С12э,
Свэ нас, Ом
rб, Ом
"' НС
tpac,
к;.~, дБ
р вых,
"'"' Вт
tвыкл, НС
пФ
10 ... 20*
750 ... 18000* (10 В; 5 А)
750 ... 18000* (10 В; 5 А)
185
~700 (10 В)
~700 (10 В)
"'
"'
'tк, ПС
Корпус
"'"'
~.6
'~2* мкс
КТ893
~.4
~4500**
КТ896
~О.4
~4500**
_15,9
l
1
~400*
~400*
(5
(5
В;
В;
5
5
~400*
(5
(5
В;
В;
5 А)
5 А)
~400*
А)
А)
~О.23
КТ897
~.23
~О.23
КТ898
~О.23
~400* (5 В; 5 А)
~400* (5 В; 5 А)
15,9
(5
В;
5
А)
КТ898-1
~.23
с изолированными выводами
~.26
(10
В;
2
А)
. ~00 (10 В)
~1; ~7**
5
КТ899
15,9
~15*
5
~О.23
15,9
~1000*
5
~О**
(10
МГц)
КТ902
5
Раздел
186
Рк max,
Тип
Ст рук-
прибора
тура
КТ902АМ
П·р-П
frp, fh2lб,
2.
Uкво max,
Биполярные транзиGmоры
Iкво,
Iк max,
* т max,
Рк.
**
Рк. и max,
ti;21э,
* max1
UкэR
Uэво max,
f max,
***
** max,
Uкэо
в
IКэR,
мВт
МГц
в
30* Вт (50°С)
~35
65 (110 имп.)
5
5А
30* Вт (60**)
30* Вт (60**)
~120
60 (80 имп.)
60 (80 имп.)
4
4
3 (5*) А
3 (5*) А
~10* мА (70 В)
~10* мА (70 В)
5* Вт (40°С)
5* Вт (40°С)
~350
60* (О,lк)
60* (О,lк)
4
4
0,8 (1,5*) А
0,8 (1,5*) А
~1.5* мА (60 В)
~1.5* мА (60 В)
4
4
1 (3*) А
1 (3*) А
~·мА (60В)
~·мА (60 В)
* и max1
Iк.
1**
кэо,
мА
мкА
~10 мА
(70 В)
\
КТ903А
п-р-п
КТ903Б
П·р·П
КТ904А
п-р-п
КТ904Б
п-р-п
~120
~300
'
КТ907А
п-р-п
КТ907Б
п-р-п
13,5*
13,5*
Вт
~350
Вт
~300
60* (О,lк)
60* (О,lк)
КТ908А
П·р·П
КТ908Б
п-р-п
КТ909А
п-р-п
КТ909Б'
п-р-п
КТ9098
П·р·П
КТ909Г
п-р-п
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
~30
27* Вт
54* Вт
27* Вт
54* Вт
~350
~30
~500
~300
~450
100* (0,01 к)
60* (О,25к)
60*
60*
60*
60*
(0,Оlк)
(О,01 к)
(О,Оlк)
(О,Оlк)
5
5
3,5
3,5
3,5
3,5
10
10
2
4
2
4
~25* мА (100 В)
~50* мА,.(60 В)
А
А
(4*)
(8*)
(4*)
(8*)
А
А
А
А
30*
60*
30*
60*
мА
мА
мА
мА
(60
(60
(60
(60
В)
В)
В)
В)
1
КТ9101АС
п-р-п
128* Вт
~350
50
4
КТ9104А
п-р-п
Вт
~00
КТ9104Б
п-р-п
10**
23**
Вт
~600
50
50
4
4
7А
1,5
А
5А
~о мА
(50 В)
~10 мА
~о мА
(50 В)
(50 В)
Параметры биполярн"1х кремниевых транзисторов
~15*
(10 В; 2 А)
187
Ск,
Скэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
* нас, Ом
Свэ
rб, Ом
* 1 НС
tpac
пФ
к;.~, дБ
s3oo (10 в)
Sl;~7**
**
Рвых,
~20* *
Вт
** 1
tвыкл
Корпус
НС
(l О МГц)
КТ902М
. .1-1. . . .~.. . . . "~
"
j~ ~1
~.Ul 111
15 ... 70* (10 В; 2 А)
40 ... ·180* (10 В; 2 А)
S180 (ЗО·В)
Sl80 (30-В)
::;;1,15; ~3**
Sl,25;.~3**
~10**
~10**
(50 МГц)
(50 МГц)
э 6
КТ903
1123,5_
е!~t=1~Ь:ЛД~
((({[~
(j~~
--
~10*
~l О*
(5 В; 0,25 А)
(5 в; 0,25 А)
Sl2 (28 В)
Sl2 (28 В)
S5; ~2.5**
S5; ~2**
~3**
~2.5**
(400 МГц)
(400 МГц)
КТ904, КТ907
,
~10*
~10*
,
(5 В; 0,4 А)
(5 В; 0,4 А)
S20 (30 В)
$20 (30 В)
S4; ~**
S4; ~1.5**
8... 60* (2 В; 1О А)
~20* (4 В; 4 А)
S700 (10 В)
S700 (10 В)
$0,15
S0,25
S30
S60
S35
S60
(28 В)
(28 В)
(28 В)
(28 В)
Sl50 (28 В)
-
S0,3; ~1.7**
S0,18; ~1,75**
$0,3; ~1.2**
S0,18; ~1,5**
~5.5**
~8**
~6**
11
;: w
(400 МГц)
(400 МГц)
,
КТ9101
S45
с-..
te:)
~
5,8
-
-
$20 (28 В)
S40 (28 В)
~8**
~7**
~5** (0,7 ГГц)
~20** (0,7 ГГц)
6
КТ909
~[]
-
~rmт
КТ908
20** (500 МГц)
40** (500 МГц)
15** (500 МГц)
~30** (500 МГц)
(0,7 ГГц)
'1
~
~L)iпr
$2600*
$2600*
~100**
М5
к
к
'
~5
1 ....
-t
18,2
з
.. з
КТ9104
$20
S20
б
~[j
s.в_
~
к~з
~--+-=
~
- 24
-
Раздел
188
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
frp, fh2lб,
2. Биполярные транзисторы
UкБО max,
* т max,
Рк,
**
Рк. и max,·
fhZ!э,
***
fmax,
* max,
UкэR
**
Uкэо max,
мВт
МГц
в
lкю,
lк max,
UэБО max,
IКэR,
IКЭо,
* и max,
lк,
в
мА
мкА
-
КТ9105АС
п-р-п
133* Вт
~660
50* (0,01 к)
4
16 А
::;;120* мА (50 В)
КТ9109А
п-р-п
1120** Вт
~360
65
4
29* А
::;;60 мА (65 В)
v
п-р-п
200** Вт
~200
120
4
10 А
::;;100 мА (100 В)
КТ9116А
п-р-п
55* (0,Оlк)
55* (О,Оlк)
4
4
4А
п-р-п
46* Вт
76,7* Вт
~240
КТ9116Б
10 А
::;;30 мА (55 В)
::;;100 мАi (55 В)
КТ911А
п-р-п
З* Вт
~750
КТ9НБ
п-р-п
п-р-п
КТ9НГ
п-р-п
3* Вт
3* Вт
3* Вт
~600
КТ9НВ
55
55
40
40
3
3
3
3
0,4
0,4
0,4
0,4
КТ912А
п-р-п
КТ912Б
п-р-п
70* (0,Оlк)
70* (0,Оlк)
5
5
20 А
20 А
::;;50* мА (70 В)
::;;50* мА (70 В)
КТ913А
п-р-п
КТ913Б
п-р-п
КТ913В
п-р-п
55
55
55
3,5
3,5
3,5
0,5 (1 *)А
1 (2*) А
1 (2*) А
::;;25* мА (55 В)
::;;50* мА (55 В)
::;;50* мА ( 55 В).
КТ9111А
~230
\
30* Вт (85°С)
30* Вт (85°С)
4,7* Вт (55°С)
8* Вт (70°С)
12* Вт
~750
~600
~90
~90
~900
~900
~900
-
А
А
А
А
::;;5
::;;5
::;;5
::;;5
мА
мА
мА
мА
(55
(55
(40
(40
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов.
Ск,
Сi2э,
пФ
~160*
(5 В; 0,1 А)
~240
189
Скэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
(28 В)
~5**
**
Рвых,
~100**
Вт
(0,5
ГГц)
**
tвыкл,
Корпус
НС
~12
КТ9105
.<Р.
~IJ-
~K-n
1
...
(50 В)
~3.5**
(820 МГц)
~500**
(820 МГц)
ь 5
~=-(tc):::!:::13
""-+--+-
23, 2
8,5
~140
W..Y
с...
КТ9109
5,8
~10*
(10 В; 5 А)
~150
(50 В)
2::10**
~150**
- 24
(80 МГц)
КТ9111
~~
'&
lr
,
(5 В; 0,5 А)
(5 В; 0,5 А)
~55 (28 В)
~155
(28
В)
~25**
~10**
~5** (225 МГц)
~15** (225 МГц)
~ ~з
~··С!\:) 6
~··
12,5
~25
КТ9116
~30
.::t
[] 1
- 8,J
10 ... 50* (10 В; 5 А)
20".100* (10 В; 5 А)
~10*
(10
В;
0,5
А)
~10* (10.В; 0,5 А)
~10*
( 10 В; 0,5 А)
~200
~200
(28 В)
(28 В)
(28 В)
(28 В)
(27
(27
В)
В)
~6 (28 В)
~12 (28 В)
~14 (28 В)
~5; ~2.5**
~5; ~2.6**
~5; ~2.2**
~5; ~2.2**
~1**(1,8ГГц)
~1 **.(l ГГц)
~25
~.8** (l ,8 ГГц)
~.8** (1 ГГц)
~100
~О.12; ~10**
~70**
~О.12
~70**
~l.l; ~2**
~l.l; ~2**
~l.l; ~2**
(30
(30
~25
КТ911
·~50
МГц)
КТ912
МГц)
~3**
~18
~5**
(1 ГГц)
(1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
~15
~15
з
J5,8
;::' [~н .
~10
~10
~10
~10
к
1.(-)
•
'
В.J
~20*
~20*
_з
г 6
КТ913
Раздел
190
1
Рк max1
Тип
Струк-
прибора
тура
* т max,
Рк,
**
Рк, и max,
50*
р-п-р
Вт
UкБО max,
* max,
UкэR
**
Uкэо max,
***
fmax,
Мfц
мВт
КТ9120А
fгр 1 fh2lб 1
fh'2'1э,
2. Биполярные транзисторы
UэБО max,
в
в
1
~50
45* (О,lк)
5
lк max,
* и max,
Iк,
мА
IКБО,
IКэR,
IКЭо,
мкА
12 (30*) А
:SO,l мА (45 В)
-
КТ9121А
п-р-п
92** Вт
-
42
3
9,2*
А
:Sl5 мА (42 В)
КТ9121Б
n-p-n
46**
Вт
-
42
3
4,6* А
:S7,5 мА (42 В)
КТ9121В
п-р-п
11,5** Вт
-
42
3
1,15* А
:S2,5 мА (42 В)
KT9121f
п-р-п
130**
Вт
-
42
3
13* А
:S22 мА (42 В)
~660
55* (10 Ом)
4
4А
:S60* мА (55 В)
~100
100* (0,Оlк)
4
30 А
:S200* мА (100 В)
-
65
3
38* А
:S60* мА (65 В)
-
65
3
19* А
:S30* мА (65 В)
~200
50* (10 Ом)
4
18
А
:SlOO* мА (50 В)
~200
250
6
150
:Sl мкА (250 В)
-
КТ9125АС
60* Вт (40°С)
п-р-п
'
..
,
КТ9126А
п-р-п
330* Вт (50°С)
.
Вт
КТ9127А
п-р-п
КТ9127Б
п-р-п
524** Вт
КТ9128АС
п-р-п
180* Вт (50°С)
КТ9130А
п-р-п
1151 **
10*
Вт
параметры биполярных кремниевых транзисторов
~40* (1 В;
4 А)
:S1900 (10
В)
191
:S0,75
КТ9120
:S500*
11,8
т
14')
~
~
,..
а
ЗК6
~6.4**
~35**
(2,3 ... 2, 7
~6.4**
КТ9121
ГГц)
~17**
(2,3 ... 2,7
ГГц)
~
~4**
~6.4**
(2,3".2,7 ГГц)
~12,5**
~50**
(2,3".2,7 ГГц)
:Sl 10* (5
В;
0,5
А)
:S70 (28 В)
~6**
(500 МГц)
~50**
(500
МГц)
КТ9125
:S20
8,5
~10*
(10
В;
5
А)
:S500 (50
В)
~13**;
:S0,05
~500**
( 1,5
МГц)
КТ9126
......
"А
&,
1
~ :::S~aк
'1
.....
,
8.J 12,5
~5.6**
~550**
(1,025".1, 15
~6.2**
КТ9127
ГГц)
~250**
(1,025".1,15 ГГц)
4,6
:SlOO* (5
В;
0,5
А)
10 .. .45 (9
В;
20
мА)
:S430 (28 В)
:S6 (10
В)
7** ( 175 МГц)
~200**
(175
МГц)
:S30
КТ9128
КТ9130
:S50
/
з
'JS,8
Раздел
192
Ркmа.х,
Струк-
Тип
прибора
1
тура
*
Рк, т max,
**
Рк, и max,
мВт
*
fгр 1 fh21б1
**
fh21э,
***
fmax
1
Uкоо
2. Биполярные транзисторы
ma.x,
*
UкэR max,
**
Uкэо max,
Uэоо
в
МГц
в
~225
55* (О,Оlк)
4
max,
Iк
max 1
*
Iк. и max 1
мА
IКэR,
1**
кэо,
мкА
~00* мА
(55 В)
КТ9133А
п-р-п
130*
КТ9134А
п-р-п
2600**
Вт
~600
50
3
78* А
~120 мА (50 В)
КТ9134Б
п-р-п
2100**
Вт
~600
50
3
71 *А
~120 мА (50 В)
КТ9136АС
п-р-п
700**
~300
60
4
30* А
~140 мА (60 В)
КТ914А
р-п-р
7*
Вт
~300
65
4
0,8 (1,5* А)
2* мА (65 В)
КТ9141А
п-р-п
3*
Вт
~1 ГГц
120
3
300
~100 (120 В)
120
3
400
~.1 (120 В)
55
3
15
Вт
16
А
Iкоо,
\
'
Вт
"
КТ9141А-1
n-p-n
5*
КТ9142А
п-р-п
72*
Вт
Вт
~1 ГГц
-
А
~100 мА
(55 В)
193
/1ераметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
*
С12э,
пФ
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
** 1 Вт
Рвы.х
:Sl60 (28 В)
~7.5**
~30**
(1,4 ... 1,6
(1,4 ... 1,6
(500
Корпус
НС
:SЗО
КТ9133
:S20
КТ9136
ГГц)
~800**
~6**
~7**
МГц)
(225
**
tвыкл,
~1000**
~6**
:S260 (45 В)
'tк, ПС
* 1 НС
tpac
МГц)
~500**
ГГц)
(500
МГц)
-т-----..6
~· к)f _з
~[~
~ , к ""hk-- э
ф
5,8
10... 60* (5
В;
0,25
А)
:Sl2 (28
В)
:Sl 2
~2.5**
(400
МГц)
18,2
КТ914
:S20
М5
,
:
LJ
~в
~,L_)ru1
15 .. .45* (5 В; 50 мА)
:S2,5 (10 В)
6.
КТ9141
(C)j
!
ec:i".J-l:~~K
~
IJIJll
ф
.'
Э
111111
15 .. .45* (5 В; 50 мА)
~10
(5
В;
0,5
А)
:S2,5 (10
В)
:S70 (28
В)
/j
КТ9141-1
~6**
50** (860 МГц)
КТ9142
5,8
18,2
Раздел
194
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ9143А
КТ9143Б
КТ91438
КТ9144А-5
КТ9145А-5
Рк max,
*
fгр1 fh2lб,
* т ma.x,
Рк,
fh21з,
**
** н max1
Рк,
1***
ma.x,
мВт
МГц
в
75
75
75
p-n-p
p-n-p
p-n-p
3*
3*
3*
Вт
~1500
Вт
~1500
Вт
~1000
p-n-p
n-p-n
5*
5*
Вт
~30
Вт
~50
Uкво ma.x,
* ma.x,
UкэR
u··
КЭО
UэБО ma.x,
в
max1
500
500
2.
-
Биполярные транзисm()ры
Iк ma.x 1
* н ma.x,
Iк,
мА
Iкво,
IКэR, ·
1**
кэо,
мкА
3
3
3
100 (300*)
100 (300*)
100 (300*)
~1 *мА (50 В)
~1 *мА (50 В)
~l *мА (50 В)
5
5
50 (100*)
50 (100*)
::;1 (500 В)
Sl (500 В)
50 (100*)
50 (100*)
::;1 (500 В)
~1 (500 В)
КТ9144А-9
КТ9145А-9
p-n-p
n-p-n
0,3
0,3
Вт;
l *Вт
1* Вт
Вт;
~30
~50
500
500
5
5
3
19*
А
~о мА (50 В)
3
3
13* А
3,3* А
~33 мА (50 В)
~мА (50 В)
4
БА
~5* мА (40 В)
-
n-p-n
380**
Вт
-
50
КТ91468
n-p-n
n-p-n
260** Вт
65** Вт
-
50
50
КТ9150А
n-p-n
-
40* (10 Ом)
КТ9146А
'
КТ9146Б
50*
Вт
--
-
-
.
КТ9151А
n-p-n
280*
Вт
КТ9152А
n-p-n
246*
Вт
~230
-
55
3
33
А
55
3
24
А
::;150* мА (55 В)
~00 мА
(55 В)
Гlараметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
~20* (5 В; 50 мА)
20 ... 60* (5 В; 50 мА)
~20* (5 В; 50 мА)
Ск,
rкэ нас, Ом
Сi2э,
rБэ нас, Ом
пФ
•• д Б
Ку,р,
s3 (10
s3 (10
s4 (10
В)
В)
В)
..
195
Кш, дБ
'tк, ПС
rб, Ом
* 1 НС
tpac
Рвых 1 Вт
tвыкл 1 НС
••
-
-
Корпус
••
-
КТ9143
-~9/1
-
Се)
r
~· 11111
~~u 111
Ч)"
,
-
~О*
(10 В; 10 мА)
20 ... 150 (10 В; 10 мА)
-
SlOO
slOO
-
-
кфэ
КТ9144-5, КТ9145-5
. 0,3
0,5
-
20 ... 150 (10
20 .. .150 (10
В;
В;
10
10
мА)
мА)
~шт
КТ9144-9, КТ9145-9
S60
slOO
'"
4.Б
1Б
~~i~- ~ ~·
1~ 5
q.
~48
~200**
~6**
(1,55
0,11
~
o.ss
~5-
1,5.
3
ГГц)
КТ9146А
Б1
i :- э
1
i
-- "
-
э
Бi.1
- fJ -
- Н.5 ~6**
~130* *
~7**
~35**
(1,55 ГГц)
(1,55 ГГц)
КТ9146 (Б, В)
-.----,
Г 1- Б
~ КДJ -~'
L
-+-........- ,' '- JI\,,. r!
Ч-' э
j'
211,5 -
4,6_
~10*
(5
В;
0,5
А)
s42 (25
В)
~8,5**
(860
МГц)
ф8**
(860
МГц)
КТ9150
~
N
К
~
К~
u
-
-
-
~
~10*
(5
В;
0,5
А)
S350 (28
В)
~7**
(230
МГц)
~00**
(230
МГц)
~10*
(5
В;
0,5
А)
~100
В)
~6**
(860
МГц)
~100**
(860
МГц)
(28
-
Б
~
ln_ э
197
КТ9151, КТ9152
Б
Раздел
196
2.
Биполярные транзисторы
\
Uкво max,
Рк, и max,
fгр 1 fh21б,
fh2Iэ 1
**"'
fmax,
мВт
МГц
в
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max,
Рк.
••
• max,
UкэR
••
Uкэо max,
UэБО max,
в
Iкво,
Iк max,
IJ<эR,
1**
.
кэо,
* и max 1
Iк.
мА
мкА
-
50* (10 Ом)
4
10 А
~60* мА
43* Вт
100* Вт
-
50
50
3
3
4А
15
А
~25* мА (50 В)
~25* мА (50 В)
Вт
-
50
3
24
А
~25* мА (50 В)
КТ9153БС
п-р-п
94*
КТ9155А
п-р-л
КТ9155Б
п-р-п
КТ91558
п-р-п
181 *
Вт
(50 В)
'
КТ9156БС
-
94*
п-р-п
-
Вт
50* (10 Ом)
3
~100
30
5
5 (10*) А
~60
140* (10 Ом)
140* (10 Ом)
140* (10 Ом)
4
4
4
30 А
30 А
30 А
60
4
25 А
10
~60* мА
А
(50 В)
~
.
КТ9157А
п-р-п
1,2
Вт;
10*
Вт
465* Вт (50°С)
465* Вт (50°С)
465* Вт (50°С)
КТ9160А
п-р-п
КТ9160Б
п-р-п
КТ91608
п-р-п
КТ9161АС
п-р-п
КТ9164А
п-р-п
-
КТ9166А
п-р-п
60*
700*
Вт
~60
~60
-
Вт
-
.45
-
-
-
15
~10
(30 В)
~200* мА (140 В)
~200* мА (140 В)
~200* мА (140 В)
~280 мА
(60 В)
-
А
КТ916А
п-р-п
КТ916Б
п-р-п
30*
30*
Вт
~1100
Вт
~900
55* (0,01 к)
55
3,5
3,5
2 (4*) А
2 (4*) А
~25* мА
~40* мА
(55 В)
(55 В)
-;,,,
, _· f1№аметры
биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
*
С12э,
пФ
~10*
(5
В;
0,5
А)
Sбб
(28
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
* Ом
tб,
** 1 Вт
Рвых
* 1 ·ИС
tрас
В)
(5
(5
В;
~35
А)
~35
(28
(28
В)
В;
0,5
0,5
А)
~10*
~10*
(5
В;
0,5
А)
~5
(28
В)
~10*
(5
В;
0,5
А)
~66
(28
В)
В)
~6.5** (860 МГц)
~6** (860 МГц)
~5**
МГц)
(860
~6**
(1
Корпус
** 1 НС
tвыкл
~50**
~7**
(615 ... 840
~10*
197
ГГц)
~15**
~50**
(1
·~-]-~_
-t_ ·с
~
~
з
'к~ 6
·= 1 ....
к - _!_ .... 6
'
ф
5,8
МГц)
(860
~50**
_________
МГц)
МГц)
(860
(860
~100**
КТ9153, КТ9155
МГц)
18,2
КТ91558
ГГц)
КТ9156
-.----....-.3
к~ 6
~
'
1
1-
~ K-_L .... 6
'
ф
18,2
140."450* (1
В;
0,5
10... 30* (10
20 ... 50* (1 О
40 ... 90* ( 10
В;
В;
В;
30
30
30
А)
А)
А)
А)
~150
~700
~700
~700
(5
В)
(60
(60
(60
В)
В)
В)
~О.25
~15**
~15**
~15**
(1,5
(1,5
(1,5
КТ9157
МГц)
МГц)
МГц)
~700**
(1,5
(1,5
(1,5
~700**
~700**
МГц)
КТ9160
МГц)
к
МГц)
э о
о э
...
.....
~О*
(5
В;
0,5
~7**
А)
~6**
(500
(1090
МГц)
МГц)
~500**
~300**
(500
(1090
МГц)
..
о
МГц)
КТ9161, КТ9164
~50*
(1
В;
4·
А)
о
~О.Об
-
см. КТ9156
КТ9166
_70,G5-rl/,8
~~
-
i
~~"
6КЭ
35* (5
35* (5
В;
В;
0,25
0,25
А)
А)
~20
~20
(30
(30
В)
В)
~.8; ~2.25**
~20**
~.8; ~1.85**
~16**
(1
(1
ГГц)
SlO
ГГц)
~10
КТ916
~ ин1'"•~~::t'~~·к
'
1
~g
12,1_
з
2. ,5
Раздел
198
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ9173А
Рк maxr
* т maxr
Рк,
**
Рк, и max,
*
fгpr fh2lбr
мВт
140*
П·р-П
Вт
2.
UкБо maxr
* max,
UкэR
UэБО max,
***
fmax,
** max,
Uкэо
в
МГц
в
fh2Iэ,
-
55* (10 Ом)
Биполярные транзисторы
IКБо,
Iк ;.ах,
' IкэR,
*
* и maxr
Iк,
IКЭо,
мА
мкА
4
14
А
:S250* мА (55 В)
3
30
А
Sl50* мА (55 В)
"
КТ9174А
400*
П·р·П
Вт
-
- 55* (10 Ом)
-
'
-
КТ9176А
р-п-р
10*
Вт
~90
40
5
3 (7*) А
:Sl (30.В)
КТ~177А
n-p·n
10*
Вт
~90
40
5
3 (7*) А
Sl (30 В)
КТ9180А
р-п-р
КТ9180Б
р-п-р
12,5*Вт
~100
~100
12,5*Вт
~100
КТ9180Г
p-n·p
p·n·p
12,5*Вт
~100
40
60
80
100
5
7
7
7
3
3
3
3
КТ9181А
П·р·П
l 2,5*Вт
~100
КТ9181Б
П·р·П
12,5*Вт
~100
КТ9181В
П·р·П
12,5*Вт
~100
КТ9181Г
П·р·П
12,5*Вт
~100
40
60
80
100
5
7
7
7
-3
3
3
3
КТ918А-2
п-р-п
30
30
2,5
2,5
55* (10 Ом)
3
45
45
45
45
3,5
_3,5
3,5
3,5
КТ9180В
-
1,5
Вт;
l 2,5*Вт
Вт
~800
Вт
~1000
КТ918Б-2
П·р·П
2,5*
2,5*
КТ9182А
П·р·П
300* Вт
КТ919А
КТ919Б
n·p·n
n·p·n
КТ919В
П·р-П
КТ919Г
п-р-п
10* Вт
5* Вт
3,25* Вт
10* Вт
/
-
~1350
~1350
~1350
~1350
.
А
А
А
А
(7*
(7*
(7*
(7*
А)
А)
А)
А)
А (7* А)
А (7* А)
А (7* А)
А (7* А)
250
250
24
А
0,7 (l,5*) А
0,35 (0,7*) А
0,2 (0,4~) А
0,7 (l,5*) А
-
51 (30 В)
Sl (60 В)
Sl (80 В)
Sl (100 В)
:Sl (30 В)
Sl (60 В)
:Sl (80 В)
:Sl (100 В)
:S2 мА (30 В)
:S2 мА (30 В)
S200 мА (55 В)
:SlO мА (45 В)
:S5 мА (45 В)
:S2 мА (45 В)
510 мА (45 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
~20*
(5
В;
0,5
А)
199
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2з,
пФ
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
* Ом
tб,
* 1 НС
tpac
** 1 Вт
Рвых
** 1 НС
tвыкл
;5;230 (28
В)
~10**
МГц)
(230
~50* *
(225
Корпус
МГц)
КТ9173
' -
_с>
__ з
~K·n
~к~~
1
"
60.. .400* (2 В; 1 А)
60 .. .400* (2
В;
45 (10 В)
(230
МГц)
~300**
(230
МГц)
КТ9174
КТ9176, КТ9177
;5;0,25
1 А)'
i~~
11' /1
S0,25
Q)
1
~ U1 111
60".400* (2 В; 1 А)
50".250* (1 В; О, 15 А)
50. "250* (1 В; О, 15 А)
50".250* ( 1 В; О, 15 А)
3
23,2
8,5
~4**
(~
г 6
L ti
3
6
КТ9180, КТ9181
s0,25
~.4
~.4
~
;5;0,4
60".400* (2 В; 1 А)
50".250* (1 В; О, 15 А)
50".250* (1 В; О, 15 А)
50".250* (1 В; 0,15 А)
:::.
-
S0,25
-Е~
•
i·BI
11' /1
~ UI 111
~.4
S0,4
~
Q)
С\е"
~.4
S4,2 (15
;5;4,2 (15
В)
В)
~··
~2**
~3**
;5;10 (28 В)
;5;6,5 (28 в)
s5 (28 В)
s:12 (28 В)
(860 МГц)
~.25** (3 ГГц)
~.5** (3 ГГц)
~150**
(860 МГц)
~3.5** (2 ГГц)
~1.6** (2 ГГц)
~.8** (2 ГГц)
~3** (2 ГГц)
.
S2,2
S2,2
S2,2
S2,2
КТ9182
КТ919
з
6
Раздел
200
Ркmа.х,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ920А
п-р-п
КТ920Б
n-p-n
КТ9208
п-р-п
КТ920Г
п-р-п
КТ921А
п-р-п
КТ921Б
п-р-п
КТ922А
п-р-п
КТ922Б
п-р-п
КТ9228
п-р-п
КТ922Г
il-p-n
КТ922Д
п-р-п
КТ925А
п-р-п
КТ925Б
п-р-п
·КТ9258
п-р-п
КТ925Г
п-р-п
КТ926А
п-р-п
КТ926Б
п-р-п
fгр1 fh21б1
f h21э,
••
Uкоо
••• 1
fma.x
ma.x,
max,
•• max,
Uкэо
мВт
МГц
в
5* Вт (50°С)
10* Вт (50°С)
25* Вт (50°С)
25* вт (50°С)
~400
36
36
36
36
12,5* Вт (75°С)
12,5* Вт (75°С)
~90
8* Вт (40°С)
20* Вт ( 40°С)
40* Вт ( 40°С)
20* Вт (40°С)
40* Вт ( 40°С)
~300
~300
• т
Рк.
•• и
Рк.
5,5*
11 *
25*
25*
Вт
Вт
Вт
Вт
ma.x,
max,
•
UкэR
~400
~400
~350
~90
~300
~300
~250
~500
(40°С)
(40'С)
( 40°С)
~450
~500
~450
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
~51
83,3* Вт (75°С)
83,3* Вт (75°С)
83,3* Вт (75°С)
~105
~51
~
Uэоо
ma.x,
в
4
4
4
4
Биполярные транзисторы
Iк
max 1
•
Iк, и max,
мА
0,25 (1 *) А
1 (2*) А
3 (7*) А
3 (7*) А -
Iкоо,
IКэR,
IКЭо,
мкА
S2* мА (36 В)
~4* мА (36 В)
~7 ,5* мА (36 В)
~7.5* (36 В)
3,5 А
3,5 А
SlO* мА (70 В)
~10* мА (70 В)
(1,5*) А
(4,5*) А
(9*) А
(4,5*) А
(9*) А
~5* мА (65 В)
~20* мА (65 В)
65* (О, 1к)
65* (О, 1к)
4
4
65*
65*
65*
65*.
65*
(О, 1к)
(0,1 к)
(О, 1к)
(О, 1к)
(О, 1к)
4
4
4
4
4
36*
36*
36*
36*
(О, 1к)
(О, 1к)
(О, 1к)
(О, 1к)
4
4·
3,5
3,5
0,5 (1 *) А
1 (3*) А
3,3 (8,5*) А
3,3 (8,5*) А
150* (О,Оlк)
150* (О,Оlк)
5
5
15 (25*) А
15 (25*) А
~25* мА
~25*_мА
70* (Ок)
70* (Ок)
70* (Ок)
3,5
3,5
3,5
10 (30*) А
10 (30*) А
10 (30*) А
~О* мА (70 В)
~40* мА (70 В)
~40* мА (70 В)
60
60
75
5
5
5
О,8(1,2*)А
0,8 (1,2*) А
0,8 (1,2*) А
:::;;5 (60 В)
~5 (60 В)
~1 (60 В)
30* (О, 1к)
3
0,8 (1,5*) А
~5* мА (30 В)
1
( 40°С)
2.
0,8
1,5
3
1,5
3
~40* мА (65 В)
~20* мА (65 В)
~40* мА (65 В)
~7 мА (36 В)
~12 мА (36 В)
~30 мА (36 В)
~30 мА (36 В)
(150 В)
(150 В)
-
КТ927А
п-р-п
КТ927Б
п-р-п
КТ9278
п-р-п
~105
~105
-
КТ92аА
п-р-п
КТ928Б
п-р-п
КТ9288
п-р-п
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
~50
~250
~250
1
•
КТ929А
п-р-п
6* Вт (40°С)
~700
'
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
201
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к:.~, дБ
rб, Ом
fpac, НС
пФ
515
525
575
575
В)
В)
В)
В)
(lO
(lO
(10
(10
'?:.7**
'?:.4,5**
'?:.3**
'?:.3**
**
Рвых,
•
Вт
'?:.2** (l 75 МГц)
'?:.5** ( 175 МГц)
'?:.20** ( 175 МГц)
'?:.15** (l 75 МГц)
**
fвыкл,
Корпус
НС
520
520
520
520
КТ920
~ij~~,,~~-~~·~: ь~~
~2--7--;-.
- ,8 12,2
'?:.10* (lOB; l
(lO В; l
~10*
А)
А)
В)
В)
550 (20
550 (20
51,8; '?:.8**
51,8; '?:.5**
'?:.12,5** (60
'?:.12,5** (60
МГц)
МГц)
КТ921
522;5300*
522;5300*
,._
515
535
565
535
565
'?:.8* (5
В;
'?:.17* (5
0,2
В;
0,2
А)
А)
515
530
560
560
В)
В)
В)
В)
В)
(28
(28
(28
(28
(28
(12,6
(12,6
( 12,6
(12,6
В)
В)
В)
В)
10... 60* (7 В; 15 А)
10".60* (5 В; 5 А)
.
'?:.10**
'?:.5,5**
'?:.4**
'?:.5**
'?:.3,5**
'?:.5** (l 75 МГц)
'?:.20** (175 МГц)
'?:.40** (l 75 МГц)
'?:.17** (l 75 МГц)
'?:.35** (175 МГц)
520
520
525
520
525
'?:.6,3**
'?:.5**
'?:.3**
'?:.2,5**
2** (320 МГц)
5** (320..МГц)
20* * (320 МГц)
15** (320 МГц)
520
535
540
540
КТ922, КТ925
КТ926
50,17
50,25
с-.''
,._,,
ll!U
ILUIK
" 1
~.
'?:.15* (6
'?:.25* (6
'?:.40* (6
В;
В;
В;
5 А)
5 А)
5 А)
5190 (28
5190 (28
5190 (28
В)
В)
В)
50,07; '?:.13,4**
50,07; '?:.13,4**
50,07; '?:.13,4**
'?:.75* (20 МГц)
'?:.75* *,(20 МГц)
'?:.75** (20 МГц)
1 1 1 1
1
•
1
~
·з
t:::
L.ftr
'
19,5
КТ927
зr ~~~Е~
ДцоtJ
20".100* (5 В; 150 мА)
50".200* (5 В; 150 мА)
100".300* (5 В; 150 мА)
512 (10
512 (10
512 (lO
В)
В)
В)
53,3
53,3
53,3
КТ928
5250*
5250*
5250*
{J9,11
-
~
1кфз
~.J_!;$J=11=1~
1
('.&,,
'?:.25* (5
В; О. 7 А)
520 (8
В)
'?:.8**
'?:.2** (l 75
МГц)
525
1111
КТ929
5
Раздел
2()2
прибора
С тру.к·
тура
fh'2'1з,
Uкво max,
***
_fmax,
UКэR max,
u**
КЭО max,
мВт
Мfц
в
~450
~00
50* (О, lк)
50* (О,lк)
4
4
6*
6*
А
~О* мА (50 В)
SlOO* мА (50 В)
~250
60* (О,Оlк)
4
15
А
SЗО* мА (60 В)
~40
80
60
40
4,5
4,5
4,5
80
60
4,5
4,5
*
**
Рк, и max,
Рк, т max,
КТ930Б
n-p-n
n-p-n
75* Вт (40°С)
120* Вт (40°С)
КТ931А
n-p-n
150**
КТ932А
р-п-р
КТ932Б
p-n-p
p-n-p
КТ9ЗОА
КТ932В
Биполярные транзисторы
frp, fh2lб,
Рк max,
Тип
2.
Вт (40°С)
20* Вт (50°С)
20* Вт (50°С)
20* Вт (50°С)
~60
~40
Uэоо max,
в
Iкво,
Iк max,
IКэR,
1**
кэо,
*
Iк. и max,
мА
А
2А
2А
2А
мкА
:Sl,5* мА (80 В)
Sl ,5* мА (60 В)
:Sl,5* мА (40 В) -
"'
КТ9ЗЗА
р-п-р
КТ933Б
p-n-p
5*
5*
Вт (50°С)
0
Вт (5О С)
~75
~75
...
КТ934А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n·p-n
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
7,5*
15*
30*
15*
30*
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
0,5
-0,5
А
А
S0,5* мА (80 В)
S0,5* мА (60 В)
'
~500
~500
~500
~450
~450
60* (0,Оlк)
60* (О,Оlк)
60* (О,Оlк)
60* (О,Оlк)
60* (О,Оlк)
4
4
4
4
4
-0,5 А
1А
2А
S7,5* мА (60 В)
Sl5* мА (60 В)
SЗО* мА (60 В)
Sl5* мА (60 В)
SЗО* мА (60 В)
20 (30*) А
SЗО* мА (80 В)
2А
1А
.
КТ935А
n-p-n
60* Вт (50°С)
~51
80* (О,Оlк)
5
КТ936А
n-p-n
28* Вт (75°С)
-
60
3,5
3,3
А
SlO*
3,5
10
А
SЗО* мА
-
мА
(60
В)
,
.
'
КТ936Б
n-p-n
83,3* Вт (75°С)
-
60
(60 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, hz1э
40* (5 В; 0,5 А)
50* (5 В; 0,5 А)
203
Ск,
Скэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rб, Ом
* НС
fpac,
пФ
rБэ нас, Ом
к;.~. дБ
S80 (28 В)
Sl 70 (28 В)
;;::5**
;;::3,5**
**
Рвых,
Вт
~40**
(400
;;::75** (400
МГц)
МГц)
**
fвыкл,
Корпус
НС
КТ930, КТ931
8 '
11
6
~,,~[~lз
25* (5
В;
А)
0,5
S240 (28
В)
0,18;
~3.5**
~80**
(175
МГц)
~~r~~ ~.
18
К'
;;::15.* (3
;;::30* (3
;;::40* (3
В;
~15* (3
;;::30* (3
25
.......7
--+11111;-
А)
А)
А)
s300 (20 В)
S300 (20 В)
S300 (20 В)
Sl
Sl
Sl
КТ932
В;
В;
1,5
1,5
1,5
В;
В;
0,4
0,4
А)
А)
S70 (20 В)
.s70 (20 В.)
sЗ,75
КТ933
S3,75
{49/1
-
~~
!
ф
r.а"ц~~к
:. з
~
с-... /
JI 1
11111
IJ
. 5
'
50* (5 В; 0,1 А)
50* (5 В; 0,15 А)
50* (5 В; 0,25 А)
S9 (28 В)
Sl6
S32
Sl6
S32
(28 В)
(28 В)
(28 В)
(28 В)
2; ~6**
1; ;;::4**
0,5; ;;::3**
~3,3**
;;::2,4**
;;::3** (400 МГц)
;;::12** (400 МГц)
;;::25** (400 МГц)
~10** (400 МГц)
;;::20** (400 МГц)
КТ934
S20
S20
S20
S25
S25
"""-+-___._....
20 ... 100* (4
В;
15
А)
S800 (10 В)
S0,066
КТ935
S700**
11
LJti
~1. Шк
j
~
N
В;
1
1
1
1
:
1
1
t:::
1
19,5
А)
КТ936А
~· (3 В; 0,1 А)
КТ936Б
;;::6* (3
0,1
з
~2;;...;..'j_,~
- ,8 11.2
б~~
о
.
к
~
.
3
5
1J.6
Раздел
204
Струк-
Тип
КТ937А-2
тура.
n-p-n
n-p-n
КТ937Б-2
Биполярные транзисторы
frp, fh2lб,
Uкво max,
* т max,
Рк,
** н max,
Рк,
fh2Iэ,
***
fmax,
* max,
UкэR
** max,
Uкэо
мВт
Мfц
в
6500
6500
25
25
2,5
2,5
250
450
S2 мА (25 В)
S5 мА (25 В)
Вт
~2000
Вт
~1800
28
28
2,5
2,5
180
180
Sl мА (28 В)
Sl мА (28 В)
30* (О,Оlк)
30* (О,Оlк)
3,5
3,5
400
400
S2 мА (30 В)
S2 мА (30 В)
Рк max,
прибора
2.
3,6*
7,4*
Вт
Вт
Uэво max,
в
Iкво,
lк max,
* н max,
Iк,
мА
IКэR,
1**
кэо,
мкА
..
..
КТ938А-2
КТ938Б-2
КТ939А
КТ939Б
n-p-n
n-p-n
1,5*
1,5*
n-p:n
n-p-n
4*
4*
Вт
~2500
Вт
~1500
,
.
....
КТ940А
КТ940Б
КТ9408
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,2 (10*) Вт
1,2 (10*) Вт
1,2 (10~) Вт
~90
~90
~90
300* (lОк)
250* (lОк)
160* (lОк)
5
5
5
0,1 (0,3*) А
0,1 (0,3*) А
0,1 (0,3*) А
S0,05 мА (250В)
S0,05 мА (200 В)
S0,05 мА (100 В)
5
5
5
100 (300*)
100 (300*)
100 (300*)
s50 нА (250 В)
S50 нА (200 В)
s50 нА (100 В)
3,5
.
КТ940А-5
КТ940Б-5
КТ9408-5
n-p-n
n-p-n
n-p-n
10*
10*
10*
Вт
~90
Вт
~90
Вт
~90
300
250
160
n-p-n
25*
Вт
~1950
45
'
КТ9428
1,5 (3*)
А
S20 мА (45 В)
-
КТ943А
КТ943Б
КТ9438
KT943f
КТ943Д
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
25*
25*
25*
25*
25*
Вт
~30
Вт
~30
Вт
~30
Вт
~30
Вт
~30
45
60
100
100
100
2
2
2
2
2
5
5
5
5
5
1
(6*) А
(6*) А
(6*) А
(6*) А
(6*) А
S0,1 мА (45 В)
S0,1 мА (60 В)
S0,1 мА (100 В)
Sl мА (100 В)
Sl мА (100 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
rб, Ом
* НС
tpac,
•* дБ
Ку,р,
пФ
s5,5 (20
S7,5 (20
В)
В)
**
Рвых,
Вт
;:::1,6** (5
;:::3,2** (5
S4 (20 В)
S4,5 (20 В)
40 ... 200* (12 В; 0,2 А)
20" .200 (12 В; 0,2 А)
205
;:::1 ** (5
;:::1 ** (5
ГГц)
ГГц)
ГГц)
ГГц)
**
tвыкл,
Корпус
НС
0,78
0,6
КТ937-2
S2
S2
КТ938-2
S5,5 (12 В)
s6 (12 В)
КТ939
~ 'нtнsa~:t' ~~·к
'$,.' ТЧ'j.
, ...
j
'
S,9 12, 1
- -
;:::25* (10
;:::25* (10
;:::25* (10
В;
В;
В;
30
40
30
мА)
мА)
мА)
4,2 (30 В)
4,2 (30 В)
4,2 (30 В)
;:::25* (1 О В; 30 мА)
~25* (10 В; 30 мА)
;:::25* (10 В; 30 мА)
S25 (28
S33
S33
S33
КТ940
S40
S40
S40
КТ940-5
В)
;:::8** (2
ГГц)
S3
•
20,5
КТ942
19,3 -
40" .200* (2 В; О, 15 А)
40".160* (2 В; 0,15 А)
40".120* (2 В; 0,15 А)
20".60* (2 В; 0,15 А)
30".100* (2 В; 0,15 А)
S0,6
S0,6
S0,6
Sl,2
Sl,2
КТ943
з
Раздел
206
fгр, fh21б,
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
**
, fh2lэ,
f max,
***
** н max,
Рк.
n-p-n
КТ944А
* т max,
Рк.
мВт
мrц
55* Вт (90°С)
~105
2.
Uкво max,
UкэR max;
Uэво max,
** max,
Uкэо
в
в
100*
(0,Оlк)
5
_9м)
5
Биполярные транзисторы
Iкво,
Iк max,
IК:эR,
IКЭо,
* н max,
Iк.
мА
мкА
12,5 (20*) А
S80*
мА
(100
В)
s;25*
мА
(150
В)
'
КТ945А
50* Вт (50°С)
n-p-n
~51
150* (10
15 (25*)
А
~
КТ946А
n-p-n
КТ947А
n-p-n
Вт
~720
50
3,5
Вт (50°С)
~75
100* (0,Оlк)
5
37,5*
200*
2,5 (5*) А
20 (50*)
А
S50 мА (50 В)
SlOO* мА (100 В)
'
'
КТ948А
КТ948Б
n-p-n
n-p-n
КТ955А
n-p-n
40*
20*
Вт
~1950
Вт
~1950
20* Вт (1ОО С)
0
~100
70*
45
45
2
2
2,5 (5*) А
1,25 (2,5*) А
S35 мА (45 В)
S15 9 (45 В)
(0,Оlк)
4
6А
SlO мА (60 В)
.
КТ956А
КТ957А
-
Вт
( 100°С)
n-p-n
70**
n-p-n
100** Вт ооо•с)
~100
100* (О,Оlк)
~100
60*
(О,Оlк)
4
15
А
S80* мА (100 В)
4
20
А
SlOO* мА (60 В)
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов
10 ... 80* (5
В;
10
А)
S350 (28
В)
10 ... 60* (7
В;
15
А)
S200 (30
В)
s50 (lO
10 ... 80* (5
В;
20
А)
s850 (27
В)
В)
S0,25;
~10**
~100**
207
МГц)
(30
Sl,l *
so,11
~4**
~10**
КТ944
~27**
мкс
КТ945
(1 МГц)
~250**
(1,5
КТ946
МГц)
КТ947
-_"
С&')
~
lt')
с-.;
CN
S30 (28
Sl7 (28
В)
В)
~6.S**
~15**
~6.5**
~8**
(2 ГГц)
(2 ГГц)
КТ948
~
~
10 ... 80* (5 В; 1 А)
S75 (28
В)
~20**
~20**
(30
МГц)
10 ... 80* (5
В;
1 А)
S400 (28
В)
~20**
~100**
(30
МГц)
10... 80* (5
В;
5
А)
s600 (28
В)
~17**
~125**.
(30
МГц)
КТ955
КТ956, КТ957
8,J 12,5
Раздел
208
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ958А
п-р-п
fгр, fh'21б,
Uкво max,
** и max,
Рк,
fh21з,
**
***
fmax,
* max,
UкэR
** max,
Uкэо
мВт
Мfц
в
85** Вт (40°С)
~300
Рк max,
* т max,
Рк,
2.
Биполярные транзисторь1
1
Uэво max,
в
Iкво,
Iк max,
IКэR,
IКЭо,
* и max,
Iк,
мА
мкА
36* (О,Оlк)
4
10
S25* мА (36 В)
~600
36* (О,Оlк)
4
7А
~50
~50
100* (lк)
80* (lк)
60* (lк)
40* (lк)
5
5
5
5
1,5 (2*) А
l,5(2*)A
1,5 (2*) А
2 (3*) А
50
50
50
4
4
4
-
18
18
1,5
1,5
210
185
Sl
Sl
мА
-
18
18
1,5
1,5
210
185
Sl
Sl
36* (О,Оlк)
4
4А
SlO*
А
-
КТ960А
n·p-n
КТ961А
п-р-п
КТ961Б
п-р-п
КТ9618
п-р-п
КТ961Г
n-p-n
КТ962А
n-p-n
КТ962Б
п-р-п
КТ9628
n·p-n
70** Вт (40°С)
1 (12,5*)
1 (12,5*)
1 (12,5*)
1 (12,5*)
Вт
Вт
Вт
Вт
17** Вт (40°С)
27** Вт (40°С)
66** Вт (40°С)
\
~50
~50
~750
~750
~600
1,5
2,5
S20* мА (36 В)
SlO
SlO
SlO
SlO
(60 В)
(60 В)
(60 В)
(60 В)
S20 мА (50 В)
S20 мА (50 В)
SЗО мА (50 В)
А
А
4А
КТ963А-2
п-р-п
КТ963Б-2
n·p-n
КТ963А-5
п-р-п
КТ963Б-5
п-р-п
1,1 *
l, l *
Вт
l, l *
l, l *
Вт
32*
Вт
Вт
Вт
В)
мА
(18
(18
мА
мА
(18
(18
В)
В)
В)
,
КТ965А
n·p-n
~100
мА
(36
В)
(36
В)
/'
'
КТ966А
/
п-р-п
64*
Вт
~100
36* (О,Оlк)
4
8А
S23*
мА
Параметры бип~ярных кремниевых транзисторов
~10*
(8
В;
0,5
А)
В)
S180 (12
0,16;
~4**
~40**
209
МГц)
( 175
КТ958, КТ960
12
6
з
В)
Sl20 (12
О, 16; ~2.5**
40 ... 100* (2 В; О, 15 А)
63 ... 160* (2 В; О, 15 А)
100... 250* (2 В; О, 15 А)
20 ... 500* (2 В; 0,15 А)
~40**
МГц)
(400
12,5
КТ961
Sl
~1
~1
----~
Sl
*т
~
S20 (2&
S35 (28
S50 (28
В)
В)
~3,5**
~10**
~20**
В)
~3**
~40**
~4**
(1 ГГц)
(1 ГГц)
( 1 ГГц)
КТ962
Sl5
Sl4
Sl l
,
со
О)'
'&
-
~~
~ ~~ з
'\
-"
• 1
~
'
;•
6,5 11,8
-
1,5-(5
1,5 (5
В)
В)
~3**
~3**
(10
(10
ГГц)
ГГц)
~0.8**
~0.5**
(Ю
( 10
ГГц)
ГГц)
КТ963-2
1,5 (5
1,5 (5
В)
В)
~3**
~3**
(10
(10
ГГц)
ГГц)
~.8**
~0.8**
( lO
(10
ГГц)
ГГц)
КТ963-5
0,45
6
2 ,1
"'
0,08
~шт
10 ... 60* (5
В;
1 А)
slOO (12,6 В)
~13**
~20**
(30
МГц)
КТ965
В)
~16**
~40**
(30
МГц)
КТ966
s250 (12,6
Раздел
210
Тип
Струк-
прибора
тура
Рк max,
*
Рк, т max,
frp,
n·p-n
КТ969А
n·p-n
**
Рк, и max,
'
Uкво max,
**
***
fmax,
мВт
КТ967А
fh2tб,
2.
fh21з,
*
**
Uкэо max,
Мfц
в
UкэR max,
Uэво max,
в
Биполярные транзисторы
Iк max,
*
Iк. и max,
мА
100**
Вт
~180
36* (0,Оlк)
4
1 (6*)
Вт
~60
300
5
100 (200*)
~60
300
5
100 (200*)
~00
~20
50* (0,Оlк)
50* (0,Оlк)
4
4
13
17
А
5
5
5
5
4*
4*
А
5
5
5
5
4*
4*
15
А
Iкво,
IКэR,
1**
кэо,
мкА
~О* мА
(36
SQ,05 (200
В)
В)
'
КТ969А-5
n-p-n
6*
КТ970А
n-p-n
n·p·n
170**
200**
КТ971А
Вт
Вт
Вт
А
S50 нА (200 В)
100* мА (50 В)
S60* мА (50 В)
'-
КТ972А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n·p-n
8*
8*
8*
8*
KT973f
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
8*
8*
8*
8*
КТ976А
n-p-n
КТ972Б
КТ972В
KT972f
КТ973А
КТ973Б
КТ9738
75**
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~00
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~200
Вт
~200
Вт (40°С).
~750
1
60*
45*
60*
60*
60*
45*
60*
60*
(lк)
(lк)
(lк)
oi<>
(lк)
(lк)
(lк)
(lк)
50
'
4
Sl *мА
Sl * мА
Sl * мА
Sl * мА
(60
(45
(60
(60
2А
Sl * мА
Sl* мА
Sl * мА
Sl *мА
(60 В)
(45 В)
(60 В)
(60 В)
6А
S60 мА (50 В)
А
2А
2А
А
А
2А
В)
В)
В)
В)
1
·параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
'tк, ПС
rб, Ом
tpac 1 НС
к;.~, дБ
Рвых 1 Вт
tвыкл, НС
...
пФ
10... 100* (5 В; 5 А)
Кш, дБ
rвэ нас, Ом
rкэ нас, Ом
Сi2э,
h21э, h21э
S500 (12,6
В)
211
~18**
'
...
......
~90**
(30
МГц)
...
Корпус
......
-
-
КТ967
......
.......
11
'&
- 8.J
50... 250* ( l О В; 15 мА)
~1.8
(30 В)
-
~60
ю~
~'~ 6
, .
....
~
1
КТ969
~·
~
----
i ~1
1 " ~1
l,Q
"'U 11 1
~50*
(10
В;
15
мА)
-
-
~70
э
J5,8
12,5
-
к
-
~
э
6
КТ969-5
0,57
0,35
~ют
180 (28 В)
(28 В)
~330
~4**
~3**
~100** (400 МГц)
Sl50** (175 МГц)
~5
КТ970, КТ971
~40
-~[-1
D
~750* (3 В; 1 А)
~750* (3 В; 1 А)
750 ... 5000 (3 В; 1 А)
750... 5000 (3 В; l А)
~750*
~750*
(3 В; 1
(3 В; 1
750 ... 5000 (3 В;
750... 5000 (3 В;
~3.
~200*
S3
S3
~200*
~1.9
~00*
1
КТ972
~00*
А)
А)
1 А)
1 А)
~оо·
~оо·
~200*
s200*
КТ973
ж· i~
-,
~
~1i;;I'i:;:;/l;t)I ~
~ Utllil
S70 (28
В)
~··
~О**
(1 ГГц)
s25
КТ976
э 6
.,
212
Раздел
Ркmах,
Тип
Струк-
прибора
тура
...
Рк. т
......
Рк. н
f гр,
max,
max,
n-p-n
КТ979А
n-p-n
200**
Вт (85°С)
75*
fmax 1
мrц
в
~600
50
3
50
3,5
...
-
Вт
Биполярные транзисторы
Vкво
max,
UкэR max 1
......
Uкэо max,
... ...
fh2Jэ,
... ......
мВт
КТ977А
...
fh2lб,
2.
Uэво
Iк
max,
...
Iк.
в
Iкво,
max,
н max 1
IКэR,
1"'"'
кэо,
мА
··-
8*
5
А;
мкА
А
10*
А
:::;;25
мА
(50
В)
::s;J 00
мА
(50
В)
::s;lOO
::s;lOO
мА
мА
(100
(100
.
КТ980А
КТ980Б
n-p-n
n-p-n
300*
300*
Вт
~150
Вт
~150
100*
100*
(О,Оlк)
(О,Оlк)
4
4
15
15
А
А
В)
В)
.
-
КТ981А
n-p-n
КТ983А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
8,7* Вт
13* Вт
22,5* Вт
n-p-n
n-p-n
1,4*
4,7*
Вт
~720
КТ984Б
Вт
~720
КТ985АС
n-p-n
105*
Вт
КТ983Б
КТ983В
КТ984А
70*
Вт
~1200
~900
~750
-
~660
36*
(0,Оlк)
4
10
40*
40*
40*
(О,Оlк)
0,5 А
lA
(О,Оlк)
4
4
4
65
65
4
4
7* А
16* А
(О,Оlк)
4
17
50*
(О,Оlк)
А
:::;;50*
мА
В)
(36
:::;;5* мА (40 В)
:::;;8* мА (40 В)
:::;;18* мА (40 В)
2А
мА
::s;ВО мА
:::;;30
:::;;120*
А
'
.
(65
(65
мА
В)
В)
(50
В)
213
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
'tк, ПС
Сi2э~
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
**
Рвых,
Вт
**
tвыкл,
Корпус
НС
~50**
(l ,5 ГГц)
КТ977
~6**
~50**
(1,3
ГГц}
КТ979
~5** (30 МГц)
~5** (80 МГц)
~250**
(30 МГц)
~250* (80 МГц)
КТ980
~5**
~50**
КТ981
•..
~15* (10 В; 5 А)
~10 (10 В; 5 А)
10 ... 90* (5
~20*
~10*
~10*
В;
5
А)
(5 В; 0,5 А)
(5 В; 0,5 А)
(5 В; 0,5 А)
В)
S450 (50
S450 (50
В)
S400 (12,6
В)
S8 (28 В)
S12 (28 В)
S24 (28 В)
~4**
~3,6**
~3.2**
(80
МГц)
~.5** (860 МГц)
~1 ** (860 МГц)
~3.5** (860 М~ц)
-
КТ983
.
-
~~
...
1
со
О)'
-
~rw:a
~
1
1
-
'&
6 ·к
6) 11,8
S35 (30
S80 (30
В)
В)
~5**
~4**
~75** (820 МГц)
~50** (820 МГц)
2.
з
,з
КТ984
S20
S20
-(~
к
6
з
~[~ :: - ( - f
S.8-
-
S270 (28 В)
~3,5**
~125**
(0,4 ГГц)
)
-
-
2~
КТ985
S21
~IJ
-в,s
-
.,,.'
С"'8
-
о_
_з
1К.г1
г
К.У
L
,,
()
23.2
6
(j
з
Раздел
214
* max,
UкэR
Uэво max,
** и max,
Рк,
f гр, fh2lб1
fh2°lэ 1
f max,
***
** max,
Uкэо
в
мВт
МГц
в
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ986А
КТ986Б
п-р-п
КТ986Г
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ991АС
n-p-n
КТ986В
* т max,
Рк,
.
2. Биполярнь1е транзисторы
-
910** Вт
910** Вт
910** Вт
910** Вт
67*
-
Вт
~600
Uкво max,
Iк max,
* и max,
Iк.
мА
50
50
50
50
3
3
3
3
26* А
26* А
26* А
26* А
50
4
3,7
А
Iкво,
li(эR,
IКЭо,
мкА
~60 мА
~50 мА
~50 мА
S40 мА
(50 В)
(50 В)
(50 В)
(50 В)
S50 мА (50 В)
-
КТ996А-2
n-p-n
КТ996Б-2
п-р-п
КТ996В-2
п-р-п
2,5*
2,5*
2,5*
Вт
~4 ГГц
Вт
~4 ГГц
Вт
~4 ГГц
2,5
2,5
2,5
200 (0,3* А)
200 (0,3* А)
200 (0,3* А)
20
20
20
2,5
2,5
2,5
200 (0,3* А)
200 (0,3* А)
200 (0,3* А)
S5 мА (20 В)
S5 мА (20 В)
s5 мА (20 В)
5
5
5
10 (20*) А
10 (20*) А
10 (20*) А
SlO мА (45 В)
~10 мА (45 В)
SlO мА (60 В)
5
50 (100*)
SO,l (250 В)
20
20
20
-
~1 *мА
Sl *мА
~1 *мА
(20 В)
(20 В)
(20 В)
'
КТ996А-5
КТ996В-5
n-p·n
n·p·n
n-p·n
КТ997А
П-р·П
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
КТ996Б-5
2,5*
. 2,5*
2,5*
Вт
~4 ГГц
Вт
~4 ГГц
Вт
~4 ГГц
n·p·n
n-p·n
50• Вт
50* Вт
50,* Вт
~51
~51
45
45
60
n-p·n
1,6 Вт; 5* Вт
~о
250.
~51
параметры биполярных кремниевь1х транзисторов
~··
3,8
4
5
5
~6**
~7**
~7**
S75 (28 В)
~··
215
~350**
КТ986
(l ,4 ... 1,6 ГГц)
~300** (l ,6 ГГц)
~350** (l,6 ГГц)
~350** (0,8 ГГц)
~55**
(0,7
ГГц)
з
КТ991
S6,8
/
~35*
(10
А)
(lO В)
(10 В)
S2,3 (10 В)
~35*
~70*
(10 В; 0,1 А)
(10 В; 0,1 А)
(10 В; O, l А)
S2.3 (10 В)
~.3 (10 В)
~.3 (10 В)
~35* (10 В; 0,1 А)
~70* (10 В; 0,1 А)
~35*
В;
O, l
~.3
~.3
5,8
18,2
КТ996-2
~. 11 ** (650 МГц)
КТ996-5
~. 11 **
(650
МГц)
Раздел
216
2.4. Параметры
Струк-
пр:ибора
тура
КТСЗОЗА-2
р-п-р,
Биполярные транзисторы
кремниевых сборок
max 1
max,
**
Рк. н max,
f rp1 fh2lб1
fh'2'1э,
f max
*** 1
мВт
Мfц
500 (50°С)
~300
Рк
Тип
2.
* t
Рк,
UКБо
max,
max,
** max,
Uкэо
*
UкэR
Uэво
max,
в
max1
*lк, н max,
-
li(эR,
IКЭо,
мА
в
, 45* ( lОк)
IКБо,
lк
мкА
100 (500*)
S0,5 (45 В)
п-р-п
.
КТСЗ10ЗА
р-п-р
КТСЗ10ЗБ
р-п-р
КТСЗ10ЗА1
р-п-р
КТСЗ10ЗБ1
р-п-р
КТСЗ161АС
1 п-р-п,
2 р-п-р
15* (15к)
15* (15к)
5
5
20 (50*)
20 (50*)
~200 (15 В)
::;;200 (15 в)
~00
15* (15к)
15* (15к)
5
5
20 (50*)
20 (50*)
~О.2 мА (15 В)
s0,2 мА (15 В)
~400
12
4
200
SlO (12 В)
300 (55°С)
300 (55°С)
~600
300
300
~600
300
~600
'
)
п-р-п
150
600
10
1
7,5
Sl (IO В)
КТСЗ81Б
n-p-n
КТСЗ81В
п-р-п
КТСЗ81f
n-p-n
15
15
15
15
15
-
25
25
25
25
25
6,5
6,5
6,5
6,5
6,5
15
15
15
15
15
S30 (5 В)
S30 (5 В)
SЗО (5 В)
S30 (5 В)
S30 (5 В)
КТС3174АС-2
.
КТСЗ81Д
п-р-п
КТСЗ81Е
n-p-n
•
1
1
-
Параметры кремниевых сборок
40 ... 180 (5
В;
l
мА)
S8 (5
В)
217
~0,7*
S20
КТС303
S80
61
40 ... 200 (l В; 1 мА)
40 ... 200 ( 1 В; l мА)
S2,5 (5
S2,5 (5
В)
В)
560
S60
55 (60 МГц); ~.9*
s5 (60 МГц); ~.8*
/(
з
\
"
rJ9,ll
SЗ**
6
IК\З
КТС3103
580
S80
\11
61 31.
~ti Nl~~
S5**
~
~
о
Kf
о
62
40" .200 ( 1 В; 1 мА)
40".200 (1 В; 1 мА)
S2,5 (5
52,5 (5
В)
В)
~0,9*
S60
S60
~0,8*
КТС3103-1
S80
S80
1
1!'1
~4
5
/
~О
8
(1 В; 0,1 А)
КТС3161
S8
К3-Б2
К1 Б1 \ ЭЗ Б1
~
~-----::tiif
~"JWiill.....+...+.-r~-W.~
~
~80
(5 В; 3 мА)
0,65 (6
В)
SЗ
(IOO
К1 К2 К2 Э1 Э2 БЗ Б1
19.5тш
МГц)
КТС3174
;J,2
~1p:i
~
c:::r
9,5
~40
~30
~20
~20
~20
(5
(5
(5
(5
(5
В;
В;
В;
В;
В;
10
10
1О
10
10
мкА)
мкА)
мкА)
мкА)
мкА)
Sl,5 (5 В)
Sl,5 (5 В)
Sl,5 (5 В)
51,5 (5 В)
Sl,5(5B)
s5
s5
S5
s5
~.9*;
~0,85*;
КТС381
S4**
S4**
1
;;::О,85*; SЗ**
~0,9*
с...
~
5
1
з к
~
\
Раздел
218
Тип
Струк-
прибора
тура
Рк max,
* t max,
Рк,
р**
К. н
frp 1 fh2lб1
1h'2'1э,
max,
мВт
КТСЗ9ЗА
р-п-р
КТСЗ9ЗБ
p·n-p
20
20
(45°С)
(45°С)
UКБО max,
***
fmax1
* max 1
UкэR
** max,
Uкэо
МГц
в
~500
~500
10*
15*
(lОк)
(IОк)
Uэво max,
в
2.
Биполярные транзисторы
IКБО,
lк max,
IКэR,
IКЭо,
* и max,
Iк,
мА
мкА
4
4
10 (20*)
10 (20*)
SO,l (10
S0,2 (15
В)
В)
4
4
10 (20*)
10 (20*)
SO,l (10
(15
В)
~.2
В)
SO,l (10
S0,2 (15
В)
В)
S0,5 (45
S0,5 (10
В)
В)
КТСЗ93А-1
КТСЗ93Б-1
p·n-p
p-n·p
~500
20
20
lO (15
~500
'
~
КТС39ЗА-9
p·n-p
р-п-р
20
20
~500
КТС39ЗБ-9
КТСЗ94А-2
p-n-p
p-n-p
300*
300*
~300
n-p-n
n-p·n
30
30
~300
n-р·П
150 (500**)
150 (500**)
150 (500**)
~300
КТСЗ94Б-2
КТСЗ95А-1
КТСЗ95Б-1
КТСЗ95А-2
КТСЗ95Б-2
n·p·n
КТСЗ95В-2
n-р·П
10
15
~500
~300
~300
~300
~300
4
4
10 (20*)
l о (20*)
45*
45*
(lОк)
(lОк)
4
4
100
100
45*
45*
(lОк)
(lОк)
4
4
20
20
45*
45*
45*
(lОк)
(lОк)
(lОк)
4
4
4
100
100
100
-
--
S0,5 (45
S0,5 (lO
В)
В)
S0,5 (45 В)
45* (lОк)
45* (lОк)
,
.
КТСЗ98А-1
П·р·П
КТСЗ98Б-1
n·p·n
30
30
(85°С)
(85°С)
~1000
~1000
10*
10*
(lОк)
(lОк)
4
4
10 (20*)
10 (20*)
so:5 (10
S0,5 (10
В)
В)
параметры кремниевых сборок
Ck, Сi2э,
h21э, h'21э .
40".180 (l
30... 140 (l
В;
В;
l
l
пФ
мА)
S2 (5
S2 (5
мА)
219
rкэ нас,
Кш.дБ
'tк, пс
* нас,
rвэ
·h21э1/h'21э2,
лu:б, мв
* 1 НС
tpac
Ом
В)
В)
S60
S60
,
S6 (60
S6 (60
МГц); ~.9*
МГц); ~.8*
Корпус
** 1 НС
tвыкл
КТСЗ93
S80
S80
к, з,
6,
...
1
\1/
Т''
1q'
ooq
....: 1
.... 1 ...
•
f':)'
40... 180 (l в; l мА)
30 ... 140 (l В; l мА)
S2 (5
s2 (5
В)
В)
S60
S60
S6 (60
S6 (60
МГц)
МГц)
62
1
'
• lиl Зz
t.5'l'
~
JL
КТСЗ93-1
S80
S80
к, з,
6,
1
'\ 1 /
ju,~~ JL
.
40... 180 (l
30... 140 (l
В;
В;
l
l
мА)
мА)
S2 (5
S2 (5
В)
В)
S60
S60
S6 (60
Sб (60
МГц)
МГц)
S80
S80
КТСЗ93-9
1
11! ~· s~
:@
!lэ
5
40 ... 120 (5 В; l мА)
100... 300 (5 В; l мА)
~
~
(10
(10
В)'
sзо
В)
S30
SlO**
-
-
4
КТСЗ94-2
~~
/I\
6
40... 120 (5 В; l мА)
~350 (5 В; l мА)
~
(10
S8· (lO
В)
В)
S30
S30
SlO**
-
8
-
к.з
~
1
КТСЗ95-1
1
~
~
~
~
(10
(10
(lO
В)
В)
В)
S30
sзо
S230
SlO**
-
-
-
к
~~
/I\
В;
В;
l
l
мА)
мА)
Sl,5 (5
:Sl,5 (5
В)
В)
-
0,8 ... 1,25*; Sl,5**
0,9 ... l,l*; SЗ**
S50
s50
\
з
КТСЗ95-2
6 к з
40 ... 250 ( l
40 ... 250 ( l
f
~~
..
40 ... 120 (5 В; l мА)
100... 300 (5 В; l мА)
~350 (5 В; l мА)
-
~
1
-
КТСЗ98-1
m-6
~
-к
'а
Раздел
220
max,
max,
**
Рк. н max,
f rp, fh2lб,
fh2'1э,
***
fmax,
max,
max,
** max,
Uкэо
мВт
МГц
в'
30
30
~l ГГц
Рк
Тип
Струк-
прибора
тура
КТСЗ98А94
n·p-n
КТСЗ98Б94
п-р-п
КТС61ЗА
КТС61ЗБ
КТС61ЗВ
КТС61ЗГ
n-p·n
n-p-n
n-p-n
- n-p-n
КТС622А
p-n·p
КТС622Б
р-п-р
* t
Рк.
-
800
800
800
800
~200
(50°С)
~200
(50°С)
~200
0,4 (10**)
0,4 (10**)
*
UкэR
(lОк)
(lОк)
10*
10*
60
60
40
40
~200
Вт
Вт
Биполярные транзисторы
Uкво
~l ГГц
(50°С)
(50°С)
2.
~00
45*
35*
~00
(lк)
(lк)
Uэво
IКБО,
lк
max,
* н max,
lк.
max,
в
li<эR,
1**
кэо,
мА
мкА
10 (20*)
l о (20*)
4
4
В)
S0,5 (10
S0,5 (10
s8
S8
S8
S8
(800*)
(800*)
(800*}
(800*)
(60
(60
(40
(40
В}
В)
4
4
4
4
400
400
400
400
4
4
400 (600*)
400 (600*)
SlO (45
S20 (35
l (l,3*) А
l (l,3*)A
l (l,3*) А
1 (l,3*) А
s200 (30 В)
S50 (30 В)
S50 (60 В)
S200 (60 В)
В)
В)
В)
В)
В)
.
КТС631А
Вт (55°С)
:2:350
Вт (55°С)
~350
Вт (55°С)
Вт (55°С)
~350
КТС631Г
n·p·n
n·p-n
n-p·n
n-p-n
КТ674АС
р-п-р
900
КТ69ЗАС
n-p-n
600
КТС631Б
КТС631В
4
4
4
4
-
~350
30
30
60
60
4
4
4
4
~50.
40
5
150
5
-
0,2
А
(0,5*
А)
150 (200*)
•
'
-
S0,05 (30
В)
SlO* (120
В)
Параметры кремниевых сборок
Ck,
*
С12э,
пФ
40 ... 250 ( 1 В; 1 мА)
40 ... 250 ( 1 В; 1 мА)
:s;l,5 (5
:s;l,5 (5
221-
rкэ нас,
*
rвэ нас,
Ом
В)
Кw,дБ
h21э1/h'21э2,
дU:J, мВ
0,8 ... 1,25*
0,9 ... 1,1 *
В)
'tк, пс
•
••
tвыкл,
Корпус
tpac, НС
НС
:s;50
:s;5o
КТС398-94
!дl
6'
она
~ ;люча
1,25_
~" J~5 'dl'
-
Б
25 ... 100*
40".200*
20":120*
50."300*
(5 В; 0,2 А)
(5 В; 0,2 А)
(5 В; 0,2 А)
(5 В; 0,2 А)
25."150* (5
~10*
В;
0,2
А)
(5 В; 0,2 А)
(10
(10
(10
(10
В)
:s;15 (10
:s;l5 (10
:s;15
:s;l5
:s;l5
:s;l5
В)
:s;2,5
:s;2,5
:s;2,5
В)
~.5
В)
:s;3,25
В)
:s:;З,25
В)
К
Э
:s;lOO*
:s;l 00*
:s;lOO*
:s;lOO*
:s;l20*
::;:;200*
КТС622
21 -~ '"
fJ
~ 12
i
5~11
2 6~10
7 'а& g
1'5~
1G
20... 115* (1В;0,3
20 .. .125* (l В; 0,3
20".125*·. (1 В; 0,3
20".115* (1 В; 0,3
75 (1
В;
10
мА)
А)
А)
А)
А)
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
:s;2,8
::;:;12
:s;12
:s;4,4 (15
В)
:s;25
:s;l5
:s;t5
:s;15
:s;l5
~.8
:s;40;
:s;40;
:s;40;
:s;40;
--
:s;ЗО*
:s;ЗО*
:s;бО*
:s;бО*
:s;30
КТС674АС
!ос
о....,.,.~...,,.._~......,.,~,.,,-'""'~
-]",
- q.
._!!..6х2,5•15
2.25max
(71//JьlBoiJoA) о,5таr
~40
(5 В; 0,1 А)
КТС693АС
!ос
Li.,..eт,....,.._,..,._,.,"....,,_,"-""""....'""'~
--'-
~f
-q.
.,..!l.6x2,5•15
Z25max
(71//JьlВоВоА) О,5тах
J
~
;
К6З
ЗбК
mrtimmrhrhrh
1~
1
1
8
~1.-----·:;--
~ ?б:t.ЧJ~'i'r
19.5тох
Раздел
222
max,
*
Рк. t max,
** и max,
Рк,
fгр 1 fh21б 1
fh21э,
*** 1
fmax
max,
*
UкэR max,
** max,
Uкэо
мВт
мrц
в
400 (50°С)
~200
45* (lк)
Рк
Тип
Струк-
прибора
тура
К1НТ251
п-р-п
Uкво
Uэво
max,
в
2.
Биполярнь1е транзисторы
Iкво,
lк
max 1
* и max,
Iк,
IКэRt
IКЭо,
мА
,
4
мкА
~6 мА (45 В)
400 (800*)
-
.
К1НТ661А
n-p-n
100 (50°С)
-
300
-
~30 (250 В)
5 (lO*)
.
'
К129НТ1А-1
п-р-п
К129НТ1Б-1
п-р-п
К129НТ1В-1
п-р-п
K129HT1f-1
п-р-п
К129НТЩ-1
п-р-п
К129НТ1Е-1
П-р·П
К129НТ1Ж-1
п-р-п
К129НТ1И-1
п-р-п
15
15
15
15
15
15
15
15
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
(85°С)
~50
~250
~250
~250
~250
~250
~250
~250
15
15
15
15
15
15
15
15
4
4
4
4
4
4
4
4
-
10
10
10
10
10
1о
10
10
(40*)
(40*)
(40*)
(40*)
(40*)
(40*)
(40*)
(40*)
~.2
~О.2
~О.2
~О.2
~О.2
~.2
~О.2
~О.2
(15
(15
'(15
(15
(15
(15
(15
(15
'
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
223
Параметрь1 кремниевых сборок
h21э, h!нэ
~1 О*
(5
В;
0,2
1
А)
•
Ck, С12э,
пФ
rкэ нас,
•
rвэ нас,
Ом
$15 (10
В)
::;5
Кw,дБ
h21~1/h21э2,
дU:б', мВ
-
'tк, пс
•
••
tвыкл,
Корпус
tpac, НС
НС
КtНТ251
$200*
j
:
J
13
rЬ1=' ~]~~~
:r в " ~ ~~
1g
а
Q::J
())"
i::s
а
7'8
fs-.
6
~5*
-
(5 В; 10 мА)
::;1000
-
2
'
())"
-
:: ==
fa
1
l:SI
,7~j
=~
fl(
~н~1• 27 -~ 7J
ов
1r_
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
-
-
-
~.85*; .$3**
~.85*; $3**
~.85*; $3**
- ~.75*; $15**
~.75*; $15**
~.75*; $15**
~.85*; $3**
~.75*; $15**
-
: i ~12
-CiJ
~rа ".
6,5
::;4
$4
::;4
::;4
::;4
::;4
::;4
::;4
~ 10
7~ g
К1НТ661
Q::J
20 ... 80 (5 В; 1 мА)
60 ... 80 (5 В; 1 мА)
~80 (5 В; 50 мкА)
20... 80 (5 В; l мА)
60... 80 (5 В; l мА)
~80 (5 В; 50 мкА)
40... 160 (5 В; l мА)
40... 160 (5 В; l мА)
5
5~11
2 6 10
7
g
К129НТ1
з
6
к
\ 1/
1
~re~t
-
Раздел
224
Раздел
3.
3. Полевь1е транзисторы
Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании эффекта внешнего электрического
поля для. управления проводнмостью. Их еще называют униполярнымиt так как перенос тока
осуществл~ется носителями заряда одного типа (в отличие от биполярных транзисторов, где носите
лями заряда являются дырки и электроны).
Особенностями полевых транзисторов являются высокое входное сопротивление, малые шумы,
повышенная температурная стабильность, квадратичность переходной (проходной) характеристикиt
что
позволяет
получать малый
уровень
перекрестных и
модуляционных
помех по
сравнению с
биполярными транзисторами.
Полевые транзисторы по принципу действия подразделяются на транзисторы с управляющим
p-n
переходом и МДП-транзисторы (в частности, МОП-транзисторы, имеющие структуру металл-окисел
полупроводник). Управляющим электродом служит затвор.
В транзисторах с управляЮщим переходом затвор отделен от канала между стоком и истоком p-n
переходом. В МОП-транзисторах (их называют также транзисторами с изолированным затвором),
затвор отделен от канала исток-сток тонким слоем диэлек11Jика. В ка-честве диэлектрика используются
пленки двуокиси кремния, нитрида кремния и окиси алюминия.
В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или
р-типа.
Например,
(носители зарядов
МОП-транзисторы с каналом n-типа основаны на электронной проводимости
электроны), а с каналом р-типа
-
,..,_
на дырочной проводимости. У n-канаЩ:~ных
приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, "а к выводу истока прикладывается
больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т.е. полярность напряжения стока положи
тельная), а у р-канальных - наоборот.
Существуют два основных режима работы полевых транзисторов: обеднения (проводимость
канала может быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения
Uзи) и обогащения (проводимость канала может быть увеличена в результате приложенного на.пряже
ния Uзи определенной полярности). У транзисторов обедненного типа при напряжении, на затворе
Uзи=О протекает небольшой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи,
близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально
закрытыми. В 'частностиt полевые транзисторы с управляющим
p-n
переходом являются нормально
открытыми; они закрываются (т.е. ток стока имеет минимальное значение) п·ри определенном напря
жении, называемом напряжением отсечки. По конструктивно-технологическим признакам. полевые
транзисторы подразделяются на приборы с встроенным и индуцированным каналами. Встроенный
канал создается технологическими приемами, а индуцированный канал наводится в поверхностном
слое полупроводника в результате воздействия поперечного электрического поля.
В транзисторах со встроенным каналом (например, КПЗО5, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе
осуществляется подачей на затвор· напряжения с полярностью, соответствующей знаку носителей
заряда в канале (для р-канала Uзи>О, для n-канала Uзи<О), что вызывает обеднение канала носителями
заряда. При изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями
и выходной ток увеличится. Такие прИборы могут работать в режимах обеднения и обогащения.
В транзисторах с индуцированным каналом при 1 Uз=О В канал отсутствует и только при
напряжении, равном пороговому, образуется (индуцируется) канал. Такие приборы работают только в
режиме обогащения (нормально закрытый прибор).
В полевых транзисторах с управляющим
p-n
переходом канал существует только при Uз=Ot т.е.
они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда
(нормально открытый прибор). Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
(зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) подобны
характеристикам усилительных ламповых пентодов.
В отличие от транзисторов с управляющим
p-n переходом
(у них рабочая область находится между
О и Uзизап>, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любом значении
напряжения на. затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
В графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом имеют штриховую линию
в обозначении канала, а со встроенным каналом
направлена к каналу
-
канал n-типа, от канала
-
-
сплошную; стрелки определяют тип канала:
канал р-типа.
225
Полевые транзисторы
В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора)
от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она
отделена только p-n переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же
требуется иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами
(МОП-тетроды
КП32~, КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не
-
требуют цепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет
нормированную квмратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро
ванных составляющих третьего порядка не менее
80
дБ.
Графическое обозначение полевых транзисторов.
-
С
Тип канаJiа
KJiacc
прибора
p-n
нормально открытый
нормально закрытый
(с обеднением)
(с обеднением)
(с обогащением)
затвором
Транзистор с двумя
затворами (тетрод)
з4:~
з_J~~
Зt~i2
з_J~z
зJ=~
Транзистор с одним
р-канал
С изоJiированным затвором
нормально открытый
Транзистор с одним
n-канал
пер·еходом
затвором
3
затворами (тетрод)
.,_с
J_J~~
з _Jt:l..и
._с
з2 _,fi_c
з1 -1
~_Jl-C
з1 _J~н
._с
_Js=~
3_j~~
3~52
1
и
Транзистор с двумя
L--C
а_J~и
з_J...,п
и
t-н
~_Ji-C
з,_J~и
Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувствитель
ны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защиты
между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны). МОП-транзисторы
имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с полевыми транзисторами
.с
p-n
переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах.
Среди
мощных
полевых
транзисторов
с
управляющим
p-n
переходом
необходимо отметить
транзисторы со статической индукцией (например, КП801 ). Они имеют выходные характеристики,
подобные ламповому триоду:
хорошие параметры переключения и линейность;
в области токов,
используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при
больших токах стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень
шумов; низкое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагруз
кой.
Рассмотрим назначение некоторых конкретных типов полевых транзисторов.
АП320 (А-2, Б-2)
-
бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
планарные с барьером Шатки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения
в малошумящих СВЧ усилителях (Кш::;4,5-6 дБ на
температур окружающей среды
АП325А-2
-
8 ГГц,
Ку,р~З дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих
-60 ... +85°С.
бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш::;2 дБ на
АП328А-2
-
8
ГГц) в составе ГИС.
бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
с барьером Шотки поЛевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа. Предназначены для
применения во gходных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш::;4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р~9 дБ) в
составе ГИС.
АП362А9
-
арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа в корпусе для поверхно
стного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразовательных
СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60 ... +7О
0
С.
АП379А9 арсенидгаллиевые пщ1евые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в
корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных
телевизионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах
рабочих температур окружающей среды
100."2000 МГц.
Диапазон
-60 ... + 70°С.
АП602 (А2-Д2) бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
Раздел
226
3. Полевь1е транзисторы
-
для применения в усилителях мощности, генератора?С и преобразователях частоты в диапазоне частот
3... 12 ГГц
60 ... +85°С.
в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-
·
АП603
-
арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки
и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобра
зователях частоты в составе ГИС с напряжением питания
АП605
полевые
-
В и на частотах до
8
12
ГГц.
бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные
транзисторы
с
барьером
Шотки
и
каналом
n-типа.
Предназначены
для
применения
в
малошумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60 ... +85°С.
АП606 арсенидгаллиевые планарные полевые транЗисторы с барьером Шотки и каналом
n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях
частоты до
12 ГГц в составе ГИС с
АП608 арсенидгаллиевые
напряжением питания,
8
В.
планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом
n-типа. П,Редназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в составе
ГИС с напряжением питания
АП967
-
7
В в диапазоне частот до
26
и
37
ГГц.
арсенидгаллиевые полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа с
внутренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилите
лях мощности в составе гис с напряжением питания
КП101
на основе
(f-E) - малошумящие
p-n перехода и каналом
8
в.
диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором
n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих
температур окружающей среды
КП103 (Е-М)
основе
p-n
-
-45 ... +85°С.
малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на
перехода и каналом р-типа. Пр·~дназначены для применения во входных каскадах усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур
окружающей среды
· КП201
-55 ... +85°С.
(Е-Д-1) - бескорпусные
(с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планарные
полевые транзисторы с· затвором на основе
p-n
перехода и каналом р-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа
ющей среды
-40... +85°С.
КП202 (Д-Е-1) - бескорпусные
(с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные
полевые транзисторы с затвором на основе
p-n
перех9да и каналом n-типа.
Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа
ющей среды
КП301
-40 ... +85°С.
(Б-f) - малошумящие
планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и
нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе
ратур окружающей среды
-45 ... +70°С.
КП302 (A-f, АМ~fМ) высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с
затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных
усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -60 ... + 1ОО С.
КП303 (А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисто
ры с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КП303Г в зарядочувствительных
0
усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружающей
среды
-40... +85°С.
КП304А - диффузионно-планарные
полевые транзисторы с изолированным затвором и индуци
рованным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных каскадах
с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С.
КП305 (Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы
с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и
низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60 ... +125°С.
Полевые транзисторы
КП306 (А-В)
227
малошумящие СВЧ диффузионно-п.Ланарны~ полевые транзисторы с двумя
-
изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных
и усилительных каск.адах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружа
ющей среды
-60 ... + 125°С.
КП307 (А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей
высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувствительных
.усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды
-40 ... +85°С.
КП308 (А-Д)
бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные
-
полевые транзисторы с затвором на основе
p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения: КП308 (А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока;
КП308 (Г-Д) - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды
КП310 (А, Б)
-
-60 ... +85°С.
малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устройст
вах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 125°С.
КП312 (А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе
p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и
преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон
рабочих температур окружающей среды
-60 ... +l00°C.
КП313 (А-В)
малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро
-
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с
высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды
КП314А
p-n
-
-45 ... +85°С.
малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе
перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предваритель
ных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-170 ... +85°С.
КП322А
основе
p-n
-
малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на
перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных
каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
КП323 (А-2, Б-2)
-.
-60 ... +85°С.
бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми
выводами и приклеиваемой керамической крышкой эпитак~иально-планарные полевые транзисторы с
затвором на основе
p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих
усилительных каскадах на частотах до
400
МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60... +70°С.
КП327
(A-f) -
кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затвора
ми (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах
телевизоров метрового и дециметрового _диапазонов для улучшения чувствитель~ости, избирательно
сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих
температур окружающей среды
-45 ... +85°С.
КП329 (А, Б) - высокочастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода
с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200
МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 1ОО С.
КП341 (А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С.
КП346 (А9, Б9) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя
0
изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа. Диапа
зон рабочих температур окружающей среды
-60 ... +85°С.
КП347А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затворами,
двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах радиопри
емников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С.
КП350 (А-В) диффузионно-планарные полевые. транзисторы с двумя изолированными
затворами
и
каналом
n-типа.
Предназначены для
применения
в
усилительных,
генераторных и
Раздел
преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до
ющей среды
-45 ... +85°С.
(АС, БС) -
КП401
700
3.
полевые транзисторь1
МГц). Диапазон рабочих температур окружа
сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран
зисторов {1-й и 3-й транзисторы с n:каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р- каналом). Предназначены для
работы в переключающих и-,импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды
-45".+85°С.
КП402А
-
полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды
КП403А -
-60 ... + 70°С.,
полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко-
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды
КП601 (А, Б)
-60. "+ 70°С.
_
сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые
-
транзисторы с затвором на основе
p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во
входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапазон
рабочих температур окружающей среды
-60... +85°С.
КП704 (А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных·
каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих
температур окружающей среды
КП705 (А-В)
-45". +85°С.
,
мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом
-
n-типа .. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источни
ках электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40". +85°С.
КП707 (А-В) мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс
ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями.
Диапазон рабочих температур окружающей среды
КП709 (А, Б)
-
-60". + 1ОО"С.
мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных
устройствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления
0
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45." + 1ОО С.
КП712 (А-В) мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным
затвором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных
устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". + 1ОО"С.
КП801
с затвором
(A-f) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзистора (СИТ)
на основе p-n перехода и каналом n-типа. Имеют характеристики, подобные ламповому
триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппарату
ры.
По
сравнению
с МДП-транзисторами
СИТ характеризуются
более
высокой линейностью и
крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-40".+85°С.
КП802 (А, Б) мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
каналом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, к:Лючевых и
линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". +85°С.
КП804А
-
эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устрой
ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60." +85°С.
КП805 (А-В) мощные МДП-полевые транзисторы. с каналом n-типа. Предназначены для
применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур
окружающей среды
КП901
(А,
-60". +85°С.
Б) мощные
планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах
в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60".+125°С.
КП902 (А-В) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначены дл5.1 работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -45". +85°С.
КП903 (А-В) мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах
до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". 1ОО С.
+
0
Полевь1е транзисторы
КП904
(А, Б)
229
мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
-
индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, nреобразовательных и
генераторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -60 ... +125°С.
КП905 (А, Б) - мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до
1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С.
КП907 (А, Б)
мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом
-
n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до
Диапазон рабочих температур окружающей среды
-40 ... +85°С.
1,5
ГГц.
.
КП908 (А, Б) - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для прИменения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до .2,25 ГГц и
быстродействую.щих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -40 ... +85°С.
КП921А - мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю
щих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С.
КП923 (A-f) мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и ~аналом n-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17 ... 50 Вт на
частоте
1 ГГц.
·
КП928 (А, Б)
мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи
-
сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до
400
МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабочих
температур окружающей среды
КП937 (А, А-5)
-60 ... + 125°С.
мощные планарные полевые транзисторы с
-
p-n
переходом и вертикальным
каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобразо
вателях напряжения, ИМf!ульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60 ... + 125°С.
КП938 (А-Д)
мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
-
p-n
переходом и
вертикальным каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках
электропитания,
схемах
управления
электродвигателями,
в
мощных
коммутаторах
и
усилителях
низкой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С.
КП944 (А, Б) мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом р-типа.
Предназначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких
магнитных дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С.
КП945 (А, Б)
мощные МДП-транзистпры с каналом n-типа. Предназна.чены для применения
-
в импульсных и переключательных схемах.
КП951 (А2-В2)
.
бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиально
-
планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для
применения в СВЧ усилителях И генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60 ... +85°С.
КПС104 (А-Е)
сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзисто
-
ры с затвором на основе
p-n
перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных
каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей
постоянного тока с высоким. входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей
среды
-45... +85°С.
КПС202 (A2-f2) -
·
сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные
малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназна
чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите
лей низкой частоты,
а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением
(например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже
транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с
защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом
(минимальное расстояние от места Изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее
0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более З 0 С/ мВт. При
пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен
превышать
+ 125°С.
Диапазон рабочих температур окружающей среды
-40... + 70°С.
Раздел
230
КПС203
3. Полевь1е транзисторы
сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
(Al-fl) -
малошумящие планарно-диффузИ:онные полевые транзисторы с затвором на основе
p-n
перехода и
каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих
дифференциальных 11 операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким
входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба
должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба - не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки - не менее
1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов ·свыше + 125°С. Диапазон рабочих температур окружаю
щей среды -45 ... +85°С.
КПС315 _(А, Б) сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на
основе, p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах диффе
ренциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в
металлостеклянном корпусе
рабочих температур
окружающей среды
КПС316
-60 ... +100°С.
(Дl-Иl) сдвоенные
с гибкими выводами. Диапазон
бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе
p-n
перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных
каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на индивидуальной
или групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды
3.1.
-40". +85°С.
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
Буквенные
(публикация
обозначения
параметров
полевых транзисторов
в
соответствии
со
стандартом МЭК
747-8, 1984 г.) приводятся ниже.
Буквенное обозначение по
отечественное
fOCT 19095-73
международное
Параметр
\
Iз
la
Ток затвора (постоянный).
lз отс
lasx
Ток отсечки ·затвора.
lз пр
IGF
Прямой ток затвора.
Iз ут
Iass
Ток утечки затвора.
Iзио
Iaso
Обратный ток перехода затвор-исток.
lзсо
Обратный ток перехода затвор-сток.
Iи
IGDO
ls
Ток истока (постоянный).
Iи нач
ISDS
Начальный ток истока.
Iи ост
lsDx
Остаточный ток истока.
1с
ID
Ток стока (постоянный).
1с нагр
IDSR
Ток стока при нагруженном затворе.
1с нач
IDSS
Начальный ток стока.
1с ост
IDSX
Остаточный ток стока.
Iп
Iв,
Ток подложки.
Uзи
Uas
Напряжение затвор-исток (постоянное).
Uзи обр
UGSR
UGS(OFF), UGS(off)
Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
Uзи отс
.
-
Iu
Напряжение отсечки транзистора
-
и истоком (полевого транзистора с
.
напряжение между затвором
p-n
переходом и с изолирован-
-
напряжение между затво-
ным затвором.
Uзи пор
Uзи пр
Uз проб
Uasт.
Uas(th),
UGSF
U(BR) GSS
Uas(тo)
Пороговое напряжение транзистора
ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором.
Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
Пробивное напряжение затвора
-
напряжение пробоя затвор-нс-
ток при замкнутых стоке и истоке.
Uзп
Uав,
Uau
Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
Буквенное обозначение по ГОСТ
отечественное
231
19095-73
Параметр
международное
Напряжение затвор-сток (постоянное).
Uзе
Uao
Uип
Usв,
Uеи
Uos
Uеп
Uов.
Uз1-Uз2
Ua1-Ua2
Напряжение затвор-затвор (для приборов с несколькими
затворами).
Реи
Pos
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
-
Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
s
gms
Крутизна характеристики.
Rзи
ras,
Rзе
ГGD, Гgd
Сопротивление затвор-сток.
Rзео
rass. rgss
Сопротивление затвора (при
Rеи
ГDS; Гds
Сопротивление сток-исто~.
Rеи отк
ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
Реи, т
max
Напряжение исток-подложка (постоянное).
Usu
Напряжение сток-исток (постоянное).
Напряжение сток-подложка (постоянное).
Uou
(постоянная).
Сопротивление затвор-исток.
Гgs
между стоком
и
истоком
или
Uos=O
Uds=O).
заданном напряжении сток-~сток.
Rеи закр
ГDS(OFF), Гds(orr), ГDS
orr
и
истоком
транзистора
при
~
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии
между стоком
сопротивление
-
в открытом состоянии
в закрытом
сопротивление
-
состоянии
транзистора
при
заданном напряжении сток-исток.
Сзио
Емкость затвор-исток
Cgso
-
емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току щ:тальных выводах.
Сзео
Cgdo
Емкость затвор-сток
'
-
емкость между затвором и стоком
при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
'
Сеио
Cdso
Емкость сток-исток
-
емкость между стоком
и
истоком
при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
С11и, Свх, и
С12и
,,
Ciss, C11ss
Входная емкость транзистора
емкость между затвором и исто-
-
ком.
Crss, C12ss
Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
С22и
Coss, C22ss
-
емкость между стоком и исто-
ком.
-
С22с
Выходная емкость транзистора
Cods, C22ds
Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании
на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
--...-......
(в
g1 lи
giss, g1 ls
Активная
g22и
goss, g22s
Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в
составляющая
входной
проводимости
транзистора
схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
схеме'с общим истоком при коротком замыкании на входе).
У11и
Yis, Y11s
Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). -
У12и
Угs,
Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на входе).
У21и
Yrs, Y21s
Y12s
-
Полная проводимость прямой передачи транзистора (в
общим
истоком
при
коротком
Yrc=grc+gьrs=ID/Uas; на НЧ 1Yrs1 =grs).
замыкании
на
схеме
с
выходе;
У22и
Yos. Y22s
Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Ку,.Р
Gp
Коэффициент усиления по мощности.
' 232
Раздел З. полевые транзисторы
Буквенное обозначение по ГОСТ
отечественное
19095-73
Параметр
международное
fY2lи
fYfs
Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Еш
Uп
Шумовое напряжение транзистора.
Кш
F
Коэффициент шума транзистора.
ID
Температурный коэффициент тока стока.
a.rds
Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвкл
ton
Время включения транзистора.
tвыкл
toff
-
-
Время выключения транзистора.
td(on)
Время задержки включения.
tзд,выкл
td(off)
Время задержки выключения.
tнр
tr
Время нарастания
tcn
tr
Время спада
tзд,вкл
/
Для сдвоенных полевых транзисторов:
1з(ут)l,-lз(ут)2
Iass1-Io.ss2
Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых
транзисторов с p-n переходом)
1с нач l / 1с нач2
Ioss 1/ Ioss2
Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток
Uзю-Uзи2
Uas1-Uas2
Разность напряжения затвор-исток
1ЛUзю-Uзи2)1 / лт
1Л(Uas1-Uas2)1 / ЛТ
Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры
g22и 1-g22и2
gosl-gos2
Разность выходных проводимостей
в
режиме
малого
сигнала
·в
схеме с общим истоком
g2lиl / g2l и2
gfsl / grs2
Отношение
полных проводимостей
прямой
малого сигнала в схеме с общнм истоком
передачи
в
режиме
234
Раздел З. полевые транзисторы
3.2. Параметры
'
полевых транзисторов
Реи max,
Тип
Структура
прибора
мВт
•
Реи т max,
Вт
Uзи отс,
Uеи max,
uЗи пор,
• max,
Uзе
в
в
-
• max,
Uзи
в
lc,
1
1с. и,
Ie нач,
•
1с ост, мА
мА
Параметры арсенидrаллиевых полевых транзисторов
АПЗ20А-2
С n-каналом
80
80
АПЗ20Б-2
-
4; 8*
4; 8*
5
5
-
-
•
С n-каналом
АПЗ24А-2
АПЗ24Б-2
АПЗ24В-2
,,,,"
80
80
80
-
4
4
4
3
3
3
-
-
-
АПЗ24Б-5
С n-каналом
80
-
4
3
-
-
АПЗ25А-2
С барьером Шотки,
25
4
2
6*
4,5
-
-
30
30
-
2,5; -5,5*
2,5; 5,5*
4
4
-
-
с n-каналом
!
,
\
АПЗ26А-2
АПЗ26Б-2
Сп-каналом
235
Параметры полевых транзисторов
S,
Rси отк, Ом
•
Ку,Р, дБ
мА/В
"'*
в
ДРuв~:: тв
зи,м
Кш, дБ
•
Uш, мкВ
*"'
1-г;:;-
"'
f"'"' МГ
fвыкл, НС
р
Корпус
ц
дUзи/дт*"'"',
·...~....----========.ь....=м-к_в_1_·с__..._====-=======-=---==-=----=1~
.
ЕшQ,,..:_в, Кл-vrц
tвкл, НС
'
~
Параметры арсевидrал.nilевых полевых транзисторов
5... 16
5... 16
0,18; 0,15*
0,15*; 0,18**
~3*
~5*
~6*
~6*
~6*
(8 ГГц)
(8 ГГц)
$4,5 (8 ГГц)
$6 (8 ГГц)
( 12 ГГц)
( 12 ГГц)
(12 ГГц)
$1,5 (12 ГГц)
$2 (12 ГГц)
$2,5 (12 ГГц)
АП320-2
j
9,5
~6*
~5
(1,5 В; 10 мА)
~8
~8
(2
(2
В;
В;
8
8
мА)
мА)
( 12
ГГц)
~4.5* (8 ГГц)
~3* (17,4 ГГц)
~3* (17,4 ГГц)
$2 (12
ГГц)
АП324-5
$2 (8 ГГц)
"-~4,5 (17,4 ГГц)
~5,5 (17,4 ГГц)
АП326-2
l/J
-
Раздел З. Полевые транзисторы
236
Реи max,
Тип
Структура
прибора
мВт
* т max,
Реи
Вт
С барьером lllотки,
АП328А-2
50
Uзи отс,
Uеи max,
UЗи пор,
* max,
Uзе
в
в
* max,
Uзи
в
k,
Ic, и,
мА
Ie нач,
lc ост, мА
6
4; 6
-
-
-6*
-6*
-6*
-7*
-7*
-7*
-
-
-
2,5 ... 5
4
с двумя затворами
"
.~
сп-каналом
-
АПЗЗОА-2
С барьером lllотки,
АПЗЗОБ-2
сп-каналом
30
30
30
100
100
100
АПЗЗОВ-2
АПЗЗОВ1-2
АПЗЗОВ2-2
АПЗЗОВЗ-2
АП331А-2
С барьером lllотки,
-
-
3;
3;
3;
5;
5;
5;
-
-
-
-
-
5; -8*
-
-
-
2,5 ... 5
5; 8*
4
-
~100
250
-
5,5; -7*
-
-
-
35
35
35
35
2 ... 4
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3
3
3
3
-
250
-
.
-
сп-каналом
АП331А-5
Сп-каналом
АП339А-2
С ,барьером lllотки,
250
(70°С)
(3 В)
сп-каналом
,
...
АП343А-2
С барьером lllотки,
АП343А1-2
сп-каналом
АП343А2-2
АПЗ43АЗ-2
-
.
-6*
-6*
-6*
-6*
-
~О
(2 В)
(2 В)
~20 (2 В)
~О (2 В)
~О
Параметры полевых транзисторов
237
Rси отк, Ом
S,
к;,Р, дБ·
Cttи, Сi2и,
мА/В
**
*"'
-
'?.7 (4 В; 8 мА)
'?.4 (4 В; 8 мА)
*
1;*, МГц
tвыкл, НС
"'
Uш,мкВ
лuЗИ"', мв
Е~*, нВNrц
Q**"', Кл
лuзи/лт**"',
'?.9* (8 ГГц)
S4,5 (8 ГГц)
-
Рвых, Вт
С22и, пФ
tвкл, НС
Кш, дБ
Корпус
мкв1·с
АП328-2
~2,15
~-t
GЗ-=:(t
1
c::i~
1
_f_/
lt)
О)"
'1
!n
(___
(31
~
9,5
'?.5 (5 кГц)
'?.5 (5 кГц)
'?.5 (5 кГц)
'?.20 (5 кГц)
'?.20 (5 кГц)
'?.20 (5 кГц)
'?.3* (17,4 ГГц)
'?.3* (25 ГГц)
'?.б* (25 ГГц)
'?.8* (17,4 ГГц)
'?.8* (17,4 ГГц)
'?.8* (17,4 ГГц)
-
-
-
'?.15 (5 кГц)
-
'?.8* (10 ГГц)
'?.0,03** (10 ГГц)
sб (25 ГГц)
S4,5 (25 ГГц)
S3,5 (25 ГГц)
s2 (17,4 ГГц)
Sl,5 (17,4 ГГц)
Sl (17,4 ГГц)
S2,5 (10 ГГц)
-
АПЗЗО-2
-
//.J
-
~ф
1
с
~i~
-
и7'
АП331-2
~ф
с
1
4,55
~
.,
с
.
~1~
,.
-
'?.15 (4 В; 40 мА)
-
'?.5,5* (10 ГГц)
'?.0,03** (10 Гfц)
s2,5 (10 ГГц)
-
~t
i: ;1
~,
~
и7'
АП331-5
0,5
0,17
~шт
_ '?.10 (5
кГц)
-
'?.5* (17 ,4 ГГц)
'?.0,015** (17,4 ГГц)
S4 (17,4 ГГц)
-
АП339-2
~·
с
1
с
~1~
'?.10
'?.20
'?.20
'?.20
(q
(5
(5
(5
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
'
-
'?.8,5* (12 ГГц)
'?.8,5* (12 ГГц)
~8.5* ( 12 ГГц)
'?.8,5* (12 ГГц)
s2 (12 ГГц)
Sl,5 (12 ГГц)
Sl,l (12 ГГц)
S0,9 ( 12 ГГц)
-
//.J
.,
и7'
АП343-2
~
~2,15
~t
j\
14')
О)"
р
~t
!n
Г3--:(1
1
c::i~
_L) С_
~ (3'
-
9,5
Р~здел
238
АП344А-2
АП344А1-2
С барьером Illотки,
с n-каналом
АП344А2-2
АП344АЗ-2
АП344А4-2
100
100
100
100
100
4,5; -7*
5; -7*
5; -7*
5; -7*
5; -7*
4
90
90
4,5; -7*
4,5; -4,5*
-4
4
10; 6*
8; -8*
3.
полевые транзисторы
4
4
4
4
АП362А-9
С двумя затворами,
АП362Б-9
n-каналом
АП379А-9
С двумя затворами
АП379Б-9
с n-каналом
240
240
АП602А-2
С n-каналом
900
7
3,5
~220
(3
В)
АП602Б-2
900
7
3,5
~180
(3
В)
АП602В-2
900
7
3,5
~110
(3 В)
АП602f-2
1800
7,5
3,5
~440
(3
В)
АП602Д-2
1800
7,5
3,5
~360
(3
В)
АП603А-2
С барьером Illотки,
2,5*
3,5
400; 5*
2,5*
3,5
400; 5*
2,5*
3,5
400; 5*
2,5*
3,5
400; 5*
с n-каналом
АП603Б-2
А.П603А-1-2
С барьером Illотки,
с л-каналом
АП603Б-1-2
параметры полевых транзисторов
~15
~40
~40
~40
~40
~15
~20
(5
(5
(5
(5
(5
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
(3 В; 20 мА)
(3 В; 20 мА)
239
~15 (1 ГГц)
Sl (4 ГГц)
s:0,7 (4 ГГц)
S0,5 (4 ГГц)
S0,3 (4 ГГц)
S0,3 (1 ГГц)
~9* (1 ГГц)
~9* ( 1 ГГц)
Sl (1 ГГц)
Sl (1 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~10
(4 ГГц)
АП344-2
~2,15
~
G3=:t~ф
~-~t
с:Л.
АП362-9
J
~
~
~
. .N
~20
~20
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
~16* (О,8 ГГц)
~16* (О,8 ГГц)
~14* (1750 МГц)
Sl ,4 (1 ГГц)
Sl,4 (1 ГГц)
$2, 1 ( 1750 МГц)
с
и
с
и
~
~
~
~-
20... 100 (2 В)
~0,18** (12 ГГц)
~2,6* (12 ГГц)
20... 80 (2 В)
~. 1** (12 ГГц)
АП602
11,4
J,J
~3*
20... 70 (2 В)
40... 200 (2 В)
40... 160 (2 В)
~50
~80
(3 В; 0,4 А)
(3 В; 0,4 А)
~50 (3 В; 0,4 А)
(12 ГГц)
~0,2** (8 ГГц)
~3* (8 ГГц)
~.4** (10 ГГц)
~2,6* ( 10 ГГц)
~0,5** (8 ГГц)
~3* (8 ГГц)
~
,..._-
$4
~3* (12 ГГц)
~0,5** ( 12 ГГц)
$4; ~3*; ~1 **
0,24
$4
0,24
ИаркироВка
9
0,24
~3* (12 ГГц)
~О.5** ( 12 ГГц)
~80
(3 В; 0,4 А)
$4
~3* (12 ГГц); ~1 **
АП603-2
АП603-1-2
Маркиро8ко
0,24
3ат6ор
Исток
240
Раздел
\
Реи
Тип
Структура
прибора
max,
мВт
* т max,
Реи
Вт
Uзи отс,
Uеи
* пор,
Uзи
uЗе
max,
max;
*
Uзи,mах,
в
3.
полевые транзисторы
lc,
Ie нач,
*
1с ост, мА
1ё.и,
в
в
-
-
3,5
3,5
-
400; 5*
450; 5*
мА
АП603А-5
С n-каналом
АП603Б-5
С n-каналом
2,5*
2,5*
АП604А-2
С n-каналом
900
-
7
-3
-
-
АП604Б-2
С n-каналом
900
-
7
-3
-
-
АП604В-2
С n-каналом
500
-
7
-3
-
-
АП604f-2
С n-каналом
500
-
7
-3
-
-
-
8
8
8
8
-3
-3
-3
-3
-
-
s5,5
6; -4*
-
-
~150
450
-
6; -8*
-
-
-
450
-
6; -8*
-
-
-
'
-
'
АП604А1-2
С n-каналом
АП604Б1-2
С n~каналом
АП604В1-2
С n-каналом
АП604f1-2
С n-каналом
900
900
500
500
АП605А-2
С барьером lllотки,
450
(3
В)
с n-каналом
~
"
АП605А1-2
С n-каналом
АП605А2-2
-
2*
-
8
-3,5
-
160; 5*
2*
-
8
-3,5
-
160; 5*
2*
-
8
-3,5
-
160; 5*
2*
-
8
-3,5
-
160; 5*
АП606Б-5
2*
-
8
. -3,5
-
160; 5*
АП606В-5
2*
-
8
-3,5
-
160; 5*
АП606А-2
С барьером lllотки,
с n-каналом
АП606Б-2
'
АП606В-2
-
АП606А-5
С барьером lllотки,
с n-каналом
'
.
Параметрь1 полевых транз'исторов
Cttн, Сi2и,
S,мА/В
** пФ
с 22и,
241
Rси отк, Ом
Кш, дБ
к;.Р, дБ
U~,мкВ
Е~*, нвNrц
Q***, ~
** Вт
Рвых,
ЛU3н, мВ
~50
~80
(3
(3
В;
В;
А)
А)
0,4
0,4
tвкл, НС
* •
fвыкл, НС
. 1;*, МГц
ЛUзи/ лт***,
Корпус
0
мкВ/ С
АП603-5
0,24
0,24
0,77
0,34
~шт
20.. .40 (3
В; О, 1 А)
15 .. .40 (3
В;
0,1
~3* (17,4 ГГц)
~.2** ( 17 ,4 ГГц)
~3 (17,4 ГГц)
~.125** (17,4 ГГц)
А)
10... 20 (3 В; 50 мА)
10... 20 (3
В;
50
В;
30
9
А
~3* (17,4 ГГц)
~.075** (17,4 ГГц)
~3* ( 17,4 ГГц)
~.005** (17,4 ГГц)
мА)
~.2** (17,4 ГГц)
~.125** (17,4 ГГц)
~.075** (17,4 ГГц)
~.05** (17,4 ГГц)
20 .. .40 (3 В; О, 1 А)
15 .. .40 (3 В; 0,1 А)
10... 20 (3 В; 50 мА)
10... 20 (3 В; 50 мА)
;;::30 (4
АП604-2
Наркщю/Jка
мА)
АП604-1-2
(8 ГГц)
(8 ГГц)
~.1 ** (8 ГГц)
~.5 (8 ГГц)
~6* (8 ГГц)
~.1 ** (8 ГГц)
~7* (8 ГГц)
~.15** (8 ГГц)
~ (8.ГГц)
~.5
АП605-2
~8*
~70
(3
В;
~90 (3 В;
~100
(3
В;
0,25
А)
0,25 А)
0,25
А)
3 (5 В)
3 (5
В)
3 (5 В)
~4* (12 ГГц)
~.4** (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~.4** (12 ГГц)
~5* (12 ГГц)
~.75** (12 ГГц)
//.J
АП605
(At-2,
А2-2)
//.J
~1.5
(8 ГГц)
АП606-2
tн=lOO
_
tн=lOO
Наркщdка
9
А_
-;;J6i. -_.
tн=lOO
~.--
nr
l....Lt
•
"'!~ ~
,...
U\....:
_.
С))
/
1 ..,_'
J
"':i
.~
сток 1~ 'Cil~ -_2,5 ru,.~ д
~70
(3
В;
0,25
А)
3 (5
В)
~4*
~.4**
~90
(3
~100
(3
В;
0,25
А)
3 (5 В)
(12
tн=lOO
АП606-5
tн=lOO
Исток
/
ГГц)
~*
~.4**
В;
0,25
А)
3 (5 В)
(12 ГГц)
(12 ГГц)
~. 75** (12 ГГц)
~5*
tн=lOO
~
с::)'
...
·lli·
•••
~--..
Сток/
о, 75_
Затlор
Раздел
242
_,
-
Тип
прибора
Структура
Реи max,
мВт
•
Реи т max,
Uзи отс,
·С n-каналом
lc,
в
8
5
-
-
-
-
-
-
• max,
Uзс
в
в
-
3,5*
•
Полевые транзисторы
ic. и,
uЗи пор,
Вт
АП607А-2
Uеи max,
3.
Uзи max,
мА
le нач,
1с ост, мА
:SlбOO;
S5*
/
0,6*
-
-
-3
АП608Б-2
1,1 *
-
-
-3
АП608В-2
1*
-
-
-
-
-3
-3
-
АП608А-2
С барьером Шотки,
с n-каналом
Aii608A-5
С барьером Шотки,
30
с n-каналом
АП608Д-5
30
АП608Е-5
АП915А-2
С барьером Шотки,
АП915Б-2
с n-каналом
АП925А-2
С n-каналом
АП925Б-2
АП925В-2
С барьером Шотки,
АП930Б-2
с n-каналом
АП930В-2
-
-3
10
-
12*
12*
-
7
7
-5
-5
-
-
5
5
-
~3.6 А (3 В)
7*
-
9
9
9
5
-
ЗА
21*
21*
21*
-
8
8
8
-5
-5
-5
-
:S4,5; :Sl 5*
S4,5; S15*
S4;5; Sl5*
7*
16*
'
АП930А-2
-·
-3
/
-
-
ЗА
,
Параметры полевых транзисторов
S,
мА/В
~80
243
Rси отк, Ом
Кш, дБ
С11н, Сi2н,
к;,Р, дБ
С22н, пФ
Рвых, Вт
U~,мкВ
Е~·, нВNfц
ЛU3н*, мВ
Q***, Кл
••
••
tвкл, НС
•
tвыкл, НС
1;•, Мfц
лuзи/лт•••,
Корпус
мкВ/"С
~1 ** (10 ГГц); ~4.5*
(3 В)
АП607-2
ft,$
~15 (3 В; 50 мА)
~3.5* (26 ГГц)
~.1 ** (26 ГГц)
~4* (26 ГГц)
~.15** (26 ГГц)
~20 (3 В; 100 мА)
~20 (3 В; 100 мА)
~4* (26 ГГц)
~.15** (26 ГГц)
~15 (3 В; 50 мА)
~4* (37 Гц)
~.03** (37 ГГц)
~3.5* (37 ГГц)
~.15** (37 ГГц)
~4* (37 ГГц)
~15 (3 В; 50 мА)
~15 (3 В; 50 мА)
~.01 *
~350 ( 1,5 В; 0,5 А)
~300 (1,5 В; 0,5 А)
-
-
АП608-2
АП608-5
(37 ГГц) _
~5** (8 ГГц); ~3*
~3** (8 ГГц); ~3*
-
-
АП915-2
1
r
_!1
'
...
- м ,, -+·. =·
3
~1
~
D,
1
;;,:;
1
3,1
--
-
~500 (3 В; 1,8 А)
~500 (3 В; 1,8 А)
-
~500 (3 В; 1,8 А)
-
-
~2** (3,7".4,2 ГГц)
~7* (3,7 .. .4,2 ГГц)
~5** (3,7 .. .4,2 ГГц)
~4.5** (4,3 .. .4,8 ГГц)
-
-
-
-
--
1•
~
~
.
~"
3,1
-
~1000
(3 В; 4 А)
~1000 (3 В; 4 А)
-
~5** (5,7 ... 6,3 ГГц)
~7.5** (5,7 ... 6,3 ГГц)
~10** (5,7 ... 6,3 ГГц)
-
-
1
_!1
~
:
3
с
·= -т·· =
ir,6
--
-
- 21.2 -
.AiI930-2
-
- 21.2 --
АП925-2
Dl
~1000 (3 В; 4 А)
с
е
,21
r
Q)
~~,
,._
D,
1-'
5,75
-
j
,._
't:t'"~
С\1
:
3
е
1,
-т·
ii,6
--
с
;:;
2s.6 -
Раздел
244
Реи max,
3..полевые транзисторы
Uзи отс,
Uси max,
uЗи пор,
uЗс max,·
в
в
14*
-
8
-5
-
-
14*
-
8
-5
-
АП967В-2
7*
-
8
-5
-
-
АП967f-2
7*
-
8
-5
-
-
АП967Д-2
7*
-
8
-5
-
-
АП967Е-2
14*
-
8.
-5
-
АП967Ж-2
14*
-
8
-5
-
-
0,15 ... 2
0,3 .. .4
0,5 ... 5
Тип
Структура
прибора
мВт
• т max,
Реи
Вт
• max,
Uзи
в
lc,
lc нач,
lc ост, мА
1с. и,
мА
-АП967А-2
С барьером Шотки,
с п-каналом,
АП967Б-2
\
с внутренними цепями
согласования
Параметры кремниевых полевых
тран.зисторов
.
.
~
кп101r
С р-~ пе~ходом
50
50
50
5
6
6
10
10
10
10
10
10
2
5
5
7
12
21
38
66
120
0,4 ... 1,5
0,5 ... 2,2
0,8 ... 3
1,4 .. .4
2 ... 6
2,8 ... 7
10
10
12
10
12
10
-
-
0,3 ... 2,5
0,35 ... 3,8
0,8 .. .1,8
1... 5,5
1,8 ... 6,6
3".12
7
12
2.1
38
66
120
0,4".1,5
0,5 ... 2,2
0,8 ... 3
1,4 .. .4
2 ... 6
2,8 ... 7
10
10
12
10
12
10
-
-
0,3 ... 2,5
0,35 ... 3,8
0,8 ... 1,8
1... 5,5
1,8 ... 6,6 3 .. .12
пМОП
150*
2*".4*
100
:1:20
38 (140*)
С р-п переходом
60
60
~1.5
-
КП201И-1
60
~3
КП201К-1
60
60
~4
-0,5
-0,5
-0,5
-0,5
-0,5
-
КП101Д
и р-каналом
КП101Е
С р-п переходом
КП103Е
КП103Ж
КП103И
и р-каналом
·
КП103К
КП103Л
КП103М
КП103ЕР1
КП103ЖР1
С р-п переходом и
р-каналом
КП103ИР1
КП103КР1
КП103ЛР1
КП103МР1
КП150
КП201Е-1
КП201Ж-1
КП201Л-1
и р-каналом
~.2
~6
10;
10;
10;
10;
10;
15*
15*
15*
15*
15*
-
-
-
А
~5* мкА
(100 В)
0,3".0,65
0,55."1,2
1... 2.1
1,7... 3
3 ... 6
245
Параметры полевых транзисторов
S,
мА/В
Rси отк, Ом
Кш, дБ
к;,Р, дБ
U~,мкВ
Е~*, нВNrц
С1 lн, Сi2н,
••
С22н,
••
Рвых,
пФ
Вт
о•••, Кл
дUЗн*, мВ
tвкл, НС
•
tвыкл,
НС
••
r
fp 'м ц
Корпус
дUзи/дт•••,
мкВ/•с
АП967-2
~1·
~4**
(5,9 ... б,4 ГГц)
~5**
(3,7 .. .4,2 ГГц)
. - 12,2
~1·
~**
1
~·
(3,7 .. .4,2 ГГц)
(4,3 .. .4,8
(3,4 ... 3,9
и
~1·
Н-С
18
Параметры кремниевых полевых транзисторов
~.3 (5-в)
0,4 ... 2,4 (5 В)
0,5 ... 2,8 (5 В)
0,8."2,б (5 В)
1... 3 (5 В)
1,8...3,8 (5 В)
1,3 .. .4,4 (5 В)
S20; :S8*
S20;S8*
0,4 ... 2,4
0,5 ... 2,8
0,8 ... 2,б
1... 3
1,8... 3,8
1,3 .. .4,4
S20;S8*
~13• 103
(25 В; 25 А)
S2800; 1100**
~.4 (10 В)
~.7 (10 В)
~.8 (10 В)
~1.4 (10 В)
~1.8 (10 В)
S20;~*
~;SВ*
S20;SS*
~;SВ*
S20;S8*
~;SВ*
S20; :S8*
S20;SS*
S20;S8*
S20;SS*
~;SВ*
S20;S8*
~;SВ*
S20;$8*
'
'1--~3
1J
(3,4 ... 3,9 ГГц)
:SlO; :S0,4**
:SlO; S0.4**
SlO; S0.4**
1
с1
Dc-..
-;Э--t-- ~~
1
ГГц)
~4** (5,6 ... 6,2 ГГц)
~.15 (5 В)
~.4 (5 В)
~
1
ГГц)
~1·
~5**
1
- J,6
~6*
~**
.
1
~б*
~2**
•
::;.-t-::Je!E§-:-..,1
1
:S4 (1
:S7 (1
:S7 (1
кГц)
кГц)
:S3
:S3
:S3
:S3
:S3
:S3
(1
кГц)
(1
(1
(1
(1
(1
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
:S3
:S3
:S3
:S3
:S3
:S3
(1 кГц)
(1 кГц)
(1 кГц)
(1 кГц)
(1 кГц)
( 1 кГц)
КП101
кГц)
3**
3**
3**
3**
3**
3**
:S3
:S3
:S3
:S3
:S3
(1 кГц)
( 1 кГц)
(1 кГц)
(1 кГц)
(1 кГц)
f 5.8
.......
КП103Р
-5;2
.
tсп=81
:S0,055
КП103
КП150
КП201-1
1
Раздел З. Полевые транзисторы
246
Реи max,
Тип
Структура
прибора
мВт
• т max,
Реи
Вт
Uзи отс,
Uси max,
uЗи пор, ·
UЗе max,
в
в
•
Uзи max,
в
Ic,
lc, и,
le нач,
lc ост, мА
мА
КП202Д-1
С р-п переходом
КП202Е-1
и р-каналом
60
60
0,4 ... 2
1".3
15; 20*
15; 20*
0,5
0,5
-
КП240
пМОП
125*
2."4*
200
±20
18 (72*)
КП250
пМОП
150*
2 ... 4*
200
±20
30 (120*)
51,5
1,1."3
А
А
:s;25*
мкА
(200
В)
:s;25*
мкА
(200
В)
-
КП301Б
С изолированным затвором,
200
2,7".5,4*
20
30
15
:s;D,5
мкА
(15
В)
200
2,7."5,4*
20
30
15
:s;D,5
мкА
(15
В)
200
2,7".5,4*
20
30
15
:s;D,5
мкА
(15
В)
300
300
300
300
1".5
2,5."7
3".1 о
2".7
20
20
20
20
10
10
12
10
24
43
300
300
300
300
1".5
. 2,5". 7
3".10
2."7
20
20
20
20
10
10
12
10
24
43
200
200
200
200
200
(' 200
200
200
0,5 ... 3
0,5".3
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
25; 30*
с имдуцированным
кпзоtв
р-каналом
кпзо1r
КП302А
С р-п переходом
КП302Б
и п-каналом
КП302В
кпзо2r
КП302АМ
С р-п переходом
КП302БМ
и n-каналом
КЦ302ВМ
кпзо2rм
КПЗОЗА
С р-п переходом
КПЗОЗБ
и п-каналом
кпзозв
кпзозr
кпзозд
КПЗОЗЕ
-
кпзозж
кпзози
КП304А
С изолиро·ванным затвором
и индуцированным каналом
р-типа
200
1".4
58
58
58
0,3".3
0,5".2
2::5*
25;
25;
25;
25;
25;
25;
25;
25;
:s;24;
:s;43;
533;
565;
6*
6*
6*
6*
-
524;
543;
533;
565;
6*
6*
6*
6*
30
30
30
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
52,5; 5*
:s;2,5; 5*
55; 5*
512; 5*
$9; 5*
:s;20; 5*
53; 5*
55; 5*
30
30 (60*)
-
:s;D,2
мкА
ПарамеmрЬ! поле,вь1х транзисторов
S,
С11н, Сi2н,
С22н, пФ
мА/В
~.65
247
Rси отк, Ом
Кw,дБ
к;,Р, дБ
Рвых, Вт
U~,мкВ
Е:, нВNrц
дUЗн, мВ
о···, Кл
••
tвкл, НС
•
tвыкл,
НС
1;·, мrц
Корпус
дUзи/дт•••,
мкв1·с
КП202-1
:S6; :S2*
:S6; ~·
~1
о.в
-
~
~.9· 103
(25 В; 11 А)
:Sl300; 130**
-
КП240, КП250
tсп=36
:S0,18
0.5
........
27,1
~12 • 103
(25 В; 18 А)
~.5;
1... 2,6
(15
~800;
780**
s1 *;
tсп=62
~.085
~.5
~.5*~
(100
МГц)
~
!i
~lf
1
КП301
100**
В; 5мА)
2... 3
(15 В; 5мА)
0,5 ... 1,6
(15 В; 5мА)
~5,8
~.5;
:Sl *;
~.5;
:Sl *;
~.5**
~.5*
:S9,5 (100
МГц)
100**
~.5
МГц)
100**
( 100
t-:>
"'f-1--~~
_&_Vn
' u u З~JJlZ
~_,_no
5... 12 (7 В)
7.. .14 (7 В)
7... 14 (7 В)
5... 12 (7 В)
7... 14 (7 В)
7 ... 14 (7 В)
1.. .4
1.. .4
2... 5
3... 7
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
~.6 (10 В)
~4(10В)
1.. .4 (10
2... 6 (10
~4
(10
В;
В)
В)
10
мА)
:S20;:S8*
:S20;:S8*
:S20; :S8*
:S20;:S8*
:S20; ~·
:S20;:S8*
:S20; :S8*
:S20; :S8*
~ (1 кГц)
:Sl50
:SlOO
:Sl50
~
:Sl50
SlOO
:Sl50
S6;~*
:S2*
:S2*
:S2*
s2*
:S2*
S2*
s9; s2*; s6**
КП302
:S4; :S5*
S4; :S5*
:S4;SS*
:S4; :S5*
:S4;
:S4;
S4;
S4;
'69.2
S5*
:S5*
S5*
S5*
КП302М
~5,84
~О** (20 Гц)
:S20** (1 кГц)
:S20* * ( 1 кГц)
:S(6. 10·17)***
S4 (100 МГц)
S4 (100 МГц)
:SlOO** (1 кГц)
:SlOO** (1 кГц)
s6; s2*
:S6;
S6;
:S6;
s6;
:S6;
:S6;
(1 кГц)
с
кпзоз
-5.8
КП304
SIOO
~5,8
'
и
-Раздел
248
Реи max,
Тип
прибора
мВт
Структура
• т max,
Реи
Вт
Uзи отс,
UЗи пор,
.
полевые транЗ'исmоры
/
Uc~ max,
• max,
Uзи
'
Uзе max,
в
3.
в
в
Ic,
le нач,
~с.и,
Ic ~ст, мА
мА
150
~6
15;
:1: 15*
:1: 15
15
-
КПЗО5Е
150
~
15; ± 15*
±15
15
-
КПЗО5Ж
150
~6
15;
:1: 15*
±15
15
-
КПЗО5И
150
~
15;
:1: 15*
:1: 15
. 15
-
150
s4
20
20
20
S0,005
150
150
$4
$6
20
20
20
20
20
20
S0,005
S0,005
250
250
250
250
250
250
250
0,5 ... 3.
1... 5
1... 5
1,5".6
1,5".6
S2,5
S7
27
27
27
27
27
27
27
25
25
25
25
25
25
25
$~
30*
30*
30*
30*
30*
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
Sl
Sl,6
КПЗО5Д
С изолированным затвором
и п-каналом
КПЗО6А
С двумя изолированными
затворами и
КПЗО6Б
КПЗО6В
п-каналом
"
КПЗО7А
С р-п переходом
КПЗО7Б
и п-каналом
КПЗО7В
"
КПЗ07Г
КПЗО7Д
КПЗО7Е
КПЗО7Ж
25;
25;
25;
25;
25;
25;
25;
27*
27*
27*
27*
27*
27*
27*
sl5
Sl5
24
8."24
s5
$25
'
КПЗОSА-1
С р-п переходом
КПЗОSБ-1
и п-каналом
КПЗОSВ-1
КПЗОSГ-1
КПЗОSД-1
КПЗ10А
С изолированным затвором
КПЗ10Б
и каналом п-типа
КПЗ12А
С р-п переходом
КПЗ12Б
и п-каналом
-
25;
25;
25;
25;
25;
60
60
60
60
60
0.2 ... 1.2
0,3."1,8
0,4 ... 2.4
1."6
1... 3
80
80
-
8; 10*
8; 10*
10
10
20
20
SS; SO,l *
S5; S0,1 *
100
100
2... 8
0,8".6
20; 25*
20; 25*
25
25
25
25
S25
S7
S3
-
,
75
~6
15; 15*
10
15
-
КПЗ1ЗБ
75
~6
15; 15*
10
15
-
КПЗ1ЗВ
75
~
15; 15*
10
15
-
КПЗ1ЗА
С изолированным затвором
и п-каналом
Параметры полевых транзисторов
S, мА/В
С11н, Сi2н,
С22н, пФ
249
Rси отк, Ом
Кш, дБ
к;,Р, дБ
Uw,мкВ
••
Рвых,
•
E:i•, нВ/../fц
Вт
о•••,
дuЗИ, мв
5,2".10,5
(10 В; 5 мА)
4... 8
(10 В; 5 мА)
5,2 ... 10,5
(10 В; 5 мА)
4".10,5
(10 В; 5 мА)
4... 8 (Uз2и=lО В)
.
4 ... 8 (Uз2и=lО В)
4... 8 (Uз2и=IО В)
s5; :S0,8*
~13*
-
55; 50,8*
S5; S0,8*
~13*
1;·, мrц
/.
мкв/·с
-
-
(250 МГц)
КП305
'
S7 ,5 (250
МГц)
-
~·
lt)'
"
-
-
S5; S0,07*
-
S6 (200 МГц,
800**
S5; S0,07*
S5; S0,07*
-
:S6 (200
и
-
Sб
(200
зфП/Юd.
/(Opfl.
1
~~
...... '
11
-
с
КП306
Uз2и=IО В)
МГц)
МГц)
.
;,5,8~
-
-
55; 50,8*
Корпус
дUзи .дт··· ,
S7 ,5 (250 МГц)
МГц)
(250
KJI
tвкл, НС
•
tвыкл,
НС
-_s,в'!
-
800**
800**
1"',)
~
.....
31
з,фffом.
·-----
~. ~
4 ... 9 (10 В)
5... 10 (10 В)
5... 10 (10 В)
6."12(1ОВ)
6".12 (10 В)
3 ... 8 (10 В)
4... 14 (10 В)
S5;
S5;
S5;
S5;
S5;
S5;
s5;
s20** (1 кГц)
$2,5** ( 100 кГц)
S2,5** (100 кГц)
~6 (400 МГц)
56 (400 МГц)
$20* * ( 1 кГц)
5(4. 10" 17 )***
-
Sl ,5*
Sl ,5*
SI ,5*
Sl ,5*
Sl ,5*
Sl ,5*
51 ,5*
-
-
с
КП307
~5)!
-
с
~
,..;u 10u ифз
V')~
V')
j
1
...,11
1.. .4 (10 В)
1.. .4 (10 В)
2 ... 6,5 (10 В)
-
s6;
S6:
S6;
S6:
56;
s2**
S2**
$2** ·
S2**
S2**
-
S20** ( 1 кГц)
S20* * ( 1 кГц)
S20** (1 кГц)
-
$250
s250
-
S20; $20*
520;520*
S2,5; 50,5*
s2,5; :S0,5*
~5*
~5*
(1 ГГц)
(1 ГГц)
/
:S6 (1
ГГц)
S7 ( 1 ГГц)
КП308-1
Jt~!
1
,
3... 6 (5 В; 5 мА)
3".6 (5 В; 5 мА)
Корп.
-
12
КП310
(6_5,811
-
~·
~·
1
'с')
4 ... 5,8 (15 В)
2 ... 5 (15 В)
....
1
54; Sl *
54; Sl *
~2*
~2*
(400
(400
МГц)
МГц)
54 (400 МГц)
56 (400 МГц)
-
с
r
~
-
-
1
ифз
11
ПoiJn.
КП312
ttt
~ ~m
10
4,5 ... 10,5
(10 В; 5 мА)
4,5 ... 105
(10 В; 5 мА)
4,5 .. .10,5
(10 В; 5 мА)
57; S0,9*
~10*
(250 МГц)
57 ,5 (250 МГц)
300**
s7; 50,9*
~10*
(250 МГц)
57 ,5 (250 МГц)
300**
57; 50,9*
~10*
(250 МГц)
57 ,5 (250 МГц)
300**
;,
КПЗ13
J
:tbl ~
зис
Раздел З. Полевь1е траю.исrnоры
250
Реи max,
·Тип
прибора
uЗи лор,
в
в
-
25
30
20
2,5 ... 20
200
2,2 .. .12
20
20
-
~2
100
100
0,74 ... 6
0,74 ... 6
20
20
25
25
12
12
3 .. .12
3 ... 12
200
200
200
200
52,7
52,7
18
18
14; 16*
14; 16*
6
6
5
5
30
30
30
30
SlO
SlO
S17
517
•
Реи т max,
Вт
КПЗ14А
С
p-n
переходом
.
Uеи max,
Uзе max,
Uзи отс,
мВт
Структура
200
uЗи max,
в
lc,
lc, и,
le нач,
Iсост, мА
мА
и п-каналом
'
КПЗ22А
С двумя затворами, с
р-п переходом
и п-каналом
КПЗ2ЗА-2
С
КПЗ2ЗБ-2
КПЗ27А
p-n
переходом
и п-каналом
С двумя изолированными
1
КПЗ27Б
затворами и защитными ди-
КПЗ27В
одами, с n-каналом
КПЗ27f
-
КПЗ29А
С р-п переходом
и n-каналом
250
250
~1.5
КПЗ29Б
~1.5
50
40
45
35
-
пМОП
125*
2 .. .4*
400
:1:20
10 (38*)
-
КПЗ40
~1
~1
А
525* мкА (400 В)
!
КПЗ41А
С
p-n
переходом
150 (6о·с>
S3
15; 15*
10
150 (6о·с>
S3
15; 15*
10
и каналом n-типа
КПЗ41Б
.
r
-·
520
530
251
Параметрьl полевых транзисторов
S,
~4
мА/В
(10 В)
С11и, Сi2и,
С22и, пФ
Rси отк, Ом
Кш, дБ
к;,Р, дБ
Рвых, Вт
U~,мкВ
Е~·, нВNrц
ЛU3н, мВ
о···, Кл
••
tвкл, НС
•
tвыкл, НС
1;•, МJ:ц
Корпус
лuзи/лт•••,
мкв;·с
~100**
:S6: :S2*
КП314
Ф//,75
~
3
с-ек
н
3,2 ... 6,3 (10 В)
:S6 (250 МГц)
:S6; :S0,2*
КП322
~9,11 -
J,
~
. о поил.
J
2
о
о
и
4".5,8 (10 В)
4".5,8 (10 В)
~11
~11
~.5
~.5
(10 В; 10 мА)
(10 В; 10 мА)
(10 В; 10 мА)
(10 В; 10 мА)
~3
~1
(10
В)
(10 В)
:S4; :Sl ,2*
:S4; :Sl,2*
:S2,5
:S2,5
$2,5; :Sl ,6*
:S3,6; :SЗ*
:S6
:S6
:S5**
:S5**
~12* (0,8
~18* (250
~12* (0,8
~18* (0,2
ГГц)
МГц)
ГГц)
ГГц)
:Sl500
:Sl500
КП323-2
400**
400**
:S4,5 (0,8 ГГц)
:S3 (0,2 ГГц)
:S4,5 (0,8 ГГц)
:S3 (0,2 ГГц)
:S20**
$20**
КП327
КП329
200**
200**
1
~7.7. 103
(50 В; 6 А)
:Sl400; 130*
:S0,55
КП340
tcn=24
27, 1 -1
~
J
i!
-
~___...1 11
'~;::~·
Ио 30
~
\V .
1
15".30 (5 В)
:SS; 1*; 1,6**
18 ... 32 (5 В)
:SS; 1*; 1,6**
2,8 (400 МГц)
:Sl,2** (100 кГц)
1,8 (200 МГц)
:Sl ,2** (100 кГц)
КП341
Раздел
252
Реи max,
Тип
Структура
прибора
мВт
·--
•
Реи т max,
Вт
КП346А-9
С двумя изолированными
Uзи отс,
Uеи max,
uЗи пор,
UЗе maxr
в
200
-
200
в
'
•
Uзи max,
в
3.
nолееые тра1:1зисторы
Ic,
le нач,
1с ост, мА
1ё. и,
•
мА
14; 16•
10
30
2... 20
-
14; 16•
10
30
S20
200
-
14: 16•
10
30
2... 20.
200
3
14
5
-
S5
пМОП
150•
2.. .4•
400
±20
14 (56•)
С двумя изолированными
200
0,17 ... 6
15
15
30
SЗ,5
200
0,17 ... 6
15
15
30
SЗ,5
200
0,17 ...6
15
15
30
SЗ,5
200
200
200
200
200
200
200
200
0,5 ...3
0,5 ... 3
1.. .4
30
30
30
30
0,5 ... 2,5
0,5 ... 2,5
1,5...5
3.. .12
3...9
5... 20
0,3 ...3
1,5...5
затворами
КП346Б-9
и п-каиалом
КП346В-9
КП347А-2
С п-каналом, с двумя изолированными затворами, с
двумя защитными диодами
кпзsо
КП3SОА
А
S25•
мкА
(400
затворами и встроенным
КП3SОБ
п-каналом
КП350В
КП364А
С р-п переходом,
КП364Б
п-каналом
КП364В
КП364Г
КП364Д
КП364Е
КП364Ж
КП364И
КП36SА
С р-п переходом,
КП36SБ
п-каналом
КП382А
пМОП, с двумя затворами
-
25;
25;
зо•
S8
25;3о•.
30
S8
0,3 ...3
0,5 .. ;2
25; 30•
25; 30•
25; 30•
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
150
150
-0,4 ...-3
-0,4 ...-3
20
20
20
20
- -
-
2,7
15
-
-
S8
зо•
25;3о•
25; 30•
.
4,5 ... 20
12... 35
S20
'
-
В)
253
Параме~еы полевых транзисторов
Rси отк, Ом
S,
мА/В
Uw,мкВ
Рвых, Вт
Е~*, иВ/vГц
••
(10
В;
10
мА)
s2,6; sо.оз5•;
s1,3••
2:10 (10
В;
10
мА)
SЗ; ~.035*;
мА)
s1,5••
S2,6; s0.оз5•;
~12
(10
В;
10
•
к;,Р, дБ
дU3н*, мВ
~12
Кw,дБ
ГГц)
;;::15• (0,8
(200
SЗ,5
(0,8
•
1;•, МГц
Корпус
дUзи/дт•••,
мкВ/•с
ГГц)
ГГц)
S4,5 (800
МГц)
МГц)
Sl ,9 (200
МГц)
. S13 (0,8
~1
Q···. Кл
tвклr НС
tвыкл, НС
КП346-9
s1.з••
и
~10
(10 8; 10
мА)
SЗ,5
(10 8)
0,04•
2:18• (200
МГц)
S2,5 (200
МГц)
с
КП347А-2
1,8
•f
~
jl
g
n
-ifu
О)
.
UL
---
,с
-
rз1
32
~10• 103
(25 8; 25 А)
S0,3
КП350
tcn=47
~pf
27,1 -
- i - ~ (~ 1~ \
~\v
1
2:6 (10
В;
10
мА)
s6;
~.07"';
s6 (400
МГц)
S5 (100
МГц)
S8 (400
МГц)
КП350А
sб••
;;::6 (10 8; 10
мА)
2:6 (10 8; 10
мА)
S6; s0,07*;
s6••
S6; S0,07*;
sб••
~~в~
to:t
\(')'•'.J--~~
..... , _
....."
~
-
;;..: "!2
1".4(108)
1".4(108)
2... 5 (10 8)
3."7 (10 8)
~.6 (10 8)
2:4 (10 8)
1".4(108)
2".6 (10 8)
sзо•• (20 Гц)
s20•• (l кГц)
S20** (l кГц)
S6;S2
S6;S2
s6;S2
s6; S2
S6;S2
S6;S2
S6;S2
S6;S2
11
ll
11
11
КП364
1
~4 (100 МГц)
~4 (100 МГц)
~100•• (1 кГц)
s100•• (l
кГц)
КП365
- 155,2 -
2:10
2:13*
3
Раздел
254·
КП401АС
Сборка из четырех
3.
nолевь1е транзисторы
420
~.8
30
20
3 (1 и 3)
420
~.8
30
20
1 (2
транзисторов
и
КП401БС
1 и 3 с n-каналами,
2 и 4 с р-каналами
КП402А
С р-каналом
(0,8 ... 2,8)
200
150
$60
С n-каналом
(О,8 ... 2,8)
200
300
$60
КП403А
~
4)
КП440
nМОП
125*
2 .. .4*
500
±20
8 (30*) А
$25* мкА (500 В)
КП450
nМОП
150*
2 .. .4*
500
±20
12 (52*) А
525* мкА (500 В)
С изолированным затвором
500
500
500
1... 3*
1... 3*
1... 3*
240
200
200
±20
±20
±20
180
180
180
10
мкА
10
10
мкА
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
700
i,5 ... 2,5*
-1,8 ... -0,7*
0,6 ... 1,2*
0,6 ... 1,2*
0,6 .. .l,2*
0,8 ... 2*
0,8 ... 2*
0,8 ... 2*
0,4 ... О,8*
400
240
240
240
200
50
50
60
8
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
120
150
250
250
250
1400
1400
1400
500
1
1
1
КП501А
КП501Б
и n-каналом
КП501В
КП502А
КП503А
С изолированным затвором
и n-каналом
КП504А
КП504Б
КП504В
КП505А
КП505Б
КП505В
КП505Г
мкА
мкА
мкА
мкА
1 мкА
l мкА
l мкА
l мкА
1 мкА
1
мкА
КП510
nМОП
43*
2 .. .4*
100
±20
5,6 (20*)
А
$25* мкА (100 В)
КП520
nМОП
60*
2 .. .4*
100
±20
9,2 (37*) А
$25* мкА (100 В)
параметры полевых транзисторов
~280
(1 и 3)
~130
(2
и
255
$1,2 (n-кан.);
$2,5 (р-кан.)
$2 (n-кан.);
$5 (р-кан.)
4)
КП401
1,5
~,......
~60
(25
В; О, 1 А)
__
,5 16
6ы8тJо8 О.52
____;.
КП402А, КП403А
$20
~5,2
~60
(25
В; О, 1 А)
-~
$6
~
~"
.....
!!"$
~5.3
~9.3
(25
(25
В;
В;
5
А)
7,75
А)
$1300; 120•
$2600; 120••
$0,85
$0,4
~
....:
КП440, КП450
tсп=20
27,1
N
......
tсп=44
!'"';i
"""
~100
КП501
10
10
15
~100
~100
Р5,2
-~
~
~-
~
.....
~.1 А/В
~.14 А/В
~.14 А/В
~.14 А/В
~.14 А/В
~.5А/В
~.5А/В
~.5 А/В
~.5А/В
~1300
(50
В;
3,4
180; 15•
$0,54
~
КП502, КП503,
28
20
8
8
8
0,3
0,3
0,3
1,2
А)
~
КП504, КП505
tJ5,2
~~
tt)
~
КП510, КП520
tcn=9,4
1/,8
70,65
~2700
(50
В;
5,5
А)
360; 150••
$0,27
tсп=20
~
~"
.....
3
с
2.5
и
1,15
2.5
1,9
1, 1
256
Раздел з. /lолевые транзисторы
Рен max,
Тип
мВт
Структура
прибора
• т max,
Реи
Вт
nМОП
КП530
вв•
• пор,
Uзи
Uзи отс,
Uеи max,
UЗе max,
в
в
2.. .4•
100
lc,
• max,
Uзи
в
±20
le нач,
1с:. и,
• 1
lсост
мА
А
14 (56•)
~25* мкА
мА
(100
В)
'
КП540
КП601А
КП601Б
nМОП
С
p-n
150•
переходом
и n-каналом
500; 2•
500; 2•
Вт
Вт
2.. .4•
100
±20
28 ( llO*)
4 ... 9
6 ... 12
20; 20•
20; 20•
15
15
-
А
~25• мкА
(100
В)
~400
~400
КП610
nМОП
36•
2 ... 4•
200
±20
3,3 (lO•)
А
~5· мкА
(200 В)
КП620
nМОП
50•
2.. .4•
200
±20
5,2 (18•)
А
~25• мкА
(200
В)
КП630
nМОП
2.. .4•
200
±20
9 (36•)
~5* мкА
(200
В)
~25* мкА
(200
В)
\
74•
-
nМОП
125•
2.. .4•
200
±20
18 (72•)
КП704А
С изолированным затвором,
КП704Б
с n-каналом
75•
75•
1,5 ... 4•
1,5 .. .4•
200
200
±20
±20
10
10
КП705А
С n-каналом
125•
125•
125•
-
1000; 1010•
800; 840*
30
30
30
5,4
5,4
5,4
КП640
КП705Б
КП705В
-
КП706А
nМОП
КП706Б
КП706В
КП707А
С изолированным затвором,
КП707Б
с n-каналом
КП707В
soo;
-
-
воо•
А;
А;
А;
А;
А;
А
А
.
30•
30•
А
~о.в
А
~·
6•
7•
7•
А
~7; ~10·
А
~7; ~10•
А
~15; ~5·
-
100•
100•
100•
-
500
400
400
30
30
30
100•
100•
100•
~5
~5
~5
400
600
750
20
20
20
22
22
22
А
А
А
25• А
16,5• А
12,5• А
l; 4• (500
1; 4• (400
1; 4* (400
~5; ~1·
~5; ~1·
~5; ~··
В)
В)
В)
Параметры полевых транзисторов
S,
Rси отк, Ом
Кш, дБ
С1 lи, С12и,
к;,Р, дБ
Uш,мкВ
С22и, пФ
Рвыхr Вт
,Е~·. нВNГц
•
мА/В
257
••
•
ЛU3н, мВ
~5100
(50
В;
А)
8,4
Q**•,
-
~.16
670; 60*
Кл
tвклr НС
•
tвыклr НС
1;•, МГц
Корпус
дUзи/дт•••,
мкв/·с
КП530, КП540
tcn=24
:r
-
'1,8
1!>65
.,, v
1
~
fJJPr_JI -
11
~
~8700
В;
(50
А)
17
~О.077
1700; 120*
-
1
tсп=43
-
~6
~6
(400
(400
МГц)
МГц)
-
1
~
~"
~6*
-
11)" Со"
~
~6*
- "''""
1
Q::1
и
31111
'~
~
40."87 (10 В)
40 ... 87 (10 В)
,
1,15
с-11111
~
11
2.5
-
КП601
-
tJ9,2
"
фс
' r
"'
~~.
~
~·
~800
В;
(50
2
А)
~1.5
140; 15*
1, 1
1,9
2.5
-
'
1•
1
3
1
-кп&lО, КП629, КП630,
tcn=8,9
КП640, КП704
~1500
~3800
В;
(50
(50
В;
А)
3,1
3,4
А)
~.8
260; 30*
~.4
950; 76*
-
tсп=13
tсп=25
(50
В;
11
А)
~О.18
1600; 130*
-
tсп=40
-.
11)"
IЯ
1000... 2500 (1
1000... 2500 (1
~1000
~1000
~1000
(30
(30
(30
В;
В;
В;
2
2
2
А)
А)
А)
А)
А)
~О.35
~О.5
250**
250**
1500 (50
1500 (50
1500 (50
В);
В);
В);
~4.3
~3.3
20*
20*
20*
~3.3
-
-
~100; ~100*
~100;~100*
~
~"
-
1
З~lllJJ IJtИ
'с;) ~ С-1'1
1, 15
11 1
-
2.S
~60; ~80*
КП705
~60; ~80*
- 27.f
·л3 ~
~\ ~)
-
11
'
А)
А)
А)
2500; 300**
2500; 300**
2500; 300**
0,65
0,44
0,6
-
КП706
70; 100*
70; 100*
70; 100*
1
'
j\
,
t::
...
'
~з
~ з
L
,
с
(20
(20
(20
В;
В;
В;
3
3
3
А)
А)
А)
~1600
~1600
~1600
(25
(25
(25
В); ~45*
В); ~45*
В); ~45*
~1
~2.5
~3
-
~80*
~
и
3+ ~
6.3
-~1600
~1600
~1600
1,1
-
~60;~0*
_,
2
2
2
1,9
2.5
tf::i'
В;
В;
В;
-
-
1
~
-,
N
....
2300 (30
2300 (30
2300 (30
...
Q::1
Со"
w
j
vfJ.JPr_JI
, -
,,
1
~
~6700
'1,8
:r, 70,65
1
т
L.
и
21.5 КП707
~80*
~80*
27.f
с
N~·л~
;
~ \~~/
Раздел
258_
3. полевые транзисторы
60*
60*
55*
2... 5
2... 5
2... 5
400
600
750
±20
±20
±20
4 (16,5*) А
3 {12,5*) А
S25* мкА (400 В)
~25* мкА (600 В)
S25* мкА (750 В)
nМОП
50*
2 .. .4,5
800
±20
3,5 (9*) А
~25* мкА (800 В)
С изолированным затвором
75*
75*
2 .. .4,5*
2 .. .4,5*
500
500
±20
±20
75*
75*
75*
75*
75*
2 .. .4
2 .. .4
2 ... 5
2 ... 5
2 ... 5
600
600
600
500
500
±20
±20
±20
±20
±20
4,5 А; 18* А
4,5 А; 14* А
3,5 А; 16* А
4,5 А; 18* А
4 А; 14* А
~о.5
~О.5
~О.25 (20 В)
S0,25 (20 В)
S0,25 (20 В)
nМОП
36*
2 .. .4
400
±20
2 (6*) А
~25* мкА (400 В)
КП712А
С изолированным затвором,
КП712Б
с р-каналом
50*
50*
50*
-2 ... -5
-2 ... -5
-2 ... -5
-80
-100
-100
::1:20
±2Q
10
±20
8А
КП707А1
nМОП
КП707Б1
КП707В1
КП707В2
КП708А
КП708Б
и n-каналом
КП709А
С изолированным затвором,
КП709Б
с n-каналом
КП709В
КП709f
КП709Д
КП710
КП712В
КП717А
nМОП
170*
170*
170*
170*
170*
170*
350
400
350
400
350
400
±20
±20
±20
±20
±20
±20
15
15
13
13
11
11
А
А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
125*
125*
125*
125*
125*
125*
500
±20
±20
±20
±20
±20
±20
9,6 А
9,6 А
8,3 А
8,3 А
10 А
10 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
КП717В1
КП717Г1
КП717Д1
КП717Е1
КП718Е
А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
КП717Б1
КП718Д
10 А
15 А
15 А
13 А
13 А
11 А
11 А
КП717Е
КП718В
0,5
0,5
±20
±20
±20
±20
±20
±20
КП717Г
КП718Г
А
350
400
350
400
350
400
КП717Д
КП718Б
А
150*
150*
150*
150*
150*
150*
КП717В
КП718А
4,5
4,5
nМОП
КП717Б
КП717А1
б (25*)·А
nМОП
450
500
450
500
450
А
А
А
А
параметры полевых транзисторов
259
~1600
~1600
(20 В; 3 А)
(20 В; 3 А)
~1600 (20 В; 3 А)
$2600; 95*
$2600; 95*
$2600; 95*
$1
$2,5
53
$80**
580**
580**
~1600 (20 В; 3 А)
$1600; 95*
52,8
$80**
КП707-1, КП707-2
и
1,15
2.5
~2000
~2000
(25
(25
В;
В;
2
2
А)
А)
~2000 (25 В; 2 А)
- ~2000 (25 В; 2 А)
51500 (25 В; 2,5 А)
$1500 (25 В; 2,5 А)
51500 (25 В; 2,5 А)
~1
(50
В;
1,2
~2000
~2000
А)
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
~1800 (4 В; 2 А)
КП708, КП709, КП710
5650;$70*
5650;$70*
$0,75
$1
5650 (25 В); $70*
$650 (25 В); $70*
$950 (25 В)
$950 (25 В)
$950 (25 В)
54,6
$2
$2,5
$1,5
$2
$50
550
$30; l~O*
$30; 150*
$30; 150*
170; 6,3*
$0,36
tсп= 11
$0,25
$0,3
$0,4
130; 350*
130; 350*
130;350*
51800 (25
$1800 (25
$1800 (25
В);
В);
В);
100*
100*
100*
1, 1
КП712
(',/
~
~"
С'-.
а
3
~~
3
8 • 10
8000
7000
7000
6000
6000
0,3
0,3
0,35
0,35
0,4
0,4
КП717
27.f
--ISP
~
~
~
3
8 • 10
8000
7000
7000
6000
6000
КП717-1
0,3
0,3
0,35
0,35
0,4
0,4
15,9
5
&n
-s:.·
-.
о
зси
2700
2700
2700
2700
2700
2700
0,6
0,6
0,8
0,8
0,5
0,5
КП718
27.f
~~
~
~
~
Раздел З. полевые транзисторы
260
КП718А1
nМОП
КП718Б1
КП718В1
КП718Г1
КП718Д1
КП718Е1
125*
125*
125*
125*
125*
125*
450
±20
±20
±20
±20
±20
±20
400
±20
500
450
500
450
500
9,6
9,6
А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
А
8,З А
8,З А
10
10
А
А
З,3 (lЗ*) А
мкА
КП720
nМОП
50*
КП722А
nМОП
125*
200
±20
22
А
0,25*
КП723А
nМОП
150*
150*
150*
150*
60
50
60
50
±20
±20.
±20
±20
З5 А
0,25*
0,25*
0,25*
0,25*
125*
125*
600
500
±20
±20
6А
6А
0,25*
0,25*
500
±20
lЗ А
0,25*
КП723Б
КП723В
КП723Г
КП724А
nМОП
КП724Б
2.. .4
З5 А
З5 А
З5 А
КП725А
nМОП
125*
КП726А
nМОП
75*
75*
2 .. .4*
2 .. .4*
600
600
±20
±20
4 А; 16* А
4,5 А; 18* А
nМОП
40*
90*
90*
90*
75*
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
50
50
50
50
50
±20
±20
±20
±20
±20
14 А
2,6 А
З,З А
90*
90*
2.. .4
2 .. .4
50
50
±20
±20
2,6
КП726Б
КП727А
КП727Б
КП727В
КП727Г
КП727Д
КП727Е
КП727Ж
nМОП
-
ЗА
4А
ЗА
А
525*
(400
0,25* (600
0,25* (600
50,25*
50,25*
50,25*
50,25*
50,25*
50,25*
50,25*
В)
В)
В)
параметры полевых транзисторов
2700
2700
2700
2700
2700
2700
261
0,6
0,6
0,8
0,8
0,5
0,5
КП718-1
5
Cn
"5!:t-'
""
~1700
(50
В;
2 А)
490; 47•
Sl,8
КП720, КП722
tсп=15
-N
0,12
9000
о
зси
~
10000
10000
10000
10000
0,028
0,028
0,035
0,035
2000
1,2
1
2000
КП723, КП724
1/,8
1,9
0,4
7800
2500 (25
2500 (25
В;
В;
~300
~1000
~1000
~1500
~100
~1000
~1000
2,8
2,8
А)
А)
Sl050
Sl050
S2
Sl,6
sO,l
S4
S3
S2
S3
S3
S4
1, 1
КП725
Sl50*
Sl50*
КП726, КП727 (А-Д)
1,9
КП727 (Е, Ж)
1,1
Раздел З. полевые транзисторы
262
Реи max,
Тип
прибора
мВт
Структура
• т max,
Реи
Вт
КП728А
пМОП
75*
КП730
пМОП
74*
Uзи отс,
Uеи max,
•
Uзи max,
uЗи пор,
• max,
Uзе
в
в
-
800
±20
400
±20
2".4 .
в
lc,
le нач,
lc OCTt мА
~с.и,
мА
ЗА
5,5 (22*)
S0,25*
S25* мкА (400 В)
А
'
КП730А
Биполярный·
200*
3".5,5
Uкэ=1200
Uзэ=±20
Iк=45
::;25* (1200
В)
(90*) А
транзистор с
изолированным
затвором с п-каналом
КП731А
Биполярный
160*
3."5,5
Uкэ=600
Uзэ=±20
Iк=40
А
S25* (600 В)
А
1,5(6*)А
SO,l *
SO,l *
SO,l *
so.1•
(80*}
транзистор с
изолированным
затвором с п-каналом
КП733А
пМОП
КП733Б
КП733Г
КП733Д
125*
125*
125*
125*
2 .. .4*
1".2*
2."4*
2".4*
400
400
600
650
1*
2".4*
550
±20
±20
1,5 (6*)
±20
5*
4*
±20
А
А
~
КП733В-1
·
пМОП
±20
500 (2000*)
SO,l * (550
В)
КП740
пМОП
125*
2".4
400
±20
10 (40*)
А
::;25*
мкА
(400
В)
263
параметры полевых транзисторов
S,
•
С11н, С12н,
мА/В
Кw,д:Б
к;,Р, д:Б
Uw,мкВ
Рвых, Вт
Е~*, иВNfц
••
u•••
д зи,
с22н, пФ·
-
~1000
Rси отк, Ом
мВ
•
Q".,
Кл
tвкл, НС
•
tвыкл,.ИС
1;•, Мfц
дUзи/дт•••,
мкв/·с
-
sз
Корпус
-
КП728
-5 -
15,9
-_"
'
~
jl
......
l
~
C'lf ~
-
~900
(50 В; 3,3 А)
::;2600; 95*
-
Sl
п
~и~
~~
зси
КП730
tcn=l5
,
70.65
:!
~34._;sт-
,,,.. " 1
'
/
1
j
Qa
~
~" Со"'
'~
3·
'!>t-"' ~
......
С·
(100
В;
25
А)
::;2400; 28*
Uкэн=SО,116
-
-
и
1,15
1,9
_2.5
-
2.5
~7500
(100
В;
24
А)
Sl500; 20*
Uкэн=sО,15
-
-_"
~
......
S410*
~
-
~500
S400; 15*
S400; 15*
::;400; 15*
~400; 15*
SЗ,6
SЗ,6
S4,4
~5
[
~
r~: ~
.. ,
-..
(20 В; 1 А)
(20 В; 1 А)
(20 В; 1 А)
(20 В; 1 А)
5
C'lf ~
~",
~500
~500
~500
п
зси
-
1,1
КП730, КП731
::;480*
15,9 _
~200
-
- ... _
.....
с-...
1/,8
КП733
tcnS80
tcnS80
tcnS80
tcnSSO
- /' 1,.Jt
'
Qa
1/,8
'!р.65 - ~3,6,
:!
!1
",1
-
- -
~
~" Со"'
.....
' •
1
~
31UI
'!>t-"' 'Q
.....
с..-
1
с-...
1
~500
(20 В; 1 А)
Sl50** (25 В);
Sl5* (25 В);
SlO
-
1,15
1,9
_2.5
11
2k_
-
....
и
1
_1,1
-
-
КП733-1
tcnS80
fJ5,2
-
;~
С"'1
iq
~-~
изс
~5800
(50 В; 6 А)
Sl400; 120*
S0,55
-
tсп=24
КП740
1/,8
:! • '!р.65 ~J.6i,", 1 .,.,
...'" "
- ......
1 ,,,..,
1
Qa
~
~" Со"'
.....
1
•
!.i)
1
3~1U
~ 'Q
С-8-1
1
с-...
""-1
11
2k_
1
-
и
1,15
1
2.5
1,9
-
1, 1
Раз&т З. Пол~вые транзисторы
264
Реи max,
Тип
прибора
Uзи пор,
Uеи max,
Uзе max,
в
в
60*
60*
100*
100*
-30
-30
-30
-30
75; 110*
75; 90*
110; 150*
140; 180*
-35
-35
-40
-40
40*
40*
-25
-28
500; 535*
450: 480*
-35
-30
мВт
Структура
•
Реи т max,
Вт
КП801А
С р-п переходом и
КП801Б
п-каналом
КП801В
.
КП801Г
КП802А
С р-п переходом и
КП802Б
п-каналом
,
Uзи отс,
•
•
lc,
u*ЗИ max,
~с.и,
в
мА
-
5А
4500
4500
3500
3000
5А
8А
8А
2,5
2,5
le нач,
lc ост, мА
А
0,5*
0,5*
А
1
КП804А
С изолированным затвором,
2*
::;4*
20
60
~О.25;
lA
::;1 *
сп-каналом
КП805А
КП805Б
60*
60*
60*
::;4*
::;4*
::;4*
600; 600*
600; 600*
500; 500*
пМОП
100*
100*
100*
100*
100*
100*
150*
1,5 ... 5
400
500
600
700
800
750
400
пМОП
50*
50*
50*
50*
50*
50*
С изолированным затвором,
сп-каналом
КП805В
КП809А
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809К
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809rt
КП809Д1
КП809Е1
КП810А
Биполярный со
КП810Б
статической индукцией,
КП810В
п-канал
50*
50*
50*
-
-
.
400
500
600
700
800
750
1500
1300
1100
.
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
- ±20
±20
±20
5
5
5
4А
~1; ~3*
4А
4А
::;1; ::;3*
::;1; ::;3•
9,6 (35*) А
9,6 (35*) А
9,6 (35*) А
9,6 (35*) А
9,6 (35*) А
9,6 (35*) А
20* А
::;1 мА (400 В)
::;О,25; ::;1 *
::;О,25; ::;1 *
::;О,25; ::;1 *
::;О,25; ::;1 *
::;О,25; ::;1 *
::;О,25; ::;1 *
9,6
9,6
9,6
9,6
9,6
9,6
(35*)
(35*)
(35*)
(35*)
(35*)
(35*)
7А
7А
5А
'
А
А
А
А
А
А
::;О,25;
::;О,25;
::;О,25;
::;О,25;
~О.25;
::;О,25;
-
::;1 *
Sl *
::;1 *
::;1 *
::;1 *
::;1 *
265
Параметры полевых транзисторов
С11н, Сi2н,
С22н, пФ
S,мА/В
Rси отк, Ом
Кш, дБ
к;.Р, дБ
Ц:,мкВ
Е~*, нВNrц
Q***, Кл
** в Т
Рвых,
ЛU3н, мВ
~00
~450
~800
~00
~800
~800
(15 В; 4 А)
(15 В; 3 А)
(20 В; 4 А)
(20 В; 4 А)
(20
(20
В;
В;
3,5
3,5
tвкл, НС
*
tвыкл,
НС
1;*, мrц
лuзи/лт***,
Корпус
мкв/·с
КП801
$2,2
$4,4
$2,2
$2,2
А)
А)
КП802
$80;$30*
$80;$30*
27,1
~
~800
(l О В; 0,8 А)
$200 (25 В)
$25*; $100**
!i
КП804
$0,6
с
f)8,5
~,!-;~~:з
ифJ
~ I•
$l....___
,,
~2500
~2500
~2500
(20 В; 2 А)
(20 В; 2 А)
(20 В; 2 А)
$1300 (20 В); $40*
$1300 (20 В); $40*
$1300 (20 В); $40*
$130**
~
1
1
_1 !)
КП805
$180; $220*
$180; $220*
$180;$220*
/J,8
10.7
~-
т
_j··r
ИС3
~1500
~1500
~1500
~1500
~1500
~1500
~1500
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$220*
$220*
$220*
$220*
$220*
$220*
$220*
$0,3
$0,6
$1,2
$1,5
$1,8
$2,5
$0,15
tc11$lOO
tc11$lOO
tc11$lOO
tc11$lOO
tc11$lOO
tc11$lOO
tcr1$lOO
(20 В; 3 А)
(20 В; 3 А)
~1500 (20 В; 3 А)
~1500 (20 В; 3 А)
~1500 (20 В; 3 А)
~1500 (20 В; 3 А)
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$3000;
$220*
$220*
$220*
$220*
$220*
$220*
$0,3
$0,6
$1,2
$1,5
$1,8
$2,5
tc11$lOO
tc11$lOO
~1500
~1500
(20
(20
(20
(20
(20
(20
(20
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
3
3
3
3
3
3
3
0,2
0,2
0,2
tсп$100
КП809
-
№~\J
~
27.f
-
'Л~
3И
КП809-1
15,9
5
tcn$l 00
tc11$lOO
tсп$100
200
200
200
КП810
_15,9
~......__и11 ~
$l..~
1 ~
зси
5
. Раздел З. Полевые транзисторы
266
КП812А1
пМОП
60
60
60
±20
±20
±20
150*
150*
150*
2,1 .. .4
2,1 ... 4
2,1 .. .4
200
200
200
±20
±20
±20
22 (88*)
22 (88*)
125*
125*
2,1 .. .4
2,1 .. .4
200
200
±20
±20
22 (88*) А
22 (88*) А
S0,25*(200 В)
S0,25*(200 В)
125*
125*
2,1 .. .4
2,1 .. .4
200
200
±20
±20
22 (88*)
22 (88*}
А
А
S0,25*(200 В)
S0,25*-(200 В)
пМОП
50*
74*
125*
2.. .4
2.. .4
2.. .4
500
500
500
±20
±20
±20
2,5 (8*) А
4,5 (18*) А
8 (32*) А
S0,25*(500 В)
S0,25*(500 В)
:S0,25*(500 В)
С изолированным затвором
20*
70; 85*
30
4А
~OO;S50*
G изоли~ованным
затвором
и п-каналом
КП813f
КП813А1
С изолированным затвором
КП813Б1
и п-каналом
КП813А1-5
С изолированным затвором
КП813Бt-5
и п-каналом
КП820
КП830
КП840
КП901А
S0,25*(60 В)
S0,25*(60 В)
S0,25*(60 В)
2.. .4*
2.. .4*
2.. .4*
КП812В1
КП813А
КП813Б
50 (200*) л35 (68*) А
30 (120*) А
125*
80*
70*
КП812Б1
А
А:
20А
~О.25*(200 В)
::;О,25*(200 В)
S0,25*(200
В)
и индуцированным
КП901Б
п-каналом
20*
70; 85*
30
4А
~OO;S50*
КП902А
С изолированным затвором
3,5*
50
30
200
SlO; S0,5*
КП902Б
3,5*
50
30
200
SlO; :S0,5*
КП902В
3,5*
50
30
200
SlO; S0,5*
и п-каналом
Параметры полевых транзисторов
267
~15000 (25 В; 31 А)
~5500 (25 В; 24 А)
~9300 (25 В; 18 А)
1900; 920**
640; 360**
1200; 600**
S0,028
S0,035
S0,05
tcn=92
tcn=42
tcn=52
КП812-1
~9000 (20 В; 10 А)
~9000 (20 В; 1О А)
~9000 (20 В; 10 А)
2700; 540**
2700; 540**
2700; 540**
so,12
S0,12
S0,06
fcnS140
tcnS140
tcnS140
КП813
~5500
~5500
2700; 540**
2700; 540**
S0,12
S0,18
tcnS140
tcnS140
КП813-1
(20 В; 1О А)
(20 В; 1О А)
.
15,9
....---~~
5
-
о
зси
~5500 (20 В; 1О А)
~5500 (20 В; 10 А)
~1500 (50 В; 1,5 А)
~2500 (50 В; 2, 7 А)
~4900 (50 В; 4,8 А)
2700; 540**
2700; 540**
s-;o, 12
S0,18
tcnS140
tcnS140
КП813-5
360; 92**
610; 160**
1300; 310**
S3
Sl,5
S0,85
tcn= 16
tcn= 16
tcn=20
КП820, КП830,
КП840
'1,8
1,9
50... 160
(20 В; 0,5 А)
60 ... 170
(20 В; 0,5 А)
SlOO;SlO*
10... 25
(20 В; 50 мА)
10... 25
(20 В; 50 мА)
10... 25
(20 В; 50 мА)
Sl 1; S0,6*; Sl 1**
SlO*
~7* (100 МГц)
~10** (100 МГц)
~.7** (100 МГц)
КП901, КП902
S6 (250 МГц)
Sl 1; S0,6*; Sl 1**
~6,6* (250 МГц)
~0.8** (60 МГц)
~0,8** (60 МГц)
Sl 1; S0,8*; Sl 1**
~0,8** (60 МГц)
S8 (250 МГц)
1, 1
Раздел
КП903А
С
p-n
переходом
3.
Полевые транзисторы
~0,05*
6*
. 5 ... 12
20; 20*
15
700
S700;
КП903Б
6*
1... 6,5
20; 20*
15
700
S480; S0,05*
КП903В
6*
1... 10
20; 20*
15
700
S600; S0,05*
75*
75*
70; 90*
70; 90*
30
30
5А
ЗА
S350;S200*
S350;S200*
4*
60; 70*
±30
350
~О;
Sl*
КП905Б
4*
60; 70*
±30
350
~О;
Sl*
КП905В
4*
60; 70*
±30
350
~О;
Sl*
11,5*
60; 70*
±30
2,7 А
SlOO; SlO*
КП907Б
11,5*
60; 70*
±30
1,7
А
SlOO; SlO*
КП907В
11,5*
60; 70*
±30
1,3
А
SlOO; SlO*
и n-каналом
КП904А
С изолированным затвором
КП904Б
и индуцированным n-кана
лом
КП905А
С изолированным затвором
и n-каналом
КП907А
С изолированным затвором
и n-каналом
"
КП908А
С изолированным затвором
КП908Б
и индуцированным
3,5*
3,5*
40; 50*
40; 50*
20
20
15*
45
40 (имп.)
280
200
S25; S0,5*
~5; S0,2*
п-каналом
КП921А
С изолированным затвором
10
А
S2,5 (40 В)
и индуцированным каналом
КП921Б
n-типа
15*
2... 8
40
±40
КП922А
С изолированным затвором
и индуцированным n-кана
КП922В
лом
60*
60*
60*
2 ... 8*
КП922Б
100
100
100
±30
±30
±30
2 ... 8*
2... 8*
7А
10
10
10
S2,5 (40
А
2
А
2
А
2
В)
Параметры полевых транзисторов
85 ... 140 (8 В)
Sl8
50... 130 (8 В)
Sl8
60 ... 140 (8 В)
Sl8
269
~.09**
(30 МГц);
$10; ~7.6*
~О,09* (30 МГц);
SlO; ~7,6*
~.09** (30 МГц);
SlO; ~7,6*
s5** (100 кГц)
КП903
~· (100 кГц)
--
s5** (100 кГц)
-
~50** (60 МГц)
~30** (60 МГц)
~13* (60 МГц)
250 ... 510
250 ... 510
s300 (30 В)
s300 (30 В)
18 ... 39
В; 50 мА)
18 ... 39
(20 В; 50 мА)
18 ... 39
(20 В; 50 мА)
S7; S0,6*; S4**
~1 **; ~8*
Sl 1; S0,6*; S4**
~6*
(1
Sl3; S0,8*; S6**
~4*
(l ГГц)
с
&
и
КП904
(1 ГГц)
КП905, КП907
(20
110... 200
(20 В; 0,5 А)
100... 200
(20 В; 0,5 А)
80.. .110
(20 В; 0,5 А)
~24
~24
(20 В; 80 мА)
(20 В; 80 мА)
SЗ*
ГГц)
S6,5 ( 1ООО МГц)
(25
В)
~4**
(1 ГГц)
S2;S2*
S3* (25
В)
~3**
(1
ГГц)
S2;S2*
SЗ*
В)
(25
~.5 (25 В); S0,6*
S6,5 (25 В); S0,6*
~5**
(0,4 ГГц)
~l **
(1,76 ГГц)
$25
S2;S2*
КП908
3
Раздел
270
3.
Полевые транзисторы
100
100
100
100
±30
±30
±30
±30
100*
50; 60*
20
12
КП923Б
100*
50; 60*
20
8А
S50;S50*
КП923В
50*
50; 60*
20
6А
S25;S25*
КП923Г
50*
50;
ЬО*
20
4А
::;25;S25*
250*
50; 60*
25
21
А
::;150;:5:150*
250*
55; 65*
25
16
А
Sl50;Sl50*
450
300
5
5
10 (15*)
10 (15*)
КП922А1
С изолированным затвором
КП922Б1
и индуцированным
КП922В1
п-каналом
КП922Г1
КП923А
С изолированным затвором
60*
60*
60*
60*
2... 8*
2... 8*
2... 8*
2... 8*
10 А
10 А
10 А
10 А
2
2
2
2
S50;S50*
А
и п-каналом
КП928А
С изолированным затвором
и каналом п-типа
КП928Б
КП934А
Со статической индукцией,
КП934Б
с каналом п-типа
40*
40*
КП937А
С р-п переходом и
50*
-15
450; 475*
20
17,5 А
50*
-15
450; 475*
20
17,5 А
500;
500;
450;
400;
300;
-5
-5
-5
-5
-5
А
А
п-каналом
КП937А-5
С р-п переходом и
п-каналом
КП938А
С р-п переходом и
КП938Б
п-каналом
КП938В
КП938Г
КП938Д
50*
50*
50*
50*
50*
500*
500*
450*
400*
300*
12
12
12
12
12
А
А
А
А
А
S3*
$3*
:5:3*
$3*
S3*
271.
Параметры полевых транзисторов
1000... 2100
1000 ... 2100
1000 ... 2100
1000 ... 2100
(1
(1
(1
(1
А)
А)
А)
А)
~2000 (20 В)
~0.2
S2000 (20 В)
S2000 (20 В)
S2000 (20 В)
S0,4
Sl
s0,17
SlOO; ~100*
SlOO; SlOO*
SlOO; SlOO*
SlOO; SlOO*
КП922-1
и
1,15
2. 5 1,9
..........
1,1
~~
~1000 (20 В; 3 А)
S400 (10 В)
~50**
(1 ГГц);
КП923
~4*
~700 (20 В; 3 А)
S400 (10 В)
~25** (1 ГГц)
~550 (20 В; 2 А)
S220 (10 В)
Sl; ~25** (1 ГГц)
~350
S220 (10 В)
S3; ~17** (l ГГц}
:2:4*
~4*
3ат6оР.
~4*
(20 В; 2 А)
1800 (20 В; 3 А)
530 (10 В); 50*
1800 (20 В; 3 А)
530 (10 В); 50*
S0,4;
~6,2*
~250** (0,4 ГГц)
S0,4; :2:6*
(0,4 ГГц)
~200**
h21э=l0 ... 80
(5 А)
h21э=10 ... 80 (5 А)
SO,l
SO,l
20* (5 В; 5 А)
~0,07
SlOO; ~500*
SlOO; S2500*
КП934, КП937
N-№27.1;:s
.....
-
-+---+--+
~
~
:2:20* (5 В; 5 А)
h21~20*
h21~20*
(5
(5
h21э220* (5
h21э~20* (5
h21~20* (5
В;
В;
5
5
В; 5
В; 5
В; 5
А)
А)
А)
А)
А)
КП937-5
S0,07
S0,07
S0.07
SO,l
sO,l
SO,l
S200
S200
S200
S200
S200
КП938
N№27.t
;:s
.....
~
~
-+---+---1-
Раздел З. полевые транзисторы
272
Реи max,
Тип
Структура
прибора
Uзи отс,
Uеи max,
Uзи пор,
Uзе max,
в
в
С изолированным затвором
30*
-1,5 ... -4,5
30*
•
lc,
в
lc. и,
lc ост, мА
50; 50*
20
15
А
S0,5; Sl *
-1,5 ... -4,5
60; 60*
20
10 А
S0,5; Sl *
30*
1,5.. .4,5
50; 50*
20
15
S0,5; Sl *
30*
1,5.. .4,5
70; 70*
20
10 А
15
15
мВт
•
Реи т max,
Вт
КП944А
-
•
•
Uзи max,
мА
Ie нач,
и р-каналом
КП944Б
-
КП945А
С изолированным затвором
А
и n-каналом
КП945Б
КП946А
БСИТ
КП946Б
n-канал
КП948А
БСИТ
-
КП948Б
n-канал
КП948В
КП948f
40*
40*
-
400
200
5
5
20*
20*
20*
20*
-
400
300
370
250
5
5
5
5
5А
-
36; 41*
36; 41 *
36; 41 *
20
20
20
600
600
600
'
-
А
S0,5;
~1 *
-
А
5А
5А
5А
-
/
КП951А-2
С изолированным затвором,
КП951Б-2
с n-каналом
КП951В-2
3*
3*
3*
S6*
sб·Sб*
Sl; S2*
S2; S4*
S2;S8*
,
КП95ЗА-
БСИТ
КП95ЗБ
n-канал
КП95ЗВ
КП95Зf
КП95ЗД
КП954А
БСИТ
КП954Б
n-канал
КП954В
КП954f
'
50*
50*
50*
50*
50*
-
450
300
450
300
450
5
5
5
5
5
15
15
15
15
15
40*
40*
40*
40*
-
150
100
60
20
5
5
5
5
20
20
20
20
А
А
А
А
А
А
А
А
А
-
-
-
.
Параметры полевых транзисторов
S,
•
С1 lи, С12и,
мА/В_
С22и, пФ
;::.3000 <10 В; 4 А)
~3000
(10
В;
4
А)
273
Rси отк, Ом
Кш,дБ
к;,Р, дБ
•
Uw,MKB
Рвых, Вт
Е~*, нвNrц
Q***, К.л
••
лuЗИ*, мВ
700 (20 В; 1 МГц)
80* (20 В)
700 (20 В; 1 МГц)
80* (20 В)
tвкл, НС
•
tвыкл, НС
1;•, мrц
дUзи/дт***,
Корпус
мкв/•с
~.3
-
90; 120*
~.4
-
90; 120*
КП944, КП945
-
2,35
0,5 ~
G,6
5.2
--_,
-
'
'~
-
'
IQ'
~
~300
~2300
(3
В;
2
А)
(3 В; 2 А)
-
~.l
600
(25 В; 1 МГц)
150*
600
(25 В; l МГц)
300**
~.15
-
60; 180*
-
~
:,
-
с
-
0,1
0,1
-
КП946, КП948
80
80
:r • 10.65
~
-
0,15
0,15
0,15
0,15
-
lt)"
80
80
80
80
-
~
~ - "" 1,Jt
'1,8
-
....
"1
~
~"
,
j
С'1
-э-"
......
i:D
3
~
с
-
~3**
(0,4 ГГц)
(0,4 ГГц)
~15** (0,4 ГГц)
~5**
-
1,15
25
-
20
_,
- 'lJJ
1
i ..,а
'
/~,
'
~ ~
J
а1
1
1
а\
1Е
0,15
КП9БЗ
100**
100**
100**
100**
КП954
0,03
0,03
0,025
0,025
50;
50;
50;
50;
1
_~ ~.
'и~
1 с 'и.
50**
50**
50**
50**
50**
150;
150;
150;
150;
150;
1,1
1,9
КП951
.
0,06
0,06
0,06
0,06
0,064
!о-
и
2.5
~200 (10 В; 0,5 А)
~500 (10 В; 1,5 А)
~1000 (lO В; 3 А)
-
0.8
1/,57
1
11'"
-
f~дs
rи
i\I
1}1
60; 180*
•
15,9
5
l
С'1 ~
~~
1
3-lfHllfН'И
c...rw 1,15
1 ~;;...-
.,
....
1-11.
2.5_
-
т 2. 5 1.~,9~._1,..._1_
Раздел З. Полевые транзисторы
274
Реи max,
Тип
прибора
Структура
мВт
• т max,
Реи
Вт
КП955А
БСИТ
КП955Б
n-канал
70*
70*
Uзи отс,
Uеи max,
Uзи пор,
Uзе max,
в
в
...
-
lc,
•
в
lc. и,
5
5
20
20
Uзи max,
•
700
450
Ie нач,
Ic ост, мА
мА
-
А
-
А
'
КП956А
БСИТ
КП956Б
n-канал
КП957А
БСИТ
КП957Б
п-канал
КП957В
-
10*
10*
-
10*
10*
10*
-
-
350
200
5
5
2А
800
800
700
5
5
-5
1А
-
2А
-
lA
1А
1
КП958А
БСИТ
КП958Б
п-канал
КП958В
КП958f
КП959А
БСИТ
КП959Б
п-канал
КП959В
КП960А
БСИТ
КП960Б
р-канал
КП960В
КП961А
БСИТ
КП961Б
п-канал
КП961В
КП961f
КП961Д
КП961Е
КП964А
БСИТ
КП964Б
р-канал
КП964В
КП964f
70*
70*
70*
70*
-
150
100
60
20
7*
7*
7*
-
-
7*
7*
7*
-
-
5
5
5
5
30 А
30 А
30 А
20 А
-
220
200
120
5
5
5
200
200
200
-
-
220
200
120
5
5
5
200
200
200
-
10*
10*
10*
10*
10*
10*
-
120
80
60
40
20
10
5
5
5
5
5
5
5А
5А
5А
5А
5А
5А
-
40*
40*
40*
40*
-
150
100
60
20
5
5
5
5
-
-
-
-
.
20
-
-
-
-
А
-
20А
20 А
20А
-
1
"
Параметры полевых транзисторов
275
Rси отк, Ом
S,
мА/В
Кш,дБ
к;.Р, дБ
•
Uw,MKB
Рвых, Вт
Е~*, нВ/vfц
дUЗн, мВ
Q***, К.л
••
0,04
0,003
tвкл, НС
•
1;•, мrц
tвыкл, НС
Корпус
дUзи/дт***,
мкв/·с
КП955
100; 100**
100; 100**
15,9
5
IJU~
tn
к
;:('
~
U
а
зси
0,6
0,6
100; 50**
100; 50**
0,8
0,8
0,8
80; 50**
80; 50**
80; 50**
0,02
0,02
0,02
0,02
80;
80;
80;
80;
КП956, КП957
КП958
100**
100**
100**
100**
15,9
tn'
;:(__
5
'1 ~~
исз
57
57
57
200**
, 200**
200**
КП959
57
150**
150**
150**
КП960
57
57
0,16
0,13
О, 11
0,10
0,10
0,8
40;
40;
40;
40;
40;
40;
100**
100**
100**
100**
100**
100**
КП961
0,93
0,03
0,025
0,025
50;
50;
50;
50;
100**
100**
100**
100**
КП964
:5-
fJJ.6. ~-t._,в_
10,55
,.........,.....н.,.--,"'""'1
_,, 1,3.....rт....,..~--
,,,...
j~
3
и
---
--
С'1 1."3.1---.,,.4'11Ш
:i
'<:!' с
1,15
2.5_-__,.__-Е--2.,,_5 1.'--,9,..._,.......,-,..;..1,_1-
Раздел З. Полевые транзисторы
276
Реи max,
Тип
Структура
прибора
мВт
• т max,
Реи
Вт
Uзи пор,
Uеи max,
Uзе max,
в·
в
Uзи отс,
•
•
Ie,
lc. и,
•
Uзи max,
в
мА
le нач,
1с• ост,
мА
,
КП965А
БСИТ
КП965Б
р-канал
КП965В
КП965f
КП965Д
КП971А
БСИТ
КП971Б
п-канал
КП97ЗА
БСИТ
КП97ЗБ
п-канал
КПС104А
Сдвоенные, с р-п переходом
КПС104Б
и п-каналом
10*
10*
10"'
10*
10*
-
-
250
160
120
60
20
5
5
5
5
5
100*
100*
-
900
800
5
5
100*
100*
-
700
600
5
5
-
5А
5А
5А
5А
5А
'
-
0,25".1,5
0,25".1,5
0,35 ... 1,5
1,1".3
25; 30*
25; 30*
30
30
-
1".20
1."20
25;
25;
25;
25;
25
25
25
25
-
15;
15;
15;
15;
20*
20*
20*
20*
0,5
0,5
0,5
0,5
КПС203В-1
30 (55°С)
30 (55°С)
30 (55°С)
кпс2озr-1
ЗО (55°С)
0,2".2
0,2".2
0,4".2
1".3
15;
15;
15;
15;
20*
20*
20*
20*
300
300
1".5
0,4".2
60
60
60
60
0,3".2,2
0,3."2,2
1,3".4
2,5".6
КПС202Б-2
и п-каналом
КПС202В-2
кпс202r-2
КПС20ЗА-1
Сдвоенные, с р-п переходом
КПС20ЗБ-1
и р-каналом
КЦСЗ15А
·
КПС315Б
Сдвоенные, с р-п переходом
и каналом п-типа
-
А
0,5
0,5
0,5
0,5
0,4".2
0,4".2
0,4".2
1."3
Сдвоенные, с р-п переходом
А
-
60
60
60
60
КПС202А-2
30
30
Sl,5
Sl,5
Sl,5
S3
30*
30*
30*
30*
30*
30*
КПС104Е
-
-
25;
25;
25;
25;
25;
25;
КПС104f
А
А
S0,8
S0,8
S0,8
S0,8
S0,8
s0,8
0.2 ... 1
0,2".1
0,4 ... 2
0,4".2
0,8".3
0,8."3
КПС104Д
25
25
-
45
45
45
45
45
45
КПС10~В
-
-30;
-30;
-30;
-30;
-30;
-30;
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
-
КПСЗ16Д-1
Сдвоенные, с р-п переходом
КПСЗ16Е-1
и канаЛО!\1 п-типа
КПСЗ16Ж-1
КПСЗ16И-1
25*
25*
25*
25*
-
,
Параметры полевых транзисторов
277
Rси отк, Ом
к;,Р, дБ
S, мА/В
••
Рвых, Вт
лuЗИ, мв
Кш, дБ
•
Uw,
мкВ
Е~*, нвNrц
Q***, К.л
tвкл, НС
•
1;•, мrц
tвыкл, НС
дUзи/дт***,
мкВ/"С
40;
40;
40;
40;
40;
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,04
0,04
Корпус
КП965
200**
200**
200**
200**
200**
КП971, КП973
200
150•
-r--~15.+:,9"81 - 5
D
1'".о.
j,
::... ".:r11;:::::8===t
0,03
0,03
150
150
с-..,~
i
tn
'$!......._____.
1
р._
'~
~
зси
~.35 (tO В)
~.35 (10 В)
~.65 (10 В)
~1
(10 В)
~1 (10 В)
~.65 (10 В)
S4,5;
S4,5;
S4,5;
S4,5;
S4,5;
S4,5;
~.5 (5 В)
~.5 (5 В)
~.65 (5 В)
~1 (5 В)
~.5 (10 В)
~.5 (10 В)
~.65 (10 В)
~1 (10 В)
Sl,5*
Sl ,5*
Sl,5*
Sl,5*
Sl ,5*
Sl,5*
S6; s2*
S6;S2*
S6;S2*
S6; s2*
S6
S6
S6
S6
(1 О
(10
(10
(10
В);
В);
В);
В);
S2*
S2*
S2*
S2*
S0,4* (1 О Гц)
Sl * (10 Гц)
КПС104
S20***
s50***
Sl50***
Sl50***
SlOO***
Sl50***
S20***
SlO***
SlO***
S30***
S30***
30**
30**
30**
30**
КПС202-2
S40***
S40***
Sl50***
Sl50***
КПС203-1
S30***
S30***
S50***
S50***
SЗО***
slO***
SlO***
S30***
S30***
S5*(10Гц)
Sl * (10 Гц)
S5* (10 Гц)
S2,5* (10 Гц)
Sl2* (10 Гц)
-
С1
з,
и
1
~2.8 (5 В)
~1 ... 5 (5 В)
~.5
~.5
~.5
~.5
(5
(5
(5
(5
В;
В;
В;
В;
0,3
0,3
0,3
0,3
мА)
мА)
мА)
мА)
S8 (10 В)
S8 (10 В)
S6
S6
S6
S6
(10 В); S2*
(10 В); S2*
(10 В); S2*
(1 О В); s2*
S30***
s30***
SЗО***; 60**
S30***; 60**
s50***
s50***
s50***
S50***
S40***
S40***
S40***
S40***
0,8
- -
Н2
__ 2
- --с2
--з
6-
КПС315
~9,5
КПСЗ16
Раздел
278
Раздел
4.
4. Диоды
Диоды
Виды приборов и основные параметры
4.1.
Диоды по функциональному назначению подразделяются на выпрямительные и импульсные диоды,
стабилитроны, варикапы.
Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного тока промышленной
частоты
50
Гц".
50
кГц в постоянный (например, КД102, КД106, КД204, КД212).
Работу выпрямительных диодов характеризуют следующие основные параметры:
•
максимально допустимое обратное напряжение Uобр.mск любой формы и периодичности, которое может быть приложено к диоду;
•
•
•
•
максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.mcк;
постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе
Unp;
обратный ток утечки lобр при заданном обратном напряжении;
рабочая частота fд, при которой обеспечиваются заданные токи, напряжение и мощность.
Если частота переменного напряжения, приложенного к диоду, превышает fд, то потери в диоде
резко
возрастают
и
он
нагревается.
В
состав
параметров
всех диодов
входят также диапазон
температур окружающей среды Т и максимальная температура корпуса Т к.
В качестве выпрямительных используются диоды не только на основе p-n переходов (полупровод
ник-полупроводник), но и на основе переходов металл-полупроводник, так называемые диоды с
барьером Шатки, отличающиеся более высокими быстродействием и рабочими токами и меньшими
значениями напряжений в прямом направлении, например КД238, КД2991, КД2998, КД419 (для
преобразования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора). Диоды с барьером Шатки для
импульсных устройств
являются
практически
безынерционными,
так как перенос
заряда
в них
обусловлен только основными носителями.
Для работы на более высоких частотах используются универсальные диоды, например КД401,
КД407 (для детектирования сигналов до 300 кГц), КД409 (для селекторов телевизоров на частоты до
1 МГц), КД410 (для строчной развертки телевизоров), КД416 (для формирования импульсов с частотой
500 кГц), КД248 (для источников вторичного электропитания).
В качестве выпрямительных диодов используются КД241 (демпфер в оконечных каскадах строч
ной развертки телевизоров), КД226 (обеспечивает требования "мягкого" восстановления, поэтому у
него нормируется скорость спада обратного тока восстановления 1 А/ мкс), КД223 (для автотрактор
ных генераторов для работы в диапазоне температур -60".+150°С), КД2994 (для ВИП и систем
телефонной связи, в частности для аппаратуры МТ 20/25).
Выпрямительные диоды выпускаются в стеклянных (Д2, Д9, ГДl 13), металлостеклянных (Д7,
Д101, КД202-КД210, Д226), металлопластмассовых (КД212, КД213) и пластмассовых (КД106, КД109,
КД208, КД209) корпусах.
Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов при переключении
(малую инерционность). При переключениях диода из прям9го направления на обратное (запирающее)
накопленные носители зарядов обуславливают протекание через диод обратного тока, который может
в течение некоторого времени значительно превышать статический обратный ток. Этот процесс
называется переходным процессом запирания или процессом восстановления обратного сопротивления
диода. При переключениях диода из запирающего направления в прямое имеет место переходный
процесс установления прямого сопротивления диода. Такие диоды используются в каче~тве ключевых
элементов схем с сигналами малой длительности. Наименьшее время переключения имеют диоды с
выпрямляющим переходом металл-полупроводник.
Основные параметры импульсных диодов:
•
время обратного восстановления диода tвос, обр интервал времени от момента подачи
импульса обратного напряжения, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный
ток диода уменьшается до заданного значения;
•
заряд восстановления диода Qвос -
полный заряд диода, выте-кающий во внешнюю цепь при
переключении диода с заданного прямого тока
1-ta
заданное обратное напряжение;
Видь~ приборов и основные параметры
•
279
-
время прямого восстановления диода tвос,пр
время, в течение которого напря?f<ение на диоде
·ii
устанавливается от нуля до установившегося значения;
•
максимальный ток восстановления loбp.max
наибольший обратный ток через диод после
-
переключения напряжения на нем с прямого направления;
•
•
постоянное прямое напряжение Uпр; емкость диода Сд;
максимально допустимые значения обратного напряжения Uoбp.max и прямого тока Iпр.
Примерами импульсных диодов являются КДl
16
max.
(для гашения ЭДС самоиндукции электромагнит-
ного реле и преобразования переменного напряжения), КДI 26, КДl 27 (для строчной развертки
видеокамер), КД247, КД257, КД258 (со скоростью спада обратного тока 5-6 А/мкс), КД424 и КД805
(для импульсных и выпрямительных схем телевизоров), КД 411 (для цветных телевизоров), КД412 (для
цепей регулирования вторичных источников электропитания, инверторов и прерывателей), КД503,
КД509, КД5l2, КД5l3 (для быстродействующих устройств наносекундного диапазона), КД504 (для
ограничения и модуляции импульсов), ГД507, ГД508 (для быстродействующих формирователей
. импульсов), КД922 и КД923 (для преобразования переменного напряжения высокой частоты).
Во многих случаях применения возникает проблема идентичности параметров диодов, подобран
ных в одну группу или пару (особенно при разработке быстродействующих схем). Основным парамет
ром, по которым должна быть обеспечена аналогичность диодов, является прямое падение напряжения
(иногда и значение емкости). Обратный ток при этом не играет существенной роли, так как в
быстродействующих схемах для кремниевых диодов значение обратного сопротивления много больше
нагрузки.
Для обеспечения идентичности диодов при работе в широком диапазоне токов и температур
требуется их подбор в нескольких точках вольт-амперных характеристик. Например, выпускаются
сдвоенные диоды КД205, два диода с общим катодом (ОК) КД704, два последовательно соединенных
диода КД629 (для АТС МТ-20), КДС413 - диодные сборки из 12 диодов с ОК, КДС414 - диодные
сборки из 12 диодов с общим анодом (ОА), КДС415 - диодные сборки из шести изолированных диодов
(для применения в дешифраторах, диодных функциональных преобразователях и умножителях), КД238
- сборка из двух диодов с барьером Шотки с ОК (для ВИП в качестве выходного двухтактного
выпрямиtеля со средней точкой), КД901 - матрицы из одного (группа Al ), двух (гр. Бl ), трех (гр.
Bl) и четырех (гр. Гl) диодов с общим катодом; КД904 - матрицы из одного (гр. Al), двух (гр. Бl),
трех (гр. Bl) и четырех (гр. El) диодов с ОА; КД908 - матрицы из восьми диодов с ОК; КД910 матрицы из одного (гр. Al ), двух (гр. Бl) и трех (гр. Bl) диодов; КД911 - матрицы из одного, двух
или трех диодов с ОК; КД9l2, КД9l3
соответственно с ОА и ОК; КД917
бескорпусные матрицы с шариковыми выводами из трех диодов
-
-
матрицы из восьми диодов с ОА в корпусе для микросхем.
Принцип действия варикапа основан на свойстве емкостей
p-n
перехода изменять свое
значение при изменении внешнего смещения. Изменяя напряжения на варикапе, подключенном к
колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной
частотой контура в перестраиваемых генераторах и синтезаторах частот. Таким образом, варикап
представляет собой малогабаритный электронный конденсатор переменной емкости, управляемый
напряжением.
По функциональному назначению и технологии изготовления приборы этого класса подразделя
ются на: варикапы общего назначения с резкой зависимостью емкости от напряжения, высоковольтные
матрицыj умножительные, а также высокодобротные варикапы с резкой зависимостью емкости от
напряжения; варикапы для телевизоров и аппаратуры всеволнового диапазона с очень резкой зависи
мостью емкости от напряжения.
Основными параметрами варикапов являются:
•
номинальная Сном, минимальная
Cmin
и максимальная
Cmax
емкости между выводами при
номинальном, максимальном и минимальном напряжениях смещения;
•
номинальная добротность Qном
-
отношение реактивного сопротивления варикапа к полному
сопротивлению потерь при номинальном напряжении;
•
коэффициент перекрытия по емкости Кс
емкостей;
•
температурный коэффициент емкости ас в (ТКЕ)
-
.отношение значений максимальной и минимальной
-
относительное изменение емкости варикапа
при заданном смещении в интер~але температур;
•
максимально допустимые напряжения
Umax -
максимальное мгновенное значение переменного
напряжения, при котором сохраняется заданная надежность и мощность Ртах.
Раздел
280
4. Диоды
В варикапах имеется взаимосвязь между некоторыми параметрами: увеличение Кс однозначно
приводит к уменьшению Qв и пробивного напряжения Uпроб.
Из множества выпускаемых варикапов необходимо отметить КВ 127 (со сверх резкой проводимо
стью для АМ-устройств), КВ130 -(для селекторов каналов на полевых транзисторах с большим
коэффициентом перекрытия), КВ142 (с большим коэффициентом перекрытия по емкости для диапазо
нов ДВ, СВ и КВ приемников), КВ138 (для блоков УКВ радиоприемников), КВ136 (для схем управления
кварцевых генераторов), КВ129А9, КВ1ЗОА9, КВ134А9 (для поверхностного монтажа), КВ139 (для
диапазонов СВ, ДВ и растянутых диапазонов КВ с управляющим напряжением до 5 В, для малогаба
ритных радиоприемников с электронной настройкой), КВ144 (для селекторов каналов кабельного
телевидения), КВ101 (для радиокапсул медицинской аппаратуры), КВlоЗ·, КВ106 (для схем умножения
частоты и частотной модуляции), КВС.111 (сдвоенные с общим катодом, для перестройки блоков УКВ
радиоприемников), КВ112А-1, KBl 14, KBl 16, КВ126 (для гибридных микро.схем), КВ102, КВ104,
КВ105, КВ107, КВ109, KBl 10, KBl 13, KBl 15 (подстроечные для подстройки контуров резонансных
усилителей), КВ 11 7 (подстроечные с большим коэффициентом перекрытия по емкости и резкой
зависимостью емкости от напряжения), КВ 119 (подстроечные для настройки широкополосных усили
телей), КВС120 (КВС120В - сборки из трех варикапов, КВС120Б - сборки из двух варикапов с
общим катодом) для электронной настройки приемников, КВ 121, КВ 123 (подстроечные для селекторов
телевизионных каналов с электронным управлением), КВ122 (подстроечные для селекторов телевизи
онных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением), КВ 127 (подстроечные для
электронной настройки приемников), КВ 128 · (подстроечные для блоков УКВ автомобильных приемни
ков и магнитол), КВ129 (подстроечные для схем частотных модуляторов), КВ132 (подстроечные для
ЧМ-трактов приемно-усилительной аппаратуры), КВ134, КВ135 (подстроечные для избирательных
цепей радиоприемников). Следует отметить и варикапы, выпускаемые в пластмассовых корпусах:
КВ121, КВ122, КВ123, КВ127, КВlЗО, КВ132, КВ134, КВ135 и др.
Стабилитроны
напряжения
от
имеют на
протекающего
вольт-амперной характеристике участок со слабой зависимостью
тока,
поэтому уровень напряжения
на
них остается
постоянным
при
изменении тока в широких пределах. Рабочий участок вольт-амперной характеристики стабилитронов
находится в области электрического пробоя
p-n. перехода. Стабилитроны подразделяются на: стабилит
роны общего назначения, термокомпенсируемые и аттестуемые прецизионные. Стабилитроны общего
· назначения
используются прежде всего в стабилизаторах и ограничителях постоянного тока или
импульсного напряжения, термокомпенсированные и преци~ионные
-
в качес'!:ве источников эталон
ного или опорного напряжения. в устройствах, где необходима высокая точность стабилизации уровня
напряжения.
Основными параметрами стабилитронов являются:
•
•
•
•
•
номинальное напряжение стабилизации Uст;
динамическое rдин и статическое rстат сопротивления;
температурный коэффициент напряжения стабилизации аuст (при постоянном токе стабилиза
ции);
мощность рассеяния Рпр;
номинальный сток стабилизации Iст.ном
-
ток, при котором определяются значения классифи
кационных параметров;
•
минимальный ток стабилизации Icт.min (при токах меньше Icт.min увеличивае.тся дифференциаль
ное сопротивление, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микроплазменные
шумы);
•
максимально допустимый ток стабилизации Icт.max
рассеиваемой мощностью.
-
определяется максимально допустимой
Для снижения аuст (в термокомпенсированных стабилитронах) в корпусе размещаются последо
вательно соединенные
p-n
переходы, работающие в прямом направлении, с равными по значению, но
противоположными по знаку температурными коэффициентами стабилизации (КС211, КСБ 15, КС596).
В качестве источников опорного напряжения могут использоваться не только дискретные, но и
интегральные стабилитроны. Прецизионные интегральные стабилитроны превосходят классические
дискретные прецизионные стабилитроны по основным параметрам и имеют ряд· эксплуатационных
преимуществ (не требуется прецизионное поддержание рабочих режимов по температуре окружающей
среды и току стабилизации). Основные недостатки дискретных прецизионных стабилитронов (высокое
Буквенные обозначения параметров диодов
281
rст, зависимость аuст от Iст) устраняется в интегральных стабилитронах с помощью схемотехнических
решений.
,
Интегральные стабилитроны в зависимости от используемого опорного элемента создаются на
основе
как
электрического
пробоя
обратносмещенного
термокомпенсации, так и прямосмещенных
стабилитроны,
имеющие Ucт:::l ,2 ... 2,5 В,
p-n
p-n
перехода
с
использованием
эффекта
переходов. Низковольтные интегральные прецизионные
изготовляются по совмещенной технологии с лазерной
подгонкой тонкопленочных резисторов на кристалле ИС, обеспечивающей режим оптимальной компен
,сации и гарантирующей высокое значение аuст.
Для
изготовления
стабилитронов
с Uст=8 В используется
стандартная технология
ИС,
не
требующая лазерной подгонки. Совместная реализация принципов термокомпенсации и термостабили
зации кристалла ИС позволила создать стабилитроны с аuст=10"4 ... 10" 5 %/ 0 С. Базовые серии интег
ральных стабилитронов позволяют создать на их основе источники опорного напряжения с широким
спектром номинальных значений Uст:
1,2; 2,4; 5; 7,5; lOB.
Стабисторы являются разновидностью стабилитронов; для стабилизации напряжения до
здесь используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики
4.2.
p-n
перехода.
Буквенные обозначения параметров диодов
Буквенное обозначение по ГОСТ
отечественное
25529-82
Параметр
международное
Общие параметры диодов
Iпр
IF
Постоянный прямой ток.
Iпр, и
IFM
Импульсный прямой ток.
Iпр, ер
IF(AV)
Средний прямой ток.
lобр
IR
Постоянный обратный ток.
lобр, и
IRM
Импульсный обратный ток.
lобр, вое
IRR
Обратный ток восстановления.
Uпр
UF
Постояюrое прямое напряжение.
Uпр, и
UFM
Импульсное прямое напряжение.
Uпр, ер
UF(AV)
Среднее прямое напряжение.
Uобр
UR
Постоянное обратное напря,жение.
Uобр, и
URM
Импульсное обратное напряжение.
Uпроб
U(BR)
Пробивное напряжение.
Uпр, вое
UFR
Напряжение прямого восстановления.
Uпр, и, вое
UFRM
Импульсное напряжение прямого восстановления.
Рпр
PF
Прямая рассеиваемая мощность.
Ри
Рм
Импульсная рассеиваемая мощность.
Рер
р
Средняя рассеиваемая мощность.
Робр
PR
Обратная рассеиваемая мощность.
Гдиф
r
Дифференциальное сопротивление.
Гп
Гs
Последовательное сопротивление потерь.
Re
Rth
Тепловое сопротивление.
Rеи
R(th)P
Импульсное тепловое сопротивление.
Rепер-окр
Rthja
Тепловое сопротивление переход-среда.
Rепер-кор
Rthje
Тепловое сопротивление переход-корпус.
Сд
Ctot
Общая емкость.
Спер
Cj
Емкость перехода.
-
1
В
Раздел
282
Буквенное обозначение по ГОСТ
25529-82
4. Диоды
Параметр
международное
отечественное
Скор
Cease
Емкость корпуса.
Qвое
-
Заряд восстановления.
Qнк
Qs
н акопленныи заряд.
tвое, обр
trr
Время обратного восстановления.
tвое, пр
trr
Время прямого восстановления.
/
"
Параметры выпрямитепьных диодов
Iпр, и. п
IFRМ
Повторяющийся импульсный прямой· ток.
Iвп, ер
lo
Средний выпрямленный ток.
IF(RМS)
Действующий прямой ток.
Inp, уд
IFSM
Ударный прямой ток.
Inpr
l(OV)
Ток перегрузки.
lобр, и, п
IRRМ
Повторяющийся импульсный ток.
lобр, ер
IR(AV)
Uобр. и, р
URWM
Рабочее импульсное обратное напряжение.
Uобр. и, п
URRМ
Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
Uобр, и, нп
URSM
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.
Uпор
U(TD)
Пороговое- напряжение.
Рпр, ер
PF(AV)
Средняя прямая рассеиваемая мощность.
Робр, ер
PR(AV)
Средняя обратная рассеиваемая мощность.
Робр, и, п
PRRМ
Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность.
Iпр. д
)
-
/
Средний обратный ток.
Параметры стабипитронов
Iет
Iz
Ток стабилизации стабилитрона.
Iет, и
Izм
Импульсный ток стабилизации стабилитрона.
Iет
min
Iz min
Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона.
Iет
max
Iz max
Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона.
Uет
Uz
Напряжение стабилизации стабилитрона.
fет
rz
аuет
auz; Sz
Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
-
Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
бuет; Лuет
бuz
Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона.
Основные параметры варикапов, шумовых диодов и стабисторов
Qв
Q,M
Добротность варикапа.
Кс
-
Коэффициент перекрытия по емкости варикапа.
Uш
Unz
-
ls
Ток стабилизации стабистора.
-
IL
Предельный ток стабистора.
-
Us
Напряжение стабИлизации стабистора.
UL
Предельное напряжение стабистора.
-
als
Температурный коэффициент тока стабилизации стабистора.
\
Постоянное напряжение шумового диода.
Параметры диодов, столбов и блоков
283
4.3. Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max,
Тип
прибора
в
Ucitsp и max1
в
Inp max 1 мА
l",f·
ер max 1 мА
Inp, и max 1 мА
fд max1
кГц
Uпр. В,
не бо.nее
lобр, мкА
не бо.nее
(при 1пр 1 мА)
(при Uобр 1 В)
1 (5)
1 (9)
1 (2)
1 (4,5)
1 (4,5)
1 (2)
1 (2)
100 (10)
250 (30)
250 (50)
250 (50)
250 (100)
250 (150)
250 (100)
3
3
3
3
3
3
3
100 (50)
100 (100)
100 (150)
100 (200)
100 (300)
100 (350)
100 (400)
-
-
-
-
tвос, обр1
мкс
Сд, пФ
(при
Корпус
Uобр1 В)
/
Д2Б
Д2В
д2r
Д2Д
Д2Е
Д2Ж
Д2И
Д7А
Д7Б
Д7В
Д7Г
Д7Д
Д7Е
Д7Ж
Д9Б
Д9В
Д9Г
Д9Д
Д9Е
Д9Ж
Д9И
Д9К
Д9Л
Д9М
Д10
Д10А
Д10~
10
30
50
50
100
150
100
16
25
16
16
16
8
16
100
100
100
100
100
100
100
50
100
150
200
300
350
400
300
300
300
300
300
300
300
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
2,4
10
30
30
30
30
50
100
30
30
100
40
20
30
30
20
15
30
30
15
30
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1 (90)
1 (10)
1 (30)
1 (60)
1 (30)
1 (10)
1 (30)
1 (60)
1 (30)
1 (60)
250 (10)
250 (30)
250 (30)
250 (30)
250 (30)
250 (50)
120 (100)
60 (30)
250 (30)
250 (100)
10
10
10
16
16
16
100
100
100
1,5 (3)
1,5 (5)
1,5 (8)
100 (10)
200 (10)
200 (10)
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
(300)
(300)
(300)
(300)
(300)
(300)
(300)
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
(1,5)
(1,5)
(1,5)
(1,5)
(1,5)
(1,5)
(1,5)
-
-
Д2
7,5_
-1
1~
'&
--::: •*•
Д7
~I~e
'
Д9
чt аеЮ
-
9,5
.U..e
Д10
7,5
1
~
'&
---".*.
1
---,
1~
Д101
Д101А
75
75
-
30
30
2 (2)
1 (1)
10 (75)
10 (75)
-
-
Д101
~ie~I:~
Д102
Д102А
50
50
-
30
30
2 (2)
1 ( 1)
10 (50)
10 (50)
-
-
Д102
~t~:~
КД102А
КД102Б
250
300
50
50
-
1
20
1 (100)
1 (100)
0,1 (250)
1 (300)
-
-
КД102
=Jf}=~t
/
Попярность
Д103
Д10ЗА
30
30
30
30
-
2 (2)
1 (1)
30 (30)
30 (30)
-
-
Д103
~te~:~
214
Раздел
Uобр max,
'lип
в
прибора
Uсiбрн max,
Inp max, мА
In,l>. ер max. мА
1.пр. и max, мА
в
КД10ЗА
КД103Б
50
50
50
50
fд max,
кГц
20
20
lобр, мкА
Unp• В,
не более
не более
(при Inpo мА)
(при Uобр, В)
l (100)
1,2 ( 100)
0,5 (50)
0,5 (50)
tвос. обро
мкс
l
4
4. Диоды
Сд, пФ
(при
Корпус
Uобро В)
20 (5)
20 (5)
/
КД103
=~i:=~t
/
Попярность
Д104
Д104А
100
100
30
30
150
150
2 (2)
l ( l)
5 (100)
5 (100)
0,5
0,5
().,7 (l)
0,7 (0,3)
Д104
4в~:~
КД104
300
.
50
20
l (10)
3 (300)
3
-
КД104
=4}=~1
/
попярность
Д105
Д105А
100
100
150
150
30
30
2 (2)
l (l)
5 (75)
5 (75)
0,5
0,5
0,7 (l)
0,7 (0,3)
~i4:~
f
КД105Б
КД105В
КД105Г
400*
800*
800*
300
300
300
l
l
l
l (300)
l (300)
l (300)
100 (400)
100 (600)
100 (800)
Д105
-
-
КД105
-
1~
---
\(')
Д106
Д106А
100
100
30
30
150
150
2 (2)
l (l)
5 (30)
5 (30)
0,5
0,5
0,7 (l)
0,7 (0,3)
7
-
......
......
--
Д106
4~:~
КД106А
100*
300; 3*
А
l
l (300)
10 (100)
0,385
КД106
74".153
(5)
1
\(')
ГД107А
ГД107Б
15
25
20
20
-
l (10)
0,4 (1,5)
20 (10)
100 (20)
-
-
7
-- -
-- ...
'"'
--
ГД107
~=f eeJ~ 7.5~Э=е
параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max1
Тип
в
прибора
u:isp и max,
в
КД109А
КД109Б
КД109В
100*
300•
600*
Inp max 1 мА
fд max,
l".f• ер max1 мА
кГц
Inp. и max 1 мА
-
300
300
300
285
Uпр, В,
1обрr мкА
не бо.nее
не бо.nее
(при Inp1 мА)
(при Uобр, В)
1 (300)
1 (300)
1 (300)
100 (100)
100 (300)
100 (600)
tвос, обрr
мкс
Сд, пФ
(при
Корпус
Uобр, В)
-
-
10
3
'---
-
КД109
-
~
,
АДНОА
30
10
1000
1,5 (10)
5 (20)
АД110
с:-..
~
''
-
15,5 -
29
АД112А
50
300
1
-
3 (300)
100 (50)
-
-
с::
r~
,..... i:::=
-
АД112
~1~~
в ti
4J
ГД113А
115*
15
-
1 (30)
250 (80)
-
-
rднз
7,5_
'
- * '-1
~
1
---, .
'&
.
г--
'~
КД116А-1
КД116Б-1
100
50
25
100
-
S0,95
(25 мА)
Sl (25 мА)
1 (100 В)
0,4 (50 В)
вl,5
S4
-
КД116-1
01,0
cilft
Д202
100
400
20
1 (400)
500 (100)
-
-
Д202
~
.....
,,_
t:-"1~1D
--.ЦIL..:.::J
~
35
кд202А
кд202В
кд202Д
кд202Ж
кд202К
кд202М
КД202Р
Д203
50*
100*
200•
300•
400*
500*
600*
5А
5А
1,2
1,2
1,2
1,2
1,'2
1,2
1,2
200
400
20
5А
5А
5А
5А
5А
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
0,9
(5
(5
(5
(5
(5
(5
(5
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
1 (400)
800 (50)
800 (100)
800 (200)
800 (300)
800 (400)
800 (500)
800 (600)
-
-
500 (200)
-
-
-
-
- -
-
кд202
37
~
-
"&
-
~
-
.г-1119.r А.
LJl111' l:t
Д203
1
..... _.__
,,_
~
-
dlг:;l
~1~
35
--
-
-
286
Раздел
Uобр max,
Ти'п
прибора
в
u.:ip
и max,
в
Inp max, мА
l'f, ер max, мА
Iпр. и max, мА
fд max,
кГц
lобр, мкА
Uпр, В,
не бoJJee
не бoJJee
(при Inp, мА)
(при Uобр, В)
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
1
1
1
1
1
1 (5 А)
1 (10 А)
1 (5 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1 (10 А)
1,5 мА (800 В)
1,5 мА (800 В)
1,5 мА (1000 В)
1,5 мА (1000 В)
1,5 мА (400 В)
1,5 мА (600 В)
1500 (600)
1500 (800)
1500 (800)
1500 (1000)
1500 (1000)
КД203М
420
560
560
1000
720
800
800
1000
1000
400
600
Д204
300
400
20
1 (400)
500 (300)
КД203А
кд203Б
КД203В
кд203Г
кд203Д
кд203Е
кд203Ж
кд203И
кд203К
КД203Л
-
tвос, обр,
мкс
4. Диоды
Сд, пФ
(при-
Корпус
Uобр, В)
-
-
-
КД203
f
'
~
г:r:
1
_,~
LJ,_
с-....
~
'&
L/7
-
~
Д204
-
'[,
35
'
кд204А
КД204Б
КД204В
400*
200•
50*
400
600
1А
1,4 (600)
1,4 (600)
1,4 (600)
1
1
1
150 (400)
100 (200)
50 (50)
-
1,5
1,5
1,5
- -
F=l'lilГ'::l
. F=liJIL.::J - -
~
-
кд204
.......
f""""""9
"'----
111.,..1
Q)
~
....
N
lllN~
о.
п.,.-
_20.32
-l1,5
~
Д205
400
400
1 (400)
20
500 (400)
-
-
Д205
. Ejf11D
~
~
1111
"'11
'""'
--
35
КД205А
кд205Л
500
400
300
200
100
500
600
700
100
200
500
500
500
500
500
300
500
300
700
700
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Д206
100
400
1
кд205Б
кд205В
КД205Г
КД205Д
КД205Е
КД205Ж
кд205И
КД205К
,
1 (500)
1 (500)
1 (500)
1 (500)
1 (500)
1 (300)
1 (500)
1 (300)
1 (700)
1 (700)
100
100
100
100
100
100
lQO
100
100
100
1 (100)
50 (100)
(500)
(400)
(300)
(200)
(100)
(500)
(600)
(700)
(100)
(200)
-
-
-
-
КД205
~:~~1r
~~
Д206
~r*e3
КД206А
КД206Б
КД206В
400
500
600
10 А
10 А
10 А
1
1
1
1,2 (1000)
1,2 (1000)
1,2 (1000)
700 (400)
700 (500)
700 (600)
10
10
10
-
кд206
~
~
N
..,;;:
~а
'&
Д207
200
400
1
1 (100)
50 (200)
-
11.~
20
-
\..,
~
"
1:'LJ
'
~ [,
Д207
- -- '*"
с--.
.....:
-
'S.
'~
--
g
.-
~~
Параметры диодов, столбов и блоков
Тип
прибора
Uобр max,
в
UC:Sp
и max,
-в
Д208
300
Inp max, мА
1".f, ер m8 x, мА
Inp, и max 1 мА
400
fд max,
кГц
l
287
Uпр. В,
lобр, мкА
не бо.nее
не бо.nее
(при Inp, мА)
(при Uобр, В)
l ( l 00)
50 (300)
tвос, обрt
мкс
-
Сд, пФ
(при
Корпус
Uобр, В)
-
Д208
~r~E3
КД208А
100
1,5
А
l (1000)
l
100 (100)
-
-
КД208
7
-
"
- --
--
~
'""
'~
КД208А-1
100
1,5
А
l (l
А)
100 (100
В)
-
-
КД208-1
l
.1_1' - -к
--
~
1.1')
~~
5
Д209
400
400
l ( 100)
l
50 (400)
-
у
r\._
'&
-
Д209
~r~E3
кд209А
кд209Б
кд209В
400
600
800
700
500
500
l (700)
l (500)
l (500)
l
l
l
100 (400)
100 (600)
100 (800)
-
-
КД209
7
'~
--
~
кд209А-1
КД209В-1
кд209Г-1
400
600
800
1000
700
7,00
500
200
l (0,7
l (0,7
l (О,5
l (0,2
А)
А)
А)
А)
30 (400 В)
30 (600 В)
30 (800 В)
50 (1000 В)
-
-
l
l
l
l
КД209-1
1.1')
~~
~-/
-
'&
500
400
l
l ( l 00)
50 (500)
-
- 1'
-
к
JI
\.
.
Д210
---
,_.,
'""
,, '
кд209Б-1
-
~
5
-
Д210
~r~~E3
КД210А
КД210Б
КД210В
кд210Г
Д211
800
800
1000
1000
600
5А
10
А
5А
10
А
400
l
l
l
l
l
l
2
2
2
(10
(10
(10
(10
А)
А)
А)
А)
l (100)
4,5 мА (800)
4,5 мА (800)
4,5 мА (1000)
4,5 мА ( 1000)
50 (600)
-
-
-
-
КД210А
-
~i
11,5
20
-d
...,......-QI..
-- -=t--,..
1-1
j
~
'
Д211
~r~~E3
-
Раздел
288
Тип
Uo6pmax1
в
прибора
U~p и max,
в
КД212А
КД212Б
КД212В
КД212Г
lnpmaxt мА
In,f, ер max1 мА
lnp, и maxt мА
1А
1А
1А
1А
200
200
100
100
fд maxt
кГц
100
100
100
100
Uпр, В,
lобр1 мкА
не бо.nее
не бо.nее
(при Inp 1 мА)
(при Uобр, В)
1 (1 А)
1,2 (1 А)
1 (1 А)
1,2 ( 1 А)
50 (200)
100 (200)
100 (100)
100 (100)
tвос, обр1
мкс
Сд, пФ
(при
Корпус
Uo6p1 В)
0,3
0,3
0,5
0,5
45
45
45
45
(100)
(100)
(100)
(100)
550
550
550
550
(100)
(100)
(100)
(100)
КД212
4
~f
.
КД213А
кд21ЗБ
КД213В
кд21зr
200
200
200
100
10
10
10
10
А
А
А
А
1 (10 А)
1,2 (10 А)
1,2 (10 А)
1,2 (10 А)
100
100
100
100
200
200
200
200
(200)
(200)
(200)
(100)
0,3
0,17
0,5
0,3
КД213
rJfl/
/::)
~
Д214
Д214А
Д214Б
10
10
100
100
100
А
А
5А
1,2 (10 А)
1 (10 А)
1,5 (5 А)
1,1
1,1
1,1
3
3
3
мА
мА
мА
(100)
(100)
(100)
-
С>1
-
"
"-"
t'8
,_
,
Д215Б
200
200
200
10
10
А
А
5А
1,2 (10 А)
1 (10 А)
1,5 (5 А)
1,1
1,1
1,1
3000 (200)
3000 (200)
3000 (200)
-
1 ( 100)
1
50 (800)
-
""
- LL
-
100
100
1 ( 100)
1,1 (100)
1
1
50 (1000)
50 (1200)
-
~
tt
-
-----
1.А
·-
1000
1200
=
=
18
~
-
мд218А
:t
мд217
-
мд218
R=
1=
1::::
гr
-
'S.
100
1::::
-
-
Д215
"-"
t'8
800
...
п
~
МД217
""
- ...
:._Q
'S.
Д215А
t:::lt::I
Д214
~
Д215
4. Диоды
~
~
~
10
МД218
--
18
-
-- - ,--
.....
-
)
КД221А
КД221В
КД221Г
100
200
400
600
0,7
0,5
0,3
0,3
А
А
А
А
1,4 (0,7
1,4 (0,5
1,4 (О,3
1,4 (0,3
1
1
1
1
А)
А)
А)
А)
50 (100)
50 (200)
100 (400)
150 (600)
1,5
1,5
1,5
1,5
-
~
<О
КД221В1
КД22tn
КД221Д1
КД221Е1
700
500
300
300
700
300
1
1
1
1
1
1
--
~
'""'
.
---
-
'
100
200
400
600
100
400
7
1
С")
кд221А1
10
КД221
'S.
КД221Б1
1,4
1,4
1,4
1,4
1,4
1,4
'
~.
КД221Б
~
~.....:-
(0,7
(0,5
(0,3
(0,3
(0,7
А)
А)
А)
А)
А)
(О,3 А)
50 (100 В)
50 (200 В)
100 (400 В)
100 (600 В)
50 (100 В)
100 (400 В)
1,5
1,5
1,5
1,5
1,8
1,8
-
КД221-1
-
~
&1
!__
--
к
}\
-'\.. Jt
5
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max1
Тип
в
прибора
u:isp и max1
в
Iпр maxi мА
l",f· ер max1 мА
Iпр, и max 1 мА
fд max1
кГц
20
30
40
2А
2А
2А
-
Д223Б
50
100
150
50
50
50
-
КД223А
200
КД222А-5
кд222Б-5
КД222В-5
Д223
Д223А
2
А;
50
А*
1,5
289
Uпр, В,
1обр 1 мкА
не бо.nее
не бо.nее
(при 1пр 1 мА)
(при Uобр, В)
0,55 (2
0,55 (2
0,55 (2
А)
А)
А)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1,3 (6
А)
2
2
2
tвос. обр1
мкс
Сд, пФ
(при
-
-
1 (50)
1 ( 100)
1 (150)
-
-
10 (200)
-
-
мА
мА
мА
(20
(30
(40
В)
В)
В)
·
Корпус
Uобр, В)
КД222-5
0,5
~[]
J
Д223
~i~:~
КД223
9,65
-N
<О
-
'&
Д226
Д226А
Д226Е
КД226А-
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е
МД226
МД226А
МД226Е
-
1 (300)
1 (300)
1 (300)
50 (400)
50 (300)
50 (200)
-
2А
50
50
50
50
50
50
1,4 (1,7 А)
1,4 (1,7 А)
1,4 (1,7 А)
1,4 (1,7 А)
1,4 (1,7 А)
1,3 (1 А)
50 (100)
50 (200)
50 (400)
50 (600)
50 (800)
10 (600)
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
300
300
300
1
1
1
1 (300)
1 (300)
1 (300)
50 (400)
50 (300)
50 (200)
-
-
-
-
300
300
300
100
200
400
600
800
600
1,7
1,7
1,7
1,7
1,7
400
300
200
-
1
1
1
400
300
200
А
А
А
А
А
Д229Б
Д229В
Д229Г
Д229Д
Д229Е
Д229Ж
Д229И
Д229К
Д229Л
Д231
Д231А
Д231Б
200
400
100
200
400
400
100
200
300
400
400
400
400
400
300
400
700
700
700
700
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1 (400)
1 (400)
1 (400)
1 (400)
1 (400)
1 (400)
1 (700)
1 (700)
1 (700)
1 (700)
50 (200 )"
50 (400)
200 (100)
200 (200)
200 (300)
200 (400)
200 (100)
200 (200)
200 (300)
200 (400)
300
300
300
IOA
. 10 А
l, I
1,1
l, 1
1 (!О А)
1 (10 А)
1,5 (5 А)
3000 (300)
3000 (300)
3000 (300)
5А
-
-
_\
1"
-
КД226
-
9,65
-
-
---
~r~e3
-
-
1.А
'"'
Д226
-
\
Д229А
--,,
-- -
N
сО
·~
'&
~-
МД226
J
~r~e3
Д229
-~
,,
-
-~·
~l
1~:· , . .
-
-
-
35
-
Д231
~
'&
-
- ...
"
"'-с:-...
""
·-
- .ГJ.
...-. =
- 1 1-
=
;;;
~
Раздел
290
Uобр max,
Тип
в
прибора
U~p и max,
Inp max, мА
1",f, ер max, мА
Inp, и max 1 мА
в
Д232
Д232А
Д232Б
кГц
1, 1
1,1
1,1
IOA
IOA
400
400
400
fд maxt
5А
Uпр, В,
lобр, мкА
не бо.nее
не бо.nее
(при Inp• мА)
(при Uобр, В)
1 (10 А)
1 (10 А)
1,5 (5 А)
3000 (400)
3000 (400)
3000 (400)
tвос, обрt
мкс
-
Сд, пФ
(при
Uобр, В)
Корпус
-
Д232
""
--
,,
~
r-...~
.-1
с:-...
'&
-
Д2ЗЗБ
IOA
500
500
l, l
1,1
5А
1 (10
А)
1,5(5А)
3000 (500)
3000 (500)
-
-
u·-
'&
\W
1,1
1,5 (5
А)
3000 (600)
-
-
-t::
""
-
"
~
-~
- г:[ ... tJ...
-Q 1:: j=
r-...~
с:-...
'&
1::
'
Д237Б
Д237В
Д237Е
Д237Ж
200
400
600
200
400
300
300
100
200
200
1
1
1
1
1
1 (300)
1 (300)
1 (100)
1 (200)
1 (200)
50
50
50
50
50
(200)
(400)
(600)
(200)
(400)
-
-
-
200 (25)
200 (25)
200 (25)
$0,25
S0,25
$0,25
$0,25
S0,25
S0,25
-
~
Д234
-
Д237А
о
,:::
г[. 1::.
- 1J' 1::
- ,:::
-
с:-...
5А
...
""
-r-...~
600
~
1::.
Д233
~
Д234Б
-
...
.:!.
-
'
Д233
4. Диоды
Д237
~IE3~e3
'
КД238АС
КД238БС
КД238ВС
КД240А
КД240Б
КД240В
КД240Г
КД240Д
КД240Е
КД240Ж
КД240И
КД240К
КД241А
25*
35*
45*
7,5; 75*
7,5; 75*
7,5; 75*
А
А
2А
200*
400*
600*
200*
400*
600*
. 200*
400*
600*
1500*
А
20
20
20
20
20
20
1
1
1
2А
2А
!А
1А
1А
2* А
2* А
2* А
2
А;
5*
10".200
10... 200
10... 200
А
20
0,65 (7,5
0,65 (7,5
0,65 (7,5
А)
А)
А)
1,45 (3 А)
1,45 (3 А)
1,45 (3 А)
1,35 (1,5 А)
1,35 (1,5 А)
1,35 (1,5 А)
1,15 (3 А)
1,15 (3 А)
1,15 (3 А)
1,4 (2
А)
<lмА (25)
< lмА (35)
<!мА (45)
30
30
30
30
30
30
30
30
30
(200 В)
(400 В)
(600 В)
(200 В)
(400 В)
(100 В)
(200 В)
(400 В)
(600 В)
1 (1500)
$1,5
КД238, КД240
'
-
4,8
10,65
т
т
1
°'""""
~~
- JW
с-.,
..;::,.~
1
о
'А1КА2
КД241А
F2~
Д242
Д242А
Д242Б
100
100
100
10
10
А
А
5А
1,1
1, 1
1, 1
l,25 (10 А)
1 (10 А)
1,5 (5 А)
3000 (100)
3000 (100)
3000 (100)
-
-
::з
10
Д242
"
~
r-...~
""
- r:!.
'&
...
'
Д24ЗА
Д24ЗБ
200
200
200
IOA
10
А
5А
1, 1
l, l
1,1
1,25 (10 А)
1 (!О А)
1,5 (5 А)
3000 (200)
3000 (200)
3000 (200)
-
..,,
1::
- 1I' 1::
с:-...
Д243
~
-
R.
j=
Д243
~
~
r-...~
с:-...
,,
'&
""
_п
....
- -u
-
=
= R.
= tt
;;;;
::::J
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max,
Тип
прибора
в
Uc':isp
и
max,
в
КД24ЗА
КД24ЗБ
КД243В
КД243Г
КД243Д
КД24ЗЕ
КД24ЗЖ
КД244А
КД244Б
КД244В
КД244Г
Inp max, мА
1",f, ер max, мА
Inp, и max, мА
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
50
100
200
400
600
800
1000
100
100
200
200
6*
6*
6*
6*
6*
6*
6*
10
10
10
10
А
А
А
А
А
А
А
А
fд maxr
кГц
1
1
1
1
1
1
1
200
200
200
200
А
А
А
291
Uпр, В,
не более
lобр, мкА
не более
(при Iпр, мА)
(при Uoбpr В)
tвос, обрt
мкс
Сд, пФ
(при
(1 А)
(1 А)
(1 А)
(1 А)
(1 А)
(1 А)
( 1 А)
10 (50)'
10 (100)
10 (200)
10 (400)
10 (600)
10 (800)
10 (1000)
-
-
1,3 (10,А)
1,3 ( 10 А)
1,3 (10 А)
1,3 (lQ А)
100 (100)
100 (200)
100 (100)
100 (200)
0,05
0,035
0,05
0,035
-
l, l
l, l
1,1
l, l
l, l
l, l
l, l
Корпус
Uобр, В)
КД243
~i ",Е; JЕЗ
КД244
~
1/.8
10,Ь
--
v
~i
'
1
Ш'№
Д245
Д245А
Д245Б
300
300
300
-
10
10
А
l, l
1,1
1,1
А
5А
l,25(10A)
1 (10 А)
1,5 (5 А)
3000 (300)
3000 (300)
3000 (300)
-
Д245
-,
-
""
~
"'h
"-
с-....
=
= q,
Q = :Т
~
'
Д246А
Д246Б
400
400
400
10
10
А
1,1
1,1
l, l
А
5А
1,25 (10 А) .
1 (10 А)
1,5 (5 А)
3000 (400)
3000 (400)
3000 (400)
-
-
Д246
////
-
~
~
"'h
с-....
-_,
-
ГJ
L~,
'
Д247Б
500
500
10
А
1,1
l, l
5А
1,25 (10 А)
1,5 (5 А)
3000 (500)
3000 (500)
-
-
-
-
"'h
с-....
'S.
КД247Е
100
200
400
600
800
50
Д248Б
600
кд247В
КД247Г
КД247Д
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
30•
30•
30*
30•
30•
30•
А
А
А
А
А
А
5А
А)
5 (100)
5 (200)
5 (400)
5 (600)
5 (800 В)
5 (50 В)
Sl50
Sl50
Sl50
Sl50
S250
Sl50
-
А)
3000 (600)
-
-
150
150
150
150
150
150
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
(1
(1
(1
(1
(1
(1
А)
1,1
1,5 (5
А)
А)
А)
А)
'
"
////
'
,
'S.
15*
А
-
1,5 (5
А)
2 (200)
<250
-
КД257Б
400
3
А;
15*
А
-
1,5 (5
А)
2 (400)
<250
-
КД257В
600
3
А;
15*
А
-
1,5 (5
А)
2 (600)
<250
-
КД257Г
800
3
А;
15*
А
-
1,5 (5
А)
2 (800)
<300
-
КД257Д
1000
3
А;
15*
А
-
1,5 (5
А)
2 (1000)
<300
-
~
::t
Д248
с-....
А;
=
~i ЕЭlЕ; JЗЕ3
"'h
3
=
кд247
~
200
п"'"
Li =
--
КД257А
~
////
~
КД247Б
=
Д247
~
КД247А
.....
- ,::=
'S.
Д247
--
- r:r.
'S.
Д246
D
-
1...1
ц_
".....
t::l
=
=
j=
КД257
::>С:
25.4
:::1~ :::J
7
со
С")
\S1
Раздел
29-2
Uoop maxt
Тип
в
прибора
U~рн mix,
в
lпр maxt мА
1"/· ер maxt мА
lпр, и maxt мА
fд max,
кГц
не бoJiee
loop, мкА
не бoJiee
(при Iпро мА)
(при Uoop~ В)
Uпр, В,
tвос, обр,
мкс
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoopt В)
КД258А
200
ЗА;
7,5*
А
-
1,6 (З* А)
2 (200)
<250
-
КД258
КД258Б
400
ЗА;
7,5*
А
-
1,6 (З* А)
2 (400)
<250
-
.
КД258В
600
ЗА;
7,5*
А
-
1,6 (З* А)
2 (600)
<250
-
КД258Г
800
ЗА;
7,5*
А
-
1,6 (З* А)
2 (800)
<ЗОО
-
А
-
1,6 (З* А)
2 (1000)
ЗА; ЗОО* А
250* А
-
0,65 (ЗА)
0,75 (ЗА)
0,85 (ЗА)
0,85 (ЗА)
0,9 (ЗА)
0,9 (ЗА)
0,95 (ЗА)
0,95 (ЗА)
1 (ЗА)
1,1 (З.А)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
2 мА
ЗА;
1000
КД268А
КД268Ж
25
50
75
100
150
200
250
КД268И
зоо
КД268К
З50
КД268Л
400
КД269А
КД269Ж
25
50
75
100
150
200
250
КД269И
зоо
5А
КД269К
З50
5А
КД269Л
400
5А
КД270А
КД270Ж
25
50
75
100
150
200
250
КД270И
зоо
КД270К
З50
КД270Л
400
КД271А
КД271Ж
25
50
75
100
150
200
250
КД268Б
КД268В
КД268Г
КД268Д
КД268Е
КД269Б
КД269В
КД269Г
КД269Д
КД269Е
КД270Б
КД270В
КД270Г
КД270Д
КД270Е
КД271Б
КД271В
КД271Г
КД271Д
КД271Е
7,5*
ЗА;
ЗА;
ЗА;
200* А
150* А
ЗА
-
ЗА
ЗА
-
ЗА
-
ЗА
-
ЗА
5
5
5
5
А;
450*
А
А; ЗОО* А
А;
240*
210*
А;
А
А
5А
5А
5А
7,5
7,5
7,5
7,5
А;
А
А;
А
850*
700*
А; 600*
А; 525*
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
7,5 А
А
А
10 А; 1000* А
10 А; 800* А
10 А; 700* А
10 А; 600* А
10 А
10 А
10 А
10 А
10 А
-
-
КД271И
зоо
КД271К
З50.
КД271Л
400
IOA
-
КД272А
25
КД272Б
50
КД272В
15 А; 1400* А
15 А; 1200* А
15 А; 1000* А
15 А; 800* А
15 А
15 А
15 А
15 А
15 А
15 А
-
КД272Ж
75
100
150
200
250
КД272И
зоо
КД272К
350
400
КД272Г
КД272Д
КД272Е
КД272Л
КД273А
КД273Ж
25
50
75
100
150
200
250
КД273И
зоо
КД27ЗК
З50
КД27ЗЛ
400
КД273Б
КД273В
КД273Г
КД273Д
КД273Е
20 А; 1800* А
20 А; 1500* А
20 А; 1400* А
20 А; lЗОО* А
20 А
20 А
20 А
20 А
20 А
20 А
-
-
-
<ЗОО
З мА
-
З мА
-
0,65 (5 А)
0,75 (5 А)
0,85 (5 А)
0,85 (5 А)
0,9 (5 А)
0,9 (5 А)
0,95 (5 А)
0,95 (5 А)
1 (5 А)
1,1 (5 А)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
2 мА
-
З мА
-
З мА
-
0,65 (7,5 А)
0,75 (7,5 А)
0,85 (7,5 А)
0,85 (7,5 А)
0,9 (7,5 А)
0,9 (7,5 А)
0,95 (7,5 А)
0,95 (7,5 А)
1 (7,5 А)
1,1 (7,5 А)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
2 мА
-
З мА
-
0,65 (10 А)
0,75 (10 А)
0,85 (10 А)
0,85 (10 А)
0,9 (10 А)
0,9 (10 А)
0,95 (10 А)
0,95 (10 А)
1 (10 А)
1,1 (10 А)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
2 мА
З мА
0,65 (15 А)
0,75 (15 А)
0,85 (15 А)
0,85 (15 А)
0,9 (15 А)
0,9 (15 А)
0,95 (15 А)
0,95 (15 А)
1 (15 А)
1, 1 (15 А)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
5 мА
5 мА
5 мА
0,65 (20 А)
0,75 (20 А)
0,85 (20 А)
0,85 (20 А)
0,9 (20 А)
0,9 (20 А)
0,95 (20 А)
0,95 (20 А)
1 (20 А)
1,1 (20 А)
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
1 мА
2 мА
2 мА
5 мА
5 мА
5 мА
З мА
З мА
З мА
-
-
-
-
/
А
1.1')
-- ['\_ -
~~
&
КД258Д
4. Диоды
-
-
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
}._~
у
5
КД268
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
-
~
~
10,Ь
//,8
v
~i
фl~
g
А
к
КД269
10,Ь
~
~
_
~i
ж1ш
т
g
А
к
'
//,8
КД270
10,Ь
-
_
v
~
~
......
1
ж1ш
к
//,8
g
А
КД271
-
10,Ь
//,8
v
~i
~
Ж1Ш
к
g
А
КД272
10,Ь
~
.
t
~i
ж1ш
к
А
-
//,8
v
g
КД273
1D,b
~
•
,
~i
ж1ш
к
А
//,8
т
g
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр maxt
Тип
в
прибора
U~p и maxt
в
КД2988А
КД2988Б
КД2988В
800
600
400
lпр maxt мА
lп/, ер max, мА
lпр, и maxt мА
15
15
15
А;
А;
А;
100*
100*
100*
А
А
А
Uпр, В,
loop, мкА
не бoJiee
не бoJiee
(при lпр, мА)
(при Uoбpt В)
1,6 (15 А)
1,5 (15 А)
0,1
0,1
0,05
fд max,
кГц
293
-
1,4(15А)
tвос. обро
мкс
0,3
0,3
0,3
С4 , пФ
(при
Корпус
Uoop, В)
-
КД2988
10,!J
-
-
-" !.fJ
~
'
i
Ж'~
КД2991А
45*
60 А
0,7 (60 А)
10... 200
50 мА (35 В)
-
-
1Г
D
КД2991
г-1
....
.
~-
-
"
)
1 ....
1...-L
с-...
с-..
"&.
1/7
КД2994А
200
20 А
1,3 (20 А)
200
100 (100)
0,05
-
КД2994
10,!J -
,
!.fJ
~
~
i
Ш1W
КД2995А
КД2995Б
КД2995В
КД2995Г
КД2995Д
КД2995Е
50*
70*
100*
150*
200*
100*
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
25 А
20".200
20".200
20".200
20".200
20."200
10."200
1,1
1,1
1,1
1,1
1,1
1,1
(30 А)
(30 А)
(30 А)
(30А)
(30 А)
(30 А)
10 (50 В)
10 (70 В)
10 (100 В)
10 (150 В)
10 (200 В)
10 (100 В)
S0,05
S0,05
S0,05
S0,05
S0,05
S0,01
-
-
D
КД2995
--.
-...............
lh.-
н1 ..... t-"""""
111• "'J
...--
!1.5
- - -КД2996А
КД2996Б
КД2996В
50*
70*
100*
50 А
50 А
50 А
20... 200
20".200
20".200
1 (50 А)
1 (50 А)
1 (50 А)
25 (50 В)
25 (70 В)
25 (100 В)
S0,06
~О.06
S0,06
-
КД2997А
кд2997Б,
КД2997В
200; 250*
100; 200*
50; 100*
---
кд2998А
КД2998В
КД2998Г
кд2998Д
15*
20*
25*
35*
30*
-
-
..
200
200
200
1 (30 А)
1 (30 А)
1 (30 А)
200 (200)
200 (100)
200 (50)
S0,2
S0,2
S0,2
-
30
30
30
30
30
А
А
А
А
А
~.
lt""""""
20,32
-
'
КД2998Б
.111."J
"
11,~
30 А; 100* А
30 А; 100* А
30 А: 100* А
20,32
~
c--i
'tl.
-
lh.-
____.
-
-_,.-
КД2996
~
.
1Г
~
N
'tl.
-
КД2997
d~
28
......._
28
~
~ --! -10".200
10."200
10".200
10."200
10".200
0,6
0,6
0,7
0,7
0,7
(30
(30
(30
(30
(30
А)
А)
А)
А)
А)
20
20
20
20
20
мА
мА
мА
мА
мА
{15
(20
(25
(35
(30
В)
В)
В)
В)
В)
-
-
КД2998
-
r---1
-- .". .....
,,,...,_
n••"'~
"
11,5
-
20.32 -
-
~
N
'tl.
Раздел
294
Тип
Uoop max1
в
прибора
U.it,p и max1
в
КД2999А
200; 250*
100; 200*
50; 100*
КД2999Б
КД2999В
lпр max 1 мА
fд max1
lnJ," ер max1 мА
lnp, и max 1 мА
кГц
20 А; 100* А
20 А; 100* А
20 А; 100* А
Uпр1 В,
lобр1 мкА
не бoJiee
не бoJiee
(при 1пр 1 мА)
(при Uoop1 В)
1 (20 А)
1 (20 А)
1 (20 А)
200 (250)
200 (200)
200 (100)
100
100
100
tвос, обр1
мкс
s;0,2
. ::>0,2
s;0,2
4. Диоды
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop1 В)
-
КД2999
~~
28
28
~
~
-- ~ ---
,_
-
!
Д302
Д303
Д304
Д305
200
150
100
50
1А
1
1
1
1
ЗА
5А
10
А
0,3 (! А)
0,35 (3 А)
0,3 (5 А)
0,35 (10 А)
800 (200)
1000 (150)
2000 (IOO)
2500 (50)
-
-
Д302-Д305
20,J ~'
--.;:
~.1::
"&
КД401А
75*
75*
30
30
1 (5)
1 (10)
150
150
5 (75)
5 (75)
2
2
ГД402Б
15
15
30
30
60
МГц
IОМГц
it езi3
0,45 (15)
0,45 (15)
50 (10)
50 (10)
-
t:Г~
.......
КД401
1 (5)
1,5 (5)
-
ГД402А
-
~" R=
С()1
КД401Б
!1,5_
- -
0,8 (5)
0,5 (5)
i
12
~еа
ГД402
7.S
~= еэ31~5=еа
ГД403А
ГД403Б
ГД403В
5
5
5
5
5
5
465
465
465
0,5 (5)
0,5 (5)
0,5 (5)
-
-
-
ГД403
it езi3
'
КД407А
24
50
(50."300)
-
0,5 (24)
-
12
1 (5)
Eiea
КД407
МГц
~ЕЭ~ЕЗ
;
7,S
'
КД409А
24
50
(50 ... 300)
-
0,5 (24)
-
2 (15)
КД409
МГц
--
~1~
N ~
'
F
--'-
-КД409А-9
КД409Б-9
40
40
100; 500*
50; 500*
-
1,2 (0,1 А)
1 (0,1 А)
0,5 (40 В)
0,5 (40 В)
,-
1
1,5
-
,
~
"
КД409-9
J
О,95
~~х
295
Параметры диодов, столбов и блоков
Uoop max,
Тип
в
прибора
U~p н max,
в
КД410А
КД410Б
1000
600
Iпр maxt мА
Iп/· ер max, мА
Iпр. н max, мА
50
50
fд max,
кГц
-
Uпр, В,
Ioop, мкА
не бoJiee
не более
(при Iпр, мА)
(при Uoop, В)
2 (50)
2 (50)
3 мА (100)
3 мА (100)
fвос. обрt
мкс
3
3
С 4 , пФ
(при
Корпус
Uoop, В)
-
КД410
-
()5
~~=
·-
КД4НА
КД4НБ
КД4НВ
КД411f
700*
600*
500*
400*
2А
2А
2А
2А
30
30
30
30
1,4 (1 А)
1.4 (1 А)
1,4 (1 А)
2 (1 А)
700
700
700
700
(700)
(600)
(500)
(400)
25
25
-
-
КД411
-
-
s::::= 1"' ::J
D
-
-
i:::::=J[]
('\
а:
КД4НАМ
КД4НБМ
КД411ВМ
КД411ГМ
КД412А
КД412Б
КД412В
КД4J2Г
700*
750*
600*
500*
1000*
800*
600*
400*
2А
2А
2А
2А
20*
20*
20*
20*
А
А
А
А
30
30
30
30
20
20
20
20
1,4 (1 А)
1,4 (1 А)
1,4 (1 А)
2 (1 А)
2
2
2
2
(10
(10
(10
(10
А)
А)
А)
А)
300
300
300
300
(700)
(750)
(600)
(500)
100 (!'ООО)
100 (800)
100 (600)
100 (400)
0,5
0,5
1,5
1,5
1,5,
1,5
1,5
1,5
-
r..... ' _""&.
-
20*
20*
100
100
МГц
МГц
1 (20)
1 (20)
-
-
" '~
-- 915--
--
КД412
~
11,5
24
24
-.- -----=--
--- = il@jg!
10,2
t
КД413Б
~
КД411М
~1
КД413А
5
18
--
20,3
11
КД413
0,7
0,7
~
\.t)
t__
----'
_"
--,
"&.
~-
1
КД416А
КД416Б
400
200
300; 15* А
300; 15* А
0,5
0,5
3 (15 А)
3 (15 А)
400 (400)
200 (200)
-
ос:::
.
КД417А
24
20
-
-
1 (20)
-
-
КД416
-
---
J
-
1
1~
---SU
5
18
~
КД417
0,4
~
,
\.t)
_"
_ _ .J
~
"&.
L
-
r
1
КД419А
КД419Б
КД419В
КД419Г
КД4J9Д
15
30
50
15
10
10
10
10
10
10
400
400
400
400
400
МГц
МГц
МГц
МГц
МГц
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
10
10
lO
10
10
(15)
(30)
(50)
( 15)
(10)
-
<1,5
<1,5
<1,5
<2
<1,0
<
Ч:.
_"
"&.
КД424А
КД424Б
КД424В
250
200
150
350 (2* А)
350 (2* А)
350 (2* А)
IОМГц
10 МГц
10 МГц
1,1 (300)
1,1 (300)
1,1 (300)
0,1 (250)
0,1 (200)
0,1 (150)
<1000
<1000
<1000
<10
<10
<10
КД419
~
_J
--,
i
г---
КД424А
~t ES1E 5,~ JES
Раздел
296
Uoop max,
в
Тип
прибора
U~p и
max1
в
КД503А
КД503Б
30
30
lnp max1 мА
lп/, ер max1 мА
кГц
lпр, и max1 мА
350
350
20
20
Ioop1 мкА
U11p1 В,
не бoJiee
не бoJiee
(при Inp1 мА)
(при Uoop1 В)
1 (!О)
1,2 (10)
10 (30)
!О (30)
fд max,
МГц
МГц
tвос, обр,
мкс
0,01
0,01
4. Диоды
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop1 В)
5
2,5
i
КД503А, Б
7,5
~=еэ~еа
КД503В
10
-
10 (2 А*)
-
<1,3 (10)
<1 (10)
<50
КД503В
<6
~t ЕЭ\; _,"
КД504А
40
-
240
1,2 (!()())
2 (40)
-
20 (5)
-
КД504
~ieзi( ~"
ГД507А
20
-
16
0,5 (5)
50 (20)
0,1
0,8 (5)
ГД507
i
7,5
~еэ~еа
•
ГД508А
8
10; 30*
-
ГД508Б
8
10; 30*
-
0,75
(10 мА)
0,65
(10 мА)
60 (8 В)
-
100 (8 В)
-
0,75
(0,5 В)
0,75
(0,5 В)
"'
ГД508
~=еэ~еа
;
7,5
,
КД509А
50
100
-
1,1 (0,1 А)
5 (50 В)
0,004
~4 (О В)
КД509
- 1/.11 --
1
С"/
.
--
'3..
~-
'
КД510А
50
200
-
1,1 (0,2 А)
5 (50 В)
~О.004
~4 (О В)
.
КДSJО
--
--
С"/
'3..
КД512А
15
20
-
1 ( 1)
5 (15)
0,001
-
1
1 (5)
"'." --
~-
КД512
~= еа41 ~ Dзеа
;
КДSJЗА
50
100
-
1,1 (100)
5 (50)
0,004
7,5
КД513
4
2,5
4,11
T~r&
Параметры диодов, столбов и блоков
Uoop max,
Тип
прибора
в
UC:,p
и max,
в
КД514А
10
lпр max 1 мА.
fд max,
lп/, ер max, мА
lпр, и max, lltA
кГц
-
10
297
Uпр, В,
loop, мкА
не более
не более
(при Inp, мА)
(при Uoop, В)
1 (10)
5 (6)
tooc, обрt
мкс
-
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop, В)
КД514
0,9
f 7,5
~=ЕЭ~ЕЗ
АД516А
АД516Г
10
10
-
2
2
1,5 (2)
1,5 (2)
2 (10)
2 (10)
0,001
0,001
АД516
0,5
0,35
~
~
Е --- а6
~
КД518А
-
-
100; 1,5* А
0,57 (1)
-
-
-
КД518
-
КД519А
КД519Б
30
30
~~
-
30
30
1,1 (100)
1,1 (100)
5 (30)
5 (30)
-
КД519
4,0
2,5
-
t
~еэ~ез
;
7,5
!
КД520А
15
-
20
1 (20)
1 (15)
0,004
КД520
3,0 (5)
~
~
\.t)
--~
.
~·
.
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД52Щ
75
60
50
30
12
-
50
50
50
50
50
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (75)
1 (60)
1 (50)
1 (30)
1 (12)
0,004
0,004
0,004
0,004
0,004
4,0
4,0
4,0
4,0
4,0
г--
КД521
(0)
(О)
(О)
(О)
(О)
L
J"
---,
......
···-
с-...
'&
J,8
КД521А2
КД521Б2
75
50
-
50
50
1 (50 мА)
1 (50 мА)
1 (75 В)
1 (75 В)
4
4
НС
НС
-
КД521-2
4
4
, '
'="
с;,.,
N
N
r
--
-
\.
,
" -КД522А
КД522Б
30
50
-
100
100
1,1 (100)
1.1 (100)
2 (30)
5 (50)
0,004
0,004
4,0 (О)
4,0 (О)
-~
КД522
'
с-...
'&
......
···-
- J,8 --
КД522А2
КД522Б2
30
50
100
100
'
-
1,1 (100 мА)
1,1 (100 мА)
1 (30 В)
1 (50 В)
4
4
НС
нс
КД522-2
4
4
,
с;,.,
'
N
~
r
-~ \..
--
-
"
j
-~
Раздел
298
_IJoбp max,
Тип
в
прибора
u~ и max,
в
lnp max, мА
lп/, ер max. мА
lпр, и max, мА
fд max,
кГц
loop, мкА
не бо.пее
(при lпр, мА)
(при Uoop, В)
1,5 мА
(2000 В)
1,5 мА
(2000 В)
1,5 мА
{1600 В)
1,5 мА
(1600 В)
2
-
3
-
3
-
0,1 (90)
-
S35 (0)
КД529А
2000
8А
5
3,5 (20 А)
КД529Б
2000
8А
5
3,5 (20 А)
(20.А)
КД529В
1600
8А
5
3,5
КД529Г
1600
8А
5
3,5 (20 А)
90
200; 800*
-
1 (200)
КД629АС
Сд, пФ
Unp, В,
не бо.nее
tвос, обр,
мкс
(при
Корпус
Uoop, В)
КД529
-
r- -
-- //О
. i3= .
-
2
~
~
'4':1
-
О,95
...
&
1
~е ,_.t:p
1 ljl
К2
А1
.
-
100; 500*
1,3 (100)
<3 (70)
~45*
х
КД704
<1,5(0)
j
К1,~
~Е . . . . . :"
А1
{
КД706АС9
70
100; 1,5*
-
А
1 (100 мА)
2,5 (70 В)
2,5
llC
О,95
-
'4':1 А
c-.ie
_.t:p 1 qJ
К2
А1
-
А
1 (100 мА)
2,5 (70 В)
2
нс
j
-
-
К1,А2
1
~Е
50
200; 1,5*
А
-
-
1,1 (0,2 мА)
1 (50 В)
-
4
х
КД707-9
1,8
-
КД80ЗАС9
•
j
1
100; 1,5*
12
А2
К1,А2
70
1
КД706-9
2,4
-
КД707АС9
~
КД629
К1,А2
70
а
'
-
j
КД704АС
4. Диоды
~_.t:p
1 ql
А1
К2
О.95
х
КДSОЗ-9
j
-
О,95
кщх
~l:i . . . . : "
А1
КД805А
75
200; 450*
1 МГц
1 (100)
~5
(75)
~4
S2
А2
12
•
КД805
~-t Е31Е 5,~ Je
КД808А
25; 30*
200; 500*
-
0,4 (10)
0,5 (25)
~5
SIO
КД808
~i Е31~ 5,~ Jез
Параметры диодов, столбов и бnоков
Uoop max,
Тип
в
прибора
* и max1
Uoop
в
КДSНА
КДSНБ
кдsнв
lпр max, мА
ln,f, ер max 1 мА
lпр, и max, мА
fд lt13Xt
кГц,
299
Uпр, В,
не более
(при
lnp,
мА)
loop,
мкА
не более
(при
Uoop,
1 (50 мА)
1 (100 мА)
1 (50 мА)
75
50
50
В)
tвос, обрt
мкс
4 НС
4 НС
4 нс
С 4, пФ
(при
Uoop,
Корпус
В)
кдsн
3
3
3
......._
.....
КДSНА-9
КДSНБ-9
КДSНВ-9
КД901А-1
Кд901Б-1
КД901В-1
КД901Г-1
КД90ЗА
КД90ЗБ
1 (50 мА)
1,1 (100 мА)
1 (50 мА)
75
50
50
10
10
10
10
5;
5;
5;
5;
20
20
100*
100*
100*
100*
IОМГц
IОМГц
IОМГц
IОМГц
0,7
0,7
0,7
0,7
(1)
(1)
(1)
(1)
1,2 (75)
1,2 (75)
75
75
4 нс
3,7
3
3
3
КДSН-9
4 нс
4 НС
(10)
(10)
(10)
(10)
520
:$;20
:$;20
:$;20
:$;4 (0,1)
:$;4 (0,1)
:$;4 (0,1)
54(0,1)
КД901
0,5 (20)
0,5 (20)
150
150
150 (5)
150 (5)
0,2
0,2
0,2
0,2
1,0
1,0 -
~
КД903
.......
~ag
1
j_ ~afO
2.8
КД904А-1
КД904Б-1
КД904В-1
КД904Г-1
КД904Д-1
КД904Е-1
КД906А
КД906Б
КД906В
КД906Г
КД906Д
КД906Е
10;
10;
10;
10;
10;
10;
l 2*
12*
12*
12*
12*
12*
75
50
30
75
50
30
5;
5;
5;
5;
5:
5;
100*
100*
100*
100*
100*
100*
100
100
100
100
100
100
10
МГц
IОМГц
IОМГц
IОМГц
IОМГц
10 МГц
100
100
100
100
100
100
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
(l)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
(lO)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
2 (75)
2 (50)
2 (30)
2 (75)
2 (50)
2 (30)
:$;JO
:$;10
510
:$;10
:$;10
510
:$;2(0,1)
52 (0,1)
52 (0,1)
52 (0,1)
:$;2 (0,1)
52 (0,1)
20
20
20
40
40
40
КД904
1
КД906
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
.
•••
•
••
•
......•
Раздел
300
Uoop max,
Тип
в
прибора
U~нmax,
в
КД907Б-1
КД907Г-1
40; 60*
40; 60*
lпpmax, мА
lп/· ер max, мА
lпр. н
max,
мА
fд
max,
кГц
IОМГц
50; 700*
50; 700*
IОМГц
Uпр, В,
не бoJiee
(при lпр, мА)
1 (50)
1 (50)
loopr
мкА
не бoJiee
(при
Uoop,
В)
tвос. обр,
мкс
5 (40)
5 (40)
4. Диоды
Сд, пФ
(при
Uoop1
:s;5
:s;5
Корпус
В)
(О)
КД907-1
(О)
V7/l1 l"
~
КД908А
40; 60*
200;-1,5*
А
КД908АМ
40;60*
200; 1,5*
А
КД909А
40
200
IОМГц
1,2 (200)
5 (40)
sзо
:s;5 <о>
1,2 (200)
1 (40)
~20
:s;S (О)
1,2 (200)
10 (40)
70
5
КД908
КД909
.•••
.......
••
••
.......
КД910А-1
КД910Б-1
КД910В-1
5*
5*
5*
10*
10*
10*
0,8 (1)
0,8 (1)
0,8 (1)
0,5 (5)
0,5 (5)
0,5 (5)
:s;l,5
:s;l,5
:s;l,5
(О,1)
КД910-1
(О,1)
(О,1)
7
~
v'Q
1
К/19/ОА-1 КД91Оi-1
1 2 12 J
uш
КД911Б-1
5
5
10
10
0,6 (0.05)
0,6 (0.05)
0,5 (5)
0,5 (5)
~160
:s;160
"
~
2
КД911А-1
---п
1
:::
'10,01/
J
КД9108-1
1 2
J"
00
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max,
Тип
в
прибора
U~нmax,
в
КД912А-З
l11pmax, мА
1"/· ер max,
мА
lпр, и ma~, мА
КД912В-З
5
5
5
3,5; 10*
3,5; 10*
3,5; 10*
КД91ЗА-З
10
5; 200*
КД912Б-З
fд 111ах,
кГц
10
10
10
МГц
МГц
МГц
IОМГц
301
Uпр. В,
lобр, мкА
не бoJiee
не бoJiee
(при lпр, мА)
(при Uобр, В)
0,5 (0,05)
0,5 (0,05)
0,5 (0,05)
0,2 (5)
0,2 (5)
0,2 (5)
0,48 (О.О!)
0,2 (10)
tвос. обр.
мкс
$10
Сд, пФ
(при
Uoop,
Корпус
В)
$1,8 (0,1)
$1,8 (0,1)
$1,8 (О,1)
КД912
$4 (0,1)
КД913
~~1~~~160.25
0,04
К/IЮЧ
КД914А
КД914Б
КД914В
20
20
20
1 (5)
1 (5)
1 (5)
20
20
20
1 (20)
1 (20)
1 (20)
КД914
-
8,2
5)
-
•
схемы включения см. КДС526
КД917А
40
КД917АМ
40; 60*
КД918Б-1
40
40
КД918Г-1
200
200; 1,5*
50
50
А
10
10
МГц
МГц
1,2 (200)
5 (50)
10
40 (0,05)
1,2 (200)
1 (40)
$40
$6 (О)
1 (50)
1 (50)
5 (40)
5 (40)
КД917
$6 (О)
$6 (О)
КД918
1111 1112
'6
..... ,
ГЧ'у
rli ,!,
5
1
"~- ~.J17 -
!' t.2 t.3 !"
~
КД918Г-1
Раздел
302
Uобр max,
Тип
в
прибора
U~p и max,
в
КД919А
lnp max, мА
lnf, ер max, мА
lnp, и max, мА
40
100
fд max,
кГц
-
Unp, В,
Ioop, мкА
не более
не более
(при Inp, мА)
(при Uoop, В)
1,35 (100)
1 (40)
fвос, обр,
мкс
100
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop, В)
КД919
6 ( 10)
MDDD_~j; ~2,8
«:>
"":)'
'
КД922А
КД922Б
КД922В
18
21
10
50
35
10
lОМГц
1 (50)
1 (35)
1 ( 10)
lОМГц
lОМГц
0,5 (15)
0,5 (15)
0,5 (10)
-
22
~
1
......
"-'1
'
100
0,7 МГц
1 (100)
5 (10)
-
1
::--,
-
~
14
-
КД922
1
1
1
~
КД923А
4. Диоды
L
r
-
КД923
3,6
~i "l"; J"'
Д1004
2
кВ
100
100 (2 кВ)
5 (100)
1
-
-
Д1004
М5
'
14
Д1005А
Д1005Б
4
4
кВ
кВ
50
1_00
1
1
100 (4 кВ)
100 (4 кВ)
5 (50)
10 ( 100)
-
57
~
-
Д1005
М5
тп* 'Б~fl
1"
Д1006
6
кВ
100
1
100 (6 кВ)
10 (100)
-
m:s~roo
-
Д1006
М5
Д1007
8 кВ
75
1
100 (8 кВ)
10 (100)
-
.
Д1008
10 кВ
50
1
10 (100)
-
-
100 ( 10 кВ)
-
-
тп*l;I
1"
Д1007
М5
10:;;1
1"
Д1008
М5
Д1009
Д1009А
2 кВ
1 кВ
300
300
1
1
2,6 (300)
1,5 (300)
100 (2 кВ)
100 (! кВ)
-
-
тп* ;~rl
1"
Д1009
~1~11: 2om"Н.tPl.2A
* !/~
~fl
~
•
-
,
.....
,..
1
-
/f
_,,.,,
70
Y"L
:.t
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр mвх,
Тип
прибора
•
в
Uобр и mвх,
в
Д1011
500
Inp mвх, мА
lnf, ер mвх 1 мА
Inp. и max 1 мА
fд 1nвх 0
кГц
300
303
U11p,
В,
lобро мкА
не более
не более
(при Inpo мА)
(при Uобро В)
1,5 (300)
100 (500)
fвос, обро
мкс
Сд, пФ
(при
Корпус
Uобр, В)
Д1011
-
~t#ill
~
-*
2omd~l/,2
,
-
1
КДС111А
КДС111Б
КДС111В
КДС413А
КДС413Б
КДС413В
КДС414А
КДС414Б
КДС414В
КДС415А
КДС415Б
КДС415В
300
300
300
200
200
200
20
20
20
1.2 (100)
1,2 (100)
1,2 (100)
КДС111
3 (300)
3 (300)
3 (300)
J
7,5
20; 30•
20; 30•
20; 30•
10; 100"'
10; 100"'
10; 100•
0,75 (1)
0,75 (1)
0,75 (1)
0,01 (10)
0,01 (10)
0,01 (10)
0,04
0,04
0,04
3 (О)
3 (О)
20: 30•
20; 30•
20; 30•
10; 100*
10; 100*
10; 100*
0,75 (1)
0,75 (1)
0,75 (1)
0,01 (10)
0,01 (10)
0,01 (10)
0,04
0,04
0,04
3 (О)
3 (О)
3 (О)
20; 30•
20: 30•
20; 30•
10; 1оо•
10; 100*
10; 100*
0,75 (1)
0,75 (1)
0,75 (1)
0,01 (10)
0,01 (10)
0,01 (10)
0,04
0,04
0,04
3 (О)
3 (О)
3 (О)
JiV
3 (0)
КДС415
- 1,2
а-О,О" с.:
_ _ _ _ _ _ с:ас::а
----~
~"
11111f\I \l\I
•
С'-.,
' _
-
~·0.G
uonono-..:.;..;~~
КДС523А
50
20
1 (20)
5 (50)
4
2 (0,1)
КДС523А, Б
КДС523Б
50
20
1 (20)
5 (50)
4
2 (0,1)
..,tг=ьа G;J
КДС523В
50
20
1 (20)
5 (50)
4
2 (0,1)
КДС523Г
50
20
1 (20)
5 (50)
4
2 (0,1)
'Н:d
_g_
2
о---+1>1,,._--о
1
о
[)!
J
ol/
КДС523В, Г
~rn
//о
J о
20
1 о
()f
()f
()f
l>f
1
о5
oG
07
08
Раздел
304
Uобр max,
Тип
В
прибора
U~p и mвх,
в
ln11 max, мА
1,~" ер mвх 9 мА
lnp. и max, мА ~
fд mвxt
кГц
Uпр, В,
не более
(при
Inp, мА)
Ioop,
мкА
11е более
(при Uобр, В)
tooc, обр,
мкс
4. Диоды
Сд, пФ
(при
Корпус
Uобр, В)
КДС523АМ
50
20
1 (20)
5 (50)
4
нс
2 (0,1)
КДС523БМ
50
20
1 (20)
5 (50)
4
1/С
2 (0,1)
КДС523ВМ
50
20
1 (20)
5 (50)
4
нс
2 (0,1)
КДС523ГМ
50
20
1 (20)
5 (50)
4
нс
2 (0.1)
КДС523М
2о
К]
1о
К]
oJ
ol/
!~!1 ~11Ef
lf о
~
Jо
2о
7о
КДС525А
15
20; 200*
::>0,9 (2)
SI (10)
S5
llC
S8 (5)
КДС525Б
15
20; 200*
::>0,9 (2)
::>1 ( 10)
::;;5
нс
s8 (5)
КДС525В
15
20; 200*
::>0,9 (2)
::>1 ( 10)
::;;5
нс
::>8 (5)
КДС525Г
15
20; 200*
::>0,9 (2)
::>1 ( 10)
s5
нс
S8 (5)
КДС525Д
15
20; 200*
g),9 (2)
::>1 ( 10)
S5
нс
S8 (5)
КДС525Е
20
20; 200*
::>0,9 (5)
::>1 (20)
::>5
НС
S8 (5)
КДС525Ж
20
20; 200*
::>0,9 (5)
SI (20)
::>5
нс
s8 (5)
КДС525И
20
20; 200*
::>0,9 (5)
::>1 (20)
s5
нс
S8 (5)
КДС525К
20
20; 200*
s0.9 (5)
SI (20)
S5
нс
S8 (5)
КДС525Л
20
20; 200*
g),9 (5)
::>1 (20)
::>5
нс
::>8 (5)
о5
06
i;.1
~
~
07
ов
КДС525
-
-
/f.ДС525А
-
КДС5255
21 ~"'
IJ 21S::S1"
!J
J
12 J
12
=
~ ~ 11>1 ~~и~= 1~ ~ ~ь
7 01<3
~g 6о!СЗ
8
КДС5258
~g
8
J(ДС525Г
21~1'11~11/
13 2
. 1J
/,
12
12
"
11
~11
10 5 о t43
10
7
~9
g
8 7ot43
В
КДС525Д 1 КДС525Е 11/
2~'"2m1J
13 J
12
J
~о~ ~~5"
б~
7
1
08
КДС525Ж
2~1J11/
J
п
11
19
7о~ ~8
КДС525Н
1~11/
1J
2
о
й·
.
~б ~11
1/ o!Эif ~11
10
10
)
1
2
5
7
КДС525К
~
7о~ ~J
КДС525Л
::S1"
11/ 2
1J
TJ
12 J
12
11 'lolilal ~11
10
10
g
6:#:1
6 7
08
параметры диодов, столбов и блоков
Uобр anaxt
Тип
в
прибора
* и maxo
Uоб11
в
КДС526А
КДСБ26Б
15
15
l11p max, мА
1,~" с11 max 9 мА
Inp. " 111ах, мА
U11p, В,
Ioop, мкА
не более
11е более
(при Inpt мА)
(при Uобр, В)
-
fд ll13Xt
кГц
305
20
-
1 (5)
20
-
l (5)
fooc, обро
МКС
5
-
5
СА, nФ
(при
Корпус
Uобр, В)
нс
КДСБ26
5
НС
-
5
',
~
....;
КДСБ26В
15
20
-
1 (5)
-
5
нс
5,J
8,2_
j
5
•
'
~vvv
КАС526А
-
1 :"" ......
......
2 :,
J :, ......
1.А
4:
1.А
'""'
5с
6:
1.А
""
Kl,C52GI
1._
1.А
·~
.......
2:
3~
5: '""'
6-"
1:-"
1.А
N
КДС5268
......
......
2Jc
5:
\,.
КДС627А
50
200
-
1,3 (200)
2 (50)
40
КДС627
5
'
~
-
1.А
N
'11
с::&
816
са
С1
1
1
•8С1- -т-
le
6,5
-
КДС628А
50
200
-
l,3 (200)
5 (50)
.....
50
'J.S
КДС628
32
-
1=
С1
са"
~
,
-
==
§=
10~"
·==12
'
1
~=11
_7,8 ~
--
-
КЦ105В
6000
КЦ10БГ
7000
8500
КЦ105В
100
75
50
10
!О
10
7 (100)
7 (75)
7 (50)
100 (6000)
100 (8000)
100 (10000)
3
3
3
-
КЦ105
//О
10
~f=WT
_2,5
~
Раздел
306
Uобр max1
Тип
прибора
в
tJ~~~x,
в
КЦ106А
КЦ106Б
4000
6000
КЦ106В
8000
КЦ106Г
10000
2000
КЦ106Д
'
Inpmax1 мА
In,f• ер max1 мА
lnp. и max, мА
10
10
10
10
10
f~ max1
кГц
20
20
20
20
20
Unpr В,
lобр1 мкА
не более
не более
(при Inp1 мА)
(при Uобр, В)
25
25
25
25
2&
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
Сд, пФ
tвос, обр1
мкс
4. Диоды
(при
Корпус
Uобр1 В)
5 (4000)
5 (6000)
5 (8000)
5 (10000)
5 (2000)
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
-
КЦ106
~11: ~г22
'
.,
КЦ108А
2000
100
50
<6 (180)
<150 (2000)
0,9
КЦ108Б
4000
100
50
<6 (180)
<150 (4000)
0,6 ... 0,9
-
КЦ108В
6000
100
50
<10 (180)
<150 (6000)
0,6".0,9
-
КЦ108
-
~t
-
КЦ108(А,5)
е9 ·f&GЗ
t
Ф5
~ езеfh9=е:з
КЦ10ВВ
~t е9-f&сз
70
~i ei-~e
КЦ109А
6000*
300
-
7 (300)
10 (6000)
1,5
-
КЦ109
О)
"&
\Г/'1
rt
---\.1
\L.J..
1111
KЦlllA
3000
20
1
12 (1)
0,1 (3000)
-
-
КЦ114А
4000
КЦ114Б
6000
50; 1000*
50; 1000*
10
10
<22 (50)
<22 (50)
KЦlll
i;t &J*~
"
<10 (4000)
<10 (6000)
2,5
2,5
-
-
:г-
5
КЦ114
~Efft~
22
КЦ117А
КЦ117Б
10000
12000
1,3
А
ЗА
-
<35 (10)
<35 (10)
<1 (10000)
<1 (12000)
<300
<300
-
~
КЦ117
~~~
~·
С1
c:r
19,5
КЦ201А
КЦ201Б
2000
4000
500
500
1
1
3 (500)
3 (500)
·100 (2000)
100 (4000)
-
-
-
о
,5
КЦ201
м~t1_
18
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max,
Тип
прибора
в
u.:,p
и max,
в
lnp mвх, мА
fд max,
ln,l" ер max, мА
lnp, и max, мА
кГц
307
lобр, мкА
Un 1" В,
не более
не более
(при Inp, мА)
(при Uoop, В)
fooc, обр,
мкс
Сд, пФ
(при
КЦ201Д
6000*
8000*
10000*
500
500
500
1
1
1
6 (500)
6 (500)
6 (500)
100 (6000)
100 (8000)
100 (10000)
-
-
КЦ201Е
15000*
500
1
10 (500)
100 (15000)
-
-
КЦ201В
КЦ201Г
КЦ208А
7.5 кВ
-
300
S9 (0,3 А)
100 (8 кВ)
-
Корпус
Uобр, В)
-
КЦ201
~~tlt_
КЦ201
~m
КЦ208
-sr-~1
13
КЦ401А
500*
400
1
2.5 (400)
500 (500)
-
-
КЦ401А
Ф>А1 Аз
-
1
1
С:)
-11
j_
t~
~JO~
К2
Кз
6
Схема соеоиненин
iJnя gоRоития
напряжения
с:х::
КЦ401Г
500*
500
2,5 (500)
1
500 (500)
-
-
КЦ401Г
6'6
1, 1'
f?@ " f?
!
о
~
"'5 •/
1о
~ ~·~~
50
5 4
з
2
~
--
-
Схемы
соеоинениu
u11я моста
~~
1
G
6
-
5
6
t11я go8011meAя
-
--
5
напряжения
~ь
G
5 J
1'
Раздел
308
Uобр max1
Тип
прибора
в
u*
.
обр и max,
в
КЦ402А
КЦ402Б
КЦ402В
КЦ402Г
КЦ402Д
КЦ402Е
КЦ402Ж
КЦ402И
600*
500*
400*
300*
200*
100*
600*
500•
lnp rnax1 мА
lnf, ер max, мА
' lnp. и max, мА
1000
1000
1000
1000
1000
1000
600
600
fA max,
кГц
5
5
5
5
5
5
5
5
Unp, В,
1обр 1 мкА
не более
не более
(при Inp, мА)
(при Uобр, В)
$4 (1000)
$4 (1000)
$4 (1000}
$4 (1000}
$4 (1000}
$4 (1000)
$4 (600)
$4 (600)
$125 (600)
s125-(500)
$125 (400)
$125 (300)
$125 (200)
$125 (100)
$125 (600)
$125 (500)
tвос, обр,
мкс
4. Диоды
СА, пФ
(при
Корпус
Uобр, В)
КЦ402
-
:а:
,..,,
КЦ403А
КЦ403Б
КЦ403В
КЦ403Г
КЦ403Д
КЦ403Е
КЦ403Ж
КЦ403И
600*
500*
400*
300*
200*
100*
600*
500*
1000
1000
1000
!ООО
1000
1000
600
600
5
5
5
5
5
5
5
5
4 (1000}
4 (1000}
4 (1000}
4 (1000)
4 (!ООО)
4 (1000)
4 (600)
4 (600)
125
125
125
125
125
125
125
125
+
КЦ403
(600)
(500)
(400)
(300}
(200)
(100)
(600)
(5(!)0)
:: f :f ::::
~:
КЦ404А
КЦ404Б
КЦ404В
КЦ404Г
КЦ404Д
КЦ404Е
КЦ404Ж
КЦ404И
600
500
400
300
200
100
'
600
500
1000
1000
!ООО
1000
1000
1000
600
600
5
5
5
5
5
5
5
5
4 (!ООО)
4 (!ООО}
4 (1000}
4 (1000}
4 (1000)
4 (1000}
4 (600)
4 (600)
125
125
125
125
125
125
125
125
t:t
КЦ404
(600)
(500)
(400)
(300)
(200)
( 100)
(600)
(500)
+~l
l~•
+~!
l~I
КЦ405А
КЦ405Б
КЦ405В
КЦ405Г
КЦ405Д
КЦ405Е
КЦ405Ж'~
КЦ405И
600
500
400
300
200
100
600
500
1000
1000
1000
1000
1000
1000
600
600
5
5
5
5
5
5
5
5
4 (1000}
4 (1000}
4 (!ООО}
4 (1000}
4 (1000}
4 (1000}
4 (600)
4 (600)
125
125
125
125
125
125
125
125
(600)
(500)
(400)
(300)
(200)
( 100)
(600)
(500)
КЦ405
asL:z ~/~Fl
о
"
-а+
-
.
Параметры диодов, столбов и блоков
Uoop max,
Тип
в
прибора
U~p н max,
в
КЦ407А
400*
lnp max, мА
lnf, ер max, мА
lnp, и max, мА
500; З* А
fд max,
кГц
20
309
Unp, В,
Ioop, мкА
не более
не более
(при Inp• мА)
(при Uoop, В)
2,5 (200)
5 (400)
fвос, обр 1
мкс
5
Сд, пФ
l
(при
Корпус
Uoop, В)
-
КЦ407А
!11 (кamoDJ,
Точка 0
-1
to
IJ.51
-
-
ЗА
КЦ409В
600*
500*.
400*
КЦ409Г
ЗОО*
ЗА
КЦ409Д
200*
100*
200*
100*
ЗА
50*
100*
200*
ЗА
КЦ409А
КЦ409Б
КЦ409Е
КЦ409Ж
КЦ409И
КЦ410А
КЦ410Б
КЦ410В
ЗА
ЗА
ЗА
6А
6А
ЗА
ЗА
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
(ЗООО)
(ЗООО)
(ЗООО)
(ЗООО)
(ЗООО)
(ЗООО)
(6000)
(6000)
1,2 (ЗООО)
1,2 (ЗООО)
1,2 (ЗООО)
з (600)
з (500)
3 (400)
з (ЗОО)
з
(200)
з (100)
з (200)
з (100)
50 (50)
50 (100)
50 (200)
-
-
а•--- о я
~
О
1
CICICI
-
-а
52
-
17
-
КЦ410
~rы
1
35
КЦ412Б
КЦ412В
50*
100*
200*
IA
IA
IA
-
1,2 (500)
1,2 (500)
1,2 (500)
50 (50)
50 ( HIO)
50 (200)
-
-
КЦ412
-
~~я_
25
КЦ417А
КЦ417Б
КЦ417В
600
400
200
1 А; 4* А
1 А; 4* А
1 А; 4* А
З
5
5
5
(1 А)
З (1 А)
З (1 А)
15 (600)
15 (400)
15 (200)
-
-
10
КЦ417
,....
\l) '
N
"w
+
-- -
11
15
5
u u
LJ
ц
D
D DD D
КЦ418А
КЦ418Б
КЦ418В
КЦ418Г
КЦ418Д
50
100
200
400
800
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
А
А
А
А
А
0,05".1
0,05".1
0,05".1
0,05".1
0,05".1
2,3 (ЗА)
2,З (ЗА)
2,З (ЗА)
2,З (ЗА)
2,З (ЗА)
50 (50 В)
50 (100 В)
50 (200 В)
50 (400 В)
50 (800 В)
-
-
-
КЦ418
\(')
С'1
- .... - +
uu ...
~
D DD D
_35
-
'
КЦ419А
2А
КЦ419В2
50
50
50
100
100
100
200
200
200
КЦ419Г
зоо
2А
КЦ419Г1
'300
5А
КЦ419Г2
зоо
10 А
КЦ419Д
400
400
400
500
500
500
600
600
600
2А
КЦ419А1
КЦ419А2
КЦ419Б
КЦ419Б1
КЦ419Б2
КЦ419В
КЦ419В1
КЦ419Д1
КЦ419Д2
КЦ419Е
КЦ419Е1
КЦ419Е2
КЦ419Ж
КЦ419Ж1
КЦ419Ж2
5А
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10 А
1
БА
!ОА
2А
5А
10 А
2А
5А
10 А
5А
10 А
2А
5А
10 А
2А
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (10 А)
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (10 А)
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (10 А)
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (!О А)
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (10 А)
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (!О А)
2 (2 А)
2 (5 А)
2 (10 А)
2 (50 В)
2 (50 В)
- 2 (50 В)
2 (100 В)
2 (100 В)
2 (100 В)
2 (200 В)
2 (200 В)
2 (200 В)
2 (ЗОО В)
2 (ЗОО В)
2 (ЗОО В)
2 (400 В)
2 (400 В)
2 (400 В)
2 (500 В)
2 (500 В)
2 (500 В)
2 (600 В)
2 (600 В)
2 (600 В)
-
~
КЦ409
D DD D
КЦ412А
J
-
1
КЦ419
-
-
о
28,5
05,2
~-
/
t:=:
21,7
~ GJ
1.в-Н.
1
gJ
Раздел 4. ДиодЬ1
310
4.4. Параметры
варикапов
Сд, пФ
Тип
прибора
Qв
мин.
Uобр, В
fизм, Мfц
-
12
4
10
4
4
4
4
4
10
10
10
10
10
40
40
40
100
40
4
4
4
4
4
50
50
50
50
50
32
48
4
4
10
10
50
40
4
4
50
50
90
106
128
128
95
120
144
192
192
143
4
4
4
4
4
1... 10
1".10
1".10
1... 10
1".10
100
100
100
100
150
4
4
4
4
4
10
10
10
10
10
400
400
600
600
4
4
1
1
500
500
4
4
1
1
20
15
50
35
4
4
1."10
1".10
40
60
4
4
50
50
10
10
30
30
40
40
65
65
2... 9
6... 18
2."9
6."18
1".10
1".10
1."10
1... 1о
20
20
20
20
-
-
10
10
-
10
2,3
2·
8
8
2,8
2,3
16
17
25
25
3
3
1."10
1".10
1".10
1."10
300
300
160
160
3
3
3
3
50
50
50
50
мин.
макс.
Uобр, В
КВ101А
200
240
0,8
КВ102А
14
19
25
19
19
23
30
40
30
30
18
28
КВ102Б
КВ102В
кв102r
КВ102Д
КВ10ЗА
КВ103Б
КВ104А
КВ104Б
КВ104В
КВ104Д
КВ104Е
КВ105А
КВ105Б
КВ106А
КВ106Б
КВ107А
КВ107Б
КВ107В
KB107f
КВ109А
КВ109Б
КВ109В
KB109f
fизм, Мfц
10
параметры варикапов
lобр, мкА
(при Uобр, В)
1 (4)
Uобр, В
311
Рпр, Вт
'(при Тнзм, •с)
аса, 11·с
т, ·с
Корпус
(при Uобр, В)
' -5 ... +55
4
КВ101
.
_ фJ,J
1 (45)
1 (45)
1 (45)
1 (45)
1 (80)
45
45
45
45
80
90
90
90
90
90
мВт
мВт
мВт
мВт
мВт
КВ102
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
_ J,5 ,
10 (80)
10 (80)
80
80
5 (-40 ... +70)
КВ103
-40 ... +85
-40 ... +85
- 20
11,5
~
5
5
5
5
5
(45)
(45)
(45)
(45)
(45)
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
45
45
80
80
45
(40)
(40)
(40)
(40)
(40}
КВ104
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
~
_.:!."!. 1" ---
~
'&.
,
//.8
20 (90)
20 (90)
90
50
0,15 (50)
0,15 (50)
-40 ... +100
-40 ... + 100
5 • 104 (4)
КВ105
19
20 (120)
20 (90)
120
90
7 (75)
5 (75)
-60 ... + 100
-60 ... +100
100
5,5 ... 16
13 ... 31
5,5 ... 16
13 ... 31
0,1 (-40 ... +50)
0,1 (-40 ... +50)
О, 1 (-40 ... +50)
О, 1 ( -40". +50}
-40 ... +70
-40".+70
-40 ... +70
-40 ... +70
100
100
100
~0.5
~.5
~О.5
~0.5
(25)
(25)
(25)
(25)
25
25
25
25
5
5
5
5
мВт
мВт
мВт
мВт
(50)
(50)
(50)
(50)
-40... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
КВ106
20
11,5
КВ107
~5,8
~
(500+300). 10·6 (3)
(5оо+зоо> • 10·6 (3)
(500+300) • 10·6 (3)
(500+300) • 10"6 (3)
1
:1 ш
КВ109
312
Раздел
Сд, пФ
Тип
прибора
Qв
мин.
макс.
Uобр, В
fнзм, Мfц
мин.
2,24
2
1,9
8
2,74
3,1
17
25
25
25
3
50
50
50
50
300
300
160
160
2,24
2
1,9
8
7
2
1,8
2,74
2,3
3,1
17
16
2,3
2,8
-
КВ109Д-5
2,24
2
1,9
8
7
КВ109Е-5
2
-
КВ109Ж-5
1,8
2,74
2,3
3, 1
17
16
2,3
2,8
-
10
14,4 /
17,6
12
14,4
17,6
18
21,6
26,4
18
21,6
26,4
4
4
4
4
4
4
1... 1о
1... 10
1... 10
1... 1о
1... 1о
1... 1о
29,7
29,7
36,3
36,3
4
4
1
1
29,7
29,7
33
33
36,3
36,3
36,3
36,3
-
9,6
12
14,4
18
4
4
54,4
54,4
81,6
81,6
4
4
КВ109А-1
КВ109Б-1
КВ109В-1
KB109f-1
4. Диоды
2.3
\
Uoop,
В
fизм, Мfц
3
3
3
3
50
50
50
50
-
-
,_
КВ109А-4
КВ109Б-4
КВ109В-4
KB109f-4
КВ109Д-4
КВ109Е-4
КВ109Ж-4
КВ109А-5
КВ109Б-5
КВ109В-5
КВ109f-5
КВНОА
КВН ОБ
квн о в
квноr
квн од
КВ110Е
КВС111А
КВС111Б
КВС111А-2
КВС111Б-2
КВС111В-2
KBC111f-2
КВ112А-1
КВ112Б-1
КВ11ЗА
КВ11ЗБ
-
-
-
'
-
300
300
160
160
30
450
300
300
300
160
160
30
450
300
-
-
-
-
-
-
-
-
300
300
300
150
150
150
4
4
4
4
4
4
50
50
50
50
50
50
200
150
4
4
50
50
200
150
200
150
-
-
-
1
1
200
200
4
4
50
50
1
1
300
300
-
10
10
-
-
,
/
КВ114А
КВ114Б
54,4
54,4
81,6
81,6
4
4
.
1
1
1
300
300
-
10
10
параметры варикапов
313
=-=r=============-================-=========-==-=--============--
i;==================;==========o;==~=--~--=--=·~·-.=·
lобр, мкА
U
~ 8
Р11 11 , Вт
1
J
(25)
(25)
(25)
(25)
25
25
25
25
0,5
0,5
0,5
0.5
0,5
0,02
0,02
28
28
28
28
28
28
28
0,5
0,5
0,5
0.5
0,5
0,02
0,02
28
28
28
28
28
28
28
1 (45)
1 (45)
1 (45)
1 (45)
1 (45)
1 (45)
45
45
45
45
45
45
1 (30)
l (30)
30
30
-
асв, 1/ С
0
L________<п_р_и_u_о_б_Р•_в_.>_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
(
u----"-Р_и_u_о_бр_,_в_)-+-------+--(п_р
__"_т__11_:~_·с_)
s;0,5
s;0,5
s;0,5
s;0,5
Т, ·с
~~
КВ109-1
1
д
~...._-_....
J--.1L_ _
\).,+----~--т
КВ109-5
0.1 (-60 ... +50)
0,1 (-60 ... +50)
О, 1 (-60 ... +50)
0,1 (-60 ... +50)
0,1 (-60 ... +50)
0,1 (-60 ... +50)
КВ110
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +100
-40 ... +100
500• 10"6 (4)
500. 10"6 (4)
КВС111
7,2
2,8
!
-
30
30
30
30
1 (25)
1 (25)
25
25
О, 1
(50)
O, l (50)
-40 ... +85
-40 ... +85
500• 10"6 (4 ... 25)
500· 10"6 (4 ... 25)
КВ112-1
1,2
,''
- 8
10 (150)
10 (115)
150
115
0,1 (-60 ... +50)
0,1 (-60 ... +50)
-40 ... +85
-40 ... +85
J
500. 10"6 (4)
6
500 • 1о· <4 >
кв нз
7,2
J
~-*-~
1
1
l~
11 · 1
10 (150)
10(115)
150
115
-40 ... +85
-40 ... +85
КВ114
2
'
g
1/
'
---11
Раздел
314
Qв
Сд, пФ
Тип
прибора
КВ115А
КВ115Б
КВ115В
мин.
макс.
100
100
100
700
700
700
4. Диоды
Uобр, В
о
о
о
fнзм, МГц
Uобр, В
мин.
-
-
-
-
-
fнзм, МГц
-
-
'
168
КВ116А-1
252
1
100
1
1
1
-
КВ117Б
26,4
26,4
39,6
39,6
3
3
1.. .10
1... 10
180
150
-
1
1
КВ119А
168
252
1
1".10
100
1
1
КВ117А
'
1
'
'
230
230
320
320
1
1
1".10
1".10
100
100
1
1
1
1
КВС120А-1
230
320
1
1."10
100
1
1
КВ121А
4,3
4,3
6
25
25
1."10
1".10
200
150
25
25
50
50
25
25
50
50
200
150
3
3
50
50
КВС120А
КВС120Б
.
КВ121Б
КВ121А-1
КВ121Б-1
4,3
4,3
6
6
6
-
315
nараметрь1 варикапов
lобр, мкА
(при Uобр 1 В)
•
0,1 (50)
0,05 (50)
0,01 (50)
Pnp,
Uобр, В
Вт
(при Тнзм, "С)
-
100
100
100
Т, ·с
-40".+85
-40".+85
-40".+85
асв, 1/"С
Корпус
(при Uобр 1 В)
-
КВ115
,....
'&,,
-v--
--...;;
9 - 15
0,5 (10)
-
10
-40".+85
-
~
"
......
-.
2 • l 0"3 ( 1)
КВ116
'
о!,2
~w-=
о
1
1 (25)
1 (25)
О, 1
О, 1
25
25
(50)
(50)
-40".+100
-40".+100
600· 10·5 (3)
600· 10"6 (3)
КВ117
~i el> .i"'
/
1 (10)
-
12
-40."+85
-
КВ119
~i el> .i"'
0,5 (30)
0,5 (30)
32
32
-
.
-
-45 ... +85
-45".+85
-
КВС120
r/J9/I
'
~i
0,5 (30)
32
-
-45".+85
-
jl
-!
. КВС120·1
А
11 (кamoDJ
Точка D
~1
(()
~-
1fs1
0,5 (28)
0,5 (28)
30
30
-
-40".+100
-40". + 100
-
-
КВ121
~Ф~t·~(;
0,5
0,5
28·
28
-
-
1_
-
t"iiJ
КВ121·1
с.,.
t'.I"
"' "
д
--,
,--
316
Раздел
прибора
КВ121А-2
КВ121Б-2
КВ121В-2
КВ121А-З
КВ121Б-З
КВ121В-З
КВ121А-9
КВ121Б-9
КВ121В-9
КВ122А
КВ122Б
КВ122В
Qв
Сд, пФ
Тип
мин.
макс.
4,3
4,3
4,3
б
4,3
4,3
4,3
б
Uобр, В
б
б
б
б
4,3
4,3
4,3
б
2,3
2
1,9
2,8
2,3
3, 1
б
б
4. Диоды
fнзм 1 МГц
Uобр, В
мин.
fнзм 1 МГц
-
-
200
150
240
-
-
-
-
200
150
240
-
-
-
-
200
150
240
-
-
25
25
25
1
1
1
450
450
300
25
25
25
50
50
50
>
КВ122А-1
КВ122Б-1
КВ122В-1
2,24
2
1,9
2,74
2,3
3,1
25
25
25
50
50
50
450
450
300
.
3
3
3
50.
50
50
-
КВ122А-4
КВ122Б-4
КВ122В.-4
КВ122А-9
КВ122Б-9
КВ122В-9
КВ12ЗА
2,24
2
1,9
2,74
2,3
3
-
-
450
450
300
-
-
2,24
2
1,9
2,74
2,3
3,1
25
25
25
50
50
50
450
450
300
3
3
3
50
50
50
2,6
3,8
25
1.. .1 о
250
25
50
-
параметры варикапов
lобр, мкА
Р11р, Вт
Uобр, В
(при Uобр, В)
0,5
0,5
0,02
317
(при Тнзм, "С)
-
30
30
30
асв, 1/"С
т, ·с
Корпус
(при Uобр, В)
-
-
КВ121-2
Nftщ1
!.(')~
'
~
0,5
0,5
0,02
30
30
30
-
-
S0,5
S0,5
S0,02
28
28
28
-
-
S0,02
S0,05
S0,05
28
28
28
-
-
-
S0,2 (28)
S0,02 (28)
S0,2 (28)
28
28
28
-
-
-
-
~--
КВ121-З
-
-
~r EЗ1J6.rE3
-
КВ121-9
-
~~х
КВ122
-
-
О.95
j
-
-
-
.
.::а-'
Ф111
-
-
1
~Ф-t·~с
f""fit
КВ122-1
.
д
,,
с.,.
_
с.--.г
~
-
__J
---.
,.--
'
-
-
-
0,2
0,02
0,2
30
30
30.
0,2
0,02
0,2
28
28
28
-
-
-
28
-
-40 ... + 100
(500+300). 10"6 (25)
0,05 (25)
-
-
КВ122-4
-
-
-
-
~r ЕЗ1;,6.rЕ3
-
-
КВ122-9
-
-
~~х
КВ123
11,//
J
.
О.95
j
с-.,
&.
1
L_
-
,,
-
..----
Раздел
318
Сд, пФ
Тип
прибора
КВ126А-5
KB126Af-5
КВ127А
КВ127Б
КВ127В
КВ127Г
КВ128А
КВ128АК
КВ129А
КВ129Б
4. Диоды
Qв
мин.
макс.
Uобр, В
fнзм, МГц
мин.
Uобр, В
fнзм 1 МГц
2,6
2,6
3,8
3,8
25
25
1".10
1".10
200
200
25
25
50
50
230
230
260
230
280
360
320
320
1
1
1
1
1".10
1".10
1".10
1".10
140
140
140
140
1
1
1
1
10
10
10
22
22
7,2
1,5
28
28
10,8
-
1
1
3
25
1".10
1".10
1".10
1".1 о
300
300
50
45
-
50
50
50
50
10
-
КВ132А
3,7
38
4,5
-
12
1,6
1".10
1".10
300
300
4
50
50
КВtЗОА-9
3,7
4,5
12
1".1 о
300
-
50
450
520
-
-
130
-
-
18
22
1".10
400
4
50
-
400
-
-
КВ1ЗОА
КВ131А-2
КВ134А
,
1
-
КВ134А-1
18
22
-
параметры варцкапов
loop,
мкА
(при Uобр, В)
Uобр, В
319
Рпр, Вт
(при т нэм, •с)
т, ·с
асв,
t/•c
Корпус
(при Uобр, В)
~
0,5 (25)
0,5 (25)
28
28
-60 ... +100
-60 ... + 100
800 • 1о- 6 (4)
800 • 1о- 6 (4)
КВ126-5
~ +-+...,.,.,.-t-.
c:::i-
••
С1
аО,7
0,5
0,5
0,5
0,5
КВ127
(30)
(30)
(30)
(30)
32
32
32
32
-60 ... +100
-60 ... +100
-60 ... + 100
-60 ... +100
0,05 (10)
0,05 (10)
0,005 (8)
0,005 (8)
1·2
12
25
25
-60 ... +100
-60 ... +100
-60... + 100
-60 ... +100
s;0,05 «28)
s;0,005 (5)
28
12
-60 ... + 100
-60 ... + 100
КВ130
s;0,05 (28)
28
-60 ... +100
КВtЗО-9
0,25
14
0,05 (10)
23
0,05
23
800 • i о- 6
800 • i о- 6
800• 10"6
800. 10"6
(4)
(4)
(4)
(4)
КВ128
1
КВ131-2
-60 ... +100
КВ134
КВ134-1
Раздел
320
Сд, пФ
Тип
прибора
{
4. Диоды
Qв
макс.
Uобр, В
fнзм, МГц
мин.
Uобр, В
fнзм, МГц
486
594
1
1... 10
150
1
1
l7,l
19,8
17, 1
19.8
18,9
24,2
18,9
24,2
4
4
4
4
10
10
10
10
400
400
500
500
4
4
4
4
40
40
40
40
КВ138Б
14
17
18
21
2
2
10
10
200
200
3
3
50
50
КВ139А
500
620
1
10
160
1,5
1
300
300
-
1
1
110
110
90
90
28
28
28
28
50
50
50
50
-
110
110
100
100
28
28
28
28
50
50
50
50
-
100
10
50
•
КВ135А
КВ136А
КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
мин
.
'
КВ138А
,
КВ142А
КВ142Б
60
70
85
115
10
10
28
28
.28
28
-
'
КВ144А
2,6
КВ144Б
2,8
КВ144В
2.6
2,8
3 .
3,2
3
3,2
КВ144Г-1
2,6
2,8
2,6
2,8
3
3,2
3
3,2
28
28
28
28
КВ146А
10
16
10
КВ144Г
КВ144А-1
КВ144Б-1
КВ144В-1
--
-
-
1
параметры варикапов
lобр, мкА
(при Uобр, В)
0,05 (10)
Uобр, В
13
321
Рнр, Вт
\
асв, 11·с
(при Uобр, В)
т, ·с
(при Тнзм, •с)
-
Корпус
-
-60 ... + 100
КВ135
,
"·"
2,5
т~в
/
0,02
0,02
0,02
0,02
(25)
(25)
(25)
(25)
-
30
30
30
30
-
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
4 • 10-4
4 • 10-4
4. 10"4
4 • 10·4
-60 ... +100
-60 ... +lOO
в· 10·4 (2)
(4)
(4)
(4)
(4)
'
0,05 (5)
0,05 (5)
-
12
12
-
'
КВ136
~i el"; Jsa
КВ138
8. 10·4 (2)
:Ф-I·{# t~
0,5 (12)
16
0,6
мВт
(100)
-60 ... + 100
8 • 10·4 (3)
КВ139
"·"
2,5
T~Ifi:
'
0,05 (32)
0,05 (32)
32
32
-
-60 ... +100
-60 ... +100
4,3 • 10·4 ( о
4,3 • 104 (l)
~I~t·f~t~
.
S0,01
~0.01
~0.01
~О.01
32
32
32
32
-
-
-
КВ142
-
-
-
КВ144
-
1
!/.//
'\З..
-
--
--
С"1
j'
~О.01
S0,01
S0,01
~О.01
32
32
32
32
-
-
-
КВ144-1
-
-
-
'
~i~-t·f; t~
'
~О.05
15
-
-
-
КВ146
~
'S.
...···-~
J,8
Раздел
322
Сд, пФ
Тип
прибора
Qв
мин.
Uобр, В
fнзм, МГц
-
-
450
350
450
400
28
28
28
28
50
50
50
50
-
-
340
-
-
2,25
-
-
455
-
-
2,5
3
-
-
260
-
-
2,9
3,4
-
-
245
-
-
l ,85
2,4
2,9
2,25
2,9
3,4
28
28
28
l
450
300
200
-
-
25
30
25
30
25
30 -
4
4
4
4
4
4
50
50
50
50
50
50
30
4
50
Uoop,
мин.
макс.
КВ149Г
1,9
1,8
2,2
2
2,35
2,4
2,8
2,4
28
28
28
28
КВ152А
l ,85
2,25
КВ153А-9
1,85
КВ154А
КВ155А-9
КВ149А
КВ149Б
КВ149В
4. Диоды
В
fнзм, МГц
.,
КВ156А-9
КВ157А-9
КВ158А-9
1
1
1
Д901А
Д901Б
Д901В
Д901Г
Д901Д
Д901Е
Д902
22
22
28
28
34
34
32
32
38
38
44
4
4
4
44
4
10
10
10
10
6
12
4
50
4
4
10
10
Параметры варикапов
lобр, мкА
(при Uобр, В)
Uобр, В
323
Рпр, Вт
(при Тизм, "С)
т, ·с
асв,
t/•c
Корпус
(при Uобр, В)
-
S0,02
S0,02
S0,02
S0,02
30
30
30
30
-
-
-
-
КВ149
-
11,//
-
1
L_
с-./
г-
'tЭ.
1
0,02
30
-
-
-
КВ152
~i
0,02
30
-
-
-
03
l.J.б~iE3
КВ153-9
J
0,95
~~х
0,02
30
-
-
-
КВ154
~;
0,02
30
-
-
-
еэ~с;
J""
КВ155-9
' 0,95
J
~~х
SO,l (30)
S0,01 (30)
so.01 (30)
30
30
30
-
1 (80)
1 (45)
1 (80)
1 (45)
1 (80)
1 (45)
80
45
80
45
80
45
250
250
250
250
250
250
10 (25)
25
-
-
(25)
(25)
(25)
(25)
(25)
(25)
-60 ... + 125
-60".+125
-60".+125
-60".+125
-60".+125
-60".+125
-40".+ 100
-
200· 10"6
200. 10"6
200. 10·6
200 • 10·6
200 • 10"6
200. 10-6
-
КВ156А-9, КВ157А-9
КВ158А-9
~~1
(45)
(45)
(45)
(45)
(45)
(45)
Д901
~
l.t)
~
'S.
j
-"' 11
1
11-r.::J.
!1.L..v--
12
-
Д902
~t47:a."
Раздел
324
4.5. Параметры
стабилитронов и стабисторов
Uст, В
Тип
прибора
д219С
Д220С
Д223С
4. Диоды
мин.
иом.
-
0,57
0,59
0,59
макс.
-
Uпр, В
аUст, о/о/•с
БUст, о/о
-
-
-
-
0,07
0,08
0,09
0,095
0,095
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
±1
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
1 (50)
-
-
Iст, мА
1
1
1
(при Iпр, мА)
7
8
9
10
11,5
7
8
9
10
11,5
-
8,5
9,5
10,5
12
14
8,5
8,5
10,5
12
14
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
-
-
8,5
9,5
10,5
12
14
-
Д814Д1
7
8
9
10
11,5
-
0,07
0,08
0,09
0,095
0,095
-
Д814А2
7
7,7
8,5
-
0,07
±1
-
6,2
7,5
- 9, 1
11
13,3
16,4
19,8
1А
1А
1А
500
500
500
500
0,045
0,05
0,07
0,08
0,09
0,10
О, 11
4
4
4
4
4
4
4
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
(500)
(500)
(500)
(500)
(500)
(500)
(500)
24,2
29,5
36
43
51,5
150
150
150
150
150
0,12
0.12
0,12
0,12
0,12
5
5
5
5
5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
(500)
(500)
(500)
(500)
(500)
61,5
75
90
110
50
50
50
50
0,14
0,14
0,14
0,14
6
6
6
6
1,5
1,5
1,5
1,5
(500)
(500)
(500)
(500)
10
+0,020
±0,11
-
Д808
Д809
Д810
Д811
Д813
Д814А
Д814Б
Д814В
дst4r
Д814Д
Д814А1
Д814Б1
Д81481
Д814П
Д815А
Д815Б
Д815В
Д815f
Д815Д
Д815Е
Д815Ж
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816f
Д816Д
Д817А
Д817Б
Д817В
Д817f
Д818А
Д818Б
Д818В
"Д818f
Д818Д
Д818Е
КС106А-1
5
6,1
7,4
9
10,8
13,3
16,2
,
-
0,07
0,08
0,09 0,095
·О,095
-
50,5
61
74
90
-
-
9
10,35
7,65
8,1
8,55
8,55
8,55
9
9
9
9
9
9,9
9,45
9,45
9,45
10
10
10
10
10
-0,029
±0,01
±0,005
±0,002
±0,001
±0,13
±0,12
±0,12
±0,12
±0,12
-
2,9
3,2
3,5
0,5
-0,13
-
-
19,6
24,2
29,5
35
42,5
-
,
Параметры стабилитронов и стабисторов
lст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
т, ·с
Корпус
-
-60 ... + 120
-60 ... +120
-60 ... + 120
Д219-Д223
33
29
26
23
20
40
36
32
29
24
0,28
0,28
0,28
0,28
0,28
0,34
0,34
0,34
0,34
0,34
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... +125
-
-
Рпр, Вт
мин.
макс.
-
1
1
1
50
50
50
12 (1)
18 (1)
25 (1)
30 (1)
350 (1)
6 (5)
10 (5)
12 (5)
15 (5)
18 (5)
3
3
3
3
3
3.
3
3
3
3
325
6 (5 мА)
10 (5 мА)
12 (5 мА)
15 (5 мА)
18 (5 мА)
-
-
20 (5)
3
40
0,34
-60 ... +125
0,6 (1 А)
0,8 (1 А)
1 (1 А)
1,8 (500)
2 (500)
2,5 (500)
3 (500)
50
50
50
25
25
25
25
1,4 А
1,15 А
950
800
650
550
450
8
8
8
8
8
8
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... +125
7 (150)
8 (150)
10 (150)
12 (150)
15 (150)
10
10
10
10
110
230
180
150
130
110
5
5
5
5
5
-60 ... + 130
-60 ... +130
-60 ... +130
-60 ... + 130
-60 ... +130
5
5
5
5
90
75
60
50
5
5
5
5
-60 ... +130
-60 ... +130
-60 ... + 130
-60 ... + 130
35
40
45
50
(50)
(50)
(50)
(50)
-
8
-
1
~tеh ~ПЭ-зе
Д808-Д814
,.....
3
3
3
3
3
3
33
33
33
33
33
33
3
500 (0,275)
0,01
33
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... + 125
-60 ... +125
0,5
0,002
-60 ... + 125
-
......
-
оп
~
g
15
-
Д814-1, Д814А-2
д.__ _
CN
__J
с-.,-
~
~
1
'
'
Д815, Д816
J7
-
-
~
'&.
""
R-
"г-111~
!"')'
--
L..JI~
t:f=
Д817
J7
t2
'&.,
70 (3)
18 (10)
1°8 (10)
18 (10)
18 (10)
18 (10)
18 (10)
-
---
"Q.
-
-
г;;:;
-
i..:..::..1~
111f R=
t:t=
Д818
,.....
"Q.
1
--
-...
-g
оп
-
~
15
КС106-1
~.5;2
.
--
-.,
*
Раздел
326
Uст, В
Тип,
прибора
мин.
КС107А
-
КС108А
-
КС108Б
КС108В
ном.
.
макс.
аUст, %/"С
БUст, %
-
Iст, мА
0,7
-
10
-0,3
6,4
6,4
6,4
-
7,5
7,5
7,5
±0,002
±0,001
±0,0005
1,43
-
10
10
-0,42
-0,3
± 1,3
± 1,3
± 1,3
Unp, В
Inp, мА)
(при
мВ
мВ
мВ
-
-
-
-
-
-
10
-0,3
-
-
7,9
-
0,25
±0,5
-
2,4
2,6
-
0,075
±1,5
-
2,7
3
3,3
3,9
4,7
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
-'
-
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
-0,075
-0,075
-0,075
-0,05
-0,01
0,03
0,06
0,06
0,07
0,08
0,09
-
КС126Д1
-
3,6
4,3
5,1
-
5
5
5
-
КС127Д-1
2,5
2,7
2,9
-
КС128А
-
2,7
3
3,3
3,9
4,7
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
-
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
-
КС128Д1
-
3,6
4,3
5,1
-
5
5
5
-
КСtЗОД-1
2,8
3
3,2
-
КСНЗА
кснзв
-
1,25
1,3
КС115А
-
1,45
-
3
КС119А
-
1,9
-
КС121А
7,1
7,5
КС124Д·1
2,2
КС126А
-
КС126Б
КС126В
KC126f
КС126Д
1, 17
-
-
КС126М
-
КС12681
-
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
КС126Л
KC126f1
КС128Б
КС128В
KC128f
КС128Д
КС128Е
КС128Ж
КС128И
КС128К
-
КС128Л
КС128М
КС12881
KC128f1
0,075
0,075
4. Диоды
±3,5
-
-
-
-
-
-
-
-
±1,5
-
-
-
±1,5
-
-
-
'
Параметры стабилитронов и стабисторов
327
.
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
-
Рпр, Вт
мин.
макс.
1
100
Sl5 (7,5 мА)
Sl5 (7,5 мА)
Sl5 (7,5 мА)
3
3
3
10
S80 (1 мА)
12 (10)
1
1
-
-
-
т, ·с
Kopnyc
-60 ... + 125
КС107, КС113
0,070
0,070
0,070
-60 ... + 125
-60 ... + 125
-60 ... + 125
100
100
0,18
-
-60 ... + 125
-60 ... + 125
3
0,23
-60 ... + 125
10
10
;r;:- _,....
~t
- it...::...
~
g
-
-
15
tl. .i"'
11
КС115
д
CN
с-.,"
I
L___
~
"l.
"
"
15 (10)
1
100
-
КС119
-60 ... + 125
-
-
"'&.
--
0,5
35
-
0?25
120 (5мА)
120 (5мА)
120 (5мА)
120 (5мА)
100 (5мА)
50 (5мА)
35 (5мА)
30 (5мА)
20 (5мА)
20 (5мА)
30 (5мА)
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
120 (5мА)
115 (5мА)
75 (5мА)
-
180 (3)
120 (5мА)
120 (5мА)
120 (5мА)
120 (5мА)
100 (5мА)
50 (5мА)
35 (5мА)
30 (5мА)
20 (5мА)
20 (5мА)
30 (5мА)
21
0,05
135
125
115
95
85
70
64
58
53
47
43
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
-
0,45
0,45'
0,45
0,25
18
0,05
135
125
115
95
85
70
64
58
53
47
43
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
120 (5мА)
115 (5мА)
75 (5мА)
-
-
0,45
0,45
0,45
180 (3)
0,25
17
0,05
-
-60 ... +125
-
-
g
15
r
--
КС121, КС124-1
-60 ... + 125
д
1
180 (3)
-
.....
.....
-15 (5)
КС108
1
CN
~
_
}...._
__J
---..
~
_
г---
~
КС126, КС126-1, КС127-1
-
-
д
CN
с-.,"
~
.--.J
}....__
---..
г---
j,
-
-
-60 ... + 125
-
КС128, КС128-1
--
;ЧQО
3,7
(5)
-
КС130-1
-60 ... + 125
,.
CN
д
L
с-.,~
~
"
"
Раздел
328
прибора
'
Uст, В
Тип
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
аUст, %/"С
бUст, %
4. Диоды
Uпр, В
(при
Inp,
КС130Д-5
2,8
-
3,21
3
-
±0,5
-
КС133А
-
3,3
-
-0, 11
-
1 (50)
мА)
2,95
-
3,65
10
5
КС133Д-1
3, 1
3,3
3,5
-
0,075
± 1,5
180 (3)
КС136Д-1
3,4
3,6
3,8
-
0,07
± 1,5
...._
кс1ззr
-
-
'
КС139А
-
3,3
-
10
-0,1
-
1 (50)
KC139f
3,5
-
4,3
5
-
-
-
КС139Д-1
3,7
3,9
4,1
-
0,005
±0,5
-
КС143Д-1
4
4,3
4,6
-
0,06
± 1,5
-
КС147А
-
4,7
-
10
-0,09
-
1 (50)
KC147f
.4,2
-
5,2
5
-
-
-
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
мин.
макс.
0.2
16,7
65 (10)
150 (5)
3
1
81
37,5
0,25
15
0,05
180 (3
мА)
329
Рнр, Вт
т, ·с
Корпус
0,050
-60."+125
КС130-5
0,3
-60 ... +125
-60 ... + 125
КС133
-60".+125
КС133-1, КС136-1
-60".+125
I
N+---c-.,1 '
125
мВт
0,05
•
180 (3)
0,25
14
0,05
А
"
-
~
~
'
60 (10)
3
79
0,3
КС139А
-60".+ 125
"
'&.
-
--
-....
-
150 (5)
32
125
мВт
g 15
-60".+125
KC139f
180 (3)
0,25
13
0,05
-60."+ 125
КС139-1
180 (3)
0,25
12
0,05
-60".+ 125
КС143-1
56 (10)
3
58
0,3
-60."+ 125
КС147А
"1~
-
'&.,--
-..........
....L.---lf-1.1-
- g
15
150 (5)
26,5
125
мВт
-60".+ 125
-
~
KC147f
-
Раздел
330
Uст, В
Тип
прибора
мин.
ном.
макс.
аUст, %/"С
бUст, %
Iст, мА
4. Диодь1
Uпр, В
(при Iпр, мА)
-
5,6
-
10
±0,05
-
1 (50)
5
-
6,2
5
-
-
-
КС162А
-
6,2
-
10
±0,06
±1,5
КС162А2
5,8
-
6,6
5
±0,01
1,5
КС162А-3
5,8
6,2
6,6
5
±0,01
1,5
-
КС164М-1
6
-
6,7
1,5
±0,005
±0,1
-
6,6
6,6
6,6
-
7,5
7,5
7,5
±0,002
±0,00l
±0,0005
КС156А
КС156Г
-
0,25 (5
1
мА)
1
КС166А
КС166Б
КС166В
-
-
±1,4
±1,4
± 1,4
мВ
мВ
мВ
-~
КС168А
-
6,8
-
10
±0,06
КС168В
-
6,8
-
10
±0,05
-
±1,5
-
1 (50)
-
331
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
46 (10)
мин.
макс.
3
55
Р11 11 , Вт
т, ·с
Корпус
0,3
-60 ... +125
КС156А
-...
-
"''&.1 ,---
-
......
g
~
15
100 (5)
1
125 мВт
1
22,4
-
KC156f
-60".+125
~t BttlE3
35 ( 10)
3
22
0,15
КС162
-55."+ 100
q
"
31Г
35 (10
-
мА)
-
-
-
КС162А-2
11,// -
1
--
--
CN
~
'\
50 (5)
3
0,15
22
КС163А-3
-60 ... +125
д
CN
~'
~~
1
$120 (1,5
мА)
0,5
0,020
3
L
,-
-,.
~
КС164-1
-60."+125
1,7
~
1
~~
lI
.......
1 \
$20 (7,5
$20 (7,5
$20 (7,5
мА)
мА)
мА)
28 (10)
3
3
3
3
0,070
0,070
0,070
10
10
10
0,3
45
КС166
-60".+125
-60".+125
-60".+125
~i 81:дЕ3
КС168А
-60".+125
"' --'&.
1--
.....
-g
"""
--28 (10)
3
0,15
20
--
-55".+100
-
-
15
КС168В
~t
-
· Раздел 4. Диоды
332
Uст, В
Тип
прибора
мин.
ном.
аUст, %/•с
макс.
Iст, мА
бUст,
·КС168В2
6,3
-
7,3
5
0,05
1,5
КС168ВЗ
6,3
6,8
7,3
5
0,05
1,5
%
Unpr В
(при Iпр, мА)
0,27 (5
мА)
-
КС170А
6,65
7
7,35
10
±0,01
±1,5
-
КС175А
-
7,5
-
5
±0,04
± 1,5
-
7, 1
7,1
7,5
7,5
7,9
7,9
5
4
±0,1
0,07
± 1,5
-
-
КС175Е
КС175Ж
-
-
КС175Ц
~2
(50
мА)
0,3 (5
мА)
7,1
7,5
7,9
0,5
+0,065
± 1,5
КС175А-2
7
-
8
5
0,04
1,5
КС175Ж-1
6,8
7,5
8,3
4
0,07
±1,5
-
КС182А
-
8,2
-
5
±0,05
±1,5
-
8,2
8,2
9
9
5
4
±0,1
0,08
± 1,5
-
КС182Е
КС182Ж
7,4
7,4
-
-
Параметры стабилатронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
35 (5 мА)
мин.
Рпр, 'Вт
333
т, ·с
Корпус
макс.
-
-
-
-
КС168В-2
//,//
1
сч
/
"" '
45 (5)
20
3
0,15
~
_,
с-."
""
16 (5)
20
3
3
0,15
0,15
18
'----
-..
г--
~
КС170
-55 ... + 100
-55 ... +100
~-
КС168В-З
-60 ... +125
с...,
20 (10)
L_
--
SEt
КС175А
gвr
40 (4)
17
17
3
0,5
0,125
125 мВт
-60 ... + 125
-60 ... +125
КС175Е
~~ЕЗ~ЕЗ
'
~k --I
7
20 (0,1 мА)
0,1
17
0,125
КС175Ц
-60 ... +125
~
~
с...,
•
---,,
с-."
ts.
16 (5 мА)
-
-
-
-
г---
~
КС175А-2
11,.t сч
~-
--
ts.
~-
'~
40 (4)
0,5
125 мВт
17
КС175Ж-1
-60 ... + 125
~
с...,
с-."
ts.
14 (5)
.
3
17
0,15
-55 ... +100
~
-
-..
'----
1
КС182А
/
"
:тт
'
40 (4)
3
0,5
11
15
15
0,125
125. мВт
-60... +125
-60 ... +125
КС182Е
~i~E]
-~1 ... 1
.334
Uст, В
Тип
прибора
КС182Ц
аUст, %/"С
8Uст, %
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
7,8
8,2
8,6
0,5
+0,070
± 1,5
Раздел .4" Диоды
Urrp,
В
(при Iпр, мА)
~2
(50
мА)
0,33 (5
мА)
-
КС182А2
7,6
-
8,8
5
0,05
1,5
КС182Ц-1
7,8
8,2
8,6
0,5
0,065
±3
-
КС190Б
8,5
8,5
8,5
8,5
9
9
9
9
9,5
9,5
9,5
9,5
10
10
10
10
±0,005
±0,002
±0,001
±0,0005
-
-
КС190В
1
КС190Г
КС190Д
\
КС191А
-
9,1
-
5
±0,06
±1,5
-
КС191Б
8,7
8,7
-
9,6
9,6
5
5
±0,010
±0,010
10
10
-
8,6
8,6
9, l
9, l
9,6
9,6
5
4
±0,1
0,09
1,5
-
КС191Ф
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
8,65
9, l
9, l
9,1
9,1
9, l
9,1
9, 1
9,1
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
9,55
10
10
10
10
10
10
10
10
±0,005
±0,002
±0,001
±0,0005
±0,005
±0,0025
±0,001
±0,0005
±0,05
±0,05
±0,05
±0,05
±2 мВ
±2 мВ
±2 мВ
±2 мВ
-
КС191Ц
8,6
9, 1
9,6
0,5
+0,080
КС191В
КС191Е
КС191Ж
КС191М
КС191Н
КС191П
КС191Р
КС191С
КС191Т
КС191У
-
± 1,5
~2
(50
мА)
335
Параметры стабилитронов и стабисторов
'
~
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
20 (0,1
мА)
мин.
макс.
0,1
15
Рпр, Вт
т, ·с
Корпус
0,125
-60... +125
КС182Ц
д
~
с-..,~
-
ts.
-
14 (5 мА)
-
-
-
~
L
"
"
КС182-2
0,1
2,5
0,02
1
1
--
сч
'1Э..
,,
г--
кt1s2ц-1
-45 ... +85
1
~
-
с-..,~
J
'
(10)
(10)
(lO)
(10)
5
5
5
5
15
15
15
15
0,1
0,1
0,1
0,1
~
L__
r
"
ts.
15
15
15
15
КС190
-60 ... +125
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... +125
""&.,
~
,_
-
--
1---
.....
.,____,
-
~.
-
~
9
15
18 (5)
3
15
0,15
15
15
0,15
0,15
11
"
:mт
'
3
3
КС191 (Б, В)
-55 ... +100
-55 ... + 100
-.........
--
,...,_'
"&. f
-
9
40 (4)
3
0,5
14
14
0,125
125 мВт
-60 ... +125
-60 ... + 125
18 (10)
18 (10)
18 (10)
18 (10)
70 (3)
70 (3)
70 (3)
70 (3)
5
5
5
5
3
3
3
3
15
15
15
15
20
20
20
20
0,15
0,15
0,.15
0,15
0,2
0,2
0,2
0.2
-60 ... + 100
-60 ... + 100
-60 ... +100
-60 ... +100
-60 ... +100
-60 ... +100
-60 ... + 100
-60 ... + 100
0,1
14
0,125
-60 ... +125'
20 (0,1
мА)
~~-
- -
-
15
--
-
-
КС191А
-55 ... + 100
.
15 (lОмА)
15 (lОмА)
.
//,//
,,
820 (0,1)
-
КС191 (Е, Ж)
~41. 1 .ГЕ3
КС191
""&.
---
--
-
....
......
~
9
15
-
-
КС191Ц
~
~
_
с-..,~
ts.
5,11
~
,----..
~
__J
336
Раздел
Uст, В
Тип
прибора
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
аUст, %/"С
бUст, %
КС191А2
8,5
-
9,7
5
0,05
1,5
КС191Ж-1
8,2
9,1
10
4
0,09
±1
КС191С1
9,1
9,1
9,1
9,1
-
КС191Ф1
-
-
10
10
10
10
±56 мВ
±28 мВ
±11 мВ
±6 мВ
КС207А
-
10
11
12
-
5
5
5
0,09
0,092
0,095
-
10
11
12
-
5
5
5
-
КС191Т1
КС191У1
КС207Б
КС207В
КС208А
КС208Б
КС208В
-
-
-
10
10
10
10
-
4. Диоды
U11p, В
I11p, мА)
(при
0,36 (5
мА)
-
-
мВ
мВ
-
мВ
-
мВ
-
-
-
-
-
\
-
10
-
5
±0,07
±1,5
КС210Ж
9
9
10
10
11
11
5
4
±0,1
0,09
±1,5
КС210Ц
10,5
10
10,5
0,5
+О,085
± 1,5
КС210Б2
9,3
-
10,7
5
0,07
1,5
КС2НБ
17
9,3
9,9
9,9
ll
11
11
11
12,6
11
12, l
12, l
10
10
10
10
+0,02
-0,02
-
КС2ЮБ
КС210Е
-
-
-
-
КС211В
КС211Г
КС211Д
(О,01
(0,005'
1
-
-
~2
(50
мА)
0,4 (5
мА)
-
-
параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
18 (5
мА)
мин.
-
337
т, ·с
Рпр, Вт
Корпус
макс.
-.
-
-
КС191А-2
qц
i
-
--
--
~
'1Э..
j ~
40 (4)
0,5
14
125
мВт
КС191Ж-t
-60."+125
д
~
~
'
70
70
70
70
(3 мА)
(3 мА)
(3 мА)
(3 мА)
3
3
3
3
15
15
15
15
0,15
0,15
0,15
0,15
-55 ... +100
-55 ... + 100
-55 ... +100
-55 ... +100
.
"
ts.
L...___
r
KC19t-t
-...... -
"' ---
-
~
'&.
9
- 15
30 (5 мА)
30 (5 мА)
30 (5 мА)
0,5
0,5
0,5
40
36
32
'
-
0,45
0,45
0,45
-
КС207
1
- --
('...
N'
--
"&
_5,2
30 (5 мА)
30 (5 мА)
30 (5 мА)
-
40
36
32
-
0,45
0,45
0,45
КС208
-
-
~go
-.~
'
22 (5)
3
14
0,15
3,7
!$)
КС210Б
-55 ... +100
11
4
:mт
40 (4)
3
0,5
13
13
0,125
125 мВт
-60 ... +125
-60... + 125
КС210 (Е, Ж)
~t l. .ie
1
20 (0,1
мА)
0,1
12,5
0,125
КС210Ц
-60 ... +125
~i e1Ef:
5/1
1с Э8'f
22 (5 мА)
-
-
.....,.
-
J:эа
КС210Б-2
//.4 - .
1
1
L
--
~
r--
ts.
11
30
30
30
30
(5)
(5)
(5)
(5)
5
5
5
5
33
33
33
33
0,28
0,28
0,28
0,28
-60 ... +100
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... +125
КС2НБ-Д
-- 32 ~
1
.i
ш
9
т
Раздел
338
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/"С
бUст, %
Uпр, В
(при Iпр, мА)
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
КС211Ж
10,4
10,4
11
11
11,6
11,6
5
4
±0,1
0,092
± 1,5
КС211Ц
10,4
11
11,6
0,5
+О,085
± 1,5
КС211Ж-1
9,9
11
12
4
0,09
±1
-
КС212Е
10,8
10,8
12
12
13,2
13,2
5
4
±0,1
0,095
± 1,5
-
КС211Е
КС212Ж
4. Диоды
-
-
-
)
~2
(50 мА)
\
КС212Ц
КС213Б
11,4
12
-
13
12,6
0,5
+О,085
±1,5
5
±0,08
±1,5
~
(50
мА)
-
КС213Е
КС213Ж
12,3
12,3
13
13
13,7
13,7
±0,1
0,095
5
4
-
-
±1,5
\
КС213Б2
12, 1
-
13,9
5
0,08
1,5
КС215Ж
13,5
15
16,5
2
0,1
± 1,5
-
0,52 (5
мА)
КС216Ж
15,2
16
16,8
2
0,1
±1,5
-
14
16
18
2
0,1
±1
-
1
КС216Ж-1
.
"
1
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
40 (4)
20 (0,1
мА)
т, ·с
Корпус
0,125
125 мВт
-60".125
·60".125
КС211 (Е, Ж)
0,125
-60".+ 125
Pnp,
мин.
макс.
3
0,5
12
12
0,1
11,2
339
Вт
~i~~s
КС211Ц
д
1:'1 '
~
1
с:-ч~
---..
~
г-:--
'
40 (4)
0,5
12
125
мВт
КС211Ж-1
-60".125
д
1:'1
1
с:-ч~
"
~
'
40 (4)
3
0,5
11
11
0,125
125 мВт
мА)
0,1
10,6
0,125
~ie121s
КС212Ц
-60".+ 125
д
1:'1
---..
~
0,15
10 .
3
~
1
с:-ч~
25 (5)
..._
r
КС212Е
-60".125
-60".+125
-
20 (0,1
-
,.--
КС213Б
-55".+100
11
"
:mm
40 (4)
10
10
3
0,5
125
125
мВт
мВт
-60".+125
-60."+125
25 (5
мА)
-
-
-
КС213 (Е, Ж)
~te121s
-
КС213Б-2
//.//
'
.
--
1:'1
~
~-
'
70 (2)
0,5
8,3
125
мВт
-60."+ 125
КС215Ж, КС216Ж
70 (2)
0,5
7,3
125
мВт
-60 ... + 125
~t et ~i""
70 (2)
0,5
7,8
125
мВт
-60".+ 125
КС216Ж-1
7
oi
1:'1
с:-ч~
а.
д
-
__ 1
)___
I
~
Раздел
340
4. Диоды
-
Uст, В
Тип
прибора
мин.
,
'
аUст, %/•с
ном.
макс.
Iст, мА
<>Uст,
%
Uпр, В
(при Iпр, мА)
КС218Ж
16,2
18
19,8
2
0,1
± 1,5
-
КС220Ж
19
20
21
2
0,1
± 1,5
-
КС220Ж-1
18
20
22
2
0,1
±1
-
,
КС222Ж
19,8
22
24,2
2
0,1
± 1,5
-
КС224Ж
-
22,8
24
25,2
2
0,1
±1,5
-
22
24
26
2
0,1
±1
-
5,89
5,9
6,2
6,2
6,51
6,51
0,5
0,5
0,002
0,005
0,1
±0,1
-
7,7
9,4
8,2
10
8,7
10,6
15
12,5
-
3,3
3,9
4,7
5,1
6,8
3,6
3,5
4,1
5
5,4
7,2
3,8
20
20
20
20
18,5
20
-
КС407Е
3,1
3,7
4,4
4,8
6,4
3,4
0,05
±1,5
КС409А
5,3
-
5,9
5
-
1,5
КС410АС
7,79
8,2
8,61
10
~О.065
5,8
6,2
6,6
5
~.Об
'
КС224Ж-1
КС405А
КС405Б
КС406А
КС406Б
КС407А
КС407Б
КС407В
КС407Г
КС407Д
КС412А
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
± 1,5
~1
(10
~
КС413Б
4,1
4,3
4,5
-
0,01; -0,05
± 1,5
-
КС415А
2,3
2,4
2,5
-
0,06; -0,09
±1,5
-
КС417А
5,2
5,8
6,4
7
7,7
8,5
9,4
-
6
6,6
7,2
7,9
8,7
9,6
10,6
-
-
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Д
КС417Е
КС417Ж
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
'
-
-...._
-
мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов
11:т, мА
Сет, Ом
(при Iст, мА)
341
т, ·с
Корпус
мВт
-60 ... +125
КС218Ж, КС220Ж
125
мВт
-60 ... +125
125
мВт
-60 ... +125
Рпр, Вт
мин.
макс.
70 (2)
0,5
6,9
125
70 (2)
0,5
6,2
70 (2)
0,5
6,2
~t ЕЭ11 }3ЕЭ
КС220Ж-t
,,
~
с-.,"
д
,
1
----..
а.
,---
~
70 (2)
0,5
5,7
125
мВт
-60 ... +125
КС222Ж, КС224Ж
70 (2)
0,5
5,2
125
мВт
-60 ... +125
~t ЕЭq/:зЕЭ
70 (2)
0,5
5,2
125
мВт
-60 ... + 125
КС224Ж-t, КС405
200 (0,5)
200 (2)
0,1
0,1
60
2,2
6,5 (15)
8,5 (12,5)
0,5
0,25
35
28
28 (20)
23 (20)
19 (20)
17 (20)
4,5 (18,5)
28 (20)
1
1
1
1
1
1
20 (5)
1
-
-
0,4
0,4
-45 ... +85
-45",+85
0,5
0,5
-40 ... +85
-40 ... +85
100
83
68
59
42
90-
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,34
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
48
0,4
-40 ... +85
-
-
-
1
-~./ "1
д
,
~
с-.,"
КС406,КС407,КС409
д
,
~
с:-ч"
а.
мА)
1
55
0,4
18 (20)
1
70
0,34
-60 ... + 125
30 (20)
1
120
0,34
-60 ... +125
,--
~
КС410
-- 7 -
--
\.с')
(5
L--
---.
1~
~10
L--
,--
-~
а.
_А
~
--
КС412, КС413
-60 ... + 125
д
'
~
с-.,"
_r
а.
"
·~-
1
КС415
'
;
7.5
~=е~-iЕЗ-~
40 (5 мА)
10 (5 мА)
8 (5 мА)
7 (5 мА)
7 (5 мА)
10 (5 мА)
15 (5 мА)
-
-
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
-
-
КС417
д
1
~
с-.,"
а.
J
L
--,.
r
Раздел
342
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/"С
3Uст,
%
Uпр, В
(при lпр, мА)
мин.
ном.
макс.
lст, мА
КС433А
2,97
3,3
3,89
30
-0, 1
±1,5
-
КС439А
3,52
3,9
4,69
30
-0, 1
±1,5
-
КС447А
4
4,7
5,3
30
-0,08
±1,5
-
КС451А
4,8
5,1
5,3
-
0,04; -0,02
±1,5
-
-·
'
;
-
КС456А
4,82
5,6
6,16
30
-
5,78
6,8
7,48
30
0,065
4. Диоды
-
-
-
КС468А
±
1,5
/
КС468А-9
6,12
6,8
7,48
-
0,065
±1,5
-
КС482А
6,98
8,2
9
5
0,08
±1,5
1 (50)
КС482А-9
7,4
8,2
9
-
0,08
±1,5
-
КС506А
-
-
$0,09
0,09
0,1
0,75
0,09
$2
2
2
2
2
:::;2 (50
47
68
15
20
50
50
72
15,6
21
2,7
КС506Д
44
44
6,4
13,8
18,8
КС507А
31
-
35
8
$0,09
$2
:::;2 (50
КС508А
11,4
13,8
15,3
16,8
22,8
12
15
16
18
24
-
-
13,8
16,8
18,8
-
0,09
0,09
0,09
1,5
1,5
1,5
КС506Б
КС506В
KC506f
КС508Б
КС508В
KC508f
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС509В
"
-
12,7
15,6
17, 1
19, 1
25,6
10,5
8,5
7,8
7
5,2
15,6
19, 1
21,2
15
15
10
-
мА)
-
-
-
мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
fст, Ом
(при Iст, мА)
макс.
25 (30)
3
191
25 (30)
3
176
Вт
т, ·с
Корпус
1
-60 ... +100
КС433, КС43'9, КС447
1
-60 ... + 100
Prrp,
мин.
343
......
~
--
--
'Q ~
.......
.....
~
-
g
18 (30)
3
159
1
-60 ... + 100
16 (30)
3
148
1
-60 ... +125
-
15
--
--
КС451
~t еэ~Е S,~ J==
-
-
-
-
-
КС456, КС468
'Q
5 (30)
3
119
1
-
......
-60 ... +100
52
3
0,4
----.....;;
КС468-9
-60 ... +125
4,6
-
~<()~ ~
C'.j
с...,.• "
:1
q7
э
L_
96
1
IK
/'
1,5
КС482
-60 ... +100
- ....
--
...... j
'Q 1
1
43
------ - -
....
-
-g
~
15
25 (5)
51
О,55
7,5_
0,48
1
-
15
-
200 (1)
0,4
-
КС482-9
-60 ... +125
.-
-
1/,6
!
-
1.6
~~~. ~
•
э
0,25
0,25
1
1
1
8,5
6,5
5,5
27
20
0.5
0,34
0,4
0,5
0,5
-60 ... + 125
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
-60 ... +125
мА)
0,25
33
1,3
-60 ... +125
11,5(10,5)
16 (8,5)
17 (7,8)
21 (7)
33 (5,2)
0,25
0,25
0,25
0,25
0,25
23
18
17
15
11
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
500 (О,5)
500 (0,5)
600 (0,5)
0,5
0,5
0,5
42
35
31
1,3
1,3
1,3
-40 ... +85
-40 ... +85
-40 ... +85
:::;35 (8
/'
~~5
44
0.55
1,5
0,48
:::;105 (2,7 мА)
105 (2,7)
200 (2)
30 (5)
55 (5)
---
g
5 (30)
------
....
--
......
_1,5
КС506, КС507
д
CN
с-.,.~
~
.____
J
-..
КС508
~i
4,8
_111(
~1
е.ЩJ:зез
КС509
1
r:-.._
--
--
~
'S.
j\
s.2
-
-
Раздел
344
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/"С
3Uст,
%
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
КС510А
8,2
10
11
5
0,1
КС511А
КС511Б
14,3
71,3
15
75
15,8
78,8
1
1
$0,084
$0,105
КС512А
9,9
12
13,2
5
0,1·
± 1,5
31
-
35
$0,085
$2
± 1,5
-
КС513А
\
± 1,5
-
4. Диоды
Uпр, В
(при Iпр, мА)
1 (50)
-
-
1 (50)
$2 (50
мА)
,
КС515А
12,3
15
16,5
5
0,1
KC515f
14,25
15
15,75
10
±0,005
1 (50)
-14
15
16
-
±0,005
КС518А
14,7
18
19,8
5
0,1
КС520В
19
20
21
5
±0,001
KC515f-2
-
±1,5
-
-
1 (50)
-
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
Сет, Ом
(при Iст, мА)
200 (1)
мин.
макс.
1
79
345
Рпр, Вт
т, ·с
Корпус
1
-60 ... +100
КС510
-
·
'
-
....
'
......
"&. ,--
....
~
g
'
-
15
-
-
-
-
-
-
kC511
--
'~
67
1
1
-
... . ..----
--
\с)
200 (1)
7
~-
""
КС512
-60 ... + 100
~
......
- .....
--
"&.,
-
-
~
~
- -
g
/
15
:::;45 (15
мА)
0,25
85
3
КС513
-60 ... +125
18
~
,.--~
-
1
53
1
-60 ... +100
-
мА)
3
31
0,5
-60 ... +100
'1Э. '
10
ее
-·-
~
25 (10)
3
31
0,5
-60 ... +100
11
1
~
'
1
45
1
1-Е ~
10,Ь
ж1ш
-
0,5
-
....
..,.
-
, - --
22
D
КС515А, КС518
-60 ... + 100
"&.
3
t
~j
...... '\
210 (3)
-Е~
r-- .......
KC515f-2
-
200 (1)
·Н·
'1Э.
~
--
,......
- -'\
-5
-
g
-
15
КС520
-55 ... +100
-·- -
r---
~
'\
е-е.-
ее
5
~
~.-.
- -
'1Э.
.__
'
.....:-
,...,
КС515А
6-Е
:::;25 (1 О
--~
1.А
200 (1)
-
#
-Е'"
.._ .......
4
Раздел
346
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/"С
бUст, о/о
Iст, мА
мин.
пом.
макс.
19
20
21
-
±0,01
±1
КС522А
17,9
22
24,2
5
0,1
± 1,5
KC524f
22,8
24
25,2
10
±0,005
KC5Z-4f-2
23
24
25
-
±0,005
±0,5
КС527А
22
27
29,7
5
0,1
± 1,5
КС528А
10,4
11,4
12,4
13,8
15,3
16,8
18,8
20,8
22,8
25,1
28,5
30,4
34,2
37
40,9
44,7
48,5
53,2
58,9
64,6
-
11,6
12,7
14, l
15,6
17, 1
19, 1
21,2
23,3
25,6
28,9
31,5
34,6
37,8
41
45,l
49,3
53,5
58,8
65,4
71,4
-
КС520В-2
КС528Б
КС528В
KC528f
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
КС530А
КС530А-1
28
27
-
-
-
-
-
30
30
31
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
0,1
<
-
-
-
-
-
±1,5
± 1,5
4. Диоды
Urrp, В
Irrp, мА)
(при
-
1 (50)
-
-
1 (50)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
Сет, Ом
(при Iст, мА)
120 (5)
мин.
макс.
3
22
347
Рпр, Вт
т, ·с
Корпус
0,5
-55".+100
КС520В-2
10,Ь
t
~j ~
i
200 (1)
1
37
КС522
-60".+ 100
15
:::;40 (10 мА)
3
19
0,5
KC524f
-60".+ 100
1
1
40 (10)
3
9
0,5
--
KC524f-2
-60".+100
10,Ь
t
' Jф l
~+
J
i
D
200 (1)
30
КС527
-60".+ 100
......
'&., - -
-
i.....=-- ~
~.
- g - 15
20
20
25
30
40
55
55
60
(5 мА)
(5 мА)
(5 мА)
(5 мА)
(5 мА)
(5 мА)
(5 мА)
80 (5
80 (5
мА)
мА)
120 (5 мА)
120 (2,5 мА)
120 (2,5 мА)
120 (2,5 мА)
120 (2,5 мА)
120 (2,5 мА)
120 (2,5 мА)
140 (2,5 мА)
140 (2,5 мА)
180 (2,5 мА)
45 (5)
45 (5)
КС528
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
(5 мА)
27
27
4
4
-60".+ 125
-60".+125
КС530
~-i----------- 5,2_
Раздел
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/"С
3Uст, %
4. Диодь1
Uлр, В
(при Iпр, мА)
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
29,45
31
32,55
10
±0,005
-
-
29
31
33
-
±0,005
±1
-"",
КС533А
29,7
33
36,3
0,1
-
1 (50)
КС535А
-
9
-
-
-
-2 мВ
±0,5 мВ
+2 мВ
+4 мВ
-
16
23
32
-
КС535Г
7
14
1g.
28
КС536А-1
34
36
38
-
0,1
КС539Г
37
39
41
10
КС531В
КС531В-2
-
КС535Б
КС535В
-
10
±0,005
-
± 1,5
-
-
-
-
/
.
КС539Г-2
КС547В
37
39
41
3
±0,005
±0,5
-
44,65
47
49,35
5
±0,001
-
-
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
350 (3)
мин.
макс.
3
15
349
Рпр 1 Вт
т, ·с
Корпус
0,5
-50 ... + 100
КС531
--- ~
-Е3-Е
'\
ее·
-
1
15
0,5
~~
r- Ь'
~
КС531В-2
-60 ... + 100
11,8
10,!J
'
17
3
мВт
640
v
~
j
~
100 (3)
...
....... .......
"
~
90 (5)
~
....&.
i
Ш'Н
D
КС533
-40 ... + 125
gвt
-
-
0,1
0,1
0,1
0,1
.
50
30
20
15
-
-
-
КС535
~5,2 -
-
!
1
С"8
l.t)'
i
1.
~u1~
К А1А2
50 (5)
1
23
1
КС536А-1
-60 ... +125
r-..
--
--
сЧ'
'&.
_5,2
~65 (10 мА)
3
17
0,72
-60 ... +100
KC539f
-
,.._--
-
rf
1
-еэе
~
'&.
-
~
~
65 (10)
3
17
0,72
KC539f-2
-60 ... +100
10.Ь
~
'
-
,~
i
Ж'j
--
490 (3)
3
10
0,5
t
D
КС547
-50 ... +100
-ее
-
-
....
5
- -..-
'9.
1
~
...
~
...
~
=""
е
~
Раздел
350
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/•с
3Uст,
%
Iст, мА
мин.
ном.
макс.
КС547В-2
45
47
49
-
±0,01
±1
КС551А
48
51
54
1,5
±0,12
± 1,5
КС568В
64,6
68
71,4
5
±0,001
-
4. Диоды
Uпр, В
(при Iпр, мА)
-
1 (50)
-
'
'
-
±0,001
±1
-
41
10
0,005
-
-
86
-
±0,001
±0,5
-
96
1,5
±0,12
± 1,5
100,8
5
±0,001
КС568В-2
65
68
71
KC582f
37
39
KC582f-2
78
82
86
91
.
КС591А
1 (50)
'
КС596В
,.
91,2
96
-
-
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
Сет, Ом
(при Iст, мА)
280 (5)
мин.
макс.
3
10
351
Рпр, Вт
т, ·с
Корпус
0,5
-60 ... + 100
КС547В-2
-
10,!J
t
D
200 (1,5)
14,6
КС551
-60 ... +125
g
700 (3)
3
10
0,72
15
КС568
-50 ... +100
-400 (5)
3
10
0,72
,
КС568В-2
-60 ... +100
10,!J
t
D
480 (10)
3
8
0,428
КС582
-60 ... +100
-еэе- ·~
~~z"
3
8
0,72
±
i
-+----+- ;!
480 (5)
rt
KC582f-2
-60 ... +100
-
to,!J
t
~·,, ~
i
D
400 (1,5)
8,8
-60 ... + 125
КС591
g
15
980 (3)
3
7
0,72
-50 ... +100
КС596
352
Раздел
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/•с
бUст,
%
Iст, мА
4. Диодь1
Unp, В
Inp, мА)
(при
мин.
ном.
макс.
КС596В-2
91
96
101
-
±0,01
±1
-
КС600А
95
100
105
1,5
±0,12
±1,5
1 (50)
102
120
138
50
0,1
',
КС620А
-
1,5 (500)
/
КС630А
110,5
130
149,5
50
0,2
-
1,5 (500)
КС650А
127,5
150
172,5
25
0,2
-
1,5 (500)
КС680А
153
180
207
25
0,2
-
1,5 (500)
Параметрь1 стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
560 (5)
мин.
макс.
3·
7
353
Рпр, Вт
т, ·с
Корпус
0,72
-60 ... + 100
КС596В-2
- 10,!J
~
450 (1,5)
1
8,1
1
t
~i
'
''
ж1w
D
КС600
-60".+125
,...,,
'&.
-
-
·--
__,....
.....
~
-
g
-
150 (50)
5
"' 5
42
15
--
КС620
-60".+125
37
--
-
~
-
'&.
г;:
-
lll.t
CI~
.
180 (50)
5
38
5
F}.
t:f" ~
~
.... '~
КС630
-60 ... +125
37
~
- -
-
'&.
.r.:;11~ ~
~IШ4
t:t
~
\
""-1•
270 (50)
2,5
33
'
5
КС650
-60."+125
37
~
- -
.r.::;11Г!.
-
~ll_gt
'&.
R=
t:t -~ '
.... 'r
330 (50)
2,5
28
5
КС680
-60".+125
37
-~
'&.
'-
-
г.::;11~
~IШ4
R=
l:t
-з:
\
,
Раздел
354
Раздел
5.
5.
Тиристорь1
Тиристоры
Буквенные обозначения параметров тиристоров
Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми
состояниями, имеющими три или более p-n переходов, объединяются под общим названием тиристоры.
5.1.
Тиристоры работают как ключи в импульсных режимах с токами, значительно превышающими
допустимые
постоянные
токи
в
открытом
состоянии.
Предназначены для
применения
в
схемах
преобразователей электрической энергии, импульсных модуляторов, бесконтактной регулирующей
аппаратуры, избирательных и импульсных усилителей, генераторов гармонических колебаний, инвер
торов и других схем, выполняющих коммутационные функции.
В зависимости от вида вольт-амперной характеристики (ВАХ) и способа управления они подраз
деляются на подклассы:
• диодные тиристоры (динисторы) имеют два вывода: анод и катод (у них отсутствует
управляющий электрод) и переходят в проводящее состояние, когда приложенное прямое
напряжение достигает определенного значения (напряжения переключения); к динисторам
•
относится кн 102;
симметричные диодные тиристоры (диаки) имеют приблизительно одинаковые характе
ристики на положительной и отрицательной ветвях вольт-амперной характеристики;
•
триодные
тиристоры
( тринисторы)
имеют три
вывода:
анод,
I<атод и
управляющий
электрод; не проводят в обратном на.правлении, включаются с помощью тока управления в цепи
управляющего
электрода,
а
выключаются
путем
уменьшения
или
прерывания
протекающего
через них тока. После включения тиристора ток управления можно сделать равным нулю и
благодаря внутренней положительной обратной связи прибор останется в режиме насыщения.
В этом состоит принципиальное различие между приборами с
рами;
у
последних открытое
состояние
сохраняется лишь
структурами и транзисто
p'-n-p-n
при
наличии
тока
питания
в
цепи
базы. Действие управляющего электрода проявляется лишь в момент включения тринистора, а
закрыть его ИЛ!i изменить ток через открытый прибор, изменяя ток управления, невозможно.
Только специальные, так называемые запираемые тиристоры открываются положительным,
закрываются отрицательным сигналами на управляющем электроде. К запираемым относятся
•
тиристоры КУ102, КУ204 (остальные приведенные типы незапираемые);
симметричные триодные тиристоры ( триаки или симисторы) имеют приблизительно
одинаковые переключательные характеристики на положительной и отрицательной ветвях
вольт-амперной характеристики и проводят ток в обоих направлениях, т.е. могут быть переклю
чены из закрытого состояния в открытое и наоборот при любой полярности напряжения на
основных электродах (переключение при подаче сигнала управления на управляющий электрод,
а выключение - путем изменения полярности напряжения на основных электродах). Таким
образом,
симистор
направлений,
т.е.
может
имеет
управляться током
четыре
режима
как положительного,
включения.
Однако
так
и
отрицательного
целесообразно
использовать
симистор в трех режимах (при включении положительным сигналом управления при прямой
полярности
напряжения
на
основных
электродах;
отрицательным
сигналом
управления
при
прямой полярности напряжения и отрицательным сигналом управления при обратной полярно
сти напряжения), так как в четвертом режиме при управлении положительным сигналом при
обратной полярности напряжения требуется ток, значительно больший, чем в указанных трех
режимах. К симисторам относятся КУ208, КУ601 и КУ61 О.
К основным пар~метрам тиристоров, устанавливаемым ГОСТ
предельно допустимых
режимов
в
закрытом
состоянии,
в
20332-84,
обратном
относятся параметры
непроводящем
состоянии,
в
открытом состоянии и по цепи управления, а также динамические и тепловые параметры:
•
постоянное напряжение в закрытом состоянии Uзс -
наибольшее прямое напряжение, которое
может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии;
•
импульсное
неповторяющееся
напряжение
в
закрытом
состоянии
Uзс, нп
-
наибольшее
мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на аноде, не вызывающее его
переключение из закрытого состояния в открытое;
Буквенные обозначения параметров тиристоров
•
постоянное
обратное
напряжение
Uобр -
355
наибольшее
напряжение,
которое
может
быть
приложено к прибору в обратном направлении;
•
обратное напряжение пробоя Uпроб -
обратное напряжение прибора, при котором обратный
ток достигает заданного значения;
•
напряжение переключения Uпрк -
•
(перегиба вольт-амперной характеристики);
напряжение в открытом состоянии Uoc -
прямое напряжение, соответствующее точке переключения
падение напряжения на тиристоре в открытом
состоянии;
•
импульсное напряжение в открытом состоянии Uoc, и -
наибольшее мгновенное значение
напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии
заданного значения;
•
импульсное
отпирающее
напряжение Uот, и
наименьшая
-
амплитуда
импульса
прямого
напряжения, обеспечивающая переключение (динистора, тиристора) из закрытого состояния в
открытое;
•
постоянное отпирающее напряжение управления Uy, от -
напряжение между управляющим
электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управле
ния;
•
импульсное
отпирающее
напряжение
управления
Uy, от, и -
импульсное
напряжение на
управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления;
•
неотпирающее постоянное напряжение управления
Uy, нот -
наибольшее постоянное напряже
ние на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния
в открытое;
•
повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии Uзс,п значение
напряжения
в
закрытом
состоянии,
прикладываемого
наибольшее мгновенное
к тиристору,
включая только
повторя_ющиеся переходные напряжения;
•
повторяющееся импульсное напряжение Uобр, п -
наибольшее мгновенное значение обратного
напряжения, прикладываемого к тиристору, включая то~ько повторяющиеся переходные напря
жения;
•
запирающее постоянное напряжение управления
Uy, з -
постоянное напряжение управления
тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления;
•
запирающее импульсное напряжение управления
Uy, з, и -
импульсное напряжение управления
тиристора, соответствующее запирающему току управления;
•
незапирающее постоянное напряжение
Uy, нз -
наибольшее постоянное напряжение управле
ния, не вызывающее выключение тиристора;
•
пороговое напряжение Unop чения линии
значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересе
прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью
напряжения;
•
постоянный ток в закрытом состоянии Iзс -
ток в закрытом состоянии при определенном
прямом напряжении;
•
средний ток в открытом состоянии Ioc, ер -
среднее 3а период значение тока в открытом
состоянии;
•
постоянный обратный ток lобр -
обратный анодный ток при определенном значении обратного
напряжения;
• ток переключения Iпрк
только для динисторов);
•
повторяющийся
ток через тиристор в момент переключения (Uпрк и Iпрк указываются
импульсный ток
в
открытом
состоянии
Ioc, п -
наибольшее
мгновенное
значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи;
•
ударный
ток
в
открытом
состоянии Ioc, удр
-
наибольший
импульсный ток
в открытом
состоянии, протекание которого вызывает превышение допустимой температуры перехода, но
воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается с ограниченным числом
повторений;
•
•
постоянный ток в открытом состоянии Ioc -
повторяющийся импульсный ток в
наибольшее значение тока в открытом состоянии;
открытом состоянии Ioc, п -
наибольшее
мгновенное
значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи;
•
повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии Iзс, п -
импульсный ток в закрытом
состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии;
Раздел
356
•
повторяющийся импульсный обратный ток lобр, п
5.
Тиристорь1
обратный ток, обусловленный повторяю
-
щимся импульсным обратным напряжением;
•
отпирающий постоянный ток управления Iy, от
•
необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое);
отпирающий ток управления Iy, от, и наименьший импульсный ток управления, необходимый
наименьший постоянный ток управления,
для включения тиристора;
•
запирающий импульсный ток управления Iy, з, и -
наибольший импульсный ток управления, не
вызывающий включение тиристора;
•
ток удержания lуд -
наименьший прямой ток тиристора, необходимый для поддержания
тиристора в открытом состоянии;
•
ток включения тиристора Iвкл
-
наименьший основной ток, необходимый для поддержания
тиристора в открытом состоянии после окончания импульса тока управления после переключе
ния тиристора из закрытого состояния в открытое;
•
запираемый ток тиристора Iз
наибольшее значение основного тока, при котором обеспечи
-
вается запирание тиристора по управляющему электроду;
•
средняя рассеиваемая мощность Рср -
сумма всех средних мощностей, рассе'иваемых тиристо
ром;
•
время включения тиристора
включается
отпирающим
ty,
вкл, tз, вкл
током
-
управления
интервал времени, в течение которого тиристор
или
переключается
из
закрытого
состояния
в
открытое импульсным отпирающим током;
•
время нарастания
понижается
до
ty, пнр,
tнр
заданного
-
интервал времени между моментом, когда основное напряжение
значения,
и
моментом,
когда
оно
достигает
заданного
низкого
значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импуль
сным отпирающим напряжением;
•
время выключения tвыкл
-
н~именьший интервал времени между моментом, когда основной ток
тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в
который определенное основное н~пряжение проходит через нулевое значение без переключе
ния тиристора;
• критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (dUзc/ dt)кp - наибольшее
значение
скорости
нарастания
напряжения
в
закрытом
состоянии,
которое
не
вызывает
переключение тиристора из закрытого состояния в открытое;
• критическая~ скорость нарастания коммутационного напряжения (dUзc/ dt)ком -
наибольшее
\
значение скорости нарастания основного напряжения, которо_е после нагрузки током в откры-
том
состоянии
или
обратном
проводящем
состоянии
в
противоположном
вызывает переключение тиристора -из закрытого состояния в открытое.
направлении
не
Раздел
358
5.2.. Параметры
прибора
КУ101А
КУ101Б
KY101f
КУ101Е
КУ102А
КУ102Б
КУ102В
KY102f
КУ103А
КУ103В
КУ104А
КУ104Б
КУ104В
KY104f
КУ105А
КУ105Б
КУ105В
KY105f
КУ105Д
КУ105Е
КУ108В
КУ108Ж
КУ108М
КУ108Н
КУ108С
КУ108Т
КУ108Ф
КУ108Ц
.
*
Uобр,
Тиристоры
тиристоров
Uобр,п,
Тип
5.
max,
Uзс,п,
*
Uзс,
max,
loc, и,
А
loc, ер,
*
loc,
Пt
Uoc, и,
*
Uoc,
Uy,
Iзс, Пt
HOTt
в
foop,
Пt
*
Iзс,
*
lобр,
мА
мА
:S0,15*
:S0,15*
:S0,15*
:S0,15*
:S0,15*
:S0,15*
:SO, 15*
:S0,15*
-
А
в
1
1
1
1
0,075
0,075
0,075
0,075
:S2,5*
:S2,5*
:S2,5*
:S2,5*
50*
100*
150*
200*
5
5
5
5
0,05*
0,05*
0,05*
0,05*
:S2,5*
:S2,5*
:S2,5*
:S2,5*
~О.2
~.2
~.2
:SO, 1*
:SO, 1*
:SO, 1*
:SO, 1*
-
150*
150*
-
-
0,001
0,001
:S3
·:S3
0,001
0,001
:SO;t 5*
:SO, 15*
6*
6*
6*
6*
15*
30*
60*
100*
3
3
3
3
0,1
0,1
0,1
0,1
:S2*
:S2*
:S2*
:S2*
~1 *
:S0,5
:S0,5
:S0,5
:S0,5
-
30*
15*
5*
5*
30*
15*
30*
15*
30*
15*
30*
15*
2
2
2
2
2
2
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
:Sl '1 *
:Sl '1 *
:Sl '1 *
:Sl' 1*
:Sl '1 *
:Sl,l*
~О.1
:S0,001
:S0,001
:S0,001
:S0,001
:S0,001
:S0,001
:S0,003
:S0,003
:S0,003
:S0,003
:S0,003
:S0,003
500
500
400
400
400
400
300
300
1000
1000
800
150
150
150
150
150
150
150
150
-
:S4*
:S4*
:S4*
:S4*
:S4*
:S4*
:S4*
:S4*
~О.1
:S2,5
:S2,5
:S2,5
:S2,5
:S2,5
s2,5
:S2,5
:S2,5
:S0,3
:S0,3
:S0,3
:S0,3
:S0,3
:S0,3
:S0,3
:S0,3
в
в
10*
50*
80*
150*
50*
50*
80*
150*
5*
5*
5*
5*
809
800
800
800
800
-
-
-
-
~.2
*
~1 *
~1 *
~1
~0.1
~О.1
~.1
~О.1
~О.1
~О.1
~.1
~О.1
~О.1
~.1
~О.1
~.1
-
1*
1*
-
-
Параметрь1 тиристоров
ly,
от,
от,
Uy,
• 1
lу,з,и
•
Uу,от,и,
мА
в
:Sl2
:Sl2
:Sl 2
:Sl2
1,5".8
1,5".8
1,5".8
1,5".8
359
dUзc/dt,
В/мкс
f вкл,
fвыкл,
мкс
мкс
100
100
100
100
2
2
2
2
35
35
35
35
Корпус
КУ101
~
О::!
11 1
к
7*
7*
7*
7*
(12)
(12)
(12)
(12)
200
200
200
200
А
'/69,5
'
~
fiJ8,5 -
1.4')
'
CC::i'
~
r...
0,4".2
0,4".2
-
-
-н
'""
~
'
-УЗ
-
-
~~
~~~
'tA
j
"")
40
40
~ .2)
КУ102
20
20
20
20
5
5
5
5
А-
lvз
1
'
20
20
20
20
~\
(~
...!...
~
l
-
20*
20*
20*
20*
f!B -
~
КУ103
-
ев
~
~
О::!
•
(
)
1
1
к
~
~ .2)
11
1 !/З
:
$
А
'
:Sl 5
:Sl 5
:Sl 5
:Sl 5
:S2*
:S2*
:S2*
:S2*
10
10
10
10
0,29
0,29
0,29
0,29
-
КУ104
2,5
2,5
2,5
2,5
~9,5
~
fiJ8,5 -
1.4')
'
CC::i'
~
'
:S2*
:S2*
:S2*
:S2*
:S2*
:S2*
~10
~10
~10
~10
~10
~10
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
-
-
20
20
20
20
20
20
20
20
35
100
35
35
100
100
,.\. 35
100
'
-
c:::i"
li А~ н .
11
'
HJ lvк
-
-
~~
!
•::s
::s
1,J
<?
/~ ~
т
~
1
'1
КУ108
lt2
,,
~
"
'/
--r·~
~
!JЭ
А
rJ 17 1
QjJ
--
-
ftj.~
~!#
-~
'
~
-~
11
~О,05
-
-
-из
r--.
1
':::)j (')
:S25*
:S25*
:S25*
:S25*
:S25*
:S25*
:S25*
:S25*
r... -н
'
КУ105
~~
~~ .........
-
~~
~~~
ltA
"")
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
-
1
•
-
Раздел
360
5.
Тиристорь1
-
Тип
прибора
Uобр,п,
Uзс,п,
* max,
Uобр.
Uзс, max,
в
в
50
50
50
50
700
750
700
600
КУ109А
КУ109Б
КУ109В
КУ109Г
•
loc, Иt
12
12
12
12
fобр, Пt
Iзс,
lобр,
мА
мА
Uoc, и,
loc, Пt
Uoc,
А
в
1
1
1
1
:S3,5*
:S3,5*
:S3,5*
:S3,5*
-
:S0,3
:S0,3
:S0,3
:S0,3
-
0,3
0,3
0,3
:Sl ,9
:S2,3
:S2
0,6
0,6
0,6
:S0,075
:S0,075
:S0,075
-
~О.2
:S0,5*
:S0,5*
:S0,5*
:S0,5*
•
А
lзс, Пt
loc, ер,
•
Uy,
•
•
HOTt
в
~
КУНОА
10*
10*
10*
КУН ОБ
КУНОВ
300
'200
100
о,6
0,6
0,6
-
-
-
;
КУН1А
КУН1Б
КУНЗВ
100*
100*
400*
200*
15
15
0,3*
0,3*
:S5
:S5
-
300*
200*
100
100
-
:S4
:S4
-
:SO, l
:SO, l
-
-
:Sl,7*
:Sl '7*
:Sl,7*
-
:S0,02
:S0,02
:S0,02
:S0, 12
:SO, 12
:S0, 12
-
:Sl '7*
:Sl '7*
:Sl '7*
-
:S0,02
:S0,02
:S0,02
:SO, 12
:S0,12
:SO, 12
-
:Sl '7*
:Sl '7*
:Sl '7*
-
:S0,02
:S0,02
:S0,02
-
-
КУНЗГ
КУ120А
6".10
12 ... 16
18 ... 20
КУ120Б
КУ120В
КУ120А-5
6 ... 10
12 ... 16
18 ... 20
КУ120Б-5
КУ120В-5
КУ121А
12
18
20
КУ121Б
КУ121В
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
~О.2
-
-
1
'
KY20lA
КУ201Б
КУ201В
КУ201Г
КУ201Д
КУ201Е
ку2·о~ж
КУ201И
КУ201К
КУ201Л
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
-
-
-
-
-
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
-
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*
:S5*1
:S5*
361
Параметрь1 тиристоров
fy, OTt
Uy,
OTt
•
fy,З,Ht
•
Uу,от,н,
мА
в
SlOO
SlOO
slOO
SlOO
S3;S7*
S3; S7*
S3; ~7*
S3; S7*
dUзc/dt,
tвкл,
tвыкл,
В/мкс
мкс
мкс
Корпус
КУ109
6
4
8
~12.5
1
l
r
1
1
S0,3
S0,3
S0,3
0,3 ... 0,6; 7*
0,3".0,6; 7*
0,3".0,6; 7*
$100*
SlOO*
Sl
Sl
Sl
7*
7*
50
50
КУ110
S40
S40
S40
r;JВ,S
S20
S20
50
50
31,1/
КУ111, КУ113
_r;JВ,S -
20
20
КУ120
КУ120-5
1,2
0,4
~шт
S0,12
S0,12
S0,12
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
КУ121
S6
S6
S6
S6
S6
S6
S6
S6
S6
S6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
SlO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
slOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
SlOO
КУ201
к-1
Y?r11
l
1
11 11
1
'
11 11
,L.....,
1
Мб_
IA
tq
~
,,
Раздел
362
Тип
прибора
КУ202А
КУ202Б
КУ202В
KY202f
КУ202Д
КУ202Е
КУ2-02Ж
КУ202И
КУ202К
КУ202Л
КУ202М
КУ202Н
КУ203А
КУ203Б
КУ203В
KY203f
КУ203Д
КУ203Е
КУ203Ж
КУ203И
КУ204А
КУ204Б
КУ204В
Uобр,п,
* max,
Uобр,
в
-
Uзс,п,
*
Uзс,
max,
в
loc, и,
А
loc, ер,
* п,
loc,
Uoc, и,
*
Uoc,
А
в
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
Sl,5*
Sl,5*
Sl,5*
Sl,5*
Sl ,5*
Sl,5*
Sl,5*
Sl,5*
Sl,5*
Sl ,5*
Sl,5*
Sl,5*
~О.2
~.1
25*
25*
50*
50*
100*
100*
200*
200*
300*
300*
400*
400*
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
50
100
150
200
50
100
150
200
50
100
150
200
100
100
100
100
100
100 '
100
100
5
5
5
5
5
5
5
5
S2
S2
S2
S2
S2
S2
S2
S2
-
50
100
200
12
12
12
-
S3
S3
s3
25*
50*
100*
200*
300*
400*
-
Uy, нот,
в
~О.2
~.2
~.2
~О.2
~.2
~.2
~.2
~О.2
~.2
~О.2
~О.2
~.1
~.1
~.1
~О.1
~.1
~0.1
~0.1
~О.15
~О.15
~.15
5.
Тиристоры
Iзс, п,
lобр, п,
Iзс,
*
lобр,
•
мА
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
.
мА
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
S4*
slO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
SlO*
::;10*
SlO*
S5
s5
S5
-
-
КУ208А
КУ208Б
КУ208В
KY208f
КУ210А
КУ210Б
КУ210В
100*
200*
300*
400*
100*
200*
300*
400*
10
10
10
10
5*
5*
5*
5*
S2*
S2*
S2*
S2*
-
S5*
s5*
S5*
S5*
-
600
500
400
600
500
400
2000
2000
2000
20*
20*
20*
Sl,8*
Sl,8*
Sl,8*
-
Sl,5
Sl,5
Sl,5
Sl,5
Sl,5
Sl,5
363
Параметры тиристоров
ly,
от,
Uy,
от,
*
lу,з,и,
*
Uу,от,и,
мА
в
~200
~7
~00
~7
~200
~7
~00
57
~200
~7
~200
57
!'.7
~200
~200
~7
~00
~7
~200
~7
~200
57
5200
~7
~450
~.5;
~450
~2.5;
~450
~2.5;
5450
~2.5;
~450
~2.5;
5450
~2.5;
~450
~2.5;
~450
~.5;
dUзc/dt,
tвкл,
tвыкл,
В/мкс
мкс
мкс
~10
~100
~10
~100
510
~100
~10
~100
~lo
~100
~10
~100
~lo
~100
~10
~100
~10
~100
~10
~100
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
5150
~10
~100
~10
~100
~20
~3
~7
~20
53
~7
~20
~3
~7
~20
~3
~7
~20
~3
~7
~20
~3
.~7
~20
~3
~7
~20
~3
~7
Корпус
КУ202
~ ~
~
N'
.......
КУ203
r/J22,6
~
~
N
ФJ2
20
20
20
~150
~150
~160*
~5*
~160*
55*
~160*
~5*
~160*
~5*
10
10
10
10
КУ204
~10
~150
~10
~150
~lo
~150
510
5150
КУ208
~ ~
~
N'
.......
~150
~150
5150
50
50
50
~150
~150
~150
КУ210
Раздел
364
Тип
прибора
КУ211А
КУ211Б
КУ211В
KY211f
КУ211Д
КУ211Е
КУ211Ж
КУ211И
КУ215А
КУ215Б
КУ215В
Uобр,п,
*
Uобр,
max,
Uзс,п, ·
* max,
Uзс,
loc, и,
А
loc, ер,
Uoc, и,
* п,
loc,
*
Uoc,
А
в
В,
в
800*
800*
700*
700*
600*
600*
500*
500*
800*
800*
700*
700*
600*
600*
500*
500*
200
200
200
200
200
200
200
200
20
20
20
20
20
20
20
20
500
400
300
1000
800
600
250
250
250
5*
5*
5*
КУ216Б
КУ216В
КУ218А
КУ218Б
КУ218В
KY218f
КУ218Д
КУ218Е
КУ218Ж
КУ218И
КУ219А
КУ219Б
КУ219В
в
Iзс, п,
lобр, п,
*
Iзс,
l~p,
мА
мА
~3
-
~3
-
~2*
~2*
~3
-
~2*
~2*
~2*
~2*
-
~2*
~2*
~1.5
~1.5
~1.5
~1.5
~3*
0,1
0,1
0,1
~1.5
~1.5
-
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
~3
53
-~3
~3
~3
~3*
~3*
~2*
~2*
52*
~2*
~2*
~2*
~2*
~2*
-
-
КУ216А
Uy, нот,
5. Тиристоры
400
400
300
800
800
600
100
100
100
5*
5*
5*
2
2
2
2000
2000
1800
900
1600
800
1400
700
2000
2000
1800
1800
1600
1600
1400
1400
100
100
100
100
100
100
100
100
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
20*
~3.5*
О, 1
~1.5
~1.5
~3.5*
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
~1.5
~1.5
~1.5
~1.5
~1.5
~1.5
~1.5
~1.5
~l
,5
~l ,5
~1.5
~1.5
~1.5
1200
1000
800
1200
1000
800
1200
1200
1200
20*
20*
20*
~2*
0,2
0,2
0,2
~1.5
~1.5
~1.5
~l
~1.5
~1.5
-
~О.5
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~2*
~2*
~l
,5
,5
-
,_
КУ220А
КУ220Б
КУ220В
KY220f
КУ220Д
-
1000
1000
1000
800
800
100
100
100
100
100
4
4
4
4
4
~1.5*
-
~1.5*
-
~О.5
-
~1.5*
-
~О.5
.-
~1.5*
_,_
~О.5
-
~О.5
-
~l
,5*
Параме_тры тиристоров
ly, от,
Uy, от,
lу,з,и,
Uу,от,и,
мА
в
•
•
:S600
:S600
:S600
:S600
:S600
:S600
:S600
:S600
365
dUзc/dt,
В/мкс
tвкл,
tвыкл,
мкс
мкс
200
200
200
200
200
200
200
200
120
60
120
60
120
60
120
50
50
50
:Sl50
:Sl50
Sl50
Корпус
КУ211
60
51/
к
--
..:·
-.
А
,J
~~j~,/
КУ215
~
~.
1 1 1
.
1-
20*
20*
20*
50
50
50
1
11
32
20
80
80
?l-+FY,
.
\~
""'"'
1
-
20
КУ216
_"-.,.....,_l.............
...
~j
l J
::;;500
:S500
:S500
:S500
:S500
:S500
:S7
:S7
:S7
:S7
:S7
:S7
:S7
:S7
::;;120
::;;120
:Sl20
:Sl20
::;;120
::;;120
::;;120
::;;120
S250
::;;250
:S250
S250
:S250
S250
:S250
:S250
КУ218
:S40*
:S40*
:S40*
200
50
50
:SlOO
:Sl50
S200
КУ219
:S40*
:S40*
:S40*
:S40*
:S40*
100
100
100
100
100
:S0,2
~.2
S0,3
::;;о,з
~.з
::;;50
::;;50
::;;75
:S75
::;;75
51/
51/
КУ220
.
,__
А·
.
~
...
т1
~
:S500
:S500
}}),
~=
--
Раздел
366
Тип
прибора
КУ221А
КУ221Б
КУ221В
KY221f
КУ221Д
Uобр,п,
*
Uобр,
max,
Uзс,п,
*
Uзс,
в
в
50
50
50
50
50
700
750
700
600
500
Тиристоры
Iзс, п,
lобр, п,
*
Iзс,
*
lобр,
мА
мА
loc, ер,
* п,
loc,
Uoc, и,
*
Uoc,
А
в
100
100
100
100
100
3,2
3,2
3,2
3,2
3,2
::;;3,5
::;;3,5
::;;3,5
::;;3,5
::;;3,5
-10
30
30
10
10
::;;о,3
-
~.15
10
10
::;;3,5*
::;;3,5*
::;;3,5*
::;;3,5*
::;;3,5*
::;;3,5*
~.15
::;;1,5.
::;;1,5
::;;1,5
::;;1,5
::;;20*
~.15
~О*
-
::;;15
-
::;;О,3*
-
-
-
::;;2
::;;2
::;;2
::;;2
-
loc, и,
max,
5.
А
Uy, нот,
в
::;;о,3
::;;О,3
::;;о,3
::;;О,3
-
'
КУ222Е
-
2000
1600'
2000
1600
1200
1200
400
400
400
400
-
КУ224А
50
400
150
-
КУ228А1
-
КУ228Б1
100
КУ228В1
-
30
30
30
30
30
30
30
30
10
10
10
10
400
100
100
200
200
300
300
400
400
-
400*
400*
250
250
-
-
400*
400*
400*
100
100
100
-
КУ222А
КУ222Б
КУ222В
KY222f
КУ222Д
KY228f1
КУ228Д1
КУ228Е1
КУ228Ж1
КУ228И1
КУ239А
КУ239Б
КУ240А
КУ240Б
КУ240В
200
-
300
-
-
-
-
10
-
10
10
10
.
-
~О.15
~.15
~.15
-
.
~
~
::;;2
-
~
::;;20
::;;20
-
::;;О,2
::;;2,5
::;;2,5
::;;2,5
-
::;;о,3
-
::;;о,3
-
::;;О,2
::;;О,3
-
-
-
-
Параметрь1 тиристоров
ly, от,
•
Uy, от,
lу,з,и,
•
Uу,от,и,
мА
в
sl50
sl50
sl50
s150
sl50
s7*
s7*
s7*
s7*
s7*
367
dUзc/dt,
В/мкс
tвкл,
tвыкл,
MKt:
мкс
500
200
Корпус
slO
slO
slO
s20
s20
200
200
200
КУ221
rJ12.5
1
r
1
1 1
31,1/
1
s50*
s50*
s50*
s50*
s50*
s50*
200
200
200
200
200
200
170
300
170
sl25
sl25
300
~250
170
300
~250
КУ222
51/
~250
~250
У3. .
1
'
-slOO
s3
50
КУ224
~10
_rJ12,5_
1
.l
r
1
31,1(
.s40
20
20
20
20
20
20
20
20
50
50
КУ228
~о
10,85
s40
~tJ
~40
s40
~40
s40
10
100
~U 'W
1
'К А УЗ
КУ239
10,85
-
L
~U 'f
1
К А УЗ
200
200
200
25
25
25
l/.lt
/~~
_.__,
1
0,5 ... 1,4
0,5".2,2
0,5".2,2
.
~40
КУ240
Раздел
368
Тип
прибора
Uобр,п,
*
Uобр.
max,
в
Uзс,п,
*
Uзс.
max,
в
loc, и,
А
5.
Тиристоры
loc, ер,
* п,
loc,
Uoc, и,
*
Uoc,
А
в
1
~1.4*
-
~О.05*
-
~1.6*
-
~О.05*
-
-
-
±0,12
±0,12
±0,12
-
-
Uy. нот,
в
Iзс. п1
lобр, п,
*
Iзс,
*
lобр,
мА
мА
!
КУ501А
-
400*
-
КУ502А
-
400*
-
О,
±(6 ... 10)
±(12 ... 16)
±(18".24)
-
-
~1.7
-
-
100*
200*
300*
400*
100*
200*
300*
400*
~2*
-
5*
5*
5*
5*
~2*
-
КУ606А
-
700*
-
2
2*
-
~о.3
-
КУ610А
-
700
400
-
2,90
6
6;
6
-
~5
КУ610В
90
90
90
~2*
КУ610Б
-
КУ701А
-
800*
800*
800*
800*
600*
600*
600*
600*
-
20
20
20
20
20
20
20
20
-
~6
2000
2000
1600
1600
l200
1200
-
-
20
20
20
20
20
20
~3.5*
КУ702Е
-
КУ706А
-
-
-
40
40
40
~З*
КУ706Б
1600
1200
1000
КУ503А
КУ503Б
КУ503В
КУ601А
КУ601Б
КУ601В
KY601f
КУ701Б
КУ701В
KY701f
КУ701Д
КУ701Е
КУ701Ж
КУ701И
КУ702А
КУ702Б
КУ702В
KY702f
КУ702Д
КУ706В
-
-
-
-
1
~1.7
~1.7
~2*
~2*
~2*
~2*
~3*
~2*
-
~3*
-
~2*
~3*
-
~2*
~3*
~2*
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~3.5*
~3*
~3*
-
~5
~5
~6
~6
~6
~6
~6
-
~6
-
~20
-
~6
~20
~20
~20
~20
~20
~о
~о
~20
-
369
параметры тиристоров
::55
20
КУ501, КУ502
~9,5
-
1
pJB,5 -
::53
20
'
1---А
~
'
::50,02
::50,02
::50,02
'
'""
...
...
r-- /(
r-g,'З
КУ503
~гrn:hd
~or~P~
А1А2 З
::5160*
::5160*
::5160*
::5160*
::550
::550
::550
::510
::510
::5 l о
::510
::5150
::5150
::5150
::5150
::55
::55
::55
::55
10
10
::52
20
КУ606
::52,5
::52,5
::52,5
10
10
10
КУ610
::55
::55
::55
::55
::55
::55
::55
::55
::5100
::5100
lO
10
::5100
::5100
::5100
::5100
::5100
30
60
40
120
30
60
40
120
::57
::57
::57
::57
::57
::57
::5200
::5200
::5200
::5200
::5200
::5200
150
250
150
250
150 '\
250
::540*
::540*
::540*
::5200
::5200
::5200
150
150
150
SlOO
_..
КУ601
КУ701, КУ702 1 КУ706
51/
~1/6
к
УЗ
;:!!:
370
Раздел
Uзc,n,
Ioc, ер,
* n,
loc,
Uoc, и,
*
Uoc,
А
в
13
-
52
-
g),3
-
10
14
20
30
50
10
10
10
10
10
10
10
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
51,5*
:5:1,5*
:5:1,5*
:5:1,5*
:5:1,5*
:5:1,5*
51,5*
2
3
4
8
12
15
g),08*
50,08*
s;0,08*
50,08*
50,08*
s;0,08*
s;0,08*
g),5*
g),5*
50,5*
50,5*
50,5*
50,5*
50,5*
50*
100*
50*
100*
10
10
10
10
2
2
2
2
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
2*
100
100
100
100
100
100
5
5
5
5
5
5
52
::;;2
52
52
52
52
-
520
520
::;;20
520
520
520
520
520
520
-520
520
520
Uoop,n,
* max,
Uобр,
* max,
Uзс,
в
в
КУ901А
-
-
КН102А
10*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
5
Тип
прибора
КН102Б
КН102В
КН102Г
КН102Д
КН102Ж
КН102И
5. Тиристорь1
Ioc, и,
А
7
Uy, нот,
в
6
Iзс, n,
lобр, n,
*
lзс,
I~p,
мА
мА
~
Д235А
Д235Б
Д235В
Д235Г
-
50*
100*
.
.
Д238А
Д238Б
Д238В
Д238Г
д238Д
Д238Е
50
100
150
50
100
150
50
100
150
-
nараметрь1 тиристоров
ly,
от,
Uy,
от,
*
lу,э,и,
*
Uу,от,и,
мА
в
~5
371
dUзc/dt,
В/мкс
tвкл,
tвыкл,
мкс
мкс
Корпус
КУ901
·20
К А !IЭ
~о
20
28
40
56
80
120
150
КН102
~о
~40
~40
~40
~40
~40
~
~
А
250
250
250
250
5*
5*
5*
5*
5
5
5
5
35
35
35
35
Д235
Д238
~150
~8*
~5
-~10
~35
~150
~8*
~5
~10
~5
~150
~8*
~5
~10
~35
~150
~8*
~5
~10
~35
~150
~·
~5
~10
~35
~5
~10
~35
~150
~8*
к
r/J22,6
~
~
ФJ2
Раздел
372
Раздел
6.
6. Оптоэлектронные приборы
Оптоэлектронные приборы
Виды приборов и буквенные обозначения параметров
6.1.
К оптоэлектронным приборам относятся функциональные (электронные) устройства, в которых исполь
зуются два способа обработки и передачи сигналов: оптический и электрический.
Принцип действия оптоэлектронных приборов основан на использовании электромагнитного
излучения в оптическом диапазоне длин волн видимого глазом света в интервале
мкм
(светодиоды)" и в инфракрасной (невидимой) области спектра в диапазоне длин
(ИК-диоды).
мкм
В соответствии с ОСТ
11 339.015-81
0,45 ... 0,68
волн 0,87 ... 0,96
оптоэлектронные приборы имеют следующие условные
обозначения:
Первый элемент
Буква К-· указывает, что прибор широкого применения.
Второй элемент
Буква И
Третий элемент
Вид индикатора оптоэлектронного прибора:
П
Н Л Ж -
-
указывает, что это знакосинтезирующий индикатор.
1
полупроводниковые;
вакуумные накаливаемые;
вакуумные люминесцентные;
жидкокристаллические.
~
Вид отображаемой информации:
Четвертый элемент
Д
Ц
В
-
r,
М
Т
-
единичная;
цифровая;
буквенно-цифровая;
графическая;
мнемоническая;
шкальная.
Пятый элемент
Число, указывающее на порядковый номер разработки.
Шестой элемент
Буква, обозначающая классификацию по параметрам.
Седьмой элемент
Число, указывающее на количественную характеристику информа-
ционного поля (кроме одноразрядных).
Буква, обозначающая цвет свечения для одноцветных: К
Восьмой элемент
-
красный,
Л зеленый, С синий, Ж желтый, Р оранжевый, Г
голубой, М - для многоцветных индикаторов всех видов.
Девятый элемент
-
Цифра, обозначающая модификацию конструктивного исполнения.
Светоизлучающие диоды
-
полупроводниковые приборы с одним переходом, в котором
осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излу
чения,
предназначены для
визуального
представления
и
восприятия
отображаемой
информации.
Наряду с одноцветными излучающими диодами выпускаются диоды с управляемым цветом свечения
от красного до зеленого.
В зависимости от режима работы диодов изменяется результирующее
излучение и соответственно цвет свечения. Цвет светового излучения светодиодов (синий, голубой,
зеленый, желтый, оранжевый, красный) определяется диапазоном длин волн. Максимальная чувстви
тельность глаза находится в диапазоне длин волн
0,55 мкм, что
соответствует з·еленому цвету свечения.
Широкое применение светоизлучающие диоды нашли в качестве элементов индикации включения
и настройки радиоаппаратуры, сигнализации и контроля в системах автоматики и связи, для оператив
ного контроля работоспособности промышленных систем. Конструктивно светодиоды выполняются в
металлических корпусах со стеклянной линзой из оптически прозрачного материала, в пластмассовых
корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из оптически прозрачного компаунда и
бескорпусном варианте.
Параметры светоизлучающих диодов (по ГОСТ
•
сила света
lv -
23562-79 ):
излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла
в направлении, перпендикулярном плоскости излучающегq кристалла. Измеряется в канделах;
Виды приборов и буквенные обозначения параметров
яркость
•
373
величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности.
L -
Измеряется в канделах на квадратный метр;
постоянное прямое напряжение Uпр -
•
значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
г
максимально допустимый постоянный прямой ток Inp,max -
•
максимальное значение постоянно
го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе
'
диода;
импульсный ток Iпр, и, max -
•
максимальный импульсный ток при заданной длительности
импульса;
максимjlльно допустимое обратное постоянное напряжение Uoбp,max -
•
максимальное ,значение
постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надеж
ность при длительной работе;
максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uобр,и,mах -
•
максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиQде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся;
максимум спектрального распределения Лmах -
•
длина волны световог<f'излучения, соответст
вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода.
Линейные ш~алы на основе светоизлуч~ющих диодов представляют собой сборки, состо
ящие из последовательно размещенных диодных структур (сегментов) с соответствующей схемой
коммутации.
Предназначены для отображения непрерывно изменяющейся информации. Достоинство линейных
шкал
-
быстрота воспроизведения информации и наглядное ее отображение. Широкое применение
линейные шкалы нашли в радиоаппаратуре, авиационной и автомобильной технике как индикаторы
пикового уровня звука, величины скорости, уровня горючего в баках и различных динамических
процессов.
Конструктивно
бескорпусном
линейные
исполнении
в
шкалы
виде
выполняются
пластин
с
в
прямоугольных
планарными
~ластмассовых корпусах и
элементами
свечения
и
контактными
площадками.
Параметры линейных шкал:
•
сила света
lv -
излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла
в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах;
•
яркость
L -
величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности.
Измеряется в канделах на квадратный метр;
•
постоянное прямое напряжение Uпр -
значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
•
максимально допустимый постоянный прямой ток Iпp,max -
максимальное значение постоянно
го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительности работы
диода;
•
максимально допустимое постоянное напряжение Uoбp,max -
максимальное значение постоян
ного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при
длительной работе;
•
максимально допустимое обратное ицпульсное напряжение Uобр, и -
максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся;
•
максимум спектрального распределения Лmах -
длина волны светового излучения, соответст
вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода.
Дополнительным параметром, характеризующим линейные шкалы, является относительный раз
брос силы света между излучающими сегментами одной шкалы, определяемый отношением силы света
самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента.
Цифро-буквенные индикаторы представляют собой сборки светодиодных структур с соответ
ствующими электрическими соединениями. Предназначены для отображения информации в микро
калькуляторах, часах устройствах автоматики, измерительной технике, информационных табло.
Разновидностью цифро~буквенных индикаторов являются двухцветные индикаторы, в которых для
формирования
сегмента
используются
два
светоизлучающих диода:
красного
и
зеленого
цветов
Раздел ~. Оптоэлектронные приборы
374
свечения. Управление напряжением питания такого индикатора осуществляется с помощью двух шин:
одна
-
для включения красных диодов, другая
-'
для включения зеленых диодов.
Конструктивно цифро-буквенные индикаторы выполняются в прямоугольных корпусах или моно
литной керамической конструкции с моноблочной линзой.
Параметры цифро-буквенных индикаторов в ,основном аналогичны тем, которые характеризуют
светоизлучающие диоды. Специфическим параметром явл·яется параметр бlv.
Допустимый разброс силы света между излучающими сегментами 8Iv -
отношение силы света
самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента.
Инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды)
полупроводниковые диоды, в которых
-
осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию инфракрасного
излучения.
Предназначены для работы в качестве преобразователей энергии и источников передачи инфор
мации в узлах и линиях, требующих оптической связи или гальванической развязки. Широкое
применение ИК-диоды находят в преобразователях «угол-код», бесконтактных переключателях, датчи
ках-счетчиках на конвейерах. Конструктивно ·выполняются в металлических корпусах со стеклянной
полусферической излучающей поверхностью, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью
выпуклого профиля из прозрачного бесцветного компаунда и бескорпусном варианте.
Параметры ИК-диодов:
•
мощность излучения Ризл
поток излучения определенного спектрального состава, излучае
-
мого диодом;
•
импульсная мощность излучения Ризл, и
-
амплитуда потока излучения, измеряемая при
заданном импульсе прямого тока через диод;
•
ширина спектра излучения ЛЛ интервал длин волн, в котором спектральная плотность
мощности излучения диода составляет половину максимальной; максимально допустимый
прямой импульсный ток Iпр, и;
•
время
нарастания
импульса
излучения tнар, изл
мощность излучения диода нарастает от О, 1 до
•
время спада импульса излучения tсп, изл
излучения диода изменяется от
•
•
скважность
Q-
0,9
интервал времени,
-
0,9
в
течение которого
максимального значения;
интервал времени:, в течение которого мощность
-
до О, 1 максимального значения;
отношение периода импульсных колебаний к длительности импульса;
постоянное прямое, напряжение Uпр -
значение напряжения на светодиоде при протекании
постоянного прямого тока;
•
максимально допустимый постоянный прямой ток Iпp,max -
максимальное значение постоянно
го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительн·ой работе
диода;
•
максимально допустимое обратное напряжение Uoбp,max -
максимальное значение постоянного
напряжения, приложенного к диоду, uри котором обеспечивается заданная надежность при
длительной работе;
•
максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uобр. и -
максимальное пиковое
значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и
периодически повторяющиеся.
Диодные оптопары
щего
и
фотоприемного
-
оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из излучаю
элементов,
между
которыми
имеется
оптиче-ская
связь,
обеспечивающая
электрическую изоляцию между входом и выходом.
В диодной оптопаре в качестве фотоприемноrо элемента используется фотодиод, а излучателем
служит инфракрасный излучающий диод. Максимум ·спектральной характеристики излучения диода
леж1tт в области длины волны около
1
мкм.
Предназначены для схем защиты от перегрузок, согласования периферийных линий с центральным
процессором ЭВМ, низковольтного блока с высоковольтным.
Параметры диодных оптопар:
•
входное напряжение Uвх -
постоянное прямое напряжение на диоде-излучателе при заданном
входном токе;
•
максимальный входной ток или максимальный импульсный входной ток Iвx,max значения
постоянного
входного
тока
или
амплитуды
входного
импульса,
максимальные
проходящего через
Виды приборов и буквенные обозначения параметров
375
входную цепь оптопары, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной
работе;
•
максимальное входное обратное напряжение Uвх,обр,mах -
максимальное значение постоянного
напряжения, приложенного ко входу диодного оптрона в обратном направлении, при котором
обеспечивается заданная надежность при длительной работе;
•
максимальное выходное обратное постоянное и импульсное напряжение Uвых, обр, max и
Uвых, обр, и, max -
максимальные напряжения в выходной цепи: оптопары, при которых
обеспечивается ее надежная работа;
• выходной обратный ток (темновой) Iвых, обр, т
ток, протекающий в выходной цепи диодной
-
оптопары при отсутствии входного тока и заданном напряжении на выходе;
•
•
время нарастания выходного сигнала tнр -
интервал времени, в течение которого выходной
сигнал оптопары изменяется от О, 1 до
0,5
время спада выходного сигнала tсп
интервал времени, в течение которого выходной сигнал
изменяется от
0,9
до
-
максимального значения;
максимального значения;
0,5
•
статический коэффициент передачи тока
•
сопротивление изоляции Rиз -
Ki -
отношение разности выходного темнового тока
к входному, выраженное в процентах;
активное сопротивление между входной и выходной цепями
оптопары;
•
•
проходная емкость Спр максимальное
емкость между входной и выходной цепями оптопары;
напряжение
ции Uиз, п, max -
изоляции Uиз, max или максимальное пиковое напряжение изоля
максимальное постоянное или пиковое напряжение изоляции, приложенное
между входом и выхQДом оптопары, при котором сохраняется ее электрическая прочность.
Транзисторные оптопары
оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из
-
излучающего диода, большая часть света которого направляется на базовую область фототранзистора,
чувствительного к излучению с длиной волны около
1 мкм.
Излучатель и приемник изолированы между
собой оптически прозрачной средой.
Предназначены для
применения
в
аналоговых
и
ключевых
коммутаторах сигналов,
схемах
согласования датчиков с измерительными блоками, гальванической развязки в линиях связи, оптоэ
лектронных реле, коммутирующих большие токи.
Параметры транзисторных оптопар:
•
выходное остаточное напряжение Uост -
напряжение на выходных выводах оптопары при
открытом фототранзисторе;
•
ток утечки на выходе lут,вых -
ток, протекающий в выходной цеп'И закрытого фототранзистора
при приложенном выходном напряжении;
•
максимальная средняя рассеиваемая мощность Pp,max -
мощность, при которой обеспечивается
заданная надежность оптопары при длительной работе;
•
максимальный выходной ток Iвых, max ток фототранзистора, при котором обеспечивается
заданная надежность при длительной работе;
•
•
•
максимальный выходной импульсный ток Iвых, и, max -
•
максимальное коммутируемое напряжение на выходе Uком, max транзисторной оптопары;
время нарастания выходного сигнала tнр -
на выходе оптопары изменяется от
0,9
время спада выходного сигнала tсп
-
выходе изменяется от О, 1 до
•
ток фототранзистора в оптопаре;
время включения tвкл
0,9
интервал времени, в течение которого напряжение
до О, 1 максимального значения;
_интервал времени, в течение которого напряжение на
максимального значения;
интервал времени между моментами нарастания входного сигнала до
-
уровня О, 1 и спада выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня О, 1 максималь
ного значения;
•
время выключения tвкл
уровня
0,9
и
-
интервал времени между моментами спада входного сигнала до
нарастания выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня
максимального значения.
0,9
Раздел
376
6.2. Параметры
Тип
Из.пучение
(свечение)
AJ1f02A
Красное
AJ1f02Б
Красное
AJlt02B
Зеленое
AДt02f
Красное
AJlt02Д
Зеленое
6. Оптоэлектронные приборы
светоизлучающих приборов
lv,
Uпр
(при Inp1
мА),
мкд
(кд/м2)
.
~
0,04
0,1
~ 0,25
~ 0,4
~ 0,4
~
Amax 1
мкм
Inp,max,
мА
S2,8
S2,8
S2,8
S2,8
S2,8
Uoop,max,
Корпус
Uoбp,н,maJt
в
мА
в
/
Inp,н,max1
(при tн,
мс),
0,69
0,69
0,56
0,69
0,56
20
20
22
20
22
60
60
60
60
60
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
-
2
2
2
2
2
-
•
.
-
AJlf02
-
Ф5
~
f
·i
Вы6о4(+}1 • ]fBы4oiJ(-J
1)
€Э
,
AJlt02AМ
Красное
АJ1t02БМ
Красное
AJlt02BM
AJlt02fM
Красное
АJ1t02ДМ
Зеленое
~.13
~.2
~.45
~.4
~.6
Зеленое
S2,8
S2,8
S2,8
S2,8
s2,8
0,69
0,69
0,56
0,69
0,56
20
20
22
20
22
60
60
60
60
60
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
2
2
2
2
2
-
-
AJlt02M
~
~~
;~
'
...
+П
11')
1
~LП
е5
AJIH2A
Красное
(~500)
AJIH2Б
Красное
AJIH2B
Красное
(300".900)
(125".375)
S2 (10)
S2 (10)
S2 (10)
0,68
0,68
0,68
12
12
12
-
-
-
-
AJIH2
-•.в
-
,,
\
~
\с)'
i
1
1.1
~
1
-..'
с-.
AJIH2f
Красное
AJIH2Д
Красное
(175".525)
(75."225)
AJIH2E
Красное
(~500)
AJIH2Ж
Красное
АЛН2И
Красное
(300".900)
(127".375)
S2
S2
S2
S2
s2
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
12
12
12
12
12
-
-
-
-
AJIH2
+
Красное
(~500)
AJIH2Л
Красное
AJIH2M
Красное
(300".900)
(125 ... 375)
·
S2 (10)
S2 (10)
S2 (10)
0,68
0,68
0,68
12
12
12
-
-
-
"\
~r-1"'
:;! ----.....
_ ~
__..,.
v
2,2
17
AJIH2K
(f-И)
AJIH2
- l/,S
r
u
1·1 •~
11
(К-М)
~
'
"
~
1
'r) '
С()
с-..'
~-...
11
16:. ~
"\..
\
~~
~
~
-
'Q
~
Параметры светоизлучающих приборов
Тип
Из.пучение
(свечение)
Iv, мкд
(кд/м2)
Uпр
(при Inp1
Лmах1
мА),
МКМ
377
Inp,max1
мА
АЛЗОIА
Красное
Красное
(~10)
(~20)
sз (10)
SЗ,8 (10)
мс),
Uo6p,max1
в
Корпус
Uобр,н,mах
мА
в
АЛЗОIБ
Inp,н,max1
(при tн,
-
11
11
-
-
-
АЛЗОI
~
8ыхо4
~
clema
~
!~~~
с:=о
- ~)
....:
~
~
-
~
/~ ~
~
~
~
gl2
~
11.1~
о:::-
'Г....,
~
АЛЗО7А
Красное
~.15
в2
АЛЗО7Б
Красное
~.9
АДЗ07В
Зеленое
~,4
АДЗО7f
Зеленое
~1.5
АЛЗО7Д
Желтое
АЛЗО7Е
Желтое
АЛЗО7Ж
Желтое
АЛЗО7К
Красное
АЛЗО7Н
Зеленое
~.4
~1.5
~З.5
~
~
S2
S2
S2
S2
S2
S2
S2
S2
0,665
0,665
0,567
0,567
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,665
0,567
20
20
22
22
22
22
22
20
22
100
100
60
60
60
60
60
100
60
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2,8
.........
+
1
С"'
..-
АЛЗ07
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2,8
rJ5
1~,
1
r-...
~
1
]' 1( ~
О+~~
~
t:.I
~ ""- [jl
~
-
'
1·1' »i
АЛЗО7АМ
Красное
~.15
АЛЗО7БМ
~.9
АЛЗО7fМ
Красное
Зеленое
Зеленое
АЛЗО7ДМ
Желтое
~,4
АЛЗО7ЕМ
Желтое
~1.5
АЛЗО7ЖМ
АЛЗ07КМ
Желтое
Красное
~З.5
~
АЛЗО7ЛМ
Красное
~6
АЛЗО7НМ
Зеленое
Зеленое
~16
АЛЗО7ВМ
АЛЗ07ПМ
~.4
~1.5
~6
S2
S2
S2
S2
S2
S2
s2
s2
S2
S2
2,8
0,665
0,665
0,567
0,567
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,56; 0,7
0,665
0,665
0,567
0,567
20
20
22
22
22
22
22
20
22
22
22
100
100
60
60
60
60
60
100
100
60
60 -
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2
2,8
2
АЛЗО7М
2
2
2,8
2,8
2,5
2,5
2,5
2
2
2,8
2
(J6
(
С(1
'
.
'
S:!
~~
"'
.___
АЛЗIОА
Красное
АЛЗIОБ
Красное
АЛЗIОВ
Зеленое
АЛЗIОf
Зеленое
АЛЗIОД
Желтое
Желтое
АЛЗIОЕ
0,61 ... 1,2
0,25."0,6
~.6
~.25
~.6
~.25
S2 (10)
S2 (10)
SЗ,5 (10)
SЗ,5 (10)
SЗ,5 (10)
SЗ,5 (10)
0,67
0,55
0,55
0,67
0,56
12
12
12
12
12
12
-
4
4
4
4
4
4
-
АЛЗIО
. ,1/,95
......_
~
.
.
/"')
~
,
~
.....
1
!"-.i
~
J J1
1
111 ·]
1
Q
~~
~\
_L_
1.~ ~J
--
Раздел
378
Тип
(свечение)
Iv,
мкд
(кд/м2)
(при Inp,
мА),
Amax,
Inp,max,
(при tи,
Uoбp,maxr
мкм
мА
мс),
в
в
АЛЗ16А
Красное
АЛЗ16Б
Красное
~.8
~.25
S2 (10)
S2 (10)
Оптоэлектронные приборы
lnp,и,max,
Unp
ИЭ.J1учение
6.
Корпус
Uобр,и,mах
мА
0,67
0,67
20
20
-
._
-
-
АЛЗ16
r
- -'
_.... -....
1' ~
1
J!..
АЛЗЗ6А
Красное
АЛЗЗ6Б
Красное
АЛЗЗ6В
Зеленое
АЛЗЗ6f
Зеленое
АЛЗЗ6Д
Желтое
АЛЗЗ6Е
Желтое
~
~о
АЛЗЗ6Ж
Желтое
2:10
2:15
2:4
2:10
2:15
АЛЗЗ6И
Зеленое
~о
АЛЗЗ6К
Красное
АЛЗЗ6Н
Зеленое
2:40
2:50
S2(10)
S2(10)
s2,8(10)
S2,8(10)
S2,8(10)
S2,8(10)
S2,8(10)
S2,8(10)
S2(10)
S2,8(10)
-
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
100
100
60
60
60
60
60
100
100
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
-
Красное
АЛЗ41Б
Красное
АЛЗ41В
Зеленое
АЛЗ41f
Зеленое
АЛЗ41Д
Желтое
АЛЗ41Е
Желтое
АЛЗ41И
Красное
АЛЗ41К
Красное
fJ6 -
~
r
-
АЛЗ60А
Зеленое
Зеленое
'\
1--
~
~
1?'11:i..-~
.....
+1 1251 1•
~.15
~.5
~.15
~.5
~.15
~.5
~.3
~.7
S2,8
S2,8
S2,8
S2,8
S2,8
S2,8
S2
S2
0,69 ... 0,71
0,69".0,71
0,55".0,56
0,55".0,56
0,68".0,7
0,68".0,7
0,69".0,71
0,69".0,71
20
20
22
22
22
22
30
30
60 (2)
60 (2)
60 (2)
60 (2)
22 (2)
22 (2)
100 (2)
100 (2)
2
2
2
2
2
2
2
2
-
АЛЗ41
'
- '*~
-
~
~.3
~.6
Sl,7 (10)
Sl,7 (10)
0,55".0,56
0,55".0,56
20
20
80
80
-
~
~~
1
~
~
-
АЛЗ60Б
Gl
АЛЗЗ6
'
АЛЗ41А
...
-
+U
1
LJ]
1·
1
~
АЛЗ60
'11/,8
'
i
~
~
1
J 1
~
1
.0'$
-%~ноD
\~~
KamotJ
КИПД21А-К
Красное
КИПД21Б-К
Красное
КИПД21В-К
Красное
2:1
2:4
2:8
S2 (20)
S2 (20)
S2 (20)
0,65".0,67
0,65".0,67
0,65".0,67
30
30
30
100 (2)
100 (2)
100 (2)
2,2
2,2
2,2
-
КИПД21-К
- '*~ ~
~~
1
'
~
+l
~u
1
1·
J
~
Параметры светоизлучающих приборов
Тип
ИЗJJучение
(свечение)
lv,
мкд
(кд/м2)
Uпр
(при Iпр1
мА),
379
lпр,и,mах1
Лmах1
lпp,max1
(при tи,
МКМ
мА
мс),
Красное
~.2
s2 (2)
Uобр,и,mах
Корпус
мА
в
КИПД23А-К
Uo6p,max1
в
20
100 (1)
КИПД23
'*~
'
КИПД23А1-К
Красное
~.7
КИПД23А2-К
Красное
~,4
S2 (20)
S2 (20)
20
20
100 (1)
100 (1)
КИПД23-1, КИПД23-2
fJ6 -
.Jl,r
'
_,_
КЛ101А
Желтое
~10
S5,5 (10)
КЛ101
10
- \..__iJ
--..1
!
,,..--
~.
- 2,1
КЛ104А
Желтое
~15
sб
(10)
12
-
КЛ104
fl 16
1
11~
1 111 llJ
- ~18
-
~~
~~ 111)~
<t
f
=~
~
g
05щult(-}
Раздел
380
6.3.
6.
Оптоэлектронные приборы
Параметры линейных шкал
olv
Тип
Иuучеиие
(свечение)
Ко.п-во
сегментов
сегмен-
Uпр.
(при Iпpr
Amax,
та, не
мА),
мкм
lпp,max,
мА
бо.пее
в
0,665
0,665
0,568
0,568
12
12
12
12
-
0,66
4
3
ОДНОJ'О
lu,
мкд
(кд/м2)
Uoбp,max,
Корпус
в
(раз)
AJIC317A
Красное
АЛС317Б
Красное
AJIC317B
AJIC317f
Зеленое
AJIC343A-5
Красное
Зеленое
'
5
5
5
5
0,16
0,35
0,08
0,16
3
3
3
3
100
50
3
2
2
3
3
(10)
(10)
(10)
(10)
2,8 (10)
АЛС317
~~
AJIC343
L
\()
С').
8,18
AJIC345A
Красное
АЛС345Б
Красное
AJIC345B
AJIC345f
Красное
Красное
8
8
4
4
0,3
0,2
0,3
0,15
2,3
3
3
3
2,2
2,2
2,2
2,2
(10)
(10)
(10)
(10)
0,67
0,67
0,67
0,67
12
12
12
12
4
4
4
4
-
AJIC345
9,9
Ключ
,
(')
.о
Ц')
ф
'
'
'
-
-
/
3,8
~
-
,,
_..._
AJIC362A
Красное
2
АЛС362Б
Красное
AJIC362B
AJIC362f
Красное
4
4
АЛС362Д
Желтое
AJIC362E
Желтое
АЛС362Ж
АЛС362И
Желтое
Желтое
AJIC362K
Зеленое
8
2
АЛС362Л
AJIC362M
Зеленое
Зеленое
4
4
АЛСЗ62Н
Зеленое
АЛС362П
Красное
8
10
AJIC362A-1
Красное
2
АЛСЗ62Б-1
Желтое
Желтое
4
2
Желтое
4
Зеленое
2
АЛС362Д-1
AJIC362E-1
AJIC362K-1
Красное
8
2
4
4
0,3
0,3
0,3
0,3
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
0,35
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
2 (10)
2 (10)
2 (10)
2 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
2 (10)
0,67
0,67
0,67
0,67
0,58
0,58
0,58
0,58
0,556
0,556
0,556
0,556
0,67
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
0,15
0,15
0,15
0,15
0,15
3
3
3
3
3
2 (10)
2 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
3,5 (10)
0,655
0,655
0,66
0,66
0,552
12
12
12
12
12
4
4
4
4
4
АЛС362
1
9,95
1
1
1Х)
....:
~
1
1
-
м
ll)
-
AJIC362-1
1
9,95
....:
~
1
1
1Х)
ll)
-
1
1
ll)
Красное
32
1,3
3
2 (3)
0,65
5
AJIC364
3
со'
О>
C'i,
6,38
AJIC366A-5
Красное
128
60
3
2 (10)
0,66
5
L
L
АЛСЗ66
3
,,
1Х)
м
AJIC364A-5
,,
1Х)
ll)
\()
c-i,
6,7
Параметры линейных шкал
381
olv
Тип
Из.пучение
(свечение)
Ко.п-во
сегментов
(кд/м2)
Красное
бо.пее
в
сегмен-
Amaxt
Iпp,maxt
Uoбp,max,
мкм
мА
в
0,66
5
3
Корпус
(раз)
;
АЛС367А-5
та, не
Uпр,
(при Iпpt
мА),
одного
Iu, мкд
,
200
70
3
2 (lO)
АЛС367
L
о~
~.
1
КИПТО2-50Л-5
Зеленое
50
35
3
3,7 (10)
0,56
4
20,З
КИПТО2
5
N
~
•
6,25
:КИПТОЗА-IОЖ
Же-лтое
КИПТОЗА-IОЛ
Зеленое
10
10
0,25
0,25
3
3
3,5 (10)
3,5 ( 10)
0,66
0,555
12
12
-
4
4
-
L
киптоз
.
9,95
(1)
ll)
м
'
1
'
--
1
~
1
ll)
...,.
"
...
Раздел
382
6.4.
6.
Оптоэлектронные приборы
Параметры цифро..:буквенных индикаторов
-
Излучение
Тип
(свечение)
Высота
мм
(кд/м2)
Красное
Зх2
АЛ11ЗБ
Красное
3х2
АЛ11ЗВ
Красное
3х2
АЛ11ЗГ
Красное
3х2
АЛ11ЗД
Красное
3х2
АЛ11ЗК
Красное
2 х 1,3
2 х 1,3
2 х 1,3
Красное
А:лнзм
Красное
одного
сегмента, мкд
АЛ11ЗА
АЛ11ЗЛ
Iv
знаков,
Uпр
(при
Inp,
~А),
в
Amax,
мкм
(600)
(350)
(120)
(350)
(120)
(600)
(350)
(120)
2
2
2
2
2
2
2
2
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
(600)
(350)
(120)
(600)
(350)
(120)
2 (5)
2-- (5)
2 (5)
2 (5)
2 (5)
2 (5)
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
0,68
3
3
3
3
(140)
(320)
(60)
(350)
2
2
3
3
(5)
(5)
(5)
(5)
-
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
6,9
(350)
(200)
(120)
(60)
(120)
(60)
(350)
(2.00)
{120)
(60)
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
-
8,9
8,9
8,9
8,9
8,9
8,9
8,9
8,9
(350)
(200)
(350)
(200)
(120)
(60)
(120)
(60)
2
2
3
3
3
3
3
3
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
/
'
АЛ11ЗЕ
Красное
3х2
АЛ11ЗЖ
Красное
3х2
АЛ11ЗИ
Красное
3х2
АЛ11ЗН
Красное
2 х 1,3
2 х 1,3
2 х 1,3
АЛ11ЗР
Красное
АЛ11ЗС
Красное
'
АЛЗО4А
Красное
АЛЗО4Б
Красное
АЛЗО4В
Зеленое
АЛЗО4Г
Красное
АЛЗО5А
Красное
АЛЗО5Б
Красное
АЛЗО5В
Красное
АЛЗО5Г
Красное
АЛЗО5Д
Зеленое
АЛЗО5Е
Зеленое
АЛЗО5Ж
Красное
АЛЗО5И
Красное
АЛЗО5К
Красное
АЛЗО5Л
Красное
АЛЗО6А
Красное
АЛЗО6Б
Красное
АЛЗО6В
Красное
АЛЗО6Г
Красное
АЛЗО6Д
Красное
АЛЗО6Е
Красное
·ллзовж
Зеленое
АЛЗО6И
Зеленое
-
-
Параметры цифро-буквенных индикаторов
Iv,
8Iv, %
децим. точки
мкд
50
50
50
50
50
50
50
50
-
Iпр, мА,
Рр,
Iпр,и, мА
мВт
•
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
-
-
-
383
-
Uобр,
max,
Корпус
в
-
АЛ113 (А-Д), (К-М)
5
"
2/1
•
1
~
........
-::i
..... .....
~
1".:
"""
..... ....
-1 231/5
50
50
50
50
50
50
-
'
АЛ113 (Е-И), (Н-С)
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
"
-+·-~
'JJ"
5
-60
-60
-60
-60
11
11
11
11
264
264
264
264
АЛЗО4
S,J -
-
2,'1
~
о
1
.......
~
\с')'
1
п
. :_ 1
22
22
22
22
22
22
22
22
22
22
-60
±60
-60
±60
-50
±60
-60
±60
-60
±60
-60
+60
-60
+60
+60
+60
-50
+60
11;
11;
11;
11;
11;
11;
11;
11;
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
АЛ305
1
~~,.._
'+Т+ ~
~
1
1
1
1 __ :
7,5
792
792
1188
1188
1188
1188
1188
1188
_ _ _ _ _ _. . . . _
'
'
~-W.-rh-rh-.+r-rfl''"'"'"'
111
~5
АЛ306
11 1
20
111
1 1
Раздел
384
Тип
АЛСЗ11А
Излучение
(свечение)
Красное
Iv
Высота
знаков,
мм
3
Оптоэлектрониые приборы
Uпр
одного
сегмента, мкд
-
6.
(кд/м2)
(при lпр, мА),
в
0,4
Лmах,
мкм
2 (4)
0,65".0,66
'
'
АЛСЗ12А
Красное
АЛСЗ12Б
Красное
7
7
(350)
(150)
2 (10)
2 (10)
0,65 ... 0,66
0,65".0,66
АЛСЗ1ЗА-5
Красное
2,6
57
1,65 (5)
0,66
Красное
2,5
(350)
2 (5)
0,65".0,67
АЛСЗ14А
-
Параметры цифро-буквенных индикаторов
Iv,
8Iv,
%
децим. точки
мкд
Inp,
мА,
* мА
Iпр,и,
5; 110*
385
Рр,
мВт
' Uoop, max,
Корпус
в
АЛС311
6
1/жJ,75• 15
_
~
O,J
7,5
11
11
3
3
АЛСЗ12
7,2
2,11
·-1
j~"
~
,Q:j
1
'
30
5; 20*
5
АЛСЗ13-5
±50
8
5
АЛС314
S,3
2/1
.....
о
......
~ · OXl)CIXJ)П)
cr.:)
~,
.-
.
~г
п
Раздел
386
Излучение
Тип
(свечение)
АЛСЗ18А
Красное
АЛСЗ18Б
Красное
АЛС318В
Красное
АЛСЗ18Г
Красное
АЛС320А
Красное
АЛС320Б
АЛС320В
Зеленое
АЛСЗ20Г
Красное
Зеленое
Высота
Iv
одного
6.
Оптоэлектронные приборы
Unp
Amax,
(при Inp, мА),
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
2,5
2,5
2,5
2,5
0,95
0,95
0,95
0,95
1,9
1,9
1,9
1,9
5
5
5
5
0,4
0,15
0,25
0,6
2
3
3
2
мкм
в
-
(5)
(5)
(5)
(5)
(10)
(10)
(lO)
(lO)
0,62."0,67
0,55 ... 0,57
0,55 ... 0,57
0,62 ... 0.67
-
АЛС321А
Желто-зеленое
АЛС321Б
Желто-зеленое
7,5
7,5
Красное
2,6
0,12
0,12
3,6 (20)
3,6 (20)
0,56
0,56
1,65 (5)
0,66
/
АЛС322А-5
60
МККД
1
АЛСЗ2ЗА-5
Красное
2
АЛСЗ24А
Красное
АЛСЗ24Б
Красное
7,5
7,5
7,5
7,5
1,65 (3)
0,66
0,15
0,15
2,5 (20)
2,5 (20)
0,65 ... 0,67
0,65 ... 0,67
0,15
0,15
2,5 (20)
2,5 (20)
0,65 ... 0,67
0,65 ... 0,67
50
МККД
--
АЛСЗ26А
Красное
АЛСЗ26Б
Красное
Параметры цифро-буквеннь1х индикаторов
Iv,
бlv, о/о
децим. точки
мкд
-50
-50
-50
-50
387
Iпр, мА,
Uобр, max,
I~р.и, мА
в
40*
40*
40*
40*
45
45
45
45
Корпус
АЛС318
5
5
5
5
1/9,5
7
51
12;
12;
12;
12;
60*
60*
60*
60*
АЛС320
2
5
5
2
..__-+'lli''Ш'lll/"111'1"-t
~
....._~~
1
..._ ..._ ....
1,25
4 J_? Jxt,'15
•J.75
5.i $300
0,02
0,02
~00
30
0,05
0,05
25
25
5
5
АЛСЗ21
16; 20*
5
АЛС322-5
4; 20*
5
АЛС323-5
5
5
АЛС324
25; 300*
25; 300*
720
720
500
500
1,J
28 -
1
~1
$300
$300
;
0,08
0,08
25; 300*
25; 300*
375
375
5
5
7.5
АЛСЗ26
19
Раздел
388
'
Тип
Высота
Из.пучение
(свечение)
АЛСЗ27А
Желто-зеленое
АЛСЗ27Б
Желто-зеленое
АЛСЗ28А
Красное
АЛСЗ28Б
Красное
АЛСЗ28В
Красное
АЛСЗ28Г
Красное
АЛСЗ29А
Красное
АЛСЗ29Б
Красное
AJIC329B
Красное
АЛСЗ29Г
Красное
АЛСЗ29Д
Красное
АЛСЗ29Е
Красное
АЛС329Ж
Красное
АЛС329И
Красное
АЛСЗ29К
Красное
АЛСЗ29Л
Красное
АЛС329М
Красное
АЛС329Н
Красное
АЛСЗЗОА
Красное
АЛСЗЗОБ
Красное
АЛСЗЗОВ
Красное
АЛСЗ30f
Красное
АЛСЗЗОД
Красное
АЛС330Е
Красное
АЛСЗЗОЖ
Красное
АЛСЗЗОИ
Красное
АЛСЗЗОК
Красное
,
Iv
6.
Оптоэлектронные приборы
одного
(при
Unp
InPt
мА),
Amax,
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
7,5
7,5
0,12
0,12
2,5
2,5
3,75
3,75
50 мккд
50 мккд
50 мккд
50 мккд
1,85
1,85
1,85
1,85
(3)
(3)
(3)
(3)
-
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
мккд
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
--
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
3,75
5
5
5
50
50
50
50
50
мккд
50
МККД
50
50
50
МККД
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
1,85
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
мккд
мккд
МККД
мккд
мккд
МККД
МККД
мккд
мккд
мккд
мккд
мккд
МККД
мккд
МККД
мккд
мккд
в
3,6 (20)
3,6 (20)
'мкм
0,55 ... 0,61
0,55 ... 0,61
-
-
-
-
-
-
Параметры цифро-буквенных индикаторов
lv,
8Iv,
%
мк.ц
sзоо
sзоо
S200
S200
S200
S200
Iпр, мА,
Рр,
Uoop, max,
Iпр,и, мА
мВт
в
25; 300*
25; 300*
540
540
5
5
АЛС327
5
5
5
5
АЛС328
•
децим. точки
0,04
0,04
5;
5;
5;
5;
389
120*
120*
120*
120*
(1 мс)
(1 мс)
(1 мс)
(1 мс)
Корпус
19
1/ж3,75=15
1,5
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
5;
5;
5;
5;
5;
5;
5;
5;
5;
5;
5;
5;
120*
120*
120*
120*
120*
120*
120*
120*
120*
120*
120*
120*
(1 мс)
5
мс)
мс)
5
5
5
(1
(1
(1
(1
(1
(1
мс)
мс)
мс)
мс)
(1 мс)
(1 мс)
(l мс)
(1 мс)
(1 мс)
АЛС329
1/жJ,75=15
5
5
5
5
5
5
5
1.875_
5
O,J
1,5
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
S200
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
5; 120* (1
мс)
мс)
мс)
мс)
мс)
мс)
мс)
мс)
мс)
АЛСЗЗО
5
5
5
5
5
~~~RiJ
5
'
5
5
5
1
Раздел
390
Тип
Высота
Излучение
(свечение)
АЛСЗЗЗА
Красное
АЛСЗЗЗБ
Красное
АЛСЗЗЗВ
Красное
АЛСЗЗЗГ
Красное
АЛСЗЗ4А
Желтое
АЛСЗЗ4Б
Желтое
АЛСЗЗ4В
Желтое
АЛСЗЗ4Г
Желтое
Iv
6.
Оптоэлектронные прuборы
Uпр
одного
(при
Inp,
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
12
12
12
12
0,2
0,2
0,15
0,15
2
2
2
2
0,2
0,2
0,15
0,15
3,3
3,3
3,3
3,3
12
12
12
12
-
мА),
в
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
Amax,
мкм
-
-
-
-
~
АЛСЗЗ5А
Зеленое
АЛСЗ35Б
Зеленое
АЛСЗЗ5В
Зеленое
АЛСЗЗ5Г
Зеленое
АЛСЗЗ7А
Желтое
АЛСЗЗ7Б
Желтое
12
12
12
12
0,25
0,25
0,15
0,15
3,5
3,5
3,5
3,5
(20)
(20)
(20)
(20)
7,5
7,5
0,15
0,15
3,5 (20)
3,5 (20)
-
0,58
0,58
·-
-
АЛСЗЗ8А
Зеленое
АЛСЗЗ8Б
Зеленое
АЛСЗЗ8В
Зеленое
7
7
7
0,15
0,15
0,15
-
3,5 (20)
3,5 (20)
3,5 (20)
-
АЛСЗЗ9А
Красное
2,5
0,16
1,9 (3)
0,65
Параметры цифро-буквенных индикаторов
Iv,
8Iv,
%
Inp, мА,
Рр,
Uoop, max,
Inp,и, мА
мВт
в
0,1
0,1
0,08
0,08
25
25
25
25
400
400
400
400
5
5
5
5
АЛСЗЗЗ
0,1
0,1
0,08
0,08
25
25
25
25
660
660
660
660
5
5
5
5
АЛСЗЗ4
0,12
0,12
0,08
0,08
25
25
25
25
660
660
660
660
5
5
5
5
АЛСЗЗ5
0,05
0,05
25; 200*
25; 200*
700
700
5
5
АЛСЗЗ7
децим. точки
мкд
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
sзоо
'sзоо
sзоо
sзоо
391
•
Корпус
10.2
15,5
• ..,. "1
-61(?.1j•15
0,08
0,08
0,08
sзоо
25; 200*
25; 200*
25; 200*
700
700
700
5
5
5
АЛСЗЗ8
5; 60*
76
5
АЛСЗЗ9
5
.,.__1_2_ _..,.- ~
392
Раздел
Тип
Высота
ИзJiучение
(свечение)
Iv
6. Оптоэлектроннь1е приборы
Uпр
одноrо
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
(при
Inp1
Amax 1
мА),
мкм
в
АЛС340А
Красное
9
0,125
2,5 (10)
-
АЛС342А
Желтое
АЛС342Б
Желтое
7,5
7,5
0,15
0,15
3,5 (20)
3,5 (20)
0,58
0,58
-
АЛС348А
Зеленое
2,5
160
МККД
2,7 (5)
0,56
АЛС354А
Красное
2,5
150
МККД
1,8 (5)
0,66
/
..
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов
Iv,
Бlv,
%
децим. ТО11КИ
мкд
~00
0,06
Inp, мА,
•
Inp,и,
мА
200*
393
Рр,
Uoop, max,
мВт
в
550
4
Корпус
АЛС340
11 111 ~J 1~
... 1 1 J '
11
- 2,5
sзоо
sзоо
0,05
0,05
25; 200*
25; 200*
700
700
1 ) 1
1 11
6~2,5=15
-
АЛС342
5
5
10.2
-
15,5
1•~
1
J 1
Sк25=15
sзоо
8; 64*
170
АЛС348
5
....___1_2 _ _~
5
Sl80
4; 40* (1
мс)
45
_
АЛС354
5
8l
~
- g'(/J - - -
G~
~
Раздел
394
Тип
(свечение)
lv
Высота
Из.цучение
".
одноrо
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
6.
Оптоэлектронные приборы
Unp
(при Inp, мА),
в
Amax1
мкм
АЛС355А-5
Красное
1,4
20
МККД
1,75(3)
0,66
АЛС355Б-5
Красное
1,4
20
мккд
1,75 (3)
0,66
4 (10)
4 (10)
0,56
0,56
/
АЛС358А
Зеленое
АЛС358Б
Зеленое
0,04
0,04
9
9
.
395
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов
Iv,
Бlv,
%
децим. точки
мкд
1пр 1 мА,
Рр,
Uобр, max 1
1пр,и 1 мА
мВт
в
•
3; 40*
Корпус
АЛС355А-5
5
o.J2
' ~
"7
1,
-
~
[З~~
83
3; 40*
АЛС355Б-5
5
1,7
-~4.J2i-------1. '\
L
}.
QJ
е...
•
~
~400
~400
0,02
0,02
10*; 280
10; 280*
550
550
АЛС358
4
4
12
1
0,3//
1 - - ·- : ·
1 •
j
L )
'
7,5
18
-
1
~
Раздел
396
Излучение
Тип
(свечение)
AJIC359A
Зеленое
AJIC359Б
Зеленое
Iv
Высота
6.
Оптоэлектронные приборы
Uпр
одноrо
(при
Inp,
мА),
Amax1
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
9
9
0,2
0,2
2 (20)
2 (20)
0,56
0,56
9
0,1
2 (20)
0,55
2
0,5
4 (20)
4 (20)
0,65
0,65
0,5
4 (20)
0,65
2,5 (5)
0,55
в
мкм
~
Зеленое
AJIC363A
.
КЛЦ201А
Красное
КЛЦ201Б
Красное
18
18
КJIЦ202А
Красное
18
Зеленое
2,6
...
КJIЦ301А-5
20
мккд
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов
Iv,
Бlv,
%
децим. точки
мкд
50
50
0,1
0,1
Iпр, мА,
• 1
1пр,и
397
Р.р,.
Uoop, max,
мА
мВт
в
22; 120*
22; 120*
. 350
350
3
3
Корпус
АЛСЗ59
10.2 -
J1А 11 . _ ~lJ.14
1
1
7,5
1 J"\1
15,5
61t25=15
S400
~.075
70*
720
2
АЛСЗ63
S300
0,1
0,07
25
25
750
750
10
10
КJIЦ201
sзоо
~о
1
1
/
\
o,J
\&')
1
sзоо
0,07
25
750
15
КJIЦ202
10
•
/aJ
1
\
1
\&')
1
sзоо
3; 40*
5
15
КJIЦЗО1
----
Раздел
~9В
Тип
Из.пучение
(свечение)
Высота
Iv
одноrо
6.
Оптоэлектронные приборы
Uпр
Amax1
(при 1пр 1 мА),
знаков,
сегмента, мкд
мм
(кд/м2)
2
0,5
6 (20)
6 (20)
0,56
0,56
мкм
в
КЛЦ302А
Зеленое
КЛЦ302Б
Зеленое
18
18
КЛЦ401А.
Желтое
18
0,5
6 (20)
0,7; 0,57
КЛЦ402А
Желтое
КЛЦ402Б
Желтое
18
18
2
0,5
4 (20)
6 (20)
0,7; 0,57
0,7; 0,57
КИПВО1А-1/10К-5
Красное
2,4
1,75 (1)
0,67
КИПЦО1А-1/7К
КИПЦО1Б-1/7К
КИПЦ01В-1/7К
КИПЦО1Г-1/7К
КИПЦ01Д-1/7К
КИПЦО1Е-1/7К
Красное"'
'
Красное
Красное
Красное
Красное
Красное
7
7
7
7
7
7
60
мккд
1
1
0,5
0,5
0,15
0,15
3 (20)
3 (20)
3 (20)
3 (20)
2,5 (5)
2,5 (5)
-
0,67
0,67
0,67
0,67
0,67
0,67
399
Параметрь1 цифро-буквенных индикаторов
Iv,
бlv,
%
децим. точки
МКД
:$300
:$300
Inp1
•
Iпр,и1
0,1
0,07
мА,
мА
25
25
Рр,
Uoop, max,
мВт
в
1130
1130
10
10
Корпус
КЛЦЗО2
.
'JO
-1
\
/
O,J
•
~300
' ~5
0,07
25
1135
\ "j
1,5
с:)'
'
15
1 · ,·f) llU) .,
CQ
\()
1
1
1
1
45
f.2.s=15u
6_
КЛЦ401, КЛЦ402
10
'10
1
1
\
а~
~
1 -
15
CQ
с:)'
w
1
~5
:$300
OJ
~00
0,07
~00
~00
:$300
:$300
~00
~00
~00
0,3
0,3
0,2
0,2
0,03
0,03
25
25
1130
1130
10
10
8; 60*
100
5
700
700
700
700
700
700
6
6
6
6
6
6
25;
25;
25;
25;
25;
25;
180*
180*
180*
180*
180*
180*
\ ",,
1,5
-
''~UUl
6•2,5=15 -
45
1
6
КИПВО1А-1/10К-5
'
КИПЦО1А-Е1/7К
10.2
-
. 1
1 .
J
1
[43~
) 7.5 - : IЦ!
- ' -
-
15,5
~
1
..... '
c:::t
.
ф
~'
J1
LJ
1
-
111
-
?.5
-
18
6к9Sс15
1
J.E.t
9 )
Раздел
400
Тип
КИПЦ02А-1/7КЛ
ИзJiучение
(свечение)
С управляемым
Iv
Высота
6.
Оптоэлектроннь1е приборы
Uпр
одноrо
знаков,
сегмента, мкд
(при Iпр, мА),
мм
(кд/м2)
в
9
0,25
Красное-зеленое
мкм
Крас.-0,65
_3,5 (20)
цветом свечения
КИПЦ02Б-1/7КЛ
Amax,
1
3,5 (20)
0,15
9
Зел.-0,57
Крас.-0,65
Зел.-0,57
КИПЦ04А-1/8К
Красное
18
1
3,5 (20)
2
0,67
'
-
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов
Iv,
Ыv,%
децим. точки
мкд
Рр,
Uобр, max 1
мА
мВт
в
1пр 1 мА,
• 1
1пр,и
401
~300
0,08
25; 180*
700
5
~300
0,05
25; 180*,
700
5
Корпус
КИПЦО2А,Б1/7КЛ
_g"
10.2
.
19,5
1
Jll ... 1~
c::r
l.5
l:i\
ф ф ~ ~ ~6otJo6
О,59
6•2~·15
~300
0,4
25; 180*
787
КИПЦО4А-1/8К
10
1
20
-
1
\
1
O,J
\(')
1
-
CQ
с:)'
',
/
15
1
-
\~·
1,5
'.(~~~~'
2,5
-
6•2,5=15
1
0,5
6
Раздел
402
6.5. Параметры
в
~l
АЛ10ЗБ
АЛ106А
АЛ106А
АЛ106В
Uпр
(при Iпр, мА),
(при Iпр, мА)
АЛ10ЗА
-
Оптоэлектронные приборы
инфракрасных излучающих диодов
Ризл, мВт
Тип
6.
лл,
мкм
мкм
0,05
0,05
2
2
0,92 ... 0,935
0,92 ... 0,935
-
-
0,94 ... 0,96
0,94 ... 0,96
0,94 ... 0,96
0,94 ... 0,96
0,03
0,03
0,03
0,03
-
0,94
О.Об
2
(50)
~.6 (50)
:Sl,6 (50)
:Sl,6 (50)
0,95
0,95
~.2
~.4
~.6
:Sl,7 (100)
:Sl,7 (100)
:Sl,7 (100)
О,9"2 ...0,935
(100)
(100)
(100)
fи,и
Amax,
(при lпр, А),
нс
-
АЛ107Г
~5.5 (100)
~9 (100)
~9 (НЮ)
~12 (100)
АЛ108А
~1.5
АЛ107А
АЛ107Б
АЛ107В
(100)
:S2
S2
S2
S2
(100)
(100)
(100)
(100)
::Sl,35 (100)
-
-
.
АЛ109А
АЛ115А
АЛ118А
0,2 (20)
1,2 (20)
0,94
0,04
2
~8.7
(100)
S2 (50)
0,9 ... 1
-
2
~
(50)
(500)
::Sl,7 (50)
0,82 ... 091
0,04
100
~10•
-
АЛ119А
АЛ119Б
~40 (300)
~40 (Щ))
::S3 (300)
::S3 (300)
0,93 ... 0,96
0,93 ...0,96
-
1000
350
Параметры инфракрасньrх излучающих диодов
fc, и
(при Inp, и 1 А),
нс
2
2
Iпр1
мА
Iпр. и
(при tи, мкс),
мА
52
52
403
Uобр1
Uобр, и1
в
в
2
2
2
2
Корпус
АЛ103
АЛ106
100
100
100
2
110
2
22
АЛ107
2
2
2
2
100
100
100
100
10
А
(20)
2
2
АЛ108
2
2
АЛ109
Неизлучающа11 поВерхность
1(/ЮСНО20 ц6ета
2
50
150
50
1500
1500
300
300
2
500
-
/
\
АЛ115
2
2
АЛ118
2
2
АЛ119
j
/"
11
1
+
..::;.!
J
//,2
+
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
404
Тип
АЛ120А
АЛ120Б
АЛ123А
Ризл, мВт
(при lпр, мА)
Uпр
(при Iпр1 мА),
в
~.8 (50)
~1 (50)
~80*
S2 (50)
S2 (50)
(1 А)
(10 А)
~500*
S2 (300)
-
f и, и
Amax1
ЛЛ,
мкм
мкм
0,88
0,88
0,05
0,05
10
20
0,94
0,03
350 (1
(при Iпр, А),
нс
А)
'
~
-АЛ124А
~4
(100)-
S2 (100)
0,86
0,04
20
.
АЛС126А-5
~1.4 Вт
АЛ132А
~10 мкВт
AJl135A
~150 мкВт
АЛ136А-5
~.6
(6
А)
28 (6
А)
0,8 ... 0,81
-
-
20 (100)
(50)
S2 (50)
1,26
0,08
(100)
S2 (100)
0,82."0,9
0,05
Sl,9 (50)
0,82
0,04
14 (50)
0,81
0,05
1 (50)
(50)
-
20 (100)
AJlf37A
~.22
--
(50)
~
(50)
Параметры инфракрасных излучающих диодов
fc, и
(при Iпр, и, А),
нс
10
20
Iпр~
мА
Iпр, и
(при tи, мкс),
мА
55
55
405
Uобр,
Uобр, и,
в
в
Корпус
АЛ120
200
200
~ -.4
t:::f_J~j~
500 (1 А)
400
10 А (20)
2
\
АЛ123
~J, 8
til,-1-oc:~
'-,. ~
.Ш· .......•-.-:11'
.....
~
~ J ~.2
"20
1 А (15)
110
2,5 А
1
А
(1
мс)
~~·
1
2
АЛ124
60
АЛС126-5
1'+~
0,8
~
' ! - -......
0,4
~шт
20 (100)
50
1 А (15)
20 (100)
ню
500 (100)
2
14 (50)
60
80 (15)
5
АЛ132, АЛ135
АЛ136-Ь
0,38
0,25
~шт
60
80 (20)
5
АЛ137
Раздел
406
6.6.
Оптоэлектронные приборы
6.
Параметры диодных оптопар
Тип
АОД101А
Uвх
(при Iвх1 мА),
Ki
f н 1 fc
(пр1:1 1вх 1 мА),
(при Iвх, мА),
в
%
нс
?:1 (10)
?:1,5 (10)
?:1,2 (10)
?:0,7 (10)
?:1 (1 О)
:Sl,5
:Sl ,5
:Sl,5
:Sl ,5
:Sl,8
АОД101Б
АОД101В
АОД101f
АОД101Д
АОД107А
АОД107Б
АОД107В
-
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
:Sl,5 (10)
:Sl,5 (10)
:Sl ,5 (10)
IвЬJх,обр1
Rиз 1
Спрох1
мкА
rом
пФ
:SlOO (20)
:S500 (20)
:SlOOO (20)
:S500 (20)
:S250 (20)
:S2
:S8
:S2
:SlO
:S5
?:1
?:1
?:1
?:5
?:1
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
?:5 (10)
?:3 (10)
?:1 (10)
:S500 (20)
:SЗОО (20)
:SЗОО (20)
:S5
:S5
s5
?:10
?:10
?:10
:S2
:S2
:S2
?:1,2 (10)
?:1 (10)
?:1,2 (10)
?:1,2 (10)
?:1,2 (10)
?:1,2 (10)
?:1,2 (10)
?:1,2(10)
:Sl мкс (20)
:S500 (20)
:Sl мкс (20)
:Sl мкс (20)
:Sl мкс (20)
:Sl мкс (20)
:Sl мкс (20)
:Sl мкс (20)
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
?:1
?:1
?:1
?:1
?:1
?:1
?:1
?:1
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
:S2
?:100
:S2,5
-
АОД109А 3-кан.
АОД109Б 3-кан.
АОД109В 2-кав.
АОД109f 2-кан.
АОД109Д 2-кан.
АОД109Е 1-кан.
АОД109Ж 1-кан.
АОД109И 1-кан.
:Sl,5
:Sl,5
:Sl,5
:Sl,5
:Sl,5
:Sl,5
Sl,5
:Sl,5
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
-7
"
АОДН2А-1
:Sl,7 (20)
?:2,5 (10)
:S3
мкс
(20)
-
'
АОД120А-1
АОД120Б-1
АОД129А
АОД129Б
:Sl,7 (10)
:Sl,7 (10)
?:1 (1 О)
?:0,4 (10)
:SЗО (10)
:S50 (10)
:S2
:S2
?:10
?:10
:S2
:S2
:Sl ,5 (10)
:Sl,5 (10)
?:1 (10)
?:0,5 (10)
:SЗО
:SЗО
-
?:10
?:10
:S2
:S2.
(10)
(10)
Параметры диодных оптопар
lвx,maxt
мА
20
20
20
20
. 20
407
lвх,и,mах
(при tи, мкс),
U вх,обр,mах,
*
U вых,обр,mах,
(при tи, мкс),
мА
в
в
3,5; 15*
3,5; 100*
3,5; 15*
3,5; 15*
3,5; 15*
20 (100)
100 (100)
20 (100)
20 (100)
20 (100)
100
100
100
100
100
(100)
(100)
(100)
(100)
(100)
20
20
20
U вых,обр,и,mах,
Uиз,mах,
*
Uиз,п,mах
(при tи, с),
Корпус
в
АОД101
JO
5,J
АОД107
2; 15*
2; 15*
2; 15*
'
~
\С')
c:rr
-ОС)'
'&1
'Q
' ---,
3€
..Ц::::=:::::tiJ
6,6
20
20
20
20
20
20
20
20
100
100
100
100
100
100
100
100
(100)
(100)
(100)
(100)
(100)
(100)
(100)
(100)
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
40*
10*
40*
40*
40*
40*
40*
40*
20
АОД109
100
100
100
100
100
100
100
100
в
'"
+++--+---+-+t- ~ ~
-r-
-
1
1
2,J
D,8
30
100
3,5
АОДН2
100
1.8
- (
20
20
100 (10)
100 (10)
200; 400* (l с)
200; 400* (l с)
3,5; 10*
3,5; 10*
АОД120
...u
1,5
•
-
---ff-
.-
__ ,__. -
J
100 (100)
100 (100)
3,5
3,5
10
10
~
2
0.11 :~
J7.5
20
20
-
'
АОД129
500
500
'
'
6,6
-1q--11t-t-..1
_"
i::::,
-
Раздел
408
Тип
АОД1ЗОА
Uвх
Ki
f н, fc
(при 1вх 1 мА),
(при 1вх 1 мА),
в
%
(при 1вх 1 мА),
$1,5 (10)
?:1 (10)
нс
$100 (10)
6. Оптоэлектронные приборы
Iвых,обр1
Rиз 1
Спрох1
мкА
rом
пФ
?:100
$0,5
?:1
?:1
$0,05
$0,05
-
-
-
$1,5 (10)
$1,5 (10)
АОД1ЗЗА
АОД1ЗЗБ
?:0,5 (10)
?:0,5 (1 О)
$100 (10)
$100 (10)
$2
$2
•
-
АОД134АС
$1,7 (10)
?:1 (5)
$100 (10)
$2
?:10
$2
$100
$100
$100
$250
$250
$250
$2
$2
$2
$2
$2
?:10
?:10
?:10
?:10
?:10
?:10
$1,8
$1,8
$1,8
$1,8
$1,8
$1,8
$1
$1
?:10
?:1
$1
/
1
'
АОД201А-1
АОД201Б-1
АОД201В-1
АОД201f-1
АОД201Д-1
АОД201Е-1
АОД202А
АОД202Б
$1,5
$1,5
$1,5
$1,5
$1,5
$1,5
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
$1,7 (10)
$1,7 (10)
?:О,6 .. .1,3
(5)
?:0,9 ... 2 (5)
?:1,5 ... 3,5 (5)
?:0,6 ... 1,6 (5)
?:0,9 ... 2 (5)
?:1,5 ... 3,5 (5)
?:1,5
?:2,5
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
(20)
~100
$150
$2
-
-
$2
Параметры диодных оптопар
409
lвх,и,mах
Uвх,обр,mах1
U вых,обр,и,mах1
(при tи, мкс),
*
U вых,обр,mах,
(при tи, мкс),
мА
в
в
20
100 (10)
3,5
30
20
20
100 (100)
100 (100)
3,5
3,5
20
20
lвx,max1
мА
Uиз,mах1
*
Uиз,п,mах
Корпус
(при tи, с),
в
1500; 3000* (10
мс)
АОД130
АОД133
500
1000
f6 8,5
20
100 (100)
3,5
30
АОД134
500; 1500* (20)
с-..,
/'-:)
l.t')
"'5"
7,5
20
20
20
20
20
20
100
100
100
100
100
100
100 (10)
100 (10)
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
3,5;
6*
6*
6*
6*
6*
6*
20
20
100
100
100
100
100
100
АОД201
200
200
АОД202
Раздел
410
Тип
КОДЗО1А
Uвх
(при Iвх, мА),
Ki
(при 1вх 1 мА),
в
%
:Sl,5 (10)
?:1 (10)
fи,
fc
(прм 1вх 1 мА),
нс
-
6.
Оптоэлектронные приборы
Rиз 1
lвых,обр1
мкА
f
Спрох 1
Ом
пФ
?:1
:S2
--
-
-
КОДЗО2В
:Sl,5 (10)
:Sl ,5 (10)
:Sl,5 (10)
?:1 (10)
?:1 (10)
?:1 (1 О)
-
-
?:1
?:1
?:1
-
КОЛ201А
:Sl,5 (10)
?:10 (0,5)
:Sl мкс (IO)
-
?:10
:S2
КОДЗО2А
КОДЗО2Б
Параметры диодных_ оптопар
.
lвx,max1
мА
20
411
lвх,н,mах
(при tн, мкс),
U вых,обр,mах,
U вых,обр,н,mах,
(при tн, мкс),
мА
в
в
100 (100)
3,5
20 (100)
U вх,обр,mах,
•
Uнз,mах,
•
Uнз,п,mах
(при tн, с),
Корпус
в
500; 1000* ( 1О мс)
КОДЗО1
--
.
2ао
.
6.6
,
-~
"Q
"
8
б
Раздел· 6. Оптоэлектронные приборЬ1
412
6.7.
Параметры транзисторных оптопар
Тип
(при Iвх,I:ых мА),
в
в
АОТ101АС
~1.6
АОТ101БС
АОТ101ИС
S:l,6
S:l,6
S:l,6
S:l ,6
S:l,6
S:l,6
S:l ,6
АОТ110А
S2 (25)
АОТ101ВС
АОТ101ГС
АОТ101ДС
АОТ101ЕС
АОТ101ЖС
АОТ110Б
АОТ110В
АОТ110Г
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
S:2 (25)
S2 (25)
S2 (25)
АОТ110Д
S2 (25)
АОТ122А
S:l,6
S:l,6
S:l ,6
S:l,6
АОТ122Б
АОТ122В
АОТ122Г
АОТ123А
АОТ123Б
АОТ12ЗВ
AOT123f
АОТ126А
АОТ126Б
Uвых,ост
Uвх
(при Iвх, мА),
S:2
S2
S2
S2
(5)
(5)
(5)
(5)
(20)
(20)
(20)
(20)
S2 (20)
S2 (20)
s<>,4
s<>,4
s<>,4
s;0,4
s;0,4
s<>,4
s<>,4
s<>,4
lут,вых
(при
Uк,max, В),
мкА
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
(5)
S:l,5 (200*)
S:l ,5 {100*)
S:l,5 (100*)
S:l,5 {100*)
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
S:lOO (30)
S:lOO (50)
S:lOO (30)
S:lOO (15)
Rиз
(при Iвх, мА),
tн
tcn
(при Iвх, мА),
(при Iвх, мА),
ГОм
нс
нс
;?;100
;?;100
;?;100
;?;100
;?;100
~100
;?;100
~100
~l
~l
~l
~l
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
мкс
мкс
мкс
мкс
мкс
мкс
мкс
мкс
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
tвкл
tв~кл
5... 100 мкс (25)
tвкл
tвыкл
1... 50 мкс (25)
5 ... 100 мкс (25)
tвкл
tвыкл
1... 50 мкс (25)
5 ... 100 мкс (25)
tвыклS:lОО МКС
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
~l
6 мкс (5)
6 мкс (5)
6 мкс (5)
6 мкс (5)
s<>,3 (10)
s<>,3 (10)
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
(50)
(30)
(30)
(15)
S:lO
S:lO
~1
~1
~1
~1
~100
~100
В)
В)
В)
1... 50 мкс (25)
S:l,5 (15)
S:l ,5 (5)
S:l ,5 (5)
S:l ,5 (5)
(10)
(20)
(10)
(20)
В)
В)
В)
В)
В)
tвыкл
tвклs:БО МКС
s<>,3
s<>,5
s<>,3
s<>,5
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
(Uк=lO
мкс (Uк=lO
мкс (Uк=lO
мкс (Uк=lO
5 ... 100 мкс (25)
~1
~1
мкс
мкс
мкс
мкс
мкс
tвкл
S:lOO (50)
~1
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
S:lO
1."50 мкс (25)
S:l ,5 (200*)
~l
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
100 мкс
100 мкс
100 мкс
100 мкс
(5)
(5)
(5)
(5)
S:2
S:2
S2
S2
S2
S2
S2
S2
S2 (20)
S2 (20)
S2 (20)
S2 (20)
~
413
Параметры транзисторных оптопар
lвx,max,
•
lвх,н,mах
(при tн, мкс),
мА
20; 50* (10)
20; 50* (10)
20; 50* (10)
20; 50* (10)
20; 50* (10)
5; 50* (10)
5; 50* (10)
5; 50* (10)
Uвх,обр,mах,
u•
вых,ком,
в
1,5;
1,5;
1,5;
1,5;
1,5;
1,5;
1,5;
1,5;
.
lвых,mах,
Uнз,mах,
•
lвых,н,mах
(при tн, .мс),
•
Uнз,н,mах,
в
мА
15*
15*
15*
15*
15*
15*
30•
15*
5
10
5
5
10
10
30
15
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
Рр,
Корпус
мВт
-
АОТ101
10
-
-
1
-- .... .... J:J
....-
t-
п
'
\с') ,
~
~
1,5
-
8гh ,..{ J!~
.ф-
('f!!
10
100* {10)
10
100* (10)
10
100* (10)
10
100* (10)
10
0.1; 30•
200
100
360
0,7; 50*
100
100
360
АОП10
~
0.1; 30•
100
100
360
0,7; 15*
200
100
360
0,7; 50*
200
100
360
~.
11
А~
\\'r&
~
15;
15;
15;
15;
85*
85*
85*
85*
(10)
(10)
(10)
(10)
50*
30•
30*
15*
15
25
15
15
100
100
100
100
-
1
50*
30•
30•
15*
100
'100
100
100
10
20
10
20
-
а
i~
~
о
~
1
1000
1000
-
_ _ _ ....,
l/.S
~
".,, =""
"
~~
~
~
~~~
АОТ126
'О
'
'c:t
-
R
1
.
J ... !
10
10
CJ)'
ff 8,5_
'О
~
0,5; 15*
С1О
r
~
~
o.s; 30•
'
~
....."
АОТ123
~·
30; 1()()• (1 о)
30; 100* (10)
~1
,...
6.5
- 16
100*
100*
100•
100*
~~
АОТ122
~
30;
30;
30;
30;
6.5
ff
'О
~
ff 8.5.
,~~
~
.1ff:. ~
~
и.
'
.
,.-z
\~&.
,_~"
~
~
~
~~
'
Раздел
414
Тип
АОТ127А
АОТ127Б
АОТ127В
АОТ127Г
Uвх
(при lвх, мА),
(при lвх,I:ых мА),
в
в
Sl ,6
Sl ,6
Sl ,6
Sl ,6
(5)
(5)
(5)
(5)
lут,вых
(при
Uвых,ост
Sl,5
Sl,5
Sl ,5
Sl,5
Uк,max, В),
мкА
(70*)
(15*)
(15*)
(15*)
=::;10
$10
$10
=::;10
Rиз
(при lвх, мА),
tи
tcn
(при lвх, мА),
(при lвх, мА),
ГОм
нс
нс
~100
SlO мкс (5)
SlO мкс (5)
SlO мкс (5)
SlO мкс (5)
SlOO мкс (5)
Sl 00 мк-с (5)
=::;100 мкс (5)
=::;100 мкс (5)
~100
~100
~100
...___
АОТ128А
АОТ128Б
АОТ128В
АОТ128Г
АОТ128Д
АОТ128Е
АОТ135А
АОТ135Б
:s;l,6 (10)
Sl,6 (10)
Sl ,6 (10)
Sl,6 (10)
Sl,6(10)
Sl ,6 (IO)
s0,3 (2,5*)
S0,4 (10*)
s0,4 (5*)
s0,4 (5*)
S0,4 (5*)
=::;О,4 (5*)
SlO
SlO
=::;10
=::;10
SlO
SlO
Sl ,6 (4)
Sl ,6 (4)
Sl,5 (100*)
Sl ,5 (100*)
10 (30)
10 (30)
.
6.· Оптоэлектронные приборы
-
~100
S5 (10)
S5 (10)
S5 ( l О)
s5 (10)
S5 (10)
S5 (10)
~100
~100
~100
~100
~100
~100
5
5
~100
мкс
мкс
S5
S5
s5
S5
=::;5
s5
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(lO)
60
60
мкс
мкс
,
АОТ136А
АОТ136Б
Sl,6 (5)
Sl ,6 (5)
Sl ,2 (5)
=::;1,2 (5)
10(15)
l о (30)
~100
~100
5
5
мкс
мкс
(10)
(10)
30 мкс (10)
30 мкс (10)
Параметры транзисторных оптопар
lвx,max,
•
lвх,н,mах
(при tн, мкс),
мА
15
15; 100* (10)
15
15
U вх,обр,mах,
•
Uвых,ком,
415
lвых,mах,
Uнз,mах,
•
lвых,н,mах
•
Uнз,н,mах,
(при tн, мс),
в
в
мА
30*
30*
15*
15*
70
70
70
70
'
500
500
500
500
Рр,
Корпус
мВт
АОТ127
225
225
225
225
-
9,5
_,
.
1
j
~
:::: !
.....,
'c:i
1--1
1
lrl)
,
~
2.5
-
-
~
'
1 2 3
40;
40;
40;
40;
40;
40;
100*
100*
100*
100*
100*
100*
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
(10)
0,5;
0,5;
0,5;
0,5;
0,5;
0,5;
50*
30*
30*
15*
15*
15*
8
32
16
16
32
16
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
1500; 3000*
4500
-
АОТ128
-
9,5
-
1
1
-.....,
н
1-1
1-1
1-1
~
,,
'c:i
1--1
'
1()
~
2J
-
20; 85*
20; 85*
30*
15*
.
1
-
~
1 2 3
200
200
-
-
-
АОТ135
9,5
-
- --
_,
1-1
.....,
1
1
'
р 'c:i
•
\с')
'"'$.
"2J
-
~
1 2 3
10; 50*
10; 50*
15*
30*
20
20
1000
1000
-
лоnз&
-
1
~
"
.
~
-
1,,5_
'О
1
~
-- -~\
~
7
.Jj
~~
~
~~" -~~
~
::::: ~"О'
Раздел 7. Аналоги
416
Раздел
7.1. О
7.
Аналоги
взаимозаменяемости полупроводниковых приборов
Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых прибо
ров, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппаратуре, а
также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы).
Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых при
боров предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и харак
теристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров.
Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полу
проводниковых приборов
это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изготови
-
теля.
Очевидно,
что
в
ряде
случаев
нормы,
устанавливаемые
на
параметры,
могут
значительно
отличаться от их реальных значений.
Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и климати
ческих испытаний, нормы на параметры
-
критерии годности при испытаниях, методы измерений, от
которых в общем зависят устанавливаемые параметры, многообразны, принципиально различны и не
универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят не только от режима работы и
температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы и при хранении).
Эксплуатационные свойства транзисторов описываются бо!Jьшим числом параметров, поэтому
можно считать, что практичес-ки полная тождественность отечественных. и зарубежных транзисторов
недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или
приближенной
их эквивалентности.
Подбор аналогов должен проводиться с учетом
конкретной
электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов (показате
лей функционирования) в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении
технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться, прежде всего, требования· к
выходным параметрам. Поэтому не все параметры транзисторов будут одинаково важными, а только
те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.
Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов зависит не только от их свойств,
условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитываю
щей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене
зарубежного прибора отечественным, даже лучшим tю параметрам, может потребоваться подстройка
схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация.
Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров (показателей
функционирования) отечественных и зарубежных приборов из справочников; стандартов или техниче
ских условий на эти приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, технология
изготовления, структура (p-n-p или n-p-n), предельные (предельно допустимые) параметры, данные об
электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и другие сведения.
Полупроводниковые
приборы,
изготавливаемые
в
едином технологическом
процессе,
иногда
разделяются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например,
транзисторы ВС107-ВС109 имеют металлостеклянный корпус ТО-18, приборы с таким же сочетанием
параметра ВС107Р-ВС109Р, ВС147-ВС149, ВС207-ВС209, РВС107-РВС109 имеют соответственно
корпуса Х-55, ММ-12, R0-110, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквива
ленты в пластмас~овом корпусе.
Сокращенные обозначения зарубежных фирм
7.2. Сокращенные
Обозначение
417
обозначения зарубежных фирм
Обозначение
Фирма, страна
Фирма, страна
СОМР., Япония
NEC
NIPPON ELECTRIC
NSC
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP.,
РЕС
PНILIPS
PHILCO
PHILCO RADIO TELEVISAO,
PI
PIHER INTERNATIONAL CORP.,
РРС
РРС
PPI
PECOR
PS
PLESSEY SEMICONDUCTORS,
РТI
POWER
RCA
RCA CORPORATION,
RTC
RTC LARADIOTECHNIQUE
RFТ
RFТ, ФРГ
RS
RAУТНЕОN SEMICONDUCTOR,
SA
SIEMENS
ЕЛЕКТРОННИ ЕЛЕ)\"\.ЕНТИ, Болгария
SDI
SOLПRON
EI
ELECTRONSКA
SEC
SPRAQUE ELECTRIC
ЕТС
ELECTRONIC TRANSISTOR CORP., США
SEM
SНINDENGEN
FEL
FERANTI ELECTRONrcs. LTD.,
SGS
SGS-ATES,
FS
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.,
Sl
SILICONIX, INC.,
GDC
GENERAL DIODE CORP.,
Sll
SYNТAR
GE
GENERAL ELECTRONIC
SPC
SOLID POWER CORP.,
GPD
GERМANIUM
SPE
SPACE POWER ELECTRONICS, INC.,
GSI
GENERAL SEMICONDUCTOR INDUSTRIES, INC.,
SSD
SOLID STATE DEVICES, INC.,
GTC
GENERAL TRANSISTOR CORP.,
SSE
SOLID STATE ELECTRONICS
НР
HEWLETT
SSI
SOLID ST АТЕ INDUSTRIES, INC.,
HSE
HYBRID SEMICONDUCTOR ELECTRONIC, INC.,
STC
SILICON TRANSISTOR CORP.,
нvs
HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR,
SТI
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC.,
IC
INTERFET CORP.,
SUPERTEX
SUPERTEX, INC.,
IDI
INTERNATIONAL DEVICES, INC.,
SECI
SWAMPSCOTT ELECTRONICS
11
INTERSIL, INC.,
TAG
TRANSISTOR AG,
IPS
INТERNATIONAL
POWER SEMICONDUCTOR,
те
TOSHIBA CORP.,
IR
INТERNATIONAL
RECTIFIER SEMICONDUCTOR,
TCI
TELEDYNE CRYSTALONICS, INC.,
IТТ
INТERМETALL
TEL
TELEFUNKEN ELECTRONIC,
кмс
КМС
TESLA
TESLA,
KPD
KELTRON POWER DEVICES,
Индия
тном
THOMSON-CSF,
LS
LAMBDA SEMICONDUCTOR,
США
TI
TEXAS
MAI
MICROWAVE ASSOCIATES, INC.,
TRW
TRW SEMICONDUCTORS, INC.,
МЕС
MATSUSHIТA
TS
TELEDYNE SEMICONDUCTOR,
MED
MARCONI ELECTRONIC DEVICES, LTD.,
UA
UNIТED AIRCRAFТ, США
МЕ
MIТSUBISНI
uc
UNIТRODE
MEL
MICROELECTRONICS LTD.,
UNПRA
UNПRA, Польша
MIS
MISTRAL SPA,
v
VALVO,
WDI
WALBERN DEVICES, INC.,
WEC
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP.,
США
ACR
ACRIAN, INC.,
АЕС
AMPEREX ELECTRONIC CORP.,
Al
AV АNТЕК, INC.
AMI
AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR, INC.,
AMS
AMERICAN MICROSSYSTEMS, INC.,
ASI
ADVANCED SEMICONDUCTORS, INC"
ВЕ
BOEING ELECTRONICS,
BEL
BHARAT ELECTRONICS, LTD.,
CDI
CONTINENТ AL
csc
CRIMSON SEMICONDUCTOR CORP.,
CSD
CENTRAL SEMICONDUCTOR DIV,
CHERRY
CHERRY SEMICONDUCTOR CORP.,
Dl
DIONICS INC.,
DTC
DIODE TRANSIS1IOR
ЕЕ
-мL
США
США
США
США
Швейцария
Индия
Индия
DEVICES INDIA,
США
США
США
США
СОМР., США
INDUSTRIJA,
Югославия
Англия
США
США
СОМР., США
POWER DEVICES CORP.,
США
США
США
PACКARD, США
США
США
США
США
США
США
США
ELECTRONICS, CORP.,
ELECTRIC CORP.,
США
IТТ), ФРГ
(DER DEUTSCHE
SEMICONDUCTOR CORP.,
Индия
Япония
Англия
Япония
Гонконг
Италия
MULLARD LTD.,
Англия
мот
MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC.,
MPS
MICRO POWER SYSTEMS,
США
США
ELECTRONICS
СОМР., Нидерланды
ТЕСН,
Бразилия
США
США
PRODUCTS CORP.,
PRISIDENТ
США
США
INTERPRISES CORP.,
INC.,
Англия
США
США
СОМ., Франция
США
AKТIENGESELLSCHAFТ, ФРГ
DEVICES INC.,
США
СОМР., США
ELECTRIC MFG.,
Япония
Италия
США
INDUSTRIES, INC.,
США
США
США
США
СОМР., США
США
США
США
США
СОМР., США
Швейцария
Япония
США
ФРГ
Чеха-Словакия
Франция
INSTRUMENТS,
CORP.,
INC.,
США
США
США
США
ФРГ
США
США
Раздел
418
7.3.
Буквенные обозначения зарубежных т.ранзисторов
Обозначе-
АЕС
АС
BEL, CSD, EI, GPD, ML,
РЕС, RTC, SA, V, WDI
CSD, EI, GPD, HSE,
ТНОМ, SA
ASI, BEL, CSD, EI, GPD,
ML, РЕС, RTC, SA, V, WDI
AFY
AL
АМ
AMF
АР
ASY
ASZ
АТ
AU
AUY
в
BAL
ВАМ
ВАР
вс
UNIТRA
1
UNIТRA
BCF
АЕС,
ВСР
UNIТRA
BCV
АЕС,
BCW
вех
ВСУ
BD
BDP
BDV
BDW
ML,
ТНОМ, V
РЕС,
RTC,
FEL, ML, RTC, ТНОМ,
SA, V
АЕС, ASI, CSC, FEL, ML,
РЕС, RTC, SEC, SA, ТНОМ,
UNIТRA, V, WDI
АЕС, ASI, CSD, CSC, FEL,
IТГ, ML, РЕС, RTC, SEC,
SA, ТНОМ, V, WDI
АЕС, ASI, CSD, CSC, ML,
РЕС, RTC, V, WDI
ASI, BEL, CSD, CSC, ML,
РЕС, RTC, RFТ, SA, UNIТRA
sп
сх
BR
BRT
BRY
BS
BSJ
BSR
MEL, SDI
SEM, TRW
ML, РЕС, RTC, V
IТГ, ML, РЕС, RTC, V
EI
АЕС, ML, РЕС, RTC,
ТНОМ, V
АЕС, ASI, CSD, FEL, IDI,
ML, РЕС. RTC, SA, V, WDI
АЕС, ML, РЕС, RTC, V
АЕС, CSD, ML, РЕС, RTC,
SA, SGS, FEL, ТНОМ, V,
WDI, TEL
АЕС, ML, MIS, РЕС, RTC,
SGS, TEL, UNIТRA, V
ASI, CDI, CSC, CSD, EI,
HSE, IDI, ML, MIS, РЕС.
RTC, SGS, TEL, UNIТRA,
V, WDI
D
BFV
BFW
BFX
BFY
BGY
BLU
BLV
BLW
BLX
BLY
BSS
BST
BSV
BSW
BSX
UNIТRA
ВЕ
ВЕ
BU
BEL
BF
BEL
RFТ, RTC, TEL, V, WDI,
CSD, ACR, CSC, EI, IDI,
АЕС, ASI, BEL, FEL, CDI,
KRD, IC, HSE, MIS, РЕС,
UNПRA
BUS
BUT
BUV
ВР
ВFТ
вт
BDY
UNIТRA
вм
-
ML,PEC,RTC,SGS, V
CSD, IPS, ML, РЕС, RTC,
SGS, SSE, SDI
BEL, CSC, CSD, FEL, IPS,
ML,SGS,RTC,PEC, V
IPS, HSE, ML, РЕС, RTC
SDI, TEL, SGS, UNIТRA, V
BDX
стора
RTC,SA
SA, UNПRA, TI
АЕС, FEL, ML, RTC, РЕС, V
АЕС, ASI, CSD, IC, ML,
РЕС, RTC, SA, ТНОМ,
UNIТRA, V, WDI
АЕС, ASI, FEL, HSE, ML,
РЕС, RTC, ТНОМ, UNIТRA,
SA, V, WDI
ASI, FEL, ML, РЕС, RTC,
SA, SGS, TEL, ТНОМ, V
TI
А UNIТRA, V, WDI
ЕС, ASI, BEL, CDI, CSC,
CSD, ML, РЕС, RTC,
ASI, CDI, CSD, CSC, FEL,
IDI, HSE, DTC, 'ML, РЕС,
RTC, SGS, TEL, V, WDI
ASI, CSD, CSC, CDI, HSE,
IDI, FEL, ML, РЕС, SGS,
TEL, V, WDI
ML, РЕС, RTC
ML, РЕС, RTC, V
ML, РЕС, RTC, V
ML, РЕС, RTC, V
ML, РЕС, RTC, SDI, V
HSE, ML, РЕС, RTC, V
SII
BFS
GPD
CSD,GPD
EI, GTC, HSE, IDI, ML,
РЕС, RTC, UNIТRA, V
WDI
CSD,GPD
AMI
AMI
ACR,ASC
CSD, GPD, UNIТRA
BEL, CSD, GPD, WDI
AI
CSD,GPD
CSD,GPD,HSE
AI, STI, ТНОМ
AI
AI
AI
АЕС, ASI, BEL, CDI, EI"
CSC, CSD, FEL, IDI, IТГ,
KRD, MEL, ML, РЕС, RTC,
SA, SGS, ТНОМ, UNIТRA, V
ВСЕ
BFE
BFN
BFP
BFQ
BFR
BSXP
BSY
Фирма
ние транзи-
стора
А
ADP
ADY
ADZ
AF
Фирма
ние транзи-
с тора
AD
Обозначе-
ОбозначеФирма
ние транзи-
АСУ
7. Аналоги
UNIТRA
ASI, CDI, CSC, HSE, IDI,
FEL, ML, РЕС, RTC, SGS,
TEL, V
RS
ASI, CSD, DTC, GTC, HSE,
KPD, ML, NEC, PPI, RTC,
SDI, SGS, TEL, ТНОМ,
UNIТRA, V, WDI
вuс
мот
BUP
BUR
SGS, SEM
UNIТRA
BUW
BUX
BUYP
BUY
вuz
BZW
с
СА
CD
сот
CF
CIL
ск
см
СР
CQT
cs
сsт
ст
CTR
'
cv
DA
DB
DC
DD
DI
DM
DMP
DN
DP
DQN
DT
DTA
DTG
DTN
DTS
DV
DVD
Е
ЕС
ED
EN
ERS
ESM
ЕТР
FC
FGT
FMMT
FM
ML, РЕС, RTC, ТНОМ, V
ML, РЕС, RTC, SGS, TEL, V
ML, РЕС, RTC, SGS, SDI,
TEL, ТНОМ, V
CSD, ML, РЕС, RTC, SGS,
SDI, ТНОМ, V
CSD, FEL, KPD, ML, РЕС,
RTC, SGS, SDI, TEL,
ТНОМ, UNПRA, UC, V, WDI
PPI, UNIТRA
ASI, FEL, CSD, HSE, RTC,
SGS, SPI, WDI
ML, PEC,RTC,SGS,SA, V
SA
ASI, ACR, TCI, ТI, WDI
GPD
SII
GPD
SII
CDI
STI
TCI
TCI
GPD
ASI, NSC, WDI
GPD
SEC
STI, GPD
SEM
ASI, WDI
ACR, CSC, GE, МОТ, NSC,
SGS, PPI, STI, TI, WEC
GPD, WEC
WEC
Dl
AMS
DI
АМS
ML, РЕС, RTC, V
DI, SI
DI
DI
MED
МЕС
ASI, DTC, GPD, STI, WDI
DI
ASI, CSD, DTC, SPC, SSI,
TI, WDI
SI
SI
NSC, SDI, WDI
UA
NSC
ASI, CSD, IDI, STI, WDI
ЕТС
MIS,
ЕТС
ТНОМ
SEC .
FEL
FEL
ACR,NSC
Буквенные обозначения зарубежнь1х транзисторов
Обозначе-
ОбозначеФирма
ние транзи-
FТ
FТR
SI
FS
FS,
FS
МОТ,
STI
LDA
LOT
LS
LT
RFТ,TESLA
м
МА
НА
НЕР
мот
МНА
НЕРЕ
мот
MJ
HEPS
мот
НР
НР
HS
HSE
GE, SEC
HSE
FEL
BEL
IDI
IDI
IDI
IDI
IDI
11,NSC
IR
FS, IR, МОТ, RCA, SGS, SI
IR
IR
IR
11
11, NSC
IC, 11, МОТ, NSC, SI, SDI
н
нт
HV
IDA
IDB
юс
IDD
IDI
IMF
IR
IRF
IRFD
IRFF
IRFZ
IT
ПЕ
J
JA
JC
JE
JH
JO
к
КА
- кв
кс
КD
КЕ
KF
KFY
КJ
км
КN
КР
KS
KSP
KSY
кu
KUY
L
мс
MD
MDS
МЕМ
MEU
MF
MFE
MFEC
MG
MGM
MGP
мн
MJE
стора
АЕС
TRW
SI
NSC
ASI, 11, WDI
ASI, HSE, MEL,
STI, WDI
PI
CSC, МОТ, PI
МОТ,
мот
GI, SDI
MEL
МОТ, PI, STI
CSC, МОТ, SDI, SI
GE,
МРХ
мот
MRF
MRFC
MS
MSA
MSB
MSP
DTC,
мот
те
мтн
мот
мот
мтм
МОТ,
мот
МТР
FS,
MEL, WDI
FS
ASI, CSC, CSD, IDI, GTC,
IPS, МОТ, PPI, RCA, SGS,
STC, STI, TI, WDI
ASI, CSD, CSC, GTC, IDI,
МЕС, МОТ, NSC, PPI, SGS,
STI, ТНОМ, WDI
мтs
мот
MTU
MU
N
NA
NB
NDF
NF
MEL
GE, МОТ
CHERRY, KPD, TI
NSC
NSC
NSC
11, MEL, NSC, SI, TS
HSE
ASI, CSC, HSE,
STI, WDI
МОТ, SEC
МОТ, SEC
МОТ, NSC
МОТ,
мот
мот
МОТ,
ММВТА
МОТ,
ммвтн
МОТ,
ммвтs
мот
ммс
мот
MMCF
MMFF
мот
РА
IТТ
·мот
РВ
IТТ
мм см
мот
РВМ
ммт
мот
РС
MN
STI
GPD, MPS, MEL, STC
PD
NSC, SEC
SEC
NSC
ос
ON
р
РЕ
РЕС
MPSA
MPSC
MPSD
MPSH
MPSK
MPSL
мот
мот
мм
MPS
МОТ
МТЕ
NКТ
MPF
NSC
МОТ
МТА
NPC
NPD
NR
NS
NSD
NSDU
NSE
NT
NTM
МР
МОТ,
мот
мм вт
NEC
SDI
TRW
ASI, HSE, WDI, КМС
TESLA
WEC
TESLA
КМС, TESLA, WEC
NSC, SDI, WDI, WEC
MAI, TESLA
TESLA
MAI
ASI, WDI
KPD
KPD
TESLA, WEC
PPS
TESLA
TESLA
TESLA
ASI, WDI
мот
мт
мsт
мот
ммвс
SPE, WDI
TI
FS
WDI
HSE, STI
HSE, STI
FS, MEL, PTI
мот
MMBF
MMBPU
MMBR
МОТ,
MPSU
MPSUC
MPSW
MPU
MJEC
MJH
ММВА
Фирма
вне транзи-
стора
RET, TESLA
CSC,CSD,GE
GE
RET, TESLA
TESLA
RET,TESLA
GSI
GSI
GSI
GSI
GSI
GDC, HSE
Sll
GDC
GC
GD
GE
GET
GF
GFY
GS
GSDB
GSDS
GSDU
GSRU
GSTU
GT
ОбозначеФирма
ние транзи-
стора
FN
FOS
419
MEL, МОТ, NSC, SDI,
SI, WDI
FEL, FS, CSC, SCD, .IDI, GE,
МОТ, NSC, RC, SEC, STI,
TI, ТНОМ, WDI
FEL, FS, CSD, GE, IDI, STI,
MEL, МОТ, NSC, RC, SEC,
TI, ТНОМ, WDI
РЕТ
PF
PG
РН
PL
PMD
PMS
PN
мот
CSC, CSD, GE, MEL. мет,
RC, SEC, STI, WDI
CSC, CSD, FS, GE, IDI,
MEL, МОТ, NSC, SEC,
STI, WDI
CSC,SEC
CSC, FS, GE, IDI, МОТ,
NSC, SEC, SТI, TI, WDI
РТ
Q
R
RCA
RCP
RCS
RFD
RFH
SGS
SGS
МОТ,
тном
NSC
NSC
NSC
NSC, WDI
NSC
NSC
NEC
NEC
GPD, HSE, GTC, STI, TI
ML, РЕС, RTC, V
CHERRY, NSC, SDI, SI, S,
SD, WDI
PHILCO
PHILCO
PHILCO
PHILCO
DI, PHILCO
FS, PHILCO, NSC, PPI
PPI
STI
NSC
SEC
АЕС, ML, РЕС, RTC, V
TI
CSD,LS
LS
CSD, CSC, FS, MEL, NSC,
RC, SSD, SSI
BEL, РТI, SSD, TRW
HSE
WDI
RCA
SТI
RCA
FEL
RCA
Раздел
420
Обозначе-
ОбозначеФирма
ние транзи-
ОбозначеФирма
ние транзи-
стора
RCA
RCA
RCA
RCA
RCA
RTC
ACR,SSD,TC, UA
GPD, RFТ, PI
PI
ML, RFТ, RTC, TEL, SI,
THOM,V
SDI
GPD
SDI
SDF
SDG
SDM
SDN
SDP
SDT
SE
SFMN
SFN
SFТ
SGS
SGSP
SHA
sк
SL
SM
STP
STS
su
sv
SVN
стора
TS
TSB
TZ
u
STI
sтс
RFТ,
т
SGS, TSC
NSC
SDI
SDI, SSD, SТI, TRW
SECI
SEM
твс
те
UРТ
TBF
те
uтv
те
тсs
MED
TAG
TI
svт
SWT
uc
UMIL
UMT
ТЕС
те
v
VAM
VCR
VMIL
sтс
ТЕD
те
УМОВ
STC
CSC, GPD, SDI, SSD
ASI, CSD, FS, IDI, GTC,
МОТ, NSC, SEC, SТI, WDI
PI, RFТ
SDI
MIS, PI, ТНОМ
SGS
SGS
SSI
RCA, SТI
PS
TF
TG
тн
MED
UNITRA
SEC, ТНОМ
ТНА
тном
тсн
'
тнв
тном
тнх
тном
ТНУ
тном
Т1
HSE, SТI, Тl, WDI
ASI, CSC, CSD, FEL, GTC,
IDI, МЕС, MEL, МОТ, ML,
SC, PPI, РЕС, RCA, RTC,
NSGS, SDI, SТI, TI, V, WDI
ПР
VMP
VN
VNM
·vNN
VNP
VP
VQ
vтv
w
WT
XGS
XGSA
XGSQ
XGSR
ZDT
ZT
ZTX
ZVN
2NU
RFТ
TIPC
мот
sмвт
SA
ТIPL
so
SOR
SP
SPC
SPK
SPM
SPT
SQ
SQD
тном
ТIS
ТIХМ
TI
DIC, IDI, MEL, NSC, SDI,
SТI, TI, WDI
TI
TI
ТIХР
РТI
ТIXS
TI
ЗNU
ТL
тном
ТМР
SEC
NSC, MEL, SUPERTEX,
TCI, TI
SEC
SEC
SEC
SEC
TPW
SEC
GDC, HSE, NVS, МЕ, STI
4NU
5NU
6NU
7NU
IOINU
I02NU
тном
RS, SDI
SPC
SDI
SDI
SSI
SEM
SEM
FEL
SRF
SRL
SRLP
TIX
ТN
sтс
'
sтс
ТР
ТРЕ
SRМ
sтс
ТРР
SRS
ss
SSP
ssx
ST
STA
STC, STI
RFТ, SSI
SSI
PI
NSC, STI,
sтс
TPS
TPV
TQ
TR
TRF
TRL
sтс
РТI
ТRМ
SТI
SТIP
STI
STI
ТRSP
GDC,
GDC,
GDC,
GDC,
sтм
SТI
TRW
ТRW
-
те
TRS
Фирма
ние транзи-
стора
RFK
RFL
RFM
RFP
RRF
RT
s
sc
SCA
SD
7. Аналоги
ТI
HSE,
HVS,
HSE,
HSE,
STI
HSE, SП
HVS, SSD, SТI
NVS, SSD, STI
TI
те
SEC
IFC, 11, NSC, МОТ, SI, SDI,
UC, WDI
МОТ, SDI
ACR
uc
uc
ACR
SGS,UA
ACR
11, SI
ACR
ACR
SI
11, SDI, SI, SUPERTEX
SDI
SDI
SDI
SDI, SUPERTEX
SUPERTEX
ACR
WDI
WEC
GSI
GSI
GSI
GSI
FEL
FEL
FEL
FEL
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
ТESLA
ТESLA
TESLA
IOЗNU
ТESLA
I04NU
I05NU
106NU
107NU
152NU
I53NU
154NU
155NU
156NU
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
2Т
ЕЕ
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
7.4. Зарубежные
транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
l01NU70
l02NU70
l03NU70
l04NU70
105NU70
l06NU70
l06NU70
l07NU70
152NU70
153NU70
154NU70
2N1024
2Nl027
2N1028
2Nl04
2Nl05
2N1051
2Nl07
2N109
2N1175
2Nl204
2N1204A
2Nl218
2Nl219
2N1220
2Nl221
2Nl222
2Nl223
2Nl23
2Nl28
2Nl292
2Nl30
2Nl300
2Nl30l
2Nl303
2Nl30A
2Nl31
2Nl31A
2Nl32
2Nl321
2Nl329
2Nl32A
2Nl33
2Nl353
2Nl354
2Nl366
2Nl384
2Nl384
2Nl387
2Nl39
2Nl390
2Nl413
2N1414
2Nl415
2Nl420
2N1494A
2Nl499A
2Nl499B
2Nl500
2Nl507
2Nl524
-
Приближенный
отечественный
Корпус
аналоr
А-6
МП35
А-6
МП35
А-6
МП37
А-6
МП36А
А-6
МП36А
А-6
МП36А
А-6
МП37А
А-6
МП36А, МП38А
А-6
МПЗ6А, МП38
А-6
МП36А
А-6
МП38
ТО-5
КП04Б
ТО-5
КТ104Б
ТО-5
КТ104А
ТО-40
МП40А
ТО-2
ГТ109Б
ТО-5
КТ601А
R-31
ГТ115А
ТО-40
МП20Б
ТО-5
МП20Б
ТО-39
КТ312Г
ТО-39
КТ312Г
ТО-3
ГТ705Г
ТО-5
КТ104Г
ТО-5
КТ104А
TQ-5
КТ104Г
ТО-5
КТ104А
ТО-5
КТ104А
R-32
МП42Б
ТО-24
ГТ310Д
·ТО-3
421
ГТ305В
ТО-5
МГТ108А
ТО-5
ГТ308А
ТО-5
ГТ308А
ТО-39
МП20А
ТО-5
ГТ108А
ТО-5
МГТ108Б
OV-16
МГТ108Б
ТО-5
МГТ108В
ТО-10
ГТ705В
ТО-13
ГТ705В
OV-16
МГТ108В
ТО-5
МГТ108Б
ТО-5
МП42А
ТО-5
МП42Б
ТО-11
ГТ321Е, ГТ321Г
ТО-11
ГТ321Д
ТО-5
КТ301Б
ТО-40
ГТ109Е
1
ГТ122В
ТО-5
КТ301Д
ТО-5
МП39Б, МП20А
ТО-5
МП39Б, МП20А
ТО-5
МП39Б, МП20А
ТО-30
КТ630Е
ТО-31
ГГ321Г
ТО-3
ГТ305А
ТО-9
ГГ305Б
ТО-9
ГТ305Г
ТО-5
КТ630Е
ТО-1
П422
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2Nl526
2Nl564
2Nl565
2Nl566
2Nl566A
2Nl572
2Nl573
2Nl574
2Nl585
2Nl613
2Nl643
2Nl67l
2Nl68l
2Nl683
2Nl700
2Nl70l
2Nl702
2Nl 711
2Nl714
2Nl716
2NI726
2Nl727
2Nl728
2Nl742
2Nl743
2Nl745
2Nl746
2Nl747
2Nl748
2Nl75
2Nl752
2Nl754
2Nl777
2Nl78
2Nl785
2Nl786
2Nl787
2Nl838
2Nl839
2Nl840
2Nl854
2Nl864
2Nl865
2Nl86A
2Nl889
2Nl89
2Nl890
2Nl893
2Nl90
2Nl902
2Nl904
2NI91
2Nl924
2Nl925
2Nl926
2Nl93
2Nl958
2Nl959
2N2020
2N2048
2N2048A
Приближенный
отечественный
Корпус
аналоr
ТО-1
П422
ТО-5
КТ601А
ТО-5
КТ601А
ТО-5
П307Б, КТ602Г
ТО-5
КТ602Б
ТО-5
П309
ТО-5
П308
ТО-5
П308
ТО-5
ГТ311Ж
ТО-5
КТ630Г
ТО-5
КТ104А
-
КТl 19А
ТО-5
МП42Б
ТО-5
ГТ308Б
ТО-5
КТ801Б
ТО-8
П702
MD-6
КТ803А
ТО-5
КТ603 (Е, Г)
ТО-5
П701А
ТО-5
П701А
П417А
ТО-9
ТО-9
-
,
П417
ТО-9
П417А
ТО-9
ГТ313Б
ТО-9
ГТ313А
ТО-9
ГТ305Б
ТО-9
П417
ТО-9
П417
ТО-9
ГТ305В
ТО-40
П27
ТО-9
П417
ТО-9
ГТ305А
КТ665Б9
ТО-3
П216Б
ТО-9
П417А
ТО-9
П417
ТО-9
П417
ТО-5
КТ617А
ТО-5
КТ617А
ТО-5
КТ617А
ТО-5
ГТ308Б
ТО-9
П417
ТО-9
П417Б
R-32
МП25Б, МП20А
ТО-39
КТ630Г
R-32
МП25А
ТО-39
КТ630Б
ТО-5
КТ630А
R-32
МП25А
КТ926А
КТ926Б
R-32
МП25Б
ТО-5
МП21Г
ТО-5
МП21Г
ТО-5
МП21Д
ТО-22
МП38
ТО-5
КТ608А
ТО-5
КТ608Б
ТО-18
КТ3117А
ТО-9
ГТ308Б
ТО-9
ГТ308Б
Раздел
422
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N206
2N207
2N207A
2N207B
2N2089
2N2l02
2N2l02A
2N2I21
2N2121A
2N2137
2N2138A
2N2142A
2N2143
2N2147
2N2148
2N215
2N218
2N2192
2N2192A
2N2193
2N2193A
2N2194
2N2194A
2N2195
2N2199
2N220
2N2200
2N2217
2N2218
2N2218A
2N2219
2N2219A
2N2221
2N2221A
2N2222
2N2222
2N2224
2N2236
2N2237
2N2237
2N2242
2N2243
2N2243A
2N2246
2N2270
2N2273
2N2274
2N2275
2N2276
2N2277
2N2297
2N233A
2N2360
2N236l
2N2368
2N2369
2N237
2N2372
2N2373
2N2400
2N2405
2N24l0
2N241 l
2N2412
.
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-5
МГТIО8А
ТО-5
МГТIО8Г
ТО-5
МГТIО8Г
ТО-5
МГТIО8Г
ТО-7
П403, П416А
ТО-39
КТ630А
ТО-39
КТ630А
ТО-18
КТ3117А
ТО-18
КТ3117Б
ТО-3
ГТ701А
ТО-3
ГТ701А
ТО-3
ГТ701А
ТО-3
ГТ701А
ТО-3
ГТ905А
ГТ905Б
ТО-3
ТО-1
.
МП40А
ТО-1
ГТIО9Е
ТО-39
КТ630Е
ТО-39
КТ630Е
ТО-39
КТ630Г
ТО-39
КТ630Г
ТО-39
КТ630Д
ТО-39
КТ630Д
ТО-5
КТ630Д
ТО-9
ГТ305А
ТО-1
П27А
ТО-9
ГТ305Б
ТО-5
КТ928А
ТО-5
КТ928Б
ТО-5
КТ928Б
ТО-5
КТ928Б
ТО-5
КТ928Б
TO-IS
КТ31l7A
ТО-18
КТ3117А
ТО-18
КТ3117Б
ТО-18
КТ31l7A
ТО-5
КТ608Б
ТО-5
КТ617А
ТО-5
КТ603Б
ТО-5
КТ608Б
ТО-18
КТ340В
ТО-5
КТ630А
ТО-5
КТ630А
КТ315IЕ6
ТО-39
КТ630Д
ТО-18
ГТ305Б
ТО-18
КТ203Б
ТО-18
КТ203Б
ТО-18
КТ203В
ТО-18
КТ203В
ТО-5
КТ630Г
ГТ122Б
ТО-12
ГТ376А
ТО-12
ГТ376А
ТО-18
КТ633Б
ТО-18
КТ633А, КТ3142А
ТО-22
МП40А
ТО-18
КТ203В
ТО-18
КТ203В
ТО-18
ГТ308Б
ТО-39
КТ630Б
ТО-5
КТ928А
ТО-18
КТ352А
ТО-18
КТ352А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N2415
2N2416
2N2428
2N2432
2N2432A
2N2475
2N2482
2N2483
2N2484
2N2537
2N2538
2N2539
2N2615
2N2616
2N2617
2N2635
2N2646
2N2647
2N265
2N2659
2N2660
2N2661
2N2665
2N2666
2N2667
2N2696
2N2708
2N27l l
2N2712
2N2725
2N2727
2N273
2N2784
2N28l l
2N2813
2N283
2N2835
2N2836
2N2844
2N2857
2N2868
2N2890
2N289l
2N2894
2N2904AL
2N2905A
2N2906
2N2906A
2N2907
2N2907A
2N2932
2N2933
2N2947
2N2948
2N2958
2N2987
2N2988
2N2989
2N2990
2N2999
2N3010
2N3012
2N3015
2N3019
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-72
ГТ376А
ТО-72
ГТ376А
ТО-1
МП41А
ТО-18
КТ201Б
ТО-18
КТ201Б
R-64
КТ316Б
ТО-18
ГТ31 lИ
ТО-18
КТ3102Б
ТО-92
КТ3102Д
ТО-5
КТ928Б
ТО-5
КТ928Б
ТО-18
КТ3117А
ТО-18
КТ325А
ТО-18
КТ325Б
R-8
КТ201А
ТО-18
ГТ320В
КТ132А
КТl
..
175,
КП32Б
R-32
R-122
R-122
R-122
R-122
R-122
R-122
МГТIО8Г
ТО-18
KT35IA
ТО-72
КТ325Б
R-67
R-67
КТ315Ж
П214А
П215
П215
П214А
П214А
П215
КТ315Б
КТ635Б
ТО-5
КТ504Б
ТО-5
МП39А
ТО-18
КТ316Б
МТ-29
КТ908Б
МТ-29
КТ908А
R-8
MD-17
МП40А
ТО-3
ГТ703Д
П213
КПСIО4Б
ТО-72
7. Аналоги
КТ399А
ТО-39
КТ630Д
ТО-5
КТ801А
ТО-5
КТ801А
ТО-18
КТ347Б
КТ620Б
КТ662А
ТО-18
КТ313А
ТО-18
КТ313А
ТО-18
КТ313Б
ТО-18
КТ313Б, КТ661А
ТО-92
КТ201ГМ
ТО-92
КТ201ДМ
ТО-3
КТ903А
ТО-3
КТ903А
ТО-5
КТ608Б
ТО-5
КТ630Г
ТО-5
КТ630В
ТО-5
КТ630Г
ТО-5
КТ630В
ТО-72
ГТ341В
ТО-18
КТ316Б
ТО-18
КТ347Б
ТО-5
КТ928А
то:39
КТ630В
Зару6ежнь1е транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
ТО-39
2N3020
2N3033
аналог
423
Зарубежный транзистор
Приближенный
отечественный
Корпус
Тип прибора
аналог
КТ630В
2N3585
ТО-66
КТ704А
КТ3122А
2N3600
ТО-72
КТ368А
R-67
КТ375Б
2N3053
ТО-5
КТ608Б
2N3605
2N3053
ТО-5
КТ630Д
2N3606
R-67
КТ375Б
2N3054
ТО-66
КТ805Б
2N3607
ТО-92
КТ375Б
2N3054A
ТО-66
КТ803А
2N36l l
ТО-3
ГТ701А
2N3055
ТО-3
КТ819ГМ, КТ8150А
2N3613
ТО-3
ГТ701А
2N3055E
ТО-3
КТ819ГМ
2N3638
КТ686Г
2N3l07
ТО-5
КТ630Б
2N3638A
2N3l08
ТО-5
КТ630Г
2N367l
2N3l09
ТО-5
КТ630Б
2N368
ТО-5
МП40А
2N3l l0
ТО-5
КТ630Г
2N369
ТО-22
МП41А
2N3l l4
ТО-5
КТ611Г
2N3702
ТО-92
КТ345Б
2N312l
ТО-18
КТ315А
2N3703
2N3127
ТО-72
ГТ328А, ГТ376А
2N3709
ТО-92
КТ358А, КТ373А
2N3209
ТО-18
КТ347А
2N37l0
ТО-92
КТ358В, КТ3 73А
2N32l0
ТО-18
КТ616Б
2N37l l
ТО-92
КТ3102В
2N3237
КТ729А
2N3712
ТО-5
КТ611Г
2N3240
КТ730А
2N37l 7
КТ351А
2N3722
ТО-5
ТО-92
КТ686Ж
КТ620А
КТ685Е
КТ692А
КТ608Б
2N3248
ТО-18
2N3249
ТО-18
КТ345Б
2N3724
ТО-39
КТ608Б
2N3250
ТО-18
КТ3 l08А, КТ3 l 3Б
2N3725
ТО-5
КТ635Б
2N3250A
ТО-18
КТ313Б, КТ3108В
2N3730
ТО-3
ГТ8IОА
2N325l
ТО-18
КТ3108Б
2N3732
ТО-3
ГТ905А
2N326
ТО-3
ГТ705В
2N3733
ТО-60
КТ907А
2N3267
ТО-72
ГТЗ76А
2N3279
ТО-72
ГТ328А
ТО-46
КТ659А
ТО-66
КТ809А
2N3280
ТО-72
ГТ328А
2N328l
R-96
ГТ328Б
2N3739
ТО-66
КТ809А
2N3740
ТО-66
2N3282
R-96
КТ932Б
ГТ328В
2N374l
ТО-66
КТ932А
2N3283
2N3284
ТО-72
ГТ328А
2N3742
ТО-5
КТ604Б
ТО-72
ГТ328В
2N3766
ТО-66
КТ805Б
2N3286
ТО-72
ГТ328Б
2N3767
ТО-66
КТ805Б
2N3299
ТО-5
КТ608Б
2N377l
КТ729А
2N330l
ТО-18
КТ3117А
2N3772
КТ729Б
2N3302
ТО-18
КТ31l7А
2N_3773
КТ730А
2N3304
ТО-18
КТ337А
2N382l
КП303Ж, КП329Б
2N33l
ТО-5
МП39Б
2N3822
КП303И
КП103Е
2N3823
КП303А, КП329Д
КП302БМ
2N3329
2N3737
-
2N3738
--
ТО-60
КТ904А
2N3824
2N3390
ТО-98
КТ373В
2N3839
ТО-72
КТ399А
2N339l
ТО-98
КТ373В
2N3866
ТО-39
КТ939А
2N3375
,
2N3392
ТО-98
КТ373А
2N3878
ТО-66
КТ908А
2N3393
ТО-98
КТ373А
2N3879
ТО-66
КТ908А
2N3394
ТО-98
КТ373Г
2N3880
ТО-72
КТ399А
2N3397
ТО-98
КТ315Е
2N3883
ТО-5
ГТ320Б
2N3399
ТО-72
ГТ346Б
2N3903
ТО-92
КТ375А
2N3439
КТ504А
2N3904
ТО-92
КТ375 (А, Б)
2N3440
КТ504Б
2N3905
ТО-92
КТ361Г
2N3440S
ТО-39
КТ940А
2N3906
ТО-92
КТ361Г
2N344l
ТО-66
КТ802А
2N3953
ТО-72
КТ3123А2
2N3442
ТО-3
КТ945А
2N3964
ТО-18
КТ3107Л
2N345l
ТО-18
КТ337А
2N397l
ТО-18
КП302А, КП302АМ
2N3495
ТО-5
КТ632Б
2N3972
ТО-18
КП302ВМ
2N3545
ТО-18
КТ343Б
2N3974
ТО-98
КТ3172А9
2N3546
ТО-18
КТ363А
2N4030
ТО-5.
КТ933Б
КТ201АМ
2N403l
ТО-5
КТ933А
2N3565
2N3570
ТО-72
КТ399А
2N4034
ТО-18
КТ326Б
2N357l
Т()..72
КТ399А
2N4034
ТО-18
КТ347А
2N3572
ТО-72
КТ399А
2N4036
ТО-39
КТ933А
2N3576
ТО-18
КТ347А
2N4037
ТО-39
2N3583
ТО-66
КТ704В
2N4038
2N3584
ТО-66
КТ809А
2N404
ТО-5
МП42Б
2N3585
ТО-66
КТ704Б
2N4046
ТО-5
КТ608Б
КТ933Б
КП30ID
-
Раздел
424
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N405
2N406
2N4077
2N4092
2N4093
2N4123
2N4124
2N4125
2N4126
2N4127
2N4128
2N4138
2N4207
2N4208
2N4209
2N4220
2N4223
2N4224
2N423l
2N4232
2N4233
2N4234
2N4237
2N4238
2N4239
2N4240
2N4254
2N4255
2N4260
2N426l
2N4268
2N429l
2N43
2N430l
2N4314
2N4360
2N438
2N4393
2N44
2N4400
2N44l l
2N4416
2N4429
2N4430
2N443l
2N444
2N4440
2N444A
2N445
2N445A
2N44A
2N45
2N456
2N457
2N458
2N45A
2N4870
2N487l
2N4889
2N489l
2N4893
2N4898
2N4898
2N4899
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-40
МПЗ9А
ТО-1
МПЗ9А
MD-6
ГТ705Д
КП905А
КП302Г
ТО-92
КТ3102А
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ36IБ
10-92
КТ3107Ж
МТ-59
КТ922Г
МТ-59
КТ922Д
ТО-46
КТ20IБ
ТО-18
КТ337Б
ТО-18
КТ337Б
ТО-18
КТ363А.
КП307Б
КП305Д, КП307Б
КП305Е, КП307В
ТО-66
П702
ТО-66
П702
ТО-66
П702
КТ830А, КТ692А
TQ-5
КТ801А
ТО-5
КТ80IБ
ТО-5
КТ801А
ТО-66
КТ704 (А, Б)
ТО-92
КТ316АМ
ТО-92
КТ316ГМ
ТО-72
КТ363А
ТО-72
КТ363Б
КП304А
ТО-92
КТ684Б
R-32
МП25Б
ТО-61
КТ908А
ТО-39
КТ933А
KПl03MPl
ГП22А
КП302ГМ
R-32
МП25Б
ТО-92
КТ645А
КТ3126А
КП323А2
МТ-59
КТ91 IБ
ТО-129
КТ913А
ТО-129
КТ913Б
ТО-5
МП35
ТО-60
КТ907Б
ТО-5
МП35
ТО-5
МП38
ТО-5
МП37
R-32
МП40А
ТО-29
МП40А
ТО-3
П210В
ТО-3
П210Б
ТО-3
П2IОБ
ТО-29
МП40А
КТ133А
КТ133Б
КТ686Ж
КТl 17Б
кп
178
КТ932В
ТО-66
КТ932В
ТО-66
КТ932Б
2N4900
2N4910
2N49l l
2N4912
2N4913
2N4914
2N4915
2N4923
2N4924
2N4925
2N4926
2N4927
2N4933
2N4960
2N497
2N4976
2N498
2N499A
2N50l
2N502A
2N502B
2N503
2N503l
2N5032
2N5043
2N5044
2N5050
2N505l
2N5052
2N5056
2N506
2N5067
2N5068
2N5069
2N5070
2N5090
2N5104
2N5146
2N5l6l
2N5177
2N5178
2N5179
2N5188
2N5190
2N519l
2N5l92
2N5193
2N5194
2N5195
2N5196
2N5202
2N5209
2N5210
2N5219
2N522l
2N5223
2N5226
2N5228
2N5236
2N5239
2N5240
2N5313
2N5315
2N5317
отечественный
Корпус
аналог
ТО-66
КТ932А
ТО-66
П702А
ТО-66
П702
ТО-66
П702
ТО-3
КТ808А
ТО-3
КТ808А
ТО-3
КТ808А
КТ807БМ
ТО-39
КТ611Г
ТО-39
КТ611Г
ТО-39
КТ604Б
ТО-39
КТ604Б
КТ927А
ТО-5
КТ928Б, КТ635А
ТО-5
КТ630Д
ТО-129
КТ911А
ТО-5
КТ630Г
ТО-1
ГТ305А
ТО-1
ГТ305А
ТО-9
ГТ313А
ТО-9
ГТ313А
ТО-9
ГТ3IОБ
ТО-72
КТ399А
ТО-72
КТ399А
ТО-72
ГТ329Б
ТО-72
ГТ329А
ТО-66
КТ802А
ТО-66
КТ802А
ТО-66
КТ802А
ТО-18
КТ347Б
ТО-22
ГТl 15Б
ТО-3
КТ803А
ТО-3
КТ803А
ТО-3
КТ803А
ТО-60
КТ912А
ТО-60
Аналоги
Приближенный
Зарубежный транзистор
Тип прибора
7.
КТ606А
КП329А
КТС622А
ТО-60
КТ914А
MD-36
MD-36
КТ909А
ТО-72
КТ399А
ТО-39
КТ603Б
ТО-126
КТ817А
ТО-126
КТ817В
КТ909Б
ТО-126
КТ817Г
ТО-126
KT8 l 6A,
ТО-126
КТ816В, КТ818В
ТО-126
КТ816Г, КТ818Г
КТ8 l 8А
КПС104В
ТО-66
КТ908А
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ3102Е
ТО-92
КТ375Б
ТО-92
КТ351А
ТО-92
КТ375Б
ТО-92
КТ350А
ТО-92
КТ357А
ТО-39
КТ3122Б
ТО-3
КТ812Б
ТО-3
КТ812А
ТО-61
КТ908А
ТО-61
КТ908А
ТО-61
КТ908А
Зарубежнь1е транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
2N5319
2N5334
2N5354
2N5356
2N535A
2N535B
2N536
2N5365
2N5366
2N5373
2N5394
2N5397
2N540l
2N5427
2Nl5427
2N5429
2N5447
2N5452
2N548l
2N5483
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N554
2N5540
2N555
2N555l
2N5556
'2N5589
2N5590
2N559l
2N5596
2N560
2N564l
2N5642
2N5643
2N5652
2N5672
2N568l
2N5682
2N5707
2N5709
2N5719
2N5764
2N5765
2N5768
2N5769
2N5770
2N5771
2N58l
2N5838
2N5839
2N5840
2N5842
2N5845
2N585l
2N5852
2N5887
2N5888
2N5889
2N5890
2N589l
2N59
Зарубежный транзистор
Приближенный
отечественный
Корпус
Тип прибора
аналог
ТО-61
КТ908А
ТО-39
КТ685Е
ТО-98
КТ351А
КТ685Ж
ТО-23
ГТl 15В
ТО-23
ГТl 15В
ТО-23
ГТl 15Г
ТО-98
КТ351А
ТО-98
КТ35IБ
ТО-92
КТ686А
КП307А
КП302Б
ТО-92
KT6l l6A
'
КТ808ГМ
ТО-66
КТ808А
ТО-66
КТ808А
Х-55
КТ345Б
КПС104А
МТ-74
КТ911А
КТ919В
ТО-220
КТ819Б
ТО-220
КТ819В
ТО-220
КТ819В
ТО-220
КТ819Г
ТО-3
П216В
ТО-61
КТ854А
ТО-3
П216В
ТО-92
KT6l l 7A
КП303Б
КТ934Г, КТ920А
КТ934Д
КТ920В
КТ9!6А, КТ919А
ТО-29
П307В
МТ-71
КТ922А
МТ-72
КТ922Б
МТ-72
КТ922В
ТО-72
КТ372В
ТО-3
КТ874А
ТО-39
КТ630Г
ТО-39
КТ630А
ТО-128
КТ921А
КТ936А
КТ929А
МТ-77
МТ-77
КТ913А
КТ913Б
КТ919Б
ТО-92
КТ3142А
ТО-92
КТ325ВМ
ТО-92
КТ363АМ
ТО-5
МП42А
ТО-3
КТ840Б
ТО-3
КТ840Б
ТО-3
КТ840А
ТО-72
КТ355А
ТО-92
КТ645А
ТО-72
КТ355А
ТО-72
КТ355А
ТО-66
ГТ701А, П216
ТО-66
ГТ701А, П216
ТО-66
ГТ701А, П216
ТО-66
ГТ701А, П216Г
ТО-66
ГТ701А, П217
ТО-5
МП20А
',
425
,./
2N59l
2N5995
2N5996
2N59A
2N59B
2N59C
2N60
2N601 l
2N6013
2N6015
2N602
2N603
2N6034
2N6035
2N6036
2N6037
,2N6038
2N6039
2N604
2N6047
2N6050
2N605l
2N6052
2N6057
2N6058
2N6059
2N6077
2N6078
2N6079
2N6080
2N608l
2N6093
2N6099
2N60A
2N60B
2N60C
2N6l
2N6l0l
2N6l07
2N6l l I
2N6121
2N6122
2N6123
2N6124
2N6125
2N6126
2N6129
2N6130
2N613l
2N6132
2N6133
2N6134
2N6135
2N6178
2N6179
2N6180
2N618l
2N61A
2N61B
2N61C
2N6202
2N6203
2N6204
2N6208
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-1
ГТl 15Г
МТ-78
КТ920Г
МТ-78
КТ920Г
ТО-5
МП20А
ТО-5
МП21Д
ТО-5
МП2IД
ТО-5
МП20Б
R-203
КТ825Б
КТ685Д
КТ685А
ТО-5
П416
ТО-5
П416
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ813IБ
КТ8131В
ТО-5
П416А
ТО-63
КТ947А
ТО-3
КТ825Д
.ТО-3
КТ825Г
ТО-3
КТ825Г
ТО-3
КТ827В
ТО-3
КТ827Б
ТО-3
КТ827А
ТО-66
КТ812Б
ТО-66
КТ812Б
ТО-66
КТ812А
МТ-72
КТ920Б
МТ-72
КТ920Г
МТ-67
КТ912Б, КТ927Б
ТО-220
КТ819В
ТО-5
МП21В
ТО-5
МП21Д
ТО-5
МП21Г
ТО-5
МП20А
ТО-220
КТ819Г
ТО-220
КТ818Г
ТО-220
КТ818А
ТО-220
КТ817А
ТО-220
КТ817В
ТО-220
КТ817Г
ТО-220
КТ837Ф
ТО-220
КТ837С
ТО-220
КТ837Н
ТО-220
КТ819Б
ТО-220
КТ819В
ТО-220
КТ819Г
ТО-220
КТ818Б
ТО-220
КТ818В
ТО-220
КТ818Г
Х-110
КТ610А
Х-109
КТ943Д
Х-109
КТ943Б
ТО-126
КТ932А
ТО-126
КТ932А
ТО-5
МП20В
ТО-5
МП21Д
ТО-6
МП21Г
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ916Б
"
426
Раздел
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
Приближенный
Зарубежный транзистор
Тип прибора
отечественный
Корпус
аналог
2N6216
ТО-3
КТ684А
2N697
ТО-39
КТ630Д
2N6246
ТО-3
КТ818ВМ
2N698
ТО-39
КТ630А
2N6247
ТО-3
КТ818ГМ
2N699
ТО-39
КТ630А
2N6248
ТО-3
КТ818ГМ
2N700
ТО-72
ГТ313Б, ГТ376А
2N6253
ТО-3
КТ819БМ
2N700A
ТО-17
ГТ376А
2N6260
ТО-66
КТ805Б
2N702
ТО-18
КТ312А
2N6263
ТО-66
КТ802А
2N703
ТО-5
КТ312В
2N6264
ТО-66
КТ802А
2N705
ТО-18
ГТ320В
КТ919В
2N706A
ТО-18
КТ340В
2N6266
2N6278
ТО-63
КТ879Б
2N708
ТО-18
КТ340В
2N6279
ТО-63
КТ879А
2N709
ТО-18
КТ316Б
2N6282
ТО-3
КТ827В
2N709A
ТО-.18
КТ316Б
2N6283
ТО-3
КТ827Б
2N710
ТО-18
ГТ320В
2N6284
ТО-3
КТ827А
2N7ll
ТО-18
ГТ320В
2N6285
ТО-3
КТ825Д
2N711A
ТО-18
ГТ320Б
2N6286
ТО-3
КТ825Г
2N711B
ТО-18
ГТ320Б
2N6287
ТО-3
КТ825Г
2N726_
ТО-18
КТ349А
2N6288
ТО-220
КТ819А
2N727
ТО-18
КТ349Б
2N6289
ТО-220
КТ819А
2N728
ТО-18
КТ312В
2N6290
ТО-220
КТ819В
2N729
ТО-18
КТ312Б
2N6291
ТО-220
КТ819В
2N734
ТО-18
П307, КТ601А
2N6292
ТО-220
КТ819Г
2N735
ТО-18
П307А. КТ601А
2N6293
ТО-220
КТ819Г
2N735
ТО-18
КТ601 А. П307 А
2N6304
ТО-72
КТ399А
2N738
ТО-18
П309
2N6305
ТО-72
КТ399А
2N739
ТО-18
П308
2N6310
ТО-220
КТ818В
2N741
ТО-18
ГТ313В
2N6341
ТО-3
КТ867А
2N741A
ТО-18
ГТ313А
2N6362
SOT-119
КТ930А
2N743
ТО-18
КТ340В
2N6364
SOT-119
КТ930Б
2N744
ТО-18
КТ340В
2N6369
SOT-119
КТ931А
2N753
ТО-18
КТ340Б
2N6371
ТО-3
КТ819БМ
2N754
ТО-18
П307В
2N6372
ТО-66
КТ808ГМ
2N755
ТО-18
П308
2N6373
ТО-66
КТ808ГМ
2N77
ТО-2
ГТ109Б
2N6374
ТО-66
КТ808БМ
2N780
ТО-18
КТ312Б
КТ684А
2N784A
ТО-18
КТ340В
2N6469
ТО-3
КТ818БМ
2N795
ТО-18
ГТ308А
2N6470
ТО-3
КТ819БМ
2N796
ТО-18
ГТ308Б
2N6471
ТО-3
КТ819ВМ
2N797
ТО-18
ГТ308А
2N6472
ТО-3
КТ819ГМ
2N797
ТО-18
ГТ311И
2N6477
ТО-220
КТ8123А
2N834
ТО-18
КТ340В
2N6499
ТО-220
КТ8110А
2N835
ТО-18
КТ340В
2N65
OV-4
МП20А
2N842
ТО-18
КТ301Д
2N653
ТО-5
МП20А
2N843
ТО-18
КТ301 (В, Ж)
2N654
ТО-5
МП20А
2N844
ТО-18
П307В, КТ601А
2N6542
ТО-3
КТ840Б
2N845
ТО-18
П308, КТ601А
2N6543
ТО-3
КТ840А
2N869
ТО-18
КТ352А
2N6546
ТО-204
КТ878Б
2N869A
ТО-18
КТ347А
2N655
ТО-5
МП20Б
2N914
ТО-18
КТ616Б
2N6448
2N656
ТО-5
КТ630Д
2N915
ТО-18
КТ342t
2N6560
ТО-3
КТ841А
2N916
ТО-18
КТ342А
2N657
ТО-5
КТ630Г
2N917
ТО-72
КТ36.SБ
2N6575
ТО-3
КТ8146А
2N918
ТО-72
КТ368А
КТ3132А
2N919
ТО-18
КТ340В
2N6617
7. Аналоги
2N6669
ТО-220
КТ863А, КТ997 А
2N920
ТО-18
КТ340В
2N6672
ТО-204
КТ847А
2N923
ТО-18
КТ203Б
2N6678
ТО-204
КТ847А, КТ878В
2N924
ТО-18
КТ203Б
2N6772
ТО-220
КТ8175Бl
2N929
ТО-18
КТ342А
2N6773
ТО-220
КТ8175Аl
2N930
ТО-18
КТ342А
2N6928
ТО-220
КТ8120А
2N94
ТО-2
МП38
2N6929
ТО-220
КТ8138Ж
2N943
ТО-18
КТ203Б
2N6930
ТО-220
КТ8138И
2N944
.ТО-18
КТ203Б
2N6931
ТО-204
КТ8117Б
2N955
ТО-18
ГТ311И
2N6932
ТО-204
КТ856Бl
2N955A
ТО-18
ГТ31 IИ
2N696
ТО-5
КТ630Д
2N978
ТО-18
КТ350А
Зарубежные транзисторь1 и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Зарубежный транзистор
Приближенный
отечественный
Корпус
427
Тип прибора
аналог
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
2N979
ТО-18
ГТ305А
2SA205
ТО-5
ГТ125Д
2N980
ТО-18
ГТ305А
2SA206
ТО-5
ГТ125Б
2N987
R-38
ГТ322Б
2SA2l l
ТО-5
ГТ125А
2N990
ТО-72
ГТ322В
2SA212
ТО-5
ГТ125А
2N991
ТО-72
ГТ322В
2SA2l 9
ТО-44
ГТ322В
2N993
ТО-72
ГТ322В
2SA221
ТО-44
ГТ322Б
2N995
ТО-18
КТ352А
2SA223
ТО-44
ГТ322В
2N996
ТО-18
КТ352А
2SA229
ТО-17
ГТ313А
КП902Б
2SA230
ТО-17
ГТ313А
2NL234B
2NU72
SOT-9
,ГТ403Б
2SA234
ТО-44
ГТ309Б
2NU73
ТО-3
ГТ703Б
2SA235
ТО-44
ГТ309Б
2NU74
ТО-3
ГТ701А, П2!0А
2SA236
ТО-44
ГТ322В
2S2466
MD-10
П201АЭ
2SA237
ТО-44
ГТ322В
КТ3126Б
2SA246
ТО-44
ГТ305В
2S3640
КТ686Г
2SA254
R-18
ГТ!О9Е
2SA1009
ТО-220
КТ85IБ
2SA255
R-18
ГТ109Д
2SA!Ol
ТО-1
ГТ322В
2SA256
ТО-18
ГТ322Б
2SA!Ol5
ТО-92
КТ3!07Б
2SA257
ТО-18
ТТ322В
2SA!02
ТО-1
ГТ322В
2SA258
ТО-18
ГТ322В
2SA102l
ТО-220
КТ722А
2SA259
ТО-18
ГТ322В
2SA1029B
ТО-92
КТ3107Г
2SA260
ТО-17
ГТ310А
2SA1029C
ТО-92
КТ3107Д
2SA266
ТО-1
ГТ309Г
2SA1029D
ТО-92
КТ3!07И
2SA267
ТО-1
ГТ309Г
2SA103
ТО-72
ГТ322В
2SA268
ТО-1
ГТ309Д
2S564
2SA1030
КТ668В
2SA269
ТО-1
ГТ303Д
2SA1030B
КТ668Б
2SA270
ТО-1
ГТ309Г
ГТ309Г
2SA1030B
ТО-92
КТ3107Б, КТ668В
2SA27l
ТО-1
2SA1030C
ТО-92
КТ3107 Д, КТ668В
2SA272
ТО-1
ГТ309А
2SA1031B
ТО-92
КТ3107Г
2SA277
ТО-5
ГТ124В
2SAl03lC
ТО-92
КТ3107Ж
2SA279
ТО-7
П416Б, ГТ305Б
2SA!031D
ТО-92
КТ3107Ж
2SA282
ТО-5
ГТ125 (В, Г)
ТТ322Б
.
КТ668А
2SA285
ТО-44
2SA1033B
ТО-92
КТ3107Г
2SA286
ТО-44
ГТ322Б
2SA!033C
ТО-92.
КТ3107Д
2SA287
ТО-44
ГТ322Б
2SA1032
2SA!033D
ТО-92
КТ3107К
2SA312
ТО-5
ГТ32IД
2SA104
ТО-1
ГТ322Б
2SA321
ТО-44
ТТ322В
2SA105
ТО-44
ГТ310Е
2SA322
ТО-44
ГТ322В
2SAI052B
ТО-236
КТ3129Б9
2SA338
ТО-18
ТТ322В
2SA1052C
ТО-236
КТ3129Г9
2SA339
ТО-18
ГТ322Б
2SA1052D
ТО-236
КТ3129Г9
2SA340
ТО-72
ГТ322Б
2SA106
ТО-44
ГТ310Е
2SA34l
ТО-72
ГТ322Б
'
2SA107
ТО-44
ГТ310Д
2SA342
ТО-72
ГТ322Б
2SA108
ТО-44
П422
2SA343
ТО-7
ГТ309Б
2SA!09
ТО-44
П422
2SA350
ТО-1
П422
2SA1090
ТО-18
КТ313Б
2SA351
ТО-!
П422
2SAl !О
ТО-44
П422
2SA352
ТО-1
П422
2SAl 106
ТО-218
КТ810IБ
2SA354
ТО-1
П422
2SAl l l
ТО-44
П422
2SA355
TO'l
П422
2SAl 12
ТО-44
П422
2SA374
ТО-5
П609А
2SAl 16
ТО-44
ГТ3!0В
2SA391
ТО-5
ГТ125В
2SAl 160А
ТО-92
КТ686Д
2SA396
ТО-5
ГТ125Г
2SAl lбОВ
ТО-92
КТ686Е
2SA40
ТО-1
ТТ124Б
2SAll 7
ТО-44
ГТ310Д
2SA400
ТО-1
ГТ309Г
~
'
2SA118
ТО-44
ГТ3!0Д,
2SA412
ТО-1
ГТ308Б
2SAl 180
ТО-3
КТ865А
2SA414
ТО-5
ГТ125Б
2SA1274
ТО-92
КТ684В
2SA416
ТО-3
П606А
2SA1356
ТО-126
КТ626Г, КТ626Д
2SA422
ТО-17
ГТ346Б
2SA1356
SOT-82
КТ626А
2SA440
R-146
ГТ313А
2SA15l5
ТО-92
КТ686Б
2SA467
R-67
КТ351Б
2SA1584
ТО-92
КТ9144А9
ТО-1
ГТ331А
ТО-5
ГТ125Б
2SA479
2SA49
ТО-1
ГТ109Е
2SAl 74
ТО-5
ГТ125Б
2SA490
ТО-220
КТ816Б
2SA195
ТО-1
ГТ124.А
2SA494G
R-67
КТ349В
2SA204
ТО-5
ГТ125Б
2SA495
R-67
КТ357Г
2SAl 73
.
~
.
Раздел
428
Зарубежный транзистор
Тип прибора
-
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
2SA495G
R-67
КТ357Г
2SA92
ТО-44
ГТ322Б
2SA496
ТО-126
КТ639Б
2SA93
ТО-44
ГТ322В
2SA50
ТО-1
П30
2SA952K
ТО-92
КТ6 l
l 5Е, КТ686Е
2SA500
ТО-18
КТ352А
2SA952L
ТО-92
КТ6 l
l 5Д,
2SA504
ТО-39
КТ933А
2SA952M
ТО-92
КТ6115Г
2SA505
ТО-126
КТ639Д
2SA962A
ТО-202
КТ639Д
2SA52
ТО-1
ГТ109Е
2SA966Y
ТО-92
КТ686В
2SA522
ТО-18
КТ326Б
2SA967
2SA53
ТО-1
ГТIО9Д
2SA983
2SA530
ТО-18
КТ313Б
2SA999
ТО-92
2SA537
ТО-39
КТ933Б
2SA999L
ТО-92
2SA555
Х-20
КТ361Е
2SBI016
ТО-220
КТ818Г
2SA556
Х-20
КТ361Е
2SB10l 7
ТО-220
КТ818Г
2SA559
ТО-18
КТ352А
2SBI018
ТО-220
КТ818Г
2SA564
ТО-92
КТ3107Д
2SBI019
ТО-220
КТ818В
2SA564A
ТО-92
КТ3107И
2SBl 10
ТО-1
ГТ124А
2SA568
ТО-92
КТ345В
2SBl l l
ТО-1
ГТ124Б
КТ686Д
КТ3123АМ
КТ3109А
КТ3l07И
(
КТ3107И
2SA58
ТО-44
ГТ322Б
2SBl 12
ТО-1
ГТ124В
2SA60
ТО-44
ГТ322Б
2SBl 13
ТО-1
ГТ124В
2SA603
ТО-18
КТ313Б
2SBl 14
ТО-18
ГТ124Б
2SA628
ТО-92
КТ357Г
2SB115
ТО-1
ГТ124В
2SA640
ТО-92
КТ3 l 07 (К, И)
2SBl 16
ТО-1
ГТ124Г
2SA64l
ТО-92
КТ3107Л
2SBl 17
ТО-1
ГТ124Г
2SA65
ТО-1
ГТ125В
2SB12
ТО-1
ГТ124А
2SA670
ТО-220
КТ816В
2SB120
ТО-1
МП41А
2SA67l
ТО-220
КТ816Б
2SB1220Q
SC-70
КТ3180А9
2SA673
ТО-92
КТ350А
2SB13
ТО-1
ГТ124А
2SA69
ТО-1
ГТ309Е
2SB130
MD-ll
П201АЭ
2SA70
ТО-1
ГТ309Е
2SB135
ТО-1
ГТ124В
2SA71
ТО-1
ГТ309Е
2SB136
ТО-1
МП25А, МП20Б
КТ639И
2SB136A
ТО-1
МП25А,. МП20Б
2~А715В
ТО-126
КТ639В
2SB15
ТО-1
ГТ125А
2SA715C
ТО-126
КТ639В
2SBl 70
ТО-1
МП39А, МП40А
2SA715D
ТО-126
КТ639В
2SBl 71
ТО-1
МП40А
2SA715B
2SA718
ТО-18
КТ3l3Б
2SBl 72
ТО-1
МП20А, МП25Б
2SA72
ТО-44
ГТ322В
2SBl 73
ТО-1
МП39А
2SA73
ТО-44
ГТ322В
2SB175
ТО-1
МП41А
2SA733
ТО-92
КТ3107И
2SB176
ТО-1
МП25Б, МП20Б
2SA738B
ТО-126
КТ639В
2SB180A
ТО-8
П201АЭ
2SA738C
ТО-126
КТ639В
2SB181A
ТО-8
П202Э
2SA738D
ТО-126
КТ639В
2SB200
R-10
МП25Б, МП20А
КТ851В
2SB20l
ТО-5
МП25Б, МП20А
2SA740
2SA741H
ТО-18
КТ352А
2SB26l
R-18
ГТl 15А
2SA743
ТО-126
КТ639Г
2SB262
R-18
ГТl 15В
КТ639Ж
2SB263
ТО-1
Mrf25Б
2SA743A
ТО-126
КТ639Г, КТ639Ж
2SB302
ТО-1
ГТ109Е
2SA750
ТО-92
КТ3107К
2SB303
ТО-1
ГТl 15Г
2SA755A
ТО-220
КТ932Б
2SB32
ТО-1
МП39А
2SA755B
ТО-220
КТ932Б
2SB33
ТО-1
МП41А
2SA768
ТО-220
КТ816В
2SB335
R-18
МГТIО8В
2SA769
ТО-220
КТ816Г
2SB336
. R-18
МГТIО8В
2SA779K
ТО-202
КТ639В
2SB36l
ТО-3
ГТ806А
2SA78
ТО-44
ГТ32IД
2SB362
ТО-3
ГТ806Б
2SA78
ТО-44
ГТ321В
2SB367
ТО-66
П201АЭ
П201АЭ
МП41А
2SA743A
2SA780AK
ТО-202
КТ639Д
2SB368
то:б6
2SA781K
ТО-92
КТ345Б
2SB37
ТО-1
2SA81 IC5
SOT-23
КТ3129Б9
2SB39
ТО-1
ГТl 15А
2SA81 lC6
SOT-23
КТ3129.Г9
2SB40
ТО-1
МП42Б
2SA812M4
SOT-23
КТ3129Б9
2SB400
ТО-1
МГТIО8Г
'
7. Аналоги
2SA812M5
SOT-23
КТ3129Б9
2SB43
ТО-1
ГТ125В
2SA815
ТО-220
КТ814Г
2SB434
ТО-220
КТ837Р
2SA844C
ТО-92
КТ3107И
2SB434G
ТО-220
КТ837Р
2SA844D
ТО-92
КТ3l07И
2SВ435
ТО-220
КТ837У
2SA876H
ТО-18
КТ313Б
2SB435G
ТО-220
КТ837Р
Зарубежнь1е транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
429
Приближенный
Зарубежный транзистор
Тип прибора
отечественный
Корпус
аналог
2SB435U
ТО-220
КТ816А2
2SC1112
ТО-3
КТ802А
2SB439
ТО-1
МП41А, МП39Б
2SCl 113
ТО-66
КТ808А
КТ812Б
2SB44
ТО-1
ГТ124В
2SClll4
ТО-3
2SВ440
ТО-1
МП41А, МП39Б
2SCl l l 72B
ТО-3
КТ839А
2SB443A
ТО-1
МГТ108Г
2SCll4l
ТО-3
КТ8154А
2SB443B
ТО-1
МГТ108Г
2SCl 144
ТО-3
КТ8154Б
2SB444A
ТО-1
МГТI08Г
2SC1145
ТО-3
КТ809БМ
2SB444B
ТО-1
МГТ108Г
2SCl 172
ТО-3
КТ839А
2SB448
MD-ll
П201АЭ
2SC1172А
ТО-3
КТ839А
2SB456
ТО-8
П202Э
2SC1173
ТО-220
КТ943А
2SВ467
MD-10
П202Э
2SCl 188
КТ325БМ
2SB468
ТО-3
ГТ810А
2SC1215
КТ325АМ
КТ3101АМ
2SВ47
ТО-1
МГТ108 (Д, Г)
2SC1236
2SB473
MD-9
П201АЭ
2SC1254
2SB48
ТО-5
ГТ125Б
2SC1260
2SB48l
MD-9
П201АЭ
2SC1262
2SB49
ТО-5
ГТ125В
2SC131
ТО-18
КТ616Б
2SB497
R-18
МГТ108Б
2SC13l 7
ТО-92
КТ645А
2SB506A
ТО-3
КТ842А
2SC132
ТО-18
КТ616Б
2SB54
ТО-1
ГТ124Г
2SC133
ТО-18
КТ616Б
2SB546
ТО-220
КТ851В
2SC134
ТО-18
КТ616А
2SB546A
ТО-220
КТ851А
2SC135
ТО-18
КТ616А
2SB55
ТО-1
ГТ125Г
2SC137
ТО-18
КТ616Б
2SB55IH
ТО-66
КТ932Б
2SC1395
2SB553
ТО-220
КТ818В
2SC1440
ТО-3
2SB558
ТО-3
КТ818ГМ
2SC1454
ТО-3
2SB56
ТО-1
ГТ125Г
2SC1504
ТО-3
КТ809А
/
КТ3106А2
ТО-72
КТ399А
КТ939А
КТ325ВМ
КТ945А
КТ812Б
'
2SB57
R-55
МГТ108Б
2SC151H
ТО-39
КТ603А
2SB595
ТО-220
КТ816Г
2SC1550
ТО-126
КТ940Б
2SB596
ТО-220
КТ816Г
2SC1566
ТО-202
КТ940Б
2SB60
ТО-1
МП41А
2SC1569
ТО-220
КТ940А
2SB6l
ТО-1
МП41А
2SC1576
ТО-3
КТ8 l 2А, КТ828Б
2SB630A
ТО-220
КТ851А
2SCl6l 7
ТО-3
КТ812Б
2SB650H
ТО-3
КТ825Г
2SC1618
ТО-3
КТ808БМ
2SB693H
ТО-3
КТ825Г
2SC1618
ТО-3
КТ3129Д9
2SC1619
ТО-3
КТ3129Д9
2SC1619A
ТО-3
КТ808А
2SB709
2SB709
SOT-23
2SB709A
SOT-23
2SB710
КТ808А
-
КТ808А
КТ3129Г9
2SC1619A
.ТО-3
КТ808АМ
КТ3173А9
2SC1622D6
SOT-23
КТ3130Б9
2SB75
ТО-1
ГТ125В
2SC1622D7
SOT-23
КТ3130Б9
2SB754
ТО-220
КТ818Б
2SC1623L
SOT-23
КТ3130А9
2SB772
ТО-126
КТ9176А
2SC1624
ТО-220
КТ943В
2SB834
ТО-220
КТ835Б, КТ837В
2SC1625
ТО-220
КТ943В
2SB883
ТО-218
КТ8106Б
2SC170
ТО-18
КТ306Д
2SB90
ТО-1
2SB906
ГТIО9Г
2SC171
ТО-18
КТ306Д
КТ835А
2SCl 72
ТО-18
КТ306Д
2SB906
ТО-220
КТ835Б, КТ837В
2SC1789
2SB97
ТО-1
ГТ109В
2SC1805
КТ399АМ
2SB970
ТО-236
КТ3171А9
2SC1815
ТО-92
КТ3102Б
2SB996
ТО-220
КТ816Г
2SC1826
ТО-220
КТ817Г2
2SC1000GTM
ТО-92
КТ3102Б
2SC1826
ТО-220
КТ817Т
КТ916А
КТ925Г
2SC1827
ТО-220
КТ817Г
2SC1008
ТО-39
КТ630Д
2SC1828
ТО-66
КТ828А
2SC1008A
ТО-39
·КТ630Б
2SC1846
ТО-92
КТ645А
2SC1001
2SC1009A
SOT-23
КТ3151Д9
2SC188 ,
ТО-5
КТ617А
2SC101A
ТО-66
КТ902А
2SC1894
ТО-3
КТ839А
2SC1044
ТО-72
КТ355А
2SC1895
ТО-3
КТ839А
2SC105
ТО-18
КТ312Б
2SC1896
ТО-3
КТ839А
2SC1056
ТО-5
КТ605Б
2SC1950
КТ683А
2SC2001K
КТ6144Е
КТ630Г
2SC2001L
КТ6144Д
2SC1080
2SC108A
ТО-39
2SC1090
U-78
КТ372А
2SC2036
2SC109A
ТО-39
КТ928Б
2SC2042
2SCllll
ТО-3
КТ802А
2SC2068
КТ640Б2
ТО-126
КТ646А
КТ909В
ТО-202
КТ940А
Раздел
430
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
Приближенный
Зарубежный транзистор
Тип прибора
отечественный
Корпус
аналог
2SC212l
ТО-3
КТ828А
2SC366G
ТО-92
КТ645А
2SC2122
ТО-3
КТ841А
2SC367G
ТО-92
КТ645А
ТО-3
КТ812А. КТ828Б
2SC3688
ТО-247
КТ8157А
ТО-3
КТ812А
2SC370
R-67
КТ375Б
КТ375Б
2SC2137
2~С2138
-
7. Аналоги
2SC216B
КТ850А
2SC371
R-67
2SC2173
КТ909Г
2SC372
R-67
2SC2188
КТ3126А9
2SC3801
КТ368БМ
КТ375Б
2SC2231
ТО-202
КТ940В
2SC3812
КТ9151А
2SC2231A
ТО-202
КТ940В
2SC3827
КТ368Б9
2SC2242
ТО-220
КТ940А
2SC3840
ТО-126
КТ8175Б
2SC2258
ТО-126
КТ940Б
2SC390
ТО-72
КТ368А
2SC2270
КТ9157А
2SC395A
ТО-18
КТ616А
2SC2295
КТ3170А9
2SC40
ТО-18
КТ316Г
2SC2333
ТО-220
КТ8175АI
2SC400
ТО-18
КТ306В
2SC2335
ТО-220
КТ8138А
2SC400l
ТО-126
КТ9130А
2SC2351
КТ3168А9
2SC401
R-37
КТ358В
2SC2368
КТ3123В2
2SC402
R-37
КТ358В
2SC2369
КТ3123Б2
2SC403
R-37
КТ358Б
SOT-23
КТ3130Г9
2SC404
R-37
КТ358В
2SC2405
SOT-23
КТ3130Г9
2SC41
ТО-3
КТ802А
2SC2431
ТО-3
КТ945А
2SC4106
ТО-220
КТ8138А, КТ81 !ОБ
2SC2404
2SC2456
ТО-126
КТ940А
2SC4!06L
ТО-220
КТ81 !ОВ
2SC247
ТО-39
КТ602Г
2SC4109
ТО-220
КТ8145Б
2SC2481
ТО-126
КТ683Б
2SC42
ТО-3
КТ802А
2SC249
ТО-39
КТ602Б
2SC4242
ТО-220
КТ8138Б, КТ81 IОА
2SC2516
ТО-220
КТ863Б
2SC43
ТО-3
КТ802А
2SC253
ТО-72
КТ325А
2SC44
ТО-3
КТ803А
2SC2562
ТО-220
КТ805АМ
2SC4542
ТО-220
КТ8138В
2SC261 I
ТО-126
КТ604БМ
2SC454B
ТО-92
КТ3102В. КТ342АМ
2SC2688N
ТО-126
КТ9130А
2SC454C
ТО-92
КТ3102В
2SC2790
ТО-3
КТ828А
2SC454D
ТО-92
КТ3!02В
2SC2790A
ТО-3
КТ828А
2SC458
ТО-92
КТ3102В
2SC279l
ТО-3
КТ828А
2SC458KB
ТО-92
КТ3102В
2SC2794
ТО-126
КТ943Б
2SC458KC
ТО-92
КТ3!02В
2SC281
ТО-1
КТ312В
2SC458KD
ТО-92
КТ3102В
2SC282
ТО-1
КТ312В
2SC458LGB
то-92
КТ3!02Д
2SC3056
ТО-220
КТ8138Б
2SC458LGC
ТО-92
КТ3102Д
2SC3057
ТО-220
КТ8138Д
2SC458LGD
ТО-92
КТ3!02Д
2SC306
ТО-5
КТ630Д
2SC4756
ТО-220
КТ8121Б
2SC3061
ТО-3
КТ886Аl
2SC481
ТО-39
КТ630Д
2SC307
ТО-5
КТ630Г
2SC482
ТО-5
КТ617А
2SC308
ТО-5
КТ630Г
2SC493
ТО-3
КТ803А
2SC309
ТО-5
КТ630А
2SC497
ТО-39
КТ630Б
ТО-5
КТ630В
2SC498
ТО-39
КТ630Б
ТО-220
КТ8118А
2SC503
ТО-39
КТ630Г
КТ9155А
2SC504
ТО-39
КТ630Г
2SC310
2SC3150
·
2SC3217
КТ9142А. КТ9155Б
2SC505
ТО-39
КТ618А
2SC3257
ТО-220
КТ854А
2SC506
ТО-39
КТ611Б
2SC3277
ТО-218
КТ856Бl
2SC507
ТО-39
КТ611Г
2SC33
ТО-5
КТ312Б
2SC508
ТО-66
КТ802А
КТ630В
2SC3218
2SC3306
ТО-247
КТ8117А
2SC510
ТО-39
2SC3335
ТО-126
КТ940Б
2SC512
ТО-39
КТ630Г
2SC3419
ТО-126
КТ646А
2SC517
ТО-37
КТ903А
КТ805АМ
2SC519A
ТО-3
КТ802А. КТ945А
2SC3422
SOT-82
КТ940В
2SC520A
ТО-3
КТ802А
2SC3423
SOT-82
КТ940В
2SC521A
ТО-3
КТ803А
2SC3424
SOT-82
КТ94ЬБ
2SC525
МТ-29
П701А
2SC3450
ТО-218
КТ856Аl
2SC538
ТО-92
КТ3102Г
2SC3422
2SC3459
ТО-218
КТ8127ВI
2SC538A
ТО-92
КТ3102Б
2SC3480
ТО-218
КТ8127БI
2SC543
ТО-60
КТ907Б
2SC3568M
ТО-220
КТ863В
2SC549
ТО-60
КТ904Б
2SC3607
SOT-89
КТ911Г
2SC553
ТО-60
КТ907Б
2SC3637
ТО-218
КТ886Б1
2SC563
ТО-72
КТ339Г
КТ9152А
2SC583
ТО-72
КТ368Б
2SC3660
Зарубежные транзисторы и их отечественнь1е аналоги
Зарубежный транзистор
отечественный
Корпус
Тип прибора
2SC589
2SC594
2SC598
2SC601
2SC612
2SC618
2SC620
2SC633
2SC634
2SC635
2SC64
2SC641
2SC642
2SC65
.2SC66
2SC67
2SC68
2SC712
2SC727
2SC752GTM
2SC779
2SC788
2SC790
2SC793
2SC796
2SC809
2SC815
2SC825
2SC828
2SC828A
2SC829
2SC893
2SC900
2SC923K
2SC923
2SC945
2SC959S
2SC976
2SC977
2SC978
2SDll 74
2SD127
2SD127
2SD1279
2SD128
2SD1287
-2SD128A
2SD1308
2SD1348
2SD1354
2SD1356
2SD1406
2SD1408
2SD146
2SD147
2SD148
2SD1513K
2SD1513L
2SDL577Fl
2SD1742
2SD195
2SD201
2SD202
2SD203
Приближенный
аналог
КТ638А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-220
КТ817А
ТО-220
КТ817Б
ТО-126
КТ9181Б
ТО-202
КТ817В
ТО-202
КТ817Г
ТО-202
КТ817В
ТО-202
КТ817Г
MD-10
MD-10
MD-10
П702А
2SD234
2SD235
2SD292
2SD31
2SD312
2SD312
2SD32
2SD33
2SD350
2SD37
2SD372
2SD373
2SD374
2SD380
2SD414
2SD415
2SD418
2SD467D
2SD47
2SD526
2SD536
2SD601
2SD601
2SD601A
2SD602
2SD605
2SD610
2SD621
2SD630
2SD640
2SD668
2SD668A
2SD675A
2SD68
2SD685
2SD686
2SD691
2SD692
2SD716
2SD72
2SD75
2SD75A
2SD814
2SD820
2SD82l
2SD822
2SD838
2SD843
2SD867
2SD877
2SD880
2SD880
2SD882
2SD995
П702
2SКI057
П702
2SКI087
КТ6114Е
2SКI23
АП324А2
КТ6114Д
2SКI24
АПЗ24В2
КП801Г
ТО-39
КТ608А
ТО-60
КТ904А
ТО-18
КТ306Б
ТО-72
КТ325В
ТО-72
КТ325А
ТО-92
КТ375А
R-37
R-37
КТ315Б
ТО-60
КТ904Б
ТО-5
КТ601А
ММ-12
КТ315Г
ТО-60
КТ904А
ТО-5
КТ611В
ТО-5
КТбl lГ
ТО-18
КТ340В
ТО-18
КТ340В
ТО-92
КТ375Б
ТО-18
П307Б
ТО-92
КТ645А
ТО-66
КТ809А
ТО-5
КТ618А
КТ315Г
ТО-220
КТ817Б
ТО-3
КТ803А
ТО-5
КТ603А
ТО-72
КТ325В
ТО-92
КТ645А
ТО-66
КТ809А
ТО-92
КТ3102В
ТО-92
КТ3102Б
ТО-92
КТ358Б
МТ-29
П701А
ТО-92
КТ3102Г
КТ3102ЕМ
-
431
ТО-92
КТ3102Г
ТО-92
КТ3102Д
ТО-39
КТ630Б
МТ-83
КТ911Г
МТ-83
КТ913А
МТ-83
КТ913Б
ТО-3
КТ8129А
ТО-1
ГТ404Б
ТО-1
ГТ404Е
ТО-3
КТ839А
ТО-1
ГТ404И
КТ8105А
ТО-1
ГТ404И
КТ939Б
-
КТ8127Аl
2SК133
КТ3171А9
2SКI34
ТО-1
МП38А
2SКI409
ТО-3
КТ808А
2SI0616
ТО-3
КТ808А
2SК215
ТО-3
КТ808А
2SК28
ТО-218
ТО-66
КТ817В
ТО-1
МП35
ТО-3
КТ826Б
ТО-3
КТ826Б
ТО-1
МП38А
ТО-1
МП38А
ТО-3
КТ8157А
ТО-1
МП37А
ТО-3
КТ8143И, КТ8143С
ТО-3
КТ8143Л, КТ8143Р
ТО-3,
КТ8143М
ТО-3
КТ839А
ТО-126
КТ683В
ТО-126
КТ683Д
ТО-3
КТ841Д
ТО-3
КТ908А
ТО-220
КТ817Г
КТ660В
ТО-3
КТ864А
'КТ3130Ж9
SOT-23
SOT-23
КТ3130В9
КТ3130Б9
КТ3166А, КТ3176А9
ТО-3
КТ834А
ТО-220
КТ850А
ТО-3
КТ710А, КТ715А
ТО-3
КТ729А
ТО-3
КТ828Б, КТ828Г
ТО-126
КТ611БМ, КТ602АМ
ТО-126
КТ6J lБМ
ТО-3
КТ945А
ТО-3
КТ902А
ТО-3
КТ834А
ТО-220
КТ829А
ТО-220
КТ829А
ТО-220
КТ829А
ТО-202
КТ819ГМ
ТО-1
ГТ404И
ТО-1
МП38, МП36А
ТО-1
МП37А, МПЗ6А
-
КТ3179А9
ТО-3
КТ839А
ТО-3
КТ839А
ТО-3
КТ839А
ТО-3
КТ710А
ТО-3
КТ819ГМ
ТО-3
КТ808АМ
ТО-66
КТ802А
ТО-220
КТ817Б2
ТО-220
КТ817В
КТ9177А
ТО-3
КТ715А
КП727Г
ТО-220
КП727Д
КП801В
ТО-247
КП937А
АП343Аl-2
ТО-220
КП802А
КП722А
-
Раздел
432
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
'
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
2SK298
ТО-3
КП707А
АСУ24
ТО-18
2SK313
ТО-3
КП717А
АСУ33
ТО-1
ГТ402И
2SK316
КП323Б2, КП341А
AD1202
ТО-3
П213Б
2SK506
КП341Б
AD1203
ТО-3
П214Б
2SK60
КП801А
AD130
ТО-3
П217
МП26Б
2SK700
ТО-126
КП727Е
AD131
ТО-3
П217-
2SK757
ТО-220
КП704А
AD132
ТО-3
П217
КП801Б
AD138
ТО-3
П216
2Т3531
ТО-5
П308, КТ602А
AD139
MD-11
П213
2Т3532
ТО-5
П308, КТ602А
AD142
ТО-3
П210Б
2Т3674
ТО-72
КТ355А
AD143
ТО-3
П210В
2Т3841
ТО-18
КТ343А
AD145
ТО-3
П210В, П2f6В
3Nl05
КТ118А
AD148
MD-23
ГТ703В
3N106
КТl
186
AD149
ТО-3
ГТ703В
3Nl07
КТ118В
AD150
ТО-3
ГТ703Г
КП350А
AD152
MD-11
ГТ403Б
КП908А
AD155
MD-11
ГТ403Е
2SK76A
3Nl40
.
3Nl69
КТ118А
AD161
MD-17
ГТ705Д
3NU72
SOT-9
ГТ403Б
AD162
MD-17
ГТ703Г
3NU73
ТО-3
ГТ703Г
AD163
ТО-3
П217
3NU74
ТО-3
ГТ701А, П201А
AD164
MD-11
ГТ403Б
40675
МТ-67
КТ912Б
AD169
MD-11
ГТ403Е
SOT-9
ГТ403Б
AD262
SOT-9
П213
ГТ703Д
AD263
SOT-9
П214А
3N74
4NU72
4NU73
·ТО-3
4NU74
ТО-3
ГТ701А, П210А
AD301
ТО-3
ГТ703Г
5NU72
SOT-9
ГТ403Е
AD302
ТО-3
П216
5NU73
ТО-3
П213
AD303
ТО-3
П217
5W74
ТО-3
ГТ701А, П210А
AD304
ТО-3
П217
6NU73
ТО-3
П215
AD312
ТО-3
П216
6NU74
ТО-3
П210Б, ГТ701А
AD313
ТО-3
П217
714U74
ТО-3
П210Б, ГТ701А
AD314
ТО-3
П217, ГТ701А
7NU73
ТО-3
П215
AD325
ТО-3
П210Б, ГТ701А
КТ981А
AD431
ТО-3
П213
ACl 16
Х-9
МП25А
AD436
ТО-3
П213
ACl 17
Х-9
ГТ402И
AD438
ТО-3
П214А
АС121
ТО-1
МП20А
AD439
ТО-3
П215
АС122
R-60
ГТl 15Г
AD457
ТО-3
П214А
АС124
ТО-1
ГТ403И
AD465
ТО-3
П213Б
АС125
ТО-1
МП20Б
AD467
ТО-3
П214А
АС126
ТО-1
МП20Б
AD469
ТО-3
П215
АС127
ТО-1
ГТ404Б
AD542
ТО-3
П217, ГТ701А
АС128
ТО-1
ГТ402И
AD545
ТО-3
П210Б
А50-12
АС132
ТО-1
МП20Б, ГТ402Е
ADP665
ТО-66
ГТ403Б
АС138
ТО-1
ГТ402И
ADP666
ТО-66
ГТ403Г
АС139
ТО-1
ГТ402И
ADP670
ТО-3
П201АЭ
АС141
ТО-1
ГТ404Б
ADP671
ТО-3
П201АЭ
АС141В
ТО-1
ГТ404Б
ADP672
ТО-3
П202Э
ACI42
ТО-1
ГТ402И
ADY27
ТО-3
ГТ703В
АС150
ТО-1
МГТ108Д
AF106
ТО-72
ГТ328Б
АС152
ТО-1
ГТ402И
AF106A
ТО-72
ГТ328В
AC16Q
R-60
П28
AF109R
ТО-72
ГТ328А
R-60
МГТ108Г
AF124
ТО-72
ГТ322А
АС171
R-60
МГТ108Г
AF139
ТО-72
ГТ346Б
АС176
ТО-1
ГТ404А
AF178
ТО-12
ГТ309Б
АС181
R-134
ГТ404Б
AF200
ТО-72
ГТ328А
АС182
R-134
МП20Б
ТО-72
ГТ328А
АС183
TO-lA
МП36А, МП38А
AF201
AF202 -
ТО-72
ГТ328А
АС184
R-134
ГТ402И
AF239
ТО-72
ГТ346А
АС185
ТО-11
ГТ404Г
AF239S
ТО-72
ГТ346А
ТО-1
ГТ404Б
AF240
ТО-72
ГТ346Б
ТО-1
ГТ402Е
AF251
ММ-12
ГТ346А
АС170
АС187
АС188
.
АС540
ТО-58
МП39Б
AF252
ММ-12
ГТ346А
АС541
ТО-58
МП39Б
AF253
ММ-12
ГТ346А
АС542
ТО-58
МП39Б, МП41А
AF256
ММ-12
ГТ346Б
J
7. Аналоги
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
AF260
AF261
AF266
AF271
AF272
AF275
AF279
AF280
AF426
AF427
AF428
AF429
AF430
AFYll
AFY12
AFY13
AFYl5
AFY29
AFZll
ALIOO
ALI02
ALI03
Приближенный
отечественный
Корпус
-
аналог
ТО-18
П29А
ТО-18
П30
ТО-18
МП42Б, МП20А
ТО-18
ГТ322В
433
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-41
П210Б
ТО-3
П210Б
ТО-3
П217
ТО-3
ГТ806А
ТО-18
ГТ322В
~ТО-18
ГТ322Б
ТО-50
ГТ330Ж
ТО-50
ГТ330И
ТО-18
ГТ322Б
ТО-18
ГТ322Б
ТО-18
ГТ322Б
ТО-18
ГТ322Б
ТО-18
ГТ322В
AUY22
AUY22A
AUY28
AUY35
AUY38
B2-8Z
8850-35
BAL0102-150
BAL0105-100
BALOI05-50
BAL0204-125
BCIOO
BCIOI
ТО-5
ГТ313А
ВС107А
ТО-72
ГТ328Б
ВС107АР
Х-55
КТ3102А
ТО-18
ГТ305В
ВС107В
ТО-18
КТ342Б
ТО-18
П30
ВС107ВР
Х-55
КТ3102Б
ТО-18
ГТ305Б
ВС108А
-ТО-18
КТ342А
ТО-72
ГТ309Б
ВС108АР
Х-55
КТ3102В
ТО-3
ГТ806В
ВС108В
ТО-18
КТЗ42Б
ТО-3
ГТ806А
ВС108ВР
Х-55
КТ3102В
-
ТО-3
ГТ806В
КТ929А
КП904А
КТ9128АС
SOT-161
SOT-161
SOT-161
КТ9105АС
ТО-5
КТ605А
ТО-18
КТ301Е
ТО-18
КТ342А
КТ9125АС, КТ991АС
КТ985АС
ГТ806Б
ВС108С
ТО-18
КТ342В
АМ1416-200
КТ9146А
ВС108СР
ТО-18
КТ.3102Г
АМ82731-45
КТ9121А
ВС109В
ТО-18
КТ342Б
ТО-3
АР1009
ТО-3
l<Т887Б
ВС109ВР
Х-55
КТ3102Д
ASXll
ASXl2
ASY26
ASY26
ASY31
ASY33
ASY34
ASY35
ASY70
ASY76
ASY77
ASY80
ASZIOl5
ASZIOl6
ASZIOl7
ASZ1018
ASZ15
ASZl6
ASZl7
ASZ18
ТО-5
МП42Б
ВС109С
ТО-18
КТ342В
ТО-5
МП42Б
ВС109СР
Х-55
КТ3102Е
ТО-5
МП20А
ВС119
ТО-39
КТ630Д
ТО-5
МП42А, МП20А
ВС139
ТО-39
КТ933Б
R-9
МП42А
ВС140
ТО-39
КТ630Г
ТО-5
МП42А, МП20А
ВС141
ТО-39
КТ630Г
ТО-5
МП42А, МП20А
ВС142
ТО-39
КТ630Г
ТО-5
МП42Б, МП20А
ВС143
ТО-39
КТ933Б
ТО-1
МП42
ВС146-01
ГТ403Б
ВС146-02
SOT-42
SOT-42
КТЗ7ЗА
ТО-5
ТО-5
ГТ403Г
ВС146-03
SО:Г-42
КТ373В
ТО-5
ГТ403Б
ВС147А
ММ-10
КТ37ЗА
ТО-3
П217В
ВС147В
ММ-10
КТ373Б
ТО-3
П217В
ВС148А
ММ-10
КТ373А
ТО-3
П217В
ВС148В
ММ-10
КТ373Б
ТО-3
П217В
ВС148С
ММ-10
КТ373В
ТО-3
П217А, ГТ701А
ВС149В
ММ-10
КТЗ7ЗБ
ТО-3
П217А
ВС149С
ММ-10
КТ373В
ТО-3
П217А
ВС157
ММ-13
КТ361Г
ТО-3
П217В, ГТ701А
ВС158А
ММ-10
КТ349В
АТ270
ТО-1
МП42Б, МП20А
ВС160-6
ТО-39
КТ933Б
АТ275
ТО-1
'
КТ373Б
МП42Б, МП20А
ВС161-6
ТО-39
КТ933А
АТ41485
КТ642А2
ВС167А
ТО-92
КТ373А
АТ8040
АП324В2
ВС167В
ТО.92
·КТ373Б
АТ8041
АП326А2
ВС168А
ТО-92
КТ373А
АТ8250
АП605А2-2
ВС168В
ТО-92
КТ373Б
ATFOl35
AU103
AUI04
AU107
AUI08
AUllO
AUll3
AUYIO
AUYl8
AUY19
AUY20
AUY2l
AUY21A
\
АП344А2-2
ВС168С
ТО-92
КТ373В
ТО-3
ГТ810А
ВС169В
ТО-92
КТ373Б
ТО-3
ГТ810А
ВС169С
ТО-92
КТ373В
ТО-3
ГТ810А
ВС170А
Х-64
КТЗ75Б
ТО-3
ГТ806Б
ВС170В
Х-64
КТ375В
ТО-3
ГТ806Д
ВС171А
ТО-92
КТ373А
ТО-3
ГГ810А
ВС171В
ТО-92
КТЗ73Б
ТО-3
П608А, ГТ905А
ВС172А
ТО-92
КТ373А
ТО-8
П214А
ВС172В
ТО-92
КТ373Б
ТО-3
П217
ВС172С
ТО-92
КТ373В
ТО-3
П217
ВС173В
ТО-92
КТ373В
ТО-41
П210Б
ВС173С
ТО-92
КТЗ73В
ТО-3
П210Б
ВС177АР
Х-55
КТ3107А
-
-
Раздел
434
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечес'tвевный
Корпус
аналог
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Корпус
7.
Аналоги
Приближенный
отечественный
аналог
BC177VlP
Х-55
КТ3107Б
ВС355А
ТО-92
КТ352А
ВС178А
ТО-18
КТ349В, КТ326А
ВС382В
Х-55
КТ3102Б
ВС178АР
Х-55
КТЗ107В
ВС382С
Х-55
КТ3102Г
BCI78BP
Х-55
КТ3107Д
ВС383В
Х-55
КТ3102Д
BCI78VIP
Х-55
КТ3107В
ВС383С
Х-55
КТ3102Е
ВС179АР
Х-55
КТ3107Е
ВС384В
Х-55
КТ3102Д
ВС179ВР
Х-55
КТ3iо7Ж
ВС384С
Х-55
КТ3102Е
ВС182А
ТО-92
КТ3102А
ВС451
ТО-92
КТ3102В
ТО-92
КТ3102Б
ВС452
ТО-92
кт3102Б. КТ3102дм
BCI82C
ТО-92
КТ3102Б
ВС453
ТО-92
КТ3102Д
ВС183А
ТО-92
КТ3102А, КТ3102ЖМ
ВС454А
ТО-92
КТ3107Б
BCI83B
ТО-92
КТ3102Б
ВС454В
ТО-92
КТ3107И
ВС183С
ТО-92
КТ3102Б
ВС454С
ТО-92
КТ3107К
ВС183С
ТО-92
КТЗ102Г
ВС455А
ТО-92
КТ3107Г
Х-55
КТ3102Д
ВС455В
ТО-92
КТ3107Д
ВС182В
'
ВС184А
·
BCI84B
Х-55
КТ3102Е
ВС455С
ТО-92
КТ3107К
ВС192
ТО-92
КТ351Б
ВС456А
ТО-92
КТ3107Е
ВС212А
ТО-92
КТ3107Б
ВС456В
ТО-92
КТ3107Ж
ВС212В
ТО-92
КТ3107И
ВС456С
ТО-92
КТ3107Л
вс212с
ТО-92
КТ3107К
ВС513
Х-55
КТ345А
ВС213А
ТО-92
КТ3107Б
ВС521
ТО-92
КТ3102Д
BC2i3B
ТО-92
КТ3107И
ВС521С
ТО-92
КТ3102Д
вс213с
ТО-92
КТ3107К
ВС526А
ТО-92
КТ3107И
ВС216
ТО-18
КТ351А
ВС526В
ТО-92
КТ3107И
ВС216А
ТО-18
КТ351А
ВС526С
ТО-92
КТ3107К
ВС218
ТО-18
КТ340Б
ВС527-10
ТО-92
КТ644Б
ВС218А
ТО-18
КТ340Б
ВС527-6
ТО-92
КТ644А
ВС226
ТО-18
КТ35lБ
ВС547А
ТО-92
КТ645Б, КТ3102А
ВС226А
ТО-18
КТ351Б
ВС547В
ТО-92
КТ3102Б
ВС234
ТО-18
КТЗ42А
ВС547С
ТО-92
КТ3102Г
ВС234А
ТО-18
КТ342А
ВС548А
ТО-92
КТ3102А
ВС235
ТО-18
КТ342Б
ВС548В
ТО-92
КТЗ102В
ВС235А
ТО-18
КТ342Б
ВС548С
ТО-92
КТ3102Г
ВС237А
ТО-92
КТЗ102А
ВС549А
ТО-92
КТ3102Д
ВС237В
ТО-92
КТ3102Б
ВС549В
ТО-92
КТ3102Д
ВС238А
ТО-92
КТ3102А
ВС549С
ТО-92
КТ3102Е
ВС238А
ТО-92
КТ3102В
ВС557
ТО-92
КТ36lд
ВС238В
ТО-92
КТ3102В
ВС557А
ТО-92
КТ3107А
ВС238С
ТО-92
КТ3102Г
ВС557В
ТО-92
КТЗ107И
ВС239В
ТО-92
КТ3102Д
ВС558
ТО-92
КТ3107Д
ВС239С
ТО-92
КТЗ102Е
ВС558А
ТО-92
КТ3107Г
ВС250А
ТО-92
КТ361А
ВС558В
ТО-92
КТ3107Д
ВС250В
ТО-92
КТ361Б
ВС559
ТО-92
КТ3107Ж
ВС285
ТО-18
ПЗО8
ВС847А
SOT-23
КТ3189А9
'
ВС286
ТО-39
КТ630Г
ВС847В
SOT-23
КТ3189Б9
всзоо
ТО-5
КТ630Б
ВС847С
SOT-23
КТ3189В9
ВС307А
ТО-92
КТЗ107Б
BCF29
SOT-23
КТ3129В9
ВС307В
ТО-92
КТ3107И
ВСFЗО
SOT-23
КТ3129Г9
ВСЗО8А
ТО-92
КТ3107Г
ВСFЗ2
SOT-23
КТ3130В9
ВСЗО8В
ТО-92
КТЗ107Д
BCF33
SOT-23
КТ3130Е9
ВСЗО8С
ТО-92
КТ3107К
BCF70
SOT-23
КТ3129Г9
ВСЗО9В
ТО-92
КТ3107Е
BCF72
SOT-23
КТ3172F9
ВС309С
ТО-92
КТ3107Л
BCF81
SOT-23
КТ3130Б9
ВС317
ТО-92
КТЗ 102А, КТ3135-1
ВСР627А
ТО-92
КТ373А
ВС318
ТО-92
КТ3102Б, КТ313В-1
ВСР627В
ТО-92
КТ373Б
ВС319
ТО-92
КТ3102Е, КТЗ13Г-l
ВСР627С
ТО-92
КТ373В
ВС320А
ТО-92
КТ3107Б
ВСР628А
ТО-92
КТ373А
ВС320В
ТО-92
КТ3107Д
ВСР628В
ТО-92
КТ373Б
ВС321А
ТО-92
КТЗ107Б
ВСР628С
ТО-92
КТ373В
ВС321В
ТО-92
КТ3107И
BCV52
ВС321С
ТО-92
КТЗ107К
BCV7L
SOT-23
КТ3130А9
ВС322В
.
КТ317Аl
ТО-92
КТ3107Ж
BCV72
SOT-23
КТ3130Б9
всз22с
ТО-92
КТ3107Л
BCW29
SOT-23
КТ3129В9
ВС355
ТО-92
КТ352Б
всwзо
SOT-23
КТ3129Г9
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
'
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
435
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
BCW31
SOT-23
КТ3130В9, КТ3151А9
ВСУ59-Х
ТО-18
КТ3102Д
BCW32
SOT-23
КТ3130В9
BCY65-IX
ТО-18
КТ3102Б
BCW33
SOT-23
КТ3130Г9
BCY65-VII
ТО-18
КТ3102А
BCW47
ММ-13
КТ373А
BCY65-VIII
ТО-18
КТ3102Б
BCW48
ММ-13
КТ373 (В, В)
RCY69
ТО-18
КТ342В
BCW49
ММ-13
КТ373 (Б, В)
ВСУ70
ТО-18
КТ3107А
BCW57
ММ-13
КТ361Г
ВСУ71
ТО-18
КТ3107Е
BCW58
ММ-13
КТ361Е
ВСУ72
ТО-18
КТ3107В
BCW60
SOT-23
КТ3153А9
ВСУ78
ТО-18
КТ3107Д
BCW60AA
SOT-23
КТ3145А9
ВСУ79
ТО-18
КТ3102Б
BCW60AB
SOT-23
КТ3145Д9
ВСУ90
ТО-18
КТ208Е
BCW60AR
SOT-23
КТ3139Б
ВСУ90В
ТО-5
КТ501Г
BCW60B
SOT-23
КТ3130Б9
ВСУ91
ТО-18
КТ208Е
BCW60BL
SOT-23
КТ3139Г, КТ3145Б9
ВСУ91В
ТО-5
КТ501Г
BCW60BR
SOT-23
КТ3139В
ВСУ92
ТО-18
КТ208Е
BCW60C
SOT-23
КТ3130В9
ВСУ93
ТО-18
КТ208К
BCW60D
SOT-23
КТ3130Е9
ВСУ93В
ТО-5
КТ501Л
BCW61A
SOT-23
КТ3129В9
ВСУ94
ТО-18
КТ208К
BCW61B
SOT-23
КТ3129Г9
ВСУ94В
ТО-5
КТ501Л
BCW61C
SOT-23
КТ3129Г9
ВСУ95
ТО-18
КТ208К
BCW69
SOT-23
КТ3129Б9
ВСУ95В
ТО-5
КТ501М
BCW70
SOT-23
КТ3129Г9
BD109
MD-6
КТ805Б
BCW71
SOT-23
КТ3130А9
BD115
ТО-39
КТ604Б
BCW72
SOT-23
КТ3130Б9
BDl21
ТО-3
КТ902А
BCW81
SOT-23
КТ3130Б9
BD123
ТО-3
КТ805Б
BCW89
SOT-23
КТ3129Б9
BD123
ТО-3
КТ902А
ВСХ51
SOT-89
КТ664А9
BD131
ТО-126
КТ943В
ВСХ52
SOT-89
КТ664Б9
BD132
ТО-126
КТ961Г, КТ932Б, КТ9180А
ВСХ53
SOT-89
КТ664А9
BD135-6
ТО-126
КТ943А
ВСХ54
SOT-89
КТ665А9
BD136
ТО-126
КТ626А
ВСХ55
SOT-89
КТ665Б9
BD137-6
ТО-126
КТ943Б
ВСХ56
SOT-89
КТ666А9
BD138
ТО-126
КТ626Б
ВСХ70
SOT-23
КТ3153А9
BDl39-6
ТО-126
КТ943В
ВСХ70АН
SOT-23
КТ3145А9
BD140
ТО-126
КТ626В
BCX70G
SOT-23
КТ3130А9
BDl42
ТО-3
КТ819БМ
ВСХ70Н
SOT-23
КТ3130Б9
BD148-
MD-17
КТ805Б
BCX70J
SOT-23
КТ3130В9
BD149
MD-17
КТ805Б
ВСХ70К
SOT-23
КТ3130В9
BD165
ТО-126
КТ815А
ВСХ71
SOT-23
К3146А9
BD166
ТО-126
КТ814Б
ВСХ71Н
SOT-23
КТ3129Г9
BD167
ТО-126
КТ815Б
BCX71J
SOT-23
КТ3129Г9
BD168
ТО-126
КТ814В
BCYlO
R-8
КТ208Е
BDl69
ТО-126
КТ815В
BCYll
R-8
КТ208Л
BDl70
ТО-126
КТ814Г, КТ720А
ВСУ12
R-8
КТ208Д
BDl72
ТО-126
КТ721А
ВСУ30
ТО-5
КТ208Л
BD175
ТО-126
КТ817Б
ВСУ31
ТО-5
КТ208М
BD176
ТО-126
КТ816Б
ВСУ32
ТО-5
КТ208М
ВСУ33
ТО-5
КТ208Г
ВСУ34
ТО-5
ВСУ38
ВСУ39
BD177
ТО-126
КТ817В
BDl78
ТО-126
КТ816В
КТ208Г
BD179
ТО-126
КТ817Г
ТО-5
КТ501Д
BDl80
ТО-126
КТ816Г
ТО-5
КТ501М
BD181
ТО-3
КТ819БМ
ВСУ40
ТО-5
КТ501Д
BD182
ТО-3
КТ819ВМ
ВСУ42
ТО-18
КТ312Б
BD183
ТО-3
КТ819ГМ
ВСУ43
ТО-18
ктЗ12в
BD201
ТО-220
КТ819В
ВСУ54
ТО-5
КТ501К
BD202
ТО-220
КТ818Б
ВСУ56
ТО-18
КТ3102Б
BD203
ТО-220
КТ819Г
-
..
ВСУ57
ТО-18
КТ3102Е
BD204
ТО-220
КТ818В
ВСУ58А
ТО-18
КТ342А
BD216
MD-17 ..
КТ809А
ВСУ58В
TO-IB
КТ342Б
BD220
ТО-220
КТ8f7Г
ВСУ58С
ТО-18
КТ342Б
BD221
ТО-220
КТ817В
BCY58D
ТО-18
КТ342В
BD222
ТО-220
КТ817Г
BCY59-IX
ТО-18
КТ3102Б
BD223
ТО-220
КТ837Н
BCY59-VII
ТО-18
КТ3102А
BD224
ТО-220
КТ837Ф
BCY59-VIII
ТО-18
КТ3102Б
BD225
ТО-220
КТ837С
Раздел
436
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BD226
BD227
BD228
BD229
BD230
BD233
BD234
BD235
BD236
BD237
BD238
BD239
BD239A
BD239B
BD240
BD240A
BD240B
BD243A
BD243B
BD243C
BD246
BD253
BD263
BD263A
BD265
BD265
BD267
BD267A
BD291
BD292
BD293
BD294
BD295
BD296
BD326
Приближенный
отечественный
Корпус
ТО-126
аналог
КТ943А
ТО-126
КТ639Б
ТО-126
КТ94ЗБ
ТО-126
КТ639Д
ТО-126
КТ94ЗВ, КТ683Г
ТО-126
КТ817Б
ТО-126
КТ816Б, КТ837В
ТО-126
КТ817В
ТО-126
КТ816В
ТО-126
КТ817Г, КТ721А, КТ807АМ
ТО-126
КТ816Г
ТО-126
КТ817В
ТО-126
КТ817В
ТО-126
КТ817Г
ТО-220
КТ816В
ТО-220
КТ816В
ТО-220
КТ816Г
ТО-220
КТ8125В
ТО-220
КТ8125Б
ТО-220
КТ8125А
Х-86
КТ818 (АМ-ГМ)
ТО-3
КТ809А
ТО-126
КТ829Б
ТО-126
КТ829А
ТО-220
КТ829Б
ТО-220
КТ829А
ТО-220
КТ829Б
ТО-220
КТ829А
SOT-82
SOT-82
SOT-82
SOT-82
SOT-82
SOT-82
КТ819А
КТ818А
КТ819Б
КТ818Б
КТ819В
КТ818В
ТО-126
КТ9181А
ВDЗЗО
ТО-126
КТ9180А
ВDЗЗl
SOT-82
SOT-82
SOT-82
КТ829В
ВDЗЗЗ
КТ829Б
КТ829А
BD335
BD375
BD377
ТО-126
КТ94ЗА
ТО-126
КТ94ЗБ
ВDЗ79
ТО-126
КТ94ЗВ, КТ719А
BD386
BD410
BD433
BD434
BD435
BD436
BD437
BD438
BD439
BD440
BD44l
BD442
BD466
BD477
BD501B
BD533
BD534
BD535
BD536
BD537
BD538
BD543D
ТО-202
КТ644Б
ТО-126
КТ8137А
ТО-126
КТ817А
ТО-126
КТ8 l 6А, КТ835Б
ТО-126
КТ817А
ТО-126
КТ816А
ТО-126
КТ817Б
ТО-126
КТ816Б
ТО-126
КТ817В
ТО-126
КТ816В
ТО-126
КТ817Г
ТО-202
КТ816Г
КТ973Б
КТ972Б
ТО-220
КТ72ЗА
ТО-220
КТ819Б
ТО-220
КТ818Б, КТ837А
ТО-220
КТ819В
ТО-220
КТ818В, КТ837Б
ТО-220
КТ819Г
ТО-220
КТ818Г
ТО-220
КТ723А
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BD545
BD545A
BD545B
BD545C
BD546
BD546A
BD546B
BD546C
BD546D
BD566
BD6ll
BD612
BD613
BD614
BD615
BD616
BD617
BD618
BD619
BD620
BD643
BD645
BD647
BD663
BD664
BD675
BD675A
BD677
BD677A
BD679
BD679A
BD681
BD705
BD706
BD707
BD708
BD709
BD710
BD7ll
BD712
BD719
BD720
BD744D
BD802
BD813
BD814
BD815
BD816
BD817
BD818
BD825
BD826
BD827
BD828
BD840
BD842
BD875
BD876
BD877
BD933
BD934
BD935
BD936
BD937
7. Аналоги
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-218
КТ819Гl
ТО-218
KT819BI
ТО-218
КТ819Бl
ТО-218
КТ819АI
ТО-218
КТ818Гl
ТО-218
КТ818ВI
ТО-218
КТ818БI
ТО-218
КТ818Аl
ТО-218
КТ8102Б
ТО-220
КТ855А
ТО-202
КТ817А
ТО-202
КТ816А
TQ-202
КТ817А
ТО-202
КТ816А
ТО-202
КТ817Б
ТО-202
КТ816Б
ТО-202
КТ817В
ТО-202
КТ816В
ТО-202
КТ817Г
ТО-202
КТ816Г
ТО-220
КТ829В
ТО-220
КТ829Б
ТО-226
КТ829А
ТО-220
КТ819А
ТО-220
КТ818Б
ТО-126
КТ829Г
ТО-126
КТ829Г
ТО-126
КТ829В
ТО-126
КТ829В
ТО-126
КТ829Б
ТО-126
КТ829Б
ТО-126
КТ829А
ТО-220
КТ819А
ТО-220
КТ818Б
ТО-220
КТ819В
ТО-220
КТ818В
ТО-220
КТ819Г
ТО-220
КТ818Г
ТО-220
КТ819Г
ТО-220
КТ818Г
ТО-126
КТ805БМ
ТО-126
КТ805ВМ
ТО-220
КТ724А
ТО-220
КТ724А
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
SOT-128
КТ815А
КТ814А
КТ815Б
КТ814В
КТ815В
КТ814Г
КТ646А
КТ639Б
КТ646А
КТ639Д
КТ639В
КТ639Д
КТ972Б
КТ97ЗБ
КТ972Б
ТО-220
КТ817Б
ТО-220
КТ816Б
ТО-220
КТ817В
ТО-220
КТ816В
ТО-220
КТ817Г
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
437
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
BDX54F
ТО-220
КТ712А, КТ712Б
BDX62
ТО-3
КТ825Д
BDX62A
BDX62B
ТО-3
КТ825Г
КТ837Ф, КТ837Г
ТО-3
КТ825Г
ТО-220
КТ819Б
BDX63
ТО-3
КТ827Б
ТО-220
КТ8!8Б
BDX63A
ТО-3
КТ827А
ТО-220
КТ819В
BDX64
ТО-3
КТ825Д
ТО-220
КТ818В
BDX64A
ТО-3
КТ825Г
BD953
BD954
BDP620
BDT42C
ТО-220
КТ819Г
BDX64B
BDX65
ТО-3
КТ825Г
ТО-3
КТ827Б
ТО-3
КТ827А
ТО-220
КТ855Б, КТ855В
ТО-3
КТ825Д
BDT91
ТО-220
КТ819Б
BDX65A
BDX66
BDX66A
ТО-3,
КТ825Г
BDT92
ТО-220
КТ818Б
BDX66B
ТО-3
КТ825Г
BDT93
ТО-220
КТ819В, КТ808А3
BDX66C
BDT94
ТО-220
КТ818В, КТ808А3
BDX67
ТО-3
КТ827Б
BDT95
BDT96
ТО-220
КТ819Г, КТ808Б3
BDX67A
ТО-3
КТ827А
ТО-220
КТ818Г
ТО-220
КТ819В
BDV64
ТО-218
КТ896Б, КТ8159А
BDX71
BDX73
ТО-220
КТ819Г
BDV64B
ТО-218
КТ896А
BDX77
ТО-220
КТ819Г
КТ8158А
BDX78
ТО-220
КТ818Г
BD938
ТО-220
КТ816Г
BD944
BD946
ТО-220
КТ837Ф
ТО-220
КТ837Ф
BD948
ТО-220
BD949
BD950
BD951
BD952
ТО-220
·
КТ819Г
КТ947А
КТ8104А
BDV65
BDV66B
ТО-218
КТ8106А
BDX85
ТО-3
КТ827В
BDV91
BDV92
SOT-93
SOT-93
КТ819Б
BDX85A
ТО-3
КТ827В
КТ818Б
ТО-3
КТ827Б
BDV93
BDV94
SOT-93
КТ819В
BDX85B
BDX85C
ТО-3
КТ827А
SOT-93
SOT-93
КТ818В
ТО-3
КТ825Б
BDV95
BDV96
BDW21
КТ819Г
BDX86
BDX86A
ТО-3
КТ825Б
SOT-93
КТ818Г
BDX86B
ТО-3
КТ825Г
ТО-3
КТ819АМ
BDX86C
ТО-3
КТ825Г
BDW21A
ТО-3
КТ819БМ
BDX87
ТО-3
КТ827В
BDW21B
ТО-3
КТ819ВМ.
BDX87A
ТО-3
КТ827В
'
BDW21C
ТО-3
КТ819ГМ
BDX87B
ТО-3
КТ827Б
BDW22
ТО-3
КТ818БМ
BDX87C
ТО-3
КТ827А
BDW22A
ТО-3
КТ818ВМ
BDX88
ТО-3
КТ825Д
BDW22B
ТО-3
КТ818ГМ
ТО-3
КТ825Д
BDW22C
BDW23
BDW23A
ТО-3
КТ818ГМ
BDX88A
BDX88B
BDX88C
ТО-3
КТ825Г
ТО-220
КТ829Г
ТО-220
КТ829В
BDW23B
BDW23C
ТО-220
КТ829Б
BDX91
BDX92
ТО-220
КТ829А
BDW51
ТО-3
КТ819АМ
BDW51A
ТО-3
BDW51A
ТО-3
-
ТО-3
КТ825Г
ТО-3
КТ819БМ
ТО-3
КТ818БМ
BDX93
ТО-3
КТ819БМ
BDX94
ТО-3
КТ818ВМ
КТ728А
BDX95
ТО-3
КТ819ГМ
КТ819ВМ
ТО-3
КТ818ГМ, КТ841А
MD-17
КТ805Б
BDW51B
ТО-3
КТ819ГМ
BDX96
BDYl2
BDW51C
ТО-3
КТ819ГМ
BDYl3
MD-17
КТ805Б
BDW52
BDW52A
ТО-3
КТ818БМ
BDY20
ТО-3
КТ819ГМ
ТО-3
КТ818ВМ
BDY23
ТО-3
КТ803А
BDW52B
ТО-3
КТ818ГМ
BDY24
ТО-3
КТ803А
BDW52C
BDXIO
ТО-3
КТ818ГМ
BDY25
ТО-3
КТ812В
ТО-3
КТ819ГМ
ТО-126
КТ943А
BDXIOC
ТО-3
КТ819ГМ
ТО-3
КТ819ГМ
BDXl3C
BDXl8
ТО-3
КТ819БМ
BDY34
BDY38
BDY60
ТО-3
КТ805А
ТО-3
КТ818ГМ
BDY61
ТО-3
КТ805Б
BDX25
BDX25
MD-17
КТ802А
КТ808БМ
КТ808А
BDY71
BDY72
ТО-66
MD-17
ТО-66
КТ802А
ТО-220
КТ853В
BDY73
ТО-3
КТ819ГМ
BDX34
-
КТ902АМ
BDY78
ТО-66
КТ805Б
BDX53
ТО-220
КТ829Г, КТ8141 Г
BDY79
ТО-66
КТ802А
BDX53A
ТО-220
КТ829В, КТ8141В, КТ853Г
КТ945А, КТ908А
ТО-220
КТ829Б, КТ8141 Б
BDY90
BDY91
ТО-3
BDX53B
ТО-3
КТ945А, КТ908А
BDX53C
BDX54A
BDX54B
BDX54C
ТО-220
КТ829А, КТ8141А, КТ873А
КТ908А, КТ908Б, КТ863А
КТ853Г
ТО-3
КТ704Б, КТ828
ТО-220
КТ853В
BDY92
BDY93
BDY94
ТО-3
ТО-220
ТО-3
КТ812А, КТ704Б
ТО-220
КТ853А
BDY95
ТО-3
КТ704Б
BDX35
'
Раздел
438
Зарубежный транзистор
Тип прибора
,
Приближенный
Зарубежный транзистор
отечественный
Корпус
Тип прибора
аналог
BDY96
ТО-3
КТ8101А
7.
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
BF960
SOT-103
КП327 А, КП350А, КП382А,
КП801А
КП327Б
ВЕР179В
ТО-39
КТ611Б
BFI 11
ТО-39
КТ611А
BF961
SOT-103
BFI 14
ТО-5
КТ611Г
BF964
SOT-103
кп321в
SOT-103
КП347А2, КП327Г
SOT-37
КТ3109В, КТ3165А
BFl37
ТО-39
КТ611Г
BF966
BF140A
ТО-5
КТ611В
BF970
BFl73
ТО-72
КТ339В
BF979
SOT-37
КТ3109А
SOT-103
КП327А
BFl77
ТО-39
КТ602А
BF980
BFl78
ТО-39
КТ611Г
BF991
ТО-253
КП346Б9
BF996
SOT-143
КП346А9
BFI 79В
ТО-5
КТ611Б
BFl79C
ТО-39
КТ618А
BFG67
КТ2127А
BFG92A
КТ2127А
BFJ57
ТО-5
КТ602Б
КТ611Г
BFJ70
ТО-72
КТ339В
ТО-18
КТ342Б
BFl82
BFl83
BFl86
ТО-1
КТ3186А9
КТ3186А9
BFl97
ММ-10
КТ339Г
BFJ93
BFl99
ТО-92
КТ339АМ
BFJ98
ТО-5
КТ611Г
BFP177
ТО-39
КТ611В
BF208
ТО-72
КТ339А
BF223
ММ-10
КТ339В
BFP178
ТО-39
КТ611Г
ТО-39
КТ611Г
ТО-39
КТ618А
BF240
ТО-18
КТ312В
BFPl79A
BF245C
ТО-92
КП365Б
BFP179C
BF254
ТО-92
КТ339АМ
-вFР194
КТ611Г
BFP719
ММ-10
КТ315А
КТ315Б
BF257
ТО-39
КТ6129А9
BF258
ТО-39
КТ604Б, КТ940Б
BFP720
ММ-10
BF259
ТО-39
КТ604Б
BFP721
ММ-10
КТ315В
ММ-10
КТ315Г
BF273
ТО-72
КТ339А
BFP722
BF291
ТО-5
КТ611Г
BFP95
КТ996А2
КТ9143А
ТО-50
ТО-50
BF297
Х-55
КТ940В
BF298
Х-55
КТ940А
BFQ253
BFR34
КТ940А
BFR34A
BF299
Х-55
КТ372Б
КТ372Б
КТ3198А
BF305
ТО-39
КТ611Г
BFR90
BF306
ТО-72
КТ339В
BFR90
КТ339Б
BFR90A
КТ3198Б
КТ392А2
BFR91
КТ3198В
КТ339В
BFR91A
BFR92
BF311
ТО-92
BF316
BF330
SOT-25
SOT-37
КТ371А, КТ3190А
КТ3198Г
ТО-236
КТ3187А91
BF336
ТО-5
КТ611Г
BF337
ТО-39
КТ604Б
BFR92A
КТ3187А9
КТ940А
BFSI7
КТ3187В91
КТ2128А
BFS62
ТО-72
КТ368А
КТ2128А
ВFТ19А
ТО-39
КТ505Б
КП365А
ВFТ28С
ТО-39
КТ505Б
КТ940В
ВFТ92
BFWl6
ТО-39
КТ610А
BF338
ТО-39
BF362
BF363
BF410C
BF457
ТО-92
ТО-126
КТ3191А9, КТ3191А91
BF458
ТО-126
КТ940Б
BF459
ТО-126
КТ940А
BFW30
ТО-72
КТ399А
ТО-39
КТ611Г
ММ-10
КТ351Б
BF469
ТО-126
КТ940Б
BFW45
BF470
ТО-126
КТ940А
BFW89
BF47l
ТО-126
КТ605БМ, КТ940А
BFW90
ММ-10
КТ351Б, КТ371АМ
BFW91
ММ-10
КТ351Б
BF472
ТО-126
КТ9115А
BF480
SOT-37
КТ3120А
BFW92
SOT-37
КТ382Б
BF554
КТ3170А9
BFXl2
ТО-18
КТ326АМ
BF569
КТ3169А9, КТ3192А9
BFXl3
ТО-18
КТ326БМ
КТЗ68АМ
BFX29
ТО-5
КТ933Б
КТ368А9
BFX30
ТО-5
КТ933Б
КТ940Б
BFX44
ТО-18
КТ340В
ТО-18
КТ3102Е
BF597
ТО-92
Bf599
BF615
ТО-202
BF617
ТО-202
КТ940А
BFX65
BF620
SOT-89
КТ666А9
BFX73
ТО-72
КТ368А
КТ667А9
BFX84
ТО-5
КТ630Г
BF622
КТ914~А9
BFX85
ТО-5
КТ630Г
BF623
КТ9144А9
BFX86
ТО-5
КТ630Д
КТ3109А
BFX87
ТО-5
КТ933Б
BFX88
ТО-5
КТ933Б
BFX89
ТО-72
КТ355А
BFX94
ТО-18
КТ3117А
BF621
BF680
SOT-89
ТО-50
BF715
КТ999А
BF727
КТ3165А
КТ9115А
BFYl9
TO-IS
КТ326Б
BF869
КТ999А
BFY34
ТО-39
КТ630Г
BF905
КП350А
BFY45
ТО-39
КТ611Г
BF849
ТО-202
-
Аналоги
Зарубежные транзисторь1 и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
439
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
-
аналог
BFY46
ТО-39
КТ630Д
BSW20
ТО-92
КТ361Г
BFY50
ТО-39
КТ630Г
BSW21
ТО-18
КТ343Б
BFY51
ТО-39
КТ630Д
BSW27
ТО-39
КТ928А
BFY52
ТО-39
КТ630Д
BSW36
ТО-5
КТ603Б
BFY53
ТО-39
КТ630Д
BSW39-10
ТО-39
КТ630Г
BFY55
ТО-39
КТ630Г
BSW39-16
ТО-39
КТ630Г
BFY56
ТО-5
КТ630Г
BSW39-6
ТО-39
КТ630Г
BFY56A
ТО-39
КТ630Г
BSW41
ТО-18
КТ616А
BFY56B
ТО-39
КТ630Г
BSW51
ТО-39
КТ928Б
BFY65
ТО-39
КТ611Г
BSW52
ТО-39
КТ928Б
BFY66
ТО-18
КТ355А
BSW61
ТО-18
КТ3117А
BFY67A
ТО-5
КТ630А
BSW62
ТО-18
КТ3117А
BFY67C
ТО-5
КТ630А
BSW65
ТО-39
КТ630Г
BFY68
ТО-39
КТ630Е
BSW66
ТО-5
КТ630Г
BFY68A
ТО-5
КТ630Б
BSW66A
ТО-5
КТ630Г
BFY78
ТО-72
КТ368А
BSW67
ТО-5
КТ630А
BFY80
ТО-18
П308, КТ601А
BSW67A
ТО-5
КТ630А
BFY90
ТО-72
КТ399А
BSW68
ТО-39
КТ630В
BUY55
ТО-3
КТ808А
BSW68A
ТО-39
КТ630В
BLW18
ТО-117
КТ920Б
BSW88A
Х-73
КТ375А
BLW24
ТО-117
КТ922Г
BSX21
ТО-18
П308
BLX92
МТ-84
КТ913А
BSX32
BLX93
МТ-84
'
КТ928Б
КТ913Б
BSX32
ТО-39
КТ928Б
BLX96
КТ981А
BSX38
ТО-18
КТ802АМ
BLX97
КТ981Б
BSX38A
ТО-18
КТ340А
КТ981В
BSX45
ТО-39
КТ630Г
КТ808А
BSX45-10
Т0"39
КТ630Г
BLX98
BLY47
ТО-3
BLY47A
ТО-66
КТ808А
BSX45-16
ТО-39
КТ630Б
BLY48
ТО-3
КТ808А
BSX45-6
ТО-39
КТ630Г
BLY48A
ТО-66
КТ808А
BSX46
ТО-39
КТ630Г
BLY49
ТО-3
КТ809А
BSX46-10
ТО-39
КТ630Г
BLY49A
ТО-66
КТ809А
BSX46-16
ТО-39
КТ630Б
'
BLY50
ТО-3
КТ809А
BSX46-6
ТО-39
КТ630Г
BLY50A
ТО-66
КТ809А
BSX47
ТО-39
КТ630Б
BLY63
ТО-117
КТ920Г
BSX47-10
ТО-39
КТ630Б
BLY88A
МТ-72
КТ920Г
BSX47-6
ТО-39
КТ630А
BMl00-28
КТ971А
BSX51
ТО-18
КТ340В
ВМ40-12
КТ958А
BSX52
ТО-18
КТ340В
ВМ80-28
КТ931А
BSX53A
ТО-18
КТ340А
BRY56
КТ117А
BSX59
ТО-5
КТ928А
'
BSJ36
ТО-18
КТ351Б
BSX60
ТО-5
КТ928А
BSJ63
ТО-18
КТ340Б
BSX61
ТО-5
КТ928А
BSS124
КП502А
BSX62
ТО-39
КТ801Б
BSS129
КП503А
BSX63
ТО-39
КТ801А
·
BSS27
ТО-5
КТ928А
BSX66
ТО-18
КТ306Д, КТ306А
BSS28
ТО-5
КТ928Б
BSX67
ТО-18
КТ306Д, КТ306А
BSS29
ТО-5
КТ928А
BSX72
ТО-5
КТ630Д
BSS295
КП505А
BSX75
ТО-18
КТЗl 17А
BSS38
КТ602АМ
BSX79A
ТО-18
КТ342А, КТ311 7А
BSS38
ТО-92
КТ503Е, КТ602АМ
BSX79B
ТО-18
КТ342Б
BSS42
ТО-39
КТ630А
BSX80
ММ-11
КТ375Б
BSS68
ТО-92
КТ502Е
BSX81A
ММ-11
КТ375А
BSS69
КТ3145Б9
BSX89
ТО-18
КТ616А
BSS88
КП504А
BSX97
ТО-18
КТ3117А
BSS89
КП403А
BSXP59
ТО-39
КТ928А
BSS92
КП402А
BSXP60
ТО-39
КТ928А
BSV15-10
ТО-39
КТ639Д
BSXP61
ТО-39
КТ928А
BSV15-165
ТО-39
КТ639В
BSXP87
ТО-18
КТ340В
BSV15-6
ТО-39
КТ639Г
BSY17
ТО-18
КТ616Б
BSV16
ТО-39
.Iа639Д
BSY18
ТО-18
КТ616Б
BSV49A
ТО-18
КТ351Б
BSY26
ТО-18
КТ340В
BSV59-VIII
ТО-18
КТ3117А
BSY27
ТО-18
КТ340В
КТ321А
BSY34
ТО-39
КТ608А
КТ343Б
BSY38
ТО-18
КТ340В
BSV64
BSW19
ТО-18
'
Раздел
440
Зарубежный транзистор
Тип прибора
BSY39
BSY40
BSY41
BSY51
BSY52
BSY53
BSY54
BSY55
BSY56
BSY58
BSY62
BSY72
BSY73
BSY79
BSY81
BSY95
BSY95A
BSYP62
BSYP63
BSZIO
BSZll
BSZl2
BUI06
BUI08
BU120
BUl23
BUl26
BUl29
BU132
BUl33
BU204
BU205
BU207
BU207A
BU208
Приближенный
отечест~енный
Корпус
аналог
ТО-18
КТ3406
ТО-18
КТ343А
ТО-18
КТ3436
ТО-39
КТ630Д
ТО-39
КТ630Е
ТО-39
КТ630Г
ТО-39
КТ630Г
ТО-39
КТ630А
ТО-39
КТ6306
BU208A
BU208DX
BU2520A
BU286
BU326
BU326A
BU406
BU406D
BU408
BU408D
BU409
BU409
BU426
BU426A
BU508
аналог
ТО-218
КТ898А
ТО-218
КТ898АI
П309
ТО-39
КТ34 7А, КТ34 76
ТО-204
КТ885А
ТО-18
КТ340В
BUТll
ТО-220
КТ810861
ТО-18
КТ340В
КТ81436
КТ340В
ТО-3
КТ8143В
ТО-18
КТ340В
ТО-3
КТ81433
ТО-18
КТ1046
ТО-3
КТ8143Г
ТО-18
КТ1046
ТО-3
КТ8143А
ТО-18
КТ203А
ТО-3
КТ8126
BUT90
BUT91
BUT92
BUVl8
BUVl9
BUV37
BUV46
BUV66A
BUV74
BUV98A
BUWll
BUWllA
BUW24
BUW26
BUW35
BUW39
BUXl5
BUX25
BUX37
BUX47
BUX48
BUX48A
BUX48B
BUX54
BUX77
BUX82
BUX83
BUX84
BUX86
BUX97
BUX97A
BUX97B
BUX98
BUX98A
BUX98AX
BUYl8
BUY21
BUY26
BUY43
BUY46
BUYP52
BUYP53
BUYP54
BUZ220
BUZ307
BUZ31
BUZ32
BUZ323
ТО-3
ТО-18
КТ608А
ТО-18
КТ6166
ТО-18
КТ352А
ТО-18
КТ3126
ТО-3
КТ839А
ТО-3
КТ809А
ТО-3
КТ802А
ТО-3
КТ7046, КТ828А, КТ840Б
ТО-3
КТ809А
ТО-3
КТ704А, КТ826А, КТ8266
ТО-3
КТ7046, КТ828А
ТО-3
,КТ838А
ТО-3
КТ838А
ТО-3
КТ838А, КТ8466
ТО-3
КТ838А, КТ8107Е2
ТО-3
КТ8386, КТ846В, КТ812761,
ТО-204
ТО-3
КТ8157А, КТ846А, КТ8107А2,
КТ8107В2, КТ8127А, КТ8121А2
КТ838А
КТ8183А
SOT-93
КТ856АI
КТ893А
ТО-3
КТ840А, КТ81086
ТО-3
КТ828А, КТ840А, КТ8108В
ТО-220
КТ8130А, КТ858А, КТ8138Д
ТО-220
КТ8138Е, КТ8140АI
ТО-220
КТ858А, КТ8140А, КТ8124А
ТО-220
KT8136AI
ТО-220
КТ857А
ТО-3
КТ8126
ТО-218
КТ8686
ТО-218
КТ868А
ТО-218
КТ872А, КТ812761, КТ81076,
SOT-93A
КТ88661, КТ8726, КТ8107А,
КТ81076
BU508D
BU508FI
BU606
BU607
BU608
BU608
BU807
BU9302P
BU931Z
отечественный
Корпус
ТО-18
ТО-39
КТ8107Г
BU508A
Тип прибора
Приближенный
BU931ZP
BU931ZPFI
BU932Z
BUH313D
BUH315D
BUL47
BUL47A
BUP46
BUP47
BUP47A
BUP51
BUP52
BUP53
BUP54
BUS98
КТ81576, КТ810762, КТ8121Б2
BU208A
Зарубежный транзистор
SOT-93A
КТ872В, КТ895А9, КТ8107Т
ТО-218
КТ8127АI
ТО-3
КТ840А
ТО-3
КТ8406
ТО-3
КТ848А
ТО-3
КТ848А
КТ8156А
КТ890В
ТО-3
КТ897А -
7. Аналоги
КТ8926
КТ818362
КТ8183А2
ТО-3
КТ8143Г
ТО-3
КТ8143Д, КТ8155А
ТО-3
КТ8143К
ТО-3
КТ8143А, КТ8143Д, КТ8143Н
ТО-3
КТ8143Г
ТО-3
КТ8143Х
ТО-3
КТ8143Ф
ТО-3
КТ8143Ж, КТ8143М
ТО-3
КТ8143Г
КТ890А, КТ8906
ТО-220
КТ8108ВI
KT8108AI
Кт885А
КТ8856
ТО-218
КТ8686
ТО-218
КТ868А
ТО-3
КТ81476
ТО-3
КТ8147А
ТО-3
КТ841Е
ТО-3
КТ874А
ТО-3
КТ81476
ТО-3
КТ878В
ТО-3
КТ848А, КТ81466
ТО-3
КТ8147А, КТ8108А
ТО-3
КТ856А
ТО-204
КТ8566
ТО-204
КТ8146А
ТО-39
КТ506А
ТО-66
КТ908А
ТО-3
КТ812А
ТО-3
КТ812А
ТО-39
КТ5066, КТ859А
ТО-126
КТ8137А
ТО-3
КТ828А
ТО-3
КТ828А
ТО-3
КТ828А
ТО-3
КТ878А
ТО-3
КТ81546
ТО-3
КТ81556
ТО-3
КТ840А
ТО-3
КТ867А
КТ9166А
MD-17
MD-17
П702
ТО-3
КТ802А
ТО-3
КТ802А
ТО-3
КТ802А
ТО-3
КП809Д
ТО-218
КП728А
ТО-220
КП7046
ТО-220
КП704А
ТО-218
КП71761
П702А
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Приближенный
Зарубежный транзистор
Тип прибора
отечественный
Корпус
аналог
441
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
'
отечественный
Корпус
аналог
ТО-218
КП718АI
ЕFТ320
ТО-1
П401
ТО-218
КП813АI
ЕFТ321
ТО-1
МП20А
ТО-218
КП718ВI
ЕFТ322
ТО-1
МП20А
ТО-3
КП722А, КП813А
ЕFТ323
ТО-1
МП20Б
T0-2l8
КП706В
ЕFТ331
ТО-1
МП20А
ТО-3
КП718А, КП809Б
ЕFТ332
ТО-1
МП20А
ТО-3
КП718Б
ЕFТ333
ТО-1
МП20Б
ТО-3
КП705А
ЕFТ341
ТО-1
МП21Д
ТО-220
КП707АI
ЕFТ342·
ТО-1
МП21Д
ТО-220
КП727А
ЕFТ343
ТО-1
МП21Д
ТО-220
КП707БI, КП709Б
ТО-220
КП726А
ТО-3
КП809В
АП343Аl-2
FI027
FI053
Fl201.
Fl203
F2001
F2002
f 2003
F2005
F2013/H
FHC30LG/FA
FHC30LG/FA
FJ0880-28
FJ201F
FJ203
FJ401
FJ403
FJ9295CC
АП343А2
FLМ7177-5
АП915А2
СМ40-12
КТ960А, КТ980А
FLXI02MH-12
АП607А2
BUZ330
BUZ350
BUZ354
BUZ36
BUZ385
BUZ45
BUZ45A
BUZ53A
BUZ60
BUZ71
BUZ90
BUZ90A
BUZ94
С12-12
КТ925Б
С12-28
КТ934Б
С25-12
КТ925В
С25-28
КТ934В
С2М-10-28А
КТ970А
С3-12
КТ925А
КТ934А
С3-28
CDl60
CF739
CFXl4
CFX31
CFYl2
CFY25
CFY25-l 7
CFY25-25
SOT-9
SOT-143
F0-93
F0-85
П213Б
АП379А9
АП326Б2, АП320В2
АП602В2
АП331А2
ТО-120
АП343Аl-2
-
КП928А
КП923В
КП951А2
КП951Б2
КП923А
КП923Б
КП923В
КП923Г
КП923Б
АП344А3-2
АП344А3-2
КТ9101АС
КТ3132А2
КТ3121А6
КТ3115А2
КТ682А2
КТ996Б2
СМ75-28
КТ930А
FRНOIFH
АП330В2-2
СР640
КП601А
АП344А2-2
СР651
КП601 Б, КП903А
Dl2-28
D41DI
D41DI
D41D4
D41D7
КТ946А
FSCIO
GAT5
GAT6
GCIOO
GCIOI
GCll2
GCll6
GCll7
GCll8
GCl21
GCl21
GCl22
GCl23
GC500
GC501
GC502
GC507
GC508
GC509
GC510K
GC512K
GC515
GC516
GC517
GC518
GC519
GC525
GC525
GC526
GC527
GCN55
GCN56
GDl75
GDl80
ТО-126
КТ626А
Х-51
КТ626А
Х-51
КТ626Б
Х-51
КТ626В
D44НI
ТО-220
КТ997Б
D44H2
D44H5
D45H5
DMI0-28
DM20-28
DM40-28
DME250
DME375
DT4305
DVl202S
DXL2608A
DXL2608A
DXL3501
DXL3610A
ТО-220
КТ997В
ТО-220
КТ9166В
ТО-220
КТ9120В
ЕFТ212
ТО-3
-П216
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ986Б
КТ986В
ТО-3
КТ845А
КП902В
АП605А2
АП605А2
АП602А2
АП604А2
ЕFТ213
ТО-3
П216
ЕFТ214
ТО-3
П217
ЕFТ250
ТО-3
П217
ЕFТ306
·то-1
МП40
ЕFТ307
ТО-1
МП40
ЕFТ308
ТО-18
КТ208Б
ЕFТ311
ТО-1
МП20А
ЕFТ312
ТО-1
МП20А
ЕFТ313
ТО-1
МП20Б
ЕFТ317
ТО-1
П401
ЕFТ319
ТО-1
П401
АП325А2
АП326А2
А-1
'
ГТ109А
А-1
ГТ109А
А-1
МП26А
А-1
МГТ108Д
А-1
МГТ108Д
А-1
МГТ108Д
А-2
МП20А
А-2
МП39Б
А-2
МП20А
А-2
МП21Г
А-6
ГТ402Д
А-6
ГТ402Е
А-6
ГТ402И
А-6
МП20А
А-6
МП20Б
А-6
МП21Г
А-7
ГТ403Е
А-7
ГТ403Е
А-6
МП20А
А-6
МП20А
А-6
МП20Б
А-6
МП20Б
А-6
МП20Б
А-6
МП35А
А-6
МП36А
А-6
МП36А, МП37 А
А-6
МП36А, МП38А
А-6
МП20А
А-6
МП21Г
SOT-9
SOT-9
П213Б
П214А
'
'
Раздел
442
Зарубежный транзистор
Тип прибора
GD240
GD241
GD242
GD243
GD244
GD607
GD608
GD609
GD617
GD618
GD619
GDI170
GES2219
GF126
GF128
GF130
GF145
GF147
GF501
GF502
GF503
GF504
GF506
GF507
GF514
GF514
GF515
GF516
GF517
GFY50
GS109
GSl 11
GSl 12
GS121
Приближенный
отечественный
Корпус
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
SOT-9
Тип прибора
аналог
П213
П213
П214А
П214А
П215
П404Г
П404Б
П404Б
П201АЭ
.
П201АЭ
П203Э
П213Б
КТ660А
А-3
ПЗО9Г
А-3
П309Б
А-3
П309Д
А-4
П346А
А-4
П346А
ТО-18
П313Б
ТО-18
П313А
ТО-18
П313Б
ТО-18
П313А
ТО-72
П328Б
ТО-72
П346Б
ТО-72
П313Б
ТО-72
П322А
ТО-72
П322А
ТО-72
П322А
ТО-72
П322Б
ТО-7
П322Б
А-1
МП42А
А-1
МП42Б
А-1
МП25А
А-1
МП42
Зарубежный транзистор
-
IRF720A
IRF730A
IRF740A
lRF820
IRF830
IRF840
IRF841
IRF9020
IRF9130
IRFBC20
IRFBC40
IRFBE30
IRFBE32
IRFDlll
IRFP340
IRFP352
IRFP353
IRFP441
IRFP452
IRFR020
IRFZ34
IRFZ40
IRFZ42
IRFZ44
IRFZ45
IRGBC40M
IVN5200
IXTM4N95
Jl75
J02058
JS830
JS8830AS
JS8864AS
Корпус
отечественный
-
аналог
ТО-220
КП720
ТО-220
КП707Аl, КП730
ТО-220
КП740
ТО-220
КП820
ТО-220
КП830
ТО-220
КП840
ТО-220
КП706Б
КП944А
КП712А
ТО-220
КП733Г
ТО-220
КП805Б
ТО-220
КП707Вl
ТО-220
КП707В2
ТО-250
КП804А
ТО-218
КП717Еl
ТО-218
КП717Гl
ТО-218
КП717Вl
ТО-218
КП718Гl
ТО-218
КП717Дl
КП945А
ТО-220
КП812Вl
ТО-220
КП723В
ТО-220
КП723Г
ТО-220
КП723А, КП812Аl
ТО-220
КП723Б, КП812Б 1
КП730А
КП908А
КП705Б
КП304А
КТ9155А
АП330Вl-2
АП330А2
АП608А2
К2113В
КТ382БМ
КТ9134А
К2122СВ
КТ382АМ
HP3586L
HXTR2101
HXTR6101
HXTR6102
IRF132
IRF150
IRF240
IRF250
IRF340
IRF341
IRF350
IRF352
IRF353
IRF420
IRF440
IRF441
IRF450
IRF452
IRF453
IRF510
IRF520
IRF530
IRF540
IRF610
IRF620
IRF630
IRF640
IRF710
IRF710A
КТ391А2
К5002
КТ3120А
КТ648А2
КС147
ММ-10
КТ373А, КТ373Б
КТ3132В2
КС148
ММ-10
КТ373А, КТ373Б
КТ3132Б2, КТ682А
КС149
ММ-10
КТ373Б, КТ373В
-
ТО-204
КП922А
КС507
ТО-18
КТ342Б
ТО-3
КП150
КС508
ТО-18
КТ342Б
ТО-204
КП240
КС509
ТО-18
КТ342Б
ТО-204
КП250
ТО-3
КТ803А
ТО-204
КП340, КП717Е, КП809А
ТО-3
КТ808А
ТО-3
КП717Д
ТО-72
КТ339В
ТО-204
КП350, КП717Б
KD601
KD602
KF173
KF503
KF504
KF507
KSA5390
KSA539R
KSA539Y
KSA5450
KSA545R
KSA545Y
KSC1395
KSC1730
KSC8530
KSC853R
KSC853Y
KSD2270
KSD227Y
KSY21
KSY34
KSY62
ТО-5
КТ602Б
КП717Г
ТО-3
КП717В
ТО-204
КП420
ТО-204
КП440
ТО-3
КП718Г
ТО-204
КП450, КП725А
ТО-3
КП718Д
ТО-3
КП718А, КП718Е
ТО-220
КП510
ТО-220
КП520
ТО-220
КП530
ТО-220
КП540
ТО-220
КП610
ТО-220
КП620
ТО-220
КП630
ТО-220
КП640
ТО-220
КП710, КП733А
ТО-220
КП731А
Аналоги
Приближенный
НЕМ3508В-20
ТО-3
7.
ТО-5
КТ611Г
ТО-5
КТ617А
ТО-92
КТ502Г
ТО-92
КТ502В
ТО-92
КТ502Г
ТО-92
КТ502(Г, Д)
ТО-92
КТ502Д
ТО-92
КТ502(Г, Д)
ТО-92
КТ316ГМ
ТО-92
КТ316ДМ
ТО-92
КТ503Г
ТО-92
КТ503(Г, Д)
ТО-92
КТ503Г
ТО-92
КТ503Н
ТО-92
КТ503Б'
ТО-18
КТ616Б
ТО-5
К:Г608А
ТО-18
КТ606Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Приближенный
отечественный
Корпус
Тип прибора
аналог
ТО-18
КТ616Б
ТО-18
КТ347Б
КU601
ТО-3
КТ801Б
КU602
ТО-3
КТ801А
KU605
ТО-3
КТ812В
KSY63
KSY81
'
КU606
ТО-3
КТ808А
КU607
ТО-3
КТ8Г2В
КU611
КU612
KUY12
LAE4000Q
LDA405
LKE32002T
SOT-9
SOT-9
КТ801Б
ТО-3
КТ812В
КТ801А
КТ657Б2
К1НТ254
КТ918Б2
LТ1817
КТ9141Аl
LТ1839
КТ9141А
LT5839
КТ9143А
МА2123
КТ3114Б6
МА909
МА910
MDl 129
MDl 130
MD5000
MD5000B
MD918AF
MD918F
MD986
MFE121
MFE2001
MFE2002
ТО-5
'
МJ2501
МП26А
ТО-5
МП26А
ТО-99
КТС395Аl
КТС394А2
КТС3103Аl, КТС393А9
КТС3103Бl, КТС393Б9
ТО-99
ТО-99
КТС398Б94
КТС398А94
ТО-99
КТС303А2
ТО-206
КП306В
КП307Г
МFЕ2098
MFE2098
MGF2116
MGF2324.0l
MGF4310
MGF4415
MGF-X35M.O 1
MHQ2221
MHQ2369
MHQ2906
MJ10002
МJl 1020
МJl 1021
MJ250
MJ2500
.
ТО-3
ТО-3
ТО-220
КТ8164Б, КТ8181Б
ТО-220
КТ8138В, КТ8164А, КТ872А,
КТ8181.д., КТ854Б
MJE13006
MJE13007
MJE13008
MJE13009
MJE170
MJEl 71
MJE172
MJE180
MJE181
MJE182
MJE230
MJE233
MJE2955T
MJE3055
MJE3055T
MJE4353T
MJE4553T
MJE710
MJE71 l
MJE712
MJE720
MJE721
MJE722
MJH6285
MJH6286
ТО-220
КТ8136А, КТ8182Б
ТО-220
КТ8138Г, КТ8126А, КТ8182Б
ТО-220
КТ8138Ж
ТО-220
КТ8138И
ТО-126
КТ9180Б
ТО-126
КТ9180В
ТО-126
КТ9180Г
ТО-126
КТ683Д
ТО-126
КТ9181В
ТО-126
КТ9181Г
ТО-126
КТ9180Б
ТО-126
КТ9180В
ТО-220
КТ8149А2
ТО-220
КТ819Б
ТО-220
КТ8150А2
ТО-218
КТ8101А
КТ8102Б
ТО-126
КТ814Б
ТО-126
КТ814В
ТО-126
КТ814Г
ТО-126
КТ815Б
ТО-126
КТ815В
ТО-126
КТ815Г
КТ8106А
КТ8106Б
КТ602В
КП302В
ТО-52
АП605А2
ММ3000
ТО-39
КТ602А
АП606Б2
ММ3001
ТО-39
КТ611В
АП343А2-2
ММ3375
ТО-60
КТ904Б
АП343А3·2
ММ404
ТО-18
МП42Б
АП603А2
ММ8006
ТО-72
КТ399А
КТС631 В, КТС631 Г
ММ8007
ТО-72
КТ399А
КТС631А, КТС631Б
ММ8015
SOT-37
КТ382А
КТС622А
MMBF54592
КП308Аl
КТ841В
ММВТ3904
КТ3197А9
КТ8105В
ММВТ3906
КТ3196А9, КТ3140Г
КТ8104В
ММВТА20
КТ3151д9
КТ963А2
ММSТ3906
КТ3146В9
КТ825Д
ММТ2857
КТ825Г
ММТ2857
MPQ3906
MPS271 l
MPS2712
MPS2713
MPS2714
MPS2907AL
MPS2907AM
MPS2907K
MPS2925
MPS3395
MPS3638
MPS3638A
MPS3639
MPS3640
MPS3702
MPS3703
MPS3705
MPS3707
MPS3708
MPS3709
КТ827В
ТО-3
КТ827Б
ТО-3
КТ839А
МJ3520
ТО-3
КТ827В
MJ3521
MJ4030
ТО-3
КТ827А
ТО-3
КТ825Д
МJ4031
ТО-3
КТ825Г
МJ4032
ТО-3
КТ825Г
MJ4033
MJ4034
ТО-3
КТ827В
ТО-3
КТ827Б
МJ4035
ТО-3
КТ827А
ТО-204
КТ842А
ТО-5
КТ618А
МJ4646
ТО-205
КТ505А
МJ480
ТО-3
КТ803А
i
· КТ803А
КТ815В
ТО-126
MJE13004
MJE13005
ММ1748
ТО-3
MJE13003
аналог
КП302В
MJ3000
MJ3001
MJ3480
МJЕ1002
отечественный
Корпус
МLЗООО
КТ8102А, КТ8149А
ТО-3
Тип прибора
Приближенный
ML500
ТО-3
MJ481
Зарубежный транзистор
КП307Д
МJ2955
MJ410
MJ420
443
КТ8112А,
KT8170Al,
КТ8175А
КТ963Б2
КТ316А
КТ382А
SOT-37
КТ382Б
КТ674АС
ТО-92
КТ503А
ТО-92
КТ503Б
ТО-92
КТ306БМ
ТО-92
КТ306БМ
КТ685Г
КТ685В
КТ685Б
ТО-92
КТ680А
ТО-92
КТ681А
ТО-92
КТ351А
ТО-92
КТ351А
ТО-92
КТ357А
ТО-92
КТ347Б
ТО-92
КТ3107Д
ТО-92
КТ3107А
ТО-92
КТ645А
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ3102В
ТО-92
КТ3102А
-
-
Раздел
444
Зарубежный транзистор
Тип прибора
MPS3710
MPS3711
MPS404
MPS404A
MPS6512
MPS6513
MPS6514
MPS6515
MPS6516
MPS6517
MPS6518
MPS6519
MPS6530
MPS6532
MPS6541
MPS6543
MPS6562
MPS6563
MPS6565
MPS6566
MPS6571
MPS706
MPS706A
MPS834
MPS9600
MPS9601
MPSA09
MPSA42
MPSA43
MPS-H37
MPSLOl
MPSL07
MPSL08
MPSL51
MPSUOl
MPSUOlA
MPSU04
MPSU05
MPSU06
MPSU07
MPSU51
MPSU51A
MPSU55
MPSU56
MQ2218
MRA05 l О-50Н
MRA0610-18
MRA0610-3
MRF148
MRF2005M
MRF2010
MRF430
MS0146
MSA7505
MSC1075M
MSC1250M
MSC1550M
MSC2001M
MSC2003M
MSC2005M
MSC4001
MSC81550
MTM15N50
MTP3N08L
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
Зарубежный транзистор
Приближенный
отечественный
Корпус
Тип прибора
-
ТО-220
КТ316БМ
MTP6N60
MU4894
NE021-60
NElOlOE
NE13783
NE388-06
NE46383
NE500
NE56755
NE695
NE72089A
NE73435
NE76184A
NE90089A
NEZl 112
КТ316ВМ
NКТll
ТО-1
МП108Г
ТО-92
КТ350А
NКТ73
ТО-1
МП108Б
ТО-92
КТ350А
ТО-92
КТ645А
NT2222
NTE107
ТО-92
КТ3102В
ТО-92
КТ3102Г
ТО-92
КТ209Е
ТО-92
КТ209К
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ3102Д
ТО-92
КТ3107Е
ТО-92
КТ3107Е
ТО-92
КТ3107Ж
ТО-92
КТ3107Л
ТО-92
КТ645А
ТО-92
КТ645А
КП724А
аналог
КТl 17Г
КТ657А2
ТО-128
КТ913Б
АП320Б2
АП339А2
АП328А2
КП302Г
КТ647А<J.
АП320А2
АП344А2КТ3114В6
АП344Аl-2
АП605Аl-2
АП602Б2
КТ3117Аl
КТ316АМ
ТО-92
КТ645А
ОС1016
ТО-3
П703В
TQ-92
КТ3102Г
ОС1044
ТО-1
П109Е
ТО-92
КТ645А
ОС1045
ТО-1
П109Д
ТО-92
ОС1070
ТО-1
МП40А
ТО-92
кт375А
КТ306ВМ
ОС1071
ТО-1
МП40А, МП39Б
ТО-92
КТ201ВМ
ОС1072
ТО-1
МП41 А, МП39Б
ТО-92
КТ201БМ
ОС1074
ТО-1
МП20А
ТО-92
КТ3102Б
ОС1075
ТО-1
МП41А, МП39Б
ТО-226
КТ6135Б
ОС1076
R-8
МП42Б, МП20А
ТО-226
КТ6135В
ОС1077
ТО-1
МП21Г
ТО-92
КТ339АМ
ОС1079
ТО-1
МП20А
ТО-226
КТ632Бl
ОС112
ТО-92
КТ363А
ОС170
ТО-7
П309Г, П322Б
ТО-92
КТ363А
ОС171
ТО-7
П309Г
ТО-226
КТ638А
ОС200
КТ104Г
Х-81
КТ807Б
ОС201
Х-81
КТ807Б
КТ850Б
ОС203
КТ807Б
ОС204
Х-81
КТ807Б
ОС205
Х-81
КТ807А
ОС206
Х-81
КТ639Б
ОС207
Х-81
КТ639Б
ОС25
ТО-3
П216
Х-81
КТ639Г
ОС26
ТО-3
П703Д
Х-81
КТ639Б, КТ626Б
ОС27
ТО-3
П703Г
КТС613А
ОС28
ТО-3
П217
КТ9156БС
ОС30
MD-11
П20~Э
КТ9104Б
ОС35
ТО-3
П217
КТ9104А
ОС41
R-8
R-8
R-19
R-19
R-19
R-19
R-9
R-9
R-9
R-8
R-8
П29
Х-81
ТО-60
ОС202
КП908Б
ОС42
КТ948А
ОС57
КТ942В
ОС58
КТ9160А
ОС59
КТ937А2
ОС60
КТ907А
ОС70
КТ984А
ОС71
КТ984Б
ОС75
·
МП26
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
-
7. Аналоги
\
КТ9109А
ОС76
КТ919В
ОС77
КТ919Б
РВС107А
КТ919А
РВС107В
.
КТ104Б
КТ104В
КТ203А
КТ208Г
КТ208Л
КТ208Г
КТ208А
П29А
П109А
-
П109Б
П109В
П109В
МП40А
МП40А
МП40А, МП41 А
МП40А
МП26Б
ТО-98
КТ373А
ТО-98
КТ373Б
КТ938А2
РВС108А
ТО-98
КТ373А
КТ9127А
РВС108В
ТО-98
КТ373В
ТО-204
КП706А
РВС108С
ТО-98
КТ373В
ТО-220
КП727Б, КП727В
РВС109В
ТО-98
КТ373Б
'
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип прибора
РВС109С
Приближенный
отечественный
Корпус
ТО-98
аналог
КТ373В
Зарубежный транзистор
Тип прибора
А-5
КТ373В
SF128B
SF128C
SF128D
SF129A
SF129B
SF129C
SF129D
SF131E
SF131F
SF132E
SF132F
SF136D
SF136E
SF136F
SF137D
SF137E
SF137F
SF150B
SF150C
SF21
SF215C
SF215D
SF215E
SF216C
SF216D
SF216E
SF22
SFE264
А-5
КТ373А
SFТ124
А-5
КТ373Б
SFТ125
А-5
КТ373Б
SFТ130
ТО-72
КТ399А
SFТ131
PBMS3906
КТ3146Г9
РВМТ3906
КТ3146Д9, КТ3140В
PНl
КТ976А
РНl
КТ979А
114-SOC
114-60
PKB23003U
PKB3000U
PN2484
ТО-92
КТ3102(Б, Д)
РТ6680
ТО-129
КТ909В
КТ919Г
КТ918А2
РТ9790А
КТ9111А
РТВ42003Х
КТ937Б2
PZB16040U
QF505
RFD401
RFD410
RFD420
RFD421
Sl0-12
Sl0-28
Sl50-28
S2000Fl
S30-12
S3640
S70-12
S80-28
SC206D
SC206E
SC206F
SC207D
SC207E
SC207F
SD1300
SD1301
SD1308
SD1540
SD1543
SD1546
SD1565
SD200
КТ979А
ТО-72
ГТ328Б
ТО-60
КТ606Б
ТО-129
КТ913А
ТО-129
КТ913Б
ТО-60
КТ904А
КТ965А, КТ921 А
КТ955А
Iq957A
КТ8183А1
КТ966А
-
КТ3126Б
КТ967А
КТ956А, КТ944А
А-5
КТ373А
А-5
КТ373Б
ТО-72
445
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
ТО-5
КТ630Г
ТО-5
КТ630Г
ТО-5
КТ630Г
ТО-5
КТ630А
ТО-5
КТ630А
ТО-5
КТ630А
ТО-5
КТ630Б
А-4
КТ3102В
А-4
КТ3102Г
А-4
КТ3102Б
А-4
КТ3102Г
ТО-18
КТ342А
ТО-18
КТ342Б
ТО-18
КТ342В
ТО-18
КТ342А
ТО-18
КТ342Б
ТО-18
КТ342В
ТО-5
КТ611Г
ТО-5
КТ611Г
ТО-5
КТ617А
А-5
КТ375Б, КТ373А
А-5
КТ373А
А-5
КТ373Б
А-5
КТ375А, КТ373Г
А-5
КТ373А
А-5
КТ373Б
ТО-5
КТ617А
КП312А
КТ501Е
КТ399А
SFТ143
КТ938Б
SFТ144
КТ9164А
SFТ145
КТ9134Б
SFТ146
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
R-13
КТ9774
SFТ163
ТО-44
П423
КТ501Е
КТ501Е
КТ501Е
КТ501Ж
КТ501И
КТ501Ж
КТ501И
КТ9136АС, КТ9161АС
SFТ187
ТО-5
КТ602А
ТО-52
(ТО-72)
КП310А
SFТ212
ТО-3
ГТ703Г
SD20l
SD21 l
SD300
SDN6000
SDN6001
SDN6002
SDN6251
SDN6252
SDN6253
SDT3207
SDT3208
SDT7012
SDT7013
SE9300
SF121A
ТО-52
КП310Б
SFТ214
ТО-72
КП980Б
SFТ223
КП314А
ТО-3
КТ834В
ТО-3
ТО-3
ГТ703Г
ТО-3
П217
ТО-5
МП20Б
SFТ238
ТО-3
П216
SFТ239
ТО-3
П217
КТ834Б
SFТ240
ТО-3
П217
ТО-3
КТ834А
SFТ250
ТО-3
П217, ГТ701А
ТО-3
КТ834В
SFТ251
ТО-5
МП20А, МП39Б
ТО-3
КТ834Б
SFТ252
ТО-5
МП20А, МП39Б
ТО-3
КТ834А
SFТ253
ТО-5
МП20А, МП39Б
ТО-61
КТ908Б
SFТ306
ТО-1
МП39Б
ТО-61
КТ908А
SFТ307
ТО-1
КТ208В
ТО-61
КТ908Б
SFТ308
ТО-1
КТ208В
ТО-61
КТ908А
SFТ316
Т-44
П422
КТ716Г
SFТ3l 9
ТО-1
П416
ТО-5
КТ617А
SFТ320
ТО-1
П416
SF121В
ТО-5
КТ617В
SFТ32l
ТО-1
МП20А
SF122A
SF122B
SF123A
SF123B
SF123C
SF126A
SF126B
SF126C
SF128A
ТО-5
КТ617А
SFТ322
ТО-1
МП20Б
ТО-5
КТ617А
SFТ323
ТО-1
МП20Б
ТО-5
КТ602В
SFТ325
Х-47
ГТ402И
ТО-5
КТ602Г
SFТ35l
ТО-1
МП39Б
ТО-5
КТ602Г
SFТ352
ТО-1
МП39Б
ТО-5
КТ617А
SFТ353
ТО-1
МП39Б
ТО-5
КТ617А
SFТЗ54
ТО-44
П422
ТО-5
КТ617А
SFТ357
ТО-44
П422
ТО-5
КТ630Г
SFТ213
-
446
Раздел
Зарубежный транзистор
Тип прибора
-
Зарубежный транзистор
Приближенный
отечественный
Корпус
Тип прибора
аналог
Аналоги
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
SFТ358
ТО-44
П423
Т358Н
ТО-1
П403
SFТ377
ТО-1
ГТ404Ж
ТСН98
ТО-18
КТ208Е
SGSD200
КТ896А
ТСН988
ТО-5
КТ501К
SGSF344
КТ8121А
ТСН99
ТО-18
КТ208К
SGSF444
КТ8114Б, КТ8127Б
TG2
ТО-18
МГТ108А
SGSF564
КТ8107Д2, КТ8183Б
TG3A
ТО-18
МГТ1088
TG3F.
ТО-18
МГТ108Г
SGSP201
SOT-82
КП727Ж
SGSP574
ТО-3
КП718Б, КП718Бl
TG4
ТО-18
МГТ108А
SL3552
ТО-39
КТ830Б
TG5
ТО-18
ГТП5Б
КТС3174АС2
TG50
ТО-5
МП20А
SS106
ТО-18
КТ340В
TG51
ТО-5
МП21Г
SS108
ТО-18
КТ3408
TG52
ТО-5
МП20А
SS109
ТО-18
КТ3408
TG53
ТО-5
МП20А
SS125
ТО-5
КТ617А
TG55
ТО-5
МП20А
SS126
ТО-5
КТ608А
TG5E
ТО-18
ГТl 15А, П27
SS216
А-5
КТ375Б, КТ340Г
ТН430
SS218
А-5
КТ375Б, КТ349Г
ТIPl
10
ТО-220
SL362 -
7.
КТ9126А, КТ980Б
КТ716А
SS219
А-5
КТ375Б, КТ340Г
ТIPl
11
ТО-220
КТ716Б
SS80508
ТО-92
КТ6114А, КТ6134А
ТIР112
ТО-220
КТ7168
SS8050C
ТО-92
КТ6114Б, КТ6134Б
ТIPl
15
ТО-220
КТ8528
SS8050D
ТО-92
КТбl
ТIPl
16
ТО-220
КТ852Б
SS85508
ТО-92
КТ6115А, КТ6133А
TIPl 17
ТО-220
КТ852А
SS8550C
тО-92
КТ6115Б, КТ6133Б
ТIР120
ТО-220
КТ7168, КТ8298, КТ8116А
SS8550D
ТО-92
КТ61158, КТ61338
TIP121
ТО-220
КТ716Б, КТ829Б, КТ8116Б
148, КТ61348
SS9012D
ТО-92
КТ6109А
ТIР122
ТО-220
КТ716А, КТ829А, КТ81168
SS9012E
ТО-92
КТ6109Б
TIP125
ТО-220
КТ8538, КТ8115А
SS9012F
ТО-92
КТ&1098
ТIР126
ТО-220
КТ853Б, КТ8115Б
SS9012G
ТО-92
КТ6109Г
ТIР127
ТО-220
SS9012H
ТО-92
КТ6109Д
TIP132
SS9013D
ТО-92
КТ6110А
TIP146
SS9013E
ТО-92
КТ6110Б
ТIР151
SS9013F
ТО-92
КТбl
ТIР29
ТО-220
КТ815А
SS9013G
ТО-92
КТ6110Г
TIP2955
ТО-218
КТ8149Аl
SS9013H
ТО-92
КТ6110Д
ТIР29А
ТО-220
.КТ815Б
SS9014A
ТО-92
КТ6111А
ТIР298
ТО-220
КТ8158
SS90148
ТО-92
КТ6111Б
ТIР29С
ТО-220
КТ815Г
SS9014C
ТО-92
КТбl
ТIР30
ТО-220
КТ814А
SS9014D
ТО-92
КТ6111Г
ТIР3055
ТО-218
КТ8150Аl
SS9015A
ТО-92
КТ6112А
ТIР30А
ТО-220
КТ814Б
SS90158
ТО-92
КТ6112Б
ТIР308
ТО-220
КТ8148
SS9015C
ТО-92
КТ61128
TIP30C
ТО-220
КТ814Г
SS9018D
КТ6113А
TIP31
ТО-220
КТ817А
SS9018E
КТ6113Б
ТIР31А
ТО-220
КТ817Б, КТ81 76А
SS9018F
КТбl
138
TIP318
ТО-220
КТ81 78, КТ8176Б
SS9018G
КТ6113Г
TIP31C
ТО-220
КТ817Г, КТ81768
SS9018H
КТ6113Д
ТIР32
ТО-220
КТ816А, КТ8177А
КТ6113Е
ТIР32А
ТО-220
КТ816Б, КТ8177Б
КТ617А
TIP328
ТО-220
КТ8168, КТ81 778
STHI08100
КП810А
TIP32C
ТО-220
КТ816Г
STНI20N50
КП955Б, КП953А
TIP41
ТО-220
КТ819А
КТ888Б
TIP41A
ТО-220
КТ819Б
SS9018I
SSY20
ТО-5
STP60S
ТО-5
108
118
КТ853А, КТ81158
КТ899А
ТО-218
КТ896А
КТ8109А
STP70S
ТО-5
КТ888А
TIP418
ТО-220
КТ8198
Т241
ТО-1
МП20А
TIP41C
ТО-220
КТ819Г
Т242
ТО-1
МП218
ТIР50
ТО-220
КТ854А
Т243
ТО-1
МП21Г
TIP519
ТО-3
КТ842Б
Т316Н
ТО-1
П402, П416А
ТIР61
ТО-220
КТ815А
Т317
ТО-1
П401
TIP61A
ТО-220
КТ815Б
Т319
ТО-1
П401
ТIР61В
ТО-220
КТ8158
,
Т320
ТО-1
П401
ТIР61С
ТО-220
КТ815Г
T321N
ТО-1
МП38, МП37А
TIP62
ТО-220
КТ814А
ТЗ22Н
ТО-1
МП37Б
ТIР62А
ТО-220
КТ814Б
T323N
ТО-1
МП38А
TIP628
ТО-220
КТ8148
Т354Н
ТО-1
П403, П416А
ТIР62С
ТО-220
КТ814Г
ТЗ57Н
ТО-1
П403А
TIP661
КТ892Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный транзистор
Тип приб~а
Приближенный
отечественный
Корпус
TIP662
TIX3024
U-26
аналог
447
Зарубежный транзистор
Тип прибора
Приближенный
отечественный
Корпус
аналог
КТ892В
UDR500
КТ9136АС
ГТ341Б
UF28100
КП928Б
TIXМIOI
ТО-72
ГТ341А
UMlL40FТ
КП923А
TIXM103
Х-60
ГТ362А
UPT315
КТ841Г
ТIХМ104
Х-60
ГТ341В
VMPI
ТО-3
TPQ7041
КТ693АС
VMP4
SOT-123
КП902А
TPV375
КТ9116Б
VN89AD
ТО-220
КП901Б
TPV376
КТ9133Аl, КТ91l73Аl
TPV394
TPV5051
КТ9116А
VSF9330
WSH71G
SOT-23
КТ9150А
XGSR10040
YTF4125
КТ862Б
TPV595A
TRSP5014
TRW2020
КТ509А
УТF4126
КТ3140Б
КТ948А
УТF832
ТО-220
КП805А
U291
КП601А
ZT2475
R-64
КТ316Б
U320
КП601Б
ZTX658
U320
UC714
КП601Б
ZVN2120
КТ9153А
КП302А
КП901А
АП331А2
КТ3129Б9
КТ3140А
КТ6135А
ТО-92
КП501А
-
Раздел
448
7.5. Конструктивное
исполнение корпусов
зарубежных транзисторов
_______ ""
..,._
i-...--.----1 ~. .
"Q
9
[Е]
~
6~
~5.l 9кран
~
," '•f
'1,2
~
~
~
...
~
~t к~·::;;:::2
~
~
6
9
-11"914+
1нь9\
39
~11,5
tJ/6,5
-
"'
к
~,.,
...
:::wп_
~~t.11 ...
.
1
;, 1 :: •
1
38, 7
~1
1
- 1
•
1
'
.
1
н
•
7.
Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов
449
f111101
11
ID
111
~,""
1 -
-
r
1
1
• 1
• 1 •
1
' ·- '
~"
lнJJН)
Zl,5
, .-11,1j
fil )~11
ф
~~~
......
се:.
'
~" ~
~
~
""
t:
......
~"
....:
(нн1QJ
f Hlftl f
S'
1
1
."
'
'
~
Раздел
450
lнн12f
lнн11J
6
з
1
...
~
к
6
(нт51I
JllТ29)
+А</~ 1
1"
1,о
"1
(J1~2
~
~
3
·lнтв1)
-
-1 . ,~1,6
·-
~
1"'
~"
1
lнr11J
,
Фl.8
~
~~~g:g'1:1~=~1
,
~
1
1
to....
'
~
·~
~
~1
11,"
6
lнт12)
Ф12
1
·bl=il
.........
~
1
~~
1
Фi,3
~
1
-
1
1
3
1с')
•
.
1(
11
7.
~...
•
Ф7
~-t----1111
...... _ _.__._
h)'+-..,..._
~
~
1
1
Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов
1
451
2D
к
к
6
Раздел
452
1!{18 I
1 к11 I
f11
~
t/J+
fJ~D
120°
1~
... 1
.._."
1/{32)
t/J 8,3
~
~
~
1кs1 I
1кs1 I
-8,+5
~
"...
f)!O
-4;5
~
~
~
~
.....
t-.:"
~
.._.,
-:t.
f K6# 1
(J8
~
Сс::а'
1 квоl
9@: 9~к
t/J#,7
~
~
1K55f
KllfJP§C
," ...,
в
з
fJ4;5
~
~
~"
7.
Аналоги
453
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов
К1р1111
+
~"
"1;;;::
;1,1
1
. t/11,1
~
~"
Ql1mн1111
.......
RlllKI/
"'
~"
~
~
.-1
11·1
.
++
~
~
(1
1•
1
1
"
'
~"
.
~
-~~,,.
lто11
llJ,I
S,l/S
16
к
IJI,$_
-
CQ
CQ'"
1.. 11
1 1
11
к
/
Раздел
454
lro11I
lro13I
к
9
к
9
9
/j
;1,#
f/Jl,5
t/J '"
~
...
С()
~
~'
~
се)'
.....
~"
"""
1тo2zf
1то111
1то171
t/J8,6
~
lc\'
.1
ф+.3
~
~
~"
~
~"
~m
ЦJ
.....
~"
"""
l/JD.
(то21I
1то21]
( T02il
1$;
к
6
9
~
t/J2,I
~
'с:а
..::to'
1
~
~
...
~
r/J,5
r/Jl,5
~
о...'
-::1'
С()
~
~
...
~
7.
Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов
11,5
- ..'
..
1
1
1'1 1•
1•
11
,
Фll.Z
1
'
.
1
"
•
1
к
...~
455
Раздел
456
ф 1'1,1 (
.
-1 .
.
7.
~
~
-.
'фf
~
"
~.9
6
"
1и11 I
1и21 I
1,1
11 ~t
~t:!ц:
i
Ф1.1:
.. "
--н~
PJ'}1~1
1и1в I
~Fш с::1
....."
.
1-
1
"
f/J "· 7
ll,G
к
'с:.
t-..
,
"·'
'с:а
"
"~
-
~~
6
З
N 6
з
~
~·J·i
-
5
Ф6,7
~
1.65
~"
1
1
_f/J6
~
•
• 1
'
1
е-.,"
~
~
:!!-...'
..,;;:
w
~
t..;
Аналоги
Конструктивное исполнение корпусов заруб(Jжных транзисторов
457
l 111121
J;'11
~
О..'
s;2
,f ,,2,+ l
•
.
~
~"
1
~
~"
1
1
1
~
-
~"
.......
~"
"'
,0,75
1то11I
fто1261
1111111
1К+7
1,3
(1 ,
з
~
~"
"....:
:!!оо.'
.......
~"
""i::
~
.......
~f!н
J
~
~"
~
~"
'lh;::
о оп
___
~
~
•
~
9
-.;;::
к
...
~
1
•
6
12
J
Раздел
458
7.
Аналоги
f 18121
J;~1
~
О..."
s;2
•
r ,,z,+ 1
.
.
~
•
1
~
~...
~"
1
1
~
~"
.......
~"
......:
f/J0,75
1ТО.911
fто12~
(711 "''
1К+7
1,3
~
з
...
~"
..,;;
.....
.....
.....
(1 ,
...
з
~
Сс:а"
~§-к
J
~"
....,:
....,
~
~"
~
...
~"
~
~
.'
~
!с:а"
.....
9
к.
111
1
t!
22
'
-
~
.
t::::)"'
~/1,1 1
1
J
Конструктивн,ое исполнение корпусов зарубежных транзисторов
459
1 XllO J
1., 7
27
0,15_
8,5
-- -
:~
•
"
к
6
S,7
-
3,2
16. s
961(
1
--
(s11r-2s(
к
-
'
........
~
' .... ~- t-...'
1
1,2
....
~" ~ 1'--t--1"'1
2.7
(sот-11, х-16, то.21в
1.f,9
I
""'---
(sот-в2f
1т11-2н1
~ОТ-128, ТО-~
4.f
'~~
5
~5
t,1
~
......
~
C\j
i:-....
~"
~
~
L-.J
~"
~
....
....."
D
6
А'
з
45
6
з
.....
~
0,81
~'
з
Z,51
в""'
0,6
l."
Раздел
460
7.6.
Буквенные обозначения зарубежных диодов
Обозначение
Фирма
диода
А
Обозначение
ВВР
ВВУ
РЕС
BCD
BD
BFW
EII
MED, RC
STI
EDI
CIL
CL
CLR
CLVA
CND
CNM
COD
вв
СР
вв
CR
CRD
CRG
ААР
ААУ
AAZ
АВ
АС
AD
АЕ
АЕУ
AF
AGP
АР
AR
ARF
AS
ASZ
AU
AW/
АУ
AZ
в
ВА
ВАЕ
BAL
ВАР
BAR
BAS
ВАТ
BAV
BAVP
BAW
ВАХ
ВАУ
ВАУР
вв
вн
BOD
BOV
ВР
ВРН
BPHV
BQ
BR
BRV
EI
RCC
RCC
EI
EII, RL, TRW
RCC
Обозначение
Фирма
диода
Al, Ell, GDC, GE, IRC, HL,
MDP, NJS, SSI, SI
AEI, CSR, ПТ, Mist, ML,PEC,
SA, Sl, STI, Tel, Thom., V
Unitra
ML, Unitra
EI, Mist., PI, Thom.
SI
SI
SE
AS,ML
ML
DTC
GIC
APD
AS, GIC
AS
ASI
SL
HL
HL
EI
EI
ВВ, Ell, FE, MEL, RC, UC
AEI, El, Ell, FE, FSC, SGS,HS
IТТ, ML, NAS, РЕС, PI, SA,
Tel., Thom., V, WDI, Unitra
Unitra
SA, Thom.
Unitra
EII, SA, Thom., Unitra
AEI, ML, РЕС, RTC, SA,
Thom., V
AEI, ML, РЕС, RTC, Thom., V
AEI, FE
РЕС, RTC, SA, SEC, Tel.,
L, FSC, IТТ, ML, Thom., V
Unitra
AEI, FEL, FSC, ML, РЕС,
RTC, V, SA, SEC, Tel.,
Thom., 'Unitra
FSC, IТТ, ML, РЕС, RTC,
SGS, Thom., V
FSC, ML, РЕС, SA, Tel,
Thom., Unitгa
Unitra
IRC, IТТ, HL, РЕС, Thom.,
Unitra
Unitra
АА
7. Аналоги
IRC, LEC
ML
Unitra
AEI, BEL, EDI, EI, FE, IТТ,
LEC, ML, NAS, РЕС, RTC,
SA, SGS, Thom., WDI
BS
ВХУ
ВХУР
ВУ
сsкв
стм
CTR
CTU
стzс
СХУ
BYD
РЕС
СУ
БУМ
РЕС
cz
ВУР
Unitra
BYQ
BYR
BYS
РЕС
D
DA
DAC
DBA
DB
DCA
DD
DE
DF
DFA
DFB
DFC
DG
DHA
DHB
DHD
DHR
DI
DK
DL
DMG
DNN
DR
DRN
DRX
DS
DSA
DSD
DSF
DSH
DSR
DSZ
DT
DTZ
DZ
DZG
РЕС
SA
Thom.
ML, РЕС, RTC, Tel, Thom., V ,
AEI, FEL, ML, РЕС, RTC"
Tel., Thom., V
CSD, MED, ML, NAS, РЕС"
RTC, SCL, Thom., V
CSD, ML, Tel.
Unitra
AEI, CSD, El, NJRC, RC, Tel
PEC,SA
Unitra
PEC,RTC
FEL, ML, РЕС, RTC, SA"
Thom., V
РЕС, iПС, SA, SGS,
Thom., V
Unitra
AEI, CDI, CSD, FE, FEL, IТТ,
ML, NAS, РЕС, RTC, SA,
SEC, Tel., Thom., Unitra, V
AEI, EI, FE, ML, РЕС, RTC,
SA, SCL, Thom., V
Unitra
РЕС,
ВУТ
BYV
ВУМ
ВУХ
ВУУ
ВУУР
BZ
BZD
BZP
BZT
BZV
BZW
BZWP
BZX
BZY
BZYP
BZZ
РЕС
CODI, HL, SCL, UC
RCA
ВВ,
с
СА
САХ
uc
САУ
ML
EDI
CDI, MSC
SDI, SI
CODI
CODI
GIC
SA, Thom.
TCI
CODI
CODI
TRW
CODI
CODI
CODI
EDI
SCL
CODI
CODI
SSDI
CODI
CODI
CSD
св
CD
CER
CF
CFR
CG
сн
CRНG
CRS
CRT
сsв
~
.".
Фирма
диода
Е
ЕА
ЕС
ED
EF
EG
EGP
ЕН
ЕК
вв
MED
AI
TRW
MED, TRW
GDC, GE
Thom.
GE, San.
Unitra
ЕП, STSI
ED
EDI
ОЕС, SI
EDI
EDI
GIC
EDI
EDI
ЕМ
IТТ
EQ
EQA
EQB
ER
Thom.
FEC
FEC
GDC, Thom.
FEC
FEC
FEC
FEC
ERA
'
Sll
SE
MDP
SE
SI
ML
Thom.
CSR
SEM, Sl, TEL, Tel., Thom.
GE, LEC, Rohm, Tel.
SL
San.
SL
San.
CODI, LEC, Tel.
DI, GE
CODI, DI
San.
San.
San.
GIC, Unitra
San.
San.
GE
Thom.
DI, MEL
Unitra
SDI
Unitra
Thom.
BEL, HS, EDI, SТI
Thom.
BEL
ВВ, MED, San.
ВВ, San.
ЕRВ
ERC
ERD
-
Буквенные обозначения зарубежных диодов
Обозначение
Фирма
диода
ESAB
ESAC
ESAD
ESDA
ESJA
ESM
ESP
ESZ
EV
EW
EZ
F
FA
FВ
FC
FD
FDC
FDH
FE
FF
FG
FН
FJТ
FM
FR
FS
FSA
FSN
FSY
FWL
FWLA
FWLC
FWLD
FZD
G
GA
GAY
GD
GEM
GER
GEX
GFA
GFВ
GFD
GFE
GH
GНV
GI
GLA
GLT
GM
GMP
GP
GR
GS
GSA
GSB
GSD
GSV
GSZ
GU
GY
GZ
GZA
FEC
FEC
FEC
GSI
FEC
Thom.
ESPI
sr>
Thom.
Thom.
NJRC
EII, _NEC, Samtech, SDI,
STSI, Thom.
FSC
FE
SE
FSC, GS, МЕС, PSI
FSC
FSC
GIC, GS
GS, Samtech
GS
FSC
FSC
Samtech
RL
Mist., RCC, Thom.
FSC
RCC
FE
SI
SI
SI
SI
Thom.
APD, EII, GIC, UC, Thom.
RFТ, Tesla
Tesla
PSI, SA
ML
GDC, GE
Обозначение
н
НА
нв
нс
HCR
HCV
HD
HF
HG
нм
HMG
НР
НРА
HR
нs
HSCH
HSE
НSКЕ
HSM
HTR
нтv
HV
нvс
HVE
НVF
HVFS
HVG
HVH
HVHF
HVНJ
HVHS
НVJX
HVPR
HVR
HVRG
нvs
нvт
HVX
HW
КВL
KBPS
GIC
GIC
GIC
GIC
КВР
КВРС
КD
ЕЕ, РРС,
KGB
KGD
вв
КНР
EDI
CODI
CODI
FEL
IRC
GE
IRC
Thom.
EDI, FSI
EDI
EDI
КL
КLR
KS
KSA
KSD
KSL
кu
кv
КVF
НР
КVР
HS
SII
HL
Thom.
MENA
ASI, HL, MENA, SDI, SE, SI
SI, STSI
кх
uc
uc
uc
GIC
uc
uc
uc
uc
uc
шс·
SDI, SE
CODI
SE
SE
uc
Фирма
диода
кхs
КУ
КУZ
кz
кzz
L
LA
LAA
LAB
LAC
LB
LC
LCC
LCD
LCE
LCS
LD
LDD
LDZ
LE
LFD
LHC
LK
uc
uc
Tesla
Tesla
FSI, IRC, STS.I, Tesla
Tesla
HL, Samtech, SCL
IRC, SI, UC
SI
SI
SI
IRC
IRC, GSI, UC
SI
EDI
GSI
uc
CODI, IRC
Amp.
Amp.
IRC
EDI
EDI
EDI
NSC,UC
MBD
MBI
MBR
IТТ
IТТ
мс
J
JD
ASI, ЕП, HL, MEL,· SDI
PSI
CSD
CODI, EII, МА, MEL
Tesla
GIC
GIC
GIC
MCL
MCLT
MCV
MD
MDA
MDD
MDX
·моt.
МЕ
Thom.
HZ
ICT
IСТЕ
JКV
к
КА
КВСТD
КВ СТР
КВF
LМ
LМS
uc
LМZ
GSI, SI
CODI
SI
LNA
LPM
PSI
вв
ID
IDA
IDBC
IDCC
IDDC
IN
IRD
IRWC
IS
ISS
ISV
San.
San.
San.
San.
SEC
GSI, SE
GIC
CODI
Thom.
GIC, SE
GSI
GIC, RFТ
Thom.
Thom.
San.
San.
GSS
GSI, GSS
SL
GPD,SE
.
San.
EII, HL, MDP, SI, VSI
MENA, SI, UC
EDI
SI
ASI, SDI, SE, SI
LT
SDI
PSI, STI
SE
STI
Harris
Semicoa.
CODI, НР
CODI
CODI
MENA, Tel" UC
Обозначение
SI
MENA
HL
GSI
GSI, Mot" Thom.
IDC
IDC
SL
SL
SL
CD.
IRC
SL
QC, San.
HL
HL
нх
Thom.
San.
·
НАВ
МL
RFТ
Фирма
диода
GZB
461
LS
uc
LWA
TRW
EII, MED, Samtech, SDI,
ТС, Thom.
МА, МЕС, UC
MED, MS, SE
Mot.
Mot.
Mot.
MS, Thom.
м
МА
мв
Mot.
SDI
МЕС, ОЕС,
Mot.
вв
uc
SL,Thom., UC
Раздел 7. Аналоги
462
Обозначение
Обозначение
Фирма
диода
МЕО
oss
МЕО
р
РВС
МНО
COOI
SOI
GE
PBR
MHF
вв
РВТ
мно
вв
РВУ
MHV
MI
ML
MLNA
MLV
PD
POR
MVS
COOI
SE
MS
COOI
COOI
SEC
Mot.
TAG
GE, TAG, GIC
GE
Mot.
TAG
GSI
GSI, Mot.
Mot.
SCL
COOI, Mot., SE, SI
COOI
COOI
COOI, SOI, UC
Mot., SEC
SII
SL
MS, TAG
TAG
MS, Rohm
Thom.
Mot.
SOI
Mot.
Mot.
мх
мs.
мхs
uc
MF
MFE
MGLA
мн
ммв
ММО
мо
МР
МРО
MPI
MPR
МРТ
МРТЕ
MPZ
MQ
MR
MRO
MRF
MS
MSO
MSK
MSZ
мт
MTR
MTZ
MU
MUR
мv
МVАМ
МЕО,
мzс
Mot.
Thom.
MZO
MZL
N
NBS
NCR
ND
NLA
NPC
NS
NSO
NSR
NSS
NTO
NV
ОА
ODB
ООС
OOD
OF
OSB
оsм
РАО
РЕ
PF
PFC
PFG
PFR
PFZ
PFZO
РН
PHR
PHSO
PIP
РК
РКК
PL
PLE
PLQ
PLR
РМ
РМО
RI, UC
РМЕ
uc
PMR
PR
PS
PSZ
РТ
РТС
МОР
РТR
TAG
TAG
TAG
MEL
Thom.
Thom.
IDC
COOI, MEL. Mot.,Samtech,
SCL, Thom., VSI, WEC
EOI, SE, WEC
SE
RL
RL
RL
RCC,SE
EOI
RCC
APO,NEC
RCC
EOI, SE
EOI
GIC, Thom.
GIC
GIC
SE
EOI
EOI
PТSR
PW
РУ
PZO
Q
R
МЕС
HL
NAE
NAE
COOI
NEI
Thom.
SOI
SDI
NAE
NAE
EDI
RCC
BEL, МЕ, ML, Mist,
SL, RTC, Tesla, V
SL
SL
SL
RTC
RTC, V
RTC, V
РЕС,
LS
IТТ, PI, SSS, Thom.
TRW
SL
TAG
РТS
Mot., MS
РЕС
GSI
PI
PI
LEC, Thom.
Thom.
Thom.
Thom.
МЕО, TRW
РМС
РМВ
МЕС
RTC, V
EII, GSI, HL, GIC, PI,SI, Thom.
TSC
EOI
EOI
EOI
PSOI
EOI, PI, TRW
PSDI
EOI
SE, Thom.
Thom.
RI
PSOI, Thom.
Thom.
Thom.
ML, РЕС
PSOI
uc
uc
uc
РМА
uc
MZ
MZA
Фирма
диода
RA
RB
RBA
RBC
RBO
RC
RCD
RCP
RO
REG
RF
RFD
RG
RGM
RGP
RН
RНС
RНR
Обозначение
Фирма
диода
RIB
RIG
RK
RKB
RKBP
RKBPC
RL
RМ
RN
RO
RP
RPP
RS
RTO
RTF
RU
RV
RVP
RW
RY
RZ
s
.
SA
SAM
SAX
SAY
SAZ
SB
SBEA
SBEB
SBEC
SBMA
EOI
RCC
EOI
GIC
GIC
GIC
EOI, RL
МЕС, SE
Thom.
SCL,SE
GIC, SSOI, Thom.
Thom.
RL
EOI
Thom.
SE
EOI
ED.I
GIC
RCC
Thom.
GS, HL, МОР, МЕО, MEL,SA,
SE, Samtech, SI, STSI, WS
'GSI, RFТ, SE, SL, WS
RFТ
RFТ
RFТ
RFТ
SBR
GIC., RL, SE
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech, SI
sвт
МЕО
sвмв
sвмс
sc
SCA
SCAJ
SCAS
SCBA
SCBAR
SCBH
SCBK
SCBR
SCOA
SCOAR
SCOAS
SCOE
SCF
SCFC
SCH
SCHC
SCHF
SCHJ
SCHS
scкv
stм
SCMS
SCMW
SCNA
SCNAS
SCNE
SCPA
Samtech, SE, SL, SI
Sarntech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Буквенные обозначения зарубежных диодов
Обозначение
SCPB
SCPD
SCPE
SCPH
SCPN
SCPP
SCSDF
SCSDFF
SCSDL
SCSDM
SCSF
SCSFF
SCSHF
SCSHM
SCSM
SCSNF
SCSNFF
SCSNL
SCSNM
SCSPF
SCSPFF
SCSPL
SCSPM
SD
SDA
SDFF
SDH
SDR
SER
SES
SF
SFC
SFD
SFF
SFM
SFMS
SG
SGA
SGB
SGF
SGM
SH
SHYM
SI
SIB
SIST
SISTE
Siek
SIF
SIM
SK
.
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
Samtech
DII, IТТ, ОЕС,
Mot., TRW
SSDI, SI
Samtech
Samtech
SSDI, CODI
SSDI
ss
ОЕС,
SSCDA
SSCNA
SSCPA
SSH
SSiB
SSiC
SSiD
SSiE
SSiF
SSiG
SSiK
SSiL
SSiN
SSiP
SSP
ST
STB
STF
STFF
ВНР
SКD
SII
SII
SII
Sll
SII
SII
SII
SII
SII
SII
SII
SКNA
SКR
SKS
SKSA
sкv
SКХА
so
uc
SII
SКN
SMFR
SMHF
SMHR
SN
SNFF
SNR
CODI, NAE, SE
NAE
Mist., Thom.
Samtech
Samtech
Samtech
SE
SE
SE
SE
SE
Samtech, SE, SL
Samtech
MDP, Samtech, SI
FEC
SMC
SMC
sквв
SККD
CODI, SI, SSD
SI
SI
SDI
SDI
CODI
MED
CODI, ОЕС, Samtech, SL,
SI, WS
Samtech
Samtech
Samtech
SII
Samtech
SE
SI
SDI, SSXI
SDI
CODI
SDI
SDI
CODI, SSDI
CODI
Samtech
МЕС, SE, SI, SL
SL
SLC
SLCE
SLD
SLDHY
SLF
SLZ
SM
GIC
SSD
SSD
sкв
sкнм
Фирма
диода
SOD
SODSPC
SP
SPC
SPCHY
SPD
SPDA
SPFF
SR
SRB
SRF
SRP
SRS
SRSFR
Samtech
ML
SII
SII
SКЕ
Обозначение
Фирма
диода
РЕС,
SL,
ОЕС
ОЕС
sтv
su
SUES
SY
SYD
sw
sx
sxs
463
>
Обозначение
ТА
ТАУ
TCR
TD
TFR
THD
ТI
SEC
uc
ТI,
TI
uc
TJ
TMPD
TR
TS
TSC
TSD
TSY
TSZ
UC
TVPC
SDI
SEC
EDI
MS, Samtech, SDI
TSI
SEC
SDI
SL
Tel" Thom.
TRW
TRW
ТVR
те
ТУ
ТУР
TYS
TZ
TZB
TZC
TZY
µРА
u
UDC
UDE
UDF
UDZ
UES
UF
UFB
UFS
UGB
UGD
UGE
UGF
UPI
UR
ws
vc
ML, Samtech, UC
УЕ
снv
us
usв
USD
USR
uss
uт
UTR
uтх
uz
у
УА
УВ
SZL
RFТ, Samtech, SE
ML, PS, RFТ, SA, SL, SMC
SA
SY
те
ТIR
VF
YG
YGB
YGF
sz
SDI
SDI
TSC
SE
TID
TIDM
Samtech, SE, SMC
SSD
SSD
SSD
SI
-SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SDI
APD, ЕС, IRC, STSI, Samtech
APD,GE
Samtech
Samtech
SE
MED
SI
GIC, NEC, SE, SI, SEM,
SMC, Thom" VEC
.TRW
uc
Фирма
диода
szx
RFТ
УН
SZY
RFТ
УНЕ
т
GS, HL, SDI, SI
VНР
uc
Rohm, STSI
SI
SI
SI
NEC
HL
uc
uc
uc
uc
SI, UC
SE
uc
uc
ВВ,
UC
uc
вв
uc
CSD
UPI
uc
uc
uc
uc
MS, SA, UC
uc
uc
uc
uc
uc
GE, HL, SI, VEC, VSJ
VSI
ВВ, МОР, VSI
VSI
YSI
SI, VSI
VSI
вв
вв
YSI
VSI
RCC
Раздел
464
Обозначение
Фирма
диода
YJ
УК
УКР
YL
УМ
YR
YRU
YS
YSB
YSF
YSH
YSK
vт
VТА
VТСVТО
VТЕ
vтн
УХ
YXS
VY
VYA
VYB
VYe
VYO
VYH
YZ
w
WAe
WBe
WeN
WG
WL
wo
wz
х
XF
хм
xs
z
ZA
ZB
zве
ze
zee
ZO
ZOX
ZE
ZF
ZG
ZGP
zн
ZJ
ZPO
ZPU
ZPY
ZR
zs
ZSA
ZSY
Обозначение
ZTE
YJ
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
УК
УКР
YL
ОП, МЕО,
SE, STSI
SeL
SI, YSI
YSI
RFТ
SL
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
ue
ue
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
УМ
YR
YRU
YS
YSB
YSF
YSH
YSK
УТ
УТА
уте
VТО
VТЕ
vтн
УХ
YXS
VY
VYA
УУВ
УУе
УУО
МЕО
УУН
FE, Gie, HL, YSI
SL
SL
Gie
YZ
w
WAe
WBe
WeN
WG
WL
wo
wz
IТТ
FE, Gie
MEL
NJRe
Sarntech, SeL, Thorn.
Ree
Thorn.
SI
IRe, seL, SMe, TRW
SI
МОР, SI
SI
FEL, LEe, SI
SI
х
XF
хм
xs
z
ZA
zв
zве
FEL
EL
EI, Thorn.
EI
Gie
SI
ze
zee
ZO
ZOX
ZE
ZF
ZG
ZGP
те
zн
IТТ
FE,
IТТ
IТТ
IТТ
EI, SeL
FEL, SeL
SeL
SeL
Фирма
диода
ZJ
ZPO
ZPU
ZPY
ZR
zs
ZSA
IТТ
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
ОП, МЕО,
SE, STSI
SeL
SI, YSI
YSI
RFТ
SL
VSI
YSI
YSI
.VSI
YSI
YSI
YSI
ue
ue
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
YSI
Обозначение
ZSY
ZTE
SeL
zтк
IТТ
zx
zy
IТТ
lS
lSF.
lSM
lSR
lSS
lSY
lSX
lSZ
АМ
2В
МЕО
2е
FE, Gie, HL, YSI
SL
SL
Gie
20
20L
20S
2EZ
2FB
2G
FEL
EL
EI, Thom.
EI
Gie
SI
те
IТТ
те
те
Sarntech
SL
Rohrn, SE
FL, HL, HS, NEe, Rohrn,
HL,NEe
SeL
NEe, те
eEIL, Se
se
SSOI
eEIL, Mist" РЕе
IRe
SOI
SSOI, те
SSOI
те
ЗАF
IRe
LEe
MS, SA
eOOI
eEIL, SOJ,
Gie
STSI
EII
Mist.
SSDI
eOOI
eOOI
SI
Sarntech
Mist
Sarntech
SL
STSI
Gie
SOI
STSI
зв
те
2КВР
2KZ
2L
20А
2R
2SB
2SBF
2SO
2SF
2SFO
2SFF
2SM
2YR
2W
ЗА
зе
SOI
зее
те
зео
те
ЗО
те
IТТ
ЗОО
IТТ
ЗОF
eoOI
eoOI
El, SeL
FEL, SeL
SeL
зон
те
ЗОZ
те
ЗЕ
ASI
FE,
IТТ
IТТ
Thorn.
2AF
2ASLO
IТТ
FE,
lRМ
2АА
IТТ
IТТ
Tesla
FE, IТТ
2А
FE, Gie
MEL
NJRe
Sarntech, SeL, Tlюrn.
Ree
Thorn.
SI
IRe, seL, SMe, TRW
SI
МОР, SI
SI
FEL, LEe, SI
SI
IТТ
zz
ZZY
lNZ
lP
lQE
lR
1Т
Аналоги
Фирма
диода
lZ
7.
те
Те
Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги
7.7. Зарубежные
465
диоды, варикапы, стабилитроны и их
отечественные аналоги
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналог
0102
0112
0502
0507
0604
lOODlO
100R48
100R5B
lOOIOO
КД102А
Д226В
КД105Г
КД206В
МД218
КД411Г
КД411ГМ
МД218
101РО2
Д215Б
КД238ВС
Д304
10РМ2
Д243
10РМ4
Д246Б
10РМ6
КД206В
lORlOB
МД218
lORбB
Д211
10520
10SP04
10SP06
lOSROl
10TQ045
КЦ106Д
10А400
10CTQ169
11R2S
11R3S
11R4S
13193
14Р2
, 15CTQ045
16CfQlOO
КЦ105В
Д231Б
Д223Б
Д214Б
КД271Б
Д232, 232А
КД238ВС
Д243
Д245
Д246Б
КД205Л
Д232Б
КД272Б
КД272Г
16Р2
Д2Г
16CTQ100
16CTQ100
19R2
lDMBlO
1DMB20
1GSP02
1N1031
lNl032
1Nl033
1N1041
1N1053
1Nl059
1N1061
1Nl062
1Nl063
1Nl067
1N1068
1Nl069
1Nl073
1N1075
1N1079
1Nl081A
1Nl082A
1Nl083
1Nl083A
1N1084
КД272Г
КД272Г
КД922В
КДС627А
КДС628А
Д215Б
КД205Г
КД205В
КД205Б
КЦ412Б
КД208А
Д304
Д243Б
Д245Б
Д246Б, Д232Б
Д243Б
Ц'
Д245Б
Д246Б, Д232Б
Д243Б
КД246Б, Д232Б
КД416Б
Д229Ж
КД205Л
КД205В
Д229К
КД205Б
_
Тип диода
отечественный
аналог
КД102А
10CTQ169
10F5
10L60
Приб:Лиженный
Приближенный
Тип диода
отечественный
1N1085
1N1090
1Nl091
1N1092
1N1092A
1Nll15
lNl 124
lNl 126
lNl 126А
lNl 128
1Nl 169A
1Nl251
1Nl253
1N1254
lN1255
1Nl256
1N1257
1N1258
1Nl259
1Nl37A
1Nl38A
1Nl407
1N1440
1Nl441
1Nl446
1N1450
1N1487
1Nl488
1Nl489
1Nl490
1N1520A
1Nl557
1Nl559
1Nl55S
1Nl563
1Nl582
1Nl584
1Nl613
1N1613A
1N1614A
1Nl_6l5A
1N1616
1N1616A
lNlбl 7
1N1621
1N1623
1N1624
1N1632
1N1645
1Nl647
1Nl649
1Nl651
1N1694
1N1695
1N1701
1Nl703
1N1706
1Nl709
lNl 710
КД208А
Д243Б
Д245Б
Д246Б, Д232Б
Д246Б
КД208А
КД212 (А, Б)
КД209А
КД411ВМ
КД209Б
КД205Б
КД204В
КД205Г
КД205В
КД205Б
КД205Е
КД105В
КД205И
КД105Г
КД519 (А, Б)
ГД511А
МД217
КД205Л
.
аналог
1N1711
1Nl712
1N1764
1Nl764A
1Nl765
1N1765A
1Nl795
1Nl844
1N1846
1N1847
1Nl849
1N1888
1Nl898A
1Nl927
1Nl931
1Nl984
1N1984A
1Nl985
1N1985A
1Nl985B
1Nl986
1Nl-986A
КД205А
КД205А
КД41 lВ
КС456А
КС456А
КС600А
Д102
Д2Е
Д2Ж
КД104А
КС596В
КС139А
КС218Ж
Д814А
КС 168В
КС168В
КС182А
КС182А
КС210Б
КС210Б
КС210Б
КС215Ж
КС215Ж
КД208А
1Nl986B
1Nl988
1N1988A
КД208А
1N1988Б
КС218Ж
д229Ж
1Nl989
КС218Ж
КД205Л
1N1989Б
КС218Ж
КД205Л
1Nl990
1N1990A
1N1990B
1N2023
1N2025
1N2034
1N204
1N2063
1N2069
1N2070
1N2070A
1N2073
lN2080
1N2082
1N2083
lN2084
1N2085
1N2086
1N2091
1N2092
1N2093
1N2094
1N2104
lN2105
1N2106
1N2107
1N210
1N211
1N212
1N213
1N215
КС222Ж
Д229К
Д229Л
КС456А
КД205Л
Д229Л
Д229К
КД208А
КЦ410Б
КД2020, Д304
Д304
Д243Б
Д246Б
Д248Б
КД208А
Д242
Д248Б
Д245
Д246Б
КД412Г, КД104А
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229Л
Д229К
Д229Л
Ад112А
КД204Б
КД205Е
КД205Г
КД205В
КД205В
КС215Ж
КС218Ж
КС222Ж
КС222Ж
Д245
Д246
КС482А
ГД402Б
КД521А
КД205Л
Д229Л
Д229Л
Д229Ж
кд204В
КД205Г
КД205В
КД205Б
КД205А
КД205Ж
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229Л
Д229Ж
КД205Л
Д229К
Д229К
д102
Д102
Д101
ДlOl
Д2И
·
-
Раздел
466
Приближенный
отечественный
Тип диода
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналог
1N219
1N220
1N2230
1N2230A
1N2231
1N2232
1N2232A
IN2233A
1N2234
1N2234A
1N2235
1N2235A
1N2236
1N2237
1N2237A
1N2238
1N2238A
1N2239
1N2239A
1N2246
1.N2246A
1N2247A
1N2248
1N2248A
1N2249
1N2249A
1N2250
1N2250A
1N2251
IN2251A
1N2252
1N2252A
1N2253
1N2253A
1N2254
1N2254A
1N2255
IN2255A
1N2256
1N2256
1N2256A
1N2257
1N2257A
1N2258
1N2258A
1N2259
1N2259A
1N2260
IN2260A
IN2261
IN2289
1N2289A
IN2290
1N2349
1N2350
1N2373
1N2374
1N2391
1N2400
1N2409
1N2418
1N2482
lN2483
lN2487
КД104А
КД2997А
Д242
Д214А, Д242
lNЗOO
ГД402 (А, Б)
Д243
INЗOOB
КД922А, КД923А
Д243
1N3020A
IN302
Д2В
Д243
INЗОЗОВ
КС527А
Д245
1N3064
1N3064M
КД521А
Д243Б
Д243Б
Д243Б
Д245Б
Д245Б
Д245Б
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д247Б
Д247Б
Д247Б
Д248Б
Д248Б
Д248Б
Д248Б
ДЗО5
Д305
ДЗО5
Д242, Д214А, Д214
Д242
Д243
Д245
КД2999Б
КД105Г
Д243
кд412А
КД412В
КД412А
КД2999В
Д9В
Д229Ж
КД205Л
Д229Л
КС191С
КС191Ф-1
КД208А
КЦ410В
КЦ409Г
Д243
ДЗО5
КД208А
Д229Ж
КД205Л
Д229Л
КД205И
КД205И
КС510А
КД521А
Д245
1NЗО65
КД509А
Д245
1NЗО67
КД521Г
Д246Б
1N3082
1N3083
1N3097
1N3121
1N3184
1N3194
1N320
1N3228
1N3229
1N3238
1N3239
1N324
1N3253
1N3254
1N3270
1N3277
1N3278
1N327
1N3282
IN332
1N3359
КД205Г
Д246Б
Д246Б
Д246Б
Д233
КД206Б
КД206Б
КД206Б, Д233
КД206Б
КД206В
КД206В
КД206В
КД206В
КД210Б
КД210Б
КД210Б
КД208А
КД208А
Д304
КД221А
дзоз
КД208А
КД208А
КД208А
КД208А
КД205Л
Д229Л
Д229Л
КД205Б
КД407А
Д220
КД205А
Д229Л
КД205Е
КД205Г
КД205А
Д229Ж
КД205Л
Д229В
КД205Л
-
Д229Л
Д246Б
КД205Л
Д229Л
отечественный
1N3361
1N3367
1N339
1N341
1N344
1N348
1N34AS
1N3545
1N3547
аналог
1N354
1N3575
1N358
IN3600
IN3604
1N3606
1N3607
1N3639
1N3640
1N3656
1N365
1N3748 '
IN3749
1N3750
1N3827
1N3827A
1N3873
IN3873H
1N388
1N3894
1N391
1N3938
IN3939
1N393
1N3940
1N3954
1N3981
IN3982
1N3983
1N4001
IN4002
1N4003
1N4004
IN4005
1N4005C
1N4006
1N4007
1N4008
1N401AM
1N4099
1N4142
1N4147
1N4148
1N4149
1N4153
1N4305
1N4364
IN4366
IN4367
IN440B
IN441
КД104А
КД522Б
КС212Ж
КД509А
КД521А
КД521А
КД52IА
КД205Л
Д229Л
КД205Л
МД218
КД205Г
КД205Б
КД205Ж
КС456А
КС456А
КД509А
КД509А
Д102
Д205
ДlOl
КД240Ж
КД240И
Д2И
КД240К
КД509А
КД221Б
КД209А, КД21 IВ
КД209Б, КД221Г
КД243А
КД243Б
КД243В
КД243Г
КД24ЗД
КД411ВМ
КД243Е
КД243Ж
МДЗБ, КД503А
КД522А
КС168А
КЦ409В
КД503А
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
Д229Ж
Д229К
Д229Л
Д229Ж
КД204Б, Д237 А
КЦ401А
IN44IВ
КД205Л
МД218
IN442B
IN4437
1N4438
1N4439
1N443
1N4446
1N4447
1N4448
1N4449
1N444
1N4450
1N4454
Д229К
Д229Е
КД212 (В, Г), КД106А,
КД221 А, КД226А
Д211
МД218
Приближенный
Тип диода
аналог
1N248
1N249
1N2505
1N250
1N2559
1N2571
1N2574
1N2598
1N259X
IN2t310
1N261 l
1N2613
IN2621
1N2624
1N2638
1N2705
1N2708
1N2786
1N2793
1N2847
1N2859
1N2860
1N2862
1N2878
1N2879
КД104А
КД212 (А, Б)
КД209В
д229В
д229Е
ДlОЗА
Д229В
КД401А
КД205Г
Д229
7. Аналоги
-
Д246Б
КД206В
КД210Б
Д7Ж
КД521А
КД521А
КД521А
КД521А
КД205Е
КД504А
КД521А
Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны_ и их отечественные аналоги
Приближенный
Тип диода
отечественный
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналог
lN445
lN453l
lN4542
lN458
lN4622
lN4624
lN462M
lN4655
lN466l
lN4686
lN4688
lN472l
lN4724
lN4734
1N4748A
lN4762
1N4774
lN4817
lN4835B
lN483
lN485
lN486
lN487A
lN488
lN5006
lN506l
lN5209
lN5216
lN5217
lN527
lN5318
lN53l
lN533
lN534
lN535
lN537
lN538
lN5392
lN539
lN5405
lN5406
lN5446B
lN5448
lN5466B
lN5466C
1N5466D
lN55l
lN552
lN553
lN554
1N555·
lN560
lN5720
lN573
lN5770
lN5816
lN5997
1N6007B
lN602
lN602A
lN604
lN605
lN605A
lN606A
КД105В
КД521А
д205
Д223Б
КС139А
КС147А
КД401А
КС456А
КС510А
КС139А
КС147А
КД202Д
КД202В
КС456А
КД522А
КС591А
КС191Б, КС191В
КД208А
КС515А
КД103А
Д207
Д207
Д226В
Д209
КД240Д
КД240Е
Д233Б
КД205Б, КЦ407 А
КД205Ж
Дl03А
КД521А
КД204Б
КД205Б
КД205Е
КД105В
Д229Ж
КД205Л
КД208А
Д229К
КЦ409Б
КД202Р
КВ136А, КВ138 (А, Б)
КВ138 (А, Б), КВ136Б
КВ136В
КВ136Г
КВ136Г
467
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналог
lN616
lN625
lN627
lN6478
lN647
lN662
lN662A
lN663
lN667
lN679
lN695
lN74
lN75
lN770
lN777
lN844
lN866
lN87
lN873
lN874
lN876
lN878
lN885
lN899
lN903A
lN903AM
1N903M
lN904
lN905A
lN905AM
lN905M
lN906A
lN906AM
lN906M
lN907
lN908A
lN908AM
lN913
lN914A
lN914B
lN914M
lN916A
lN916B
lN932
lN942
lN993
КД205Г
ДlОБ
аналог
КД521Г
КД521А
151473
15148
151618
151619
15162
15163
15164
15165
151660
151763
151943
151944
15231
15307
15313
15314
15315
15410(1)
15411 (1)
1541
15421
15423
15426
15427
15431
1543
154716
15544
15558
15559
15743
lS953
15954
l5Rl9-l00
155135
l5Sl74
155181
155181
155184
155226
15599
1Zl6
КД521А
1М5
КД410Б
Д237Е
1Т502
КД205Г
КС212Е
1Т504
КД205Б
КД520А, ГД507А, КД413
(А, Б), КД417А
1Т505
Кд205А
КД205Г
КД413 (А, Б), КД417А
Д312А, ГД313А
КЦ412А
Д229Е
-
Д220Б
Д220Б
Д220Б
Д229В
Д203
Д310
ДlOl
Дl04, Дl04А
Д310
Д312А
Д220Б
КД410А
Д9В
Д210
Д21
l
МД217
МД218
КД410Б
Дl05А, Дl06А
КД509А
КД509А
КД509А
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
l<Д521Г
КД521Г
КД509А
КД509А
Д220, Д223
КД521А
КД521А
КД521А
д229К
КВ129А
КВ129А
Д243
Д245
д246Б
КД206Б
Д303
КД205Б
Кд205Б
Кд205Ж
КС518А
Д818
КД205В
КД205Б
КД205А
кд213r. кд244 (А, в>
кд213 (А-В)
Кд205Л
Д243, КД2997 А
Д246Б
ДlО, ДlОБ, КД514А
КД210Б
КЦ410
Д229Л
КВ129А
Кд210Б
КД205А
Кд205В
Д81
l
КД509А, КД522А
КД510А
КД2997Б
КД710А
КД810А
КД706АС9
..
КД706АС9
КД704АС9
КД629АС9
КД812А
КС518А
КД205Б, д237А
1N994
lN999
Д310
КД205А
1Р644
Д229В
2055
20TQ045
24J2
2G8
КД205Ж
1Р647
Д229Е
2Т502
КД205Г
КД105Г
1RМ150
КЦ201Е
2Т504
КД205Б
КД503А
1RМ40
КЦ201Б
2Т505
Кд205А
Д229Е
lRN60
15032
15034
15101
15103
15113
151219
151220
151230
1Sl231
151232
15136
КЦ201В
2Т506
КД205Ж
КД205Л
30А5
Кд205В
30F5
3055
30WQ03F
30WQ04F
30WQ06F
30WQlOF
3660
366F
Д245Б
КД205В
КД908А
КД2995А
Д808
КС520В
КД204Б
Кд204Б
Д7Ж, Д237Ж
КД205Е ~--
КД205Е
КД105В
ГД107(А,Б)
д229Л-
КД205Л
Д229Л
Д229Е
КД521Г
КД521Г
КД205Б
Кд205А
·кд205Ж
Д237В
366К
КД273Б
Д223Б
КД205Л
КД205В
Кд268А
КД268Б
КД268В
КД268Г
Д234Б
Д245Б
д247Б
Раздел
468
Приближенный
Приближенный
Тип диода
отечественный
отечественный
Тип диода
Приближенный
Тип диода
отечественный
~
аналог
аналог
аналог
З66М
Д248Б
6055
КД205Ж
366Н
д246Б
бОМ
Кд205Ж
8125/ 110-10
8250 / 220-10
КЦ419Д
3670
3678
д243
616С
Д102
В250СЗОО
КД205И
Д242
618С
Д101
Кд206Б
6Al
КЦ409 (Ж, И)
8285
8201
8205
8209
82El
Д229Ж
367К
д229Л
'
367М
КД2068
бДIОО
КЦ409 (Ж, И)
367Н
д246
КД205Л
ЗС15
дзоз
ЗА500
КД202М
ЗЕ2
КЦ409Д
7. Аналоги
КЦ419Ж
д229К
д229К
Д229К
ЗЕ2
КЦ409Е
ЗЕ2
КЦ409Е
ЗТ502
Кд205Г
3Т504
Кд205Б
ЗТ505
Кд205А
40109
40110
40111
40112
40113
40114
40115
д242
75R28
7Jl
7J2
7EI
8TQ100
8TQ808
8TQ808
AlOO
AII4A
Al 15
д243
А121-IТ
Кд208А
д245
А132-IТ
КД208А
840/35-10
8587-70
8587-85
85CI
д246
А148
КЦ4t'28
85С5
ДЗО2
Кд206Б
Кд2028
85С9
ДЗО2
КД202А
880/70-10
КЦ419В
Кд210Б
Al5A
Al5F
Al68-lT
Кд208А
880СЗОО
КД204Б
407К
д247Б
А2А4
КД2048
д248Б
А2С4
Кд205Г
8125/ 110-10
8250/220-10
КЦ419Д
407М
408
д229Л
д229К
КДlОЗА
408Р
Кд203Г
A2Dl
A2D5
ВА128
КД2058
8А145
Мд226А
4085
Кд210Б
A2D9
КД2058
ВА147 /220
д207
408К
Кд2068
A2EI
Д229Л
ВА147 /300
д208
408М
Кд2068
А2ЕЗ
д229Л
8Al79
Д102
40А5
Кд206Б
А2Е4
КД205Б
ВА180
ГД511 (А-8), КД9228
4055
4D4
Кд205Б
А2Е5
д229Л
8А582
КД409А-9
д229Е
А2Е9
Д229Л
8А5Н5
КД41
4Т502
Кд205Г
A2F4
Кд205А
ВА516
КД811АI
4Т503
Кд2058
АЗОО
д229К
8А529
КД811Бl
4Т504
Кд205Б
АЗС!
Кд205Л
8А532
КД811А, КД811Аl
4Т505
Кд205А
АЗСЗ
КД205Л
8А570
ГД113А
4Т506
Кд205Ж
АЗС5
КД205Л
ВА582
кд409В9
КД2068
д229Ж
Кд205Л
82Е5
д229Л
Д229Ж
ВЗВ9
д229Ж
Кд270Г
Кд271А
83Cl
83El
д246Б
Кд271А
ВЗЕ9
Д229Л
.L(229Ж
8ЗЕ9
Д246Б
КЦ412Б
КЦ419Б
ДЗ02
КЦ4108
Кд205Л
КД105Г
кд105Д
КЦ419Ж
l
(А, АМ)
50А5
Кд205А
АЗС9
Кд205Л
ВАТ18
КД409А9
50F5
50J2P
50J2P
50L70
Д247Б
АЗОI
д229К
ВАТ42
КД808А
Кд206Б
АЗОЗ
Д229К
А305
д229К
КЦ105Г
АЗО9
д229К
5oLF
д247Б
АЗЕl
д246Б
5055
50WQ04F
50WQIOF
504
Кд205А
АЗЕ5
д246Б
BAV682
BAV70,
8AV94
BAV99
BAWlOl
КД8IIБ
Кд206Б
Кд269Б
АЗЕ9
д246Б
д2268
5JЗ
Кд2058
5J4
5J6
51..85
Кд205Б
BAW14
8AW14TF24
BAW49
BAW56G
BAW56GT
BAW62
BAW63A
КДС627А, КДClllA
КД521Г
Кд269Г
АА112
ДIО
К246Б
AAl 12Р
AAl 14Е
ААlЗО (2)
ДIО
Кд205Ж
АА137
Д9В
КЦ105Д
AAZ15
Д312А
5РМ4
д246Б
ААГIЗГ
ДIOl
КД411В
ДlОА
5РМ6
д248Б
ААУЗ2
ДЗI
5El
д229Ж
А0150
д223Б
5Е2
Кд205Г
АЕ150
Д22ЗБ
5ЕЗ
Кд2058
АЕЗА
КЦ410А
5Е4
Кд205ББ
АМ12
д2298
5Е5
Кд205А
АМ410
Д229К
5Е6
Кд205Ж
АМ42
д229Е
5МА2
Кд205Л
АМОЗО
д229В
5МА4
д246Б
А5ЗА
КЦ410А
Кд205Ж
А53С
КЦ409Д
60F5
д248Б
А53С
КЦ409Е
бOLF
д248Б
AZ6,8
КС1688
60А5
.
1
КД704АС-9, КД629АС-9
КД80ЗАС-9
КД811Вl, КД707АС9
КДС627 А, КДС628А,
КДСl
11 (А-В)
д2268
КД106А
КДС523 (А-Г), КДС523
(АМ-ГМ)
КД521А
8АХ53
КД906 (А-В)
ВАХ54
КД906 (А-В)
ВАХ61
КДС526Б, КД9148
ВАХ63
КДС526Б
ВАХбЗА
КД521Г
8АХ80
КД509А
ВАХ91С/ТЕ102
КД521А
8АХ95 /TF600
КД521А
ВАУ21
д226В
ВАУЗ8
КД509А
ВАУ45
КД407 А, КД409А
ВАУ46
КД109Б
Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги
Приближенный
Тип диода
отечественный
Приближенный
Тип диода
Приближенный
отечественный
аналог
469
Тип диода
отечественный
аналог
аналог
ВАУ63
КД509А
8УХ42/600
КД2068
ВZХ83СЗЗ
КС528Н
ВАУ74
КД509А
8УХ60-400
Д229Е
КС528П
8АУ74
КД510А
8УУ67
д245
BZX83C36
8ZX83C39
ВАУ89
КД105А
ВУУ68
д245
8ZХ83СЗVЗ
КСlЗЗА
ВВ104
K8Cll l (А, Б)
8ZX29C35V6
Д246
8ZX83C43
КС528С
ВВ109
К8109 (А-Г)
BZX29C4V7
КС447А
8ZX83C47
КС528Т
8Bl09
КВ154А
8ZХЗОС10
КС21 ОЕ, КС21 ОЖ
КС147Г
88109G
КВ121 (А, Б)
ВZХЗОС11
КС211Е
BZX83C4V7
8ZX83C51
KCS28Y
88113
К8С120 (А, В).
K8Cl20Al, К8127(А-Г},
КВ142 (А,Б)
ВZХЗОС12
КС212Ж
8ZX83C56
КС528Ф
8ZХЗОС13
КС213Е
КС417А
8ZХЗОС15
КС215Ж
8ZX83C5V6
8ZX83C62
8ZХЗОС18
КС218Ж
8ZХЗОС20
КС220Ж
8ZХЗОС22
8ZХЗОС24
BZXЗOC5V6
8ZXЗOC7V5
88205
88209
КВ122 (А-8)
88240
КВ122А
КВ123А, К8126А5,
КВ126АГ-5
88309
КВlЗОА
88404
КВ1078
88405
КВ109 (А-Г)
88417
КВ109А
КВ109 (А-Г)
ВВ503
КВ109 (А-Г)
88505
88505
К8152А
ВВ515
К8153А-9, К8156,КВ156А9
88609
КВ154А
8В609А
КВ154Б
88619
КВ157А9
ВВ619
КВ159А-9, КВ157
88620
КВ155А-9, К8158
88721
КВ121А-9
КВ144А
88909
88У31
КВ109 (А-8), К8122А9
8ВУ42
КВIЗОА-9
8С619
КВl 10 (А-Е)
ВСА71
КД509А
BLY'168B
КС168А
8LYA168
8LYA468
КС168А
BLYA468A
BLYA4688
КС168А
КС168А
КС168А
BRIOIA
д242
BR102A
д243
д246Б
BR104A
BR106A
кд2068
BR205
кд2048
BR22
кд205Г
BR24
BR42
кд205Б
кд205Л
BR44
д246Б
BRВlD
кд208А
8US41
КД2998А
8UТ42
КД808А
BVS41
кд2998А
ВУ118
Д245Б
ВУ157
КД105Г
ВУ228
кд241А
ВУ289-300
КД126А
ВУ289-900
'
КД127А
ВУDЗЗ
кд240И
BYV32-15
кд244А
BYV95
кд240Д
BYW17-l00
кд213Г, кд244 (А, Б)
BYW17-200
КД213 (А-Г), Кд2448
BYWS0-200
BYW95
КД244Г
ВУХ42/ЗОО
д245
Кд240Г
КС528Р
КС528Х
8ZX83C68
BZX83C6V2
КС528Ц
КС222Ж
8ZX83C6V8
КС4178
КС224Ж
BZX83C7V5
КС417Г
КС156Г
8ZX83C7V5
КС417Г
КС175Е, КС175Ж
BZX83C8V2
КС417Д
КС417Б
8ZXЗOC8V2
КС182Е, КС182Ж
8ZX83C9Vl
КС417Е
8ZXЗOC9Vl
КС191Е
КС509А
BZX46CIO
КС508А
8ZX85Cl5
8ZX85Cl8
BZX46Cl5
8ZX46Cl8
КС508Б
8ZX85C20
8ZX85C4V7
КС5098
КС5088
КС509Б
КС456А
8ZX46C20
КС508Г
8ZX98Cl20
КС620А
8ZX46C24
КС508Д
8ZX98Cl30
КС630А
8ZХ46СЗVЗ
КСIЗЗА, КС407А
КС650А
BZX46CЗV9
КС407Б
8ZX98CI50
8ZX98Cl80
8ZX46C4V7
КС4078
8ZX46C5Vl
8ZX46C6V8
КС680А
КС447А
КС407Г
8ZY29C4V7
8ZY83C4V7
КС407Д
8ZY83C4V7
КС147Г
8ZX55Cl008
КСбООА
8ZY83D4V7
КС141А
8ZX55Cl0
КС207 А, КС208А
8ZY8583V3
КСIЗЗА
8ZX55Cll
КС207Б, КС208Б
8ZY85C4V7
КС447А
КС147А
8ZX55Cl208
КС620А
8ZY88CЗV9
КС139Г
8ZX55C12
8ZX55C2V7
КС2078, КС2088
8ZY95Cl2
КС512А
КС126А, КС128А
БZУ95С15
КС515А
8ZХ55СЗ
КС126Б, КС128Б
BZY95Cl8
КС518А
8ZХ55СЗVЗ
КСIЗЗА
8lY95C22
BZY95C27
КС522А
КС551А
8ZХ55СЗVЗ
КС1268, КС1288
8ZX55CЗV6
КС12681, КС12881
КС527А
8ZX55CЗV9
КС126Г, КС128Г
8ZY95C51
8ZY98CI20
BZX55C4V3
8ZX55C4V7
КС126Гl, КС128Гl
8ZY98CI30
КСбЗОА
КС126Д, КС128Д
8ZY98Cl50
КС650А
8ZX55C5Vl
КС126Дl, КС128Дl
8ZY98C180
КС680А
8ZX55C5V6
КС126Е, КС128Е
С4010
д102
BZX55C6V2
BZX55C6V8
КС126Ж, КС128Ж
Сб041
КС107А
КС126И, КС128И
С6041М
КС107А
8ZX55C7V5
BZX55C8V2
КС126К, КС128К
С6042
KCl 15А
KC126JI,
CD21
КД922Б
BZX55C9Vl
КС126М, КС128М
CD4156
д28
8ZX78C51
8ZX79812
KC55Al
CDLL200
AдllOA
Д813
CDLLЗOO
д2 (Г, Д)
CDLL400
д2Е
КС128Л
-
КС620А
8ZX83Cl0
8ZX83Cll
КС417Ж
КС528В
CDLL4157
CDLL5540
AдllOA
BZX83Cl2
8ZX83Cl3
КС5288
CER500B
кд205Е
BZX83Cl4
КС528Г
CER69
кд205f
BZX83Cl5
КС528Г
CER69C
КД105В
8ZX83CI6
КС528Д
CER70
КД105В
8ZX83Cl8
КС528Е
СЕR71В
КД1058
8ZX83C20
8ZX83C22
КС528Ж
CER72C
кд205Е
КС528И
CG84H
КД503В
BZX83C24
BZX83C27
КС528К
Д222Ж
ВZХ8ЗСЗО
КС528М
COD153l
COD1555
CODI556
КС528А
КС528Л
кд220Ж
кд205Е
КД1058
.
Раздел
470
Прибли:iкенный
Приближенный
Тип диода
отечественный
Тип диода
отечественный
аналог
СОО16044
КС119А
ЕЗНЗ
Д247Б
КЦ106Ж
ЕЗКЗ
Д248Б, Д234Б
КЦ106А
Е5АЗ
Д305
КЦ106Б
Е6ВЗ
Д242
КЦ418
Е6СЗ
Д215, Д215А, КЦ109А
КД208А
Е6ЕЗ
Д245
КД208А
Е6GЗ
КД412Г
КВ128А, КВ128АК
Е6МЗ
кд203Г
Д246Б
Е6NЗ
кд210Б
Д808
КД205Б
Д223А
EGlOO
EN0400
EQAOl-06
КВ107Г
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналог
аналог
CRG20
CRG40
CRG60
CSB-6
CTNlOO
CTPlOO
CV1930
CV40
CV7
CV836
CAIOO
кд205Б
КС468А
КД509А
HMG4150
HMG4319
HMG4322
HMG626A
HMG662
HMG662A
HMG663
HMG844
HMG904
HMG904A
HMG907
HMG907A
КД521А
kд509А
Д220
Д220Б
Д220Б
Д220Б
Д220Б
КД521Г
КД521Г
КД521Г
КД521Г
САБО
Дl02
ЕQАОЗ-09В
Д809
НР9
Д818А
CBlOO
Д223А
КД411ВМ
.НSОЗЗА
КСlЗЗА
СВ150
Дl02
СП63
Д2Ж
СТ23
Д206
ER405
ER0600
ESP5100
ESP5300
КД205Ж
нsоззв
КСlЗЗА
Д304
HS2039
нsз (2)
КС139А
Д245Б
стзз
Д206
FlEЗ
КД2997В
0100
0226
Д229Ж
FlKЗ
Д248Б, Д234Б
Д37Б
F2АЗ
Д242
025С
КД205Г
F2ВЗ
Д242
020
ДlOl
F2СЗ
КД509А
ОбОН
КЦ201В
F2НЗ
КД206Б
080Н
КЦ201Г
F2МЗ
КД203Г
ОА106К
КДС526А
ОА203
КД914Б, КДС526В
ОА203Х
Д2Б
F2N3
FOlOO
F0600
FON600
FPZ5V6
FSA2510M
FSA2563M
GlOlO
G129
Gl502
G233
ОА204Х
Д2Б
OAN202K
КДС523 (А-Г}, КДС523
(АМ-ГМ)
OAN235K
OAN401
OAN403
OAN80l
КД906 (Г-Е)
КД909А, КД903 (А, Б)
ОАР201
КДС526В
ОАР202КVА
КДС523 (А-Г), КДС523
(АМ-ГМ)
ОАР203
КДС526В
ОАР209
КДС523 (А-Г}, КДС523
(АМ-ГМ)
ОАР401
КДС526А
00003
00006
. 00056
00236
00266
004521
004526
0Ell2
OFClO
КСlЗЗА
КД521Г
КД521А
КД521А
КД521А
КЦllГА
кд210Б
HVOЗSS
KЦll
КЦ201Б
КД521А
HVC40
IN4365
JE2
К2456А
ЮС5
Д2375
КД919А
К2С5
Д237А
КД903 (А, Б)
КС106Г
lA
КД205Л
КД205Л
GЗOIO
Д425
G40l0
G65HZ
G6HZ
G80l0
GOllE
Д426Б
кд210Б
ДlОА
LRЗЗН
КСlЗЗА
КД909А
GОЗЕ
Д104А
Д9В
Д9В
MlВl
КД208А
КД205Б
GD72E3
G072E4
G072E5
Ml01P04
Ml4
Д231Б
КД205Г
ДIОЗ
МlВ5
КД208А
Д246Б
GРЗЗО
Кд521Г
МlВ9
КД208А
Д246Б
GP350
GP360
GPM2NA
GPP15B
GPPlJ
КД509А
М4Е9
КД521Б
M4HZ
Д9В
М500В
КД208А-l
М500С
КД205А
'кд4ПБ
М68
д229Ж
КДС526А, КДС906 (Г-Е)
КД903 (А-В), КД908А,
-
КЦ106В
HS6
HS7033
HS90l0
HS950l
HS9504
HS9507
HV035S
KLRlO
KVFlO
LAC2002
L02A
L04RA
LDOlO
L0015
L0050
L005 '
LF08
КД914А
ОАР801
КЦ106А
Д245Б
кд521А
КД205Б
Д242
Д246Б
КД922Б
КД411Б
Д242, Д424
д219С, Д220С, Д223С
кд213 (А-В)
KBl 17
(А, Б)
Д248Б
КД206В, КД2 lОБ
7. Аналоги
КЦ201Д
КС147А
КД109А
КД109А
КД521Б
КД521Б
КД521Б
КД521Б
КД106В
Д229В
КЦ409В
-
Д229Е
КД205Е
ОК751
Д229К, Д205Л
GSAЗOE
кд202К
М69С
КД205Г
ОК752
КВ119А
GV35Z
кд221Б
М70В
Д7Ж
ОКV6516
KBll6A-l
GVЗSY
КД212 (В, Г)
М70С
КД407 А, КД205Б
ОКV6517
Д226В
Н6010
кд206В
М72В
КД105В
Д208
НО4101
КД519 (А, Б)
МА1120
Д813
Д209
НО5000
КД514А, ГД508 (А, Б)
МА145
КВ146
Д208
HOS9009
HOS901
HMG3064
HMG3596
HMG3598
HMG3600
HMG3873
КД509А
МА161
КД51ЗА
КД521Г
МА165
КД711А
КД521А
МА166
КД513А, КД513Б
КД521Г
МА215
КД205В
КД521А
МА231
Д242
КД509А
МА232
Д243
КД509А
МА240
Д243
ОР695
0PQ98
ОР699
'.
05866
КЦ201Д
ОТ230Н
Д2Л9
ЕlМЗ
КД411А, КД411 (АМ, БМ)
Е2МЗ
КД409БМ
ЕЗВЗ
Д304
ЕЗЕ
Д245Б
-
3_арубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги
Приближенный
Тип диода
отечественный
KCl 15А
МА345
КВ146
МА4303
КД509А
МА4304
МА4305
МА4306
КД509А
МА4307
КД512А
МА4308
МА4761
Приближенный
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналог
MA27W
471
отечественный
Тип диода
аналог
аналог
MCPD521C
MGD73
MGDA39
КД521Б
Р400А
Д229Л
КД521А
(А. В) КС139А
P4F5
P4HZ
Д246Б
КД509А
MHDбll
КД521А
Р4К5
КД205Е
КД509А
КД521А
Р4М5
КД105В
КД521А
Р4Н5
Д7Ж, МД226
КД521А
Р5010
КД206Б
КД512А
MHD612
MHD614
MHD615
MHD616
КД509А
P5D5
Д229В
МК39С-Н
КС139А
Р665
КД205В
MMlOOl
MMBD5ll
КД521А
P6F6
КД205Г
МА4КО72-975
KBl lЗБ
KBl 15(А-В)
KBl 15 (А-В)
AдllOA
РбНZ
КД206В
МА56
КД923А
ММС1002
КД521А
Р6К5
КД205А
МА856
КД532А
ММСlООЗ
КД5214
Р6М5
КД205Ж
MADll08C
MAD1108P
КД917А
ММС1004
КД521А
P7G5
Д229К
КД917А
ММС1005
КД521А
Р7Н5
Д246Б
MADllЗOC
КД919А
ММС1007
КД521А
Р8010
КД210Б
МВ236
КД208А
МД218
P8HZ
КД210Б
МВ253
Д229К
д229Ж
PCllб
Д901 (А-Е)
МВ254
Д229Л
МВ258
Д229Ж
MRlOO
MR1337-2
MR1337-4
MR1337-5
MR2402F
MR47C-H
MR80
MR90
MS5
MA4K072- l 84
МВ259
КД205Г
МВ260
'кд205Л
МВ261
КД205В
МВ262
Д229К
МВ263
КД205Б
КД204Б. МД226А
д229К
PDllб
МД218
Д229Л
Д220Б
КД273Г
PD126
PD127
Д312А
КС147А
РDlЗЗ
дlOl
МД217
КС147А
КД273Г
МТ44
Д229Е
PD5006A
PD6004A
PD6010
PD6010A
PD6045
PD6047
'PD605l ·•
PD6056
PD6202
PD6206
PD9ll
PD912
PD914
PD915
PD916
PFF2
КД273А
МТ458
Д223Б
PRlOЗ
КД226А
КД270В
МТ462А
КДlОЗА
PS120
КД205Г
мсозо
Д226В
МТ482В
КД522Б
PSlЗO
КД205В
МСОЗОА
Д226В
МТ5140
КД109А
КД205Б
Дl04
PS140
PS150
PS160
PS2415
PS2416
PS2417
PS440
PS530l
PS5302
PS5303
PS632
PS633
Д229Ж
РVООЗ
КВlОЗ (А. Б)
КД208А
PV008
PV1505-15
PXlOO
KBlOl
Д2206
МД218
Д305
МВ264
Д229Л
МТО20А
КД205Г
МВ265
КД205А
мтозо
КД205В
МВ267
КД205Ж
МТОЗОА
КД205Б
МВ270
Д229Ж
МТО40
КД205В
МВ271
КД205Л
МТО40А
КД205Б
МВ272
д229К
МТО50
КД205А
МВ273
Д229Л
МТО50А
КД205А
МВЗЗб
КД106А
МТО60
КД205Ж
MBRlOlOO
MBRl070
MBR1520
MBRl545CT
MBR2402F
MBR2520
MBR750
КД271Г
МТОбОА
КД205Ж
КД271В
'
МТ14
Д229В
КД272А
МТ2061
КД109В
КД238А
МТ206
КД109В
МСО905А
КД521Г
МТ705
КД512Б
МС108
КД509А
KBl
МС433
КД521А
МС461А
КД522А
МС51
Д226В
"
16А-1
МС52
КД521А
МС5321
КД521Г
MV1656
MZ1009
MZ4622
MZ4624
MZ4A
MZ6A
МС53
КД521Г
мzсз
КСlЗЗА
МС55
КД521Б
KCl 12A-l,
МС58
КД509А
N5465C
NC47
МС59
КД521Б
ОА91А
МС6010А
КД168А
Д818А
КС139А
КС147А
КС147А
КС168А
КС547В
-
КВ112Б-1
КС139А
Кд206В
КС168А
КС139А
КС147А
КС168А
Д81
l
КС147А
КС168А
Д210
Д21
l
Мд217
МД218
Мд218
КЦ412В
КД205А
КД205Ж
Д211
МД217
МД218
Д229Е
Д204
Д205
КЦ40Аl
Д226В
Д226В
МС6015А
Д81
МС60
КД401Б
МС903
КД509А
МС905
КД521Г
PlOOA
PlOOB
PlOlO
Pl2070A
Pl50B
КД208А
РХ50
Д220
МС906
КД521Г
Р200А
КД205Л
РАО5
Д305
КД521Г
Р2010
д243
PElO
КД509А
Р205
Д206
РЕ20
МС908А
КД509А
Р2К5
Д210
РЕ40
Д246Б
MCPD521A
MCPD521B
КД521Б
Р2М5
Д21
РЕ60
Д248Б
КД521Б
РЗОlО
Д245
РК236
КС162А
МС906А
МС908
,,
l
/
'
Д242
Д229Л
l
/
КВ106 (А. Б)
Д304
-
Д243Б
Раздел
472
Приближенный
Приближенный
Тип диода
отечественный
Тип диода
отечественный
аналоr
КВ107А
SЗl
КД205В
РН1237
КВ107Б
КД205Л
РТ530
Д229К
РТ540
Д229Л
Ql2-200
Ql2-200A
Ql2-200T
Ql2-300
Ql2-300A
Ql2-300B
R040
R250C
R3400606
R3400806
R421
R602
R604
R606
R612
R614
КД521Д
КД521Д
S35A320FR
S427
S48
S4M
S5Al
S5A2
Д215, Д215А
РТ520
отечественный
КД521Д
S5АЗ
Д245Б
КД521Д
Д248Б
аналоr
Д818А
КД210Б
КД205А
SVЗl
КД109Б
Д232, Д232А
КВ135А
КД509А
SVC151
SVC252
SVM9010
SVM90l l
SVM9020
SVM902l
SVM905
SVM91
SW05
SW05B
SWISS
SZl 1
дlOl
SZЗ-120-20-25
КС620А
КД205Г
SZЗ-120-5-25
КС620Н
КД205Ж
SZЗ-130-10-25
КСбЗОА
КС547В
SZЗ-150-20-25
КС650А
КД2991А
SZЗ-180-20-25
КС680А
Д229Ж
Д818А
Д229К
SZ9
SZP5-20-20- l
TF24
Д243Б
·
KCl
lЗА
STB2
SV131
SV134
Д304
Д81
l
КВ132А
Д818А
Д818А
Д818А
Rбlб
КД206В
R704
RD264
КД416А
ДlО
RDЗOEC
КД531В
S5A6
S5AN12
S65250
S83
S8Al2
S92A
SA283
SC5100
SDllF
SD17
SDlA
SD4756A
SD51
SD91A
SD92A
SD93
SDAl lЗВ
КД226А
ТК20
КД205Л
RD7AN
RD91MB1
RL252
RLS4450
КС482А
SDAllЗC
КД226Б
ТК40
Д229Л
Д809
КД226В.
ТМ17
КД202В
КД226Г
ТМ37
КД202Ж
Кд226Д
ТМ47
Кд202К
RМ15ТС40
КД529 (А, В, Г)
КЦ401Г
ТМ57Р
кд202М
RZ18
RZ22
RZZll
Sl,5-0,l
SlOl
Sl06
КС218Ж
КД243В
ТМ64
кд202Р
Д7Ж
SDAl lЗD
SDAl lЗЕ
SDAl lЗР
SDR3008
SDR6003
SE05
SE05B
SEl,5
SED107
SED107
SFD83
SG2ll (1)
SG5200
SG5260
SHVM15
КЦ201Е
КД205А
SJlOЗ (Е, к)
Д304
Д7Ж
Д242
Д210
SJ104 (Е, К)
SJ203 (Е, К)
SJ304 (Е, К)
SK802
SK808
Д211
SLЗ
МД217
SL92
SM20
SM230
SM400
SN3142B
КД521Д
КД521Д
КД411Г
КД412Б
КД412В
КД412Б
Д243
Д243Б
Д246
КД206В
Д243
Д246Б
ДlОЗ, дlОЗА
КД504А
КС222Ж
КС211Ж
КД208А
КД205Г
SlOVBбO
Д23ЗБ
Sl25
Sl5
Sl5S6
Sl7
Sl8A
Sl9
КД206В
SlRбO
КД109В
SlRBAбO
КД109В
S20-06
S205
S206
S208
S210
S219
S222
S223
S234
S23A
S252
S253
S256
S26
S28
S2A-12
S2E20
S2E60
Д248Б
sзо
КД205А
КД272В
КД205Г
МД218
Д7Ж
КД205Г
КД205В
1
КД206 (Б-Г)
КД509А
Д229К
КД210Б
КД205Л
Д202
КД205Л
КД205Г
КД205Ж
КД205Ж
l
КС220Ж
Д226В
Дl05, дlОб
КД521А
TSZб.2
КС162А
КД521А
UClбlO
КД917А
КД205Л
КД270А
UP12069
UP12070
UR215
URElOOX
URFlOOX
URGlOOX
КД270В
USбOA
Д902
Д245В
UТ112
Д229Ж
МД226Е
UТllЗ
Кд205Л
КД205Л
UТl
14
Д229К
Д229К
UТ115
Д229Л
КЦ412А
КД202Р
UT212
UT213
UT3020
UT3040
UTX3105
UTX3105
VlO
V346
V910
VC556V
VC885D
VLA-722
Д219С, Д220С, Д223С
VSК2045
КД208А
дlО
КД521Г
Д243Б
Д243
КС119А
КЦlОбБ
Д243
КД205Л, Д229Ж
Д81
КД202АП
АД516 (А, Б)
КД105Г
КД206Ж
д207
SРб
д229К
КД205Г
ТМ7
SPD5817
SPGlOO
SR1002
SR504
SR520
SR580
SR712F
SR714F
SRS360
ST23
КД105Ж
Д818А
TMD45
TR25l
TR251
TSl
TS2
TS4
КД105Г
КД205В
Д818А
Кд205Ж
КД205Ж
КД205Г
Д818А
КД205Г
ДlО
КЦ106Г
КД271А
КД270Г
КД269А
КД269В
КД416Б
КД416А
Аналоги
Приближенный
Тип диода
аналоr
РН1217
7.
КД2994 (Б-Г), КД2999А
КД2994А
Д229Ж
КД205Л
Д229Л
Д229Л
дзоз
Д304
Д304
КЦl09А
Д229К
Д229Л
КД226Г
Д304
АД516А
АД516Б
КЦ409А
Д902
KBl 14А
КВ139А
KBl lOA
KBl 146,
КВ139А
КД238БС
Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги
Приближенный
Приближенный
Тип диода
473
Тип диода
отечественный
отечественный
аналоr
Приближенный
Тип диода
отечественный
аналоr
аналоr
VSК2045
КД2386С
Zl555
КС156А
ZC833
КВ134А, KBl 17 (А,В)
VVC861
KBl 10 (6-Е), KBl 13А
Zl560
КС156А
КВ104А
Zl565
КС156А
ZD13
ZF3,3
КС515А
VVC898
VVC901
КВ104 (6-Е), КВ105А
ZMM5257
КС533А
1027 КР1056, KBl 17А
1638KBl176, КВ102А
Zl570
ZlAl 1
КС156А
vvc
vvc
Д811
ZP151
КС551А-
ZlA5,6
КС156А
ZPD3.3
КС106А9
KCl
13А
WC925
КВ102 (6-Д), КЦ105В
ZlAб,8
КС168А
ХбОС
Д229Ж
КС551А
ZR936-50
ZR937-50
Д810
XSlO
КД205Л
Z4Al5
Z4B68
КС568В
ZRY82
КС591А
XS17
Zl500
КЦ201Г
Z80F
ZC831
КС156А
КС156А
7.8. Зарубежные
КД134А9
тиристоры и их отечественные аналоги
Приближенный
Тип
Д810
Приближенный
отечественный
отечественный
Тип
аналоr
lБ, КУ211Д
150-325РАН1200
KYl l lA, KYl l
1N4202
КУ202А, КУ2026, КУ202В, КУ202Г,
аналоr
MCRlOO
NAS4443
КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К. КУ202Л, КУ202М, КУ202Н
2-ТА92525
КУ220А, КУ2206, КУ220В, КУ220Г, КУ220Д
2-ТА95525
КУ220В
KYl 18А, KYl 186, KYl 188, KYl
18Г
КУ2026, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д,
КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К,
КУ202Л, КУ202М
NASB
КУ202А, КУ2026, КУ202В, КУ202Г,
КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М
25ТА2525
КУ222Г
2N2323
KYlOl (А-Е)
2N4990
КУ121А, КУ1206, КУ503А
2N4992
2N5062
2N5756
2N6027
2N6565
2N683A
NCM700C
КУ201А, КУ201Б, КУ201В, КУ201Г,
КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И,
КУ201К, КУ201Л
КУ5036, КУ503В
РО102
КУ102А, КУ1026, КУ102В, КУ102Г
КУ104Г
S2800
KY228Bl
КУ221Д
КУ601Г
KYl 13
KYl l8A, KYl 186, KYl 188, KYl 18Г
SC141D
TAG307-800
ТАGббl-600
КУ223
КУ211В, КУ211Д
ТIC106D
КУ223
3N4988
КУ120В, КУ1206
ТIC206D
КУ601Г
50-Т52081200
КУ221 В, КУ221 Г
ТIС206М
КУ2086
8N200
-
КУ208Г
'
KYl lOA, KYl 106, KYl lOB
ТIС216М
KY202B- l, КУ208В
BR103
KYl 12
TL8003
КУ223И
ВТАО8-400
КУ208Г
КУ223И
ВТХ328100
КУ202Н
TL8005
T0509NH
СlОЗ
КУ104А, КУ104Б, КУ104В
TXNlOlO
КУ228Иl
DТ151-500R
КУ22861
ТУ4010
KY228Al
EGG6404
КУ120В, КУ1206, КУ120А
ТУ6010
КУ21 ОВ, КУ211 А, КУ220Г
МАС94-2
КУ224А, КУ223И
TYAL224B
КУ601А, КУ6016, КУ601В
КУ601Г
Раздел 7. Аналоги
474
7.9. Зарубежные
оптоэлектронные приборы и их
отечественные аналоги
Приближенный
Тип
отечественный
Приближенный
Тип
отечественный
аналоr
1354G
1371R
1374G
15RAG301 l
15RAR3005
15RAY3013
l 70-4R
1N6094
225AD
5082-7404
5082-7405
5082-7415
5082-7431
5082-7432
5082-7433
5082-7441
5082-7740
5353Rl0
7610R
8R5334S
CGW89A
CQS94L
CQS95E4
CQS95E5
CQS95L
CQX24-9
CQX28
CQX29
CQX32
CQX74D6(A)
CQY49C
CQY58A
CQY89
CQY89A-2
CQY89A2
CQY89F(A)
CQY948L
CQYP95
FCD830
FLEDG313A
G8Gl000
АЛ305Г
КИПТ26Б- l 5Л
КИПТ26А..-i.5К
КИПТ268-15Ж
АЛ306(А-И)
НА-1075
LSТ1052
АЛ160А
АЛС326А, АЛС326Б,
АЛС327 А, АЛС327Б
LST4253F
LTL254
LTL2600HR
LTL2620HR
LTL2720Y
LTL2800G
LTL2820G
LTL52163
LY5480GK
MAN-lA
АЛ3078М, КИПД14Г-Л
КИПД17
НLМР1600
АЛ307БМ
АЛС311
НLМР2600
КИПТ18А-4К
АЛС328А
HLMP3000
КИПД17Б-К
АЛС3288, АЛС328Г,
АЛС328Б
HLMPЗOOl
КИПД14Б-К
НLМР3003
КИПД17А-К
АЛС324Б-1
НLМР3050
КИПД14А-К,
КИПД14Аl-К
АЛС318Г
НLМР3105
АЛ316Б
АЛС318А
НLМР3112
КИПД178-К
АЛС324А-l
НLМР3315
КИПД!ОБ-К
АЛ307ЖМ
НLМР3351
АЛ307КМ
АЛС309Б
НLМР3451
АЛ307ЖМ
АЛС307КМ
АЛ307ГМ, КИПД14Д-Л
АЛ156Б
HLMP3502
HLMP3554
КИПД24А-Л
НLМР3565
КИПД108-Л
КИПД35Б-Л
НLМР3650
АЛ307ЕМ
КИПД358-Л
НLМР3762
КИПДlОА-К
КИПД35А-Л, КИПД! 7А-Л
НLМР6754
КИПТ! 7В-4Ж,
АЛ102(АМ-ГМ}
АЛ1028М
АЛ360А, АЛ36ОА 1
КИПД36Еl-Ж
АЛ164А
АЛ144А
АЛ107А
АЛ107(Б-Г)
АЛ1648
АЛ164Б
КИПД02Г-1Л
АЛС318А, АЛС330
АОТ126Б
КИПДО68-1Л
КИПТ24Д-10Л,
КИШ22Б-7Л
КИПТ228-7К
АЛ144А
КИПД37А-М,
КИПД37Аl-М
КИПД19А-М
АЛС3178
АЛС317А
КИПЦО l А-1 / 7К,
КИПЦОlЕ-1 /7К
АЛ305Д
НА-1181
КИПЦО4А- l / ВК,
КЛЦ302,
HLP30RВ
АЛ177А
HLP50RL8
АЛ177Б
IНD4252
КИПДО7А-К
IRD4252
IRRD945l
L2347-0l
L59EGW
L835/24DT
L835/2GDT
L835/2HDT
L835/2RDT
L835/4HDT
L835/4RDT
L85l/2GDT
КИПДО7Б-К
-
L851/2YDT
L865/4GDT
L865/4YDT
LD1005
LD1007 .
LD460
LD484
LD57C
LDR5093
LDY539l
LG3369EH
LN04202P
КИПДО5А-1К
АЛ154А
КИПД!!А-М
АЛС362Д
АЛС362Кl
АЛС362А
АЛС362Аl
АЛСЗ62Б
АЛСЗ62В, АЛС362Б 1
АЛС362Лl, АЛС362К.
АЛС362М
АЛС362дl
АЛС362Л
АЛС362Е, АЛС362Ж.
АЛС362Еl
КИПД19Б-М
КИПД! lБ-М
АЛС362П
КИПТ18Б-4Ж
АJ1336И
КИПДО9А-К
АЛ336Е
АЛ310Г, КИПДО!Б-lЛ
Ю1ПТ1 7А-4К,
КИПТ17Аl-4К
LN04302P
КИПТ! 7Б-4Л,
КИПТ! 7Б l-4Л
LN07302P
КИПТ22А-7Л
КЛЦ401
КЛЦ201
АЛЗО7НМ
КИПТ! 781-4Ж,
КИПТ18Бl-4Ж
АЛ336К
НА-1077
НА-1181
АЛС321Б, АЛС337Б
АЛС3248
НLМР1503
КИПТ24И-10Л
GL5NP5
GL105Ml l
GU05R5
АЛС321А, АЛС337А
HD-1106
HD-11750
HDSP-3530
HDSP-4036
АЛ316А
КИПТ24Е-10Л,
КИПТ24Ж-10Л,
GL107Nl2
GL107Rl2
GL450A
GL5ND5
АЛ145А
АЛС324А, АЛС324Б,
АЛС324А-l, АЛС324Б-1
АЛС3188
аналоr
LN66L
LN05l03P
LN07202P
LN07302P
HD-1106
НLМР1071
АЛ102ДМ, АЛ360Б,
АЛ360Бl
отечественный
anлor
АЛ305(Ж-Л}
АЛ305(А, Б)
Приближенный
Тип
МАN-51А
АЛС317Б
КИПТ22А-7К
КИПТ22Б-7Л
КИПДО5Б-1Л
КИПД14Е-Ж
КИПТ18Аl-4К
АЛС362Г
АЛС362И
КИПТ! 88 l -4Л
АЛС362Н
КИПД35А-Ж
КИПД14И-Ж
АЛС312Б
АЛС338А, АЛС338Б,
АЛС3388
MAN3900A
MAN78A
M8G5373SY
АЛ305Е
МСТ271
АОТ123Г
МСТ275
АОТ123А
МСТ276
АОТ! 23Б, АОТ! 238
MGB5lD
MMN39240
MY3lD
MY31W
MY51W
NSC4830
08Gl000
OBG4830
КИПД148-Л
АЛ309А
АЛ307ГМ
АЛ308
КИПДО58-1Ж
КИПДО2Д-1Ж
КИПД17Б-Ж
КИПТ24А-10К
КИПТ24Г-10К
КИПТ24А-lОК,
КИПТ24Б-10К
КИПД18А-М
OLP713
OP232TXV
OPL712
АЛ163А
ОРТ601
АОТ1288
ОРТ601
АОТ! 28Б, АОТ! 28Г
ОРТ603
АОТ128Д
PLED-5128
PLED-G3 l 3A6
PLED-G3 l 3A 7
PLED-G5l lC9(A)
PLED-G533ML6
PLED-G543CL6
PLED-G543CL6
PLED-H5148
PLED-H51485
PLED-H51486
PLED-H54 l CL8
PLED-P513M
PLED-P513M5
PLED-P513M7(A)
PLED-P5l3M7
PLED-P5 l 4M4
PLED-P533ML6
PLED-Y513M(A)
PLED-Y5148
PLED-Y5148
PLED-Y51485
КИПД18Б-М
АЛС331АМ
КИПДО9В-Л
КИПДО9Г-Л
АЛ336Н
КИПД3681-Л
АЛ3368
КИПД36Гl-Л
КИПД21Б-К
АЛ336А
КИПД218-К
АЛ336Б
КИПДЗ5А-К
КИПД35В-К
КИПДО9Б-К
КИПД36Бl-К
КИПД35Б-К
КИПД36Аl-К
КИПД17А-Ж
АЛ307ДМ
АЛ310Е
КИПД248-Ж
Аналоги отечественнь1х транзисторов
Прибяиженвый
Тип
475
Прибяижевный
отечественный
отечественный
Тип
анаяог
PLED-Y544CL
АЛ310Д, КИПД24А-Ж,
КИПД178-Л
RlM-053-052
КИПТО9А-53Л,
КИПТО96-53Л
R8Gl000
SFH400-3
SFH480
SFP8706-2
SGl009
SGlOIO
SL5004
SLA-2232
SLH56MT
КИПТ248-10К
АЛ156А
АЛ1566
АЛ159.(А-6)
АЛl 36А, АЛ l 38A
АЛ137А
КИПд21А-К
КИПГО2А-8Х8Л
КИПДО28-1Л
ТIHR4605
АЛ307АМ
ТIL264
АЛС3458, АЛС345Г
ТIL268
АЛС345А, АЛС3456
ТIN105
АЛ154А
ТINl
АЛ1546
11
7 .1 О. Аналоги
Тип
АП320А-2
АП3246-2
NE695
NE13783
2SI023
2SI024
ТINl
15
TKG144
TLG102A
TLG145
TLG163
TLG259
TLHG5400
TLHG5403
TLHY5l01
TLHY5414
TLLR4400
TLPY144
TLQ132
TLQ133A
TLRl 14
TLR145
TLS124EH
АП3248-2
АТ8040,
АП325А-2
GAT-5
АП326А-2
АТ8041,
АП3266-2
АЛ1548
КИПДОбГ-lЛ
АЛ3108, КИПДОlА-IЛ
КИПДlОГ-Л
АЛ336Иl
КИПП88-4Л
АЛ336И, КИПД246-Л
КИПД248-Л
АЛ336Ж
АЛ336Д
АЛ310А
КИПД246-Ж
КИПД36И1-Р
КИПД36Жl-Р
КИПД24А-К
КИПД246-К
КИПДО26-1К
анаяог
TLUH6413
TLURl 14
TLUR120
TLUR5101
TLUR5403
TLUH660l
TLY134A
TLY255
TSHA5500
TSHA5501
TSHA5502
TSTS720l
TSUS5400
TSUS5402
UQ837
UQ871/ А
Z252YH
Тип
Анаяог
прибора
АП608А-2
ГТ3056
ОС57
CFX14
NE46383
JS8830AS
NE673
JS830
CFX14 ·
FRHOlFH
FRHOlFH
CFYl 2, VSF9330
NE388-06
CFY25-l7, 2SI0616
CFY25-20
MGF4310
MGF4415
NE76184A
NE72089A
FSCIO, ATF0135
FHC30LG/FA
GF739
DXL350l
NEZl 112
CFX3l
ГТ1096
ОС58,
ГТ109В
ОС59
ГТ309Г
ГТ109Г
ГТ309Д
АП602Г-2
МТС-Тl250
ГТ1258
АП603А-2
MGF-X35M-Ol
DXL3610A
NE90089A
DXL2608A
ГТ125Г
2SB90
2SA53
2Nl39, 2SA49
2S890
2SA49
АС107, 2Nl07
2N506
2N535A
АС122, 2N536
2SB262
2N438
2N233A
2Nl366
2Nl366
2SA195
2SA40
2SA277
2S855
2SA2l l
2SA173
2SA39l
2SA396
2SA205
2SA204
2SA206
2S815
2S855
2S815
2N499A
АП330А-2
АП3306-2
АП33081-2
АП3308-2
АП330В2-2
АП330В3-2
АП331А-2
АП339А-2
АП343Аl-2
АП343А-2
АП343А2-2
АП343А3-2
АП344Аl-2·
АП344А-2
АП344А2-2
АП344А3-2
АП379А-9
АП602А-2
АП6026-2
АП6028-2
АП604А-2
АП605Аl-2
АП605А-2
АП915А-2
ГТ108А
ГТ1086
CFXl3
GAT6
ГТ1088
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТl 15А
ГТl
156
ГТI 158
ГТl 15Г
ГТl 15Д
ГТ122А
ГТ1226
ГТ1228
ГТ122Г
ГТ124А
ГТ1246
ГТ1248
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ1256
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
АП605А2-2
АТ8250
ГТ125И
АП606А-2
MGF2ll6
MGF2324-0l
FLX102MH-l2
ГТ125К
АП6066-2
АП607А-2
КИПД31В-К
КИПД31Б-К
КИПД31А-К
КИПД358-Ж
КИПД356-Ж
АЛ1458
АЛ145Г
АЛ145Д
АЛ145А
АЛ1456, АЛ165А
АЛ1656
КЛl 14А, КЛl
146,
КИПД36Дl-Ж
ГТ125Л
ГТ305А
ГТ321Б
ГТ3218
2~А78
ГТ321Г
2Nl384
2SA312
2Nl384
AF124
ГТ308А
ГТ3086
ГТ3088
ГТ309А
ГТ3096
2N77
Анаяог
AFY39
2Nl292
2N797
2N796
2N2048
2SA272
AFI 78, AFZl 1
2SA272
2SA266
2SA268
2SA69
2SA260
2N503
AFY13
2SAl 16
2Nl28
2SA105
2N2699
2N2699
2N2482
2Nl585
2N2482
2N2699
2N1585
2N797
AFYll
2Nl742
2N74l
2N3883
2N7l lA
2N705
2SA479
2SA312
ГТ3058
ГТ3098
ГТ309Е
ГТ310А
ГТ3106
ГТ3108
ГТ310Г
ГТ310Д
ГТ310Е
ГТ311А
ГТ31 lБ
ГТ3118
ГТ311Г
ГТ311Д
ГТ311Е
ГТ311Ж
ГТ311И
ГТ313А
ГТ3136
ГТ313В
ГТ320А
ГТ3206
ГТ320В
ГТ321А
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
КЛl
148
АЛ304(А-Г), АЛС312А
Тип
ГТ109А
АП328А-2
КИПДОбА-lК, КИПД24В-К
КИПДО66-1К
прибора
ГТ108Г
АП324А-2
КИПД31Г-К
отечественных транзисторов
JS8864AS
FLM7177-5
2Nl30A
2N1352
2N220
2Nl47l
АП3206-2
отечественный
анаяог
Анаяог
прибора
Прибяижевный
Тип
Раздел
476
Тип
ТТ322Б
Тип
Аналог
прибора
ТТ338А
AF275, AF427
AF27l, AF430
AF109R, AF200
AF106, AFY12
AF106A
2N5044
2N5043
AF279, 2N5044
AF280
ASZ23
Гf341А
ТIXМlOl
ТТ341Б
ТIХ3024
КП302В
Гf341В
ТIХМ104,
КПЗО2ВМ
Гf346В
2N2999
AF239, AF253
AF139, AF240
AF239S
ТТ362А
ТIХМlОЗ
КПЗОЗБ
ТТ362Б
ТIХМ103
кпзозд
ТТ376А
2N700A, 2N2360
КПЗОЗЕ
Гf402Д
АС152
кпзозж
ТТ322В
Гf328А
ТТ328Б
ТТ328В
ТТ329А
ТТ329Б
rтззож
rтззои
ТТ346А
ТТ346Б
КlНТббlА
КПlОЗЕ
КШОЗМРl
КП150
КП240
КП250
КПЗОlБ
КП302А
КП302АМ
КПЗО2Б
-
КП302БМ
КП302Г
КП302ГМ
КПЗОЗА
КПSОЗА
КП504А
КП505А
КП510
КП520
КП530
КП540
КП601А
КП601Б
КПбlО
КП620
КП630
КП640
КП704А
КП705Б
КП707Б1
BUZ53A
IXTM4N95
MTM15N50
IRF84l
BUZ385
2SK298
BUZ60, IRF730
BUZ90
КПЗОбА
КП707Вl
IRFBEЗO
КПЗОбБ
ТА7262
КП707В2
КПЗОбВ
КП709А
КП717Аl
IRFBE32
BUZ90A
BUZ90
IRF710
IRF9130
IRF453, 2SK313
IRFP453
КП717В
IRFЗSO
КП717Бl
КП718А
BUZ323
IRF353
IRFP353, 2SK556
IRF352
IRFP352
IRF34l
IRFP34l
IRF340
IRFP340
BUZ45
КП718А1
вuzззо
КП718Б
SGSP574
SGAP574
BUZ45A
BUZ354
IRF441
IRFP441
IRF452
IRFP452
IRF453
IRFP453
IRF720
BUZ36
IRFZ44
IRFZ45
IRFZ40
IRF42
MTP6N60
IRF842
IRF450
кпзози
Гf402И
ACl 17, АС128
AD152
AD152, AD164
ASY77
ADP466, ASY77
ASY80
AD155, AD169
5NU72
КП305Д
Гf403Е
КП502А
КП705А
КП304А
Гf403Д
КП501Б
КП305Е
КП305Ж
КП305И
КП706А
КП706Б
КП706В
КП707А
КП707Аl
Гf403И
АС124
КП307Б
Гf403Ю
ASY80
КП307В
Гf404А
АС176
КП307Г
Гf404Б
АС127, АС141В
КП307Д
Гf404В
GD607
КП308А-1
Гf404Г
АС181
КПЗlОА
Гf404Д
АС141В
КПЗlОБ
Гf404Е
КП312А
КП314А
SDЗOO
КП717Г
Гf404И
2SD127 •
2SD128A
2SD128
MFE12l
2N5394
2N4223, 2N4220
2N4224
MFE200l, 2N4216
MFE2002
MMBF54592
SD200
SD20l
SFE264
КП322А
3SК28
КП717Гl
Гf405А
АС152
КП323А-2
2N4416
КП717Д
Гf405Б
АС132
КП323Б-2
SDЗOO,
КП717Дl
Гf403Ж
гr404ж
КП307А
-
Гf703В
moзr
mозд
mosл
П'705Б
mosв
mosr
mosд
Гf806А
Гf806Б
Гf806В
КП718БI
КП718В
кпзsо
IRF340
2SK316
2SK508
BF996
BF99l
BF966
IRF350
КПЗSОА
ЗN140
КПЗSОБ
BF905
BF960
BF410C
BF245C
BF960
BSS92
BSS89
IRF440
, IRF450
КП327f
КП341А
КП341Б
КП346А-9
КП346В-9
КП347А-2
кпзsов
КП365А
AUYЗS
КП365Б
Гf806Д
AUlll
AU104, AUllЗ
AUYlO
2N2148
LDA405
КП382А
Гf905А
ГТ905Б
К1НТ251
КП717Вl
2NЗ821
КП327В
Гf806Г
m10A
КП717В
КП340
КП327А
КП327Б
mозв
КП717А
КП329Б
АС124
ACI 17
ADl64
AD314, AD542
AD148
2NU73
ADl48, ADY27
AD150, AD162
4NU73
2N1292
2N4077
2N326
2Nl218
AD161
AL102, AUY35
ALIOЗ, AU108
ALlOO, AUY38
mозл
КП710
КП712А
КП329А
Гf405В
mo1A
КП709Б
2SK316
BF960, BF980
BF96l
BF964
BF966
2N5104
Гf405Г
Гf406А
ZVN2120A
ZVN2120C
BSS124
BSS129
BSS88
BSS295
IRF510
IRF520
IRF530
IRF540
СР640, U29l
СР651, U320
IRF610
'IRF620
IRF630
IRF640
BUZ32, 2SK757
МFЕЗООб
АС132, АС188
Гf403Г
KПSOIA
2N382l
2N3822
2N4268, Jl75
MFE3004, 2N4223
2N4224
MFE3004, 2N4223
2N4224
MFE3107
АС124
Гf403В
Аналог
прибора
BUZЗl
Гf402Е
Гf403А
2SC15l5K
2N3329
2N4360
IRF150
IRF240
IRF250
2N4038
UC714, 2N379l
2N377l
2N5397
2N3824
MFE2098
2N3972
NF500, 2N4093
2N3'97l, 2N4393
2N3823
2N5556
2N3823
Тип
Аналоги
КП704Б
Гf402Ж
Гf403Б
Аналог
прибора
7.
КП402А
КП403А
КП440
КП450
КП717Е
КП717Еl
КП718Вl
КП718Г
КП718Гl
КП718Д
КП718Д1
КП718Е
КП718Еl
КП720
КП722А
КП723А
КП723Б
КП723В
КП723Г
КП724А
КП724Б
КП725А
Аналоги отечественнь1х транзисторов
Тип
,
прибора
КП726А
477
Тип
Аналоr
Ана.поr
прибора
КТl
Ана.поr
КТ31026
ВС107ВР, ВС318
КП727А
BUZ90
BUZ71, IRF720
КТ117В
КП7276
MTPЗN08L
КТI 17Г
КП727В
MTPЗN08L
КТl 18А
2N2647
2N4893
MU4894
3Nl05, ЗN74
КП727Г
2SК1057
КТl
ЗNlОб
КП727Д
2SК1087
КТ118В
КП727Е
КТ119А
КП80lВ
2SK700
SGSP201
BUZ307
IRF730
IRGBC40M
IRF710A
IRF710
IRF740
BF960, 2SK60
2SK76A
2SI034
КП801Г
2SК133
КТ201ВМ
КП802А
2SK215, IRF420
IRF420
BUZ54.A:
IRFDl 11
КТ201Г
КТ201ДМ
3Nl07
2Nl671
2N4891
2N2646
2N2647
2N4870
2N4871
2N2432
2N3565
2N2432A
MPS9601
2Nl590
MPS9600
2N2617
2N2932
2N2617
2N2933
КП805А
УТF832
КТ203А
ОС203
КТ3107Е
КП8056
КТ2036
КТ2086
2N923
2N2277
2N2332
2N2333
КТ3107Л
ВС309С, ВСЗ22С
КТ208В
ВСУ91
КТЗ108А
2NЗ250
КТ208Г
ВСУЗЗ,
2N3251
ВСУ12,
2N2334
2N2335
КТЗ1086
КТ208Д
КТ3108В
2NЗ250А
КТ208Е
BCYlO,
2N923
ВСУ90
КТ3109А
КТ208Ж
КТ208И
ВСУ92
КТ3109В
BF680, 2SA983
BF979
BF970
КТ208К
ВСУ93
КТЗl
МА2123
КТ208Л
BCYll
КТ3114В-б
КТ208М
ВСУЗl
КТ3115А-2
КТ209А
КП903А
СР651
КТ209Ж
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
MPS404
КТЗ117А
КП902В
IRFBC40
IRF340
BUZ45
BUZ94
BUZ220
STHI08100
STHI08Nl00
IRFZ44
IRFZ45
IRFZ34
BUZ36
BUZ350
IRF820
IRF830
IRF840
VMPl
VN89AD
VMP4
2NL234B
DV1202S
КП904А
В850-35
КТ209И
МРS404
КТ3123АМ
КП9046
МRF148
КТ209К
КТ31236-2
КП905А
2N4092
3Nl69, IVN5200
IRF132
F2001, UMIL40FГ
F2002, F2013/H
F2003, Fl053
F2005
Fl027
UF28120
КТ209Л
КП937А
2SК1409
КТ3066М
КП944А
КТЗОбВ
КТ1046
IRF9020
.._
IRFRo20
Fl201
BUV48,2SC3040 (3277,3318)
2Nl028
BSZlO
КП727Ж
КП728А
КП730
КП730А
КП731А
КП733А
КП740
КП801А
КП8016
КП8026
КП803
КП804А
КП809А
КП8096
КП809В
КП809Д
КП810А
КП810В
КП812Аl
КП81261
КП812Вl
КП813А
КП813Аl
КП820
КП830
КП840
КП901А
КП901Б
КП902А
КП9026
Юl908А
КП922А
КП92ЗА
КП9236
КП923В
КП923Г
КП928А
КП9286
КП945А
КП951А-2
КП953(А-Г)
КТ104А
\
КТ104В
ОС202
КТ104Г
ОС200,
КТ117А
BRY56
2Nl219
КТl
176
Тип
прибора
186
196
КТ132А
КТ1326
КТlЗЗА
КТ1336
КТ201А
КТ201АМ
КТ2016
КТ201БМ
КТ201В
КТ201ГМ
КТ201Д
КТ203В
КТ208А
КТ2096
КТ209В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТЗ1026М
ВС182В
КТ3102В
ВС108АР,
КТЗ102ВМ
ВС183В
КТ3102Г
ВС108СР
КТ3102ГМ
ВСУ57
КТЗ102Д
ВС184А,
КТ3102ДМ
ВС452
2SC1815
2N2484
КТ3102Е
ВС109СР, ВС319
КТ3102ЕМ
ВС538,
2SC923K
КТЗ102Ж
2N4123
КТ3102ЖМ
ВС183А
КТ3102И
ВСУ65
КТ3102ИМ
2N4123,
КТ3102К
8С452
КТ3102КМ
2N4124, ВС548В
2SC1254
ВС557 А, MPS3703
КТЗlОбА-2
КТ3107А
ВС382С
КТ31076
ВС212А, ВСЗ07 А
КТ31078
BCI 78АР,
КТЗ107Г
ВС308А, ВС558А
КТ3107Д
КТ3107Ж
BCl 78ВР,
BCl 79АР,
BCl 79ВР,
КТ3107И
ВС212С, ВСЗ07В
КТЗ107К
ВС213С, ВСЗОВС
КТ31096
146-6
КТЗl 17 А-1
КТЗl 176
КТ3120А
КТ3121А-6
ВСУ72
ВС308В
ВС309В
ВС559
NE73435
FJ401
2N2121, 2N2221
BFX94, NT2222
2N2121A, 2N2222
BF480, К5002
FJ203
КТ3122А
2NЗОЗЗ
КТ31226
2N5236, 2N5270
2N3953
2SA967
2SC2369
2SC2368
2N441 l
2SC2188
S3640
BF182, BF183
BF362, BF363
BCW89
BCW69
BCF29, BCW29
КТ3123А-2
КТЗ101АМ
MPS404A
MPS404A
MPS404A
2Nl390
2N842
BClOI
2N843
BSX66
MPS2713
2SC601
MPS2713
2SC400
MPS834
BSX67
MPS2714
BSX67
MPS834
2SC1236
КТЗlЗОВ-9
2SC105
ВСУ43, 2N703
BCV7 l, BCW60A
BCF8l, BCV72
BCF32, ВСWбОС
КТ3102А
ВС107 АР, ВСЗl 7
КТЗlЗОГ-9
всwзз
КТ3102АМ
ВС182А
КТЗlЗОД-9
BCW32
КТ209М
КТЗОlГ
КТЗОlД
КТЗОlЕ
КТЗОlЖ
КТЗОбА
КТЗОбАМ
КТ3066
КТЗОбВМ
КТЗОбГ
КТЗОбГМ
КТЗОбД
КТЗОбДМ
КТ3123В-2
КТ3126А
КТЗ126А-9
КТ31266
КТ3127А
КТЗ128А.
КТ3129А-9
'
КТ31296-9
КТ3129В-9
КТЗ129Г-9
ВСFЗО, ВСWЗО
КТЗ129Д-9
КТЗ12А
2SB709
2N702
КТЗ126
ВСУ42,
КТ312В
КТЗlЗОА-9
КТЗ1306-9
Раздел
478
Тип
Тип
Аналог
прибора
КТЗlЗОЕ-9
ВСFЗЗ
КТ3176А-9
КТЗlЗОЖ-9
КТ3179А-9
КТ3132Б-2
2SD601
FJ201F, 2N6617
HXTR6102
КТ3132В-2
HXTRбlOl
КТ3186А-9
КТ3132А-2
Аналог
прибора
2SD602
2SD814
BCV52
2SB1220Q
BFG67, BFG92A
BFR92A
BFR92
BFS17
КТ317А-1
КТ3180А-9
Тип
2N727
КТ349В
ВС158А
КТ350А
MPS6563
КТ351А
ВС216
КТ351Б
ВС192
КТ352А
ВС355А,
КТ352Б
ВС355
КТ355А
КТ361А·2
BFX89, 2N5842
2SC1954
2SA628
2SA495G
MPS3639
2SA495
2N3709
2N3710
2N3710
ВС520А, 2SA778
2SA555
2SA610
КТЗб!Б
ВС250В
КТ3139А
BCW60A
КТ3187А-9
КТ3139Б
BCWбOAR
КТ3187А-91
КТ3139В
BCWбOBR
КТ3187В-91
КТ3139Г
BCWбOBL
КТ3189А-9
ВС847А
КТ355АМ
КТЗlЗА
КТ3189Б-9
ВС847В
КТ357А
КТ3189В-9
ВС847С
КТ357Б
КТЗlЗБ
2N2906, 2SA530
2N4123
2N3250, 2SA718
КТ3191А-9
ВFТ92
КТ357В
КТЗlЗБ-1
ВС317
КТ3191А-91
ВFТ92
КТ357Г
КТЗlЗВ-1
ВС318
КТ3192А-9
КТЗlЗГ-1
ВС319
КТ3196А-9
КТ3140А
УТS4126
КТ3140Б
УТS4125
КТ3140В
РМВТ3906
КТ3198Б
КТ3140Г
ММВТ3906
КТ3198В
КТ3140Д
ММВТ3906
КТ3198Г
КТ3142А
2N2369, 2N5769
КТ3145А-9
ВСWбОАА, ВСХ70АН
КТ3145Б-9
КТ3145В-9
КТЗlЗА-1
Аналог
прибора
КТ349Б
7. Аналоги
2N869
BF569
КТ358А
ММВТ3906
КТ358Б
КТ3197А-9
ММВТ3904
КТ358В
КТ3198А
КТЗбlА
КТ321А
BFR90
BFR90A
BFR9l
BFR91A
BSV64
КТЗбlВ
BCW58
КТ321Б
ММ2260
КТЗбlГ
ВС157,
BCWбOBL
КТ325А
BCW58
КТ325АМ
КТ3145Г-9
ВСWбОА
КТ325Б
КТ3145Д-9
ВСWбОАВ
КТ325БМ
КТ3146А-9
ВСХ71
КТ325В
КТ3146Б-9
КТ325ВМ
КТЗб!И
ВС157
КТ326А
ВС178
КТЗбlК
КТ3146Г-9
BSS69
MMST3906
PBMS3906
2N2615
2SC1215
2N2616
2SCl 188
2SC612
2N5770, 2SC1395
КТЗб!Гl
BCWбOAR
КТ326АМ
КТЗбlЛ
КТ3146Д-9
РВМТ3906
КТ326Б
BFX12
BFY19
BCW62A
2N3964
КТЗбlМ
ВС157
КТ3151А-9
BCWЗl
КТ326БМ
BFXlЗ
КТЗбlН
2SA556
КТ3151Д·9
2SC1009A, ММВТА20
2N2246
BCW60, ВСХ70
BF423
BFP719
BFP720, 2N2712
BFP721
BFP722
2SC64l
2N3397
2N271 l
2SC634
2SC633
BFP722
BF727, BF970
2SD602
2SC235l
BF569
BF569
2N3010
2N4254, NTE107
2N709
MPS654l
2N709A
MPS6543
2SC40
2N4255, KSC1395
2N2784
KSC1730
2SC2295, BF554
2SB970, 2SDl 742
BCF72, 2N397 4
2SB710
КТ337А
2N3304
2N4207
2N3451
BF208
BF199
BFЗl l
BF173
BF197
MPSH37
BSX38A, 2N753
КТЗбlП
ВС557
КТЗбЗА
КТ340Б
ВС218
КТ368Б-9
КТ340В
КТ368БМ
КТ342АМ
BFX44, 2N706A
BSY38
BSY26
ВС107А, 2N929
2SC454B
КТ342Б
ВС107В
КТ372В
2N3546, 2N4260
2N5771
2N4261
MPSL08
BFS62
2N918
BF599
BF597
2N917
2SC3827
2SC380l
BFR90
BFR90
2SC1090
BFR34
2N5652
КТ342БМ
ВС239В
КТ373А
ВС147А, ВС168А
КТ342В
ВС109С
КТ373В
ВС147В, ВС167В·
КТ342ВМ
ВС239С
КТ373В
ВС 148С, ВС 168С
КТ375Б
ВС157, BCW47
BCW88A, 2N3903
BSX80, 2N3904
КТ382А
ММТ2857
КТ382АМ
К2122СВ
КТ3146В-9
КТ3151Е·9
КТ3153А-9
КТ3157А
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
КТ3165А
КТЗlббА
КТ3168А·9
КТ3169А-9
КТ3169А9·1
КТЗ!бА
КТЗlбАМ
КТЗlбВ
КТЗlбБМ
КТ316В
КТ316ВМ
КТЗlбГ
КТЗ!бГМ
КТЗlбД
КТЗlбДМ
КТ3170А-9
КТЗ171А-9
КТ3172А-9
КТ3173А-9
"
"
КТ337Б
КТ337В
КТ339А
КТ339АМ
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
-
КТЗбlАl
КТЗбlД
ВС557
КТЗбlдl
ВС157
КТ361Е
2SA566
КТЗбlЖ
ВС157
КТЗбЗАМ
КТЗбЗБ
КТЗбЗБМ
КТЗббА
КТ368А
КТ368А-9
КТ368АМ
КТ368Б
КТ371А
КТ371АМ
КТ372А
КТ372Б
2N3905
КТ342Г
ВС108С
КТ373Г
КТ342ГМ
КТ375А
КТ343В
2N4124
2N4123
2N3545
BSW19
BSY40
КТЗ82Б
BFW92
КТ345А
ВС513
КТ382БМ
К2113В
КТ345Б
BSY81, 2N3249
2SA568
2N869A
BSY8l
BSY8l
2N726
КТ391А-2
HP3586L
КТ392А·2
ВFЗ!б
КТ399А
КТ399АМ
BFWЗO, 2N2857
2SC1789
КТ501А
SFТlЗO
КТ501Б
SF125
КТ342ДМ
КТ343А
КТ343Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ349А
Аналоги отечественнь1х транзисторов
Тип
Тип
Анал.оr
прибора
КТбllОД
SFlЗI
КТ501Г
ВСУ90В,
КТ501Д
ВСУ38
КТ6111Б
КТ501Е
SFТl24
KTбlllB
КТ50LЖ
SFТl43
КТ6111Г
КТ501И
SFТl44
КТ6112А
КТ501К
ВСУ54
КТ6112Б
КТ501Л
ВСУ94В
КТ6112В
КТ501М
ВСУ39, ВСУ95В
КТбl IЗА
КТ502А
КТбl IЗБ
КТ505А
KSA539R
KSA5390
KSA5450
KSA539Y
KSA545R
8SS68
KSD2270
MPS2712
KSC853R
KSC853R
KSC853R
BSS38
2N3439
2N2727
2N3440
2N54 l 6, MJ4646
КТ505Б
ВFТ19А, ВFТ28С
КТ6115Е
КТ506А
КТ6116А
КТ602БМ
8UX54
BUX84
TRSP5014
BFY80
8F177
BSS38, 2SD668
2Nl566A
2SC1567
КТ6028
ммзооо
КТ6129А-9
КТ602Г
КТ6133А
КТбОЗЕ
SFl23C
8SW36
2SC796
2N2237
BSW36
BSW36
BSW36
КТбОЗИ
2SС151Н
КТ6135Б
КТ604А
2N3742
2SC261 I
BDl15
2SCl61 I
BCIOO
BF471
2SCI056
BF47l
2N5090
RFD40l
BSY34
2Nl959
SS9012D
SS9012E
SS9012F
SS9012G
SS9012H
BFWlб, 2N6135
SS9013D
SS9013E
SS9013F
SS9013G
КТ61358
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
КТ502Е
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
КТ503Е
КТ504А
КТ504Б
КТ504В
КТ506Б
КТ509А
КТбОIА
КТ602А
КТ602АМ
КТ602Б
КТбОЗА
КТбОЗБ
КТбОЗВ
КТбОЗГ
КТбОЗД
КТ604АМ
КТ604Б
КТ604БМ
КТ605А
КТ605АМ
КТ605Б
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ608А
КТ608Б
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6!09Г
КТ6109Д
КТбlОА
КТбllОА
КТбl IОБ
КТбllОВ
КТбl IОГ
КТбl l'IА
2N 1221
КТ6113В
КТбl IЗГ
КТбl IЗД
КТбl IЗЕ
КТ6114А
КТ6114Б
KT6l l4B
КТ6114Г
КТ6114Д
КТ6114Е
КТ6115А
КТ6115Б
КТ6115В
КТ6115Г
КТ6115Д
КТ6117А
КТ611А
'
KTбl
IAM
КТбl lБ
КТбl IБМ
КТбl
18
КТбl IГ
КТбlЗЗБ
КТбlЗЗВ
КТ6134А
КТ6134Б
КТ6134В
КТ6135А
КТбlбА
КТбlбБ
КТ617А
~
-
КТ618А
-
Тип
Аналоr
прибора
КТ501В
КТ502Б
479
SS9013H
SS9014A
SS9014B
SS9014C
SS9014D
SS9015A
SS9015B
SS9015C
SS9018D
SS9018E
SS9018F
SS9018G
SS9018H
SS90181
SS8050B
SS8050C
SS8050D
2SC2001M
2SC2001L, 2SDl513L
2SC2001K, 2SDl513K
SS85508
SS8550C
SS8550D
2SA952M
2SA952L
2SA952K
2N5401
2N5551
BFl 11
2SD668A
8Fl79B
2SD668
BFl40A
BFll4
8FP194
SS8550B
SS8550C
SS8550D
SS80508
SS8050C
SS8050D
ZTXQ58
MPSA42
MPSA43
BSX89
8SYl 7, 2N914
2Nl838
BFI 79С, MJ420
КТ635А
КТ640Б-2
2N4960
2N2725, 2N3725
MPSLOI, 2SC589
BD227
BD227, 2SA743
BD840
MPSU55
BD229
MPSU56
2SA743A
2SA715B
NE21960
2SCl950
КТ642А-2
АТ41485
КТ635Б
КТ638А
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ640А-2
КТ643А-2
HXTR4101, NE98203
КТ644А
ВС527-6
КТ644Б
ВС527-10
КТ645А
КТ662А
MPS6532
ВС547, 2SC367G
80827, 2SC495
2SC496, BD825
NE56755
HXTR2!01
NE021-60
LAE4000Q
2N3737
GES2219
2SD467D
2N2907A
2N2905A
КТ664А-9
8СХ51, ВСХ53
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ647А-2
КТ648А-2
КТ657А-2
КТ657Б-2
КТ659А
КТббОА
КТббОБ
КТббlА
КТ664Б-9
8СХ52
КТ665А-9
8СХ54, ВСХ56
КТ665Б-9
ВСХ55,
КТбббА-9
BF620
BF621
2SAI032
КТ667А-9
КТ668А
КТ668Б
2SAiOЗ08
2SA1030
КТ674АС
МРQЗ906
КТ680А
КТ682А-2
MPS2925, 8С368
MPS3395, ВСЗ69
HXTR6!02, FJ403
КТ682Б-2
АТ41485
КТ683А
2SCI080
2SC2481
2SD414
2N6178, BD230
MJE180, 2SD415
2N6179
2N6448
2N4291
2SAl274
2N6015
MPS2907K
MPS2907AM
MPS2907AL
2N6013
2N3703, 2N5334
2N5356
2N5373
2SAl515
2SA966Y
2N3638, 2S564
2SAI lбОА, 2SA952L
КТ681А
КТ683Б
КТ6838
КТ683Г
~N3671
КТ683Д
КТ620Б
2N2904AL
BD136, D41DI
80138
8Dl40
2SAl356
2SAl356
BFY67A, 2Nl893
ВСЗОО, 2Nl890
2N2990
8С140, 2Nl889
8CI 19, 2N697
BFY68
2N3495
MPSL51
2N2369
2N2368
КТ683Е
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТбЗОА
КТбЗОБ
КТбЗОВ
КТбЗОГ
КТбЗОД
КТбЗОЕ
КТ632Б
КТ632Б-1
КТбЗЗА
КТбЗЗБ
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
-
2N 1777
КТ668В
КТ620А
КТ626А
Аналоr
прибора
КТ685Д
КТ685Е
КТ685Ж
КТ686А
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
Раздел
480
7.
АнаJJоги
Тип
Аналоr
прибора
Тип
Аналоr
прибора
Тип
Аналоr
прибора
КТ686Е
2SAl 160В, 2SA952K
КТ8107Е2
BU207A
КТ8141В
BDX53A
КТ686Ж
2N4889, 2N3638A
КТ8108А
BUX47
КТ8141Г
BDX53
КТ692А
2N4234, 2N37l 7
КТ8108А-l
BUV66A
КТ8143А
BUP47, BUV19
КТ693АС
TPQ704l
КТ8108Б
BU326
КТ8143Б
BUT90
КТ704А
2N3585, BU143
КТ8108Б-l
BUТll
КТ8143В
BUT91
КТ704Б
BDY93
КТ8108В
BU326A
КТ8143Г
BUL47A, BUP54
КТ704В
2N3583
КТ8108В-l
BUV46
КТ8143Д
BUP47, 2N6274
КТ710А
2SD62l, 2SD838
КТ8109А
ТIPl5l
КТ8143Е
BUP47
КТ712А
BDX54F
КТ8110А
2SC4242, 2N6499
КТ8143Ж
BUP53
КТ712Б
BDX54F
КТ8110Б
2SC4106
КТ81433
BUT92
,
КТ715А
2SD62l, 2SD995
КТ8110В
2SC4106L
КТ8143И
2SD372
КТ716А
ПРl
ТIР122
КТ8112А
МJЕlЗООЗ
КТ8143К
BUP46
КТ716Б
ТIPlll, ТIР121
КТ8114А
BU508A
КТ8143Л
2SD373
КТ716В
ТIPl
КТ8114Б
SGSF444
КТ8143М
2SD374, BUP53
КТ716Г
SE9300
КТ8115А
ТIР125
КТ8143Н
BUP47
КТ719А
BD379, MJE290
КТ8115Б
ТIР126
КТ8143П
2SD373
КТ720А
BD170
КТ8115В
TIP127
КТ8143Р
2SD373
КТ721А
BDl 72, BD237
КТ8116А
TIPl 20
КТ8143С
2SD372
КТ722А
2SA102l
КТ8116Б
ТIР121
КТ8143Т
BUV18
КТ723А
BD50l В, BD543D
КТ8116В
TIP122
КТ8143У
BUP5l
КТ724А
BD744D, BD802
КТ8117А
2SC3306
КТ8143Ф
BUP52
КТ728А
BDW51A
КТ8117Б
2N6931
КТ8144А
MJ13334, BUX98
КТ729А
2N377l, 2SD630
КТ8118А
2SC3150
КТ8144Б
2SCl 139
КТ729Б
2N3237, 2N3772
КТ8120А
2N6928
КТ8145А
MJE13009
КТ730А
2N3240, 2N3773
КТ8121А
SGSF344
КТ8145Б
MJE13009, 2SC4109
КТ801А
BSX63
КТ8121А-2
BU208A
КТ8146А
BUX48B, 2N6575
КТ801Б
BSX62
КТ8121Б
2SC4756
КТ8146Б
BUX37
КТ802А
BDX25, 2N505l
КТ8121Б-2
BU208
КТ8147А
BUX47, BUW26
КТ803А
BDY23
·КТ8123А
2N6477
КТ8147Б
BUW24, BUXl 5
КТ805А
BDY60
КТ8124А
BU408
КТ8149А
MJ2955
КТ805АМ
2SC3422
КТ8125А
BD243C
КТ8149А-l
TIP2955
КТ805Б
BD109, BD123
КТ8125Б
BD243B
КТ8149А-2
MJE2955T
12,
10, ТIР120
,
КТ805БМ
BD719
КТ8125В
BD243A
КТ814А
ТIРЗО
КТ805ВМ
BD720
КТ8126А
MJE13007
КТ814Б
BD166, MJE710
КТ807А
MPSU07
КТ8127А
BU208A
КТ814В
BD168, MJE71 l
КТ807АМ
BD237
КТ8127А-l
BU508Fl, 2SDI577Fl
КТ814Г
BDI70, MJE712
КТ807Б
MPSU05
КТ8127Б
BU208
КТ8150А
2NЗО55
КТ807БМ
2N49:2З
КТ8127Б-l
BU508, 2SC3480
КТ8150А-l
ТIР3055
КТ808А
BLY47
КТ8127В
SGSF444
КТ8150А-2
MJE3055T
КТ808АЗ
BDT93, BDT94
КТ8127В-l
2SC3459
КТ8154А
2SCl 141
КТ808АМ
2SC1619A
КТ8129А
2SDl 174
КТ8154Б
BUX98A, 2SCl 144
КТ808БЗ
BDT95
КТ812А
BDY94
КТ8155А
BUL47A, ESG99
КТ808БМ
BDY71, 2SC1618
КТ812Б
BU106
КТ8155Б
BUX98AX, 2SC2 l 47
КТ808ВМ
2SC1619A
КТ812В
BDY25
КТ8156А
BU807
КТ808ГМ
2N5427
КТ8130А
2N6034, BU406
КТ8157А
BU208A, 2SD350
КТ809А
BD216, BLY49
КТ8130Б
2N6035
КТ8157Б
2SC3688, BU208
КТ8101А
MJE4353, BDY96
КТ81ЗОВ
2N6036
КТ8158А
BDV65
КТ8101Б
2SAl 106
КТ8131А
2N6037
КТ8159А
BDV64
КТ8102А
MJ2955
КТ8131Б
2N6038
КТ815А
BD165, ТIР29
КТ8102Б
BD546D, MJE4553
КТ8131В
2N6039
КТ815Б
BD167, MJE720
КТ8104А
MJl 1021, BDX66C
КТ8136А
MJE13006
BD169, MJE72l
КТ8105А
MJl 1020, 2SD1287
КТ8136А-l
BU408D
KT81QB
КТ815Г
КТ8106А
BDV66B, MJH6285
КТ8137А
BD4 l О, BUX86
КТ8164А
MJE13005
КТ8106Б
2SB883, MJH6286
КТ8138А
2SC4 l 06, 2SC2335
КТ8164Б
MJE13004
КТ8107А
BU508A, BUV48A
КТ8138Б
2SC4242, 2SC3056
КТ816А
BD436, ТIР32
КТ8107А2
BU208A
КТ8138В
MJE13005, 2SC4542
КТ816А-2
2SB435U
КТ8107Б
BU508
КТ8138Г
MJE13007
КТ816Б
BD 176, BD234
КТ8107Б2
BU208
КТ8138Д
BU406, 2SC3057
КТ816В
BD 178, BD236
КТ8107В
BU508A
КТ8138Е
BU406D
КТ816Г
BD180, BD238
КТ8107В2
BU208A
КТ8138Ж
MJE13008, 2N6929
КТ8170А-l
МJЕlЗООЗ
КТ8107Г
BU508
КТ8138И
MJE13009, 2N6930
КТ8175А
МJЕlЗООЗ,
BD8l 8, MJE722
BUX79
КТ8107Г2
BU208
КТ8140А
BU408
КТ8175А-1
2N6773, 2SC2333
КТ8107Д
SGSF464
КТ8140А-l
BU408D
КТ8175Б
2SC3840
КТ8107Д2
SGSF564
КТ8141А
BDX53C
КТ8175Б-l
2N6772
КТ8107Е
BU508D
КТ8141Б
BDX53B
КТ8176А
ТIРЗlА
Аналоги отечественнь1х транзисторов
Тип
Аналог
прибора
481
Тип
Аналог
прибора
Тип
Аналог
прибора
КТ8176Б
ТIРЗlВ
КТ830Г
2N4236
KT856A-l
КТ8176В
ТIРЗlС
КТ834А
SDN6002
КТ856Б
КТ8177А
ТIР32А
КТ834Б
SDN600l
КТ856Б-l
2SC3450, BU2520A
BUX48
/
2N6932, 2SC3277
КТ8177Б
ТIР32В
КТ834В
SDN6000
КТ857А
КТ8177В
ТIР32С
КТ835А
2SB906
КТ858А
BU409
BU40&, BU406
КТ817А
BD433, ТIРЗl
КТ835Б
BD434
КТ859А
BUX84
КТ817Б
BD175
КТ837А
BD534, ТIР42С
КТ862Б
XGSRI0040
КТ817Б-2
2SD880
КТ837Б
BD536
КТ863А
BDY92, 2N6669
КТ817В
КТ837В
BD234
BD225
2SB434
КТ863Б
КТ817Г-2
BD177
BD179
BDl 79-16, 2SC1826
КТ8181А
MJE13005
КТ837Е
КТ865А
КТ8181Б
MJE13004
MJE13007
КТ837Ж
2N6125
2N6124
2SC25l 6, 2SC3568M
2SD536, 2N62 l 6
2SA1180
КТ867А
BUY2l, 2N634l
КТ837И
2SB435
КТ868А
BU426A, BUWl lA
MJE13006
BU208DX
КТ837К
BD944
КТ868Б
BU426, BUWI l
КТ837Л
2N6126
КТ872А
BU508, MJE13005
КТ8183А-l
S2000Fl
КТ837М
BD223
КТ872Б
BU508A
КТ8183А-2
BUH315D
КТ837Н
iI0223
КТ872В
BU508D
КТ8183Б
SGSF564
КТ837П
2SB435G
КТ873А
КТ8183Б-l
SGSF464
КТ837Р
КТ874А
BDX53C
BUW39
КТ8183Б-2
BUHЗlЗD
КТ837С
2SB434·
BD225
КТ874Б
2N5672
КТ818А
КТ837Т
BD948
КТ878А
КТ837У
2SB435
КТ878Б
BUX98
2N6546
КТ818АМ
BD292
BD546C
2N6469, BDW52
КТ837Ф
2N6678, BUX25, BUX98, А
BD202, BDT92
КТ838А
BD224
BU204
КТ878В
КТ818Б
КТ879А
2N6279, 2N6282
КТ818В-1
BD546B
КТ838Б
BU208
КТ879Б
КТ818БМ
КТ839А
MJ3480, 2SD380
КТ885А
КТ818В
BDW22
BD204, BDT94
2N6278, 2N6281
BUS98, BUV74
КТ840А
2N6543, BU326A
КТ885Б
BUV98A
КТ818В-l
BD546A
КТ840Б
BU126, 2N6542
КТ886А-l
2SC306l
КТ818ВМ
КТ840В
BU326
КТ886Б-l
BU508A, 2SC3637
КТ818Г
BDW52A
BD538, BDT96
КТ841А
BDX96, 2N6560
КТ887Б
АР1009
КТ818Г-l
BD546
КТ841Б
2SC2122
КТ888А
STP70S
КТ818ГМ
BDW22C
КТ84lВ
MJ10002
КТ888Б
STP60S
КТ819А
BD29 l, TIP4 l
КТ841Г
UPT315, BDX96
КТ890А
КТ819А-l
BD545C
КТ84lд
КТ890Б
КТ819АМ
BD18l
BD202, BDT9l
КТ841Е
КТ890В
BUV37
BUV37
BU9302P
КТ819Б
КТ842А
2SD418
BUW35
2SB506A
КТ892А
ТIР661
КТ819Б-l
BD545B
КТ842Б
TIP519
КТ892Б
BU932Z
КТ819БМ
BD142
BD201, воt9З
КТ842В
MJ410
КТ892В
ТIР662
КТ819В
КТ844А
UРТ732
КТ893А
BU286
КТ819В-l
BD545A
КТ845А
BU508D
BD182
КТ846А
DT4305
BU208A
КТ895А9
КТ819ВМ
КТ896А
BDV64B, SGSD200
КТ819Г
BD203, BDT95
КТ846Б
BU207
КТ896Б
КТ819Г-l
BD545
КТ846В
BU208
КТ897А
BDV64, ТIР146
BU931Z
КТ819ГМ
КТ847А
КТ848А
2N6678, 2N6672
BU608, BUX37
КТ898А
КТ825Г
BD183
BDX62A, MJ403l
КТ898А-l
BU931ZP
BU931ZPFI
КТ825Д
BDX62, MJ2500
КТ850А
2SC216B, 2SD6l0
КТ899А
ТIР132
КТ825Е
BDX86
КТ850Б
BD12l
КТ826А
BU132
КТ851А
MPSU04
2SB546A, 2SB630
КТ902А
КТ902АМ
BDX35
КТ826Б
КТ851Б
2SA1009
КТ903А
КТ851В
КТ903Б
КТ852А
2SA740, 2SB546
TIPl 17
2N2947
2SC517
КТ827А
2SD312
BU132
BDX63A, MJ352 l
КТ904А
2N3375
КТ827Б
BDX65
КТ852Б
ТIPl
16
КТ904Б
2SC549
КТ827В
BDX85, MJ3520
КТ852В
ТIPl
15
КТ907А
КТ828А
BU326A
КТ852Г
ТIPl
15
КТ907Б
2N3733
2N4440
КТ828Б
2SD640
КТ853А
ТIР127,
BDX54C
КТ908А
BDY92
КТ828В
BUX97B
КТ853Б
ТIР126,
BDX54B
КТ908Б
BDY92
КТ828Г
2SD640
BD263A, ТIР122
КТ853В
ТIР125,
2N5l 77
КТ853Г
BDX34
BDX54A
КТ909А
КТ829А
КТ909Б
2N5l 78
КТ829Б
BD263, ТIР121
КТ854А
2SC3257, TIP50
КТ909В
КТ909Г
КТ9101АС
2SC2042
2SC2l 73
FJ0880-28
КТ9104А
MRA0610-3
КТ9104Б
MRAOбl0-18
КТ9105АС
BALO l 05-100
КТ817Г
КТ8182А
КТ8182Б
КТ8183А
КТ818А-l
КТ826В
..
КТ837Г
КТ837Д
КТ863В
КТ864А
ВDЗЗl, ТIР120
КТ854Б
BD675
КТ855А
2N4234
SML3552, 2N4235
КТ855Б
КТ830Б
КТ.8558
MJEl3006, 2N5540
BD566
BDT42C
BDT45C
КТ830В
2N4236
КТ856А
BUX48A
КТ829В
КТ829Г
КТ830А
'
'
BD245
Раздел
482
Тип
Аналог
прибора
Тип
КТ9109А
MSCI550M
КТ9198
КТ9111А,
РТ9790А
КТ919Г
·КТ9115А
8F472, 8F849
КТ920А
TPV394
TPV375
КТ920Б
КТ920Г
КТ911Б
2N4976
2N4429
КТ9118
2N5481
КТ922А
КТ911Г
КТ922Б
КТ9120А.
2SC3607
D45H5
КТ9121А
АМ82731-45
КТ9121Б
27АМ05
КТ9125АС
КТ9126А
КТ9127А
MSC81550M
КТ9258
КТ9128АС
8AL0102-150
КТ925Г
КТ912А
2N5070, 2N6093
КТ926А
КТ912Б
КТ926Б
КТ927А
КТ9133А
2N6093
2SC2688N, 2SC4001
TPV376
КТ9134А
НЕМ35088-20
КТ928А
КТ9134Б
S01543
КТ928Б
КТ9136АС
SDI565, UDR500
КТ913А
8LX92, 2N4430
КТ913Б
КТ913.8'
КТ9116А
КТ9116Б
КТ911А
КТ9130А
Аналог
прибора
КТ9208
Тип
2N5483, MSC2001
PK823003U
КТ961Б
80137
КТ9618
2N5589
8LW18
КТ961Г
80135
80132
2N5591
8LY88A
DMl0-28
DM20-28
КТ962Б
КТ9628
ОМ40-28
2N5707, Sl0-12
2N5641
КТ963А-2
MJ250
КТ963Б-2
2N5642
2N5643
КТ965А
ML500
Sl0-12
КТ966А
S30-12
КТ922Г
8LW24
КТ967А
S70-12
КТ922Д
2N4128
КТ969А
8F469
8AL0105-50
КТ925А
С3-12
КТ970А
C2Ml00-28A
ТН430
КТ925Б
С12-12
КТ971А
8М100-128
С25-12
КТ972А
80877
2SC1001
КТ972Б
80875, 80477
2Nl902
КТ973А
80876
2Nl904
2N4933
КТ973Б
804668
КТ976А
РНI
КТ921А
КТ9228
Аналоги
Аналог
прибора
КТ962А
7.
2N6093
8SS29, 2N22 l 7
8SX32, 2N22 l 8
КТ977А
КТ979А
l 14-50C
SD1546
PZ816040U, РНI 114-60
КТ980А
СМ40-12
КТ9288
2N2219
КТ980Б
ТН430
КТ929А
82-8Z, 2N5719
КТ981А
А50-12
8LX93, 2N4431
КТ930А
2N6362, СМ75-28
КТ983А
8LX96
NEIOlOE-28
КТ930Б
2N6364
КТ983Б
8LX97
КТ9141А
LП839
КТ931А
2N6369, 8М80-28
КТ9838
КТ9141А-1
LT1817
КТ932А
2N3741
КТ984А
8LX98
MSC1075M
КТ9142А
2SC32 I 8, TPY505 l
КТ932Б
КТ984Б
MSC1250M
КТ9143А
LT5839, 8FQ253
КТ9328
80132
2N4898
КТ985АС
8AL0204- l 25
КТ9144А-9
8F623, 2SA 1584
КТ933А
8С160-2
КТ986А
1214Р400
DME250
DME375
КТ927Б
'
КТ9145А-9
8F622
КТ933Б
8С139
КТ986Б
КТ9146А
АМ1416-200
КТ934А
С3-28,
КТ9868
КТ914А
2N5161
TPV595A
2SC3812
КТ934Б
2N6202, 2SC1021
С12-28, 2N6203, 8LY22
КТ9348
С25-28,
КТ996А-2
8FP95
КТ934Г
2N5589
2N5590
КТ996Б-2
FJ9295CC
КТ997А
2N6669
КТ9150А
КТ9151А
КТ9152А
КТ934Д
-БАLО105-50
КТ9153БС
2SC3660
TPV5051
КТ935А
80U53
КТ997Б
D44Нl
КТ9155А
2SC3217
КТ936А
2N5709
КТ9978
D44H2
КТ9155Б
2SC3218
КТ937А-2
MS0146
КТ999А
8F869, 8F715
КТ91558
J02058
КТ937Б-2
РТ842003Х
КТСЗО3А-2
MD986
КТ9156БС
MRA05 l О-50Н
КТ938А-2
MSC4001
КТС3103А
MD5000
КТ9157А
2SC2270
КТ939А
2SC1262, 2N3866
КТС3103Б
МО50008
КТ9160А
MRF430
SD1565
КТ939Б
SD1308
8F298, 2N3440S
КТС3174АС-2
SL362
КТ9161АС-
КТС393А-9
Кт9164А
SD1540
КТ940Б
8F458
8F297, 8F457
КТС393Б-9
КТ940А
КТСЗ94А-2
MD5000
MD50008
MD1130
MRF2010
80375
КТС395А-1
MDl 129
КТС398А94
MD918F
КТ943Б
80377
КТС398Б94
MD918AF
КТ9438
BD131
КТС613А
MQ2218
КТ9166А
044Н5,
КТ916А
КТ9428
КТ916Б
2SC1805
2N5596, 2N6208
КТ9173А
TPV376
КТ9176А
2S8772
8UY26
·
2N6204, 8LУ92А
КТ991АС
КТ9408
КТ943А
КТ9177А
2S0882
КТ943Г
80230
КТС613Б
MQ2218A
КТ9180А
80132, 80330
КТ943Д
КТС6138
MQ2218
КТ9180Б
MJE170, MJE230
КТ944А
80379
S80-28
КТС613Г
КТ91808
MJE 171, MJE233
КТ945А
8DY90, 2SC519A
КТС622Б
MQ2218
MHQ2906, 2N5146
КТ9180Г
MJE172
КТ946А
012-28
КТС631А
МНQ2369
КТ9181А
80326
2SD1348
КТ947А
2N6047, 8ОР620
КТС631Б
КТ948А
КТС631В
MHQ2369
MHQ2221
КТ918JВ
МJЕ181
КТ948Б
MRF2005M
TRW2020
КТ9181Г
MJE182
SD1492
КТ955А
КТ9181Б
КТ9182А
КТ956А
Sl0-28
S80-28
КТС631Г
МГТ108А
MHQ2221
2Nl30
МГТ108Б
NКТ73
КТ918А-2
PK83000U
КТ957А
Sl50-28
МГТ108В
2Nl32
КТ918Б-2
LКЕ32002Т
КТ958А
8М40-12
МГТ108Г
ACl 70, ACl 71
КТ919А
2N5596, MSC2005
КТ960А
СМ40-12
МГТ108Д
АС150
КТ919Б
2N5768, MSC2003
КТ961А
80139
МП20А
АС121,
ASY26
Аналоги отечественнь1х диодов, варикапов и стабилитронов
Тип
Тип
Аналог
прибора
АС125, АС132
П210Б
МП21В
П210В
МП25
2N60A
2N60C
2N59C
2N61C
2Nl89
МП25А
АС116
П214
МП25Б
П214А
МП26
2N43
OCl 12
МП26А
МА909
П214В
МП26Б
АСУ24
П214Г
МПЗ5
П215
МПЗ8
2N444
ACl83
2N444A
2SD75
2N94
МПЗ8А
АС183
П216Г
МПЗ9
SFТ306
МПЗ9Б
МП40
Тип.
Аналог
прибора
МП20Б
483
ПЗО7В
П216
AD 142, AD545
AD143
2N3614
AD139, AD262
2N2835
AD1202
2N2660
AD263, AD457
AD1203
AD263
AD262
AD469, AD439
AD 138, AD302
П216А
ADlЗO
П417Б
П216Б
П422
П216Д
2Nl78
AD145
AD313
AD312
АС540
П217
ADlЗO,
П606
П217А
МП40А
2SB173
ОС70, 2N44A
МП41
АС540
П217В
МП41А
АС542
П217Г
МП42
ASY70
ASY26
AF266, ASX 11
ADP671
ADP670
ADP672
2SB467
2N3614
2N3614
МП21Г
МП21Д
МП21Е
МПЗ6А
МПЗ7А
МПЗ7Б
МП42А
МП42Б
П201АЭ
П201Э
П202Э
П20ЗЭ
П210
П210А
7.11. Аналоги
Тип
П213
П21ЗА
П213Б
П214Б
П216В
ПЗО7А
ПЗО7Б
Тип
д24ЗБ
д208
Д2О9
д210
П423
П605
П605А
П606А
П607
П607А
П608
П608А
П609
П702
П702А
SFТ357
Тип
Аналог
прибора
д243
Д207
П417А
П701Б
П307
1N616
SA283
1N485
1N487
1N488
1N873
Д202
П417
П701А
ААIЗО
Д106А
П416Б
ОС42
ДIОА
Д106
П416А
AFY15
2N734
2N735
2Nl566
ДIОБ
Д105А
П416
пзо
ДIО
Д105
П40ЗА
П29А
1N204
1Nl38A
1N391
1N388
1Nl795, 1N210
1Nl844
1N344
1N75
1N75
SG21 l
1N899
SG21 l
1N899
AAl 12, SED107
Д104А
2N2089,
2N2089
2N602
2N604
2SA279
2Nl727
2Nl726
2Nl865
2Nl524
2SA111
2SA416
2SA416
2SA416
2SA416
AUYIO
AUYlO
AUYlO
AUYIO
2SA374
2SA374
2SC893
2Nl714
2SC525
BUY43
BUY46
П609А
ГД402Б
Д104
SFТ316H
П403
П701
д22ЗБ
ДЮЗА
П402
ОС41
lNЗOO
Д102А
2N738, BSY79
SFТЗl 7
АС160
ГД402А
Д102
ПЗО9
П401
П28
д211
Д101А
ВС285
П29
1N994
1N994
Д101
ПЗО8
П27А
П27
ГД107Б
ГД511А
2N560
2N738
AD163
ASZ16
AUY19
ASZ18, ASZIOl 7
ASZ17
2Nl75
2N220
П217Б
'
ПЗО7Г
отечественных диодов, варикапов и стабилитронов
Аналог
прибора
ГД107А
П210Ш
Аналог
прибора
Аналог
прибора
Д2Б
Д2Д
CDLLЗOO
Д2Е
Д229Л
1N874
1N913
1N458
1N341
1N324
1N332
1Nl487
1N539
1Nl490
д232
10А400
ДЗО5
Д232А
10А400
Д7Ж
Д232Б
Д811
Д233
1Nl069
1N2256
Д814А
CDLL400, 1Nl844
СТ163, 1NI846
1N393
IN2350
1Nl059
1N2246
1N443
1S743
1Nl927
Д234Б
ЕЗКЗ
Д901А
РС116
д237А
1N553
IN604
IN2248
1N250
1Nl061
1N2023
IN1062
1N2025
1Nl063
1N2236
Д901Б
РС116
Д901В
РС116
Д901Г
РС116
Д901Д
РС116
д223
д229А
д229В
д229Е
д229Ж
д229К
д237Ж
д242
д245
д245Б
Д246
д246В
д247Б
д2В
DA203X
1N302
д2Г
CDLLЗOO
д2Ж
д2И
дзоз
Д304
Д901Е
РС116
Д902
V910
Д9В
АА137,
КВIОIА
КВ101Б
КВ102А
.
1N87
PVI505-15
PV1505-15
WC925
\
Раздел
484
Тип
Аналоr
прибора
КВ102В
WC925
WC925
WC925
WC925
КВ102В
кв102r
КВ102Д
Тип
прибора
Ана.11оr
,
Тип
Aнuor
прибора
КВ144А
ВВ909
кд221Г
КВ!46А
МАЗ45
кд226А
1N3983
1N3359,
КВ149А
BBJ 13,
88505
КД226В
UТ3020
кд226В
КВ152А
8В505В
7. Аналоги
ВУ259
КВlОЗА
РVООЗ
КВ15ЗА
ВВ515
КД226Г
КВ103Б
КВ154А
88609
КД226Д
КВ154Б
В8609А
КД238АС
МВR1545СТ
VSК2045
кд238ВС
10СТQ169
KBI57A-9
88620, 88551
88515
88619
КД238БС
КВIОбБ
PV003
VVC901
VVC1027
PV008
PV008
1N487A
SDAl l3E
SDAI 13Р
КД240Г
КВ107А
РН1217
КВ158А-9
ВВ620
КД240Д
КВ107Б
РН1237
КВСl
llA
88104
кд240Е
КВ1078
8В404
K8Cl
11Б
ВВ104
КД240Ж
КВ107Г
СV8Зб
КВС120А-1
кд240И
КВ109А
ВВ405
кд240К
1N4245, BYW95
1N5006, BYV95
1N5061
1N3938, BYD33
1N3939
IN3940
КВ109Б
ВВ505
кд241А
ВУ228
КВ109В
ВВ109
кд243А
КВ104А
КВIО5А
КВIОбА
...
КВ155А-9,
Al
К8156А-9
КВ113Б
МА4761
КД105Г
КВI 14А
КД106А
К8114Б
VLA722S
VLA722S
88113
88113
88113
1N3183
1N487
NS2000
1Nl624
1N220
1N535
1Nl257
IN3359, 8AW49
КД109А
МТ5140
КД244Б
КВ115А
МА4КО72-184
КД109В
ВАУ46
кд2448
КВI
,
КВС120А
КВС120Б
КД102А
155
МА4КО72- 184
КД109В
МТ2061
кд244Г
КВ115В
МА4КО72-975
КД126А
8У289-300
кд247Б
IN4001
IN1067, IN4002
SDR6003, 1N4003
IN4004
IN4005
IN4006
1N4007
8YV32-150
8YWI7-IOO
BYWS0-200, 8YW17-200
8YW80-200
1N2236
КВl lбА-1
DКV6517
КД127А
ВУ229-900
КД248А
8UТ13-1000
КВl 17А
VVCI638
ZC833
кд202Р
КВ119А
DКV6516
КД2028
КВ121А-9
8В721
КД202Д
КВ12IА
КД202Ж
КВ121Б
88109G, 88109
B8109G, 88109
кд202К
1N'5406
Al 15Г
IN4724
1NI584
IN1584
GSA30E
кд268А
КВ117Б
КВ122А-9
ВВУ31, ВВ1058
КД202М
ТМ57
кд2698
КВ122А
ВВ205
КД204Б
КД269Г
КВ122Б
88105
КД2048
КВ1228
ВВ405
КД205А
КВ123А
88209
88504
кд205Б
КВ109Г
ВВУ31
КД102Б
КВIIОВ
VVC8бl
КДIОЗА
КВl 12А-1
N5465C,
N5465C,
VVC898
КВ112Б-1
КВ113А
ВА102АLВ
КД104
ВА102АLВ
КД104А
КД1058
кд202А
кд24ЗБ
кд24ЗВ
кд243Г
КД243Д
КД243Е
КД243Ж
КД244А
кд268Б
КД268В
кд268Г
КД269А
КД269Б
КВ129А
151617
кд208А
КВIЗОА-9
ВВУ42, ВВЗО9
кд209А
КВ1ЗОА
ВВЗО9
кд209Б
КВ131А
ВВЗJЗ
кд209В
КВ132А
КВ136Г
SVC251
ZC83l, SVC151
IN5446B
IN5448A
IN5448
IN5448
КВ138А
VSК140
кд213Б
IN531
IN1251
ISI231
IN533
IN552
IN551
IN320
JN555
INI258
IN538
1N2256
1N2258
GPP15B
IN1053
1Nl126
1Nll28
JN3367
IN2260
1Nll24
IN3361
IN3359
lN3359
8YWl7-200
lS411
,КВ138Б
VSК140
кд213В
Gl502
КД412В
кд213Г
IS410
1N2349
IN3981
IN3982
КВ124А
кд2058
КВ126А-5
ВВ209
КД205Г
КВ126АГ-5
КД205Е
КВ127Б
88209
88313
88313
КВ127В
ВВ313
КД205Л
КВ127Г
88313
КД206Б
КВ128А
СVlбЗО
КД206В
КВ128АК
СVIбЗО
КД208А-1
КВ127А
КВ134А9
КВ136А
КВ136В
КВ136В
КВI39В
КВ139А
КД205Ж
КД205И
ВВ212
-
VC885D,
КВI42А
ВВ113
КВ142Б
ВВ113
ВВ112
кд210Б
кд212А
кд212Б
кд212В
кд212Г
кд213А
кд221А
кд221В
•
КД221В
1
КД270А
КД270Б
кд2708
кд270Г
КД271А
ЗOWQOЗF
· 30WQ04F
30WQ06F
30WQlOF
SR520
50WQ04F
SR580
50WQIOF
SK802
MBR750
SK808
8TQIOO, SR504
SRI002
кд271Б
IOТQ945
кд271В
КД2728
MBR1070
MBRIOIOO
MBRl520
15CTQ045
Sl5S6
кд272Г
lбCTQIOO
кд271Г
кд272А
кд272Б
КД273А
M8R2520
кд27ЗБ
20ТQО45
кд273Г
МR2402F
кд2991А
КД407А
SD51
IN58I6
ISR19-IOO
BUS41
lN3097
КД409А-9
8АП8
КД409Б-9
КД503
BAS82
1N2559
1N2571
ISV87
КД504А
IN4450
КД2995А
кд2997Б
КД2998А
КД412А
КД509А
КД510А
1N903A, 15953
1S954
ВА У7 4,
1
Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов
Тип
Аналог
прибора
Тип
КД513А
МА166
КС126Л
КД514А
КС126М
КД522А
15426
IN137A
1NI37A
IN993
1N914A
IN914A
IN914A
IN904A
15953
КД529В
RМ15ТС40
КС128Е
КД529А
RМ15ТС40
КС128Ж
КД532А
МА856
КС128И
КД629АС9
КС128К
КД706АС9
SOBAX-12D, ВАУ84,
155226
BAV70, 155184
BAW56, 155181
КД707АС9
ВАУ99, МА161К
КСIЗЗГ
КД710А
155135
КС139А
КД711А
МА165
КС139Г
КД805А
BAW62
КС147А
КД808А
ВАТ42
КС147Г
КД810А
ISSl74
КС156А
КД811Аl
ВА516
КД8l1А
КД519А
кд519Б
КД520А
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД704АС
Аналог
_прибора
485
Тип
Аналоr
прибора
КС213Е
BZX30Cl3
КС213Ж
ВZХЗОСIЗ
КС215Ж
IN1986A
КС128Б
BZX55C8V2
BZX55C9Vl
BZX55C2V7
BZX55C30
КС216Ж
ВZХЗОС15
KCl28Bl
BZX55CЗV6
КС218Ж
ВZХЗОС18
КС128В
ВZХ55СЗVЗ
КС220Ж
вzхзОС20
КС128ГI
BZX55C4V3
КС222Ж
ВZХЗОС22
КС128Г
BZX55CЗV9
КС224Ж
1N1990, BZX30C24
КС128Д1
КС407А
BZX46CЗV3
КС407Б
BZX46CЗV9
КС407В
BZX46C4Y7
BZX46C5V1
BZX46C6V8
RD5, 6JB
PFZD8V2
BZ79CV2
BZX83C5V6
BZX83C6V2
BZX83C6V8
BZX83C7V5
BZX83C8V2
BZX83C9Vl
BZX83CIO
КС156Г
BZX55C5VI
BZX55C4V7
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9VI
IN5588B
152033
IN1888
BZY88C3V9
IN4624
BZY83C4V7
Zl550
BZX30CSV6
КС433А
vzззсн
BAS32
КС162А
Т5Zб,2
КС439А
IN710
iNl984
КС447А
КС456А
VZ39CH
BZX29C4V7
iN1520A
КС128А
КС128Д
КС128Л
КС128М
КС133А
КС407Г
КС407Д
КС409А
КС41ОА
КС412А
КС417А
КС417Б
КС417В
КС4l7Г
КС417Д
КС417Е
КС417Ж
КД81IВ1
ВА529
КС168А
КД811Б
ВАУ682
КС168В
КД811Вl
ВАУ99
КС175Е
BZXЗOC7V5
КС468А
RDб.2
КД901А-1
НР50822900
КС175Ж
BZXЗOC7V5
КС482А
КД901В-1
НР50822900
КС182А
IN1985
КС508А
КД901В-1
НР50822900
КС182Е
BZXЗOC8V2
КС508Б
КД910А-1
КС182Ж
BZXЗOC8V2
КС508В
КС190Б
КД922А
INЗООВ
КС190Г
КД922В
CD21
КС190Д
ВА180
KC191Cl
КС191С
1N935
lN935
1N935
1N935
IN2621
IN713A
КС508Г
КД910В-l
IN5390
IN5390
1N5390
КС191Р
МА3091
КС511А
КС191Б
КСSНБ
КС191В
1N4774
IN4774
КС191Е
BZXЗOC9VI
КС515А
КС528К
1N2034
BZX46CIO
BZX46Cl5
BZX46Cl8
BZX46C20
BZX46C24
BZX85Cl5
BZX85Cl8
BZX85C20
1N3020A, BZY95C 10
PFZ15
PFZ75
BZY95Cl2
IN4853B, BZY95Cl8
IN6007B
IN4748A, BZY95C22
1NЗОЗОВ, BZY95C27
BZX'83Cl1
BZX83Cl2
BZX83Cl3
BZX83Cl4
BZX83Ct5
BZX83C16
BZX83C20
BZX83C22
BZX83C24
KC528JI
ВZХ8ЗС27
КС528М
вzхвзсзо
КД910В-1
КД922В
КДС111А
\
КС190В
КС508Д
КС509А
КС509Б
КС509В
КДС523Б
IN333, BAWIOl
BAWIOl
BAWIOI
DAP209
BAW56
КДС523В
DAN202КVA
КС191Ж
BZXЗOC9V1
КС520В
КДС5265
ВАХбl, ВАХ63
КС191М
МАЗО91
КС522А
КДС526В
DAP201, DA203
BAW56GT, BAWIOI
КС191Н
МАЗО91
КС527А
КДС627А
КС191П
МА3091
КС528А
КДС628А
ВAWIOI
KCl9tтl
ZPDЗ,
КС107А
С6041
KC191YI
КС11ЗА
SТВ2
КС191У
КС114А
1N823
КС191ФI
КС115А
МА27W
КС191Ф
КС119А
КС207А
КС126А
SN3142B
BZX55C2V7
КС126Б
ВZХ55СЗО
КС207В
KC126Bl
BZXSSC3Vб
КС208А
КС126В
ВZХ55СЗVЗ
КС208Б
КС126Г1
BZX55C4V3
КС208В
KCt26r
ВZХ55СЗV9
КС210Б
IN2622
M5Z9, 1
IN2623
MSZ9, 1
IN2624
M5Z9, 1
BXZ55CIO
BZX55Cll
BZX55C12
BZX55CIO
BZX55CI 1
BZX55Cl2
1Nl985A
КС528Б
КСIОбА-9
КС126Д1
BZX55C5V1
BZX55C4V7
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
КДСIНБ
КДСlllВ
КДС523А
КС126Д
КС126Е
КС126Ж
КС126И
КС126К
3
КС191Т
КС207Б
КС510А
КС512А
КС528В
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528Н
BZX83C33
КС528П
ВZХ83СЗ6
КС528Р
BZX83C39
BZX83C43
BZX83C47
BZX83C51
BZX83C56
BZX83C62
BZX83C68
КС210Е
BZXЗOClO
КС528С
КС210Ж
BZXЗOCIO
КС528Т
КС211Е
BZXЗOCI
КС528У
КС211Ж
КС528Ф
КС212Е
IN358
1N942
КС212Ж
ВZХЗОС12
КС528Ц
1
КС528Х
/
/
486
Раздел
Тип
КС531В
Тип
Аналог
прибора
RD30EC
DZS535-8, -15, -21, -30, -40
КЦ106Д
8ZY95C51
1N4762
КЩ
КС600А
1Nl849
1Nl795
КС620А
Тип
Аналог
прибора
7.
Аналог
прибора
SRG20
ED6C3
КЦ409Д
КЦ409Е
3Е2
КЦ409Ж
6Al
КЦ201А
HV035S
501V200
КЦ409И
60100
КЦ201Б
HVC40
КЦ410А
AS3A
КЦ201В
1RN60
КЦ410Б
1Nl582
8ZX98Cl20
КЦ201Г
Z80F
КЦ4108
1N2705
КС630А
8ZX98Cl30
КЦ20lд
DS866
КЦ412А
1N6478
КС650А
8ZX98Cl50
8ZX98Cl80
КЦ201Е
1RМ150
КЦ412Б
1Nl041
КС680А
КЦ208А
КЦ4128
КЦ1058
Х60С
КЦ401А
HVRIX
1N327
PFF2
CS8-6,
КЦ105Г
8587-70
КЦ401Г
КЦ419Б
КЦ105Д
КЦ407А
КЦ106А
5L85
CRG40
SDR3008
1N5216
КЦ409А
V346
КЦ419Д
КЦ106Б
CRG60
КЦ409Б
КЦ419Ж
8125/110-10
8250/220-10
КЦ1068
LFD8
КЦ4098
1N5405
1N4142
МД217
1N876
КЦ106Г
SRGlOO
КЦ409Г
1N2708
МД218
1N878
КС535(А-Д)
КС551А
КС591А
КС5968
7.12. Аналоги
l lA
3Е2
КЦ418А
Тип
КЦ4198
Аналог
Тип
-
прибора
КУ2028
Аналог
1N4202, NAS4443, NAS8
TIC216M
KY202B-l
КУ101Г
2N2323
2N2323
2N2323
KYlOlE
2N2323
КУ202Д
1N4202, NAS4443, NAS8
1N4202, NAS4443, NAS8
KYlOlБ
8У224
840/35-10
880/70-10
отечественных тиристоров
прибора
КУ101А
КЦ109А
КУ202Г
КУ102А
РО102
КУ202Е
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ102Б
РО102
.КУ202Ж
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ1028
РО102
КУ202И
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ102Г
РО102
КУ202К
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ104А
Cl03
КУ202Л
КУ104Б
Cl03
КУ202М
1N4202, NAS4443, NAS8
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ1048
Cl03
КУ202Н
8TX32Sl00, Нl0Тl5CN, 1N4202
КУ104Г
2N5062
КУ208Б
KYl lOA
8N200
КУ2088
TIC206M
TIC216M
КУl lОБ
8N200
8N200
КУ208Г
TAG307-800,
KYl 108
КУ2108
ТУ6010
КУl
150-325РАН1200
КУ211А
ТУ6010
l 50-325PAH 1200
КУ2118
2N683A
8Rl03
2N6027
КУ21 lд
2N683A,
l lA
KYl l lБ
КУl 12
8ТАО8-400
150-325РАН1200·
КУ220А
2-ТА92525
KYl 18А
2N6565, MCRlOO, 2N5064
КУ220Б
2-ТА92525
KYl 18Б
2N6565, MCRlOO
КУ2208
2-ТА92525
KYl 188
2N6565, MCRlOO
КУ220Г
ТУ6010, 2-ТА92525
18Г
2N6565, MCRlOO
КУ220Д
2-ТА92525
КУ120А
EGG6404, 3N4988
КУ2218
50-T520S 1200
КУ120Б
2N4990, EGG6404, 3N4988
2N4988, EGG6404, 3N4988
КУ221Г
50-T520S 1200
2N5756
2N4990, HUD16
2N4990, 2N4988
КУ223
КУl
KYl
13
КУ1208
КУ121А,
КУ22lд
КУ224А
КУ201Б
NCM700C
NCM700C
TL8003, TAG661-600, TIC106D
МАС94-2, TL8003, TL8005
МАС94-2
KY228Al
ТУ4010
КУ201В
NCM700C
КУ228Бl
DТ151-500R
КУ201Г
NCM700C
КУ22881
S2800
КУ20lд
NCM700C
КУ228Иl
TXNlOlO
КУ201Е
NCM700C
КУ50ЗА
2N4992, ECG6403
КУ201Ж
КУ503Б
2N4992, ECG6403
КУ201И
NCM700C
NCM700C
КУ5038
2N4992, ECG6403
КУ201К
NCM700C
КУ601А
TYAL2248
КУ201Л
NCM700C
КУ601Б
TYAL2248
КУ202А
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ601В
КУ202Б
1N4202, NAS4443, NAS8
КУ601Г
КУ124
КУ201А
Al
-
КУ223И
-
Аналоги
TYAL2248
SC141D, T0509NH, TIC206D
487
Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов
7.13. Аналоги
отечественных оптоэлектронных приборов
Тип
Аналог
прибора
АЛ102АМ
Тип
Аналог
прибора
Тип
Аналог
прибора
АЛ307ДМ
PLED-Y5148
АЛС338Б
АЛ307ЕМ
НLМР3650
АЛС338Б
АЛ307ЖМ
5353Rl0,
АЛ102ГМ
CQX28
CQX28
CQX29
CQX28
АЛ307ИМ
НLМР3650
АЛС338В
АЛ102ДМ
1Nб094
АЛ307КМ
HLMP335 l, BR5334S
АЛС345А
MAN-51A,
MAN-51A,
MAN-51A,
MAN-51A,
TIL268
АЛ106А
АЛ307НМ
НLМР3554
АЛС345Б
ТIL268
АЛ308АМ
ТIL264
АЛС345Г
ТIL264
АЛС362А
АЛlбОА
LSТ1052
АЛ360Аl
АЛ163А
АЛ360Б
АЛ305Г
OP232TXV
CQY49C
CQY89F(A)
-CQY89A2
TSUS5400
TSUS5402
HLP30RB
HLP50RLB
UQB71/ А
UQB71/ А
UQB71/ А
UQB71/ А
1374G
1374G
1354G
АЛ305Д
НА-1077
АЛС324А
АЛ305Е
АЛС324А-1
КИПДО9Г-Л
L835/2HDT
L835/2RDT
L835/4HDT
L835/4RDT
L835/4RDT
LTL2620HR
L835/24DT
L851/2YDT
L865/4YDT
L865/4YDT
L865/4YDT
LTL2720Y
L851/2GDT
L835/2GDT
L865/4GDT
L851/2GDT
L851/2GDT
LTL2820G
LD460
SLA-2232
TLG102A
LG3369EH
TLS124EH, ESBR3431
SLH56MT
CQY94BL, CQYl 5-6
MY31W
IRRD9451
LST4253F
MY31D
TLURl 14
TLUR120
FLEDG313A
TKG144
IHD4252
IRD4252
LDR5093
PLED-P513M7(A)
PLED-G313A6
PLED-G313A7
КИПдlОА-К
НLМР3762
КИПДlОВ.К
КИПдllБ-М
HLMP3315
HLMP3565
TLG145
L59EGW
LD1007
КИПдl4А-К
НLМР3050
КИПД14Аl-К
НLМР3050
КИПД14Б-К
НLМР3001, НLМР1385
АЛ306И
MAN3900A
1371R
1371R
1371R
1371R, 1374R, MAN3900A
l 70-4R
1
l 70-4R
i10-4R
l 70-4R
170-4R
170-4R
l 70-4R
170-4R
АЛС330
КИПД14В-Л
MGB51D
АЛ307АМ
ТIHR4605
АЛС331АМ
КИПД14Г-Л
НLМР1503
АЛ307БМ
НLМР1600
АЛС337А
АЛЗО7ВМ
HLМPI503
АЛС337Б
АЛЗО7ГМ
НLМР3502,
MMN39240, L2347-02
MAN78A
7610R
TLLR4400
TLG102A
LG3369EH
PLED-Y544CL
PLED-Y514B
HLMP1071
HLMP3105
PLED-H5 l 4B5
PLED-H541CL8
PLED-G543CL6
TLHY5414
LDY5391
TLHY5101
TLHG5400, LD57C
TLG163
CQX24-9, NSC554Rl2
PLED-G511C9(A)
CQX32
CQX32
1N6094
1N6094
5082-7404, 5082-7405
UQB71/ А
MAN-lA, DL-10
GLI05R5
LN05103P
GLI05Ml 1
CLI05Nl 1
CQYP95, 5082-7441
5082-7441
5082-7432
5082-7433
HD-11750
HDSP-3530
HD-1106
5082-7740
HD-1106
5082-7731
HD-1106
HDSP-4036
HDSP-4036
HDSP-4036
HDSP-4036
5082-7405
5082-7415
5082-7415
5082-7415
CQYP95
OPL712
HD-11750
HDSP-3530, HDSP-4030
MAN-51A, l 712G
АЛС345В
АЛ159Б
SGlOlOA
CQY89
CQY89A-2
CQY89A-2
CQY89A-2
SG1009
SGIOlO
SG1009
CQY58A, GL450A
TSTS7201, LN66L
TSUS5400
TSHA5500
TSHA5501
TSHA5502
ТIN105; L2347-0l
ТINl 11
ТINl 15
SFH400-3
SFH480, CGW89A
SFH409-2
SFP8706-2
SFP8706-2
АЛ102БМ
АЛ102ВМ
АЛ107А
АЛ107Б
АЛ107В
АЛ107Г
АЛ136А
АЛ137А
АЛ138А
АЛ144А
АЛ145А
АЛ145Б
АЛ145В
АЛ145Г
АЛ145Д
АЛ154А
АЛ154Б
АЛ154В
АЛ156А
АЛ156Б
АЛ156В
АЛ159А
АЛ164А
АЛ164Б
АЛ164В
АЛ165А
АЛ165Б
АЛ177А
АЛ177Б
АЛ304А
АЛ304Б
АЛ304В
АЛ304Г
АЛ305А
АЛ305Б
АЛ305Ж
АЛ305И
АЛ305К
АЛ305Л
АЛ306А
АЛ306Б
АЛ306В
АЛ306Г
АЛ306Д
АЛ306Е
АЛ306Ж
АЛ309А
АЛ309Б
АЛ310А
АЛ310В
АЛ310Г
АЛ310Д
АЛ310Е
АЛ316А
АЛ316Б
АЛ336А
АЛ336Б
АЛ336В
АЛ336Д
АЛ336Е
АЛ336Ж
АЛ336И
АЛ336Иl
АЛ336К
АЛ336Н
АЛ360А
АЛ360Бl
АЛС311
АЛС312А
АЛС312Б
АЛС317А
АЛС317Б
АЛС317В
АЛС317Г
АЛС318А
АЛС318Б
АЛС318В
АЛС318Г
АЛС321А
АЛС321Б
~
MBG5373SY
АЛС324Б
АЛС324Б-1
АЛС324В
АЛС326А
АЛС326Б
АЛС327А
АЛСЗ27Б
АЛС328А
АЛС328Б
АЛС328В
АЛС328Г
АЛС338А
НLМР3451
АЛС338В
АЛС362Аl
АЛС362Б
АЛС362Бl
АЛС362В
АЛС362Г
АЛСЗ62Д
АЛС362Дl
АЛС362Е
АЛС362Еl
АЛС362Ж
АЛС362И
АЛС362К
A}IC362Кl
АЛС362Л
АЛС362Лl
АЛС362М
АЛС362Н
АЛС362П
КИПГО2А-8Х8Л
КИПДОlА-lЛ
КИПДОlБ-lЛ
КИПД02Б-1К
КИПД02В-1Л
КИПДО2Г-1Л
КИПД02Д-1Ж
КИПДО5А-1К
КИПД05Б-1Л
КИПД05В-1Ж
КИПД06А-1К
КИПДОбБ-lК
КИПД06В-1Л
КИПДОбГ-lЛ
КИПД07А-К
КИПД07Б-К
КИПД09А-К
КИПДО9Б-К
КИПДО9В-Л
КИПДlОВ-Л
КИПдlОГ-Л
КИПдllА-М
КИПД14Д-Л
НLМР3502
КИПдl4Е-Ж
LTL254
LY5480GK
КИПД14И-Ж
1712G
l 712G
1712G
1712G
Раздел
488
Тип
прибора
КИПД17А-Ж
КИПД17А-К
КИПД17А-Л
КИПД17Б-Ж
КИПД17Б-К
КИhД17В-Ж
КИПД17В-К
КИПД17В-Л
КИПД18А-М
КИПД18Б-М
КИПД19А-М
КИПД19Б-М
КИПд21А-К
КИПД21Б-К
КИПД21В-К
КИПД24А-Ж
КИПД24А-К
КИПд24А-Л
КИПД24Б-Ж
КИПД24Б-К
КИПД24Б-Л
КИПд24В-Ж
КИПД24В-К
КИПД24В-Л
КИПД31А-К
КИПД31Б-К
КИПД31В-К
КИПД31Г-К
КИПД35А-Ж
КИПД35А-К
Тип
Аналог
,
прибора
PLED-Y5 l 3М(А)
HLMP3003
CQS95L
MY51W
HLMP3000
225AD
HLMP3112
PLEDY544CL
OLP713
PLED-512B
GL5NP5
LD1005
SL5004
PLED-H514B
PLED-H5 l 4B6
PLED-Y544CL
TLRl 14
CQS94L
TLPY144
TLR145
TLHG5400
PLED-Y5 l 4B5
TLURl 14
TLHG5403
TLUR6601
TLUR5403
TLUR5101
TLHR6413
LTL5263
PLED-P513M
КИПД35А-Л
Тип
Аналог
КИПТI 8Б 1-4Ж
КИПД36Дl-Ж
КИПД36Еl-Ж
CQX74Dб(A)
КИПТ24Г-10К
КИПД36Жl-Р
TLQ133A
TLQ132
GL5ND5
GL5ND5
LN04202P
LD480
LN10204-P
RIM-053-052
RIM-053-052
LN04202P
LN04302P
LN04302P
HLMP6754
HLMP6754
HLMP2600
LTL2600HR
LD484
КИПТ24Д-1 ОЛ
КИПД35Б-К
КИПД35Б-Л
КИПД35В-Ж
КИПД35В-К
КИПД35В-Л
КИПД36Аl-К
КИПД36Бl-К
КИПД36Вl-Л
КИПД36Гl-Л
КИПД36Иl-Р
КИПД37АI-М
КИПД37А-М
КИПЕl 7Al-4K
КИПТО3А-10Ж
КИПТО3Б-1 ОЛ
КИПТО9А-53Л
КИПТО9Б-53Л
КИПТ17А-4К
КИПТ17Б-4Л
КИПТI 751 -4Л
КИПТ17В-4Ж
КИПТI 7В 1-4Ж
КИПТ18А-4К
КИПТ18Аl-4К
КИПТ18Б-4Ж
КИПТ26В-15Ж
HLMP6754
TLG259
LTL2800G
LN07202P
LN07302P
GL107Rl2
LN07302P
GL107Rl2
GL107Nl2
HDSP4830
OBG4830
RBGlOOO
OBGlOOO
HDSP4850
GBGlOOO
GBGlOOO
GBGlOOO
15RAR3005
15RAG301 l
15RAY3013
КИПЦОlЕ-1/7К
НА-1075, НА-1077
КИПЦО1А-1/7К
НА-1075,
КИПТ18В-4Л
КИПТ 18В 1-4Л
КИПТ22А-7К
КИПТ22А-7Л
КИПТ22Б-7К
КИПТ22Б-7Л
КИПТ22В-7К
КИПТ22В-7Л
КИПТ24А-10К
КИПТ24Б-10К
КИПТ24В-1 ОК
КИПТ24Е-10Л
КИПТ24Ж-10Л
КИПТ24И-10Л
КИПТ26А-15К
КИПТ26Б-15Л
-
Аналоги
Аналог
прибора
CQS95L
TLY255
PLED-P514M4
CQS95'E4
TLY134A
PLED-P513M5
CQS95E5
PLED-P533ML6
PLED-P513M7
PLED-G533ML6, LTL327HR
PLED-G543CL6, LTL327G
Z252YH
КИПД35Б-Ж
7.
КИПЦ04А-1 /8К
НА-1181
КЛl 14А
КЛl 14В
UQB37
UQB37
UQB37
КЛЦ201
НА-1181
КЛЦ202
НА-1181
КЛЦ302
НА-1181
КЛЦ401
НА-1181
КЛl 14Б
--
LD-913AR
Литература
Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. Транзисторы бипо
лярные и полевые. Диоды. Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные
1.
приборы. Аналоги отечественных и зарубежных приборов. Справочное пособие.
Иванов В.И. Аксенов А.И., Юшин А.М.
Справочник., М., Энергоатомиздат., 1988 г.
2.
М., Солон,
Полупроводниковые оптоэлектронные
2000
г.
приборы.
Нефедов А.В" Аксенов А.И. Кремниевые транзисторы для бытовой и промышленной радиоэлек
тронной аппаратуры. Спраwчник., УПЦ ИПК Московская правда., 1993 г.
4. Петухов В.М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги. Том 1" М., КУбК-а., 1997 г.
5. Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные и их
зарубежные аналоги. Том 2., М., КУбК-а., 1997 г.
6. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой
мощности и их зарубежные аналоги. Том 3., М., КУбК-а., 1997 г.
7. Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и
3.
. их
~
зарубежные аналоги. Том
4.,
М., КУбК-а.,
1997
г.
.
8. Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы. Справочник., Солон, Микротех, 2000 г.
9. В. Кожевников, В. Асессоров, А. Асессоров, В. Дикарев. Мощные высоковольтные
транзисторы. - Радио, 1999, No 10, с. 46.
1О. Беляева С. Транзисторы КТ732А, КТ733А. - Радиолюбитель, 2000, No 4, с. 41.
СВЧ
Приборы, вошедшие в дополнение
489
Назначение приборов, вошедших в дополнение
Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516,
предназначенные для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзи
сторы выпускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для
поверхностного монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26.
Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в
различных вариантах корпусов (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для
применения в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47).
Транзисторы КТ519А предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а транзисто
ры КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в режиме
класса
"В"
портативных
радиоприемников.
В
малошумящем
предварительном
усилителе
может
использоваться транзистор КТ526А.
Транзисторы КТ734 ... КТ737 предназначены для схем с дополнительной симметрией со структура
ми
n-p-n
и
p-n-p
в линейных переключательных и усилительных схемах.
Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тюне
ров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и переклю
чателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высо~овольтных ключей, стабилизаторов с
импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран
зисторы КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав
ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла).
Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и КТ8234,
КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном исполнении, и
мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 на ток 15 А, КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 на ток 20 А,
мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы в ВЧ и СВЧ
диапазонах и биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) КЕ702.
Полевые nМОП-транзисторы КП734 и КП735 предназначены для применения в устройствах
автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое
переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам, а транзи
сторы КП759, КП760, КП761 предназначены для применения в устройствах, где уровень мощности
рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод между истоком и стоком для
подавления воздействий переходного процесса.
Полевые транзисторы КП759, КП761 имеют нормированное значение энергии однократного и
повторяющегqся лавинного пробоя (соответственно 21 О и 5 мДж, 280 и 7 ,4 мДж, типовое значение
скорости восстановления защитного диода 3,5 В/ нс, ток лавинного пробоя (2,5, 4,5 и 8 А соответст
венно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а так?f<е внутренние индуктивности
стока и истока (4,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы изготавливаются в корпусном и
бескорпусном исполнениях. Транзисторы КП814 предназначены для работы в переключающих уст
ройствах, ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения.
В состав новой номенклатуры диодов вошли как вновь разработанные, так и ранее выпускавшиеся
приборы, но в другом конструктивном оформлении (например, стабилитроны Д818 в корпусах,
соответствующих зарубежным стандартам типа D0-7, D0-35), для поверхностного монтажа (КД521А9,
КД522Б9 в корпусе КТ-46, КВ163А-КВ166А в корпусах КТ-46 и КД-36), для высокочастотных
применений (в корпусах КД-34, КД-116) или совместимые по габаритам с интегральными схемами.
Необходимо также отметить сдвоенный германиевый диод ГД404АР, сдвоенные диоды КДС111А2,
КДС132А1, КДС133А1, КД292АС (все с общим катодом), КДС111Б2, КДС132Б1, КДС133Б1, КД292БС
(с общим анодом), КДС111В2, КДС132В1, КДС133В1 (два последовательных диода), сдвоенные диоды
Шоттки с общим катодом КД273АС-КД273ЕС, КД636АС-КД636ЕС.
Полевые
применения
в
транзисторы
КП523,
усилительных,
731, 737, 739-753, 775-781, 783-787
импульсных и
переключательных схемах,
предназначены для
источниках электропитания,
схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дисплеев.
Транзисторы КТ738 и КТ739, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 КТ8230 представляют собой комплемен
тарные пары (p-n-p и n-p-n) и предназначены для усилительных и переключательных схем. Транзистор
КТ8224 предназначен для применения в высоковольтных источниках питания и схемах строчной
развертки телевизоров. Транзисторы КТ8214, КТ8215, КТ
8225 -
схемы Дарлингтона.
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
490
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
fгр, fh21б,
fh2lэ,
Рк max,
Тип
прибора
Структура
* т max,
Рк.
**
Рк, и max,
Uкво max,
***
fmax,
* max,
UкэR
**
Uкэо max,
мВт
мrц
в
Uэво max,
в
Iк max,
* и max,
lк.
мА
Iкво,
IКэR,
1**
кэо,
мкА
КТЗ117А9
П·р·П
КТЗ117Б9
П·р·П
300 (800*)
300
;::200
;::200
60
75
4
4
400 (О,8*А)
400 (0,8*А)
~10 (60 В)
~10 (75 В)
КТЗ12А1
n-p-n
n-p-n
n-p-n
225
225
225
;::80
;::120
;::120
20
35
20
4
4
4
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
~10 (20 В)
n-p-n
n-p-n
1200
1200
-
80; 65**
80; 65**
6
6
200
200
-
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n·p
p-n-p
p-n-p
;::120
;::120
;::120
;::120
;::120
200*
160*
120*
90*
70*
50*
30*
20*
10*
-
1,5 А
1,5 А
1,5 А
-
2А
-
КТЗ12Б1
КТЗ12В1
КТЗ184А9
КТЗ184Б9
КТ511А9
,
КТ511И9
р-п-р
КТ511К9
р-п-р
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
КТ512А9
n-p-n
n-p·n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
;::120
;::120
;::120
;::120
;::120
;::120
;::120
;::120
;::120
;::50
;::50
;::50
;::50
;::50
300*
250*
200*
160*
120*
;::50
;::50
;::50
300*
250*
200*
160*
120*
КТ511Б9
КТ5НВ9
КТ511Г9
КТ511Д9
КТ511Е9
КТ511Ж9
КТ512Б9
КТ512В9
КТ512Г9
КТ512Д9
КТ512Е9
КТ512Ж9
КТ512И9
КТ512К9
КТ51ЗА9
КТ51ЗВ9
p-n-p
p-n-p
p·n-p
КТ51ЗГ9
р-п-р
КТ51ЗД9
р-п-р
1000
1000
1000
1000
1000
КТ514А9
n-p·n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1000
1000
1000
1000
1000
КТ51ЗБ9
КТ514Б9
КТ514В9
КТ514Г9
КТ514Д9
~120
;::120
;::120
;::120
;::5о
~50
г
-
200*
160*
120*
90*
70*
50*
30*
20*
10*
-
2А
-
2А
-
2А
2А
2А
1,5 А
1,5 А
1,5 А
-
2А
2А
-
2А
2А
2А
-
2А
-
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
-
-
-
-
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
'
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
~10 (35 В)
~10 (20 В)
-
-
-
-
-
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
rкэ нас, Ом
Ск,
40".200* (5 В; 0,2 А)
l 0 ... 300* (5 В; 0,2 А)
10.. .100 (2 В; 20 мА)
25 ... l 00 (2 В; 20 мА)
50... 280 (2 В; 20 мА)
Сi2э,
* нас, Ом
rвэ
пФ
к;~, дБ
$10 (10
$10 (lO
В)·
В}
$5 (10 В)
$5 (10 В)
$5 (lO В)
$1,2
$1,2
$40
$40
$40
'
491
Кш.дБ
'tк, ПС
rб, Ом
** 1 Вт
Рвых
* 1 НС
fpac
Корпус
**
fвыкл,
НС
КТЗ117-9
$80*
$80*
$500; $100* $500; $130*
$500; $130*
s
0,95
~*Х
КТЗ12-1
~5,81/
20 ... 80 (5 В; 0,2 А)
50 .. .180 (5 В; 0,2 А)
КТЗ184-9
1/,6
!
1,6
~f~-~' Ф:
~-+
:1"'
..._--+--ttrtt1'1к·-5
3 /'
f),iJ
0,48
;;::20
;:::20
;:::20
;:::20
;;::20
;;::20
;:::20
;;::20
;:::20
(5
(5
(5
(5
В;
В;
0,5
0,5
0,5
0,5
А)
А)
В;
А)
В;
А)
(5 В; Q,5 А)
(5 В; 0,5 А)
(5 В; 0,5 А)
(5 В; 0,5 А)
(5 В; 0,5 А)
;;::20 (5
;;::20 (5
~20 (5
;:::20 (5
;;::20 (5
;;::20 (5
;;::20 (5
;;::20 (5
;:::20 (5
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
В;
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
(l О В; 50 мА)
(l О
В;
(lO В;
(l О В;
(10 В;
50 мА)
50 мА)
50 мА)
50 мА)
$0,3
$0,25
$0,25
$0,2
$0,2
$0,35
$0,35
$0,35
,$0,35
$0,3
$0,25
$0,25
$0,2
$0,2
$0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$10
$10
$5
$5
$5
~5-
Ч,Б
-
~
C'o.j
-
~tt 5
,,,.
O,SS
1.,5_
_1,5
Э
о.,"/,8
(lO
В;
50
мА)
(lO В; 50 мА)
(10 В; 50 мА)
(lO В; 50 мА)
$10
$10
$5
$5
$5
!
1,6
:<з.t"'· ~. dt
О,'1
КТ512-9
Ч,Б
~i~~. Ф:
~
г;-(t
1
3 ""
о.,"/,8
к
1
!
1,6
5
п!/
..,,
O.SS
~5_
1,5
КТ513-9
4,6
!
1,6
~i~~ Ф:
о.,"/,8
(lO В; 50 мА)
1,5
КТ511-9
~
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
0,'1
1~ \. 5
3 ._,,.
O.SS
1.,5-
_1,5
О,!/
КТ514-9
1/,6
:Q.t~P. -(1): !t.6
~-
о.,"/,8
~ t5
3 /
O,SS
ц
1,5
О,!/
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
492
Ркmах,
Тип
Струк-
прибора
тура
КТ515А9
р-п-р
КТ515Б9
р-п-р
КТ51589
р-п-р
• т max,
Рк,
trp,
tь216,
••
fh21з,
Uквоmах,
•
UкэRmax,
UэБО max,
Iк max,
•
Iк, и max,
Iкво,
•
lкэR,
1··
" и max,
Рк,
•••
fmax,
мВт
мrц
в
1000
1000
1000
~120
-
2А
~120
80*
50*
25*
1000
' 1000
1000
80*
50*
25*
-
2А
~120
2А
-
-
0,5 А
0,5 А
0,5 А
0,5 А
0,5 А
0,5 А
-
30
30
40
40
50
60
-
0,5 А
0,5 А
0,5 А
0,5 А
0,5 А
0,5 А
-
-
300
300
300
300
300
-
~120
~120
КТ516А9
п-р-п
КТ516Б9
n-p-n
КТ51689
п-р-п
КТ517А
n-p-n
500
~125
КТ517Б
п-р-п
500
~125
КТ517В
п-р-п
500
~125
КТ517Г
n-p-n
500
~125
КТ517Д
п-р-п
n-p-n
500
500
~125
КТ517Е
КТ517А-1
п-р-п
800
~125
~125
~120
~125
КТ517Б-1
n-p-n
КТ517В-1
п-р-п
800
800
КТ517Г-1
п-р-п
800
~125
КТ517Д-1
п-р-п
800
~125
KT517E-t
n-p-n
800
~125
~125
~125
u••
КЭО
, 30;
30;
40;
40;
50;
60;
в
max,
30**
30**
40**
40**
50**
60**
~
мА
'
2А
2А
2А
кэо,
мкА
-
КТ517А-9
п-р-п
КТ517&-9
п-р-п
КТ5178-9
n-p-n
300
300
300
КТ517Г-9
п-р-п
300
~125
КТ517Д-9
300
~125
КТ517Е-9
n-p-n
n-p-n
30;30**
30
40
40
50
300
~125
60
КТ519А
p-n-p
р-п-р
КТ519В
р-п-р
450
450
450
~100
КТ519Б
~100
50; 45**
50; 45**
50; 45**
5
5
5
100
100
100
g),05 (50 В)
g),05 (50 В)
g),05 (50 В)
КТ520А
n-p-n
625
~
~50
300; 300**
2QO; 200**
-
500
500
-
n-p-n
625
-
КТ520Б
~125
~125
~100
300
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Скэ нас, Ом
Кш.дБ
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
•
** Вт
Рвых,
493
'tк, ПС
•
tpac,
Корпус
НС
**
tвыкл,
НС
2:50 (5 В; 0,5 А)
2:50 (5 В; 0,5 А)
2:25 (5 В; 0,5 А)
КТ515-9
1/,6
1,6
~t~t~- ~·~~ ~
~
3"
6
O.SS
448 ~5-
_1.5
2:50 (5 В; 0,5 А)
2:50 (5 В; 0,5 А)
2:25 (5 В; 0,5 А)
ДI/
КТ516-9
1/,6
1,6
~f'· ~ ~
"2-
:
~48
2:5000 (5 В; 1О мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
10000.. .100000 (5В;10мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
5.11
5.11
5.11
5.11
5.11
'5.l l
2:5000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 1О мА)
l 0000.. .100000 (5В; 1ОмА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
5.l l
5.11
5.11
5.11
5.11
l5
1,5
КТ517-1
~j
~.
Ч)
-Е~
7·8
1 " ill 1
.... _~ 111·
j
~
"
КТ517-9
5.11
5.11
5.1 l
5.l l
5.11
~1 l
10000.. .100000 (5В;10мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
60... 150 (5 В; 1 мА)
100... 300 (5 В; 1 мА)
200... 600 (5 В; 1 мА)
O,SS
.
~11
2:5000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
2:10000 (5 В; 10 мА)
5.7 (10
5.7 (10
5.7 (10
В)
В)
В)
5.10 (l
кГц}
КТ519
5.10 (1 кГц)
5.10 (l
кГц)
с...,
\()"
!
,, 1
~·UI
2:40 (10 В; 10 мА)
2:40 (10 В; 10 мА)
5.25
5.20
ДI/
6
3 _,
КТ520
з
6
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
494
Тип
прибора
тура
Uкво max,
• max,
UкэR
Uкэо max,
мВт
МГц
в
625
625
2:50
2:50
300; 300**
300; 300**
500
500
500
500
500
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
• т max,
Рк,
р••
К, и
'
КТ521А
р-п-р
КТ521Б
р-п-р
КТ523А
р-п-р
КТ52ЗБ
p-n·p
КТ523В
р-п-р
КТ52ЗГ
р-п-р
КТ523Д
р-п-р
fгр, fh2lб,
1··
h21э,
f max,
•••
Рк max,
Струк-
max,
••
30;
30;
40;
50;
60;
30**
30**
40**
50**
60**
Uэво max,
в
КТ523А9
п-р-п
п-р-п
IКэR,
IКЭо,
•
Iк, и max,
мА
мкА
-
500
500
-
-
500
500
500
500
500
-
-
-
-
-
-
'
-
КТ523Б9
Iкво,
Iк max,
-
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
30;
30;
40;
50;
60;
30**
30**
40**
50**
60**
-
300
300
300
300
300
-
КТ52ЗВ9
п-р-п
КТ52Зf9
п-р-п
КТ52ЗД9
п-р-п
300
300
300
300
300
КТ524А
п-р-п
1000
2:100
40; 25**
6
1500
~О.1
(35 В)
КТ524А-5
п-р-п
1000
2:100
40; 25**
6
1500
~.l
(35 В)
625
-
40; 20**
5
500
~О.1
(25 В)
40; 20**
5
500
~.1
(25
45*~
5
100
~.05
,
-
1
КТ525А
п-р-п
~
'
КТ525А-5
п-р-п
625
-
КТ526А
п-р-п
450
2:150
"
50;
В)
(50 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
С12э,
rвэ нас, Ом
rб, Ом
пФ
к;.~, дБ
S6
S25
S20
•
;:::40 (10 В; 10 мА}
~40 (10 В; 10 мА)
S8
•
•
••
Рвых,
Вт
495
'tк, ПС
• НС
tpac,
••
fвыкл,
Корпус
НС
КТ521
165.2
.
~5000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
;:::10000 (5 В; 10 мА)
;:::10000 (5 В; 10 мА)
Sl2
Sl2
Sl2
S7
S7
S7
S7
S7
165.2
Sl2
Sl2
;:::5000 (5 В; 10 мА)
Sl2
Sl2
Sl2
Sl2
Sl2
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
;:::40 (1 В;,0,8 А)
КТ523
9 (10 В)
· КТ523-9
О,95
j
~~х
КТ524
S0,6
165.2
!
С'\/
\.()~
-t--.........,.
\(")
11
~"
11
--11
85 ... 300 (1 В; О, 1 А)
9 {10
В)
64" .202 (1 В; 50 мА)
1
S0,6
КТ524-5
Sl,2
КТ525
165.2 -
;:::40 (1 В; 0,8 А)
60. "1 ООО (5 В; 1 мА)
Sl,2
SЗ,5 (10 В)
sз
КТ525-5
SlO (1 МГц)
КТ526
165.2
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
496
КТ526А-5
п-р-п
450
КТ528А9
п-р-п
КТ528Б9
п-р-п
600
600
600
600
600
КТ528В9
п-р-п
KT528f9
п-р-п
КТ528Д9
п-р-п
КТ6128А
п-р-п
КТ6128Б
п-р-п
КТ6128В
п-р-п
~150
50; 45**
5
100*
80*
50*
30*
12*
30;
30;
30;
30;
30;
30;
100
$0,05 (50
2000
2000
2000
2000
2000
20**
20**
20**
20**
20**
20**
25
25
25
25
25
25
KT6128f
п-р-п
КТ6128Д
п-р-п
КТ6128Е
п-р-п
400
400
400
400
400
400
КТ6136А
р-п-р
625
~250
40**
5
200
$0,05*
КТ6137А
n-p-n
625
~300
60; 40**
6
200
$0,05*
500
500
500
500
500
50
50
50
50
50
300
250
200
160
120
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
300
250
200
160
120
100
100
100
100
100
~700
30; 15**
КТ6138А
р-п-р
КТ6138Б
р-п-р
КТ6138В
р-п-р
KT6138f
р-п-р
КТ6138Д
р-п-р
КТ6139А
п-р-п
КТ6139Б
п-р-п
КТ6139В
п-р-п
KT6139f
п-р-п
КТ6f39Д
п-р-п
500
500
500
500
500
КТ6140А
р-п-р
400
~400
~400
~400
~400
~400
~400
В)
5
50
$0,05 (12
В)
Парамеt_пры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
сi2з,
rвэ нас, Ом
"
к;.~, дБ
пФ
60 ... 1000 (5
20 ... 200
20 ... 200
50... 250
50... 250
50 ... 250
(5
(5
(5
(5
(5
В;
1
мА)
В;
В;
В;
В;
В;
1 А)
1 А)
1 А)
1 А)
1 А)
S3,5 (10
В)
Кш.дБ
'tк, ПС
rб, Ом
" НС
fpac,
**
Рвых,
SlO (1
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
497
Вт
".
tвыкл,
Корпус
НС
МГц)
КТ526-5
КТ528-9
300
300
300
300
300
1/,6
1,6
~t~;~. dt ~
q."f...__-t--м,t-ttt
:1"'
lrк'~5
о, 48
28."45 (5 В; 1 мА)
39".60 (5 В; 1 мА)
54".80 (5 В; 1 мА)
72 .. .108 (5 В; 1 мА)
97."146(5В; 1 мА)
132 .. .198 (5 В; 1 мА)
3 /'.
0,55
~5-
_1,5
КТ6128
~SfP~2-tщ1ВК
ll')
~
100... 300 (l
В;
10
мА)
$4,5
100... 300 (1
В;
10
мА)
S4
"
ПН11
~·
КТ6136
S8
КТ6137
/
40... 600
. 40".600
40 ... 600
40... 600
40 ... 600
(10 В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
(1 О В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
s25
s25
$25
s25
s25
КТ6138
40... 600
40... 600
40 ... 600
40 ... 600
40 ... 600
(10 В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
( 1О В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
S25
S25
S25
S25
s25
КТ6139
S50
КТ6140
28 ... 198 (5
В;
1 мА)
0/1
Sl,7 (10
В)
•
~
........
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
498
Ркmах,
Тип
Струк-
прибора
тура
fh21б,
Uкso max,
1**
h21э,
* max,
UкэR
Uэво max,
Рк, и max,
max,
Uкэо max,
в
мВт
мrц
в
••
,
frp,
* т max,
Рк,
f •••
••
Iкво,
Iк max,
•
1••
кэо,
lкэR,
* и max,
Iк,
мА
мкА
В)
g),l (120
КТ638А1
п-р-п
500
2::200
120
5
100
КТ732А
п-р-п
90* Вт
2::1
160
7
16 А
20* А
0,75 мА
(160 В)
90* Вт
2::1
160
7
16 А
20* А
0,75 мА
(160 В)
2::3
2::3
2::3
2::3
40
60
80
100
/
КТ733А
р-п-р
-·
КТ734А
п-р-п
40*
КТ734Б
n-p-n
КТ734В
п-р-п
KT734f
п-р-п
40* Вт
40* Вт
40* Вт
Вт
~
5
5
5
5
3
3
3
3
А;
А*
А;
А*
5
5
А; 5
А; 5
g),3** (30 В)
g),3* (30 В)
50,3* (60 В)
g),3* (60 В)
А*
А*
1
КТ735А
р-п-р
КТ735Б
р-п-р
КТ735В
р-п-р
KT735f
р-п-р
КТ736А
п-р-п
КТ736Б
п-р-п
КТ7368
п-р-п
KT736f
п-р-п
КТ737А
р-п-р
КТ737Б
р-п-р
КТ737В
р-п-р
KT737f
р-п-р
40* Вт
40* Вт
40* Вт
40* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65* Вт
65*
65*
65*
65*
2::3
2::3
2::3
~3
~3
2::3
~3
2::3
Вт
~3
Вт
2::3
Вт
~з
Вт
~3
40
60
80
100
А;
А;
А*
А*
5
5
5
5
3
3
3
3
40
60
80
100
5
5
5
5
6 А; 10 А*
6 А; 10 А*
6 А; 10 А*
6 А; 10 А*
40
60
80
100
5
5
5
5
6
6
6
6
'
5
5
А; 5
А; 5
А;
А;
А;
А;
10
10
10
10
А*
А*
А*
А*
А*
А*
50,3*
g),3*
g),3*
g),3*
(30
(30
(60
(60
В)
В)
В)
g),7*
g),7*
g),7*
g),7*
(30
(30
(60
(60
В)
В)
В)
В)
g),7* (30
~О.7* (30
~О.7* (30
g),7* (30
В)
В)
В)
В)
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21з, h21э
2:50 (10 В; 2 мА)
499
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
Сi2з,
* нас, Ом
rвэ
rб, Ом
* НС
tpac,
пФ
к;.~, дБ
** Вт
Рвых,
**
tвыкл,
НС
~6
~25
Корпус
КТ638А1
99,4 _
с.а"
'
r
с.а"',,
1
"":!'
1
~
2:15 (2 В; 8 А)
2:8 (4 В; 16 А)
-
-
~О.25
1кфз
!
JI J1J
б
111 11 1
-
КТ732
~f
~~~~....
' .i
27.1
~
..-$
2:15 (2 В; 8 А)
2:8 (4 В; 16 А)
-
~О.25
-
'
-
.
КТ7ЗЗ·
..
--Ejl~·,~!)
~
27.1
~
~
О)
'
~
2:25 (4
~5 (4
2:10 (4
2:10 (4
В;
В;
В;
В;
1 А)
1 А)
3 А)
3 А)
-
-
-
~О.4
~.4
s0,4
~0,4
-
11
-
10,7
-
lt) j ~
,
~
.....
В;
В;
(4
(4
2:10 (4
2:10 (4
1 А)
1 А)
В; 3 А)
В; 3 А)
-
s0,4
~.4
~.4
s0,4
-
~1
~
1
~5
-
10,7
-
-
1
-.
lt)
~
В;
3 А)
В; 3 А)
В;
3 А)
В; 3 А)
-
-
-
~.25
~.25
~.25
~.25
-
-
-
т
Q
11,8
т
'
~· ;-r
~
.....
г-m
(4
(4
(4
(4
11,8
КТ735
Cd'
2:30
2:30
2:15
2:15
ЭКб
Q
КТ736
-
~.,
i
~~
.....
(4
(4
(4
(4
В;
В;
В;
В;
3
3
3
3
А)
А)
А)
А)
-
~.25
~.25
S0,25
~.25
-
Q
ЭК6
'
2:30
2:30
2:15
2:15
/(
КТ734
~
~5
/(
-
КТ737
10.7
lt\ ~
~1
~
'
~
11,8
т
Q
Параметры биполярных кремниевых транзисторо~
500
Рк
Тип
Струк-
прибора
тура
max,
• т max,
РК.
•• и max,
Рк.
мВт
КТ740А
п-р-п
125*
Вт
f гр, fh216,
fh21з,
••
••••
max,
мrц
-
Uкво
max,
• max,
UкэR
•• max,
Uкэо
Iк
Uэoomax,
•
Iк.
в
IКэR,
1··
кэо,
мА
в
200
Iкоо,
max,
и max,
5
мкА
20 А
-
-
КТ740А1
n-p-n
60* Вт
-
200
5
20А
-
КТ808А1
п-р-п
КТ808Бt
п-р-п
КТ808Вt
п-р-п
КТ808П
п-р-п
70* Вт
70* Вт
70* Вт
70* Вт
2:8
2:8
2:8
2:8
130*
100*
80*
70*
5
5
5
5
10 А
10 А
10 А
10 А
~*мА (130 В)
~*мА (100 В)
~*мА (80 В)
~*мА (70 В)
KT8t1tA9
n-p-n
-
KТ8tt189
'П·р-n
5
5
5
20А
п-р-п
2:1
2:1
2:1
100
KT8tttБ9
125* Вт
125* Вт
125* Вт
80
60
.
20А
-
20
А
-
КТ8134А
р-п-р
25* Вт
2:3
20
-
4А
-
КТ8135А
n·p-n
25* Вт
2:3
20
-
4А
-
КТ8171А
n-p-n
100* Вт
-
350**
-
20А
,,
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
Скэ нас, Ом
сi2з,
• нас, Ом
СБЭ
пФ
ку,р, дБ
~30
••
Кш.дБ
501
'tк, ПС
rб, Ом
• НС
tpac,
Рвых, Вт
tвыкл, НС
•
••
Корпус
••
КТ740А
$0,125
15,9_
~30
~О.125
5
КТ740А1
10,15
4,8
~.- ~-~г
а:•JТt ~
IХЗ
2 А)
В; 2 А)
В; 2 А)
20.. .125 (3 В; 2 А)
20.. .125 (3
20... 125 (3
20... 125 (3
В;
S500 (lO В)
~(IOB)
s500 (10 В)
S500 (10 В)
КТ808-1
'$0,33
$0,33
$0,33
$0,33
15,1
- 5
1'.4 ~
l
--...1:!;~
1
~~~1
~.-_·_r~'1
П
6КЗ
750.. .18000 (3
750... 18000 (3
750.. .18000 (3
В;
В;
В;
10
10
10
А)
А)
А)
$400
$400
$400
$0,2
$0,2
$0,2
4,5•
4,5*
4,5*
мкс
мкс
мкс
40... 250
$0,8
КТ8134
40... 250
S0,8
КТ8t35
~10000
KТ8t7t
75,1
5
!
Параметры биполярнь1х кремниевых транзисторов
502
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
* т max,
Рк,
**
Рк, и max,
мВт
*
**
fh2lэ,
***
fmax,
Uкво max,
МГц
в
f rpr fh216,
*
**
Uкэо max,
UкэR max,
Uэво max,
в
*
lк, и max,
мА
IкэR,
IКЭо,
мкА
-
350**
-
10
А
-
Вт
400
400
400
-
-
0,5 А
1А
1,6 А
-
КТ8196А
n-p-n
100*
Вт
Вт
КТ8197А-2
п-р-п
КТ8197Б-2
п-р-п
КТ8197В-2
п-р-п
2**
5**
8**
КТ8199А
р-п-р
50*
Вт
-
30
5
КТ8201А
п-р-п
20*
Вт
-
700; 400**
9
КТ820ЗА
п-р-п
20*
Вт
4
700; 400**
9
1,5
КТ8205А
п-р-п
75*
Вт
-
700; 400**
9
4
~
Iкво,
lк max,
Вт
10
-
~10(30В)
А
300; 600*
А;
А;
3
8
А*
А*
~10
(30
В)
~10
(30
В)
~10
(30
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
h21э, h21э
Ск,
rкэ нас, Ом
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
• Ом
rб,
••
Рвых, Вт
-
-
пФ
-
~400
Кш, дБ
503
't'к, ПС
• НС
fpac,
••
fвыкл,
Корпус
НС
-
КТ8196
/
10,GS
1/,8
.
l.ci'
......
,'
с:...
~·
r
~1
Q)H
/
~rr
'' 6КЭ
-
2
15
25
-
15** (175
10** (175
80** (175
МГц)
МГц)
МГц)
0,5** ( 175 МГц)
2** (175 МГц)
5** (175 МГц)
-
КТ8197
~1
10.8
.g
5-
...., ~
..... ~
ч-
'1"
з/
"'»
8
-
А)
-
-
::;;О,125
"
с:...
~
'
А)
-
::;;5
::;;о. 3 ;
::;;2 *
-
КТ8201
-
~
~
_7
....:-
,
~
1
' 1 1~ ltl
~u 1 t 1 1
В;
1 А)
-
::;;1
5:0, 7: 5:4*
-
-
i~
~
....:-
-,
1 1• 1
~.U 11
1
В;
2
А)
-
::;;О,25
::;;Q,9; 5:4 *
{т
CN
6
3
КТ8203
;·
8.. .40 (5
4,8
~
:§'
5 ... 25 (2
-
'J
~
-
0,2
1
КТ8199
О>'
В;
~
а
1
1
10,GS
5.. .40 (2
..
Q\:)
1
~
0,5
В;
.t\
"+· ·+
к
85 (1
~1 ~1
a2,s:1+c
f:$'
-
1~
КТ8205
711,85
О>'\
~w
-
с:...
~
lt,8
'r
~
6КЭ
Параметры биполярных кремниевых транзиt;торов
504
Uкво max,
**
Рк. и max,
*
**
fh2lэ,
***
fmax,
мВт
МГц
в
Рк max,
Струк-
Тип
прибора
тура
fгр, fh2lб,
• т max,
Рк.
КТ8207А
n-p-n
80*
КТ8209А
n-p-n
100*
КТ8231А
n-p-n
180*
*
**
Uкэо max,
UкэR max,
Iкво,
Iк max,
Uэво max,
*
Iк. и max,
в
мА
IКэR,
1**
кэо,
мкА
-
700; 400**
9
8
А;
16
А*
~10
(30
В)
Вт
-
700; 400**
9
12
А;
24
А*
~10
(30
В)
Вт
-
350**
-
Вт
15
А
-
-
КТ8231А1
n-p-n
155*
КТ8231А2
n-p-n
65*
n-p-n
n-p-n
125*
125*
Вт
Вт
-
350**
-
15
А
-
-
350**
-
15
А
-
-
350
350
5
5
20
20
А
-
100
80
60
5
5
5
/
КТ8232А1
КТ8232Б1
Вт
-
Вт
А
'
КТ82ЗЗА5
КТ82ЗЗБ5
КТ823385
р-п-р
p-n-p
p-n-p
-
~4
~4
~4
'
5А
5А
5А
-
-
nара~етры биполярных кремниевых транзисторов
505
~400
КТ8231
27,1
~№~
..;r
~400
КТ8231А1
15,9
5
__
-.
1с')
'SI--
6КЗ
~400
вкэ
300... 8000 (10 В; 5 А)
300... 8000 (1 О В; 5 А)
~О.18
~0,18
вкэ
~1000 (3 В; 0,5 А)
~1000 (3 В; 0,5 А)
~1000 (3 В; 0,5 А)
~300
~3
~300
~3
~300
~3
КТ82ЗЗ-5
1,6
0,5
~шт
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
506
f rp, fh21б,
fh'21э,
f •••
Uкво max,
max,
•• max,
Uкэо
МГц
в
2:4
2:4
2:4
100
80
60
5
5
5
SA
SA
5А
-
2:30
700; 400**
5
2А
-
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
2:1SO
30
30
40
50
60
70
80
800
800
800
800
800
800
800
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
2:150
30
30
40
50
60
70
80
2:25
2:25
2:25
100
80
60
-
2000
2000
2000
-
-
2:25
2:25
2:25
100
80
60
-
2000
2000
2000
-
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
-
2:150
2:150
2:150
2:150
45
60
60
80
-
2000
2000
2000
2000
-
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
-
2:150
2:150
2:150
2:150
45
-
2000
2000
2000
2000
-
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
•
Рк. т max,
•• и max,
Рк,
мВт
КТ8234А5
КТ8234Б5
КТ823485
КТ8235А
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
-
1000
• max,
UкэR
Iкво,
lк max,
UэБО max,
IКэR,
• и max,
lк,
в
1··
кэо,
мА
мкА
БСИТ
КТ8240А5
КТ8240Б5
КТ824085
КТ8240Г5
КТ8240Д5
КТ8240Е5
КТ8240Ж5
КТ8241А5
КТ8241Б5
КТ824185
КТ8241Г5
КТ8241Д5
КТ8241Е5
КТ8241Ж5
КТ8242А5
КТ8242Б5
КТ824285
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ824ЗА5
КТ824ЗБ5
КТ824385
КТ8244А5
КТ8244Б5
КТ824485
КТ8244Г5
КТ8245А5
КТ8245Б5
КТ824585
КТ8245Г5
-
-
60
60
80
800
800
800
800
800
800
800
'
-
"
'
Пара~етры·биполярных кремниевых транзисторов
507
С..кt
rкэ нас, Ом
Кш, дБ
'tк, ПС
* нас, Ом
rвэ
* Ом
rб,
t~ac, lic
пФ
к;.~, дБ
~1000 (3. В; 0,5 А)
~1000 (3 В; 0,5 А)
5:200
5:200
5:200
5:3
5:3
5:3
8".40 (2 В; 0,5 А)
5:30
:S: 1
Сi2э,
h21э, h21э
~1000
(3
В;
0,5
А)
**
Рвых,
-
Вт
**
tвыкл,
-
-
-
-
Корпус
НС
КТ8234-5
~шт
КТ8235
~
tэ-
--- i ·В
~
,
1 /~ ~11
~u 1 I ) 11
~5000
(5 В; 1О мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
(5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000
~10000
~10000
~10000
~5000 (5 В; 1О мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~10000 (5 В; 10 мА)
~500
~500
~500
(3 В; 0,5 А)
(3 В; 0,5 А)
(3 В; 0,5 А)
-
-
-
~
-
-
:S:l 5
:S:l 5
:S:l 5
:S:l 5
:S: 15
:S:l 5
:S:l 5
5:200
5:200
5:200
5:3
5:3
5:3
-
-
5:15
5:15
:S:l 5
:S: 15
:S:l 5
:S:l 5
:S:l 5
-
-
~~
6
1,6
э
0,5
~шт
-
-
-
fm
Q)
КТ8240-5
-
-
0,5
1,6
КТ8241-5
1,6
0,5
~шт
-
КТ8242-5
1,6
0,5
~шт
~500
~500
~500
(3 В; 0,5 А)
(3 В; 0,5 А)
(3 В; 0,5 А)
:S:l 00
:S:l 00
:S:l 00
-
5:3
5:3
5:3
-
КТ8243-5
1,6
0,5
~шт
~1 Ь0о (3 В; 0,5 А)
~1 ООО
~1000
~1000
(3 В; 0,5 А)
(3 В; 0,5 А)
(3 В; 0,5 А)
5:200
5:200
5:200
5:200
5:3
5:3
5:3
5:3
-
-
-
-
'
~1000
(3 В; 0,5 А)
~1000 (3 В; 0,5 А)
~1000 (3 В; 0,5 А)
~1000 (3 В; 0,5 А)
:S:l 00
:S:l 00
:S:l 00
:S:l 00
5:3
5:3
5:3
5:3
КТ8244-5
1,6
0,5
~шт
КТ8245-5
1,6
0,5
~шт
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
508
Рк max,
Тип
прибора
Структура
• т max,
Рк,
•• и max,
Рк.
мВт
frp, fh21б,
Uкво max,
•••
fmax,
•
UкэR max,
••
Uкэо max,
Мfц
в
fh21э,
Вт
-
100
120
160
160
50*
50*
Вт
-
10*
10*
Вт
~
р-п-р
Вт
n-p-n
350*
КТ8246А
п-р-п
КТ82466
п-р-п
КТ8246В
п-р-п
КТ8246Г
п-р~п
КТ8250А
п-р-п
КТ82506
п-р-п
КТ9115А
р-п-р
КТ9115Б
КТ9131А
60*
60*
60*
60*
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
UэБО max,
·в
Iкво,
lк max,
• и max,
Iк.
мА
IКэR,
IКЭо,
мкА
-
А
5
15
15
15
15
А
-
190; 40**
190; 80**
5
5
15 А
15 А
-
~
300* (IОк)
150* (lОк)
5
5
100; 300*
100; 300*
S0,05 (250 В)
S0,05 (150 В)
~100
100
4
25А; 40*А
-
5
5
5
А
А
S200*
мА
(НЮ В)
КТ9132АС
п-р-п
163**
Вт
-
50
4
11,2
-
А
.
КТ9t47ЛС
п-р-п
233**
КТ9153АС
п-р-п
50**
Вт
Вт
-
50* (IO Ом)
4
-
50* (10 Ом)
4
29
А
4А
-
-
параметры биполярных кремниевых транзисторов
509
Ск,
rкэ И3Сt Ом
Кш, дБ
't'к, пс
С12э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
tpac 1 НС
•
пФ
~1000
~.5
~.5
~.5
~1000
~.5
~100
5(),05
5(),05
~1000
~1000
~100
••
Рвых,
•
Вт
••
tвыкл,
Корпус
НС
КТ8246
10,7 1
r
КТ8250
10,7
r
~5
~5
(lo В; 30 мА)_
(lQ В; 30 мА)
::;;5,5 (30
::;;5,5 (30
В)
В)
КТ9115
::;;33
::;;33
10,7 -
t
а
, ~10 (10 В; 10 А)
::;;soo (50 в>
~10**
~400**
(30
МГц)
КТ9131
(30 МГц)
5(),1
6
к
~ ~3
~ ~
' .
r
~
~3.5** раз
~140**
(650
МГц)
,..
12.5
3
J5,8
КТ9132
-----.......... 6
, к~
~ ~- ' 1--З
~к"_L=З
ф
1а:,2 -
~··
~7.8**
;з:l 60**
~15**
(400
МГц)
(390 ... 640МГц)
КТ9147
КТ9153
~ ~-
' _з
~к _L-3
1
ф
1в;2
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов
510
Рк
Тип
Струк-
прибора
тура
max,
• т max,
Рк.
** и
Рк,
max,
мВт
КТ9156АС
n-p-n
50**
Вт
fгр, fь21б,
fь21э,
Uквоmах,
***
fmax,
* max,
UкэR
** max,
Uкэо
Мfц
в
-
50* (10
Ом)
'
Uэвоmах,
в
3
Iкво,
lк
max,
* и max,
lк.
IКэR,
IКЭо,
мА
4А
мкА
S60**
мА
/
КТ9189А-2
КТ9189В-2
n-p-n
n-p-n
n-p-n
2**
5**
8**
КТ9190А
n-p-n
40**
КТ9189Б-2
Вт
Вт
Вт
Вт
1000
1000
900
-
-
0,5 А
1А
1,6 А
-
720
-
-
8А
-
-
-
8А
-
КТ9190А-4
n-p-n
40**
.
Вт
720
(50
В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
-
h21э, h21э
Ск,
rкэ нас, Ом
Кш.дБ
't'к, ПС
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
rб, Ом
tpac, НС
пФ
-
511
-
~7**
••
Рвых,
~15**
Вт
(0,65 ... 1 ГГц)
•
••
tвыкл,
Корпус
НС
-
КТ9156
~6
еч 'кr
~-[~
-
~
1
'
5,~
-
4,5
13
20
12** (470 МГц)
10** (470 МГц)
6** (470 МГц)
0,5** ( 175 МГц)
2** (175 МГц)
5** ( 175 МГц)
-
-
З
~ к-u._-з
ф
_18,2 -
-
КТ9189
~1
~\ ~1
02.s]+(
....... ......"
~
108
,g
....,
5--
~
.•." ~
...,.
э/
'
.~
ц..
, +· ·+
~
~
к
Q\:)
1
э
-
'\..
0,5
-
65
-
20** (470 МГц)
-
~
1
КТ9190А
'1
(\/
~'
8,2
1
1
_...J
t\/
<:;:,"
20,5
5
1 \
'
11)
~
r
1О
<О
1
-+}з"~У
-<h ~ -
1\3
f
65
20** (470
МГц)
fб
tS
КТ9190А-4
8,2
--
"'>
...,..;-
5
,\ ' 3,2
3
1
lt)
J.2
з-... f:l ~ 1 '-З
1
-
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
512
•
fгр, fh2lб,
Рк max,
Тип
Струк-
прибора
тура
• т max,
Рк,
••
Рк. и max,
••
fh2lэ,
мВт
КТ9192А-2
п-р-п
КТ91925-2
п-р-п
2**
5**
Вт
Вт
Uкво max,
f •••
max,
• max,
UкэR
••
Uкэо max,
мrц
в
1200
1200
-
Iк max,
Uэво max,
•
Iк. и max,
в
мА
-
0,5
1,6
Iкво,
IКэR,
••
Iкэо,
мкА
-
А
-
А
-
КТ919ЗА
п-р-п
КТ91935
п-р-п
23**
40**
Вт
Вт
1000
1000
-
-
1000
1000
-
-
300
250
160
5
5
5
100; 300*
100; 300*
100; 300*
300
250
5
5
100
100
-
-
4А
8А
-.
'
КТ919ЗА-4
п-р-п
КТ91935-4
п-р-п
КТ940А1
п-р-п
КТ94051
п-р-п
КТ940В1
п-р-п
КТ940А9
п-р-п
КТ94059
п-р-п
23**
40**
Вт
Вт
500, 10*
500, 10*
500, 10*
1200
1200
"
Вт
~90
Вт
~90
Вт
~90
~90
~90
-
4А
8А
~О.05
~О.05
~О.05
(250 В)
(200 В)
(100 В)
-
параметры биполярных кремниевых транзисторов
Ск,
rкэ нас, Ом
Кw,дБ
Сi2э,
rБэ нас, Ом
к;.~, дБ
tб, Ом
пФ
6** (900 МГц)
5** (900 МГц)
•
••
Рвых,
Вт
513
tк, пс
• 1 НС
tpac
••
tвыкл,
Корпус
НС
0,5** (900 МГц)
2** (900 МГц)
КТ9192-2
1
8,2
1
1_..J,
1
1
-t}r
--+----.
...
1\3 f 6
..1d lfl
з
н
f
4 (900
МГц)
10** (900 МГц)
20** (900 МГц)
tS
КТ9193
8,2
1
'-...1
20,5
lt)
-
-----~~ ~ ~
5
'\
J,2
1
з-:~~
-з
~
..
-t}-
~ ~
......_т_
з·" dнlfl
l'"t--t---~
'э
f
4 (900 МГц)
10** (900 МГц)
20** (900 МГц)
t6
IS
КТ9193-4
8,2
l.t)
-
но)
-
5
,\
1
3,2
1
~25
~25
~25
(1 О В; 30 мА)
(1 О В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
::;;4,2 (30 В)
::;;4,2 (30 В)
::;;4,2 (30 В)
~5
~5
(10 В; 30 мА)
(10 В; 30 мА)
::;;4,2 (30 В)
::;;4,2 (30 В)
::;;3,з
КТ940-1
::;;3,3
::;;3,3
~.5;2
::;;З,3
КТ940-9
::;;3,3
4,6
1,6
~ ~F· ~·~--: ~
q;
-
~м+otifJl/11
3 /'
~•в
~5-
'
5
О,55
_1,5
Лf/
.,,
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
514
КТ945Б
n-p-n
КТ945В
п-р-п
КТ945Г
п·р-п
КТ961А1
п-р-п
50*
50*
50*
Вт
~50
Вт
~50
Вт
~50
~50
~5* мА (150 В)
мА (150 В)
~5* мА (150 В)
А
150
150
150
5
5
5
15
10
15
5
·5
5
1000
1000
1000
5
100
::;;25•
А
А
::;;10 (60
::;;10 (60
::;;10 (60
п-р-п
500
500
500
~50
100
80
60
КТ969А1
п-р-п
;;:::6,1 *Вт
~60
300
КТ972В
п-р-п
4*
А
п-р-п
60
60
2
КТ972Г
2 А; 4*
А
КТ97ЗВ
р-п-р
р-п-р
2 А; 4*
2 А; 4*
А
КТ97ЗГ
КТ&77АС
п-р-п
КТ961Б1
п-р-п
-кт9&1в1
~50
8*
8*
Вт
~200
Вт
~200
8*
8*
Вт
~200
Вт
~200
60
60
100
60
2500
А;
1А
сборка
КЕ702А
КЕ702Б
КЕ702В
БТИЗ
75
75
75
Вт*
Вт*
Вт*
600
1000
900
50А
33
25
А
А
::;;О,05
В)
В)
В)
(200 В)
А
::;;О,05
параметры биполярных кремниевых транзисторов
10... 60 (7 В; 15 А)
10... 60 (7 В; 10 А)
12 ... 60 (7 В; 15 А)
5200 (30 В)
5200 (30 В)
:5;200 (30 В)
50, 17
50,25
50, 17
515
51, 1* мкс
51,1* мкс
51,1 *МКС
КТ945
~№27,1 ~
tor:)'
'
40 ... 100 (2 В; 0,15 А)
63 .. .160 (2 В; 0,15 А)
100... 250 (2 В; О, 15 А)
50... 250 (1 О В; 15 мА)
......_____.
КТ961-1
~.5;2
51,8 (30 В)
КТ969-1
~.5;2
750 ... 5000 (3 В; 1 А)
750 ... 5000 (3 В; 1 А)
.$200*
5200*
КТ972
, 750 ... 5000 (3 В; 1 А)
750 ... 5000 (3 В; 1 А)
5200*
5200*
КТ973
2:25
КТ677
0,8
1
L
...
'"
... м.61.2,5•15
...... ~~
- iw
~
2.2Sтах
(711&14o0ol) о,5таr
КБЭ
ЭБК
1---.
.....~
~~"тtт-rl"nmr+rmм+r-1
0,35
0,4
0,4
КЕ702
516
'
Параметры полевых транзисторов
П~раметры полевых транзисторов
Реи max,
Тип
Структура
прибора
мВт
• т max,
Реи
Uзи отс,
Uси max,
uЗи пор,
UЗс
max,
Uзи max,
в
в
в
7
12
21
38
66
120
0,4."1,5
0,5 ... 2,2
0,6 ... 3
1.. .4
2 ... 6
2,6."7
15
15
15
15
17
17
30
30
30
30
30
кпзозr9
200
200
200
200
КП30ЗД9
200
КП303Е9
200
200
200
0,5".3
0,5."3
1... 4
S8
S8
S8
0,3."3
0,5 ... 2
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
30*
250
250
250
250
250
0,5 ... 3
1".5
1,5... 6
S2,5
150
Вт
КП103Е9
С р-п переходом
КП103Ж9
и п-каналом
КП10ЗИ9
КП10ЗК9
КП10ЗЛ9
КП10ЗМ9
КП30ЗА9
С р-п переходом
КПЗОЗБ9
и п-каналом
КПЗОЗВ9
КПЗОЗЖ9
КП303И9
КП307А1
С р-п переходом
КП307Б1
и п·каналом
кпзоm
КП307Е1
КП307Ж1
lc,
1<:. и,
мА
lc нач,
Iсост, мА
0,3 ... 2,5
0,35... 3,8
0,8 ... 1,8
1... 5,5
1,8".6,6
3".12
30
30
30
30
30
30
30
30
-
S1
27*
27*
27*
27*
27*
27
27
27
27
27
25
25
25
25
25
-
-
20
-
10
-
30
20
20
20
20
20
20
20
20
'
КПЗ61А
п-канал, д.ля электретных
микрофонов
КП734А
пМОП
КП734Б
nМОП
КП734В
nМОП
КП734А-5
пМОП
КП734:&-5
пМОП
IШ735А
пМОП
КП736Б
nМОП
IШ736В
пМОП
КП7З5r
nМОП
72*
72*
72*
1".2
1... 2
1... 2
60; 60*
60; 60*
15; 15*
±10
±10
±10
19
18
19
А
72*
72*
1... 2
1".2
60; 60*
60; 60*
:t: 1о
:t: 10
19
18
А
100*
100*
100*
100*
2 .. .4
2 .. .4
2 ... 4
2 .. .4
60;
60;
50;
50;
:t:20
:t:20
:t:20
:t:20
42
48
42
60*
60*
50*
50*
А
А
А
48А
А
А
А
S0,25
S0,25
~.25
S0.25
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
Параметры полевых транзисторов
517
Rси отк, Ом
S,
к;,Р, АБ
мА/В
••
Рвых,
Вт
лuЗИ, мв
0,4 ... 2,4 (10 В)
::;;8*
0,5 ... 2,8 (10 В)
0,8 ... 2,6 (10 В)
1... 3,3 (lo В)
1,8 ... 3,8 (10 В)
1,3 ... 4,4 (10 В)
~*
1... 4 (10 В)
1.. .4(108)
2 ... 5 (10 В)
3 ... 7 (10 В)
;:::2,6 (1 О В)
~4 (10 В)
1.. .4 (10 В)
2 ...6 (10 В)
~*
~*
~*
::;;8*
::;;2*
::;;2*
::;;2*
::;;2*
::;;2*
Кш,дБ
•
Uw,MKB
Е~·, нв/..JГц
Q***, Кл
3 (1
3 (1
кГц)
кГц)
3 (1
3 (1
3 (1
3 (1
кГц)
кГц)
кГц)
кГц)
i'::1, нс
1;·, Мfц
*
tвыкп,
НС
Корпус
лuзи/лт•••,
мквt·с
КП103
s
0,95
~~х
кпзоз
s
.s;;4 (100
::;;4 (100
~*
~~х
МГц)
МГц)
::;;2 *
::;;2*
4...9 (10 В)
::;;4 (1
g (1
5 ... 10 (10 В)
6... 12 (10 В)
О,95
кГц)
кГц)
3 ...8 (10 В)
4 .. .14 (10 В)
::;;1000; 400**
::;; 1000; 400**
SlOOO; 400**
S(),05
S0,06
::;;25; ::;;50*
::;;25; .s;;5Q *
~.02
SЗО;
g)()*
КП734
~ 70,65 ~fi1
.ф,8 -
,,..,,"_,_~,.._..
/
-
...
1--
~= j ~15
~.
'JI:
~
SlOOO; 400**
S1000; 200*
S(),05
S0,06
1
2. 5
19
l1
~·-~114-'·-
КП734-5
::;;200**
::;;200**
и
-
1,Р
~
~Е-
~
;
~- ~ IJl.1 r'
ti_ 'J.Ш') 14'
Sl800;
Sl800;
Sl800;
S1800;
800*
800*
800*
800*
S0,025
S0,028
S0,025
S0,025
SЗО;
S60*
SЗО; gю•
SЗО;
g)()*
SЗО;SбО*
-
"
~-
"
2.5
~9
Параметры полевых транзисторов
518
Реи max,
Тип
прибора
мВт
Структура
* т max,
Реи
Вт
КП759А-5
nМОП
КП759Б-5
nМОП
КП759В-5
nМОП
КП759f-5
nМОП
50*
50*
50*
50*
Uзи отс,
uЗи пор,
Uси max,
* max,
Uзе
в
в
2".4
2".4
2.. .4
2.. .4
500
450
500
450
lc,
Uзи max,
Ic.* и,
в
мА
±20
±20
±20
±20
2,5
2,5
2,5
2,5
А
А
А
А
Ie нач,
lc ост, мА
-
'
'
КП760А-5
nМОП
КП760Б-5
nМОП
КП760В-5
nМОП
КП760f-5
nМОП
74*
74*
74*
74*
2.. .4
2.. .4
2.. .4
2.. .4
500
450
500
450
±20
±20
±20
±20
4,5
4,5
4,5
4,5
А
А
А
А
-
,
КП761А-5
nМОП
КП761Б-5
nМОП
КП761В-5
nМОП
КП761f-5
nМОП
125
125
125
125
КП814А
МДП, n-канал
-
-
КП814Б
МДП, n-канал
КП814В
МДП, n-канал
КП814f
МДП, n-канал
КП814Д
МДП, n-канал
КП814Е
МДП, n-канал
КП814Ж
МДП, n-канал
КП814И
МДП, n-канал
КП814К
МДП, n-канал
КП814Л
МДП, n-канал
КП814М
МДП, n-канал
КП814Н
МДП, n-канал
КП814П
МДП, n-кан'ал
КП814Р
МДП, n-канал
КП814С
МДП, n-канал
КП814Т
МДП, n-канал
КП814У
МДП, n-канал
КП814Ф
МДП, n-канал
КП817А
рМОП
КП817Б
рМОП
КП817В
рМОП
-
-
-
2.. .4
2.. .4
2.. .4
2.. .4
-
-
-
-
-
-
-
500
450
500
450
зоо'
зоо
400
400
500
500
600
600
700
700
800
800
900
900
950
950
1000
1000
зо
40
60
±20
±20
±20
±20
ВА
ВА
-
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
10 А
12 А
:5;6
::;;6
::;;6
:5;6
ВА
8А
ВА
10 А
-
7А
::;;б
10 А
БА
::;;6
:5;6
:5;6
:5;6
6А
::;;б
6'А
ВА
ЗА
::;;6
4А
::;;б
ЗА
::;;б
З,8 А
:5;6
::;;6
:5;6
ЗА
З16 А
.
-
ЗА
::;;б
З,6 А
::;;6
200*
150*
100*
-
'
Параметры полевь1х транзисторов
S,мА/В
-
-
519
Rсиотк, Ом
Кш,д:Б
С11и, С12и,
Ку.Р, дБ
С22и, пФ
Рвых 1 Вт
u~, мкВ
Е~*, нВNГц
•
360;
360;
360;
360;
92**
92**
92**
92**
••
лuЗИ, мв
~
::;;3
::;;4
::;;4
Q***,
-
Кл
tвкл 1 НС
•
1;•, мrц
tвыкл 1 НС
Корпус
лuзи/лт•••,
мквt·с
КП759
8**
8**
8**
8**
:r
1465
1
11
-
flf3дl,"
/
'
"11
1/,8
-
- "' ....
"'"'"
Qa С11)
~" ~"
1
lo
1
3~111
~
с-н
1
сч
~
-
-
610; 68*
610; 160**
610; 68*
610; 160**
::;;1,5
:Sl ,5
::;;2
::;;2
-
-
2.5 1.~-
1,1
КП760
16**
16**
16**
16**
.
1,15
-
•
2Д
-
и
:r
1465
.'
1
'r
IЯ"
flfЦ", /
' -
,.
1/,8
--
-
1
Qa ~
~" ~"
.....
-
1
сч
З~IП
lo
~ IOQ,,
-
1300; 120*
1300; 310**
1300; 120*
1300; 310**
S(),85
::;;(),85
::;;1, 1
::;;1, 1
-
и
1,15
1,9
с-.
2Д
2.5
-
:r
10,65
1r
1
11
1•
'
Qa ~
flf3дl",
/
, -
,.
сч
3
' lo
l 300...3000(30B;2,5A)
1300... 3000(3ОВ;2,5А)
1300... 3000(30В;2,5А)
l 300...3000(30B;2,5A)
1ЗОО... 3000(3ОВ;2,5А)
1300... 3000(30В;2,5А)
1300... 3000(ЗОВ;2,5А)
1300...3000(30В;2,5А)
1300... 3000(3ОВ;2,5А)
1300... 3000(ЗОВ;2,5А)
1300... 3000(ЗОВ;2,5А)
l 300...3000(30B;2,5A)
1300... 3000(ЗОВ;2,5А)
1300...ЗООО(ЗОВ;2,5А)
-
-
-
-
-
-
-
::;;1
:S0,8
:Sl,5
::;;1,2
::;;2
:Sl ,3
:S2,3
::;;1,8
-
-
~
-
::;;2,5
::;;4,2
-
~
::;;4,5
:S4
::;;4,5
:S4
:S4,7
:S4
-
S(),04
S(),05
S0,15
-
-
-
-
-
-
~
с
2Д_
2.5
-
....
-
и
1,15
~- 'OQ,,
1/,8
-
1
~" ~"
.....
1300."ЗООО(ЗОВ;2,5А)
1300."3000(ЗОВ;2,5А)
1300... 3000(308;2,5А)
-
КП761
23**
23**
23**
23**
'
1300... 3000(30В;2,5А)
1,1
-
1,9
-
1,1
КП814
~п
с...
са"
с:-.!
r"'I
1 <>
- 2. 2
-
КП817
-
- 70,85
.
О)
Lf
un
~r
CN
.:
'~
с
и
lr" .....
!!-
3U
',
~4
-
1 () -1,/
'
4,8
т
Параметры варикапов
520
Параметры варикапов
Сд, пФ
Тип
прибора
Qв
fизм, мrц
fизм, мrц
мин.
1
1
200
200
-
-
3
3
3
-
400
400
350
-
-
1,2
1,3
1,5
28
28
28
-
200
250
300
-
-
-
-
.1,9
1,8
2,2
2,4
2,4
2,7
28
28
28
-
450
350
450
-
-
1,9
1,8
2,2
2,4
2,4
2,7
28
28
28
-
450
350
450
-
-
2,4
2,4
2,7
2,4
28
28
28
28
-
450
350
450
400
-
-
KB149f3
1,9
1,8
2,2
2
КВ16ЗА
1,85
2,3
28
-
470
50
-
КВ16ЗА9
1,85
2,3
28
-
470
50
-
\
КВ140А-1
КВ1405-1
КВ14ЗА
КВ1435
КВ14ЗВ
КВ148А9
КВ14859
КВ148В9
КВ149А1
КВ14951
КВ149В1
КВ149'А2
КВ14952
КВ149В2
КВ149АЗ
КВ14953
КВ149ВЗ
Uобр, В
мин.
макс.
160
190
210
240
-
24
24
24
30
30
30
0,85
1
1,2
-
'
-
Uoop,
В
-
-
-
Параметры варикапов
lобр, ~кА
(при Uобр, В)
-
U~p, В
15
15
521
Рпр, Вт
(при Тиэм, •с)
-
т, ·с
-
асв, 11·с
Корпус
(при Uобр, В)
-
КВ140
al,2
~w-=
D
0,05
0,05
0,05
18
18
28
-
-
-
-
-
КВ143
-
::>С:
:::з
44
25
t:J
N
{S)
-
-
15
15
15
-
-
-
КВ148
~~
С::::.'
11 ~"
11
~~,
,
n
ГI
~j
'
0,02
0,02
0,02
0,02
0,02
0,02
30
30
30
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
КВ149-1
~1J:~.1 "@"
-
КВ149-2
-
~Qo
-
{S)
0,02
0,02
0,02
0,02
30
30
30
30
-
-
3,7
.
-
КВ149-З
-
-
-
ре:
-
25
t:::3 :::J
58
-
С1О
N'
{S)
-
-
-
-
-
КВ163
~1)"
3
-
-
-
-
-
8
-~
(?-
КВ163-9
~~
С::::.'
~'
...
~
1 1
11
n
11 ~"
1
522
Параметрь1 варикапов
Сд, пФ
Тип
прибора
Qa
мин.
макс.
Uобр, В
fиэм, МГц
2,4
2,9
28
КВ164А9
2,4
2,9
КВ165А
2,9
3,4
КВ164А
мин.
Uобр, В
fиэм, МГц
-
300
50
-
28
-
300
50
-
28
-
60
50
-
-
60
50
-
-
/
КВ165А9
2,9
3,4
28
-
КВ166А
0,85
1,2
28
-
250
50
-
КВ166А9
0,85
1,2
28
-
250
50
-
"
Параме11Jрыварикапов
lобр, мкА
(при Uобр, В)
-
Uобр, В
-
523
Рпр, Вт
(при Тизм, •с)
-
СХСв, 11·с
(при Uобр, В)
т, ·с
-
Корпус
-
КВ164
~1i
-
-
-
-
-
-
з
s
-~
КВ164-9
~~
~"
1 1
1с\ ~
...
11 ~"
11
~
r
n
--
-
-
-
~
-
КВ165
'
~1i
•
-
-
-
-
-
з
s
-~
КВ165-9
~~
~"
1 1
1с\ ~
...
11 ~"
11
~
r
n
~
-
-
-
-
-
КВ166
~1i
-
-
-
-
.
-
з
s
-~
КВ166-9
~~
~"
1с\ ~
...
~
1 1
11
n
11 ~"
j
Параметры стабилитронов_и стабисторов
524
Параметры стабилитронов и стабисторов
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/•с
cSUcт,
%
Uпр, В
(при
Inp,
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
КС102А
4,76
5,1
5,36
20
0,01
-
-
КС106А
2,9
-
3,5
0,5
-0,13
-
-
КС107А1
0,67
0,7
0,77
10
0,3
-
-
2,8
-
3,2
3
-
КС156А9
5,04
5,6
6,16
5
±0,05
КС168А1
6,3
6,8
7,3
5
КС201В
11,34
12,6
13,86
кс201r
12,35
13
КС291А
86
КС405А
КС433А1
КС130Д·5
:1: 1,5
-
:1: 1
-
0,06
-
-
5
0,095
-
-
13,65
5
0,095
-
-
91
96
1
0,11
:1: 1,5
-
5,89
6,2
6,51
0,5
±0,002
:1: 1,5
-
3
3,3
3,6
30
0,1
:1: 1,5
-
-
мА)
Параметр&~ стабилитjзонов и стабисторов
rст, Ом
(при Iст, мА)
500 (0,275)
- Рпр,
мин.
макс.
0,01
0,5
525
Вт
0,4
2
мВт
Токр.,
·с
Корпус
-60 ... 125
КС102
-60 ... 70
КС106
~
~tеЩjэео
100
-60."125
КС107
~
~ еоеЕЭэеэ
180 (3)
0,2
16,7
0,05
-60".125
КС130
-rВТ
46 (10)
3
36
0,225
-60".125
КС156
35 (5)
3
45
0,4
-60".125
КС168
~i~E3
11д
0,25
-60".125
КС201В
if~E3
щ
0,25
-60".125
кс201r
if ...q):эа
if 111E3
щ
700 (1)
0,5
2,7
0,25
-45".125
200 (0,5)
0,1
60
0,4
-60... 125
КС291
КС406
~
~t вЕi(Э25 (30)
3
191
-60... 125
КС433-1
.~i~E3
5,8
526
Параметры стабилитронов и стабисторов
Uст, В
Тип
прибора
сх.Uст, %/•С
бUст, %
Uпр, В
(при
Inp,
мин.
ном.
макс.
Iст, мА
КС439А1
3,5
3,9
4,3
30
0,1
±1,5
-
КС447А1
4,2
4,7
5,2
30
0,03."0,08
±1,5
-
КС456А1
5
5,6
6,2
30
0,05
±1,5
-
КС468А1
6,12
6,8
7,48
30
0,065
±1,5
-
КС482А1
7,8
8,2
8,6
5
0,08
±1,5
-
КС510А1
9,5
10
11
5
0,1
±1,5
-
КС512А1
11
12
13
5
0,1
±1,5
-
КС515А1
14
15
16
5
0,1
±1,5
-
-
-
}
1
КС515Г1
14,25
15
15,75
10
±0,005
±0,5
-
КС518А1
16
18
19
5
0,1
±1,5
-
КС52081
19
20
21
5
±0,01
±1
-
КС522А1
21
22
23
5
0,1
±1,5
-
мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
25 (30)
Рпр, Вт
мин.
макс.
3
176
1
527
Токр.,
Корпус
·с
КС439-1
-60 ... 125
~t а~еэ
-,~ ·tl
5
18 (30)
3
159
1
КС447-1
-60 ... 125
~ti~чГеэ
10 (30)
3
139
1
КС456-1
-60".125
~i а~еэ
l.5·tl
5 (30)
3
52
0,4
КС468-1
-60 ... 125
~i ""tiieэ
5,8
/
25 (5)
1
96
-
1
КС482-1
-60.:: 125
~~~5·tГеэ
25 (5)
1
79
1
КС510-1
-60."125
ча~еэ
~5·~1
25 (5)
1
67
1
КС512-1
-60".125
ч...QРеэ
~5·tl
25 (5)
1
53
1
КС515-1
-60".125
~;~...
~
'
-
25 (10)
31
0,5
.;"
КС515Г-1
-60".125
~Ef~
-
~"
~"
~
25 (5)
...
1
45
1
.
~"
КС518-1
-60."125
~4 ~1 ~Г"'
120 (5)
-
22
0,5
-60 ... 125
КС520·1
~f~~
~
t!
25 (5)
1
37
1
-60".125
КС522·1
.. ..
~i ~
-t. ·tl
5
Параметры стабилитронов и стабисторов
528
Uст, В
Тип
прибора
аUст, %/•с
мин.
ном.
макс.
КС523А
28,5
30
31,5
КС524А1
23
24
КС527А1
26
КС53181
29,45
бUст,
%
Iст, мА
Uпр, В
(при
Inp,
-
0,11
± 1,5
-
25
10
0,1
±1,5
-
27
28
5
0,1
±1,5
-
31
32,55
10
±0,005
±0,5'
-
.
КС533А1
31
33
35
-
0,1
2
-
КС551А1
48
51
54
2
0,12
±1,5
-
КС582А1
78
82
86
-
0,12
±1,5
-
КС591А1
86
91
96
2,8
0,12
±1,5
-
КС600А1
95
100
105
2,5
0,12
±1,5
-
-
-
Д818А
Д818Б
Д8188
Д818Г
Д818Д
Д818Е
•
9
7,2
9,5
8,3
11
9
10
10
±0,023
±0,023
±0,11
±0,13
7,6
7,6
7,6
8,1
8,4
8,7
8,6
8,5
10
10
10
8,9
10
10
10
10
±0,011
±0,006
±0,002
±0,001
±0,12
±0,12
±0,12
±0,12
-
-
-
-
мА)
nараметрь1 стабилитронов и стабисторов
Iст, мА
rст, Ом
(при Iст, мА)
80 (2)
'
Рпр, Вт
мин.
макс.
0,5
10
30 (5)
0,3
33
529
Токр. 1
·с
-60 .. .125
-60 .. .125 .
Корпус
КС523
КС524-1
~i etiiГa
30
40 (5)
1 .
-60 .. .125
КС527-1
~f eWa
15
0,5
-60 .. .125
КС531
90 (5)
10
0,35
-60 ... 125
КС533-1
200(1,5)
15
-60 .. .125
КС551-1
50 (10)
3
чееf=Ра
СЕ1
400 {1,5)
9,8
-60."125
КС582-1
~ieeFPa
СЕ1
8,8
400 {1,5)
-60."125
КС59.1-1
чееf=Ра
СЕ1
450 (1,5)
8,1
-60 .. .125
КС600-1
~ieef=Pa
СЕ1
70 (3)
18 (10)
3
3
33
33
0,3
0,3
-60."125
-60 .. .125
Д818
~
~t еэ.::ЕРез
18
• 18
18
18
(10)
(10)
(10)
(10)
3
3
3
3
33
33
33
33
0,3
0,3
0,3
0,3
-60 ... 125
-60 .. .125
~60 .. .125
-60."125
Д818
Параметры диодов, столбов и блоков
530
Параметры диодов, столбов и бnоков
Uoop max,
Тип
в
прибора
Uciбp и max,
в
КД126А
300
800
КД127А
Inp max, мА
In,f, ер maxt мА
Iпр. и max, мА
250; 1100*
250; 1100•
fд max1
кГц
20
20
Uпр, В,
loop, мкА
не бо.uее
не бо.uее
(при 1пр 1 мА)
(при Uoop, В)
1,4 (250)
1,4 (250)
2 (300)
2 (800)
tвос, о6р1
мкс
S0,2
$0,2
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop, В)
-
КД126, КД127
-
о
м
~
= \.._
i:::=:s l
50
75
95
КД128Б
КД128В
-
160
160
160
-
1 (160)
1 (160)
1 (160)
-
-
-
КД128
21
21
21
7.2
J
~IJ
~
~
,,.
:::::1 t:::::I
12,5
КД128А
_/
ir
о
КДIЗОАС
50
300; 1000*
200
1,25 (300)
1 (50)
0,03
2,5,
КДIЗО
~вr.~
. _
~...
~
КД210А1
КД210Б1
КД210В1
КД210П
800*
800*
1000*
1000•
10
10
10
10
А;
А;
А;
А;
50*
50*
50*
50*
А
А
А
А
1
1
1
- 1
1 (10
1 (10
1 (10
1 (10
А)
А)
А)
А)
4,5 мА (800В)
4,5 мА (800В)
4,5 мА (IOOOB)
4,5 мА (lOOOB)
-
-
КД210-1
10,!J
~i
~
Ш'W
/
КД227ГС
КД227ЕС
КД227ЖС
280
420
560
5
5
5
А;
А;
А;
15*
15*
15*
А
А
А
1
1
1
0,9 (5
0,9 (5
0,9 (5
А)
А)
А)
800
800
800
-
-
10,7
.
~
&t)
i
~
......
г-m
~
КД237Б
100
200
1А
1А
-
-
1,3 (l А)
1,3 ( 1 А)
5 (100)
5 (100)
50
50
-
~
rr
~~
КД248В
КД248f
КД248Д
КД248Е.
КД248Ж
КД248И
КД248К
1000
1000
800
800
600
600
400
400
1000*
3 А; 9,6* А
1 А: 3,2* А
3 А; 9,6* А
1 А; 3,2* А
3 А; 9,6* А
1 А: 3,2* А
3 А; 9,6* А
1 А; 3,2* А
1,5 А: 4,8* А
100
100
100
100
100
100
100
100
65
1,4 (3 А)
1,4 (1 А)
1,4 (3 А)
1,4 (1 А)
1,4 (3 А)
1,4 (1 А)
1,4 (3 А)
1,4 (1 А)
1,1 (l,5 А)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
~.25
S0,25
-
-
-
-
11,8
т
D
5
~
~
~
КД248Б
D
КД237
-
КД248А
t
КД227
~
КД237А
-
t
-
~48
~т
"
531
Параметры диодов, столбов ·U блоков
Тип
Uoop maxt
в
прибора
U~иmaxr
в
КД249А
40
30
20
КД249Б
КД249В
lпр maxr мА
In,r, ер maxr мА
Iпр, и max, мА
3
3
3
А;
А;
А;
10*
10*
10*
А
А
А
fдmax,
кrц
-
Unpr В,
IooPt мкА
не бо.uее
не бо.uее
(при Inpr мА)
(при Uoop, В)
0,475 (3 А)
0,475 (3 А)
0,475 (3 А)
3000
3000
3000
tвос, обрr
мкс
.Сд, пФ
(при
Корпус
Uoopr В)
-
КД249
750
750
750
-
~.65
- ---
N
tD
КД259А
90
80
60
КД259Б
КД259В
3
3
3
А;
А;
А;
10*
10*
10*
А
А
А
-
0,8 (3 А)
0,75 (3 А)
0,7 (3 А)
-
3000
3000
. 3000
-
~~
КД259
-
-
~
....
9,65
,,
-
-- N.....
-
N
tD
-
.
КД27ЗАС
25
50
75
100
150
200
КД27ЗБС
КД273ВС
КД27ЗГС
КД27ЗДС
КД27ЗЕС
20 А; 1200* А
20 А; 1000* А
20 А; 800* А
20 А; 700* А
20 А; 600* А
20 А; 520* А
-
0,65 (20 А)
0,75 (20 А)
0,85 (20 А)
0,9 (20 А)
l (20 А)
1,05 (20 А)
l (25)
1 (50)
l (75)
l (100)
l (150)
2 (200)
-
--
-
1700
1700
1700
1700
1700
1700
КД273
10,7
&t)
1
КД275А
2,2
2,2
2,2
2,2
2,2
2,2
50
100
200
400
600
800
КД275Б
КД275В
КД275Г
КД275Д
КД275Е
КД280А
50
100
200
400
600
800
100
КД280Б
КД280В
КД280Г
КД280Д
КД280Е
КД280Ж
КД281А
50
100
200
400
КД281Б
i<д281В
КД281Г
3
3
3
3
. 3
3
3
А;
А;
А
А
А
А
А;
А;
1 А;
l А;
l А;
1 А;
l А;
30•
30*
30•
30*
30•
А;
А;
-
А
100*
100*
100*
100*
100*
100*
100*
А;
-
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
КД28Щ
600
КД281Е
КД281И
800
1000
400
КД281К
600
КД281Л
КД281П
800
400
600
800
1 А; 30* А
0.1 А; 30• А
0,7 А; 30* А
о,5 А; 30• А
о,3 А; 30• А
0,3 А; 30* А
0,3 А; 30* А
КД292АС
450
500
КД281Ж
КД281М
КД281Н
А
1А;30* А
1,4
1,4
1,4
1,4
1,4
1,4
(2,2
(2,2
(2,2
(2,2
(2,2
(2,2
l
l .
l
l
l
l
l
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
(3
(3
(3
(3
(3
(3
(3
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l, l (l
l, l (l
l, l (l
1, l (l
1,1 (l
l,l (l
l,l (1
l (0,7
l (0,7
l (0,5
l (0,3
1 (0,3
l (0,3
-
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
А)
1,2 (500)
-
50 (50)
50 (100)
50 (200)
50 (400)
50 (600)
50 (800)
0,25
0,25
' 0,25
0,25
0,25
0,25
10
10
10
10
10
10
10
-
-
50 (50 В)
50 (100 В)
50 {200 В)
50 (400 В)
50 (600 В)
50 (800 В)
50 0000 В)
50 (400 В)
50 (600 В)
50 (800 В)
50 (400 В)
50 (600 В)
50 (800 В)
-
-
50 (450
В)
-
11,8
--
r
'
j'
~.
~
......
два диода
--
~-
~
А1КА2
D
КД275
__ ,
,1
...
~
~
-
'-
- ~- --
-- 7
:кд280
9,65
- -
'~
N
tD
,_.,
""
--
-
--
КД281
...
(\')
--
r - -~
'-
~-
_12,5
-
:кд292АС
два диода
~Ei~-
-
r-$'
.
~
"'
КД292БС
450
-
500
1,2 (500)
два диода
.
-
.
50 (450
В)
-
-
:кд292БС
~Ei~~
532
Параметры диодов, столбов и блоков
Тип
Uoбpmax,
в
прибора
U.:S., и roix,
в
.кд2989А
Inpmax, мА
In,f• ер max, мА
lпр, и maxr мА
20
20
600
400
200
.кд2989Б
.кд2989В
А;
А;
20-А;
60*
60*
60*
f4max1
кl'ц
А
1()()
А
100
100
А
Uпр, В,
loop, мкА
не бо.вее
не бо.вее
(при Inpr мА)
(при Uобр, В)
1,4 (20
1,4 (20
1,4 (20
А)
А)
А)
200 (600)
200 (400)
200 (200)
tвос, обрr
мкс
$0,15
$0,15
$0,15
СА, пФ
(при
Корпус
Uобр, В)
-
КД2989А, Б, В
корпус соединен с положительным
электродом
11)
.;
t=:]
.кд2989А·1
.кд2989Б-1
20
20
20
600
400
200
.кд2989В-1
-
А
А
А
1,4 (20
1,4 (20
1,4 (20
А)
А)
А)
200 (600)
200 (400)
200 (200)
-
-
-
-
с:
Q.114 -
-
-
~t:=]
.кд2989А-1, Б-1, В-1
корпус соединен с отрицательным
электродом
11)
.;
Q.114
с=:эс
КД409А9
100; 500•
100; 500•
40
40
КД409Б9
200
150
КД424Г
50."ЗООМГц
1,2 (100)
1 (50)
0,5
0,5
-
----:1:=3
КД409
1
1,5
J
0)5
~~х
'
КД424В
50 ... ЗООМГц
--
2
2
А;
А;
5*
5•
А
А
-
1,1 (300)-"
1,1 (300)
0,1
0,1
10
10
КД424
1
1
r
~
~-
'&.
а
КДS12А1
20
20; 200•
-
1,1 (10)
5
0,001
1
КДS14А1
10
20; 50•
-
1,1 (10)
5
-
0,9
КДS21А9
75
50; 500•
-
1 (50)
1 (75)
-
3
-
-5,2
КД612
m_=g==
m_=g==
КДS14
КДS21
~~t
КД622Б9
50
НЮ;
JSOO•
-
1 (100)
l (50)
-
КДS22
3
J
"
КД632А
,
300
1()();
200•
:,1
1,2 (100)
0,1
0,25
2 (20
0)5
~~х
В)
КД632
ос
- 25
~ :J
4.4
'
N
~
параметры диодов, столбов и блоков
Тип
Uoбpmax,
в
прибора
U~рн max,
в
КД636АС
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
60
120
200
400
600
800
lnpmax, мА
1~, ер max, мА
lпр. и max, мА
15
15
15
15
12
12
А;
50*
А
А;
so• А
А;
50*
50*
50*
50*
А;
А;
А;
А
А
А
А
f.цmax,
кrц
-
-
533
Uпр. В,
loop, мкА
не бо.вее
не бо.вее
(при lnp, мА)
(при Uобр, В)
1 (10 А)
1,1 (10 А)
1,2 (10 А)
1,3 (10 А)
1,4 (10 А)
1,5
. (10 А)
1 мА (60)
1 мА (120)
1 мА (200)
3 мА (400)
3 мА (600)
3 мА (800)
tвос, обр,
мкс
-
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop, В)
-
КД636
11')
j
11,8
т
~1
j'
...... ,,
CCf
~
.....
10,7
~
D
'
КД708А
КД708Б
КД708В
200
200
100
1 А; 5•
1 А; 5•
1 А; 5*
А
А
А
-
1,2 (1 А)
1,2 (1 А)
1 (1 А)
0,01
0,015
0,025
5
5
5
КД708
20
20
25
•
ос
::З· t::J
_254_
7
-
со
С')
~
КД710А
35
100; 200•
-
1,2 (100)
0,1 (20
В)
0,006
В)
2 (10
КД710
ос
::::::i ~ ::J
44
25
-
С\1
~
~
КД711А
35
100; 200•
-
1,2 (100)
0,025 (15
В)
0,01
КД7Н
2
РС
::з
4.4
-
- 25 -
-
t::J
С\1
~
КД80SА9
75
200; 450•
-
1 (100)
5 (75)
0,004
КД806-9
2
s
КД810А.
3
10; 30•
-
0,4 (10)
100 (3)
0,002
,l (l
В)
О,95
~*Х
КД810
РС:
::з
-
- 25 -
5.8
-
со
'
c-i
~
КД812А
5
КД812Б
КД812В
5
5
30; 60*
30; 60*
30; 60*
-
0,23 (1)
0,23 (1)
0,24 (1)
100
100
100
0.002
0.002
0.002
1 (1 В)
1,5 ( 1 В)
1,1 (1 В)
КД812
РС
:::::з ~
5.8
- 25
со
c-i
~
КД921А
18
21
КД921Б
..
100; 200•
75; 150*
900МГц
900 МГц
1 (75)
1,6 (75)
0,5 (18)
0,5 (21)
-
КД921
1,5
1.5
.А
д
...
ео;
&
--- -3,1
11
~
t::1
'
Параметры диодов, столбов и блоков
534
Тип
прибора
Uoop maxt
•в i
Uoop и maxt
в
КД927А
Inp max, мА
Iпz. ер max, мА
lnp, и max, мА
fд max,
кГц
lобр, мкА
не более
(при Inpt мА)
0,23 (O,l)
10; 20•
35
Uпр. В,
не более
(при
Uoop1
tвос, обр,
МКС
В)
15 (35)
Сд, пФ
(при
Uoop,
-Корпус
В)
КД927
0,5
::>С:
::::J ~ t::J
44
- 25
-
С\1
~
КЦIОЗА
2000•
10; l *
А
50
9 (50)
10 (2000)
2
-
КЦ103
~t~22
КЦ109АМ
6000*
-
300
8 (300)
10 (6000)
l, l
-
КЦ109
7
КЦ118Б
10
-
2; l *А
2; l *А
кВ
кВ
35 (lO)
35 (10)
0,3
0,3
l
l
-
·~~
116,5
~·
КЦ118А
~Гs
КЦ118
~~~
.:::r'
с
С1
19,5
КЦ122А
14
12
10
КЦ122Б
КЦ122В
КЦ206А
КЦ206Б
КЦ206В
-
КЦЗО2А
кВ
кВ
6 кВ
8 кВ
9,5 кВ
КЦЗО2Б
1400
1000
КЦЗ02В
600
кцзо2r
180
16
16
16
21 (5)
21 (5)
21 (5)
0,5
l
1
0,4
0,4
0,4
-
А
1
1
А
1
12 (350)
9 (350)
9 (350)
25
100
100
-
-
А
1
1
1
1
2
2
2
2
15
15
15
15
-
-
3
3
3
кВ
350; 30•
350; 30•
350; 30*
300;
300;
300;
300;
15*
15*
15*
15*
А
А
А
А
(300)
(300)
(300)
(300)
,-
5,5
КЦ122
22
~·
КЦ206
~Еfг=
22
кцзозм
100
200
300
400
500
600
100
200
300
400
500
кцзозн
600
КЦ422А
50
100
200
400
кцзозв
кцзозr
кцзозд
КЦЗОЗЕ
кцзозж
кцзози
кцзозк
кцзозл
КЦ422Б
КЦ422В
КЦ422Г
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
1 А;
2 А;
2 А;
2 А;
2 А;
2 А;
2 А;
35*
35*
35*
35*
35*
35•
35*
35*
35*
35*
35*
35•
500
500
500
500
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А,
А
1
l
1
1
l
l
1
1
1
1
1
1
-
2,5 (l А)
2,5 (l А)
2,5 (l А)
2,5 (1 А)
2,5 (1 А)
2,5 (1 А)
3 (2 А)
3 (2 А)
3 (2 А)
3 (2 А)
3 (2 А)
3 (2 А)
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
1,1 (О,5А)
1,1 (0,5 А)
1,1 (0,5 А)
1,1 (О,5А)
50 (50 В)
50 (100 В)
50 (200 В)
50 (400 В)
l
-
-
00
КЦЗО2
~4
- -
...-.. +_
... u u u
КЦЗОЗБ
~
·~
DDDD
25
КЦЗОЗА
о
-
А
кцзоз
~ЕfВ=
22
00
КЦ422
~~lk
-"
сО
а
с
'
а
1 5,8 3
~
2·{)1
-7
5,5
535
Параметры диодов, столбов и блоков
Uобр max,
Тип
в
прибора
U~p и max,
в
ГД404АР
3
lпр max, мА
In,f, ер max, мА
lпр, и max, мА
3; 20•
Uпр, В,
lобр. мкА
не бо.вее
не бо.вее
(при Inp, мА)
(при Uoop• В)
f.ц max,
кГц
-
tвос, обр,
-
0,4 (10)
мкс
-
Сд, пФ
(при
Корпус
Uoop. В)
-
ГД404
~~Ji
~
8,б
25
2
о
[)f
oJ
1
о
[)f
о/(
КДС111А2
КДС111Б2
КДС111В2
300
300
300
200; 500*
200; 500*
200; 500•
20
20
20
1,2 (100)
1,2 (100)
ц (100)
3 (300)
3 (300)
3 (300)
S5
S5
S5
-
два диода
КДС111
~t~tщ!
~
А2. Б2 -
82 КДС132А1
КДС132Б1
КДС132В1
250
250
250
200; 500*
200; 500*
200; 500*
-
1,2 (100)
1,2 (100)
1,2 (100)
3 (300)
3 (300)
3 (300)
S5
S5
S5
~
...,,.
общий катод (А1 К А2.)
общий анод (К1 А К2)
два д.щqа nоспедоеатеnыю (А 1 К А2)
-
-
два диода
КДС132
~Etiщ!
~
АКА
~
..,,,_
А1-А1 КА2.
-
КДС13ЗА1
КДЩЗБI
КДС1ЗЗВ1
200
200
200
200; 500*
200; 500*
200; soo•
-
1,2 (100)
1,2 (100)
1,2 (100)
3 (300)
3 (300)
3 (300)
два диода
..
S5
S5
S5
Б1-К1АК2
В1-А1 КА2.
-
-
КДС133
;fi~tщ!
~
-
КАК
А1-А1 КА2.
Б1-К1 АК2
В1-А1 КА2.
~
~
Параметры тиристоров
536.
Параметры тиристоров
Тип
прибора
-
КУ709А
КУ709Б
КУ709В
Uобр,п,
Uзс,п,
Ublip, max,
u:c, max,
в
в
800
1200
1600
-
Ioc, и,
А
-
-
loc, ер,
• п,
Ioc,
Uoc, и,
•
Uoc,
А
·в
16
16
16
-
Uy, нот,
Iзс, п,
lобр, "'
i:c,
•
loop,
мА
мА
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
в
-
-
КУ709А-1
КУ709Б-1
КУ709В-1
КУ709А-2
КУ709Б-2.
КУ709В-2
800
1200
1600
-
-
-
-
16
16
16
800
1200
1600
-
-
25
25
25
-
-
-
КУ710А
КУ710Б
КУ710В
КУ711А
КУ711Б
КУ711В
55
-
-
-
-
90
90
90
800
1200
1600
-
600
1200
1600
-
-
-
55
55
-
-
-
-
параметры тиристоров
ly,
•
--
от,
Uy,
•
от,
lу,з,и,
Uу,от,и,
мА
в
45
45
45
2
2
2
537
dUзc/dt,
tвкл,
fвыкл,
В/мкс
мкс
мкс
500
500
500
..
-
Корпус
-
КУ709А, Б, В
111, 1
-
~"
~
1
~"
~
-
L
~~
~'
~
'1,8
-
j
г-m
D
'
45
45
45
2
2
2
500
500
500
-
-
КУ709А-1, Б-1, В-1
9,З
м
=
-l"oo
!
1
(О
_...
ai
' 11
1
! ! !
!
45
45
45
2
2
2
500
500
500
i
КУ709А-2, Б-2, В-2
15,1
5 -
l
j
~
~"
·150
150
150
2,5
2,5
2,5
_ _ _1р1
i
t
500
500
500
КУ710
15,1 _
~
150
150
150
2,5
2,5
2,5
о
500
500
500
5
1J 1
о
КУ711
31,6
4
12
3
1
v
'l'~ЦШ~
r-f"~H-!·
...... ,4 '
.
f. +
i
~'-~~ -·-·-·-1-·~ +-·-
,..
!
А
' ·::;,;;ь,: ' -
"--f---IR-H,· .
"' 1
1
+fii +t
i
30,2
38,1
.
2
-f ·l
. -·r·--t
"'
L
С")
~-
Параметры тиристоров
538
Тип
прибора
КУ712А
КУ712Б
КУ712В
КУ712Г
Uобр,п,
Uэс,п,
Uобр, max,
Uзс, max,
в
в
•
500
800
1000
1100
•
-
-
loc, и,
А
-
-
loc, ер,
• п,
loc,
Uoc. и,
Uoc,
А
в
8
8
8
8
-
•
-
Uy, нот,
lэс. п,
lобр. п,
lэс,
lобр,
мА
мА
-
-
•
в
-
-
-
•
-
-
.
КУ712А-1
КУ712Б-1
КУ712В-1
КУ712Г-1
КУ712А-2
КУ712Б-2
КУ712В-2
КУ712Г-2
500
800
1000
1100
-
500
800
1000
1100
-
-
-
-
-
-
-
8
8
8
8
8
8
8
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.
-
-
-
-
-
-
-
-
Параметры тирцсторов
от,
*
lу,з,и,
Uy, от,
u;,от,и,
мА
в
8
8
8
8
2
2
2
2
ly,
539
dUзc/dt,
tвкл,
В/мкс
мкс
fвыкл,
Корпус
мкс
\
-
500
500
500
500
-
КУ712А, Б, В,
-
6,54
r
2,285
r-+--
[L
'
со
1
1I
1
i1
i1
i
i
2
2
2
2
-
500
500
500
500
-
ф
i
i
8
8
8
8
---
1]
i
о
КУ712А-1, Б-1, В-1,
6,'54
2,285
1 -,.-
-
r-t
ц_~
1•
in
О)
....
о
..,;
О)
1
,,
/1
о)
11
?L
ш tф
8
8
8
8
2
2
2
2
500
500
500
500
'
-
-
КУ712А-2, Б·2, В·2, Г-2
-
~"
~"
~
~
''
~"
~
'
111, 1 -
~~
'1,l
-
L
i
~
D
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
540
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
~250
60
60
60
60
5
5
5
5
100
100
100
100
s;O,l
s;O,l
s;O,l
s;O,l
50
~600
10
4
10
s;0,5 (10
n-p-n
50
~1800
15
3
10
n-p-n
n-p-n
1200
1200
~200
80;65*
80;65*
6
6
500
КТЗ19ЗГ
р-п-р
КТЗ19ЗД
р-п-р
КТЗ193Е
p-n-p
200
200
200
200
200
200
~50
КТ319ЗВ
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ3198А9
280
280
300
300
280
300
~4200
КТЗ198Ж9
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
200
~500
КТЗ198А92
n-p-n
П-р-П·
300
300
~4500
КТЗ198Г92
п-р-п
200
200
200
200
КТЗ143А
п-р-п
КТЗ144А
КТЗ184А9
КТ220А9
п-р-п
КТ220Б9
п-р-п
КТ220В9
п-р-п
КТ220Г9
КТЗ184Б9
КТЗ19ЗА
КТЗ19ЗБ
КТЗ198Б9
КТЗ198В9
КТ3198Г9
КТЗ198Д9
КТЗ198Е9
·
~250
~50
~250
~00
~50
~50
~50
~50
~50
~4200
~4000
~4000
~3000
~6000
~5000
50*
40*
30*
50*
40*
30*
1
~.5
В)
(15 В)
500
SlO (60
s;10 (60
В)
В)
20
20 20
5
5
5
150; 300*
150; 300*
150; 300*
150; 300*
150; 300*
150;300*
S50 (50
S50 (40
s;50 (30
S50 (50
s;50 (40
S50 (30
В)
В)
В)
В)
В)
В)
20
20
20
15
20
20
20
2,5
2,5 2,5
2
2,5
3
2,5
30
30
20
15
2,5
30
2
35
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(lОк)
(IОк)
(lОк)
50
35
30
100
50
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
541
-
КТ220-9
90... 180
135... 270
200 .. .400
300... 600
40 ... 300 (5 В; 1ОмА)
~40
(1
В;
5
мА)
20 ...80 (5 В; 0,2 А)
50 ... 180 (5 В; 0,2 А)
S3 (5
s;l,9 (5
В)
s;0,4
КТЗ143
В)
s;15 (10 В)
:Sl5 (10 В)
S4; 7,5*
:S4; 7,5*
s;5 (400
МГц)
КТЗ144
s;б
s;б
МГц)
МГц)
КТЗ184-9
(100
(100
1/,6
~44
-----ttt-1'"'--lss•
·~~.,..1,5
80... 400 (5 В; 30 мА)
80.. .400 (5 В; 30 мА)
80 .. .400 (5 В; 30 мА)
100.. .400 (5 В; 30 мА)
100 ... 400 (5 В; 30 мА)
100.. .400 (5 В; 30 мА)
~40 (10 В; 14 мА)
~40 (10 В; 14 мА)
~5 (5 В; 30 мА)
~40 (5 В; 30 мА)
~20 (1 В; 2 мА)
~50 (1 О В; 20 мА) /
~50 (5 В; 15 мА)
;;:::35 (5
В;
~40 (10 В;
10 мА)
14 мА)
:S35 (20 В)
~5 (20 В)
~5 (20 В)
s;бО (20 В)
:SбО (20 В)
S60 (20 В)
s;400*
s;400*
:S400*
s;400*
s;400*
S400*
КТЗ193
КТ3198-9
~10** (0,8 ГГц)
~12** (0,8 ГГц)
~16** (0,8 ГГц)
s;2,4 (О,5 ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
:S2,3 (0,5 ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
54 (0,8 ГГц)
s;2 (0,8 ГГц)
s;l,8 (О,8 ГГц)
ГГц)
ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
s;3,4 (0,8 ГГц)
КТ3198-92
~13** (0,5 ГГц)
~11 ** (О,8 ГГц)
~13** (О,5- ГГц)
~11 ** (0,8 ГГц)
;;:::11 ** (0,8
;;:::12** (О,8
~~
:~
~
параметрь1 полевых транзисторов
542
КТЗ199А9
n-p-n
300
~6000
20
2,5
50
КТЗ199А91
n-p-n
300
~6000
20
2,5
50
КТЗ199А92
n-p-n
300
~5500
15
2
50
КТЗ201А9
n~p-n
КТЗ201f9
n-p-n
n-p-n
n-p-n
300
300
300
300
~100
КТЗ201Б9
~100
450
400
300
250
6
6
6
6
400
400
400
400
КТ529А
p-n-p
500
~150
60
4
1А
Sl (80 В)
КТ5ЗОА
n-p-n
500
:2:150
60
4
lA
Sl (80
КТ538А
n-p-n
700
600
9
500
КТЗ201В9
~100
~100
В)
SlOO*
параметры полевых транзисторов
~о (5 В: 15 мА)
~15** (0,8 ГГц)
543
$1,8 (0,8 ГГц)
КТЗ199-9
~~
:~
к
~15** (0,8 ГГц)
~60 (5 В; 15 мА)
$1,8 (0,8 ГГц)
6
КТЗ199-91
~~
~~
c::i'
~12** (0,8 ГГц)
~80 (8 В; 15 мА)
~30
~30
~30
~30
(10
( 10
(10
(10
В;
В;
В;
В;
50
50
50
50
мА)
мА)
мА)
мА)
$4,5
$4,5
$4,5
$4,5
(20
(20
(20
(20
В)
В)
В)
В)
$10; 1,5*
$10; 1,5*
$10; 1,5*
$10; .1.5*
$2 (0,8 ГГц)
3
5 ::..
КТЗ199-92
КТЗ201-9
J
~~х
~180 (5 В; 300 мА)
~.7
КТ529
~180 (5 В; 300 мА)
~.7
КТ530
5... 90
0,95
КТ538
nараметрь1 биполярных кремниевых транзисторов
544
КТ6109А
КТ6109Д
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
КТ6131А
n-p-n
КТ6l09Б
КТ6109В
KT6109f
625
625
625
625
625
1,3
Вт
:2:300
~300
:2:300
~300
~300
~3,5 ГГц
5
5
5
5
5
500
500
500
500
500
sO, l мкА
sO, 1 мкА
50, l мкА
SO, 1 мкА
SO, l мкА
40; 20* (lк)
3
150
S0,5 мкА (40 В)
40
3
150
S0,5 мкА (40 В)
400
300
200
100
50
20
6
6
6
6
5
3
500
500
500
500
500
100
20
20
3
3
50
70
40;
40;
40;
40;
40;
20*
20*
20*
20*
20*
( l Ок)
( l Ок)
( 1Ок)
( l Ок)
( 1Ок)
(25
(25
(25
(25
(25
В)
В)
В)
В) ·
В)
(10 В; 50 мА)
КТ6132А
p-n-p
1,3
Вт
~3,5 ГГц
(10 В; 50 мА)
КТ6135А9
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1 Вт
1 Вт
1 Вт
l Вт
1 Вт
600
, n-p-n
n-p-n
500
700
~3200
n-p-n
n-p-n
600
600
6000
КТ6142Б
4000
20
25
3
3
70
100
КТ678АС
n-p-n
500; 1** Вт
~250
60
5
200; 750*
КТ6135Б9
КТ6135В9
КТ6135Г9
КТ6135Д9
КТ6142А9
КТ6141А9
КТ6141Б9
КТ6142А
~90
~90
~90
~90
~90
5000
~3200
S0,05 (40 В)
nараметрь1 биполярных кремниевых транзисторов
64 ... 91 (l В; 50 мА)
78 .. .112 (l В; 50 мА)
98 ... 135 ( 1 В; 50 мА)
112... 166 О В; 50 мА)
144 ... 202 (1 В; 50 мА)
545
КТ6109
Sl,2
Sl,2
Sl,2
Sl,2
Sl,2
100 мА)
S2 (10 В)
КТ6131
~40 ( 10 В; 100 мА)
S2 (10 В)
КТ6132
~40 (l О В;
~50 (1 О В; 50 мА)
~50 ( 10 В; 50 мА)
~50 (10 В; 50 мА)
~50 (1 О В; 50 мА)
~100 (10 В; 50 мА)
~50 (10 В; 20 мА)
SlO; 16*
SlO; 16*
SlO; 16*
SlO; 16*
Sl2; 16*
~11 ** (0,8 ГГц)
КТ6135-9
1/,6
!
S2 (0,8 ГГц)
..__---r-..--.f4'.!+\!ss
4*
.___-.r--1_7,5
~50 (1 О В;
50 мА)
~50 ( 10 В;
50 мА)
~14** (0,5 ГГц)
~9** (0,8 ГГц)
S3,6 (0,5 ГГц)
S4 (0,8 ГГц)
КТ6141-9
2,7
о
~11 ** (0,8 ГГц)
~12** (0,8 ГГц)
~50 (1 О В;
50 мА)
~40 (10 В; 50 мА)
75 ... 230 (1 В; 1О мА)
S4 (5 В)
S20; 85*
S3 (0,8 ГГц)
S3 (0,8 ГГц)
КТ678
S510**
1
ц
..
... !.
-
" ....
....
2,5
i
~ ,_6Х2,5•15
~
2..25тах
(1~&!6oBo6J О.Sтш
~
/( 6 э
э
6
к
~
=lt
~~....+....+.-.--.+.....i........i
~
/
параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов
546
КТ731А
1 Вт; 1О*
1 Вт; 1О*
Вт
Вт
:2:30
;:.:30
1 Вт; 1О*
Вт
~30
1 Вт; 1О*
Вт
:2:30
5
5
5
5
А
А;
А
В)
~20
В)
(30
(30
520 (30
~20 (30
КТ738А
n-p-n
90
Вт
70
5
10 А
1 мА (100 В)
КТ739А
p-n-p
90 Вт
70
5
10
А
1 мА (100 В)
КТ8НЗА
КТ8НЗВ
p-n-p
p-n-p
p-n-p
2 Вт; 65* Вт
2 Вт; 65* Вт
2 Вт; 65* Вт
~3
100
80
60
6
6
6
6 (10*) А
6 (10*) А
6 (10*) А
КТ816ЗА
n-p-n
50 Вт
~10
600
5
7 А; 10*
А
~100 (600 В)
КТ8165А
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
5
5
5
5
10
10
10
10
А
А
~3 мА (90
53 мА (70
~3 мА (50
~3 мА (90
5
5
5
5
10 А
10 А
10 А
10 А
КТ8НЗБ
КТ8165Б
КТ8165В
КТ8165Г
КТ8166А
КТ8166Б
КТ8166В
КТ8166Г
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
3
3
3
3
~3
~3
20**
35**
55**
70**
Вт;
Вт
~20
Вт;
Вт
~20
Вт
~20
Вт
~20
90
70
50
90
50*
50*
Вт; 50*
Вт; 50*
50
50
50
50
Вт
~20
90
Вт
~20
Вт
~20
Вт
~20
70
50
90
3*
3*
А; 3*
А; 3*
~20
КТ731Г
КТ731В
25;
40;
60;
80;
1,5
1,5
1,5
1,5
А;
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ731Б
(15*)
(15*)
(15*)
(15*)
(15*
(15*
(15*
(15*
А
А
А
А
А)
А)
А)
А)
~700
В)
В)
(60 В)
~700 (60 В)
5700 (30 В)
~3 мА
В)
В)
В)
В)
(90 В)
~3 мА (70 В)
53 мА (50 В)
~3 мА (90 В)
nараметрь1 биполярных кремниевых транзисторов
~40
~40
~40
~30
(10 В; 50 мА)
( 10 В; 50 мА)
(l О В; 50 мА)
( 10 В; 50 мА)
547
КТ731
$0,5
$0,5
$0,5
~
---·
::;О,5
Е:
~
~
20... 70 (4 В; 4 А)
$0,3
КТ738
$1 **
15,9
---
5
ln
~
6
20 ... 70 (4
В;
4
А)
~о.3
~0.7**
к з
КТ739А
ln
"5:1-.
15... 75* (4 В; 3 А)
15... 75* (4 В; 3 А)
15... 75* (4 В; 3 А)
6
а
к з
'
КТ8НЗ
$0,27
$0,27
$0,27
1/,8
~
~
~
т
D
,
548
КТ8167А
КТ8167Б
КТ8167В
КТ8167Г
КТ8167Д
КТ8168А
КТ8168Б
КТ8168В
КТ8168Г
КТ8168Д
КТ8212А
КТ8212Б
КТ8212В
КТ8213А
КТ8213Б
КТ8213В
КТ8214А
КТ8214Б
КТ8214В
КТ8215А
КТ8215Б
КТ8215В
ХТ8216А
КТ8216Б
КТ8216В
КТ8216Г
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
0,8
0,8
0,8
0,8
0;8
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
0,8
0,8
0,8
0,8
0,8
Вт;
1О*
Вт
~30
Вт;
10*
10*
10*
10*
Вт
~30
Вт
~30.
Вт
~30
Вт
~30
Вт;
1О*
Вт
~30
Вт;
Вт
~30
Вт
~30
Вт;
1О*
1О*
10*
Вт
~30
Вт;
1О*
Вт
~30
Вт;
Вт;
Вт;
Вт;
n-p-n
n-p-n
n-p-n
65
65
65
Вт
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
p-n-p
p-n-p
p-n-p
n·p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
nарам,етры биполярных кремниевых транзисторов
2 (4*)
А
2
2
2
2
2
100* (lк) ·
80'* (lк)
50* (lк)
100* (lк)
80* (lк)
4,5
4,5
4,5
4,5
4,5
2 (4*) А
2 (4*} А
2 (4*) А
2 (4*)
А
А
А'
А
А
$200 (100 В)
$200 (80 В)
$200 (50 В)
$200 (100 В)
:::;;200 (80 В)
S200 (100 В)
$200 (80 В)
S200 (50 В)
$200 (100 В)
$200 (80 В)
S400* мА (60 В)
S400* мА (80 В)
S400* мА (100 В)
6А
100
5
5
5
60
80
100
5
5
5
бА
6А
S400* мА (60 В)
S400* мА (80 В)
$400* мА ( 100 В)
$1000 (60 В)
2А
Вт
100
5
5
5
2А
Вт
60
80
$1000 (80 В)
$1 ООО (100 В)
5
5
5
"2 А
60
80
Вт
65
65
65
Вт
50
Вт
50
50
Вт
Вт
50Вт
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
А
4,5
4,5
4,5
4,5
4.5
Вт
50
50
(4*)
(4*)
(4*)
(4*)
(4*)
100* (lк)
80* (lк)
50* (lк)
100* (lк)
80* (lк)
Вт
60
80
Вт
100
40*
40*
40*
40*
Вт
40**
Вт
Вт
60**
80**
5
5
5
Вт
100**
5
6А
бА
бА
2А
$1000 (60 В)
$1000 (80 В)
SlOOO (100 В)
2А
2А
10
10
10
10
·~·
(15*)
(15*)
(15*)
(15*)
А
А
А
А
S0,2 (40 В)
S0,2 (60 В)
S0,2 (80 В)
S0,2 (100 В)
Параметрь1 биполярных кремниевых транзисторов
80 ... 250 (1 В; 1 А)
80... 250 (1 В; 1 А)
80... 250 (l В; 1 А)
40 ... 160 (l В; 1 А)
160... 350·(1 В; 1 А)
~80 ... 250 (1 В; 1 А)
~80 ... 250 (l В; 1 А)
~80... 250 (1 В; 1 А)
~40 ... 160 (l В; 1 А)
~160... 350 (l В; 1 А)
~00
~00
(5 В)
(5 В)
549
$1,8*
$1,8*
Sl,8*
Sl,8*
Sl,8*
мкс
S400 (5 В)
S400 (5 В)
S400 (5 В)
S0,35
s0,35
S0,35
S0,35
s0,35
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
(5 В)
S0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$1,8*
$1,8*
$1,8*
$1,8*
$1,8*
мкс
$400
S400
S400
$400
S400
КТ8167
мкс
мкс
мкс
мкс
КТ8168
мкс
мкс
мкс
мкс
15 ... 75 (4 В; 3 А)
15 ... 75 (4 В; 3 А)
15 ... 75 (4 В; 3 А)
S0,25
$0,25
$0,25
$0,7**
S0,7**
S0,7**
КТ8212
15 ... 75 (4 В; 3 А)
15 ... 75 (4 В; 3 А)
15 ... 75 (4 В; 3 А)
S0,25
S0,25
$0,25
S0,7**
S0,7**
S0,7**
КТ8213
Sl,25
Sl,25
$1,25
S4,5**
$4,5**
$4,5**
КТ8214
~500
~500
~500
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
(4 В; 2 А)
r
1--"111111,0,-7
~500 (4 В;. 2 А)
~500
(4 В; 2 А)
~500 (4 В; 2 А)
Sl,25
Sl,25
$1,25
S4,5**
S4,5**
$4,5**
КТ8215
27,1
;!Wi
....
~~
15... 275
20... 275
15... 275
12 ... 275
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
КТ8216
S0,25
S0,25
S0,25
S0,25
,,
f
1
fl
1
i
J
1
1 /(
i
i
i
Б
К
i
Э
параметры биполярнь1х кремниевых транзисторов
550
40*
40*
40*
40*
Вт
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1;75;
1,75;
1,75;
1,75;
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
KT8216Al
..д-р-n
КТ8216Бl
KT8216Bl
КТ8216Гl
КТ8217А
КТ8217Б
КТ8217В
КТ8217Г
KT8217Al
КТ8217Бl
КТ821781
КТ8217Гl
КТ8218А
КТ8218Б
КТ8218В
КТ8218Г
KT8218Al
КТ8218Бl
KT8218Bl.
КТ8218Гl
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
40*
40*
40*
40*
Вт
~3
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
40*
40*
40*
40*
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
40*
40*
40*
40*
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
40*
40*
40*
40*
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~3
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
40**
60**
80**
100**
5
5
5
5
10
10
10
10
(15*)
(15*)
(15*)
(15*)
А
А
А
40**
60**
80**
100**
5
5
5
5
10
10
10
10
(15*)
(15*)
(15*)
(15*)
А
А
А
50,2 (40 В)
50,2 (60 В)
50,2 (80 В)
50,2 (100 В)
40**
60**
80**
100**
5
5
5
5
10
10
10
10
(15*) А
(15*) А
(15*) ·А
(15*) А
50,2 (40 В)
50,2 (60 В)
50,2 (80 В)
50,2 (100 В)
40
60
80
100
5
4
4
4
4
(8*)
(8*)
(8*)
(8*)
4
4
4
4
(8*)
(8*)
(8*)
(8*)
40
60
80
100
5
5
5
5
5
5
5
А
А
А
А
А
А
50,2 (40 В)
50,2 (60 В)
50,2 (80 В)
50,2 (100 В)
50,l мА (40 В)
50, 1 мА (60 В)
50, 1 мА (80 В)
50, 1 мА (100 В)
А
50,1
А
50, 1 мА (60 В)
50, 1 мА (80 В)
А
А
50,1
мА
мА
(40
(100
В)
В)
параметры 6иполярнь1х кремниевых транзисторов
15 ... 275
20 ... 275
15 ... 275
12 ... 275
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
S0,25
$0,25
$0,25
15 ... 275
20 ... 275
15... 275
12 ... 275
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
$0,25
S0,25
$0,25
50,25
551
КТ8216-1
~О.25
КТ8217
;,
1
со
i
i
i
jJ
'
i1
i
i
i
1
i
i
Б
15 ... 275
20 ... 275
15... 275
12 ... 275
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
(4 В; 3 А)
J
1
1
i
i
i
о
i
э
к
КТ8217-1
$0,25
$0,25
$0,25
S0,25
ln
g
со
750 ... 15000
750 ... 15000
750 .. .15000
750 ... 15000
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
$100(108)
SlOO (10 В)
SlOO (lO В)
SlOO (lO В)
КТ8218
$1
$1
$1
$1
6,54
j,
1
со
''
,
1
11
i1
!
!
i1
i
i
Б
750 .. .15000
750 .. :15000
750 .. .15000
750.. .15000
(3 В;
(3 В;
(3 В;
(3 В;
2 А)
2 А)
2 А)
2 А)
~100 (10 В)
SlOO (lO В)
$100 (IO В)
SlOO (10 В)
J
1
1
1
к
1
1
i
i
э
КТ8218-1
~1
$1
$1
Sl
2285
ln
g
со
...
О1
oi
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
552
· . . . · · · i <>.•·•··· IкБ6,/
...
IКЗR,>
·.·.·. i1КЭО,••·
~КА
КТ8219А
КТ8219Б
КТ8219В
KT8219f
КТ8219А1
КТ8219Б1
КТ8219В1
КТ8219П
КТ8224А
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
40*
40*
40*
40*
Вт
~25
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1,75;
1,75;
1,75;
1,75;
40*
40*
40*
40*
Вт
~25
Вт_
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
Вт
~25
40
60
80
100
5
5
5
5
4 (8* А)
4 (8* А)
4 (8* А)
4 (8* А)
40
60
80
100
5
5
5
5
4
4
4
4
(8*
(8*
(8*
(8*
А)
А)
А)
А)
~о. 1 мА (40 В)
~о. 1 мА (60 В)
~о. 1 мА (80 В)
~О.1 мА (100 В)
•
~о. 1 мА
(40 В)
(60 В)
~о. 1 мА (80 В)
~0,1 мА (100 В)
~0,1 мА
8А
~1000
8А
~1000
n-p-n
n-p-n
100
100
Вт
КТ8224Б
Вт
1500; 700**
1500; 700**
7,5
7,5
КТ8225А
n-p-n
155
Вт
350
5
15
А
~100
КТ8228А
n-p-n
n-p-n
125
125
Вт
1500; 800*
1500; 800*
7,5
7,5
12
12
А
~100
КТ8228Б
А
~100
КТ8229А
n-p-n
125
Вт
180
5
25
А
Вт
~3
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов
553
:\··.:..-=·./\:./:~:·: -:·:-...=:· ·.·· ... :··
750 ... 15000
750 .. .15000
750 .. .15000
750 ... 15000
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
S200
S200
S200
S20Q
(10
(10
(10
(10
В)
В)
В)
В)
.
КТ8219
Sl
$1
Sl
Sl
1,
!1
со
1
1
i
1
!
1
1
i
1
750 ... 15000
750 ... 15000
750 ... 15000
750 .. .15000
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
(3 В; 2 А)
S200
S200
$200
S200
(10 В)
(10 В)
(10 В)
(10 В)
1
1
i
'
i
1
i
i
Б
к
'°
'°-
О\
11
1
э
КТ8219-1
Sl
Sl
Sl
Sl
2,285
111)
...
~
со
О1
OI~
4 ... 7 (5 В; 0,1 А)
23 (5 В; 0,1 А)
КТ8224
15,9
,.--~~
~300
КТ8225
5 ... 9,5 (5 В; 0,1
15 ... 25 (5 В; 0,1
А)
А)
S0,12
$0,12
$900**
$900**
КТ8228
6
15... 75 (4
В;
15
А)
$0,12
$800**
к з
КТ8229
5
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
554
180
Б
2Б А
700
12
БА
lБОО*
7,Б
БА
180
Б
10 А
~100
Вт
330
6
7А
~1* мА
Вт
700
9
2А
~50*
600
9
500
~100*
КТ82ЗОА
p-n-p
12Б Вт
КТ8247А
n-p-n
7Б Вт
КТ8248А1
n-p-n
90
КТ8251А
n-p-n
12Б Вт
КТ8255А
n-p·n
60
КТ8261А
n·p·n
25
КТ8270А
n·p-n
7
Вт
Вт
~3
SlOO*
параметры биполярных кремниевых транзисторов
15... 75 (4 В; 15 А)
~0.12
~22
555
~800**
КТ8230
КТ8247
10,GS
t
КТ8248-1
3,8... 9
15,9
-r--~~
~1000
~15
КТ8255
10,7
6КЭ
~10
5 ... 90
,_
r
КТ8261
КТ8270
5
556
Параметры биполярных кремниевых транзисторов
p-n-p
p-n-p
p-n-p
10 Вт
10 Вт
10 Вт
45
60
80
5
5
5
1500
1500
1500
g),l (45
SO,l (60
~О.1 (80
В)
10 Вт
10 Вт
10 Вт
"
45
80
5
5
5
1500
1500
1500
g),l (45
g),l (60
g),l (80
В)
КТ8272В
n-p-n
n-p-n
n-p-n
КТ8290А
n-p-n
100
700
9
10 А
SlOO
KT827JA
КТ8271Б
КТ8271В
КТ8272А
КТ8272Б
КТ9106АС-2
2Т642-2
Вт
60
300
и
2500
12*
и
20*
2
и
2,5
60
и
200
Sl мА
300
и
2500
12*
и
20*
2
и
2,5
60
и
200
Sl
В)
В)
В)
В)
+два
2Т996А5
КТ9106БС-2
КТД8264А
Состав-
мА
1,5
Вт;l25*Вт
350*
(О,lк)
5
2ОА
g),l (300
В)
1,5
Вт;12s•вт
350*
(О,lк)
5
20А
SO,l (300
В)
ной
n-p-n
КТД8264А5
Составной
п-р-п
параметры биполярных кремниевых транзисторов
557
~5
КТ8271
~25
~5
--....~-
~
~
~5
КТ8272
~5
~5
----~
~
~
КТ8290
~10
10,65
4,В
т
30... 100 (5 В; 0,1 А)
КТ9106-2
60 ... 150 (5 В; 0,1 А)
1~ЦLЧl-&+IЩ&-1+1-,,
lt6З
36К
J·~~
300 (10 В; 5' А)
g),18
КТД8264
15,1
5
-_"
с.,.
tc)
':!:
300 (10 В; 5 А)
:S0,18
6 /(
з
КТД8264-5
о
Параметры полевых транзисторов
558
Параметры полевых транзисторов
АП354А-5
АПЗ54Б-5
АП354В-5
Сп-каналом
•
С п-каналом
Сп-каналом
АП355А-5
Сп-каналом
АП355Б-5
Сп-каналом
АП355В-5
Сп-каналом
АП356А-5
Сп-каналом
АП356Б-5
Сп-каналом
АП356В-5
Сп-каналом
АП357А-5
Сп-каналом
АП357Б-5
Сп-каналом
АП357В-5
Сп-каналом
7.. .40
7.. .40
-2,5
-2,5
-2,5
20
5 ... 20
5... 20
3,5
3,5
3,5
-2,5
-2,5
-2,5
3 ... 15
3 ... 15
30
30
30
3,5
3,5
-2
-2
-2
2... 8
2... 8
2... 8
3,5; -4,5*
3,5
-2
-2
-2
2... 8
2... 8
2... 8
3; -6*
-3
60
±40
115
±5
30
3,5; -5*
3,5; -5*
3,5; -5*
70
70,
70
3,5; -5*
3,5; -5*
3,5; -5*
40
40
40
АП358А-5
Сп-каналом
АП358Б-5
Сп-каналом
АП358В-5
Сп-каналом
30
30
30
АП381А-5
Сп-каналом
80
КП214А-9
Сп-каналом
200
КПЗSЗА-9
С двумя изолир. затворами,
200
п-каналом
~50
-2,5
-2,5
-2,5
100
100
100
~
3,5
3,5
1... 2,5*
60
14; 16*
.
~20
0,1 *
~О.5
(30
В)
Параметры полевых транзисторов
559
?:.50 (2,5 В)
?:.50 (2,5 В)
?:.50 (2,5 В)
?:.13*
?:.13*
~13*
~1 (3,6 ГГц)
~0,8 (3,6 ГГц)
~О.6 (3,6 ГГц)
?:.30
?:.30
?:.30
?:.10*
?:.10*
?:.10*
~1,55 (8 ГГц)
~1,3 (8 ГГц)
~1 (8 ГГц)
?:.20
?:.20
?:.20
?:.7,5*
?:.7,5*
?:.7,5*
~2.04
~1.70
~1,46
?:.15
?:.15
?:.15
?:.6,5*
?:.6,5*
~2,5 (18 ГГц)
~1,95 (18 ГГц)
~1,76 (18 ГГц)
?:.7 (3
?:.7 (3
?:.7 (3
?:.7*
В)
?:.5*
?:.5*
?:.5,5*
В)
В)
15... 35 (2,5 В)
?:.9*
~5.5
~4,3
~3.4
~О.8
(12 ГГц}
(12 ГГц)
(12 ГГц)
(37 ГГц}
(37 ГГц}
(37 ГГц)
(6,5 ГГц)
АП354-5
0,52
0,15
~шт
АП355-5
0,52
0,15
~шт
АП356-5
0,77
0,34
~шт
АП357-5
0,47
0,15
~шт
АП358-5
0,52
0,15
~шт
АП381-5
0,45
0,08
~шт
7,5
80
КП214-9
О,95
j
~Щ~tj]k
?:.13 (10
В;
10
мА)
~2,5
(10
В)
?:.13* (0,8 ГГц)
~3
(0,8
ГГц}
КП383-9
J
:11r:
и
с
параметры полевых транзисторов
560
КП507А
С р-каналом
1000
-0,8 ... -2
-50
±20
1100
КП508А
С р-каналом
1000
-0,8 ... -2
-240
±20
150
0,8 ... 2*
±14
±14
±14
100
250
100
КП509А-9
Сп-каналом
360
КП509Б-9
Сп-каналом
500
9,6 ... l,2*
КП509В-9
Сп-каналом
360
0,8 ... 2*
240
240
200
КП510А9
Сп-каналом
540
0,7 ... l,6*
20
±12
1200
КП511А
Сп-каналом
750
Сп-каналом
750
0,8 ... 2
0,8 ... 2
350
КП511Б
±20
±20
140
140
КП523А
пМОП
пМОП
1 Вт
l Вт
0,8 ... 2
0,8 ... 2
200
КП523Б
200
±20
±14
480
480
-2 ... -4*
-100
±20
40А
КП7128
С р-каналом
200
Вт
400
l*
561
параметры полевых транзисторов
250
0,8
КП507
tJ5,2
зсн
20
КП508
tJ5,2
зсн
160
140
60
16
1300
0,25
КП509-9
8
16
j
0,95
~~~t~Jk
КП510-9
j
0,95
~~х
125
125
22
22
сзн
:2:500 (0,45 А)
:2:500 (0,45 А)
2
4
0,06
КП523
~5,2
КП7128
1,9
1, 1
Параметры полевых транзисторов
562
КП71ЗОА
С изолир. затвором, n-канал
КП71ЗОБ
С изолир. затвором, n-канал
КП71ЗОВ
С изолир. затвором, n-канал
125
125
125
Сдвое~шый, n-канал
2
КП7132А
С n-каналом
45
КП7133А
С изолир. затвором, n-канал
125
КП7134А
С n-каналом
82
КП7131А-9
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
А
550
6,2
6,2
6,2
1... 3*
20
3,5
А
2 .. .4*
55
15
А
2 .. .4*
200
2 .. .4*
200
2 ... 4*
2 ... 4*
2 .. .4*
600
600
±20
А
А
18 А
9,3
А
563
Параметрь1- полевых транзисторов
4700
4700
4700
~1100
КП7130
1,2
1,5
1,2
КП7131-9
0,1
U)II
1
-с51
<LJ
8
~11 m
==i
~2 ~
-д.-32
'
С2
5 С2
.t
1, 75
КП7132
0,09
1.9
6700
CI
CI
0,16
1,1
·кп11зз
.1/,8
1,9
3000
0,3
1,1
КП7134
.1/,8
1.9
1,1
564
параметры полевых транзисторов
КП7135А
С n-каналом
50
КП7136А
С n-каналом
125
С п-каналом
125
Сп-каналом
35
Вт
А
2 ... 4*
200
5,2
Вт
2 ... 4*
400
10 А
Вт
2.. .4*
500
8А
2 .. .4*
600
2 .. .4
2 .. .4
2.. .4
400
350
400
..;:. ;
КП7137А
·
КП7138А
КП731А
С изолированным затвором,
КП731В
n-каналом, с защитным
кп1з~в·
..
диодом
Вт
36 Вт
36 Вт
36 Вт
1,4
А
±20
2А
±20
2А
±20
1,7
А
S0,25 (400 В)
S0,25 (350 В)
S0,25 (400 В)
параметры полевых транзисторов
1300
565
КП7135
0,8
1,9
5600
1, 1
0,55
2.5 1,9
1,1
~н-...-=
4900
КП7137
0,85
1,9
КП7138
7
~1000
~1000
~1000
(25
(25
(25
В;
В;В;
1,2 А)
1,2 А)
1,2 А)
S250;20*
S250; 20*
S250; 20*
SЗ,6
SЗ,6
S5
1,1
S45*
S45*
S45*
КП7Зt
1/,8
1,9
1, 1
параметры полевых транзисторов
566
КП737А
С изолированным затвором,
КП737Б
п-каналом, с защитным
КU737В
диодом
КП737Г
КП739А
С изолированным затвором,
КП739Б
п-каналом, с защитным
КП739В
диодом
КП740А
С изолированным затвором,
КП740Б
п-каналом, с защитным
КП740В
диодом
КП741А
С изолированным затвором,
КП741Б
п-каналом, с защитным
74
Вт
74Вт
74
74
Вт
Вт
2.. .4
2.. .4
2.. .4
1".2"'
200
250
250
200
±20
9А
±20
8,1 А
±20
±10
6,5
±20
:1:20
±20
10
10
А
9А
А
43 Вт
43 Вт
43 Вт
2".4
2.. .4
2".4
60
60
60
60
2".4
2."4
2."4
60
2."4
2".4
60
50
±20
±20
50
2".4
2.. .4
60
50
±20
±20
75 А
80 А
190
150
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
60
60
50
60
±20
±20
±20
А
8,3 А
17 А
17 А
14
А
50А
А
дкодом
КП742А
С изолированным затвором,
КП742Б
п-каналом, с защитным
диодом
200
200
Вт
Вт
S0,25 (200 В)
S0,25 (250 В)
S0,25 (250 В)
567
параметры полевых транзисторов
~3800
~3600
~2500
(25
(25
(25
В;
В;
В:
5,4 А)
5, 1 А)
4, 1 А)
S1300 (25
Sl300 (25
Sl300 (25
В)
В)
В)
$0,4
$0,45
$0,68
0,4
$59*
$62*
$62*
КП737
1,9
~6000
(6
В)
~2400 (50 В; 6 А)
~2400 (50 В; 5,8 А)
~4500
~5000
(25 В; 10 А)
(1,5 В; 9 А)
$0,2
$0,2
S0,3
SO,l
SO,l
S0,12
1,1
КП739
1,9
1, 1
25 1,9
1,1
КП740
~!-+-...........
~7000
~27000
(25
(25
В;
В;
43 А)
32. А)
S0,018
S0,024
КП741
1/,8
1,9
~5000
(40
А)
S0,014
$0,012
КП742
зси
1, 1
Параметры полевых транзисторов
568
КП74ЗА
nМОП
КП74ЗБ
nМОП
КП74ЗВ
КП743А1
Вт
nМОП
43
43
43
С n-каналом
КП744А
nМОП
КП744Б
nМОП
5,бА
80
100
±20
±20
±20
5,6 А
Вт
2 .. .4
2 ... 4
2 .. .4
40
Вт
2 .. .4*
100
±20
5,5 А
Вт
100
Вт
1... 2
±20
±20
±20
±10
9,2
9,2
Вт
2 .. .4
2 .. .4
2 ... 4
Вт
2 .. .4
2 ... 4
2 .. .4
1... 2
±20
±20
±20
±10
14 А
14 А
КП744В
nМОП
КП744Г
nМОП
60
60
60
60
КП745А
nМОП
88
КП745Б
nМОП
Вт
Вт
КП745В
nМОП
88 Вт
88 Вт
КП745f
nМОП
88
КП746А
nМОП
КП746Б
nМОП
КП746В
nМОП
КП746f
nМОП
150
150
150
150
Вт
Вт
Вт
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
Вт
1... 2
Вт
100
80
100
100
100
80
100
100
100
80
100
100
±20
±20
±20
±10
4,9
А
А
А
8А
9,2
12
15
А
А
А
28 А
28 А
25
А
28 А
параметры полевых транзисторов
~1300 (50 В; 3,4 А)
~1300 (50 В; 3,4 А)
~1300 (50 В; 3,4 А)
569
КП743
~0,54
~О.54
~0,74
1,9
~1500 (24 В; 4 А)
~2700 (50 В; 5,6 А)
~2700 (50 В; 5,6 А)
~3200 (50 В; 5,5 А)
0,54
КП743-1
~О.27
~0,27
КП744
1, 1
:с:;;О,36
:с:;;О,27
и
1,15
25
1.5
~5100 (50 В; 8,3 А)
~5100 (50 В; 8,3 А)
~5100 (50 В; 8,3 А)·
~6400 (50 .В; 9 А)
:с:;;О,16
КП745
:с:;;О,16
:с:;;О,23
(50 В; 17 А)
:с:;;о,077
~8700 (50 В; 17 А)
:с:;;о,077
~8700 (50 В; 17 А)
~12000 (50 В; 17 А)
:с:;;о,077
1/,8
70,65
:с:;;о,22
25
1.5
~8700
1, 1
1,9
1,9
1, 1
КП746
:с:;;О,1
1/,8
70,65
Qi
q::a
~" Со"
з
с
и
1,15
25
1,9
1, 1
Параметры полевых транзисторов
570
КП746А1
С n-каналом
КП746Б1
С n-каналом
КП746В1
С n-каналом
КП746f1
С n-каналом
150
150
150
150
КП747А
nМОП
230
КП748А
nМОП
КП748Б
nМОП
КП748В
пМОП
50
50
50
КП749А
nМОП
КП749Б
пМОП
КП749В
nМОП
КП750А
пМОП
КП750Б
nМОП
КП750В
пМОП
КП750f
nМОП
50
50
50
125
125
- 125
125
2 .. .4*
2 .. .4*
2 .. .4*
1".2*
100
80
100
100
±20
±20
±20
±10
28 А
28 А
2".4
100
±20
41 А
2 .. .4
2".4
Вт
2."4
200
150
200
±20
±20
±20
3,3
3,3
2,6
А
Вт
Вт
2 .. .4
2 ... 4
2.. .4
200
150
200
±20
±20
±20
5,2
5,2
А
2 .. .4
2".4
2".4
1... 2
200
150
200
200
±20
±20
±20
±10
18 А
18 А
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
1
25
А
28 А
А
А
А
4А
16
А
18 А
Параметры полевых транзисторов
571
'·<"·:.·..·:···::···<·:··.=
.=.•;··:·:.·,
· · -.·. :~,;~j~········,·
\?~~~,·· й~/yr;I;(·.)
. . .•. .· ····(()T!{;\IQI <>··•····.
~8700
~8700
~8700
(50 В; 17 А)
(50 В; 17 А)
(50 В; 17 А)
КП746-1
~0,077
~0,077
~0.1
~0,077
а
1,1
~1300
(20 А)
~0,055
КП747
~
"SI-'
~800
~800
~800
(50 В; 1,6 А)
(50 В; 1,6 А)
(50 В; 1,6 А)
~1.5
о
зси
КП748
~1.5
1/,8
~2.4
-
с::ь
q::a
~" Со"
и
3
1,75
с
~1300
~1300
~1300
(2,5 А)
(2,5 А)
(2,5 А)
1,У
2.5
2.5
1,1
КП749
~0,8
~0,8
1/,8
~1.2
с::ь
q::a
~" Со"
и
3
с
1,У
~6700
(50
~6700 (50
~6700 (50
~9000 (5
В;
1О А)
В; 10 А)
В; 10 А)
В; 8 А)
~О.18
1, 1
КП750
~О.18
~0.22
~0,18
Ю.65
4,8
2.5~1-+-1~2.=5 1.--;,У__,,._.,.1,_1_
Параметры полевых транзисторов
572
КП750А1
Сп-каналом
КП750Б1
Сп-каналом
КП75081
Сп-каналом
КП751А
пМОП
КП751Б
пМОП
КП751В
пМОП
КП751А1
Сп-каналом
КП751Б1
Сп-каналом
КП75181
Сп-каналом
КП752А
пМОП
КП752Б
пМОП
КП752В
пМОП
КП753А
пМОП
КП753Б
пМОП
КП753В
пМОП
125
125
125
Вт
Вт
Вт
2 .. .4*
2 .. .4*
2 .. .4*
200
150
200
±20
±20
±20
18 А
18 А
16 А
±20
±20
±20
3,3
3,3
2,8
А
50
50
50
Вт
2 .. .4
Вт
2... 4
2... 4
400
350
400
50
50
50
Вт
2 .. .4*
2 .. .4*
2 .. .4*
400
350
400
±20
±20
±20
3,3
3,3
2,8
А
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
400
350
400
±20
±20
±20
5,5
5,5
4,5
А
2 .. .4
2 .. .4
2 .. .4
500
450
500
±20
±20
±20
4,5
4,5
А
74
74
74
74
74
74
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
А
А
А
А
А
А
А
4А
параметры полевых транзисторов
~6700 (50 В; 10 А)
~6700 (50 В; 10 А)
~6700 (50 В; 10 А)
573
:S0,18
:S0,18
:S0,22
КП750-1
2)5
0,5
1/,57
~1800
~1800
~1800
(50 В; 1,8 А)
(50 В; 1,8 А)
(50 В; 1,8 А)
КП751
:Sl,8
:Sl,8
:S2,5
1,9
~1800 (50 В; 1,8 А)
~1800 (50 В; 1,8 А)
~1800 (50 В; 1,8 А)
:Sl,8
:Sl,8
:S2,5
1, 1
КП751-1
1/,57
~900
(50 В; 3 А)
( 50 В; 3 А)
(50 В; 3 А)
:Sl
:Sl
:Sl,5
КП752
(50 В; 2,5 А)
:Sl ,5_
КП753
~2700 (50 В; 2,5 А)
~2700 (50 В; 2,5 А)
~1.5
~2900
~2900
~2700
~2
-
:п-
-
- --1,9
-
1, 1
Параметры полевых транзисторов
574
КП771А
Сп-каналом
КП771Б
Сп-каналом
КП771В
Сп-каналом
КП775А
пМОП
КП775Б
пМОП
КП775В
пМОП
КП776А
пМОП
КП776Б
пМОП
КП776В
пМОП
КП776Г
пМОП
КП777А
пМОП
КП777Б
пМОП
КП777В
КП778А
150
150
150
Вт
200
200
200
Вт
125
125
125
125
Вт
Вт
Вт
Вт
В9
Вт
Вт
Вт
Вт
пМОП
125
125
125
пМОП
190
100
100
125
±20
±20
±20
1... 2
1... 2
1... 2
60
±20
±20
±20
50
±20
±20
±20
±20
10
10
А
8,3
8,8
А
2.. .4
2 .. .4
2 ... 4
2.. .4
Вт
2.. .4
2.. .4
2.. .4
Вт
2.. .4
Вт
55
60
400
350
400
450
40
А
2.. .4*
2.. .4*
2.. .4*
35 А
30 А
А
50 А
50 А
А
А
8А
500
±20
±20
±20
200
±20
30 А
500
450
8А
7А
Параметры полевых транзисторов
0,04
0,055
0,077
575
КП771
1.9
S0,09
:S0,09
:S0,011
/
1, 1
КП775
-t,8 ...
10,65
и
~5800
~5800
~5800
~4500
(50
(50
(50
(50
В;
В;
В;
В;
5,2
5,2
5,2
5,3
А)
А)
А)
А)
:S0,55
:S0,55
:S0,8
:S0,63
КП776
1,9
~4900
~4900
~4900
(50 В; 4,4 А)
(50 В; 4,4 А)
(50 В; 4,4 А)
:S0,85
:S0,85
:Sl '1
1.1
КП777
1.9
:S0,085
1,1
КП778
5
зис
Параметры полевых транзисторов
576
2."4
500
±20
14 А
500
450
500
±20
±20
±20
2,5 А
2,5 А
Вт
2".4
2."4
2 .. .4
2,2
А
Вт
2.. .4*
500
±20
2,4
А
КП779А
nМОП
190 Вт
КП780А
nМОП
nМОП
КП780В
nМОП
50
50
50
Вт
КП780Б
С n-1<аналом
50
КП780АС1
Вт
КП781А
nМОП
190 Вт
2 .. .4
400
;t:20
16 А
КП78ЗА
nМОП
200 Вт
2 .. .4
55
±20
70 А
Параметры полевых транзисторов
~9000
(15 В; 19 А)
577
~0,4
зис
~5500
~1500
(15 В; 7,5 А)
(15 В; 1,4 А)
КП780
/ 2.5 1,9
1, 1
~1-+-i~=
КП78Q-1
3
КТ-92
0,61
4,58
~8000
(8
А)
~о.з
КП781
1/,8
1,9
~44000
(25 В; 59 А)
1, 1
КП783
~О.008
1/,8
25
2. 5 1."-',911o4-.f~1,_1-
·~1-+-i~....
Параметры полевых транзисторов
578
-2 ... -4
-60
±20
18 А
-2 ... -4
-100
±20
19 А
Вт
2 .. .4
800
±20
4А
150 Вт
2 .. .4
600
±20
8А
-(2 .. .4*)
-250
±20
КП784А
рМОП
88
КП785А
рМОП
150 Вт
КП786А
nМОП
100
КП787А
nМОП
КП796А
С р-каналом
74*
Вт
Вт
4,1
А
579
Параметры полевых транзисторов
~5900
(25 В; 11 А)
КП784
:S0,14
1,g
~6200 (50 В; 11 А)
1, 1
КП785
:S0,2
1/,8
10,65
3
с
и
1,15
2. 5 t,g
1, 1
~Н-14""......
~1000 (25 В; 1,5 А)
КП786
1/,8
r,g
~5000 (25 В; 5 А)
3;0,9
КП787
2200
1
КП796
зис
r
1,1
Параметры полевых транзисторов
580
КП936А
С изолированным затвором,
КП936Б
с n-каналом
КП936В
КП936Г
КП936Д
КП936Е
КП936А-5
С изолированным затвором,
КП936Б-5
сп-каналом
КП936В-5
КП936Г-5
КП936Д-5
КП936Е-5
75
75
75
75
75
75
Вт
75
75
75
75
75
75
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
350
400
350
400
300
400
30
30
30
30
30
30
350
400
350
400
300
400
30
30
30
30
30
30
10
А
7А
10
А
7А
10
А
7А
10
А
7А
10
А
7А
10
А
7А
КП962А
СИТ, п-канал
10*
-15
400
-20
2; 8*
А
КП962А-5
СИТ, п-канал
10*
-15
400
-20
2; 8*
А
КП96ЗА
СИТ, п-канал
40*
150
-5
15; 50*
А
КП96ЗА-5
СИТ, n-канал
40*
150
-5
15; 50*
А
:Sl ,4
:Sl ,4
:Sl ,4
:Sl ,4
:Sl,4
:Sl ,4
(280
(320
(280
(280
(260
(320
В)
В)
В)
:Sl ,4
:Sl ,4
:Sl,4
:Sl ,4
:Sl ,4
:Sl ,4
(280
(320
(280
(280
(260
(320
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
В)
581
параметры полевых транзисторов
800 ... 2500
800 ... 2500
800-... 2500
800 ... 2500
800 ... 2500
800 ... 2500
(1 А)
( 1 А)
( 1 А)
( 1 А)
(1 А)
( 1 А)
52300
52300
52300
52300
52300
52300
(25
(25
(25
(25
(25
(25
В)
В)
В)
В)
В)
в)
50,5
50,85
51, 1
51, 1
50,4
50,6
5120*
5120*
5120*
5120*
.Sl20*
5120*
КП936
4,8 (5,3)
--
Ц)' ~--'--t4co~,__..,......_
Ц)
~~
D
800 ... 2500
800 ... 2500
800 ... 2500
800 ... 2500
800 ... 2500
800 ... 2500
( 1 А)
(1 А)
( 1 А)
( 1 А)
( 1 А)
(1 А)
52300
52300
52300
52300
52300
$;2300
(25
(25
(25
(25
(25
(25
В)
В)
В)
В)
В)
В)
50,5
50,85
51, 1
.Sl' 1
50,4
.S0,6
5120*
5120*
5120*
5120*
5120*
5120*
КП936-5
50,5
5100*
КП962
4,8 (5,3)
ii)' ...........;;._......
-
со~,__..,......_
Ц)
f.Q
D
:S0,03 (10 А)
50,5
100
КП962-5
0,9
400
КП963
ii)' ~-"--+Е
4,8 (5,3)
-
со~_._.._
Ц)
~~
D
50,03 (10 А)
0,9
400
КП963-5
Аналоги приборов, дополнивших 5-е издание
582
Аналоги приборов, дополнивших 5-е издание
' .·
1'ir~ i~~irб.!J~~<
;)
:.,:
:лца~оf,,
... ··
'/il;'~fi·;#~~б&~~·!'
i?~~.ilo~>·
·,· <' ' . • '
· \т11п ПJ)ilбof,a ·. •·.·
···Аналог.>.<;
'
· .•. Тип
."'
'' .·.·•···
прйбора
'
/
'·
··.·
АНалоr
КТ3198А9
BFR92
KT8166f
-
КТ8219В1
2SВ1З16А
КП52ЗБ
-
КТ3198Б9
BFR92A
КТ8167А
2N5675
KT8219f1
KSH117
КП7128
IRF5210
КТЗ198В9
BFR9З
КТ8167Б
2N6303
КТ8224А
BU2508A
КП7130А
IRFBC40
КТЗ198Г9
BFR9ЗA
КТ8167В
2NЗ719
КТ8224Б
BU2508D
КП71ЗОБ
КТ220А9
КSС162З
КТ7З1Г
КТ220Б9
КSС162З
КТ7З8А
КТ220В9
KSC1623
КТ7З9А
KT220f9
КSС162З
КТ811ЗА
КТЗ14ЗА
BFR180W
КТ811ЗБ
КТЗ144А
BFP405
КТ811ЗВ
КТЗ184А9
SMBTA05
КТ816ЗА
КТЗ184Б9
SMBTA05
КТ8165А
КТЗ19ЗА
2SA1090
КТ8165Б
КТЗ19ЗБ
2N4964
КТ8165В
КТ3193В
2N4058
KT8165f
KT3193f
2N4965
КТ8166А
КТЗ19ЗД
ВС479
КТ8166Б
КТЗ19ЗЕ
2SA550
КТ8166В
КТ8218А
кsнзн
АПЗ58Б-5
-
КТ8218Б
KSC3074·
АП358В-5
NE045
КТ8218В
-
АПЗ81А-5
CFY18-12
KT8218f
KSH44H11I
КП214А-9
2N7002LT1
КТ8218А1
КSНЗ1
КПЗ83А-9
BF989S
КТ8218Б1
2SC4668
КП507А
BSS315
КТ8218В1
МJDЗ1ВТ4
КП508А
BSS92
KT8218f1
2SD2200Q
КП509А-9
BSS131
КТ8219А
2N6034
КП509Б-9
КТ8219Б
2SB1214
КП509В-9
-
КТ8219В
KSH1171
КП510А9
IRLМL2402
KT8219f
KSH1271
КП511А
ТN05З5
КТ8219А1
KSB907
КП511Б
TN0540
КТ8219Б1
2SB1474A
КП523А
BSS297A
КТЗ198Д9
BFS17A
KT8167f
2N5ЗЗ3
КТ8225А
BU941ZP
КП7130В
-
КТ3198Е9
2SСЗЗ56
КТ8167Д
2NЗ720
КТ8228А
BU2525A
КП7131А-9
IRF7101
КТ3198Ж9
BFQ67
КТ8168А
2N4300
КТ8228Б
BU2525D
КП71З2А
HUF7507P3
КТЗ198А92
BFG92A
КТ8168Б
2N3507
КТ8229А
ТIP35F
КП71ЗЗА
IRF640
KT3198f92
BFG93A
КТ8168В
2N3506
КТ82ЗОА
ТIРЗ6F
КП7134А
IRF630
КТЗ199А9
BFG67
KT8168f
2N5З20
КТ8247А
BUL45D2
КП7135А
IRF620
КТЗ199А91
BFP67
КТ8168Д
2N5З21
КТ8248А1
BU2506D
КП71З6А
IRF740
КТ3199А92
BFG92A
КТ8212А
ТIР41С
КТ8251А
BDV65F
КП71З7А
IRF840
КТЗ201А9
ММВТ6517
КТ8212Б
ТIР41В
КТ8255А
BU407
КП71З8А
IRFRN60
КТ3201Б9
ММВТА42
КТ8212В
TIP41A
КТ8261А
BUD44D2
КП7З1А
IRF710
КТЗ201В9
BFN24
КТ821ЗА
ТIР42С
КТ8270А
MJEIЗ001
КП7З1Б
IRF711
KT3201f9
ММВТА4З
КТ821ЗБ
ТIР42В
КТ8271А
BD136
КП7З1В
IRF712
КТ529А
2SA891
КТ821ЗВ
TIP42A
КТ8271Б
BD138
КП7З7А
IRF630
КТ5ЗОА
PN2219
КТ8214А
ТIР110
КТ8271В
BD140
КП7З7Б
IRF634
КТ5З8А
МJЕ1ЗОО1
КТ8214Б
TIP111
КТ8272А
ВD1З5
КП7З7В
IRF635
КТ6109А
SS9012D
КТ8214В
ТIР112
КТ8272Б
ВD1З7
КП737f
IRL630
КТ6109Б
SS9012E
КТ8215А
ТIР115
КТ8272В
BD139
КП7З9А
IRFZ14
КТ6109В
SS9012F
КТ8215Б
ТIР116
КТ8290А
BUH100
КП7З9Б
IRFZlO
КТ6109Г
SS9012G
КТ8215В
TIP117
КТ9106АС-2
КП739В
IRFZ15
КТ6109Д
SS9012H
КТ8216А
KSH3055
КТ9106БС-2
КП740А
IRFZ24
КТ61З1А
LAE4001RA
КТ8216Б
KSH3055
КТД8264А
КП740Б
IRFZ20
КТ61З2А
BFQ54T
КТ8216В
MJDЗ055-1
КТД8264А5
-
КП740В
IRFZ25
КТ6135А9
ВSТЗ9
KT8216f
MJD41C
АПЗ54А-5
MCF1402
КП741А
IRF48
КТ61З5Б9
SXTA42
КТ8216А1
-
АПЗ54Б-5
FSC10FA
КП741Б
IRF46
КТ61З5В9
BST40
КТ8216Бl
KSH30551
АПЗ54В-5
MCF1305
КП742А
STH75N06
КТ8216В1
MJD3055
АПЗ55А-5
ALF3000
КП742Б
STH80N05
АПЗ55Б-5
S8870
КП743А
IRF510
АП355В-5
NE13783
КП743Б
IRF511
КТ6135Д9
-
KT8216f1
КТ6141А9
BFR96T
КТ8.217А
-
КТ6141Б9
BFR96TS
КТ8217Б
KSH29551
АП356А-5
АТ10650-1
КП743В
IRF512
КТ6142А
2SСЗЗ55
КТ8217В
-
АП356Б-5
-
КП743А1
-
КТ6142Б
2S2570A
KT8217f
МJD42C1
АПЗ56В-5
NЕ7508З
КП744А
IRF520
2SB1450Q
АПЗ57А-5
КП744Б
IRF521
KSH2955
АПЗ57Б-5
-
КП744В
IRF522
КТ8217В1
МJD2955
АПЗ57В-5
MGF4511D
KT8217rt
2SB1452Q
АП358А-5
-
KT6135f9
- КТ678АС
КТ7З1А
КТ7З1Б
КТ731В
-
КТ8217А1
КТ8217Б1
-
КП744f
IRL520
КП745А
IRF530
Аналоги приборов, дополнивших 5-е издание
;'1i~;r#i~~~~~ :;··.x:,i•i'~i~~:::·;;:
:
583
'/;;тi~'i~};:t~~~~;;·~
:@::f~~~Wtj~~бb~';;{· ·•···.,~,;AJi~~·J•~;,/Ш
;..y~~.,•.,~~.~бJp~ej
r•'••'
<.Aila~or'
КП745Б
IRF5З1
КП750В
IRF642
КП775А
2SК2498А
КП786А
BUZ80A
КП745В
IRF532
КП750Г
IRL640
КП775Б
2SК2498В
КП787А
BUZ91A
КП745Г
IRL5ЗO
КП750А1
КП775В
КП796А
IRF9634
КП746А
IRF540
КП750Б1
КП776А
IRF740
КП9З6А
IRFS741
КП746Б
IRF541
КП750В1
КП776Б
IRF741
КП9З6Б
КП746В
IRF542
КП751А
IRF720
КП776В
IRF742
КП746Г
IRL540
КП751Б
IRF721
КП776Г
IRF744
КП9З6Г
КП746А1
КП751В
IRF722
КП777А
IRF840
КП9З6Д
2SК1917М
КП746Б1
КП751А1
КП777Б
IRF841
КП9З6Е
IRFYЗ40M
КП746В1
КП751Б1
КП777В
IRF842
КП9З6А-5
КП746Г1
КП751В1
КП778А
IRFP250
КП9З6Б-5
_
КП9З6В
КП747А
IRFP150
КП752А
IRF7ЗO
КП779А
IRFP450
КП9З6В-5
КП748А
IRF610
КП752Б
IRF731
КП780А
IRF820
КП9З6Г-5
КП748Б
IRF611
КП752В
IRF732
КП780Б
IRF821
КП9З6Д-5
КП748В
IRF612
КП75ЗА
IRFSЗO
КП780В
IRF822
КП9З6Е-5
КП749А
IRF620
КП75ЗБ
IRF831
КП780АС1
КП749Б
IRF621
КП75ЗВ
IRF832
КП781А
IRFPЗSO
КП962А-5
КП749В
IRF622
КП78ЗА
IRFЗ205
КП96ЗА
КП750А
IRF640
КП771Б
КП784А
IRF9ZЗ4
КП96ЗА-5
КП750Б
IRF641
КП771В
КП785А
IRF9540
КП771А
STP40N10
КП962А
·.·.
Серия
«Ремонт», выпуск
59
Аксенов Алексей Иванович
Нефедов Анатолий Владимирович
Отечественные полупроводниковые приборы
Справочное пособие
Издание 5-е, дополненное и исправленное
Ответственный за выпуск
В. Митин
Верстка
С. Тарасов
Обложка
Е. Жбанов
ООО «СОЛОН-Пресс»
123242,
г. Москва, а/я
20
Телефоны:
(095) 254-44-10, 252-36-96, 252-25-21
E-mai/: Solon-Avtor@coba.ru
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «Альянс-книга»
Тел:
(095) 258-91-94, 258-91-95
www.abook.ru
ООО «СОЛОН-Пресс»
127051, г. Москва, М. Сухаревская пл., д. 6, стр. 1 (пом. ТАРП ЦАО)
Формат 60х88/8. Объем 73 п. л. Тираж 1000
ООО «ПАНДОРА-1»
Москва, dткрытое ш., 28
Заказ No
t&t