Текст
                    А.И. Аксенов

А.В. Нефедов

ICI

r»
« СОЛОН »

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

Издание 5-е
доnопненное

Да, я разбираюсь в электронике".
Поэтому и устроился работать

давцом-консультантом

про-

в магазин

электронных компонентов и nрибо-

ей домашней лаборатории. Но самое

вую -

важное

покупатели особенные._

- это люди в нашем магазине.
Мне нравится общаться с лаку-

мы

единомышленники.
они

Мои

любят

-------

"'"--"-"~ро_н_"'~'-'

пателями, помогать им сориентиро-

Единая а~равочная служба:

ров "Чип и Диnм. Здесь я нашел то,

ваться

тел. : (095) 780-9509 (многоканальный)

что искал ;

электронных компонентов и расход-

приборы, инструменты,

конструкторы

-

все, что нужно для мо-

в

таком

большом

выборе

ных материалов, потому что я чувст-

факс:

(095) 631-3145
e-mail: sales@chipdip.ru

Все товары оптом в фирме "ЧИП ИНДУСТРИЯ". Тел./факс: (095) 780-9500 (многоканапьный)

."иn и DИn Aдpecaм<1raJMll08 411п мДмn:
Цектральный. r. Москва. ул. Беrова~ . д. 2 • r. Мос111", ул. Землl!Ж1Й Вал , д. 34 • r. Москва. ул . Гммро!!СWfО, д- 39
г. Москза , ул. Ив.Франко,д. 40, к. 1, стр. 2 • r.Москва, Т.Ц .'Эпектрон~llЗ fl<I Преаю', wесто 6-18
r.Москва Т.Ц. 'СзsелоеQ(Ий" , мостоD-25 • r.C.·Пerepбypr. Кро!iвер!(С-.ийnросn .. д 73,
тел. (812)232-83-06 , 232-59-87.e-mail:chipdip@mail .wplus. пet • г.Вороне•,Леt№Кmйпр-f,Д159
r. Ярославль, np. Леt111~. д 8а, тел. : (0852) 30·15-68. e-maU: chiiн;jip@yaroslavl.ru


::н:~:::;=ч ;;. •i; . :.!!!Л!:, '';~~!! !!i~~ . щ ::.: .:.: · " __ · ·: . ·:::::: ·: ': ·.. ,.,:,". , i i::t: .~· А~сенов, А. В. Нефедов ;1; :·:::!.!i!ii!i~~M,~f' «Peмвi'jrm». ;;, щш=~ t!Ш!!!ii!!ii!!!~~!Ш!:~,·· :~~=; .. ~:: ."·е ч~: :" i'ш:·;т!:';. ,. ".:~·:~ ·н .tt; '?!.1; .~ . " . ·; А· л · ". ·у "., . · п Р А В;! ~,!' м 1 ш i,;il:i.u :o :;" . ,;!; 611 !ь ·,. 1Е V V · п 1 1 .~!~~~ А :~ •·1~~:В .р п ~iи ' 11!1150 ·. · · · P~'l ,.i'!' ~:::,.,. '1 ;· ::;:!::. ·. .. .... . .}' ". ~!::;:· - :!'j}· ;·:;, ·;; Справq~ ное q,Ь собие ----- ... ~-=~!!~,:!!,. ,;;' :~; "·,:i:i· i= _•. -": .. " " ...... Транзистор;';?/ биполярные ДЦоды ВаJг: ~капы ... . · '· · СтабилитронЬ1 и стабисторы ТирЦ~торы . -;: .. .~;,:::ЛiiПШ!i'':"'''':'''';'":.;; , ", ". "· . '··· . . :: :::: '":.. . . ..::~:.:;:·:,:;,,ii,:f!/j/rtJ,~i~tJ.eкmifipнны~ .приборы ..': · "." . ..; ..." ~-'··=· · !-•<-· -'· ·· :::·· ..•.. ·• · :;;;::;=:;:. ' • •::;::·::·-,,.,· .• ,;,--. ".:":;~;"' · ' :.: . •.• Ан а л' ь;:~. ~ от е ч ·~ -~. ~,.!J;е";я:·: ;-: : :•;" ' ''"""'"'""':·:' ]!: ~~ .,~ .p , r . ~. ~ ~ :11. ·~ ~.х ' : !"П р и 6 о р о в ·•:i i~1iii.i11 ' ··= =1<1i i1:i;~':ii ~i~1ii~:ii~1iii ii'' ::· Издание 5-е, д :рпненное и исправленное ~;; '\)\Ме, р ква co.ho fl';.Пpecc \ :('",·20.05 ::~: .... :~; .;_ ~
УДК ББК 621.397 32.94-5 А42 Серия «Ремонт», выпуск 59 Аксенов А. И., Нефедов А. В. А42 Отечественные полупроводниковые приборы СОЛОН-Пресс, 2005. - 584 с.: ил. - / 5-е изд., доп. и испр. - М.: (Серия «Ремонт») ISBN 5-98003-185-5 В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой по­ следовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполне­ нию на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, светоизлучающие и инфракрасные диоды, линейные шкалы и цифро-буквенные индикаторы, диодные и транзисторные оптопары. По приведенным в книге приборам даны соответствующие аналоги. 5-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов. Удобная форма поиска и восприятия информации об интересующих приборах дает "возмож­ ность пользователю по достоинству оценить приобретенную им книгу. Она будет полезна широ­ кому кругу специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре­ монтом радиоэлектронной аппаратуры. УДК ББК КНИГА - 621.397 32.94-5 ПОЧТОЙ Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом по фиксированной цене. Оформить заказ можно одним из двух способов: 1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20. 2. Передать заказ по электронной почте на адрес: magazin@solon-r.ru. Бесплатно высылается каталог издательства по почте. При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желате· льно дополнительно указать свой телефон и адрес электронной почты. Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Пресс». Для этого надо послать пустое письмо на робот-автоответчик по ад­ ресу: katalog@solon-r.ru Получать информацию о новых книгах нашего издательства вы сможете, подписав­ шись на рассылку новостей по электронной почте. Для этого пошлите письмо по адре­ су. news@solon-r.ru. В теле письма должно быть написано слово SUBSCRIBE. По вопросам приобретения обращаться: ООО «Альянс-книга» Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95 www.abook.rи ISBN 5-98003-185-5 ©Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2005 ©А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, 2005
Содержание 3 Содержание Об этом справочном пособии Алфавитно-цифровой ......................................................... ~ .................................... 4 указатель приборов в справочном пособии ...................................... 6 обозначения и корпуса полупроводниковых приборов .................... 25 РАЗДЕЛ 1. Условные 1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов .................... 25 1.2. Корпуса полупроводниковых приборов ........... " ............... "."""" ... " .... " .... "" ..... " ... """ .... "" ... " 27 1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные полупроводниковые приборы " .. """." 28 1.4. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов .. """""""""""" .... ". 29 1.5. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов"""""""""""""""""""""" 37 РАЗД ЕЛ 2. Биполярные транзисторы .............................................................................. 43 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов"""""""""".""""."""."""."" 45 2.2. Параметры биполярных германиевых транзисторов """"""."".".""" .... """"".".""""""".""" 48 2.3. Параметры бипQЛярных кремниевых транзисторов"""""."""""".".""""""".""."""""""""". 72 2.4. Параметры кремниевых сборок ."" ....... ""." .. "" ...... "" .... " ... """ .............. "" ............................ 216 РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы .................................................................................. 224 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов .. " ................................................ 230 3.2. Параметры полевых транзисторов .. "" ....... """" .. " .. "" ... "." ... """."."."".""""" .. "" ............ " .. 234 РАЗД ЕЛ 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.5. 4. Диоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. Тиристоры 278 Виды приборов и основные параметры ... " ............... " ....... ""." ..... " ......... " .................... "" ....... 278 Буквенные обозначения параметров диодов"" ........ "" ............................................. " .............. 281 Параметры диодов, столбов и блоков ... " ......... " ....................................................................... 283 Параметры варикапов ................................................................ ""."."." ... """"."""."."." .... ". 31 О Параметры стабилитронов и стабисторов ." .. """ ... """""""" .. " .. """ ... """"" .. " .... ".""". "" .. 324 РАЗДЕЛ .................................................................................................... 354 5.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров .... "." ..... "." .... "" .. " ......... " ... " ... " ...... " 354 5.2. Параметры тиристоров .... " .......... " .... "" ....... """"""" ..... " .. " .. " .. "." .... "." ... "."" .. " .. "" .. "."." .. 358 РАЗДЕЛ 6. Оптоэлектронные приборы .......................................................................... 372 6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров ."" .. " ... """" .. "" .. """"".""" .. " .. " .. "". 372 6.2. Параметры светоизлучающих приборов."." ..... " ............... " .. "." .. "." ......... """" .. "" ... " .... "." .. 376 6.3. Параметры линейных шкал ... """ ....... " ....... " .. "" .... "" .............................................................. 380 6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов ............................................................................... 382 6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов ....................................................................... 402 6.6. Параметры диодных оптопар .................................................................................................... 406 6. 7. Параметры транзисторных оптопар ............... " .......... " ............................................................. 412 РАЗДЕЛ 7. Аналоги ......................................................................................................... 416 7 .1. О взаимозаменяемости полупроводниковых приборов .............................. " ............................. 416 7.2. Сокращенные обозначения зарубежных фирм и стран ................ " .......................................... 417 7.3. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов" ... """"" .... ""."" .... """ ....... "" .. """ .... "" 418 7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги .. "" .... """ ... "."."""". "" .... """ ..... " "" 421 7.5. Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов"""" .. """""""".""."." .... " 448 7.6. Буквенные обозначения зарубежных диодов."" .... " ............... """ ... "." ... " .... " ... " .. " .... """." .. 460 7.7. Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги""." .. """""""."" 465 7.8. Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги"" .. """" ....... "."" .... """".""" ........ ""." 473 7.9. Зарубежные оптоэлектронные приборы и их отечественные аналоги." ... """" ........ "" .... "." .. 474 7.10. Аналоги отечественных транзисторов""""."" .... "" .... " ... " ...... """." .... " ... ".""" .. " ... """."." 475 7 .11. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов """. """ .. " .. "." .. "" .... """"""" 483 7.12. Аналоги отечественных тиристоров."" ... """ .. ".""" .... "."""" .. "" ......... " ... """." ... "" ...... " .... 486 7 .13. Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов .............................................................. 487 Литература Приборы, ................................................................................................................... 488 вошедшие в дополнение ................................................................................... 489
О 4 О 5 5 издании справочного пособия издании справочного пособия Справочное пособие представляет собой компактно сформированные таблицы, содержащие справоч­ ную информацию по каждому типономиналу полупроводникового прибора от условного обозначения с электрическими параметрами, до иллюстрации конструкции корпуса с габаритными размерами и цоколевкой выводов. 5-е издание справочного пособия отличается от предыдущих изданий «Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное пособие» тем, что оно дополнено рядом новых биполярных и полевых транзисторов, их аналогами и корпусами. Для удобства пользования в справочном пособии приведены в табличной форме, в алфавитно­ цифровой последовательности зарубежные полупроводниковые приборы и их отечественные прибли­ женные аналоги. Даны сокращенные условные буквенные обозначения зарубежных приборов и фирм, их производящих. Работа со справочным пособием Все приборы, вошедшие в пособие, расположены по классам в порядке последовательного возрастания цифры третьего элемента условного обозначения - цифры, по которой классифицируются полупро­ водниковые приборы по рассеиваемой мощности и предельной рабочей частоте. Стандартизованные корпуса конструкций отечественных приборов с обозначениями и габаритны­ ми размерами приведены в отдельном параграфе. Алфавитно-цифровой указатель приборов, вошедших в книгу, построен на системе условных обозначений полупроводниковых приборов (OCTl 1 336. 919-81). Для определения фирмы изготовителя прибора приводятся их сокращенные обозначения, а также сокращенные обозначения стран изготовителей приборов, которые приводятся в зарубежных каталогах и справочнике «DATA». В справочном пособии систематизированы материалы книг, выпущенных авторами ранее, в частности «Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги», «Полупроводнико­ вые оптоэлектронные приборы», «Бескорпусные полупроводниковые приборы», «Мощные транзисто­ ры», и нескольких десятков статей, посвященных вопросам применения отечественных и зарубежных изделий электронной техники. Приборы, дополнившие это издание Транзисторы Тип прибора КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3143А КТ3144А КТ3184А9 КТ3184Б9 КТ3193А КТ3193Б КТ3193В КТ3193Г КТ3193Д КТ3193Е КТ3198А9 КТ3198Б9 КТ3198В9 КТ3198Г9 Стр. 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 Тип прибора КТ3198Д9 КТ3198Е9 КТ3198Ж9 КТ3198А92 КТ3198Г92 KT3t09A9 КТ3199А91 КТ3199А92 KT320lA9 КТ3201Б9 КТ3201В9 КТ3201Г9 КТ529А КТ530А КТ538А КТ6109А КТ6109Б КТ6109В Стр. 540 540 540 540 540 542 542 542 542 542 542 542 542 542 542 544 544 544 Тип прибора Стр. Тип прибора КТ6109Г 544 КТ738А КТ6109Д 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 546 546 546 546 КТ739А KT613lA КТ6132А КТ6135А9 КТ6135Б9 КТ6135В9 КТ6135Г9 КТ6135Д9 KT614lA9 КТ6141Б9 КТ6142А КТ6142Б КТ678АС КТ731А КТ731Б КТ731В КТ731Г КТ8113А КТ8113Б KT8ll3B КТ8163А КТ8165А КТ8165Б КТ8165В КТ8165Г КТ8166А КТ8166Б КТ8166В КТ8166Г КТ8167А КТ8167Б КТ8167В КТ8167Г Стр. 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 548 548 548 548 1
О 5 издании справочного пособия Тип· прибора КТ8167Д КТ8168А КТ8168Б КТ8168В КТ8168Г КТ8168Д КТ8212А КТ8212Б КТ8212В КТ8213А К"r8213Б КТ8213В КТ8214А КТ8214Б КТ8214В КТ8215А КТ8215Б КТ8215В КТ8216А IКТ8216Б КТ8216В КТ8216Г КТ8216А1 КТ8216Б1 КТ8216В1 КТ8216Г1 КТ8217А КТ8217Б КТ8217В КТ8217Г КТ8217А1 КТ8217Б1 КТ8217В1 КТ8217Г1 КТ8218А КТ8218Б КТ8218В КТ8218Г КТ8218А1 КТ8218Б1 КТ8218В1 КТ8218Г1 КТ8219А КТ8219Б КТ8219В КТ8219Г КТ8219А1 КТ8219Б1 КТ8219В1 КТ8219П КТ8224А КТ8224Б КТ8225А КТ8228А КТ8228Б Стр. 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 Тип прибора КТ8229А КТ8230А КТ8247А КТ8248А1 КТ8251А КТ8255А КТ8261А КТ8270А КТ8271А КТ8271Б КТ8271В КТ8272А КТ8272Б КТ8272В КТ8290А КТ9106АС-2 КТ9106БС-2 КТД8264А КТД8264А5 АП354А-5 АП354Б-5 АП354В-5 АП355А-5 АП355J?-5 АП355В-5 АП356А-5 АП356Б-5 АП356В-5 АП357А-5 АП357Б-5 АП357В-5 АП358А-5 АП358Б-5 АП358В-5 АП381А-5 КП214А-9 КП383А-9 КП507А КП508А КП509А-9 КП509Б-9 КП509В-9 КП510А9 КП511А КП511Б КП523А КП523Б КП7128 КП7130А КП7130Б КП7130В КП7131А-9 КП7132А КП7133А КП7134А 5 Стр. 552 554 554 554 554 554 554 554 556 556 556 556 556 556 556 556 556 556 556 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 560 560 560 560 560 560 560 560 560 560 560 562 562 562 562 562 562 562 Тип прибора КП7135А КП7136А КП7137А КП7138А КП731А КП731Б КП731В КП737А КП737Б КП737В КП737Г КП739А ' КП739Б КП739В КП740А КП740Б КП740В КП741А КП741Б КП742А КП742Б КП743А КП743Б КП743В КП743А1 КП744А КП744Б КП744В КП744Г КП745А КП745Б КП745В КП745Г КП746А КП746Б КП746В КП746Г КП746А1 КП746Б1 КП746В1 КП746Г1 КП747А КП748А КП748Б КП748В КП749А КП749Б КП749В КП750А КП750Б КП750В КП750Г КП750А1 КП750Б1 КП750В1 ' Стр. 564 564 564 564 564 564 564 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 572 572 572 . Тип прибора Стр. КП751А КП751Б КП751В КП751А1 КП751Б1 КП751В1 1 КП752А 1 КП752Б КП752В КП753А КП753Б КП753В КП771А КП771Б КП771В КП775А КП775Б КП775В КП776А КП776Б КП776В КП776Г КП777А КП777Б КП777В КП778А КП779А КП780А КП780Б КП780В КП780АС1 КП781А КП783А КП784А КП785А КП786А КП787.А КП796А КП936А КП936Б КП936В КП936Г КП936Д КП936Е КП936А-5 КП936Б-5 КП936В-5 КП936Г-5 КП936Д-5 КП936Е-5 КП962А КП962А-5 КП963А КП963А-5 572 572 572 572 572 572 572 572 572 572 572 572 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 576 576 576 576 576 576 576 578 578 578 578 578 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 6 Алфавитно-цифровой указатель приборов в справочном пособии Германиевые транзисторы Тип прибора МП9А МО10 МО10А МОlОБ мон МОНА МО13 МП13Б МО14 МП14А МО14Б МП14И MR15 МО15А МО15И МП16 МО16А МО16Б МО16Я1 МО16ЯН МО20А МО20Б МП21В МО21Г МО21Д МО21Е МП25 МО25А МП25Б МО26 МО26А МО26Б 027 027А 028 029 029А 030 МП35 МП36А МО37А МО37Б МП38 МО38А МО39 МО39Б МО40 МО40А МО41 МО41А МО42 МО42А МО42Б Тип Стр. 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 52 52 52 52 52 52 52 52 52 52 52 54 54 54 54 54 прибора ГП08А ГТf08Б ГТ108В ГТ108Г МГТ108А МГТ108Б МГТ108В МГТ108Г МГТ108Д ГТ109А ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109Ж ГТ109И ГТ115А ГТН5Б ГТ115В rтнsr rтнsд ГТ122А ГТf22Б ГТ122В ГТ122Г ГТ124А ГТ124Б ГТ124В ГТ124Г ГТ125А ГТ125Б ГТ125В ГТ125Г ГТ125Д ГТ125Е ГТ125Ж ГТ125И ГТ125К ГТ125Л 0201Э 0201АЭ 0202Э 0203Э 0207 0207А 0208 0208А 0209 0209А 0210 0210А 0210Б Тип Стр. 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 .54 54 54 54 54 54 54 54 54 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 58 58 58 прибора Тип Стр. прибора Стр. ГТ320Б 60 ГТ320В 60 ГТ321А 60 ГТ321Б ГТ322В 60 60 60 60 60 60 60 60 ГТ322Г 60 ГТ322Д 60 ГТ322Е ГТ309А 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 60 ГТ309Б 60 ГТ335Г ГТ309В ГТ335Д ГТ309Г 60 60 ГТ309Д 60 П338Б ГТ309Е 60 60 60 П338В 60 60 tт341В П310Е iIO 60 П346Б 60 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 64 64 П346В 64 П311А 60 П362А ГТ3НБ П362Б 64 64 rт311r 60 60 60 rт311д 60 П383Б-2 ГТ3НЕ 60 П383В-2 П3НЖ 0401 ГТ313А 60 60 -60 П402А .,___ ГТ313Б 60 ,П'402Б ГТ313В 60 60 ГТ402В 02fOB 0210Ш 0213 0213А 0213Б 0214 0214А 0214Б 0214В 0214Г 0215 0216 0216А 0216Б 0216В 0216Г 0216Д 0217 0217А 0217Б 0217В 0217Г ГТ305А ГТ305Б ГТ305В П308А ГТ308Б П308В ГТ308Г ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г П310Д П3НВ rт311и П320А П321В ГТ321Г ГТ321Д ГТ321Е ГТ322А ГТ322Б ГТ323А ГТ323Б ГТ323В ГТ328А ГТ328Б ГТ328В ГТ329А ГТ329Б ГТ329В ГТ329Г ГТ33Од ГТ33ОЖ ГТ33ОИ ГТ335А ГТЗ35Б ГТ335В П338А ГТ341А П341Б П346А П376А П383А-2 П402 П402Г 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора 64 64 64 64 64 64 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 П402Д П402Е П402Ж П402И П403 0403А П403А ГТ403Б ГТ403В П403f П403Д ГТ403Е ГТ403Ж П403И ГТ403Ю ГТ404А ГТ404Б ГТ404В ГТ404f Тип Стр. прибора ГТ404Е ГТ404Ж ГТ404И ГТ405А ГТ405Б П405В ГТ405f ГТ406А 0416 0416А 0416Б 0417 0417А 0417Б 0422 0423 0605 0605А Тип Стр. 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 ГТ404Д 7 прибора Тип Стр. прибора 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 70 70 70 70 70 70 0606 0606А 0607 0607А 0608 0608А 0609 0609А ГТС609А ГТС609Б ПС609В ГТ612А-4 ГТ701А П703А ГТ703Б П703В ГТ703f ГТ703Д П705А ГТ705Б ГТ705В П705f П705Д ГТ804А ГТ804Б ГТ804В ГТ806А ГТ806Б П806В П806f ГТ806Д ГТ810А П905А ГТ905Б ГТ906А ГТ906АМ Стр. 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 Кремниевые транзисторы Тип прибора КЕ702А КЕ702Б КЕ702В КТ104А КТ104Б КТ104В KT104f КТ117А КТ117Б КТ117В KT117f КТ118А КТ118Б КТ118В КТ119А КТ119Б КТ120А КТ120Б КТ120В КТ120А-1 КТ120В-1 КТ120А-5 КТ120В-5 КТ127А-1 КТ127Б-1 КТ127В-1 КТ127f-1 КТ132А КТ132Б КТ133А КТ133Б КТ201А КТ201Б КТ201В КТ201Г КТ201Д КТ201АМ Стр. 514 514 514 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 Тип прибора КТ201БМ КТ201ВМ кт201rм КТ201ДМ КТ202А-1 КТ202Б-1 КТ202В-1 кт202r-1 КТ202Д-1 КТ203А КТ203Б КТ203В КТ203АМ КТ203БМ КТ203ВМ КТ206А КТ206Б КТ207А КТ207Б КТ207В КТ208А КТ208Б КТ208В KT208f КТ208Д КТ208Е КТ208Ж КТ208И КТ208К КТ208Л КТ208М КТ209А КТ209Б КТ209В КТ209В2 KT209f КТ209Д Тип Стр. 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 прибора КТ209Е КТ209Ж КТ209И КТ209К КТ209Л КТ209М КТ210А КТ210Б КТ210В КТ211А-1 КТ211Б-1 КТ211В-1 КТ214А-1 КТ214Б-1 КТ214В-1 КТ214Г-1 КТ214Д-1 КТ214Е-1 КТ215А-1 КТ215Б-1 КТ215В-1 KT215f-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 КТ216А КТ216Б КТ216В КТ218А-9 КТ218Б-9 КТ218В-9 KT218f-9 КТ218Д-9 КТ218Е-9 КТ301 КТ301А КТЗ01Б КТ301В Тип Стр. 76 76 76 76 76 76 76 76 76 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 прибора ктзо1r КТ301Д КТ301Е КТ301Ж КТ302А 78 78 78 78 78 КТ302Б 7~ КТ302В 78 78 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 82 82 82 82 82 82 кт302r КТ306А КТ306Б КТ306В KT306f КТ306Д КТ306АМ КТ306БМ КТ306ВМ KT306fM КТ306ДМ 0307 0307А 0307Б 0307В 0307f КТ307А-1 КТ307Б-1 КТ307В-1 • Стр. KT307f-1 0308 0309 КТ3101А-2 КТ3101АМ КТ3102А КТ3102Б КТ3102В кт3102r КТ3102Д КТ3102Е
в Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора КТ3102Ж КТ3102И КТ3102К КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ГМ КТ3102ДМ КТ3102ЕМ КТ3102ЖМ КТ3102ИМ КТ3102КМ КТ3104А КТ3104Б КТ3104В КТ3104Г КТ3104Д КТ3104Е КТ3106А-2 КТ3106А-9 КТ3107А КТ3107Б КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Ж КТ3107И КТ3107К КТ3107Л КТ3108А КТ3108Б КТ3108В КТ3109А КТ3109Б КТ3109В КТ3114Б-6 KT3ll4B-6 KT3ll5A-2 KT3l15B-2 КТ3115Г-2 КТ3115Д-2 KT3ll7A-l KT3ll7A KT3ll7A9 КТ3117Б КТ3117Б9 КТ312А KT312Al КТ312Б КТ312Бl КТ312В КТ312В1 КТ3120А КТ3121А-6 КТ3122А КТ3122Б КТ3123А-2 КТ3123Б-2 КТ3123В-2 КТ3123АМ Стр. 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 84 84 84 84 84 84 84 84 84 84 84 490 84 490 84 490 84 490 84 490 84 86 86 86 86 86 86 86 Тип прибора КТ3123БМ КТ3123ВМ КТ3126А КТ3126Б КТ3126А-9 КТ3127А КТ3128А KT3128A-l КТ3128Б-l КТ3128А-9 КТЗ129А-9 КТ3129Б-9 КТ3129В-9 КТ3129Г-9 КТ3129Д-9 КТ313А КТ313Б KT313A-l КТ313Б-l KT313B-l КТ313Г-l КТ3130А-9 КТ3130Б-9 КТ3130В-9 КТ3130Г-9 КТ3130Д-9 КТ3130Е-9 КТ3130Ж-9 КТ3132А-2 КТ3132Б-2 КТ3132В-2 КТ3132Г-2 КТ3132Д-2 КТ3132Е-2 КТ3139А КТ3139Б КТ3139В КТ3139Г КТ314А-2 КТ3140А КТ3140Б КТ3140В КТ3140Г КТ3140Д КТ3142А КТ3145А-9 КТ3145Б-9 КТ3145В-9 КТ3145Г-9 КТ3145Д-9 КТ3146А-9 КТ3146Б-9 КТ3146В-9 КТ3146Г-9 КТЗ146Д-9 ' КТ315А КТ315Б КТ315В КТ315Г КТ315Д КТ315Е 1 Стр. 86 86 86 86 86 86 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 92 92 92 92 92 92 Тип прибора КТ315Ж КТ315И КТ315Н КТ315Р KT315A-l КТ315Б-1 KT315B-l КТ315Г-1 КТ315Д-1 KT315E-l КТ315Ж-l КТ315И-l KT315Hl KT315Pl КТ3150Б-2 KT315lA-9 КТ3151Б-9 КТ3151В-9 КТ3151Г-9 КТ315lД-9 КТ3151Е-9 КТ3153А-9 КТ3153А-5 КТ3157А КТ316А КТ316Б КТ316В КТ316Г КТ316Д КТ316АМ КТ316БМ КТ316ВМ КТ316ГМ КТ316ДМ КТ3165А КТ3165А-9 КТ3166А КТ3168А-9 КТ3169А-9 КТ3169А9-1 KT317A-l КТ317Б-l KT317B-l КТ3170А-9 КТ3171А-9 КТ3172А-9 КТ3173А-9 КТ3176А-9 КТ3179А-9 1.П3184А9 КТ3184Б9 KT318A-l КТ318Б-l KT318B-l КТ318Г-l КТ318Д-l KT318E-l КТ3180А-9 КТ3186А-9 КТ3187А-9 КТ3187А-91 Стр. 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 96 96 96 96 96 96 96 96 96 98 490 490 98 98 98 98 98 98 98 98 98 98 Тип прибора КТ3187В-91 КТ3189А-9 КТ3189Б-9 КТ3189В-9 КТ3191А-9 КТ3191А-91 КТ3192А-9 КТ3196А-9 КТ3197А-9 КТ3198А КТ3198Б КТ3198В КТ3198Г KT319A-l КТ319Б-l KT319B-l КТ321А КТ321Б КТ321В КТ321Г КТ321Д КТ321Е 1 KT324A-l КТ324Б-1 KT324B-l КТ324Г-l КТ324Д-l KT324E-l КТ325А КТ325Б КТ325В КТ325АМ КТ325БМ КТ325ВМ КТ326А КТ326Б КТ326АМ КТ326БМ KT331A-l КТ331Б-l KT331B-l КТ331Г-l KT332A-l КТ332Б-l KT332B-l КТ332Г-l КТ332Д-l КТ333А-3 КТ333Б-3 КТ333В-3 КТ333Г-3 КТ333Д-3 КТ333Е-3 КТ336А КТ336Б КТ336В КТ336Г КТ336Д КТ336Е КТ337А КТ337Б Стр. 98 98 98 98 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104
Алфаfwтно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора Стр. Тип КТ361В КТ340В 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 КТ340Г 104 КТ361М КТ340Д 104 104 104 104 104 106 106 106 106 106 КТ361Н КТ337В КТ339АМ КТ339А КТ339Б КТ339В КТ339Г КТ339Д КТ340А КТ340Б КТ342А КТ342Б КТ342В КТЗ42Г КТ342АМ КТ342БМ КТ342ВМ КТ342ГМ КТ342ДМ КТ361Г КТ~61П КТ361Д КТ36Щ1 КТЗ61Е КТ361Ж КТ361И КТ361К КТ361Л КТ361П КТ361А-2 КТ361А-3 КТ361Б-2 КТ361В-2 КТ361Г-2 КТ361Г-3 КТ36Щ-2 КТ361Д-3 КТ34ЗА )06 КТ361Е-2 КТ34ЗБ 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 КТ361Ж-2 КТ343В КТ345А КТ345Б КТ345В КТ347А КТ347Б КТ347В КТ348А-3 КТ348Б-3 КТ348В-3 КТ349А КТ349Б КТ349В КТ350А КТ351А КТ351Б КТ352А КТ352Б КТ354А-2 КТ354Б-2 КТ355А КТ355АМ КТ357А КТ357Б КТ357В КТ357Г КТ358А КТ358В КТ358В КТ359А-3 КТ359Б-3 КТ359В-3 КТ360А-1 КТ360Б-1 КТ360В-1 КТ361А КТ361А1 КТ361Б / КТ361И-2 КТ361К-2 КТ361Л-2 КТ361М-2 КТ361Н-2 КТ361П-2 КТ363А КТ363Б КТ363АМ КТЗ63БМ КТ364А-2 КТ364Б-2 КТ364В-2 КТ366А КТ366Б КТ366В КТ368А КТ368Б КТ368А-5 КТ368А-9 КТ368Б-9 КТ368АМ КТ368БМ КТ369А КТ369Б КТ369В. КТ369Г КТ369А-1 КТ369Б-1 КТ369В-1 KT369f-1 КТ370А-1 КТ370Б-1 КТ370А-9 КТ370Б-9 КТ371А КТ371АМ КТ372А Тип Стр.. прибора -· 110 110 110 110 110 i 10 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 116 9 прибора КТ381Г КТ381Д 116 КТ511К9 КТ381Е 116 116 116 118 118 118 118 118 118 118 118 120 120 120 120 120 120 120 120 120 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 КТ512А9 КТ372В КТЗ73А КТ373Б КТ373В КТ373Г КТ375А КТ375Б КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г КТ380А КТ380Б КТ380В КТ381Б КТ381В КТ382А КТ382Б КТ382АМ КТ382БМ КТ384А~ КТ384АМ КТ385А-2 КТЗ85АМ КТ388Б-2 КТ388БМ-2 КТ389Б-2 КТЗ91А-2 КТ391Б-2 КТ391В-2 КТ392А-2 КТ396А-2 КТ396А-9 КТ397А-2 КТ399А КТЗ99АМ КТ501А КТ501Б КТ501В КТ501Г ктsощ КТ501Е КТ501Ж КТ601И КТ501К КI501Л КТ501М КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ502Д КТ502Е КТ503А КТ503Б ~ КТ503В ктsозr Стр. прибора 116 116 · 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 КТ372Б ' Тип Стр. КТ503Д КТ503Е КТ504А КТ504Б КТ504В КТ505А КТ505Б КТ506А КТ506Б КТ509А КТ511А9 КТ5НБ9 КТ511В9 КТ511Г9 КТ51Щ9 КТ511Е9 КТ511Ж9 КТ5НИ9 КТ512Б9 КТ512В9 КТ512Г9 КТ512Д9 КТ512Е9 КТ512Ж9 КТ512И9 КТ512К9 КТ513А9 КТ51ЗБ9 КТ513В9 КТ513Г9 КТ513Д9 КТ514А9 КТ514Б9 КТ514В9 КТ514Г9 КТ514Д9 КТ515А9 КТ515Б9 КТ515В9 КТ516А9 КТ516Б9 КТ516В9 КТ517А КТ517Б КТ517В КТ517Г КТ517Д КТ517Е КТ517А-1 КТ517Б-1 КТ517В-1 КТ517Г-1 КТ517Д-1 КТ517Е-1 КТ517А-9 КТ517Б-9 КТ517В-9 КТ517Г-9 КТ517Д-9 - 122 122 122 122 122 122 122 122 122 124 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492/ 492 492 492 492 492 492
Алфавитно-цифровой_ указатель приборов в пособии 10 Тип прибора КТ517Е-9 КТ519А КТ519Б КТ519В КТ520А КТ520Б КТ521А КТ521Б КТ523А КТ523Б КТ523В KT523f КТ523Д КТ523А9 КТ523Б9 КТ523В9 KT523f9 КТ523Д9 КТ524А КТ524А-5 КТ525А КТ525А-5 КТ526А КТ526А-5 КТ528А9 КТ528Б9 КТ528В9 KT528f9 КТ528Д9 КТ601А КТ601АМ КТ602А КТ602Б КТ602В KT602f КТ602АМ КТ602БМ КТ603А КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И КТ604А КТ604Б КТ604АМ КТ604БМ КТ605А КТ605Б КТ605АМ КТ605БМ КТ606А КТ606Б КТ607А-4 КТ607Б-4 КТ608А КТ608Б КТ6109А КТ6109Б КТ6109В ' Стр. 492 492 492 492 492 492 494 494 494 494 494 494 494 494 •494 494 494 494 494 494. 494 494 494 496 496 496 496 496 496 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 тип Стр. прибора КТ6109Г КТ6109Д КТ610А КТ610Б КТ6102А КТ6103А КТ6104А КТ6105А КТ6107А КТ6108А K'f611A КТ611Б КТ611В KT611f КТ611АМ КТ611БМ КТ6НОА КТ6110Б КТ6110В ' KT6110f КТ6110Д КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г КТ6112А КТ6112Б КТ6112В КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6НЗГ КТ6113Д КТ6113Е КТ6114А КТ6114Б КТ6114В KT6114f КТ6114Д КТ6114Е КТ6115А КТ6115Б КТ611~В КТ6115Г КТ6115Д КТ6115Е КТ6116А КТ6117А КТ6127А Кt6127Б КТ6127В KT6127f КТ6127Д КТ6127Е КТ6127Ж КТ6127И КТ6127К КТ6128А КТ6128Б КТ6128В KT6128f . Тип прибора КТ6128Д 126 КТ6128Е 126 КТ6129А-9 128 КТ6129Б-2 128 КТ6130А-9 128 КТ6133А 128 КТ6133Б 128 КТ6133В 128 128 КТ61З4А КТ6134Б 128 КТ6134В 128 КТ6135А 128 КТ6135Б 128 КТ6135В 128 КТ6135Г 128 КТ6136А 128 128 КТ6137А КТ6138А 128 КТ6138Б 128 КТ6138В 128 КТ6138Г 128 КТ6138Д 128 КТ6139А 128 КТ6139Б 128 КТ6139В 128 KT6139f 128 КТ6139Д 128 КТ6140А 128 КТ616А 128 КТ616Б· 128 КТ617А 128 КТ618А 128 КТ620А 128 КТ620Б 128 КТ624А-2 130 КТ624АМ-2 130 КТ625А 130 КТ625АМ 130 КТ625АМ-2 130 КТ626А 130 КТ626Б 130 КТ626В 130 KT626f 130 130/ . КТ626Д КТ629А-2 130 КТ629Б·2 130 КТ629БМ-2 130 КТ630А 130 КТ630Б 130 КТ630В 130 KT630f 130 КТ630Д 13Q КТ630Е 130 'КТ630А-5 130 КТ6ЗОБ-5 130 КТ630В-5 130 KT630f-5 130 . КТ632Б 496 КТ632Б-1 496 КТ633А 496 КТ63ЗБ 496 Стр. 496 496 130 130 132 132 132 132 132 132 132 132 132 132 132 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 132 132 132 132 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 136 136 136 136 136 136 136 136· 136 136 136 136 . 136 136 136 Тип Стр. прибора КТ634А-2 КТ6З4Б-2 КТ635А КТ635Б КТ637А-2 КТ63~-2 КТ638А КТ638А1 КТ639А КТ639Б КТ639В KT639f КТ639Д КТ639Е КТ639Ж КТ639И КТ639А-1 КТ639Б-1 КТ639В-1 KT639f-l КТ639Д-1 КТ639Е-1 КТ639Ж-1 КТ639И-1 КТ640А-2 КТ640Б-2 КТ640В-2 КТ642А-2 КТ642А-5 КТ643А-2 КТ644А КТ644Б КТ644В KT644f КТ645А КТ645Б КТ646А КТ646Б КТ647А-2 КТ647А-5 КТ648А-2 КТ648А-5 КТ657А-2 КТ657Б-2 КТ657В-2 КТ657А-5 КТ657Б-5 КТ657В-5 КТ659А КТ660А КТ660Б КТ661А КТ662А КТ664А-9 КТ664Б-9 КТ665А-9 КТ665Б-9 КТ666А-9 КТ667А-9 КТ668А КТ668Б , 136 136 138 138 138 138 138 496 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 t38 138 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 142 142 142 142 142 142 142 142 142 142 142 142 144 144 144 144 144 144 144 144 144
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора Стр. Тип прибора К1722А КТ68ЗБ 144 514 144 146. 146 146 146 146 146 146 КТ68ЗВ Н6 КТ734Б ктвsзr КТ734В КТ685Е 146 146 146 146 146 146 146 146 146 146 146 146 КТ685Ж Н6 КТ737В КТ686А 146 146 146 146 146 146 146 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 КТ737f КТ668В КТ677А КТ680А КТ681А КТ682А-2 КТ682Б-2 КТ682А-5 КТ682Б-5 КТ68ЗА КТ68ЗД КТ68ЗЕ КТ684А КТ684Б КТ684В КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г КТ685Д КТ686Б КТ686В KT686f КТ686Д КТ686Е КТ686Ж КТ692А КТ695А КТ698А КТ698Б КТ698В KT698f КТ698Д КТ698Е КТ698Ж КТ698И КТ698К 0701 П701А П701Б Пi02 П702А КТ704А КТ704Б КТ704В КТ710А КТ712А КТ7l2Б КТ715А КТ716А КТ716Б КТ716В KT716f КТ719А КТ720А КТ721А КТ72ЗА КТ724А КТ728А КТ729А КТ729Б КТ7ЗОА КТ732А КТ7ЗЗА КТ734А КТ734Г КТ735А КТ735Б КТ735В кттзsr КТ736А КТ736Б КТ736В КТ736f КТ737А КТ737Б КТ740А КТ740А1 КТ801А КТ801Б КТ802А КТ80ЗА КТ805А КТ805Б КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ807А КТ807Б КТ807АМ КТ807БМ КТ808А КТ808А1 КТ808Б1 КТ808В1 J{T808f1 КТ808АЗ КТ808БЗ КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ ктsоsrм КТ.809А КТ8101А КТ8101Б КТ8102А КТ8102Б КТ8104А КТ8_105А КТ8106А КТ8106Б КТ8107А Стр. 11 Тип прибора 150 · 1so 150 150 152 152 152 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 . 498 498 500 КТ8107Б 500 КТ8114А 152 152 152 152 152 152 . 152 152 152 154 154 154 154 154 500 КТ8Н4Б 500 500 КТ8121:& 500 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 156 156 156 156 156 КТ8121Б-1' КТ8107В КТ8107Г КТ8107Д КТ8107Е КТ8107А2 КТ8107р2 КТ8107В2 KT8107f2 КТ8107Д2 КТ8107Е2 КТ8108А КТ8108Б КТ8108В КТ8108А-1 КТ8108Б-1 КТ8108В-1 КТ8109А КТ8109Б КТ8110А КТ811ОБКТ8110В КТ8111А9 КТ8111Б9 КТ8111В9 КТ8112А КТ8115А КТ8115Б КТ8115В КТ8116А КТ8116Б КТ8116В КТ8117А КТ8Ц7Б КТ8118А КТ812А КТ812:& КТ812В КТ8120А КТ8121А КТ8121А-1 КТ8121А-2 КТ8121Б-2 КТ812ЗА КТ8124А КТ8124Б КТ8124В КТ8125А КТ8125Б КТ8125В КТ8126А КТ8127А КТ8127:& КТ8127В КТ8127А-1 КТ8127Б-1 КТ8127В-1 Тип Стр. 156 156 156 156 156 156 . 156 156: 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 500 500 500 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 прибора КТ8129А КТ81ЗОА КТ81ЗОБ КТ81ЗОВ КТ8131А КТ8131Б КТ8131В КТ8134А КТ81ЗSА КТ8136А КТ8136А-1 КТ8137А КТ8138А КТ8138Б КТ8138В ктstзsr КТ8138Д КТ8138Е КТ8138Ж КТ8138И КТ8140А КТ8140А-1 КТ8141А КТ8141Б КТ8141В KT8141f КТ814А КТ814Б КТ814В KT814f КТ814ЗА КТ814ЗБ . КТ814ЗВ КТ814Зf КТ814ЗД КТ814ЗЕ КТ814ЗЖ КТ81433 КТ814ЗИ КТ814ЗК КТ814ЗЛ КТ814ЗМ КТ814ЗН КТ814ЗП КТ814ЗР КТ814ЗС КТ814ЗТ КТ814ЗУ КТ814ЗФ КТ8144А КТ8144Б КТ8145А КТ8145:& КТ8146А КТ8146Б КТ8147А КТ8147Б КТ8149А КТ8149А-1 КТ8149А-2 КТ8150А Стр. 160 162 162 162 162 162 162 500 500 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 166 166
12 Алфавитно-цифровой указатель приб.оров в пособии Тип прибора Тип Стр. прибора < КТ8150А-1 lбб КТ818ВМ КТ8150А-2 166 166 166 166 166 166 166 166 166 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 500 168 168 168 168 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 172 172 КТ818ГМ КТ8154А КТ8154Б КТ8155А КТ8155Б КТ8156А КТ8156Б КТ8157А КТ8157Б КТ8158А КТ8158Б КТ8158В КТ8159А КТ8159Б КТ8159В КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г КТ8164А КТ8164Б КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г КТ816А-2 КТ8170А-1 КТ8171А КТ8175А КТ8175Б КТ8175А-1 КТ8175Б-1 КТ8176А КТ8176Б КТ8176В КТ8177А КТ8177Б КТ8177В КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г КТ817Б-2 КТ817Г-2 КТ8181А КТ8181Б КТ8182А КТ8182Б КТ8183А КТ818ЗБ КТ8183А-1 КТ8183Б-1 КТ8183А-2 КТ8183Б-2. КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г КТ818АМ КТ818БМ КТ818А-1 КТ818Б-1 КТ818В-1 КТ818Г-1 КТ8196А КТ8197А-2 КТ8197Б-2 КТ8197В-2 КТ8199А КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г КТ819АМ КТ819БМ КТ819ВМ КТ819ГМ КТ819А-1 КТ819Б-1 КТ819В-1 КТ819Г-1 КТ8201А КТ8203А КТ8205А КТ8207А КТ8209А КТ820А-1 КТ820Б-1 КТ820В-1 КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 КТ822А-1 КТ822Б-1 КТ822В-1 КТ8231А КТ8231А1 КТ8231А2 KT8232Al КТ8232Б1 КТ8233А5 КТ8233Б5 КТ8233В5 КТ8234А5 КТ8234Б5 КТ8234В5 КТ8235А КТ823А-1 КТ82ЗБ-1 КТ823В-1 КТ8240А5 . КТ8240Б5 КТ8240В5 КТ8240Г5 КТ8240Д5 КТ8240Е5 КТ8240Ж5 КТ8241А5 КТ8241Б5 - Стр. 172 172 172 172 172 172 502 502 502 502 502 172 172 172 172 172 172 172 172 ' 172 172 172 172 502 502 502 504 504 172 172 172 172 172 172 172 172 172504 504 504 504 504 504 504 504 506 506 506 506 172 172 172 506 506 506 506 506 506 506 506 506 Тип Стр. прибора Тип прибора КТ837М КТ8242Б5 506 506 506 506 506 506 506 КТ8242В5 506 КТ837Ф КТ8243А5 КТ838А КТ8243Б5 506 506 КТ8243В5 . 506 КТ839А КТ8241В5 КТ8241Г5 КТ8241Д5 КТ8241Е5 КТ8241Ж5 КТ8242А5 КТ8244А5 КТ8244Б5 КТ8244В5 КТ8244Г5 КТ8245А5 КТ8245Б5 КТ8245В5 KT8245f5 КТ8246А КТ8246Б КТ8246В KT8246f КТ8250А КТ8250Б КТ825Г КТ825Д КТ825Е КТ826А КТ826Б КТ826В КТ827А КТ827Б КТ827В КТ828А КТ828Б КТ828В КТ828Г КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г КТ830А КТ830Б КТ830В ктsзоr КТ834А КТ834Б КТ834ВКТ835А КТ835Б КТ837А КТ837Б КТ837В КТ837Г КТ837Д КТ~37Е КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л - 506 506 506 506 506 506 506 506 508 508 508 508 508 508 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 1 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 КТ837Н КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У КТ838Б КТ840А КТ840Б КТ840В КТ841А КТ841Б КТ841В КТ841Г КТ841Д КТ841Е КТ842А КТ842Б КТ842В КТ844А КТ845А КТ846А КТ846Б КТ846В КТ847А КТ848А КТ850А КТ850Б КТ850В КТ851А КТ851Б КТ851В КТ852А КТ852Б КТ852В КТ852Г КТ853А КТ853Б КТ85ЗВ КТ853Г КТ854А КТ854Б КТ855А КТ855Б КТ855В КТ856А КТ856Б КТ856А-1 КТ856Б-1 КТ857А КТ858А КТ859А КТ862Б КТ862В КТ862Г КТ863А КТ863Б J Стр. 176 176 176 176 176. 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 180 180
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 13 1 Тип прибора КТ863В КТ864А КТ865А КТ866А КТ866Б КТ867А КТ868А КТ868Б КТ872А КТ872Б КТ872В КТ874А КТ874Б КТ878А КТ878Б КТ878В КТ879А КТ879Б КТ885А КТ885Б КТ886А-1 КТ886Б-1 КТ887А КТ887Б КТ888А КТ888Б КТ890А КТ890Б КТ890В КТ892А КТ892Б КТ892В КТ89ЗА КТ896А КТ896Б КТ897А КТ897Б КТ898А КТ898Б КТ898А-1 КТ898Б-1 КТ899А КТ902А КТ902АМ К'Г903А КТ903Б КТ904А КТ904Б КТ907А КТ907Б КТ908А КТ908Б КТ909А КТ909Б КТ909В КТ909Г КТ9101АС КТ9104А КТ9104Б КТ9105АС КТ9109А Тип Стр. 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 182 1'82 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 184 184 184 184 184 184 184 184 184 184 184 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 188 188 прибора КТ9111А КТ9116А КТ9116Б' КТ911А - КТ911Б КТ911В КТ911Г КТ912А КТ912Б КТ913А КТ913Б КТ913В КТ9115А КТ911рБ КТ9120А КТ9121А КТ9121Б КТ9121В КТ9121Г КТ9125АС КТ9126А КТ9127А КТ9127Б КТ9128АС КТ9130А КТ9131А КТ9132АС КТ9133А КТ9134А КТ9134Б КТ9136АС КТ914А КТ9141А КТ9141А-1 КТ9142А КТ9143А КТ9143Б КТ9143В КТ9144А-5 КТ9144А-9 КТ9145А-5 КТ9145А-9 КТ9146А КТ9146Б КТ9146В КТ9147АС КТ9150А КТ9151А КТ9152А КТ9153АС КТ9153БС КТ9155А КТ9155Б КТ9155В КТ9156АС КТ9156БС КТ9157А КТ9160А КТ9160Б КТ9160В КТ9161АС Стр. 188 188 188 188 188 188 188 188 188 188 188 188 508 508 190 190 190 190 190 190 190 190 190 190 190 508 508 192 192 192 192 192 192 192 192 194 194 194 194 194 194 194 194 194 194 508 194 194 194 508 196 196 196 196 510 196 196 196 196 196 196 Тип прибора КТ9164А KT916GA КТ916А КТ916Б КТ9173А КТ9174А КТ9176А КТ9177А КТ9180А КТ9180Б КТ9180В КТ9180Г \ КТ9181А КТ9181Б КТ9181В КТ9181Г КТ9189А-2 КТ9189Б-2 КТ9189В-2 КТ918А-2 КТ918Б-2 КТ9182А КТ9190А КТ9190А-4' КТ9192А-2 КТ9192Б-2 КТ9193А КТ9193Б КТ9193А-4 КТ9193Б-4 КТ919А КТ919Б КТ919В КТ919Г КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г КТ921А КТ921Б КТ922А КТ922Б КТ922В КТ922Г КТ922Д КТ925А КТ925Б КТ925В КТ925Г КТ926А КТ926Б КТ927А КТ927Б КТ927В КТ928А КТ928Б КТ928В КТ929А КТ930А КТ930Б КТ931А Стр. 196 196 196 196 198 198 198 198 198 198 198 198 198 198 198 198 510 510 510 198 198 198 510 510 512 512 512 512 512 512 198 198 198' 198 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 202 202 202 Тип прибора КТ932А КТ932Б КТ932В КТ9ЗЗА КТ9ЗЗБ КТ934А КТ934В КТ934В КТ934Г КТ934Д КТ935А КТ936А КТ936Б КТ937А-2 КТ937Б-2 КТ938А-2 КТ938Б-2 КТ939А КТ939Б КТ940А КТ940А1 КТ940А9 КТ940Б КТ940Б1 КТ940Б9 КТ940В КТ94ОВ1 КТ940А-5 КТ940Б-5 КТ940В-5 КТ942В КТ94ЗА КТ94ЗБ КТ94ЗВ КТ94ЗГ Кt94ЗД КТ944А КТ945А .КТ945Б КТ945В КТ945Г КТ946А КТ947А КТ948А КТ948Б КТ955А КТ956А КТ957А КТ958А КТ960А КТ961А КТ961А1 КТ961Б КТ961Б1 КТ961В КТ961В1 КТ961Г КТ962А КТ962Б КТ962В КТ96ЗА-2 ' / Стр. 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 204 204 204 204 204 '204 204 512 512 204 512 512 204 512 204 204 204 204 204 204 204 204 204 206 206 514 514 514 206 206 206 206 206 206 206 208 208 208 514 208 514 208 514 208 208 208 208 208
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 14 Тиn прибора КТ96ЗБ-2 КТ96ЗА-5 КТ96ЗБ-5 КТ965А КТ966А КТ967А КТ969А КТ969А1 КТ969А-5 КТ970А КТ971А КТ972А Стр. 208 208 208 208 208 210 210 514 210 210 210 210 Тип Стр. прибора Тип прибора КТ972Б 21р КТ981А КТ972В КТ98ЗА КТ_97ЗГ 514 514 210 210 514 514 КТ976А 2(0 КТ986А КТ977А 212 212 212 212 КТ986Б КТ972Г КТ97ЗА КТЭ7ЗБ КТ97ЗВ КТ979А КТ980А КТ980Б 212 212 212 212 212 212 212 214 214 214 214 214 КТ98ЗБ КТ98ЗВ КТ984А КТ984Б КТ985АС КТ986В КТ986Г КТ991АС Тип Стр. прибора КТ996А-2 КТ996Б-2 КТ996В-2 КТ996А-5 КТ996Б-5 КТ996В-5 КТ997А КТ997Б КТ997В КТ999А Стр. 214 214 214 214 214 214 214 214 214 214 Кремниевые сборки Тип прибора КТСЗОЗА-2 КТСЗIОЗА КТСЗIОЗБ КТСЗ10ЗА1 КТСЗ10ЗБ1 КТСЗ161АС КТСЗ174АС-2 КТСЗ81Б КТСЗ81В КТСЗ81Г КТСЗ8tд КТСЗ81Е КТСЗ93А Стр. 216 216 216 216 216 216 216 216 216 216 216 216 218 Тип Стр. прибора 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 КТСЗ9ЗБ КТСЗ9ЗА-1 КТСЗ9ЗБ-1 КТСЗ9ЗА-9 КТСЗ9ЗБ-9 КТСЗ94А-2 КТСЗ94Б-2 КТСЗ95А-1 КТСЗ95Б-1 КТСЗ95А-2 КТСЗ95Б-2 КТСЗ95В-2 КТСЗ98А-1 Тип прибора КТСЗ98Б-1 КТСЗ98А94 КТСЗ98Б94 КТС61ЗА КТС61ЗБ КТС61ЗВ КТС61ЗГ КТС622А КТС622Б КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Тип Стр. 218 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220 прибора КТ674АС КТ69ЗАС К1НТ251 К1НТ661А К129НТ1А-1 К129НТ1Б-1 К129НТ1В-1 К129НТ1Г-1 К129НТtд-1 К129НТ1Е-1 К129НТ1Ж-1 К129НТ1И-1 Стр. 220 220 222 222 222 222 222 222 222 222 222 222 Полевые транзисторы Тип прибора АПЗ20А-2 АПЗ20Б-2 АПЗ24А-2 АПЗ24Б-2 АПЗ24В-2 АПЗ24Б-5 АПЗ25А-2 АПЗ26А-2 АПЗ26Б-2 АПЗ28А-2 АПЗЗОА-2 АПЗЗОБ-2 АПЗЗОВ-2 АПЗЗОВl-2 АПЗЗОВ2-2 АПЗЗОВЗ-2 АПЗЗ1А-2 АПЗЗ1А-5 АПЗЗ9А-2 АПЗ4ЗА-2 АПЗ4ЗА1-2 АПЗ4ЗА2-2 АПЗ4ЗАЗ-2 АПЗ44А-2 АПЗ44А1-2 АПЗ44А2-2 Стр. 234 234 ·234 234 234 234 234 234 234 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 238 238 238 Тип Стр. прибора АПЗ44АЗ-2 АП~44А4-2 АПЗ62А-9 АПЗ62Б-9 АПЗ79А-9 АПЗ79Б-9 АП602А-2 АП602Б-2 АП602В-2 АП602Г-2 АП602Д-2 АП60ЗА-2 АП603Б:2 АП60ЗА-1-2 АП60ЗБ-1-2 АП603А-5 АП60ЗБ-5 АП804А-2 АП604Б-2 АП604В-2 АП604Г-2 АП604А1-2 АП604Б1-2 АП604В1-2 АП604Г1-2 АП605А-2 , 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 Тип прибора Тип Стр. прибора АП967Г-2 АП9ЗОА-2 240 240 240 240 240 240 240 240 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 АП9ЗОБ-2 242 КП10ЗИР1 АП9ЗОВ-2 242 244 244 244 КШОЗКРI АП605А1-2 АП605А2-2 АП606А-2 АП606Б-2 АП606В-2 АП606А-5 АП606Б-5 АП606В-5 АП607А-2 АП608А-2 АП608Б-2 АП608В-2 АП608А-5 АП608Д-5 АП608Е-5 АП915А-2 АП915Б-2 АП925А-2 АП925Б-2 АП925В-2 АП967А-2 АП967Б-2 АП967В-2 АП967Д-2 АП967Е-2 АП967Ж-2 кп101r КП101Д КП101Е КШОЗЕ КП10ЗЕ9 КПIОЗЖ КП10ЗЖ9 КПIОЗИ КП10ЗИ9 КПIОЗК КП10ЗК9 КПIОЗЛ КП103Л9 КПIОЗМ КП10ЗМ9 КП10ЗЕР1 КП10ЗЖР1 КП10ЗЛР1 КП10ЗМР1 КП150 Стр. 244 244 244 244 244 244 244 244 516 244 516 244 516 244 516 244 516 244 516 244 244 244 244 244 244 244
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 15 • Тип прибора КП201Е-1 КП201Ж-1 КП201И-1 КП201К-1 КП201Л-1 КП202Д-1 КП202Е-1 КП240 КП250 КП301Б КП301В КП301f КП302А КП302Б КП302В КП302f КП302АМ КП302БМ КП302ВМ КП302fМ КП303А КП303А9 КП303Б КП303Б9 КП303В КП303В9 кпзозr КП303f9 КП303Д КП303Д9 КП303Е КП303Е9 КП303Ж КП303Ж9 КП303И КП303И9 КП304А КПЗО!)Д КП305Е КП305Ж КП305И КП306А КП306Б КП306В КП307А КП307А1 "КП307Б ~ КП307Б1 КП307В КП307f КП307f1 КП307Д КП307Е КП307Е1 КП307Ж КП307Ж1 КП308А-1 КП308Б-1 КП308В-1 КП308f-1 КП308Д-1 Тип Стр. 244 244 244 244 244 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 248 248 248 248 248 248 248 248 516 248 516 248 248 516 248 248 516 248 516 248 248 248 248 248 прибора кnз~ол КП310Б К0312А КПЗ12Б КП313А КП313Б КП313В КП314А КП322А КП323А-2 КП323Б-2 КП327А КП327Б КП327В КП327f КП329А КП329Б КП340 КП341А КП341Б КП346А-9 КП346Б-9 КП346В-9 КП347А-2 КП350 КП350А КП350Б КП350В КП361А КП364А КП364Б КП364В КП364Г КП364Д КП364Е КП364Ж КП364И КП365А КП365Б КП382А КП401АС КП401БС КП402А КП403А КП440 КП450 КП501А КП501Б КП502А КП503А КП504А КП505А КП510 КП520 КП530 КП540 КП601А КП601Б КП610 КП620 КП630 Тип Стр. 248 248 248 248 248 248 248 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 252 252 252 252 252 .. 252 252 252 516 252 252 252 252 252 252 252 252 252 252 252 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 256 256 256 256 256 256 256 КП640 КП704А КП704Б КП705А КП705Б КП705В КП706А КП706Б КП706В КП707А КП707Б КП707В КП707А1 КП707Б1 КП707В1 КП707В2 КП708А КП708Б КП709А КП709Б КП710 КП712А КП712Б КП712В КП717А КП717Б КП717В КП717Г КП717Д КП717Е КП717А1 КП717Б1 КП717В1 КП717Г1 КП717Д1 КП717Е1 КП718А КП718Б КП718В КП718Г КП718Д КП718Е КП718А1 КП718Б1 КП718В1 КП718Г1 КП718Д1 КП718Е1 КП720 КП722А КП723А КП72ЗБ КП723В КП723Г КП724А КП724Б КП725А КП726А КП727А КП727Б КП727В. Тип Стр. прибора . 256 256 256 256 256 256 256 256 256 256 256 256 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 прибора КП727f КП727Д КП727Е КП727Ж КП728А КП730 КП730А КП731А Kll733A КП733Б КП733В-1 КП734А КП734Б КП734В КП734А-5 КП734Б-5 КП735А КП735Б КП735В КП735Г КП740 КП759А-5 КП759Б-5 КП759В-5 КП759Г-5 КП760А-5 КП760Б-5 КП760В-5 КП760Г-5 КП761А-5 КП761Б-5 КП761В-5 КП761Г-5 КП801А КП801Б КП801В КП801Г КП802А КП802Б КП804А КП805А КП805Б КП805В КП809А КП809Б КП809В КП809Г КП809Д КП809Е КП809А1 КП809Б1 КП809В1 КП809Г1 КП809Д1 КП809Е1 КП810А КП810Б КП810В КП812А1 КП812Б1 КП812В1 Стр. 260 260 260 260 262 262 262 262 262 262 262 516 516 516 516 516 516 516 516 516 262 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518. 518 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 266 266 266
~фавитно-цифровой указатель приборов в пособии 16' Тип КП81ЗА КП81ЗБ КП81ЗА1 КП81ЗБ1 КП81ЗА1-5 КП81ЗБ1-5 КП814А КП814Б КП814В КП814Г КП814Д КП814Е КП814Ж КП814И КП814К КП814Л КП814М КП814Н КП814П КП814Р КП814С КП814Т КП814У КП814Ф КП817А КП817Б ~ КП817В КП820 кпsзо КП840 КП901А КП901Б КП902А КП902Б КП902В КП90ЗА КП90ЗБ Тип Стр. прибора 266 266 266 266 266 266 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 266 266 266 266 266 266 266 266 268 268 КП90ЗВ КП904А КП904Б КП905А КП905Б КП905В КП907А КП907Б КП907В - КП908А КП908Б КП921А КП922А , КП922Б КП922А1 КП922Б1 КП92ЗА КП92ЗБ КП92ЗВ КП92ЗГ КП928А КП928Б КП934А КП934Б КП937А КП937А-5 КП938А КП938Б КП938В КП938Г КП938Д КП944А КП944Б КП945А КП945Б КП946А КП946Б Тип Стр. прибора 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 272 272 272 272 272 272 прибора Тип Стр. прибора КП960Б 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 КП960В 2~4 КПСЗ16Е-1 КП961А 274 274 274 274 КПСЗ16Ж-1 КП948А КП948Б КП948В КП948Г КП951А-2 КП951Б-2 КП951В-2 КП95ЗА КП95ЗБ КП95ЗВ КП-95ЗГ КП95ЗД КП954А КП954Б КП954В КП954Г КП955А КП955Б КП956А КП956Б КП957А КП957Б КП957В КП958А КП958Б КП958В КП958Г КП959А КП959Б КП959В КП960А КП961Б КП961В КП961Г КП961Д КП961Е КП964А КП964Б КП964В КП964Г КП965А КП965Б КП965В КП965Г КП965Д КП971А КП971Б КП97ЗА КП97ЗБ КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г КПС104Д КПС104Е КПС202А-2 КПС202Б-2 КПС202В-2 кпс202r-2 КПС20ЗА-1 КПС20ЗБ-1 КПС20ЗВ-1 кпс2озr-1 КПСЗ15А КПСЗ15Б КПСЗ16Д-1 КПСЗ16И-1 Стр. 274 274 274 274 274 274 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 Диоды, ,столбы, блоки Тип прибора Тип Стр. прибора 283 283 283 283 Д9Ж Д2Е 283 Д9М Д2Ж 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 ДIО Д2Б Д2В Д2Г Д2Д Д2И Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж Д9Б Д9В Д9Г дзд Д9Е Д9И Д9К Д9Л ДIОА Д10Б Д101 Д101А Д102 Д102А Кд102А Кд102Б Д103 ДIОЗА Кд10ЗА Кд10ЗБ Д104 Тип Стр. 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 284 284 284 прибора Д104А Кд104 Д105 Д105А Кд105Б Кд105В Кд105Г Д106 Д106А Кд106А ГД107А ГД107Б Кд109А Кд109Б Кд109В АД110А АД112А ГД11ЗА Кд116А-1 Тип Стр. 284 284 284 284 284 284 284 284 284 284 284 284 285 285 285 285 285 285 285 прибора Кд116Б-1 Кд126А Кд127А Кд128А Кд128Б Кд128В Кд1ЗОАС Д202 КД202А Кд202В Кд202Д КД202Ж Кд202К Кд202М Кд202Р Д203 Кд20ЗА Кд20ЗБ Кд20ЗВ Стр. 285 530 530 530 530 530 530 285 285 285 285 285 285 285 285 285 286 286 286
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора кд2озr КД20ЗД КД20ЗЕ КД20ЗЖ КД20ЗИ КД20ЗК КД20ЗЛ КД20ЗМ Д204 КД204А КД204Б КД204В Д205 КД205А КД205Б КД205В КД205f КД205Д \ КД205Е КД205Ж КД205И КД205К КД205Л Д206 КД206А КД206Б КД206В Д207 Д208 КД208А· КД208А-1 Д209 КД209А КД209Б КД209В КД209А-1 КД209Б-1 КД209В-1 КД209f-1 Д210 КД210А КД210Б КД210В КД210f КД210А1 КД210Б1 КД210В1 КД210f1 Д211 КД212А КД212Б КД212В КД212f КД213А КД21ЗБ КД21ЗВ кд21зr Д214 Д214А Д214Б Д215 Тип Стр. 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 287 287 287 287 2&7 287 287 287 287 287 287 287 287 287 287 287 530 530 530 530 287 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 Д215А Д215Б МД217 МД218 МД218А КД221А КД221Б КД221В КД221f КД221А1 КД221Б1 КД221В1 КД221f1 КД221Д1 КД221Е1 КД222А-5 КД222Б-5 КД222В-5 Д223 Д22ЗА Д22ЗБ КД22ЗА Д226 Д226А Д226Е КД226А КД226Б КД226В КД226Г КД226Д КД226Е МД226 МД226А МД226Е КД227fС КД227ЕС КД227ЖС Д229А Д229Б Д229В Д229Г Д229Д Д229Е Д229Ж Д229И Д229К Д229Л Д231 Д231А Д231Б Д232 Д232А Д232Б Д233 Д233Б Д234Б Д237А Д237Б Д237В Д237Е Д237Ж Тип Стр. прибора .• 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 530 530 530 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 2S9 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 17 прибора КД237А КД237Б КД238АС КД238БС КД238ВС КД240А КД240Б КД240В :КД240f КД240Д ·Кд24ОЕ КД240Ж КД240И КД240К КД241А Д242 д242А д242Б Д243 Д24ЗА Д24ЗБ КД24ЗА КД24ЗБ КД24ЗВ КД24Зf КД24ЗД КД24ЗЕ КД24ЗЖ КД244А КД244Б КД244В КД244f Д245 Д245А Д245Б Д246 д246А д246Б д247 Д247Б КД247А КД247Б КД247В КД247f КД247Д КД247Е Д248Б КД248А КД248Б КД248В КД248Г КД248Д КД248Е КД248Ж КД248И КД248К КД249А КД249Б КД249В КД257А кд257Б - Стр. 530 530 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 530 530 530 530 530 530 530 530 530 531 531 531 291 291 Тип Стр. прибора КД257В КД257Г КД257Д КД258А КД258Б КД258В КД258Г КД258Д - КД259А КД259Б КД259В IЩ268А ......... КД268Б КД268В КД268Г КД268Д КД268Е КД268Ж КД268И КД268К КД268Л КД269А КД269Б КД269В КД269Г КД269Д КД269Е КД269Ж КД269И КД269К КД269Л КД270А КД270Б КД270В КД270Г КД270Д КД270Е КД270Ж КД270И КД270К КД270Л КД271А КД271Б КД271В КД271Г КД271Д КД271Е КД271Ж КД271И КД271К КД271Л КД272А КД272Б КД272В КД272Г КД272Д КД272Е КД272Ж КД272И КД272К КД272Л ~ 291 291 291 292 292 292 292 292 531 531 531 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 ' 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292
Алфавитно-.цифровой указатель приборов в пособии 18 Тип прибора КД27ЗА КД27ЗБ КД27ЗВ КД27ЗГ КД27ЗД КД27ЗЕ КД27ЗЖ- КД27ЗИ кд27ЗК КД27ЗЛ КД27ЗАС КД27ЗБС КД27ЗВС КД27ЗГС КД27ЗДС КД27ЗЕС КД275А КД275Б КД275В КД275Г КД275Д КД275Е кд280А кд280Б КД280В КД280Г КД280Д КД280Е КД280Ж кд281А КД281Б КД281В КД281Г КД281Д кд281Е КД281Ж КД281И КД281К кд281Л КД281М КД281Н КД281П КД292АС КД292БС КД2988А КД2988Б КД2988В КД2989А КД2989Б КД2989В КД2989А-1 КД2989Б-1 КД2989В-1 КД2991А КД2994А КД2994Б КД2994В КД2994Г КД2995А КД2995Б КД2995В Тип Стр. 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 293 293 293 532 532 532 532 532 532 293 293 293 293 293 293 293 293 прибора кд2995Г КД2995Д КД2996А КД2996Б КД2996В КД2997А КД2997Б КД2997В КД2998А КД2998Б КД2998В КД2998Г КД2998Д КД2999А КД2999Б КД2999В ДЗ02 Д303 ДЗО4 ДЗ05 КД401А КД401Б ГД402А ГД402Б ГД403АГД40ЗБ ГД40ЗВ КД407А КД409А КД409А-9 КД409Б-9 КД410А КД410Б КД411А КД411Б КД411В КД411Г КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД412А КД412Б КД412В КД412Г КД41ЗА КД413Б КД416А КД416Б КД417А КД419А КД419Б КД419В КД419Г КД419Д КД424А КД424В КД424Г КД50ЗА_ _КД50ЗБ КД503В Стр. 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 294 294 294 294 294 2,g.4 294 294 294 294 294 294 294 294 294 294 294 294 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 ' 295 295 532 532 296 296 296 Тип прибора КД504А ГД507А ГД508А ГД508Б КД509А КД510А КД512А КД512А1 КД51ЗА КД514А КД514А1 АД516А АД516Г КД518А КД519А КД519Б КД520А КД521А КД521Б КД521В КД521Г КД521Д КД521А2 КД521Б2 КД521А9 КД522А КД522Б КД522А2 КД522Б2 КД522Б9 КД529А КД529Б КД529В КД529Г КД532А ;кд629АС КД636АС КД636БС КД636ВС КД636ГС КД636ДС КД636ЕС КД704АС КД706АС9 КД707АС9 КД708А КД708Б КД708В КД710А КДiНА КД80ЗАС9 КД805А КД805А9 КД808А КД810Х КД811А КД811Б КД811В КД811А-9 КД811Б-9 КД811В-9 Тип Стр. 296 296 296 296 296 296 296 532 296 297 532 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 532 297 297 297 297 532 298 298 298 298 532 298 533 533 533 533 533 533 298 298 298 533 533 533 533 533 298 298 533 298 533 299 299 299 299 299 299 прибора КД812А КД812Б КД812В КД901А-1 КД1JО1Б-1 КД901В-1 КД9{)1Г-1 КД90ЗА КД903Б КД904А-1 КД904Б-1 КД904В-1 КД904Г-.1 КД904Д-1 КД904Е-1 КД906А КД906Б КД906В КД906Г КД906Д КД906Е КД907Б-1 КД1JО7В-1 КД908А КД908АМ КД909А КД910А-1 КД910Б-1 КД910В-1 КД911А-1 КД911А-1 КД912А-3 КД912Б-З КД912В-3 КД91ЗА-З КД914А КД914Б КД914В КД917А КД917АМ КД918Б-1 КД918В-1 КД919А КД921А КД921Б КД922А КД922Б КД922В КД92ЗА КД927А Д1004 Д1005А Д1005Б Д1006 Д1007 Д1008 Д1009 Д1009А Д1011 КДС111А КДС111Б Стр. 533 533 533 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 300 300 300 300 300 300 300 300 ' 300 300 301 301 301 301 301 301 301 301 301 301 301 302 533 533 302 302 302 302 534 302 302 302 302 302 302 302 302 303 303 303
Алфавитно-цифровой указатель приборов-в пособии Тип Стр. прибора КДС111В КДС111А2 _ КДС111Б2 КДС111В2 КДСJЗ2А1 КДС132Б1 КДС132В1 КДС1ЗЗА1 КДС1ЗЗБ1 КДС1ЗЗВ1 КДС41ЗА КДС41ЗБ КДС41ЗВ КДС414А КДС414Б КДС414В КДС415А КДС415Б КДС415В КДС52ЗА КД~52ЗБ КДС52ЗВ КДС52ЗГ КДС52ЗАМ КДС52ЗБМ КДС52ЗВМ КДС52ЗГМ КДС525А КДС525Б КДС525В КДС525Г ' КДС525Д КДС525Е КДС525Ж КДС525И КДС525К КДС525Л КДС526А КДС526Б КДС526В КДС627А КДС628А КЦ10ЗА КЦ105В 303 535 435 535 535 535 535 535 535 535 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 305 305 305 305 305 534 305 Тип прибора КЦ105Г КЦ105В КЦ106А КЦ106Б КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д КЦ108А КЦ108Б КЦ108В КЦ109А КЦ109АМ КЦ111А КЦ114А КЦ114Б КЦ117А КЦU7Б КЦ118А КЦ118Б КЦ122А КЦ122Б КЦ122В КЦ201А КЦ201Б КЦ201В КЦ201Г КЦ201Д КЦ201Е КЦ206А КЦ206Б КЦ206В КЦ208А КЦЗ02А КЦ302Б КЦЗО2В к·цзо2r КЦЗОЗА КЦЗОЗБ кцзозв кцзозr кцзозд - КЦЗОЗЕ кцзозж КЦЗОЗИ Тип Стр. 305 305 306 306 306 306 306 306 ' 306 306 306 534 306 306 306 306 306 534 534 534 534 534 306 306 307 307 307 307 534 534 534 307 534 534 534 534 534 534 534 534 534 534 534 534 19 прибора Стр. 534 534 534 534 307 307 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 309 309 309 309 309 309 КЦЗОЗК кцзозл кцзозм кцзозн КЦ401А КЦ401Г КЦ402А КЦ402Б КЦ402В КЦ402Г КЦ402Д КЦ402Е КЦ402Ж КЦ402И КЦ40ЗА КЦ40ЗБ КЦ40ЗВ КЦ40ЗГ КЦ403Д КЦ403Е КЦ403Ж КЦ40ЗИ КЦ404А КЦ404Б КЦ404В КЦ404Г КЦ404Д КЦ404Е КЦ404Ж КЦ404И КЦ405А КЦ405Б КЦ405В КЦ405Г КЦ405Д КЦ405Е КЦ405Ж КЦ405И КЦ407А КЦ409А КЦ409Б КЦ409В КЦ409Г КЦ409Д Тип прибора КЦ409Е КЦ409Ж КЦ409И КЦ410А КЦ410Б КЦ410В КЦ412А КЦ412Б КЦ412В КЦ417А КЦ417Б КЦ417В КЦ418А . КЦ418Б КЦ418В КЦ418Г КЦ418Д КЦ419А КЦ419А1 КЦ419А2 КЦ419Б КЦ419Б1 КЦ419Б2 КЦ419В КЦ419В1 КЦ419В2 КЦ419Г КЦ419Г1 КЦ419Г2 КЦ419Д КЦ419Д1 КЦ419Д2 КЦ419Е КЦ419Е1 КЦ419Е2 КЦ419Ж КЦ419Ж1 КЦ419Ж2 КЦ422А КЦ422Б КЦ422В КЦ422Г ГД404АР Стр. 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 534 534 534 534 535 Варикапы Тип прибора Д901А Д901Б Д901В Д901Г Д901Д Д901Е Д902. КВ101А КВ102А КВ102Б КВ102В кв102r Стр. 322 322 322 322 322 322 322 310 310 310 310 310 Тип прибора КВ102Д КВ10ЗА КВ10ЗБ КВ104А КВ104Б КВ104В КВ104Д КВ104Е КВ105А КВ105Б КВ106А КВ106Б Стр. 310 310 310 310 310 310 310 310 310 310 310 310 • Тип прибора КВ107А КВ107Б КВ107В КВ107Г КВ109А КВ109Б КВ109В КВ109Г КВ109А-1 КВ109Б-1 КВ109В-1 КВ109Г-1 Стр. 310 310 310 310 310 310 310 310 312 312 312 312 Тип прибора КВ109А-4 КВ109Б-4 КВ109В-4 КВ109Г-4 КВ109Д-4 КВ109Е-4 КВ109Ж-4 КВ109А-5 КВ109Б-5 КВ109В-5 КВ109Г-5 КВ109Д-5 Стр. 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 20 Тип КВ109Е-5 КВ109Ж-5 КВН О А КВН ОБ КВ110В квноr I(ВНОД КВ110Е КВС111А КВС111Б КВCtttA-2 КВС111Б-2 КВС111В-2 квс111r-2 КВ112А-1 КВ112Б-t КВ113А КВ113Б КВ114А КВ114Б КВ115А КВ115Б КВ115В КВ116А-1 КВ117А КВ117Б - КВ119А КВС120А КВС120Б КВС120А-1 КВ121А КВ121Б Тип Стр. прибора . 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 314 314 314 314 314 314 314 314 314 314 314 314 прибора Стр. Тип прибора КВ130А-9 КВ121Б-3 314 314 316 316 316 316 316 КВ121В-3 ~16 КВ135А 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 318 318 318 318 318 318 318 318 КВ13GА КВ121А-1 КВ121Б-1 КВ121А-2 КВ121Б-2 КВ121В-2 КВ121А-3 КВ121А-9 КВ121Б-9 КВ121В-9 КВ122А КВ122Б КВ122В КВ122А-1 КВ122Б-1 КВ122В-1 КВ122А-4 КВ122Б-4 КВ122В-4 КВ122А-9 КВ122Б-9 КВ122В-9 КВ123А КВ126А-5 КВ126АГ-5 КВ127А КВ127Б КВ127В КВ127Г КВ128А КВ128АК КВ129А КВ130А КВ132А КВ131А-2 КВ134А КВ134А-1 КВ136Б КВ136В КВ136Г КВ138А КВ138Б КВ139А КВ140А-1 КВ140Б-1 КВ142А КВ142Б КВ143А КВ143Б КВ143В КВ144А КВ144Б КВ144В. КВ144Г КВ144А-l КВ144Б-1 КВ144В-1 КВ144Г-1 КВ146А КВ148А9 Стр. 318 318 318 318 318 318 318 320 320 320 320 320 320 320. ' 320 520 520 320 320 520 520 520 320 320 320 320 320 320 320 320 320 520 Тип прибора КВ148Б9 КВ148В9 КВ149А 1 КВ149А1 КВ149А2 КВ149А3 КВ149Б · КВ149Б1 КВ149Б2 КВ149Б3 КВ149В КВ149В1 КВ149В2 КВ149В3 КВ149Г3 КВ152А КВ153А-9 КВ154А КВ155А-9 КВ156А-9 КВ157А-9 КВ163А КВ163А9 КВ164А КВ164А9 КВ165А КВ165А9 КВ166А КВ166А9 Стр. 520 520 322 520 520 520 322 520 520 520 322 520 520 520 520 322 322 322 322 .322 322 520 520 522 522 522 522 522 Щ2 Стабилитроны и стабисторы Тип прибора Д219С Д220С Д223С Д808 Д809 Д810 Д811 Д813 Д814А Д814Б Д814В Д814Г Д814Д Д814А1 Д814Б1 Д814В1 Д814П Д814Д1 Д814А2 Д815А Д815Б Д815В Д815Г Д815Д Тип Стр. 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 прибора Д815Е Д815Ж Д816А Д816Б Д816В Д816Г Д816Д Д817А Д817Б Д817В Д817Г Д818А Д818Б Д818В Д818Г Д818Д Д818Е КС102А КС106А КС106А-1 КС107А КС107А1 КС108А КС108Б Стр. 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 • 324 324 324 324 324 324 524 524 324 326 524 326 326 Тип прибора КС108В КС113А КС113В КС115А КС119А КС121А КС124Д-1 КС126А КС126Б КС126В КС126Г КС126Д КС126Е КС126Ж КС126И КС126К КС126Л КС126М КС126В1 КС126Г1 КС126Д1 КС127Д-1 КС128А КС128Б Стр. 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 Тип прибора КС128В КС128Г КС128Д КС128Е КС128Ж КС128И КС128К КС128Л КС128М КС128В1 КС128Г1 КС128Д1 КС130Д-1 КС130Д-5 КС133А · КС133Г КС133Д-1 КС136Д-1 КС139А КС139Г КС139Д-1 КС143Д-1 КС147А КС147Г Стр. 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 328 328 328 328 328 328 328 328 328 328 328
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора КС156А КС156А9 KC156f КС162А КС162А2 КС162А-З КС164М-1 КС166А КС166Б КС166В КС168А КС168А1 КС168В КС168В2 КС168ВЗ КС170А КС175А КС175Е КС175Ж КС175Ц КС175А-2 КС175Ж-1 КС182А КС182Е КС182Ж КС182Ц КС182А2 КС182Ц-1 КСt90Б КС190В KC190f КС190Д КС191А КС191Б КС191В КС191Е КС191Ж КС191М КС191Н КС191П КС191Р КС191С КС191Т КС191У КС191Ф КС191Ц КС191А2 КС191Ж-1 КС191С1 КС191Т1 КС191У1 КС191Ф1 КС201В KC201f КС207А Тип Стр. 330 524 330 330 330 330 330 330 330 330 330 524 330 332 332 332 332 332 332 332 332 332 332 332 332 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 336 336 336 336 336 336 524 524 336 Стр. прибора Тип КС417Е КС212Ж КС212Ц ~38 KC506f КС21ЗБ. 338 338 338 338 338 338 338 340 340 340 340 340 340 524 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 . 340 340 340 340 КС506Д КС207В КС208А КС208Б КС208В КС210Б КС210Е КС210Ж КС210Ц КС210Б2 кс211:Б КС211В KC211f КС211Д КС211Е КС211Ж КС211Ц КС211Ж-1 КС212Е КС21ЗЕ КС21ЗЖ КС213Б2 КС215Ж КС216Ж КС216Ж-1 КС218Ж КС220Ж КС220Ж-1 КС222Ж КС224Ж КС224Ж-1 КС291А КС405А КС405Б КС406А КС406Б КС407А КС407Б КС407В KC407f КС407Д КС407Е КС409А КС410АС КС412А КС41ЗБ КС415А КС417А КС417Б КС417В KC417f КС417Д r Стр. прибора 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 338 338 338 338 338 338 КС207Б 21 КС417Ж КС4ЗЗА КС4ЗЗА1 КС4~9А КС439А1 КС447А КС447А1 КС451А КС456А КС456А1 КС468Л КС468А1 КС468А-9 КС482А КС482А1 КС482А-9 КС506А КС506Б КС506В КС507А КС508А КС508Б КС508В KC5_08f КС508Д КС509А КС509Б КС509В КС510А КС510А1 КС511А КС511Б КС512А КС512А1 КС51ЗА КС515А КС515А1 KC515f KC515f1 KC515f-2 КС518А КС518А1 КС520В КС520В1 КС520В-2 КС522А КС522А1 КС52ЗА КС524А1 KC524f KC524f-2 КС527А - 340 340 342 524 342 526 342 526 342 342 526 342 526 342 342 526 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 344 526 344 344 344 526 344 344 526 344 526 344 344 526 344 526 346 . 346 526 528 528 346 346 346 Тип Стр. прибора КС527А1 КС528А '- КС528Б КС528В KC528f КС528Д КС528Е КС528Ж КС528И КС528К КС528Л КС528М КС528Н КС528П КС528Р КС528С КС528Т КС528У КС528Ф КС528Х КС528Ц КС5ЗОА КС5ЗОА-1 КС531В КС531В1 КС531В-2 КС5ЗЗА КС5ЗЗА1 КС535А КС535Б КС535В KC535f КС536А-1 KC539f KC539f-2 КС547В КС547В-2 КС551А КС551А1 КС568В КС568В-2 КС582А1 KC582f KC582f-2 КС591А КС591А1 КС596В КС596В-2 КС600А КС600А1 КС620А КС6ЗОА КС650А КС680А ' 528 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 348 528 348 348 528 348 348 348 348 348 348 348 348 350 350 528 350 350 528 350 350 350 528 350 352 352 528 352 352 352 352
22 Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тиристоры Тип прибора КУ101А КУ101Б KY101f KYIOIE КУ102А КУ102Б КУ102В KY102f КУ103А КУ103В КУ104А КУ104Б КУ104В KY104f КУ105А КУ105Б КУ105В KY105f КУ105Д КУ105Е КУ108В КУ108Ж КУ108М КУ108Н КУ108С КУ108Т КУ108Ф КУ108Ц КУ109А КУ109Б КУ109В KY109f КУ110А КУ110Б КУНОВ КУ111А КУ111Б КУ113В KY113f КУ120А КУ120Б КУ120В КУ120А-5 КУ120Б-5 КУ120В-5 КУ121А КУ121Б КУ121В КУ201А КУ201Б КУ201В KY201f КУ201Д КУ201Е КУ201Ж Тип Стр. 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 прибора КУ201И КУ201К КУ201Л КУ202А КУ202Б КУ202В KY202f КУ202Д КУ202Е КУ202Ж КУ202И КУ202К КУ202Л КУ202М КУ202Н КУ203А КУ203Б КУ203В KY203f КУ203Д КУ203Е КУ203Ж КУ203И КУ204А КУ204Б КУ204В КУ208А КУ208Б КУ208В KY208f КУ210А КУ210Б КУ210В КУ211А КУ211Б КУ211В KY211f КУ211Д КУ211Е КУ2НЖ КУ2НИ КУ215А КУ215Б КУ215В КУ216А КУ216Б КУ216В КУ218А КУ218Б КУ218В KY218f КУ218Д КУ218Е КУ218Ж КУ218И Стр. 360 360 360 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 Тип прибора КУ219А КУ219Б КУ219В КУ220А КУ220Б КУ220В KY220f КУ220Д КУ221А КУ221Б КУ221В KY221f КУ221Д КУ222А КУ222Б КУ222В KY222f КУ222Д КУ222Е КУ224А КУ228А1 КУ228Б1 КУ228В1 KY228f1 КУ228Д1 КУ228Е1 КУ228Ж1 КУ228И1 КУ239А КУ239Б КУ240А КУ240Б КУ240В КУ501А КУ502А КУ503А КУ503Б КУ503В КУ601А КУ601Б КУ601В KY601f КУ606А КУ610А КУ610Б КУ610В КУ701А КУ701Б КУ701В KY701f КУ701Д КУ701Е КУ701Ж КУ701И КУ702А Тип Стр. 364 364 364 364 364 364 364 364 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 Стр. прибора КУ702Б КУ702В KY702f КУ702Д КУ702Е КУ706А КУ706Б КУ706В КУ709А КУ709Б КУ709В КУ709А-1 КУ709Б-1 КУ709В-1 КУ709А-2 КУ709Б-2 КУ709В-2 КУ710А КУ710Б КУ710В КУ711А КУ7НБ КУ711В КУ712А КУ712Б КУ712В KY712f КУ712А-1 КУ712Б-1 КУ712В-1 KY712f-1 КУ712А-2 КУ712Б-2 КУ712В-2 KY712f-2 КУ901А КН102А КН102Б КН102В кн102r КН102Д КН102Ж КН102И Д235А д235Б Д235В Д235f Д238А Д238Б Д238В Д238f Д238Д Д238Е ! 368 368 368 368 368 368 368 368 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 538 538 538 5-38 538 538 538 538 538 538 538 538 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 23 Светоизлучающие приборы Тип Стр. прибора АЛ102А \ ,_АЛ102Б АЛ102В АД102f АЛ102Д АЛ102АМ АЛ102БМ АЛ102ВМ АЛ102fМ АЛ102ДМ АЛ112А АЛ112Б АЛ112В АЛ112f АЛ112Д АЛ112Е АЛ112Ж АЛ112И АЛ112К АЛ112Л 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 Тип Стр. прибора 376 377 377 377 377 377 377 377 377 377 377 377 377 ·377 377 377 377 377 377 377 АЛ112М АЛ301А АЛ301Б АЛ307А АЛ307Б АД307В АД307f АЛ307Д АЛ307Е АЛ307Ж АЛ307К АЛ307Н АЛ307АМ АЛ307БМ АЛ307ВМ АЛ307fМ АЛ307ДМ АЛ307ЕМ АЛ307ЖМ АЛ307КМ Тип прибора АЛ307ЛМ АЛ3{)7НМ АЛ307ПМ АЛ310А АЛ310Б АЛ310В АЛ310f АЛ310Д АЛ310Е АЛ316А АЛ316Б АЛ336А АЛ336Б АЛ336В АЛ336f АЛ336Д АЛ336Е АЛ336Ж АЛ336И АЛ336К Стр. 377 377 377 377 377 377 377 377 377 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 Тип прибора АЛ336Н АЛ341А АЛ341Б АЛ341В АЛ341f АЛЗ41Д АЛ341Е АЛЗ41И АЛ341К АЛ360А АЛ360Б КИПд21А-К КИПД21Б-К КИПД21В-К КИПД23А-К КИПД23А1-К КИПД23А2-К КЛ101А КЛ104А Стр. 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 379 379 379 379 Линейные шкалы Тип прибора АЛС317А АЛС317Б АЛС317В АЛС317f АЛС343А-5 АЛС345А АЛС345Б АЛС345В АЛС345f Стр. 380 380 380 380 380 380 380 380 380 Тип Стр. прибора АЛСЗ62А АЛС362Б АЛС362В AJJC362f АЛС362Д АЛС362Е АЛС362Ж АЛС362И АЛС362К ' 380 380 380 380 380 380 380 380 380 Тип прибора АЛС362Л Стр. 380 Тип прибора АЛС364А-5 АЛС362М 380 АЛС366А-5 АЛС362Н 380 380 380 380 380 380 380 АЛС367А-5 АЛС362П АЛС362А-1 АЛС362Б-1 АЛС362Д-1 АЛС362Е-1 АЛС362К-1 КИПТ02-50Л-5 КИПТО3А-l0Ж КИПТ03А-10Л Стр. 380 380 381 381 381 381 Цифро-буквенные индикаторы Тип прибора АЛ113А АЛ113Б АЛ113В АЛ113f АЛ113Д АЛ113К АЛНЗЛ АЛ113М АЛ113Е АЛ113Ж АЛ113И АЛ113Н АЛ113Р АЛ113С АЛЗО4А АЛ304Б АЛ304В АЛ304f АЛ305А АЛЗОSБ Стр. 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 Тип прибора АЛ305В АЛ305f АЛ305Д АЛ305Е АЛ305Ж АЛ305И АЛ305К АЛ305Л АЛ306А АЛ306В АЛЗО6В АЛ306f АЛ306Д АЛ306Е АЛ306Ж АЛ306И АЛС311А АЛС312А АЛС312~ АЛС313А-5 Стр. 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 384 384 384 384 Тип прибора АЛС314А АЛС318А АЛС318Б АЛС318В АЛС318f АЛС320А АЛС320Б АЛС320В АЛС320f АЛС321А АЛС321Б АЛС322А-5 АЛС323А-5 АЛС324А АЛС324Б АЛС326А АЛС326Б АЛt327А АЛС327Б АЛС328А Стр. 384 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 388 388 388 Тип прибора АЛС328Б АЛС328В АЛС328f АЛС329А АЛС329Б АЛС329В АЛС329f АЛС329Д АЛС329Е АЛС329Ж АЛС329И АЛС329К АЛС329Л АЛС329М АЛС329Н АЛС330А АЛС330Б АЛСЗЗОВ АЛС330f АЛС330Д Стр. 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 24 Тип прибора АЛС330Е АЛС330Ж АЛС330И АЛС330К АЛС333А АЛС333Б АЛС333В АЛС333Г АЛС334А АЛС334Б АЛС334В АЛС334Г АЛС335А АЛС335Б Тип Стр. прибора 388 388 388 388 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 392 392 392 392 392 394 АЛС335В АЛС335Г АЛС337А АЛС337Б АЛС338А АЛСЗ38Б АЛС338В АЛС339А АЛС340А АЛС342А АЛС342Б АЛС348А АЛС354А АЛС355А-5 Тип Стр. прибора АЛС355Б-5 АЛС358А АЛС358Б АЛС359А АЛС359Б АЛС363А КЛЦ201А КЛЦ201Б КЛЦ202А КЛЦ301А-5 КЛЦ302А КЛЦ302Б КЛЦ401А КЛЦ402А Стр. 394 394 394 396 396 396 396 396 396 396 398 398 398 398 Тип Стр. прибора 398 398 398 398 398 398 398 398 400 400 400 КЛЦ402Б КИПВ01А-1/10К-5 КИПЦ01А-1/7К КИПЦО1Б-1/7К КИПЦО1В-1/7К КИПЦ01Г -1/7К КИПЦО1Д-1/7К КИПЦО1Е-1/7К КИПЦ02А-1/7КЛ КИПЦО2Б-1/7КЛ КИПЦ04А-1/8~ Инфракрасные излучающие диоды Тип прибора Тип Стр. прибора 402 402 402 402 402 402 АЛ103А АЛ103Б АЛ106А АЛ106А АЛ106В АЛ107А 402 402 402 402 402 402 АЛ107Б АЛ107В АЛ107Г АЛ108А АЛ109А АЛ115А Тип Стр. прибора Стр. 402 402 402 404 404 404 АЛ118А АЛ119А АЛ119Б АЛ120А АЛ120Б АЛ123А Тип Стр. прибора 404 404 404 404 404 404 АЛ124А АЛС126А-5 АЛ132А АЛ135А АЛ136А-5 АЛ137А Диодные опт·опары Тип прибора АОД101А АОД101Б АОД101В АОД101Г АОД101Д АОД107А АОД107Б АОД107В АОД109А 3-к~н. АОД109Б 3-каи. Тип Стр. 1 406 406 . 406 406 406 406 406 406 406 406 прибора, АОД109В 2-каи. АОД109Г 2•кан. АОД109Д 2-кан. АОД109Е 1-кан. АОД109Ж 1-кан. АОД109И 1-каи. АОД112А-1 АОД120А-1 АОД120Б-1 АОД129А Стр. 406 406 406 406 406 406 406 406 406 406 - Тип прибора АОД129Б АОД130А АОД133А АОД133Б АОД134АС АОД201А-1 АОД201Б-1 АОД201В-1 АОД201Г-1 АОД201Д-1 Стр. 406 408 408 408 408 408 408 408 408 408 Тип прибора АОД201Е-1 АОД202А АОД202Б КОД301А КОД302А КОД302Б КОД302В КОЛ201А ~ Стр. 408 408 408 410 410 410 410 410 Транзисторные оптопары Тип прибора АОТ101АС АОТ101БС AOTIOIBC АОТ101ГС АОТ101ДС АОТ101ЕС АОТ101ЖС АОТ101ИС АОТ110А АОТ110Б Стр. 412 412 412 412 412 412 412 412 412 412 Тип прибора АОТ110В АОТНОГ АОТНОД АОТ122А АОП22Б АОТ122В АОП22Г АОП23А АОП23Б АОП23В Стр. 412 412 412 412 412 412 412 412 412 412 Тип прибора АОТ123Г АОП26А АОТ126Б АОТ127А АОТ127Б АОТ127В АОП27Г АОТ128А АОТ128Б АОТ128В Стр. 412 412 412 414 414 414 414 414 414 414 Тип прибора АОТ128Г АОТ128Д АОТ128Е АОП35А АОТ135Б АОТ136А АОТ136Б Стр. 414 414 414 414 414 414 414
Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов Раздел 25 Условные обозначения и корпуса_ 1. полупроводниковых приборов 1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов широкого применения основывается на ОСТ 11.336.919-81. Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материала, из которого ~зготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктивно-тех­ нологические особенности. Первый элемент обозначения. Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на ос­ нове которого изготовлен полупроводниковый прибор. Исходный материал Условное обозначение гили к или А или и или Германий или его соединения. 1 2 3 4 Кремний или его соещшения. Соединения галлия (например, арсенид галлия). Соединения индия (например, фосфид индия). Второй элемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора. ,. Подкласс (или группа) приборов Условное обозначение т Транзисторы (за исключением полевых). п Транзисторы полевые. д Диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды. к Стабилизаторы тока. ц Выпрямительные столбы и блоки. с Стабилитроны, стабисторы и ограничители. в Варикапы. л Излучающие оптоэлектронные приборы. о Оптопары. н Тиристорные д11оды. у Тиристорные триоды. и Туннельные диоды. г Генераторы шума. в Приборы с объемным эффектом (приборы Ганна). А Сверхвысокочастотные диоды. Третий элемент обозначения. Цифра, которая определяет основные функциональные возможности (допу­ стимое значение рассеиваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту). Условное Назначение прибора обозначение Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк=О,3 Вт): 1 2 3 низкой частоты (fгр<З МГц) средней частоты (fгр=З".30 МГц) высокой частоты (fгр>ЗО МГц) ~
Раздел 26 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов Усповное Назначение прибора обозначение Транзисторы средней мощности 4 низкой частоты 5 6 средней част_оты ( Рк=О,3 ... 1,5 Вт): высокой и сверхвысокой частот Транзисторы большой мощности 7 низкой частоты 8 средней частоты 9 высокой и сверхвысокой частот ( Рк> 1,5 Вт): Диоды выпрямительные с прямым током, А: 1 2 3 _не более 0,3 0,3 .. .10 Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды) Выпрямительные столбы с прямым током, А: 12 не более 0,3 0,3 .. .10 Выпрямительные блоки с прямым током, А: 3 не более 4 0,3 ... 10 0,3 Стабилитроны, стабисторы и ограничители с напряжением стабилизации, В: мощностью менее О ,3 Вт: 1 2 3 менее 10 10 ... 100 более 100 мощностью 0,3 ...5 Вт: менее 10 10... 100 более 100 4 5 6 мощностью 7 менееlО 8 10 .. .100 более 100 9 5 ... 10 Вт: Варикапы: 1 2 подстроечные умножительные (варакторы) .... Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядковый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов - напряжение стабилиза­ ции и последовательность разработки. Усповное Назначение прибора обозначение От 01 От А до 999 до Я · Определяет порядковый номер разработки технологического типа. Для стабилизаторов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабили- зации, а шестой элемент - п'оследовательность разработки. · Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по параметрам. Условное Назначение прибора обозначение От А до Я (кроме букв 3, О, Ч) Определяет классификацию (разбраковку) по единой технологии. параметрам приборов, изготовленных по
Корпуса полупроводниковых приборов 27 Для наборов· приборов, не соединенных электрически или соединенных по одноименному выводу, после второго элемента обозначения добавляется буква «С». Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисторов с парным подбором после последнего элемента обозначения вводится буква «Р». Для импульсных тиристоров после второго элемента обозначения вводится буква «И». Для бескорпусных приборов после условного обозначения вводится (через дефис) дополнительная цифра, показывающая конструктивное исполнение (модификацию): 1 2 3 4 5 6 9 с гибкими выводами без кристаллодержателя (подлоЖки); с с с с с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); жесткими (объемными) вы~одами без кристаллодержателя; жесткими (объемными) выводами на кристаллодержателе; контактными площадками без кристаллодержателя (кристалл без выводов); контактными площадками на кристаллодержателе (кристалл без выводов на подложке); микросборки для поверхностного монтажа. Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полоски). Цветовой код указывается в ТУ. 1.2. Корпуса полупроводниковых приборов Кристаллы полупроводникового прибора устанавливают в металлостеклянные, металлические с про­ ходным изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной (пластмассовой) герметиза­ цией и пластмассовые корпуса различных форм и размеров. Металлостеклянный корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпач~а), герметично соединяемых друг с другом электроконтактной и холодной сваркой или пайкой. Наружньiе металличе- . ские детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь металлическое (золочение, никели­ рование) или лакокрасочное покрытие. Выводы корпусов могут иметь одно- или двухстороннее расположение и находиться с той стороны, которой прибор прижимается к теплоотводу или шасси (направляться вниз), могут располагаться со стороны, противоположной контактирующей (об~1чно в мощных приборах), например в корпусе КТ-4, а также могут иметь радиальное расположение (обычно у ВЧ и СВЧ-транзисторов). Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан с корпусом или все выводы могут быть электрически изолированы от него. Для улучшения теплоотвода с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто.используется держатель из бериллиевой керамики, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изолято­ ром и в то же время обладает высокой теплопроводностью. Габаритные и присоединительные стандартизированы ГОСТ 184 72-88. размеры корпусов отечественных диодов и транзисторов По гаqаритно-присоединительным размерам ряд конструкций корпусов с учетом международной стандартизации взаимозаменяем в нашей стране: • • • металлостеклянный корпус типа КТ-1 с двумя, тремя (аналогичный зарубежный корпус типа ТО-18), четь~рьмя (ТО-72) или пят;ью выводами для транзисторов с рабочей частотой до 1,5 ГГц; металлостеклянный корпус типа КТ-2 (ТО-5, ТО-39) для транзисторов малой и средней мощности (до 15 Вт); металлокерамический корпус типа КТ-4 (ТО-60), имеющий три изолированных вывода, крепя­ щий болт и предназначенный для мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов; • металлокерамические корпуса типов КТ-6, КТ-7 (ТО-61, ТО-63 соответственно) для транзисто­ ров большой мощности (до 200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или тремя (для • высокочас:;готных транзисторов) изолированными от корпуса выводами; металлостеклянные корпуса типов КТ-8, КТ-9 (ТО-66, ТО-3 соответственно) для транзисторов большой мощности. Корпуса диодов КД-2, КД-4, КД-6 соответствуют по габаритным размерам зарубежным корпусам D0-35, D0-6, S0-45. 500 Корпус типа КТ-9 обычно используется для работы на частотах до 100."150 МГц, типа КТ-4 - до МГц; для работы на более высоких частотах применяются специальные конструкч.ии. На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают влиять паразитные параметры корпуса: межэлектродные емкости, емкости электродов относительно корпуса и индуктив­ ности выводов. Для работы на СВЧ (более 1 ГГц) индуктивность выводов должна быть менее 1 нГн.
Раздел 28 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов В отличие от низкочастотных приборов, у высокочастотных выводы делаются короткими, толсты­ ми, широкими и далеко расположенными друг от друга. Были разработаны коаксильный корпус и различные модификации ко.рпуса с полосковыми выводами (для сопряжения с полосковыми линиями). Например, у коаксильного корпуса индуктив­ ность общего .вывода О, 1 нГн, у керамического полоскового корпуса индуктивность эмиттерного вывода 0,275 нГн. Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов существуют два способа монтажа кристалла в корпус: для схем с ОЭ (эмиттер электрически связан с корпусом) и с ОБ (общей базой). Наилучшие результаты работы усилительных транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме с ОБ (класс С), так как при этом получаются высокие Кур и достигается лучшая стабильность усилителя. Транзисторы, включаемые по схеме с ОЭ, являются оптимальными для генераторов, так как паразитные параметры корпуса оказываются включенными в цепь обратной связи. 1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные полупроводниковые приборы Полупроводниковые приборы в пластмассовом корпусе имеют меньшую стоимость по сравнению с аналогичными по электрическим параметрам приборами в металлостеклянных корпусах, но более низкий диапазон температур окружающей среды, при которой они могут надежно работать. Герметизация полимерами, применяемая как для маломощных, так и для мощных приборов, осуществляется либо в виде монолитной конструкции (герметизирующий материал контактирует с кристаллом), созданной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрессовкой или формовкой, либо_ в виде капсульной конструкции, при которой контакт кристалла с герметизиру­ ющим материалом отсутствует. Герметизация может быть односторонней (для мощных приборов) или двусторонней (для маломощных приборов). · Пластмассовые приборы имеют высокую механическую прочность, вибро- и ударопрочность. Однако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет плохой отвод тепла. В ряде случаев при использовании пластмассовых приборов в радиоэлектронной аппаратуре требуется дополнитель­ ная магнитная и электрическая экранировка их корпуса. За рубежом для ма{Iомощных транзисторов наиболее часто используются пластмассовые корпуса типов R0-67 или SOT-54, ТО-92 (отечественный КТ-26), ТО-98, Х-55, для мощных транзисторов типов ТО-220 или SOT-78 (КТ-28), ТО-202 или SOT-128 (КТ-50), ТО-126 или SOT-32 (КТ-27), ТО-218 или SOT-93 (КТ-43). . Для мощных приборов в качестве основания пластмассового корпуса и теплоотвода служит металлическая пластина (например, медная), на которую непосредственно монтируется кристалл прибора и запрессовывается пластмассой. Следует отметить, что транзисторы в корпусах ТО-202 или SOT-128 по сравнению с аналогичными транзисторами в корпусах ТО-126 или SOT-32 им.еют рассеиваемую мощность примерно на 20% больше за счет имеющегося металлического радиатора с площадью поверхности 250 мм 2 , т.е. при эксплуатации в одинаковых режимах температура переходов у них будет примерно на 20% ниже, поэтому прогнозируемый срок их службы выше. Существуют три способа монтажа приборов в аппаратуре: навесной, печатный и поверхностный. Для поверхностного монтажа прим~няются специальные малогабаритные пластмассовые корпуса (например, отечественные КТ-46, КТ-47, аналогичные зарубежным SOT-23, SOT-89, а также SOT-143, SOD-80), которые позволяют более эффективно использовать поверхность платы. Технология поверхностного монтажа (SMT - Surface mount technology) дает возможность при автоматизированном процессе сборки повысить плотность монтажа в 3 раза и уменьшить размеры плат, т.е. уменьшить массогабаритные показатели аппаратуры, исключить технологический процесс изготовления отверстий на печатных платах, сократить время монтажа по сравнению с монтажом на платах со сквозными отверстиями. Бескорпусные приборы в виде кристаллов (пластин) с шариковыми, балочными, проволочными или ленточными выводами, на керамических держателях, в малогабаритных пластмассовых корпусах (КТ-46, SOT-23, SOT-89) применяются в составе гибридных интегральных микросхем. При этом осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы. Необходимо отметить, что корпуса транзисторов КТ-16-1, КТ-17-1, КТ-18-1, КТ-19-1, КТ26-1, КТ-28-1 имеют два вьщода; КТ-16-2, КТ-17-2, КТ-18-2, КТ-19-2, КТ-28-2 КТ-19В-З - четыре вывода. - три вывода; КТ-19А-3,
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов .1.4. 29 Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов t/J 5,81, 01/,95 - -- ф ~· ~",, 1' ~· t-...'. QJl,•.95 -- - ~"" ·1w 1• °" ~ t/J5,8'1 - tA. '1.!J5 - -- ·w t::!"., ~· 1 11 1 'J J )) t/JS,81 ~ -- !J5 - ., ~ JШ 1 r/J5,8'1 r/Jt.95 ~ ~" - .. ~ t-..." / 1 r/J 5,8'1 f/Jl/,15 - ~. - j\ 1 ~'· -- - ~· ~" 1 ~. ·1111 ·1 t/J S:8'1 IШ - - ф'1.Н ~· ~" ' ffil 1 "" r/J 5,8'1 - t/J '1.15 - н 11 ~" 1 ~11 ~ t/J.9,# - ф, \ -_t/Jl.5 ~11 ~" - ' 1 . 1 ~ ~ кт-1-1'1- ф КТ-1-/7 1 11 J ~ r/J5,8'1 Ф.~ 15 ! "' ,, r/J~8+. нт - КТ-1-9 - ~· ~". !'-. t"i ' / т 111 t/J5,8'1 '/J#•.95 - -- ~· 1 ~· t:!' 11 • 1 11 1J r/J5,81 ~t.95 - - ~· ~" 1. ~· lllШ . 1 ~ фкт-1-12 ф кт-1-15 ф 111.w Ф5,81 t/!_'1,!J5 - -·- ~· " ~ ~ кт-1-и 1 ф'1,95 ~" ф- .. ф 11 ~ ,.ш 1m ' КТ-/-/8 • / - t/JI, ~ _f/Jl,5 -1 - ! С<:) ~",, ~ t-..'. ~ 11 ~_" к.т-2-1 ~ - - . ~~ _t/)9,# - KT-2-J е --- ~ ~" кт-1-J J 111 кт-1-20 • -- ~ ~" - 1 ~· ~ t/J 5,8'1 t/)'1,15 1/ • Шl'I ~ ~" кт-2-2 ~ С<:)' ~ m· "5,8# tf!.'1..95 • 111 IU ·lфШ ' - Сс:1 ·u ~ t-.:" ~j - ".9, +. "J!JI. 5 _- ... ~". . ho;i ' ~" / - ф ~· кт-1-1и - · кт-1-11 -- - gJ#..vь • 1 ) ,' ;,s;n КТ-1-16 - • ... ~ ~ фКТ.;.1-8 ~~ $ ·JW ш фiJ..85 кт-1-1.1 ~" ·1w ' r/JS".81 - $- ~" - 1 ~ кr-1-10 ~ Qj~ ~" m t/J5,8# "".95 - - кт-1-5 ~ ф 1 ~· ~ 'А_Ф,95 кт-1-1 ~· ~" t/J5,8# - rm •1 ф- ~ ~" ~ ф , - ~" KT-f-'1 ~· кт-1-2 ~· 1 1 ф5,8'1 - r/Ji,81/ t/Jl/,15 - кт-1-1 . 8.5_- С<:)' tc:;',, 1 ~l IШ кт-2-'1 ф
30 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов кт-2-5 кт-t-8 кт-2-.9 кт-2-11 кт-2-12 кт-.1-3 кт-2-1,т КТ-2-/6' кт-2-11t кт-1-17 кт-1-111 кт-2-18 кт-1-1.9 кт-3-1 КТ-3-2
Конструктивное исполнение стандартизованные корпусов транзисторов KT-J-6' кт-J-8 кт-J-9 KT-J-/'1 KT-J-/2 KT-J-/l' KT-J.-/.7 кт-.т-1в кт-в 27,1 " кт-+-2 кт-1-11 КТ-8 (КТ-8А) 31
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов 32 5 кт-12 ....... " J КТ-!JА КТ-1.l 7. 2 l,S ir ~ ~ ~ ~ о о t..." о КТ-/S КТ-15 ~ S:.' ~ 2,7 КТ-/7 ° кт-11 ....... кт-11 кт-21 rкт-22 J KT-2d KT-2J (KT-2JA) 2,2 (2, 7) 1, 15 (2,2) 10 (13,3) Ц)' ~+--........... ll) (\J. +-......... 'Q КТ-25 КТ-26 (КТ-26А) КТ-28 (КТ-28А) КТ-27 Ц)' - ...,...._.._~ кт-21 4,8 (5,3) а:)'--­ '- D о KT-JD ~ 2,7 KT-Jf ~ ~ ~" 'S. 6,1 KT-J2 ~" -..;:: 'Q ' 6,1 - 7 -
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов ~5,8'1 KT-3J (KT-3JA) 11 - 27, 1 . ' r ~ Cli::I' 1\ 1 ! oio '~ l/ ~ ~ ~" "" '' - -- t/J Ф.15 ф S::," "-= ,, ~ 111 t-..' ' 111 t/JS,8'1 - - -. - .- .1~ 1 ~ "-= ' нw 1, ~\ ~ t/J5,8+ . - ФФ.15 - ~11 ,, ни· 11 ~. ....."' t/J5,8'1 - - tA. ~15 HI 1 t/J5,8'1 1\ ~" , кт:-J+-12 \ ! ~· \с:. J ' ~" t/15,811 t/Jl.J.,95 ... ' ~" "' ~· ~· r/J5,8~ 9J ~•.95 ... - -- $ кт-J~-15 - . ~ШJ~ • -- KT-J'1-/8 -- - - - 1 ' ~" .1 ~1 1• "' ' "" • ф 1 Ф+.15 • "" КТ-31/-6 КТ-3+-9 ... ' ~. ф- . !;:::)' ""' 1 ! ~s;8+ • - ......·~ "-= ' 111 ~~~ ~.f,81 КТ-J+-7 ~" ..... 1 1 1 1 11 t/J 5.8'1 - - ~IJ.95 ... - 1\ . S::,' "-= ' .ШJ ~·v t/J5. 8'1 ~'1,15 ~. - - ,..1~ S::,' "-= ШI 11 ~· t/J o;I+ f;IJ,15 - -- ~" 1 'j 11 ~· t-..' )~ t/J5,8'1 ~1/,15 ... KT-Jl/-//l KT-J'1-fJ кт-J+-11 -- - • КТ-3'1-/9 - ;, ~" ..... ' ~ • • • - ... " ... кт-J+-,; - - - . l'Ш • ф 1\ ~" .....: . '. 11 1 ~· 1 ~",, f/J5,81/ ~ 1\ - ~1 1 ~~.95 1111 ~~./5 ' ~. кт-J+-11 ф ~ • "-= "" --- - 9Jll,l,f .;:а.. 1 ~" ~ КТ-3'1-J ; S::,' ~", 1 t/J~.9.f ... кт-.т+-2 -- - f/J~15 - - ... ' t/J5,8'1 кт-1+-1 )1 ~,f,8~ ... KT-Jl/-8 - f/J+: .95 - - 1 ~ "-= ''IШ 111 ~.' ~$'.8'1 - .- -- f/J_l,85 КТ-3~-Н - ' + ~" .....: 1 ~ 1 t-..' • j 1 11 ~5;8" - 9)9,15 - ... - 1 ~" "' 1 ~· ~ 1•ш'1 11 t/J5,8'1 (/)'1,95 - - -, - КТ-3'1-17 1 1 ~" " нш ~· t:i· Ф5.1'1 Qjlf.95 ........ • • KT-J'1-f'1 - ! 1 ... $- _ - - - 1\ ~" • ~- т11 18 • кт-J+-21J • 33
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов 34 KT-J5-/ 1 КТ-.15-2 • - - Фt15 KT-JS-1/ КТ-J.f-4' KT-JS-7 KT-J.f-8 - -~5:8~ t{Jlt.15 KT-J.f"-J ~ ~ ~ KT-J.f-6 - • ". 1· 1 1 '] КТ-J5-/IJ 1 t95 - - KT-J.f-.9, КТ-J5-!1 KT-J.f-/2 KT-.l,f-/~ КТ-J5-/.f - 1 " ... КТ-J,f-/.l КТ-35-/6 ·1ш 1Ш КТ-35-11 , #.15 ' КТ-35-18 - ~ j . 1 1 KT-JS-11 КТ-WJ КТ-35-28 КТ-f/ КТ-JТ КТ-#2
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов (~~5 ) КТ-43 15,9 (16,5) ' 5 35 KT--;t.3C (KT-43D) КТ-438 (КТ-43А) о <О N о КТ-++ ' ._. 1 -~ ::!t>o.' ....... - ... \ 8,5 -- - КТ-1/6 " 1 5,8 КТ-1/5 - - КТ1!1 7,8 ~ "-f' кт-~ КТ-51 7,2 ·1~~:1 4 кт-п , - 3.3 2,6 " ... ~ " " " ~ " КТ-5'1 КТ-55 о Qi:. ~ 4' ~ ~ 'Q. ~· ~ ~" 4,6 +,1 __ J КТ-56 ... КТ-51 КТ-37 ..... ~ " ' - ... 8,5 - 11 1 3,8 1- КТ-61 . КТ-60 КТ-5"8 -j~ . J,8 - 6,3 (6, - (КТ-61А)
Раздел 36 1. Условнь1е обозначения и корпуса полупроводниковых приборов КТ-63 15 КТ-64 18 46 46 .....,. КТ-65 21 КТ-бб 45 46 КТ-69 ~ t-... _" .....,. [] 30 КТ-71 кт-12 о ~ ......" lc-.i t-... ~" Q а КТ-75' КТ-76 КТ-79 4,3 12 о о кт-вое о N 23 ~1 14 !illclil J <") КТ-82 . 38 а;; 5,1 19 7 21:1:1~ NI . КТ-5 ...,. aD N с:э 22 12,5 20
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов 37 КТ-90 КТ-89 КТ-92 10,28 4,55 2.37 4,55 7,11 hi ;:: -.... aS оО .,, "'~ ,, - ~ ;i "'...; С11; t 3 .,; .... .,; 4.58 1.5. Конструктивное ис11олнение стандартизованных корпусов диодов (кд-1-1) (кд·1А) (кд-1-2) р 30 44 3 22 N 3 IS} (кд-1-з) 10 25 3 ( КД-3 ) 76 (кд-2А) 254 54 58 N' 28 11О N' IS} IS} (кд+1) 54 (кд-зв (КД-ЗС), (КД-ЗGJ) (КД-ЗА) ..... lll ..... IS} ( КД-2 ) (кд+А) 5,8 (7,6) (7,6) 11О N' IS} (кд+в) р 75 25 7 254 <О (кд+2) IS} ( КД-6 ) ( !!lJ.·5 ( КД-5А)) 25 75 (7,5) С") IS} ( КД-6А) ( 30 'О:1' IS} <О ~ IS} IS} 75 7 ~ С") Ц) ...... 12 'О:1' IS} (КД-7А) КД-7) р 26 12 7 7 lt) IS} 11О ~ IS} 25 12 1 JЬ. U} 4,55 ~ ....... ............ "":.N N --!:2.
38 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов (КД-78) 14 5 25 (КД-7G) ( КД-7С) . 9 53 (КД-7D J 25 17 52 ( КД-7К) (КД-7Е) 10 25 ( КД·7L) 30 10 9 ( КД-9 ) ( КД-8 ) о о N 26 СХ) 762 ( КД-10) 18 (КД-108) (КД-10А) о ..... N 6,90 5,04 12 5,04 (КД-11А J ( КД-11 ) 10,2 1 11,5 ---- 12,7 1 12,7 11) о 20,3 о ...... ~ о 11 ( КД-12) '<t О) о ф ...... ~ 25,4 ( КД-13) - со ...... о о ('1 . ~ 17 ( КД-14 ) 15 2,5 5 ---Ln. Lt)n====;i1 ::Е .ц=:==:===::ц '<t о ""· ..... 11,5 30 14,04
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов (КД-14А) (@-16А) ( КД-16) 2,5 5 39 · 5 14,5 ""':. "1Т ...: "" ( КД-17) D D D ( КД-20) D D D (КД·20А) ~и~~-. CJ-"--11 ( КД-21) ( КД-23 (КД·23А) J ( КД-25) 08 lt) ..,; 05,5 ( КД-26) 014 (11,5) ( КД-28) ( КД-29 ) 011 3,5 ( КД·29А (КД-298) (КД·29С) ) (КД-29D (КД-29Е} (КД·29GJ) 4,8 ( КД-30 ) 03,2 - eJ ~г о- "" lt) ~ ~~ 457 {12.5) (5,0) ( КД-31) 7,0 (7,0) (7,5) { КД-32) 9 ===О=== ( КД-34 ) qnгllQ ~
Раздел 40 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов ( КД-35) ( КД-36) ·~tJ з -~· ~ g а~о j~ ?- 4,8 (кд-102) (КД-103) ( кд-104) м_ ...... CSI ~ N CSI 1 06 06 06 1,3 '2,9 1,6 (КД-105) (КД-106) 2 2 (КД-106А) 2 2 2 3,1 2 (кд-1068) ( КД-107) [КД-108] 2 N ...... 1() CSI CSI 0,6 0,5 з 1,1 (кд-109А) (КД-109) ...... ~ N С") CSI 2 CSI 0,6 ( КД-110) С") С") С') C'i CSI CSI 1,5 2 0,6 3,1 1 ...... (кд-1108) C'l CSI С') N CSI 0,75 2,65 N 0,6 (кд-11ос) ..~ С") C'l CSI С") CSI 2 (КД-110А) CSI ...... N <"'t ..... N CSI CSI 0,55 1,5 1,65
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов (КД-111) 41 (кд-113) (кд-112) .. .... ~ 00 Lt) tS1 ,.... ,..: cD tS1 ~ -~ .' ~ tS1 11 -- 11 u 13 20,8 (КД-114) ( КД-118) (КД-116) ..q:_ N tS1 ,.... Lt) ....С"!. '<t. ....~ N ci tS1 tS1 tS1 00 м tS1 tS1 05 06 6,1 1,2 1,2 (кд-119) N ~ ,.... Lt) м N' Lt) N ...; ~ tS1 4,3 ( КД-120) (КД-119А) tS1 1,6 4,3 N м ~ tS1 3 2,6 ( КД-122) (КД-121А) ( КД-121 ) 1,3 8 С') tS1 - 11 ....~· 1 - 11 7,5 tS1 7,5 1,2 - (кд-12#4 ,.... ф C'<i tS1 ci tS1 0,7 - ( КД-124) 1 4,5 - 5,2 ' N tS1 4,5 - , (КД-125А) ( КД-125) (кд-124А) 15 :: (кд-123) (кд-1228) 05 1 С') (") N' tS1 N' tS1 4,5 С') ,...._ ' .... tS1 tS1 ' 4,5 ::: 3,7 со cD tS1
Раздел 42 1. Условнь1е обозначения и корпуса полупроводниковых приборов (КД-128] (КД-127) (КД-126) ....~ ~ t О) t ...tS! ~t in 16,3 (КД-129) f! 16,З ~ (КД-131) (КД-130) 6 - g - -' "t ' ...tS! ~ ' 2,6 - 'll ...- ~ 0,65 2 ( КД-132) (КД-1318) (КД·131А} 5,1 1,1 2 4,4 'll .... - tS! 0,95 5,1 0,65 4,7 [КД-133) ( КД-134) in (") tS! ,.... ' - о t 4,7 -- 1,25 ~ - 5 5,8 О)
Биполярные транзисторы Раздел 2. 43 Биполярные транзисторы J?иполярные транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n переходами,· имеют три 'электрода (эмиттер, база, коллектор) и применяются для усиления, преобразования и переключения электрических сигналов. Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумящие, переключательные и генераторные), так и специализирован­ ные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматиче­ ской регулировкой усиления, для работы в микроамперном диаf!азоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию-параметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы. В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары), изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преобра­ зующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, должны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора ключевым элементом служиr промежуток коллектор-эмиттер, зависимости от полярности управляющего напряжения, сопротивление приложенного к которого изменяется в одному из p-n переходов транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении (Uy приложено между базой и коллектором). Если Uy приложено, например, в p-n-p транзисторе минусом к базе, то оба перехода транзистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения ключ открыт). При изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротивлением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и остаточным током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост=О, Uост=О, Rзакр-ос, Iзакр-0). Остаточные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отметить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие значения Uост и Iзакр, чем в прямом включении -(особенно для сплавных транзисторов, у которых площадь коллектора много больше площади эмиттера). Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры (Uост~12мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие значения остаточных параметров (например, у KTI 18 Uост менее 0,2 мВ). Транзистор типа КТ339, предназначенный специально для работы в усилителях промежуточной частоты (УПЧ), имеет малую емкость обратной связи, что позволяет обеспечить стабильное усиление без использования внешних дополнительных цепей нейтрализации. Транзисторы типов П328, КТЗ 128 и КТЗ 153А9 предназначены для применения в радиоприемни­ ках с автоматической регулировкой усиления, телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ приемников: за счет смещения их рабочей точки можно регулировать усиление в широком диапазоне. Комплементарные транзисторы (со структурами p-n-p и n-p-n) КТ315 и КТЗбl, ГТ402 и П40З,· П703 и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720, КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102, КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах с дополнительной симметрией. Имеется также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в составе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТЗIЗО, КТ682; переключательные КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТ3170А9, КТ3173А9, КТ3179А9, КТ3180А9,КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169). Транзисторы универсального назначения (например, КТбЗО) имеют оптимальное сочетание пара­ метров и характеристик, удовлетворяющих различным требованиям, что позволяет испольЗовать их в аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов. . Лавинные транзисторы П338 и КТЗ 122 предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллекторного перехода. Они применяются в релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необходимые быстродействие и амплитуду импуль-
Раздел 2. Бипопярнь1е транзисторы 44 сов при более высоких надежности и стабильности, чем обычные транзисторы, используемые в режиме электрического пробоя. Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по определенной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно - равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав· ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972, КТ973, КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158, КТ8159) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсного действия, бескон· тактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сгорания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах. Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне токов (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130). Кроме того, разработаны транзисторЬJ: • высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно·белых и цветных телевизо­ • • ров (например, КТ872); импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997); для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных каскадов класса А и широкополосных усилителей (КТ3109); • для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококаче~твенных УНЧ и видеоусилителей • • • • телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999; для высокочастотных широкополосных усилителей с мсэ.лой постоянной времени 'tc (КТ368); для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887, КТ888); для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807); для линейных и импульсных устройств (КТЗ 15 - первый отечественный прибор в пластмассовом корпусе); универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352); для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342); • • • для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных • каскадах усилителей (КТ201 и КТ203); высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) - при непосредственном вклю­ чении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы • 800... 1ООО В; для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926). Для лИнейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Uп=lO В), КТ912 и КТ921 (Uп=27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Uп=28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 (Uп=12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим 1 Эмиттером, Un=28 В). Транзисторы КТl 17, КТl 19, КТ132, КТ133 представляют собой однопереходньа(транзисторы. Транзи­ стор КТ120Б·1 имеет два вывода (используется в качестве диода). ·транзисторные сборки, состоящие из двух транзисторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 предназначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с общей базой (ОБ). Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно­ жителей используются транзисторы КТ606 (Uп=28 В), КТ607 (Uп=20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ, Uп=15 В), КТ642, КТ647 (Uп=15 В), КТ648 (Uп=lO В), КТ657 (с ОЭ, Uп=15 В), КТ682, КТ996 (Uп=lO В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913, КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 (Uп=28 В), КТ930 (Uп=ЗО В), КТ918, КТ938 (Uп=20 В), КТ919 (с ОБ, Uп=28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Uп=12,6 В), КТ929 (Uп=8 В), КТ937 (с ОБ, Uп=21 В), КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускает работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ, Un=28 В), КТ945, КТ947 (Uп=27 В), КТ977 (с ОК, Uп=40 В), КТ9142. Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе­ ратур -60 ... +200°С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141, а для схем фотовспышек - КТ863 и КТ9137.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 45 Транзисторы КТ698, КТб 127, относящиеся к классу биполярных транзисторов со статической индукцией (БСИТ), применяются для работы в качестве переключателя в бесконтактных коммутиру­ ющих устройствах, для управления электродвигателями, для использования в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в пультах дистанционного управления, в тахометрах автомобилей, реле поворотов и блоках питания. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 2.1. Ниже приводятся буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие публикации МЭК 148 и стандартизованные ГОСТ 20003-7 4. Буквенное обозначение по ГОСТ 20003-74 отечественное Iкво Параметр ' международное Обратный ток коллектора lсво - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. Iэво Обратный ток эмиттера lEBO - ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. Iкэо Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- lcEO лектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы. IкэR Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол- kER лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. Iкэк Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- lcES лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Iкэv kEV Iкэх lcEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- лектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер. Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. Iк max 1с Максимально допустимый постоянный ток коллектора. lэ max IE max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. Iв max Iв Максимально допустимый постоянный ток базы. max max Максимально допустимый импульсный ток коллектора. Iк, и max lсм Iэ, и max IEM max Максимально Допустимый импульсный ток эмиттера. lкр - Критический ток биполярного транзистора. Uкво проб U(BR) max сво Пробивное напряжение коллектор - база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. Uэво проб U(BR) ЕВО Пробивное напряжение эмиттер - база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. Uкэо проб U(BR) СЕО Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы. UкэR проб U(BR) CER Uкэк проб U(BR) CES Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Uкэv проб U(BR) CEV Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер. Uкэх проб U(BR) СЕХ Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряженин база-эмиттер~и токе коллектор-эмиттер. Uкэо гр U(L) СЕО Граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. Uсмк Upt Uкэ нас UcE sat Напряжение смыкания транзистора. Напряжение коллектора. насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и
Раздел 46 2. Биполярные транзисторы Буквенное обозначение по ГОСТ 20003·74 отечественное Параметр _международное Uвэ нас UвЕ Uэв пл UЕвп sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера. , Плавающее напряжение эмиттер база - - напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. Uев max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база. Uкэmах UeE ·max Максимально допустимое постоянное· напряжение коллектор - эмиттер. Uэв UЕв Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер Uкв max max max база. - Uкэ. и max UeEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор Uкв. и max Uевм Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор Uэв. и max UEBM max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер р Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. Рср Рлv Средняя рассеиваемая мощность транзистора. Ри Рм Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. Рк Ре Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. Рвых Pout Выходная мощность транзистора. Ри max Рм max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. Рк max Ре max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Рк. т max max эмиттер. - база. - - база. - - Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. rб rьь. rь Сопротивление базы. rкэ нас reE. sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. Clle, C!lb Входная емкость транзистора для схем с обtцим эмиттером и общей базой Рк ер с max 11 э. с 11 б соответственно. с22э, С22б Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой с22е, с22ь соответственно. Ск Се Емкость коллекторного перехода. Сэ Се Емкость эмиттерного перехода. fгр fт Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с для схем с общим эмиттером. Максимальная частота генерации. fmax fmax fh2lэ, fh2lб fh2le. fh21 ь, tвкл tоп Время включения. tвыкл torr Время выключения. tзд td Время задержки. tнр tг Время нарастания. tpac ts tсп tr Время спада. h1 lэ, h 116 h1 le. h11ь; hie. hiь Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмитте- h21e. h21ь; hre, hrь Статический коэффициент передачи тока транзистора· в режиме малого h12ь; hге, hгь Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого h2lэ, h2Iб h12э, h12б h12e. fые; fыь Предельная частота коэффициента общим эмиттером и общей базой. ' передачи тока транзистора Время рассасывания. ром и общей 'б_азой соответственно. сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 47 Буквенное обозначение по ГОСТ 20003-74 отечественное Параметр международное h22э, h22б h22e. h22ь; 11ое, hоь схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1h2lэ1 1h2Je1 Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте. h11э h1 lE, h1E Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сиrнала для Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером. h2IЭ Н21Е. Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в HFE режиме большого сигнала. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. У21э У21Е У1 lэ, У1 lб У11е, У11ь; Уiь Yie, У12э, У12б У21э, У21б У22э, У22б Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базовой соответственно. Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого У12е, У12ь; Уге, Угь сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигна­ У21е, У21ь; Yre. Уrь ла для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. У22е, У22ь; Уое, Уоь Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для S1 lэ, S1 lб, S1 lк S1 le, S11ь. S1 lc Sie, Siь, Sic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. S12э, S12б, S12к S12e, Si2ь. S12c: Sre, Sгь. Src . S22э, S22б, S22к S21э, S21б. S21к схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте­ ' ром, общей базой и общим коллектором соответственно. S22e, S22ь, S22c; Soe, Sоь. Soc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим S21e, S2iь. S21c; Src, Srь. Src Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. и общим коллектором соответственно. - fse, Ку, Р Gp Коэффициент усиления мощности. - GA, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности. Кш F Коэффициент шума транзистора. tк (r'б Ск) 't'c (r'ьь Ск) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. Токр ТА, Tamb Температура окружающей среды. Тк Те, Tcase Температура корпуса. Тп Tj Температура перехода. Rт, п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. Rт, п-к Rthjc Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. Rт. к-с Rthca Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. 't'т, п-к 't'thjc Тепловая постоянная времени переход-корпус. 't'т, п-с 't'thja Тепловая постоянная времени переход 't'т, к-с 't'thca Тепловая постоянная времени корпус fsь, fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 S21ь=l, S21c=l). - - окружающая среда. окружающая среда. (S21e=l,
Раздел 48 2. Биполярные транзисторы Параметры биполярных германиевых транзисторов 2.2. • •• fh21э, ••• fmax, fгр, fh2lб, Ркmах, Тип С тру к ту- прибора ра МП9А П·р·П МП10 п-р-п МП10А п-р-п МП10Б п-р-п мпн п-р-п МПНА п-р-п • т max, Рк, •• Рк, и max, UкБО nроб, • проб, UкэR •• Uкэо проб, UэБО проб, в Iк max, • Iк. и max, мА lкБО, • lкэR, Ii<Эo, мВт Мfц в 150 150 150 150 ~1 • ~1 • ~1 • ~1 • 15 15 30 30 15 15 30 30 20 20 20 20 (150*) (150*) (150*) (150*) зо• (30 в> 30• (30 в> ~2* 15 15 15 15 20 ( 150*) 20 (150*) 30• (30 в> 30* (30 В) 150 150 ' ~2* мкА 30• (30 в) 50* (30 В) 1 ... МП13 р-п-р МП13Б р-п-р МП14 р-п-р МП14А р-п-р МП14Б р-п-р МП14И p·n·p МП15 p-n-p ~.5• ~1 * 15 15 15 15 20 (150*) 20 (150*) 150 150 150 150 ~1 • ~1 • ~1 • ~1 * 15 30 30 30 15 30 30 30 20 20 20 20 ~2· 15 15 15 15 15 15 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) SЗО {15 В) SЗО (15 В) ~1 • ~1 • 15 15 15 15* (100) 15* (100) 15 15 15 15 15 50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 300* 300* S25 (15 В) S25 (15 В) S25 (15 В) s5o• (15 в) s5o• (15 в> МП15А р-п-р МП15И p-n-p 150 150 150 МП16 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 200. 200 200 150 150 МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11 . S30 (15 В) S30(15B) 150 150 ~2· - ~2· - - (150*) (150*) (150*) (150*) S30 S30 S50 S50 (15 (30 (30 (30 В) В) В) В) - -
nараметрь1 биполярных германиевых транзисторов Ck, rкэ нас, С12э, rБэ нас, • • . пФ 15."45 15 ... 30 15".30 25".50 (5 (5 (5 (5 В; 1 мА) В; В; В; 1 мА) 1 мА) 1 мА) S60 S60 S60 S60 (5 (5 (5 (5 Ом В) В) Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом SlO SlO SlO SIO В) В) (1 Вт 49 'tк, пс • •• tвыкл, ••• НС tпк, tpac, Корпус кГц) МП9, МП10 (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) ~11,7 - 1 1 -25".55 (5 В; 1 мА) 45".100 (5 В; 1 мА) S60 (5 S60 (5 В) В) SlO (1 SlO (1 1 кГц) кГц) мпн ~11,7 Clt:>I~ 1 1 1 ~· 1 -~12 (5 В; 1 мА) 20".60 (5 В; 1 мА) S50 (5 S50 (5 В) В) з /( 5 МП13 $150* Sl2 (1 кГц) ~11,7 - at:>-f--l-rl1'............... ~ 20".4'0 20".40 30".60 20".80 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 1 мА) 1 мА) 1 мА) 1 мА) 30".60 (5 В; 1 мА) 50".100 (5 В; 1 мА) ·s5o (5 в> S50 (5 В) S50 (5 В) s50 (5 В) S20 s50 (5 В) S50 (5 В) • 1 1 /(~3 - ~11.7 - МП15 $150* Sl50* Sl5 Sl5 Sl5 $6,6 $6,6 1 МП14 Sl50* Sl50* Sl50* .$150* ~11,7 SlO 20".35 (1 В; 10 мА) 30".50 (1 В; 10 мА) 45".100 (1 В; 1 мА) 20".70 (10 В; 100 мА) 10".70 (10 В; 100 мА) 1 МП16 s2000• $1500* $1000* ~11,7 - 1 ~ 1f -- IJ 1 J 1 5
Раздел 50 Ркmах, Тип Структу- прибора ра МП20А МП20Б p-n-p p-n-p • т max, Рк. •• и max, Рк, • •• fh2Jэ, ••• fmax, fгр, fh2Jб, 2. UКБО проб, UКэR проб, •• проб, Uкэо мВт Мfц в 150 150 ~2· 2::1,5* 30 30 UэБО проб, в 30 30 Б~n,олярные транзисторы .. IКБо, Iк max, • Iк. и max, lкэR, 1·· кэо, мА мкА 300• 300• ~50 ~50 (30 (30 В) В) " МП21В p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 150 150 150 150 2::1,5* ;;:::1 • ;;:::1 • 2::0, 7• p-n-p p-n-p p-n-p 200 200 200 2::0.2• 2::0.2• 2::0,5* p-n-p p-n-p p-n-p 200 200 200 2::0.2• 2::0.2• 2::0,5• П27А p-n-p p-n-p 30 30 ;;:::1 • ;;:::1 • П28 p-n-p 30 ;;:::5• МП21f МП21Д МП21Е МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А МП26Б П27 ~ 40 60 60 70 40 40 40 40 300• 300• 300• 300• ~50 ~50 ~50 ~50 (40 (60 (50 (50 В) В) В) В) 40 40 40 40 -- 40 40 300• 400* 400* ~75 ~75 ~75 (40 (40 (40 В) В) В) 70 70 70 70 70 70 300• 400* 400* ~75 ~75 ~75 (70 (70 (70 В) В) В) 5* 5* (О,5к) (О,5к) - 6 6 ~ ~ (5 (5 В) В) 5* (0,5к) - 6 ~ (5 В) 10• 10• 12 12 100• 100• ~ ~ П29 П29А p-n-p p-n-p 30 30 2::5* ;;:::5• - ~4 ~4 (12 (12 В) В)
Параметры 6иполярнь1х германиевых транзисторов h21э, h21э 50."150 (5 В; 25 мА) 80... 200 (5 В; 25 мА) Ck, Сi2э, rкэ нас, пФ Ом - - * rвэ нас, 51 51 Кш, дБ rб, Ом ** 1 Вт Рвых - 51 't'к, пс * fpac, Корпус ** fвыкл, *** НС fпк, - МП20 ~11,7 - ,кфэ J Q:;) 1 ~ 1 J 1 ' ) -- 20.. .100 (5 В; 25 мА) 20... 80 (5 В; 25 мА) 60... 200 (5 В; 25 мА) 30... 150 (5 В; 25 мА) - 51 51 51 51 - 1 - 5 МП21 - ~11,7 - - - ,кфэ J Q:;) ~ 13 ... 25 (20 В; 2,5 мА) 20... 50 (20 В; 2,5 мА) . 30... 80 (20 В; 2,5 мА) 520 (20 В) 520 (20 В) 520 (20 В) 52,2 52 51,8 - J J . 1 1 i МП25 51500*** 51500*** 51500*** ~11,7 - - ·\~)э ' Q:;) ' 1 1 ~ 1 -1.-......J 13 ... 25 (35 В; 1,5 мА) 20... 50 (35 В; 1,5 мА) 30... 80 (35 В; 1,5 мА) 515 (35 В) 515 (35 В) 515 (35 В) 52,2 52,2 51,8 - - МП26 51500*** 51500*** 51500*** ~11,7 - - кф Q:;) 1 1 J ~ ---- 20.. .100 (5 В; 0,5 мА) 20... 170 (5 В; 0,5 мА) - - 510 (1 кГц) 55 (1 кГц) - П27 - ~11,7 - \~)э J Q:;) ~ 20... 200 (5 В; 0,5 мА) - - 55 (1 кГц) 5 J J L-1 1 - П28 ~11,7 - кфэ Q:;) 1 1 j ~ -- 20 ... 50 (0,5 В; 20 мА) 40.. .100 (0,5 В; 20 мА) 520 (6 В) 520 (6 В) 10 10 - - 56000 56000 1 П29 ~11,7 - - - ~ ~ ' 1 1 ~_LJ 1 кфэ
52 Раздел 2. Биполярные транзисторы frp, fh21б, fi:2iэ, ••• fmax, Uкоо проб, мВт мrц в Ркmах, Тип Структу- прибора ра • т max, Рк, •• max, Рк, и UКэR проб, uКЭо проб, пзо р-п-р 30 2':10* 12* МПЗS n-p-n 150 2':0,5* 15 МП36А n-p-n 150 ~1* МП37А n-p·ri П·р·П 150 150 ~1 * МП37Б 150 150 ~2* 150 150 2':0,5* 2':0,5* 15* 15* (lОк) 150 150 ~l* 15* 30* МП38 -мпзsл n-p-n П-р·П МП39 p-n~p МП39Б p-n-p МП40 р-п-р МП40А р-п-р ~1 * ~2* ~1 * Uэво проб, в 12 Iк • lк, max, и max, мА 100* IКБО, IКэR, 1·· кэо, мкА :=;4 (12 В) - 20 (150*) SЗО (5 В) 15 - 20 (150*) S30 (5 В) 30 30 - - 20 (150*) 20 (150*) ~30 ~30 В) В) 15 15 - 20 (150*) 20 (150*) ~0{5 В) ~О (5 В) (10к) 5 5 20 (150*) 20 (150*) ~15 ~15 (5 В) (5 В) (lОк) (lОк) 5 5 20 (150*) 20 (150*) ~15 ~15 (5 В) (5 В) - (5 (5
Параметры бипоЛярных германиевых транзисторов h21э. h21э 80 .. .180 (0,5 В; 20 мА) Кш, дБ Ck, rкэ нас, Сi2э, rвэ нас, rб, Ом пФ Ом ** Вт Рвых, ::;20 (6 В) 10 * - 53 't'к, пс * tpac, ** tвыкл, t~=~HC Корпус пзо 6000 tJ11,7 ,кфэ Q:;) 1 ~ --- 1 13 ... 125 (5 В; 1 мА) - - • - ::;220* МП35 tJ11,7 Q:;) 1 1 ~1 13 .. .45 (5 В; 1 мА) - - ::;1 О (1 кГц) 1~ к 1 1 1 - з б 1 МП36 tJ11,7 Q:;) • ~ 15 ... 30 (5 В; 1 мА) 25 ... 50 (5 В; 1 мА) - - i r - ::;220· ::;220* 1 1 1 МП37 - tJ11,7 - Q:;) ~ 25... 55 (5 В; 1 мА) 45 .. .100 (5 В; 1 мА) - - ::;220* . ::;220* кф ' - 1 J 1 1 кфэ МП38 - tJ11,7 - - кфэ 1 Q:;) ,. ;;:.:12 (5 В; 1 мА) 20... 60 (5 В; 1 мА) ~J ::;50 (5 В) ::;50 (5 В) - ::;12 (1 кГц) - МП39 tJ11,7 - - кфэ ' Q:;) ~1 --- 20 .. .40 (5 В; 1 мА) 20 .. .40 (5 В; 1 мА) ::;50 (5 В) ::;50 (5 В) - - - J 1 МП40 tJ11,7 Q:;) ~ . 1 1 кфэ
Раздел Ркmах, Тип прибора Структура *т Рк, max, ** Рк, и max, мВт МП41 р-п-р МП41А р-п-р МП42 р-п-р МП42А р-п-р МП42Б р-п-р ПЮ8А р-п-р П108Б р-п-р П108В р-п-р пiosr р-п-р МП108А р-п-р МП108Б р-п-р МП108В p-n-p МП108f р-п-р МП108Д p-n-p П109А р-п-р П109Б р-п-р П109В р-п-р П109f р-п-р П109Д р-п-р П109Е р-п-р П109Ж р-п-р fТ109И р-п-р ПНSА р-п-р ПНSБ р-п-р пнsв р-п-р пнsr р-п-р пнsд р-п-р П122А n-p-n П122Б п-р-п П122В n-р-п п122r п-р-п 150 150 fгр, fh21б, ·fh2tэ, Uкво проб, Ui{эR проб, Uэво проб, *** fmax, ** проб, Uкэо в мrц в ~1 ~1 * * - 5 5 5 5 75 75 75 75 75 ~.5* 50 50 50 50 50 150 150 150 150 ~3* ~5* - ~1 * ~1 10 10 10 10 10 (18 (18 (18 (18 (18 10 10 10 10 10 10 10 10 (18 (18 (18 (18 (18 (18 (18 (18 имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) 5 5 5 5 50 50 50 50 5 5 5 5 5 50 50 50 50 50 - 10 10 10 10 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) ~10(5В) ~10 (5 В) ~10 (5 В) s;lO (5 В) s;lO (5 В) - 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 s;40 (20 В) S:40 (30 В) ~40 (20 В) ( 150*) (150*) (150*) (150*) S:20 s;20 s;20 s;20 * * ~1 * ~1 * ~1 * 20 30 20 30 20 20 20 20 20 20 ~1 * ~1 * ~2* ~2* 35 20 20 20 - ~1 мкА 150* 150* 150* 0,5* 1* 1* 1* * ~1 * ~1 * ~1 * IКэR, 1** кэо, - 75 75 75 75 ~1 мА Iкво, s=l5.(5 В) ~15 (5 В) ~1 * * ~1 * ~1 * ~1 * max, * и max, lк. 20 (150*) 20 (150*) 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) ~1 lк 5 5 ~1.5* ~2* Биполярные транзисторы .15* (lОк) 15* (lОк) 200 200 200 30 30 30 30 30 30 30 30 2. - 20 20 20 20 s;S (5 В) ~5 (5 В) s=5 (5 В) s;5 (5 В) ~2 (1,2 В) ~2 (1,2 В) ~1 (i,5B) ~5 (5 В) ~40 (20 В) ~40 (30 В) (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) ,, J
Параметры 6ипол11рных германиевых тра__н_зисторов rкэ нас, rвэ нас, rб, Ом Ом ** Вт Рвых, * 30 ... 60 (5 В; 1 мА) 50 ... 100 (5 В; 1 мА) 't'к, пс * tpac, Корпус ** tвыкл, *** НС tпк, ::;50 (5 В) ::;50 (5 В) 20 ... 35* ( 1 В; 10 мА) 30... 50* (1 В; 10 мА) 458 ... 100* (1 В; 1О мА) 20... 50 (5 В; 1 мА) 35 ... 80 ( 5 В; 1 мА) 60 ... 130 (5 В; 1 мА) 110... 250 (5 В; 1 мА) Кш, дБ 55 МП41 g51f,7 - ::;20 ::;20 ::;20 50 50 50 50 (50 (50 (50 (50 В) В) В) В) 25 ... 50 (6 В; 1 мА) 35 ... 80 (5 В; 1 мА) 60.. .130 (5 В; 1 мА) 110."250 (5 В; 1 мА) 30".120 (5 В; 1 мА) МП42 ::;2000*** :s;l 500* * * - ::;1000*** ::;6 (1 кГц) . - g5ff,7 - 5000 5000 5000 5000 П108 ::;5000 ::;5000 ::;5000 ::;5000 ::;5000 МП108 - tJ11,7 - " 20... 50 (5 В; 1 мА) 35... 80 (5 В; 1 мА) 60... 130 (5 В; 1 мА) 110."250 (5 В; 1 мА) 20... 70 (5 В; 1 мАО 50.. .100 (5 В; 1 мА) ~100* (1,5 В) 20... 80 (5 В; 1 мА) ::;30 (5 в) ::;30 (5 в> ::;30 (5 в> ::;30 (5 В) ::;40 (1,2 В) ::;40 (1,2 В) ::;30 (5 В) ::; 12 (1 кГц) ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ~к~з 1 П109 ~J.7 ~ с-.. 20... 80 (1 В; 25 мА) 20••. 80 ( 1 В; 25 мА) 60... 150 (1 В; 25 мА) 60... 150 (1 В; 25 мА) 125... 250 (1 В; 25 мА) 15.. .45 15.. .45 30... 60 30."60 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 1 мА) 1 мА) 1 мА) 1 мА) 200* 200* 200* 200* П122 ~11,7 -
Раздел 56 Ркmах, Структу- Тип прибора ра *т Рк, max, ** Рк, и max, мВт fгр, fh2\б, fh2tэ, 2. Uкво проб, *** fmax, UкэR проб, uКЭо проб, МГц в Uэво проб, в Биполярные транзисторы Iкво, lк max, * и max, lк, IКэR, IКЭо, мА мкА , П124А р-п-р П124Б р-п-р П124В р-п-р П124Г р-п-р П125А П125Б - р-п-р р-п-р П125В р-п-р П125f р-п-р П125Д р-п-р П125Е p-n-p П125Ж р-п-р П125И p-n-p П125К р-п-р П125Л р-п-р П201Э р-п-р П201АЭ p-n-p П202Э р-п-р П203Э П207 75 75 75 75 ~1 * * ~1 * ~1 * 25 25 25 25 10 10 10 10 100* 100* 100* 100* .s;l5 (15 В) ~15 (15 В) ~15 (15 В) ~15 (15 В) 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 ~1 35 35 35 35 35 35 35 70 70 70 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 300* 300* 30(;* 300* 300* 300* 300* 300* 300* 300* ~15 ~15 ~15 ~15 45 45 - 1,5 1,5 70 70 - - 40** 40** - 25 25 А ~16 мА А ~16 мА - 60** 60** - 25 25 А ~5мА А ~25 мА 40** 40** 25 25 12 12 А ~8 мА А ~мА ~1 * * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 ~1 * * -~1 * ~1 10* 10* Вт ~0.1 * Вт ~.2* 10* 10* Вт ~.1* р-п-р Вт ~.2* p-n-p p-n-p 100* 100* Вт П208 p-n-p р-п-р 100* 100* Вт П208А П207А П209 р-п-р П209А р-п-р 60* 60* Вт Вт Вт ~.1*~ Вт ~.1** - . ~15 .s;l5 .s;l5 ~15 .s;15 ~15 (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) {15 В) (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) А ~О.4 мА А ~.4мА 2А ~О.4 мА 2А .s;0,4 мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, * rвэ нас, Ом 28".56 (0,5 В; О, 1 А) 45".90 (0,5 В; 0,1 А) 71".162 (0,5 В; 0,1 А) 120".200 (0,5 В; О, 1 А) Кш, дБ rб, Ом ** Рвых, Вт 57 't'к, пс * fpac, Корпус ** fвыкл, *** НС fпк, ~О.5 ~О.5 ~О.5 П124 - ~О.5 fll,4 1 l/ернан /Уточки 3 ;~t~~lii~ к$ ...___11. 28".56 (0,5 В; 25 мА) 45".90 (5 В; 25 мА) 71".140 (5 В; 25 мА) 120".200 ,(5 В; 25 мА) :2:28* (0,5 В; 100 мА) 45".90 (5 В; 25 мА) 71""140 (5 В; 25 мА) 25".56* (0,5 В; 100 мА) 45".90* (0,5 В; 100 мА) 71".140* (0,5 В; 100 мА) ~20* ~40* (10 (10 В; В; 0,2 0,2 А) А) П125 tJ11, 7 1.......-· Q::)+--"-m.·......... ~-- 1 ~1.25 П201 ~1.25 21 ~, ~20* (10 В; 0,2 А) ~1.25 ~1.25 1 ~1 } П202 5".15 5".12 П207 ~15 П208 ~15 ~15 ~15 ~з w J( П209
Раздел 58 прибора · Структу- П210 р-п-р П210А р-п-р П210Б р-п-р П210В р-п-р П210Ш р-п-р П213 р-п-р П213А p·n-p П213Б р-п-р П214 р-п-р П214А р-п-р П214Б р-п-р П214В· р-п-р П214Г р-п-р П215 р-п-р П216 р-п-р П216А р-п-р П216Б р-п-р П216В p-n-p П216f р-п-р П216Д р-п-р fгр, fh21б, fh2Iэ, ••• fmax, u& проб·, мВт мrц в 20,1 ** 20,1** 20,1 ** 20,1** 20,1 ** 60** 65** 65 45 64* 25 25 25 25 25 12 12 12 12 12 11,5* Вт 10* Вт 10* Вт 20,2* 20,2* 20,2* 45 45 45 15 10 10 5А 10* Вт 10* Вт 11,5* Вт 10* Вт 10* Вт 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 60 60 60 60 60 15 15 15 10 10 БА 20,2* 20,2* 1515 15 15 15 15 15 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А Рк, т ра Биполярн~1е транзисторы • max, •• Рк, и max, Ркmах, ' Тип 2. 60* 60* 45* 45* 60* 10* 30* 30* 24* 24* 24* 24* Вт Вт Вт Вт Вт Вт Uкво проб, UКэR пробt Uэво nроб, в lк • Iк, max, и max, мА А А А А А 5А 5А 5А 5А 5А 5А 5А Iкво, IКэR, 1** кэо, мкА ::;12 мА ~мА (45 В) ::;15 ::;15 мА мА ~мА (65 В) ::;D,15 мА ::;1 мА ::;1 мА ::;D,3 мА ::;D,3 мА ::;D,15 мА :s;l ,5 мА :s;l,5 мА S0,3 мА ::;D,5 мА ::;D,5 мА :s;l,5 мА :s;Z мА ::;2,5 мА Вт ~.2* Вт 20,2* Вт ~0.2* Вт Вт 20,2* 20,2* 80 40 40 35 35 50 50 30* Вт 30* Вт 30* Вт 24 Вт 24 Вт 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 60 60 60 60 60 15 15 15 15 15 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А S0,5 мА ::;D,5 мА ::;D,5 мА 75 75 75 ~140 15 15 15 1,5 1,5 0,5 40 (100*) 40 (100*) 40 (100*) S4 (15 В) 20 20 20 20* 3 3 3 3 50 50 50 50 S2 ::;2 ::;2 ::;2 Вт ::;z мА ' П217 р-п-р П217А p·n·p П217Б р-п-р П217В р-п-р П217Г р-п-р П305А р-п-р ПЗОSБ р-п-р пзоsв р-п-р П308А р-п-р П308Б р-п-р П308В р-п-р П308f р-п-р 150 150 150 150 (360**) (360**) (360**) (360**) ~160 ~160 ~90 ~120 ~120 ~120 . (120*) (120*) (120*) (120*) ::;з мА ::,;3 мА - (5 В) (5 В) (5 В) (5 В)
Параметры биполярных германиевых 11)ранзисторов rкэ нас, rвэ нас, rб, Ом Ом ** 1 Вт Рвых * ;c:l5* (2 ~15* (2 ;c:lO* (2 ;c:lO* (2 ;с:15* (.2 В; В; В; В; В; 5 5 5 5 5 Кш, дБ 59 't'к, пс * 1 fpac ** 1 fвыкл Корпус *** НС fпк, А) П210 А) А) А) А) 20 ... 50* (5 В; 1 А) ;с:20* (5 В; 0,2 А) ~ ;с:4О* (5 В; 0,2 А) П213 ~.16 $1,25 20 ... 60* (5 В; 0,2 А) 50... 150* (5 В; 0,2 А) 20".150* (5 В; 0,2 А) ;с:20* (5 В; 0,2 А) $0,3 $0,3 $0,3 $0,3 $0,3 П214 20 ... 150* (5 В; 0,2 А) ;с:16 (0,75 В; 4 А) 20 ... 80 (О, 75 В; 4 А) ;с:10 (3 В; 2 А) ;с:30 (3 В; 2 А) ;с:5 (3 В; 2 А) 15 ... 30 (3 В; 2 А) ~.3 П215, П216 $0,2 $0,2 ~.25 ~.25 $0,25 ;c:l 6 (0,75 В; 4 А) 20 ... 60 (5 В; 1 А) ~20 (5 В; 1 А) ;с:15* (1 В; 4 А) 15 .. .40 (3 В; 2 А) 25 ... 80* (l В; 10 мА) 60 ... 180* (l В; 10, мА) 40 ... 120* (5 В; 5 мА) 20 ... 75* (l В; 10 мА) 50 ... 120* (1 В; 10 мА) 80 ... 200* (l В; 10 мА) 80 ... 150 (l В; 10 мА) П217 $0,5' $0,5 $0,5 $0,25 $0,5 $7 (5 В) $7 (5 В) $5,5 (5 В) $8 $8 $8 $8 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) $50 $50 $6 (1,6 $30 $24 $24 $8 (l,6 $8 (1,6 МГц) МГц) МГц} $300 $300 $300 П305 $400 $1000* $400 $500 $1000* П308 - ~11,7 - ' !
Раздел 60 Тип Структу- прибора ра П309А , П309Б р-п-р р-п-р Uкоо nроб, ** и max, Рк. fh2Iэ, *** fmax, UКэR nроб, ** nроб, Uкэо мВт МГц в 75 75 75 75 75 75 ~120 10 10 10 10 10 10 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 10 10 10 10 10 10 :S5 S:5 :S5 s=5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) 12 12 12 12 12 12 - 10 10 10 10 10 10 :S5 (5 ~5 (5 :S5 (5 ~5 (5 ~5 (5 :S5 (5 В) В) В) В) В) В) 12 12 12 12 12 12 (20 имп.) 12 (20 имп.) 10 2 2 2 2 2 2 2 1,5 50 50 50 50 50 50 50 50 s;5 (5 В) S:5 (5 В) s;5 (5 В) s;5 (5 В) s;5 (5 В) s;5 (12 В) s;5 (12 В) ~5 (10 В) 15 15 15 0,7 0,7 0,7 30 30 30 :S5 (12 :S5 (12 s;5 (12 В) В) В) 20 20 20 3 3 3 150 (300*) 150 (300*) 150 (300*) s;lO (20 s;lO (20 ~10 (20 В) 40** 40** 40** 30** 30** 30** 4 4 4 2,5 2,5 2,5 25 25 25 15 15 15 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 * т max, РК, ~120 ~80 П309Г р-п-р р-п-р П309Е р-п-р П.310А р-п-р П310Б p-n-p П310В р-п-р пз~оr p-n-p П310Д р-п-р П310Е p-n-p 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) пзни n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 150 150 150 П313А р-п-р П313Б p-n-p П313В р-п-р 100 100 100 П320А р-п-р П320Б р-п-р П320В р-п-р П321А р-п-р П321Б р-п-р П321В p-n-p ПЗНБ пзнв пзнr П311Д ПЗНЕ пзнж • пз21r р-п-р П321Д р-п-р ПЗ21Е p-n-p П322А p-n-p П322Б р-п-р П322В р-п-р пз22r р-п-р П322Д р-п-р П322Е р-п-р / frp, fh2lб, ПЗО9Д П311А Биполярные транзисторы РКmах, р-п-р П309В 2. ~80 ~80 ~80 ~160 ~160 ~120 ~120 ~80 ~80 ~300 ~300 ~450 ~450 ~600 ~50 ~300 ~450 ~300 ~450 ~350 ~80 200 200 200 160 160 160 160 160 160 (20** (20** (20** (20** (20** (20** . 50 50 50 50 50 50 ~120 ~160 Вт) Вт) Вт) Вт) Вт) Вт) . ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~80 ~80 ~80 ~50 ~50 ~50 Uэво nроб, в Iк max, * и max, Iк, мА 200 200 200 200 200 200 (2* А) (2* А) {2* А) (2* А) (2* А) (2* А) 10 10 10 5 5 5 Iкоо, l~R, 1** кэо, мкА ~5 ~5 В) В) В) В) В) В) В) ~500 (60 В) :SSOO (60 В) :SSOO (60 В) s;500 (45 В) ~500 (45 В) ~500 (45 В) s;4 (25 В) S:4 (25 В) s;4 (25 В) ~ (15 В) ~4 (15 В) ~ (15 в
Параметры биполярных германиевых транзисторов 61 . .. h21э, h21э 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60... 180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В;.1 мА) 60 .. .180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 ... 180 (5 В; 1 мА) Ck, rкэ нас, Кш.дБ С12э, rвэ нас, rб, Ом пФ Ом • :57,5 :57,5 :57,5 S7,5 :57,5 :57,5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 • В) В) В) В) В) В) •• Рвых, 'tк, ПС • •• taыКJJ, tpac, Вт ••• tпк, НС - :56 (1,6 МГц) s6 (1,6 МГц) - - - - - S500 S500 :51000 SlOOO :51000 SlOOO -15 ... 80* (3 В; 5 мА) 30 ... 180* (3 В; 5 мА) 15 ... 50* (3 В; 5 мА) 30... 80* (3 В; 5 мА) 60 .. .180* (3 В; 5 мА) 20 ... 80* (3 В; 5 мА) 50... 200* (3 В; 5 мА) 100... 300* (3 В; 5 мА) 20 ... 250 (5 В; 5 мА) 20 ... 250 (5 В; 5 мА) 30... 170 (5 В; 5 мА) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) s5 (5' В) :55 (5 В) :54 :54 :55 :::;5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) :::;2,5 (5 :::;2,5 (5 :::;2,5 (5 В) S2,5 :::;2,5 :::;2,5 :::;2,5 :52,5 :::;2,5 :::;2,5 :::;2,5 В) В) В) В) В) В) В) В) В) - :53 :53 :54 S4 :54 :54 - (1,6 МГц) ( 1,6 МГц) (1,6 МГц) (1,6 МГц) ( 1,6 МГц) ( 1,6 МГU.) ~ 1 ~ :5300 :5300 :5300 :5300 :5500 S500 - ПЗ10 fl.t,2 . u ~ ~- ~·=r Ф11 - ~ 1 ~ ' :58 (5 В) В) В) :58,5 :58,5 :58,5 1 ~11 :53,5 :53,5 :::;3,5 :53,5 :53,5 SЗ,5 11 ssoo - - :::;600 :5600 :5600 :5600 :5600 - - 50... 120 (5 В; 1 мА) 20 ... 120 (5 В; 1 мА) 50... 120 (5 В; l мА) 20 ... 70 (5 В; J мА) 50... 120 (5 В; l мА) :::;1,8 :51,8 :::;2,5 :::;2,5 :51,8 :51,8 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) - Корп. ПЗ20 :5500 S600 - 1 1 1 ~11,7 - - ! 11 1 1 1 ,11,7 . Q::i . ! 1 J 1 11 sбоо· - S4 (1,6 МГц) :54 ( 1,6 МГц) :54 ( 1,6 МГц) :550 S100 :5200 - - . зф ПЗ21 ~ w Зо ... 100 (5 В; 1 мА) зеJ ~ ~w (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) Корп. ПЗ13 с-,, SSO :580 S80 s;80 S80 S80 11 1 Q::i 20 ... 60* (3 В; 0,5 мА) 40 .. .120* (3 В; 0,5 мА) 80... 200* (3 В; 0,5 мА) 20... 60* (3 В; 0,5 мА) 40 .. .120* (3 В; 0,5 мА) 80... 200* (3 В; 0,5 мА) 11 1 ,, :58 (5 зеJ ' ~ - s8 (5 з ПЗ11 ~ со· 20 ... 80* (1 В; 1О мА) 50 ... 160* (1 В; 10 мА) 80... 250* (1 В; l О мА) 6. ~ :575 :540 s75 - з~ • sso• :550* s5o• :550* :575; :550* S100; s50* :5100; :::;50* к 1 s50* - :54,6 :54,6 S4,6 JIU !п ~ - :::;20 :520 :520 :520 :520 :::;20 :::;20 :520 ПЗО9 ~ . 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 ... 180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 ... 180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 .. .180 (5 В; 1 мА) Корпус 1 зф6 ПЗ22 ~5.'!_ '":i ~~ -. " h~ ' 1 !1 ......_ 11 з Кораф6 к
Разdеп 62 Uкво проб, UкэR проб, Uэво проб, ** и max, Рк, 1·· h2lэ, *** fmax, uКЭо проб, в мВт МГц в n-p-n n-p-n n-p-n 500 500 500 ~200 ' 20 20 20 2 2 2 1000 1000 1000 :S30 p-n-p p-n-p p-n-p 50 (55°С) 50 (55°С) 50 (55°С) 15* (5к) 15* (5к) 15* (5к) 0,25 0,25 0,25 10 10 10 SlO (15 В) SlO (15 В) SlO (15 В) 10 10 10 10 0,5 0,5 l 0,5 20 20 20 20 S5 S5 s5 S5 10 (20 имп.) 10 (20 имп.) 10 (20 имп.) 1,5 1,5 1,5 20 20 20 S5 (10 В) S5 (10 В) S5 (10 В) 20 20 20 20 20 3 3 3 3 3 прибора ра ПЗ23В ПЗ28А ПЗ28Б ПЗ28В IКБо, IКэR, 1** кэо, frp, fh21б, Структу- ПЗ2ЗБ б#!nолярные транзисторы Ркmах, Тип ПЗ23А • 2. • т max, РК, ... ~200 ~300 ~400 ~300 ~300 lк max, * и max, Iк, мА мкА ~о ~о , ПЗ29А ПЗ29Б ПЗ29В ПЗ29Г пззод пззож пззои ПЗ35А П335Б ПЗЗ5В пззsr ПЗЗ5Д ПЗ38А ПЗЗ8Б пззsв n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 50 (4о·с> 50 (40°С) 50 ·(40°С) 25 (бо с) ~1200 n-p-n n-p-n n-p-n 50 (45°С) 50 (45°С) 50 (45°С) ~500 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 200 200 200 200 200 p-n-p p-n-p p-n-p 0 (45°С) (45°С) (45°С) (45°С) (45°С) 100 100 100 ~1680 ~990 ~700 ~1000 ~500 ~80 ~80 ~&О ~300 ~300 - 20 (8**) 20 (13**) 20 (5**) - 150 150 150 150 150 (250*) (250*) (250*) (250*) (250*) (10 (lO (10 (10 В) В) В) В) SlO SlO SlO SlO SlO 1000 S30 (20 В) S30 (20 В) ~О (20 В) 10 10 10 S5 (lO В) S5 (10 В) S5 (10 В) 1000 1000 ' tl ПЗ41А ПЗ41Б П341В n-p-n n-p-n n-p-n 35 (6О С) 35 (6О 0 С) 35 (60°С) 0 ~1500 10 10 10 ~1980 ~1·500 ... 0,3 0,3 0,5
Пара_метры биnолярных германиевых транзисторов Ck, rкэ нас, Кш,д.Б С12э, rБЭ нас, rб, Ом пФ Ом $30 S30 $30 - • h21э, h21э 20 ... 60 (5 В; 0,5 А) 40". J 20 (5 В; 0,5 А) 80."200 (5 В; 0,5 А) • 'tк, пс • tpac, • •• Рвых, - 63 Вт •• ••• НС tпк, tвыкл, Корпус - - - ПЗ23 -- - , 11, 7 - зф1 Q::i • с-.... 1111 1 1I ~ 20."200* (5 В; 4 мА) 40".200* (5 В; 3 мА) 1О ... 70* (5 В; .3 мА) - Sl,5(5B) Sl,5 (5 В) Sl,5 (5 В) s7 (180 МГц) s7 (180 МГц) s7 (180 МГц) ПЗ28 s5 sJO, SlO ~5,8 ~ ~· "') ..,. ...... ,...,.. /1 ..... 1 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 5 5 5 5 мА) мА) мА) мА) - - S2 (5 В) S3 (5 В) sЗ (5 В) S2 (5 В) - ~ (400 МГц) s6 (400 МГц) S6 (400 МГц) S5 (400 МГц) S15 s30 S20 Sl5 17 9)7,// -$65,5 ~ ~ , 1<с. -- -и.11 Sl5 Sl5 Sl5 МГц) S30; S50* S50; 550* s8 (400 МГц) $ЗО;s50* s8 (400 - rЩ ~ ~111 ...... 1 1 ~· "".:" - - В) В) В) Sl50* С1::. J 1 J 11 с--,, - ) tнSlнc tнSlнc tнSlнc 11 1 ~11 - э$ ~ - ~ 1 1 1 cii::.· 1 Sl (5 :51 (5 Sl (5 В) В) В) - S4,5 (1 ГГц) :55,5 ( 1 ГГц) s5,5 ( 1 ГГц) 1 1 ' Корп. 1 ПЗ41 :510 :510 SlO 17 9)7,//_ ~ "':)" -165,5 ~ 1 # , !"- - . ~ ПЗЗ8 ~ 15... 300* (5 В; 5 мА) 15... 300* (5 В; 5 мА) 15".300* (5 В; 5 мА) к f/J11,7 - .o:r-, - ~5 ПЗЗ5 sJOO* Sl50* . S2 (5 S2 (5 :52 (5 з ~ ~ 1 1 - к 17 •1"--ir:tr: ·- - ~ ~ ,, 9)7,// ~ S8,5 S8,5 S8,5 S8,5 s8,5 ~/;1 ~5 пззо "':)' 40 ... 70* (3 В; 50 мА) 60".100* (3 В; 50 мА) 40 ... 70* (3 В; 50 мА) 60."100* (3 В; 50 мА) 50.. .l 00* (3 В; 50 мА) - - 1з '~ ...... ~·~ "".:" SЗ (5 В) $3 (5 В) s3 (5 В) к ПЗ29 "':)" 30.. .400* (5 В; 5 мА) 30.. .400* (5 В; 5 мА) 1О" .400* (5 В; 5 мА) К47дф 1 ~ 15".300* 15 ... 300* 15."300* 15."300* з ~ "".:" 8.J::C...- ...... с::: -з ~/;1 ~~~ ~ к
Раздел frp, fh2\б, fh21э, *** fmax, Uкво проб, max, ** Рк. н max, мВт МГц в 50 (55°С) 50 (55°С) 50 (55°С} ~700 20 20 20 Ркmах, Тип Структу- прибора ра p-n-p p-n-p p-n-p П346А П346Б П346В *т Рк. Ui(эR проб, uКЭо проб, ~550 ~550 - 2. Биполярные транзисторы lк max, lк. н rnax, Uэво проб, в мА 0;3 0,3 0,3 - Iкво, li<эR, Ii<Эo, мкА 10 10 10 :510 (20 В) :510 (20 В) :510 (20 В) ' ·- ..• ~2400 5 (55°С) 5 (55°С) 0,2 0,2 10 10 :55 (5 В) :55 (5 В) 35 (85°С) ~1020 7** 0,25 10 :55 (7В) 25 (55°С) 25 (55°С) 25 (55°С) ~2400 П383В-2 n-p-n n-p-n n-p-n 5* ( 1к) 5* (l к) 5* (lк) 0,5 0,5 0,5 10 10 10 :55 (5 В) :55 (5 В) :55 (5 В) П401 ~-n-p П402 p-n-p 100 100 10 10 l 1 20 20 :510 (5 В) :55 (5 В) n-p-n n-p-n 40 40 ~2400 П376А p-n-p ПЗ83А-2 П362А П362Б ' П383Б-2 ~1500 ~3600 ~30 ~о ' . П402А П402Б П402В П402Г П402Д П402Е П402Ж П402И p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 300; 300; 300; 300; 0,3 Вт; 0,3 Вт; 0,3 Вт; 0,3 Вт; 600 600 600 600 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт ~l * ~l * ~l * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * 25* 25* 40* 40* 25* 25* 40* 40* (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (0,2к) (0,2к) - 500 500 500 500 500 500 500 500 В) В) В) В) В) ~25(10В) :525 (10 В) :520 :520 :520 :520 :525 (10 (10 (10 (10 (10 :525 (10 В) - П403 П403А. p-n-p p-n-p 100 100 ~100 ~80 10 10 1 1 20 20 ~ . :55 (5 В) :55 (5 В) -
параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, Кш.дБ rвэ нас, rб, Ом • Ом 10... 150 (10 10... 150 (10 15 ... 150 (10 В; В; В; 2 2 2 мА) мА) мА) Sl ,3 (5 Sl ,3 (5 Sl ,3 (5 10".200 (3 10... 250 (3 В; В; 5 5 мА) мА) Sl (5 Sl (5 10... 150* (5 В; 2 мА) Sl ,2 (5 В) В) В) • ** 1 Рвых Вт S6 (800 МГц) S8 (800 МГц) s7 (200 МГц) В) В) В) 65 'tк, пс * 1 tpac Корпус •• tвыкл, *** нс tпк. S3 s5,5 s6 S4,5 (2,25 s5,5 (2,25 ГГц) slO S20 П362 ГГц) S3,5 (180 МГц) Sl5 П376 ::}j ... 1 ~.:.___ 1 15".250 (3,2 10... 250 (3,2 15".250 (3,2 В; В; В; 5 5 5 мА) мА) мА) 16 ... 300 (5 В; 5 мА) 16.:.250 (5 В; 5 мА) Sl (3,2 Sl (3,2 Sl (3,2 В) sl5 (5 SlO (5 В) S4,5 (2,25 ГГц) S4 (1 ГГц) s5,5 (2,83 ГГц) В) В) В) фз6 ...._.,. Корп. $10 SlO Sl5 П383 S3500 SlOOO П401, П402 - , 11,7 1 1 1 11 t::...._-'l"I 30 ... 80 ( l В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30 ... 80 ( l В; 3 мА) 60 ... 150 (l В; 3 мА) 30 ... 80 (l В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30. "80 (l В; 3 мА) 30".80 ( l В; 3 мА) 30 ... 100 (5 16... 200 (5 В; В; 5 5 мА) мА) 1 П402 r/J11,7 S5 s5 S5 S5 SlO (5 slO (5 В) В) П403 S500 S500 ,11,7 ' 1 t::_11_"'1'1 1 1 к
Раздел 86 fгр, fh21б, fh21э, Ркmах, Тип Структу- прибора ра •т Рк, •• Рк, н ••• fmax, МГц в Вт ~.008** Вт ~.008** 45 45 60 60 60 60 80 80 45 мВт П40ЗА П40ЗБ П40ЗВ П40ЗГ П40ЗД П40ЗЕ П40ЗЖ П40ЗИ П40ЗЮ rТ404А p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 4* 4* 5* 4* 4* 5* 4* 4* 4* n-p-n n-p-n П404В n-р-п П404Г n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 600; 600; 600; 600; 600; 600; 600; 600; p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 П404Б П404Д П404Е П404Ж П404И П405А П405Б П405В П405Г П406А П416 П416А ·П416Б p-n-p p-n-p p-n-p Uкво проб, Ui(эR проб, uКЭо проб, max, max, Вт ~.008** Вт ~.006** Вт ~.006** Вт Вт [, ~.008** ~О.008** Вт ~О.008** Вт ~О.008** UэБО проб, в - Вт ~1 * (О,2к) Вт ~1 * - Вт ~1 25* 25* 40* 40* 100 (360*) 100 (360*) 100 (360*) ~40 ~60 ~80 IКэR, 1** кэо, мкА (45 В) (45 В) (60 В) (60 В) (60 В) (60 В) (80 В) (80 В) (45 В) s25 (10 В) S25 (10 В) S25 (10 В) s25(10B) $25 (10 В) S25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) (О,2к) (О,2к) (О,2к) Вт мА Iкво, 500 500 500 500 500 500 500 500 (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) Вт max, • Iк, н max, - 2а 25* 25* 40* 40* 25* 25* 40* 40* * ~l * 0,006** lк $50 $50 $50 $50 $50 S50 $50 $50 S50 * * ~1 * ~l * ~1 * ~1 * ~l * ~1 * ~1 Биполярные транзисторы 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 20 20 20 20 30 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 ~l 2. s25 s25 $25 $25 S50 (lO (10 (10 (10 (25 В) В) В) В) 25 20 500 500 - 500 500 1250 12 12 12 3 3 3 25 (120*) 25 (120*) 25 (120*) $3 (10 $3 (10 $3 (10 В) В) 8 8 8 0,7 0,7 0,7 10 10 10 $3 (10 $3 (10 $3 (10 В) В) В) - 20 20 $5 (5 S5 (5 (О,2к) (О,2к) (О,2к) - - В) В) ' П417 П417А П417Б П422 П423 p-n-p p-n-p p-n-p 50 50 50 p-n-p p-n-p 100 100 ~200 ~200 ~200 ~50 ~100 10* 10* (lк) (lк) - В) В) - П605 П605А p-n-p p-n-p 3 3 Вт Вт - - 45 45 1 0,5 1500 1500 s2000 (45 (45 ~2000 В) В)
параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, С12э, rвэ нас, пФ Ом - s1 s1 s1 • h21э. h21э ,!; .... 20 ... 60 (5 В; О, 1 А) 50 ... 150 (5 В; 0,1 А) 20".60 (5 В; О, 1 А) 50 ... 150 (5 В; 0,1 А( 50".150 (5 В; О, 1 А) 30* (0,45 А) 20 ... 60 (5 В; О, 1 А) 30* (О,45 А) 30 ... 60 (5 В; О, 1 А) Ck, Кш, дБ • * rб, Ом , , ** Вт Рвых, - - Sl s1 s1 s1 s1 s1 30 ... 80 ( 1 В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30".80 ( 1 В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30 ... 80 (l В; 3 мА) 60".150 (1 В; 3 мА) 30. "80 (l В; 3 мА) 60 ... 150 ( 1 В; 3 мА) - S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 - 30".80 (l В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30".80 (l В; 3 мА) 60."150 (1 В; 3 мА) 50. .. 150 (5 В; 0,1 А) - - - - - - - -- - 67 't'к, пс * tpac, Корпус ** tвыкл, *** НС tnк, П403 - - " ~ ~ -- tJ10 / ! С)) ~ П404 - rJ 11,7 - к ~ ' ~ - 1 - с-.., - ~ ' 1 J1 1 1 1 1 - 1 П405 - ' " 7,5 ~оо Се J11 1 J 11 ) 1 ' S8 (5 В) S8 (5 В) S8 (5 В) ~о S40 S40 - - П416 S500; SlOOO* S500; SlOOO* S500; SlOOO* 164;2 ~ с:... ~- ~ 24 ... 100 (5 В; 5 мА) 65" .200 (5 В; 5 мА) 75."250 (5 В; 5 мА) S5 (5 В) S5 (5 В) S6 (5 В) - - - S400 S400 S400 -- вJ lВНФ ~ 20 ... 80 (5 В; 5 мА) 60".120 (5 В; 5 мА) 90".250 (5 В; 5 мА) rJ12 -- j ' - \ 1--= ' i~ 6. з 11 ) П417 "' (1}11,5 к ~ ~ i f1 JL f ~j 1 эфб ---- 1 24 .. .100 (5 В; 1 мА) 24".100 (5 В; 1 мА) SlO (5 В) SlO (5 В) - SlO (1,6 МГц) SlO (1,6 МГц) - П422, П423 SIOOO S500 164;2 ~ l с:... ~ ~ 1--= ' .._. J 6ф з 1 1 20".60 (3 В; 0,5 А) 40".120 (3 В; 5 А) Sl 30 (20 В) Sl 30 (20 В) ~о S40 - П605 S3000* S4000* ~15,5 1 ~ ot " - u ,.~~_с 2//.8 l (,;. ~6 /J ~ ~ 'Fo о"\ ~ ~ О..1, ~ ~ ~з
68 Раздел Ркmах, Тип прибора Структура *т Рк, fгр, fh21б, fh21э, UкБо проб, *** fmax, Ui{эR проб, u&проб, мВт МГц в max, ** Рк. н max, мкА 300 (600*) 300 (600*) ~ОО-(30 В) :5300 (30 В) 30 30 1,5 1,5 300 (600*) 300 (600*) ~00 (30 В) :5300 (30 В) 30 30 1,5 1,5 300 (600*) 300 (600*) :5300 (30 В) :5300 (30 В) 2,5 2,5 2,5 700* 700* 700* :540 (30 В) :540 (30 В) :540 (30 В) 120 (200*) :55 (12 В) р-п-р П607А p·n·p 1,5 Вт 1,5 Вт ~60 ~60 1,5 Вт 1,5 Вт ~90 ~90 IКэR, 1** кэо, 1,5 1,5 П607 р·П·р мА IКБО, 30 30 35 35 p·n·p . max, * н max, Iк. :52000 (35 В) :52000 (35 В) ~30 П608А в Iк 1500 1500 1,25 Вт 1,25 Вт П608 UэБО проб, Биполярные транзисторы l 0,5 p-n·p p·n·p ~30 П606А П606 2. ' П609 р·П·р p·n·p 1,5 Вт 1,5 Вт ~120 П609А ПС609А 500 (43°С) 500 (43°С) 500 (43°С) ~60 ПС609В p·n·p p·n·p p·n·p ~о 50 50 50 П612А-4 п-р-п 570 ~1500 12 0,2 П701А р·П·р 50* Вт ~.05* 55* (140 имп.) 15 ПС609Б ~120 ~60 . 12 А :56 мА
nараметрЬ1 биполярнь1х германиевЬ1х транзисторов rкэ нас, Кш, дБ СБЭ нас, rб, Ом Ом Р:=х. Вт • 69 'tк, пс • tpac, Корпус ** tвыкл, ••• tпк, НС 20 ... 60 (3 В; 0,5 А) 40 ... 120 (3 В; 5 А) :5130 (20 В) :5130 (20 В) :540 :540 :53000* :54000* 20 ... 80* (3 В; 0,25 А) 60 ... 200 (3 В; 0,25 А) :550 (10 В) :550 (10 В) :510 :510 :53000* :53000* П607 40".120 (3 В; 0,25 А) · 80."240 (3 В; 0,25 А) :550 (10 В) :580 (10 В) :51 о :510 :53000* :53000* П608 40 ... 120 (3 В; 0,25 А) 80 ... 240 (3 В; 0,25 А) :550 (10 В) :580 (10 В) :510 :510 :53000* :53000* П606 ~15,5 ~15,5 П609 ~15,5 1 _ - ~113.~5 -.. 1 ot~~-~ /J 'Fo о"" ~ ~ ~ ~ jO) ~ "~ u J; с _211,8 - 30".200 (3 В; 0,5 А) 50 ... 160 (3 В; 0,5 А) 80".420 (3 В; 0,5 А) :550 (10 В) :550 (10 В) :550 ( 10 В) :53,5 (5 В) :53,2 :53,2 :53,2 :5700* :57_00* :5700* ~.2** Вт 1 ПС609 1// (2 ГГц) - П612 1,6 10* (2 В; 6 А) Wз 6,J П701
Раздел 70 2. Биполярные транз_исторы Ркmах, Тип Структу- прибора ра * т max, Рк, ** н max, Рк, мВт П703А ГТ703Б П703В П703Г П703Д П705А П705Б П705В П705Г П705Д П804А П804Б П804В П806А П806Б П806В П806Г П806Д p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 15* 15* 15* 15* 15* n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 15* 15* 15* 15* 15* p-n-p . p-n-p p-n-p 15* 15* 15* p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p,n-p ' 30* 30* 30* 30* 30* Вт fгр, fh2\б, fh21э, Uкво проб, *** fmax, ** проб, Uкэо МГц в ~.010** Вт ~.010** Вт ~О.010** Вт ~.010** Вт ~О.010** Вт ~О.010** Вт ~.010** Вт ~О.010** Вт ~.010** Вт ~.010 Вт ~10 Вт ~10 Вт ~10 Вт ~10* Вт ~10* Вт ~10* Вт ~10* Вт ~10* Uкэн проб, 20 20 30 30 40 Uэво проб, в max, * н max, lк, 10 10 10 10 10 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 20* 20* 20* 20* 20* 10 10 30 10 10 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 А - 10 10 10 А 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 15 15 15 15 15 А 75 100 120 50 140 IКэн, IКЭо, мА (О,05к) (О,05к) (О,05к) (О,05к) (О,05к) 100** 140** 190** lкво, Iк мкА А :5500 :5500 :5500 :5500 :5500 А А А А :5500 :53,5 мА :53,5 мА :5500 :5500 А А А А - - А А - А А А А - П810А p-n-p 15* П905А П905Б p-n-p p-n-p 6 6 ГТ906А p-n-p П906АМ p-n-p Вт 200 1,4 Вт ~60 Вт ~60 75 60 0,4 0,4 15* Вт; 300** Вт ~30 75 1,4 бА 15* Вт; 300** Вт ~30 75 1,4 бА 10 3 3 А А :520 мА :520 :520 мА :58 мА (75 В) :58 мА (75 В) А ~15 (7* (7* А) А) мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, Кш, дБ rвэ нас, rб, Ом Ом Рвых, Вт • 30 ... 70* (1 В; 50 мА) 50".100* ( l В; 50 мА) 30". 70* (l В; 50 мА) 50".100* ( l В; 50 мА) 20".45* (1 В; 50 мА) •• 71 'tк, ПС • tpac, Корпус •• ••• tнк, НС tвыкл, П703 .S0,2 .S0,2 ::;0,2 .s0,2 .S0,2 30". 70* (1 В; 50 мА) 50". l 00* (l В; 50 мА) 30... 70* ( l В; 50 мА) 50".100* (1 В; 50 мА) 90" .250* ( l В; 50 мА) П705 .S0,6 ::;0,6 .S0,6 .S0,6 .S0,6 27 - 1 1 1 - j\ ~ . 111 ~ 1 ~~ 20" .150* (1 О В; 5 А) 20".150* (10 В; 5 А) 20 ... 150* (10 В; 5 А) .SlOOO .SlOOO .slOOO ~~ 1---" fllfЗ 6" ~ \\\\.@ ~ ~ "":»~~к П804 , _21/,G 1гn ~~ ~~_ i~7 10... 100* 10 ... 100* 10... 100* 10".100* 10".100* (10 А) (10 А) (10 А) (10 А) (10 А) П806 .s0,04 .S0,04 .S0,04 .S0,04 .S0,04 1623,5 ~t~· '-tJ~ ~~ :( ~@~ ~- 15*; (10 В; 5 А) .s0,07 5*мкс П810, П905 6 10 35 ... 100* (70 В; 3 А) 35 ... 100* (70 В; 3 А) 30... 150* (lO В; 5 А) 30... 150* (10 В; 5 А) .S200 (30 .S200 (30 В) В) .S0, 17 .S300; .S300; 4*мкс 4*мкс .s5000* П906 .S5000* П906АМ 6 10_ 0 Е_ -- • 1 .о._ {·О~ ~Vп"~К •1i..n 1~../ , ~ w З ~Эj ~ "
Раздел 72 2.3. Параметры Струк- прибора тура fгр, fh2lб, fh21э, UкБо max, ••• fmax, • max, UкэR • • max, Uкэо МГц в (60°С) (60°С) ~5* (60°С) ~5* (60°С) ~5* 30** 15** 15** 30** 10 10 10 10 300 300 300 300 0,2*** 0,2*** 0,2*** 0,2*** 30 30 30 30 30 30 30 30 100 (l00°C) 100 (l00°C) 100 (l00°C) - 15 15 15 31 31 31 50 50 50 ::;O,l (15 В) ::;O,l (15 В) ::;й,l (15 В) 25 25 0,2*** 0,2*** 20 20 20 20 10 (50*) 10 (50*) - 10 10 10 ~l ~l ~l 60 30 60 10 10 10 10 (20*) 10 (20*) 10 (20*) ::;О,5 ::;О,5 ::;О,5 10 10 - 60 60 10 10 10 10 ::;О,5 10 20 - 60 60 10 10 10 10 • Рк. т max, •• Рк. и max, мВт , КТ104А р-п-р КТ104Б р-п-р КТ104В р-п-р КТ104Г р-п-р КТ117А п-база КТ117Б п-база КТ117В п-база КТ117Г п-база КТ118А р-п-р КТ118Б р-п-р КТ118В р-п-р КТ119А п-база КТ119Б п-база КТ120А р-п-р КТ120Б р-п-р КТ120В р-п-р КТ120А-1 р-п-р КТ120В-1 р-п-р КТ120А-5 р-п-р КТ120В-5 р-п-р Биполярные транзi.Jсторы биполярных кремниевых транзисторов Рк max, Тип 2. 150 150 150 150 ~5* Uэво max, в lкБо, Iк max, IкэR, IКЭо, • Iк. и max, мА мкА ::;1 ::;1 ::;l ::;1 50 50 50 50 50 50 50 50 (l * (l * (l * (1 * А) А) А) А) (30 В) (15 В) (15 В) (30 В) ::;l (30 В) ::;1 (30 В) ~l (30 В) ::;1 (30 В) (60 В) (30 В) (60 В) (60 В) - -
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, сi2э, пФ 9."36 (5 В; l мА) 20 ... 80 (5 В; l мА) 40 .. .160 (5 В; l мА) 15 ... 60 (5 В; l мА) ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) rкэ нас, Ом Кш.дБ Ом rб, Ом .. • нас1 ГБэ . Ку,р, дБ ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 •• Рвых, Вт 73 'tк, ПС .. • нс tpac, tвыкл 1 НС Корпус . КТ104 ::;120* ::;120* ::;120* ::;120* 0,5 ... 0;7 (UБ1Б2=lО В) 0,65 ... 0,9 (UБ1Б2=lО В) 0,5 ... 0,7 (UБ1Б2=lО В) 0,65 ... 0,9 (UБ1Б2=10 В) КТ117 f/J5,81/ 51 3$2 - 100 100 120 1 ::;500** ::;500** ::;500** КТ118 145,Blt ~гffi 62~;, ..,t:J 32 0,5 ... 0,65 (UБ2Б1=lО В) 0,6 ... 0,75 (UБ2Б1=l0 В) КТ119 0,75 ~ Гt. ~, ;~~~' -v 1LL.i 5162 з 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;110 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;50 ::;11 о 1 1\ ::;50 ::;110 \\ КТ120-1 5 ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) L\1 КТ120 ::;50 ~ 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) 0,6 к э КП20-5 J ~ ,, ('~ 1-
Раздел 74 Рк max 1 Тип прибора • т max, Рк, С тру к- •• и max, Рк, тура мВт КТ127А-1 КТ127Б-1 n-p-n n-p-n КТ127В-1 П-р-П- КТ127Г-1 n-p-n КТ132А одноnер. КТ132Б КТ133А однопер. КТ133Б КТ201А КТ201Б КТ201В кт201r КТ201Д КТ201АМ КТ201БМ KT20lBM кт201rм КТ201ДМ n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 0 (6О С) (60°С) 0 (6О С) (60°С) 15 15 15 15 ••• fmax 1 Uкво max, • •• max, Uкэо UкэR max, МГц в ~.1** ~.1** 2::0,1 ** 2::0,1 ** 25 25 45 45 - - 300 300 - - 300 300 - Uэво max, в Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, 1КЭ0, • и max, lк. мА 3 3 3 3 мкА $1 ::s;l $1 $1 50 50 50 50 А (25 (25 (25 (25 В) В) в) В) 35 35 2* 2* - 35 35 1,5* 1,5* 150 150 150 150 2::10 2::10 2::10 2::1 о 2::10 20 20 10 10 10 20 20 10 10 10 20 20 20 20 20 (100*) (100*) (100*) (100*) (100*) $1 $1 $1 $1 ::;1 (20 (20 (20 (20 (20 150 150 t50 150 150 2::1 о 2::10 2::10 2::10 2::10 20 20 10 10 10 20 20 10 10 10 20 20 20 20 20 (100*) (100*) (100*) (IOO*) (100*) ::;1 Sl $1 $1 Sl (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) 15 (55°С) 15 (55°С) 15 (55°С) 15 (55°С) 15 (55°С) 2::5 2::5 2::5 2::5 2::5 15 15 30 30 15 10 10 10 10 10 10 (25*) 10(25*) 10 (25*) 10 (25*) 10 (25*) $1 ::;1 $1 ::;1 $1 (15 (15 (30 (30 (15 150 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n * 1 f гр, fh21б fh'21э, 2. (90°С) ' 12 0,2 А А 1 1 А В) В) В) В). В) КТ202А-1 р-п-р КТ202Б-1 р-п-р КТ202В-1 р-п-р КТ202Г-1 р-п-р КТ202Д-1 р-п-р 1 В) В) В) В) В) ' 1 КТ203А р-п-р КТ203:В р-п-р КТ203В р-п-р 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 2::5* 2::5* 2::5* 60 30 15 30 15 10 10 (50*) 10 (50*) 10 (50*) $1 (60 ::;1 (30 ::;1 (15 В) В) В)
flараметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, Гкэ нас, Ом Кш.дБ Сi2э, * нас, Ом Гвэ rб, Ом к;.~, дБ ** 1 Вт Рвых пФ 75. 'tк, ПС • 1 НС tpac •• 1 tвыКJ1 Корпус НС ' 15 ... 60 (5 В; 1 мА) 40 ... 200 (5 В; 1 мА) 15" .60 (5 В; 1 мА) 40".200· (5 В; 1 мА) .s5 .s5 .s5 ::;5 (5 (5 (5 (5 В) .S170 .S170 $170 $170 В) В) В) - - - ....... - - КТ127-1 - ~~ir 11 1 ЗбК - 0,56".0,75 0,68 ... 0,82 - 3,5 3,5 - , - КТ132 ~5,81/ ;fi Б2"Э •' .. ·~' 0,56".0,75 0,7".0,85 ' - 2,5 2,5 - - - - КТ133 - Ф5,2 ~ . 20".60 ( 1 В; 5 мА} 30".90 (1 В; 5 мА) 30".90 {1 В; 5 мА) 70".210 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) 20".60 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) 70".210 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) . ::;20 .s20 .s20 .S20 .S20 .S20 .s20 .S20 $20 .S20 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) - - - - - - - - ::;15 (1 кГц) - - - .sl5 (1 кГц) 1i ::;25 .s25 ::;25 ::;25 $25 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) $50 .s50 $50 .s50 $50 - - - - КТ201 - ~5,91/ - 3 - WФ ~ $50 .S25 .S300* $300* .S300* - - !.с') ......" КТ202-1 ~:rr 1 1\ 6 .slO (5 В) $10 (5 В) .SlO (5 В)· 5 ~вr{Щ! ' ~9 (5 В; 1 мА) 30".150 (5 В; J мА) 30" .200 (5 В; 1 мА) кфэ КТ201-М ;; .SlOOO* $1000* $1000* $1000* .. $1000* 1 ~ ~·У!~ ~ 15".70 (5 В; 1 мА) 40".160 (5 В; 1 мА) 15".70 (5 В; 1 мА) 40."160 (5 В; 1 мА) 100."300 (5 В; 1 мА) - к э КТ203 ~5,81/ ;IJ кфэ 5
Раздел 76 Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ203АМ р-п-р КТ203БМ р-п-р КТ203ВМ р-п-р • Рк. т max, •• Рк. н max, fгр, fh21б 1 fh21э 1 п-р-п КТ206Б п-р-п КТ207А р-п-р КТ207Б р-п-р КТ207В р-п-р КТ208А р-п-р КТ208Б р-п-р КТ208В р-п-р КТ208Г р-п-р КТ208Д р-п-р КТ208Е р-п-р КТ208Ж p·n-p КТ208И р-п-р КТ208К р-п-р КТ208Л р-п-р КТ208М р-п-р КТ209А р-п-р КТ209Б р-п-р КТ209В р-п-р КТ209В2 р-п-р КТ209Г р-п-р КТ209Д р-п-р КТ209Е р-п-р КТ209Ж р-п-р КТ209И р-п-р КТ209К р-п-р КТ209Л р-п-р КТ209М р-п-р КТ210А р-п-р КТ210Б р-п-р КТ210В р-п-р Uкво max, Биполярные транзисторьt Iкво, Iк max, ••• fmax, • max, UкэR •• max, Uкэо мВт МГц в 150 (75°С) 150 (75"С) 150 (75°С) ;;:::5* 2:5* 2:5* 60 30 15 30 15 10 10 (50*) 10 (50*) 10 (50*) $1 (60 В) :Sl (30 В) ::;1 (15 В) КТ206А 2. Uэво max, в IКэR, IКЭо, • Iк. н max 1 мА мкА . 15 15 2:10 2:10 20* (3к) 12* (3к) 20 12 20 20 :Sl (20 В) ::;l (12 В) 15 15 15 ;;:::5 2:5 2:5 60 30 15 30 15 10 10 (50*) 10 (50*) 10 (50*) ::;О,05 (60 В) 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 ;;:::5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 20* (lОк) 20 20 30 30* (lОк) 30 45 45 45 60 60 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) ::;1 ::;1 $1 ::;1 ::;1 :s;l $1 ::;1 ::;1 ::;1 ::;1 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 ;;:::5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 15 15 1·5 15 30 30 30 45 45 45 60 60 10 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) :Sl * (15 В) ::;l*(l5B) $l*(l5B) ::;J * (15 В) $1 * (30 В) ::;1 * (30 В) $1 * (30 В) $1* (45 В) ::;1 * (45 В) $1 * (45 В) ::;1 * (60 В) ::;1 * (60 В) 2:10 2:10 2:10 15 30 60 10 10 10 0 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (60"С) (60"С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) (60"С) (35"С) (35"С) (35°С) (35"С) (35°С) (35°С) (35°С) 25 25 25 - 20 (40*) 20 (40*) 20 (40*) ::;й,05 (30 В) ::;О,05 (l 5 В) (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) ::;10 (15 В) ::;10 (ЗОВ) ::;10 (60 В)
, Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ Сi2э, rвэ нас, Ом rб, Ом к;.~, дБ Рвых, Вт • пФ ~9 (5 В; l мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30... 200 (5 В; l мА) .:510 (5 .:510 (5 .:510 (5 . В) В) В) - .:550 .:525 •• SЗОО* .:5300* SЗОО* 77 'tк, ПС • tpac, •• Корпус НС tвым, НС - -- КТ203М ~fl:~ ~ ~- ~ 30... 90* ( 1 В; 5 мА) 70 .. .120* (1 В; 5 мА) S20 (5 .:520 (5 В) В) - - . • - '«') ......... КТ206 - flV 5КЭ ~9 (5 В; 1 мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30... 200 (5 В; 1 мА) .:510 (5 .:510 (5 .:510 (5 В) В) В) .:5100 .:5100 .:550 SЗОО* SЗОО* .:5300* - КТ207 ' ~~кt с::rкоо5 ~ 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80... 240* ( 1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80...240* ( 1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80...240* ( 1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .s50 .:550 .:550 (1 О ( 10 (1 О (1 О (10 ( 10 (10 (10 ( 10 (10 (1 О В) В) 20... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (l В; 30 мА) 80... 240* (1 В; 30 мА) ~200* ( l В; 30 мА) 20 ...60* ( l В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В: 30 мА) 80... 240* ( l В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (J В; 30 мА) 80.. .160* (1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В: 30 мА) 40 ... 120* (1 В: 30 мА) .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 ( 10 (10 (1 О ( 10 (10 (10 (10 (10 (IO ( 10 (10 (1 О В) В) В) В) В) В) В) В) 80.:.240 (5 80 ... 240 (5 40 ... 120 (5 0.01/ пюч - В; В; В; 1 мА) 1 мА) l мА) S25 (5 .:525 (5 S25 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .Sl,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51 ,3 .:51,3 .:51,3 .Sl ,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51 ,3 .Sl ,3 .:550 .:550 .:550 - - .:54 ( 1 кГц) .:54 ( 1 кГц) .:54 ( 1 кГц) - - .:55 ( l кГц) .:55 ( 1 кГц) - - .:55 ( 1 кГц) - - - - ~5,81/ - ~~ D~~y ~:-Ч)' - - - - - - - .:55 ( 1 кГц) КТ208 КТ209 ~~~ ~ ~ ~- . • '«') ......... 5 ~ ~ ! ~jf ~t i;;1 КТ210 0.7 0,25 ~~к]: с::) к о о 6 Кпюч 01/ Q,
Раздел Рк max, Тип С тру к- прибора тура КТ211А-1 КТ211Б-1 КТ211В-1 p-n-p p-n-p p-n-p • Рк, т max, •• Рк, и max, fгр, fh2lб, UкБо max, fmax, ••• • max, UкэR •• Uкэо max, мВт МГц в 25 25 25 ;;:.:10 2:10 ;;:.:10 15 15 15 f •• h21э, 2. UэБО max, в 5 5 5 Биполярные транзисторы lкБо, Iк max, 1*К, и max, ' мА 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) IКэR, 1кЭо, мкА ::;10 (15 В) :510 (15 В) :510 (15 В) .. КТ214А-1 (30 В) (30 В) (30 В) (30 В) (30 В) (30 В) 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 80** 80** 60** 40** 30** 20** 30 7 7 7 7 20 50 50 50 50 50 50 (100*) (100*) (100*). (100*) (100*) (100*) :51 :51 :51 ::;1 ::;1 ::;1 50 50 50 50 5Q 50 (100*) (100*) (100*) (100*) (.,100*) (100*) ::;100* :5100* ::;100* ::;100* ::;100* :5100* КТ214Г-1 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ214Д-1 р-п-р КТ214Е-1 p-n-p 50 ·50 50 50 50 50 КТ215А-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 50 50 50 50 50 50 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 ;;:.:5 80*' 80** 60** 40** 30** 20** 5 5 5 5 5 5 p-n-p p-n-p p-n-p 75 75 75 2:5 2:5 2:5 60 30 30 30 15 10 10 1010 ::;О,05 50 50 50 50 50 50 ::;1 ::; 1 :51 ::; 1 ::; 1 ::;1 КТ214Б-1 КТ214В-1 КТ215Б-1 КТ215В-1 КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 КТ216А КТ216Б КТ216В (30 (30 (30 (30 (30 (30 В) В) В) В) В) В) ::;О,05 ::; 1 - КТ218А-9 р-п-р КТ218Б-9 КТ218В-9 p-n-p p-n-p КТ218Г-9 р-п-р КТ218Д-9 p-n-p КТ218Е-9 р-п-р 200 200 200 200 200 200 КТ301 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 (6О С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (6О С) 150 (60°С) 150 (6О 0 С) 150 (60°С) ;;:::20 2:20 2:20 2:20 2:30 2:30 2:30 2:30 20 20 30 30 30 30 30 20 3 3 3 3 3 3 3 3 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) - 15 15 15 15 4 4 4 4 КТ301А КТ301Б КТ301В ктзо1r КТ301Д КТЗО1Е КТ301Ж КТ302А КТ302Б КТ302В ктзо2r 0 0 2:5 2:5 ;;:::5 2:5 2:5 2:5 80 80 60 40 30 20 30 7 7 7 7 20 - 1о 10 10 10 (20*) (20*) (20*) (20*) 10 10 10 10 ::;10 ::;10 ::;10 SlO ::;10 (20 :510 (20 slO (30 ::;10 (20 10 10 10 10 ::;1 :51 ::;l ::;1 (15 (15 (15 (15 В) В) В) В) В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов rкэ нас, Ом Кш, дБ rвэ нас, Ом rб, Ом • к;.~, дБ 40 .. .120 (l В; 40 мА) 80 ... 240 (l В; 40 мА) 160.. .480 (l В; 40 мА) ::;20 (5 В) ::;20 (5 В) ::;20 (5 В) •• Рвых, Вт ::;3 ( l кГц) ::;з (l кГц) ::;3 ( l кГц) 79 'tк, ПС • НС tpac, •• tвыкл, Корпус НС КТ211-1 ~Jit ~tj 1 1\ б к э ~20 (5 В; 10 мА) 30 ... 90 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) ~80 (l В; 40 мкА) ~40 ( l В; 40 мкА) ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 (10 ( 10 ( 10 (10 (lO (10 В) ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 В) В) В) В) В) ~1200* КТ214-1 ~1200* 1 ~1200* ~r;~ 11 \ ~1200* ~1200* ~1200* 1 -. 5 ~20 (5 В; 10 мА) 30."90 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) ~80 (1 В; 40 мА) ~40 (l В; 40 мкА) ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 (10 <10 (10 оо (10 В) (lO В) ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 В) В) в> В) к э КТ215-1 ~1200* ~1200* ~1200* 1 ~ ~1200* ~1200* ~1200* ~ 1 1\ 5 ~9 (5 В; l мА) 30 ... 150 (5 В; l мА) 30 ... 200 (5 В; l мА) к э ::;10 ::;1 о КТ216 ~10 j О,95 ~~х ' ~20 (5 В; 10 мА) ~30 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) ~40 (5 В; 10 мА) ~80 ( l В; 40 мкА) ~40 (l В; 40 мкА) 20 ... 60 (lO В; 3 мА) 40 ... 120 (10 В; 3 мА) 10... 32 (10 В; 3 мА) 20 ... 60 ( 10 В; 3 мА) 10... 32 (10 В; 3 мА) 20 ... 60 (10 В; 3 мА) 40 ... 120 (10 В; 3 мА) 80".300 (lO В; 3 мА) 110... 250 (l В; O, l l мА) 90 ... 150 (3 В; 2 мА) 110.,.250 (l,5 В; 0,5 мА) 200 ... 800 (3,5 В; 5 мА) КТ218-9 ::;15 ::;15 ::;15 ::;15 ::;15 ::;15 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 (lO (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) В) В) В) - КТ301 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;2000 ::;2000 ::;2000 ::;;2000 ::;7 ( 1 кГц) ::;7 ( l ::;7 ( l ::;7 ( 1 1- 1 КТ302 кГц) кГц) кГц} ~7,4 : l/ернон /vточко · 9 ~!-~m::~ кф
Раздел 80 Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max1 Рк, •• fгр1 fh21б 1 fh21э, 2. UкБо max, • max, UкэR UэБо max, в Iк max 1 • н max, Iк, Iкоо, IКэR, Рк, н max, ••• 1 fmax Uкэо max, мВт МГц в n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 (90"С) 150 (go·c> 150 (go·c> 150 (go·c> 150 (go·c> ~300 15 15 15 15 15 4 4 4 4 4 30 30 30 30 30 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) $0,5 (15 ::;О,5 ( 15 ::;D,5 ( 15 $0,5 (15 ::;О,5 (15 КТ306БМ n-p-n n-p-n КТ306ВМ п-р-п КТ306ГМ n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 15 15 15 15 15 4 4 4 4 4 30 30 30 30 30 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) ::;D,5 (15 В) ::;D,5 (15 В) ::;D,5 (15 В) ::;О,5 ( 15 В) ::;D,5 (15 В) 80* 80* 80* 60* 80* 3 3 3 3 3 30 30 15 30 15 (120*) ( 120*) (120*) (120*) (120*) :;;20 $20 $20 $20 $20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) $0,5 (l о ::;О,5 (10 ::;О,5 (10 $0,5 (10 КТ306А КТ306Б КТ306В КТ306Г КТ306Д КТ306АМ КТ306ДМ П307 (go·c> (go·c> (go·c> (go·c> (go·c> ~500 ~300 ~500 ~200 ~300 ~500 ~300 ~500 ~200 n-p-n n·p-n n-p-n n-p-n n-p-n 250 250 250 250 250 ~20 n-p-n n-p-n n·p·n n-p-n 15 15 15 15 ~250 250 250 ~20 П309 n-p-n n-p-n КТ3101А-2 n-p-n КТ3101АМ n-p-n П307А П307Б П307В П307Г КТ307А-1 КТ307Б-1 КТ307В-1 КТ307Г-1 П308 ./ ~20 ~20 ~20 ~20 ~250 ~250 ~250 •• Биполярные транзисторы 10* l О* 10* 10* (3к) (3к) (3к) (3к) 4 4 4 4 мА ' 1·· кэо, мкА (80 (80 (80 (60 (80 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) в) В) В) В) ~20 120* 120* 3 3 -30 (120*) 30 (120*) $20 (120 В) $20 (120 В) 100 (45°С) ~4000 15 2,5 20 (40*) ::;D,5 (15 В) 100 ~4000 15 2,5 20 ::;D,5 (15 В)
Параметрь1 6иполярн1:»1х кремниевь1х транзисторов· Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ ·сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом пФ 20 ... 6а* (1 В; 4а".12а• (1 В; 2а.~.1аа* (1 В; 4а".2аа• ( 1 В; за".15а* (1 В; lамА) lамА) lамА) 1амА) lамА) =:;5 S5 S5 S5 S5 (5 (5 (5 (5 (5 В) =:;за В) В) sза •• Рвых, Вт 'tк, ПС • НС tpac, •• tвыкл, Корпус нс sЗа* :SЗа* =:;за• В) В) 81 sЗа* s5aa s5aa sЗа* sзоо · КТ306 3~ 5 2а".6а* ( 1 4а".12а• (1 2а".1аа* (1 4а."2аа• (1 за."15а* (1 В; 1амА) В; lамА) В; lамА) В; lамА) В; lамА) S5 S5 S5 =:;5 S5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) 16" .50* (20 В; 1а мА) За".9а* (2а В; 1а мА) 5а."15а* (2а В; 1а мА) 5а. "15а* (2а В; 1а мА) 15" .5а* (2а В; 1а мА) sза. sЗа* =:;за sЗа* =:;за• =:;За* s5ao S500 =:;За* sзоо КТ306М =:;150 s2aa П307 ~11,7 sзза s25a S25a ~' •'' ~2а ~4а ~4а ~8а (1 (1 (1 (1 В; В; В; В; la la l.a la мА) мА) мА) мА) S6 S6 S6 S6 (1 (1 (1 (1 В) В) В) В) 1 sЗа* s2a s2a s2a s2a 1 1 КТ307-1 =:;За* sЗа* =:;За* t;lt 5КЗ за."9а* (2а В; la мА) 16".5а* (2а В; 1а мА) sзза П308 S200 -. ~, f ~ 11,7_ ' 1 - ~ б~З ~.~~~ ~ к З5".заа ( 1 В; 5 мА) Sl ,5 (5 В) З5".заа ( 1 В; 5 мА) s;l ,5 (5 В) ~8** (1 ГГц) S4,5 (2,25 ГГц) sla КТ3101-2 S4,5 (1 ГГц) sla КТ3101М
Раздел 82 fгр1 fh2Jб, fh2Iэ, Рк max, Тип прибора Структура КТ3102А п-р-п КТ3102Б п-р-п КТ3102В п-р-п КТ3102Г п-р-п КТ3102Д п-р-п КТ3102Е п-р-п КТ3102Ж п-р-п КТ3102И п-р-п КТ3102К п-р-п КТ3102АМ п-р-п КТ3102БМ п-р-п КТ3102ВМ п-р-п КТ3102ГМ п-р-п КТ3102ДМ п-р-п КТ3102ЕМ п-р-п КТ3102ЖМ п-р-п КТ3102ИМ п-р-п КТ3102КМ п-р-п * т max, Рк, ** и Рк, 2. Uкво max, * max, UкэR Uэво maX, Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, * и max, Iк, *** fmax, ** max, Uкэо мВт МГц в 250 250 250 250 250 250 250 250 250 ~150 50 50 50 20 30 20 50 50 30 5 5 5 5 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 100 100 100 100 (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) 250 250 250 250 250 250 250 250 250 ~150 50 50 30 20 50 20 50 50 30 5 ~ 5 5 100 100 100 100 100 100 100 100 100 (200*) (200*)' (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) ~200 30 30 30 15 15 15 3,-5 3,5 ·3,5 3,5 3,5 3,5 10 10 10 10 10 10 ~1000 15* (lОк) 2,5 20 (40*) =:;О,5 (15 В) 20 (40*) =:;О,5 (15 В) max, (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) КТ3104А р-п-р КТ3104Б р-п-р· КТ3104В р-п-р КТ3104Г р-п-р КТ3104Д р-п-р КТ3104Е р-п-р 15 15 15 15 15 15 КТ3106А-2 п-р-п 30 (S0°C) ~150 ~150 ~300 ~150 ~300 ~200 ~200 ~00 ~150 ~150 ' ~300 ~150 ~300 ~200 ~200 ~200 - ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 (35°С) - в s·· 5 5 5 5 1** кэо, мА мкА =:;О,05 (50 В) =:;О,05 (50 В) S0,015 (30 В) S0,015 (20 В) S0,015 (30 В) =:;О,015 (20 В) S0,05 (50 В) S0,05 (50 В) S0,015 (30 В) =:;О,05 (50 В) =:;О,05 (50 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,05 (50 В) ~О.05 (50 В) =:;О,015 (30 В) =:;1 =:;1 =:;1 =:;1 =:;1 В) В) В) В) (30 (30 (30 (15 (15 ~1 (15 В) В) ' КТ3106А-9 п-р-п 100 ~1000 15* (lОк) 3 КТ3107А р-п-р р-п-р КТ3107В р-п-р КТ3107Г р-п-р 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 ~200 КТ3107Б 50 50 30 30 30 25 25 50 30 25 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 300 (360*) 300 (360*) 300 (360*) ~250 60* (lОк) 45* (lОк) 45* (lОк) 5 5 5 КТ3107Д р-п-р КТ3107Е р-п-р КТ3107Ж р-п-р КТ3107И р-п-р КТ3107К р-п-р КТ3107Л р-п-р КТ3108А р-п-р КТ3108Б р-п-р КТ3108В р-п-р ~00 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~00 ~00 ~200 ~250 ~300 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) 200 200 200 =:;О,1 (20 В) =:;О,1 (20 В) ~О.1 (20 В) =:;О,1 (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) =:;О,1 (20 В) SO,l SO,l SO,l SO,l SO,l (20 В) . =:;О,2 (60 В) =:;О,2 (45 В) S0,2 (45 В) v
83 Пара·метры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, пФ ** Рвых, 100... 200 (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 1 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 400".1 ООО (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 400".1 ООО (5 8; 2 мА) 100".250 (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 200".500 (58; 2мА) =:;6 (5 8) S6 (5 8) =:;6 (5 8) =:;6 (5 8) =:;6 (5 8) =:;6 (5 8) $6 (5 8) =:;6 (5 8) $6 (58) - $10 (1 SlO (1 =:;10 .(1 $10 (1 =:;4 (1 =:;4 (1 - - 100".200 (5 8; 2 мА) 200".500 (58; 2мА) 200".500 (58; 2мА) 400".1 ООО (5 8; 2 мА) 200... 500 (58; 2мА) 400."1 ООО (5 .8; 2 мА) 100."250 (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 200... 500 (58; 2мА) =:;6 $6 =:;6 =:;6 $6 =:;6 S6 $6 $6 - 15".90 (1 8; 2 мА) 50".150 (1 8; 2 мА) 70" .280 ( 1 8; 2 мА) 15".90 (1 8; 2 мА) 50".150 (1 8; 2 мА) 70".280 ( 1 8; 2 мА) =:;25 =:;25 =:;25 =:;25 =:;25 =:;25 (58) (58) (58) (58) (58) (58) (58) (58) (58) (5 (5 (5 (5 (5 (5 8) 8) 8) 8) 8) В) Вт кГц) кГц) кГц) $10 (l кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) $4 (1 кГц) - - ' $8 $8 $8 $8 $8 =:;8 (6 (6 (6 (6 (6 (6 МГц) МГц) МГц) МГц) МГц) МГц) . Корпус НС $100 $100 $100 $100 =:;1·00 $100 $100 $100 $100 кГц) кГц) кГц) - - $100 $100 $100 $100 $100 $100 ** tвыкл, $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 КТ3102 ~rj кфз 'с')"' ~ ~m 5 КТ3102М ~f-µщ_ ~ m~ ~ КТ3104 $800 $800 $800 $800 $800 $800 - 0,7 0,8 ,..... ·ir ,., /l\ct)1 . ~ ' 5КЭ ~40 (5 В; 5 мА) =:;2 (5 8) - =:;2 (120 МГц) ~... - КТ3106-2 1,[5 0,95 ~х 11\ 5КЗ ~40 (5 8; 5 мА) $2 (5 8) - $2 (120 МГц) КТ3106-9 $10 3 0,95 ~~х 1 . 8) 8) $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $10 (1 кГц) $10 (l кГц) $10 (1 кГц) $10 ( 1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) S5 (10 8) =:;5 (10 8) =:;5 (10 8) =:;25 $25 $25 =:;6 (100 МГц) $6 (100 МГц) =:;6 (100 МГц) 70".140 (5 8; 2 мА) 120".220 (5 8; 2 мА) 70... 140 (5 8; 2 мА) 120".220 (5 8; 2 мА) 180."460 (5 8; 2 мА) 120".220 (5 8; 2 мА) 180."460 (5 8; 2 мА) 180".460 (5 В; 2 мА) 380".800 (5 В; 2 мА) 380".800 (5 В; 2 мА) S7 =:;7 S7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 50... 150 (1 В; 10 мА) 50".150 (l 8; 1О мА) 100."300 (1 8; 10 мА) (10 (10 (10 (IO (10 (10 (10 (10 (10 (10 8) 8) 8)· 8) 8) В) 8) В) - КТ3107 - =:;250 =:;250 $250 ~t]i:µщ l.t-) ~ ~ ~· ' ~ КТ3108 ~5,81/ 5 ~tj зфк "j ~ ~-
Раздел 84 Рк max, Тип Струк- прибора тура * ** Рк, и max, Рк, т max, р-п-р КТ3109Б р-п-р КТ3109В р-п-р КТ3114Б-6 п-р-п КТ3114В-6 п-р-п 170 170 170 25 25 fh21э, ** *** fmax, Uкво max, * UкэR max, ** Uкэо max, Uэво max, в Биполярнь1е транзисторы ~800 (40°С) (40°С) ~800 30 25 25 3 3 3 50 50 50 5 5 1 1 15 15 1 1 1 1 8,5 8,5 8,5 8,5 0 (100°С) ~4300 ~4300 1** кэо, мА (40°С) (1ОО С) IКэR, * и max, lк, в ~800 Iкво, lк max, МГц мВт КТ3109А fгр, fh2Jб, 2. мкА ::;;О,1 ::;;О,1 ::;;О,1 ::;;О,5 ::;;О,5 (20 (20 (20 (5 (5 В) В) В) В) В) КТ3115А-2 п-р-п КТ3115Д-2 n-p-n n-p-n n-p-n 70 (70°С) 70 (70°С) 50 (85°С) 50 (85°С) ~5800 КТ3115В-2 ~5800 10* (1 к) 10* (1 к) 7* (1 к) 7* ( 1к) КТ3117А-1 n-p-n 500 ~200 60 4 400 (0,8* А) ::;;10 (60 В) КТ3117А n-p-n n-p-n 300 (800**) 300 ~200 60 75 4 4 400 (800*) 400 (0,8* А) ::;;10 (60 ::;;10 (75 В) 225 225 225 ~120 ~120 20 35 20 4 4 4 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) ::;;10 (20 ::;;10 (35 ::;;10 (25 В) КТ312В n-p-n n-p-n n-p-n КТ3120АМ n-p-n 100 ~1800 15 3 20 (40*) ::;;О,5 В) КТ3115Г-2 КТ3117Б КТ312А КТ312Б ~5800 ~5800 ~200 ~80 ::;;О,5 (10 В) (10 В) ::;;О,5 (7 В) ::;;О,5 (5 В) ::;;О,5 1 (15 В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, пФ ~15 ~15 ~15 (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) =:;1 (10 В). =:;1 (10 В) =:;1 (10 В) 15 ... ВО (3 В; 1 мА) 15 ... ВО (3 В; 1 мА) =:;О,44 =:;О,44 =:;15 (5 В; 5 мА) =:;15 (5 В; 5 мА) =:;15 (5 В; 5 мА) 70".150 (5 В; 5 мА) =:;О,6 40".200 (5 В; 0,2 А) 85 ~15** (О,В ГГц) ~13** (О,В ГГц) ~13** (О,В ГГц) (3 В) (3 В) (5 В) (5 В) (5 В) =:;О,6 (5 В) =:;О,6 =:;О,6 =:;10 (10 ** Р-еых, =:;6 (ВОО МГц) =:;7 (ВОО МГц) ~В** В) (2,25 ГГц) Корпус НС =:;6 =:;10 =:;10 КТ3109 МГц) =:;в КТ3114-6 МГц) =:;в =:;В (ВОО МГц) =:;2 (400 =:;3 (400 ~5** (5 ГГц) ~5** (5 ГГц) ~4.4** (5 ГГц) Вт ** tвыкл, =:;4,6 (5 ГГц) =:;4,4 (5 ГГц) =:;5,7 (5 ГГц) =:;2,5 (2,25 ГГц) =:;1,2 =:;3,В КТ3115-2 =:;3,В =:;3,В =:;3,В ~@, (") ll') '& <:)} =:;ВО* - з 53 КТ3117-1 ~fi:~_ l.t-) ~~ 40 ... 200* (5 В; 0,2 А) 100... 300* (5 В; 0,2 А) =:;10 (10 В) =:;10 (10 В) =:;1,2 =:;1,2 Wlll =:;ВО* ~- • ~... КТ3117 =:;ВО* '15,81/ 6 ~ зфк &q' "..... !"'".)' 10... 100* (2 В; 20 мА) 25".100* (2 В; 20 мА) 50 ... 2ВО* (2 В; 20 мА) ~40 (1 В; 5 мА) ~5 ~5 ~5 (10 В) (10 В) (10 В) =:;2 (5 В) ~10** ~40 ~500; ~100* ~40 ~500;~130* ~40 =:;500; =:;130* (400 МГц) ~2 (400 МГц) ~в КТ312 ~7,1/ КТ3120 о 2,7
86 Раздел Рк max, Тип Струк- прибора ·тура fгр, fh2lб, fh21э, Uэво max, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в 12 ** и Рк, max, n-p-n 25 2:100 КТ3122А n-p-n n-p-n 150 (750**) 150 (750**) - Биполярные транзисторы Uкво max, * max1 UкэR * т max, Рк, КТ3121А-6 КТ3122Б 2. 35* 35* • lк, и max, мА 2 (2к) 100 (l * 100 (l* IКэе, IКЭо, мкА 10 - (2к) Iкво, lк max, А) А) Sl (IO В) Sl (12 Sl (12 В) В) - КТ3123А-2 КТ3123Б-2 КТ3123В-2 КТ3123АМ КТ3123БМ КТ3123ВМ КТ3126А p-n-p p-n-p p-n-p 150 150 150 5000 5000 3500 15 15 10 3 3 3 30 (50*) 30 (50*) 30 (50*) S25 (15 В) =:;25 (15 В) S25 (10 В) p-n-p p-n-p p-n-p 150 150 150 5000 5000 3500 15 15 10 3 3 3 30 (50*) 30 (50*) 30 (50*) S25 (15 ·s25 (15 =:;25 (10 2:500 2:500 20 20 3 3 20 20 Sl (15 =:;1 (15 В) В) 2:450 35 3 30 =:;1 (15 В) 2:600 20 3 25 =:;1 (15 В) КТ3126Б p-n-p p-n-p КТ3126А-9 p-n-p КТ3127А p-n-p 150 150 (30°С) (3о·с) 11 о 1оо (З5°С) - 1 В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов ~30 (5 8; 2 мА) 87 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом rвэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ ~1 (5 8) ~8** (1 ГГц) ** Рвых, ~2 Вт Корпус ** tвыкл, НС (1 ГГц) КТ3121-6 ~~"'; ы 40 (10 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) 40 <io 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) ~7 ~7 (10 8) (10 8) ~1 ~1 ~1 (10 8) (10 8) (10 В) ~1.2(108) ~1.2 (10 8) ~1.2(108) - ~ ::'\з ..d ~- - 1,Ч - КТ3122 tн< 1 tн< 1,5 ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 3 (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 3 (1 ГГц) 2,4 (l ГГц) 25 ... 100 (5 8; 3 мА) 60 ... 180 (5 В; 3 мА) ~2.5 ~2.5 (10 8) (10 8) ~120 25 ... 100 (5 8; 3 мА) ~2.5 (10 8) ~120 25 ... 150 (5 8; 3 мА) ~1 (10 8) КТ3123-2 ~10 ~10 ~10 КТ3123М ~10 ~10 ~10 КТ3126 ~120 КТ3126-9 ~5 (l ГГц) КТ3127 ~ з ~· ф6 ~.J-....J~l:;t;:;SKopn. L-. 1 1 К
Раздел 88 Тип Струк- прибора тура КТ3128А p-n-p 2. Рк max, * fгр, fh2lб, Uкво max, * т max, Рк, ** и max, Рк, th'21э, * max, UкэR Uэво max, *** fmax, *"' max, Uкэо в мВт МГц в 100 (35°С) ~800 40 Биполярные транзисторы Iкво, lк max, IКэR, IКЭо, * и max, lк. мА 3 мкА 20 :Sl (15 В) : p-n-p p-n-p 300 300 ~800 КТ3128Б-1 ~800 40 40 4 4 30 (0,8* А) 30 (0,8* А) :SO, l (20 В) :SO, l (20 В) КТ3128А-9 p-n-p 100 ~650 35 3 20 :Sl (15 В) КТ3128А-1 . КТ3129А-9 КТ3129Б-9 КТ3129В-9 КТ3129Г-9 КТ3129Д-9 КТ313А КТ313Б КТ313А-1 · КТ313Б-1 КТ313В-1 ктЗ1зr-1 КТ3130А-9 КТ3130Б-9 КТ3130В-9 КТ3130Г-9 КТ3130Д-9 КТ3130Е-9 КТ3130Ж-9 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 75 75 75 75 75 (100**) (100**) (100**) (100**) (100**) ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 p-n-p p-n-p 300 ( 1000*) 300 (1000*) ~200 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 300 300 300 300 (1000*) (1000*) (1000*) (1000*) ~200 100 100 100 100 100 100 100 ~150 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~200 ~200 ~200 ~200 ~150 ~150 ~300 ~150 ~300 ~150 (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) :Sl :Sl Sl :Sl :Sl (50 (50 (30 (30 (20 В) 50 50 30 30 20 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 60 60 5 5 350 (700*) 350 (700*) 60 60 50 30 5 5 5 5 350 350 350 700* :S0,5 :S0,5 :S0,5 S0,5 (50 (50 (50 (50 В) В) 50 50 30 20 30 20 30 5 5 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 100 100 :SO, l :SO,l sO,l :SO, l SO,l :SO, l SO,l (50 (50 (30 (20 (30 (20 (30 В) В) В) В) В) В) :S0,5 (50 В) :S0,5 (50 В) В) В) В) В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э 15".150 (5 В; 3 мА) 89 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, "' нас, Ом rвэ rб, Ом "' НС tpac, пФ к;~Р• дБ =:;1 (IO В) ~14** (0,2 ГГц) ** Рвых, Вт $34* ..... tвыкл, · Корпус НС КТ3128 $5 ~5,8 ~ ! ~ ~· "' ~·~t_J 35."150 (10 В; 3 мА) 25".200 (l О В; 3 мА) Sl (10 В) $1 (10 В) ~15** (0,2 ГГц) ~15** (0,2 ГГц) =:;5 (0,2 ГГц) =:;5 (0,2 ГГц) з 'Корл.ф6 к КТ3128-1 $5 $5 ~5,2 ' ~f kt~t С"-1 ~ 11 ~·~ш ~· 15".150 (IO В; 3 мА) $1 (10 В) - =:;5 (200 МГц) - КТ3128-9 0,95 J ~*Х 30."120 (5 В; 2 мА) 80".250 (5 В; 3 мА) 80".250 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) =:;10 $10 $10 $10 $10 30. "120 ( 1О В; 1 мА) 80".300 (l О В; 1 мА) В) В) В) $20 $20 $20 $20 $20 - - $12(108) $12 (10 В) $3,3 $3,3 - $120* $120* (10 (IO (IO (10 (IO В) В) - КТ3129-9 -- 0,95 J ~*Х КТ313 rJ5,81/ ;fi КФ,З 30".120 (10 В; 1 мА) 80".300 (10 В; 1 мА) 200" .520 ( 1О В; 1 мА) 400" .800 ( 1О В; 1 мА) $12 =:;12 $12 =:;12 (10 (10 (10 (IO В) В) В) В) $3,3 $3,3 $3,3 $3,3 - КТ313-1 $120* $120* $120* $120* ~EJ:~_" l.t-) ~ Wlll ~· ' ~ / 100".250 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 400".1000 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 400".1 ООО (5 В; 2 мА) 100".500 (5 В; 2 мА) $12 $12 $12 =:;12 =:;12 $12 =:;12 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) - - - - =:;10 (1 кГц) =:;10 (1 кГц) =:;10 (l кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) - - - \ КТ3130-9 J 0,95 ~*Х
Раздел 90 max, * т max, Рк. ** и max, Рк. fгр, fh2Jб, fh2'1э, *** fmax, max, * max, UкэR ** Uкэоmах, мВт МГц в 70 70 70 70 ~5.5 ГГц Рк Тип Струк- прибора тура КТ3132А-2 n-p-n n-p-n n-p-n n-p·n n-p·n n-p-n КТ3132Б-2 КТ3132В-2 КТ3132Г-2 КТ3132Д-2 КТ3132Е-2 70 70 2. Uкво (lк) (lк) (lк) (lк) (lк) Uэво max, в Биполярные транзисiпоры lк max, * и max, lк, мА S0,5 (10 S0,5 (10 S0,5 (10 =:;О,5 (10 S0,5 (10 =:;О,5 (10 8,5 8,5 8,5 8,5 8,5 8,5 ~150 20 32 32 32 5 5 5 5 200 200 200 200 ~300 55 4 60 (70*) . ~5.5 ГГц ~5.5 ГГц ~5.5 ГГц (85°С) ~5.5 ГГц (85°С) ~5.5 ГГц (lк) IКэR, 1** кэо, мкА 1 1 1 1 1 1 10* 10* 10* 10* 10* 10* Iкво, В) В) В) В) В) В) ,_ КТ3139А n-p-n n-p-n n·p·n n-p-n КТ3139Б КТ3139В КТ3139Г ~150 200 200 200 200 ~150 ~150 =:;О,02 (20 В) S0,001 (32 В) S0,001 (32 В) =:;О,05 (32 В) - КТ314А-2 n-p-n 500 =:;О,075 (55 В) - КТ3140А 200 200 200 200 200 ~150 КТ3140Д p·n·p p-n-p p·n-p p-n-p p-n·p КТ3142А n-p-n ~150 20 32 32 32 20 5 5 5 5 5 200 200 200 200 200 360 ~500 40 4,5 200· 500* n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 200 200 200 200 200 ~125 КТ3146Д-9 р·П·р 200 200 200 200 200 ~125 КТ3146Г-9 p·n·p p·n·p p·n·p p·n·p КТ3140Б КТ3140В КТ3140Г КТ3145А-9 КТ3145Б-9 КТ3145В-9 КТ3145Г-9 КТ3145Д-9 КТ3146А-9 КТ3146Б-9 КТ3146В-9 , ~150 ~150 ~150 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ;::::125 ;::::125 32* 45* 45* 45* 45* (О,_1 к) (О, 1к) (О,lк) 32* 45* 45* 45* 45* (О, 1к) (0,lк) (О,lк) (О,lк) (0,lк) (О,lк) (О,lк) 1 =:;О,02 (20 В) (32 В) S0,001 (32 В) S0,05 (32 В) =:;О,02 (20 В) =:;О,001 S0,4 (20 В) ' 5 5 5 5 5 200 200 200 200 200 =:;О,02 (32 В) Sl (45 В) =:;1 (45 В) =:;О,05 (45 В) S0,05 (45 В) 5 5 5 5 5 200 200 200 200 200 S0,02 (32 В) =:;1 (45 В) =:;1 (45 В) S0,05 (45 В) S0,05 (45 В) --
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 15 ... 150 15 ... 150 15 ... 150 15 ... 150 20 ... 150 70 ... 150 (7 (7 (7 (7 (7 (7 В; В; В; В; В; В; 3 3 3 3 3 3 мА) мА) мА) мА) мА) мА) s5,5 s5,5 s5,5 s5,5 s5,5 s5,5 (7 (7 (7 (7 (7 (7 В) В) В) В) В) В) ~6** (3,6 ГГц) ~4** (3,6 ГГц) ~5** (5 ГГц) ~7** (4 ГГц) ~8, 1** (2,25 ГГц) ~8,1** (2,25 ГГц) 91 s2,5 (3,6 ГГц) s4,8 (3,6 ГГц) s4,8 (3,5 ГГц) s3,6 (3,4 ГГц) s2 (2,25 ГГц) s2,5 (2,25 ГГц) КТ3132-2 ~@, C\i" l.t) 30 ... 120 (5 В; 0,25 мА) ::;4,5 s4,5 s4,5 s4,5 (IO (10 (10 (10 В) s5o s85** $270*;Sl30*** В) В) В) s5o s5o s5o s85** s85** s85** s270* s270* s270* slO (5 В) slO • О)' з '& ~200 (5 В; 0,2 мА) ~60 (5 В; 2 мА) ~120 (5 В; 2 мА) 100... 310 (5 В; 2 мА) · 53 КТЗ139 0,95 j ~*Х КТ314-2 s80;s300* ~~~ 11 \ 5 ~200 (5 В; 2 мА) ~60 (5 В: 2 мА) 120.. .460 (5 В; 2 мА) 100... 310 (5 В; 2 мА) ~200 (5 В; 2 мА) 40 ... 120 ( l В; 10 мА) s6,5 s6,5 s6,5 s6,5 s6,5 (10 (lO (10 (10 (lO В) В) В) В) В) s4(10B) s50 s5o s5o s5o s5o s25 s85** s85** s85** s85** s85** s270*; s400** s270* s270* s270* s270* sl3*; sl8** ~ к э КТ3140 0,95 j ~*Х КТ3142А 115,81/ ;fi ~200 (5 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) 120... 460 (5 В; 2 мА) 100... 310 (5 В; 2 мА) 120.. .460 (5 В; 2 мА) ~60 sl 1 Sl 1 sl 1 sl 1 sl 1 s5o s5o s50 s5o s50 Sl 100* sl 100* sl 100* sl 100* sl ГОО* ~60 (5 120.. .460 100... 310 120 .. .460 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) s12 Sl2 Sl2 s12 Sl2 s5o so s5o s5o s5o sl 100* sllOO* sllOO* Sl 100* sl 100* 5 КТ3145-9 ~~ :~ к ~200 (5 В; 2 мА) кфз 6 КТ3146-9 j 0,95 ~*Х
Раздел 92 Рк max, * т max, Рк, f гр, fh2lб, 2. Uкво max, fh2Iэ, * max, UкэR Uэво max, *** fmax, ** max, Uкэо в МГц в (250*) (250*) (250*) (250*) (250*) (250*) 100 100 150 150 ~250 25 20 40 35 150 150 150 150 150 150 100 100 150 150 ~250 КТ315Р1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n КТ3150Б-2 p-n-p КТ3151А-9 Тип Струк- прибора тура ** н max, Рк, мВт КТ315А КТ315Б КТ315В KT315f КТ315Д КТ315Е КТ315Ж КТ315И КТ315Н КТ315Р КТ315А-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 150 ~250 ~250 - ~250 ~250 40* 35* 20* 60* 35* 35* ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 - (lОк) (lОк) (IОк) (lОк) (lОк) (lОк) Бип_олярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, * и max, Iк, 1*" кэо, мА мкА 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 100 100 100 100 100 100 50 50 100 100 s0,5 (10 В) s0,5 (10 В) ~.5 (10 В) s0,5 (10 В) $0,6 (10 В) ~.6 (10 В) S0,6 (10 В) s0,6 (10 В) s0,6 (10 В) s0,5 (10 В) 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 s0,5 s0,5 s0,5 S0,5 s0,5 s0,5 s0,5 s0,5 s0,5 s0,5 ~250 120 (65°С) ~1200 35* (lОк) 4 30 (50*) s0,5 (40 В) 200 200 200 200 200 200 ~100 КТ3151Е-9 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~100 80* 80* 60* 40* 30* 20* 5 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 100 sl (100 В) sl (90 В) ::;;1 (80 В) sl (60 В) ::;;1 (30 В) sl (30 В) КТ3153А-9 n-p-n 300 ~250 60 5 400 (О,6* А) КТ315Б-1 КТ315В-1 KT315f-1 КТ315Д-1 КТ315Е-1 КТ315Ж-1 КТ315И-1 КТ315Н1 КТ3151Б-9 КТ3151В-9 KT3151f-9 КТ3151Д-9 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~100 ~100 ~100 ~100 ~ ' (10 (10 (10 (lo (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) 25 20 40 35 40 35 15 60 20 35 В) В) В) В) В) В) s0,05 (45 В) 1 ~- - КТ3153А-5 n-p-n 300 ~250 60 5 О.4 А (0,6* А) ~.05 (45 В) КТ3157А p-n-p 200 ~60 250* ( lОк) 5 30 (lOO*) ~.1 (200 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 93 Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ С12э, rБэ нас, Ом rб, Ом пФ к;.~, дБ Раых, Вт 30 ... 120* (10 В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 30 ... 120* (10 В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 20 ... 90* (10 В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 30 ... 250* (10 В; 1 мА) ~30* (l О В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 150 ... 350* (10 В; 1 мА) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $10 (10 В) $10 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $20 $20 $20 $20 $30 $30 $25 $45 $5,5 $20 $40* $40* $40* $40* $40* $40* $300 $500 $500 $500 $1000 $1000 $800 $950 $1000 $500 КТ315 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 50 ... 350 ( 10 В; 1 мА) 20... 90 (10 В; 1 мА) 50 ... 350 (10 В; 1 мА) 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 20 ... 90(108; 1 мА) 30 ... 250 (10 В; 1 мА) 30 (10 В; 1 мА) 50 ... 350 ( 10 В; 1 мА) 150... 350 ( 10 В; 1 мА) $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $40* $40* $40* $40* $40* $40* $40* $40* $300 $300 $300 $300 $300 $300 $300 $300 КТ315-1 60 .. .180* (5 В; 2,5 мА) $2 (10 В) • (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 • В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) $25 • •• 'tк, ПС • •• tвыКJJ, Корпус tpac, НС НС $30;$30* - (6~2 - . КТ3150-2 ~20 (5 В; 10 мА) 30... 90 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) ~80 (5 В; 10 мА) ~40 (5 В; 10 мА) $15 $15 $15 $15 $15 $15 В) В) В) В) В) В) $60 $60 $60 $60 $60 $60 100... 300 (5 В; 2 мА) $4,5 (10 В) $2,6 $400* КТ3153-9 100... 300 (5 В; 2 мА) $4,5 ( 10 В) $2,3 $400* КТ3153А-5 $3 (30 В) $60 ~50* (20 В; 25 мА) (10 (10 (lO (lO (10 (10 КТ3151-9 j 0,95 ~~х КТ3157
Раздел 94 Рк max, * fгр, fh21б, UкБо max, * т max, , Рк, ** н max, Рк. *"' fh21э, *** fmax, "' max, UкэR ** max, Uкэо мВт мrц в n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 (90°С) 150 (90°С) 150 (90°С) 150 (90°С) 150 (90°С) ~600 150 150 150 150 150 (85°С) (85°С) (85°С) ~600 (85°С) ~600 КТ316ДМ n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n (85°С) ~800 КТ3165А p-n-p 160 (55°С) ~750 КТ3165А-9 p-n-p 100 1060 КТ3166А n-p-n 15 ~400 Тип Струк- прибора тура КТ316А КТ316Б КТ316В KT316f КТ316Д КТ316АМ КТ316БМ КТ316ВМ KT316fM ~800 ~800 ~600 ~800 ~800 ~800 2. UэБО max, в Биполярные транзи~торы Iк max, * и max, Iк, мА IКБО, IКэR, 1** кэо, мкА 10* 10* 10* 1О* 10* (3к) (3к) (3к) (Зк) (Зк) 4 4 4 .4 4 50 50 50 50 50 .~О.5 ~О.5 ~О.5 ~О.5 ~О.5 10* 10* 10* 10* 10* (3к) 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 ~О.5 ~О.5 40 3 30 ~О.1 40 5 30 0,5 - 1 - 15* (3к) (3к) (3к) (3к) (lк) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) ~О.5 (10 В) ~О.5 (10 В) ~О.5 (10 В) (20 В) 1 КТ3168А-9 n-p-n КТ3169А-9 p-n-p 180 (55°С) 200 ~3000 15* ~750 (lОк) 40 1 2,5 28 (56*) ~.5 (15 В) 3 30 ~.1 (20 В)
95 Параметры биполярных кремниевых транзисторов 20 ... 60* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 20 ... 100* (l В; 10 мА) 60 ... 300* (l В; 1О мА) 20 ... 60* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 20 ... 100* (l В; 10 мА) 60 ... 300* (l В; 10 мА) ~3 ~3 ~3 -~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) ~40 ~10* ~40 ~10* ~40 ~15* В) ~40 ~150 В) ~40 ~150 В) ~40 ~10* В) ~40 ~10* В) ~40 ~15* В) ~40 ~150 В) ~40 ~150 КТ316 115,81/ ;IJ ~rj:~_ ~ В; (lO 3 ~О.65 мА) (10 В) ~& (l ГГц) 5 КТ316М &1-) ~25* кфз Ш111 ~3 ~' • ~... КТ3165 с-., \с')" 'Q о ~25 (lO В; мА) 3 ~3 7 2,7 КТ3165А-9 0,95 j ~*Х 280 ... l ООО* (5 В; O, l мА) КТ3166 rif 42 ~Jj:~_ &1-) ~ 60 ... 180 (5 В; 5 мА) ~I.5 (5 В) ~7** (l ГГц) ~3 (1 ГГц) ~10 Ш111 ~' • ~... КТ3168А-9 j 0,95 ~*Х ~25 (l В; 3 мА) ~О.6 (10 В) ~13** (0,8 ГГц) ~6 (800 МГц) КТ3169-9 j 0,95 ~*Х .
Раздел_2. Биполярные транзисторы 96 Рк max, Тип Струк- прибора тура * т max, Рк, ** н Рк, max, fгр1 fh21б1 fh2lэ 1 *** fmax, UкБО max, * max, UкэR ** Uкэо мВт мrц в UэБО max, в max, КТ3169А9-1 p-n-p 200 ~750 40 з КТ317А-1 n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 ~100 5 5 5 3,5 3,5 3,5 КТ317Б-1 КТ317В-1 ~100 ~100 lкБо, Iк max, * н max, Iк. мА 30 (0,6* IКэR, 1** кэо, мкА А) 1'5 (45*) 15 (45*) 15 (45*) ~0.1 ~1 ~1 ~1 (20 (5 (5 (5 В) В) В) В) . КТ3170А-9 n-p-n 250 ~300 0,1(208) 40 4 30 4 530 ~О.1 (12 В) 4,5 200* ~0,4 (20 В) . КТ3171А-9 p-n-p 200 ~150 15 КТ3172А-9 n-p-n 200 ~500 20* ' ~ КТ3173А-9 p-n-p 200 ~200 30 5 530 ~О.1 (20 В) КТ3176А-9 n-p-n 200 ~150 35 5 500 ~О.1 (35 В)
Параметры биполярных кремниевых транЗисторов h21э, h21э ~25 (10 В; 3 мА) 97 Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом rБэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ ** Вт Рвых, ** tвыКJJ, НС ~0.6 (10 В) ~13** (800 МГц) ~6 (800 МГц) - Корпус . . КТ3169-91 s 0,95 ~~х 25 ... 75 (l В; 1 мА) 35 ... 120 (l В; 1 мА) 80 ... 250 (l В; 1 мА) ~11 ~11 (l В) (l В) ~11 (1 В) - ~30 ~30 ~о ~130* КТ317-1 ~130* w~ ~130* ( ..>; ,, /1\:::: б к з ~100 (10 В; 7 мА) ~2 (lO В) - - - КТ3170-9 s О,95 ~*Х ~50* (2 В; 100 мА) ~15 (15 В) - ~1.5 ~20 КТ3171А-9 s 0,95 ~щi;tjl]:_ - ~40 (l В; 10 мА) ~3 (10 В) - ~1 ~45 КТ3172-9 s 0,95 ~*Х 50... 500 (5 В; 30 мА) ~10 (10 В) ~ - ~1.5 КТ3173-9 ~20** s 0,95 ~щi;tjl]:_ ' ~60 (10 В; 150 мА) ~15 (10 В) - ~1.2 - КТ3176-9 s ' - 0,95 ~*Х
_Раздел 98 55 .Sl (100 В) (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) .S0,5 .s0,5 .s0,5 .s0,5 .s0,5 .s0,5 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) 5 50 .Sl (150 В) ~4 ГГц 20 20 20 2,5 2,5 2,5 50 50 .50 .sO,l (10 В) .sO,l (lOB) .sO,l (lOB) 200 ~4.4 ГГц 20 2 25 .S0,1 (lOB) n-p-n n-p-n n-p-n 200 90 200 ~4600 20; 12* 18; 12* 20 2 2 2 20 10 25 n-p-n n-p-n n-p-n 225 225 225 300 300 300 50 6 50 50 6 100 100 100 КТ3179А-9 n-p-n 200 ~150 150 5 КТ318А-1 15 15 15 15 15 15 ~430 КТ318Е-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~350 lo· 10 10 10 10 10 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 КТ3180А-9 p-n-p 200 ~150 150 КТ3186А-9 300 90 250 ~б ГГц ~3,2 ГГц КТ3186В-9 n-p-n n-p-n n-p-n КТ3187А-9 n-p-n КТ3187А-91 КТ318Б-1 КТ318В-1 KT318f-1 КТ318Д-1 КТ3186Б-9 КТ3187Б-91 КТ3187В-91 КТ3189А-9 КТ3189Б-9 КТ3189В-9 2. Биполярные транзисторы ~430 ~430 ~350 ~350 ~3200 ~3000 6 20 20 20 20 20 20 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов ~65* (5 В; 10 мА) :5:3 99 КТ3179-9 :5:33 0,95 j ~*Х 30... 90 (l В; 10 мА) 50... 150 (l В; 10 мА) 70 ... 280 (l В; 10 мА) 30... 90 (l В; 10 мА) 50 ... 150 (l В; 10 мА) 70... 280 ( 1 В; 1О мА) :5:3,5 :5:3.5 :5:3,5 :5:4,5 :5:4,5 :5:4,5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) :5:27 :5:27 :5:27 :5:27 :5:27 :5:27 В) В) :5:15* :5:15* :5:15* :5:10* :5:10* :5:10* КТ318-1 1 ~ 1 ~ ~ • 5 ~90* (5 В; 1О мА) 1\ 1 ...... ....... к з КТ3180-9 :5:33 0,95 j ~*Х ~60 (5 В; 15 мА) ~40 (3 В; 2 мА) ~35 (5 В; 10 мА) :5:0,9 ,(8 :5:0,9 (8 :5:0,9 (8 В) В) В) ~8** ~6** ~6** (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) :5:3,5 (2 ГГц) :5:3 (2 ГГц) :5:4 (2 ГГц) КТ3186-9 ~~ =~ к ~40 (10 В; 14 мА) :5:0,9 (10 В) ~12** (0,8 ГГц) :5:2 (0,8 ГГц) 6 КТ3187-9 0,95 j ~~х ~40 (lO В; ~40 (3 В; ~40 (5 В; 14 мА) 2 мА) 5 мА) ~12** ~12** ~12** (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) :5:2 (0,8 ГГц) :5:2 (0,8 ГГц) :5:2,5 (0,8 ГГц) КТ3187-91 j 0,95 ~~х 110... 220 200 .. .450 420 ... 800 6 6 6 10 10 10 КТ3189-9 ~~t
Раздел 100 2. Биполярные транзисторы КТ3191А-9 p-n-p 200 ~4500 15** 2 25 S:O,l (20 В) КТ3191А-91 p-n-p 200 ~4500 15** 2 25 s:O, 1 (20 В) КТ3192А-9 p-n-p • 200 800 40 3 30 0,1 КТ3196А-9 p-n-p 225 250 40 5 200 10 КТ3197А-9 n-p-n 225 200 60 6 200 10 КТ3198А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 280 280 300 300 280 300 300 4600 4600 4000 4000 3000 - 6000 6500 15* 15* 15* 15* 20 20 20 2,5 2,5 2,5 2,2 2,5 3 2,5 25 25 50 35 30 100 50 n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 5 5 5 3,5 3,5 3,5 15 15 15 60 60 60 45 45 45 4 4 4 4 4 4 КТ3198Б КТ3198В KT3198f КТ3198Д КТ3198Е КТ3198Ж КТ319А-1 КТ319Б-1 КТ319В-1 КТ321А КТ321Б КТ321В KT321f КТ321Д КТ321Е p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 210 210 210 210 216 210 (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) ~100 ~100 ~100 ~60 ~60 ~о ~60 ~60 ~60 200 200 200 200 200 200 (2* А) (2* А) {2* А) (2* А) (2* А) (2* А) S:l S:l S:l s:O, 1 (60 s:O, l (60 s:O, 1 (60 S:O,l (45 s:O,l (45 s:O, 1 (45 В) В) В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевы~ транзисторов ~20 (10 В; 14 мА) ~0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) ~2.4 (0,5 101 ГГц) КТ3191-9 ~~t ~20 (10 В; 14 мА) ~0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) ~2.4 (0,5 ГГц) КТ3191-91 1 s 0,95 ~~х 20 КТ3192-9 6 ~~* 9-=r-r _ш 100... 300 КТ3196-9 2 s 0,95 ~*Х КТ3197-9 1,5 100... 300 ~~* 9-=r-r _ш_ ~16** (0,5 ГГц) (0,5 ГГц) 14** ;;::11 ** (0,8 ГГц) ~10** (0,8 ГГц) ~12** (0,8 ГГц) ~13** (0,8 ГГц) 40 40 25 40 ~12** ~20 (1 В; 2 мА) ~50 (10 В; 20 мА) ~60 (8 В; 15 мА) 15 ... 55 (1 В; 1 мА) 45 ... 90 ( 1 В; 1 мА) 80... 200 (1 В; 1 мА) ~11 (1 В) ~11 (1 В) ~ll(lB) ~2,4 (0,5 ГГц) 2 1,9 1,6 ~4 (0,8 ГГц) ~2 (0,8 ГГц) ~1.8 (0,8 ГГц) КТ3198 о ~30 ~130* ~30 ~130* ~30 ~130* КТ319-1 ~rf9 Цj ~tZК 6 эк 20 ... 60* (3 В; 0,5 А) 40 .. .120* (3 В; 0,5 А) 80... 200* (3 В; 0,5 А) 20 ... 60* (3 В; 0,5 А) 40 .. .l 20* (3 В; 0,5 А) 80... 200* (3 В; 0,5 А) ~80 ~80 ~80 ~80 ~80 ~80 (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) ~3,6 ~1000* ~3,6 ~1000* ~3,6 ~1000* ~3.6 ~1000* ~3,6 ~1000* ~3,6 ~1000* 2,7 КТ321 1
Раздел 102 - Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ324А-1 1 п-р-п КТ324Б-1 п-р-п КТ324В-1 rt-p-n КТ324Г-1 п-р-п КТ324Д-1 п-р-п КТ324Е-1 п-р-п КТ325А п-р-п КТ325Б п-р-п КТ325В п-р-п КТ325АМ п-р-п КТ325БМ п-р-п КТ325ВМ п-р-п * т max, Рк, fгр, fh2lб, fh2lэ 1 2. Uкво max, Биполярные транзисторы lкво, lк max1 IкэR, 1~<Эо, * max, UкэR Uэ1ю max, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в 15 15 15 15 15 15 ~800 10 10 10 10 10 10 4 4 4 4 4 4 20 20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) ~.5 (10 В) · S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) 225 (85°С) 225 (85°С) 225 (85°С) ~800 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) 4 4 4 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) 15* (Зк) 15* (3к) 15* (3к) 4 4 4 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) 15* (lООк) 1§* (lООк) 5 5 50 50 S0,5 (20 В) S0,5 (20 В) 15* (lООк) 15* (lООк) 5 5 50 50 S0;5 (20 В) ~.5 (20 В) ** и max, Рк, 225 (85°С) 225 (85°С) 225 (85°С) ~800 ~800 ~600 ~600 ~600 ~800 ~1000 ~800 ~800 ~1000 * и max, lк, мА мкА r' КТ326А р-п-р КТ326Б р-п-р 200 (30°С) 200 (30°С) ~250 ~400 . КТ326АМ р-п-р КТ326БМ р-п-р 200 (30°С) 200 (30°С) ~250 ~400 КТ331А-1 п-р-п КТ331Б-1 п-р-п КТ331В-1 п-р-п КТ331Г-1 п-р-п 15 15 15 15 ~250 ~50 ~250 ~400 15* (lОк) 15* (lОк) 15* (lОк) 15* (lОк) 3 3 3 3 20 20 20 20 S0,2 (15 В) S0,2 (15 В) ~.2 (15 В) S0,2 (15 В) (50*) (50*) (50*) (50*) - КТ332А-1 п-р-п КТ332Б-1 п-р-п КТ332В-1 п-р-п КТ332Г-1 п-р-п КТ332Д-1 п-р-п 15 15 15 15 15 ~250 ~250 ~50 ~500 ~500 15* 15* 15* 15* 15* (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) 3 3 3 3 3 20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) ~.2 (15. В) (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) S0,2 S0,2 S0,2 S0,2
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, Рвых, Вт ** tвыкл, НС пФ 20 ... 60 (l В; 10 мА) 40.. .120 (l В; l О мА) 80... 250 (l В; l О мА) 40" .120 (l В; 10 мА) 20" .80 (1 В; 10 мА) 60" .250 (1 В; 10 мА) 103 S2,5 S2,5 S2,5 S2,5 S2,5 ,s2,5 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) •• Sl80; :5180; S:l 80; Sl80; :5180; Sl80; S30 S30 S30 S30 S30 S30 Корпус КТ324-1 SlO* SlO* s;lQ* ~t SlO* SlO* SlO* 6 30... 90* (5 В; 10 мА) 70 ... 210* (5 В; 10 мА) 160.. .400* (5 В; 10 мА) S2,5 (5 В) S2,5 (5 В) S2,5 (5 В) КТ325 Sl25 Sl25 Sl25 fl9,ll _ . ~. ~ 30".90* (5 В; 10 мА) 70".21 О* (5 В; 10 мА) 160".400* (5 В; 10 мА) S2,5 (5 S2,5 (5 S2,5 (5 В) В) В) 20." 70* (2 В; l О мА) 45".160* (2 В; 10 мА) ~ (5 В) S5 (5 В) 20".70* (2 В; 10 мА) 45".160* (2 В; 10 мА) S5 (5 S5 (5 В) 20."60 (5 В; l мА) 40."120 (5 В; l мА) 80."220 (5 В; l мА) 40 ... 120 (5 В; l мА) 55 S5 S5 S5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) 20 ... 60 (5 В; l мА) 40".120 (5 В; l мА) 80... 220 (5 В; l мА) 40".120 (5 В; l мА) 80... 220 (5 В; l мА) S5 S5 55 S5 S5 (5 В) (5 В)' В) (5 В) (5 (5 В) В) кз 1 ! l1 1 j t 1 5@·0к з 1· Sl25 Sl25 Sl25 КТ325М S30 S30 S450 S450 КТ326 S30 S30 S450 S450 КТ326М S:l20 Sl20 Sl20 Sl20 КТЗЗ1-1 S300 S300 5300 S300 S300 КТ332-1 S:4,5 S4,5 S4,5 S4,5 (100 МГц) (100 МГц) ( 100 МГц) ( 100 МГц) S8 (100 МГц) S8 (100 МГц) s;8 ( l 00 МГц) :58 (100 МГц) S8 (100 МГц) о,о l(opn.
Раздел 104 Рк max,~ Uкво max, ** и max, Рк, frp 1 fh2J6, ** 1 , f h21э fmax *** 1 мВт МГц в n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 15 15 15 ~450 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 50 50 50 50 50 50 ~250 Тип Струк- прибора тура КТ333А-3 КТ333Б-3 КТ333В-3 КТ333Г-3 КТ333Д-3 ,КТ333Е-3 КТ336А КТ336Б КТ336В КТ336Г КТ336Д КТ336Е * т max, Рк, ~450 ~450 ~350 ~350 ~350 ~250 ~250 ~450 ~450 ~450 2. * max, UкэR Uэво max, ** max, Uкэо в Биполярные mранзисторы Iк max 1 * и max, Iк, мА Iкво, IКэR, 1** кэо, мкА 20 20 20 20 20 20 (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) (3к) 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 (3к) (3к) (3к) (3к) (3к) (3к) 4 4 4 4 4 4 20 20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) :50,5 (10 ~О.5 (10 :50,5 (10 :50,5 (10 :50,5 (10 :50,5 (10 13) 4 4 4 30 30 30 10* 1О* 10* 10* 10* 10* (3к) (3к) (3к) (3к) (3к) 10* 10* 10* 1О* 10* 10* В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) ' 150 (60°с) 150 (6О С) 150 (6О С) ~500 КТ337В p-n-p p-n-p p-n-p КТ339АМ n-p-n 250 (55°С) КТ337А КТ337Б 0 ~600 0 ~600 6* (lОк) 6* (lОк) 6* (lОк) ~300 40 4 25 ·с> ·с> ;;::300 crc) ~450 40 25 40 40 40 4 4 4 4 4 ·25 25 25 25 25 15 20 15 15 15 5 5 5 5 5 50 50 50 (200*) 75 (500*) 50 ~300 35 30 25 ~300 60* (lОк) 5 5 5 5 50 (300*) 50 (300) 50 (300) 50 (300*) ~1 (6 В) ~1 (6 В) ~1 (6 В) :51 (40 В) ~ КТ339А КТ339Б КТ339В КТ339Г КТ339Д КТ340А КТ340Б КТ340В КТ340Г КТ340Д КТ342А КТ342Б КТ342В КТ342Г n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 260 250 260 250 250 (55 (55 (55 (55 (55 ·с> ·с> ~250 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) ;;::300 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 250 250 250 250 ~250 ~250 ~300 ~300 ~300 ~300 ~250 ~300 :51 :51 :51 :51 :51 (40 (40 (40 (40 (40 В) В) В) В) В) :51 (15 В) :5J (20 В) :51 (15 В) ~1 (15 В) :51 (15 В) :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 (25 (20 ( 1О (60 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э 30 ... 90 (1 В; 10 мА) 50 ... 150 (1 В; 10 мА) 70 ... 280 (1 В; 1О мА) 30."90 (1 В; 10 мА) 50 ... 150 (1 В; 10 мА) 70."280 (l В; 1О мА) Ск, Гкэ нас, Ом Кш, дБ Сi2э, rБэ нас, Ом rб, Ом пФ к** у,р, дБ $3,5 $3,5 $3,5 $4,5 $4,5 $4,5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) $27 В) ~7 В) $27 $27 $27 $27 В) В) В) ** Рвых,· ' - - Вт 105 'tк, ПС * tpac 1 Корпус НС t:~кл, НС $15* $15* $15* $25* $25* 525* КТ333-3 ~~кt с::)' К о о.Jб, к.пюч 0,01/ / 20 ... 60 (l В; 1О мА) 40".120 (1 В; 10 мА) ~80 (l В; 10 мА) 20... 60 (1 В; 1О мА) 40."120 (1 В; 10 мА) ~80 (1 В; 10 мА) $5 $5 $5 $5 $5 $5 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) $30 $30 $30 $30 $30 $30 - - $30* $30* $50* $15* $15* $15* КТ336 ~~эL 5 c:::i' о~ к ,Клюl/ ~30* (0,3 В; 10 мА) ~50* (0,3 В; 1О мА) ~70* (0,3 В; 1О мА) $6 (5 В) $6 (5 В) $6 (5 В) $20 $20 S:20 - - $25* $28* $28* 0,04 КТ337 ~5,811 э ~·1 5$К ч-; w .,....._ ,..._ '~ ~" ...::: ~25* (10 В; 7 мА) $2 (5 В) - - КТ339М $25 ~fi:tщ1 ~ ~ ~25* ~15* ~25* ~40* ~15* ( 10 (10 (10 (l О (10 В; В; В; В; В; 7 7 7 7 7 мА) мА) мА) мА) мА) $2 $2 $2 $2 $2 - (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) - - - - - $25 $25 $50 $100 $150 ф1/1 ~' . ~ ........... КТ339 ~5,81/ - ~-'[j бфк ,..._ j ~, 100".300* (1 В; 1О мА) ~100* (l В; 1О мА) ~35* (2 В; 0,2 А) ~16* (2 В; 0,5 А) ~40* (2 В; 0,2 А) $3,7 (5 В) $3,7 (5 В) $3,7 (5 В) $3,7 (5 В) $6 (5 В) ::;20 $25 $2 $1,2 $30 - - - '$45; $10* $40; $15* $85; $15* $85; $15* $150; $75* . 100."250* (5 В; 1 мА) 200".500* (5 В; l мА) 400 ... 1000* (5 В; 1 мА) 50."120* (5 В; 1 мА) $8 $8 $8 $8 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) $10 $10 $10 $10 - $200 $300 $700 - КТ340 i15,8// ;fi кфз 5 КТ342 i15,8// ;fi кфз 5 '
Раздел 106 •• и max, Рк. • •• fь21э, ••• fmax, max, max, u** КЭО max, мВт МГц в ~250 35 30 25 Ркmах 1 Тип Струк- прибора тура КТ342АМ п-р-п КТ342БМ п-р-п КТ342ВМ п-р-п KT342fM п-р-п КТ342ДМ п-р-п . • т max, Рк, 250 250 250 250 250 fгр, fь216, Uкво * UкэR в • Iк. max, и max, мА 50 50 50 50 50 (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) (lОк) (lОк) 17* (lОк) 17* (lОк) 9• (lОк) 4 4 4 50 (150*) 50 (150*) 50 (150*) (lОк) (lОк) 5 5 5 200 (300*) 200 (300*) 200 (300*) 15* (lОк) 9* (lОк) 6* (lОк) 4 4 4 50 (110*) 50 (110*) 50 (110*) 3,5 3,5 3,5 15 (45*) 15 (45*) 15 (45*) ~300 ~150 max, Iк 5 ·5 5 5 5 ~300 ~150 Uэво 2. Биполярные транзисторы 30* 25* Iкво, Ii<эR, 1·· кэо, мкА S0,05 (25 S0,05 (20 ~.05 (10 S0,05 (30 S0,05 (25 В) В) В) В) В) - КТ343А р-п-р КТ343Б р-п-р КТ343В р-п-р КТ345А p-n·p КТ345Б р-п·р КТ345В p·n·p КТ347А р-п-р КТ347Б р-п-р КТ347В р-п-р КТ348А-3 п-р-п КТ348Б-3 п-р-п КТ348В-3 п-р-п 150 150 150 (75°С) (75°С) ~300 (75°С) ~300 ~300 300 (600**) 300 (600**) 300 (600**) ~350 150 (75°С) i5o (75°С) 150 (75°С) ~500 15 15 15 ::::.100 ' ~350 ~350 ~500 ~500 ~100 ~100 20* 20* 20* 5* 5* 5* (lОк) (3к) (3к) (3к) Sl (10 В) Sl (lO В) Sl (7 В) ~.5 (20 S0,5 (20 ~.5 (20 В) В) В) Sl (15 В) ~1 (9 В) ~l (6 В) Sl (5 ~l (5 Sl (5 В) В) В) - КТ349А р·п-р КТ349Б р·п-р КТ349В р-л-р ~ 200 200 - 200 (З5°С) ~300 (35°С) ~300 (35°С) ~300 15* 15* 15* (lОк) (lОк) (lОк) 4 4 4 50 (100*) 50 (100*) 50 (100*) Sl (10 sl (10 Sl (10 В) В) В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС * С12э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * 1 НС tpac ** 1 Вт Рвых ** 1 НС tвыкл пФ 100... 250* (5 В; 2 мА) 200 ... 500* (5 В; 2 мА) 400 ... 1000* (5 В; 2 мА) 100... 250* (5 В; 2 мА) 200 ... 500* (5 В; 2 мА) 107 ~8 ~8 ~8 (5 (5 (5 ~8 (5 ~8 (5 В) В) В) ~10 ~10 ~10 В) В) ~10 ~10 - Корпус ' КТ342М ~200 ~300 ~700 - ~EW:~ . 1о1') ~" ~ ;;:::30* (0,3 В; 10 мА) ;;:::50* (0,3 В; 10 мА) ;;:::30* (0,3 В; 10 мА) ~6 ~о ~6 (5 В) (5 В) ~6 (5 В) ~30 ~30 - • ~ ........... КТ343 ~10* ~20* ~10* ~5,811 - - - з ~·~ -- 5$К ч-)" 1 ,..., ,, ~",, - :?:20* (1 В; 100 мА) ;;:::50* (1 В; 100 мА) :?:70* (1 В; 100 мА) ~15 ~15 ~15 (5 В) (5 В) (5 В) ~3 ~3 ~3 - - КТ345 ~70* ~70* ~70* . ~Вi:µщ !."':)" 30 .. .400* (0,3 В; 10 мА) 30 .. .400* (0,3 В; 10 мА) 50 .. .400* (О,3 В; 10 мА) ~6 ~6 ~6 (5 В) (5 В) (5 В) ~30 ~о ~30 - - ~ • ""' ~ ........... КТ347 ~25* ~25* ~40* ~5,81/ -- з 5$К ,~~ . ._ ~rч-)" ~~~ - 25 ... 75 ( l В; 1 мА) 35 ... 120 (1 В; l мА) 80 ... 250 (1 В; 1 мА) ~ll(lB) ~ll(lB) ~11 (1 В) ~30 ~30 ~30 - КТ348-3 ~130* ~130* ~130* ~~кt f::SKooб к.пюч 20... 80* (l В; 10 мА) 40 ... 160* (1 В; 10 мА) 120... 300* (l В; 10 мА) ~6 ~6 ~6 (5 В) (5 В) (5 В) ~30 ~30 ~30 - - КТ349 - - 0.01/ . "~2 ~вr~ . 1о1') ~" ~ ~5,811 -- ~·~ -ч-)" 1 ,..._ 1\ ~" / • з ~ ........... 5$К
.Раздел 108 Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк. •• Рк, н max, мВт КТ350А p-n-p 300 (ЗО С) 0 2. "' fгр, fh2lб, Uкво max, fh2°Iэ, ••• 1 fmax "' max, UкэR Uэво max, ** max, Uкэо в Мfц в ~100 20 Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, Ii<эR, • н max, Iк. 1** кэо, мА мкА 600* ~i (10 В) 5 5 400* 400* ~l 20 20 5 5 200* 200* ~l 5 ' / / КТ351А КТ351Б p-n-p p-n-p 300 (30°С) 300 (30°С) ~200 ~200 15* (lОк) 15* (lОк) ~l (10 В) (10 В) , КТ352А КТ352Б p-n-p p-n-p 300 300 (30°С) ~200 (30°С) ~200 ~l (10 (10 В) В) , 30 30 10* (3к) 10* (Зк) 4 4 10 (20*) 10 (20*) ~О.5 ~1500 ~О.5 (10 В) (10 В) 225 (85°С) ~1500 15* (Зк) 4 30 (60*) ~О.5 (15 В) n-p-n 225 (85°С) ~1500 15* (3к) 4 30 (60*) ~О.5 (15 В) p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) ~300 6* 6* 20* 20* 3,5 3,5 3,5 3,5 КТ354Б-2 n-p-n n-p-n КТ355А n-p-n КТ355АМ КТ357А КТ354А-2 КТ357Б КТ357В KT357f ~1100 ~300 ~300 ~300 40 40 40 40 ~5 (80*) (80*) (80*) (80*) (6. В) ~5 (6 В) ~5 (20 В) ~5 . (20 В)
Параметры биnОЛЯJJ'!ЫХ кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, ** Вт Рвых, ** tвыкл, НС пФ 20 ... 200* ( l В; 0,5 А) ~70 (5 В) 20 ... 80* ( l В; 0,5 А) 50 ... 200* ( l В; 0,3 А) ~О (5 (5 В) ~1.5 В) ~2.25 25 ... 125* (l В; 0,2 А) 70 ... 300* ( l В; 0,2 А) ~15 (5 :S:l5 (5 В) ~3 В) ~3 40".200 (2 В; 5 мА) 90 ... 360 (2 В; 5 мА) 80 ... 300* (5 В; 10 мА) 109 ~20 ~1.3 ~1.3 ~2 Корпус КТ350 КТ351 КТ352 ~150* (5 В) (5 В) (5 В) ~5.5 ~10* ~5 ~10* ~30 (60 МГц) ~60 КТ354-2 КТ355 99,11 0 К 1!15~ IJ J 3 ~ - - " t "1 ] 1 80 ... 300* (5 .В; 10 мА) 20". l 00* 60."300* 20 .. .100* 60 ... 300* (0,5 (0,5 (0,5 (0,5 В; В; В; В: 10 мА) 10 мА) 10 мА) 10 мА) ~ (5 В) ~7 (5 (5 (5 (5 ~7 ~7 ~7 В) ~5.5 ~30 (60 МГц) ~60 КТ355М :S:l 50* КТ357 В) :s:зо ~50* В) :s:30 В) :s:зо :S:l 50* :S:250* о,о Корп.
{10 Раздел Рк max 1 Тип Струк- прибора тура КТ358А KT358:S КТ358В n-p-n n-p-n n-p-n * т max, Рк, ** и max, Рк, - мВт 100 100 100 fгр, fh2lб 1 2. Uкво max, fh2Jэ 1 f max, *** * max, UкэR Uэво max, ** max, Uкэо в МГц в ~80 15 30 15 (50°С) (50°С) ~120 (50°С) ~120 Биполярные транзисторы Iкво, Iк max 1 Ii<эR, * и max, Iк, 1** кэо, мА мкА 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) ~10 3,5 3,5 3,5 29 20 20 ~О.5 5 4 4 20 (75*) 20 (75*) 20 (75*) ~l ~l ~l (25 (20 (20 В) В) В) ~l (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) 4 4 4 ~10 ~10 В) (15 (30 (15 В) В) КТ359А-3 КТ359Б-3 КТ359В-3 КТ360А-1 КТ360Б-1 КТ360В-1 n-p-n n-p-n n-p-n p-n-p p-n-p p-n-p ~300 15 15 15 10 10 10 ~300 ~300 (55°С) (55°С) (55°С) ~300 ~400 ~400 15* 15* 15* (3к) (3к) (3к) 25 20 20 ~О.5 ~О.5 (15 (15 (15 В) В) В) ' КТ361П p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ361А-2 p•ll-p КТ361А-3 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ361А КТ361А1 КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Г1 КТ361Д КТ361Д1 КТ361Е КТ361Ж КТ361И КТ361К КТ361Л КТ361М КТ361Н КТ361Б-2 КТ361В-2 КТ361Г-2 КТ361Г-3 КТ361Д-2 КТ361Д-3 КТ361Е-2 КТ361Ж-2 КТЗ61И-2 КТ361К-2 КТ361Л-2 КТ361М-2. КТ361Н-2 КТ361П-2 150 (35°С) 150 150 150 (35°С) ~250 (35°С) ~250 (35°С) ~250 ~250 150 150 (35°С) (35°С) ~250 ~250 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 ~250 ~150 150 150 ~250 ~150 150 ~250 ~250 ~250 ~250 ~150 ~300 ~250 ~150 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~150 ;?;250 ~250 ;:::250 ~250 ~250 ;?;250 ~150 ' ~300 25 25 20 40 35 35 40 40 35 10 15 60 20 40 45 50 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 50 100 50 50 50 100 50 50 50 50 50 50 100 100 50 50 25 25 20 40 35 35 40 40 35 10 15 60 20 40 45 50 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 100 100 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 100 100 50 50 ~1 ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~1 ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~1 ~l ~1 ~l ~l (10 (10 (10 (10 (lO (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (lO В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) -
Параметры биполярных кремниевых транзисторов_ 10.. .100* (5,5 В; 20 мА) 25".100* (5,5 В; 20 мА) 50".280* (5,5 В; 20 мА) 30".90 (1 В; 10 мА) 50".150 (1 В; 10 мА) 70".280 (1 В; 10 мА) 111 Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС * С12э, * нас, Ом rвэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ ::;5 (10 ::;5 (10 ::;5 (10 В) В) ** Рвых, Вт ::;40 ::;40 ::;40 В) ::;5 (5 В) ::;70 ::;70 ::;70 :S5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;6 (20 ::;6 (20 ::;б (20 МГц) МГц) МГц) ** 1 tвыкл Корпус НС ::;500 ::;500 ::;500 КТ358 ::;100 ::;100 ::;100 КТ359-3 ::;450; ::; 100* ::;450; ::;200• ::;450; ::;200• КТ360-1 • 20".70 (2 В; 10 мА) 40".140 (2 В; 1О мА) 80" .240 (2 В; 1О мА) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;35 ::;35 ::;35 ~t 5КЗ 20."90 (10 В; 1 мА) 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 50".350 (10 В; 1 мА) 40".160 (1 О В; 1 мА) 50."350 ( 1О В; 1 мА) 100. "350 (1 О В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 50".350 (1 О В; 1 мА) 50".350 ( 1О В; 1 мА) ~250 (1 О В; 1 мА) 50."350 (1 О В; 1 мА) 50".350 (1 О В; 1 мА) 70".160 (10 В; ·1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 100... 350 (10 В; 1 мА) 20".90 (1 О В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 50" .350 (1 О В; 1 мА) 40".160 (10 В; 1 мА) 50. "350 (1 О В; 1 мА) 100... 350 (1 О В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 50" .350 (1 О В; 1 мА) 50" .350 ( 1О В; 1 мА) 250 (10 В; 1 мА) 50".350 (1 О В; 1 мА) 50 ... 350 (1 О В; 1 мА) 70... 160 (10 В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 100... 350 (1 О В; 1 мА) ::;9 (10 В). ::;9 (10 В) ::;9 (10 В) '5,7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) '5,7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;9 (10 В) ::;9 (10 В) ::;7 (10 В) ::;9 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;9 ::;9 ::;9 ::;7 ::;7 ::;9 ::;7 ::;9 ::;7 ::;9 ::;9 ::;7 ::;9 ::;7 ::;7 ::;7 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) ::;20 ::;20 ::;20 ::;20 ::;20 ~о ::;40* ::;40* ::;40* ::;40• ::;40* ::;40* ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ~50 ::;1000 :SlOO ::;1000 ::;500 ::;5о ::;50 ::;20 ::;20 ::;20 ::;20 ~о ::;20 ::;50 ~50 ::;50 ::;50 ::;20 ::;20 '5,500 ::;500 ::;500 ::;1000 ::;500 ::;500 ::;250 ::;40* :S40* :S40* :S40* :S40* :S40* :S500 :S500 :S500 :SlOOO :S500 :S500 :S250 :S250 :SlOOO· :SlOO :SlOOO :S500 КТ361, КТ361·1 ;tmt 5КЗ КТ361-2, КТ361-3 ~5,2 '
Раздел 112 Тип Струк- прибора тура КТ363А р-п-р КТ363Б р-п-р 2. Рк max, * т max, Рк, * frp, fh2\б, f h2\э, ** Uкво max, * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк. *** fmax, ** max, Uкэо в мВт мrц в 150 150 (45°С) (45°С) ~1200 (lк) (lк) Iкво, Iк max, IКэR, * и max, lк. 1** кэо, мА мкА 4,5 4,5 30 (50*) 30 (50*) ~0.5 ~О.5 (15 В) (15 В) 4,5 4,5 30 (50*) 30 (50*) ~О.5 ~.5 (15 В) (15 В) 25 25 25 5 5 5 200 (400*) 200 (400*) 200 (400*) ~1 ~1 ~1 15 15 15 4,5 4,5 4,5 10 (20*) 20 (40*) 45 (70*) ~О.1 (15В) ~O.l ~О.1 (15 (15 В) В) ~.5 ~О.5 (15 (15 В) В) 15* 12* ~1500 Биполярные транзисторы \ 1 КТ363АМ КТ363БМ р-п-р р-п-р 150 150 (45°С) (45°С) ~1200 15* 12* ~1500 (lк) (lк) 1 КТЗ64А-2 р-п-р КТ364Б-2 р-п-р КТ364В-2 р-п-р 30 30 30 ~250 ~250 ~250 (25 (25 (25 В) В) В) . КТ366А n-p-n КТ366Б п-р-п КТ366В n-p-n КТ368А п-р-п КТ368Б п-р-п 30 30 30 (70°С) (70°С) (70°С) ~1000 ~1000 ~1000 225 225 (65°С) (65°С) ~900 ~900 15 15 4 4 30 (60*) 30 (60*) 225 (65°С) ~900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 ~900 15* 15* 4 4 30 (60*) 30 (60*) 0,5 (15 ' КТ368А-5 п-р-п КТ368А-9 n·p·n КТ368Б-9 п-р-п 100 100 ~900 В) О,5(15В) В)
113 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС * С12э, * нас, Ом rвэ * Ом tб, * НС tpac, пФ к;.~, дБ ** Вт Рвых, ** НС tвыкл, 20 ... 120* (5 В; 5 мА) 40 ... 120* (5 В; 5 мА) ~2 ~2 (5 В) (5 В) ~35 ~50 ~35 ~75 20 ... 120* (5 В; 5 мА) 40 ... 120* (5 В; 5 мА) ~2 (5 В} ~2 (5 В) ~35 ~50 ~5 ~75 20 ... 70* (1 В; 0,1 А) 40 ... 120* (l В; 0,1 А) 80 ... 240* ( 1 В; О, 1 А) ~15 ~15 ~15 ~30 ~500; ~150* ~30 ~500; ~180* ~о ~500; ~230* (5 В) (5 В) (5 В) Корпус КТ363 КТ363М КТ364-2 J 1 ~tir т бКЗ 50... 200 ( 1 В; 1 мА) 50 ... 200 ( 1 В; 5 мА) 50 ... 200 (l В; 15 мА) 50 ... 300* (5 В; 10 А) 50... 300* (5 В; 10 мА) ~l.l ~1.8 (0,1 В) (0,1 В) ~3.3 (0.1 в> ~1,7 (5 В) ~о ~60;~50* ~25 ~60; ~80* ~16 ~60; ~120* ~3.3 (60 МГц) КТ366 ~15 ~1.7 (5 В) КТ368 ~15 з r-:i \.r)1 ......,,, - Корп. ф 5 ti..._·_"""'. 50 .. .450 (l.B; 10 мА) ~1.7 (5 В) ~3.3 (60 МГц) ~15 (10 50 ... 300 ( 1 В; 1О 50 ... 300 (l В; 1О ~1.7 (5 В) ~1.7 (5 В) ~3.3 (60 МГц) ~15 ~15 (10 мА) мА) мА) (10 мА) мА) КТ368А-5 КТ368-9 к
Раздел 114 КТ368АМ . п-р-п КТ368БМ п-р-п КТ368ВМ п-р-п КТ369А п-р-п КТ369Б п-р-п КТ369В n-p-n KT369f п-р-п КТ369А-1 п-р-п КТ369Б-1 п-р-п КТ369В-1 п-р-п KT369f-1 n-p-n КТ370А-1 р-п-р КТ370Б-1 225 (65°С) 225 (65°С) 225 (65°С) ~900 50 50 50 50 ~200 50 50 50 50 15 15 р-п-р (50°С) Биполярные транзисторы 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) '.5,0,5 (15 В) '.5,0,5 (15 В) '.5,0,5 (15 В) 15 15 15 4 4 4 45 45 65 65 4 4 4 4 250 250 250 250 (400*) (400*) (400*) (400*) '.5,7 (45 В) '.5,7 (45 В) '.5,10 (65 В) '.5,10 (65 В) 45 45 65 65 4 4 4 4 250 250 250 250 (400*) (400*) (400*) (400*) 5,7 (45 В) '.5,7 (45 В) '.5,10 (65 В) '.5,10 (65 В) ~1200 15* (1 к) 12* (lк) 4 4 15 (30*) 15 (30*) '.5,0,5 (15 '.5,0,5 (12 1000 1000 15* ( 1к) 12* (lк) 4 4 15 (30*) 15 (30*) '.5,0,5 (15 '.5,0,5 (12 В) 10 3 20 (40*) 5,0,5 (10 В) 3 20 (40*) '.5,0,5 (10 В) ~900 ~900 ~200 ;:::200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~1000 КТ370А-9 р-п-р КТ370Б-9 р-п-р 30 30 КТ371А п-р-п 100 (б5°С) ~3000 КТ371АМ n-p-n 100 (85°С) ~3000 (50°С) 2. 1О* (3к) В) В) В)
Параметры -биполярных кремниевых транзисторов 30... 240 (1 В; 10 мА) ~1.2 (5 В) ~5 (400 МГц) 115 ~15 КТ371М
Раздел 116 2. Биполярнь1е транзисторы -- fгр, fh2lб, fh'21э, Uкво max, * т max, Рк. * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в ~2400 Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ372А п-р-п КТ372Б n-p-n n-p-n 50 (I00°C) 50 (100°С) 50 (100°С) n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 КТ372В КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г , ~3000 ~2400 (55°С) ~350 (55°С) (55°С) ~300 ~300 (55°С) ~50 n-p-n n-p-n 200 (400**) 200 (400**) 25 25 25 25 ~50 КТ379Г n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~300 ~200 КТ375А КТ375Б КТ379А КТ379Б КТ379В . КТЗSОА р-п-р КТ380Б р-п-р ктзsов р-п-р 15 15 15 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 15 15 15* 15* 15* (lОк) (IОк) 30* 25* 10* 60* (IОк) ~300 ~300 ~300 мА 3 3 3 IКэR, 1** кэо, мкА 10 10 10 S0,5 (15 S0,5 (15 S0,5 (15 (200*) (200*) (200*) (200*) s0,05 S0,05 S0,05 s0,05 В) В) В) 5 5 100 (200*) 100 (200*) (IОк) (lОк) (IОк) (IОк) 5 5 5 5 30 30 30 30 17* (lОк) 17* (lОк) 9* (IОк) 4 4 4 10 (25*) 10 (25*) 20 (25*) Sl (10 В) Sl (10 В) Sl (7 В) 25 25 25 25 25 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 .15 15 15 15 15 0,03 (5 В) 0,03 (5 В) о.аз (5 в> 0,03 (5 В) 0,03 (5 В) 15 15 3 3 20 (40*) 20 (40*) (IОк) (IОк) (lОк) 60 30 30* 25* 10* 60* (100*) (100*) ( 100*) (100*) (25 (20 (10 (25 В) В) В) В) 50 50 50 50 ~250 ~250 * и max, Iк. Iкво, 5 5 5 5 ~250 ~300 (IОк) Iк max, Sl (60 Sl (30 S0,05 s0,05 s0,05 S0,05 В) В) (30 (25 (10 (60 В) В) В) В) "' КТ381Б КТ381В ктзs1r КТ381Д КТ381Е КТ382А п-р-п КТ382Б n-p-n 100 100 (65°С) (65°С) ~200 ~00 ~200 ~200 ~1800 ~1800 S0,5 (15 S0,5 (15 В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ * Ом tб, * НС tpac, пФ ~10* ~10* ~10* (5 (5 (5 В; В; В; 10 10 10 мА) ~1 мА) ~1 мА) 100 ... 250 (5 В; 1 мА) 200 ... 600 (5 В; 1 мА) 500 .. .1,000 (5 В; 1 мА) 500 ... 125 (5 В; 1 мА) 10 ... 100* (2 В: 20 мА) 50 ... 280* (2 В; 20 мА) 117 (5 В) (5 В) ~1 (5 В) ~10** (1 ГГц) (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~10** ~8 ~8 (5 В) (5 В) ~8 (5 В) ~8 (5 В) ** Рвых, ~.5 ~5.5 ~5.5 Вт (1 ГГц) (1 ГГц) (1 ГГц) ** tвыкл, НС ~9 ~9 ~10 ~200 ~10 ~00 ~700 ~20 ~200 (10 В) (10 В) ~о ~00 ~о ~00 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) ~10 (5 В) ~6 (5 В) ~6 (5 В) ~30 100 ... 250 (5 В; 1 мА) 200 ... 500 (5 В; 1 мА) 400 ... 1000 (5 В; 1 мА) 50 ... 125 (5 В; 1 мА) ~8 ~8 ~8 ~8 30 ... 90 (0,3 В; 10 мА) 50... 150 (0,3 В; 10 мА) 30... 90 (0,3 В; 10 мА) ~6 КТ372 ~9 ~10 ~5 ~5 Корпус КТ373 КТ375 КТ379 ~10 ~10 ~20 10* 20* 10* ~о ~о КТ380 1 ~~ ~ /( ~40 ~30 ~20 ~20 ~20 (5 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; В; 10 10 10 10 10 мкА) 3 \ КТ381 мкА) мкА) мкА) мкА) 1 $ ~~ 3 40 ... 330 (1 В; 5 мА) 40 ... 330 ( 1 В; 5 мА) f ~2 ~2 (5 В) (5 В) ~9** ~5** (400 (400 МГц) МГц) ~3 (400 МГц) ~.5 (400 МГц) ~15 ~10 /( КТ382 \
Раздел 118 КТ382АМ 100 100 (85°С) ~1800 (85°С) ~1800 КТ382БМ n-p-n n-p-n КТ384А-2 n-p-n 300 КТ384АМ-2 n-p-n 300 . 15 15 2. Биполярные транзисторы 3 3 20 (40*) 20 (40*) ~О.5(15В) ~О.5 (15 В) ~450 30* (5к) 4- 300 (500*) ~10 (30 В) ~450 30* (5к) 4 300 (500*) ~10 (30 В) / КТ385А-2 n-p-n 300 ~200 60 4 300 (500*) ~10 (60 В) КТ385АМ-2 n-p-n n-p-n 300 300 ~200 КТ385БМ-2 ~00 60 60 4 4 300 (500*) 300 (500*) ~10 ~10 (60 (60 В) В) КТ388Б-2 р-п-р ~250 50 4,5 250 ~ (50 В) КТ388БМ-2 р-п-р ~250 50 4,5 250 ~2 (50 В) 300 0 (8О С) 300
119 Параметры биполярных кремниевых транзисторов 40 ... 330 ( l В; 5 мА) 40 ... 330 (1 В; 5 мА) 30 ... 180* (1 В; 0,15 А) ~2 ~2 ·~4 (5 В) (5 (10 В) В) ~9** ~5** (400 МГц) (400 МГц) ~3 (400 МГц) ~4.5 (400 МГц) ~15 КТ382М ~10 ~15* ~4 КТ384-2 ~-~ / 1\ t ~ 1 ока 30 ... 180* (1 В; 0,15 А) ~4 (10 В) ~4 . ~15* КТ384М J 1 -~ ~ К53 20 ... 200* ( 1 В; О, 15 А) ~4 (10 В) ~5 ~60* КТ385-2 ~Щ"' 11\-~ 1,1 5КЗ 20 ... 200* ( 1 В; О, 15 20 ... 100'" (1 В; 0,15 А) А) ~4 ~4 (10 В) (10 В) ~5 ~60* ~5 ~60* КТ385М 1 J -~ ~ К53 25 ... 100* (1 В; 0,12 А) ~7 (10 В) ~5 60;~60* КТ388-2 ~~t 1' \ ~ 5 25 ... 100* (1В;0,12 А) '5.7 ( 10 В) ~5 к э КТ38SБМ-2 60;~60* ~~t 11 \ 5 к э ~
Раздел 120 * ** Рк, и max, fгр, fh'21б, ** fh2lэ, *** fmax, Uкво max, * UкэR max, ** Uкэо max, мВт мrц в ~450 25* (lк) Рк max, Тип Струк· прибора тура КТ389Б·2 р-п-р Рк, т max, 300 (8О С) 0 2. Uэво max, в Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, * Iк, IКэR, ** и max, Iкэо, мА мкА ~1 (25 В) 4,5 300' 2 2 1 10 10 10 ~О.5 (10 В) ~О.5 (10 В) ~О.5 (7 В) ~О.5 (40 В) ~5000 п-р-п 70 (85°С) 70 (85°С) 70 (85°С) ~4000 15 15 10 КТ392А·2 р-п-р 120 (65°С) ~300 40* (5 к) 4 10 (20*) КТ396А·2 n-p-n 30 (50°С) ~2100 15 3 40 ~О.5 КТ396А·9 n-p-n 100 ~2100 15 3 40 ~О.5 (15 В) КТ397А·2 п-р-п 120 (90°С) ~500 40* (lОк) 4 10 (20*) КТ399А п-р-п 150 (55°С) ~1800 15** 3 20 ~40*) КТ391А·2 КТ391Б·2 n-p-n n-p-n КТ391В·2 ~5000 ' ' ~1 (15 В) (40 В) ~О.5 (15 В)
121 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом rвэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ :510 (10 В) :53 h21э, h21э 25 ... 100* (1 В; 0,2 А) ** Рвых, ** tвыКJJ, Вт - Корпус НС КТ389-2 :525*; :5180 ~it "' 11 \ 6 /( ~20 ~20 (7 В; 5 мА) (7 В; 5 мА) ~20 (7 В; 5 мА) :50,7 (5 В) :50,7 (5 В) :50, 7 (5 В) - - :54,5 (3,6 ГГц) :55,5 (3,6 ГГц) :56 (3,6 ГГц) --l 1,4 з КТ391-2 :53,7 :53,7 :53,7 l~@. з '& . з б 40".180* (5 В; 2,5 мА) :52,5 (5 В) :550 4,5 (100 МГц) КТ392-2 :5120 ~it "' 11\ 6 /( ' 40".250 (2 В; 5 мА) :51,5 (5 В) :511 * - :515 --l 1,4 з КТ396-2 . ~~~! б 40".250 (2 В; 5 мА) :52 (5 В) - - /( э ~ КТЗ96-9 :515 0,95 J ~~х " 40" .300 (5 В; 2 мА) :51,3 (5 В) :525* - . 1 КТ397-2 :540 ~~J 11 \ 5 ~40* (1 В; 5 мА) :51,7(5В) ~11,5** (0,4 ГГц) :52 (400 МГц) к з ~ . КТ399 :58 ~5,8 ~ з l\r:)I \.(')' ...... 11 r<')- 1 Корлф5 к
122 Раздел Рк max, Тип Струк- прибора тура КТЗ99АМ * Рк, т max, ** Рк, и max, п-р-п * f гр, fh2Iб, ** fh2Iз, *** fmax, 2. .Биполярные транзисторы Uкво max, * UкэR max, ** Uкэо max, мВт Мfц в 150 (55°С) ~1800 15** Uэво max, в 3 Iкво, Iк max, * ** Iкэо, lкэR, * Iк, и max, мА 30 (60*) мкА :50,5 (15 В) " КТ501А р-п-р КТ501Б р-п-р КТ501В р-п-р KT501f р-п-р КТ501Д р-п-р КТ501Е р-п-р КТ501Ж р-п-р КТ501И р-п-р КТ501К р-п-р КТ501Л р-п-р КТ501М р-п-р КТ502А р-п-р КТ502Б р-п-р КТ502В р-п-р KT502f р-п-р КТ502Д р-п-р КТ502Е р-п-р КТ50ЗА п-р-п КТ50ЗБ n-p-n КТ50ЗВ п-р-п КТ50Зf п-р-п КТ50ЗД КТ50ЗЕ n-p-n n-p-n КТ504А п-р-п КТ504Б п-р-п КТ504В п-р-п КТ505А р-п-р КТ505Б р-п-р КТ506А п-р-п КТ506Б п-р-п 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 15* 15* 15* 30* 30* 30* 45* 45* 45* 60* 60* (IОк) (IОк) (IОк) (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) (IОк) (lОк) (lОк) 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 (500*) (500*) (500*} (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) S1*(15B) :51* (15 В) :51 * (15 В) :51 * (30 В) :51 * (30 В) :51 * (30 В) Sl * (45 В) :51* (45 В) :51 * (45 13) Sl* (60 В) :51 * (60 В) В) В) 350 350 350 350 350 350 5... 50 5... 50· 5 ... 50 5... 50 5... 50 5... 50 40 40 60 60 80 90 .5 5 5 5 5 5 150 150 150 150 150 150 (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) :51 :51 Sl :51 :51 :51 350 350 350 350 350 350 5... 50 5... 50 5 ... 50 5... 50 5 ... 50 5... 50 40 40 60 60 80 100 5 5 5 5 5 5 150 150 150 150 150 150 (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) Sl (40 В) :51 (40 В) :51 (60 В) :51 (60 В) :51 (80 В) :51 (100 В) 1 (1 О*) Вт 1 (1 О*} Вт 1 (10*) Вт ~20 400; 350* 200* (0,1 к) 275* (0,lк) 6 6 6 1 (2*) А) 1 (2*) А 1 (2*) А :5100 (400 В) :5100 (250 В) :5100 (300 В) 1 (5*) Вт 1 (5*) вт ~20 300* (0,lк) 250* (0,1 к) 5 5 1 (2*) А 1 (2*) А ~100 (300 В) :5100 (250 В) 0,8 (10*) Вт 0,8 (10*) Вт ~10 800 600 5 5 2 (5*)А 2 (5*) А :5200 (600 В) :5200 (600 В) ~о ~20 ~20 ~10 \ , (40 (40 (60 (60 (80 (90 В) В) В) В) ~ -
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, 5 мА) :51, 7 (5 В) 20 ... 60* ( 1 В; 30 мА) - 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80 ... 240* ( 1 В; 30 мА) 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 80... 240* (1 В; 30 мА) 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (l В; 30 мА) 80... 240* ( 1 В; 30 мА) 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) В; (5 (5 (5 (5 (5 (5 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 40 ... 120 (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) В; В; В; В; В; 10 10 10 10 1О 10 мА) 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 80... 240 40 .. .120 40 ... 120 мА) мА)-· мА) мА) мА) 15 ... 100* (5 В; 0,5 А) 15 ... 100* (5 В; 0,5 А) 15 ... 100* (5 В; 0,5 А) Кш, дБ Ом Ом к;.~, дБ пФ ~40* (1 В; rкэ нас, Ом • нас, rвэ • С12з, :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 (10 (10 ( 10 (10 ( 10 (10 (IO (10 (10 (10 (10 В) В) В) :550 :550 :550 :550 :550 :550 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) :550 :550 :550 :550 :550 :550 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В.) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) :530 (10 В) :530 (10 В) :530 (10 В) ~11,5* * (0,4 ГГц) :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 • rб, ** Вт Рвых, 123 'tк, ПС • •• tвыКJJ, Корпус tpac, НС НС :52 (4000 МГц) КТ399М КТ501 :54 ( 1 кГц) :54 (1 кГц) :54 (1 кГц) :560 :560 :560 :560 :560 :560 :5320* :5320* :5320* :5320* :5320* :5320* КТ502 :560 :560 :5580* :5580* :5580* :5580* :5580* :5580* КТ503 :56Р :560 :560 :560 :52 :52 :52 КТ504 :52700* :52700* :52700* 149,4 - <о~ f1'· ф i.c:r.J-1'~~к :. з ~......_::-~~fi f 25 ... 140* (10 25 ... 140* (10 В; В; 0,5 0,5 А) А) :570 (5 :570 (5 В) В) :53,6 :53,6 5 КТ505 :52600* :52600* 149,11 ~ r ' ~ с-. 30... 150* (5 30... 150* (5 В; В; 0,3 0,3 А) А) :540 (5 В) :540 (5 В) :52 :52 IJI 1 / 111 1 КТ506 :51560* :51560* 149,11 ~ ~ r 1 IJI 1 с-._,,_11.... 11 1кф··з 5
Раздел 124 • •• fh2Iэ 1 ••• 1 fmax fгр, fh2lб1 Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк, •• Рк, и max, p-n-p Uкво max, • •• Uкэо max, UкэR max, Uэво max, в Биполярные транзисторы Iк max, • Iк. и max, мА Iкво, • lкэR, 1** кэо, МГц в ~10 500 5 20 :55 (500 В) ~40 100* 3 30 :550 (50 В) ~40 100* 3 30 (2,8*) Вт (2,8*) Вт (2,8*) Вт (2,8*) Вт ~150 120 120 80 80 5 5 5 5 75 75 75 75 120 120 5 5 75 (500*) 75 (300*) 30* (lк) 30* (lк) 15* (lк) 15* (lк) 10* ( lк) 10* (1 к) 30* (lк) 3 3 3 3 3 3 3 300 250* (1 к) 5 5 мВт КТ509А 2. 300; 1* Вт мкА ~ Вт КТ601А n-p-n 0,25 (0,5*) КТ601АМ n-p-n 0,5 KT60ZA КТ602Б n-p-n n-p-n КТ602В п-р-п КТ602Г п-р-п 0,85 0,85 0,85 0,85 КТ602АМ n-p-n n-p-n 0,85 (2,8*) 0,85 (2,8*) Вт Вт ~150 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) ~00 КТ602БМ КТ603А КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И Вт ~150 ~150 ~150 ~150 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 300 300 300 300 300 300 300 (500*} (500*) (300*) (300*) s;300* (100 В) s70 (120 В} :570 (120 В) :570 (80 В) . :570 (80 В) :570 (120 В) :570 (120 В) (600*) (600*) (600*) (600*) (600*) (600*) (600*) :510 (30 В) :50 (30 В) :55 (15 В) :55 (15 В) :51 (IO В) s;l (10 В) :510 (30 В) 200 200 :550 (250 В) :550 (250 В) ' КТ604А КТ604Б п-р-п n-p-n 0,8 (3*) 0,8 (3*) Вт ~40 Вт ~40
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, h21э, h21э Сi2э, пФ 10 .. .100 (10 В; 0,1 мА) :52,9 (100 В) 125 rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, lОк ** Рвых, Вт ** tвыКJJ, Корпус НС КТ509 :5500 ~9/1 со" ! е <Q'-J-'I~~к .' • з ~" с-. JI J 111 1 5 " ;::16 (20 В; 10 мА) :515 (20 В) КТ601 :5600 ~11,7_ 1 ;::16 (20 В; 1О мА) :515 (20 В) 20 ... 80 (1 О В; 1О мА) ;::50 (10 В; 10 мА) 15 ... 80 (10 В; 10 мА) ~50 (10 В; 10 мА) :54-(50 В) :54 (50 В) :54 (50 В) :54 (50 В) 20 ... 80 (1 О В; 1О мА) ~50 (10 В; 10 мА) :54 (50 :54 (50 10 ... 80* (2 В; .15 А) ~60* (2 В; 0,15 А) 10 ... 80* (2 В; 0,15 А) ~60* (2 В; 0,15 А) 20 ... 80* (2 В; О, 15 А) 60 ... 200* (2 В; О, 15 А) ~20* (2 В; 0,35 А) :515 :515 :515 $15 :515 :515 :515 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30".120* (40 В; 20 мА) :57 (40 :57 (40 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) В) В) В) В) :5600 КТ601М :560 :560 :560 :560 :5300 :5300 :5300 :5300 КТ602 :560 :560 :5300 :5300 КТ602М :57 :57 :57 :57 :57 :57 :53,4 :5100** :5100** :5100** :5100** :5100** :5100** :5100** КТ603 ~11,7_ 1 ~11,7_ 1 - 5 . !~ 1Jm1 . Q:) з 1 ~, qo~_Jw J В) В) к КТ604 ~11,7_ - Q:):: 1 1 ~ 5~3 ~:~J~il ~
Раздел 126 - Тип Струк- прибора тура КТ604АМ п-р-п КТ604БМ п-р-п "' • fгр, fh2lб, Uкво max, * "max, Рк, ** Рк, и max, fh2°Iз, *** fmax, * max, UкэR ** Uкэо max, мВт мrц в 0,8 (3*) Вт 0,8 (3*) Вт ~40 250* (lк) 300 Рк max, ~40 2. Uэво max, в 5 5 Биполярнь1е транзисторы Iк max, • Iк, и max, мА 200 200 Iкво, • •• Iкэо, lкэR, мкА :520* (250 В) :520 (250 В) - КТ605А п-р-п КТ605Б п-р-п КТ605АМ п-р-п КТ605БМ п-р-п , 0,4 Вт (100°С) 0,4 Вт (1 ОО 0 С) ~40 0,4 Вт ( 1ОО 0 С) 0,4 Вт ( 1ОО 0 С) ~40 ~40 ~40 300 300 5 5 100 (200*) 100 (200*) :550.* (250 в) :550* (250 В) 300 300 5 5 100 (200*) 100 (200*) :520* (250 В) :520* (250 -8) -.. КТ606А п-р-п КТ606Б n-p-n КТ607А-4 п-р-п КТ607Б-4 2,5 Вт (40°С) 2,5 Вт (40°С) 1,5 1,5 п-р-п ~350 60 ~300 60 4 4 400 (800*) 400 (800*) :51,5* (60 В) :51,5* (60 В) Вт ~700 Вт ~700 40 30 4 4 150 150 :51 (30 В) :51 (30 В) 60 60 4 4 400 (800*) 400 (800*) :510 (60 В) :510 (60 В) 40, 40 40 40 40 5 5 5 5 5 500 500 500 500 500 :50,1 :50,1 :50,1 :50,1 :50,1 - КТ608А п-р-п КТ608Б п-р-п КТ6109А р-п-р КТ6109Б р-п-р КТ6109В р-п-р KT6109f p-n-p КТ6109Д р-п-р 0,5 Вт 0,5 Вт . 625 625 625 625 625 ~200 ~200 -
f 27 Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов rкэ нас, Ом • нас, rвэ Ом к;.~, дБ 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30".120* (40 В; 20 мА) S7 (40 В) S7 (40 В) S400 S400 1О .. .40* ( 40 В; 20 мА) 30".120* (40 В; 20 мА) S7 (40 S7 (40 В) S400 S400 В) Кш, дБ 'tк, ПС rб, Ом Р:~х, Вт t~ac, НС ** tвыКJJ, Корпус НС КТ604М КТ605 S250 S250 - 1611,7 1 5 ' !~ ~·' • 1 w11· · . · з j Q;:)I ~~L.JIШIJ 1О" .40* (40 В; 20 мА) 30. "120* (40 В; 20 мА) -~15* (10 В; ~15* (IO В; 0,10 А) 0,10 А) S7 (40 S7 (40 В) В) goo SlO (28 В) SlO (28 В) S5 S5 КТ605М ~250 S400 к 5250 ~.8** ~.6** (400 МГц) (400 МГц) КТ606 SlO Sl2 ;: ....---,....;,~ М5 ш 1 ~ ! ~~пr S4 (10 В) S4,5 ( 10 В) 20."80* (5 В; 0,2 'А) 40".160* (5 В; 0,2 А) Sl5 (10 Sl5 (10 В) В) ~4** ~3** (l ГГц) (1 ГГц) S2,5 s2,5 ~l ** ~l ** (l ГГц) (l ГГц) Sl8 S25 КТ607-4 Sl20* Sl20* КТ608 / 1611,7_ 1 64."91 78".112 96".135 112".166 144".202 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 t:rmr - КТ6109 6
Раздел 128 Струк- прибора тура Биполярные транзисторы fгр, fh2lб, fh21э, Uкво max, * т max, Рк, * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в ~1000 26 26 4 4 110 140 5 5 1500 1500 :50,1 :50,1 Рк max, Тип 2. Вт (50°С) Вт (50°С) Iкво, Iк max, * и max, Iк, мА IКэR, . 1** кэо, мкА В) В) КТ610А п-р-п КТ610Б n-p-n КТ6102А р-п-р КТ6103А п-р-п КТ6104А п-р-п р-п-р 1000 1000 - КТ6105А - 300 300 5 5 150 150, :50,1 :50,1 КТ6107А n-p-n p-n-p 1000 1000 - 500 500 5 5 130 130 ~О.1 200 200 180 180 3 3 3 3 100 100 100 100 :5200 :5200 :5100 :5100 200 200 4 4 100 100 :5100 (180 В) :5100 (180 В) - 40 40 40 40 40 5 5 5 5 5 500 500 500 500 500 :50, 1 :50,1 :50,1 :50, 1 :50,1 450 450 450 450 150 150 150 150 50 50 50 50 5 5 5 5 100 100 100 100 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 450 450 450 100 100 100 50 50 50 5 5 5 100 100 100 :50,05 :50,05 :50,05 400 400 400 400 400 400 700 700 700 700 700 700 30 30 30 30 30 30 5 5 5 5 5 5 50 50 50 50 50 50 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 КТ6108А -КТ611А п-р-п КТ611Б п-р-п КТ611В п-р-п КТ611Г п-р-п КТ611АМ п-р-п КТ611БМ п-р-п КТ6110А п-р-п КТ6110Б n-p-n КТ6110В п-р-п КТ6110Г п-р-п КТ6110Д п-р-п КТ6111А n-p-n n-p-n 1,5 1,5 ~700 -- 1000 1000 (3*) (3*) (3*) (3•) Вт Вт Вт Вт ~60 0,8 (3*) 0,8 (3*) Вт Вт ~60 0,8 0,8 0,8 0,8 625 625 625 625 625 ~60 ~60 ~60 ~60 - - - 1 :50,5 (26 :50,5 (26 300 300 :50, 1 (180 в) ( 180 В) (150 В) (150 В) ' КТ6111Б КТ6111В п-р-п КТ6111Г п-р-п КТ6112А р-п-р КТ6112Б р-п-р КТ6112В р-п-р КТ611ЗА КТ6113Б n-p-n n-p-n КТ6113В п-р-п КТ6113Г КТ6113Д n-p-n n-p-n КТ6113Е п-р-п ' --
параметры биполярных кремниевых,транзисторов h21э, • h21э Ск, • С12э, пФ 50 ... 300* (lO В; 0,15 А) 20 ... 300* (10 В; 0,15 А) rкэ на~:, Ом • rвэ нас, Ом к;.~, дБ :54,l (10 В) :54,1 (10 В) <5 <5 80 ... 250 80... 250 <5 <5 80 ... 250 80 ... 250 <5 <5 :55 :55 :55 :55 (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) • •• Рвых, rб, Ом 6 (0,2 6 (0,2 80 ... 250 80 ... 250 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30 ... 120* (40 В; 20 мА) 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30... 120* (40 В; 20 мА) Кш.дБ 129 .•• 'tк, ПС - Kopnyc tpac 1 НС Вт tвыкл, НС ГГц) ГГц) :555 :522 КТ610 КТ6102, КТ6104, КТ6107 КТ6103, КТ6105, КТ6108 :5400 :5400 :5400 :5400 :5200 :5200 :5200 :5200 КТ611 ~11,7_ - 1 - -1~ Q::)---·-.... 5. . .~ ~._1~1~ 10.. .40* (40 В; 20 мА) 30 .. .120* (40 В; 20 мА) :55 (40 В) :55 (40 В) :5400 :5400 к КТ611М :5200 :5200 КТ6110, КТ6111 64 ... 91 78 ... 112 96 .. .135 112 ... 166 144 ... 202 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 60 .. .150 100 ... 300 200 ... 600 400 .. .1000 <3· <3 <3 <3 < 10 < 10 < 10 < 10 (l (l (l (l кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) 60 .. .150 100... 300 200 ... 600 - <7 <7 <7 < 10 (l < 10 (l < 10 (l 28 .. .45 39 ... 60 54 ... 80 72 .. .108 97 .. .146 132 .. .198 - <10 <10 <10 <10 <10 <10 - - - - КТ6112, КТ6113 ~[j:~ ~· 1.1') ~ ' • ~ .........
, Разд!Уf 2. Биполярные транзисторы 130 КТ6114А п-р-п КТ6114Б n-p-n n-p-n n-p-n КТ6114В KT6114f КТ6114Д п-р-п КТ6114Е n-p-n КТ6115А р-п-р КТ6115Б р-п-р КТ6115В p-n-p KT6115f р-п-р КТ6115Д p-n-p p-n-p KT6t1SE 1000 1000 1000 700 700 700 1000 1000 1000 1000 1000 1000 100 100 100 . 100 100 100 б 40 40 40 40 40 40 6 6 6 6 6 1500 1500 1500 1100 1100 1100 :50,1 :50, 1 :50,1 :50, 1 :50,1 40 40 40 40 40 40 6 6 6 6 6 6 1500 . 1500 1500 1100 1100 1100 :50, 1 :50, 1 :50,1 :50, 1 :50,l ::;;О,1 ::;;О,1 p-n·p p-n-p . 625 625 >100 >100 160 130 5 5 600 600 :50,05 :50,01 n-p-n n-p-n 625 625 >100 >100 180; 160* 160; 140* 5 КТ6117Б 600 600 :50,05 :50, 1 ·КТ6127А р-п-р р-п-р КТ6127Е p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ6127Ж р-п-р КТ6127И КТ6127К p-n-p p-n-p ~150 90 70 50 30 20 10 120 160 200 4 4 КТ6127В (6 Вт**) (6 Вт**) (6 Вт**) (6 Вт**} (6 Вт**) (6 Вт**) (6 Вт**} (6 Вт**) (6 Вт**) ~150 КТ6127Б 4 4 4 4 4 4 КТ6129А-9 р-п-р 700 ~4500 20; 15* 3 100 КТ6129Б-2 p-n-p 1 Вт ~250 50 4,5 1000 КТ6116А КТ6116Б КТ6117А KT6127f КТ6127Д 600 600 600 6ОЬ 600 600 600 600 600 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 5 4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 (8*) (8*} (8*) (8*} (8*} (8*) (8*) (8*) (8*) :520 (90) :520 (70) :520 (50) :520 (30) :520 (20) :520 (10) :520 (120) :520 (160) :520 (200) :50,1 (IOB) s5 (50 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов 85 .. .160 120 ... 200 160 ... 300 85 .. .160 120... 200 160... 300 КТ6114 85 ... 160 120... 200 160... 300 85 ... 160 120... 200 160... 300 КТ6115 60... 240 40 .. .180 80 ... 250 (5 60 ... 250 (5 В; В; ~30* (5 В; ~30* (5 В; ~30* (5 В; ~50* (5 В; ~50* (5 В; ~50* (5 В; ~50* (5 В; ~30* (5 В; ~30* 131 (5 В; 20 ... 150* (10 10 10 500 500 500 500 500 500 500 500 500 В; мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) ~74 ~74 ~74 ~74 ~74 ~74 мА) ~74 50 мА) 25 ... 150 (5 В; 0,2 А) ~25 КТ6116 ~8 КТ6117 (5 В) ~0,15 ~250* (5 В) -~0.15 ~250* (5 В) ~О.15 ~250* В) В) ~0,15 ~250* ~0,15 ~250* В) В) В) В) ~0,15 ~250* ~0.2 ~250* (5 (5 (5 ~74 (5 ~74 (5 (5 ~l.45 ~8 (lo (lO ~0.2 ~250* ~0,25 ~250* В) В) КТ6127 КТ6129-9. ~2 90* КТ6129Б-2
, 132 Тип прибора • Рк max, Рк, т max, ) Рк, н max, • •• Структура frp, fh2Jб, Uкво max, fh21з, UкэR max, Uкэо max, •• ••• fmax • •• 1 мВт МГц в Раздел 2. Биполярные транзисторы Iкво, lк max, Uэво max, IКэR, • lк, н max, в 1·· кэо, мА мкА КТ6130А-9 n-p-n 700 ~4000 15* - 100 - КТ6133А p-n·p p-n-p p-n·p 1000 1000 1000 ~100 25* 25* 25* - 1200 1200 1200 - КТ6133Б КТ6133В ~100 ~100 - . ' КТ6134А n-p·n КТ6134Б П·р·П КТ6134В п-р-п КТ6135А П·р·П КТ6135Б п-р-п КТ6135В n-p·n КТ6135Г П·р·П КТ616А n-p-n КТ616Б П·р·П ~100 1000 1000 1000 ~100 ~100 800 800 800 800 - 0,3 0,3 ~100 ~100 ~100 Вт ~00 Вт ~00 - 1200 1200 1200 400* 300• 200• 100* - 500 500 500 500 20• 20• 4 4 25* 25* 25* ~100 - - - - 400 (600*) 400 (600*) Sl5 (10 Sl5 (10 В) В) КТ617А ' n-p-n 0,5 Вт ~150 30 4 400 (600*) 300 5 100 ~ (30 В) ' КТ618А n-p·n 0,5 Вт . ~40 - "' ~50* (250 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов , Ск, h21з, h21э Сi2з. Кш, дБ Ом rб, Ом • нас, rвэ к;.~, дБ пФ - ~20 rкэ нас, Ом - •• Рвых, - Вт 133 'tк, ПС • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС - КТ6130-9 ~~ =~ 6 к -- - 85 .. .160 120".200 160".300 - - - - - КТ6133 ~It~ ~' 14') t§' - 85".160 120".200 160".300 - - - КТ6134 - ~IJ:~--~ - - - - - - - - - В; В; 0,5 0,5 А) А) Sl5 (10 Sl5 (10 В) В) Sl,2 Sl,2 - . ~ ~EW:~ ~ (1 (1 ~' КТ6135 ~ ~40* ~25* ~ ........ - - ~ 50".500 50".500 50".500 50".500 • • ~' . ~ _... КТ6'16 S50* Sl5* 115,81/ ;fi - ~30* (2 В; 0,4 А) Sl5 (lO В) S7 - кфз 5 КТ617 Sl20 ~t]f $ ~ ~ ~30* (40 В; l мА) S7 (40 В) - - - КТ618 :5fl$
Раздел _.134 Тип Струк- прибора тура КТ620А р-п-р КТ620Б р-п-р КТ624А-2 n-p-n • 24 Биполярные транзисторы IКБО, Рк max, fгр, fh21б, Uкво max, • max, UкэR UэБО max, ** и max, Рк, *** fmax, Uкэо max, в .мВт МГц в ~200 ;:::200 50 50 3 4 400 400 g> (50 В) :::;5 (50 В) ;:::450 30 4 1000 (1300*) :::;100 (30 В) •• fh2Jэ, • т max, Рк, 0,225 Вт 0,5 Вт l , Вт .. . Iк max, IКэR, 1** кэо, * и max, lк, мА мкА . КТ624АМ-2 n-p-n · l Вт ~450 30 4 l ООО (1300*) :::;100 (30 В) КТ625А n-p-n 1 Вт ~200 40* (5к) 5 1000 (1300*) :::;30 (60 В) n-p-n n-p-n 1 l Вт ;:::200 ;:::200 60 60 5 5 1ООО (1300*) 1000 :::;зо (60 В) . КТ625АМ КТ625АМ-2 Вт :::;30 (60 В) ,. КТ626А р-п-р КТ626Б р-п-р КТ626В р-п-р КТ626Г р-п-р КТ626Д р-п-р КТ629А-2 р-п-р КТ629Б-2 р-п-р 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 0 Вт (6О С) ;:::75 Вт Вт Вт Вт ~75 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 0 l Вт (8О С) 1 Вт (8О 0 С) ~45 ~45 . ~45 ;:::250 ~250 20* (О;lк) 20* (О,lк) 4 4 4 4. 4 500 (1500*) 500 (1500*) 500 (1500*) 0,5 (1,5*) А 0,5 (1,5*) А ~10 (30 В) ~150 (30 В) :::;1 мА (80 В) ~150 (20 В) :::;150 (20 В) 50 50 4,5 4,5 1000 1000 ~5 (50 В) :::;5 (50 В) 45 60 80 . .
135 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Сi2э, rБэ нас, Ом •• д Б Ку,р, пФ 100* (10 В; 10 мА) 30... 100• (5 в; 0,2 А) Кw,дБ • Ом rб, •• Рвых, Вт 'tк, ПС • •• tеыкл, Корпус: tpac, нс· НС КТ620 ~2.5 ~2.5 ~100• ~11,7_ ~. (::)~' - ' 5~3 1Jm 1 • • 1 1 ~~uJW 30.. .180* (0,5 В; 0,3 А) ~15 (5 В) ~9 ~18 к КТ624 ~~~k ~и: . /1\ 6К3 30 .. .180* (0,5 В; 0,3 А) ~15 (5 В) ~9 ~18 КТ624М J 1 -f:i ~ КбЗ 20 ... 200* (l В; 0,5 А) ~9 (lO В) ~2.4 ~60 КТ625 ~~ if ''\~о 6 20 ... 200* (l В; 0,5 А) 20 ... 200 ( l В; 0,5 А) ~9 ~9 (lO (10 В) В) ~2.4 ~60 ~1.3 ~60 к з КТ625М J -J:i КбЗ 40 ... 260* (2 В; О, 15 А) 30.. .100* (2 В; О, 15 А) 15 .. .45* (2 В; 0,15 А) 15 ... 60* (2 В; 0,15 А) 40 ... 250* (2 В; О, 15 А) 25 ... 150* (5 В; 0,5 А) 25 ... 150* (5 В; 0,2 А) ' ~150 (10 В) ~150 (lO В) ~150 (lO В) ~150 (lO В) ~150 (10 В1 ~25 ~25 (lO В) (lO В) ~00 КТ626 ~500 ~500 ~500 ~500 90* КТ629А-2 2,2 1,5 ~~,~W fj к э
Раздел 136 КТ629БМ-2 р-п-р l КТ630А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n о,8.Вт ~50 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 ~50 КТ630Б КТ630В КТ630Г КТ630Д КТ630Е КТ630А-5 КТ630Г-5 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n КТ632Б p-n-p КТ632Б-1 p-n-p ~Т630Б-5 КТ630В-5 Вт Вт. Вт ~50 Вт 250 Вт ~50 Вт ~50 800 800 800 800 0,5 Вт 350 350 ~250 ( 45°С) ~50 ~50 ~50 ~50 120 120 150 100 60 60 7 7 7 5 5 5 120 120 150 100 7 7 7 1000 1000 1000 1000 (2000*) (2000*) (2000*) (2000*) lQOO (2000*) 1000 (2000*) l l А А 5 1А 1А (2* (2* (2* (2* ~5 (50 В) ~l (90 (90 (90 (40 (40 (40 В) В) ~l ~l ~1 ~1 ~l А) ~100 ~100 А) ~100 А) ~100 А) В) В) В) В) (120 В) (120 В) (120 В) (100 В) (lк) 5 100 (350*) ~l (120 >200 >200 120* 120* (lк) (lк) 5 5 100 (350*) 100 (350*) ~1 (40°С) ~l (l20B) (120 В) 30 30 4,5 4,5 200 (500*) 200 (500*) ~10 ~10 30 30 3 3 150 (250*) 150 (250*) (40°С) КТ633А n-p-n n-p-n 1,2 1,2 Вт ~500 Вт ~500 n-p-n n-p-n 1,2 1,3 Вт ~1500 Вт ~1500 КТ634Б-2 1000 4,5 120* р-п-р КТ634А-2 (lк) Биполярные транзисторы ~200 КТ632В-1 КТ633Б 50* 2. (30 (30 В) В) В) ~0,5 мА (30 В) ~1 мА (30 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 25 ... 150* (l ,2 В; 0,5 А) В) 525 (lO 137 КТ629М 90* 52 ~~ ~д 1,5 11 \ 5 40 ... 120* (10 В; 150 мА) 80 ... 240* (lO В; 150 мА) 40 ... 120* (10 В; 150 мА) 40 ... 120* {10 В; 150 мА) 80 ... 240* (10 В; 150 мА) 160 ... 480* (lO В; 150 мА) 515 515 515 515 515 515 В) (10 (10 (10 (10 (lO (lO В) В) В) В) В) ~5* 52 52 52 52 52 52 ~5* ~5* ~5* ~5* ~5* к э КТ630 5500** 5500** 5500** 5500** 5500** 5500** ~9/i кфз. ~ с-.. 6 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 40 ... 120 (10 В; 0,1 А) (l О В; O, l А) (lO В; 0,1 А) (10 В; O, l А) ~50 (l В; l мА) 50... 350 (l В; l мА) 150 ... 450 (10 В; l мА) 40 ... 140 (l 20 .. .160 (l В; В; 10 10 мА) мА) 515 515 515 515 (10 В) (lO В) (lO В) (lO В) КТ630-5 53,3 53,3 53,3 53,3 1 ~mт 55 (20 В) 525 5100 55 (20 55 (20 В) 525 525 5100 2000* КТ632-1 530* 530* КТ633 В) 54,5 (lO ~4.5 (lO В) В) 52,5 (15 В) 53 (15 В) 56 (20 мГц) 56 (20 мГц) 55 55 ~l.4** ~l.4** (5 (5 0,32 ГГц) ГГц) ~.2** ~.45** (5 ГГц) (5 ГГц) 52 53,5
Раздел 138 Тип Струк- прибора тура КТ635А КТ635Б КТ637А-2 КТ637Б-2 Рк max, РК. т max, • 2. Биполярные транзисторы - fгpt fh2Jб, fh21э, UкБо max, • max, UкэR UэБО max, ** н max, Рк, f*** max, ** max, Uкэо в мВт МГц в 2:200 2:250 60 5 5 1 (1,2*)А 1 (l,2*) А 2:1300 2:800 30 30 2,5 2,5 200 (300*) 200 (300*) 500 ~00 110 5 100 (350*) 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 Вт (35°С) 1 Вт (35°С) 1 Вт (35°С) ~80 45 45 45 60 60 100 100 30 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 45 45 45 60 60 100* 100* 30 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 60 60 60 ~о.5 мА g),5 мА 2:3800 25 25 25 - 20 2 60 ~l мА • n-p-n n-p-n 0,5 0,5 n-p-n n-p-n 1,5 1,5 Вт Вт Вт Вт •• - ~о Iк max, IКБО, IКэR, lк. н max, 1** кэо, мА мкА SЗО SЗО .(60 (60 В) В) ~О. 1 мА (30 В) ~2 мА (30 В) / КТ638А п-р-п ~О.1 мА В) (110 ~ КТ639А р-п-р КТ639Б р-п-р КТ639В р-п-р КТ639Г р-п-р КТ639Д р-п-р КТ639Е р-п-р КТ639Ж р-п-р КТ639И р-п-р КТ639А-1 р-п-р КТ639Б-1 р-п-р КТ639В-1 р-п-р КТ639Г-1 р-п-р КТ639Д-1 р-п-р КТ639Е-1 р-п-р КТ639Ж-1 р-п-р КТ639И-1 р-п-р КТ640А-2 КТ640В-2 n-p-n n-p-n n-p-n КТ642А-2 п-р-п КТ640Б-2· , - 500 500 500 500 500 500 500 500 ~80 2:80 ~80 ~80 ~80 ~80 ~80 Вт) Вт) Вт) 2:80 Вт) ~80 (3о•• Вт) ~80 (3о•• Вт) (30** Вт) (3о•• Вт) ~80 (30** (30** (30** (30*"' ~80 ~80 2:80 ~80 о.6 Вт (6О 0 С) ~3000 о.6 Вт (6О С) . 0.6 Вт (6О 0 С) ~3800 0 500 А А (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* А) А) g),l (30 В) g),l (30 В) ~o.i (30 В) g),l (30 В) g),l (30 В) g),l (30 В) g),l (30 В) g),1 (30 В) А А А А А А А А (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* А) А) А) А) А) А) А) А) g),l (30 g),l (30 g),l (30 ~О.1 (30 g),l (30 g),l (30 g),l (30 g),1 (30 А А А А А А А) А) А) А) А) А) g),5 мА В) В) В) В) В) В) В) В) (25 (25 (25 (20 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 139 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ С12э, rвэ нас, Ом rб, Ом пФ к;~, ДБ • • 25 ... 150* (1 В; 0,5 А) 20".150* (1 В; 0,5 А) :::;15 (10 :::;10 (10 30".140* (5 В; 50 мА) 30".140* (5 В; 50 мА) :::;4,5 (15 В) :::;4,5 (15 В) 50".350 (1 В; 10 мА) :::;8 (20 В) В) •• Рвых, Вт :::;1 :::;1 В) 'tк, пс • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС КТ635 :::;58; :::;60** :::;58; :::;60** ~.5** (3 ГГц) ~.25** (3 ГГц) КТ637-2 ~25 (1 * мкс) КТ638 С'-.11. ·~" ~ ~" . 40".100* (2 В; 0,15 А) 63".160* (2 В; 0,15 А) 100".250* (2 В; -О, 15 А) 40".100* (2 В; О, 15 А) 63".160* (2 В; 0,15 А) 40."100* (2 В; 0,15 А) 60".100* (2 В; 0,15 А) 180".400* (2 В; 0,15 А) :::;50 40".100 (2 В; 0,15 А) 40".160 (2 В; 0,15 А) 90".160 (2 В; 0,15 А) 40".100 (2 В; 0,15 А) 63".160 (2 В; 0,15 А) 40."100 (2 В; 0,15 А) 63".160 (2 В; 0,15 А) 180."400 (2 В; 0,15 А) :::;50 (10 В) :::;50 оо В) ~50 (10 В) ::;50 ( 10 В) ~50 (10 В) ~50 (10 В) ~50 (10 В) ~50 (lo В) ~50 ~50 ~50 (10 В) (10 В) (10 В) ~200* :::;200• оо в) ~О (10 В) :::;50 (10 В) ~50 (10 В) ~50 (10 В) ~200* :::;200• ~200* :::;200* ~оо· ~200* (5 В; 5 мА) ~15* (5 В; 5 мА) ~15* (5 В; 5 мА) ~1.3 ~1.3 (15 В) (15 В) :::;1,3 (15 В) ~1.1 (15 В) КТ639-1 ~200* ~200* ~200* ~00* ~200* ~200* ~оо· :::;8 (6 ~15* КТ639 ~200* ~6** (7 ГГц) ~6** (7 ГГц) ~6** (7 ГГц) ~3.5** (8 ГГц) ГГц) ~. 1** (7 ГГц) ~. 1** (7 ГГц) ~О.08** (7 ГГц) ~. l ** (8 ГГц) КТ640-2 0,6 1 1 КТ642-2
Раздел 140 frp, fh'21б, Рк max, Тип прибора КТ642А-5 •• и max, Рк, •• fh2lз, ••• fmax, Uкво max, UкэR max, Uкэо max, мВт МГц в ' К, т max, р• Структура n-p-n 500 • •• 2. UэБо max, в Биполярные транзисторы Iк max, • Iк, и max, мА Iкво, IКэR, 1·· кэо, мкА - 20 2 60 ~l мА (20 В) - 25 3 120 ~1 мА (25 В) 60 60 40** 40** 5 5 5 5 60 40 4 4 60 40 40 18 / КТ643А-2 l, l n-p-n Вт (50°С) . , Вт ~200 Вт ~00 КТ644А р-п-р КТ644Б р-п-р КТ644В р-п-р КТ644Г p-n-p КТ645А П·р·П П·р-n 0,5 (l *) 500 Вт КТ645Б КТ646А 1 (2,5*) 1 Вт 1 Вт В,т КТ646В n-p·n n-p-n n-p-n КТ647А-2 П·р·П КТ646Б 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) , . 560 Вт Вт ~00 ? ~200 ~200 ~00 ~200 ~200 ~200 - ~.l ~.l ~О.1 ~.1 (50 (50 (50 (50 В) В) В) В) 0,3 А; 0,6* А 300 (600*) ~10 (60 (40 В} ~10 4(5) 4 4 1 А; l,2_*A 1 А; 1,2* А 1 А; 1,2* А ~10 ~10 ~10 (60 (40 (40 В) В) В) 2 90 ~l мА 0,6 0,6 0,6 0,6 А; А; А; А; 1*А 1*А 1*А 1*А В) (18 В) ~ КТ647А-5 n-p-n 560 - 18 2 90 ~1 мА (18 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12з, rБэ нас, Ом к;.~, дБ • пФ Кш, дБ • •• 1 Рвых rб, Ом Вт 141 'tк, ПС • •• 1 tвыкл Корпус tpac 1 нс НС Sl,l (15 В) ~3,5** (8 ГГц) ~О. 1** (8 ГГц) - КТ642-5 0,45 0,1 ~ют Sl,8 (15 В) ~О.48** (7 ГГц) КТ643-2 '\ 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 100 ... 300* (10 В; 0,15 А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 100... 300* (IO В; 0,15 А) S8 (IO В) S8 (IO В) S8 (10 В) ~ (10 В) S2,7 S2,7 $2,7 S2,7 Sl80* Sl80* Sl80* Sl80* КТ644 ~ ~ ~, -Е~ _7:8 ,, 11~"' ~'Utl ~ Q;)" 20 ... 200* (2 В; О, 15 А) ~80 (10 В; 2 мА) S5 (10 В) S5 (IO В) S3,3 Sl20;S50* КТ645 40 ... 200* (5 В; 0,2 А) 150... 200* (5 В; 0,2 А) 150... 300* (5 В; 0,2 А) SlO (10 В) SlO (10 В) SlO (IO В) Sl,7 Sl,2 S0,06 Sl20;S60* Sl20;S60* Sl20;S60* КТ646 Sl,5 (15 В) ~3** (10 ГГц) 0,2** (1 О ГГц) КТ647-2 Sl,5(158) ~3** (10 ГГц) 0,2** (IO ГГц) КТ647-5 0,45 3 6 0,1 ~ют
Раздел·2. Биполярные транзисторы 142 Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ648А-2 n-p-n • т max, Рк, fгр, fь21б, tь21з, Uкво max, Рк, и max, ••• fmax, • max, UкэR • • max, Uкэо мВт МГц в •• 420 - Uэво max, в Iкво, Iк max, IКэR, • и max, Iк, 1·· кэо, мА мкА 2 60 ~1 мА 18 2 60 ~1 мА (18 В) 12* 12* 12* 2 2 2 60 60 60 ~1* мА (12 В) ~1* мА (12 В) $l*мА(12В) 2 2 2 60 60 60 $1 *мА (12 В) ~1 * мА (12 В) ~1 * мА (12 В) 18 (18 В) r - n-p-n 420 n-p-n n·p-n n-p·n 375 (6о·с> 375 (60°С) 375 (6О 0 С) ~3 ГГц 375 375 375 ~3 ГГц КТ657В-5 n·p-n n-p-n n-p-n ~3 ГГц 12* 12* 12* КТ659А n-p·n 1 Вт ~300 60 6 1,2 А $0,5 мА (60 В) КТ660А n-p·n n·p-n Вт ;::200 КТ660Б Вт ~200 50 30 5 5 0,8 0,8 А А ~1 (50 В) $1 (30 В) КТ661А p·n·p ~200 60 5 КТ648А-5 ,. КТ657А-2 КТ657Б-2 КТ657В-2 КТ657А-5 КТ657Б-5 0,5 0,5 0,4 Вт (l ,8* Вт) ~3 ГГц ~3 ГГц ~3 ГГц 0,3 А; 0,6* А $0,01 мА (50 В)
параметры биполярных-кремниевых транзисторов 143 ' Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ Ом пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ • С12э, ~1.5 (10 В) ~3** (12 ГГц) • rб, 'tк, ПС Р::х, Вт 0,04** (12 ГГц) * 1 НС tpac Корпус ** 1 НС tвыкл - КТ648-2 - - 60".200 (~ В; 30 мА) 35 ... 70 (6 В; 30 мА) · ~1.5 (10 В) ~l.t ~l .l ~I.l (15 (15 (15 В) В) В) ~3** ~8** ~8** ~8** (12 (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) ГГц) ~.04** ~.05** ~О.05** ~.05** (12 ГГц) (2 (2 (2 ГГц) ГГц), ГГц) КТ648-5 - КТ657-2 i~~ з '& з 6 - 60... 200 (6 В; 30 мА) 35 ... 70 (6 В; 30 мА) ~l.l ~l .l ~l.l (15 (15 (15 В} В) В) ~8** ~8** ~8** (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) ~О.05** ~О.05** ~.05** (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) - КТ657-5 0,1 0,5 ~шт ~35* (1 В; 0,3 А) ~lO(IOB) ~9 ~О** КТ659 {49/i ~~r~~'· Flкф··з 111111 ~ с-........__111 111 110... 220* (10 200 .. .450* (10 В; В; 0,2 0,2 А) А) ~10 (10 SlO (10 В) В) КТ660 ~1 ~1 '65,2 100... 300* (10 В; 0,15 А) ~8 (10 В) ~150** КТ661 1 6 '
Раздел 144 Рк Тип Струк- прибора тура КТ662А p-n-p max, • т max, Рк, •• Рк, и max, fгр, fь21б, •• fь21з, ••• fmax Uкво max, •• max 1 • UкэRmax, 1 Uкэо мВт МГц в 0,6 Вт {3* Вт) ~00 60 Uэво в 5 2. Биполярные транзисторы max, Iк • Iк, IКБо, max, и max, IКэR, IКЭо, мА А; 0,4 мкА 0,6* S0,01 мА (50 В) А • КТ664А-9 КТ664Б-9 КТ665А-9 КТ665Б-9 120 100 5 5 1 А (1,5* А) 1 А {1,5* А) ~10 ~10 (100 (100 ~50 120 100 5 5 1 А {1,5* А) 1 А (1,5* А) ~10 ~10 (100 В) (100 В) ~О.1 мА p-n-p p-n-p 300 (1 *Вт) 300 (1 Вт) ~50 n-p-n n-p-n 300 (1 * iт) 300 (1 *Вт) ~50 ~50 В) В) ' КТ666А-9 n-p-n 300 (1 *Вт) ~60 300 5 20 (50*) КТ667А-9 p·n·p 300; 1*Вт ~40 300 5 20; 50* (300 В) ' SO,l (300 В) f ' КТ668В p·n-p p·n·p p·n·p КТ680А n-p-n КТ668А КТ668Б 0,5 0,5 0,5 Вт ~00 Вт ~200 Вт ~00 50 50 50 5 5 5 ~120 30 5 0,1 0,1 0,1 ~15 нА (30 В) ~15 нА (30 В) ~15 нА (30 В) А А А i 350 (85°С) 0,6 А (2* А) ~10 (25 В)
J1араметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ rб, Ом пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ • С12з, 100... 300* (IO В; 0,15 А) ~8 (IO В) •• Рвых, Вт 145 'tк, ПС • НС tpac, •• tвыкл, Корпус НС ~200** ~3.2 КТ662 r 1 lкф··з ~· с-.. 40... 250 (2 В; О, 1 А) 40 ... 250 (2 В; О, 1 А) 40 ... 250 (2 40.-:250 (2 В; О, 15 А) В; 0,15 А) ~5 ~5 (5 (5 В) В) ~2.3 ~700** ~2.3 f;;700** ШU'I , rм1• ..._....., .....11 ~25 (5 В) ~25 (5 В) 5 КТ665-9 - 1/,6 . 1.6 ~i~~, (J: ~·4q ~ ~ 6 448 ~50 (10 В; 5 мА) 3 '/ o.ss ~5_ _1,5 ~о КТ666А-9 - 1/,6 1.6 ~f~Ф~ ()- ~·4* q. ·~ ·я , 3 ""' • ~5_ 448 ~50 (10 В; 5 мА) O.Si 1,5 ~80 КТ667А-9 _1/,6 - . ~~ ,~ ~ ....~ ,~ ~1,6 ' ь.. ""--::_..,+.;i-tttмн,ttt11"11·:!:t"5 448 75 .. .140 (5 В; 2 мА) 125 ... 250 (5 В; 2 мА) 220 .. .475 (5 В; 2 мА) 85 ... 300* (1 В; 0,5 А) ~6.5 ~6.5 ~6.5 ~.5 ~10 (lкГц) ~10 (lкГц) 3""' ' O.Si 1.5 1,5 КТ668 ~10 (lкГц) КТ680 4*
Раздел 146 КТ681А p-n-p 350 (85°С) ~120 КТ682А-2 n-p-n n-p-n 350 350 ~4.4 ГГц КТ682А-5 п-р-п КТ682Б-5 n-p-n 350 350 КТ68ЗА КТ68ЗЕ n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 1,2 (8*) 1,2 {8*) 1,2 {8*) 1,~ {8*) 1,2 {8*) 1,2 {8*) КТ684А p-n-p ~40 р-п-р Вт ~40 КТ684В p-n-p p-n-p 0,8 0,8 0,8 0,8 Вт КТ684Б Вт ~40 Вт ~40 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~350 Вт ~250 Вт ~250 КТ682Б-2 КТ68ЗБ КТ68ЗВ КТ68ЗГ КТ683Д КТ684Г КТ685А КТ685Д p-n-p p-n-p p-n-p ·p-n-pp-n-p КТ685Е р-п-р КТ685Ж р-п-р КТ685Б КТ685В КТ685Г КТ686А p-n-p КТ686Б р-п-р КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е КТ686Ж p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p·n-p 0,625 0,625 0,625 0,625 0,625 0,625 0,625 (1,4*) (1,4*) (1,4*) (1,4*) {1,4*) (1,4*) (1,4*) 5 10 1 1 ~4,4 ГГц 10 ~4.4 ГГц 10 10 - ~4.4 ГГц Вт Вт Вт Вт Вт Вт · 30 ~50 ~50 ~50 ~50 ~50 ~50 Вт ~100 Вт Вт Вт ~100 Вт ~100 Вт Вт ~100 ~100 ~100 ~100 7 7 7 5 5 5 45* (lк) 60* (lк) 100* (lк) 30 5 5 5 5 60 60 60 60 30 30 30 5 5 5 5 5 5 5 (О) (О) {О) {О) (О) {О) {О) Биполярные транзист.оры А 0,6 (2* А) 5 5 5 5 5 5 5 510 (25 В) В) 51 (10 В) 51 (10 50 50 150* (Зк) 120* (3к) 120* (3к) 100* (3к) 60* (3к) 60* (3к) 50* 50* 50* 30* 30* 30* 30* 2. 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; r А; 1А 1А 1А 1А 2* 2* 2* 2* 2* 2* {1,5* {1,5* {1,5* {1,5* 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 А А А А А А А А А А А А А А) А) А) А) А В) 51 51 51 51 51 51 В) (90 (90 (90 (40 (40 (40 А А А А А А) А) А) А) А) А) А) В) В} В) В) В) В) 50,1 (30 В) g),l· (30 В) 50,1 (30 В) 50,1 (30 В) 50,02 50,01 50,02 50,01 50,02 50,02 50,02 А {1,5* (1,5* (1,5* (1,5* (1,5* (1,5* (1,5* 51 (10 51 (10 (50 В) (50 В) (50 В) (50 В) (25 В) (25 В) (25 В) 50,1 (45 50,1 (45 50,1 (45 ~О.1 (25 ~О.1 (25 50, 1 (25 50, 1 (25 В) В) В) В) В) В) В)
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов 85 ... 300* (1 В; 0,5 А) 147 ~0,5 ~0,9 КТ681 40 .. .45 (7 В; 2 мА) 80... 120 (7 В; 2 мА) (10 (10 В) "?::.7*~ ~0,9 В) "?::.7** (3,6 ГГц) ~4 (3,6 S4 (3,6 40 .. .45 (7 В; 2 мА) 80 ... 120 (7 В; 2 мА) ~0,9 ~0,9 (10 (10 В) В) "?:.7** (3,6 ГГц) "?:.7** (3,6 ГГц) ~4 (3,6 ГГц) ГГц) ГГц) КТ682-2 4 (3,6 ГГц) (3,6 ГГц) КТ682-5 . 0,4 0,1 6шт 40 .. .120* (10 В; 0,15 А) 80... 240* (10 В; 0,15 А) 40 .. .120* (10 В; 0,15 А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 80 ... 240* (10 В; 0,15 А) 160.. .480* (10 В; 0,15 А) 40 ... 250* 40 .. .160* 40 ... 160* 180.. .400 (2 (2 (2 (2 В; О, 15 В; 0,15 В; 0,15 В; О, 15 А) А) А) А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 100... 300* (10-В; 0,15 А) 100... 300* (10 В; О, 15 А) 70 ... 200* (1 В; О, 15 А) 40 .. .120* (1 В;' 0,3 А) 100... 300* (1 В; 0,3 А) 100... 250* 160.. .400* 250 ... 630* . 100... 250* 160... 400* 250 ... 630* 100... 250* (1 В; 0,1 А) (1 В; 0,1 А) ( 1 В; О, 1 А) (1 В; 0,1 А) (1 В; 0,1 А) ( 1 В; О, 1 А) (1 В; 0,1 А) ~15 В) ~3; ~6.6* ~8* ~500** ~15 В) ~3; ~6.6* ~8* ~500** В) ~3; ~6.6* S8* ~500** В) ~: ~6.6* ~8* ~500** В) ~3; ~6.6* ~8* ~500** В) ~3; ~6.6* ~8* S500** В) В) В) В) ~1 (10 (10 ~15 (10 ~15 (10 Sl5 (10 ~15 (10 ~50 ~50 ~50 ~50 (10 (10 (10 (10 КТ684 ~1 ~1 ~1 В) ~2.6 S80* ~8(IOB) ~2.6 ~80* S8 (10 В) ~8 (10 В) ~12 (10 В) ~2.6 ~80* S2,6 ~80* ~2.6 S80* ~12 ~12 S2,6 S2,6 ~150 S8 (10 ~12 ~12 ~12 ~12 ~12 ~12 ~12 (IO В) (10 В) (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) --- В) В) В) В) КТ683 Sl,4 ~1.4 ~1.4 ~1.4 Sl,4 ~1",4 ~1.4 КТ685 Sl50 КТ686
Разде.r.~ 148 fгр, tь21б, fь21з 1 Рк max 1 Тип Струк- прибора тура ' * т max, Рк, 2. Биполярные транзисторы UКБо max 1 * max, UкэR Uэво max, *** 1 fmax ** max, Uкэо в мВт МГц в ** н max 1 Рк. Iк max, * н max, Iк, 'мА IКБО, IКэR, 1** кэо, мкА p-n-p 1 Вт ~200 40 5 1А ~О.1 (30 В) КТ695А n-p-n 450 ~300 30 4 30 ~О.1 (30 В) КТ698А n-p-n n-p·n n-p-n n-p-n n·p-n n-p·n n-p·n n-p·n n·p-n 600 600 600 600 600 600 600 600 600 ~150 90* 70* 50* 30* 12* 12* 120* 160* 200* 4 4 4 4 4 4 4 4 4 2А n-p-n n-p-n n·p·n 1О* Вт (50°С) 1О* Вт (50°С) 10* Вт (50°С) КТ692А . КТ698Б КТ698В КТ698Г КТ698Д КТ698Е КТ698Ж КТ698И КТ698К П701 П701А П701Б ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ::::150 ::::20* ~20* ~20* 2А 2А 2А 2А 2А 2А 2А 2А 2 (8О С) 2 (8О С) 2 (8О С) 0 40 60 - 35 0 0 о,5 А А 0,5 0,5 А ~20* (90 В) ~О* (70 В) ~20* (50 В) ~О* (30 В) ~О* (12 В) ~20* (12 В) ~20* (120 В) ~20* (160 В) ~20* (200 В) ~О.1 мА ~О.1 мА (40 В) (60 В) ~О.1 мА (35 В) ' П702 П702А n·p·n n-p-n 40* Вт (50°С) 40* Вт (50°С) ~4 ~4 60* 60* 3 3 2А ~5 мА 2А ~5 мА 500* (1000 имп.) 400* (700 имп.) 400* (500 имn.) 4 4 4 2,5 (4*) А 2,5 (4*) А 2,5 {4*) А 3000* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А (70 В) (70 В) . 15* Вт (50°С) 15* Вт (50°С) 15* Вт (50°С) ~3 КТ704В n-p-n n-p-n n-p-n КТ710А П·р·П 50* Вт (50°С) - КТ704А КТ704Б ~3 ~3 ~5* мА (1000 В) ~5* мА (700 В) ~5* мА (500 В) ~2 мА (3000 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, Скэ нас, Ом Кw,дБ 'tк, пс Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * 1 НС tpac ** 1 Вт Рвых ** 1 НС tвыкл пФ ~20 (1 В; 0,5 А) 149 В) S20 (30 Sl 4 Корпус КТ692А S90** !9/1 _ ! е CQ".f..'~~~K .'. З ~ 1 JI JI 1 C(:)j r c-......___1ll JI 1 50 ... 200 ( 1О В; 1 мА) ~О* (5 В; 1 А) ~20* ~50* (5 В; 1 А) (5 В; 1 А) ~50* (5 В; 1 А) ~50* (5 В; 1 А) ~50* (5 В; 1 А) ~30* (5 В; 1 А) ~30* (5 В; 1 А) ~30* (5 В; 1 А) Sl ,5 (10 В) ~74 (5 В) (5 В) (5 В) s74 S74 S74 S74 S74 S74 s74 S74 (5 (5 (5 В) В). В) (5 В) (5 (5 В) В) 10.. .40* (10 В; 0,5 А) 15":60* (1 О В; 0,2 А) 30... 100* (10 В; 0,2 А) 5 КТ695А S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,15 S0,17 КТ698 S245* S245* S245* S245* S245* :S245* S245* S245* S245* П701 Sl4 ~~к, ~К..!'~ ~ ~ IV U~ ~;}5 ~f ~5* (10 В; 1,1 А) ~10* (10 В; 1,1 А) 10... 100* (15 В; 1 А) 10... 100* (15 В; 1 А) ~10* (15 В; 1 А) ~3.5 (10 В; 4 А) S50 (20 :S50 (20 S50 (20 В) В) В) S2,5 S4 П702 S2,5 S2,5 S2,5 КТ704 S0,9 КТ710 30000* -rw27,1 . . . ~ ..;; ~
Раздел :150 Рк max, Тип С'tрук- прибора тура 1 * т max, Рк, ** и max, Рк, мВт КТ712А КТ712Б p-n-p p-n-p 1,5 (50*) 1,5 (50*) Вт Вт fгр 1 fh2lб, fh2'iз 1 2. Uкво max, *** fmax, * max1 UкэR ** max, Uкэо МГц в ~3 ~3 200 160 5 5 ~.4.5 5000 5 U:Эво max1 в Биполярные-транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, IКЭо, * и max, Iк, мА 10 {15*) 10 (15*) мкА А А Sl мА (200 В) Sl мА Jl60 В) - КТ715А n-p-n 75* Вт (50°С) 2А Sl мА В) (5000 ... . КТ716А КТ716Б КТ716В КТ716Г КТ719А КТ720А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n p-n-p 1 Вт 1 Вт 1 Вт 1 Вт (60 (60 (60 (60 10* 10* Вт*) Вт*) Вт*) Вт*) ~6 ~6 ~6 ~6 Вт ~3 Вт ~3 100 80 60 45 5 5 5 5 ВА 120 120 5 5 1,5 А 1,5 А SO,l SO,l SO,l SO,l ВА ВА ВА мА мА мА мА - ~ КТ721А КТ722А КТ72ЗА КТ724А 120 120 5 5 1,5 1,5 А 5 5 10 10 А ~3 120 120 ~.5 60 7 15 А n-p-n p-n-p 25* 25* Вт ~3 Вт ~3 n-p-n p-n-p 60* 60* Вт ~3 Вт n-p-n 115* А А . - - ...__ КТ728А Вт S0,7 мА (60 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом • С12э, • нас, rвэ к;.~, дБ пФ ~500* ~400* (5 (5 В; В; А) А) 2 2 Ом Кш, дБ • Ом rб, •• Рвых, Вт 151 'tк, ПС • нс tpa.c, •• tвыкл, :корпус НС КТ712 ~1 ~1 10,7 lc')I~ ~ 1~ т .1 ~г-m ' ~15 (10 В; ~750 (5 ~750 (5 ~750 !5 ~750 (5 А) 0,2 В; В; В; В; 5 5 5 5 А) А) А) А) 150 150 150 150 ЭК6 r D ~15 ~7500* КТ71& ~7000* КТ716 В) g),4 g),4 g),4 ~7000* (5 В) ~О.4 ~7000* (5 В) (5 В) (5 ~7000* ~· ;-т//,8 i ~r.m ЭК6 ~20 (2 (2 ~20 1 В; В; 0,15 0,15 А) А) КТ719, КТ720 ~1.2 ~l.2 !'ос ~ / ::::. - -Е[7 1 1·8 ,_ tm со 11' 11 c-.~. U I 111 ~О ~О (2 (2 В; В; 1 А) 1 А) КТТ21, КТ722 g),6 g),6 ~ ' -ЕЭ::::. -~ - i·8 - ,, 1~11 ~~)111 ~20 ~О (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) g),4 з 6 tm со ~ КТ723, КТ724 ~О.4 . 10,7 20".70 (5 В; 4 А) g),3 з t КТ728 6
152 Раздел Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк, •• Рк, и max, мВт КТ729А КТ729Б n-p-n n-p-n 150* 150* Вт Вт • fгр 1 fh2lб, 2. Uкво max, •• fh2lэ, ••• fmax, • max, UкэR Uэво max, Uкэо max, в Мfц в ~.2 ~.2 50 100 •• Бипопярные,rhранзисторы Iк max, • Iк, и max, мА 5 7 Iкво, IКэR, IКЭо, мкА 20А S2 мА (50 В) S5 мА (100 В) А S2 мА (140 В) 30 А , КТ7ЗОА n-p-n 150* Вт ~.2 160 7 ~10 2,5 2,5 2А ~10 80* (О,lк) 60* (О,lк) 2А 10* мА (80 В) 10* мА (60 В) 5А S60 мА (150 В) 16 . КТ801А КТ801Б 5* Вт (55°С) 5* вт (55°С) n-p-n n-p-n ' КТ802А n·p-n 50* Вт ~10;~0 150; 180 3; 5 n-p-n 60* Вт ~о 60* (О,lк) 4 Вт ~20 Вт ~20 60* (160 имп.) 60* (135 имn.) 5 5 5 (8*) А 5 (8*) А Sl5* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) 5 5 5 5 (8*) А 5 (8*) А 5 (8*) А Sl5* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) Sl 5* мА (60 В) ,, КТ80ЗА 10 А SS* мА (70 В) КТ805А КТ805Б .n-p-n n-p-n 30 30 • 1 КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ n-p-n n-p-n n-p-n 30* вт (50°С) 30* Вт (50°С) 30* Вт (50°С) ~20 ~20 ~20 60* (160 имп.) 60* (135 имп.) 60* (135 имл.)
параметры биполярных кремниевь1х транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12э, rвэ нас, Ом • • к;.~, дБ пФ 15... 60* (4 В; 15 А) 15 ... 60 (4 В; 10 А) Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 153 'tк, пс • •• tрыкл, Корпус tpac, НС нс ~.13 КТ729 ~.14 ~ffi:ii]~ .~1 ~27,1 ~Dlf · 15... 60* (4 В; 8 А) 15 ... 50* (5 В; 1 А) 30... 150* (5 В; 1 А) S0,17 КТ730 S2 S2 КТ801 ~ 1 /( f6 16 - - 1 - :· ==,~r=1~ 1sз ~ . 6 ~~~1 ~15* (10 В; 2 А) 1 к КТ802 Sl 1623,5 -~ -~~~ ~,10... 70* (10 в; 5 А) ~15* ~15* (10 (10 В; В; 2 2 А) А) s250 (20 В) S0,5 ~.5 Sl90** ~~~ - 1 ..................:: ~-- ~-- ктsоз кrsos Sl --~15* ~15* ~15* (10 (10 (10 В; В; В; 2 2 2 А) А) А) ~.5 Sl Sl,25 КТ805М 10,7 r
Раздел 154 max, * т max, Рк. ** и max, РК, * fгр, fь21б, *** fmax, ** Uкэоmах, мВт МГц в 10* Вт (70°С) 10* Вт (70°С) 25 100* 100* 1О* Вт (70°С) 10* Вт (70°С) 25 25 Рк Струк· Тип прибора тура КТ807А п-р-п КТ807Б п-р-п КТ807АМ п-р-п КТ&О7БМ п-р-п ** fь21э, ~5 Uкво * UкэR 100* 100* max, max, (lк) (lк) Uэво 2. Бипопярнь1е транзисторы Iкво, Iк max, * и max, lк, max, в ltGR, 1** кэо, мА мкА А 4 4 0,5; 1,5* 0,5; 1,5* 4 4 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) А А А :5;5* :5;5* мА мА (100 (100 В) В) S5* мА-(JОО В) :5;5* мА (100 В) - КТ808А n-p-n КТ808АЗ п-р-п КТ808БЗ п-р-п 50* Вт (50°С) 70* 70* ~7.2 120* (250 имп.) 4 Вт 28 Вт ~8 130 100 5 5 10 (15*) А 10 (15*) А :5;2* мА (130 В) S2* мА (100 В) ~8 130* (250 имп.) 100* (160 имп.) 80* ( 1.35 имп.) 70* (80 имп.) 5 5 5 5 10 А 10 А 10 А 10 А S2* мА (120 В) S2* мА (100 В) S2* мА (100 В) 22* мА (70 В) 25,1 400* (О,Оlк) 4 Вт 210 210 200 160 6 6 16 А (25* А) 16 А (25* А) Sl мА (200 В) Sl мА (160 В) Вт 210 Вт ~10 200 160 6 6 16 А (25* А) 16 А (25* А) ~1 мА Sl мА 10 - SЗ* мА А (120 В) 1 . КТ808АМ п-р-п КТ808БМ п-р-п КТ808ВМ п-р-п ктsоsrм n-p-n 60* Вт (50°С) 60* Вт (50°С) 60* Вт (50°С) 60* Вт (50°С) 28 ~8 28 1 - КТ809А п-р-п 40* КТ8101А n-p-n n-p-n 2 2 p-n-p p-n-p 2 2 КТ8101:& КТ8102А КТ8102Б Вт (50°С) Вт; Вт; Вт; Вт; 150* 150* 150* 150* Вт 3 А; 5* А SЗ* мА (400 В) (200 В) (180 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12э, Свэ нас, Ом пФ к;.~, дБ • • Кw,дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 155 'tк, пс • НС tpac, •• Корпус tвыкл, НС 15 .. .45*·(5 В; 0,5 А) 30... 100* (5 В; 0,5 А) КТ807 15 .. .45* (5 В; 0,5 А) 30.. .100* (5 В; 0,5 А) КТ807М 1О ... 50* (3 В; 6 А) S500 (10 20 .. .125 (3 20... 125 (3 В; В; 2 2 А) А) S500 (100 S500 ( 100 В) В) В) S2000* КТ808 S2000* S2000* КТ808-З 10,7 r 20... 125* 20".125* 20 .. .125* 20."125* (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) 15... 100* (5 ~20* ~20* (10 (10 В; В; В; 2 А) 2 А) 2 А) S500 (100 ~00 (100 S500 (100 S500 (100 В) В) В) Sl50 (20 S0,33 S0,33 S0,33 S0,33 S2000* S2000* S2000* S2000* КТ808М В) S0,75 S4000* КТ809 SOOO (5 В) SlOOO (5 В) S3,3 В) SЗ,3 КТ8101, КТ8102 15,9 - 5 /. l т--~~ ~О* ~О* (10 (10 В; В; 2 2 А) А) slOOO (5 SlOOO (5 В) В) S3,3 S3,3 1 ! -
Раздел 156 Uкво max, UкэR max, Рк, и max, • •• fh21э, ••• fmax, мВт Мfц в Рк max, Тип Струк· прибора тура • Рк, т max, •• fгр, fh2lб, • •• Uкэо max, 2. Uэво max, в Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, • Iк. и max, 1·· кэо, мА мкА КТ8104А p-n-p 150 Вт 2:::10 350 5 20 А (25 А*) ~О.7 мА (350 В) КТ8105А п-р-п 150 Вт 2:::10 200 5 20 А (25 А*) ~о. 7 мА (350 В) - ' КТ8106А n-p-n КТ8106Б п-р-п КТ8107А п-р-п КТ8107Б п-р-п КТ81078 n-p-n КТ8107Г п-р-п КТ8107Д п-р-п КТ8107Е п-р-п КТ8107А2 п-р-п КТ81'07Б2 п-р-п КТ810782 п-р-п КТ8107Г2 п-р-п КТ8107Д2 п-р-п КТ8107Е2 п-р-п КТ8108А п-р-п КТ8108Б п-р-п КТ81088 п-р-п КТ8108А-1 п-р-п КТ8108Б-1 п-р-п КТ81088-1 п-р-п 2 Вт; 125* Вт 2 Вт; 125* Вт ;?: 1 90* 60 5 5 20 А (30* А) 20 А (30* А) 100* Вт 125* Вт 50* Вт 100 Вт 100 Вт 100 Вт 2:::7 2:::7 2:::7 2:::7 2:::7 2:::7 1500 (700*) 1500 (700*) 1500 (600*) 1500 1200 1000 5 5 5 6 6 6 8 А (15* А) 5 А (7,5* А) 5 А (8* А) 10 А 10 А 10 А SO, 7 мА (1500 ~О.7 мА (1500 S0,7 мА (1500 S0,7 мА (1500 s0,7 мА (1200 S0,7 мА (1000 100* Вт 125* Вт 50* Вт 100* Вт 100* Вт 100* Вт ~7 2:::7 2:::7 >7 >7 >7 1500 (700*) 1500 (700*) 1500 (600*) '1500 1200 1000 5 5 6 6 6 8 А (15* А) 5 А (7,5* А) 5 А (8* А) 10 А 10 А 10 А S0,7 s0,7 S0,7 S'JJ, 7 s0.7 s0,7 70* Вт 70* Вт 70* Вт 2:::15 2:::15 2:::15 850 850 900 5 5 5 5 (7*) 5 (7*) 5 (7*) 0,5 мА (850 В) 0,5 мА (850 В) 0,5 мА (900 В) 70* Вт 70* Вт 70* Вт 15 15 15 850 850 900 5 5 5 5 (7*) А 5 (7*) А 5 (7*) А S0,5 мА (850 В) S0,5 мА (850 В) s0,5 мА (850 В) 80* Вт 80* Вт 2:::7 2:::7 350 300 5 5 7 А (10* А) 7 А (10* А) S3 мА (350 В) S3 мА (300 В) 2 Вт; 60* Вт 2 Вт; 60* Вт 2 Вт; 60* Вт 2:::20 2:::20 2:::20 500 500; 400** 500; 350** 5 5 5 7 А (14* А) 7 А (14* А) 7 А (14* А) slOOO (500 2:::1 5 мА мА мА мА мА мА (1500 (1500 (1500 ( 1500 (1200 (1000 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) '~ КТ8109А п-р-п КТ8109Б п-р-п КТ8110А п-р-п КТ8110Б п-р-п КТ81108 п-р-п В) SlOO (400 В) SlOO (400 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, Скэ нас, Ом С12э, Свэ нас, Ом • пФ 1000 (5 ~1000 В; 5 А) к;.~, дБ Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 'tк, пс • •• 1 tвыкл Корпус tpac 1 НС НС КТ8104, КТ8105 <0,2 (5 В; 5 А) 750... 18000 (10 В; 5 А) 750".18000 (10 В; 5 А) • 157 <0,2 S700 (10 В) :5700 (10 В) S0,4 S0,4 КТ8106 S4500** S4500** ~ 15,9 5 ~IJ~ i 6 ~.25* ~.25* (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) 8."12* (5 В; 1 А) S0,22 S0,65 :50,22 к з S3500* S3500* S3500* КТ8107 S3500* S3500* S3500* КТ8107-2, КТ8108 15,9 5 ~.22 S0,4 ~.4 ~.25* ~2,2,5* (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) 8 ... 12* (5 В; 1 А) S0,22 S0,65 ~22 <О,22 <0,4 <0,4 ~t) ~t1~ ~- ,, 27,1 10... 50 (5 В; 0,5 А) 40 ... 80 (5 В; 0,5 А) 10... 50 (5 В; 0,5 А) S75 (15 В) S75 (15 В) S75 (15 В) S0,4 S0,4 S0,4 S3000* S3000* 10... 50* (5 В; 0,5 А) 40 ... 80* (5 В; 0,5 А) 10... 50* (5 В; 0,5 А) S75 (5 В) S75 (5 В) S75 (5 В) S0,4 S0,4 S0,4 3* 3* 3* ..s . . /( SЗООО* КТ8108-1 мкс мкс мкс ~"- ; - т//,8 .... , i ~:-m ЭК6 1 ~150* ~150* (5 В; 2,5 А) (5 В; 2,5 А) ~.75 :53* S0,75 SЗ* мкс КТ8109 мкс ~.-; Т"'в а:дn · 15 ... 30* (5 В; 0,8 А) 15 ... 30* (5 В; 0,8 А) 15 ... 30* (5 В; 0,8 ,А) ~.2 S0,2 ~.2 6КЭ КТ8110 :52500* :52500* :52500* 10,7 1 - lc')j~ /фj ! c.<:r_ ..,... , i ~~ ' ЭК6 r
Раздел 158 * fгр 1 fh2lб1 ** fh2Jэ, Ркmах, Тип прибора * Рк, т max, ** Рк, и max, Структура мВт '- КТ8112А П·р·П КТ8Н4А П·р-П КТ8114Б П·р·П КТ81148 n-p-n n·p·n KT8114f КТ8Н5А p-n·p КТ8115Б р-п-р КТ81158 р-п-р КТ8116А п-р-п КТ8116Б п-р-п КТ81168 n-p·n КТ8117А n-p·n КТ8117Б п-р-п 1 l Вт; 10* 125* 125* 100* 100* Вт *** fmax, мrц в - Вт Вт Вт 65* 65* 65* Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 65* 65* 65* Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4- 100* 100* Биполярные транзисторы max, * max, ** Uкэо max, ~20 Вт Uкво 2. UкэR (lк) Uэво max, * lк, и max, в (l ,5* А; 15* 15* 15* 15* 1500* 1200* 1200* 1500* 6 6 6 8 8 8 8 100 80 60 5 5 5 8 (16*) 8 (16*) 8 (16*) 100 80 60 5 5 5 Вт ~5 Вт ~5 700 500 8 8 ~15 900 5 мкА А 0,5 & IКэR, 1** кэо, мА 5 400* Iкво, Iк max, А; А; А; А А А А А А А А А А (16* (16* (16* А) А) А) 10 (20*) 10 (20*) А А 8 8 8 - А) ~.1 мА мА ~.l мА SO,l мА SO,l (1500 (1200 (1200 (1500 В) В) В) В) ~.2 мА (100 В) S0,2 мА (80 В) S0,2 мА (60 В) S200 (100 В) S200 (80 В) s200 (6о·в> Sl Sl мА мА (400 (400 В) В) ' КТ8118А 50* п-р-п Вт 3 А (lO* А) SlO (800 В) . КТ812А п-р-п КТ812Б п-р-п КТ8128 п-р-п 50* 50* 50* Вт (5О С) Вт (50°С) Вт (50°С) 0 ~3 ~3 ~3 400* 300* 200* (О,Оlк) (О,Оlк) (О,Оlк) 7 7 7 8 8 8 А; А; А; 12* 12* 12* А А А S5* S5* S5* мА мА мА (700 (500 (300 В) В) В)
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов ~300 (5 В: 0,05 А) 159 КТ8112 S40 r 8.. .40* (5 В; 0,7 А) ~(?* (5 В; 0,03 А) ~* (5 В; 0,03 А) 8.. .40* (5 В: 0,7 А) S0,25 S0,25 S0,25 S0,25 tcn=0,5 tcn=0,5 tcn=0,5 tcn=0,5 МКС КТ8114 МКС 5 МКС МКС «(') ~" .... о 6КЗ 1О .. .40* (5 В; 0,2 А) Sl,3 S2,5* мкс КТ8118 10,G5 1/,8 r ~4* (2,5 В; 8 А) ~4* (2,5 В; 8 А) ~10* (5 В; 5 А) SlOO (100 SlOO (100 SlOO (100 В) В) В) S0,3 S0,3 S0,3 tcnSl,3 tcnSl,3 tcnSl,3 МКС КТ812 МКС МКС -~~ ..s . ~
Раздел 160 2. Биполярные транзисторы В) КТ8120А п-р-п 60* Вт ~20 600; 450** 5 8 А (16* А) SlOO (450 КТ8121А п-р-п 75* Вт ~7 5 8 А (10* А) s;2000 (700 В) КТ8121Б п-р-п 75* Вт ~7 1500; 700*; 400** 1500; 600*; 400** 5 8 А (10* А) s;2000 (600 В) КТ8121А-1 п-р-п 75* 75* Вт ~7 -8 8 (10* (10* А) ~7 5 5 А Вт 1500; 700* 1500; 600* А) S2000 (700 В) S2000 (600 В) Вт ~7 ~7 5 5 8 8 А Вт 1500; 700* 1500; 600* А КТ8121Б-1 п-р-п КТ8121А-2 п-р-п КТ8121Б-2 п-р-п 75* 75* КТ8123А п-р-п 25* Вт ~5 200 5 2 А (3* А) КТ8124А п-р-п Вт ~10 n-p-n n-p-n Вт ~10 Вт ~10 400 400 330 5 5 5 7 КТ8124Б 60* 60* 60* 65* 65* 65* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 100 80 60 5 5 5 6 (10*) 6 (10*) 6 (10*) 80* 80* Вт ~4 Вт ~4 700; 400** 600; 300** 9 9 8 (16*) 8(16*)А А Sl Sl мА (700 (600 56* 56* 56* Вт 1500* (100 Ом) 1200* (100 Ом) 1500* (100 Ом) 5 5 5 5 (7,5*).А 5 (7,5*) А 5 (7,5*) А s;0,9 s;0,6 s;0,9 мА мА мА ( 1500* (1800* (1500* В) В) В) Вт Ом) Ом) Ом) 5 5 5 5 (7,5*) 5 (7,5*) 5 (7,5*) А s;0,9 s;0,6 s;0,9 мА (1500* (1800* (1500* В) мА мА Вт КТ81248 КТ8125А п-р-п КТ8125Б п-р-п КТ81258 n-p-n КТ8126А1 п-р-п КТ8126Б1 п-р-п КТ8127А п-р-п КТ8127Б п-р-п КТ81278 п-р-п КТ8127А-1 п-р-п, КТ8127Б-1 п-р-п КТ81278-1 п-р-п 56* 56* 56* КТ8129А п-р-п 60* Вт Вт Вт Вт 1500* (100 1200* (100 1500* (100 1500 5 7 7 А А А А (10* (10* (15* (15* (15* 5А А) А) S2000 (700 S2000 (600 S50 (150 В) В) В) А) А) А) А А А А А s;0,4 мА (100 В) s;0,4 мА (80 В) s;0,4 мА (60 В) мА В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов. ~10* А) ~О.25 ~2* мкс 8...60* (5 В; 2 А) ~0,25 ~3* мкс 8... 60* (5 В; 2 А) ~О.75 SЗ* мкс 8 ... 60* (5 В; 2 А) 8... 60* (5 В; 2 А) ~О.25 ~3* мкс ~О.75 ~*мкс 8 ... 60* (5 В; 2 А) 8... 60* (5 В; 2 А) ~0,25 ~3* мкс ~О.75 ~3* мкс ~40* (5 В; 161 0,2 (10 В; 0,4 А) ~10* 5 А) 5 А) ~10* (5 В; 5 А) ~10* (5 (5 В; В; ~2 КТ8120, КТ8121, КТ8121-1 t КТ8121-2 КТ8123, КТ8124 ~0.2 ~1.5* мкс ~О.17 ~1.3* мкс ~О.2 ~1.5* мкс 6КЭ 15 ... 75* (4 В; 3 А) 15 ... 75* (4 В; 3 А) 15 ... 75* (4 В; 3 А) ~0,25 ~О.25 ~О.5 В; В; В; ~О.22 35* (5 35* (5 35* (5 0,5 0,5 0,5 А) А) А) ~35* (5 В; 0,5 А) ~6* (5 В; 0,03 А) ~6* (5 В; 0,03 А) ЩGS ~0,25 8... 60* (5 В; 2 А) 8... 60* (5 В; 2 А) ~0,5 ~1.1 ~1.1 ~0.22 ~1. 1 ~1.1 t КТ8125, КТ8126 1,7* 1,(* мкс мкс tcn=0,7 tcn=0,7 tcn=0,7 МКС tcn=0,7 tcn=0,7 tcn=0,7 МКС КТ8127 МКС МКС КТ8127-1 МКС 5 МКС 6КЗ ~2.25* (5 В; 4,5 А) ~1..1 КТ8129
Раздел 162 Тип Струк- прибора тура Рк max, frp, 1ь21б, Uкво max, fь21э, UкэR max, • •• max, Uкэо мВт мrц в 40 60 80 5 5 5 4 4 4 А; 40 60 80 5 5 5 4 4 4 А; 600 5 10 • •• и max, Рк. •• ••• fmax, 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* Вт ~25 Вт ~25 Вт ~25 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* Вт ~5 Вт ~25 КТ8131В n-p-n n-p-n n-p-n Вт ~25 КТ8136А n-p-n 60* КТ8130Б КТ8130В КТ8131А КТ8131Б Биполярные транзисторы Рк, т max, p-n-p p-n-p p-n-p КТ8130А 2. Вт - Iкво, Iк max, Uэво max, IКэR, IКЭо, • Iк. и max, В- мА А; А; А; А; мкА 8* 8* 8* А 8* 8* 8* А А А А А ~100 ~100 ~100 (40 В) (60 В) (80 В) ~100 ~100 ~100 (40 В) (60 В) (80 В) (15 А*) - 5 10 А (15 А*) - 9 1,5 А (3 А*) 500; 400** 450 400** 700; 400** 700; 400** 400; 200** 400; 200** 7 10 7 А; 14* А 7 А; 14* А 4 А; 8* А 8 А; 16* А 7 А; 14* А 7 А; 14* А 600; 350** 700; 400** 6 9 400 400 А , КТ8136А-1 n-p-n 60* Вт - n-p-n 40* Вт ~4 600 с демпферным ДИОДОМ между ко.11.nектором и змиттером КТ8137А 700* . ~1 мА (700 В) , КТ8138А КТ8138Б КТ8138В KT8138f КТ8138Д KT813SE n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n, с 50* 40* 75* 80* 60* 60* Вт 20 Вт - Вт ~4 Вт ~4 Вт ~10 Вт ~10 60* 80* Вт ~10 Вт ~4 n-p-n n-p-n 60* 60* Вт ~10 Вт ~10 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 60* 60* 60* 60* Вт ~7 Вт ~7 Вт ~7 Вт ~7 ~О.01 мА (500 В) $0,1 мА (450 В) мА мА мА мА (700 В) (700 В) (400 В) (400 В) 10 А; 16* А 8 А; 16* А ~1 мА ~1 мА (600 В) (700 В) 6 6 7 А (10 А*) 7 А (10 А*) ~1 100 80 60 45 - 8 А (12* А) 8А (12* А) 8A(l2*A) 8 А (12* А) 40* (О,lк) 50* (О,lк) 70* (О, lк) 100* (О,lк) 5 5 5 5 9 9 6 6 ~1 ~1 ~1 ~1 ДИОДОМ КТ8138Ж КТ8138И n-p-n n-p-n, с ДИОДОМ КТ8140А КТ8140А-1 ~1 (400 (400 В) В)~ с демпферным диодом между коллектором и змиттером КТ8141А КТ8141Б КТ8141В KT8141f КТ814А КТ814Б КТ814В KT814f 1 (10*) Вт 10* Вт 10* Вт 10* Вт p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p - ~3 ~3 ~3 ~3 1,5(3*)А l,5(3*)A 1,5 (3*) А 1,5 (3*) А ' ~О.2 (100 В) ~О.2 (80 В) ~О.2 (60 В) ~О.2 (45 В) ~О.05 мА (40 В) ~О.05 мА (40 В) ~О.05 мА (40 В) ~О.05 мА (40 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 750".15000* (3 В; 0,2 А) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) :S200 (10 В) :S200 (10 ]?) :S200 (10 В) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) 750 .. .15000* (3 В; 0,2 А) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) :slOO (10 В) :slOO (10 В) :slOO (10 В) 10... 50* (5 В; 0,8 А) rкэ нас, Ом Кш, дБ * нас, Ом rвэ * Ом rб, к;.~, дБ ** Вт Рвых, 163 'tк, ПС * tpac, Корпус НС ** НС tвыкл, КТ8130, КТ8131 КТ8136, КТ8136-1 :S0,25 _ 70,G5 _ r l / , 8 :f~ ~ ....... , f i с.. ~·Jn 6КЭ 10... 50* (5 В; 0,8 А) s;0,25 tcn:S0,2 КТ8136-1 МКС _ 70,G5 t 8 .. .40* (2 В; 0,5 А) :S4* ~10* ~10* (5 В; 4 А) (5 В; 4 А) 8... 40* (5 В; 2 А) 5 ... 30* (5 В; 5 А) ~10* (5 В; 5 А) ~10* (5 В; 5 А) :S0,2 s;0,2 s;0,25 :S0,4 s;0,2 :S0,2 ~О* (5 В; 2 А) 5 ... 30* (5 В; 5 А) :S0,4 s;0,25 ~10* (5 В; 5 А) ~10* (5 В; 5 А) :S0,2 :S0,2 мкс :s2,5* мкс :s2,5* Ml:<C :S4* мкс :SЗ* мкс tcn ';S; О, 75 МКС tcn :S О, 75 МКС tcn :S О, 7 МКС КТ8137 КТ8138 _ 70,G5 1/,8 ~ ~~r i - ~r-f'tf ' 6КЭ :SЗ* мкс КТ8140, КТ8141 _ 70,G5 ~' ~ ....... , r i ~750* ~750* ~750* ~750* (3 (3 (3 (3 В; В; В; В; 3 3 3 3 А) А) А) А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* ~30* (2 В; 0,15 А) (2 В; 0,15 А) :Sl20 :Sl20 :Sl20 :Sl20 S60 :S60 :S60 :S60 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) . :S0,66 S0,66 S0,66 :S0,66 :Sl ,2 :Sl ,2 Sl,2 Sl,2 5,8** 5,8** 5,8** 5,8** мкс мкс ~~ ' 6КЭ мкс мкс КТ814 t
Раздел 164 Рк max, Тип Струк- прибора тура * Рк, т max, ** Рк. и max, мВт КТ814ЗА КТ814ЗБ КТ814ЗВ КТ814ЗГ КТ814ЗД КТ814ЗЕ КТ814ЗЖ КТ81433 КТ814ЗИ КТ814ЗК КТ8143Л КТ814ЗМ КТ814ЗН КТ814ЗП КТ8143Р КТ814ЗС КТ814ЗТ КТ814ЗУ КТ814ЗФ КТ8144А КТ8144Б * frp, fь21б, Uкво max, fь21э, UкэR max, ** *** fmax, МГц - n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 11-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* Вт Вт - n-p-n n-p-n 175* 175* Вт ~5 Вт ~5 Вт ~10 Вт ~10 Вт ~5 Вт ~5 Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт - - - - * ** Uкэо max, 2. Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, Uэво max, IКэR, 1** кэо, * Iк. и max, в мА в мкА 120; 90** 120** 180** 400; 240** 90** 120** 180** 400; 240** 120; 90** 120** 180** 400; 240** 100** 150** 400; 200** 90** 120** 180** 400; 240** 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6· 6 6 6 6 6 25 А; 40* А 25 А; 40* А 25 А; 40* А 25 А; 40* А 32 А; 50* А 32 А; 50* А 32 А; 50* А 32 А; 50* А 40 А; 63* А 40 А; 63* А 40 А; 63* А 40 А; 63* А 50 А; 125* А 50 А; 125* А 50 А; 125* А 63 А; 150* А 63 А; 150* А 63 А; 150* А 63 А; 150* А 800 600 8 8 25 25 А 700 500 8 8 15 15 А 800 600 8 8 15 15 А (40* (40* А) (20* (20* А) (25* (25* А) А А А (20* (20* А А) ~5* мА (90 В) ~5* мА (120 В) ~5* мА (180 В) ~5* мА (400 В) ~5* мА (90 В) ~5* мА (120 В) ~5* мА (180 В) ~5* мА (400 В) ~*мА (90 В) ~5* мА (120 В) (180 В) ~5* мА (400 В) ~5* мА (100 В) ~5* мА (150 В) ~5* мА (400 В) ~*мА (90 В) ~5* мА (120 В) ~5* мА (180 В) ~*мА (400 В) ~*мА 1 мА (800 В) 1 мА (600 В) - ~5 мА ~5 мА (700 В) (500 В) А) ~1 мА ~1 мА (800 (600 В) В) А) А) ~1 мА ~1 мА (700 (500 В) В) n-p-n n-p-n 100* 100* n-p-n n-p-n 150* 150* n-p-n n-p-n 100* 100* Вт ~5 КТ8147Б Вт ~5 700 500 8 8 10 10 КТ8149А p-n-p 115* Вт ~4 70; 60** 7 15 А; 30* А ~1 мА (70 В) КТ8149А-1 p-n-p 90* ~3 70; 60** 7 15 А; 30* А ~1 мА (70 В) КТ8145А КТ8145Б КТ8146А КТ8146Б КТ8147А Вт А А) -
165 Параметры биполярных кремниевых транзисторов ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* (З В; В; В; В; В; В; В; 20 20 20 20 20 32 32 32 32 32 35 35 35 35 35 35 40 40 40 В; В; В; В; В; В; В; В; В; В; В; В; ~4* (5 В; ~4* (5 В; Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ 'tк, пс * С12э, * нас, Ом rвэ * Ом Сб, * НС tpac, пФ к;.~, дБ ** Вт Рвых, ** НС tвыкл, А) А) А) А) А) А) А) :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 А) А) А) А) А) А) А) А) А) А) А) А) 20 А) 20 А) ~10* (1 В; ~10* 5 А) (1 В; 5 А) Корпус КТ8143 1300* 1300* 1300* 1300* . 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1700* 1700* 1700* :S0,25 :S0,25 :S2,5* :S2,5* :S0,2 :S0,2 1,7* 1,7* 15,9 ~· IJ --4----5 5 и~ п ~ 6КЗ мкс о КТ8144 мкс КТ8145 мкс мкс 10,7 1 ~г-m ЗК6 ' ~5* (5 В; 15 А) ~5* (5 В; ~5* ~5* (1,5 (1,5 15 В; В; 8 8 :S0,15 :SO, 15 А) А) А) - :S0,2 :S0,2 - 1,7* 1,7* мкс 1,7* 1,7* мкс r КТ8146, КТ8147, КТ8149 мкс мкс ~5r\j .~f ~ 27,/ 1":) • 20 .. .150* (4 В; 4 А) 20 .. .150* (4 В; 4 А) - :S0,27 - 1 - КТ8149-1 :S0,27 ' 15,9 5 /~~ l ::" ....,.:т-11==1~ с-., ~ к
Раздел 166 Рк max, Тип Струк- прибора тура * Рк, т max, ** Рк, и max, мВт Вт 2. Биполярные транзисторы * ** fh2Jэ, *** fmax, Uкво max, МГц в ~3 70; 60** 7 10А;15*А ~4 70; 60** 7 15 А; 30* fгр, fh2Jб, * max, UкэR ** Uкэо max, Uэво max, в - ltGR, * lк. и max, IКЭо, мА мкА Sl мА (70 В) А Sl мА (70 В) 30* А ::;;1 мА (70 В) А; 15* А Sl мА (70 В) 30 30 А; 60* 60* А 50 50 А; 80* 80* А КТ8149А-2 p-n-p 75* КТ8150А n-p-n 115* КТ8150А-1 n-p-n 90* Вт ~3 70; 60** 7 15 А; КТ8150А-2 n-p-n 75* Вт ~3 70; 60** 7 10 Вт ~5 ~5 600; 450** 500; 400** 8 8 Вт ~5 Вт ~5 600; 450** 500; 400** 8 8 - 330; 150** 200** 6 6 1500 1500 7 7 Вт lкво, lк max, . - КТ8154А КТ8154Б КТ8155А КТ8155Б КТ8156А КТ8156Б КТ8157А КТ8157Б n-p-n n-p-n 175* 175* n-p-n n-p-n 175* 175* n-p-n n-p-n 60* 60* n-p-n n-p-n 150* 150* Вт Вт Вт Вт ~5 Вт ~5 ' А; А; А А А А (15* (15* ::;;2 мА (600 В) ::;;2 мА (500 В) - 8А - 8А 10 10 ::;;1 мА (600 В) Sl мА (500 В) А) А) 3 мА (1500 В) 3 мА (1500 В)
Параметры ~иполярных кремниевых транзисторов 167 Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ 'tк, ПС * С12э, * нас, Ом rвэ * Ом Сб, пФ к;,;, дБ ** Вт Рвых, * НС tpac, ** НС tвыкл, Корпус . 20 .. .100* (4 В; 4 А) КТ8149-2 :S0,27 _ 10,G5 _ rl/,8 ~\ ~ ....... i с-.. 1!11-.· ~ 6КЭ --~·· jl 20 ... 150* (4 В; 4 А) 20 .. .150* (4 В; 4 А) :S0,27 КТ8150 :S0,27 КТ8150-1 15,9 20 .. .100* (4 В; 4 А) КТ8150-2 :S0,27 ~· ....... с-.. :i - 1700* 1700* , 5 _ 10,G5 1*1i -т"'в ~" 6КЭ КТ8154, КТ8155 s 27,1 ·.~~ ~roii]i -~_.!!. з ~orur КТ8156 ~8* ~8* (5 В; 1 А) (5 В; 1 А) :S0,12 :S0,25 2* 2* мкс мкс КТ8157 -kк •
Раздел 168 КТ8158А КТ8158Б КТ8158В КТ8159А КТ8159Б КТ8159В n-p-n n-p-n n-p-n 125* 125* 125* Вт p-n-p p-n-p p-n-p 125* 125* 125* Вт Вт Вт Вт Вт 2. Биполярные транзисторы 60 80 100 5 5 5 12 12 12 А 60 80 100 5 5 5 12 12 12 А 40* (0,lк) 50* (О,lк) 70* (О,lк) 100* (О,lк) 5 5 5 5 700 600 9 9 5 5 5 5 ::;;400 (60 В) ::;;400 (80 В) $400 (100 В) А А ::;;400 (60 В) ::;;400 (80 В) $400 (100 В) А А • КТ815А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 10* Вт ~3 10* Вт ~3 10* 10* Вт ~3 Вт ~3 n-p-n n-p-n 75* 75* Вт ~4 Вт ~4 КТ816Г p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 25* 25* 25* 25* КТ816А-2 p-n-p КТ8170А-1 КТ8170Б-1 КТ815Б КТ815В КТ815Г КТ8164А КТ8164Б Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 40* (lк) 45* (lк) 60* (lк) 100* (lк) 25* Вт ~3 40* n-p-n n-p-n 40* 40* Вт ~4 Вт ~4 КТ8175А n-p-n 20* Вт КТ8175Б n-p-n 20* Вт КТ8175А-1 n-p-n 20* Вт КТ8175Б-1 n-p-n 20* Вт КТ816А КТ816Б КТ8168 (lк) 5- 1,5 1,5 1,5 1,5 (3*) (3*) (3*) (3*) А А А А 4А 3 (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А А (6* ::;;О,05 мА ::;;О,05 мА ::;;О,05 мА ::;;10 ::;;10 4А 3 3 3 3 ::;;О,05 мА А) мА мА (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) (700 В) (600 В) ::;;о, 1 мА ::;;О, 1 мА (25 В) (45 В) ::;;О, 1 мА (60 В) ::;;O,l мА (100 В) ~100 (25 В) ::;;1 мА (700 В) ::;;1 мА (600 В) А 700 600 9 9 1,5 1,5 700*; 400** 600*; 300** 9 1,5 (3*) 9 1,5 (3*) А 700*; 400** 600*; 300** 9 1,5 (3*) А 9 1,5 (3*) А А А
Параметры бипf.Шярных кремниевых транзисторов 169 2500 2500 2500 КТ8158 2500 2500 2500 КТ8159 · ~40* (2 ~40* (2 ~40* (2 ~30* (2 В; В; В; В; 5 70,GS t 0,15 О, 15 О, 15 0,15 А) А) А) А) ::;;60 (5 ::;;60 (5 S60'(5 ::;;60 (5 В) В) В) В) ::;;1,2 ::;;1,2 ::;;1,2 Sl,2 КТ815 КТ8164 10 ... 60* 10... 60* 70,GS t ~25* ~25* ~25* ~25* ~200* (2 (2 (2 (2 В; В; В; В; 1 А) 1 А) 1 А) 1 А) ( 1 В; 0,03 А) В) ::;;О,6 КТ816, КТ816-2, В) В) В) ::;;О,б КТ8170-1, КТ8175 S60 (10 В) S0,6 ::;;60 S60 S60 S60 (10 (10 (10 (10 ::;;О,6 S0,6 ~ ....... ~ ..... ..:' 5... 25* (2 В; 1 А) 5... 25* (2 В; 1 А) ~ 8 .. .40 (2 В; 1 А) ::;; 1 3000* 8 .. .40 (2 В; 1 А) Sl 3000* 8.. .40 (2 В; 1 А) ::;; 1 3000* 8.. .40 (2 В; 1 А) ::;; 1 3000* КТ8175-1 70,GS t
170 , Рк max, Тип Струк- прибора тура * т max, Рк, ** и max, Рк, мВт fгр, fь21б, fь21э, МГц в Вт ~з Вт ~з Вт ~з p-n-p p·n-p p-n-p 40* 40* 40* Вт ~3 Вт ~ Вт ~з n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 25* 25* 25* 25* Вт ~з Вт ~З- Вт ~з Вт ~з n-p-n n-p-n 25* 25* Вт ~з КТ817Г-2 Вт ~з КТ8181А n-p-n 50* Вт - КТ8176В КТ8177А КТ8177Б КТ8177В КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г КТ817Б·2 * max, UкэR ** max, Uкэо 40* 40* 40* КТ8176Б КТ8181Б n-p·n 50* Вт - КТ8182А n-p-n 60* Вт - КТ8182Б n-p-n 60* Вт - 2. Биполs~рные транзисторы Uкво max, *** fmax, n·p-n n-p·n n-p-n КТ8176А Раздел Iкво, Iк max, Uэво max, IJGR, * и max, Iк, в. 1** кэо, мА мкА - ЗА 60 80 100 . 5 5 5 ЗА 60 80 100 5 ЗА 5 5 ЗА 40* (lк) 45* (lк) 60* (lк) 100* (lк) 5 5 5 5 З З З З (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А 45* (lк) 100* (lк) 5 5 З З (6*) (6*) А g),l А ::;;О,1 мА 700*; 400** 600*; 300** 9 4 (8*) А 9 4 (8*) 700*; 400** 600*; 9 8 (16*) А - 9 8 (16*) А - ЗА - ЗА . sO, 1 мА (25 В) SO,l мА-(45 В) SO,l мА (60 В) SO,l мА (100 В) мА (40 (40 В) В) - - - А ЗОО** КТ818ЗА n-p-n 56* Вт - 1500; 700** - 8А;15*А 56* Вт - 1200; 600** - 8 А - 56* Вт - 1500; 700** - 8А;15*А - 56* Вт - 1200; 600** - 8 А; 15* А - 56* Вт - 1500; 700** - 8 А; 15* А - 56* Вт - 1200; 600** - 8 А; 15* А - (15*) (15*) (15*) (15*) А с диодом - н резнетором КТ818ЗБ n·p·n с диодом А; 15* н резнетором КТ818ЗА-1 n·p-n с диодом н резнетором КТ818ЗБ-1 n-p·n с диодом н резиетором КТ818ЗА-2 n-p-n с диодом н резнетором КТ818ЗБ-2 n-p-n е ДИОДОМ и резнетором - КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г p-n-p p-n-p p-n-p p-n•p 60* 60* (60* 60* Вт ~з Вт ~з Вт ~з Вт ~з " 40* (О,lк) 50* (О,lк) 70* (О,lк) 90* (О,lк) 5 5 5 5 10 10 10 10 А А А ::;;1 ::;;1 ::;;1 ::;;J мА мА мА мА (40 (40 (.40 (40 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ пФ Кш, дБ • •• Рвых, tб, Ом Вт 171 'tк, ПС • •• tвыКл 1 tpac, НС Корпус НС ~25* (4 В; 1 А) ~25* (4 В; 1 А) ~25* (4 В; 1 А) КТ8176, КТ8177 ~25* (4 В; 1 А) ~25* (4 В; 1 А) ~5* (4 В; 1 А) ~5* ~5* ~25* ~5* ~100* (2 В; 1 А) (2 В; 1 А) (2 В; 1 А) (2 В; 1 А) (5 В; 50 мА) ~100* (5 В; 50 мА) ~60 (10 В) ~60 (10 В) ~60 (10 В) ~60 (10 В) ~60 ~60 (10 В) (10 В) ~О.6 ~О.6 КТ817, КТ817-2 ~0,6 ~О.6 ~о.ов ~О.08 10."60* (5 В; 1 А) ~О.25 3000* 10 ... 60* (5 В; 1 А) ~О.25 3000* 8.. .40* (5 В; 2 А) ~О.4 3000* 8.. .40* (5 В; 2 А) ~0,4 3000* ~5* (5 В; 3 А) ~0,17 3000* ~5* (5 В; 3 А) ~О.17 3000* ~О.17 3000* ;;::5* (5 В; 3 А) КТ8181, КТ8182 70,G5 КТ8183 КТ8183-1 15,9 ' ~5* (5 В; 3 А) ;;::5* (5 В; 3 А) ~О.17 3000* ~О.17 3000* 5 КТ8183-2 с изолированными выводами 15,9 ~5* ~15* (5 В; 3 А) (5 В; 5 А) ~20* (5 В; 5 А) ;::::15* (5 В; 5 А) ~12* (5 В; 5 А) ~1000 (5,В) ~1000 (5 В) ~1000 (5 В) ~1000 (5 В) ~0,17 3000* ~О.27 ~2500** ~О.27 ~2500** ~О.27 ~2500** ~О.27 ~2500** КТ818 5
Раздел 172 f гр, Ркmах, Тип Струк- прибора тура •• р-п-р КТ818БМ р-п-р мrц в Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 40* (О,lк) 50* (0,1 к) 70* (0,1 к) 90* (О,lк) 5 5 5 5 15 15 15 15 40* (0,1 к) 50* (О,lк) 70* (О, 1к) 90* (0,1 к) 5 5 5 5 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 40* (О, 1к) 50* (0,1 к) 70* (О, 1к) 100* (О,lк) 5 5 5 5 10 10 10 10 (15*) (15*) (15*) (15*) 40* (0,1 к) 50* (О, 1к) 70* (О, 1к) 100* (О,lк) 5 5 5 5 15 15 15 15 (20*) А (20*) А (20*) А (20*}. А max, КТ818ВМ р-п-р KT818fM р-п-р КТ818А-1 р-п-р КТ818Б-1 р-п-р КТ818В-1 р-п-р KT818f-1 р-п-р 100* 100* 100* 100* 100* 100* 100* 100* Iкво, ••• fmax, fh2lз, мВт КТ818АМ Uкво Биполярные транзисторы max, max, •• max, Uкэо • т max, Рк, Рк, и • fh2lб, 2. Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3- Вт· ~3 • UкэR Uэво в max, Iк m;ix, • Iк, и max, Ii<эR, 1·· кэо, мА мкА (20*) А (20*) А (20*) А (20*) А 15(20*)А ~1 ~1 ~1 ~1 мА мА мА мА (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) ~1 мА ~1 мА ~1 мА (40 В) (40 В) (40 В) ~1 мА (40 В) КТ819А КТ819Б КТ819В KT819f КТ819АМ КТ819БМ КТ819ВМ KT819fM n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 1,5 1,5 1,5 1,5 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 2 2 2 2 60* 60* 60* 60* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 100* 100* 100* 100* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; А ~1 мА (40 В) А ~1 мА ~1 мА ~1 мА (40 (40 (40 ~1 ~1 ~1 ~1 (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) А А мА мА мА мА В) В) В) \ КТ819А-1 КТ819Б-1 КТ819В-1 KT819f-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 2 2 2 2 Вт; Вт; Вт; Вт; 100* 100* 100* 100* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 А А А ~1 мА А ~1 мА 40* (0,1 к) 50* (О, lк) 70* (О, lк) 90* (О, 1к) 5 5 5 5 50* (О,lк) 70* (О, lк) 100* (О,lк) 5 5 5 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) А ~О А ~30 А ~О 50* (О, lк) 70* (О, lк) 100* (О,lк) 5 5 5 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) А А ~30 ~30 А ~30 45* (О,lк) 60* (О,lк) 100* (О,lк) 5 5 5 2 (4*) 2 (4*) 2 (4*) 45* (О, 1к) 60* (О, 1к) 100* (О,lк) 5 2 (4*) 2 (4*) 2 (4*) 15 15 15 15 (20*) (20*) (20*) (20*) ~1 мА ~1 мА (40 (40 (40 (40 В) В) В) В) , КТ820А-1 Вт ~3 Вт ~3 р-п-р 10* 10* 10* Вт ~3 n-p-n n-p-n n-p-n 10* 10* 10* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 р-п-р КТ820Б-1 р-п-р КТ820В-1 КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 (40 В) (40 В) (40 В) (40 (40 (40 В) В) В) , КТ822А-1 р-п-р КТ822Б-1 р-п-р КТ822В-1 р-п-р 20* 20* 20* КТ82ЗА-1 n-p-n n-p-n n-p-n 20* 20* 20* КТ82ЗБ-1 КТ82ЗВ-1 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт :?::3 Вт ~3 5 5 А ~50 А ~50 А А А А В) В) ~О (40 (40 (40 ~50 ~50 ~50 (45 (45 (45 В) В) В) В)
Параметрь1 биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12э, rвэ нас, Ом пФ к;.~, дБ • ~15* В; А) (5 (5 В; 5 5 А) В; А) ::;;1000 SlOOO 51000 SlOOO (5 (5 (5 :?::12* (5 В; В; В; В; 5 5 5 5 А) А) А) А) SlOOO SlOOO s;lOOO SlOOO ~15* ~О* ~15* ~12* В; В; В; В; 5 5 5 5 А) А) А) А) (5 5 ~О* (5 В; 5 А) ~15* ~12* ~15* ~О* ~15* (5 (5 (5 (5 • Кш, дБ • •• Рвых, tб, Ом Вт 173 'tк, ПС • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) S0,27 s;0,27 S0,27 S0,27 52500** S2500** S2500** S2500** КТ818М (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) S0,4 S0,4 S0,4 S0,4 ::;;2500** S2500** 52500** 52500** КТ818-1 S0,4 s;0,4 50,4 s;0,4 ::;;2500** S2500** 52500** ::;;2500** КТ819 15,9 ~15* (5 В; 5 ~О* (5 В; 5 :?::15* (5 В; 5 ~12* (5 В; 5 А) А) А) А) ~40* (2 В; 0,15 А) :?::40* (2 В; 0,15 А) :?::30* (2 В; 0,15 А) S65 (5 S65 (5 S65 (5 В) В; В; В; 540 (5 S40 (5 S40 (5 В) :?::40* (2 :?::40* (2 :?::30* (2 ~5* ~5* ~5* (2 (2 (2 0,15 0,15 0,15 В; В; В; А) А) А) 1 А) 1 А) 1 А) В) В) В) В) Sl 15 (10 5115 (10 Sl 15 (10 В) В) В) г--'" (2 (2 (2 В; В; В; 1 А) 1 А) 1 А) 575 (10 S75 (10 S75 (10 В) В) В) D ЗК5 S0,4 S0,4 S0,4 S0,4 52500** S2500** 52500** S2500** КТ819М ::;;1 51 s;l Sl S2500** 52500** 52500** S2500** КТ819-1 КТ820-1, КТ821-1 Sl Sl Sl 51,2 51,2 ::;;1,2 S0,6 S0,6 S0,6 - - s;0,6 S0,6 S0,6 - - ~25* ~25* ~5* 11,8 ~··~ vw ' :?::15* (5 В; 5 А) ~О* (5 В; 5 А) ~15* (5 В; 5 А) ~12* (5 В; 5 А) ;- vv 10,7 '1' 5 КТ822-1, КТ823-1 ~Щ л/ \з 11 -
Раздел 174 • •• fh2lэ, ••• fmax, • •• max, Uкэо мrц в Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 90 60 30 Рк max, Тип Струк-· прибора тура • т max, Рк, •• и max, Рк, мВт KT825f КТ825Д КТ825Е p-n-p p-n-p p-n-p 125* 125* 125* f гр, fh2lб, 2. Бипопярнь1е транзисторы Uкво max, UкэR max, Uэво max, в 5 5 5 - Iкво, Iк max, • lкэR, • Iк. и max, 1** кэо, мА 20 (30*) 20 (30*) 20 (30*) мкА А А А ~1 *мА ~1* мА ~1 *мА (90 В) (60 В) (30 В) -- КТ826А КТ826Б КТ826В 15* Вт (50°С) 15* Вт (50°С) 15* Вт '(50°С) n-p-n n-p-n n-p-n ~6 ~6 ~6 700* (0,01 к) 700* (О,Оlк) 700* (О,Оlк) 5 5 5 1А 1А 1А ~2 мА мА ~2 мА 100* (1 к) 80* (lк) 60* (lк) 5 5 5 20 (40*) А 20 (40*) А 26 (40*) А ~з· мА (100 В) SЗ* мА (80 В) ~3* мА (60 В) 800* (0,01 к) 600* (0,01 к) 800* (О,01 к) 600* (О,Оlк) 5 5 5 5 5 5 5 5 (7,5*) (7,5*) (7,5*) (7,5*) А А А А ~5 мА (1400 В) ~5 мА (1200 В) ~5 мА (800 В) ~5 мА (600 В) 100* (lк) 80* (lк) 60* (lк) 45* (lк) 5 5 5 5 8 8 8 8 (12*) А (12*) А (12*) А (12*) А S2 (700 В) (700 В) (700 В} ' КТ827А КТ827Б КТ827В КТ828А КТ828Б КТ828В KT828f КТ829А КТ829Б КТ829В KT829f n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 1~5* 125* 125* Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 50* Вт (50°С) 50* Вт 50* Вт (50°С) 50* Вт 60* 60* 60* 60* ~4 ~4 ~4 ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 ~1.5* мА (100 В) ~1.5* мА (80 В) ~1.5* мА (60 В) ~1.5* мА (60 В) ~ КТ830А КТ8ЗОБ КТ8ЗОВ ктsзоr КТ834А КТ834Б КТ834В КТ835А КТ835Б Вт p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 5* 5* 5* 5* n-p-n n-p-n n-p-n 100* 100* 100* p-n-p p-n-p . 25* 25* ~4 Вт Вт Вт ~4 . ~4 ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~1 Вт *1 35 60 80 100 500* 450* 400* (О,lк) (О,lк) (О,lк) 30 45 5 5 5 5 2 А; 4* А 2 А; 4* А 2 А\ 4* А 2 А;' 4* А 8 8 8 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 4 4 ЗА 7,5 А ~100 (35 В) (60 В) ~100 (80 В) ~100 (100 В) ~100 SЗ* мА (500 В) (450 В) ~3* мА (400 В) SЗ* мА ~.1 мА ~.15 (30 В) мА (45 В)
Параf,Аетрь1 биполярных кремниевых транзисторов ~750* ~750* ~750* (10 В; 10 А) (10 В; 10 А) (10 В; 10 А) 10 .. .120* (JO В; 0,1 А) 5... 300* (1 О В; О, 1 А) 5... 120* (10 В; 0,1 А) 750 ... 18000* (3 В; 1О А) 750 ... 18000* (3 В; 10 В) 750 ... 18000* (3 В; 1О А) ~2.25* ~2.25* ~.25* ~.25* (3 В; (3 В; ~750* (3 В; ~750* (3 В; rкэ нас, Ом rвэ нас, Ом пФ к;.~, дБ ~600 ~600 ~600 ~25 ~5 ~5 (10 (10 (10 • •• Рвых, tб, Ом ~О.4 ~.4 ~О.4 В) В) В) ·~5 В). В) В) ~О.2 - 3 А) 3 А) 3 А) 3 А) Кш, дБ • (10 В) (10 В) (10 В) (100 (100 (100 ~400 ~400 ~400 (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) ~750* ~750* Ск, С12э, • h21э, h21э ~5 ~5 ~О.2 ~О.2 50,66 . ~О.66 ~О.66 ~.66 5120 ~О.57 ~1·20 ~О.57 ~120 ~О.57 ~120 ~.57 - Вт 175 iк, ПС • tpac, •• tвыкл, Корпус нс НС - ~4.5** мкс - tcn~l500 - ~4.5* мкс - 510* - - КТ825, КТ826 ~4.5** мкс ~4.5** мкс tcn~700 tcn~700 ~№~ .~! ~~. V,1 ..:r . - КТ827, КТ828 ~4.5* мкс ~4.5* мкс :№ '~! 27,1 -... ~10* ~10* ~ ~10* КТ829 - 70,G5 O)j ~ -~л с.... ~О* ~20* (1 (1 (1 (1 В; В; В; В; - 1 А) 1 А) 1 А) 1 А) ~1.2 ~1.2 ~1.2 ~1.2 - ~1000* 99// ~1000* ~1000* ((:) j~ . '1ф 11 J11 к ~, ~.13 ~О.13 ~.13 - . - ~ 5100 (150 В) ~100 (150 В) ~100 (150 В) -r 1/,8 КТ830 51000* ((:)" 150... 3000* (5 В; 5 А) 150 ... 3000* (5 В; 5 А) 150... 3000* (5 В; 5 А) к '1 ~ ~20* о о 63 ·-.-· """:. ~ ~w ~20* к 1 111 tcn~l,2 МКС ]1 з 5 КТ834 tcn~l.2 мкс tcn~l,2 МКС '.~! ~r1~~ 27,1 • ff::)' 1 • 1 к ~5* (1 В; 1 А) 1'0... 100* (5 В; 2 А) ~soo оо В) ·~800 оо в> ~О.35 50,8 - - КТ835 _ 70,G5 0)1 1 ~ - ~ -т -~п с.... ~- 1/,8
176- Раздел Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк. •• н max, Рк, мВт КТ837Ф p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n·p p-n-p p-n-p КТ838А n-p-n КТ838Б n-p-n КТ837А КТ837Б КТ8З7В КТ8371' КТ837Д КТ837Е КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л КТ8З7М КТ837Н КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 12,5* • •• ••• fmax, f гр, fh2lб, fh2lэ, ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~l Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~l Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Биполярные транзисторы Uкво max, • •• max, Uкэо UкэR max, мrц Вт 2. в - во 1·· кэо, мА 5 5 5 5 5 5 5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 15 15 15 15 15 15· 15 15 15 5 5 80 80 80 60 60 60 45 45 45 80 • IКЭR, • Iк. н max, в - Iкво, Iк max, Uэво max, - -... мкА А ~О.15 мА ~О.15 мА ~О.15 мА А ~О.15 А ~О.15 А А ~О.15 ~О.15 ~О.15 А ~0,15 А А А А ~О.15 А ~О.15 А А ~О.15 ~О.15 ~О.15 А 50,15 А ~О.15 А ~О.15 ~О.15 (80 В) (80 В) (80 В) мА (60 В) мА (60 В)мА (60 В) мА (45 В) мА (45 В) мА (45 В) мА (80 В) мА {80 В) мА (80 В) мА (60 В) мА (60 В) мА (60 В) мА (45 В) мА (45 В) мА (45 В) Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 80 60 60 60 45 45 45 Вт (90°С) ~3 1500 5; 7 5 (7,5*) А ~1 *мА (1500 В) Вт ~3 1200 5; 7 5 (7,5*) А ~1 * мА (1200 В) 5 10 А / ~1 мА (1500 В) 12,5* А А ~ КТ839А n-p-n 50* Вт ~5 1500 КТ840А n-p-n n-p·n n-p-n 60* 60* 60* Вт ~8 Вт ~8 Вт ~8 400*; 900 350*; 750 800; 375* КТ840Б КТ840В n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p·n 3 (50*) Вт 3 (50*) Вт 3 (50*) Вт 100* Вт 100* Вт 50* Вт КТ842В p-n-p p-n-p p-n-p 3 (50*) Вт 3 (50*) Вт 100* Вт КТ844А n-p-n 50* КТ845А n-p-n КТ846А n-p-n n-p-n n-p-n КТ841А КТ841Б КТ841В - КТ841Г -КТ841Д КТ841Е КТ842А КТ842Б КТ846Б КТ846В КТ847А КТ847Б · ~10 . 5 5 5 6 (8*) А 6 (8*) А 6 (8*) А 10{15*)А ~мА (15*) А (15*) А (15*) А (15*) А (15*) А ~мА 600 400 600 200 500 800 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 10 ~7 300 200 200 5 5 5 5 (10*) 5 (10*) 5 (10*) Вт (50°С) ~7.2 250* (0,01 к) 4 10 (20*) 40* Вт (50°С) ~4.5 400* (О,Оlк) 4 Вт (90°С) ~2 Вт (95°С) ~2 Вт (95"С) ~2 1500* (О,01 к) 1200 1500 5; 7 5; 7 5; 7 650* (О,01 к) 650* (О,Оlк) 8 8 520 400 15 15 12,5* 12,5* 12,5* n-p-n n-p-n 125* 125* ~10 ~10 ~7 ~5 ~7 ~20 ~20 Вт ~15 Вт ~10 ~мА мА ~мА (900 (750 (800 53 В) В) В) (600 В) (400 В) ~З-мА (600 В) ~мА (200 В) ~мА (500 В) ~3 мА (800 В) А ~1 мА А ~1 мА А ~1 мА (300 (200 (200 А ~3* мА (250 5 (7,5*) А ~3* мА (400 В) 5 (7,5*) 5 (7,5*) 5 (7,5*) А ~1 * мА А ~1 * мА А ~1 * мА 15 (25*) А 15 (25*) А 5 5 мА мА В) В) В) (1500 (1200 (1500 (650 (650 В) В) В) В) В) В) ' КТ848А КТ848Б n-p-n n-p-n 35* 35* Вт (1ОО С) 0 ~3 0 ~3 Вт (1ОО С) - 15 15 А А ~3* мА (400 В) ~3* мА (400 В)
Параметрь1 бипопярньtх кремниевь1х транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ r.6,Ом пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ • С12з, h21з, h21э - 1О .. .40* (5 В; 2 А) 20".80* (5 В; 2 А) 50".150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20 ... 80* (5 В; 2 А) 50... 150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20... 80* (5 В; 2 А) 50-... 150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20 ... 80* (5 В; 2 А) 50... 150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20... 80* (5 В; 2 А) 50 .. .150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20 •.. 80* (5 В; 2 А) 50 ... 150* (5 В; 2 А) - ~.8 ~.8 :::;;о,8 ~.3 :::;;О,3 ~.3 ~.25 ~.25 ~.25 ~.8 :::;;О,8 ~.8 ~.3 :::;;о,3 ~.з :::;;О,25 :::;;О,25 - ~.25 ~4* (5 В; 3,5 А) 170 (10 В) :::;;1,1 ~4* (5 В; 3,5 А) 170 (10 В) :::;;1t1 А) 240 (10 В) :::;;О,375 •• 1 Рвых - - Вт 177, 'tк, ПС • 1 tpac •• tвыкл, НС :::;;10* мкс; tcn:::;;l ,5 :::;;10* мкс ~5* (10 В; 4 10... 60* (2,5 В; 8 А) ~10* (2,5 В; 8 А) 10... 100* (2,5 В; 8 А) ~12* ~12* ~12* ~О* ~О* ~10* ~15* ~15* ~20* (5 (5 (5 (5 (5 (5 (4 (4 (4 В; В; В; В; В; В; 5 А) 5 А) 5 А) 5 А) 2 А) 5 А) В; В; В; 10... 50* (3 15 ... 100* (5 А) А) 5 5 5 В; А) 6 В; А) 2 А) . - :::;;О,75 :::;;О,75 ~.24 :::;;300 оо в) :::;;300 (10 В) :::;;300 оо в> :::;;300 оо в) :::;;300 (10 В) :::;;300 оо в) 250 (10 250 (10 250 (10 В) В) В) :::;;300 оо в> :::;;45 (200 В) - - :::;;о,4 - ~.75 - :::;;О,3 ~.3 ~.3 :::;;о,3 :::;;о,3 ~.3 :::;;О,36 :::;;О,36 :::;;О,44 Корпус НС :::;;10* мкс; tcn:::;;l ,5 КТ837 10,7 1 1 т 1*1i 1с') j ~ 5ct -.~ ~ ....... IJ,8 - ~ КТ838,КТ839,КТ840 ,~!) ~№~ ~· V,I ..:r . .к tсп:::;;О,6 tсп~.6 :::;;3500* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* 800* . 800* 800* КТ841, КТ842, КТ844 . . --№~ ~t) ~ ~ 27,/ О) ..:r ~ • . - 1 к :::;;200 :::;;О,22 - :::;;1, 1 :::;;1, 1 - :::;;4000* КТ845, КТ846, КТ847, :::;;12000* :::;;12000* :::;;12000* ~№~"~!т 27,/ ~ ' 8... 25* (3 8... 25* (3 ~О* _~20* (5 (5 В; В; В; В; 15 15 15 15 А) А) А) А) :::;;200 (400 :::;;200 "(400 - В) ~.1 В) ~.1 :::;;0,2 ~.2 . :::;;2000* КТ848 - / - :::;;2000* :::;;3000* - - - 1 • 11 к
Раздел 178 f гр, fh2lб, f h21э, •• Рк max, Тип Струк- прибора тура • •• и max, Рк, Рк, т max, ••• fmax, КТ850А КТ850В КТ851А КТ851Б КТ851В КТ852А КТ852Б КТ852В KT852f Бипопярнь1е транзисторы Uкво max, . UКэR max, Uэво max, КЭО max, в u•• Iкво, Iк max, "?:.20 "?:.20 5 5 5 2 (3*) 2 (3*) 2 (3*) А А 2 (3*) 2 (3*) 2 (3*) Вт Вт ~о 250 300 180 p-n-p p-n-p p-n-p. 25* 25* 25* Вт "?:.20 "?:.20 "?:.20 250 300 180 5 5 5 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 50* 50* 50* 50* Вт "?:.7 "?:.7 "?:.7 "?:.7 100 80 60 45 5, 5 5 5 Вт Вт Вт Вт Вт ' кэо,. мкА Вт 25* 25* 25* 1·· мА в n-p-n n-p-n n-p-n • IКЭR, • Iк, и max, мrц мВт КТ850Б 2. А В) В) А А А ~100 ~500 ~500 В) В) В) (4*) (4*) (4*) (4*) А А А А (12*) (12*) (12*) {12*) А 2,5 2,5 2-;5 2,5 В) ::;100 (250 ~500 (300 ~500 (180 (250 (300 (180 ~1 мА ~1 мА ~1 мА ~1 мА (100 В) (80 В) (60 В) (45 В) КТ85ЗА КТ85ЗБ КТ85ЗВ КТ85Зf КТ854А КТ854Б КТ855А КТ855Б КТ855В КТ856А КТ856Б КТ856А-1 КТ856Б-1 "?:.7 "?:.7 "?:.7 "?:.7 100 80 60 45 5 5 5 5 8 8 8 8 "?:.10 "?:.10 600 400 5 5 10 (15*) 10 (15*) "?:.5 "?:.5 "?:.5 250 150 150 5 5 5 5 (8*) 5 (8*) 5 (8*) "?:.10 "?:.10 800 700 Вт 10 10 Вт "?:.10 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 60* 60* 60* 60* Вт n-p-n n-p-n 60* 60* Вт p-n-p p-n-p p-n-p 40* 40* 40* Вт n-p-n n-p-n . 75* 75* Вт n-p-n n-p-n 50* 50* Вт 60* Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт 5 5 10 800 600 5 5 10 250 6 7 (10*) ~ А А А А ~3 мА мА (600 (400 В) В) А А ~1000 ~1000 В) В) А ~1000 (250 (150 (150 мА (800 В) А 10А;12*А А; 12* А S3 S3 S3 В) мА (бОО В) ~3 мА S3 мА (800 (600 В) В) А ~5 мА (250 В) А ~1 мА (400 В) ~1 мА (800 В) 10А;12*А А; ::;200 (100 в) ::;200 (80 В) ::;200 (60 В) ~00 (45 В) 12* А . КТ857А n-p-n . КТ858А n-p-n 60* Вт "?:.10 400 6 7 (10*) КТ859А n-p-n 40* Вт "?:.10 800 10 3 (4*) КТ862Б n-p-n n-p-n .. n·p-n 50* 50* 50* Вт Вт "?:.20 "?:.20 "?:.20 450 600 (350**) 600 (400**) 5 5 5 КТ862В KT862f Вт . 1 15 10 10 - А; А; А; А 25* 15* 15* А А А ::;2,5 мА (300 В) S3 мА (600 В) S3 мА (600 В)
Параметрь1 биполярных кремниев_ых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом • С12э, • нас, rвэ Ом к;.~, дБ пФ Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 179 'tк, ПС • tpac, •• tвыкл, НС 40".200* (10 В; 0,5 А) ~О* (10 В; 0,5 А) ~20* (1 О В; 0,5 А) S35 (5 В) :s;35 (5 В) :s;35 (5 В) 1500* 1500* 1500* 40."200* (10 В; 0,5 А) 20".200* (1 О В; 0,5 А) 20."200* (10 В; 0,5 А) 40 (5 В) 40 (5 В) 40 (5 В) 1400* 1400* 1400* ~5QO* ~500* (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) ~1000* (4 В; 1 А) ~1000* (4 В; 1 А) ~750* ~750* ~750* ~750* ~20* (3 (3 (3 (3 В; В; В; В; 3 3 3 3 А) А) А) А) :s;28 :s;28 :s;28 :s;28 (5 (5 (5 (5 :s;120 :s;l20 :s;l20 :s;l20 (5 (5 (5 (5 В) В) :s;l,25 В) :s;l,25 :s;l,25 В) ~1.25 В) :s;0,66 В) В) В) ~.66 ~О.66 ~О.66 В) ~.4 В) ~О.4 200 (10 В) 200 (10 В) 200 (10 В) :s;0,5 ~20* (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) 200 (10 200 (10 ~20* ~20* ~15* (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) КТ850, КТ851, КТ852 2000** 2000** 2000** 2000** 3300** 3300** 3300** 3300** КТ853, КТ854, КТ855 tcn=700 tcn=700 ~О.5 ~О.5 10... 60* (5 В; 5 А) \il0 ... 60* (5 В; 5 А) :s;lOO (90 :s;lOO (90 В) :s;0,3 ~.3 :s;2* :s;2* мкс В) 10."60* (5 В; 5 А) 10... 60* (5 В; 5 А) :s;lOO (90 :s;lOO (90 В) ~.3 ~о.3 :s;2* :s;2* мкс В) Корпус НС КТ856 мкс КТ856-1 мкс 15,9 .....--~+::--i 5 ~~ ::::" "':rij::=t~ с.,. ~ ~~ ~и~ о к з ~7.5* (1 В; 3 А) :s;0,33 :s;2500* КТ857, КТ858, КТ859 70,G5 ~10* (5 В; 5 А) :s;0,2 :s;2500* ::f' -, 1*1i -т"'в с... ~10* (10 В; 1 А) 12".100* (5 В; 8 А) 12 ... 50* (5 В; 5 А) 12".50* (5 В; 5 А) :s;l,5 S3500* SЗОО ~.13 :s;lOOO* ~50 :s;0,29 :s;0,29 ~ООО* (30 В) (10 В) :s;250 (10 В) ~ООО* ~-r-lrr 6КЗ КТ862
Раздел 180 2. Биполярнь1е mранзисторь1 - Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ86ЗА КТ86ЗБ КТ86ЗВ r.-p-n n-p-n n-p-n • •• н max, Рк, Рк, т max, f гр, • fh2lб, ** fh2lз, Uкво max, * max, UкэR ••• fmax, ** max, Uкэо мВт мrц в 50* Вт 50* Вт 50* Вт 24 24 24 30 30 IКэR, • Iк, и max, в 1·· кэо, мА мкА ~1 мА ~1 мА ~1 мА 10 А 10 А 10 А 5 5 5 1~0 Iкво, Iк max, Uэво rгал, (30 В) (30 В) (30 В) 1 - --- - - - - - - - КТ864А n-p-n -11JC* Вт 215 200 6 КТ865А p-n-p lOC · .DT 215 200 6 --' С_\ n-p-n n-p-n 30* Вт 30* Вт 25 25 200; 100** 200; 80** 4 4 15 А; 20* А 1 15 А; 20* А 225 200 7 25 А (40* А) 28 900 750 5 5 6 (8*) А 6 (8*) А ~3 мА (900 В) ~3 мА (750 В) 1500; 700* 1500; 700* 1200; 600* 6 6 6 8 (15*) А 8 (15*) А 8 (15*) А ~1 мА (1500 В) ~1 мА (1500 В) 150; 100* (О,Оlк) 150; 120* (О,Оlк) 5 30 А; 50* А ~3 мА 5· 30 А; 50* А . ~3 мА (150 В) 900* (0,01 к) 800* (0,01 к) 600* (0,01 к) 5 6 6 25 (50*) А 25 (50*) А 25 (50*) А ~3 мА (900 В) ~мА (800 В) ~мА (600 В) КТ866А КТ866Б 10 (15*1 "· ~100 (200 В) ~100 (200 --в: -- ' 1 ' 1 ~25 мА ~25 мА \ 100 В) llOO В) ·- КТ867А n-p-n 100* КТ868А n-p-n n-p-n 70* Вт 70* Вт 100*· Вт 100* Вт 100* Вт 27 КТ872В n-p-n n-p-n n-p-n . КТ874А n-p-n 75* Вт 220 КТ874Б n-p-n 75* Вт 220 КТ878А n-p-n n-p-n n-p-n КТ868Б КТ872А КТ872Б КТ878Б КТ878В Вт 150* Вт 2 Вт; 100* Вт 2 Вт; 100* Вт ~8 ~7 27 210 210 210 - ~3 (250 В) ~1· мА (1200 В) (150 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, Сi2э, пФ ~100* (2 В; 5 А) ~70* (2 В; 5 А) ~70* (2 В; 5 А) 181 Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС * нас, Свэ rб, Ом * НС tpac, Ом к;.~, дБ ** Рвых, Вт ** tвыкл, Корпус НС КТ863 :S0,06 :SO,l :SO,l _70,G5 -тlt,8 ~ 1*1i - ~·un ~ 40 ... 200* ( 4 В; 2 А) ::;300 (5 В) :S0,6 40... 200* (4 В; 2 А) :S300 (5 В) ::;О,3 :S400 (10 В) :S400 (10 В) :S0, 15 :S0,15 ~15* 110 В; 10 А) ~15* (10 В; 10 А) . 6КЭ КТ864,КТ865 КТ866 :S450** :S450** 212 ~10* (5 В; 20 А) :S400 (10 В) :S0,075 1,3* мкс КТ867 . j,~f ., . -"~~ lli °' . 27,1 ~ ~ ~ к 10... 60* (5 В; 0,6 А) 10... 100* (5 В; 0,6 А) :Sl 00 (80 В) :Sl 00 (80 В) :S0,75 :S0,75 КТ868, КТ872 :S3500* :S3500* 15,9 ~). j ~6 ~6 ~6 (5 В; 30 мА) (5 В; 30 мА) (5 В; 30 мА) :Sl25 (15 В) :Sl25 (15 В) :Sl25 (15 В) :S0,22 ::; 1, 1 ::; 1, 1 200 (100 В) :S0,04 0,5* мкс 10.. .40* (5 В; 30 А) 200 (100 В) :S0,04 0,5* 12 ... 50* (5 В; 10 А) 12 ... 50* (5 В; 10 А) 12 ... 50* (5 В; 10 А) :S500 (10 В) :S500 (10 В) :S500 (10 В) · :SO,l :SO,l :SO,l ::" ":n;:::::::i:=::И с-.. ~ • :S7500* :S7500* :S7500* 15 ... 50* (5 В; 30 А) 5 ~·. ~ ~: ~ "к з КТ874 мкс ::;3000* :S3000* :S3000* КТ878 ,~f ·~~~~. 27,1 ~ - 1 к
Раздел 182 ' Рк max, Тип Струк- приб.ора тура * т max, Рк, ** Рк, и max, п:р-п КТ879Б п-р-п КТ885А П•р-Л КТ885Б п-р-п Uкво max, * max, UкэR ** max, Uкэо . fmax, *** МГц в Вт ~10 Вт ~10 200 200 150* Вт 150* Вт ~15 мВт КТ879А fгр, fh2lб, fi;2'1э, 250* 250* ~15 2. Биполярные транзисторы 400* (О,Оlк) 500* (О,Оlк) Iк max, Uэво max, * и max, lк, в . мА Iкво, IКэR, 1КЭ0, мкА 6 6 50 А; (75*) А 50 А; (75*) А SЗ мА (200 В) S3 мА (200 В) 5 5 40 (60*) А 40 (60*) А Sl мА (500 В) S1 ~А (500 В) ., КТ886А-1 ' 75* 75* п-р-п КТ886Б-1 п-р-п КТ887А р-п-р КТ887Б р-п-р 3 3 Вт; Вт; Вт ~10,5 Вт ~10,5 75* 75* Вт ~15 Вт ~15 1400*{0,Оlк) 1000*(0,Оlк) 7 7 10 А; (15*) А 10 А; (15*) А SO,l мА (1000 В) S0,5 мА (1000 В) 700 600 5 5 2 А; (5*) А 2 А; (5*) А S0,25 мА (700 В) S0,25 мА ~600 В) 7 7 100 (200*) 100 (200*) SIO (900 В) SlO (600 В) - КТ888А р-п-р КТ888Б p-n-p КТ890А n-p-n КТ890Б п-р-п КТ890В п-р-п КТ892А п-р-п КТ892Б п-р-п КТ892В п-р-п 0,8 0,8 Вт; Вт; 120* 120* 120* 100* 100* 100* 7* 7* Вт вт Вт Вт Вт Вт Вт ~15 Вт ~15 900 600 40 40 40 650 500 350 5 5 5 8 8 8 350* (О,Оlк) 400* (О,Оlк) 300* (0,01 к) 5 5 5 20 20 20 А А А 15 (30*) А 15(30*)А 15 (30*) А ' ·t~ 0,5** мА (350 В) 0,25** мА (350 В) 0,25** мА (350 В) s3 мА (350 В) S3 мА (400 В) S3 мА (300 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, * С12э, 183 Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, пс * нас, Свэ rб, Ом * НС tpac, ** Вт Рвых, ** НС tвыкл, Ом пФ к;.~, дБ ~20* ~15* (4 В; 20 А) (4 В; 20 А) $800 (10 В) S800 (10 В) S0,06 SO,l 1,2* 1,2* ~12* ~12* (5 В; 20 А) (5 В; 20 А) S200 (100 В) S200 (100 В) S0,08 S0,08 S2000* S2000* 6".25* (5 В; 4 А) 6."25* (5 В; 4 А) Sl35 (10 В) Sl35 (10 В) S0,25 S0,25 2,5* 2,5* Корпус / мкс КТ879 мкс КТ885 мкс КТ886-1 мкс 15,9 ,--~;:-t 5 j /~~ ::" r-..;:r11=t=I (',с 20".120* (9 В; 1 А) ,;оо."120* (9 В; 1 А) ,, 1 30".120* (30 В; 30 мА) 30".120* (30 В; 30 мА) 350 (10 В) 350 (10 В) Sl,5 Sl,5 S5* s5* S50 :SSO S3* S3* t::! 1 мкс КТ887 мкс мкс КТ888 мкс {49,11 - - ~. r' кфз ~.µ=:и;;111~JI~, С'& ~200* (5 В; 5 А) ~00* ~00* (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) 1 '1111 б КТ890 ·so.23 S0,22 S0,2 15,9 5 l ~300* (10 В; 5 А) ~300* (10 В; 5 А) ~300* ( 10 В; 5 А) / S0,225 S0,225 S0,225 tcnS4 ~кс tcnS4 МКС tcnS4 МКС КТ892
Разоел 2. Биполярные транзисторы 184 fгр 1 fh2lб, fh'21э, Рк max, Тип Струк- прибора тура * т max1 Рк, ** Рк, и max1 мВт КТ89ЗА 120* п-р-п Uкво max, f max, *** * max, UкэR ** max, Uкэо МГц в - Вт Uэво max, в , 800* (0,Оlк) 5 90* (lк) 60* (lк) 5 5 Iкво, lк max, IКэR, IКЭо, * и max1 lк, мА 6 А; 8* мкА А ~1 * мА (800 В) , ' КТ896А р-п-р КТ896Б р-п·р , 2 Вт; 125* Вт 2 Вт; 125* Вт ~4 ~4 - 20 А (30* А) 20 А (30* А) , • КТ897А п-р-п КТ897Б- п-р-п 3 3 Вт; Вт; 150* 150* Вт Вт ~10 ~10 350 200 5 5 ~250 ~250 20 А (30* А) 20 А (30* А) (350 В) (200 В) ' ~ " КТ898А п-р-п КТ898Б п-р-п 1,5 1,5 Вт; Вт; 125* 125* 350 200 5 5 20 А_(30* А) 20 А (30* А) - 350 200 5 5 20 А (30* А) 20 А (30* А) - ~10 ~8 160 5 8А(15*А) Вт ~10 Вт ~10 - КТ898А-1 п-р-п КТ898Б-1 п-р-п КТ899А п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт 1,5 Вт; 60* Вт 40* Вт ~10 - ~1 (160В) 1 КТ902А п-р-п 30* Вт (50°С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А ~10 мА (70 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Кw,дБ Ск, Скэ нас, Ом "' С12э, Свэ нас, Ом rб, Ом "' НС tpac, к;.~, дБ р вых, "'"' Вт tвыкл, НС пФ 10 ... 20* 750 ... 18000* (10 В; 5 А) 750 ... 18000* (10 В; 5 А) 185 ~700 (10 В) ~700 (10 В) "' "' 'tк, ПС Корпус "'"' ~.6 '~2* мкс КТ893 ~.4 ~4500** КТ896 ~О.4 ~4500** _15,9 l 1 ~400* ~400* (5 (5 В; В; 5 5 ~400* (5 (5 В; В; 5 А) 5 А) ~400* А) А) ~О.23 КТ897 ~.23 ~О.23 КТ898 ~О.23 ~400* (5 В; 5 А) ~400* (5 В; 5 А) 15,9 (5 В; 5 А) КТ898-1 ~.23 с изолированными выводами ~.26 (10 В; 2 А) . ~00 (10 В) ~1; ~7** 5 КТ899 15,9 ~15* 5 ~О.23 15,9 ~1000* 5 ~О** (10 МГц) КТ902 5
Раздел 186 Рк max, Тип Ст рук- прибора тура КТ902АМ П·р-П frp, fh2lб, 2. Uкво max, Биполярные транзиGmоры Iкво, Iк max, * т max, Рк. ** Рк. и max, ti;21э, * max1 UкэR Uэво max, f max, *** ** max, Uкэо в IКэR, мВт МГц в 30* Вт (50°С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А 30* Вт (60**) 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имп.) 60 (80 имп.) 4 4 3 (5*) А 3 (5*) А ~10* мА (70 В) ~10* мА (70 В) 5* Вт (40°С) 5* Вт (40°С) ~350 60* (О,lк) 60* (О,lк) 4 4 0,8 (1,5*) А 0,8 (1,5*) А ~1.5* мА (60 В) ~1.5* мА (60 В) 4 4 1 (3*) А 1 (3*) А ~·мА (60В) ~·мА (60 В) * и max1 Iк. 1** кэо, мА мкА ~10 мА (70 В) \ КТ903А п-р-п КТ903Б П·р·П КТ904А п-р-п КТ904Б п-р-п ~120 ~300 ' КТ907А п-р-п КТ907Б п-р-п 13,5* 13,5* Вт ~350 Вт ~300 60* (О,lк) 60* (О,lк) КТ908А П·р·П КТ908Б п-р-п КТ909А п-р-п КТ909Б' п-р-п КТ9098 П·р·П КТ909Г п-р-п 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) ~30 27* Вт 54* Вт 27* Вт 54* Вт ~350 ~30 ~500 ~300 ~450 100* (0,01 к) 60* (О,25к) 60* 60* 60* 60* (0,Оlк) (О,01 к) (О,Оlк) (О,Оlк) 5 5 3,5 3,5 3,5 3,5 10 10 2 4 2 4 ~25* мА (100 В) ~50* мА,.(60 В) А А (4*) (8*) (4*) (8*) А А А А 30* 60* 30* 60* мА мА мА мА (60 (60 (60 (60 В) В) В) В) 1 КТ9101АС п-р-п 128* Вт ~350 50 4 КТ9104А п-р-п Вт ~00 КТ9104Б п-р-п 10** 23** Вт ~600 50 50 4 4 7А 1,5 А 5А ~о мА (50 В) ~10 мА ~о мА (50 В) (50 В)
Параметры биполярн"1х кремниевых транзисторов ~15* (10 В; 2 А) 187 Ск, Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом Свэ rб, Ом * 1 НС tpac пФ к;.~, дБ s3oo (10 в) Sl;~7** ** Рвых, ~20* * Вт ** 1 tвыкл Корпус НС (l О МГц) КТ902М . .1-1. . . .~.. . . . "~ " j~ ~1 ~.Ul 111 15 ... 70* (10 В; 2 А) 40 ... ·180* (10 В; 2 А) S180 (ЗО·В) Sl80 (30-В) ::;;1,15; ~3** Sl,25;.~3** ~10** ~10** (50 МГц) (50 МГц) э 6 КТ903 1123,5_ е!~t=1~Ь:ЛД~ ((({[~ (j~~ -- ~10* ~l О* (5 В; 0,25 А) (5 в; 0,25 А) Sl2 (28 В) Sl2 (28 В) S5; ~2.5** S5; ~2** ~3** ~2.5** (400 МГц) (400 МГц) КТ904, КТ907 , ~10* ~10* , (5 В; 0,4 А) (5 В; 0,4 А) S20 (30 В) $20 (30 В) S4; ~** S4; ~1.5** 8... 60* (2 В; 1О А) ~20* (4 В; 4 А) S700 (10 В) S700 (10 В) $0,15 S0,25 S30 S60 S35 S60 (28 В) (28 В) (28 В) (28 В) Sl50 (28 В) - S0,3; ~1.7** S0,18; ~1,75** $0,3; ~1.2** S0,18; ~1,5** ~5.5** ~8** ~6** 11 ;: w (400 МГц) (400 МГц) , КТ9101 S45 с-.. te:) ~ 5,8 - - $20 (28 В) S40 (28 В) ~8** ~7** ~5** (0,7 ГГц) ~20** (0,7 ГГц) 6 КТ909 ~[] - ~rmт КТ908 20** (500 МГц) 40** (500 МГц) 15** (500 МГц) ~30** (500 МГц) (0,7 ГГц) '1 ~ ~L)iпr $2600* $2600* ~100** М5 к к ' ~5 1 .... -t 18,2 з .. з КТ9104 $20 S20 б ~[j s.в_ ~ к~з ~--+-= ~ - 24 -
Раздел 188 Рк max, Тип Струк- прибора тура frp, fh2lб, 2. Биполярные транзисторы UкБО max, * т max, Рк, ** Рк. и max,· fhZ!э, *** fmax, * max, UкэR ** Uкэо max, мВт МГц в lкю, lк max, UэБО max, IКэR, IКЭо, * и max, lк, в мА мкА - КТ9105АС п-р-п 133* Вт ~660 50* (0,01 к) 4 16 А ::;;120* мА (50 В) КТ9109А п-р-п 1120** Вт ~360 65 4 29* А ::;;60 мА (65 В) v п-р-п 200** Вт ~200 120 4 10 А ::;;100 мА (100 В) КТ9116А п-р-п 55* (0,Оlк) 55* (О,Оlк) 4 4 4А п-р-п 46* Вт 76,7* Вт ~240 КТ9116Б 10 А ::;;30 мА (55 В) ::;;100 мАi (55 В) КТ911А п-р-п З* Вт ~750 КТ9НБ п-р-п п-р-п КТ9НГ п-р-п 3* Вт 3* Вт 3* Вт ~600 КТ9НВ 55 55 40 40 3 3 3 3 0,4 0,4 0,4 0,4 КТ912А п-р-п КТ912Б п-р-п 70* (0,Оlк) 70* (0,Оlк) 5 5 20 А 20 А ::;;50* мА (70 В) ::;;50* мА (70 В) КТ913А п-р-п КТ913Б п-р-п КТ913В п-р-п 55 55 55 3,5 3,5 3,5 0,5 (1 *)А 1 (2*) А 1 (2*) А ::;;25* мА (55 В) ::;;50* мА (55 В) ::;;50* мА ( 55 В). КТ9111А ~230 \ 30* Вт (85°С) 30* Вт (85°С) 4,7* Вт (55°С) 8* Вт (70°С) 12* Вт ~750 ~600 ~90 ~90 ~900 ~900 ~900 - А А А А ::;;5 ::;;5 ::;;5 ::;;5 мА мА мА мА (55 (55 (40 (40 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов. Ск, Сi2э, пФ ~160* (5 В; 0,1 А) ~240 189 Скэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, (28 В) ~5** ** Рвых, ~100** Вт (0,5 ГГц) ** tвыкл, Корпус НС ~12 КТ9105 .<Р. ~IJ- ~K-n 1 ... (50 В) ~3.5** (820 МГц) ~500** (820 МГц) ь 5 ~=-(tc):::!:::13 ""-+--+- 23, 2 8,5 ~140 W..Y с... КТ9109 5,8 ~10* (10 В; 5 А) ~150 (50 В) 2::10** ~150** - 24 (80 МГц) КТ9111 ~~ '& lr , (5 В; 0,5 А) (5 В; 0,5 А) ~55 (28 В) ~155 (28 В) ~25** ~10** ~5** (225 МГц) ~15** (225 МГц) ~ ~з ~··С!\:) 6 ~·· 12,5 ~25 КТ9116 ~30 .::t [] 1 - 8,J 10 ... 50* (10 В; 5 А) 20".100* (10 В; 5 А) ~10* (10 В; 0,5 А) ~10* (10.В; 0,5 А) ~10* ( 10 В; 0,5 А) ~200 ~200 (28 В) (28 В) (28 В) (28 В) (27 (27 В) В) ~6 (28 В) ~12 (28 В) ~14 (28 В) ~5; ~2.5** ~5; ~2.6** ~5; ~2.2** ~5; ~2.2** ~1**(1,8ГГц) ~1 **.(l ГГц) ~25 ~.8** (l ,8 ГГц) ~.8** (1 ГГц) ~100 ~О.12; ~10** ~70** ~О.12 ~70** ~l.l; ~2** ~l.l; ~2** ~l.l; ~2** (30 (30 ~25 КТ911 ·~50 МГц) КТ912 МГц) ~3** ~18 ~5** (1 ГГц) (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~15 ~15 з J5,8 ;::' [~н . ~10 ~10 ~10 ~10 к 1.(-) • ' В.J ~20* ~20* _з г 6 КТ913
Раздел 190 1 Рк max1 Тип Струк- прибора тура * т max, Рк, ** Рк, и max, 50* р-п-р Вт UкБО max, * max, UкэR ** Uкэо max, *** fmax, Мfц мВт КТ9120А fгр 1 fh2lб 1 fh'2'1э, 2. Биполярные транзисторы UэБО max, в в 1 ~50 45* (О,lк) 5 lк max, * и max, Iк, мА IКБО, IКэR, IКЭо, мкА 12 (30*) А :SO,l мА (45 В) - КТ9121А п-р-п 92** Вт - 42 3 9,2* А :Sl5 мА (42 В) КТ9121Б n-p-n 46** Вт - 42 3 4,6* А :S7,5 мА (42 В) КТ9121В п-р-п 11,5** Вт - 42 3 1,15* А :S2,5 мА (42 В) KT9121f п-р-п 130** Вт - 42 3 13* А :S22 мА (42 В) ~660 55* (10 Ом) 4 4А :S60* мА (55 В) ~100 100* (0,Оlк) 4 30 А :S200* мА (100 В) - 65 3 38* А :S60* мА (65 В) - 65 3 19* А :S30* мА (65 В) ~200 50* (10 Ом) 4 18 А :SlOO* мА (50 В) ~200 250 6 150 :Sl мкА (250 В) - КТ9125АС 60* Вт (40°С) п-р-п ' .. , КТ9126А п-р-п 330* Вт (50°С) . Вт КТ9127А п-р-п КТ9127Б п-р-п 524** Вт КТ9128АС п-р-п 180* Вт (50°С) КТ9130А п-р-п 1151 ** 10* Вт
параметры биполярных кремниевых транзисторов ~40* (1 В; 4 А) :S1900 (10 В) 191 :S0,75 КТ9120 :S500* 11,8 т 14') ~ ~ ,.. а ЗК6 ~6.4** ~35** (2,3 ... 2, 7 ~6.4** КТ9121 ГГц) ~17** (2,3 ... 2,7 ГГц) ~ ~4** ~6.4** (2,3".2,7 ГГц) ~12,5** ~50** (2,3".2,7 ГГц) :Sl 10* (5 В; 0,5 А) :S70 (28 В) ~6** (500 МГц) ~50** (500 МГц) КТ9125 :S20 8,5 ~10* (10 В; 5 А) :S500 (50 В) ~13**; :S0,05 ~500** ( 1,5 МГц) КТ9126 ...... "А &, 1 ~ :::S~aк '1 ..... , 8.J 12,5 ~5.6** ~550** (1,025".1, 15 ~6.2** КТ9127 ГГц) ~250** (1,025".1,15 ГГц) 4,6 :SlOO* (5 В; 0,5 А) 10 .. .45 (9 В; 20 мА) :S430 (28 В) :S6 (10 В) 7** ( 175 МГц) ~200** (175 МГц) :S30 КТ9128 КТ9130 :S50 / з 'JS,8
Раздел 192 Ркmа.х, Струк- Тип прибора 1 тура * Рк, т max, ** Рк, и max, мВт * fгр 1 fh21б1 ** fh21э, *** fmax 1 Uкоо 2. Биполярные транзисторы ma.x, * UкэR max, ** Uкэо max, Uэоо в МГц в ~225 55* (О,Оlк) 4 max, Iк max 1 * Iк. и max 1 мА IКэR, 1** кэо, мкА ~00* мА (55 В) КТ9133А п-р-п 130* КТ9134А п-р-п 2600** Вт ~600 50 3 78* А ~120 мА (50 В) КТ9134Б п-р-п 2100** Вт ~600 50 3 71 *А ~120 мА (50 В) КТ9136АС п-р-п 700** ~300 60 4 30* А ~140 мА (60 В) КТ914А р-п-р 7* Вт ~300 65 4 0,8 (1,5* А) 2* мА (65 В) КТ9141А п-р-п 3* Вт ~1 ГГц 120 3 300 ~100 (120 В) 120 3 400 ~.1 (120 В) 55 3 15 Вт 16 А Iкоо, \ ' Вт " КТ9141А-1 n-p-n 5* КТ9142А п-р-п 72* Вт Вт ~1 ГГц - А ~100 мА (55 В)
193 /1ераметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ * С12э, пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом ** 1 Вт Рвы.х :Sl60 (28 В) ~7.5** ~30** (1,4 ... 1,6 (1,4 ... 1,6 (500 Корпус НС :SЗО КТ9133 :S20 КТ9136 ГГц) ~800** ~6** ~7** МГц) (225 ** tвыкл, ~1000** ~6** :S260 (45 В) 'tк, ПС * 1 НС tpac МГц) ~500** ГГц) (500 МГц) -т-----..6 ~· к)f _з ~[~ ~ , к ""hk-- э ф 5,8 10... 60* (5 В; 0,25 А) :Sl2 (28 В) :Sl 2 ~2.5** (400 МГц) 18,2 КТ914 :S20 М5 , : LJ ~в ~,L_)ru1 15 .. .45* (5 В; 50 мА) :S2,5 (10 В) 6. КТ9141 (C)j ! ec:i".J-l:~~K ~ IJIJll ф .' Э 111111 15 .. .45* (5 В; 50 мА) ~10 (5 В; 0,5 А) :S2,5 (10 В) :S70 (28 В) /j КТ9141-1 ~6** 50** (860 МГц) КТ9142 5,8 18,2
Раздел 194 Тип Струк- прибора тура КТ9143А КТ9143Б КТ91438 КТ9144А-5 КТ9145А-5 Рк max, * fгр1 fh2lб, * т ma.x, Рк, fh21з, ** ** н max1 Рк, 1*** ma.x, мВт МГц в 75 75 75 p-n-p p-n-p p-n-p 3* 3* 3* Вт ~1500 Вт ~1500 Вт ~1000 p-n-p n-p-n 5* 5* Вт ~30 Вт ~50 Uкво ma.x, * ma.x, UкэR u·· КЭО UэБО ma.x, в max1 500 500 2. - Биполярные транзисm()ры Iк ma.x 1 * н ma.x, Iк, мА Iкво, IКэR, · 1** кэо, мкА 3 3 3 100 (300*) 100 (300*) 100 (300*) ~1 *мА (50 В) ~1 *мА (50 В) ~l *мА (50 В) 5 5 50 (100*) 50 (100*) ::;1 (500 В) Sl (500 В) 50 (100*) 50 (100*) ::;1 (500 В) ~1 (500 В) КТ9144А-9 КТ9145А-9 p-n-p n-p-n 0,3 0,3 Вт; l *Вт 1* Вт Вт; ~30 ~50 500 500 5 5 3 19* А ~о мА (50 В) 3 3 13* А 3,3* А ~33 мА (50 В) ~мА (50 В) 4 БА ~5* мА (40 В) - n-p-n 380** Вт - 50 КТ91468 n-p-n n-p-n 260** Вт 65** Вт - 50 50 КТ9150А n-p-n - 40* (10 Ом) КТ9146А ' КТ9146Б 50* Вт -- - - . КТ9151А n-p-n 280* Вт КТ9152А n-p-n 246* Вт ~230 - 55 3 33 А 55 3 24 А ::;150* мА (55 В) ~00 мА (55 В)
Гlараметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э ~20* (5 В; 50 мА) 20 ... 60* (5 В; 50 мА) ~20* (5 В; 50 мА) Ск, rкэ нас, Ом Сi2э, rБэ нас, Ом пФ •• д Б Ку,р, s3 (10 s3 (10 s4 (10 В) В) В) .. 195 Кш, дБ 'tк, ПС rб, Ом * 1 НС tpac Рвых 1 Вт tвыкл 1 НС •• - - Корпус •• - КТ9143 -~9/1 - Се) r ~· 11111 ~~u 111 Ч)" , - ~О* (10 В; 10 мА) 20 ... 150 (10 В; 10 мА) - SlOO slOO - - кфэ КТ9144-5, КТ9145-5 . 0,3 0,5 - 20 ... 150 (10 20 .. .150 (10 В; В; 10 10 мА) мА) ~шт КТ9144-9, КТ9145-9 S60 slOO '" 4.Б 1Б ~~i~- ~ ~· 1~ 5 q. ~48 ~200** ~6** (1,55 0,11 ~ o.ss ~5- 1,5. 3 ГГц) КТ9146А Б1 i :- э 1 i -- " - э Бi.1 - fJ - - Н.5 ~6** ~130* * ~7** ~35** (1,55 ГГц) (1,55 ГГц) КТ9146 (Б, В) -.----, Г 1- Б ~ КДJ -~' L -+-........- ,' '- JI\,,. r! Ч-' э j' 211,5 - 4,6_ ~10* (5 В; 0,5 А) s42 (25 В) ~8,5** (860 МГц) ф8** (860 МГц) КТ9150 ~ N К ~ К~ u - - - ~ ~10* (5 В; 0,5 А) S350 (28 В) ~7** (230 МГц) ~00** (230 МГц) ~10* (5 В; 0,5 А) ~100 В) ~6** (860 МГц) ~100** (860 МГц) (28 - Б ~ ln_ э 197 КТ9151, КТ9152 Б
Раздел 196 2. Биполярные транзисторы \ Uкво max, Рк, и max, fгр 1 fh21б, fh2Iэ 1 **"' fmax, мВт МГц в Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк. •• • max, UкэR •• Uкэо max, UэБО max, в Iкво, Iк max, IJ<эR, 1** . кэо, * и max 1 Iк. мА мкА - 50* (10 Ом) 4 10 А ~60* мА 43* Вт 100* Вт - 50 50 3 3 4А 15 А ~25* мА (50 В) ~25* мА (50 В) Вт - 50 3 24 А ~25* мА (50 В) КТ9153БС п-р-п 94* КТ9155А п-р-л КТ9155Б п-р-п КТ91558 п-р-п 181 * Вт (50 В) ' КТ9156БС - 94* п-р-п - Вт 50* (10 Ом) 3 ~100 30 5 5 (10*) А ~60 140* (10 Ом) 140* (10 Ом) 140* (10 Ом) 4 4 4 30 А 30 А 30 А 60 4 25 А 10 ~60* мА А (50 В) ~ . КТ9157А п-р-п 1,2 Вт; 10* Вт 465* Вт (50°С) 465* Вт (50°С) 465* Вт (50°С) КТ9160А п-р-п КТ9160Б п-р-п КТ91608 п-р-п КТ9161АС п-р-п КТ9164А п-р-п - КТ9166А п-р-п 60* 700* Вт ~60 ~60 - Вт - .45 - - - 15 ~10 (30 В) ~200* мА (140 В) ~200* мА (140 В) ~200* мА (140 В) ~280 мА (60 В) - А КТ916А п-р-п КТ916Б п-р-п 30* 30* Вт ~1100 Вт ~900 55* (0,01 к) 55 3,5 3,5 2 (4*) А 2 (4*) А ~25* мА ~40* мА (55 В) (55 В)
-;,,, , _· f1№аметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, * С12э, пФ ~10* (5 В; 0,5 А) Sбб (28 rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС rБэ нас, Ом к;.~, дБ * Ом tб, ** 1 Вт Рвых * 1 ·ИС tрас В) (5 (5 В; ~35 А) ~35 (28 (28 В) В; 0,5 0,5 А) ~10* ~10* (5 В; 0,5 А) ~5 (28 В) ~10* (5 В; 0,5 А) ~66 (28 В) В) ~6.5** (860 МГц) ~6** (860 МГц) ~5** МГц) (860 ~6** (1 Корпус ** 1 НС tвыкл ~50** ~7** (615 ... 840 ~10* 197 ГГц) ~15** ~50** (1 ·~-]-~_ -t_ ·с ~ ~ з 'к~ 6 ·= 1 .... к - _!_ .... 6 ' ф 5,8 МГц) (860 ~50** _________ МГц) МГц) (860 (860 ~100** КТ9153, КТ9155 МГц) 18,2 КТ91558 ГГц) КТ9156 -.----....-.3 к~ 6 ~ ' 1 1- ~ K-_L .... 6 ' ф 18,2 140."450* (1 В; 0,5 10... 30* (10 20 ... 50* (1 О 40 ... 90* ( 10 В; В; В; 30 30 30 А) А) А) А) ~150 ~700 ~700 ~700 (5 В) (60 (60 (60 В) В) В) ~О.25 ~15** ~15** ~15** (1,5 (1,5 (1,5 КТ9157 МГц) МГц) МГц) ~700** (1,5 (1,5 (1,5 ~700** ~700** МГц) КТ9160 МГц) к МГц) э о о э ... ..... ~О* (5 В; 0,5 ~7** А) ~6** (500 (1090 МГц) МГц) ~500** ~300** (500 (1090 МГц) .. о МГц) КТ9161, КТ9164 ~50* (1 В; 4· А) о ~О.Об - см. КТ9156 КТ9166 _70,G5-rl/,8 ~~ - i ~~" 6КЭ 35* (5 35* (5 В; В; 0,25 0,25 А) А) ~20 ~20 (30 (30 В) В) ~.8; ~2.25** ~20** ~.8; ~1.85** ~16** (1 (1 ГГц) SlO ГГц) ~10 КТ916 ~ ин1'"•~~::t'~~·к ' 1 ~g 12,1_ з 2. ,5
Раздел 198 Тип Струк- прибора тура КТ9173А Рк maxr * т maxr Рк, ** Рк, и max, * fгpr fh2lбr мВт 140* П·р-П Вт 2. UкБо maxr * max, UкэR UэБО max, *** fmax, ** max, Uкэо в МГц в fh2Iэ, - 55* (10 Ом) Биполярные транзисторы IКБо, Iк ;.ах, ' IкэR, * * и maxr Iк, IКЭо, мА мкА 4 14 А :S250* мА (55 В) 3 30 А Sl50* мА (55 В) " КТ9174А 400* П·р·П Вт - - 55* (10 Ом) - ' - КТ9176А р-п-р 10* Вт ~90 40 5 3 (7*) А :Sl (30.В) КТ~177А n-p·n 10* Вт ~90 40 5 3 (7*) А Sl (30 В) КТ9180А р-п-р КТ9180Б р-п-р 12,5*Вт ~100 ~100 12,5*Вт ~100 КТ9180Г p-n·p p·n·p 12,5*Вт ~100 40 60 80 100 5 7 7 7 3 3 3 3 КТ9181А П·р·П l 2,5*Вт ~100 КТ9181Б П·р·П 12,5*Вт ~100 КТ9181В П·р·П 12,5*Вт ~100 КТ9181Г П·р·П 12,5*Вт ~100 40 60 80 100 5 7 7 7 -3 3 3 3 КТ918А-2 п-р-п 30 30 2,5 2,5 55* (10 Ом) 3 45 45 45 45 3,5 _3,5 3,5 3,5 КТ9180В - 1,5 Вт; l 2,5*Вт Вт ~800 Вт ~1000 КТ918Б-2 П·р·П 2,5* 2,5* КТ9182А П·р·П 300* Вт КТ919А КТ919Б n·p·n n·p·n КТ919В П·р-П КТ919Г п-р-п 10* Вт 5* Вт 3,25* Вт 10* Вт / - ~1350 ~1350 ~1350 ~1350 . А А А А (7* (7* (7* (7* А) А) А) А) А (7* А) А (7* А) А (7* А) А (7* А) 250 250 24 А 0,7 (l,5*) А 0,35 (0,7*) А 0,2 (0,4~) А 0,7 (l,5*) А - 51 (30 В) Sl (60 В) Sl (80 В) Sl (100 В) :Sl (30 В) Sl (60 В) :Sl (80 В) :Sl (100 В) :S2 мА (30 В) :S2 мА (30 В) S200 мА (55 В) :SlO мА (45 В) :S5 мА (45 В) :S2 мА (45 В) 510 мА (45 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов ~20* (5 В; 0,5 А) 199 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2з, пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ * Ом tб, * 1 НС tpac ** 1 Вт Рвых ** 1 НС tвыкл ;5;230 (28 В) ~10** МГц) (230 ~50* * (225 Корпус МГц) КТ9173 ' - _с> __ з ~K·n ~к~~ 1 " 60.. .400* (2 В; 1 А) 60 .. .400* (2 В; 45 (10 В) (230 МГц) ~300** (230 МГц) КТ9174 КТ9176, КТ9177 ;5;0,25 1 А)' i~~ 11' /1 S0,25 Q) 1 ~ U1 111 60".400* (2 В; 1 А) 50".250* (1 В; О, 15 А) 50. "250* (1 В; О, 15 А) 50".250* ( 1 В; О, 15 А) 3 23,2 8,5 ~4** (~ г 6 L ti 3 6 КТ9180, КТ9181 s0,25 ~.4 ~.4 ~ ;5;0,4 60".400* (2 В; 1 А) 50".250* (1 В; О, 15 А) 50".250* (1 В; О, 15 А) 50".250* (1 В; 0,15 А) :::. - S0,25 -Е~ • i·BI 11' /1 ~ UI 111 ~.4 S0,4 ~ Q) С\е" ~.4 S4,2 (15 ;5;4,2 (15 В) В) ~·· ~2** ~3** ;5;10 (28 В) ;5;6,5 (28 в) s5 (28 В) s:12 (28 В) (860 МГц) ~.25** (3 ГГц) ~.5** (3 ГГц) ~150** (860 МГц) ~3.5** (2 ГГц) ~1.6** (2 ГГц) ~.8** (2 ГГц) ~3** (2 ГГц) . S2,2 S2,2 S2,2 S2,2 КТ9182 КТ919 з 6
Раздел 200 Ркmа.х, Тип Струк- прибора тура КТ920А п-р-п КТ920Б n-p-n КТ9208 п-р-п КТ920Г п-р-п КТ921А п-р-п КТ921Б п-р-п КТ922А п-р-п КТ922Б п-р-п КТ9228 п-р-п КТ922Г il-p-n КТ922Д п-р-п КТ925А п-р-п КТ925Б п-р-п ·КТ9258 п-р-п КТ925Г п-р-п КТ926А п-р-п КТ926Б п-р-п fгр1 fh21б1 f h21э, •• Uкоо ••• 1 fma.x ma.x, max, •• max, Uкэо мВт МГц в 5* Вт (50°С) 10* Вт (50°С) 25* Вт (50°С) 25* вт (50°С) ~400 36 36 36 36 12,5* Вт (75°С) 12,5* Вт (75°С) ~90 8* Вт (40°С) 20* Вт ( 40°С) 40* Вт ( 40°С) 20* Вт (40°С) 40* Вт ( 40°С) ~300 ~300 • т Рк. •• и Рк. 5,5* 11 * 25* 25* Вт Вт Вт Вт ma.x, max, • UкэR ~400 ~400 ~350 ~90 ~300 ~300 ~250 ~500 (40°С) (40'С) ( 40°С) ~450 ~500 ~450 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) ~51 83,3* Вт (75°С) 83,3* Вт (75°С) 83,3* Вт (75°С) ~105 ~51 ~ Uэоо ma.x, в 4 4 4 4 Биполярные транзисторы Iк max 1 • Iк, и max, мА 0,25 (1 *) А 1 (2*) А 3 (7*) А 3 (7*) А - Iкоо, IКэR, IКЭо, мкА S2* мА (36 В) ~4* мА (36 В) ~7 ,5* мА (36 В) ~7.5* (36 В) 3,5 А 3,5 А SlO* мА (70 В) ~10* мА (70 В) (1,5*) А (4,5*) А (9*) А (4,5*) А (9*) А ~5* мА (65 В) ~20* мА (65 В) 65* (О, 1к) 65* (О, 1к) 4 4 65* 65* 65* 65*. 65* (О, 1к) (0,1 к) (О, 1к) (О, 1к) (О, 1к) 4 4 4 4 4 36* 36* 36* 36* (О, 1к) (О, 1к) (О, 1к) (О, 1к) 4 4· 3,5 3,5 0,5 (1 *) А 1 (3*) А 3,3 (8,5*) А 3,3 (8,5*) А 150* (О,Оlк) 150* (О,Оlк) 5 5 15 (25*) А 15 (25*) А ~25* мА ~25*_мА 70* (Ок) 70* (Ок) 70* (Ок) 3,5 3,5 3,5 10 (30*) А 10 (30*) А 10 (30*) А ~О* мА (70 В) ~40* мА (70 В) ~40* мА (70 В) 60 60 75 5 5 5 О,8(1,2*)А 0,8 (1,2*) А 0,8 (1,2*) А :::;;5 (60 В) ~5 (60 В) ~1 (60 В) 30* (О, 1к) 3 0,8 (1,5*) А ~5* мА (30 В) 1 ( 40°С) 2. 0,8 1,5 3 1,5 3 ~40* мА (65 В) ~20* мА (65 В) ~40* мА (65 В) ~7 мА (36 В) ~12 мА (36 В) ~30 мА (36 В) ~30 мА (36 В) (150 В) (150 В) - КТ927А п-р-п КТ927Б п-р-п КТ9278 п-р-п ~105 ~105 - КТ92аА п-р-п КТ928Б п-р-п КТ9288 п-р-п 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт ~50 ~250 ~250 1 • КТ929А п-р-п 6* Вт (40°С) ~700 '
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 201 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к:.~, дБ rб, Ом fpac, НС пФ 515 525 575 575 В) В) В) В) (lO (lO (10 (10 '?:.7** '?:.4,5** '?:.3** '?:.3** ** Рвых, • Вт '?:.2** (l 75 МГц) '?:.5** ( 175 МГц) '?:.20** ( 175 МГц) '?:.15** (l 75 МГц) ** fвыкл, Корпус НС 520 520 520 520 КТ920 ~ij~~,,~~-~~·~: ь~~ ~2--7--;-. - ,8 12,2 '?:.10* (lOB; l (lO В; l ~10* А) А) В) В) 550 (20 550 (20 51,8; '?:.8** 51,8; '?:.5** '?:.12,5** (60 '?:.12,5** (60 МГц) МГц) КТ921 522;5300* 522;5300* ,._ 515 535 565 535 565 '?:.8* (5 В; '?:.17* (5 0,2 В; 0,2 А) А) 515 530 560 560 В) В) В) В) В) (28 (28 (28 (28 (28 (12,6 (12,6 ( 12,6 (12,6 В) В) В) В) 10... 60* (7 В; 15 А) 10".60* (5 В; 5 А) . '?:.10** '?:.5,5** '?:.4** '?:.5** '?:.3,5** '?:.5** (l 75 МГц) '?:.20** (175 МГц) '?:.40** (l 75 МГц) '?:.17** (l 75 МГц) '?:.35** (175 МГц) 520 520 525 520 525 '?:.6,3** '?:.5** '?:.3** '?:.2,5** 2** (320 МГц) 5** (320..МГц) 20* * (320 МГц) 15** (320 МГц) 520 535 540 540 КТ922, КТ925 КТ926 50,17 50,25 с-.'' ,._,, ll!U ILUIK " 1 ~. '?:.15* (6 '?:.25* (6 '?:.40* (6 В; В; В; 5 А) 5 А) 5 А) 5190 (28 5190 (28 5190 (28 В) В) В) 50,07; '?:.13,4** 50,07; '?:.13,4** 50,07; '?:.13,4** '?:.75* (20 МГц) '?:.75* *,(20 МГц) '?:.75** (20 МГц) 1 1 1 1 1 • 1 ~ ·з t::: L.ftr ' 19,5 КТ927 зr ~~~Е~ ДцоtJ 20".100* (5 В; 150 мА) 50".200* (5 В; 150 мА) 100".300* (5 В; 150 мА) 512 (10 512 (10 512 (lO В) В) В) 53,3 53,3 53,3 КТ928 5250* 5250* 5250* {J9,11 - ~ 1кфз ~.J_!;$J=11=1~ 1 ('.&,, '?:.25* (5 В; О. 7 А) 520 (8 В) '?:.8** '?:.2** (l 75 МГц) 525 1111 КТ929 5
Раздел 2()2 прибора С тру.к· тура fh'2'1з, Uкво max, *** _fmax, UКэR max, u** КЭО max, мВт Мfц в ~450 ~00 50* (О, lк) 50* (О,lк) 4 4 6* 6* А ~О* мА (50 В) SlOO* мА (50 В) ~250 60* (О,Оlк) 4 15 А SЗО* мА (60 В) ~40 80 60 40 4,5 4,5 4,5 80 60 4,5 4,5 * ** Рк, и max, Рк, т max, КТ930Б n-p-n n-p-n 75* Вт (40°С) 120* Вт (40°С) КТ931А n-p-n 150** КТ932А р-п-р КТ932Б p-n-p p-n-p КТ9ЗОА КТ932В Биполярные транзисторы frp, fh2lб, Рк max, Тип 2. Вт (40°С) 20* Вт (50°С) 20* Вт (50°С) 20* Вт (50°С) ~60 ~40 Uэоо max, в Iкво, Iк max, IКэR, 1** кэо, * Iк. и max, мА А 2А 2А 2А мкА :Sl,5* мА (80 В) Sl ,5* мА (60 В) :Sl,5* мА (40 В) - "' КТ9ЗЗА р-п-р КТ933Б p-n-p 5* 5* Вт (50°С) 0 Вт (5О С) ~75 ~75 ... КТ934А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n·p-n КТ934Б КТ934В КТ934Г КТ934Д 7,5* 15* 30* 15* 30* Вт Вт Вт Вт Вт 0,5 -0,5 А А S0,5* мА (80 В) S0,5* мА (60 В) ' ~500 ~500 ~500 ~450 ~450 60* (0,Оlк) 60* (О,Оlк) 60* (О,Оlк) 60* (О,Оlк) 60* (О,Оlк) 4 4 4 4 4 -0,5 А 1А 2А S7,5* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) SЗО* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) SЗО* мА (60 В) 20 (30*) А SЗО* мА (80 В) 2А 1А . КТ935А n-p-n 60* Вт (50°С) ~51 80* (О,Оlк) 5 КТ936А n-p-n 28* Вт (75°С) - 60 3,5 3,3 А SlO* 3,5 10 А SЗО* мА - мА (60 В) , . ' КТ936Б n-p-n 83,3* Вт (75°С) - 60 (60 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, hz1э 40* (5 В; 0,5 А) 50* (5 В; 0,5 А) 203 Ск, Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rб, Ом * НС fpac, пФ rБэ нас, Ом к;.~. дБ S80 (28 В) Sl 70 (28 В) ;;::5** ;;::3,5** ** Рвых, Вт ~40** (400 ;;::75** (400 МГц) МГц) ** fвыкл, Корпус НС КТ930, КТ931 8 ' 11 6 ~,,~[~lз 25* (5 В; А) 0,5 S240 (28 В) 0,18; ~3.5** ~80** (175 МГц) ~~r~~ ~. 18 К' ;;::15.* (3 ;;::30* (3 ;;::40* (3 В; ~15* (3 ;;::30* (3 25 .......7 --+11111;- А) А) А) s300 (20 В) S300 (20 В) S300 (20 В) Sl Sl Sl КТ932 В; В; 1,5 1,5 1,5 В; В; 0,4 0,4 А) А) S70 (20 В) .s70 (20 В.) sЗ,75 КТ933 S3,75 {49/1 - ~~ ! ф r.а"ц~~к :. з ~ с-... / JI 1 11111 IJ . 5 ' 50* (5 В; 0,1 А) 50* (5 В; 0,15 А) 50* (5 В; 0,25 А) S9 (28 В) Sl6 S32 Sl6 S32 (28 В) (28 В) (28 В) (28 В) 2; ~6** 1; ;;::4** 0,5; ;;::3** ~3,3** ;;::2,4** ;;::3** (400 МГц) ;;::12** (400 МГц) ;;::25** (400 МГц) ~10** (400 МГц) ;;::20** (400 МГц) КТ934 S20 S20 S20 S25 S25 """-+-___._.... 20 ... 100* (4 В; 15 А) S800 (10 В) S0,066 КТ935 S700** 11 LJti ~1. Шк j ~ N В; 1 1 1 1 : 1 1 t::: 1 19,5 А) КТ936А ~· (3 В; 0,1 А) КТ936Б ;;::6* (3 0,1 з ~2;;...;..'j_,~ - ,8 11.2 б~~ о . к ~ . 3 5 1J.6
Раздел 204 Струк- Тип КТ937А-2 тура. n-p-n n-p-n КТ937Б-2 Биполярные транзисторы frp, fh2lб, Uкво max, * т max, Рк, ** н max, Рк, fh2Iэ, *** fmax, * max, UкэR ** max, Uкэо мВт Мfц в 6500 6500 25 25 2,5 2,5 250 450 S2 мА (25 В) S5 мА (25 В) Вт ~2000 Вт ~1800 28 28 2,5 2,5 180 180 Sl мА (28 В) Sl мА (28 В) 30* (О,Оlк) 30* (О,Оlк) 3,5 3,5 400 400 S2 мА (30 В) S2 мА (30 В) Рк max, прибора 2. 3,6* 7,4* Вт Вт Uэво max, в Iкво, lк max, * н max, Iк, мА IКэR, 1** кэо, мкА .. .. КТ938А-2 КТ938Б-2 КТ939А КТ939Б n-p-n n-p-n 1,5* 1,5* n-p:n n-p-n 4* 4* Вт ~2500 Вт ~1500 , . .... КТ940А КТ940Б КТ9408 n-p-n n-p-n n-p-n 1,2 (10*) Вт 1,2 (10*) Вт 1,2 (10~) Вт ~90 ~90 ~90 300* (lОк) 250* (lОк) 160* (lОк) 5 5 5 0,1 (0,3*) А 0,1 (0,3*) А 0,1 (0,3*) А S0,05 мА (250В) S0,05 мА (200 В) S0,05 мА (100 В) 5 5 5 100 (300*) 100 (300*) 100 (300*) s50 нА (250 В) S50 нА (200 В) s50 нА (100 В) 3,5 . КТ940А-5 КТ940Б-5 КТ9408-5 n-p-n n-p-n n-p-n 10* 10* 10* Вт ~90 Вт ~90 Вт ~90 300 250 160 n-p-n 25* Вт ~1950 45 ' КТ9428 1,5 (3*) А S20 мА (45 В) - КТ943А КТ943Б КТ9438 KT943f КТ943Д n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 25* 25* 25* 25* 25* Вт ~30 Вт ~30 Вт ~30 Вт ~30 Вт ~30 45 60 100 100 100 2 2 2 2 2 5 5 5 5 5 1 (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А S0,1 мА (45 В) S0,1 мА (60 В) S0,1 мА (100 В) Sl мА (100 В) Sl мА (100 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом rб, Ом * НС tpac, •* дБ Ку,р, пФ s5,5 (20 S7,5 (20 В) В) ** Рвых, Вт ;:::1,6** (5 ;:::3,2** (5 S4 (20 В) S4,5 (20 В) 40 ... 200* (12 В; 0,2 А) 20" .200 (12 В; 0,2 А) 205 ;:::1 ** (5 ;:::1 ** (5 ГГц) ГГц) ГГц) ГГц) ** tвыкл, Корпус НС 0,78 0,6 КТ937-2 S2 S2 КТ938-2 S5,5 (12 В) s6 (12 В) КТ939 ~ 'нtнsa~:t' ~~·к '$,.' ТЧ'j. , ... j ' S,9 12, 1 - - ;:::25* (10 ;:::25* (10 ;:::25* (10 В; В; В; 30 40 30 мА) мА) мА) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) ;:::25* (1 О В; 30 мА) ~25* (10 В; 30 мА) ;:::25* (10 В; 30 мА) S25 (28 S33 S33 S33 КТ940 S40 S40 S40 КТ940-5 В) ;:::8** (2 ГГц) S3 • 20,5 КТ942 19,3 - 40" .200* (2 В; О, 15 А) 40".160* (2 В; 0,15 А) 40".120* (2 В; 0,15 А) 20".60* (2 В; 0,15 А) 30".100* (2 В; 0,15 А) S0,6 S0,6 S0,6 Sl,2 Sl,2 КТ943 з
Раздел 206 fгр, fh21б, Рк max, Тип Струк- прибора тура ** , fh2lэ, f max, *** ** н max, Рк. n-p-n КТ944А * т max, Рк. мВт мrц 55* Вт (90°С) ~105 2. Uкво max, UкэR max; Uэво max, ** max, Uкэо в в 100* (0,Оlк) 5 _9м) 5 Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IК:эR, IКЭо, * н max, Iк. мА мкА 12,5 (20*) А S80* мА (100 В) s;25* мА (150 В) ' КТ945А 50* Вт (50°С) n-p-n ~51 150* (10 15 (25*) А ~ КТ946А n-p-n КТ947А n-p-n Вт ~720 50 3,5 Вт (50°С) ~75 100* (0,Оlк) 5 37,5* 200* 2,5 (5*) А 20 (50*) А S50 мА (50 В) SlOO* мА (100 В) ' ' КТ948А КТ948Б n-p-n n-p-n КТ955А n-p-n 40* 20* Вт ~1950 Вт ~1950 20* Вт (1ОО С) 0 ~100 70* 45 45 2 2 2,5 (5*) А 1,25 (2,5*) А S35 мА (45 В) S15 9 (45 В) (0,Оlк) 4 6А SlO мА (60 В) . КТ956А КТ957А - Вт ( 100°С) n-p-n 70** n-p-n 100** Вт ооо•с) ~100 100* (О,Оlк) ~100 60* (О,Оlк) 4 15 А S80* мА (100 В) 4 20 А SlOO* мА (60 В)
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов 10 ... 80* (5 В; 10 А) S350 (28 В) 10 ... 60* (7 В; 15 А) S200 (30 В) s50 (lO 10 ... 80* (5 В; 20 А) s850 (27 В) В) S0,25; ~10** ~100** 207 МГц) (30 Sl,l * so,11 ~4** ~10** КТ944 ~27** мкс КТ945 (1 МГц) ~250** (1,5 КТ946 МГц) КТ947 -_" С&') ~ lt') с-.; CN S30 (28 Sl7 (28 В) В) ~6.S** ~15** ~6.5** ~8** (2 ГГц) (2 ГГц) КТ948 ~ ~ 10 ... 80* (5 В; 1 А) S75 (28 В) ~20** ~20** (30 МГц) 10 ... 80* (5 В; 1 А) S400 (28 В) ~20** ~100** (30 МГц) 10... 80* (5 В; 5 А) s600 (28 В) ~17** ~125**. (30 МГц) КТ955 КТ956, КТ957 8,J 12,5
Раздел 208 Тип Струк- прибора тура КТ958А п-р-п fгр, fh'21б, Uкво max, ** и max, Рк, fh21з, ** *** fmax, * max, UкэR ** max, Uкэо мВт Мfц в 85** Вт (40°С) ~300 Рк max, * т max, Рк, 2. Биполярные транзисторь1 1 Uэво max, в Iкво, Iк max, IКэR, IКЭо, * и max, Iк, мА мкА 36* (О,Оlк) 4 10 S25* мА (36 В) ~600 36* (О,Оlк) 4 7А ~50 ~50 100* (lк) 80* (lк) 60* (lк) 40* (lк) 5 5 5 5 1,5 (2*) А l,5(2*)A 1,5 (2*) А 2 (3*) А 50 50 50 4 4 4 - 18 18 1,5 1,5 210 185 Sl Sl мА - 18 18 1,5 1,5 210 185 Sl Sl 36* (О,Оlк) 4 4А SlO* А - КТ960А n·p-n КТ961А п-р-п КТ961Б п-р-п КТ9618 п-р-п КТ961Г n-p-n КТ962А n-p-n КТ962Б п-р-п КТ9628 n·p-n 70** Вт (40°С) 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) Вт Вт Вт Вт 17** Вт (40°С) 27** Вт (40°С) 66** Вт (40°С) \ ~50 ~50 ~750 ~750 ~600 1,5 2,5 S20* мА (36 В) SlO SlO SlO SlO (60 В) (60 В) (60 В) (60 В) S20 мА (50 В) S20 мА (50 В) SЗО мА (50 В) А А 4А КТ963А-2 п-р-п КТ963Б-2 n·p-n КТ963А-5 п-р-п КТ963Б-5 п-р-п 1,1 * l, l * Вт l, l * l, l * Вт 32* Вт Вт Вт В) мА (18 (18 мА мА (18 (18 В) В) В) , КТ965А n·p-n ~100 мА (36 В) (36 В) /' ' КТ966А / п-р-п 64* Вт ~100 36* (О,Оlк) 4 8А S23* мА
Параметры бип~ярных кремниевых транзисторов ~10* (8 В; 0,5 А) В) S180 (12 0,16; ~4** ~40** 209 МГц) ( 175 КТ958, КТ960 12 6 з В) Sl20 (12 О, 16; ~2.5** 40 ... 100* (2 В; О, 15 А) 63 ... 160* (2 В; О, 15 А) 100... 250* (2 В; О, 15 А) 20 ... 500* (2 В; 0,15 А) ~40** МГц) (400 12,5 КТ961 Sl ~1 ~1 ----~ Sl *т ~ S20 (2& S35 (28 S50 (28 В) В) ~3,5** ~10** ~20** В) ~3** ~40** ~4** (1 ГГц) (1 ГГц) ( 1 ГГц) КТ962 Sl5 Sl4 Sl l , со О)' '& - ~~ ~ ~~ з '\ -" • 1 ~ ' ;• 6,5 11,8 - 1,5-(5 1,5 (5 В) В) ~3** ~3** (10 (10 ГГц) ГГц) ~0.8** ~0.5** (Ю ( 10 ГГц) ГГц) КТ963-2 1,5 (5 1,5 (5 В) В) ~3** ~3** (10 (10 ГГц) ГГц) ~.8** ~0.8** ( lO (10 ГГц) ГГц) КТ963-5 0,45 6 2 ,1 "' 0,08 ~шт 10 ... 60* (5 В; 1 А) slOO (12,6 В) ~13** ~20** (30 МГц) КТ965 В) ~16** ~40** (30 МГц) КТ966 s250 (12,6
Раздел 210 Тип Струк- прибора тура Рк max, * Рк, т max, frp, n·p-n КТ969А n·p-n ** Рк, и max, ' Uкво max, ** *** fmax, мВт КТ967А fh2tб, 2. fh21з, * ** Uкэо max, Мfц в UкэR max, Uэво max, в Биполярные транзисторы Iк max, * Iк. и max, мА 100** Вт ~180 36* (0,Оlк) 4 1 (6*) Вт ~60 300 5 100 (200*) ~60 300 5 100 (200*) ~00 ~20 50* (0,Оlк) 50* (0,Оlк) 4 4 13 17 А 5 5 5 5 4* 4* А 5 5 5 5 4* 4* 15 А Iкво, IКэR, 1** кэо, мкА ~О* мА (36 SQ,05 (200 В) В) ' КТ969А-5 n-p-n 6* КТ970А n-p-n n·p·n 170** 200** КТ971А Вт Вт Вт А S50 нА (200 В) 100* мА (50 В) S60* мА (50 В) '- КТ972А n-p-n n-p-n n-p-n n·p-n 8* 8* 8* 8* KT973f p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 8* 8* 8* 8* КТ976А n-p-n КТ972Б КТ972В KT972f КТ973А КТ973Б КТ9738 75** Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~00 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт (40°С). ~750 1 60* 45* 60* 60* 60* 45* 60* 60* (lк) (lк) (lк) oi<> (lк) (lк) (lк) (lк) 50 ' 4 Sl *мА Sl * мА Sl * мА Sl * мА (60 (45 (60 (60 2А Sl * мА Sl* мА Sl * мА Sl *мА (60 В) (45 В) (60 В) (60 В) 6А S60 мА (50 В) А 2А 2А А А 2А В) В) В) В) 1
·параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, 'tк, ПС rб, Ом tpac 1 НС к;.~, дБ Рвых 1 Вт tвыкл, НС ... пФ 10... 100* (5 В; 5 А) Кш, дБ rвэ нас, Ом rкэ нас, Ом Сi2э, h21э, h21э S500 (12,6 В) 211 ~18** ' ... ...... ~90** (30 МГц) ... Корпус ...... - - КТ967 ...... ....... 11 '& - 8.J 50... 250* ( l О В; 15 мА) ~1.8 (30 В) - ~60 ю~ ~'~ 6 , . .... ~ 1 КТ969 ~· ~ ---- i ~1 1 " ~1 l,Q "'U 11 1 ~50* (10 В; 15 мА) - - ~70 э J5,8 12,5 - к - ~ э 6 КТ969-5 0,57 0,35 ~ют 180 (28 В) (28 В) ~330 ~4** ~3** ~100** (400 МГц) Sl50** (175 МГц) ~5 КТ970, КТ971 ~40 -~[-1 D ~750* (3 В; 1 А) ~750* (3 В; 1 А) 750 ... 5000 (3 В; 1 А) 750... 5000 (3 В; l А) ~750* ~750* (3 В; 1 (3 В; 1 750 ... 5000 (3 В; 750... 5000 (3 В; ~3. ~200* S3 S3 ~200* ~1.9 ~00* 1 КТ972 ~00* А) А) 1 А) 1 А) ~оо· ~оо· ~200* s200* КТ973 ж· i~ -, ~ ~1i;;I'i:;:;/l;t)I ~ ~ Utllil S70 (28 В) ~·· ~О** (1 ГГц) s25 КТ976 э 6
., 212 Раздел Ркmах, Тип Струк- прибора тура ... Рк. т ...... Рк. н f гр, max, max, n-p-n КТ979А n-p-n 200** Вт (85°С) 75* fmax 1 мrц в ~600 50 3 50 3,5 ... - Вт Биполярные транзисторы Vкво max, UкэR max 1 ...... Uкэо max, ... ... fh2Jэ, ... ...... мВт КТ977А ... fh2lб, 2. Uэво Iк max, ... Iк. в Iкво, max, н max 1 IКэR, 1"'"' кэо, мА ··- 8* 5 А; мкА А 10* А :::;;25 мА (50 В) ::s;J 00 мА (50 В) ::s;lOO ::s;lOO мА мА (100 (100 . КТ980А КТ980Б n-p-n n-p-n 300* 300* Вт ~150 Вт ~150 100* 100* (О,Оlк) (О,Оlк) 4 4 15 15 А А В) В) . - КТ981А n-p-n КТ983А n-p-n n-p-n n-p-n 8,7* Вт 13* Вт 22,5* Вт n-p-n n-p-n 1,4* 4,7* Вт ~720 КТ984Б Вт ~720 КТ985АС n-p-n 105* Вт КТ983Б КТ983В КТ984А 70* Вт ~1200 ~900 ~750 - ~660 36* (0,Оlк) 4 10 40* 40* 40* (О,Оlк) 0,5 А lA (О,Оlк) 4 4 4 65 65 4 4 7* А 16* А (О,Оlк) 4 17 50* (О,Оlк) А :::;;50* мА В) (36 :::;;5* мА (40 В) :::;;8* мА (40 В) :::;;18* мА (40 В) 2А мА ::s;ВО мА :::;;30 :::;;120* А ' . (65 (65 мА В) В) (50 В)
213 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э~ rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, пФ ** Рвых, Вт ** tвыкл, Корпус НС ~50** (l ,5 ГГц) КТ977 ~6** ~50** (1,3 ГГц} КТ979 ~5** (30 МГц) ~5** (80 МГц) ~250** (30 МГц) ~250* (80 МГц) КТ980 ~5** ~50** КТ981 •.. ~15* (10 В; 5 А) ~10 (10 В; 5 А) 10 ... 90* (5 ~20* ~10* ~10* В; 5 А) (5 В; 0,5 А) (5 В; 0,5 А) (5 В; 0,5 А) В) S450 (50 S450 (50 В) S400 (12,6 В) S8 (28 В) S12 (28 В) S24 (28 В) ~4** ~3,6** ~3.2** (80 МГц) ~.5** (860 МГц) ~1 ** (860 МГц) ~3.5** (860 М~ц) - КТ983 . - ~~ ... 1 со О)' - ~rw:a ~ 1 1 - '& 6 ·к 6) 11,8 S35 (30 S80 (30 В) В) ~5** ~4** ~75** (820 МГц) ~50** (820 МГц) 2. з ,з КТ984 S20 S20 -(~ к 6 з ~[~ :: - ( - f S.8- - S270 (28 В) ~3,5** ~125** (0,4 ГГц) ) - - 2~ КТ985 S21 ~IJ -в,s - .,,.' С"'8 - о_ _з 1К.г1 г К.У L ,, () 23.2 6 (j з
Раздел 214 * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк, f гр, fh2lб1 fh2°lэ 1 f max, *** ** max, Uкэо в мВт МГц в Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ986А КТ986Б п-р-п КТ986Г n-p-n n-p-n n-p-n КТ991АС n-p-n КТ986В * т max, Рк, . 2. Биполярнь1е транзисторы - 910** Вт 910** Вт 910** Вт 910** Вт 67* - Вт ~600 Uкво max, Iк max, * и max, Iк. мА 50 50 50 50 3 3 3 3 26* А 26* А 26* А 26* А 50 4 3,7 А Iкво, li(эR, IКЭо, мкА ~60 мА ~50 мА ~50 мА S40 мА (50 В) (50 В) (50 В) (50 В) S50 мА (50 В) - КТ996А-2 n-p-n КТ996Б-2 п-р-п КТ996В-2 п-р-п 2,5* 2,5* 2,5* Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц 2,5 2,5 2,5 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) 20 20 20 2,5 2,5 2,5 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) S5 мА (20 В) S5 мА (20 В) s5 мА (20 В) 5 5 5 10 (20*) А 10 (20*) А 10 (20*) А SlO мА (45 В) ~10 мА (45 В) SlO мА (60 В) 5 50 (100*) SO,l (250 В) 20 20 20 - ~1 *мА Sl *мА ~1 *мА (20 В) (20 В) (20 В) ' КТ996А-5 КТ996В-5 n-p·n n·p·n n-p·n КТ997А П-р·П КТ997Б КТ997В КТ999А КТ996Б-5 2,5* . 2,5* 2,5* Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц n·p·n n-p·n 50• Вт 50* Вт 50,* Вт ~51 ~51 45 45 60 n-p·n 1,6 Вт; 5* Вт ~о 250. ~51
параметры биполярных кремниевь1х транзисторов ~·· 3,8 4 5 5 ~6** ~7** ~7** S75 (28 В) ~·· 215 ~350** КТ986 (l ,4 ... 1,6 ГГц) ~300** (l ,6 ГГц) ~350** (l,6 ГГц) ~350** (0,8 ГГц) ~55** (0,7 ГГц) з КТ991 S6,8 / ~35* (10 А) (lO В) (10 В) S2,3 (10 В) ~35* ~70* (10 В; 0,1 А) (10 В; 0,1 А) (10 В; O, l А) S2.3 (10 В) ~.3 (10 В) ~.3 (10 В) ~35* (10 В; 0,1 А) ~70* (10 В; 0,1 А) ~35* В; O, l ~.3 ~.3 5,8 18,2 КТ996-2 ~. 11 ** (650 МГц) КТ996-5 ~. 11 ** (650 МГц)
Раздел 216 2.4. Параметры Струк- пр:ибора тура КТСЗОЗА-2 р-п-р, Биполярные транзисторы кремниевых сборок max 1 max, ** Рк. н max, f rp1 fh2lб1 fh'2'1э, f max *** 1 мВт Мfц 500 (50°С) ~300 Рк Тип 2. * t Рк, UКБо max, max, ** max, Uкэо * UкэR Uэво max, в max1 *lк, н max, - li(эR, IКЭо, мА в , 45* ( lОк) IКБо, lк мкА 100 (500*) S0,5 (45 В) п-р-п . КТСЗ10ЗА р-п-р КТСЗ10ЗБ р-п-р КТСЗ10ЗА1 р-п-р КТСЗ10ЗБ1 р-п-р КТСЗ161АС 1 п-р-п, 2 р-п-р 15* (15к) 15* (15к) 5 5 20 (50*) 20 (50*) ~200 (15 В) ::;;200 (15 в) ~00 15* (15к) 15* (15к) 5 5 20 (50*) 20 (50*) ~О.2 мА (15 В) s0,2 мА (15 В) ~400 12 4 200 SlO (12 В) 300 (55°С) 300 (55°С) ~600 300 300 ~600 300 ~600 ' ) п-р-п 150 600 10 1 7,5 Sl (IO В) КТСЗ81Б n-p-n КТСЗ81В п-р-п КТСЗ81f n-p-n 15 15 15 15 15 - 25 25 25 25 25 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 15 15 15 15 15 S30 (5 В) S30 (5 В) SЗО (5 В) S30 (5 В) S30 (5 В) КТС3174АС-2 . КТСЗ81Д п-р-п КТСЗ81Е n-p-n • 1 1 -
Параметры кремниевых сборок 40 ... 180 (5 В; l мА) S8 (5 В) 217 ~0,7* S20 КТС303 S80 61 40 ... 200 (l В; 1 мА) 40 ... 200 ( 1 В; l мА) S2,5 (5 S2,5 (5 В) В) 560 S60 55 (60 МГц); ~.9* s5 (60 МГц); ~.8* /( з \ " rJ9,ll SЗ** 6 IК\З КТС3103 580 S80 \11 61 31. ~ti Nl~~ S5** ~ ~ о Kf о 62 40" .200 ( 1 В; 1 мА) 40".200 (1 В; 1 мА) S2,5 (5 52,5 (5 В) В) ~0,9* S60 S60 ~0,8* КТС3103-1 S80 S80 1 1!'1 ~4 5 / ~О 8 (1 В; 0,1 А) КТС3161 S8 К3-Б2 К1 Б1 \ ЭЗ Б1 ~ ~-----::tiif ~"JWiill.....+...+.-r~-W.~ ~ ~80 (5 В; 3 мА) 0,65 (6 В) SЗ (IOO К1 К2 К2 Э1 Э2 БЗ Б1 19.5тш МГц) КТС3174 ;J,2 ~1p:i ~ c:::r 9,5 ~40 ~30 ~20 ~20 ~20 (5 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; В; 10 10 1О 10 10 мкА) мкА) мкА) мкА) мкА) Sl,5 (5 В) Sl,5 (5 В) Sl,5 (5 В) 51,5 (5 В) Sl,5(5B) s5 s5 S5 s5 ~.9*; ~0,85*; КТС381 S4** S4** 1 ;;::О,85*; SЗ** ~0,9* с... ~ 5 1 з к ~ \
Раздел 218 Тип Струк- прибора тура Рк max, * t max, Рк, р** К. н frp 1 fh2lб1 1h'2'1э, max, мВт КТСЗ9ЗА р-п-р КТСЗ9ЗБ p·n-p 20 20 (45°С) (45°С) UКБО max, *** fmax1 * max 1 UкэR ** max, Uкэо МГц в ~500 ~500 10* 15* (lОк) (IОк) Uэво max, в 2. Биполярные транзисторы IКБО, lк max, IКэR, IКЭо, * и max, Iк, мА мкА 4 4 10 (20*) 10 (20*) SO,l (10 S0,2 (15 В) В) 4 4 10 (20*) 10 (20*) SO,l (10 (15 В) ~.2 В) SO,l (10 S0,2 (15 В) В) S0,5 (45 S0,5 (10 В) В) КТСЗ93А-1 КТСЗ93Б-1 p·n-p p-n·p ~500 20 20 lO (15 ~500 ' ~ КТС39ЗА-9 p·n-p р-п-р 20 20 ~500 КТС39ЗБ-9 КТСЗ94А-2 p-n-p p-n-p 300* 300* ~300 n-p-n n-p·n 30 30 ~300 n-р·П 150 (500**) 150 (500**) 150 (500**) ~300 КТСЗ94Б-2 КТСЗ95А-1 КТСЗ95Б-1 КТСЗ95А-2 КТСЗ95Б-2 n·p·n КТСЗ95В-2 n-р·П 10 15 ~500 ~300 ~300 ~300 ~300 4 4 10 (20*) l о (20*) 45* 45* (lОк) (lОк) 4 4 100 100 45* 45* (lОк) (lОк) 4 4 20 20 45* 45* 45* (lОк) (lОк) (lОк) 4 4 4 100 100 100 - -- S0,5 (45 S0,5 (lO В) В) S0,5 (45 В) 45* (lОк) 45* (lОк) , . КТСЗ98А-1 П·р·П КТСЗ98Б-1 n·p·n 30 30 (85°С) (85°С) ~1000 ~1000 10* 10* (lОк) (lОк) 4 4 10 (20*) 10 (20*) so:5 (10 S0,5 (10 В) В)
параметры кремниевых сборок Ck, Сi2э, h21э, h'21э . 40".180 (l 30... 140 (l В; В; l l пФ мА) S2 (5 S2 (5 мА) 219 rкэ нас, Кш.дБ 'tк, пс * нас, rвэ ·h21э1/h'21э2, лu:б, мв * 1 НС tpac Ом В) В) S60 S60 , S6 (60 S6 (60 МГц); ~.9* МГц); ~.8* Корпус ** 1 НС tвыкл КТСЗ93 S80 S80 к, з, 6, ... 1 \1/ Т'' 1q' ooq ....: 1 .... 1 ... • f':)' 40... 180 (l в; l мА) 30 ... 140 (l В; l мА) S2 (5 s2 (5 В) В) S60 S60 S6 (60 S6 (60 МГц) МГц) 62 1 ' • lиl Зz t.5'l' ~ JL КТСЗ93-1 S80 S80 к, з, 6, 1 '\ 1 / ju,~~ JL . 40... 180 (l 30... 140 (l В; В; l l мА) мА) S2 (5 S2 (5 В) В) S60 S60 S6 (60 Sб (60 МГц) МГц) S80 S80 КТСЗ93-9 1 11! ~· s~ :@ !lэ 5 40 ... 120 (5 В; l мА) 100... 300 (5 В; l мА) ~ ~ (10 (10 В)' sзо В) S30 SlO** - - 4 КТСЗ94-2 ~~ /I\ 6 40... 120 (5 В; l мА) ~350 (5 В; l мА) ~ (10 S8· (lO В) В) S30 S30 SlO** - 8 - к.з ~ 1 КТСЗ95-1 1 ~ ~ ~ ~ (10 (10 (lO В) В) В) S30 sзо S230 SlO** - - - к ~~ /I\ В; В; l l мА) мА) Sl,5 (5 :Sl,5 (5 В) В) - 0,8 ... 1,25*; Sl,5** 0,9 ... l,l*; SЗ** S50 s50 \ з КТСЗ95-2 6 к з 40 ... 250 ( l 40 ... 250 ( l f ~~ .. 40 ... 120 (5 В; l мА) 100... 300 (5 В; l мА) ~350 (5 В; l мА) - ~ 1 - КТСЗ98-1 m-6 ~ -к 'а
Раздел 220 max, max, ** Рк. н max, f rp, fh2lб, fh2'1э, *** fmax, max, max, ** max, Uкэо мВт МГц в' 30 30 ~l ГГц Рк Тип Струк- прибора тура КТСЗ98А94 n·p-n КТСЗ98Б94 п-р-п КТС61ЗА КТС61ЗБ КТС61ЗВ КТС61ЗГ n-p·n n-p-n n-p-n - n-p-n КТС622А p-n·p КТС622Б р-п-р * t Рк. - 800 800 800 800 ~200 (50°С) ~200 (50°С) ~200 0,4 (10**) 0,4 (10**) * UкэR (lОк) (lОк) 10* 10* 60 60 40 40 ~200 Вт Вт Биполярные транзисторы Uкво ~l ГГц (50°С) (50°С) 2. ~00 45* 35* ~00 (lк) (lк) Uэво IКБО, lк max, * н max, lк. max, в li<эR, 1** кэо, мА мкА 10 (20*) l о (20*) 4 4 В) S0,5 (10 S0,5 (10 s8 S8 S8 S8 (800*) (800*) (800*} (800*) (60 (60 (40 (40 В} В) 4 4 4 4 400 400 400 400 4 4 400 (600*) 400 (600*) SlO (45 S20 (35 l (l,3*) А l (l,3*)A l (l,3*) А 1 (l,3*) А s200 (30 В) S50 (30 В) S50 (60 В) S200 (60 В) В) В) В) В) В) . КТС631А Вт (55°С) :2:350 Вт (55°С) ~350 Вт (55°С) Вт (55°С) ~350 КТС631Г n·p·n n·p-n n-p·n n-p-n КТ674АС р-п-р 900 КТ69ЗАС n-p-n 600 КТС631Б КТС631В 4 4 4 4 - ~350 30 30 60 60 4 4 4 4 ~50. 40 5 150 5 - 0,2 А (0,5* А) 150 (200*) • ' - S0,05 (30 В) SlO* (120 В)
Параметры кремниевых сборок Ck, * С12э, пФ 40 ... 250 ( 1 В; 1 мА) 40 ... 250 ( 1 В; 1 мА) :s;l,5 (5 :s;l,5 (5 221- rкэ нас, * rвэ нас, Ом В) Кw,дБ h21э1/h'21э2, дU:J, мВ 0,8 ... 1,25* 0,9 ... 1,1 * В) 'tк, пс • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС :s;50 :s;5o КТС398-94 !дl 6' она ~ ;люча 1,25_ ~" J~5 'dl' - Б 25 ... 100* 40".200* 20":120* 50."300* (5 В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) 25."150* (5 ~10* В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) (10 (10 (10 (10 В) :s;15 (10 :s;l5 (10 :s;15 :s;l5 :s;l5 :s;l5 В) :s;2,5 :s;2,5 :s;2,5 В) ~.5 В) :s;3,25 В) :s:;З,25 В) К Э :s;lOO* :s;l 00* :s;lOO* :s;lOO* :s;l20* ::;:;200* КТС622 21 -~ '" fJ ~ 12 i 5~11 2 6~10 7 'а& g 1'5~ 1G 20... 115* (1В;0,3 20 .. .125* (l В; 0,3 20".125*·. (1 В; 0,3 20".115* (1 В; 0,3 75 (1 В; 10 мА) А) А) А) А) (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) :s;2,8 ::;:;12 :s;12 :s;4,4 (15 В) :s;25 :s;l5 :s;t5 :s;15 :s;l5 ~.8 :s;40; :s;40; :s;40; :s;40; -- :s;ЗО* :s;ЗО* :s;бО* :s;бО* :s;30 КТС674АС !ос о....,.,.~...,,.._~......,.,~,.,,-'""'~ -]", - q. ._!!..6х2,5•15 2.25max (71//JьlBoiJoA) о,5таr ~40 (5 В; 0,1 А) КТС693АС !ос Li.,..eт,....,.._,..,._,.,"....,,_,"-""""....'""'~ --'- ~f -q. .,..!l.6x2,5•15 Z25max (71//JьlВоВоА) О,5тах J ~ ; К6З ЗбК mrtimmrhrhrh 1~ 1 1 8 ~1.-----·:;-- ~ ?б:t.ЧJ~'i'r 19.5тох
Раздел 222 max, * Рк. t max, ** и max, Рк, fгр 1 fh21б 1 fh21э, *** 1 fmax max, * UкэR max, ** max, Uкэо мВт мrц в 400 (50°С) ~200 45* (lк) Рк Тип Струк- прибора тура К1НТ251 п-р-п Uкво Uэво max, в 2. Биполярнь1е транзисторы Iкво, lк max 1 * и max, Iк, IКэRt IКЭо, мА , 4 мкА ~6 мА (45 В) 400 (800*) - . К1НТ661А n-p-n 100 (50°С) - 300 - ~30 (250 В) 5 (lO*) . ' К129НТ1А-1 п-р-п К129НТ1Б-1 п-р-п К129НТ1В-1 п-р-п K129HT1f-1 п-р-п К129НТЩ-1 п-р-п К129НТ1Е-1 П-р·П К129НТ1Ж-1 п-р-п К129НТ1И-1 п-р-п 15 15 15 15 15 15 15 15 (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) ~50 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 15 15 15 15 15 15 15 15 4 4 4 4 4 4 4 4 - 10 10 10 10 10 1о 10 10 (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) ~.2 ~О.2 ~О.2 ~О.2 ~О.2 ~.2 ~О.2 ~О.2 (15 (15 '(15 (15 (15 (15 (15 (15 ' В) В) В) В) В) В) В) В)
223 Параметрь1 кремниевых сборок h21э, h!нэ ~1 О* (5 В; 0,2 1 А) • Ck, С12э, пФ rкэ нас, • rвэ нас, Ом $15 (10 В) ::;5 Кw,дБ h21~1/h21э2, дU:б', мВ - 'tк, пс • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС КtНТ251 $200* j : J 13 rЬ1=' ~]~~~ :r в " ~ ~~ 1g а Q::J ())" i::s а 7'8 fs-. 6 ~5* - (5 В; 10 мА) ::;1000 - 2 ' ())" - :: == fa 1 l:SI ,7~j =~ fl( ~н~1• 27 -~ 7J ов 1r_ (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) - - - ~.85*; .$3** ~.85*; $3** ~.85*; $3** - ~.75*; $15** ~.75*; $15** ~.75*; $15** ~.85*; $3** ~.75*; $15** - : i ~12 -CiJ ~rа ". 6,5 ::;4 $4 ::;4 ::;4 ::;4 ::;4 ::;4 ::;4 ~ 10 7~ g К1НТ661 Q::J 20 ... 80 (5 В; 1 мА) 60 ... 80 (5 В; 1 мА) ~80 (5 В; 50 мкА) 20... 80 (5 В; l мА) 60... 80 (5 В; l мА) ~80 (5 В; 50 мкА) 40... 160 (5 В; l мА) 40... 160 (5 В; l мА) 5 5~11 2 6 10 7 g К129НТ1 з 6 к \ 1/ 1 ~re~t -
Раздел 224 Раздел 3. 3. Полевь1е транзисторы Полевые транзисторы Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании эффекта внешнего электрического поля для. управления проводнмостью. Их еще называют униполярнымиt так как перенос тока осуществл~ется носителями заряда одного типа (в отличие от биполярных транзисторов, где носите­ лями заряда являются дырки и электроны). Особенностями полевых транзисторов являются высокое входное сопротивление, малые шумы, повышенная температурная стабильность, квадратичность переходной (проходной) характеристикиt что позволяет получать малый уровень перекрестных и модуляционных помех по сравнению с биполярными транзисторами. Полевые транзисторы по принципу действия подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и МДП-транзисторы (в частности, МОП-транзисторы, имеющие структуру металл-окисел­ полупроводник). Управляющим электродом служит затвор. В транзисторах с управляЮщим переходом затвор отделен от канала между стоком и истоком p-n переходом. В МОП-транзисторах (их называют также транзисторами с изолированным затвором), затвор отделен от канала исток-сток тонким слоем диэлек11Jика. В ка-честве диэлектрика используются пленки двуокиси кремния, нитрида кремния и окиси алюминия. В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или р-типа. Например, (носители зарядов МОП-транзисторы с каналом n-типа основаны на электронной проводимости электроны), а с каналом р-типа - ,..,_ на дырочной проводимости. У n-канаЩ:~ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, "а к выводу истока прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т.е. полярность напряжения стока положи­ тельная), а у р-канальных - наоборот. Существуют два основных режима работы полевых транзисторов: обеднения (проводимость канала может быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения Uзи) и обогащения (проводимость канала может быть увеличена в результате приложенного на.пряже­ ния Uзи определенной полярности). У транзисторов обедненного типа при напряжении, на затворе Uзи=О протекает небольшой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи, близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В 'частностиt полевые транзисторы с управляющим p-n переходом являются нормально открытыми; они закрываются (т.е. ток стока имеет минимальное значение) п·ри определенном напря­ жении, называемом напряжением отсечки. По конструктивно-технологическим признакам. полевые транзисторы подразделяются на приборы с встроенным и индуцированным каналами. Встроенный канал создается технологическими приемами, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в результате воздействия поперечного электрического поля. В транзисторах со встроенным каналом (например, КПЗО5, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе осуществляется подачей на затвор· напряжения с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале (для р-канала Uзи>О, для n-канала Uзи<О), что вызывает обеднение канала носителями заряда. При изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями и выходной ток увеличится. Такие прИборы могут работать в режимах обеднения и обогащения. В транзисторах с индуцированным каналом при 1 Uз=О В канал отсутствует и только при напряжении, равном пороговому, образуется (индуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый прибор). В полевых транзисторах с управляющим p-n переходом канал существует только при Uз=Ot т.е. они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нормально открытый прибор). Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов (зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) подобны характеристикам усилительных ламповых пентодов. В отличие от транзисторов с управляющим p-n переходом (у них рабочая область находится между О и Uзизап>, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любом значении напряжения на. затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. В графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом имеют штриховую линию в обозначении канала, а со встроенным каналом направлена к каналу - канал n-типа, от канала - - сплошную; стрелки определяют тип канала: канал р-типа.
225 Полевые транзисторы В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора) от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отделена только p-n переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требуется иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами (МОП-тетроды КП32~, КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не - требуют цепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет нормированную квмратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро­ ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ. Графическое обозначение полевых транзисторов. - С Тип канаJiа KJiacc прибора p-n нормально открытый нормально закрытый (с обеднением) (с обеднением) (с обогащением) затвором Транзистор с двумя затворами (тетрод) з4:~ з_J~~ Зt~i2 з_J~z зJ=~ Транзистор с одним р-канал С изоJiированным затвором нормально открытый Транзистор с одним n-канал пер·еходом затвором 3 затворами (тетрод) .,_с J_J~~ з _Jt:l..и ._с з2 _,fi_c з1 -1 ~_Jl-C з1 _J~н ._с _Js=~ 3_j~~ 3~52 1 и Транзистор с двумя L--C а_J~и з_J...,п и t-н ~_Ji-C з,_J~и Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувствитель­ ны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защиты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны). МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с полевыми транзисторами .с p-n переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах. Среди мощных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом необходимо отметить транзисторы со статической индукцией (например, КП801 ). Они имеют выходные характеристики, подобные ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших токах стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низкое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагруз­ кой. Рассмотрим назначение некоторых конкретных типов полевых транзисторов. АП320 (А-2, Б-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шатки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения в малошумящих СВЧ усилителях (Кш::;4,5-6 дБ на температур окружающей среды АП325А-2 - 8 ГГц, Ку,р~З дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих -60 ... +85°С. бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш::;2 дБ на АП328А-2 - 8 ГГц) в составе ГИС. бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки поЛевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во gходных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш::;4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р~9 дБ) в составе ГИС. АП362А9 - арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа в корпусе для поверхно­ стного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразовательных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +7О 0 С. АП379А9 арсенидгаллиевые пщ1евые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных телевизионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах рабочих температур окружающей среды 100."2000 МГц. Диапазон -60 ... + 70°С. АП602 (А2-Д2) бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
Раздел 226 3. Полевь1е транзисторы - для применения в усилителях мощности, генератора?С и преобразователях частоты в диапазоне частот 3... 12 ГГц 60 ... +85°С. в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды - · АП603 - арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобра­ зователях частоты в составе ГИС с напряжением питания АП605 полевые - В и на частотах до 8 12 ГГц. бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в малошумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85°С. АП606 арсенидгаллиевые планарные полевые транЗисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях частоты до 12 ГГц в составе ГИС с АП608 арсенидгаллиевые напряжением питания, 8 В. планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. П,Редназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в составе ГИС с напряжением питания АП967 - 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц. арсенидгаллиевые полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа с внутренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилите­ лях мощности в составе гис с напряжением питания КП101 на основе (f-E) - малошумящие p-n перехода и каналом 8 в. диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП103 (Е-М) основе p-n - -45 ... +85°С. малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на перехода и каналом р-типа. Пр·~дназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды · КП201 -55 ... +85°С. (Е-Д-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с· затвором на основе p-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа­ ющей среды -40... +85°С. КП202 (Д-Е-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перех9да и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа­ ющей среды КП301 -40 ... +85°С. (Б-f) - малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе­ ратур окружающей среды -45 ... +70°С. КП302 (A-f, АМ~fМ) высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 1ОО С. КП303 (А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисто­ ры с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КП303Г в зарядочувствительных 0 усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +85°С. КП304А - диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуци­ рованным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП305 (Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С.
Полевые транзисторы КП306 (А-В) 227 малошумящие СВЧ диффузионно-п.Ланарны~ полевые транзисторы с двумя - изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каск.адах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружа­ ющей среды -60 ... + 125°С. КП307 (А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувствительных .усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. КП308 (А-Д) бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные - полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения: КП308 (А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока; КП308 (Г-Д) - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП310 (А, Б) - -60 ... +85°С. малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устройст­ вах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 125°С. КП312 (А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +l00°C. КП313 (А-В) малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ - ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП314А p-n - -45 ... +85°С. малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предваритель­ ных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей среды -170 ... +85°С. КП322А основе p-n - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП323 (А-2, Б-2) -. -60 ... +85°С. бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми выводами и приклеиваемой керамической крышкой эпитак~иально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих усилительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +70°С. КП327 (A-f) - кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затвора­ ми (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах телевизоров метрового и дециметрового _диапазонов для улучшения чувствитель~ости, избирательно­ сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП329 (А, Б) - высокочастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 1ОО С. КП341 (А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С. КП346 (А9, Б9) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя 0 изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа. Диапа­ зон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85°С. КП347А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затворами, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах радиопри­ емников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП350 (А-В) диффузионно-планарные полевые. транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и
Раздел преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до ющей среды -45 ... +85°С. (АС, БС) - КП401 700 3. полевые транзисторь1 МГц). Диапазон рабочих температур окружа­ сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран­ зисторов {1-й и 3-й транзисторы с n:каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р- каналом). Предназначены для работы в переключающих и-,импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды -45".+85°С. КП402А - полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко­ вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП403А - -60 ... + 70°С., полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко- вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП601 (А, Б) -60. "+ 70°С. _ сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые - транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85°С. КП704 (А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных· каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП705 (А-В) -45". +85°С. , мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом - n-типа .. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источни­ ках электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40". +85°С. КП707 (А-В) мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс­ ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП709 (А, Б) - -60". + 1ОО"С. мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления 0 электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45." + 1ОО С. КП712 (А-В) мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". + 1ОО"С. КП801 с затвором (A-f) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзистора (СИТ) на основе p-n перехода и каналом n-типа. Имеют характеристики, подобные ламповому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппарату­ ры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью и крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40".+85°С. КП802 (А, Б) мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, к:Лючевых и линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". +85°С. КП804А - эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устрой­ ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60." +85°С. КП805 (А-В) мощные МДП-полевые транзисторы. с каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП901 (А, -60". +85°С. Б) мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60".+125°С. КП902 (А-В) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены дл5.1 работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45". +85°С. КП903 (А-В) мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". 1ОО С. + 0
Полевь1е транзисторы КП904 (А, Б) 229 мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и - индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, nреобразовательных и генераторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С. КП905 (А, Б) - мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. КП907 (А, Б) мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом - n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. 1,5 ГГц. . КП908 (А, Б) - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для прИменения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до .2,25 ГГц и быстродействую.щих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. КП921А - мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю­ щих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП923 (A-f) мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и ~аналом n-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17 ... 50 Вт на частоте 1 ГГц. · КП928 (А, Б) мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи­ - сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до 400 МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП937 (А, А-5) -60 ... + 125°С. мощные планарные полевые транзисторы с - p-n переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобразо­ вателях напряжения, ИМf!ульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 125°С. КП938 (А-Д) мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с - p-n переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях низкой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С. КП944 (А, Б) мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом р-типа. Предназначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких магнитных дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП945 (А, Б) мощные МДП-транзистпры с каналом n-типа. Предназна.чены для применения - в импульсных и переключательных схемах. КП951 (А2-В2) . бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиально­ - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях И генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85°С. КПС104 (А-Е) сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзисто­ - ры с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока с высоким. входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45... +85°С. КПС202 (A2-f2) - · сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназна­ чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите­ лей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением (например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом (минимальное расстояние от места Изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее 0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более З 0 С/ мВт. При пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен превышать + 125°С. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... + 70°С.
Раздел 230 КПС203 3. Полевь1е транзисторы сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя (Al-fl) - малошумящие планарно-диффузИ:онные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих дифференциальных 11 операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба - не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки - не менее 1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов ·свыше + 125°С. Диапазон рабочих температур окружаю­ щей среды -45 ... +85°С. КПС315 _(А, Б) сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе, p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах диффе­ ренциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе рабочих температур окружающей среды КПС316 -60 ... +100°С. (Дl-Иl) сдвоенные с гибкими выводами. Диапазон бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на индивидуальной или групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды 3.1. -40". +85°С. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенные (публикация обозначения параметров полевых транзисторов в соответствии со стандартом МЭК 747-8, 1984 г.) приводятся ниже. Буквенное обозначение по отечественное fOCT 19095-73 международное Параметр \ Iз la Ток затвора (постоянный). lз отс lasx Ток отсечки ·затвора. lз пр IGF Прямой ток затвора. Iз ут Iass Ток утечки затвора. Iзио Iaso Обратный ток перехода затвор-исток. lзсо Обратный ток перехода затвор-сток. Iи IGDO ls Ток истока (постоянный). Iи нач ISDS Начальный ток истока. Iи ост lsDx Остаточный ток истока. 1с ID Ток стока (постоянный). 1с нагр IDSR Ток стока при нагруженном затворе. 1с нач IDSS Начальный ток стока. 1с ост IDSX Остаточный ток стока. Iп Iв, Ток подложки. Uзи Uas Напряжение затвор-исток (постоянное). Uзи обр UGSR UGS(OFF), UGS(off) Обратное напряжение затвор-исток (постоянное). Uзи отс . - Iu Напряжение отсечки транзистора - и истоком (полевого транзистора с . напряжение между затвором p-n переходом и с изолирован- - напряжение между затво- ным затвором. Uзи пор Uзи пр Uз проб Uasт. Uas(th), UGSF U(BR) GSS Uas(тo) Пороговое напряжение транзистора ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором. Прямое напряжение затвор-исток (постоянное). Пробивное напряжение затвора - напряжение пробоя затвор-нс- ток при замкнутых стоке и истоке. Uзп Uав, Uau Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенное обозначение по ГОСТ отечественное 231 19095-73 Параметр международное Напряжение затвор-сток (постоянное). Uзе Uao Uип Usв, Uеи Uos Uеп Uов. Uз1-Uз2 Ua1-Ua2 Напряжение затвор-затвор (для приборов с несколькими затворами). Реи Pos Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом s gms Крутизна характеристики. Rзи ras, Rзе ГGD, Гgd Сопротивление затвор-сток. Rзео rass. rgss Сопротивление затвора (при Rеи ГDS; Гds Сопротивление сток-исто~. Rеи отк ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Реи, т max Напряжение исток-подложка (постоянное). Usu Напряжение сток-исток (постоянное). Напряжение сток-подложка (постоянное). Uou (постоянная). Сопротивление затвор-исток. Гgs между стоком и истоком или Uos=O Uds=O). заданном напряжении сток-~сток. Rеи закр ГDS(OFF), Гds(orr), ГDS orr и истоком транзистора при ~ Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии между стоком сопротивление - в открытом состоянии в закрытом сопротивление - состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток. Сзио Емкость затвор-исток Cgso - емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току щ:тальных выводах. Сзео Cgdo Емкость затвор-сток ' - емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. ' Сеио Cdso Емкость сток-исток - емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. С11и, Свх, и С12и ,, Ciss, C11ss Входная емкость транзистора емкость между затвором и исто- - ком. Crss, C12ss Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току. С22и Coss, C22ss - емкость между стоком и исто- ком. - С22с Выходная емкость транзистора Cods, C22ds Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току). --...-...... (в g1 lи giss, g1 ls Активная g22и goss, g22s Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в составляющая входной проводимости транзистора схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). схеме'с общим истоком при коротком замыкании на входе). У11и Yis, Y11s Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). - У12и Угs, Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). У21и Yrs, Y21s Y12s - Полная проводимость прямой передачи транзистора (в общим истоком при коротком Yrc=grc+gьrs=ID/Uas; на НЧ 1Yrs1 =grs). замыкании на схеме с выходе; У22и Yos. Y22s Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе). Ку,.Р Gp Коэффициент усиления по мощности.
' 232 Раздел З. полевые транзисторы Буквенное обозначение по ГОСТ отечественное 19095-73 Параметр международное fY2lи fYfs Частота отсечки в схеме с общим истоком. Еш Uп Шумовое напряжение транзистора. Кш F Коэффициент шума транзистора. ID Температурный коэффициент тока стока. a.rds Температурный коэффициент сопротивления сток-исток. tвкл ton Время включения транзистора. tвыкл toff - - Время выключения транзистора. td(on) Время задержки включения. tзд,выкл td(off) Время задержки выключения. tнр tr Время нарастания tcn tr Время спада tзд,вкл / Для сдвоенных полевых транзисторов: 1з(ут)l,-lз(ут)2 Iass1-Io.ss2 Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с p-n переходом) 1с нач l / 1с нач2 Ioss 1/ Ioss2 Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток Uзю-Uзи2 Uas1-Uas2 Разность напряжения затвор-исток 1ЛUзю-Uзи2)1 / лт 1Л(Uas1-Uas2)1 / ЛТ Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры g22и 1-g22и2 gosl-gos2 Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала ·в схеме с общим истоком g2lиl / g2l и2 gfsl / grs2 Отношение полных проводимостей прямой малого сигнала в схеме с общнм истоком передачи в режиме
234 Раздел З. полевые транзисторы 3.2. Параметры ' полевых транзисторов Реи max, Тип Структура прибора мВт • Реи т max, Вт Uзи отс, Uеи max, uЗи пор, • max, Uзе в в - • max, Uзи в lc, 1 1с. и, Ie нач, • 1с ост, мА мА Параметры арсенидrаллиевых полевых транзисторов АПЗ20А-2 С n-каналом 80 80 АПЗ20Б-2 - 4; 8* 4; 8* 5 5 - - • С n-каналом АПЗ24А-2 АПЗ24Б-2 АПЗ24В-2 ,,,," 80 80 80 - 4 4 4 3 3 3 - - - АПЗ24Б-5 С n-каналом 80 - 4 3 - - АПЗ25А-2 С барьером Шотки, 25 4 2 6* 4,5 - - 30 30 - 2,5; -5,5* 2,5; 5,5* 4 4 - - с n-каналом ! , \ АПЗ26А-2 АПЗ26Б-2 Сп-каналом
235 Параметры полевых транзисторов S, Rси отк, Ом • Ку,Р, дБ мА/В "'* в ДРuв~:: тв зи,м Кш, дБ • Uш, мкВ *"' 1-г;:;- "' f"'"' МГ fвыкл, НС р Корпус ц дUзи/дт*"'"', ·...~....----========.ь....=м-к_в_1_·с__..._====-=======-=---==-=----=1~ . ЕшQ,,..:_в, Кл-vrц tвкл, НС ' ~ Параметры арсевидrал.nilевых полевых транзисторов 5... 16 5... 16 0,18; 0,15* 0,15*; 0,18** ~3* ~5* ~6* ~6* ~6* (8 ГГц) (8 ГГц) $4,5 (8 ГГц) $6 (8 ГГц) ( 12 ГГц) ( 12 ГГц) (12 ГГц) $1,5 (12 ГГц) $2 (12 ГГц) $2,5 (12 ГГц) АП320-2 j 9,5 ~6* ~5 (1,5 В; 10 мА) ~8 ~8 (2 (2 В; В; 8 8 мА) мА) ( 12 ГГц) ~4.5* (8 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) $2 (12 ГГц) АП324-5 $2 (8 ГГц) "-~4,5 (17,4 ГГц) ~5,5 (17,4 ГГц) АП326-2 l/J -
Раздел З. Полевые транзисторы 236 Реи max, Тип Структура прибора мВт * т max, Реи Вт С барьером lllотки, АП328А-2 50 Uзи отс, Uеи max, UЗи пор, * max, Uзе в в * max, Uзи в k, Ic, и, мА Ie нач, lc ост, мА 6 4; 6 - - -6* -6* -6* -7* -7* -7* - - - 2,5 ... 5 4 с двумя затворами " .~ сп-каналом - АПЗЗОА-2 С барьером lllотки, АПЗЗОБ-2 сп-каналом 30 30 30 100 100 100 АПЗЗОВ-2 АПЗЗОВ1-2 АПЗЗОВ2-2 АПЗЗОВЗ-2 АП331А-2 С барьером lllотки, - - 3; 3; 3; 5; 5; 5; - - - - - 5; -8* - - - 2,5 ... 5 5; 8* 4 - ~100 250 - 5,5; -7* - - - 35 35 35 35 2 ... 4 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3 3 3 3 - 250 - . - сп-каналом АП331А-5 Сп-каналом АП339А-2 С ,барьером lllотки, 250 (70°С) (3 В) сп-каналом , ... АП343А-2 С барьером lllотки, АП343А1-2 сп-каналом АП343А2-2 АПЗ43АЗ-2 - . -6* -6* -6* -6* - ~О (2 В) (2 В) ~20 (2 В) ~О (2 В) ~О
Параметры полевых транзисторов 237 Rси отк, Ом S, к;,Р, дБ· Cttи, Сi2и, мА/В ** *"' - '?.7 (4 В; 8 мА) '?.4 (4 В; 8 мА) * 1;*, МГц tвыкл, НС "' Uш,мкВ лuЗИ"', мв Е~*, нВNrц Q**"', Кл лuзи/лт**"', '?.9* (8 ГГц) S4,5 (8 ГГц) - Рвых, Вт С22и, пФ tвкл, НС Кш, дБ Корпус мкв1·с АП328-2 ~2,15 ~-t GЗ-=:(t 1 c::i~ 1 _f_/ lt) О)" '1 !n (___ (31 ~ 9,5 '?.5 (5 кГц) '?.5 (5 кГц) '?.5 (5 кГц) '?.20 (5 кГц) '?.20 (5 кГц) '?.20 (5 кГц) '?.3* (17,4 ГГц) '?.3* (25 ГГц) '?.б* (25 ГГц) '?.8* (17,4 ГГц) '?.8* (17,4 ГГц) '?.8* (17,4 ГГц) - - - '?.15 (5 кГц) - '?.8* (10 ГГц) '?.0,03** (10 ГГц) sб (25 ГГц) S4,5 (25 ГГц) S3,5 (25 ГГц) s2 (17,4 ГГц) Sl,5 (17,4 ГГц) Sl (17,4 ГГц) S2,5 (10 ГГц) - АПЗЗО-2 - //.J - ~ф 1 с ~i~ - и7' АП331-2 ~ф с 1 4,55 ~ ., с . ~1~ ,. - '?.15 (4 В; 40 мА) - '?.5,5* (10 ГГц) '?.0,03** (10 Гfц) s2,5 (10 ГГц) - ~t i: ;1 ~, ~ и7' АП331-5 0,5 0,17 ~шт _ '?.10 (5 кГц) - '?.5* (17 ,4 ГГц) '?.0,015** (17,4 ГГц) S4 (17,4 ГГц) - АП339-2 ~· с 1 с ~1~ '?.10 '?.20 '?.20 '?.20 (q (5 (5 (5 кГц) кГц) кГц) кГц) ' - '?.8,5* (12 ГГц) '?.8,5* (12 ГГц) ~8.5* ( 12 ГГц) '?.8,5* (12 ГГц) s2 (12 ГГц) Sl,5 (12 ГГц) Sl,l (12 ГГц) S0,9 ( 12 ГГц) - //.J ., и7' АП343-2 ~ ~2,15 ~t j\ 14') О)" р ~t !n Г3--:(1 1 c::i~ _L) С_ ~ (3' - 9,5
Р~здел 238 АП344А-2 АП344А1-2 С барьером Illотки, с n-каналом АП344А2-2 АП344АЗ-2 АП344А4-2 100 100 100 100 100 4,5; -7* 5; -7* 5; -7* 5; -7* 5; -7* 4 90 90 4,5; -7* 4,5; -4,5* -4 4 10; 6* 8; -8* 3. полевые транзисторы 4 4 4 4 АП362А-9 С двумя затворами, АП362Б-9 n-каналом АП379А-9 С двумя затворами АП379Б-9 с n-каналом 240 240 АП602А-2 С n-каналом 900 7 3,5 ~220 (3 В) АП602Б-2 900 7 3,5 ~180 (3 В) АП602В-2 900 7 3,5 ~110 (3 В) АП602f-2 1800 7,5 3,5 ~440 (3 В) АП602Д-2 1800 7,5 3,5 ~360 (3 В) АП603А-2 С барьером Illотки, 2,5* 3,5 400; 5* 2,5* 3,5 400; 5* 2,5* 3,5 400; 5* 2,5* 3,5 400; 5* с n-каналом АП603Б-2 А.П603А-1-2 С барьером Illотки, с л-каналом АП603Б-1-2
параметры полевых транзисторов ~15 ~40 ~40 ~40 ~40 ~15 ~20 (5 (5 (5 (5 (5 кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) (3 В; 20 мА) (3 В; 20 мА) 239 ~15 (1 ГГц) Sl (4 ГГц) s:0,7 (4 ГГц) S0,5 (4 ГГц) S0,3 (4 ГГц) S0,3 (1 ГГц) ~9* (1 ГГц) ~9* ( 1 ГГц) Sl (1 ГГц) Sl (1 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) АП344-2 ~2,15 ~ G3=:t~ф ~-~t с:Л. АП362-9 J ~ ~ ~ . .N ~20 ~20 (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) ~16* (О,8 ГГц) ~16* (О,8 ГГц) ~14* (1750 МГц) Sl ,4 (1 ГГц) Sl,4 (1 ГГц) $2, 1 ( 1750 МГц) с и с и ~ ~ ~ ~- 20... 100 (2 В) ~0,18** (12 ГГц) ~2,6* (12 ГГц) 20... 80 (2 В) ~. 1** (12 ГГц) АП602 11,4 J,J ~3* 20... 70 (2 В) 40... 200 (2 В) 40... 160 (2 В) ~50 ~80 (3 В; 0,4 А) (3 В; 0,4 А) ~50 (3 В; 0,4 А) (12 ГГц) ~0,2** (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) ~.4** (10 ГГц) ~2,6* ( 10 ГГц) ~0,5** (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) ~ ,..._- $4 ~3* (12 ГГц) ~0,5** ( 12 ГГц) $4; ~3*; ~1 ** 0,24 $4 0,24 ИаркироВка 9 0,24 ~3* (12 ГГц) ~О.5** ( 12 ГГц) ~80 (3 В; 0,4 А) $4 ~3* (12 ГГц); ~1 ** АП603-2 АП603-1-2 Маркиро8ко 0,24 3ат6ор Исток
240 Раздел \ Реи Тип Структура прибора max, мВт * т max, Реи Вт Uзи отс, Uеи * пор, Uзи uЗе max, max; * Uзи,mах, в 3. полевые транзисторы lc, Ie нач, * 1с ост, мА 1ё.и, в в - - 3,5 3,5 - 400; 5* 450; 5* мА АП603А-5 С n-каналом АП603Б-5 С n-каналом 2,5* 2,5* АП604А-2 С n-каналом 900 - 7 -3 - - АП604Б-2 С n-каналом 900 - 7 -3 - - АП604В-2 С n-каналом 500 - 7 -3 - - АП604f-2 С n-каналом 500 - 7 -3 - - - 8 8 8 8 -3 -3 -3 -3 - - s5,5 6; -4* - - ~150 450 - 6; -8* - - - 450 - 6; -8* - - - ' - ' АП604А1-2 С n-каналом АП604Б1-2 С n~каналом АП604В1-2 С n-каналом АП604f1-2 С n-каналом 900 900 500 500 АП605А-2 С барьером lllотки, 450 (3 В) с n-каналом ~ " АП605А1-2 С n-каналом АП605А2-2 - 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 2* - 8 -3,5 - 160; 5* АП606Б-5 2* - 8 . -3,5 - 160; 5* АП606В-5 2* - 8 -3,5 - 160; 5* АП606А-2 С барьером lllотки, с n-каналом АП606Б-2 ' АП606В-2 - АП606А-5 С барьером lllотки, с n-каналом ' .
Параметрь1 полевых транз'исторов Cttн, Сi2и, S,мА/В ** пФ с 22и, 241 Rси отк, Ом Кш, дБ к;.Р, дБ U~,мкВ Е~*, нвNrц Q***, ~ ** Вт Рвых, ЛU3н, мВ ~50 ~80 (3 (3 В; В; А) А) 0,4 0,4 tвкл, НС * • fвыкл, НС . 1;*, МГц ЛUзи/ лт***, Корпус 0 мкВ/ С АП603-5 0,24 0,24 0,77 0,34 ~шт 20.. .40 (3 В; О, 1 А) 15 .. .40 (3 В; 0,1 ~3* (17,4 ГГц) ~.2** ( 17 ,4 ГГц) ~3 (17,4 ГГц) ~.125** (17,4 ГГц) А) 10... 20 (3 В; 50 мА) 10... 20 (3 В; 50 В; 30 9 А ~3* (17,4 ГГц) ~.075** (17,4 ГГц) ~3* ( 17,4 ГГц) ~.005** (17,4 ГГц) мА) ~.2** (17,4 ГГц) ~.125** (17,4 ГГц) ~.075** (17,4 ГГц) ~.05** (17,4 ГГц) 20 .. .40 (3 В; О, 1 А) 15 .. .40 (3 В; 0,1 А) 10... 20 (3 В; 50 мА) 10... 20 (3 В; 50 мА) ;;::30 (4 АП604-2 Наркщю/Jка мА) АП604-1-2 (8 ГГц) (8 ГГц) ~.1 ** (8 ГГц) ~.5 (8 ГГц) ~6* (8 ГГц) ~.1 ** (8 ГГц) ~7* (8 ГГц) ~.15** (8 ГГц) ~ (8.ГГц) ~.5 АП605-2 ~8* ~70 (3 В; ~90 (3 В; ~100 (3 В; 0,25 А) 0,25 А) 0,25 А) 3 (5 В) 3 (5 В) 3 (5 В) ~4* (12 ГГц) ~.4** (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~.4** (12 ГГц) ~5* (12 ГГц) ~.75** (12 ГГц) //.J АП605 (At-2, А2-2) //.J ~1.5 (8 ГГц) АП606-2 tн=lOO _ tн=lOO Наркщdка 9 А_ -;;J6i. -_. tн=lOO ~.-- nr l....Lt • "'!~ ~ ,... U\....: _. С)) / 1 ..,_' J "':i .~ сток 1~ 'Cil~ -_2,5 ru,.~ д ~70 (3 В; 0,25 А) 3 (5 В) ~4* ~.4** ~90 (3 ~100 (3 В; 0,25 А) 3 (5 В) (12 tн=lOO АП606-5 tн=lOO Исток / ГГц) ~* ~.4** В; 0,25 А) 3 (5 В) (12 ГГц) (12 ГГц) ~. 75** (12 ГГц) ~5* tн=lOO ~ с::)' ... ·lli· ••• ~--.. Сток/ о, 75_ Затlор
Раздел 242 _, - Тип прибора Структура Реи max, мВт • Реи т max, Uзи отс, ·С n-каналом lc, в 8 5 - - - - - - • max, Uзс в в - 3,5* • Полевые транзисторы ic. и, uЗи пор, Вт АП607А-2 Uеи max, 3. Uзи max, мА le нач, 1с ост, мА :SlбOO; S5* / 0,6* - - -3 АП608Б-2 1,1 * - - -3 АП608В-2 1* - - - - -3 -3 - АП608А-2 С барьером Шотки, с n-каналом Aii608A-5 С барьером Шотки, 30 с n-каналом АП608Д-5 30 АП608Е-5 АП915А-2 С барьером Шотки, АП915Б-2 с n-каналом АП925А-2 С n-каналом АП925Б-2 АП925В-2 С барьером Шотки, АП930Б-2 с n-каналом АП930В-2 - -3 10 - 12* 12* - 7 7 -5 -5 - - 5 5 - ~3.6 А (3 В) 7* - 9 9 9 5 - ЗА 21* 21* 21* - 8 8 8 -5 -5 -5 - :S4,5; :Sl 5* S4,5; S15* S4;5; Sl5* 7* 16* ' АП930А-2 -· -3 / - - ЗА ,
Параметры полевых транзисторов S, мА/В ~80 243 Rси отк, Ом Кш, дБ С11н, Сi2н, к;,Р, дБ С22н, пФ Рвых, Вт U~,мкВ Е~·, нВNfц ЛU3н*, мВ Q***, Кл •• •• tвкл, НС • tвыкл, НС 1;•, Мfц лuзи/лт•••, Корпус мкВ/"С ~1 ** (10 ГГц); ~4.5* (3 В) АП607-2 ft,$ ~15 (3 В; 50 мА) ~3.5* (26 ГГц) ~.1 ** (26 ГГц) ~4* (26 ГГц) ~.15** (26 ГГц) ~20 (3 В; 100 мА) ~20 (3 В; 100 мА) ~4* (26 ГГц) ~.15** (26 ГГц) ~15 (3 В; 50 мА) ~4* (37 Гц) ~.03** (37 ГГц) ~3.5* (37 ГГц) ~.15** (37 ГГц) ~4* (37 ГГц) ~15 (3 В; 50 мА) ~15 (3 В; 50 мА) ~.01 * ~350 ( 1,5 В; 0,5 А) ~300 (1,5 В; 0,5 А) - - АП608-2 АП608-5 (37 ГГц) _ ~5** (8 ГГц); ~3* ~3** (8 ГГц); ~3* - - АП915-2 1 r _!1 ' ... - м ,, -+·. =· 3 ~1 ~ D, 1 ;;,:; 1 3,1 -- - ~500 (3 В; 1,8 А) ~500 (3 В; 1,8 А) - ~500 (3 В; 1,8 А) - - ~2** (3,7".4,2 ГГц) ~7* (3,7 .. .4,2 ГГц) ~5** (3,7 .. .4,2 ГГц) ~4.5** (4,3 .. .4,8 ГГц) - - - - -- 1• ~ ~ . ~" 3,1 - ~1000 (3 В; 4 А) ~1000 (3 В; 4 А) - ~5** (5,7 ... 6,3 ГГц) ~7.5** (5,7 ... 6,3 ГГц) ~10** (5,7 ... 6,3 ГГц) - - 1 _!1 ~ : 3 с ·= -т·· = ir,6 -- - - 21.2 - .AiI930-2 - - 21.2 -- АП925-2 Dl ~1000 (3 В; 4 А) с е ,21 r Q) ~~, ,._ D, 1-' 5,75 - j ,._ 't:t'"~ С\1 : 3 е 1, -т· ii,6 -- с ;:; 2s.6 -
Раздел 244 Реи max, 3..полевые транзисторы Uзи отс, Uси max, uЗи пор, uЗс max,· в в 14* - 8 -5 - - 14* - 8 -5 - АП967В-2 7* - 8 -5 - - АП967f-2 7* - 8 -5 - - АП967Д-2 7* - 8 -5 - - АП967Е-2 14* - 8. -5 - АП967Ж-2 14* - 8 -5 - - 0,15 ... 2 0,3 .. .4 0,5 ... 5 Тип Структура прибора мВт • т max, Реи Вт • max, Uзи в lc, lc нач, lc ост, мА 1с. и, мА -АП967А-2 С барьером Шотки, с п-каналом, АП967Б-2 \ с внутренними цепями согласования Параметры кремниевых полевых тран.зисторов . . ~ кп101r С р-~ пе~ходом 50 50 50 5 6 6 10 10 10 10 10 10 2 5 5 7 12 21 38 66 120 0,4 ... 1,5 0,5 ... 2,2 0,8 ... 3 1,4 .. .4 2 ... 6 2,8 ... 7 10 10 12 10 12 10 - - 0,3 ... 2,5 0,35 ... 3,8 0,8 .. .1,8 1... 5,5 1,8 ... 6,6 3".12 7 12 2.1 38 66 120 0,4".1,5 0,5 ... 2,2 0,8 ... 3 1,4 .. .4 2 ... 6 2,8 ... 7 10 10 12 10 12 10 - - 0,3 ... 2,5 0,35 ... 3,8 0,8 ... 1,8 1... 5,5 1,8 ... 6,6 3 .. .12 пМОП 150* 2*".4* 100 :1:20 38 (140*) С р-п переходом 60 60 ~1.5 - КП201И-1 60 ~3 КП201К-1 60 60 ~4 -0,5 -0,5 -0,5 -0,5 -0,5 - КП101Д и р-каналом КП101Е С р-п переходом КП103Е КП103Ж КП103И и р-каналом · КП103К КП103Л КП103М КП103ЕР1 КП103ЖР1 С р-п переходом и р-каналом КП103ИР1 КП103КР1 КП103ЛР1 КП103МР1 КП150 КП201Е-1 КП201Ж-1 КП201Л-1 и р-каналом ~.2 ~6 10; 10; 10; 10; 10; 15* 15* 15* 15* 15* - - - А ~5* мкА (100 В) 0,3".0,65 0,55."1,2 1... 2.1 1,7... 3 3 ... 6
245 Параметры полевых транзисторов S, мА/В Rси отк, Ом Кш, дБ к;,Р, дБ U~,мкВ Е~*, нВNrц С1 lн, Сi2н, •• С22н, •• Рвых, пФ Вт о•••, Кл дUЗн*, мВ tвкл, НС • tвыкл, НС •• r fp 'м ц Корпус дUзи/дт•••, мкВ/•с АП967-2 ~1· ~4** (5,9 ... б,4 ГГц) ~5** (3,7 .. .4,2 ГГц) . - 12,2 ~1· ~** 1 ~· (3,7 .. .4,2 ГГц) (4,3 .. .4,8 (3,4 ... 3,9 и ~1· Н-С 18 Параметры кремниевых полевых транзисторов ~.3 (5-в) 0,4 ... 2,4 (5 В) 0,5 ... 2,8 (5 В) 0,8."2,б (5 В) 1... 3 (5 В) 1,8...3,8 (5 В) 1,3 .. .4,4 (5 В) S20; :S8* S20;S8* 0,4 ... 2,4 0,5 ... 2,8 0,8 ... 2,б 1... 3 1,8... 3,8 1,3 .. .4,4 S20;S8* ~13• 103 (25 В; 25 А) S2800; 1100** ~.4 (10 В) ~.7 (10 В) ~.8 (10 В) ~1.4 (10 В) ~1.8 (10 В) S20;~* ~;SВ* S20;SS* ~;SВ* S20;S8* ~;SВ* S20; :S8* S20;SS* S20;S8* S20;SS* ~;SВ* S20;S8* ~;SВ* S20;$8* ' '1--~3 1J (3,4 ... 3,9 ГГц) :SlO; :S0,4** :SlO; S0.4** SlO; S0.4** 1 с1 Dc-.. -;Э--t-- ~~ 1 ГГц) ~4** (5,6 ... 6,2 ГГц) ~.15 (5 В) ~.4 (5 В) ~ 1 ГГц) ~1· ~5** 1 - J,6 ~6* ~** . 1 ~б* ~2** • ::;.-t-::Je!E§-:-..,1 1 :S4 (1 :S7 (1 :S7 (1 кГц) кГц) :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 (1 кГц) (1 (1 (1 (1 (1 кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) ( 1 кГц) КП101 кГц) 3** 3** 3** 3** 3** 3** :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 (1 кГц) ( 1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) f 5.8 ....... КП103Р -5;2 . tсп=81 :S0,055 КП103 КП150 КП201-1 1
Раздел З. Полевые транзисторы 246 Реи max, Тип Структура прибора мВт • т max, Реи Вт Uзи отс, Uси max, uЗи пор, · UЗе max, в в • Uзи max, в Ic, lc, и, le нач, lc ост, мА мА КП202Д-1 С р-п переходом КП202Е-1 и р-каналом 60 60 0,4 ... 2 1".3 15; 20* 15; 20* 0,5 0,5 - КП240 пМОП 125* 2."4* 200 ±20 18 (72*) КП250 пМОП 150* 2 ... 4* 200 ±20 30 (120*) 51,5 1,1."3 А А :s;25* мкА (200 В) :s;25* мкА (200 В) - КП301Б С изолированным затвором, 200 2,7".5,4* 20 30 15 :s;D,5 мкА (15 В) 200 2,7."5,4* 20 30 15 :s;D,5 мкА (15 В) 200 2,7".5,4* 20 30 15 :s;D,5 мкА (15 В) 300 300 300 300 1".5 2,5."7 3".1 о 2".7 20 20 20 20 10 10 12 10 24 43 300 300 300 300 1".5 . 2,5". 7 3".10 2."7 20 20 20 20 10 10 12 10 24 43 200 200 200 200 200 (' 200 200 200 0,5 ... 3 0,5".3 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 25; 30* с имдуцированным кпзоtв р-каналом кпзо1r КП302А С р-п переходом КП302Б и п-каналом КП302В кпзо2r КП302АМ С р-п переходом КП302БМ и n-каналом КЦ302ВМ кпзо2rм КПЗОЗА С р-п переходом КПЗОЗБ и п-каналом кпзозв кпзозr кпзозд КПЗОЗЕ - кпзозж кпзози КП304А С изолиро·ванным затвором и индуцированным каналом р-типа 200 1".4 58 58 58 0,3".3 0,5".2 2::5* 25; 25; 25; 25; 25; 25; 25; 25; :s;24; :s;43; 533; 565; 6* 6* 6* 6* - 524; 543; 533; 565; 6* 6* 6* 6* 30 30 30 30 30 30 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 52,5; 5* :s;2,5; 5* 55; 5* 512; 5* $9; 5* :s;20; 5* 53; 5* 55; 5* 30 30 (60*) - :s;D,2 мкА
ПарамеmрЬ! поле,вь1х транзисторов S, С11н, Сi2н, С22н, пФ мА/В ~.65 247 Rси отк, Ом Кw,дБ к;,Р, дБ Рвых, Вт U~,мкВ Е:, нВNrц дUЗн, мВ о···, Кл •• tвкл, НС • tвыкл, НС 1;·, мrц Корпус дUзи/дт•••, мкв1·с КП202-1 :S6; :S2* :S6; ~· ~1 о.в - ~ ~.9· 103 (25 В; 11 А) :Sl300; 130** - КП240, КП250 tсп=36 :S0,18 0.5 ........ 27,1 ~12 • 103 (25 В; 18 А) ~.5; 1... 2,6 (15 ~800; 780** s1 *; tсп=62 ~.085 ~.5 ~.5*~ (100 МГц) ~ !i ~lf 1 КП301 100** В; 5мА) 2... 3 (15 В; 5мА) 0,5 ... 1,6 (15 В; 5мА) ~5,8 ~.5; :Sl *; ~.5; :Sl *; ~.5** ~.5* :S9,5 (100 МГц) 100** ~.5 МГц) 100** ( 100 t-:> "'f-1--~~ _&_Vn ' u u З~JJlZ ~_,_no 5... 12 (7 В) 7.. .14 (7 В) 7... 14 (7 В) 5... 12 (7 В) 7... 14 (7 В) 7 ... 14 (7 В) 1.. .4 1.. .4 2... 5 3... 7 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) ~.6 (10 В) ~4(10В) 1.. .4 (10 2... 6 (10 ~4 (10 В; В) В) 10 мА) :S20;:S8* :S20;:S8* :S20; :S8* :S20;:S8* :S20; ~· :S20;:S8* :S20; :S8* :S20; :S8* ~ (1 кГц) :Sl50 :SlOO :Sl50 ~ :Sl50 SlOO :Sl50 S6;~* :S2* :S2* :S2* s2* :S2* S2* s9; s2*; s6** КП302 :S4; :S5* S4; :S5* :S4;SS* :S4; :S5* :S4; :S4; S4; S4; '69.2 S5* :S5* S5* S5* КП302М ~5,84 ~О** (20 Гц) :S20** (1 кГц) :S20* * ( 1 кГц) :S(6. 10·17)*** S4 (100 МГц) S4 (100 МГц) :SlOO** (1 кГц) :SlOO** (1 кГц) s6; s2* :S6; S6; :S6; s6; :S6; :S6; (1 кГц) с кпзоз -5.8 КП304 SIOO ~5,8 ' и
-Раздел 248 Реи max, Тип прибора мВт Структура • т max, Реи Вт Uзи отс, UЗи пор, . полевые транЗ'исmоры / Uc~ max, • max, Uзи ' Uзе max, в 3. в в Ic, le нач, ~с.и, Ic ~ст, мА мА 150 ~6 15; :1: 15* :1: 15 15 - КПЗО5Е 150 ~ 15; ± 15* ±15 15 - КПЗО5Ж 150 ~6 15; :1: 15* ±15 15 - КПЗО5И 150 ~ 15; :1: 15* :1: 15 . 15 - 150 s4 20 20 20 S0,005 150 150 $4 $6 20 20 20 20 20 20 S0,005 S0,005 250 250 250 250 250 250 250 0,5 ... 3. 1... 5 1... 5 1,5".6 1,5".6 S2,5 S7 27 27 27 27 27 27 27 25 25 25 25 25 25 25 $~ 30* 30* 30* 30* 30* 30 30 30 30 30 20 20 20 20 20 Sl Sl,6 КПЗО5Д С изолированным затвором и п-каналом КПЗО6А С двумя изолированными затворами и КПЗО6Б КПЗО6В п-каналом " КПЗО7А С р-п переходом КПЗО7Б и п-каналом КПЗО7В " КПЗ07Г КПЗО7Д КПЗО7Е КПЗО7Ж 25; 25; 25; 25; 25; 25; 25; 27* 27* 27* 27* 27* 27* 27* sl5 Sl5 24 8."24 s5 $25 ' КПЗОSА-1 С р-п переходом КПЗОSБ-1 и п-каналом КПЗОSВ-1 КПЗОSГ-1 КПЗОSД-1 КПЗ10А С изолированным затвором КПЗ10Б и каналом п-типа КПЗ12А С р-п переходом КПЗ12Б и п-каналом - 25; 25; 25; 25; 25; 60 60 60 60 60 0.2 ... 1.2 0,3."1,8 0,4 ... 2.4 1."6 1... 3 80 80 - 8; 10* 8; 10* 10 10 20 20 SS; SO,l * S5; S0,1 * 100 100 2... 8 0,8".6 20; 25* 20; 25* 25 25 25 25 S25 S7 S3 - , 75 ~6 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗБ 75 ~6 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗВ 75 ~ 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗА С изолированным затвором и п-каналом
Параметры полевых транзисторов S, мА/В С11н, Сi2н, С22н, пФ 249 Rси отк, Ом Кш, дБ к;,Р, дБ Uw,мкВ •• Рвых, • E:i•, нВ/../fц Вт о•••, дuЗИ, мв 5,2".10,5 (10 В; 5 мА) 4... 8 (10 В; 5 мА) 5,2 ... 10,5 (10 В; 5 мА) 4".10,5 (10 В; 5 мА) 4... 8 (Uз2и=lО В) . 4 ... 8 (Uз2и=lО В) 4... 8 (Uз2и=IО В) s5; :S0,8* ~13* - 55; 50,8* S5; S0,8* ~13* 1;·, мrц /. мкв/·с - - (250 МГц) КП305 ' S7 ,5 (250 МГц) - ~· lt)' " - - S5; S0,07* - S6 (200 МГц, 800** S5; S0,07* S5; S0,07* - :S6 (200 и - Sб (200 зфП/Юd. /(Opfl. 1 ~~ ...... ' 11 - с КП306 Uз2и=IО В) МГц) МГц) . ;,5,8~ - - 55; 50,8* Корпус дUзи .дт··· , S7 ,5 (250 МГц) МГц) (250 KJI tвкл, НС • tвыкл, НС -_s,в'! - 800** 800** 1"',) ~ ..... 31 з,фffом. ·----- ~. ~ 4 ... 9 (10 В) 5... 10 (10 В) 5... 10 (10 В) 6."12(1ОВ) 6".12 (10 В) 3 ... 8 (10 В) 4... 14 (10 В) S5; S5; S5; S5; S5; S5; s5; s20** (1 кГц) $2,5** ( 100 кГц) S2,5** (100 кГц) ~6 (400 МГц) 56 (400 МГц) $20* * ( 1 кГц) 5(4. 10" 17 )*** - Sl ,5* Sl ,5* SI ,5* Sl ,5* Sl ,5* Sl ,5* 51 ,5* - - с КП307 ~5)! - с ~ ,..;u 10u ифз V')~ V') j 1 ...,11 1.. .4 (10 В) 1.. .4 (10 В) 2 ... 6,5 (10 В) - s6; S6: S6; S6: 56; s2** S2** $2** · S2** S2** - S20** ( 1 кГц) S20* * ( 1 кГц) S20** (1 кГц) - $250 s250 - S20; $20* 520;520* S2,5; 50,5* s2,5; :S0,5* ~5* ~5* (1 ГГц) (1 ГГц) / :S6 (1 ГГц) S7 ( 1 ГГц) КП308-1 Jt~! 1 , 3... 6 (5 В; 5 мА) 3".6 (5 В; 5 мА) Корп. - 12 КП310 (6_5,811 - ~· ~· 1 'с') 4 ... 5,8 (15 В) 2 ... 5 (15 В) .... 1 54; Sl * 54; Sl * ~2* ~2* (400 (400 МГц) МГц) 54 (400 МГц) 56 (400 МГц) - с r ~ - - 1 ифз 11 ПoiJn. КП312 ttt ~ ~m 10 4,5 ... 10,5 (10 В; 5 мА) 4,5 ... 105 (10 В; 5 мА) 4,5 .. .10,5 (10 В; 5 мА) 57; S0,9* ~10* (250 МГц) 57 ,5 (250 МГц) 300** s7; 50,9* ~10* (250 МГц) 57 ,5 (250 МГц) 300** 57; 50,9* ~10* (250 МГц) 57 ,5 (250 МГц) 300** ;, КПЗ13 J :tbl ~ зис
Раздел З. Полевь1е траю.исrnоры 250 Реи max, ·Тип прибора uЗи лор, в в - 25 30 20 2,5 ... 20 200 2,2 .. .12 20 20 - ~2 100 100 0,74 ... 6 0,74 ... 6 20 20 25 25 12 12 3 .. .12 3 ... 12 200 200 200 200 52,7 52,7 18 18 14; 16* 14; 16* 6 6 5 5 30 30 30 30 SlO SlO S17 517 • Реи т max, Вт КПЗ14А С p-n переходом . Uеи max, Uзе max, Uзи отс, мВт Структура 200 uЗи max, в lc, lc, и, le нач, Iсост, мА мА и п-каналом ' КПЗ22А С двумя затворами, с р-п переходом и п-каналом КПЗ2ЗА-2 С КПЗ2ЗБ-2 КПЗ27А p-n переходом и п-каналом С двумя изолированными 1 КПЗ27Б затворами и защитными ди- КПЗ27В одами, с n-каналом КПЗ27f - КПЗ29А С р-п переходом и n-каналом 250 250 ~1.5 КПЗ29Б ~1.5 50 40 45 35 - пМОП 125* 2 .. .4* 400 :1:20 10 (38*) - КПЗ40 ~1 ~1 А 525* мкА (400 В) ! КПЗ41А С p-n переходом 150 (6о·с> S3 15; 15* 10 150 (6о·с> S3 15; 15* 10 и каналом n-типа КПЗ41Б . r -· 520 530
251 Параметрьl полевых транзисторов S, ~4 мА/В (10 В) С11и, Сi2и, С22и, пФ Rси отк, Ом Кш, дБ к;,Р, дБ Рвых, Вт U~,мкВ Е~·, нВNrц ЛU3н, мВ о···, Кл •• tвкл, НС • tвыкл, НС 1;•, МJ:ц Корпус лuзи/лт•••, мкв;·с ~100** :S6: :S2* КП314 Ф//,75 ~ 3 с-ек н 3,2 ... 6,3 (10 В) :S6 (250 МГц) :S6; :S0,2* КП322 ~9,11 - J, ~ . о поил. J 2 о о и 4".5,8 (10 В) 4".5,8 (10 В) ~11 ~11 ~.5 ~.5 (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) ~3 ~1 (10 В) (10 В) :S4; :Sl ,2* :S4; :Sl,2* :S2,5 :S2,5 $2,5; :Sl ,6* :S3,6; :SЗ* :S6 :S6 :S5** :S5** ~12* (0,8 ~18* (250 ~12* (0,8 ~18* (0,2 ГГц) МГц) ГГц) ГГц) :Sl500 :Sl500 КП323-2 400** 400** :S4,5 (0,8 ГГц) :S3 (0,2 ГГц) :S4,5 (0,8 ГГц) :S3 (0,2 ГГц) :S20** $20** КП327 КП329 200** 200** 1 ~7.7. 103 (50 В; 6 А) :Sl400; 130* :S0,55 КП340 tcn=24 27, 1 -1 ~ J i! - ~___...1 11 '~;::~· Ио 30 ~ \V . 1 15".30 (5 В) :SS; 1*; 1,6** 18 ... 32 (5 В) :SS; 1*; 1,6** 2,8 (400 МГц) :Sl,2** (100 кГц) 1,8 (200 МГц) :Sl ,2** (100 кГц) КП341
Раздел 252 Реи max, Тип Структура прибора мВт ·-- • Реи т max, Вт КП346А-9 С двумя изолированными Uзи отс, Uеи max, uЗи пор, UЗе maxr в 200 - 200 в ' • Uзи max, в 3. nолееые тра1:1зисторы Ic, le нач, 1с ост, мА 1ё. и, • мА 14; 16• 10 30 2... 20 - 14; 16• 10 30 S20 200 - 14: 16• 10 30 2... 20. 200 3 14 5 - S5 пМОП 150• 2.. .4• 400 ±20 14 (56•) С двумя изолированными 200 0,17 ... 6 15 15 30 SЗ,5 200 0,17 ... 6 15 15 30 SЗ,5 200 0,17 ...6 15 15 30 SЗ,5 200 200 200 200 200 200 200 200 0,5 ...3 0,5 ... 3 1.. .4 30 30 30 30 0,5 ... 2,5 0,5 ... 2,5 1,5...5 3.. .12 3...9 5... 20 0,3 ...3 1,5...5 затворами КП346Б-9 и п-каиалом КП346В-9 КП347А-2 С п-каналом, с двумя изолированными затворами, с двумя защитными диодами кпзsо КП3SОА А S25• мкА (400 затворами и встроенным КП3SОБ п-каналом КП350В КП364А С р-п переходом, КП364Б п-каналом КП364В КП364Г КП364Д КП364Е КП364Ж КП364И КП36SА С р-п переходом, КП36SБ п-каналом КП382А пМОП, с двумя затворами - 25; 25; зо• S8 25;3о•. 30 S8 0,3 ...3 0,5 .. ;2 25; 30• 25; 30• 25; 30• 30 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 150 150 -0,4 ...-3 -0,4 ...-3 20 20 20 20 - - - 2,7 15 - - S8 зо• 25;3о• 25; 30• . 4,5 ... 20 12... 35 S20 ' - В)
253 Параме~еы полевых транзисторов Rси отк, Ом S, мА/В Uw,мкВ Рвых, Вт Е~*, иВ/vГц •• (10 В; 10 мА) s2,6; sо.оз5•; s1,3•• 2:10 (10 В; 10 мА) SЗ; ~.035*; мА) s1,5•• S2,6; s0.оз5•; ~12 (10 В; 10 • к;,Р, дБ дU3н*, мВ ~12 Кw,дБ ГГц) ;;::15• (0,8 (200 SЗ,5 (0,8 • 1;•, МГц Корпус дUзи/дт•••, мкВ/•с ГГц) ГГц) S4,5 (800 МГц) МГц) Sl ,9 (200 МГц) . S13 (0,8 ~1 Q···. Кл tвклr НС tвыкл, НС КП346-9 s1.з•• и ~10 (10 8; 10 мА) SЗ,5 (10 8) 0,04• 2:18• (200 МГц) S2,5 (200 МГц) с КП347А-2 1,8 •f ~ jl g n -ifu О) . UL --- ,с - rз1 32 ~10• 103 (25 8; 25 А) S0,3 КП350 tcn=47 ~pf 27,1 - - i - ~ (~ 1~ \ ~\v 1 2:6 (10 В; 10 мА) s6; ~.07"'; s6 (400 МГц) S5 (100 МГц) S8 (400 МГц) КП350А sб•• ;;::6 (10 8; 10 мА) 2:6 (10 8; 10 мА) S6; s0,07*; s6•• S6; S0,07*; sб•• ~~в~ to:t \(')'•'.J--~~ ..... , _ ....." ~ - ;;..: "!2 1".4(108) 1".4(108) 2... 5 (10 8) 3."7 (10 8) ~.6 (10 8) 2:4 (10 8) 1".4(108) 2".6 (10 8) sзо•• (20 Гц) s20•• (l кГц) S20** (l кГц) S6;S2 S6;S2 s6;S2 s6; S2 S6;S2 S6;S2 S6;S2 S6;S2 11 ll 11 11 КП364 1 ~4 (100 МГц) ~4 (100 МГц) ~100•• (1 кГц) s100•• (l кГц) КП365 - 155,2 - 2:10 2:13* 3
Раздел 254· КП401АС Сборка из четырех 3. nолевь1е транзисторы 420 ~.8 30 20 3 (1 и 3) 420 ~.8 30 20 1 (2 транзисторов и КП401БС 1 и 3 с n-каналами, 2 и 4 с р-каналами КП402А С р-каналом (0,8 ... 2,8) 200 150 $60 С n-каналом (О,8 ... 2,8) 200 300 $60 КП403А ~ 4) КП440 nМОП 125* 2 .. .4* 500 ±20 8 (30*) А $25* мкА (500 В) КП450 nМОП 150* 2 .. .4* 500 ±20 12 (52*) А 525* мкА (500 В) С изолированным затвором 500 500 500 1... 3* 1... 3* 1... 3* 240 200 200 ±20 ±20 ±20 180 180 180 10 мкА 10 10 мкА 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 700 i,5 ... 2,5* -1,8 ... -0,7* 0,6 ... 1,2* 0,6 ... 1,2* 0,6 .. .l,2* 0,8 ... 2* 0,8 ... 2* 0,8 ... 2* 0,4 ... О,8* 400 240 240 240 200 50 50 60 8 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 120 150 250 250 250 1400 1400 1400 500 1 1 1 КП501А КП501Б и n-каналом КП501В КП502А КП503А С изолированным затвором и n-каналом КП504А КП504Б КП504В КП505А КП505Б КП505В КП505Г мкА мкА мкА мкА 1 мкА l мкА l мкА l мкА 1 мкА 1 мкА КП510 nМОП 43* 2 .. .4* 100 ±20 5,6 (20*) А $25* мкА (100 В) КП520 nМОП 60* 2 .. .4* 100 ±20 9,2 (37*) А $25* мкА (100 В)
параметры полевых транзисторов ~280 (1 и 3) ~130 (2 и 255 $1,2 (n-кан.); $2,5 (р-кан.) $2 (n-кан.); $5 (р-кан.) 4) КП401 1,5 ~,...... ~60 (25 В; О, 1 А) __ ,5 16 6ы8тJо8 О.52 ____;. КП402А, КП403А $20 ~5,2 ~60 (25 В; О, 1 А) -~ $6 ~ ~" ..... !!"$ ~5.3 ~9.3 (25 (25 В; В; 5 А) 7,75 А) $1300; 120• $2600; 120•• $0,85 $0,4 ~ ....: КП440, КП450 tсп=20 27,1 N ...... tсп=44 !'"';i """ ~100 КП501 10 10 15 ~100 ~100 Р5,2 -~ ~ ~- ~ ..... ~.1 А/В ~.14 А/В ~.14 А/В ~.14 А/В ~.14 А/В ~.5А/В ~.5А/В ~.5 А/В ~.5А/В ~1300 (50 В; 3,4 180; 15• $0,54 ~ КП502, КП503, 28 20 8 8 8 0,3 0,3 0,3 1,2 А) ~ КП504, КП505 tJ5,2 ~~ tt) ~ КП510, КП520 tcn=9,4 1/,8 70,65 ~2700 (50 В; 5,5 А) 360; 150•• $0,27 tсп=20 ~ ~" ..... 3 с 2.5 и 1,15 2.5 1,9 1, 1
256 Раздел з. /lолевые транзисторы Рен max, Тип мВт Структура прибора • т max, Реи Вт nМОП КП530 вв• • пор, Uзи Uзи отс, Uеи max, UЗе max, в в 2.. .4• 100 lc, • max, Uзи в ±20 le нач, 1с:. и, • 1 lсост мА А 14 (56•) ~25* мкА мА (100 В) ' КП540 КП601А КП601Б nМОП С p-n 150• переходом и n-каналом 500; 2• 500; 2• Вт Вт 2.. .4• 100 ±20 28 ( llO*) 4 ... 9 6 ... 12 20; 20• 20; 20• 15 15 - А ~25• мкА (100 В) ~400 ~400 КП610 nМОП 36• 2 ... 4• 200 ±20 3,3 (lO•) А ~5· мкА (200 В) КП620 nМОП 50• 2.. .4• 200 ±20 5,2 (18•) А ~25• мкА (200 В) КП630 nМОП 2.. .4• 200 ±20 9 (36•) ~5* мкА (200 В) ~25* мкА (200 В) \ 74• - nМОП 125• 2.. .4• 200 ±20 18 (72•) КП704А С изолированным затвором, КП704Б с n-каналом 75• 75• 1,5 ... 4• 1,5 .. .4• 200 200 ±20 ±20 10 10 КП705А С n-каналом 125• 125• 125• - 1000; 1010• 800; 840* 30 30 30 5,4 5,4 5,4 КП640 КП705Б КП705В - КП706А nМОП КП706Б КП706В КП707А С изолированным затвором, КП707Б с n-каналом КП707В soo; - - воо• А; А; А; А; А; А А . 30• 30• А ~о.в А ~· 6• 7• 7• А ~7; ~10· А ~7; ~10• А ~15; ~5· - 100• 100• 100• - 500 400 400 30 30 30 100• 100• 100• ~5 ~5 ~5 400 600 750 20 20 20 22 22 22 А А А 25• А 16,5• А 12,5• А l; 4• (500 1; 4• (400 1; 4* (400 ~5; ~1· ~5; ~1· ~5; ~·· В) В) В)
Параметры полевых транзисторов S, Rси отк, Ом Кш, дБ С1 lи, С12и, к;,Р, дБ Uш,мкВ С22и, пФ Рвыхr Вт ,Е~·. нВNГц • мА/В 257 •• • ЛU3н, мВ ~5100 (50 В; А) 8,4 Q**•, - ~.16 670; 60* Кл tвклr НС • tвыклr НС 1;•, МГц Корпус дUзи/дт•••, мкв/·с КП530, КП540 tcn=24 :r - '1,8 1!>65 .,, v 1 ~ fJJPr_JI - 11 ~ ~8700 В; (50 А) 17 ~О.077 1700; 120* - 1 tсп=43 - ~6 ~6 (400 (400 МГц) МГц) - 1 ~ ~" ~6* - 11)" Со" ~ ~6* - "''"" 1 Q::1 и 31111 '~ ~ 40."87 (10 В) 40 ... 87 (10 В) , 1,15 с-11111 ~ 11 2.5 - КП601 - tJ9,2 " фс ' r "' ~~. ~ ~· ~800 В; (50 2 А) ~1.5 140; 15* 1, 1 1,9 2.5 - ' 1• 1 3 1 -кп&lО, КП629, КП630, tcn=8,9 КП640, КП704 ~1500 ~3800 В; (50 (50 В; А) 3,1 3,4 А) ~.8 260; 30* ~.4 950; 76* - tсп=13 tсп=25 (50 В; 11 А) ~О.18 1600; 130* - tсп=40 -. 11)" IЯ 1000... 2500 (1 1000... 2500 (1 ~1000 ~1000 ~1000 (30 (30 (30 В; В; В; 2 2 2 А) А) А) А) А) ~О.35 ~О.5 250** 250** 1500 (50 1500 (50 1500 (50 В); В); В); ~4.3 ~3.3 20* 20* 20* ~3.3 - - ~100; ~100* ~100;~100* ~ ~" - 1 З~lllJJ IJtИ 'с;) ~ С-1'1 1, 15 11 1 - 2.S ~60; ~80* КП705 ~60; ~80* - 27.f ·л3 ~ ~\ ~) - 11 ' А) А) А) 2500; 300** 2500; 300** 2500; 300** 0,65 0,44 0,6 - КП706 70; 100* 70; 100* 70; 100* 1 ' j\ , t:: ... ' ~з ~ з L , с (20 (20 (20 В; В; В; 3 3 3 А) А) А) ~1600 ~1600 ~1600 (25 (25 (25 В); ~45* В); ~45* В); ~45* ~1 ~2.5 ~3 - ~80* ~ и 3+ ~ 6.3 -~1600 ~1600 ~1600 1,1 - ~60;~0* _, 2 2 2 1,9 2.5 tf::i' В; В; В; - - 1 ~ -, N .... 2300 (30 2300 (30 2300 (30 ... Q::1 Со" w j vfJ.JPr_JI , - ,, 1 ~ ~6700 '1,8 :r, 70,65 1 т L. и 21.5 КП707 ~80* ~80* 27.f с N~·л~ ; ~ \~~/
Раздел 258_ 3. полевые транзисторы 60* 60* 55* 2... 5 2... 5 2... 5 400 600 750 ±20 ±20 ±20 4 (16,5*) А 3 {12,5*) А S25* мкА (400 В) ~25* мкА (600 В) S25* мкА (750 В) nМОП 50* 2 .. .4,5 800 ±20 3,5 (9*) А ~25* мкА (800 В) С изолированным затвором 75* 75* 2 .. .4,5* 2 .. .4,5* 500 500 ±20 ±20 75* 75* 75* 75* 75* 2 .. .4 2 .. .4 2 ... 5 2 ... 5 2 ... 5 600 600 600 500 500 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 4,5 А; 18* А 4,5 А; 14* А 3,5 А; 16* А 4,5 А; 18* А 4 А; 14* А ~о.5 ~О.5 ~О.25 (20 В) S0,25 (20 В) S0,25 (20 В) nМОП 36* 2 .. .4 400 ±20 2 (6*) А ~25* мкА (400 В) КП712А С изолированным затвором, КП712Б с р-каналом 50* 50* 50* -2 ... -5 -2 ... -5 -2 ... -5 -80 -100 -100 ::1:20 ±2Q 10 ±20 8А КП707А1 nМОП КП707Б1 КП707В1 КП707В2 КП708А КП708Б и n-каналом КП709А С изолированным затвором, КП709Б с n-каналом КП709В КП709f КП709Д КП710 КП712В КП717А nМОП 170* 170* 170* 170* 170* 170* 350 400 350 400 350 400 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 15 15 13 13 11 11 А А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 125* 125* 125* 125* 125* 125* 500 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 9,6 А 9,6 А 8,3 А 8,3 А 10 А 10 А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* КП717В1 КП717Г1 КП717Д1 КП717Е1 КП718Е А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* КП717Б1 КП718Д 10 А 15 А 15 А 13 А 13 А 11 А 11 А КП717Е КП718В 0,5 0,5 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 КП717Г КП718Г А 350 400 350 400 350 400 КП717Д КП718Б А 150* 150* 150* 150* 150* 150* КП717В КП718А 4,5 4,5 nМОП КП717Б КП717А1 б (25*)·А nМОП 450 500 450 500 450 А А А А
параметры полевых транзисторов 259 ~1600 ~1600 (20 В; 3 А) (20 В; 3 А) ~1600 (20 В; 3 А) $2600; 95* $2600; 95* $2600; 95* $1 $2,5 53 $80** 580** 580** ~1600 (20 В; 3 А) $1600; 95* 52,8 $80** КП707-1, КП707-2 и 1,15 2.5 ~2000 ~2000 (25 (25 В; В; 2 2 А) А) ~2000 (25 В; 2 А) - ~2000 (25 В; 2 А) 51500 (25 В; 2,5 А) $1500 (25 В; 2,5 А) 51500 (25 В; 2,5 А) ~1 (50 В; 1,2 ~2000 ~2000 А) (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) ~1800 (4 В; 2 А) КП708, КП709, КП710 5650;$70* 5650;$70* $0,75 $1 5650 (25 В); $70* $650 (25 В); $70* $950 (25 В) $950 (25 В) $950 (25 В) 54,6 $2 $2,5 $1,5 $2 $50 550 $30; l~O* $30; 150* $30; 150* 170; 6,3* $0,36 tсп= 11 $0,25 $0,3 $0,4 130; 350* 130; 350* 130;350* 51800 (25 $1800 (25 $1800 (25 В); В); В); 100* 100* 100* 1, 1 КП712 (',/ ~ ~" С'-. а 3 ~~ 3 8 • 10 8000 7000 7000 6000 6000 0,3 0,3 0,35 0,35 0,4 0,4 КП717 27.f --ISP ~ ~ ~ 3 8 • 10 8000 7000 7000 6000 6000 КП717-1 0,3 0,3 0,35 0,35 0,4 0,4 15,9 5 &n -s:.· -. о зси 2700 2700 2700 2700 2700 2700 0,6 0,6 0,8 0,8 0,5 0,5 КП718 27.f ~~ ~ ~ ~
Раздел З. полевые транзисторы 260 КП718А1 nМОП КП718Б1 КП718В1 КП718Г1 КП718Д1 КП718Е1 125* 125* 125* 125* 125* 125* 450 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 400 ±20 500 450 500 450 500 9,6 9,6 А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* А 8,З А 8,З А 10 10 А А З,3 (lЗ*) А мкА КП720 nМОП 50* КП722А nМОП 125* 200 ±20 22 А 0,25* КП723А nМОП 150* 150* 150* 150* 60 50 60 50 ±20 ±20. ±20 ±20 З5 А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 125* 125* 600 500 ±20 ±20 6А 6А 0,25* 0,25* 500 ±20 lЗ А 0,25* КП723Б КП723В КП723Г КП724А nМОП КП724Б 2.. .4 З5 А З5 А З5 А КП725А nМОП 125* КП726А nМОП 75* 75* 2 .. .4* 2 .. .4* 600 600 ±20 ±20 4 А; 16* А 4,5 А; 18* А nМОП 40* 90* 90* 90* 75* 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 50 50 50 50 50 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 14 А 2,6 А З,З А 90* 90* 2.. .4 2 .. .4 50 50 ±20 ±20 2,6 КП726Б КП727А КП727Б КП727В КП727Г КП727Д КП727Е КП727Ж nМОП - ЗА 4А ЗА А 525* (400 0,25* (600 0,25* (600 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* В) В) В)
параметры полевых транзисторов 2700 2700 2700 2700 2700 2700 261 0,6 0,6 0,8 0,8 0,5 0,5 КП718-1 5 Cn "5!:t-' "" ~1700 (50 В; 2 А) 490; 47• Sl,8 КП720, КП722 tсп=15 -N 0,12 9000 о зси ~ 10000 10000 10000 10000 0,028 0,028 0,035 0,035 2000 1,2 1 2000 КП723, КП724 1/,8 1,9 0,4 7800 2500 (25 2500 (25 В; В; ~300 ~1000 ~1000 ~1500 ~100 ~1000 ~1000 2,8 2,8 А) А) Sl050 Sl050 S2 Sl,6 sO,l S4 S3 S2 S3 S3 S4 1, 1 КП725 Sl50* Sl50* КП726, КП727 (А-Д) 1,9 КП727 (Е, Ж) 1,1
Раздел З. полевые транзисторы 262 Реи max, Тип прибора мВт Структура • т max, Реи Вт КП728А пМОП 75* КП730 пМОП 74* Uзи отс, Uеи max, • Uзи max, uЗи пор, • max, Uзе в в - 800 ±20 400 ±20 2".4 . в lc, le нач, lc OCTt мА ~с.и, мА ЗА 5,5 (22*) S0,25* S25* мкА (400 В) А ' КП730А Биполярный· 200* 3".5,5 Uкэ=1200 Uзэ=±20 Iк=45 ::;25* (1200 В) (90*) А транзистор с изолированным затвором с п-каналом КП731А Биполярный 160* 3."5,5 Uкэ=600 Uзэ=±20 Iк=40 А S25* (600 В) А 1,5(6*)А SO,l * SO,l * SO,l * so.1• (80*} транзистор с изолированным затвором с п-каналом КП733А пМОП КП733Б КП733Г КП733Д 125* 125* 125* 125* 2 .. .4* 1".2* 2."4* 2".4* 400 400 600 650 1* 2".4* 550 ±20 ±20 1,5 (6*) ±20 5* 4* ±20 А А ~ КП733В-1 · пМОП ±20 500 (2000*) SO,l * (550 В) КП740 пМОП 125* 2".4 400 ±20 10 (40*) А ::;25* мкА (400 В)
263 параметры полевых транзисторов S, • С11н, С12н, мА/В Кw,д:Б к;,Р, д:Б Uw,мкВ Рвых, Вт Е~*, иВNfц •• u••• д зи, с22н, пФ· - ~1000 Rси отк, Ом мВ • Q"., Кл tвкл, НС • tвыкл,.ИС 1;•, Мfц дUзи/дт•••, мкв/·с - sз Корпус - КП728 -5 - 15,9 -_" ' ~ jl ...... l ~ C'lf ~ - ~900 (50 В; 3,3 А) ::;2600; 95* - Sl п ~и~ ~~ зси КП730 tcn=l5 , 70.65 :! ~34._;sт- ,,,.. " 1 ' / 1 j Qa ~ ~" Со"' '~ 3· '!>t-"' ~ ...... С· (100 В; 25 А) ::;2400; 28* Uкэн=SО,116 - - и 1,15 1,9 _2.5 - 2.5 ~7500 (100 В; 24 А) Sl500; 20* Uкэн=sО,15 - -_" ~ ...... S410* ~ - ~500 S400; 15* S400; 15* ::;400; 15* ~400; 15* SЗ,6 SЗ,6 S4,4 ~5 [ ~ r~: ~ .. , -.. (20 В; 1 А) (20 В; 1 А) (20 В; 1 А) (20 В; 1 А) 5 C'lf ~ ~", ~500 ~500 ~500 п зси - 1,1 КП730, КП731 ::;480* 15,9 _ ~200 - - ... _ ..... с-... 1/,8 КП733 tcnS80 tcnS80 tcnS80 tcnSSO - /' 1,.Jt ' Qa 1/,8 '!р.65 - ~3,6, :! !1 ",1 - - - ~ ~" Со"' ..... ' • 1 ~ 31UI '!>t-"' 'Q ..... с..- 1 с-... 1 ~500 (20 В; 1 А) Sl50** (25 В); Sl5* (25 В); SlO - 1,15 1,9 _2.5 11 2k_ - .... и 1 _1,1 - - КП733-1 tcnS80 fJ5,2 - ;~ С"'1 iq ~-~ изс ~5800 (50 В; 6 А) Sl400; 120* S0,55 - tсп=24 КП740 1/,8 :! • '!р.65 ~J.6i,", 1 .,., ...'" " - ...... 1 ,,,.., 1 Qa ~ ~" Со"' ..... 1 • !.i) 1 3~1U ~ 'Q С-8-1 1 с-... ""-1 11 2k_ 1 - и 1,15 1 2.5 1,9 - 1, 1
Раз&т З. Пол~вые транзисторы 264 Реи max, Тип прибора Uзи пор, Uеи max, Uзе max, в в 60* 60* 100* 100* -30 -30 -30 -30 75; 110* 75; 90* 110; 150* 140; 180* -35 -35 -40 -40 40* 40* -25 -28 500; 535* 450: 480* -35 -30 мВт Структура • Реи т max, Вт КП801А С р-п переходом и КП801Б п-каналом КП801В . КП801Г КП802А С р-п переходом и КП802Б п-каналом , Uзи отс, • • lc, u*ЗИ max, ~с.и, в мА - 5А 4500 4500 3500 3000 5А 8А 8А 2,5 2,5 le нач, lc ост, мА А 0,5* 0,5* А 1 КП804А С изолированным затвором, 2* ::;4* 20 60 ~О.25; lA ::;1 * сп-каналом КП805А КП805Б 60* 60* 60* ::;4* ::;4* ::;4* 600; 600* 600; 600* 500; 500* пМОП 100* 100* 100* 100* 100* 100* 150* 1,5 ... 5 400 500 600 700 800 750 400 пМОП 50* 50* 50* 50* 50* 50* С изолированным затвором, сп-каналом КП805В КП809А КП809Б КП809В КП809Г КП809Д КП809Е КП809К КП809А1 КП809Б1 КП809В1 КП809rt КП809Д1 КП809Е1 КП810А Биполярный со КП810Б статической индукцией, КП810В п-канал 50* 50* 50* - - . 400 500 600 700 800 750 1500 1300 1100 . ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 - ±20 ±20 ±20 5 5 5 4А ~1; ~3* 4А 4А ::;1; ::;3* ::;1; ::;3• 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 20* А ::;1 мА (400 В) ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * 9,6 9,6 9,6 9,6 9,6 9,6 (35*) (35*) (35*) (35*) (35*) (35*) 7А 7А 5А ' А А А А А А ::;О,25; ::;О,25; ::;О,25; ::;О,25; ~О.25; ::;О,25; - ::;1 * Sl * ::;1 * ::;1 * ::;1 * ::;1 *
265 Параметры полевых транзисторов С11н, Сi2н, С22н, пФ S,мА/В Rси отк, Ом Кш, дБ к;.Р, дБ Ц:,мкВ Е~*, нВNrц Q***, Кл ** в Т Рвых, ЛU3н, мВ ~00 ~450 ~800 ~00 ~800 ~800 (15 В; 4 А) (15 В; 3 А) (20 В; 4 А) (20 В; 4 А) (20 (20 В; В; 3,5 3,5 tвкл, НС * tвыкл, НС 1;*, мrц лuзи/лт***, Корпус мкв/·с КП801 $2,2 $4,4 $2,2 $2,2 А) А) КП802 $80;$30* $80;$30* 27,1 ~ ~800 (l О В; 0,8 А) $200 (25 В) $25*; $100** !i КП804 $0,6 с f)8,5 ~,!-;~~:з ифJ ~ I• $l....___ ,, ~2500 ~2500 ~2500 (20 В; 2 А) (20 В; 2 А) (20 В; 2 А) $1300 (20 В); $40* $1300 (20 В); $40* $1300 (20 В); $40* $130** ~ 1 1 _1 !) КП805 $180; $220* $180; $220* $180;$220* /J,8 10.7 ~- т _j··r ИС3 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 А) А) А) А) А) А) А) $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $220* $220* $220* $220* $220* $220* $220* $0,3 $0,6 $1,2 $1,5 $1,8 $2,5 $0,15 tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tcr1$lOO (20 В; 3 А) (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $220* $220* $220* $220* $220* $220* $0,3 $0,6 $1,2 $1,5 $1,8 $2,5 tc11$lOO tc11$lOO ~1500 ~1500 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 В; В; В; В; В; В; В; 3 3 3 3 3 3 3 0,2 0,2 0,2 tсп$100 КП809 - №~\J ~ 27.f - 'Л~ 3И КП809-1 15,9 5 tcn$l 00 tc11$lOO tсп$100 200 200 200 КП810 _15,9 ~......__и11 ~ $l..~ 1 ~ зси 5
. Раздел З. Полевые транзисторы 266 КП812А1 пМОП 60 60 60 ±20 ±20 ±20 150* 150* 150* 2,1 .. .4 2,1 ... 4 2,1 .. .4 200 200 200 ±20 ±20 ±20 22 (88*) 22 (88*) 125* 125* 2,1 .. .4 2,1 .. .4 200 200 ±20 ±20 22 (88*) А 22 (88*) А S0,25*(200 В) S0,25*(200 В) 125* 125* 2,1 .. .4 2,1 .. .4 200 200 ±20 ±20 22 (88*) 22 (88*} А А S0,25*(200 В) S0,25*-(200 В) пМОП 50* 74* 125* 2.. .4 2.. .4 2.. .4 500 500 500 ±20 ±20 ±20 2,5 (8*) А 4,5 (18*) А 8 (32*) А S0,25*(500 В) S0,25*(500 В) :S0,25*(500 В) С изолированным затвором 20* 70; 85* 30 4А ~OO;S50* G изоли~ованным затвором и п-каналом КП813f КП813А1 С изолированным затвором КП813Б1 и п-каналом КП813А1-5 С изолированным затвором КП813Бt-5 и п-каналом КП820 КП830 КП840 КП901А S0,25*(60 В) S0,25*(60 В) S0,25*(60 В) 2.. .4* 2.. .4* 2.. .4* КП812В1 КП813А КП813Б 50 (200*) л35 (68*) А 30 (120*) А 125* 80* 70* КП812Б1 А А: 20А ~О.25*(200 В) ::;О,25*(200 В) S0,25*(200 В) и индуцированным КП901Б п-каналом 20* 70; 85* 30 4А ~OO;S50* КП902А С изолированным затвором 3,5* 50 30 200 SlO; S0,5* КП902Б 3,5* 50 30 200 SlO; :S0,5* КП902В 3,5* 50 30 200 SlO; S0,5* и п-каналом
Параметры полевых транзисторов 267 ~15000 (25 В; 31 А) ~5500 (25 В; 24 А) ~9300 (25 В; 18 А) 1900; 920** 640; 360** 1200; 600** S0,028 S0,035 S0,05 tcn=92 tcn=42 tcn=52 КП812-1 ~9000 (20 В; 10 А) ~9000 (20 В; 1О А) ~9000 (20 В; 10 А) 2700; 540** 2700; 540** 2700; 540** so,12 S0,12 S0,06 fcnS140 tcnS140 tcnS140 КП813 ~5500 ~5500 2700; 540** 2700; 540** S0,12 S0,18 tcnS140 tcnS140 КП813-1 (20 В; 1О А) (20 В; 1О А) . 15,9 ....---~~ 5 - о зси ~5500 (20 В; 1О А) ~5500 (20 В; 10 А) ~1500 (50 В; 1,5 А) ~2500 (50 В; 2, 7 А) ~4900 (50 В; 4,8 А) 2700; 540** 2700; 540** s-;o, 12 S0,18 tcnS140 tcnS140 КП813-5 360; 92** 610; 160** 1300; 310** S3 Sl,5 S0,85 tcn= 16 tcn= 16 tcn=20 КП820, КП830, КП840 '1,8 1,9 50... 160 (20 В; 0,5 А) 60 ... 170 (20 В; 0,5 А) SlOO;SlO* 10... 25 (20 В; 50 мА) 10... 25 (20 В; 50 мА) 10... 25 (20 В; 50 мА) Sl 1; S0,6*; Sl 1** SlO* ~7* (100 МГц) ~10** (100 МГц) ~.7** (100 МГц) КП901, КП902 S6 (250 МГц) Sl 1; S0,6*; Sl 1** ~6,6* (250 МГц) ~0.8** (60 МГц) ~0,8** (60 МГц) Sl 1; S0,8*; Sl 1** ~0,8** (60 МГц) S8 (250 МГц) 1, 1
Раздел КП903А С p-n переходом 3. Полевые транзисторы ~0,05* 6* . 5 ... 12 20; 20* 15 700 S700; КП903Б 6* 1... 6,5 20; 20* 15 700 S480; S0,05* КП903В 6* 1... 10 20; 20* 15 700 S600; S0,05* 75* 75* 70; 90* 70; 90* 30 30 5А ЗА S350;S200* S350;S200* 4* 60; 70* ±30 350 ~О; Sl* КП905Б 4* 60; 70* ±30 350 ~О; Sl* КП905В 4* 60; 70* ±30 350 ~О; Sl* 11,5* 60; 70* ±30 2,7 А SlOO; SlO* КП907Б 11,5* 60; 70* ±30 1,7 А SlOO; SlO* КП907В 11,5* 60; 70* ±30 1,3 А SlOO; SlO* и n-каналом КП904А С изолированным затвором КП904Б и индуцированным n-кана­ лом КП905А С изолированным затвором и n-каналом КП907А С изолированным затвором и n-каналом " КП908А С изолированным затвором КП908Б и индуцированным 3,5* 3,5* 40; 50* 40; 50* 20 20 15* 45 40 (имп.) 280 200 S25; S0,5* ~5; S0,2* п-каналом КП921А С изолированным затвором 10 А S2,5 (40 В) и индуцированным каналом КП921Б n-типа 15* 2... 8 40 ±40 КП922А С изолированным затвором и индуцированным n-кана­ КП922В лом 60* 60* 60* 2 ... 8* КП922Б 100 100 100 ±30 ±30 ±30 2 ... 8* 2... 8* 7А 10 10 10 S2,5 (40 А 2 А 2 А 2 В)
Параметры полевых транзисторов 85 ... 140 (8 В) Sl8 50... 130 (8 В) Sl8 60 ... 140 (8 В) Sl8 269 ~.09** (30 МГц); $10; ~7.6* ~О,09* (30 МГц); SlO; ~7,6* ~.09** (30 МГц); SlO; ~7,6* s5** (100 кГц) КП903 ~· (100 кГц) -- s5** (100 кГц) - ~50** (60 МГц) ~30** (60 МГц) ~13* (60 МГц) 250 ... 510 250 ... 510 s300 (30 В) s300 (30 В) 18 ... 39 В; 50 мА) 18 ... 39 (20 В; 50 мА) 18 ... 39 (20 В; 50 мА) S7; S0,6*; S4** ~1 **; ~8* Sl 1; S0,6*; S4** ~6* (1 Sl3; S0,8*; S6** ~4* (l ГГц) с & и КП904 (1 ГГц) КП905, КП907 (20 110... 200 (20 В; 0,5 А) 100... 200 (20 В; 0,5 А) 80.. .110 (20 В; 0,5 А) ~24 ~24 (20 В; 80 мА) (20 В; 80 мА) SЗ* ГГц) S6,5 ( 1ООО МГц) (25 В) ~4** (1 ГГц) S2;S2* S3* (25 В) ~3** (1 ГГц) S2;S2* SЗ* В) (25 ~.5 (25 В); S0,6* S6,5 (25 В); S0,6* ~5** (0,4 ГГц) ~l ** (1,76 ГГц) $25 S2;S2* КП908 3
Раздел 270 3. Полевые транзисторы 100 100 100 100 ±30 ±30 ±30 ±30 100* 50; 60* 20 12 КП923Б 100* 50; 60* 20 8А S50;S50* КП923В 50* 50; 60* 20 6А S25;S25* КП923Г 50* 50; ЬО* 20 4А ::;25;S25* 250* 50; 60* 25 21 А ::;150;:5:150* 250* 55; 65* 25 16 А Sl50;Sl50* 450 300 5 5 10 (15*) 10 (15*) КП922А1 С изолированным затвором КП922Б1 и индуцированным КП922В1 п-каналом КП922Г1 КП923А С изолированным затвором 60* 60* 60* 60* 2... 8* 2... 8* 2... 8* 2... 8* 10 А 10 А 10 А 10 А 2 2 2 2 S50;S50* А и п-каналом КП928А С изолированным затвором и каналом п-типа КП928Б КП934А Со статической индукцией, КП934Б с каналом п-типа 40* 40* КП937А С р-п переходом и 50* -15 450; 475* 20 17,5 А 50* -15 450; 475* 20 17,5 А 500; 500; 450; 400; 300; -5 -5 -5 -5 -5 А А п-каналом КП937А-5 С р-п переходом и п-каналом КП938А С р-п переходом и КП938Б п-каналом КП938В КП938Г КП938Д 50* 50* 50* 50* 50* 500* 500* 450* 400* 300* 12 12 12 12 12 А А А А А S3* $3* :5:3* $3* S3*
271. Параметры полевых транзисторов 1000... 2100 1000 ... 2100 1000 ... 2100 1000 ... 2100 (1 (1 (1 (1 А) А) А) А) ~2000 (20 В) ~0.2 S2000 (20 В) S2000 (20 В) S2000 (20 В) S0,4 Sl s0,17 SlOO; ~100* SlOO; SlOO* SlOO; SlOO* SlOO; SlOO* КП922-1 и 1,15 2. 5 1,9 .......... 1,1 ~~ ~1000 (20 В; 3 А) S400 (10 В) ~50** (1 ГГц); КП923 ~4* ~700 (20 В; 3 А) S400 (10 В) ~25** (1 ГГц) ~550 (20 В; 2 А) S220 (10 В) Sl; ~25** (1 ГГц) ~350 S220 (10 В) S3; ~17** (l ГГц} :2:4* ~4* 3ат6оР. ~4* (20 В; 2 А) 1800 (20 В; 3 А) 530 (10 В); 50* 1800 (20 В; 3 А) 530 (10 В); 50* S0,4; ~6,2* ~250** (0,4 ГГц) S0,4; :2:6* (0,4 ГГц) ~200** h21э=l0 ... 80 (5 А) h21э=10 ... 80 (5 А) SO,l SO,l 20* (5 В; 5 А) ~0,07 SlOO; ~500* SlOO; S2500* КП934, КП937 N-№27.1;:s ..... - -+---+--+ ~ ~ :2:20* (5 В; 5 А) h21~20* h21~20* (5 (5 h21э220* (5 h21э~20* (5 h21~20* (5 В; В; 5 5 В; 5 В; 5 В; 5 А) А) А) А) А) КП937-5 S0,07 S0,07 S0.07 SO,l sO,l SO,l S200 S200 S200 S200 S200 КП938 N№27.t ;:s ..... ~ ~ -+---+---1-
Раздел З. полевые транзисторы 272 Реи max, Тип Структура прибора Uзи отс, Uеи max, Uзи пор, Uзе max, в в С изолированным затвором 30* -1,5 ... -4,5 30* • lc, в lc. и, lc ост, мА 50; 50* 20 15 А S0,5; Sl * -1,5 ... -4,5 60; 60* 20 10 А S0,5; Sl * 30* 1,5.. .4,5 50; 50* 20 15 S0,5; Sl * 30* 1,5.. .4,5 70; 70* 20 10 А 15 15 мВт • Реи т max, Вт КП944А - • • Uзи max, мА Ie нач, и р-каналом КП944Б - КП945А С изолированным затвором А и n-каналом КП945Б КП946А БСИТ КП946Б n-канал КП948А БСИТ - КП948Б n-канал КП948В КП948f 40* 40* - 400 200 5 5 20* 20* 20* 20* - 400 300 370 250 5 5 5 5 5А - 36; 41* 36; 41 * 36; 41 * 20 20 20 600 600 600 ' - А S0,5; ~1 * - А 5А 5А 5А - / КП951А-2 С изолированным затвором, КП951Б-2 с n-каналом КП951В-2 3* 3* 3* S6* sб·Sб* Sl; S2* S2; S4* S2;S8* , КП95ЗА- БСИТ КП95ЗБ n-канал КП95ЗВ КП95Зf КП95ЗД КП954А БСИТ КП954Б n-канал КП954В КП954f ' 50* 50* 50* 50* 50* - 450 300 450 300 450 5 5 5 5 5 15 15 15 15 15 40* 40* 40* 40* - 150 100 60 20 5 5 5 5 20 20 20 20 А А А А А А А А А - - - .
Параметры полевых транзисторов S, • С1 lи, С12и, мА/В_ С22и, пФ ;::.3000 <10 В; 4 А) ~3000 (10 В; 4 А) 273 Rси отк, Ом Кш,дБ к;,Р, дБ • Uw,MKB Рвых, Вт Е~*, нвNrц Q***, К.л •• лuЗИ*, мВ 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) tвкл, НС • tвыкл, НС 1;•, мrц дUзи/дт***, Корпус мкв/•с ~.3 - 90; 120* ~.4 - 90; 120* КП944, КП945 - 2,35 0,5 ~ G,6 5.2 --_, - ' '~ - ' IQ' ~ ~300 ~2300 (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) - ~.l 600 (25 В; 1 МГц) 150* 600 (25 В; l МГц) 300** ~.15 - 60; 180* - ~ :, - с - 0,1 0,1 - КП946, КП948 80 80 :r • 10.65 ~ - 0,15 0,15 0,15 0,15 - lt)" 80 80 80 80 - ~ ~ - "" 1,Jt '1,8 - .... "1 ~ ~" , j С'1 -э-" ...... i:D 3 ~ с - ~3** (0,4 ГГц) (0,4 ГГц) ~15** (0,4 ГГц) ~5** - 1,15 25 - 20 _, - 'lJJ 1 i ..,а ' /~, ' ~ ~ J а1 1 1 а\ 1Е 0,15 КП9БЗ 100** 100** 100** 100** КП954 0,03 0,03 0,025 0,025 50; 50; 50; 50; 1 _~ ~. 'и~ 1 с 'и. 50** 50** 50** 50** 50** 150; 150; 150; 150; 150; 1,1 1,9 КП951 . 0,06 0,06 0,06 0,06 0,064 !о- и 2.5 ~200 (10 В; 0,5 А) ~500 (10 В; 1,5 А) ~1000 (lO В; 3 А) - 0.8 1/,57 1 11'" - f~дs rи i\I 1}1 60; 180* • 15,9 5 l С'1 ~ ~~ 1 3-lfHllfН'И c...rw 1,15 1 ~;;...- ., .... 1-11. 2.5_ - т 2. 5 1.~,9~._1,..._1_
Раздел З. Полевые транзисторы 274 Реи max, Тип прибора Структура мВт • т max, Реи Вт КП955А БСИТ КП955Б n-канал 70* 70* Uзи отс, Uеи max, Uзи пор, Uзе max, в в ... - lc, • в lc. и, 5 5 20 20 Uзи max, • 700 450 Ie нач, Ic ост, мА мА - А - А ' КП956А БСИТ КП956Б n-канал КП957А БСИТ КП957Б п-канал КП957В - 10* 10* - 10* 10* 10* - - 350 200 5 5 2А 800 800 700 5 5 -5 1А - 2А - lA 1А 1 КП958А БСИТ КП958Б п-канал КП958В КП958f КП959А БСИТ КП959Б п-канал КП959В КП960А БСИТ КП960Б р-канал КП960В КП961А БСИТ КП961Б п-канал КП961В КП961f КП961Д КП961Е КП964А БСИТ КП964Б р-канал КП964В КП964f 70* 70* 70* 70* - 150 100 60 20 7* 7* 7* - - 7* 7* 7* - - 5 5 5 5 30 А 30 А 30 А 20 А - 220 200 120 5 5 5 200 200 200 - - 220 200 120 5 5 5 200 200 200 - 10* 10* 10* 10* 10* 10* - 120 80 60 40 20 10 5 5 5 5 5 5 5А 5А 5А 5А 5А 5А - 40* 40* 40* 40* - 150 100 60 20 5 5 5 5 - - - - . 20 - - - - А - 20А 20 А 20А - 1 "
Параметры полевых транзисторов 275 Rси отк, Ом S, мА/В Кш,дБ к;.Р, дБ • Uw,MKB Рвых, Вт Е~*, нВ/vfц дUЗн, мВ Q***, К.л •• 0,04 0,003 tвкл, НС • 1;•, мrц tвыкл, НС Корпус дUзи/дт***, мкв/·с КП955 100; 100** 100; 100** 15,9 5 IJU~ tn к ;:(' ~ U а зси 0,6 0,6 100; 50** 100; 50** 0,8 0,8 0,8 80; 50** 80; 50** 80; 50** 0,02 0,02 0,02 0,02 80; 80; 80; 80; КП956, КП957 КП958 100** 100** 100** 100** 15,9 tn' ;:(__ 5 '1 ~~ исз 57 57 57 200** , 200** 200** КП959 57 150** 150** 150** КП960 57 57 0,16 0,13 О, 11 0,10 0,10 0,8 40; 40; 40; 40; 40; 40; 100** 100** 100** 100** 100** 100** КП961 0,93 0,03 0,025 0,025 50; 50; 50; 50; 100** 100** 100** 100** КП964 :5- fJJ.6. ~-t._,в_ 10,55 ,.........,.....н.,.--,"'""'1 _,, 1,3.....rт....,..~--­ ,,,... j~ 3 и --- -- С'1 1."3.1---.,,.4'11Ш :i '<:!' с 1,15 2.5_-__,.__-Е--2.,,_5 1.'--,9,..._,.......,-,..;..1,_1-
Раздел З. Полевые транзисторы 276 Реи max, Тип Структура прибора мВт • т max, Реи Вт Uзи пор, Uеи max, Uзе max, в· в Uзи отс, • • Ie, lc. и, • Uзи max, в мА le нач, 1с• ост, мА , КП965А БСИТ КП965Б р-канал КП965В КП965f КП965Д КП971А БСИТ КП971Б п-канал КП97ЗА БСИТ КП97ЗБ п-канал КПС104А Сдвоенные, с р-п переходом КПС104Б и п-каналом 10* 10* 10"' 10* 10* - - 250 160 120 60 20 5 5 5 5 5 100* 100* - 900 800 5 5 100* 100* - 700 600 5 5 - 5А 5А 5А 5А 5А ' - 0,25".1,5 0,25".1,5 0,35 ... 1,5 1,1".3 25; 30* 25; 30* 30 30 - 1".20 1."20 25; 25; 25; 25; 25 25 25 25 - 15; 15; 15; 15; 20* 20* 20* 20* 0,5 0,5 0,5 0,5 КПС203В-1 30 (55°С) 30 (55°С) 30 (55°С) кпс2озr-1 ЗО (55°С) 0,2".2 0,2".2 0,4".2 1".3 15; 15; 15; 15; 20* 20* 20* 20* 300 300 1".5 0,4".2 60 60 60 60 0,3".2,2 0,3."2,2 1,3".4 2,5".6 КПС202Б-2 и п-каналом КПС202В-2 кпс202r-2 КПС20ЗА-1 Сдвоенные, с р-п переходом КПС20ЗБ-1 и р-каналом КЦСЗ15А · КПС315Б Сдвоенные, с р-п переходом и каналом п-типа - А 0,5 0,5 0,5 0,5 0,4".2 0,4".2 0,4".2 1."3 Сдвоенные, с р-п переходом А - 60 60 60 60 КПС202А-2 30 30 Sl,5 Sl,5 Sl,5 S3 30* 30* 30* 30* 30* 30* КПС104Е - - 25; 25; 25; 25; 25; 25; КПС104f А А S0,8 S0,8 S0,8 S0,8 S0,8 s0,8 0.2 ... 1 0,2".1 0,4 ... 2 0,4".2 0,8".3 0,8."3 КПС104Д 25 25 - 45 45 45 45 45 45 КПС10~В - -30; -30; -30; -30; -30; -30; 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 - КПСЗ16Д-1 Сдвоенные, с р-п переходом КПСЗ16Е-1 и канаЛО!\1 п-типа КПСЗ16Ж-1 КПСЗ16И-1 25* 25* 25* 25* - ,
Параметры полевых транзисторов 277 Rси отк, Ом к;,Р, дБ S, мА/В •• Рвых, Вт лuЗИ, мв Кш, дБ • Uw, мкВ Е~*, нвNrц Q***, К.л tвкл, НС • 1;•, мrц tвыкл, НС дUзи/дт***, мкВ/"С 40; 40; 40; 40; 40; 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,04 0,04 Корпус КП965 200** 200** 200** 200** 200** КП971, КП973 200 150• -r--~15.+:,9"81 - 5 D 1'".о. j, ::... ".:r11;:::::8===t 0,03 0,03 150 150 с-..,~ i tn '$!......._____. 1 р._ '~ ~ зси ~.35 (tO В) ~.35 (10 В) ~.65 (10 В) ~1 (10 В) ~1 (10 В) ~.65 (10 В) S4,5; S4,5; S4,5; S4,5; S4,5; S4,5; ~.5 (5 В) ~.5 (5 В) ~.65 (5 В) ~1 (5 В) ~.5 (10 В) ~.5 (10 В) ~.65 (10 В) ~1 (10 В) Sl,5* Sl ,5* Sl,5* Sl,5* Sl ,5* Sl,5* S6; s2* S6;S2* S6;S2* S6; s2* S6 S6 S6 S6 (1 О (10 (10 (10 В); В); В); В); S2* S2* S2* S2* S0,4* (1 О Гц) Sl * (10 Гц) КПС104 S20*** s50*** Sl50*** Sl50*** SlOO*** Sl50*** S20*** SlO*** SlO*** S30*** S30*** 30** 30** 30** 30** КПС202-2 S40*** S40*** Sl50*** Sl50*** КПС203-1 S30*** S30*** S50*** S50*** SЗО*** slO*** SlO*** S30*** S30*** S5*(10Гц) Sl * (10 Гц) S5* (10 Гц) S2,5* (10 Гц) Sl2* (10 Гц) - С1 з, и 1 ~2.8 (5 В) ~1 ... 5 (5 В) ~.5 ~.5 ~.5 ~.5 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 0,3 0,3 0,3 0,3 мА) мА) мА) мА) S8 (10 В) S8 (10 В) S6 S6 S6 S6 (10 В); S2* (10 В); S2* (10 В); S2* (1 О В); s2* S30*** s30*** SЗО***; 60** S30***; 60** s50*** s50*** s50*** S50*** S40*** S40*** S40*** S40*** 0,8 - - Н2 __ 2 - --с2 --з 6- КПС315 ~9,5 КПСЗ16
Раздел 278 Раздел 4. 4. Диоды Диоды Виды приборов и основные параметры 4.1. Диоды по функциональному назначению подразделяются на выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, варикапы. Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного тока промышленной частоты 50 Гц". 50 кГц в постоянный (например, КД102, КД106, КД204, КД212). Работу выпрямительных диодов характеризуют следующие основные параметры: • максимально допустимое обратное напряжение Uобр.mск любой формы и периодичности, которое может быть приложено к диоду; • • • • максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.mcк; постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе Unp; обратный ток утечки lобр при заданном обратном напряжении; рабочая частота fд, при которой обеспечиваются заданные токи, напряжение и мощность. Если частота переменного напряжения, приложенного к диоду, превышает fд, то потери в диоде резко возрастают и он нагревается. В состав параметров всех диодов входят также диапазон температур окружающей среды Т и максимальная температура корпуса Т к. В качестве выпрямительных используются диоды не только на основе p-n переходов (полупровод­ ник-полупроводник), но и на основе переходов металл-полупроводник, так называемые диоды с барьером Шатки, отличающиеся более высокими быстродействием и рабочими токами и меньшими значениями напряжений в прямом направлении, например КД238, КД2991, КД2998, КД419 (для преобразования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора). Диоды с барьером Шатки для импульсных устройств являются практически безынерционными, так как перенос заряда в них обусловлен только основными носителями. Для работы на более высоких частотах используются универсальные диоды, например КД401, КД407 (для детектирования сигналов до 300 кГц), КД409 (для селекторов телевизоров на частоты до 1 МГц), КД410 (для строчной развертки телевизоров), КД416 (для формирования импульсов с частотой 500 кГц), КД248 (для источников вторичного электропитания). В качестве выпрямительных диодов используются КД241 (демпфер в оконечных каскадах строч­ ной развертки телевизоров), КД226 (обеспечивает требования "мягкого" восстановления, поэтому у него нормируется скорость спада обратного тока восстановления 1 А/ мкс), КД223 (для автотрактор­ ных генераторов для работы в диапазоне температур -60".+150°С), КД2994 (для ВИП и систем телефонной связи, в частности для аппаратуры МТ 20/25). Выпрямительные диоды выпускаются в стеклянных (Д2, Д9, ГДl 13), металлостеклянных (Д7, Д101, КД202-КД210, Д226), металлопластмассовых (КД212, КД213) и пластмассовых (КД106, КД109, КД208, КД209) корпусах. Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов при переключении (малую инерционность). При переключениях диода из прям9го направления на обратное (запирающее) накопленные носители зарядов обуславливают протекание через диод обратного тока, который может в течение некоторого времени значительно превышать статический обратный ток. Этот процесс называется переходным процессом запирания или процессом восстановления обратного сопротивления диода. При переключениях диода из запирающего направления в прямое имеет место переходный процесс установления прямого сопротивления диода. Такие диоды используются в каче~тве ключевых элементов схем с сигналами малой длительности. Наименьшее время переключения имеют диоды с выпрямляющим переходом металл-полупроводник. Основные параметры импульсных диодов: • время обратного восстановления диода tвос, обр интервал времени от момента подачи импульса обратного напряжения, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный ток диода уменьшается до заданного значения; • заряд восстановления диода Qвос - полный заряд диода, выте-кающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока 1-ta заданное обратное напряжение;
Видь~ приборов и основные параметры • 279 - время прямого восстановления диода tвос,пр время, в течение которого напря?f<ение на диоде ·ii устанавливается от нуля до установившегося значения; • максимальный ток восстановления loбp.max наибольший обратный ток через диод после - переключения напряжения на нем с прямого направления; • • постоянное прямое напряжение Uпр; емкость диода Сд; максимально допустимые значения обратного напряжения Uoбp.max и прямого тока Iпр. Примерами импульсных диодов являются КДl 16 max. (для гашения ЭДС самоиндукции электромагнит- ного реле и преобразования переменного напряжения), КДI 26, КДl 27 (для строчной развертки видеокамер), КД247, КД257, КД258 (со скоростью спада обратного тока 5-6 А/мкс), КД424 и КД805 (для импульсных и выпрямительных схем телевизоров), КД 411 (для цветных телевизоров), КД412 (для цепей регулирования вторичных источников электропитания, инверторов и прерывателей), КД503, КД509, КД5l2, КД5l3 (для быстродействующих устройств наносекундного диапазона), КД504 (для ограничения и модуляции импульсов), ГД507, ГД508 (для быстродействующих формирователей . импульсов), КД922 и КД923 (для преобразования переменного напряжения высокой частоты). Во многих случаях применения возникает проблема идентичности параметров диодов, подобран­ ных в одну группу или пару (особенно при разработке быстродействующих схем). Основным парамет­ ром, по которым должна быть обеспечена аналогичность диодов, является прямое падение напряжения (иногда и значение емкости). Обратный ток при этом не играет существенной роли, так как в быстродействующих схемах для кремниевых диодов значение обратного сопротивления много больше нагрузки. Для обеспечения идентичности диодов при работе в широком диапазоне токов и температур требуется их подбор в нескольких точках вольт-амперных характеристик. Например, выпускаются сдвоенные диоды КД205, два диода с общим катодом (ОК) КД704, два последовательно соединенных диода КД629 (для АТС МТ-20), КДС413 - диодные сборки из 12 диодов с ОК, КДС414 - диодные сборки из 12 диодов с общим анодом (ОА), КДС415 - диодные сборки из шести изолированных диодов (для применения в дешифраторах, диодных функциональных преобразователях и умножителях), КД238 - сборка из двух диодов с барьером Шотки с ОК (для ВИП в качестве выходного двухтактного выпрямиtеля со средней точкой), КД901 - матрицы из одного (группа Al ), двух (гр. Бl ), трех (гр. Bl) и четырех (гр. Гl) диодов с общим катодом; КД904 - матрицы из одного (гр. Al), двух (гр. Бl), трех (гр. Bl) и четырех (гр. El) диодов с ОА; КД908 - матрицы из восьми диодов с ОК; КД910 матрицы из одного (гр. Al ), двух (гр. Бl) и трех (гр. Bl) диодов; КД911 - матрицы из одного, двух или трех диодов с ОК; КД9l2, КД9l3 соответственно с ОА и ОК; КД917 бескорпусные матрицы с шариковыми выводами из трех диодов - - матрицы из восьми диодов с ОА в корпусе для микросхем. Принцип действия варикапа основан на свойстве емкостей p-n перехода изменять свое значение при изменении внешнего смещения. Изменяя напряжения на варикапе, подключенном к колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной частотой контура в перестраиваемых генераторах и синтезаторах частот. Таким образом, варикап представляет собой малогабаритный электронный конденсатор переменной емкости, управляемый напряжением. По функциональному назначению и технологии изготовления приборы этого класса подразделя­ ются на: варикапы общего назначения с резкой зависимостью емкости от напряжения, высоковольтные матрицыj умножительные, а также высокодобротные варикапы с резкой зависимостью емкости от напряжения; варикапы для телевизоров и аппаратуры всеволнового диапазона с очень резкой зависи­ мостью емкости от напряжения. Основными параметрами варикапов являются: • номинальная Сном, минимальная Cmin и максимальная Cmax емкости между выводами при номинальном, максимальном и минимальном напряжениях смещения; • номинальная добротность Qном - отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь при номинальном напряжении; • коэффициент перекрытия по емкости Кс емкостей; • температурный коэффициент емкости ас в (ТКЕ) - .отношение значений максимальной и минимальной - относительное изменение емкости варикапа при заданном смещении в интер~але температур; • максимально допустимые напряжения Umax - максимальное мгновенное значение переменного напряжения, при котором сохраняется заданная надежность и мощность Ртах.
Раздел 280 4. Диоды В варикапах имеется взаимосвязь между некоторыми параметрами: увеличение Кс однозначно приводит к уменьшению Qв и пробивного напряжения Uпроб. Из множества выпускаемых варикапов необходимо отметить КВ 127 (со сверх резкой проводимо­ стью для АМ-устройств), КВ130 -(для селекторов каналов на полевых транзисторах с большим коэффициентом перекрытия), КВ142 (с большим коэффициентом перекрытия по емкости для диапазо­ нов ДВ, СВ и КВ приемников), КВ138 (для блоков УКВ радиоприемников), КВ136 (для схем управления кварцевых генераторов), КВ129А9, КВ1ЗОА9, КВ134А9 (для поверхностного монтажа), КВ139 (для диапазонов СВ, ДВ и растянутых диапазонов КВ с управляющим напряжением до 5 В, для малогаба­ ритных радиоприемников с электронной настройкой), КВ144 (для селекторов каналов кабельного телевидения), КВ101 (для радиокапсул медицинской аппаратуры), КВlоЗ·, КВ106 (для схем умножения частоты и частотной модуляции), КВС.111 (сдвоенные с общим катодом, для перестройки блоков УКВ радиоприемников), КВ112А-1, KBl 14, KBl 16, КВ126 (для гибридных микро.схем), КВ102, КВ104, КВ105, КВ107, КВ109, KBl 10, KBl 13, KBl 15 (подстроечные для подстройки контуров резонансных усилителей), КВ 11 7 (подстроечные с большим коэффициентом перекрытия по емкости и резкой зависимостью емкости от напряжения), КВ 119 (подстроечные для настройки широкополосных усили­ телей), КВС120 (КВС120В - сборки из трех варикапов, КВС120Б - сборки из двух варикапов с общим катодом) для электронной настройки приемников, КВ 121, КВ 123 (подстроечные для селекторов телевизионных каналов с электронным управлением), КВ122 (подстроечные для селекторов телевизи­ онных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением), КВ 127 (подстроечные для электронной настройки приемников), КВ 128 · (подстроечные для блоков УКВ автомобильных приемни­ ков и магнитол), КВ129 (подстроечные для схем частотных модуляторов), КВ132 (подстроечные для ЧМ-трактов приемно-усилительной аппаратуры), КВ134, КВ135 (подстроечные для избирательных цепей радиоприемников). Следует отметить и варикапы, выпускаемые в пластмассовых корпусах: КВ121, КВ122, КВ123, КВ127, КВlЗО, КВ132, КВ134, КВ135 и др. Стабилитроны напряжения от имеют на протекающего вольт-амперной характеристике участок со слабой зависимостью тока, поэтому уровень напряжения на них остается постоянным при изменении тока в широких пределах. Рабочий участок вольт-амперной характеристики стабилитронов находится в области электрического пробоя p-n. перехода. Стабилитроны подразделяются на: стабилит­ роны общего назначения, термокомпенсируемые и аттестуемые прецизионные. Стабилитроны общего · назначения используются прежде всего в стабилизаторах и ограничителях постоянного тока или импульсного напряжения, термокомпенсированные и преци~ионные - в качес'!:ве источников эталон­ ного или опорного напряжения. в устройствах, где необходима высокая точность стабилизации уровня напряжения. Основными параметрами стабилитронов являются: • • • • • номинальное напряжение стабилизации Uст; динамическое rдин и статическое rстат сопротивления; температурный коэффициент напряжения стабилизации аuст (при постоянном токе стабилиза­ ции); мощность рассеяния Рпр; номинальный сток стабилизации Iст.ном - ток, при котором определяются значения классифи­ кационных параметров; • минимальный ток стабилизации Icт.min (при токах меньше Icт.min увеличивае.тся дифференциаль­ ное сопротивление, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микроплазменные шумы); • максимально допустимый ток стабилизации Icт.max рассеиваемой мощностью. - определяется максимально допустимой Для снижения аuст (в термокомпенсированных стабилитронах) в корпусе размещаются последо­ вательно соединенные p-n переходы, работающие в прямом направлении, с равными по значению, но противоположными по знаку температурными коэффициентами стабилизации (КС211, КСБ 15, КС596). В качестве источников опорного напряжения могут использоваться не только дискретные, но и интегральные стабилитроны. Прецизионные интегральные стабилитроны превосходят классические дискретные прецизионные стабилитроны по основным параметрам и имеют ряд· эксплуатационных преимуществ (не требуется прецизионное поддержание рабочих режимов по температуре окружающей среды и току стабилизации). Основные недостатки дискретных прецизионных стабилитронов (высокое
Буквенные обозначения параметров диодов 281 rст, зависимость аuст от Iст) устраняется в интегральных стабилитронах с помощью схемотехнических решений. , Интегральные стабилитроны в зависимости от используемого опорного элемента создаются на основе как электрического пробоя обратносмещенного термокомпенсации, так и прямосмещенных стабилитроны, имеющие Ucт:::l ,2 ... 2,5 В, p-n p-n перехода с использованием эффекта переходов. Низковольтные интегральные прецизионные изготовляются по совмещенной технологии с лазерной подгонкой тонкопленочных резисторов на кристалле ИС, обеспечивающей режим оптимальной компен­ ,сации и гарантирующей высокое значение аuст. Для изготовления стабилитронов с Uст=8 В используется стандартная технология ИС, не требующая лазерной подгонки. Совместная реализация принципов термокомпенсации и термостабили­ зации кристалла ИС позволила создать стабилитроны с аuст=10"4 ... 10" 5 %/ 0 С. Базовые серии интег­ ральных стабилитронов позволяют создать на их основе источники опорного напряжения с широким спектром номинальных значений Uст: 1,2; 2,4; 5; 7,5; lOB. Стабисторы являются разновидностью стабилитронов; для стабилизации напряжения до здесь используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики 4.2. p-n перехода. Буквенные обозначения параметров диодов Буквенное обозначение по ГОСТ отечественное 25529-82 Параметр международное Общие параметры диодов Iпр IF Постоянный прямой ток. Iпр, и IFM Импульсный прямой ток. Iпр, ер IF(AV) Средний прямой ток. lобр IR Постоянный обратный ток. lобр, и IRM Импульсный обратный ток. lобр, вое IRR Обратный ток восстановления. Uпр UF Постояюrое прямое напряжение. Uпр, и UFM Импульсное прямое напряжение. Uпр, ер UF(AV) Среднее прямое напряжение. Uобр UR Постоянное обратное напря,жение. Uобр, и URM Импульсное обратное напряжение. Uпроб U(BR) Пробивное напряжение. Uпр, вое UFR Напряжение прямого восстановления. Uпр, и, вое UFRM Импульсное напряжение прямого восстановления. Рпр PF Прямая рассеиваемая мощность. Ри Рм Импульсная рассеиваемая мощность. Рер р Средняя рассеиваемая мощность. Робр PR Обратная рассеиваемая мощность. Гдиф r Дифференциальное сопротивление. Гп Гs Последовательное сопротивление потерь. Re Rth Тепловое сопротивление. Rеи R(th)P Импульсное тепловое сопротивление. Rепер-окр Rthja Тепловое сопротивление переход-среда. Rепер-кор Rthje Тепловое сопротивление переход-корпус. Сд Ctot Общая емкость. Спер Cj Емкость перехода. - 1 В
Раздел 282 Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82 4. Диоды Параметр международное отечественное Скор Cease Емкость корпуса. Qвое - Заряд восстановления. Qнк Qs н акопленныи заряд. tвое, обр trr Время обратного восстановления. tвое, пр trr Время прямого восстановления. / " Параметры выпрямитепьных диодов Iпр, и. п IFRМ Повторяющийся импульсный прямой· ток. Iвп, ер lo Средний выпрямленный ток. IF(RМS) Действующий прямой ток. Inp, уд IFSM Ударный прямой ток. Inpr l(OV) Ток перегрузки. lобр, и, п IRRМ Повторяющийся импульсный ток. lобр, ер IR(AV) Uобр. и, р URWM Рабочее импульсное обратное напряжение. Uобр. и, п URRМ Повторяющееся импульсное обратное напряжение. Uобр, и, нп URSM Неповторяющееся импульсное обратное напряжение. Uпор U(TD) Пороговое- напряжение. Рпр, ер PF(AV) Средняя прямая рассеиваемая мощность. Робр, ер PR(AV) Средняя обратная рассеиваемая мощность. Робр, и, п PRRМ Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность. Iпр. д ) - / Средний обратный ток. Параметры стабипитронов Iет Iz Ток стабилизации стабилитрона. Iет, и Izм Импульсный ток стабилизации стабилитрона. Iет min Iz min Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона. Iет max Iz max Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона. Uет Uz Напряжение стабилизации стабилитрона. fет rz аuет auz; Sz Дифференциальное сопротивление стабилитрона. - Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона. бuет; Лuет бuz Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона. Основные параметры варикапов, шумовых диодов и стабисторов Qв Q,M Добротность варикапа. Кс - Коэффициент перекрытия по емкости варикапа. Uш Unz - ls Ток стабилизации стабистора. - IL Предельный ток стабистора. - Us Напряжение стабИлизации стабистора. UL Предельное напряжение стабистора. - als Температурный коэффициент тока стабилизации стабистора. \ Постоянное напряжение шумового диода.
Параметры диодов, столбов и блоков 283 4.3. Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип прибора в Ucitsp и max1 в Inp max 1 мА l",f· ер max 1 мА Inp, и max 1 мА fд max1 кГц Uпр. В, не бо.nее lобр, мкА не бо.nее (при 1пр 1 мА) (при Uобр 1 В) 1 (5) 1 (9) 1 (2) 1 (4,5) 1 (4,5) 1 (2) 1 (2) 100 (10) 250 (30) 250 (50) 250 (50) 250 (100) 250 (150) 250 (100) 3 3 3 3 3 3 3 100 (50) 100 (100) 100 (150) 100 (200) 100 (300) 100 (350) 100 (400) - - - - tвос, обр1 мкс Сд, пФ (при Корпус Uобр1 В) / Д2Б Д2В д2r Д2Д Д2Е Д2Ж Д2И Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж Д9Б Д9В Д9Г Д9Д Д9Е Д9Ж Д9И Д9К Д9Л Д9М Д10 Д10А Д10~ 10 30 50 50 100 150 100 16 25 16 16 16 8 16 100 100 100 100 100 100 100 50 100 150 200 300 350 400 300 300 300 300 300 300 300 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 10 30 30 30 30 50 100 30 30 100 40 20 30 30 20 15 30 30 15 30 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 1 (90) 1 (10) 1 (30) 1 (60) 1 (30) 1 (10) 1 (30) 1 (60) 1 (30) 1 (60) 250 (10) 250 (30) 250 (30) 250 (30) 250 (30) 250 (50) 120 (100) 60 (30) 250 (30) 250 (100) 10 10 10 16 16 16 100 100 100 1,5 (3) 1,5 (5) 1,5 (8) 100 (10) 200 (10) 200 (10) 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 (300) (300) (300) (300) (300) (300) (300) 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) - - Д2 7,5_ -1 1~ '& --::: •*• Д7 ~I~e ' Д9 чt аеЮ - 9,5 .U..e Д10 7,5 1 ~ '& ---".*. 1 ---, 1~ Д101 Д101А 75 75 - 30 30 2 (2) 1 (1) 10 (75) 10 (75) - - Д101 ~ie~I:~ Д102 Д102А 50 50 - 30 30 2 (2) 1 ( 1) 10 (50) 10 (50) - - Д102 ~t~:~ КД102А КД102Б 250 300 50 50 - 1 20 1 (100) 1 (100) 0,1 (250) 1 (300) - - КД102 =Jf}=~t / Попярность Д103 Д10ЗА 30 30 30 30 - 2 (2) 1 (1) 30 (30) 30 (30) - - Д103 ~te~:~
214 Раздел Uобр max, 'lип в прибора Uсiбрн max, Inp max, мА In,l>. ер max. мА 1.пр. и max, мА в КД10ЗА КД103Б 50 50 50 50 fд max, кГц 20 20 lобр, мкА Unp• В, не более не более (при Inpo мА) (при Uобр, В) l (100) 1,2 ( 100) 0,5 (50) 0,5 (50) tвос. обро мкс l 4 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uобро В) 20 (5) 20 (5) / КД103 =~i:=~t / Попярность Д104 Д104А 100 100 30 30 150 150 2 (2) l ( l) 5 (100) 5 (100) 0,5 0,5 ().,7 (l) 0,7 (0,3) Д104 4в~:~ КД104 300 . 50 20 l (10) 3 (300) 3 - КД104 =4}=~1 / попярность Д105 Д105А 100 100 150 150 30 30 2 (2) l (l) 5 (75) 5 (75) 0,5 0,5 0,7 (l) 0,7 (0,3) ~i4:~ f КД105Б КД105В КД105Г 400* 800* 800* 300 300 300 l l l l (300) l (300) l (300) 100 (400) 100 (600) 100 (800) Д105 - - КД105 - 1~ --- \(') Д106 Д106А 100 100 30 30 150 150 2 (2) l (l) 5 (30) 5 (30) 0,5 0,5 0,7 (l) 0,7 (0,3) 7 - ...... ...... -- Д106 4~:~ КД106А 100* 300; 3* А l l (300) 10 (100) 0,385 КД106 74".153 (5) 1 \(') ГД107А ГД107Б 15 25 20 20 - l (10) 0,4 (1,5) 20 (10) 100 (20) - - 7 -- - -- ... '"' -- ГД107 ~=f eeJ~ 7.5~Э=е
параметры диодов, столбов и блоков Uобр max1 Тип в прибора u:isp и max, в КД109А КД109Б КД109В 100* 300• 600* Inp max 1 мА fд max, l".f• ер max1 мА кГц Inp. и max 1 мА - 300 300 300 285 Uпр, В, 1обрr мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp1 мА) (при Uобр, В) 1 (300) 1 (300) 1 (300) 100 (100) 100 (300) 100 (600) tвос, обрr мкс Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) - - 10 3 '--- - КД109 - ~ , АДНОА 30 10 1000 1,5 (10) 5 (20) АД110 с:-.. ~ '' - 15,5 - 29 АД112А 50 300 1 - 3 (300) 100 (50) - - с:: r~ ,..... i:::= - АД112 ~1~~ в ti 4J ГД113А 115* 15 - 1 (30) 250 (80) - - rднз 7,5_ ' - * '-1 ~ 1 ---, . '& . г-- '~ КД116А-1 КД116Б-1 100 50 25 100 - S0,95 (25 мА) Sl (25 мА) 1 (100 В) 0,4 (50 В) вl,5 S4 - КД116-1 01,0 cilft Д202 100 400 20 1 (400) 500 (100) - - Д202 ~ ..... ,,_ t:-"1~1D --.ЦIL..:.::J ~ 35 кд202А кд202В кд202Д кд202Ж кд202К кд202М КД202Р Д203 50* 100* 200• 300• 400* 500* 600* 5А 5А 1,2 1,2 1,2 1,2 1,'2 1,2 1,2 200 400 20 5А 5А 5А 5А 5А 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 А) А) А) А) А) А) А) 1 (400) 800 (50) 800 (100) 800 (200) 800 (300) 800 (400) 800 (500) 800 (600) - - 500 (200) - - - - - - - кд202 37 ~ - "& - ~ - .г-1119.r А. LJl111' l:t Д203 1 ..... _.__ ,,_ ~ - dlг:;l ~1~ 35 -- - -
286 Раздел Uобр max, Ти'п прибора в u.:ip и max, в Inp max, мА l'f, ер max, мА Iпр. и max, мА fд max, кГц lобр, мкА Uпр, В, не бoJJee не бoJJee (при Inp, мА) (при Uобр, В) 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 1 1 1 1 1 1 (5 А) 1 (10 А) 1 (5 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 мА (800 В) 1,5 мА (800 В) 1,5 мА (1000 В) 1,5 мА (1000 В) 1,5 мА (400 В) 1,5 мА (600 В) 1500 (600) 1500 (800) 1500 (800) 1500 (1000) 1500 (1000) КД203М 420 560 560 1000 720 800 800 1000 1000 400 600 Д204 300 400 20 1 (400) 500 (300) КД203А кд203Б КД203В кд203Г кд203Д кд203Е кд203Ж кд203И кд203К КД203Л - tвос, обр, мкс 4. Диоды Сд, пФ (при- Корпус Uобр, В) - - - КД203 f ' ~ г:r: 1 _,~ LJ,_ с-.... ~ '& L/7 - ~ Д204 - '[, 35 ' кд204А КД204Б КД204В 400* 200• 50* 400 600 1А 1,4 (600) 1,4 (600) 1,4 (600) 1 1 1 150 (400) 100 (200) 50 (50) - 1,5 1,5 1,5 - - F=l'lilГ'::l . F=liJIL.::J - - ~ - кд204 ....... f""""""9 "'---- 111.,..1 Q) ~ .... N lllN~ о. п.,.- _20.32 -l1,5 ~ Д205 400 400 1 (400) 20 500 (400) - - Д205 . Ejf11D ~ ~ 1111 "'11 '""' -- 35 КД205А кд205Л 500 400 300 200 100 500 600 700 100 200 500 500 500 500 500 300 500 300 700 700 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Д206 100 400 1 кд205Б кд205В КД205Г КД205Д КД205Е КД205Ж кд205И КД205К , 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (300) 1 (500) 1 (300) 1 (700) 1 (700) 100 100 100 100 100 100 lQO 100 100 100 1 (100) 50 (100) (500) (400) (300) (200) (100) (500) (600) (700) (100) (200) - - - - КД205 ~:~~1r ~~ Д206 ~r*e3 КД206А КД206Б КД206В 400 500 600 10 А 10 А 10 А 1 1 1 1,2 (1000) 1,2 (1000) 1,2 (1000) 700 (400) 700 (500) 700 (600) 10 10 10 - кд206 ~ ~ N ..,;;: ~а '& Д207 200 400 1 1 (100) 50 (200) - 11.~ 20 - \.., ~ " 1:'LJ ' ~ [, Д207 - -- '*" с--. .....: - 'S. '~ -- g .- ~~
Параметры диодов, столбов и блоков Тип прибора Uобр max, в UC:Sp и max, -в Д208 300 Inp max, мА 1".f, ер m8 x, мА Inp, и max 1 мА 400 fд max, кГц l 287 Uпр. В, lобр, мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp, мА) (при Uобр, В) l ( l 00) 50 (300) tвос, обрt мкс - Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) - Д208 ~r~E3 КД208А 100 1,5 А l (1000) l 100 (100) - - КД208 7 - " - -- -- ~ '"" '~ КД208А-1 100 1,5 А l (l А) 100 (100 В) - - КД208-1 l .1_1' - -к -- ~ 1.1') ~~ 5 Д209 400 400 l ( 100) l 50 (400) - у r\._ '& - Д209 ~r~E3 кд209А кд209Б кд209В 400 600 800 700 500 500 l (700) l (500) l (500) l l l 100 (400) 100 (600) 100 (800) - - КД209 7 '~ -- ~ кд209А-1 КД209В-1 кд209Г-1 400 600 800 1000 700 7,00 500 200 l (0,7 l (0,7 l (О,5 l (0,2 А) А) А) А) 30 (400 В) 30 (600 В) 30 (800 В) 50 (1000 В) - - l l l l КД209-1 1.1') ~~ ~-/ - '& 500 400 l l ( l 00) 50 (500) - - 1' - к JI \. . Д210 --- ,_., '"" ,, ' кд209Б-1 - ~ 5 - Д210 ~r~~E3 КД210А КД210Б КД210В кд210Г Д211 800 800 1000 1000 600 5А 10 А 5А 10 А 400 l l l l l l 2 2 2 (10 (10 (10 (10 А) А) А) А) l (100) 4,5 мА (800) 4,5 мА (800) 4,5 мА (1000) 4,5 мА ( 1000) 50 (600) - - - - КД210А - ~i 11,5 20 -d ...,......-QI.. -- -=t--,.. 1-1 j ~ ' Д211 ~r~~E3 -
Раздел 288 Тип Uo6pmax1 в прибора U~p и max, в КД212А КД212Б КД212В КД212Г lnpmaxt мА In,f, ер max1 мА lnp, и maxt мА 1А 1А 1А 1А 200 200 100 100 fд maxt кГц 100 100 100 100 Uпр, В, lобр1 мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp 1 мА) (при Uобр, В) 1 (1 А) 1,2 (1 А) 1 (1 А) 1,2 ( 1 А) 50 (200) 100 (200) 100 (100) 100 (100) tвос, обр1 мкс Сд, пФ (при Корпус Uo6p1 В) 0,3 0,3 0,5 0,5 45 45 45 45 (100) (100) (100) (100) 550 550 550 550 (100) (100) (100) (100) КД212 4 ~f . КД213А кд21ЗБ КД213В кд21зr 200 200 200 100 10 10 10 10 А А А А 1 (10 А) 1,2 (10 А) 1,2 (10 А) 1,2 (10 А) 100 100 100 100 200 200 200 200 (200) (200) (200) (100) 0,3 0,17 0,5 0,3 КД213 rJfl/ /::) ~ Д214 Д214А Д214Б 10 10 100 100 100 А А 5А 1,2 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 1,1 1,1 1,1 3 3 3 мА мА мА (100) (100) (100) - С>1 - " "-" t'8 ,_ , Д215Б 200 200 200 10 10 А А 5А 1,2 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 1,1 1,1 1,1 3000 (200) 3000 (200) 3000 (200) - 1 ( 100) 1 50 (800) - "" - LL - 100 100 1 ( 100) 1,1 (100) 1 1 50 (1000) 50 (1200) - ~ tt - ----- 1.А ·- 1000 1200 = = 18 ~ - мд218А :t мд217 - мд218 R= 1= 1:::: гr - 'S. 100 1:::: - - Д215 "-" t'8 800 ... п ~ МД217 "" - ... :._Q 'S. Д215А t:::lt::I Д214 ~ Д215 4. Диоды ~ ~ ~ 10 МД218 -- 18 - -- - ,-- ..... - ) КД221А КД221В КД221Г 100 200 400 600 0,7 0,5 0,3 0,3 А А А А 1,4 (0,7 1,4 (0,5 1,4 (О,3 1,4 (0,3 1 1 1 1 А) А) А) А) 50 (100) 50 (200) 100 (400) 150 (600) 1,5 1,5 1,5 1,5 - ~ <О КД221В1 КД22tn КД221Д1 КД221Е1 700 500 300 300 700 300 1 1 1 1 1 1 -- ~ '""' . --- - ' 100 200 400 600 100 400 7 1 С") кд221А1 10 КД221 'S. КД221Б1 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 ' ~. КД221Б ~ ~.....:- (0,7 (0,5 (0,3 (0,3 (0,7 А) А) А) А) А) (О,3 А) 50 (100 В) 50 (200 В) 100 (400 В) 100 (600 В) 50 (100 В) 100 (400 В) 1,5 1,5 1,5 1,5 1,8 1,8 - КД221-1 - ~ &1 !__ -- к }\ -'\.. Jt 5
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max1 Тип в прибора u:isp и max1 в Iпр maxi мА l",f· ер max1 мА Iпр, и max 1 мА fд max1 кГц 20 30 40 2А 2А 2А - Д223Б 50 100 150 50 50 50 - КД223А 200 КД222А-5 кд222Б-5 КД222В-5 Д223 Д223А 2 А; 50 А* 1,5 289 Uпр, В, 1обр 1 мкА не бо.nее не бо.nее (при 1пр 1 мА) (при Uобр, В) 0,55 (2 0,55 (2 0,55 (2 А) А) А) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1,3 (6 А) 2 2 2 tвос. обр1 мкс Сд, пФ (при - - 1 (50) 1 ( 100) 1 (150) - - 10 (200) - - мА мА мА (20 (30 (40 В) В) В) · Корпус Uобр, В) КД222-5 0,5 ~[] J Д223 ~i~:~ КД223 9,65 -N <О - '& Д226 Д226А Д226Е КД226А- КД226Б КД226В КД226Г КД226Д КД226Е МД226 МД226А МД226Е - 1 (300) 1 (300) 1 (300) 50 (400) 50 (300) 50 (200) - 2А 50 50 50 50 50 50 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,3 (1 А) 50 (100) 50 (200) 50 (400) 50 (600) 50 (800) 10 (600) 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 300 300 300 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (300) 50 (400) 50 (300) 50 (200) - - - - 300 300 300 100 200 400 600 800 600 1,7 1,7 1,7 1,7 1,7 400 300 200 - 1 1 1 400 300 200 А А А А А Д229Б Д229В Д229Г Д229Д Д229Е Д229Ж Д229И Д229К Д229Л Д231 Д231А Д231Б 200 400 100 200 400 400 100 200 300 400 400 400 400 400 300 400 700 700 700 700 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (700) 1 (700) 1 (700) 1 (700) 50 (200 )" 50 (400) 200 (100) 200 (200) 200 (300) 200 (400) 200 (100) 200 (200) 200 (300) 200 (400) 300 300 300 IOA . 10 А l, I 1,1 l, 1 1 (!О А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (300) 3000 (300) 3000 (300) 5А - - _\ 1" - КД226 - 9,65 - - --- ~r~e3 - - 1.А '"' Д226 - \ Д229А --,, -- - N сО ·~ '& ~- МД226 J ~r~e3 Д229 -~ ,, - -~· ~l 1~:· , . . - - - 35 - Д231 ~ '& - - ... " "'-с:-... "" ·- - .ГJ. ...-. = - 1 1- = ;;; ~
Раздел 290 Uобр max, Тип в прибора U~p и max, Inp max, мА 1",f, ер max, мА Inp, и max 1 мА в Д232 Д232А Д232Б кГц 1, 1 1,1 1,1 IOA IOA 400 400 400 fд maxt 5А Uпр, В, lобр, мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp• мА) (при Uобр, В) 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (400) 3000 (400) 3000 (400) tвос, обрt мкс - Сд, пФ (при Uобр, В) Корпус - Д232 "" -- ,, ~ r-...~ .-1 с:-... '& - Д2ЗЗБ IOA 500 500 l, l 1,1 5А 1 (10 А) 1,5(5А) 3000 (500) 3000 (500) - - u·- '& \W 1,1 1,5 (5 А) 3000 (600) - - -t:: "" - " ~ -~ - г:[ ... tJ... -Q 1:: j= r-...~ с:-... '& 1:: ' Д237Б Д237В Д237Е Д237Ж 200 400 600 200 400 300 300 100 200 200 1 1 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (100) 1 (200) 1 (200) 50 50 50 50 50 (200) (400) (600) (200) (400) - - - 200 (25) 200 (25) 200 (25) $0,25 S0,25 $0,25 $0,25 S0,25 S0,25 - ~ Д234 - Д237А о ,::: г[. 1::. - 1J' 1:: - ,::: - с:-... 5А ... "" -r-...~ 600 ~ 1::. Д233 ~ Д234Б - ... .:!. - ' Д233 4. Диоды Д237 ~IE3~e3 ' КД238АС КД238БС КД238ВС КД240А КД240Б КД240В КД240Г КД240Д КД240Е КД240Ж КД240И КД240К КД241А 25* 35* 45* 7,5; 75* 7,5; 75* 7,5; 75* А А 2А 200* 400* 600* 200* 400* 600* . 200* 400* 600* 1500* А 20 20 20 20 20 20 1 1 1 2А 2А !А 1А 1А 2* А 2* А 2* А 2 А; 5* 10".200 10... 200 10... 200 А 20 0,65 (7,5 0,65 (7,5 0,65 (7,5 А) А) А) 1,45 (3 А) 1,45 (3 А) 1,45 (3 А) 1,35 (1,5 А) 1,35 (1,5 А) 1,35 (1,5 А) 1,15 (3 А) 1,15 (3 А) 1,15 (3 А) 1,4 (2 А) <lмА (25) < lмА (35) <!мА (45) 30 30 30 30 30 30 30 30 30 (200 В) (400 В) (600 В) (200 В) (400 В) (100 В) (200 В) (400 В) (600 В) 1 (1500) $1,5 КД238, КД240 ' - 4,8 10,65 т т 1 °'"""" ~~ - JW с-., ..;::,.~ 1 о 'А1КА2 КД241А F2~ Д242 Д242А Д242Б 100 100 100 10 10 А А 5А 1,1 1, 1 1, 1 l,25 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (100) 3000 (100) 3000 (100) - - ::з 10 Д242 " ~ r-...~ "" - r:!. '& ... ' Д24ЗА Д24ЗБ 200 200 200 IOA 10 А 5А 1, 1 l, l 1,1 1,25 (10 А) 1 (!О А) 1,5 (5 А) 3000 (200) 3000 (200) 3000 (200) - ..,, 1:: - 1I' 1:: с:-... Д243 ~ - R. j= Д243 ~ ~ r-...~ с:-... ,, '& "" _п .... - -u - = = R. = tt ;;;; ::::J
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип прибора в Uc':isp и max, в КД24ЗА КД24ЗБ КД243В КД243Г КД243Д КД24ЗЕ КД24ЗЖ КД244А КД244Б КД244В КД244Г Inp max, мА 1",f, ер max, мА Inp, и max, мА 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 50 100 200 400 600 800 1000 100 100 200 200 6* 6* 6* 6* 6* 6* 6* 10 10 10 10 А А А А А А А А fд maxr кГц 1 1 1 1 1 1 1 200 200 200 200 А А А 291 Uпр, В, не более lобр, мкА не более (при Iпр, мА) (при Uoбpr В) tвос, обрt мкс Сд, пФ (при (1 А) (1 А) (1 А) (1 А) (1 А) (1 А) ( 1 А) 10 (50)' 10 (100) 10 (200) 10 (400) 10 (600) 10 (800) 10 (1000) - - 1,3 (10,А) 1,3 ( 10 А) 1,3 (10 А) 1,3 (lQ А) 100 (100) 100 (200) 100 (100) 100 (200) 0,05 0,035 0,05 0,035 - l, l l, l 1,1 l, l l, l l, l l, l Корпус Uобр, В) КД243 ~i ",Е; JЕЗ КД244 ~ 1/.8 10,Ь -- v ~i ' 1 Ш'№ Д245 Д245А Д245Б 300 300 300 - 10 10 А l, l 1,1 1,1 А 5А l,25(10A) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (300) 3000 (300) 3000 (300) - Д245 -, - "" ~ "'h "- с-.... = = q, Q = :Т ~ ' Д246А Д246Б 400 400 400 10 10 А 1,1 1,1 l, l А 5А 1,25 (10 А) . 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (400) 3000 (400) 3000 (400) - - Д246 //// - ~ ~ "'h с-.... -_, - ГJ L~, ' Д247Б 500 500 10 А 1,1 l, l 5А 1,25 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (500) 3000 (500) - - - - "'h с-.... 'S. КД247Е 100 200 400 600 800 50 Д248Б 600 кд247В КД247Г КД247Д 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 30• 30• 30* 30• 30• 30• А А А А А А 5А А) 5 (100) 5 (200) 5 (400) 5 (600) 5 (800 В) 5 (50 В) Sl50 Sl50 Sl50 Sl50 S250 Sl50 - А) 3000 (600) - - 150 150 150 150 150 150 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 (1 (1 (1 (1 (1 (1 А) 1,1 1,5 (5 А) А) А) А) ' " //// ' , 'S. 15* А - 1,5 (5 А) 2 (200) <250 - КД257Б 400 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (400) <250 - КД257В 600 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (600) <250 - КД257Г 800 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (800) <300 - КД257Д 1000 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (1000) <300 - ~ ::t Д248 с-.... А; = ~i ЕЭlЕ; JЗЕ3 "'h 3 = кд247 ~ 200 п"'" Li = -- КД257А ~ //// ~ КД247Б = Д247 ~ КД247А ..... - ,::= 'S. Д247 -- - r:r. 'S. Д246 D - 1...1 ц_ "..... t::l = = j= КД257 ::>С: 25.4 :::1~ :::J 7 со С") \S1
Раздел 29-2 Uoop maxt Тип в прибора U~рн mix, в lпр maxt мА 1"/· ер maxt мА lпр, и maxt мА fд max, кГц не бoJiee loop, мкА не бoJiee (при Iпро мА) (при Uoop~ В) Uпр, В, tвос, обр, мкс Сд, пФ (при Корпус Uoopt В) КД258А 200 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (200) <250 - КД258 КД258Б 400 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (400) <250 - . КД258В 600 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (600) <250 - КД258Г 800 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (800) <ЗОО - А - 1,6 (З* А) 2 (1000) ЗА; ЗОО* А 250* А - 0,65 (ЗА) 0,75 (ЗА) 0,85 (ЗА) 0,85 (ЗА) 0,9 (ЗА) 0,9 (ЗА) 0,95 (ЗА) 0,95 (ЗА) 1 (ЗА) 1,1 (З.А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА ЗА; 1000 КД268А КД268Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД268И зоо КД268К З50 КД268Л 400 КД269А КД269Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД269И зоо 5А КД269К З50 5А КД269Л 400 5А КД270А КД270Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД270И зоо КД270К З50 КД270Л 400 КД271А КД271Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД268Б КД268В КД268Г КД268Д КД268Е КД269Б КД269В КД269Г КД269Д КД269Е КД270Б КД270В КД270Г КД270Д КД270Е КД271Б КД271В КД271Г КД271Д КД271Е 7,5* ЗА; ЗА; ЗА; 200* А 150* А ЗА - ЗА ЗА - ЗА - ЗА - ЗА 5 5 5 5 А; 450* А А; ЗОО* А А; 240* 210* А; А А 5А 5А 5А 7,5 7,5 7,5 7,5 А; А А; А 850* 700* А; 600* А; 525* 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А А А 10 А; 1000* А 10 А; 800* А 10 А; 700* А 10 А; 600* А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А - - КД271И зоо КД271К З50. КД271Л 400 IOA - КД272А 25 КД272Б 50 КД272В 15 А; 1400* А 15 А; 1200* А 15 А; 1000* А 15 А; 800* А 15 А 15 А 15 А 15 А 15 А 15 А - КД272Ж 75 100 150 200 250 КД272И зоо КД272К 350 400 КД272Г КД272Д КД272Е КД272Л КД273А КД273Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД273И зоо КД27ЗК З50 КД27ЗЛ 400 КД273Б КД273В КД273Г КД273Д КД273Е 20 А; 1800* А 20 А; 1500* А 20 А; 1400* А 20 А; lЗОО* А 20 А 20 А 20 А 20 А 20 А 20 А - - - <ЗОО З мА - З мА - 0,65 (5 А) 0,75 (5 А) 0,85 (5 А) 0,85 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,95 (5 А) 0,95 (5 А) 1 (5 А) 1,1 (5 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА - З мА - З мА - 0,65 (7,5 А) 0,75 (7,5 А) 0,85 (7,5 А) 0,85 (7,5 А) 0,9 (7,5 А) 0,9 (7,5 А) 0,95 (7,5 А) 0,95 (7,5 А) 1 (7,5 А) 1,1 (7,5 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА - З мА - 0,65 (10 А) 0,75 (10 А) 0,85 (10 А) 0,85 (10 А) 0,9 (10 А) 0,9 (10 А) 0,95 (10 А) 0,95 (10 А) 1 (10 А) 1,1 (10 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА З мА 0,65 (15 А) 0,75 (15 А) 0,85 (15 А) 0,85 (15 А) 0,9 (15 А) 0,9 (15 А) 0,95 (15 А) 0,95 (15 А) 1 (15 А) 1, 1 (15 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 5 мА 5 мА 5 мА 0,65 (20 А) 0,75 (20 А) 0,85 (20 А) 0,85 (20 А) 0,9 (20 А) 0,9 (20 А) 0,95 (20 А) 0,95 (20 А) 1 (20 А) 1,1 (20 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 5 мА 5 мА 5 мА З мА З мА З мА - - - - / А 1.1') -- ['\_ - ~~ & КД258Д 4. Диоды - - 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 }._~ у 5 КД268 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 - ~ ~ 10,Ь //,8 v ~i фl~ g А к КД269 10,Ь ~ ~ _ ~i ж1ш т g А к ' //,8 КД270 10,Ь - _ v ~ ~ ...... 1 ж1ш к //,8 g А КД271 - 10,Ь //,8 v ~i ~ Ж1Ш к g А КД272 10,Ь ~ . t ~i ж1ш к А - //,8 v g КД273 1D,b ~ • , ~i ж1ш к А //,8 т g
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр maxt Тип в прибора U~p и maxt в КД2988А КД2988Б КД2988В 800 600 400 lпр maxt мА lп/, ер max, мА lпр, и maxt мА 15 15 15 А; А; А; 100* 100* 100* А А А Uпр, В, loop, мкА не бoJiee не бoJiee (при lпр, мА) (при Uoбpt В) 1,6 (15 А) 1,5 (15 А) 0,1 0,1 0,05 fд max, кГц 293 - 1,4(15А) tвос. обро мкс 0,3 0,3 0,3 С4 , пФ (при Корпус Uoop, В) - КД2988 10,!J - - -" !.fJ ~ ' i Ж'~ КД2991А 45* 60 А 0,7 (60 А) 10... 200 50 мА (35 В) - - 1Г D КД2991 г-1 .... . ~- - " ) 1 .... 1...-L с-... с-.. "&. 1/7 КД2994А 200 20 А 1,3 (20 А) 200 100 (100) 0,05 - КД2994 10,!J - , !.fJ ~ ~ i Ш1W КД2995А КД2995Б КД2995В КД2995Г КД2995Д КД2995Е 50* 70* 100* 150* 200* 100* 25 А 25 А 25 А 25 А 25 А 25 А 20".200 20".200 20".200 20".200 20."200 10."200 1,1 1,1 1,1 1,1 1,1 1,1 (30 А) (30 А) (30 А) (30А) (30 А) (30 А) 10 (50 В) 10 (70 В) 10 (100 В) 10 (150 В) 10 (200 В) 10 (100 В) S0,05 S0,05 S0,05 S0,05 S0,05 S0,01 - - D КД2995 --. -............... lh.- н1 ..... t-""""" 111• "'J ...-- !1.5 - - -КД2996А КД2996Б КД2996В 50* 70* 100* 50 А 50 А 50 А 20... 200 20".200 20".200 1 (50 А) 1 (50 А) 1 (50 А) 25 (50 В) 25 (70 В) 25 (100 В) S0,06 ~О.06 S0,06 - КД2997А кд2997Б, КД2997В 200; 250* 100; 200* 50; 100* --- кд2998А КД2998В КД2998Г кд2998Д 15* 20* 25* 35* 30* - - .. 200 200 200 1 (30 А) 1 (30 А) 1 (30 А) 200 (200) 200 (100) 200 (50) S0,2 S0,2 S0,2 - 30 30 30 30 30 А А А А А ~. lt"""""" 20,32 - ' КД2998Б .111."J " 11,~ 30 А; 100* А 30 А; 100* А 30 А: 100* А 20,32 ~ c--i 'tl. - lh.- ____. - -_,.- КД2996 ~ . 1Г ~ N 'tl. - КД2997 d~ 28 ......._ 28 ~ ~ --! -10".200 10."200 10".200 10."200 10".200 0,6 0,6 0,7 0,7 0,7 (30 (30 (30 (30 (30 А) А) А) А) А) 20 20 20 20 20 мА мА мА мА мА {15 (20 (25 (35 (30 В) В) В) В) В) - - КД2998 - r---1 -- .". ..... ,,,...,_ n••"'~ " 11,5 - 20.32 - - ~ N 'tl.
Раздел 294 Тип Uoop max1 в прибора U.it,p и max1 в КД2999А 200; 250* 100; 200* 50; 100* КД2999Б КД2999В lпр max 1 мА fд max1 lnJ," ер max1 мА lnp, и max 1 мА кГц 20 А; 100* А 20 А; 100* А 20 А; 100* А Uпр1 В, lобр1 мкА не бoJiee не бoJiee (при 1пр 1 мА) (при Uoop1 В) 1 (20 А) 1 (20 А) 1 (20 А) 200 (250) 200 (200) 200 (100) 100 100 100 tвос, обр1 мкс s;0,2 . ::>0,2 s;0,2 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uoop1 В) - КД2999 ~~ 28 28 ~ ~ -- ~ --- ,_ - ! Д302 Д303 Д304 Д305 200 150 100 50 1А 1 1 1 1 ЗА 5А 10 А 0,3 (! А) 0,35 (3 А) 0,3 (5 А) 0,35 (10 А) 800 (200) 1000 (150) 2000 (IOO) 2500 (50) - - Д302-Д305 20,J ~' --.;: ~.1:: "& КД401А 75* 75* 30 30 1 (5) 1 (10) 150 150 5 (75) 5 (75) 2 2 ГД402Б 15 15 30 30 60 МГц IОМГц it езi3 0,45 (15) 0,45 (15) 50 (10) 50 (10) - t:Г~ ....... КД401 1 (5) 1,5 (5) - ГД402А - ~" R= С()1 КД401Б !1,5_ - - 0,8 (5) 0,5 (5) i 12 ~еа ГД402 7.S ~= еэ31~5=еа ГД403А ГД403Б ГД403В 5 5 5 5 5 5 465 465 465 0,5 (5) 0,5 (5) 0,5 (5) - - - ГД403 it езi3 ' КД407А 24 50 (50."300) - 0,5 (24) - 12 1 (5) Eiea КД407 МГц ~ЕЭ~ЕЗ ; 7,S ' КД409А 24 50 (50 ... 300) - 0,5 (24) - 2 (15) КД409 МГц -- ~1~ N ~ ' F --'- -КД409А-9 КД409Б-9 40 40 100; 500* 50; 500* - 1,2 (0,1 А) 1 (0,1 А) 0,5 (40 В) 0,5 (40 В) ,- 1 1,5 - , ~ " КД409-9 J О,95 ~~х
295 Параметры диодов, столбов и блоков Uoop max, Тип в прибора U~p н max, в КД410А КД410Б 1000 600 Iпр maxt мА Iп/· ер max, мА Iпр. н max, мА 50 50 fд max, кГц - Uпр, В, Ioop, мкА не бoJiee не более (при Iпр, мА) (при Uoop, В) 2 (50) 2 (50) 3 мА (100) 3 мА (100) fвос. обрt мкс 3 3 С 4 , пФ (при Корпус Uoop, В) - КД410 - ()5 ~~= ·- КД4НА КД4НБ КД4НВ КД411f 700* 600* 500* 400* 2А 2А 2А 2А 30 30 30 30 1,4 (1 А) 1.4 (1 А) 1,4 (1 А) 2 (1 А) 700 700 700 700 (700) (600) (500) (400) 25 25 - - КД411 - - s::::= 1"' ::J D - - i:::::=J[] ('\ а: КД4НАМ КД4НБМ КД411ВМ КД411ГМ КД412А КД412Б КД412В КД4J2Г 700* 750* 600* 500* 1000* 800* 600* 400* 2А 2А 2А 2А 20* 20* 20* 20* А А А А 30 30 30 30 20 20 20 20 1,4 (1 А) 1,4 (1 А) 1,4 (1 А) 2 (1 А) 2 2 2 2 (10 (10 (10 (10 А) А) А) А) 300 300 300 300 (700) (750) (600) (500) 100 (!'ООО) 100 (800) 100 (600) 100 (400) 0,5 0,5 1,5 1,5 1,5, 1,5 1,5 1,5 - r..... ' _""&. - 20* 20* 100 100 МГц МГц 1 (20) 1 (20) - - " '~ -- 915-- -- КД412 ~ 11,5 24 24 -.- -----=-- --- = il@jg! 10,2 t КД413Б ~ КД411М ~1 КД413А 5 18 -- 20,3 11 КД413 0,7 0,7 ~ \.t) t__ ----' _" --, "&. ~- 1 КД416А КД416Б 400 200 300; 15* А 300; 15* А 0,5 0,5 3 (15 А) 3 (15 А) 400 (400) 200 (200) - ос::: . КД417А 24 20 - - 1 (20) - - КД416 - --- J - 1 1~ ---SU 5 18 ~ КД417 0,4 ~ , \.t) _" _ _ .J ~ "&. L - r 1 КД419А КД419Б КД419В КД419Г КД4J9Д 15 30 50 15 10 10 10 10 10 10 400 400 400 400 400 МГц МГц МГц МГц МГц 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 (1) (1) (1) (1) (1) 10 10 lO 10 10 (15) (30) (50) ( 15) (10) - <1,5 <1,5 <1,5 <2 <1,0 < Ч:. _" "&. КД424А КД424Б КД424В 250 200 150 350 (2* А) 350 (2* А) 350 (2* А) IОМГц 10 МГц 10 МГц 1,1 (300) 1,1 (300) 1,1 (300) 0,1 (250) 0,1 (200) 0,1 (150) <1000 <1000 <1000 <10 <10 <10 КД419 ~ _J --, i г--- КД424А ~t ES1E 5,~ JES
Раздел 296 Uoop max, в Тип прибора U~p и max1 в КД503А КД503Б 30 30 lnp max1 мА lп/, ер max1 мА кГц lпр, и max1 мА 350 350 20 20 Ioop1 мкА U11p1 В, не бoJiee не бoJiee (при Inp1 мА) (при Uoop1 В) 1 (!О) 1,2 (10) 10 (30) !О (30) fд max, МГц МГц tвос, обр, мкс 0,01 0,01 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uoop1 В) 5 2,5 i КД503А, Б 7,5 ~=еэ~еа КД503В 10 - 10 (2 А*) - <1,3 (10) <1 (10) <50 КД503В <6 ~t ЕЭ\; _," КД504А 40 - 240 1,2 (!()()) 2 (40) - 20 (5) - КД504 ~ieзi( ~" ГД507А 20 - 16 0,5 (5) 50 (20) 0,1 0,8 (5) ГД507 i 7,5 ~еэ~еа • ГД508А 8 10; 30* - ГД508Б 8 10; 30* - 0,75 (10 мА) 0,65 (10 мА) 60 (8 В) - 100 (8 В) - 0,75 (0,5 В) 0,75 (0,5 В) "' ГД508 ~=еэ~еа ; 7,5 , КД509А 50 100 - 1,1 (0,1 А) 5 (50 В) 0,004 ~4 (О В) КД509 - 1/.11 -- 1 С"/ . -- '3.. ~- ' КД510А 50 200 - 1,1 (0,2 А) 5 (50 В) ~О.004 ~4 (О В) . КДSJО -- -- С"/ '3.. КД512А 15 20 - 1 ( 1) 5 (15) 0,001 - 1 1 (5) "'." -- ~- КД512 ~= еа41 ~ Dзеа ; КДSJЗА 50 100 - 1,1 (100) 5 (50) 0,004 7,5 КД513 4 2,5 4,11 T~r&
Параметры диодов, столбов и блоков Uoop max, Тип прибора в UC:,p и max, в КД514А 10 lпр max 1 мА. fд max, lп/, ер max, мА lпр, и max, lltA кГц - 10 297 Uпр, В, loop, мкА не более не более (при Inp, мА) (при Uoop, В) 1 (10) 5 (6) tooc, обрt мкс - Сд, пФ (при Корпус Uoop, В) КД514 0,9 f 7,5 ~=ЕЭ~ЕЗ АД516А АД516Г 10 10 - 2 2 1,5 (2) 1,5 (2) 2 (10) 2 (10) 0,001 0,001 АД516 0,5 0,35 ~ ~ Е --- а6 ~ КД518А - - 100; 1,5* А 0,57 (1) - - - КД518 - КД519А КД519Б 30 30 ~~ - 30 30 1,1 (100) 1,1 (100) 5 (30) 5 (30) - КД519 4,0 2,5 - t ~еэ~ез ; 7,5 ! КД520А 15 - 20 1 (20) 1 (15) 0,004 КД520 3,0 (5) ~ ~ \.t) --~ . ~· . КД521А КД521Б КД521В КД521Г КД52Щ 75 60 50 30 12 - 50 50 50 50 50 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (75) 1 (60) 1 (50) 1 (30) 1 (12) 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 г-- КД521 (0) (О) (О) (О) (О) L J" ---, ...... ···- с-... '& J,8 КД521А2 КД521Б2 75 50 - 50 50 1 (50 мА) 1 (50 мА) 1 (75 В) 1 (75 В) 4 4 НС НС - КД521-2 4 4 , ' '=" с;,., N N r -- - \. , " -КД522А КД522Б 30 50 - 100 100 1,1 (100) 1.1 (100) 2 (30) 5 (50) 0,004 0,004 4,0 (О) 4,0 (О) -~ КД522 ' с-... '& ...... ···- - J,8 -- КД522А2 КД522Б2 30 50 100 100 ' - 1,1 (100 мА) 1,1 (100 мА) 1 (30 В) 1 (50 В) 4 4 НС нс КД522-2 4 4 , с;,., ' N ~ r -~ \.. -- - " j -~
Раздел 298 _IJoбp max, Тип в прибора u~ и max, в lnp max, мА lп/, ер max. мА lпр, и max, мА fд max, кГц loop, мкА не бо.пее (при lпр, мА) (при Uoop, В) 1,5 мА (2000 В) 1,5 мА (2000 В) 1,5 мА {1600 В) 1,5 мА (1600 В) 2 - 3 - 3 - 0,1 (90) - S35 (0) КД529А 2000 8А 5 3,5 (20 А) КД529Б 2000 8А 5 3,5 (20 А) (20.А) КД529В 1600 8А 5 3,5 КД529Г 1600 8А 5 3,5 (20 А) 90 200; 800* - 1 (200) КД629АС Сд, пФ Unp, В, не бо.nее tвос, обр, мкс (при Корпус Uoop, В) КД529 - r- - -- //О . i3= . - 2 ~ ~ '4':1 - О,95 ... & 1 ~е ,_.t:p 1 ljl К2 А1 . - 100; 500* 1,3 (100) <3 (70) ~45* х КД704 <1,5(0) j К1,~ ~Е . . . . . :" А1 { КД706АС9 70 100; 1,5* - А 1 (100 мА) 2,5 (70 В) 2,5 llC О,95 - '4':1 А c-.ie _.t:p 1 qJ К2 А1 - А 1 (100 мА) 2,5 (70 В) 2 нс j - - К1,А2 1 ~Е 50 200; 1,5* А - - 1,1 (0,2 мА) 1 (50 В) - 4 х КД707-9 1,8 - КД80ЗАС9 • j 1 100; 1,5* 12 А2 К1,А2 70 1 КД706-9 2,4 - КД707АС9 ~ КД629 К1,А2 70 а ' - j КД704АС 4. Диоды ~_.t:p 1 ql А1 К2 О.95 х КДSОЗ-9 j - О,95 кщх ~l:i . . . . : " А1 КД805А 75 200; 450* 1 МГц 1 (100) ~5 (75) ~4 S2 А2 12 • КД805 ~-t Е31Е 5,~ Je КД808А 25; 30* 200; 500* - 0,4 (10) 0,5 (25) ~5 SIO КД808 ~i Е31~ 5,~ Jез
Параметры диодов, столбов и бnоков Uoop max, Тип в прибора * и max1 Uoop в КДSНА КДSНБ кдsнв lпр max, мА ln,f, ер max 1 мА lпр, и max, мА fд lt13Xt кГц, 299 Uпр, В, не более (при lnp, мА) loop, мкА не более (при Uoop, 1 (50 мА) 1 (100 мА) 1 (50 мА) 75 50 50 В) tвос, обрt мкс 4 НС 4 НС 4 нс С 4, пФ (при Uoop, Корпус В) кдsн 3 3 3 ......._ ..... КДSНА-9 КДSНБ-9 КДSНВ-9 КД901А-1 Кд901Б-1 КД901В-1 КД901Г-1 КД90ЗА КД90ЗБ 1 (50 мА) 1,1 (100 мА) 1 (50 мА) 75 50 50 10 10 10 10 5; 5; 5; 5; 20 20 100* 100* 100* 100* IОМГц IОМГц IОМГц IОМГц 0,7 0,7 0,7 0,7 (1) (1) (1) (1) 1,2 (75) 1,2 (75) 75 75 4 нс 3,7 3 3 3 КДSН-9 4 нс 4 НС (10) (10) (10) (10) 520 :$;20 :$;20 :$;20 :$;4 (0,1) :$;4 (0,1) :$;4 (0,1) 54(0,1) КД901 0,5 (20) 0,5 (20) 150 150 150 (5) 150 (5) 0,2 0,2 0,2 0,2 1,0 1,0 - ~ КД903 ....... ~ag 1 j_ ~afO 2.8 КД904А-1 КД904Б-1 КД904В-1 КД904Г-1 КД904Д-1 КД904Е-1 КД906А КД906Б КД906В КД906Г КД906Д КД906Е 10; 10; 10; 10; 10; 10; l 2* 12* 12* 12* 12* 12* 75 50 30 75 50 30 5; 5; 5; 5; 5: 5; 100* 100* 100* 100* 100* 100* 100 100 100 100 100 100 10 МГц IОМГц IОМГц IОМГц IОМГц 10 МГц 100 100 100 100 100 100 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 (l) (1) (1) (1) (1) (1) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 (lO) (10) (10) (10) (10) (10) 2 (75) 2 (50) 2 (30) 2 (75) 2 (50) 2 (30) :$;JO :$;10 510 :$;10 :$;10 510 :$;2(0,1) 52 (0,1) 52 (0,1) 52 (0,1) :$;2 (0,1) 52 (0,1) 20 20 20 40 40 40 КД904 1 КД906 (5) (5) (5) (5) (5) (5) . ••• • •• • ......•
Раздел 300 Uoop max, Тип в прибора U~нmax, в КД907Б-1 КД907Г-1 40; 60* 40; 60* lпpmax, мА lп/· ер max, мА lпр. н max, мА fд max, кГц IОМГц 50; 700* 50; 700* IОМГц Uпр, В, не бoJiee (при lпр, мА) 1 (50) 1 (50) loopr мкА не бoJiee (при Uoop, В) tвос. обр, мкс 5 (40) 5 (40) 4. Диоды Сд, пФ (при Uoop1 :s;5 :s;5 Корпус В) (О) КД907-1 (О) V7/l1 l" ~ КД908А 40; 60* 200;-1,5* А КД908АМ 40;60* 200; 1,5* А КД909А 40 200 IОМГц 1,2 (200) 5 (40) sзо :s;5 <о> 1,2 (200) 1 (40) ~20 :s;S (О) 1,2 (200) 10 (40) 70 5 КД908 КД909 .••• ....... •• •• ....... КД910А-1 КД910Б-1 КД910В-1 5* 5* 5* 10* 10* 10* 0,8 (1) 0,8 (1) 0,8 (1) 0,5 (5) 0,5 (5) 0,5 (5) :s;l,5 :s;l,5 :s;l,5 (О,1) КД910-1 (О,1) (О,1) 7 ~ v'Q 1 К/19/ОА-1 КД91Оi-1 1 2 12 J uш КД911Б-1 5 5 10 10 0,6 (0.05) 0,6 (0.05) 0,5 (5) 0,5 (5) ~160 :s;160 " ~ 2 КД911А-1 ---п 1 ::: '10,01/ J КД9108-1 1 2 J" 00
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип в прибора U~нmax, в КД912А-З l11pmax, мА 1"/· ер max, мА lпр, и ma~, мА КД912В-З 5 5 5 3,5; 10* 3,5; 10* 3,5; 10* КД91ЗА-З 10 5; 200* КД912Б-З fд 111ах, кГц 10 10 10 МГц МГц МГц IОМГц 301 Uпр. В, lобр, мкА не бoJiee не бoJiee (при lпр, мА) (при Uобр, В) 0,5 (0,05) 0,5 (0,05) 0,5 (0,05) 0,2 (5) 0,2 (5) 0,2 (5) 0,48 (О.О!) 0,2 (10) tвос. обр. мкс $10 Сд, пФ (при Uoop, Корпус В) $1,8 (0,1) $1,8 (0,1) $1,8 (О,1) КД912 $4 (0,1) КД913 ~~1~~~160.25 0,04 К/IЮЧ КД914А КД914Б КД914В 20 20 20 1 (5) 1 (5) 1 (5) 20 20 20 1 (20) 1 (20) 1 (20) КД914 - 8,2 5) - • схемы включения см. КДС526 КД917А 40 КД917АМ 40; 60* КД918Б-1 40 40 КД918Г-1 200 200; 1,5* 50 50 А 10 10 МГц МГц 1,2 (200) 5 (50) 10 40 (0,05) 1,2 (200) 1 (40) $40 $6 (О) 1 (50) 1 (50) 5 (40) 5 (40) КД917 $6 (О) $6 (О) КД918 1111 1112 '6 ..... , ГЧ'у rli ,!, 5 1 "~- ~.J17 - !' t.2 t.3 !" ~ КД918Г-1
Раздел 302 Uобр max, Тип в прибора U~p и max, в КД919А lnp max, мА lnf, ер max, мА lnp, и max, мА 40 100 fд max, кГц - Unp, В, Ioop, мкА не более не более (при Inp, мА) (при Uoop, В) 1,35 (100) 1 (40) fвос, обр, мкс 100 Сд, пФ (при Корпус Uoop, В) КД919 6 ( 10) MDDD_~j; ~2,8 «:> "":)' ' КД922А КД922Б КД922В 18 21 10 50 35 10 lОМГц 1 (50) 1 (35) 1 ( 10) lОМГц lОМГц 0,5 (15) 0,5 (15) 0,5 (10) - 22 ~ 1 ...... "-'1 ' 100 0,7 МГц 1 (100) 5 (10) - 1 ::--, - ~ 14 - КД922 1 1 1 ~ КД923А 4. Диоды L r - КД923 3,6 ~i "l"; J"' Д1004 2 кВ 100 100 (2 кВ) 5 (100) 1 - - Д1004 М5 ' 14 Д1005А Д1005Б 4 4 кВ кВ 50 1_00 1 1 100 (4 кВ) 100 (4 кВ) 5 (50) 10 ( 100) - 57 ~ - Д1005 М5 тп* 'Б~fl 1" Д1006 6 кВ 100 1 100 (6 кВ) 10 (100) - m:s~roo - Д1006 М5 Д1007 8 кВ 75 1 100 (8 кВ) 10 (100) - . Д1008 10 кВ 50 1 10 (100) - - 100 ( 10 кВ) - - тп*l;I 1" Д1007 М5 10:;;1 1" Д1008 М5 Д1009 Д1009А 2 кВ 1 кВ 300 300 1 1 2,6 (300) 1,5 (300) 100 (2 кВ) 100 (! кВ) - - тп* ;~rl 1" Д1009 ~1~11: 2om"Н.tPl.2A * !/~ ~fl ~ • - , ..... ,.. 1 - /f _,,.,, 70 Y"L :.t
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр mвх, Тип прибора • в Uобр и mвх, в Д1011 500 Inp mвх, мА lnf, ер mвх 1 мА Inp. и max 1 мА fд 1nвх 0 кГц 300 303 U11p, В, lобро мкА не более не более (при Inpo мА) (при Uобро В) 1,5 (300) 100 (500) fвос, обро мкс Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) Д1011 - ~t#ill ~ -* 2omd~l/,2 , - 1 КДС111А КДС111Б КДС111В КДС413А КДС413Б КДС413В КДС414А КДС414Б КДС414В КДС415А КДС415Б КДС415В 300 300 300 200 200 200 20 20 20 1.2 (100) 1,2 (100) 1,2 (100) КДС111 3 (300) 3 (300) 3 (300) J 7,5 20; 30• 20; 30• 20; 30• 10; 100"' 10; 100"' 10; 100• 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 3 (О) 3 (О) 20: 30• 20; 30• 20; 30• 10; 100* 10; 100* 10; 100* 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 3 (О) 3 (О) 3 (О) 20; 30• 20: 30• 20; 30• 10; 1оо• 10; 100* 10; 100* 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 3 (О) 3 (О) 3 (О) JiV 3 (0) КДС415 - 1,2 а-О,О" с.: _ _ _ _ _ _ с:ас::а ----~ ~" 11111f\I \l\I • С'-., ' _ - ~·0.G uonono-..:.;..;~~ КДС523А 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) КДС523А, Б КДС523Б 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) ..,tг=ьа G;J КДС523В 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) КДС523Г 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) 'Н:d _g_ 2 о---+1>1,,._--о 1 о [)! J ol/ КДС523В, Г ~rn //о J о 20 1 о ()f ()f ()f l>f 1 о5 oG 07 08
Раздел 304 Uобр max, Тип В прибора U~p и mвх, в ln11 max, мА 1,~" ер mвх 9 мА lnp. и max, мА ~ fд mвxt кГц Uпр, В, не более (при Inp, мА) Ioop, мкА 11е более (при Uобр, В) tooc, обр, мкс 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) КДС523АМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523БМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 1/С 2 (0,1) КДС523ВМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523ГМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0.1) КДС523М 2о К] 1о К] oJ ol/ !~!1 ~11Ef lf о ~ Jо 2о 7о КДС525А 15 20; 200* ::>0,9 (2) SI (10) S5 llC S8 (5) КДС525Б 15 20; 200* ::>0,9 (2) ::>1 ( 10) ::;;5 нс s8 (5) КДС525В 15 20; 200* ::>0,9 (2) ::>1 ( 10) ::;;5 нс ::>8 (5) КДС525Г 15 20; 200* ::>0,9 (2) ::>1 ( 10) s5 нс S8 (5) КДС525Д 15 20; 200* g),9 (2) ::>1 ( 10) S5 нс S8 (5) КДС525Е 20 20; 200* ::>0,9 (5) ::>1 (20) ::>5 НС S8 (5) КДС525Ж 20 20; 200* ::>0,9 (5) SI (20) ::>5 нс s8 (5) КДС525И 20 20; 200* ::>0,9 (5) ::>1 (20) s5 нс S8 (5) КДС525К 20 20; 200* s0.9 (5) SI (20) S5 нс S8 (5) КДС525Л 20 20; 200* g),9 (5) ::>1 (20) ::>5 нс ::>8 (5) о5 06 i;.1 ~ ~ 07 ов КДС525 - - /f.ДС525А - КДС5255 21 ~"' IJ 21S::S1" !J J 12 J 12 = ~ ~ 11>1 ~~и~= 1~ ~ ~ь 7 01<3 ~g 6о!СЗ 8 КДС5258 ~g 8 J(ДС525Г 21~1'11~11/ 13 2 . 1J /, 12 12 " 11 ~11 10 5 о t43 10 7 ~9 g 8 7ot43 В КДС525Д 1 КДС525Е 11/ 2~'"2m1J 13 J 12 J ~о~ ~~5" б~ 7 1 08 КДС525Ж 2~1J11/ J п 11 19 7о~ ~8 КДС525Н 1~11/ 1J 2 о й· . ~б ~11 1/ o!Эif ~11 10 10 ) 1 2 5 7 КДС525К ~ 7о~ ~J КДС525Л ::S1" 11/ 2 1J TJ 12 J 12 11 'lolilal ~11 10 10 g 6:#:1 6 7 08
параметры диодов, столбов и блоков Uобр anaxt Тип в прибора * и maxo Uоб11 в КДС526А КДСБ26Б 15 15 l11p max, мА 1,~" с11 max 9 мА Inp. " 111ах, мА U11p, В, Ioop, мкА не более 11е более (при Inpt мА) (при Uобр, В) - fд ll13Xt кГц 305 20 - 1 (5) 20 - l (5) fooc, обро МКС 5 - 5 СА, nФ (при Корпус Uобр, В) нс КДСБ26 5 НС - 5 ', ~ ....; КДСБ26В 15 20 - 1 (5) - 5 нс 5,J 8,2_ j 5 • ' ~vvv КАС526А - 1 :"" ...... ...... 2 :, J :, ...... 1.А 4: 1.А '""' 5с 6: 1.А "" Kl,C52GI 1._ 1.А ·~ ....... 2: 3~ 5: '""' 6-" 1:-" 1.А N КДС5268 ...... ...... 2Jc 5: \,. КДС627А 50 200 - 1,3 (200) 2 (50) 40 КДС627 5 ' ~ - 1.А N '11 с::& 816 са С1 1 1 •8С1- -т- le 6,5 - КДС628А 50 200 - l,3 (200) 5 (50) ..... 50 'J.S КДС628 32 - 1= С1 са" ~ , - == §= 10~" ·==12 ' 1 ~=11 _7,8 ~ -- - КЦ105В 6000 КЦ10БГ 7000 8500 КЦ105В 100 75 50 10 !О 10 7 (100) 7 (75) 7 (50) 100 (6000) 100 (8000) 100 (10000) 3 3 3 - КЦ105 //О 10 ~f=WT _2,5 ~
Раздел 306 Uобр max1 Тип прибора в tJ~~~x, в КЦ106А КЦ106Б 4000 6000 КЦ106В 8000 КЦ106Г 10000 2000 КЦ106Д ' Inpmax1 мА In,f• ер max1 мА lnp. и max, мА 10 10 10 10 10 f~ max1 кГц 20 20 20 20 20 Unpr В, lобр1 мкА не более не более (при Inp1 мА) (при Uобр, В) 25 25 25 25 2& (10) (10) (10) (10) (10) Сд, пФ tвос, обр1 мкс 4. Диоды (при Корпус Uобр1 В) 5 (4000) 5 (6000) 5 (8000) 5 (10000) 5 (2000) 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 - КЦ106 ~11: ~г22 ' ., КЦ108А 2000 100 50 <6 (180) <150 (2000) 0,9 КЦ108Б 4000 100 50 <6 (180) <150 (4000) 0,6 ... 0,9 - КЦ108В 6000 100 50 <10 (180) <150 (6000) 0,6".0,9 - КЦ108 - ~t - КЦ108(А,5) е9 ·f&GЗ t Ф5 ~ езеfh9=е:з КЦ10ВВ ~t е9-f&сз 70 ~i ei-~e КЦ109А 6000* 300 - 7 (300) 10 (6000) 1,5 - КЦ109 О) "& \Г/'1 rt ---\.1 \L.J.. 1111 KЦlllA 3000 20 1 12 (1) 0,1 (3000) - - КЦ114А 4000 КЦ114Б 6000 50; 1000* 50; 1000* 10 10 <22 (50) <22 (50) KЦlll i;t &J*~ " <10 (4000) <10 (6000) 2,5 2,5 - - :г- 5 КЦ114 ~Efft~ 22 КЦ117А КЦ117Б 10000 12000 1,3 А ЗА - <35 (10) <35 (10) <1 (10000) <1 (12000) <300 <300 - ~ КЦ117 ~~~ ~· С1 c:r 19,5 КЦ201А КЦ201Б 2000 4000 500 500 1 1 3 (500) 3 (500) ·100 (2000) 100 (4000) - - - о ,5 КЦ201 м~t1_ 18
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип прибора в u.:,p и max, в lnp mвх, мА fд max, ln,l" ер max, мА lnp, и max, мА кГц 307 lобр, мкА Un 1" В, не более не более (при Inp, мА) (при Uoop, В) fooc, обр, мкс Сд, пФ (при КЦ201Д 6000* 8000* 10000* 500 500 500 1 1 1 6 (500) 6 (500) 6 (500) 100 (6000) 100 (8000) 100 (10000) - - КЦ201Е 15000* 500 1 10 (500) 100 (15000) - - КЦ201В КЦ201Г КЦ208А 7.5 кВ - 300 S9 (0,3 А) 100 (8 кВ) - Корпус Uобр, В) - КЦ201 ~~tlt_ КЦ201 ~m КЦ208 -sr-~1 13 КЦ401А 500* 400 1 2.5 (400) 500 (500) - - КЦ401А Ф>А1 Аз - 1 1 С:) -11 j_ t~ ~JO~ К2 Кз 6 Схема соеоиненин iJnя gоRоития напряжения с:х:: КЦ401Г 500* 500 2,5 (500) 1 500 (500) - - КЦ401Г 6'6 1, 1' f?@ " f? ! о ~ "'5 •/ 1о ~ ~·~~ 50 5 4 з 2 ~ -- - Схемы соеоинениu u11я моста ~~ 1 G 6 - 5 6 t11я go8011meAя - -- 5 напряжения ~ь G 5 J 1'
Раздел 308 Uобр max1 Тип прибора в u* . обр и max, в КЦ402А КЦ402Б КЦ402В КЦ402Г КЦ402Д КЦ402Е КЦ402Ж КЦ402И 600* 500* 400* 300* 200* 100* 600* 500• lnp rnax1 мА lnf, ер max, мА ' lnp. и max, мА 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 fA max, кГц 5 5 5 5 5 5 5 5 Unp, В, 1обр 1 мкА не более не более (при Inp, мА) (при Uобр, В) $4 (1000) $4 (1000) $4 (1000} $4 (1000} $4 (1000} $4 (1000) $4 (600) $4 (600) $125 (600) s125-(500) $125 (400) $125 (300) $125 (200) $125 (100) $125 (600) $125 (500) tвос, обр, мкс 4. Диоды СА, пФ (при Корпус Uобр, В) КЦ402 - :а: ,..,, КЦ403А КЦ403Б КЦ403В КЦ403Г КЦ403Д КЦ403Е КЦ403Ж КЦ403И 600* 500* 400* 300* 200* 100* 600* 500* 1000 1000 1000 !ООО 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000) 4 (!ООО) 4 (1000) 4 (600) 4 (600) 125 125 125 125 125 125 125 125 + КЦ403 (600) (500) (400) (300} (200) (100) (600) (5(!)0) :: f :f :::: ~: КЦ404А КЦ404Б КЦ404В КЦ404Г КЦ404Д КЦ404Е КЦ404Ж КЦ404И 600 500 400 300 200 100 ' 600 500 1000 1000 !ООО 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4 (!ООО) 4 (!ООО} 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000) 4 (1000} 4 (600) 4 (600) 125 125 125 125 125 125 125 125 t:t КЦ404 (600) (500) (400) (300) (200) ( 100) (600) (500) +~l l~• +~! l~I КЦ405А КЦ405Б КЦ405В КЦ405Г КЦ405Д КЦ405Е КЦ405Ж'~ КЦ405И 600 500 400 300 200 100 600 500 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4 (1000} 4 (1000} 4 (!ООО} 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000} 4 (600) 4 (600) 125 125 125 125 125 125 125 125 (600) (500) (400) (300) (200) ( 100) (600) (500) КЦ405 asL:z ~/~Fl о " -а+ - .
Параметры диодов, столбов и блоков Uoop max, Тип в прибора U~p н max, в КЦ407А 400* lnp max, мА lnf, ер max, мА lnp, и max, мА 500; З* А fд max, кГц 20 309 Unp, В, Ioop, мкА не более не более (при Inp• мА) (при Uoop, В) 2,5 (200) 5 (400) fвос, обр 1 мкс 5 Сд, пФ l (при Корпус Uoop, В) - КЦ407А !11 (кamoDJ, Точка 0 -1 to IJ.51 - - ЗА КЦ409В 600* 500*. 400* КЦ409Г ЗОО* ЗА КЦ409Д 200* 100* 200* 100* ЗА 50* 100* 200* ЗА КЦ409А КЦ409Б КЦ409Е КЦ409Ж КЦ409И КЦ410А КЦ410Б КЦ410В ЗА ЗА ЗА 6А 6А ЗА ЗА 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (6000) (6000) 1,2 (ЗООО) 1,2 (ЗООО) 1,2 (ЗООО) з (600) з (500) 3 (400) з (ЗОО) з (200) з (100) з (200) з (100) 50 (50) 50 (100) 50 (200) - - а•--- о я ~ О 1 CICICI - -а 52 - 17 - КЦ410 ~rы 1 35 КЦ412Б КЦ412В 50* 100* 200* IA IA IA - 1,2 (500) 1,2 (500) 1,2 (500) 50 (50) 50 ( HIO) 50 (200) - - КЦ412 - ~~я_ 25 КЦ417А КЦ417Б КЦ417В 600 400 200 1 А; 4* А 1 А; 4* А 1 А; 4* А З 5 5 5 (1 А) З (1 А) З (1 А) 15 (600) 15 (400) 15 (200) - - 10 КЦ417 ,.... \l) ' N "w + -- - 11 15 5 u u LJ ц D D DD D КЦ418А КЦ418Б КЦ418В КЦ418Г КЦ418Д 50 100 200 400 800 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 А А А А А 0,05".1 0,05".1 0,05".1 0,05".1 0,05".1 2,3 (ЗА) 2,З (ЗА) 2,З (ЗА) 2,З (ЗА) 2,З (ЗА) 50 (50 В) 50 (100 В) 50 (200 В) 50 (400 В) 50 (800 В) - - - КЦ418 \(') С'1 - .... - + uu ... ~ D DD D _35 - ' КЦ419А 2А КЦ419В2 50 50 50 100 100 100 200 200 200 КЦ419Г зоо 2А КЦ419Г1 '300 5А КЦ419Г2 зоо 10 А КЦ419Д 400 400 400 500 500 500 600 600 600 2А КЦ419А1 КЦ419А2 КЦ419Б КЦ419Б1 КЦ419Б2 КЦ419В КЦ419В1 КЦ419Д1 КЦ419Д2 КЦ419Е КЦ419Е1 КЦ419Е2 КЦ419Ж КЦ419Ж1 КЦ419Ж2 5А 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 А 1 БА !ОА 2А 5А 10 А 2А 5А 10 А 5А 10 А 2А 5А 10 А 2А 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (!О А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (!О А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (50 В) 2 (50 В) - 2 (50 В) 2 (100 В) 2 (100 В) 2 (100 В) 2 (200 В) 2 (200 В) 2 (200 В) 2 (ЗОО В) 2 (ЗОО В) 2 (ЗОО В) 2 (400 В) 2 (400 В) 2 (400 В) 2 (500 В) 2 (500 В) 2 (500 В) 2 (600 В) 2 (600 В) 2 (600 В) - ~ КЦ409 D DD D КЦ412А J - 1 КЦ419 - - о 28,5 05,2 ~- / t:=: 21,7 ~ GJ 1.в-Н. 1 gJ
Раздел 4. ДиодЬ1 310 4.4. Параметры варикапов Сд, пФ Тип прибора Qв мин. Uобр, В fизм, Мfц - 12 4 10 4 4 4 4 4 10 10 10 10 10 40 40 40 100 40 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 32 48 4 4 10 10 50 40 4 4 50 50 90 106 128 128 95 120 144 192 192 143 4 4 4 4 4 1... 10 1".10 1".10 1... 10 1".10 100 100 100 100 150 4 4 4 4 4 10 10 10 10 10 400 400 600 600 4 4 1 1 500 500 4 4 1 1 20 15 50 35 4 4 1."10 1".10 40 60 4 4 50 50 10 10 30 30 40 40 65 65 2... 9 6... 18 2."9 6."18 1".10 1".10 1."10 1... 1о 20 20 20 20 - - 10 10 - 10 2,3 2· 8 8 2,8 2,3 16 17 25 25 3 3 1."10 1".10 1".10 1."10 300 300 160 160 3 3 3 3 50 50 50 50 мин. макс. Uобр, В КВ101А 200 240 0,8 КВ102А 14 19 25 19 19 23 30 40 30 30 18 28 КВ102Б КВ102В кв102r КВ102Д КВ10ЗА КВ103Б КВ104А КВ104Б КВ104В КВ104Д КВ104Е КВ105А КВ105Б КВ106А КВ106Б КВ107А КВ107Б КВ107В KB107f КВ109А КВ109Б КВ109В KB109f fизм, Мfц 10
параметры варикапов lобр, мкА (при Uобр, В) 1 (4) Uобр, В 311 Рпр, Вт '(при Тнзм, •с) аса, 11·с т, ·с Корпус (при Uобр, В) ' -5 ... +55 4 КВ101 . _ фJ,J 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (80) 45 45 45 45 80 90 90 90 90 90 мВт мВт мВт мВт мВт КВ102 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 _ J,5 , 10 (80) 10 (80) 80 80 5 (-40 ... +70) КВ103 -40 ... +85 -40 ... +85 - 20 11,5 ~ 5 5 5 5 5 (45) (45) (45) (45) (45) 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 45 45 80 80 45 (40) (40) (40) (40) (40} КВ104 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 ~ _.:!."!. 1" --- ~ '&. , //.8 20 (90) 20 (90) 90 50 0,15 (50) 0,15 (50) -40 ... +100 -40 ... + 100 5 • 104 (4) КВ105 19 20 (120) 20 (90) 120 90 7 (75) 5 (75) -60 ... + 100 -60 ... +100 100 5,5 ... 16 13 ... 31 5,5 ... 16 13 ... 31 0,1 (-40 ... +50) 0,1 (-40 ... +50) О, 1 (-40 ... +50) О, 1 ( -40". +50} -40 ... +70 -40".+70 -40 ... +70 -40 ... +70 100 100 100 ~0.5 ~.5 ~О.5 ~0.5 (25) (25) (25) (25) 25 25 25 25 5 5 5 5 мВт мВт мВт мВт (50) (50) (50) (50) -40... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 КВ106 20 11,5 КВ107 ~5,8 ~ (500+300). 10·6 (3) (5оо+зоо> • 10·6 (3) (500+300) • 10·6 (3) (500+300) • 10"6 (3) 1 :1 ш КВ109
312 Раздел Сд, пФ Тип прибора Qв мин. макс. Uобр, В fнзм, Мfц мин. 2,24 2 1,9 8 2,74 3,1 17 25 25 25 3 50 50 50 50 300 300 160 160 2,24 2 1,9 8 7 2 1,8 2,74 2,3 3,1 17 16 2,3 2,8 - КВ109Д-5 2,24 2 1,9 8 7 КВ109Е-5 2 - КВ109Ж-5 1,8 2,74 2,3 3, 1 17 16 2,3 2,8 - 10 14,4 / 17,6 12 14,4 17,6 18 21,6 26,4 18 21,6 26,4 4 4 4 4 4 4 1... 1о 1... 10 1... 10 1... 1о 1... 1о 1... 1о 29,7 29,7 36,3 36,3 4 4 1 1 29,7 29,7 33 33 36,3 36,3 36,3 36,3 - 9,6 12 14,4 18 4 4 54,4 54,4 81,6 81,6 4 4 КВ109А-1 КВ109Б-1 КВ109В-1 KB109f-1 4. Диоды 2.3 \ Uoop, В fизм, Мfц 3 3 3 3 50 50 50 50 - - ,_ КВ109А-4 КВ109Б-4 КВ109В-4 KB109f-4 КВ109Д-4 КВ109Е-4 КВ109Ж-4 КВ109А-5 КВ109Б-5 КВ109В-5 КВ109f-5 КВНОА КВН ОБ квн о в квноr квн од КВ110Е КВС111А КВС111Б КВС111А-2 КВС111Б-2 КВС111В-2 KBC111f-2 КВ112А-1 КВ112Б-1 КВ11ЗА КВ11ЗБ - - - ' - 300 300 160 160 30 450 300 300 300 160 160 30 450 300 - - - - - - - - 300 300 300 150 150 150 4 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 50 200 150 4 4 50 50 200 150 200 150 - - - 1 1 200 200 4 4 50 50 1 1 300 300 - 10 10 - - , / КВ114А КВ114Б 54,4 54,4 81,6 81,6 4 4 . 1 1 1 300 300 - 10 10
параметры варикапов 313 =-=r=============-================-=========-==-=--============-- i;==================;==========o;==~=--~--=--=·~·-.=· lобр, мкА U ~ 8 Р11 11 , Вт 1 J (25) (25) (25) (25) 25 25 25 25 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0,02 0,02 28 28 28 28 28 28 28 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0,02 0,02 28 28 28 28 28 28 28 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 45 45 45 45 45 45 1 (30) l (30) 30 30 - асв, 1/ С 0 L________<п_р_и_u_о_б_Р•_в_.>_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ ( u----"-Р_и_u_о_бр_,_в_)-+-------+--(п_р __"_т__11_:~_·с_) s;0,5 s;0,5 s;0,5 s;0,5 Т, ·с ~~ КВ109-1 1 д ~...._-_.... J--.1L_ _ \).,+----~--т КВ109-5 0.1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) О, 1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) КВ110 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +100 -40 ... +100 500• 10"6 (4) 500. 10"6 (4) КВС111 7,2 2,8 ! - 30 30 30 30 1 (25) 1 (25) 25 25 О, 1 (50) O, l (50) -40 ... +85 -40 ... +85 500• 10"6 (4 ... 25) 500· 10"6 (4 ... 25) КВ112-1 1,2 ,'' - 8 10 (150) 10 (115) 150 115 0,1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) -40 ... +85 -40 ... +85 J 500. 10"6 (4) 6 500 • 1о· <4 > кв нз 7,2 J ~-*-~ 1 1 l~ 11 · 1 10 (150) 10(115) 150 115 -40 ... +85 -40 ... +85 КВ114 2 ' g 1/ ' ---11
Раздел 314 Qв Сд, пФ Тип прибора КВ115А КВ115Б КВ115В мин. макс. 100 100 100 700 700 700 4. Диоды Uобр, В о о о fнзм, МГц Uобр, В мин. - - - - - fнзм, МГц - - ' 168 КВ116А-1 252 1 100 1 1 1 - КВ117Б 26,4 26,4 39,6 39,6 3 3 1.. .10 1... 10 180 150 - 1 1 КВ119А 168 252 1 1".10 100 1 1 КВ117А ' 1 ' ' 230 230 320 320 1 1 1".10 1".10 100 100 1 1 1 1 КВС120А-1 230 320 1 1."10 100 1 1 КВ121А 4,3 4,3 6 25 25 1."10 1".10 200 150 25 25 50 50 25 25 50 50 200 150 3 3 50 50 КВС120А КВС120Б . КВ121Б КВ121А-1 КВ121Б-1 4,3 4,3 6 6 6 -
315 nараметрь1 варикапов lобр, мкА (при Uобр 1 В) • 0,1 (50) 0,05 (50) 0,01 (50) Pnp, Uобр, В Вт (при Тнзм, "С) - 100 100 100 Т, ·с -40".+85 -40".+85 -40".+85 асв, 1/"С Корпус (при Uобр 1 В) - КВ115 ,.... '&,, -v-- --...;; 9 - 15 0,5 (10) - 10 -40".+85 - ~ " ...... -. 2 • l 0"3 ( 1) КВ116 ' о!,2 ~w-= о 1 1 (25) 1 (25) О, 1 О, 1 25 25 (50) (50) -40".+100 -40".+100 600· 10·5 (3) 600· 10"6 (3) КВ117 ~i el> .i"' / 1 (10) - 12 -40."+85 - КВ119 ~i el> .i"' 0,5 (30) 0,5 (30) 32 32 - . - -45 ... +85 -45".+85 - КВС120 r/J9/I ' ~i 0,5 (30) 32 - -45".+85 - jl -! . КВС120·1 А 11 (кamoDJ Точка D ~1 (() ~- 1fs1 0,5 (28) 0,5 (28) 30 30 - -40".+100 -40". + 100 - - КВ121 ~Ф~t·~(; 0,5 0,5 28· 28 - - 1_ - t"iiJ КВ121·1 с.,. t'.I" "' " д --, ,--
316 Раздел прибора КВ121А-2 КВ121Б-2 КВ121В-2 КВ121А-З КВ121Б-З КВ121В-З КВ121А-9 КВ121Б-9 КВ121В-9 КВ122А КВ122Б КВ122В Qв Сд, пФ Тип мин. макс. 4,3 4,3 4,3 б 4,3 4,3 4,3 б Uобр, В б б б б 4,3 4,3 4,3 б 2,3 2 1,9 2,8 2,3 3, 1 б б 4. Диоды fнзм 1 МГц Uобр, В мин. fнзм 1 МГц - - 200 150 240 - - - - 200 150 240 - - - - 200 150 240 - - 25 25 25 1 1 1 450 450 300 25 25 25 50 50 50 > КВ122А-1 КВ122Б-1 КВ122В-1 2,24 2 1,9 2,74 2,3 3,1 25 25 25 50 50 50 450 450 300 . 3 3 3 50. 50 50 - КВ122А-4 КВ122Б-4 КВ122В.-4 КВ122А-9 КВ122Б-9 КВ122В-9 КВ12ЗА 2,24 2 1,9 2,74 2,3 3 - - 450 450 300 - - 2,24 2 1,9 2,74 2,3 3,1 25 25 25 50 50 50 450 450 300 3 3 3 50 50 50 2,6 3,8 25 1.. .1 о 250 25 50 -
параметры варикапов lобр, мкА Р11р, Вт Uобр, В (при Uобр, В) 0,5 0,5 0,02 317 (при Тнзм, "С) - 30 30 30 асв, 1/"С т, ·с Корпус (при Uобр, В) - - КВ121-2 Nftщ1 !.(')~ ' ~ 0,5 0,5 0,02 30 30 30 - - S0,5 S0,5 S0,02 28 28 28 - - S0,02 S0,05 S0,05 28 28 28 - - - S0,2 (28) S0,02 (28) S0,2 (28) 28 28 28 - - - - ~-- КВ121-З - - ~r EЗ1J6.rE3 - КВ121-9 - ~~х КВ122 - - О.95 j - - - . .::а-' Ф111 - - 1 ~Ф-t·~с f""fit КВ122-1 . д ,, с.,. _ с.--.г ~ - __J ---. ,.-- ' - - - 0,2 0,02 0,2 30 30 30. 0,2 0,02 0,2 28 28 28 - - - 28 - -40 ... + 100 (500+300). 10"6 (25) 0,05 (25) - - КВ122-4 - - - - ~r ЕЗ1;,6.rЕ3 - - КВ122-9 - - ~~х КВ123 11,// J . О.95 j с-., &. 1 L_ - ,, - ..----
Раздел 318 Сд, пФ Тип прибора КВ126А-5 KB126Af-5 КВ127А КВ127Б КВ127В КВ127Г КВ128А КВ128АК КВ129А КВ129Б 4. Диоды Qв мин. макс. Uобр, В fнзм, МГц мин. Uобр, В fнзм 1 МГц 2,6 2,6 3,8 3,8 25 25 1".10 1".10 200 200 25 25 50 50 230 230 260 230 280 360 320 320 1 1 1 1 1".10 1".10 1".10 1".10 140 140 140 140 1 1 1 1 10 10 10 22 22 7,2 1,5 28 28 10,8 - 1 1 3 25 1".10 1".10 1".10 1".1 о 300 300 50 45 - 50 50 50 50 10 - КВ132А 3,7 38 4,5 - 12 1,6 1".10 1".10 300 300 4 50 50 КВtЗОА-9 3,7 4,5 12 1".1 о 300 - 50 450 520 - - 130 - - 18 22 1".10 400 4 50 - 400 - - КВ1ЗОА КВ131А-2 КВ134А , 1 - КВ134А-1 18 22 -
параметры варцкапов loop, мкА (при Uобр, В) Uобр, В 319 Рпр, Вт (при т нэм, •с) т, ·с асв, t/•c Корпус (при Uобр, В) ~ 0,5 (25) 0,5 (25) 28 28 -60 ... +100 -60 ... + 100 800 • 1о- 6 (4) 800 • 1о- 6 (4) КВ126-5 ~ +-+...,.,.,.-t-. c:::i- •• С1 аО,7 0,5 0,5 0,5 0,5 КВ127 (30) (30) (30) (30) 32 32 32 32 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... + 100 -60 ... +100 0,05 (10) 0,05 (10) 0,005 (8) 0,005 (8) 1·2 12 25 25 -60 ... +100 -60 ... +100 -60... + 100 -60 ... +100 s;0,05 «28) s;0,005 (5) 28 12 -60 ... + 100 -60 ... + 100 КВ130 s;0,05 (28) 28 -60 ... +100 КВtЗО-9 0,25 14 0,05 (10) 23 0,05 23 800 • i о- 6 800 • i о- 6 800• 10"6 800. 10"6 (4) (4) (4) (4) КВ128 1 КВ131-2 -60 ... +100 КВ134 КВ134-1
Раздел 320 Сд, пФ Тип прибора { 4. Диоды Qв макс. Uобр, В fнзм, МГц мин. Uобр, В fнзм, МГц 486 594 1 1... 10 150 1 1 l7,l 19,8 17, 1 19.8 18,9 24,2 18,9 24,2 4 4 4 4 10 10 10 10 400 400 500 500 4 4 4 4 40 40 40 40 КВ138Б 14 17 18 21 2 2 10 10 200 200 3 3 50 50 КВ139А 500 620 1 10 160 1,5 1 300 300 - 1 1 110 110 90 90 28 28 28 28 50 50 50 50 - 110 110 100 100 28 28 28 28 50 50 50 50 - 100 10 50 • КВ135А КВ136А КВ136Б КВ136В КВ136Г мин . ' КВ138А , КВ142А КВ142Б 60 70 85 115 10 10 28 28 .28 28 - ' КВ144А 2,6 КВ144Б 2,8 КВ144В 2.6 2,8 3 . 3,2 3 3,2 КВ144Г-1 2,6 2,8 2,6 2,8 3 3,2 3 3,2 28 28 28 28 КВ146А 10 16 10 КВ144Г КВ144А-1 КВ144Б-1 КВ144В-1 -- - - 1
параметры варикапов lобр, мкА (при Uобр, В) 0,05 (10) Uобр, В 13 321 Рнр, Вт \ асв, 11·с (при Uобр, В) т, ·с (при Тнзм, •с) - Корпус - -60 ... + 100 КВ135 , "·" 2,5 т~в / 0,02 0,02 0,02 0,02 (25) (25) (25) (25) - 30 30 30 30 - -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 4 • 10-4 4 • 10-4 4. 10"4 4 • 10·4 -60 ... +100 -60 ... +lOO в· 10·4 (2) (4) (4) (4) (4) ' 0,05 (5) 0,05 (5) - 12 12 - ' КВ136 ~i el"; Jsa КВ138 8. 10·4 (2) :Ф-I·{# t~ 0,5 (12) 16 0,6 мВт (100) -60 ... + 100 8 • 10·4 (3) КВ139 "·" 2,5 T~Ifi: ' 0,05 (32) 0,05 (32) 32 32 - -60 ... +100 -60 ... +100 4,3 • 10·4 ( о 4,3 • 104 (l) ~I~t·f~t~ . S0,01 ~0.01 ~0.01 ~О.01 32 32 32 32 - - - КВ142 - - - КВ144 - 1 !/.// '\З.. - -- -- С"1 j' ~О.01 S0,01 S0,01 ~О.01 32 32 32 32 - - - КВ144-1 - - - ' ~i~-t·f; t~ ' ~О.05 15 - - - КВ146 ~ 'S. ...···-~ J,8
Раздел 322 Сд, пФ Тип прибора Qв мин. Uобр, В fнзм, МГц - - 450 350 450 400 28 28 28 28 50 50 50 50 - - 340 - - 2,25 - - 455 - - 2,5 3 - - 260 - - 2,9 3,4 - - 245 - - l ,85 2,4 2,9 2,25 2,9 3,4 28 28 28 l 450 300 200 - - 25 30 25 30 25 30 - 4 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 50 30 4 50 Uoop, мин. макс. КВ149Г 1,9 1,8 2,2 2 2,35 2,4 2,8 2,4 28 28 28 28 КВ152А l ,85 2,25 КВ153А-9 1,85 КВ154А КВ155А-9 КВ149А КВ149Б КВ149В 4. Диоды В fнзм, МГц ., КВ156А-9 КВ157А-9 КВ158А-9 1 1 1 Д901А Д901Б Д901В Д901Г Д901Д Д901Е Д902 22 22 28 28 34 34 32 32 38 38 44 4 4 4 44 4 10 10 10 10 6 12 4 50 4 4 10 10
Параметры варикапов lобр, мкА (при Uобр, В) Uобр, В 323 Рпр, Вт (при Тизм, "С) т, ·с асв, t/•c Корпус (при Uобр, В) - S0,02 S0,02 S0,02 S0,02 30 30 30 30 - - - - КВ149 - 11,// - 1 L_ с-./ г- 'tЭ. 1 0,02 30 - - - КВ152 ~i 0,02 30 - - - 03 l.J.б~iE3 КВ153-9 J 0,95 ~~х 0,02 30 - - - КВ154 ~; 0,02 30 - - - еэ~с; J"" КВ155-9 ' 0,95 J ~~х SO,l (30) S0,01 (30) so.01 (30) 30 30 30 - 1 (80) 1 (45) 1 (80) 1 (45) 1 (80) 1 (45) 80 45 80 45 80 45 250 250 250 250 250 250 10 (25) 25 - - (25) (25) (25) (25) (25) (25) -60 ... + 125 -60".+125 -60".+125 -60".+125 -60".+125 -60".+125 -40".+ 100 - 200· 10"6 200. 10"6 200. 10·6 200 • 10·6 200 • 10"6 200. 10-6 - КВ156А-9, КВ157А-9 КВ158А-9 ~~1 (45) (45) (45) (45) (45) (45) Д901 ~ l.t) ~ 'S. j -"' 11 1 11-r.::J. !1.L..v-- 12 - Д902 ~t47:a."
Раздел 324 4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов Uст, В Тип прибора д219С Д220С Д223С 4. Диоды мин. иом. - 0,57 0,59 0,59 макс. - Uпр, В аUст, о/о/•с БUст, о/о - - - - 0,07 0,08 0,09 0,095 0,095 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) - - Iст, мА 1 1 1 (при Iпр, мА) 7 8 9 10 11,5 7 8 9 10 11,5 - 8,5 9,5 10,5 12 14 8,5 8,5 10,5 12 14 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - - 8,5 9,5 10,5 12 14 - Д814Д1 7 8 9 10 11,5 - 0,07 0,08 0,09 0,095 0,095 - Д814А2 7 7,7 8,5 - 0,07 ±1 - 6,2 7,5 - 9, 1 11 13,3 16,4 19,8 1А 1А 1А 500 500 500 500 0,045 0,05 0,07 0,08 0,09 0,10 О, 11 4 4 4 4 4 4 4 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 (500) (500) (500) (500) (500) (500) (500) 24,2 29,5 36 43 51,5 150 150 150 150 150 0,12 0.12 0,12 0,12 0,12 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 (500) (500) (500) (500) (500) 61,5 75 90 110 50 50 50 50 0,14 0,14 0,14 0,14 6 6 6 6 1,5 1,5 1,5 1,5 (500) (500) (500) (500) 10 +0,020 ±0,11 - Д808 Д809 Д810 Д811 Д813 Д814А Д814Б Д814В дst4r Д814Д Д814А1 Д814Б1 Д81481 Д814П Д815А Д815Б Д815В Д815f Д815Д Д815Е Д815Ж Д816А Д816Б Д816В Д816f Д816Д Д817А Д817Б Д817В Д817f Д818А Д818Б Д818В "Д818f Д818Д Д818Е КС106А-1 5 6,1 7,4 9 10,8 13,3 16,2 , - 0,07 0,08 0,09 0,095 ·О,095 - 50,5 61 74 90 - - 9 10,35 7,65 8,1 8,55 8,55 8,55 9 9 9 9 9 9,9 9,45 9,45 9,45 10 10 10 10 10 -0,029 ±0,01 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,13 ±0,12 ±0,12 ±0,12 ±0,12 - 2,9 3,2 3,5 0,5 -0,13 - - 19,6 24,2 29,5 35 42,5 - ,
Параметры стабилитронов и стабисторов lст, мА rст, Ом (при Iст, мА) т, ·с Корпус - -60 ... + 120 -60 ... +120 -60 ... + 120 Д219-Д223 33 29 26 23 20 40 36 32 29 24 0,28 0,28 0,28 0,28 0,28 0,34 0,34 0,34 0,34 0,34 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 - - Рпр, Вт мин. макс. - 1 1 1 50 50 50 12 (1) 18 (1) 25 (1) 30 (1) 350 (1) 6 (5) 10 (5) 12 (5) 15 (5) 18 (5) 3 3 3 3 3 3. 3 3 3 3 325 6 (5 мА) 10 (5 мА) 12 (5 мА) 15 (5 мА) 18 (5 мА) - - 20 (5) 3 40 0,34 -60 ... +125 0,6 (1 А) 0,8 (1 А) 1 (1 А) 1,8 (500) 2 (500) 2,5 (500) 3 (500) 50 50 50 25 25 25 25 1,4 А 1,15 А 950 800 650 550 450 8 8 8 8 8 8 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 7 (150) 8 (150) 10 (150) 12 (150) 15 (150) 10 10 10 10 110 230 180 150 130 110 5 5 5 5 5 -60 ... + 130 -60 ... +130 -60 ... +130 -60 ... + 130 -60 ... +130 5 5 5 5 90 75 60 50 5 5 5 5 -60 ... +130 -60 ... +130 -60 ... + 130 -60 ... + 130 35 40 45 50 (50) (50) (50) (50) - 8 - 1 ~tеh ~ПЭ-зе Д808-Д814 ,..... 3 3 3 3 3 3 33 33 33 33 33 33 3 500 (0,275) 0,01 33 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... + 125 -60 ... +125 0,5 0,002 -60 ... + 125 - ...... - оп ~ g 15 - Д814-1, Д814А-2 д.__ _ CN __J с-.,- ~ ~ 1 ' ' Д815, Д816 J7 - - ~ '&. "" R- "г-111~ !"')' -- L..JI~ t:f= Д817 J7 t2 '&., 70 (3) 18 (10) 1°8 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) - --- "Q. - - г;;:; - i..:..::..1~ 111f R= t:t= Д818 ,..... "Q. 1 -- -... -g оп - ~ 15 КС106-1 ~.5;2 . -- -., *
Раздел 326 Uст, В Тип, прибора мин. КС107А - КС108А - КС108Б КС108В ном. . макс. аUст, %/"С БUст, % - Iст, мА 0,7 - 10 -0,3 6,4 6,4 6,4 - 7,5 7,5 7,5 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 1,43 - 10 10 -0,42 -0,3 ± 1,3 ± 1,3 ± 1,3 Unp, В Inp, мА) (при мВ мВ мВ - - - - - - 10 -0,3 - - 7,9 - 0,25 ±0,5 - 2,4 2,6 - 0,075 ±1,5 - 2,7 3 3,3 3,9 4,7 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 -' - 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 -0,075 -0,075 -0,075 -0,05 -0,01 0,03 0,06 0,06 0,07 0,08 0,09 - КС126Д1 - 3,6 4,3 5,1 - 5 5 5 - КС127Д-1 2,5 2,7 2,9 - КС128А - 2,7 3 3,3 3,9 4,7 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 - 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - КС128Д1 - 3,6 4,3 5,1 - 5 5 5 - КСtЗОД-1 2,8 3 3,2 - КСНЗА кснзв - 1,25 1,3 КС115А - 1,45 - 3 КС119А - 1,9 - КС121А 7,1 7,5 КС124Д·1 2,2 КС126А - КС126Б КС126В KC126f КС126Д 1, 17 - - КС126М - КС12681 - КС126Е КС126Ж КС126И КС126К КС126Л KC126f1 КС128Б КС128В KC128f КС128Д КС128Е КС128Ж КС128И КС128К - КС128Л КС128М КС12881 KC128f1 0,075 0,075 4. Диоды ±3,5 - - - - - - - - ±1,5 - - - ±1,5 - - - '
Параметры стабилитронов и стабисторов 327 . Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) - Рпр, Вт мин. макс. 1 100 Sl5 (7,5 мА) Sl5 (7,5 мА) Sl5 (7,5 мА) 3 3 3 10 S80 (1 мА) 12 (10) 1 1 - - - т, ·с Kopnyc -60 ... + 125 КС107, КС113 0,070 0,070 0,070 -60 ... + 125 -60 ... + 125 -60 ... + 125 100 100 0,18 - -60 ... + 125 -60 ... + 125 3 0,23 -60 ... + 125 10 10 ;r;:- _,.... ~t - it...::... ~ g - - 15 tl. .i"' 11 КС115 д CN с-.," I L___ ~ "l. " " 15 (10) 1 100 - КС119 -60 ... + 125 - - "'&. -- 0,5 35 - 0?25 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 100 (5мА) 50 (5мА) 35 (5мА) 30 (5мА) 20 (5мА) 20 (5мА) 30 (5мА) 1 1 1 1 1 1 2 3 5 6 7 120 (5мА) 115 (5мА) 75 (5мА) - 180 (3) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 100 (5мА) 50 (5мА) 35 (5мА) 30 (5мА) 20 (5мА) 20 (5мА) 30 (5мА) 21 0,05 135 125 115 95 85 70 64 58 53 47 43 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 - 0,45 0,45' 0,45 0,25 18 0,05 135 125 115 95 85 70 64 58 53 47 43 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 120 (5мА) 115 (5мА) 75 (5мА) - - 0,45 0,45 0,45 180 (3) 0,25 17 0,05 - -60 ... +125 - - g 15 r -- КС121, КС124-1 -60 ... + 125 д 1 180 (3) - ..... ..... -15 (5) КС108 1 CN ~ _ }...._ __J ---.. ~ _ г--- ~ КС126, КС126-1, КС127-1 - - д CN с-.," ~ .--.J }....__ ---.. г--- j, - - -60 ... + 125 - КС128, КС128-1 -- ;ЧQО 3,7 (5) - КС130-1 -60 ... + 125 ,. CN д L с-.,~ ~ " "
Раздел 328 прибора ' Uст, В Тип мин. ном. макс. Iст, мА аUст, %/"С бUст, % 4. Диоды Uпр, В (при Inp, КС130Д-5 2,8 - 3,21 3 - ±0,5 - КС133А - 3,3 - -0, 11 - 1 (50) мА) 2,95 - 3,65 10 5 КС133Д-1 3, 1 3,3 3,5 - 0,075 ± 1,5 180 (3) КС136Д-1 3,4 3,6 3,8 - 0,07 ± 1,5 ...._ кс1ззr - - ' КС139А - 3,3 - 10 -0,1 - 1 (50) KC139f 3,5 - 4,3 5 - - - КС139Д-1 3,7 3,9 4,1 - 0,005 ±0,5 - КС143Д-1 4 4,3 4,6 - 0,06 ± 1,5 - КС147А - 4,7 - 10 -0,09 - 1 (50) KC147f .4,2 - 5,2 5 - - -
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) мин. макс. 0.2 16,7 65 (10) 150 (5) 3 1 81 37,5 0,25 15 0,05 180 (3 мА) 329 Рнр, Вт т, ·с Корпус 0,050 -60."+125 КС130-5 0,3 -60 ... +125 -60 ... + 125 КС133 -60".+125 КС133-1, КС136-1 -60".+125 I N+---c-.,1 ' 125 мВт 0,05 • 180 (3) 0,25 14 0,05 А " - ~ ~ ' 60 (10) 3 79 0,3 КС139А -60".+ 125 " '&. - -- -.... - 150 (5) 32 125 мВт g 15 -60".+125 KC139f 180 (3) 0,25 13 0,05 -60."+ 125 КС139-1 180 (3) 0,25 12 0,05 -60".+ 125 КС143-1 56 (10) 3 58 0,3 -60."+ 125 КС147А "1~ - '&.,-- -.......... ....L.---lf-1.1- - g 15 150 (5) 26,5 125 мВт -60".+ 125 - ~ KC147f -
Раздел 330 Uст, В Тип прибора мин. ном. макс. аUст, %/"С бUст, % Iст, мА 4. Диодь1 Uпр, В (при Iпр, мА) - 5,6 - 10 ±0,05 - 1 (50) 5 - 6,2 5 - - - КС162А - 6,2 - 10 ±0,06 ±1,5 КС162А2 5,8 - 6,6 5 ±0,01 1,5 КС162А-3 5,8 6,2 6,6 5 ±0,01 1,5 - КС164М-1 6 - 6,7 1,5 ±0,005 ±0,1 - 6,6 6,6 6,6 - 7,5 7,5 7,5 ±0,002 ±0,00l ±0,0005 КС156А КС156Г - 0,25 (5 1 мА) 1 КС166А КС166Б КС166В - - ±1,4 ±1,4 ± 1,4 мВ мВ мВ -~ КС168А - 6,8 - 10 ±0,06 КС168В - 6,8 - 10 ±0,05 - ±1,5 - 1 (50) -
331 Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 46 (10) мин. макс. 3 55 Р11 11 , Вт т, ·с Корпус 0,3 -60 ... +125 КС156А -... - "''&.1 ,--- - ...... g ~ 15 100 (5) 1 125 мВт 1 22,4 - KC156f -60".+125 ~t BttlE3 35 ( 10) 3 22 0,15 КС162 -55."+ 100 q " 31Г 35 (10 - мА) - - - КС162А-2 11,// - 1 -- -- CN ~ '\ 50 (5) 3 0,15 22 КС163А-3 -60 ... +125 д CN ~' ~~ 1 $120 (1,5 мА) 0,5 0,020 3 L ,- -,. ~ КС164-1 -60."+125 1,7 ~ 1 ~~ lI ....... 1 \ $20 (7,5 $20 (7,5 $20 (7,5 мА) мА) мА) 28 (10) 3 3 3 3 0,070 0,070 0,070 10 10 10 0,3 45 КС166 -60".+125 -60".+125 -60".+125 ~i 81:дЕ3 КС168А -60".+125 "' --'&. 1-- ..... -g """ --28 (10) 3 0,15 20 -- -55".+100 - - 15 КС168В ~t -
· Раздел 4. Диоды 332 Uст, В Тип прибора мин. ном. аUст, %/•с макс. Iст, мА бUст, ·КС168В2 6,3 - 7,3 5 0,05 1,5 КС168ВЗ 6,3 6,8 7,3 5 0,05 1,5 % Unpr В (при Iпр, мА) 0,27 (5 мА) - КС170А 6,65 7 7,35 10 ±0,01 ±1,5 - КС175А - 7,5 - 5 ±0,04 ± 1,5 - 7, 1 7,1 7,5 7,5 7,9 7,9 5 4 ±0,1 0,07 ± 1,5 - - КС175Е КС175Ж - - КС175Ц ~2 (50 мА) 0,3 (5 мА) 7,1 7,5 7,9 0,5 +0,065 ± 1,5 КС175А-2 7 - 8 5 0,04 1,5 КС175Ж-1 6,8 7,5 8,3 4 0,07 ±1,5 - КС182А - 8,2 - 5 ±0,05 ±1,5 - 8,2 8,2 9 9 5 4 ±0,1 0,08 ± 1,5 - КС182Е КС182Ж 7,4 7,4 - -
Параметры стабилатронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 35 (5 мА) мин. Рпр, 'Вт 333 т, ·с Корпус макс. - - - - КС168В-2 //,// 1 сч / "" ' 45 (5) 20 3 0,15 ~ _, с-." "" 16 (5) 20 3 3 0,15 0,15 18 '---- -.. г-- ~ КС170 -55 ... + 100 -55 ... +100 ~- КС168В-З -60 ... +125 с..., 20 (10) L_ -- SEt КС175А gвr 40 (4) 17 17 3 0,5 0,125 125 мВт -60 ... + 125 -60 ... +125 КС175Е ~~ЕЗ~ЕЗ ' ~k --I 7 20 (0,1 мА) 0,1 17 0,125 КС175Ц -60 ... +125 ~ ~ с..., • ---,, с-." ts. 16 (5 мА) - - - - г--- ~ КС175А-2 11,.t сч ~- -- ts. ~- '~ 40 (4) 0,5 125 мВт 17 КС175Ж-1 -60 ... + 125 ~ с..., с-." ts. 14 (5) . 3 17 0,15 -55 ... +100 ~ - -.. '---- 1 КС182А / " :тт ' 40 (4) 3 0,5 11 15 15 0,125 125. мВт -60... +125 -60 ... +125 КС182Е ~i~E] -~1 ... 1
.334 Uст, В Тип прибора КС182Ц аUст, %/"С 8Uст, % мин. ном. макс. Iст, мА 7,8 8,2 8,6 0,5 +0,070 ± 1,5 Раздел .4" Диоды Urrp, В (при Iпр, мА) ~2 (50 мА) 0,33 (5 мА) - КС182А2 7,6 - 8,8 5 0,05 1,5 КС182Ц-1 7,8 8,2 8,6 0,5 0,065 ±3 - КС190Б 8,5 8,5 8,5 8,5 9 9 9 9 9,5 9,5 9,5 9,5 10 10 10 10 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 - - КС190В 1 КС190Г КС190Д \ КС191А - 9,1 - 5 ±0,06 ±1,5 - КС191Б 8,7 8,7 - 9,6 9,6 5 5 ±0,010 ±0,010 10 10 - 8,6 8,6 9, l 9, l 9,6 9,6 5 4 ±0,1 0,09 1,5 - КС191Ф 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 9, l 9, l 9,1 9,1 9, l 9,1 9, 1 9,1 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 10 10 10 10 10 10 10 10 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 ±0,005 ±0,0025 ±0,001 ±0,0005 ±0,05 ±0,05 ±0,05 ±0,05 ±2 мВ ±2 мВ ±2 мВ ±2 мВ - КС191Ц 8,6 9, 1 9,6 0,5 +0,080 КС191В КС191Е КС191Ж КС191М КС191Н КС191П КС191Р КС191С КС191Т КС191У - ± 1,5 ~2 (50 мА)
335 Параметры стабилитронов и стабисторов ' ~ Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 20 (0,1 мА) мин. макс. 0,1 15 Рпр, Вт т, ·с Корпус 0,125 -60... +125 КС182Ц д ~ с-..,~ - ts. - 14 (5 мА) - - - ~ L " " КС182-2 0,1 2,5 0,02 1 1 -- сч '1Э.. ,, г-- кt1s2ц-1 -45 ... +85 1 ~ - с-..,~ J ' (10) (10) (lO) (10) 5 5 5 5 15 15 15 15 0,1 0,1 0,1 0,1 ~ L__ r " ts. 15 15 15 15 КС190 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 ""&., ~ ,_ - -- 1--- ..... .,____, - ~. - ~ 9 15 18 (5) 3 15 0,15 15 15 0,15 0,15 11 " :mт ' 3 3 КС191 (Б, В) -55 ... +100 -55 ... + 100 -......... -- ,...,_' "&. f - 9 40 (4) 3 0,5 14 14 0,125 125 мВт -60 ... +125 -60 ... + 125 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 70 (3) 70 (3) 70 (3) 70 (3) 5 5 5 5 3 3 3 3 15 15 15 15 20 20 20 20 0,15 0,15 0,.15 0,15 0,2 0,2 0,2 0.2 -60 ... + 100 -60 ... + 100 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... + 100 -60 ... + 100 0,1 14 0,125 -60 ... +125' 20 (0,1 мА) ~~- - - - 15 -- - - КС191А -55 ... + 100 . 15 (lОмА) 15 (lОмА) . //,// ,, 820 (0,1) - КС191 (Е, Ж) ~41. 1 .ГЕ3 КС191 ""&. --- -- - .... ...... ~ 9 15 - - КС191Ц ~ ~ _ с-..,~ ts. 5,11 ~ ,----.. ~ __J
336 Раздел Uст, В Тип прибора мин. ном. макс. Iст, мА аUст, %/"С бUст, % КС191А2 8,5 - 9,7 5 0,05 1,5 КС191Ж-1 8,2 9,1 10 4 0,09 ±1 КС191С1 9,1 9,1 9,1 9,1 - КС191Ф1 - - 10 10 10 10 ±56 мВ ±28 мВ ±11 мВ ±6 мВ КС207А - 10 11 12 - 5 5 5 0,09 0,092 0,095 - 10 11 12 - 5 5 5 - КС191Т1 КС191У1 КС207Б КС207В КС208А КС208Б КС208В - - - 10 10 10 10 - 4. Диоды U11p, В I11p, мА) (при 0,36 (5 мА) - - мВ мВ - мВ - мВ - - - - - \ - 10 - 5 ±0,07 ±1,5 КС210Ж 9 9 10 10 11 11 5 4 ±0,1 0,09 ±1,5 КС210Ц 10,5 10 10,5 0,5 +О,085 ± 1,5 КС210Б2 9,3 - 10,7 5 0,07 1,5 КС2НБ 17 9,3 9,9 9,9 ll 11 11 11 12,6 11 12, l 12, l 10 10 10 10 +0,02 -0,02 - КС2ЮБ КС210Е - - - - КС211В КС211Г КС211Д (О,01 (0,005' 1 - - ~2 (50 мА) 0,4 (5 мА) - -
параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 18 (5 мА) мин. - 337 т, ·с Рпр, Вт Корпус макс. -. - - КС191А-2 qц i - -- -- ~ '1Э.. j ~ 40 (4) 0,5 14 125 мВт КС191Ж-t -60."+125 д ~ ~ ' 70 70 70 70 (3 мА) (3 мА) (3 мА) (3 мА) 3 3 3 3 15 15 15 15 0,15 0,15 0,15 0,15 -55 ... +100 -55 ... + 100 -55 ... +100 -55 ... +100 . " ts. L...___ r KC19t-t -...... - "' --- - ~ '&. 9 - 15 30 (5 мА) 30 (5 мА) 30 (5 мА) 0,5 0,5 0,5 40 36 32 ' - 0,45 0,45 0,45 - КС207 1 - -- ('... N' -- "& _5,2 30 (5 мА) 30 (5 мА) 30 (5 мА) - 40 36 32 - 0,45 0,45 0,45 КС208 - - ~go -.~ ' 22 (5) 3 14 0,15 3,7 !$) КС210Б -55 ... +100 11 4 :mт 40 (4) 3 0,5 13 13 0,125 125 мВт -60 ... +125 -60... + 125 КС210 (Е, Ж) ~t l. .ie 1 20 (0,1 мА) 0,1 12,5 0,125 КС210Ц -60 ... +125 ~i e1Ef: 5/1 1с Э8'f 22 (5 мА) - - .....,. - J:эа КС210Б-2 //.4 - . 1 1 L -- ~ r-- ts. 11 30 30 30 30 (5) (5) (5) (5) 5 5 5 5 33 33 33 33 0,28 0,28 0,28 0,28 -60 ... +100 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 КС2НБ-Д -- 32 ~ 1 .i ш 9 т
Раздел 338 Uст, В Тип прибора аUст, %/"С бUст, % Uпр, В (при Iпр, мА) мин. ном. макс. Iст, мА КС211Ж 10,4 10,4 11 11 11,6 11,6 5 4 ±0,1 0,092 ± 1,5 КС211Ц 10,4 11 11,6 0,5 +О,085 ± 1,5 КС211Ж-1 9,9 11 12 4 0,09 ±1 - КС212Е 10,8 10,8 12 12 13,2 13,2 5 4 ±0,1 0,095 ± 1,5 - КС211Е КС212Ж 4. Диоды - - - ) ~2 (50 мА) \ КС212Ц КС213Б 11,4 12 - 13 12,6 0,5 +О,085 ±1,5 5 ±0,08 ±1,5 ~ (50 мА) - КС213Е КС213Ж 12,3 12,3 13 13 13,7 13,7 ±0,1 0,095 5 4 - - ±1,5 \ КС213Б2 12, 1 - 13,9 5 0,08 1,5 КС215Ж 13,5 15 16,5 2 0,1 ± 1,5 - 0,52 (5 мА) КС216Ж 15,2 16 16,8 2 0,1 ±1,5 - 14 16 18 2 0,1 ±1 - 1 КС216Ж-1 . " 1
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 40 (4) 20 (0,1 мА) т, ·с Корпус 0,125 125 мВт -60".125 ·60".125 КС211 (Е, Ж) 0,125 -60".+ 125 Pnp, мин. макс. 3 0,5 12 12 0,1 11,2 339 Вт ~i~~s КС211Ц д 1:'1 ' ~ 1 с:-ч~ ---.. ~ г-:-- ' 40 (4) 0,5 12 125 мВт КС211Ж-1 -60".125 д 1:'1 1 с:-ч~ " ~ ' 40 (4) 3 0,5 11 11 0,125 125 мВт мА) 0,1 10,6 0,125 ~ie121s КС212Ц -60".+ 125 д 1:'1 ---.. ~ 0,15 10 . 3 ~ 1 с:-ч~ 25 (5) ..._ r КС212Е -60".125 -60".+125 - 20 (0,1 - ,.-- КС213Б -55".+100 11 " :mm 40 (4) 10 10 3 0,5 125 125 мВт мВт -60".+125 -60."+125 25 (5 мА) - - - КС213 (Е, Ж) ~te121s - КС213Б-2 //.// ' . -- 1:'1 ~ ~- ' 70 (2) 0,5 8,3 125 мВт -60."+ 125 КС215Ж, КС216Ж 70 (2) 0,5 7,3 125 мВт -60 ... + 125 ~t et ~i"" 70 (2) 0,5 7,8 125 мВт -60".+ 125 КС216Ж-1 7 oi 1:'1 с:-ч~ а. д - __ 1 )___ I ~
Раздел 340 4. Диоды - Uст, В Тип прибора мин. , ' аUст, %/•с ном. макс. Iст, мА <>Uст, % Uпр, В (при Iпр, мА) КС218Ж 16,2 18 19,8 2 0,1 ± 1,5 - КС220Ж 19 20 21 2 0,1 ± 1,5 - КС220Ж-1 18 20 22 2 0,1 ±1 - , КС222Ж 19,8 22 24,2 2 0,1 ± 1,5 - КС224Ж - 22,8 24 25,2 2 0,1 ±1,5 - 22 24 26 2 0,1 ±1 - 5,89 5,9 6,2 6,2 6,51 6,51 0,5 0,5 0,002 0,005 0,1 ±0,1 - 7,7 9,4 8,2 10 8,7 10,6 15 12,5 - 3,3 3,9 4,7 5,1 6,8 3,6 3,5 4,1 5 5,4 7,2 3,8 20 20 20 20 18,5 20 - КС407Е 3,1 3,7 4,4 4,8 6,4 3,4 0,05 ±1,5 КС409А 5,3 - 5,9 5 - 1,5 КС410АС 7,79 8,2 8,61 10 ~О.065 5,8 6,2 6,6 5 ~.Об ' КС224Ж-1 КС405А КС405Б КС406А КС406Б КС407А КС407Б КС407В КС407Г КС407Д КС412А - - - - - - - - - - ± 1,5 ~1 (10 ~ КС413Б 4,1 4,3 4,5 - 0,01; -0,05 ± 1,5 - КС415А 2,3 2,4 2,5 - 0,06; -0,09 ±1,5 - КС417А 5,2 5,8 6,4 7 7,7 8,5 9,4 - 6 6,6 7,2 7,9 8,7 9,6 10,6 - - КС417Б КС417В КС417Г КС417Д КС417Е КС417Ж - - - - - - - - - - - ' - -...._ - мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов 11:т, мА Сет, Ом (при Iст, мА) 341 т, ·с Корпус мВт -60 ... +125 КС218Ж, КС220Ж 125 мВт -60 ... +125 125 мВт -60 ... +125 Рпр, Вт мин. макс. 70 (2) 0,5 6,9 125 70 (2) 0,5 6,2 70 (2) 0,5 6,2 ~t ЕЭ11 }3ЕЭ КС220Ж-t ,, ~ с-.," д , 1 ----.. а. ,--- ~ 70 (2) 0,5 5,7 125 мВт -60 ... +125 КС222Ж, КС224Ж 70 (2) 0,5 5,2 125 мВт -60 ... +125 ~t ЕЭq/:зЕЭ 70 (2) 0,5 5,2 125 мВт -60 ... + 125 КС224Ж-t, КС405 200 (0,5) 200 (2) 0,1 0,1 60 2,2 6,5 (15) 8,5 (12,5) 0,5 0,25 35 28 28 (20) 23 (20) 19 (20) 17 (20) 4,5 (18,5) 28 (20) 1 1 1 1 1 1 20 (5) 1 - - 0,4 0,4 -45 ... +85 -45",+85 0,5 0,5 -40 ... +85 -40 ... +85 100 83 68 59 42 90- 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,34 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 48 0,4 -40 ... +85 - - - 1 -~./ "1 д , ~ с-.," КС406,КС407,КС409 д , ~ с:-ч" а. мА) 1 55 0,4 18 (20) 1 70 0,34 -60 ... + 125 30 (20) 1 120 0,34 -60 ... +125 ,-- ~ КС410 -- 7 - -- \.с') (5 L-- ---. 1~ ~10 L-- ,-- -~ а. _А ~ -- КС412, КС413 -60 ... + 125 д ' ~ с-.," _r а. " ·~- 1 КС415 ' ; 7.5 ~=е~-iЕЗ-~ 40 (5 мА) 10 (5 мА) 8 (5 мА) 7 (5 мА) 7 (5 мА) 10 (5 мА) 15 (5 мА) - - 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 - - КС417 д 1 ~ с-.," а. J L --,. r
Раздел 342 Uст, В Тип прибора аUст, %/"С 3Uст, % Uпр, В (при lпр, мА) мин. ном. макс. lст, мА КС433А 2,97 3,3 3,89 30 -0, 1 ±1,5 - КС439А 3,52 3,9 4,69 30 -0, 1 ±1,5 - КС447А 4 4,7 5,3 30 -0,08 ±1,5 - КС451А 4,8 5,1 5,3 - 0,04; -0,02 ±1,5 - -· ' ; - КС456А 4,82 5,6 6,16 30 - 5,78 6,8 7,48 30 0,065 4. Диоды - - - КС468А ± 1,5 / КС468А-9 6,12 6,8 7,48 - 0,065 ±1,5 - КС482А 6,98 8,2 9 5 0,08 ±1,5 1 (50) КС482А-9 7,4 8,2 9 - 0,08 ±1,5 - КС506А - - $0,09 0,09 0,1 0,75 0,09 $2 2 2 2 2 :::;2 (50 47 68 15 20 50 50 72 15,6 21 2,7 КС506Д 44 44 6,4 13,8 18,8 КС507А 31 - 35 8 $0,09 $2 :::;2 (50 КС508А 11,4 13,8 15,3 16,8 22,8 12 15 16 18 24 - - 13,8 16,8 18,8 - 0,09 0,09 0,09 1,5 1,5 1,5 КС506Б КС506В KC506f КС508Б КС508В KC508f КС508Д КС509А КС509Б КС509В " - 12,7 15,6 17, 1 19, 1 25,6 10,5 8,5 7,8 7 5,2 15,6 19, 1 21,2 15 15 10 - мА) - - - мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА fст, Ом (при Iст, мА) макс. 25 (30) 3 191 25 (30) 3 176 Вт т, ·с Корпус 1 -60 ... +100 КС433, КС43'9, КС447 1 -60 ... + 100 Prrp, мин. 343 ...... ~ -- -- 'Q ~ ....... ..... ~ - g 18 (30) 3 159 1 -60 ... + 100 16 (30) 3 148 1 -60 ... +125 - 15 -- -- КС451 ~t еэ~Е S,~ J== - - - - - КС456, КС468 'Q 5 (30) 3 119 1 - ...... -60 ... +100 52 3 0,4 ----.....;; КС468-9 -60 ... +125 4,6 - ~<()~ ~ C'.j с...,.• " :1 q7 э L_ 96 1 IK /' 1,5 КС482 -60 ... +100 - .... -- ...... j 'Q 1 1 43 ------ - - .... - -g ~ 15 25 (5) 51 О,55 7,5_ 0,48 1 - 15 - 200 (1) 0,4 - КС482-9 -60 ... +125 .- - 1/,6 ! - 1.6 ~~~. ~ • э 0,25 0,25 1 1 1 8,5 6,5 5,5 27 20 0.5 0,34 0,4 0,5 0,5 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 мА) 0,25 33 1,3 -60 ... +125 11,5(10,5) 16 (8,5) 17 (7,8) 21 (7) 33 (5,2) 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 23 18 17 15 11 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 500 (О,5) 500 (0,5) 600 (0,5) 0,5 0,5 0,5 42 35 31 1,3 1,3 1,3 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 :::;35 (8 /' ~~5 44 0.55 1,5 0,48 :::;105 (2,7 мА) 105 (2,7) 200 (2) 30 (5) 55 (5) --- g 5 (30) ------ .... -- ...... _1,5 КС506, КС507 д CN с-.,.~ ~ .____ J -.. КС508 ~i 4,8 _111( ~1 е.ЩJ:зез КС509 1 r:-.._ -- -- ~ 'S. j\ s.2 - -
Раздел 344 Uст, В Тип прибора аUст, %/"С 3Uст, % мин. ном. макс. Iст, мА КС510А 8,2 10 11 5 0,1 КС511А КС511Б 14,3 71,3 15 75 15,8 78,8 1 1 $0,084 $0,105 КС512А 9,9 12 13,2 5 0,1· ± 1,5 31 - 35 $0,085 $2 ± 1,5 - КС513А \ ± 1,5 - 4. Диоды Uпр, В (при Iпр, мА) 1 (50) - - 1 (50) $2 (50 мА) , КС515А 12,3 15 16,5 5 0,1 KC515f 14,25 15 15,75 10 ±0,005 1 (50) -14 15 16 - ±0,005 КС518А 14,7 18 19,8 5 0,1 КС520В 19 20 21 5 ±0,001 KC515f-2 - ±1,5 - - 1 (50) -
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА Сет, Ом (при Iст, мА) 200 (1) мин. макс. 1 79 345 Рпр, Вт т, ·с Корпус 1 -60 ... +100 КС510 - · ' - .... ' ...... "&. ,-- .... ~ g ' - 15 - - - - - - kC511 -- '~ 67 1 1 - ... . ..---- -- \с) 200 (1) 7 ~- "" КС512 -60 ... + 100 ~ ...... - ..... -- "&., - - ~ ~ - - g / 15 :::;45 (15 мА) 0,25 85 3 КС513 -60 ... +125 18 ~ ,.--~ - 1 53 1 -60 ... +100 - мА) 3 31 0,5 -60 ... +100 '1Э. ' 10 ее -·- ~ 25 (10) 3 31 0,5 -60 ... +100 11 1 ~ ' 1 45 1 1-Е ~ 10,Ь ж1ш - 0,5 - .... ..,. - , - -- 22 D КС515А, КС518 -60 ... + 100 "&. 3 t ~j ...... '\ 210 (3) -Е~ r-- ....... KC515f-2 - 200 (1) ·Н· '1Э. ~ -- ,...... - -'\ -5 - g - 15 КС520 -55 ... +100 -·- - r--- ~ '\ е-е.- ее 5 ~ ~.-. - - '1Э. .__ ' .....:- ,..., КС515А 6-Е :::;25 (1 О --~ 1.А 200 (1) - # -Е'" .._ ....... 4
Раздел 346 Uст, В Тип прибора аUст, %/"С бUст, о/о Iст, мА мин. пом. макс. 19 20 21 - ±0,01 ±1 КС522А 17,9 22 24,2 5 0,1 ± 1,5 KC524f 22,8 24 25,2 10 ±0,005 KC5Z-4f-2 23 24 25 - ±0,005 ±0,5 КС527А 22 27 29,7 5 0,1 ± 1,5 КС528А 10,4 11,4 12,4 13,8 15,3 16,8 18,8 20,8 22,8 25,1 28,5 30,4 34,2 37 40,9 44,7 48,5 53,2 58,9 64,6 - 11,6 12,7 14, l 15,6 17, 1 19, 1 21,2 23,3 25,6 28,9 31,5 34,6 37,8 41 45,l 49,3 53,5 58,8 65,4 71,4 - КС520В-2 КС528Б КС528В KC528f КС528Д КС528Е КС528Ж КС528И КС528К КС528Л КС528М КС528Н КС528П КС528Р КС528С КС528Т КС528У КС528Ф КС528Х КС528Ц КС530А КС530А-1 28 27 - - - - - 30 30 31 33 - - - - - - - - - - - - - 0,1 0,1 < - - - - - ±1,5 ± 1,5 4. Диоды Urrp, В Irrp, мА) (при - 1 (50) - - 1 (50) - - - - - - - - -
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА Сет, Ом (при Iст, мА) 120 (5) мин. макс. 3 22 347 Рпр, Вт т, ·с Корпус 0,5 -55".+100 КС520В-2 10,Ь t ~j ~ i 200 (1) 1 37 КС522 -60".+ 100 15 :::;40 (10 мА) 3 19 0,5 KC524f -60".+ 100 1 1 40 (10) 3 9 0,5 -- KC524f-2 -60".+100 10,Ь t ' Jф l ~+ J i D 200 (1) 30 КС527 -60".+ 100 ...... '&., - - - i.....=-- ~ ~. - g - 15 20 20 25 30 40 55 55 60 (5 мА) (5 мА) (5 мА) (5 мА) (5 мА) (5 мА) (5 мА) 80 (5 80 (5 мА) мА) 120 (5 мА) 120 (2,5 мА) 120 (2,5 мА) 120 (2,5 мА) 120 (2,5 мА) 120 (2,5 мА) 120 (2,5 мА) 140 (2,5 мА) 140 (2,5 мА) 180 (2,5 мА) 45 (5) 45 (5) КС528 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 (5 мА) 27 27 4 4 -60".+ 125 -60".+125 КС530 ~-i----------- 5,2_
Раздел Uст, В Тип прибора аUст, %/"С 3Uст, % 4. Диодь1 Uлр, В (при Iпр, мА) мин. ном. макс. Iст, мА 29,45 31 32,55 10 ±0,005 - - 29 31 33 - ±0,005 ±1 -"", КС533А 29,7 33 36,3 0,1 - 1 (50) КС535А - 9 - - - -2 мВ ±0,5 мВ +2 мВ +4 мВ - 16 23 32 - КС535Г 7 14 1g. 28 КС536А-1 34 36 38 - 0,1 КС539Г 37 39 41 10 КС531В КС531В-2 - КС535Б КС535В - 10 ±0,005 - ± 1,5 - - - - / . КС539Г-2 КС547В 37 39 41 3 ±0,005 ±0,5 - 44,65 47 49,35 5 ±0,001 - -
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 350 (3) мин. макс. 3 15 349 Рпр 1 Вт т, ·с Корпус 0,5 -50 ... + 100 КС531 --- ~ -Е3-Е '\ ее· - 1 15 0,5 ~~ r- Ь' ~ КС531В-2 -60 ... + 100 11,8 10,!J ' 17 3 мВт 640 v ~ j ~ 100 (3) ... ....... ....... " ~ 90 (5) ~ ....&. i Ш'Н D КС533 -40 ... + 125 gвt - - 0,1 0,1 0,1 0,1 . 50 30 20 15 - - - КС535 ~5,2 - - ! 1 С"8 l.t)' i 1. ~u1~ К А1А2 50 (5) 1 23 1 КС536А-1 -60 ... +125 r-.. -- -- сЧ' '&. _5,2 ~65 (10 мА) 3 17 0,72 -60 ... +100 KC539f - ,.._-- - rf 1 -еэе ~ '&. - ~ ~ 65 (10) 3 17 0,72 KC539f-2 -60 ... +100 10.Ь ~ ' - ,~ i Ж'j -- 490 (3) 3 10 0,5 t D КС547 -50 ... +100 -ее - - .... 5 - -..- '9. 1 ~ ... ~ ... ~ ="" е ~
Раздел 350 Uст, В Тип прибора аUст, %/•с 3Uст, % Iст, мА мин. ном. макс. КС547В-2 45 47 49 - ±0,01 ±1 КС551А 48 51 54 1,5 ±0,12 ± 1,5 КС568В 64,6 68 71,4 5 ±0,001 - 4. Диоды Uпр, В (при Iпр, мА) - 1 (50) - ' ' - ±0,001 ±1 - 41 10 0,005 - - 86 - ±0,001 ±0,5 - 96 1,5 ±0,12 ± 1,5 100,8 5 ±0,001 КС568В-2 65 68 71 KC582f 37 39 KC582f-2 78 82 86 91 . КС591А 1 (50) ' КС596В ,. 91,2 96 - -
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА Сет, Ом (при Iст, мА) 280 (5) мин. макс. 3 10 351 Рпр, Вт т, ·с Корпус 0,5 -60 ... + 100 КС547В-2 - 10,!J t D 200 (1,5) 14,6 КС551 -60 ... +125 g 700 (3) 3 10 0,72 15 КС568 -50 ... +100 -400 (5) 3 10 0,72 , КС568В-2 -60 ... +100 10,!J t D 480 (10) 3 8 0,428 КС582 -60 ... +100 -еэе- ·~ ~~z" 3 8 0,72 ± i -+----+- ;! 480 (5) rt KC582f-2 -60 ... +100 - to,!J t ~·,, ~ i D 400 (1,5) 8,8 -60 ... + 125 КС591 g 15 980 (3) 3 7 0,72 -50 ... +100 КС596
352 Раздел Uст, В Тип прибора аUст, %/•с бUст, % Iст, мА 4. Диодь1 Unp, В Inp, мА) (при мин. ном. макс. КС596В-2 91 96 101 - ±0,01 ±1 - КС600А 95 100 105 1,5 ±0,12 ±1,5 1 (50) 102 120 138 50 0,1 ', КС620А - 1,5 (500) / КС630А 110,5 130 149,5 50 0,2 - 1,5 (500) КС650А 127,5 150 172,5 25 0,2 - 1,5 (500) КС680А 153 180 207 25 0,2 - 1,5 (500)
Параметрь1 стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 560 (5) мин. макс. 3· 7 353 Рпр, Вт т, ·с Корпус 0,72 -60 ... + 100 КС596В-2 - 10,!J ~ 450 (1,5) 1 8,1 1 t ~i ' '' ж1w D КС600 -60".+125 ,...,, '&. - - ·-- __,.... ..... ~ - g - 150 (50) 5 "' 5 42 15 -- КС620 -60".+125 37 -- - ~ - '&. г;: - lll.t CI~ . 180 (50) 5 38 5 F}. t:f" ~ ~ .... '~ КС630 -60 ... +125 37 ~ - - - '&. .r.:;11~ ~ ~IШ4 t:t ~ \ ""-1• 270 (50) 2,5 33 ' 5 КС650 -60."+125 37 ~ - - .r.::;11Г!. - ~ll_gt '&. R= t:t -~ ' .... 'r 330 (50) 2,5 28 5 КС680 -60".+125 37 -~ '&. '- - г.::;11~ ~IШ4 R= l:t -з: \ ,
Раздел 354 Раздел 5. 5. Тиристорь1 Тиристоры Буквенные обозначения параметров тиристоров Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющими три или более p-n переходов, объединяются под общим названием тиристоры. 5.1. Тиристоры работают как ключи в импульсных режимах с токами, значительно превышающими допустимые постоянные токи в открытом состоянии. Предназначены для применения в схемах преобразователей электрической энергии, импульсных модуляторов, бесконтактной регулирующей аппаратуры, избирательных и импульсных усилителей, генераторов гармонических колебаний, инвер­ торов и других схем, выполняющих коммутационные функции. В зависимости от вида вольт-амперной характеристики (ВАХ) и способа управления они подраз­ деляются на подклассы: • диодные тиристоры (динисторы) имеют два вывода: анод и катод (у них отсутствует управляющий электрод) и переходят в проводящее состояние, когда приложенное прямое напряжение достигает определенного значения (напряжения переключения); к динисторам • относится кн 102; симметричные диодные тиристоры (диаки) имеют приблизительно одинаковые характе­ ристики на положительной и отрицательной ветвях вольт-амперной характеристики; • триодные тиристоры ( тринисторы) имеют три вывода: анод, I<атод и управляющий электрод; не проводят в обратном на.правлении, включаются с помощью тока управления в цепи управляющего электрода, а выключаются путем уменьшения или прерывания протекающего через них тока. После включения тиристора ток управления можно сделать равным нулю и благодаря внутренней положительной обратной связи прибор останется в режиме насыщения. В этом состоит принципиальное различие между приборами с рами; у последних открытое состояние сохраняется лишь структурами и транзисто­ p'-n-p-n при наличии тока питания в цепи базы. Действие управляющего электрода проявляется лишь в момент включения тринистора, а закрыть его ИЛ!i изменить ток через открытый прибор, изменяя ток управления, невозможно. Только специальные, так называемые запираемые тиристоры открываются положительным, закрываются отрицательным сигналами на управляющем электроде. К запираемым относятся • тиристоры КУ102, КУ204 (остальные приведенные типы незапираемые); симметричные триодные тиристоры ( триаки или симисторы) имеют приблизительно одинаковые переключательные характеристики на положительной и отрицательной ветвях вольт-амперной характеристики и проводят ток в обоих направлениях, т.е. могут быть переклю­ чены из закрытого состояния в открытое и наоборот при любой полярности напряжения на основных электродах (переключение при подаче сигнала управления на управляющий электрод, а выключение - путем изменения полярности напряжения на основных электродах). Таким образом, симистор направлений, т.е. может имеет управляться током четыре режима как положительного, включения. Однако так и отрицательного целесообразно использовать симистор в трех режимах (при включении положительным сигналом управления при прямой полярности напряжения на основных электродах; отрицательным сигналом управления при прямой полярности напряжения и отрицательным сигналом управления при обратной полярно­ сти напряжения), так как в четвертом режиме при управлении положительным сигналом при обратной полярности напряжения требуется ток, значительно больший, чем в указанных трех режимах. К симисторам относятся КУ208, КУ601 и КУ61 О. К основным пар~метрам тиристоров, устанавливаемым ГОСТ предельно допустимых режимов в закрытом состоянии, в 20332-84, обратном относятся параметры непроводящем состоянии, в открытом состоянии и по цепи управления, а также динамические и тепловые параметры: • постоянное напряжение в закрытом состоянии Uзс - наибольшее прямое напряжение, которое может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии; • импульсное неповторяющееся напряжение в закрытом состоянии Uзс, нп - наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на аноде, не вызывающее его переключение из закрытого состояния в открытое;
Буквенные обозначения параметров тиристоров • постоянное обратное напряжение Uобр - 355 наибольшее напряжение, которое может быть приложено к прибору в обратном направлении; • обратное напряжение пробоя Uпроб - обратное напряжение прибора, при котором обратный ток достигает заданного значения; • напряжение переключения Uпрк - • (перегиба вольт-амперной характеристики); напряжение в открытом состоянии Uoc - прямое напряжение, соответствующее точке переключения падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии; • импульсное напряжение в открытом состоянии Uoc, и - наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения; • импульсное отпирающее напряжение Uот, и наименьшая - амплитуда импульса прямого напряжения, обеспечивающая переключение (динистора, тиристора) из закрытого состояния в открытое; • постоянное отпирающее напряжение управления Uy, от - напряжение между управляющим электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управле­ ния; • импульсное отпирающее напряжение управления Uy, от, и - импульсное напряжение на управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления; • неотпирающее постоянное напряжение управления Uy, нот - наибольшее постоянное напряже­ ние на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния в открытое; • повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии Uзс,п значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого наибольшее мгновенное к тиристору, включая только повторя_ющиеся переходные напряжения; • повторяющееся импульсное напряжение Uобр, п - наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая то~ько повторяющиеся переходные напря­ жения; • запирающее постоянное напряжение управления Uy, з - постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления; • запирающее импульсное напряжение управления Uy, з, и - импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему току управления; • незапирающее постоянное напряжение Uy, нз - наибольшее постоянное напряжение управле­ ния, не вызывающее выключение тиристора; • пороговое напряжение Unop чения линии значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересе­ прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения; • постоянный ток в закрытом состоянии Iзс - ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении; • средний ток в открытом состоянии Ioc, ер - среднее 3а период значение тока в открытом состоянии; • постоянный обратный ток lобр - обратный анодный ток при определенном значении обратного напряжения; • ток переключения Iпрк только для динисторов); • повторяющийся ток через тиристор в момент переключения (Uпрк и Iпрк указываются импульсный ток в открытом состоянии Ioc, п - наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи; • ударный ток в открытом состоянии Ioc, удр - наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается с ограниченным числом повторений; • • постоянный ток в открытом состоянии Ioc - повторяющийся импульсный ток в наибольшее значение тока в открытом состоянии; открытом состоянии Ioc, п - наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи; • повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии Iзс, п - импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии;
Раздел 356 • повторяющийся импульсный обратный ток lобр, п 5. Тиристорь1 обратный ток, обусловленный повторяю­ - щимся импульсным обратным напряжением; • отпирающий постоянный ток управления Iy, от • необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое); отпирающий ток управления Iy, от, и наименьший импульсный ток управления, необходимый наименьший постоянный ток управления, для включения тиристора; • запирающий импульсный ток управления Iy, з, и - наибольший импульсный ток управления, не вызывающий включение тиристора; • ток удержания lуд - наименьший прямой ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии; • ток включения тиристора Iвкл - наименьший основной ток, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии после окончания импульса тока управления после переключе­ ния тиристора из закрытого состояния в открытое; • запираемый ток тиристора Iз наибольшее значение основного тока, при котором обеспечи­ - вается запирание тиристора по управляющему электроду; • средняя рассеиваемая мощность Рср - сумма всех средних мощностей, рассе'иваемых тиристо­ ром; • время включения тиристора включается отпирающим ty, вкл, tз, вкл током - управления интервал времени, в течение которого тиристор или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим током; • время нарастания понижается до ty, пнр, tнр заданного - интервал времени между моментом, когда основное напряжение значения, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импуль­ сным отпирающим напряжением; • время выключения tвыкл - н~именьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в который определенное основное н~пряжение проходит через нулевое значение без переключе­ ния тиристора; • критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (dUзc/ dt)кp - наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое; • критическая~ скорость нарастания коммутационного напряжения (dUзc/ dt)ком - наибольшее \ значение скорости нарастания основного напряжения, которо_е после нагрузки током в откры- том состоянии или обратном проводящем состоянии в противоположном вызывает переключение тиристора -из закрытого состояния в открытое. направлении не

Раздел 358 5.2.. Параметры прибора КУ101А КУ101Б KY101f КУ101Е КУ102А КУ102Б КУ102В KY102f КУ103А КУ103В КУ104А КУ104Б КУ104В KY104f КУ105А КУ105Б КУ105В KY105f КУ105Д КУ105Е КУ108В КУ108Ж КУ108М КУ108Н КУ108С КУ108Т КУ108Ф КУ108Ц . * Uобр, Тиристоры тиристоров Uобр,п, Тип 5. max, Uзс,п, * Uзс, max, loc, и, А loc, ер, * loc, Пt Uoc, и, * Uoc, Uy, Iзс, Пt HOTt в foop, Пt * Iзс, * lобр, мА мА :S0,15* :S0,15* :S0,15* :S0,15* :S0,15* :S0,15* :SO, 15* :S0,15* - А в 1 1 1 1 0,075 0,075 0,075 0,075 :S2,5* :S2,5* :S2,5* :S2,5* 50* 100* 150* 200* 5 5 5 5 0,05* 0,05* 0,05* 0,05* :S2,5* :S2,5* :S2,5* :S2,5* ~О.2 ~.2 ~.2 :SO, 1* :SO, 1* :SO, 1* :SO, 1* - 150* 150* - - 0,001 0,001 :S3 ·:S3 0,001 0,001 :SO;t 5* :SO, 15* 6* 6* 6* 6* 15* 30* 60* 100* 3 3 3 3 0,1 0,1 0,1 0,1 :S2* :S2* :S2* :S2* ~1 * :S0,5 :S0,5 :S0,5 :S0,5 - 30* 15* 5* 5* 30* 15* 30* 15* 30* 15* 30* 15* 2 2 2 2 2 2 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 :Sl '1 * :Sl '1 * :Sl '1 * :Sl' 1* :Sl '1 * :Sl,l* ~О.1 :S0,001 :S0,001 :S0,001 :S0,001 :S0,001 :S0,001 :S0,003 :S0,003 :S0,003 :S0,003 :S0,003 :S0,003 500 500 400 400 400 400 300 300 1000 1000 800 150 150 150 150 150 150 150 150 - :S4* :S4* :S4* :S4* :S4* :S4* :S4* :S4* ~О.1 :S2,5 :S2,5 :S2,5 :S2,5 :S2,5 s2,5 :S2,5 :S2,5 :S0,3 :S0,3 :S0,3 :S0,3 :S0,3 :S0,3 :S0,3 :S0,3 в в 10* 50* 80* 150* 50* 50* 80* 150* 5* 5* 5* 5* 809 800 800 800 800 - - - - ~.2 * ~1 * ~1 * ~1 ~0.1 ~О.1 ~.1 ~О.1 ~О.1 ~О.1 ~.1 ~О.1 ~О.1 ~.1 ~О.1 ~.1 - 1* 1* - -
Параметрь1 тиристоров ly, от, от, Uy, • 1 lу,з,и • Uу,от,и, мА в :Sl2 :Sl2 :Sl 2 :Sl2 1,5".8 1,5".8 1,5".8 1,5".8 359 dUзc/dt, В/мкс f вкл, fвыкл, мкс мкс 100 100 100 100 2 2 2 2 35 35 35 35 Корпус КУ101 ~ О::! 11 1 к 7* 7* 7* 7* (12) (12) (12) (12) 200 200 200 200 А '/69,5 ' ~ fiJ8,5 - 1.4') ' CC::i' ~ r... 0,4".2 0,4".2 - - -н '"" ~ ' -УЗ - - ~~ ~~~ 'tA j "") 40 40 ~ .2) КУ102 20 20 20 20 5 5 5 5 А- lvз 1 ' 20 20 20 20 ~\ (~ ...!... ~ l - 20* 20* 20* 20* f!B - ~ КУ103 - ев ~ ~ О::! • ( ) 1 1 к ~ ~ .2) 11 1 !/З : $ А ' :Sl 5 :Sl 5 :Sl 5 :Sl 5 :S2* :S2* :S2* :S2* 10 10 10 10 0,29 0,29 0,29 0,29 - КУ104 2,5 2,5 2,5 2,5 ~9,5 ~ fiJ8,5 - 1.4') ' CC::i' ~ ' :S2* :S2* :S2* :S2* :S2* :S2* ~10 ~10 ~10 ~10 ~10 ~10 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 - - 20 20 20 20 20 20 20 20 35 100 35 35 100 100 ,.\. 35 100 ' - c:::i" li А~ н . 11 ' HJ lvк - - ~~ ! •::s ::s 1,J <? /~ ~ т ~ 1 '1 КУ108 lt2 ,, ~ " '/ --r·~ ~ !JЭ А rJ 17 1 QjJ -- - ftj.~ ~!# -~ ' ~ -~ 11 ~О,05 - - -из r--. 1 ':::)j (') :S25* :S25* :S25* :S25* :S25* :S25* :S25* :S25* r... -н ' КУ105 ~~ ~~ ......... - ~~ ~~~ ltA "") :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* - 1 • -
Раздел 360 5. Тиристорь1 - Тип прибора Uобр,п, Uзс,п, * max, Uобр. Uзс, max, в в 50 50 50 50 700 750 700 600 КУ109А КУ109Б КУ109В КУ109Г • loc, Иt 12 12 12 12 fобр, Пt Iзс, lобр, мА мА Uoc, и, loc, Пt Uoc, А в 1 1 1 1 :S3,5* :S3,5* :S3,5* :S3,5* - :S0,3 :S0,3 :S0,3 :S0,3 - 0,3 0,3 0,3 :Sl ,9 :S2,3 :S2 0,6 0,6 0,6 :S0,075 :S0,075 :S0,075 - ~О.2 :S0,5* :S0,5* :S0,5* :S0,5* • А lзс, Пt loc, ер, • Uy, • • HOTt в ~ КУНОА 10* 10* 10* КУН ОБ КУНОВ 300 '200 100 о,6 0,6 0,6 - - - ; КУН1А КУН1Б КУНЗВ 100* 100* 400* 200* 15 15 0,3* 0,3* :S5 :S5 - 300* 200* 100 100 - :S4 :S4 - :SO, l :SO, l - - :Sl,7* :Sl '7* :Sl,7* - :S0,02 :S0,02 :S0,02 :S0, 12 :SO, 12 :S0, 12 - :Sl '7* :Sl '7* :Sl '7* - :S0,02 :S0,02 :S0,02 :SO, 12 :S0,12 :SO, 12 - :Sl '7* :Sl '7* :Sl '7* - :S0,02 :S0,02 :S0,02 - - КУНЗГ КУ120А 6".10 12 ... 16 18 ... 20 КУ120Б КУ120В КУ120А-5 6 ... 10 12 ... 16 18 ... 20 КУ120Б-5 КУ120В-5 КУ121А 12 18 20 КУ121Б КУ121В - - - - - - - - - - - - - - - ~О.2 - - 1 ' KY20lA КУ201Б КУ201В КУ201Г КУ201Д КУ201Е ку2·о~ж КУ201И КУ201К КУ201Л 25* 25* 50* 50* 100* 100* 200* 200* 300* 300* 25* 25* 50* 50* 100* 100* 200* 200* 300* 300* 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* - - - - - :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* - :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5* :S5*1 :S5*
361 Параметрь1 тиристоров fy, OTt Uy, OTt • fy,З,Ht • Uу,от,н, мА в SlOO SlOO slOO SlOO S3;S7* S3; S7* S3; ~7* S3; S7* dUзc/dt, tвкл, tвыкл, В/мкс мкс мкс Корпус КУ109 6 4 8 ~12.5 1 l r 1 1 S0,3 S0,3 S0,3 0,3 ... 0,6; 7* 0,3".0,6; 7* 0,3".0,6; 7* $100* SlOO* Sl Sl Sl 7* 7* 50 50 КУ110 S40 S40 S40 r;JВ,S S20 S20 50 50 31,1/ КУ111, КУ113 _r;JВ,S - 20 20 КУ120 КУ120-5 1,2 0,4 ~шт S0,12 S0,12 S0,12 SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO КУ121 S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 SlO SlO SlO SlO SlO SlO SlO SlO SlO SlO SlOO SlOO SlOO SlOO slOO SlOO SlOO SlOO SlOO SlOO КУ201 к-1 Y?r11 l 1 11 11 1 ' 11 11 ,L....., 1 Мб_ IA tq ~ ,,
Раздел 362 Тип прибора КУ202А КУ202Б КУ202В KY202f КУ202Д КУ202Е КУ2-02Ж КУ202И КУ202К КУ202Л КУ202М КУ202Н КУ203А КУ203Б КУ203В KY203f КУ203Д КУ203Е КУ203Ж КУ203И КУ204А КУ204Б КУ204В Uобр,п, * max, Uобр, в - Uзс,п, * Uзс, max, в loc, и, А loc, ер, * п, loc, Uoc, и, * Uoc, А в 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* Sl,5* Sl,5* Sl,5* Sl,5* Sl ,5* Sl,5* Sl,5* Sl,5* Sl,5* Sl ,5* Sl,5* Sl,5* ~О.2 ~.1 25* 25* 50* 50* 100* 100* 200* 200* 300* 300* 400* 400* 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 50 100 150 200 50 100 150 200 50 100 150 200 100 100 100 100 100 100 ' 100 100 5 5 5 5 5 5 5 5 S2 S2 S2 S2 S2 S2 S2 S2 - 50 100 200 12 12 12 - S3 S3 s3 25* 50* 100* 200* 300* 400* - Uy, нот, в ~О.2 ~.2 ~.2 ~О.2 ~.2 ~.2 ~.2 ~О.2 ~.2 ~О.2 ~О.2 ~.1 ~.1 ~.1 ~О.1 ~.1 ~0.1 ~0.1 ~О.15 ~О.15 ~.15 5. Тиристоры Iзс, п, lобр, п, Iзс, * lобр, • мА S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* . мА S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* S4* slO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* SlO* ::;10* SlO* S5 s5 S5 - - КУ208А КУ208Б КУ208В KY208f КУ210А КУ210Б КУ210В 100* 200* 300* 400* 100* 200* 300* 400* 10 10 10 10 5* 5* 5* 5* S2* S2* S2* S2* - S5* s5* S5* S5* - 600 500 400 600 500 400 2000 2000 2000 20* 20* 20* Sl,8* Sl,8* Sl,8* - Sl,5 Sl,5 Sl,5 Sl,5 Sl,5 Sl,5
363 Параметры тиристоров ly, от, Uy, от, * lу,з,и, * Uу,от,и, мА в ~200 ~7 ~00 ~7 ~200 ~7 ~00 57 ~200 ~7 ~200 57 !'.7 ~200 ~200 ~7 ~00 ~7 ~200 ~7 ~200 57 5200 ~7 ~450 ~.5; ~450 ~2.5; ~450 ~2.5; 5450 ~2.5; ~450 ~2.5; 5450 ~2.5; ~450 ~2.5; ~450 ~.5; dUзc/dt, tвкл, tвыкл, В/мкс мкс мкс ~10 ~100 ~10 ~100 510 ~100 ~10 ~100 ~lo ~100 ~10 ~100 ~lo ~100 ~10 ~100 ~10 ~100 ~10 ~100 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 5150 ~10 ~100 ~10 ~100 ~20 ~3 ~7 ~20 53 ~7 ~20 ~3 ~7 ~20 ~3 ~7 ~20 ~3 ~7 ~20 ~3 .~7 ~20 ~3 ~7 ~20 ~3 ~7 Корпус КУ202 ~ ~ ~ N' ....... КУ203 r/J22,6 ~ ~ N ФJ2 20 20 20 ~150 ~150 ~160* ~5* ~160* 55* ~160* ~5* ~160* ~5* 10 10 10 10 КУ204 ~10 ~150 ~10 ~150 ~lo ~150 510 5150 КУ208 ~ ~ ~ N' ....... ~150 ~150 5150 50 50 50 ~150 ~150 ~150 КУ210
Раздел 364 Тип прибора КУ211А КУ211Б КУ211В KY211f КУ211Д КУ211Е КУ211Ж КУ211И КУ215А КУ215Б КУ215В Uобр,п, * Uобр, max, Uзс,п, · * max, Uзс, loc, и, А loc, ер, Uoc, и, * п, loc, * Uoc, А в В, в 800* 800* 700* 700* 600* 600* 500* 500* 800* 800* 700* 700* 600* 600* 500* 500* 200 200 200 200 200 200 200 200 20 20 20 20 20 20 20 20 500 400 300 1000 800 600 250 250 250 5* 5* 5* КУ216Б КУ216В КУ218А КУ218Б КУ218В KY218f КУ218Д КУ218Е КУ218Ж КУ218И КУ219А КУ219Б КУ219В в Iзс, п, lобр, п, * Iзс, l~p, мА мА ~3 - ~3 - ~2* ~2* ~3 - ~2* ~2* ~2* ~2* - ~2* ~2* ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~3* 0,1 0,1 0,1 ~1.5 ~1.5 - 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 ~3 53 -~3 ~3 ~3 ~3* ~3* ~2* ~2* 52* ~2* ~2* ~2* ~2* ~2* - - КУ216А Uy, нот, 5. Тиристоры 400 400 300 800 800 600 100 100 100 5* 5* 5* 2 2 2 2000 2000 1800 900 1600 800 1400 700 2000 2000 1800 1800 1600 1600 1400 1400 100 100 100 100 100 100 100 100 20* 20* 20* 20* 20* 20* 20* 20* ~3.5* О, 1 ~1.5 ~1.5 ~3.5* 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~l ,5 ~l ,5 ~1.5 ~1.5 ~1.5 1200 1000 800 1200 1000 800 1200 1200 1200 20* 20* 20* ~2* 0,2 0,2 0,2 ~1.5 ~1.5 ~1.5 ~l ~1.5 ~1.5 - ~О.5 ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~2* ~2* ~l ,5 ,5 - ,_ КУ220А КУ220Б КУ220В KY220f КУ220Д - 1000 1000 1000 800 800 100 100 100 100 100 4 4 4 4 4 ~1.5* - ~1.5* - ~О.5 - ~1.5* - ~О.5 .- ~1.5* _,_ ~О.5 - ~О.5 - ~l ,5*
Параме_тры тиристоров ly, от, Uy, от, lу,з,и, Uу,от,и, мА в • • :S600 :S600 :S600 :S600 :S600 :S600 :S600 :S600 365 dUзc/dt, В/мкс tвкл, tвыкл, мкс мкс 200 200 200 200 200 200 200 200 120 60 120 60 120 60 120 50 50 50 :Sl50 :Sl50 Sl50 Корпус КУ211 60 51/ к -- ..:· -. А ,J ~~j~,/ КУ215 ~ ~. 1 1 1 . 1- 20* 20* 20* 50 50 50 1 11 32 20 80 80 ?l-+FY, . \~ ""'"' 1 - 20 КУ216 _"-.,.....,_l............. ... ~j l J ::;;500 :S500 :S500 :S500 :S500 :S500 :S7 :S7 :S7 :S7 :S7 :S7 :S7 :S7 ::;;120 ::;;120 :Sl20 :Sl20 ::;;120 ::;;120 ::;;120 ::;;120 S250 ::;;250 :S250 S250 :S250 S250 :S250 :S250 КУ218 :S40* :S40* :S40* 200 50 50 :SlOO :Sl50 S200 КУ219 :S40* :S40* :S40* :S40* :S40* 100 100 100 100 100 :S0,2 ~.2 S0,3 ::;;о,з ~.з ::;;50 ::;;50 ::;;75 :S75 ::;;75 51/ 51/ КУ220 . ,__ А· . ~ ... т1 ~ :S500 :S500 }}), ~= --
Раздел 366 Тип прибора КУ221А КУ221Б КУ221В KY221f КУ221Д Uобр,п, * Uобр, max, Uзс,п, * Uзс, в в 50 50 50 50 50 700 750 700 600 500 Тиристоры Iзс, п, lобр, п, * Iзс, * lобр, мА мА loc, ер, * п, loc, Uoc, и, * Uoc, А в 100 100 100 100 100 3,2 3,2 3,2 3,2 3,2 ::;;3,5 ::;;3,5 ::;;3,5 ::;;3,5 ::;;3,5 -10 30 30 10 10 ::;;о,3 - ~.15 10 10 ::;;3,5* ::;;3,5* ::;;3,5* ::;;3,5* ::;;3,5* ::;;3,5* ~.15 ::;;1,5. ::;;1,5 ::;;1,5 ::;;1,5 ::;;20* ~.15 ~О* - ::;;15 - ::;;О,3* - - - ::;;2 ::;;2 ::;;2 ::;;2 - loc, и, max, 5. А Uy, нот, в ::;;о,3 ::;;О,3 ::;;о,3 ::;;О,3 - ' КУ222Е - 2000 1600' 2000 1600 1200 1200 400 400 400 400 - КУ224А 50 400 150 - КУ228А1 - КУ228Б1 100 КУ228В1 - 30 30 30 30 30 30 30 30 10 10 10 10 400 100 100 200 200 300 300 400 400 - 400* 400* 250 250 - - 400* 400* 400* 100 100 100 - КУ222А КУ222Б КУ222В KY222f КУ222Д KY228f1 КУ228Д1 КУ228Е1 КУ228Ж1 КУ228И1 КУ239А КУ239Б КУ240А КУ240Б КУ240В 200 - 300 - - - - 10 - 10 10 10 . - ~О.15 ~.15 ~.15 - . ~ ~ ::;;2 - ~ ::;;20 ::;;20 - ::;;О,2 ::;;2,5 ::;;2,5 ::;;2,5 - ::;;о,3 - ::;;о,3 - ::;;О,2 ::;;О,3 - - - -
Параметрь1 тиристоров ly, от, • Uy, от, lу,з,и, • Uу,от,и, мА в sl50 sl50 sl50 s150 sl50 s7* s7* s7* s7* s7* 367 dUзc/dt, В/мкс tвкл, tвыкл, MKt: мкс 500 200 Корпус slO slO slO s20 s20 200 200 200 КУ221 rJ12.5 1 r 1 1 1 31,1/ 1 s50* s50* s50* s50* s50* s50* 200 200 200 200 200 200 170 300 170 sl25 sl25 300 ~250 170 300 ~250 КУ222 51/ ~250 ~250 У3. . 1 ' -slOO s3 50 КУ224 ~10 _rJ12,5_ 1 .l r 1 31,1( .s40 20 20 20 20 20 20 20 20 50 50 КУ228 ~о 10,85 s40 ~tJ ~40 s40 ~40 s40 10 100 ~U 'W 1 'К А УЗ КУ239 10,85 - L ~U 'f 1 К А УЗ 200 200 200 25 25 25 l/.lt /~~ _.__, 1 0,5 ... 1,4 0,5".2,2 0,5".2,2 . ~40 КУ240
Раздел 368 Тип прибора Uобр,п, * Uобр. max, в Uзс,п, * Uзс. max, в loc, и, А 5. Тиристоры loc, ер, * п, loc, Uoc, и, * Uoc, А в 1 ~1.4* - ~О.05* - ~1.6* - ~О.05* - - - ±0,12 ±0,12 ±0,12 - - Uy. нот, в Iзс. п1 lобр, п, * Iзс, * lобр, мА мА ! КУ501А - 400* - КУ502А - 400* - О, ±(6 ... 10) ±(12 ... 16) ±(18".24) - - ~1.7 - - 100* 200* 300* 400* 100* 200* 300* 400* ~2* - 5* 5* 5* 5* ~2* - КУ606А - 700* - 2 2* - ~о.3 - КУ610А - 700 400 - 2,90 6 6; 6 - ~5 КУ610В 90 90 90 ~2* КУ610Б - КУ701А - 800* 800* 800* 800* 600* 600* 600* 600* - 20 20 20 20 20 20 20 20 - ~6 2000 2000 1600 1600 l200 1200 - - 20 20 20 20 20 20 ~3.5* КУ702Е - КУ706А - - - 40 40 40 ~З* КУ706Б 1600 1200 1000 КУ503А КУ503Б КУ503В КУ601А КУ601Б КУ601В KY601f КУ701Б КУ701В KY701f КУ701Д КУ701Е КУ701Ж КУ701И КУ702А КУ702Б КУ702В KY702f КУ702Д КУ706В - - - - 1 ~1.7 ~1.7 ~2* ~2* ~2* ~2* ~3* ~2* - ~3* - ~2* ~3* - ~2* ~3* ~2* ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~3.5* ~3* ~3* - ~5 ~5 ~6 ~6 ~6 ~6 ~6 - ~6 - ~20 - ~6 ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~о ~о ~20 -
369 параметры тиристоров ::55 20 КУ501, КУ502 ~9,5 - 1 pJB,5 - ::53 20 ' 1---А ~ ' ::50,02 ::50,02 ::50,02 ' '"" ... ... r-- /( r-g,'З КУ503 ~гrn:hd ~or~P~ А1А2 З ::5160* ::5160* ::5160* ::5160* ::550 ::550 ::550 ::510 ::510 ::5 l о ::510 ::5150 ::5150 ::5150 ::5150 ::55 ::55 ::55 ::55 10 10 ::52 20 КУ606 ::52,5 ::52,5 ::52,5 10 10 10 КУ610 ::55 ::55 ::55 ::55 ::55 ::55 ::55 ::55 ::5100 ::5100 lO 10 ::5100 ::5100 ::5100 ::5100 ::5100 30 60 40 120 30 60 40 120 ::57 ::57 ::57 ::57 ::57 ::57 ::5200 ::5200 ::5200 ::5200 ::5200 ::5200 150 250 150 250 150 '\ 250 ::540* ::540* ::540* ::5200 ::5200 ::5200 150 150 150 SlOO _.. КУ601 КУ701, КУ702 1 КУ706 51/ ~1/6 к УЗ ;:!!:
370 Раздел Uзc,n, Ioc, ер, * n, loc, Uoc, и, * Uoc, А в 13 - 52 - g),3 - 10 14 20 30 50 10 10 10 10 10 10 10 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 51,5* :5:1,5* :5:1,5* :5:1,5* :5:1,5* :5:1,5* 51,5* 2 3 4 8 12 15 g),08* 50,08* s;0,08* 50,08* 50,08* s;0,08* s;0,08* g),5* g),5* 50,5* 50,5* 50,5* 50,5* 50,5* 50* 100* 50* 100* 10 10 10 10 2 2 2 2 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 2* 100 100 100 100 100 100 5 5 5 5 5 5 52 ::;;2 52 52 52 52 - 520 520 ::;;20 520 520 520 520 520 520 -520 520 520 Uoop,n, * max, Uобр, * max, Uзс, в в КУ901А - - КН102А 10* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 5 Тип прибора КН102Б КН102В КН102Г КН102Д КН102Ж КН102И 5. Тиристорь1 Ioc, и, А 7 Uy, нот, в 6 Iзс, n, lобр, n, * lзс, I~p, мА мА ~ Д235А Д235Б Д235В Д235Г - 50* 100* . . Д238А Д238Б Д238В Д238Г д238Д Д238Е 50 100 150 50 100 150 50 100 150 -
nараметрь1 тиристоров ly, от, Uy, от, * lу,э,и, * Uу,от,и, мА в ~5 371 dUзc/dt, В/мкс tвкл, tвыкл, мкс мкс Корпус КУ901 ·20 К А !IЭ ~о 20 28 40 56 80 120 150 КН102 ~о ~40 ~40 ~40 ~40 ~40 ~ ~ А 250 250 250 250 5* 5* 5* 5* 5 5 5 5 35 35 35 35 Д235 Д238 ~150 ~8* ~5 -~10 ~35 ~150 ~8* ~5 ~10 ~5 ~150 ~8* ~5 ~10 ~35 ~150 ~8* ~5 ~10 ~35 ~150 ~· ~5 ~10 ~35 ~5 ~10 ~35 ~150 ~8* к r/J22,6 ~ ~ ФJ2
Раздел 372 Раздел 6. 6. Оптоэлектронные приборы Оптоэлектронные приборы Виды приборов и буквенные обозначения параметров 6.1. К оптоэлектронным приборам относятся функциональные (электронные) устройства, в которых исполь­ зуются два способа обработки и передачи сигналов: оптический и электрический. Принцип действия оптоэлектронных приборов основан на использовании электромагнитного излучения в оптическом диапазоне длин волн видимого глазом света в интервале мкм (светодиоды)" и в инфракрасной (невидимой) области спектра в диапазоне длин (ИК-диоды). мкм В соответствии с ОСТ 11 339.015-81 0,45 ... 0,68 волн 0,87 ... 0,96 оптоэлектронные приборы имеют следующие условные обозначения: Первый элемент Буква К-· указывает, что прибор широкого применения. Второй элемент Буква И Третий элемент Вид индикатора оптоэлектронного прибора: П Н Л Ж - - указывает, что это знакосинтезирующий индикатор. 1 полупроводниковые; вакуумные накаливаемые; вакуумные люминесцентные; жидкокристаллические. ~ Вид отображаемой информации: Четвертый элемент Д Ц В - r, М Т - единичная; цифровая; буквенно-цифровая; графическая; мнемоническая; шкальная. Пятый элемент Число, указывающее на порядковый номер разработки. Шестой элемент Буква, обозначающая классификацию по параметрам. Седьмой элемент Число, указывающее на количественную характеристику информа- ционного поля (кроме одноразрядных). Буква, обозначающая цвет свечения для одноцветных: К Восьмой элемент - красный, Л зеленый, С синий, Ж желтый, Р оранжевый, Г голубой, М - для многоцветных индикаторов всех видов. Девятый элемент - Цифра, обозначающая модификацию конструктивного исполнения. Светоизлучающие диоды - полупроводниковые приборы с одним переходом, в котором осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излу­ чения, предназначены для визуального представления и восприятия отображаемой информации. Наряду с одноцветными излучающими диодами выпускаются диоды с управляемым цветом свечения от красного до зеленого. В зависимости от режима работы диодов изменяется результирующее излучение и соответственно цвет свечения. Цвет светового излучения светодиодов (синий, голубой, зеленый, желтый, оранжевый, красный) определяется диапазоном длин волн. Максимальная чувстви­ тельность глаза находится в диапазоне длин волн 0,55 мкм, что соответствует з·еленому цвету свечения. Широкое применение светоизлучающие диоды нашли в качестве элементов индикации включения и настройки радиоаппаратуры, сигнализации и контроля в системах автоматики и связи, для оператив­ ного контроля работоспособности промышленных систем. Конструктивно светодиоды выполняются в металлических корпусах со стеклянной линзой из оптически прозрачного материала, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из оптически прозрачного компаунда и бескорпусном варианте. Параметры светоизлучающих диодов (по ГОСТ • сила света lv - 23562-79 ): излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном плоскости излучающегq кристалла. Измеряется в канделах;
Виды приборов и буквенные обозначения параметров яркость • 373 величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. L - Измеряется в канделах на квадратный метр; постоянное прямое напряжение Uпр - • значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока; г максимально допустимый постоянный прямой ток Inp,max - • максимальное значение постоянно­ го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе ' диода; импульсный ток Iпр, и, max - • максимальный импульсный ток при заданной длительности импульса; максимjlльно допустимое обратное постоянное напряжение Uoбp,max - • максимальное ,значение постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надеж­ ность при длительной работе; максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uобр,и,mах - • максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиQде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся; максимум спектрального распределения Лmах - • длина волны световог<f'излучения, соответст­ вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода. Линейные ш~алы на основе светоизлуч~ющих диодов представляют собой сборки, состо­ ящие из последовательно размещенных диодных структур (сегментов) с соответствующей схемой коммутации. Предназначены для отображения непрерывно изменяющейся информации. Достоинство линейных шкал - быстрота воспроизведения информации и наглядное ее отображение. Широкое применение линейные шкалы нашли в радиоаппаратуре, авиационной и автомобильной технике как индикаторы пикового уровня звука, величины скорости, уровня горючего в баках и различных динамических процессов. Конструктивно бескорпусном линейные исполнении в шкалы виде выполняются пластин с в прямоугольных планарными ~ластмассовых корпусах и элементами свечения и контактными площадками. Параметры линейных шкал: • сила света lv - излучаемый диодом световой поток, приходящийся на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном плоскости излучающего кристалла. Измеряется в канделах; • яркость L - величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. Измеряется в канделах на квадратный метр; • постоянное прямое напряжение Uпр - значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока; • максимально допустимый постоянный прямой ток Iпp,max - максимальное значение постоянно­ го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительности работы диода; • максимально допустимое постоянное напряжение Uoбp,max - максимальное значение постоян­ ного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимально допустимое обратное ицпульсное напряжение Uобр, и - максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся; • максимум спектрального распределения Лmах - длина волны светового излучения, соответст­ вующая максимуму спектральной характеристики излучения светодиода. Дополнительным параметром, характеризующим линейные шкалы, является относительный раз­ брос силы света между излучающими сегментами одной шкалы, определяемый отношением силы света самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента. Цифро-буквенные индикаторы представляют собой сборки светодиодных структур с соответ­ ствующими электрическими соединениями. Предназначены для отображения информации в микро­ калькуляторах, часах устройствах автоматики, измерительной технике, информационных табло. Разновидностью цифро~буквенных индикаторов являются двухцветные индикаторы, в которых для формирования сегмента используются два светоизлучающих диода: красного и зеленого цветов
Раздел ~. Оптоэлектронные приборы 374 свечения. Управление напряжением питания такого индикатора осуществляется с помощью двух шин: одна - для включения красных диодов, другая -' для включения зеленых диодов. Конструктивно цифро-буквенные индикаторы выполняются в прямоугольных корпусах или моно­ литной керамической конструкции с моноблочной линзой. Параметры цифро-буквенных индикаторов в ,основном аналогичны тем, которые характеризуют светоизлучающие диоды. Специфическим параметром явл·яется параметр бlv. Допустимый разброс силы света между излучающими сегментами 8Iv - отношение силы света самого яркого сегмента при номинальном прямом токе к силе света самого тусклого сегмента. Инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды) полупроводниковые диоды, в которых - осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию инфракрасного излучения. Предназначены для работы в качестве преобразователей энергии и источников передачи инфор­ мации в узлах и линиях, требующих оптической связи или гальванической развязки. Широкое применение ИК-диоды находят в преобразователях «угол-код», бесконтактных переключателях, датчи­ ках-счетчиках на конвейерах. Конструктивно ·выполняются в металлических корпусах со стеклянной полусферической излучающей поверхностью, в пластмассовых корпусах с излучающей поверхностью выпуклого профиля из прозрачного бесцветного компаунда и бескорпусном варианте. Параметры ИК-диодов: • мощность излучения Ризл поток излучения определенного спектрального состава, излучае­ - мого диодом; • импульсная мощность излучения Ризл, и - амплитуда потока излучения, измеряемая при заданном импульсе прямого тока через диод; • ширина спектра излучения ЛЛ интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения диода составляет половину максимальной; максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр, и; • время нарастания импульса излучения tнар, изл мощность излучения диода нарастает от О, 1 до • время спада импульса излучения tсп, изл излучения диода изменяется от • • скважность Q- 0,9 интервал времени, - 0,9 в течение которого максимального значения; интервал времени:, в течение которого мощность - до О, 1 максимального значения; отношение периода импульсных колебаний к длительности импульса; постоянное прямое, напряжение Uпр - значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока; • максимально допустимый постоянный прямой ток Iпp,max - максимальное значение постоянно­ го прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительн·ой работе диода; • максимально допустимое обратное напряжение Uoбp,max - максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к диоду, uри котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uобр. и - максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся. Диодные оптопары щего и фотоприемного - оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из излучаю­ элементов, между которыми имеется оптиче-ская связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом. В диодной оптопаре в качестве фотоприемноrо элемента используется фотодиод, а излучателем служит инфракрасный излучающий диод. Максимум ·спектральной характеристики излучения диода леж1tт в области длины волны около 1 мкм. Предназначены для схем защиты от перегрузок, согласования периферийных линий с центральным процессором ЭВМ, низковольтного блока с высоковольтным. Параметры диодных оптопар: • входное напряжение Uвх - постоянное прямое напряжение на диоде-излучателе при заданном входном токе; • максимальный входной ток или максимальный импульсный входной ток Iвx,max значения постоянного входного тока или амплитуды входного импульса, максимальные проходящего через
Виды приборов и буквенные обозначения параметров 375 входную цепь оптопары, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимальное входное обратное напряжение Uвх,обр,mах - максимальное значение постоянного напряжения, приложенного ко входу диодного оптрона в обратном направлении, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • максимальное выходное обратное постоянное и импульсное напряжение Uвых, обр, max и Uвых, обр, и, max - максимальные напряжения в выходной цепи: оптопары, при которых обеспечивается ее надежная работа; • выходной обратный ток (темновой) Iвых, обр, т ток, протекающий в выходной цепи диодной - оптопары при отсутствии входного тока и заданном напряжении на выходе; • • время нарастания выходного сигнала tнр - интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары изменяется от О, 1 до 0,5 время спада выходного сигнала tсп интервал времени, в течение которого выходной сигнал изменяется от 0,9 до - максимального значения; максимального значения; 0,5 • статический коэффициент передачи тока • сопротивление изоляции Rиз - Ki - отношение разности выходного темнового тока к входному, выраженное в процентах; активное сопротивление между входной и выходной цепями оптопары; • • проходная емкость Спр максимальное емкость между входной и выходной цепями оптопары; напряжение ции Uиз, п, max - изоляции Uиз, max или максимальное пиковое напряжение изоля­ максимальное постоянное или пиковое напряжение изоляции, приложенное между входом и выхQДом оптопары, при котором сохраняется ее электрическая прочность. Транзисторные оптопары оптоэлектронные полупроводниковые приборы, состоящие из - излучающего диода, большая часть света которого направляется на базовую область фототранзистора, чувствительного к излучению с длиной волны около 1 мкм. Излучатель и приемник изолированы между собой оптически прозрачной средой. Предназначены для применения в аналоговых и ключевых коммутаторах сигналов, схемах согласования датчиков с измерительными блоками, гальванической развязки в линиях связи, оптоэ­ лектронных реле, коммутирующих большие токи. Параметры транзисторных оптопар: • выходное остаточное напряжение Uост - напряжение на выходных выводах оптопары при открытом фототранзисторе; • ток утечки на выходе lут,вых - ток, протекающий в выходной цеп'И закрытого фототранзистора при приложенном выходном напряжении; • максимальная средняя рассеиваемая мощность Pp,max - мощность, при которой обеспечивается заданная надежность оптопары при длительной работе; • максимальный выходной ток Iвых, max ток фототранзистора, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе; • • • максимальный выходной импульсный ток Iвых, и, max - • максимальное коммутируемое напряжение на выходе Uком, max транзисторной оптопары; время нарастания выходного сигнала tнр - на выходе оптопары изменяется от 0,9 время спада выходного сигнала tсп - выходе изменяется от О, 1 до • ток фототранзистора в оптопаре; время включения tвкл 0,9 интервал времени, в течение которого напряжение до О, 1 максимального значения; _интервал времени, в течение которого напряжение на максимального значения; интервал времени между моментами нарастания входного сигнала до - уровня О, 1 и спада выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня О, 1 максималь­ ного значения; • время выключения tвкл уровня 0,9 и - интервал времени между моментами спада входного сигнала до нарастания выходного напряжения транзисторной оптопары до уровня максимального значения. 0,9
Раздел 376 6.2. Параметры Тип Из.пучение (свечение) AJ1f02A Красное AJ1f02Б Красное AJlt02B Зеленое AДt02f Красное AJlt02Д Зеленое 6. Оптоэлектронные приборы светоизлучающих приборов lv, Uпр (при Inp1 мА), мкд (кд/м2) . ~ 0,04 0,1 ~ 0,25 ~ 0,4 ~ 0,4 ~ Amax 1 мкм Inp,max, мА S2,8 S2,8 S2,8 S2,8 S2,8 Uoop,max, Корпус Uoбp,н,maJt в мА в / Inp,н,max1 (при tн, мс), 0,69 0,69 0,56 0,69 0,56 20 20 22 20 22 60 60 60 60 60 (2) (2) (2) (2) (2) - 2 2 2 2 2 - • . - AJlf02 - Ф5 ~ f ·i Вы6о4(+}1 • ]fBы4oiJ(-J 1) €Э , AJlt02AМ Красное АJ1t02БМ Красное AJlt02BM AJlt02fM Красное АJ1t02ДМ Зеленое ~.13 ~.2 ~.45 ~.4 ~.6 Зеленое S2,8 S2,8 S2,8 S2,8 s2,8 0,69 0,69 0,56 0,69 0,56 20 20 22 20 22 60 60 60 60 60 (2) (2) (2) (2) (2) 2 2 2 2 2 - - AJlt02M ~ ~~ ;~ ' ... +П 11') 1 ~LП е5 AJIH2A Красное (~500) AJIH2Б Красное AJIH2B Красное (300".900) (125".375) S2 (10) S2 (10) S2 (10) 0,68 0,68 0,68 12 12 12 - - - - AJIH2 -•.в - ,, \ ~ \с)' i 1 1.1 ~ 1 -..' с-. AJIH2f Красное AJIH2Д Красное (175".525) (75."225) AJIH2E Красное (~500) AJIH2Ж Красное АЛН2И Красное (300".900) (127".375) S2 S2 S2 S2 s2 (10) (10) (10) (10) (10) 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 12 12 12 12 12 - - - - AJIH2 + Красное (~500) AJIH2Л Красное AJIH2M Красное (300".900) (125 ... 375) · S2 (10) S2 (10) S2 (10) 0,68 0,68 0,68 12 12 12 - - - "\ ~r-1"' :;! ----..... _ ~ __..,. v 2,2 17 AJIH2K (f-И) AJIH2 - l/,S r u 1·1 •~ 11 (К-М) ~ ' " ~ 1 'r) ' С() с-..' ~-... 11 16:. ~ "\.. \ ~~ ~ ~ - 'Q ~
Параметры светоизлучающих приборов Тип Из.пучение (свечение) Iv, мкд (кд/м2) Uпр (при Inp1 Лmах1 мА), МКМ 377 Inp,max1 мА АЛЗОIА Красное Красное (~10) (~20) sз (10) SЗ,8 (10) мс), Uo6p,max1 в Корпус Uобр,н,mах мА в АЛЗОIБ Inp,н,max1 (при tн, - 11 11 - - - АЛЗОI ~ 8ыхо4 ~ clema ~ !~~~ с:=о - ~) ....: ~ ~ - ~ /~ ~ ~ ~ ~ gl2 ~ 11.1~ о:::- 'Г...., ~ АЛЗО7А Красное ~.15 в2 АЛЗО7Б Красное ~.9 АДЗ07В Зеленое ~,4 АДЗО7f Зеленое ~1.5 АЛЗО7Д Желтое АЛЗО7Е Желтое АЛЗО7Ж Желтое АЛЗО7К Красное АЛЗО7Н Зеленое ~.4 ~1.5 ~З.5 ~ ~ S2 S2 S2 S2 S2 S2 S2 S2 0,665 0,665 0,567 0,567 0,56; 0,7 0,56; 0,7 0,56; 0,7 0,665 0,567 20 20 22 22 22 22 22 20 22 100 100 60 60 60 60 60 100 60 2 2 2,8 2,8 2,5 2,5 2,5 2 2,8 ......... + 1 С"' ..- АЛЗ07 2 2 2,8 2,8 2,5 2,5 2,5 2 2,8 rJ5 1~, 1 r-... ~ 1 ]' 1( ~ О+~~ ~ t:.I ~ ""- [jl ~ - ' 1·1' »i АЛЗО7АМ Красное ~.15 АЛЗО7БМ ~.9 АЛЗО7fМ Красное Зеленое Зеленое АЛЗО7ДМ Желтое ~,4 АЛЗО7ЕМ Желтое ~1.5 АЛЗО7ЖМ АЛЗ07КМ Желтое Красное ~З.5 ~ АЛЗО7ЛМ Красное ~6 АЛЗО7НМ Зеленое Зеленое ~16 АЛЗО7ВМ АЛЗ07ПМ ~.4 ~1.5 ~6 S2 S2 S2 S2 S2 S2 s2 s2 S2 S2 2,8 0,665 0,665 0,567 0,567 0,56; 0,7 0,56; 0,7 0,56; 0,7 0,665 0,665 0,567 0,567 20 20 22 22 22 22 22 20 22 22 22 100 100 60 60 60 60 60 100 100 60 60 - 2 2 2,8 2,8 2,5 2,5 2,5 2 2 2,8 2 АЛЗО7М 2 2 2,8 2,8 2,5 2,5 2,5 2 2 2,8 2 (J6 ( С(1 ' . ' S:! ~~ "' .___ АЛЗIОА Красное АЛЗIОБ Красное АЛЗIОВ Зеленое АЛЗIОf Зеленое АЛЗIОД Желтое Желтое АЛЗIОЕ 0,61 ... 1,2 0,25."0,6 ~.6 ~.25 ~.6 ~.25 S2 (10) S2 (10) SЗ,5 (10) SЗ,5 (10) SЗ,5 (10) SЗ,5 (10) 0,67 0,55 0,55 0,67 0,56 12 12 12 12 12 12 - 4 4 4 4 4 4 - АЛЗIО . ,1/,95 ......_ ~ . . /"') ~ , ~ ..... 1 !"-.i ~ J J1 1 111 ·] 1 Q ~~ ~\ _L_ 1.~ ~J --
Раздел 378 Тип (свечение) Iv, мкд (кд/м2) (при Inp, мА), Amax, Inp,max, (при tи, Uoбp,maxr мкм мА мс), в в АЛЗ16А Красное АЛЗ16Б Красное ~.8 ~.25 S2 (10) S2 (10) Оптоэлектронные приборы lnp,и,max, Unp ИЭ.J1учение 6. Корпус Uобр,и,mах мА 0,67 0,67 20 20 - ._ - - АЛЗ16 r - -' _.... -.... 1' ~ 1 J!.. АЛЗЗ6А Красное АЛЗЗ6Б Красное АЛЗЗ6В Зеленое АЛЗЗ6f Зеленое АЛЗЗ6Д Желтое АЛЗЗ6Е Желтое ~ ~о АЛЗЗ6Ж Желтое 2:10 2:15 2:4 2:10 2:15 АЛЗЗ6И Зеленое ~о АЛЗЗ6К Красное АЛЗЗ6Н Зеленое 2:40 2:50 S2(10) S2(10) s2,8(10) S2,8(10) S2,8(10) S2,8(10) S2,8(10) S2,8(10) S2(10) S2,8(10) - 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 100 100 60 60 60 60 60 100 100 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 - Красное АЛЗ41Б Красное АЛЗ41В Зеленое АЛЗ41f Зеленое АЛЗ41Д Желтое АЛЗ41Е Желтое АЛЗ41И Красное АЛЗ41К Красное fJ6 - ~ r - АЛЗ60А Зеленое Зеленое '\ 1-- ~ ~ 1?'11:i..-~ ..... +1 1251 1• ~.15 ~.5 ~.15 ~.5 ~.15 ~.5 ~.3 ~.7 S2,8 S2,8 S2,8 S2,8 S2,8 S2,8 S2 S2 0,69 ... 0,71 0,69".0,71 0,55".0,56 0,55".0,56 0,68".0,7 0,68".0,7 0,69".0,71 0,69".0,71 20 20 22 22 22 22 30 30 60 (2) 60 (2) 60 (2) 60 (2) 22 (2) 22 (2) 100 (2) 100 (2) 2 2 2 2 2 2 2 2 - АЛЗ41 ' - '*~ - ~ ~.3 ~.6 Sl,7 (10) Sl,7 (10) 0,55".0,56 0,55".0,56 20 20 80 80 - ~ ~~ 1 ~ ~ - АЛЗ60Б Gl АЛЗЗ6 ' АЛЗ41А ... - +U 1 LJ] 1· 1 ~ АЛЗ60 '11/,8 ' i ~ ~ 1 J 1 ~ 1 .0'$ -%~ноD \~~ KamotJ КИПД21А-К Красное КИПД21Б-К Красное КИПД21В-К Красное 2:1 2:4 2:8 S2 (20) S2 (20) S2 (20) 0,65".0,67 0,65".0,67 0,65".0,67 30 30 30 100 (2) 100 (2) 100 (2) 2,2 2,2 2,2 - КИПД21-К - '*~ ~ ~~ 1 ' ~ +l ~u 1 1· J ~
Параметры светоизлучающих приборов Тип ИЗJJучение (свечение) lv, мкд (кд/м2) Uпр (при Iпр1 мА), 379 lпр,и,mах1 Лmах1 lпp,max1 (при tи, МКМ мА мс), Красное ~.2 s2 (2) Uобр,и,mах Корпус мА в КИПД23А-К Uo6p,max1 в 20 100 (1) КИПД23 '*~ ' КИПД23А1-К Красное ~.7 КИПД23А2-К Красное ~,4 S2 (20) S2 (20) 20 20 100 (1) 100 (1) КИПД23-1, КИПД23-2 fJ6 - .Jl,r ' _,_ КЛ101А Желтое ~10 S5,5 (10) КЛ101 10 - \..__iJ --..1 ! ,,..-- ~. - 2,1 КЛ104А Желтое ~15 sб (10) 12 - КЛ104 fl 16 1 11~ 1 111 llJ - ~18 - ~~ ~~ 111)~ <t f =~ ~ g 05щult(-}
Раздел 380 6.3. 6. Оптоэлектронные приборы Параметры линейных шкал olv Тип Иuучеиие (свечение) Ко.п-во сегментов сегмен- Uпр. (при Iпpr Amax, та, не мА), мкм lпp,max, мА бо.пее в 0,665 0,665 0,568 0,568 12 12 12 12 - 0,66 4 3 ОДНОJ'О lu, мкд (кд/м2) Uoбp,max, Корпус в (раз) AJIC317A Красное АЛС317Б Красное AJIC317B AJIC317f Зеленое AJIC343A-5 Красное Зеленое ' 5 5 5 5 0,16 0,35 0,08 0,16 3 3 3 3 100 50 3 2 2 3 3 (10) (10) (10) (10) 2,8 (10) АЛС317 ~~ AJIC343 L \() С'). 8,18 AJIC345A Красное АЛС345Б Красное AJIC345B AJIC345f Красное Красное 8 8 4 4 0,3 0,2 0,3 0,15 2,3 3 3 3 2,2 2,2 2,2 2,2 (10) (10) (10) (10) 0,67 0,67 0,67 0,67 12 12 12 12 4 4 4 4 - AJIC345 9,9 Ключ , (') .о Ц') ф ' ' ' - - / 3,8 ~ - ,, _..._ AJIC362A Красное 2 АЛС362Б Красное AJIC362B AJIC362f Красное 4 4 АЛС362Д Желтое AJIC362E Желтое АЛС362Ж АЛС362И Желтое Желтое AJIC362K Зеленое 8 2 АЛС362Л AJIC362M Зеленое Зеленое 4 4 АЛСЗ62Н Зеленое АЛС362П Красное 8 10 AJIC362A-1 Красное 2 АЛСЗ62Б-1 Желтое Желтое 4 2 Желтое 4 Зеленое 2 АЛС362Д-1 AJIC362E-1 AJIC362K-1 Красное 8 2 4 4 0,3 0,3 0,3 0,3 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,35 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 2 (10) 2 (10) 2 (10) 2 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 2 (10) 0,67 0,67 0,67 0,67 0,58 0,58 0,58 0,58 0,556 0,556 0,556 0,556 0,67 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 3 3 3 3 3 2 (10) 2 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 3,5 (10) 0,655 0,655 0,66 0,66 0,552 12 12 12 12 12 4 4 4 4 4 АЛС362 1 9,95 1 1 1Х) ....: ~ 1 1 - м ll) - AJIC362-1 1 9,95 ....: ~ 1 1 1Х) ll) - 1 1 ll) Красное 32 1,3 3 2 (3) 0,65 5 AJIC364 3 со' О> C'i, 6,38 AJIC366A-5 Красное 128 60 3 2 (10) 0,66 5 L L АЛСЗ66 3 ,, 1Х) м AJIC364A-5 ,, 1Х) ll) \() c-i, 6,7
Параметры линейных шкал 381 olv Тип Из.пучение (свечение) Ко.п-во сегментов (кд/м2) Красное бо.пее в сегмен- Amaxt Iпp,maxt Uoбp,max, мкм мА в 0,66 5 3 Корпус (раз) ; АЛС367А-5 та, не Uпр, (при Iпpt мА), одного Iu, мкд , 200 70 3 2 (lO) АЛС367 L о~ ~. 1 КИПТО2-50Л-5 Зеленое 50 35 3 3,7 (10) 0,56 4 20,З КИПТО2 5 N ~ • 6,25 :КИПТОЗА-IОЖ Же-лтое КИПТОЗА-IОЛ Зеленое 10 10 0,25 0,25 3 3 3,5 (10) 3,5 ( 10) 0,66 0,555 12 12 - 4 4 - L киптоз . 9,95 (1) ll) м ' 1 ' -- 1 ~ 1 ll) ...,. " ...
Раздел 382 6.4. 6. Оптоэлектронные приборы Параметры цифро..:буквенных индикаторов - Излучение Тип (свечение) Высота мм (кд/м2) Красное Зх2 АЛ11ЗБ Красное 3х2 АЛ11ЗВ Красное 3х2 АЛ11ЗГ Красное 3х2 АЛ11ЗД Красное 3х2 АЛ11ЗК Красное 2 х 1,3 2 х 1,3 2 х 1,3 Красное А:лнзм Красное одного сегмента, мкд АЛ11ЗА АЛ11ЗЛ Iv знаков, Uпр (при Inp, ~А), в Amax, мкм (600) (350) (120) (350) (120) (600) (350) (120) 2 2 2 2 2 2 2 2 (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 (600) (350) (120) (600) (350) (120) 2 (5) 2-- (5) 2 (5) 2 (5) 2 (5) 2 (5) 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 3 3 3 3 (140) (320) (60) (350) 2 2 3 3 (5) (5) (5) (5) - 6,9 6,9 6,9 6,9 6,9 6,9 6,9 6,9 6,9 6,9 (350) (200) (120) (60) (120) (60) (350) (2.00) {120) (60) 4 4 4 6 6 6 6 6 6 6 (20) (20) (20) (20) (20) (20) (20) (20) (20) (20) - 8,9 8,9 8,9 8,9 8,9 8,9 8,9 8,9 (350) (200) (350) (200) (120) (60) (120) (60) 2 2 3 3 3 3 3 3 (10) (10) (10) (10) (10) (10) (10) (10) / ' АЛ11ЗЕ Красное 3х2 АЛ11ЗЖ Красное 3х2 АЛ11ЗИ Красное 3х2 АЛ11ЗН Красное 2 х 1,3 2 х 1,3 2 х 1,3 АЛ11ЗР Красное АЛ11ЗС Красное ' АЛЗО4А Красное АЛЗО4Б Красное АЛЗО4В Зеленое АЛЗО4Г Красное АЛЗО5А Красное АЛЗО5Б Красное АЛЗО5В Красное АЛЗО5Г Красное АЛЗО5Д Зеленое АЛЗО5Е Зеленое АЛЗО5Ж Красное АЛЗО5И Красное АЛЗО5К Красное АЛЗО5Л Красное АЛЗО6А Красное АЛЗО6Б Красное АЛЗО6В Красное АЛЗО6Г Красное АЛЗО6Д Красное АЛЗО6Е Красное ·ллзовж Зеленое АЛЗО6И Зеленое - -
Параметры цифро-буквенных индикаторов Iv, 8Iv, % децим. точки мкд 50 50 50 50 50 50 50 50 - Iпр, мА, Рр, Iпр,и, мА мВт • 5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 - - - 383 - Uобр, max, Корпус в - АЛ113 (А-Д), (К-М) 5 " 2/1 • 1 ~ ........ -::i ..... ..... ~ 1".: """ ..... .... -1 231/5 50 50 50 50 50 50 - ' АЛ113 (Е-И), (Н-С) 5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 " -+·-~ 'JJ" 5 -60 -60 -60 -60 11 11 11 11 264 264 264 264 АЛЗО4 S,J - - 2,'1 ~ о 1 ....... ~ \с')' 1 п . :_ 1 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 -60 ±60 -60 ±60 -50 ±60 -60 ±60 -60 ±60 -60 +60 -60 +60 +60 +60 -50 +60 11; 11; 11; 11; 11; 11; 11; 11; 300* 300* 300* 300* 300* 300* 300* 300* АЛ305 1 ~~,.._ '+Т+ ~ ~ 1 1 1 1 __ : 7,5 792 792 1188 1188 1188 1188 1188 1188 _ _ _ _ _ _. . . . _ ' ' ~-W.-rh-rh-.+r-rfl''"'"'"' 111 ~5 АЛ306 11 1 20 111 1 1
Раздел 384 Тип АЛСЗ11А Излучение (свечение) Красное Iv Высота знаков, мм 3 Оптоэлектрониые приборы Uпр одного сегмента, мкд - 6. (кд/м2) (при lпр, мА), в 0,4 Лmах, мкм 2 (4) 0,65".0,66 ' ' АЛСЗ12А Красное АЛСЗ12Б Красное 7 7 (350) (150) 2 (10) 2 (10) 0,65 ... 0,66 0,65".0,66 АЛСЗ1ЗА-5 Красное 2,6 57 1,65 (5) 0,66 Красное 2,5 (350) 2 (5) 0,65".0,67 АЛСЗ14А -
Параметры цифро-буквенных индикаторов Iv, 8Iv, % децим. точки мкд Inp, мА, * мА Iпр,и, 5; 110* 385 Рр, мВт ' Uoop, max, Корпус в АЛС311 6 1/жJ,75• 15 _ ~ O,J 7,5 11 11 3 3 АЛСЗ12 7,2 2,11 ·-1 j~" ~ ,Q:j 1 ' 30 5; 20* 5 АЛСЗ13-5 ±50 8 5 АЛС314 S,3 2/1 ..... о ...... ~ · OXl)CIXJ)П) cr.:) ~, .- . ~г п
Раздел 386 Излучение Тип (свечение) АЛСЗ18А Красное АЛСЗ18Б Красное АЛС318В Красное АЛСЗ18Г Красное АЛС320А Красное АЛС320Б АЛС320В Зеленое АЛСЗ20Г Красное Зеленое Высота Iv одного 6. Оптоэлектронные приборы Unp Amax, (при Inp, мА), знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) 2,5 2,5 2,5 2,5 0,95 0,95 0,95 0,95 1,9 1,9 1,9 1,9 5 5 5 5 0,4 0,15 0,25 0,6 2 3 3 2 мкм в - (5) (5) (5) (5) (10) (10) (lO) (lO) 0,62."0,67 0,55 ... 0,57 0,55 ... 0,57 0,62 ... 0.67 - АЛС321А Желто-зеленое АЛС321Б Желто-зеленое 7,5 7,5 Красное 2,6 0,12 0,12 3,6 (20) 3,6 (20) 0,56 0,56 1,65 (5) 0,66 / АЛС322А-5 60 МККД 1 АЛСЗ2ЗА-5 Красное 2 АЛСЗ24А Красное АЛСЗ24Б Красное 7,5 7,5 7,5 7,5 1,65 (3) 0,66 0,15 0,15 2,5 (20) 2,5 (20) 0,65 ... 0,67 0,65 ... 0,67 0,15 0,15 2,5 (20) 2,5 (20) 0,65 ... 0,67 0,65 ... 0,67 50 МККД -- АЛСЗ26А Красное АЛСЗ26Б Красное
Параметры цифро-буквеннь1х индикаторов Iv, бlv, о/о децим. точки мкд -50 -50 -50 -50 387 Iпр, мА, Uобр, max, I~р.и, мА в 40* 40* 40* 40* 45 45 45 45 Корпус АЛС318 5 5 5 5 1/9,5 7 51 12; 12; 12; 12; 60* 60* 60* 60* АЛС320 2 5 5 2 ..__-+'lli''Ш'lll/"111'1"-t ~ ....._~~ 1 ..._ ..._ .... 1,25 4 J_? Jxt,'15 •J.75 5.i $300 0,02 0,02 ~00 30 0,05 0,05 25 25 5 5 АЛСЗ21 16; 20* 5 АЛС322-5 4; 20* 5 АЛС323-5 5 5 АЛС324 25; 300* 25; 300* 720 720 500 500 1,J 28 - 1 ~1 $300 $300 ; 0,08 0,08 25; 300* 25; 300* 375 375 5 5 7.5 АЛСЗ26 19
Раздел 388 ' Тип Высота Из.пучение (свечение) АЛСЗ27А Желто-зеленое АЛСЗ27Б Желто-зеленое АЛСЗ28А Красное АЛСЗ28Б Красное АЛСЗ28В Красное АЛСЗ28Г Красное АЛСЗ29А Красное АЛСЗ29Б Красное AJIC329B Красное АЛСЗ29Г Красное АЛСЗ29Д Красное АЛСЗ29Е Красное АЛС329Ж Красное АЛС329И Красное АЛСЗ29К Красное АЛСЗ29Л Красное АЛС329М Красное АЛС329Н Красное АЛСЗЗОА Красное АЛСЗЗОБ Красное АЛСЗЗОВ Красное АЛСЗ30f Красное АЛСЗЗОД Красное АЛС330Е Красное АЛСЗЗОЖ Красное АЛСЗЗОИ Красное АЛСЗЗОК Красное , Iv 6. Оптоэлектронные приборы одного (при Unp InPt мА), Amax, знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) 7,5 7,5 0,12 0,12 2,5 2,5 3,75 3,75 50 мккд 50 мккд 50 мккд 50 мккд 1,85 1,85 1,85 1,85 (3) (3) (3) (3) - 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 3,75 3,75 3,75 3,75 3,75 3,75 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 мккд 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) -- 3,75 3,75 3,75 3,75 3,75 3,75 5 5 5 50 50 50 50 50 мккд 50 МККД 50 50 50 МККД 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 1,85 (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) (3) мккд мккд МККД мккд мккд МККД МККД мккд мккд мккд мккд мккд МККД мккд МККД мккд мккд в 3,6 (20) 3,6 (20) 'мкм 0,55 ... 0,61 0,55 ... 0,61 - - - - - -
Параметры цифро-буквенных индикаторов lv, 8Iv, % мк.ц sзоо sзоо S200 S200 S200 S200 Iпр, мА, Рр, Uoop, max, Iпр,и, мА мВт в 25; 300* 25; 300* 540 540 5 5 АЛС327 5 5 5 5 АЛС328 • децим. точки 0,04 0,04 5; 5; 5; 5; 389 120* 120* 120* 120* (1 мс) (1 мс) (1 мс) (1 мс) Корпус 19 1/ж3,75=15 1,5 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 120* 120* 120* 120* 120* 120* 120* 120* 120* 120* 120* 120* (1 мс) 5 мс) мс) 5 5 5 (1 (1 (1 (1 (1 (1 мс) мс) мс) мс) (1 мс) (1 мс) (l мс) (1 мс) (1 мс) АЛС329 1/жJ,75=15 5 5 5 5 5 5 5 1.875_ 5 O,J 1,5 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 S200 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 5; 120* (1 мс) мс) мс) мс) мс) мс) мс) мс) мс) АЛСЗЗО 5 5 5 5 5 ~~~RiJ 5 ' 5 5 5 1
Раздел 390 Тип Высота Излучение (свечение) АЛСЗЗЗА Красное АЛСЗЗЗБ Красное АЛСЗЗЗВ Красное АЛСЗЗЗГ Красное АЛСЗЗ4А Желтое АЛСЗЗ4Б Желтое АЛСЗЗ4В Желтое АЛСЗЗ4Г Желтое Iv 6. Оптоэлектронные прuборы Uпр одного (при Inp, знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) 12 12 12 12 0,2 0,2 0,15 0,15 2 2 2 2 0,2 0,2 0,15 0,15 3,3 3,3 3,3 3,3 12 12 12 12 - мА), в (20) (20) (20) (20) (20) (20) (20) (20) Amax, мкм - - - - ~ АЛСЗЗ5А Зеленое АЛСЗ35Б Зеленое АЛСЗЗ5В Зеленое АЛСЗЗ5Г Зеленое АЛСЗЗ7А Желтое АЛСЗЗ7Б Желтое 12 12 12 12 0,25 0,25 0,15 0,15 3,5 3,5 3,5 3,5 (20) (20) (20) (20) 7,5 7,5 0,15 0,15 3,5 (20) 3,5 (20) - 0,58 0,58 ·- - АЛСЗЗ8А Зеленое АЛСЗЗ8Б Зеленое АЛСЗЗ8В Зеленое 7 7 7 0,15 0,15 0,15 - 3,5 (20) 3,5 (20) 3,5 (20) - АЛСЗЗ9А Красное 2,5 0,16 1,9 (3) 0,65
Параметры цифро-буквенных индикаторов Iv, 8Iv, % Inp, мА, Рр, Uoop, max, Inp,и, мА мВт в 0,1 0,1 0,08 0,08 25 25 25 25 400 400 400 400 5 5 5 5 АЛСЗЗЗ 0,1 0,1 0,08 0,08 25 25 25 25 660 660 660 660 5 5 5 5 АЛСЗЗ4 0,12 0,12 0,08 0,08 25 25 25 25 660 660 660 660 5 5 5 5 АЛСЗЗ5 0,05 0,05 25; 200* 25; 200* 700 700 5 5 АЛСЗЗ7 децим. точки мкд sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо sзоо 'sзоо sзоо sзоо 391 • Корпус 10.2 15,5 • ..,. "1 -61(?.1j•15 0,08 0,08 0,08 sзоо 25; 200* 25; 200* 25; 200* 700 700 700 5 5 5 АЛСЗЗ8 5; 60* 76 5 АЛСЗЗ9 5 .,.__1_2_ _..,.- ~
392 Раздел Тип Высота ИзJiучение (свечение) Iv 6. Оптоэлектроннь1е приборы Uпр одноrо знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) (при Inp1 Amax 1 мА), мкм в АЛС340А Красное 9 0,125 2,5 (10) - АЛС342А Желтое АЛС342Б Желтое 7,5 7,5 0,15 0,15 3,5 (20) 3,5 (20) 0,58 0,58 - АЛС348А Зеленое 2,5 160 МККД 2,7 (5) 0,56 АЛС354А Красное 2,5 150 МККД 1,8 (5) 0,66 / ..
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов Iv, Бlv, % децим. ТО11КИ мкд ~00 0,06 Inp, мА, • Inp,и, мА 200* 393 Рр, Uoop, max, мВт в 550 4 Корпус АЛС340 11 111 ~J 1~ ... 1 1 J ' 11 - 2,5 sзоо sзоо 0,05 0,05 25; 200* 25; 200* 700 700 1 ) 1 1 11 6~2,5=15 - АЛС342 5 5 10.2 - 15,5 1•~ 1 J 1 Sк25=15 sзоо 8; 64* 170 АЛС348 5 ....___1_2 _ _~ 5 Sl80 4; 40* (1 мс) 45 _ АЛС354 5 8l ~ - g'(/J - - - G~ ~
Раздел 394 Тип (свечение) lv Высота Из.цучение ". одноrо знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) 6. Оптоэлектронные приборы Unp (при Inp, мА), в Amax1 мкм АЛС355А-5 Красное 1,4 20 МККД 1,75(3) 0,66 АЛС355Б-5 Красное 1,4 20 мккд 1,75 (3) 0,66 4 (10) 4 (10) 0,56 0,56 / АЛС358А Зеленое АЛС358Б Зеленое 0,04 0,04 9 9 .
395 nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов Iv, Бlv, % децим. точки мкд 1пр 1 мА, Рр, Uобр, max 1 1пр,и 1 мА мВт в • 3; 40* Корпус АЛС355А-5 5 o.J2 ' ~ "7 1, - ~ [З~~ 83 3; 40* АЛС355Б-5 5 1,7 -~4.J2i-------1. '\ L }. QJ е... • ~ ~400 ~400 0,02 0,02 10*; 280 10; 280* 550 550 АЛС358 4 4 12 1 0,3// 1 - - ·- : · 1 • j L ) ' 7,5 18 - 1 ~
Раздел 396 Излучение Тип (свечение) AJIC359A Зеленое AJIC359Б Зеленое Iv Высота 6. Оптоэлектронные приборы Uпр одноrо (при Inp, мА), Amax1 знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) 9 9 0,2 0,2 2 (20) 2 (20) 0,56 0,56 9 0,1 2 (20) 0,55 2 0,5 4 (20) 4 (20) 0,65 0,65 0,5 4 (20) 0,65 2,5 (5) 0,55 в мкм ~ Зеленое AJIC363A . КЛЦ201А Красное КЛЦ201Б Красное 18 18 КJIЦ202А Красное 18 Зеленое 2,6 ... КJIЦ301А-5 20 мккд
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов Iv, Бlv, % децим. точки мкд 50 50 0,1 0,1 Iпр, мА, • 1 1пр,и 397 Р.р,. Uoop, max, мА мВт в 22; 120* 22; 120* . 350 350 3 3 Корпус АЛСЗ59 10.2 - J1А 11 . _ ~lJ.14 1 1 7,5 1 J"\1 15,5 61t25=15 S400 ~.075 70* 720 2 АЛСЗ63 S300 0,1 0,07 25 25 750 750 10 10 КJIЦ201 sзоо ~о 1 1 / \ o,J \&') 1 sзоо 0,07 25 750 15 КJIЦ202 10 • /aJ 1 \ 1 \&') 1 sзоо 3; 40* 5 15 КJIЦЗО1 ----
Раздел ~9В Тип Из.пучение (свечение) Высота Iv одноrо 6. Оптоэлектронные приборы Uпр Amax1 (при 1пр 1 мА), знаков, сегмента, мкд мм (кд/м2) 2 0,5 6 (20) 6 (20) 0,56 0,56 мкм в КЛЦ302А Зеленое КЛЦ302Б Зеленое 18 18 КЛЦ401А. Желтое 18 0,5 6 (20) 0,7; 0,57 КЛЦ402А Желтое КЛЦ402Б Желтое 18 18 2 0,5 4 (20) 6 (20) 0,7; 0,57 0,7; 0,57 КИПВО1А-1/10К-5 Красное 2,4 1,75 (1) 0,67 КИПЦО1А-1/7К КИПЦО1Б-1/7К КИПЦ01В-1/7К КИПЦО1Г-1/7К КИПЦ01Д-1/7К КИПЦО1Е-1/7К Красное"' ' Красное Красное Красное Красное Красное 7 7 7 7 7 7 60 мккд 1 1 0,5 0,5 0,15 0,15 3 (20) 3 (20) 3 (20) 3 (20) 2,5 (5) 2,5 (5) - 0,67 0,67 0,67 0,67 0,67 0,67
399 Параметрь1 цифро-буквенных индикаторов Iv, бlv, % децим. точки МКД :$300 :$300 Inp1 • Iпр,и1 0,1 0,07 мА, мА 25 25 Рр, Uoop, max, мВт в 1130 1130 10 10 Корпус КЛЦЗО2 . 'JO -1 \ / O,J • ~300 ' ~5 0,07 25 1135 \ "j 1,5 с:)' ' 15 1 · ,·f) llU) ., CQ \() 1 1 1 1 45 f.2.s=15u 6_ КЛЦ401, КЛЦ402 10 '10 1 1 \ а~ ~ 1 - 15 CQ с:)' w 1 ~5 :$300 OJ ~00 0,07 ~00 ~00 :$300 :$300 ~00 ~00 ~00 0,3 0,3 0,2 0,2 0,03 0,03 25 25 1130 1130 10 10 8; 60* 100 5 700 700 700 700 700 700 6 6 6 6 6 6 25; 25; 25; 25; 25; 25; 180* 180* 180* 180* 180* 180* \ ",, 1,5 - ''~UUl 6•2,5=15 - 45 1 6 КИПВО1А-1/10К-5 ' КИПЦО1А-Е1/7К 10.2 - . 1 1 . J 1 [43~ ) 7.5 - : IЦ! - ' - - 15,5 ~ 1 ..... ' c:::t . ф ~' J1 LJ 1 - 111 - ?.5 - 18 6к9Sс15 1 J.E.t 9 )
Раздел 400 Тип КИПЦ02А-1/7КЛ ИзJiучение (свечение) С управляемым Iv Высота 6. Оптоэлектроннь1е приборы Uпр одноrо знаков, сегмента, мкд (при Iпр, мА), мм (кд/м2) в 9 0,25 Красное-зеленое мкм Крас.-0,65 _3,5 (20) цветом свечения КИПЦ02Б-1/7КЛ Amax, 1 3,5 (20) 0,15 9 Зел.-0,57 Крас.-0,65 Зел.-0,57 КИПЦ04А-1/8К Красное 18 1 3,5 (20) 2 0,67 ' -
nараметрь1 цифро-буквенных индикаторов Iv, Ыv,% децим. точки мкд Рр, Uобр, max 1 мА мВт в 1пр 1 мА, • 1 1пр,и 401 ~300 0,08 25; 180* 700 5 ~300 0,05 25; 180*, 700 5 Корпус КИПЦО2А,Б1/7КЛ _g" 10.2 . 19,5 1 Jll ... 1~ c::r l.5 l:i\ ф ф ~ ~ ~6otJo6 О,59 6•2~·15 ~300 0,4 25; 180* 787 КИПЦО4А-1/8К 10 1 20 - 1 \ 1 O,J \(') 1 - CQ с:)' ', / 15 1 - \~· 1,5 '.(~~~~' 2,5 - 6•2,5=15 1 0,5 6
Раздел 402 6.5. Параметры в ~l АЛ10ЗБ АЛ106А АЛ106А АЛ106В Uпр (при Iпр, мА), (при Iпр, мА) АЛ10ЗА - Оптоэлектронные приборы инфракрасных излучающих диодов Ризл, мВт Тип 6. лл, мкм мкм 0,05 0,05 2 2 0,92 ... 0,935 0,92 ... 0,935 - - 0,94 ... 0,96 0,94 ... 0,96 0,94 ... 0,96 0,94 ... 0,96 0,03 0,03 0,03 0,03 - 0,94 О.Об 2 (50) ~.6 (50) :Sl,6 (50) :Sl,6 (50) 0,95 0,95 ~.2 ~.4 ~.6 :Sl,7 (100) :Sl,7 (100) :Sl,7 (100) О,9"2 ...0,935 (100) (100) (100) fи,и Amax, (при lпр, А), нс - АЛ107Г ~5.5 (100) ~9 (100) ~9 (НЮ) ~12 (100) АЛ108А ~1.5 АЛ107А АЛ107Б АЛ107В (100) :S2 S2 S2 S2 (100) (100) (100) (100) ::Sl,35 (100) - - . АЛ109А АЛ115А АЛ118А 0,2 (20) 1,2 (20) 0,94 0,04 2 ~8.7 (100) S2 (50) 0,9 ... 1 - 2 ~ (50) (500) ::Sl,7 (50) 0,82 ... 091 0,04 100 ~10• - АЛ119А АЛ119Б ~40 (300) ~40 (Щ)) ::S3 (300) ::S3 (300) 0,93 ... 0,96 0,93 ...0,96 - 1000 350
Параметры инфракрасньrх излучающих диодов fc, и (при Inp, и 1 А), нс 2 2 Iпр1 мА Iпр. и (при tи, мкс), мА 52 52 403 Uобр1 Uобр, и1 в в 2 2 2 2 Корпус АЛ103 АЛ106 100 100 100 2 110 2 22 АЛ107 2 2 2 2 100 100 100 100 10 А (20) 2 2 АЛ108 2 2 АЛ109 Неизлучающа11 поВерхность 1(/ЮСНО20 ц6ета 2 50 150 50 1500 1500 300 300 2 500 - / \ АЛ115 2 2 АЛ118 2 2 АЛ119 j /" 11 1 + ..::;.! J //,2 +
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы 404 Тип АЛ120А АЛ120Б АЛ123А Ризл, мВт (при lпр, мА) Uпр (при Iпр1 мА), в ~.8 (50) ~1 (50) ~80* S2 (50) S2 (50) (1 А) (10 А) ~500* S2 (300) - f и, и Amax1 ЛЛ, мкм мкм 0,88 0,88 0,05 0,05 10 20 0,94 0,03 350 (1 (при Iпр, А), нс А) ' ~ -АЛ124А ~4 (100)- S2 (100) 0,86 0,04 20 . АЛС126А-5 ~1.4 Вт АЛ132А ~10 мкВт AJl135A ~150 мкВт АЛ136А-5 ~.6 (6 А) 28 (6 А) 0,8 ... 0,81 - - 20 (100) (50) S2 (50) 1,26 0,08 (100) S2 (100) 0,82."0,9 0,05 Sl,9 (50) 0,82 0,04 14 (50) 0,81 0,05 1 (50) (50) - 20 (100) AJlf37A ~.22 -- (50) ~ (50)
Параметры инфракрасных излучающих диодов fc, и (при Iпр, и, А), нс 10 20 Iпр~ мА Iпр, и (при tи, мкс), мА 55 55 405 Uобр, Uобр, и, в в Корпус АЛ120 200 200 ~ -.4 t:::f_J~j~ 500 (1 А) 400 10 А (20) 2 \ АЛ123 ~J, 8 til,-1-oc:~ '-,. ~ .Ш· .......•-.-:11' ..... ~ ~ J ~.2 "20 1 А (15) 110 2,5 А 1 А (1 мс) ~~· 1 2 АЛ124 60 АЛС126-5 1'+~ 0,8 ~ ' ! - -...... 0,4 ~шт 20 (100) 50 1 А (15) 20 (100) ню 500 (100) 2 14 (50) 60 80 (15) 5 АЛ132, АЛ135 АЛ136-Ь 0,38 0,25 ~шт 60 80 (20) 5 АЛ137
Раздел 406 6.6. Оптоэлектронные приборы 6. Параметры диодных оптопар Тип АОД101А Uвх (при Iвх1 мА), Ki f н 1 fc (пр1:1 1вх 1 мА), (при Iвх, мА), в % нс ?:1 (10) ?:1,5 (10) ?:1,2 (10) ?:0,7 (10) ?:1 (1 О) :Sl,5 :Sl ,5 :Sl,5 :Sl ,5 :Sl,8 АОД101Б АОД101В АОД101f АОД101Д АОД107А АОД107Б АОД107В - (10) (10) (10) (10) (10) :Sl,5 (10) :Sl,5 (10) :Sl ,5 (10) IвЬJх,обр1 Rиз 1 Спрох1 мкА rом пФ :SlOO (20) :S500 (20) :SlOOO (20) :S500 (20) :S250 (20) :S2 :S8 :S2 :SlO :S5 ?:1 ?:1 ?:1 ?:5 ?:1 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 ?:5 (10) ?:3 (10) ?:1 (10) :S500 (20) :SЗОО (20) :SЗОО (20) :S5 :S5 s5 ?:10 ?:10 ?:10 :S2 :S2 :S2 ?:1,2 (10) ?:1 (10) ?:1,2 (10) ?:1,2 (10) ?:1,2 (10) ?:1,2 (10) ?:1,2 (10) ?:1,2(10) :Sl мкс (20) :S500 (20) :Sl мкс (20) :Sl мкс (20) :Sl мкс (20) :Sl мкс (20) :Sl мкс (20) :Sl мкс (20) :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 ?:1 ?:1 ?:1 ?:1 ?:1 ?:1 ?:1 ?:1 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 :S2 ?:100 :S2,5 - АОД109А 3-кан. АОД109Б 3-кан. АОД109В 2-кав. АОД109f 2-кан. АОД109Д 2-кан. АОД109Е 1-кан. АОД109Ж 1-кан. АОД109И 1-кан. :Sl,5 :Sl,5 :Sl,5 :Sl,5 :Sl,5 :Sl,5 Sl,5 :Sl,5 (10) (10) (10) (10) (10) (10) (10) (10) -7 " АОДН2А-1 :Sl,7 (20) ?:2,5 (10) :S3 мкс (20) - ' АОД120А-1 АОД120Б-1 АОД129А АОД129Б :Sl,7 (10) :Sl,7 (10) ?:1 (1 О) ?:0,4 (10) :SЗО (10) :S50 (10) :S2 :S2 ?:10 ?:10 :S2 :S2 :Sl ,5 (10) :Sl,5 (10) ?:1 (10) ?:0,5 (10) :SЗО :SЗО - ?:10 ?:10 :S2 :S2. (10) (10)
Параметры диодных оптопар lвx,maxt мА 20 20 20 20 . 20 407 lвх,и,mах (при tи, мкс), U вх,обр,mах, * U вых,обр,mах, (при tи, мкс), мА в в 3,5; 15* 3,5; 100* 3,5; 15* 3,5; 15* 3,5; 15* 20 (100) 100 (100) 20 (100) 20 (100) 20 (100) 100 100 100 100 100 (100) (100) (100) (100) (100) 20 20 20 U вых,обр,и,mах, Uиз,mах, * Uиз,п,mах (при tи, с), Корпус в АОД101 JO 5,J АОД107 2; 15* 2; 15* 2; 15* ' ~ \С') c:rr -ОС)' '&1 'Q ' ---, 3€ ..Ц::::=:::::tiJ 6,6 20 20 20 20 20 20 20 20 100 100 100 100 100 100 100 100 (100) (100) (100) (100) (100) (100) (100) (100) 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 40* 10* 40* 40* 40* 40* 40* 40* 20 АОД109 100 100 100 100 100 100 100 100 в '" +++--+---+-+t- ~ ~ -r- - 1 1 2,J D,8 30 100 3,5 АОДН2 100 1.8 - ( 20 20 100 (10) 100 (10) 200; 400* (l с) 200; 400* (l с) 3,5; 10* 3,5; 10* АОД120 ...u 1,5 • - ---ff- .- __ ,__. - J 100 (100) 100 (100) 3,5 3,5 10 10 ~ 2 0.11 :~ J7.5 20 20 - ' АОД129 500 500 ' ' 6,6 -1q--11t-t-..1 _" i::::, -
Раздел 408 Тип АОД1ЗОА Uвх Ki f н, fc (при 1вх 1 мА), (при 1вх 1 мА), в % (при 1вх 1 мА), $1,5 (10) ?:1 (10) нс $100 (10) 6. Оптоэлектронные приборы Iвых,обр1 Rиз 1 Спрох1 мкА rом пФ ?:100 $0,5 ?:1 ?:1 $0,05 $0,05 - - - $1,5 (10) $1,5 (10) АОД1ЗЗА АОД1ЗЗБ ?:0,5 (10) ?:0,5 (1 О) $100 (10) $100 (10) $2 $2 • - АОД134АС $1,7 (10) ?:1 (5) $100 (10) $2 ?:10 $2 $100 $100 $100 $250 $250 $250 $2 $2 $2 $2 $2 ?:10 ?:10 ?:10 ?:10 ?:10 ?:10 $1,8 $1,8 $1,8 $1,8 $1,8 $1,8 $1 $1 ?:10 ?:1 $1 / 1 ' АОД201А-1 АОД201Б-1 АОД201В-1 АОД201f-1 АОД201Д-1 АОД201Е-1 АОД202А АОД202Б $1,5 $1,5 $1,5 $1,5 $1,5 $1,5 (10) (10) (10) (10) (10) (10) $1,7 (10) $1,7 (10) ?:О,6 .. .1,3 (5) ?:0,9 ... 2 (5) ?:1,5 ... 3,5 (5) ?:0,6 ... 1,6 (5) ?:0,9 ... 2 (5) ?:1,5 ... 3,5 (5) ?:1,5 ?:2,5 (20) (20) (20) (20) (20) (20) ~100 $150 $2 - - $2
Параметры диодных оптопар 409 lвх,и,mах Uвх,обр,mах1 U вых,обр,и,mах1 (при tи, мкс), * U вых,обр,mах, (при tи, мкс), мА в в 20 100 (10) 3,5 30 20 20 100 (100) 100 (100) 3,5 3,5 20 20 lвx,max1 мА Uиз,mах1 * Uиз,п,mах Корпус (при tи, с), в 1500; 3000* (10 мс) АОД130 АОД133 500 1000 f6 8,5 20 100 (100) 3,5 30 АОД134 500; 1500* (20) с-.., /'-:) l.t') "'5" 7,5 20 20 20 20 20 20 100 100 100 100 100 100 100 (10) 100 (10) 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 6* 6* 6* 6* 6* 6* 20 20 100 100 100 100 100 100 АОД201 200 200 АОД202
Раздел 410 Тип КОДЗО1А Uвх (при Iвх, мА), Ki (при 1вх 1 мА), в % :Sl,5 (10) ?:1 (10) fи, fc (прм 1вх 1 мА), нс - 6. Оптоэлектронные приборы Rиз 1 lвых,обр1 мкА f Спрох 1 Ом пФ ?:1 :S2 -- - - КОДЗО2В :Sl,5 (10) :Sl ,5 (10) :Sl,5 (10) ?:1 (10) ?:1 (10) ?:1 (1 О) - - ?:1 ?:1 ?:1 - КОЛ201А :Sl,5 (10) ?:10 (0,5) :Sl мкс (IO) - ?:10 :S2 КОДЗО2А КОДЗО2Б
Параметры диодных_ оптопар . lвx,max1 мА 20 411 lвх,н,mах (при tн, мкс), U вых,обр,mах, U вых,обр,н,mах, (при tн, мкс), мА в в 100 (100) 3,5 20 (100) U вх,обр,mах, • Uнз,mах, • Uнз,п,mах (при tн, с), Корпус в 500; 1000* ( 1О мс) КОДЗО1 -- . 2ао . 6.6 , -~ "Q " 8 б
Раздел· 6. Оптоэлектронные приборЬ1 412 6.7. Параметры транзисторных оптопар Тип (при Iвх,I:ых мА), в в АОТ101АС ~1.6 АОТ101БС АОТ101ИС S:l,6 S:l,6 S:l,6 S:l ,6 S:l,6 S:l,6 S:l ,6 АОТ110А S2 (25) АОТ101ВС АОТ101ГС АОТ101ДС АОТ101ЕС АОТ101ЖС АОТ110Б АОТ110В АОТ110Г (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) S:2 (25) S2 (25) S2 (25) АОТ110Д S2 (25) АОТ122А S:l,6 S:l,6 S:l ,6 S:l,6 АОТ122Б АОТ122В АОТ122Г АОТ123А АОТ123Б АОТ12ЗВ AOT123f АОТ126А АОТ126Б Uвых,ост Uвх (при Iвх, мА), S:2 S2 S2 S2 (5) (5) (5) (5) (20) (20) (20) (20) S2 (20) S2 (20) s<>,4 s<>,4 s<>,4 s;0,4 s;0,4 s<>,4 s<>,4 s<>,4 lут,вых (при Uк,max, В), мкА (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) S:l,5 (200*) S:l ,5 {100*) S:l,5 (100*) S:l,5 {100*) S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO (10) (10) (10) (10) (10) (10) (10) (10) S:lOO (30) S:lOO (50) S:lOO (30) S:lOO (15) Rиз (при Iвх, мА), tн tcn (при Iвх, мА), (при Iвх, мА), ГОм нс нс ;?;100 ;?;100 ;?;100 ;?;100 ;?;100 ~100 ;?;100 ~100 ~l ~l ~l ~l S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO мкс мкс мкс мкс мкс мкс мкс мкс (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO tвкл tв~кл 5... 100 мкс (25) tвкл tвыкл 1... 50 мкс (25) 5 ... 100 мкс (25) tвкл tвыкл 1... 50 мкс (25) 5 ... 100 мкс (25) tвыклS:lОО МКС S:lO S:lO S:lO S:lO ~l 6 мкс (5) 6 мкс (5) 6 мкс (5) 6 мкс (5) s<>,3 (10) s<>,3 (10) S:lO S:lO S:lO S:lO (50) (30) (30) (15) S:lO S:lO ~1 ~1 ~1 ~1 ~100 ~100 В) В) В) 1... 50 мкс (25) S:l,5 (15) S:l ,5 (5) S:l ,5 (5) S:l ,5 (5) (10) (20) (10) (20) В) В) В) В) В) tвыкл tвклs:БО МКС s<>,3 s<>,5 s<>,3 s<>,5 (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO (Uк=lO мкс (Uк=lO мкс (Uк=lO мкс (Uк=lO 5 ... 100 мкс (25) ~1 ~1 мкс мкс мкс мкс мкс tвкл S:lOO (50) ~1 S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO S:lO 1."50 мкс (25) S:l ,5 (200*) ~l В) В) В) В) В) В) В) В) 100 мкс 100 мкс 100 мкс 100 мкс (5) (5) (5) (5) S:2 S:2 S2 S2 S2 S2 S2 S2 S2 (20) S2 (20) S2 (20) S2 (20) ~
413 Параметры транзисторных оптопар lвx,max, • lвх,н,mах (при tн, мкс), мА 20; 50* (10) 20; 50* (10) 20; 50* (10) 20; 50* (10) 20; 50* (10) 5; 50* (10) 5; 50* (10) 5; 50* (10) Uвх,обр,mах, u• вых,ком, в 1,5; 1,5; 1,5; 1,5; 1,5; 1,5; 1,5; 1,5; . lвых,mах, Uнз,mах, • lвых,н,mах (при tн, .мс), • Uнз,н,mах, в мА 15* 15* 15* 15* 15* 15* 30• 15* 5 10 5 5 10 10 30 15 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 Рр, Корпус мВт - АОТ101 10 - - 1 -- .... .... J:J ....- t- п ' \с') , ~ ~ 1,5 - 8гh ,..{ J!~ .ф- ('f!! 10 100* {10) 10 100* (10) 10 100* (10) 10 100* (10) 10 0.1; 30• 200 100 360 0,7; 50* 100 100 360 АОП10 ~ 0.1; 30• 100 100 360 0,7; 15* 200 100 360 0,7; 50* 200 100 360 ~. 11 А~ \\'r& ~ 15; 15; 15; 15; 85* 85* 85* 85* (10) (10) (10) (10) 50* 30• 30* 15* 15 25 15 15 100 100 100 100 - 1 50* 30• 30• 15* 100 '100 100 100 10 20 10 20 - а i~ ~ о ~ 1 1000 1000 - _ _ _ ...., l/.S ~ ".,, ="" " ~~ ~ ~ ~~~ АОТ126 'О ' 'c:t - R 1 . J ... ! 10 10 CJ)' ff 8,5_ 'О ~ 0,5; 15* С1О r ~ ~ o.s; 30• ' ~ ....." АОТ123 ~· 30; 1()()• (1 о) 30; 100* (10) ~1 ,... 6.5 - 16 100* 100* 100• 100* ~~ АОТ122 ~ 30; 30; 30; 30; 6.5 ff 'О ~ ff 8.5. ,~~ ~ .1ff:. ~ ~ и. ' . ,.-z \~&. ,_~" ~ ~ ~ ~~ '
Раздел 414 Тип АОТ127А АОТ127Б АОТ127В АОТ127Г Uвх (при lвх, мА), (при lвх,I:ых мА), в в Sl ,6 Sl ,6 Sl ,6 Sl ,6 (5) (5) (5) (5) lут,вых (при Uвых,ост Sl,5 Sl,5 Sl ,5 Sl,5 Uк,max, В), мкА (70*) (15*) (15*) (15*) =::;10 $10 $10 =::;10 Rиз (при lвх, мА), tи tcn (при lвх, мА), (при lвх, мА), ГОм нс нс ~100 SlO мкс (5) SlO мкс (5) SlO мкс (5) SlO мкс (5) SlOO мкс (5) Sl 00 мк-с (5) =::;100 мкс (5) =::;100 мкс (5) ~100 ~100 ~100 ...___ АОТ128А АОТ128Б АОТ128В АОТ128Г АОТ128Д АОТ128Е АОТ135А АОТ135Б :s;l,6 (10) Sl,6 (10) Sl ,6 (10) Sl,6 (10) Sl,6(10) Sl ,6 (IO) s0,3 (2,5*) S0,4 (10*) s0,4 (5*) s0,4 (5*) S0,4 (5*) =::;О,4 (5*) SlO SlO =::;10 =::;10 SlO SlO Sl ,6 (4) Sl ,6 (4) Sl,5 (100*) Sl ,5 (100*) 10 (30) 10 (30) . 6.· Оптоэлектронные приборы - ~100 S5 (10) S5 (10) S5 ( l О) s5 (10) S5 (10) S5 (10) ~100 ~100 ~100 ~100 ~100 ~100 5 5 ~100 мкс мкс S5 S5 s5 S5 =::;5 s5 (10) (10) (10) (10) (10) (lO) 60 60 мкс мкс , АОТ136А АОТ136Б Sl,6 (5) Sl ,6 (5) Sl ,2 (5) =::;1,2 (5) 10(15) l о (30) ~100 ~100 5 5 мкс мкс (10) (10) 30 мкс (10) 30 мкс (10)
Параметры транзисторных оптопар lвx,max, • lвх,н,mах (при tн, мкс), мА 15 15; 100* (10) 15 15 U вх,обр,mах, • Uвых,ком, 415 lвых,mах, Uнз,mах, • lвых,н,mах • Uнз,н,mах, (при tн, мс), в в мА 30* 30* 15* 15* 70 70 70 70 ' 500 500 500 500 Рр, Корпус мВт АОТ127 225 225 225 225 - 9,5 _, . 1 j ~ :::: ! ....., 'c:i 1--1 1 lrl) , ~ 2.5 - - ~ ' 1 2 3 40; 40; 40; 40; 40; 40; 100* 100* 100* 100* 100* 100* (10) (10) (10) (10) (10) (10) 0,5; 0,5; 0,5; 0,5; 0,5; 0,5; 50* 30* 30* 15* 15* 15* 8 32 16 16 32 16 1500; 3000* 1500; 3000* 1500; 3000* 1500; 3000* 1500; 3000* 4500 - АОТ128 - 9,5 - 1 1 -....., н 1-1 1-1 1-1 ~ ,, 'c:i 1--1 ' 1() ~ 2J - 20; 85* 20; 85* 30* 15* . 1 - ~ 1 2 3 200 200 - - - АОТ135 9,5 - - -- _, 1-1 ....., 1 1 ' р 'c:i • \с') '"'$. "2J - ~ 1 2 3 10; 50* 10; 50* 15* 30* 20 20 1000 1000 - лоnз& - 1 ~ " . ~ - 1,,5_ 'О 1 ~ -- -~\ ~ 7 .Jj ~~ ~ ~~" -~~ ~ ::::: ~"О'
Раздел 7. Аналоги 416 Раздел 7.1. О 7. Аналоги взаимозаменяемости полупроводниковых приборов Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых прибо­ ров, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппаратуре, а также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы). Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых при­ боров предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и харак­ теристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров. Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полу­ проводниковых приборов это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изготови­ - теля. Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно отличаться от их реальных значений. Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и климати­ ческих испытаний, нормы на параметры - критерии годности при испытаниях, методы измерений, от которых в общем зависят устанавливаемые параметры, многообразны, принципиально различны и не универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят не только от режима работы и температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы и при хранении). Эксплуатационные свойства транзисторов описываются бо!Jьшим числом параметров, поэтому можно считать, что практичес-ки полная тождественность отечественных. и зарубежных транзисторов недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов (показате­ лей функционирования) в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться, прежде всего, требования· к выходным параметрам. Поэтому не все параметры транзисторов будут одинаково важными, а только те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость. Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов зависит не только от их свойств, условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитываю­ щей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене­ зарубежного прибора отечественным, даже лучшим tю параметрам, может потребоваться подстройка схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация. Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров (показателей функционирования) отечественных и зарубежных приборов из справочников; стандартов или техниче­ ских условий на эти приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, технология изготовления, структура (p-n-p или n-p-n), предельные (предельно допустимые) параметры, данные об электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и другие сведения. Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологическом процессе, иногда разделяются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например, транзисторы ВС107-ВС109 имеют металлостеклянный корпус ТО-18, приборы с таким же сочетанием параметра ВС107Р-ВС109Р, ВС147-ВС149, ВС207-ВС209, РВС107-РВС109 имеют соответственно корпуса Х-55, ММ-12, R0-110, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквива­ ленты в пластмас~овом корпусе.
Сокращенные обозначения зарубежных фирм 7.2. Сокращенные Обозначение 417 обозначения зарубежных фирм Обозначение Фирма, страна Фирма, страна СОМР., Япония NEC NIPPON ELECTRIC NSC NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., РЕС PНILIPS PHILCO PHILCO RADIO TELEVISAO, PI PIHER INTERNATIONAL CORP., РРС РРС PPI PECOR PS PLESSEY SEMICONDUCTORS, РТI POWER RCA RCA CORPORATION, RTC RTC LARADIOTECHNIQUE RFТ RFТ, ФРГ RS RAУТНЕОN SEMICONDUCTOR, SA SIEMENS ЕЛЕКТРОННИ ЕЛЕ)\"\.ЕНТИ, Болгария SDI SOLПRON EI ELECTRONSКA SEC SPRAQUE ELECTRIC ЕТС ELECTRONIC TRANSISTOR CORP., США SEM SНINDENGEN FEL FERANTI ELECTRONrcs. LTD., SGS SGS-ATES, FS FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP., Sl SILICONIX, INC., GDC GENERAL DIODE CORP., Sll SYNТAR GE GENERAL ELECTRONIC SPC SOLID POWER CORP., GPD GERМANIUM SPE SPACE POWER ELECTRONICS, INC., GSI GENERAL SEMICONDUCTOR INDUSTRIES, INC., SSD SOLID STATE DEVICES, INC., GTC GENERAL TRANSISTOR CORP., SSE SOLID STATE ELECTRONICS НР HEWLETT SSI SOLID ST АТЕ INDUSTRIES, INC., HSE HYBRID SEMICONDUCTOR ELECTRONIC, INC., STC SILICON TRANSISTOR CORP., нvs HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR, SТI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC., IC INTERFET CORP., SUPERTEX SUPERTEX, INC., IDI INTERNATIONAL DEVICES, INC., SECI SWAMPSCOTT ELECTRONICS 11 INTERSIL, INC., TAG TRANSISTOR AG, IPS INТERNATIONAL POWER SEMICONDUCTOR, те TOSHIBA CORP., IR INТERNATIONAL RECTIFIER SEMICONDUCTOR, TCI TELEDYNE CRYSTALONICS, INC., IТТ INТERМETALL TEL TELEFUNKEN ELECTRONIC, кмс КМС TESLA TESLA, KPD KELTRON POWER DEVICES, Индия тном THOMSON-CSF, LS LAMBDA SEMICONDUCTOR, США TI TEXAS MAI MICROWAVE ASSOCIATES, INC., TRW TRW SEMICONDUCTORS, INC., МЕС MATSUSHIТA TS TELEDYNE SEMICONDUCTOR, MED MARCONI ELECTRONIC DEVICES, LTD., UA UNIТED AIRCRAFТ, США МЕ MIТSUBISНI uc UNIТRODE MEL MICROELECTRONICS LTD., UNПRA UNПRA, Польша MIS MISTRAL SPA, v VALVO, WDI WALBERN DEVICES, INC., WEC WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP., США ACR ACRIAN, INC., АЕС AMPEREX ELECTRONIC CORP., Al AV АNТЕК, INC. AMI AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR, INC., AMS AMERICAN MICROSSYSTEMS, INC., ASI ADVANCED SEMICONDUCTORS, INC" ВЕ BOEING ELECTRONICS, BEL BHARAT ELECTRONICS, LTD., CDI CONTINENТ AL csc CRIMSON SEMICONDUCTOR CORP., CSD CENTRAL SEMICONDUCTOR DIV, CHERRY CHERRY SEMICONDUCTOR CORP., Dl DIONICS INC., DTC DIODE TRANSIS1IOR ЕЕ -мL США США США США Швейцария Индия Индия DEVICES INDIA, США США США США СОМР., США INDUSTRIJA, Югославия Англия США США СОМР., США POWER DEVICES CORP., США США США PACКARD, США США США США США США США США ELECTRONICS, CORP., ELECTRIC CORP., США IТТ), ФРГ (DER DEUTSCHE SEMICONDUCTOR CORP., Индия Япония Англия Япония Гонконг Италия MULLARD LTD., Англия мот MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC., MPS MICRO POWER SYSTEMS, США США ELECTRONICS СОМР., Нидерланды ТЕСН, Бразилия США США PRODUCTS CORP., PRISIDENТ США США INTERPRISES CORP., INC., Англия США США СОМ., Франция США AKТIENGESELLSCHAFТ, ФРГ DEVICES INC., США СОМР., США ELECTRIC MFG., Япония Италия США INDUSTRIES, INC., США США США США СОМР., США США США США США СОМР., США Швейцария Япония США ФРГ Чеха-Словакия Франция INSTRUMENТS, CORP., INC., США США США США ФРГ США США
Раздел 418 7.3. Буквенные обозначения зарубежных т.ранзисторов Обозначе- АЕС АС BEL, CSD, EI, GPD, ML, РЕС, RTC, SA, V, WDI CSD, EI, GPD, HSE, ТНОМ, SA ASI, BEL, CSD, EI, GPD, ML, РЕС, RTC, SA, V, WDI AFY AL АМ AMF АР ASY ASZ АТ AU AUY в BAL ВАМ ВАР вс UNIТRA 1 UNIТRA BCF АЕС, ВСР UNIТRA BCV АЕС, BCW вех ВСУ BD BDP BDV BDW ML, ТНОМ, V РЕС, RTC, FEL, ML, RTC, ТНОМ, SA, V АЕС, ASI, CSC, FEL, ML, РЕС, RTC, SEC, SA, ТНОМ, UNIТRA, V, WDI АЕС, ASI, CSD, CSC, FEL, IТГ, ML, РЕС, RTC, SEC, SA, ТНОМ, V, WDI АЕС, ASI, CSD, CSC, ML, РЕС, RTC, V, WDI ASI, BEL, CSD, CSC, ML, РЕС, RTC, RFТ, SA, UNIТRA sп сх BR BRT BRY BS BSJ BSR MEL, SDI SEM, TRW ML, РЕС, RTC, V IТГ, ML, РЕС, RTC, V EI АЕС, ML, РЕС, RTC, ТНОМ, V АЕС, ASI, CSD, FEL, IDI, ML, РЕС. RTC, SA, V, WDI АЕС, ML, РЕС, RTC, V АЕС, CSD, ML, РЕС, RTC, SA, SGS, FEL, ТНОМ, V, WDI, TEL АЕС, ML, MIS, РЕС, RTC, SGS, TEL, UNIТRA, V ASI, CDI, CSC, CSD, EI, HSE, IDI, ML, MIS, РЕС. RTC, SGS, TEL, UNIТRA, V, WDI D BFV BFW BFX BFY BGY BLU BLV BLW BLX BLY BSS BST BSV BSW BSX UNIТRA ВЕ ВЕ BU BEL BF BEL RFТ, RTC, TEL, V, WDI, CSD, ACR, CSC, EI, IDI, АЕС, ASI, BEL, FEL, CDI, KRD, IC, HSE, MIS, РЕС, UNПRA BUS BUT BUV ВР ВFТ вт BDY UNIТRA вм - ML,PEC,RTC,SGS, V CSD, IPS, ML, РЕС, RTC, SGS, SSE, SDI BEL, CSC, CSD, FEL, IPS, ML,SGS,RTC,PEC, V IPS, HSE, ML, РЕС, RTC SDI, TEL, SGS, UNIТRA, V BDX стора RTC,SA SA, UNПRA, TI АЕС, FEL, ML, RTC, РЕС, V АЕС, ASI, CSD, IC, ML, РЕС, RTC, SA, ТНОМ, UNIТRA, V, WDI АЕС, ASI, FEL, HSE, ML, РЕС, RTC, ТНОМ, UNIТRA, SA, V, WDI ASI, FEL, ML, РЕС, RTC, SA, SGS, TEL, ТНОМ, V TI А UNIТRA, V, WDI ЕС, ASI, BEL, CDI, CSC, CSD, ML, РЕС, RTC, ASI, CDI, CSD, CSC, FEL, IDI, HSE, DTC, 'ML, РЕС, RTC, SGS, TEL, V, WDI ASI, CSD, CSC, CDI, HSE, IDI, FEL, ML, РЕС, SGS, TEL, V, WDI ML, РЕС, RTC ML, РЕС, RTC, V ML, РЕС, RTC, V ML, РЕС, RTC, V ML, РЕС, RTC, SDI, V HSE, ML, РЕС, RTC, V SII BFS GPD CSD,GPD EI, GTC, HSE, IDI, ML, РЕС, RTC, UNIТRA, V WDI CSD,GPD AMI AMI ACR,ASC CSD, GPD, UNIТRA BEL, CSD, GPD, WDI AI CSD,GPD CSD,GPD,HSE AI, STI, ТНОМ AI AI AI АЕС, ASI, BEL, CDI, EI" CSC, CSD, FEL, IDI, IТГ, KRD, MEL, ML, РЕС, RTC, SA, SGS, ТНОМ, UNIТRA, V ВСЕ BFE BFN BFP BFQ BFR BSXP BSY Фирма ние транзи- стора А ADP ADY ADZ AF Фирма ние транзи- с тора AD Обозначе- ОбозначеФирма ние транзи- АСУ 7. Аналоги UNIТRA ASI, CDI, CSC, HSE, IDI, FEL, ML, РЕС, RTC, SGS, TEL, V RS ASI, CSD, DTC, GTC, HSE, KPD, ML, NEC, PPI, RTC, SDI, SGS, TEL, ТНОМ, UNIТRA, V, WDI вuс мот BUP BUR SGS, SEM UNIТRA BUW BUX BUYP BUY вuz BZW с СА CD сот CF CIL ск см СР CQT cs сsт ст CTR ' cv DA DB DC DD DI DM DMP DN DP DQN DT DTA DTG DTN DTS DV DVD Е ЕС ED EN ERS ESM ЕТР FC FGT FMMT FM ML, РЕС, RTC, ТНОМ, V ML, РЕС, RTC, SGS, TEL, V ML, РЕС, RTC, SGS, SDI, TEL, ТНОМ, V CSD, ML, РЕС, RTC, SGS, SDI, ТНОМ, V CSD, FEL, KPD, ML, РЕС, RTC, SGS, SDI, TEL, ТНОМ, UNПRA, UC, V, WDI PPI, UNIТRA ASI, FEL, CSD, HSE, RTC, SGS, SPI, WDI ML, PEC,RTC,SGS,SA, V SA ASI, ACR, TCI, ТI, WDI GPD SII GPD SII CDI STI TCI TCI GPD ASI, NSC, WDI GPD SEC STI, GPD SEM ASI, WDI ACR, CSC, GE, МОТ, NSC, SGS, PPI, STI, TI, WEC GPD, WEC WEC Dl AMS DI АМS ML, РЕС, RTC, V DI, SI DI DI MED МЕС ASI, DTC, GPD, STI, WDI DI ASI, CSD, DTC, SPC, SSI, TI, WDI SI SI NSC, SDI, WDI UA NSC ASI, CSD, IDI, STI, WDI ЕТС MIS, ЕТС ТНОМ SEC . FEL FEL ACR,NSC
Буквенные обозначения зарубежнь1х транзисторов Обозначе- ОбозначеФирма ние транзи- FТ FТR SI FS FS, FS МОТ, STI LDA LOT LS LT RFТ,TESLA м МА НА НЕР мот МНА НЕРЕ мот MJ HEPS мот НР НР HS HSE GE, SEC HSE FEL BEL IDI IDI IDI IDI IDI 11,NSC IR FS, IR, МОТ, RCA, SGS, SI IR IR IR 11 11, NSC IC, 11, МОТ, NSC, SI, SDI н нт HV IDA IDB юс IDD IDI IMF IR IRF IRFD IRFF IRFZ IT ПЕ J JA JC JE JH JO к КА - кв кс КD КЕ KF KFY КJ км КN КР KS KSP KSY кu KUY L мс MD MDS МЕМ MEU MF MFE MFEC MG MGM MGP мн MJE стора АЕС TRW SI NSC ASI, 11, WDI ASI, HSE, MEL, STI, WDI PI CSC, МОТ, PI МОТ, мот GI, SDI MEL МОТ, PI, STI CSC, МОТ, SDI, SI GE, МРХ мот MRF MRFC MS MSA MSB MSP DTC, мот те мтн мот мот мтм МОТ, мот МТР FS, MEL, WDI FS ASI, CSC, CSD, IDI, GTC, IPS, МОТ, PPI, RCA, SGS, STC, STI, TI, WDI ASI, CSD, CSC, GTC, IDI, МЕС, МОТ, NSC, PPI, SGS, STI, ТНОМ, WDI мтs мот MTU MU N NA NB NDF NF MEL GE, МОТ CHERRY, KPD, TI NSC NSC NSC 11, MEL, NSC, SI, TS HSE ASI, CSC, HSE, STI, WDI МОТ, SEC МОТ, SEC МОТ, NSC МОТ, мот мот МОТ, ММВТА МОТ, ммвтн МОТ, ммвтs мот ммс мот MMCF MMFF мот РА IТТ ·мот РВ IТТ мм см мот РВМ ммт мот РС MN STI GPD, MPS, MEL, STC PD NSC, SEC SEC NSC ос ON р РЕ РЕС MPSA MPSC MPSD MPSH MPSK MPSL мот мот мм MPS МОТ МТЕ NКТ MPF NSC МОТ МТА NPC NPD NR NS NSD NSDU NSE NT NTM МР МОТ, мот мм вт NEC SDI TRW ASI, HSE, WDI, КМС TESLA WEC TESLA КМС, TESLA, WEC NSC, SDI, WDI, WEC MAI, TESLA TESLA MAI ASI, WDI KPD KPD TESLA, WEC PPS TESLA TESLA TESLA ASI, WDI мот мт мsт мот ммвс SPE, WDI TI FS WDI HSE, STI HSE, STI FS, MEL, PTI мот MMBF MMBPU MMBR МОТ, MPSU MPSUC MPSW MPU MJEC MJH ММВА Фирма вне транзи- стора RET, TESLA CSC,CSD,GE GE RET, TESLA TESLA RET,TESLA GSI GSI GSI GSI GSI GDC, HSE Sll GDC GC GD GE GET GF GFY GS GSDB GSDS GSDU GSRU GSTU GT ОбозначеФирма ние транзи- стора FN FOS 419 MEL, МОТ, NSC, SDI, SI, WDI FEL, FS, CSC, SCD, .IDI, GE, МОТ, NSC, RC, SEC, STI, TI, ТНОМ, WDI FEL, FS, CSD, GE, IDI, STI, MEL, МОТ, NSC, RC, SEC, TI, ТНОМ, WDI РЕТ PF PG РН PL PMD PMS PN мот CSC, CSD, GE, MEL. мет, RC, SEC, STI, WDI CSC, CSD, FS, GE, IDI, MEL, МОТ, NSC, SEC, STI, WDI CSC,SEC CSC, FS, GE, IDI, МОТ, NSC, SEC, SТI, TI, WDI РТ Q R RCA RCP RCS RFD RFH SGS SGS МОТ, тном NSC NSC NSC NSC, WDI NSC NSC NEC NEC GPD, HSE, GTC, STI, TI ML, РЕС, RTC, V CHERRY, NSC, SDI, SI, S, SD, WDI PHILCO PHILCO PHILCO PHILCO DI, PHILCO FS, PHILCO, NSC, PPI PPI STI NSC SEC АЕС, ML, РЕС, RTC, V TI CSD,LS LS CSD, CSC, FS, MEL, NSC, RC, SSD, SSI BEL, РТI, SSD, TRW HSE WDI RCA SТI RCA FEL RCA
Раздел 420 Обозначе- ОбозначеФирма ние транзи- ОбозначеФирма ние транзи- стора RCA RCA RCA RCA RCA RTC ACR,SSD,TC, UA GPD, RFТ, PI PI ML, RFТ, RTC, TEL, SI, THOM,V SDI GPD SDI SDF SDG SDM SDN SDP SDT SE SFMN SFN SFТ SGS SGSP SHA sк SL SM STP STS su sv SVN стора TS TSB TZ u STI sтс RFТ, т SGS, TSC NSC SDI SDI, SSD, SТI, TRW SECI SEM твс те UРТ TBF те uтv те тсs MED TAG TI svт SWT uc UMIL UMT ТЕС те v VAM VCR VMIL sтс ТЕD те УМОВ STC CSC, GPD, SDI, SSD ASI, CSD, FS, IDI, GTC, МОТ, NSC, SEC, SТI, WDI PI, RFТ SDI MIS, PI, ТНОМ SGS SGS SSI RCA, SТI PS TF TG тн MED UNITRA SEC, ТНОМ ТНА тном тсн ' тнв тном тнх тном ТНУ тном Т1 HSE, SТI, Тl, WDI ASI, CSC, CSD, FEL, GTC, IDI, МЕС, MEL, МОТ, ML, SC, PPI, РЕС, RCA, RTC, NSGS, SDI, SТI, TI, V, WDI ПР VMP VN VNM ·vNN VNP VP VQ vтv w WT XGS XGSA XGSQ XGSR ZDT ZT ZTX ZVN 2NU RFТ TIPC мот sмвт SA ТIPL so SOR SP SPC SPK SPM SPT SQ SQD тном ТIS ТIХМ TI DIC, IDI, MEL, NSC, SDI, SТI, TI, WDI TI TI ТIХР РТI ТIXS TI ЗNU ТL тном ТМР SEC NSC, MEL, SUPERTEX, TCI, TI SEC SEC SEC SEC TPW SEC GDC, HSE, NVS, МЕ, STI 4NU 5NU 6NU 7NU IOINU I02NU тном RS, SDI SPC SDI SDI SSI SEM SEM FEL SRF SRL SRLP TIX ТN sтс ' sтс ТР ТРЕ SRМ sтс ТРР SRS ss SSP ssx ST STA STC, STI RFТ, SSI SSI PI NSC, STI, sтс TPS TPV TQ TR TRF TRL sтс РТI ТRМ SТI SТIP STI STI ТRSP GDC, GDC, GDC, GDC, sтм SТI TRW ТRW - те TRS Фирма ние транзи- стора RFK RFL RFM RFP RRF RT s sc SCA SD 7. Аналоги ТI HSE, HVS, HSE, HSE, STI HSE, SП HVS, SSD, SТI NVS, SSD, STI TI те SEC IFC, 11, NSC, МОТ, SI, SDI, UC, WDI МОТ, SDI ACR uc uc ACR SGS,UA ACR 11, SI ACR ACR SI 11, SDI, SI, SUPERTEX SDI SDI SDI SDI, SUPERTEX SUPERTEX ACR WDI WEC GSI GSI GSI GSI FEL FEL FEL FEL TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA ТESLA ТESLA TESLA IOЗNU ТESLA I04NU I05NU 106NU 107NU 152NU I53NU 154NU 155NU 156NU TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA 2Т ЕЕ
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги 7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора l01NU70 l02NU70 l03NU70 l04NU70 105NU70 l06NU70 l06NU70 l07NU70 152NU70 153NU70 154NU70 2N1024 2Nl027 2N1028 2Nl04 2Nl05 2N1051 2Nl07 2N109 2N1175 2Nl204 2N1204A 2Nl218 2Nl219 2N1220 2Nl221 2Nl222 2Nl223 2Nl23 2Nl28 2Nl292 2Nl30 2Nl300 2Nl30l 2Nl303 2Nl30A 2Nl31 2Nl31A 2Nl32 2Nl321 2Nl329 2Nl32A 2Nl33 2Nl353 2Nl354 2Nl366 2Nl384 2Nl384 2Nl387 2Nl39 2Nl390 2Nl413 2N1414 2Nl415 2Nl420 2N1494A 2Nl499A 2Nl499B 2Nl500 2Nl507 2Nl524 - Приближенный отечественный Корпус аналоr А-6 МП35 А-6 МП35 А-6 МП37 А-6 МП36А А-6 МП36А А-6 МП36А А-6 МП37А А-6 МП36А, МП38А А-6 МПЗ6А, МП38 А-6 МП36А А-6 МП38 ТО-5 КП04Б ТО-5 КТ104Б ТО-5 КТ104А ТО-40 МП40А ТО-2 ГТ109Б ТО-5 КТ601А R-31 ГТ115А ТО-40 МП20Б ТО-5 МП20Б ТО-39 КТ312Г ТО-39 КТ312Г ТО-3 ГТ705Г ТО-5 КТ104Г ТО-5 КТ104А TQ-5 КТ104Г ТО-5 КТ104А ТО-5 КТ104А R-32 МП42Б ТО-24 ГТ310Д ·ТО-3 421 ГТ305В ТО-5 МГТ108А ТО-5 ГТ308А ТО-5 ГТ308А ТО-39 МП20А ТО-5 ГТ108А ТО-5 МГТ108Б OV-16 МГТ108Б ТО-5 МГТ108В ТО-10 ГТ705В ТО-13 ГТ705В OV-16 МГТ108В ТО-5 МГТ108Б ТО-5 МП42А ТО-5 МП42Б ТО-11 ГТ321Е, ГТ321Г ТО-11 ГТ321Д ТО-5 КТ301Б ТО-40 ГТ109Е 1 ГТ122В ТО-5 КТ301Д ТО-5 МП39Б, МП20А ТО-5 МП39Б, МП20А ТО-5 МП39Б, МП20А ТО-30 КТ630Е ТО-31 ГГ321Г ТО-3 ГТ305А ТО-9 ГГ305Б ТО-9 ГТ305Г ТО-5 КТ630Е ТО-1 П422 Зарубежный транзистор Тип прибора 2Nl526 2Nl564 2Nl565 2Nl566 2Nl566A 2Nl572 2Nl573 2Nl574 2Nl585 2Nl613 2Nl643 2Nl67l 2Nl68l 2Nl683 2Nl700 2Nl70l 2Nl702 2Nl 711 2Nl714 2Nl716 2NI726 2Nl727 2Nl728 2Nl742 2Nl743 2Nl745 2Nl746 2Nl747 2Nl748 2Nl75 2Nl752 2Nl754 2Nl777 2Nl78 2Nl785 2Nl786 2Nl787 2Nl838 2Nl839 2Nl840 2Nl854 2Nl864 2Nl865 2Nl86A 2Nl889 2Nl89 2Nl890 2Nl893 2Nl90 2Nl902 2Nl904 2NI91 2Nl924 2Nl925 2Nl926 2Nl93 2Nl958 2Nl959 2N2020 2N2048 2N2048A Приближенный отечественный Корпус аналоr ТО-1 П422 ТО-5 КТ601А ТО-5 КТ601А ТО-5 П307Б, КТ602Г ТО-5 КТ602Б ТО-5 П309 ТО-5 П308 ТО-5 П308 ТО-5 ГТ311Ж ТО-5 КТ630Г ТО-5 КТ104А - КТl 19А ТО-5 МП42Б ТО-5 ГТ308Б ТО-5 КТ801Б ТО-8 П702 MD-6 КТ803А ТО-5 КТ603 (Е, Г) ТО-5 П701А ТО-5 П701А П417А ТО-9 ТО-9 - , П417 ТО-9 П417А ТО-9 ГТ313Б ТО-9 ГТ313А ТО-9 ГТ305Б ТО-9 П417 ТО-9 П417 ТО-9 ГТ305В ТО-40 П27 ТО-9 П417 ТО-9 ГТ305А КТ665Б9 ТО-3 П216Б ТО-9 П417А ТО-9 П417 ТО-9 П417 ТО-5 КТ617А ТО-5 КТ617А ТО-5 КТ617А ТО-5 ГТ308Б ТО-9 П417 ТО-9 П417Б R-32 МП25Б, МП20А ТО-39 КТ630Г R-32 МП25А ТО-39 КТ630Б ТО-5 КТ630А R-32 МП25А КТ926А КТ926Б R-32 МП25Б ТО-5 МП21Г ТО-5 МП21Г ТО-5 МП21Д ТО-22 МП38 ТО-5 КТ608А ТО-5 КТ608Б ТО-18 КТ3117А ТО-9 ГТ308Б ТО-9 ГТ308Б
Раздел 422 Зарубежный транзистор Тип прибора 2N206 2N207 2N207A 2N207B 2N2089 2N2l02 2N2l02A 2N2I21 2N2121A 2N2137 2N2138A 2N2142A 2N2143 2N2147 2N2148 2N215 2N218 2N2192 2N2192A 2N2193 2N2193A 2N2194 2N2194A 2N2195 2N2199 2N220 2N2200 2N2217 2N2218 2N2218A 2N2219 2N2219A 2N2221 2N2221A 2N2222 2N2222 2N2224 2N2236 2N2237 2N2237 2N2242 2N2243 2N2243A 2N2246 2N2270 2N2273 2N2274 2N2275 2N2276 2N2277 2N2297 2N233A 2N2360 2N236l 2N2368 2N2369 2N237 2N2372 2N2373 2N2400 2N2405 2N24l0 2N241 l 2N2412 . Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-5 МГТIО8А ТО-5 МГТIО8Г ТО-5 МГТIО8Г ТО-5 МГТIО8Г ТО-7 П403, П416А ТО-39 КТ630А ТО-39 КТ630А ТО-18 КТ3117А ТО-18 КТ3117Б ТО-3 ГТ701А ТО-3 ГТ701А ТО-3 ГТ701А ТО-3 ГТ701А ТО-3 ГТ905А ГТ905Б ТО-3 ТО-1 . МП40А ТО-1 ГТIО9Е ТО-39 КТ630Е ТО-39 КТ630Е ТО-39 КТ630Г ТО-39 КТ630Г ТО-39 КТ630Д ТО-39 КТ630Д ТО-5 КТ630Д ТО-9 ГТ305А ТО-1 П27А ТО-9 ГТ305Б ТО-5 КТ928А ТО-5 КТ928Б ТО-5 КТ928Б ТО-5 КТ928Б ТО-5 КТ928Б TO-IS КТ31l7A ТО-18 КТ3117А ТО-18 КТ3117Б ТО-18 КТ31l7A ТО-5 КТ608Б ТО-5 КТ617А ТО-5 КТ603Б ТО-5 КТ608Б ТО-18 КТ340В ТО-5 КТ630А ТО-5 КТ630А КТ315IЕ6 ТО-39 КТ630Д ТО-18 ГТ305Б ТО-18 КТ203Б ТО-18 КТ203Б ТО-18 КТ203В ТО-18 КТ203В ТО-5 КТ630Г ГТ122Б ТО-12 ГТ376А ТО-12 ГТ376А ТО-18 КТ633Б ТО-18 КТ633А, КТ3142А ТО-22 МП40А ТО-18 КТ203В ТО-18 КТ203В ТО-18 ГТ308Б ТО-39 КТ630Б ТО-5 КТ928А ТО-18 КТ352А ТО-18 КТ352А Зарубежный транзистор Тип прибора 2N2415 2N2416 2N2428 2N2432 2N2432A 2N2475 2N2482 2N2483 2N2484 2N2537 2N2538 2N2539 2N2615 2N2616 2N2617 2N2635 2N2646 2N2647 2N265 2N2659 2N2660 2N2661 2N2665 2N2666 2N2667 2N2696 2N2708 2N27l l 2N2712 2N2725 2N2727 2N273 2N2784 2N28l l 2N2813 2N283 2N2835 2N2836 2N2844 2N2857 2N2868 2N2890 2N289l 2N2894 2N2904AL 2N2905A 2N2906 2N2906A 2N2907 2N2907A 2N2932 2N2933 2N2947 2N2948 2N2958 2N2987 2N2988 2N2989 2N2990 2N2999 2N3010 2N3012 2N3015 2N3019 Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-72 ГТ376А ТО-72 ГТ376А ТО-1 МП41А ТО-18 КТ201Б ТО-18 КТ201Б R-64 КТ316Б ТО-18 ГТ31 lИ ТО-18 КТ3102Б ТО-92 КТ3102Д ТО-5 КТ928Б ТО-5 КТ928Б ТО-18 КТ3117А ТО-18 КТ325А ТО-18 КТ325Б R-8 КТ201А ТО-18 ГТ320В КТ132А КТl .. 175, КП32Б R-32 R-122 R-122 R-122 R-122 R-122 R-122 МГТIО8Г ТО-18 KT35IA ТО-72 КТ325Б R-67 R-67 КТ315Ж П214А П215 П215 П214А П214А П215 КТ315Б КТ635Б ТО-5 КТ504Б ТО-5 МП39А ТО-18 КТ316Б МТ-29 КТ908Б МТ-29 КТ908А R-8 MD-17 МП40А ТО-3 ГТ703Д П213 КПСIО4Б ТО-72 7. Аналоги КТ399А ТО-39 КТ630Д ТО-5 КТ801А ТО-5 КТ801А ТО-18 КТ347Б КТ620Б КТ662А ТО-18 КТ313А ТО-18 КТ313А ТО-18 КТ313Б ТО-18 КТ313Б, КТ661А ТО-92 КТ201ГМ ТО-92 КТ201ДМ ТО-3 КТ903А ТО-3 КТ903А ТО-5 КТ608Б ТО-5 КТ630Г ТО-5 КТ630В ТО-5 КТ630Г ТО-5 КТ630В ТО-72 ГТ341В ТО-18 КТ316Б ТО-18 КТ347Б ТО-5 КТ928А то:39 КТ630В
Зару6ежнь1е транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус ТО-39 2N3020 2N3033 аналог 423 Зарубежный транзистор Приближенный отечественный Корпус Тип прибора аналог КТ630В 2N3585 ТО-66 КТ704А КТ3122А 2N3600 ТО-72 КТ368А R-67 КТ375Б 2N3053 ТО-5 КТ608Б 2N3605 2N3053 ТО-5 КТ630Д 2N3606 R-67 КТ375Б 2N3054 ТО-66 КТ805Б 2N3607 ТО-92 КТ375Б 2N3054A ТО-66 КТ803А 2N36l l ТО-3 ГТ701А 2N3055 ТО-3 КТ819ГМ, КТ8150А 2N3613 ТО-3 ГТ701А 2N3055E ТО-3 КТ819ГМ 2N3638 КТ686Г 2N3l07 ТО-5 КТ630Б 2N3638A 2N3l08 ТО-5 КТ630Г 2N367l 2N3l09 ТО-5 КТ630Б 2N368 ТО-5 МП40А 2N3l l0 ТО-5 КТ630Г 2N369 ТО-22 МП41А 2N3l l4 ТО-5 КТ611Г 2N3702 ТО-92 КТ345Б 2N312l ТО-18 КТ315А 2N3703 2N3127 ТО-72 ГТ328А, ГТ376А 2N3709 ТО-92 КТ358А, КТ373А 2N3209 ТО-18 КТ347А 2N37l0 ТО-92 КТ358В, КТ3 73А 2N32l0 ТО-18 КТ616Б 2N37l l ТО-92 КТ3102В 2N3237 КТ729А 2N3712 ТО-5 КТ611Г 2N3240 КТ730А 2N37l 7 КТ351А 2N3722 ТО-5 ТО-92 КТ686Ж КТ620А КТ685Е КТ692А КТ608Б 2N3248 ТО-18 2N3249 ТО-18 КТ345Б 2N3724 ТО-39 КТ608Б 2N3250 ТО-18 КТ3 l08А, КТ3 l 3Б 2N3725 ТО-5 КТ635Б 2N3250A ТО-18 КТ313Б, КТ3108В 2N3730 ТО-3 ГТ8IОА 2N325l ТО-18 КТ3108Б 2N3732 ТО-3 ГТ905А 2N326 ТО-3 ГТ705В 2N3733 ТО-60 КТ907А 2N3267 ТО-72 ГТЗ76А 2N3279 ТО-72 ГТ328А ТО-46 КТ659А ТО-66 КТ809А 2N3280 ТО-72 ГТ328А 2N328l R-96 ГТ328Б 2N3739 ТО-66 КТ809А 2N3740 ТО-66 2N3282 R-96 КТ932Б ГТ328В 2N374l ТО-66 КТ932А 2N3283 2N3284 ТО-72 ГТ328А 2N3742 ТО-5 КТ604Б ТО-72 ГТ328В 2N3766 ТО-66 КТ805Б 2N3286 ТО-72 ГТ328Б 2N3767 ТО-66 КТ805Б 2N3299 ТО-5 КТ608Б 2N377l КТ729А 2N330l ТО-18 КТ3117А 2N3772 КТ729Б 2N3302 ТО-18 КТ31l7А 2N_3773 КТ730А 2N3304 ТО-18 КТ337А 2N382l КП303Ж, КП329Б 2N33l ТО-5 МП39Б 2N3822 КП303И КП103Е 2N3823 КП303А, КП329Д КП302БМ 2N3329 2N3737 - 2N3738 -- ТО-60 КТ904А 2N3824 2N3390 ТО-98 КТ373В 2N3839 ТО-72 КТ399А 2N339l ТО-98 КТ373В 2N3866 ТО-39 КТ939А 2N3375 , 2N3392 ТО-98 КТ373А 2N3878 ТО-66 КТ908А 2N3393 ТО-98 КТ373А 2N3879 ТО-66 КТ908А 2N3394 ТО-98 КТ373Г 2N3880 ТО-72 КТ399А 2N3397 ТО-98 КТ315Е 2N3883 ТО-5 ГТ320Б 2N3399 ТО-72 ГТ346Б 2N3903 ТО-92 КТ375А 2N3439 КТ504А 2N3904 ТО-92 КТ375 (А, Б) 2N3440 КТ504Б 2N3905 ТО-92 КТ361Г 2N3440S ТО-39 КТ940А 2N3906 ТО-92 КТ361Г 2N344l ТО-66 КТ802А 2N3953 ТО-72 КТ3123А2 2N3442 ТО-3 КТ945А 2N3964 ТО-18 КТ3107Л 2N345l ТО-18 КТ337А 2N397l ТО-18 КП302А, КП302АМ 2N3495 ТО-5 КТ632Б 2N3972 ТО-18 КП302ВМ 2N3545 ТО-18 КТ343Б 2N3974 ТО-98 КТ3172А9 2N3546 ТО-18 КТ363А 2N4030 ТО-5. КТ933Б КТ201АМ 2N403l ТО-5 КТ933А 2N3565 2N3570 ТО-72 КТ399А 2N4034 ТО-18 КТ326Б 2N357l Т()..72 КТ399А 2N4034 ТО-18 КТ347А 2N3572 ТО-72 КТ399А 2N4036 ТО-39 КТ933А 2N3576 ТО-18 КТ347А 2N4037 ТО-39 2N3583 ТО-66 КТ704В 2N4038 2N3584 ТО-66 КТ809А 2N404 ТО-5 МП42Б 2N3585 ТО-66 КТ704Б 2N4046 ТО-5 КТ608Б КТ933Б КП30ID -
Раздел 424 Зарубежный транзистор Тип прибора 2N405 2N406 2N4077 2N4092 2N4093 2N4123 2N4124 2N4125 2N4126 2N4127 2N4128 2N4138 2N4207 2N4208 2N4209 2N4220 2N4223 2N4224 2N423l 2N4232 2N4233 2N4234 2N4237 2N4238 2N4239 2N4240 2N4254 2N4255 2N4260 2N426l 2N4268 2N429l 2N43 2N430l 2N4314 2N4360 2N438 2N4393 2N44 2N4400 2N44l l 2N4416 2N4429 2N4430 2N443l 2N444 2N4440 2N444A 2N445 2N445A 2N44A 2N45 2N456 2N457 2N458 2N45A 2N4870 2N487l 2N4889 2N489l 2N4893 2N4898 2N4898 2N4899 Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-40 МПЗ9А ТО-1 МПЗ9А MD-6 ГТ705Д КП905А КП302Г ТО-92 КТ3102А ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ36IБ 10-92 КТ3107Ж МТ-59 КТ922Г МТ-59 КТ922Д ТО-46 КТ20IБ ТО-18 КТ337Б ТО-18 КТ337Б ТО-18 КТ363А. КП307Б КП305Д, КП307Б КП305Е, КП307В ТО-66 П702 ТО-66 П702 ТО-66 П702 КТ830А, КТ692А TQ-5 КТ801А ТО-5 КТ80IБ ТО-5 КТ801А ТО-66 КТ704 (А, Б) ТО-92 КТ316АМ ТО-92 КТ316ГМ ТО-72 КТ363А ТО-72 КТ363Б КП304А ТО-92 КТ684Б R-32 МП25Б ТО-61 КТ908А ТО-39 КТ933А KПl03MPl ГП22А КП302ГМ R-32 МП25Б ТО-92 КТ645А КТ3126А КП323А2 МТ-59 КТ91 IБ ТО-129 КТ913А ТО-129 КТ913Б ТО-5 МП35 ТО-60 КТ907Б ТО-5 МП35 ТО-5 МП38 ТО-5 МП37 R-32 МП40А ТО-29 МП40А ТО-3 П210В ТО-3 П210Б ТО-3 П2IОБ ТО-29 МП40А КТ133А КТ133Б КТ686Ж КТl 17Б кп 178 КТ932В ТО-66 КТ932В ТО-66 КТ932Б 2N4900 2N4910 2N49l l 2N4912 2N4913 2N4914 2N4915 2N4923 2N4924 2N4925 2N4926 2N4927 2N4933 2N4960 2N497 2N4976 2N498 2N499A 2N50l 2N502A 2N502B 2N503 2N503l 2N5032 2N5043 2N5044 2N5050 2N505l 2N5052 2N5056 2N506 2N5067 2N5068 2N5069 2N5070 2N5090 2N5104 2N5146 2N5l6l 2N5177 2N5178 2N5179 2N5188 2N5190 2N519l 2N5l92 2N5193 2N5194 2N5195 2N5196 2N5202 2N5209 2N5210 2N5219 2N522l 2N5223 2N5226 2N5228 2N5236 2N5239 2N5240 2N5313 2N5315 2N5317 отечественный Корпус аналог ТО-66 КТ932А ТО-66 П702А ТО-66 П702 ТО-66 П702 ТО-3 КТ808А ТО-3 КТ808А ТО-3 КТ808А КТ807БМ ТО-39 КТ611Г ТО-39 КТ611Г ТО-39 КТ604Б ТО-39 КТ604Б КТ927А ТО-5 КТ928Б, КТ635А ТО-5 КТ630Д ТО-129 КТ911А ТО-5 КТ630Г ТО-1 ГТ305А ТО-1 ГТ305А ТО-9 ГТ313А ТО-9 ГТ313А ТО-9 ГТ3IОБ ТО-72 КТ399А ТО-72 КТ399А ТО-72 ГТ329Б ТО-72 ГТ329А ТО-66 КТ802А ТО-66 КТ802А ТО-66 КТ802А ТО-18 КТ347Б ТО-22 ГТl 15Б ТО-3 КТ803А ТО-3 КТ803А ТО-3 КТ803А ТО-60 КТ912А ТО-60 Аналоги Приближенный Зарубежный транзистор Тип прибора 7. КТ606А КП329А КТС622А ТО-60 КТ914А MD-36 MD-36 КТ909А ТО-72 КТ399А ТО-39 КТ603Б ТО-126 КТ817А ТО-126 КТ817В КТ909Б ТО-126 КТ817Г ТО-126 KT8 l 6A, ТО-126 КТ816В, КТ818В ТО-126 КТ816Г, КТ818Г КТ8 l 8А КПС104В ТО-66 КТ908А ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ3102Е ТО-92 КТ375Б ТО-92 КТ351А ТО-92 КТ375Б ТО-92 КТ350А ТО-92 КТ357А ТО-39 КТ3122Б ТО-3 КТ812Б ТО-3 КТ812А ТО-61 КТ908А ТО-61 КТ908А ТО-61 КТ908А
Зарубежнь1е транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора 2N5319 2N5334 2N5354 2N5356 2N535A 2N535B 2N536 2N5365 2N5366 2N5373 2N5394 2N5397 2N540l 2N5427 2Nl5427 2N5429 2N5447 2N5452 2N548l 2N5483 2N5490 2N5492 2N5494 2N5496 2N554 2N5540 2N555 2N555l 2N5556 '2N5589 2N5590 2N559l 2N5596 2N560 2N564l 2N5642 2N5643 2N5652 2N5672 2N568l 2N5682 2N5707 2N5709 2N5719 2N5764 2N5765 2N5768 2N5769 2N5770 2N5771 2N58l 2N5838 2N5839 2N5840 2N5842 2N5845 2N585l 2N5852 2N5887 2N5888 2N5889 2N5890 2N589l 2N59 Зарубежный транзистор Приближенный отечественный Корпус Тип прибора аналог ТО-61 КТ908А ТО-39 КТ685Е ТО-98 КТ351А КТ685Ж ТО-23 ГТl 15В ТО-23 ГТl 15В ТО-23 ГТl 15Г ТО-98 КТ351А ТО-98 КТ35IБ ТО-92 КТ686А КП307А КП302Б ТО-92 KT6l l6A ' КТ808ГМ ТО-66 КТ808А ТО-66 КТ808А Х-55 КТ345Б КПС104А МТ-74 КТ911А КТ919В ТО-220 КТ819Б ТО-220 КТ819В ТО-220 КТ819В ТО-220 КТ819Г ТО-3 П216В ТО-61 КТ854А ТО-3 П216В ТО-92 KT6l l 7A КП303Б КТ934Г, КТ920А КТ934Д КТ920В КТ9!6А, КТ919А ТО-29 П307В МТ-71 КТ922А МТ-72 КТ922Б МТ-72 КТ922В ТО-72 КТ372В ТО-3 КТ874А ТО-39 КТ630Г ТО-39 КТ630А ТО-128 КТ921А КТ936А КТ929А МТ-77 МТ-77 КТ913А КТ913Б КТ919Б ТО-92 КТ3142А ТО-92 КТ325ВМ ТО-92 КТ363АМ ТО-5 МП42А ТО-3 КТ840Б ТО-3 КТ840Б ТО-3 КТ840А ТО-72 КТ355А ТО-92 КТ645А ТО-72 КТ355А ТО-72 КТ355А ТО-66 ГТ701А, П216 ТО-66 ГТ701А, П216 ТО-66 ГТ701А, П216 ТО-66 ГТ701А, П216Г ТО-66 ГТ701А, П217 ТО-5 МП20А ', 425 ,./ 2N59l 2N5995 2N5996 2N59A 2N59B 2N59C 2N60 2N601 l 2N6013 2N6015 2N602 2N603 2N6034 2N6035 2N6036 2N6037 ,2N6038 2N6039 2N604 2N6047 2N6050 2N605l 2N6052 2N6057 2N6058 2N6059 2N6077 2N6078 2N6079 2N6080 2N608l 2N6093 2N6099 2N60A 2N60B 2N60C 2N6l 2N6l0l 2N6l07 2N6l l I 2N6121 2N6122 2N6123 2N6124 2N6125 2N6126 2N6129 2N6130 2N613l 2N6132 2N6133 2N6134 2N6135 2N6178 2N6179 2N6180 2N618l 2N61A 2N61B 2N61C 2N6202 2N6203 2N6204 2N6208 Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-1 ГТl 15Г МТ-78 КТ920Г МТ-78 КТ920Г ТО-5 МП20А ТО-5 МП21Д ТО-5 МП2IД ТО-5 МП20Б R-203 КТ825Б КТ685Д КТ685А ТО-5 П416 ТО-5 П416 КТ8130А КТ8130Б КТ8130В КТ8131А КТ813IБ КТ8131В ТО-5 П416А ТО-63 КТ947А ТО-3 КТ825Д .ТО-3 КТ825Г ТО-3 КТ825Г ТО-3 КТ827В ТО-3 КТ827Б ТО-3 КТ827А ТО-66 КТ812Б ТО-66 КТ812Б ТО-66 КТ812А МТ-72 КТ920Б МТ-72 КТ920Г МТ-67 КТ912Б, КТ927Б ТО-220 КТ819В ТО-5 МП21В ТО-5 МП21Д ТО-5 МП21Г ТО-5 МП20А ТО-220 КТ819Г ТО-220 КТ818Г ТО-220 КТ818А ТО-220 КТ817А ТО-220 КТ817В ТО-220 КТ817Г ТО-220 КТ837Ф ТО-220 КТ837С ТО-220 КТ837Н ТО-220 КТ819Б ТО-220 КТ819В ТО-220 КТ819Г ТО-220 КТ818Б ТО-220 КТ818В ТО-220 КТ818Г Х-110 КТ610А Х-109 КТ943Д Х-109 КТ943Б ТО-126 КТ932А ТО-126 КТ932А ТО-5 МП20В ТО-5 МП21Д ТО-6 МП21Г КТ934А КТ934Б КТ934В КТ916Б
" 426 Раздел Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог Приближенный Зарубежный транзистор Тип прибора отечественный Корпус аналог 2N6216 ТО-3 КТ684А 2N697 ТО-39 КТ630Д 2N6246 ТО-3 КТ818ВМ 2N698 ТО-39 КТ630А 2N6247 ТО-3 КТ818ГМ 2N699 ТО-39 КТ630А 2N6248 ТО-3 КТ818ГМ 2N700 ТО-72 ГТ313Б, ГТ376А 2N6253 ТО-3 КТ819БМ 2N700A ТО-17 ГТ376А 2N6260 ТО-66 КТ805Б 2N702 ТО-18 КТ312А 2N6263 ТО-66 КТ802А 2N703 ТО-5 КТ312В 2N6264 ТО-66 КТ802А 2N705 ТО-18 ГТ320В КТ919В 2N706A ТО-18 КТ340В 2N6266 2N6278 ТО-63 КТ879Б 2N708 ТО-18 КТ340В 2N6279 ТО-63 КТ879А 2N709 ТО-18 КТ316Б 2N6282 ТО-3 КТ827В 2N709A ТО-.18 КТ316Б 2N6283 ТО-3 КТ827Б 2N710 ТО-18 ГТ320В 2N6284 ТО-3 КТ827А 2N7ll ТО-18 ГТ320В 2N6285 ТО-3 КТ825Д 2N711A ТО-18 ГТ320Б 2N6286 ТО-3 КТ825Г 2N711B ТО-18 ГТ320Б 2N6287 ТО-3 КТ825Г 2N726_ ТО-18 КТ349А 2N6288 ТО-220 КТ819А 2N727 ТО-18 КТ349Б 2N6289 ТО-220 КТ819А 2N728 ТО-18 КТ312В 2N6290 ТО-220 КТ819В 2N729 ТО-18 КТ312Б 2N6291 ТО-220 КТ819В 2N734 ТО-18 П307, КТ601А 2N6292 ТО-220 КТ819Г 2N735 ТО-18 П307А. КТ601А 2N6293 ТО-220 КТ819Г 2N735 ТО-18 КТ601 А. П307 А 2N6304 ТО-72 КТ399А 2N738 ТО-18 П309 2N6305 ТО-72 КТ399А 2N739 ТО-18 П308 2N6310 ТО-220 КТ818В 2N741 ТО-18 ГТ313В 2N6341 ТО-3 КТ867А 2N741A ТО-18 ГТ313А 2N6362 SOT-119 КТ930А 2N743 ТО-18 КТ340В 2N6364 SOT-119 КТ930Б 2N744 ТО-18 КТ340В 2N6369 SOT-119 КТ931А 2N753 ТО-18 КТ340Б 2N6371 ТО-3 КТ819БМ 2N754 ТО-18 П307В 2N6372 ТО-66 КТ808ГМ 2N755 ТО-18 П308 2N6373 ТО-66 КТ808ГМ 2N77 ТО-2 ГТ109Б 2N6374 ТО-66 КТ808БМ 2N780 ТО-18 КТ312Б КТ684А 2N784A ТО-18 КТ340В 2N6469 ТО-3 КТ818БМ 2N795 ТО-18 ГТ308А 2N6470 ТО-3 КТ819БМ 2N796 ТО-18 ГТ308Б 2N6471 ТО-3 КТ819ВМ 2N797 ТО-18 ГТ308А 2N6472 ТО-3 КТ819ГМ 2N797 ТО-18 ГТ311И 2N6477 ТО-220 КТ8123А 2N834 ТО-18 КТ340В 2N6499 ТО-220 КТ8110А 2N835 ТО-18 КТ340В 2N65 OV-4 МП20А 2N842 ТО-18 КТ301Д 2N653 ТО-5 МП20А 2N843 ТО-18 КТ301 (В, Ж) 2N654 ТО-5 МП20А 2N844 ТО-18 П307В, КТ601А 2N6542 ТО-3 КТ840Б 2N845 ТО-18 П308, КТ601А 2N6543 ТО-3 КТ840А 2N869 ТО-18 КТ352А 2N6546 ТО-204 КТ878Б 2N869A ТО-18 КТ347А 2N655 ТО-5 МП20Б 2N914 ТО-18 КТ616Б 2N6448 2N656 ТО-5 КТ630Д 2N915 ТО-18 КТ342t 2N6560 ТО-3 КТ841А 2N916 ТО-18 КТ342А 2N657 ТО-5 КТ630Г 2N917 ТО-72 КТ36.SБ 2N6575 ТО-3 КТ8146А 2N918 ТО-72 КТ368А КТ3132А 2N919 ТО-18 КТ340В 2N6617 7. Аналоги 2N6669 ТО-220 КТ863А, КТ997 А 2N920 ТО-18 КТ340В 2N6672 ТО-204 КТ847А 2N923 ТО-18 КТ203Б 2N6678 ТО-204 КТ847А, КТ878В 2N924 ТО-18 КТ203Б 2N6772 ТО-220 КТ8175Бl 2N929 ТО-18 КТ342А 2N6773 ТО-220 КТ8175Аl 2N930 ТО-18 КТ342А 2N6928 ТО-220 КТ8120А 2N94 ТО-2 МП38 2N6929 ТО-220 КТ8138Ж 2N943 ТО-18 КТ203Б 2N6930 ТО-220 КТ8138И 2N944 .ТО-18 КТ203Б 2N6931 ТО-204 КТ8117Б 2N955 ТО-18 ГТ311И 2N6932 ТО-204 КТ856Бl 2N955A ТО-18 ГТ31 IИ 2N696 ТО-5 КТ630Д 2N978 ТО-18 КТ350А
Зарубежные транзисторь1 и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора Зарубежный транзистор Приближенный отечественный Корпус 427 Тип прибора аналог Приближенный отечественный Корпус аналог 2N979 ТО-18 ГТ305А 2SA205 ТО-5 ГТ125Д 2N980 ТО-18 ГТ305А 2SA206 ТО-5 ГТ125Б 2N987 R-38 ГТ322Б 2SA2l l ТО-5 ГТ125А 2N990 ТО-72 ГТ322В 2SA212 ТО-5 ГТ125А 2N991 ТО-72 ГТ322В 2SA2l 9 ТО-44 ГТ322В 2N993 ТО-72 ГТ322В 2SA221 ТО-44 ГТ322Б 2N995 ТО-18 КТ352А 2SA223 ТО-44 ГТ322В 2N996 ТО-18 КТ352А 2SA229 ТО-17 ГТ313А КП902Б 2SA230 ТО-17 ГТ313А 2NL234B 2NU72 SOT-9 ,ГТ403Б 2SA234 ТО-44 ГТ309Б 2NU73 ТО-3 ГТ703Б 2SA235 ТО-44 ГТ309Б 2NU74 ТО-3 ГТ701А, П2!0А 2SA236 ТО-44 ГТ322В 2S2466 MD-10 П201АЭ 2SA237 ТО-44 ГТ322В КТ3126Б 2SA246 ТО-44 ГТ305В 2S3640 КТ686Г 2SA254 R-18 ГТ!О9Е 2SA1009 ТО-220 КТ85IБ 2SA255 R-18 ГТ109Д 2SA!Ol ТО-1 ГТ322В 2SA256 ТО-18 ГТ322Б 2SA!Ol5 ТО-92 КТ3!07Б 2SA257 ТО-18 ТТ322В 2SA!02 ТО-1 ГТ322В 2SA258 ТО-18 ГТ322В 2SA102l ТО-220 КТ722А 2SA259 ТО-18 ГТ322В 2SA1029B ТО-92 КТ3107Г 2SA260 ТО-17 ГТ310А 2SA1029C ТО-92 КТ3107Д 2SA266 ТО-1 ГТ309Г 2SA1029D ТО-92 КТ3!07И 2SA267 ТО-1 ГТ309Г 2SA103 ТО-72 ГТ322В 2SA268 ТО-1 ГТ309Д 2S564 2SA1030 КТ668В 2SA269 ТО-1 ГТ303Д 2SA1030B КТ668Б 2SA270 ТО-1 ГТ309Г ГТ309Г 2SA1030B ТО-92 КТ3107Б, КТ668В 2SA27l ТО-1 2SA1030C ТО-92 КТ3107 Д, КТ668В 2SA272 ТО-1 ГТ309А 2SA1031B ТО-92 КТ3107Г 2SA277 ТО-5 ГТ124В 2SAl03lC ТО-92 КТ3107Ж 2SA279 ТО-7 П416Б, ГТ305Б 2SA!031D ТО-92 КТ3107Ж 2SA282 ТО-5 ГТ125 (В, Г) ТТ322Б . КТ668А 2SA285 ТО-44 2SA1033B ТО-92 КТ3107Г 2SA286 ТО-44 ГТ322Б 2SA!033C ТО-92. КТ3107Д 2SA287 ТО-44 ГТ322Б 2SA1032 2SA!033D ТО-92 КТ3107К 2SA312 ТО-5 ГТ32IД 2SA104 ТО-1 ГТ322Б 2SA321 ТО-44 ТТ322В 2SA105 ТО-44 ГТ310Е 2SA322 ТО-44 ГТ322В 2SAI052B ТО-236 КТ3129Б9 2SA338 ТО-18 ТТ322В 2SA1052C ТО-236 КТ3129Г9 2SA339 ТО-18 ГТ322Б 2SA1052D ТО-236 КТ3129Г9 2SA340 ТО-72 ГТ322Б 2SA106 ТО-44 ГТ310Е 2SA34l ТО-72 ГТ322Б ' 2SA107 ТО-44 ГТ310Д 2SA342 ТО-72 ГТ322Б 2SA108 ТО-44 П422 2SA343 ТО-7 ГТ309Б 2SA!09 ТО-44 П422 2SA350 ТО-1 П422 2SA1090 ТО-18 КТ313Б 2SA351 ТО-! П422 2SAl !О ТО-44 П422 2SA352 ТО-1 П422 2SAl 106 ТО-218 КТ810IБ 2SA354 ТО-1 П422 2SAl l l ТО-44 П422 2SA355 TO'l П422 2SAl 12 ТО-44 П422 2SA374 ТО-5 П609А 2SAl 16 ТО-44 ГТ3!0В 2SA391 ТО-5 ГТ125В 2SAl 160А ТО-92 КТ686Д 2SA396 ТО-5 ГТ125Г 2SAl lбОВ ТО-92 КТ686Е 2SA40 ТО-1 ТТ124Б 2SAll 7 ТО-44 ГТ310Д 2SA400 ТО-1 ГТ309Г ~ ' 2SA118 ТО-44 ГТ3!0Д, 2SA412 ТО-1 ГТ308Б 2SAl 180 ТО-3 КТ865А 2SA414 ТО-5 ГТ125Б 2SA1274 ТО-92 КТ684В 2SA416 ТО-3 П606А 2SA1356 ТО-126 КТ626Г, КТ626Д 2SA422 ТО-17 ГТ346Б 2SA1356 SOT-82 КТ626А 2SA440 R-146 ГТ313А 2SA15l5 ТО-92 КТ686Б 2SA467 R-67 КТ351Б 2SA1584 ТО-92 КТ9144А9 ТО-1 ГТ331А ТО-5 ГТ125Б 2SA479 2SA49 ТО-1 ГТ109Е 2SAl 74 ТО-5 ГТ125Б 2SA490 ТО-220 КТ816Б 2SA195 ТО-1 ГТ124.А 2SA494G R-67 КТ349В 2SA204 ТО-5 ГТ125Б 2SA495 R-67 КТ357Г 2SAl 73 . ~ .
Раздел 428 Зарубежный транзистор Тип прибора - Приближенный отечественный Корпус аналог Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог 2SA495G R-67 КТ357Г 2SA92 ТО-44 ГТ322Б 2SA496 ТО-126 КТ639Б 2SA93 ТО-44 ГТ322В 2SA50 ТО-1 П30 2SA952K ТО-92 КТ6 l l 5Е, КТ686Е 2SA500 ТО-18 КТ352А 2SA952L ТО-92 КТ6 l l 5Д, 2SA504 ТО-39 КТ933А 2SA952M ТО-92 КТ6115Г 2SA505 ТО-126 КТ639Д 2SA962A ТО-202 КТ639Д 2SA52 ТО-1 ГТ109Е 2SA966Y ТО-92 КТ686В 2SA522 ТО-18 КТ326Б 2SA967 2SA53 ТО-1 ГТIО9Д 2SA983 2SA530 ТО-18 КТ313Б 2SA999 ТО-92 2SA537 ТО-39 КТ933Б 2SA999L ТО-92 2SA555 Х-20 КТ361Е 2SBI016 ТО-220 КТ818Г 2SA556 Х-20 КТ361Е 2SB10l 7 ТО-220 КТ818Г 2SA559 ТО-18 КТ352А 2SBI018 ТО-220 КТ818Г 2SA564 ТО-92 КТ3107Д 2SBI019 ТО-220 КТ818В 2SA564A ТО-92 КТ3107И 2SBl 10 ТО-1 ГТ124А 2SA568 ТО-92 КТ345В 2SBl l l ТО-1 ГТ124Б КТ686Д КТ3123АМ КТ3109А КТ3l07И ( КТ3107И 2SA58 ТО-44 ГТ322Б 2SBl 12 ТО-1 ГТ124В 2SA60 ТО-44 ГТ322Б 2SBl 13 ТО-1 ГТ124В 2SA603 ТО-18 КТ313Б 2SBl 14 ТО-18 ГТ124Б 2SA628 ТО-92 КТ357Г 2SB115 ТО-1 ГТ124В 2SA640 ТО-92 КТ3 l 07 (К, И) 2SBl 16 ТО-1 ГТ124Г 2SA64l ТО-92 КТ3107Л 2SBl 17 ТО-1 ГТ124Г 2SA65 ТО-1 ГТ125В 2SB12 ТО-1 ГТ124А 2SA670 ТО-220 КТ816В 2SB120 ТО-1 МП41А 2SA67l ТО-220 КТ816Б 2SB1220Q SC-70 КТ3180А9 2SA673 ТО-92 КТ350А 2SB13 ТО-1 ГТ124А 2SA69 ТО-1 ГТ309Е 2SB130 MD-ll П201АЭ 2SA70 ТО-1 ГТ309Е 2SB135 ТО-1 ГТ124В 2SA71 ТО-1 ГТ309Е 2SB136 ТО-1 МП25А, МП20Б КТ639И 2SB136A ТО-1 МП25А,. МП20Б 2~А715В ТО-126 КТ639В 2SB15 ТО-1 ГТ125А 2SA715C ТО-126 КТ639В 2SBl 70 ТО-1 МП39А, МП40А 2SA715D ТО-126 КТ639В 2SBl 71 ТО-1 МП40А 2SA715B 2SA718 ТО-18 КТ3l3Б 2SBl 72 ТО-1 МП20А, МП25Б 2SA72 ТО-44 ГТ322В 2SBl 73 ТО-1 МП39А 2SA73 ТО-44 ГТ322В 2SB175 ТО-1 МП41А 2SA733 ТО-92 КТ3107И 2SB176 ТО-1 МП25Б, МП20Б 2SA738B ТО-126 КТ639В 2SB180A ТО-8 П201АЭ 2SA738C ТО-126 КТ639В 2SB181A ТО-8 П202Э 2SA738D ТО-126 КТ639В 2SB200 R-10 МП25Б, МП20А КТ851В 2SB20l ТО-5 МП25Б, МП20А 2SA740 2SA741H ТО-18 КТ352А 2SB26l R-18 ГТl 15А 2SA743 ТО-126 КТ639Г 2SB262 R-18 ГТl 15В КТ639Ж 2SB263 ТО-1 Mrf25Б 2SA743A ТО-126 КТ639Г, КТ639Ж 2SB302 ТО-1 ГТ109Е 2SA750 ТО-92 КТ3107К 2SB303 ТО-1 ГТl 15Г 2SA755A ТО-220 КТ932Б 2SB32 ТО-1 МП39А 2SA755B ТО-220 КТ932Б 2SB33 ТО-1 МП41А 2SA768 ТО-220 КТ816В 2SB335 R-18 МГТIО8В 2SA769 ТО-220 КТ816Г 2SB336 . R-18 МГТIО8В 2SA779K ТО-202 КТ639В 2SB36l ТО-3 ГТ806А 2SA78 ТО-44 ГТ32IД 2SB362 ТО-3 ГТ806Б 2SA78 ТО-44 ГТ321В 2SB367 ТО-66 П201АЭ П201АЭ МП41А 2SA743A 2SA780AK ТО-202 КТ639Д 2SB368 то:б6 2SA781K ТО-92 КТ345Б 2SB37 ТО-1 2SA81 IC5 SOT-23 КТ3129Б9 2SB39 ТО-1 ГТl 15А 2SA81 lC6 SOT-23 КТ3129.Г9 2SB40 ТО-1 МП42Б 2SA812M4 SOT-23 КТ3129Б9 2SB400 ТО-1 МГТIО8Г ' 7. Аналоги 2SA812M5 SOT-23 КТ3129Б9 2SB43 ТО-1 ГТ125В 2SA815 ТО-220 КТ814Г 2SB434 ТО-220 КТ837Р 2SA844C ТО-92 КТ3107И 2SB434G ТО-220 КТ837Р 2SA844D ТО-92 КТ3l07И 2SВ435 ТО-220 КТ837У 2SA876H ТО-18 КТ313Б 2SB435G ТО-220 КТ837Р
Зарубежнь1е транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог 429 Приближенный Зарубежный транзистор Тип прибора отечественный Корпус аналог 2SB435U ТО-220 КТ816А2 2SC1112 ТО-3 КТ802А 2SB439 ТО-1 МП41А, МП39Б 2SCl 113 ТО-66 КТ808А КТ812Б 2SB44 ТО-1 ГТ124В 2SClll4 ТО-3 2SВ440 ТО-1 МП41А, МП39Б 2SCl l l 72B ТО-3 КТ839А 2SB443A ТО-1 МГТ108Г 2SCll4l ТО-3 КТ8154А 2SB443B ТО-1 МГТ108Г 2SCl 144 ТО-3 КТ8154Б 2SB444A ТО-1 МГТI08Г 2SC1145 ТО-3 КТ809БМ 2SB444B ТО-1 МГТ108Г 2SCl 172 ТО-3 КТ839А 2SB448 MD-ll П201АЭ 2SC1172А ТО-3 КТ839А 2SB456 ТО-8 П202Э 2SC1173 ТО-220 КТ943А 2SВ467 MD-10 П202Э 2SCl 188 КТ325БМ 2SB468 ТО-3 ГТ810А 2SC1215 КТ325АМ КТ3101АМ 2SВ47 ТО-1 МГТ108 (Д, Г) 2SC1236 2SB473 MD-9 П201АЭ 2SC1254 2SB48 ТО-5 ГТ125Б 2SC1260 2SB48l MD-9 П201АЭ 2SC1262 2SB49 ТО-5 ГТ125В 2SC131 ТО-18 КТ616Б 2SB497 R-18 МГТ108Б 2SC13l 7 ТО-92 КТ645А 2SB506A ТО-3 КТ842А 2SC132 ТО-18 КТ616Б 2SB54 ТО-1 ГТ124Г 2SC133 ТО-18 КТ616Б 2SB546 ТО-220 КТ851В 2SC134 ТО-18 КТ616А 2SB546A ТО-220 КТ851А 2SC135 ТО-18 КТ616А 2SB55 ТО-1 ГТ125Г 2SC137 ТО-18 КТ616Б 2SB55IH ТО-66 КТ932Б 2SC1395 2SB553 ТО-220 КТ818В 2SC1440 ТО-3 2SB558 ТО-3 КТ818ГМ 2SC1454 ТО-3 2SB56 ТО-1 ГТ125Г 2SC1504 ТО-3 КТ809А / КТ3106А2 ТО-72 КТ399А КТ939А КТ325ВМ КТ945А КТ812Б ' 2SB57 R-55 МГТ108Б 2SC151H ТО-39 КТ603А 2SB595 ТО-220 КТ816Г 2SC1550 ТО-126 КТ940Б 2SB596 ТО-220 КТ816Г 2SC1566 ТО-202 КТ940Б 2SB60 ТО-1 МП41А 2SC1569 ТО-220 КТ940А 2SB6l ТО-1 МП41А 2SC1576 ТО-3 КТ8 l 2А, КТ828Б 2SB630A ТО-220 КТ851А 2SCl6l 7 ТО-3 КТ812Б 2SB650H ТО-3 КТ825Г 2SC1618 ТО-3 КТ808БМ 2SB693H ТО-3 КТ825Г 2SC1618 ТО-3 КТ3129Д9 2SC1619 ТО-3 КТ3129Д9 2SC1619A ТО-3 КТ808А 2SB709 2SB709 SOT-23 2SB709A SOT-23 2SB710 КТ808А - КТ808А КТ3129Г9 2SC1619A .ТО-3 КТ808АМ КТ3173А9 2SC1622D6 SOT-23 КТ3130Б9 2SB75 ТО-1 ГТ125В 2SC1622D7 SOT-23 КТ3130Б9 2SB754 ТО-220 КТ818Б 2SC1623L SOT-23 КТ3130А9 2SB772 ТО-126 КТ9176А 2SC1624 ТО-220 КТ943В 2SB834 ТО-220 КТ835Б, КТ837В 2SC1625 ТО-220 КТ943В 2SB883 ТО-218 КТ8106Б 2SC170 ТО-18 КТ306Д 2SB90 ТО-1 2SB906 ГТIО9Г 2SC171 ТО-18 КТ306Д КТ835А 2SCl 72 ТО-18 КТ306Д 2SB906 ТО-220 КТ835Б, КТ837В 2SC1789 2SB97 ТО-1 ГТ109В 2SC1805 КТ399АМ 2SB970 ТО-236 КТ3171А9 2SC1815 ТО-92 КТ3102Б 2SB996 ТО-220 КТ816Г 2SC1826 ТО-220 КТ817Г2 2SC1000GTM ТО-92 КТ3102Б 2SC1826 ТО-220 КТ817Т КТ916А КТ925Г 2SC1827 ТО-220 КТ817Г 2SC1008 ТО-39 КТ630Д 2SC1828 ТО-66 КТ828А 2SC1008A ТО-39 ·КТ630Б 2SC1846 ТО-92 КТ645А 2SC1001 2SC1009A SOT-23 КТ3151Д9 2SC188 , ТО-5 КТ617А 2SC101A ТО-66 КТ902А 2SC1894 ТО-3 КТ839А 2SC1044 ТО-72 КТ355А 2SC1895 ТО-3 КТ839А 2SC105 ТО-18 КТ312Б 2SC1896 ТО-3 КТ839А 2SC1056 ТО-5 КТ605Б 2SC1950 КТ683А 2SC2001K КТ6144Е КТ630Г 2SC2001L КТ6144Д 2SC1080 2SC108A ТО-39 2SC1090 U-78 КТ372А 2SC2036 2SC109A ТО-39 КТ928Б 2SC2042 2SCllll ТО-3 КТ802А 2SC2068 КТ640Б2 ТО-126 КТ646А КТ909В ТО-202 КТ940А
Раздел 430 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог Приближенный Зарубежный транзистор Тип прибора отечественный Корпус аналог 2SC212l ТО-3 КТ828А 2SC366G ТО-92 КТ645А 2SC2122 ТО-3 КТ841А 2SC367G ТО-92 КТ645А ТО-3 КТ812А. КТ828Б 2SC3688 ТО-247 КТ8157А ТО-3 КТ812А 2SC370 R-67 КТ375Б КТ375Б 2SC2137 2~С2138 - 7. Аналоги 2SC216B КТ850А 2SC371 R-67 2SC2173 КТ909Г 2SC372 R-67 2SC2188 КТ3126А9 2SC3801 КТ368БМ КТ375Б 2SC2231 ТО-202 КТ940В 2SC3812 КТ9151А 2SC2231A ТО-202 КТ940В 2SC3827 КТ368Б9 2SC2242 ТО-220 КТ940А 2SC3840 ТО-126 КТ8175Б 2SC2258 ТО-126 КТ940Б 2SC390 ТО-72 КТ368А 2SC2270 КТ9157А 2SC395A ТО-18 КТ616А 2SC2295 КТ3170А9 2SC40 ТО-18 КТ316Г 2SC2333 ТО-220 КТ8175АI 2SC400 ТО-18 КТ306В 2SC2335 ТО-220 КТ8138А 2SC400l ТО-126 КТ9130А 2SC2351 КТ3168А9 2SC401 R-37 КТ358В 2SC2368 КТ3123В2 2SC402 R-37 КТ358В 2SC2369 КТ3123Б2 2SC403 R-37 КТ358Б SOT-23 КТ3130Г9 2SC404 R-37 КТ358В 2SC2405 SOT-23 КТ3130Г9 2SC41 ТО-3 КТ802А 2SC2431 ТО-3 КТ945А 2SC4106 ТО-220 КТ8138А, КТ81 !ОБ 2SC2404 2SC2456 ТО-126 КТ940А 2SC4!06L ТО-220 КТ81 !ОВ 2SC247 ТО-39 КТ602Г 2SC4109 ТО-220 КТ8145Б 2SC2481 ТО-126 КТ683Б 2SC42 ТО-3 КТ802А 2SC249 ТО-39 КТ602Б 2SC4242 ТО-220 КТ8138Б, КТ81 IОА 2SC2516 ТО-220 КТ863Б 2SC43 ТО-3 КТ802А 2SC253 ТО-72 КТ325А 2SC44 ТО-3 КТ803А 2SC2562 ТО-220 КТ805АМ 2SC4542 ТО-220 КТ8138В 2SC261 I ТО-126 КТ604БМ 2SC454B ТО-92 КТ3102В. КТ342АМ 2SC2688N ТО-126 КТ9130А 2SC454C ТО-92 КТ3102В 2SC2790 ТО-3 КТ828А 2SC454D ТО-92 КТ3!02В 2SC2790A ТО-3 КТ828А 2SC458 ТО-92 КТ3102В 2SC279l ТО-3 КТ828А 2SC458KB ТО-92 КТ3102В 2SC2794 ТО-126 КТ943Б 2SC458KC ТО-92 КТ3!02В 2SC281 ТО-1 КТ312В 2SC458KD ТО-92 КТ3102В 2SC282 ТО-1 КТ312В 2SC458LGB то-92 КТ3!02Д 2SC3056 ТО-220 КТ8138Б 2SC458LGC ТО-92 КТ3102Д 2SC3057 ТО-220 КТ8138Д 2SC458LGD ТО-92 КТ3!02Д 2SC306 ТО-5 КТ630Д 2SC4756 ТО-220 КТ8121Б 2SC3061 ТО-3 КТ886Аl 2SC481 ТО-39 КТ630Д 2SC307 ТО-5 КТ630Г 2SC482 ТО-5 КТ617А 2SC308 ТО-5 КТ630Г 2SC493 ТО-3 КТ803А 2SC309 ТО-5 КТ630А 2SC497 ТО-39 КТ630Б ТО-5 КТ630В 2SC498 ТО-39 КТ630Б ТО-220 КТ8118А 2SC503 ТО-39 КТ630Г КТ9155А 2SC504 ТО-39 КТ630Г 2SC310 2SC3150 · 2SC3217 КТ9142А. КТ9155Б 2SC505 ТО-39 КТ618А 2SC3257 ТО-220 КТ854А 2SC506 ТО-39 КТ611Б 2SC3277 ТО-218 КТ856Бl 2SC507 ТО-39 КТ611Г 2SC33 ТО-5 КТ312Б 2SC508 ТО-66 КТ802А КТ630В 2SC3218 2SC3306 ТО-247 КТ8117А 2SC510 ТО-39 2SC3335 ТО-126 КТ940Б 2SC512 ТО-39 КТ630Г 2SC3419 ТО-126 КТ646А 2SC517 ТО-37 КТ903А КТ805АМ 2SC519A ТО-3 КТ802А. КТ945А 2SC3422 SOT-82 КТ940В 2SC520A ТО-3 КТ802А 2SC3423 SOT-82 КТ940В 2SC521A ТО-3 КТ803А 2SC3424 SOT-82 КТ94ЬБ 2SC525 МТ-29 П701А 2SC3450 ТО-218 КТ856Аl 2SC538 ТО-92 КТ3102Г 2SC3422 2SC3459 ТО-218 КТ8127ВI 2SC538A ТО-92 КТ3102Б 2SC3480 ТО-218 КТ8127БI 2SC543 ТО-60 КТ907Б 2SC3568M ТО-220 КТ863В 2SC549 ТО-60 КТ904Б 2SC3607 SOT-89 КТ911Г 2SC553 ТО-60 КТ907Б 2SC3637 ТО-218 КТ886Б1 2SC563 ТО-72 КТ339Г КТ9152А 2SC583 ТО-72 КТ368Б 2SC3660
Зарубежные транзисторы и их отечественнь1е аналоги Зарубежный транзистор отечественный Корпус Тип прибора 2SC589 2SC594 2SC598 2SC601 2SC612 2SC618 2SC620 2SC633 2SC634 2SC635 2SC64 2SC641 2SC642 2SC65 .2SC66 2SC67 2SC68 2SC712 2SC727 2SC752GTM 2SC779 2SC788 2SC790 2SC793 2SC796 2SC809 2SC815 2SC825 2SC828 2SC828A 2SC829 2SC893 2SC900 2SC923K 2SC923 2SC945 2SC959S 2SC976 2SC977 2SC978 2SDll 74 2SD127 2SD127 2SD1279 2SD128 2SD1287 -2SD128A 2SD1308 2SD1348 2SD1354 2SD1356 2SD1406 2SD1408 2SD146 2SD147 2SD148 2SD1513K 2SD1513L 2SDL577Fl 2SD1742 2SD195 2SD201 2SD202 2SD203 Приближенный аналог КТ638А Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-220 КТ817А ТО-220 КТ817Б ТО-126 КТ9181Б ТО-202 КТ817В ТО-202 КТ817Г ТО-202 КТ817В ТО-202 КТ817Г MD-10 MD-10 MD-10 П702А 2SD234 2SD235 2SD292 2SD31 2SD312 2SD312 2SD32 2SD33 2SD350 2SD37 2SD372 2SD373 2SD374 2SD380 2SD414 2SD415 2SD418 2SD467D 2SD47 2SD526 2SD536 2SD601 2SD601 2SD601A 2SD602 2SD605 2SD610 2SD621 2SD630 2SD640 2SD668 2SD668A 2SD675A 2SD68 2SD685 2SD686 2SD691 2SD692 2SD716 2SD72 2SD75 2SD75A 2SD814 2SD820 2SD82l 2SD822 2SD838 2SD843 2SD867 2SD877 2SD880 2SD880 2SD882 2SD995 П702 2SКI057 П702 2SКI087 КТ6114Е 2SКI23 АП324А2 КТ6114Д 2SКI24 АПЗ24В2 КП801Г ТО-39 КТ608А ТО-60 КТ904А ТО-18 КТ306Б ТО-72 КТ325В ТО-72 КТ325А ТО-92 КТ375А R-37 R-37 КТ315Б ТО-60 КТ904Б ТО-5 КТ601А ММ-12 КТ315Г ТО-60 КТ904А ТО-5 КТ611В ТО-5 КТбl lГ ТО-18 КТ340В ТО-18 КТ340В ТО-92 КТ375Б ТО-18 П307Б ТО-92 КТ645А ТО-66 КТ809А ТО-5 КТ618А КТ315Г ТО-220 КТ817Б ТО-3 КТ803А ТО-5 КТ603А ТО-72 КТ325В ТО-92 КТ645А ТО-66 КТ809А ТО-92 КТ3102В ТО-92 КТ3102Б ТО-92 КТ358Б МТ-29 П701А ТО-92 КТ3102Г КТ3102ЕМ - 431 ТО-92 КТ3102Г ТО-92 КТ3102Д ТО-39 КТ630Б МТ-83 КТ911Г МТ-83 КТ913А МТ-83 КТ913Б ТО-3 КТ8129А ТО-1 ГТ404Б ТО-1 ГТ404Е ТО-3 КТ839А ТО-1 ГТ404И КТ8105А ТО-1 ГТ404И КТ939Б - КТ8127Аl 2SК133 КТ3171А9 2SКI34 ТО-1 МП38А 2SКI409 ТО-3 КТ808А 2SI0616 ТО-3 КТ808А 2SК215 ТО-3 КТ808А 2SК28 ТО-218 ТО-66 КТ817В ТО-1 МП35 ТО-3 КТ826Б ТО-3 КТ826Б ТО-1 МП38А ТО-1 МП38А ТО-3 КТ8157А ТО-1 МП37А ТО-3 КТ8143И, КТ8143С ТО-3 КТ8143Л, КТ8143Р ТО-3, КТ8143М ТО-3 КТ839А ТО-126 КТ683В ТО-126 КТ683Д ТО-3 КТ841Д ТО-3 КТ908А ТО-220 КТ817Г КТ660В ТО-3 КТ864А 'КТ3130Ж9 SOT-23 SOT-23 КТ3130В9 КТ3130Б9 КТ3166А, КТ3176А9 ТО-3 КТ834А ТО-220 КТ850А ТО-3 КТ710А, КТ715А ТО-3 КТ729А ТО-3 КТ828Б, КТ828Г ТО-126 КТ611БМ, КТ602АМ ТО-126 КТ6J lБМ ТО-3 КТ945А ТО-3 КТ902А ТО-3 КТ834А ТО-220 КТ829А ТО-220 КТ829А ТО-220 КТ829А ТО-202 КТ819ГМ ТО-1 ГТ404И ТО-1 МП38, МП36А ТО-1 МП37А, МПЗ6А - КТ3179А9 ТО-3 КТ839А ТО-3 КТ839А ТО-3 КТ839А ТО-3 КТ710А ТО-3 КТ819ГМ ТО-3 КТ808АМ ТО-66 КТ802А ТО-220 КТ817Б2 ТО-220 КТ817В КТ9177А ТО-3 КТ715А КП727Г ТО-220 КП727Д КП801В ТО-247 КП937А АП343Аl-2 ТО-220 КП802А КП722А -
Раздел 432 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог ' Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог 2SK298 ТО-3 КП707А АСУ24 ТО-18 2SK313 ТО-3 КП717А АСУ33 ТО-1 ГТ402И 2SK316 КП323Б2, КП341А AD1202 ТО-3 П213Б 2SK506 КП341Б AD1203 ТО-3 П214Б 2SK60 КП801А AD130 ТО-3 П217 МП26Б 2SK700 ТО-126 КП727Е AD131 ТО-3 П217- 2SK757 ТО-220 КП704А AD132 ТО-3 П217 КП801Б AD138 ТО-3 П216 2Т3531 ТО-5 П308, КТ602А AD139 MD-11 П213 2Т3532 ТО-5 П308, КТ602А AD142 ТО-3 П210Б 2Т3674 ТО-72 КТ355А AD143 ТО-3 П210В 2Т3841 ТО-18 КТ343А AD145 ТО-3 П210В, П2f6В 3Nl05 КТ118А AD148 MD-23 ГТ703В 3N106 КТl 186 AD149 ТО-3 ГТ703В 3Nl07 КТ118В AD150 ТО-3 ГТ703Г КП350А AD152 MD-11 ГТ403Б КП908А AD155 MD-11 ГТ403Е 2SK76A 3Nl40 . 3Nl69 КТ118А AD161 MD-17 ГТ705Д 3NU72 SOT-9 ГТ403Б AD162 MD-17 ГТ703Г 3NU73 ТО-3 ГТ703Г AD163 ТО-3 П217 3NU74 ТО-3 ГТ701А, П201А AD164 MD-11 ГТ403Б 40675 МТ-67 КТ912Б AD169 MD-11 ГТ403Е SOT-9 ГТ403Б AD262 SOT-9 П213 ГТ703Д AD263 SOT-9 П214А 3N74 4NU72 4NU73 ·ТО-3 4NU74 ТО-3 ГТ701А, П210А AD301 ТО-3 ГТ703Г 5NU72 SOT-9 ГТ403Е AD302 ТО-3 П216 5NU73 ТО-3 П213 AD303 ТО-3 П217 5W74 ТО-3 ГТ701А, П210А AD304 ТО-3 П217 6NU73 ТО-3 П215 AD312 ТО-3 П216 6NU74 ТО-3 П210Б, ГТ701А AD313 ТО-3 П217 714U74 ТО-3 П210Б, ГТ701А AD314 ТО-3 П217, ГТ701А 7NU73 ТО-3 П215 AD325 ТО-3 П210Б, ГТ701А КТ981А AD431 ТО-3 П213 ACl 16 Х-9 МП25А AD436 ТО-3 П213 ACl 17 Х-9 ГТ402И AD438 ТО-3 П214А АС121 ТО-1 МП20А AD439 ТО-3 П215 АС122 R-60 ГТl 15Г AD457 ТО-3 П214А АС124 ТО-1 ГТ403И AD465 ТО-3 П213Б АС125 ТО-1 МП20Б AD467 ТО-3 П214А АС126 ТО-1 МП20Б AD469 ТО-3 П215 АС127 ТО-1 ГТ404Б AD542 ТО-3 П217, ГТ701А АС128 ТО-1 ГТ402И AD545 ТО-3 П210Б А50-12 АС132 ТО-1 МП20Б, ГТ402Е ADP665 ТО-66 ГТ403Б АС138 ТО-1 ГТ402И ADP666 ТО-66 ГТ403Г АС139 ТО-1 ГТ402И ADP670 ТО-3 П201АЭ АС141 ТО-1 ГТ404Б ADP671 ТО-3 П201АЭ АС141В ТО-1 ГТ404Б ADP672 ТО-3 П202Э ACI42 ТО-1 ГТ402И ADY27 ТО-3 ГТ703В АС150 ТО-1 МГТ108Д AF106 ТО-72 ГТ328Б АС152 ТО-1 ГТ402И AF106A ТО-72 ГТ328В AC16Q R-60 П28 AF109R ТО-72 ГТ328А R-60 МГТ108Г AF124 ТО-72 ГТ322А АС171 R-60 МГТ108Г AF139 ТО-72 ГТ346Б АС176 ТО-1 ГТ404А AF178 ТО-12 ГТ309Б АС181 R-134 ГТ404Б AF200 ТО-72 ГТ328А АС182 R-134 МП20Б ТО-72 ГТ328А АС183 TO-lA МП36А, МП38А AF201 AF202 - ТО-72 ГТ328А АС184 R-134 ГТ402И AF239 ТО-72 ГТ346А АС185 ТО-11 ГТ404Г AF239S ТО-72 ГТ346А ТО-1 ГТ404Б AF240 ТО-72 ГТ346Б ТО-1 ГТ402Е AF251 ММ-12 ГТ346А АС170 АС187 АС188 . АС540 ТО-58 МП39Б AF252 ММ-12 ГТ346А АС541 ТО-58 МП39Б AF253 ММ-12 ГТ346А АС542 ТО-58 МП39Б, МП41А AF256 ММ-12 ГТ346Б J 7. Аналоги
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора AF260 AF261 AF266 AF271 AF272 AF275 AF279 AF280 AF426 AF427 AF428 AF429 AF430 AFYll AFY12 AFY13 AFYl5 AFY29 AFZll ALIOO ALI02 ALI03 Приближенный отечественный Корпус - аналог ТО-18 П29А ТО-18 П30 ТО-18 МП42Б, МП20А ТО-18 ГТ322В 433 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-41 П210Б ТО-3 П210Б ТО-3 П217 ТО-3 ГТ806А ТО-18 ГТ322В ~ТО-18 ГТ322Б ТО-50 ГТ330Ж ТО-50 ГТ330И ТО-18 ГТ322Б ТО-18 ГТ322Б ТО-18 ГТ322Б ТО-18 ГТ322Б ТО-18 ГТ322В AUY22 AUY22A AUY28 AUY35 AUY38 B2-8Z 8850-35 BAL0102-150 BAL0105-100 BALOI05-50 BAL0204-125 BCIOO BCIOI ТО-5 ГТ313А ВС107А ТО-72 ГТ328Б ВС107АР Х-55 КТ3102А ТО-18 ГТ305В ВС107В ТО-18 КТ342Б ТО-18 П30 ВС107ВР Х-55 КТ3102Б ТО-18 ГТ305Б ВС108А -ТО-18 КТ342А ТО-72 ГТ309Б ВС108АР Х-55 КТ3102В ТО-3 ГТ806В ВС108В ТО-18 КТЗ42Б ТО-3 ГТ806А ВС108ВР Х-55 КТ3102В - ТО-3 ГТ806В КТ929А КП904А КТ9128АС SOT-161 SOT-161 SOT-161 КТ9105АС ТО-5 КТ605А ТО-18 КТ301Е ТО-18 КТ342А КТ9125АС, КТ991АС КТ985АС ГТ806Б ВС108С ТО-18 КТ342В АМ1416-200 КТ9146А ВС108СР ТО-18 КТ.3102Г АМ82731-45 КТ9121А ВС109В ТО-18 КТ342Б ТО-3 АР1009 ТО-3 l<Т887Б ВС109ВР Х-55 КТ3102Д ASXll ASXl2 ASY26 ASY26 ASY31 ASY33 ASY34 ASY35 ASY70 ASY76 ASY77 ASY80 ASZIOl5 ASZIOl6 ASZIOl7 ASZ1018 ASZ15 ASZl6 ASZl7 ASZ18 ТО-5 МП42Б ВС109С ТО-18 КТ342В ТО-5 МП42Б ВС109СР Х-55 КТ3102Е ТО-5 МП20А ВС119 ТО-39 КТ630Д ТО-5 МП42А, МП20А ВС139 ТО-39 КТ933Б R-9 МП42А ВС140 ТО-39 КТ630Г ТО-5 МП42А, МП20А ВС141 ТО-39 КТ630Г ТО-5 МП42А, МП20А ВС142 ТО-39 КТ630Г ТО-5 МП42Б, МП20А ВС143 ТО-39 КТ933Б ТО-1 МП42 ВС146-01 ГТ403Б ВС146-02 SOT-42 SOT-42 КТЗ7ЗА ТО-5 ТО-5 ГТ403Г ВС146-03 SО:Г-42 КТ373В ТО-5 ГТ403Б ВС147А ММ-10 КТ37ЗА ТО-3 П217В ВС147В ММ-10 КТ373Б ТО-3 П217В ВС148А ММ-10 КТ373А ТО-3 П217В ВС148В ММ-10 КТ373Б ТО-3 П217В ВС148С ММ-10 КТ373В ТО-3 П217А, ГТ701А ВС149В ММ-10 КТЗ7ЗБ ТО-3 П217А ВС149С ММ-10 КТ373В ТО-3 П217А ВС157 ММ-13 КТ361Г ТО-3 П217В, ГТ701А ВС158А ММ-10 КТ349В АТ270 ТО-1 МП42Б, МП20А ВС160-6 ТО-39 КТ933Б АТ275 ТО-1 ' КТ373Б МП42Б, МП20А ВС161-6 ТО-39 КТ933А АТ41485 КТ642А2 ВС167А ТО-92 КТ373А АТ8040 АП324В2 ВС167В ТО.92 ·КТ373Б АТ8041 АП326А2 ВС168А ТО-92 КТ373А АТ8250 АП605А2-2 ВС168В ТО-92 КТ373Б ATFOl35 AU103 AUI04 AU107 AUI08 AUllO AUll3 AUYIO AUYl8 AUY19 AUY20 AUY2l AUY21A \ АП344А2-2 ВС168С ТО-92 КТ373В ТО-3 ГТ810А ВС169В ТО-92 КТ373Б ТО-3 ГТ810А ВС169С ТО-92 КТ373В ТО-3 ГТ810А ВС170А Х-64 КТЗ75Б ТО-3 ГТ806Б ВС170В Х-64 КТ375В ТО-3 ГТ806Д ВС171А ТО-92 КТ373А ТО-3 ГГ810А ВС171В ТО-92 КТЗ73Б ТО-3 П608А, ГТ905А ВС172А ТО-92 КТ373А ТО-8 П214А ВС172В ТО-92 КТ373Б ТО-3 П217 ВС172С ТО-92 КТ373В ТО-3 П217 ВС173В ТО-92 КТ373В ТО-41 П210Б ВС173С ТО-92 КТЗ73В ТО-3 П210Б ВС177АР Х-55 КТ3107А - -
Раздел 434 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечес'tвевный Корпус аналог Зарубежный транзистор Тип прибора Корпус 7. Аналоги Приближенный отечественный аналог BC177VlP Х-55 КТ3107Б ВС355А ТО-92 КТ352А ВС178А ТО-18 КТ349В, КТ326А ВС382В Х-55 КТ3102Б ВС178АР Х-55 КТЗ107В ВС382С Х-55 КТ3102Г BCI78BP Х-55 КТ3107Д ВС383В Х-55 КТ3102Д BCI78VIP Х-55 КТ3107В ВС383С Х-55 КТ3102Е ВС179АР Х-55 КТ3107Е ВС384В Х-55 КТ3102Д ВС179ВР Х-55 КТ3iо7Ж ВС384С Х-55 КТ3102Е ВС182А ТО-92 КТ3102А ВС451 ТО-92 КТ3102В ТО-92 КТ3102Б ВС452 ТО-92 кт3102Б. КТ3102дм BCI82C ТО-92 КТ3102Б ВС453 ТО-92 КТ3102Д ВС183А ТО-92 КТ3102А, КТ3102ЖМ ВС454А ТО-92 КТ3107Б BCI83B ТО-92 КТ3102Б ВС454В ТО-92 КТ3107И ВС183С ТО-92 КТ3102Б ВС454С ТО-92 КТ3107К ВС183С ТО-92 КТЗ102Г ВС455А ТО-92 КТ3107Г Х-55 КТ3102Д ВС455В ТО-92 КТ3107Д ВС182В ' ВС184А · BCI84B Х-55 КТ3102Е ВС455С ТО-92 КТ3107К ВС192 ТО-92 КТ351Б ВС456А ТО-92 КТ3107Е ВС212А ТО-92 КТ3107Б ВС456В ТО-92 КТ3107Ж ВС212В ТО-92 КТ3107И ВС456С ТО-92 КТ3107Л вс212с ТО-92 КТ3107К ВС513 Х-55 КТ345А ВС213А ТО-92 КТ3107Б ВС521 ТО-92 КТ3102Д BC2i3B ТО-92 КТ3107И ВС521С ТО-92 КТ3102Д вс213с ТО-92 КТ3107К ВС526А ТО-92 КТ3107И ВС216 ТО-18 КТ351А ВС526В ТО-92 КТ3107И ВС216А ТО-18 КТ351А ВС526С ТО-92 КТ3107К ВС218 ТО-18 КТ340Б ВС527-10 ТО-92 КТ644Б ВС218А ТО-18 КТ340Б ВС527-6 ТО-92 КТ644А ВС226 ТО-18 КТ35lБ ВС547А ТО-92 КТ645Б, КТ3102А ВС226А ТО-18 КТ351Б ВС547В ТО-92 КТ3102Б ВС234 ТО-18 КТЗ42А ВС547С ТО-92 КТ3102Г ВС234А ТО-18 КТ342А ВС548А ТО-92 КТ3102А ВС235 ТО-18 КТ342Б ВС548В ТО-92 КТЗ102В ВС235А ТО-18 КТ342Б ВС548С ТО-92 КТ3102Г ВС237А ТО-92 КТЗ102А ВС549А ТО-92 КТ3102Д ВС237В ТО-92 КТ3102Б ВС549В ТО-92 КТ3102Д ВС238А ТО-92 КТ3102А ВС549С ТО-92 КТ3102Е ВС238А ТО-92 КТ3102В ВС557 ТО-92 КТ36lд ВС238В ТО-92 КТ3102В ВС557А ТО-92 КТ3107А ВС238С ТО-92 КТ3102Г ВС557В ТО-92 КТЗ107И ВС239В ТО-92 КТ3102Д ВС558 ТО-92 КТ3107Д ВС239С ТО-92 КТЗ102Е ВС558А ТО-92 КТ3107Г ВС250А ТО-92 КТ361А ВС558В ТО-92 КТ3107Д ВС250В ТО-92 КТ361Б ВС559 ТО-92 КТ3107Ж ВС285 ТО-18 ПЗО8 ВС847А SOT-23 КТ3189А9 ' ВС286 ТО-39 КТ630Г ВС847В SOT-23 КТ3189Б9 всзоо ТО-5 КТ630Б ВС847С SOT-23 КТ3189В9 ВС307А ТО-92 КТЗ107Б BCF29 SOT-23 КТ3129В9 ВС307В ТО-92 КТ3107И ВСFЗО SOT-23 КТ3129Г9 ВСЗО8А ТО-92 КТ3107Г ВСFЗ2 SOT-23 КТ3130В9 ВСЗО8В ТО-92 КТЗ107Д BCF33 SOT-23 КТ3130Е9 ВСЗО8С ТО-92 КТ3107К BCF70 SOT-23 КТ3129Г9 ВСЗО9В ТО-92 КТ3107Е BCF72 SOT-23 КТ3172F9 ВС309С ТО-92 КТ3107Л BCF81 SOT-23 КТ3130Б9 ВС317 ТО-92 КТЗ 102А, КТ3135-1 ВСР627А ТО-92 КТ373А ВС318 ТО-92 КТ3102Б, КТ313В-1 ВСР627В ТО-92 КТ373Б ВС319 ТО-92 КТ3102Е, КТЗ13Г-l ВСР627С ТО-92 КТ373В ВС320А ТО-92 КТ3107Б ВСР628А ТО-92 КТ373А ВС320В ТО-92 КТ3107Д ВСР628В ТО-92 КТ373Б ВС321А ТО-92 КТЗ107Б ВСР628С ТО-92 КТ373В ВС321В ТО-92 КТ3107И BCV52 ВС321С ТО-92 КТЗ107К BCV7L SOT-23 КТ3130А9 ВС322В . КТ317Аl ТО-92 КТ3107Ж BCV72 SOT-23 КТ3130Б9 всз22с ТО-92 КТ3107Л BCW29 SOT-23 КТ3129В9 ВС355 ТО-92 КТ352Б всwзо SOT-23 КТ3129Г9
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги ' Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог 435 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог BCW31 SOT-23 КТ3130В9, КТ3151А9 ВСУ59-Х ТО-18 КТ3102Д BCW32 SOT-23 КТ3130В9 BCY65-IX ТО-18 КТ3102Б BCW33 SOT-23 КТ3130Г9 BCY65-VII ТО-18 КТ3102А BCW47 ММ-13 КТ373А BCY65-VIII ТО-18 КТ3102Б BCW48 ММ-13 КТ373 (В, В) RCY69 ТО-18 КТ342В BCW49 ММ-13 КТ373 (Б, В) ВСУ70 ТО-18 КТ3107А BCW57 ММ-13 КТ361Г ВСУ71 ТО-18 КТ3107Е BCW58 ММ-13 КТ361Е ВСУ72 ТО-18 КТ3107В BCW60 SOT-23 КТ3153А9 ВСУ78 ТО-18 КТ3107Д BCW60AA SOT-23 КТ3145А9 ВСУ79 ТО-18 КТ3102Б BCW60AB SOT-23 КТ3145Д9 ВСУ90 ТО-18 КТ208Е BCW60AR SOT-23 КТ3139Б ВСУ90В ТО-5 КТ501Г BCW60B SOT-23 КТ3130Б9 ВСУ91 ТО-18 КТ208Е BCW60BL SOT-23 КТ3139Г, КТ3145Б9 ВСУ91В ТО-5 КТ501Г BCW60BR SOT-23 КТ3139В ВСУ92 ТО-18 КТ208Е BCW60C SOT-23 КТ3130В9 ВСУ93 ТО-18 КТ208К BCW60D SOT-23 КТ3130Е9 ВСУ93В ТО-5 КТ501Л BCW61A SOT-23 КТ3129В9 ВСУ94 ТО-18 КТ208К BCW61B SOT-23 КТ3129Г9 ВСУ94В ТО-5 КТ501Л BCW61C SOT-23 КТ3129Г9 ВСУ95 ТО-18 КТ208К BCW69 SOT-23 КТ3129Б9 ВСУ95В ТО-5 КТ501М BCW70 SOT-23 КТ3129Г9 BD109 MD-6 КТ805Б BCW71 SOT-23 КТ3130А9 BD115 ТО-39 КТ604Б BCW72 SOT-23 КТ3130Б9 BDl21 ТО-3 КТ902А BCW81 SOT-23 КТ3130Б9 BD123 ТО-3 КТ805Б BCW89 SOT-23 КТ3129Б9 BD123 ТО-3 КТ902А ВСХ51 SOT-89 КТ664А9 BD131 ТО-126 КТ943В ВСХ52 SOT-89 КТ664Б9 BD132 ТО-126 КТ961Г, КТ932Б, КТ9180А ВСХ53 SOT-89 КТ664А9 BD135-6 ТО-126 КТ943А ВСХ54 SOT-89 КТ665А9 BD136 ТО-126 КТ626А ВСХ55 SOT-89 КТ665Б9 BD137-6 ТО-126 КТ943Б ВСХ56 SOT-89 КТ666А9 BD138 ТО-126 КТ626Б ВСХ70 SOT-23 КТ3153А9 BDl39-6 ТО-126 КТ943В ВСХ70АН SOT-23 КТ3145А9 BD140 ТО-126 КТ626В BCX70G SOT-23 КТ3130А9 BDl42 ТО-3 КТ819БМ ВСХ70Н SOT-23 КТ3130Б9 BD148- MD-17 КТ805Б BCX70J SOT-23 КТ3130В9 BD149 MD-17 КТ805Б ВСХ70К SOT-23 КТ3130В9 BD165 ТО-126 КТ815А ВСХ71 SOT-23 К3146А9 BD166 ТО-126 КТ814Б ВСХ71Н SOT-23 КТ3129Г9 BD167 ТО-126 КТ815Б BCX71J SOT-23 КТ3129Г9 BD168 ТО-126 КТ814В BCYlO R-8 КТ208Е BDl69 ТО-126 КТ815В BCYll R-8 КТ208Л BDl70 ТО-126 КТ814Г, КТ720А ВСУ12 R-8 КТ208Д BDl72 ТО-126 КТ721А ВСУ30 ТО-5 КТ208Л BD175 ТО-126 КТ817Б ВСУ31 ТО-5 КТ208М BD176 ТО-126 КТ816Б ВСУ32 ТО-5 КТ208М ВСУ33 ТО-5 КТ208Г ВСУ34 ТО-5 ВСУ38 ВСУ39 BD177 ТО-126 КТ817В BDl78 ТО-126 КТ816В КТ208Г BD179 ТО-126 КТ817Г ТО-5 КТ501Д BDl80 ТО-126 КТ816Г ТО-5 КТ501М BD181 ТО-3 КТ819БМ ВСУ40 ТО-5 КТ501Д BD182 ТО-3 КТ819ВМ ВСУ42 ТО-18 КТ312Б BD183 ТО-3 КТ819ГМ ВСУ43 ТО-18 ктЗ12в BD201 ТО-220 КТ819В ВСУ54 ТО-5 КТ501К BD202 ТО-220 КТ818Б ВСУ56 ТО-18 КТ3102Б BD203 ТО-220 КТ819Г - .. ВСУ57 ТО-18 КТ3102Е BD204 ТО-220 КТ818В ВСУ58А ТО-18 КТ342А BD216 MD-17 .. КТ809А ВСУ58В TO-IB КТ342Б BD220 ТО-220 КТ8f7Г ВСУ58С ТО-18 КТ342Б BD221 ТО-220 КТ817В BCY58D ТО-18 КТ342В BD222 ТО-220 КТ817Г BCY59-IX ТО-18 КТ3102Б BD223 ТО-220 КТ837Н BCY59-VII ТО-18 КТ3102А BD224 ТО-220 КТ837Ф BCY59-VIII ТО-18 КТ3102Б BD225 ТО-220 КТ837С
Раздел 436 Зарубежный транзистор Тип прибора BD226 BD227 BD228 BD229 BD230 BD233 BD234 BD235 BD236 BD237 BD238 BD239 BD239A BD239B BD240 BD240A BD240B BD243A BD243B BD243C BD246 BD253 BD263 BD263A BD265 BD265 BD267 BD267A BD291 BD292 BD293 BD294 BD295 BD296 BD326 Приближенный отечественный Корпус ТО-126 аналог КТ943А ТО-126 КТ639Б ТО-126 КТ94ЗБ ТО-126 КТ639Д ТО-126 КТ94ЗВ, КТ683Г ТО-126 КТ817Б ТО-126 КТ816Б, КТ837В ТО-126 КТ817В ТО-126 КТ816В ТО-126 КТ817Г, КТ721А, КТ807АМ ТО-126 КТ816Г ТО-126 КТ817В ТО-126 КТ817В ТО-126 КТ817Г ТО-220 КТ816В ТО-220 КТ816В ТО-220 КТ816Г ТО-220 КТ8125В ТО-220 КТ8125Б ТО-220 КТ8125А Х-86 КТ818 (АМ-ГМ) ТО-3 КТ809А ТО-126 КТ829Б ТО-126 КТ829А ТО-220 КТ829Б ТО-220 КТ829А ТО-220 КТ829Б ТО-220 КТ829А SOT-82 SOT-82 SOT-82 SOT-82 SOT-82 SOT-82 КТ819А КТ818А КТ819Б КТ818Б КТ819В КТ818В ТО-126 КТ9181А ВDЗЗО ТО-126 КТ9180А ВDЗЗl SOT-82 SOT-82 SOT-82 КТ829В ВDЗЗЗ КТ829Б КТ829А BD335 BD375 BD377 ТО-126 КТ94ЗА ТО-126 КТ94ЗБ ВDЗ79 ТО-126 КТ94ЗВ, КТ719А BD386 BD410 BD433 BD434 BD435 BD436 BD437 BD438 BD439 BD440 BD44l BD442 BD466 BD477 BD501B BD533 BD534 BD535 BD536 BD537 BD538 BD543D ТО-202 КТ644Б ТО-126 КТ8137А ТО-126 КТ817А ТО-126 КТ8 l 6А, КТ835Б ТО-126 КТ817А ТО-126 КТ816А ТО-126 КТ817Б ТО-126 КТ816Б ТО-126 КТ817В ТО-126 КТ816В ТО-126 КТ817Г ТО-202 КТ816Г КТ973Б КТ972Б ТО-220 КТ72ЗА ТО-220 КТ819Б ТО-220 КТ818Б, КТ837А ТО-220 КТ819В ТО-220 КТ818В, КТ837Б ТО-220 КТ819Г ТО-220 КТ818Г ТО-220 КТ723А Зарубежный транзистор Тип прибора BD545 BD545A BD545B BD545C BD546 BD546A BD546B BD546C BD546D BD566 BD6ll BD612 BD613 BD614 BD615 BD616 BD617 BD618 BD619 BD620 BD643 BD645 BD647 BD663 BD664 BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD679A BD681 BD705 BD706 BD707 BD708 BD709 BD710 BD7ll BD712 BD719 BD720 BD744D BD802 BD813 BD814 BD815 BD816 BD817 BD818 BD825 BD826 BD827 BD828 BD840 BD842 BD875 BD876 BD877 BD933 BD934 BD935 BD936 BD937 7. Аналоги Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-218 КТ819Гl ТО-218 KT819BI ТО-218 КТ819Бl ТО-218 КТ819АI ТО-218 КТ818Гl ТО-218 КТ818ВI ТО-218 КТ818БI ТО-218 КТ818Аl ТО-218 КТ8102Б ТО-220 КТ855А ТО-202 КТ817А ТО-202 КТ816А TQ-202 КТ817А ТО-202 КТ816А ТО-202 КТ817Б ТО-202 КТ816Б ТО-202 КТ817В ТО-202 КТ816В ТО-202 КТ817Г ТО-202 КТ816Г ТО-220 КТ829В ТО-220 КТ829Б ТО-226 КТ829А ТО-220 КТ819А ТО-220 КТ818Б ТО-126 КТ829Г ТО-126 КТ829Г ТО-126 КТ829В ТО-126 КТ829В ТО-126 КТ829Б ТО-126 КТ829Б ТО-126 КТ829А ТО-220 КТ819А ТО-220 КТ818Б ТО-220 КТ819В ТО-220 КТ818В ТО-220 КТ819Г ТО-220 КТ818Г ТО-220 КТ819Г ТО-220 КТ818Г ТО-126 КТ805БМ ТО-126 КТ805ВМ ТО-220 КТ724А ТО-220 КТ724А SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 КТ815А КТ814А КТ815Б КТ814В КТ815В КТ814Г КТ646А КТ639Б КТ646А КТ639Д КТ639В КТ639Д КТ972Б КТ97ЗБ КТ972Б ТО-220 КТ817Б ТО-220 КТ816Б ТО-220 КТ817В ТО-220 КТ816В ТО-220 КТ817Г
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог 437 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог BDX54F ТО-220 КТ712А, КТ712Б BDX62 ТО-3 КТ825Д BDX62A BDX62B ТО-3 КТ825Г КТ837Ф, КТ837Г ТО-3 КТ825Г ТО-220 КТ819Б BDX63 ТО-3 КТ827Б ТО-220 КТ8!8Б BDX63A ТО-3 КТ827А ТО-220 КТ819В BDX64 ТО-3 КТ825Д ТО-220 КТ818В BDX64A ТО-3 КТ825Г BD953 BD954 BDP620 BDT42C ТО-220 КТ819Г BDX64B BDX65 ТО-3 КТ825Г ТО-3 КТ827Б ТО-3 КТ827А ТО-220 КТ855Б, КТ855В ТО-3 КТ825Д BDT91 ТО-220 КТ819Б BDX65A BDX66 BDX66A ТО-3, КТ825Г BDT92 ТО-220 КТ818Б BDX66B ТО-3 КТ825Г BDT93 ТО-220 КТ819В, КТ808А3 BDX66C BDT94 ТО-220 КТ818В, КТ808А3 BDX67 ТО-3 КТ827Б BDT95 BDT96 ТО-220 КТ819Г, КТ808Б3 BDX67A ТО-3 КТ827А ТО-220 КТ818Г ТО-220 КТ819В BDV64 ТО-218 КТ896Б, КТ8159А BDX71 BDX73 ТО-220 КТ819Г BDV64B ТО-218 КТ896А BDX77 ТО-220 КТ819Г КТ8158А BDX78 ТО-220 КТ818Г BD938 ТО-220 КТ816Г BD944 BD946 ТО-220 КТ837Ф ТО-220 КТ837Ф BD948 ТО-220 BD949 BD950 BD951 BD952 ТО-220 · КТ819Г КТ947А КТ8104А BDV65 BDV66B ТО-218 КТ8106А BDX85 ТО-3 КТ827В BDV91 BDV92 SOT-93 SOT-93 КТ819Б BDX85A ТО-3 КТ827В КТ818Б ТО-3 КТ827Б BDV93 BDV94 SOT-93 КТ819В BDX85B BDX85C ТО-3 КТ827А SOT-93 SOT-93 КТ818В ТО-3 КТ825Б BDV95 BDV96 BDW21 КТ819Г BDX86 BDX86A ТО-3 КТ825Б SOT-93 КТ818Г BDX86B ТО-3 КТ825Г ТО-3 КТ819АМ BDX86C ТО-3 КТ825Г BDW21A ТО-3 КТ819БМ BDX87 ТО-3 КТ827В BDW21B ТО-3 КТ819ВМ. BDX87A ТО-3 КТ827В ' BDW21C ТО-3 КТ819ГМ BDX87B ТО-3 КТ827Б BDW22 ТО-3 КТ818БМ BDX87C ТО-3 КТ827А BDW22A ТО-3 КТ818ВМ BDX88 ТО-3 КТ825Д BDW22B ТО-3 КТ818ГМ ТО-3 КТ825Д BDW22C BDW23 BDW23A ТО-3 КТ818ГМ BDX88A BDX88B BDX88C ТО-3 КТ825Г ТО-220 КТ829Г ТО-220 КТ829В BDW23B BDW23C ТО-220 КТ829Б BDX91 BDX92 ТО-220 КТ829А BDW51 ТО-3 КТ819АМ BDW51A ТО-3 BDW51A ТО-3 - ТО-3 КТ825Г ТО-3 КТ819БМ ТО-3 КТ818БМ BDX93 ТО-3 КТ819БМ BDX94 ТО-3 КТ818ВМ КТ728А BDX95 ТО-3 КТ819ГМ КТ819ВМ ТО-3 КТ818ГМ, КТ841А MD-17 КТ805Б BDW51B ТО-3 КТ819ГМ BDX96 BDYl2 BDW51C ТО-3 КТ819ГМ BDYl3 MD-17 КТ805Б BDW52 BDW52A ТО-3 КТ818БМ BDY20 ТО-3 КТ819ГМ ТО-3 КТ818ВМ BDY23 ТО-3 КТ803А BDW52B ТО-3 КТ818ГМ BDY24 ТО-3 КТ803А BDW52C BDXIO ТО-3 КТ818ГМ BDY25 ТО-3 КТ812В ТО-3 КТ819ГМ ТО-126 КТ943А BDXIOC ТО-3 КТ819ГМ ТО-3 КТ819ГМ BDXl3C BDXl8 ТО-3 КТ819БМ BDY34 BDY38 BDY60 ТО-3 КТ805А ТО-3 КТ818ГМ BDY61 ТО-3 КТ805Б BDX25 BDX25 MD-17 КТ802А КТ808БМ КТ808А BDY71 BDY72 ТО-66 MD-17 ТО-66 КТ802А ТО-220 КТ853В BDY73 ТО-3 КТ819ГМ BDX34 - КТ902АМ BDY78 ТО-66 КТ805Б BDX53 ТО-220 КТ829Г, КТ8141 Г BDY79 ТО-66 КТ802А BDX53A ТО-220 КТ829В, КТ8141В, КТ853Г КТ945А, КТ908А ТО-220 КТ829Б, КТ8141 Б BDY90 BDY91 ТО-3 BDX53B ТО-3 КТ945А, КТ908А BDX53C BDX54A BDX54B BDX54C ТО-220 КТ829А, КТ8141А, КТ873А КТ908А, КТ908Б, КТ863А КТ853Г ТО-3 КТ704Б, КТ828 ТО-220 КТ853В BDY92 BDY93 BDY94 ТО-3 ТО-220 ТО-3 КТ812А, КТ704Б ТО-220 КТ853А BDY95 ТО-3 КТ704Б BDX35 '
Раздел 438 Зарубежный транзистор Тип прибора , Приближенный Зарубежный транзистор отечественный Корпус Тип прибора аналог BDY96 ТО-3 КТ8101А 7. Приближенный отечественный Корпус аналог BF960 SOT-103 КП327 А, КП350А, КП382А, КП801А КП327Б ВЕР179В ТО-39 КТ611Б BFI 11 ТО-39 КТ611А BF961 SOT-103 BFI 14 ТО-5 КТ611Г BF964 SOT-103 кп321в SOT-103 КП347А2, КП327Г SOT-37 КТ3109В, КТ3165А BFl37 ТО-39 КТ611Г BF966 BF140A ТО-5 КТ611В BF970 BFl73 ТО-72 КТ339В BF979 SOT-37 КТ3109А SOT-103 КП327А BFl77 ТО-39 КТ602А BF980 BFl78 ТО-39 КТ611Г BF991 ТО-253 КП346Б9 BF996 SOT-143 КП346А9 BFI 79В ТО-5 КТ611Б BFl79C ТО-39 КТ618А BFG67 КТ2127А BFG92A КТ2127А BFJ57 ТО-5 КТ602Б КТ611Г BFJ70 ТО-72 КТ339В ТО-18 КТ342Б BFl82 BFl83 BFl86 ТО-1 КТ3186А9 КТ3186А9 BFl97 ММ-10 КТ339Г BFJ93 BFl99 ТО-92 КТ339АМ BFJ98 ТО-5 КТ611Г BFP177 ТО-39 КТ611В BF208 ТО-72 КТ339А BF223 ММ-10 КТ339В BFP178 ТО-39 КТ611Г ТО-39 КТ611Г ТО-39 КТ618А BF240 ТО-18 КТ312В BFPl79A BF245C ТО-92 КП365Б BFP179C BF254 ТО-92 КТ339АМ -вFР194 КТ611Г BFP719 ММ-10 КТ315А КТ315Б BF257 ТО-39 КТ6129А9 BF258 ТО-39 КТ604Б, КТ940Б BFP720 ММ-10 BF259 ТО-39 КТ604Б BFP721 ММ-10 КТ315В ММ-10 КТ315Г BF273 ТО-72 КТ339А BFP722 BF291 ТО-5 КТ611Г BFP95 КТ996А2 КТ9143А ТО-50 ТО-50 BF297 Х-55 КТ940В BF298 Х-55 КТ940А BFQ253 BFR34 КТ940А BFR34A BF299 Х-55 КТ372Б КТ372Б КТ3198А BF305 ТО-39 КТ611Г BFR90 BF306 ТО-72 КТ339В BFR90 КТ339Б BFR90A КТ3198Б КТ392А2 BFR91 КТ3198В КТ339В BFR91A BFR92 BF311 ТО-92 BF316 BF330 SOT-25 SOT-37 КТ371А, КТ3190А КТ3198Г ТО-236 КТ3187А91 BF336 ТО-5 КТ611Г BF337 ТО-39 КТ604Б BFR92A КТ3187А9 КТ940А BFSI7 КТ3187В91 КТ2128А BFS62 ТО-72 КТ368А КТ2128А ВFТ19А ТО-39 КТ505Б КП365А ВFТ28С ТО-39 КТ505Б КТ940В ВFТ92 BFWl6 ТО-39 КТ610А BF338 ТО-39 BF362 BF363 BF410C BF457 ТО-92 ТО-126 КТ3191А9, КТ3191А91 BF458 ТО-126 КТ940Б BF459 ТО-126 КТ940А BFW30 ТО-72 КТ399А ТО-39 КТ611Г ММ-10 КТ351Б BF469 ТО-126 КТ940Б BFW45 BF470 ТО-126 КТ940А BFW89 BF47l ТО-126 КТ605БМ, КТ940А BFW90 ММ-10 КТ351Б, КТ371АМ BFW91 ММ-10 КТ351Б BF472 ТО-126 КТ9115А BF480 SOT-37 КТ3120А BFW92 SOT-37 КТ382Б BF554 КТ3170А9 BFXl2 ТО-18 КТ326АМ BF569 КТ3169А9, КТ3192А9 BFXl3 ТО-18 КТ326БМ КТЗ68АМ BFX29 ТО-5 КТ933Б КТ368А9 BFX30 ТО-5 КТ933Б КТ940Б BFX44 ТО-18 КТ340В ТО-18 КТ3102Е BF597 ТО-92 Bf599 BF615 ТО-202 BF617 ТО-202 КТ940А BFX65 BF620 SOT-89 КТ666А9 BFX73 ТО-72 КТ368А КТ667А9 BFX84 ТО-5 КТ630Г BF622 КТ914~А9 BFX85 ТО-5 КТ630Г BF623 КТ9144А9 BFX86 ТО-5 КТ630Д КТ3109А BFX87 ТО-5 КТ933Б BFX88 ТО-5 КТ933Б BFX89 ТО-72 КТ355А BFX94 ТО-18 КТ3117А BF621 BF680 SOT-89 ТО-50 BF715 КТ999А BF727 КТ3165А КТ9115А BFYl9 TO-IS КТ326Б BF869 КТ999А BFY34 ТО-39 КТ630Г BF905 КП350А BFY45 ТО-39 КТ611Г BF849 ТО-202 - Аналоги
Зарубежные транзисторь1 и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус аналог 439 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный отечественный Корпус - аналог BFY46 ТО-39 КТ630Д BSW20 ТО-92 КТ361Г BFY50 ТО-39 КТ630Г BSW21 ТО-18 КТ343Б BFY51 ТО-39 КТ630Д BSW27 ТО-39 КТ928А BFY52 ТО-39 КТ630Д BSW36 ТО-5 КТ603Б BFY53 ТО-39 КТ630Д BSW39-10 ТО-39 КТ630Г BFY55 ТО-39 КТ630Г BSW39-16 ТО-39 КТ630Г BFY56 ТО-5 КТ630Г BSW39-6 ТО-39 КТ630Г BFY56A ТО-39 КТ630Г BSW41 ТО-18 КТ616А BFY56B ТО-39 КТ630Г BSW51 ТО-39 КТ928Б BFY65 ТО-39 КТ611Г BSW52 ТО-39 КТ928Б BFY66 ТО-18 КТ355А BSW61 ТО-18 КТ3117А BFY67A ТО-5 КТ630А BSW62 ТО-18 КТ3117А BFY67C ТО-5 КТ630А BSW65 ТО-39 КТ630Г BFY68 ТО-39 КТ630Е BSW66 ТО-5 КТ630Г BFY68A ТО-5 КТ630Б BSW66A ТО-5 КТ630Г BFY78 ТО-72 КТ368А BSW67 ТО-5 КТ630А BFY80 ТО-18 П308, КТ601А BSW67A ТО-5 КТ630А BFY90 ТО-72 КТ399А BSW68 ТО-39 КТ630В BUY55 ТО-3 КТ808А BSW68A ТО-39 КТ630В BLW18 ТО-117 КТ920Б BSW88A Х-73 КТ375А BLW24 ТО-117 КТ922Г BSX21 ТО-18 П308 BLX92 МТ-84 КТ913А BSX32 BLX93 МТ-84 ' КТ928Б КТ913Б BSX32 ТО-39 КТ928Б BLX96 КТ981А BSX38 ТО-18 КТ802АМ BLX97 КТ981Б BSX38A ТО-18 КТ340А КТ981В BSX45 ТО-39 КТ630Г КТ808А BSX45-10 Т0"39 КТ630Г BLX98 BLY47 ТО-3 BLY47A ТО-66 КТ808А BSX45-16 ТО-39 КТ630Б BLY48 ТО-3 КТ808А BSX45-6 ТО-39 КТ630Г BLY48A ТО-66 КТ808А BSX46 ТО-39 КТ630Г BLY49 ТО-3 КТ809А BSX46-10 ТО-39 КТ630Г BLY49A ТО-66 КТ809А BSX46-16 ТО-39 КТ630Б ' BLY50 ТО-3 КТ809А BSX46-6 ТО-39 КТ630Г BLY50A ТО-66 КТ809А BSX47 ТО-39 КТ630Б BLY63 ТО-117 КТ920Г BSX47-10 ТО-39 КТ630Б BLY88A МТ-72 КТ920Г BSX47-6 ТО-39 КТ630А BMl00-28 КТ971А BSX51 ТО-18 КТ340В ВМ40-12 КТ958А BSX52 ТО-18 КТ340В ВМ80-28 КТ931А BSX53A ТО-18 КТ340А BRY56 КТ117А BSX59 ТО-5 КТ928А ' BSJ36 ТО-18 КТ351Б BSX60 ТО-5 КТ928А BSJ63 ТО-18 КТ340Б BSX61 ТО-5 КТ928А BSS124 КП502А BSX62 ТО-39 КТ801Б BSS129 КП503А BSX63 ТО-39 КТ801А · BSS27 ТО-5 КТ928А BSX66 ТО-18 КТ306Д, КТ306А BSS28 ТО-5 КТ928Б BSX67 ТО-18 КТ306Д, КТ306А BSS29 ТО-5 КТ928А BSX72 ТО-5 КТ630Д BSS295 КП505А BSX75 ТО-18 КТЗl 17А BSS38 КТ602АМ BSX79A ТО-18 КТ342А, КТ311 7А BSS38 ТО-92 КТ503Е, КТ602АМ BSX79B ТО-18 КТ342Б BSS42 ТО-39 КТ630А BSX80 ММ-11 КТ375Б BSS68 ТО-92 КТ502Е BSX81A ММ-11 КТ375А BSS69 КТ3145Б9 BSX89 ТО-18 КТ616А BSS88 КП504А BSX97 ТО-18 КТ3117А BSS89 КП403А BSXP59 ТО-39 КТ928А BSS92 КП402А BSXP60 ТО-39 КТ928А BSV15-10 ТО-39 КТ639Д BSXP61 ТО-39 КТ928А BSV15-165 ТО-39 КТ639В BSXP87 ТО-18 КТ340В BSV15-6 ТО-39 КТ639Г BSY17 ТО-18 КТ616Б BSV16 ТО-39 .Iа639Д BSY18 ТО-18 КТ616Б BSV49A ТО-18 КТ351Б BSY26 ТО-18 КТ340В BSV59-VIII ТО-18 КТ3117А BSY27 ТО-18 КТ340В КТ321А BSY34 ТО-39 КТ608А КТ343Б BSY38 ТО-18 КТ340В BSV64 BSW19 ТО-18 '
Раздел 440 Зарубежный транзистор Тип прибора BSY39 BSY40 BSY41 BSY51 BSY52 BSY53 BSY54 BSY55 BSY56 BSY58 BSY62 BSY72 BSY73 BSY79 BSY81 BSY95 BSY95A BSYP62 BSYP63 BSZIO BSZll BSZl2 BUI06 BUI08 BU120 BUl23 BUl26 BUl29 BU132 BUl33 BU204 BU205 BU207 BU207A BU208 Приближенный отечест~енный Корпус аналог ТО-18 КТ3406 ТО-18 КТ343А ТО-18 КТ3436 ТО-39 КТ630Д ТО-39 КТ630Е ТО-39 КТ630Г ТО-39 КТ630Г ТО-39 КТ630А ТО-39 КТ6306 BU208A BU208DX BU2520A BU286 BU326 BU326A BU406 BU406D BU408 BU408D BU409 BU409 BU426 BU426A BU508 аналог ТО-218 КТ898А ТО-218 КТ898АI П309 ТО-39 КТ34 7А, КТ34 76 ТО-204 КТ885А ТО-18 КТ340В BUТll ТО-220 КТ810861 ТО-18 КТ340В КТ81436 КТ340В ТО-3 КТ8143В ТО-18 КТ340В ТО-3 КТ81433 ТО-18 КТ1046 ТО-3 КТ8143Г ТО-18 КТ1046 ТО-3 КТ8143А ТО-18 КТ203А ТО-3 КТ8126 BUT90 BUT91 BUT92 BUVl8 BUVl9 BUV37 BUV46 BUV66A BUV74 BUV98A BUWll BUWllA BUW24 BUW26 BUW35 BUW39 BUXl5 BUX25 BUX37 BUX47 BUX48 BUX48A BUX48B BUX54 BUX77 BUX82 BUX83 BUX84 BUX86 BUX97 BUX97A BUX97B BUX98 BUX98A BUX98AX BUYl8 BUY21 BUY26 BUY43 BUY46 BUYP52 BUYP53 BUYP54 BUZ220 BUZ307 BUZ31 BUZ32 BUZ323 ТО-3 ТО-18 КТ608А ТО-18 КТ6166 ТО-18 КТ352А ТО-18 КТ3126 ТО-3 КТ839А ТО-3 КТ809А ТО-3 КТ802А ТО-3 КТ7046, КТ828А, КТ840Б ТО-3 КТ809А ТО-3 КТ704А, КТ826А, КТ8266 ТО-3 КТ7046, КТ828А ТО-3 ,КТ838А ТО-3 КТ838А ТО-3 КТ838А, КТ8466 ТО-3 КТ838А, КТ8107Е2 ТО-3 КТ8386, КТ846В, КТ812761, ТО-204 ТО-3 КТ8157А, КТ846А, КТ8107А2, КТ8107В2, КТ8127А, КТ8121А2 КТ838А КТ8183А SOT-93 КТ856АI КТ893А ТО-3 КТ840А, КТ81086 ТО-3 КТ828А, КТ840А, КТ8108В ТО-220 КТ8130А, КТ858А, КТ8138Д ТО-220 КТ8138Е, КТ8140АI ТО-220 КТ858А, КТ8140А, КТ8124А ТО-220 KT8136AI ТО-220 КТ857А ТО-3 КТ8126 ТО-218 КТ8686 ТО-218 КТ868А ТО-218 КТ872А, КТ812761, КТ81076, SOT-93A КТ88661, КТ8726, КТ8107А, КТ81076 BU508D BU508FI BU606 BU607 BU608 BU608 BU807 BU9302P BU931Z отечественный Корпус ТО-18 ТО-39 КТ8107Г BU508A Тип прибора Приближенный BU931ZP BU931ZPFI BU932Z BUH313D BUH315D BUL47 BUL47A BUP46 BUP47 BUP47A BUP51 BUP52 BUP53 BUP54 BUS98 КТ81576, КТ810762, КТ8121Б2 BU208A Зарубежный транзистор SOT-93A КТ872В, КТ895А9, КТ8107Т ТО-218 КТ8127АI ТО-3 КТ840А ТО-3 КТ8406 ТО-3 КТ848А ТО-3 КТ848А КТ8156А КТ890В ТО-3 КТ897А - 7. Аналоги КТ8926 КТ818362 КТ8183А2 ТО-3 КТ8143Г ТО-3 КТ8143Д, КТ8155А ТО-3 КТ8143К ТО-3 КТ8143А, КТ8143Д, КТ8143Н ТО-3 КТ8143Г ТО-3 КТ8143Х ТО-3 КТ8143Ф ТО-3 КТ8143Ж, КТ8143М ТО-3 КТ8143Г КТ890А, КТ8906 ТО-220 КТ8108ВI KT8108AI Кт885А КТ8856 ТО-218 КТ8686 ТО-218 КТ868А ТО-3 КТ81476 ТО-3 КТ8147А ТО-3 КТ841Е ТО-3 КТ874А ТО-3 КТ81476 ТО-3 КТ878В ТО-3 КТ848А, КТ81466 ТО-3 КТ8147А, КТ8108А ТО-3 КТ856А ТО-204 КТ8566 ТО-204 КТ8146А ТО-39 КТ506А ТО-66 КТ908А ТО-3 КТ812А ТО-3 КТ812А ТО-39 КТ5066, КТ859А ТО-126 КТ8137А ТО-3 КТ828А ТО-3 КТ828А ТО-3 КТ828А ТО-3 КТ878А ТО-3 КТ81546 ТО-3 КТ81556 ТО-3 КТ840А ТО-3 КТ867А КТ9166А MD-17 MD-17 П702 ТО-3 КТ802А ТО-3 КТ802А ТО-3 КТ802А ТО-3 КП809Д ТО-218 КП728А ТО-220 КП7046 ТО-220 КП704А ТО-218 КП71761 П702А
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги Приближенный Зарубежный транзистор Тип прибора отечественный Корпус аналог 441 Зарубежный транзистор Тип прибора Приближенный ' отечественный Корпус аналог ТО-218 КП718АI ЕFТ320 ТО-1 П401 ТО-218 КП813АI ЕFТ321 ТО-1 МП20А ТО-218 КП718ВI ЕFТ322 ТО-1 МП20А ТО-3 КП722А, КП813А ЕFТ323 ТО-1 МП20Б T0-2l8 КП706В ЕFТ331 ТО-1 МП20А ТО-3 КП718А, КП809Б ЕFТ332 ТО-1 МП20А ТО-3 КП718Б ЕFТ333 ТО-1 МП20Б ТО-3 КП705А ЕFТ341 ТО-1 МП21Д ТО-220 КП707АI ЕFТ342· ТО-1 МП21Д ТО-220 КП727А ЕFТ343 ТО-1 МП21Д ТО-220 КП707БI, КП709Б ТО-220 КП726А ТО-3 КП809В АП343Аl-2 FI027 FI053 Fl201. Fl203 F2001 F2002 f 2003 F2005 F2013/H FHC30LG/FA FHC30LG/FA FJ0880-28 FJ201F FJ203 FJ401 FJ403 FJ9295CC АП343А2 FLМ7177-5 АП915А2 СМ40-12 КТ960А, КТ980А FLXI02MH-12 АП607А2 BUZ330 BUZ350 BUZ354 BUZ36 BUZ385 BUZ45 BUZ45A BUZ53A BUZ60 BUZ71 BUZ90 BUZ90A BUZ94 С12-12 КТ925Б С12-28 КТ934Б С25-12 КТ925В С25-28 КТ934В С2М-10-28А КТ970А С3-12 КТ925А КТ934А С3-28 CDl60 CF739 CFXl4 CFX31 CFYl2 CFY25 CFY25-l 7 CFY25-25 SOT-9 SOT-143 F0-93 F0-85 П213Б АП379А9 АП326Б2, АП320В2 АП602В2 АП331А2 ТО-120 АП343Аl-2 - КП928А КП923В КП951А2 КП951Б2 КП923А КП923Б КП923В КП923Г КП923Б АП344А3-2 АП344А3-2 КТ9101АС КТ3132А2 КТ3121А6 КТ3115А2 КТ682А2 КТ996Б2 СМ75-28 КТ930А FRНOIFH АП330В2-2 СР640 КП601А АП344А2-2 СР651 КП601 Б, КП903А Dl2-28 D41DI D41DI D41D4 D41D7 КТ946А FSCIO GAT5 GAT6 GCIOO GCIOI GCll2 GCll6 GCll7 GCll8 GCl21 GCl21 GCl22 GCl23 GC500 GC501 GC502 GC507 GC508 GC509 GC510K GC512K GC515 GC516 GC517 GC518 GC519 GC525 GC525 GC526 GC527 GCN55 GCN56 GDl75 GDl80 ТО-126 КТ626А Х-51 КТ626А Х-51 КТ626Б Х-51 КТ626В D44НI ТО-220 КТ997Б D44H2 D44H5 D45H5 DMI0-28 DM20-28 DM40-28 DME250 DME375 DT4305 DVl202S DXL2608A DXL2608A DXL3501 DXL3610A ТО-220 КТ997В ТО-220 КТ9166В ТО-220 КТ9120В ЕFТ212 ТО-3 -П216 КТ962А КТ962Б КТ962В КТ986Б КТ986В ТО-3 КТ845А КП902В АП605А2 АП605А2 АП602А2 АП604А2 ЕFТ213 ТО-3 П216 ЕFТ214 ТО-3 П217 ЕFТ250 ТО-3 П217 ЕFТ306 ·то-1 МП40 ЕFТ307 ТО-1 МП40 ЕFТ308 ТО-18 КТ208Б ЕFТ311 ТО-1 МП20А ЕFТ312 ТО-1 МП20А ЕFТ313 ТО-1 МП20Б ЕFТ317 ТО-1 П401 ЕFТ319 ТО-1 П401 АП325А2 АП326А2 А-1 ' ГТ109А А-1 ГТ109А А-1 МП26А А-1 МГТ108Д А-1 МГТ108Д А-1 МГТ108Д А-2 МП20А А-2 МП39Б А-2 МП20А А-2 МП21Г А-6 ГТ402Д А-6 ГТ402Е А-6 ГТ402И А-6 МП20А А-6 МП20Б А-6 МП21Г А-7 ГТ403Е А-7 ГТ403Е А-6 МП20А А-6 МП20А А-6 МП20Б А-6 МП20Б А-6 МП20Б А-6 МП35А А-6 МП36А А-6 МП36А, МП37 А А-6 МП36А, МП38А А-6 МП20А А-6 МП21Г SOT-9 SOT-9 П213Б П214А ' '
Раздел 442 Зарубежный транзистор Тип прибора GD240 GD241 GD242 GD243 GD244 GD607 GD608 GD609 GD617 GD618 GD619 GDI170 GES2219 GF126 GF128 GF130 GF145 GF147 GF501 GF502 GF503 GF504 GF506 GF507 GF514 GF514 GF515 GF516 GF517 GFY50 GS109 GSl 11 GSl 12 GS121 Приближенный отечественный Корпус SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 SOT-9 Тип прибора аналог П213 П213 П214А П214А П215 П404Г П404Б П404Б П201АЭ . П201АЭ П203Э П213Б КТ660А А-3 ПЗО9Г А-3 П309Б А-3 П309Д А-4 П346А А-4 П346А ТО-18 П313Б ТО-18 П313А ТО-18 П313Б ТО-18 П313А ТО-72 П328Б ТО-72 П346Б ТО-72 П313Б ТО-72 П322А ТО-72 П322А ТО-72 П322А ТО-72 П322Б ТО-7 П322Б А-1 МП42А А-1 МП42Б А-1 МП25А А-1 МП42 Зарубежный транзистор - IRF720A IRF730A IRF740A lRF820 IRF830 IRF840 IRF841 IRF9020 IRF9130 IRFBC20 IRFBC40 IRFBE30 IRFBE32 IRFDlll IRFP340 IRFP352 IRFP353 IRFP441 IRFP452 IRFR020 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ42 IRFZ44 IRFZ45 IRGBC40M IVN5200 IXTM4N95 Jl75 J02058 JS830 JS8830AS JS8864AS Корпус отечественный - аналог ТО-220 КП720 ТО-220 КП707Аl, КП730 ТО-220 КП740 ТО-220 КП820 ТО-220 КП830 ТО-220 КП840 ТО-220 КП706Б КП944А КП712А ТО-220 КП733Г ТО-220 КП805Б ТО-220 КП707Вl ТО-220 КП707В2 ТО-250 КП804А ТО-218 КП717Еl ТО-218 КП717Гl ТО-218 КП717Вl ТО-218 КП718Гl ТО-218 КП717Дl КП945А ТО-220 КП812Вl ТО-220 КП723В ТО-220 КП723Г ТО-220 КП723А, КП812Аl ТО-220 КП723Б, КП812Б 1 КП730А КП908А КП705Б КП304А КТ9155А АП330Вl-2 АП330А2 АП608А2 К2113В КТ382БМ КТ9134А К2122СВ КТ382АМ HP3586L HXTR2101 HXTR6101 HXTR6102 IRF132 IRF150 IRF240 IRF250 IRF340 IRF341 IRF350 IRF352 IRF353 IRF420 IRF440 IRF441 IRF450 IRF452 IRF453 IRF510 IRF520 IRF530 IRF540 IRF610 IRF620 IRF630 IRF640 IRF710 IRF710A КТ391А2 К5002 КТ3120А КТ648А2 КС147 ММ-10 КТ373А, КТ373Б КТ3132В2 КС148 ММ-10 КТ373А, КТ373Б КТ3132Б2, КТ682А КС149 ММ-10 КТ373Б, КТ373В - ТО-204 КП922А КС507 ТО-18 КТ342Б ТО-3 КП150 КС508 ТО-18 КТ342Б ТО-204 КП240 КС509 ТО-18 КТ342Б ТО-204 КП250 ТО-3 КТ803А ТО-204 КП340, КП717Е, КП809А ТО-3 КТ808А ТО-3 КП717Д ТО-72 КТ339В ТО-204 КП350, КП717Б KD601 KD602 KF173 KF503 KF504 KF507 KSA5390 KSA539R KSA539Y KSA5450 KSA545R KSA545Y KSC1395 KSC1730 KSC8530 KSC853R KSC853Y KSD2270 KSD227Y KSY21 KSY34 KSY62 ТО-5 КТ602Б КП717Г ТО-3 КП717В ТО-204 КП420 ТО-204 КП440 ТО-3 КП718Г ТО-204 КП450, КП725А ТО-3 КП718Д ТО-3 КП718А, КП718Е ТО-220 КП510 ТО-220 КП520 ТО-220 КП530 ТО-220 КП540 ТО-220 КП610 ТО-220 КП620 ТО-220 КП630 ТО-220 КП640 ТО-220 КП710, КП733А ТО-220 КП731А Аналоги Приближенный НЕМ3508В-20 ТО-3 7. ТО-5 КТ611Г ТО-5 КТ617А ТО-92 КТ502Г ТО-92 КТ502В ТО-92 КТ502Г ТО-92 КТ502(Г, Д) ТО-92 КТ502Д ТО-92 КТ502(Г, Д) ТО-92 КТ316ГМ ТО-92 КТ316ДМ ТО-92 КТ503Г ТО-92 КТ503(Г, Д) ТО-92 КТ503Г ТО-92 КТ503Н ТО-92 КТ503Б' ТО-18 КТ616Б ТО-5 К:Г608А ТО-18 КТ606Б
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Приближенный отечественный Корпус Тип прибора аналог ТО-18 КТ616Б ТО-18 КТ347Б КU601 ТО-3 КТ801Б КU602 ТО-3 КТ801А KU605 ТО-3 КТ812В KSY63 KSY81 ' КU606 ТО-3 КТ808А КU607 ТО-3 КТ8Г2В КU611 КU612 KUY12 LAE4000Q LDA405 LKE32002T SOT-9 SOT-9 КТ801Б ТО-3 КТ812В КТ801А КТ657Б2 К1НТ254 КТ918Б2 LТ1817 КТ9141Аl LТ1839 КТ9141А LT5839 КТ9143А МА2123 КТ3114Б6 МА909 МА910 MDl 129 MDl 130 MD5000 MD5000B MD918AF MD918F MD986 MFE121 MFE2001 MFE2002 ТО-5 ' МJ2501 МП26А ТО-5 МП26А ТО-99 КТС395Аl КТС394А2 КТС3103Аl, КТС393А9 КТС3103Бl, КТС393Б9 ТО-99 ТО-99 КТС398Б94 КТС398А94 ТО-99 КТС303А2 ТО-206 КП306В КП307Г МFЕ2098 MFE2098 MGF2116 MGF2324.0l MGF4310 MGF4415 MGF-X35M.O 1 MHQ2221 MHQ2369 MHQ2906 MJ10002 МJl 1020 МJl 1021 MJ250 MJ2500 . ТО-3 ТО-3 ТО-220 КТ8164Б, КТ8181Б ТО-220 КТ8138В, КТ8164А, КТ872А, КТ8181.д., КТ854Б MJE13006 MJE13007 MJE13008 MJE13009 MJE170 MJEl 71 MJE172 MJE180 MJE181 MJE182 MJE230 MJE233 MJE2955T MJE3055 MJE3055T MJE4353T MJE4553T MJE710 MJE71 l MJE712 MJE720 MJE721 MJE722 MJH6285 MJH6286 ТО-220 КТ8136А, КТ8182Б ТО-220 КТ8138Г, КТ8126А, КТ8182Б ТО-220 КТ8138Ж ТО-220 КТ8138И ТО-126 КТ9180Б ТО-126 КТ9180В ТО-126 КТ9180Г ТО-126 КТ683Д ТО-126 КТ9181В ТО-126 КТ9181Г ТО-126 КТ9180Б ТО-126 КТ9180В ТО-220 КТ8149А2 ТО-220 КТ819Б ТО-220 КТ8150А2 ТО-218 КТ8101А КТ8102Б ТО-126 КТ814Б ТО-126 КТ814В ТО-126 КТ814Г ТО-126 КТ815Б ТО-126 КТ815В ТО-126 КТ815Г КТ8106А КТ8106Б КТ602В КП302В ТО-52 АП605А2 ММ3000 ТО-39 КТ602А АП606Б2 ММ3001 ТО-39 КТ611В АП343А2-2 ММ3375 ТО-60 КТ904Б АП343А3·2 ММ404 ТО-18 МП42Б АП603А2 ММ8006 ТО-72 КТ399А КТС631 В, КТС631 Г ММ8007 ТО-72 КТ399А КТС631А, КТС631Б ММ8015 SOT-37 КТ382А КТС622А MMBF54592 КП308Аl КТ841В ММВТ3904 КТ3197А9 КТ8105В ММВТ3906 КТ3196А9, КТ3140Г КТ8104В ММВТА20 КТ3151д9 КТ963А2 ММSТ3906 КТ3146В9 КТ825Д ММТ2857 КТ825Г ММТ2857 MPQ3906 MPS271 l MPS2712 MPS2713 MPS2714 MPS2907AL MPS2907AM MPS2907K MPS2925 MPS3395 MPS3638 MPS3638A MPS3639 MPS3640 MPS3702 MPS3703 MPS3705 MPS3707 MPS3708 MPS3709 КТ827В ТО-3 КТ827Б ТО-3 КТ839А МJ3520 ТО-3 КТ827В MJ3521 MJ4030 ТО-3 КТ827А ТО-3 КТ825Д МJ4031 ТО-3 КТ825Г МJ4032 ТО-3 КТ825Г MJ4033 MJ4034 ТО-3 КТ827В ТО-3 КТ827Б МJ4035 ТО-3 КТ827А ТО-204 КТ842А ТО-5 КТ618А МJ4646 ТО-205 КТ505А МJ480 ТО-3 КТ803А i · КТ803А КТ815В ТО-126 MJE13004 MJE13005 ММ1748 ТО-3 MJE13003 аналог КП302В MJ3000 MJ3001 MJ3480 МJЕ1002 отечественный Корпус МLЗООО КТ8102А, КТ8149А ТО-3 Тип прибора Приближенный ML500 ТО-3 MJ481 Зарубежный транзистор КП307Д МJ2955 MJ410 MJ420 443 КТ8112А, KT8170Al, КТ8175А КТ963Б2 КТ316А КТ382А SOT-37 КТ382Б КТ674АС ТО-92 КТ503А ТО-92 КТ503Б ТО-92 КТ306БМ ТО-92 КТ306БМ КТ685Г КТ685В КТ685Б ТО-92 КТ680А ТО-92 КТ681А ТО-92 КТ351А ТО-92 КТ351А ТО-92 КТ357А ТО-92 КТ347Б ТО-92 КТ3107Д ТО-92 КТ3107А ТО-92 КТ645А ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ3102В ТО-92 КТ3102А - -
Раздел 444 Зарубежный транзистор Тип прибора MPS3710 MPS3711 MPS404 MPS404A MPS6512 MPS6513 MPS6514 MPS6515 MPS6516 MPS6517 MPS6518 MPS6519 MPS6530 MPS6532 MPS6541 MPS6543 MPS6562 MPS6563 MPS6565 MPS6566 MPS6571 MPS706 MPS706A MPS834 MPS9600 MPS9601 MPSA09 MPSA42 MPSA43 MPS-H37 MPSLOl MPSL07 MPSL08 MPSL51 MPSUOl MPSUOlA MPSU04 MPSU05 MPSU06 MPSU07 MPSU51 MPSU51A MPSU55 MPSU56 MQ2218 MRA05 l О-50Н MRA0610-18 MRA0610-3 MRF148 MRF2005M MRF2010 MRF430 MS0146 MSA7505 MSC1075M MSC1250M MSC1550M MSC2001M MSC2003M MSC2005M MSC4001 MSC81550 MTM15N50 MTP3N08L Приближенный отечественный Корпус аналог Зарубежный транзистор Приближенный отечественный Корпус Тип прибора - ТО-220 КТ316БМ MTP6N60 MU4894 NE021-60 NElOlOE NE13783 NE388-06 NE46383 NE500 NE56755 NE695 NE72089A NE73435 NE76184A NE90089A NEZl 112 КТ316ВМ NКТll ТО-1 МП108Г ТО-92 КТ350А NКТ73 ТО-1 МП108Б ТО-92 КТ350А ТО-92 КТ645А NT2222 NTE107 ТО-92 КТ3102В ТО-92 КТ3102Г ТО-92 КТ209Е ТО-92 КТ209К ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ3102Д ТО-92 КТ3107Е ТО-92 КТ3107Е ТО-92 КТ3107Ж ТО-92 КТ3107Л ТО-92 КТ645А ТО-92 КТ645А КП724А аналог КТl 17Г КТ657А2 ТО-128 КТ913Б АП320Б2 АП339А2 АП328А2 КП302Г КТ647А<J. АП320А2 АП344А2КТ3114В6 АП344Аl-2 АП605Аl-2 АП602Б2 КТ3117Аl КТ316АМ ТО-92 КТ645А ОС1016 ТО-3 П703В TQ-92 КТ3102Г ОС1044 ТО-1 П109Е ТО-92 КТ645А ОС1045 ТО-1 П109Д ТО-92 ОС1070 ТО-1 МП40А ТО-92 кт375А КТ306ВМ ОС1071 ТО-1 МП40А, МП39Б ТО-92 КТ201ВМ ОС1072 ТО-1 МП41 А, МП39Б ТО-92 КТ201БМ ОС1074 ТО-1 МП20А ТО-92 КТ3102Б ОС1075 ТО-1 МП41А, МП39Б ТО-226 КТ6135Б ОС1076 R-8 МП42Б, МП20А ТО-226 КТ6135В ОС1077 ТО-1 МП21Г ТО-92 КТ339АМ ОС1079 ТО-1 МП20А ТО-226 КТ632Бl ОС112 ТО-92 КТ363А ОС170 ТО-7 П309Г, П322Б ТО-92 КТ363А ОС171 ТО-7 П309Г ТО-226 КТ638А ОС200 КТ104Г Х-81 КТ807Б ОС201 Х-81 КТ807Б КТ850Б ОС203 КТ807Б ОС204 Х-81 КТ807Б ОС205 Х-81 КТ807А ОС206 Х-81 КТ639Б ОС207 Х-81 КТ639Б ОС25 ТО-3 П216 Х-81 КТ639Г ОС26 ТО-3 П703Д Х-81 КТ639Б, КТ626Б ОС27 ТО-3 П703Г КТС613А ОС28 ТО-3 П217 КТ9156БС ОС30 MD-11 П20~Э КТ9104Б ОС35 ТО-3 П217 КТ9104А ОС41 R-8 R-8 R-19 R-19 R-19 R-19 R-9 R-9 R-9 R-8 R-8 П29 Х-81 ТО-60 ОС202 КП908Б ОС42 КТ948А ОС57 КТ942В ОС58 КТ9160А ОС59 КТ937А2 ОС60 КТ907А ОС70 КТ984А ОС71 КТ984Б ОС75 · МП26 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 - 7. Аналоги \ КТ9109А ОС76 КТ919В ОС77 КТ919Б РВС107А КТ919А РВС107В . КТ104Б КТ104В КТ203А КТ208Г КТ208Л КТ208Г КТ208А П29А П109А - П109Б П109В П109В МП40А МП40А МП40А, МП41 А МП40А МП26Б ТО-98 КТ373А ТО-98 КТ373Б КТ938А2 РВС108А ТО-98 КТ373А КТ9127А РВС108В ТО-98 КТ373В ТО-204 КП706А РВС108С ТО-98 КТ373В ТО-220 КП727Б, КП727В РВС109В ТО-98 КТ373Б '
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги Зарубежный транзистор Тип прибора РВС109С Приближенный отечественный Корпус ТО-98 аналог КТ373В Зарубежный транзистор Тип прибора А-5 КТ373В SF128B SF128C SF128D SF129A SF129B SF129C SF129D SF131E SF131F SF132E SF132F SF136D SF136E SF136F SF137D SF137E SF137F SF150B SF150C SF21 SF215C SF215D SF215E SF216C SF216D SF216E SF22 SFE264 А-5 КТ373А SFТ124 А-5 КТ373Б SFТ125 А-5 КТ373Б SFТ130 ТО-72 КТ399А SFТ131 PBMS3906 КТ3146Г9 РВМТ3906 КТ3146Д9, КТ3140В PНl КТ976А РНl КТ979А 114-SOC 114-60 PKB23003U PKB3000U PN2484 ТО-92 КТ3102(Б, Д) РТ6680 ТО-129 КТ909В КТ919Г КТ918А2 РТ9790А КТ9111А РТВ42003Х КТ937Б2 PZB16040U QF505 RFD401 RFD410 RFD420 RFD421 Sl0-12 Sl0-28 Sl50-28 S2000Fl S30-12 S3640 S70-12 S80-28 SC206D SC206E SC206F SC207D SC207E SC207F SD1300 SD1301 SD1308 SD1540 SD1543 SD1546 SD1565 SD200 КТ979А ТО-72 ГТ328Б ТО-60 КТ606Б ТО-129 КТ913А ТО-129 КТ913Б ТО-60 КТ904А КТ965А, КТ921 А КТ955А Iq957A КТ8183А1 КТ966А - КТ3126Б КТ967А КТ956А, КТ944А А-5 КТ373А А-5 КТ373Б ТО-72 445 Приближенный отечественный Корпус аналог ТО-5 КТ630Г ТО-5 КТ630Г ТО-5 КТ630Г ТО-5 КТ630А ТО-5 КТ630А ТО-5 КТ630А ТО-5 КТ630Б А-4 КТ3102В А-4 КТ3102Г А-4 КТ3102Б А-4 КТ3102Г ТО-18 КТ342А ТО-18 КТ342Б ТО-18 КТ342В ТО-18 КТ342А ТО-18 КТ342Б ТО-18 КТ342В ТО-5 КТ611Г ТО-5 КТ611Г ТО-5 КТ617А А-5 КТ375Б, КТ373А А-5 КТ373А А-5 КТ373Б А-5 КТ375А, КТ373Г А-5 КТ373А А-5 КТ373Б ТО-5 КТ617А КП312А КТ501Е КТ399А SFТ143 КТ938Б SFТ144 КТ9164А SFТ145 КТ9134Б SFТ146 R-13 R-13 R-13 R-13 R-13 R-13 R-13 R-13 КТ9774 SFТ163 ТО-44 П423 КТ501Е КТ501Е КТ501Е КТ501Ж КТ501И КТ501Ж КТ501И КТ9136АС, КТ9161АС SFТ187 ТО-5 КТ602А ТО-52 (ТО-72) КП310А SFТ212 ТО-3 ГТ703Г SD20l SD21 l SD300 SDN6000 SDN6001 SDN6002 SDN6251 SDN6252 SDN6253 SDT3207 SDT3208 SDT7012 SDT7013 SE9300 SF121A ТО-52 КП310Б SFТ214 ТО-72 КП980Б SFТ223 КП314А ТО-3 КТ834В ТО-3 ТО-3 ГТ703Г ТО-3 П217 ТО-5 МП20Б SFТ238 ТО-3 П216 SFТ239 ТО-3 П217 КТ834Б SFТ240 ТО-3 П217 ТО-3 КТ834А SFТ250 ТО-3 П217, ГТ701А ТО-3 КТ834В SFТ251 ТО-5 МП20А, МП39Б ТО-3 КТ834Б SFТ252 ТО-5 МП20А, МП39Б ТО-3 КТ834А SFТ253 ТО-5 МП20А, МП39Б ТО-61 КТ908Б SFТ306 ТО-1 МП39Б ТО-61 КТ908А SFТ307 ТО-1 КТ208В ТО-61 КТ908Б SFТ308 ТО-1 КТ208В ТО-61 КТ908А SFТ316 Т-44 П422 КТ716Г SFТ3l 9 ТО-1 П416 ТО-5 КТ617А SFТ320 ТО-1 П416 SF121В ТО-5 КТ617В SFТ32l ТО-1 МП20А SF122A SF122B SF123A SF123B SF123C SF126A SF126B SF126C SF128A ТО-5 КТ617А SFТ322 ТО-1 МП20Б ТО-5 КТ617А SFТ323 ТО-1 МП20Б ТО-5 КТ602В SFТ325 Х-47 ГТ402И ТО-5 КТ602Г SFТ35l ТО-1 МП39Б ТО-5 КТ602Г SFТ352 ТО-1 МП39Б ТО-5 КТ617А SFТ353 ТО-1 МП39Б ТО-5 КТ617А SFТЗ54 ТО-44 П422 ТО-5 КТ617А SFТ357 ТО-44 П422 ТО-5 КТ630Г SFТ213 -
446 Раздел Зарубежный транзистор Тип прибора - Зарубежный транзистор Приближенный отечественный Корпус Тип прибора аналог Аналоги Приближенный отечественный Корпус аналог SFТ358 ТО-44 П423 Т358Н ТО-1 П403 SFТ377 ТО-1 ГТ404Ж ТСН98 ТО-18 КТ208Е SGSD200 КТ896А ТСН988 ТО-5 КТ501К SGSF344 КТ8121А ТСН99 ТО-18 КТ208К SGSF444 КТ8114Б, КТ8127Б TG2 ТО-18 МГТ108А SGSF564 КТ8107Д2, КТ8183Б TG3A ТО-18 МГТ1088 TG3F. ТО-18 МГТ108Г SGSP201 SOT-82 КП727Ж SGSP574 ТО-3 КП718Б, КП718Бl TG4 ТО-18 МГТ108А SL3552 ТО-39 КТ830Б TG5 ТО-18 ГТП5Б КТС3174АС2 TG50 ТО-5 МП20А SS106 ТО-18 КТ340В TG51 ТО-5 МП21Г SS108 ТО-18 КТ3408 TG52 ТО-5 МП20А SS109 ТО-18 КТ3408 TG53 ТО-5 МП20А SS125 ТО-5 КТ617А TG55 ТО-5 МП20А SS126 ТО-5 КТ608А TG5E ТО-18 ГТl 15А, П27 SS216 А-5 КТ375Б, КТ340Г ТН430 SS218 А-5 КТ375Б, КТ349Г ТIPl 10 ТО-220 SL362 - 7. КТ9126А, КТ980Б КТ716А SS219 А-5 КТ375Б, КТ340Г ТIPl 11 ТО-220 КТ716Б SS80508 ТО-92 КТ6114А, КТ6134А ТIР112 ТО-220 КТ7168 SS8050C ТО-92 КТ6114Б, КТ6134Б ТIPl 15 Т