` АНУОЗАМЕНЯЕМЫЕ
(ИЕУЕСТВЕННЫЕ
| ЗИРУБЕЖНЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
А.С. БЕЛОВ
В.И. ГОРДЕЕВА
А.В. НЕФЕДОВ

Г

7|

мм.

_ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫЕ
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
И ЗАРУБЕЖНЫЕ

`ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

А. 6. БЕЛОВ
В. И. ГОРДЕЕВА
А. В. НЕФЕДОВ.

="

а.
]5

м.

;

>

1)

вы

78,
——9

| ма)

(58, 1 ма)

<:

Е

‚2

10
15

100 (58, 1 ма) | 10

-

Г
бл,

40

не

—

|2—0

>.

те

П
7

6Ф0.3
Б 43

Не

УДК 621.382

иене

ава

З

мечи

Белов А. С. и др.
Б 43

—Взаимозаменяемые отечественные и зарубежные
полупроводниковые
приборы.
М., «Энергия», 1971.
104 с. с илл.

Перед загл. авт.: А. С. Белов, В. И. Гордеева,
А. В. Нефедов.
==

В справочнике
приведены
сведения
о взаимозаменяемых отечественных и зарубежных полупроводниковых
приборах, даются рекомендации по подбору приближен_ных аналогов, приводятся
условные обозна“
-лупроволниковых
приборов и взаимозаменс”
оры
ряда стран-__

на
Справочник рассчитан
^анимающихся электл--- ^

"

Предисловие
“4

В настоящее время полупроводниковые приборы нашли широкое
применение во многих областях современной техники. Непрерывно
расширяются области их применения, улучигаются их характеристики
и параметры, повышается надежность.
Создание современных и специализированных полупроводниковых приборов позволяет осваивать новые, ранее недоступные области схемотехники, улучшать различные варианты радиотехнических
схем и узлов.
Несомненно, что зарубежная информация о применении полупроводниковых приборов привлекает внимание широкого круга радиолюбителей и специалистов радиоэлектронной техники, т. е. всех, кому
приходится эксплуатировать, настраивать, улучшать и разрабатывать электронные схемы и устройства.
В зарубежных источниках литературы
(каталогах, справочниках, книгах, журналах, информационно-справочных листах и т. д.)
или в переводах книг и статей, посвященных применению полупроводниковых приборов, часто зстречаются интересные и оригинальные
принципиальные схемы различных радиоэлектронных устройств на
полупроводниковых приборах.
Однако для. их воспроизведения, а также при ремонте зарубежной радиоэлектронной аппаратуры ‘(радиоприемников, телевизоров,
магнитофонов, различного рода измерительной аппаратуры и т. п.)
необходимо знать соответствующие по назначению, характеристикам
и параметрам отечественные полупроводниковые приборы (приближенные аналоги).
В отечественной научно-технической литературе вопросы, связанные с возможностью взаимозаменяемости зарубежных и отечественных полупроводниковых приборов, освещены недостаточно.
В настоящем справочнике, составленном ‘на основе изучения зарубежной научно-технической информации (о применении, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов) и личного
опыта авторов, рассматриваются 'зопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных транзисторов и диодов, приводятся параметры и система условных обозначений, принятая в ряде зарубежных стран, предлагаются рекомендации по подбору приближенных аналогов.
Кроме того, приводятся таблицы взаимозаменяемых отечественных и зарубежных диодов и транзисторов (одинакового функционального назначения и с близкими электрическими параметрами).
В связи с ограниченным объемом справочника авторы вынуждены были сократить перечень рассматриваемых взаимозаменяемых
приборов.

Авторы

<. жы

Глава

1

|

Общие сведения
у

УСЛОВНЫЕ
ПРИБОРОВ

ОБОЗНАЧЕНИЯ

ЗАРУБЕЖНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Развитие полупроводниковой промышленности в различных странах и появление большого количества разнообразных типоз полупроводниковых приборов повлекло за собой создание новых и совершенствование принятых систем обозначений этих приборов. За рубежом существует много стандартных и нестандартных систем обозначений полупроводниковых приборов. Несовершенные системы обозначений, составленные без учета перспективного развития прибороз, постепенно исчезают. Наблюдается тенденция к общей стандартизации обозначений. Ниже рассмотрены основные системы обозначений зарубежных приборов, указаны их преимущества и недостатки,
Система ТЕРЕС. Наиболее распространенной является система
обозначений, принятая Объединенным Техническим Советом по элек-

тронным приборам США «(ТЕПЕС). Согласно этой системе полупроводниковые приборы обозначаются индексом, в котором первая цифра показывает количество р-п переходов:

1 — диод;

2 — транзистор;
3 — тетрод.
_
За индексом следует

буква М и затем серийный номер, под’
которым приборы регистрируются Ассоциацией предприятий электронной промышленности (ЕТА).
Пример:
2№946 — 946-й
зарегистрированный
транзистор;
1№808—808-й зарегистрированный диод и т. д.
К индексу может добавляться одна или ‘несколько букв. Буквенные символы служат для обозначения взаимозаменяемых приборов.
Следует иметь в виду, что полупроводниковые приборы, серийные номера которых следуют друг за другом, могут значительно отличаться по своим характеристикам и цоколевке.
Ассоциация
предприятий электронной промышленности
‘егистрирует приборы по характеристикам, приводимым изготовителями.
Любой изготовитель, приборы которого по характеристикам и параметрам подобны уже зарегистрированным ЕТА, может поставлять
приборы с принятым по системе ЛЕДЕС обозначением.
Согласно американской военной спецификации к промышленному номеру добавляется приставка ЛАМ (в малогабаритных приборах 1), заменившая использовавшиеся раньше приставки О$А, ОЗАЕ
05$М, обозначавшие ведомство заказчика.
Система Рто Шесгоп. В Европе наряду со стат"^птной системой
обозначений ЛЕРЕС широко ‘используется такх
^^ ля стандартная система Рго Е!егоп. Обозначения пр'
"ЗА.
цией АззосаНоп ГШегпаНопа! Рго ЕесгоКак и.по системе ГЕГЕС, по сист’
ле’ |
“я вновь разработ-^
_ ` поставл®

гистрационным обозначением, если характеристики прибора соответствуют ранее зарегистрированному.
|
Если по обозначениям ЛЕРЕС ‘можно определить только количество переходов у прибора и примерное время разработки, так как
номера присваиваются в возрастающем ‘порядке, то используемые
системой Рго ес гоп буквы и цифры дают больше сведений о приборе, что является ее преимуществом.
Обозначение по системе Рго ЕМесёгоп всегда пятизначно.
Приборы, предназначенные для широкого применения, например
для радиовещательных и телевизионных приемников, магнитофонов
и т. д, обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, приборы
для промышленной и специальной аппаратуры обозначаются тремя
буквами и двумя цифрами.

Пример:

ВУ!27 — прибор широкого применения;
ВНУ9б — прибор специального применения.
Первая буква обозначает код материала;
А — приборы, использующие материал < шириной
зоны от 0,6 до 1,0 эв (германий);^^

запрещенной

В — приборы, использующие материал с шириной запрещенной
зоны от '1,0 до 1,3 эв (кремний);
С — приборы, использующие материал с шириной запрещенной
зоны, равной или более `1,3 эв (арсенид галия);
р — приборы, использующие материал с шириной запрещенной

зоны менее 0,6 эв (антимонид индия);
К — приборы без перехода, использующие
материал.
Вторая буква обозначает назначение:
А — детекторный

быстродействующий

полупроводниковый

смесительный

диод;

В — диод с переменной емкостью;
С — транзистор
Р — транзистор

‘низкочастотный
маломощный
Ю®]а>15° С/вт;
низкочастотный мощный В]а<15 °С/вт;

Е — туннельный диод;
Е — транзистор высокочастотный маломощный Ю\]а>
15 °С/вт;
Я — сложные приборы (в одном корпусе несколько различных
приборов);
Н — измеритель напряженности магнитного поля;
К — генератор Холла;
[. — транзистор высокочастотный мощный К ®а<15 °С/вт;
М — модулятор и умножитель Холла;
Р — светочувствительные приборы '(фотодиод, фототранзистор);
О — излучающий прибор;
К — прибор, работающий в области пробоя;
5$ — переключающий транзистор маломощный;
Т — регулирующие и переключающие приборы, мощные
(КУВ
ит. п.) В ]а<15°°С/вт;
Х — диод умножительный;
У — диод выпрямительный мощный;
2 — стабилитроны.
Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов,
то обозначение производится в соответствии < указанным кодом
для дискретных приборов. Если в одном корпусе имеется несколько
разных приборов, в качестве второй буквы обозначения используется
буква С.
Для приборов широкого применения после двух букв следу т
трехзначный порядковый номер от 100 до 999. Для приборов, пред-

|

5

назначенных

для

применения

в

промышленной

и

специальной

аппа-

ратуре, третьим знаком является буква, начиная от 1 в обратном
алфавитном порядке: У, Х ит. д., за которой следует порядковый
номер от 10 до 99.
К основному обозначению часто добавляется буква, указывающая на отличие от основного типа.

Пример:

АС180К — транзистор, подобный АС180, но в другом корпусе;
В$Х51К
— транзистор, подобный В$Х51, но более высоко-

вольтный.
Для некоторых типов приборов, таких как стабилитроны, мощные диоды и тиристоры, возможна дополнительная классификация,
согласно которой к основному пятизначному обозначению через тире
или дробь добавляется дополнительный код.
Например, для стабилитронов дополнительный
код содержит
сведения о номинальном напряжении и его допусках в процентах.
Первая
буква
указывает
допуск:
А—1%;
В—2%;
С—5%:
2—

10$:

Е—

15%.

После букзы в дополнительном коде следует номинальное напряжение в зольтах. Если это не целое число, то вместо запятой
ставится буква У.
Пример:
обозначение стабилитрона В7У-83-С6\8.
Из приведенного обозначения можно установить, что это кремниевый стабилитрон для специального назначения с регистрационным номером У-83. с напряжением стабилизации 6,8 в и допуском
на напряжение 5%.
Для выпрямительных диодов дополнительный код указывает
максимальную амплитуду обратного напряжения переменного тока.
Для тиристоров дополнительный код указывает меньшее из значений максимального
напряжения
включения
или максимальной
амплитуды обратного напряжения.

Пример:

ВУХ13-200 — это кремниевый

выпрямитель

специального

назначения с регистрационным номером Х!3 и напряжением 200 в.
В конце дополнительного обозначения может стоять буква ВЮ,
указывающая на обратную полярность (соединение анода с корпусом).
Нормальная полярность (соединение катода с корпусом) и симметричное исполнение выводов в коде не указывается.
Пример: ВТУ99-100 — кремниевый тиристор специального назначения ©с регистрационным ‘номером У99, напряжением 100 в, обратной
полярности.

Система

Рго

Ыегоп

широко

применяется

в ФРГ,

Франции,

Италии и других странах.
Старая европейская система обозначений. Система Рго Ее гоп
широко применяется в Европе с 60-х годов и часто называется «новой» европейской системой обозначений. Она заменила собой старую
европейскую систему, по которой полупроводниковые приборы обозначались буквой О (нулевое напряжение накала по принятому коду
обозначений для ламп).
После начальной буквы О следовали буквы, указывающие основной класс приборов:

А — диод;
АР — фотодиод;

С — транзистор;
` СР— фототранзистор;
А7 — стабилитрон:
ЮР — фотопроводящий

элемент.

&х

После букв слёдовал

Пример:
ОА8| — диод
трон; ОС72 — транзистор.
Японская

система.

регистрационный

номер..

полупроводниковый;

Согласно

сущеетвующей

ОА7200 — стабилив настоящее

время

в Японии системе обозначений ‘нельзя определить материал, но можно определить, является ли прибор диодом или транзистором, назначение прибора, тип проводимости.
Индексы, стоящие перед регистрационным номером, имеют следующие значения:
15 — диод полупроводниковый;
25А
25В
25С
250
25Е

—
—
—
—
—

р-п-р транзистор высокочастотный;
р-п-р транзистор низкочастотный:
1-р-п транзистор высокочастотный;
п-р-п транзистор низкочастотный;
кремниевый управляемый выпрямитель;

25Н — полупроводниковый тетрод.
Пример: 2$А12 — высокочастотный р-п-р транзистор с регистрационным номером 12.
|
Английская система. В Англии наиболее распространена военная
спецификация. По этой системе обозначение полупроводниковых приборов состоит из двух букв СУ, за которыми следует четырех- или
пятизначный цифровой номер.
Английское почтовое ведомство ВгИ!зВ Розё О!се также выпускало свои серии полупроводниковых приборов с обозначениями
Р01, Ро? ит. д.
В настоящее время Английский комитет стандартов Вигорага
СошитШее работает над созданием стандарта обозначений на полупроводниковые приборы.
Фирменные обозначения. Кроме вышеуказанных стандартных систем обозначений изготовители-фирмы широко используют свои обозначения.
За основу буквенного обозначения чаще всего берется принцип
сокращенного названия фирмы, коды материала и применения.
Примеры:
0Т(110, 0Т$430 — это германиевый и кремниевый
транзистор с порядковыми номерами 110 и 430.
Р — начальная буква фирмы Ое[со Вад1о Оеусе:
Т — транзистор;
Си $ — германий и кремний соответственно.
Фирма Техаз шзёгитеп! 144 обозначает свои приборы индексом
1, 1$, 20, 2$, за которыми следует регистрационный номер. В этих
обозначениях цифра | означает диод, 2—транзистор, буквы а и $—
германий и кремний.
Фирма ТгапзИгоп пользуется буквенными обозначениями длЯ
указания фирмы и класса прибора.

ТМР 50, ТСК 590.
Т — обозначение фирмы;
МР — микродиод '(п!сго 9109);
СК — управляемый выпрямитель (соп{гоПеа гесИЙег);
50, 520 — регистрационные номера.
Фирма М1$та| использовала буквы $Е, условно обозначающие
полупроводниковый прибор. Третья буква указывала класс прибора:
Пример:

р — диод;

К — мощные

выпрямительные диоды:

Т — транзисторы.

Пример:

$20103 — видеодетекторный диод;

эЕК264 — выпрямительный диод;
5ЕТ353 — низкочастотный транзистор.
Следует отметить, что фирменные обозначения многочисленны.
Кроме того, ряд потребителей применяет собственные обозначения,
поэтому привести их полную классификацию не представляется возможным.
Цветной код. Для маркировки малогабаритных полупроводниковых диодов вместо цифровых и буквенных обозначений часто используется цветной код. Наиболее широкое распространение за рубежом получила система цветного кодирования, предложенная Ассопиацией предприятий электронной промышленности (ЕЗА) в США.
По этой системе установлено следующее цветное обозначение
цифр и букв:
Цифры

Цвет

Буква

Цифры

=

Цвет

9 8):

Буква

0
]
2
3

Черный Коричневый
Красный
—_
Оранжевый

—
А
В
С

5
6
7
8 —

Зеленый
Синий (голубой)
Фиолетовый
Серый

В
Е
а

Н

4

Желтый

О

9

Белый

]

При использовании цветного кода в обозначении диодов первая
цифра и буква М опускаются. Следующий за буквой М типовой
номер, состоящий ‘из двух, трех или четырех цифр, обозначается
цветными полосками по указанным ниже правилам:
номера, состоящие из двух цифр, обозначаются первой черной
полоской и последующими второй и третьей цветными полосками,
указывающими соответствующие цифры. Если в обозначении используется буква, она указывается четвертой полоской;
номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосками,
указывающими соответствующие цифры. Четвертая полоска обозначает букву;
типовой номер, состоящий из четырех цифр, обозначается че-.
тырьмя цветными полосками ‘и пятой черной полоской. Если в этом
случае требуется обозначить букву после цифр, то ее обозначают
пятой цветной полоской ‘(вместо черной);
для обозначения полярности цветные полоски либо смещаются
ближе к катоду, либо первая полоска от катода делается двойной
ширины;
тип полупроводникового диода читается по цветным полоскам
от катода.

ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
(ПРИНЯТЫЕ В АМЕРИКАНСКОЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ
ЛИТЕРАТУРЕ]
|

ыы

р-п-р 1гапз1$ юг

транзистор р-п-р-типа

п-р-п {гапз1$
ог
транзистор п-р-п-типа

С

©)

р-п-1-р ап!юг
транзистор р-п--р-типа

$

п-р-1-п {гап$1$
ог
транзистор п-р--п-типа

р-п-1-п гап$1$юг
транзистор

р-п-1-п-типа

п-р-1-р {гапз1ог
транзистор `7-р-1-р-типа

р-п-р-п {гав$1$
ог
транзистор р-п-р-п-типа

п-р-п-р гап$1$ог
транзистор 7-р-п-р-типа

ря
хе
\

р-+уре ипЦипсНоп {фгап$1$ог
однопереходный транзистор р-типа

п-фуре ипПипсНоп {гап$1$ {юг
однопереходный транзистор И-типа

р-сваппе! Не!4-еНесЁ {гапз1юг
полевой транзистор с каналом р-типа

п-сНаппе!| е14-е1ес{ {гапз15 {ог
полевой транзистор с каналом п-типа

ее.

<

пзШае4-са{е-Не!4 еНесЁ тапз15
юг
полевой транзистор с изолированным

затвором

р-п-р 1ето4е ипсНоп {гапз1
юг
двухбазовый транзистор р-п-р-типа

р-п-р Ёето4е дипеНоп {гапз1$ {ог
двухбазовый транзистор р-п-р-типа

п-р-п 1егоае |ипсНоп гап$1$ ог
двухбазовый транзистор 1-р-п-типа

п-р-п фето4е ]ипсНоп {гапз1$
юг
двухбазовый транзистор и-р-п-типа

Фо4е Пугзюг
диодный тиристор

Пощ-асНуа{е4 з\ИсН
переключатель, включаемый

излучением

Поп{-асиуае@ зу
переключатель, включаемый

излучением
во ие

фз
®
вв
е
®

зШсоп сошгоПеа гес#ег
кремниевый

—

`
<=

соиаб

управляемый

вентиль

Шсоп

согёгоПей гесИ|ет

кремниевый

управляемый

вентиль

$15.

По|{-асНнуае4 зШсоп Шуг! ог
кремниевый тиристор, включаемый излучением
ПоБ{-асНуа{е4 зШсоп сопётоПей э\уйсВ
кремниевый
излучением

управляемый

переключатель,

включаемый

511соп согоПеа з\ИсВ
кремниевый тетродный тиристор

$11соп соштгоЦей зу ИсВ
кремниевый тетродный

тиристор

Б1атесНопа! Чюдепугзюг
двунаправленный диодный тиристор

!атесНоп гю4е пуг!$юг
двунаправленный триодный тиристор

11соп БИа{ега! з\ЦсВ
кремниевый двунаправленный

переключатель

(триодно-

с выключением

по упраз-

го типа)

°{шппе!

4104е

туннельный диод

са{е {игп-оН з\Исй
твердотельный переключатель
ляющему электроду

1}

`

гесИНегз, сопрщег 41о4ез
выпрямительные диоды,
импульсные диоды

ффо

2епег 4104ез
’ стабилитроны

(иппе! Чю4ез

туннельный диод

уаг!сар$
варикапы

ЗАРУБЕЖНЫЕ
ПРИБОРАМ

СПРАВОЧНЫЕ

ИЗДАНИЯ

ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ

Наиболее полными современными справочниками на зарубежные
приборы являются справочники, выпускаемые объединением Оенуа-

Ноп ап ТабшаНоп Аззочаез США (РАТА). Справочники ОАТА содержат основные параметры, габаритные чертежи и сведения о конструктивном оформлении для наиболее часто встречающихся приборов. Эти справочники полностью пересматриваются и выпускаются
два раза в год.
В настоящее время одновременно объединением ВАТА выпускается шесть справочников:
Транзисторы;
Полупроводниковые диоды и КУВ;
Электровакуумные приборы;
Линейные интегральные схемы;

Логические интегральные схемы;
Транзисторы, снятые с производства.
Указанные справочники в большинстве случаев позволяют отыскать параметры зарубежного прибора и произвести предварительный
выбор отечественного аналога.
При отсутствии сведений об интересующем приборе, а также при
детальном изучении возможности замены следует. обращаться к фирменным каталогам и информационно-справочным листам.
СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

По ГОСТ 10862-64 обозначения полупроводниковых приборов состоят из четырех элементов.
Четвертый элемент
— буква, обозначающая классификационную
группу прибора (разновидность типа).

12

<

Первый элемент
Исходный

Условное

материал

обозначения

а

ы

Г или 1

Германий

К или 2

Кремний
Арсенид

Второй

А или

галлия

3

элемент
пниетитеичиесиии

О

Условное
Класс или

обозначе-

приборов

группа

|

Выпрямительные — универсальные — импульсные
диоды

Транзисторы
Варикапы

Д

Т
В

А

СВЧ диоды

Фотоприэоры
Неуправляемые
слойные
приборы

ние

многопереключающие

Ф
Н

о
Е ы

Класс или

группа

ее:

приборов

С
роя

Управляемые многослой- | У
ные переключающие приборы

И
С

Туннельные диоды
Стабилитроны

Выпрямительные столбы | Ц

и блоки

Третий элемент
В
Назначение

Условное
обозначение

прибора

Назначение

прибора

На
Е
ЕЕ
Диоды НЧ:

выпрямительные
универсальные

<

Варикапы
СВЧ диоды:
смесительные
видеодетекторы
модуляторные

:

Фотодиоды

Фототранзисторы

>.

ные переключающие

|

—

10—99 в

101—199

201—299
при-

малой мощности
средней мощности
большой мощности

боль-

напряжение стабилизации
_1—9,9 в

401—499
501—599
601—699

сти

малой

|

701—799

801—899
900—999

100—199 в

Выпрямительные
столбы

ОБЕ

401—499
501—599
601—699

1,0—:9,9 в
10—99 в
100—199 в
101—199
201—299 | Стабилитроны
301—399 | шой мощности:

Управляемые многослой-

боры:

ста-

билизации

101—999

параметрические
переключающие
умножительные

в,

сред-

501—599

импульсные

-

Стабилитроны

101—399 |ней мощности:
напряжение
401—499

Условное
обозначе- !
Га ние

101—199

мощно-

Выпрямительные
101—199]
201—299 |столбы средней мощ| 301—399 ||ности

201—299

13

_

Продолжение
Назначение

Условное

прибора

обозначе-

Назначение

ние
|
Я
ЗА. а. И

С

Управляемые многослой-

ные переключающие
боры:

средней мощности

большой

мощности

Туннельные диоды:
усилительные
генераторные
переключающие
Стабилитроны
малой

мощности:

стабилизанапряжение
ЦИИ
1,0—9,9 в
10—99 в
100—199 в

АЕ

обозначе-

ние

ВИ риеры

Выпрямительные

при-

малой мощности

Условное

прибора

301—399

блоки малой мощности
Выпрямительные бло- | 401—499

201—299 |ки средней

мощности

301—399

мошности

101—199 | Выпрямительные бло- | 501—599
|ки большой

‚ Транзисторы
малой
101—199 |мощности:
201—299
низкой частоты
101—199
301—399
средней частоты | 201—299
высокой частоты
301—399

Транзисторы

сред-

ней мощности:
низкой частоты
401—499
101—199]
средней частоты
501—599.
201—299
высокой частоты | 601—699
301—399]
Транзисторы — большой мощности;
низкой частоты
701—799

средней частоты
высокой частоты
Условные графические обозначения
боров приведены в ГОСТ 7624-62.

801—899
901—999

для полупроводниковых

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ

при-

И ЗАРУБЕЖНЫХ

Воспроизводимость технических
показателей радиоаппаратуры
зависит от степени совпадения характеристик и па раметров используемых полупроводниковых приборов.
Очевидно, что в идеальном случае аналогичность (эквивалентность) приборов предполагает их полную взаимозаменяемость по
всем электрическим характеристикам и параметрам, предельным эксплуатационным значениям режимов, по установочным и габаритным
размерам. Должны
учитываться
также данные по устойчивости
к внешним воздействиям '(вибрациям, ударам, климатическим воздействиям и др.), надежность и долговечность.
Однотипные
отечественные
и зарубежные полупроводниковые
приборы практически никогда не совпадают по всем своим электрическим параметрам, так как их эксплуатационные свойства описываются большим числом (несколько десятков) электрических параметров, которые ‘не строго одинаковы даже в пределах одного типа
прибора ‘(имеется естественный технологический разброс). Причем
изменение величин некоторых параметров от минимума до максимума для данного типа прибора может достигать нескольких сот процентов.
14

{2

деления ‘наиболее вероятного
Принципы, нормы и Методы опре
, устанавливаемые и приетров
парам
значения величин электрических
х стран, неидентичны, что
разны
х
ация
мент
доку
х
чески
техни
нятые в
(устанавливаются статистические
связано с объемом ‘производства
функции ‘распределения пара,
етров
парам
оса
характеристики разбр
со степенью жесткости норм
п.),
т.
и
ма
режи
метров в зависимости от
ическими запасами по
олог
техн
ми
технических условий, с различны
р
ряду параметров и Др.
ия различных видов электриРежимы, условия, методы проведен испытаний, нормы на парах
ески
атич
ческих, механических и клим
х методы измерения,
—‘и
ырии годности при испытания
— крите
метр
ы (а взаимозаменяеметр
пара
мые
от которых зависят устанавливае
в сравнимых, идентичных
ном
основ
в
ся
еляет
опред
ора
мость приб
ерсальны Для различных Типов
условиях), многообразны и ‘не унив
приборов.
имеют зависимость не только
Кроме того, параметры приборов
ты сигнала, данных внешчасто
й,
яжени
от режима работы (тока, ‘напр
изменяются со временем
и
но
ы,
них цепей ит. п.) и от температур
нии).
хране
при
и
ы
(дрейф параметров во время работ
де к стандартизации параподхо
в
и
и
нност
особе
свои
тся
Имею
приборов, принятой в отдельных
метров, характеристик и свойств
странах.
мозаменяемость по присоедиДолжна учитываться также взаи
элементы крепления при
ов,
вывод
меры
‘(раз
рам
нительным разме
которая определяет во3рам,
разме
ым
ритн
габа
и
монтаже и т. п.)
соблюдении заданных
при
ров
прибо
ых
типн
можность замены одно
, подставками, тепьками
панел
(с
й
атуро
условий сопряжения с аппар
значение при разиметь
может
что
лоотволами, экранами и т. п.),
ических воздействиях и испымехан
и
ских
атиче
‘клим
рода
го
лично
таниях.
приборы имеют разнообразное
Зарубежные полупроводниковые
са могут быть стеклянные, металконструктивное оформление: корпу
ллопластмассовые, металлокерамимета
вые,
массо
пласт
ые,
лостеклянн
е (в настоящее время за рубежом
други
и
кие
мичес
ческие, стеклокера
ных корпусов приборов). Из-за
ован
ицир
униф
ста
разработано более
корпусов приборов '(располои
рукци
конст
к
различных требований
ний вид, стойкость к различвнеш
ов,
вывод
жение, ‘форма и размеры
цоколевка, веси т. п.)
са,
корпу
а
ного рода воздействиям, форм
шинства сравниваемых
боль
У
еры
установочные и габаритные ‘разм
‘не совпадают. Лишь у неров
прибо
ых
бежн
зару
и
ных
отечествен
конструкции, например корпуса
скольких типов имеются сходные
др.
и
ТО-72
,
ТО-60
типа ТО-18, ТО-5,
следует, что полное подобие
Таким образом, из сказанного выше
и о взаимозаменяемости
я,
чаетс
исклю
и
ическ
практ
)
(по параметрам
судить лишь по харако
можн
оров
‘приб
ых
бежн
зару
отечественных и
ное (целевое) 'назнаоснов
их
щим
иваю
навл
уста
,
терным параметрам
ся с учетом особен‘ведет
ров
прибо
ботка
чение (как известно, разра
ых предполагается
котор
в
схем,
п)
(груп
ностей конкретных классов
ьным параметрам
отдел
схеме
етной
их использование), т. е. в конкр
и в этом случае имеются свои
ко
Одна
ние.
значе
е
особо
ется
прида
ым разнообразием условий экструдности, связанные с исключительн
и др.), областей и режимов
кие
тичес
клима
кие,
ничес
плуатации (меха
в современной радиоаппаров
прибо
х
ковы
одни
применения полупров
|
ы.
учтен
стью
полно
быть
ратуре, которые не могут

15

Кроме того, взаимозам
еняемость приборов
их свойств, условий
зависит не только от
эксплуатации и режимо
в применения, но и
рационально разработа
от
нной схемы и правильно
го и.
приборов. Например,
если ‘конкретная схема
‘рассчитана на предельные для приборов параметры

альный

подбор

приборов

‘(а не на оптимальные)

или на специ-

одного типа по одному
тров
или ряду параме(без учета их разбро
са), то условия вза
нарушаются и при зам
имозаменяемости
ене приборов схема
может оказаться вообще
неработоспособной. Ест
ественно, если схема
рассчитана так, что при
наихудших условиях
эксплуатации '(разброс
параметров элементов,
колебания напряжения
питания и температуры,
систем регулирования,
крайние положения
крайние значения вхо
дного сигнала, воздействия различного рода
нагрузок и т. п.)не п
установленных предел
ьно допустимых зеличи
н параметров приборов
(тока, напряжения, мощ
ности), то подбор экв
ивалентных типов приборов упрощается.
оспроизведение схемы
тре
буе
т
творческого подхода.
чено, что при повторени
Не исклюи (воспроизведении) схем
что для подобранного
ы может оказаться,
отечественного прибор
а при использовании
указанныхв схеме вели
чин пассивных элементов
саторов,
(резисторов, конденкатушек индуктивности)
она не будет функци
нормально или окажет
онировать
ся неработоспособной,
И В ряде случаев придется вводить коррек
тивыв величину номина
лов пассивных элементов (подгонка
или регулировка) или
изменять принципиальн
му (исключать или вкл
ую схеючать дополнительные
элементы)
Если же заимствуется
только схемное решени .
ментов схемы производи
е,
то расчет элется
венного прибора такого
же назначения,
так
как
качественные показатели схемы определяю
тся выбором типа и
оптимальным режимом
работы прибора. При
замене отказавшего зар
убежно
ТОВОЙ радиоаппаратуре
'(мапнитофоне, радиоприе го прибора в гои т. д.) возможно пот
ребуется индивидуальный, мнике, телевизоре
более тщательный
подбор соответствующег
о отечественного прибора,
ка схемы в. ряде случаев
так как перестройможет быть нежелательна
.
Как известно, имеются
схемы, которые критич
ным изменениям параме
ны к незначительтров приборов, из-за чего
может нарушиться
работа схем (например,
дифференциальные усил
ител
ды балансных схем, мно
гокаскадные высокочастот и, различные витотные усилители, усил
ные или низкочасители постоянноток
гоа и др.). В других схемах существенное ‘изменен
ие параметров приборов
рушения нормальной
не вызывает наработы
(схемы с глубокой отр
обратной
ицательной
связью,
ключевые
схемы,
релаксационные
и др.).
генераторы
"
Кроме того, незначительн
ые
изме
нени
я параметров подбираем
приборов могут и не пов
ых
лиять
‘на условия взаимозаменя
как в схемах иногда пре
емости, так
дусматривают регулируе
мые элементы, © по.
(ощью которых можно
добиться оптимальных
выходных параметров
выходными параметрами
схве
зав
м
иси
ы
мости от
ного назначения могут
быть коэффициент усиления ее функциональ, амплитуды тока
или напряжения, длительн
ость импульса и др.).
Последние зависят
не только от параметро
в приборов,но и от
напряжения источника
питания и схемных элем
ентов.
Таким образом, наиболее
точн
ый подбор эквивалентны
отечественных и зарубе
х типов
жных приборов может
проводиться только
с учетом конкретной

16

электрической

схемы

и ее специфических

0со-

их

бенностей, что позволяет определить требуемые выходные параметры
и режимы ее работы и не учитывать второстепенные параметры приборов.
Если требования,

предъявляемые к полупроводниковому прибору
при использовании в схеме, неизвестны, то производится подбор. приборов путем формального сравнения их основных электрических параметров. Если известно типовое назначение приборов, то подбор
приборов производится по характерным параметрам (с учетом предельных параметров).
При проектировании и разработке радиоаппаратуры представляют интерес следующие сведения о полупроводниковых приборах:
типовое назначение, основные и ‘предельные электрические параметры
и их разброс, электрические характеристики '(входные, выходные, зависимость параметров от температуры, режима и др.), режим измерения статических и динамических (импульсных) параметров, габариты, вес и др.
Из-за различных причин, связанных со сложностью технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и с неоднородностью исходного материала, их электрические параметры,
как уже отмечалось, имеют значительный разброс от минимального
до максимального значения, причем неодинаковый как для различных технологических типов, так и для различных параметров. Хорошей повторяемостью '(воспроизводимостью) в пределах одного типа

обладают,

например,

такие

параметры

как

И вв)ево,

Се» Ге, Гь»ь.

Наибольший разброс имеют, например, параметры Из. и [ь2ль, ПОэтому приборы одного технологического типа разбивают по ним на
группы. Значение параметров внутри границ от минимума до максимума может быть произвольным, что вынуждает при проектировании
радиосхем производить ‘расчет с учетом обоих граничных значений
(иногда бывает достаточным расчет по минимуму). Нормы, которые
устанавливаются на разброс параметров, учитываются и определяются различными способами.
Используя при расчете схем или подборе приборов справочные
данные, необходимо учитывать достаточно большой запас по величине параметров для подавляющего большинства приборов. В частности, величина /сво берется с большим запасом по сравнению с реальными значениями. Поэтому сравнение приборов широкого применения по величине /сво практически не всегда целесообразно. Лишь
только для радиосхем, где должны использоваться специализированные транзисторы, предназначенные для использования в микротоковых режимах, обращается особое внимание ‘на величину /сво. Например, зарубежные малошумящие транзисторы типов 2№9929, 9№930,
2№2483 и 2№2484, разработанные специально для работы при малых
токах ‘(рабочий диапазон токов составляет соответственно 10 мка—
| маи | мка1 ма), имеют величину /сво 10 на пра Осво=45 в.
В связи с тем, что по параметрам Аьие, Их, [аъ (или [т) приборы
разбиваются на группы, они могут сравниваться или подбираться
непосредственно
(целесообразно в одинаковых режимах). Однако
в зарубежных проспектах, каталогах или рекламных
сообщениях
часто не указывают разброс для ряда параметров. Могут приводиться лишь
типовые
значения
параметров
Йэие, Гьь’С., Е, Се {т,
ГсЕзой И Др., что затрудняет подбор приборов. К тому же не даются
сведения 0б изменении параметров в процессе эксплуатации, нет
данных по надежности, что требуется при оценке годности приборов для различных категорий схем. Кроме того, для зарубежных

2—92
= —--1

Ра

<

|

7

приборов приводятся величины пробивных напряжений, которые могут отличаться в два и даже ‘более раз от значений предельных
напряжений, принятых для отечественных приборов. Пробивные напряжения устанавливают для определенных уровней тока, а предельные являются расчетными или статистическими параметрами, определяемыми из статистического распределения пробивных напряжений
путем введения коэффициента запаса. Последний определяется длительными стендовыми испытаниями на срок службы.
Режимы измерений приборов, соответствующие оптимальным параметрам, а также характер их зависимости от режима неодинаковы для различных типов (классов) приборов, что должно учитываться при сопоставлении соответствующих параметров. В частности,
имеется сложная зависимость коэффициента усиления по току от
тока эмиттера или коллектора (обычно йЙ21е слабо зависит от 'Ос во).
Ограничение максимального тока коллектора определяется по снижению коэффициента усиления по току до определенной заданной
величины (правда, еще учитываются явление «токового пробоя» и
максимальная температура перехода), которая может быть различна
для разных типов приборов. Поэтому очевидно, что при совпадении
режимов ‘измерений сравниваемых параметров оценка о взаимозаме‚няемости приборов была бы более полной. Для переключающих приборов необходимо учитывать, что величина времени рассасывания
для отечественных и зарубежных приборов определяется при различной степени насыщения. По величинам же параметров пи Ь
объективно трудно выделить приборы одинакового быстродействия
(эти параметры обычно используются ‘как рекламные или справочные данные).
Многие зарубежные фирмы кроме допустимой рабочей температуры указывают предельную температуру хранения, так как надежность при хранении приборов зависит от температуры
(хранение
при температурах, превышающих допустимую, оказывается для приборов более тяжелым, чем перегрузка по электрическому режиму).
В информационных материалах могут отсутствовать данные по
изменению [сво И ИЙ21е при крайних значениях допустимой рабочей
температуры, что является определяющим при работе транзистора
во многих классах схем.
Следует еще принять во внимание, что в зависимости от совершенствования и расширения схемных применений полупроводниковых приборов количество данных, характеристик и параметров для
различных типов приборов ‘неодинаковы.
И, наконец, необходимо отметить, что при серийном выпуске
приборов они не могут быть практически проконтролированы по всем
параметрам, представляющим интерес для схемотехники, поэтому,
очевидно, не все параметры могут тарантироваться.
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПОДБОРУ И ПРИМЕНЕНИЮ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Подбор приборов должен осуществляться путем сравнения справочных данных на отечественные и зарубежные приборы. К зарубежной рекламной информации о приборах необходимо относиться
с осторожностью, так как часто целью ее является выгодное представление параметров прибора, т. е. указывается типовое либо даже
максимально достижимое
для данной
разработки
значение
(или

18

|

$

ий

минимально, в зависимости от вида параметра). В процессе серийного производства эти параметры в среднем оказываются значительно ‘ниже (выше) рекламных.
Подбор взаимозаменяемых приборов состоит в определении таких типов приборов для схем одинакового назначения, основные параметры (специфичные для данной схемы) которых близки или даже
совпадают между собой. При этом приборы должны совпадать по
типу исходного материала, по типу проводимости, по технологическим
методам
изготовления
(сплавные, тянутые,
диффузионные,
сплавно-диффузионные,
микросплавные, — поверхностно-барьерные,
планарные, планарно-эпитаксиальные и др.), так как каждый ‘из них
позволяет получить вполне определенные свойства и сочетания параметров приборов. Поэтому при выборе электрического режима
следует учитывать не только общие положения по применению, но
и технологические особенности конкретных типов приборов. Однако
в ряде случаев эти положения нельзя считать категоричными, так
как германиевые приборы могут быть заменены кремниевыми
и
наоборот. Кроме того, при подборе приборы могут и не совпадать
по технологическим признакам, если требуемые от них параметры
равноценны, т. е. если параметры приборов обеспечивают выполнение заданных технических требований схемы.
До сравнения параметров приборов прежде всего определяется
их основное (целевое) назначение, т. е. параметры должны отвечать
основным Требованиям работы. Например, предназначены ли прибо-_
ры для использования в схемах усилителей мощности, тока или напряжения низкой, промежуточной или высокой частоты, в микромощных '(микроамперных) усилителях, тенераторных или переключающих схемах, в схемах автоматической
регулировки
усиления
(АРУ), в малошумящих усилителях низкой или высокой частоты,
в линейных усилителях, в схемах с ‘инверсным включением транзисторов и других схемах. Каждый из приборов такого частного применения (существуют приборы и универсального применения) имеет
свои специфические особенности. В частности, приборы, специально
разработанные для схем АРУ, имеют определенную регулировочную
характеристику; транзисторы, разработанные специально для использования в УПЧ, имеют малую
проходную
емкость;
транзисторы,
предназначенные для схем высококачественных
(линейных) усилителей, имеют постоянный коэффициент усиления в определенном
диапазоне токов (критерий линейности величины Й21в от тока коллектора); от приборов, предназначенных для инверсного включения,
требуются малые остаточные параметры; от транзисторов для малошумящих усилителей требуется малый коэффициент шума на определенной частоте и т. п. Область применения определяет специфические параметры прибора. Необходимо отметить, что сопоставляться
должны приборы одного класса (т. е. маломощные с маломощными, а мощные с мошными) и одинаковых групп (частотные пределы усиления
транзисторов
должны
соответствовать. требованиям
схемы).
Сравнение приборов должно проводиться не только по небольшому числу наиболее важных и характерных параметров, определяющих узкую область применения, но и по предельным значениям
параметров. Как известно, полупроводниковые приборы чувствительны к перегрузкам по току, напряжению и мощности. Они могут
выходить из строя, если рабочая область выходит за гоаницу устойчивой и надежной работы. Это значит, что параметры предельных

2

|

19

режимов

ограничивают

их работы.

Поэтому

как

область допустимых
в отечественной,

электрических

так

и зарубежной

режимов

„р

схемо-

технике вводятся коэффициенты запаса по предельным параметрам.
Вообще полупроводниковые приборы работают более устойчиво при
малых напряжениях и относительно больших токах, чем наоборот
при одном и том же значении мощности. Кроме того, схемы на
полупроводниковых приборах проектируют с учетом возможного дрейфа
их параметров в процессе хранения и эксплуатации, поэтому облегчение рабочих режимов позволяет существенно уменьшить дрейф
параметров во времени.
В приводимой далее таблице взаимозаменяемые зарубежные
и
отечественные приборы подобраны так, что ‘их предельные параметры отличаются не более чем в два раза (для мощных приборов
эта
разница еще меньше). Следует отметить, что технологические
запасы по параметрам предельного режима оказываются наименьшими
для мощных приборов.
При сравнении мощностей необходимо учитывать условия,
для
которых дается значение мощности (температуру корпуса или
окружающей среды, наличие теплоотвода).
Сопоставление напряжений ((и ряда других параметров) должно проводиться с учетом особенностей схемы применения
прибора.
Как известно, величина И(вн)сво используется для расчета режима
работы закрытого транзистора ‘или при включении
его по схеме
с общей базой; величина И(вв)ево
— для расчета режима при налитии запирающего напряжения (например, для различного рода
им-

пульсных схем, усилителей класса В ит. п.).
У сплавных транзисторов величины О‘вв)сво и
одинаковы ‚(это важно для использования приборов
ных тенераторах, где закрытый транзистор работает
ных обратных напряжениях на обоих переходах). У

Ивв)Ево ПОЧТИ
в релаксационпри повышендиффузионных
приборов величина И(вв)ево не превышает обычно |—10 в
(правда,
сейчас с помощью планарной технологии специально получены
для
ряда приборов более высокие значения).
Величина И(вв)ско используется для расчета режима транзистора в схеме с общим эмиттером при отсутствии запираю
щего
напряжения или когда оно мало ‘(меньше 0,5 в), тогда необход
имо
знать О(вв)ско В импульсном режиме. Величина И(вв)ско имеет
наименьшее значение при Кв=оо (обрыв базы) и работа прибора
при
этом ‘не разрешается, а наибольшее при Кв=0. ‘Следует учитыват
ь,
что при повышении температуры
величины
И(вв)ско, О‘вв)сво и
|
И‘вв)Ево снижаются.
Главное, на что необходимо обратить внимание при подборе
отечественных и зарубежных приборов, это на отличие режимов
измерения их параметров, а также на отличие режимов работы полупров
одниковых приборов в аппаратуре от режимов при которых
были получены справочные данные. Как известно, величина /сво сказывае
тся
на режиме работы схемы по постоянному току. В мощных
транзисторах она ограничивает требуемую мощность, вызывает темпера
турную
нестабильность, снижает надежность. В маломощных транзист
орах
большое значение /сво ухудшает добротность избирате
льных элементов (контуров) и снижает выходное сопротивление схемы;
в
сационных генераторах изменяет время релаксации и вызывает релактемпературную
нестабильность.
Неуправляемые
обратные токи как
У терманиевых, так и кремниевых приборов имеют тенденци
ю к постепенному увеличению. Значение емкостей С, и С. влияет
на ча20

514

усилителя, что особенно заметно при исстотную характеристику
(дрейфовых) приборов (для чизкопользовании высокочастотных
частотных приборов значения Се и С. могут совершенно ‘не влиять
на частотную характеристику). Приводимые величины Р относятся
обычно к оптимальным значениям сопротивления генератора и оптимальному режиму работы !(при определенном токе, напряжении и
частоте), от которых они существенно зависят. Вообще говоря, для
необходимо
транзисторов
работы
выбора оптимального режима
знать характер изменения основных параметров при изменении Ос
И /с.
Надежная работа схемы зависит ‘не только от качества приборов, правильности их применения и режимов работы, но и от степени критичности схемы к изменению параметров приборов (об этом
уже упоминалось) и элементов внешних цепей. Например, для высокочастотных приборов надо учитывать при монтаже длину подводящих проводов, так как в схеме возможно возникновение паразитной генерации.

Приведенные сведения о взаимозаменяемости полупроводниковых приборов и общие рекомендации по подбору отечественных и
зарубежных приборов для схем аналогичного назначения, конечно,
не претендуют на строгость и полноту, но дают достаточную (оценочную) информацию для того, чтобы воспроизводить схемы из зарубежной литературы или производить ремонт зарубежной радиоаппаратуры.

ГлаваПИ

Взаимозаменяемые транзисторы
ПОЯСНЕНИЯ

К ТАБЛИЦАМ

В предлагаемых ниже таблицах сравнения отечественные и зарубежные приборы подобраны таким образом, что ‘предельные параметры у ‘них ‘не отличаются ‘более чем в два раза '(для мощных
приборов это отличие меньше), другие основные параметры примерно совпадают или несколько лучше у отечественных транзисторов.
При подборе учитывались основное назначение приборов, специфические параметры и характеристики, а также их конструктивно-технологические особенности.
В таблице приняты следующие условные обозначения, принятые
в СССР по рекомендации МЭК:
Рсшах(Рк.макс)
— максимальная мощность, рассеиваемая коллектором;

Рьэаь ({«) — траничная

частота

передачи

тока

в схеме

с об-

щей базой;
{т — максимальная
частота передачи тока
(произведение коэффициента передачи тока ‘на частоту

измерения);

21

[пэ1е({в } — гранйчная частота передачи тока в схеме -с 0о0щим эмиттером;
[м (г) — максимальная частота генерации;
|
О‘вв›сво(Икбо) — пробивное
напряжение
коллектор — база
при
разомкнутой цепи эмиттера;

$15

О‘вв)ско(Икэо) — пробивное напряжение
коллектор — эмиттер
при
разомнутой цепи базы;
О‘вв)Ево(Иъбо) — пробивное напряжение эмиттер—база при разомкнутой цепи коллектора;
[с (1к) — ток коллектора;
сво ([ко} — обратный ток коллектора (при разомкнутой цепи
эмиттера};
И>1е (Во) — коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером;
Ив (В) — коэффициент передачи тока в режиме большого
сигнала в схеме с общим эмиттером;
С‚(К») — коэффициент усиления по мощности;
С‹(Ск) — емкость коллекторного перехода;
Е(Еш) — коэффициент шума;

ГСЕ за: (Гн, Юн) — сопротивление насыщения;
Гьь’ + Сс‹(7б’Ск)

— постоявная

времени

цепи

обратной

связи;

Гь (76) — базовое-сопротивление:
1: (12) — время рассасывания.
Примечание.
В скобках указаны старые обозначения параметров. Для мощных ‘приборов указывается мощность рассеяния
с теплоотводом (для маломощных приборов эта мощность приводится в скобках). Режим измерений параметров И2ле, Йзле, [сво, ЕЁ, @р
указывается в скобках.
Значения параметров Илле, Аза, [сво Указаны при температуре
окружающей среды 25°%С. Для параметров [изаь, [т, [м, [в » [зе
Й21е, Из1к. Ё, Се, Кн, & даются типовые среднестатистические значения, если не указывается интервал от минимума
до максимума.
Принятые сокращения по технологии изготовления транзисторов:
Т — тянутые;
С — сплавные:

ШБ — поверхностно-барьерные;
МС — микросплавные;

МСД — микросплавные диффузионные;
СД — сплавно-диффузионные;

Д — диффузионные;
П — планарные;
ПЭ — планарно-эпитаксиальные;
М — меза;
Че — германий;
$1 — кремний.
’Для удобства и экономии места в таблице для таких параметров, как сопротивление насыщения и граничная частота передачи
тока в схеме с общим эмиттером, использованы следующие обозначения: Юн вместо. Гая зар И | вместо {[пэле.
В таблицу вошли отечественные типы приборов, сведения о технических характеристиках
которых опубликованы в официальных
22
\

о

=

т

справочных изданиях 1968—1969 тг. Параметры зарубежных приборов взяты из фирменных каталогов и информационно-справочных листов. Кроме того, ‘использовался справочник РАТА за 1968 г.
Сокращения и условные обозначения, принятые в области полупроводниковой и электронной техники США.

Общие обозначения и сокращения:
ВУ — пробивное напряжение;
{ — частота;

Г: — последовательная
п$ — наносекунда

рЕ— пикофарада

(10-3

индуктивность;
сек), миллимикросекунда;

1!(10-1? ф), микромикрофарада;

Гор — рабочая температура;

Та — температура
Гзьа — температура

окружающей среды;
хранения;

Тс — температура корпуса;
Т; —

температура перехода;

[4 — время задержки;
1; —

время

спада;

[ол —

время

включения;

|

о/; —

время выключения;

[› —

время

1. —

время нарастания;

[3 —

время накопления.

Условные
зисторов:

импульса;

обозначения

и сокращения,

упогребляемые

для

тран-

В, 6 — базовый электрод;

С, с — коллекторный электрод;
Е, е — эмиттерный электрод;

ВУсво

или У(свв)сво—пробивное напряжение коллекторы—
база при разомкнутой цепи эмиттера;
ВУсво или У(вв)сво—пробивное напряжение
коллектор —
эмиттер при разомкнутой цепи базы;
ВУскв или У(вв)сен — пробивное напряжение коллектор —
эмиттер при заданном сопротивлении между базой и
эмиттером;
ВУсез или "У(вв)сез — пробивное напряжение коллектор —
эмиттер при коротком замыкании базы и эмиттера;

ВУсех

или И(ввусех — пробивное ‘напряжение коллектор —
эмиттер при заданных условиях;

`

ВУску

или И(вв)сву — пробивное напряжение коллектор—
.эмиттер при запирающем смещении в цепи базы величиной У относительно эмиттера;
ВТвво или Ивв)в
— пробивное
о
напряжение
эмиттер—
база при разомкнутой цепи коллектора;
С+:ь — входная емкость (в схеме с общей базой);
С: — входная емкость '(в схеме с общим эмиттером);
Соь — выходная емкость (в схеме с общей базой);
Сое — выходная емкость (в схеме с общим эмиттером);
[ъ+ь — граничная частота усиления по току на малых сигналах в схеме с общей базой при условии короткого
замыкания на выходе;
Гь/е — граничная частота усиления по току в схеме с общим
эмиттером;
[т — произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания частот (см. отечественные обозначения параметров);
Птв — величина коэффициента усиления
по постоянному
току в схеме с общей базой;
Й;ь — коэффициент усиления по переменному току на малых сигналах при условии короткого замыкания на
выходе

в схеме с общей базой:

С

Пете — величина коэффициента усиления по постоянному току в схеме с общим эмиттером;
Л;— коэффициент усиления по переменному току при ко

ротком замыкании на выходе в схеме с общим
эмиттером;
Ле, Изь — дифференциальная величина входного импеданса при
коротком замыкании на выходе соответственно
мах с общим эмиттером и с общей базой:

в схе-

Пое, Поь — дифференциальная величина полной выходной проводимости при разомкнутой
схеме соответственно
в схемах с общим эмиттером и общей базой;
ге, Йть — коэффициент обратной связи в режиме малого сигнала соответственно
общей базой;

в схемах

с общим

эмиттером

и

Гв — базовый ток (постоянное значение);
[ь — базовый ток (мгновенное значение);
[с — коллекторный ток (постоянное значение);
‹ — коллекторный ток (мгновенное значение);

Ге — эмиттерный ток ‘(постоянное значение);
[е — эмиттерный ток (мгновенное значение);
Гс во — начальный (температурный) ток коллекторного перехода (постоянный ток) при разомкнутой цепи эмиттера;

[сво— сквозной ток коллекторного
той цепи базы;
О

перехода

при разомкну-

[сгв —

Начальный

ток коллекторного

перехода

при заданном

сопротивлении между базой и эмиттером;
ех й ток коллекторного перехода при задан— начальны
[св
ных условиях между базой и эмиттером;
Гс=з — начальный ток коллекторного перехода при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера,
— начальный ток эмиттерного перехода (постоянный)
[ево
при разомкнутой цепи коллектора;
Юь — сопротивление во внешней цепи базы;
Ю‹ — сопротивление во внешней цепи коллектора;
Юк — сопротивление во внешней цепи эмиттера;

гь
гь’Се
ГсЕ(за1)
Уве
Укв

—
—
—
—
—

распределенное сопротивление базы;
постоянная времени цепи обратной связи;
сопротивление насыщения коллектор — эмиттер,
напряжение база — эмиттер (постоянное);
эмиттер — база (постоянное);
напряжение
эмиттер — база

У.ь — напряжение
ное);

е е
— постоянно
Уев
и базы

Укво —
Укс —
Уесг —

Увт
Усв
Усе
У.

—
—
—
—

(мгновенное

напряжение

между

заданном

обратном

при

и эффектав-

выводами

эмиттера

‘напряжении

между

Рыводами коллектора и базы ‘и токе эмиттера, равном ‘нулю, — плавающий потенциал эмиттер — база;
напряжение эмиттер — база (статическое);
напряжение эмиттер — коллектор (постоянное);
постоянное напряжение между выводами эмиттера и
коллектора при заданном обратном напряжении между выводами базы и коллектора и разомкнутой цепи
коллектор — эмиттер;
напряжение смыкания ‘(прокола);
папряжение коллектор — база (постоянное);
напряжение коллектор — эмиттер (постоянное);
и
(эффективное
коллектор — эмиттер
напряжение
мгновенное);

а
— эмиттер;
напряжение насыщения баз
—за!)
Увк(
Уск(зав) — напряжение насыщения коллектор — эмиттер,
Усекв — обратное напряжение коллектор — эмиттер;
0 — тепловое сопротивление;
9; — тепловое сопротивление от перехода к окружающей
среде;
9; д — тепловое сопротивление от перехода к корпусу,
МЕ— коэффициент (фактор) шума;
Рг или Рр — общая мощность рассеяния,
Р. — мощность рассеяния на коллекторе;
Ру —

мощность

выходная;

Р; — входная мощность;
ИРЕ(:пъ)— статический коэффициент усиления при инверсном
включений;
т) — сопротивление между выводами эмиттера и коллекГес(о
тора открытого транзистора в режиме малого сигнала;
Сье — коэффициент усиления по мощности.

Таблица
а

взаимозаменяемых

отечественных

АИ

Об

:

а

Е

бора

те
Ре тах,

прибора

Е,

мет

Се, р-п-р,С|

150

2№35

|Се,п-р-п,С|
Це, р-п-р, С

2№34А
2№ 36

5

[2

во

Го, ма

СЯ

АС

>

40

ыы

100

150

.0,8

40

-

100

50

0,6

295

—

`8

50

реа

ея
рр
_

|

©
ы

04

То же

2№37
2№38

во
оо

Мгц

аа
О

2№34

2№43

Гв21Ь,
| т.м,

50
50

20

—

те
=

20
20

===.
—

8

8
8

Ах

240

|

45

5

300

2М№43А

‚=

240

вЗ

45

5

300

2№44
2№44А

м
ва

240
155

1
|

45
ра

5

300
50

2№45

т

2№45А

Е

155

0,5

155

—

25*

15

50

№59

и

80

1

1,8

5

10

200

2№59А

о

180

1,8

40

10

200

2М59В

т

180

1:8

50

0

200

2№59С

а

180

1,8

60

10

-200

2№60

г

180

1,5

25

10

200

2№60А

а

180

5

40

10

200

2№60В

Е

180

ео

50

10

200

2№60С

г

180

15

60

10

200

2№61

Е

180

1

25

10

2№61А

200

ре

180

|

40

10

200

2№61В

ое

180

1

50

10

200

2№61С

Ре

180

|

60

2№63

10

200

ные

100

0,6

100

02*

0,8

0%

2№4

26

ЕВ

А

45

5

=

10

а
12

10

<

транзисторов

= ий зарубежных

поте №*21Е

(>40) 75
(6в, 1 ма)
( 40) 75
(бе, 1 ма)
(>40) 60
(бв, 1 ма)
1 ма)

30 (6 в, 1 ма)
15 (6 81

Е

ООВ

р

45 (6в,

Тип
корпуса

ГСВО,
мка

(—30) 42

ма) ‹

(1 в, | ма)

(>30) 42

(58, 1 ма)
25 (586, 1 ма)
31 (5 в, 1 ма

(12). 25
(5в, 1 ма)
15 (5 в, 1 ма)
90* (100 ма)

50

ЗО

НЕВЫ
==>»

50

|

Е

Приближенный

отечест-

венный

аналог

текие

МП20А;
МП41А
МПЗЗА;
МПЗ7Б
П27А; [128
127; 127А
127; `П27А

—

—

=.

16 (458)
16
16
8
16 (45 в)

15
15

ЖА.

|

П27; П27А
МП725Б

МП25Б
МП25Б, А
МПА41, А
МПЗ9, Б;
МП40А
МПАОА,
МП20Б;
МП42Б
мМП20Б;
МП42Б
МПГ;
МП42Б

90* (100 ма)

15

90* (160 ма)

15

90* (100 ма)

15

65* (160 ма)

15

65* (160 ма)

15

65* (100 ма)

15

65* (100 ма)

15

45* (100 ма)

15

45* (100 ма)

15

45* (100 ма)

15

мп20Г;

45* (100 ма)

15

мМП20Д;

22 (68, 1 ма)

20

45 (68,

1 ма)

20

МП21Д;
МП42Б
мМП20Б;
МП42Б
МП205Б;
МП42Б
МП21Г;
МПА2Б

МП21Д;
МГ42Б
МП255Б;
МГ42Б
МП20Б;
МП42Б
МПА2Б

МП42Б
МПЗ9; МП41
МПА1

27

П родол жение
х

Обозначение при-

бора

6%

Технологический тип

прибора

Е

оо

-

ы

Е

й

оф

а)

20

16

30

=

2№77
‚ 2№94
2№101

25
20
30

=
а
=

2 104

30

12

95
15.
12

=
=
10

2№5
2№68

2№105
2№106
2107
2№109
№111

Се, р-п-р, С

=

То же

Се, "р-п-р, Д
Се, 0-п-р, С
То же

35

2№111А

12

30

20

30

20

2№128

Це, р-п-р,
ПБ

10

10

№130
2№131
2№132

Се, р-п-р, С
То же

2№133
2№130А

95
95
95
95
30*

12
12
12
12
12

2М131А

30

12

2№132А

100

30

12

2М133А

100

30

19

100

20

к.

150

20

=

60

30

2№135
2№138
2№141

28

>

20 вт

5—8 кгц

6)

ь

‚пФ

7 21Е

я

75 (5 в, 1 ма)

ом

-

“а

т
оу

ан

аа

10

35

—

О\4
:

—

—

—

7424

55 (4в; 0,7 ма)
50 (6бв, 1 ма)
>10,5 (0,5 а)

10
50
—

40
100
—

—
—
—

1 ма)

10

40

ГТ109В, Ж
ТО]
ТО-22
МПЗЗА_
ТО13 | П4А; П4В;
1213
МПЗЭБ;
ТО40

5
12
10
7
—

|
36
40
—<60
Е

15 (0,5 а)

44 (66,

44 (4в;0,7 ма)
45 (1,58; 0,5 ма)
19 (56, 1 ма)
>65* (1 в, 50 ма)
25 (68, 1 ма)
25 (66,

1 ма)

—

| 19 (38; 0,5 ма) | 3 (3 в)

—=

ГТ108Б

—
—
—
Е=95

12

—

=5

—

1 ма)

12

40

В=25

50 (686, 1 ма)
26 (686, [| ма)
|

12
15

40
—

Е—=6
—

45 (6в,

1 ма)

15

—

—

90 (68,

1 ма)

15

—

—

50 (бв,

1 ма)

15

—

-—

20 (58, 1 ма)

5

14

-

44 (1в, 50 ма)

20

—

2 ма

—

24 (68,

50 (6в, 1 ма)
90 (6 в, 1 ма)

95 (28; 0,5 4)|

12
12

40
40

МП41А;
ГТ108В;
МПА42Б
П4В; [213

Е=22
Е=20

ТО-2 | ГТ!09В, Ж
МПЗУБ
О\У4
ОЗ! | ГТ!09А, Б
МП42Б
ТО409
МПА2А;
О\4
МГА4ОА
МПА2А;
ОУ4
МП40А
11422;
ТО24
ГТЗ0эД,-Е;
ГГЗ1оД, Е
ГТ109ЭА
ТО5
ГТ09Б, В
ТО5
ГТ109В; Г
ТО5
ГТ!09Б, В
ТО5
ГТ108А;
О\16
МП42;
МПЗУБ
ОУ16 | ГТ108Б; В;
МПА2А;
МП41А
ОУ16 | ГТ!08В, Г;
ПМ42Б;
МП41А
ОУ16
ГТ108Б,
В; МПА2А;

КОЗ
ТО22

К,=4

ТО13

МПА

ГТ108Б;

мМП40
МП42А;
МП41А
П4БЭ;
14ДЭ; 11213,
П214Б
29

Продолжение

Обозначение при-

бора

2№143

й

в

на

Се, р-п-р, С|
То же

2№ 156

»

я

$1, п-р-п, С

2№160А

А

59

бора

2№155

2№158
2№ 158А.
2№160

5

Технологический тип при-

Е

Е

а

20 вт

То же

60

30

20 вт

1—4 кгц

30

15

20 вт

[4 кгц

30

15

20 вт
20 вт
150

То же

60
80
40

30
30
|

То же

150

40

5

2№175

Се, р-п-р, С

20

10

10

2№180
2№181
2№182

То же

30
30
25

30
3
15

20

Е

>

з

Е

2№185

>

2М№М186

95

5

-2М 186А

05

5

2№187

25

Б

2№187А

05

5

2№188
2№188А

ОБ
95

5
Е

2№1[39

95%

ее

2№190

95%

ь

05%
05%
18

т
ыы
Б

30
12

12
12

12

12

2№191
УМ 192
2№193

2№206
2№267
2№207А
30

7
”

7

Се, п-р-п, С
Се,

р-пП- р, (©

То же

Е
По]

г.

р
.

е»

КО’ |Ст | Аь ом °| корпуса |Зет
РН

Е
10 (68; 0,25 а) | 5 ма

ее

39* (2в; 0,5а) | 1 ма

—

В, =0,65

—-

Ю.==0,75

ТО13

Юн=0,75

ТО13

25* (28;::0,52)|

,

Гма

21* (26; 0,54)
15 (58, 1 ма)

>
\

*:

ый

к.|:

1 ма
10

ТО!3

Е

21* (28; 0,54) | 1 ма

а

Приближен-

об:

ь

1

2—0.
—

7.

15

| ТОЗ

ГПАБЭ;

П4ДЭ;
(203; П213
|1П4БЭ; П213
1|14БЭ; П213
мМП113;

ОУ9

МП113;

П27, А;

10

7

—

65 (48; 0,5 ма)

12

36

Е=6

1Т040

60 (68, [Г ма)
60 (68, 1 ма)
25 (6в, | ма)

10
10
==

25
25
10

—
—
—

КО8
Х41
ВОВ

80 (18, 50 ма)

14

—

=

ТО22

24 (5в, | ма)

16

40

—

ЮО32

24* (1 в, 100 ма)

16

40

=.

ВО32

36 (5в, 1 ма)

16

40

—

КОЗ2

36* (1 в, 100 ма)

16

40

-—

вО32

54 (58, 1 ма)
54* (1 в, 100 ма)

16
16

40
40

—
—

ВО32
вО32

32 (5в, 1 ма)

16

40

—

ко32

42 (58, 1 ма)

16

40

—

вО32

| 67 (58, 1 ма)
90 (58, 1 ма)
7,5 (бв, 1 ма)

16
16
50

40
40
11

—
—
—

вО32
юО32
ТО22
РОЗ?

10

35

—

100 (58, 1 ма)

15

40

Е=15

ТО5

100 (58, 1 ма)

10

40

В

1508

47 (5 в, 1 ма)

П4ЛЭ;

203; 1213

ТО!3
ОУ9

15 (58, [ ма)

|

|1П4АЭ; П213;
112145

МПИЗА

МП!13А

ГТ109и, Ж;
П5А
МП41А
МП41А
МП41А;
ГТ108Б
МПАТА;
МП42Б
МПА42А;
МП20А
МПА42А;
МП20А
МП425Б;
МП20А
МП42Б;
МП20А
МП20А
МПА42Б;
МП20Б
МП20А;
МП?25
МП20А;
МП25
МП20А, Б
МП20Б
МПЗ5;
МПЗ6А
|ГТ108Б, В, Г
ГТ108Г;

МП41А
ГТ108Г;
МП41А
31

ПП родолжён иё
|

з

а
.
ра
прибора
Мгц
22
бозначе

-

Гех

х

Ра21Ь,

|

о

©

о

о

5

[7

ЕЖЕ

И
Ио
2№207В
|Се, р-п-р, С
85
о

|

е

=

в

ке

я

1

Е

5

}

12

ке
12
20

я
х

№215

То же

150

0.7

30

12

50

.

2217

ЕЕ

150

|

25

12

70

|

№293
9№294

ее
Е

950
250

0,6
0,51

18+
95

9№295

:

250

0,51

95

150

2

2№296

-

250

0,4

30

150

Е

2№227

Е

250

0,4

30

150

2№234А

ве

25 вт

х
вер

0,4

30

>

2№290

9№235А
2№235В
2№236А
2№236В
2№237
2№238

2№240

ее.

5 т
т =
=
Я

Се, р-п-р,

ПБ

2№241

20

25 вт
25 вп
95 вт
95 вп
150
150

30

0.85

10

10

а

2

30
50
50
50
45

Е

За
За
За
За
За
20

1,3

20

Ев

150

30**

6

=

100

То же

ь;9

200

25

1,3

ЕР

25

200

5

200

2№255

аа

25 вт

0,4

2№255А

<

2бэвт-|--0,

125

2№256

а

25 вт

2№256А

жа

25 вт

2№263

5 И-р-п, Т

2№264

2№265

2№249

2269

2№272

ее

350

=

95
15

=

‹
}

н
й
`

15

Це, р-п-р,С|

2№241А

|

150
150

0,4
0,4
0,4
0,4
0,5

15
15

Е!

1

200

15

За

15

15

За

0,4

30

30

За

0, 125

30

30

За

125

22.20

45

==

20

-

То же

125

10

45

=

20

53

Се, р-п-р, С

75

1,5

25

—

50

&

То же

120

4

50

ЕЕ

150

0,5

45

Е

9

100

100

Пе,

Тсво,

Се» пФ

Е, 06
ом

Е=5

100 (58,

1 ма)

10

40

44 (68,

1 ма)

10

40

75 (18, 50 ма)
65 (48; 0,5 ма)
110 (4,58; 2 ма)
90*
(0,68; 100 ма)
100*
(0,68; 100 ма)
60*
(0,68; 100 ма)
75*
| (0,68; 100 ма)
—25 (0,5 а)

14
12
7
10

—40* (0,75)
— 60* (0,75 а)|
| 50 (6 в, 1 ма)

1 ма
1 ма
10

ТОТ
ТО1
ТО25
ТО25

==

—

ТО25

=—

—

ТО25

—

г

==

ТО25

—

=

8

20

=
тя
Е
Е.

16 (355; 0,57ма)| 3-5 в) | =6
|
73 (1 в, 100 ма)
73* (18, 100 ма)
50 (1в, 100 ма)
25--160
(0,5 2)

=8.25т(0;5. а)

ТО1

—
6
—
—

—40* (0,5 а) | 1 ма
_—60* (0.57)
| ма

45* (18в, 50 ма)

ТО5

36
—
—

—

о

2

Тип
корпуса

16
16
25
1 ма

=
40

5 ма

==

ОЗ

Кн=0,8
Кн=0,8

ТОЗ
ТОЗ

Е

О22

К -0
Кн==0,33
ры

ПОЗ
ТОЗ
$022

Кн=0,035 | ТО24

о

==
—
==
РЕ:

ЮО32
РОЗ?
ВО117
ТОЗ

—

—

ТОЗ

Приближенный
| ОТечественный
аналог

ГТ108Г;
МП41А
МПАТА;
МГ126Б
МП20А
[28
МП20Б
МП205Б;
МПА42Б
МП20Б;
МПА42Б
МП20Б;
МПА2Б
МП20Б;
МП42Б
ПАБ; Г216В

|П4Д; П216В
|П4Д; П217А

П4Д; 1216А
П4Д; П216А
МП41А;
ПМ40
МП42Б

|

П429;

ГТЗ09Д;
ГТ310Е
МП45Б;
МПА5Б
ГТ4оЗБ,
ПАБ, Д;
П216В

П4Б,

Д;

П216В
25-100

25

(0,5а)|

(ба)

1 ма

—

5 ма

==

45*—150*
(58, 10 ма)
20—55*
(58, 10 ма)
115 (58, [ ма)

50 (45 в)

40 (0,3; 20 ма)
120 (58, 1 ма)
3—92

==

оз

=

ТОЗ

и

жи

ОУ9

50 (45 8)

>

—

16

40

Е=9--15

20
10

20
40

—
ВЕ

Оу
ЮО32
ТО!
ТО5

П4Б,

ДД

#1216, -А, 5
ПАБ, Д;
П216А, В
П307В
П307А
МПЗУБ;
ГТ108Г
МП42Б
МПАТА;
МП42Б
33

‹

Продолжение

Обозначе-

ние прибора

2№273
2№274

Технологиче-

ский тип

прибора _

Се, р-п-р, С

Ре тах,

и

216,

М,
Мгц

о о

те

в. >
9 ©
>>

150

]

20

30

35

Се,

80

2№279

р-п-р, СД
Вер Ире

195

0,3

30*

2№280
2№281

То же
сеть

125.
125

0-3
0,35

30
16

2283
2№284
2М284А
2№291

я
ЕЕ
==
Я

125
125
125
180

0,5
0:35
0,35
—

92
30
30,
25

2№319

НЕ

225

221

25

2№320

мове

225

1,5

25

2№321

он

225

В,

20

2№322

и

225

=

18

2№323

=

225

—1|,65

18

2№331

А

75(300)

0,4

30

2№332

$1, п-р-п, Т

2№333

То же

2№333А
2№334

|531, п-р-п, Д
$1, п-р-п,Т|

150

=1

2

45

500
150

[1
—8.

45
45

То же

150

2

45

2№ 336

-

150

—2

45

—10
—30

45
45

2МЗЗЗА

2№344

ню
125
З1, п-р-п, Д | 125 (500)
То же

500

45.

45

Се, р-п-р,

20

50**

5

ПБ

34

О(вв)
8ЕВО,

45

150

2№335

№337.
‚2№338

с’

#)

-+ р

&$:

8
{1

Е, 96

С, пф

20 (0,25 в;
50 ма)
60 (12 в, 1 ма)

Тип
корпуса

Ки, ом

Е

К=9--15

40 (10 в; 0,5 ма)

30 (2в; 0,5 ма)
47 (20 в, 3 ма)
45 (0,5 в;

—

583—121
(1 в, 20 ма)
—

([ в, 20 ма)

50—121
(1 в, 20 ма)
72 (1 в, 20 ма)

=9(5в, 1 ма)
29 (5в, 1 ма)
30 (5 В: =] ма)

16

50 (45 а)
50 (45 в).

К: —200

МПи1Б;

П307В
КТбо1А
П307В

50 (456) |

Юн=200

63 (5 в, | ма)

50 (45 в)

К.

276 (5в, 1 ма)

50 (45 в)

—45 (586, 10 ма)

3%

(45)

= 3 (5 8)

еХ
—

200

2==90

1

99 (208, 1 ма) |. .50
11—33.
(3 в; 0,5 ма)

о

ЮЕ

50 (45)

—

150

ГА‚=
ее

—0,02 мксек
Ко
3
ИКИ

56

МП11

1 —50

54 (5 в, 1 ма)

—20 (20в, 1 ма)

МПЗУБ
МПЗЭА, Б
МПЗЭА, Б
МП42Б
МП?25Б;
МП20А
МП25Б;
МП2О0А;
МП42Б
МПАЗБ;
МП20А
МП25Б;
МП20А;
МП42Б
МП47Б;
МП20А
МГ 42Б;
МП20А
МПА2А

(1 в, 20 ма)
3
5
(1 в, 20 ма)

30—70
(бв, 1 ма)

Б

414, А;
1401; П492
МПЗУЭА
МПЗ9А
МГБ

[|
|

70* (5,4 в;
10 ма)

отечественный
аналог

МПА42А,

40

30 (28; 0,5 ма)
47 (20 в, 3 ма)

Приближенный

—-

МПИЛЗА;
П307В
МПИЗА;
[1307В
1П307В
1П307В;
КТЗ12Б
[1307В;
КТЗ12В
ГТ310д

35

Продолжение

Обозначе- | Технологиче- | р

рае

71216,

| мт |

ьо

88
в &

5%)

©

|8а | ^”

—

2345 | Се, р-п-р,

20

50**

5

гы

5

2№346

то,ея

20

75**

5

ты

5

2№350

Це, р-п-р, С!

50

—

За

50

а

За

2№351

2№360

То же

|@е, р-п-р, С]

10 вт

{3—6 кц

10 вт

170

2,5

32

6

200 (400)

2№361

То же

170

25)

32

6

200 (400)

2№362

ем

170

2

25

6

100 (200)

2№363

ба

170

1,5

32

6

100 (200)

2№367

р

150

—0,3

30

10

75

2№368
2№369

ое
ей

150
150

—0,4
1,3

30
30

10
10

75
50

2370

|Се, р-п-р,Д|

80

30

20

5

10

2№371

То`же

80

30

20

0,5

10

10

2№372

в:

80

30

20

0,5

2№373

о

80

30

25

БЕТ

2№76

о

10 вт

Ё==6 кей

50

—

34

2№381

т

295

3

50

20

400

2№382

МЕ

255

4

50

20

400

2№383

ие

225

5

50

20

400

2№384

Е

120

100

40

2№393

Се, в

25

50°

2№395

|Ое, р-п-р, С!

150

3

35

0,5

10

6

=

50

30

20

‚ 250

Е, 96
Кн» ом

Тип
корпуса

Приближенный
отечественный
аналог

ГТ310Е
ГТ31од
Юн =0,8

ОВ

3 ма

15 (128)
(18; 50 ма)

15 (128)

1 ма)

15 (128)

50 (68, 1 ма)

15 (128)

90 (68,

|

П4АД; П203;
1214А
ПАД; П203;
[1214Б
МПА2Б;
МП20Б
МП42Б;
МП20А
МПГА9Б;
МП?205Б;
МП41П

МПА9Б;
МП2О0А;

19 (5 в, 1 ма)
49 (5 в, 1 ма)
95 (5 в, 1 ма)

60 (128, 1 ма)
60 (12 в, 1 ма)
60 (12 в, 1 ма)
60 (12 в, 1 ма)

35—120
(28; 0,75 а)
35—65 (20 ма)

Юн =0,8

Е—<8

121

60—95 (20 ма)

75—120 (20 ма)

10

60 (12 в;
1,5 ма)

12

—20 (0,5 в;
50 ма)
20—150
(1 в, 10 ма)

5 (68)

<6

6 (15 в) |<20 (58)

К

ЮВ,
<4

ГТЗ1ОЕ
МП245Б;
МП20А
37

Продолжение
©

Обозначе- | Технологиче- | р

ние прибора

ский тип
прибора
риоор

а

Ги21Б,

т,

>

<

5"о
Гоа

№,
Мгц

©

[2

о О
[>
на

п

[8
2.
а

Го,

>>

©)

30

20

250

2№396

| Се, р-п-р, С]

150

5

2№398

То же

50-

|

105

50

100

2№398 А

т

150

0,8

105

50

200

2№398В

ана

250

1

105

75

200

2№399

ть

35 вт

0,5

35*

40

За

2№400

о.

35 вт

0,4

50

40

За

2№401

ее

35 вт

0,4

35%

40

за

2№402
2№403
2№404

Ве
те
Е.

180
180
150

0,6
0,85
=4

25
25
25

10
10
12

150
200
100

2№405

ве

150

0,65

20

2,5

35

2№406

р

150

0,65

20

2-5

35

2407

о

150

В

об

2,5

70

2№408

-

150

6,5

20

75

70

2№413А

.

150

2,5

30

Ее

200

2№419

ее

35 вт

023

55

—

ЗЕЯ

|

2№422

Се, р-п-р, С

150

0,8

35

12

100.

2№425

То же

170

9.5

30

20

400

2№426

неа

150

—3

30

20

400

2№444

| Це, п-р-п, С!

150

=.

15

10

50

2№444А

То же

>0,5

40

2№445

2№445А
2№456

38

ак

Е
Се, р-й-р,С|

150

10

50

150

—2

150

—2

30

—

10

40

50

20

5а

50 вт

15

10

50

Рот»,
то Е

380—150
(18, 10 ма)
2-90 5ты35 8;
2700 ..55в;

.
ВО

С,

пф

| 6 (208) |<20(58)|
_
|14 (2,56)
—
|14 (2,58)

о. (0,5 в; | 6:(2:55)
5 ма
—20 (0,7 а)
1 ма.

ип
а

я

В; =—<4

ТО5

Кн <= (0

ТО9

—

Ю < 10

ТОБ

==

В,

ТО5

<50

—

= —_ 0

ТОЗ

—>30 (1 а)

2 ма

—=

В — 05

ТОЗ

20 (0,5 а)

| ма

=

Ки = 0,8

ТОЗ

—
=
Ки < 12

ТО5
ТО5
ТО5

25 (9 в, .ма)
15
40
35 (9 в, | ма)
15
40
—30* (0,15 в; | 5 (128) | =<20
12 ма

35 (6 в, 1 ма)

14

40

—

ТО44

35 (6 в, 1 ма)

14

40

—

ТО1

65 (1в, 50 ма)

14

=

—

ТО40

_65 (Тв, 50 ма)

14

—

—

ТО]

30 (6 в)

р

=

—

ТО5

=

Ки= 1,5

ТОЗ

Е

Е

ТО5

9—44 (1,58;
| ма
2 -а)
50 (6 в, 1 ма) | 15 (20 в)

30 (0,25 в)

|

6,5

|4(1,58) |<20 (58) | ВЮ<3

30—60 (0,25 в) |4 (1,58)

|<20 (58) | Юн <3

15 (4,58; 1 ма) | - 25

—

—

—15 (58, 1 ма)

-—

—

35 (4,58; 1 ма)

—35 (5 в; | ма)

—10* (1,58;52)|

4
25

4

2 ма

—

—

Е

—26 мксек

—

Ки =0,2

ТОБ
ТО5
ТО5

Приближенный
СВЕН

МПА42Б;
МП20А
МП2?1Е
МП26Б, А;
МП2?1Е
МП?З6дА, Б;
МП21Е
ПАБ, Д;
П216А
ПАБ, Д;
П216А
ПАБ, Д;
1216А

МП42А
МП42А
МП42А

МПАОА;
МП41
МПАОА;
МПА41
МПАТА;
МПА42Б
МП41А;
МП42Б
МП42А
МП20А
П4А, Б, В;
11216
МПЗУБ;
МП41А
МП42Б

МП20А

МП25Б

МП20А;
МП75Б
МПЗ5;
МПЗ6

ТО5

МПЗ7А,

ТО5

МПЗ8,

А

ТО5

МПЗ8,

А

ТОЗ

П210В

Б

39

П родолжение
и

Обозначе- | Технологиче- | р
и
ский тип
ние прибоприбора

ра

ГА»
Ре М
Мец

©о
А
ы=

©
ы
Е

ВНЕ
Е
Е
И
Е
2№457

Се, р-п-р, С|

50 вт

—

60

20

2№458

То же.

50 вт

=

80

20

2№459

Зи

50 вт

=5 кгц

105

20

5а

2№460

а

225

==. 2

45

10

400

2№464

Е

200

и

45

12

100 (200)

2№465

ри

200

—0,8

45

12

100 (200)

2№466

лее

200

|

35

12

100 (200)

200

—8

15

2

25

200

5

30

р

25

а

200

—8

30

2

25

в

200

—8

45

2

2№473

кр

15

о

2№474

2№474А

24470
ЭММА

| 91, п-р-п,Т|
| - Ло же

2№471А

Ма

®

|

г

2

200

=8

—8

45

т

200

—8

30

о

я

200

—8

30

0

2№475

т.

200

—8

45

2

2№475А
2№476

той
>

200
200

ЕЙ
о

45
15

о
о

2№477

ит.

200

№

30

о)

2№478

в

200

= 90

15

о

2479

я

200

200

30

2

30

о

2№472А

2№479А

а:

г

200

20

| 28

2№480

я

200

—-20

45

2

2№480А

>

200

—8

45

2

40

О
Тип

корпуса

==! и 58

5

(а,56,

# =

2 ма

ф_

=

н

=

но

—=26 мксек

2 ма

аналог

П210Б

02

—26 мксек

2 ма

Приближенный
отечественный

П210Б
2105;
ГТ7О1А
МП25А

р =
—25 мксек

Ка —=0, 5

15

50

=

15 (208)

Я

2—9

МПЗУБ;
МПАо0;
МП40А

—27 (6 в, | ма)

15 (208)

зе

2

—56 (бв, | ма)

15

=.

=

МПАОА;
МПЗЬБ:
МПА42?А
МПА1А;

10—25

0,5 (158)

<8

КЮ; = 300

МПЗ9Б;
МП42А
0307Г

0,5 (308)

<8

В; = 300

П307Г

<=20 | ВЮ, = 300

1307Г

<8

‚1 ма)
в, | Ма)

(68,

1 ма)

(бе,

1 ма)

10—25

0,5 (308)
10—25
(ба, 1 ма)
—6(6 в, 1! ма) 0,5 (45 в)
—6 (5 в, | ма) 0,5 (45 в)
0,5 (158)
(6 а, 1 ма)
0,5 (30 в)
20—50
(68, 1 ма)
—>20 (6в, | Ма)
0,5 (45 в)
20—50
(ба, 1 ма)
35 (6 в, 1 ма) 0,5 (45 8)
0,5 (158)
30—6
(66, 1 ма)
0,5 (306)
30—60
(ба, 1 ма)
0,5 (158).
0—100
(ба, 1 ма)
0,5 (30 8)
40—100
(6 в, 1 ма)
70 (66, 1 ма)

40—100

(6 в,

0,5 (30 в)

<8

Ю„ = 300

П307Г
0307Г
0307Г

—8

К

П307Г

—<20

<20

—20
—=10

300

—

| Ю„=300
м
Юн ==

450

П307Г
1307Г

1307В
П307В
П307В

—<8

К

300

П307В

<8

Вн = 300

1307В

<20

—

П307В
П307В

ма)
в)

—

=<8

0,5(45 в)

70 (6 в,— ма) | 0,5(45

Ю.=300

=

—

П307В

41

Продолжение
И

|

,
Обозначение прибора

›

Технологический тип

=
ИЯ$}

—
кк

прибора

О(вв)
сво
О(вв)
сво*

2№481
2№482
2№499

2№499А

Се, р-п-р, С
То же

Се. р-п-р,
МСД
То

150

О(ВЬ)
8ЕВО;

|5)

150
30

[55
Сэ
—(<=>)

же

30

2№04
2№506
2№508

Се, р-п-р, С
То же

2№519

>

2№535

»э»

2№535А

»

»

2№535В
2№536
2№538

34 вт

2№538А

34 вт

2№539

34 вт

2№539А

34 вт

2№540

34 вт

2№540А
2№541
2№542

34 вт

51, п-р-п, Т
То

же

2№543
2№553
2№554

200
7}

200
Це, р-п-р, С
То
я

же
ео

39

35 вт

Гв=25 кгц

40 вт

[=6 кгц

40 вт

То же

114

Е

|

р

50

|

(66, 1 ма) | 10 (12 8)

ея | ору ее
>

Приближенный

14

—

ТО5

МПА

14

ТО5
ТО!

МП41А
ГТЗТОА

50 (6 в, 1 ма) | 10(12 8)
5
8 (106, 2 ма)

=

—
—

20 (9 в, 1 ма)

5

<2,5

—

10

—<2,5

—-

ТО!

40 (1 в, 10 ма)
99—198
(1 в, 20 ма)
25
(4,58, 1 ма)
100(5 в, 1 ма)

15
7

—.
<—35

—
=

ОУ
ТО5

ГТ309Б
ГТЗ10Е;
ГТЗо9ЭВ
П29
МП20А, Б

Е:

—=

ТО5

МП25

12

40

=

ТО5

100 (58, 1 ма)

12

40

—

ТО5

100(5 8, 1 ма)

2

40

—

ТО5

150*
(18, 30 ма)
20—50*
(2 в; 22а)
—

12

25

—

ТО5

2 ма

—

Кн<0,3

МТЗ6

МПАТА;
ГТ!о8В, Г
МПАТА;
ГТ!о8В, Г
МП4ТА;
ГТ1о8В, Г
МП205Б;
ГТ108Г
|П4Б; П216В;

2 ма

—

Кн<0,3

МТзЗ6б

2 ма

—

Кн=—<0,3

МТЗ6б

|145; П1216В
П217В
|Г14Д; П216В;

2 ма

—

К =—0,3

МТЗ6

|1П4Д; П216В;

45—113*
(28, 2)
—

2 ма

—

К =—0,3

МТЗ6

2 ма

—

_ В, =—0,3

МТЗ6

80—200
(ба, 1 ма)
80—200
(бв, 1 ма)
80—200

0,2 (15 в)|

2,4

К=—900;,

205

0,5 (30 в)| . 2,4

н=300

ТО5

10307В,

Г

Юн=300

ТО5

1307В,

Г

|
16 (1286, 1 ма)

30—75*

2в, 2 а)
Е.

2

20]

11423;

11217В

П217В

П217В
|П4Д; [216В;
1217В
|[14Д; П216В;
П217В
П307В, Г

0,5 (45 в)|

2,4

40—80*

2 ма

Е

03

МП]

ПАД;П

© в, 0,5 ма)
—30*
(2в, 0,5 а)

10 ма

—

Юн=0,8

ТОЗ

П4Д;

(6,

1 ма)
216В

П216В

(2в, 0,5 а)
43

_ Продолжение
}

›
Обозначение прибора

Технологический тип

прибора

Ре ®тах›
м8т

Воть’

т,

м,

Мгц

ЗЕ

С

5)

2М561
2№563

Се, р-п-р, С
То

же

10 вт

>

0,65

80

60

150

0,8

30.

10

2№564

` 150

0,8

30

10

2№565

150

1

30

10

2№566

150

30

10

2№573

200

40

25

30

15

ты

50

32

р

2№88

Че, р-п-р,
МСД

2№591

Се, р-п-р, С

2№602

Це, р-п-р, Д

2№602А

2№ 603
2№604
2№609
2№610
_2№611
2№612
24613
2№614
2№633
2№639
2№639А
2№639В

44

То

же

я

я

Це, р-п-р, С
То

3

же

ы.

20

1

35

|

30

|

30

2

25

10

25

10

25

10

25

10

25

10

20

10

32

6

40*

—

70%

—

80*

—=

ТСВО,

12] е›

а

| Е

корпуса

Е

ре

Пе |

Тип

Е, 96

Ки, ом

пФ

С,

ет

Е

ЕЕ

ао

ое

ист

пииеася

Приближенный

ОТЕСЕТЕЕЕНЫЕ

5 НЕК
ТОЗ

П4Д; П203;

20—50

3 ма

—

Кн=0,2

25 (5 в, 1 ма)

25

30

—

КО!16 | МП25А;

(58, 1 ма)

25

30

ыы

ЗО5

МПЗУБ;
МПА0

55 (5 в, 1 ма)

25

30

—

вО116

МПАГА;
МП25

55 (5 в, | ма)

25

30

—

ТО5

МПА1А;

150

40

40

—

ТО5

—

15

1,5

РАО

ТО!

70 (12 в, 2 ма)

—

=

—

ТО]

1422;
ГТ309Б;
ГТЗ1оД.
БОВ

(2 в, 4 а)

25

(12 в, 2 ма)

214А

МП42А

МП?25
МП205Б;

М1121Д

—20
(1 8; 0,5 ма)
80 (1 в; 0,5 ма)

6

4

—

то

0401; 1416

в

<7

—

ТО9

1401; [416

—30
(Ев; `0,5 ма)
—40

8

3

—

ТО9

402; 1416

ТОЭ
|
ТО5

11402; 11403;
1416Б
МП255;
МП42Б
МП7БА;
МП42Б
МП25А;
МП42Б

8

3

—

(18; 0,5 ма)
90* (160 ма)

25

40

—

65* (100 ма)

25

40

—

ТО5

25

40

-

ТО5

25

49

-—

ТО5

25

40

—

ТО5

—

ТО5

МП40
МП4А1А;
МП42А
мМП3З9; МИ42

45* (100 ма)

25 (9 в, 1 ма)
35978»

1 ма)

4,5
(9 в; 0,5 ма)

60*
(0,5 в; 50 ма)
15—30*
(5 в, За)
в
За)
г в,
"30
6 в, За)

Е

3

6

и

|

МПЗЭБ;

25

—

—

ТО5

МГ42Б

1 ма

=

К„=0,83

ТОЗ

5 ма

—=

Ю.—0,83

ТОЗ

5 ма

=

н—- 055

ТОЗ

ПАД, Б;
12168
П4Д, Б;
1216В
П4Д, Б;
П216В

П родолисение
(}

Обозначе- | Технологичение приский Тип
бора
прибора

О(вр)
сво,
(вв)
сво*

2№640

—|Се, р-п-р, Д

2№641

То же

2№642

а

2№643
2№644

ме
а

2№53
2№654

То

же

о.

2№661

р

2№696

З1, п-р-п, П

2№697

То же

2№705

Се, р-п-р, М
То

2М7ПА

5

МВ

в

же

2№717

$1, п-р-п, П

2№718

То же

2№713А

а

2№720А

).»

2№754
2№755
2№794

2№795

+1

$1, 1-Й-п, Д
То же

Це, р-п-р,

МОЛ:
То же

2№796

ин

2№797

Се, 7-р-п, М

46

0

Це, р-п-р, С

2№655

2№М711

о

С.

О(вв)
8ЕВО,

бу
Ко
Чел,
О
ИА
а
6)

и

74

Е
НИИ
В
НЕЕЕ

мка

С.

пФ

60 (12 в, 1 ма)

5

1,6

| 60 (12 в, 1 ма)

7

1-6

60(12 в, 1 ма)

7

1,6

45 (7 в, 5 ма)
45 (7 в, 5 ма)
30—70
(68, 1 ма)
50—125
(6 а, 1 ма)
100—250
(5 в, 1 ма)
120*
(0,5 в, 50 ма)
20—60*
(10 в, 150 ма)
40—120*
(10 в, 150 ма)

10
10
25

2
я
10

5

10

—25

(0..3 в, 10 ма)
20
(0,5 в, 10 ма)
2
50
(0,5 в, 10 ма)
30—150
(0,56, 10 ма)
20—60*
(10 в, 150 ма)
40—120*

(10 в, 150 ма)
40—120*
(10 в, 150 ма)

70

(10 в, 5 ма)

—20 (108, 5 ма)
—30*
(0,3 в, 10 ма)

—50*
(0,3 в, 10 ма)
—50*

(0,3°в, 10 ма)
—40*

(0,25 в, 10 ма)

6

10

5

2

100

Тип

Е, 96

Гсво,

|<35(108)

корпуса

Ри, ом

Приближенный
отечественный
аналог

1402; 1416А;
1422
0402; 1416А;
1429
0402; П416А;
1429
[1416
1416А
МП20А;
МП42А
МП20д;
МП42А
МП20д;
МГ49Б
ГТ321В, Е

=—_

Ю,=<10

КТ602А

100
|<35(108)
(60 8)
3(58) | 5(10 8)

Кн=10

кТ602Б

Кн=—<30

ГТ308Б

3(5 8) | 5(10 8)

Кн=<50

ГТ308Б

(60 8)

1,5(5 8)

6

30

ГТ308Б

1,5 (5 8)

6

Ан

ГТ308Б

=<100
(60 в)
<100
(60 в)
<100

(75 в)
—<100
(120 в)

1
3

<35

(10 8)
—35
(108)
<25
(108)
—<15
(10 в)
—10
—10
—12

3

=

3

<—12

1 (108) | <4(5 8)

25

КО

КТ60?А

К,<10

КТ602Б

Ю,—10

КТ60эБ

К, —<30

кт602Б
0307В, Г
1307—1309

Кн=—<30

1416А

—-

ВЮН=|

416;

ГТ308А
1416А

4

ГТЗИИ

47.

. Продолжение
0}

Обозначе- | Технологиче- | р
ние приский тип
а
бора
прибора
мет

ить,
рееАд,
Мгц

ее)
ме
=

п

2№ 39
2№840
2№842
2№870
2№910
2№911
2м912
2№923

51, и-р-п, П|
То же
ое
р ЕЕ
и
Ме
$1, р-й-р, С

а
со
вы

я
а
[2

=
—
Ее

300

0.

300
300
500

00%
ООВ
—50*

45
45
100

2
р
7

—=60*

100

Я

—=50*

100

7

—40

100

И

150

—0,3

40

40

(1,8 вт)
500

(1,8 вт)
500

(1,8 вт)
500

(1,8 в")

45

2

2№924

То же

150

0,85

40

40

2№925

ты

150

0,8

50

50

2№926

ое

150

0,8

50

50

150

0,8

70

70

2№927

г.

2№928

ри

150

0,8

70

70

2№990

Се, р-п-р,

67

—44*

20

1

СД
2№991

То же

67

—44*

20

1

2№992

ны

67

—44*

20

1

2№993

Це, р-п-р, М

67

44 *

20

2№1011

Се, р-п-р, С|

45 вт

[8—5 кгц

80

40

2№1067

|5$1, п-р-п, Д|]

Бат

1,5

60

12

2№1068

То же

10 вт

о

60

10

2№1120

Це, р-п-р, С!

90 ат

[33 кгц

80

40

9
2№1150

'брныр:й, Т
То же

150
150

12
5.

45
45

48

Е

сл
сс
=>

ВЫ

оО

ВЕС

Пое,

ВО

ЕЕ

ВН

ИП

а

д. 0

ен

РЕ

СЗО

Приближенный
НЫЕ
Отое

1
1
1
100
(100 в)
100
100 в
100
(100 в)
<100
(100 8)
0,025

<15
—15
6
<15

—
—
—
Кн=<30

ТО18
ТО18
ТО18
ТО18

|ПЗОТА, Б, В
|П3З07А, Б, В
|ПЗ07ТА, Б, В
КТ602Б

<15

Юн=<40

ТО18

КТ602Б, Г

<15

Кн=—<40

ТО18

КТ602Б, Г

ЛЬ

Кн<40

ТО18

КТ602А, В

<20

Ю,<100

ТО18

МП115

0,025

<<20

Кн<100

ТО18

мп116

0,025

=<20

Юн<100

ТО18

МПИ4;

20—55
(68, 1 ма)
8—22

0,025

<20

К=<100

ТО18

0,025

=<20

Юн=—<100

ТО18

МП114;
МПИ15
мМПи4;

18—50
(бв, 1 ма)
—40 (6в, 1 ма)

0,025

<20

Ю=—<100

ТО18

МП115

—<4

ТО72

ГТ322В;
ГТзоЭВ,

—<4

ТО72

Т072

ГТ322Д;
1416;
ГТ3З09В

—20 (58, 1 ма)
—40 (58, 1 ма)
>20 (5в, 1 ма).
490—120
(10в, 150 ма)|
—80 (58, 5 ма)

490—100
(586, 5 ма)
20—50
(5 в, 5 ма)
12—
(6 в, 1 ма)

24—70
(бе, 1 ма)
10—24
| ма)

(бъ,

(6 в, 1 ма)

|

пФ

С,

"СВО

р

ОЕ

т

ЗВ

ЧН ВЕНЕ

РАНЕ

8

|

—40 (6в, 1 ма)

в

—40 (68, 1 ма)

8

—4

—40 (68, | ма)

8

= 3

Е=<8 06

30—75*

20 ма

—

=

15—75*

0,5 ма

—

15—75

0,5 ма

15 ма

(2 в, За)

(48; 0,2 а)
(4 в; 0,75 а)
—50

:

(2в, 104)
13(5 в, 1 ма) | 50(45 в)
24(58в, 1 ма) | 50 (45 в)
4—92

МП!15

МПИ

1429;

ТОЗ

ГТЗ09А;
ГТ322В
1422;
ГТЗ09Б, 5;
ГТ322
П210Б

Юн=10

ТО8

П701А

=—

Вн=2,7

ТО8

--

0!

ТО41

н==200
Ю„=200

ОУ9
О\9

7
7

05

ТО72

П7ОТА;

КТ8О1А,

Б

12105;

ГТ701А
П307В
П307В
49

- Продолжение
#8

Обозначение прибо-

Технологический тип

прибора

ра

И(вв)
СВО
Ч8(вю)
СЕО*,

2№1151
2№1152
2№1153
2№1191

Се," р-п-р, ©

2№1192

То же

И(вв)
8ЕВО,

51, И-р-п, Т
То

же

2№1265
2№1300
- 2М№1303

2№1335
2№1336

Че, р-п-р, М
Це, р-п-р,

—

С

56)

$1, п-р-п, П
То же

21337
2№1338
21339
2№1340

21341

$1, п-р-п, П|.
То
Е:

же
Р]

21342

800

21384
2№1390
2№1479

$, П-р-п, П
51, п-р-п, М

300
5 вт

2№1480

То же

5 вт

Се, р-п-р, Д

240

21481

5 вт

_ 21482

5 вт

2№1483

25 вт

2№1484

25 вт

2№1515

83

50.

ОЗ
СА
КО
СО,
оны
ИЯ

-—
К
>

39(5в,
49(5в,
75(5в,
20—80

Тип

Е, 06

я

сво;

по] е,

1 ма) | 50 (458)
1 ма) | 50 (458)
1 ма) | 50 (458)
15
(10 ма)

7
7
7
20

2009
Ю,=200
[= —200
—

О\9
ОУ9
ОУ9
ТО5

(10 ма)

15

20

—

ТО5

—50 (68, 1 ма)
50 (0,38, 10 ма)

10

25

—

3

—

—|

ТО5
|
ТО5

‘290 (18, 10 ма)|

6 (258)

40—135

20 (58)

В: = 20

ТО5

|
1

о
10

—
—

ТО5
ТО5

—10*

1

3

(108, 30 ма)
—10*
(106, 30 ма)

10

10

—10*

|

8

—10*

1

—10*(10в, 30 ма)
—10*
(40 30 ма)

(108, 30 ма)

(108, 30 ма)
—10*
(108, 30 ма)
—10*
(108, 30 ма)
50* (20в, 200 ма)!

—00*
(48; 0,2 а)

аа
(4в, 0,2 а)

385—100
(4в, 0,2 а)

385—100
(4в, 0,2 а)
20—60

(4в, 0,75 а)
0=60*
(4в, 0,75 а)
100 (68, 1 ма)

4*

|

|

1307В
11307В
1307В
МПАЗА;
МП2ОА
МПА2Б;
МП20А
МП42Б;
МП41А
МПА42Б;
МП41А
МП255Б;

МПГ
КТ602А, Б
КТ602А,Б

ТОБ

| КТбОЗА,Б

ТО5

КТ6о2В,Г

—=

ТО5

| КТбО?А,Б

3

=

ТО5 | КТбО2А,Б

]

е

-—

ТО5

КТ602А,Б

10

о

—

ТО5

—

ТО

КТ602А,Б
|
ГТЗ21Г

=

ТО5

КТ801А
КТ801Б

нЕ
_—

-

50

—

0,01 ма

—

0,01 ма

—

ЕЕ

ТО5

0,01 ма

—

Кн==7

ТО5

КТ801А

0,01 ма

—

в

ТО5

КТ801Б

=

ТО8

[1702

0,8

—15 (58, 10 ма)|

Приближенный

корпуса, | бет

Ки» ом

мка

10] Е

7

Оби

ТО5

--

10307В

0,015 ла]

—

Ю-=3,5

ТОВ

0702

13

—

—

ТО7

|1402; 1463;
14145

|

|

|

51

Продолжение

Обозначе- | Технологиче- | р
ние прибоский тип
с тах’
ра
прибора
мат

216,
“ть ТМ,
Мгц

О(вв)
сво,
СЕО*,
О(ВВ)
8

2№1516

Се, р-п-р,

2№1517
2№1586

70-

СД

То

же

51, п-р-п, Т

2№1587

То

150
150

же

2№1613

$1, 1-р-п, П|800 (3 вт)

2№1647

$, п-р-п, М

_ 2М№М1649
2№1674

51, П-р-п, Д

20 вт
200

2№1683

Се, р-п-р, М

150

2№1704

Э1, п-р-п, Д

2№1714

$1, п-р-п, М

То

2№1715

То

2№1718

я

20 вт

же

же
”

2№1719
2№1749
2№1768
2№1769
2№1837

2№1837А

Се, р-п-р,
МСД

51, И-р-п, Д!
То
$1 Й

То

40 вт.

же

п-р-п,

же

40 вт

П

1,25

600

—140*

800

—140+*

2№1889

_ |800 (3 вт)

2№1893

800 (3 вт)

—-90*

2№2049

800

—50*

2№2092

52

00

75

О8(вв)
ЕВО,

10

пе,

Гсво,

"Е

я

РИ

Е, 06

ты

Тип

Ки» он

корпуса

Приближенный
отечественный
аналог

——_.

67 (6в, 1 ма)

13

3

—

67 (68, 1 ма)

13

6

—=

Юн=300
<30
1 (156)
9—27
(58, 1 ма)
|
В. —300
=<30
1 (308)
т.
(5в, 1 ма)
35 (108, ИЕ ма)|0,01 (608) |=25(10 в)| Кн=10
15—45*

(108, 0, 5.а)
30—90*

‚ (108, 0,5 а)
50 (5в, 1 ма)
85*
(0,5в, 40 ма)
5
(5в, 1 ма)
20—60*
(58, 0,27 а)
20—60
(бв, 0,2 а)
20—60*

10702

0,1 ма

—

5

МТ

0,1 ма

—

А

МТ11

П702А

ТО5
ТО5

П307Б,В
1416А

МТ13

КТ601 А
П701А
П701А
П701А
П701А
ГТ322А ,Б,В
1702

0,5
3

01
—
—
—

(5в, 0,2 а)

20—60*
—
(5в, 0,2 а)
а
10
(бв, 1 ма)
35—100*
15
(4в, 0,75 а)
35—100*
15
(4в, 0,75 а)
—40*
0,5
(10,
> 150 ма)
40%
0:5
(108. 150 ма)
—40*
—100
(108, 150 а) | (100 в)
—=40*
—<100
(108, 150 ма) | (120 в)

—75
(58, 1 ма)
150 (68, 1 ма)

ТО5

1402; П403;
1414А
11402; Г403;
11414А
МП111;
МПИТА
МП!115;
МП
КТ6о2Б

<100
(75 в)
8

==
—

<20
о

—

15
=<50
(108)
=<50
(108)
<50
(108)

=—50
(108)
2,5

В

-=№

10
В=19
|

н==10
—

МТ13
ОЭ

==

В. =1

МТ

—

и

МТ5

<18

ао

ТО5

—18

К

ТО5

15

Кь<30

ТО5

15

Ю„=<30

ТО5

25

—

ТО5

—

ТО7

0702
кт6оэБ,Г
КТ6оэБ,Г
КТ602Б
КГ602Б
кТ6оэг
0422; П416Б

Продолжение
ИИ

Обозначение прибо-

ра

ТехнологичесКИЙ ТИП

прибора

8(ВК)
ЕВО,

О(вв)
сво,
Ч8(ВВ)
СЕО*,
25А12

Це, р-п-р, С

254.28

Се, р*п-р,

25А29
25АЗ31
25А33

и

Д

То же

'Ае, р-п-р, С
То

же

254.41

25А42
25А57
25458
`25А60
25А66
25469

Че р-п-р, Д

25$А70

То же

То

же

—

Че, р-п-р,
СД

сл
Сл
лек

2$А71[
25А72

Це, р-п-р, Д

25А73

То же

|<)
=
=
(©)
(РАЦ)
<=>)

25А75
25А76

бл
сл
сл
сл
|
Сл

25477
25492
25493
25А111
25А 112
25А116

М!
С
<>
Че»

25А 117

о
И

25А118

|

25А121
25А 122
54

Це, р-п-р, Т
То же

|

теК,
19]

С»8 пФ

25—100
(бв, 1 ма)
—20 (68, | ма)

6 (128)

33

8

6

—

ТО44

—20 (68, 1 ма)

8

6

—

ТО44

50 (68, 1 ма)

10

10

—

ТО]

МП41А

[2
13

—
ТОО

055
—

ГТ108В
МПЗУБ

13

РЕ

—

МПЗУБ

ГТзо9Б, Г
ГТЗ09Б, Г
ГТзоэБ, Г
1402; П414
1402; 1403;
П414Б
0402; [1403;
П414Б
11403;
П415А, Б
ГТЗОЭД, Е;
ГТ322Б
ГТЗоЭД, Е;
ГТ322А
1416Б
П416Б;
ГТ322Б
1422;
ГТЗоЭБ

65 (68, 1 ма) |5 (208)
20—80
6 (128)
(68, | ма)
6 (128)
20—80
(бв, 1 ма)

80
80
70
75
150

(9в,
(98,
(6в,
(бв,
(68,

1
1
1
1

ма) |
ма) |
ма) |
ма) |
1 ма)

ит
корпуса

ТО

ЗЫ

отечественный
ана ЛОР

МПАТА;
ГТ108Б
МП416Б;
ГТ309д
МП416В;
ГТ309д

(188) | 3,5 (6 в)
(188) | 3,5 (6 8)
(188) | 3,5 (6 в)
(128)
р
$3
4

—
——
—
—

ТО44
ТО44
ТО44
ТО1
ТО7

150 (68, 1 ма)

13

3,5

—

ТО7

150 (68, 1 ма)

13

р

—

ТО7

40 (68, 1 ма) | 12 (188) | 3,5 (6 в)

==

ТО44

20 (68, 1 ма) | 12 (188) | 3,5 (6 в)

=

—-

70 (3в, 20 ма)
70 (68, 1 ма)

8
12

12

—
—-

ТО44
ТО44

70 (68, 1 ма)

12

12

—

ТО44

==

Т044

50 (4,58, 1 ма) | 10 (188) | 3,5 (6 8)
40 (9в, | ма)
20
5%

—
=

ТО44
ТО44

То же
1414

45 (9в, | ма)
1,5
(12в, 12 ма)

70 (4,5в, 1 ма)|

10
10
10
10

оС ом
Кр,

Приближенный

мка

10 (188) | 3,5 (6 в)

_

|П422; ГТЗ22;
ГТЗоэЕ

20
10

Е, 7
2

—
—

ТО44
ТО44

1414
ГТ309Б

10

2

—

ТО44

ГТЗ09Б

во
(12в, 12 ма)
24 (68, |1 ма)

10

2

—

ТО44

ГТ309Б

8

1,3

—

ЮО14

ГТЗ1од,

В

24 (6в, | ма)

8

1,3

—

ЮО 14

ГТД,

В

(12в,

12 ма)

55

- Продолжение
#4

Об

- | Технологиче-

ние прябо-

ский тип ие И:

1216,

ее

О(вв)
сво,
ОСЕО*
(вр)
25А124
25А 125

|Це, р-п-р, Т
То же

15
в

120
120

25А175

Це, р-п-р, Д

ээ

85

25А182

Це, р-п-р, С

100

6

254208

То же

120

3

254214.
25А215

Се, р-п-р, Д
То же

25А216
254219

15
15

140
120

а
ой

15
70

120
50

25А220

ЕЕ

254251.

Е

25А225

Ви

254223

70

Вет

70.

2$А224

Е.

70
ео

50
50

80

ыы Е
о

254229

50
50
50

ла

100
95
80

129)

400*

25А230
254233

Е.
|Це, р-п-р, М

254.234

То же

25А235
25$А246 |

80

ит
ма

120

80
100

И)
155

25А267
254268
25А969

25А970

ее

|Це, р-п-р, Д

55

80

80

40
30

в

80

50

25А271

и

80

30

254272

мы

80

254282

|Се, р-п-р, С]

56

его
а)
(саь
Кат
©
> <-> Сл
дел
Сл
глее
ол
д
сл

60

80

150

С“
<С
``
о
ьР

50

м

СД

>>
—
—
—

400*
90

То же

25А279 | Се, р-п-р, | 120

Сл
бл
сл
дел

50

254225
25А226
25А227

254256

12

50

50

75
80

О(ВР)
ЕВО}

сл
сл
сл
сл

20

80
3,8

Фон
чо
ее
©©дл
мл
-

— [59

Тип
корпуса

50*
(1,5; 30 ма)

МП?25Б

И»

ма)
ма)
ма)
ма)
ма)

15 (158)

150 (68, 1 ма)

15 (15 8)|

80 (68, 1 ма)

15 (158).

100 (68, | ма)

15 (158)
15 (158)
12

100 (6в,
80 (6,

1 ма)

1 ма)

|

э

ГТЗО8В;
[1415Б
ГТЗо2Б, ВЕ
1401; Г1402;
[1414А
`
То же

10
10 (128)
10 (128)
10 (126)
10
10

—30
(0,58, 100 ма)

я

ГТ313А
ГТЗ13А
Г1416А, В;
ГТзо9эд, Е
То же

30 (20 8)
30 (20 8)
30 (30 в)

100 (4в, 10 ма)

.

ГТЗ10В, А
ГТЗ10В, А
ГТЗ1оВ,- А:
СТБ: В
ГТЗо9Г, Е;
ГЕЗ2ЭБ. «В
ГТ3З09Г, Е;
[ЖОБ -@
ГТ322Б
Г13225. В
ЕТЗ2ЭЬ:
ГТЗо9г
То же

12
12
12
10 (128)
10 (128)
30 (20 в)

45 (68, 1 ма)

отечественный
аналог

В
Е
вто
Е
11422:
13225;
ГТЗо9Е, Г
МПА2Б

24 (6в, 1 ма)
32 (6в, 1 ма)
80 (98, 1 ма)

(0,38; 200
25 (68, 1
40 (68, 1
40 (6в, 1
70 (68, |

Приближенный

10
6

Э
3,5

7 (12 8)

10 (68)

——->
—->

Е

Г1414А, Б;
0402
ПЛА
?Б:
11401
То же
11415Б;
Г14!4Б
МП2ОА;
МП42Б

57

П родолжение

Обозначе- | Технологичен ие прибоский тип

ра

прибора

р

с тах,

т

‚А

О‘

1216,
ГМ

Мгц

| (Це, р-п-р,

530

80
$0

550
590

Це, р-п-р,

25А312

| Се, р-п-р,

Г, ма

5.

20

0.3

10

0:5:
0,5

10
10

3

То же
Е

25А304

5

о

80

м

254289
25А290

[а]
ы

Е=

Г
254288

С

ам
а

65

С

20
5:00

4,5

150

18

12

40

40

2

200

40

18

0,5

20

40

18

0,5

20

25

Д

с

2$А313

То же

60

25А314

лы

60

254315

Е.

60

55

18

0,5

20

25А316

ет

60

ПЭ

18

0,5

20

25А321

ет

о

50

20

р

15

25$А322
25А323
25А324
254331

ны
ее
а
ея

70
70
70
70

50
50
50
50

20
20
20
20

РЭ
1,5
5
5

15
15
15
15

25А345

| (Це, р-п-р,
М

_

60

250*

20

0,5

10

25$А346

То же

60

250

20

0,5

10

25$А347

25.

60

250*

20

0,5

10

2$А348

а

60

200*

20

0,5

10

50

20

0,5

10

35.
40
35

20
20
25

0,5
0:5
0,5

10
10
10

25
25

0.5
1

10
10

254350 | Се, ри:р, | 80
Д

25$А351
25$А352
25А353-

То же
Е
о

80
80
80

25А354
2$А355

сы
а

80
80

254412

| Це, р-п-р,

254416

| Се, р-п-р, | 6 вт

М

150

СУДЕ

25А420

58

Се, р-п-р,
М

50

оо
- 40

60*

_

13

|

100

90*

70

65

700

500*

20

0,5

5

поте,

10| Е

1

сво

5

20 (66, 3 ма) | 30 (208)

Се

Е,

пФ

ИП

К, о

0,9

а

—

20 (66, 3 ма) | 30 (208)
0,8
==
20 (66, 30 ма) | 30 (208)
0,8
—
—220
4 (12 в) | 11 (68)
—(6 в, 1 ма)
30—150*
92 8)"
3 (66) | А 2,5
(1 в,

Приближенный

аа

==

ГТЗ1ЗА
‚Б

-—
—
ТО5

ГТЗ1ЗА
‚Б
ГТЗ1ЗА‚Б
ГТ108Г

ТО5

ГТ3205Б;

200 ма)

ГТЗ2ТЬ

22—200
(6 в, 1 ма)

6 (128) | 3,5 (68)
|

—

ТО5

1422;
ГТ3225Б;
П416Б

22—200

6 (128) | 4,5 (68)

ри

ТО5

То же

б (128) | 4,5 (68)

—

ТО5

а

6 (128) | 4,5 (68)

—

ТО5

5.

(бв, 1 ма)
22—200
(ба, | ма)
22—200
(6 в, 1 ма)

70 (6 в, 1 ма) | 15 (158)

3,5

Г —=30.

ТО44

213228:

70 (6 в, 1 ма) | 15 (158)

3,5

г, =40 ом | ТО44

ГТЗ09Е
То же

120 (6 в, 1 ма) | 15
(158)
70 (6в, 1 ма) | 15 (158)

3,5
3,5

гы =50
гь =40

ом
ом

ТО44
ТО44

Е
=

100 (66, 1 ма) | 15 (158)
30 (6 в, 3 ма)
30

3,5
о

ТО44
ТО17

=
ГТЗ1ЗА

30 (68, 3 ма)

30

2

ТО17

ГТ313А

|
Ч 30 (бь, 3 ма)

30

1,2

гь =50 ом
я
(100 Мги)
С.—
(100 Мгц)
Ср=21
(100 Мгц)
@,—=15
(100 Мгц)
=:

ТО17

ГТ3З13А

ТО17

ГТЗ1ЗА

159

ГТ322Е.Е}
П416Б
То же
а
ГТ322Е:В;
П416Б

10 (6, 3 ма)

30

в

90 (Эв, 1 ма) | 10 (128)

2.5

70 (9в, 1 ма) | 10 (128)
75 (Эв, 1 ма) | 190 (128)
70 (9в, 1 ма) | 10 (128)

9.5
2.5
2,5

70 (Эв, 1 ма) | 10 (128)
90 (Эв, 1 ма) | 10 (128)
30* (0,5 в,
20 (138)
30 ма)
40—100*
600

5
2.9

12

—

(10 в, 0,6 а)

25 (12в, 2 ма) | 19 (128)

_|

ОМ

—
—
—
1, =0,06
мксек
2—0:

|

ТОТ
ТО]
ТО]
ТО1
ТО1

ТО1

ТОЗ

мксек

1,5

Е=5,5
(200 Мгц)

То же
Е

П416А,
ГТЗО8А
П602И;
1602АИ;

ТО!7

П605А
ГТ313Б

_59

Продолжение

Обозначение прибо-

ра

Технологический

тип

прибора

СЕО*,
О(вю)
8
сво,
О(вь)
25А427

Се, р-п-р,

25А428
25А434

То же
Се, р-п-р,
М

25А435
25А436
25А437
25А440
25А460
25А461
25А462
25А476

То

45

15

С

же

Се, р-п-р,
М
То

ЕВО,
(ВВ)
8

<=
(©)
(<>)
(2
=

же

Се, р-п-р,

(>) Сл
<>)
(<>)
&5)
сл
ле
5
дб
сл

25А506
25А507
25В16А
25817А
25В18А
25823
25824
25В26А

сл
|
с

20 вт

25832

150

25833

150

25837
25839

150
50

25843

150

25ВАЗА

25844
25848
25В50

60

Е

и

Е

ИН

пос

"сво

п *о т.

р

Приближенный

ВНЕ

р дли ое А бери

60 (6 в, 1 ма)

15

<5

—

ТО44

80 (68, 1 ма)
10 (66, 3 ма)

15
30

=<5
1,4

—
==

ТО44
ТО7

1402;
П1414А,Б
То же
ГТ31ЗА

—
—
—
по
—40 нсек
—
=
—.
—

ТО18
ТО18
ТО18
ТО18

ГТ313А
ГТЗ1ЗА
ГТЗ1ЗА
ГТ313Б

ТО
ТО17
Тот
то

ГТ313Б
ГТЗ13Б
ГТЗ13Б
ГТ322Б

10
10
10
80

(66,
(68,
(бе,
(686,

3
3
3
2

ма)
ма)
ма)
ма)

30
30
30
|20 (208)

1,4
2
12
р

30
10
30
70

(66,
(66,
(6 в,
(68,

3
3
3
1

ма)
ма)
ма)
ма)

30
30
10
12

0,9
1
0,8
7

10

2

—

в103

ГТ31ЗА

10
—
50* (286, 50 ма) | 20 (5 в)

2
—

—
=

в103
ЮО57

ГТ31ЗА
ГТ40ЗБ,В

50* (28, 50 ма) | 20 (5 в)
50* (2в, 50 ма) | 20 (5 8)
10
—

—
—
—

-—
—

ВО57
ЮО57
ТО1

То же
шее
ГТ109В; П5

—

То же

—

—

во69

34—115*
(1,5 в, Га)
40 (68, 1 ма)

160 `
(12 в)
14

—

—

ТОЗ

ПАД; П214АБ

==

=

ТО1

80 (68, 1 ма)

14

—

—

ТО1

80 (6в, 1 ма)
65 (48, о ‚5 ма)

14
10

45.
40

—
Е=8

ТО!
ТО!

10 (12 в) | 35 (68)

—

ТО!

МП21Д;
МП41А
МП20Б;
МП41А
То же
П2т,А;
ГТ109жЖ
МП41А

10(128) | 35 (68)

—

ТО]

|
10 (128) | 30 (68)

Е—®

ТО!

—

{38

А, о

ая И АИ еее

Е

}

п

Се

40—110*
(1 в, 50 ма)
40—110*
(18, 50 ма)
45—115
(бе, 1 ма)
21—62
(1 в, 20 ма)
130*
(1 в, 20 ма)

10

16

25

А — 15

ТО5

16

25

Е=12

ТО5

МПА7Б;
МПАА;
`’МПА40А
ГТ108Б
МП42А
МПЗ5Б;
МПА1А;
МП42Б;
МП20Б

61

П родолж.ение

Обозначе-

ние прибора

‚6

8

®)

[а
[68

уе)
и]

Технологический тип
прибора

<х

е)

[29

[7

ы

ы

О(вв)
сво
5
25854
25857

Се, р-п-р,
С

{@.2)|)

30

12

30

10

30

10

20

5

2

20
30
60

в
12
12

з

ор

12

30

12

То

же

25859
25860
2$В6ОА
25861
25862
25863

5

>

р
э

25866
25867
25867 А
25873

25875
25$875А
25877

=

55

12

60
10

30
10

25

12

45

12

25

12

150

45

12

25881

5 вт

80

12

25882

5 вт

100

12

25890
25894

40
150

18

=:

25

12

25897
258101

40
125

18
30

12
10

258107

10 вт

30

10

60

10

25
2
25
40

10
10
10
12

25$В77А

25В107А
258110
258111
258112
258131

62

эзъзчзз
зэзз

$-1—

ы5—ыЫы—ы—

дд

—————щы—ыы=—

————————————б——————————ы—Ш—до—__до——д—————д————_—_——
д

12 [е›

1018

80—300
(ба, 1 ма)
65- (6 в, 1 ма)

СВО,

мка

С,

пф

14 (308) | 35 (68)

Е, 06

Тин

Юн» ом

корпуса

—

ТО!

Приближенныйа

на

70 (68, 1 ма) | 14 (128)

—

70*(18,
50 ма) | 14
85 (68, | ма)
30—125*
| 70
(1 в, 500 ма)
30—125*
70
(186, 500 ма)
50—100
14
(бв, 1 ма)
45 (68, 1 ма) | 10
45 (68, 1 ма) | 10
80 (4в, 0,5 ма) | 7
55 (68, | ма) | 14

(128)
10
(128)

—
40
—

—
—
—

ТО!
ТО |
мМр!0

МП425;
ГТ109Г
МП42Б;
МПА1А
МПА5Б;
МПА1А
РЕОЭЕ:
МП41А
То же
Е
ГТ403Б

(128)

—

—

Мр10

ГТ403Б

(308)

32

Е<20

(308)
(308)
(128)
(308)

45
45
==
50

Е=<20
Е<20
95
Е=15

ТО!
ТО!
ТО1
ТО!

55 (66, 1 ма) | 25 (45 в)

50

Е=<20

ТО!

—60* (1,5 в, | 14 (258)
50 ма)
—60* (1,5 в, | 25 (458)

—

—

ТО!

—

—

ТО!

‚МИЗУЭБ;
ГТ108В
МП25Б
МП25Б _
128
МПЗУБ;
МПА2Б
МПЗЭБ;
МПА2Б
МП20А;
МПА2Б
МП20А;

—

[,=3 мксек

=

ГТ403И

—

14=3 мксек

==

ГТ403И

Е=10
—

—=
ГО!

ГТ109И
МПА42Б;
МП20А
128
‚ МПЗЭБ;
МПА1А
1203

70* (186, 50 ма)

50 ма)

15

—

15

—

30—120*
50 (508)
(2 в, 100 ма)
20—120*
35 (508)
(2 в, 100 ма)
150 (68, 1 ма) | 14 (188) |
45—125*
14 (258) | 35
(Тв, 50 ма)
70 (6в, 1 ма) | 14 (308)
40—80
30 (108)
(6 в, 1 ма)
20—120*
500 (60 в)
(2 в, 100 ма)
20—120*
500 (60 в)
(2 в, 100 ма)
30 {6в, 1 ма)
10
45 (68, 1 ма)
10
| 60 (66, 1 ма)
10
ож, 9-6
5 ма
0,7 а)
(40 в)

12
(6 в)
12
—

ЮО55
Кн—20

ТО!
ТО!

Е=7
Е—=8 (Ш кгц)

|

ТО!

—
ТО2

—

МП42Б

—

Ю1=0,35

ГОЗ

—

В. —0.35

ТОЗ

1203

15
15
15
—

—
—
—
—

ТО!
ТО!
ТО!
ТОЗ

ГТ108А,Б
‚ ГТ108А,Б
ГТ108А,Б
П201А
65

П родолжение

_ Обозначение прибора

‘Технологиче-

ский тип
прибора

Ре тах,
мзт

Риэть,
РТ

УС

Мгц

О(вв)
сво,
О(вк)
СЕО*,
8
258132
258134

258135
258136
25В136А

Це, р-п-р,
С
То

же

Э

я

э

я

11 вт

=5 Кгц

100

0,8

100
150

0,8

150

258137

30 вт

258138

30 вт

258138А

30 вт

258138В

30 вт

258168

159

258180

5,5 61

258181

5,5 вт

258185.
258186

200
200

258187

200

258188
258189

258200
258200А
258217
258216
258228

258229
258230
258231
64

60

1

ве,

пиппвиппипиипипииопипсоиипиипоПяпопжопопипипппиппяихропрпипппппппипппжпппппопппрпрпрпрпрпЖппппну

и ии

пишит

ИП

8*21Е

а

Са, п

70° (1,5 8;
0,7 а)
70 (1,5 8;

5 ма
(60 8)
10

=
—

10

—

корр

с, ох

Приближенный

ОЛЕНЬ

Сб»

Я

0,5 ма)
70 (6в, 1 ма)

120® (1,5 в,

|

50 ма
120® {1,5 в,
50 ма
30—250*
{1,5 8, 1 а)

30—950*

{1,58 124)
39—250*
(1,5 в, Га)

Е

39—250*
(1,5 в, Га)

а
м

.

ы| Е=4(Гкец)
—

ТО!

—

ТО1

10

—

—

ТО1

0,5 ма

СЕ:

—

ТОЗ

0,5 ма

==

—

ТОЗ

ПД4; П217В

0,5 ма

==

—

ТОЗ

14Д; П217В

0,5 ма

—

—

ТОЗ

| П4Д; П2ИВ

ТО!

- МПА4ЗБ;

14

—

—

и

70° (1,5 в,

1 ма

=

ЕЕ

70* (1,5 в,

1 ма

—

9,5 а

(60 в

‚

ко
а
ы

[=
—

ВА

Е
Г.
%
3”

|

То же

—

ТО!
ТО!

-=

ТО!

МП42Б

МПА2Б;
МП26Б
То 'же
Рае

15 (208)

=

Ее

ТО1

40 (128) | 35 (68) |

—

Х5

МП25Б

40 (128)
:

=

—

ВвО10

МП25Б

—

ВО10

МП?25Б

25—900*

500

к

-

ТОЗ

П4АД; П216В

(1,5 в, 1а)
80* (1,5 в, 11а)
20—55*
1,5 8, 424

(20 в)
==
в
в

==
р

—
—

ТОЗ
ТОЗ

04Д; П217В
ГТ701А

сы

тоз

ГГ701А

ЕЕ

—-

ТОЗ

ГТ7О1А

—-

Ю-=0,06

ТОЗ

ГТ804А

)

40: (12 в) | ‘40 (6 8)

50|

(154 а) | (308)

6

ТО8

гь’=70 ом

п

$.

—

—

(16, 100 ма)
30—150*
(18, 150 ма)
30—150*
(1 в, 150 ма)

4
С.
а

ГТ403Б,Е

100® (1,5 а, | 15 (208)
39 ма’

40—145*

|

МП20А

ТО8

—

Е

ы

Ся

Е

45 (68, 1 ма) | 15 (20 8)

1100 (68, 1 ма) 150208) | —

2

ГТ108В,Г
То. же
МПА42Б;
МП20А
|1
МП20Б;
МП21Д,Е
П4Д; ПВ

—

360 (Зв, 1 ма)

Гы

П201А
МПЗЭБ;

10

211

ыь

ТОЗ
ТО!

20—55
(1,5 в, 4 а)
95—260 *

(1 в, 5 а)
5—92

250
(30 в)
330

(128)
65

П родолжение

Обозначе- | Технологиче- | р

вие прибора

ский тип
прибора

Я

мт

т

=
О(вк)свО,
О(вв)
СЕО®,
8

258239

| Се, р-п-р, С|

258240.

То же

13 вт

0,5

80

О(вв)ЕВО;
8
30

13 вт

—0,2

40

15

258241

а

13 вт

05

80

30

258242 А

че

13 вт

0,5

60

20

258244

ры

13 вт

0,5

80

30

258261

ро

65

25

20

2

258262

ем

65

3

20

2,5

258263

ва

200

1,5

20

2.5

258264

к

70

1

30

258265

а

170

3

40

12
1,5

о

3 вт | 0,5

30

15

ие.

258274

Це, р-п-р,Д]|]

12 вт

-—

80

258275

То же

12 вт

1

120

ко

12 вт

65

1

5

120

125

150

1

39

12

258276

258290

и

В

|Це, р-п-р, С

258291

_То же

258302

Е

40

12

100
225

1
0

=

83

бы

83

258303.
2$8330

ео
А

258335

258336

258339

1

20

10

1

20:

а

44 вт

258342

| Се, р-п-р, Д|!

30 вт

258343

То же

2$8355
258364

258365
66

Е

|Се, р-п-р, С
То же

|258

-^5
12
50

44 вт | 0,25

258341

|

12

25
110

.

258340

18

80

0,25

100

44 вт

0,25

10

50
50

1,5

120

120

50

30 вт

во

150

]

4 вт

—

25

12

150

1

20

12

50

]

20.

12

|

.щы—
—ЫщЩ

ЫЫ—
ии

тии

Тип

корпуса

30—90* (1 в,

отечественный
аналог

100 (80 в)

0,3 а
30*(1 в, 0,3 а) |200 (40 в) |.
30* (1 в, 0,3 а)| 200 (80 в)
20—60* (1 в, |1 ма (30 в)
0,3 а
20—60*(1 в, |1 ма (30 в)
0,3 а)
20—60*(1 в, |1 ма (808)
0,3 а)
45 (6 в, 1 ма) | 12{128)

60* (1,5 в,

Приближенный

[Т108В, Г;
МПЗУБ

ГТ18В,

14 (128)

Г;

65* (18, 150 ма)|

14(12 в)

Е=20

45—100(1,5 в,

МПЗУБ
МПА49Б; _
МПА41А

5 (68)

Е=3(1Т Кац)

ГТ108
В, Г;

0,5 ма)
100*(1 в, 100 ма)

“210

30 ма)

50* (1,58, 1 а) |] ма (30`в)
1 (30 в)
40* (1,58, 4 а)
1 (308).
35* (1,2в, 10а)
4(12 8)
50—200(6 в,
1 ма)
10 (12 8)
22—220(6 в,
1 ма)

80 (6 в, 1 ма)
100(6 в, 1 ма)
35 (1 в, 2 ма)

70 (6 в, 1 ма)
80*(1 в, 60 ма)

МПЗЭБ
МП45Б;
МП20Б
ГТ804А

9 (6 8)

35 (6 в)

6 (128)

15 (208)
20
10
10

40—175 (4 в, 1а)| 250 (30 в)
20—80* (1в, 82) |250 (30 в).
20—80*(1 в, 8а)| 250 (30 в)
50* (1,58, ба)
50* (1,58, 5а)

5 ма

(120 в)
5 ма

|

(150 в).

0,1 ма
30—120* (1,5 в,
Та)
60—150 (0,5 в,
100 ма)
35—90* (0,5 в,
100 ма)
|
5%

[;=6 мксек
[—=6 мксек
[,=6 мксек
Ю:—0.06

50 (6 в)
-90 (6 в)

Ки—0,06

ГТ804А, Б.
ГТ804А, Б
ГТ403Б
МП20Б

МП20Б° ^
67

Продолжение
<

- Обозначе- | Технологиче-

вие прибора

ский

Р

тип

21,

а

"т, м,

прибора

°

Мей

о Я

©

- Е:

=:

3

Е
258367

|Се, р-п-р,

258368

и

5

4вт

0,5

25

12

То же

4 вт

0,5

- 45

12

2$8375

Е

30 вт

1,5

150

|

258378

с.

180

Г. 3

18

—

258379

е.

180

1.5

18

—

2$В8386

т

150

1,5

30

15

258400

Рея

100

1

20

10

бат

—

45

12

258419

|Це, р-п-р,

С

©

Д]

2$8421

То же

300

25

80

1

258424

|Се, р-п-р, С!

30 вт

0,3

80

40

258425

То же

30 вт

0,3

60

12

258426

м

30 вт

0,3

32

12

258433

Вы

56 вт

—

70

40

258448

ЕЕ

13 вт

32

10

2$8449

я

22,5

50

20

258458

=

4 вт

=
—10 кгц
[в =
—10 кгц
—

25

12

258458 А

зе

4 вт

Е

45

12

2$8458В

еж

4 вт

ее

100

12

258473

ыы

4,Звт | |=

258474`

=.

12 вт

258475 |

›‚„.

150

2$8483

Е

60 вт

_|

32

6

=10 кгц
—

35

6

в=

20

6

—10 кгц

8 =
=2,5 кгц

80.

40

1%. ма

ие

ЕЕ
О
О
Тип
корпуса

=

Мр23

—

МО23

5 ма

В.=0,06

ТОЗ

ГТ804Б

| ГТ40ЗБ, И;
20
—
То же

(150 в)
10 (18 в)

35

Е

ТО5

10 (18 в)

35

10

ТО5

МП42Б;
МПЗЭБ
То же

ТО!

МП20Б

120(6 в, 1 ма)

15 (20 в)

80—120* (1,58,
0,5 а)
30—150*(1 в,
150 ма)
34—115* (1,56,
1 а)
| 34—115* (1,5 в,
1 а)
34—115* (1,56,

250 (12 8)

4—2

мксек|]

Е=<25

ТО1

МПЗ5Б;

ГТ108Г
П601Б

30(6 8) |
О

16 (12 в)

=

160 (12 8)

—

тоз
—

ТОЗ

4 ма

В —=0,06

ТОЗ6

30—110*(1 а)

| ма

—

Мр!1

30—85* (3 а)

3 ма

—

ТОЗ

0,1 ма

==

Мр!7

Г Г4035, И

0,1 ма

—

мМр17

То же

50°

—

МО17

150

—

мМр!0

0,2 ма

гы =25 ОМ

—

—

ТО1

П201А
МП28А

ТОЗ

ГТ701А

1 а)

30—120* (2 в,

160 (12 в)

5 а)

28—210*
0,5
28—210*
0,5
28—910*
0,5
40—180*
ы

аналог

100 (12 8)
100 (12 8)

10

|

Приближенный
отечественный

(1,58,
а
(1,5 в,
а
(1,5 в,
а
(0,5 а)

100* (1,5 =.
0,2 а)
—

40—100* (1,5 в,
10 а)

(25 в)
20
5 ма

=——

ГТ701А
П201А.
Над;
П216В

„=0,03

ГТ403Б
- П202;

69

Продолжение

Обозначение прибо-

Технологиче- | р
ский

ТИП

РАЭЛЬ,
с тах,

РТ,

мт

прибора

ра

м,

Мгц

О(вв)сво,
ОСЕО",
(вв)
——»»_—»_»_————А/—,/А

258484

Се, р-п-р, С!
То же
„

25С16`
2$С17.
2518

$1, 1-р-п,
То же
Па

25С21 |

$1, 1-р-п, М|

2$С28
2$С29
2$С41

Д]

То же
‚я
о

25С42

)»

2$С42А

И

2$С43 _

-

2$С44.
25С49
2559.
25064

в

2.

Но

$1, п-р-п, ПЭ|

›

кои

200
200
200

100
50
70

60 вт

6

225
115
50 вт

100
100
20

вт

20

50 вт

20

50 вт

20

50 вт

20

800

160*

51, п-р-п, М| 20 вт
51, п-р-п, П|
200
51, 1-р-п, ПЭ|
800
|
(2,5 вт)
51, п-р-п, М
600

25101

$1, п-р-п,

70

То же

(2,5 вт)

$1, п-р-п, Д]

2$С150.
25С151.
2$С152
2$С154

550—
Г

То же
5

150%

100

600 .
600

119
110

800

800

(2,5 вт)|
$1, п-р-п, М|
750
То же
‚я

60*
180*

М| 60 вт

$1, п-р-п, ПЭ|

$1, п-р-п, Д|]

Кгц

6 вт

50

2$С65..
2$С66
2$С69

250149

Г

60 вт

258492

25050
2$С56

60 вт

—,5

258485

О8(вВ)ЕВО,

А...

750
750

750

18

©)
©)
бл
>©}.
г
р)
©>
©
©
<

—30*

сл с

160*
.

100
130
160

220

лесе
Сл
©

сы

ря

сЖпппппппппппппрпппппхппппипппипорпопппрпппрппппппхпппоппппппопппяопхпопапппПЖпипрорпДпопппипиппппппрппрприпппппппопяпопоипрпоиппопжжопрпопЖппрпопппрпзъжфщфпдсооипиппорппорпрпрпрппрппрппрпЖрпп

Пе»

Гсво,

В

К, 96

Тип

|

Приближекный

ео

Со, ПФ

Кн» ом

40—100* (1,58,|

5 ма

—

Юн=0,03

ТОЗ

ГТТОГА:

10 а)
40—100*(1,5в,

5 ма

—

К —0503

ТОЗ

ГТ701А

В

300

4

—

ТО18

КТ3125Б,В
КТЗ1!2Б, В
ие

10 а)

100* (1,5 в, | 50(208)
02а

25+ (1в, 10 ма)| 2,5 (158)

| 30(6в, 2 ма)
80 (0,3 в,
0,1 ма)

25*(1 в,

Га)

|2,5(128)|

4

я

7

Е=15

ТО18

12ма{308)|

=450

|Юнс,ш-2,6|

ТОЗ

Га

12—128*
(10 в, | 30 (508)
Та

4—185*Га)(10 в, | 60 ма

(10 в, | 60 ма

1 а

50°(10 5,

0,5

| 40* (5 в, 4 а)|

120

35° (106,

0.5

Г

|

150 ма)

| 80(6 в, 2 ма)

Е

150 ма)

|

®

| 35 (20 в, 5 ма) | 10 (100 в)

10 в

4 )
4
=
—
—
И

| ==

150 ма)

|

Га)

| 12—250 (10 в, | За
|

—>15* (10 в

| 50
50
| 55
11

150 ма)

(6 в,
(6 в,
(6 в,
(10 в,

ме

-

Ве

ТО!8 | КТЗ15Б, В
11702
У

—
—
Ю.=2

ТО5
ТО5
ТОЗ

н=2

ТОЗ

КТЗ12А
КТЗ12А
КТ802А
|
КТ802А

Ю„=0,4

ТОЗ

КТ802А

|2

ТОЗ

КТ802А
Е

иены

че

—

Кн=2

ТОЗ

КТ802А

10

—

ТО5

кт6о2Б,Г

==

а

10

—

6

—

2,3

6
'30(20 в, 5 ма) |10(1508)|
| 55 (20 8, 5 ма)
10 (150 в)
6
(10 в, | 2(60 8) | 10(108)
` 20-—120*
|

оенеслаеный

53140985

0,1 (68)

30*(10 в, 10 ма)| 1(10 в)
30* (10 в, 10 ма)| 1(19 в)
12—92* (10 в, | 60а
1 а)
(150 в)
4—185* (10 в, | 60 ма

4—185

О

иж

5

—

=:

ТО66

|

КТ805А

КО127 | КТ319Б
ТО5

КТ602Б, Г -

ТО5

КТ601А; _
КТб02А, Б

ЕЯ

То же.
ТО5
ТО5
=
ю
ТО5 | КТбОЗБ, Г

<—450 | Ан п=2,5|

ТОбб

11702

10 (608) | 14 (108) |Внциш=14

ТО5

КТ602Г

(208) | (108)

10 ма) | 1(20 в)
10 ма) | 1(20 в)
10 ма) | 1(20 в)
—
10 ма)

7
7
7
60

—
—
Е
—

ТО5
ТО5
ТО5
ТО5

:

| КТООТГ, Б
| КТ6бОЗВ, Г
| КТ6бОЗВ, Г
КТ602Г
71

П родолжение

тикер
ра

прибора

5'3

мат

Ве, | 90
Мгц

Ее ы

5

25С174 | $1, п-рп,П|
250199
|51’п-р-п.М
2$С303

2$С304
2$С305

2$С306
2$С307
2$С308
2$С309

УТ, п-р-п, П

То же
Ех

БЕ
ее
а
т.

200
600

170*
130*

В
а

№

>

30
80

5
15

25
50

800

200*

50

3

500

800

295%

60

4

500

800

225*

800
800
800
800

80

5

500

150
200
90
120

50
80
100
120

5
5
5
5

500
500
500
500

2560310

сх

800

120

140

5

500

250352

|3, п-р-п, ПЭ|

750

170%

50

5

190

То же

750

170?

50

5

100

750

170*

100

5

100

750

170

100

5

5
о
5

За
За
5а

80

5

5а

2$6352А

256353

2$С35ЗА

=

т

250488
25С489
250492

| $1, п-р-п, М|
То же
| $1, п-р-п,Д|

16 вт
16 вт
50 вт

2$С493

То же

50 вт

256494

Е

256518
2$0С519А

2$С520А
2$С521А

|5$1, п-р-п, М|
То же

ре
=

10*
10°
20

20

140
100
110

100

50 вт |

20

50

5.

5а

50 вт

20

140

5

а

50 вт

20*

20*
20*

100
70

5
5

5

та

50 в
50 вт

130

7а
7а

250818
2$1043

|531, п-р-п, П
51, п-р-п, С

800
110

100*
1

160
25

5
12

25045

51, п-р-п, М|

50 вт

20%

150

6

ба

2$046

То же

50 вт

20*

150

6

5а

25147

неа

50 ви

20*

100

6

ба

25$р48

25056

51, п-р-п, Д|]

То же

25075 _|Се, п-р-п,С|
7

100
50.

20 вт

1,5

100

10

за

30 вт

—

220

18

За

150

4

25

12

100

Пе,

Е

45 (6 в, 2 ма)

т

1

50—200 (12 в,

|0,1(158)|

15 (28 в, 5 ма)
| 20 (28 в, 5 ма)

3 ма)

25 (28 в, 5 ма)

55(10 в, 5 ма)

в

ав

—

10

—

ТО5

10

—

ТОБ

То же

ТО5

=.

0,05

10

—

1

10

[;=0,3 мксек

02

0:2

3
—
—
—

|
|
0,01

0,2
Зима
Зима
10 ма
(50 в)
10 ма

10

10
10
10°

<4,5

11,=0,3мксек

50

40 (6 в, | ма) | 14 (25 в)

КТ6о2Г

КТ6о2в,

ТОБ

>!

ТО5

„»

11=0,2 мксек| ТОБ
[1,=0,2 мксек| ТОБ
|1: =0,2 мкюсек. ТОБ

Г

®

я

и
КТ602А, Б
То же

—

ТО5

3

5

ТО5

То же

<4,5

—

ТО5

м.

—
—
-—
—

ТО5
ТО66
ТОб6
ТОЗ

„_»
КТ805Б
То же
КТ802А

ТОЗ

То же

ТОЗ

8/42

`ТОЗ

ие

ТОЗ
ТОЗ
ТОЗ
ТО5
ТО!

Ее
КТ802А
КТ802А
КТ602А, Б
МПЗ8А

ТОЗ

КТ802А

ТОЗ

КТ802А

—
-—
(50 в)
10 ма
—
—
(50 в)
10 ма
—
Асы 0. [6
(50 в)
20*(5 в, Га)
1 ма
—
—
20* (5 в, 0,5 а) 1 ма (50 в)| 150 (20 в)
—
20+ (5 в, 0,5 а) |1 ма (50 в)| 150 (20 в)
—
20 (10 в, 10 ма)
1
4,5
—
40—110* (1 в, | 14(128) | 24(68)
—
50 ма)
12—128* (108, | 15 ма
—
В,=0,6
1 а)
12—184*
(10 в, | 15 ма
—
Вн=0,6
1а
1184810 в, | 15 ма
—
К. —0,6
1 а)
20 (4 в, 0,75 а)
15
—
|
—

6—92

КТВ

10

26—272 (3 в,

01а

72

50

0,2

15—150* у в,

ЕВЕ

ТО5

1 ма)
70 (3 в, 1 ма)

Та)
15—220* (5 в,
18)
40* (5 в, 5 а)

Приближенный

Тип

корпуса

Юв=30

26—272 (3 в,

90 (3 в, 1 ма)
80* (5 в, 0,5 а)|
80* (5 в, 0,5 а)|
15—220* (5 в,
1 а)
15—220* (5 в,

Ка, ом

10 (10 в)

0,01

1 ма)

2-06
,

С, пф

55(10 в, 5 ма)

40 (10 в, 5 ма)
40 (1086, 5 ма)
40 (10 в, 5 ма)
ОНИ
а,

[ СВО;

—
42

—
а

кТ6озв, Г

ТОЗ
ТО8
МО]7
ТО]

КТ800А
|

П702;
КТ805Б
КТ805А
МПЗ6А;
МПЗЗА
73

П родолжение

Е
®)

о

:

Обозначе- | Технологиче- | р.

ние прибора

ский тип

р

прибора

2$075А

|Се, п-р-п, С

25082
25083
25084
25090
25091
25092
25093
25094
250120

$1, п-р-п, Д

150
50 вт

50 вт
50 вт

Го
|

20
20
20
_20
20

вт
вт
вт
вт
вт

1 вт

2$0121

1 вт

250124

21 вт

250125

21 вт

бт

250126
250130

25 вт.

250139

25 вт

250146

20 вт

250147

20 вт

50 вт

250182

31, п-р-п,
ЭМ
$1, п-р-п, Д

250183

То же

10 вт

250184

$1, 1-р-п, М

25 вт

2$0185

То же

25 вт

250191

Це, п-р-п, С

150

250180

74

10 вт

Ри21б:
т, М,
Мгц

сс

8

а

в

5

Е.

о

—

в’ °

ою

2

ы р:

Е

Я

ПОТе,

сво,

2*01 Е

Е, д6

Т

бра

Ки, ом

те

40 (6 в, 1 ма) | 25 (458)

42

Е=<20

ТО!

40*
40*
40*
20*
20*
20*

—
==
—
—
—
—-

н=0,5
В. —0,5
®:==0,5
В. =05
‚В н=0,5
Ан=0.5

(4
(4
(4
(4
(4
(4

в,
в,
в,
в,
в,
в,

ВО

Га)
Га)
Га)
Та)
Та)
Та)

20* (4 в,

30
30
30
2 ма
2 ма
2 ма

Га) | 2ма

20* (4 в, 1 а)
15—100*
(4 в, 0,75 а)
15—100*

ТОЗ
ТОЗ
ТОЗ
ТО9
ТО9
ТО9

Приближенный

отче: ВЕНЕ

МПЗ6А;
МПЗ8А
КТ802А
КТ802А
КТ802А
0702
0702
0702

—

Юн==0,5

ТО9

КТ805Б

2 ма
10 (398)

——

Юн=0,5
[3=3 мкс

ТОЭ
ТО5

10 (30 в)

—

[=3 мкс

ТО5

КТ805А
КТ8015;
ПОТА
То же

(4 в, 0,75 а)
10—75*
(4в, 1,5 а)

25 (30 в)

—

(,—1,8 МКС

ТОЗ

КТ802А

10—75*

25 (308)

—

| 6=1,8 мкс

ТОЗ

КТ802А

25
1 ма

——

—
—

ТОЗ
ТО66

КТ802А
П702;
КТ805Б

| ма

—

—

(4в, 1,5 а)
20* (4 в, 1,5а)
30—200*
- (6, 0,5 а)
30—200*

(6 в, 0,5 а)
30—150*
(4 в, 0,5 а)
20—150*
(4 в, 0,5 @)
30% (2 в; За)

15—120*

То

же

90

—

н=2

м1

20

—

Юн=2

Мо10

П702
р
П702

2 ма

==

—

ТОЗ

КТ802А

15

—

—

(4 в, 0,75 а)

15—120*
—
(4 в, 0,75 а)
20—100+

ТО6б

|

;

—

ТО8

ТО8

П701А;

КТ8ОТА,Б

15

—

10

=

Вн=2

ТОВ

То же
Е
0702

10

—

ы==1

ТОВ

11702

—

ТО5

МПЗ8А

(4 в, 0,75 а)

20—100*
(4 в, 0,75 а)
22—-220
(6бв, 1 ма)
6$

14 (128) | 25 (68)

КОРПУСА

ЗАРУБЕЖНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

—

КО 10

КО14

К 018

КО31

т024
РИ
т

не
А
о=

у
ке
5

Глава

Ш
+4

Взаимозаменяемые
полупроводниковые диоды
ПОЯСНЕНИЯ

ку

К ТАБЛИЦАМ

В таблицах

приняты

следующие

условные

обозначения:

ОИв(Иобр) — постоянное обратное 'напряжение—падение напряжения на диоде при протекании постоянного обратного тока;
Ив тах (Иобр.макс)

Ге Е

— максимально допустимое постоянное обратное
напряжение — максимально допустимое постоянное напряжение, обеспечивающее заданную
надежность при длительной работе;

ср.макс) — Максимально

допустимый

постоянный

прямой

ток — максимально
допустимый
прямой
обеспечивающий
заданную
надежность
длительной работе;

Тв (Гобр)

— постоянный

обратный

ток — постоянный

ток,
при

ток

в обратном направлении;
И"(Итр)

— постоянное ‘прямое напряжение
— падение напряжения ‘на диоде при протехании постоянного прямого тока;

Ч» (Уст) — напряжение стабилизации
— падение напряжения на стабилитроне при протекании определенного тока стабилизации;

[2(Гст)

— ток стабилизации
— ток, протекающий
стабилитрон в области стабилизации;

через

Ка(Кл) — дифференциальное сопротивление — отношение
приращения напряжения на диоде \(стабилитроне) к вызвавшему его малому приращению
тока через диод (стабилитрон);
У

ТКО»(ТКН)

— температурный коэффициент напряжения стабилизации—отношение относительного изменения напряжения стабилизации,
выраженного
в процентах,

к

абсолютному

пературы окружающей среды
токе стабилизации);
82

изменению

тем-

(при постоянном

АИ» (Аст)
— разброс напряжения стабилизации
— допустимое отклонение величины напряжения стабилизации от значения Ох;
2,1 (1восст)
— время

восстановления

обратного

сопротивле-

ния при переключении диода с прямого тока
на обратное напряжение от момента подачи
импульса обратного напряжения до момента,
когда обратный ток диода уменьшается до
заданного уровня;
С,(С) — емкость диода—емкость между выводами
да при заданном напряжении смещения;

Ртах(Рмакс)
— максимальная

постоянная

дио-

мощность
— макси-

мальная
допустимая
постоянная
мощность,
рассеиваемая на диоде, обеспечивающая заданную надежность при длительной работе и
при определенной температуре
окружающей
’ среды.
Тв —

прямой ток

(постоянный);

[; — максимальное
ского) тока;

Йзитае)
— пиковое

значение

Го — средний
Кри1зе) —

значение

прямого

прямого

выпрямленный

(периодиче-

импульсного

тока;

ток (выходной)

ток;

импульсный ток;

Тв — обратный ток (постоянный);
1. —

максимальный

1.(зитве)
— Максимальное
[, —

обратный

ток;

значение

обратного

1; — время

установления

., — время
НИЯ;

восстановления

прямого

От — прямое напряжение
И; — максимальное

Ив — обратное

прямого

напряжения;

(постоянное);

обратное

к — ток

стабилитрона

|, —ток

стабилизации

вблизи

напряжение;
пробоя;

(стабилитрона);

сопротивление

стабилитрона

У, — напряжение стабилизации;
а, — температурный коэффициент
общая

сопротивле-

напряжение;

И, — максимальное

Ив — полное
пробоя;

сопротивления;

обратного

(посгоянное);

падение

напряжение

ВУв — пробивное

Ст —

тока;

ток насыщения:

емкость

вблизи

напряжения;

диода;

Р — мощность рассеяния.
83

ИИ

В

И

а

К

ТЕ

.

|

Обозначение при-

‚|

Ор

О

о

1№91

1№92
1№107

1№108

1№128А
1№158
1№255Х
1№273
1№308
1№309
1№310
1№313
1№334
1№343

1№360
1№363
1№365
1386

тах
а

1, °С

ее
ИВ
Зея

—
—
—

30 | 1
Отв
о}

50 ма

25

695

—%

—

100 | 1,0

0,1
01.

55
95

55
—

200 |0, 19
Ор

200
10

$1

$1
$1
$1
$1

75 | 29.5 ма|

40
380
30
3
8
30
100
100
300

300

100
500
1 000
33

0,15
Ее

25

55

в

35

50

200

900

95
55
95
25
95
95
95
95
150

10
В
ИН
20
И
100
100
50

100
0,1
100
0,1
0.51195
35 ма | 95

ны

30 ма
0,5
20 ма
80 ма
0,1
0,1
40 ма
40 ма
0,4
0,4

150

©:

0,1

Прибли-ты

АВ. @

Корпус

женный
| отечествен-ный аналог”

а

300
67
50

Де
Се

Се
Се
Се
_ Се
Се
Се
Се
Се
$1

й

8

95
25
95

100

50

ь

©

О 75

1011

Се

Се

Гр, мо

,

—

95 | 22.5 ма | —

100

О

Р:

60 ма
50 ма
50 ма

Се

ИВО

ДИОДОВ.

ДИОДЫ
И

10

46
30
100

т

при

= — 95° С

Е ква В

Се
Се
Се

Се

-|°

И ОТЕЧЕСТВЕННЫХ

:

‚ | Тв, ма

25

1№56
1№60
1№463

1№75

ай

о

р

23 ма

Се

174

|

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ
О
ра

50

1№35

140

|

6

бора

Е

:О

тах

| Материал

ЗАРУБЕЖНЫХ

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫХ

ас

78

—

—

та

—

ды,

|155

0.95
ый:
ел

ры
0.8
Е
ах
Е
а
г
0,2
0.5

ее

—
55
==
—
==
==
5
50

150

0,25 | 100
0,25 | 100
|100
0,25
10 мка | 100

1011,5

10|

10031

5

ВОЙ

д 2

15 ма
4 ма
4 ма

ВОт
4А29с
207

ДЕ
| ДЭБ
| ДЭ

1,5 | 15 ма

'0,22.|
Она

10] 1
380 | 1,4
д 1
а
о
РИ
100 | 1
10011
300 |2
300

Т,о ма

| 12,7 ма

|2

100, 2
500 | 2
[1000 | 2
33 | 1

3 ма

' 0,15.
0,1
0,15

рО7 | Д2Б

М4* | ДЗ

2О7 ‘| ДЭЛ

№ РОЗ

ДБ

203 | Д7Г
207 | ДЭБ
ВОД

2

3 ма
05
4,5 ма
0, 1
0,3
0, 1
15 ма
20 ма
0,8

А21
М418
07
Рот.
рО7
Аоза.
АЗЗа
А23а
204

ДЗВ.
| Д7Е
!ДЫ
|'ДЭД
| ДЭБ
|"ДО
| ДЭЖ.
| ДЭЛ
| Д204

0,2
0,2
0,2
5,5 ма

‚ро? | Д206
ро? | Д210
ро? | Д218
207 | Д106А.

0,05

0,8

204

|'Д204

25
100
100
25
25
25
25
95
100
100
100
100
95
25
95

0,1
1
15
20
Э
15
10
15
25
1
25
1
8
0.2
0,2

10 мка
—
Е
—
—
р
—
—
—
———
—
20 мка
15 мка
20 мка

47
300
400
25
100
200
300
400
100
100
200
200
30
225
400

$1

400

0,4

25

1

—

$1
$1
Се!
$1

400
600
то
100

75 ма
75 ма
50 ма
0, 1

150
150
25
25

—
—
100
—

02
0,2
—
2бжка

1№870

$1

200

У]

25

1№871
1№872
1№873
1№874
1№876
1№878
1м1059
1№1065
11067
1№1068
1№1069
1№М1073

$1
$
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1

300
400
500
600
800
1000
100
100
200
300
400
200

1№673

1№683
1№687
1№773
1№869

98

27 ма
0,3
0,3
80 ма
0,3
0,3
0:3
08
0,3
0,3
0,3
0,3
25 ма
0,4
0,4

$1
$1
$1
Се
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1

1№388
1№442
1№443
1№497
1№530
1№531
1№М532
1№533
1%600
1№600А
1№602
1№602А
1 №619 М
1№645А
1№647

.

20 мка

0, 1
0,1
0.1
(1
0, 1
О.Л
5
5
5
5
5

25
25
25
25
25
25
100
100
100
100
100

—
—
—
—
1000
1000
1000
1000
1000

5

100

1000

|‘ 100
—
ре
—
—
не
—==
Е
—
—
==
100
1001
100 |
—

—

—

3,5 ма
0,3
0,3
0, 1
0,3
93
0,3
0,3
0:2
0,4
0,2
0,4
3 ма
0,4
0,4

рО7
202
202
207
2ОЗ
2О3З
203
203
ро]
ро]
ро!
рО1
А2а
А1
А1

КД10ЗА.
| Д226В
| Д226Б
ДУИ
| Д226Д
| Д226Г
| Д226В
| Д226Б
Д226Д,
Д226Д
Д256Г
Д256Г
106
Д203
Д205

025

А87

Д205

0,2
0%
О
0:1

207
207
ПОТ
А21

| Д209.
| ДИ
|3
Д206.

20010,6

О

А21

Д207

10,6
300
400 | 0,6
10,6
500
600 | 0,6
800 | 0,6
06
ООО
Т;5
100.
1001.1, 5
21,5
2001
1.5
3001
400 | 1,5

ет
0
0,1
0,1
0,1
0,1
5
5
5
5
5

А21
А21
А21
А21
А21
А21
567а
5бба
5бба
5бба
5бба

Д208.
Д209
Д210
Д211
Д217
Д218
Д249Б»
Д24ЭБ,
Д24ЗБ.
Д245Б
Д246Б.

5

568а

Д243Б-

От

8

11,0
150 | 400
11,0
150 | 600
5011,0
Е
10,6
100
| =

З0мка
=
20 мка
20 мка
20 мка | —
20 мка | —
ЗО ка
=
ыы
==
Е
5
=
==
—:
=
=
—

1
47
300 1 1,5
4005
20.1
10012
12
200
|2
300
|2
400
тот, 9
11,5
100
1,5
200.1
200. |1 Т,5
ТОТ
29511
40011

2001

1,5

98

Продолжение”
ПИ

И

и

Обозначе-

В,

ние при-

ен

Ё

бора

ми

ы

й х

О

я

=

Корпус

1М1074
1М1075
1м1090
11091
1м1092
11125
1М1126

|

5
о
5
5
5
3
С

|

й
2
2
0,3
93

| о
5
15
1:5
рэ
Ач
в

|

$68а
568а
225
Е26
Е25
2О4
рО4

1№1586

3

1№М1621
1м1622
1М1623
1№М1624

11702

10
10
10
10

0,3

5
5
5
Э

1.2
[2
|
#2

1№1703
1М1704
№1705
1№М1763А
1№2239
1№2248
12248 А
1м2270
1№2271

0,3
03
0,3
|
5
10
10
|
1

р.

1

А5З

0,3
0,3
0,3
0,5
0,5
1
0,5
0.35
0,35

3
1

АТ
ТА
т
|
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6

1
1
]
1
1,5
10
10
1
1

А53
А53
А53
ро!
$35
рО4
рО4
204
$35

2
0,5

1
1
1

1
|

3
1

0,5
0,5
0,005

М17ба
А216

1
1
]

]
1
|

А216
А216
А38]

1№3000
113246
1№3247
1№3248
11\3867
\

|отечественный

р

0,5

0,3

5

ро4

|

$43
543
543
$43

аналог`

Д245Б
Д246Б
Д243Б
Д245Б
Д246Б
КД202Ж;
КД202К

КД202М.
Д242
‚ Д243
Д245
Д246

Д226Д.

Д226Г
Д226В
Д222Б
КД202Л
Д248Б
Д242
Д242
КД202С.
КД202С.

| КД202К
КД207Б.
КД202Г
КД202Е
КД2027

№4139
1№4140
1№4141
1№4143
1№4436
1№4437
1№4998
1№4999
1%5091
1№5197
1Е?
1Е3
3Е]
1Е4
2Е4
ЗЕ2
3ЕО5
3Е50
151657
1$426
15449
1$1010
11322
1272Е
1ЗТ2Е
1812
18]2Е
64500
1051В
10228
'63в28
64628
500Р6В

ый?
``
<
о
<

[>
К

—

ыюю-—=ооеФо

форме
и’
„

Ее
©<01
сл
00

КД202И

Си

КД202В
КД202Л
Д226Б

сл
|<)<

<.
-

Со
—

КД202Д

<

сл
-—
мо
—

лоофоо<ооеоеяо

5

-Ы—
-[-—-[-—
-—
--ры
—
—
а
м
а
а
а

©,
фо
©,
©=

‘бо
—

-

Не
рев
еее
Нсл
©
> =>

|
|

<

р’
<“
“-<>

бл
сл
сло
о

<“

`.
<.

сл
<

2.2252"
СЕ:
2в

Гео
Е
ЕЕ
оо
ЕЕ
НЕ Се:
22:2
оо
мы
—

лоно

КД202А
КД202В
КД202Д
КД202Р
Д243
Д246
КД202В
КД202Д
КД202Р.
КД202А
КД202Е

>
<

-ю-Ф<ФФое--—
ок
=

.

88

П родолжение
Обозначе-

Не прибора

| Материал

Гр, мка

О тах,
в

1Ртаз»
а

ис

рр

367К
618С
1014
1034
10786
АА130
АА131
А5С2
.АДЗО
АМЗ2
АМЗ07А
В2105
ВУ106
ВУ!26
СВ50
СВ100
СрРИЕБ
са66Н
СВ
С\448
214521
рр4523
2р4526
2Кк19
Е2НЗ
Е6бСсз

ЕН.

.

$1
$1
$1
51
$1
Се
Се
$1
$1
$1
$1
$1
$1
51
$1
$1
Се
Се
$1
Се
$1
$1
$1
Се
$1
51

91

Прибли-.

р
21—25 С

Гк, ма

НИ.

500
75
100
300
200
15
40
200
30
300
100
300
500
500
50
100
По
60.
300
100
100
200
400
25
500
200

10
0,025
0,4
0,4
0,4
0,020
0,02
]
0,04
0,4
0, 1
О
1
1,0
0, 035
0,035
0,015
0,013
1,0
0, 025
10
100
10
0,11
3
10

500 | 10

130
25
25
25
25
25
25
50
25
100
25
25
150
150
25
25
25
25
50
25
25
29
25
25
150
150

—
052
0.2
0,2
С
22
15
5
05
—
—
===
—
==
0
0,1
30
10
==
100
10
10
10
40
ЕР
10

ИЯ

10
0, 04
—
—
—
—
—
0,5
0, 1
0.3
0,003
0,01
0,5
1
2
—
—
—(09
—
—
—
—
—
1
]
1

150 | 10

[

25С
ООО

180
125
|—
—
—
—
—
150
150
100
150
25
150
150
55
—
—
—
100
—
25
25
ро
60
150
150
150

В
| 8
ОО

С,
ы
ОО

500
11,2
68
1
100
|
300
|
150
1
10
1
5
1
200
1
30
1
300 | 1,25
80
1
300
11,2
500
10,9
500
1
10
1
10
1
10
1
р
1
3001
1,1
50 | 1,0
100
1
200
1
400
1
10
10,48
500 | 1,3
200
11.3
500 | 1,3

Гр, а
ПО

10
1,5 ма
0,4
0,4
0,4
4,5
2,1
|
1
0,4
0,05
0, 100
1
1
0,015
0, 015
0,005
0,003

0,003
10
10
10
0,01
10
10

Корпус
ООО

$27
СЗ
07
207
207
207
207
А84
207
204
207
(72
202
02
@35
(35
М236
207
2027
АЗ8
$19
$19
$19
207
204
204
204

Е
ный аналог
ООО

Д247
Д105А
Д202
Д204
Д203
Д10А
Д2В
КД202Е
Д106А
Д204
Д223А
Д208
КД202Н
КД202Н
КД10ЗБ
Д104
ДД
ДЕ
КД202И
Д2Е
Д242А
Д243
Д246А
ДУК
КД202М
Д243
Д247Т

2 ЕМ50!
| 64100
5 02010
23010
ОРМ1МА|
Н$1007
Н$1012
М$35Н
ОА9
ОА150
2133
р$5301
р$430.
Р105
Р205
РАН5
РБС5
р$440
р2010
Р3010
6202
$203
$204
$205
$206
$208
5210
$СА4
$013
$2107
ТЕ
© ЗТАПАВ|
5 ГАС

г
$1
$1
$1
Се
51
51
$1
Се
Се
$1
$
$1
51
5
$1
5
$1
$1
5
5
$
5
$1
$1
$1
$1
51
Се
Се
5
$1
$

ет
0,1
100 | 1001,1
|
100 | 10
25
100 '| "0.035 1 925 | 0,03
с
из
10| 1
0,015
200
те
95
и
3
195 | 200 | 1,1
|
300
10
25
ий.
з}.
195 | 300 | 1,1
10
30%]
01093.
|128
166
ыЕ
ки
|160 1,2, | 0,008
150 | 0,090 | 95
№
5
100 | 150| 1
0,05
50 | 0,09
55 | 0,2
ь
ы
50 | 1
0,050
300 | 04
25 | 02
0,015 | 100 | 30|
1
0,4
т
0
25
25
пи
2%
15 | 0,55 | 0,05
0,005
60 | 1
ых
И
25 | 300
100 | 002
0,01
ба
1001
0.040!
25 | 1,0
85 | 0,03
0,4
150' | 300101
0,01
25 | 0,02
300 | 0.4
3001,5 ®1 105
1501
0,5
‚в
25
300 | 0.4
0,1
100 | 100 | 1
0,5
10
50
1
токо,
0,1
1
100 | 300|
0,5
10
50
300 | 0/1
0,3
100 | 400 | 1
0,5
10
50
400 | 0,3
0,4
300 |. 1
1001
10». | 0.5
50
300 | 04
150 | 400 [1,5 | 0,5
0,5
Ув
25
400 | 0.4
10
125 | 200 | 1,1
3
НЕ
ОБ
10
200
10
125 | 300} 1,1
3
и
25
10
300
О
на
55 | 100
200 | 0,1
119% 160.15
30,
ы
25 | 100
300 | 0,1
"1420.15
и | 4601 1:9.
в
25 | 100
400 | 0,1
10,15
15001,91
|
ых
25 | 100
0,1,
500"
9.05
ООО,
зы
25 | 100
Я
|,0,15
800 1,2
т.
р
25 | 100
800 | 0,1
0.15
Оо
п
т
25 | 100
1000 | 0,1
|
125 | 400 | 1,2
50
ный
55
1
400
0,015
30
ты
ОЕ
25 | 200
50 | 0,06
0,004
10| 1
ый
БЕ
29
25
15 | 0,02
40
140 | 200 | 1,4
3
=
95
10
300
|
100 | 50| 1
0,1
т
25
|
50
|
501
0495. | 100}
лы
25
|
50.

АБ1в | КД20ЭГ
| С35
Д104
204. | Д243
204 | Д245А
—
п
207 | Д223Б
| 207 | Д22з
207 | Д204
С10а | ДОГ
ДЕ
к.
Д104А
А2
Д204
А46
Д204
А46
М343 | Д206
М343 | Д208
№343 | Д296Б
№343 | Д204
Д205
А46
$95а | Д243
$95а | Д24Б
207
А54
Д208
АБА
Д209
АБА
Д210
А54
Д211
А54
Д217
А54
Д218
А54
А38е | КД202Л
| 207 | ДЭЕ
| 207 | ДА
‘`М347 | Д245
КД209Б
А69
КД209Б
А69

Продолжение.

О

Материал

ри

ЗОО5О0НЕ
$ор6оонЕ
7С101
.7С124
75102
75103
7$123

$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1

1 Ет Ах’

тах

бора

Прибли-

Гр, мка

|

значеС

ь

т

500
600
100
400
200
300
300

5
5
0,4
0,25
0,4
0,4
0,25

В. °С

Г,

при

Е, °С

ма

Ов

Ок,

я

8

2—=25° С

745)
ТО
25
25
ро
25
—

95
05
15
0,05
0,015
0,015
0,05

>
—
0,2
5
0,2
0,2
5

100
100
100
100
| 100
100
100

500
660
100
400
200
300
300

ГК,

а

Корпус

наю

ный аналог

о

|
1
1
ПВ
|
1
|—

Е24^
Е24^
207
207
207
207
207

5
0,4
0,25
0,4
0, 4
—

Д24АТБ
Д248Б
Д202
Д226Б
КД103Б
Д204
Д226В

Стаб илитровь:
|
Обозначение

|
Ор, в

АО7, =%

прибора

Ртах»

т

ТК.
Гу, ма

Ка, ом

и де

%/°С

_ |Приближенный
Е °С

Корпус

отечественный

аналог

.

]

1№674

5

4,7

0,40

20

16

0,03

200$

АЗ1в

1№М715А

—

1]

0,25

12

9

0,065

А“

рО7

Д814Г.

—
5)
—
—
—

8,8
8,0
1258
15
6,8

0,25
0,25
0,25
10
10

10
10
5,0
500
360

12
12
55
2,0
0,4

0, 05
0,05
0,07

0,05

150
150
150
175А
200

207
рО7
207
ро4
204

809
Д814А
Д813
Д815Е
Д815Б

10

1000

1,0

и

175А

$11

10

1000

1,0

1№764А
1№764-1
1№766, А
1№1355, А
1№1602

|

11803, А

|

66

1№1805

1№1307,

|

10

ба
—

А

№1817, А

Е
|

р

\

8,2

|

1 000

О

|

500

0

|

|

|

зи

0,07

175А

175А

150А

$11

$11

$19а

| КС147А

Д815А
Д815Б

Д815В

Д81БЕ

_`

жД

1М1817, С
1№1819’° Л
1№2041
1№2042
1№2045А
1№2046-1
1№2047-1
11№2048-1

142498
1№2500, >
1№3148
13519
1№3995,
1 №4096,
1 №4028,
1№4030,
144032,
144038,
1№4640,

СРЕЗЕ

з-

-“

|
©
©>
00
С>
мы
>›

(©)
еее)
еее
Кевжее
«ое
ее
© Сл

>
©
—<

ыы
.э-

ь

вл
©)
00
о
>
ь
Фе
м
=-

-”
С
*
„

1№4042, 2>
> ом
>>
1№4912
1№4912А
1№4968, А, В
1№4978
144978А, В
114980
1555
15193
15194
15196
15333
15336
15473

з-<.
“„

р]

6

>“
-

<“
“

-—
——

з

>

з

><“
”

>>
<>.>
<>
>
ласласала|
|
|
ГИРЕЕГГаа|
а|ма|
|
|
а
В

ны
вл
бл
нь
н>
>+ББ
>
Бо
<=>)
ее>)
ар
<)
<<. сл
-

пвп
ппжпяп
п
чз
пить
и
пяхЛЛПооиипия
зпрппяпяпиппЖпопппаяЖпяяяЖапПпвппппппзпиПпаппи
бИЖИЖппяпяяяяяяпЖоЖпЖпИЖИЛЖпЖЖЖипппяипЖппяжппппЖпапЖпяппппяпЖпопрпЖпппппрпрппппини
аппоахжххпхзпяпПпипЛПиппЩЛпЩЩяЛяяЩЛЩаЛияЩвЛЛПЩипЩпряПЛЩопЩриПЛЩЩпПЩяЛЩЩрЛЩипЩиЩрЩПЩпЩаЩпЩипЛПяЛЩЛЩяЛЩЩПиЩЛЩПиЛЩЛяТясзпПиЛпЛяпяппПяипозПпяпхяЛПозПвЛЛявяоиПпПЛпЛяЛяяЛяяПпяяппппЛвпПпПяппапиозппЖяяппяяпяяяии
и

“

сл:>.
ее
Фелпс
сх
сл

>
О Е55
©
©
=

$19а
$19а
рО4
рО4
$1
рО4
рО4
204
$1
519а
АЗ1в
рО7
2О4
582
582
582
$582
$82
582
582
РОТ
рО7
А223
А223
Ар23
А223
А106
А22
А22
А22
А22
А22
ро7

<

П родол жение"
————————ыыы——„ААА—А—А———С
АС
А—,——:—:СС——=_

Обозначение прибора | ^02, =%
а

15760
1$2110
1$2110А
653С7
653С9
18574
107574
109474
109574
1102
1111
1322
1327
1333
1347
1422
1427
1433
1439
1447
5330
5332
5338
5430
5432
А74
В7.7/13
В7У56
В7У60

|
а

^

/ь

|

15
10
5
5
5
10
10
5
10
10
10
===
ито
10
10
—
12
12
10
12
10
10
10
10
10
10
10
5
5
"›9

92.8

| Риах, вт | Гр, ма

12,8
0,95
11
0,4
11
0,4
7,6
0,15
0,15
8,0
0,65
8,8
7,8
0,65
9,8
0,6
9.511065
0,25
3,3
0,25
11
22
5
27
5
33
5
5
47
5
22
5
27
5
33
5
39
47
5
7
5
5
33
56
5
7
5
33
5
8,0
0, 15
8,0
0,28
0,28
4,7
6,8
0,28
.

Ка, ом

р

1, °С

30
60
40
7
8,0
3,0
3,0
6,0
3,0
65
30
15
30
20
180
30
60
100
160
200
16
95
80
16
25
25
6
370
5,0

0,078
0,07
0,07
0,05
0,05
0,08
0,07
0,08
0,08
0,07
0,07
0,08
0,09
0,09
0,09
0,08
0,09
0,09
0,09
0,09
ее
м
=
—
==
и
ИЕ
н==
=

—
150А
150А
150
150
180
180
—
180
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150.
150.
150
150
150
150
150
1501
1501
150]

%/°С

Корпус

тв:

ТО!
А1
А1
СЗ
СЗ
РО!
РО!
2о3З
ро!
С13
С43
А 33
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
А133
ть
2О7
АЗ
АЗ

Д813
Д814Г
Д814Г
Д808
Д808
Д814Б
Д808
Д814В
Д814В
КС133А
Д811
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Д
Д816А
Д816Б
Д816В
Д816Г
Д816Д
Д816Б
Д816В
Д817А
Д816Б
Д8168В
Д814А
Д818Б
КС147А.
КС168А.

аналог

|
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
5
40
30
150
15
40
30
20
2
15
30
20
10
30
20
0,2
1
]
1

Е

``

©

ый"

Ср3127
Е86
Е$2110
Н727
Н733
Н747.
Н756
Н782
Н7.100
К$30А, АЕ
К$3ЗоВ, ВЕ
К$32А, АЕ
К$32В, ВЕ
К$34А, АЕ
К$34В, ВЕ
К$3З6А, АЕ
К$36В, ВЕ
К$3З8А, АЕ
К$38В, ВЕ
№М7.1008
М75112
М75113
М75115
М75118
М75212
М75213
М7.5215
М75218
М75312
М75313
М75315
М75318
ОА126/8
© 047200

5
5,0
5,0
10
10
10
10
10
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
8
5
5
5
5
10
10
10
10
20
20
20
20
10
5

12.7
8,0
11
97
33
47
56
82
109
3,3
3,3
3,9
3,9
4,7
47
5,6
5,6
6,8
6,8
8,0.
120
130
150
180
120
130
150
180
120
130
150
180
8,0
4,7

0,25
0,4
0,25
5
5
5
5
5
5
0.3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0,3
0.3
0,3
0,3
0,25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0,250
0,3

5
10
5
40
30
02
18
12
10
5
Г еВ
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
8.0
5,0
10
10
3
5
10
- 10 8
5
|.3
|

70
15
д
50
35
7,0
8.0
19
48
75
75
70
70
60
60
35
50
7
8
10
170
190
330
430
170
130
330
430
170
190
330
430
7
490

0,081
ОЕ
ыы
0,0
0,03
0,05
0,05
0,07
0,08
0,08
0,08
0,06
0,06
0,04
0,05
0,02
0,03
0,07
0,07
0,05
01
0,1
0,1
0,1
0.1
0. 1
0,1
0.1
0,1
0,1
О
0,1
ме
0,042

150А
175
175А
165С
165С
165С
165С
165С
165С
150
150
150А
150А
150]
150А
150А
150А
150А
150А
175}
175А
175А
зы
в
175А`
175А
=
ги
175А
175А
—
Е
| 175
150}

_

А23
А1
207
М221
М25 |
М221
М229
М221
М25 |
75|
751
751
751
И
751
751
751
751
751
207
А46а
А46а
А4бе
А4бе
А463
А4ба
А4бе
А4бе
А46а
А46а
А4бе
А4бе
А29
С10Ъ

Д813
Д814А.
Д811
Д816Б
Д816В.
Д816Д.
Д817А
Д817В
Д817Г
КС133 4%
КС133А.
КС139А.
КС139А.
КС147А
КС147А.
КС156А.
КС156А
КС168А_
КС168А.
Д814А
КСб20А._.
КСбЗоА
КС6БО0А.
КС680А.
КС620А
КС63З0А.
КС650А.
КС680А
КС6б20А.
КС6б30А
КС650А
КС680А
Д814А
КС147А

76

Продолжение

и

РОЯ

Обозначение прибора | 402, =%

926

|Риах› вт | Гр, ма
%/°С

047202
РО6043
во6р
ЮрЭА
ВО13А
$\128
$131
$\134
$УМ9!
$УМ905
075212
075213
075215
075918
075312
075313
075315
075318
075827
075833
075856
075922
075927
075933
075956
№7528
78К
710К
7№39, А, В

)

5
5
10
10
10
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
20
5
10
10
20

у

Корпус

аналог

|

5,6
300
3,3 | 0,250
5,8
10
8,75 | 0,2
12,8
0:9.
8,0
0,55
9,0
0,25
1
0,25
9,0
0,25
9,0
0,25
120
5
130
5
150
5
180
5
120
5
130
5
150
5
180
5
27
5
33
5
56
5
22
5
97
5
33
5
56
5
5
0,4
8,5
0,35
10
0,35
33
7,5

10
0,4
10
5
10
10
5
7,5
7,5
10
10
8
5
10
10
8,0
5,0
5
40
20
50
50
40
20
10
5
5,0
45

380
45
1,8
10
35
15
15
50
75
75
О
190
330
430
170
190
330
430
6
10
35
5
6
10
35
5
7
15
22

0,018
и
0,02
0,06
0,075
0,05
0,057
0,063
0,01
0,005
|0
175
0,10
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,09
0,09
0,095
0,08
0,09
0,09
0,095
и
0,055
0, 065
0,09

1501
150
150$
150$
150$
|
150
150
150
1008
1008
175А
175А
175А
175А
175А.
17БА.
175А
175А
175А |
175А
175А
175А
175А
175А
175А
150А
150]
150.
175

Приближенный

| отечественный
)

С10Ь
Ас
$103
А108
А108
207
207
207
207
207
4293
А293
А293
А293
А293
А293
А223
А293
А223
А293
А293
А293
А223
А293
А293
А97
С18
С18
$117

КС156А
КС1ЗЗА.
Д81БА
Д81АБ.
Д813
Д814А
Д818Р
Д811
Д818Г`
Д818Г.
КС620А,
КС6З0А
КС650А.
КС680А
КСб20А.
КС6З0А
_ КС650А
КС680А.
| Д816Б
Д816В.
Д817А.
Д816А
Д816Б
Д816В
Д817А.
Д818Б.
` Д818В.
Д818А.
Д816Г

Импульсные

ое
1№662
1№695
1№695А
1№777
1№818
1№840
1№933
13873
1№3954
1№4305
1№М4747
33Р1
ВАуУубЗ
ВАУ? 4
ВАУ?!
В$АЗ1
2Ю402
НМо626А
НМо3600
НМС3954
НМоО4150
НМО4322
0492.
РрО126
Р$721

диоды
Приближенный

|Мате ОВнак | бы |Сы Ор. # |кем Иен |18 | г°с |Овь® ИРиаж| Корпус |отечественный
|

$1
Че
Се
Се
51
$1
Се
$1
$1
$1
$1
Се
$1
$1
$1
$1
Се
$1
$1
$1
$1
$1
Че
$1
$1

100
20
25
75
70
40
100
50
50
50
30
30
50

500
300
300
500
500
300
400
4
4
4
10
80
_4

50
50
50
100
50

4
4
4
500
500

50
50
50
50
15
100
60

4
4
4
4
100
500
300

| 19
1
3
—
|
100
10
035
—
10
]
100
—
1,5
30
35
|
150
4
|
—
150
0,95
4
3950
200
—
п, 85
10
30
|
6
30
Зый
—
100
|
4
3
]
200
2
1
20
2
1
30
20
5
—
10
.5
—
260
1
929)
200
Зы
5
|
200
1,5
1
200
0,5
0,6
3
10
1
2,0
.Г3,0
1
5

|

]

—
2
—0.25
0, 1
10
у
0,1
0,1
5
250
О
0,1
0,1
0,1
—
0,1
0,1
О
0,1
0
25
20
5

100
—
20
а
20
20
75
5
109
100
—
=
100

50
109
—
уе
10
70
И о)
50
|-100
60
100
40
10
75
50
100
150
50
150 | 50
30
25
30
—
50
150

100
100
100
250
30

195
125
150
5Э
150

35
35
50
50
35

100
100
169
100
15
100
50

150
150
150
150
60
100
100

50
50
50
50
—
50
45

А!
40
100
207
207
150
—
207
—
А21
150
А21]
207
—
207
150
—
рО7
200
А159
007
—
207
30
207
115
200 | 02О7
75
207
100
А]
007
—
М208в
—
М208в
—
М208в
—
—
М208в
—
М208в
10
АЗ
А2
30
40
А46

Д220Б
Д18
Д18
ДЗ12А
Д219А
КД504А
Д312
КД509А
КД510А
КД509А
КД50ЗА
Д18; ДЗ11
КД509А

КД510А
КД509А
КД509А
Д3З12
Д220
КД510А
КД510А
КД510А
КД510А
Д18
Д220Б
Д220

КОРПУСА

96

ЗАРУБЕЖНЫХ

ДИОДОВ

О

98

—

9

Ато

_-М3.43.

Е
99

Приложение

Примеры применения
приборов-аналогов
Ту - 7, 23391 (В6 150)

$

Предварительный
усилитель
к магнитофону.
В
усилителе
(рис. П-1!) применяются две цепи обратной связи. Первая из них
между базой Т.! и эмиттером Г> имеет апериодический характер,
так
как содержит один резистор Юз. Сопротивление его выбирается в зависимости от напряжения источника питания: при напряжении 9 в—
100 ком, а при напряжении
18 в эта величина удваивается. Дрейф
по постоянному току, несмотря
на непосредственное соединение
транзисторов в такой схеме, почти полностью отсутствует.
Частотнозависимая коррекция осуществляется
цепью
Ав СзКт,
причем значение сопротивления
последнего резистора зависит от
примененной головки и скорости движения ленты. Вместо транзисто-

ров 2№3391 (Т., Т>) можно применить отечественные
транзисторы КТЗ!5 с любыми буквенными индексами.
Двухтактный

выходной

каскад

на

одном

планарные

транзисторе.

На

рис. 1-2 показана принципиальная схема усилителя на двух транзисторах, которая отличается весьма малым сопротивлением нагруз101

ки. Выходная

мощность. усилителя

составляет

димости она может быть повышена
чить из схемы конденсатор ‘С>.
Усилитель, изображенный на рис.
ность около 1 вт при применении в
типа 2№554. Транзисторы типа 2№215
МП9ЗБ, МПА,
ми П4Д, П216В.

МП26Б,

необхо-

к.
.

типа

2№554
— транзистора-

121215 152504

Рис.

При

П-3, развивает на выходе мощвыходном каскаде транзистора
можно заменить транзисторами

а транзисторы

7.20219

35 мвт.

до 69 мат и более, если исклю-

П-2.

-

Содержание
О

И: СВ И

Глава

{. Общие

в.
сведения

Условные обозначения зарубе жных полупроводниЕе:
а
ковых приборов
полупроводниковых
обозначения
Графические
приборов (принятые в американской научноа
технической литературе)
Зарубежные справочные издания по Пр
Е
а
никовым приборам
Система обозначений отечественных полупроводниковых приборов
Взаимозаменяемость отечественных и а ибежцых
‹.
.
.
полупроводниковых приборов.
Рекомендации по подбору и применению полу-

проводниковых

Глава

приборов

П. Взаимозаменяемые

п,

транзисторы

.

Пояснения к таблицам
Таблица взаимозаменяемых отечественных н заг
г
.
.
.
рубежных транзисторов
‹.
.
.
торов
транзис
ных
зарубеж
Корпуса

11.
Глава
о

Взаимозаменяемые
Ао
ии

полупроводнико-

т
.
Пояснения к таблицам .
зарубежных и отеТаблицы взаимозаменяемых
ое
о.
чественных диодов;
НЫ
Выпрямительные диоды
и.
Стабилитроны
ее
у
Импульсные диоды...
‹
.
.
.
.
Корпуса зарубежных диодов
ва
.
.
Приложенке

101
103

Александр Сергеевич Белов,
Валентина Ивановна Гордеева,
Анатолий Владимирович Нефедов
ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
И ЗАРУБЕЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Редактор
Художник

ПРИБОРЫ

В. А. Солдатенков
Г. Д. Целищев

Технический редактор /Л. А. Пантелеева
Корректор Е. В. Житомирская
Сдано в набор 3/1Т 1971 г.

Подписано к печати 23/1Х 1971 г.

Бумага типографская № 2

Формат 84Х 1081 /за

Т-13373

Уч.-изд. л. 6,43

Усл. печ. л. 5,46
Цена 32 коп.

Тираж 35 000 экз.

Издательство
Шлюзовая

„Энергия“.

наб.,

Москва,

М-114,

10.

Московская типография № 10 Главполиграфпрома
Комитета по печати при Совете Министров СССР.
Шлюзовая
наб., 10.

Зак. 92

АРА

ЧИ ПА
ЗЕЕ