Текст
                    <<РЕМОНТ>> N9 90
А.В. Нефедов
А.И. Аксенов
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ
ДЛЯ БЫТОВОЙ, ПРОМЫШЛЕННОЙ
И СПЕЦИАЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ
Справочное
пособие
Полная
информация
о приборах
Номенклатура
Изrотовитепи
Параметрь1
Корпуса
Анапоrи
Представлено
ДО 5000
наименований!
ICI
IJ
«СОЛОН»


УДК 621.397 ББК 32.94-5 Н58 Серия ((Ремонт", выпуск 90 Нефедов А. В., Аксенов А. И. Н58 Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Спра- вочное пособие. - М.: СОЛОН-Пресс, 2006. - 600 с. - (Серия «Ремонт») ISBN 5-98003 -239 -8 Рассмотрены свойства и особенности биполярных и полевых транзисторов (с р-n-перехо­ дом, МОП, биполярных транзисторов со статической индукцией и с изолированным затвором), предназначенных для применения в бытовой, промышленной и специальной аппаратуре, при­ ведены их электрические параметры, области применения, стандартизованные корпуса и зару­ бежные аналоги, а также указаны предприятия-изготовители. Справочное пособие рассчитано на широкий круг читателей, специалистов, студентов и ра­ диолюбителей, занимающихся конструированием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. КНИГА- ПОЧТОЙ УДК 621.397 ББК 32.94-5 Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом (оплата при получении) по фикси­ рованной цене. Заказ оформляется одним из двух способов: 1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20. 2. Оформить заказ можно на сайте www.solon-press.ru в разделе «Книга - почтой». Бесплатно высылается каталог издательства по почте. При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желательно указать дополнительно свой телефон и ад­ рес электронной почты. Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Пресс», считав его с адреса www.solon-press.ru/kat.doc. ISBN 5-98003-239 -8 По вопросам приобретения обращаться: ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК» Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95, www.abook.ru www.solon-press.ru . E -mail: solon-avtor@coba.ru © Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2006 ©А. В. Нефедов, А. И. Аксенов, 2006
Содержание Предисловие .................................................................................................................4 Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Германиевые транзисторы ............................................................................................................6 Биполярные кремниевые транзисторы ......................................................................................... 7 Кремниевые сборки ..................................................................................................................... 18 Германиевые транзисторы специального назначения ................................................................ 18 Кремниевые транзисторы специального назначения .................................................................. 19 Кремниевые сборки специального назначения ...........................................................................23 Полевые транзисторы .................................................................................................................24 Полевые транзисторы специального назначения .......................................................................28 Адреса предприятий-изготовителей ..........................................................................31 Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства .................32 Перечень корпусов зарубежных транзисторов ........................................................33 РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения 1.1. Система условных обозначений ........................................................................................34 1.2. Условные графические обозначения транзисторов ...........................................................36 РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов ......................................38 2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов ................................................ .41 2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника ...................................................51 2.4. Области работы'и вольт-амперные характеристики транзисторов ...................................54 2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов ......................................................57 2.6. Биполярные германиевые транзисторы .............................................................................62 2.7. Биполярные кремниевые транзисторы ..............................................................................82 2.8. Биполярные кремниевые сборки .....................................................................................256 2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения .................................264 2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения .................................. 272 2.11. Биполярные кремниевые сборки специального назначения ...........................................372 РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов ..........................................378 3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов .....................................................380 3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов .....................................................386 3.4. Полевые транзисторы широкого применения .................................................................392 3.5. Полевые транзисторы специального назначения ........................................................... .472 РАЗДЕЛ 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 4.1. Конструкции корпусов транзисторов ...............................................................................518 4.2. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные приборы ..................................519 4.3. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов отечественных транзисторов ........................................................................................... 521 4.4 . Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов зарубежных транзисторов ................................................................................................ 530 4.5. Соответствие отечественных корпусов зарубежным ......................................................546 РАЗДЕЛ 5. Аналоги транзисторов 5.1. О взаимозаменяемости транзисторов ..............................................................................547 5.2. Условные обозначения и классификация зарубежных приборов ...................................548 5.3. Сокращенные обозначения зарубежных фирм ................................................................549 5.4. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов ........................................................551 5.5. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги ..................................................554 5.6. Аналоги отечественных транзисторов .............................................................................575 Литература ................................................................................................................ 599
Предисловие В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и ха­ рактеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии. Справочное пособие состоит из пяти разделов. В первом разделе даны классификация и услов­ ные обозначения полупроводниковых приборов. Приведены условные графические обозначения бипо­ лярных и полевых транзисторов, указатель транзисторов и их изготовители. Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические па­ раметры, области применения, буквенные обозначения параметров, а также электрические парамет­ ры биполярных транзисторов широкого применения и специального назначения. В третьем разделе рассмотрены основные свойства и особенности полевых транзисторов (с p-n переходом, МОП-транзисторов), а также транзисторов со статической индукцией, биполярных тран­ зисторов с изолированным затвором, относящихся к классу полевых транзисторов, области примене­ ния. буквенные обозначения параметров, электрические параметры кремниевых полевых и арсенидгаллиевых транзисторов, в том числе со структурой НЕМТ (High Electron-mobility Transistor) GaA!As/ GaAs, широкого применения и специального назначения. В четвертом разделе даны корпуса транзисторов. В пятом разделе рассматривается взаимозаменяемость отечественных и зарубежных транзисто­ ров, буквенные обозначения зарубежных транзисторов и их изготовителей. Кроме того, приведены таблицы отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов и зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. В справочное пособие включены как современные типы транзисторов, так и снятые по разным причинам с производства, и используемые для применения в бытовой, промышленной и специальной радиоэлектронной аппаратуре.
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Германиевые транзисторы i· i 1 Стр.1 ·1 Тип Изготовитель 1. il прибора i (см. стр. 31) 1 i i ГТ108А i- 62 1 ' t Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) ГТЗО9В 1 З-д «Транзистор» 64 т и ип i зготовитель ! Стр. прибора (см. стр. 31) ГТЗ29В 1З-д ПО «Альфа» 1 66 1 11 ГТ108Б 1- 162 1 1 11 ГТ108В 1- 162 1 1 !1 ГТ108Г i- 1621 ~1 1 1 ! ГТ109А - 62 ГТЗО9Г 1 З-д «Транзистор» 64 ·1 ГТЗ09Д 1 З-д «Транзистор» 64 ГТЗО9Е З-д «Транзистор» 64 1 ГТ310А З-д «Квазар» 64 ГТЗ29Г 1З-д ПО «Альфа» i 66 гтззод 1З-д «Пульсар» 166 гтззож 1З-д «Пульсар» 166 гтззои j З-д «Пульсар» i 66 ГТ109Б - 1 62 ГТЗ10Б З-д «Квазар» 64 ГТЗЗ5А lтонди электроника 1 66 1 ГТ109В - 1 62 ГТЗ10В З-д «Квазар» 64 ГТЗЗ5Б lтонди электроника j 66 1 ГТ109Г - i62 ~ ГТ109Д 1- i62 1 ' 1 ГТ109Е - 1 iГТ109Ж i= i 62 1 62 ГТ109И 11 ГТ115А 1ЗАО «Кремний» 1621 ~1 ' 1 li ГТ115Б 1 ЗАО «Кремний» 1 62 1 1 1 ГТ115В 1ЗАО «Кремний» 62 1 ГТ115Г 1ЗАО «Кремний» 62 1 ГТ115Д 1ЗАО «Кремний» 62 : ГТ122А ЗАО «Кремний» 62 1 1 1ГТ122Б 1ЗАО «Кремний» 162 l 1 ~ ГТ122В 1 ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ10Г З-д «Квазар» 164 1 ГТЗ10Д iЗ-д «Квазар» i64 1 ГТЗ10Е З-д «Квазар» 64 1 ГТЗ11А З-д «Квазар» 64 11 ГТЗ11Б З-д «Квазар» 1 64 ГТЗ11В 1З-д «Квазар» 1641 1 ГТЗ11Г iЗ-д «Квазар» 1641 1 ГТЗ11Д 1З-д «Квазар» 64 1 ГТЗ11Е З-д «Квазар» 1641 ГТЗ11Ж j З-д «Квазар» 64 11 ГТЗ11И З-д «Квазар» 164 1 1 1 ГТЗ1ЗА З-д «Квазар» 1641 i 1 ГТЗ1ЗБ З-д «Квазар» 641 ГТЗЗ5В 1Тонди электроника : 66 ГТЗЗ5Г JТонди электроника : 66 1 ГТЗЗ5Д !Тонди электроника 1 66 ГТЗЗSА 1 З-д «Квазар» 166 ГТЗЗSБ 1 З-д «Квазар» 166 1 гтззsв 1- 66 ГТЗ41А 1 З-д ПО «Альфа» 68 ГТЗ41Б 1З-д ПО «Альфа» 68 ГТЗ41В 1З-д ПО «Альфа» 68 ГТЗ46А 1 НПО «Планета» 68 ГТЗ46Б 1 НПО «Планета» 68 ГТЗ46В !НПО «Планета» 68 ГТЗ62А !З-д «Пульсар» 68 1 ~ ГТ122Г iЗАО «Кремний» i 62 ГТЗ1ЗВ 1З-д «Квазар» 164 ГТЗ62Б : З-д «Пульсар» 68 ГТ124А 1ЗАО «Кремний» 62 ГТ124Б 1ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ20А iтонди электроника 1 64 ГТЗ20Б 1Тонди электроника i 64 IJГТЗ76А- 1НПО «Планета» 68 1- ГТЗSЗА-2 68 ГТ124В ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ20В iТонди электроника 64 jj ГТЗSЗБ-2 i- !68 ГТ124Г ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ21А СКБ «Элькор» 164 ~ ГТЗSЗВ-2 i- 168 ГТ125А ЗАО «Кремний» 62 ГТ125Б ЗАО «Кремний» 62 ГТ125В ЗАО «Кремний» 62 1ГТ125Г 1 ЗАО «Кремний» 162 • 1 1 1 lirт12sд 1ЗАО «Кремний» 162 ~ ГТ125Е !ЗАО «Кремний» ! 62 ГТЗ21Б СКБ «Элькор» i64 ГТЗ21В СКБ «Элькор» 64 ГТЗ21Г СКБ «Элькор» 64 ГТЗ21Д СКБ «Элькор» 1 64 1 ГТЗ21Е СКБ «Элькор» i64 ГТЗ22А НПО «Планета» 66 1 ГТ402А 1 ЗАО «Кремний» 168 ГТ402Б 1ЗАО «Кремний» 168 1 ГТ402В 1 ЗАО «Кремний» ГТ402Г !ЗАО «Кремний» 68 1! iЗАО «Кремний» 1 ГТ402Д ' 68 ,, '! ГТ402Е ЗАО «Кремний» 1 68 ' ГТ125Ж ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ22Б НПО «Планета» 66 ГТ402Ж ЗАО «Кремний» 68 ГТ125И ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ22В НПО «Планета» 66 ГТ402И ЗАО «Кремний» 68 ГТ125К ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ22Г НПО «Планета» 66 ГТ403А ЗАО «Кремний» 68 ГТ125Л ЗАО «Кремний» 62 ГТЗО5А НП00 «Планета» 62 ГТЗ22Д НПО «Планета» 66 ГТЗ22Е НПО «Планета» 66 1 ГТ40ЗБ ЗАО «Кремний» 68 ГТ40ЗВ ЗАО «Кремний» 1 68 ГТЗО5Б НПО «Планета» 62 ГТЗО5В НПО «Планета» 62 ГТЗОSА 1СКБ «Элькор» 1 64 1 ГТЗ2ЗА - 66 ГТЗ2ЗБ - 166 i- 1 ГТЗ2ЗВ i661 ГТ40ЗГ ЗАО «Кремний» 1 68 ,1 1 ГТ40ЗД 1ЗАО «Кремний» ;68 :1 ГТ40ЗЕ !ЗАО «Кремний» 66 'i •' ,iгтзоsБ 1 СКБ «Элькор» !64 1 1 ГТЗ28А НПО «Планета» i 66 i : ЗАО «Кремний» 68 1 ~ гтзоsв iСКБ «Элькор» 64 1 IГТЗОSГ iСКБ «Элькор» 164 1 1гтзоэд 1З-д «Транзистор» 1 64 ГТЗО9Б 1З-д «Транзистор» i 64 ГТЗ28Б НПО «Планета» 1 66 11 i ГТЗ28В 1 НПО «Планета» 166 ГТЗ29А 1З-д ПО «Альфа» 1 66 ГТЗ29Б 1 З-д ПО «Альфа» 66 ГТ40ЗИ 1 ЗАО «Кремний» 66 1 ГТ40ЗЮ 1 ЗАО «Кремний» 68 ! lt§04A 1 ЗАО «Кремний» ' 70 1 046 !ЗАО «Кремний» 70
6 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя ' Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель . !i прибора (см. стр. 31) i Стр. !1 ГТ404В ЗАО «Кремний» 70 МП1ЗБ - 72 П210А 1- 76 ГТ404Г ЗАО «Кремний» 70 МП14 - 74 П210Б - 76 ГТ404Д ЗАО «Кремний» 70 МП14А - 74 П210В - 76 ГТ404Е ЗАО «Кремний» 70 МП14Б - 74 П210Ш - 76 ГТ404Ж ЗАО «Кремний» 70 11 ГТ404И ЗАО «Кремний» 70 ГТ405А ЗАО «Кремний» 1 70 i ГТ405Б 1ЗАО «Кремний» 170 i' ГТ405В 1ЗАО «Кремний» 70 1 ГТ405Г 1ЗАО ,;Кремний» 70 ГТ406А - 70 МП14И - 74 МП15 - 74 МП15А - 74 МП15И - 74 МП16 - 74 МП16А - 74 МП16Б - 74 П213 взпп !761 1 ! П21ЗА 1ВЗПП 76 i1 П21ЗБ взпп 1 761 1 П214 iвзпп 17611 П214А взпп 1 76 1 i ' П214Б взпп 76 ' П214В взпп 76 ГТС609А З-д ПО «Альфа» 70 МП16Я1 - 74 П214Г взпп 76 ГТС609Б З-д ПО «Альфа» 70 МП16Я11 - 74 П215 . взпп 76 ГТС609В З-д ПО «Альфа» 70 МП20А - 74 П216 взпп i76 ГТ612А-4 СКБ «Элькор» 70 МП20Б - 74 П216А взпп 76 1 ГТ701А З-д ПО «ФОТОН» 70 1ГТ703А ЗАО «Кремний» 70 liГТ7ОЗБ 1ЗАО «Кремний» 70 11гт1озв 1ЗАО «Кремний» 1 70 l'ГТ70ЗГ iЗАО «Кремний» 1 70 ЗАО «Кремний» 1 70 ГТ70ЗД 1 МП21В - 74 МП21Г - 74 МП21Д - 74 МП21Е - 74 МП25 1- 74 МП25А - 74 П216Б lвзпп ~7611 .1 П216В взпп 76 11 ' 11 П216Г взпп !76i i П216Д lвзпп ' 76 11 i П217 lвзпп 1 76 11 1 1 П217А lвзпп 1 76 ' ГТ705А ЗАО «Кремний» 70 МП25Б - 74 П217Б взпп 76 ГТ705Б ЗАО «Кремний» 70 МП26 - 74 П217В взпп 76 ГТ705В ЗАО «Кремний» 70 МП26А - 74 П217Г взпп 76 ГТ705Г ЗАО «Кремний» 70 МП2,!iБ - 74 П27 - 78 П27А - 78 ГТ705Д ЗАО «Кремний» 70 МПЗ5 - 74 П28 - 78 ГТ804А - 72 ГТ804Б 1 1 72 1- ~ ГТ804В i- 172 ГТ806А ЗАО «Кремний» 1 72 МПЗ6А - 74 МПЗ7А - 74 МПЗ7Б - 74 МПЗ8 - i74 П29 i- !78 П29А :781 - i- :78 ! пзо 1 П401 - i78 1 ГТ806Б ЗАО «Кремний» 72 МПЗ8А - 74 П402 - !78,1 ГТ806В ЗАО «Кремний» 72 МПЗ9 - 74 П403 - 78 ГТ806Г ЗАО «Кремний» 72 МПЗ9Б - 74 П40ЗА - 78 ГТ806Д ЗАО «Кремний» 72 МП40 - 74 П416 - 78 ГТ810А ЗАО «Кремний» 72 МП40А - 74 П416А - 178 ГТ905А З-д ПО «ФОТОН» 72 1 ГТ905Б З-д ПО «ФОТОН» i 72 ГТ906А З-д ПО «ФОТОН» 1 72 1ГТ906АМ З-д ПО «ФОТОН» 72 . 72 МГТ108А - МП41 - 76 МП41А - 76 МП42 - 76 МП42А - 76 МП42Б - 76 П416Б 1- 178i1 П417 ; 80 ·1 - ' П417А - 180 П417Б - 80 П422 - 80 МГТ108Б - 72 П201Э взпп 76 П423 - 80 МГТ108В - 72 П201АЭ взпп 76 П605 З-д ПО «ФОТОН» 80 МГТ108Г - 72 П202Э взпп 76 П605А З-д ПО «ФОТОН» 80 МГТ108Д . - 72 П20ЗЭ взпп 76 П606 З-д ПО «ФОТОН» 80 МП9А. - - 72 П207 - 76 П606А З-д ПО «ФОТОН» 80' МП10 - 72 П207А - 76 ! 1 П607 З-д ПО «Альфа» 801 МП10А - 72 П208 - 76 П607А 1З-д ПО «Альфа» ! 80 1 МП10Б - 72 П208А - . 76 П608 З-д ПО «Альфа» 80 МП11 - 72 П209 - 76 П608А З-д ПО «Альфа» 80 МП11А - 72 П209А - 76 П609 З-д ПО «Альфа» 80 МП13 - 72 П210 - 76 П609А З-д ПО «Альфа» 80
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 7 Кремниевые транзисторы 1 Тип i Изготовитель 1 Стр. 1 прибора (см. стр. 31) 1 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель 1 Стр. прибора ! (см. стр:31) КТ104А ЗАО «Кремний» 182 КТ208Б 4, 12,33 86 КТЗО1А 17.36 88 КТ104Б ЗАО «Кремний» 182 КТ208В 4, 12,33 86 КТЗО1Б 17,36 88 !1 1 КТ104В ЗАО «Кремний» i 82 КТ208Г 4, 12,33 86 КТЗ01В j1,З6 i88 1 1 КТ104Г 1ЗАО «Кремний» 182 ! КТ117А 127.30 i82 КТ208Д 4, 12,33 86 КТ208Е 14, 12,33 186 1 КТЗ01Г !ЗЗ,36 1 88 1КТЗ01Д iПО «НИИЭТ» 188 !1 КТ117Б 121.зо llКТ117В 127,30 11 КТ117Г :21.зо 182 КТ118А 1З-д «Пульсар» 182 1 КТ118Б З-д «Пульсар» 82 КТ118В З-д «Пульсар» 82 82 КТ208Ж 4, 12,33 i86 КТ208И 4, 12,33 86 КТ208К 4, 12,33 86 КТ208Л 4, 12,33 186 КТ208М 4, 12,33 186 КТ209А 4, 12 ,28 ,33 86 82 КТЗ01Е IПО «НИИЭТ» 88 ·' " КТЗО1Ж IПО «НИИЭТ» 88 '1 КТЗО2А ПО «НИИЭТ» !88 ·: 1 КТЗО2Б !ПО «НИИЭТ» 881 КТЗ02В IПО «НИИЭТ» 188 1 КТЗО2Г 1ПО «НИИЭТ» 88 КТ119А З-д «Пульсар• 82 КТ209Б 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗ06А IПО «НИИЭТ» 88 КТ119Б 3-д «Пульсар» 82 КТ209В 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗ06Б IПО «НИИЭТ» 88 КТ120А 23, 13 82 КТ209В2 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗО6В ПО «НИИЭТ» 88 КТ120Б 23, 13 82 КТ209Г 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗО6Г ПО «НИИЭТ» 188 1КТ120В 23, 13 82 КТ209Д 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗО6Д IПО «НИИЭТ» i88i 11 КТ120А-1 123, 13 1821 " 1 1 ;1 КТ120В-1 123, 13 182 1 !IКТ120А-5 123, 13 182 11 КТ120В·5 :2з. 1з 182 КТ209Е 1З-д «Арсенал» 86 КТ209Ж 1З-д «Арсенал• 86 КТ209И 1З-д «Арсенал» 86 КТ209К НПО «Планета» 86 КТЗО6АМ 126,36 90 !i1 КТЗ06БМ 126.36 1901' ·! КТЗО6ВМ 126,36 ~90i 1 КТЗО6ГМ 26,36 :901 1КТ127А-1 З-д «Старт» 82 1 КТ127Б·1 З-д «Старт» 82 КТ209Л З-д «Арсенал• 86 КТ209М З-д «Арсенал• 186 КТЗ06ДМ 26,36 90 КТЗО7А·1 АО «Светлана» 90 КТ127В·1 З-д «Старт• 82 КТ209К9 НПО «Планета» 86 КТЗО7Б·1 АО «Светлана» 90 КТ127Г-1 З-д «Старт• 82 КТ210А ЗАО «Кремний» 86 КТЗО7В·1 АО «Светлана» 90 КТ132А З-д «Транзистор» 84 КТ210Б ЗАО «Кремний» 86 КТЗО7Г·1 АО «Светлана» 90 КТ132Б З-д «Транзистор» 84 КТ210В ЗАО «Кремний» 86 КТЗ101А-2 АО «Светлана» 90 КТ1ЗЗА З-д «Транзистор» 84 КТ211А-1 ЗАО «Кремний» 86 КТЗ101АМ 1АО «Светлана» 90 !11 I КТ1ЗЗБ 1 З-д «Транзистор» 84 КТ211Б·1 ЗАО «Кремний» 86 КТЗ102А 14, 7, 12, 13,26,28,33 90 !IКТ201А 126.33 184 КТ211В-1 ЗАО «Кремний» 1 86 КТЗ102Б 14, 7, 12, 13.26 .28,33 90 ' 1 !1 КТ201Б 126,33 84 КТ214А·1 33, 13 1 88 1 КТ3102В 14. 7, 12, 13,26,28,33 90 11 КТ201В 26,33 184 КТ214Б-1 1 33, 13 188 КТЗ102Г 4, 7. 12, 13,26,28.33 90 1 КТ201Г 26,33 184 1 КТ214В·1 33, 13 188 КТЗ102Д 4, 7. 12, 13,26,28,33 90 КТ201Д 26,33 84 КТ214Г·1 33, 13 88 КТЗ102Е 4, 7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201АМ 4,26,33 84 КТ214Д·1 33, 13 88 КТЗ102Ж 4, 7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201БМ 4,26,33 84 КТ214Е·1 33, 13 88 КТЗ102И 4, 7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201ВМ 4,26,33 84 КТ215А·1 33, 13 88 КТЗ102К 4,7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201ГМ 4,26,33 84 КТ215Б·1 33, 13 88 КТЗ102АМ 4, 12 ,28,33 90 'кt201дм 4,26,33 84 КТ215В-1 33, 13 88 КТЗ102БМ 4, 12 .28,33 90 11 КТ202А·1 1ЗАО «Кремний» 84 1 - !1 КТ202Б-1 ЗАО «Кремнии» 1 84 КТ215Г·1 33, 13 1 88 1 КТ215Д-1 33, 13 188 КТЗ102ВМ 14. 12 ,28.33 :90 'i КТЗ102ГМ 14. 12 ,28 ,33 1 90 1i,, КТ202В·1 1ЗАО «Кремний» 84 КТ215Е·1 33, 13 i 1 88 КТЗ102ДМ 14. 12 ,28,33 : 90 !!1 КТ202Г-1 ЗАО «Кремний» 84 КТ216А АО «;элекс» 188 КТЗ102ЕМ 4, 12 ,28,33 !9011 КТ202Д·1 ЗАО «Кремний» 84 КТ216Б АО «Элекс» 88 КТЗ102ЖМ 4, 12 ,28 ,33 90 КТ20ЗА АО «Элекс» КТ216В АО «Элекс» 88 КТЗ102ИМ 4, 12 ,28 ,33 90 КТ20ЗБ АО «Элекс» 84 КТ218А-9 АО «Элекс» 88 КТ3102КМ 4, 12 ,28 ,33 90 КТ20ЗВ АО «Элекс» 84 КТ218Б-9 АО «Элекс» 88 КТЗ102А2 ЗАО «Кремний» 90 КТ20ЗАМ 4,33 84 КТ218В·9 АО «Элекс» 88 КТЗ102Б2 ЗАО «Кремний» 90 КТ20ЗБМ 4,33 84 КТ218Г-9 АО «Элекс» 88 КТЗ102В2 ЗАО «Кремний» 90 КТ20ЗВМ 4,33 84 КТ218Д·9 АО «Элекс» 88 КТЗ102Г2 ЗАО «Кремний» 9,0 КТ206А 33,26 86 КТ218Е-9 АО «Элекс» 88 КТЗ102Д2 ЗАО «Кремний» 90 1. КТ206Б АО «Светлана» 86 КТ220А9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102Е2 ЗАО «Кремний» 90 КТ207А АО «Светлана» 86 КТ220Б9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102Ж2 ЗАО «Кремний» 90 КТ207Б АО «Элекс» 86 КТ220В9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102И2 ЗАО «Кремний» 90 КТ207В АО «Элекс» 86 КТ220Г9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102К2 ЗАО «Кремний» 90 КТ208А 4, 12,33 86 КТЗ01 7,36 88 КТЗ104А АО «Восход» 92
8 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя :. Тип i Изготовитель 1 i: прибора (см. стр. 31) 1 Стр. 1' 1КТЗ104Б АО «ВОСХОД» 92 i КТЗ104В АО «ВОСХОД» 92 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КТЗ128А·9 АО «Элекс» 98 КТЗ129А-9 4,28,33 98 Тип 1 Изготовитель : ii прибора (см. стр. 31) ! Стр. '1 КТЗ15Р l12, 13, 15 1 100 КТЗ15А-1 12, 28, 33 102 1 КТЗ104Г АО «ВОСХОД» 92 КТЗ129Б-9 4,28,33 98 КТЗ15Б-1 12, 28, 33 102 КТЗ104Д АО «ВОСХОД» 92 КТЗ129В-9 4,28,33 98 КТЗ15В-1 12, 28, 33 102 КТЗ104Е АО «ВОСХОД» 92 КТЗ129Г-9 4,28,33 98 КТЗ15Г-1 12, 28, 33 102 1 КТЗ106А-2 26,33 92 КТЗ106А-9 АО «Элекс» 92 il КТЗ107А 2,4, 12,28,33 92 КТЗ129Д·9 4,28,33 98 КТЗ1ЗА 4,33 98 КТЗ1ЗБ 4,33 98 КТЗ15Д-1 12, 28, 33 102 КТЗ15Е-1 12, 28, 33 1 102 КТЗ15Ж-1 12, 28, 33 ! 102 1 КТЗ107Б 2,4, 12,28,33 92 КТЗ107В 2,4, 12,28,33 92 КТ31ЗА-1 4,33 98 КТЗ1ЗБ-1 4,33 98 КТЗ15И-1 12, 28, 33 1 102 КТЗ15Н-1 12, 28, 33 1 102 !1 КТЗ107Г 2,4, 12,28,33 92 КТЗ1ЗВ-1 4,33 98 КТЗ15Р-1 12,28,33 !1021 1 КТЗ107Д 2,4, 12,28,33 92 1 КТЗ107Е 2,4, 12,28,33 92 КТЗ107Ж 2,4, 12,28,33 92 КТЗ1ЗГ·1 4,33 98 КТЗ1ЗОА-9 4,28,33 98 КТЗ1ЗОБ-9 4,28,33 98 КТЗ150Б-2 3-д ПО «Альфа» i 102 1 КТЗ151А-9 4, 33 102 КТЗ151Б-9 4, 33 102 КТЗ107И 2,4, 12,28,33 92 КТЗ1ЗОВ-9 4,28,33 98 КТЗ151В·9 4, 33 102 КТЗ107К 4, 12,28 92 КТЗ1ЗОГ-9 4,28,33 98 КТЗ151Г·9 4, 33 102 КТЗ107Л 4, 12,28 92 КТЗ1ЗОД-9 4,28,33 98 КТЗ151Д-9 4, 33 102 КТЗ108А 2,4 ,33 92 КТЗ1ЗОЕ-9 4,28,33 98 КТЗ151Е-9 4, 33 102 КТЗ108Б 2,4 ,33 92 КТЗ1ЗОЖ-9 4,28,33 98 КТЗ15ЗА-9 4, 28, 33 102 1 КТЗ108В 2,4, 33 92 1 1КТЗ109А 3-д ПО «Альфа» 92 1 КТЗ109Б 13-д ПО «Альфа» 1 92 11 КТЗ109В 13-д ПО «Альфа» 92 1КТЗ114Б-б 13-д «Пульсар» 192 КТЗ114В·б 3-д «Пульсар» 92 КТЗ132А-2 3-д «Пульсар» 98 КТЗ132Б-2 3-д «Пульсар» 98 1 КТЗ132В-2 3-д «Пульсар» 1981 КТЗ132Г-2 3-д «Пульсар» 98 1 КТЗ132Д-2 3-д «Пульсар» 98 КТЗ132Е-2 3-д «Пульсар» 98 КТЗ15ЗА·5 14. 28, 33 !102fl КТ3157А 12, 28, 33 i 102 КТЗ16А IAO «Элекс» 1102I! КТЗ16Б IAO «Элекс» i102~ 11~КТ_З_1_б_В___,~А_О_«Э_л_е_к_с» ___+!~ КТЗ16Г АО «Элекс» 102 1 КТЗ115А-2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ115В-2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ139А 3-д «Пульсар» 98 КТЗ139Б 3-д «Пульсар» 98 КТЗ16Д АО «Элекс» 102 КТЗ16АМ АО «Элекс» 102 1 КТЗ115Г-2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ139В 3-д «Пульсар» 98 КТЗ16БМ АО «Элекс» 102 КТЗ115Д·2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ139Г 3-д «Пульсар» 98 КТЗ16ВМ АО «Элекс» 1 102 КТЗ117А 4, 12 ,28 ,33 94 КТЗ14А-2 АО «Элекс» 100 КТЗ16ГМ АО «Элекс» 1 102 КТЗ117Б 4, 12 ,28 ,33 94 КТЗ140А - 100 КТЗ16ДМ АО «Элекс» 102 КТЗ117А·1 4, 12 ,28 ,33 94 КТЗ140Б - 100 КТЗ165А 19, 28 104 КТЗ117А9 14. 12 ,28 ,33 94 КТЗ140В - 100 КТЗ165А·9 19, 28 104 КТЗ117Б9 14. 12 ,28 ,33 94 1 КТЗ12А 7,33 ,36 94 КТЗ140Г - 100 КТЗ140Д - 100 КТЗ166А АО «Элекс» 1 104 i КТЗ166Б АО «Элекс» 104 КТЗ12Б 7,33 ,36 94 КТЗ142А 4,28 100 КТЗ166В АО «Элекс» 1 104 КТЗ12В 7,33 ,36 94 КТЗ14ЗА АО «Светлана» 100 КТЗ166Г АО «Элекс» 104 КТЗ12А1 7,33 ,36 94 КТЗ144А АО «Светлана» 100 КТЗ168А-9 АО «Светлана» 104 КТЗ12Б1 7,33 ,36 94 КТЗ145А-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ169А-9 НПО «Планета» 104 КТЗ12В1 7,33 ,36 94 КТЗ145Б-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ169А91 НПО «Планета» 104 1 КТЗ120АМ АО «Светлана» 94 1 КТЗ121А·б АО «Светлана» i94 КТЗ122А 3-д «Квазар» 96 i1КТЗ122Б 3-д «Квазар» 196 КТЗ145В-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ145Г-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ145Д-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ146А·9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ17А·1 13, 23 104 1 ,,_кт_з_11_Б_-_1------<!_1_3. _2_3 __ _ __i _1 _04 --- --11!1 КТЗ17В-1 l13, 23 i 104 КТЗ170А·9 АО «Элекс» 1104~ 1 КТЗ12ЗА·2 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ146Б-9 АО «НИИЭТ» 100 КТ3171А·9 АО «Элекс» 1 104 1КТЗ12ЗБ-2 13-д ПО «Альфа» 1 96 1 КТЗ146В-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ172А·9 АО «Элекс» 1 106 1 КТЗ12ЗВ-2 3-д ПО «Альфа» 1 96 КТЗ12ЗАМ 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ12ЗБМ 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ146Г-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ146Д-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ15А 12, 13, 15 100 КТЗ17ЗА·9 АО «Элекс» 106 106 1 КТЗ176А-9 АО «Элекс» КТЗ179А·9 АО «Элекс» 106 КТЗ12ЗВМ 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ15Б 12, 13, 15 100 КТЗ1 SA-1 13, 23 106 КТЗ126А 33,28 96 КТЗ15В 12, 13, 15 100 КТЗ18Б·1 13, 23 106 КТЗ126Б 33,28 96 КТЗ15Г 12, 13, 15 100 КТЗ18В-1 13, 23 ! 106 КТЗ126А-9 33,28 96 КТЗ15Д 12, 13, 15 100 КТЗ18Г·1 13, 23 1 106 КТЗ127А 33,28 96 КТЗ15Е 12, 13, 15 100 КТЗ18Д-1 13, 23 1 106 1КТЗ128А 13-д «Транзистор» 96 КТЗ15Ж 12, 13, 15 100 КТЗ18Е·1 13, 23 1 106 КТЗ128А·1 13-д «Транзистор» 98 КТЗ15И 12, 13, 15 100 КТЗ180А-9 АО «Элекс» 106 КТЗ128Б-1 3-д «Транзистор» 98 КТЗ15Н 12, 13, 15 100 ' КТЗ184А9 ПР3ПП 106
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 9 ,, ,, Тип Изготовитель Стр. 11 прибора 1 (см. стр. 31) КТ3184Б9 IПРЗПП 106 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КТ324Г-1 АО «Светлана» 110 Тип Изготовитель i прибора (см. стр. 31) ! Стр.1 КТ343А АО «Элекс» 114 1КТ3186А-9 1НПО «Планета» 106 КТ324Д-1 АО «Светлана» 110 КТ343Б АО «Элекс» 114 11 КТ3186Б-9 1НПО «Планета» i 106 1 КТ324Е-1 АО «Светлана» 110 КТ343В АО «Элекс» 114 11 КТ3186В-9 i НПО «Планета» 1 106 КТ325А АО «Светлана» 110 КТ345А З-д ПО «Альфа» 114 11 КТ3187А-9 НПО «Планета» 106 КТ325Б АО «Светлана» 110 КТ345Б З-д ПО «Альфа» 114 j КТ3187А91 НПО «Планета» 106 1КТ3187Б91 НПО «Планета» 106 1КТ3187В91 НПО «Планета» 106 11 КТ3189А-9 14,28 1 108 1 !j КТ3189Б-9 1 14.28 1 108 КТ325В АО «Светлана» 110 КТ325АМ АО «Элекс» 112 1 КТ325БМ АО «Элекс• 1 112 КТ325ВМ АО «Элекс» 112 КТ326А 2,4,33 1 112 КТ345В З-д ПО «Альфа» 114 КТ347А IAO «Элекс» !114i 1 КТ347Б IAO «Элекс» 114 11 1 11 1КТ347В [АО «Элекс» 114 il КТ348А-3 1 СКБ «ЭЛЬКОР» 116 1' .1 ;1 КТ3189В-9 [4,28 1 108 1 КТ326Б 2,4,33 1 112 КТ348Б-3 1 СКБ «Элькор» 1 ' 116 1 !1 КТ319А-1 1- 1 108 1 1 КТ326АМ 4,33 112 КТ348В-3 1 СКБ «Элькор» i 116 1 КТ319Б-1 - 108 КТ326БМ 4,33 112 КТ349А З-д ПО «Альфа» : 116 1 КТ319В-1 - 108 КТ331А-1 СКБ «Элькор» 112 КТ349Б З-д ПО «Альфа» 116 КТ3191А-9 НПО «Планета» 108 КТ331Б-1 СКБ «Элькор» 112 КТ349В З-д ПО «Альфа» 116 КТ3191А91 НПО «Планета» 108 КТ331В-1 СКБ «Элькор» 112 КТ350А З-д ПО «Альфа» 116 КТ3192А-9 З-д «Транзистор» 108 КТ331Г-1 СКБ «Элькор» 112 КТ351А З-д ПО «Альфа» 116 КТ3193А ЗАО «Кремний» 108 КТ3193Б ЗАО «Кремний» 108 КТ332А-1 - 112 КТ332Б-1 - 1 112 КТ351Б З-д ПО «Альфа» 1 116 11 1 КТ352А 1З-д ПО «Альфа» ! 116 !! !1 КТ3193В 1ЗАО «Кремний» 1 108 :1 КТ3193Г 1 ЗАО «Кремний» 1 108 !i КТ319ЗД j ЗАО «Кремний» i 108 1 1КТ3193Е 1 ЗАО «Кремний» 108 КТ3196А-9 З-д «Транзистор» 108 КТ332В-1 '- 112 КТ332Г-1 - 1 112 1 КТ332Д-1 - 112 КТ333А-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ333Б-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 1 11 КТ352Б !З-д ПО «АльФа» 116 1АО «Светлана» 1КТ354А-2 116 1 1 1 КТ354Б-2 1АО «Светлана» 1 116 :1 КТ355А 1АО «Светлана» 1 116 КТ355АМ АО «Светлана» : 116 КТ3197А-9 З-д «Транзистор» 108 КТ333В-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ357А - 1 116 1 КТ3198А НПО «Планета» 108 КТ333Г-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ357Б - 116 КТ3198Б НПО «Планета» 108 КТ333Д-3 З-д «Экситон» 112 КТ357В - 116 КТ3198В НПО «Планета» 108 КТ333Е-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ357Г - 116 КТ3198Г НПО «Планета» 108 КТ336А АО «Светлана» 112 КТ358А взпп 116 КТ3198Д НПО «Планета» 108 КТ336Б АО «Светлана» 1 112 КТ358Б 1взпп ~1161 1 КТ3198Е НПО «Планета» 108 КТ336В АО «Светлана» 112 КТ358В lвзпп i 116 ,, ,, КТ3198Ж 1НПО «Планета» 1 108 КТ336Г АО «Светлана» 1 112 КТ359А-3 iСКБ «Элькор» i 118 r!., КТ3198А9 1НПО «Планета» 1 108 КТ3198Б9 1НПО «Планета» ! 108 КТ336Д АО «Светлана» 112 КТ336Е АО «Светлана» 1 112 ' КТ359Б-3 1СКБ «Элькор» 118 1' 1 КТ359В-3 1 СКБ «Элькор» 118 КТ3198В9 НПО «Планета» 1 108 КТ337А З-д ПО «Альфа» 112 КТ360А-1 З-д ПО «Альфа» 1 118 КТ3198Г9 НПО «Планета» 108 КТ337Б З-д ПО «Альфа» 112 КТ360Б-1 З-д ПО «Альфа» 118 КТ3198Д9 НПО «Планета» 108 КТ337В З-д ПО «Альфа» 112 КТ360В-1 З-д ПО «Альфа» 118 КТ3198Е9 НПО «Планета» 108 КТ339АМ АО «Элекс» 114 КТ361А 15,33 118 КТ3198Ж9 НПО «Планета» 108 КТ339А АО «Элекс• 114 КТ361А1 15,33 118 КТ3198А92 НПО «Планета» 110 КТ339Б АО «Элекс» 114 КТ361Б 15, 33 118 КТ3198Г92 НПО «Планета» 110 1КТ3199А9 1НПО «Планета» 110 1 КТ3199А91 1НПО «Планета» 1 110 1 КТ339В АО «Элекс» 114 КТ339Г АО «Элекс» 114 КТ339Д АО «Элекс» 114 КТ361В 15,33 i118!! 11КТ361Г 115,33 118 11 11 КТ3199А92 1НПО «Планета» 110 il КТ3201А9 НПО «Планета» 1 110 1КТ3201Б9 НПО «Планета» 110 КТ340А - 114 КТ340Б 1- 114 КТ340В - f 114 КТ361Д l15, 33 i1181' КТ361Д1 l 15, 33 1118~ 1г--~~---t---------+----i1 КТ361 Е 15, 33 ; 118 1КТ3201В9 НПО «Планета» 110 КТЗ40Г - 114 КТ361Ж l15, 33 1 118 1КТ3201Г9 НПО «Планета» 110 КТ340Д - 114 КТ361И 15, 33 1 118 КТ321А СКБ «Элькор» 110 КТ342А АО «Элекс» 114 КТ361 К 15, 33 118 КТ321Б СКБ «Элькор» 110 КТ342Б АО «Элекс• 114 КТ361Л 15, 33 118 КТ321В СКБ «Элькор» 110 КТ342В АО «Элекс» 114 КТ361 М 15, 33 118 1 КТ321Г СКБ «Элькор» 110 , КТ321Д СКБ «Элькор» 110 1 КТ321Е 1СКБ «Элькор» 110 1 КТ324А-1 1АО «Светлана» 110 1 ![ КТ324Б-1 1АО «Светлана» 110 1 КТ324В-1 АО «Светлана» 110 КТ342Г АО «Элекс» 114 КТ342АМ АО «Элекс» 114 КТ342БМ АО «Элекс» 114 КТ342ВМ АО «Элекс» 114 КТ342ГМ АО «Элекс» 114 КТ342ДМ АО «Элекс• i 114 118 КТ361 Н 15, 33 : 118 :1 КТ361П l15,33 КТ361 А-2 f12,28,33 : 118 КТ361А-3 l12, 28, 33 i1181 КТ361Б-2 12, 28, 33 11181j , КТ361В-2 l12, 28, 33 11181
10 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя ~ ! ~ Тип Изготовитель 1 Стр. !1 прибора ; (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель i 11 прибора (см. стр. 31) \Стр..1 . 1 КТЗ61Г-2 i12, 28, 33 118 КТЗSОА АО «Элекс» 124 КТ506А ЗАО «Кремний» 1 128 1 КТЗ61Г-З 112. 28, 33 118 КТЗSОБ АО «Элекс» 124 КТ506Б ЗАО «Кремний» 128 КТЗ61Д-2 112. 28, 33 118 ктзsов АО «Элекс» 124 КТ509А ЗАО «Кремний» 1 130 КТЗ61Д-З 12.28,33 118 КТЗ81Б СКБ «Элькор» 124 КТ511А9 АО «Элекс» 130 КТЗ61Е-2 12,28,33 118 КТЗ81В СКБ «Элькор» 124 КТ511Б9 АО «Элекс» 130 КТЗ61Ж-2 12,28,33 118 КТЗ81Г СКБ •Элькор» 124 КТ511В9 АО «Элекс» 130 КТЗ61И-2 12,28,33 118 КТЗ81Д СКБ «Элькор» 124 КТ511Г9 АО «Элекс» 130 КТЗ61К-2 112. 28, 33 118 КТ381Е СКБ •Элькор» 124 КТ511Д9 АО «Элекс» !130! 1 КТЗ61Л-2 112. 28, 33 118 КТЗ61М-2 112, 28, 33 118 i КТЗ61Н-2 112, 28, 33 118 1 КТЗ82А АО «Светлана» 124 КТЗ82Б АО «Светлана» 124 КТЗ82АМ АО «Светлана» 124 КТ511Е9 АО «Элекс» 11301 КТ511Ж9 АО оЭлекс» 130 КТ511И9 АО «Элекс» 130 КТЗ61П-2 12,28 ,33 118 КТЗ82БМ АО «Светлана» 124 КТ511К9 АО «Элекс» 130 :; ~ КТЗ6ЗА 11181 12.33 КТЗ6ЗБ 2,33 1 118 1 КТЗ84А-2 З-д «Транзистор» 124 КТЗ84АМ-2 З-д «Транзистор» 1 124 КТ512А9 АО «Элекс» 130 КТ512Б9 IAO «Элекс» 1 130 КТЗ6ЗАМ 12.33 118 КТЗ85А-2 З-д «Транзистор» 124 КТ512В9 АО «Элекс• 130 КТЗ6ЗБМ 2,33 118 КТЗ85АМ-2 З-д «Транзистор» 124 КТ512Г9 АО «Элекс» 130 КТЗ64А-2 3-д ПО •Альфа» 120 КТЗ85БМ-2 З-д «Транзистор» 124 КТ512Д9 АО «Элекс» 130 КТЗ64Б-2 З-д ПО «Альфа» 120 КТЗ88Б-2 АО •Элекс» 126 КТ512Е9 АО «Элекс• 1 130 КТЗ64В-2 З-д ПО •Альфа» 120 1КТЗ66А IНИИМП 1 120 КТЗ66Б 1ниимп 120 ~ КТЗ66В lниимп 120 j1ктзб8А 12.4 ,33 120 jlктзбsБ :2.4 .33 120 КТЗ68А-5 14.28 , 33 120 КТЗ88БМ-2 АО «Элекс» 126 КТЗ89Б-2 АО «Элекс» 126 КТЗ91А-2 З-д «Пульсар» 126 КТ391Б-2 З-д «Пульсар» 1 126 КТЗ91В-2 З-д «Пульсар» 126 КТ392А-2 З-д ПО «Альфа» 126 КТ396А-2 АО «Светлана» 126 КТ512Ж9 IAO «Элекс» 1 130 1КТ512И9 iAO «Элекс» 1130,1 КТ512К9 АО «Элекс» !130ti КТ513А9 IAO «Элекс» 113011 КТ513Б9 АО «Элекс» 130 КТ51ЗВ9 АО «Элекс» 1 130 КТ51ЗГ9 АО «Элекс» ! 130 КТЗ68А-9 14,28,33 120 КТ396А-9 АО «Светлана» 126 КТ513Д9 АО «Элекс» 113011 КТЗ68Б-9 4,28,33 120 КТ397А-2 АО «Светлана» 126 КТ514А9 АО «Элекс» 130 1! КТЗ68АМ 4,28, 33 120 КТ399А АО «Светлана» 128 КТ514Б9 АО «Элекс» 130 КТЗ68БМ 4,28 ,33 120 КТЗ99АМ АО «Светлана» 128 КТ514В9 АО «Элекс• 130 КТЗ68ВМ 14.28,33 120 КТ501А ЗАО «Кремний» 128 КТ514Г9 АО •Элекс» 130 1 КТЗ69А 1З-д «Транзистор» 120 КТЗ69Б 1З-д «Транзистор» 120 КТ501Б ЗАО «Кремний» 128 КТ501В ЗАО «Кремний» 128 КТ514Д9 АО «Элекс• !1301 i .1 КТ515А9 АО «Элекс» 130 11 КТЗ69В 1 З-д «Транзистор» 1 120 КТ501Г ЗАО «Кремний» 128 КТ515Б9 АО «Элекс• 130 КТЗ69Г : З-д «Транзистор» 120 КТ501Д ЗАО «Кремний» 128 КТ515В9 АО «Элекс» 1 130 1 КТЗ69А-1 1З-д «Транзистор» 1 120 КТЗ69Б-1 1З-д «Транзистор» 1 120 КТ501Е ЗАО «Кремний» 128 КТ501Ж ЗАО «Кремний» 128 КТ516А9 АО «Элекс» 130 КТ516Б9 АО «Элекс• 130 1 КТЗ69В-1 1З-д «Транзистор» 120 КТ501И ЗАО «Кремний» 128 КТ516В9 АО «Элекс» 130 КТЗ69Г-1 З-д «Транзистор» 120 КТ501К ЗАО «Кремний» 128 КТ517А АО «Элекс» 130 КТЗ70А-1 З-д ПО «Альфа» 122 КТ501Л ЗАО «Кремний» 128 КТ517Б АО «Элекс» 130 КТЗ70Б-1 З-д ПО •Альфа» 122 КТ501М ЗАО «Кремний» 128 КТ517В АО «Элекс» 130 КТЗ70А-9 З-д ПО •Альфа» 122 КТ502А 4, 12 ,28,33 128 КТ517Г АО «Элекс• 130 КТЗ70Б-9 1З-д ПО •Альфа» 122 КТ502Б 4, 12 ,28,33 128 КТ517Д АО «Элекс» 1 130 1 КТЗ71А 1АО «Светлана» 122 КТ502В 4, 12 ,28,33 128 КТ517Е АО «Элекс» 1 130 КТЗ71АМ 1АО «Светлана» 122 КТ502Г 4, 12 ,28,33 128 КТ517А-1 АО •Элекс• 1 132 КТ372А 1З-д «Пульсар» 122 КТ502Д 4, 12 ,28,33 128 КТ517Б-1 АО «Элекс» 132 КТ372Б 'З-д «Пульсар» 122 КТ502Е 4, 12 ,28,33 128 КТ517В-1 АО «Элекс• 132 КТ372В З-д «Пульсар» 122 КТSОЗА 4, 12 ,28,33 128 КТ517Г-1 АО «Элекс• 132 КТ373А АО «Элекс» 122 КТSОЗБ 4, 12 ,28,33 128 КТ517Д-1 АО «Элекс• 132 КТ373Б АО «Элекс» 122 ктsозв 4, 12 ,28,33 128 КТ517Е-1 АО «Элекс» 132 КТ373В АО «Элекс» 122 ктsозг 4, 12 ,28,33 128 КТ517А-9 АО «Элекс» 132 КТ373Г АО «Элекс» 122 КТSОЗД 4, 12 ,28 ,33 128 КТ517Б-9 АО «Элекс» 132 КТ375А взпп 122 КТSОЗЕ 4, 12 ,28,33 128 КТ517В-9 АО оЭлекс» 132 КТЗ75Б взпп 122 КТ504А 12,33 128 КТ517Г-9 АО «Элекс» 132 КТ379А АО «Элекс» 122 КТ504Б 12,33 128 КТ517Д-9 АО «Элекс» 1 132 1 КТЗ79Б АО •Элекс» 122 1КТЗ79В АО «Элекс» 122 КТ504В 12,33 128 КТ505А ЗАО «Кремний» 128 КТ517Е-9 АО «Элекс» 132 КТ519А З-д «Микрон» 132 КТЗ79Г АО «Элекс» 122 КТ505Б ЗАО «Кремний» 128 КТ519Б З-д «Микрон» 132
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей i! Тип ~ прибора !КТ5198 1 КТ520А КТ520Б КТ521А ,__ КТ521Б КТ523А КТ523Б ~ КТ5238 ~ КТ523Г ~ КТ523Д ~ КТ523А9 iiКТ52ЗБ9 liКТ52389 !IКТ52ЗГ9 КТ523Д9 КТ524А КТ524А-5 КТ525А КТ525д-5 llКТ526д i КТ526А-5 !КТ528д9 j КТ528Б9 КТ52889 КТ528Г9 КТ528Д9 .КТ529д КТ530д КТ538д КТ601А 1 КТ601АМ КТ602А КТ&О2Б КТ6028 КТ602Г КТ602АМ КТ602БМ КТ603д КТ603Б КТ6038 КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И КТ604д КТ604Б КТ604АМ КТ604БМ КТ605д КТ605Б КТ605АМ КТ605БМ КТ606д КТ606Б КТ607А-4 КТ607Б-4 КТ608д i Изготовитель i (см. стр. 31) 13-д «Микрон» 28.33 28.33 28.33 28,33 АО «Элекс» АО «Элекс» IAO «Элекс» ;до «Элекс» АО «Элекс» Стр. 132 132 132 132 132 132 132 1 132 1 132 132 iАО «Элекс» 132 АО «Элекс» 1 132 АО «Элекс» 1 132 АО «Элекс» 132 АО «Элекс» 132 3-д «Микрон» 132 3-д «Микрон» 132 3-д «Микрон» 134 3-д «Микрон» 134 3-д «Микрон» 134 3-д «Микрон» 134 IAO «Элекс» 1 134 IAO «Элекс» 1 134 АО «Элекс» 134 АО «Элекс» 134 АО «Элекс• 134 12, 33 134 12, 33 134 3-д «Транзистор» 134 1,7,36 136 11,7 ,36 136 1,7,36 1 136 i1, 7, 36 ! 136 1,7,36 136 1,7,36 136 12, 36 136 12, 36 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 1НПО «Планета» 136 1НПО «Планета» 136 17, 36 136 ' 7,36 136 7, 36 136 7, 36 136 АО «ВОСХОД» 136 АО «ВОСХОД» 136 ПО «НИИЭТ» 138 ПО «НИИЭТ» 138 7,9 138 7,9 138 3-д «Транзистор» 138 3-д «Транзистор» 138 НПО «Планета» 138 Тип Изготовитель ! прибора (см. стр. 31) 1 Стр. КТ608Б НПО «Планета» 138 КТ610А 3-д «Транзистор» 138 КТ610Б 3-д «Транзистор» 138 КТ6102А - 138 КТ6103д - 138 КТ6104А - 138 КТ6105д - 138 КТ6107д - 1 138 КТ6108д 1 - 1 138 КТ6109д 28,33 1 138 1 КТ6109Б 28,33 1 138 КТ61098 28,33 i 138 КТ6109Г 28,33 138 КТ6109Д 28,33 1 138 КТ611д ПО «НИИЭТ» 140 КТ611Б ПО «НИИЭТ» 140 КТ611В ПО «НИИЭТ» 140 КТ611Г ПО «НИИЭТ» 140 КТ611АМ ПО «НИИЭТ» 140 КТ611БМ ПО «НИИЭТ» 140 КТ6110А 28,33 140 КТ6110Б 28,33 140 КТ61108 28,33 140 КТ6110Г 28,33 140 КТ6110Д 28, 33. 140 КТ6111д 28,33 140 КТ6111Б 28,33 140 КТ6111В 28,33 140 КТ6111Г 28,33 140 КТ6112А 28,33 140 КТ6112Б 28,33 140 КТ6112В 28,33 140 КТ6113А 28,33 1 140 КТ6113Б 28,33 140 КТ6113В 28,33 140 КТ6113Г 28,33 140 КТ6113Д 28,33 140 КТ6113Е 28,33 140 КТ6114А 28,33 140 КТ6114Б 28,33 140 КТ61148 28,33 140 КТ6114Г 28,33 140 КТ6114Д 28,33 140 КТ6114Е 28,33 140 КТ6115д 28,33 140 КТ6115Б 28,33 140 КТ61158 28,33 140 КТ6115Г 28,33 140 КТ6115Д 28,33 140 КТ6115Е 28,33 140 КТ6116А 4,28 ,33 140 КТ6116Б 4,28 ,33 140 КТ6117А 4,28,33 142 КТ6117Б 4,28,33 142 КТ6127А АО «Элекс» 142 КТ6127Б АО «Элекс» 142 КТ6127В АО «Элекс» 142 11 Тип 1 Изготовитель t Стр.~ прибора 1 (см. стр. 31) КТ6127Г IAO «Элекс» ! 142 КТ6127Д АО «Элекс» 1 142 КТ6127Е АО «Элекс» 1 142 КТ6127Ж АО «Элекс» 1 142 КТ6127И АО «Элекс» 1 142 КТ6127К АО «Элекс» 1 142 КТ6128А 128.33 1 142 1 1 КТ6128Б j28.33 142 !i 1! КТ6128В :28,33 1 142 КТ6128Г 128.33 ' 142 •: КТ6128Д !28.33 142 i! КТ6128Е 128,33 1 142ii КТ6129А-9 1НПО «Планета» ' 142 1 ' КТ6129Б-2 НПО «Планета» 142 КТ6130д-9 НПО «Планета» 142 КТ6131А НПО «Планета» 142 КТ6132А НПО «Планета» 144 КТ6133А НПО «Планета» 144 КТ6133Б НПО «Планета» 1 144 КТ6133В 1НПО «Планета» i 144 i! КТ6134д 1НПО «Планета» 1 144 1 КТ6134Б 1НПО «Планета» 1 144 КТ61348 1НПО «Планета» ! 144 КТ6135д iНПО «Планета» 1 144 КТ6135Б НПО «Планета» 144 КТ6135В НПО «Планета» 144 КТ6135Г НПО «Планета» 144 КТ6135д9 НПО «Планета» 144 КТ6135Б9 НПО «Планета» 144 КТ613589 1НПО «Планета» 144 КТ6135Г9 1НПО «Планета» ! 144 КТ6135Д9 1НПО «Планета» i 144 КТ6136А 128,33 :14411 КТ6137д 128,33 ! 144 КТ6138д IAO «Элекс» 144 КТ6138Б IAO «Элекс» 1 144 КТ6138В АО «Элекс» 144 КТ6138Г АО «Элекс» 144 КТ6138Д АО «Элекс» 144 КТG139д АО «Элекс» 144 КТ6139Б АО «Элекс» 144 КТ61398 IAO «Элекс» 11441 КТ6139Г IAO «Элекс» !144i КТ6139Д IAO «Элекс» 1 144 КТ6140А 3-д «Микрон» 1 144 КТ6141д9 1НПО «Планета» 146 КТ6141Б9 НПО «Планета» 146 КТ6142А НПО «Планета» 146 КТ6142Б НПО «Планета» 146 КТ6142А9 НПО «Планета» 146 КТ616д 3-д «Транзистор» 146 КТ616Б 3-д «Транзистор» 146 КТ617А 3-д «Транзистор» 146 КТ618А В3ПП 146 КТ620А - 146 КТ620Б - 146 КТ624А-2 3-д «Транзистор» 146
12 Тип 1 Изготовитель 1 Стр. i прибора i (см. стр. 31) КТ624АМ·2 1 З-д «Транзистор» 146 КТ625д 1З-д «Транзистор» 148 КТ625АМ 1З-д «Транзистор» 148 КТ625АМ-2 З-д «Транзистор» 148 КТ626д ЗАО «Кремний» 148 КТ626Б ЗАО «Кремний» 148 КТ626В ЗАО «Кремний» 148 КТ626Г ЗАО «Кремний» 148 1 КТ626Д ЗАО «Кремний» 148 1КТ629А·2 АО «Элекс» 148 1 КТ629Б-2 АО «Элекс» 148 1 КТ629БМ·2 АО «Элекс» 148 1КТ630д 112. 33 148 1 КТ630Б 12, 33 1 148 1 КТ630В 12,33 148 КТ630Г 12,33 148 КТ630Д 12,33 148 КТ630Е 12, 33 148 КТбЗОА-5 12, 33 148 КТбЗОБ-5 l12. 33 148 КТбЗОВ-5 112.33 1 148 j КТбЗОГ-5 112. 33 1 148 1 1КТ632Б IAO «Элекс» 1 148 КТ632Б-1 IAO «Элекс» 1 150 КТ632В-1 АО «ЭЛеКС» 150 1iКТ633д З-д «Транзистор» 150 КТ633Б З-д «Транзистор» 150 КТ634А-2 З-д «Транзистор» 150 КТ634Б-2 З-д «Транзистор» 150 КТ635д 28,33 150 КТ635Б 28,33 150 КТ637А-2 З-д «Транзистор» 150 КТ637Б-2 З-д «Транзистор» 150 КТ638А АО «Элекс» 150 J КТ638д1 IAO «Элекс» 150 КТ639А 2, 12, 15 152 КТ639Б 2, 12, 15 1 152 КТ639В 2, 12, 15 152 1 КТ639Г 2, 12, 15 152 КТ639Д 2, 12, 15 152 КТ639Е 2, 12, 15 152 КТ639Ж 2, 12, 15 152 КТ639И 2, 12, 15 152 КТ639д-1 12.12,15 1 1 152 11 КТ639Б·1 12, 12, 15 152 ~ КТ639В-1 i2.12.15 i 152 1 1 КТ639Г-1 2, 12, 15 152 КТ639Д-1 2, 12, 15 152 КТ639Е-1 2, 12, 15 152 КТ639Ж-1 2, 12, 15 152 КТ639И-1 2, 12, 15 152 КТ640А·2 З-д «Пульсар» 152 КТ640Б-2 З-д «Пульсар» 152 КТ640В-2 З-д «Пульсар» 152 КТ642А·2 З-д «Пульсар» 152 КТ642А·5 З-д «Пульсар» 152 КТ643А-2 З-д «Пульсар» 152 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Тип Изготовитель прибора (см. стр. 31) КТ644А 2, 12 КТ644Б 2, 12 КТ644В 2, 12 КТ644Г 2, 12 КТ645д 12,28 ,33 КТ645Б 12,28 ,33 КТ646д 12,28 , 33 КТ646Б 12,28 , 33 1 КТ646В 12,28 ,33 КТ647А-2 З-д «Пульсар» КТ647А·5 З-д «Пульсар» КТ648А·2 З-д «Пульсар» КТ648А-5 З-д «Пульсар» КТ653д ЗАО «Кремний» КТ653Б ЗАО «Кремний» КТ657А-2 З-д «Пульсар» КТ657Б-2 З-д «Пульсар» КТ657В-2 З-д «Пульсар» КТ657д-5 З-д «Пульсар» КТ657Б-5 З-д «Пульсар» КТ657В-5 1З-д «Пульсар» КТ659А ПО «НИИЭТ» КТ660д 28,33 КТ660Б 28,33 КТ661А 4,33 КТ662д АО «Элекс» КТ664А-9 12,28 ,33 КТ664Б-9 12,28 , 33 КТ665А·9 12,33 КТ665Б-9 12,33 КТ666А-9 ЗАО «Кремний» КТ667д-9 ЗАО «Кремний» КТ668д З-д ПО «Альфа» КТ668Б З-д ПО «Альфа» КТ668В З-д ПО «Альфа» КТ680д АО «Элекс» КТ681д АО «Элекс» КТ682А·2 З-д «Пульсар» КТ682Б·2 З-д «Пульсар» КТ682А-5 З-д «Пульсар» КТ682Б-5 З-д «Пульсар» КТ683д ЗАО «Кремний» КТ683Б ЗАО «Кремний» КТ683В ЗАО «Кремний» КТ683Г ЗАО «Кремний» КТ683Д ЗАО «Кремний» КТ683Е ЗАО «Кремний» КТ684д З-д ПО «Альфа» КТ684Б З-д ПО «Альфа» КТ684В З-д ПО «Альфа» КТ684Г З-д ПО «Альфа» КТ685д З-д ПО «Альфа» КТ685Б З-д ПО «Альфа» КТ685В З-д ПО «Альфа» КТ685Г З-д ПО «Альфа» КТ685Д З-д ПО «Альфа» КТ685Е З-д ПО «Альфа» Стр. 152 152 152 152 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 156 156 156 1 156 1 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 Тип прибора КТ685Ж КТ686д КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е КТ686Ж КТ692д КТ695д КТ698д КТ698Б КТ698В КТ698Г КТ698Д КТ698Е КТ698Ж КТ698И КТ698К КТ704А КТ704Б КТ704В КТ708д КТ708Б КТ708В КТ709д КТ709Б КТ709В КТ710А КТ712А КТ712Б КТ715А КТ716А КТ716Б КТ716В КТ716Г КТ719А КТ720А КТ721д КТ722А КТ723А КТ724А КТ728д КТ729А КТ729Б КТ730д КТ731А КТ731Б КТ731В КТ731Г КТ732А КТ733А КТ734А КТ734Б КТ734В КТ734Г КТ735д 1 Изготовитель 1 (см. стр. 31) З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» 1 З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» !АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «ЭЛеКС» АО «Элекс» : ~ ! Cтp. lj 1 158 1 158 i 158 158 158 1 158 158 1 158 1160~ 1 160 160 160 1 160 160 1 160 160 160 160 1 160 1 АО «Электронприбор» 1 160 J j АО «Электронприбор» 1 160 ii !АО «Электронприбор» 1 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 АО «ЭЛИЗ» 160 ЗАО «Кремний» 162 1 ЗАО «Кремний» ! 162 11,34 1 162 ЗАО «Кремний» ! 162 1ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 1 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 1 162 З-д «Искра» 1 162 ЗАО «Кремний» 1 162 ЗАО «Кремний» , 162 ЗАО «Кремний» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д «Транзистор» 164 З-д «Транзистор» 164 З-д «Микрон» 164 З-д «Микрон» 164 З-д «Микрон» 164 З-д «Микрон» 164 1 З-д «Микрон» 164
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 13 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) j КТ735Б 1З-д «Микрон» 164 i1кт1зsв 1З-д «Микрон» 164 КТ8107Г2 З-д «Искра» 170 КТ8107Д2 З-д «Искра» 170 КТ8127Б-1 1АО «Электронприбор» i 176 1 КТ8127В-1 АО «Электронприбор» i 176 КТ735Г 1з:д «Микрон» 164 КТ8107Е2 З-д «Искра» 170 КТ8129А ЗАО «Кремний» i 176 !1КТ736А 128,40 164 : КТ736Б i28,40 164 КТ8108А АО сЭлектрон"прибор» 170 КТ8108Б АО «Электронприбор» 170 КТ8130А 10, 12 ! 176 КТ81ЗОБ 10, 12 1 176 1 КТ736В 128,40 164 КТ736Г i28,40 164 КТ8108В АО «Электронприбор» 170 КТ8108А-1 АО •Электронприбор» 170 КТ81ЗОВ 10, 12 1 176 1 КТ8131А 1ЗАО «Кремний» ' 176 1 КТ737А З-д «Микрон» 164 КТ8108Б-1 АО «Электронприбор» 170 КТ8131Б ЗАО «Кремний» 176 КТ737Б З-д «Микрон» 164 КТ8108В-1 АО «Электронприбор» 170 КТ8131В ЗАО «Кремний» 176 КТ737В З-д «Микрон» 164 КТ8109А 10, 12 170 КТ8133А ЗАО «Кремний» 176 КТ737Г З-д «Микрон» 164 КТ8109Б ЗАО «Кремний» 170 КТ81ЗЗБ ЗАО «Кремний» 176 КТ738А 1 З-д «Транзистор» 1 164 КТ8110А 10, 12 170 КТ8134А - 176 КТ739А 1 З-д «Транзистор» 1 166 КТ8110Б 10, 12 170 ' КТ8135А - 1 176 1КТ740А i7,З6 166 :iКТ740А1 f7,З6 1 166 КТ801А !АО «Элекс» 166 КТ8110В 10, 12 i 170 КТ8111А9 1- 172 КТ8111Б9 - 172 КТ8136А IAO «Элиз» : 176 КТ8136А-1 iAO «ЭЛИЗ» !176! КТ8137А iЗ-д «Искра» 1 176 1! 1 1 КТ801Б iAO «Элекс» 1 166 1 КТ802А : З-д «Искра» : 166 КТ811189 1- 1 172 КТ8112А 10, 12 i 172 КТ8138А 1- 1 178 ~ КТ8138Б - !1781 1 КТ80ЗА З-д «Искра» 166 КТ805А 7, 10 166 КТ811ЗА З-д «Транзистор» 172 КТ811ЗБ З-д «Транзистор» 172 КТ8138В - 1 178 1 КТ8138Г - 178 КТ805Б 7, 10 166 КТ811ЗВ З-д «Транзистор» 172 КТ8138Д - 178 КТ805АМ 7, 10, 12,28 166 КТ8114А АО сЭлектронприбор» 172 КТ8138Е - 178 КТ805БМ 7, 10, 12,28 166 КТ8114Б АО «Электронприбор» 172 КТ8138Ж - 178 11 КТ805ВМ 17, 10, 12,28 166 КТ8114В АО «Электронприбор» 172 КТ8138И 1- ;178!i КТ807А 1З-д «Искра» 166 1 КТ807Б З-д «Искра» 166 !КТВО7АМ 1З-д «Искра» i 168 · КТ807БМ ; З-д «Искра» 168 КТ8114Г АО •Электронприбор» 172 КТ8115А 10,28 172 1 КТ8115Б З-д «Транзистор» 172 КТ8115В З-д «Транзистор» 172 КТ8140А АО «ЭЛИЗ» 1 178 1 КТ8140А-1 IAO «Элиз» i 178 КТ8141А 1 ЗАО «Кремний» i 178 1 1 КТ8141Б ЗАО «Кремний» 1 178 1 КТ808А 1З-д «Искра» 1 168 КТ8116А 10,28 1 172 КТ8141В ЗАО «Кремний» 178 КТ808А1 З-д «Искра» 168 КТ8116Б З-д «Транзистор» 172 КТ8141Г ЗАО «Кремний» 178 КТ808Б1 З-д «Искра» 168 КТ81168 З-д «Транзистор» 172 КТ814А 10, 12, 15,28,ЗЗ 178 КТ80881 З-д «Искра» 168 КТ8117А З-д «Искра» 172 КТ814Б 10, 12, 15,28,ЗЗ 178 КТ808Г1 З-д «Искра» 168 КТВОВАЗ 1З-д «Искра» 168 КТ8117Б З-д «Искра» 172 КТ8118А З-д «Искра» 174 КТ814В 10, 12 , 15,28,ЗЗ 178 КТ814Г 10, 12 , 15,28.ЗЗ 178 11 КТ808БЗ З-д «Искра» 168 КТ812А 10,З5 174 1 1 КТ8143А 10, 12,З4 178 КТ808АМ 1З-д «Искра» 168 КТ812Б 10,З5 174 КТ814ЗБ 10, 12,З4 178 ~КТВОВБМ i З-д «Искра» 168 КТ812В 10, З5 174 КТ814ЗВ 10, 12,З4 178 1 1 КТ808ВМ : З-д «Искра» 1 168 КТ8120А 10,28 174 КТ814ЗГ 10, 12,З4 1 178 КТ808ГМ !З-д «Искра» 168 КТ8121А З-д «Искра» 174 КТ814ЗД 10, 12,З4 1 178 КТ809А 1З-д «Искра» 1 168 1 КТ8121Б З-д «Искра» 174 КТ814ЗЕ 110, 12,З4 1 178 1 1 КТ8101А ЗАО «Кремний» 1 168 КТ8121А-1 З-д «Искра» 174 КТ814ЗЖ 10, 12,З4 1 178 КТ8101Б ЗАО «Кремний» 168 КТ8121Б-1 З-д «Искра» 174 КТ81433 - 10, 12,З4 178 КТ8102А ЗАО «Кремний» 168 КТ8121А-2 З-д «Искра» 174 КТ814ЗИ 10, 12,З4 178 КТ8102Б ЗАО «Кремний» 168 КТ8121Б-2 З-д «Искра» 174 КТ814ЗК 10, 12,34 178 КТ8104А ЗАО «Кремний» 168 КТ8123А З-д «Искра» 174 КТ814ЗЛ 10, 12,34 178 КТ8105А ЗАО «Кремний» 170 КТ8124А З-д «Искра» 174 КТ814ЗМ 10, 12,34 i1781 КТ8106А ЗАО «Кремний» 170 КТ8124Б З-д «Искра» 174 КТ814ЗН 10, 12,34 11781 КТ8106Б ЗАО «Кремний» 170 КТ81248 З-д «Искра» 174 КТ814ЗП 10, 12,34 11781 КТ8107А 1З-д «Искра» ! 170 КТ8125А З-д «Искра» 174 КТ814ЗР 10, 12,34 ' 178 1 1 · КТ8107Б З-д «Искра» 170 КТ8125Б З-д «Искра» 1 174 КТ814ЗС 10, 12,34 i 178 'КТ8107В 1 З-д «Искра» 170 КТ8125В З-д «Искра» 174 КТ814ЗТ 10, 12,34 1 178 1 КТ8107Г З-д «Искра» 170 КТ8126А1 10,28 174 КТ814ЗУ 10, 12, 34 1 178 КТ8107Д З-д «Искра» 170 КТ8126Б1 10,28 174 КТ814ЗФ 10, 12,34 178 КТ8107Е З-д «Искра» 170 КТ8127А АО «Электронприбор» 174 КТ8144А З-д «Искра» 178 КТ8107А2 З-д «Искра» 170 КТ8127Б АО сЭлектронприбор» 174 КТ8144Б З-д «Искра» 178 КТ8107Б2 З-д «Искра» 170 КТ81278 АО «Электронприбор» 174 КТ8145А З-д «Искра» i 178 КТ810782 З-д «Искра» 170 КТ8127А-1 АО •Электронприбор» 176 КТ8145Б З-д «Искра» ' 178 :
14 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 1 Тип 1 Изготовитель Стр. 1 прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель i Стр. прибора (см. стр. 31) jlКТ8146А З-д «Искра» 180 КТ8175А - 184 КТ8205А 1З-д «Микрон» i 190 1 КТ8146Б З-д «Искра» 180 КТ8147А 1З-д «Искра» 1 180 КТ8175Б - 184 КТ8175А·1 - 186 КТ8207А З-д «Микрон» 190 КТ8209А З-д «Микрон» 190 КТ8147Б 13-д «Искра» 180 КТ8175Б·1 - 186 КТ820А·1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8149А 3-д «Искра» 180 КТ8176А З-д «Транзистор» 186 КТ820Б-1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8149А-1 З-д «Искра» 180 КТ8176Б З-д «Транзистор» 186 КТ8208·1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8149А-2 З-д «Искра» 180 КТ81768 З-д •Транзистор» 186 КТ8212А З-д «Транзистор» 192 КТ8150А З-д «Искра» 180 КТ8177А 3-д «Транзистор» 186 КТ8212Б · З-д «Транзистор» 192 КТ8150А-1 З-д «Искра» 180 КТ8177Б З-д «Транзистор» 186 КТ8212В З-д «Транзистор» 1 192 КТ8150А·2 1З-д «Искра» 180 КТ8154А З-д «Искра» 180 I КТ8154Б 1З-д «Искра» 180 КТ81778 3-д «Транзистор» 186 КТ817А 10, 12, 15,28 186 КТ817Б 10, 12, 15,28 186 КТ821ЗА 1З-д «Транзистор» 1 192 ~ КТ821ЗБ 1З-д «Транзистор» : 192 !i КТ821ЗВ З-д «Транзистор» 192 1 КТ8155А 1З-д «Искра» 180 1 КТ8155Б З-д «Искра» 180 КТ8178 10, 12, 15,28 186 КТ817Г 10, 12, 15,28 186 КТ8214А З-д «Транзистор» 192 КТ8214Б З-д «Транзистор» 192 1 КТ8156А 1З-д «Транзистор» 182 КТ817Б·2 10, 12, 15,28 186 КТ8214В З-д «Транзистор» 192 1 КТ8156Б З-д «Транзистор» 182 КТ817Г·2 10, 12 , 15,28 186 КТ8215А З-д «Транзистор» 192 КТ8157А З-д «Искра» 182 КТ8181А - 186 КТ8215Б З-д «Транзистор» 192 КТ8157Б З-д «Искра» 182 КТ8181Б - 186 КТ82158 З-д «Транзистор» 192 КТ8158А 3-д «Транзистор» 182 КТ8182А - 186 КТ8216А ЗАО «Кремний» 192 КТ8158Б 3-д «Транзистор» 182 КТ8182Б - 186 КТ8216Б ЗАО «Кремний» 192 КТ81588 3-д «Транзистор» 182 КТ818ЗА - 186 КТ8216В 1ЗАО «Кремний» ' 192 1 КТ8159А З-д «Транзистор» 182 !1 КТ8159Б 1 З-д «Транзистор» 182 КТ818ЗБ - 186 КТ818ЗА-1 - 186 КТ8216Г 1ЗАО «Кремний» 1192il КТ8216А1 ЗАО «Кремний» 11921! 1 КТ81598 1 З-д «Транзистор» 182 КТ818ЗБ-1 - 186 КТ8216Б1 ЗАО «Кремний» 1 192 11 IКТ815А 112, 15, 28, 33 182 КТ818ЗА-2 - 186 КТ821681 ЗАО «Кремний» 192 ' КТ815Б 12, 15 ,28 ,33 182 КТ818ЗБ-2 - 186 КТ8216Г1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8158 12, 15 ,28 ,33 182 КТ818А 10, 12 ,28 188 КТ8217А ЗАО «Кремний» 194 КТ815Г 12, 15 ,28 ,33 182 КТ818Б 10, 12,28 188 КТ8217Б ЗАО «Кремний» 194 КТ8163А ЗАО «Кремний» 182 КТ8188 10, 12,28 188 КТ82178 ЗАО «Кремний» 194 КТ8164А З-д «Транзистор» 182 КТ818Г 10, 12,28 188 КТ8217Г ЗАО «Кремний» 194 КТ8164Б З-д «Транзистор» 182 КТ818АМ ЗАО «Кремний» 188 КТ8217А1 ЗАО «Кремний» 194 КТ816А 12, 15 ,28 ,33 184 КТ816Б 112. 15, 28, 33 184 КТ8168 :12.15,28,33 184 КТ816Г l12, 15, 28, 33 184 КТ818БМ ЗАО «Кремний» 188 КТ818ВМ ЗАО «Кремний» 188 КТ818ГМ ЗАО «Кремний» 188 КТ818А·1 ЗАО «Кремний» 1 188 1 КТ8217Б1 ЗАО «Кремний» 1 194 КТ8217В1 ЗАО «Кремний» 1 194 1 1 КТ8217Г1 ЗАО «Кремний» ' 194 КТ821А-1 ЗАО «Кремний» 194 КТ816А-2 l12, 15, 28, 33 184 КТ818Б·1 ЗАО «Кремний» 188 КТ821Б-1 ЗАО «Кремний» 194 КТ8165А 1ЗАО «Кремний» 184 КТ818В·1 ЗАО «Кремний» 188 КТ821В·1 ЗАО «Кремний» 194 КТ8165Б ЗАО «Кремний» 184 КТ818Г-1 ЗАО «Кремний» 188 КТ8218А ЗАО «Кремний» 194 КТ81658 ЗАО «Кремний» 184 КТ8196А ЗАО «Кремний» 188 КТ8218Б ЗАО «Кремний» 194 КТ8165Г ЗАО «Кремний» 184 КТ8197А-2 7,36 188 КТ8218В ЗАО «Кремний» 194 КТ8166А ЗАО «Кремний» 184 КТ8197Б-2 7,36 188 КТ8218Г ЗАО «Кремний» 194 КТ8166Б ЗАО «Кремний» 184 КТ8197В-2 7,36 188 КТ8218А1 ЗАО «Кремний» 194 КТ81668 1ЗАО «Кремний» 184 КТ8199А З-д «Микрон» 188 КТ8218Б1 ЗАО «Кремний» 194 КТ8166Г 1ЗАО «Кремний» 184 КТ819А 10, 12 190 КТ821881 1ЗАО «Кремний» ! 194 1 КТ8167А 1ЗАО «Кремний» 1 184 КТ8167Б 1ЗАО о Кремний» 184 КТ819Б 10, 12 190 КТ819В l10. 12 190 КТ8218Г1 1ЗАО «Кремний» 1 194 КТ8219А ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8167В 1ЗАО «Кремний» 184 КТ819Г 10, 12 190 КТ8219Б ЗАО «Кремний» 196 КТ8167Г ЗАО «Кремний» 184 КТ819АМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219В ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8167Д 1ЗАО «Кремний» 184 КТ819БМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219Г ЗАО «Кремний» 196 КТ8168А ЗАО «Кремний» 184 КТ819ВМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219А1 ЗАО «Кремний» 196 КТ8168Б ЗАО «Кремний» 184 КТ819ГМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219Б1 ЗАО «Кремний» 196 КТ8168В ЗАО «Кремний» 184 КТ819А-1 ЗАО «Кремний» 190 КТ821981 ЗАО «Кремний» 196 КТ8168Г ЗАО «Кремний» 184 КТ8168Д ЗАО «Кремний» 184 КТ8170А-1 З-д «Транзистор» 184 КТ819Б-1 ЗАО «Кремний» 190 КТ819В·1 ЗАО «Кремний» 190 КТ819Г·1 ЗАО «Кремний» 190 КТ8219Г1 ЗАО «Кремний» 196 1 КТ8220А ЗАО «Кремний» 196 1 КТ8220Б ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8170Б-1 1З-д «Транзистор» 184 КТ8171А ЗАО «Кремний» 184 КТ8201А З-д «Микрон» 190 КТ8203А З-д «Микрон» 190 КТ82208 ЗАО «Кремний» ! 196 1 КТ8220Г ЗАО «Кремний» i 196
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 15 ~ Тип 1 Изготовитель ! прибора ! (см. стр. 31) Стр. Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип i Изготовитель ! Стр.11 прибора i (см. стр. 31) ~ КТ8221А 1ЗАО «Кремний» 196 КТ8241Д5 АО оЭлекс» 202 КТ836А 1 208 'КТ8221Б ЗАО «Кремний» 196 КТ8241Е5 АО «Элекс» 202 КТ836Б i i 208 ~ КТ8221В 1ЗАО «Кремний» 196 КТ8241Ж5 АО «Элекс» 202 КТ836В 1 1 208 11 КТ8221Г 1ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8242А5 АО «Элекс» 202 КТ837А 7, 10, 12,28 208 iКТ8224А З·д «Транзистор» 196 КТ8242Б5 АО «Элекс» 202 КТ837Б 7, 10, 12,28 208 КТ8224Б 1З-д «Транзистор» 196 КТ8242В5 АО оЭлекс» 202 КТ837В 7, 10, 12,28 208 КТ8225А 1З-д «Транзистор» 198 КТ8243А5 АО «Элекс» 202 КТ837Г 7, 10, 12,28 208 КТ8228А З-д «Транзистор» 198 КТ8243Б5 АО «Элекс» 202 КТ837Д 7, 10, 12,28 208 КТ8228Б З-д «Транзистор» 198 КТ8243В5 АО «Элекс» 202 КТ837Е 7, 10, 12,28 208 КТ8229А iЗ-д «Транзистор» 198 КТ8244А5 АО «Элекс» 202 КТ837Ж 11. 10, 12, 28 120811 11КТВ22А-1 1ЗАО «Кремний» 198 КТ8244Б5 АО «ЭЛеКС» 202 IКТВ37И 17. 10, 12, 28 i208 1 ~ КТ822Б-1 : ЗАО «Кремний» 198 КТ8244В5 АО «Элекс» 1 202 КТ837К 17. 10, 12, 28 1 208 1 11КТ822В-1 ! ЗАО «Кремний» 198 1 iКТ823А-1 ; ЗАО «Кремний» 198 КТ8244Г5 АО «Элекс» 202 КТ8245А5 АО «Элекс» 202 1 1 КТ837Л 7, 10, 12,28 208 1 КТ837М 17, 10, 12, 28 1 208 КТ823Б-1 1ЗАО «Кремний» 198 КТ8245Б5 АО «Элекс» 202 КТ837Н 7, 10, 12,28 208 КТ823В-1 1ЗАО «Кремний» 198 КТ8245В5 АО «Элекс» 202 КТ837П 7, 10, 12,28 1 208 КТ825Г ЗАО «Кремний» 198 КТ8245Г5 АО «Элекс» 202 КТ837Р 7, 10, 12,28 208 КТ825Д ЗАО «Кремний» 198 КТ8246А 7,З6 202 КТ837С 7, 10, 12,28 208 КТ825Е ЗАО «Кремний» 198 КТ8246Б 7,З6 202 КТ837Т 7, 10, 12,28 208 КТ826А АО«ЭЛИЗ» 198 КТ8246В 7,З6 202 КТ837У 7, 10, 12,28 208 КТ826Б IAO «ЭЛИЗ» 198 КТ8246Г 7,З6 202 КТ837Ф 17. 10, 12, 28 1 208 1 11КТВ26В iAO «Элиз• 1 198 JIКТ827А !12, З5 1 198 ~ктв21Б :12.З5 198 :iктв21в : 12, З5 198 i1КТВ28А IAO «Элиз» 198 ! КТ828Б IAO «ЭЛИЗ» 198 ~ I КТ828В АО «ЭЛИЗ» 198 КТ8247А З-д «Транзистор» 204 КТ8248А1 З-д «Транзистор» 1 204 КТ8250А взпп 1 204 КТ8250Б взпп 204 КТ8251А - 1 204 КТ8254А ЗАО «Кремний» 1 204 КТ8255А З-д «Транзистор» 204 1КТВЗВА 1АО «Эnектронприбор» i 208 i КТВЗВБ 1АО «Эnектронприбор» 208 i 1 КТ839А 1АО «ЭnектронприбОР» j 208 11 1 КТ840А 110. 12 120811 КТ840Б 110. 12 : 208 1 КТ840В 1ЗАО «Кремний» 1 208 КТ841А 10, 12 210 1 КТ828Г АО «ЭЛИЗ» 198 КТ8261А З-д «Транзистор» 206 КТ841Б 10, 12 210 КТ829А 10, 12,З5 198 КТ8270А З-д «Транзистор» 206 КТ841В 10, 12 210 КТ829Б 10, 12,З5 198 КТ8271А З-д «Транзистор» 206 КТ841Г ЗАО «Кремний» 210 КТ829В 10, 12,З5 198 КТ8271Б З-д «Транзистор» 206 КТ841Д ЗАО «Кремний» 210 1 КТ829Г l10. 12, З5 198 КТ8271В З-д «Транзистор» 206 1 КТ841Е 'ЗАО «Кремний» i 210 '! КТ8230А 1З-д «Транзистор» 200 КТ8272А З-д «Транзистор» 206 КТ842А ЗАО «Кремний» 1 ! 210 КТ8231А !ЗАО «Кремний» 200 КТ8272Б З-д «Транзистор» 206 КТ842Б ЗАО «Кремний» 210 КТ8231А1 1ЗАО «Кремний» 200 КТ8272В З-д «Транзистор» 206 КТ842В ЗАО «Кремний» 210 КТ8231А2 : ЗАО «Кремний» 200 КТ8232А1 l7,З6 200 КТ8232Б1 7,З6 200 КТ829А 10, 12,З5 206 КТ829Б 10, 12,З5 206 1 КТ829В 10, 12,З5 206 1 КТ844А АО «Эnектронприбор» 1 210 1 КТ845А АО «Эnектронприбор» 210 КТ846А 10,З4 210 КТ8233А5 АО «Элекс» 200 КТ829Г 10, 12,З5 206 КТ846Б 10,З4 210 КТ8233Б5 АО «Элекс» 200 КТ829АТ ЗАО «Кремний» 206 КТ846В 10,З4 210 КТ8233В5 АО «Элекс» 200 КТ829АП ЗАО «Кремний» 206 КТ847А АО «ЭЛИЗ» 210 КТ8234А5 IAO «Элекс» 202 КТ829АМ ЗАО «Кремний» 206 КТ847Б АО «ЭЛИЗ» 210 1 КТ8234Б5 АО «Элекс» 202 КТ8290А З-д «Транзистор» 206 КТ848А АО «Эnектронприбор» i 210 1 КТ8234В5 IAO «Элекс» 202 КТВЗОА ЗАО «Кремний» 206 КТ848Б АО «Эnектронприбор» 1 210 КТ8235А IAO «Элекс» 202 КТВЗОБ ЗАО «Кремний» 206 КТ850А ЗАО «Кремний» 210 КТ8240А5 IAO «Элекс» 202 ктвзов ЗАО «Кремний» 206 КТ850Б ЗАО «Кремний» 1 210 КТ8240Б5 IAO «Элекс» 1 202 ктвзог ЗАО «Кремний» 206 КТ850В ЗАО «Кремний» 1 210 КТ8240В5 АО «Элекс» 202 КТ831А ЗАО «Кремний» 206 КТ851А ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Г5 !АО «Элекс» 202 КТ831Б ЗАО «Кремний» 208 КТ851Б ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Д5 АО «Элекс» 202 КТ831В ЗАО «Кремний» 208 КТ851В ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Е5 АО «Элекс» 202 КТ831Г ЗАО «Кремний» 208 КТ852А ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Ж5 АО «Элекс» 202 КТ834А АО «Эnектронприбор» 208 КТ852Б ЗАО «Кремний» 210 КТ8241А5 АО «Элекс» 202 КТ834Б АО «Эnектронприбор» 208 КТ852В ЗАО «Кремний» 210 КТ8241Б5 АО «Элекс» 202 КТ834В АО «Эпектронприбор» 208 КТ852Г ЗАО «Кремний» 210 КТ8241В5 АО «Элекс» 202 КТ835А ПО «НИИЭТ» 208 КТ853А ЗАО «Кремний» 210 КТ8241Г5 АО «Элекс» 202 КТ835Б ПО «НИИЭТ» 208 КТ853Б ЗАО «Кремний» 210
16 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 11 Тип 1 Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) • 1! Тип Изготовитель 1 Стр.1! прибора (см. стр. 31) 1КТ853В ЗАО «Кремний» 210 1 КТ85ЗГ 1ЗАО «Кремний» 210 КТ897Б ЗАО «Кремний» 216 КТ898А ЗАО «Кремний» 216 КТ9134А 1 З-д «Пульсар» ' 226 ' КТ9134Б 1 З-д «Пульсар» 226 КТ854А 10, 12 210 КТ898Б ЗАО «Кремний» 216 КТ9136АС ПО «НИИЭТ» 226 КТ854Б 10, 12 210 КТ898А·1 ЗАО «Кремний» 218 КТ914А АО «Элекс» 226 КТ855А ЗАО «Кремний» 210 КТ898Б-1 ЗАО «Кремний» 218 КТ9141А З-д «Пульсар» 226 КТ855Б ЗАО «Кремний» 210 КТ899А З-д «Искра» 218 КТ9141А-1 З-д «Пульсар» 226 КТ855В ЗАО «Кремний» 210 КТ902А ВЗПП 218 КТ9142А ПО «НИИЭТ» 226 КТ856А З-д «Искра» 210 КТ902АМ взпп 218 КТ914ЗА НПО «Планета» 226 КТ856Б З-д «Искра» 210 КТ90ЗА взпп 218 КТ914ЗБ НПО «Планета» 226 КТ856А·1 1 З-д «Искра» 212 КТ90ЗБ взпп 218 КТ914ЗВ НПО «Планета» 1 226 КТ856Б·1 З-д «Искра» 212 КТ904А ВЗПП 218 КТ9144А·5 ЗАО «Кремний» 1 228 КТ857А 110, 12 212 1 КТ858А 110. 12. 34 . 212 1КТ859А 10, 12, 34 212 КТ904Б взпп 218 КТ907А ПО «НИИЭТ» 218 КТ907Б ПО «НИИЭТ» 218 КТ9145А-5 ЗАО «Кремний» ! 228 1 КТ9144А-9 ЗАО «Кремний» 1 228 КТ9145А-9 ЗАО «Кремний» 1 228 КТ862Б З-д «Пульсар» 212 КТ908А АО «ЭЛИЗ» 218 КТ9146А З-д «Пульсар» 228 КТ862В З-д «Пульсар» 212 КТ908Б АО «Элиз» 218 КТ9146Б З-д «Пульсар» 228 КТ862Г З-д «Пульсар» 212 КТ909А 7,36 220 КТ9146В З-д «Пульсар» 228 КТ86ЗА ЗАО «Кремний» 212 КТ909Б 7,36 220 КТ9147АС ПО «НИИЭТ» 228 КТ86ЗБ ЗАО «Кремний» 212 КТ909В 7,36 220 КТ9150А ПО «НИИЭТ» 228 КТ86ЗВ ЗАО «Кремний» 212 КТ909Г 7,36 220 КТ9151А ПО «НИИЭТ» 228 КТ864А ЗАО «Кремний» 212 КТ9101АС 7,36 220 КТ9152А ПО «НИИЭТ» 228 КТ865А ЗАО «Кремний» 212 I КТ866А 1З-д «Пульсар» 212 КТ9104А 7,36 220 КТ9104Б 7,36 220 КТ915ЗАС ПО «НИИЭТ» 1230 1 1' КТ915ЗБС ПО «НИИЭТ» 1 230 1КТ866Б 1 З-д «Пульсар» 212 КТ9105АС 7,36 220 КТ9155А ПО «НИИЭТ» 230 КТ867А 10, 12 212 КТ9106АС-2 НПП «Пульсар» 220 КТ9155Б ПО «НИИЭТ» 230 КТ868А З-д «Искра» 214 КТ9106БС-2 НПП «Пульсар» 220 КТ9155В ПО «НИИЭТ» 230 КТ868Б З-д «Искра» 214 КТ9109А 7,36 220 КТ9156АС ПО «НИИЭТ» 230 КТ872А 28,34 214 КТ9111А З-д «Пульсар» 220 КТ9156БС ПО «НИИЭТ» 230 КТ872Б З-д «Транзистор» 214 КТ9115А ЗАО «Кремний» 222 КТ9157А ЗАО «Кремний» 230 КТ872В 3-д «Транзистор» 214 КТ9115Б ЗАО «Кремний» 222 КТ9160А З-д «Пульсар» 230 КТ874А З-д «Пульсар» 214 КТ9116А ПО «НИИЭТ» 222 КТ9160Б З-д «Пульсар» 230 КТ874Б З-д «Пульсар» 214 КТ9116Б ПО «НИИЭТ» 222 КТ9160В З-д «Пульсар» 230 КТ878А З-д «Искра» 214 КТ911А 7,36 222 КТ9161АС ПО «НИИЭТ» 232 1 КТ878Б З-д «Искра» 214 КТ911Б 7,36 222 КТ9164А 3-д «Пульсар» 1 232 КТ878В З-д «Искра» 214 КТ911В 7,36 222 КТ9166А ЗАО «Кремний» 232 КТ879А З-д «Искра» 214 КТ911Г 7,36 222 КТ916А З-д «Транзистор» 232 КТ879Б З-д «Искра» 214 КТ912А З-д «Пульсар» 222 КТ916Б З-д «Транзистор» 232 КТ885А З-д «Пульсар» 214 КТ912Б З-д «Пульсар» 222 КТ917ЗА по .нииэт. 232 КТ885Б З-д «Пульсар» 214 КТ9131А З-д «Пульсар» 222 КТ9174А ПО «НИИЭТ» 232 КТ886А·1 АО «Электронприбор» 214 КТ9132АС ПО «НИИЭТ» 222 КТ9176А З-д «Искра• 232 КТ886Б-1 АО •Электронnрибор» 214 КТ91ЗА З-д «Транзистор» 222 КТ9177А З-д «Искра» 232 КТ887А ЗАО «Кремний» 214 КТ91ЗБ З-д «Транзистор» 222 КТ9180А ЗАО «Кремний» 234 КТ887Б ЗАО «Кремний» 214 КТ913В З-д «Транзистор» 222 КТ9180Б ЗАО «Кремний» 1 234 КТ888А ЗАО «Кремний» 216 КТ9120А ЗАО «Кремний» 222 КТ9180В ЗАО «Кремний» 234 КТ888Б ЗАО «Кремний» 216 КТ9121А З-д «Пульсар» 224 КТ9180Г ЗАО «Кремний» 234 КТ890А АО «Элиз» 216 КТ9121Б З-д «Пульсар» 224 КТ9181А ЗАО «Кремний» 234 КТ890Б АО «Элиз» 216 КТ9121В З-д «Пульсар» 224 КТ9181Б ЗАО «Кремний» 234 КТ890В АО «Элиз» 216 КТ9121Г З-д «Пульсар» 224 КТ9181В ЗАО «Кремний» 234 КТ892А 3-д «Искра» 216 КТ9125АС ПО «НИИЭТ» 224 КТ9181Г ЗАО «Кремний» 234 КТ892Б 3-д «Искра» 216 КТ9126А 3-д «Пульсар» 224 КТ918А-2 З-д «Транзистор» 234 КТ892В З-д «Искра» 216 КТ9127А З-д «Пульсар» 224 КТ918Б-2 З-д «Транзистор» 234 КТ89ЗА АО «ЭЛИЗ» 216 КТ9127Б З-д «Пульсар» 224 КТ9182А ПО «НИИЭТ» 234 КТ896А ЗАО «Кремний» 216 КТ9128АС ПО «НИИЭТ» 224 КТ9186А ЗАО «Кремний» 234 КТ896Б ЗАО «Кремний» 216 КТ91ЗОА ЗАО «Кремний» 224 КТ9186Б ЗАО «Кремний» 234 КТ897А ЗАО «Кремний» 216 КТ91ЗЗА 7,36 224 КТ9186В ЗАО «Кремний» 234
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Тип прибора ' 1 КТ9186Г ::кт91ввд ii КТ9189А-2 ,1 КТ9189Б-2 ! КТ9189В-2 1 11КТ919А 1 КТ919Б КТ919В 1 КТ919Г КТ9190А 11 КТ9190А-4 IJ КТ9192А-2 ! КТ9192Б-2 1 llКТ9193А J КТ919ЗБ КТ919ЗА-4 КТ919ЗБ-4 КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г КТ921А КТ921Б ji КТ922А i!КТ922Б 1! КТ922В КТ922Г КТ922Д КТ925А КТ925Б КТ925В КТ925Г КТ926А КТ926Б КТ927А 1 i1КТ927Б 1 КТ927В КТ928А КТ928Б КТ928В КТ929А КТ9ЗОА КТ9ЗОБ 1 !КТ931А КТ932А КТ932Б КТ932В КТ9ЗЗА КТ9ЗЗБ КТ934А КТ934Б КТ934В КТ934Г 2зак9 1 Изготовитель (см. стр. 31) : ЗАО «Кремний» : ЗАО «Кремний» 17.36 1 17.36 17.36 З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» 7,36 17.36 17.36 17.36 17.36 !7.36 7,36 7,36 7,36 7,36 7,36 17.36 1З-д «Пульсар» 1З-д «Пульсар» !7.36 17.36 17.36 7,36 7,36 7,36 . 7,36 7,36 17.36 АО «Элиз» jAO «Элиз» !З-д «Пульсар• 1З-д «Пульсар» 1 З-д «Пульсар» 28,33 28,33 28,33 7,36 17.36 17.36 7,36 З-д ниипп З-д ниипп З-д ниипп З-дНИИПП З-дНИИПП 7,36 7,36 7,36 J7,36 Стр.! 234 234 2З4 234 234 234 234 1 234 234 236 236 1 236 1 236 1 236 236 238 238 238 238 238 238 238 ' 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 i 238 238 1 238 238 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 1 Тип Изготовитель 1 1 Стр.!' 1 . прибора (см. стр. 31) 1--~-~l-----il--~--~~l---!-----i1 1 КТ934Д !7, 36 240 1 1КТ935А JАО «Элиз» 240 1 1 КТ936А 1 З-д «Пульсар» 1 240 КТ936Б З-д «Пульсар» 1 242 КТ937А-2 З-д «Пульсар» 1 242 КТ937Б-2 З-д «Пульсар» 242 КТ938А-2 З-д «Транзистор» 242 КТ938Б-2 З-д «Транзистор» 242 КТ939А З-д «Транзистор» 242 КТ939Б З-д «Транзистор» 242 КТ940А 110. 12, 28, 33 242 1 КТ940Б 10, 12 ,28 ,33 242 1 КТ940В 110, 12, 28, 33 242 КТ940А1 10, 12 ,28 ,33 242 1 1 КТ940Б1 10, 12 ,28 ,33 1242 1 1 1 КТ940В1 10, 12 ,28 ,33 242 , КТ94 0А-5 10, 12 ,28 ,33 242 КТ940Б-5 10, 12 ,28 ,33 242 КТ940В-5 10, 12 ,28 ,33 242 КТ940А9 10, 12 ,28 ,33 1 242 КТ940Б9 10, 12 ,28 ,33 1 242 КТ942В З-д «Пульсар» 244 КТ94ЗА АО «ЭЛИЗ» 1 244 КТ94ЗБ АО«ЭЛИЗ» 244 КТ94ЗВ АО «ЭЛИЗ» 244 КТ94ЗГ АО «Элиз» 244 КТ94ЗД АО «Элиз» 244 КТ944А АО «Элиз» 244 КТ945А АО «ЭЛИЗ» 244 КТ945Б АО «ЭЛИЗ» 244 КТ945В АО «ЭЛИЗ» 244 КТ945Г АО «Элиз» 244 КТ946А З-д «Пульсар» 244 КТ947А АО «ЭЛИЗ» 244 КТ948А З-д «Пульсар» 244 КТ948Б З-д «Пульсар» 244 КТ955А АО «ЭЛИЗ» 246 КТ956А АО «Элиз» 246 КТ957А АО «Элиз» 246 КТ958А 7,36 1 246 КТ960А 7,36 246 КТ961А 10. 12 ,28 ,33 1 246 1 КТ961Б 10, 12,28,33 246 КТ961В 110, 12, 28, 33 246 КТ961Г 10, 12 ,28 ,33 246 КТ961А1 110, 12, 28, 33 246 КТ961Б1 10, 12 ,28 ,33 246 КТ961В1 10, 12 ,28 ,33 246 КТ962А 7,36 246 КТ962Б 7,36 246 КТ962В 7,36 246 КТ963А-2 З-д «Пульсар» 246 КТ96ЗБ-2 З-д «Пульсар» 1 246 17 Тип Изготовитель ' 11 прибора (см. стр. 31) : Стр. 11 КТ96ЗА-5 iЗ-д «Пульсар» , 246 i! f---КТ_9_6З_Б_-_s__~!-З_-д_«П_у_л_ь_с_аР_>_>----< -24_6_ __.i ! КТ965А АО «Элиз» 248 'I КТ966А 1АО «Элиз» 248 " --- --- --< --- --- --- ----<1 КТ967А КТ969А КТ969А1 КТ969А-5 КТ970А КТ971А КТ972А КТ972Б КТ972В КТ972Г КТ97ЗА КТ973Б КТ97ЗВ КТ97ЗГ КТ976А КТ977А КТ979А IКТ980А КТ980Б 1 КТ981А КТ98ЗА КТ98ЗБ КТ98ЗВ КТ984А КТ984Б КТ985АС КТ986А КТ986Б КТ986В КТ986Г КТ991АС 1 КТ996А-2 КТ996Б-2 КТ996В-2 КТ996А-5 КТ996Б-5 КТ996В-5 КТ997А КТ997Б КТ997В КТ999А КТД8264А КТД8264А5 КТД8275А КТД8275Б , КТД8275В 1 КТД8276А КТД8276Б КТД8276В 1 КТД8276Г IAO «ЭЛИЗ• 10, 12,28 10, 12,28 10, 12,28 7,36 7,36 f28,33 128,33 28,33 28,33 128.33 128.33 28,33 28,33 7,36 З-д «Пульсар» 1З-д «Пульсар» !З-д «Пульсар» 1 i З-д «Пульсар» !АО «Элиз» ПО «НИИЭТ» IПО «НИИЭТ» ПО «НИИЭТ» 7,36 7,36 7,36 З-д «Пульсар» 1 З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» 7,36 З-д «Пульсар» 1 З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» АО «Элиз» iAo «Элиз• IAO «ЭЛИЗ» 10,35 1АО «Орбита» АО «Орбита» ЗАО «Кремний» , ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» 1ЗАО «Кремний» i24811 ' 248 248 248 248 1 248 ! 1 1 248 1: 1 248 1 248 1 248 1 250 ! 1 i250i 250 250 1 250 --< 250 1: 1 250 11 250 250 250 1 250 1 250 ! 250 252 252 252 ! 252 .1 i 252 11 1 252 252 1 1 252 1 252 1 1 ! 252 252 252 ! 252 1 1 252 1 252 ·1 ' 252 11,, 11 1252 1 125411 1254 ~ ' 254 1 254 254 1 254 1 254 1 254 1 254 ' 254 1
18 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Кремниевые сборки i1 Тип 1 Изготовитель 1 С 'и прибора 1 (см. стр. 31) 1 тр. I КТСЗОЗА-2 1З-д ПО«Альфа» ! 256 КТСЗ10ЗА 1З-д ПО«Альфа» 256 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КТСЗ94А-2 АО «Элекс» 258 КТСЗ94Б-2 АО «Элекс» 258 Тип i Изготовитель i 1i прибора 1 (см. стр. 31) i Стр. ·1 КТС631Б 1З-д «Транзистор» i 260 11 КТС631В 1 З-д «Транзистор» 260 КТСЗ10ЗБ З-д ПО«Альфа» 256 КТС395А-1 АО «Элекс» 258 КТС631Г З-д «Транзистор» 260 КТСЗ10ЗА1 З-д ПО«Альфа» 256 КТСЗ95Б-1 АО «Элекс» 1 258 КТ674АС АО «Элекс» 260 КТСЗ10ЗБ1 З-д ПО«Альфа» 256 КТСЗ95А-2 АО «Элекс» 258 КТ677АС АО «Элекс» 260 КТСЗ161АС АО «Элекс» 256 КТСЗ95Б-2 АО «ЭЛеКС» i 258 КТ678АС IAO «Элекс» 262 КТСЗ174АС-2 АО «Элекс» 256 КТСЗ81Б 1- 256 КТС381В :- 256 КТСЗ95В-2 АО «Элекс» 258 КТСЗ98А-1 АО «Светлана» 258 кtСЗ98Б-1 АО «Светлана» 258 КТ69ЗАС 1ЗАО «Кремний» 1 262 К1НТ251 7,З6 !262 1 К1НТ661А IAO «Элекс» 1262 ~ КТСЗ81Г 1 256 i- 1 11 КТСЗ81Д i- 1 256 11 КТСЗ81Е 1- 256 КТСЗ98А9 АО «Светлана» 260 КТС398Б9 АО «Светлана» 260 КТС61ЗА З-д «Транзистор» 260 К129НТ1А-1 1- ' 262 ii К129НТ1Б-1 ' 262 11 1- " 1 К129НТ1В-1 1- 1 262 "ii 11 КТСЗ9ЗА 1 З-д ПО«Альфа» 1 258 КТСЗ93Б : З-д ПО«Альфа» 258 КТС39ЗА-1 З-д ПО«Альфа» 1 258 КТСЗ9ЗБ-1 З-д ПО«Альфа» 258 КТСЗ9ЗА-9 З-д ПО«Альфа» 258 КТСЗ9ЗБ-9 З-д ПО«Альфа» 258 КТС61ЗБ 1З-д «Транзистор» 260 КТС61ЗВ З-д «Транзистор» 260 КТС61ЗГ З-д «Транзистор» 260 КТС622А взпп 260 КТС622Б ВЗПП 260 КТС631А З-д «Транзистор» 260 К129НТ1Г-1 i- ' 262 11 ' К129НТ1Д-1 1- i262·1 К129НТ1Е·1 !2621 - 1 К129НТ1Ж-1 - 262 К129НТ1И-1 - 1 262 11 Германиевые транзисторы специального назначения ~ Тип Изготовитель 1 ' 1 Стр. i прибора; (см. стр. 31) 1 Тип 1 Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Изготовитель !' Тип 1 iстр.1: прибора (см. стр. 31) 11 п101 1АО «Светлана» 1 264 1Т3110А-2 СКБ «Элькор» 266 ПЗВЗБ-2 - ! 268 1Т101А 1АО «Светлана» 1 264 1ТЗ1ЗА З-д «Квазар» 1 266 ПЗВЗВ-2 - 1 268 1Т101Б 1АО «Светлана» 264 1ТЗ1ЗБ З-д «Квазар» 266 1Т386А З-д «Транзистор» 1 268 1Т102 АО «Светлана» 264 1Т31ЗВ З-д «Квазар» 266 ПЗ87А·2 СКБ «Элькор» i 268 1Т102А 1АО «Светлана» 264 1ТЗ20А оТонди электроника» 266 ПЗ87Б-2 СКБ «Элькор» 268 1Т115А 1ЗАО «Кремний» 264 ПЗ20Б «Тонди электроника» 266 1Т403А 1- ! 268 1Т115Б 1ЗАО «Кремний» 264 1Т320В «Тонди электроника» 266 1Т40ЗБ - 1 268 1 J п11sв 1ЗАО «Кремний» 264 1ТЗ21А СКБ «Элькор» 266 1Т403В 1- ' 268 j 1Т115Г ЗАО «Кремний» 264 1ТЗ21Б СКБ «Элькор» 266 1Т40ЗГ 1- ' 268 l 1T116A 1ЗАО «Кремний» 264 1 1Т321В СКБ «Элькор» 266 1Т40ЗД - 268 l П116Б 1.ЗАО «Кремний» 1 264 1ТЗ21Г СКБ «Элькор» 1 266 1Т40ЗЕ - : 268 ~ 1Т116В 1ЗАО «Кремний» 1 264 1ТЗ21Д СКБ «Элькор» 266 1Т40ЗЖ 1 1 268 1- il 1Т116Г 1ЗАО «Кремний» 264 1ТЗ21Е 1СКБ «Элькор» 1 266 1Т40ЗИ - i 268 1ТЗОЗ ;- 264 1ТЗ29А 1З-д ПО«Альфа» 1 266 1Т612А-4 СКБ «Элькор» !2701 1ТЗОЗА - 264 ПЗОЗБ - 264 1Т329Б З-д ПО«Альфа» 266 ПЗ29В З-д ПО«Альфа» 266 1Т614А СКБ «Элькор» 270 1 1Т615 - 270 1 1ТЗОЗВ - 264 ПЗЗОА З-д «Пульсар» 266 1Т702А З-д ПО «ФОТОН» 270 1 пзозг - 264 ПЗЗОБ З-д «Пульсар» 266 1Т702Б З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗОЗД - 264 пззов З-д «Пульсар» 266 1Т702В З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗО5А 1НПО «Планета» 1 264 пззог З-д «Пульсар» 266 1Т806А ЗАО «Кремний» 270 1ТЗО5Б 1НПО «Планета» 264 1ТЗЗ5А «Тонди электроника» 266 1Т806Б 1ЗАО «Кремний» 270 пзоsв 1НПО «Планета» 264 1ТЗЗ5Б «Тонди электроника» 266 1Т806В ЗАО «Кремний» 270 :11тзовд : СКБ «Элькор» 1 264 1ТЗЗ5В «Тонди электроника» 266 1Т81ЗА ЗАО «Кремний» 270 1ТЗО8Б 1СКБ «Элькор» 264 пзовв 1 СКБ «Элькор» 264 пззsг «Тонди электроника» 266 1ТЗЗ5Д «Тонди электроника» 266 1Т81ЗБ ЗАО «Кремний» 270 1Т81ЗВ ЗАО «Кремний» 270 пзовг СКБ «Элькор» 264 1Т341А З-д ПОаАльфа» 266 1Т901А З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗ11А З-д «Квазар» 264 1Т341Б З-д ПО«Альфа» 266 1Т901Б З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗ11Б З-д «Квазар» 264 1ТЗ41В З-д поадльфа» 266 1Т905А З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗ11Г З-д «Квазар» 264 1Т311Д З-д «Квазар» 264 1ТЗ11К З-д «Квазар» 264 1ТЗ11Л : З-д «Квазар» 264 1ТЗ62А З-д «Квазар» 268 1ТЗ74А-6 З-д «Квазар» 268 1ТЗ76А НПО «Планета» 268 ПЗВЗА-2 1- 1 268 1 1Т906А З-д ПО «ФОТОН» 1 270 11 1Т910АД З-д ПО «ФОТОН» ! 270 11 1' :1
.r'казатель транзисторов и предприятий-изготовителей 19 Кремниевые транзисторы специального назначения !! Тип 1 Изготовитель Стр. jl прибора 1 (см. стр. 31) 1 Тип Изготовитель 1 11 прибора (см. стр. 31) 1 Стр.1 Тип 1 Изготовитель 1 ii прибора (см. стр. 31) 1 Стр.11 ' . :12Т104А 1З-д «Искра» 272 12Т104Б !З-д «Искра» 272 ' il2T104B !З-д «Искра» 272 1 i' 2Т104Г l З-д «Искра» 1 272 2Т214Г-1 АО «Элекс» 274 2Т214Д-1 АО «Элекс» 274 2Т214Е-1 АО «Элекс» 274 2Т214А·5 АО «Элекс» 1 274 2ТЗ117А i4.28 1 278 1 1 12ТЗ117Б 4,28 i278 1 ·взпп 1 1 2ТЗ12А 278 1 2ТЗ12Б ВЗПП 1 278 1 1 2Т117А 1З-д «Старт» 272 2Т214Б-5 АО «Элекс» 274 2ТЗ12В взпп 278 2Т117Б З-д «Старт» 272 2Т214В-5 АО «Элекс» 274 2ТЗ120А АО «Светлана» 278 2Т117В З-д «Старт» 272 2Т214Г-5 АО «Элекс» 274 2ТЗ121А-6 1НПО «Планета» 280 2Т117Г З-д «Старт» 272 1.2Т117А-5 З-д «Старт» 272 i!2Т118А 1З-д «Пульсар» 272 : 2Т118Б З-д «Пульсар» 272 1 112т11вв 1З-д «Пульсар» 272 1 i! 2Т118А-1 З-д «Пульсар» 1 272 1 2Т214Д-5 АО «Элекс» 274 2Т214Е-5 АО «Элекс» 274 2Т214А-9 АО «Элекс» 1 276 2Т214Б-9 !до «Элекс» 276 2Т214В-9 АО «Элекс» 276 2Т214Г-9 АО «Элекс» 276 12ТЗ12ЗА·2 З-д ПО «Альфа» 280 1 2ТЗ12ЗБ·2 1З-д ПО «Альфа» 280 i2ТЗ12ЗВ·2 1З-д ПО «Альфа» 280 ii 2ТЗ124А-2 !З-д «Пульсар» 12801 2ТЗ124Б-2 З-д «Пульсар» 1 280 2ТЗ124В-2 З-д «Пульсар» 1 280 112т11вБ-1 1З-д «Пульсар» 272 2Т214Д-9 АО «Элекс» 276 2ТЗ129А9 4,33 280 !i 2Т126А-1 1З-д «Старт» 272 2Т214Е-9 АО «Элекс» 276 1 2ТЗ129Б9 '4,33 12801 12Т126Б-1 : З-д «Старт» 272 2Т215А-1 АО «Элекс» 1 276 2ТЗ129В9 4,33 280 2Т126В-1 З-д «Старт» 272 2Т215Б-1 АО «Элекс» 276 2ТЗ129Г9 4,33 280 2Т126Г-1 З-д «Старт» 272 2Т215В-1 АО «Элекс» 276 2ТЗ129Д9 4,33 280 2Т127А-1 З-д «Старт» 272 2Т215Г-1 АО «Элекс» 276 2ТЗ1ЗА 4,32 ,33 280 2Т127Б-1 З-д «Старт» 272 2Т215Д·1 АО «Элекс» 276 2ТЗ13Б 4,32,ЗЗ 1 280 112т121в-1 1З-д «Старт» 1 272 12т121г-1 1З-д «Старт» 1 272 l12T201A [АО «Светлана» 272 f!2Т201Б 1АО «Светлана» 1 272 1 li 2Т201В 1АО «Светлана» 272 2Т215Е-1 АО «Элекс» 276 12Т215А·5 АО «Элекс» 276 12Т215Б-5 АО «Элекс» 276 2Т215В-5 АО «Элекс» 276 2Т215Г·5 АО «Элекс» 276 2ТЗ1ЗОА·9 14.ЗЗ 1280 1 11 2ТЗ1ЗОБ·9 14.32. 33 ' 280 11 1: 2ТЗ1ЗОВ-9 4,33 '280! ' 2ТЗ1ЗОГ-9 4,33 1 280 1 2ТЗ1ЗОД-9 14. 33 1 280 12т201г 1АО «Светлана» 272 12Т201Д 1АО «Светлана» 272 2Т202А-1 1ЗАО «Кремний» 274 2Т215Д-5 АО «Элекс» 1 276 2Т215Е-5 АО «Элекс» 276 2Т215А·9 !до «ЭЛеКС» 276 2ТЗ1ЗОЕ-9 4, 33 1 280 1 2ТЗ132А-2 1з-д «Пульсар» 1 280 2ТЗ132Б-2 З-д «Пульсар» 280 1 2Т202Б-1 ЗАО «Кремний» 274 2Т215Б-9 АО «Элекс» 276 2ТЗ132В-2 З-д «Пульсар» 280 2Т202В-1 ЗАО «Кремний» 274 2Т215В-9 АО «Элекс» 276 2ТЗ132Г-2 З-д «Пульсар» 280 2Т202Г-1 ЗАО «Кремний» 274 2Т215Г-9 АО «ЭЛеКС» 276 2ТЗ1ЗЗА 28, 33 1 280 1 12Т202Д-1 ЗАО «Кремний» 274 12Т20ЗА IAO «Элекс» 274 2Т20ЗБ 4,33 274 2Т215Д-9 АО «Элекс» 276 2Т215Е-9 АО «Элекс» 1 276 2тзо1г ВЗПП 276 2ТЗ1ЗЗА-2 28. 33 1282 i 2ТЗ134А-1 !АО «Элекс» i282:i ! 1 2ТЗ135А·1 2,33 282 12т2озв 14,33 274 2ТЗО1Д взпп 276 2ТЗ150Б2 2, 33 282 2Т20ЗГ 4,33 274 2ТЗО1Е ВЗПП 276 2ТЗ152А ЗАО «Кремний» 282 2Т203Д IAO «Элекс» 274 2ТЗО1Ж ВЗПП 276 2ТЗ152Б 1ЗАО «Кремний» 282 2Т205А-З IAO «Элекс» 274 2ТЗ06А 7,26 276 2ТЗ152В ЗАО «Кремний» 282 2Т205Б-З АО «Элекс» 274 2ТЗ06Б 7,26 276 2ТЗ152Г ЗАО «Кремний» 282 2Т208А ЗАО «Кремний» 274 2ТЗО6В 7,26 276 2ТЗ152Д ЗАО «Кремний» 282 2Т208Б ЗАО «Кремний» 274 2ТЗ06Г 7,26 276 2ТЗ152Е ЗАО «Кремний» 282 2Т208В ЗАО «Кремний» 274 2ТЗ07А-1 взпп 276 2ТЗ154А-1 АО «Светлана» 282 2Т208Г ЗАО «Кремний» 274 2Т307Б-1 взпп 276 2ТЗ156А-2 1АО «Светлана» 1282 1 2Т208Д 1ЗАО «Кремний» 274 2Т208Е 1ЗАО «Кремний» 274 2Т307В-1 взпп 276 2ТЗ07Г-1 взпп 276 2ТЗ158А-2 1З-д «Транзистор» : 284 1 2ТЗ16А АО «Светлана» 128411 1 ! 2Т208Ж 1ЗАО «Кремний» 274 1 2Т208И 'ЗАО «Кремний» 274 1 1 2т2овк iЗАО «Кремний» 1 274 1 l 2Т208Л 1ЗАО «Кремний» 274 2Т208М 'ЗАО «Кремний» 274 2ТЗ101А·2 АО «Светлана» 276 1 2ТЗ106А-2 АО «Светлана» 278 2ТЗ108А З-д ПО «Альфа» 278 2ТЗ108Б З-д ПО «Альфа» 1 278 2ТЗ108В З-д ПО «Альфа» ! 278 2ТЗ16Б 1АО «Светлана» 12841! 2ТЗ16В iАО «Светлана» : 284 1! l 2тз1&г 1АО «Светлана» 1284 1 1 2ТЗ16Д 1АО «Светлана• i 284 2ТЗ160А-2 1З-д «Транзистор» ' 284 2Т211А-1 АО «Элекс» 274 2ТЗ114А-6 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ162А 12,33 284 2Т211Б-1 АО «Элекс» 274 2ТЗ114Б-6 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ162А5 i2.зз 284 2Т211В-1 АО «Элекс» 274 2Т214А-1 АО «Элекс» 274 2Т214Б-1 АО «Элекс» 274 2Т214В-1 АО «Элекс» 274 2ТЗ114В-6 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ115А-2 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ115Б·2 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ115А-6 З-д «Пульсар» 1 278 ' 2ТЗ164А 1 з-д по «Альфа» 284 1 2ТЗ167А-7 1АО «Светлана» i 284 2ТЗ17А-1 IПРЗПП 1 284 l, 2ТЗ17Б-1 284 ~ IПРЗПП
20 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип ИзгоУовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) : 2ТЗ17В-1 IПРЗПП 284 2ТЗ55А АО «Светлана» 288 2ТЗ99А 1АО «Светлана» i 296 '2ТЗ175А АО «Элекс» 286 2ТЗ60А-1 З-д ПО «Альфа» 288 2Т504А ЗАО «Кремний» 1 298 2ТЗ18А-1 ПРЗПП 286 2ТЗ60Б-1 З-д ПО «Альфа» 288 2Т504Б ЗАО «Кремний» i 298 1' 1 2ТЗ18Б-1 ПРЗПП 286 2ТЗ60В-1 З-д ПО «Альфа» 288 2Т504А-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18В-1 ПРЗПП 286 2ТЗ6ЗА З-д ПО «Альфа» 290 2Т504Б-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18Г-1 ПРЗПП 286 2ТЗ6ЗБ З-д ПО «Альфа» 290 2Т505А ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18Д-1 ПРЗПП 286 2ТЗ64А-2 З-д ПО «Альфа» 290 2Т505Б ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18Е-1 ПРЗПП 286 2ТЗ64Б-2 З-д ПО «Альфа» 290 2Т505А-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18В1-1 ПРЗПП 286 2ТЗ64В-2 З-д ПО «Альфа» 290 2Т506А ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ187А-9 НПО «Планета» 286 2ТЗ66А-1 ниимп 290 2Т506Б ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ187А-91 НПО «Планета» 286 2ТЗ66Б-1 ниимп 290 2Т506А-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ19А-1 1- 286 2ТЗ19Б-1 1- 286 2ТЗ66В-1 ниимп 290 2ТЗ66Б1-1 ниимп 1 290 2Т509А 1 ЗАО «Кремний» 298 11 2Т509А-5 ЗАО «Кремний» ! 298 1i 1 2ТЗ19В-1 1- 286 2ТЗ67А - 290 2Т528А-9 АО «Элекс» 1 300 1 2ТЗ21А 13, 15,23 286 2ТЗ68А АО «Светлана» 290 2Т528Б-9 АО «Элекс» ! 300 2ТЗ21Б 13, 15,23 286 2ТЗ21В 13, 15, 23 1 286 2ТЗ21Г 13, 15,23 286 2Т368Б АО «Светлана» 290 2ТЗ68А-9 АО «Светлана» 290 2ТЗ68Б-9 АО «Светлана» 1 290 2Т528В-9 АО «Элекс» 300 1 2Т528Г-9 АО «Элекс» 300 2Т528Д-9 АО «Элекс» 300 2ТЗ21Д 13, 15,23 286 2ТЗ70А-1 З-д ПО «Альфа» 290 2Т602А З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ21Е 13, 15,23 286 2ТЗ70Б-1 З-д ПО «Альфа» 290 2Т602Б З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ24А-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ70А9 З-д ПО «Альфа» 292 2Т602АМ З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ24Б-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ70Б9 З-д ПО «Альфа» 292 2Т602БМ З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ24В-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ24Г-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ71А АО «Светлана» 292 2Т372А З-д «Пульсар» 1 292 2Т60ЗА НПО «Планета» 300 1 2Т60ЗБ НПО «Планета» 300 2ТЗ24Д-1 АО «Светлана» 286 ll2T324E-1 1АО «Светлана» 286 : 2ТЗ25А АО «Светлана» 286 1 12ТЗ25Б 1АО «Светлана» 286 2ТЗ72Б З-д «Пульсар» 292 2ТЗ72В З-д «Пульсар» 292 2ТЗ77А-2 З-д «Транзистор» 292 2ТЗ77Б-2 З-д «Транзистор» 292 2Т60ЗВ НПО «Планета» 1 300 11 2Т60ЗГ НПО «Планета» ' 300 1 1 1 2Т60ЗИ НПО «Планета» 1 300 2Т606А ПО «Знамя» 1 300 1 2ТЗ25В 1АО «Светлана» 286 2Т377В-2 З-д «Транзистор» 292 2Т607А-4 З-д «Транзистор» 300 2ТЗ26А 32,33 286 2ТЗ77А1-2 З-д «Транзистор» 292 2Т608А ПО «Знамя» 300 2ТЗ26Б 4,33 286 2ТЗ77Б1-2 З-д «Транзистор» 292 2Т608Б ПО «Знамя» 300 2ТЗЗ1А-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗ77В1·2 3-д «Транзистор» 292 2Т610А З-д •Транзистор» 302 2ТЗЗ1Б-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗ78А-2 З-д «Транзистор» 292 2Т610Б З-д «Транзистор» 302 2ТЗЗ1В-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗ78Б-2 З-д «Транзистор» 292 2Т624А-2 З-д «Транзистор» 302 2ТЗЗ1Г-1 1СКБ «Элькор» 288 2Т378Б-2·1 З-д «Транзистор» 292 2Т624АМ-2 З-д «Транзистор» 302 1 12тзз1д-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗЗ2А-1 1- 288 2ТЗ78А1-2 З-д «Транзистор» 292 2ТЗ78Б1-2 З-д «Транзистор» 292 2Т625А-2 З-д «Транзистор» 1 302 11 2Т625Б-2 З-д «Транзистор» 1 302 ' 12тзз2Б-1 1 288 1- 2ТЗ81А-1 СКБ «Элькор» 294 2Т625АМ-2 1З-д «Транзистор» 1 302 2ТЗЗ2В-1 1- 288 2ТЗ81Б-1 СКБ «Элькор» 294 2Т625БМ-2 З-д «Транзистор» 302 2ТЗ32Г-1 - 288 2ТЗ81В-1 СКБ «Элькор» 294 2Т629А-2 АО «Элекс» 1 302 2ТЗЗ2Д-1 - 288 2ТЗ81Г-1 СКБ «Элькор» 294 2Т629А-5 АО «Элекс» 302 2ТЗЗЗА-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ81Д-1 СКБ «Элькор» 294 2Т629АМ-2 32,33 302 2ТЗЗЗБ-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ82А АО «Светлана» 294 2Т630А ЗАО «Кремний» 304 2ТЗЗЗВ-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ82Б АО «Светлана» 294 2Т6ЗОБ ЗАО «Кремний» 304 2ТЗЗЗГ-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ84А-2 З-д с Транзистор» 294 2Т630А-5 ЗАО «Кремний» 304 2ТЗЗЗД-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ84АМ-2 З-д «Транзистор» 294 2Т632А АО «Элекс» 304 2ТЗЗЗЕ-З З-д «Экситон» 288 2ТЗ85А-2 З-д «Транзистор» 294 2Т6ЗЗА З-д «Транзистор» 1 304 2ТЗЗ6А АО «Светлана» 288 2ТЗ85А-9 28,33 294 2Т634А-2 З-д «Транзистор» 1 304 2ТЗЗ6Б IAO «Светлана» 288 2ТЗ85АМ-2 З-д «Транзистор» 294 2Т635А З-д «Транзистор» 1 304 2ТЗЗ6В АО «Светлана» 288 2ТЗ88А·2 32,33 294 2Т637А-2 З-д «Транзистор» 304 2ТЗЗ6Г АО «Светлана» 288 2ТЗ88А-5 32,33 296 2Т638А 304 2ТЗЗ6Д АО «Светлана» 288 2ТЗ88АМ-2 32,33 296 2Т640А·2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ36Е АО «Светлана» 288 2ТЗ89А-2 АО «Элекс» 296 2Т640А1-2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ48А-З СКБ «Элькор» 288 2ТЗ91А-2 З-д «Пульсар» 296 2Т640А-6 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ48Б-З СКБ «Элькор» 288 2ТЗ91Б-2 З-д «Пульсар» 296 2Т640А-5 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ48В-З СКБ «Элькор» 288 2ТЗ92А-2 З-д ПО «Альфа» 296 2Т642А-2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ54А-2 АО «Светлана» 288 2Т396А-2 АО «Светлана» 296 2Т642А1-2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ54Б-2 АО «Светлана» 288 2Т397А-2 АО «Светлана» 296 2Т642Б1-2 З-д «Пульсар» 306
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 21 Тип Изготовитель Стр. 1 прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) IJ 2T642B1-2 1З-д «Пульсар» 306 2Т716В ЗАО «Кремний» 1 314 2Т831В-1 1ЗАО «Кремний» ! 322 1 ' i !' 2Т642Г1-2 З-д «Пульсар» 306 il2T642A-5 1 З-д «Пульсар» 306 i 2Т642А1·5 'З-д «Пульсар» 306 2Т716А-1 ЗАО «Кремний» 316 1 2Т716Б-1 ЗАО «Кремний» 316 2Т716В·1 ЗАО «Кремний» 316 12твз1г-1 1ЗАО «Кремний» 132211 " 12твз2д 1 322 1! 1- 11 2Т832Б 1- i322 1 i l 2T643A-2 1 З-д «Пульсар» 306 2Т643Б-2 1 З-д «Пульсар» 308 ' J 2T643A-5 1З-д оl1ульсар» 308 1 J 2T647A-2 З-д «Пульсар» 308 2Т718д 1З-д «Искра» i 316 2Т718Б З-д «Искра» 316 2Т803д З-д «Искра» 1 316 2Т808д З-д «Искра» 1 316 1 2Т834А IAO «Элиз» 1 322 1 2Т834Б iAo «Элиз» 1 322 1 2Т834В iAO «ЭЛИЗ» 322 2Т836А i ЗАО «Кремний» 322 2Т647А-5 З-д «Пульсар» 308 2Т808А·2 З-д «Искра» 1 316 2Т836Б 1ЗАО «Кремний» 322 2Т648А-2 З-д «Пульсар» 308 2Т648А-5 З-д «Пульсар» 308 2Т649А-2 З-д «Пульсар» 308 i 2T652A : З-д «Транзистор» 1 308 1 i 2Т652А-2 1 З-д «Транзистор» 308 [ 2Т653д i ЗАО «Кремний» 310 ~2Т653Б 1ЗАО «Кремний» 310 ~2Т657А-2 1З-д «Пульсар» 310 112Т657Б-2 1З-д «Пульсар» 1 310 1 il2T657B-2 ! З-д «Пульсар» 1 310 i2Т658А-2 НПО «Планета» 310 12Т658Б·2 НПО «Планета» 310 2Т658В-2 НПО «Планета» 310 J 2T663A IAO «Элекс» 310 12Т809А З-д «Искра» 1 316 2Т812А 10,35 1 3111 l 2Т812Б l10,35 1 316 !12тв1вд 1ЗАО «Кремний» 1 316 1 12тв1вБ 1ЗАО «Кремний» 1 316 l 2тв1вв ЗАО «Кремний» 316 12тв1вд.2 ЗАО «Кремний» 1 318 12Т818Б-2 1ЗАО «Кремний» 318 1 1 2Т818В-2 ЗАО «Кремний» ! 318 11 J 2T819A 1ЗАО «Кремний» 1 318 1 1 2Т819Б ЗАО «Кремний» 1318 1 2Т819В ЗАО «Кремний» 1 318 2Т819А·2 ЗАО «Кремний» 318 2Т819Б-2 1ЗАО «Кремний» 1 318 2Т836В 1ЗАО «Кремний» 322 2Т836Г 1ЗАО «Кремний» 322 [2Т836А-5 1 1 ЗАО «Кремний» ' 322!' 1 1 12Т837А : З-д «Искра» : 322 JI 2Т837Б 1З-д «Искра» 1322 1 2Т837В 1З-д «Искра» 13221 1 12твз1г 1 З-д «Искра» 1 322 !2Т837Д 1З-д «Искра» 1 322 l 2T837E 1 З-д «Юпитер» 322 12Т839д iAO «Элиз» i 322 2Т841А [ЗАО «Кремний» 1 324 2Т841Б 1ЗАО «Кремний» 1 324 2Т841В 1ЗАО «Кремний» 1 324 2Т841А-1 1ЗАО «Кремний» ' 324 1 1!2Т663Б IAO «Элекс» 1 310 1 1 12Т664А9-1 1ЗАО «Кремний» 1 310 1 ~2Т664Б9-1 : ЗАО «Кремний» 1 310 1 !i 2Т665д9-1 1ЗАО «Кремний» 1 310 1 1 2Т819В-2 ЗАО «Кремний» 1318 1 2Т824А ЗАО «Кремний» 131811 2Т824Б ЗАО «Кремний» : 318 1 : 2Т824АМ ЗАО «Кремний» 1 318 1 2Т841Б-1 1 ЗАО «Кремний» 324 l2T842A : ЗАО «Кремний» 1 324 112Т842Б : ЗАО «Кремний» 324 12тВ42д-1 !ЗАО «Кремний» i 324 1 ! ~2Т665Б9-1 : ЗАО «Кремний» 1 310 2Т824БМ 1ЗАО «Кремний» 1 318 2Т842Б-1 1ЗАО «Кремний» 1 324 0 2Т669д : З-д «Транзистор» 1 310 1 2Т825А ЗАО «Кремний» 318 2Т844А IAO «Элиз» 1 324 2Т669д1 1З-д «Транзистор» ' 312 ! 2Т825Б ЗАО «Кремний» 1 318 2Т845А IAO «ЭЛИЗ» 1 324 2Т671А-2 З-д «Пульсар» 312 2Т825В ЗАО «Кремний» 318 2Т847А АО «ЭЛИЗ» 324 2Т672А-2 З-д «Транзистор» З12 2Т825А-2 ЗАО «Кремний» 1 318 2Т847Б АО «Элиз» 324 2Т679А-2 32,З3 312 2Т825Б-2 ЗАО «Кремний» 318 2Т848А 10,35 З24 2Т679Б-2 АО «Элекс» З12 2Т825В-2 ЗАО «Кремний» 318 2Т856А З-д «Искра» 1 324 2Т679А-5 'АО «Элекс» 312 2Т825А-5 ЗАО «Кремний» 318 2Т856Б 1З-д «Искра» 1324 1 2Т679Б·5 АО«Элекс» З12 2Т682А-2 3-д «Пульсар» 1 З12 2Т826А АО «Элиз» 1 320 2Т826Б АО «Элиз» 1 320 12Т856В i З-д «Искра» З24 ~ 2Т856Г 1З-д «Искра» 1 326 2Т682Б-2 1 З-д «Пульсар» 312 2Т826В АО «Элиз» 1 320 12Т860А 1ЗАО «Кремний» 1 326 '2Т687АС2 З-д «Пульсар» 312 2Т826А-5 АО «Элиз» 320 2Т860Б 1ЗАО «Кремний» 326 2Т687БС2 3-д «Пульсар» 312 2Т827А АО «Элиз» 320 2Т860В ЗАО «Кремний» 326 2Т688А2 З-д «Пульсар» 312 2Т827Б АО «Элиз» 320 2Т861А ЗАО «Кремний» 326 2Т688Б2 З-д «Пульсар» 312 2Т691А2 З-д «Пульсар» 314 2Т827В АО «Элиз» 320 2Т827А-5 АО «Элиз» 320 12Т861Б ЗАО «Кремний» 326 2Т861В ЗАО «Кремний» 326 2Т693АС ЗАО «Кремний» 314 2Т827А·2 АО «ЭЛИЗ» 320 2Т862А З-д «Пульсар» 326 2Т704А АО «Элиз» 314 2Т704Б АО «Элиз» 314 2Т708д ЗАО «Кремний» 314 2Т708Б 1ЗАО «Кремний» 314 2Т708В 1 ЗАО «Кремний» 314 12Т709А 1ЗАО «Кремний» 314 2Т709Б ЗАО, «Кремний» 314 l2Т709В 1ЗАО «Кремний» 314 2Т827Б-2 АО «Элиз» 320 2Т827В·2 АО «Элиз» 320 2Т828д АО «Элиз» 320 2Т828Б АО «ЭЛИЗ» 320 1 2Т830А ЗАО «Кремний» 320 2Т830Б ЗАО «Кремний» 320 2Т830В ЗАО «Кремний» 320 2Т830Г 1 ЗАО «Кремний» 1 320 2Т862Б З-д «Пульсар» 326 1 2Т862В З-д «Пульсар» 1 326 1З-д «Пульсар» 1 2Т862Г 13261 2Т866А 1З-д «Пульсар» 1 326 1 2Т867А 1З-д «Искра» 13261! " 12Т874А 2Т874Б З-д «Пульсар» 326 З-д «Пульсар» 326 ЗАО «Кремний» 328 2Т875А 2Т709А2 ЗАО «Кремний» 314 2Т830В-1 ЗАО «Кремний» 320 2Т875Б ЗАО «Кремний» 328 2Т709Б2 ЗАО «Кремний» 314 2Т830Г-1 ЗАО «Кремний» 320 2Т875В ЗАО «Кремний» 328 2Т709В2 ЗАО «Кремний» 314 2Т831А ЗАО «Кремний» 322 2Т875Г ЗАО «Кремний» 328 2Т713А АО «Элиз» 314 2Т831Б ЗАО «Кремний» 322 2Т876А ЗАО «Кремний» 328 2Т716А ЗАО «Кремний» 314 2Т831В ЗАО «Кремний» 322 2Т876Б ЗАО «Кремний» 328 2Т716Б ЗАО «Кремний» 314 2Т831Г ЗАО «Кремний» 322 2Т876В ЗАО «Кремний» 328
22 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 112Т876Г 1ЗАО «Кремний» 328 1!2Т877А 1ЗАО «Кремний» 1 328 1 1 :12твпБ 1ЗАО «Кремний» 328 1 j 2Т877В ЗАО «Кремний» 328 !l 2T878A 1З-д «Искра» 328 1 !'2Т878Б 1 З-д «Искра» 328 2Т878В 1 З-д «Искра» 328 2Т879А З-д «Искра» 328 2Т879Б З-д «Искра» 328 2Т880А ЗАО «Кремний» 328 2Т880Б ЗАО «Кремний» 328 2Т880В 1 ЗАО «Кремний» 1 328 112тввог ЗАО «Кремний» 1 328 12Т880А-5 1ЗАО «Кремний» 1 328 1 2Т880Б-5 1 ЗАО «Кремний» 328 1 1 !2Т881А 1ЗАО «Кремний» 328 11 2Т881Б 1ЗАО «Кремний» 328 2Т881В ЗАО «Кремний» 328 2Т881Г ЗАО «Кремний» 328 2Т881А-5 ЗАО «Кремний» 328 2Т881Б-5 ЗАО «Кремний» 328 2Т882А ЗАО «Кремний» 328 2Т882Б 1ЗАО «Кремний» 328 2Т882В 1ЗАО «Кремний» 328 2Т88ЗА i ЗАО «Кремний» 330 12тввзБ 1ЗАО «Кремний» 1 330 1 12твв4д 1 ЗАО «Кремний» 1 330 l 2Т884Б iЗАО «Кремний» 1 330 1 12Т885А 1З-д «Пульсар» 330 2Т885Б З-д «Пульсар» 330 2Т886А 1ЗАО «Кремний» 330 2Т886Б ЗАО «Кремний» 330 2Т887А ЗАО «Кремний» 330 2Т887Б 1 ЗАО «Кремний» 330 2Т888А 1ЗАО «Кремний» 330 2Т888Б 1 ЗАО «Кремний» 330 2Т891А i З-д «Пульсар» 330 2Т903А взпп 330 2Т903Б взпп 330 2Т904А ПО «Знамя» 330 2Т907А взпп 332 2Т908А З-д «Искра» 332 2Т909А взпп 332 2Т909Б взпn 332 2Т~101АС lвзпп 332 2Т9102А-2 1З-д «Пульсар» 332 2Т9102Б-2 1З-д «Пульсар» 332 2Т9103А-2 1З-д «Пульсар» 332 2Т9103Б-2 З-д «Пульсар» 332 2Т9104А взпп 332 2Т9104Б взпп 332 2Т9105АС взпп 332 2Т9107А-2 З-д «Пульсар» 334 2Т9108А-2 З-д «Пульсар» 334 2Т9109А взпп 334 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 11 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 2Т9110А-2 З-д «Пульсар» 334 2Т9110Б-2 ! З-д «Пульсар» 334 12Т9111А 1З-д «Пульсар» 334 2Т9112А iAo «Элиз» 1 334 1 2Т911ЗА !АО «Элиз» 334 2Т9114А З-д «Пульсар» 336 2Т9114Б ! З-д «Пульсар» 336 2Т911А lвзпп 336 2Т911Б взпп 336 2Т912А 13-д «Пульсар» 336 2Т912Б 3-д «Пульсар» 336 2Т912А-5 З-д «Пульсар» 336 2Т912Б-5 13-д «Пульсар» 336 2Т913А 3-д «Транзистор» 336 2Т91ЗБ 3-д «Транзистор» 336 2Т913В 13-д «Транзистор» 336 2Т9117А 1ЗАО «Кремний» 1 336 2Т9117Б 1ЗАО «Кремний» 336 2Т9117В 1 ЗАО «Кремний» 336 2Т9117Г ЗАО «Кремний» 336 2Т9118А 3-д «Пульсар» 336 2Т9118Б !3-д «Пульсар» 336 2Т9118В !3-д «Пульсар» 336 1! 2Т9119А-2 1 338 2Т9121А З-д «Пульсар» 1 338 12Т9121Б 13-д «Пульсар» 338 12Т9121В · З-д «Пульсар» 338 11 l12Т9121Г 1 З-д «Пульсар» 1 112Т9122А З-д «Пульсар» 338 2Т9122Б З-д «Пульсар» 338 2Т9123А АО оЭлиз» 338 1 2Т912ЗБ АО «Элиз» 338 1 2Т9124А З-д «Пульсар» 338 2Т9124Б З-д «Пульсар» 338 2Т9125АС взпп 338 2Т9126А З-д «Пульсар» 340 2Т9127А 3-д «Пульсар» 340 2Т9127Б З-д «Пульсар» 340 2Т9127В З-д «Пульсар» 340 2Т9127Г 3-д «Пульсар» 340 2Т9127Д З-д «Пульсар» 340 2Т9127Е З-д «Пульсар» 340 2Т9127Ж З-д «Пульсар» 340 2Т9127И З-д «Пульсар» 340 2Т9127К З-д «Пульсар» 340 2Т9128АС ПО оНИИЭТ» 340 2Т9129А З-д «Пульсар» 340 2Т9130А ЗАО «Кремний» 340 2Т9131А З-д «Пульсар» 340 2Т9132АС ПО «НИИЭТ» 340 2Т9133А 3-д «Пульсар» 342 2Т9134А З-д «Пульсар» 342 2Т9134Б З-д «Пульсар» 342 2Т9135А-2 З-д «Пульсар» 342 2Т9137А З-д «Пульсар» 342 Тип Изготовитель 1 Стр.11 прибора (см. стр. 31) 2Т9137Б З-д «Пульсар» ~3421! ,12Т9138А 1 1! IAO «Элиз» 1 342 '1 2Т9139А lзп 1344 li -д « ульсар» 1! 2Т9139Б 1 З-д «Пульсар» 344 2Т9139В З-д «Пульсар» 1 344 i11 2Т9139Г З-д «Пульсар» 344 1 2Т9140А З-д «Пульсар» 344 2Т914А АО «Элекс» 344 1 2Т9143А НПО оПланета» 344 1 i 2Т9146А З-д «Пульсар» 344 '! 2Т9146Б З-д «Пульсар» 344 1 2Т9146В З-д «Пульсар» 344 2Т9146Г З-д «Пульсар» 1344 1 ' 2Т9146Д З-д «Пульсар» 344 1 1 ,2Т9146Е 1 З-д «Пульсар» ! 344 1 2Т9146Ж З-д «Пульсар» ! 344 1 1 2Т9146И З-д «Пульсар» i3441 2Т9146К З-д «Пульсар» 344 1 2Т9147АС ПО «НИИЭТ» 344 1! 2Т9149А З-д «Пульсар» =J~tJ 1 2Т9149Б 1З-д «Пульсар» . 1 2Т9153АС lпо .нииэт» 1 346 11 2Т9153БС ПО «НИИЭТ» :346i1 12Т9155А lпо «НИИЭТ» 1----~~-J 112Т9155Б 1по «НИИЭТ» ! 346 11 ll 2T9155B 1ПО «НИИЭТ» !346! 12Т9156АС ПО «НИИЭТ» 1 346 1 346 1 1~ 2Т9156БС ПО «НИИЭТ» 346 346 346 12Т9158А НПП «Пульсар» 2Т9158Б НПП «Пульсар» 1: 2Т9159А З-д «Пульсар» 346 348 12Т9159А5 З-д «Пульсар» 12Т916А З-д «Транзистор» 2Т9161дС по .нииэт» 1 348 2Т9162А 1 З-д «Пульсар» 1 348 2Т9162Б З-д «Пульсар» i 348 2Т9162В З-д «Пульсар» 1 348 2Т9162Г З-д «Пульсар» 348 2Т9164А З-д .пульсар» 1 348 2Т9175А ПО «НИИЭТ» 348 2Т9175Б ПО «НИИЭТ» 348 2Т9175В ПО «НИИЭТ» 348 , 2Т9175А-4 ПО «НИИЭТ» 350 1 2Т9175Б-4 ПО «НИИЭТ» 350 3_т_9_1_1s_в_-,_4_ __,11-п_о_.н_и_и_э_т_»__-+1-з_5_о___,11[, 2Т9183А-5 IAO «Элекс» 1350 11 2Т9184А 1 З-д «Искра» 1350li lf------+--------~----il 2Т9188А 1ПО «НИИЭТ» 13501 2Т9188А-4 350 2Т919А З-д «Пульсар» 352 1 2Т919Б 3-д •ПУ"~Р• 352 2Т919В З-д «Пульсар» 352 2Т919А-2 З-д «Пульсар» 352 2Т919Б-2 З-д «Пульсар» 352 2Т919В-2 З-д «Пульсар» 1 352
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 23 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 2Т920А IВ3ПП 352 2Т944А 3-д «Искра» 358 2Т975Б 13-д «Пульсар» ! 364 1 1 1 i 2Т920Б IВ3ПП 1 352 1 !12Т920В IВ3ПП 352 1 2Т945А АО «ЭЛИЗ» 358 2Т945Б АО «Элиз» 1 358 2Т976А IВ3ПП ' : 364 "11 2Т977А 13-д «Пульсар» 13641 112Т921А i3-д «Пульсар» 352 2Т945В АО «ЭЛИЗ» 358 2Т978д 3-д «Искра» 364 1 13-д «Пульсар» i 2Т921А-4 352 1 2Т945А-5 АО «Элиз• 358 2Т978Б 3-д «Искра» 364 1· 2Т922А jв3пп 352 2Т946А 22,35 358 2Т979А 3-д «Пульсар» 364 2Т922Б В3ПП 352 2Т947А 3-д «Искра» 358 2Т980А 3-д «Пульсар» 364 2Т922В В3ПП 352 2Т948А 3-д «Пульсар• 358 2Т980Б 3-д «Пульсар» 364 2Т925А В3ПП 352 2Т948Б 3-д «Пульсар» 358 2Т981А АО «Элиз» 366 2Т925Б В3ПП 352 2Т949А - 358 2Т982А-2 3-д «Пульсар• 366 2Т925В В3ПП 352 2Т950д 3-д «Пульсар» 358 2Т982А-5 3-д «Пульсар• 366 2Т926А IAO «ЭЛИЗ» 352 l 2T928A 13-д «Транзистор» 1 354 11 2Т950Б 3-д «Пульсар• 358 2Т951А 3-д «Пульсар» 360 12Т983А lв3пп i 366 1. 1 2Т983Б lв3ПП 1 366 11 l2Т928Б 13-д «Транзистор» 354 1 2Т951Б 3-д «Пульсар» 360 2Т983В В3ПП 1 366 1 1 2Т929А !В3ПП 354 2Т951В 3-д «Пульсар» 360 2Т984А В3ПП 366 2Т930А IВ3ПП 354 2Т955д АО «Элиз• 360 2Т984Б В3ПП 366 2Т9ЗОБ В3ПП 354 2Т956А АО «Элиз• 360 2Т985АС В3ПП 366 2Т931А В3ПП 354 2Т957д АО «ЭЛИЗ» 360 2Т986д 3-д «Пульсар» 366 2Т932А 3-д ниипп 354 2Т958А В3ПП 360 2Т986Б 3-д «Пульсар» 366 2Т932Б 3-д ниипп 354 2Т960д В3ПП 360 2Т986В 3-д «Пульсар» 366 2Т933А 3-д ниипп 354 2Т962А В3ПП 360 2Т986Г 3-д «Пульсар» 366 2Т933Б 13-д ниипп 354 2Т934А IВ3ПП 354 1 112Т934Б lв3пп 354 ~2Т934В 183ПП 1 354 2Т962Б В3ПП 360 2Т962В В3ПП 1 360 2Т963А-2 3-д «Пульсар» 1 360 2Т963Б-2 3-д «Пульсар» 1 360 2Т987д 3-д «Пульсар» 1 366 12Т988А 13-д «Пульсар» 1 368 ,I ' 12Т988Б 13-д «Пульсар» i 368 11 2Т989А 13-д «Пульсар» ' 368 i2Т935А :до «Элиз» 354 2Т963А-5 3-д «Пульсар» i 362 2Т989Б 3-д «Пульсар» 1 368 12Т935А-5 IAO «Элиз» 356 2Т937А-2 13-д «Пульсар» 356 2Т937Б-2 3-д «Пульсар» 356 2Т964А 3-д «Пульсар» 362 2Т965А В3ПП 362 2Т966А В3ПП 362 2Т989В 3-д «Пульсар» 368 2Т989Г 3-д «Пульсар» 368 2Т990А-2 3-д «Пульсар» 368 2Т937А-5 13-д «Пульсар» 356 2Т967А АО «Элиз• 362 2Т991АС В3ПП 368 2Т938А-2 13-д «Транзистор• 356 2Т968А 3-д «Искра» 362 2Т993д АО «Элиз» 368 2Т939А 3-д «Транзистор» 356 2Т968А-5 3-д «Искра» 362 2Т994А-2 3-д «Пульсар» 368 2Т939Б 13-д «Транзистор• 356 2Т970А В3ПП 362 2Т994Б-2 3-д «Пульсар» 368 1 2Т939А1 13-д «Транзистор• 356 l 2T941A IAO «Элекс» 356 1 1 1 !12Т942А 13-д «Пульсар» 356 l 2Т942Б 13-д «Пульсар» 356 2Т971А В3ПП 364 2Т974А 3-д «Пульсар» 364 2Т974Б 3-д «Пульсар» 1 364 2Т974В 3-д «Пульсар» 1 364 2Т994В-2 3-д «Пульсар» !368:1 i3-д «Пульсар» .! 12Т995А-2 i 370 111 2Т996А-5 13-д «Пульсар» 1 370 1 1 l 2Т996Б-5 13-д «Пульсар» 370 2Т942А-5 /3-д «Пульсар» 356 2Т974Г 3-д «Пульсар» 364 2Т998А 370 2Т942Б-5 13-д «Пульсар» 356 2Т975д 3-д «Пульсар» 364 Кремниевые сборки специального назначения 11 Тип Изготовитель Стр. 1· прибора (см. стр. 31) 1 i 2ТСЗОЗА-2 13-д ПО «Альфа» 372 Тип Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) 2ТЗ155БС-1 АО «Светлана» 1 372 Тип 1 Изготовитель : 11 1с 1 прибора 1 (см. стр. 31) ; тр. 1' ' 1 2ТС61ЗБ 13-д «Транзистор» : 374 1: ;12тсз1озд i3-д ПО «Альфа» 372 2ТС393А-1 3-д ПО «Альфа» ! 372 2ТС622А lв3пп 1 374 :: 1 :12тсз1озБ 13-д ПО «Альфа» 372 112ТСЗ111А-1 iНИИМП 1 372 :· 2ТС3111 Б-1 IНИИМП 1 372 2ТС393Б-1 3-д ПО «Альфа» 1 372 2ТС393А-9 13-д ПО «Альфа» 1 372 1 2ТСЗ9ЗБ-9 3-д ПО «Альфа» i 372 2ТС622Б IВ3ПП 13741, 1: 2ТС622Б-1 jВ3ПП ' 374 11 2Т670АС 13-д «Транзистор» 1 374 1 ~2ТС3111В-1 ниимп 372 2ТСЗ111Г-1 ниимп 372 2ТСЗ98А-1 АО «Светлана» 372 2ТС398Б-1 АО «Светлана» 372 2ТС687АС-2 13-д «Пульсар» i 376 2ТС687БС-2 13-д «Пульсар» i 376 2ТСЗ111Д-1 ниимп 372 2ТСЗ98А-94 АО «Светлана» 374 2Т689АС В3ПП i 376 2ТС3136А-1 3-д ПО «Альфа» 372 2ТС398Б-94 АО «Светлана» 374 2ТС843А АО «Плутон» 1 376 2ТЗ155АС-1 АО «Светлана» 372 2ТС61ЗА 3-д «Транзистор» 374 2ТС941А-2 АО «Элекс» ! 376
24 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Полевые транзисторы Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) АП320А-2 НПП «Пульсар» 392 l!АП320Б-2 1НПП «Пульсар» ' 392 1 НПП «Пульсар» 392 I АП324А-2 11АП324Б-2 1 НПП «Пульсар» 392 АПЗ24В-2 1НПП «Пульсар» 392 АПбОЗА-5 3-д «Пульсар» 398 АПбОЗБ-5 3-д «Пульсар» 398 АП604А-2 3-д «Пульсар» 398 АП604Б-2 3-д «Пульсар» 398 АП604В-2 3-д «Пульсар» 1 398 1 КП10ЗЕР1 ППО «Октябрь» 404 КП10ЗЖР1 1ППО «Октябрь» 14041 КП103ИР1 ППО «Октябрь» 404 КП103КР1 1ППО «Октябрь» 1 404 1 КП10ЗЛР1 ППО «Октябрь» 404 АП324Б-5 1НПП «Пульсар» 1 392 АП604Г-2 3-д «Пульсар» 398 КП10ЗМР1 ППО «Октябрь• 404 АПЗ25А-2 НПО «Планета» 392 АП604А1-2 НПО «Планета» 400 КП103Е9 18,33 404 АПЗ26А-2 НПО «Планета» 392 АП604Б1-2 3-д «Пульсар» 400 КП10ЗЖ9 18, 33 404 АП326Б-2 НПО «Планета» 392 АП604В1-2 3-д «Пульсар» 400 КП10ЗИ9 18,33 404 АП328А-2 НПО «Планета» 394 АП604Г1-2 3-д «Пульсар» 400 КП103К9 18,33 404 АПЗЗОА-2 НПО «Планета» 394 АП605А-2 3-д «Пульсар» 400 КП103Л9 18,33 404 АПЗЗОБ-2 НПО «Планета» 394 АПЗЗОВ-2 1НПО «Планета» 394 АП605А1-2 НПО «Планета» 400 АП605А2-2 НПО «Планета» 400 КП103М9 l18, 33 1 404 ~ КП150 7,36 1 406 , АПЗЗОВ1-2 1НПО «Планета» 394 ' 1 АПЗЗОВ2-2 1НПО «Планета» 1 394 АПЗЗОВЗ-2 i НПО «Планета» 394 АП606А-2 3-д «Пульсар» 400 АП606Б-2 3-д «Пульсар» 400 АП606В-2 3-д «Пульсар» 400 КП201Е-1 АО «ВОСХОД• i4061 КП201Ж-1 АО «ВОСХОД» i 406 КП201И-1 АО «ВОСХОД» 406 АП331А-2 1НПО «Планета» 394 АП606А-5 3-д «Пульсар» 400 КП201К-1 АО «Восход• 406 1 АП331А-5 НПО «Планета» 394 АП606Б-5 3-д «Пульсар» 400 КП201Л-1 АО «Восход» 406 АП339А-2 НПО «Планета» 394 АП606В-5 3-д «Пульсар» 400 КП202Д-1 АО «Восход» 406 АПЗ4ЗА-2 НПО «Планета» 394 АП607А-2 3-д «Пульсар» 400 КП202Е-1 АО «Восход• 406 АП343А1-2 НПО «Планета» 394 АП608А-2 3-д «Пульсар» 402 КП214А-9 3-д «Транзистор» 406 АП343А2-2 НПО «Планета» 394 АП608Б-2 3-д «Пульсар» 402 КП240 7,36 406 АП343АЗ-2 НПО «Планета» 394 АП608В-2 3-д ~<Пульсар» 402 КП250 7,36 406 1 АП344А-2 1НПО «Планета» 396 АП344А1-2 НПО «Планета» 396 АП608А-5 3-д «Пульсар» 402 АП608Д-5 3-д «Пульсар• 402 КПЗО1Б ППО «Октябрь» 1 406 КПЗО1В ППО «Октябрь» 406 11 АП344А2-2 1НПО «Планета» 396 IАПЗ44АЗ-2 ! НПО «Планета» 396 АП608Е-5 3-д «Пульсар» 402 АП915А-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗО1Г ППО «Октябрь• ! 406 1 КПЗ02А ППО «Октябрь» 1 406 1 АП344А4-2 1НПО «Планета• 396 АП354А-5 НПО «Сатурн» 396 АП915Б-2 3-д «Пульсар» 402 1 АП925А-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗО2Б ППО «Октябрь» 1 406 КПЗ02В ППО «Октябрь» 406 АП354Б-5 НПО «Сатурн» 396 АП925Б-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗО2Г ППО «Октябрь» 406 АП354В-5 НПО «Сатурн• 396 АП925В-2 3-д «Пульсар» 402 КП302АМ ППО «Октябрь• 408 АП355А-5 НПО «Сатурн» 396 АП930А-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗ02БМ ППО «Октябрь» 408 АП355Б-5 НПО «Сатурн» 396 АП930Б-2 3-д «Пульсар» 402 КП302ВМ ППО «Октябрь» 408 АП355В-5 НПО «Сатурн» 396 АП930В-2 3-д «Пульсар» 402 КП302ГМ ППО «Октябрь» 408 АПЗ56А-5 НПО «Сатурн» 396 1 АП356Б-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП356В-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП967А-2 3-д «Пульсар» 402 АП967Б-2 3-д «Пульсар» 402 АП967В-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗОЗА 31,33 ! 408 1 КПЗОЗБ 31,33 ' 408 ' 1 кпзозв 131,33 1 408 1 1АП357А-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП967Г-2 3-д «Пульсар» 402 кпзозг 31,33 i4081 АП357Б-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП967Д-2 3-д «Пульсар» 402 кпзозд 31, 33 1 408 АП357В-5 1НПО «Сатурн» 396 АП358А-5 НПО «Сатурн» 396 АП967Е-2 3-д «Пульсар» 402 АП967Ж-2 3-д «Пульсар» 402 1 КПЗОЗЕ 31,33 408 кпзозж 31,33 408 АП358Б-5 НПО «Сатурн» 396 КЕ702А НПП «Пульсар» 404 кпзози 31,33 408 АП358В-5 НПО «Сатурн» 396 КЕ702Б НПП «Пульсар» 404 КПЗОЗА9 31,33 408 АПЗ62А-9 НПО «Планета» 396 КЕ702В НПП «Пульсар» 404 КПЗОЗБ9 31, 33 408 АП362Б-9 НПО «Планета. 396 КЕ707А ОАО «Ангстрем» 404 КПЗОЗВ9 31,33 408 АП379А-9 НПО «Планета» 398 КЕ707Б ОАО «Ангстрем» 404 КПЗОЗГ9 31,33 1 408 АП379Б-9 НПО «Планета» 398 КЕ707А2 ОАО «Ангстрем» 404 КПЗОЗД9 131,33 ' 408 АП381А-5 НПП «Пульсар» 398 1 АП602А-2 1НПП «Пульсар» 398 !АП602Б-2 1НПП «Пульсар» 398 КЕ707Б2 ОАО «Ангстрем» 404 КП101Г Тонди электроника 404 КП101Д Тонди электроника 404 1 КПЗОЗЕ9 31,33 1 408 КПЗОЗЖ9 31,33 1408il КПЗОЗИ9 31,33 1 408 АП602В-2 1 НПП «Пульсар» 398 КП101Е Тонди электроника 404 КПЗО4А АО «Светлана» 408 il АП602Г-2 НПП «Пульсар» 398 КП103Е 18.33 404 КПЗО5Д 24,25 408 li АП602Д-2 НПП «Пульсар» 398 КП103Ж 18,33 404 КП305Е 24,25 408 АПбОЗА-2 3-д «Пульсар» 398 КП103И 18,33 404 КП305Ж 24,25 408 АПбОЗБ-2 3-д «Пульсар» 398 КП10ЗК 18,33 404 КПЗО5И 24,25 408 АПбОЗА-1-2 3-д «Пульсар» 398 КП103Л 18,33 404 КПЗО6А 5, 18 408 1 АПбОЗБ-1-2 3-д «Пульсар» 398 КП10ЗМ 18, 33 404 КПЗО6Б 5, 18 408
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 25 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КПЗОбВ 5. 18 408 КПЗ82А 3-д «Транзистор» 414 КП707Г1 17,36 1 422 КПЗ07д 128.31 .33 410 li КПЗО7Б 128.31 .33 1 410 1· 1 :1кпзо1в :28,31 ,33 410 КПЗSЗА-9 АО «Светлана» 1 416 КП401АС i- 1 416 КП401БС 1- 416 17,36 : 422 ,1 КП707Д1 !1 1 1 КП707Е1 17,36 422 "1· 11 КП707А2 17,36 422 11 ii КПЗ07Г 128.31.33 1 410 КП402А АО «Светлана» 416 КП707В2 17, 36 i 422 1'"'"" 1 28,31 ,33 410 КПЗО7Е 28,31 ,33 410 КПЗ07Ж 28,31 ,33 410 КП40ЗА АО «Светлана» 416 КП440 7,36 416 КП450 7, 36 416 КП708А АО «ЭЛИЗ» 422 КП708Б АО «Элиз» 422 АО «Элиз» ' 422 КП709д КПЗ07А1 28, 31,33 410 КП501А 3-д «Транзистор» 416 КП709Б АО «Элиз» 422 КПЗО7Б1 28,31 ,33 410 КП501Б 3-д «Транзистор» 416 КП709В АО «Элиз» 422 КПЗ07Г1 28,31 ,33 410 КП501В 3-д «Транзистор» 416 КП709Г АО «ЭЛИЗ» 422 КПЗО7Е1 28,31 ,33 410 КП502А 3-д «Транзистор» 418 КП709Д АО «ЭЛИЗ» i 422 КПЗ07Ж1 28, 31,33 410 КПSОЗА 3-д «Транзистор» 418 КП710 В3ПП 1 422 КПЗОSА-1 13-д ПО «ФОТОН» 410 КПЗОSБ-1 13-Д ПО «ФОТОН» 410 КП504А 13-д «Транзистор» 418 КП504Б 13-д «Транзистор» 418 КП7128 13-д «Транзистор» ! 424 11 КП712А IВ3ПП ;42411 ·1 КПЗОSВ-1 13-д ПО «ФОТОН» 410 КП504В 3-д «Транзистор» 1 418 1 КП712Б В3ПП 1424:1 1 КПЗОSГ-1 1 3-д ПО «ФОТОН» 410 КП505д 3-д «Транзистор» 418 1КП712В В3ПП i42411 КПЗОSД-1 13-д ПО «ФОТОН» 410 КП505Б 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОА ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ10А НПП «ВОСТОК» 410 КП505В 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОБ ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ10Б НПП «ВОСТОК» 410 КП505Г 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОВ ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ12А З--д «Пульсар» 410 КП507А 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОА2 ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ12Б 3-д «Пульсар» 410 КП508А 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОА9 ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ1ЗА 5, 18 410 КП509А-9 3-д «Транзистор» 418 КП7131А-9 ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ1ЗБ l5. 18 410 КП509Б-9 3-д «Транзистор» 418 КП7132А ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ13В 15. 18 410 КПЗ14д \ 3-Д ПО «ФОТОН» 410 КП509В-9 3-д "Транзистор» 418 КП510 7,36 418 КП7132Б ОАО «Ангстрем» 1 426 1 КП7132А1 1ОАО «Ангстрем» 1 426 1 КПЗ22А 3-д ПО «ФОТОН» 410 КП510А9 3-д «Транзистор» 418 КП7132Б1 1 ОАО «Ангстрем» !426i 11 КПЗ2ЗА-2 13-д «Пульсар» 412 КП511А 3-д «Транзистор» 1 420 КП7132А9 ОАО «Ангстрем» 1 426 :1 КПЗ2ЗБ-2 j 3-д «Пульсар» 412 КП511Б 3-д «Транзистор» 420 КП7132Б9 ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27А 18, 21 412 КП520 7,36 420 КП7132А91 ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27Б 18,21 412 КП52ЗА 3-д «Транзистор» 1 420 КП7132Б91 ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27В 18,21 412 КП52ЗБ 3-д «Транзистор» 420 КП713Зд ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27Г 18,21 412 КП52ЗВ 3-д «Транзистор» 420 КП71ЗЗА9 ОАО «Ангстрем» 428 КПЗ29А 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП52ЗГ 3-д «:ГранЗистор» 420 КП7134А ОАО «Ангстрем» 428 КПЗ29Б 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП530 7,36 420 КП7135А ОАО «Ангстрем» 428 КПЗЗЗА 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП540 7,36 420 КП71Збд ОАО «Ангстрем» 428 КПЗЗЗБ 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП601А 3-д ПО «ФОТОН» 420 КП7137А ОАО «Ангстрем» 1 428 11 КПЗ40 !7.36 412 11 КПЗ41д 13-д «Пульсар» 412 1 1 l КПЗ41Б 13-д «Пульсар» 412 i! КПЗ46А-9 1НПП «Пульсар» i 412 1 ii КПЗ46Б-9 iНПП «Пульсар» 1 412 i КПЗ46В-9 1НПП «Пульсар» 412 КП601Б 3-д ПО «ФОТОН» 420 КП610 7,36 420 КП620 7, 36 1 420 КПбЗО 7, 36 420 КП640 j7,36 420 КП704А 3-д «Гравитон» 420 КП7138д 1 ОАО «Ангстрем» 1 428 КП7138д9 1ОАО «Ангстрем» : 430 1 .1 1 КП7138д91 !ОАО «Ангстрем» 1 430 11 1• КП7150А 1ОАО «Ангстрем» ! 430 1 КП7150А2 1 ОАО «Ангстрем» 143011 КП7150д9 ОАО «Ангстрем» 430 1 КПЗ47А-2 3-д «Пульсар» 414 КП704Б 3-д «Гравитон» 420 КП717А 3-д «Транзистор» 432 кпзsо В3ПП 414 КП705А НПП «Пульсар» 422 КП717Б 3-д «Транзистор» 432 КПЗSОА ППО «Октябрь» 414 КП705Б НПП «Пульсар» 422 КП717В 3-д «Транзистор» 432 КПЗSОБ ППО «Октябрь» 414 КП705В НПП «Пульсар» 422 КП717Г 3-д «Транзистор» 432 кпзsов ППО «Октябрь» 414 КП70бд НПП «Пульсар» 422 КП717Д 3-д «Транзистор» 432 КПЗ61А АО «Элекс» ' 414 КПЗ64А IAO «Элекс» 414 КПЗ64Б !АО «Элекс» 414 КП706Б НПП «Пульсар» 422 КП706В НПП «Пульсар» 422 КП707А 7,36 1 422 IКП717Е 13-д «Транзистор» 1 432 1! 1 11 КП717А1 1 3-д «Транзистор» : 432 '1 КП717Б1 13-д «Транзистор» 1 432 1 КП364В iAO «Элекс» 414 КП707Б 7,36 ! 422 КП717В1 3-д «Транзистор» 1 432 ,, ' КПЗ64Г \АО «Элекс» 414 КП707В 7,36 1 422 КП717Г1 3-д «Транзистор» 432 КПЗ64Д АО «Элекс» 414 КП707Г 7, 36 422 КП717Д1 3-д «Транзистор» 432 КПЗ64Е АО «Элекс» 414 КП707Д 7,36 422 КП717Е1 3-д «Транзистор» 432 КПЗ64Ж АО «Элекс» i 414 i КПЗ64И АО «Элекс» 414 1 КПЗ65А 3-д «Транзистор» 414 КП707Е 7,36 422 КП707А1 7,36 422 КП707Б1 7,36 422 КП718А 3-д «Транзистор» 432 1 КП718Б 3-д «Транзистор» 432 КП718В 3-д «Транзистор» 432 1 КПЗ65Б 3-д «Транзистор» 414 КП707В1 7,36 422 КП718Г 3-д «Транзистор» 432
26 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 1КП71ВД 3-д «Транзистор» 432 КП71ВЕ 3-д «Транзистор» 432 1 КП739В 3-д «Транзистор» 440 КП740 В3ПП 440 КП761Б 3-д «Микрон» i 448 ~ КП761В 13-д «Микрон» 1 448 1 КП718А1 13-д «Транзистор» 432 КП740А 3-д «Транзистор» 440 КП761Г 3-д «МИКРОН» ! 448 КП718Б1 13-д «Транзистор» 432 КП740Б 3-д «Транзистор» 440 КП771А 3-д «Транзистор» 448 КП71ВВ1 3-д «Транзистор» 432 КП740В 3-д «Транзистор» 440 КП771Б 3-д «Транзистор» 448 КП718Г1 3-д «Транзистор» 432 КП741А 3-д «Транзистор» 442 КП771В 3-д «Транзистор» 448 КП71ВД1 3-д «Транзистор» 432 КП741Б 3-д «Транзистор» 442 КП775А 3-д «Транзистор» 448 КП718Е1 3-д «Транзистор» 432 КП743А 3-д «Транзистор» 442 КП775Б 3-д «Транзистор» 448 КП720 В3ПП 432 КП743Б 3-д «Транзистор» 442 КП775В 3-д «Транзистор» 448 КП722А 3-д «Транзистор» 432 КП743В 3-д «Транзистор» 442 КП776А 3-д «Транзистор» 448 КП723А 13-д «Транзистор» 432 КП743А1 3-д «Транзистор» 442 КП776Б 3-д «Транзистор» 448 КП723Б 3-д «Транзистор» 432 КП744А 3-д «Транзистор» 442 КП776В 3-д «Транзистор» 1 448 1 КП723В 13-д «Транзистор» 432 1 КП723Г 3-д «Транзистор» 432 1КП724А 13-д «Транзистор» 432 1 1 КП724Б 3-д «Транзистор» 432 КП744Б 3-д «Транзистор» 442 КП744В 3-д «Транзистор» 442 КП744Г 3-д «Транзистор» 442 КП745А 3-д «Транзистор» 442 КП776Г 3-д «Транзистор» 1 448 11 КП777А 13-д «Транзистор» 1 448 1 КП777Б 3-д «Транзистор» 1 448 ! КП777В 3-д «Транзистор» 448 11КП725А 13-д «Транзистор» 432 КП726А 13-д «Транзистор» 434 КП745Б 3-д «Транзистор» 442 КП745В 3-д «Транзистор» 442 КП77ВА 3-д «Транзистор» 450 КП779д 3-д «Транзистор» 450 КП726Б 3-д «Транзистор• 434 КП745Г 3-д «Транзистор» 442 КП780А 3-д «Транзистор» 450 КП726А1 3-д «Транзистор» 434 КП746А 3-д «Транзистор» 444 КП7ВОБ,В 3-д «Транзистор» 450 КП726Б1 3-д «Транзистор» 434 КП746Б 3-д «Транзистор» 444 КП7ВОАС1 3-д «Транзистор» 450 КП727А 3-д «Транзистор» 434 КП746В 3-д «Транзистор» 444 КП781А 3-д «Транзистор» 450 КП727Б 3-д «Транзистор» 434 КП746Г 3-д «Транзистор» 444 КП7ВЗА 3-д «Транзистор» 452 1 КП727В 3-д «Транзистор» 434 КП727Г, Д 13-д «Транзистор» 434 1КП727Е, Ж 13-д «Транзистор» 434 l1кт2вд 13-д «Транзистор» 436 КП746А1 3-д «Транзистор» 444 КП746Б1 3-д «Транзистор» 444 КП746В1 3-д «Транзистор» 444 КП746Г1 3-д «Транзистор» 444 КП784А 13-д «Транзистор» 452 КП785А 3-д «Транзистор» 1 452 '1 1 КП786А 3-д «Транзистор» 1 452 1 КП787А 3-д «Транзистор» 1 452 i 1КП72ВГ1 13-д «Транзистор» 1 436 I КП72ВС1 3-д «Транзистор• 436 КП747А 3-д «Транзистор» 444 КП748А 3-д «Транзистор» 444 КП796А 3-д «Транзистор» 452 КПВО1А НРП «Октава» 452 КП72ВЕ1 3-д «Транзистор» 436 КП74ВБ 3-д «Транзистор» 444 КП801Б НРП «Октава» 452 КП72ВГ2 3-д «Транзистор» 436 КП748В 3-д «Транзистор» 444 КПВО1В НРП «Октава» 452 КП72ВС2 3-д «Транзистор• 436 КП749А 3-д «Транзистор» 444 КПВО1Г НРП «Октава» 452 КП728Е2 3-д «Транзистор» 436 КП749Б 3-д «Транзистор» 444 КП802А НРП «Октава» 454 КП730 В3ПП 436 КП749В 3-д «Транзистор» 444 КП802Б НРП «Октава» 454 КП730А В3ПП 436 КП731 J7,28 436 J КП731А 17.28 438 1 КП731Б 7,28 438 1 КП731В 7,28 1 438 КП733А 7,36 438 КП750А 3-д «Транзистор» 444 КП750Б 3-д «Транзистор» 444 КП750В 3-д «Транзистор» 444 КП750Г 3-д «Транзистор» 444 КП750А1 13-д «Транзистор» 446 КП750Б1 · 3-д «Транзистор» 446 КП804А НПП «Пульсар» 454 1 КП805А НПП «Пульсар» 1 454 1 КП805Б НПП «Пульсар» 1 454 КП805В НПП «Пульсар» 1 454 1 1 КПВО9А 7,36 1 454 КП809Б 7,36 454 КП733Б 7,36 438 КП75081 3-д «Транзистор» 446 КП809В 7,36 454 КП733Г 7,36 438 КП751А1 3-д «Транзистор» 446 КП809Г 7,36 454 КП733Д 7,36 438 КП751Б1 3-д «Транзистор» 446 КП809Д 7,36 454 КП733В·1 7,36 438 КП75181 3-д «Транзистор» 446 КП809Е 7,36 454 КП734д 3-д «Микрон» 438 КП752А 3-д «Транзистор» 446 КП809К 7,36 454 КП734Б 3-д «Микрон» 438 КП752Б 3-д «Транзистор» 446 КП809А1 7,36 454 КП734В 3-д «Микрон» 438 КП752В 3-д «Транзистор» 446 КП809Б1 7,36 454 КП734А-1 3-д «Микрон» 438 КП753А 3-д «Транзистор» 446 КП80981 7,36 454 КП734Б-1 3-д «Микрон» 438 КП753Б 3-д «Транзистор» 446 КП809Г1 7,36 i 454 КП735А 3-д «Микрон» 440 КП753В 3-д «Транзистор» 446 КП809Д1 7,36 454 ; КП735Б 3-д «Микрон» 440 КП759А 3-д «Микрон» 448 КП809Е1 7,36 1 454 КП735В 3-д «Микрон» 440 КП759Б 3-д «Микрон» 448 КПВ10А АО «Эльдаг» 454 КП735Г 3-д «Микрон» 440 КП759В 3-д «Микрон» 448 КП810Б АО «Эльдаг» 1454' КП737А 3-д «Транзистор» 440 КП759Г 3-д «Микрон• 448 КПВ10В АО «Эльдаг» 454 КП737Б 3-д «Транзистор» 440 КП760А 3-д «Микрон• 448 КПВ12А1 7,36 454 КП737В 3-д «Транзистор» 440 КП760Б 3-д «Микрон» 448 КП812Б1 7,36 454 КП737Г 3-д «Транзистор» 440 КП760В 3-д «Микрон» 448 КП812В1 7,36 454 КП739А 3-д «Транзистор» 440 КП760Г 3-д «Микрон» 448 КП81ЗА 7,36 456 КП739Б 3-д «Транзистор» 440 КП761А 3-д «МИКРОН» 448 КП813Б 7,36 456
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 1: Тип i Изготовитель ' Стр. :t прибора 1 (см. стр. 31) 11 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) !1 КП813Г 17.36 456 ' j КП813А1 17,36 456 КП923В 3-д «Пульсар» 460 КП923Г 13-д «Пульсар» i 460 ji КП81ЗБ1 7,36 456 li КП813А1-5 17.36 456 , 1 КП813Б1-5 7,36 456 1 КП814А - 456 1КП814Б - 456 1:кпв14в 1- 1 456 11 КП814Г i- 456 КП928А 3-д «Пульсар» 14601 КП928Б 3-д «Пульсар» 460 1 КП931А - i 462 КП931Б - 1 462 КП931В - 1 462 КП932А 3-д «ФОТОН» 1 462 КП934А НРП «Октава» 462 : КП814Д 1- 456 : КП814Е 1- 456 КП934Б НРП «Октава» 462 1КП934В НРП «Октава» 462 11 КП814Ж - 456 КП814И 1- 456 КП934А1 НРП «Октава» 462 КП934Б1 НРП «Октава» 462 КП814К - 456 КП934В1 НРП «Октава» 462 КП814Л - 456 КП814М - 456 КП936А 3-д «Гравитон» 462 КП936Б 3-д «Гравитон» 462 1 КП814Н - 456 КП936В 3-д «Гравитон» 462 КП814П - 456 КП936Г 3-д «Гравитон» 462 КП814Р - 456 КП936Д 3-д «Гравитон» 462 1КП814С 1- 456 ,, 1 1 КП814Т ·- 456 l!КП814У 1- 1 456 iКП814Ф 1- i 456 !1 КП817А 1по «НИИЭТ» 456 11 КП817Б ПО «НИИЭТ» 456 11 КП817В !ПО «НИИЭТ» 456 1 1 11 КП820 IВ3ПП 458 1! кпвзо В3ПП 458 1 КП840 В3ПП 458 !КП901А 3-д «Пульсар» 458 1КП901Б 13-д «Пульсар» 458 1, i3-д «Пульсар» 1 458 l;КП902А 1КП902Б 13-д «Пульсар» 458 !1кп902в 13-д «Пульсар» 1 458 1 КП903А 13-д «Пульсар» 1 458 КП903Б 3-д «Пульсар» 1 458 КП903В 3-д «Пульсар» 458 КП936Е 13-д «Гравитон» 1 462 КП936А-5 13-д «Гравитон» 462 1 1 КП936Б-5 3-д «Гравитон» 462 1КП936В-5 3-д «Гравитон» 462 1 КП936Г-5 3-д «Гравитон» 462 КП936Д-5 13-д «Гравитон» 462 1 КП936Е-5 3-д «Гравитон» 462 1 КП937А НРП «Октава» 464 КП937А-5 'НРП «Октава» 464 1 КП938А НРП «Октава» 464 1 КП938Б НРП «Октава» ~ КП938В НРП «Октава» 1 1 КП938Г 1 НРП «Октава» 1464 1 1 КП938Д 1 НРП «Октава» 1464 11 1 КП944А 3-д «Пульсар» 1464 11 КП944Б 3-д «Пульсар» i 464 1 КП945А НПП «Пульсар» 464 1 КП945Б НПП «Пульсар» 464 1 КП904А 3-д «Пульсар» 458 КП904Б 3-д «Пульсар» 458 КП946А АО «Эльдаг» 466 1 КП946Б АО «Эльдаг» 466 КП905А 18,21 458 КП948А АО «Эльдаг» 466 КП905Б 18,21 458 КП948Б АО «Эльдаг» 466 КП905В l18, 21 458 КП948В АО «Эльдаг» 466 ~ КП907А 118, 21 458 КП948Г АО «Эльдаг» 1 466 1 j!КП907Б : 18. 21 1 458 ~ КП907В :18,21 1 458 ~ КП908А : 18, 21 460 ~ КП908Б 118, 21 1 460 КП951А-2 1НПП «Пульсар» 1 466 i КП951Б-2 1 НПП «Пульсар» 1466 1 КП951В-2 НПП «Пульсар» 1466 11 КП953А АО «Эльдаг» 1466 1 1 КП921А 13-д «Гравитон» 460 1КП921Б 3-д «Гравитон» 460 1 КП922А 8, 12 460 КП95ЗБ АО «Эльдаг» 466 1 КП953В АО «Эльдаг» 466 КП953Г АО «Эльдаг» 466 КП922Б 8, 12 460 КП953Д АО «Эльдаг» 466 КП922В 8, 12 460 КП954А АО «Эльдаг» 466 КП922А1 8, 12 460 КП954Б АО «Эльдаг» 466 КП922Б1 8, 12 460 КП954В АО «Эльдаг» 466 КП922В1 8, 12 460 КП954Г АО «Эльдаг» 466 КП922Г1 18. 12 460 КП954Д АО «Эльдаг» 466 1iКП923А 13-д «Пульсар» 1 460 КП955А АО «Эльдаг» 466 11КП92ЗБ 3-д «Пульсар» 460 КП955Б 1АО «Эльдаг» 466 Тип прибора КП956А КП956Б КП957А КП957Б КП957В КП958А КП958Б КП958В 1 КП958Г КП959А КП959Б КП959В КП960А КП960Б КП960В КП961А КП961Б КП961В 11 КП961Г КП961Д 1 КП961Е 11 КП962А 1КП962А-5 КП963А КП963А-5 КП964А КП964Б КП964В КП964Г 1 КП965А 1КП965Б 1КП965В !КП965Г КП9650 КП971А КП971Б КП973А КП97ЗБ КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г 1 1 КПС104Д 11кпс104е 11 КПС202А-2 11 КПС202Б-2 КПС202В-2 КПС202Г-2 КПС203А-1 КПС203Б-1 КПС203В-1 КПС20ЗГ-1 КПСЗ15А КПСЗ15Б КПСЗ16Д-1 КПС316Е-1 КПС316Ж-1 КПС316И-1 1 Изготовитель (см. стр. 31) АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг• 1АО «Эльдаг• i АО «Эльдаг» 1 iАО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «ЭльдаГ>> 1АО «Эльдаг» 1 АО «Эльдаг» 1 НРП «Октава» 1 1НРП «Октава» НРП «Октава» НРП «Октава» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» !АО «Эльдаг» 1 АО «Эльдаг» 1 АО «Эльдаг» !АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» iАО «Эльдаг» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» АО «Восход» !АО «ВОСХОД» IAO «Восход» 1АО «ВОСХОД» 1АО «ВОСХОД» !АО «ВОСХОД• АО «ВОСХОД» 1АО «Восход» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» 3-д ПО «ФОТОН» 3-д ПО «ФОТОН>> 3-д ПО «ФОТОН» 3-д ПО «ФОТОН» 3-д ПО «ФОТОН» 13-д ПО «ФОТОН» 27 1 Стр. 11 466 1466 1 1466l 1 466 466 466 1 466 1 1466 !1 ' :466~ 1 11 ' 466 ,, 11 1 466 "1 1 466 468 468 468 1 468 468 1 468 468 468 468 468 1 468 468 1 468 1 1 468 468 468 1 468 !4701 1 1470li 1470 ;! 470 ;: ! 470 '111 1 1 470 1 470 470 470 470 i 470 1 1 470 ' 470 1 470 !! 470 470 1 470 !4701 470 470 470 470 470 470 1 470 1 470 ' ! 470 1 470 1 1 1 470
28 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Полевые транзисторы специального назначения 1. 1 !1 Тип 1 Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель ! прибора (см. стр. 31) 1 Стр. ЗПЗ20А-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85В-2 НПО «Планета» 480 ЗП915Б-2 3-д «Пульсар» 486 ЗПЗ20Б-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85А-5 НПО «Планета» 480 ЗП925А-2 НПП «Пульсар» 486 ЗПЗ21А-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85Б-5 НПО «Планета» 480 ЗП925Б-2 НПП «Пульсар» 486 ЗПЗ24А-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85В-5 НПО «Планета» 480 ЗП925В-2 НПП «Пульсар» 486 ЗПЗ24Б-2 3-д «Пульсар» 472 ЗП602А·2 3-д «Пульсар» 480 ЗП925А-5 НПП «Пульсар» 486 I ЗПЗ24В-2 13-д «Пульсар» 472 ЗП602Б-2 3-д «Пульсар» 480 ЗП927А-2 3-д «Пульсар» 1 486 1 ЗПЗ25А-2 1 НПО «Планета» 472 ЗП602В·2 3-д «Пульсар» 480 ЗП927Б·2 3-д «Пульсар» 486 !iзnз2sA-s 1 НПО «Планета» 1 474 ЗП602Г-2 3-д «Пульсар» 480 ЗП927В·2 3-д «Пульсар» 1 486 !1зпз2&А-2 i НПО «Планета» 474 ЗПЗ26Б-2 1НПО «Планета» 474 ЗП602Д-2 13-д «Пульсар» 480 ЗП602Б-5 3-д «Пульсар» 482 1 ! ЗП927Г-2 3-д «Пульсар» 486 i 1 ЗП927Д-2 3-д «Пульсар» 486 ЗПЗ26А-5 НПО «Планета» 474 ЗП602Д-5 3-д «Пульсар» 1 482 ЗП929А-2 3-д «Пульсар» 486 ЗПЗ28А·2 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗА-2 3-д «Пульсар» 482 ЗП9ЗОА-2 3-д «Пульсар» 488 ЗПЗ28А-5 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗБ-2 3-д «Пульсар» 482 ЗП9ЗОБ-2 3-д «Пульсар» 488 ЗПЗЗОА-5 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗА1-2 3-д «Пульсар» 482 ЗП9ЗОВ-2 3-д «Пульсар» 488 ЗПЗЗОА-2 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗБ1-2 3-д «Пульсар» 482 2Е701А 1НПП «Пульсар» 488 IЗПЗЗОБ-2 1 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗБ-5 13-д «Пульсар» 482 2Е701Б НПП «Пульсар» j 488 !1 llзпззов-2 1НПО «Планета» 474 11 ЗПЗЗОВ1-2 1 НПО «Планета» 476 ЗП604А-2 · 3-д «Пульсар» 482 ЗП604Б-2 3-д «Пульсар» 482 2Е701В НПП «Пульсар» i 488 2Е701Г НПП «Пульсар» i 488 ЗПЗЗОВ2·2 1 НПО «Планета» 1 476 ЗП604В-2 3-д «Пульсар» 482 2П101А Тонди электроника 488 ЗПЗЗОВЗ-2 iНПО «Планета» 476 ЗП604Г-2 3-д «Пульсар» 482 2П101Б Тонди электроника 488 ЗПЗЗ1А-2 1НПО «Планета» 476 ЗП604А1-2 3-д «Пульсар» 482 2П101В Тонди электроника 488 ЗПЗЗ1А-5 НПО «Планета» 476 ЗП604Б1·2 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗА 18,33 488 ЗПЗЗ9А-2 НПО «Планета» 476 ЗП604В1-2 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗБ 18,33 488 ЗПЗ4ЗА-2 НПО «Планета» 476 ЗП604Г1-2 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗВ 18,33 488 ЗПЗ4ЗА1-2 НПО «Планета» 476 ЗП604А-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗГ 18,33 488 ЗПЗ4ЗА2-2 j НПО «Планета» 476 ЗП604Б-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗД 18,33 488 ЗПЗ4ЗАЗ-2 j НПО «Планета» 476 ЗП604В-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗАР 18,33 488 ЗПЗ44А-2 iНПО «Планета» 476 ЗП604Г-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗБР 18,33 i 488 ЗПЗ44А1-2 1 НПО «Планета» 1 476 ЗП605А-2 1НПО «Планета» 484 2П10ЗВР 18,33 1 488 ЗПЗ44А2·2 1НПО «Планета» 1 476 ЗП605А-5 НПО «Планета» 484 2П10ЗГР 18,33 488 ЗПЗ44АЗ-2 НПО «Планета» 476 ЗП606А·2 3-д «Пульсар» 484 2П10ЗДР 18,33 488 ЗПЗ44А4-2 НПО «Планета» 476 ЗП606Б-2 3-д «Пульсар» 484 2П201А-1 АО «Восход» 488 ЗПЗ45А-2 НПП «Пульсар» 478 ЗП606В-2 3-д «Пульсар» 484 2П201Б-1 АО «Восход• 488 ЗПЗ45Б-2 НПП «Пульсар» 478 ЗП606Б-5 3-д «Пульсар» 484 2П201В-1 АО «Восход» 488 ЗПЗ45А-5 НПП «Пульсар» 478 ЗПЗ48А-2 1НПС «Планета» 478 ЗП606В-5 3-д «Пульсар» 484 ЗП607А-2 13-д «Пульсар» 484 2П201Г·1 1АО «Восход» 1 488 2П201Д-1 АО «ВОСХОД» 1 488 11 ЗПЗ51А-2 1 НПО «Планета» 478 ЗП608А·2 3-д «Пульсар» 484 2П201Е-1 АО «ВОСХОД» ' 488 'j 1 1 ЗПЗ51А-5 1 НПО «Планета» 478 ЗП608Б-2 3-д «Пульсар» 484 2П201Ж-1 АО «ВОСХОД» 488 ЗПЗ51А1-2 1НПО «Планета» 1 478 ЗП608В-2 3-д «Пульсар» 484 2П202Д·1 АО «ВОСХОД» 1 490 ЗПЗ5ЗА-5 J НПО «Планета» 480 ЗП608Г-2 3-д «Пульсар» 484 2П202Е-1 АО «Восход» 490 ЗПЗ72А·2 НПП «Пульсар» 480 ЗП608А-5 3-д «Пульсар» 484 2ПЗО1А ППО «Октябрь» 490 ЗПЗ7ЗА-2 НПО «Планета» 480 ЗП608Д-5 3-д «Пульсар» 484 2ПЗО1Б ППО «Октябрь» 490 ЗПЗ7ЗБ-2 НПО «Планета» 480. ЗП608Е-5 3-д «Пульсар» 484 2ПЗ01В ППО «Октябрь» 490 ЗПЗ7ЗВ·2 НПО «Планета» 480 ЗПЗ76А-5 НПО «Салют» 480 ЗП910А-2 3-д «Пульсар» 486 ЗП910Б-2 3-д «Пульсар» 486 2ПЗ01А-1 ППО «Октябрь» 490 11 2ПЗО1Б-1 ППО «Октябрь» 1 490 1 ЗПЗ84А-5 1НПП «Пульсар» 480 ЗП910А-5 3-д «Пульсар» 486 2ПЗО1В-1 ППО «Октябрь» 1 490 1 ЗПЗ85А-2 1 НПО «Планета» 480 ЗП910Б-5 3-д «Пульсар» 486 2ПЗО1А-5 ППО «Октябрь» 1 490 ri 1 ~ ЗПЗ85Б-2 1НПО «Планета» 1 480 ЗП915А-2 3-д «Пульсар» 486 2ПЗО2А 1ППО «Октябрь» 490
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Тип Изготовитель 1 ( 1Стр. I прибора см. стр. 31) ~~~~~~~~~~~~~-+-~~! i12пзо2Б iППО «Октябрь» i 490 Тип 1 Изготовитель 1 1 прибора i (см. стр. 31) I Стр. 2П312А 13-д «ПУЛ';>Сар» 1 494 2П302В 1ППО «Октябрь» 490 2ПЗ12Б \ 3-д «Пульсар» 1 494 12пзо2д.1 iППО «Октябрь» 490 2П312А·5 3-д «Пульсар» 1 494 2ПЗО2Б-1 ППО «Октябрь» 490 2П312Б·5 13-д «Пульсар» 1 494 2П302В·1 1ППО «Октябрь» 1 490 2ПЗ13А НПП «ВОСТОК» 1 494 2ПЗОЗА 131,33 1 490 2П31ЗБ НПП «ВОСТОК» 1 494 2ПЗОЗБ !31,33 1 490 1 2П313В НПП «ВОСТОК» 1 494 j12пзозв ;31,33 i 490 ~2ПЗОЗГ !31,33 1 490 2П322А 13-д ПО «ФОТОН» i 494 2ПЗЗЗА 3-д ПО «ФОТОН» i 494 \2пзозд ;31,33 1 490 2ПЗЗЗБ 3-д ПО «ФОТОН» 1 494 ~2ПЗОЗЕ 131,33 i 490 2ПЗЗЗВ 3-д ПО «ФОТОН» 1 494 2ПЗОЗИ 31,33 490 2ПЗЗЗГ 3-д ПО «ФОТОН» i 494 2П304А \АО о Светлана» 492 2П334А 3-д ПО «ФОТОН» 494 2П305д САР3ПУЛ 492 2П334Б 3-д ПО «ФОТОН» 494 2П305Б jсдР3ПУЛ 492 2П335А-2 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П305В \САР3ПУЛ 492 2П335Б·2 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П305Г САР3ПУЛ 492 2ПЗ36А·1 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П305А·2 iСАР3ПУЛ 492 2П336Б-1 i3-д ПО «ФОТОН» 1 496 i2пзоsБ-2 IСАР3ПУЛ 14921 2ПЗ37АР 3-д ПО «ФОТОН» 1 496 ~2П305В·2 1СдР3ПУЛ 492 2П337БР 3-д ПО «ФОТОН» 1 496 l2П305Г-2 IСАР3ПУЛ 1 492 2П338АР·1 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П306А 1НПП «ВОСТОК» 492 2П340А·1 В3ПП 496 2ПЗО6Б НПП «ВОСТОК» 492 2П340Б-1 В3ПП 496 2П306В НПП «ВОСТОК» 492 2П341А 3-д «Пульсар» 496 2П306Г НПП «ВОСТОК» 492 2П341Б 3-д «Пульсар» 496 2П306Д НПП «ВОСТОК» 492 2П347А·2 3-д «Пульсар» 496 2П306Е НПП «ВОСТОК» 492 2П350А ППО «Октябрь» 496 2П307А 13-д ПО «ФОТОН» 1 492 2П350Б ППО .октябрь» 496 2П307Б : 3-д ПО «ФОТОН» 492 2П601А 3-д ПО «ФОТОН» 498 ~2П307В 13-д ПО «ФОТОН» 492 112П307Г 13-д ПО «ФОТОН» 1 492 2П601Б 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П601А9 13-д ПО «ФОТОН» 498 2ПЗО7Д 3-д ПО «ФОТОН» 1 492 2П609А 3-д ПО «ФОТОН» 1 498 2П308д 31,33 492 2П609Б 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П308Б 31,33 492 2П609А·5 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П308В 31,33 492 2П609Б·5 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П308Г 31,33 492 2П701А 3-д «Пульсар» 498 2П308Д 131,33 492 2П701Б 3-д «Пульсар» 498 2П308А·1 131,33 492 2П702А 3-д «Пульсар» 498 2П308Б·1 131,33 492 2П703д НПП «Пульсар» 498 2П308В-1 131,33 492 2П703Б НПП «Пульсар» 498 12пзовг-1 131,33 1 492 2П706А 3-д «Пульсар» 500 2ПЗО8Д·1 131,33 492 2П706Б 3-д «Пульсар» 500 2П308А-9 31, 33 494 2П706В 3-д «Пульсар» 500 2ПЗО8Б-9 31, 33 494 2П7102А 3-д «Транзистор» 500 2П308В·9 31, 33 494 2П7118А 3-д «Пульсар» 500 2П308Г·9 31,33 494 2П7118Б 3-д «Пульсар» 500 2П308Д·9 31,33 494 2П7118В 3-д «Пульсар» 500 2П308Е·9 j31,33 494 2П7118Г 3-д «Пульсар» 500 2П310А 1НПП «ВОСТОК» 494 2П7118Д 3-д «Пульсар» 1 500 ~ 2П310Б 1НПП «ВОСТОК» 494 2П7118Е 3-д «Пульсар» 500 1 1 IJ Тип прибора 12П7118Ж 2П7118И 2П7118К 2П7118Л 2П712А 2П712Б 2П712В ~ 2П712А-5 !12П712Б·5 2П712В·5 2П7140А 2П7141А 2П7142А 2П7143А 2П7144А 2П7145А 2П762А 2П762В 2П762Д 2П762Ж 2П762К 2П762Л 2П762М 2П762Н 2П762И2 2П762Б1 2П762Г1 2П762Е1 2П762Г1·5 2П762Е1·5 2П762И2-5 2П771А 2П771А91 2П797Г 2П797Г91 2П802А 2П803д 2П803Б 2П815А 2П815Б 2П815В 2П815Г 2П816А 2П816Б 2П816В 2П816Г 2П901А 2П901Б 2П901А·5 2П901Б-5 Изготовитель (см. стр. 31) j 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» i3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 1НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» j НПП «Пульсар» 1 НПП «Пульсар» 1 1НПП «Пульсар» 1 j НПП «Пульсар» 13-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» 13-д «Транзистор» 13-д «Транзистор» 13-д «Транзистор» 1- 1НПП «Пульсар» j НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» j НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» 3-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» НПП «ВОСТОК» 13-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» j 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 1 1 1 1 1 1 1 29 Стр. i: 11 500 i 500 500 500 500 1 500 1 1 500 1: 500 500 500 i 502 502 502 502 502 502 1 502 1502,1 1 1502li 1 502 502 502 502 502 504 504 1 504 1 !504~ 1 504 11 1 504 504 1 504 504 504 504 504 1 506 1 1 506 .1 1506 1 1 1 506 1 1 506 506 506 506 506 506 i 506 ! 506 !506li 1506 1
30 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 1 1 11 Тип i Изготовитель 1' 1 Стр. 1 прибора 1 (см. стр. 31) 1 Тип Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) 1 Тип i Изготовитель i Стр.11 прибора (см. стр. 31) l2n902A 13-д «Пульсар» 1 506 2П902Б 13-д «Пульсар» 1 506 2П917А 1- 510 1 2П917Б - 510 i1 2П941Б НПП «Пульсар» 514 2П941В НПП «Пульсар» 514 2П903А 3-д «Пульсар» 506 2П918А НПП «Пульсар» 510 2П941Г НПП «Пульсар» 514 2П90ЗБ 3-д «Пульсар» 506 2П918Б НПП «Пульсар» 510 2П941Д НПП «Пульсар» 514 2П903В 3-д «Пульсар» 506 2П920А 3-д «Пульсар» 510 2П942А - 514 2П90ЗА-5 3-д «Пульсар» 508 2П920Б 3-д «Пульсар» 510 2П942Б - 514 2П90ЗБ-5 3-д «Пульсар» 508 2П903В·5 13-д «Пульсар» 508 2П922А 3-д «Гравитон» 510 2П922Б 3-д «Гравитон» 510 2П942В - 514 --J' 2П942А-5 -'-- 514 11 li2П904A 3-д «Пульсар» 508 2П922А·5 3-д «Гравитон» 510 2П942Б-5 - 151411 2П904Б 13-д «Пульсар» 1 508 2П922Б·5 3-д «Гравитон» 510 2П942В-5 - 514 11 1!2П905А 1НПП оПульсар» 508 1 2П905Б 1НПП «Пульсар» 508 2П905А·5 1НПП «Пульсар» 508 2П907А НПП «Пульсар» 508 2П923А 13-д «Пульсар» 512 2П92ЗБ 3-д «Пульсар» 1 512 2П92ЗВ 3-д «Пульсар» 512 1 2П923Г 3-д «Пульсар» 512 1 2ПС104А АО «ВОСХОД» 1 514 1 1 1 2ПС104Б IAO «ВОСХОД» 1514il 2ПС104В 1АО «Восход» 514 1 2ПС104Г : АО «ВОСХОД» 514 1 2П907Б НПП «Пульсар» 508 2П908А 3-д «Пульсар» 508 2П908Б 3-д «Пульсар» 1 508 2П926А НПП «ВОСТОК» 512 1 2П926Б НПП «ВОСТОК» 512 2П928А НПП «Пульсар» 512 2ПС104Д АО «ВОСХОД» 514 2ПС104Е АО «ВОСХОД» 514 2ПС202А·2 1АО «ВОСХОД» 151611 2П909А 13-д «Пульсар» 1 508 2П928Б НПП «Пульсар» 512 2ПС202Б·2 1 АО «ВОСХОД» ! 516 1 ! 1 l 2П909Б 13-д «Пульсар» 508 12П909В 3-д «Пульсар» 508 2П909Г i3-д «Пульсар» 508 2П911А 13-д «Пульсар» 1 508 1· 2П9ЗЗА НПП «Пульсар» 512 2П93ЗБ НПП «Пульсар» 512 1 12П934А 1НПО «Октава» 1 512 1 l2П934Б 1НПО «Октава» 1 512 2ПС202В·2 АО «ВОСХОД» 1 516 11 2ПС202Г·2 АО «ВОСХОД» i 516 12пс202д-1 !АО «ВОСХОД» 1516i 1 1 1, 2ПС202Е-1 !АО «Восход» 151611 2П911Б 13-д «Пульсар» 508 2П912А 13-д «Гравитон» 508 2П912Б 3-д «Гравитон» 508 2П913А 3-д «Пульсар» 510 2П91ЗБ 13-д «Пульсар» 510 1i2П914А 13-д ПО «ФОТОН» 510 2П938А НПП «ВОСТОК» 512 2П938Б НПП «ВОСТОК» 512 2П938В НПП «ВОСТОК» 1 512 2П938Г НПП «ВОСТОК» 512 2П938Д НПП «ВОСТОК» 512 2П941А НПП «Пульсар» 514 2ПСЗ16А·1 3-д ПО «ФОТОН» 1 516 '1 2ПС316Б·1 3-д ПО «ФОТОН» 516 1 2ПСЗ16В-1 3-д ПО «ФОТОН» 516 '1 2ПСЗ16Г·1 13-д ПО «ФОТОН» 516 11 1 ,I 11
Адреса предприятий-изготовителей Адреса предприятий-изготовителей il .N'o Название предприятия 11 1 3-д •Алион 1 2 13-дПО •Альфа» 1 1 3 1 ОАО «Ангстрем» 4 1 3-д •АрсенаЛ» 5 : НПП •Восток» 6 i АО •Восход» ~1 7 взпп 8 3-д «Гравитон» 9 ПО •Знамя» 10 3-д •Искра» i 11 1 3-д •Квазар» 12 : ЗАО «Кремний» u 13 1 СКБ .Элькор» 14 : НРП •Октава» 15 ! 3-д ниипп 16 i ниимп 17 1 АО •Орбита» 18 ППО •Октябрь» 19 НПО •Планета» 1 1~АО «Плутон >) t 21 1 НПП •Пульсар» 1i 22 i 3-д •Пульсар» 23 : ПРЗПП 1 24 1 ПО «Рефлектор» 25 САРЗПУЛ 26 АО «Светлана» 27 3-д •Старт» 28 l 3-д «Транзистор» 29 «Тонди электроника» UO IУлРЛЗД ~ 31 t 3-д. ПО «Фотон» 32 i 3-д .Экситон» ~ : 33 1 АО •Элекс» 34 АО •Электронприбор» 35 АО •Элиз» 36 по .нииэт» 37 3-д •Юпитер» 38 1 НПО •Сатурн» 39 1 АО .Эльдаг» 40 ; 3-д •Микрон» Почтовый адрес 396072, г. Нововоронеж, Воронежской обл., ул. Первомайская, д. 2 1 LV1006, Рижск. з-д ППП АО •Альфа». г. Рига, ул. Ропажу, 140 l 124460, г. Москва, Зеленоград 1 i 143090, г. Краснознаменск, Московской обл., а/я 226 i 630075, г. Новосибирск. ул. Дуси Ковальчук, д. 276 l 248014, г. Калуга, Грабцевское шоссе, д 60-а 1 394007, г. Воронеж, Ленинский проспект. д. 118-а 274031, Украина, г. Черновцы, ул. Русская, д. 248 314002, Украина, г. Полтава, ул. Автобазовская, д. 2/9 432030, г. Ульяновск, ул, Репина, д. 2 254136, Украина, г. Киев, ул. Северо-Сырецкая, д. 1 l241037, г. Брянск, ул. Красноармейская, д. 103 j 360603, Республика Кабардино-Балкария, г. Нальчик. 1 Государственное СКБ •Элькор» [ 630049, г. Новосибирск, Красный проспект, д. 220 l 634034, г. Томск, Красноармейская ул., д. 99-а l 103460, г. Москва, г. Зеленоград 430904, г. Саранск, п/ о Ялга 287100, Украина. г. Винница, ул. Ватутина, д. 18 173004, г. Великий Новгород, Федоровский ручей, д. 2/ 13 1 1 107120, г. Москва, ул. Нижняя Сыромятническая, д. ! 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27 l 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27 1 l 361005, Республика Кабардино-Балкария, г. Прохладный, ул. Ленина. д. 104 410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101 410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101 l 194156, г. С-Петербург, проспект Энгельса, д. 27 107066, г. Москва, ул. Новорязанская, д. 31/7 220108, Республика Беларусь. Минск, ул. Корженевского, 16 ЕЕ107, Эстония, г. Таллин, Пярнусское шоссе., д. 142 i 432028, г. Ульяновск, Октябрьская. д. 28-а i 700047, Узбекистан. г. Ташкент, ул. Пролетарская. д. 13 l 142500, г. Павловский Посад Московской области. 1 ул. Интернациональная, д. 34-а l 601600, г. Александров. Владимирской обл. ул. Институтская, д. 3 141120, г, Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2 141120, г. Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2 394042, г. Воронеж, Ленинский проспект, д. 119-а 396750, г. Богучар Воронежской обл., ул. Здоровья, д. 1 Украина, 252680, г. Киев, ул. 50 лет Октября, 2-6 ! 367009, г. Махачкала, ул. Авиационная. 7 1 i 103460, г. Москва, Зеленоград 1. ЗападныИ проезд, 12 11 31 ! 1 !1
32 Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства Тип 1 Стр. 1 Тип Стр_. Тип Стр. Тип Стр. КТ-1-1 1 521 КТ-3-8 523 КТ-34-1 525 КТ-43С 527 КТ-1-2 1 521 КТ-3-9 523 КТ-34-2 525 527 КТ-1-3 1 521 ! 1 1 !i КТ-1-4 521 !1 КТ-1-5 521 li КТ-1-6 521 ~г----------.-----4 i КТ-1-7 521 1 КТ-1-8 521 КТ-1-9 1 521 1 1 1 КТ-1-10 1 521 КТ-3-10 523 КТ-3-11 523 КТ-3-12 ! 523 КТ-3-13 ! 523 КТ-3-14 ! 523 КТ-3-15 523 КТ-3-16 523 КТ-3-17 523 КТ-34-3 1 525 1 КТ-34-4 ! 525 КТ-34-5 1 525 1 ((Т-34-6 1 525 КТ-34-7 ! 525 КТ-34-8 1 525 1 КТ-34-9 1 525 КТ-34-10 1 525 1 КТ-44 527 11 КТ-45 527 КТ-46 1 527 1 [ КТ-47 : ~ КТ-48 : 527 1 КТ-49 527 КТ-50 ! 527 КТ-51 ! 527 КТ-1-11 521 . 1 КТ-1-12 521 КТ-1-13 1 521 1 КТ-1-14 1 521 КТ-1-15 ! 521 КТ-3-18 523 КТ-3-19 523 КТ-4-2 1 523 КТ-5 528 КТ-6 523 КТ-34-11 525 КТ-34-12 1 525 ! КТ-34-13 1 525 КТ-34-14 1 525 КТ-34-15 1 525 КТ-52 i 527 КТ-53 i 527 КТ-54 i5271 КТ-55 L~J КТ-56 !527il КТ-1-16 1 521 КТ-7 523 КТ-34-16 ! 525 КТ-57 1 527 1 КТ-1-17 1 521 1 КТ-1-18 i 521 КТ-1-19 1 521 КТ-1-20 1 521 КТ-2-1 521 КТ-8 523 КТ-9 1 523 КТ-10 523 КТ-11 523 КТ-12 524 КТ-34-17 i 525 КТ-34-18 1 525 КТ-34-19 1 525 1 КТ-34-20 525 КТ-35-1 526 1 l_кт_-58__-- -- -+ _52'__j КТ-59 1 527 КТ-60 : 527 1 КТ-61 i 527 КТ-61А 1 527 1 КТ-2-2 521 КТ-2-3 521 КТ-13 524 КТ-13А 524 КТ-35-2 526 КТ-35-3 526 КТ-62 i 528 1 КТ-63 ' 528 КТ-2-4 521 КТ-14 1 524 КТ-35-4 1 526 528 ,, КТ-2-5 i 522 1 i 11 КТ-2-6 522 1· КТ-2-7 522 КТ-2-8 i 522 1 КТ-2-9 1 522 КТ-15 524 КТ-16 524 КТ-17 524 КТ-18 524 КТ-19 1 524 КТ-35-5 i 526 КТ-35-6 i 526 КТ-35-7 526 КТ-35-8 526 КТ-35-9 1 526 , 1 КТ-65 528 КТ-66 1 528 !i КТ-69 i 528 1 КТ-70 i 528 i 1 КТ-71 528 КТ-2-10 522 КТ-20 524 КТ-35-10 526 КТ-72 528 КТ-2-11 522 КТ-21 524 КТ-35-11 526 КТ-73 528 КТ-2-12 522 КТ-2-13 522 КТ-22 524 КТ-23 524 КТ-35-12 526 КТ-35-13 1 526 КТ-75 528 '1 КТ-76 528 КТ-2-14 522 [j КТ-2-15 i 522 КТ-23А 524 КТ-24 524 КТ-35-14 526 КТ-35-15 526 КТ-77 ' 528 11 КТ-78 528 li КТ-2-16 1 522 КТ-25 524 КТ-35-16 526 КТ-79 1 528 1 КТ-2-17 1 522 1 il КТ-2-18 1 522 КТ-26 524 КТ-26А 524 КТ-35-17 526 КТ-35-18 526 КТ-80А 1 528 КТ-80В 1 528 1 КТ-2-19 i 522 КТ-27 524 КТ-35-19 526 КТ-80С 1 528 ! КТ-2-20 1 522 КТ-28 524 КТ-35-20 526 КТ-81 ! 528 КТ-3-1 522 КТ-28А 524 КТ-37 526 КТ-82 528 КТ-3-2 1 522 КТ-29 524 КТ-40 526 КТ-89 1 529 - КТ-3-3 522 КТ-30 524 КТ-41 526 КТ-90 1 529 КТ-3-4 522 КТ-31 524 КТ-42 1 526 КТ-92 ! 529 КТ-3-5 1 522 КТ-32 524 КТ-43 527 КТ-16-1 529 КТ-3-6 ! 523 КТ-33 525 КТ-43А 527 КТ-23В i 529 1 J КТ-3-7 1 523 КТ-33А 525 КТ-43В 527 КТ-28-1 ! 529
Перечень корпусов зарубежных транзисторов 33 Перечень корпусов зарубежных транзисторов Тип Стр. Тип Стр. Тип 1 Стр. SC-62 530 1 SC-70 530 1!SC-71 i 530 llSOT-9 1 537 !jsoт-23 1 533 1 1 : SOT-25 i 533 1 1 SOT-32 i 534 SOT-194 532 SOT-199 533 SOT-223 i 533 SOT227b 533 SOT-262a1 1 534 1 SOT-268 534 SOT-273 534 ТО-78 1 540 11 ТО-89 ' 540 ' ·1 ТО-92 ' 540 ., ii lто-96 1:1-------------+----~· ТО-99 540 11 ;! 540 1 ТО-72 540 ;1 то 116 540 - SOT-37 535 SOT-279 534 ТО-119 541 i SOT-48b 536 SOT-289 534 ТО-120 541 SOT-54 536 SOT-323 535 ТО-122 1 541 1 SOT-82 1 536 1 1 l[SOT-89 536 ~SOT-89a 536 1 SOT-324 535 SOT-343 1 535 1 SOT-343R 1 535 1 1 ТО-126 541 1 ТО-127 11-------------+----~; 1 ТО-202 541 541 1 1 1SOT-93 537 SOT-353 ! 535 1 iТО-205 541 ~ SOT-93a 1 537 SOT-363 i 535 ТО-210 1 541 : 1 SOT-100 530 SOT-437a i 536 ТО-217аа 1 542 SOT-103 530 ТО-3 537 ТО-218 1 542 SOT-119 530 ТО-5 537 ТО-220 543 SOT-121 531 ТО-18 538 ТО-221 543 SOT-122D 531 ТО-33 538 ТО-236 1 544 SOT-123 531 ТО-39 538 ТО-243 1 544 1 SOT-1288 1 531 ТО-46 538 ТО-247 544 ~SOT-143 1 531 ТО-50 i 538 T0-247VAR 544 SOT-143R ! 531 ТО-59, 539 ТО-226аа 1 544 1 SOT-160 1 532 ТО-60 1 539 ТО-251 1 545 1 SOT-161 532 ТО-61 539 ТО-252 545 SOT-172D 532 ТО-62 539 ТО-253 545 SOT-173 532 ТО-63 539 ТО-263 545 SOT-186 532 ТО-66 539 ТО-262дд 545 3зак9
Раздел 1 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ 1.1. Система условных обозначений Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов ши­ рокого и специального применения основывается на буквенно-цифровом коде. Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материа­ ла, из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктив­ но-технологические особенности. Первый злемент Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен полупроводниковый прибор Второй злемент Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора Третий злемент 1 Цифра, определяет основные функциональные возможности (допустимое значение рассеи-. 1 1ваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту) ~ Четвертый, пятый Цифры и буквы, обозначают порядковый номер разработки технологического типа и шестой злементы Седьмой злемент Буква, определяет классификацию приборов по параметрам Первый зJiемент обозначения. Буква или цифра (для специального применения), обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен полупроводниковый прибор. Условное обозначение Исходный материал rилиl Германий или его соединения кили2 Кремний или его соединения Аили3 1 Соединения галлия (например, арсенид галлия) ИИЛИ4 1 Соединения индия (например, фосфид индия) Второй зJiемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора. Условное обозначение Подкласс (или группа) приборов т Транзисторы (за исключением полевых) 1 п 1 Транзисторы полевые Третий зJiемент обозначения. Условное обозначение 2 Назначение прибора Транзисторы биполярные Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк = 0,3 Вт): низкой частоты (fгр < 3 МГц) средней частоты (fгр = 3" .3 0 МГц) ~,, • ; ~ ' 1
Раздел 1. Условные обозначения Условное обозначение 3 4 5 6 7 8 9 2 3 4 5 6 7 8 9 Назначение прибора высокой частоты (fгр > 30 МГц) ! Транзисторы средней мощности ( Рк = 0,3 ... 1,5 Вт): 1 низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот Транзисторы большой мошности ( Рк > 1,5 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и свервысокой частот 1 Транзисторы полевые Транзисторы малой мощности (Ре< 0,3 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот 1 i Транзисторы средней мощности (Ре= 0,3 ... 1,5 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот Транзисторы большой мощносrпи (Ре > 1,5 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот 35 Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядковый номер разработки технологического типа. Условное обозначение Назначение прибора От 01 до 999 1 Определяет порядковый номер разработки технологического типа Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по па­ раметрам. Условное Назначение прибора обозначение ОтАдоЯ Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по (кроме букв 3, О, Ч) единой технологии i! з·
1 1 1 1 1 1 36 Раздел 1. Условные обозначения 1.2. Условные графические обозначения транзисторов Ниже приводятся графические обозначения транзисторов. Условное графическое обозначение ~ :~х ~ ~ i Наименование 1 Транзистор типа р-п-р i i ! Транзистор типа п-р-п Лавинный транзистор типа п-р-п 1 1 1 Однопереходной транзистор с п-базой 1 ! Однопереходный транзистор с р-базой i i Транзистор двухэмиттерный типа р-п-р Полевой транзистор с каналом п-типа 1 1 1 Полевой транзистор с каналом р-типа Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом 1 ~i! ,! 1 ~ 1 1
Раздел 1. Условные обозначения 37 Окончание графических обозначений транзисторов Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом i1 J il 1 1 i ,! 11 1 '1 ! :! 11 [ Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с п-каналом 11 IГ--------+-1------1 ~ i! Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и l'i с внутренним соединением подложки и истока 1 ипс 1 ~ ПолоеоО •р•юшорс юол.JЮ"""""'"'оромободно""оn>'""'с р-~шом ! ж ипс К(С) Э(Е) ~ З(J К(С) Э(Е)· ~/Г З(J 1 1 Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с n-ка- 1 налом и с выводом от подложки 1 Условные графические обозначения БТИЗ (IGВТ-транзисторов)
Раздел 2 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов Буквенное обозначение Параметр отечественное 1 международное lкБО ![ !1 11 Iэво 11 JI Iкэо iкэн 1 Iсво 1 ! i 1 IEBO i 1 icEo Обратный ток коллентор-эмиттер при з:данном обратном напряжении кол-11 ! лектор-эмиттер и разомкнутом выводе оазы. I! j icER ' Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кoл-l·ll ! лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. 1 IГ----------+----------+---~--~--~-------------~------~-----1 icES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-11 Iкэк lкэv 1 i 1 11 lкэх 1 [Iкmax 1lэmax 11 Iв max lк. и max Iэ. и max 11 lкР icEV 1 lcEX ! 1Icmax !IE max 1Iвmax 1 !см max ! 1 IЕм max - 1 лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. 11 !1 Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении 11 коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи ба-1! 1 за-эмиттер. ! 1 Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол- 1 лектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. 1 Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. Максимально допустимый постоянный ток базы. Максимально допустимый импульсный ток коллектора. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера. Критический ток биполярного транзистора. 1 • 11 Uкво проб i U(BR) сво i Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- 1! ! 1 лектора и разомкнутой цепи эмиттера. 11 Uэво проб 1 U(ВR) ЕВО [ Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе !1 1 1 эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. , '1 ' 1 1 r 1 , Uкэо проб · i U(BR) СЕО 1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1 г---------тl_________-+-и_р_а_з_о_м_к_н_у_т_о_й_ц_е_п_и_б_а_з_ь_1.__ _ __ __ __ _ __ __ _ __ __ _ __~ Uкэн проб U(BR) CER Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1 и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. Uкэк проб 11 Uкэv проб 11 U(BR) CES iU(BR) CEV 1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. 1i .! 1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в [i i цепи ба.за-эмиттер. !i
Раздел 2. Биполярные транзисторы 39 Продолжение буквенных обозначений i 1 i Буквенное ~. обозначение Параметр ;1 1 1 отечественное 1 международное Uкэх nроб V(BR) еЕХ Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря- жении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер. Uкэо гр Uщ еЕО Граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. Uсмк Upt Напряжение смыкания транзистора. Uкэ нас 1 UeE sat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 коллектора. при заданных токах базы иjj !VБЭ нас J UвЕ sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмит- 11 ! тера. UэБ nл 1 VEBfl Плавающее напряжение эмиттер-база - напряжение между эмиттером и 1 базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. UкБ max Uев max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. Uкэmах UeE max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер. UэБ max UЕв max Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. Uкэ и max i UeEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер. iiUкБиmax 1 ! Uевм max Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база. G 1 UЕВм max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база. iUэБиmax IP i 1Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. Рср Рдv Средняя рассеиваемая мощность транзистора. Ри Рм Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. Рк Ре Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Рктmax - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. Рвых Pout Выходная мощность транзистора. Ри max Рм max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. Рк max Ре max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. 1 1 Рк со max - Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. Гб rьь. rь Сопротивление базы. ГКЭ нас ГеЕ sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. 1 С!!э,С!16 С!!е, С!lb Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. с22э. С22б с22е, с22ь Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей ба- зой соответственно. Ск Се Емкость коллекторного перехода. 1 Емкость эмиттерного перехода. Сэ 1Се 1 fгр jfт Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы cl общим эмиттером. fmax 1 fmax Максимальная частота генерации. fh2lэ. fh2lб fh2le. fhre; Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с fh21ь. fhrь общим эмиттером и общей базой. tвкл ton Время включения. tвыкл torr Время выключения. tзд td Время задержки. tно tг Время нарастания. toac ts Время рассасывания. tcn tr Время спада.
40 Раздел 2. Биполярные транзисторы Окончание буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр 11 1 отечественное 1 международное 1 1 h1 lэ, h116 1 h1le. h11ь; Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмит- i h,e, h;ь тером и общей базой соответственно. h21 э. h216 1 h21e. h21ь; [ Статический коэффициент пер·едачи тока транзистора в режиме малого 1 hre. hп1 сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1 h21э, hJ26 " ! !h 12е. h12ь: 1Коэффициент обратнои связи по напряжению транзистора в режиме мало-li '' : hге. hгь [ го сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. : 1,~---------i----'-=..:..._~,________;_.c_::.._:c:..:..:.:.:.:..:::.:.:..:::__o::~___::cc:..::_'-'--::.._:_:_:=.:.:...:_.::..:._:c:..:...:_:_::r....::.:.:.:_.:.:__.:..::.=:..:..:_...::..=-=-:c.:.:__.::...::_.::....:..:'-"-'c-=-:-=-=c:..:..:.=-=-c_~ ti h22э. h226 i h22e. h2211; i Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1j i' ___ ___ ___ _. _ ' _h_ _,,o" - c,_. - 'h - " o " -b - - - -- - -1 -lс.:...х_е.:_11-с.:1_с::.._:ос.:бс.:щ=:и.:...м:.._::_э.:...м_:_и:..:т_:тс.:е-"р-"0_:_11-.:...1-'-и:.._::_ос:.б.=щ:осе:..:И.:...'с.:б:..:а:..:з:..:о_:й:.._::_с.::.о.::.о.:...т=-ве=-т.:...с.:...т:..:в=-.е:..:н.:...н.:...о=--.'------------11 1' !h2!э 1 ! 1h2Iе1 . Мод ль коэ ициента пе едачи тока т анзисто а на высокой частоте. 'j ll h1IЭ !h11Е.h1E 1 Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для cxe- li 1 мы с общим эмиттером. 1' / У1 lэ, У116 11 /i У12э. У126 У21э. У21б 1 1 У22э. У226 1 11 S1 lэ, S116. S1 lк lj S12э, S126, S12к j Н21Е, HFE 1 1 1 У21Е i У1 le. У11ь; i У;е. У;ь / У12е. У12ь; i Уге. Угь 1 1У21е. У21ь; 1 Yre. Уrь 1У 22е. У22ь; IYae. Уаь 1S1le. S11ь.S1lc Sie. Siь, Sic 1 S12е, S12Ь, S12с; 1 Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в 1 режиме большого сигнала. [Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. ,1 [ Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 11 i схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. ll 1 Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сиг-· / нала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1 Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1 схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. [ Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте-1 i' ! Sre. S,ь, Src 1 . ром, общей базой и общим коллектором соответственно. i; 11----------+------------j.C-'------------------'------------------~11 il S22э, S226. S22к 1 S22e. S2211. S22c; 1 Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим ii 'I 1s ss 1 1 эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. 1 : ое, оЬ. ос 1 S21e. S21ь. S21c; 1 базо1 S21э. S216. S21к 1 Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей 1 Src. Sr11. Src 1 и общим коллектором соответственно. - 1 fse. fsь. fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21e=l, S21ь=l, S21c=l). Ку, р Gp Коэффициент усиления мощности. !1 - Gл, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности. IF i Коэффициент шума транзистора. i 'с (г'ьь Се) [ Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. 1 lj Такр 1 Тл, Taml1 Температура окружающей среды. 1 JI Тк ITc, Tcase Температура корпуса. 1 'Т" iт! Температура перехода. ·, 1r. Rт. п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. i 1f il Rт. п-к Rthjc Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. 11 f Rт. к-с Rthca Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. li 1~п-к 1 Тепловая постоянная времени переход-корпус. il i "tthjC 1 11 "tт. п-с 1 тthja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда. !. 11 1:т. к-с ! "tthca 11 ~-------~---------~'~Т~е~п~л~о~в~а~я~п~о~с~т~о~я~н~н~а~я_в~р~е~м~е~н~и~к~о~р~п~у~с~-~о~к~р~у~ж~а~ю~щ_а~я~с~р~е~д~а~·------~~
Раздел 2. Биполярные транзисторы 41 2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов Перечень параметров, включаемых в ТУ, характеризующих свойства полупроводниковых при­ боров. выбирается с учетом их физико-технологических особенностей и схемного назначения. В большинстве случаев необходимы сведения об их статических, динамических и предельных пара­ метрах. Статические параметры характеризуют поведение приборов при постоянном токе, динами­ ческие - их частотно-временные свойства, предельные параметры определяют область устойчивой и надежной работы. В справочники, стандарты или ТУ на полупроводниковые приборы включается необходимая для детального расчета схем информация о параметрах: нормы на значения параметров, режимы их измерений, максимальные и максимально допустимые значения параметров, вольт-амперные харак­ теристики, зависимости параметров от режима и температуры, конструктивно-технологические осо­ бенности приборов, их основное назначение, специфические требования, методы измерения параметров, типовые схемы применения. Постоянные (случайные) изменения технологических факторов оказывают существенное влия­ ние на значения параметров изготавливаемых приборов. Поэтому значения параметров даже одного типа приборов являются случайными величинами, т. е. имеется отклонение от среднего (типового, номинального) уровня. Для некоторых параметров устанавливаются граничные (предельные) значе­ ния (нормы) и возможные отклонения (разброс). Нормы на разброс параметров устанавливаются на основе экспериментально-статистических данных при обеспечении надежной и устойчивой рабо­ ты приборов в различных условиях и режимах применения, а также исходя ·из экономических со­ ображений. В зависимости от технологии и качества изготовления приборы имеют различные диапазоны разброса параметров. Для одних параметров ОкБо, Ск, Гб'Ск, Uкэ нас. Кш) предусматривается односто­ роннее ограничение (по минимуму или максимуму), для других (h21э, h21э.) - двустороннее. Параметры транзисторов, определяемые геометрией конструкции (длиной, шириной, площадью или объемом отдельных областей): емкости переходов, распределенное сопротивление базы, частот­ ные характеристики - подвержены меньшим изменениям, чем параметры, зависящие от состояния поверхности. Состояние поверхности определяет значения пробивных напряжений и стабильность обратных токов, коэффициент усиления. Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжения Максимальное напряжение, которо_е может выдерживать диод или транзистор, ограничивается явлением пробоя. Пробой р-n-перехода выражается в резком увеличении обратного тока при дости­ жении обратным напряжением определенного (критического) значения. Различают электрический и тепловой пробои. Механизм пробоя определяется физическими параметрами исходного материала, типом проводимости, мощностью прибора, конструктивно-технологическими факторами, внешними условиями и другими причинами. Существуют два вида электрического пробоя: туннельный (зенеровский) и лавинный, связанные с увеличением напряженности электрического поля в р-n-переходе. Туннельный и лавинный пробои различаются знаками температурного коэффициента напряжения (ТКН) - отрицательным для тун­ нельного (он уменьшается с ростом температуры) и положительным для лавинного (он увеличивает­ ся с ростом температуры). Электрический пробой определяется характеристиками р-n-перехода (шириной, объемными и поверхностными свойствами, удельным сопротивлением исходного материа­ ла). Оба вида электрического пробоя находят применение в стабилитронах: в области пробоя напря­ жение слабо зависит от тока, что и определяет стабилизацию напряжения. Тепловой пробой возникает из-за потери устойчивости теплового режима работы и появления те­ плоэлектрической обратной связи. При плохих условиях теплопередачи от перехода происходит повы­ шение его температуры (саморазогрев) и возможно разрушение прибора из-за перегрева (общего или локального). На вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференци­ альным сопротивлением. Вероятность возникновения теплового пробоя существенно зависит от теп­ лового сопротивления прибора, внешних условий, схемы включения, элементов входной цепи, рабочего тока и напряжения на приборе. Чем выше Тп max и ниже обратные токи и тепловые сопротив­ ления, тем более устойчивы к тепловому пробою приборы. Теплового пробоя можно избежать, обеспе­ чив тепловую стабильность режима работы прибора, т. е. хороший теплообмен. Напряжения теплового пробоя значительно больше напряжений лавинного и туннельного пробоев для кремниевых приборов.
42 Раздел 2. Биполярные транзисторы Т:ранзисторы характеризуются максимальными (пробивными) напряжениями переходов (Uкво проб. Uэво проб. Uобр). Кроме того, максимальное напряжение коллектор-эмиттер зависит от схемы. в которой применяется транзистор, - от условий во входной цепи (между эмиттером и ба­ зой), т. е. от значений сопротивлений Rбэ и Rэ и напряжения смещения. Значения напряжения кол­ лектор-эмиттер для произвольной схемы (UкэR проб, Uкэк проб, Uкэv проб) находятся а интервале между значениями напряжений Uкэо проб и Uкво проб. Пробивное напряжение Uкэо проб является наименьшим из всех возможных пробивных напряжений коллектор-эмиттер и соответствует наихуд­ шим условиям на входе, когда цепь базы отключена (Rбэ = оо), т. е. Uкво проб > Uкэх проб > > Uкэк проб > UкэR проб > Uкэо проб (рис. 2.1 ). Схемы измерения пробивных напряжений и обратных токов приведены на рис. 2.2, а-е. Для обеспечения стабильной и надежной работы транзисторов ра­ бочее напряжение коллектор-эмиттер выбирают меньше Uкэо проб. Изменение напряжения коллек­ тор-эмиттер от сопротивлений Rбэ и Rэ характеризуется зависимостью UкэRпроб от этих сопротивлений. При включении сопротивления Rэ входное сопротивление увеличивается. поэтому возможно увеличение Rбэ (см. рис. 2.2, д). Имеется критическое сопротивление в цепи базы Rбэ кр. при котором начинается снижение допустимого рабочего напряжения (рис. 2.3). Чем больше Rбэ. тем сильнее зависимость UкэR проб от температуры. Сопротивление Rбэ существенно изменяет UкэR проб, если оно сравнимо или больше входного сопротивления транзистора. Напряжение Uкэк проб используется для расчета схем с трансформатором или резонансным кон­ туром на входе; напряжение Uэво проб - для расчета напряжения запирания переключающих или усилительных схем при работе с отсечкой коллекторного тока; напряжение Uкво проб - для расчета режимов работы запертого транзистора и схем с общей базой. UкБО проб Uкэо проб Uкэх проб Uкэ Рис. 2.1. Выходные вольт-амперные характеристики транзистора в области пробоя при различных условиях на входе а) UкБо проб UкБ ~·~ б) Uкэо проб Uкэ lкэк lкэR ~ lк Rбэ2 < Roo1 Uкэ UкэR проб Uкэ в) г) lкэR lк lкэv ~ Rб3 Uкэ д) е) Рис. 2.2. Схемы измерения пробивных напряжений и обратных токов при различных ус,ловиях на входе Uкэ
Раздел 2. Биполярные транзисторы UкэRmax. В 100г--......... 80 60 lк= О,2А Токр =25 'С ~_ _.__ __.. _ __.__ ____..___,____. 10·1 10 10" Rt;3 , Ом 43 Рис. 2.3 . Зависимость пробивного напряжения от сопротивления резистора в цепи базы Пробивные напряжения переходов устанавливаются при определенном значении тока (напри· мер, для маломощных транзисторов напряжение UкБо проб фиксируется при токах от 1 до 200 мкА). Пробивные напряжения снижаются, если повышается температура, т. е. приборы могут выйти из строя при напряжениях, безопасных при нормальной температуре. Максимально допустимые напряжения устанавливаются по наименьшим из измеренных значе­ ний пробивных напряжений с некоторым запасом для обеспечения надежной работы приборов. Мак­ симальные и максимально допустимые напряжения определяют верхнюю допустимую границу рабочего диапазона обратных напряжений диодов и транзисторов. При некотором сочетании параметров (при больших напряжениях и токах, даже не превышаю­ щих предельных значений) у любого транзистора в активном режиме при прямом или обратном (в ре­ жиме отсечки) смещении на переходе эмиттер-база может возникнуть второй пробой (рис. 2.4). Поэтому изготовители приборов определяют области их безопасной работы, исключающие этот вид пробоя, сходного с тепловым. Кроме того, созданы транзисторы с по- вышенной устойчивостью ко второму пробою (например, транзисто­ ры с эпитаксиальной базой, с балластными стабилизирующими резисторами в цепях эмиттеров). Существуют также схемные реше­ ния, уменьшающие вероятность возникновения второго пробоя. В большей степени второму пробою подвержены транзисторы, рабо­ тающие с индуктивной нагрузкой в ключевом режиме (при запира­ нии). Вследствие второго пробоя значительно сужается область безопасной работы мощных высокочастотных транзисторов. Даже при наличии запасов по предельным параметрам они могут выйти из строя при средней мощности, меньшей предельно допустимой. Часто в ТУ для прямого смещения приводятся значения тока, при которых происходит второй пробой. Максимальные токи U2 U1 Uкэ Рис. 2.4. Форма воль'Р-амперной характеристики в области второго пробоя (U 1 и U2 - напряжения первого и второго пробоя) Максимальный ток, протекающий через полупроводниковый прибор, определяется допустимой рассеиваемой мощностью, коэффициентом усиления, уменьшающимся при увеличении тока Iк (напри­ мер до значения h2JЭ < 10), критическим током, при котором происходит второй пробой, сопротивле­ нием Гкэ нас транзистора. Поэтому для увеличения максимального тока стараются уменьшить rкэнас и Uпр. увеличить рассеиваемую мощность (т. е. уменьшить тепловое сопротивление, увеличить допусти­ мую температуру перехода), повысить устойчивость ко второму пробою, уменьшить снижение коэф­ фициента усиления при увеличении тока lк. Максимально допустимый ток устанавливается через максимальный с учетом коэффициента запаса. Максимальный ток базы ограничивается сопротивлениями вывода и контактов базы. Ограниче­ ние максимального тока коллектора, как правило, наступает раньше, чем достигается максимальный ток базы. Обратные токи Обратные токи и их зависимости от приложенных напряжений и температуры учитываются при расчете режима работы транзисторов. Значение обратного тока через переход зависит от свойства материала, технологии изготовле­ ния (геометрии перехода, состояния поверхности), мощности прибора и рабочей температуры. Пол­ ный обратный ток р-п-переходов lобр состоит из трех компонентов: теплового тока 10 , тока термогенерации Iт и тока утечки ly.
44 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тепловой ток зависит от физических свойств материала и обычно характеризуется температу­ рой удвоения (приращением температуры, вызывающим удвоение теплового тока). У кремниевых он значительно меньше, чем у германиевых р-п-переходов при одной и той же площади перехода. Ток Io экспоненциально зависит от температуры, причем у германиевых диодов он примерно удваивается при увеличении температуры на каждые 7... 10 °С, у кремниевых - на каждые 8... 12 °С. Особенностью тока термогенерации является зависимость от напряжения (ширина перехода увеличивается с ростом напряжения, и ток Iт возрастает). Он пропорuионален ~И обр, но увеличива- ется с ростом температуры слабее, чем ток Io. Ток Io начинает превышать Iт при температуре 100 °С. При комнатной температуре для германиевых р-п-переходов Iт обычно мал и меньше Io, но для крем­ ниевых, у которых Iт является главным компонентом полного обратного тока, Iт >> Io (на несколько порядков). Ток Iт для германиевых приборов становится соизмеримым с током Io лишь при отрица­ тельной температуре. Ток утечки ly обусловлен проводимостью поверхности кристалла (характером ее обработки), связан с нарушением кристаллической решетки, наличием окисных пленок, шунтирующих переход, загрязнением поверхности и является основной причиной нестабильности lобр во времени. При повы­ шении напряжения ток ly растет почти линейно и слабо зависит от температуры. Обычно у реальных кремниевых р-п-переходов ly > Io + Iт. Небольшой наклон вольт-амперных характеристик свидетельствует о том, что основная состав­ ляющая обратного тока - не зависящий от напряжения ток lб. Если же характеристики имеют боль­ шой наклон. то основными составляющими являются токи Iт и ly. Большой ток ly нарушает указанный выше закон удвоения, т. е. увеличение lобр ослабляет его зависимость от температуры. Транзисторы характеризуются обратными токами переходов эмиттер-база lэБО и коллектор-ба­ за lкБо. а также обратным током между коллектором и эмиттером, значение которого, как и про­ бивное напряжение между коллектором и эмиттером, зависит от условий во входной цепи транзистора. Обратный ток коллектора lкБо экспоненциально увеличивается с ростом температуры. Считает­ ся, что он изменяется приблизительно на 6 ... 8% у германиевых приборов и на 8 ... 10% у кремниевых при изменении температуры на 1 °С (рис. 2.5). lкБО. мкА 1000 100 10 , / 1 / о ~q,-+=J. ,,"~о/- ;:,{911/ 1 1 lf, / // // / / 50 1 , 100 150 200 Токр.°С Рис. 2.5 . Зависимость обратного тока коллектора от температуры Обратные токи обычно определяются при максимальных обратных напряжениях. Большие об­ ратные токи переходов свидетельствуют о недостаточно хорошем качестве приборов. Тепловые параметры К тепловым параметрам приборов относятся минимальная Тп min и максимальная Тп max темпера­ туры перехода, тепловые сопротивления Rт, тепловые постоянные времени tт и теплоемкости Ст. Они определяют стабильность работы полупроводниковых приборов при изменении температуры, ог­ раничивают максимальные мощности, токи и напряжения, допусти~ые диапазоны температур окру-
Раздел 2. Биполярные транзисторы 45 жающей среды, при которых обеспечивается надежная работа. В частности, параметры Rт, tт, Ст позволяют определять нагрев транзистора 11ли диода в рабочем режиме. Как уже отмечалось, максимальная мощность полупроводниковых приборов в различных услови· ях эксплуатации ограничивается максимальной температурой перехода, при достижении которой либо резко ухудшаются их параметры, либо они выходят из строя из-за теплового пробоя переходов. При постоянных условиях окружающей среды Тп является функцией электрической мощности Р = UI, приложенной к прибору, и зависит от его структуры, теплофизических характеристик мате­ риалов (типа исходного материала, степени его легирования, состояния поверхности) и других техно­ логических факторов. Кремниевые р-п-переходы сохраняют свои свойства до температуры 150 ... 200 °С. германиевые - до 70... 120 ·с. В процессе работы на р-п-переходах выделяется основная мощность и происходит повышение температуры. Так как р-п-переход нагревается до температуры, большей, чем температура корпуса и окружающей среды, то для полупроводниковых приборов устанавливается диапазон максимально до­ пустимой окружающей температуры: для кремниевых приборов -60... + 125 °С, для германие­ вых -60.. . +70 °С. Связь между Тп и Такр описывается формулой Тп - Такр = RтР, где Rт показывает возрастание температуры на единицу рассеиваемой мощности. Приводимые в справочниках значения Тп max определяются экспериментально или рассчитыва­ ются и имеют запас по сравнению со значением температуры, при которой наступает разрушение прибора. 1 Измерять Тп прямыми методами сложно, поэтому используются косвенные методы, при которых она оценивается по значению какого-либо термочувствительного параметра. Термочувствительными параметрами диодов являются обратный ток lобр и прямое напряжение Uпр. а транзисторов - обрат­ ные токи Iкво. Iэво. напряжения Uэв. Uкв. коэффициент передачи тока h21э. входное сопротивление. Температуру рабочих областей полупроводниковых приборов измеряют и другими методами, напри­ мер методом регистрации инфракрасного излучения, физическим (термопарой). Теплообмен между переходом и окружающей средой принято характеризовать тепловым сопро­ тивлением прибора - сопротивлением элементов конструкции распространению тепла от перехода к корпусу и теплоотводу, которое определяется конструкцией прибора, теплопроводностью ее элемен­ тов и системой охлаждения корпуса. Тепловое сопротивление переход-среда Rт, п-с необходимо знать для расчета допустимой рассеиваемой мощности маломощных диодов и транзисторов, обычно работающих без теплоотвода, а тепловое сопротивление переход-корпус Rт. п-к - для расчета режи­ ма работы мощных приборов при наличии внешнего радиатора (рис. 2.6). Обычно Rт, п-с >> Rт. п-к (со­ противление Rт. п-к остается постоянным только в случае работы при малых плотностях тока). Тепло от кристалла с переходами к корпусу или радиатору отводится за счет теплопроводности, а от корпу­ са в окружающее пространство - конвекцией и излучением. Rт, к-с Тп Rт, п-к Переход Rт, к-р Rт, р-е Рис. 2.6 . Тепловая эквивалентная схема транзистора с теплоотводом (Rт, п-к, Rт, к-с. Rт, к-р. Rт, р-с - тепловые сопротивления переход-корпус, корпус-среда, корпус-радиатор и радиатор-среда соответственно) Для охлаждения корпуса мощного прибора вместо радиатора может использоваться поток жид­ кости или газа. При применении радиатора нагрев полупроводникового прибора зависит от качества теплового контакта корпуса с радиатором, т. е. сопротивление корпус-среда Rт. к-с зависит от типа радиатора, метода крепления, чистоты сопрягающихся поверхностей, усилия, с которым прижимается прибор (контактного давления). Для уменьшения контактного сопротивления применяются специаль­ ные смазки (например, кремнийорганические) и пасты, заполняющие пустоты между контактирующи­ ми поверхностями, а также прокладки из мягких, легко деформируемых металлов: свинца, индия, меди, алюминия. Тепловые постоянные времени переход-корпус tт, п-к и корпус-среда tт, к-с используются для расчета теплового режима приборов в динамическом режиме и характеризуют скорость нарастания температуры отдельных участков объема полупроводникового прибора, когда температура перехода значительно изменяется за период действия импульсной мощности. Постоянная времени tт, п-к опре-
46 Раздел 2. Биполярные транзисторы деляется по переходным тепловым характеристикам нагревания или остывания приборов и зависит от типа материала и конструкции приборов; tт, к-с зависит от способа отвода тепла от прибора. По­ стоянная времени переход-среда tт, п-с характеризует время установления теплового режима диодов и транзисторов без теплоотвода. Значения теплоемкостей переход-корпус Ст, п-к и корпус-среда Ст, к-с необходимы при опреде­ лении тепловых режимов в случае работы приборов при малых длительностях импульсов. Они опре­ деляются экспериментально. Для приборов средней и большой мощностей, используемых с радиатором, обычно оговаривает­ ся предельная температура корпуса прибора. Для зарубежных приборов часто указывается максимальная температура хранения, которая яв­ ляется предельной температурой перехода данного прибора. При больших температурах даже в нера­ бочем состоянии могут происходить необратимые изменения свойств прибора. При высокой температуре активизируется действие примесей на поверхности кристалла, поэтому скорость дегра­ дации электрических параметров выше, чем при низких температурах. Рассеиваемая мощность Рассеиваемая мощность определяется физическими свойствами полупроводникового материала, геометрическими, конструктивно-технологическими и тепловыми характеристиками прибора. Мощ­ ность. рассеиваемая транзистором, состоит из мощностей, выделяемых на переходах коллек­ тор-база и эмиттер-база: Робщ = Рэ + Рк = lБUБэ + IкUкэ .:: Рк (часто величиной Рэ можно пренебречь, так как Рэ « Рк). Различают максимально допустимую рассеиваемую мощность в стати­ ческом и импульсном режимах. В последнем случае она зависит от формы, длительности. частоты и скважности импульсов. При тепловом равновесии рассеиваемая мощность расходуется на нагревание и влияет на температуру перехода при заданной температуре окружающей среды Токр или температу­ ре корпуса Тк. Максимальная мощность, рассеиваемая диодом или транзистором, ограничивается максималь­ ной температурой перехода Тп. а также рядом специфических процессов, определяющих максималь­ ные напряжения и токи. Зависимость между максимальной (максимально допустимой) мощностью рассеяния и максимальной температурой перехода для прибора без радиатора (теплоотвода) имеет вид Рк max = (Тп - Токр)/ Rт, п-с, где Rт, п-с - тепловое сопротивление переход-среда. Для приборов, работающих с внешним теплоотводом, Рк.т max = (Т п - Тк)/ Rт, п-к. где Rт, п·к - тепловое сопротивление переход-корпус. Максимальная (максимально допустимая) мощность при увеличении Токр или Тк линейно уменьшается. Она рассчитывается в соответствии с указанными формулами или находится из типовых зависимостей, которые приводятся для конкретных приборов (рис. 2.7). Для мощных транзисторов значения Рк, т max приводятся в справочниках при условии иде­ ального отвода тепла или для радиаторов различных размеров (рис. 2.8, 2.9). Максимально допусти­ мая мощность, в отличие от максимальной, приводится с запасом, гарантирующим заданную надежность. 50 100 150 200 Токр, •с Рис. 2.7 . Зависимость рассеиваемой мощности от температуры Рк, т max. Вт Sp> 300см2 12,5 10 7,5 L~..__-'-~-'----'-.:=::::::52!!!!\!lrli.....:T~~~P о 255075100125150175 Токр, •с Рис. 2.8. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры при различных значениях и площади радиатора Sp
Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк, т max. Вт 100 200 300 400 500 600 Sp. см2 Рис. 2.9. Зависимость мощности рассеяния от площади радиатора при различных значениях температуры Коэффициент передачи по току 47 Коэффициент передачи h2JЭ транзистора зависит от тока коллектора (эмиттера); с увеличением тока Iк Оэ) он сначала возрастает, достигает максимума, а затем уменьшается. В зависимости от тех­ нологии изготовления максимум кривой h2JЭ = q>(lк) может быть резко выраженным или размытым (рис. 2.10). Например, максимум этой кривой у меза-транзисторов достигается при токах, на 1-2 порядка больших, чем у сплавных. После прохождения максимума h2JЭ уменьшается приблизительно обратно пропорционально Iк. Такая неравномерность усиления в диапазоне токов является источни­ ком нелинейных искажений. В мощных транзисторах спад коэффициента передачи происходит более резко, чем в маломощных. Особенно резкий спад происходит у сплавных кремниевых р-п-р транзи­ сторов (из-за физико-технологических причин). Поэтому не удалось создать такие транзисторы на большие рабочие токи. Для повышения усиления используются составные транзисторы. о 50 100 150 200 250 1••мА Рис. 2.10 . Типовые зависимости коэффициента передачи от тока коллектора У сплавных приборов h21Э растет с увеличением напряжения на коллекторе Uк, у диффузион­ ных эта зависимость слабо выражена (она наблюдается лишь при малых напряжениях на коллекто­ ре). С ростом температуры h2JЭ обычно увеличивается (рис. 2.11 ). h21Э отн 1111 Токр= 100 "С _,_ --- -1· -- =25°С - ~-- 11 - -4О0С -- ~- -::.- - .- 0,1 0,01 0,1 ~- -" г-- .... ~- .-. _h_ ' \ \ 1 1 10 .... ... .. ' \:\ \" \'\ 100 lк. мА Рис. 2.11. Зависимость относительного коэффициента передачи от тока коллектора, при различных значениях темпе­ ратурыинапряжения(-- - Uкэ =1В,---Uкэ =10В)
48 Раздел 2. Биполярные транзисторы Составные транзисторы Составной транзистор фактически представляет собой соединение двух биполярных транзисто­ ров по определенной схеме, имеющей три внешних вывода, Например, в составном транзисторе по схеме Дарлингтона (рис. 2.12, а, 6) коллекторы соединены вместе, входом служит база транзистора VTl, а эмиттером - эмиттер транзистора VT2. Для обеспечения нормальных режимов работы управ­ ляющего VT 1 и выходного VT2 транзисторов по постоянному току и напряжению транзистор VT2 де­ лается более мощным. Такой составной транзистор функционально соответствует одному транзистору с высоким результирующим коэффициентом передачи тока, равным произведению коэф­ фициентов передачи входящих в него одиночных транзисторов: h21Эоб = h21э1 + h21э2 + h21э1h21э2 ~ h21э1h21э2. Недостатком составных транзисторов является повышенное напряжение насыщения Uкэ нас = = Uкэ нас! + Uвэ2, а также относительно большой обратный ток. к к Б~ Б~ ~VТ2 ~VТ2 э э а) б) Рис. 2.12. Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы Для увеличения стабильности работы эмиттерные переходы транзисторов VTl и VT2 могут шун­ тироваться резисторами Rбэl и Rбэ2 (например, Rбэl = 1... 10 кОм, Rбэ2 = 25 ... 300 Ом), предотвращаю­ щими возрастание токов утечки (особенно при высоких температурах), но и влияющими на общий коэффициент усиления (рис. 2.13, а, 6): h2JЭоб = h21э1Rбэ!/(Rбэ! + Гвх!) +'h21э2Rбэ2/(Rбэ2 + Гвх2) + + h21э1h1э2Rбэ!Rбэ2/[(Rбэ! + Гвх1НR6э2 + Гвх2)], где Гвх - входное сопротивление транзистора. При этом к к Б Б э э а) 6) Рис. 2.13 . Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы с резисторами Rбэl и Rбэ2 Внутренняя структура составных транзисторов варьируется в зависимости от области их приме­ нения. В ряде приборов могут отсутствовать резисторы Rбэl и Rбэ2 (например, у 2SB678, 2SB679, 2SB880, 2SD549, 2SD688, 2SD1190, 2SD1224), может быть только резистор Rбэl (например, у RCA9203, 2SD684, 2SD1088, 2SD1410, 2SD1861 ). Имеются приборы, в которых между коллектором и эмиттером выходного транзистора включается диод (например, у КТ825, 2N6050, 2N6285, ТIPl 10), защищающий транзистор от инверсных (обратных) токов, возникающих в результате переходного процесса при работе на индуктивную нагрузку и при непредусмотренном изменении полярности на­ пряжения питания (см. рис. 2.13). Но тогда они становятся не пригодными для использования в ин­ верторных мостовых схемах. Для повышения стойкости ко второму пробою между коллектором и
Раздел 2. Биполярные транзисторы 49 базой или между коллектором и эмиттером включается стабилитрон (например, у 2SD706. 2SD708. 2SD1208, 2SD1294). Составные транзисторы применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсно­ го действия, электронных системах зажигания автомобилей (например, КТ848А), схемах управления двигателей, в различных усилительных и переключательных схемах. Необходимо отметить, что большое усиление могут иметь и одиночные мощные и маломощные транзисторы со сверхбольшим коэффициентом усиления (так называемые Ultra-Beta и Super-Beta), например 2N596 l-2N5963, 2SC 1888, 2SC 1983, 2SC2 l 98, 2SC23 l 5-2SC23 l 7, 2SC249 l, 2SD920, 2SD931, 2SD982, 2SD1052, 2SDI090, 2SD1353. Емкости переходов и постоянная времени коллектора Емкости р-n-переходов влияют на частотные и импульсные характеристики полупроводниковых приборов. Обычный р-n-переход подобен конденсатору, емкость которого меняется при изменении приложенного напряжения. Эта емкость состоит из двух компонентов, проявляющихся при работе диода в прямом и обратном направлениях, - барьерной и диффузионной емкостей. Барьерная (за­ рядная) емкость Сб не зависит от тока через переход и является функцией частоты и обратного при­ ложенного напряжения. Диффузионная емкость Сд пропорциональна прямому току (даже при небольших прямых токах Сд > Сб) и также зависит от частоты. Емкость р-n-перехода при прямом смещении диода равна сумме Сд и Сб, при обратном - приблизительно емкости Сб, так как в этом случае емкость Сд пренебрежимо мала. Обычно в ТУ на прибор даются зависимости емкостей от напряжений, приложенных к перехо­ дам. На рис. 2.14 приведена зависимость Ск(Uк5}. С увеличением напряжения емкость нелинейно уменьшается. Емкость Ск равна разности измерений выходной емкости С22э и паразитной емкости ножки корпуса. 250 200 150 100 о 25 lэ=О Такр =25 'С f=1МГц 50 75 UкБ.В Рис. 2.14 . Зависимость емкости коллектора от напряжения коллектор-база Постоянная времени •к = r'бСк, где r'б - сопротивление базы, характеризует внутреннюю об­ ратную связь в транзисторе и определяет частотные и усилительные свойства, максимальную часто­ ту генерации и коэффициент усиления по мощности на высокой частоте. Кроме того, чем меньше его значение, тем выше устойчивость к самовозбуждению транзистора в усилителе. Через парамет­ ры •к и Ск можно определить сопротивление базы, необходимое для расчета схем. Шумы транзисторов Собственные шумы транзисторов ограничивают чувствительность усилителей. Их источниками являются шумы: тепловые, дробовые эмиттерного и коллекторного переходов, избыточные, а также случайного перераспределения тока эмиттера между коллектором и базой. Тепловые шумы транзистора практически определяются омическим сопротивлением базовой об­ ласти. Дробовые шумы обусловлены флуктуациями носителей заряда через прибор (возникают при прохождении тока через эмиттерный и коллекторный переходы). Избыточные шумы (фликкер-шумы) - специфические шумы, возникающие вследствие измене­ ния состояния поверхности кристалла полупроводника во времени. Они пропорциональны протекаю­ щему току и проявляются на низких частотах: в диапазоне звуковых и инфранизких частот. Значения избыточных шумов могут сильно колебаться даже для транзисторов одного типа, так как зависят от технологических факторов. Избыточные шумы больше у n-p:n транзисторов, чем у p-n-p. Транзисторы с большими или нестабильными токами lкБо имеют повышенные избыточные шумы. 43З1(9
50 Раздел 2. Биполярные транзисторы С ростом рабочей частоты доля избыточных шумов уменьшается и шумы транзисторов определяются в основном дробовыми и тепловыми составляющими. Шумовые свойства транзистора обычно характеризуются коэффициентом шума, который опре­ деляется экспериментально или рассчитывается на основе анализа отдельных источников шума. Рас­ считать точно коэффициент шума для области избыточных шумов невозможно, поэтому его определяют экспериментально. Коэффициент шума - сложная функция многих переменных: полного сопротивления источника сигнала Rг, параметров режима, параметров транзисторов (h21э, lкБО. Сэ, fh2Jб, г'б, Гэ) и рабочей час­ тоты fp. Зависимость Кш от частоты имеет три характерных участка (рис. 2.15): низких частот (Кш уменьшается пропорционально 1/ f); средних частот (Кш не зависит от частоты) - область «белого» шума; высоких частот (при f > fгр усиление резко уменьшается и шумы возрастают, Кш зависит от г'б и отношения (fp/ fh2lб) 2). Кw.дБ ЗдБ/окr 1...5 кГц Рис. 2.15. Типовая зависимость коэффициента шума от частоты Эти участки обусловлены тем, что на различных частотах шумы генерируются различными источниками шумов. В области низких частот (О, 1... 5 кГц) коэффициент шума уменьшается при­ мерно на 3 дБ на октаву, в области высоких частот увеличивается на 6 дБ на октаву, в области средних частот он минимален. Следует отметить, что имеется взаимосвязь низкочастотных шумов и отказов приборов. Уровень низкочастотных шумов, пропорциональных 1/ f, дает информацию о структурных изменениях прибо­ ров и используется для распознавания разных дефектов в транзисторах, в частности трещин и нару­ шений целостности кристалла, наличия загрязнений поверхности, которые могут привести к отказам приборов. Методы неразрушающего контроля качества приборов по их шумам используются в техно­ логическом цикле производства. Кроме того, существуют методы прогнозирования основных парамет­ ров надежности приборов по их низкочастотным шумам. Минимальное значение Кш достигается при определенных значениях сопротивления источника сигнала Rг и тока lк (рис. 2.16, 2.17). Увеличение Кш при росте Iк происходит медленно при малых токах. При больших токах Кш растет почти пропорционально lк. С ростом Uк (в пределах 1... 10 В) Кш почти не меняется, пока избыточные шумы малы по сравнению с дробовыми и тепловыми. В дальнейшем из-за увеличения избыточных шумов Кш возрастает. Таким образом, для того чтобы свести шумы к минимуму, выбирают оптимальный режим работы транзистора. Кш.дБ 12 10 8 i\. ' 6 4 2 r\. о 1о-4 \ \ ... .... ' Uкэ=5в ~ '\ " 10·2 10·1 11; 11. .iJ Iо· !:) $? tV 1/ 1 ~ 11' , lt) .:..·1 ) ~" 10 / ,__ ,__ 1а2 f, МГц Рис. 2.16 . Зависимость коэффициента шума от частоты при различных значениях тока коллектора и сопротивления источника сигнала Rг.кОм 100 .---........П'li:~~:-v-.....-~~ 50 10 51:s.:;;;;::!=:t:t:""'=:::t=::::);~~~ 0,5 О,1 .....,.........;,..._L...Cl_L.-_._.....__.....____. 0,01 0,05 0 ,1 0,5 lк, мА Рис. 2.17. Типовая зависимость коэффициента шума от сопротивления источника сигнала и тока коллектора
Раздел 2. Биполярные транзисторы 51 На средних и высоких частотах минимальный Кш будут иметь транзисторы с малыми r' б и lкБО и большими h21э и h21б. Измерения параметра Кш производятся обычно при стандартном сопротивлении Rг. Как правило, коэффициент шума увеличивается с ростом температуры. 2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника Для анализа работы транзистора в усилительном или генераторном режимах используются ме­ тод эквивалентных схем и метод четырехполюсника. При первом методе основные расчетные соотношения схемы усилителя выражаются через пара­ метры, отражающие физические процессы в транзисторе (диффузию, модуляцию ширины запираю­ щего слоя), зарядные емкости, последовательные сопротивления и др., с учетом особенностей конструкции. паразитных емкостей и индуктивностей выводов в рабочем интервале частот. Для раз­ личных областей применения и диапазонов рабочих частот эти схемы различны. В зависимости от расположения пассивных элементов получаются Т- и П-образные эквивалентные схемы. Эквивалентная схема диода, включающая сопротивление р-n-перехода, емкости р-n-перехода (Сб и Сд). емкость корпуса, индуктивности выводов, сопротивления базы и выводов, видоизменяется при обратном и прямом смещениях. Метод четырехполюсника позволяет рассчитывать усилитель с помощью матриц без составле­ ния эквивалентной схемы транзистора. При этом параметры четырехполюсника (четыре комплекс­ ных параметра), характеризующие свойства транзистора, определяются экспериментально, В отличие от параметров эквивалентной схемы, они зависят от схемы включения. Существуют три сис­ темы параметров, однозначно определяющие свойства транзисторов~ h-, У- и S-параметры. Каждая из них имеет свои преимущества и недостатки. Выбор той или иной системы параметров определяется удобством анализа и расчета каждой конкретной схемы. При расчете низкочастотных схем наибольшее распространение получили Z- и h-параметры. вы­ сокочастотных схем - У-параметры. Для устранения нестабильности работы транзисторов в усилительном режиме, связанной с внутренней обратной связью, используются схемные методы нейтрализации и демпфирования вход­ ных и выходных проводимостей. С помощью внешних схемных элементов стараются уменьшить ко­ эффициенты, характеризующие обратную связь (h12. У 12). У ряда современных транзисторов влияние обратной связи снижается технологическим способом. Измерение параметра У 116 позволяет оценить сопротивление базы, которое, в свою очередь, оп­ ределяет усилительные и частотные свойства транзисторов, а также высокочастотные шумы токорас­ пределения (у транзисторов с малым сопротивлением r'б уровень шумов также мал). Вообще сопротивление r'б зависит от конструкции и типа транзистора и лежит в диапазоне от нескольких единиц (у мощных приборов) до нескольких сотен Ом. В качестве параметров, описывающих транзистор как четырехполюсник для СВЧ-диапазона, ис­ пользуются S-параметры: S11 и S12 - коэффициенты отражения соответственно от входа и выхода четырехполюсника при нагрузке на волновое сопротивление (входные и выходные сопротивления), S12 и S21 - коэффициенты обратной и прямой передач. Они применяются для расчета схем, рабо­ тающих на частотах от 100 МГц до нескольких гигагерц (на этих частотах трудно осуществить усло­ вие короткого замыкания при измерении У-параметров). Кроме того, S-параметры имеют ряд преимуществ с точки зрения обеспечения устойчивости в процессе измерения, но определяются только для конкретной рабочей точки и на фиксированной частоте. Типовые (нормализованные) зависимости параметров четырехполюсника от режима и темпера- туры иногда приводятся в справочниках или ТУ (технических условиях). Частотные свойства транзисторов Частотные свойства полупроводниковых приборов определяют области их применения. Для эквивалентных схем и четырехполюсников существует ряд характеристических частот. Практическое значение имеют частоты, связанные с параметрами h2Iб, h21э и У21э. а также частота генерации fmax, определяющая область частот, в которой транзистор, в принципе, может применяться как генератор колебаний (на этой частоте коэффициент усиления по мощности Кур = 1). Кроме того, fmax используется для оценки Кур на других частотах.
52 Раздел 2. Биполярные транзисторы Модули коэффициентов передачи тока hz1б, hz1э и крутизны У21э уменьшаются с ростом часто­ ты, поэтому вводятся характеристические частоты, на которых эти параметры снижаются в .J2 раз (до 0,707) относительно их значения на низкой частоте (соответствующие предельные частоты fh2lб, fh2lэ. fv21э). Усиление транзистора на частотах, превышающих fh2lэ и fh2lб. падает со скоростью 6 дБ на октаву, т. е. при рабочей частоте, в 2 раза превышающей fh2lэ и fh2lб, коэффициент усиления уменьшается в 2 раза. С ростом частоты входного сигнала коэффициент передачи плавно снижается и на некоторой частоте, называемой граничной (fгр = 1hz1э1 fизм, где fизм - частота измерения), модуль hz1э достига­ ет значения, равного единице, т. е. усиление по току отсутствует (рис. 2.18). ЗдБ h21б fh21э fh21б frp f Рис. 2.18 . Зависимости коэффициентов передачи тока от частоты Частота fv21 используется для расчета ограниченного ряда схем (генераторов и широкополосных усилителей) и связана с fгр формулой fv21э = fгрrэ/ Г'б- Частота fmax также связана с fгр: fmax = ~fгр /8rc · r;c •. Для характеристики транзисторов частота fh2lб обычно используется на частотах до 20 МГц, а fгр - свыше 20 МГц. Имеются формулы, связывающие частоты fh2lб, fh2lэ и fгр- В частности, fгр = kfh2lб, где k = = 0,65 ...0,82 для различных типов транзисторов или fh2lб = (1,2 ... 1,б)fгр- Для бездрейфовых (сплавных) транзисторов обычно k = 0,82, а предельная частота fh2lэ = (1 - hz1б>fh2lб- Значения fгр зависят от положения рабочей точки (рис. 2.19) и температуры. Максимум зависимости fгр от тока коллектора (эмиттера) обычно почти совпадает с максимумом зависимости параметра hz1э от тока (рис. 2.20). При больших токах предельная частота падает, при малых токах частотные свой­ ства транзисторов также ухудшаются. Uкэ.В 50 10 5 -- -- с::Е о """11 д" о со \\ \\ \, \ ~\~ \~\ о~ а)~ Токр =25 ·с \~ \\ эDOj \' \, ./ \21о/ ' 1 ' 1 1 1\~~, \' "" /J \ /J ' ' L"\I /fh "" \ \;;ю/'// о\ .о ~а) ,_ ~ 0,02 0,05 О,1 0,2 0,5 1 2 51020 lк,А Рис. 2.19 . Зависимость граничной частоты от тока коллектора frp. МГц 100 80 60 40 v 20 0,01 / / r-\. /' ' \ 0,1 Рис. 2.20. Зависимость граничной частоты от режима работы (Токр = 25 "С)
Раздел 2. Биполярные транзисторы 53 Высокочастотные транзисторы Различие между низкочастотными и высокочастотными транзисторами заключается в размерах активных областей и в значениях параметров структуры и паразитных параметров корпуса - для высокочастотных приборов они должны быть значительно меньшими. К транзисторам, предназначенным для работы на высоких и сверхвысоких частотах, предъявля­ ется ряд дополнительных требований. Они должны иметь малые емкости между электродами, соз­ дающие (!аразитную обратную связь, и малую индуктивность общего вывода. Кроме того, для получения максимального Кур они должны иметь высокую частоту fгр и малые '!к, Ск и Uкэ нас- При создании высокочастотных приборов труднее получить высокую воспроизводимость и идентичность параметров у приборов одного технологического типа. Высокочастотные транзисторы могут работать и ~ак усилители, и как генераторы. Однако транзистор, оптимальный для усилителя мощности, не обязательно будет пригоден для генератора и, наоборот. Высокочастотные мощные транзисторы характеризуются такими параметрам, как Рвых. Ку,Е.!. КПД Iкр (критический ток коллектора, при достижении которого происходит уменьшение fгр в ..J2 раз по отношению к максимальному значению, - определяет условную границу, при которой полу­ чают удовлетворительные частотные свойства транзистора). Факторы, определяющие усиление и ши­ рину полосы транзисторных усилителей, могут быть найдены только в комбинации свойств транзистора и схемы, в которой он используется. Кроме того, параметр Кр зависит от условий опре­ деления входной и выходной мощностей, поэтому имеется несколько коэффициентов, характеризую­ щих усиление транзистора. В качестве обобщенной характеристики усилительных свойств транзисторов используется U-функция (максимальный Ку, р при обратной связи, нейтрализованной внешней схемой). Помимо указанных параметров они должны иметь хорошую устойчивость к рассо­ гласованию нагрузки. Для получения высокого КПД рабочая точка транзисторов должна находиться вблизи области насыщения. Высокочастотное напряжение насыщения (оно больше статического) определяет также выходную мощность на высокой частоте. Следует отметить, что использовать транзисторы с больши­ ми пробивными напряжениями для низковольтных устройств нецелесообразно, так как они имеют большие напряжения насыщения и низкие КПД. Надежная работа мощных приборов при больших Рвых обеспечивается лишь при пониженных значениях параметров электрического и теплового режимов. Обычно Рвых указывается в справочни­ ках для уровня, соответствующего надежной работе, и не превышает в режиме непрерывных колеба­ ний 50% Рк max. На высоких частотах выходная мощность изменяется пропорционально 1/ f2 . Она монотонно увеличивается до определенных значений с ростом входной мощности и напряжения ис­ точника питания Uиn- Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителя мощности, должны иметь пробивное напряжение коллекторного перехода в 2... 3 раза больше Uиn. В схемах генераторов при расстройке коллекторной цепи пиковое значение напряжения на коллекторе может достигать (3 .. .4)Uиn и более, особенно на нижнем участке рабочего диапазона частот. Обычно высокочастотные мощные транзисторы работают ненадежно в режимах короткого замы­ кания и холостого хода и могут отказывать при рассогласовании нагрузки на выходе. Например. транзистор 2N5178 обеспечивает мощность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно на­ страиваемом узкополосном усилителе, и даже при слабом нарушении согласования возможен отказ. Имеются высокочастотные транзисторы, которые могут работать при всех условиях рассогласо­ вания нагрузочного полного сопротивления. Так, транзисторы 2N5764 и 2N5765 могут работать в ус­ ловиях сильного рассогласования, в отличие от типов 2N4430 и 2N4431. Разработаны также приборы для специальных областей применения, в которых требуются различные значения рабочего напряж~ния (6; 12; 13,5; 24; 28 В и др.), с различными уровнями широкополосности, с высокой ли­ нейностью. Для передачи информации с помощью кабелей (например, в кабельных телевизионных систе­ мах) разработаны специальные широкополосные линейные транзисторы, работающие в классе А или АВ, при котором обеспечивается малый уровень искажений. вызываемых перекрестной модуляцией. Они имеют слабую зависимость коэффициента усиления от тока, малую емкость Ск и применяются на частотах много меньших, чем максимальная рабочая частота. Для стабилизации температурного режима в корпусе транзистора монтируют схему температурной стабилизации с диодом - датчиком температуры. Нелинейность таких транзисторов характеризуется коэффициентом нелинейных (ин-
54 Раздел 2. Биполярные транзисторы термодуляционных) искажений. При сравнительной оценке линейности транзисторов могут исполь­ зоваться зависимости S21Ок) и S21(Uк). Транзисторы для линейных широкополосных усилителей, работающих в режиме одной боковой полосы. характеризуются отдаваемой мощностью в пике огибающей (РРЕР). Мощные высокочастотные транзисторы могут применяться в импульсном режиме, при этом вы­ ходная мощность может быть увеличена при повышении рабочих напряжений. Например, транзистор MSC1330 имеет в непрерывном режиме выходную мощность _30 Вт на частоте 1,3 ГГц при Uип =28 В. а в импульсном <tи = 10 мкс) при Uип =40 В на той же частоте уже 70 Вт. Современные мощные высокочастотные транзисторы имеют сложные геометрические и техноло­ гические структуры (полосковые, гребенчатые. многоэмиттерные, сетчатые, мнqгоэлементные). В этих структурах в'Ьзмож'но развитие второго пробоя, который чаще всего проявляется при работе или испытаниях транзисторов в статическом режиме (на постоянном токе) или режиме класса А. Среди возможных причин отказа высокочастотных и сверхвысокочастотных усилительных тран­ зисторов можно назвать возникновение генерации за счет паразитных реактивностей схемы, пере­ грузку при переходных процессах и действие статического электричества. 2.4. Области работы и вольт-амперные характеристики транзисторов Для транзисторов принято различать четыре области работы (рис. 2.21 ): отсечки, активную (усиления), насыщения и лавинного пробоя (умножения), а также три схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Транзисторы работают в прямом и инверсном включениях. -lк UкБ= О lэ= о Область отсечки Рис. 2.21 . Выходная вольт-амперная характеристика транзистора При прямом включении в области отсечки оба перехода (эмиттерный и коллекторный) смещены в обратном направлении и через них протекают очень малые токи lкБО и lэ50. В активной области транзистор работает как усилительный элемент (эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном). В области насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, через транзистор протекает большой ток, а остаточное напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас характеризует его как переключатель в замкнутом состоянии. В области умножения коллек­ торный переход находится в состоянии лавинного (электрического) пробоя. При инверсном включении, в отличие от прямого, эмиттер смещен в обратном направлении, а коллектор - в прямом. Транзистор работает в активной области, но его усилительные свойства хуже (например, h21б iпv = 0,1 ...0,8). Дрейфовые (диффузионные) транзисторы редко исп:ользуются в таком включении, так как из-за асимметрии конструкции (большого различия площадей эмиттера и коллектора) инверсное усиление· мало. Инверсный режим может иметь место во время переходных процессов в импульсных схемах. Вольт-амперные характеристики, приводимые в справочниках, дают информацию о работе тран­ зисторов во всех областях и режимах работы на большом и малом сигналах при различных допусти­ мых сочетаниях токов и напряжений. По ним можно определить ряд основных параметров транзистора, выбрать оптимальное положение рабочей точки, рассчитать нелинейные искажения.
Раздел 2. Биполярные транзисторы цепи смещения и стабилизации режима. Для анализа ре­ жимов и расчета схем обычно широко используются два семейства статических характеристик: входных и выход­ ных для схем с ОБ и ОЭ. При необходимости по ним мож­ но построить переходные характеристики (прямые и обратные). По входным характеристикам определяются па­ раметры h11б и h11э. по выходным - h22б, У22б, h21э, У21э, У21б (в зависимости от режима). Наклон начального участка выходных характеристик определяет сопротивление Гкэ нас· Кроме того, на выход­ ных характеристиках обычно указывают область безопас­ ной работы транзисторов. Типичная область безопасных режимов работы (ОБР) для статического режима эксплуатации приведена на рис. 2.22 . Они ограничены отрезками АВ (определяет зна­ чение максимально допустимого тока прибора), СО (опре­ lк,и max lк,max 10 0,1 0,01 ··········-·········-...-········· А В ··-.. "·.!и1 10 ·-..tи2 : ·.. : ··.": ·: о· 4s·· .. 100 о 1000 Икэо max 55 И,В Рис. 2.22. Область безопасных режимов ра· боты (пунктирными линиями - импульсный режим) деляет значение максимально допустимого напряжения Uкэо max), ВС (характеризует ограничение электрического режима по мощности, т. е. значение выделяющейся мощности не должно выходить за пределы ВС). Для большинства тргнзисторов ОБР ограничивается отрезком C'D' и уменьшается, что связано с воздействием электротепловой нестабильности: выделяющаяся мощность и тепловое сопротивле­ ние увеличиваются с ростом температуры (растет нагрев транзистора), а теплоотвод ухудшается и растет температура перехода. Выход рабочей точки за пределы ОБР приводит обычно к необратимо­ му ухудшению параметров транзистора. Для обеспечения надежной работы режимы использования, особенно мощных транзисторов, должны не выходить за пределы области максимальных режимов. При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности рабочего импульса tи границы области ОБР перемещаются в сторону больших значений токов и напряжений. Чем меньше tи и больше скважность, тем будет больше импульсная мощность рассеяния, вызываю­ щая разогрев р-n-перехода до предельно допустимой температуры. Импульсный и ключевой режимы работы Рабочие токи, напряжения или мощности при работе в импульсном и ключевом режимах могут значительно превышать номинальное значение, установленное для режима постоянного тока. Транзисторные ключи работают в насыщенном (режим переключения) или ненасыщенном режи­ ме (в импульсных усилителях). В первом случае рабочая точка на семействе выходных характери­ стик циклически перемещается из области отсечки в область насыщения через активную область и обратно. Во втором случае рабочая точка проходит только через две области - отсечки и активную. В режиме переключения (рис. 2.23, а) транзистор как ключевой элемент меняет свое со­ стояние от закрытого (высокое напряжение и малый ток) до открытого (низкое напряжение и большой ток). Насыщенные ключи имеют меньшую мощность рассеяния Рк во включенном со­ стоянии и хорошую помехоустойчивость, но у них хуже быстродействие, так как переход из об­ ласти насыщения происходит с задержкой, и больше мощность рассеяния на базе при больших степенях насыщения. Увеличе­ ние быстродействия транзисторов достигается уменьшением времени жизни неосновных носителей путем легирования ак­ тивных и пассивных областей структуры атомами золота. Но для таких транзисторов велика вероятность возникновения ла­ винного пробоя. Поэтому для увеличения быстродействия часто параллельно переходу коллектор-база подключается диод Шат­ ки, что предотвращает насыщение транзистора (отсутствуют ре­ жимы накопления и рассасывания зарядов). Такие транзисторы более устойчивы ко второму пробою в случае больших запи­ рающих токов (например КТ635). Для переключательных транзисторов в справочниках приво­ дятся импульсные значения максимально допустимых параметров или графики, позволяющие определить импульсную рассеивае- Uкэ lк Uкэ нас а) =1:""""".i. б) Рис. 2.23 . Выходные напряжение и ТОК (а) и выходная МОЩНОСТЬ (6) импульсного транзистора
56 Раздел 2. Биполярные транзисторы мую мощность Ри в зависимости от соотношения длительности импульса tи. скважности Q и частоты. Значения Ри на фронте или срезе импульса могут превышать Рк max (рис. 2.23, 6). Ток lк. и max обыч­ но определяется экспериментально для заданной длительности импульса и ограничивается Рк max. Формы входного и выходного импульсов тока представлены на рис. 2.24 . Как видно, выходной им­ пульс сдвинут относительно входного на tзд, а фронт и срез имеют конечную длительность. Задержка фронта обусловлена зарядом входной емкости, равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и кол­ лекторного переходов. -IБ2 lк 0,9 0,1 j~ ~ 1 " ·- + - lвкл lи :. 1 а) \- }нр lpac !сп t lвыкл б) Рис. 2.24 . Форма токов базы и коллектора импульсного транзистора Время переключения транзистора, т. е. его быстродействие, состоит из времен включения tвк.п и выключения tвыкл. В свою очередь, время включения состоит из времен задержки tзд и нарастания tнр. а время выключения - из времен задержки выключения tpac (времени рассасывания) и спада tсп­ Время переключения определяется как свойствами самого транзистора, так и выбранной схемой включения транзистора и параметрами управляющего сигнала. Оно является функцией частоты fгр и эмиттерного и коллекторного токов. Получить высокое быстродействие при большом токе трудно. Для высокочастотных транзисторов (с fгр > 100 МГц) задержка включения определяется в ос­ новном емкостью Сэ. Кремниевые транзисторы имеют большие значения t 3д, чем германиевые. Время задержки может быть уменьшено путем увеличения мощности включающего сигнала. Для времени нарастания влияние емкости Сэ незначительно, но играют роль fгр и входной ток. Как уже отмеча­ лось, на длительности фронта и среза значительное влияние оказывает емкость Ск. Время tсп зависит от Iк и от отношения Iк/IБ. Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима измерения. При боль­ ших степенях насыщения (или больших запирающих токах) и существенных отклонениях режима ис­ пользования от указанного в справочнике время рассасывания может принимать значения, отличающиеся от номинального. Параметры tpac. Ск, Сэ. fгр. h21Э дают возможность сравнивать переключательные свойства тран­ зисторов при одинаковых режимах измерения. Параметры tвкл и tвыкл приводятся лишь для некоторых типов транзисторов, используемых при предельном быстродействии. Эти времена определяются для конкретной (типовой) электрической схемы, зависят от элементов внешних цепей (сопротивления нагрузки, сопротивления входной цепи, реактивных сопротивлений) и используются как справочные или рекламные сведения. Работа транзистора в режиме насыщения характеризуется также остаточным напряжением кол­ лектор-эмиттер Uкэ нас или сопротивлением насыщения Гкэ нас. При сравнении транзисторов удоб­ нее использовать параметр Гкэ нас, а не Uкэ нас. так как он слабо зависит от тока. Напряжение Uкэ нас зависит от геометрических и физических параметров транзистора. Его уменьшают, выбирают опреде­ ленную геометрию структуры, а также создавая конструкции с эпитаксиальными слоями. С увеличе­ нием степени насыщения (в 3 ... 5 раз и выше) Uкэ нас почти не меняется. С ростом температуры оно несколько увеличивается (рис. 2.25). Большое сопротивление Гкэ нас транзистора и диода увеличивает потери мощности в приборах и снижает КПД устройств, особенно при работе на больших токах. Переключательные транзисторы (в отличие от усилительных) обычно имеют малые остаточные напряжения (Uкэ нас. UБэ нас). времена переключения и большие пробивные напряжения UкБО проб.
Раздел 2. Биполярные транзисторы Uэво проб. Для этих транзисторов нет необходимости иметь большие h21э. В общем случае мощность, выделяемая транзи­ стором в ключевом режиме, состоит из мощностей, выделяю­ щихся на коллекторном переходе в режиме насыщения (Рвкл). в режиме отсечки (Рвыкл), в процессе перехода транзи­ стора из одного режима в другой (Рпер). и управляющей мощ­ ности в цепи базы (Рупр). При небольших рабочих частотах (менее 1 кГц) основной составляющей, определяющей тепло­ вые потери в транзисторе, является Рвкл- Мощностью Рпер ог­ раничивается предельная частота работы транзистора. Следует отметить, что для надежного отпирания транзистора необходимо подавать напряжение, превышающее плавающее напряжение UэБ пл - напряжение между выводами .базы и эмиттера, обусловленное параметрами lкво. Г'б и сопротивле­ нием утечки. Uкэ нас. В 0,25 0,20 0,15 0,10 - 0,05 о 0,01 0,1 57 Тор= 1оо·с_';-/, 111 1 ~5~~ -40 t; ...~" -~-~" 10 lк, мА Рис. 2.25. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора при различных значениях температуры 2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов Надежность полупроводниковых приборов существенно зависит от электрических и тепловых режимов работы, т. е. определяется реальными условиями их эксплуатации. Приборы работают на­ дежно, если их рабочие токи, напряжения, мощности, температура перехода и температура окружаю­ щей среды не превышают максимально допустимых значений. Надежность полупроводниковых приборов закладывается еще на этапе разработки и в даль­ нейшем обеспечивается на всех стадиях их изготовления. В производственных условиях надеж­ ность приборов зависит от конструкции, технологии изготовления (например, надежность планарных приборов выше надежности сплавных и сплавно-диффузионных) и методов контроля ка­ чества и надежности. В ТУ на приборы определены условия, при которых гарантируется их надежная и устойчивая работа и предусмотрен комплекс мероприятий для обеспечения высокой надежности. При заводских испытаниях проводятся испытания приборов на безотказность и долговечность, позволяющие опреде­ лить производственную надежность (для оговоренных в ТУ режимов, условий испытаний и критери­ ев отказов), как правило, в условиях и режимах более тяжелых, чем условия эксплуатации, и с оценкой результатов испытаний по более жестким критериям. Количественные показатели надежно­ сти приборов в процессе работы в аппаратуре определяются эксплуатационной надежностью. Экс­ плуатационная надежность (в конкретных режимах, условиях и схемах применения) обычно выше производственной, т. е. интенсивность отказов приборов в аппаратуре меньше, чем при заводских ис­ пытаниях. Разница между производственной и эксплуатационной надежностями более значительна, если приборы работают в облегченных электрических и эксплуатационных режимах по сравнению с мак­ симально допустимыми (предусмотрены запасы по напряжению, току и мощности рассеяния) и если работа схемы (устройства) допускает большой диапазон изменения параметров используемых прибо­ ров. Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации необходимо выбирать рабочие ре­ жимы с коэффициентом нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7 ... 0,8. Не рекомендуется применять транзисторы при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратны­ ми токами во всем диапазоне рабочих температур, а также в совмещенных предельных режимах. Данные об эксплуатационной надежности накапливаются при эксплуатации аппаратуры и учи­ тываются при ее доработке или усовершенствовании. Применение биполярных транзисторов Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумя­ щие, переключательные и генераторные), так и специализированные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления, для рабо­ ты в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию параметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы.
58 Раздел 2. Биполярные транзисторы Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока, низкой частоты, проме­ жуточной частоты, высокой частоты и др.) являются входное и выходное сопротивления каскада, соотношения, определяющие усиление, частотные свойства, режимы работы, температурная ста­ бильность и прочие показатели. В соответствии с назначением различают каскады предварительного усиления (напряжения, тока или мощности), предназначенные для получения максимального усиления (обычно по резистор­ ной или трансформаторной схемам), и каскады усиления мощности, обеспечивающие на заданной нагрузке необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях и мощности потребле­ ния от источника питания. В многокаскадных усилителях с отрицательной обратной связью имеют место фазовые сдвиги между входными и выходными токами, поэтому для их устойчивой работы транзисторы выбирают исходя из условия fв $ 0,3fh2lэ (fв - верхняя рабочая частота усилителя); при малой обратной связи fв $ fh21э. Возможны два варианта усилителя с мощным выходным каска­ дом: бестрансформаторный (с выходной мощностью не более 5 ... 10 Вт) и трансформаторный (на де­ сятки и сотни ватт). При выходной мощности 0,1 ... 1 Вт каскады выполRяются однотактными с режимом работы в классе А; при больших значениях мощности - двухтактными с режимом работы в классах А, АВ или В. В схемах с дополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов со структурами р-п-р и n-p-n, приборы должны иметь одинаковые параметры и характеристики. Требуется подбор пар последовательно включенных транзисторов по параметрам h21э и fh2lэ с разбросом не более 10... 15%. Для этой цели разработаны специальные (комплементарные) пары транзисторов, например отечест­ венные транзисторы со структурами n-p-n и p-n-p соответственно: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815; КТ816 и КТ817; КТ818 и КТ819 и другие. В каскадах предварительного усиления напряжение Uкэ в рабочей точке мало (несколько вольт). Оно выбирается из соображений получения малого напряжения шумов или неискаженной формы сигнала на выходе. В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилизацию, замена транзисто­ ра на однотипный с более высоким значением h21э обычно не приводит к значительному увеличению тока коллектора в рабочей точке. В транзисторных генераторах наиболее предпочтительными являются режимы классов В и С (реже АВ). При расчете транзисторного генератора с внешним возбуждением по заданным выходной мощности и верхней рабочей частоте выбирают тип транзистора и проверяют его пригодность по па­ раметрам Рк. fгр и предельно допустимым параметрам UкБО max. UэБО max. Iк max для заданного угла от­ сечки коллекторного тока. Для расчета генераторов необходимо также знать Ск. •к. fmax- Следует учитывать. что чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше коэффициент усиления по мощности Кур. Для получения Кур= 5 ... 7 дБ необходимо, чтобы частота fв была в 4 ... 10 раз ниже fh2lб- B каскадах усиления и генерации мощности Uкэ выбирается достаточно большим для получения максимального КПД и малых нелинейных искажений. Транзисторы некоторых. типов используются в специфических классах схем и характеризуются рядом особенностей режима и условий работы. Эти специализированные транзисторы образуют свое­ образный класс приборов, например, транзисторы для схем с автоматической регулировкой усиления (АРУ), для усилителей промежуточной частоты, для работы в микроамперном диапазоне токов, для работы в ВЧ- и СВЧ-диапазонах, лавинные транзисторы, сдвоенные, составные, двухэмиттерные и т. п. Есть узлы, в которых требуются высоковольтные транзисторы. Кроме того, разработаны тран­ зисторы универсального назначения. Оптимальное сочетание параметров и характеристик, удовлетво­ ряющих различным требованиям, дает возможность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов (например, транзистор КТ630). Для схем с АРУ разработаны специальные транзисторы (германиевые и кремниевые), обладаю­ щие регулируемым усилением при увеличении рабочего тока (прямая АРУ). Уменьшение усиления таких транзисторов на высокой частоте происходит вследствие снижения fгр при увеличении тока эмиттера и уменьшения напряжения на коллекторе, например, КТ3128, П328, КТ3153, предназна­ ченные для применения в радиоприемниках с АРУ и телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ приемников (за счет смещения их рабdчей точки можно регулировать усиление в широком диапазо­ не). В связи с этим наблюдается сильная зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют мень­ шую зависимость коэффициента усиления от электрического режима. Для зарубежных транзисторов, предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления (отношение максималь­ ного коэффициента усиления к минимальному).
Раздел 2. Биполярные транзисторы 59 Жесткие требования к экономичности радиоэлектронной аппаратуры в ряде специальных приме­ нений способствовали созданию кремниевых транзисторов, функционирующих при малых токах (еди­ ницы и десятки микроампер), поскольку германиевые транзисторы вследствие большого обратного тока коллектора для этой цели непригодны. Такие приборы (например, транзисторы КТ3102, КТ3107) имеют малые токи Iкво и большие коэффициенты усиления. Однако при работе в микрорежиме у них ухудшаются частотные свойства, но несколько улучшаются шумовые характеристики. Кроме того, при малых токах обычно увеличивается зависимость параметров от температуры, снижается крутиз­ на и затрудняется стабилизация режима. Реализация большого коэффициента усиления по мощности в высокочастотных усилителях свя­ зана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзи­ стора У12. Разработаны транзисторы (например, КТ339АМ), у которых для снижения емкости обратной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (электростатический экран Фарадея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирую­ щего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и ба­ зовым выводами в 2,5 .. . 4 раза (емкость С12э снижается до значения не более 0,3 пФ) и обеспечить большой коэффициент усиления Кур без применения схем нейтрализации. Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллектор­ ного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные (со сто­ роны коллектора или эмиттера) и N-образные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики. Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно и встречается на практике. но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда импульсов, ста­ бильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность применения обыч­ ных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты fгр при увеличении коллекторного тока. Лавинные транзисторы имеют следующие основные параметры: напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода Uкво проб, напряжение пробоя при отключенной базе Uкэо проб, напряжение U'кэо проб в максимуме вольт-амперной характеристики, зависящее от сопротивления Rбэ и управ­ ляющего тока. максимальный ток разряда и время нарастания лавинного импульса. Область лавинно­ го пробоя лежит между напряжениями Uкво проб и Uкэо проб. Лавинные транзисторы применяются в релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необ­ ходимое быстродействие и амплитуду импульсов при более высоких надежности и стабильности. чем обычные транзисторы. используемые в режиме пробоя. С помощью лавинных транзисторов можно формировать амплитуды импульсов 1О... 15 В и выше на низкоомной нагрузке (50... 70 Ом) и при малом времени нарастания фронта (менее 1 нс). Отечественной промышленностью выпускаются лавинные транзисторы типов ГТ338 и КТ3122, за рубежом - лавинные транзисторы типов ASZ23, ECL1239, NSl 110-NSl 116, PADT51, RП 110-RП 116, SYL3013, 2N3033-2N3035, 2N5236, 2N5271, 2SA252, 2SA411. В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары). изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преоб­ разующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, долж­ ны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п-переходов транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении Uy приложено между базой и кол­ лектором). Если Uy приложено, например, в p-n -p транзисторе минусом к базе, то оба перехода тран­ зистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения - ключ открыт). При изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротив­ лением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и остаточным током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост = О, Uост = О, Rзакр = оо, Iзакр = О). Оста­ точные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отме­ тить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие значения Uост и Iзакр. чем в прямом включении (особенно для сплавных транзисторов, у которых пло­ щадь коллектора много больше площади эмиттера).
60 Раздел 2. Биполярные транзисторы Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры (Uост :S 12 мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие значения остаточных параметров (например, у КП 18 Uост менее 0,2 мВ, зарубежные ЗN74, ЗNl 11). Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использования в инверсном включе­ нии (например, зарубежные транзисторы 2N2432, 2N2944-2N2946, 2N4138), которые имеют малое остаточное напряжение (менее 1 мВ) и применяются в модуляторах для стабильных усилителей по­ стоянного тока, построенных по схеме модуляции-демодуляции, в схемах управления реверсивными двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах, например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, при запирании транзистор может переходить в режим инверсного включения при работе на комплексную нагрузку. Для работы в выходных каскадах усилителя низких частот радиовещательных приемников, вы­ сококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые тран­ зисторы разного типа проводимости (например ГТ401, ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они характеризуются слабой зависимостью коэффициента усиления от тока, высокой частотой fh2Iэ, низким напряжением Uкэ нас. что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых частот. В свою очередь, это дает возможность упрощать схемы усилителей, уменьшать число приме­ няемых транзисторов, повышать надежность и снижать себестоимость устройств. Зависимость коэф­ фициента передачи hh2Iэ от тока характеризуется коэффициентом линейности - отношением коэффициентов передачи при двух значениях тока эмиттера. Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по опре­ деленной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функ­ ционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав­ ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972. КТ973, КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158, КТ8159, КТ8214, КТ8215, КТ8225) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и им­ пульсного действия, бесконтактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сго­ рания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах. Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне то­ ков (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130). Ряд транзисторов разработан для целевого применения: • высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно-белых и цветных телевизоров (например, КТ872) и высоковольтных источников питания (КТ8126, КТ8224, КТ8228); • импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997); • для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных каскадов класса А и широкополосных усилителей; • для селекторов телевизоров, с повышенной устойчивостью к интермодуляционным искаже­ ниям (КТ3109); • для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококачественных УНЧ и видеоусилителей телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999; • для высокочастотных широкополосных усилителей с малой постоянной времени •к (КТ368); • для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887, КТ888); • для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807); • для линейных и импульсных устройств (КТ315 - первый отечественный прибор в пластмас- совом корпусе); · • универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352); • для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342); • для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных каскадах усилителей (КТ201 и КТ203); • высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) - при непосредственном включении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы 800... 1ООО В; • для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926).
Раздел 2. Биполярные транзисторы 61 Для линейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Un = 10 В), КТ912 и КТ921 (Un = 27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Un = 28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 Un = 12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим эмиттером. Un =28 В). Транзисторы КТl 17, КТl 19, КТ132, КТ133 являются однопереходными. Транзистор КТ120Б-1 имеет два вывода (используется в качестве диода). Транзисторные сборки, состоящие из двух транзи­ сторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 пред­ назначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с общей базой (ОБ). Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно­ жителей используются транзисторы КТ606 (Un = 28 В), КТ607 (Un = 20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ, Un = 15 В). КТ642, КТ647 (Un = 15 В), КТ648 (Un = 10 В). КТ657 (с ОЭ, Un = 15 В), КТ682. КТ996 Un = 10 В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913. КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 Un = 28 В), КТ930 (Un = 30 В), КТ918, КТ938 (Un = 20 В), КТ919 (с ОБ. Un = 28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Un= 12,6 В), КТ929 (Un = 8 В), КТ937 (с ОБ. U-n = 21 В). КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускают работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ. Un = 28 В), КТ945, КТ947 (Un = 27 В), КТ977 (с ОК, Un = 40 В), КТ9142. Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе­ ратур -60... +200 °С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141, а для схем фотовспышек - КТ863 и КТ9137, транзистор КТ3166 - для контроля температуры воз­ духа и элементов конструкции систем (у него соединены коллектор и база). Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516, предна­ значены для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзисторы вы­ пускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для поверхностного монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26. Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в различных корпусах (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для примене­ ния в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47). Транзисторы КТ519А, КТ6128 предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а транзисторы КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в режиме класса «В» портативных радиоприемников. В малошумящем предварительном усилителе мо­ жет использоваться транзистор КТ526А. Транзисторы КТ732-КТ739, КТ6136 и КТ6137, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 и КТ8230 предназна­ чены для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключа­ тельных и усилительных схемах. Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тю­ неров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и пере­ ключателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высоковольтных ключей, стабилизаторов с импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран­ зисторы КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав­ ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла). Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и КТ8234, КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном испол­ нении, и мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 (на ток 15 А), КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 (на ток 20 А), мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы в ВЧ и СВЧ диапазонах. Комплементарные транзисторы (со структурами p-n -p и n-p -n) КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ403, П703 и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720. КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102. КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах с дополнительной симметрией. Имеется. также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в со­ ставе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТ3130, КТ682; переключательные КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, моду­ ляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТЗ 170А9, КТЗ 173А9, КТ3179А9, КТ3180А9, КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169).
62 2.6. Биполярные германиевые транзисторы i ! Тип прибора П108А П108Б П108В П108Г ~П109А П109Б ~П109В П109Г П109Д П109Е П109Ж П109И П115А П115Б П115В пнsr :1п11sд t '1 11 П122А П122Б П122В п122r П124А 'П124Б IП124В ~П124Г П125А П125Б П125В п12sr П125Д П125Е 1п12sж 'П125И П125К П125Л ПЗОSА ПЗОSБ пзоsв ! 1 1 !Структу-1 iра' 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р p-n-p п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р 1 1 1 1 1 pKmax• Р~.тmах• р~: н max• мВт 75 75 75 75 30 30 30 30 30 30 30 30 50 50 50 50 50 150 150 150 150 75 75 75 75 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 75 75 75 1 1 1 1 ~р• \210• ~;,~, ~;;х• МГц 0,5* 1* 1* 1* ?.1* ?.1* ?.1* ?.1* ?.3* ?.5* - ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.2* ?.2* ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.140 ?.160 ?.160 1 1 ' 1 UКБО ороб• U~Ropoб' u~ороб• в 5 5 5 5 10 (18 имп.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имп.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имп.) 20 30 20 30 20 35 20 20 20 25 25 25 25 35 35 35 35 35 35 35 70 70 70 15 15 15 1 1 1 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UЭБО ороб• в 5 5 5 5 ! - 1 - - 1 - 1 - - 1 - - 20 20 20 1 20 1 20 i : 10 10 1 10 1 10 20 20 20 1 20 20 20 1 20 20 20 20 1,5 1,5 0,5 1 ! lкmax 1;,н max• мА 50 50 50 50 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 100* 100* 100* 100* 300* 300* 300* ~00* 300* 300* 300* 300* 300* 300* 40 (100*) 40 (100*) 40 (100*) i1 i 1 1 1 1 ' ! 1 1 1 i !1 1 ' ' 1 ! i1 1 1 1 1 1 1 IКБО• J~R' 1·· кэо• мкА 10(5В) 10(5В) 10(5В) 10(5В) :>5 (5 В) $5(5В) :>5 (5 В) :>5 (5 В) :>2(1,2В) :>2 (1,2 В) :>1 (1,5 В) :>5 (5 В) :>40 (20 В) :>40 (30 В) :>40 (20 В) :>40 (30 В) :>40 (20 BJ :>20 (5 В) :>20 (5 В) :>20 (5 В) :>20 (5 В) :>15(158) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15(15В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15(15В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15(15В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) - - :>4 (15 В) ' \ j ' ~ ~ ~ 1, i !1 ~!; :r ~., 1· i!11 ~1 11 j~
Биполярные германиевые транзисторы 63 ck, rкэ нк• Кш1 дБ tк, ПС h21,o ь;IЭ с;2" r~э наt:• r;. Ом t~c• Корпус пФ Ом Р;:" Вт t::11"1 t::. нс 20...50 (5 В; 1мА) 50 (50 В) 5000 rпos 35...80 (5 В; 1мА) 60...130 50 (50 В) 5000 ~tt (5 В; 1мА) 110...250 (5 В; 50 (50 В) 5000 1 мА) 50 (50 В) 5000 ,. ~ 20...50 (5 В; 1мА) $30(5В) 1 $10000 П109 35...80 (5 В; 1мА) $30 (5 В) 1 - - 1 $10000 60... 130 (5 В; 1 мА) $30 (5 В) - - $10000 :~ 110... 250 (5 В; 1 мА) $30 (5 В) - - $10000 20...70 (5 В; 1мАО $40 (1,2 В) - - $10000 к 50... 100 (5 В; 1 мА) $40 (1,2 В) - - $10000 1 ~$ <:100* (1,5 В) 1 - - - $10000 20...80 (5 В; 1 мА) 1 $30(5В) - $12 (1 кГц) $10000 1 20...80 (1 В; 25 мА) - - - 1 - П115 20...80 (1В; 25 мА) - - - - ~tt 60... 150 (1 В; 25 мА) - - - - 60... 150 (1 В; 25 мА) - - - 1 - ,. . 125...250 (1 В; 25 мА) - - - - 1 i 1 1 ~ j i 1 ~ 1 1 15...45 (5 В; 1 мА) - - 200* - П122 15...45 (5 В; 1 мА) - - 200* - :ti·Ф.· 30...60 (5 В; 1 мА) - - 200* - 30...60 (5 В; 1 мА) - - 200* - 1 1 28...56 (0,5 В; 0,1 А) 1 - 1 $0,5 - 1 - 1 П124 1 4 45...90 (0,5 В; 0.1 А) 1 1 $0,5 1 • 1 - - - ~- 71...162(0,5В;0,1 А) 1 - $0,5 - - 120...200 (0,5 В; О,1А) 1 - 1 $0,5 - - ~ _,.$ 1 ~ к.6 28...56 (0,5 В; 25 мА) - $1 - - П125 45...90 (5 В; 25 мА) - $1 - - 71...140(5В;25мА) - $1 - - :No·~' 120...200 (5 В; 25 мА) - $1 - - 1 <:28* (0.5 В; 100 мА) - $1 - - 1 ! 45...90 (5 В; 25 мА) 1 - $1 - 1 - 71...140(5В;25мА) 1 $1 1 ' 1 - - - 1 ! 1 25...56* (0.5 В; 100 мА) 1 - $1 - - 1 i 1 1 45 ... 90* (0,5 В; 100 мА) - $1 - 1 - 71 ... 140* (0,5 В; 100 мА) 1 $1 1 1 - - - 1 25...80* (1 В; 10 мА) $7(5В) $50 - $300 ПЗО5 60... 180* (1 В; 10 мА) $7(5В) $50 - $300 tt 40... 120* (5 В; 5 мА) $5,5 (5 В) - $6 (1,6 МГц) $300 8 ~ ·Ф ~ 1
64 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Рк max' ~pl f,;2161 U КБО npoбt lк max IKБQI Тип iСтрукту-1 Р~, т maxl ~:;lэ' U~ЭR """"1 UЭБО """"1 1~, и max' I~ЭR 1 прибора 1 ра j р~~ н max' ~~·:х t u;эо """"1 в 1;301 мВт МГц в мА мкА П308А p-n-p 150 (360**) 290 20 3 50 (120*) $2(5В) П308Б p-n -p 150 (360**) 2120 20 3 50(120*) $2(5В) П3088 p-n -p 150 (360**) 2120 20 3 50 (120*) $2(5В) П308Г p-n-p 150 (360**) 2120 20* 3 50 (120*) $2(5В) 1 i 1' 1 11r-~~~--i~~~-t-~~~~~~-t--~~~-+--~~~~~--+~~~~-t--~~~~-t-~~~~~~~1 I П309А .JпзоэБ ~П3098 П309Г П309Д П309Е 1 'ПЗlОА ПЗlОБ ПЗlОВ ПЗlОГ 1пз1од 1пз10Е П311А П311Б П3118 пзнr П311Д П311Е П311Ж П311И ПЗlЗА ПЗlЗБ ПЗlЗВ П320А П320Б П3208 П321А П321Б П321В П321Г П321Д П321Е ! 1 1 1 1 1 i p-n -p p-n-p p-n-p p-n -[1 p-n-p p-n -p p-n -p p-n-p p-n-p p-n-p p-n -p p-n -p n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-р-л p-n-p р-л-р р-л-р p-n -p p-n-p p-n-p p-n-p р-л-р p-n -p p-n-p p-n-p p-n -p i 1 1 1 75 75 75 75 75 75 20 (35°CJ 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 150 150 150 150 150 150 1501 150 100 100 100 200 200 200 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) !60 (20** Вт) 160 (20** Вт) 1 1 1 1 2120 2120 280 280 280 280 2160 2160 2120 2120 280 280 2300 2300 2450 2450 2600 2250 2300 2450 2300 2450 2350 280 2120 2160 260 260 260 260 260 260 10 10 10 10 10 10 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 (20 имn.) 12 (20 имл.) 10 15 15 15 20 20 20 40** 40** 40** 30** 30** 30** i 1 1 1 1 1 1 1,5 1.5 1,5 1,5 1,5 1,5 - - - - - - 2 2 2 2 2 2 2 1,5 0,7 0,7 0,7 3 3 3 4 4 4 2,5 2,5 2,5 1 i 1 1 1 1 1 1 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 50 50 50 50 50 50 50 50 30 30 30 150 (300*) 150 (300*) 150 (300*) 200 {2* А) 200 (2* А) 200 {2* А) 200 {2* А) 200 {2* А) 200 (2* А) i 1 i! ! 1 1 1 1 1 $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5BJ $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(12В) $5 (12 В) $5 (10 В) $5(12В) $5 (12 В) $5 (12 В) $10 (20 В) $10 (20 В) $10 (20 В) $500 (60 В) $500 (60 В) $500 (60 В) $500 (45 В) $500 (45 В) $500 (45 В) ,1 11 ii,, :~ ~ 1 !~ 1 ~1; 11 ~
Биполярные германиевые транзисторы 65 1 1 1 с,, fкэ на~:' Кш, дБ 1 т,, пс h21•' ь;,э с;2,, f~ H.i~I 1 r;,, Ом 1 t;iacl Корпус пФ Ом Р;:", Вт t::кл' t:·:. нс 20...75* (1 В; 1О мА) s8(5В) 1 $30 1 i $400 i ПЗО8 11 - 1 ' 50...120•(1В:10мА) 1 S8(5В) 1 $24 1 $1000* ! 1 - No·~) ~ 1 80...200* (1В: 10 мА) 1 $8 (5 В) 1 $24 S8 (1,6 МГц) 1 $400 ~ 1 1 1 80...150(1В;10мА) 1 s8(5В) 1 $24 S8 (1,6 МГц) $500 1 $1000* 1 1 ; 1 1 : 20...70 (5 В; 1мА) s7,5 (5 В) - - $500 ПЗО9 60... 180 (5 В; 1 мА) s7,5 (5 В) - S6 (1,6 МГц) $500 20...70 (5 В; 1мА) $7,5 (5 В) - s6 (1,6 МГц) $1000 7.4 60... 180 (5 В; 1 мА) S7,5 (5 В) - - $1000 5.8 20...70 (5 В; 1мА) S7,5 (5 В) - - $1000 к ~ ~ 60... 180 !5 В: 1 мА) s7.5 (5 В) - ' - 1 S1000 з 6 20...70 (5 В: 1мА) $4(5В) $3 (1,6 МГц) $300 ГТЗIО 60... 180 (5 В: 1 мА) s4(5В) S3 (1,6 МГц) $300 20...70 (5 В: 1мА) s5(5В) s4 (1.6 МГц) $300 60 ... 180(58; 1 мА) s5(5В) s4 (1,6 МГц) $300 20...70 (5 В: 1мА) s5(5В) $4 (1.6 МГц) $500 60... 180 (5 В: 1 мА) s5(5В) s4 (1,6 МГц) $500 1 1 \ " : 1 ~ 15...80*!3В:5мА) ! $2,5(5В) i $20 1 $50* ПЗ11 > ' - .! ' 30...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В) 1 $20 - $50* i' '< 1 ' -11 :! ~ 15...50• (3 В: 5 мА) $2,5 (5 В) $20 - $50* ,, ;No·$ 1 30...80* (3 В; 5 мА) i s2,5 (5 В) $20 - $50* 1 60...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В) $20 - $50* 20...80* (3 В: 5 мА) 1 S2.5(5В) $20 - $75; $50* 50...200*(3В:5мА) 1 S2.5(5В) 1 $20 $100; $50* 1 - 1 100...300* (3 В: 5 мА) 1 s2,5 (5 В) 1 $20 - $100; $50* Карп. i 20... 250 (5 В: 5 мА) s2,5 (5 В) 1 $4,6 - $75 1 ПЗIЗ 20... 250 (5 В; 5 мА) s2,5 (5 В) $4,6 - $40 1 30... 170 (5 В; 5 мА) s2,5 (5 В) 1 $4,6 - $75 -11 1 11 к ,• ' 1 1 ' i 20...80* (1 В: 1О мА) S8(5В) $8,5 - $500 ПЗ20 50... 160* (1 В; 10 мА) S8(5В) $8,5 - $500 No·~) 80...250* (1 В; 10 мА) s8(5В) $8,5 - $600 1 i ~ 1 i " 1 ~ 20...60* (3 В: 0,5 мА) 1 s80 (IO В) $3,5 - 1 $600 1 ПЗ21 ~ 40...120* (3 В: 0,5 мА) 1 S80 (10 В) $3,5 $600 ,, - :No·• !! 80...200* (3 В: 0.5 мА) ! S80 (10 В) $3,5 - $600 20... 60• (3 В: 0,5 мА) S80 (10 В) $3,5 - $600 40 ... 120* (3 В; 0,5 мА) S80 (10 В) $3,5 - $600 80 ... 200* (3 В; 0,5 мА) S80 (IO В) $3,5 - $600 5зак.9
66 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmax1 ~pl ~2161 UКБО "роб' lк max IКБО• Тип Структу- Р~. т m;iixl ~;,~, U~ЭR "роб' UЭБО "роб' 1~.и max' I~RI прибора р; и max' с· u~"роб' в г· ра '" мА кэо• мВт МГц в мкА П322А p-n-p 50 1 :?:80 25 0,25 10 :>4 (25 В) П322Б p-n-p 50 :?:80 25 0,25 10 1 :>4 (25 В) П322В p-n-p 1 50 j :?:80 25 0.25 ' 10 1 :>4 (25 В) П322Г p-n-p i 50 :?:50 15 0,25 1 5 :>4 (15 В) П322Д p-n-p 1 50 1 :?:50 15 0.25 1 5 i :>4(15В) П322Е p-n-p 1 50 :?:50 1 15 0,25 1 5 1 :>4 (15 в 1 1 ! 1 ' 1 ' П323А n-p-n 500 :?:200 20 2 1000 :>30 П323Б n-p-n 500 ~200 20 2 1000 :>30 П3238 n-p -n 500 1 :?:300 20 2 1000 1 :>30 i ~ 1 11 i 11 ~ 1 1 i !1 1 1 1 1 ~ 1 ' 50 (55°С) i 15* (5к) 1 :>10 (15 В) П328А p-n-p :?:400 0,25 10 П328Б p-n-p 50 (55·с) :?:300 15* (5к) 0,25 10 :>10 (15 В) П3288 p-n-p 50 (55°С) :?:300 15* (5к) 0,25 10 :>10 (15 В) 1 1 i ! П329А 1 n-p -n 50 (4о·с> :?:1200 10 0,5 20 1 :>5 (10 В) П329Б n-p -n 1 50 (4о·с1 :?:1680 10 0,5 20 i :>5(10В) П329В 1 n-p-n 1 50 (4о·с1 :?:990 10 1 1 20 1 :>5 (10 В) П329Г 1 n-p-n 1 25 (бо·с> :?:700 10 0,5 20 ! :>5(10В) 1 i f ! ; 1 пззод n-p -n 50 (45°С) :?:500 10 (20 имn.) 1,5 20 :>5 (10 В) пззож n-p-n 50 (45·с> :?:1000 10 (20 имn.) 1,5 20 :>5 (10 В) пззои 50 (45°С) :?:500 10 (20 имn.) 1,5 1 20 ' :>5 (10 В) n-p-n 1 1 1 1 i 1 1 1 1 П335А p-n-p 200 (45°С) :?:80 20 3 150 (250*) :>10 П335Б p-n -p 200 (45°С) :?:80 20 3 150 (250*) :>10 П3358 p-n -p 200 (45°С) :?:80 20 3 150 (250*) :>10 П335Г p-n-p 200 (45·с> :?:300 20 3 150 (250*) $10 П335Д p-n-p 200 (45°С) :?:300 20 3 150 (250*) :>10 ~ 1 ! ~ 1 p-n-p - - 1 - П338Б 1 p-n-p 100 - 20 (13**) - 1 1000 1 :>30 (20 В) 1 1 П3388 p-n-p 100 - 20 (5**) - 1 1000 1 :>30 (20 В) i 1 IП338А 100 20 (8**) 1000 <30 (20 В)
67 Корпус ПЗ22 ПЗ2З ПЗ28 пззо :>8 (400 МГц) 1 :>30; <50* <15 1 <50; <50* ' 30...400* (5 В; 5 мА~ 1 <3(5В) $15 :>8 (400 МГц) <30; <50* :>3 (5 В) 30 400*(5В;5мА :>3 (5 В) :>15 10:::400* (5 В; 5 мА) 1 1 1 i ! i 1 1 1 - ПЗЗ5 - 11,7 :No~ 11 1 1 ПЗЗ8 1, li ."$ i ! !1 к. ; 3 ""' 1 <100* 40 70*(3В;50мА) 1 <8,5 $150* - $8,5 - - 60 ...100* (3 В; 50 мА) - $8,5 - $150* ... 70•(3В;50мА) - 4о". 50 А) $8,5 - 60 100*(3В; м $8,5 - ... 100* (3 В; 50 мА) 50" . 1 ]
68 i Тип прибора ПЗ41А ПЗ41Б ПЗ41В !ПЗ46А iпз4&Б ПЗ46В i ~,, " ПЗ62А ПЗ62Б ПЗ76А iiПЗSЗА-2 iПЗSЗБ-2 iПЗSЗВ-2 ,, ~П402А ~П402Б ~П402В ~П402f IП402Д П402Е iП402Ж П402И " ' П40ЗА П40ЗБ П40ЗВ П40Зf IП40ЗД ~П40ЗЕ IП40ЗЖ IП40ЗИ !П40ЗЮ 1 1 /Структу-/ : ' ' i ' ; i 1 ' 1 1 ! ' 1 1 ра1 п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п п-р-п р-п-р п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р p-n-p р-п-р p-n-p р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р j 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• Р;.тmа).' р~~ и max• мВт 35 (60°с) 35 (6О0С) 35 (6О0С) 50 (55°С) 50 (55°С) 50 (55°С) 40 40 35 (85°С) 25 (55°С) 25 (55°С) 25 (55°С) 300; 600 300; 600 300; 600 300; 600 0,3 Вт; 0.6 Вт 0.3 Вт; 0.6 Вт 0,3 Вт; 0,6 Вт 0.3 Вт: 0,6 Вт 4* Вт 4* Вт 5* Вт 4* Вт 4* Вт 5* Вт 4* Вт 4* Вт 4* Вт i ' i1 1 i Мfц <:1500 <:1980 <:1500 <:700 <:550 <:550 <:2400 <:2400 <:1020 <:2400 <:1500 <:3600 <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:0,008** <:0,008** <:0,008** <:0,006** <:0,006** <:0,008** <:0,008** <:0,008** <:0,008** 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 в 10 10 10 20 20 20 5 (55°С) 5 (55°С) 7** 5*(1к) 5*(1к) 5*(1к) 25* (О,2к) 25* (О,2к) 40* (О,2к) 40* (О,2к) 25* (О,2к) 25* (О,2к) 40* (О,2к) 40* (О,2к) 45 45 60 60 60 60 80 80 45 1 !1 1 1 ! 1 1 ' ! 0,3 0,3 0,5 0.3 0,3 0.3 0,2 0.2 0,25 0,5 0,5 0,5 - - - - - 20 20 20 20 30 20 20 20 20 1 1 1 i i ' 1 1 1 ' 1 : 1 1 1 1 1 .Iк max lк, и m.ix• мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 500 500 500 500 500 500 500 500 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 ; ! !i 1 i 1 !' мкА s5 (10 В) s5 (10 В) s5 (10 В) SIO (20 В) SIO (20 В) SlO (20 В) s5(5В) s5(5В) s5 (7В) s5(5В) s5(5В) s5(5В) S20 (10 В) s20 (10 В) S20 (10 В) s20 (10 В) s25 (10 В) s25 (IO В) s25 (10 В) S25 (10 BJ s50 (45 В) s50 (45 В) s50 (60 В) s50 (60 В) S50 (60 В) s50 t60 BJ s50 180 BJ s50 (80 В) s50 (45 BJ !( 1 i:1 ",. !1 !t li ~n i ,. ~ ,1
Биполярные германиевые транзисторы ьь· 21j' 213 j ~ ~ 15...300* 15 В: 5 мА) 15... 300* 15 В: 5 мА) 15... 300* (5 В; 5 мА) 10... 150 (10 В: 2 мА) ~ 10...150(10В:2мА) '15...150(10В.2мА) 10...200 (3 В: 5 мА) 10... 250 (3 В; 5 мА) 1 10... 150• (5 В: 2 мА) 15... 250 (3.2 В: 5 мА) 10... 250 13.2 В: 5 мА) 15... 250 (3,2 В; 5 мА) 30...80 (1В; 3 мА) 60... 150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1В: 3мА) 60... 150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1В; 3 мА) 60... 150 (1 В: 3 мА) 30..'.80 (1 В; 3 мА) 30...80 (1В: 3мА) 20...60 (5 В; 0.1 А) 50... 150 (5 В; 0.1 А) 20...60 (5 В: О,1 А) 50...150 (5 В; 0,1 А( 50... 150 (5 В: 0,1 А) 30* (0,45 А) 20...60 (5 В: 0.1 А) 30· Ш.45 А) 30...60 (5 В: 0.1 А) ' 1 i 1 ! ~ i1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 с,, c;2t• пФ :>1 (5 В) :>1 (5 В) :>1 (5 В) :>1.3(5В) :>1,3 (5 В) :>1.3(5В) :>1 (5 В) :>1 (5 В) :>1,2 (5 В) :>1 (3,2 В) :>1 (3,2 В) :>1 (3,2 В) - - - - - - - - r~ н.1~·· Ом1 1 1 - 1 1 - - 1 - 1 - 1 i 1 1 !- 1 - - - 1 1 1 - - - l- $5 1 $51 1 $5 $5 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $1 r,:, м Р;:х• Вт :>4,5 (1 ГГц) :>5,5 (1 ГГц) :>5,5 (1 ГГц) :>6 (800 МГц) :>8 (800 МГц) :>7 (200 МГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :>5,5 (2,25 ГГц) :>3,5 (180 МГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :>4 (1 ГГц) :>5,5 (2,83 ГГц) - - - - - - - - : ! 1 1 1 1 t", пс t"pat• t::к.1 • (.:.нс $10 $10 :>10 $3 $5.5 $6 $10 $20 :>15 $10 $10 :>15 - - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 69 Корпус i i ПЗ41 11 ~tft 1' 1 ..,,. ... .. ~ 6 - ~ к ~ ПЗ46 11 11 ~ ~5,8 ji ПЗ62 .... ~-~; ~-173 ..,,. ..... ~ 6 - ~ к i ПЗ76 i ~fi ф ~ Корп. К6 1. ПЗ83 ~~~SP П402 -п.1 ! к Р. ~ ..,, ... .... П403 ~10 -12 §~
70 Тип прибора П404А П404Б IП404В .IП404r 11П404Д П404Е IП404Ж П404И 1 11 П405А П405Б П405В П405Г П406А ПС609А ПС609Б ПС609В П612А-4 П701А П70ЗА П70ЗБ П70ЗВ П70ЗГ П70ЗД П705А П705Б П705В П705Г П705Д 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Структу- ра n-p-n n-p -n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p -n n-p-n p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n-p p-n -p p-n -p n-p -n p-n -p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n -p n-p -n n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n 1 1 1 1 1 1 . PK1nax' Р~.тmах• р~~ н max• мВт 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 500 (43°С) 500 (43°С) 500 (43°С) 570 50* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт i 1 ~р• f,;210• ~:;1э• ~::х• МГц ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* 0,006** ~60 ~60 ~60 ~1500 ~О.05* ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~0.010•• ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~О.010 1 1 ! 1 UКБО nроб• U~ЭR n1юб• u;эо nvoб' в 25* (0.2к) 25* (О,2к) 40* (0,2к) 40* (О,2к) 25* (0.2к) 25* (О.2к) 40* (О,2к) 40* (0,2к) 25* (О,2к) 25* (0,2к) 40* (О,2к) 40* (О,2к) 25 50 50 50 12 55* (140 имп.) 20 (О,05к) 20 (О,05к) 30 (О,05к) 30 (О,05к) 40 (О,05к) 20* 20* 20* 20* 20* 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UЭБО nроб• в 20 2,5 2,5 2,5 0.2 15 10 10 10 10 10 10 10 30 10 10 ' ' 1 1 1 1 IKmax 1;, И 11\аХ 1 мА 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 1250 700* 700* 700* 120 (200*) 12А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А i ! 1 1 1 ! 1 i 1 1 i1 1 1 1 •кw• ·~ЭR• 1;эо, мкА $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $50 (25 В) $40 (30 В) $40 (30 В) $40 (30 В) $5 (12 В) $6 мА $500 $500 $500 $500 $500 $500 $3.5 мА $3.5 мА $500 $500 ,, '! 1 ~~ li 1 ~ i
Биполярные германиевые транзисторы 71 11 '1 'tк, ПС с,, rкэ нм·' Кw,дБ h"" ь;,э С~2·"' r~ш•с' r~, Ом t;,.., Корпус пФ Ом Р;:х' Вт t::кл, t:·:, нс 30...80 (1 В; 3 мА) - $6 - - П404 60 ... 150(1 В;3мА) - $6 - - rJ11,7 30...80 (1В; 3 мА) - $6 - - :llfф) 60... 150 (1 В; 3 мА) - $6 - - 1 !t 30...80 (1В; 3мА) - $6 - 1 - ' 60...150(1 В;3мА) i - $6 - - 30...80 (1В; 3 мА) 1 - $6 - - 1 1 60...150(1 В;3мА) i - $6 - - 1 30...80 (1 В; 3 мА) - - - - П405 60 ... 150(1 В;3мА) - - - - 7.5 30...80 (1В; 3 мА) - - - - rm fffl 60 ... 150(1 В;3мА) - - - - 50...150 (5 В; 0,1 А) - - - - ~ ~ 3к ! 1 30...200 (3 В; 0.5 А) 1 :->50(108) 1 $3,2 - :->700* ПС609 50...160 (3 В; 0.5 А) 1 :->50 (10 В) $3,2 1 :->700* 1 1 - 11/ ~ 80...420 (3 В; 0.5 А) :->50 (10 В) $3,2 - $700* 1 1 1 1 ~ W/t,μ 1 11~ ~~~~IL ~ /V .lm !.r ..... т1 15,3 --ll_k-10 - :->3,5 (5 В) - ~0.2** Вт (2 ГГц) $7 П612 ~ 1 tq. "' ... 10*(2В;6А) - - - - П701 :32 -~~~ 1 ~•~ 1 1 Р. i 1 30...70* (1В; 50 мА) - $0,2 - 1 - П703 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,2 - 1 - 30...70* (1 В; 50 мА) - $0,2 - - ~~i 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,2 - - 20...45* (1 В; 50 мА) - $0,2 - 1 - ~ @)@ ~ к 30...70* (1 В; 50 мА) - :->0,6 - - П705 ~ 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,6 - - 30...70* (1В; 50 мА) - $0,6 - - ~i 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,6 - - :; з6 90...250* (1В; 50 мА) - $0,6 - - . 5:» @)о ~ ... ,. к
72 Тип прибора П804А П804Б П8048 П806А П806Б П806В П806Г П806Д П810А П905А П905Б ~П906А 1 П906АМ 1 1 1 1 МП108А МП108Б МП1088 МП108Г МП108Д 'lмпgл lмшо МШОА МШОБ МП11 МП11А мшз !.МШЗБ !i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! ! 1 1 1 !1 i 1 1 i 1 ; Структу-J 1 ра: i 1 p-n -p 1 p-n -p p-n-p ! p-n-p p-n -p 1 p-n-p p-n-p 1 p-n -p 1 1 1 p-n -p p-n -p ! p-n -p p-n -p 1 1 p-n -p 1 1 1 1 1 1 p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p 1 1 ! n-p-n 1 1 n-p -n ! n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n p-n -p 1 p-n-p ; Раздел 2. Биполярные транзисторы PKmaA' Р~.тmах' р~~ и max' в мт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 30* Вт 30* Вт 30* Вт 30* Вт 30* Вт 15* Вт 6Вт 6Вт 15* Вт: 300** Вт 15* Вт; 300** Вт 75 75 75 75 75 150 150 150 150 150 150 150 150 1 мгц :?:10 :?:10 :?:10 :?:10* :?:10* 1 :?:10* :?:10* :?:10* i :?:15 :?:60 :?:60 :?:30 1 :?:30 :?:0.5* :?:1 * :?:1 * :?:1 * :?:1 * 1 1 :?:1 * :?:1 * :?:1 * :?:1 * :?:2* :?:2* :?:0,5* :?:1 * ' 1 1 1 1 1 1 1 UКБО nроб' U~ЭR nроб' U~Onpoб• в 100** 140** 190** 75 100 120 50 140 200 75 60 75 75 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 15 15 30 30 15 15 15 15 1 i- 1 - - 1,5 1 1,5 1,5 1,5 1,5 1 1,4 1 0,4 1 0.4 1,4 1.4 1 1 1 1 5 5 5 5 5 1 1 1 1 ! 15 15 30 1 30 15 15 15 15 1 i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 ! 1 ; ' }к max Iк. и m.ix' мА 10А 10А 10А 15А 15А 15А 15А 15А 10А 3А(7*А) 3А(7*А) 6А 6А 50 50 50 50 50 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 1 i ! 1 1 1 11 1 ' 1 ' 1 i ' :1 1 ' ! ' ! ' 1 1 1 1 ' lкьо• l~эR• 1" кэо• мкА - - - - - - - - :S;20 мА :S;20 мА :S;20 мА :S;8 мА (75 В) :S;8 мА (75 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) 30* (30 В) 30* (30 В) 30* (30 В) 50* (30 В) 30* (30 В) 30* (30 В) :S;30 (15 В) :S;30 (15 В) '1 1 1 ~:1 !1 !I,, 1: :! ~ ' :1 1, ,. ";! ~ ' 1 :1 li 1[
Биполярные германиевые транзисторы 20... 150* (10 В; 5 А) 20...150* (10 В; 5 А) 20...150* (10 В; 5 А) 10... 100* (10 AJ 10... 100* (10 А) 10... 100* (10 А) 11 i0... 100* ( 10 А) 1 10... 100* (!О А) 15*;(10В;5А) 1 ii 1• 35...100* (70 В; 3 А) ·'ь,, 35...100* (70В: 3А) 1' 1· .1 30...150* (10 В; 5 А) 1 30...150* (10 В; 5 А) ~~ t li 25...50 (6 В; 1мА) 35...80 (5 В; 1мА) 60... 130 (5 В; 1 мА) 110...250 (5 В; 1 мА) 30...120 (5 В; 1мА) 15...45 (5 В; 1 мА) 15...30 (5 В: 1мА) 15...30 (5 В; 1мА) 25...50 (5 В: 1мА) 25...55 (5 В; 1 мА) 45... 100 (5 В; 1 мА) ~12(5В; 1мА) 20...60 (5 В: 1 мА) с" с~2"'пФ - - - i1 1 $200 (30 В) 1 $200 (30 В) - 1 - 1 1 1 1 $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $50 (5 В) $50 (5 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 fКЭ Hat·I f~Э Hat•I Ом $0,04 $0,04 $0,04 $0,04 $0,04 $0,07 $0,17 - - 1 1 1 1 1 1 Kw, дБ r;, Ом Р;:х' Вт - i - 1 1 1 - - 1 - 1 - - 1 1 1 1 $6 (1кГц) $10(1 кГц) $10 (1кГц) $10(1 кГц) $10 (1кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $150* $12 (1 кГц) $1000 $1000 $1000 - - 5*мкс $300; 4*мкс $300; 4*мкс $5000* $5000* $5000 $5000 $5000 $5000 $5000 !1 1 1 1 1 1 'i 1 1 1 1 73 Корпус ГТ804 ГТ806 1 "" ' $:::!" з ... 6 ~ о о ГТ810, ГТ905 -щ·tJ 1. 11 1: ок 1: ~ li ~ з ..... ГТ906 i~б 1 ГТ906АМ ~ ~ б10 il б о ок МГТ108 :No·~· МП9, МШО, MПll, МШ3 :No{~}'
74 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Рк max' ~•• \210 • UКБО проб• lкmax •кw• Тип Структу- Р~. тmax' ~;1~' U~ЭR проб• UЭБО проб• 1:,и maxt J~R• прибора ра р;. и maxt с;х, U":ЭО проб• в ••• мА КЭО• мВт Мfц в мкА МП14 р-п-р 150 ~1* 15 15 20 (150*) S30 (15 В) МП14А р-п-р 150 ~1* 30 30 20 (150*) S30 (30 В) МП145 р-п-р 150 ~1* 30 30 20 (150*) s50 (30 В) МП14И р-п-р 150 ~1* 30 30 1 20 (150*) S50 (30 В) 1 1 МП15 1 р-п-р 1 150 ~2* 15 15 1 20 (150*) i s30 (15 В) 1 IМП15А i р-п-р 1 150 ~2* 15 15 20 (150*) 1 S30 (15 В) МП15И 1 р-п-р 1 150 - 15 15 20 (150*) 1 - 1 1 1 МПI& р-п-р 200 ~1* 15 15 50 (300*) s25 (15 В) МПl&А р-п-р 200 ~1* 15 15 50 (300*) s25 (15 В) МПl&Б р-п-р 200 ~2* 15 15 50 (300*) s25 (15 В) МПl&Яl р-п-р 150 - 15* (100) 15 - 300* s50* (15 В) МП16Я11 р-п-р 150 - 15* (100) 15 300* S50* (15 В) МП20А i р-п-р 150 ~2* 1 30 30 300* i S50(30В) i МП205 1 р-п-р 150 ~1.5* 30 30 300* J, S50 (30 8) ! 1 МП21В i р-п-р 150 ~1.5* 40 40 300* S50 (40 В) мп21r р-п-р 150 ~1* 60 40 300* S50 (60 В) МП21Д р-п-р 1 150 ~/* 60 40 300* s50 (50 В) МП21Е р-п-р 150 ~0.7* 70 40 300* s50 (50 В) МП25 р-п-р 200 ~.2* 40 40 300* S75 (40 В) МП25А р-п-р 200 ~0.2* 40 40 400* S75 (40 В) МП25Б р-п-р 200 ~0.5* 40 40 400* s75 (40 В) МП26 р-п-р 200 ~0.2* 70 70 300* s75 (70 В) МП26А р-п-р 200 ~.2* 70 70 400* S75 (70 В) МП265 р-п-р 200 ~О.5* 70 70 400* s75 (70 В) 1 ! 1 1 1 1 МПЗ5 1 п-р-п 1 150 ~0.5* 1 15 - 20 (150*) 1 s30 (5 В) 1 МПЗ&А п-р-п 150 ~1* 15 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ7А п-р-п 150 ~1* 30 - 20 (150*) 1 s30 (5 В) МПЗ75 п-р-п 150 ~1* 30 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ8 п-р-п 150 ~2* 15 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ8А п-р-п 150 ~2* 15 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ9 р-п-р 150 ~.5* 15* (IОк) 5 20 (150*) sl5 (5 В) МПЗ9Б р-п-р 150 ~.5* 15* (IОк) 5 1 20(150*) Sl5 (5 В) ' 1 1 q 1 1 1 1 1 ; 1 1 ~ ! 1 1 d 1 1 1 ! 1 1 МП40 i р-п-р 150 ~1* 15* (IОк) 1 5 1 20 (150*) 1 Sl5 (5 В) 1 МП40А 1 р-п-р 150 ~1* 30* ( IОк) 5 20 (150*) sl5 (5 В) 1 1 1 1 ~
Биполярные германиевые транзисторы 75 ~ i tк, ПС i li ~ с" fкэ на.:' Кш, дБ 11 ~ t~>at·• 1 h:!IJ' ь;IЭ с;2~· С~Э11а.:' r~· Ом Корпус 1 1 пФ Ом Р;:" Вт t::кл• t~·:' нс 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150* - МП14, МП15 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150• - 30...60 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150• - ~11.7 20...80 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) :!>20 :!>150* - .., , к 30...60 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) з - :!>150* - 50... 100 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150* - ~ ~ ' : ' 1 20...35 (1 8: 10 мА) 1 - :!>15 - :!>2000* МП16, МП20 30...50 (1 8; 10 мА) - :!>15 - :!>1500* 45... 100 (1 8; 1 мА) - :!>15 - :!>1000* :No·• 20... 70 (10 8; 100 мА) - :!>6,6 - - 10... 70 (10 8; 100 мА) - :!>6,6 - - 50... 150 (5 В; 25 мА) - :!>I - - 80...200 (5 8; 25 мА) - :!>I - - 1 20... 100 (5 8; 25 мА) - :!>I - 1 - МП21, МП25 20...80 (5 8; 25 мА) 1 :!>I 1 j - - 1 - 1 60...200 (5 8; 25 мА) 1 - 1 :!>I - 1 - 1 :fi·Ф· в ' 11 30...150(58:25мА) 1 - :!>I - 1 - ~ i 1 1 1 1 13...25 (20 8; 2,5 мА) :!>20 (20 8) 1 :!>2,2 1 - :!>1500*** 1 20...50 (20 8; 2,5 мА) :!>20 (20 8) :!>2 - :!>1500*** 30...80 (20 8: 2,5 мА) :!>20 (20 8) :!>1,8 - :!>1500*** 13...25 (35 8; 1,5 мА) :!>15(358) :!>2,2 - :!>1500*** МП26, МП35 20...50 (35 8; 1,5 мА) :!>15 (35 8) :!>2,2 - :!>1500*** 30...80 (35 8; 1,5 мА) :!>15(358) :!>l,8 - :!>1500*** :No·Ф· 13 ... 125(58: 1 мА) i - - :!>220* - 1 ' ' 1 J 1 13...45 (~ )3; 1 мА) - - :!>10 (1 кГц) - МП36, МП37 :ti·Ф· 15...30 (5 8; 1 мА) - - :!>220* - 25...50 (5 8; 1 мА) - - :!>220* - 1 1 1 ~ 25...55 (5 8: 1 мА) 1 - - :!>220* - МП38, МП39, МП40 1 ~ 45...100(58: 1мА) 1 - - :!>220* 1 - 1 1 i 1 1 1 ~12(58;1мА) :!>50 (5 8) - - - :fi·Ф· 20...60 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>12 (1 кГц) - 1 1 1 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - - - i 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - - ' - 1 1 i 1 1 ~ 1 i ~ 1 i 1 1
76 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип Структу- прибора ра !мп41 р-п-р !МП41А p-n-p ! 1 МП42 МП42А МП42Б П201Э П201АЭ П202Э П20ЗЭ П207 П207А П208 П208А П209 П209А П210 П210А П210Б П210В П21ОШ П213 П21ЗА П21ЗБ П214 П214А П214Б П214В П214Г П215 П216 П216А П216Б П216В П216Г ~П216Д П217 П217А П217Б П217В П217Г ! р-п-р p-n-p p-n-p 1 р-п-р 1 p-n-p ! p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p р-п-р р-п-р p-n-p p-n-p р-п-р p-n-p p-n-p p-n-p р-п-р p-n-p p-n-p р-п-р p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 1 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 1 1 1 1 1 ! 1 ! i 1 1 11 1 Ркmах' ~pt ~:216' Р~. тmaxt ~;1~' р~~ и maxt ~:;:х, мВт МГц 150 ~1* 150 ~1* 1 200 ~2* 200 ~1.5* 200 ~1* 10* Вт ~0.1* 10* Вт 1 ~0.2* ! 10* Вт ~0.1* 10* Вт ~0.2* 100* Вт 100* Вт 100* Вт 100* Вт 60* Вт 1 ~0.1** 60* Вт 1 ~0.1 ** 1 60* Вт ~.1** 60* Вт ~О.Р'* 45* Вт ~.1** 45* Вт ~0.1** 60* Вт ~0.1** 11,5* Вт 1 ~0.2* 1 10* Вт ~.2* 1 10* Вт 1 ~.2* 1 1 1 1 10* Вт 1 ~.2* ! 10* Вт 1 ~0.2* 1 11,5* Вт ~0.2* 10* Вт ~0.2* 10* Вт ~0.2* 10* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 24* Вт ~0.2* 24* Вт ~О.2* 24* Вт ~0.2* 24* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 1 30* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 24 Вт ~0.2* 24 Вт ~0.2* UКБО проб• •кmа11. JКБО• U~ЭR nроб' UЭБО проб• 1;, И ЛW),t ·~· u~проб• в ·~· в мА мкА 15* (IОк) 5 20 (150*) :Sl5 (5 BJ 15* (IОк) 5 20 (150*) $15 (5 В1 1 ! 1 15* (3к) - 150* - 15* (3к) - 150* - 15* (3к) - 150* - 1 1 45 1 - 1.5 А ! :S0.4 мА ~ 45 1 - ! 1,5А i :S0,4 мА ; ~ ! 1 1 ~ ! 1 i ~ ! ! 70 2А :S0.4 мА 70 2А :S0,4 мА 40** 25А :516 мА 40** 25А sl6 мА 60** 25А s25 мА 60** 25А :S25 мА 40** 1 25 1 12А 1 :S8 мА 1 1 40** 1 25 12А 1 s8 мА 1 ' 1 1 60** 25 12А sl2 мА 65** 25 12А s8мА(45В) 65 25 12А :515 мА 45 25 12А :Sl5 мА 64* 25 12А $8мА(65В) 45 15 1 5А 1 s0.15 мА 45 1 10 5А :SI мА 1 45 10 i 5А 1 :SI мА 1 1 1 1 ! 60 1 15 1 5А i s0.3 мА 60 15 1 5А 1 s0,3 мА 60 15 1 5А :S0,15 мА 60 10 5А sl,5 мА 60 10 5А sl,5 мА 80 15 5А :S0,3 мА 40 15 7,5 А s0.5 мА 40 15 7.5 А i :S0.5 мА 35 15 7.5 А 1 :Sl.5 мА 35 15 7,5 А :52 мА ~ 50 15 7,5 А s2.5 мА 1 50 15 7,5 А :52 мА 60 15 7,5 А :S0.5 мА 60 15 7,5 А s0.5 мА 60 15 7,5 А :S0,5 мА 60 15 7,5 А s3 мА 60 15 7,5 А :S3 мА ;1
Биполярные германиевые транзисторы п 1 ~ h:!l:1' ь;IЭ 30...60 (5 В; 1 мА) 50... 100 (5 В; 1 мА) 20...35* (1В: 10 мА) 30...50* (1В: 10 мА) 458 ... 100* (1 В: 1О мА) ~20• (10 В: 0.2 А) ~40• (10 В: 0,2 А) ~20* (IO В: 0,2 А) 5... 15 5.. .12 ~15 ~15 ~15 ~15 ~15*(2В;5А) ~15*(2В:5А) ~10*(2В:5А) ~10*(2В:5А) ~15•(2В:5А) 20...50• (5 в: 1А) ~20* (5 В; 0.2 А) ~40• (5 В: 0,2 А) 20" .60* (5 В; 0,2 А) 50... 150* (5 В; 0.2 А) 20... 150* (5 В; 0,2 А) ~20* (5 В; 0,2 А) 20."150• (5 В: 0.2 А) ~16 (0.75 В: 4 А) 20...80 (0.75 В: 4 А) ~10(3В:2А) ~30(3В:2А) ~5(3В:2А) 15."30 (3 В: 2 А) ~16 (0,75 В; 4 А) 20."60 (5 В; 1 А) ~20(5В: 1А) ~15*(1 Bj,4A) 15."40 (3 В: 2 А) i с,, 1 1 c;2:t• пФ 1 :!>50 (5 В) :!>50 (5 В) 1 - - - ' ' 1 1 rкэ иас' r~н;к:• Ом - - :!>20 :!>20 :!>20 :!>l,25 :!>l,25 :!>l,25 :!>l,25 :!>О,16 :!>l.25 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,2 1 :!>0,2 1 :!>О.25 1 :!>О,25 1 1 :!>О,25 :!>0,5 :!>0,5 :!>0,5 :!>О,25 :!>0,5 i 1 1 Кш, дБ t,, пс t:Ja("' r~, Ом Р;:х• Вт t::i.л. t~·:. нс - - - - 1 - :!>2000*** - :!>1500*** - :!>1000*** 1 1 Корпус МП41, МП42 :No·Ф· 1 1 П201, П202 П207, П208 П209, П210 П213, П214 П215, П216 2J ~ :tl~ciw 77 !,. 11 1' .:
78 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 pKmaxt ~•• \210• Uкво проо' JКБО• lк max Тип Структу- Р~. т maxt ~;1~· U~ЭR проб• UЭБО npo6• 1~.и maxt ·~ЭR• прибора р~~ и maxt с· U~эо npoo• в ·~· ра '" мА мВт МГц в мкА П27 р-п-р 30 ~1* 5* (0,5к) - 6 53(5В) П27А р-п-р 30 ~1* 5* (О,5к) - 6 53(5В) 1 ' 1 1 1 1 1 1 ~ ' 1 1 1 1 1 i 1 1 1 ' 1 1 i ~ 1 ! 1 ! 1 1 ! i 1 1 ! П28 р-п-р 30 ~5* 5* (О,5к) - 6 53(5В) 1 П29 i р-п-р 1 30 1 ~5* 1 10* 1 12 100* 1 54 (12 В) ~ 1 П29А 1 р-п-р ! 30 ~5* 1 10* 1 12 100* 1 54 (12 В) ~ ! ' ! 1 ' 1 1 пзо р-п-р 30 ~10* 12* 12 100* 54 (12 В) 1 1 1 ~ 1 1 ;! 1 1 i: 1 1 i 1 1 •1 ! 1 1 1 1 i ' 1 1 1 П401 р-п-р 100 ~30 10 1 20 510 (5 В) П402 р-п-р 100 ~50 10 1 20 55(5В) 1 1 ! 1 ' 1 ! П403 р-п-р 100 ~100 10 1 1 20 55(5В) П40ЗА р-п-р 100 ~80 10 1 20 i 55(5В) • 1 1 1 ! П416 р-п-р 100 (360*) ~40 12 3 25(120*) 53(108) П416А р-п-р 100 (360*) ~60 12 3 25 (120*) 53 (10 В) П416Б р-п-р 100 (360*) ~80 12 3 25 (120*) 53 (10 В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1
Биполярные гер . маниевыетр анзисторы 00(5В;0.5мА) 20... 1 В·О5мА) 20".170 (5 ' ' 00(5в.о5мА) 20."2 ' ' О(05В;20мА) 20" .5 . 5в·20мА) 40".100 (О, ' (о5в·20мА) 80".180 ' . 300(5В;5мА) I~.. 5А) 250(5В; м 16" . 100(5В;5мА) 30. " 5А) 200(5В; м 16" . 80(5В:5мА) 20." 5А) 60 120(5В; м ...250(5В;5мА) 90". j<20(6В) 1~20(6В) ::;20 (6 В) <15 (5 В) ~10 (5 В) <10 (5 В) ~10 (5 В) 1 <8(5В) ~8(5В) I ~8(5В) 1 1 f"КЭ Hilt ' 1 f БЭ на..:• Ом 10 10 10 :S40 ::;40 :S40 Кш, дБ . Ом r,,• р" Вт вых' <10 (1кГц) -::;5 (1кГц) ::;5 ( 1 кГц) '··пс t:)a~t t:~~· Корпус t~·;, н~с--jг-- ::;6000 :S6000 6000 :S3500 ::;JOOO ::;500 ::;500 П27 П28 ~Ш.д±\\, ~rщ W, П29 ~Ш.~&\, ~oww пзо П401, П402 П403 <500; :SIOOO * ~500; :SIOOO ~500: :SIOOO* &~1ф. 1 0416 *1 79
80 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Структу- Ркmах' ~.. \".. UКБО проб' 1 •кmах •кво• Тип P~.тmaxt \;1~' U~ЭR проб• UЭБО проб• 1 1;.и max• ·~ЭR• прибора ' ра р~~ и maxt ~~·;xt u~проб• в ••• 1 1 мА КЭО• ' 1 мВт МГц в мкА ~ П417 1 p-n-p 50 ~200 8 1 0,7 1 10 53(10В) -~ 'П417А 1 p-n -p 50 ~200 8 0,7 1 10 53 (10 В) П417Б i p-n-p 50 ~200 8 0,7 10 53(10В) ! i i 1 1 1 П422 p-n-p 100 ~50 10* (!к) - 20 55(5В) П423 p-n-p 100 ~100 10* (!к) - 20 55(5В) 1 il . 1 f, i П605 p-n -p 3Вт - 45 1 1500 52000 (45 В) П605А p-n -p 3Вт - 45 0,5 1500 52000 (45 В) 1 ; П606 1 p-n-p 1,25 Вт ~30 35 1 1500 i 52000(35В) ! ! П606А 1 p-n-p 1,25 Вт ~30 35 0,5 1500 i 52000 (35 В) 1 1 i 1 1 1 1 П607 p-n -p 1,5 Вт ~60 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) П607А p-n -p 1,5 Вт ~60 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) 1 ~ 1 1. П608 p-n-p 1,5 Вт ~90 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) П608А p-n-p 1,5 Вт ~90 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) ~ 1 • ! ! 1 i П609 1 p-n -p 1,5 Вт ~120 30 1,5 300 (600*) 1 5300 (30 В) ' П609А p-n -p 1,5 Вт ~120 30 1,5 300 (600*) 1 5300 (30 В) ! 1 !
60(3В:0,5А) 20... 5А) 40... 120 (3 В; <130 (20 В) ~130 (20 В) ---, <50 (10 В) 20 80*(3В:0.25А) ~50(10 В) ··· ОО(3В;0,25 А) 60...2 в.О25А) 40...120(3 , ,5А) 80...240 (3 В; 0,2 в.О25А) 40...120(3 • · А) 80 ... 240 (3 В; 0,25 6зак9 <50 (10 В) ~80 (10 В) S40 S40 slO slO <3000* ~4000* <3000* ~3000* <3000* ~3000* <3000* ~3000* П422, П423 П605 115,5 lt.6 .. .. оо Of ~о " а 8 П606 • 115,5 lt.6 .... оо Of ~о " а 8 П607 П608 115,5 lt.6 .... оо Of ~о " а 8 П609 1115,5 lt.6 .... •о Of ~•О " а .
82 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2. 7. Биполярные кремниевые транзисторы 1 ~•• ~216• Ркmах' Uкоо max• 'JKmax Iкоо, Тип Струк- Р;, тmaxf \;1э• U~Rmax' UЭБО max• 1;, и maxt ·~· прибора р~: М max• с· u~PlOlx' в ·~· тура ... мА мВт Мfц в мкА КТ104А р-п-р 150 (60"С) :?:5* 30** 10 50 Sl (30 В) КТ104Б р-п-р 150 (60"С) :?:5* 15** 10 50 sl (15 В) КТ1048 р-п-р 150 (60"С) :?:5* 15** 10 50 SI (15 В) КТ104f P'!l-P 150 (60"С) :?:5* 30** 10 50 1 Sl (30 В) 1 1 КТ117А п-база 300 0,2*** 30 30 50 (1* А) Sl (30 В) КТ117Б п-база 1 300 0,2*** 30 30 50(1*А) Sl (30 В) КТ1178 п-баЗа 300 0,2*** 1 30 30 50(1*А) 1 Sl (30 В) KT117f п-база 300 0,2*** 30 30 50(1*А) Sl (30 В) КТ118А р-п-р 100 (IOO"C) - 15 31 50 SO,l (15 В) КТ118Б р-п-р 100 (IOO"C) - 15 31 50 SO,I (15 В) КТ1188 1 р-п-р 100 (lOO"C) - 15 31 50 SO,I (15 В) 1 1 1 ! i 1 КТ119А i п-база 1 25 0,2*** 20 20 10 (50*) - КТ119Б п-база 25 0,2*** 20 20 10 (50*) - 1 1 • 1 1 ! КТ120А ! р-п-р 10 :?:1 60 10 i 10 (20*) s0.5 (60 В) 1 КТ120Б 1 р-п-р 10 :?:1 30 10 10 (20*) 1 S0,5 (30 В) 1 КТ1208 р-п-р 10 :?:! 60 10 10 (20*) S0,5 (60 В) КТ120А-1 p-n -p 10 - 60 10 10 S0,5 (60 В) КТ120В-1 р-п-р 10 - 60 10 10 - i 1 ' 1 1 ! 1 1 1 КТ120А-5 р-п-р 10 - 60 10 10 - КТ120В-5 р-п-р 20 - 60 10 10 - КТ127А-1 п-р-п 15 (бО"С) :?:0,1** 25 3 50 Sl (25 В) КТ127Б-1 п-р-п 15 (60"С) :?:0,1 ** 25 3 50 Sl (25 В) КТ127В-1 п-р-в 15 (60"С) :?:0,1** 45 3 50 Sl (25 В) КТ127f-1 · 1 . n-р-п 15 (бО"С) :?:0,1 ** 45 3 50 1 Sl (25 ВJ 1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 транзисторы Биполярные кремниевые rКЭиасt Ом ck, r~м.ас' Ом ь.,•. ь;,э с;2з' к;.·,.. дБ пФ <50 9...36 (5 В: 1 мА) 1 $50 (5 В) $50 (5 В) $50 20...80 (5 В; 1 мА) $50 (5 В) $50 40... 160 (5 В; 1 мА) 15...60 (5 В; 1 мА) 1 $50 (5 В) $50 1 i г О,5... 0 ,7 (U5152=10 В) ! 0.65 ...0,9 (Uы52=10 В) 1 1 - - 1 - О.5 ... 0 .7 (Uы52=1О В) - 1 - 1 О,65... 0 .9 (U5152=10 В) - 1 ~ ~ ! 1 1 100 - 1 100 1 - 120 - 1 1 - - 1 i 1 1 ' О.5... 0 .65 (U52ы=lO В) 1 i ! - 0.6 . .. 0 ,75 (U5251=!0 В) - ' 1 ~ ! ~ 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 20...200(5В:1мА) 1 $5(5В) <50 20...200(5В; 1мА) 1 $5(5В) - 20...200(5В;1мА) 1 $5(5В) $110 1 i $5(5В) <50 1 20...200 (5 В: 1мА) 1 $110 1 $5(5В) 20...200 (5 В; 1 мА) 1 1 20...200 (5 В; 1 мА) $5(5В) <50 20...200 (5 В; 1 мА) $5(5В) $110 1 1 1 1 1 15...60 (5 В: 1мА) $5(5В) <170 40...200 (5 В; 1мА) $5(5В) $170 15...60 (5 В; 1 мА) $5(5В) $170 40... 200 (5 В; 1 мА) $5(5В) $170 б' Кw,дБ r;, Ом р" Вт вых• <120* $120* $120* $120* - - - - - 1 1 1 - - - - - - 83 '[кt ПС t' нс ",. Корпус t" нс выК11• КТ104 ti - ~ офк - ~ 3 КТ117 rEi 51 - 1'о) з - ~$2 1 КТ118 1 <500** 1 1 <500** !IS,fJll $500** ~fj ~- 1 ! 1 62 61 ~• 32 1 1 1 i КТ119 ~~ ~ 1f\\ 1 1 61623 1 1 КТ120 ~~~ 1 - 1 51 Ьо\' - \ КТ120-1 1 ~rn 11\ 6кз 1 КТ120-5 ~В:У 1 КТ127-1 ~~if - - 11 1 35К
84 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~•• \210• UKБOmax• 1 •к~, lкво, Тип Струк- Р;,тmах' ~;lэ• U~Rma).t UЭБО maxt 1 1;.и max• l~Rt р;~ и max• с· u~rnax• в 1·· прибора тура "' кэо• мВт мrц в 1 мА мкА КТ132А однопер. 300 - - 35 2*А 12 IКТ132Б 1 300 - - 35 2*А 0,2 ~ 1 t ! i ' i 1 1 1 1 1 i 1 ! 1 ! 1 КТIЗЗА однопер. 300 - - 35 1,5* А 1 КТIЗЗБ 300 - - 35 1,5* А 1 ! 1 1 ! " ! 1 R 1 1 ! ! 1 1 1 1 ·' 1 ! ! ~ 1 ,. 1 1 1 ' ~КТ201А n-p-n 150 (90°С) i ~10 1 20 20 i 20 (100*) 1 :s;I (20 В) 1 1 iкnotБ n-p-n 150 1 ~10 1 20 20 1 20 (100*) :s;l (20 В) ~КТ201В n-p-n 150 ~10 1 10 10 1 20 (100*) 1 :s;I (20 В) 1· кт201r n-p-n 150 ~10 1 10 10 20 (100*) 1 :s;l (20 В) КТ201Д n-p-n 150 ~10 10 1 10 20 (100*) :s;l (20 В) 1 КТ201АМ 1 n-p -n 150 ~10 20 20 20 (100*) :s;l (20 В) КТ201БМ ' n-p -n 150 ~10 20 20 20 (100*) :s;l (20 В) КТ201ВМ ! n-p-n 150 ~10 1 10 1 10 20 (100*) 1 :s;I (20 В) ~кт201rм 1 1 150 ~10 10 10 20 (100*) 1 $1 (20 В) n-p-n 1 !КТ20ЩМ 1 n-p -n 150 ~10 1 10 1 10 1 20 (100*) 1 :s;I (20 В) 1 1 ! 1 1 ! 1 1 i 1 1 ! ' i 1 1 1 1 i 1 КТ202А-1 1 p-n-p 15 (55°С) ~5 15 10 10 (25*) $1 (15 В) КТ202Б-1 p-n-p 15 (55°С) ~5 15 10 10 (25*) :s;I (15 В) КТ202В-1 p-n -p 15 (55°С) ~5 30 10 10 (25*) :s;l (30 В) кт202r-1 p-n -p 15 (55°С) ~5 30 10 10 (25*) :s;l (30 В) . КТ202Д-1 15 (55°С) ~5 15 10 10 (25*) 1 :s;l (15 BJ r p-n -p ' i 1 ~ 1 i i 1 ;i ! 1 ' ! 1 ! ~ 1 ! ' R 1 iKT203A p-n -p 150 (75°С) ~5* 60 30 10 (50*) :s;I (60 В) КТ203Б p-n -p 150 (75°С) ~5* 30 15 10 (50*) :s;I (30 В) КТ203В p-n -p 150 (75°С) ~5* 15 10 10 (50*) :s;l (15 В) 1 1 i 1 1 1 i ; 1 i ; !КТ203АМ p-n -p 1 150 (75°С) ~5* 60 30 10 (50*) i :s;I (60 В) 1 1 1кт20ЗБМ p-n-p 1 150 (75°С) ~5* 30 15 10 (50*) i :s;l (30 В) КТ203ВМ p-n-p 1 150 (75°С) ~5* 15 10 10 (50*) :s;l (15 В) ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1
i i ' i. Биполярные кремниевые транзисторы 0,56 ...0,75 0,68 ...0,82 0,56 ...0.75 0,7 ...0,85 20...60 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В: 5 мА) 30...90 (1 В: 5 мА) 70...210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 20...60 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 70.•.210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 15...70 (5 В; 1мА) 40...160 (5 В; 1 мА) 15...70 (5 В; 1мА) 40...160 (5 В; 1 мА) 100...300 (5 В; 1 мА) <::9(5В;1мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) <::9(5В; 1мА) · 30... 150 (5 В; i мА) 30...200 (5 В; 1 мА) ! 1 ! :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) 1 :<>20 (5 В) 1 :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>25 (5 В) 1 :<>25 (5 В) :<>25 (5 В) :<>25 (5 В) :<>25 (5 В) :<>10 (5 В) 1 :<>10 (5 В) 1 :<>10 (5 В) 1 :<>10 (5 В) :<>10 (5 В) :<>10 (5 В) i ! fкэна1..·• Ом r~Энаt.·• Ом к;.:.. дБ 3,5 3,5 2,5 2,5 :<>50 :<>25 :<>50 :<>25 Kw, дБ ,~,Ом Р;:х' Вт :<>15(1 кГц) :<>15 (1 кГц) :<>300* :<>300* :<>300* :<>300* :<>300* :<>300* т•• пс 1 1 ~;,.,.нс tвым• НС :<>1000* :<>1000* :<>1000* :<>1000* :<>1000* 85 Корпус КТ132 КТ133 КТ201 КТ201-М КТ202-1 ~~ /1\ ~tj 6кэ КТ203 КТ203М
86 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• ~216• UКБО maxt Iк,,,., lкw• Тип Струк- P;.тmaxt ~;lэ' U~Rmaxt UЭБOmaxt 1;.и maxt l~R' р;:иmах• с· u~maxt в 1·· прибора тура ах• кэо• мВт МГц в мА мкА КТ206А п-р-п 1 15 ~10 20* (3к) 20 20 1 Sl (20 В) 1 КТ206Б п-р-п 1 15 ~10 1- 12* (3к) 12 20 Sl (12 В) 1 ! 1 1 1 1 1 1 КТ207А р-п-р 15 ~5 60 30 10 (50*) S0,05 (60 В) КТ207Б р-п-р 15 ~5 30 15 10 (50*) S0,05 (30 В) КТ2078 р-п-р 15 ~5 15 10 10 (50*) S0,05 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ208А р-п-р 200 (6О0С) ~5 20* (10к) 1 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Б р-п-р 200 (6О0С) ~5 20 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208В р-п-р 200 (6О0С) ~5 20 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Г р-п-р 200 (60°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Д р-п-р 200 (60°С) ~5 30* ( lОк) 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Е р-п-р 200 (6О0С) ~5 30 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Ж р-п-р 200 (60°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208И р-п-р 200 (60°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208К р-п-р 200 (60°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Л р-п-р 200 (60°С) ~5 60 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208М р-п-р 200 (6О 0С) ~5 60 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ209А р-п-р 1 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) 1 Sl* (15 В) КТ209Б i р-п-р 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) ! Sl*(15 В) КТ2098 1 р-п-р 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) Sl*(15 В) КТ20982 1 р-п-р 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) 1 Sl* (15 В) КТ209Г р-п-р 200 (35°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl* (30 В) КТ209Д р-п-р 200 (35°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl*(30 В) КТ209Е р-п-р 200 (35°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl*(30B) КТ209Ж р-п-р 200 (35°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl*(45 В) КТ209И р-п-р 200 (35°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl*(45 В) КТ209К р-п-р 200 (35°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl* (45 В) КТ209Л р-п-р 200 (35°С) ~5 60 20 300 (500*) Sl*(60 В) КТ209М р-п-р 200 (35°С) ~5 60 20 300 (500*) Sl*(60 В) 1 1 1 !,, КТ209К9 1 р-п-р 200 ~4 40 25 150 ! Sl 1 i 1 1 1 1 1 КТ210А р-п-р 25 ~10 15 10 20 (40*) SlO (15 В) КТ210Б р-п-р 25 ~10 30 10 20 (40*) SlO (30 В) КТ2108 р-п-р 25 ~10 60 10 20 (40*) slO (60 В) . 1 1 КТ211А-1 1 р-п-р 25 ~10 15 5 20 (50*) SlO (15 В) КТ211Б-1 1 р-п-р 25 ~10 15 5 20 (50*) SlO (15 В) КТ211В-1 1 р-п-р 25 ~10 15 5 20 (50*) Sl0(15B) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 1 30...90* (1 В; 5мА) 70...120* (1 В; 5 мА) ~9(5В;1мА) 30...150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 80... 240* (1 В; 30 мА) 20...60* ( 1 В; 30 мА) S20 (5 В) S20 (5 В) S10 (5 В) S10 (5 В) slO (5 В) s50(10B) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) sSO(IOB) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) 40...120* (1 В; 30 мА) 1 S50 (10 В) 1 20...60* (1 В; 30 мА) ,. 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) ~200* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...160* (1 В: 30 мА) 20...60* (1 В; 30мА) 1 40... 120* (1 В; 30 мА) 1 ~30 (0,2 В: 12 мА) 80...240 (5 В; 1 мА) 80...240 (5 В; 1 мА) 40...120 (5 В; 1 мА) 40... 120 (1 В; 40 мА) 80...240 (1 В; 40 мА) 160.. .480 (1 В; 40 мА) s50 (10 В) s50(10B) s50(10B) s50(10B) s50 (10 В) s50 (IO В) S50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50(10B) S50(10B) Sl5 S25 (5 В) S25 (5 В) S25 (5 В) s20 (5 В) S20.(5 В) S20 (5 В) rкэмк• Ом r~",. Ом к;_*,_, дБ SIOO SIOO s50 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,I Кw,дБ r~, Ом Р;:х• Вт S300* s300* s300* S4 (1 кГц) s4(1кГц) S4 (1 кГц) s5 (1 кГц) s5(1 кГц) s5 (1 кГц) s5 (1 кГц) s3 (1 кГц) s3 (1 кГц) s3 (1 кГц) Тк1 ПС ~~,. нс tвым• НС Корпус КТ206 !it 6КЗ КТ207 КТ208 КТ209 КТ209К9 s О.95 ~~х_ КТ210 ..... ~~о к ]:11,25 r:::sкoo6 fJll Кпюч КТ211-1 ~:м ''' 1_j 6кэ 87
88 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~Р' ~216' UКБО maxt lк max IКБО• Тип Струк- р' \;lэ' u· UЭБО max• •:. м max' I~ЭR• К,тmах• КЭR max' прибора тура р~~ м max• ~~·:х' u~max• в I" мА КЭО• мВт МГц в мкА ~ КТ214А-1 р-п-р 50 ~5 80** 30 50 (100*) 51 (30 В) КТ214Б-1 р-п-р 50 ~5 80** 7 50 (100*) 51 (30 В) КТ214В-1 ' р-п-р 50 ~5 60** 7 50 (\00*) 51 (30 В) i КТ214Г-1 р-п-р 1 50 ~5 40** 7 50 (100*) 51 (30 В) ~КТ214Д-1 р-п-р 50 ~5 30** 7 1 50 ( 100*) 51 (30 В) IKT214E-1 р-п-р 1 50 ~5 20** 20 1 50 (100*) 1 51 (30 В) i 1 i 1 1 1 КТ215А-1 п-р-п 50 ~5 80** 5 50 (100*) 5100* (30 В) КТ215Б-1 п-р-п 50 ~5 80** 5 50 (100*) 5100* (30 В) КТ215В-1 п-р-п 50 ~5 60** 5 50 (100*) 5100* (30 В) КТ215Г-1 п-р-п 50 ~5 40** 5 50 ( 100*) 5100* (30 В) КТ215Д-1 п-р-п 50 ~5 30** 5 1 50 (100*) 5100* (30 В) " КТ215Е-1 п-р-п 50 ~5 20** 5 1 50 (100*) 1 5100• (30 BJ ~ 1 1 1 i ., ! 1 1 1 КТ216А р-п-р 75 ~5 60 30 10 50,05 1 КТ216Б 1 р-п-р 75 ~5 30 15 10 1 50,05 1 КТ216В 1 р-п-р 75 ~5 30 10 10 51 1 1 1 1 ! 1 КТ218А-9 р-п-р 200 ~5 80 30 50 51 КТ218Б-9 р-п-р 200 ~5 80 7 50 51 КТ218В-9 р-п-р 200 ~5 60 7 50 51 КТ218Г-9 р-п-р 200 ~5 40 7 50 51 КТ218Д-9 р-п-р 200 ~5 30 7 50 51 КТ218Е-9 1 р-п-р 200 ~5 20 20 50 51 i 1 1 КТ220А9 1 п-р-п 1 200 ~250 60 5 1 100 50.1 1 1 IКТ220Б9 п-р-п 1 200 ~250 60 5 100 1 50,1 КТ220В9 1 п-р-п 200 ~250 60 1 5 100 1 50,1 1 1 1 1 КТ220Г9 1 п-р-п 200 ~250 60 1 5 1 100 1 50,1 1 1 1 i КТЗОI п-р-п 150 (6О0С) ~20 20 3 10 (20*) 1 510 КТЗОIА п-р-п 150 (6О0С) ~20 20 3 10 (20*) 1 510 КТЗОIБ п-р-п 150 (60°С) ~20 30 3 10 (20*) 1 510 ~ КТЗОIВ 1 п-р-п 150 (6О0С) ~20 30 3 10 (20*) 510 ' КТЗОIГ 1 п-р-п 150 (6О0С) ~30 30 3 10 510 (20 В) КТЗОIД i п-р-п 1 150 (60°С) ~30 30 3 10 510 (20 В) КТЗОIЕ 1 п-р-п 150 (60°С) ~30 30 3 10 510 (30 В) КТЗОIЖ п-р-п 150 (6О 0С) ~30 20 3 10 510 (20 В) КТЗО2А п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (15 В) КТЗО2Б п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (158) КТЗО2В п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (15 В) КТЗО2Г п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (15 В) ! 1 i i 1 1 1 КТЗО6А 1 1 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) 1 50.5 (15 В) 1 п-р-п 1 IКТЗО6Б 1 п-р-п i 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) 50,5 (15 В) КТЗО6В 1 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) 1 50,5 (15 В) п-р-п 1 КТЗО6Г п-р-п 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) 1 50,5 (15 В) КТЗО6Д п-р-п 150 (90°С) ~200 15 4 30 (50*) 50,5 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 89 ck, rкэиас' Ом Кw,дБ t., ПС ь.,•. ь;,э с;2э' r~нк' Ом ,~,Ом t;,_., НС Корпус пФ к;:", дБ Р;~х' Вт t::IUI, НС ~20(5В;10мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - КТ214-1, КТ215-1 30... 90 (5 В; 10 мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - 40...120 (5 В; 10 мА) 1 S:50 (!О В) s:60 ~1200* - 40 .. .120 (5 В; 10 мА) 1 s:50(10B) s:60 ~1200* - ~ 1 ~80 (1 В; 40 мкА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - ~ ~40 (1В: 40 мкА) s:50 (10 В) s:60 ~1200* - ~20(5В;10мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - 11\ 30... 90 (5 В; 10 мА) S:50 (!О В) s:60 ~1200* - 5кз 40... 120 (5 В; 10 мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - 40... 120 (5 В; 10 мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - ~80(1В;40мА) s:50 (10 В) s:60 ~1200* - ~40 (1 В; 40 мкА) s:50(10B) s:60 ~1200* - ~9(5В:1мА) s:lO - - - КТ216, КТ218-9 30... 150 (5 В; 1 мА) s:lO - - - 30... 200 (5 В; 1 мА) s;lO - - - s 0,95 ~~х ~20(5В;10мА) S:l5 - - - ~30(5В;10мА) S:l5 - - - 40... 120 (5 В; 10 мА) S:l5 - - - ~40(5В;10мА) S:l5 - - - ~80 (1 В; 40 мкА) S:l5 - - - ~40 (1 В; 40 мкА) S:l5 - - - 90... 180 - - - - КТ220-9 135... 270 - - - - ~~1 200.. .400 - - - - 300... 600 - - - - 20...60 (!О В; 3 мА) s:lO (!О В) s:300 - - КТЗОI 40.. .120 (10 В; 3 мА) s:lO (!О В) s:300 - - 10...32 (10 В; 3 мА) S:lO (!О В) s:300 - - ~ 20...60 (10 В; 3 мА) s:lO (!О В) S:300 - - 10...32 (10 В; 3 мА) s:lO (!О В) s:300 - S:2000 ~ф6 20...60 (1 О В; 3 мА) s:lO (10 В) S:300 - S:2000 40... 120 (10 В; 3 мА) s:lO (10 В) s:300 - :!>2000 80...300 (10 В; 3 мА) s:lO(lOB) s:300 - S:2000 110... 250 (1 В; 0,11 мА) - - s;7 (1 кГц) - КТЗО2 90... 150 (3 В; 2 мА) - - s:7 (1 кГц) - 110... 250 (1,5 В; 0,5 мА) - - s:7 (1 кГц) - Ьi- 200... 800 (3,5 В; 5 мА) - - s:7 (1 кГц) - ~~ ~ к.6 20...60* (1 В; 1ОмА) s;5 (5 В) s:30 - S:30* КТЗО6 40... 120* (1 В; lОмА) s;5 (5 В) s:30 - S:30* 20... 100* (1 В; lОмА) s:5 (5 В) - s:30* S:500 ~~ 40... 200* (1 В; lОмА) s;5 (5 В) - s:30* S:500 30... 150* (1 В; lОмА) s;5 (5 В) - s:30* s;300 ~ ~зфк 6
90 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKm•x' ~•• \210• UКБО max' Iк ,,,. . lкоо• Тип Струк- Р;, т max' \;lэ' U~Rmax' UЭБО m.ax' 1;. и max• ·~· прибора тура р;: и max• ~;;х, u~max• в 1~. мВт Мfц в мА мкА 1 ' КТ306АМ i п-р-п 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) S0,5 (15 В) КТ306БМ ! п-р-п 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) 1 S0,5 (15 В) КТ306ВМ 1 п-р-п 150 (9О0С) ~300 15 4 30 (50*) :S:0,5 ( 15 В) 1 ктзо&rм ! п-р-п 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) S0,5 (15 В) КТ306ДМ п-р-п 150 (90°С) ~200 15 4 30 (50*) s0,5 (15 В) КТ307А-1 п-р-п 15 ~250 1О* (3к) 4 20 (50*) :S:0,5 ( 10 В) КТ307Б-1 п-р-п 15 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) :S:0,5 ( 1О В) КТ3078-1 п-р-п 15 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) :S:0.5 (!О В) KT307f-1 n-p-n 15 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) S0.5 (10 В) 1 1 1 KTЗIOIA-2 п-р-п 100 (45°С) ~4000 15 2,5 20 (40*) :S:0.5 (15 В) КТЗIОIАМ j п-р-п 100 ~4000 15 2,5 20 1 :S:0.5 (15 В) 1 1 i 1 КТ3102А п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102Б п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) s0,05 (50 В) КТ31028 1 п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) s0,015 (30 В) ктз102r 1 п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) s0,015 (20 В) КТ3102Д п-р-п 250 ~150 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102Е п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) s0,015 (20 В) КТ3102:Ж 1 h-p -n 250 ~200 50 5 100 (200*) s0,05 (50 В) КТ3102И n-p -n 250 ~200 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102К п-р-п 250 ~200 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102АМ . n-p. -n 250 ~150 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102БМ п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) S0,05 (50 В) КТ3102ВМ п-р-п 250 ~150 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) ктз102rм п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) S0,015 (30 В) КТ3102ДМ п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102ЕМ п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) S0,015 (30 В) КТ3102:ЖМ 1 n-p -n 250 ~200 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102ИМ 1 n-p-n 250 ~200 50 5 100 (200*) s0.05 (50 В) КТ3102КМ 1 п-р-п 250 ~200 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102А2 п-р,п 250 ~200 50 5 200 - КТ3102Б2 п-р-п 250 ~200 50 5 200 - КТ310282 n-p-n 250 ~200 30 5 200 - KT3102f2 п-р-п 250 ~200 20 5 200 - КТ3102Д2 п-р-п 250 ~200 30 5 200 - КТ3102~2 п-р-я 250 ~300 20 5 200 - КТ3Ю2.Ж.2 П'р-П 250 ~200 50 5 200 - КТ3102И2 п-р-п 250 ~200 50 5 200 - КТ3102К2 п-р-п 250 ~200 30 5 200 -
Биполярные кремниевые транзисторы 20 ... 60* (1 8; IОмА) 40 ... 120* (1 8; IОмА) 20... 100* (1 8; IОмА) 40...200* (1 8; 1ОмА) 30 ... 150* (1 8; 1ОмА) ~20(18; IОмА) ~40(18;10мА) ~40(18;10мА) ~80(18;10мА) 35...300 (18; 5 мА) 35...300 (1 8; 5 мА) 100...200 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 1 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 400...1000 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 400...1000 (5 8; 2 мА) 100...250 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 100...200 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 1 200...500 (5 8; 2 мА) 1 1 400... 1000 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) ! 400... 1000 (5 8; 2 мА) 100...250 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 100 ... 200 200 ... 500 200 ... 500 400 ... 500 200 ... 500 400 ... 1000 100 ... 250 200 ... 500 200 ... 500 с,, с;2з' пФ $5(58) $5(58) $5(58) $5(58) $5(58) $6(18) $6(18) $6(18) $6(18) $1,5(58) $1,5(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) ~6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) 1 1 rкэнас• Ом r~э нас• Ом к;.·,.. дБ $30 $30 $20 $20 $20 $20 ~8** (1 ГГц) ! 1 Кш, дБ r~. Ом Р;:,, Вт $30* $30* $30* $4,5 (2,25 ГГц) $4,5 ( 1 ГГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10(1 кГц) $4 (1 кГц) $4 (1кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $4 (1 кГц) $4 (1кГц) 1 1 tк, ПС f~ac• НС t::кл• НС $30* $30* $500 $500 $300 $30* $30* $30* $30* $10 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 91 Корпус КТ306М КТ307-1 !lt бКЭ i 1 1 КТ3101-2 1 1,7 10 1 ~w~~ 1 КТ3101М КТ3102 КТ3102М КТ3102-2
92 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' 1,.• • ~216' UKБOmax' )Kmax lкю, Тип Струк- Р~. т maxt ~;,~, U~Rmax' UЭБОmах' •:.и max' ·~· прибора тура р~~ и max' ~::х' u~max• в ·~· мВт мrц в мА 1 мкА 1 КТ3104А 1 р-п-р 15 (35°С) ~200 30 3,5 10 1 :51 (30 В) КТ3104Б р-п-р 15 (35°С) ~200 30 3,5 10 :51 (30 В) КТ3104В 1 р-п-р 15 (35°С) ~200 30 3.5 10 :51 (30 В) KT3104f i р-п-р 1 15 (35°С) ~200 15 3,5 10 1 :51 (15 В) КТ3104Д р-п-р 15 (35°С) ~200 15 3.5 10 :51 (15 В) КТ3104Е р-п-р 15 (35°С) ~200 15 3,5 10 1 :51 (15 В) КТ3106А-2 п-р-п 30 (50°С) ~1000 15* (IОк) 2,5 20 (40*) :50,5 (15 В) ! i ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ3106А-9 i п-р-п 1 100 ~1000 15* (lОк) 3 1 20 (40*) i :50,5 (15 В) 1 1 1 1 !1 1 i ~ i 1 i i ! 1 11 ' КТ3107А 1 р-п-р 300 1 ~200 50 5 100 (200*) 1 :50.1 (20 В) КТ3107Б i р-п-р 300 ~200 50 5 100 (200*) 1 :50,1 (20 В) КТ3107В р-п-р 300 1 ~200 30 5 100 (200*) 1 :50,1 (20 В) KT3107f 1 р-п-р 300 1 ~200 30 5 100 (200*) :50.1 (20 В) КТ3107Д 1 р-п-р 300 ~200 30 5 1 100 (200*) 1 :50.1 (20 В) 1 КТ3107Е р-п-р 1 300 ~200 25 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107Ж р-п-р 300 ~200 25 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107И р-п-р 300 ~200 50 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107К р-п-р 300 ~200 30 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107Л p-n-p 300 ~200 25 5 100 (200*) :50.1 (20 В) КТ3108А 1 р-п-р 300 (360*) ~250 1 60* (lОк) 5 1 200 1 :50.2 (60 В) ~ 1 1 КТ3108Б 1 р-п-р 300 (360*) ~250 45* (lОк) 5 200 i :50.2 (45 8) 1 КТЗ108В 1 р-п-р 300 (360*) ~300 45* (10к) 5 200 1 :50,2 (45 В) ! КТ3109А р-п-р 170 (40°С) ~800 30 3 50 :50,1 (20 В) КТ3109Б р-п-р 170 (40°С) ~800 25 3 50 :50,1 (20 В) КТ3109В р-п-р 170 (40°С) ~800 25 3 50 :50,1 (20 В) 1 1 j ! 1 1 1 1 1 1 ! i 1 1 1 ! 1 ! ! 1 ! IКТ3114Б-6 1 1 25 ооо·с) 1 1 1 1 i i 1 п-р-п ~4300 5 1 1 15 :50,5 (5 В) 1 ! КТЗ114В-6 ' п-р-п 25 ооо·с> ~4300 5 1 15 :50.5 (5 В) !
Биполярные кремниевые транзисторы 93 Ck, rкэнас• Ом Кw1 дБ tк• ПС h21" ь;IЭ с;2э• r~"""' Ом r;, Ом t;,.., нс Корпус пФ к;.·", дБ Р;:,, Вт t::IUll НС 15...90 (1 В; 2 мА) $25 (5 В) $!()() s8 (6 МГц) $800 КТЗ104 50...150 (1 В; 2 мА) s25 (5 В) slOO s8 (6 МГц) $800 ~t 70...280 (1В; 2 мА) s25 (5 В) $100 s8 (6 МГц) $800 15...90 (1 В; 2 мА) s25 (5 В) SlOO s8 (6 МГц) $800 50...150 (1 В; 2 мА) s25 (5 В) SlOO s8 (6 МГц) $800 70...280 (1 В; 2 мА) $25 (5 В) $100 s8 (6 МГц) $800 5КЗ ~40(5В;5мА) s2(5В) - s2 (120 МГц) - 1 КТЗ106-2 ' 1,15 0,95 ~х /1\ 5/(з ~40(5В;5мА) s2(5В) - s2 (120 МГц) SlO КТЗ106-9 1 ~~t 70...140 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 slO (1 кГц) - КТЗ107 120...220 (5 В; 2 мА) s7 (!О В) $20 SlO (1 кГц) - 70...140 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) $20 slO (1 кГц) - 120... 220 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 slO (1 кГц) - ~fi:~ 180.. .460 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) $20 slO (1 кГц) - 120...220 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 s4 (1 кГц) - 180.. .460 (5 В; 2 мА) s7 (!О В) $20 S4 (1 кГц) - 180... 460 (5 В; 2 мА) S7 (10 В) $20 slO (1 кГц) - &<') ~-• ~ "" 380...800 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) S20 slO (1 кГц) - ......... 380...800 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 s4 (1 кГц) - 1 50... 150 (1 В; 10 мА) s5 (10 В) $25 s6 (100 МГц) $250 КТЗ108 50... 150 (1 В; 10 мА) s5 (10 В) s25 s6 (100 МГц) s250 ~ 100...300 (1 В; 10 мА) s5 (10 В) s25 S6 (100 МГц) $250 """:> 5 :: з{фк ~ ~15 (10 В; 10 мА) sl (!О В) ~15** (0,8 ГГц) s6 (800 МГц) $6 КТЗ109 ~15 (10 В; 10 мА) sl (10 В) ~13** (0,8 ГГц) s7 (800 МГц) $10 ~15 (10 В; 10 мА) sl (!О В) ~13** (0,8 ГГц) s8 (800 МГц) slO ~i 15... 80 (3 В;"'! мА) s0,44 (3 В) - s2 (400 МГц) $8 :КТЗ114-6 15...80 (3 В; 1мА) s0,44 (3 В) - s3 (400 МГц) $8 1 ~{@
94 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• (216• UKБOmax' lк max 1 lкоо• 1 Тип Струк- Р~.тmах• 1~:;1э• U~Rmax' UЭБОmах' 1;.н max' J~R' прибора тура р~нmах' ~;;х, u~max' в i ·~· мВт Мfц в мА i мкА 1 КТ3115А-2 1 п-р-п 70 (70°С) ~5800 10* (1 к) 1 8,5 1 g),5 (10 В) lктз11sв-2 1 п-р-п 70 (70°С) ~5800 10* (lк) 1 8,5 1 ~0.5 (10 В) KT3115f-2 1 50 (85"С) ~5800 7* (1к) 1 8,5 g),5 (7 В) 1 п-р-п КТ3115Д-2 п-р-п 50 (85"С) ~5800 7* (1к) 1 8,5 ~О.5 (5 В) 1 КТ3117А п-р-п 300 (800**) ~200 60 4 400 (800*) ~10 (60 В) КТ3117Б п-р-п 300 ~200 75 4 400 (0,8* А) ~10 (75 В) 1 1 1 i i 1 1 1 КТ3117А-1 1 п-р-п 1 500 ~200 60 4 400 (0,8* А) ~10 (60 В) КТ3117А9 п-р-п 300 (800*) ~200 60 4 400 (0,8*А) ~10 (60 В) !КТ3117Б9 1 п-р-п 1 300 ~200 75 4 400 (0,8*А) 1 ~10 (75 В) i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 i КТ312А п-р-п 225 ~80 20 4 30 (60*) ~10 (20 В) КТ312Б п-р-п 225 ~120 35 4 30 (60*) ~10 (35 В) КТ3128 п-р-п 225 ~120 20 4 30 (60*) ~10 (25 В) 1 КТ312А1 1 п-р-п 1 225 ~80 20 4 30 (60*) ~10 (20 В) IКТ312Б1 1 п-р-п 225 ~120 35 4 30 (60*) ~10 (35 В) КТ31281 1 п-р-п 225 ~120 20 4 30 (60*) ~10 (20 В) КТ3120АМ п-р-п 100 ~1800 15 3 20 (40*) ~0.5 (15 В) 1 1 1 1 1 КТ3121А-6 п-р-п 25 ~100 12 2 10 ~1 (10 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 95 с,, rкэнас• Ом Кш, дБ tк, ПС h21,1 ь;IЭ с; 2,, r;Энас• Ом r;, Ом t;..,., нс Корпус пФ к;_*", дБ Р;:•• Вт . t::IUll НС :515(5В;5мА) :50,6 (5 В) ~5** (5 ГГц) :54,6 (5 ГГц) :53,8 КТЗ115-2 :515(5В;5мА) :50.,6 (5 В) ~5** (5 ГГц) :54,4 (5 ГГц) :53,8 4t1@ :515(5В:5мА) :50,6 (5 В) ~4.4** (5 ГГц) :55, 7 (5 ГГц) :53,8 70...150 (5 В: 5 мА) :50,6 (5 В) ~8** (2,25 ГГц) :52,5 (2,25 ГГц) :53,8 ! 1 40...200* (5 В; 0,2 А) :510 (10 В) :51,2 - :580* КТ3117 100...300* (5 В; 0,2 А) :510 ( 10 В) :51,2 - :580* ~"':> 6 :: зфк ~ 40...200 (5 В: 0.2 А) 1 :510 (10 В) 1 :51,2 :580* 1 КТ3117-1 - 1 . i ! ' 1 ~~~ 1 11') ~-• ~ ~....., . 40... 200* (5 В; 0,2 А) :510 (IO В) :51,2 - :580* КТ3117-9 10...300* (5 В; 0,2 А) :510 (IO В) :51,2 - :580* ~t 1 10.. .100* (2 В: 20 мА) 1 :55(108) :540 - :5500; :5100* 1 КТЗ12 1 25...100* (2 В: 20 мА) 1 :55 (10 В) :540 - :5500; :5130" 50...280* (2 В: 20 мА) 1 :55 (10 В) :540 - 1 :5500: :5130* 1 ~hi 1 1 1 ~" 1 i 1 6фк 1 1 ~ з 10...100 (2 В; 20 мА) :55 (IO В) :540 - :5500; :5100* КТ312-1 25...100 (2 В; 20 мА) :55 (10 В) :540 - :5500; :5130* 50...280 (2 В; 20 мА) :55 (10 В) :540 - :5500; :5130* Ti 1 1 " ':> 6 1 1 :: зфк 1 1 ~ 1 1 ~40(1В:5мА) 1 :52 (5 В) , ~10** (400 МГц) 1 :52 (400 МГц) 1 :58 ! КТЗ120 i ~t 1 1 1 ! 1 ~О(5В:2мА) 1 :51 (5 В) ~8** (1 ГГц) :52 (1 ГГц) 1 - 1 КТ3121-6 1 1 i f@ ~7
96 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• ~216• UKБOmax• •к ma• lкоо• 1 Тип Струк- Р;, т max' (;lз' U~Rmax' UЭБОmах• 1;, и max' J~R' прибора р~: и maxt с· u~ma]t' в ·~· i тура 1 ". мА мВт мrц в мкА 1 КТ3122А 1 п-р-п 150 (750**) - 35* (2к) - 100 (!*А) i :51 (12 В) КТ3122Б п-р-п 150 (750**) - 35* (2к) - 100 (!*А) :51 (12 В) 1 1 1 1 1 1 КТ3123А-2 р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15 В) КТ3123Б-2 р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15 В) КТ31238-2 ! р-п-р 150 3500 10 3 30 (50*) 1 :525 (10 В) 1 1 i ! КТ3123АМ р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15 В) КТ3123БМ р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15В) КТ3123ВМ р-п-р 150 3500 10 3 30 (50*) :525 (10 В) 1 1 1 1 ' 1 КТ3126А р-п-р 150 (30°С) ~500 20 3 20 :51 (15 В) КТ3126Б р-п-р 150 (30°С) ~500 20 3 20 :51 (15 В) КТ3126А-9 р-п-р 110 ~450 35 3 30 :51 (15 В) 1 КТ3127А р-п-р 100 (35°С) ~600 20 3 25 :51 (15 В) 1 КТ3128А р-п-р 100 (35°С) ~800 40 3 20 :51 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 97 rкэнк• Ом Кw,дБ ! ck, tк, ПС h21>' ь;IЭ с;2.• r~.". Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;~•·' дБ Р;:,, Вт t::IUll НС - s.7 (IO В) - - tн< 1 КТЗ122 - 5.7 (10 В) - - tн< 1,5 7.2 J ~11 v ~~D 5КЗ 40(10В:10мА) 5.1 (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) $10 КТЗ12З-2 40(10В:10мА) $1 (108) ~5** ( 1 ГГц) 3 (1 ГГц) $10 40(10В;10мА) Sl (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) $10 ~rНJ ~~з/ 40(10В;10мА) S.1 ,2 (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) S.10 КТЗ12ЗМ 40(10В;10мА) 5.1 ,2 (10 В) ?:5** ( 1 ГГц) 3 (1 ГГц) S.10 40(10В;10мА) 5.1 ,2 (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) $10 ~~t 1 25...100 (5 В; 3 мА) s.2,5 (10 В) $120 - S.15 КТЗ126 60... 180 (5 В; 3 мА) s.2,5 (10 В) S.120 - S.15 ~fi:~ ~ ~-. .. .. ~ - 25... 100 (5 В; 3 мА) s.2,5 (10 В) S.120 - $10 КТЗ126-9 ~1t 25... 150 (5 В; 3 мА) $1 (10 В) - s.5(1 ГГц) S.10 КТЗ127 f5.8 з!j э ; Корп.Ф,6 15... 150 (5 В; 3 мА) 5.1 (10 В) ~14** (0,2 ГГц) S.34* s.5 КТЗ128 f5.8 зfi ' ; Кор~Ф,6 7зак9
98 Раздел 2. Бипопярные транзисторы 1 Струк- Ркmах' ~•• ~216• UКБО max• 1к .... lкоо, Тип Р~. т max' (;lэ' U~Rmax' UЭБО max• 1;:н max' ·~· прибора 1 тура р~~HlQllJLI с· u~max• в r:эо. ... мА мВт мrц в мкА КТ3128А-1 p-n-p 300 ~800 40 4 30 (0,8* А) 50,l (20 В) КТ3128Б-1 р-п-р 300 ~800 40 4 30 (0,8* А) g),l (20 В) КТ3128А-9 p-n-p 100 ~650 35 3 20 51 (15 В) 1 11 1 1 1 КТ3129А-9 р-п-р 75 (100**) ~200 50 5 100 (200*) 51 (50 В) КТ3129Б-9 р-п-р 75 (100**) ~200 50 5 100 (200*) 51 (50 В) КТ3129В-9 р-п-р 75 (100**) ~200 30 5 100 (200*) 51 (30 В) KT3129f-9 p-rr-p 75 (100**) ~200 30 5 100 (200*) 51' (30 В) КТ3129Д-9 р-п-р 75 (100**) ~200 20 5 100 (200*) 51 (20 В) КТЗIЗА р-п-р 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) 50,5 (50 В) КТЗIЗБ 1 р-п-р 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) 50,5 (50 В) КТЗIЗА-1 p-n -p 300 (1000*) ~200 60 5 350 50,5 (50 В) КТЗIЗБ-1 р-п-р 300 (1000*) ~200 60 5 350 50,5 (50 В) КТЗIЗВ-1 р-п-р 300 (1000*) ~200 50 5 350 50,5 (50 В) КТЗIЗГ-1 р-п-р 300 (1000*) ~200 30 5 700* 50,5 (50 В) 1 ' КТЗIЗОА-9 n-p -n 100 ~150 50 5 100 50.1 (50 В) КТЗIЗОБ-9 n-p -n 100 ~150 50 5 100 50,1 (50 В) КТЗIЗОВ-9 п-р-п 100 ~150 30 5 100 50,1 (30 В) КТЗIЗОГ-9 п-р-п 100 ~300 20 5 100 50,1 (20 В) КТЗIЗОД-9 n-p-n 100 ~150 30 5 100 50,1 (30 В) КТЗIЗОЕ-9 n-p-n 100 ~300 20 5 100 g),l (20 В) КТЗIЗОЖ-9 п-р-п 100 ~150 30 5 100 50,1 (30 В) КТ3132А-2 n-p-n 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) КТ3132Б-2 п-р-п 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) КТ3132В-2 п-р-п 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) KT3132f-2 п-р-п 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 g),5 (10 В) КТ3132Д-2 n-p-n 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (IO В) КТ3132Е-2 n-p-n 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) КТ3139А п-р-п 200 ~150 20 5 200 50,02 (20 В) КТ3139Б п-р-п 200 ~150 32__ 5 200 50,001 (32 В) КТ3139В п-р-п 200 ~150 32 5 200 50,001 (32 В) KT3139f п-р-п 200 ~150 32 5 200 50,05 (32 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 99 Ck, rкэнк• Ом Кш, дБ tк, ПС 1 h21.• ь;,э с;2э• r~нk' Ом r;, Ом t:X, НС Корпус пФ к;_*", дБ Р;:.. Вт t::кл, НС 1 35...150 (10 8: 3 мА) $1 (10 8) <!:15** (0,2 ГГц) $5 (0,2 ГГц) $5 КТЗ128-1 25...200 (10 8: 3 мА) sl (10 8) <!:15** (0,2 ГГц) $5 (0,2 ГГц) $5 1f 1 1 ~-~ 1 ~ ... t:!" ~ 15... 150 (10 8: 3 мА) sl (10 8) - s5 (200 МГц) - КТЗ128-9 ! 1 1 1 ~1 ! 1 30...120(58:2мА) 1 $10 (10 8) 1 $20 - - КТЗ129-9 80...250 (5 8: 3 мА) $10 (10 8) $20 - - 80...250 (5 8; 2 мА) 1 $10(108) 1 $20 - 1 - ~~t 200... 500 (5 8: 2 мА) $10 (!О 8) $20 - 1 - 200...500 (5 8; 2 мА) $10 (10 8) $20 - 1 - 1 1 30... 120 (10 8: 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* 1 КТЗIЗ 80...300 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* 1 ~5,81/ 1 ;fi 1 кфз 1 1 5 30... 120 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* КТЗ13-1 80...300 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* ~~~ 200... 520 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* 400... 800 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* ! lr) ~-• ~. ~....... 1 1 100...250 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - 1 КТЗ130-9 . 200...500 (5 8: 2 мА) 1 sl2 (5 8) slO (1 кГц) 1 1 - - 200... 500 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - ~~t 400... 1000 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - 1 200... 500 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - 400... 1000 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $4 (1 кГц) - 1 100... 500 (5 8; 2 мА) sl2 (5 8) - $4 (1 кГц) - 15... 150 (7 8; 3 мА) $5,5 (7 8) <!:6** (3,6 ГГц) s2,5 (3,6 ГГц) - КТЗ132-2 15... 150 (7 8; 3 мА) s5,5 (7 8) <!:4** (3,6 ГГц) s4,8 (3,6 ГГц) - f.r±F 15... 150 (7 8; 3 мА) s5,5 (7 8) <!:5** (5 ГГц) s4,8 (3,5 ГГц) - 15... 150 (7 8; 3 мА) $5,5 (7 8) <!:7** (4 ГГц) s3,6 (3,4 ГГц) - 20...150 (7 8: 3 мА) s5,5 (7 8) <!:8, 1** (2,25 ГГц) s2 (2,25 ГГц) - ~~з63 70... 150 (7 8: 3 мА) s5,5 (7 8) <!:8,1 ** (2,25 ГГц) $2,5 (2,25 ГГц) - ' 1 1 1 1 <!:200 (5 8: 0,2 мА) $4,5 (10 8) $50 $85** s270*; Sl30*** 1 КТЗ139 <!:60 (5 8; 2 мА) $4,5 (10 8) $50 $85** $270* s О,95 <!:120 (5 8; 2 мА) s4.5(108) $50 $85** $270* ~~х 100... 310 (5 8; 2 мА) $4,5(108) $50 $85** $270*
100 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Ркmах' 1,.•• ~••• UK60max' lкоо, lк ,.., Тип Струк- J Р;,тmах• ~;lз• u~mu• UЭБОmах• 1;,н max• J~R' p~:мnuix• с· u~max• в 1·· прибора тура ... КЭО• мВт Мfц в мА мкА КТ314А-2 п-р-п 500 <!:300 55 4 60 (70*) S0,075 (55 В) КТ3140А р-п-р 200 <!:150 20 5 200 S0,02 (20 В) КТ3140Б р-п-р 200 <!:150 32 5 200 S0.001 (32 В) КТ3140В р-п-р 200 <!:150 32 5 200 S0.001 (32 В) KT3140f р-п-р 200 <!:150 32 5 200 S0,05 (32 В) КТ3140Д р-п-р 200 <!:150 20 5 200 S0,02 (20 В) КТ3142А п-р-п 360 <!:500 40 4.5 200; 500* S0,4 (20 В) 1 1 1 1 1 i i 1 1 : ! i КТ3143А п-р-п 50 <!:600 10 4 10 S0,5 (10 В) КТ3144А п-р-п 50 <!:1800 15 3 1 10 $0,5 (15 В) 1 ! IKT3145A-9 п-р-п 200 <!:125 32* (0,lк) 5 200 1 S0.02 (32 В) КТ3145Б-9 п-р-п 200 <!:125 45* (0,lк) 5 200 Sl (45 В) КТ3145В-9 1 п-р-п 200 <!:125 45* (0,lк) 5 200 1 Sl (45 В) KT3145f-9 1 п-р-п 1 200 <!:125 45* (О,lк) 1 5 200 1 s0.05 (45 В) КТ3145Д-9 1 п-р-п 1 200 <!:125 45* (0,lк) 5 200 S0,05 (45 В) КТ3146А-9 р-п-р 200 <!:125 32* (О,lк) 5 200 s0.02 (32 В) КТ3146Б-9 р-п-р 200 <!:125 45* (О,lк) 5 200 Sl (45 В) КТ3146В-9 р-п-р 200 <!:125 45* (О,lк) 5 200 sl (45 В) KT3146f-9 р-п-р 200 <!:125 45* (О,lк) 5 200 s0.05 (45 В) КТ3146Д-9 р-п-р 200 <!:125 45* (0,1 к) 5 200 S0.05 (45 В) 1 1 1 i КТ315А п-р-п 150 (250*) <!:250 25 6 100 S0.5 (10 В) КТ315Б п-р-п 150 (250*) <!:250 20 6 100 S0,5 (!О В) КТ315В п-р-п 150 (250*) <!:250 40 6 100 S0,5 (10 В) KT315f п-р-п 150 (250*) <!:250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Д п-р-п 150 (250*) <!:250 40* (lОк) 6 100 S0,6 (10 В) КТ315Е п-р-п 150 (250*) <!:250 35* (!Ок) 6 100 S0,6 (10 В) КТ315Ж п-р-п 100 <!:250 20* (10к) 6 50 $0,6 (!О В) КТ315И п-р-п 100 <!:250 60* (10к) 6 50 $0,6 (10 В) КТ315Н п-р-п 150 <!:250 35* (10к) 6 100 S0.6 (10 В) КТ315Р п-р-п 150 <!:250 35* (10к) 6 100 $0,5 (10 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 101 Ck, rкэнас• Ом Кw,дБ т., пс h2," ь;,э с;2э• r~""'' Ом r;, Ом t;...,, нс Корпус пФ к;~,... дБ Р.:,:" Вт t:.ll.JI, нс 1 ' 30.. .120 (5 В: 0,25 мА) SIO (5 В) SIO - S80; S300* КТЗ14-2 ~~! 1'\~ 6кэ ~200(5В:2мА) sб,5 (10 В) s50 S85** S270*; S400** КТЗ140 ~60(5В:2мА) sб,5 (10 В) $50 s85** S270* 120.. .460 (5 В; 2'мА) Sб,5 (10 В) s50 S85** S270* j 0.,95 100...310 (5 В; 2 мА) sб,5 (10 В) s50 S85** S270* ~х_ ~200(5В:2мА) sб,5 (10 В) S50 S85** S270* 1 40...120 (1 В: 10 мА) S4 (10 В) S25 - Sl3*; Sl8** КТЗ142А 115,81/ 1 ;fi к-$з 1 1 6 1 i 1 40...300 (5 В; lОмА) S3(5В) S0,4 - 1 sl5* 1 КТЗ14З, КТЗ144 ~IJ:~ ~40(1В;5мА) Sl,9 (5 В) - s5 (400 МГц) - ~ "1t-- ' ~ "" ....., ~200(5В:2мА) Sll S50 - SllOO* КТЗ145-9 ~60(5В;2мА) Sll s50 - SllOO* :fjf 120...460 (5 В; 2 мА) Sll S50 - SllOO* 100...310 (5 В; 2 мА) Sll S50 - SI 100* 120·...460 (5 В: 2 мА) 1 Sll S50 - SllOO* 1 к6 ~200(5В:2мА) Sl2 S50 - SllOO* КТЗ146-9 ~(5В;2мА) Sl2 so - SllOO* 120.. .460 (5 В; 2 мА) Sl2 S50 - SllOO* ~~1 100...310 (5 В; 2 мА) Sl2 S50 - SllOO* 120...460 (5 В; 2 мА) Sl2 S50 - SllOO* 30...120* (1О В; 1мА) 1 s7 (10 В) S20 S40* S300 КТЗ15 50...350* (1 О В; 1 мА) S7 (10 В) S20 S40* S500 30...120* (1О В: 1мА) s7 (10 В) S20 S40* $500 7.2 J 50...350* (10 В; 1 мА) S7 (10 В) S20 S40* S500 20...90* (1О В: 1 мА) S7 (10 В) s30 S40* SIOOO ir 50...350* (10 В; 1 мА) s?.(10 В) sзо s40* SIOOO ~tm 30...250* (10 В; 1 мА) SIO (10 В) S25 - S800 ~' ~30* (10 В: 1 мА) slO(lOB) S45 - S950 D 50... 350* ( 10 В; 1, мА) S7 (10 В) S5,5 - SIOOO 6КЗ 150...350* (10 В; 1 мА) S7 (10 В) S20 - S500
102 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• .. .. . \216, UKБOmax• Iк .... lкоо• Тип Струк- Р~.тmах• ~;lэ• U~Rmax• UЭБО max• 1;,11 max• J~R• р~: и max• с· u~max• в 1·· прибора тура ." кэо• мВт МГц в мА мкА IKT315A-1 1 150 ~250 25 6 1 100. 1 S0,5 (10 В) п-р-п 1 КТ315Б-1 п-р:п 150 ~250 20 6 100 S0.5 (10 В) КТ315В-1 1 п-р-п 150 ~250 40 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Г-1 п-р-п 150 ~250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Д-1 1 п-р-п 150 ~250 40 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Е-1 п-р-п 150 ~250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Ж-1 п-р-п 100 ~250 15 6 100 S0,5 (10 В) КТ315И-1 п-р-п 100 ~250 60 6 100 s0,5 (10 В) КТ315Н-1 п-р-п 150 ~250 20 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Р-1 п-р-п 150 ~250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ3150Б-2 р-п-р 120 (65°С) ~1200 35* ( lОк) 4 30 (50*) S0,5 (40 В) i 1 1 1 1 КТ3151А-9 п-р-п 200 ~100 80* 5 100 SI (100 В) КТ3151Б-9 п-р-п 200 ~100 80* 5 100 SI (90 В) КТ3151В-9 п-р-п 200 ~100 60* 5 100 Sl (80 В) KT3151f-9 п-р-п 200 ~100 40* 5 100 SI (60 В) КТ3151д-9 п-р-п 200 ~100 30* . 5 100 Sl (30 В) КТ3151Е-9 п-р-п 200 ~100 20* 5 100 SI (30 В) 1 КТ3153А-9 1 п-р-п 1 300 ~250 60 5 400 (0,6* А) 1 S0,05 (45 В) 1 1 1 1 КТ3153А-5 п-р-п 300 ~250 60 5 0.4 А (0,6* А) S0,05 (45 В) КТ3157А р-п-р 1 200 ~60 250* (IОк) 5 30 (100*) sO.I · (200 В) 1 1 1 1 КТ316А п-р-п 150 (90°С) ~600 10* (3к) 4 50 : S0,5 (10 В) КТ316Б п-р-п 150 (90°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316В п-р-п 150 (90°С) ~800 10* (3к) 4 50 s0.5 (10 В) KT316f п-р-п 150 (90°С) ~600 10* (3к) 4 50 s0.5 (10 В) КТ316Д п-р-п 150 (90°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) 1 1 ! КТ316АМ п-р-п 150 (85°С) ~600 10* (3к) 4 50 s0.5 (10 В) КТ316БМ п-р-п 150 (85°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316ВМ п-р-п 150 (85°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316ГМ п-р-п 150 (85°С) ~600 1О* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316ДМ п-р-п 150 (85°С) ~800 10*· (3к) 4 50 S0,5 (10 В)
Бипопярнь1е кремниевые транзисторы 20...90 (10 В; 1 мА) 50... 350 (10 В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 50". 350 (10 В; 1 мА) 20".90 (IO В; 1 мА) 20".90 (IO В: 1 мА) 30". 250 (IO В; 1 мА) 30(IOВ;1мА) 50". 350 {10 В; 1 мА) 150."350 (10 В; 1 мА) 60... 180* (5 В; 2,5 мА) ~(5В;10мА) 30".90 (5 В; 1О мА) 40".120 (5 В; 1О мА) 40".120 (5 В; 10 мА) ~80(5В:10мА) ~40(5В;1ОмА) 100".300 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s7 (IO В) ~7 (IO В) S7(IOB) S7 (\О В) S7 (10 В) S7 (\О В) S7 (IO В) S7 (10 В) s7 (IO В) S2 (\О В) Sl5(10B) Sl5(IOB) Sl5 (10 В) Sl5 (10 В) Sl5 (\О В) Sl5 (IO В) S4,5 (IO В) 100".300 (5 В; 2 мА) S4,5 (IO В) ~50*(20В;25мА) 1 s3(30В) 20".60* (1 В; 1О мА) 40".120* ( 1 В; 1О мА) 40... 120* (1 В; 1О мА) 20".100* (1 В; 1О мА) 60".300* (1 В; 10 мА) 20".60* (1 В; 10 мА) 40".120" (1 В; 10 мА) 1 40".120* (1 В; 10 мА) 20".100* (1 В; 1О мА) 60."300* (1 В; 1О мА) S3(5В) S3(5В) S3(5В) S3(5В) S3(5В) s3(5В) S3(5В) s3(5В) S3(5В) S3(5В) rDнac' Ом r~нас• Ом к;."", дБ S20 S20 S20 S20 S20 S20 S20 S20 S25 s60 S60 SбО S60 s60 s60 S2,б S2,3 SбО S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 Кш, дБ r;, Ом Р;:,, Вт S40* S40* S40* S40* S40* S40* S40* S40* 1 1 1 i tк, ПС ~;...нс t ...ILJll, нс sзоо S300 sзоо S300 S300 S300 sзоо S300 s30; s30* S400* S400* SIO* SIO* Sl5* Sl50 Sl50 SIO* SIO* Sl5* Sl50 Sl50 103 Корпус КТЗ15-1 КТЗ150-Z ~~~ "" ,~l 6КЗ КТЗ151-9 j 0,95 ~*Х КТЗ15З-9 ~1КТЗ15ЗА-5 1 0,8 0,3 1 ;}шт КТЗ16 КТЗ16М
104 Раздел 2. Биполярные транзисторы ! i i PKmax• ~" li:21•• UКБО max• lкво, ! lк max j Тип 1 Струк-1 Р~. т max• ~:;Jэ• U~Rmax• UЭБОmах• ·~· ' •:.н maxt 1 прибора р~: н max• с· u~max• в ·~· I тура ." 1 мВт МГц в мА мкА 1 1 jктз1вsл i p-n -p 160 (55°С) ~750 40 3 1 30 1 s:O,I (20 В) 1 1 1 1 1 i 1 КТ3165А-9 p-n -p 100 1060 40 5 1 30 i 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 UэБпр КТ3166А n-p-n 15 ~400 15* (lк) ~546,6 мВ 1 - КТ3166Б n-p -n 15 ~400 15* (lк) ~545,1 мВ 1 - КТ31668 n-p -n 15 ~400 15* (lк) ~543,6 мВ 1 - КТ3166Г n-p -n 15 ~400 15* (lк) ~540,6 мВ 1 1 - 1 i 1 1 ! КТ3168А-9 n-p -n 180 (55°С) ~3000 15* (!Ок) 2,5 28 (56*) s:0,5 (15 В) КТ3169А-9 p-n -p 200 ~750 40 3 30 s:O.I (20 В) 1 11 1 1 1 КТ3169А91 p-n -p 200 ~750 40 3 30 (0,6* А) :S:O, I (20 В) КТ317А-1 n-p -n 15 ~100 5 3,5 15 (45*) :S:I (5 В) КТ317Б-1 1 n-p -n 15 ~100 5 3,5 15 (45*) :S:I (5 В) КТ317В-1 1 n-p-n 15 ~100 5 3,5 15 (45*) :S:I(5В). ~ 11 КТ3170А-9 n-p -n 250 ~300 40 4 30 0,1 (20 В) КТ3171А-9 p-n -p 200 ~150 15 4 1 530 i :S:O.I (12 В) i 1 ' 1 1 1 ! 1 i i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 105 ck, rкэна"' Ом Кw,дБ tк, ПС hz,,• ь;,э c;z,• r~нас• Ом r;, Ом t;k. нс Корпус пФ к;.·р.• дБ Р:,х, Вт t:.ll .JI. нс ~25* (10 В; 3 мА) $0,65 (10 В) - $8 (1 ГГц) $3 КТ3165 ~i ~25(10В;3мА) - - 7 $3 КТ3165А-9 ~1КТ3166 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - ~fi:~ 280.. .1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - 'r ') <:t-- • ~ 111') 1 ....., 60...180 (5 В; 5 мА) $1,5 (5 В) ~7** (1 ГГц) $3 (1 ГГц) $10 КТ3168А-9 ~~1 ~25(1В;3мА) $0,6 (10 В) ~13** (0,8 ГГц) $6 (800 МГц) - КТ3169-9 1 j О,95 ~х ~25(10В;3мА) $0,6 (10 В) ~13** (800 МГц) $6 (800 МГц) - КТ3169-91 ~1 25...75 (1 В; 1 мА) $11 (1 В) $30 - $130* КТ317-1 35... 120 (1 В; 1 мА) $1l(1В) $30 - $130* 80...250 (1 В; 1 мА) $1I(1В) $30 - $130* w~~ ~ 11 / 1\ ::::: 6кз ~100 (10 В; 7 мА) $2 (10 В) - - - КТ3170-9, КТ3171А-9 j 0,95 ~х ~50* (2 В: 100 мА) $15 (15 В) $1,5 - $20 j ! 1
106 Раздел 2. 15ипопярные транзисторы PKmaX"• ~.. ~,.. UКБО max• lк max lкво• Тип Струк- Р;,тmах• (;1зt U:CЭR max• Uэоо max• 1;, и max• 1:сэн. прибора р;." m11x• t:xt u~max:I в J'' тура мА кэо• мВт МГц в мкА КТЗ172А~9 n-p-n 200 ~500 20* 4,5 200* S0,4 (20 В) . 1 1 1 1 i 1 КТЗ173А-9 1 p-n·-p 200 ~200 30 5 530 ~.1 (20 В) j' КТЗ176А-9 200 ~150 35 5 500 ' ~.1 (35 В) п-р-п КТ3179А-9 п-р-п 200 ~150 150 5 55 sl (lOO В) 1 КТ318А-1 1 п-р-п 15 ~430 10 3,5 1 20 (45~) s0.5 (10 В) КТ318Б-1 п-р-п 15 ~430 10 3,5 20 (-45*) s0.5 (10 В) КТ318В-1 п-р-п 15 ~430 10 3,5 20 (45*) 1 ~.5 (10 В) КТЗ18Г-1 п-р-п 15 ~350 10 3,5 20 (45*) s0.5 (10 В) КТЗ18Д-1 п-р-п 15 ~350 10 3,5 20 (45*) s0.5 (10 В) КТЗ18Е-1 п-р-п 15 ~350 10 3,5 20 (45*) ~.5 (10 В) КТЗ180А-9 р-п-р 200 ~150 150 5 50 SI (150 В) 1 КТЗ184А9 n-p-n 1200 ~200 80; 65* 6 500 SlO (60 В) КТЗ184Б9 п-р-п 1200 ~200 80; 65* 6 . 500 SlO (60 В) 1 1 1 1 КТЗ186А-9 П•р-П 1 300 ~6 ГГц 20 2,5 50 sO,l (IOB) КТЗ186Б-9 п-р-п 90 ~3.2 ГГц 20 2,5 50 ~.1 (10 В) КТЗ186В-9 п-р-п 250 ~4 ГГц 20 2,5 50 SO,l (10 В) КТЗ187А-9 n-p -n 200 ~4.4 ГГц 20 2 25 SO,l (10 В) · 1 1 1 ! КТЗ187А91 п-р-п - 200 ~4600 20; 12* 2 20 - КТ3187Б91 п-р-п 90 ~3200 18; 12• 2 10 - КТЗ1&7В91 п-р-п 200 ~3000 20 2 25 -
Биполярные кремниевые транзисторы 107 ck, rкэ.к• Ом Kw, дБ tк• ПС ь"" ь;,э с;2э• r~.". Ом r;, Ом t~. нс Корпус пФ к;:,.. дБ Р;~х• Вт t::.IUll НС ~40(1В;10мА) ~3 (10 В) $1 - $45 КТЗ172-9, КТЗ173-9 1 ;J О,95 ~Jk 50...500 (5 В; 30 мА) :s;lO (!О В) $1,5 - $20** 1 ~ 1 q 1 ~ ~60 (10 В; 150 мА) $15 (10 В) $1,2 - - КТЗ176-9, КТЗ179-9 ~65* (5 В; 10 мА) :s;3 :s;33 - - ;J О,95 ~*Jk 30...90 (1 В; 10 мА) $3,5 (5 В) $27 - $15* 1 КТЗ18-1 1 50...150(1В; 10мА) $3,5 (5 В) $27 - $15* 1 1 70...280 (1 В; 10 мА) 1 :s;3,5 (5 В) $27 - $15* 1 30...90 (1 В; 10 мА) $4,5 (5 В) $27 - $10* ~~~ 50...150 (1В; 10 мА) $4,5 (5 В) $27 - $10* 70...280 (1В; 10 мА) $4,5 (5 В) $27 - :s;lO* ") 11\ 1 6кз ~90* (5 В; 10 мА) - :s;33 - - 1 КТЗ180-9 1 ;J 0,95 1 ~*Jk ' 1 1 ~ i 20...80 (5 В; 0,2 А) $15 (!О В) $4; 7,5* :s;6 (100 МГц) $400 КТЗ184-9 50... 180 (5 В; 0,2 А) :s;15 (10 В) $4; 7,5* $6 (100 МГц) $400 1/,6 11 ~Ф~·~• ' J. . <::!' 5 4q ~" o.ss 448 l5- 1,5 ~60(5В;15мА) :s;0,9 (8 В) ~8** (2 ГГц) :s;3,5 (2 ГГц) - КТЗ186-9 ~40(3В;2мА) 1 :s;0,9 (8 В) ~6** (2 ГГц) :s;3 (2 ГГц) - ~~ ~35(5В;10мА) :s;0,9 (8 В) ~6** (2 ГГц) $4 (2 ГГц) - :~к 6 ~40 (10 В; 14 мА) :s;0,9 (10 В) ~12** (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - КТЗ187-9 (КТЗ187-91) i 1 ;J 0,95 1 1 1 ~~Jk 1 ~40(10В;14мА) - ~12** (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - 1 ~40(3В;2мА) - ~12** (0,8 ГГц) :s;2 (0,8 ГГц) - ~40(5В;5мА) - ~12** (0,8 ГГц) :s;2,5 (0,8 ГГц) - (6) (З)
108 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Pкmu• ~•• (216' UKБOmax• 1 1 •коо• ! )Kmax 1 Тип 1 Струк- J р~тmах• ~;lэ• U~Rmax• UЭБО max• J 1 ·~R' ; прибора 1 тура 1 PtZ н max• с· u~max• в 1;.11 max• ·~· i ". мА 1 мВт МГц . в 1 мкА i КТЗ189А-9 i п-р-п i 225 300 50 6 100 i - КТЗ189Б-9 1 п-р-п 225 300 50 6 100 1 - КТЗ189В-9 п-р-п 225 300 50 6 100 - КТЗ19А-1 п-р-п 15 ~100 5 3,5 1 15 :51 КТЗ19Б-1 п-р-п 15 ~100 5 3,5 1 15 !.· :51 1 КТЗ19В-1 п-р-п 15- ~100 5 3.5 1 15 :51 1 1 i 1 1 1 1 j ! 1 ! 1 1 1 ! 1 1 1 КТЗ191А-9 р-п-р 200 ~4500 15** 2 25 :50,1 (20 В) КТЗ191А91 р-п-р 1 200 ~4500 15** 2 25 1 :50,1 (20 В) 1 i 1 1 1 1 1 1 i1 1 1 i КТ3192А-9 1 р-п-р 1 200 800 40 3 30 i 0.1 1 ! 1 ! i 1 i 1 1 1 КТЗ19ЗА р-п-р 200 ~50 50* (lОк) 20 150; 300* :550 (50 В) КТЗ19ЗБ р-п-р 200 ~50 40* (lОк) 20 150; 300* :550 (40 В) КТЗ19ЗВ р-п-р 200 ~50 30* (lОк) 20 150; 300* :550 (30 В) КТЗ19ЗГ р-п-р 200 ~50 50* (lОк) 5 150; 300* :550 (50 В) КТЗ19ЗД р-п-р 200 ~50 40* (lОк) 5 150; 300* 1 :550 (40 В) ! КТЗ19ЗЕ ' р-п-р 200 ~50 30* (!Ок) 5 1 150; 300* ~50 (30 В) 1 1 1 КТЗ196А-9 1 р-п-р 1 225 250 40 5 200 1 10 1 1 i 1 1 1 i 1 1 1 1 КТЗ197А-9 п-р-п 225 200 60 6 200 10 КТЗ198А п-р-п 280 4600 15* 1 2,5 25 - 1 КТЗ198Б 1 п-р-п 280 4600 15* 1 2,5 25 !- r КТЗ198В 300 4000 15* 2,5 50 1 1 п-р-п ' - ' КТЗ198Г 1 п-р-п i 300 4000 15* 2,2 35 1 - 1 . j IКТЗ198Д п-р-п 280 3000 20 1 2,5 30 1 - КТЗ198Е п-р-п 300 1 6000 20 1 3 100 ! - КТЗ198Ж п-р-п 300 6500 20 2,5 50 КТЗ198А9 п-р-п 280 ~4200 20 2,5 30 КТЗ198Б9 п-р-п 280 ~4200 20 2,5 30 КТЗ198В9 п-р-п 300 ~4000 20 2,5 50 КТЗ198Г9 п-р-п 300 ~4000 15 2 35 КТЗ198Д9 п-р-п 280 ~3000 20 2,5 30 КТЗ198Е9 п-р-п 300 ~6000 20 3 100 КТЗ198Ж9 п-р-п 200 ~6500 20 2,5 50
Sиполярные кремниевые транзисторы 109 1 Ck, fкэнас• Ом Kw, дБ тк, пс ь.,,. ь;,э c;2:t• r~нас• Ом r;, Ом t;..... нс Корпус пФ к;.·,_, дБ Р,:,, Вт t;ыu• НС 110... 220 - б 10 - КТЗ189-9 1 200 .. .450 - б 10 - 0,95 j 420... 800 - 6 10 - ~х_ 15...55 (1В; 1мА) SI1(1 В) S30 - $130* КТЗ19-1 45...90 (1 В; 1мА) SlI (1 В) $30 - $130* ~~ 1Р 80...200 (1 В; 1 мА) Sll(IB) $30 - $130* 1 5ЗК ~20 (10 В: 14 мА) S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ191-9 j О.95 ~~х_ ~20(10В; 14 мА) S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ191-91 (КТЗ192-9) j О.95 ~*Х 20 - - 6 - (З)(5) 80...400 (5 В; 30 мА) S35 (20 В) $1 - $400* КТЗ19З 80...400 (5 В; 30 мА) $35 (20 В) $1 - $400* Ti' · 80...400 (5 В; 30 мА) S35 (20 В) SI - $400* 100.. .400 (5 В; 30 мА) S60 (20 В) $1 - $400* "11 з 100.. .400 (5 В; 30 мА) S60 (20 В) SI - $400* :: 5$К 100.. .400 (5 В; 30 мА) S60 (20 В) $1 - $400* ~ 100... 300 - 2 - - КТЗ196-9, КТЗ197-9 j О.95 ~х_ 100... 300 - 1,5 - - . 40 - ~16** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ198 40 - ~12** (0,5 ГГц) 2 - ~i 25# - 14** 1,9 - 40 - ~11 ** (0,8 ГГц) 1,6 - ~20(1В;2мА) - ~10** (0,8 ГГц) S4 (0,8 ГГц) - ~50 (10 В; 20 мА) - ~12** (0,8 ГГц) S2 (0,8 ГГц) - 6 ;а' ''" ~(8В:15мА) - ~13** (0,8 ГГц) Sl ,8 (0,8 ГГц) - ~40 (10 В; 14 мА) - ~13** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ198-9 ~40 (10 В; 14 мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - ~25(5В;30мА) - ~13** (0,5 ГГц) S2,3 (0,5 ГГц) - ~$$?! ~40(5В;30мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) S2 (0,8 ГГц) - ~20(1В;2мА) - ~10** (0,8 ГГц) S4 (0,8 ГГц) - ~50 (10 В; 20 мА) - ~12** (0,8 ГГц) s2 (0,8 ГГц) - ~50(5В;15мА) - ~16** (0,8 ГГц) S 1,8 (0,8 ГГц) - .
110 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• ~216' UKБOmaxt lкmax lкю• Тип Струк- Р;. тmах• ~;lз' U~Rmax• UЭБО max• 1;.н max• I~R• прибора р;~ н max' с· u~max• в 1" тура ." мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ3198А92 п-р-п 300 ~4500 20 2,5 30 - КТ3198Г92 п-р-п 300 ~5000 15 2 35 - 1 КТ3199А9 1 п-р-п 1 300 ~6000 20 1 2,5 50 1 - 1 1 КТ3199А91 п-р-п 300 ~6000 20 2,5 50 - КТ3199А92 п-р-п 300 ~5500 15. 1 2 50 - 1 1 КТ3201А9 п-р-п 300 ~100 450 6 400 - КТ3201Б9 п-р-п 300 ~100 400 6 400 - КТ3201В9 п-р-п 300 ~100 300 6 400 - КТ3201Г9 1 п-р-п 300 ~100 250 6 400 1 - i 1 1 1 1 1 КТ321А р-п-р 210 (20** Вт) ~60 60 4 200 (2* А) :s;O,I (60 В) КТ321Б р-п-р 210 (20** Вт) ~60 60 4 200 (2* А) :s;O,I (60 В) КТ321В р-п-р 210 (20** Вт) ~60 60 4 200 (2* А) :s;O,I (60 В) КТ321Г р-п-р 210 (20** Вт) ~60 45 4 200 (2* А) :s;O,I (45 В) КТ321Д р-п-р 210 (20** Вт) ~60 45 4 200 (2* А) :s;O,I (45 В) КТ321Е р-п-р 210 (20** Вт) ~60 45 4 200 (2* А) :s;O,I (45 В) i КТ324А-1 1 п-р-п 1 15 ~800 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Б-1 1 п-р-п 15 ~800 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324В-1 1 п-р-п 1 15 ~800 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Г-1 п-р-п 15 ~600 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Д-1 п-р-п 15 ~600 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Е-1 п-р-п 15 ~600 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ325А п-р-п 225 (85°С) ~800 15* (3к) 4 30 (60*) :s;0,5 (15 В) КТ325Б п-р-п 225 (85°С) ~800 15* (3к) 4 30 (60*) :s;0,5 (15 В) КТ325В п-р-п 225 (85°С) ~1000 15* (3к) 4 30 (60*) :s;0,5 (15 В) 1 1 1 ~ 1 1 ! 1 1 1 1 1
Бипопярнь1е кремниев~е щран=1исторы 111 Ck, Гкэ нас' О:м Кw,дБ tк, ПС h21.• ь;,э с~2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,..,, НС Корпус пФ . к;."", дБ Р:~х' Вт t::кnt НС 1 ~35(58;10мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) s2 (0,8 ГГц) - 1 КТ3198-92, КТ3199-9. ~40 (10 8; 14 мА) - ~12** (0,8 ГГц) :!>3,4 (0,8 ГГц) - 1 1 -~ :ttФf ~60(58;15мА) - ~15** (0,8 ГГц) Sl,8 (0,8 ГГц) - к6 - ~60 (5 8; 15 мА)I - ~15** (0,8 ГГц) Sl,8 (0,8 ГГц) - КТ3199-91 1 1 -~ 1 ' 1 1 :tЩ ! 1 1 1 1 1 ' ' 1 ! 1 кэ i i ~80(88;15мА) - ~12** (0,8 ГГц) s2 (0,8 ГГц) - i КТ3199-92 ! 1 rii 1 ! i ~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8) SlO; 1,5* 1 - 1 - 1 КТ3201-9 • ~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8) SlO; 1,5* - - ~30(108;50мА) 1 s4,5(208) SlO; 1,5* - - ~1 ~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8) SlO; 1,5* - - 1 20".60* (3 8; 0,5 А) :!>80 (10 8) $3,6 - $1000* КТ321 40... 120* (3 В; 0,5 А) sSO (10 8) $3,6 - $1000* :fi1•6 80...200* (3 В; 0,5 А) $80(108) $3,6 - $1000* 20...60* (3 8; 0.5 А) $80(108) $3,6 - $1000* 40... 120* (3 В; 0,5 А) 1 sBO (10 8) $3,6 - $1000* 80...200* (3 В; 0,5 А) :!>80 (10 8) $3,6 - $1000* i1 20...60 (1 8; 10 мА) :!>2,5 (5 8) $30 - 1 :!>180; slO* КТ324-1 40... 120 (1 8; 10 мА) s2,5 (5 8) $30 - :!>180; SlO* 80...250 (1 8; 10 мА) :!>2,5 (5 В) $30 - $180; $10* ~t 40... 120 (1 8; 10 мА) $2,5 (5 8) $30 - $180; $10* 20...80 (1 8; 10 мА) s2,5 (5 8) $30 - :!>180; $10* 60...250 (1 8; 10 мА) s2,5 (5 В) S30 - :!>180; SlO* 1 ' 1 5КЗ 1 i 1 1 30."90• (5 8; 10 мА) 1 :!>2,5 (5 8) - 1 - 1 $125 ! КТ325 i 70...210* (5 8: 10 мА) s2,5 (5 8) - - $125 ' 160...400* (5 8; 10 мА) s2,5 (5 8) - - $125 ! ~ffl6Ф· 1 1 1 i ! 1 1 ! 1 i ' ' 1 i 1 1 ' !:) з о,о 1 1 ~ Корп.
112 Рк max' ~р• ~216• Тип Ст рук- Р~. т maxf (;lэ' прибора тура р~~ н max' с· '" мВт МГц КТ325АМ 1 n-p-n 225 (85°С) ~800 КТ325БМ 1 n-p -n 225 (85°С) ~800 КТ325ВМ n-p-n 225 (85°С) ~1000 1 1 1 1 1 КТ326А р-п-р 200 (30°С) ~250 КТ326Б p-n -p 200 (30°С) ~400 КТ326АМ р-п-р 200 (30°С) ~250 КТ326БМ р-п-р 200 (30°С) ~400 1 1 . КТ331А-1 n-p -n 15 ~250 КТ331Б-1 n-p-n 15 ~250 КТ331В-1 n-p-n 15 ~250 КТ331Г-1 n-p-n 15 ~400 КТ332А-1 n-p-n 15 ~250 КТ332Б-1 n-p -n 15 ~250 КТ3328-1 n-p-n 15 ~250 КТ332Г-1 n-p-n 15 ~500 КТ332Д-1 n-p-n 15 ~500 КТ333А-3 n-p-n 15 ~450 КТ333Б-3 n-p-n 15 ~450 КТ333В-3 n-p-n 15 ~450 КТ333Г-3 n-p-n 15 ~350 КТ333Д-3 n-p-n 15 ~350 КТ333Е-3 n-p-n 15 ~350 КТ336А n-p-n 50 ~250 КТ336Б n-p-n 50 ~250 КТ3368 n-p-n 50 ~250 КТ336Г n-p-n 50 ~450 КТ336Д n-p-n 50 ~450 КТ336Е n-p-n 50 ~450 КТ337А р-п-р 150 (60°С) ~500 КТ337Б p-n -p 150 (60°С) ~600 КТ337В р-п-р 150 (60"С) ~600 UКБО max' U~Rmax' u~max' в 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) 15* (IООк) 15* (IООк) 15* (IООк) 15* (IООк) 15* (IОк) 15* (!Ок) 15* (IОк) 15* (IОк) 15* (!Ок) 15* (IОк) 15* (IОк) 15* (!Ок) 15* (IОк) IO* (3к) 10* (3к) 1О* (3к) 1О* (3к) IO* (3к) IO* (3к) 1О* (3к) 1О* (3к) 1О* (3к) IO* (3к) 1О* (3к) 10* (3к) 6* ( !Ок) 6* (IОк) 6* (10к) t Раздел 2. Биполярные транзисторы lк max IКБО• UЭБО max' •:. н max' ·~R' в 1·· кэо• мА мкА 4 30 (60*) :S0,5 (15 8) 4 30 (60*) :S0,5(158) 4 30 (60*) :S0,5 (15 В) 5 50 :S0,5 (20 8) 5 50 :S0,5 (20 8) 5 50 :S0.5 (20 8) 5 50 :S0,5 (20 8) 1 3 20 (50*) :S0.2 (15 8) 3 20 (50*) $0,2(158) 3 20 (50*) :S0.2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2(158) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3,5 20 (45*) 1 :S0,4 (10 8) 3,5 20 (45*) :S0.4 (10 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 (10 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 ( 1О 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 (IO 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 ( 10 8) 4 20 (50*) :S0,5 ( 1О 8) 4 20 (50*) :S0,5 ( 1О 8) 4 20 (50*) :S0,5 (IO 8) 4 20 (50*) :s;0,5 (IO 8) 4 20 (50*) :S0,5 (IO 8) 4 20 (50*) :S0,5 ( 1О 8) 4 30 :Sl (6 8) 4 30 :s:I (6 8) 4 30 :SI (6 8)
Биполярные кремниевые транзисторы 113 с•. rкэ нас• О:м Кш, дБ тк, пс h21>' ь;,э с;2э• r~ нас• О:м r~, Ом t~act НС Корпус пФ к;.·,.. дБ Р;~х• Вт t::клt НС 30...90* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В) - - :5125 КТ325М 70...210* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В) - - :5125 ~!f~~ 160.. .400* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В) - - :5125 1 1 ~ 1С) ~ 1 ~ ~ 20... 70* (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :5450 КТ326 45... 160* (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :5450 ~5,81/ 81зiФу 1 ~ 1 ~ 20... 70* (2 В; 10 мА) ! :55(5В) :530 - :5450 1 КТ326М " 45...160* (2 В: 10 мА) :55 (5 В) :530 - :5450 =if~~ н ~ ~ 20...60 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 КТЗЗl-1 40...120 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 ~~if 80... 220 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 40...120 (5 В; 1мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 11 1 35К 20...60 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 ( 100 МГц) :5300 КТ332-1 40...120 (5 В; 1мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 ~~if 80... 220 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 40... 120 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 80...220 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 11 1 35К 30...90 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* КТЗЗЗ-3 50...150 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* ~пВt 70...280 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* 30...90 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* 50.. .150 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* е:sкоо6 70...280 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* О// Кпюч 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :530* КТ336 40... 120 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :530* ~80(1В;10мА) :55 (5 В) :530 - :550* ~~·1t 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :515* 40...120 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :515* ~80(1В;10мА) :55 (5 В) :530 - :515* ~~6оq,к Кпюч 0,0// ~30* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :520 - :525* КТ337 ~50* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :520 - :528* аз ~70* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :520 - :528* ~ .5$К 8зак9
114 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 Ркmах• ~•• t,;21•• UКБО max• lкmax 1 lкоо• Тип Р~.тmах• (;lэ' U~Rnux• UЭБОmах• 1;, н maxt 1 I~R• 1тура1 р~~ н maxt с· u~m.1x• в 1·· прибора ; 1 ". мА КЭО• мВт МГц в 1 мкА 1 КТ339АМ n-p-n i 260 (55°С) ~300 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339А n-p -n 260 (55 ·с> ~300 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339Б п-р-п 260 (55 ·с> ~250 25 4 25 sl (40 В) КТ339В п-р-п 260 (55 ·с> ~450 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339Г п-р-п 260 (55 ·с> ~250 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339Д п-р-п 260 (55 ·с> ~250 40 4 25 :Sl (40 В) КТ340А п-р-п 150 (85°С) ~300 15 5 50 sl (15 В) КТ340Б n-p -n 150 (85°С) ~300 20 5 50 sl (20 В) КТ340В n-p -n 150 (85°С) ~300 15 5 50 (200*) sl (15 В) КТ340Г п-р-п 150 (85°С) ~300 15 5 75 (500*) sl (15 В) КТ340Д n-p -n 150 (85°С) ~300 15 5 50 sl (15 В) КТ342А 1 n-p-n 250 ~250 35 5 50 (300*) s0,05 (25 В) КТ342Б 1 п-р-п 250 ~300 30 5 50 (300) s0,05 (20 В) КТ342В 1 п-р-п 250 ~300 25 5 50 (300) s0.05 (10 В) КТ342Г n-p-n 250 ~300 60* (lОк) 5 50 (300*) $0,05 (60 В) КТ342АМ п-р-п 250 ~250 35 5 50 (300*) :S0,05 (25 В) КТ342БМ n-p -n 250 ~300 30 5 50 (300*) s0.05 (20 В) КТ342ВМ п-р-п 250 ~300 25 5 50 (300*) :S0,05 (10 В) КТ342ГМ 1 n-p -n 250 ~150 30* (lОк) 5 50 (300*) :S0,05 (30 В) КТ342ДМ п-р-п 250 ~150 25* ( lОк) 5 50 (300*) :S0.05 (25 В) 1 i КТ343А р-п-р 150 (75°С) ~300 17* (lОк) 4 50 (150*) :Sl (10 В) КТ343Б р-п-р 150 (75°С) ~300 17* (lОк) 4 50 (150*) sl (10 В) КТ343В р-п-р 150 (75°С) ~300 9* (lОк) 4 50 (150*) :Sl (7 В) КТ345А р-п-р 300 (600**) ~350 20* (lОк) 5 200 (300*) :S0,5 (20 В) КТ345Б р-п-р 300 (600**) ~350 20* (lОк) 5 200 (300*) :S0,5 (20 В) КТ345В р-п-р 300 (600**) ~350 20* (10к) 5 200 (300*) s0,5 (20 В) КТ347А р.-п-р 150 (75°С) ~500 15* (lОк) 4 50 (110*) sl (15 В) КТ347Б р-п-р 150 (75°С) ~500 9* (IОк) 4 50 (110*) sl(9В) КТ347В р-п-р 150 (75°С) ~500 6* ( lОк) 4 50(110*) sl(6В) 1 i 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 115 il i 1 1 1 1 1 1 с.. rкэ,..,• Ом Кw,дБ tк, ПС ! h21•' ь;IЭ 1 с;2,• r~Энас• Ом r;, Ом t;acl НС Корпус i пФ к;.*•.. дБ Р;~х• Вт t::кл• НС , ~25* (10 В; 7 мА) :52 (5 В) - - :525 КТ339М 1 ~~~ ~ ~-. ~. ~-~ ~25* (10 В; 7 мА) :52 (5 В) - - :525 КТ339 ~15* (10 В: 7 мА) 1 :52 (5 В) :525 1 - - 1 5 1 ~25*(10В;7мА) :52 (5 В) :550 1 - - 1 ~40*(10В;7мА) 1 :52(5В) - - :5100 ..,. з 1 ~15*(10В:7мА) 1 :52(5В) - - :5150 :: 6$К ~ 100... 300* (1 В: lОмА) :53, 7 (5 В) :520 - :545; :510* КТ340 ~100* (1 В; 10 мА) :53,7 (5 В) :525 - :540; :515* 115,81/ ~35* (2 В; 0,2 А) :53,7 (5 В) :52 - :585; :515* ;fi ~16* (2 В; 0,5 А) :53,7 (5 В) :51,2 - :585; :515* ~40* (2 В; 0,2 А) :56 (5 В) :530 - :5150; :575* кфз ~ 1 1 1 6 1 i100...250*(5В: 1мА) 1 :58(5В) :510 - :5200 1 КТ342 н 200...500* (5 В: 1 мА) 1 :58 (5 В) :510 - :5300 400 .. .1000* (5 В: 1 мА) :58 (5 В) :510 - :5700 115,81/ 50... 120* (5 В; 1 мА) :58 (5 В) :510 - - ;fi кфз 6 100... 250* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - :5200 КТ342М 200...500* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - :5300 ~~~ 400 ... 1000* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - :5700 1 1 100... 250* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - - 1 200...500* (5 В: 2 мА) 1 :58 (5 В) :510 - - 1 i i ! lr) ~-. ! ! 1 ~. ~ 1 -~ , 1 ~30* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :510* КТ343 ~50* (0,3 В: 10 мА) :56 (5 В) :530 - :520* fiз ~30* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :510* ~ .5$К ~20* (1 В; 100 мА) 1 :515 (5 В) :53 - 1 :570* 1 КТ345 ~50* (1 В: 100 мА) :515 (5 В) :53 - 1 :570* ~~~ ~70*(1В:100мА) 1 :515(5В) :53 - 1 :570* ~ i 1 ~ ~-. ~ ~ -~ 30 .. .400* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :525* КТ347 30.. .400* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :525* 53 50".400* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :540* 1 1 ~ .5$К 1 1 ~
116 Раздел 2. Биполярные транзисторы Pкmaxt ~•• t ,;216' UКБО max• IKmax JКБО, Тип Струк- Р~.тmах• 1i:;1 ~· u~Rmaxt UЭБО max• J~,н m"x• I~R• р;~ н max• с· u~max' в 1~, прибора тура ". мВт МГц в мА мкА КТ348А-3 n-p-n 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(58) КТ348Б-3 1 n-p -n 15 ~100 5* (3к) 1 3,5 15 (45*) 1 $1(58) КТ348В-3 1 15 ~100 5* (3к) 1 3,5 1 15 (45*) 1 $1(58) 1 n-p-n 1 1 ' 1 1 1 i 1 1 Р. i ! 1 1 1 : ! 1 1 i 1 1 1 1 КТ349А p-n-p 200 (35°С) ~300 15* (IОк) 4 50 (100*) $1 (IO 8) КТ349Б p-n-p 200 (35°С) ~300 15* (lОк) 4 50 (100*) $1 (10 8) КТ349В p-n -p 200 (35°С) ~300 15* (IОк) 4 50 (100*) $1 (10 8) 1 1 1 КТ350А 1 p-n-p ! 300 (30°С) ~100 20 5 600* i $1 (108) IKT351A i 1 300 (30°С) 1 ~200 15* (10к) 1 5 1 400* 1 $1(108) 1 p-n-p ! КТ351Б 1 p-n-p 1 300 (30°С) ~200 15" (lОк) 1 5 1 400* 1 $1(108) ! 1 1 1 i 1 КТ352А p-n -p 300 (30°С) ~200 20 5 200* $1 (10 8) КТ352Б p-n -p 300 (30°С) ~200 20 5 200* $1 (10 8) КТ354А-2 n-p-n 30 ~1100 10* (3к) 4 10 (20*) $0,5 (10 8) КТ354Б-2 п-р-п 30 ~1500 10* (3к) 4 10 (20*) $0.5 (10 8) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 r. 1 1 1 ; i 1 1 1 1 1 1 ' 1 i 1 КТ355А 1 n-p-n 225 (85°С) ~1500 15" (3к) 4 30 (60*) $0,5 (15 8) КТ355АМ n-p-n 225 (85°С) ~1500 15* (3к) 4 30 (60*) $0,5 (15 8) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ357А p-n -p 100 (50°С) ~300 6* 3,5 40 (80*) $5(68) КТ357Б p-n-p 100 (50°С) ~300 6* 3,5 40 (80*) $5(68) КТ357В p-n-p 100 (50°С) ~300 20* 3,5 40 (80*) $5 (20 8) КТ357Г p-n-p 100 (50°С) ~300 20* 3,5 40 (80*) $5 (20 8) 1 КТ358А 1 n-p-n 100 (50°С) ~80 15 4 1 30 (60*) 1 $10 (15 8) КТ358Б 1 1 100 (50°С) ~120 30 4 1 30 (60*) 1 $10 (30 В) n-p-n 1 1 !КТ358В n-p -n 1 100 (50°С) ~120 15 4 30 (60*) $10 (15 8) 1 1 1 1 1 ! 1
Биполярные кремниевые транзисторы 117 ! с•. Гкэнас• Ом Кш, дБ т•• пс 1 h21.• ь;,э c;2.t• r~н.ас• О:м r;, Ом t~ilL' НС Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:", Вт t::1и11 НС 25...75 (1 В; 1 мА) :S:ll (1 В) :!>30 - :!>130* КТ348-3 35... 120 (1 В; 1 мА) :S:ll (1 В) :s:30 - :!>130* ().7 0,25 80...250 ( 1 В; 1 мА) :S:ll (1 В) :!>30 - :!>130* . 1 ~~]: с:sкоо6 О// Кпюч 20...80* ( 1 В; 10 мА) :s:6 (5 В) :s:30 -· - КТ349 40... 160• (1 В; 10 мА) 1 :!>6 (5 В) :!>30 - - ьэ 120... 300* (1 В; 10 мА) :!>6 (5 В) :!>30 - - ~.6$К 20...200* ( 1 В: 0,5 А) :!>70 (5 В) :!>2 - - КТ350, КТЗ51, КТ352 20...80* ( 1 В; 0,5 А) :s:20 (5 В) :S:l,5 - - ~!!:~ 50...200* ( 1 В: 0,3 А) :!>20 (5 В) :!>2,25 - - 25... 125* (1 В: 0,2 А) :!>15 (5 В) :s:3 - - 11') ~-• 70...300* (1 В; 0,2 А) :s:l5 (5 В) :s:3 - :!>150* ~ ~ ! -~ 40... 200 (2 В; 5 мА) :s:l,3 (5 В) - :s:IO* :!>25 КТЗ54-2 90...360 (2 В; 5 мА) :S:l,3 (5 В) - :S:IO* :s:30 1 0,8 ~щ ~Ж i 5КЭ 80...300* (5 В: 10 мА) 1 :s:2 (5 В) - :s:5,5 (60 МГц) :s:60 КТ355 ~~6ф• 11;:) з о,о ~ Корп. 80...300* (5 В; 10 мА) :s:2 (5 В) - :s:5,5 (60 МГц) :s:60 КТ355М 1 ~!!:~ 11') ~ • ~ ~..... ,, _ 20... 100* (0,5 В; 10 мА) :s:7 (5 В) :!>30 - :!>150* КТ357 60... 300* (0,5 В; 10 мА) :s:7 (5 В) :!>30 - :!>250* .1j 20... 100* (0,5 В; 10 мА) :s:7 (5 В) :s:30 - :!>150* 60... 300* (0,5 В; 10 мА) :!>7 (5 В) :s:30 - :!>250* ~lm ' ~ 10.. .100* (5.5 В: 20 мА) :!>5 (10 В) :!>40 - :!>500 КТ358 125 ... 100• (5.5 В: 20 мА) J :s:5 (10 В) :!>40 - 1 :!>500 1 ~!!:~ l 50...280* (5.5 В; 20мА)1 :!>5(108) :!>40 - :!>500 1 \ i 1 1 1 1 11') ~-• ~ ~ -~
118 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~•• ~210• UКБО max• •кmах Iкro • Тип Струк- Р;.тmах• \;lt• U~Rmax• UЭБОша).• 1~.н max• I~R• прибора р;~нmах• с· u;ЭOmax• в 1~, тура ". мА мВт МГц в мкА КТ359А-3 п-р-п 15 ~300 15* (3к) 3,5 20 S0,5 (15 В) КТ359Б-3 п-р-п 15 ~300 15* (3к) 3,5 20 ~.5 (15 В) КТ3598-3 п-р-п 15 ~300 15* (3к) 3,5 20 s0,5 (15 В) КТ360А-1 р-п-р 10 (55°С) ~300 25 5 20 (75*) Sl (25 В) КТ360Б-1 р-п-р J..O (55°С) ~400 20 4 20 (75*) Sl (20 В) КТ360В-1 р-п-р 10 (55°С) ~400 20 4 20 (75*) 1 sl (20 В) i 1 1 j i 1 1 1 1 1 КТ361А р-п-р 150 (35°С) ~250 25 4 50 Sl (10 В) КТ361А1 р-п-р 150 ~150 25 4 100 Sl (10 В) КТ361Б р-п-р 150 (35°С) ~250 20 4 50 sl (10 В) КТ361В р-п-р 150 (35°С) ~250 40 4 50 Sl (!О В) КТ361Г р-п-р 150 (35°С) ~250 35 4 50 sl (!О В) КТ361Г1 р-п-р 150 ~250 35 4 100 Sl (!О В) КТ361д р-п-р 150 (35°С) ~250 40 4 50 sl (!О В) КТ361д1 р-п-р 150 ~150 40 4 50 1 sl (!О В) КТ361Е р-п-р 150 (35°С) ~250 35 4 50 Sl (!О В) 11КТ361Ж i р-п-р 150 ~250 10 4 50 sl (10 В) КТ361И р-п-р 150 ~250 15 4 50 Sl (10 В) КТ361К р-п-р 150 ~250 60 4 50 Sl (10 В) КТ361Л р-п-р 150 ~250 20 4 100 Sl (10 В) КТ361М р-п-р 150 ~250 40 4 100 Sl (10 В) КТ361Н р-п-р 150 ~150 45 4 50 Sl (10 В) КТ361П р-п-р 150 ~300 50 4 50 sl (!О В) КТ361А-2 р-п-р 150 ~250 25 5 100 Sl (10 В) КТ361А-3 р-п-р 150 ~150 25 5 100 Sl (10 В) КТ361Б-2 р-п-р 150 ~250 20 5 50 Sl (!О В) КТ361В-2 р-п-р 150 ~250 40 5 50 sl (10 В) КТ361Г-2 р-п-р 150 ~250 35 5 50 1 Sl (!О В) КТ361Г-3 1 р-п-р 150 ~250 35 5 50 1 Sl (108) КТ361д-2 р-п-р 150 ~250 40 5 50 Sl (!О В) КТ361д-3 р-п-р 150 ~150 40 5 50 Sl (10 В) КТ361Е-2 р-п-р 150 ~250 35 5 50 Sl (10 В) КТ361Ж-2 р-п-р 150 ~250 10 5 50 Sl (10 В) КТ361И-2 р-п-р 150 ~250 15 5 50 Sl(ЮВ) КТ361К-2 р-п-р 150 ~250 60 5 50 Sl (!О В) КТ361Л-2 р-п-р 150 ~250 20 5 100 Sl (10 В) КТ361М-2 р-п-р 150 ~250 40 5 100 Sl (10 В) КТ361Н-2 р-п-р 150 ~150 45 5 50 Sl (10 В) КТ361П-2 р-п-р 150 ~300 50 5 50 sl (10 В) КТ363А р-п-р 150 (45°С) ~1200 15* (lк) 4,5 1 30 (50*) 1 s0.5 (15 В) КТ363Б р-п-р 150 (45°С) ~1500 12* (lк) 4,5 30 (50*) 1 S0,5 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 ; КТ363АМ р-п-р 150 (45°С) ~1200 15* ( 1к) 4,5 30 (50*) S0,5 (15 В) КТ363БМ р-п-р 150 (45°С) ~1500 12* (lк) 4,5 30 (50*) s0,5 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 1'19 1 с•• rкэ нас• Ом Kw, дБ 1 tк, ПС h2,,1 ь;,э с;2,• r~нас• Ом r~, Ом t;,.., нс Корпус ~ пФ к:~•-' дБ Р;~", Вт 1 t::м' НС 1 1 1 1 1 !30...90(18:10мА) 1 s5(58) $70 $6 (20 МГц) 1 $100 1 КТ359-3 1 i50...150(18:10мА) 1 s5(58) s70 S6 (20 МГц) slOO 1 ~~t 1 70...280(18:10мА) 1 s5(58) 1 $70 s6 (20 МГц) $100 i 1 1 ! 1 е:sкоо6 Ключ О// 20...70 (2 8; 10 мА) s5(58) s35 - S450; SIOO* КТ360-1 40... 140 (2 8; 10 мА) s5(58) s35 - S450; S200* !5ir 80...240 (2 8; 10 мА) s5(58) $35 - s450; s200* 1 1 t 1 ~ 1 1 1 - 1 ' i 5КЭ ,, 20...90(108:1мА) 1 S9(108) $20 $40* s500 1 КТ361, КТ361-1 20...90 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* $500 '1 50...350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* s500 40...160 (10 8: 1 мА) $7(108) $20 $40* $1000 50...350 (10 8; 1 мА) s7 (10 8) $20 $40* s500 7.2 J 100... 350 (10 8; 1 мА) $7(108) s20 s40* $500 v 20...90 (10 8; 1 мА) s7 (10 8) s50 - S250 ~ffii 20...90 (10 8; 1 мА) $7(108) $50 - s250 50...350 (10 8: 1 мА) s7 (10 8) s50 - $1000 ~фD 50...350 (10 8; 1 мА) $9(108) s50 - slOO ;е:250(108; 1 мА) 1 $9(108) s50 - $1000 6КЗ 50...350 (10 8: 1 мА) s7 (IO 8) s50 - s500 50...350 (10 8; 1 мА) 1 s9(108) - - - 70...160 (10 8: 1 мА) s7(108) - - - 20...90 (10 8: 1 мА) S7 (10 8) - - - 100...350 ( 10 8; 1 мА) s7 (10 8) - - - ! 20...90 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* s500 КТ361-2, КТ361-3 20...90 (10 8: 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* s500 50...350 (1О 8: 1 мА) $9(108) s20 s40* s500 40...160 (10 8; 1 мА) s7 (10 8) s20 $40* $1000 50...350 (10 8; 1 мА) $7(108) s20 $40* s500 100... 350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) $20 $40* s500 f 20...90 (!О 8; 1 мА) $7(108) s50 - $250 : 20...90 (10 8: 1 мА) S9 (10 8) s50 - 1 s250 ~ ~t€~ 50...350 (10 8: 1 мА) ' $7(108) $50 $1000 1 1 - 50...350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s50 - SIOO 1 250(108:1мА) 1 s9(108) s20 - $1000 ~- ~ - 50...350 (10 8; 1 мА) s7 (IO 8) s20 - s500 50...350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) - - - 70...160 (10 8; 1 мА) s7(108) - - - 20...90 (10 8; 1 мА) $7(108) - - - 100...350 ( 10 8; 1 мА) s7(108) - - - 20...120* (5 8; 5 мА) s2(58) $35 - s50 КТ363 40...120* (5 8; 5 мА) s2(58) s35 - S75 fl5,811 1 1 ОзФ• 1 20...120* (5 8; 5 мА) s2(58) $35 - s50 КТ363М 40...120* (5 8; 5 мА) $2(58) $35 - s75 ~IJ:~ 11') ~-• ~ ~ -~
120 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• ~.. (,,.. UКБО max• lк max lкБО• Тип Струк- Р~. т max• \;(эt U~Rmaxt UЭБО maxt J~.и m:.x• 1~•• прибора р~~н max• ~~·:х' u;.эо max• в г тура мА КЭО• мВт МГц в мкА КТЗ64А-2 p-n-p 30 ~250 25 5 200 (400*) :51 (25 8) КТЗ64Б-2 p-n-p 30 ~250 25 5 200 (400*) :51 (25 8) КТ364В-2 р-п-р 30 ~250 25 5 200 (400*) :51 (25 8) 1 КТЗ66А 1 n-p-n 1 30 (7о·с) ~1000 15 4,5 10 (20*) :50,1 (15 8) КТЗ66Б n-p -n 30 (7О0С) ~1000 15 4,5 20 (40*) :50,1 (15 8) КТЗ66В n-p-n 30 (7о·с) ~1000 15 4,5 45 (70*) :50,1 (15 8) 1 КТЗ68А n-p-n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50.5(158) КТЗ68Б n-p -n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50,5 (15 8) 1 1 КТЗ68А-5 n-p-n 225 (65°С) ~900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 8) КТ368А-9 n-p-n 100 ~900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 8) КТЗ68Б-9 n-p -n 100 ~900 15* 4 30 (60*) 0,5(158) 1 КТЗ68АМ n-p-n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50,5(158) КТЗ68БМ n-p-n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50.5 (15 8) КТЗ68ВМ n-p -n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) 1 :50.5 (15 8) 1 1 1 1 j 1 1 1 ! 1 1 1 1 i 1 1 КТЗ69А n-p-n 50 ~200 45 4 250 (400*) :57 (45 8) КТЗ69Б 1 n-p-n 50 ~200 45 4 250 (400*) :57 (45 8) КТЗ69В n-p -n 50 ~200 65 4 250 (400*) :510 (65 8) КТЗ69Г n-p-n 50 ~200 65 4 250 (400*) :510 (65 8) 1 1 1 i ! ! 1 ~~ 1 1 1 i 1 КТЗ69А-1 n-p-n 1 50 ~200 45 4 250 (400*) :57 (45 8) КТЗ69Б-1 1 П:Р-П 1 50 ~200 45 4 1 250 (400*) i :57 (45 8) i jKT369B-l 1 n-p-n 1 50 ~200 65 4 250 (400*) 1 :510(658) 1 КТЗ69Г-1 1 n-p-n 1 50 ~200 1 65 4 1 250 (400*) 1 :510 (65 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 20...70* (1 8; 0.1 А) 40... 120* (1 8; 0,1 А) 80...240* (1 8: 0.1 А) 50...200 (1 8; 1 мА) 50...200 ( 1 8; 5 мА) 50...200 (1 8; 15 мА) 50...300* (5 8; 10 А) 50...300* (5 8; 10 мА) 50...450 (1 8; 10 мА) 50...300 (1 8; 1О мА) 50...300 (1 8; 10 мА) 50...450* (5 8; 10 мА) 50.. .450* (5 8; 10 мА) 100.. .450* (5 8; 10 мА) 20... 100* (2 8; 0,15 А) 40...200* (2 8; 0,15 А) 20... 100* (3 8; 10 мА) 40...200* (3 8; 10 мА) 20... 100* (2 8; 0.15 А) 40...200* (2 8; О, 15 А) 20... 100* (3 8; 10 мА) 40...200* (3 8; 10 мА) =>15 (5 8) =>15 (5 8) =>15 (5 8) =>1,1 (0,1 8) =>1,8 (0,1 8) =>3,3 (0,1 8) =>1,7 (5 8) :=>1,7 (5 8) =>1,7 (5 8) $1,7(58) =>1,7 (5 8) =>1,7 (5 8) $\,7(58) =>1,7 (5 8) =>15 (10 8) =>15 (10 8) =>10 (10 8) =>10 (10 8) =>15 (10 8) =>15(108) $10(108) =>10 (10 8) rкэ нас• Ом r~э нас' Ом к;.·•.. дБ $30 :s;ЗО =>30 =>80 =>25 =>16 $4 $4 =>2,5 $2,5 $4 $4 =>2,5 =>2,5 Кш, дБ r;, Ом Р;:х' Вт =>3,3 (60 МГц) =>3,3 (60 МГц) =>3,3 (60 МГц) =>3,3 (60 МГц) tk, пс f~acl НС t:•ыкл' НС $500; =>150* =>500; =>180* =>500; =>230* =>60; =>50* =>60; =>80* =>60; =>120* $15 =>15 =>15 (10 мА) =>15(10мА) =>15 (!О мА) =>5 $15 121 Корпус КТЗ64-2 J 1 1 1 ~t-lnlт 1 ~11 бКЗ КТЗ68 "":>Eit45,8 з ~ Корл~б ~ 'Qf КТЗ68А-5 КТЗ68-9 КТЗ68М КТЗ69 КТЗ69-1 -~~ КбЭ
122 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• \210• UK60max' IKmax •коо• Тип Струк- Р~. тmax• \;1~' U~Rmax• UЭБОmах• 1~.н max• ·~R' р~~11 max• с· u~max• в ••• прибора тура ". кэо• мВт Мfц в мА мкА КТ370А-1 р-п-р 15 ~1000 15* (lк) 4 15 (30*) g),5 (15 В) КТ370Б-1 р-п-р 15 ~1200 12* (lк) 4 15 (30*) ~О.5 (12 В) КТ370А-9 30 (5о·с> 1000 15* (lк) 4 15 (30*) ' ~О.5 (15 В) р-п-р КТ370Б-9 р-п-р 30 (5о·с> 1000 12* (lк) 4 15 (30*) \ ~О.5 (12 В) КТ371А п-р-п 100 (65°С) ~3000 10 3 20 (40*) ' ~0.5 (10 В) 1 1 1 КТ371АМ п-р-п 100 (85°С) ~3000 10* (3к) 3 20 (40*) ~О.5 (10 В) 1 КТ372А п-р-п 50 <1оо·с> ~2400 15* ( lОк) 3 10 ~О.5 (15 В) КТ372Б п-р-п 50 <1оо·с> ~3000 15* (IОк) 3 10 ~О.5 (15 В) КТ372В п-р-п 50 (1оо·с> ~2400 15* (lОк) 3 10 ~О.5 (15 В) КТ373А п-р-п 150 (55°С) ~350 30* (lОк) 5 50 (200*) ~О.05 (25 В) КТ373Б п-р-п 150 (55°С) ~300 25* (lОк) 5 50 (200*) ~О.05 (20 В) КТ3738 1 п-р-п 150 (55°С) ~300 10* (lОк) 5 50 (200*) ~О.05 (10 В) KT373f п-р-п 150 (55·с> ~250 60* (10к) 5 50 (200*) ~О.05 (25 В) 1 1 1 КТ375А п-р-п 200 (400**) ~250 60 5 100 (200*) ~1 (60 В) КТ375Б п-р-п 200 (400**) ~250 30 5 100 (200*) ~1 (30 В) 1 КТ379А 1 п-р-п 1 25 ~250 30* (lОк) 5 30 (100*) ~0.05 (30 В) КТ379Б п-р-п 25 ~300 25* (IОк) 5 30 (100*) ~О.05 (25 В) КТ379В п-р-п 25 ~300 10* ( lОк) 5 30 (100*) ~О.05 (10 В) KT379f п-р-п 1 25 ~250 60* (lОк) 5 30 (100*) ~О.05 (60 В)
Биполярные крем - ь· h:llэ' 213 70(5В;3мА) 20 ::·l20 (5 В; 3 мА) 40. 20 70(5В:3мА) 40.:: ·120 (5 В; 3 мА) 30...240 (1 В; 10 мА) 30...240 (1 В: 10 мА) >10* (5 В; 10 мА) ;lO* (5 В; 10 мА) ;1о~ (5 В; 10мА) 100... 250 (5 В; 1 мА) 200 500(5В; 1мА) 400 ...1000 (5 В; 1 мА) 50::: 125 (5 В: 1 мА) ниевые транзисторы ! 1 1 i 1 i ck, с~2э' пФ :s:2 (5 В) :52 (5 В) <2(5В) :s:2 (5 В) :s:l,2 (5 В) :51,2 (5 В) <1(5В) :s:l (5 В) :s:I (5 В) <8(5В) ~8(5В) :58 (5 В) :s:8 (5 В) 1 1 Гкэ нас' Ом · Ом ГБЭнас' К" дБ у.р.' <35 :535 9,9 9,9 >9** (400 МГц) >10** (1 ГГц) >10** (1 ГГц) ;10** (1 ГГц) <10 :510 :510 :520 1 1 123 1 1 Кш, дБ 'tкt ПС Корпус r;, Ом t~"("t нс 1 гнс р" Вт ВЫК.1'1 I •ыхt <50; <10* КТЗ70-1 <50; <10* ~~~It 1 !., " ~ БКЗ i! 1 КТЗ70-9 1 <10* J 0,95 <10* 1 ~~х_ <5 (400 МГц) <15 КТЗ71 <10* ~t <5 (400 МГц) <15 КТЗ71М ~i! КТЗ72 i 1' <3,5 ( 1 ГГц) <9 ."~ <9 <5,5 ( 1 ГГц) :59 :55.5 ( 1 ГГц) 4ц~ N КТЗ73 КТЗ75 КТЗ79 1 1 1 ~~t Ключ
124 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 1 1 ; ! Рк max' ~•• \21•• UКБО maxt 1 lк moix 1 lкоо• Тип P~.тmaxt ~;l~t U~Rmax' Uэоо max• 1~.н max• 1 J~R' прибора 1 тура , р;~ н max• с:х. u~max• в 1 1·· 1 1 1 мА 1 КЭО• мВт мrц в 1 мкА КТЗSОА 1 i 15 1 <!:ЗОО 17* ( 10к) 4 10(25*) i Sl(108) i р-п-р 1 1 IКТЗSОБ 1 р-п-р 15 <!:ЗОО 1 17* (lОк) 4 10(25*) i Sl(108) 1 ктзsов 1 р-п-р 15 1 <!:ЗОО 9* (lОк) 4 20 (25*) 1 :!>l (7 8) 1 1 1 i ! 1 1 1 1 1 1 КТЗ81Б п-р-п 15 <!:200 25 6,5 15 1 о.аз (5 8J КТЗ81В п-р-п 15 <!:200 25 6,5 15 1 о.аз (5 8) ктзs1r п-р-п 15 <!:200 25 1 6,5 15 О,ОЗ (5 8) КТЗ81д 1 п-р-п 15 <!:200 25 6,5 15 1 О,ОЗ (5 8) КТЗ81Е 1 п-р-п 15 <!:200 25 6,5 - 15 1 О,ОЗ (5 8) 1 1 1 КТЗ82А п-р-п 100 (65°С) <!:1800 15 з 20 (40*) s0,5 (15 8) КТЗ82Б п-р-п 100 (65°С) <!:1800 15 з 20 (40*) :!>0,5 (15 8) КТЗ82АМ п-р-п 100 (85°С) <!:1800 15 з 20 (40*) 1 s0,5 (15 8) КТЗ82БМ 1 п-р-п 1 100 (85°С) <!:1800 15 з 20 (40*) 1 s0.5 (15 8J 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 КТЗ84А-2 1 п-р-п 300 2!:450 30* (5к) 4 1 300 (500*) 1 :!>10 (30 8) 1 КТЗ84АМ-2 п-р-п 300 2!:450 30* (5к) 4 300 (500*) :!>10 (ЗО 8) КТЗ85А-2 п-р-п зоо <!:200 60 4 зоо (500*) :!>10 (60 8) 1 1 ! 1 1 1 1 ! 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 КТЗ85АМ-2 п-р-п 300 <!:200 60 4 300 (500*) slO (60 8) КТЗ85БМ-2 п-р-п зоо <!:200 60 4 300 (500*) :!>10 (60 8)
Биполярные кремниевые транзисторы 125 ck, rкэнас• Ом Kw, дБ t., пс ь.,,. ь;,э с;2э• r;э нас• Ом r;, Ом t;,.,, нс Корпус пФ к;.·", дБ Р;:х• Вт t::кп• НС . 30...90 (0.3 8: 10 мА) 1 :s;б (5 8) :;;30 - 10* 1 КТЗ80 50 ... 150 (0.3 8: 10 мА) :s;б (5 8) :;;30 - 20* 1 1 f 30...90 Ю.3 8: 10 мА) 1 :s;б (5 8) :;;30 - 10* ~No~ ' 1 кз \ ~40 (5 8; 10 мкА) - - - - КТЗ81 ~30 (5 8; 10 мкА) - - - - 1 f ~20 (5 8; 10 мкА) - - - - ~~~ ~20 (5 8; 10 мкА) - - - - ~20 (5 8; 10 мкА) - - - - - 1 1 \ 1 1 зк 40...330 (18; 5 мА) :;;2 (5 8) ~9** (400 МГц) :;;3 (400 МГц) 1 :S;l5 1 КТЗ82, КТЗ82М 40...330 (1 8; 5 мА) :;;2 (5 8) ~5** (400 МГц) :S;4,5 (400 МГц) 1 :;;10 ~t 40...330 (1 8; 5 мА) :;;2 (5 8) ~9** (400 МГц) :;;3 (400 МГц) :S;l5 40...330 (1 8; 5 мА) :;;2 (5 8) ~5** (400 МГц) :;;4,5 (400 МГц) :;;10 30...180* (1 8; 0,15 А) 1 :;;4 (10 8) S4 - Sl5* КТЗ84-2 1 ~t/ 1\ t::::. 1 5КЗ 30 ... 180* (1 8; 0,15 А) :;;4(108) S4 - Sl5* 1 КТЗ84М ' J ~ 1 -~ 1 К6З 20...200* (1 8; О, 15 А) :;;4 (10 8) :;;5 - :s;бО* КТЗ85-2 ~re~rt . 11\..... 1 1 5КЗ 1 20 ... 200• (1 8: 0.15 А) 1 :;;4(108) s5 - sбО* КТЗ85М 20...100* (1 8: О, 15 ~) 1 :;;4 (!О 8) s5 - sбО* J ~ 1 -~К6З
126 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~р• \210• UKБOmax• IKmax JКБО• Тип Струк- Р;, т max• ~;lэ• U~Rmax• UЭБОmах• 1:.и max• ·~R' прибора р;~ н max• ~:·:х• u~max• в ••• тура мА кэо• мВт мrц в 1 мкА КТЗ88Б-2 p-n-p i 300 (8О0С) 1 <!:250 50 4,5 250 .: :;2 (50 В) i 1 1 КТЗ88БМ-2 p-n-p 300 <!:250 50 4,5 250 .: :;2 (50 В) КТЗ89Б-2 1 p-n-p 300 (80°С) 2!:450 25* (!к) 1 4,5 1 300 1 .::;1 (25 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТЗ91А-2 n-p-n 70 (85°С) <!:5000 15 2 10 .::;О,5 (10 В) КТЗ91Б-2 n-p-n 70 (85°С) <!:5000 15 2 10 .::;О,5 (!О В) КТЗ91В-2 n-p-n 70 (85°С) 2!:4000 10 1 10 .::;О,5 (7 В) 1 1 1 i 1 1 1 КТЗ92А-2 p-n-p 120 (65°С) <!:300 40* (5к) 4 10 (20*) .::;О,5 (40 В) 1 КТЗ96А-2 1 n-p -n 1 30 (50°С) 2!:2100 15 3 40 1 .::;О,5 (15 В) i i 1 1 КТЗ96А-9 n-p -n 100 <!:2100 15 3 40 .::;О,5 (15 В) 1 КТЗ97А-2 i n-p -n 120 (90°С) <!:500 40* (!Ок) 4 10 (20*) .::;1 (40 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 25 ... 100* (1 В; 0.12 А) 25 ... 100* (1 В; 0.12 А) 25...100* (1 В: 0.2 А) <!:20 (7 В: 5 мА) <!:20 (7 В: 5 мА) <!:20 (7 В: 5 мА) 1 1 ~7 (10 В) ~7 (10 В) ~10 (10 В) ~0.7 (5 В) 1 1 ~0.7(5В) 1 ~О.7 (5 В) 1 1 1 40... 180* (5 В; 2.5 мА) 1 ~2.5 (5 В) 1 ! 40...250 (2 В: 5 мА) ~1.5 (5 В) 1 40...250 (2 В: 5 мА) ~2(5В) 1 ! i 40...300 (5 В; 2 мА) 1 ~1.3 (5 В) 1 1 1 rКЭнк• Ом r;энк• Ом к;.·,.. дБ ~5 ~5 ~3 ~50 ~11* ~25* 1 1 Kw, дБ r~, Ом Р;~х• Вт ~4.5 (3,6 ГГц) 1 ~5.5 (3.6 ГГц) ~6 (3,6 ГГц) 1 4,5 (100 МГц) ! - тк, пс ~~,.нс f•ыК.11• НС 60; ~60* ~25*; ~180 ~3.7 ~3.7 ~3.7 ~120 ~15 ~15 ~40 ! 1 1 1 1 i'i 1 ' ' 11 1 1 ' 1 1 ! i1 1 ! 127 Корпус КТ388-2 (КТ388БМ-2) ;;~у ~,,,~о 6к3 КТ389-2 ~ri (4 "' 111 ~l 5КЗ КТ391-2 КТ392-2 2,2 1,1/ ~,~l 5КЗ КТ396-2 ~~~! 5КЗ I КТ396-9 ! f ~~111,2 5з ~ КТ397-2 ~~~ 11\~ ~ 6к3 G ~Р.
128 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• t,;" •• UКБО max• lк max lкю• Тип Струк- Р~.тmaxt \;lэ' U~Rmaxt UЭБО maxt J~.н maxt I~R' прибора р~~ н maxt с· u~max' в 1~, тура "' мА мВт МГц в мкА КТ399А n-p-n 150 (55°С) ~1800 15** 3 1 20 (40*) :о;О,5 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ399АМ n-p-n 150 (55°С) ~1800 15** 3 30 (60*) :о;О,5 (15 В) 1 1 КТ501А p-n-p 350 (35°С) ~5 15* ( !Ок) 10 1 300 (500*) $1*(15В) КТ501Б 1 p-n-p 350 (35°С) ~5 15* (!Ок) 10 300 (500*) 1 $1* (15 В) КТ501В p-n-p 350 (35·с) ~5 15* (IОк) 10 300 (500*) $1*(15В) КТ501Г 1 p-n-p 350 (35°С) ~5 30* ( !Ок) 10 1 300 (500*) $1*(30В) КТ501д p-n-p 350 (35°С) ?:5 30* (!Ок) 10 300 (500*) :o;I * (30 В) КТ501Е p-n-p 350 (35°С) ?:5 30* ( !Ок) 10 300 (500*) $1*(30В) КТ501Ж p-n-p 350 (35°С) ?:5 45* ( !Ок) 20 300 (500*) $1*(45В) КТ501И p-n-p 350 (35°С) ?:5 45* (IОк) 20 300 (500*) :o;I * (45 В) КТ501К p-n-p 350 (35°С) ?:5 45* (IОк) 20 300 (500*) 1 $1*(45В) i 1 КТ501Л 1 p-n-p 350 (35°С) ~5 60* (IОк) 1 20 300 (500*) 1 :o;I * (60 В) i IKT501M 1 p-n-p 350 (35°С) ?:5 60* ( !Ок) 20 1 300 (500*) 1 $1*(60В) 1 ! КТ502А 1 p-n-p 350 5... 50 40 5 1 150 (300*) :o;I (40 В) КТ502Б p-n-p 350 5... 50 40 5 1 150 (300*) :o;I (40 В) КТ502В p-n-p 350 5... 50 60 5 150 (300*) :o;I (60 В) КТ502Г p-n-p 350 5... 50 60 5 1 150 (300*) :o;I (60.В) КТ502Д p-n-p 350 5...50 80 5 150 (300*) :o;I (80 В) КТ502Е p-n-p 350 5... 50 90 5 150 (300*) $1 (90 В) КТ503А n-p-n 350 5... 50 40 5 150 (300*) :o;I (40 В) КТ503Б n-p-n 350 5...50 40 5 150 (300*) $1 (40 В) КТ503В n-p-n 350 5... 50 60 5 150 (300*) :o;I (60 В) КТ503Г n-p-n 350 5... 50 60 5 150 (300*) $1 (60 В) КТ503Д n-p-n 350 5... 50 80 5 150 (300*) :o;I (80 В) КТ503Е n-p-n 350 5... 50 100 5 150 (300*) $1 (100 В) КТ504А n-p-n 1 (10*) Вт ~20 400; 350* 6 1(2*)А :o;IOO (400 В) КТ504Б n-p-n 1 (10*) Вт ~20 200* (О, 1к) 6 1(2*)А $100 (250 В) КТ504В n-p-n 1 (10*) Вт ~20 275* (О, 1к) 6 1(2*)А :o;IOO (300 В) 1 КТ505А p-n-p 1 (5*) Вт ~20 300* (О, 1к) 5 1(2*)А 1 :o;IOO (300 В) ~ КТ505Б p-n-p 1 (5*) Вт ~20 250* (0,1 к) 5 1(2*)А :o;IOO (250 В) ~ КТ506А n-p-n 0,8 (10*) Вт ~10 800 5 2 (5*)А :о;200 (600 В) КТ506Б n-p-n 0,8 (10*) Вт ~10 600 5 2(5*)А $200 (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 129 с,, Гкэ нас' Ом Кш, дБ tk, пс h21э 1 ь;IЭ с;2э' Г~э нас' Ом r;, Ом t~act НС Корпус пФ к;:." дБ Р;:х' Вт t:~клt НС ;>:40* (1 8; 5 мА) 1 $1,7(58) ;>:11,5** (0,4 ГГц) $2 (400 МГц) $8 КТЗ99 Р5,8 ~Ei ' ~ Корлфб ~ к ;>:40* (1 8; 5 мА) $1,7 (5 8) ;>:11,5** (0,4 ГГц) $2 (4000 МГц) $8 КТЗ99М ~f!:~ "'l ~-. ~ ~ -~ 20...60* (18; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - КТ501 40... 120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 $4 (1 кГц) - 20...60* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - ii' 40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 $4 (1 кГц) - ~ .5$К 20...60* (18; 30 мА) $50(108) $1,3 - - 40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 80...240* (18: 30 мА) $50 (10 8) $1,3 $4 (1кГц) - 20 ... 60* ( 1 8; 30 мА) $50(108) $1,3 - - 40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 40... 120 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $320* - КТ502 80...240 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $320* - ~~~ 40 ... 120 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $320* - 80...240 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $320* - 40...120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $320* - 40... 120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $320* - "'l ~-. ~ ~ -~ 40...120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $580* - КТ503 80". 240 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $580* - ~!!:~ 40... 120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $580* - 80. "240 (5 8; 10 мА) 1 $50 (10 8) $60 $580* - 40".120 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $580* - 40."120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $580* - 11') ~-• ~ ~ -~ 15... 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8) $2 - $2700* КТ504, КТ505,КТ506 15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8) $2 - $2700* 15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8) $2 - $2700* :tiK$3 25".140* (10 8; 0,5 А) $70 (5 8) $3,6 - $2600* 25".140* (10 8; 0.5 А) $70 (5 8) $3,6 - $2600* 1 30...150* (5 8; 0.3 А) $40 (5 8) $2 - $1560* 30."150* (5 8; 0,3 А) $40 (5 8) $2 - $1560* 9зак9
130 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• 1,,,. ~16• Uкоо max• lк max IКБО, Тип Струк- Р;,тmах• J;:;Jэf {fКЭR max• UЭБО max• J~.и max• 1~. прибора тура P.Zиmax• с.. U-кэо nuax• в 1~. мВт мrц в мА мкА КТ509А p-n-p 300; 1*Вт ~10 500 5 20 s:5 (500 В) КТ511А9 р-п-р 1000 ~120 200• - 1,5 А - КТ511Б9 р-п-р 1000 ~120 160* - 1,5 А - КТ511В9 р-п-р 1000 ~120 120• - 1,5 А - КТ511С9 р-п-р 1000 ~120 90• - 2А - КТ511Д9 р-п-р 1000 ~120 70* - 2А - КТ511Е9 р-п-р 1000 ~120 50• - 2А - КТ511Ж9 1 р-п-р 1000 ~120 30• - 2А - КТ511И9 р-п-р 1000 ~120 20• - 2А 1 - IП511К9 р-п-р 1000 ~120 10• - 2А - КТ512А9 n-p -n 1000 ~120 200• - 1,5 А - КТ512Б9 п-р-п 1000 ~120 160* - 1,5 А - КТ512В9 п-р-п 1000 ~120 120• - 1,5 А - КТ512С9 п-р-п 1000 ~120 90• - 2А - КТ512Д9 п-р-п 1000 ~120 70* - 2А - КТ512Е9 n-p-n 1000 ~120 50• - 2А - КТ512Ж9 п-р-п 1000 ~120 зо• - 2А - КТ512И9 n-p-n 1000 ~120 20• - 2А - КТ512К9 n-p-n 1000 ~120 10• - 2А - КТ513А9 p-n-p 1000 ~50 300• - 0,5 А - КТ513Б9 p-n-p 1000 ~50 250* - 0,5 А - КТ51389 р-п-р 1000 ~50 200* - 0,5 А - КТ513С9 р-п-р 1000 ~50 160* - 0,5 А - КТ513Д9 р-п-р 1000 ~50 120• - 0,5 А - КТ514А.9 п-р-п 1000 ~50 зоо• - 0,5 А - КТ514Б9 п-р-п 1000 ~50 250* - 0,5 А - КТ514В9 п-р-п 1000 ~50 200• - 0,5 А - КТ514С9 1 n-p -n 1000 ~50 160* - 0,5 А - КТ514Д9 n-p-n 1000 ~50 120• - 0,5 А - 1 КТ515А9 1 р-п-р 1000 ~120 80* - 2А - КТ515Б9 р-п-р 1000 ~120 50* - 2А - КТ515В9 p-n-p 1000 ~120 25* - 2А - КТ516А9 п-р-п 1000 ~120 во• - 2А - КТ516Б9 n-p-n 1000 ~120 50• - 2А - КТ516В9 п-р-п 1000 ~120 25* - 2А - 1 i КТ517А 1 п-р-п 500 ~125 30; 30•• - 0,5 А - КТ517Б п-р-п 500 ~125 30; 30•• - 0,5 А - КТ517В п-р-п 500 ~125 40; 40** - 0,5 А - КТ517Г п-р-п 500 ~125 40; 40** - 0,5 А - КТ517Д. n-p-n 500 ~125 50; 50•• - 0,5 А - КТ517Е п-р-п 500 ~125 60; 60** - 0,5 А -
Биполярные кремниевые транзисторы с•• h2," ь;,э с;2" пФ 10.. .100 (10 В; 0.1 мА) $2,9 (100 В) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0.5А) 220(5В:0.5А) 220(5В;0,5А) 220(5В:0.5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В:0.5А) 220(5В;0.5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0.5А) 220(5В:0.5А) 1 i 1 1 1 1 i 40...600 (10 В: 50 мА) ! м1 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (1О В; 50 мА) 40... 600 (10 В; 50 мА) 40...600 (1О В: 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 1 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (1О В; 50 мА) I 40...600 (10 В; 50 мА) 250(5В;0,5А) 250(5В;0.5А) 225(5В:0.5А) 250(5В;0,5А) 250(5В:0,5А) 225(5В:0,5А) i 1 1 / 25000(5В:10мА) ~ 210000 (5 В: 10 мА) 1 210000 15 В: 10 мА) 10000... 100000 9* (5 В; lOмAJ 210000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) $7 $7 $7 $7 $7 $7 rкэ нас• Ом r~нк' Ом к;.·•.. дБ lОк $0,3 $0,25 $0,25 $0,2 $0,2 $0,35 $0,35 $0,35 $0,35 $0,3 $0,25 $0,25 $0,2 $0,2 $0,35 $0,35 $0,35 $0,35 $10 $10 $5 $5 $5 $10 $10 $5 $5 $5 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $11 $11 $11 $11 $11 $11 Kw, дБ r~, Ом Р;~).. Вт tк, ПС ~~,.нс tвыкл• НС $500 1 1 1 1 1 1 Корпус КТ509 КТ511-9 1/,6 131 ~ 1.6 ~ф~-F• ,'1)- ~· <:t 5 0,11 ~"' 11' O ,SS 0,48 1 .5 1,5 КТ512-9 1/,6 - 1.6 ~i~,(J- ~· <:t н 4" ~ 1o1"'fss 0,4 ~5 1,5 КТ513-9, КТ514-9 КТ515-9, КТ516-9 КТ517
132 Тип прибора 1 КТ517А-1 1 КТ517Б-1 IKT517B-l iiKT517f-l 1 1 КТ517Д-1 КТ517Е-1 КТ517А-9 КТ517Б-9 КТ517В-9 KT517f-9 11 ~КТ517Д-9 llKT517E-9 11 I KT519A КТ519Б .IKT519B 1' 11 1 КТ520А 1~КТ520Б ! i! ! liKT521A КТ521Б КТ523А КТ523Б ГТ523В I KT523f 1 КТ523Д 11 11 11КТ523А9 i КТ523Б9 11КТ523В9 KT523f9 !КТ523Д9 КТ524А 11 11 КТ524А-5 1 1 1 1 1 i i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Струк- тура п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п 1 1 1 1 i 1 pKmax' Р~. тmах• р~~ и ma),,• мВт 800 800 800 800 800 800 300 300 300 300 300 300 450 450 450 625 625 625 625 500 500 500 500 500 300 300 300 300 300 1000 1000 ! 1 ~р• ~:216' ~~li' ~:;,, Мfц ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~100 ~100 ~100 ~50 ~50 ~50 ?:50 ?:150 ?:150 ?:150 ~150 ?:150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~100 ~100 UKБOma\• U~R1nct\• u;Э01n.i'' в 30 30 40 40 50 60 30; 30*• 30 40 40 50 60 50; 45** 50; 45*• 50; 45*• 300; 300** 200; 200** 300; 300** 300; 300•· 30; 30** 30; 30** 40; 40** 50; 50•· 60; 60** 30; 30•• 30; 30•· 40; 40** 50; 50** 60; 60** 40; 25** 40; 25** Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 UЭБОmаА• в 1 1 - 1 - 1 - 1 - 1 - 1 - 5 5 5 1 1 1 - 1 - - - - - - 1 1 1 ! 1 1 - 1- - - - 6 1 1 1 1 1 6 1 1 1 IKma11 1:,ИIПЗА1 мА 0,5 А 0.5 А 0.5 А 0.5 А 0.5 А 0.5 А 300 300 300 300 300 300 100 100 100 500 500 500 500 500 500 500 500 500 300 300 300 300 300 1500 1500 1 1 1 ! 1 ' i 1 i i 1 i1 1 i i 1 1 IКБ<)' I~R• I~" мкА - - - - - - :50,05 (50 В) :50,05 (50 В) :50.05 (50 В) - - - - - - - - - - - - :50,1 (35 В) :50,1 (35 В) ~ ~ 1' 11 11 ~11 11 11 " ~; 11 11,, 11 iil'1 ~ 11 11 ~11 ,1 ~ 1! 1 1 ~I! ji 1!,1 li 1: р li 1 1 11
Биполярные кремниевые транзисторы 133 ck, fкэнаt' Ом Кш, дБ tк, ПС 1 ь"" ь;,э c;2i' г~наt' Ом r;. Ом t;,.,. нс Корпус i пФ к;.·,.. дБ Р;~х' Вт t::клt НС 25000 (5 В: 10 мА) 1 57 511 - - КТ517-1 210000 (5 В: 10 мА) 57 511 - - 210000 (5 В; 10 мА) 1 57 511 - - Qtm 10000... 100000 57 511 - - ~7.8 ~ (5В;10мАJ 11 210000 (5 В; 10 мА) 1 57 511 - - 210000 (5 В: 10 мА) 1 57 511 ~ 36 1 - - 1 1 1 25000 (5 В: 10 мА) 57 511 - - КТ517-9 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - s 0,95 10000 ... 100000 57 511 - - ~*Х (5В:10мА) 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - 60... 150 (5 В; 1 мА) 57(10В) - 510 (1 кГц) - КТ519, КТ520 100...300 (5 В; 1 мА) 1 57 (10 В) - 510(1 кГц) - 1 200...600 (5 В: 1 мА) 57(10В) - 510 (1 кГц) - ~tf~~ i 1 240(1ОВ; 10 мА) 53 525 - - ~ q.- 240(1ОВ: 10 мА) 54 520. - - - 1 1 1 240 (10 В; 10 мА) 1 56 525 - - КТ521, КТ523 240 (10 В; 10 мА) 58 520 - - 1 1 1 1, 1 ~f~ 11 ' 1 1 25000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - ... q'" ~~ 210000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - 210000 (5 В: 10 мА) 57 512 - 1 - 25000 (5 В: 1О мА) - 512 - - КТ523-9 210000 (5 В; 10 мА) - 512 - - s 0,95 210000 (5 В; 10 мА) - 512 - - 210000 (5 В: 10 мА) - 512 - - ~~~' 1 210000 (5 В; 10 мА) - 512 - - 1 1 ' 1 1 ' ' 1 1 1, i 1 ! 1 !1 '1 24011В:0,8А) 1 9(10В) 1 50,6 - - КТ524 1 ' ~f~ ... q'" ~~ 85...300(1В;О,1А) 9(10В) 50,6 - - i КТ524-5 1, i : ! 1
134 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• ~216• UКБО max' lк max •ноо• Тип Струк- Р~.тmах' ~;lэl U~Rmax' UЭБО max' 1;,и max' ·~R• прибора р~:иmах' с· u~max• в ••• тура ." мА l<ЭО• мВт МГц в мкА КТ525А п-р-п 625 - 40; 20** 5 500 $0,1 (25 В) КТ525А-5 п-р-п 625 - 40; 20** 5 500 $0,1 (25 В) КТ526А n-p -rl 450 ~150 50; 45** 5 100 $0,05 (50 В) ! КТ526А-5 п-р-п 450 ~150 50; 45** 5 100 $0,05 (50 В) КТ528А9 1 п-р-п 600 - 100* - 1 2000 - КТ528Б9 1 п-р-п 600 - 80* - 2000 - КТ528В9 п-р-п 600 - 50* - 2000 - КТ528Г9 п-р-п 600 - 30* - 2000 - КТ528Д9 п-р-п 600 - 12* - 2000 - КТ529А р-п-р 500 ~150 60 4 IA $1 (80 В) 1 КТ530А п-р-п 500 ~150 60 4 IA $1 (80 В) КТ538А 1 п-р-п 700 ~4 600 9 500 $100* :
Биполярные кремниевые транзисторы 64...202 (1 В; 50мА) ~40 (1 В; 0,.8 А) 60...1000 (38, 1 кА) ! "3.5 (10 В) 1 60... 1000 (5 В; 1 мА) SЗ,5 (10 В) 20...200 (5 В; 1 А) 20...200 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) ~180 (5 В; 300 мА) ~180 (5 В: 300 мА) 5...90 rкэ ...• Ом r~нк' Ом к;·". дБ :!>l,2 :!>0.25 :!>0,25 :!>0,25 :!>0,25 :!>0.25 ?::0,7 ?::0,7 Кw,АБ r;, Ом Р:., Вт :!>IO (1 МГц) :!>IO (1 МГц) 300 300 300 300 300 't." пс t;..., нс •:....,нс 1 135 Корпус КТБ2Б КТБ2Б-Б КТ526 КТБ26-Б ~rВТ КТБ28-9 IП529 IП530 КТБ38
136 Раздел 2. Биполярные транзисторы . Ркmах• ~•• ~216• UKБOmax' lкmax Iкво, Тип Струк- Р~.т1111х• ~;1" U~Rmax' U350 max• 1;,и max• ·~R' прибора тура р;, и max• ~~:х' u~max• в ·~· мВт Мfц в мА мкА КТ601А n-p -n 0,25 (0,5*) Вт ~40 100* 3 30 s50 (50 В) 1 1 ! 1 КТ601АМ n-p-n 0,5 Вт ~40 100* 3 30 :S300* (100 В) 1 1 КТ602А n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) :S70 (120 В) КТ602Б n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) :S70 ( 120 В) КТ602В n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 80 5 75 (300*) :S70 (80 В) KT602f n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 80 5 75 (300*) :S70 (80 В) КТ602АМ n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) :S70 (120 В) КТ602БМ 1 n-p-n 1 0,85 (2.8*) Вт ~150 120 5 75 (300*) i :S70 (120 В) !1 1 1 1 i КТ60ЗА n-p-n 1 0,5 Вт (50"С) ~200 30* (lк) 3 300 (600*) :SIO (30 В) КТ60ЗБ n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) :SO (30 В) КТ60ЗВ n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) :S5 (15 В) KT603f n-p-n 1 0,5 Вт (50"С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) :S5 (15 В) КТ60ЗД n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 10* (lк) 3 300 (600*) :SI (10 В) КТ60ЗЕ n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 10* (lк) 3 300 (600*) 1 :SI (10 В) КТ60ЗИ 1 n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) 1 :SIO (30 В) ! КТ604А 1 n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 300 5 1 200 1 :S50 (250 В) КТ604Б 1 n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 250* (lк) 5 1 200 1 s50 (250 В) КТ604АМ n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 250* (lк) 5 200 :S20* (250 В) КТ604БМ n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 300 5 200 :S20 (250 В) i ! 1 ! КТ605А 1 n-p -n 1 0.4 Вт ( 1ОО"С) ~40 300 1 5 1 100 (200*) :S50* (250 В) КТ605Б n-p-n 1 0,4 Вт (IOO"C) ~40 300 5 100 (200*) i s50* (250 В) !1 i 1 1 1 1 i 1 1 'i 1
Биполярные кремниевые транзисторы ~16 (20 В; 10 мА) ~16 (20 В; 10 мА1) 80 (10В; 10 мА') 20... ОА) >50(10В;1м lS... 80 (10 В; 10 Mf) >50(10В;10мА 80(10В;10мА) 20... ОА) ~50(10В;1 м 10 80*(2В;15А) >ОО* (2 В; 0,15 А) 1080*(2В;0,15А) ;00• (2 В; 0,15 А) 2080*(2В:0.15А) 60 ··200• (2 В: 0,15 А) ~20* (2 В; 0,35 А) 10.. .4 0* (40 В; 20 мм~) 30.. .120* (40 В; 20 10 40*(40В;20мА) 30.::"i20* (40 В; 20 мА) 10 40*(40В;20мА) ...120* (40В; 20мА) 30. " s!5 (20 В) sl5 (20 В) <4 (50 В) ~4 (50 В) ~4 (50 В) s4 (50 В) <4 (50 В) ~4 (50 В) <15 (10 В) ~15 (10 В) ~15 (10 В) ~15 (10 В) ~15 (!О В) ~15 (10 В) ~15 (10 В) s7 (40 В) s7 (40 В) <7 (40 В) ~7 (40 В) s7 (40 В) s7 (40 В) Гкэнас• Ом • Ом ГБЭ нас' к;:... дБ :>60 :>60 $60 :>60 :>60 :>60 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $3,4 :>400 :>400 :>400 :>400 :>400 :>400 Kw, дБ . Ом "' р.• Вт вwxt tк, ПС t;act НС t•• нс аыклt :>600 :>600 :>300 :>300 :>300 :>300 $300 :>300 <100** ~100** :>100** :>100** <100** ~100** :>100** :>250 :>250 137 Корпус КТ601 КТ601М КТ602 КТ602М КТ603, КТ604 КТ604М КТ605
138 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк-• ~. ~21•• UК&Omax' )Kmax JllEO, Тип Струк- р~тmах• (;lэt lГКЭRmaJlt Uэоо ma•' J~. max• rКЭR, прибора тура р~ ........ с.., (]"КЭОmах• в Гкэо, мВт мrц в мА мкА КТ605АМ n-p-n О,4 Вт ооо·с) ~40 300 5 100 (200*) ~О* (250 В) КТ&ОSБМ n-р-п О,4 Вт ооо·с) ~40 300 5 100 (200*) ~· (250В) 1 1 1 1 КТ606Л п-р-п 2,5 Вт (40-С) ~350 60 4 400 (800*) ~;I ,5* (60 В) КТ&О&Б п-р-n 2,5 Вт (40"С) ~300 60 4 400 (800*) Sl,5* (60 В) КТ607Л-4 п-р-п 1,5 Вт ~700 40 4 150 SI (30 В) КТ607Б-4 п-р-п 1,5 Вт ~700 30. 4 150 SI {30 В) IП608Л п-р-п 0,5 Вт ~200 60 4 400 (800*) slO (60 В) КТ608Б п-р-п 0,5 Вт ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 В) 1 КТ6109А р-п-р 625 ~300 40; 20* (lОк) 5 500 SO.I мкА (25 В) КТ6109Б p-n -p 625 ~300 40; 20* ( IОк) 5 500 SO,I мкА (25 В) КТ6109В р-п-р 625 ~300 40; 20* (1 Ок) 5 500 SO,l мкА (25 В) КТ6109Г р-п-р 625 ~300 40; 20* ( IОк) 5 500 SO,l мкА (25 В) КТ6109Д p-n -p 625 ~300 40; 20* (lОк) 5 500 so.1 мкА (25 В) КТ610Л n-р-п 1,5 Вт (SO"C) ~1000 26 4 300 S0,5 (26 В) КТ610Б п-р-п 1,5 Вт (so•c) ~700 26 4 300 S0.5 (26 В) КТ6102Л р-п-р 1000 - 110 5 1500 SO.l КТ6103А n-p-n 1000 - 140 5 1500 SO.l КТ6104А n-p-n 1000 - 300 5 150 SO.l КТ6105Л р-п-р 1000 - 300 5 150 SO.I КТ6107А n-p -n 1000 - 500 5 130 SO,l КТ6108Л р-п-р 1000 - 500 5 130 so.t
Биполярные кремниевые транзисторы 139 tк, ПС о Kw, дБ t·",, нс fкэш• м ·Ом 1 l~~~~~~-;;~--;;;~с~··~~~~r~~~"'~'·;О~м~~~~~;~:~";в~т'_~~--'t=·~~~~·~"-_с~~~~~~~--~~~ с;," к".•• ктsоsм h,", ь;" пФ •·• '25(] <400 <250 ... и; <7 (40 В) ~ 1О40"(40в,20мА) <7 (40 В) <400 ~-- .Фт - зо.::; 20, (4О в, 20 мА) __ Корпус ~ >15* (10 В; 0,10 А) ~15• (10 В; 0,10 А) - - 20 80*(5В;0,2А) 40.::·160* (5 В; 0,2 А) 1 ! 64 91(1В;50мА) i 78 ...112 (1 В; 50 мА) 98··· l35 (1 В; 50 мА) 112::.166 (1 В; 50 мА~ 144...202 (1 В; 50 мА <10 (28 В) SIO (28 В) <4(10В) :54,5 ( 10 В) <15 (10 В) :515(10В) ) 1 <4,1(10В) 50 300* (10 В: 0.15 А :54,1 (10 В) 20:::300* 110 в: о.15 А) 1 <5 :55 >4** (1 ГГц) ~3** (1 ГГц) <2,5 :52,5 <1,2 :51,2 :51,2 :51,2 :51,2 >О 8** (400 МГц) >0:6** (400 МГц) >1 ** (1 ГГц) >!**(!ГГц) 6 (0,2 ГГц) 6 (0,2 ГГц) i 1 1 1 <10 <12 <18 <25 <120* <120* <55 <22 !О э6 .... КТ606 КТ607-4 КТ608 1 1 КТ6109 1 КТ610 04 КТ6107 КТ6102, КТ61 ' 108 КТ6103, КТ6105, КТ6
140 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKma),,' ~Р' ~:2161 UKБOmaAI lк max lкБо• Тип Струк- Р~. т max' ~;1~· u~RmaAI UЭБOmaAI 1~.и max• ·~ЭR• прибора тура р~:иmа"' ~~;х, u;ЭOmaA' в ••• мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ611А п-р-п О.В (3*) Вт ::::60 200 3 100 :<>200 (!ВО В) КТ611Б п-р-п О.В (3*) Вт ::::60 200 1 3 100 1 :<>200 (lBO В) КТ611В 1 п-р-п i О.В (3*) Вт ::::60 1 lBO 3 1 100 :<>100 (150 В) ! КТ611Г 1 п-р-п ! О.В (3*) Вт ::::60 lBO 3 1 100 1 :<>100 (150 В) 1 1 ! ! 1 f i 1 : i i r. ' 1 1 КТ611АМ п-р-п О,В (3*) Вт ::::60 200 4 100 :<>100 (!ВО В) КТ611БМ п-р-п О.В (3*) Вт ::::60 200 4 100 :<>100 (!ВО В) i 1 1 ! 1 i !, 1 i' 1 ' !IKT6110A i п-р-п 1 625 - 40 1 5 1 500 ! sO.l 11КТ6110Б 1 п-р-п 1 625 1 - 40 5 500 sO,l llKT6110B 1 п-р-п 625 1 - 40 5 500 $0,1 КТ6110Г п-р-п 1 625 - 40 1 5 500 $0,1 КТ6110Д 1 п-р-п 625 - 40 1 5 500 $0,1 1 КТ6ША п-р-п 450 150 50 5 100 s0.05 КТ6ШБ п-р-п 450 150 50 5 100 s0.05 КТ6ШВ п-р-п 450 150 50 5 100 $0,05 КТ6ШГ п-р-п 450 150 50 5 100 s0.05 ' i i ' 1 1 1 ' ' ,, 1 1 1 1 JIKT6112A р-п-р 450 100 50 5 1 100 1 $0.05 ~ 11КТ6112Б 1 1 450 100 50 5 1 100 ! $0.05 i р-п-р 1 1 ~КТ6112В 1 р-п-р 450 100 50 5 1 100 $0,05 11 КТ6113А п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Б п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113В п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Г п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Д п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Е п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6114А 1 п-р-п 1000 100 40 6 1 1500 SO.l 1 КТ6114Б ! п-р-п 1 1000 1 100 40 i6 1 1500 1 :<>0.1 КТ6114В 1 п-р-п 1000 100 40 !6 1500 $0,1 ~КТ6114Г 1 п-р-п 1 700 100 40 6 1100 $0,1 1/КТ6114Д i п-р-п 1 700 1 100 1 40 6 1 1100 $0.1 1 КТ6114Е 1 п-р-п 1 700 ! 100 1 40 6 1100 sO.l i 1 1 КТ6115А р-п-р 1000 100 40 ' 6 1500 :<>0.1 КТ6115Б р-п-р 1000 100 40 6 1500 sO.l КТ6115В р-п-р 1000 100 40 6 1500 sO.l КТ6115Г р-п-р 1000 100 40 6 1100 $0,1 КТ6115Д р-п-р 1000 100 40 6 1 1100 sO.l КТ6115Е р-п-р 1000 100 40 6 1100 $0,1 1 КТ6116А р-п-р 625 >100 1 160 ! 5 i 600 1 s0.05 ~ IКТ6116Б р-п-р 625 >100 130 5 1 600 1 S0.01 ~ ~ 1 1 1 li ' 1 ! 1 i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 141 ~ 1 1 11 с., rКЭнас' Ом Кw1 дБ tк, ПС ·: ~ h21.·· ь;1? c;2"t' r~нilc' Ом r;, Ом t~dl' нс Корпус " 1 пФ к;.·•.. дБ 1 Р;:", Вт t::кл, НС 1 ~ 1 10.. .40* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) $400 - $200 КТ611 30... 120* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) $400 - $200 :No6<Ф• 10...40* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) s400 - s200 30... 120* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) $400 - s200 !i 1· к ~ 10...40•(40В:20мА) 1 s5(40В) s400 - s200 1 КТ611М ~ !I 30...120•(40В;20мА) 1 s5(40В) $400 - s200 11 1 1 ~g; 11 1 1 е: 11 :::;. ·В !j :~ ~1: '1 :, 1 64 ... 91 1,2 КТ6110, КТ6111 ! - - - 1! 78 ... 112 - 1,2 - - 11 ,1 96 ... 135 - 1,2 - - 11 112 ... 166 - 1,2 - - ~~~ 144 ... 202 - 1,2 - - 1 1! 1 1 60... 150 <3 <10 (1 кГц) 11 - - ~ ~-. 1 ~ i00... 300 - <3 <10 (1 кГц) - 1 ~ 1ОО1 ~ ,. 200... 600 1 - <3 <10 (1 кГц) - -~ 1 f! 400 ... 1000 1 - <3 <10 (1 кГц) - 1 11 1 11 60 ... 150 - <7 <10(1 кГц) 1 - КТ6112, КТ6113 : 100 ... 300 - <7 <10(1 кГц) 1 - 200 ... 600 - <7 <10 (1 кГц) ! - 1 1 1 1 ~~~ f-- 1 1 1 28 .. .45 - <10 - ; - 1 39 ... 60 <10 1 - - - ~ 54 ... 80 1 - <10 - - 1 11 72 ... 108 <10 ~ ~-. 1 - - - ~ Wlll ~ 1 97 ... 146 1 - <10 - - -~ 132 ... 198 1 - <10 - - 1 1 85 ... 160 - - 1 - - КТ6114, КТ6115 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - 85 ... 160 - - - - 1 120... 200 - - - - ~~~ 160... 300 1 1 - - - - 11 н 1 '1 1 85 ... 160 1 - - - - 120... 200 - - - - ~ ~-. ~. ~ 160 ... 300 - - - - -~ 85 ... 160 - - - - 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - ' . 60. "2 40 - - $8 - КТ6116 40 ... 180 - - - - ~Ei!:~ i ~ 1 1 ~ 1 1 1 ~ ~-. ~ 1 1 ~ ~ 11 1 -~ ~ ~
142 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~.. ..:.... UКБО max' IKmax lкw• Тип Струк- Р~. т max• 1~:;1э• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,и milx' ·~R' р~~ и max• с· u;Э() max• в ••• прибора тура ". кэо• мВт МГц в мА мкА КТ6117А п-р-п 625 >100 180; 160* 5 600 ~О.05 КТ6117Б п-р-п 625 >100 160; 140* 5 600 ~О.1 1 КТ6127А р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 90 4 2 (8*) ~20 (90) КТ6127Б р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 70 4 2 (8*) ~20 (70) КТ6127В р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 50 4 2 (8*) ~20 (50) КТ6127Г р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 30 4 2 (8*) ~20 (30) КТ6127Д р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 20 4 2 (8*) ~20 (20) КТ6127Е р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 10 4 2 (8*) ~20 (10) КТ6127Ж р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 120 4 2 (8*) ~20 (120) КТ6127И р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 160 4 2 (8*) ~20 (160) КТ6127К р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 200 4 2 (8*) ~20 (200) КТ6128А п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Б п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128В п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Г п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Д п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Е п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6129А-9 р-п-р 700 ~4500 20; 15* 3 100 ~0.1 (10 В) КТ6129Б-2 р-п-р 1Вт ~250 50 4,5 1000 ~5 (50 В) КТ61ЗОА-9 п-р-п 700 ~4000 15* - 100 - КТ6131А п-р-п 1,3 Вт ~3.5 ГГц 1 40; 20* (lк) 3 150 ~0.5 мкА (40 8) 1 (10 В; 50 мА) i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 80...250 (5 В: 10 мА) 60...250 (5 В: 10 мА) ~30* (5 В: 500 мА) ~30* (5 В; 500 мА) ~30* (5 В; 500 мА) ~50* (5 В; 500 мА) ~50* (5 В; 500 мА) ~50* (5 В: 500 мА) ~50* (5 В: 500 мА) ~30* (5 В; 500 мА) ~30* (5 В: 500 мА) 28...45 (5 8; 1 мА) 39...60 (5 В; 1 мА) 54...80 (5 В; 1мА) 72...108 (5 В; 1 мА) 97...146 (5 В; 1 мА) 132...198 (5 В; 1 мА) S74 (5 В) s74 (5 В) S74 (5 В) S74 (5 В) s74 (5 В) S74 (5 В) s74 (5 В) S74 (5 8) j S74(5В) ! 20...150* (10 В: 50 мА) iSl.45 (10 8) 1 1 i 1 1 1 1 25...150 (5 В; 0,2 А) c:S25 (IO В) ~40(108;100мА) ! cS2(10В) rкэнас• 0111 r~нас:' Ом к;~,.• АБ $4 $5 s0,15 s0,15 s0,15 s0,15 s0,15 $0,15 s0,2 s0,2 $0,25 1 1 1 1 Кш, АБ r~, Ом Р,;:,,, Вт $8 1 !1 '[к• ПС ~F' нс Корпус fаwкл• НС S250* s250* s250* s250* s250* s250* s250* c:S250* s250* 90* КТ6127 1 КТ6128 i 1 КТ6129-9 1 ! ! КТ6129Б-2 КТ6130-9 i КТ6131 1 1 1.11 11х {f~W 143
144 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• ~216• UKБOmax• lкmax •коо• Тип Струк- Р~.тmах• \;1з• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,н max• J~R' р~~ и max• с u~max• в ••• прибора тура .. кэо• 1 мВт мrц в мА мкА КТ61З2А 1 р-п-р 1,3 Вт ~3.5 ГГц 40 3 150 :50.5 мкА (40 В) 1 (10 В; 50 мА) КТ61ЗЗА р-п-р 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61ЗЗБ р-п-р 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61ЗЗВ р-п-р 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61З4А п-р-п 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61З4Б п-р-п 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61З4В 1 п-р-п 1000 ~100 25* - 1200 - 1 КТ61З5А п-р-п 800 ~100 400* - 500 - КТ61З5Б п-р-п 800 ~100 300* - 500 - КТ61З5В п-р-п 800 ~100 200* - 500 - КТ61З5r п-р-п 800 ~100 100* - 500 - КТ61З5А9 п-р-п 1Вт ~90 400 6 500 - КТ61З5Б9 п-р-п 1Вт ~90 300 6 500 - КТ61З589 i п-р-п 1 1Вт ~90 200 6 500 - КТ61З5Г9 1 п-р-п 1Вт ~90 100 6 500 - КТ61З5Д9 1 п-р-п 1Вт ~90 50 5 500 - КТ6142А9 п-р-п 1 600 5000 20 3 100 - КТ61З6А р-п-р 625 ~250 40** 5 200 :s;0,05* КТ61З7А п-р-п 625 ~300 60; 40** 6 200 :50,05* КТ61З8А р-п-р 500 50 300 - 100 - КТ6138Б р-п-р 500 50 250 - 100 - КТ61З8В р-п-р 500 50 200 - 100 - КТ61З8r р-п-р 500 50 160 - 100 - КТ61З8Д р-п-р 500 50 120 - 100 - КТ61З9А п-р-п 500 50 300 - 100 - КТ61З9Б п-р-п 500 50 250 - 100 - КТ61З9В п-р-п 500 50 200 - 100 - КТ61З9f п-р-п 500 50 160 - 100 - КТ61З9Д п-р-п 500 50 120 - 100 - КТ6140А р-п-р 400 ~700 30; 15** 5 50 :s;0,05 (12 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 145 ck, Гкэнас' Ом Кw,дБ t., пс ь.,,. ь;,э с~2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;.·,.. дБ Р:х, Вт t::ltJll НС ?:40 (10 В; 100 мА) :<>2 (10 В) - - - КТ6132 :tf~IW 85 ... 160 - - - - КТ6133, КТ6134, KT613S 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - ~IJ:~ 85 .. .160 - - - - 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - 11') ~-• ~ 11<') ....,.. 50 ... 500 - - - - 50 ... 500 - - - - 50 ... 500 - - - - 50 ... 500 - - - - ?:50 (10 В; 50 мА) - :<>10; 16* - - KT613S-9 ?:50 (1О В; 50 мА) - :<>10; 16* - - 4,6 ~50 (10 В; 50 мА) - :<>10; 16* - - ~ .t ?:50 (1ОВ; 50 мА) - :<>10; 16* - - ~ ?:100 (10 В; 50 мА) - :<>12; 16* - - ?:50 (1ОВ; 20 мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) :<>2 (0,8 ГГц) - ЗI~ ~ ~jll O.SS 448 1.S 1,5 100... 300 (1 В; 10 мА) S4,5 :<>8 - - КТ6136, КТ6137 ~IJ:~ 100... 300 (1 В; 10 мА) :S4 :S6 - - 11') ~- ~ 11<') ....., 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - КТ6138, КТ6139, КТ6140 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40... 600 (!О В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - ~IJ:~ 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 11') ~- 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - ~ 11<') ....,.. 28."198 (5 В; 1 мА) :<>1,7 (10 В) :<>50 - - 10 зак. 9
146 Раздел 2. БиnОЛRрНые транзисторы Ркmах• ~. ~%!•• Uкoomax• lк '""' 1 •кю• Тип Струк- Р=. т max' С1з• trlCЭR ...... UЭБО max• i 1~. прибора тура Р;, н mu• Сх• V-кэо ..... • в 1:.н max• Гкэо, мВт мrц в мА мкА КТ6141А9 п-р-п 500 ~3200 20 3 50 - КТ6141Б9 п-р-п 700 ~3200 20 3 70 - КТ6142Л 1 п-р-п 600 6000 20 3 70 1 - КТ6142Б п-р-п 600 4000 25 3 100 - 1 КТ616А п-р-п 0,3 Вт ~00 20* 4 400 (600*) :515 (10 В) КТ616Б п-р-п 0,3 Вт ~00 20* 4 400 (600*) :S15(IOB) 1 1 КТ617А п-р-п 0.5 Вт ~150 30 4 400 (600*) :55 (30 В) IП618А п-р-n 0,5 Вт ~40 зоо 5 100 :550* (250 В} 1 1 1 11 КТ620А р-п-р 0.225 Вт ~200 50 з 400 :55 (50 В) КТ620Б р-п-р 0,5 Вт ~00 50 4 400 :55 (50 В) IП624А-2 п-р-п 1Вт ~450 30 4 1000 (1300*) :5100 (30 В) 1 КТ624АМ-2 п-р-п 1Вт ~450 30 4 1000 (1300*) :5100 (30 В) i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 147 с,, rкэнас• Ом Кw,дБ tк, ПС ь.,,. ь;,э с~2э' r~н•с' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;.·,.. дБ Р;~х' Вт t:•ыlUI' НС ~50 (10 8: 50 мА) - ~14** (О,5 ГГц) :53,6 (О,5 ГГц) - 1 КТ6141-9 ~50 (10 8: 50 мА) - ~9** (0,8 ГГц) :54 (0,8 ГГц) - ~i ~50 (!О 8; 50 мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) :53 (0,8 ггц) - КТ6142 ~40 (10 8; 50 мА) - ~12** (0,8 ГГц) :53 (0,8 ГГц) - tf 1 ~~~ 1 ~ ~ ! ~40* (18; 0,5 А) :515(108) 1 :Sl ,2 - :550* КТ616 ~25* (18; 0,5 А) :515 (10 8) :Sl ,2 - :515* 145,81/ ;fi кфз 5 ~30* (2 8: 0.4 AI 1 :515(108) j :57 :5120 1 КТ617, КТ618 - ! 1 1 i 1 ' 1 1 1 1 1 i i 1 1 1 ~бf 1 $ ~30* (40 8; 1 мА) :57 (40 8) - - - ~ НЮ* (1О 8; 10 мА) - :52,5 - - КТ620 30... 100* (5 8; 0,2 А) - :52,5 - 1 :5100* 1 1 1 i 1 :No6~)3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 к 30.. .180* (0,5 8; 0.3 А) :515 (5 8) :59 - :518 КТ624 1 1 ~~и 1 1 /1\ t:::. 1 5К3 30... 180* (О.5 8; 0,3 А) 1 :515 (5 8) :59 - :518 КТ624М 1 3 1 -~~ К53 10·
148 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax' ~•• ~216• UKБOma'' IKmax •кw• Тип Струк- Р;,тmах• (;,j. U~Rmax• UЭБOmct).• J~. и max• ·~ЭR• прибора тура р;~нmах• ~~;).. u~ma).' в ·~· мВт Мfц в мА мкА КТ625А n-p-n 1Вт ~200 40* (5к) 5 1000 (1300*) :530 (60 В) 1 1 1 1 ~ 1 1 1 1 ! 1 КТ625АМ n-p-n 1Вт ~200 60 5 1000 (1300*) :530 (60 В) КТ625АМ-2 n-p-n 1Вт ~200 60 5 1000 :530 (60 В) КТ626А p-n-p 6,5 Вт (6О0С) ~75 45 4 500 (1500*) 1 :510 (30 BI КТ626Б 1 6.5 Вт (6О0С) ~75 60 4 500 (1500*) 1 :5150 (30 В) p-n-p IKT626B p-n-p 6,5 Вт (6О0С) ~45 80 4 500 (1500*) 1 :51 мА (80 В) KT626f p-n-p 6,5 Вт (60°С) ~45 20* (О,lк) 4 0,5 (1,5*) А :5150 (20 В) КТ626Д p-n-p 6,5 Вт (60°С) ~45 20* (0,1 к) 4 0,5 (1,5*) А :5150 (20 В) КТ629А-2 p-n -p 1 Вт (80°С) ~250 50 4,5 1000 :55 (50 В) КТ629Б-2 p-n -p 1 Вт (80°С) ~250 50 4,5 1000 :55 (50 В) 1 1 1 1 i 1 КТ629БМ-2 1 p-n -p 1 1Вт ~250 50* (1 к) 4,5 1000 1 :55 (50 BI 1 1 КТ630А n-p -n 0,8 Вт ~50 120 7 1000 (2000*) :51 (90 В) КТ630Б n-p-n 0,8 Вт ~50 120 7 1000 (2000*) :51 (90 В) КТ6308 n-p -n 0,8 Вт ~50 150 7 1000 (2000*) 51 (90 В) KT630f n-p-n 0,8 Вт ~50 100 5 1000 (2000*) :51 (40 В) КТ630Д 1 n-p-n 0,8 Вт ~50 60 5 1000 (2000*) :51 (40 BI КТ630Е 1 n-p-n 1 0,8 Вт ~50 60 5 1 1000 (2000*) 1 :51 (40 8) h 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 ! i 1 1 КТ630А-5 n-p-n 800 ~50 120 1 7 1А(2*А) :5100 (120 В) КТ630Б-5 n-p -n 800 ~50 120 7 1А(2*А) :5100 (120 В) КТ6308-5 n-p -n 800 ~50 150 7 1А(2*А) :5100 (120 В) KT630f-5 n-p -n 800 ~50 100 5 1А(2*А) :5100 (100 В) КТ632Б p-n -p ! 0.5 Вт (45°С) ~200 1 120* (lк) 5 100 (350*1 :51 (120 В) 1 1 ! 1 1 1 ! : 1 !1 1 1 !
Биполярные кремниевые транзисторы 149 1 1 1 1 ' ~ с,, rКЭнас• Ом Кш1 дБ 1 LK, пс i h",, h~IЭ с;21• г~нас• Ом r;, Ом t:ac• НС 1 Корпус 1 1 пФ к;.·,.. дБ 1 Р;:"' Вт t::кn' НС 20...200* (1 В; 0,5 А) s9(10B) :52,4 - :560 КТ625 2,2 1,5 ~~d 1'\~ 1 5к3 20...200* (1 В; 0.5 А) 1 :59(108) :52,4 - :560 1 КТ625М 20...200 (1 В; 0,5 А) :59 (10 В) :51,3 1 - :560 J 1 1 -~~ К53 40 ... 260* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 КТ626 30... 100• <2 в; 0.15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 15...45* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 Q; 15... 60* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 Е: 40...250* (2 В; О, 15 А) :5150 (10 В) :52 :5500 :::.: . ·8 - :~ 1 i 1 i 1 1 1 ! ! 1 1 1 25...150* (5 В; 0.5 А) :525(10В) 1 :52 - 90* КТ629А-2, КТ629М 25". 150• (5 В; 0.2 А) :525 (10 В) :52 - - 25... 150* (1,2 В; 0,5 А) :525 (10 В) :52 - 90* 1.2 1.2 ~~,~d 6к3 1 1 1 1 1 40...120* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В) :52 ~5* :5500** КТ6ЗО 80".240* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В) :52 ~5* :5500** 40".120* (10 В; 150 мА) :515 (10 В) :52 ~5* :5500** ~fWкфэ 40".120* (IO В; 150 мА) :515 (IO В) :52 ~5* :5500** 80."240* (1 О В; 150 мА) :515 (10 В) :52 ~5· :5500** 160.. .480* (10 В; 150 мА) :515 (10 В) :52 ~5* :5500** 40".120 (10 В; 0,1 А) :515 (10 В) :53,3 - - КТGЗО-5 80."240 (1 О В; 0.1 А) 1 :515 (10 В) 1 :53,3 - - 40".120 (10 В; 0.1 А) :515 (10 В) :53,3 - - 1 0,32 40...120 (10 В; 0,1 AJ ! :515 (10 В) :53,3 - - ~шт 1 1 1 1 ~50(1В;1мА) :55 (20 В) :525 - :5100 КТ6З2 1 1 1 :РiкФэ ! ! ~
150 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~р• (216, UKБOmax• lк max lкю• Тип Струк- Р;, т max• ~:;1з• U~Rmax• UЭБОmах• •• ·~Rt р~~иmах• с· u~max• в К, н max• ••• прибора тура "' кэо• мВт МГц в мА мкА КТ6З2Б-1 1 р-п-р 350 (40°С) >200 120* (1 к) 5 100 (350*) ~1 (120 В) КТ6З2В-1 р-п-р 350 (40°С) >200 120* (1 к) 5 100 (350*) ~1 (120 В) ' КТ6ЗЗА п-р-п 1,2 Вт ;?:500 30 4,5 200 (500*) ~10 (30 В) КТ6ЗЗБ п-р-п 1,2 Вт ;?:500 30 4,5 200 (500*) ~10 (30 В) 1 КТ6З4А-2 п-р-п 1,2 Вт ;?:1500 30 3 150 (250*) ~О.5 мА (30 В) КТ6З4Б-2 п-р-п 1,3 Вт ;?:1500 30 3 150 (250*) ~1мА(30В) 1 КТ6ЗSА п-р-п 0,5 Вт ;?:200 60 5 1 (1,2*) А ~30 (60 В) КТ6ЗSБ п-р-п 0,5 Вт ;?:250 60 5 1 (1,2*) А ~30 (60 В) КТ6З7А-2 п-р-п 1,5 Вт ;?:1300 30 2,5 200 (300*) ~0.1 мА (30 В) КТ6З7Б-2 п-р-п 1,5 Вт ;?:800 30 2,5 200 (300*) ~2мА(30В) ; КТ6З8А п-р-п 500 ;?:200 110 5 100 (350*) ~0.1 мА (110 В) КТ6З8А1 п-р-п 500 ;?:200 120 5 100 ~0.1 (120 В)
БunОЛRрные кремниевые транзисторы 151 1 ck. l'кэнк• Ом J[w•No t'll , вс 1 1 hi1э• ь;IЭ' 1 с;2.• "~_.ом ·~·Ом t;... нс Корпус пФ к.;~". д:Б ..-:.. Вr t:.... ·~ 50...350 (1 В; 1 мА) :S:5 (20 В) $25 - SIOO 1 КТ632-1 150...450 (1О В; 1мА) s5 (20 В) $25 - 2000* 1 ~IJ:tiЩ 1 1 1 i 1 1 ~ ~. ~ 111) ... ..... 40... 140 (1 В; 10 мА) :!>4,5 (10 В) s5 sб (20 мГц) $30* IП633 20...160 (l В; Ш мА) :!>4,5 (10 В) $5 s6 (20 мГц) $30* :Itщ3 1 - 1 s2,5 Н5 В) 1 ~1.4** (5 ГГц) ~.2** (5 ГГц) s2 КТ634-2 - S3 (15 В) ~1.4** (5 ГГц) ~.45** (5 ГГц) SЗ,5 6 '\f ~:lзtw ~1 \.1!~1 25... 150* (1 В; 0,5 А) :!>15 (10 В) $1 - s58; s60** КТ635 20... 150* (I В; 0,5 А) sIO(lOB} SI - :!>58; Sб()** 1 i ;Ефкщэ i 1 1 1 1 1 1 1 30... 140* (5 В: 50 мА) $4,5 (15 В) - ~.5** (3 ГГц) $3 IП637-2 30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В) - ~.25** (3 ГГц) SI5 ~~~ 1 ~1 \.jft!1 1 1 1 1 1 50...350 (1 В; 10 llfA) 1 S8 f20 В) $25 - 1 S25 tl* мкс} КТ&38 1 i 1 §~ ~50(10В;2мА) sб S25 11П638А1 1 ;fWкщэ 1 1 1 1 1 1 i
152 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 pKmax' ~•• ~216• UKБOmax• lкmax lкоо• Тип Р;,тmах• (;lэ• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,и max• ·~R• прибора тура 1 р~~ и max• с· u~max• в ••• ." мА кэо• 1 мВт Мfц в мкА КТ639А р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 45 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639Б р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 45 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639В р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 45 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) KT639f р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 60 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639Д р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 60 5 1 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Е р-п-р 1 1 Вт (35°С) ~80 100 5 1.5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Ж р-п-р 1 Вт (35°С) ~80 100 5 1,5А(2*А) :50.1 (30 В) КТ639И 1 р-п-р 1 Вт (35°С) ~80 30 5 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) i КТ639А-1 1 1 500 (30** Вт) ~80 45 5 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) 1 р-п-р 1 КТ639Б-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 45 1 5 1 1.5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639В-1 р-п-р 500 (30** Вт) 1 ~80 45 1 5 1.5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) 1 1 KT639f-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 60 1 5 1 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Д-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 60 5 1 1.5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Е-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 100* 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639Ж-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 100* 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639И-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 30 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ640А-2 1 1 0.6 Вт (6О 0С) ~3000 25 ! 3 60 1 :50,5 мА (25 В) п-р-п КТ640Б-2 ! п-р-п 0.6 Вт (6О 0С) ~3800 25 3 60 1 :50.5 мА (25 В) КТ640В-2 i 0.6 Вт (60°С) ~3800 25 3 1 60 1 :50,5 мА (25 В) п-р-п 1 1 1 1 i 1 1 КТ642А-2 п-р-п 500 - 20 2 1 60 :51 мА (20 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ642А-5 п-р-п 500 - 20 1 2 60 :51 мА (20 В) 1 1 КТ64ЗА-2 п-р-п 1, 1 Вт (50°С) - 25 3 120 :51 мА (25 В) 1 КТ644А р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 60 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) КТ644Б р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 60 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) КТ644В р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 40** 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) KT644f р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 40** 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) 1 1 1 1 1 1 i! 1 !
Биполярные кремниевые транзисторы 153 ck, rкэнас' Ом кw,д6 tk, пс hz," ь;,э с;2з' r;Эиас' Ом r;, Ом t;,.c, НС Корпус пФ к;.·,.. дБ Р;:" Вт t::IUI, НС 40...100* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* КТ639 63...160* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 100... 250* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* ;и; 40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* :-~ 63...160* (2 В: 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 60...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 180.. .400* (2 В; О, 15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 40... 100 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* КТ639-1 40...160 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 90...160 (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* ~tm5t 40".100 (2 В: 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 63".160 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 40".100 (2 В; 0,15 А) 550 "О В) 51 - 5200* 63".160 (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 180".400 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* к 58 (6 ГГц) КТ640-2 ~15*(5В;5мА) 51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц) ~О.1 ** (7 ГГц) 0,6 ~15*(5В;5мА) 51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц) ~О.1 ** (7 ГГц) 1 ~IНр. ~15*(5В:5мА) 51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц) ~О.08** (7 ГГц) 1 ... О) • 6 з 1 - 51,1 (158) ~3.5** (8 ГГц) ~0.1** (8 ГГц) - КТ642-2 ~No - 51,1 (15 В) ~3.5** (8 ГГц) ~0.1** (8 ГГц) - КТ642-5 0,45 0,1 ~шт - 51,8 (15 В) - ~О.48** (7 ГГц) - КТ643-2 ~No 40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (IO В) 52,7 - 5180* КТ644 100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В) 52,7 - 5180* 40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В) 52,7 - 5180* ;~. 100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В) 52,7 - 5180* :-~
154 Раздел 2. Биполярные транзи.сторы Рк max' · \р. \216• UКБО m.axt- lк max •кво• Твп Струк- Р~. тm.ax' ~;lэ' U"'КЭR m.axr UЭБО max' 1:.к max" rКЭR, прибора тура PiZ' н max• t:x' U-кэо max' в rкэо, мВт м:rц в мА мкА КТ645А п-р-п 0,5 {I*) Вт 2:200 60 4 0.3 А; 0.6* А ::;Ю tбО В) IП645Б n-p-n 500 2:200 40 4 300 (600*) ::;IO (40 В) ' 1 1 1 1 1 1 1 ! ! 1 1 1 1 IП&4&А n-p -n l (2,5*) Вт 2:200 60 4(5) lА;1,2 "А ::;10 (60 В) IП&451t п-р-п 1Вт 2:200 40 4 t А; 1,2" А•. $:10 (40 В) IПM&IJ п-р-п 1Вт 2:200 40 4 rА;1,2"А $:JO (40 В) IП&47А-2 п-р-п 1 560 - 18 2 !Ю $:! мА (18 В) 1 1 1 1 j! 1 IП&47А-5 n-p -n 560 - 18 2 90 $:1 мА (18 В) 1 1 К1'И8А-2 1 n-p-n 420 - 18 1 2 60 $:1 мА (18 В) IП&48А-5 . n-p-n 420 - 18 2 60 $:! мА (18 В) i 1 IT&53A n-p -n 5Вт 2: 50 120* 7 rА 10* (120 В) I1'&53Б п-р-п 5Вт ~50 100* 7 1А 1€}* (IOO В) IП557А-2 n-p -n 375 {ОО"С) 2:3 rrц 12* 2 60 $:1* мА 02 В) П5575-2 1 n-p -n 375 (бО"С) 2:3 Гfц 12* 2 60 $:l* мА (12 В) I1'~%. ! n.р-в 375 (ОО'С) 2:3 fГц 12* 2 60 :>l*мA(l2B)
Биполярные кремниевые транзисторы 155 ck, rкэнк• Ом Кш, дБ т., пс h21.• ь;,э с;2.• r~Энас.:• Ом r;, Ом t~c' НС Корпус пФ к;.·", дБ Р;~х' Вт t::кл, НС 20...200* (2 В; 0,15 А) 1 $5 (10 В) $3,3 - $120; $50* 1 КТ645 1 ~80110В:2мА) 1 $5(10В) 1 - - - 1 ~f,~ 1 1 1 j 1 1 1 1 1 !<') ~-• ~• 'r) -~ 40...200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В) $1,7 - $120; $60* КТ646 150... 200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В) $1,2 - $120; $60* 150... 300* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В) $0,06 - $120; $60* ~~: ·~ - $1,5 (15 В) ~3** (10 ГГц) 0,2** (10 ГГц) - КТ647-2 1 i {f~!W - $1,5 (15 В) ~3** (IO ГГц) 0,2** (10 ГГц) - КТ647-5 1 1 0,45 0,1 1 1 нЕJТ 1 i 1 ! 1 1 - $1,5 (IO В) ~3** (12 ГГц) 0,04** (12 ГГц) - КТ648-2 i {f~!W - $1,5 (10 В) ~3* * (12 ГГц) ~О.04** (12 ГГц) i - КТ648-5 1 1 1 1 0,5 0,1 1 ~шт 40...150 (10 В; 150 мА) $20 (10 В) $3,3 $1 •• мкс КТ65З 80...250 (IO В: 150 мА) $20 (10 В) $3,3 $1 ** мкс 1 1 1 ;~хф i $1,1 (15 В) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) 1 КТ657-2 - 1 - 60...200 (6 В: 30 мА) $1,1 (15 В) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) 1 - 35... 70 (6 В; 30 мА) ! $1,1 (15 В) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) 1 - {f~ 1 1 6
1 i ! 156 Тип прибора КТ657А-5 КТ657Б-5 КТ657В-5 КТ659А КТ660А КТ660Б КТ661А КТ662А КТ664А-9 КТ664Б-9 КТ665А-9 КТ665Б-9 j КТ666А-9 КТ667А-9 Струк- тура п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п 1 р-п-р ; р-п-р р-п-р р-п-р 1 п-р-п п-р-п 1 i : 1 п-р-п i 1 ! ! р-п-р 1 1 1 1 '1 i 1 1 1 1 1 1 pKmax' Р~.тmах• р~:и max• мВт 375 375 375 1Вт 0.5 Ет 0.5 Вт 0,4 Вт (1,8* Вт) 0,6 Вт (3* Вт) 300(1*Вт) 300(1•Вт) 300 (1 *Вт) 300(1• Вт) 300(1•Вт) 300(1*Вт) 1 1 1 i 1 1 ~Р' \21б' ~;lj' ~~·;х, Мfц ~3 ГГц ~3 ГГц ~3 ГГц ~300 ~200 ~200 ~200 ~200 ~50 ~50 ~50 ~50 ~60 ~40 ' 1 1 1 1 UKБ0m.1x• U~Rm11x• U~Omax• в 12* 12* 12* 60 50 30 60 60 120 100 120 100 300 300 Раздел 2. Биполярные транзисторы i ! 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 i1 1 UЭБО max• в 2 2 2 6 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 IKma" 1:.и max• мА 60 60 60 1,2 А 0,8 А 0,8 А lкw• J~R' 1·· кэо• мкА $1* мА (12 В) $1* мА (12 В) $l*мА(12В) $0,5 мА (60 В) $1 (50 В) $1 (30 В) J 0,3А;0.6*А 1 $0.01 мА(50В) 1 1 1 1 1 1 0,4 А; 0,6* А $0,01 мА (50 В) 1 :1 1 !1 1 1 1 1A(l,5*A) $10 (100 В) IA(l,5*A) $10 (100 В) 1 1А(1,5* А) $10 (100 В) 1А(1,5* А) $10 (100 В) 1 1 ' 20 (50*) 1 $0.1 мА (300 BJ ! 1 i ' i'! 20; 50* $0,1 (300 В) ! 1 1 1 i ! 1 ~
Биполярные кремниевые транзисторы 157 ' 1 1 j ck, rкэнас' Ом Кш, дБ tк, ПС 1 h2," ь;,э с;2э' r~на... • Ом r;, Ом t~al.'t НС Корпус пФ к:.·•.. дБ Р;:,, Вт t::кл• НС - $1,1 (158) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) - КТ657-5 60 ... 200 (6 8; 30 мА) $1,1 (158) ~8** (2 ГГц) ~0.05•• (2 ГГц) - 0,5 0,1 35...70 (6 8; 30 мА) $1,1 (158) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) - ~шт ~35* (1 8; 0,3 А) $10 (10 8) $9 - $80** КТ659 $кщэ 110... 220* ( 10 8; 0,2 А) $10 (10 8) $1 - - КТ660 200...450* (1О 8; 0,2 А) $10 (10 8) $1 - - ~!f-~ ~ ~ ~ ~ 100... 300* оо 8; 0.15А)1 $8 (10 8) $3,2 - $150** КТ661 5.... з ~ офК ~ ,.... 100... 300* (IO 8; 0,15 А) $8 (10 8) $3,2 - $200** КТ662 1 :Еiкщэ 40...250 (2 8; О,1А) $25 (5 8) $2,3 - $700** КТ664-9, КТ665-9 - 40...250 (2 8; 0,1 А) $25 (5 8) $2,3 - $700** 4,6 - 1.6 ~~~! 40...250 (2 8; О,15 А) $25 (5 8) $2 - - ... }дч 40...250 (2 8; 0.15 А) 1 $25 (5 8) $2 - ~ 1о1~ !ss - - 448. ~5_ 1,5 ~50(IO8;5мА) - $80 - - КТ666А-9, КТ667А-9 1/,6 Ф=t ~50(108;5мА) - $80 - - ЗI~ s.... t5 дч 1 1 ~1о1~o.ss 1 1 448 ~5_ 1,5 1 i 1
158 Раздел 2. Биполярные транзисторы iСтрук-1 Ркmах' ~р• \210• UКБО max' lк max JКБО• Тип Р~. тmax' ~:;lз• U~Rmax• UЭБО max• •• J~R• прибора тура 1 р~~и max• ~;;х, U~Oma).' в К, и max• ••• мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ668А p-n-p 0,5 Вт ~200 50 5 0,1 А ~15 нА (30 В) КТ668Б p-n-p 0,5 Вт ~200 50 5 0,1 А ~15 нА (30 В) КТ6688 р-п-р 0,5 Вт ~200 50 5 0,1 А ~15 нА (30 В) 1 КТ680А 1 n-p-n 350 (85"С) ~120 30 5 0,6А(2*А) ~10 (25 В) КТ681А р-п-р 350 (85"С) ~120 30 5 0,6А(2*А) ~10 (25 В) КТ682А-2 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~1 (lOB) КТ682Б-2 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~1 (10 В) КТ682А-5 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~100В) КТ682Б-5 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~100В) КТ68ЗА n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 150* (3к) . 7 1А;2*А ~1 (90 В) КТ68ЗБ n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 120* (3к) 7 1А;2*А ~1 (90 В) КТ68ЗВ n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 120* (3к) 7 1 1А;2*А 1 ~1 (90 В) КТ68ЗГ 1 n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 100* (3к) 5 1 1А;2*А ~1 (40 В) КТ68ЗД 1 n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 60* (3к) 5 1А;2*А ~1 (40 В) КТ68ЗЕ n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 60* (3к) 5 1А;2*А ~1 (40 В) КТ684А p-n-p 1 0,8 Вт ~40 45* (1 к) 5 1А(1,5*А) ~0.1 (30 В) КТ684Б p-n-p 0,8 Вт ~40 60* (lк) 5 1А{1,5*А) ~0.1 (30 В) КТ6848 p-n-p 0,8 Вт ~40 100* Ок) 5 1А0.5*А) ~О.1 (30 В) КТ684Г p-n-p 0,8 Вт ~40 30 5 1А0.5*А) ~0.1 (30 В) 1 КТ685А p-n-p 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~О.02 (50 В) КТ685Б р-п-р 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~0.01 (50 В) КТ685В р-п-р 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~О.02 (50 В) КТ685Г p-n -p 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~О.01 (50 В) КТ685Д p-n-p 0,6 Вт ~350 30 5 0,6 А ~О.02 (25 В) КТ685Е p-n-p 0.6 Вт ~250 30 5 0,6 А ~О.02 (25 В) КТ685Ж p-n -p 0,6 Вт ~250 30 5 0,6 А ~О.02 (25 В) КТ686А p-n-p 0,625 {1,4*) Вт ~100 50* (О) 5 0,8 А (1,5* А) ~О.1 (45 В) КТ686Б p-n-p 0,625 0 .4*) Вт ~100 50* (О) 5 0,8 А (1,5* А) ~0.1 (45 В) КТ6868 p-n-p 0,625 0,4*) Вт ~100 50* (О) 5 0,8 А (1,5* А) ~0.1 (45 В) КТ686Г p-n-p 0,625 (1,4*) Вт ~100 30* (О) 5 0,8А0,5*А) ~0.1 (25 В) КТ686Д p-n-p 0,625 0.4*) Вт ~100 30* (О) 5 0.8А0.5*А) ~0.1 (25 В) КТ686Е ! р-п-р 0,625 0 .4*) Вт ~100 30* (О) 5 0,8 А 0,5* А) ~0.1 (25 В) КТ686Ж 1 p-n-p 1 0.625 (1,4*) Вт ~100 30* (О) 5 0,8А0,5*А) ~0.1 (25 В) ! 1 1 1 i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 1 1 75...140 (5 В; 2 мАI 125...250 (5 В; 2 мА) 220...475 (5 В; 2 мА) 85... 300* (1 В; 0,5 А) 1 i 1 85...300• о в; о.5 AJ · j 40...45 (7 В; 2 мА) 80...120 (7 В; 2 мА) S7 S7 S7 S0,9 (!О В) ~9 (10 В) 40...45 (7 В; 2 мАt 1 S0,9 (IO В) 80...120 (7 В; 2 мА) 1 SO.~ (!О В) 40.. .1 20* (IO В; 0,15 А) 80...240* (10 В; 0,15 А) 40... 120* (10 В; 0,15 А) 40.. .1 20* (IO В; 0.15 А) 80...240* (IO В; 0.15 А) 160.. .480* (10 В; 0,15 А) 40 ...250* (2 В; 0,15 А) 40.. .160* (2 В; 0,15 А) 40.. .1 60* (2 В; 0,15 А} 180.. .400 (2 В; 0,15 А) 40.. .120* (10 В; 0,15 А) 40.. .120* (10 В; 0.15 А) 100... 300* (10 В; 0.15 А) 100...300* (10 В; 0,15 А) 70...200* (1 В; 0,15 А) 40...120* (1 В; 0,3 А) 100...300* ( 1 В: 0.3 А) 100...250* (1 В; 0,1 М 160...400* (1 В; 0,1 А) 250...630* (l В; 0,1 А) 100...250* (1 В; 0,1 А) 160...400* (1 В; 0.1 А) 250... 630* (1 В: 0.1 А) 1 1 1 100...250* (1 В: 0,1 А) 1 1 1 Sl5 (IO В) Sl5 (10 В) S15 (10 В) Sl5 (10 В) S15 (IO В) Sl5 (10 В) s50 (10 В) S50 (10 В) SSO (10 В) S50 (10 В) $800В) $8 (10 В) S8 (10 В) S8 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (IO В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (!О В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) rкэ""' Ом r~иас• Ом. к;::,_• .1.Б s6.5 S6,5 S6,5 S0,5 S0,5 ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) S3; sб.6* S3; S6.6* S3; S6.6* S3; S6.6* S3; S6.6* S3; Sб.6* Sl Sl sl SI S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Кш, .1.Б r;, Ом Р:х' Вт SIO (!кГц) SIO (!кГц) SIO (!кГц) S4 (3,6 ГГц) S4 (3,6 ГГц) 4 (3,6 ГГц) S4 (3,6 ГГц) S8* S8* S8* S8* S8* S8* 1 т•• пс t;...,, вс t:.IUI, НС S500** s500** S500** s500** S500** S500** S80* S80* S80* S80* S80* Sl50 Sl50 159 Корпус КТ668 КТ680, КТ681 КТ682-5 0,4 0,1 ~rВТ КТ684 КТ685 КТ&86
160 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~•• \210• UКБО max' lкmax lкоо• Тип Струк- P~.тmaxt ~:;lз' U~Rmax' UЭБОmах' •:,м max' I:СЭн• р~~ н max• с· u~max• в ••• прибора тура ." КЭО• мВт Мfц в мА мкА КТ692А р-п-р 1Вт ~200 40 5 lA sO.l (30 В) 1 1 1 1 1 1 КТ695А п-р-п 450 ~300 30 4 30 SO,l (30 В) КТ698А п-р-п 600 ~150 90* 4 2А S20* (90 В) КТ698Б п-р-п 600 ~150 70* 4 2А S20* (70 В) КТ698В п-р-п 600 ~150 50* 4 2А S20* (50 В) KT698f п-р-п 600 ~150 30* 4 2А S20* (30 В) КТ698Д п-р-п 600 ~150 12* 4 2А S20* (12 В) КТ698Е п-р-п 600 ~150 12* 4 2А S20* (12 В) КТ698Ж п-р-п 600 ~150 120* 4 2А S20* (120 В) КТ698И п-р-п 600 ~150 160* 4 2А S20* (160 В) КТ698К п-р-п 600 ~150 200* 4 2А S20* (200 В) КТ704А п-р-п 15* Вт (50"С) ~3 500* (!ООО имп.) 4 2,5 (4*) А S5* мА (1000 В) КТ704Б п-р-п 15* Вт (50"С) ~3 400* (700 имп.) 4 2,5 (4*) А S5* мА (700 В) КТ704В п-р-п 15* Вт (50"С) ~3 400* (500 имп.) 4 2,5 (4*) А S5* мА (500 В) 1 КТ708А р-п-р 5Вт ~3 100; 80* 5 2А - КТ708& р-п-р 5Вт ~3 80; 60* 5 2А - КТ708В р-п-р 5Вт ~3 60; 40* 5 2А - КТ709А р-п-р 30 Вт ~3 100; 80* 5 10А - КТ709Б р-п-р 30 Вт ~3 80; 60* 5 10А - КТ7098 р-п-р 30 Вт ~3 60; 40* 5 10А - КТПОА п-р-п 50* Вт (50"С) - 3000* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А S2 мА (3000 В)
Биполярные кремниевь1е транзисторы 161 ck, rкэ••,. Ом Кw1 дБ t., пс h21.• ь;,э с;2з• r~нас• Ом r;, Ом t~ac• НС Корпус пФ к;.",.• дБ Р;~х' Вт t::IUI, НС ~20(1В;0,5А) s20 (30 В) sl - s90** КТ692А 1 ~кфз 1 50...200 (10 В; 1 мА) Sl,5 (10 В) - - - КТ695А ~tm.tк ~20*(5В;1А) 1 s74 (5 В) so.12 - S245* КТ698 ~20*(5В;1А) S74 (5 В) S0,12 - S245* ~50*(5В; 1А) S74 (5 В) S0,12 - S245* ~50*(5В;1А) S74 (5 В) $0,12 - S245* ~I!:~ ~50*(5В;1А) S74 (5 В) S0,12 - $245* ~50*(5В; 1А) S74 (5 В) s0,12 - S245* ~30*(5В;1А) S74 (5 В) S0,12 - S245* ~30*(5В;1А) .s74 (5 В) s0,15 $245* ~ .. : :t-• • - ~ ~ ~30*(5В; 1А) s74 (5 В) S0,17 - S245* .. .., 10.. .100* (15 В; 1 А) s50 (20 В) S2,5 - - КТ704 10... 100* (15 В; 1 А) s50 (20 В) $2,5 - - ~10*(15В; 1А) s50 (20 В) $2,5 - - ~ttll - к . ~. t::: 1~5 ~500 - Sl КТ708 ~700 - Sl ~700 - Sl ;[фкфз $1 .sl .Sl ~500 - Sl КТ709 ~700 - Sl ~700 - $1 11~ °'No· ~ О\ ...... - - "=> .,.., . g к ~3.5(10В;4А) - S0,9 - 30000* КТ710 п1~ ~ffli ~ ~ к 11 зак. 9
162 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 Рк,...• f,,,.~,•• Uкоо .... • lк .... Iкво, Тип Р~.т maxt ~~lз' 1Гкэи...,х• UЭБО .... • 1;. М IПl'Xt 1~, прибора 1 тура р;: •шах' Сх, 1Г"кэо...,,• в 1~, мВт мrц в мА мкА КТ712А p-n-p 1,5 (50*) Вт ~з 200 5 10 (15*) А Sl мА (200 В) КТ7125 p-n-p 1,5 (50*) Вт ~з 160 5 10 (15*) А SI мА (160 В) 1 КТ715А n-p-n 75* Вт (5О0С) ~0,45 5000 5 2А Sl мА (5000 В) 1 КТ716А n-p -n 1 Вт {60 Вт*) ~6 100 5 8А s0,1 мА КТ7165 n-p -n 1 Вт (60 Вт*) ~6 80 5 8А SO,I мА КТ716В 1 n-p -n 1 Вт (60 Вт*) ~6 60 5 8А SO,I мА КТ716f n-p-n 1 Вт (60 Вт*) ~6 45 5 8А SO,I мА 1 КТ719А n-p -n 10* Вт ~з 120 5 1,5 А - КТ720А p-n -p 10* Вт ~з 120 5 1,5А - КТ721А n-p -n 25* Вт ~з 120 5 1,5 А - КТ722А p-n -p 25* Вт ~з 120 5 1,5 А - КТ723А n-p-n 60* Вт ~з 120 5 IOA - -КТ724А p-n -p 60* Вт ~з 120 5 IOA - КТ728А n-p -n 115* Вт ~2.5 60 7 15А S0,7 мА (60 В) КТ729А n-p -n 150* Вт ~.2 50 5 30А S2мА(50В) КТ729Б n-p -n 150* Вт ~.2 100 7 20А s5 мА (100 В) i 1 1
1 1 1 Биполярные кремниевые транзисторы h21.• ь;,э ~500•(5В:2А) ~400*(5В;2А) 1 1 i 1 ~15 (10 В; 0,2 А) ~750(5В;5А) ~750(5В;5А) ~750(5В;5А) ~750(5В;5А) ~20 (2 В: 0,15 А) ~20(2В:0.15А) 1 1 ~20(2В: 1А) ~20(2В; 1А) ~20(5В;5А) ~20(5В;5А) 20...70 (5 В; 4 А) 15... 60* (4 В: 15 А) 15...60 (4 В; 10 А) 11' с•• с;2.• пФ - - - 150 (5 В) 150 (5 В) 150 (5 В) 150 (5 В) - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 1 rкэнас' Ом r~нас• Ом к;_·р.• д& $l $1 :515 :50,4 :50,4 $0,4 $0,4 $1,2 $1,2 $0,6 $0,6 $0,4 :50,4 $0,3 $0,13 $0,14 163 Кш,д6 tк, ПС r~. Ом t~ac• НС Корпус Р;:х• Вт t::1и1• НС - - КТ712 - - :ft ЗК6 - :527500* КТ715 ~·.... ~. ~ 6.25 - $7000* КТ716 - $7000* - $7000* :ft - :57000* ЗК6 - - 1 КТ719, КТ720 11 - - 1 1 ~иw 1 1 ::;. ·8 =~ - - КТ721, КТ722 - - ~; 1 :·~ - - - КТ72З, КТ724 .. - - :fjtЗК6 1 ' 1 - 1 - 1 КТ728, КТ729 ~ 1 1 ' 1 1 1 !
164 Раздел 2. Биполярные транзисторы PKm.ax' Тип Струк- P~.Tffiil),t прибора тура р~~ М W111X t мВт МГц UKБOm;,кt JK m;,к •кw• U~Rma).t UЭБOm;,xt ·~'И m.aAt ·~· u~milx' в г мА кэо• в мкА КТ730А n-p -n 150* Вт <::0,2 160 7 16А $2 мА (140 В) 1 ! 1 i 1 : 1 1 1 ~ 1 1 1 ! КТ731А n-p-n 1Вт;10*Вт <::30 25; 20** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) КТ731Б n-p -n 1Вт;IO*Вт <::30 40; 35** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) КТ731В n-p -n 1Вт;10*Вт <::30 60; 55** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) КТ731Г n-p -n 1Вт;10*Вт <::30 80; 70** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) 1 ' 1 1 1 1 1 u 1 1 1 1 1 Jкпз2л 1 1 90* Вт 2::1 160 7 16А 0,75 мА n-p-n j 1 1 1 20* А (\60 В) 1 КТ733А p-n-p 90* Вт 2::1 160 1 7 16А 0.75 мА !1 i 1 20* А (160 В) ' 1 1 ! ' 1 ' 1 ' i i 1 ri ,, 1 ~ 1 1 i ! 1 i i i i i 1 1 1 КТ734А 1 40* Вт <::3 40 1 5 ! 3А;5А* 1 S0.3** (30 В) n-p-n 1 КТ734Б n-p -n 40* Вт <::3 60 5 3А;5А* s0.3* (30 в> КТ734В n-p -n 40* Вт <::3 80 5 3А;5А* S0,3* (60 В) КТ734Г n-p -n 40* Вт 2::3 100 5 3А;5А* s0,3* (60 В) КТ735А p-n-p 40* Вт <::3 40 5 3А;5А* so.3 · (30 В) КТ735Б p-n-p 40* Вт 2::3 60 5 3А;5А* s0.3* (30 В) IКТ735В 1 p-n -p 40* Вт <::3 1 80 1 5 3А;5А* s0.3* (60 В) КТ735Г p-n-p 40* Вт 2::3 100 1 5 3А;5А* S0.3* (60 В) i i ; i ; 1 К1736А 1 1 65* Вт 1 <::3 40 5 1 6А; IOA* $0,7* (30 В) 1 n-p-n КТ736Б 1 n-p-n 1 65* Вт <::3 1 60 5 1 6А;1ОА* s0.7* (30 В) 1 КТ736В 1 n-p-n ! 65* Вт 2::3 80 5 1 6А;10А* S0.7* (60 В) КТ736Г n-p-n 65* Вт 2::3 100 5 6А;10А* S0.7* (60 В) КТ737А p-n-p 65* Вт <::3 40 5 6A;IOA* s0,7* (30 В) КТ737Б p-n-p 65* Вт <::3 60 5 6А; IOA* S0,7* (30 В) КТ737В p-n-p 65* Вт <::3 80 5 6А;10А* s0,7* (30 В) КТ737Г p-n-p 65* Вт 2::3 100 5 6А;10А* s0,7* (30 В) 1 i i 1 КТ738А ! n-p-n ! 90Вт <::10 70 5 10А 1 1мА(100В) ri 1 1 1 ' i 1 i ! 1 1 i j 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Бипопярнь1е кремниевые транзисторы 165 : 1 rкэнас' Ом Кш, дБ 1 ! с,, t'кt ПС ' hz,,• ь;,э с;2,• r~нас' Ом r~, Ом 1 t;_, НС Корпус пФ к;~". дБ Р;:х' Вт t;ыкл• НС 15...60: (4 В; 8 А) ! - ~О.17 - - КТ730 п1~ ~Noii ~· ..,. .. - к ~40 (10 В; 50 мА) - S0,5 - - КТ731 ~40 (10 В; 50 мА) - S0,5 - - ~40 (10 В; 50 мА) - S0,5 - - ~иw ~30(10В:50мА) 1 - S0,5 - - 1 1 :·~ 1 ~15(2В;8А) - s0,25 - - КТ732 ~8(4В;16А) nt~ 1 1 ~No- ·~. 1 ~15(2В:8А) - s0,25 - - КТ7ЗЗ ~8(4В;16А) 1 п1~ ~Noii ·~. ~25(4В;1А) - s0,4 - - КТ734, КТ735 ~25(4В;1А) - S0,4 - - ~10(4В;3А) - s0,4 - - ~fjt ~10(4В;3А) - S0,4 - - ~25(4В;1А) 1 - s0,4 - - ~25(4В;1А) - S0,4 - - ~ D ~10(4В;3А) - S0,4 - - ЗКI ~10(4В;3А) - S0,4 - - ~30(4В;3А) - S0,25 - - КТ736, IП737 ~30(4В;3А) - s0,25 - - ~15 (4 В; ЗА) - s0,25 - - :ft ~15(4В;3А) - s0,25 - - ~30 (4 В: ЗА) - S0,25 - - ~30(4В:3А) - S0,25 - - ~15 (4 В; ЗА) - s0,25 - - ~15 (4 В; ЗА) S0,25 ЗК6 - - - ' 20...70 (4 В; 4 А) - S0,3 - SI** КТ738 ~r 1 IКЗ - 1
166 Раздел 2. Биполярные транзисторы iСтрук-1 ! 1· ' pKm.ax• ~•• f ,;210• UKБOmax• JKmax •кw• Тип Р~. тmax• ~;lз• u~RmaAI UЭБOmdA' J~.н max• i ·~ЭR' прибора ! тура 1 р~~ и m.ax• ~::х• U~Omax• в l~эо• мВт МГц в мА мкА КТ739А р-п-р 90 Вт ~10 70 5 IOA 1мА(100В) 1 КТ740А 1 п-р-п 1 125* Вт - 200 5 20А - 1 1 1 i 1 i КТ740Аl n-p-n 60* Вт - 200 5 20А - ! 1 1 1 ' 1 1 i 1 i ~ 1 1 1 Q КТ801А n-p -n 5* Вт (55°С) ~10 80* (О,lк) 2,5 2А 10* мА (80 В) КТ801Б n-p -n 5* Вт (55°С) ~10 60* (О,lк) 2,5 2А 10* мА (60 В) ! КТ802А 1 n-p-n 50* Вт ~10; ~20 150; 180 3;5 5А 1 ~60 мА (150 В) 1 1 КТ803А n-p-n 60* Вт ~20 60* (О,!к) 4 10А ~5* мА (70 В) КТ805А n-p -n 30 Вт ~20 60* (160 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805Б n-p -n 30 Вт ~20 60* (135 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805АМ 1 n-p-n 30* Вт (50°С) ~20 60* ( 160 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805БМ 1 п-р-п 30* Вт (50°С) ~20 60* ( 135 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805ВМ n-p-n 30* Вт (50°С) ~20 60* ( 135 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) 1 1 1 - КТ807А n-p -n 10* Вт (70°С) ~5 100* 4 0,5; 1,5* А ~5* мА (100 В) КТ807Б n-p -n 10* Вт (70°С) ~5 100* 4 0,5; 1,5* А ~5* мА (100 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 167 с,, rкэ-• Ом Kw, .11.Б т., пс h2," ь;,э с;2" r.;.. ...,, Ом r~1 Ом t;.., нс Корпус пФ к~·". .11.& Р:,, Вт t:.... вс 1 20...70 (4 В; 4 А) 1 - :50,3 - :50, 7** КТ739А 1 =EmT ! 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 :(' а i 1 1 IКЗ ~30 - :50,125 - 1 - 1 IП740А 1 ~r 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 ! 1 6КЗ 1 1 ~30 1 :50, 125 1 ! IП740А1 - - - 1 1 i ft 1 1 6113 i 1 15...50* (5 В; 1 А) 1 - :52 1 - 1 - 1 КТ801 30...150* (5В; 1А) 1 :52 1 1 ! - - - 1 :~~i 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 к ~15*(10В;2А) - :51 - - ктаеz.. IП803, КТ805 ~5- ,,J~ 10...70* (10 В; 5 А) :5250 (20 В) :S0,5 - :5190** .~oL'(fd~ .~J1rt. ~ ~11 ~~\'4~ ~ ~15*(10В;2А) 1 :50,5 ...... .... ......:: ~ - - - ~15*(10В;2А) - :51 - - ~15*(lOВ;2А) - S0.5 - - IПOUI ~15*(IOВ;2А) - Sl - - :ft ~15*(ЮВ;2А) - $1,25 - - 1 316 r5.. .45* (5 В; o.s AJ - :52 - - IП807 зо... rоо• (5 в: о.5 А) - :52 - - ~!t~t*
168 Раздел 2. Биполярные mранзисторь1 ' 1 ~•• ~216• 1 ! 1 ! IКБО, 1 ' Ркmах' UKБOmax• ! lк max 1 Тип J Струк-1 Р~.тmах• \;1з• U~Rmax• UЭБО max• ··~.и max' 1 J~R' р~~ н max• с· U~Omax• 1 1·· прибора 1 тура 1 1 в 1 ." мА КЭО• мВт мrц в мкА КТ807АМ п-р-п 1 10* Вт (70°С) 2':5 100* (lк) 4 1 0,5 (1.5*) А 1 S5* мА (100 В) КТ807БМ п-р-п 10* Вт (70°С) 2':5 100* (1 к) 4 0,5 (1,5*) А s5* мА(100В) 1 1 ! ! i 1 1 1 i 1 i КТ808А 1 п-р-п 1 50* Вт (50°С) 2':7,2 120* (250 имп.) 4 1 1ОА 1 S3* мА (120 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 КТ808А1 п-р-п 70* Вт 2':8 130* 5 1ОА S2* мА (130 В) КТ808Б1 п-р-п 70* Вт 2':8 100* 5 1 1ОА S2* мА (100 В) КТ808В1 i п-р-п 70* Вт 2':8 80* 1 5 1ОА 1 S2*мА(80В) КТ808П 1 п-р-п 1 70* Вт 2':8 70* 5 1ОА S2* мА (70 В) КТ808АЗ п-р-п 70* Вт 2':8 130 5 10 (15*) А S2* мА (130 В) КТ808БЗ п-р-п 70* Вт 2':8 100 5 10(15*)А S2* мА (100 В) 1 1 1 КТ808АМ п-р-п 60* Вт (50°С) 2':8 130* (250 имп.) 5 IOA S2* мА (120 В) КТ808БМ п-р-п 60* Вт (50°С) 2':8 100* (160 имп.) 5 10А S2* мА (100 В) КТ808ВМ п-р-п 60* Вт (50°С) 2':8 80* (135 имп.) 5 10А S2* мА (100 В) ктsоsrм n-p -n 1 60* Вт (50°С) 2':8 70* (80 имп.) 5 IOA 2':2* мА (70 В) КТ809А п-р-п 40* Вт (50°С) 2':5,1 400* (О,Оlк) 4 3А;5*А s3* мА (400 В) 1 1 1 ..::;:;:.- ~ ! КТ8101А п-р-п 2 Вт; 150* Вт 2':10 200 6 16А(25*А) SI мА (200 В) КТ8101Б п-р-п 2 Вт; 150* Вт 2':10 160 6 16А(25*А) SI мА (160 В) КТ8102А р-п-р 2 Вт; 150* Вт 2':10 200 6 16А(25*А) SI мА (200 В) КТ8102Б р-п-р 2 Вт; 150* Вт 2':10 160 6 16А(25*А) SI мА (180 В) КТ8104А р-п-р 150 Вт 2':10 350 1 5 1 20А(25А*) 1 S0,7 мА (350 В) 1 1 1 ! 1 1 1 1 i i ! i i 1 1 1 1 i 1 1 ! 1 ' ! 1 i
Биполярные кремниевь1е транзисторы 169 ck, rкэиас• Ом кw,д& 't._, пс h21.• ь;,э с;2.• r~нас• Ом r;, Ом t~.... нс Корпус пФ к;.·р.• д& Р;:,. Вт t::..... нс 15...45* (5 В; 0,5 А) - $2 - - КТ807М 30... 100* (5 В; 0,5 А) - $2 - - :;~ 10...50* (3 В: 6 А) S500 (10 В) - - $2000* КТ808 ~if6 20...125 (3 В; 2 А) S500 (10 В) S0,33 - - КТ808-1 20...125 (3 В; 2 А) S500 (!О В) S0,33 - - ~r 20...125 (3 В: 2 А) S500 (IO В) S0,33 - - 20...125 (3 В; 2 А) S500 (10 В) $0,33 - - 6КЗ 20...125 (3 В; 2А) S500 (100 В) - - $2000* КТ808-3 20...125 (3 В; 2 А) s500 (100 В) - - $2000* ~ttt.' ~ D ЗК6 20...125* (3 В: 2 А) S500 (100 В) S0,33 - $2000* КТ808М 20...125* (3 В; 2 А) S500 (100 В) S0,33 - $2000* "'' ~ 20...125* (3 В; 2 А) S500 (100 В) S0,33 - $2000* ;fWi ~. 20... 125* (3 В; 2 А) S500 (100 В) $0,33 - $2000* 15...100* (5 В; 2 А) Sl50 (20 В) S0,75 - $4000* КТ809 ~•• ~20*(!ОВ;2А) SOOO (5 В) $3,3 - - КТ8101, КТ8102 ~20*(10В;2А) SIOOO (5 В) $3,3 - - ~r ~О*(!ОВ;2А) SIOOO (5 В) $3,3 - - ~О*(10В;2А) SIOOO (5 В) $3,3 - - 6КЗ 1000(5В:5А) - <0,2 - - КТ8104 ""~ ~Noi~ ~ /(
170 'Раздел Z. Биполярные транзисторы pKm.ax ' ~.. ~... UКБО max' lк max •коо• Тип Струк- Р;.т m.ax' ii:;1~· (fКЭR max• Uэоо max• 1:.н max• ·~· р;. Н INIJI: 1 с;х, (f~max• в ••• прибора тура кэо• мВт мrц в мА мкА IKT8105A 1 п-р-п 1 150 Вт ~10 200 5 20А(25А*) 1 SO.7 мА (350 В) 1 1 11 1 1 1 1 1 1 1 IП8106А п-р-п 2 Вт; 125* Вт ~1 90* 5 20А(30*А) - К.Т81065 п-р-п 2 Вт; 125* Вт ~1 60 5 20А(30*А) - 1 К.Т8107А п-р-п 1 100* Вт ~7 1500 (700*) 5 8АН5*А) s0,7 мА (1500 В) КТ81075 п-р-п 125* Вт ~7 1500 (700*) 5 5А(7,5"А) sO,T мА (1500 В) K1'8107ll n-p -n 50* Вт ~7 1500 (600*) 5 5А(8"А) S0,7 мА (1500 В) К.Т810П п-р-n 100 Вт ~7 1500 б 10А s0,7 мА (1500 В) КТ8107Д п-р-п 100 Вт ~7 1200 б IOA S0,7 мА (1200 В) КТ8101Е П·р·П 100 Вт ~7 1000 6 10А s0,7 мА (1000 В) К.Т8107А2 п-р-п 100* Вт ~7 1500 (700*) 5 8А(15*А) S0,7 мА (1500 В) К.Т8107&2 п-р-n 125* Вт ~7 1500 (700*) 5 5 А (7,5* А) S0.7 мА (1500 В) КТ8107В2 п-р·п 50* Вт ~7 1500 (600*) 5 5А(8*А) S0,7 мА (1500 В) К.Т81&71'2 1 п-р-п 100* Вт >7 1500 6 10А s0,7 мА (1500 В) К.Т8107Д2 1 п-р-п 100* Вт >7 1200 6 10А s0,7 мА (1200 В) К.Т8107Е2 п-р-п 100* Вт >7 1000 б 10А S0,7 мА (1000 В) КТ8108А п-р-п 70" Вт ~15 850 5 5 (7"') 0,5 мА (850 В) К.Т8108Б п-р-п 70* Вт ~15 850 5 5 (7*) 0,5 мА (850 В) КТ8108В п-р-п 70* Вт ~15 900 5 5 (7*) 0,5 мА (900 В) КТ8108А-1 n-p·n 70* Вт 15 850 5 5(7*)А s0,5 мА (850 В) К.Т81085-1 п-р-п 70* Вт 15 850 5 5(7*)А s0,5 мА (850 В) КТ8108В-1 п-р-п 70* Вт 15 900 5 5(7*)А s0,5 мА (850 В) К'Пt88А п-р-п 80* Вт ~7 350 5 7А(10*А) s3 мА (350 В) КТ81096 п-р-п 80" Вт ~7 300 5 7А(10*А) S3 мА (300 В) IП8U8A 1 п-р-п 2Вт:60*Вт ~о 500 5 7А(14*А) 1 SIOOO(500В) КТ81105 1 п-р-п 2Вт;60*Вт ~20 500; 400•• 5 7А(14*А) :!>100 (400 В) КТ8110В n-p -n 2Вт;60*Вт ~20 500; 350"* 5 7А(14*А) slOO (400 В)
: 1 1 1 ! ! 11 Биполярные кремниевые транзисторы h2," ь;,э ;e:lOOO (5 В; 5 А) 750 ... 18000 (10 В; 5 А) 750...18000 (1 О В; 5 А) ;е:2,25* (5 В; 4.5 А) ;е:2,25* (5 В; 4,5 А) 8...12* (5В; 1А) ;е:2,25* (5 В; 4,5 А) ;е:2,25* (5 В; 4,5 А) 8...12* (5В; 1А) 10 50(5В·О5А) ... 40...80 (5 В: 0.5 А) 10...50 (5 В; 0.5 А) 10...50* (5 В; 0,5 А) 40...80* (5 В; 0,5 А) 10...50* (5 В; 0,5 А) ;е:150• (5 В; 2.5 А) ;е:150* (5 В; 2.5 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) с,, с~2"'пФ - 1 1 i 1 :5700 (IO В) 1 :5700 (10 В) 1 - 1 - <75 (15 В) - 1 :575 (15 В) 1 :575 (15 В) 1 :575 (5 В) :575 (5 В) :575 (5 В) 1 - 1 1 - ! i1 - - - 1 !1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 rкэнаt·' Ом r~э наt·• Ом к;.·•.. дБ <0,2 :50,4 :50,4 :50,22 :50,65 :50,22 :50,22 :50,4 :50,4 :50,22 :50,65 :5022 <О,22 <0,4 <0,4 <О4 - . :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,75 :50,75 :50,2 :50,2 :50,2 Кш, дБ i i r;, Ом Р;:)., Вт - 1 1 1 ! - i - - - 1 - 1 - i - i 1 1 - 1 - - 1 ! 1 - 1 1 - 1 1 1 i i i - - - 1 1 1 1 i 1 i11 тк, пс f~act НС t::IUI, НС - :54500** :54500" :53500* :53500* :53,500* :53500* :53500* :53500* <3000* - :53000* :53000* 3* мкс 3* мкс 3* мкс :53* мкс :53* мкс :52500* :52500* :52500* ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! i 1 i1 1 1 i1 i 171 Корпус КТ8105 п1 КТ1 ~fflii ~ 111 ~ . 11 .. .. /( ~ КТ8106 ~ ~~r ;~ ' D 6кз КТ8107 15.9 5 1 -~·1 ....~ ...... ;~ ' D 6кз КТ8107-2, КТ8108 27,1 КТ1 ~t1i ~- ~ .. .. .. к КТ8108-1 :ft 1 ЗК5 1 1 1 КТ8109 70,G5 1/,8 wт6КЭ КТ8110 10,7 li,8 11 т1 .. .. ~ ~ D
172 Раздел 2. Биполярные транзисторы j 1 1 1 1 1 1 1 Ркmах' ~•• t,;., •• UКБОmах' 1 lк max i Iю;о, Тип Струк· 1 р• i.:;,i, U~Rmax' UЭБОmах' 1 1 ·~R' К.тm11х' 1 1;,н max' j 1 р~~ н max• (" u~max' 1 в ' ·~· прибора тура 1 "' ! 1 мА 1 i мВт Мfц в 1 мкА КТ8111А9 1 п-р-п 125* Вт ;e:I 100 5 20А - КТ8111Б9 п-р-п 125* Вт ;е:1 80 5 20А - КТ8111В9 п-р-п 125* Вт ;e:I 60 5 20А - ! 1 1 r ! 1 1 1 : КТ8112А 1 п-р-п i 1Вт;10*Вт ;е:20 400* (1 к) 1 5 10.5А(1,5*А)i - ! ' 1 i ! : i i 1 1 i ' 1 1 1 1 t ! 1 1 1 ! 1 1 1 1 ' КТ8113А р-п-р 2Вт;65*Вт ;е:З 100 6 6 (10*) А s700 (60 В) КТ8113Б р-п-р 2Вт;65*Вт ;е:З 80 6 6 (10*) А s700 (60 В) КТ8113В р-п-р 2Вт;65*Вт ;е:З 60 6 6 (10*) А S700 (30 В) 1 1 ! !1 ' ' ' ! i ! 1 1 1 1 1 1 iктs114А 1 п-р-п 1 125* Вт - 1500* 6 1 8А;15*А 1 SO,I мА ( 1500 В) IКТ8114Б п-р-п 125* Вт - 1200* 6 8А;15*А S0.1 мА (1200 В) КТ8114В п-р-п 100* Вт - 1200* 6 8А;15*А sO,I мА (1200 В) KT8114f п-р-п 100* Вт - 1500* 6 8А;15*А SO,I мА (1500 В) . 11 ' КТ8115А 1 р-п-р 65* Вт ;е:4 100 5 1 8(16*)А 1 s0.2 мА (100 В) КТ8115Б 1 р-п-р 65* Вт ;е:4 80 5 1 8 (16*) А s0.2 мА (80 ВJ КТ8115В ! р-п-р 1 65* Вт ;е:4 60 5 8 (16*) А 1 S0.2 мА (60 В) : 1 i 1 1 КТ8116А п-р-п 65* Вт ;е:4 100 5 8А(16*А) S200 (100 В) КТ8116Б п-р-п 65* Вт ;е:4 80 5 8А(16*А) S200 (80 В) КТ8116В п-р-п 65* Вт ;е:4 60 5 8А(16*А) S200 (60 В) i 1 1 ' 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ' i 1 КТ8117А п-р-п 100* Вт ;е:5 700 8 10 (20*) А SI мА (400 В) КТ8117Б п-р-п 100* Вт ;е:5 500 8 10 (20*) А SI мА (400 В) ! 1 1 i i 1 1 i 1 i ' i i 1 ' 1
мниевые транзисторы Биполярные кре j 1 rКЭнас' Ом r ck, • Ом с;2,• rБЭнас' h21.• ь;,э 1 i i ' 1 i8000 (3 В: 10 А) 750. 750..l8000(3В; 10А) 750::: 18000 (3 в: 10 А> :2::300 (5 В; 0,05 А) 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В: 3 А) >IOOO* (3 В; 0,5 ...3 А) j ;IOOO* (3 В; 0.5...3 А) j :2::1000* (3 В: 0,5...3 А) <!::IOOO* (3 В; 0,5 А) >IOOO* (3 В; 0,5 А) ;1000* (3 В; 0,5 А) >\О*(5В;5А) ;\О*(5В;5А) 1 ! пФ $400 $400 $400 к;.·", дБ <0,2 g),2 g),2 <40 <0,27 $0,27 g),27 <0,25 $0,25 $0,25 $0,25 g),7 $0,7 $0,7 <0,7 g),7 g),7 Кш, дБ r;, Ом р00 Вт sыxt 1 1 tк, ПС t• нс рк• t•• нс ... ". 4,5* мкс 4,5* мкс 4,5* мкс tcn 0,5 МКС tcn 0,5 МКС tcn=0,5 МКС tcn=0,5 МКС <1,7* мкс <1,7* мкс 173 Корпус КТ8111-9 =~r ~ЕУН D 6КЗ КТ8112 КТ8113 КТ8114 :::~~15,9 15 °"~ ln ~ D 6КЗ КТ8115 КТ8116 КТ8117 :rmr - 6КЗ
174 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• \210• UKБOmaA• •кmах lкБо• Тип Струк- Р~. тmax• ~;,~. U~Rma).• UЭ001naAt J~.и mo1A' ·~R' р~~нmах• ~:·;". u~maAt в ••• прибора тура кэо• мВт Мfц в мА мкА КТ8118А п-р-п 50* Вт ;::15 900 5 3А(IO*А) $10 (800 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i КТ812А п-р-п 50* Вт (50°С) ;::3 400* (О.01 к) 7 8А;12*А $5* мА (700 В) КТ812Б п-р-п 50* Вт (50°С) ;::3 300* (0.01 к) 7 8А;12*А $5* мА (500 В) КТ812В п-р-п 50* Вт (50°С) ;::3 200* (0,01 к) 7 8А; 12*А $5* мА (300 В) КТ8120А ! п-р-п 60* Вт ;::20 600; 450** 5 1 8А(16*А) $100 (450 В) 1 i ! 1 1 !КТ8121А 1 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 700*; 5 8A(IO*A) $2000 (700 BJ 400** КТ8121Б п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 600*; 5 8А(10*А) $2000 (600 в) 400** КТ8121А-1 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 700* 5 8А(10*А) $2000 (700 В) КТ8121Б-1 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 600* 5 8А(10*А) $2000 (600 В) КТ8121А-2 п-р-п 1 75* Вт ;::7 1500; 700* 5 8А(10*А) $2000 ( 700 в) КТ8121Б-2 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 600* 1 5 8А(10*А) 1 $2000(600В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i 11 1 ! 1 ' 1 КТ8123А п-р-п 25* Вт ;::5 200 5 2А(3*А) $50 (150 В) КТ8124А п-р-п 60* Вт ;::10 400 5 7А(15*А) - КТ8124Б п-р-п 60* Вт ;::10 400 5 7А(15*А) - КТ8124В п-р-п 60* Вт ;::10 330 5 7А(15*А) - i 1 КТ8125А п-р-п 65* Вт ;::3 100 5 6 (10*) А $0,4 мА (100 В) КТ8125Б п-р-п 65* Вт ;::3 80 5 6 (10*) А $0.4 мА (80 В) КТ8125В п-р-п 65* Вт ;::3 60 5 6 (10*) А $0,4 мА (60 В) КТ8126А1 п-р-п 80* Вт ;::4 700; 400** 9 8 (16*) А $1 мА (700 В) КТ8126Б1 п-р-п 80* Вт ;::4 600; 300** 9 8(16*)А $1 мА (600 В) КТ8127А п-р-п 56* Вт - 1500* (100 Ом) 5 5 (7.5*) А $0.9 мА (1500* ВJ КТ8127Б п-р-п 56* Вт - 1200* (100 Ом) 5 1 5 (7,5*) А $0.6 мА (1800* В) КТ8127В п-р-п 1 56* Вт - 11500* (100 Ом) 5 5 (7.5*) А $0.9 мА ( 1500* В) j 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторь1 175 ck, rКЭuс• Ом Кш, дБ 1 'tк1ПС ь.,,. ь;,э c~z"• r~wiilc' Ом r;, Ом f~cl НС Корпус 1 ! пФ к;~•·' дБ Р,:.:.х, Вт 1 t:мt НС 1 1 i 1 1 J0...40* (5 В; 0,2 А) 1 - 1 sl,3 - 1 :>2,5* мкс 1 КТ8118 ! 1 i 1 ! 10.,G5 f,B ц ~1т 1 1 1 6КЭ ~4*(2,5В;8А) :>100 (100 В) s0,3 - tcnSl ,3 МКС КТ812 ~4*(2,5В;8А) :>100 (100 В) $0,3 - tcnSl ,3 МКС ~10*(5В;5А) $100 (100 В) :>0,3 - tcnSl ,3 МКС п.1 ~ 1 ~ffli У- 1 1 1 i"" ' - к 1 j i ~10* (5 В; 0.2 А) - :>О,25 - ::;2* мкс КТ8120, КТ8121, КТ8121-1 1 70,85 f.B 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,25 - :>3* мкс wт 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,75 - :>3* мкс 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,25 - :>3* мкс .IКЭ 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,75 - :>3* мкс 1 ! i 1 8...60* (5 В; ~ А) 1 - S0,25 - :>3* мкс l{'if8121-2 8...60* (5 В: 2 А) - :>0,75 - $3* мкс щ~ ~EWJ-·· ·~ ~ ~.. ... . . "" - . к ~40* (10 В; 0,4 А) - ~ - - КТ8123, КТ8124 1 1 70,G5 f,B 1 wт' ~!О*(5В:5А) - 1 :>0.2 - 1 $1.5* мкс i ~10*15В:5А) - :>0,17 - 1 Sl,3* мкс 1 ~10*(5В:5А) - :>0,2 - 1 $1,5* мкс 1 1 1 1 1 6КЭ 1 15...75* (4 В; 3 А) - :>0,25 - - КТ8125, КТ8126 15...75* (4R 3А) - :>0,25 - - 15...75* (4 .В; 3 А) - $0,25 - - 70,G5 f,B wт 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,5 - 1,7* мкс 8...60* (5 В; 2 А) - $0,5 - 1,7* мкс 1 1 ЭК6 35*(5В;О.~А) - :>0,22 - tсп=О,7 МКС КТ8127 35*(5В;0,5А) - $1,1 - tcn=0,7 МКС 35*(5В;0,5А) - $1,1 - tсп=О,7 МКС п,1 ~ ~No-·'~ ...,; . - к
176 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~•• ~210• UКБО maxt lк max •коо• Тип Струк· Р~. т max• (;lэ' U~Rmax• UЭБО max• 1;.н max• J~R' прибора р~~ м maxt с· u~max• в ••• тура ". мА КЭО• мВт Мfц в i мкА КТ8127А-1 1 n-p -n 1 56* Вт - 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А 1 s0.9 мА (1500* В) КТ8127Б-1 1 n-p -n 1 56* Вт - 1200* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А S0,6 мА (1800* В) КТ8127В-1 1 n-p -n 56* Вт - 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А S0,9 мА (1500* В) 1 1 1 1 КТ8129А n-p -n 60* Вт ;::4 1500 5 5А 1 - 1 1 1 1 1 1 КТ81ЗОА 1 p-n -p 1Вт;20*Вт 1 ;::25 40 5 4А;8*А SIOO (40 В) КТ81ЗОБ p-n -p 1Вт;20*Вт ;::25 60 5 4А;8*А SIOO (60 В) КТ81ЗОВ p-n-p 1Вт;20*Вт ;::25 80 5 4А;8*А SIOO (80 В) КТ8131А n-p -n 1Вт;20*Вт ;::25 40 5 4А;8*А SIOO (40 В) КТ8131Б n-p -n 1Вт;20*Вт ;::25 60 5 4А;8*А SIOO (60 В) КТ8131В n-p -n 1Вт;20*Вт ;::25 80 5 4А;8*А SIOO (80 В) 1 КТ81ЗЗА n-p -n 60* Вт ;::ЗО 240 5 8А - КТ81ЗЗБ n-p-n 60* Вт ;::ЗО 160 5 8А - КТ8134А р-п-р 25* Вт ;::З 20 - 4А - КТ8135А n-p -n 25* Вт ;::З 20 - 4А - КТ8136А n-p -n 60* Вт - 600 5 10А(15А*) - КТ8136А·1 n-p -n 60* Вт - 600 5 10А(15А*) - с Аемnферным Jl.HOAOM ме11Щу кu"епором и !tмнттером КТ8137А n-p-n 40* Вт ;::4 700* 9 1,5А(ЗА*) SI мА (700 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 177 Ck, rКЭиас' Ом Кw,дБ tк, ПС h21.• ь;,э с;2.• r~нас• Ом r;. Ом t;,.,, нс Корпус пФ к;.·", дБ Р;~•• Вт t;..кл, НС ::;35* (5 В; 0,5 А) - ::;Q,22 - tсп=О,7 МКС КТ8127-1 ::;6* (5 В; 0,03 А) - ::;1,1 - tсп=О,7 МКС ~~r ::;6* (5 В: 0,03 А) - ::;1,1 - tсп=О,7 МКС .,. ~ . ln '${ D 6КЗ ~2.25* (5 В: 4,5 А) - ::;1,1 - - КТ8129 ЦI® ~ffli ~. ' 750.. .15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В) ::;1 - - КТ8130, КТ8131 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В) ::;1 - - 750 ... 15000* (3 В: 0,2 А) ::;200 (10 В) ::;1 - - ~иw 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;IOO(IOB) ::;1 - - :·~ 750... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В) ::;1 - - 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В) ::;1 - - 300...3000 - ::;О,б - - КТ8133 300".3000 - ::;О,6 - - 10,15 tB wтэ 40 ... 250 - ::;Q,8 - - КТ8134, КТ8135 40 ...250 - ::;о.в - - :оо~ 10...50* (5 В; 0,8 А) - ::;Q,25 - tсп::;О,2 МКС КТ8136, КТ8136-1 70,15 tB 10...50* (5 В; 0,8 А) - ::;О,25 - tсп::;О,2 МКС wтIКЭ 8.. .40* (2 В; 0,5 А) - ::;2 - ::;4* мкс КТ8137 :оо~ 12 зак. 9
178 Раздел 2. БunonSJPflЬle транзисторы Ркmах• f,,,, ~••• UКБОmах' lк,.., IКIIO, Тип Струк- Р;.тmак' J.:;lэ' U~R'""' UЭБОmах• 1;..• maxl ·~· прибора тура p~•maxl t:.. u-l<ЭO ...... в ·~· мВт Мfц в мА мкА КТ8138А п-р-п 50* Вт 20 500; 400** 7 7А;14*А ::>0.01 мА (500 В) КТ8138Б 1 п-р-п 40* Вт - 450 400** 10 7А;14*А ::>0,1 мА (450 В) IKT8138B 1 п-р-п 75* Вт <?:4 700; 400** 9 4А;8*А sl мА (700 В) KT8138f 1 п-р_-п 80* Вт <?:4 700; 400** 9 8А;16*А SI мА (700 В) lктs1зsд ! п-р-~ 60* Вт <?:10 400; 200** 6 7А;14*А Sl мА (400 В) /КТ8138Е i П·р-п, С 60* Вт <?:10 400; 200** 1 6 7А;14*А 1 SlмА(400В) 1 . 1 ДИО;tЮМ 1 КТ8138Ж п-р-п 60* Вт <?:10 600; 350** 6 IOA;l6*A SI мА (600 В) КТ8138И 1 п-р-п, с 80* Вт <?:4 700; 400** 9 8А;16*А 1 SIмА(700В) ДИОДОМ КТ8140А п-р-п 60* Вт <?:10 400 6 7A(IOA*) Sl (400 В) КТ8140А-1 п-р-п 60* Вт <?:10 400 6 7А(10А*) SI (400 В) с Аемпфериwм диодом ме&,1.у коJ1J1ектором· и змиттером 1 КТ8141А 1 п-р-п 60* Вт <?:7 100 - 8А(12*А) S0.2 (100 В) КТ8141Б п-р-п 60* Вт <?:7 80 - 8А(12*А) 1 $0,2(80В) IKT8141B 1 п-р-п 60* Вт <?:7 60 - 1 8А(12*А) 1 ::>0,2(60В) KT8141f 1 п-р-п 60* Вт <?:7 45 - 8А(12*А) 1 ::>0,2 (45 В) 1 iктst4A 1 1 1 р-п-р 1 (10*) Вт <?:3 40* (0,lк) 5 1,5(3*)А S0,05 мА (40 В) 1 КТ814Б р-п-р 10* Вт <?:3 50* (О,lк) 5 1,5 (3*) А ::>0,05 мА (40 В) КТ814В р-п-р 10* Вт <?:3 70* (О,lк) 5 1,5 (3*) А $0,05 мА (40 В) KT814f р-п-р 10* Вт <?:3 100* (О,lк) 5 1,5(3*)А $0,05 мА (40 В) 1 КТ814ЗА ' 1 175* Вт 120; 90** 6 25А;40*А ::>5* мА (90 В) i п-р-п - КТ814ЗБ 1 п-р-п 175* Вт - 120** 6 25А;40*А ::>5* мА (120 В) КТ814ЗВ п-р-п 175* Вт - 180** 6 25А;40*А 1 ::>5*мА(180В) КТ814Зf 1 п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 25А;40*А 1 $5*мА(400В) КТ814ЗД 1 п-р-п 175* Вт - 90** 6 32А;50*А 1 ::>5* мА (90 В) КТ814ЗЕ п-р-п 175* Вт - 120** 6 32А;50*А ::>5* мА (120 В) КТ8143Ж п-р-п 175* Вт - 180** 6 32А;50*А ::>5* мА (180 В) КТ81433 п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 32А;50*А ::>5* мА (400 В) КТ8143И п-р-п 175* Вт - 120; 90** 6 40А;63*А ::>5* мА (90 В) КТ8143К п-р·n 175* Вт - 120** 6 40А;63*А $5* мА (120 В) КТ8143Л п-р-п 175* Вт - 180** 6 40А;63*А $5* мА (180 В) КТ8143М п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 40А;63*А ::>5* мА (400 В) КТ8143Н п-р-п 175* Вт - 100** 6 50А;125*А ::>5* мА (100 В) КТ8143П п-р-п 175* Вт - 150** 6 150А;125*А 1 ::>5* мА (150 В) КТ8143Р 1 п-р-п 175* Вт - 400; 200** 6 50А;125*А ::>5* мА (400 В) ' КТ8143С 1 п-р-п 175* Вт - 90** 6 63А;150*А 1 ::>5* мА (90 В) КТ8143Т п-р-п 175* Вт - 120** 6 63А;150*А ::>5* мА (120 В) КТ8143У п-р-п 175* Вт - 180** 6 63А;150*А j $5*мА(180В) КТ8143Ф п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 63А;150*А $5* мА (400 В) КТ8144А i п-р-п 1 175* Вт <?:5 800 8 25А(40*А) 1мА(800В) 1 КТ8144Б п-р-п 175* Вт <?:5 600 8 25А(40*А) 1мА(600В) . 1 1 1 1 i КТ8145А 1 п-р-п 100* Вт <?:10 700 8 15А(20*А) 1 ::>5мА(700В) t КТ8145Б i п-р-п 100* Вт <?:10 500 8 115А(20*А) 1 s5 мА (500 В) 1 1 1 1 1 1 1 , 1
Биполярные кремниевые транзисторы 12* ~10*(5В;4А) ~10*(5В;4А) 8...40* (5 В; 2 А) 5...30* (5 В; 5 А) ~10*(5В:5А) ~10*(5В:5А) ~20*(5В:2А) 5...30* (5 В; 5 А) ~10*(5В;5А) ~10"(5В;5А) ~750*(3В;3А) ~750*(3В;3А) ~750*(3В;3А) ~750*(3В;3А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~30* (2 В: 0.15 А) ~15*(3В:20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;32А) ~15*(3В:32А) ~15*(3В:32А) ~15*(3В;32А) ~15*(3В:32А) ~15*(3В:35А) ~15*(3В;35А) ~15*(3В:35А) ~15*(3В:35А) ~15*(3В;35А) ~15*(3В;35А) ~15*(3В:40А) ~15*(3В;40А) ~15*(3В;40А) ~4*(5В;20А) ~4*(5В:20А) ~10*(1В;5А) ~10*(1В;5А) 1 - 1 Sl20 (5 В) Sl20 (5 В) Sl20 (5 В) Sl20 (5 В) S60 (5 В) S60 (5 В) J S60 (5 В) 1 S60(5В) 1 1 rкэнк• Ом r~иас' Ом к:.·,.. дБ $0,2 so.2 S0,25 s0,4 $0,2 $0,2 s0,4 s0,25 s0,66 $0,66 s0,66 s0,66 $1,2 $1,2 Sl,2 Sl,2 s0,08 S0,08 $0,08 S0,08 s0,08 s0,08 $0,08 $0,08 $0,08 S0,08 s0,08 s0,08 s0,08 $0,08 $0,08 S0,08 s0,08 $0,08 S0,08 $0,25 S0,25 Кw,дБ r;, Ом Р;~х' Вт tlC, пс t;,.., нс t;ыклt НС $2,5* мкс S2,5* мкс $4* мкс $3* мкс tсп $ О,75 МКС tсп $ О,75 МКС tсп $ 0,7 МКС S3* мкс 5,8** мкс 5,8** мкс 5.8** мкс 5,8** мкс 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1700* 1700* 1700* $2,5* мкс S2,5* мкс 1,7* мкс 1,7* мкс 179 Корпус КТ8138 КТ8140, КТ8141 ~mtt ~m КТ814 КТ8143 5 ~~15,9 ""~ .... "${ то 6КЗ КТ8144 КТ8145 :fftt ·~
180 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmак• ~•• \210 • UKБOmax' lк max lкоо• Тип Струк· Р~.тmах• \;1э• U~Rmax' UЭБОmакl 1;,н max' ·~R• PiZ н max• r,;;· u~max• в ••• прибора тура "' кэо• мВт Мfц в мА мкА КТ8146А n-p -n 150* Вт ~5 800 8 1 15А(25*А) $1 мА (800 В) КТ81465 n-p-n 150* Вт ~5 600 8 1 15А(25*А) 1 $1 мА (600 В) 1 1 1 ! ! IKT8147A i n-p-n 1 100* Вт 1 ~5 1 700 1 8 !10А(20*А) i $1мА(700В) 1 i КТ81475 ! n-p-n 100* Вт ~5 500 8 10А(20*А) 1 $1 мА (500 В) 1 1 ! i 1 1 i 1 КТ8149А !p-n-p 1 115* Вт ~4 70; 60** 1 7 i15А:30•А i $1мА(70В) 1 ! KT8149A·l р-п-р 90* Вт ~3 70; 60** 7 15А;30*А $1мА(70В) 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 ! КТ8149А-2 1 p-n -p 75* Вт i~3 70; 60** 7 1 10А;15*А 1 $1мА(70В) 1 1 1 КТ8150А n-p -n 115* Вт ~4 70; 60** 7 !15А;30*А 1 $1мА(70В) 1 i ! 1 ! 1 i i i 1 1 1 1 1 i 1 1 KT8150A·l n-p -n 90* Вт ~3 70; 60** 7 15А;30*А $1мА(70В) 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i i 1 i 1 1 КТ8150А-2 i n-p -n j 75* Вт ~3 1 70; 60** !7 1 10А;15*А 1 $1мА(70В) 1 : 1 1 ! 1 1 1 1 i i 1 1 1 ! i 1 1 1 1 1 1 ! 1 КТ8154А 1 n-p-n 1 175* Вт ~5 1 600; 450** 1 8 1 30А;60*А i $1мА(600В) 1 КТ81545 1 n-p -n i 175* Вт ~5 500; 400** 8 1 30А;60*А i S:IмА(500В) 1 1 1 ! 1 1 1 ! 1 i КТ8155А i n-p-n 1 175* Вт ~5 600; 450** 8 i50А;80*А 1 $2 мА (600 В) КТ81555 1 n-p-n 175* Вт ~5 500; 400** 8 1 50А;80*А $2 мА (500 В) 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 181 ck, rкэ нас• Ом Kw, дБ тк, пс ь.,,. ь;,э с;2э' r;Энас' Ом r;, Ом t~, НС Корпус пФ к;.",.• дБ Р=~х' Вт t::кл, НС ~5*(5В;15А) - ~О.15 - 1.7* мкс КТ8146, КТ8147, КТ8149 ~5*(5В:15А) - ~О.15 - 1,7* мкс 11.1 Кf) ~5·(1,5В;8А) - ~0.2 - 1,7* мкс ~Noi~ ~5*ll,5В;8А) - ~О.2 - 1,7* мкс ..:; . 20... 150• (4 В: 4 А) - ~О.27 - /{ - - 20... 150* (4 В: 4 А) - ~О.27 - - КТ8149-1 :~r ~~ ... :! о 6К3 20... 100• (4 В: 4 А) - ~О.27 - - КТ8149-2 1 1 70,65 tB wт6КЭ 20... 150• (4 В; 4 А) - ~О.27 - - КТ8150 Ц/ Кf) ~Noi~· ..:; . - /{ 20...150* (4 В; 4 А) - ~О.27 - - КТ8150-1 ~r6КЗ 20...100* (4 В; 4 А) - 1 ~О.27 - - КТ8150-2 7D,65 tB w.т6КЭ .- - - - 1700* КТ8154, КТ8155 - 1 - - - 1 1700* Ц/ Кf) - - - - - ~Noi~ - - - - - ..:; . - к
182 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~pl \216• UКБО max' lк max •кw• Тип Струк- Р~. т maxt \;]31 U~Rmax' UЭБО max' J~, н maxt ·~R• р~~ н maxt с· u~max' в ·~· прибора тура "' мА 1 мВт МГц в мкА КТ8156А n-p-n 60* Вт - 330; 150** 6 8А - КТ8156Б n-p -n 60* Вт - 200** 6 8А - 1 1 КТ8157А n-p -n 150* Вт ~5 1500 7 10А(15*А) 3 мА (1500 В) КТ8157Б n-p -n 150* Вт ~5 1500 7 10А(15*А) 3 мА (1500 В) КТ8158А n-p -n 125* Вт - 60 5 12А :S:400 (60 В) КТ8158Б n-p -n 1 125* Вт - 80 5 12А :S:400 (80 В) КТ81588 1 n-p -n 125* Вт - 100 5 12А :S:400 (100 В) КТ8159А р-п-р 125* Вт - 60 5 12А :S:400 (60 В) КТ8159Б р-п-р 125* Вт - 80 5 12А :S:400 (80 В) КТ81598 p-n -p 125* Вт - 100 5 12А :S:400 (100 В) ! 1 1 КТ815А n-p-n 10* Вт ~3 40* (О, 1к) 5 1,5(3*)А :S:0,05 мА (40 В) КТ815Б n-p-n 10* Вт ~3 50* (О, 1к) 5 1,5 (3*) А :S:0,05 мА (40 В) КТ8158 n-p-n 10* Вт ~3 70* (О, 1к) 5 1,5 (3*) А :S:0,05 мА (40 В) КТ815Г n-p -n 10* Вт ~3 100* (О,lк) 5 1,5 (3*) А :S:0,05 мА (40 В) 1 КТ816ЗА n-p -n 50* Вт ~10 600 5 7А;10*А :S:lOO (600 В) КТ8164А n-p -n 75* Вт ~4 700 9 4А :S:lO мА (700 В) КТ8164Б n-p -n 75* Вт ~4 600 9 4А :S:lO мА (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 1 ck, r113 _, 0111 К", дБ TIC, ПС h21>' ь;,э с;". r~ .... 0111 r;, Ом t;_, нс Корпус ' к:~.... дБ Р:,,, Вт. t;wк.n• НС 1 пФ ,. 1 1 - - - - 1 - КТ8156 - - - - - 1415 f,8 i 1 wт 1 1 1 к 1 1 &~Tl__)m 1 ~R1i ~~VOI ! L;J 3 1 l/01 ~8·(5В;1А) - g),12 - 2• мкс КТ8157 ~s·(5В;1А) - S0,25 - 2• мкс ~/ [11 ~Noi ~. 2500 - - - - КТ8158 2500 - - - - 2500 - - - - :~t ' :;( D 6КЗ 2500 - - - - КТ8159 2500 - - - - 2500 - - - - 1415 f.8 1 wтэ ~40• (2 В; 0,15 А) . sбО(5В) Sl,2 - - КТ815 ~40• (2 В; 0.15 А) sбО (5 В) Sl,2 - - ~40'" (2 В; 0,15 А) sбО (5 В) Sl,2 - - ~!1 ~30* (2 В; 0,15 А) sбО (5 В) Sl,2 - - :-~ 10...30 (2 В; 1 А) SIOO (IO В) g),05 - Sl,5'" мкс - КТ8163, КТ8164 10...60• - - - - . 10."60* - - - - ft 1 1 э
184 Раздел 2. Биполярные fflP!JHЗucmopы : 1 Pкmaxt ~•• t,;216• UKБOmaxt IКБО, )Kmax Тип 1 Струк- Р~. т max• ~~lэ' U~Rmax' UЭБOmaxt 1;.м max' J~R• р;~ и maxt с· u~max• в 1·· прибора тура "' мА КЭО• 1 мВт мrц в мкА КТ816А р-п-р 25* Вт ?:3 40* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (25 В) КТ816Б р-п-р 25* Вт ?:3 45* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (45 В) КТ8168 р-п-р 25* Вт ?:3 60* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (60 В) КТ8161" р-п-р 25* Вт ?:3 100* (lк) 5 3(6*)А :50,1 мА(lООВ) КТ816А-2 · р-п-р 25* Вт ?:3 40* (lк) 5 3А(6*А) :5100 (25 В) 1 1 КТ8165А р-п-р 1 3Вт;50*Вт ?:20 90 5 10 (15*) А :53 мА (90 В) КТ8165Б р-п-р 3Вт;50*Вт ?:20 70 5 10(15*)А :53 мА (70 В) КТ81658 р-п-р ! 3Вт;50*Вт ?:20 50 5 10 (15*) А :53 мА (50 В) КТ81651" 1 р-п-р 3Вт;50*Вт ?:20 90 5 10 (15*) А :53 мА (90 В) КТ816.6А п-р-п 50 Вт ?:20 90 5 10А(15*А) :53 мА (90 В) КТ8166Б п-р-п 50 Вт ?:20 70 5 10А(15*А) :53 мА (70 В) КТ81668 п-р-п 50 Вт ?:20 50 5 10А(15*А) :53 мА (50 В) КТ81661" п-р-п 50 Вт ?:20 90 5 10А(15*А) :53 мА (90 В) 1 КТ8167А р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 100* (1 к) 4,5 2(4*)А :5200 (100 в) КТ8167Б р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 80* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 t80 В) КТ81678 р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 50* (1 к) 4,5 2(4*)А :5200 (50 В) KT8167f р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 100* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (100 В) КТ8167Д 1 р-п-р 0,8 Вт; 1О* Вт ?:30 80* (1 к) 4,5 2(4*)А :5200 (80 В) КТ8168А п-р-п 0,8 Вт; 1О* Вт ?:30 100* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (100 В) КТ8168Б п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 80* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (80 В) КТ81688 п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 50* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (50 В) КТ81681" п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 100* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (100 В) КТS168Д 1 п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 80* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (80 В) 1 КТ8170А-1 п-р-п 40* Вт ?:4 700 9 1,5 А :51 мА (700 В) КТ8170Б-1 i п-р-п 40* Вт ?:4 600 9 1,5 А :51 мА (600 В) КТ8171А п-р-п 100* Вт - 350** - 20А 1 - 1 1 1 i КТ8175А n-p -n 20* Вт - 700*; 9 1,5 (3*) А - 400** КТ8175Б n-p -n 20* Вт - 600*; 9 1,5(3*)А - ! 300** i1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 185 с•• rкэ мае• Ом Kw, дБ tll, пс ь.," ь;,э с;2э' r~мас• Ом r~, Ом t~c• НС Корпус пФ к;.*р.• дБ Р;:х• Вт t;..IC.lt, нс ~25*(2В;1А) ~60 (10 В) ~0.6 - - КТ816, КТ816-2, ~25*(2В;1А) ~60(108) ~О.6 - - ~25*(2В;1А) ~60 (10 В) ~О.6 - - ~ИI ~25*(2В;1А) ~60 (10 В) ~О.6 - - :::. ·8 ~200* (1 В; 0,03 А) ~60 (10 В) ~О.6 - - :Фт 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~0.1 - ~1000** КТ8165, КТ8166 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 40...160 (5 В; 5А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** п1 trJ ~No~ ~. 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (IO В) ~О.1 - ~1000** 40...160 (5 В; 5А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс КТ8167 80...250 (1 В; 1 А) ~00 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс 80...250 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс :tiJФз 40...160 (1 В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс 160...350 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс ~80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс КТ8168 ~80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс ~80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс :fiкФз ~40... 160 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс ~160...350 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс 5...25* (2 В; 1 А) - - - - КТ8170-1 5...25* (2 В; 1 А) - - - - ~;: .Фт ~10000 - - - - КТ8171 ~r6КЗ 8...40(2 В; 1А) - ~1 - 3000* КТ8175 8...40 (2 В; 1 А) - ~1 - 3000* ~11: -~
186 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк "а• ~.. ~... UKБOmax• Iк .... lкоо, Тип Струк- Р~, ..... ti:;l'J" {f'К:ЭR max• UЭБOmu• r;." ma:1• ·~· прибора тура Р~" ..... с:х, u~max• в ·~· мВт Мl"ц в мА мкА КТ8175А-1 П•р-П 20* Вт - 700*; 9 1,5 (З*) А - 400** К.Т8175Б-1 п-р-п 20* Вт - 600*; 9 1,5 (З*) А - ЗОО** 1 1 1 КТ8176А п-р-п 40* Вт ~з 60 5 ЗА - К.Т8176Б п-р-п 40* Вт ~з 80 5 ЗА - К.Т817&В n-p -n 40* Вт ~з 100 5 ЗА - К.Т8177А. р-п-р 40* Вт ~з 60 5 ЗА - К.Т8177Б _р-11-р 40* Вт ~з 80 5 ЗА - КТ8177В p-n-p 40* Вт ~з 100 5 ЗА - К.Т817А п-р-п 25* Вт ~ 40* (lк) 5 З(6*)А ~.1 мА (25 В) К.Т817Б п-р-п 25* Вт ~з 45* (lк) 5 З(6*)А :!>0,1 мА (45 В) К.Т817В 1 п-р-п 25* Вт ~з 60* (1 к) 5 З(6*)А :s;O,l мА (60 В) КТ8171" п-р-п 25* Вт ~з 100* (1 к) 5 З(6*)А :!>0,1 мА (100 В) К.Т817Б-2 п-р-п 25* Вт ~з 45* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (40 В) К.Т8171"-2 п-р-п 25* Вт ~з 100* (lк) 5 З(6*)А ~.1 мА (40 В) КТ8181А п-р-п 50* Вт - 700*; 9 4(8*)А - 400** К.Т81816 п-р-п 50* Вт - 600*; 9 4(8*)А - 300** К.Т8182А 1 п-р-п 60* Вт - 700*; 9 8 (16*) А - 1 400** КТ81826 .п-р-п 60* Вт - 600*; 9 8 (16*) А - ЗОО** К.Т8183А n-p -n 56* Вт - 1500; - 8А;15*А - е ДИОДОМ 700** и резне- тором К'f8183Б П·р-П 56* Вт - 1200; - 8А;15*А - е J{ИОДОМ 600** и_резие- тором К.Т8183А-1 ' п-р-п 56* Вт - 1500; - 8А;15*А - е ДИОДОМ 700** и резне- тором К.Т8183Б-1 n-p -n 56* Вт - 1200; - 8А;15*А - с диодом 600** и резне- тором К.Т8183А~2 п-р-п 56* Вт - 1500; - 8А;15*А - е :J(ИОДОМ 700** и резне- тором 1 КТ8183Б-2 п-р-п 56* Вт - 1200; - 8А;15*А - С ДИОДОМ 600** И реЗJЮ!- тором
Биполярные кремниевые транзисторы 8...40 (2 В; 1А) 8...40 (2 В; 1А) ~25*(4В: 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В: 1А) ~25*(2В;1А) ~25*(2В: 1А) ~25*(2В: 1А) ~25*(2В: 1А) ~100* (5 В: 50 мА) ~100* (5 В: 50 мА) 10...60* (5 В; 1А) 10...60* (5 В: 1 А) 8...40* (5 В: 2 А) 8...40* (5 В; 2 А) 1 ! 1 s60(10B) 1 1 S60(10В) 1 s60(10B) s60(10B) J Sб0(10В) s60(10B) i ~5·(5В:3А) J ~5*(5В;3А) ~5*(5В:3А) ~5*(5В;3А) ~5*(5В;3А) ~5*(5В:3А) rкэ."• Ом r~нас• Ом к;.·", дБ SI SI S0,6 S0,6 S0,6 S0,6 S0,08 S0,08 S0,25 S0,25 S0,4 S0.4 S0,17 S0,17 S0,17 S0,17 S0,17 S0,17 Кw,дБ r~, Ом Р;:•• Вт ! i1 1 1 ! 1 1 1 1 1 i tll, пс t~,. нс t:.кл, НС 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 1 1 ! 187 Корпус КТ8175-1 ~rm-t ~m КТ8176, КТ8177 :OO-t ~m КТ817, КТ817-2 КТ8181, КТ8182 :OO-t ~m КТ8183 КТ8183-1 КТ8183-2 с и:sо.яироааииыми выводами ~r6КЗ
188 Раздел 2. Биполярные транзисторы ! 1 Рк max' 1 1,,,. \21•• UКБО maJ. ' 1 ! i JКБО• i lкmax 1 Тип J Струк- ! Р~.тmах' (;lэ' U~Rmaxt UЭБОmах' 1 1 ·~R• 1:.н max' 1 р~~м max' с· u~max' в ! ••• прибора 1 тура 1 1 ." 1 мА кэо• мВт мrц в 1 i мкА КТ818А 1 p-n-p 60'" Вт ~3 40'" (О,lк) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) 1 КТ8186 p-n -p 60* Вт ~3 50* (О,lк) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) КТ818В p-n-p 60* Вт ~3 70* (О,lк) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) KT818r p-n -p 60* Вт ~3 90* (0,1 к) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) 1 1 1 КТ818АМ p-n-p 100* Вт ~3 40* (0,lк) 5 15(20*)А 1 ~1мА(40В) КТ818БМ p-n-p 1 100'" Вт ~3 50* (0,1 к) 5 1 15(20*)А 1 ~1мА(40В) 1 КТ818ВМ 1 p-n-p 1 100* Вт ~3 70* (0,lк) 5 1 15(20*)А 1 ~1мА(40В) 1 KT818rM 1 p-n-p 1 100'" Вт ~3 90* (О, lк) 5 1 15(20'")А 1 ~1мА(40В) ! i 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ818А-1 p-n-p 100* Вт ~3 40* (О, 1к) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) КТ818Б-1 p-n-p 100* Вт ~3 50* (О,lк) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) КТ818В-1 p-n-p 100* Вт ~3 70* (О, lк) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) KT818r-1 р-п-р 100* Вт ~3 90* (О, lк) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! i i 1 КТ8196А 1 1 1 350*'" 1 1ОА n-p -n 100* Вт 1 - - ! - 1 . ! 1 1 ! 1 1 1 КТ8197А-2 n-p-n 2** Вт 400 - - 0,5 А - КТ8197Б-2 n-p-n 5** Вт 400 - - 1А - КТ8197В-2 n-p-n 8** Вт 400 - - 1,6 А - 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ8199А p-n-p 50* Вт - 30 5 1ОА ~IO (30 В) 1 !
Биполярные кремниевые транзисторы ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В;5А) ~15*(5В:5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В:5А) ~Н!*(5В:5А) ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В;5А) ~400 85(1В:8А) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) 1 :51000 (5 В) 1 1 2 15 25 rкэнас' Ом r~нк' Ом к;~•-' дБ :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 15** (175 МГц) 10** (175 МГц) 80** (175 МГц) :50,125 Кw,дБ r;, Ом Р:х, Вт 0,5** (175 МГц) 2** (175 МГц) 5** (175 МГц) тк, пс ~~,.нс t ... к.n, нс :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** Корпус КТ818 :fftt f=жКТ818М КТ818-1 189 ::::-~15,9 Ts с-. ~ .... '$( о 6КЗ КТ8196 :mft ~m КТ8197 ~11 ."
190 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ..... ti:" •• UK50maxt lк max lкоо• Тип Струк- Р;, т max' (;lэ' U~Rmax 1 U350 max• 1;,н max• I~R' прибора тура р;: н max• t:x• u~max• в 1~, мВт МГц в мА мкА КТ819А п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~3 40* (О, 1к) 5 10 (15*) А :!>I мА (40 В) КТ8196 п-р-п 1.5 Вт; 60* Вт ~3 50* (О,1 к) 5 10 (15*) А :!>1 мА (40 В) КТ8198 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~3 70* (О, 1к) 5 10 (15*) А :!>1 мА (40 В) КТ819Г п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~3 100* (О,lк) 5 10 (15*) А :!>I мА (40 В) 1 1 1 КТ819АМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 40* (0,1 к) 5 15 (20*) А :!>l мА (40 В) КТ8196М п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 50* (0,1 к) 5 15 (20*) А :!>1 мА (40 В) КТ819ВМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 70* (О,lк) 5 15 (20*) А :!>I мА (40 В) КТ819ГМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 100* (О,lк) 5 15 (20*) А :!>l мА (40 В) КТ819А-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 40* (0,lк) 5 15 (20*) А :!>I мА (40 В) КТ8196-1 1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 50* (0,1 к) 5 1 15(20*)А :!>l мА (40 В) КТ819В-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 70* (0,1 к) 5 1 15(20*)А i :!>1мА(40В) КТ819Г-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 90* (О,lк) 5 1 15(20*)А :!>l мА (40 В) i КТ8201А п-р-п 20* Вт - 700; 400** 9 300; 600* :!>10 (30 В) 1 1 КТ820ЗА п-р-п 20* Вт 4 700; 400** 9 1,5А;3А* :!>10 (30 В) КТ8205А п-р-п 75* Вт - 700; 400** 9 4А;ВА* :!>10 (30 В) 1 1 1 1 1 1 1 КТ8207А п-р-п 80* Вт - 700; 400** 9 8А;16А* :!>10 (30 В) КТ8209А п-р-п 100* Вт - 700; 400** 9 12А;24А* :!>10 (30 В) 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы ~15*(5В;5А) <::20* (5 В; 5 А) ~15*(5В;5А) ~12•(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В:5А) ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В;5А) 5...40 (2 В: 0,2 А) j 5...25 (2 В; 1 А) i...40(5В;2А) 5...30 (5 В; 5 А) 6...30 (5 В; 8 А) rкэнас• Ом r~Энк' Ом к;.:.. дБ s0.4 $0,4 s0,4 $0,4 $0,4 $0,4 $0,4 $0,4 SI SI SI SI $5 SI S0,25 S0,4 S0,25 Кw,АБ r;, Ом Р:,,, Вт $0,3; $2* S0,7; S4* $0,9; S4* $0,7; S3* $0,7; $3* ! т",пс 1 ~~''НС 1 t.WICJI. нс $2500** 1 $2500** $2500** $2500** $2500** S2500** $2500** S2500** $2500** S2500** S2500** $2500** Корпус КТ819 ~fflrt i=m КТ819М КТ819-1 191 ~t6КЗ КТ8201 КТ8203 КТ8205, КТ8207 ~t ~т КТ8209
192 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• ~216• UKБOmax' lк max JКБО• Тип Струк- Р~. т maxt \;1э• U~Rmax• Uэоо max• ·~.н maxt ·~R' прибора р~~ н max• с· u~max' в ••• тура '" мА КЭО• 1 мВт Мfц в мкА КТ820А-1 1 р-п-р 10* Вт :?:3 50* (0.1 к) 5 0,5 (1,5*) А $30 (40 В) . КТ820Б-1 р-п-р 10* Вт :?:3 70* (О, lк) 5 0,5 (1,5*) А $30 (40 В) КТ820В-1 р-п-р 10* Вт :?:3 100* (О, 1к) 5 0,5 (1,5*) А $30 (40 В) КТ8212А п-р-п 65 Вт :?:3 60 5 6А $400* мА (60 В) КТ8212Б п-р-п 65 Вт :?:3 80 5 6А $400* мА (80 В) КТ8212В п-р-п 65 Вт :?:3 100 5 6А $400* мА (100 В) КТ821ЗА р-п-р 65 Вт :?:3 60 5 6А $400* мА (60 В) КТ821ЗБ р-п-р 65 Вт :?:3 80 5 6А $400* мА (80 В) КТ821ЗВ р-п-р 65 Вт ;::.:3 100 5 6А $400* мА (100 В) КТ8214А п-р-п 50 Вт - 60 5 2А $1000 (60 В) КТ8214Б п-р-п 50 Вт - 80 5 2А $1000 (80 В) КТ8214В п-р-п 50 Вт - 100 5 2А $1000 (100 В) КТ8215А р-п-р 50 Вт - 60 5 2А $1000 (60 В) IП8215Б р-п-р 50 Вт - 80 5 2А $1000 (80 В) КТ8215В р-п-р 50 Вт - 100 5 2А $1000 (100 В) КТ8216А п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 40** 5 10 (15*) А $0.2 (40 В) КТ8216Б п-р-п 1.75; 40* Вт :?:3 60** 5 10 (15*) А $0,2 (60 В) КТ8216В п-р-п 1.75; 40* Вт :?:3 80** 5 10 (15*) А $0,2 (80 В) KT8216f п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 100** 5 10 (15*) А $0.2 (100 В) KT8216Al п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 40** 5 10 {15*) А $0.2 (40 В) КТ8216Б1 п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 60** 5 l0(15*)A $0.2 (60 В) KT8216Bl п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 80** 5 l0(15*)A $0,2 (80 В) КТ8216П п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 100** 5 10 (15*) А $0,2 (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы h2," ь;,э >40* (2 В; 0,15 А) ;40* (2 В; 0.15 А) ;30* (2 В; 0,15 А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3А) >500(4В;2А) ;500(4 В; 2А) ;500(4В; 2А) >500(4В;2А) ;500(4В; 2А) ;500(4 В; 2А) 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15".275 (4 В; 3 А) 12".275 (4 В; 3 А) 13 381. 9 1 1 1 1 i1 с,, с;2з' пФ :<:65 (5 В) :<:65 (5 В) :<:65 (5 В) - - - - - - rКЭк.асt Ом • Ом l"БЭк.асt к;:•.. дБ <1 $1 $1 <0,25 :<:0,25 :<:0,25 <О,25 :<:0,25 $0,25 <1,25 $1,25 $1,25 <1,25 $1,25 $1,25 <0,25 $0,25 $0,25 $0,25 <0,25 :<:0,25 :<:0,25 :<:0,25 Кш, дБ r~, Ом р"" Вт выхt - - т., пс t~act НС t"" нс 8ЫIUlt - <0,7** <0,7** $0,7** <0,7** <0,7** :<:0,7** <4,5** <4,5** :<:4,5** <4,5** <4,5** :<:4,5** 1 ... 193 Корпус КТ820-1 ~:~~\а;~;!КТ8212 ~mi ~- 27,1 ~ ~orr к КТ8213 КТ8214 :rm-r ·~ КТ8215 КТ8216 6,54 ....:2i..:2:::..:85:......т---i ' '- 1 ----. 1 j, ! !1 j ,, 11 11 _i J_~ БКЭ КТ8216-1 L - о 6,54 2,285 -- -'-'-' ---.,_ r:- 1- 1 -
194 Раздел 2. Бипоmчжые транзисторы 1 pKm•x " ~·~16• UK60m1x• lк max 1 lкю, Тип / Сt:рук- Ук. ..... c..J" trКЭRmaI,- Uэоо .... • 1:. н max'" fкэн, прибора тура Ук:' •...,,. с.. 1Гкэоmах' в Гкэо, мВт МГц в мА мкА КТ8217А p-n -p 1,75; 40* Вт :!:3 40** 5 10 (15*) А ~.2 (40 В) КТ8217& р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 60** 5 Ю (15*) А ~.2 (60 В) КТ8217В р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 80** 5 10 (15*) А ~.2 (80 В) КТ821Л р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 \()()** 5 10 (15*) А ~.2 (100 В) 1 KT8217AI р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 40** 5 10 (15*) А ~0.2 (40 В) КТ8217&1 р-п-р 1,75; 40* Вт :!:3 60** 5 10 (15*) А ~.2 (60 В) КТ8217ВI р-п-р 1,75; 40* Вт :!:3 80** 5 10 (15*) А ~О.2 (80 В) КТ82fЛ1 р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 100** 5 10 (15*) А ~0.2 (100 В) ! IП821А-1 1 п-р-п 10* Вт ~3 50* (О, lк) 5 0,5 (1,5*) А ~30 (40 В) К.Т821&-t п-р-п 10* Вт ~3 70* (О, lк) 5 0,5 (1,5*) А ~О (40 В) КТ821В-1 п-р-п 10* Вт :!:3 100* (О,lк) 5 0,5 (1,5*) А ~30 (40 В) К.Т8218А 11'-р-П 1,75; 40* Вт ~5 40 5 4(8*)А ~0.1 мА {40 В) КТ8218& n-р-п 1,75; 40* Вт ~25 60 5 4(8*)А ~О.1 мА (60 В) К.Т8218В 1 n-p-n 1,75; 40* Вт ~25 80 5 4(8*)А ~.1 мА (80 В) KT8218r 1 п-р-п 1,75; 40* Вт ~5 100 5 4(8*)А ~.1 мА (100 В) IП8218А1 n-p-n 1,75; 40* Вт ~25 40 5 4(8*)А ~.1 мА (40 В) КТ8218&1 п-р-п 1,75; 40* Вт ~25 60 5 4(8*)А ~.1 мА (60 В) КТ8218В1 п-р-п 1,75; 40* Вт ~25 80 5 4(8*)А ~о.1 мА (80 В) IП8218П п-р-п 1,75; 40* Вт ~25 100 5 4(8*)А ~О.1 мА (100 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) ~40• (2 В; 0.15 А) ~40* (2 В; 0.15 А) ~30* <2 В; 0.15 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750.. .15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750.. .15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 1з· :540 (5 В) :540 (5 В) :540 (5 В) :5100 (IO В) :5100 ( 10 В) :5100 ( 10 В) :5100 ( 10 В) :5100 (10 В) :5100 (10 В) :5100 ( 10 В) :5100(108) rкэ",• Ом r~Энас' Ом к;.·•.. дБ :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :51,2 :51,2 :51,2 :51 :51 :51 :51 :51 :51 :51 :51 Кш, дБ r=, Ом Р:х• Вт т", пс t;,.,. нс t::JUll НС 1О 1 1О 195 Корпус КТ8217 КТ8217-1 КТ821-1 1.8 0,8 ~щ~ /j1 \З КТ8218 2,285 КТ8218-1 6,54
196 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~.. ..:.... UKБOmax• lк max JКБО• Тип Струк· Р;, т maxt \;1~· U~Rmax• UЭБОmах• •:.н max• ·~· р~~н max• ~~·;х, u~m"x• в ••• прибора тура кэо• мВт МГц в мА мкА КТ8219А р-п-р 1,75; 40* Вт ~25 40 5 4(8*А) :50.1 мА (40 В) КТ8219Б 1 р-п-р 1 1,75; 40* Вт ~25 60 5 4(8*А) :50.1 мА (60 В) ' КТ8219В 1 p-n-p 1,75; 40* Вт ~25 80 5 4(8*А) :50,1 мА (80 В) КТ8219Г 1 р-п-р 1.75; 40* Вт ~25 100 5 4(8*А) :50,1 мА (100 В) 1 i 1 ! 1 i 1 1 КТ8219А1 i 1.75; 40* Вт ~25 40 1 5 1 4(8*А) i :50,1 мА (40 В) р-п-р ' 1 1 КТ8219Б1 ! р-п-р i 1,75; 40* Вт ~25 60 1 5 i 4(8*А) j :50.1мА(60В) КТ8219В1 J р-п-р 1 1,75; 40* Вт ~25 80 5 1 4(8*А) i :50.1мА(80В) КТ8219П i р-п-р i 1,75; 40* Вт ~25 100 1 5 1 4(8*А) ! :50.1мА(100В) j 1 1 1 ' 1 i ! ! 1 i i 1 i 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ! ! 1 ' : 1 i ! 1 1 i 1 1 ! 1 IKT8220A J n-p -n 1 65* Вт 1 ~з 40 1 5 ! 6А 1 1 ! КТ8220Б i n-p-n 1 65* Вт ~з 60 5 6А 1 ! ! JKT8220B 1 n-p-n 1 65* Вт ~з 80 5 6А ! КТ8220Г ! n-p-n 1 65* Вт ~з 1 100 5 1 6А ! i 1 1 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ8221А 1 р-п-р 65* Вт ~з 40 5 6А 1 1 1 1 КТ8221Б 1 р-п-р 1 65* Вт ~з 1 60 5 j6А 1 1 КТ8221В р-п-р 1 65* Вт ~з 80 5 1 6А 1 КТ8221Г р-п-р 65* Вт ~з 100 5 1 6А 1 1 1 1 КТ8224А 1 n-p-n 1 100 Вт - 1500; 700** 7,5 8А 1 :51000 КТ8224Б 1 n-p-n 100 Вт - 1500; 700** 7,5 8А :51000 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 750...15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2А) 1 750...15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2 А) j 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3А) 4 ... 7(58;0.1 А) 23(5В;0,1А) с" с;2э' пФ :-:;200 (10 В) $200 (10 В) :-:;200 ( 10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) rкэ нас' Ом r~э нас' Ом к;.*•.• дБ $0,25 $0,25 $0,25 :-:;О,25 :-:;О,25 :-:;О,25 $0,25 $0,25 Кш, дБ r;, Ом Р;~х' Вт t'll., пс t~(-t нс t::клt НС 1 197 Корпус КТ8219 6,54 2 285 1 ,__ lJ] КТ8219-1 i----" -6'-",54_ .: ._ _ .. ., 2,285 1-+-1 ,, ! 1 111111 к ..... "' ... ) VТI ~l7 ~) ,_vo 1 .д.i VТ1 КТ8220 10,28 7,11 4.55 КТ8221 10.28 7,11 4.55 т КТ8224 5 то :::~-15,9 ~ t:! 1 ln '5:1-" - /jк3
198 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк- Рк max• ~•• \210 • UКБО maxt )Kmax 1 •кw• Тип Р;,тmах' \;lэ• U~Rmax' UЭБОmал• 1;.н max• ·~ЭR• прибора 1 тура р~~ нmax• с· u~max• в ••• ." мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ8225А n-p-n 155 Вт - 350 5 15А ~ню .. КТ8228А 1 n-p-n 125 Вт - 1500; 800* 7,5 12А 1 ~100 КТ8228Б n-p-n 125 Вт - 1500; 800* 7,5 12А ~100 КТ8229А n-p-n 125 Вт ~3 180 5 25А - 1 1 1 1 1· 1 1 1 КТ822А-1 p-n-p 20* Вт ~3 45* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (40 В) КТ822Б-1 p-n-p 20* Вт ~3 60* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (40 В) КТ822В-1 p-n-p 20* Вт ~3 100* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (40 В) КТ82ЗА-1 n-p-n 20* Вт ~3 45* (0,1 к) 5 2(4*)А ~50 (45 В) КТ82ЗБ-1 n-p-n 20* Вт ~3 60* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (45 В) КТ82ЗВ-1 n-p-n 20* Вт ~3 100* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (45 В) 1 КТ825Г 1 p-n-p 125* Вт ~4 90 5 20(30*)А 1 ~1*мА(90В) КТ825Д p-n-p 125* Вт ~4 60 5 20 (30*) А ~1· мА (60 В) КТ825Е 1 p-n-p 125* Вт ~4 30 5 20 (30*) А ~1* мА (30 В) КТ826А n-p -n 15* Вт 0(50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А ~2 мА (700 В) КТ826Б n-p -n 15* Вт (50°С) ~6 700* (0,Оlк) 5 IA ~2 мА (700 В) КТ826В n-p -n 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А ~мА (700 В) КТ827А n-p -n 125* Вт ~4 100* (1 к) 5 20 (40*) А ~3* мА (100 В) КТ827Б n-p-n 0 125* Вт ~4 80* (lк) 5 20 (40*) А ~3* мА (80 В) КТ!f27В n-p-n 125* Вт ~4 60* (lк) 5 20 (40*) А ~3* мА (60 В) КТ828А n-p-n 50* Вт (50°С) ~4 800* (О,Оlк) 5 5 (7.5*) А ~5 мА (1400 В) КТ828Б n-p-n 50* Вт ~4 600* (0,01 к) 5 5 (7,5*} А ~5 мА (1200 В) КТ828В n-p-n 50* Вт (50°С) ~4 800* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А ~5 мА (800 В) КТ828Г n-p -n 50* Вт ~4 600* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А ~5 мА (600 В) КТ829А n-p-n 60* Вт ~4 100* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (100 В) КТ829Б n-p-n 60* Вт ~4 80* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (80 В) КТ829В n-p -n 60* Вт ~4 60* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (60 В) КТ829Г n-p-n 60* Вт ~4 45* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (60 В)
Бипопярные мремние8Ые транзисторы 199 с,. .rКЭн1с• Ом кw. ,1;6 т._"пс j h21.• ь;,э с;2.• r;эик• Ом ";,Ом t;,_., вс Корпус пФ к;~•-' ,1;Б •:,,вт t:... нс 1 2:300 - - - - КТ8225 ~r'/(3 5...9,5 (5 В; 0.1 А) - S0,12 - :5900*" КТ8228 15...25 (5 В; 0,1 А) - s0,12 - :5900*" =Emt 1 1 1 11!: а 61(3 15...75 (4 В; 15 А) - s0,12 - S800** IП8229 1 :Emr 6К3 2:25*(2В;1А) sl15 (10 В) s0,6 - - КТ822-t, КТ823-1 2:25*(2В;1А) sl15{!ОВ) s0,6 - - 2:25*(2В;1А) :5115 (10 В) s0,6 - - ~1! 2:25*(2В;1А) :575 (10 В) sD,6 - - 2:25*(2В;1М g5 (IОЩ s0,6 - - 2:25"(2В;1А) S75 НО В) S0,6 - - •/ \з 2:750" (10 В; 10 А) :5600 (10 В) S0,4 - :54,5** мкс К.1'825, КТ826 2:750" (10 В; 10 А) ~600 (10 В) 50,4 - :54,5"* ККС 2:750" (10 В: 10 А) .sбОО (10 В) sD,4 - :54,5** мкс Цt iJ i ~No- ~:~ 10... 120* (10 В; 0,1 А) s25 (100 В) S5 - tcnS1500 5...300* (10 В; 0,1 А) :525 (100 В) s5 - tcnS700 ~ к 5...120" (Ю В; 0.1 А) s25 (100 щ :55 - tcnS700 750... 18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В) S0,2 - :54,5" мкс КТ827, КТ828 750... 18000 " (3 В; 10 В) S400 (Н> В) S0,2 - :54,5* мкс 750.. .18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В) 50,2 - :54,5* мкс ЦI~ ~~~. 2:2.25* (.5 В; 4..5 А} - stl,66 - :510*. 2:2.25* (5 В; 4.5 А) - s0,66 - :510" 2:2.25* (5 В; 4.5 А~ 1 - ~.6& - :510" 2:2.25" (5 В: 4.5 А} - gJ,66 - :510* 2:750* (3 В; З А} 1 :5120 S0,57 - - КТ829 2:750" (3 В; ЗА) :5120 S0,57 - - 2:7.50* (3 В; 3 А} - :!>120 sQ,57 - - 1415 f,I 2:750* (3 В; 3 А) :5120 S0,57 - - w.тIКЭ
200 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• ~•• ~216' UKБOmax• lк max JКБО• Тип Струк- Р;.тmах' ~;lз' U~Rmax• UЭБО max• •:.и max• ·~R' прибора тура р~~ и max• ~:;х, u~max• в ·~· мВт МГц в мА мкА КТ82ЗОА p-n -p 125 Вт ~3 180 5 25А - 1 1 ! КТ8231А 1 n-p-n 1 1 180* Вт - 350** i- 15А - 1 i КТ8231А1 n-p -n 155* Вт - 350** - 1 15А - 1 1 КТ8231А2 n-p-n 65* Вт - 350** - 15А - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! i 1 КТ8232А1 11-p-n 125* Вт - 350 5 20А - КТ8232Б1 n-р-п 125* Вт - 350 5 20А - - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 ' 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 КТ82ЗЗАS 1 p-n-p 1 - ~4 100 1 5 5А J - КТ82ЗЗБS 1 p-n -p 1 - ~4 80 5 5А ! - КТ823ЗВS 1 p-n -p 1 - 1 ~4 60 5 5А i - 1 1 1 1 1 i 1 1 1 ' i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 201 ck, rкэнк• Ом Кw1 дБ t._, пс h21.• ь;,э с;2з' r~и•с' Ом r;, Ом t;,.,, НС Корпус пФ к;_*,_, дБ Р:х, Вт t:.КJI. нс 15...75 (4 В; 15 А) - ::>0,12 - ::>800** КТ8230 ~gtJr ~ а 6КЗ ~400 - - - - КТ8231 п1~ ~No-~ ~ /( ~400 - - - - КТ8231А1 ~r "!111" а 6КЗ ~400 - - - - КТ8231А2 16 5 -- l VO\ NN -- V.U V БКЭ 300... 8000 (10 В; 5 А) - ::>0,18 - - КТ8232-1 300... 8000 (10 В; 5 А) - :s;0,18 - - 16 5 -·- lli VO\ - N N - vtl v БКЭ к Б VП ~V01 ... "'vтz- ~voz 1"~ _R1 Rl - - э ~1000 (3 В: 0,5 А) ::>300 ::>3 - - КТ8233-5 ~1000 (3 В: 0,5 А) SЗОО ::>3 - - 1,6 0.5 ~1000 (3 В: 0,5 А) ::>300 ::>3 - - ~ют
Раздел 2. Бипотrрные транзисторы Ркmах• f,. •• (210• UК&Omax• lкmax lкоо• Тип Струк- Р~. т m1x• ~lэ' U~Rmax' Uэюm1х"' 1;, 11 max• l~и• прибора тура р;иmм.t Сх• U-КЭОmах• в Гкэо, мВт МГц в мА мкА КТ8234А5 1'1-p-n 1 - <!:4 100 5 5А 1 - КТ8234Б5 n-p-n - <!:4 80 51 5А - КТ823485 n-p-n - <!:4 1 60 5 5А - 1 1 1 1 1 :КТ8235А D-р-П 1000 <!:30 700; 400** 5 2А - БСИТ 11 1 i КТ8240А5 1 n-p-n 1 - <!:150 30 - 800 - КТ8240Б5 n-p-n - <!:150 30 - 800 1 - КТ824085 1 n-p-n - <!:150 40 - 1 800 1 - ктs24ors 1 n-p-n - <!:150 50 - 1 800 1 - КТ82.ЮД5 n-p -n - <!:150 60 - 800 - КТ8240Е5 п-р-п - <!:150 70 - 800 - КТ8240Ж5 n-p-n - <!:150 80 - 800 - КТ8241А5 p-n -p - <!:150 30 - 800 - КТ8241Б5 p-n-p - <!:150 30 - 800 - К:Т8241В5 p-n-p - <!:150 40 - 800 - КТ8241r5 1 р-п-р 1 - <!:150 50 - 800 - КТ8241д5 1 р-п-р - <!:150 60 - 800 - КТ8241Е5 1 p-n-p - <!:150 70 - 800 - 1 КТ824DК5 1 p-n -p 1 - <!:150 80 - 800 - 1 1 КТ8242А5 i р-п-р 1 - <!:25 100 - 2000 - 1 1 КТ8242Б5 1 <!:25 80 2000 p-n-p 1 - - - IП824285 p-n-p - <!:25 60 - 2000 - КТ8243А5 n-p-n - <!:25 100 - 2000 - КТ8243Б5 п-р-п - <!:25 80 - 2000 1 - КТ824385 1 <!:25 60 2000 i n-p -n - - 1 - ! 1 1 1 IП'8244Л5 1 p-n-p - <!:150 45 - 2000 - КТ8244Б5 1 р-п-р - <!:150 60 - 2000 - IТ824485 р-п-р - <!:150 60 - 2000 - 1ктs244rs р-п-р - <!:150 80 - 2000 1 - КТ8245Л5 n-p -n - <!:150 45 - 2000 - IТ8245Б5 п-р-n - <!:150 60 - 2000 - IП8245В5 n-р-п - <!:150 60 - 2000 - IП8245r5 п-р-n - <!:150 80 - 2000 - 1 1 1 ! КТ8246А 1 n-p -n 60* Вт - 100 5 15А - КТ8246Б n-р-п 60* Вт - 120 5 15А - КТ8246В п-р-.п - 60* Вт - 160 5 15А - к.тs2.i&r n-p-n 60* Вт - 160 5 15А - '
Биполярные кремниевые транзисторы 203 i 1 1 ! с.. rКЭиасt Ом Кw,д6 'tкt ПС 1 1 ь",. ь;,э с;2.• r;Энас' Ом r;, Ом t;,.,, НС 1 Корпус 1 пФ к;.·", дБ Р;:.. Вт t::IUll НС ! i 1 i ~1000 (3 В: 0,5 А) i :>200 :>3 - - 1 КТ8234-5 ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 S3 - - 1,6 0,5 ~шт 8...40 (2 В; 0,5 А) :>30 Sl - - КТ8235 1 ! 1 1 Q; 1 : 4No. 1 1 ~5000(5В;10мА) 1 - Sl5 - 1 - 1 КТ8240-5 ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - 1,6 0,5 ~10000 {5 В; 10 мА) - :>15 - - ~шт ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - 1 - ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - ! - 1 1 j ~5000 (5 В; 10 мА) :>15 ! i КТ8241-5 - - 1 - ~10000 (5 В: 10 мА) - :>15 1 - !- ~10000 (5 B;·lO мА) - :>15 - - 1,6 0,5 ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - ~шт ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - - ~500 (3 В; 0,5 А) :>200 :>3 - - КТ8242-5, КТ8243-5 ~500 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~500 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - 1 1,6 0,5 ~ i 1 ~шт ~ ~500 (3 В; 0,5 А) :>100 :>3 - - 1 ~500 (3 В: 0.5 А) :>100 :>3 - - ~500 (3 В; 0,5 А) :>100 S3 - - 1 1 1 ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - КТ8244-5, КТ8245-5 ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) :>200 :>3 - - 1,6 0,5 ~шт ~1000 (3 В; 0.5 А) :>100 S3 - - ~1000 (3 В; 0.5 А) :>100 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) :>100 S3 ' - - 1 ~1000 (3 В; 0,5 А) :>100 S3 - - 1 ! ~1000 - :>2,5 - - КТ8246 ~1000 - S2,5 - - ~1000 - :>2,5 - - :ft ~1000 - S2,5 - - зк~ i
204 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Ркmах• ~•• ..:210• UKБOmax' 1 i •коо• 1 lкmaA - i Тип 1 Струк-1 Р;.тmах• (;lэ' U~Rmax• UЭБО inax' i 1;, и max' 1 ·~R' i 1 р~~иrnax 1 с· u~max• в 1 1 ·~· прибора тура ." ! ' мВт мrц в мА мкА КТ8247А 1 п-р-п 75 Вт - 700 1 12 1 5А $100* ! КТ8248А1 1 п-р-п 1 90 Вт - 1500* 7,5 1 5А - 1 1 ! 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 ! i 1 i 1 1 1 КТ8250А п-р-п 50* Вт - 190; 40** 5 15А - КТ82506 п-р-п 50* Вт - 190; 80** 5 15А 1 - 1 1 1 1 1 КТ8251А п-р-п 125 Вт - 180 5 10А $100 i 1 1 КТ8254А п-р-п 20 Вт ~10 1 800 - 2А 1 i i 1 1 1 1 1 1 1 ' i i КТ8255А п-р-п 60 Вт - 330 6 7А $1* мА i 1 1 ! 1 1 ! !
Биполярные кремниевые транзисторы 205 1 ck, Гкэнас' Ом Кш• дБ 'tк' ПС h2,,• ь ;,э с;2э' r~э нас' Ом r~, Ом t:ac' НС Корпус пФ к;·•.. дБ Р;:х, Вт t::IUlt НС ~22 - - - - КТ8247 70,G5 lf,8 - w.ir 6К3 3,8 ...9 - - - - КТ8248-1 -Ет 5 т -~ ...... :~. ~- ... а 6кз ~100 - ~;0,05 - - КТ8250 ~100 - $0,05 - - :ft ЭК!i ~1000 - - - - КТ8251 -Ет 5 т -~ ...... :~. ~- ... а 6кз ~30* (5 В; 0,3 А) $2 КТ8254 6,54 2,285 -- L 11 j, 1 - "' i i i "" ~ •' 11 1J ~ i11 ~ ii1i -~ 1 1 !i !i j_J] Бкэ ~15 - - - - КТ8255 :ft fiKЭ
206 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• ..:210• UKБOmax' JKmax JКБО• Тип Струк- Р~.тmах• (;lэ• U~Rmax• UЭБОшах• •:.и max• J~R' прибора р~:иmах• с· u~max• в ·~· тура '" мА мВт мrц в мкА КТ8261А п-р-п 25 Вт - 700 9 2А s50* 1 1 1 1 i 1 1 1 КТ8270А i п-р-п 7Вт <!:4 600 1 9 1 500 s100• 1 1 1 1 1 КТ8271А р-п-р 10 Вт - 45 5 1500 SO,l (45 В) КТ8271Б р-п-р 10 Вт - 60 5 1500 SO,l (60 В) КТ8271В р-п-р 10 Вт - 80 5 1500 SO,l (80 В) КТ8272А п-р-п 10 Вт - 45 5 1500 SO.l (45 В) КТ8272Б п-р-п 10 Вт - 60 5 1500 SO,l (60 В) КТ8272В п-р-п 10 Вт - 80 5 1500 SO,l (80 В) 1 КТ829А 1 п-р-п 1 60 Вт <!:4 100* (lк) 5 8А;12*А Sl,5 (100 В) КТ829Б п-р-п 1 60 Вт <!:4 80* (lк) 5 8А;12*А Sl,5 (80 В) КТ829В п-р-п 60 Вт <!:4 60* (lк) 1 5 8А;12*А Sl,5 (60 В) KT829f п-р-п 60 Вт <!:4 45* (!к) 5 8А;12*А Sl,5 (45 В) КТ829АТ п-р-п 50 Вт <!:4 100 5 5А - КТ829АП п-р-п 50 Вт <!:4 1 160 5 5А 1 - КТ829АМ п-р-п 60 Вт <!:4 1 240 5 8А - 1 i 1 1 1 1 КТ8290А п-р-п 100 Вт - 700 9 10А SlOO 1 1 1 ! 1 1 1 1 КТ8ЗОА р-п-р 5* Вт <!:4 35 5 2А;4*А SlOO (35 В) КТ8ЗОБ р-п-р 5* Вт <!:4 60 5 2А;4*А SlOO (60 В) КТ8ЗОВ р-п-р 5* Вт <!:4 80 5 2А;4*А SlOO (80 В) ктsзоr р-п-р 5* Вт <!:4 100 5 2А;4*А SlOO (100 В) КТ831А п-р-п 5Вт <!:4 35 1 12 2А 1 - КТ831Б 1 п-р-п 5Вт <!:4 60 5 2А 1 - КТ831В 1 1 5Вт <!:4 80 5 2А i п-р-п 1 - KT831f 1 п-р-п 1 5Вт <!:4 100 5 2А - 1
Биполярные кремниевые транзисторы 207 1 1 с,. rкэ."• Ом Кш, дБ i t'к' ПС 1 h"" ь;,э с,2" r~Энас' Ом r;, Ом t;..,. нс Корпус 1 пФ к;_*,.. дБ Р;~х' Вт 1 t::..л, нс 1 ~10 !- 1 - 1 - 1 - 1 КТ8261, КТ8270 5... 90 - - - - ~иw: Фт ~25 - - - - КТ8271, КТ8272 ~25 - - - - ~25 - - - - ~иw 1 :Фт ~25 1 - - - - 1 ~25 - - - - ~25 - - - - ~750*(3В;3А) ::;120 ::;О,57 - - КТ829 ~750"' (3 В; 3 А) ::;120 ::;О,57 - - ~750*(3В;3А) ::;120 ::;О,57 - - :ttr ~750*(3В;3А) ::;120 ::;О,57 - - 1 fiK 3 1 ' ~1000 1 - ::;О,3 - - КТ829(Т-М) ~700 - ::;О,25 - - 400...3000 - ::;О,66 - - 10.28 7.11 4,55 R ~ .; ..,• .. - ~111 ~ г f к"' Бt•:~-- Э"' ~10 1 - - - - КТ8290 ) Щ65 tB w.тIКЗ ~О*(1 В; 1А) - $1,2 - ::;1000* IП830 ~20*(1 В.; 1А) - ::;1,2 - ::;1000* 1 ;fiк$э ~О* (1В;1 At 1 - $1,2 - ::;1000• ~20*(1 В; 1А) - $1,2 - ::;1000* 1 1 1 1 1 1 1 1 ~2 - ::;О,6 - - КТ831 ~5 - ::;О,6 - - :~кфз ~25 - ::;О,6 - - ~о - $0,6 - - 1 1 1 ! ~- 5. 1 f: 1 '
208 Раздел 2. Биполярные транзисторы Струк- 1 pKmax• ~•• ..:210• UKБOmax• lк max 1 lкю• Тип Р~.тm1х• (;.3, U~Rmaxt UЭБО max• 1 J~R• 1~.и max• i р~: и max• с· u~m.ax• в 1 ·~· прибора тура 1 ох• 1 мВт мrц в мА 1 мкА КТ834А п-р-п !()()* Вт ~4 500* (0,lк) 8 15 (20*) А ~З* мА (500 В) КТ834Б п-р-п 100* Вт ~4 450* (О,lк) 8 15(20*)А ~З* мА (450 В) КТ834В п-р-п 100* Вт ~4 400* (О,lк) 8 15 (20*) А ~З* мА (400 В) КТ835А р-п-р 25* Вт ~1 зо 4 ЗА ~0.1 мА (30 В) КТ835Б р-п-р 25* Вт *1 45 4 7,5 А 1 ~0.15 мА (45 В) 1 1 1 1 1 1 1 КТ836А р-п-р 5Вт ~4 90 5 ЗА ~100 (90 В) КТ836Б р-п-р • 5Вт ~4 85 5 ЗА ~100 (85 В) КТ8368 р-п-р 5Вт ~4 60 5 ЗА ~100 (60 В) 1 ' i 1 КТ837А р-п-р ЗО* Вт ~1 80 15 7,5 А ~О.15 мА (80 В) КТ837Б р-п-р ЗО* Вт ~1 80 15 7,5 А ~.15 мА (80 В) КТ8378 р-п-р ЗО* Вт ~1 80 15 7,5 А ~О.15 мА (80 В) KT837r р-п-р ЗО* Вт ~1 60 15 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Д р-п-р ЗО* Вт ~1 60 15 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Е р-п-р ЗО* Вт ~1 60 15 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Ж р-п-р ЗО* Вт ~1 45 15 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837И р-п-р ЗО* Вт ~1 45 15 7.5 А 1 ~О.15 мА (45 В) КТ837К р-п-р ЗО* Вт ~1 45 15 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837Л р-п-р ЗО* Вт ~1 80 5 7,5 А ~0.15 мА (80 В) КТ837М р-п-р ЗО* Вт ~1 80 5 7,5 А ~О.15 мА (80 В) КТ837Н р-п-р ЗО* Вт ~1 80 5 7,5 А ~О.15 мА (80 В) КТ837П р-п-р 30* Вт ~1 60 5 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Р р-п-р ЗО* Вт ~1 60 5 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837С р-п-р ЗО* Вт ~1 60 5 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Т р-п-р ЗО* Вт ~1 45 5 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837У р-п-р ЗО* Вт ~1 45 5 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837Ф р-п-р ЗО* Вт ~1 45 5 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ838А п-р-п 12,5* Вт (90°С) ~з 1500 5;7 5 (7,5*) А ~1* мА(1500В) КТ838Б п-р-п 12,5* Вт ~з 1200 5;7 5 (7,5*) А 1 ~1 *мА (1200 В) 1 КТ839А п-р-п 50* Вт ~5 1500 5 lOA ~1 мА (1500 В) 1 КТ840А п-р-п 60* Вт ~8 400*; 900 5 6(8*)А ~3 мА (900 В) KT84CJ& п-р-п 60* Вт ~8 З50*; 750 5 6(8*)А ~З мА (750 В) КТ840В п-р-п 60* Вт ~8 800; З75* 5 6(8*)А ~з мА (800 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 209 ck, fкэнас• Ом Kw, дБ т., пс h21•' ь;,э с;2э• r~Энас• Ом r;, Ом t~ac• НС Корпус пФ к;.*,.. дБ Р;~•• Вт t::IUll НС 150...3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В) :s;0,13 - tcn::>l,2 МКС КТ834 150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В) ::>0,13 - tcn::>l ,2 МКС 150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В) :s;0,13 - tcn::>l ,2 МКС n1~ ~Noi 1ti ..:; . - к ~25* (1 В; 1А) ::>800 (10 В) :s;0,35 - - КТ835 10.. .100* (5 В; 2 А) ::>800 (10 В) ::>0,8 - - 10,85 tB 1 wт6КЭ 20...100 (5 В; 2 А) - ::>0,3 КТ836 20...100 (5 В; 2 А) - :s;0,018 20...100 (5 В; 2А) - :s;0,022 :Jf·Ф· ~ 5 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,8 - - КТ837 20...80* (5 В; 2А) - :s;0,8 - - 50...150* (5 В; 2 А) - ::>0,8 - - 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - 20...80* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - 50...150* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - ~ft 20...80* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - 50... 150* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - 10...40* (5 В; 2 А) - ::>0,8 - - 20...80* (5 В; 2 А) - :s;0,8 - - 50...150* (5 В; 2 А) - :s;0,8 - - ~ D 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - ЗК6 20...80* (5 В; 2А) - :s;0,3 - - 50... 150* (5 В; 2 А) - ::>0,3 - - 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - 20...80* (5 В; 2 А) - ::>0,25 - - 50... 150* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - ~4*(5В;3,5А) 170 (10 В) ::>1,1 - ::>10* мкс; КТ838,КТ839,КТ840 tcn::>l ,5 ~4*(5В;3,5А) 170(108) S:l,l - ::>10* мкс n1~ ~5*(10В;4А) 240 (10 В) :s;0,375 - S:IO* мкс; ~Noi 1ti tcn::>l,5 ~ к 10... 60* (2,5 В; 8 А) - ::>0,75 - tcn:S:0,6 ~10* (2,5 В; 8 А) - :s;0,75 - tcn:S:0,6 10... 100* (2,5 В; 8 А) - :s;0,24 - S:3500*.
210 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKm.Jx' ~" f.:21•• UКБОmах• JK max •кво• Тип Струк- р~ т max• \;Jэt u~max• UЭБО так• ·~." ma.x' ·~Rt прибора тура p~нmu• Сх• If~max• в ·~· мВт мrц в мА мкА КТ841А п-р-п 3 (50*) Вт ~10 600 5 10 (15*) А :53 мА (600 В) КТ841Б п-р-п 3 (50*) Вт ~10 400 5 10 (15*) А $3 мА (400 В) КТ841В п-р-п 3 (50*) Вт ~10 600 5 10 (15*) А :53 мА (600 В) KT841f n-p -n 100* Вт ~7 200 5 10 (15*) А :53 мА (200 В) КТ841д п-р-п 100* Вт ~5 500 5 10 (15*) А :s;3 мА (500 BJ КТ841Е п-р-п 50* Вт ~7 800 5 10(15*)А :53 мА (800 BJ 1 КТ842А р-п-р 3 (50*) Вт ~20 300 5 5 (10*) А :Sl мА (300 В) КТ842Б р-п-р 3 (50*) Вт ~20 200 5 5 (10*) А :Sl мА (200 В) КТ842В р-п-р 100* Вт ~7 200 5 5 (10*) А :SI мА (200 В) КТ844А п-р-п 50* Вт (5О 0С) ~7.2 250* (О,Оlк) 4 10 (20*) А :53* мА (250 В) КТ845А п-р-п 40* вт (50°С) ~4.5 400* (0,01 к) 4 .5 (7,5*) А :S3* мА (400 В) КТ846А п-р-п 12.5* Вт (9О0С) ~2 1500* (О,Оlк) 5;7 5 (7,5*) А 1 :SI* мА (1500 В) КТ846Б п-р-п 12,5* Вт (95"С) ~2 1200 5;7 5 (7.5*) А 1 :SI * мА (1200 В) КТ846В 1 п-р-п 12,5* Вт (95°С) ~2 1500 5;7 1 5(7,5*)А :SI * мА (1500 BJ ! КТ847А п-р-п 125* Вт ~15 650* (0,01 к) 8 15 (25*) А 5мА(650В) КТ847Б п-р-п 125* Вт ~10 650* (О,Оlк) 8 15 (25*) А 5мА(650В) КТ848А п-р-п 35* Вт (IOO"C) ~3 520 15 15А :SЗ* мА (400 В) КТ848Б п-р-п 35* Вт ( 1оо·с) ~3 400 15 15А :53* мА (400 В) КТ850А п-р-п 25* Вт ~20 250 5 2(3*)А :5100 (250 В) КТ850Б п-р-п 25* Вт ~20 300 5 2(3*)А :5500 (300 В) КТ850В п-р-п 25* Вт ~20 180 5 2(3*)А :5500 (180 В) : i 1 КТ851А i р-п-р 25* Вт ~20 250 5 2(3*)А :5100 (250 В) КТ851Б 1 р-п-р 25* Вт ~20 300 5 2(3*)А :5500 (300 В) КТ851В р-п-р 25* Вт ~20 180 5 2(3*)А :5500 (180 В) КТ852А р-п-р 50* Вт ~7 100 5 2,5 (4*) А :SI мА (100 В) КТ852Б р-п-р 50* Вт ~7 80 5 2,5 (4*) А :SI мА (80 В) КТ852В р-п-р 50* Вт ~7 60 5 2,5 (4*) А :SI мА (60 В) KT852f р-п-р 50* Вт ~7 45 5 2,5 (4*) А :SI мА (45 В) КТ85ЗА р-п-р 60* Вт ~7 100 5 8 (12*) А :5200 (100 В) КТ85ЗБ р-п-р 60* Вт ~7 80 5 8 (12*) А :5200 (80 В) КТ85ЗВ р-п-р 60* Вт ~7 60 5 8 (12*) А $200 (60 В) ктssзr р-п-р 60* Вт ~7 45 5 8(12*)А 1 $200(45В) 1 КТ854А п-р-п 60* Вт ~10 600 5 10 (15*) А :53 мА (600 В) КТ854Б п-р-п 60* Вт ~10 400 5 10 (15*) А :53 мА (400 В) КТ855А р-п-р 40* Вт ~5 250 5 5(8*)А :51000 (250 В) КТ855Б р-п-р 40* Вт ~5 150 5 5(8*)А :51000 (150 В) КТ855В р-п-р 40* Вт ~5 150 5 5(8*)А :51000 (150 В) КТ856А п-р-п 75* Вт ~10 800 5 10А;12*А :53 мА (800 В) КТ856Б п-р-п 75* Вт ~10 700 5 10А;12*А :53 мА (600 В) 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 211 " ! 1 rкэ ""' Ом Кw1 дБ 1 с,, 1 tll:, пс h2," ь;,э с;2э' r~н•с• Ом r~. Ом t~<' НС Корпус пФ к;.·Р·' дБ Р;~х• Вт t;ы11.11• НС ~12*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* КТ841, КТ842, КТ844 ~12*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~12*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~20*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~20*(5В;2А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* п.1 ~ ~10*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~ffli ~ ~15*(4В;5А) 250 (10 В) $0,36 800* - ~ . ~15*(4В;5А) 250 (10 В) $0,36 - 800* - к ~20*(4В;5А) i250(10В) $0,44 - 800* ' ! 10...50• (3 В: 6 А) i $300 (10 В) $0,4 1 - 1 $2000* 1 1 15...100* (5 В; 2 А) 1 $45 (200 В) $0,75 - $4000* КТ845, КТ846, КТ847, КТ848 - $200 $0,22 - $12000* - - $1,1 - $12000* п.1 ~ - - $1,1 - $12000* ~ffli ~. 8...25* (3В: 15А) 1$200(400В) 1 $0,1 - $2000* 8...25* (3 В; 15 А) 1 $200 (400 В) 1 $0,1 - $3000* ! i i : 1 1 1 1 1 ~20*(5В;15А) i - $0,2 - 1 - ~20*(5В;15А) ! - $0,2 - - 1 1 1 40...200* (10 В; 0.5 А) 1 $35 (5 В) $2 - 1 1500* ! КТ850, КТ851, КТ852 ~20* (10 В; 0,5 А) $35 (5 В) $2 - 1500* ~20* (10 В; 0,5 А) $35 (5 В) $2 - 1500* 40...200* (10 В; 0,5 А) 1 40(5В) $2 - 1400* 70,G5 ~в 20... 200* (10 В: 0,5 А) 40(5В) $2 - 1400* wт 20...200* (10 В; 0.5 А) 40(5В) $2 - 1400* 1 ~500•(4В;2А) $28 (5 В) 1 $1,25 - 1 2000** ~500•(4В:2А) $28 (5 В) $1,25 2000** 6КЭ 1 - 1 ~1000* (4 В; 1 А) 1 $28 (5 В) $1,25 - 2000** ~1000* (4 В; 1 А) $28(5В) 1 $1,25 - 1 2000** 1 ! i ! ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** КТ853,КТ854,КТ855 ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** п.1 !) ~20*(4В;2А) 200 (10 В) $0,4 - tcn=700 ~ffl- ~ ~20•(4В;2А) 200 (10 В) $0,4 - tcn=700 ~ . ~20*(4В;2А) 200 (10 В) - к $0,5 - - ~20*(4В;2А) 200 (10 В) $0,5 - - ~15*(4В;2А) 200 (10 В) $0,5 - - 10...60* (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - $2* мкс КТ856 10...60* (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - $2* мкс n.t ~ ~ffli ~. 14*
212 Раздел 2. Биполярные транзисторы i Ркmах' ~•• ~216' UKБOmax' ! JКБО• lк max Тип Струк- Р~.тmах' ~;lэ' U~Rmax' UЭБО max' 1;,н maxt J~R' р~~ н m1xt 1,;,·· u~max• в 1·· прибора тура "' кэо• 1 мВт МГц в мА мкА КТ856А-1 i i 50* Вт 10 800 5 1 10А;12*А ! $;3мА(800В) п-р-п 1 КТ856Б-1 1 п-р-п 1 50* Вт 10 1 600 5 1 IOA;12*А $;3 мА (600 В) i 1 i i i i ! i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i КТ857А п-р-п 60* Вт <?:10 250 6 ! 7(10*)А $;5 мА (250 В) 1 1 1 1 КТ858А п-р-п j 60* Вт <?:10 400 6 7 (10*) А $;1 мА (400 В) 1 1 КТ859А п-р-п i 40* Вт 1 <?:25 800 1 10 3(4*)А ! $;1мА(800В) 1 i 1 1 1 1 i 1 1 1 $;2.5 мА (300 В) КТ862Б п-р-п 50* Вт <?:20 450 5 15А;25*А КТ862В п-р-п 50* Вт <?:20 600 (350**) 1 5 10А:15*А 1 $;3мА(600В) КТ862Г п-р-п 50* Вт <?:20 600 (400**) 1 5 lOA: 15* А 1 $;3 мА (600 В) 1 1 ! КТ86ЗА п-р-п 50* Вт <?:4 30 5 i 10А $;1 мА (30 В) КТ86ЗБ п-р-п 50* Вт <?:4 30 5 1 10А :!>I мА (30 В) КТ86ЗВ п-р-п 1 50* Вт <?:4 160 5 10А $;1 мА (30 В) 1 1 КТ864А п-р-п 100* Вт <?:15 200 6 10 (15*) А ~100 (200 В) i ! КТ865А р-п-р 100* Вт <?:15 200 6 1 10(15*)А :!>100 (200 В) 1 1 КТ866А п-р-п 30* Вт 25 200; 100** 4 15А;20*А :!>25 мА (100 В) КТ866Б п-р-п 30* Вт 25 200; 80** 4 15А;20*А $;25 мА (100 В) 1 КТ867А 1 п-р-п 100* Вт <?:25 200 7 25А(40*А) :!>3 (250 В) 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 213 ck, rкэн•('' Ом Кw,дБ tll, пс h2," ь;,э с;2,• r~""'' Ом r;. Ом t;,.,, нс Корпус пФ к;.·,_, дБ Р;:•• Вт t::.мt НС 10...60* (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - $2* мкс КТ856-1 1 10...60'" (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - 1 $2* мкс ~~r 1 1 1 t'.f $::! • .... ' ;!( D 6КЗ <?:7,5* (1 В; 3 А) - $0,33 - $2500* КТ857, КТ858, КТ859 70,65 t,8 wт <?:10* (5 В; 5 А) 1 - $0,2 - $2500* <?:10* 110 В; 1 А) 1 - $1,5 - $3500* 6КЭ 12...100* (5 В; 8 А) $300 (30 В) $0,13 - $1000* КТ862 12...50* (5 В; 5 А) $250 (10 В) $0,29 - $2000* 12...50* (5 В; 5 А) $250 (10 В) $0,29 - $2000* ~!~_~1·~18· <?:100* (2 В; 5 А) - $0,06 - - 1 КТ863 <?:70* (2 В; 5 А) 1 - $0,1 - - 1 <?:70* (2 В; 5 А) 1 $0,1 70,65 t,8 - - - wт6КЭ 40...200* (4 В; 2 А) S300 (5 В) S0,6 - - КТ864, КТ865 40...200* (4 В; 2 А) $300 (5 В) $0,3 - - п.1 ~ ~Noi v. <?:15* (10 В; 10 А) $400 (!О В) $0,15 - $450** КТ866 <?:15* (10 В; 10 А) $400 (10 В) $0,15 - $450** " '=> ,,... з 6 t~ - ~ 212 <?:10* (5 В; 20 А) $400 (10 В) $0,075 - 1,3* мкс 1 КТ867 п.1 ~ ~вri~ ~ . - к
214 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 ~•• ~216• Ркm1х' UKБOm1x• lк m1x JКБО• Тип 1 Струк- Р~.тm1х• Ii:;1э• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,и max• ·~R' р~~ и max• с· u~max• в ." прибора I тура ". кэо• мВт МГц в мА мкА КТ868А n-p-n 70* Вт ~8 900 5 6(8*)А $3 мА (900 В) КТ868Б n-p-n 70* Вт ~8 750 5 6(8*)А $3 мА (750 В) КТ872А n-p-n 100* Вт ~7 1500; 700* 6 8 (15*) А $1 мА (1500 В) КТ872Б n-p-n 100* Вт ~7 1500; 700* 6 8 (15*) А $1 мА (1500 В) КТ872В n-p-n 100* Вт ~7 1200; 600* 6 8 (15*) А $1 мА (1200 В) КТ874А n-p-n 75* Вт ~20 150; 5 30А;50*А $3 мА (150 В) 100* (О,Оlк) КТ874Б n-p-n 75* Вт ~20 150; 5 30А;50*А $3 мА (150 В) 120* (О,Оlк) КТ878А n-p-n 150* Вт ~10 900* (О,Оlк) 5 25 (50*) А ~3 мА (900 В) КТ878Б n-p -n 2 Вт; 100* Вт ~10 800* (0,01 к) 6 25 (50*) А $3 мА (800 В) КТ878В n-p -n 2 Вт; 100* Вт ~10 600* (0,01 к) 6 25 (50*) А $3 мА (600 В) 1 КТ879А n-p -n 250* Вт ~10 200 6 50А;(75*)А $3мА(200В) КТ879Б n-p-n 250* Вт ~10 200 6 50А;(75*)А $3мА(200В) КТ885А n-p-n 150* Вт ~15 400* (0,01 к) 5 40 (60*) А $1 мА (500 В) КТ885Б n-p-n 150* Вт ~15 5.00* (О,01 к) 5 40 (60*) А $1 мА (500 В) КТ886А-1 n-p-n 75* Вт ~10.5 1400*(0,Оlк) 7 10 А; (15*) А $0,1 мА (1000 В) КТ886Б-1 n-p -n 75* Вт ~10.5 1000*(0,Оlк) 7 10 А; (15*) А $0,5 мА (1000 В) 1 КТ887А р-п-р 3Вт;75*Вт ~15 700 5 2А;(5*)А $0,25мА(700В) КТ887Б p-n-p 3Вт;75*Вт ~15 600 5 2А;(5*)А $0,25мА(600В) : 1
Биполярные кfiемниевые транзuсinоры 215 с,, rкэиас• Ом Кw,АБ tк, ПС ь.," ь;,э с;2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,..,, нс Корпус пФ к;.·,.. АБ Р;:х' Вт t::,КJI, нс 10...60* (5 В; 0,6 А) 5100 (80 В) 50,75 - 53500* КТ868, КТ872 10... 100* (5 В; 0,6 А) 5100 (80 В) 50,75 - 53500* :Emr ~6(5В;30мА) 5125 (15 В) 50,22 - 57500* ~6(5В;30мА) 1 5125 (15 В) 51,1 - 57500* ~6(5В:30мА) 1 5125(158) 51,1 - 57500* 1 6КЗ 15...50* (5 В; 30 А) 200 (100 В) 50,04 - 0,5* мкс КТ874 10...40* (5 В; 30 А) 200 (tOO В) 50,04 - 0,5* мкс "=> .,.. з 6 t111 - ~ 21,2 12...50* (5 В; 10 А) 1 5500 (10 В) 1 50,1 - 53000* КТ878 12...50* (5 В; 10 А) 5500 (10 В) 50,1 - 53000* 12...50* (5 В; 10 А) 1 5500 (10 В) 50,1 - 53000* nt~ 1 ~Noii ~ 1 ..,. ' .. .. /( ~20*(4В;20А) 5800 (10 В) $0,06 - 1,2* мкс КТ879 ~15*(4В;20А) 5800 (10 В) $0,1 - 1,2* мкс =rt~ ' ~ 1 ~12*(5В;20А) $200 (100 В) 50,08 - $2000* КТ885 ~12*(5В;20А) 5200 (100 В) 50,08 - $2000* п1~ ~Noii ~ ..,. . .. .. к 6...25* (5 В; 4 А) $l35(IOB) 50,25 - 2,5* мкс КТ886-1 6...25* (5 В; 4 А) 5135 (10 В) 50,25 - 2,5* мкс ~r 1 1 6КЗ 20...120* (9 В; 1 А) 350(IOB) $1,5 - $5* мкс КТ887 20... 120* (9 В; 1 А) 350 (10 В) $1,5 - $5* мкс 1 щ~ ~Noii '!.:!.
216 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax' ~р• ~216• Uкooma:ii:• lк max JКБО• Тип Струк- Р;,тmах• ~;lз• u~m•x' UЭБOma:ii:• 1~.н m1:1• ·~· р~~ и max• с· lf';ЭOm1к• в ·~· прибора тура ах• мВт МГц в мА мкА КТ888А 1 р-п-р 0,8 Вт; 7* Вт 2:15 900 7 100 (200*) slO (900 В) КТ888Б р-п-р 0.8 Вт; 7* Вт 2:15 600 7 1 100 (200*) :!>10 (600 В) 1 1 1 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 '1 1 КТ890А п-р-п 120* Вт 40 650 5 20А 0,5** мА (350 В) КТ890Б п-р-п 120* вт 40 500 5 20А 0,25** мА (350 В) КТ890В п-р-п 120* Вт 40 350 5 20А 0,25** мА (350 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ892А п-р-п 1 100* Вт 8 350* (О,Оlк) 5 15 (30*) А :S:З мА (350 В) КТ892Б п-р-п 100* Вт 8 400* (О,Оlк) 5 15 (30*) А s3 мА (400 В) КТ892В п-р-п 100* Вт 8 300* (0,Оlк) 1 5 15 (30*) А s3 мА (300 В) 1 1 КТ89ЗА п-р-п 120* Вт - 800* (0,01 к) 5 1 6А;8*А 1 sl* мА (800 В) 1 1 1 1 1 ' ' 1 1 КТ896А р-п-р 2 Вт; 125* Вт 2:4 90* (lк) 5 20А(30*А) - КТ896Б Р:П-р 2 Вт; 125* Вт ;::4 60* (!к) 5 20А(30*А) - 1 1 1 1 КТ897А п-р-п 3 Вт: 150* Вт ;::10 350 5 20А(30*А) $250 (350 В) КТ897Б п-р-п 3 Вт; 150* Вт 2:10 200 5 20А(30*А) $250 (200 В) КТ898А п-р-п 1,5 Вт; 125* Вт 2:10 350 5 20А(30*А) - КТ898Б п-р-п 1,5 Вт; 125* Вт 2:10 200 5 20А(30*А) - 1 1 1 1
' Биполярн нзисторы ые кремниевые тра 30 120* (30 В: 30 мА) 30:::120• (30 В; 30 мА) ~00*(5В;5А) >200*(5В:5А) ~200*(5В;5А) >300* (10 В; 5 А) ~300* (10 В; 5 А) ~300* (10 В; 5 А) 10... 20* ) <700 (10 В) 750 ... 18000* (!О В; 5 А $100 (10 В) 750... 18000* (10 В; 5 А) >400*(5В;5А) S400* (5В; 5А) >400*(5В;5А) ;400*(5В;5А) rкэнас' Ом • Ом rБЭ нас' к;_*", АБ $50 s50 <0,23 $0,22 $0,2 <0,225 $0,225 $0,225 <О,б $0,4 $0,4 $0,23 $0,23 $0,23 $0,23 Kw, АБ r;, Ом р•• Вт sыxt 'tll. , пс t• нс ,..,. t•• нс awu• <3* мкс <3* мкс tсп<4 МКС tсп<4 МКС tсп<4 МКС <2* мкс $4500** <4500** 217 Корпус КТ888 КТ890 ~-Em·~ r 1С) Q ':! 6К3 КТ892 27,1 ~ . 6з ~Noi !J•O .... к ... КТ893 КТ896 gfJf6К3КТ897 КТ898 gfJf6К3
218 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк .... • ~•• 'i:210• UК&Omax• lк ,.., lкю, Тип Струк- р~тm11х• (;.3, u~max'. UЭ6011111к' 1;, ....... ·~· прибора тура p;•max' t:x• U-кэо,..,• в ·~· мВт МГц в мА мкА КТ898А-1 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~10 350 5 20А(30*А) - КТ898Б-1 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~10 200 5 20А(30*А) - :КТ899А 1 п-р-п 40* Вт ~8 160 5 8А(15*А) Sl (160 В) 1 1 1 КТ902А п-р-п 30* Вт (5О0С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А slO мА (70 В) КТ902АМ п-р-п 30* Вт (50°С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А SlO мА (70 В) 1 1 :КТ90ЗА 1 п-р-п 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имn.) 4 3(5*)А SIO* мА (70 В) КТ90ЗБ n-p -n 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имn.) 4 3(5")А SIO* мА (70 В) :КТ904А n-p-n 5* Вт (40°С) ~350 60* (0,1 к) 4 0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В) IП904Б n-p -n 5* Вт (40-С) ~300 60* (0,lк) 4 0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В) IП907А n-p-n 13,5* Вт ~350 60* (О,lк) 4 1(3*)А S3* мА (60В) КТ907Б 1 п-р-п 13,5* Вт ~300 60* (О,lк) 4 1(3*)А S3* мА i60 В) КТ908А n-p-n 50* Вт (SO-C) ~30 100* (О,Оlк) 5 1ОА S25* мА (100 В) :КТ908Б п-р-п 50• Вт (so·c) ~30 60* (О,25к) 5 10А S50* мА (60 В) -- .'
Биполярные кремниевые транзисторы 219 ck, rкэн1с:' Ом Кш,д6 tк, ПС 1 h21.• ь;,э с;2,• r;э нас' Ом r;, Ом t~. нс Корпус пФ 1 к;.·,.. дБ Р:•• Вт t;..kЛ. нс 1 ! 1 ~400*(5В:5А) 1 - $0,23 - - КТ898-1 ~400*(5В:5А) - $0,23 - - с изо.пироваииыми выводами ~~r ~ t:! . 1 ln '$f D 6к3 ~1000* (5 В; 5 А) - $0,26 - 1 - КТ899 1 1 1 1 1 1 ~~r ~ t:! ln '$f D 6КЗ ~15*(10В;2А) $300 (10 В) $1: ~7** ~20** (10 МГц) - КТ902 :щ·· ~fj . t't о 1 ~15*(10В;2А) $300 (10 В) $1: ~7** ~20** (10 МГц) - КТ902М ~иw: ·~ 15...70* (10 В; 2 А) $180 (30 В) $1,25; ~3** ~10** (50 МГц) - КТ903 40... 180* (10 В; 2 А) $180 (30 В) $1,25; ~3** ~10** (50 МГц) - ~§$ ~10* (5 В; 0,25 А) $12 (28 В) $5; ~2.5** ~3** (400 МГц) $15 КТ904,КТ907 ~10* (5 В: 0,25 А) $12 (28 В) $5; ~2** ~2.5** (400 МГц) $20 ~;е ~10* (5 В: 0,4 А) $20 (30 В) $4; ~2** ~8** (400 МГц) $15 ~10* (5 В: 0,4 А) $20 (30 В) $4; ~1.5** ~6** (400 МГц) $20 1~ 6 8...60* (2 В: 10 А) $700 (10 В) $0,15 - $2600* КТ908 ~20*(4В;4А) $700 (10 В) $0,25 - $2600* ~!11$
220 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Ркm.х• ~•• ~216• UКБОmак• lк m•x •кю• Тип J Струк- Р~. т max' Ii:;1э• U~Rn111r.• UЭБО max• 1;.н mак• ·~R' прибора тура р~~ и max• Сх• u~mair.• в ·~· мВт МГц в мА мкА КТ909А п-р-п 27* Вт ;е:350 60* (0,01 к) 3,5 2(4*)А 30* мА (60 В) КТ9096 п-р-п 54* Вт ;е:500 60* (0,01 к) 3,5 4(8*)А 60* мА (60 В) КТ909В п-р-п 27* Вт ;е:300 60* (0,01 к) 3,5 2(4*)А 30* мА (60 В) КТ909Г п-р-п 54* Вт ;е:450 60* (0,01 к) 3.5 4(8*)А 60* мА (60 В) 1 КТ9101АС п-р-п 128* Вт ;е:350 50 4 7А $30 мА (50 В) КТ9104А п-р-п 10** Вт ;е:600 50 4 1,5 А $10 мА (50 В) КТ91046 п-р-п 23** Вт ;е:600 50 4 5А $20 мА (50 В) . 1 1 1 1 КТ9105АС п-р-п i 133* Вт ;е:660 50* (0,01 к) 1 4 16А ! $120* мА (50 В) 1 ! КТ9106АС-2 \ 2Тб42-5 300 и 2500 - 12* и 20* 2и2.5 60и200 1 $1 мА 1 +два 1 2Т996А5 КТ91066С-2 300 и 2500 - 12* и 20* 2и2,5 60и200 $1 мА 1 1 КТ9109А п-р-п 1120** Вт ;е:360 65 4 29* А $60 мА (65 В) IКТ9ША 1 п-р-п 200** Вт ;е:200 120 4 10А $100 мА (100 В) 1 1 1 1 1 1 • 1 ! 1
Биполярные кремниевые транзисторы 221 ck, fкэнас:• Ом Кw,дБ tlC, пс h2," ь;,э с;2э• r~нк' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;~,.• дБ Р;~х' Вт t::м' НС - s30 (28 В) s0,3; ~1.7** 20** (500 МГц) · s20 КТ909 - s60 (28 В) s0,18; ~1.75** 40** (500 МГц) S20 ~~~ - s35 (28 В) S0,3; ~1.2** 15** (500 МГц) $30 - sбО (28 В) s0,18; ~1.5** ~30** (500 МГц) S30 ... ~ . J//.7 - Sl50 (28 В) ~5.5** ~100** (0,7 ГГц) S45 КТ9101 trm· ~ .... з - .... к 11J,2 - 1 $20(28В) ~8** ~5** (0,7 ГГц) S20 КТ9104 - S40 (28 В) ~7** ~20** (0,7 ГГц) $20 ~51 .... к з : t:~ Sl60* (5 В; 0,1 А) S240 (28 В) ~5** ~100** (0,5 ГГц) Sl2 КТ9105 1 ~tfМ 8,5 .2 30... 100 (5 В; 0,1 А) - - - - КТ9106-2 31.61 К/61 К1ЭJ 60...150 (5 В; 0,1 А) - - - - 61 -J .1 "' , 1 Dlllli _l ~х1 t::: i $"' 1 '° 1 т '" 10 6131 Kl К1ЭJ 61KI61 31.61 К1 Э1 l«}~ 61 Э1 Kl К1 31 - sl40 (50 В) ~3.5** (820 МГц) ~500** (820 МГц) SlO КТ9109 ~ .... кз ~31 ~ с-. 2"4 ~10*(10В;5А) Sl50 (50 В) ~10** ~150** (80 МГц) - КТ9111 ~t~~l~tfj 12.S J5,8
222 Раздел 2. Биполярные транзисторы · Ркmах' ~•• ~216• UКБО max' lк mlillx lкво• Тип Струк- Р~.тmах' ~;lз' U~Rmax' UЭБО max' 1:.н max' I:Сн• р~~н max• с· u~max' в I" прибора тура '" КЭО• мВт МГц в мА мкА КТ9115А p-n-p 10* Вт ~90 300* ( 10к) 5 100; 300* 1 $0,05 (250 В) КТ9115Б 1 p-n-p 10* Вт ~90 150* ( 10к) 5 100; 300* $0,05 (150 В) 1 1 1 1 КТ9116А n-p-n 46* Вт ~240 55* (О,Оlк) 4 4А $30 мА (55 В) КТ9116Б n-p-n 76,7* Вт ~230 55* (О,Оlк) 4 10А $100 мА (55 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ911А n-p -n 3* Вт ~750 55 3 0,4 А $5мА(55В) КТ911Б n-p -n 3* Вт ~600 55 3 0,4 А $5мА(55В) КТ9118 n-p -n 3* Вт ~750 40 3 0,4 А $5мА(40В) КТ911Г n-p -n 3* Вт ~600 40 3 0,4 А $5мА(40В) КТ912А n-p -n 30* Вт (85°С) ~90 70* (0,01 к) 5 20А $50* мА (70 В) КТ912Б n-p -n 30* Вт (85°С) ~90 70* (О,Оlк) 5 20А $50* мА (70 В) ! 1 1 КТ9131А n-p-n 350* Вт ~100 100 4 25А; 40*А $200* мА (IOOB) 1 КТ9132АС n-p-n 163** Вт - 50 4 11,2 А - 1 1 1 11 КТ913А n-p -n 4,7* Вт (55°С) ~900 55 3,5 О,5(1*)А $25* мА (55 В) КТ913Б n-p -n 8* Вт (70°С) ~900 55 3,5 1(2*)А $50* мА (55 В) КТ9138 n-p -n 12* Вт ~900 55 3,5 1(2*)А $50* мА (55 В) 1 1 1 ! ' ! ! 1 КТ9120А p-n -p 50* Вт ~50 1 45* (О,lк) 5 12 (30*) А $0,1 мА (45 В) 1
' ниевые транзисторы Биполярные крем ~5(10В;30мА) ~5(10В:30мА) >20* (5 В; 0,5 А> ~20* (5 В; 0,5 А) - - - - l0... 50* (!О В; 5 А) 20... 100* (10 В; 5 А) ~10(10В:10А) - >10* (10 В; 0,5 А) ~10* (10 В; 0,5 А) ~10· (10 В; 0,5 А) ~40*(1В;4А) s5.5 (30 В) s5,5 (30 В) s55 (28 В) :!>155 (28 В) <10 (28 В) <10 (28 В) ~10 (28 В) ~10 (28 В) <200 (27 В) 1 :!>200 (27 В) :!>800 (50 В) . <6 (28 В) is12(28В) :!>14 (28 В) :!>1900 (10 В) . rкэ ""'' Ом • Ом rБЭ нк• к:.·,.. дБ <33 $33 >25** ~10** <5; >2,5** $5; ~2.6** $5; ~2.2** :!>5; ~2.2** <0,12; >10** $0,12 >10** (30 МГц) $0,1 >3,5** раз <1,1; >2** $1,1; ~2** $1,1; ~2** <0,75 Kw, дБ r;, Ом Р,:" Вт >5** (225 МГц) >15** (225 МГц) >1** (1,8 ГГц) >1** (1 ГГц) ~ 8** (1,8 ГГц) -~О.В** (1 ГГц) >70** (30 МГц) >70** (30 МГц) >400** (30 МГц) >l40** (650 МГц) >3** (1 ГГц) >5** (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) 1 i i ! i 1 1 't'к, ПС t;,.... нс t" нс ...... <25 <30 <25 <25 :!>50 $100 <18 <15 $15 <500* 223 Корпус КТ9115 ~1~' t ~ D ЗК6 КТ9116 ~t~gз.6 а с.<з . 21 КТ911 КТ912 КТ9131 3 КТ9132 КТ913 КТ9120
224 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 1 Струк- Ркmах' ~•• ~216• UКБО max' lк max 1 •кю• Тип Р~. т max' (;lэ' U~Rmax' UЭБО ffiilX' •• J~R• прибора р~~ и max' с· u~milx' в К, и maxt ••• тура '" мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ9121А п-р-п 92** Вт - 42 3 9,2* А :515 мА (42 В) КТ9121Б n-p-n 46** Вт - 42 3 4,6* А :57,5 мА (42 В) КТ9121В n-p-n 11,5**Вт - 42 3 1,15* А :52,5 мА (42 В) КТ9121Г n-p-n 1 130** Вт - 42 3 13* А :522 мА (42 В) i 1 1 1 1 i КТ9125АС 1 n-p -n 60* Вт (40°С) :<:660 55* (10 Ом) 4 4А :560* мА (55 В) 1 КТ9126А n-p-n 330* Вт (50°С) :<:100 100* (О,Оlк) 4 30А :5200* мА (100 В) 1 1 1 1 1 1 КТ9127А n-p-n 1151**Вт - 65 3 38* А :560* мА (65 В) КТ9127Б n-p-n 524** Вт - 65 3 19* А :530* мА (65 В) 1 1 1 КТ9128АС n-p-n 180* Вт (50°С) :<:200 50* (10 Ом) 4 18А :5100* мА (50 В) КТ91ЗОА n-p -n 10* Вт :<:200 250 6 150 1 :51 мкА (250 В) 1 КТ91ЗЗА n-p-n 130* Вт :<:225 55* (0,01 к) 4 16А :5200* мА (55 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 225 ~ ~ с" rКЭнас' Ом Кш, дБ tк, ПС h2," h;,э С~2э' r~э нас' Ом "~,Ом t~al'' НС Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:х' Вт t::клt НС - - ~6,4** ~35** - КТ9121 (2,3 ...2,7 ГГц) - - ~6.4** ~17** - 1. 'tf ..... Б (2,3 ...2,7 ГГц) - 1 - - ~6.4** ~4** - :~ ...... К,.:._ rl- .._ 1 (2,3 ...2,7 ГГц) ~ . .., - ,.... 1 с,. - - ~12,5** ~50** - 1 жэ (2,3. "2,7 ГГц) ~ 4,6 2/J,.f :>110* (5 В; 0,5 А) :>70 (28 В) ~6** (500 МГц) ~50** (500 МГц) :>20 КТ9125 tfl1 ~ ~к· 5 - с.. 1j 1 [] 23,2 3 1 1 ~10*(10В;5А) :>500 (50 В) ;;:13**; :>0,05 ~500** ( 1,5 МГц) - КТ9126 ..... ""' /j к tjti] ~ ~J5,: - - ~5.6** ~550** - КТ9127 (1,025."1,15 ГГц) - - ~6.2** ~250** - 1 j 'lf ~Б (1,025 ... 1, 15 ГГц) - :~ К, _.., ~ ...... ... .. - . .., '- . н- с,. - жэ 1 ' 4,6 2/J,.f :>100* (5 В; 0,5 А) :>430 (28 В) 7** ( 175 МГц) ~200** (175 МГц) :>30 КТ9128 tfl! ~ ~к· 5 - с.. 1j [] 23,2 3 10...45 (9 В; 20 мА) :>6 (10 В) :>50 - - КТ9130 ;fiкФз - :>160 (28 В) ~7.5** ~30** (225 МГц) :>30 КТ9133 ~tg· а <Nз . 21 15 зак. 9
226 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• ~р• t ... Uкоо max• lк max lкоо• Тип Струк- Р~.тmах• ~~l!t' U~Rmax• UЭБОm•х' 1;. к max• J~R• р~нmах• с· u~max• в 1·· прибора тура ". кэо• мВт мrц в мА мкА КТ9134А п-р-п 2600** Вт <>:600 50 3 78* А :5120 мА (50 В) 1 КТ9134Б п-р-п 2100** Вт <>:600 50 3 71* А 1 :5120 мА (50 В) КТ9136АС п-р-п 700** Вт <>:300 60 4 30* А :5140 мА (60 В) 1 ! 11 КТ914А р-п-р 7* Вт <>:300 65 4 0,8 (1,5* А) 2*мА(65В) КТ9141А п-р-п 3* Вт <>:1 ГГц 120 3 300 :5100 (120 В) 1 КТ9141А-1 п-р-п 5* Вт <>:1 ГГц 120 3 400 :50,1 (120 В) 1 1 1 1 ! КТ9142А п-р-п 72* Вт - 55 3 15А :5100 мА (55 В) КТ914ЗА р-п-р 3* Вт <>:1500 75 3 100 (300*) :51*мА(50В) КТ914ЗБ р-п-р 3* Вт <>:1500 75 3 100 (300*) :51*мА(50В) КТ914ЗВ р-п-р 1 3* Вт <>:1000 75 3 100 (300*) :51*мА(50В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 227 1 1 с" rКЭHilc' Ом 1 Кш• дБ tк, ПС ~ h21,• ь;,э 1 с;2э' r~э нас' Ом r;, Ом t:ilC, нс Корпус 1 1 пФ к;.·•.. дБ 1 Р;:х' Вт t:~к.nt нс 1 ~ i i ;::6** ! ;::!ООО*• 1 КТ9134 ~ 1 - 1 - i - 1 (1,4 ... 1,6 ГГц) ' 1 1 ;::6** ;::800** - 11 +6.l - 1 - (1,4 ... 1,6 ГГц) 1Е1 Вlн•l•--j* ,~ 1 ~t@~~i) 1 1 i - $260 (45 8) ;::?** (500 МГц) ;::500** (500 МГц) $20 ! КТ9136 ' i i *11' 1' i1 1 1 .. :- ..s к э 1 .. ..5 ,8 ..... 18,2 1 10...60* (5 8; 0,25 А) $12(288) $12 ;::2,5** (400 МГц) $20 1 КТ914 if 1 i:~-1 1 1 1 : 1 ' : 1 i •1 15...45* (5 8: 50 мА) 1 $2,5 (10 8) - - - КТ9141 1 :ЕiкФз 15...45* (5 8; 50 мА) $2,5 (10 8) - - - 1 КТ9141-1 1 1 ~~ 1 ..... ~~5.к """ r==liii ~ "&. ·э 5,9 12.1 20.5 - ;::10 (5 8; 0,5 А) $70 (28 8) ;::6** 50** (860 МГц) - КТ9142 *1' 1 .. :- ..s к 6 1 1 . .. .5,8 .... 18,2 ! ;::20* (5 8; 50 мА) $3(108) - - - КТ9143 20...60* (5 8; 50 мА) $3(108) - - - ;::20* (5 8; 50 мА) $4 (10 8) - - - qjкфэ ~ 5 i 15·
228 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Струк- 1 pKma). • ~•• li:ш• UKБOmax• 1 1 lкБО• lк max 1 Тип Р~. тmax• ~;·~· U~Rmax' UЭБОmа1'.• 1 J~R• 1 1;.м m41xl 1 ' прибора тура 1 р~~н max• ~~·;).. u;ЭOmax• 1 в 1 ·~· ' мВт МГц в 1 мА 1 мкА ~, . i 1 КТ9144А-5 5* Вт ~30 500 1 5 50 (100*) 1 51 (500 В) р-п-р 1 1 1 КТ9145А-5 п-р-п 1 5* Вт ~50 500 1 5 50 (100*) 51 (500 В) 1 ' 1 1 КТ9144А-9 р-п-р 0,3 Вт; 1*Вт ~30 500 5 50(100*) 51 (500 В) КТ9145А-9 п-р-п 0,3 Вт; 1*Вт ~50 500 5 50 ( 100*) 51 (500 В) 1 КТ9146А п-р-п 380** Вт - 50 3 19* А 550 мА (50 В) 1 1 ' КТ9146Б п-р-п 1 260** Вт - 50 3 13* А 533 мА (50 В) КТ91468 п-р-п 65** Вт - 50 3 3.3* А 58мА(50В) КТ9147АС п-р-п 233** Вт - 50* (10 Ом) 4 29А - КТ9150А п-р-п 50* Вт - 40* (10 Ом) 4 5А 525* мА (40 В) 1 1 i 1 i1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i КТ9151А 1 п-р-п 1 280* Вт ~230 55 3 1 33А 5150* мА (55 В) КТ9152А п-р-п 246* Вт - 55 3 24А 5200 мА (55 В) 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы ~20• (10 В; 10 мА) 20... 150 (10 В: 10 мА) 20...150 (10 В; 10 мА) 20...150 (10 В: 10 мА) ~10* (5 В: 0,5 А) ~10* (5 В; 0,5 А) ~10* (5 В: 0,5 А) rкэнас• Ом r~нас• Ом к;.·,_, дБ :!>100 :!>100 :!>60 :!>100 ~6** ~6** ~7** ~6** Кw,дБ r;, Ом Р;~х• Вт ~200** (1,55 ГГц) ~130** (1,55 ГГц) ~35** (1,55 ГГц) ~160** (400 МГц) :!>42 (25 В) ~8.5** (860 МГц) ~8** (860 МГц) 1 :!>350 (28 В) ~7** (230 МГц) ~200** (230 МГц) 1 :!>100 (28 В) ~6** (860 МГц) ~100** (860 МГц) Тк• ПС ~;....нс tвыкп• НС 229 Корпус КТ9144-5, КТ9145-5 0,5 0,3 i ;:rEJT i КТ9144-9, КТ9145-9 1/,6 ~ 1,6 ~~~·- ~ ""N ~ .... Д// ~ни lss 448 ~......5_ _,. .. .. ..,,. _1,5 КТ9146А 1 к"~- ... 1 э ~ Kr\.J__э Бf.1 ~ - Л..5 КТ9146 (Б, В) " '~ '1-Б ..... кд.. -l L 1 -~~ -~i; ~--~ --~ 4,б_ - - 211,5 - ---..------- КТ9147 КТ9150 КТ9151, КТ9152
230 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' 1,,,. ~216• UKБOmax• lк max IКБО• Тип Струк- Р~. т max• ~;lэ• U~Rmax• UЭБО max• J~. и max• J~Rt р~~и max• с· u~0max• в 1·· прибора тура "' кэо• мВт мrц в мА мкА КТ9153АС n-p-n 50** Вт - 50* (10 Ом) 4 4А - 1 1 1 1 КТ9153БС n-p -n 94* Вт - 50* (10 Ом) 4 10А ~60* мА (50 В) КТ9155А n-p -n 43* Вт - 50 3 4А ~25* мА (50 В) КТ9155Б n-p -n 100* Вт - 50 3 15А ~25* мА (50 В) КТ9155В n-p -n 181* Вт - 50 3 24А 1 ~25* мА (50 BJ 1 1 1 КТ9156АС n-p -n 50** Вт - 50* (10 Ом) 3 4А ~60** мА (50 BJ КТ9156БС n-p-n 94* Вт - 50* (10 Ом) 3 10А ~60* мА (50 В) КТ9157А n-p -n 1,2 Вт; 10* Вт ~100 30 5 5 (10*) А ~10 (30 В) КТ9160А n-p -n 465* Вт (50°С) ~60 140* (10 Ом) 4 30А ~200* мА (140 В) КТ9160Б n-p -n 465* Вт (50°С) ~60 140* (10 Ом) 4 30А ~200* мА (140 В) КТ9160В n-p -n 465* Вт (50°С) ~60 140* (10 Ом) 4 30А ~200* мА (140 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 231 ~. с,, rкэ...,• Ом Кw,дБ t., пс 1 1 h,,,. ь;,э с;". r~ .... Ом r;, Ом •:..с. нс Корпус пФ к;~•·' дБ Р:х' Вт t::.КJI. нс - - ~7.8** ~15** (390... 640МГц) - КТ9153 *113 ::- ~к з 1 1 5,8 16.2 . 1 1 1 1 ~10* (5 В; 0.5 А) s66 (28 В) ~7** ~50** - КТ9153, КТ9155 (615... 840 МГц) *11 ~10* (5 В; 0.5 А) S35 (28 В) ~6.5** (860 МГц) ~15** (860 МГц) - ;::-5,В ~к~2 6 ~10* (5 В; 0,5 А) 1 s35 (28 В) ~** (860 МГц) ~50** (860 МГц) - 1 ~10* (5 В; 0,5 А) S35 (28 В) ~5** (860 МГц) ~100** (860 МГц) t - КТ9155В 1 1 ! 23 1 1 i 1 1 1 1 ~t 1. lillaci1 1 1 1 .! 1 38 ·~:i)~.-1 - - ~7** ~15** (0,65 ... 1 ГГц) - КТ9156 ~· ~ с.. к з 1 1 1~ ~1·~1~· ' 1 1 ! ! 1 ~10* (5 В; 0.5 А) 1 s66 (28 В) 1 ~6** (1 ГГц) ~50** (1 ГГц) 1 - 1 КТ9156 1 1 : 1 ! t11 ~ с.. к з ;:: ~к16,2 з 140...450* (1 В; 0,5 А) Sl50 (5 В) ~.25 - - 1 КТ9157 1 1 ! ~Ii 1 : .Фт 10...30* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц) - КТ9160 20...50* ( 10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц) - 40... 90* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц) - ·:~· к о э 1 1 1 о 1 1 Б 41 ! 1 1
232 Раздел 2. Биполярные транзисторы 11 i Ркmaxt 1 ~μ' ~:216' UКБО max' 1 1 1 IКБО' 1 lк max Тип Струк- 1 Р~. т max' ~:;lj' U~R max' UЭБО max' 1 J~. и max' I~ЭR• ~ 1 1 прибора тура , р~~ н m11xt ~;:х' u;эо max' ! в i ! 1;эо, ii мВт МГц в мА i мкА i 1 1 i ~ 1 " 1 1 1 1 ., ~КТ9161АС 1 П·р·П 700* Вт - 60 4 25А :>280 мА (60 В) 1 1 μ 1 i 1 i 1 1 1 1 ! КТ9164А 1 n·p ·n - 1 - - - - - 1 1 1 1 р i 1 ' ·' J 1 1 1 1 i ~ 1 1 ! ! ! 1 1 1 ~ 1 1 1 !1 КТ9166А n-p ·n 60* Вт - 45 - 15А - 1 1 1 1 1 i 1 ! 1 1 1 . i 1 1! 1 1 1 !КТ916А 1 n·p·n 30* Вт 21100 55* (0,01 к) 3,5 2(4*)А :>25* мА (55 В) КТ916Б 1 П·р·П 1 30* Вт 2900 55 3,5 2(4*}А 1 :>40*мА(55В) 1 1 1 1 i КТ9173А n-p·n 140* Вт - 55* (10 Ом) 4 14А :>250* мА (55 В) 1 1 1 КТ9174А n·p·n 400* Вт - 55* (10 Ом) 3 30А :>150* мА (55 В) 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ9176А 1 p·n·p ! 10* Вт 290 40 5 3(7*)А :>1 (30 В) ! КТ9177А n·р·П 10* Вт 290 40 5 3(7*)А :>1 (30 В)
Биполярные кремниевые транзисторы ~20* (5 В; 0,5 А) ~50*(1В;4А) 35* (5 В; 0,25 А) 35* (5 В; 0.25 А) ~20* (5 В; 0,5 А) 60.. .400* (2 В; 1 А) 60...400* (2 В; 1 А) $20 (30 В) $20 (30 В) rкэнас:' Ом r~нас:• Ом к;.·,.. дБ ~7** (500 МГц) Кw,дБ r~, Ом Р;:х• Вт ~500** (500 МГц) ~6** (1090 МГц) ~300** (1090 МГц) $0,06 $0,8; ~2.25** $0,8; ~1.85** ~20** (1 ГГц) ~16** (1 ГГц) $230 (28 В) ~10** (230 МГц) ~50** (225 МГц) ~4** (230 МГц) ~300** (230 МГц) 45 (10 В) $0,25 $0,25 233 тк, пс ~;ас:• НС tвык.11• НС Корпус КТ9161 КТ9164 КТ9166 КТ916 КТ9173 КТ9174 КТ9176, КТ9177
234 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 ' Ркmп• 1,.. ~216' Uкюmах' ' lкю, lк max Тип 1 Струк- Р~. т max' (;.3, U~Rmaxt UЭБО max' J~.11 max• ·~· прибора р~ н m•x' с· u~max• в ·~· тура ". мВт Мfц в мА мкА КТ9180А p-n -p 1,5 Вт; 12,5*Вт ~100 40 5 3А(7*А) SI (30 В) КТ9180Б p-n -p 12,5*Вт ~100 60 7 3А(7*А) SI (60 В) КТ91808 p-n -p 12,5*Вт ~100 80 7 3А(7*А) SI (80 В) KT9180f p-n -p 12,5*Вт ~100 100 7 3А{7*А) SI (100 В) КТ9181А n-p -n 12.5*Вт ~100 40 5 3А(7*А) SI (30 В) КТ9181Б n-p -n 12,5*Вт ~100 60 1 7 3А(7*А) 1 SI (60 В) КТ91818 n-p-n 1 12,5*Вт ~100 80 7 1 3А(7*А) SI (80 В) KT9181f n-p-n 12,5*Вт ~100 100 7 1 3А(7*А) SI (100 В) КТ918А-2 n-p-n 2,5* Вт ~800 30 2,5 250 s2мА(30В) КТ918Б-2 n-p-n 2,5* Вт ~1000 30 2.5 250 S2мА(30В) КТ9182А n-p-n 300* Вт - 55* (10 Ом) 3 24А 1 S200мА(55В) ! 1 КТ9186А n-p-n 5Вт ~50 100; 60* - IA - КТ9186Б n-p -n 5Вт ~50 80; 60* - IA - КТ9186В n-p -n 5Вт ~50 50; 40* - IA - КТ9186Г n-p-n 5Вт ~50 40* - IA - IКТ9186Д n-p -n 5Вт ~50 40* - iIA 1 - 1 1 КТ9189А-2 n-p -n 2** Вт 1000 - - 0,5 А - КТ9189Б-2 n-p -n 5** Вт 1000 - - IA - КТ9189В-2 n-p -n 8** Вт 900 - - 1,6А - 1 1 1 КТ919А n-p -n 10* Вт ~1350 45 3,5 0,7 (1,5*) А SIO мА (45 В) КТ919Б n-p -n 5* Вт ~1350 45 3,5 0,35 (0.7*) А S5мА(45В) КТ919В n-p -n 3,25* Вт ~1350 45 3,5 0,2 (0,4*) А s2мА(45В) КТ919Г n-p-n 10* Вт ~1350 45 3,5 0,7 (1,5*) А SIO мА (45 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 235 i ' i ck, rкэ нас• Ом Kw, дБ тк, пс ь.," ь;,э с;2э• r~нас• Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:,, Вт t::u• НС 60...400* (2 В; 1 А) - s0,25 - - 1 КТ9180, КТ9181 50...250* (1 В; О,15 А) - s0,4 - - 50...250* (1 В; 0.15 А) - $0,4 - - 50...250* (1 В; О, 15 А) - $0,4 - - ~Il1: . Фт 60...400* (2 В; 1 А) - $0,25 - - 50...250* (1В; О,15 А) - $0,4 - - 50... 250* (1 В; 0.15 А) - $0,4 - - 1 50...250* (1В; О,15 А) - s0,4 - - 1 - 1 S4,2(15B) ~2** ~О.25** (3 ГГц) $15 1 КТ918-2 - S4,2 (15 В) ~2** ~0.5** (3 ГГц) $4 ~~rь ~i 's1!;!6 - - ~З* * (860 МГц) ~150** (860 МГц) - КТ9182 ;t~ ,~ . зс] '~:1:::~:1 80 ... 250 - $0,2 КТ9186 80 ... 250 - s0,2 :tiкщэ 80 ... 250 - $0,2 80 ... 250 - so.2 80 ... 250 - $0,2 - 4,5 12** (470 МГц) 0,5** ( 175 МГц) - КТ9189 - 13 10** (470 МГц) 2**(175МГц) - - 20 6** (470 МГц) 5** (175 МГц) - ~! D2,5~ ~1~1 с::.· 10. 8 .g ~ 5м ~.i "' ".Зrif ""~ lt с:; "' - 1 0,5 1 SIO (28 В) - ~3.5** (2 ГГц) $2,2 КТ919 sб,5 (28 В) - ~1.б** (2 ГГц) $2,2 s5 (28 В) - ~о.в•• (2 ГГц) $2,2 ;ltl Sl2 (28 В) - ~3** (2 ГГц) s2,2 ~- g 6 2 6 1 19,;J 1
236 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~р• ~216• UКБО n1axt lк max IКБО• Тип Струк- р· \;1эt u· UЭБО n1axt J~.и mалt I~R• К,тшахt КЭR max t р~:нmaxt с· U~.ЭО max' в г· прибора тура '" мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ9190А n-p-n 40** Вт 720 - - ВА - 1 1 1 ! 1 ' ! : 1 ' 1 ' 1 1 1 ! 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 j 1 1 ; ~КТ9190А-4 n-p-n 40** Вт 720 - - ВА - 1 1 КТ9192А-2 n-p-n 2** Вт 1200 - - 0,5 А - КТ9192Б-2 n-p-n 5** Вт 1200 - - 1,6 А - 1 1 КТ9193А n-p-n 23** Вт 1000 - - 4А - КТ9193Б n-p-n 40** Вт 1000 - - ВА - 1 1 i 1 ! 1 1 i ~ 1 1 ,, i 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 237 1 ck, rкэ нас• Ом Кw,дБ tк, ПС h2," ь;,э с;2" r~э нас' Ом r;. Ом t;,.., нс Корпус ' пФ к;:•.. дБ Р;~х' Вт t::ut НС ! 1 - 1 65 - 20** (470 МГц) - КТ9190А ! "' ~ <:) 1 _J "' 1 1 с:.· 1 20,5 1.., .. .. . ..:: ..., 612 з-.n 1'1 ~з LЭ- r-т- -<h~~ "' ...-tl...~ 1 "' з/(1r-э16 ~tS - 65 - 20** (470 МГц) - КТ9190А-4 8,2 1 _J~ .... ., ,, "' r::i с::) 5 \ 3,2 э-:~~ ........3 lt) ..... ~ ..... з-l:JY.,- ,,.. 3 1,6 . /( f - - 6** (900 МГц) 0,5** (900 МГц) - КТ9192-2 - - 5** (900 МГц) 2** (900 МГц) - ~ "'с:.· 1 _J "' 1 1 <:) 1 20,5 1~ .... ..., 612 з-.n1'1 ~з LЭ- " -<h.., .... ..; .. .. "' з't//(~; "' r-з 16 ~fS - - 4 (900 МГц) 10** (900 МГц) - КТ9193 - - - 20** (900 МГц) - ~ "' с:.· 1 _.J "' 1 1 с:.· 1 20,5 1~ .... ..., ~12 з-.. :'1 i;-i 1 -з 1:.:tr ~.., .... ..; " "' _,~...~· "' з/(1'з16 ~fS
238 Раздел 2. Биполярные транзисторы : 1 Струк-1 Ркmах• ~Р' ~:2161 UKБOmaxt 1 lк max i •коо• Тип Р~.тmах• ~:;J;t u~RmaAt UЭБО max• 1:.м max• ·~ЭR' ' р~~ и max• ~:·;~. u~max• в 1 ••• прибора 1 тура 1 ! кэо• 1 i мВт Мfц в мА i мкА КТ919ЗА-4 п-р-п 23** Вт 1000 - - 4А - КТ919ЗБ-4 п-р-п 40** Вт 1000 - - 8А - КТ920А п-р-п 5* Вт (50"С) ~400 36 4 0,25(1•)А :52* мА (36 В) КТ920Б п-р-п 10* Вт (50"С) ~400 36 4 1(2*)А :54* мА (36 В) КТ9208 п-р-п 25* Вт (50"С) ~400 36 4 3(7*)А :57,5* мА (36 В) KT920f п-р-п 25* Вт (50"С) ~350 36 4 3(7*)А :57,5* (36 В) 1 1 1 1 1 ~ 1 1 1 lкт921л 1 п-р-п 1 12.5* Вт (75"С) ~90 1 65* (0,lк) 1 4 3,5 А :510* мА (70 В) iКТ921Б п-р-п 1 12,5* Вт (75"С) ~90 65* (О,lк) 4 3,5 А :510* мА (70 В) . 1 КТ922А п-р-п 8* Вт (40"С) ~300 65* (О,lк) 4 0,8 (1,5*) А :55* мА (65 В) КТ922Б п-р-п 20* Вт (40"С) ~300 65* (0, 1к) 4 1.5 (4,5*) А :520* мА (65 В) IKT922B 1 п-р-п 1 40* Вт (40"С) ~300 65* (0, 1к) 4 3(9*)А :540* мА (65 В) KT922f п-р-п 20* Вт (40"С) ~300 65* (О,lк) 4 1,5 (4,5*) А :520* мА (65 В) КТ922Д п-р-п 40* Вт (40"С) ~250 65* (0,lк) 4 3(9*)А :540* мА (65 В) 1 КТ925А п-р-п 5.5* Вт (40"С) ~500 36* (0, 1к) 4 0,5 (1*) А :57 мА (36 В) КТ925Б п-р-п 11 * Вт (40"С) ~500 36* (О, 1к) 4 1(3*)А :512 мА (36 В) КТ9258 п-р-п 25* Вт (40"С) ~450 36* (0, lк) 3,5 3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В) KT925f п-р-п 25* Вт (40"С) ~450 36* (О, 1к) 3,5 3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В) КТ926А п-р-п 50* Вт (50"С) ~51 150* (О,Оlк) 5 15 (25*) А :525* мА ( 150 В) КТ926Б п-р-п 50* Вт (50"С) ~51 150* (О.Оlк) 5 15 (25*) А :525* мА ( 150 В) ~ 1 1 ~• 1 1 1 КТ927А п-р-п 83,3* Вт (75"С) ~105 70* (ОИ) 3.5 10 (30*) А :540* мА (70 В) КТ927Б п-р-п 83,3* Вт (75"С) ~105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А :540* мА (70 В) КТ9278 п-р-п 83,3* Вт (75"С) ~105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А :540* мА (70 В) 1 1
1 1 Биполярные кремниевые транзисторы - - - - ~10*(10В; 1А) ~10*(10В; 1А) - - - - - ~8*(5В;0,2А) - ~17* (5 В; 0.2 А) - 10...60• (7 В; 15 А) 10...60* (5 В; 5 А) ~15*(6В:5А) ~5*(6В;5А) ~40•(6В:5А) 1 Sl5 (10 В) 1 S25(!ОВ) 1 s75(!ОВ) 1 1 S75 (10 В) 1 1 s50 (20 В) s50 (20 В) 1 1 1 1 Sl5(28В) S35 (28 В) $65 (28 В) $35 (28 В) s65 (28 В) Sl5 (12,6 В) s30 (12,6 В) s60 (12,6 В) 1s60(12,6В) 1 ! 1 ! i1 ! 1 ' - - Sl90 (28 В) Sl90 (28 В) Sl90 (28 В) 1 1 ' rкэнас:• Ом r~нас:• Ом к;.·,.. дБ 4 (900 МГц) ~1·· ~4.5** ~3** ~3** Sl,8; ~8** Sl,8; ~5** ~10•• ~5.5** ~4** ~5** ~З.5** ~6.3** ~5** ~3** ~2.5** s0,17 s0.25 $0,07; ~13.4** s0.07; ~13,4** s0.07; ~13,4** 1 1 11 Кш, дБ r~, Ом Р;:", Вт 10* * (900 МГц) 20** (900 МГц) ~2* * (175 МГц) ~5** (175 МГц) ~20* * ( 175 МГц) ~15** (175 МГц) ~12,5** (60 МГц) ~12,5** (60 МГц) ~5**(175 МГц) ~20* * ( 175 МГц) ~40* * (175 МГц) ~17** (175 МГц) ~35* * (175 МГц) 2** (320 МГц) 5** (320 МГц) 20* * (320 МГц) 15** (320 МГц) - - ~75* (20 МГц) ~75* * (20 МГц) ~75** (20 МГц) 1 1 1 1 1 i i 1 ! ! i ! 1 1 1 i 239 t'к1 ПС ~~".нс t.ык.11• НС Корпус КТ9193-4 8,2 ' с;,· с:)' 5 i 1 \ 3,2 з-п t-\ -1 i 1 ......... 3 1 1() - ...,; - э-ll У,- .,.,э к f,6 1 s20 i КТ920 1 s20 ! i i s20 1 JЗК t S20 1 <.Q 5 - 1 о;- - . l!. 1 ~ ~ , 1з в 122 2 s22; sзоо• КТ921 s22; s300* fi' ~-D1 - . 1 ~ 6 S20 КТ922, КТ925 S20 S25 s20 s25 t 51~ - "" ... ,_.... о;- "" L_ .. .. L-......:0 S20 ' ' 1з S35 в,,, 2 s40 s40 1 ! - i КТ926 1 - 1 i :!Jt~r1 ! - ! КТ927 i
240 Тип прибора КТ928А КТ928Б 1КТ928В ,, 1 КТ929А КТ930А КТ930Б КТ931А КТ932А КТ932Б КТ9328 i~1• КТ933А j КТ933Б КТ934А КТ934Б КТ934В КТ934Г КТ934Д 1 КТ935А КТ936А 1 1 1 1 Струк­ тура n-p -n n-p-n n-p-n n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p -n 1 1 i 1 1 Рк max' ~~· т max' Рк. и m11x' мВт 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт 6* Вт (40°С) 75* Вт (40°С) 120* Вт (40°С) 150** Вт (40°С) 20• вr (5о·с) 20* Вт (50°С) 20• Вт (50°С) 5* Вт (50°С) 5* Вт (50°С) 7,5* Вт 15* Вт 30* Вт 15* Вт 30* Вт 60* Вт (50°С) 28* Вт (75°С) 1 1 МГц г250 г250 г250 г700 г450 г600 г250 г40 г6О г40 г75 г75 г500 г500 г500 г450 г450 г51 - i' Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО maxt lк max IКБО• u· UЭБО max' I~R• КЭR max t 1~,н maxt u;.эо max' в I~эо• в мА мкА 60 5 0.8 (1,2*) А :"':5 (60 В) 60 5 0,8 (1,2*) А :"':5 (60 В) 75 5 0,8 (1.2*) А :<O:l (60 В) 1 1 1 ' '· 30* (0.1 к) 3 1 0.8 (1,5*) А 1 :<;;5* мА (30 В) ' 1 ! 50* (О. 1к) 4 1 6*А 1 :"':20* мА (50 В) 50* (О,lк) 4 6*А 1 :<0:100* мА (50 В) 1 ' 1 60* (0,01 к) 4 15А :<0:30* мА (60 В) 80 4,5 2А :"':1,5* мА (80 В) 60 4,5 2А :"':1,5* мА (60 В) 40 4,5 2А :"':1,5* мА (40 В) 1 80 4,5 0,5 А 1 :"':0.5* мА (80 В) 60 4,5 0,5 А i :"':0.5* мА (60 В) 1 1 60* (0,01 к) 4 0,5 А :<0:7,5* мА (60 В) 60* (0,01 к) 4 lA :<0:15* мА (60 В) 60* (О,Оlк) 4 2А :<0:30* мА (60 В) 60* (0,01 к) 4 lA :"':15* мА (60 В) 60* (0,01 к) 4 2А :<0:30* мА (60 В) 1 80* (0,01 к) 5 20 (30*) А :<0:30* мА (80 В) 60 3,5 3,3 А :<0:10* мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 241 1 с" rкэ нас' Ом Кш, дБ 1' 111 ПС 1 h21·,t h~IЭ с~2~' r~э 1ыс' Ом г~, Ом t;,il{' НС Корпус пФ к;.·." дБ Р;::., Вт t:•ыклt НС 1 :1 ! 1. :1 1 11 ~ 20".100* (5 В: 150 мА) sl2 (!О В) 1 s3.3 - s250* КТ928 !! .50".200* (5 В: 150 мА) sl2 (10 В) s3,3 - s250* :tiкФэ 100".3 00* (5 В; 150 мА) sl2 (10 В) s3,3 - s250* ~25* (5 В; 0.7 А) s20 (8 В) ~8** ~2** (175 МГц) s25 КТ929 ..,; ~ '5 IJJ3к 11 о; ~ ~3-+Е 1 е._ IТlз 1· 1' ~ 1 ,8 122 27 1' 1 40*(5В;0,5А) s80 (28 В) ~5** ~40** (400 МГц) 8 КТ930, КТ931 50*(5В;0,5А) sl70 (28 В) ~3.5** ~75** (400 МГц) 11 6 25*(5В;0,5А) s240 (28 В) 0,18; ~3.5** ~80** (175 МГц) 18 ~JiПtJ~Jl t;~ ~icrк 25 7 1 ~15* (3 В; 1.5 А) s300 (20 В) sl КТ932 - - 1 ~30* (3 В; 1.5 А) s300 (20 В) sl - - Ц1 [f) ~40* (3 В; 1.5 А) s300 (20 В) sl - - !: ~No~ у .. :; . ... /( ~15* (3 В; 0,4 А) s70 (20 В) s3,75 - - КТ933 ~30* (3 в: о.4 А) s70 (20 В) s3,75 - - :~кфэ 1 1 1! 1 50*(5В;0,1А) s9 (28 В) 2; ~6** ~3** (400 МГц) s20 КТ934 1 50* (5 В: 0.15 А) sl6 (28 В) 1; ~4** ~12** (400 МГц) s20 50* (5 В; 0.25 А) s32 (28 В) о.5: ~3** ~25** (400 МГц) s20 ~ ~Jз 5 к - sl6 (28 В) ~3.3** ~10** (400 МГц) s25 ..,; 3-~ о; R' ·- s32 (28 В) ~2.4** ~20** (400 МГц) s25 '& - •• з 8 12.2 27 20".100* (4 В; 15 А) s800 (10 В) s0,066 - s700** КТ935 :ft~11 "" 19,5 ~6·(3В:0,1А) - - - - КТ936А ~.~~ 6.7 6,5 16зак 9
242 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Струк- 1 pKmax' ~р• \210• UКБОmаА' lк max JКБО• Тип Р~.тmах' ~;lэ' u~m•x' UЭБОmаА' J~,и maA• ·~R' прибора 1 тура р~~" max• с:х. u~тnax• в ·~· мА 1 мВт МГц в мкА КТ936Б 1 п-р-п 1 83,3* Вт (75°С) - 60 3,5 10А :s:30* мА (60 В) КТ937А-2 п-р-п 3,6* Вт 6500 25 2.5 250 :s:2 мА (25 В) КТ937Б-2 п-р-п 7,4* Вт 6500 25 2.5 450 :s:5 мА (25 В) 1 1 ' 1 i 1 i i i 1 1 1 1 1 1 1 КТ938А-2 п-р-п 1,5* Вт ;е:2000 28 2,5 180 :S:I мА (28 В) КТ938Б-2 п-р-п 1,5* Вт ;е:1800 28 2.5 180 :S:l мА (28 В) 1 i 1 КТ939А 1 п-р-п 4* Вт ;е:2500 30* (0,01 к) 3,5 1 400 1 :S:2 мА (30 В) КТ939Б 1 п-р-п 1 4* Вт ;е:1500 30* (0,Оlк) 3.5 400 1 :s:2мА(30В) 1 1 ! 1 i 1 1 1 1 1 КТ940А п-р-п 1,2 (10*) Вт ;e:go 300* (!Ок) 5 0,1 (0,3*)А :s:0,05 мА (250В) КТ940Б п-р-п 1,2 (10*) Вт ;e:go 250* (IОк) 5 О, 1 (0,3*) А :s:0,05 мА (200 В) КТ940В п-р-п 1,2(10*)Вт ;е:90 160* (IОк) 5 0,1 (0,3*) А :s:0.05 мА (100 В) 1 1 1 КТ940А1 п-р-п 500, 10* Вт ;е:90 300 5 100; 300* :s:0.05 (250 В) КТ940Б1 п-р-п 500, 10* Вт ;е:90 250 5 100; 300* :s:0,05 (200 В) КТ940В1 п-р-п 500, 10* Вт ;е:90 160 5 100; 300* :s:0,05 (100 В) КТ940А-5 п-р-п 10* Вт ;e:go 300 5 100 (300*) 1 :s:50 мА (250 В) КТ940Б-5 1 п-р-п 10* Вт ;e:go 250 5 100 (300*) :s:50 мА (200 В) КТ940В-5 п-р-п 10* Вт ;e:go 160 5 1 100 (300*) 1 :s:50 мА ( 100 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 ~ 1 КТ940А9 п-р-п 1200 ;е:90 300 5 100 - КТ940Б9 п-р-п 1200 ;е:90 250 5 100 - 1 1
' ~,, "11 if !1 1 ~ ~ц 1 ·~ ~ ~ ~ h 21"~' h;IЭ ~6*(3В;0.1А) - - - - 40 200*(12В;О.2А) 20::.200 ( 12 В; 0.2 А) >25* (10 В; 30 мА) ;25* (10 В; 40 мА) ;25* (10 В; 30 мА) >25 (10 В, 30 мА) ;25 (10В; 30мА) ;25(1оВ;30мА) >25* (10 В; 30 мА) ;25* (10 В; 30 мА) ;25* (10 В; 30 мА) >25 (10 В; 30 мА) ;25(10В;30мА) 16· 1 1 ' i 1 1 1 1 " c;2t' пФ s5,5 (20 В) s7,5 (20 В) s4 (20 В) s4,5 (20 В) s5.5 (12 В) s6(12B) 4.2 (30 В) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) s4,2 (30 В) s4.2 (30 В) s4.2 (30 В) s4,2 (30 В) s4,2 (30 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 · Ом rБэ н"l., к;.·•.. дБ - - - <33 s33 s33 <3,3 <3 _3. s3,3 s40 s40 s40 s3,3 s3,3 1 r 1 1 1 1 <,1 t" нс 1 1 р" Вт вык.n 1 вых' КТ936Б i1 1 ·~~ к -~ - 35 о 1J,6 >1,6** (5 ГГц) 0,78 КТ937-2 :m:J ,,", 1! >3,2** (5 ГГц) 0.6 ! !1 .... 1! 1 'С) ~ n~~ "Q l 1~~6 ~+- 6,6 - 11 - 19,3 - - 1 КТ938-2 1 1 <2 >1**(5ГГц) <2 ''·' tw >1 •• (5 ГГц) ~~ ~ ~f ЪjfW5 1 "1 : 1' 1 КТ939 11 <9 <10 1 ' ~·~~ 1 1 ~~~ 1 "Q u- r ·з r ~g 1z1J 20,5 ~ ~ КТ940 ir;~ :1 - i ..,,. 3Б 1' 11 1 1 ... :! 1 KT940-l 1 Qf5,2 i КТ940-5 КТ940-9
244 Тип прибора КТ942В КТ94ЗА КТ94ЗБ КТ94ЗВ КТ94ЗГ КТ94ЗД КТ944А ' КТ945А КТ945Б КТ945В КТ945Г КТ946А КТ947А 1 КТ948А КТ948Б Струк- тура n-p -n 1 1 1 n-p -n n-p -n п-р-п n-p -n n-p -n 1 n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n 1. n-p-n i п-р-п n-p -n n-p -n n-p -n 1 1 1 1 1 Ркmак' Р~.тmа"' р~~ и max' мВт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 55* Вт (90°С) 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) 37,5* Вт 200* Вт (50°С) 40* Вт 20* Вт 11 1 ~•• (210• \;lэ' ~~·;х, МГц ;е:1950 ;е:30 ;е:30 ;е:3о ;е:30 ;е:30 ;e:J05 ;е:50 ;е:50 ;е:50 ;е:50 ;е:720 ;е:75 ;е:1950 ;е:1950 1 1 UКБО ma"' u~RmaAI u~ma>.• в 45 45 60 100 100 100 100* (0,01 к) 150* (10 Ом) 150* (10 Ом) 150* (10 Ом) 150* (10 Ом) 50 100* (О,Оlк) 45 45 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 1 11 1 1 1 UЭБОmах' в 3,5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 3,5 5 2 2 1 1 i 1 1 IKm3x lкБо• 1~.и ma"' ·~.. ·~· мА мкА 1,5 (3*) А :S20 мА (45 В) 11 !1 1 2(6*)А :SO.I мА(45В) 2(6*)А :SO,I мА (60 В) 2(6*)А :SO,I мА (100 В) 2(6*)А :SI мА (100 В) 2(6*)А :SI мА (100 В) 1 1 1 1 12.5 (20*) А 1 :S80* мА (100 В) 15 (25*) А 1 :S25* мА (150 В) 15(25*)А 1 :S25* мА (150 В) 10 (25*) А 1 :S25* мА (150 BI 15 (25*) А ! :S25* мА (150 В) 2,5 (5*) А :S50 мА (50 В) 20 (50*) А :SIOO* мА (100 В) 2,5 (5*) А :S35 мА (45 В) 1.25 (2.5*) А :Sl5 мА (45 В) ~ i 1 " !.
Биполярные кремниевые транзисторы 245 ' 1 i ck, fкэна..:' Ом Кш, дБ 'tкt ПС h2,,• ь;,э с;2э• r~Э11"с• Ом r~, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;~". дБ Р;:,, Вт t::1t.1• нс - s25 (28 В) ~2.5** ~8** (2 ГГц) $3 КТ942 1 :ltl ...- с:> 'Q .. .. 1 1 6 1 2 6,6 ' 1 ,"19.J ~ !i 1 ~ 40 ... 200* (2 В; 0,15 А) - $0,6 - - КТ94З 40... 160* (2 В; 0,15 А) - $0,6 - - 40 ... 120* (2 В; 0,15 А) - :<>0,6 - - Qц; 20...60* (2 В; 0.15 А) - :<>1,2 - 1 - =~ 30 ... 100* (2 В; 0,15 А) - $1,2 - - ! 10...80* (5 В; 10 А) s350 (28 В) s0,25; ~10•• ~100** (30 МГц) 1 - 1 КТ944 ~ 1 !1 1 1 =~~ .,; . .... 10...60* (7 В; 15 А) s200 (30 В) s0.17 - $1,1 *мкс КТ945 10...60 (7 В; 15 А) s200 (30 В) :<>0,17 - sl.I *мкс 10...60 (7 В; 10 А) s200 (30 В) s0,25 - Sl.I *мкс n.t ~ 12...60 (7 В; 15 А) s200 (30 В) $0,17 - sl,I* мкс ~Noi ~. - $50(108) ~4** ~27** ( 1 МГц) - КТ946 itlJ ~ r;S' 4: 6,1 к 10...80* (5 В; 20 А) s850 (27 В) ~10** ~250** (1,5 МГц) !- КТ947 1 1 1 ~rt ~ -- ~. - s30 (28 В) ~6.5** ~15** (2 ГГц) - КТ948 - $17(288) ~6.5** ~8** (2 ГГц) 1 - ~it1 1 1 1 1
246 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• ~;216• UKБOmaAt 1 lк m.i" IКБО• Тип Струк- P~.тmaAt ~;li• u~Rmaxt UЭБОmаА' 1~,н m.ixt ·~.. прибора р~нmах' с· u;ЭOmax' в I~эо• тура '" мА мВт МГц в мкА КТ955А п-р-п 20* Вт (100°С) ~100 70* (0,01 к) 4 6А :SlO мА (60 В) 1 1 1 1 1 " КТ956А п-р-п 70** Вт (1ОО0С) ~100 100* (О,Оlк) 4 lSА s:80* мА (100 В) КТ957А п-р-п 100** Вт (I00°C) ~100 60* (О,Оlк) 4 20А :SlOO* мА (60 В) 1 КТ958А п-р-п 85** Вт (40°С) ~300 36* (0,Оlк) 4 10А :S25* мА (36 В) КТ960А п-р-п 70** Вт (40°С) ~600 36* (0,01 к) 4 7А s:20* мА (36 В) 1 КТ961А п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 100* (lк) 5 1,5 (2*) А s;lO (60 В) КТ961Б п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 80* (lк) 5 1,5(2*)А s;lQ (60 В) КТ961В п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 60* (lк) 5 1,5 (2*) А :SlO (60 В) КТ961Г п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 40* (lк) 5 2(3*)А s;lO (60 В) КТ961А1 п-р-п 500 ~50 100 5 1000 :SlO (60 В) КТ961Б1 п-р-п 500 ~50 80 5 1000 s;lO (60 В) КТ961В1 п-р-п 500 ~50 60 5 1000 :SlO (60 BI 1 1 1 1 КТ962А п-р-п 17** Вт (40°С) ~750 50 4 1,5 А :S20 мА (50 В) КТ962Б п-р-п . 27** Вт (40°С) ~750 50 4 2,5 А :S20 мА (50 В) КТ962В п-р-п 66** Вт (40°С) ~600 50 4 4А :S30 мА (50 В) КТ96ЗА-2 п-р-п 1.1* Вт - 18 1,5 210 s;l мА(18В) КТ96ЗБ-2 п-р-п 1,1* Вт - 18 1,5 1 185 1 s;lмА(18В) 1 1 : 1 1 1 1 КТ96ЗА-5 п-р-п 1,1 *Вт - 18 1,5 210 :Sl мА (18 В) КТ96ЗБ-5 п-р-п 1,1 *Вт - 18 1,5 185 :SI мА (18 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 247 i 1 1 1 с" rкэ ...• Ом Кш, дБ 'tк' ПС ь21" ь;,э 1 с;2,, 1 r~...,. Ом r~, Ом ·~·нс Корпус 1 1 пФ к;.·". дБ Р;:х' Вт t;ы~' НС 10...80* (5 В: 1 А) 1 :<;,75 (28 В) ~о·· :<:20** (30 МГц) - 1 КТ955 ~~i~- 1 '/( 5,9 ! ! 1 ! i ! ' i0...80* (5 В: 1А) 1 :<;,400 (28 В) 1 :<:20** 1 :<:100** (30 МГц) ! - ! КТ956, КТ957 1 i 1 ~tjt~ 10...80* (5 В; 5 А) :<;,600 (28 В) :<:17** :<:125** (30 МГц) - ' 1 1 'f l.S J5,8 1 1 i 1 1 :<:10* (8 В; 0,5 А) :<;,180 (12 В) 1 0,16; :<:4** :<:40** (175 МГц) 1 12 КТ958,КТ960 1 8ii - :<;,120 (12 В) ! 0,16: :<:2.5** :<:40** (400 МГц) 12.5 1 1 ; 40 ... 100* (2 В; 0,15 А) - $1 - - КТ961 63 ... 160* (2 В: 0.15 А) - $1 - - 100... 250* (2 В: 0.15 А) - $1 - - ~rm 20 ...500* (2 В; 0,15 А) - $1 - - =~ . 40...100 (2 В: 0.15 А) 1 $45 $1 1 КТ961-1 1 - - 1 ! 63...160 12 В: 0.15 А) :<;,45 $1 1 - - 1 §~ 1 100... 250 (2 В: 0,15 А) :<;,45 $1 - - 1 i 1 1 .... ~ ~' - :<;,20 (28 В) :<:4** :<:10** (1 ГГц) 1 :<;,15 КТ962 - :<;,35 (28 В) :<:3,5** :<:20** ( 1 ГГц) $14 1tfH~ - :<;,50 (28 В) :<:3** :<:40** (1 ГГц) $11 <а ,..,, з.к 1 о; "" '& с..2·: ! 1 1 ! ' ' 1 - 1 1.5(5В) :<:3** ( 10 ГГц) :2:0,8** (10 ГГц) 1 - i КТ963-2 1 - 1,5 (5 В) :<:3** ( 10 ГГц) :2:0.5** (1 О ГГц) - 1 зtll 1 1 сок з 1 : ~11 - 1,5 (5 В) :<:3** (10 ГГц) :2:0,8** (1 О ГГц) - КТ963-5 - 1.5 (5 В) :<:3** (10 ГГц) :<:0,8** (10 ГГц) - 0,45 0,08 1 j ~шт 1 1
248 Раздел 2. Биполярные транзисторы :: pKma.1,t ~v' ~:21б' UКБО max' 1 1 lкБО• il Струк-1 1 lк max Тип р· ~:;IJ' U~Rmaлt UЭБО ffiil).' I" I~ЭR• К, т max' !1 прибора тура 1 р·· 1 ~~·:х' U~ЭOmaxt в К, tt mак' 1;эо, К. и m11xt !мА ,, мВт МГц 1 в 1 мкА 1' 1 КТ965А n-p-n 32* Вт ;>:100 36* (0,01 к) ! 4 4А s!O* мА (36 BJ ! 1 1 1 llкT966A 1 ! n-p-n 1 64* Вт ;>:100 36* (О.О! к) 4 1 8А 1 s23*мА(36В) 1! ! 1 : ~ 1 i 1 1 1 1 ! 1 ! 1 1 : КТ967А n-p-n 100** Вт ;>:180 36* (0,01 к) 4 15А s20* мА (36 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 1 1 j 1 1 ,, ! ! 1 11 1 1 ~ 1 1 1 1 1 ! 1 i 1 1 :! 1 !!КТ969А 1 n-p-n 1 (6*) Вт ;>:60 300 1 5 1 100 (200*) 1 s0,05 (200 В) KT969Al n-p-n ;>:6,1 * Вт ;>:60 300 5 100 s0,05 (200 В) 1 1 i 1 1 i 1 1 11 1 11 i 1 КТ969А-5 n-p -n 6* Вт ;>:60 300 5 100 (200*) s50 мА (200 В) : 1 1 1 КТ970А 1 n-p -n 1 170** Вт ;>:600 50* (0,01 к) 4 13А 1 100* мА (50 В) КТ971А n-p -n 200** Вт ;>:220 50* (0,01 к) 4 17А 1 s60* мА (50 BJ 1 1 i КТ972А n-p-n 8* Вт ;>:200 60* (1 к) 5 4*А sl *мА (60 В) КТ972Б n-p -n 8* Вт ;>:200 45* (!к) 5 4*А sl *мА (45 В) ! КТ972В n-p-n 8* Вт ;>:200 60* (!к) 5 2А si• мА(60BJ КТ972Г n-p -n 1 8* Вт ;>:200 60* ( 1к) 5 2А sl •мА (60 В) ~ ~ [ i 1 il 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 249 с" rкэнас' Ом Кш, дБ Т11,ПС h,,,, ь;,э с;2~' r~э нас' Ом г;, Ом t:a1:' НС Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:к' Вт t::кл 7 НС 10."60* (5 В; 1 А) $100 (12,6 В) <:13** <:20* * (30 МГц) - КТ965 $i - $250 (12,6 В) <:16** <:40* * (30 МГц) - КТ966 1 $J 10". 100* (5 В; 5 А) $500 (12,6 В) <:18** <:90** (30 МГц) - КТ967 ..... 6 к :t1 ' ~ii 50."250* (1О В; 15 мА) $1,8 (30 В) $60 - - КТ969 :::. ·8 ~11:~ 50". 250 (10 В; 15 мА) $1,8 (30 В) $60 - - КТ969-1 §~ ~ ~ - <:50* (1О В; 15 мА) - $70 - - КТ969-5 0,57 0,35 ~шт - 180 (28 В) <:4** <:100** (400 МГц) $25 КТ970, КТ971 - $330 (28 В) <:3** $150** (175 МГц) $40 ~-- lr) 6 D rs,. З ' 4 21 <:750* (3 В; 1 А) - $3 - $200* КТ972 <:750* (3 В; 1 А) - $3 - $200* 750" .5000 (3 В: 1 А) - $3 - $200* ~11 750".5000 (3 В; 1 А) - $1,9 - $200* :·~
250 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~р• ~216• UКБО m.ax' lк max Iкю, Тип Струк- Р~.тmах' \;1эt U~Rmaxt UЭБOmaxt 1;.н m.axt •:о•. р~~ и m.axt ~:·;xt u~maxt в ••• прибора тура кэо• мВт мrц в мА мкА КТ973А р-п-р 8* Вт ~200 60* (!к) 5 1 4*А i :Sl*мА(бОВ) КТ973Б р-п-р 8* Вт ~200 45* (lк) 5 4*А :Sl*мA(45B) КТ9738 1 р-п-р 8* Вт ~200 60* (lк) 5 2А 1 s;(•мА(60В) IKT973f р-п-р 1 8* Вт ~200 60* (lк) 5 2А s;1• мА (60 В) 1 1 КТ976А п-р-п 75** Вт (40"С) ~750 50 4 6А s;бО мА (50 В) 1 1 1 1 i 1 КТ977А п-р-п 200** Вт (85"С) ~600 50 3 8*А :S25 мА (50 В) Jкт979А 1 п-р-п 1 75* Вт - 50 1 3,5 1 5А;10*А 1 :SIOO мА (50 В) ' 1 i 1 1 ; i 1 1 1 КТ980А п-р-п 300* Вт ~150 100* (О,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 В) КТ980Б п-р-п 300* Вт ~150 100* (О,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 BJ 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 КТ981А п-р-п 70* Вт - 36* (0,01 к) 4 10А :S50* мА (36 В) 1 1 IKT983A 1 п-р-п 8,7* Вт ~1200 40* (О,Оlк) 4 0,5 А 1 :S5* мА (40 В) КТ983Б п-р-п 1 13* Вт ~900 1 40* (0,Оlк) 4 IA s;8* мА (40 В) КТ9838 п-р-п 22,5* Вт ~750 40* (0,01 к) 4 2А :Sl8* мА (40 В)
Биполярные кремниевые транзисторы h21.• ь;,э >750* (3 В; 1А) ;750*(3В;lА)) 750...5000 (3 В; 11) 750...5000 (3 В; 1 >15*(10В;5А) -;10(10 В; 5А) 1 1 1 ck, с;2.• пФ $70 (28 В) <450 (50 В) ~450 (50 В) rкэнас:' Ом · Ом rБЭ 11a~·t к:.·•.. дБ $3 $3 $3 $2 ~2** ~6** >25** (30 МГц) -~5** (80 МГц) Кш, дБ . Ом "' р•• Вт ВЫ). t ~60** (1 ГГц) ~50* * ( 1,5 ГГц) ~5О** (1.3 ГГц) >250** (30 МГц) -~250* (80 МГц) Тк, ПС t~,. нс t::к.,t нс $200* $200* $200* $200* $25 1 $400 (12.6 В) !О... !Ю"(5 в, 5А) ~ i 1 ~ ~5** >20* (5 В; 0.5 А) ;10•(5В;0,5А) ;10•(5В;0,5А) $8 (28 В) <12 (28 В) ~24 (28 В) ~4** ~3.6** ~3.2** >0,5** (860 МГц) ->l ** (860 МГц) ~з. 5 ** (860 МГц) КТ983 251
252 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк- PKmaxt ~Р' ~:216' i UKБOm"xt 1 lкоо• lк max ! Тип P~.тm"xt ~;lэ' U~Rmax' UЭБО maxt J~.и milк' 1~, р~~ и max' с· u;ЭOmaxt в 1;;.,. прибора тура ." мВт Мfц в мА мкА КТ984А п-р-п 1.4* Вт ~720 65 4 7*А :530 мА (65 В) КТ984Б 1 п-р-п 4,7* Вт ~720 65 4 16* А :580 мА (65 В) - 1 1 1 КТ985АС 1 п-р-п 105* Вт 1 ~660 50* (О,Оlк) 1 4 17А ! :5120• мА 150 В) :: i i 1 ,, : 1 ' КТ986А п-р-п 910** Вт - 50 3 26* А :560 мА (50 В) 910** Вт - 50 3 26* А :550 мА (50 В) КТ986Б п-р-п 1 1 КТ986В 910** Вт 50 3 1 26* А :550 мА (50 В) 11 п-р-п - KT986f 1 п-р-п 1 910** Вт - 50 3 26* А ! :540мА150В) ! 11 1 1 ! 1\ 1 1 ~ КТ991АС п-р-п 67* Вт ~600 50 4 3,7 А :550 мА (50 В) 1 1 1 ! КТ996А-2 1 п-р-п 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2.5 200(0,3*А) 1 :51*мА(20В) KT996S-2 1 п-р-п 1 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2.5 200(О.3*А) 1 :51*мА(20В) КТ996В-2 п-р-п 1 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2.5 200 (0,3* А) :51*мА(20В) КТ996А-5 п-р-п 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* А) :55 мА (20 В) КТ996Б-5 п-р-п 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2,5 200 (0.3* А) :55 мА (20 В) КТ996В-5 1 п-р-п 1 2.5* Вт 1 ~4 ГГц 1 20 2.5 200 (0.3* А) 1 :55 мА (20 В) 1 ! ! 1 i 1 ' i 1 ' 11 i 1 !i 1 i 1 1 11 : 1 u 1 ~ 1 1 1 11 1 i ! КТ997А п-р-п 1 50* Вт ~51 45 5 10 (20*) А :510 мА (45 В) КТ997Б п-р-п 50* Вт ~51 45 5 10 (20*) А :510 мА (45 В) КТ997В п-р-п 1 50* Вт ~51 60 5 10 (20*) А :510 мА (60 В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! 1 i ' : ! 1 1 ! 1 i 1 i ! J 1 : j ' 1 1 i ' i i 1 '
253 <270 (28 8) >3,5** КТ985 <:rt....~·~ :::: . с-. з D 8,5 23,2 r-- 3.8 >6** >350** КТ986 4 - (1,4 . .. 1,6 ГГц) > 3ОО** (1,6 ГГц) - ?.6** ; 350** (1,6 ГГц) ?.7** - 5 -~~hd---;;;~~I~7TT.1~11--=~K~T99~1- I 1 1 <6.8 ; - !<75(28В) >б•• >55" (О 7ГГо) 1 ~:~.*~i~~ ' ~· i ILJ~h:t~~ ;350** (0,8 ГГц) - ?.7** - 5 1 КТ996-2 > 35 *(108;0,IA) :~·;~:~~~ I ?.0,11**(650МГц) :w'l,I rmgК ; 7 0•(10в,0.1А) <2:3 (10 В) - ::? " з: 6 З '3s• (\О в, 0,1 А) - 1 >35* (10 8; 0,1 А) ;70* (10 8; 0,1 А) ;35* (10 8; 0,1 А) >4О*(18;4А) ;20*(18;4А) ;20*(18;4А) 1 1 <2,3 (10 8) <23(108) ~2:3 (10 8) <270 (10 8) s;270 (10 8) 1 <0,125 s;0, 125 s;0,125 ?.0 ,11** (650 МГц) <500* <500* 1 1 КТ996-5 КТ997 ~rm-t r.11 -
254 Раздел 2. Биполярные транзисторы РКmак' ~IJ' ~:210• UKБOm.t).' •кw• 1 lк max Тип Струк- P~.тmaxt ~;lэ' U~RПJil),' UЭБOПJ.t).f 1~. и lnil). ' ·~ЭR• прибора тура р~: к m.axt ~:·;х, U~ЭOnш,t в ... мА КЭО• мВт Мfц в мкА КТ999А n-p-n 1,6 Вт; 5* Вт ~60 250 5 50 (100*) :s;O,l (250 В) КТД8264А Состав- 1.5Вт; 125*Вт - 350* (О, lк) 5 20А :s;O,l (300 В) ной n-p-n 1 1 i '1 1 11 11 i КТД8264А5 Состав- 1.5Вт; 125*Вт - 350* (0.lк) 5 20А 1 :s;O,l (300 В) !1 1 ной 1 n-p-n 1 1 1 i i 1 i1 1· 1! ! !j КТД8275А Состав- 125* Вт ~15 100 5 20А - 1 КТД8275Б ной 125* Вт ~15 80 5 20А - КТД82758 n-p-n 125* Вт ~15 60 5 20А - 1 КТД8276А Состав- 60* Вт ~15 100 5 8А - КТД8276Б ной 60* Вт ~15 80 5 8А - КТД82768 n-p-n 60* Вт ~15 60 5 8А - КТД8276f 60* Вт ~15 45 5 1 8А - 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 '
Биполярные кремниевые транзисторы ~50 (lО В; 25 мА) 300(10В;5А) 300(1ОВ:5А) 750 ... 18000 750 ... 18000 750 ... 18000 ~750 ~750 ~750 ~750 $2 (30 В) i 1 ; f"кэнас' Ом f"~Энас' Ом к;·,, дБ $66 $0,18 $0,18 $0,2 $0,2 $0.2 $0,66 $0,66 $0,66 $0,66 Кш• дБ r~, Ом Р;:х' Вт 1 1 1 т", пс t:a~ t НС t::кл, НС 255 Корпус КТ999 110,4 Тil(,610,16 ~ ~ о; ~ ~ D ЗКб .. .. к КТД8264 ::~Ю175,9 т5 С'-! ~ • ln '$! а 6к3 КТД8264-5 5,16 0.38 ~шт КТД8275 27.1 КР ~No~ ~- ~ .. - к КТД8276 ~mtt р,п
256 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.8. Биполярные кремниевые сборки pKm<1x' fгр, 1;216' UKБOmax' lк max IКБО• Тип Ст рук- P;,lmax.t (;IЭ' U~ЭR max' UЭБО maxt 1~.и max' I~R• прибора тура р~~и max t ~:;х' U~ЭOmax' в г· мА кэо• мВт Мfц в мкА КТСЗОЗА-2 1 p-n -p , 1 500 (5о·с) г300 45* (IОк) - 100 (500*) S:0,5 (45 В) il n-p -n 1 ~ ji 1 1 1 ,: 1 1 ,, 1 ji 1 1! 1 1 1 1 i 1 КТС3103А p-n -p 300 (55·с) г600 15* (15к) 5 20 (50*) S:200 (15 В) КТС3103Б p-n -p 300 (55°С) г600 15* (15к) 5 20 (50*) S:200 (15 В) . КТС3103А1 1 p-n -p 1 300 г600 15* (15к) 5 20 (50*) s:О,2мА(15В) J КТС3103Б1 1 p-n-p 300 г600 15* (15к) 5 20 (50*) s:0,2 мА (15 В) 1 1 1 1 1 1 КТС3161АС 1 n-p-n , 300 г4оо 12 4 200 S:IO(l2B) 1 2 p-n-p 1 ' 1 1 1 1 ! 1 1 11 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 КТС3174АС-2 n-p -n 150 600 10 1 7,5 S:I (IOB) 11 1. 1 1' 11 1 1 1, ! 1' КТС381Б n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:30 (5 В) ,i КТС381В 1 n-p -n 15 - 25 6,5 15 1 s:30 (5 В) 1' .1 KTC381f n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:ЗО (5 В) li КТС381Д 1 n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:ЗО (5 В) КТС381Е n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:ЗО (5 В) 1 1
Биполярные кремниевые сборки 1 40... 180 (5 В; 1 мА) :58 (5 В) rкэ нас• r~нас• Ом :520 40...200 (1 В; 1 мА) :52,5 (5 В) :560 40...200 (1 В; 1 мА) :52,5 (5 В) :560 1 40...200 (1 В; 1 мА) :52,5 (5 В) :560 40...200 (1 В; 1мА) 1 :52,5 (5 В) :560 ~20(1В;0,1А) ~80(5В;3мА) ~40 (5 В; 10 мкА) ~30 (5 В; 10 мкА) ~20 (5 В; 10 мкА) ~20 (5 В; 10 мкА) ~20 (5 В; 10 мкА) 1 1 1 1 1 0,65 (6 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :58 :55 :55 :55 :55 17зак9 Кш, дБ h21э1/h;1э2• u:;,,мв ~0.7* :55 (60 МГц); ~0.9* :55 (60 МГц); ~0.8* :53** :55** ~0.9* ~0.8* :53 (100 МГц) ~0.9*; :54** ~О.85*; :54** ~О.85*; :53** ~0.9* tк, ПС t:Мс• НС t::кл• НС :580 :580 :580 :580 257 Корпус КТСЗ103 Ei(l9,11 51 31 ...... оо <:t' Kf ~ "Ф~52КТСЗ103·11 8 1tl85 ~* КТСЗ161 КТСЗ81 $\ 1
258 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 Ркmах' fгpt (216' UКБО max' 1 lк max ! •коо• 1 Тип P~.lmax' (;IЭ' U~Rmaxt UЭБОmах' 1~,и maxt ·~R' прибора р~~и max• ~:·:х' u~max• в 1 ." iтура1 1 ! 1 1 мА КЭО• мВт Мfц в ! мкА iKTC393A 1 р-п-р 1 20 (45°С) ~500 1 10* (lОк) 4 10 (20*) i $0.1 (10 BJ 1i 1 КТС393Б 1 р-п-р 1 20 (45°С) ~500 15* (lОк) 4 10 (20*) 1 $0.2 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 КТС393А-1 р-п-р 20 ~500 10 4 10 (20*) 1 $0,1 (10 В) 1 !КТС393Б-1 i р-п-р 1 20 1 ~500 15 4 10 (20*) 1 $0,2 (15 В) 1 ' 1 1 1 i 1 ! 1 1 1 1 i 1 i i 1 ! i 1 ! ! i 1 1 ! ! 1 1 КТС393А-9 р-п-р 20 ~500 10 4 10 (20*) $0,1 (10 В) КТС393Б-9 р-п-р 20 ~500 15 4 10 (20*) $0,2 (15 В) i 1 i 1 i 1 1 1 1 1 ' 1 j 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 i КТС394А-2 р-п-р 300* ~300 45* (10к) 4 100 $0,5 (45 В) КТС394Б-2 р-п-р 300* ~300 45* (10к) 4 100 $0,5 (!О В) 1 1 1 ; 1 ! ~ КТС395А-1 i п-р-п 30 ~300 45* (!Ок) 4 1 20 1 $0,5 (45 BJ КТС395Б-1 ! п-р-п 30 ~300 45* ( lОк) 4 20 1 $0,5 (10 В) !1 1 1 u 1 1 ! 1 КТС395А-2 п-р-п 150 (500**) ~300 45* (IОк) 4 100 $0,5 (45 В) КТС395Б-2 п-р-п 150 (500**) ~300 45* (IОк) 4 100 45* (10к) КТС395В-2 1 п-р-п 150 (500**) ~300 45* (!Ок) 4 100 45* (lОк) i i 11 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 i 1 1 КТС398А-1 1 п-р-п 30 (85°С) ~1000 10* (!Ок) 4 10 (20*) $0,5 (10 В) КТС398Б-1 п-р-п 30 (85°С) ~1000 10* (!Ок) 4 10 (20*) $0,5 (10 В) 1 1
Биполярные кремниевые сборки 259 ~ i 1 ' li Кш, дБ i i! с,. ri\Энас' 1 t'Kt ПС ' :1 h21" h;IЭ с;2э' r~нас:' h21э1/h;1э2• t~att НС 1 Корпус 'i ! 1 пФ Ом u:;;,мв t:•ыкл• НС 1 1 40 ... 180 (1В;1 мА) 1 :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц); ~0.9* :580 КТС393 30".140 (1 В; 1 мА) :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц); ~0.8* :580 6,к,з, \1' 1 ~ ' i j~~~ !_ 1 1 i 1 11 ~ 1 1 ! 40".180(1В;1 мА) 1 :52 (5 В) :560 1 :56 (60 МГц) 1 :580 1 КТС393-1 11 1 30".140 (1 В; 1 мА) 1 :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц) :580 1 1 1 1 6,к,з, I, i 1 1 1 \1' 1 11 1 J~~~ !_ 1 40".180 (1 В; 1 мА) :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц) :580 1 КТС393-9 ~ 30".140 (1 В; 1 мА) 1 :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц) :580 иisJ4 ~ ' 1 1 1 1 1 1 1 1 i 11 i 1 1 .1 1 Б2Ш1К2 1 1 1 :J2 · Э! 1 "' Б2 1 В 1К\ ~,,,,, 40".120 (5 В; 1 мА) :58 (10 В) :530 :510** - КТС394-2 100" .300 (5 В; 1 мА) :58 (10 В) :530 - - 1 ~~1 1j; ' 1 1 i 1 1 11\ d 1 6к3 1 1 i 40".120 (5 В; 1 мА) 1 :58 (!О В) :530 :510** 1 1 КТС395-1 - 1 ~350(5В;1мА) :58 (!О В) :530 1 - 1 - ' 1 1 1 1 ~~ ~- \ кз 1 ! 40".120 (5 В; 1 мА) 1 :58(10В) :530 :51 О** 1 - 1 КТС395-2 1 100" .300 (5 В; 1 мА) :58(10В) 1 :530 - - ' ~350(5В;1мА) :58(1ОВ) 1 :5230 - - 1 ~~, - 1 1 ! 1 1 /1\1j; 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 6к3 40".250 (1В; 1мА) :51,5 (5 В) - 0,8". 1,25*; :51,5** :550 КТС398-1 40".250 (1В; 1мА) :51,5 (5 В) - 0,9 ".1 ,1 *; :53** :550 1 1 dj-· 1 1 ... 1 1 ...... -..к 1 i 1 'з 1 з i 17·
260 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' fгр, ~216' UKБOmax' IKm.tx 1 •коо• Тип Струк- P~.tmaxt (;1э• U~ЭR max' UЭБOmaxt ·~.И ln.llX t J~R• прибора тура p~:иma).t (;;х• u-;;o max• в 1 1;эо• мВт МГц в мА 1 мкА КТСЗ98А94 n-p-n 30 ~1 ГГц 10* ( lОк) 4 10 (20*) :50,5 (10 В) КТСЗ98Б94 1 n-p-n 30 ~1 ГГц 10* (IОк) 4 1о (20*) :50,5 (1 О В) 1 1 1 1 КТС61ЗА n-p-n 800 (50'С) ~200 60 4 400 (800*) :58 (60 В) КТС61ЗБ n-p-n 800 (50'С) ~200 60 4 400 (800*) :58 (60 В) КТС61ЗВ 1 n-p-n 1 800 (50'С) ~200 40 4 1 400 (800*) 1 :58 (40 В) КТС61ЗГ 1 n-p -n 800 (50'С) ~200 40 4 400 (800*) :58 (40 В) 1 1 1 КТС622А p-n-p 0,4 ( 10**) Вт ~200 45* (1 к) 4 400 (600*) :510 (45 В) КТС622Б p-n-p 0,4 (10**) Вт ~200 35* (1 к) 4 400 (600*) :520 (35 В) 1 1 ! 1 ' 1 1 1 ~КТС631А n-p-n 4 Вт (55'С) ~350 30 4 1 (1,3*)А :5200 (30 В) 11КТС631Б 1 n-p-n 4 Вт (55'С) ~350 30 4 1 (1,3*) А :550 (30 В) !КТС631В 1 n-p-n 1 4 Вт (55'С) ~350 60 4 1 (1,3*)А :550 (60 В) КТС631Г n-p-n 1 4 Вт (55'С) ~350 60 4 1 (1,3*) А 1 :5200 (60 В) ! 1 , 1 КТ674АС p-n -p 900 ~250 40 5 0,2 А (0,5* А) :50,05 (30 В) 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! i 1 1 i 1 1 ~ 1 ! 1 1 1 1 ' 1 ! 1 i 1 1 i 1 КТ677АС n-p-n 2500 100 60 - IA :50,05 ~ 1 1 1 1 i 1 1 1 1 ' 1 ~1 1 ! i 1 ! ' 1
Биполярные кремниевые сборки ck, rкэ нас' Кш, дБ tKt ПС hll.t' ь;,э c~2j, r~нас' ь 2 ,,,/ь;,,,, t~dc' НС пФ Ом u:_:, мВ t::к..,, нс 40...250 (1 В; 1 мА) 51,5 (5 В) 0,8 ... 1,25* 550 40...250 (1 В; 1 мА) 5l,5(5B) 0,9 ... 1,1 * 550 25...100* (5 В: 0.2 AJ 515 (10 В) 52,5 5100* 40... 200* (5 В; 0.2 А) 515(10В) 52,5 5100* 20... 120* (5 В; 0.2 А) 515(10В) 52,5 5100* 50...300* (5 В: 0,2 А) 515 (10 В) 52,5 5100* 25...150* (5 В; 0,2 А) 515 (10 В) 53,25 5120* ;::10* (5 В: 0,2 А) 515(10В) 53,25 5200* 20...115* (1В: 0.3 AJ 515(10В) 52.8 540: 530* 20... 125* (1 В: 0,3 AJ 515(10В) 512 540; 530* 20... 125* (1 В: 0,3 А) 515 (10 В) 512 540; 560* 20...115* (1 В: 0,3 А) 515(10В) 52,8 540; 560* 75(1В;10мА) 54,4 (15 В) 530 ;::25 0,8 261 Корпус КТС398-94 0.7 1 ·rt • ' ,~ - - J . 11 ' !! '1 1 КТС613 15,iI 1,6, 7,12-З 5,2 ,8.ff -K J/1,9,10-6 КТС622 'lп2 73 а J12 ав " 11 2510 69 7 КТС631 КТС674АС ~к5з з/jк ~ "" !i!,..,....r..+r..+.-.+.-rl-..,.j.,.~l-I .$! КТ677АС ~к5з з/jк ~ "" !i!~.r..+r..+.-.+.-r!-..,.j.,.~l-I .$! ., 11 ~ 1 1
262 1 Струк- pKmax' Тип P~.tmaxf прибора ! тура р~:иmах' ' мВт МГц IKT678AC n-p -n 500; 1**Вт <:250 КТ693АС n-p -n 600 1 1 1 il 1 1 1 К1НТ251 n-p -n 400 (50°С) <:200 i К1НТ661А 1 n-p-n 100 (50"С) - 1 1 1 1 К129НПА-1 n-p-n 15 (85"С) <:250 К129НПБ-1 n-p-n 15 (85°С) <:250 К129НПВ-1 n-p-n 15 (85"С) <:250 К129НПГ-1 n-p-n 15 (85"С) <:250 К129НПД-1 n-p-n -1 15 (85"С) <:250 К129НПЕ-1 n-p -n 1 15 (85"С) <:250 К129НТ1Ж-1 1 n-p-n 1 15 (85"С) <:250 К129НПИ-1 n-p-n 1 15 (85"С) <:250 UKБOmax' U~ЭRmaxt u~max' в 60 150 45* (1 к) 300 15 15 15 15 15 15 15 15 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы lк max IКБО• UЭБОmаА' 1~,и maA• l~R' в 1;30. мА мкА 5 200; 750* ~;;Q,05 (40 В) 5 150 (200*) :510* ( 120 В) 1 11 11 1 1' 1 ~ 1 i '1 1 1 1 4 400 (800*) :56 мА (45 В) i ! 1 1 - i 5(1О*) 1 :530 (250 В) i 1 1 1 1 1 1 4 10 (40*) 1 :50,2 ( 15 В) 4 10 (40*) :50,2 (15 В) 4 10 (40*) :50,2 (15 В) 4 10 (40*) :50,2 (15 В) 4 10 (40*) :50.2 (15 В) 4 10 (40*) 1 :50,2 (15 В) 4 10 (40*) 1 :50,2 (15 В) 4 10 (40*) ! :50,2 (15 В)
Биполярные кремниевые сборки ь21,, ь;,э 75...230 (1 В; 10 мА) <:40 (5 В; 0,1 А) <:10* (5 В; 0,2 А) <:5* (5 В; 10 мА) 20...80 (5 В; 1 мА) 60...80 (5 В; 1мА) <:80 (5 В; 50 мкА) 20...80 (5 В; 1мА) 60...80 (5 В: 1мА) <:80 (5 В: 50 мкА) 40...160 (5 В; 1 мА) 40...160 (5 В; 1 мА) с,, с;2,• пФ s4(5В) sl5 (10 В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) fкэи_.' r~иас• Ом s20 slOOO Кш, дБ ь 21 ,.;ь;,э2, u:;,, мВ <:0,85*; sЗ** <:0,85*; sЗ** <:0,85*; sЗ** <:О,75*; sl5** <:0,75*; $15** <:0,75*; $15** <:0,85*; sЗ** <:0,75*; $\5** tK• ПС ~;ас' НС tвык.11• НС s5IO** Корпус КТ678АС ~/(5з з/jк ~~ ~~........ -. . -.... .... ~1 -1 ~ КТС693АС КIНТ251 К1НТ661 К129НТ1 з6к 1 ~ >!tlD з~ш_ 263
264 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения Тип прибора П101 П101А П101Б 11Т102П102А 11 1Т115А П115Б П115В П115f П116А П116Б 1Т116В l Пllбf 1 П303 П303А П303Б П303В П303f П303Д 1 П305А П305Б П305В П308А lltт308Б ~П308В iпзosr ~~ П311А П311Б П311f П311Д П311К !П311Л " i 1 1 1 1 Струк-1 ! тура i i i 1 1 1 ! i 1 i 1 1 i 1 1 1 1 ! 1 i 1 p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n-p р-п-р n-p -n n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n ! 1 1 ! ! i11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 ! Токр, ·с -6 0 ."+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 ! -60...+73 1 -60...+73 1 -60...+73 -60...+73 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 1 1 1 1 1 1 -60 ...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+73 -60...+73 -60...+73 -60...+70 -60...+70 -60...+70 1 -60...+70 1 1 1 1 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 Ркmах' Р~.тmах' р~: и max' мВт 50 50 50 30 30 50 50 50 50 150 150 150 150 100 100 100 100 100 100 75 75 75 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Мfц 2* 2* 5* 1* 1* 1 1 1 1 1 1 1 1 36 36 36 72 72 72 160 140 160 100 120 120 120 0,45 ГГц 0,3 ГГц 0,3 ГГц 0,45 ГГц 0,6 ГГц 0,45 ГГц 1 1 UКБО nроб• U~ЭR nроб• Uкэо проб• в 15 15 15 5 5 50 50 70 70 15* 15* 15* 15* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 12** 12** 12** 20 20 20 20 12 12 12 12 12 12 1 1 1 1 UЭБОmах• в 15 15 15 5 5 50 50 50 50 15 15 15 15 - - - - - - 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 2 2 2 2 2 2 1 1 i1 1 1 1 1 1 1 ; i 1 !к max lк, и max' мА 10 10 10 6 6 100 100 100 100 50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 40 (100*) 40 (100*) 40 (100*) 50 (120*) 50 (120*) 50 (120*) 50 (120*) 50 50 50 50 50 50 1 1 1 1 1 ! 1 lкоо• l~ЭR' I~o• мкА 15 15 15 10 10 50 50 50 50 30 30 30 30 6 6 6 6 6 6 6 6 6 5 5 5 5 :s:lO :s:5 :s:5 :s:5 :S:5 :s:5 1 ·i !i 11
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 265 с•. Кш, дБ ."пс rкэ нас• t~c• НС h21>' ь;,э с;2э• rБЭ нас' r~, Ом t:.:кл' НС Корпус ! пФ Ом Р.:х, Вт 1 1 ~ t::. нс 1 1 30... 60 1 50 - - - 1 1Т101, 1Т102 1 i 20 .. .40 1 50 - - - ! 60... 120 50 - - - :Ii1Ф· 1 ~20(5В;1мА) 30 - s7 (1 кГц) - ~20(5В;1мА) 30 - Sl2(1 кГц) - 20 ... 60 50 - - - 1Т115 50... 150 50 - - - ~tt 20 ... 60 - - - - 50 ... 150 - - - - к зф1 1 ~ 15 ... 65 - 1 - - - 1Т116 15 ... 65 - - - - :Ii1e 20 ... 65 - - - - 15 ... 65 - - - - 15 ... 30 1 10 - - 1* мкс 1Т303 30... 80 10 - - 1* мкс §·($)· 60... 160 10 - - 1*мкс 15 ... 30 10 - - 1*мкс 30... 80 10 - - 1*мкс 60 ... 160 10 - - 1*мкс 25 ... 80* 6 - - - 1Т305 60... 180* 7 - - - 40 ... 120 7 - - - ~tt ·Ф ~ 25 ... 75 8 - - 1* мкс 1Т308 50 ... 120 8 - - 1*мкс No·($)· 80 ... 150 8 - 8 1*мкс 100... 300 8 - 6 - 15 ... 180 S2,5 - - 50* 1Т311 30... 180 s2,5 1 - 8 50* ;!f·ф 30... 180 s2,5 - - 50* 60... 180 S2,5 - - 50* 60 ... 180 S2,5 - - 50* 150 ... 300 S2,5 - - 50*
266 ! Тип прибора ПЗНОА-2 ПЗIЗА 1Т313Б 1Т313В 1Т320А 1Т320Б 1Т3208 1Т321А 1Т321Б 1Т321В 1Т321f 1Т321Д 1Т321Е ~1Т329А i1ТЗ29Б 1Т3298 ,, ПЗЗОА ПЗЗОБ пззов пззоr 1Т335А 1Т335Б 1Т335В пззsr ~1Т335Д 1Т341А 1Т341Б 1Т341В i i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 ' i i i 1 1 ! 1 !i i 1 ! 1 i1 Струк- Такр, тура ·с n-p -n -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n -p -60...+70 1 1 ' 1 1 p-n-p 1 -60... +70 p-n-p - 60".+70 p-n-p -60... +70 1 p-n-p -60... +70 p-n-p - 60".+70 p-n-p 1 -60".+70 1 1 1 1 ! ! 1 n-p-n 1 -60". +70 n-p-n 1 -60".+70 1 n-p-n 1 -60". +70 1 n-p-n - 60".+70 n-p-n - 60". +70 n-p-n - 60". +70 n-p-n - 60".+70 p-n -p - 60".+70 p-n -p 1 - 60. "+70 p-n -p - 60". +70 p-n -p 1 -60."+70 1 p-n -p 1 - 60".+70 1 1 1 n-p -n - 60".+70 n-p-n - 60".+70 n-p -n - 60".+70 1 1 1 1 1 1 1 1 1 pKmax' р• К.тmах' р~~ и max' мВт 175 100 100 100 200 200 200 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 50 50 50 50 50 50 50 200 200 200 200 200 35 35 35 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ~•• ~216• ~;1;' ~:=~·Мfц ~2.5 ГГц ~300 ~450 ~350 ~160 ~160 ~200 ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~1.2 ГГц ~1.7 ГГц ~1 ГГц ~1 ГГц ~1.5 ГГц ~1 ГГц ~О.7 ГГц ~300 ~300 ~300 ~300 ~300 ~1.5 ГГц ~2 ГГц ~1.5 ГГц r UКБО проб' U~ЭR проб' u~проб• в 10 12 12 12 20 20 20 60 60 60 45 45 45 10 10 10 13 13 13 13 20 20 20 20 20 10 10 10 Раздел 2. Биполярные транзисторы 11 1 1 1 1 1 1 UЭБО max' в 0,2 0,7 0,7 0,7 3 3 3 4 4 4 2,5 2,5 2,5 0,7 0,7 1 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 3 0,3 0,3 0,5 11 1 1 1 1 1 i IKmax J~,И max' мА 17,5 (140*) 50 50 50 200 (300*) ' 200 (300*). 200 (300*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 20 20 20 20 20 20 20 150 (250*) 150 (250*) 150 (250*) 150 (250*) r5o (250*) 10 10 10 lкБО• J~R' ." кэо• мкА $50 1 i $500 $500 $500 $500 $500 $500 1 . i i ' i $5 'i i$5 j • 1 $5 $5 $5 $5 $5 i $10 $10 $10 ! $10 $10 1 1 $5 $5 $5 1 i 1 1 i ~
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 267 ck, Кш, дБ т... , пс rкэ нас' t~.itl нс h21•' ь;,э с;23• r~э наt·• r~. Ом t::кл, НС пФ Ом Р;:х, Вт t~·:, нс Корпус S3,5 3 (0,5 ГГц) s5 ПЗНОА-2 ~О.05** (4 ГГц) 1 к ,, ~ 1 1 "- :! зэ i ~ ~ d ....~ ! ' 'Q 5 ! 1 11 1 1 ·1 1 10...230 (3 В: 15 мА) $2,5 - S8 (60 МГц) s75 П313 10...75 (3 В; 15 мА) S2,5 - s8 (60 МГц) $40 ~11 30...230 (3 В; 15 мА) $2,5 - S8 (60 МГц). S40 R'f)' 1 1 1 "i : 40...100(1 В; 10мА) 1 $8 - - 0,2* мкс 1 П320 ~ 70...160(1 В; 10мА) $8 - - 0,2* мкс 1 No·•· ~ 100... 250 (1 В: 10 мА) ! $8 - - 0,2* мкс ~ 1! 1 1 1' 1 1 1 ·' ! 1 1 20...60 (3 В; 0,5 А) s80 - - 1*мкс П321 40...120 (3 В; 0,5 А) $80 - - 1*мкс No·•· 80...200 (3 В: 0,5 А) $80 - - 1* мкс 1 ,, 20...60 (3 В: 0,5 А) 1 1 ii " $80 - - 1*мкс i ' 1 , 40."120 (3 В: 0.5 А) S80 - - 1*мкс 1 !~ '• 80... 200 (3 В: 0.5 А) s80 1 - 1 - 1*мкс 1 il ' i ! i1 i 1 1 1! n ! 11 ~ 1 1 1 i 15."300 (5 В: 5 мА) $2 i- s4 (0,4 ГГц) 1 15 1 П329, ПЗЗО 15...300 (5 В; 5 мА) $3 - s6 (0,4 ГГц) 30 1 15...300 (5 В; 5 мА) S3 - s6 (0,4 ГГц) 20 ~-1' 30...400 (5 В; 5 мА) s2 s5 (0,4 ГГц) 25; 50* ~ ~б - 30...400 (5 В; 5 мА) $2 - s5 (0,4 ГГц) 50 80...400 (5 В: 5 мА) s2 - s5 (0,4 ГГц) 1 100 ~ к 30...400 (5 В: 5 мА) $3 - s5 (0,4 ГГц) 1 30; 50* 11 1 '· 1 ! 1! 1 40...70 (3 В: 50 мА) i S8,5 - - 1 0,1 * мкс 1 П335 1 60".100 (3 В; 50 мА) 1 $8,5 1 1 - - - 1 :No~ 1 40...70 (3 В; 50 мА) i $8,5 !- - 1 0,15* мкс 1 60".100 (3 В; 50 мА) $8,5 - - 0,15* мкс 50... 100 (3 В; 50 мА) $8,5 - - 0,15* мкс 15... 250 (5 В; 5 мА) Sl - S4,5 (1 ГГц) - П341 1· 15...250 (5 В: 5 мА) Sl - S5,5 (1 ГГц) - 1 11 1 1 ~-1' 15...250 (5 В: 5 мА) Sl - s5,5 (1 ГГц) - 1 il 1 11 1 1 1 ... ,,. ~ б 1 1 ~ к 1
268 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 i 1 ~μ' (:216' 1 i •коо• 1 Рк rnJxl UКБО проб' 1 lк mал Тип Струк-1 Токр, р' ~:;l'j' U~ЭR проб' UЭБО rnaxl 1 ·~R' К. т max' 1;, и max' прибора тура 1 ·с р;~ и max' ~~-;)\' U~эо ""°"' в ·~· ~ мВт МГц в мА мкА 1 1 IТ362А n-p -n -60 ...+70 40 ~2.4 ГГц 5 0,2 10 s5 1 1 1 1 i ! 1 1 1 i 1 1 ~ 1 1 -60".+1251 1 1 ~ IТ374А-6 1 n-p -n 25 ~2.4 ГГц 5 0.3 10 s5 11 i 1 1 ! 1 1 IТ376А p-n -p - 60".+185 35 ~l ГГц 7 0,25 !О s5 11 1 ! ~ " i i il 1 ,, 1 ~ 11 1 !1 1 1' ! :1 11 1 ! ! : 1 i : 1 i IТ383А-2 1 n-p -n - 60".+85 25 ~2.4 ГГц 5 0,5 10 s5 11 П383Б-2 n-p -n - 60".+85 25 ~l.5 ГГц 5 0,5 10 s5 IТ383В-2 1 n-p -n - 60".+85 25 ~3.6 ГГц 5 0,5 10 s5 1 1 1 ! 1 1 1 1 ! i i 1 ~ IТ386А 1 n-p -n ! -60".+70 40 ~О.45 ГГц 15 1 0,3 ' 10 ! slO ~ i ; 1 i 1 1 1 1 1 1 i 1 1 : 1 1 1 1 1 1 ! '1 Jtт387A-2 n-p -n - 6 0".+70 175 ~2.16 ГГц 10 0,2 140* slO 11 iП387Б-2 : n-p-n 1 -60 ...+70 175 ~3 ГГц !О 0.2 140* 1 slO :1 1 11 i! ! 1 1 1 1 ii 1 1 ~1 1 1 1. I! ! 1 11 ,. i 1 .! 1 ! 1 1Т403А p-n -p - 6 0".+70 4Вт 0.008** 45 20 1.25 А s5** мА 1 IТ403Б p-n-p - 6 0".+70 4Вт 0.008** 45 20 l,25 А s5** мА 1: IТ403В p-n -p - 6 0".+70 5Вт 0,008** 69 20 l,25 А s5** мА IТ403Г p-n -p - 6 0".+70 4Вт 1 0,008** 60 20 l,25 А s5** мА 11 П403Д p-n -p - 6 0".+70 4Вт 0.008** 1 60 30 1.25 А s5** мА IТ403Е p-n -p - 60".+70 5Вт 0.008** 60 20 1.25А 1 s5" мА ~ 11Т403Ж p-n -p - 60".+70 1 4Вт 1 0,008** 1 80 20 1 1,25 А i s6** мА t ltт403И - 6 0".+70 4Вт 0,008** 1 80 20 l,25 А s6'* мА 1: p-n -p ! 1
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 269 ! с•. Кш, дБ 'tк, ПС rкэ на~:• t;Jac• НС 1 h21"' ь;IЭ с;2", rБЭ нас• r~, Ом t:~кл• НС Корпус ' пФ Ом Р;~х• Вт 1 1 i t~:. нс i ' lt----- 1 i 10...200 13 В: 5 мА) 1 $1 1- 1 $4,5 (2,25 ГГц) - 1 1Т362А ' ; i ~ 1 1 ! ~~1' ...,,. ~ 6 ~ к 10... 100 (3 В: 2 мА) $1 - 4,5 - 1Т374А-6 1 1 1 1 1 1 1 ~m 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 " 10... 150 (5 В; 2 мА) $1,2 - $3,5 (180 МГц) - 1Т376А -5,8 1 ~r; ' 1 1 ~ Корп.Ф,6 j i ~ ! i 1 1 j 15... 250 (3.2 В; 5 мА) $1 1- 1 $4,5 (2,25 ГГц) - 1Т383 !0... 250 (3,2 В; 5 мА) $1 - $4 (1 ГГц) - 15...250 (3,2 В; 5 мА) $1 - $5,5 (2,83 ГГц) - ~~~SP 10... 100 (5 В: 3 мА) $1,5 - $4 (180 МГц) - 1Т386А 1 1 - 5,8 1 i i ~вw . 1 ~ Корп.Ф,6 1 1 - $3 - $5 (1 ГГц) - 1Т387 - $3 - $4,8 ( 1 ГГц) - ~О.05** (4 ГГц) ~f~ r--; ~ 1 'Q 5 20...60 (5 В; 0.1 А) - $1 - - 1Т403 50... 150 (5 В; 0,1 А) - - $1 - - 20...60 (5 В; 0.1 А) - $1 - - tJ10 -12 50... 150 (5 В; 0,1 А) - $1 - - §~ 50... 150 (5 В; 0,1 А) - $1 - - 30(5В;0,1А) - $1 - - 20...60 (5 В; 0,1 А) - $1 - - 30(5В;0,1А) - $1 - -
270 Раздел 2. Биполярные транзисторы ~ ! ! РкmаА' ~р• ~216' 1 UКБО nроб• i 1 IKm;iA 1 lкБО• ' Тип 1 Струк- i Токр1 Р;,тm.ах' \;1э1 U~ЭR npo6' 1 UЭБОmах' i 1~,и max' 1 I~ЭR• прибора 1 тура 1 ·с р~~ и m.tx• 1 ~:·:).. u;эо nроб' в 1 1;эо, мА ' 1 мВт МГц в ! мкА П612А-4 1 п-р-п -55 ...+70 0,36 Вт 2:1,5 ГГц 12 0,2 0,2* А ~О.005 мА П614А п-р-п 1 -60 ...+85 0,4 Вт 2:1 ГГц 12 0,5 1 200 ~О.О! мА П615 1 п-р-п 1 -60 ...+70 0,7 Вт 0,4 ГГц 12 0,5 1 500 - 1 j ' 1 1 1 1 1 1 1 ! !I ! 1 ! ~ ~П702А 1 р-п-р -60 ...+70 150* Вт 0,12 60 4 1 30А ~12 мА П702Б 1 р-п-р -60 ...+70 150* Вт 0,12 60 4 30А ~12 мА П702В 1 р-п-р -60 ...+70 150* Вт 0,12 40 4 30А ~12 мА 1 1 1 1 i 1 1 1 ' ! 1 ' 1 1 1 ! 1 i i 1 1 i ' i 1 ' ~ 1 1 1 i !1 ! ! ' П806А р-п-р -60 ...+70 30* Вт 2:10 40** 2 20А(25*А) ~12 мА П806Б р-п-р -60 ...+70 30* Вт 2:10 65** 2 20А(25*А) ~12 мА П806В 1 р-п-р -60 ...+70 30* Вт 2:10 80** 2 20А(25*А) ~12 мА i 1 П813А 1 р-п-р -60 ...+70 50* Вт ' - 60** 2 30 А (40* А)\ - П813Б 1 р-п-р -60 ...+70 50* Вт - 35** 2 1 30А(40*А)/ - ~ П813В : р-п-р -60 ...+70 50* Вт 1 - 80** 2 130А(40*А)! - П901А ' р-п-р -60 ...+70 1 15* Вт 1 2:30 1 50 1 - i IOA 1 ~8 мА ! 1 1 П901Б ! р-п-р -60 ...+70 15* Вт 1 2:30 40 1 - i IOA 1 ~8 мА 1 1 1 1 1 1 1 П905А р-п-р -60 ...+70 б* Вт 2:30 75 1 3А{7*А) 1 ~2 мА - 1 1 1 1 1 ! ! ' j 1 1 1 ~ ! 1 i : ltт906A 1 1 -60 ...+70 i 15* Вт 2:30 75 1,4 ! 10А 1 ~8 мА р-п-р ! ' i 1 1 1 1 1 П910АД ! р-п-р -60 ...+70 35* Вт 2:30 33 - 10А(20*А) ~6 мА 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 i 1 1
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 271 i- ' ' 1 h21.• ь;,э 15...250 (5 В; 50 мА) 15... 100 (1,5 В; 30 А) 15... 100 (1,5 В: 30 А) 15... 100 (1.5 В: 30 А) 10.. .100 ( 10 А) 10... 100 (10 А) 10.. .100 ( 10 А) 10...60 (20 А) 10...60 (20 А) 10...60 (20 А) 20...50 (10 В; 5 А) 40... 100 (10 В; 5 А) 35...100 (10 В: 3 А) 30... 150 (10 В; 5 А) 50...320 (IO В; 20 А) 1 1 с,, с;2"' i пФ 1 $3,5 $250 rKЭюillct r~нact Ом $0,02 $0,04 $0,02 $0,03 $0,03 $0,03 $0,026 $0,026 $0,026 $0,12 $0,12 $0,16 $0,1 $0,06 Кw,дБ r;, Ом Р;:,, Вт <::0.15** (2 ГГц) <::0.200** (0,5 ГГц) тк, пс f~ac:t НС t::клt НС t:·: . нс $7 $15 $30** мкс $30** мкс $30** мкс 3** мкс 5** мкс 5** мкс lн$0,7 МКС t.$0,7 мкс $4* мкс $5* мкс lcn$l МКС 11 Корпус ! 1Т612, 1Т614, 1Т615 , 1,6 16,J .... 'К. r...~ ... 1Т702 @1 1Т806, 1Т813 :3,5. ~m. ~tJ&~ ~ 1Т901 1Т905А, 1Т906А i~1Т910Ад ~
272 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения Тип прибора 2Т104А 2Т104Б 2Т104В 2Т104Г : 2Т117А j 2Т117Б j,2Т117В 1t2п11r 2Т117А-5 '12Т118А ' i 2Т118Б , 2Т118В ; 2Т118А-1 2Т118Б-1 1 1 ! 1 2Т126А-1 2Т126Б-1 2Т126В-1 2Т126Г-1 2Т127А-1 2Т127Б-1 2Т127В-1 12п21r-1 1 2Т201А 2Т201Б 2Т201В 2Т201Г 2Т201Д 1 1 ' 1 1 ' 1 Струк- j 1 Токр., тура ·с p-n -p -60 ...+ 125 p-n -p -60 ...+125 p-n -p -60 ...+125 p-n -p -60 ...+125 n-база n-база n-база n-база -60 ...+125 1 -60 ...+125 -60 ...+125 1 . -60 ...+125 n-база -60 ...+125 i p-n-p -60 ...+125 1 p-n -p 1 -60 ...+125 ! p-n-p -60 ...+125 1 i 1 1 i 1 p-n -p p-n -p 1 p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n 1 n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 1 Ркmaxt Р;., m"' р;:" m"' мВт 150 (6О0С) 150 (6О0С) 150 (6о·с> 150 (6о·с> 300 300 300 300 30 100 ооо·с> 100 о оо·с> 100 ооо·с> 30 (85°С) 30 (85°С) 15 (7О0С) 15 (7о·с> 15 (7О0С) 15 (7о·с> 15 (6О0С) 15 (6о·с> 15 (6О0С) 15 (6о·с> 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) МГц ;:>:5* ;:>:5* ;:>:5* ;:>:5*. ;:>:0,2*** ;:>:0,2*** ;:>:0,2*** гО,2*** ;:>:0,2*** - - ;:>:0,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** 10 10 10 10 10 UКБО щюб' U~ЭR щю6t Uкэо npo6' в 30** 15** 15** 30 30 30 30 30 30 15 15 15 15* (lОк) 15* (!Ок) 25 25 45 45 25 25 45 45 20 20 10 10 10 UЭБOmaxt в 10 10 10 10 30 30 30 30 30 31 31 31 31 16 3 3 3 3 - - - - 20 20 10 10 10 1 .lк m:.ix lк,н maxt мА 50 50 50 50 50 (1* А) 1 1 50(1*А) 50(1*А) i 50 (1* А) 1 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 20(100*) 20 (100*) 20(100*) 20(100*) 20 (100*) 11 1 1 1 1 JКБО' J~ЭR• 1;30, мкА sl (30 8) sl (15 8) sl (15 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sO,l (15 8) sO,l (15 8) sO,l (158) s0,1 (158) sl (25 8) sl (25 8) sl (45 8) sl (45 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) s0,5 (20 8) s0,5 (20 8) s0,5 (!О 8) s0,5 (20 8) s0,5 (20 8) i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ',, ' · !:li 1 h"" ь;,э il 1 с,, c;Zэt пФ r~Эна~·t Ом Г~э наt·' Ом к~·,, дБ Кш, дБ r~, Ом Р;:л, Вт t'I(, пс ~;". нс tВЫК.11 t НС t:· .:n, нс 273 Корпус ' 1 1г--~~~~~~~--t-~~~~+-~~~~~--t-~~~~~~--+~~~~~+-~~~~~~~~~---jj 1· 7".40(1В:10мА) 1 550(5В) 1 15...80 (1 В; 10 мА) 1 J 550 (5 В) 19 ... 160(1 В; IОмА) 550(5В) 10...60 (1 В: 10 мА) 550 (5 В) 0,5 . "0,7 (UБ1Б2=10 В) ~ 0.65" .0 .9 (UыБZ=IO В) "!1 0,5...0,7 (UБ1Б2=IО В) 11 0,65" .0 ,9 (UыБZ=lO В) ~ 0,5 .. . 0 ,9 (UБ1Б2=10 В) 550 550 550 550 100 100 100 30 30 5120* 5120* 5120* 5120* 5500** 5500** 5500** 550* 550* 2Т104 2Т117 2Т117А-5 2Т118 2Т118А-1, 2Т118Б-1 1 ! ~Jrt 11\ ~l_j 5кэ 0--~~~~~~~--+-~~~~-+-~~~~~--+-~~~~~~-+~~~~~+-~~~~~~~~~~1 1 2Т126 15."60 (5 В: 1 мА) 15...60 (5 В; 1мА) 40".200 (5 В; 1 мА) 40...200 (5 В: 1 мА) 55(5В) 1 55(5В) 55(5В) 55(5В) 5166 5166 5166 5166 ~G ir ... 11\ ~df 11------------i-----+--------+-------+------+---б-К_З____ ,1 15".60 (5 В; 1 мА) 40...200 (5 В: 1 мА) 15...60 (5 В; 1мА) 40 ...200 (5 В: 1 мА) 20...60 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В: 5 мА) 30".90 (1 В: 5 мА) 70...210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5мА) 18зак9 55(5В) 55(5В) 55(5В) 55(5В) 520 (5 В) 520 (5 В) 520 (5 В) 520 (5 В) 520 (5 В) 5170 5170 5170 5170 515(1 кГц) 2Т127-1 ~vAif LJr: 1 ЗБК 2Т201 145,81/ ;fi
274 Раздел 2. Биполярные транзисторы ! pKmax' ~•• \216, UКБОп.... • lк max lкБО• Тип 1 Струк- Токр.1 Р~.тmах• ~;lэ• U~н.,,.., UЭБОmо111х• 1~,н max• ·~RI прибора ·с р;~ н max• ~~;xt u~ ...... в ... тура мА кэо• 1 мВт мrц в мкА 2Т202А-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35·с> 5 15 10 20 (50*) ::;1 (15 8) 2Т202Б-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35°С) 5 15 10 20 (50*) ::;1 (15 8) 2Т202В-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35°С) 5 30 10 20 (50*) ::;1(308) 2т202r-1 p-n-p -60 ...+85 25 (35·с> 5 30 10 20 (50*) ::;1(308) 2Т202Д-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35°С) 5 15 10 20 (50•) ::;1 (15 8) 2Т20ЗА p-n-p -60 ...+125 150 (75°С) ~5· 60 30 10 (50*) ::;1(608) 2Т20ЗБ p-n-p -60 ...+125 150 (75°С) ~5· 30 15 10 (50*) ::;1(308) 2Т20ЗВ p-n-p -60 ...+125 150 (75°С) ~5· 15 10 10 (50*) ::;1 (15 8) 2т2озr p-n -p -60 ...+125 150 (75°С) ~10· 60 30 10 (50*) ::;1(608) 2Т20ЗД p-n -p -60 ...+125 150 (75°С) ~10· 15 10 10 (50*) ::;1 (15 8) l 2Т205А-З n-p-n i -60 ...+125 1 40 (9о·с) ~20 250 i 3 20(45*) 1 3*(2508) ! lj2Т205Б-З n-p-n !-60 ...+125 1 40 (9о·с> ~20 250 1 3 20 (45*) 1 2*(2008) ~ '· ! 1 'i 1 . : 1 1 i ! ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т208А 1 p-n -p -60 ...+125 200 (6О0С) ~5 20* (IОк) 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 2Т208Б p-n -p -60 ...+125 200 (6о·с> ~5 20 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 2Т208В p-n -p -60 ...+125 200 (6о·с> ~5 20 20 150 (300*) ::;1 (20 8) ~ 2т2osr 1 p-n-p -60 ...+125 200 (6о·с> ~5 30 20 150 (300*) i ::;1 (20 8) . 2Т208Д ' 1-60 ...+1251 200 (6о·с> ~5 30* (IОк) 1 20 150 (300*) ::;1(208) p-n-p 1 i !• il2T208E p-n-p !-60 ...+125 200 (6О0С) ~5 1 30 20 150 (300*) 1 ::;1(208) " 1 i 1 ji i12Т208Ж p-n-p 1 -60 ...+125 1 200 (6О0С) ~5 45 1 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 1 J !2Т208И p-n-p i -60 .. . +125 1 200 (60°с> ~5 45 20 150 (300*) ::;1(208) 1', , !J2T208K p-n-p 1 -60 ...+1251 200 (60°CJ ~5 1 45 1 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 1 12Т208Л p-n-p 1 -60 .. . +125 200 (6о·с> ~5 60 1 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 2Т208М p-n -p 1 -60.. . +125 200 (6о·с> ~5 60 120 150 (300*) ::;1(208) 1 2Т211А-1 p-n-p -60 ...+125 25 (50**) ~10 15 5 20 (50*) ::;О,01 (15 8) 2Т211Б-1 p-n-p -60 ...+125 25 (50**) ~10 15 5 20 (50*) ::;О.01 (15 8) 2Т211В-1 p-n-p -60 ...+125 25 (50**) ~10 15 5 20 (50*) ::;О,01 (15 8) 1 1 1 1 1 j ! 1 1 ! i 11 1 i 1' 1 :! 11 1 1 i 1 l2T214A-l i p-n-p 1-60 ...+100 50 i~5 100* (10к) 30 i 50 (100*) 1 ::;1(308) 2Т214Б-1 p-n-p 1 -60 ...+100 50 1 ~5 80* (IОк) 7 1 50(100*) ::;1 (30 8) 2Т214В-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 80* (IОк) 7 50 (100*) ::;1 (30 8) 2Т214Г-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 60* (IОк) 7 50 (100*) ::;1 (30 8) 2Т214Д-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 30* (IОк) 7 50(100*) ::;1 (30 В) 2Т214Е-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 30* (IОк) 20 50 (100*) ::;1 (30 8) 1 1 1 ~ 1 1 1 ! •I 1 1 ' 2Т214А-5 1 p-n -p -60 ...+100 50 1 ~5 94•• 1 - i50 1 ::;1 (30 В) ~ 1 12Т214Б-5 1 p-n -p -60 ...+100 1 50 ~5 94•• - 50 i ::;1(308i i j 2Т214В-5 p-n -p '-60...+100 50 1 ~5 70** - 50 ::;1(308) ~ 2Т214Г-5 1 p-n-p 1 -60 . . . +100 50 1 ~5 47•• 1 - 50 ::;1 (30 8) 2Т214Д-5 1 p-n-p ! -60 .. . +100 1 50 1 ~5 35•• 1 - 50 ::;1(308) 11 1 i 2Т214Е-5 1 p-n -p 1 -60. . . +1001 50 1 ~5 24** 1 - 50 ::;1 (30 8) :
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 275 1 1 1 1 1 с,, rкэно11с' Ом Кш, дБ tк, ПС h,,,. ь;,э с;2з' r~нас• Ом r;, Ом f~c' НС Корпус пФ к~· •. дБ Р;:х' Вт t::клt НС t:::. нс 15...70 (5 8; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 2Т202-1 40 ... 160(58; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 15... 70(58; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 1 ~jf 40...160 (5 8; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 100... 300 (5 8: 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* ;~ 1 1 1 'i ! 1 i '1 ; 1 ' 1 /I\ LJ 1. ! 1 6кэ 1: 1! 1 ·1 1 1 ' ~9(58:1мА) :o;IO (5 8) 1 - 300* - 2Т20ЗА 30...90 (5 8; 1 мА) :o;IO (5 8) $50 300* - - 5,81/ 15... 100 (5 8; 1 мА) :o;IO (5 8) - 300* - ;fi ~4(58;1мА) :o;IO (5 8) $50 300* - 60...200 (5 8; 1 мА) :o;IO (5 8) $35 300* - кфз ! 5 1 i 10...40 ( 10 8: 2.5 мА) :o;lO (10 8) $400 - 1 $1000* 1 2Т205А '' 10...40 (10 8: 2.5 мА) :o;IO (10 8) $400 :о;1000· 1 - 1 п 1 1,2 0,3 t 1 • i !1 1 зоок t ' С'\) ~п§.]: и 0.01/ пnюч 20...60* (1 8: 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 40 ... 120* (1 8: 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 80...240* (1 8; 30 мА) $50(108) $1,3 $4 (1 кГц) 20...60* (1 8; 30 мА) :о;50(108) $1,3 40...120• (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 80...240* (1 8; 30 мА) $50(108) $1,3 $4 (1 кГц) 20...60• 11 8; 30 мА) :о;50(108) $1,3 40...i20* (18:30 мА) $50(108) $1,3 80...240* (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 :о;4 (1 кГц) 1 1 1 2Т208 20...60* {1 8: 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 ! 40 ... i20• (1 8: 30 мА) 1 $50(108) $1,3 - i - ! " ! ! 1 1 1 1 40...120 (1 8; 40 мА) :о;20 (5 8) - :о;3 (1 кГц) - 2Т211-1 80...240 (1 8; 40 мА) :о;2О (5 8) - :о;3 (1 кГц) - 160...480 (1 8; 40 мА) :о;20 (5 8) - :о;3 (1 кГц) - ~~1 1 1 ~ 1 1 11\ 1 1 1 11 1 1 ! 6кэ 1: 1 i ~ ~20(58;10мА) 1 :о;30 (10 8) 1 $45 $1200* :о;5 ! 2Т214А-1 i 30...90 (5 8: 10 мА) :о;30 (10 8) $45 $1200* $5 1 40...120 (5 8; 10 мА) :о;30 (10 8) $45 $1200* $5 ~ 1 40... 120 (5 8; 10 мА) :о;30 (10 8) $45 $1200* $5 rn ~80 (1 8; 40 мкА) 1 :о;30 (10 8) $45 :о;1200*; :о;5 (1 кГц) $5 1 ~40 (18; 40 мкА) :о;30(108) $45 $1200* $5 1 11\ 5кэ ~25(58:10мА) 1 $50 1 $19,5 - - 2Т214А-5 36...78 (5 8: 10 мА) : $50 1 $19,5 i 1 - - 0,5 О,1 50...104(5 8: 10мА) 1 :о;50 1 $19,5 - - 1 1 ~шт 50...104 (5 8; 10 мА) 1 :о;50 $19,5 - - ~91 (1 8; 40 мкА) $50 $19.5 - - ~46 (1 8: 40 мкА) $50 1 $19,5 - 1 - 1 1 1! 1 i 1в·
276 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 pKmax• ~'" \210• UКБО ороб• 1 1 lкоо• 1 Тип 1 Струк- Токр., р' ~:;1*' U~Rщ1o6' UЭБО m•> ' 1 lк max I~ЭR• К. тmах• J~.и maAt i прибора ·с р~~ и ma:1.• с· u~npo6• I~эо• 1 тура '" в ' мА 1 мВт МГц в мкА 2Т214А-9 i р·П·р -60 ...+85 200 ~5 80** 30 50 (100*) 1 :s;l (30 В) 2Т214Б-9 1 р-п-р -60 ...+85 200 ~5 во•• 7 50 (100*) :51 (30 В) 2Т214В-9 р-п-р 1 -60 ...+85 200 ~5 60** 7 1 50 (100*) :51 (30 В) 2Т214Г-9 р-п-р -60 ...+85 1 200 ~5 40** 7 1 50(100*) :s;l (30 В) 1 112Т214Д-9 р-п-р ! -60 ...+85 1 200 ~5 30** 7 1 50 (100*) :51 (30 В) 2Т214Е-9 р-п-р -60 ...+85 200 1 ~5 20** 20 50 (100*) :51 (30 В) ! 2Т215А-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 80** 5 50 (100*) :5100* (30 В) 2Т215Б-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 80** 5 50 (100*) :5100* (30 В) 2Т215В-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 60** 5 1 50 (100*) :5100* (30 В) 2Т215Г-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 40** 1 5 1 50 (100*) 1 :s;\OO• (30 BJ ~2Т215Д-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 30** 1 5 1 50 (100*) 1 :s;lQO• 130 В) f! 2Т215Е-1 п-р-п 1-60... +100 50 ~5 20** 5 1 50 (100*) 1 :5100* (30 В) 1 1 1 1 ! 1 1 2Т215А-5 п-р-п -60 ...+100 1 50 ~5 1 94** - 1 50 1 :s;l (30 В) 2Т215Б-5 п-р-п -60 ...+1001 50 ~5 94** - 1 50 :51 (30 В) 2Т215В-5 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 70** - 50 :51 (30 В) 2Т215Г-5 п-р-п 1 -60 . .. +100 50 ~5 47** - 50 :51 (30 В) 2Т215Д-5 п-р-п 1-60. .. +100 50 ~5 35** - 50 :51 (30 В) 2Т215Е-5 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 24** - 50 :51 (30 В) 1 2Т215А-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 100* (IОк) 5 50 (100*) 1 :51* (100 В) 1 2Т215Б-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 90* (IОк) 5 50 (100*) :51*(90ВJ 2Т215В-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 80* (lОк) 5 50 (100*) :51* (80 В) 2Т215Г-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 60* (IОк) 5 50 (100*) :51*(60В) 2Т215Д-9 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 30* (IОк) 5 50 (100*) :51*(308) 2Т215Е-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 30* (lОк) 5 50 (100*) :s;l*(ЗОВ) ! i 1 ' ' 2ТЗО1Г п-р-п -60 ...+125 150 (60°С) ~30 30 3 10 (20*) :55* (30 В) 2ТЗО1Д п-р-п -60 ...+125 150 (6О0С) ~30 30 3 10 (20*) :55* (30 В) 2ТЗО1Е п-р-п -60 ...+125 150 (6О0С) ~20 20 3 10 (20*) :55* (20 В) 2ТЗ01Ж п-р-п -60 ...+125 150 (6О0С) ~30 20 3 10 (20*) :55* (20 В) 1 1 i ! i ~ r. 1 1 ri 1 ' 1· 1 1 1 1! ' ~2ТЗО6А 1 п-р-п 1-60 . .. +1251 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) :50,5 (15 В) ~2ТЗО6Б п-р-п -60 ...+125 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) :50,5 (15 В) !l2ТЗО6В 1 п-р-п 1-60 . .. +1251 150 (90"С) ~300 15 4 30 (50*) :50,5 (15 В) i2ТЗО6Г 1 п-р-п -60 ...+125 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) :50.5 (15 В) ~ i1 2ТЗО7А-1 п-р-п -60 ...+85 15 ~300 10* (Зк) 4 20 (50*) :50,5 (10 В) 2ТЗО7Б-1 п-р-п -60 ...+85 15 ~300 10* (Зк) 4 1 20 (50*) :50.5 (10 В) 2ТЗО7В-1 1 п-р-п -60 ...+85 1 15 1 ~300 10* (Зк) 4 1 20 (50*) :50.5 (10 В) ~ 2ТЗО7Г-1 п-р-п 1 -60 ...+85 15 ~300 10* (Зк) 4 20 (50*) 1 :50,5 (10 В) i i 1 ; 1 1 1 t 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 -- 2ТЗ101А-2 1 п-р-п 1-60... +125 1 100 (45°С) ~4000 15 2,5 20 (40*) :50,5 (15 В) i i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 220(5В;10мА) 30...90 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 280 (1В; 40 мкА) 240 (1В; 40 мкА) 220(5В;10мА) 30...90 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 280(1В;40мА) 240 (1В; 40 мкА) 225(5В;10мА) 36...78 (5 В; 10 мА) 46... 104 (5 В; 10 мА) 46... 104 (5 В; 10 мА) 291 (1 В; 40 мкА) 246 (1В; 40 мкА) 1 220(5В;10мА) I ЗС...90 (5 В; 10 мА) 1 40...120(5В: 10мА) li 40 ... 120(5В: lОмА) 280 (1В; 40 мкА) 240 (1В; 40 мкА) 10...32 (10 В; 3 мА) 20...60 (10 В; 3 мА) 40... 120 (10 В: 3 мА) 80...300 (10 В; 3 мА) 20...60* (1 В: 1ОмА) 40... 120• (1 В: lОмА) 20... 100* (1 В; lОмА) 40... 200* (1 В; lОмА) 220(1В;10мА) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50(10В) :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50 :<>50 :<>50 :<>50 :<>50 :<>50 1 :<>50 (10 В) 1 1 :<>50 (10 В) 1 :<>50(10В) 1 :<>50(10В) 1 1 :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>10 (10 В) :<>10 (10 В) :<>10 (10 В) :<>10 (10 В) :<>5 (5 В) :<>5 (5 В) :<>5 (5 В) :<>5 (5 В) 240(1В:10мА) 1 :<>5 (1 В) :<>5 (1 В) :<>5 (1 В) :<>5 (1 В) 240(1В;10мА) 1 280 (1 В; 10мА) 1 1 i 35...300 (1В; 5 мА) :<>1,5 (5 В) rкэнас• Ом r~нас• Ом к;.. дБ :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>О,45 :<>0,45 :<>0,45 :<>0,45 :<>О,45 :<>0,45 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>300 :<>300 :<>300 :<>300 :<>30 :<>30 :<>20 :<>20 :<>20 :<>20 26** Кш, дБ r;, Ом Р;~", Вт :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200*; :<>5 (1 кГц) :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200*; :<>5 (1 кГц) :<>1200* :-:;1200· :<>1200* :<>1200* :<>1200* 1 i :<>5 (1 кГц); :<>1200* 1 :<>1200• :<>30 (1 кГц) :<>8 (90 МГц) :<>30 :<>30 :<>4,5 (2,25 ГГц) tKt ПС ~~cl НС tвыкл• НС t::, НС :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>4500; :<>4500* :<>4500; :<>4500* :<>4500; :<>8000* :<>2000; :<>8000* :<>30* :<>30• :<>500 :<>500 :<>30* :<>30* :<>50 :<>50 :<>10 277 Корпус 2Т214А-9 j 0,95 ~*Х 2Т215А-1 1 ~~ 11\ 5кэ 2Т215-5 0,5 0,1 ~шт 2Т215-9 2Т301 2Т306 fit 5КЭ 2Т3101-2
278 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 iСтрук-1 pKmo111x' 1,μ. ~:210• UКБО проб• JКБО• 11 Тип Токр., р• ~;lэ' u~Rnpoб• l!эоо max' IKmax •:с.•. 1\.тmах' ·~.н maxt прибора 1 1 ·с р~~ н maxt с· u~проб• в 1;эо• 1. тура ." 1 мА 1 1 мВт МГц в ! мкА 2ТЗ106А-2 1 n-p -n -60 ...+125 30 (50°С) ~900 15* (10к) 2,5 20 (40*) :о;О,5(15В) 1 1 1 1 1 1 2ТЗ108А i p-n -p 1-60.. . +125 300 (360*) 1 ~250 60* (IОк) 5 1 200 1 :о;О,2 (60 В) 2ТЗ108Б i p-n-p -60 ...+125 300 (360*) 1 ~250 45* (IОк) 5 200 :о;О,2 (45 В) 2ТЗ108В 1 p-n-p 1-60...+125 300 (360*) 1 ~300 45* ( 10к) 5 200 :о;О,2 (45 В) ! ! 1 1 1 1 1 ~ 1 1 1 1 2ТЗ114А-6 n-p -n -60 ...+125 25 (I00°C) ~4300 5 1 15 1 :о;О,5 (5 В) 2ТЗ114Б-6 n-p -n -60 ...+125 25 (I00°C) ~4300 5 1 15 :о;О,5 (5 В) 2ТЗ114В-6 n-p -n -60 ...+125 25 (I00°C) ~4300 5 1 15 :о;О,5 (5 В) l1 1 1! : ! 1 ! 1 ! 1 ! 1 1 1 i ! 1 i 2ТЗ115А-2 n-p-n 1 -60 ...+125 i 70 (70°С) ~5800 i 10* (lк) 1 1 1 8,5 :о;О,5 (10 В) 1 2ТЗ115Б-2 n-p-n 1 -60 ...+125 70 (70°С) ~5800 10* (lк) 1 8,5 :о;О,5 (10 В) 1 1 1 1 2ТЗ115А-6 n-p-n -60 ...+100 50 (85°С) ~5800 10*(lк) ! 1 1 8,5 1 :о;О,5 (10 В) 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 ! i 2ТЗ117А n-p -n -60 ...+125 300 ~300 60 4 400 (0,8* А) :о;5 (60 В) 2ТЗ117Б n-p -n -60 ...+125 300 ~300 75 4 400 (0,8* А) :о;5 (75 В) 1 1 1 1 ii 2Т312А 1 1 1 1 n-p-n -60 ...+125 225 ~80 30 4 30 (60*) :o;I (30 В) 2ТЗ12Б 1 n-p-n 1 ~60... +1251 225 ~120 30 4 30 (60*) :o;I (30 В) 2ТЗ12В 1 n-p-n 1 -60 ...+125 . 225 ~120 30 4 30 (60*) :o;I (30 В) ~ 2ТЗ120А n-p -n -60 ...+125 100 ~1800 15 3 20 (40*) :о;О,5 (15 В) 1 1 ~ 1 1 11 1 1' 1 1 1 11 1 ! i 1 1 1 1 1 ~ ! 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 279 1 ! ck, rкэнас' Ом Кw,дБ т., пс 11 1 1 t;,..,, нс \ h21.• ь;,э 1 с;2~' r~нк' Ом r;, Ом Корпус ~ пФ к;.. дБ Р;~,, Вт t::КJI, нс ~ i t:::.,, нс 1 1 • 1 :52 (5 В) <>:17** (120 МГц) s2 ( 120 МГц) 1 1 1 <>:4015В:5мА) - 2ТЗ106-2 1,15 0,95 ~х /1\ 5/(з 50... 150 (1 В; 10 мА) 1 :55 (10 В) :525 :56 ( 100 МГц) :5250; :5175* 2ТЗ108 50... 150 (1 В: 10 мА) s5(10B) :525 :56 ( 100 МГц) :5250: :5175* - 5,81/ 100... 300 (1 В: 10 мА) 1 s5(10B) :525 :56 ( 100 МГц) :5250; :5175* ;EJ к~з '· ' 15...80 (3 В; 1 мА) :50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц) :51,5 (400 МГц) $8 2ТЗ114-6 15...80 (3 В; 1 мА) :50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц) :52 (400 МГц) :58 m 15...80 (3 В: 1 мА) s0,44 (3 В) <>:3** (2,25 ГГц) :53 (400 МГц) :58 t11 !<>:15(5В:5мА) i :50,6 (5 В) <>:5** (5 ГГц) :54,6 (5 ГГц) :53,8 2ТЗ115-2 <>:15 15 В: 5 мА) :50,6 (5 В) <>:6** (4 ГГц) :54,4 (5 ГГц) :53,8 ~IН9 ! 1 1 1 1 1 1 ~ 1 1 i 1 1 1 1 ~~з/ 1 1 <>:15 (5 В; 5 мА) :50,6 (5 В) <>:5 ( 1 ГГц) :59** ( 1 ГГц) :53,8 2ТЗ115-6 1 t1m :i 1 ~ i 40... 200 (5 В: 0,2 А) :510 (10 В) :51 - :560* 2ТЗ117 100...300 (5 В; 0,2 А) :510 (10 В) :51 - :560* 9~ $· ~ з 10... 100* (2 В; 20 мА) :55 (10 В) :525 - :5500: :5100* 2ТЗ12 25... 100* (2 В: 20 мА) s5(10B) :525 - :5500; :5130* ~hi 50...280* (2 В; 20 мА) s5(10B) :517 - :5500; :5130* с-.' 5фк ~1 3 <>:40 (1 В; 5 мА) s2(5В) <>:10** (400 МГц) s2 (400 МГц) :58 2ТЗ120 rnli
280 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~Р' ~:216' UKБ0npu6' lкmaA lкБо• Тип Струк- Токр., р· ~:;ll' U~ЭR проб' UЭБО 1паА' ·~R• К.т m.ix' J~.11 max' прибора ·с р·· с· U~ЭОnроб' в 1;эо, тура К. н max' "' мА мВт мrц в мкА l2тз121А-6 1 П·р·П ·60 ... +125 25 ~100 10 2 10 i :<>1 (10 В) 1 1 ! ii 1 1 1 1 1 ; 1 1 ' 1! 1 1 1 i ' i i 1 ' 1 1 ii i 1 11 1 1 2ТЗ12ЗА-2 p-n -p -6 0 ... +125 150 5000 15 3 30 (50*) :<>25 (15 В) 2ТЗ12ЗБ-2 p-n -p -6 0 ... +125 150 5000 15 3 30 (50*) :<>25 (15 В) 2ТЗ12ЗВ-2 p-n -p -6 0 ... +125 150 3500 10 3 30 (50*) :<>25 (10 В) 1 1 1 ' 1 1 1 l12ТЗ124А-2 i 1 1 1 h n-p-n 1 -60 ...+125 70 (85°С) ~6* ГГц 10 1 7 1 :<>0.5 (10 В) ~ 1 1 i 2ТЗ124Б-2 1 n-p -n 1-60". +1251 70 (85°С) ~6* ГГц 1 10 1 7 1 :<>0.5 ( 10 В) 1 1 1 1 112ТЗ124В-2 1 1-60". +1251 70 (85°С) ~6* ГГц 1 10 1 7 :<>0,5 (10 В) n-p -n 1 1 1 ' 1 11 1 1 1 i 1 1 1 2ТЗ129А9 p-n -p -6 0 ... +125 200 ~200 50 5 100 (200*) :<>1 (50 В) 2ТЗ129Б9 p-n -p - 6 0."+125 200 ~200 50 5 100 (200*) $1 (50 В) 2ТЗ12989 p-n -p - 6 0".+125 200 ~200 30 5 100 (200*) :<>1 (30 В) 2ТЗ129Г9 p-n -p - 6 0".+125 200 ~200 1 30 5 100 (200*) :<>1 (30 В) l2ТЗ129Д9 i p-n -p 1 -60 ... +1251 200 ~200 20 5 1 100 (200*) SI (20 В) 1 ! 1 ' ; 1 1 ! i ! 1 : 1 ~2ТЗ1ЗА 1 p-n -p i -60" .+125 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) 1 s0,5 (50 В) 2ТЗ1ЗБ 1 p-n -p 1 -60" .+125 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) :<>0,5 (50 В) 1 j ! 1 2ТЗ1ЗОА-9 n-p -n -60 ...+85 1 200 ~150 50 5 100 sO.I (50 В) !l 2тз1ЗОБ-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1 200 ~150 50 5 1 100 i :<>0.1 (50 В) 1 ll 2T3130B-9 n-p-n 1 -60 ...+85 1 200 1 ~150 30 5 100 1 :<>0.1 (30 В) i i! 2ТЗ1ЗОГ-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1 200 ~300 20 5 100 1 sO.I (20 В) !12ТЗ1ЗОД-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1 200 ~150 30 5 1 100 sO.l (30 В) :12тз1ЗОЕ-9 n-p -n 1 -6 0".+85 ! 200 ~300 1 20 5 1 100 :<>0,1 (20 В) ,, ! ! 11 i 1 ~2ТЗ132А-2 n-p -n - 6 0".+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 S0,5 (10 В) l2ТЗ132Б-2 n-p -n - 6 0."+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 s0.5 (10 В) 2ТЗ1328-2 n-p -n - 6 0".+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 S0,5 (10 В) 2ТЗ132Г-2 n-p -n - 6 0".+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 :<>О,5(10В) • 2ТЗ1ЗЗА 1 n-p-n 1 300 ~200 50 4 300: 700* 1 :<>10 (50 В) i 1 ! i 1 1 ~ i 1 1 1 11 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 11 1 1 1 ! ~ 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 281 ck, rкэнас' Ом Кш, дБ fKI ПС h21,• ь;,э с~2э' r~Энас' Ом r;, Ом t;act НС Корпус пФ к~:,, дБ Р;:,, Вт t::клt НС t::., нс 30...400 (5 В; 2 мА) 51(5В) ~8** (1 ГГц) 52 (1 ГГц) - 2ТЗ121-6 1 ! t1m i ~~ " 20(IOВ;10мА) 51 (10 В) ~5** ( 1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 510 2ТЗ123-2 20(10В;10мА) 51 (10 В) ~5** ( 1 ГГц) 3 (1 ГГц) 510 ~@. 20(10В;10мА) 51 (10 В) ~5** ( 1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 510 ~~363 15... 200* (5 мА; 7 В) 0,5 ~4** (6 ГГц) 55 (6 ГГц) 52,5 2Т3124-2 15... 200• (5 мА: 7 В) 0,5 ~5** (5 ГГц) 55 (5 ГГц) 52,5 ftf@. 15...200* (5 мА; 7 В) 0,5 ~6** (4 ГГц) 53,6 (4 ГГц) 52,5 1 r\j '4"') - - & О)3/ 30...120 (5 В; 2 мА) 510 (10 В) 520 - - 2Т3129-9 80...250 (5 В; 3 мА) 510 (IO В) 520 - - 1 О,95 80...250 (5 В; 2 мА) 510 (10 В) 520 - - ~*Х 200...500 (5 В; 2 мА) 510 (10 В) 520 - - 1 ' 200...500 (5 В: 2 мА) 510 (10 В) 520 - - ' ' 1 30... 120 (10 В; 1 мА) 512 (10 В) 53,3 - 5120* 2Т313 80...300 (1О В: 1 мА) 512 (10 В) 53,3 - 5120* !45,81/ 9 К-$3 5 100...250 (5 В: 2 мА) 512 (5 В) - 510(1 кГц) - 2Т3130-9 200...500 (5 В; 2 мА) 512 (5 В) - 510 (1 кГц) - 1 0,95 200...500 (5 В: 2 мА) 1 512 (5 В) - 510(1 кГц) - ~х 400...1000 15 В: 2 мА) 512 (5 В) - 510 (1 кГц) - 200...500 (5 В: 2 мА) 512 (5 В) - 510 (1 кГц) - 400...1000 (5 В; 2 мА) 512 (5 В) - 54 (1кГц) - 15... 150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~6** (3,6 ГГц) 52,5 (3,6 ГГц) - 2Т3132-2 15... 150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~4** (6 ГГц) 55 (6 ГГц) - ftf~ 15... 150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~5** (5 ГГц) 55 (5 ГГц) - 15...150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~6** (4 ГГц) 53,6 (4 ГГц) - С'\1- '4 "') - - & О)3/ 25...100 (3 В: 150 мА) 55(108) 50,43 - 5100* 2Т3133 1 1 1 10 ;, 1 1 -~3 1 1 1 'О ~ .. .. 1 ~ , lJ u~ - _!.... о' -
282 1 ! Тип прибора 2ТЗIЗЗА-2 !2ТЗ134А-1 2ТЗ135А-1 2ТЗ150Б2 ~~ ~2ТЗ152А 2ТЗ152Б 2ТЗ152В 2ТЗ152Г 2ТЗ152Д 2ТЗ152Е 2ТЗ154А-1 1 ! 2ТЗ156А-2 : 1 1 1 1 Струк- Токр.• 1 ·с 1 тура 1 i 1 1 -60 ...+125 п-р-п 1 ' i ' : i' : i 1 i1 ; 1 1 !1 . i ! п-р-п 1 -60 ...+125 р-п-р -60 ...+125 р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п 1 1 ! 1 1 ! 1 1 1 1 1 ! 1 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 . .. +125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+85 п-р-п -60 ...+125 1 1 1 Рк max' ~•• \210 • Р~.тmаА' \;lj' р~:и maxt ~:;х, мВт МГц 300 ~200 1 30 ~1500 ! 15 ~1500 120 (65°С) ~1200 1 200 (6О0С) ~50 200 (6О0С) ~50 200 (6О0С) ~50 200 (6О0С) ~50 200 (60°С) ~50 200 (6О0С) ~50 15 ~800 120 ~500 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 UКБОnроб• IKmax lкоо• U~ЭR проб• UЭБOmiixt 1 •:.и maxt I~R• u~npoб• в 1 1·· 1 мА кэо• в мкА 45* 4 1 300; 700* $10 (50 В) (500 Ом) 1 1 1 1 1 1 r ! 1 1 10 1 4 1 10; 20* 1 $0,5 (10 В) - 1 ! i 15* (lк) 4 30; 50* $1 (15 В) 1 i 1 1 ! i j 1 1 1 35* ( IОк) 4 30 (50*) $0,5 (40 В) 1 ! 1 i! ' 50* 20 150 (300*) $10* (50 В) 40* 20 150 (300*) $10* (40 В) 30* 20 150 (300*) $10* (30 В) 50* 5 150 (300*) $10* (50 В) 40* 5 150 (300*) $10* (40 В) 30* 5 150 (300*) $10* (30 В) 1 ~ 10* (3к) 4 ! 20; 50* $0.5 (10 В) i f 1 i·, , ' f 40* (lОк) 1 4 10; 20* $1 (40 В)
1 ~ ~1 1 ~ ~ ~ ~ ~ . i;i i ! !~ 1 " ~ Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 283 Ck, rкэн.ас• Ом Кw1 дБ h21.• ь;,э с;2.• r~Энас• Ом r;, Ом пФ к~·,, дБ Р;:~, Вт 25... 100 (3 В; 150 мА) $5 (IO В) $8* - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 90...450 (2 В; 5 мА) $1,5(58) $35; $110* - 1 ' 50...180 (5 В: 3 мА) $1,5 (10 В) $30; $110* i 1 ! 60...180•(5В;2,5 мА) 1 $2(10В) $25 1 1 1 ! 1 i ! i 1 '1 1 ' ~80(5В;30мА) $35 (20 В) $1 - ~80(5В;30мА) $35 (20 В) $1 - ~80(5В;30мА) $35 (20 В) $1 - ~100(5В;30мА) 1 $35(20В) $1 - ~100 (5 В; 30 мА) 1 $35 (20 В) $1 - 1 ~100 (5 В; 30 мА) $35 (20 В) $1 - 1 1 40... 120 (10 мА) $2,5 (5 В) $30; $110* - ' 1 1 40...300 (5 В; 2 мА) i $1,3 (5 В) - - 11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i tк, ПС t~ac• НС Корпус t::кл' НС t::·n• НС $100* 2Т3133-2 ~IНJ ~ ~-- & <:>)' з / $25 2Т3134-1 1 ~~~ 1 ~ 1 11\ ' 1 1 5кз 1 $50; $10* ! 2Т3135-1 1 1 ~Pr-ir 1 VJ\~П : $30: $30• 2Т3150-2 1 ~~ (4 i1 ' ~- /ll~l ' 1 1 1 6КЗ $400* 2Т3152 $400* $400* а $400* .... з $400* ~ офк $400* ~ 1 $10* 2Т3154-1 "~, ~ " G:\ :; г;п 6.6 ( 0.1JS $40 1 2Т3156-2 i 1 ~пз ! 1 1 1 1'\~ 6кз ,1 ' i ! ' ! '
284 Тип прибора 2Т3158А-2 2Т316А 2Т316Б 2Т316В 2Т316Г 2Т316Д ll 2T3160A-2 1 1 1 2Т3162А 11 1! 2Т3162А5 2Т3164А 2Т3167А-7 2Т317А-1 2Т317Б-1 i2T317B-1 i l l 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 i11 1 1 : i1 Струк- Токр" тура ·с n-p -n - 60 ... +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n 1 -60 .. . +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n 1 -60 ... +125 p-n -p - 60 ... +125 1 1 p-n -p - 60 ... +125 p-n -p -60...+125 n-p-n -60...+ 125 n-p -n -60...+85 n-p-n -60...+85 n-p-n -60...+85 1 1 pk.m .ax' Р~.т1nо1:.' р~~ И IПdAt мВт 50 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 300 300 300 250; 500** 120 15 15 15 ~V' ~216' ~;1~' ~~;", МГц ;:>:200 ;:>:600 ;:>:800 ;:>:800 ;:>:600 ;:>:800 ;:>:200 ;:>:700 ;:>:700 ;:>:800 ;:>:400 ;:>:100 ;:>:100 ;:>:100 i 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБОnр<>б• U~ЭRnp<>б• u;эо npu(1t в 50; 50* 10* (3к) 10* (3к) 10* (3к) 10* (3к) 10* (3к) 50 60* (5к) 60* (5к) 15* (lООк) 40* ( lОк) 5 5 5 1 1 1 1 i1 1 UЭБOmaxt в 4 4 4 4 4 4 4 - - 4 4 3,5 3,5 3.5 1 1 •кmа:. 1~. и ша'\' мА 400; 800* 50 50 50 50 50 300; 700• 150 150 10; 20* 15 (45*) 15 (45*) 15 (45*) 1 1 1 ! 1 1 1 ' 1 1 !1 IКБО' l~R• l~эо• мкА s5 (50 ВJ s0,5 (10 8) s0.5 (10 8) s0.5(108) s0,5 (10 8) s0,5 (10 8) slO (50 8) so.5 (60 8) s0,5 (60 8) S0,5 (20 8) sl (40 8) sl(58) sl(58) sl(58) 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения i 50...180 (5 В; 200 мА) 1 1 1 20...60• (1 В; 10 мА) !1 ' 1 40... 120* (1 В; 10 мА) 1 140...120*11 В; 10мА) 1 20...100• (1 В: 10 мА) 60...300* (1 В; 10 мА) 515 (10 В) 53(5В) 53(5В) 53(5В) 53(5В) 53(5В) 30...150 (3 В; 150 мА) 55 В (10 В) fкэнас' Ом r~нас• Ом к~· •. дБ 50,53; 510* Кш, дБ r;, Ом Р;:х' Вт 1 "tк, ПС t~,. нс t:~кл' НС t::. нс 5400; 570* 5\О• 510* 515* 5150 5150 5100* 285 Корпус 2Т3158-2 ] , ... 1tl-·-·- 1-- -1-·f-I ~ - / 1]\ ~ //J0.04 llJ ~r- Ко1111~ктор Б.&iа Эl'fummep 2ТЗ16 2ТЗ160-2 ~~* "\ t:: L] 5КЗ 60...200 (3 В; 10 мА) j 55 (!О В) 5150; 5100* 1 1 2Т3162 !60...200(3В;10мА) ! 55(10В) 1 1 1 30... 120 (7 В: 2 мА) 40...300 (5 В; 2 мА) 25...75 (1 В; 1мА) 35...120 (1 В; 1мА) 80...250 (1 В: 1 мА) 1 1 55(5В) 52(5В) 511 (1 В) 511(18) 511 (1 В) 1 525 535; 5120* 530 530 530 5150; 5100* 5150 540 5130* 5130* 5130* 1 2Т3162-5 0,8 о3 1~шr 2ТЗ164 ~r-ffi а ;ап'4ояФ. 2ТЗ167-7 ~~ ХО.95 1JМ 1 ""' /1\~1 5/(з 2ТЗ17-1 ~~1,1 v11 / 1\ :::: 5зк
286 Тип прибора , 2Т3175А 2Т318А-1 2Т318Б-1 2Т318В-1 ~2T318f-1 2Т318Д-1 ~2Т318Е-1 ~ 2Т31881-1 ~j '! ~ i; 2Т3187А-9 2Т3187А-91 2Т319А-1 2Т319Б-1 2Т319В-1 2Т321А 2Т321Б 2Т321В 2T321f 2Т321д 2Т321Е i2T324A-1 2Т324Б-1 l2T324B-1 1 2Т324Г-1 2Т324JИ 2Т324Е-1 2Т325А 2Т325Б 2Т325В 2Т326А 2Т326Б 1 Струк- Такр., i 1 1 ! 1 1 тура ·с ! n-p-n 1 -60 ...+125 ! n-p -n -60 ...+85 n-p -n -60 ...+85 n-p -n -60 +85 ... n-p -n i -60".+85 n-p -n 1 -60".+85 1 1 n-p -n 1 -60".+85 n-p-n 1 -60 ...+85 1 i n-p -n - 60".+85 i n-p -n - 60".+85 1 n-p -n -60 ...+85 n-p -n - 60".+85 n-p -n -6 0".+85 1 1 i 1 p-n -p -60".+125 p-n -p -60". + 125 p-n -p -60".+125 p-n -p -60".+125 p-n -p -60". + 125 p-n -p , -60...+125 1 n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n 1 ' ! ! -6 0".+851 1 -60".+85 1 -60".+85 1 1 -60 ...+85 1 -60 ...+85 - 60".+85 n-p -n n-p -n 1 n-p-n -6 0".+125 -6 0".+125 1-60".+1251 1 ! ' 1 1 1 p-n-p p-n -p i1 1 1 i -6 0".+125 -6 0".+125 Ркmах' р" К. т m.ixt р~:иmах' мВт 350 15 15 15 15 15 15 15 200 200 - - - 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 15 15 15 15 15 15 225 (85°С) 225 (85°С) 225 (85°С) 250 (25°С) 250 (25°С) 1 ! 1 1 1 !! ~•• r.:210• ~:;lэ' ~::;)\. t МГц <::300 <::430 <::430 >430 - <::350 <::350 <::350 <::350 <::4.4 ГГц 4600 <::100 <::100 <::100 <::800 <::800 <::800 <::600 <::600 <::600 <::800 <::800 <::1000 <::250 <::400 1 ! 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО npu6• {J"KЭR npu6' U~эо npu6• в 45* (10к) 10 10 10 10 10 10 10 20 12* 5 5 5 60 60 60 45 45 45 10 10 10 10 10 10 1 i 1 1 i i 1 1 1 15* (3к) 15* (3к) 1 15* (3к) 1 1 1 1 15* (IООк) 1 15* (lООк) 1 UЭБОшахt J в 5 3.5 3,5 35 3,5 3.5 3,5 3.5 2 2 3,5 3.5 3.5 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 IKmax 1:,и maxt мА 100 (200*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 25 25 15 15 15 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 60 60 60 50 50 1 1 1 1 1 i1 1 1 1 1 i 1 1 ! •коо• J~R• I~o• мкА s0.05 (50 В) s0,5 (10 В) S0,5(10B) <05(10В) - . s0.5 (10 В) s0.5 (10 В) s0.5 (10 В) s0.5 (10 В) sO.l (10 В) sO,l (IOB) $1 Sl Sl :!>100 (60 В) :!>100 (60 В) :!>100 (60 В) :!>100 (45 В) :!>100 (45 В) :!>100 (45 В) S0,5 (10 В) s0.5 (!О В) S0.5 (10 В) s0,5 (10 В) S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) S0,5 (15 В) s0.5 (15 В) S0,5 (15 BJ S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) ! 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ' ь,,,. ь;,э 250... 1000 (5 В; 2 мА) 1 i "/ ' i 1 30...90 (1 В; 10 мА) 50... 150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) 30...90 (1 В; 10 мА) 50... 150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1В; 10 мА) 70...280 (1В; 10 мА) ~40 (10 В; 14 мА) • ~40 (!О В: 14 мА) '! • 1 15...55 (1 В; 1мА) 45...90 (1В; 1мА) 80...220 (1 В; 1 мА) j г--- i 20...60• !3 В: 0.5 А) 1 40... 120* (3 В; 0,5 А) 1 80...200* (3 В; 0.5 А) 1 20...60• (3 В; 0.5 А) 40... 120* (3 В: 0.5 А) 80...200• (3 В; 0,5 А) 20...60 (1В; 10 мА) 40... 120 (1 В; 10 мА) S0...250 (1 В; 1О мА) 40 ... 120(1 В; !ОмА) 20...80 (1 В; 10 мА) 60...250 (! В; 1О мА) 30...90* (5 В: 10 мА) 70...210* (5 В; 10 мА) 160 ... 400* (5 В; 10 мА) 20...70* (2 В; 10 мА) 45... 160• 12 В; 10 мА) 1 1 1 ! 1 1 1 ! i 1 ; 1 1 1 1 1 11 1 ck, с;2.• пФ - $3,5 (5 В) $3,5 (5 В) $3,5 (5 В) $4,5 (5 В) $4,5 (5 В) $4,5 (5 В) $4,5 (5 В) $0.9 (10 В) $0,9 (!О В) $\l (1 В) $\l (1 В) $11 (1 В) $40 (10 В) $40 (10 В) $40 (10 В) $40 (10 В) $40(108) $40 (10 В) $2,5 (5 В) $2.5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $2.5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $5(5В) $5(5В) 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 rкэнас' Ом r~Эна1.:' Ом к:· •. дБ - $27 $27 $27 $33 $33 $33 $27 ~12** (0,85 Гц) ~12** (0,85 Гц) $30 $30 $30 $3,6 $3,6 $3,6 $3,6 $3,6 $3,6 $30 $30 $30 $30 $30 $30 $30 $30 Кш1дБ r;, Ом Р;:" Вт - - - - - - - - $2 (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - - - - - - - - - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 tк, ПС t;,.,. нс t:~кл' НС t::, нс - $15* $\5* $\5* $25* $25* $25* $10* - - $\30* $\30* $130* $400: $1000* $400; $\ООО* $400; $1000* $400; $\ООО* $400; $\ООО* $400; $1000* $10* $10* $\О* $15* $180 $\80 $\25 $\25 $\25 $450 $450 287 Корпус 2ТЗ175 1 JJ5,81/ 1 ;1 1ii 1 !1 К-$3 1 1 5 1 2ТЗ18-1 1 1 ~~~~ 11\ 5кз 2ТЗ187-91 (2ТЗ187-9) 1 О,95 i1 1 ~@х_ 5з 1,2 (Э)(5) 2ТЗ19-1 ~ш qr ~\ 1 1 5зк 2ТЗ21 :1i1~·2ТЗ24-1 1 ~т' 5кз 2ТЗ25 ~fi(l~i/бф.о к з ;Го 11:;) • ~ Корп. 1 2ТЗ26 1 JJ5,81/ 1 ~rffiJ кШз 1 ~rr. ~ 1 н i ~~ 1' " !, 11 .1 11 ·1 11 11 ·. 1 1 1 1
288 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 ' t . iСтрук-1 ' Ркmах' ~pt ~:216' UКБО npo6• i •коо• ~ lк max Тип Такр.• P~.тmaxt ~;lэt u~. npo6• UЭБО max' 1~,и maxt 1 ·~ЭR• прибора 1 тура ·с р~~ и max' ~;;х, U~эо npo6• в I~эо• 1 мА 1 мВт мrц в мкА 2ТЗЗIА-1 п-р-п -60 ...+125 15 ~250 15* (IОк) 3 20; 50* $0,2 (15 В) 2ТЗЗIБ-1 п-р-п -60 ...+125 15 ~250 15* (IОк) 3 20; 50* $0,2 (15 8) 2ТЗЗIВ-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~250 15* (IОк) 3 20: 50* $0,2 (15 8) 2ТЗЗIГ-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~400 15* ( lОк) 3 20; 50* $0,2 (15 ВJ 2ТЗЗIД-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~500 15* (lОк) 3 20; 50* :;;О,2 (15 8) 1 i ~ 1 1 1 1 1 1 ~ : 1 2ТЗЗ2А-1 1 п-р-п 1 -60" .+125 15 ~250 15* (lОк) 3 20; 50* $0,2 (15 ВJ 2ТЗЗ2Б-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~250 1 15* (10к) 3 20; 50* :;;О,2 (15 8) 2ТЗЗ2В-1 п-р-п -6 0" .+125 15 ~250 15* (lОк) 3 20; 50* $0.2 (15 8) 2ТЗЗ2Г-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~500 15* (lОк) 3 20; 50* :;;О,2 (15 8) 2ТЗЗ2Д-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~500 15* (lОк) 3 20; 50* $0,2 (15 8) . 2ТЗЗЗА-З п-р-п -6 0".+85 15 ~450 10* (3к) 3,5 20 (45*) :;;О,4 (10 8) 2ТЗЗЗБ-З п-р-п -6 0".+85 15 ~450 10* (3к) 3,5 20 (45*) $0,4(108) 2ТЗЗЗВ-З п-р-п -6 0".+85 15 ~450 10* (3к) 3,5 20 (45*) 1 $0,4 (10 8) ll2тзззr-з 1 п-р-п -6 0".+85 15 ~350 10* (3к) 3,5 20 (45*) 1 :;;О,4 (10 8) ~2ТЗЗЗД-З 1 п-р-п -6 0".+85 15 ~350 10* (3к) 3.5 20 (45*) 1 $0,4 (10 8) 2ТЗЗЗЕ-З ' п-р-п 1 -6 0".+85 15 ~350 10* (3к) 3,5 1 20 (45*) 1 $0,4 (10 ВJ п i 1 1 2ТЗЗ6А i п-р-п 1 -6 0".+85 50 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5(108) 2ТЗЗ6Б 1 п-р-п -6 0".+85 50 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5(108) 2ТЗЗ6В п-р-п -6 0".+85 50 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) $0.5 (10 8) 2ТЗЗ6Г п-р-п -6 0".+85 50 ~450 10* (3к) 4 20 (50*) :;;О,5 (10 8) 2ТЗЗ6Д п-р-п -6 0".+85 50 ~450 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5 (10 8) 2ТЗЗ6Е п-р-п -6 0".+85 50 ~450 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5 (10 8) 2ТЗ48А-З 1 п-р-п 1 - 60 ".+85 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(5ВJ 2ТЗ48Б-З 1 п-р-п -6 0".+85 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(5ВJ 1 2ТЗ48В-З 1 п-р-п 1 -60 ".+85 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(58) ~ 1 1 1 1 1 2ТЗ54А-2 1 п-р-п -6 0" .+125 30 ~1100 10* (3к) 4 10 (20*) :;;О,5 (10 8) 2ТЗ54Б-2 п-р-п -6 0" .+125 30 ~1500 10* (3к) 4 10 (20*) $0,5(108) 1 1 1 1 ! 112ТЗ55А 1 п-р-п 1-60 ". +125 1 225 (85°С) ~1500 15* (3к) 4 30 (60*) 1 $0.5 (15 8) 1 i 1 1 2ТЗ60А-1 р-п-р -6 0".+85 10 (55°С) ~300 25 5 20 (75*) $1 (25 8) 2ТЗ60Б-1 р-п-р -6 0".+85 10 (55°С) ~400 20 4 20 (75*) $1 (20 8) 2ТЗ60В-1 р-п-р -6 0".+85 10 (55°С) ~400 20 4 20 (75*) :;;1 (20 8) 1 " 1 1 1! 1 1 1 1 ' 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 289 !1 1 1! 11 ck. rкэнас' Ом Кш• дБ т" пс 1 h21,o ь;,э с;2эt r~Энас' Ом r;,, Ом t~act НС Корпус 1 пФ к~·•. дБ Р;:х, Вт t::клt НС 1 t::.. нс 20...60* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) $120 2Т331-1 40...120* (1 мА; 5 В) s5(5В) - :54,5 (100 МГц) $120 ~~if 80...220* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) $120 40...120* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) $120 80...220* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - 1 11 1 1 ЗбК 1 !1 20...60* (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - s8 (100 МГц) $300 1 2Т332-1 1' 40... 120* (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 ~~~if ~ 80...220* (5 В; 1 мА) s5(5В) - :58 (100 МГц) :5300 i40...120* (5 В; 1мА) s5(5В) - :58 (100 МГц) :5300 80...220* (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - s8 (100 МГц) :5300 •1 1 ;: 11 1 " 1 ЗбК 30...90 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) $27 - $15* 2Т333-3 50...150 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - $15* 0.7 0,25 70...280 (1 В; 1О мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* 30...90 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* h~L 50 ... 150(1 В; IОмА) :54,5 (5 В) $27 - :525* <::SКооб 70...280 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) $27 - :525* Кпюч 0.ОЧ 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) $30 - $30* 2Т336 40... 120 (1 В; 10 мА) 1 :55 (5 В) :530 $30* 1 - hm,t ;е:80 (1 В; 10 мА) s5(5В) :530 - :550* 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) $30 - $15* 40... 120 (1 В; 10 мА) s5(5В) 1 $30 - :515* ;е:80 (1 В; 10 мА) s5(5В) $30 - $15* r::::r5 оq.к Кпюч 0,01/ 25...75 (1В; 1мА) :511 (1 В) :530 - :5130* 2Т348-3 35...120 (1 В; 1мА) :511 (1 В) :530 - $130* hпfJt 80...250 (1 В; 1 мА) :511 (1 В) :530 - :5130* 1 ~ 1 i 1 ~ <::SКооб 1 /(, о.оч 1 ~ 1 пюч 40...200 (2 В; 5 мА) :51,3 (5 В) - :510* :525 2Т354-2 90...360 (2 В; 5 мА) :51,3 (5 В) - $10* :530 1 0,8 ~щ~л~ 1 5КЗ 1 80...300* (5 В; 1О мА) 1 :52 (5 В) - - :560 1 2Т355 1 1 ii6Фkз о.о ~ ' . Корп. 25...70 (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :535 - $450; :5100* 2Т360-1 40...120 (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :535 - :5450; :5200* !;1 0,8 80...240 (2 В; 1О мА) s5(5В) :535 - $450; :5200* v Q;) ' 1 5КЭ 19зак 9
290 Тип прибора 2ТЗ6ЗА ,2ТЗ6ЗБ 1: ~ 1 1 2ТЗ64А-2 2ТЗ64Б-2 2ТЗ64В-2 1 • l2ТЗ66А-1 2ТЗ66Б-1 2ТЗ66В-1 2ТЗ66Б1-1 ,, .. i: '1, 2ТЗ67А 1[ \\2ТЗ68А ~2ТЗ68Б " ;, f, q 1 2ТЗ68А-9 2ТЗ68Б-9 2ТЗ70А-1 12тз10Б-1 1 Струк- Такр .• тура ·с p-n-p -60...+1251 p-n-p -60...+125 ! p-n-p -6 0".+85 p-n-p - 6 0."+85 p-n-p i -60" .+85 1 i 1 1 1 i 1 ! 1 1 n-p-n 1 -60".+85 1 ' ' ' n-p-n 1 - 6 0".+85 1 n-p-n 1 -60".+85 1 n-p -n 1 - 6 0".+85 1 1 1 1 i ; 1 ' 1 n-p-n 1 -60."+125 1 1 i 1 1 ! 1 1 1 1 n-p-n 1 -60".+125 \ ' nрn160+1251 ' -- - ". 1 ! 1 ! 1 1 ' ! 1 1 1 1 1 n-p -n - 6 0".+100 n-p-n - 6 0".+100 1 1 i 1 p-n-p 1 -60".+85 1 ! p-n-p - 6 0".+85 1 1 1 1 1 Ркmах• Р~.тmа'' р~:иmах• мВт 150 (45°С) 150 (45°С) 30 30 30 30 (70°С) 50 (70°CJ 90 (70°С) 50 (70°С) 100 225 (65°С) 225 (65°С) 100 (65°С) 100 (65°С) 15 15 1 1 ! 1 1 1 1 1 '1 1 1 1 1 1 ~•• \210 • ~:;lt• с· '" МГц ~1000 ~1500 ~250 ~250 ~250 ~1000 ~1000 ~1000 ~800 1,5 ГГц ~900 >900 - ~900 ~900 ~1000 ~1200 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' ' 1 1 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы Uю;onpo0• U~ЭR npo6' U~эо проб• в 15* (lк) 12* (lк) 25 25 25 15 15 15 15 10 15 15 15 15 15* (lк) 12* (lк) ' 1 1 1 ; 1 1 1 i ' i 1 1 1 i1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i UЭБOmaxt в 4.5 4.5 5 5 5 4,5 4,5 4.5 4,5 4 4 4 4 4 4 4 1 1 1 : i 1 1 1 ' ! 1 i 1 : ! 1 1 1 1 1 lк maA 1~. н max• мА 30 (50*) 30 (50*) 200 (400*) 200 (400*) 200 (400*) 10 (20•) 20 (40*) 45 (70*) 10 (40*) 20 (40*) 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) 15 (30*) 15 (30*) : 1 1 'i 1 ! 1 ! ' ! 1 i 1 ! i i i ! 1 1 1 1 : 1 1 ii ! 1 1 IКБО• l~ЭR• гКЭО• мкА $0.5 115 BJ $0.5 (15 ВJ $1 (25 В) $1 (25 В) $1 (25 В) $0,1 115 BJ $0,1 (15 В) $0,1 (15 В) $0,1 (15 В) $0,5 (15 В) $0.5(158) <05(1581 - . $0,5 (15 В) $0,5 (15 В) $0,5 (15 В) $0,5 (12 В) ., '~ ! j ' ; '., 1. 1' !! 11 ~11 !i ~ ~R,.
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ,1 : ~..120* (5В: 5мА) 1 s2 (5В) 40... 120• (5 В; 5 мА) s2(5В) !1 20...70* (1 В: 0.1 А) :515 (5 В) ,, 4U...120• 11 В: 0.1 А) sl5(5В) 1 11 11 80...:!40* (1 В: 0.1 А) sl5(5В) ' ., 1 ., ' 11 1 11 :1 ! ,, 1 11 11 1' 50...200 11 В: 1 мА) sl.l (0,1 В) 1 50...200 (1 В; 5 мА) sl,8 (0,1 В) 50".2 00 (1 В; 15 мА) s3,3 (0.1 В) 11 11 11 50...200• /15 мА: 1В\ sl.8 IO.l В) 40...330 (5 В; 10 мА) 1,5 50...300* (1 В: 10 А) sl.7 (5 В) 50...300• (1 В: 1О мА) sl,7 (5 В) 50."300 (1 В: 10 мА) sl,7 (5 В) 50...300 (1 В; 10 мА) sl.7 (5 В) 20...70 (5 В; 3 мА) s2(5В) 40... 120 (5 В: 3 мА) s2(5В) 19' rКЭнас' Ом r~Эн.icl Ом к:· •. дБ $35 $35 s3 $3 $3 s80 s25 $16 s25 $35 $35 1 1 Кш, дБ r;, Ом Р;:,, Вт - - - - - - - - 4,5 s3.3 (60 МГц) s3,3 (60 МГц) s3,3 (60 МГц) : 1 т,. пс f~a{' НС t::кл 1 НС t''"в11.л' НС s50; slO* s75; s50* s500: slOO* s500: sl30• s500: sl60• s60; s50* s50; s80* $10; $120* s50: s80* $15 $15 $15 $15 s50: slO* s75: slO* 291 Корпус 1! 2Т363 ~5,Bq 1 ~зфк 1 1 2Т364-2 ! J 1 1 ! ~11~1 "1 !Е ~ 1" 11 1 бКЭ 1 2Т366 0,85 о,5 т 1 :Q 1! ~~ i 11 1 1 с.о ,, ·1 ,, бКЭ 2Т366-1-1 1 0,8 ~Щ~Jf 5КЭ 1 2Т367 ~tк ~ 2,7 2Т368 ~5,8 ~tj з ~ Корп-$5 ~ к 2Т368-9 J О,95 ~х_ 2Т370-1 ~tt~It бк·з
292 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 pKmaAt ~р• (216• UКГ><> проб' lкоо• ~ Тип Струк-1 Токμ., р• ~:;,1, U~ЭR nμoбt UЭБOтnd\t lк шах ·~ЭR• 1 К.Т!Пd\t •• прибора 1 тура 1 ·с р~:иm.н.t ~~;),, u;ЭОп1М.Ю' в J\,И IШl'(t I;эо• мВт МГц в мА мкА IJ2T370A9 1 p-n-p 1 -60 ...+85 30 ~1000 1 15* (lк) 1 4 15 (30*) 1 $0,5 (15 8) 112Т370Б9 1 p-n-p 1 -60 ...+85 1 30 ~1200 12* (1 к) 4 1 15 (30*) 1 $0,5 (12 8) 1 1 i 1 1 ! 2Т371А n-p-n -60 ...+125 100 (85°С) ~3000 10 3 20 (40*) $0,5 (10 8) 1 ' 1 1 1 i 1 ~ 1 1 i 1 1 1 1 1 1 2Т372А n-p-n -60 ...+125 50 (100°С) ~2400 1 15* (lОк) 3 10 $0,5(158) 2Т372Б n-p-n -60 ...+125 50 (lOO"C) ~3000 15* (10к) 3 10 s0,5 (15 8) 2Т372В n-p-n -60 ...+125 50 (lOO"C) ~2400 15* (lОк) 3 10 $0,5 (15 8) ' 1 1 ; li2TЗ77A-2 1 n-p-n i -60 .. . +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) S3 (30 8) ~2Т377Б-2 1 n-p-n 1 -60 .. . +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) s3 (30 8) ll2T377B-2 1 n-p-n 1 -60 . .. +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) s3 (30 8) ~ i 1 ~ 1 1 11 1 ! i' 1! 1 2Т377А1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) s3 (30 8) 2Т377Б1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) $3 (30 8) ~2Т377В1-2 1 n-p-n 1 -60 . .. +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) sЗ (30 8) 1 •' 1 i ii р 1 ! i !1 ! 1 ~ il ! 1 ' 2Т378А-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 8) 2Т378Б-2 ' -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 8) n-p-n i 1 1 ~ 2Т378Б-2-1 i n-p-n ! -60 . .. +125 50 ~200 30 4 400 (800*) 1 slO (30 8) 1' i i .1 1 1 1 1 :1 1 1 i 1 • ,, 1 1 1 11 1 1 1 '1 1. 1 1 ~ 1 1 2Т378А1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 8) 2Т378Б1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) slO (60 8) ~ i 1 1 11 ~ 1 i 1
i 1 i ~, ) 1 1 Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения h",, ь;,э 20...70 (5 8; 3 мА) 40".i20 (5 8; 3 мА) 30". 240 (1 8; 10 мА) 10".90 (5 8; 10 мА) 10".90 (5 8; 10 мА) 10".90 (5 8; 10 мА) 20".80* (150 мА; 2 8) 50" .i20• (150 мА: 2 8) 80".220• ( 150 мА; 2 8) 20".80* ( 150 мА; 2 8) 50" .120* (150 мА; 2 8) 80".220* ( 150 мА; 2 8) 20".80* (200 мА; 5 8) 50. "180* (200 мА: 5 8) 40". 180* (200 мА; 5 8) 20".80* (200 мА: 5 8) 50" .180* (200 мА; 5 8) 1 i ! 1 1 i 1 1 ! ck, c;l~' пФ $2(58) $2(58) $1,2 (5 В) $1(58) $1(58) $1(58) $15(108) $15 (10 8) $15 (10 8) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) 1 1 1 1 1 1 1 fкэкас' Ом r~Эи.~с' Ом к~·., дБ $35 $35 ~9** (0,4 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) $6 $6 $6 $4 $4 $4 $4 $4 ' 1 1 1 1 Kw, дБ r;, Ом Р;~х' Вт $4 (400 МГц) $10• $3,5 (1 ГГц) $5,5 (1 ГГц) $5,5 (1 ГГц) - - - - - - - - 1 1 1 1 1 ."пс t~,. нс t::IUlt НС t::, нс $50; $10* $75; $10* $15 $400: $70• $400: $70• $400: $70• $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* 293 Корпус 2Т370-9 J О.95 ~~х 2Т371 2ТЗ72 ~~~No 2Т377-2 С)) -- r-. /1\ ,._ 1 5КЭ 2Т377-1-2 J -~ 7 ~ КбЭ 2Т378-2 ~~ ~t /1\ 5КЭ 1 2Т378-2-1 !1 i J 7 -~~ КбЭ 2Т378-1-2 1 J 7 -~~1 КбЭ 1 ! ,, ·'
294 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 i 1 1 1 1 PKll!d\' ~v' ~:21б' UKБ011pu()t lкьо• 1 i 1 lк mdx Тип 1Струк- Токр. • P~.Tlnd\' ~:;lt' U~ЭR npt.16 1 1u ' i I~э•• прибора 1 тура ·с р~~иm.i\' ~~:~, U~эо пμоб' 1 Эlв"'"' i 1~,и m.i'(t 1 1;эо• 1 мВт МГц в мА 1 мкА 2Т381А-1 -60 ...+70 15 (40°С) ~200 15* (1к) 6,5 1 15 ! :<>10мА(5В) n-p-n 1 2Т381Б-1 n-p-n -60 ...+70' 15 (40°С) ~200 15* (1 к) 6,5 15 1 :<>10 мА (5 В) 2Т381В-1 n-p-n -60...+70 15 (40°С) ~200 15* (1 к) 6.5 1 15 :<>10 мА (5 В) 2Т381Г-1 n-p-n -60 ...+70 15 (40°С) ~200 1 25* (1 к) 6.5 1 15 1 :<>10 мА (5 В) l 2Т381Д-1 n-p-n -60...+70 15 (40°С) ~200 15* (1 к) 6,5 1 15 1 :<>10 мА (5 В) 1 1 ! ! 1 1 .1 1 1 2Т382А n-p-n 1-60.. . +1251 100 (65°С) ~1800 15 1 3 1 20 (40*) S0,5 (15 В) 2Т382Б n-p-n ! -60 .. . +1251 100 (65°С) ~1800 15 3 20 (40*) s0.5 (15 В) 1 i 11 2Т384А-2 - 60 ... +125 300 ~450 30* (5к) 5 300 (500*) :<>10 (30 В) n-p-n :1 1 i i; i 1 1 1 11 1 1 1 1 11 1 1 1 1 ' 1 1 1 1 1 2Т384АМ-2 n-p-n - 60 ... +125 300 ~450 30* (5к) 5 300 (500*) ~~ 1 1 2Т385А-2 i n-p -n - 60 ... +125 300 1 ~200 60 5 300 (500*) 1 :<>10 (60 В) 1 1 1 i i 1 1 i 1 1 1 2Т385А-9 n-p-n - 60 ... +125 150 ~250 60 5 300 :<>100 мА 11 1 i 1 i 1 1 1 1 1 2Т385АМ-2 1 n-p-n - 60 ... +125 300 ~200 60 5 300 (500*) 1 :<>10 (60 В) 2Т388А-2 p-n -p - 60 ... +125 300 (8О0С) ~250 50 4,5 250 :<>2 (50 В) 1 1 1 1 i i 1 1 1 1 1 1 i 1 ·1 1 1 1 1 1 '1 !1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 295 с•. rкэ",• Ом Кw1 дБ tк• ПС ь"•. ь;,э с;2,, r~""' Ом r;, Ом t~c• НС Корпус пФ к~:.. дБ Р;~х• Вт t::кл• НС t:::,. нс ~50* (10 мкА; 5 8) - $40 - - 2Т381-1 ~40* (10 мкА; 5 8) - $40 - - 1,1 1t ~30* (10 мкА; 5 8) - $40 - - ~20* (10 мкА; 5 В) - $40 - - - ~20* (10 мкА; 5 8) - $40 - ! - . ..: ' 1 : 1 1 ~ 1 i 1 1 бЭК ,1 ' 1 40...330 (1 8: 5 мА) $2(58) ~9** (0,4 ГГц) $3 (400 МГц) $15 1 2Т382 40...330 (1 8: 5 мА) $2(58) ~5** (О,4 ГГц) $4,5 (400 МГц) $10 ~t 30... 180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8) $4 - $12* 1 2Т384-2 1 1 ~~ ~t 1 i 1 '1\ 5К3 30...180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8) $4 - $12* 2Т384М-2 J -& 7 ~ 1 К5Э 1, 1 1: ~ 30... 150* (! 8: 0,15 А) 1 $4(108) $5 - 1 $60* 1 2Т385-2 ' 1 1 ~~~1,1 ~ 111-~ бКЭ 40 ... 150* (! 8; 0,15 А) - - - $60* 2Т385-9 J 0,95 1 1 ~*Х 1 30 .. .150* (! 8; 0,15 А) $4(108) $5 - $60* 2Т385М-2 J -& 7 ~ К5Э 25 ... 100* (1 8; О, 12 А) $7(108) $5 - 60; $60* 2Т388-2 1 ~пз ! 1 1 1 1 1 11\~ 1 1 6кз
296 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maAt ~•• (z10• UКБО проб' IKmax lкоо• Тип Струк- Такр.• Р~.т 1n3At Ii:; 1~· U~ЭR """"' UЭБOmaAt 1:. и maxt I~ЭR• прибора тура ·с р~~ и maxt ~:;.\, U~эо """"' в мА 1;;;,о• 1· мВт Мfц в мкА !i2T388A-5 p-n-p ! -60 . .. +1251 300 ~250 50 4,5 250 :s;2 (50 В) ,, 11 i 1: li 11 2Т388АМ-2 p-n-p -60 ...+125 300 (8О0с) ~250 50 4,5 250 :52 (50 В) !1 lf--~~~-+-~~-+-~~~+-~~~~~+-~~~--lf--~~~+-~~-+-~~~~-+-~~~~~--0 Jj2T389A-2 11 11 2Т391А-2 2Т391Б-2 2Т392А-2 l2ТЗ96А-2 ii, . ~~ 2Т397А-2 11 11 '1 ~2Т399А ' 1 1 1 1 1 1 : 1 1 i 1 i : 1 1 p-n-p 1-60 . .. +1251 300 (8О 0С) n-p -n -60 ...+125 n-p -n -60 ...+125 1 1 1 1 1 1 p-n-p 1 -60 ...+85 1 n-p-n 1 -60 . .. +1251 i 1 ! 1 1 1 ! ! n-p-n -60 ...+125 1 i 1 1 1 n-p-n 1-60. .. +1251 10 (85°С) 10 (85°С) 120 (65°С) 30 (5О0с) 120 (9О0С) 150 (65°С) 1 1 1 ~450 ~5000 ~5000 ~300 ~2100 ~500 ~1800 25* ( 1к) 15 15 1 40*(10к) 15 1 1 40* (lОк) i 1 15 4,5 2 2 4 3 4 3 1 1 1 1 300 10 10 10 (20*) 40 (40*) 10 (20*) 20 (40*) 1 1 1 ! 1 :51 (25 В) :50.5 (10 В) :50,5 (10 В) :50,5 (40 В) :50,5 (15 В) $1(40в :s;0,5 (15 В) 1 ~~
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 25 ... 100* (1 В: 0.12 А) 1 25 ... 100* (1 В; 0.12 А) ck, с;2эt пФ $7(108) s7(10B) 25... 100* (1 В; 0,2 А) SIO (10 В) ~20(7В;5мА) ~20(7В;5мА) 40 ... 180* (5 В: 2.5 мА) 40...250 (2 В: 5 мА) 40...300 (5 В; 2 мА) ~40~!1В;5мА) s0,7 (5 В) s0.7 (5 В) s2.5 (5 В) sl.5 (5 В) Sl,3 (5 В) sl.7 (5 В) Гкэиас' Ом r~Ha{·' Ом к~·•. дБ $5 $5 $3 ~6** ~6** $50 slI* $25* ~11,5 (0,4 ГГц) Кш, дБ r~, Ом Р;:" Вт $4,5 (3,6 ГГц) s5,5 (3,6 ГГц) 4,5 (100 МГц) s2 (400 МГц) tк, ПС t~,. нс t::клt НС t::, нс $60* 60; s60* $25*; $180 $3,7 $3,7 $120 $15 $40 $8 297 Корпус 2Т388-5 1 о~ ~з 1 cir:EJT 2Т388М-2 ~ЩJ ~м- /1\ -L] 5КЗ 2Т389-2 :;~у ,, ,~о 6кз 2Т391-2 2Т392-2 ~~ i• " /11 ~l 6КЭ 2Т396-2 ~~~! 5/(э 1 2Т397-2 Z2 7,5 :;4?, ~д 6кз 2Т399 ~Ei!l5,8 з ~ Корл~б t:1 ~
298 1 ~ ~ Типприбора 2Т504А 2Т504Б 2Т504А-5 2Т504Б-5 2Т505А 2Т505Б 11 li 1 l2T505A-5 !2Т506А .2Т506Б 2Т506А-5 2Т509А 1 2Т509А-5 ~ ! 1 1 Струк-1 Токр.• 1 тура 1 1 n-p -n n-p -n : 1 1 n-p-n n-p -n p-n-p p-n-p : : p-n -p 1 1 1 1 n-p -n n-p -n !·с i 1-60" .+125 -60 ...+125 1 1-60 " .+125 - 6 0".+125 - 60".+125 - 60".+125 - 60".+125 ! i -6 0 " .+1251 - 60".+125 i pKm41,11:t P~.tmJiiA' р~~ и ma.xt мВт 1 (10*) Вт 1 (10*) Вт 0,025 ( 1О*) Вт 0,025 (10*) Вт 1 (5*) Вт 1 (5*) Вт 1 (5*) Вт 0,8 ( 10*) Вт 0,8 (10*) Вт n-p -n -60". +125 f 0,8 (10*) Вт p-n -p - 60".+125 1 0,3 (1 *) Вт i 1 1 i1 1 p-n -p -40".+85 0,025 ( 1*) Вт 1 1 1 1 i 1 i1 1 1 1 i 1 1 1 1 ~•• t .:210• ~:;lэ' t" "' МГц ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~10 ~10 ~10 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО щюб• U~ЭR проб• u~проб• в 1(2*)А 1(2*)А 1 400; 350* 200* (0,1 к) 300* (0.1 к) 250* (О, 1к) 1 1 i 1 300* (О, 1к) 1 1 1 1 800 600 800 1 1 u'",;•" 1 1 1 1 6 6 6 6 5 5 5 5 5 5 1450*(lОк)1 5 1 1 1 1 1 1 1 450* ( 10к) 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 i1 1 1 1 i i i 1 JKm•). 1:.н maA' мА 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 2(5*)А 2(5*)А 2(5*)А 20 20 1 1 1 ! 1 1 i 1 1 : 1 1 ! i i1 i lкю• I~ЭR• 1~, мкА SlOO (400 В) SlOO (250 В) SlOO (400 В) SlOO (250 В) SlOO (300 В) SlOO (250 В) SlOO (300 В) SlOOO (800 В) S200 (600 BI SlOOO (800 В) s5 (500 В) s5 (500 В) < i 1
! 1 1 ! ; Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения h~i'' h~ 13 15... 100* (5 В; 0.5 А) 15... 100• (5 В; 0.5 А) i5...100• (5 В; 0.5 А) 15... lOO• 15 В: 0.5 А) 25...140* (1О В; 0.5 А) 25...140* (10 В; 0,5 А) 25 ... i40• !10 В: 0.5 А) 30...150* (5 В; 0,3 А) 30...150* (5 В; 0.3 А) 30...150' (5 В; 0.3 А) с,, c;2j• пФ s30 (10 В) s30 (10 В) s30 (10 В) s30(IOB) s70 (5 В) S70 (5 В) S70 (5 В) s40 (5 В) s40 (5 В) s40 (5 В) 15 ... 100 (10 В; 0.1 мА) s2,9 (100 В) 15 ... 100 (10 В; 0,1 мА) s2,9 (100 В) i 11 1 1 1 1 1 1 Гкэ11ас' Ом r~энdt·' Ом к:· •. дБ $2 s2 $3,6 $3,6 $3,6 lОк lОк 1 1 Кш, дБ r;, Ом Р;:,, Вт 1 1 1 ! 1 1 - t111ПС t~,"l, нс t::.~кл• НС t:·:,. нс $2700• $2700' $2700* $2700' $2600* $2600* $2600* $1560* $1560* $1560* S500 $500 299 Корпус 2Т504 2Т504-5 1 0,32 -ШТ 2Т505 2Т505-5 1 1 1 0,32 -rВТ 2Т506 2Т506-5 2Т509 '<>~ /( з .. tw:. С'1 б 2Т509-5 1 0,32 -ШТ 1 1: 1' ~ ' ~
300 Раздел 2. Биполярные транзисторы pl\1m1\I 1 ~11• ~2161 UКБО nμui1I lк m.111: lкьо • Тип Струк- Токр.о P~.тin.ixl ~:;11• u~ЭR npol1I UЭБOmaxl I" I~ЭR• прибора тура ·с р~:ИIП.~\1 ~;;~, u~эо ,,, .,.. в К, и 111.ix' I~эо• мВт МГц в мА мкА 2Т528А-9 n-p-n 1-60...+125 600 - 100* - 2000 - i 2Т528Б-9 n-p -n -60 ...+125 600 - 80* - 2000 - 2Т5288-9 n-p -n -60 ...+125 600 - 50* - 2000 - 2Т528Г-9 1 n-p-n i -60 ...+125 600 - 30* - 2000 - !12Т528Д-9 1 n-p-n 1 -60 . . . +1251 600 - 12* - 2000 - 11 1 1 1 1 1 11 1 1 i! 1 11 1 1 2Т602А n-p-n -60 ...+125 0.85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) SIO (120 В) 2Т602Б n-p-n -60 ...+125 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) slO (120 В) 1 1 1 ~ 1 ! 1 1 2Т602АМ n-p-n -60 ...+125 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) slO (120 В) 2Т602БМ 1 n-p-n -60 ...+125 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) SIO (120 В) 1 1 1 1 1 1 1 11 ~ 1 ! 1 ' 12Т603А 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 О,5 Вт (50°С) ~200 30* ( 1к) 3 1 300(600*) ! s3(30В) ~ 12Т603Б 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 о.5 Вт (50°С) ~200 30* ( 1к) 3 300 (600*) s3 (30 В) 12Т6038 1 n-p-n 1-60 . . . +125 О,5 Вт (50°С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) s3 (15 В) 2Т603Г 1 n-p-n -60 ...+125 О,5 вт (50°С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) s3 (15 В) 2Т603И n-p-n 1-60 . . . +125 о.5 Вт (50°С) ~200 30* ( 1к) 3 300 (600*) s3 (30 В) 2Т606А n-p -n -60 ...+125 2,5** Вт (40°С) ~350 65 4 400 (800*) Sl,5* (65 В) 1 ! i 1 1 1: ' 2Т607А-4 n-p-n -60 ...+125 1,5 Вт ~700 40 4 150 sl (30 В) ' 1 ~ 2Т608А -60 ...+125 0.5 Вт ~200 60 1 4 400 (800*) 1 SIO (60 В) 1: n-p-n 1 ' l2Т608Б n-p-n 1-60 . . . +1251 0,5 Вт ! ~200 60 1 4 400 (800*) 1 SIO (60 В) ·! ~ 1 1 i! ~ 1 1 1 !1 ii 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 301 ck, fкэнас' Ом Кш, дБ t" пс h21"t ь;IЭ с;2э' r~Энас' Ом r~, Ом (те' НС Корпус пФ К~',. дБ Р;~", Вт •::кл' НС t::,, нс 20...200 (5 В; 1 А) - $0,4 - 300* 2Т528-9 20...200 (5 В; 1 А) - $0,4 - 300* 50...250 (5 В; 1А) - $0,4 - 300* 4,6 - 1,6 50...250 (5 В; 1 AJ - $0,4 - 300* 1 1 50...250 (5 В; 1 AJ - $0,4 - 1 300* ~t~-Pw \tt ~ i 1 1 1 ~- 5 0,4 1 1 ~"' 11 O..f.f i ~5. 1,5 0,48 20...80 (10 В; 10 мА) $4 (50 В) $60 - $300 2Т602 <':50(10В; 10мА) $4 (50 В) $60 - $300 :1~1~у 1 1 к 1 20...80 (10 В; 10 мА) $4 (50 В) $60 - $300 2Т602М <':50 (10 В; 10 мА) $4 (50 В) $60 - $300 Q~=~ 20...80* (2 В; 15 А) 1 $15 (10 В) $7 - $400; $70* 2Т603 <'::60* (2 В; 0.15 А) 1 $15 (10 В) $7 - 1 $400; $70* 20...80* (2 В: 0.15 А) 1 $15 (10 В) $7 - $400; $70* :I~1<Ф. 1 <'::60* 12 В: 0.15 AJ 1 $15(!ОВ) $7 - $400; $70* 2 <':20*t2В;0.35AJ i $15(10В) $3,4 - $400; $70* ~ 1 1 ' 1 1 i к <':15* (10 В; 0,1 А) $10 (28 В) $5; <':2,5** ;:.:О,8** (0,4 ГГц) $10 2Т606 \ :~~ fl..... 6 - 1 $4(108) <':4** (1 ГГц) <':I ** (1 ГГц) $18 2Т607-4 _j~'к . 6,~ 6 25...80* (5 В; 0,2 А) $15 (10 В) $2,5 - $120* 2Т608 50...160* (5 В: 0.2 А) $15 (10 В) $2,5 - $120* ' :No6<Ф3 1 1 к
302 Тип прибора ~2Т610А 112Т610Б ~! 1 2Т624А-2 1 ! i Струк­ тура i i n·p ·n n-p -n n·p ·n 11 ! 12Т624АМ-2 1 n-p -n i2T625A-2 1!2Т625Б-2 11 li 11 11 2Т625АМ-2 2Т625БМ-2 li2T629A-2 '1 1 n·p·n n·p·n n·p·n n·p·n Такμ, ·с -6 0 ... +1251 -6 0 ... +125 -6 0 ... +125 1 1 1 ! 1 -60 ...+125 1 1 -60 ...+125 1 -60 ...+125 1 1 1 1 -6 0 ... +125 -60 ...+125 2Т629А-5 p·n ·p -60 ...+125 2Т629АМ-2 p-n -p -60...+125 1 1 pl\llld\' ~,,, ~:216' Р~. т rn""' ~:;1 t' р~~ 11 md"' ~~·;,' мВт МГц 1,5 Вт (50°С) ~1000 1,5 Вт (50°С) ~700 1 1Вт ~450 1Вт ~450 1Вт ~200 0.7 Вт (125°С) ~200 1Вт ~200 0,7 Вт (125°С) ~200 1Вт ~250 1000 ~250 1Вт ~250 J 1 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО Про(J' 1 ! U~ЭR "pu6' 1 Uэьо ma"' u~эо"''°'" 1 в в i 1 26 4 26 4 30 4 1 30 4 40* (5к) 5 40* (5к) 5 40* (5к) 5 40* (5к) 50* ( lк) 4,5 50 4,5 60 4,5 Ik.m",,, 1~. н ma"'' мА 300 300 1000 (1300*) 1000 (1300•) 1 !ООО (1300*) 1 IA(l,3 •A) 1 1 1 ' 1000 ( 1300*) 1А(1,3*А) 1000 1000 ! !А IКЬО' I~ЭR• I~эо• мкА :<>0,5 (20 В) :<>0,5 (20 В) :<>100 (30 В) $\00 (30 BJ :<>30 (60 В) $30 (60 В) :<>30 (60 В) :<>30 (60 В) :<>5 (50 В) $5 (50 BJ $5 (50 В) 1 1 :1 i!
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 303 i 1 1 1 1 ~ rКЭнасt Ом ' tll.1 пс 1 1; 1 с.. Кш, дБ u t~1.• НС 1 ~ ! h21з• ь;.э С~2,• r~эн~• Ом r~. Ом 1 Корпус ~ пФ к~·v, дБ Р;~". Вт t::мt НС i t:::, НС 50 ... 250* (10 В; 0.15 А) :s;4,l (10 В) - 6 (0.2 ГГц) :s;35 2Т610 20 ... 250* (10 В; 0,15 А) :s;4,l (10 В) ~6.4** (0,4 ГГц) 6 (0.2 ГГц) :s;l8 ~ с-.. ~ ,...., ~ "&. ·З ~g 12,1 20,5 i 30... 180* (0.5 В: 0.3 А) 1 :s;l5 (5 В) :s;9 - 1 :s;I8 i 2Т624-2 ~ : i 1 ; 1 ~~ ~t 1 1 1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 11\ 5К3 30... 180* (0.5 В; 0,3 А) :s;l5 (5 В) :s;9 - :s;18 2Т624М-2 J 1 ' -ffiF ~ 1! 1 1 !i 1 i i К5Э 1 ' 1 1! ! .1 30...120* (1 В: 0.5 А) 1 :s;9 (10 В) :s;2.4 1 :s;60 2Т625-2 ·1 - 1 11 i20...i20* (500мА: 1В) i :s;9 (10В) 1 :s;l,3 - 1 :s;60 ~~;!1 1 1 1 1 ' 1 1'\~ 5кз 30... 120* (1 В; 0.5 А) :s;9 (10 В) :s;2,4 - :s;60 2Т625М 20... 120* (500 мА: 1 В) :s;9 (10 В) :s;l,3 - :s;60 ~ 1 1 1 J 7 1 1 1 -ffiF ~ К5Э 25...80* (1.2 В: 0.5 А) :s;20 ( 1О В) :s;l,6 :s;l20; 90* 2Т629А-2 ~~у ,, '~о 5кз 25...150* (5 В: 0.5 А) :s;25 (1 О В) 90* 2Т629А-5 25...80* (1.2 В; 0,5 А) :s;20 (10 В) :s;l,6 2Т629АМ-2 ~~у ",~о 5кз
304 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Рк rna). ' ~р• ~•••• UКБО ороб' lкw• IKmax Тип Струк- Токр., Р~. тmа).' ~;lэ' u~ЭR ороб' UЭБОmах' J~. и max' I~ЭR• прибора тура ·с р~~и ma).' ~:;х, u;эо проб' в мА 1;эо• мВт МГц в мкА 2Т630А n-p -n - 60 ... +125 0,8 Вт <'::50 120 7 1000 (2000*) $\ (90 В) 2Т630Б n-p -n -60 ... +125 0,8 Вт <'::50 120 7 1000 (2000*) :Sl (90 В) 1 1 1 1 1 !1 i1 11 ! 1 ! ! 1 '2Т630А-5 n-p-n 1-60 ... +125 0,8 Вт ;:>:50 120 7 1000 (2000*) sO,l (90 В) 2Т632А p-n-p -60 ... +125 0,5 Вт (40'С) <':200 120* (lк) 5 О, 1 А (0,35*А) :Sl (120 В) . ~ 1 1 1 12Т633А n-p-n - 60 ... +125 1,2* Вт <'::500 30 4,5 200 (500*) s3 (30 В) i ' 2Т634А-2 i n-p -n 1-60.. . +125 1,2 Вт <':1500 50 3 150 (250*) :Sl мА (30 В) 1' 1 1 1' 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т635А n-p-n - 60 ... +125 0,5 Вт <':250 60 5 1 {1,2*)А :SIO (60 В) 1 1 1 i2T637A-2 ! n-p-n -60 ... +100 1,5 Вт <':1300 30 2,5 200 (300*) sO.l мА (30 В) 1 2Т638А n-p-n -60 ... +125 0,5 Вт; 1•• Вт <':200 120* (lк) 5 O,IA (0,35* А) 1 sO.l мА (120 В) 1 1 ~ 1 1 ~ 1 1 1 1: 1 ~ 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения !40... 120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В) 80... 240* (10 В: 150 мА) :!>15 (IO В) 40.. .120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В) ~50(1мА;10В) 1 :!>8 (20 В) 40.. .140 (1 В; 10 мА) ~4.5 (10 В) rкэиас:' Ом r;Эиас:' Ом к:~.. дБ :!>25 $5 :!>2,5 (15 В) ~1,4** (5 ГГц) 25...150* (1 В; 0,5 А) :!>10 (10 В) 30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В) ~50(1В;10мА) :!>8 (20 В) 20зак 9 Кш• дБ r;, Ом Р;~х' Вт ~5* ~5* ~5· :!>6 (20 МГц) ~О.45** (5 ГГц) ~0.5•• (3 ггц) 'tKI пс ~~,.нс tаыклt НС t::, нс :!>500** $500** $500** :!>100; :!>2000* $13*; $18** :!>58; :!>60** $25; 1* мкс 305 Корпус 2Т630 1 2Т630-5 ~rEJГ 2Т632 2Т633 2Т634-2 ~з~ ~t ~1+w6 2Т635 2Т637-2 2Т638
306 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах1 1,,,. (210• UK50npoб' lк max lкоо, Тип Струк· Токр., Р~.тmах1 t1э• U~Rnpoб• UЭ&Omax• 1;, и max• ·~Rt прибора ·с р~кmах• с u;эо проб• в ••• тура х• мА КЭО• 1 мВт мrц в мкА ! 2Т640А-2 п-р-п 1 -60 .. . +125 I 0,6 Вт (60°С) ~3 ГГц 25 3 60 1 ~О.5 мА(25В) 1 1 i 1 ! 1 1 1 2Т640А1-2 п-р-п -60 ...+125 0,6 Вт (6О0С) ~3 ГГц 25 3 60 ~0.5 мА (25 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т640А-6 п-р-п -60 ...+100 0,6 Вт (60°С) ~3 ГГц 15 3 30 ~0.5 мА (25 В) ! i 1 1 ! ! ~ 1 i 1 1 2Т640А-5 1 п-р-п l -60 .. . +100 0,6 Вт (60°С) ~3 ГГц 15 3 !30 1 ~0.5 мА(25BJ 1 ' 1 2Т642А-2 п-р-п -60 ...+125 500 (75°С) - 20 2 60 ~1мА(20В) 1 i 1 1 1 1 2Т642А1-2 1 п-р-п 1 -60 .. . +1251 350 3600 15 2 40 ~500 (15 В) 2Т642Б1-2 п-р-п -60 ...+125 350 3600 15 2 40 ~500 (15 В) 2Т64281-2 п-р-п -60 ...+125 230 - 15 2 40 ~О.5 мА (15 В) 2Т642П-2 п-р-п -60 .. . +125 230 - 15 2 40 ~О.5 мА (15 В) 2Т642А-5 п-р-п -60 ...+125 500 - 20 2 60 ~1мА(20В) 2Т642А1-5 п-р-п -60 .. . +125 500 - 20 2 60 ~1мА(20BJ 1 ll 1 1 q 1 1 1 1 2Т64ЗА-2 1 п-р-п -60 ...+125 1 1,1Вт (50°С) - 25 3 1 120 ~1мА(25В) i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения . 307 ck, fкэнас:' Ом Кш, дБ tK• ПС h21э' ь;IЭ с;2~· r~нас:' Ом r~, Ом f~c' НС Корпус пФ к:·•. дБ Р;:х, Вт •::кл, НС •::, нс 1 :?:15* (5 В; 5 мА) :>1,3 (15 В) 1 :?::6* * (7 ГГц) :>8 (6 ГГц); :?:0,1 ** 1 0,6 2Т640-2 1 1 1 {f ', 1 1 1 1 1 r 1 1 1 1Н9 ,, 1 1 11 ~ 1 1 1 •, 1 1 1 1 1 1 1 1 О)з 1 1 1 :?:15* (5 В; 5 мА) :>1,3 (15 В) 1 :?::6** (7 ГГц) :?:65** мВт (7 ГГц) 0.6 ! 2Т640-1-2 1 1 ' 1' 1 :tr~rйP ' :?:15* (5 В; 5 мА) :>1,3 (15 В) :?::6** (7 ГГц) :?:65** мВт (7 ГГц) 0,6 2Т640-6 i 1 1 'lМ n ! 1 1 ltJ~'flIO· ,~ :?:15* (5 В: 5 мА) :>1,3 (15 В) :?::6** (7 ГГц) :?:65** мВт (7 ГГц) 1 0,6 2Т640-5 11 1 ~11 1 ,, i 1 ! 1 1 ,, ' ." • ; :>1,1 (15 В) :?:3,5* * (8 ГГц) :?::100** мВт (8 ГГц) 2Т642-2, 2Т642-1-2 :>1,1 (15 В) :?:9** (2,25 ГГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :tr~rйP :>1,1 (15 В) :?:8** (2,25 ГГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :?::6** (3,6 ГГц) :>5 (3,6 ГГц) :?:5,5** (3,6 ГГц) :>5,5 (3,6 ГГц) :>1,1 (15 В) :?:3,5** (8 ГГц) :?::0,1 ** (8 ГГц) 2Т642А-5, 2T642-l-5 :>1,1 (15 В) :?:3,5** (8 ГГц) :?::0,07** (8 ГГц) 0,45 0,1 нВТ :>1,8(15В) :?:0,48** (7 ГГц) 2Т643-2 :tr~rйP 20·
308 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Рк max• ~,. \210• UКБО npo61 lк max JКБО• Тип 1 Струк· Токр., Р~. тmа>.1 ~;lэ' U~R проб' UЭБО п1ахt 1;,н m<1xt ·~R• прибора тура ·с p~~иma>.t ~:;),, u~""""' в ••• мА КЭО• 1 1 мВт МГц в мкА 2Т643Б-2 i n-p-n 1 -60 ...+125 1.1 вт (50°С) - 25 3 120 :<;1 мА (25 В) 1 1 1 ~2Т643А-5 i n-p -n 1-60. . . +125 1.1 вт (50°С) - 25 1 3 120 :<;I мА (25 В) 1 i1 1 1 1 2Т647А-2 n-p-n -60 ...+125 О,56 вт (8О0С) - 18 2 90 1000 (18 В) 2Т647А-5 n-p-n -60 ...+125 О,56 вт (8О0С) - 18 2 90 1000(18В) 2Т648А-2 n-p-n -60 ...+125 420 (45°С) - 18 2 60 :<;1 мА(18В) 1 1 2Т648А-5 !n-p-n 1 -60 ...+1251 420 (45°С) - 1 18 2 60 1 :<;1 мА (18 В) 1 ! 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 2Т649А-2 n-p-n -60 ...+125 1,5 Вт ~1.3 ГГц 30 2,5 200 - 2Т652А n-p-n -60 ...+125 1 Вт (50°С) ~200 50 4 1А(2*А) :<;300 (50 В) 1 1 2Т652А-2 n-p -n -60 ...+125 О,5 Вт (50°С) ~200 50 4 1А(2*А) :<;300 (50 В) 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 150... 150* (10 В; 50 мА) 1 1 1 :51,8 (15 В) 1 ~.8 (15 В) :51.5 (15 В) :51,5 (15 В) :51,5 (10 В) :51,5 (10 В) 20...90* (5 В; 50 мА) :53 25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В) 25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В) rкэнас• Ом r~нас• Ом к;,, дБ Кw,дБ r~, Ом Р;:х• Вт :?:0,48•• (7 ГГц) :?:0.48* • (7 ГГц) :?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц) :?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц) 3•• (12 ГГц) 50** мВт (12 ГГц) 3** (12 ГГц) 50** мВт (12 ГГц) 3** (12 ГГц) :?:0,4** (3 ГГц) ."пс ~~·нс t·~:л· нс tвкл• НС :s;1 оо• 309 Корпус 2Т643-2 2Т643-5 0,45 0,1 ~шт 2Т647-2 2Т647-5 0,45 0,1 ~шт 2Т648-2 2Т648-5 0,5 0,1 ~шт 2Т652 з~ 2.< 11\ t::r ЗКо 2Т652-2 ~~у ,,,~о зк5
310 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmак' ~•• ~216' UКБО про<>' lк max lкБО• Тип Струк- Токр., Р~.тmа"' ~:;,~, U~ЭR проб• UЭБО max' 1~. н maA' I~ЭR• прибора тура ·с p~~нmaxt ~~;х, u;эо проб• в мА 1;_;,о, мВт МГц в мкА 2Т653А n-p-n -60 ...+125 5 Вт (40°С) 2:50 130 7 1 А (2А*) 10* (120 В) 2Т653Б n-p-n -60 ...+125 5 Вт (40°С) ;,:50 130 7 1 А (2А*) 10* (100 В) ' i 11 1 1 ! 1 1 1 1 1 2Т657А-2 1 n-p-n 1 -60 ...+1251 375 ;,:3 ГГц 12* 2 60 :51 мА (12 В) 2Т657Б-2 n-p -n -60 ...+125 1 375 2:3 ГГц 12* 2 60 :51 мА (12 В) 2Т657В-2 n-p-n -60 ...+125 375 2:3 ГГц 12* 2 60 :51 мА (12 В) ! 2Т658А-2 p-n-p -60 ...+125 600 (60'С) 2:4 ГГц 12* (lк) 3 75 (150*) 1 :50.5 мА (15 В) 2Т658Б-2 1 p-n-p 1 -60. . . +1251 600 (6О0С) 2:4 ГГц в· (lк) 3 75 (150*) :50.5 мА (10 В) 2Т658В-2 1 p-n-p -60 ...+125 600 (60'С) 2:2 ГГц 15* (lк) 3 75 (150*) :50.5 мА (20 В) 2Т663А p-n-p -60 ...+100 400 2:300 50* 3 250 :50,5 (45 В) 2Т663Б p-n-p -60 ...+100 400 2:300 25* 3 250 :50,5 (25 В) 1 1 1 i 1 1 i1 1 1 1 1 1 1 2Т664А9-1 p-n-p -6 0".+100 l 1• Вт 2:140 120 5 :51 А (1,5* А) :510 ( 100 В) 2Т664Б9-1 p-n-p -6 0".+100 !*Вт 2:140 100 5 :5IA(l,5*A) :510 (100 В) 11 1 1 1 2Т665А9-1 n-p-n 1-60 ". +100 !*Вт 2:50 120 5 1 IA :510 (100 В) 2Т665Б9-1 n-p-n -6 0".+100 1• Вт 2:50 1 100 5 1 !А :510 (100 В) 1 1 1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! ' 2Т669А :55 (50 В) n-p -n -6 0".+125 500 2:200 50 4 400: 800* ~ ! 1 1 1 ., 1 i 1 1 ,; ,. 1 ·' 1 1 1! 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения li 40...150 (150 мА; 10 8) 80 ... 250 (150 мА: 10 8) 60...200 (6 8; 30 мА) 35...70 (6 8; 30 мА) ~20* (50 мА; 5 8) ~30* (50 мА; 5 8) ~20* (50 мА; 5 8) 20...80* (5 8; 50 мА) 20...80* (5 8; 50 мА) 40...250* (2 8; 0.1 А) 40...250• (2 8; О,1А) 40...250 (2 8; О,15 А) 40...250 (2 8; 0,15 А) $20 (10 8) $20 (10 8) $1,1 (15 8) $1,1 (15 8) $1,1 (15 8) $2(108) $2(108) $2(108) $12 $12 $25 (5 8) $25 (5 8) $25 $25 50...160 (5 8; 200 мА) 1 $15 (10 8) rкэнас' Ом r~нас' Ом к~· •. дБ $3,3 $3,3 ~8** (2 ГГц) ~8** (2 ГГц) ~8** (2 ГГц) ~6** (1 ГГц) ~6** (1 ГГц) ~6** (1 ГГц) $3; 8* $3; 8* $2,3 $2,3 $2,5; $5* Кw,дБ r;, Ом Р;~х' Вт ~О.05** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) $7,8 (1 ГГц) $7,8 (1 ГГц) $7,8 ( 1 ГГц) i:" пс ~~,. нс f•ыклt НС •:.нс $1** мкс $1 ** мкс $700** $700** $500** $500** $100* Корпус 2Т653 2Т657-2 2Т658-2 2Т663 2Т664-9 Ч,6 311 - 1,6 ~i~~~ ,1)- ~ ' ..,,. 5 д* ~" 111 O.SJ 448 ~5. 1,5 2Т665-9 Ч,6 - 1.6 ~i~~~ ,f- ~· ..,,. 5 д* ~"" IMJ 448 1.5. 1,5 2Т669
312 Раздел 2. Биполярные транзисторы i[ 1 ' Рк m"x' ~,. ~210• UКБО п,,оо• lкБО• 11 Тип 1 Струк-1 Такр.• р· \;lэ' U~ЭR п,,оо• UЭБО mал t lк max I~ЭR• К, т maxt 1~, И ffiilX t прибора 1 тура ·с р~~ и maxt ~::х' U~эоп,,оо• в I~эо• мВт МГц в мА мкА 2Т669А1 n-p-n -60 ...+125 225 :?:200 50 4 300; 600* :>:5 (50 В) 1 ii1 2Т671А-2 n-p-n -60 ...+125 900 :?:2 ГГц 15 1,5 150 :>:1 мА (15 В) 2Т672А-2 n-p-n -60 ...+125 1* Вт :?:200 50 4 1А;2*А - 1 2Т679А-2 p-n-p -60 ...+125 1,5* Вт :?:300 50* (lк) 3 0,5А;1*А :>:1 (50 В) 2Т679Б-2 p-n-p 1,5* Вт :?:300 25* (lк) 3 0,5А;1*А :>:1 (25 В) ' i 2Т679А-5 p-n -p -60 ...+125 1**Вт :?:300 50 3 0,5А;1*А :>:1 (50 В) 2Т679Б-5 p-n -p 1**Вт :?:300 25 3 0,5А;1*А :>:1 (25 В) 2Т682А-2 n-p-n -60 ...+125 350 :?:4,4 ГГц 10 1 50 :>:1 (lOB) 2Т682Б-2 n-p-n -60 ...+125 350 :?:4,4 ГГц 10 1 50 :>:! (lOB) 2Т687АС2 p-n-p -60 ...+125 1,5 Вт 300 70 3 1,5{3*)А :>:2 мА (50 В) 2Т687БС2 p-n-p -6 0". +125 1,5 Вт 300 60 3 1,5{3*)А :>:2 мА (50 В) 2Т688А2 n-p-n -60 ...+125 750 - 16 1 100 :>:1 мА (16 В) 2Т688Б2 n-p-n -60 ...+125 750 - 16 1 100 :>:1 мА (16 В) 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 40... 180 (2 В; 70 мА) 30... 120 20...80 (2 В; 0,5 А) 20...80 (2 В; 0,5 А) 20... 80 (2 В; 0,5 А) 20...80 (2 В; 0,5 А) 40...75 (7 В; 2 мА) 80... 120 (7 В; 2 мА) 20...90* (5 В; 0,3 А) 20...90* (5 В; 0,3 А) 20...90* (5 В; 0,3 А) 20...90* (5 В; 0,3 А) $15 (10 В) 1,45 (8 В) $30 (10 В) $30 (10 В) $30 (10 В) $30 (10 В) $0,9 (10 В) $0,9 (10 В) $1,1 (8 В) $1,1 (8 В) rкэ и.ас' Ом r~э нас' Ом к~· •. дБ $9; $17* ~4.8** $1,6; $3* $1,6;$3* $1,6 $1,6 ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) $3,3 $2,6 ~1.6** (15 ГГц) ~1.6** (12 ГГц) Кш, дБ r~, Ом Р;~х' Вт ~0.3** (8,5 ГГц) $4 (3,6 ГГц) $4 (3,6 ГГц) ~О.04** (15 ГГц) ~О.08** (12 ГГц) tк, ПС ~~ас' НС tаыклt НС t::, нс $150; $100* 1 1 $60*; <200** $60*; <200** $60* $60* 70 70 313 Корпус 2Т669 2Т671-2 2Т672А-2 ~~\~! 5кз 2Т679-2 ~~* /1\ ~l] бКЗ 2Т679-5 0,45 0,1 ~шт 2Т687-2 ~i'Щ Б~42Б э · ~э к qк 2Т688-2 f G
314 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1Струк-1 Ркmах• ~•• (216• UКБО проб• lк max 1 •коо• Ти.п Токр.• Р~. т max• (;1~· U°КЭR проб• UЭБОmах• 1;. и max• J~Rt прибора 1 1 ·с р~: и max• ~:;х• U".:ЗО проб' в ••• тура мА i кэо• 1 1 мВт мrц в мкА 1 i 1 i i 1 • l2T691A2 1! & р-п-р i-60 ...+125 1 1 1 1200 ~3 ГГц 40 3 200 SlмА(40В) 1 i : i ' 1 i ! 1 ! ' 1 ! 1 1 ! ! : 1 1 R ; 1 ' 1 1 i ! ! ; 1 1 1 2Т693АС п-р-п -60 ...+125 750 - 150* 5 150 SlO (120 В) 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 1 1 ~ 1 1 : ! 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 15* Вт (50°С) ! 1 500** i i 2,5(4*)А 1 S5*мА(1000В) 2Т704А п-р-п 1-60 ...+100 ~3 4 ; j (1000 имп) 1 i 1 2Т7046 п-р-п i -60 .. . +100 15* Вт (50°С) 1 ~3 1 400* 1 4 1 2.5(4*)А 1 S5*(700В) 1 1 (700 имп) 1 1 1 2Т708А р-п-р -60 .. . +125 0,7 Вт ~3 100* (lк) 5 12,5А(5А*) Sl мА (100 В) 2Т7086 р-п-р -60 ...+125 0,7 Вт ~3 80* (lк) 5 1 2,5А(5А*) SlмА(80В) 2Т7088 i р-п-р 1 -60 ...+125 1 0,7 Вт 1 ~3 60* (lк) 5 2,5А(5А*) SlмА(60В) 1 ! 1 ' 1 1 1 1 ; 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i ! i 1 1 1 1 2Т709А р-п-р -60 ...+125 2 (30*) Вт ~3 100 5 10 (20*) А Sl мА (100 В) 2Т7096 р-п-р -60 ...+125 2 (30*) Вт ~3 80 5 10 (20*) А SlмА(80В) 2Т7098 р-п-р -60 ...+125 2 (30*) Вт ~3 60 5 10 (20*) А SlмА(60В) 1 1 2Т709А2 1 р-п-р -60 .. . +100 1 (30*) Вт ~3 100 5 10 (20*) А Sl мА (100 В) 2Т70962 р-п-р -60 .. . +100 1 (30*) Вт ~3 80 5 10 (20*) А SlмА(80В) 2Т70982 р-п-р -60 ...+100 1 (30*) Вт ~3 60 5 10 (20*) А SlмА(60В) 2Т713А n-p-n -60 ...+100 50* Вт ~1.5 2,5 кВ 6 ЗА Sl мА (2,5 кВ) 1 1 1 i 1 1 1 1 1 2Т716А n-p-n -60..+125 30* Вт ~6 100 5 10 (20*) А Sl мА (100 В) 2Т7166 п-р-п -60 ...+125 30* Вт ~6 80 5 10 (20*) А SlмА(80В) 2Т716В n-p-n -60 ...+125 30* Вт ~6 60 5 10 (20*) А s1· мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 315 ~ 1 Ck, rКЭн.1с' Ом Кш1 дБ tк, ПС ~ h21.• ь; ,э с;2"• r~эн.аL·' Ом r;, Ом f~atf НС Корпус !1 пФ к:· .. дБ Р;:,, Вт t::кл' НС ,, 1 t::, нс i 1 ' 1 11 ~20(1ОВ;50мА) 1 SЗ,5 (10 В) ~6.6** s4 (1 ГГц) - 2Т691-2 !1 !! 1 ' 1 ~t~ ~! 1 "':>' ~ 'Q ..... 6 1 ~40(5В;0,1А) ! - S4 - - 2Т693АС 1 1! <fflffi'h3 '1 ,___!! __ _ !: ,, 1 " 11rr1•• 11 " ;шш1 ~ ~ ! 1• ; 10... 100* (15 В; 1 А) s50 (20 В) S2,5 2Т704 10... 100* (15 В; 1 А) S50 (20 В) S2,5 :rt~11 .... 19.5 ~500*(2А;5В) SI $4** мкс 2Т708 ~750•(2А:5В) SI $4** мкс ~Еiк~з ~750*12А;5В) sl S4** мкс ~500*(5А;5В) s230 (5 В) S0,4 S4.5** мкс 2Т709 ~750*(5А:5В) S230 (5 В) s0,4 $4,5** мкс 5No ~750*(5А;5В) S230 (5 В) s0.4 S4,5** мкс ~ .... ~ ~ ~' ~500·15А;5в> s250 (5 В) S0,4 2Т709-2 ~750•(5А;5В) S250 (5 В) s0,4 :ft ~750*(5А;5В) S250 (5 В) s0,4 ЭК5 5...20* (10 В; 1,5 А) s0,66 Sl5* мкс 2Т713 27,1 ~ ~No!/ ~. ~750*(5А;5В) Sl50 (5 В) s0,4 :>;7000** 2Т716 ~750*(5А;5В) Sl50 (5 В) S0,4 S7000** 5' ~750*(5А;5В) Sl50 (5 В) s0,4 S7000** ~ .... ~ ~ ~'
316 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Ркmах• ~•• (210• UКБО npo0• 1 •коо• lк max 1 Тип Струк- Токр.1 Р~.тmах• ~;lэ• U~ЭR npo6' UЭБО max• 1 J~R' 1~.и max• прибора тура ·с р~: и max• с.. u~npoб• в мА ·~· мВт МГц в мкА 2Т716А-1 п-р-п -60...+100 30* Вт ?:3 100 5 10А ~1 мА (100 В) 2Т716Б-1 п-р-п -60 ...+100 30* Вт ?:3 80 5 10А ~1мА(80В) 2Т716В-1 п-р-п -60...+100 30* Вт ?:3 60 5 10А ~1мА(60В) 1 1 1 1 1 ! 1 ~2Т718А 1 п-р-п 1 -60 ... +125 i 200* Вт 1 ?:0,2 400 5 10(12*)А i ~0.2мА(400В) J2Т718Б п-р-п 1 -60 ...+125 i 200* Вт ?:0,2 1 300 5 1 10(12*)А 1 ~О.2мА(300В) 1 i 1 1 i ' 1 1 : 1 1 2Т803А п-р-п -60 . .. +125 60* Вт ?:20 60* (О, 1к) 4 10А ~5* мА (70 В) 1 1 1 1 i ! 1 2Т808А п-р-п -60 ...+125 50* Вт (50°С) ?:8 120* 4 10А ~3* мА (120 В) (250 имп.) 2Т808А-2 п-р-п -60...+125 50* Вт ?:8 120• 4 10 (15*) А ~3* мА (120 В) ! 1 1 1 1 1 2Т809А П:Р-П -60 ... +125 40* Вт (50°С) ?:5,1 400* (О,Оlк) 4 3А;5*А ~3* мА (400 В) 1 2Т812А п-р-п 1-60... +125 50* Вт (50°С) ?:3 400* (0,Оlк) 6 10А;17*А 1 ~5*мА(700В) 2Т812Б 1 п-р-п -60 ...+125 50* Вт (50°С) ?:3 300* (О,Оlк) 6 10А;17*А ~5* мА (500 В) ! i 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т818А р-п-р -60 ...+125 40* Вт ?:3 100* (О,lк) 5 15А;20*А ~1*мА(100В) 2Т818Б р-п-р -60 ...+125 40* Вт ?:3 80* (О,lк) 5 15А;20*А ~l*мА(80В) 2Т818В р-п-р -60...+125 40* Вт ?:3 60* (О,lк) 5 15А;20*А ~1 *мА (60 В) i ' 1 ! 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 317 1 1 с., rкэ ик• Ом Кш, дБ tK• ПС . t~cf НС ! ь.". ь;,э с;2.• r~Эиас' Ом r;, Ом Корпус i пФ к~·", дБ Р,:,, Вт t;bllUlt НС 1 t::. нс ~500*(5А:5В) :5150(5 В) :50,4 - :57000** 2Т716-1 ~750*(5А;5В) :5150 (5 В) :50,4 - :57000** :ft ~750*(5А;5В) :5150 (5 В) :50,4 - :57000** ЗК6 ~20(4В;2А) - :50,2 - :52500* 2Т718 ~20(4В:2А) - :50,2 - :52500* =t~ ~ . ~ 1 10...50* (10 В; 5 А) :5500 (10 В) 0,5 - :52500* 2Т803 :w. ~~ оз 10...50* (3 В: б А) :5500 (IO В) - - :52000* 2Т808 1 ~§6 10...50* (3 В: б А) :5500 (10 В) :50,33 - :52000* 2Т808-2 ф~ 1I 1/ \з 15...100* (5 В: 2 А) :5270 (5 В) :50,75 - :53* мкс 2Т809 ~tte 5...30* (3 в: в А) . :5100 (100 В) :50,3 - tcлsl ,3 мкс 2Т812 5...30* (3 В; 8 А) :5100 (100 В) :50,3 - tc.11,;l,3 мкс "'' ~ ~Noii ~ ~ ' - к ~20*(5В;5А) :5100 (5 В) :50,2 - :52500** 2Т818 ~20*(5В;5А) :5100 (5 В) :50,2 - :52500** ~о•(5В;5А) :5100 (5 В) :50,2 - :52500** "'' ~ ~Noii ~ ~ ' - к
318 Тип прибора 2Т818А-2 2Т818Б-2 ~2Т818В-2 ,, ~ 1 ~ 2Т819А 2Т819Б 2Т8198 ~ 12Т819А-2 2Т819Б-2 2Т819В-2 2Т824А 2Т824Б 11 1',1 2Т824АМ 2Т824БМ 2Т825А 2Т825Б 2Т8258 i j 1 2Т825А-2 2Т825Б-2 2Т825В-2 1 2Т825А-5 1 1 Струк-1· тура 1 Токр., ·с pKin.tx' Р~.тmах' р~~ и maxt мВт i 1 1 1 1 1 1 ! ' '; : ~ 1 1 р-п-р р-п-р р-п-р 1 -60 ...+100 ' -60 ...+100 1 -60 ...+100 i ! ' 1 ! 40* Вт 40* Вт 40* Вт п-р-п -60 . .. +125 100* Вт п-р-п -60...+ 125 100* Вт п-р-п -60 ... + 125 100* Вт 1 п-р-п 1-40. .. +100 1 40* Вт п-р-п -40 . .. +100 1 40* Вт п-р-п 1-40. .. +1001 40* Вт п-р-п -60 ...+125 50* Вт п-р-п -60 ...+125 50* Вт 1 1 !1 '1 п-р-п i -60 . .. +125 50* Вт п-р-п -60...+125 50* Вт р-п-р -60 ...+125 3 Вт; 125* Вт р-п-р -60 . .. +125 3 Вт; 125* Вт р-п-р -60...+125 1 3Вт: 125*Вт ' 1 1 1 ! р-п-р -60 ...+100 1Вт;30*Вт р-п-р -60 ...+100 1Вт;30*Вт р-п-р -60 . .. +100 1Вт:30*Вт 1 1 р-п-р i-60 ...+1001 3 Вт; 125* Вт : i 1 1 1 1 1 1 ~•• f.:210• (;lэ' ~:;х, МГц ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3.5 ~3.5 ~3.5 ~3.5 ~4 ~4 ~4 ~4 ~4 ~4 i 1 1 1 i Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО про<>' U~ЭRпро6' u;;o про6• в 100* (0,lк) 80* (О,lк) 60* (О,lк) 100 80 60 100 80 60 400 350 400 350 100* (!к) 80* (1 к) 60* (1 к) 100* (!к) 80* ( 1к) 60* ( 1к) 100* (1 к) ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 UЭБOm.axt в 5 5 5 5 5 5 5 5 5 7 7 7 7 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 IKmax J~,и maxt мА 15А:20*А 15А:20*А 15А:20*А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А IOA; 17* А 10А:17*А 10А;17*А 10А:17*А ! 120А(40*А) !20А(40*А) 120А(40*А) 1 1 1 ! 15А(30*А) 15А(30*А) 15А(30*А) 20А(40*А) ! i 1 1 1 1 ! ! ! i 1 1 •коо• ·~ЭR• I~эо• мкА :51*мА(100В) :51* мА (80 В) :51* мА 160 В) :51*мА(100В) :51*мА(80В) :51*мА(60В) :51* мА 1100 В) :51* мА (80 BI :51* мА (60 В) :55 мА (700 В) :55 мА (500 В) :55 мА (700 В) :55 мА (500 В) :51 мА (100 BI :51мА180 В1 :51мА160 В1 :51 мА (100 В) :51 мА (80 В) :51 мА (60 В) :51мА1100 В) ~ 1 ,1 ~/, ; i ~,, ~:1 .! ·1 1 '
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 319 с., Гкэмас• Ом Кw,дБ tKt ПС h21•' ь;,э с;2,• r~Энас• Ом r~, Ом t;,.,.• нс Корпус пФ К~~•• дБ Р;:х• Вт t::IUll НС t~:. нс 1 ~20*(5В:5А) SIOO (5 В) S0,2 - S2500** 2Т818-2 ~20•(5В:5А) SIOO(5В) 1 S0,2 - 1 S2500** 1 ~ft ! ~20•(5В:5А) 1SIOO(5В) S0,2 - S2500** ~ D ЗК6 ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - S2500** 2Т819 ~20*(5В:5А) SIOOO (5 В) S0,2 - S2500** ~20*(5В:5А) SIOOO (5 В) S0,2 - s2500** п1~ ! ~No~ ~ 1 1 ,.:; . - к 1 ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - 1 S2500** 1 2Т819-2 ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - S2500** ~ft ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - s2500** ~ D ЗК6 ~5*(8А;2,5В) 1 S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс 2Т824 ~5*(8А;2,5В) S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс • 1 ~ltII ' 1 - к . ! g:: . t:: 19.5 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 ~5*(8А;2,5В) S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс 2Т824М ~5*(8А;2,5В) S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс ~lt ~ ~ !ё> 1 1 к 1 1 500".18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В) s0,2 - 1 S4.5** мкс 1 2Т825 750... 18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс 750".18000* (10 А; 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс п1~ ~ffl~ ~. 500.. .18000* (IO А; 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс 2Т825-2 750... 18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В) s0,2 - S4,5** мкс t0.7 11,8 11 750".18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс ! j 1 1 .... 1 1 1 ! ~ i ' 1 1 1 ~ ' 1 1 1 D 1 ! 1 6КЗ 1 i 1 1 1 500... 18000* (10 А; 10 В) sбОО (IO В) S0,2 - 1 S4,5** мкс 2Т825-5 1ВТ i
320 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• t.:210• UКБО проб' lк max JКБО' Тип Струк- Токр.• Р~. т max• t1э• U~R проб' UЭБОmах• 1~.и max• I:СЭн' прибора ·с р~: и max• с u~проб• в 1;эо, тура х• мА мВт МГц в 'мкА 2Т826А п-р-п 1 -60 ". +125 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А S2* мА (700 В) 2Т826Б п-р-п i -60 ". +125 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А s2* мА (700 В) 2Т826В 1 п-р-п 1-60" . +125 ! 15* Вт (50°С) ~6 700* (0,01 к) 5 1А s2• мА (700 В) 1 2Т826А-5 п-р-п -60 .. . +125 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 lA S2 мА (700 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т827А п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 100* (lк) 5 20 (40*) А 3* мА (100 В) 2Т827Б п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 во• (lк) 5 20 (40*) А 3* мА* (80 В) 2Т827В п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 60* (lк) 5 20 (40*) А 3* мА* (60 В) 2Т827А-5 п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 100 5 20 (40*) А s3 мА (100 В) 2Т827А-2 п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 100 5 20 (40*) А s3 мА (100 В) 2Т827Б-2 п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 80 5 20 (40*) А s3мА(80В) 2Т827В-2 п-р-п - 6 0".+125 125* Вт ~4 60 5 20 (40*) А s3мА(60В) . 1 2Т828А п-р-п - 60".+125 50* Вт (50°С) ~4 800* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А S5* мА (800 В) 2Т828Б п-р-п - 60".+125 50* Вт (50°С) ~4 600* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А S5* мА (600 В) 2Т830А р-п-р - 60".+125 1Вт ~4 35 5 2А;4*А SlOO (35 В) 2Т830Б р-п-р - 60".+125 1Вт ~4 60 5 2А;4*А SlOO (60 В) 2Т8308 р-п-р - 60".+125 1Вт ~4 80 5 2А;4*А slOO (80 В) 2Т830Г 1 р-п-р - 60".+125 J 1Вт ~4 100 5 2А;4*А SlOO (80 В) 1 1 2Т830В-1 р-п-р - 60".+100 1 (5*) Вт ~4 80 5 2А;4*А SIOO (80 В) 2Т830Г-1 р-п-р - 60".+100 1 (5*) Вт ~4 100 5 2А;4*А SIOO (80 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 10 ... 120* (IO В; 0,1 А) S25 (100 В) !10...120* (10 В; 0,1 А) 1 S25 (100 В) 10... 120* (10 В: 0,1 А) 1 S25 (100 В) 10 ... 120* (10 В; 0,1 А) S25 (100 В) 750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (IO В) 750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (IO В) 750.. .18000* (3 В: 10 А) s400 (IO В) 750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В) 750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В) 750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (10 В) 750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В) ~2.25* (5 В; 4,5 А) ~2.25* (5 В: 4.5 А) 25...55* (1 А; 1 В) 25...55* (1 А; 1 В) 25...55* (1 А; 1 В) 20...50* (1А; 1 В) 25...200• (1 А; 1 В) 25...200* (1 А; 1 В) 21 зак. 9 Sl50 (5 В) sl50 (5 В) sl50 (5 В) Sl50 (5 В) Sl50 (5 В) sl50 (5 В) rкэнас• Ом r~нас' Ом к~· •. дБ s5 s5 s5 s5 so.2 S0,2 S0,2 so.2 s0,2 so.2 S0,2 S0,66 S0,66 S0,6 S0,6 S0,6 s0,6 S0,6 S0,6 Кw,дБ r~, Ом Р;~х• Вт 't'K, ПС ~;..,.нс t~~ltJll НС talUll НС tcnS1500 tcnS700 tcnS1500 S4,5* мкс s4,5* мкс S4,5* мкс 6** мкс 6** мкс 6** мкс SlO* мкс; tcnSI ,2 МКС SIO* мкс; tcnSI ,2 МКС sl*мкс SI*мкс Sl*мкс SI *мкс Sl* мкс Sl *мкс 321 Корпус 2Т826 2Т826-5 2Т827 27.1 ® ~ewi ~- .. .. . - к 2Т827-5 2Т827-2 2Т828 27.1 ® ~ewi ~- .. .. . - к 2Т830 2Т830-1 ~Щ iJ 1/\э~
322 Раздел 2. Биполярные транзисторы i1 Ркmах' ..... t •.. UK60opo6• \uв-·\ 1 lкоо, 1 Струк-. Iк ..., 1 Тип Токр.1 р~ т max• (;.~, u~ ..... 1;. м max• ·~· прибора 1 1 ·с Р.Zмmп' с. u~ ..... 1·· тура мА кэо• мВт мrц в 1 мкА 2Т831А n-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 30* (lк) 5 2А;4*А ~100 (35 В) 2Т831Б п-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 50* (lк) 5 2А;4*А ~100 (60 В) 2Т831В п-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 70* (lк) 5 2А;4*А ~100 (80 В) 2T83lr п-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 90* (lк) 5 2А;4*А ~100 (80 В) 11 1 1 1 1 1 1 ! 1 i 1 2Т831В-1 1 п-р-п -60 ...+100 1 1Вт <::4 70* (1 к) 5 2А;4*А 1 ~100 (80 В) 2T83lr-l 1 п-р-п -60...+100 1Вт <::4 90* (lк) 5 2А;4*А ~100 (80 В) 1 2Т832А п-р-п -60...+125 10* Вт 6 1000*(100м) 7 100 - 2Т832Б п-р-п -60...+125 10* Вт 6 800*(100м) 7 100 - 1 1 i 1 1 1 1 2Т834А п-р-п l -60 ... +125 100* Вт <::4 500* (0,lк) 8 15(20*)А 1 ~3*мА(500В) 2Т834Б п-р-п 1 -60 ... +125 100* Вт <::4 450* (О.lк) 8 15 (20*) А ~3* мА (450 В) 2Т834В п-р-п -60 ...+125 100* Вт <::4 400* (0,lк) 8 15 (20*) А ~3* мА (400 В) 2Т836А р-п-р -60 .. . +125 0.7 (5*) Вт <::4* 90 5 3А(4*А) 1 ~.1мА(90В) 1 2Т836Б р-п-р -60 ...+125 0,7 (5*) Вт <::4* 85 5 3А(4*А) 1 ~.1мА(85В) 2Т836В р-п-р -60...+125 0,7 (5*) Вт <::4* 85 5 3А(4*А) 1 ~0.1мА(85В) 2T836r р-п-р -60...+125 0,7 (5*) Вт <::4* 60 5 3А(4*А) 1 ~.1мА(60В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т836А-5 р-п-р -60...+125 0,7 Вт <::4* 90 5 3А(4*А) ~О.1 мА (90 В) 2Т837А 1 р-п-р -60...+100 30* Вт <::3 80 15 8А ~5мА(80В) 2Т837Б 1 р-п-р -60...+100 30* Вт <::3 60 15 8А ~5мА(60В) 2Т837В 1 р-п-р -60...+100 30* Вт <::3 45 15 8А ~5мА(45В) 1 2T837r 1 p-n-p -60...+100 30* Вт <::3 80 5 8А ~5мА(80В) 2Т8370 1 р-п-р -60 ...+100 30* Вт <::3 60 5 8А ~5мА(60В) 2Т837П р-п-р 1 -60... +100 30* Вт <::3 45 5 8А ~5· мА (45 В) 1 2Т839А п-р-п -60 ...+100 50* Вт 5 1500 5 10 (10*) А ~1 мА (1500 В) 1 1 1 i 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 323 > 1 1 1 ' rкэ ""' Ом 't'K, ПС ~ ck, Кw,дБ ; t~,. нс h21.• ь;,э с;2.• r;э нас' Ом r;, Ом Корпус пФ к~: .. дБ Р;:,, Вт t~:... , нс t:,, нс 25...200* (1А; 1 BJ s150 (5 В) s0,6 - sl *мкс 2Т831 25...200* (1А; 1 В) s150 (5 В) s0,6 - Sl *мкс :t_i1Фз 25...200* (! А: 1 BJ S150 (5 В) $0,6 - $1 *мкс 25...150* (1 А: 1 В) s150 (5 В) s0,6 - $1 *мкс 1 i 1 1 1 1 1 i j 1 1 1 25...200* (1 А; 1 В) s150 (5 В) s0.6 - sl *мкс 1 2Т831-1 25...200* (1 А; 1 BJ S150 (5 В) $0,6 - $1 *мкс ~~1 6/ \з 10... 50* (30 мА; 10 В) 20(5В) - - - 2Т832 10... 50* (30 мА; 10 В) 20(5В) - - - 1 nt~ ~ffli ~. 1 150...3000* (5 В; 5 А) - S0.13 - tcnSl,2 МКС 2Т834 150...3000* (5 В; 5 А) - s0,13 - tcnSl,2 МКС 2/1 i) 150...3000* (5 В; 5 А) - $0,13 - tcnSl,2 МКС ~No- ~ ..;; . - к 1 20... 100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,3 - Sl,6** мкс 2Т836 20... 100• (2 А: 5 В) S370 (5 В) $0,18 - Sl,6** мкс ;fiкФз 20... 100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,18 - Sl,6** мкс 1 20...100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,22 - Sl,6** мкс 1 20... 100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,3 - Sl,6** мкс 2Т836-5 1 1 ~шт 1 1 1 1 15... 120* (5 В: 2 А) - s0.3 - $1 ** мкс 1 2Т837 30...150* (5 В;2А) 1 - $0,3 - $1 ** мкс 1 40...180* (5 В; 2 А) - s0,3 - $1 ** мкс :ft 15... 120* (5 В; 2 А) - s0,3 - $1 ** мкс 30... 150* (5 В; 2 А) - s0,3 - $1 ** мкс 40... 180* (5 В; 2 А) - s0,3 - sl ** мкс ЗК6 ~5* мА (1500 В) 240 (10 В) $0,375 - SlO* мкс; 2Т839 tcnSl ,5 МКС п1~ ~ffli ~. 21·
324 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~· \210• UКБО npoO• lк max lкоо• Тип Струк- Токр., Р~.тmах' ~l::tf U~Rnpo6• Uэоо max' 1;.н max' l~н• прибора ·с р~: н max' с;х, u~npo6• в 1·· тура мА кэо• мВт МГц в мкА 2Т841А 1 п-р-п 1-60.. . +1251 3 (50*) Вт <::10 600 5 10 (15*) А s3 мА (600 В) 2Т841Б 1 п-р-п -60 ...+125 3 (50*) Вт <::10 400 5 10 (15*) А 1 s3 мА (400 В) 1 2Т841В 1 п-р-п 1-60. . . +1251 3 (50*) Вт <::10 800 5 10 (15*) А s3 мА (800 В) 1 1 1 1 2Т841А-1 п-р-п -60 ...+100 30* Вт <::10 600 5 10 (15*) А s3 мА (600 В) 2Т841Б-1 п-р-п -60 ...+100 30* Вт <::10 400 5 10 (15*) А s3 мА (400 В) 1 1 1 1 1 2Т842А 1 р-п-р 1-60.. . +1251 3 (50*) Вт ! <::20 300 5 5(8*)А 1 SlмА(300В) 2Т842Б 1 р-п-р !-60 ...+125 1 3 (50*)Вт 1 <::20 200 5 5(8*)А sl мА (200 В) ! 1 2Т842А-1 р-п-р -60 ...+100 30* Вт <::10 300 5 5(8*)А sl мА (300 В) 2Т842Б-1 р-п-р -60 ...+100 30* Вт <::10 200 5 5(8*)А SI мА (200 В) 1 2Т844А п-р-п -60 ...+125 50* Вт (50"С) <::7,2 250* (О,Оlк) 4 10 (20*) А s3* мА (250 В) 2Т845А п-р-п -60 ...+125 40* Вт (50"С) <::4,5 400* (0,Оlк) 4 5 (7,5*) А s3* мА (400 В) 2Т847А 1 п-р-п -60 ...+100 125* Вт <::15 650* 8 15А s5 мА (650 В) (10 Ом) 2Т847Б п-р-п -60 ...+100 125* Вт <::15 400** 8 15А s5 мА 2Т848А п-р-п -60 ...+125 35* Вт <::3 400* 7 15А s250* (400 В) 1 2Т856А 1 п-р-п -60...+125 75* Вт <::10 1000 5 10 (12*) А s3 мА (1000 В) 2Т856Б п-р-п -60 ...+125 75* Вт <::10 800 5 10 (12*) А s3 мА (800 В) 2Т856В п-р-п -60 ...+125 75* Вт <::10 600 5 10 (12*) А s3 мА (600 В) 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 325 ~ tк, ПС ' ck, rКЭн;кt Ом Кш, дБ ~ f~ct НС i h2," ь;,э с;2э' r~нас' Ом r;, Ом Корпус пФ к:~ .. дБ P;~xt Вт t::клt НС t::, нс ;е:12* (5 В; 5 А) s300 (10 В) s0,3 - slOOO* 2Т841 ;е:12* (5 В; 5 А) s300 (10 В) s0,3 - $1000* 2'1 ® ;е:12* (5 В; 5 А) s300 (10 В) s0,3 ~fflii ·~ .. :; . - к ;e:IO* (5 В; 5 А) sl85 (iO В) s0,3 - $1*мкс 1 2Т841-1 ;e:IO* (5 В; 5 А) sl85 (10 В) s0,3 - sl*мкс :ft бКЗ ;е:15* (4 В; 5 А) s400 (10 В) s0,36 - 800* 2Т842 ;е:15* (4 В; 5 А) s400(1ОВ) $0,36 - 800* 27.1 ® ~fflii ~· ..:; . - к ! ;e:IO* (4 В; 5 А) s400 (10 В) $0,36 - 2,2* мкс 2Т842-1 ;e:IO* (4 В; 5 А) s400 (10 В) $0,36 - 2,2* мкс :fjtбКЗ 10...50* (3 В; 6 А) s300(10В) s0,4 - S2000* 2Т844, 2Т845 .~1 ® ~fflii ·~ 15... 100* (5 В; 2 А) s45 (200 В) $0,75 - $4000* .. :; . - к 8...25* (3 В; 15 А) S200 (400 В) $0,1 - s3000* 2Т847, 2Т848 8...25* (3 В; 15 А) s200 (400 В) $0,1 - $3000* 27.1 [V, ~fflii ~· ;е:2О• (5 В; 15 А) - $0,2 - - ..:; . - к 10...30* (5 А; 5 В) slOO (90 В) s0,3 - $2* мкс 2Т856 10...60* (5 А; 5 В) slOO (90 В) :-;;О,3 - $2* МКС ~Em 5 10...60* (5 А; 5 В) :<;;100 (:ЭО В) :-;;О,3 - $2* мкс т С\8 ~ • 1 1с> 1 ~' - о ~ ~ /jкз
326 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• t,,,. (216' UКБ0про6• lк max JКБО• Тип Струи- Токр., Р~. т max• (;lэ• U~Rnpo6• UЭБО max• 1;.н max• ·~R• прибора тура ·с р~~ нmax• (n:x• u~ ..... в ·~· мВт МГц в мА мкА 2Т856Г 1 п-р-п 1-60... +100 75* Вт ~10 1 900 5 10 (12*) А s3мА(900BJ 1 ! 1 1 1 1 i 1 1 1 1 2Т860А р-п-р -60 ... +100 1 (10*) Вт ~10 90 5 2А(4*А) sO,l мА (90 В) 2Т860Б р-п-р -60 ... +100 1 (10*) Вт ~10 70 5 2А(4*А) SO,l мА (70 В) 2Т860В р-п-р - 60 ... +100 1 (10*) Вт ~10 40 5 2А(4*А) SO,l мА (40 В) 1 1 1 1 1 ! ! 1 ' 1 1 1 i 1 i ! 1 1 1 1 2Т861А п-р-п -60 ... +125 1 (10*) Вт ~10 90 5 2А(4*А) sO.l мА(90В) 2Т861Б п-р-п - 60 ... +125 1 (10*) Вт ~10 70 5 2А(4*А) sO.l мА (70 В) 2Т861В п-р-п -60 ... +125 1 (10*) Вт ~10 40 5 2А(4*А) sO,l мА (40 В) 2Т862А ! п-р-п -60 ... +125 70* Вт ~20 450 1 5 15А(25*А) 1 s2.5мА(300BI ! ! 1 1 i ~ ' ' 1 1 i 1 1 ! ! 1 1 1 1 2Т862Б п-р-п -60... +125 50* Вт ~20 450 5 15А;25*А S2,5мА(300В) 2Т862В п-р-п - 60 ... +125 50* Вт ~20 600 5 lOA; 15* А S3 мА (600 В) 2Т862Г п-р-п - 60 ... +125 50* Вт ~20 600 5 lOA; 15* А S3 мА (600 В) 1 1 1 1 1 1 1 ' i 2Т866А п-р-п 1-60... +125 30 Вт (50"С) 25 200 1 4 1 15А:20*А 1 S25мА(100В) 1 1 1 i ! ·1 1 1 ! 1 ! 1 1 2Т867А п-р-п - 60 ... +125 100* Вт 25 200 7 25А(40*А) S3 мА (250 В) : 1 1 1 ! 1 2Т874А i п-р-п -60 ... +125 75* Вт 20 150 5 30А;50*А i s3мА(150В) 1 2Т874Б 1 п-р-п -60... +125 75* Вт 20 150 5 30А:50*А 1 s3мА(150В) 1 i ! 1 1 ! -
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 321 1 ck, rкэнк• Ом К", дБ т., ПС h2," ь;,э с;2.• r~"""' Ом r;, Ом t;,.., нс Корпус пФ к;•. д.Б Р,:., Вт t:,.., нс t:;., нс 10...30* (5 А; 5 В) S:IOO (90 В) ~.3 - $2* мкс 2Т856 ~~t с-.,~ ln ";\( о 6КЗ 40.. .160* (1 А: 2 В) s:l50 (5 В) s:0,35 - s:I** мкс 2Т860 50...200* ( 1 А; 2 В) s;150·(5 В) s:0,35 - S:I ** мкс ;tфкфз 80...300• <1 А; 2 в> S:l50 (5 В) s:0.35 - s:I ** мкс 1 40... 160* (1 А; 2 В) s:l50 (5 В) s:0,35 - S:I** мкс 2Т861 50...200* (1 А; 2 В) S:l50 (5 В) s:0,35 - S:I** мкс :ЕiкФз 80...300* (1 А; 2 В) s:l50 (5 В) s:0,35 - s:I ** мкс 1 10...100* (15 А; 5В) 1 s:300 (30В) s:0,13 - S:I * мкс 2Т862 1 ЛI® ~Noi~ ~ . - к 10.. .100* (15 А; 5 В) s:300 (30 В) s:0,13 - s:I * мкс 2Т862 12...50* (5 А; 5 В) $250 (10 В) s:0,19 - S:2* мкс t• 12...50* (5 А; 5 В) s:250 (10 В) S:0,13 - $2* мкс з ·6 ~ 1 " ~'" 1 1 15.. .100* (10 А; 10 В) s:400 (10 В) s:0,15 - S:450** 2Т866 .... .,... з 6 t• .... ~ 2l2 12...100* (20 А; 5 В) S:400 (10 В) ~.08 - S:l,3* мкс 2Т867 1 t• .... .,... з 6 - ~ 21,2 15...50* (5 В; 30 А) 200 (100 В) s:0,04 - s:0,5* мкс 2Т874 10...40* (5 В; 30 А) 200 (100 В) s:0,04 - s:0,5* мкс t• .... .,... з 6 .... ~ 21,2
328 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maxt ~. (216• UКБОnро0• lк max lкво, Тип Струи- Токр., Р~. т maxt 1i:;.~, U~Rnpo0• UЭБО maxt 1;,н max• l~н• прибора ·с р~: н max• с· u~ ..... в 1·· тура ах' мА кэо• мВт МГц в мкА 2Т875А п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А;15*А 1 s3мА(90В) 2Т8756 п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 70 5 10А;15*А S3мА(70В) 2Т875В 1 п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 50 5 10А;15*А s3мА(50В) 2Т875Г 1 п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А;15*А s3мА(90В) 2Т876А р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А(15*А) s3мА(90В) 2Т8766 р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 70 5 10А(15*А) s3мА(70В) 2Т876В р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 50 5 10А(15*А) S3мА(50В) 2Т876Г р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А(15*А) S3мА(90В) 2Т877А р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::100 во 5 20А(10*А) SI* мА (ВО В) 2Т8776 р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::100 60 5 20А(10*А) sl *мА (60 В) 2Т877В р-п-р -60 ...+125 50* Вт <?:100 40 5 20А(10*А) SI *мА (40 В) 2Т878А 1 п-р-п -60...+125 10* Вт <::10 воо 6 25А(30*А) s3 мА (ВОО В) 2Т8786 1 п-р-п 1-60 ...+125 10* Вт <::10 600 6 25А(30*А) S3 мА (600 В) 2Т878В 1 п-р-п !-60 ...+125 10* Вт <::10 900 6 25А(30*А) S3 мА (900 В) 2Т879А п-р-п -60 ...+125 250* Вт <::10 200 6 50А(75*А) s3 мА (200 В) 2Т8796 п-р-п -60 .. . +125 250* Вт <::10 200 6 50А(75*А) S3 мА (200 В) 2Т880А р-п-р -60 .. . +125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) 1 s0,2 мА (100 В) 2Т8806 р-п-р -60 ...+125 5* Вт <::30 во 6 2А(4*А) 1 s0,2 мА (ВО В) 2Т880В р-п-р -60 .. . +125 5* Вт <::30 50 6 2А(4*А) s0,2 мА (50 В) 2Т880Г 1 р-п-р -60 ...+125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т880А-5 п-р-п -60 ...+125 О,В Вт; 5* Вт <::30 100 4,5 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т880&-5 п-р-п -60 ...+125 О.В Вт; 5* Вт <::30 во 4,5 2А(4*А) s0,2 мА (ВО В) 1 2Т881А 1 п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т881& 1 п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 во 6 2А(4*А) s0,2 мА (ВО В) 2Т881В 1 п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 50 6 2А(4*А) s0,2 мА (50 В) 2Т881Г п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т881А-5 п-р-п -60 ...+125 О,В Вт <::30 100 4,5 2А(4*А) s200 (100 В) 2Т8816-5 п-р-п -60 ...+125 О.В Вт <::30 во 4,5 2А(4*А) s200 (ВО В) 1 2Т882А п-р-п 1-60.. . +100 10* Вт <::20 400 6 1А(2*А) sO.I мА (400 В) 2Т882& п-р-п -60 ...+100 10* Вт <::20 300 6 1А(2*А) sO,I мА(300В) 2Т882В п-р-п -60 ...+100 10* Вт <::20 250 6 1А(2*А) SO,I мА (250 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 329 с" rкэнас• Ом Кш, дБ tк, ПС h2," ь;,э с;2э' r~нас' Ом г~, Ом t~ac• НС Корпус пФ к~·•. дБ Р;~х' Вт t::клt НС t::, нс 80...250* (5 8; 5 А) 910 (10 8) $0,1 - 400** 2Т875, 2Т876 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - 400** 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - 400** 40."160* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - 400** 27.1 [V ~Noi ·~ 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - $1 ** мкс 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - $1 ** мкс . .,;' ' 80".250* (5 8; 5 А) 910 (10 8) $0,1 $1 ** мкс - к - ~15*(58;5А) 910 (10 8) $0,1 - $1** мкс 750".10000*(10 8; 10 А) 830 (20 8) $0,2 - 0,75* мкс 2Т877, 2Т878 2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 8) $0,2 - 0,75* мкс 2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 В) 50,2 - 0,75* мкс 27.1 [V ~Noi ·~. 12."50* (5 8; 10 А) s:SOO (10 8) $0,1 - $3* мкс 12".50* (5 8; 10 А) 5500 (10 В) $0,1 - $3* мкс 12."50* (5 В; 10 А) S500 (10 В) $0,1 - :<;;3* мкс ~20*(20В;4А) :<;;800 ( 10 В) $0,06 - $1,2* мкс 2Т879 ~15*(208;4А) :<;;800 (10 8) $0,1 - $1,2* мкс =tt ~ ~~ ' с-.. 80".250* (1В; 1А) :<;;200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс 2Т880 80".250* (18; 1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс ;tfкфз 80".250* (18; 1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 40."160* (1 В; 1 А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 80".250* (18; 1 А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 2Т880-5 80".250* (1В; 1А) :<;;200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс ~mr 80".250* (1В; 1А) 5200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс 2Т881 80".250* (1 В; 1 А) :-;;200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс :ЕiкФз 80".250*(1 8;1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 40."160* (1 8; 1 А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 80".250*(1 В; 1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 500* 2Т881-5 40."160* (1 8; 1 А) :<;;200 (5 8) 50,35 - 500* ~mr ~15* (5 8; 0,5 А) 550 (5 8) $2 - $3* мкс 2Т882 ~15* (5 В; 0,5 А) :<;;50 (5 8) $2 - 53* мкс 70,G5 tB ~15* (5 8: 0.5 А) :<;;50 (5 8) $2 - $3* мкс wт6КЭ
330 Раздел 2. Биполярные транзисторы Pкmaxt 1,,,. ~216• UКБОпроО• lкmax i lкоо• Тип Струк- Токр., Р~. т maxt ~;lэt u~. ороО• UЭБOmaxt ·~.и max' ·~.. прибора тура ·с р~ и maxt с;х, u~npoO• в ·~· мВт МГц в мА мкА 2Т883А p-n-p -60 ...+100 10* Вт ~20 300 5 1А(2*А) ::>0,1 мА (300 В) 2Т883Б p-n -p -60 ...+100 10* Вт ~20 250 5 1А(2*А) ::>0,1 мА (250 В) i 1 1 2Т884А n-p -n - 60 ".+125 15* Вт ~10 800 5 2А(5*А) ::>0,2 мА (800 В) 2Т884Б n-p -n -6 0" .+125 15* Вт ~10 600 5 2А(5*А) ::>0,2 мА (800 В) 2Т885А 1 n-p -n 1-60 ". +125 150* Вт ~15 400* 5 40А(60*А) 1 ::>1мА(500В) 2Т885Б 1 n-p -n - 60 ".+125 150* Вт ~15 500* 5 40А(60*А)j ::>1мА(500В) 1 1 1 1 1 2Т886А n-p -n - 60 ."+125 175* Вт ~10.5 1400 7 10(15*)А ! :>О,1* мА(1000 В) 2Т886Б n-p -n -6 0" .+125 175* Вт ~10,5 1000 7 10 (15*) А :50,1 * мА (\ООО В) 1 1 1 1 ; 2Т887А р-п-р -60" .+125 75* Вт (750**) ~15 700 5 2 А; (5*) А ::>0,25 мА (700 В) 2Т887Б 1 р-п-р - 60 ".+125 75* Вт (750**) ~15 600 5 2 А; (5*) А :50,25 мА (700 В) 1 2Т888А р-п-р -60" .+125 7* Вт ~15 900 7 100 (200*) ::>10 мА (900 В) 2Т888Б p-n -p - 60 ".+125 7* Вт ~15 600 7 100 (200*) :510 мА (600 В) 1 1 1 1 1 ! 1 2Т891А n-p -n - 60 ".+125 150* Вт (60**) ~12 250* (0,Оlк) 7 40А;60*А ::>2 мА (250 В) 2Т903А n-p -n -6 0" .+125 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имп.) 4 3А;(5*)А ::>2* мА (70 BJ 2Т903Б 1 n-p -n J -60 ".+125 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имn.) 4 3А;(5*)А ::>2* мА (70 В) 1 1 1 1 1 1 1 t 2Т904А n-p -n - 60 ".+125 7* вт (40°С) ~350 65* (О,lк) 4 0,8 {1,5*) А ::>1*мА(65В) i i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ' 1 i ~25* (10 В: 0.5 А) ~25* (10 В: 0.5 А) 1 570(5В) 1 i570(5В) ! ! i ~25* (5 В; 0.3 А) ~25* (5 В; 0,3 А) ~12*(5В:20А) ~12*(5В:20А) 1 560 (5 В) 560 (5 В) 1 1 1 1 560 (5 В) 560 (5 В) 6".25*(10В;2А) 15135(10В) 6".25* (10 В; 2 А) 5135 (10 В) 20...120* (9 В: 1А) 5400 (10 В) 20".120* (9 В; 1 А) 5400 (10 В) 30...120* (3 В; 30 А) 5400 (10 В) 30...120* (3 В; 30 А) 5400 (10 В) 20...50• (4 В: 5А) 1 5400 (100 В) 15... 70* (10 В; 2 А) 5180 (30 В) 40... 180* (10 В; 2 А) 5180 (30 В) ~10* (5 В; 0,25 А) 52,6 (28 В) rкэ нас• Ом r~•ac• Ом к::"' дБ 53,6 53.6 50,27 50,27 50,08 50,08 50.25 50,25 51,4 51,4 550 550 50,03 51,25; ~3** 51,25; ~3** 55; ~2.5** Кw1 д6 r;, Ом Р;:.. Вт ~10** (50 МГц) ~10** (50 МГц) ~3** (400 МГц) 1 1 1 1 1 tltl пс ~;..,.нс t-:11.11 ' нс t:;., НС 55,2* мкс 55,2* мкс 53* мкс 53* мкс 52* мкс 52* мкс 53500* 53500* 55000* 55000* 53000* 53000* 51000* 5500* 5500* 331 Корпус 2Т88З, 2Т884 ~rm-t ~m 2Т885 1 2Т886 2Т888 1 2Т891 2Т90З 2Т904
332 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струи- Ркmах' ~. 'i:21•• Uк~nроб• lк max •коо• Тип Токр., p~тmaxt (;lэ' U~Rnpo6• UЭБО max• 1;.н max• ·~R' прибора 1 тура ·с PtZ к maxl с:.. u~ ..... в ·~· 1 мВт Мfц в мА 1 мкА 1 2Т907А 1 п-р-п -60 ... +125 16* Вт ~350 65" (0,1 к) 4 1(3*)А 1 52*мА(65В) 1 2Т908А п-р-п - 60 ... +125 50* Вт (50°С) ~30 НЮ* (0,Оlк) 5 10А 525* мА (100 В) 1 1 2Т909А п-р-п -60 ... +125 27** Вт ~350 60* (О,Оlк) 3,5 2(4*)А 525* мА (60 В) 2Т9096 п-р-п -60 ...+125 54** Вт ~500 60* (О,Оlк) 3,5 4(8*)А 530* мА (60 В) 2Т9101АС п-р-п l-60 ... +1255 130* Вт ~350 50 4 7,5 А 530 мА (50 В) 1 1 2Т9102А-2 п-р-п -60 ...+125 10** Вт ~1.35 ГГц 45 3,5 0,7 А 510 мА (45 В) 2Т91026-2 п-р-п - 60 ... +125 5** Вт ~1.35 ГГц 45 _3,5 0,35 А 55мА(45В) 2Т910ЗА-2 n-p-n -60 ...+125 16,4** Вт - 25 2 1,1 А 57 (25 В) 2Т910ЗБ-2 п-р-п -60 ...+125 16,4** Вт - 25 2 1,1 А 57 (25 В) 2Т9104А п-р-п -60 . .. +125 10** Вт ~600 50 4 1,5 А 510 мА (50 В) 2Т91046 1 п-р-п -60 .. . +125 23** Вт ~600 50 4 5А 520 мА (50 В) 1 2Т9105АС п-р-п -60 ... +125 160* Вт ~660 50* (10 Ом) 4 16А 5120* мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 333 ck, rкэим:• Ом Кw1 дБ t'., пс h2," ь;,э с;2.• r~ .... Ом r;, Ом t;,.., НС Корпус пФ к~:.. дБ Р;~•• Вт t:.IUlt НС t::., нс ~IO* (5 В: 0,4 А) 520 (30 В) 54; ~2** ~8** (400 МГц) - 2Т907 :е ff- 6 8...60* (2 В: 1О А) 5700 (IO В) 50,15 - 52600* 2Т908 ~-1 - 530 (28 В) 0,36; ~1.7** ~17** (500 МГц) 520 2Т909 - 560 (28 В) 0,18; ~1.75** ~35** (500 МГц) 520 ~~itfj ..,.. с.. J//,7 - 5150 (28 В) ~3.5** ~100** (0,7 ГГц) 545 2Т9101 :ttl "&. ~ 6 2 6 ~ - 5!0 (28 В) - ~3.5** (2 ГГц) 52,2 2Т9102 - 56,5 (28 В) - ~1.6** (2 ГГц) 52,2 :ttl "&. ~ 6 2 6 ~'J - - ~1.7** ~7** (5 ГГц) - 2Т910З - - ~1.7** ~iO** (5 ГГц) - ....... ~~Б .... ~~к1 э ....:- J~ ... 1 (6 ~' 1'-5 - - 520 (28 В) ~8** ~5** (0,7 ГГц) 520 2Т9104 - 540 (29 В) ~7** ~20** (0,7 ГГц) 520 ~31 ... к 3 :~" 5160* (5 В; 0,1 А) 5240 (28 В) ~3** ~100** (0,5 ГГц) 512 2Т9105 ~t•8,5 23.2
334 Раздел 2. Биполярные транзисторы Струк-1 Pкmu• ~. ~216• UKБOnpo6• lкmax •кю• Тип Токр., Р;, т max• ~;lэ• U~Rnpo6' UЭБО max• 1;.к max• ·~R' прибора тура 1 ·с р~: к max• (.:х• u~npo6• в ••• мА кэо• 1 мВт Мfц в 1 мкА 2Т9107А-2 п-р-п -60 ... +125 37,5* Вт 720 50 3,5 2,5А(5*А) 550 мА (50 В) 2Т9108А-2 п-р-п - 60 ".+100 200** Вт - 50 3 8*А 525 мА (50 В) ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9109А п-р-п - 60".+125 1,12** кВт ~360 65 4 29• А 560 мА (65 В) 1 1 2Т9110А-2 п-р-п - 60 ".+100 500** Вт 600 50 3 15* А 550 мА (50 В) 2Т91106-2 п-р-п - 60 ".+100 200** Вт 600 50 3 7*А 525 мА (50 В) ! i ' 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9111А п-р-п - 60 ".+125 200** Вт (50°С) ~300 120*(10 Ом) 4 10А 5100 мА (120 В) 2Т9112А п-р-п - 60 ".+125 5* Вт ~30 65 4 20А .1 540мА(65В) 1 1 1 1 1 2Т9113А п-р-п -60" . +125 82** Вт - 150 4 3,25* А 530 мА (160 В) i 1 1 .. 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 335 1 Ck, rкэик• Ом Кш, дБ т., пс 1 1 t~, НС h21эt ь;,э 1 с;2" r~•к' Ом r;, Ом Корпус 1 1 пФ 1 к~:Р' дБ Р,;.:" Вт t;ЫIUll НС t::.:,, НС - :S50 (10 В) ~4** ~27* * (1 ГГц) - 2Т9107 ±tlJ - - - ~50** (1,5 ГГц) - 2Т9108 i ±tlJ 1 ~ c;:r • 1 1 к i f. 6,6 ! ! 1 1 - 1 1 - 1; ~'~ (50 В) ~3.5** ~500** (0,82 ГГц) :SIO 2Т9109 1 ~II 1 5.8. 14 - 1 - ~6** ~200** (1,4 ...1,6 ГГц) 1 - 1 2Т9110 - - ~6** ~100** (1,4 ... 1,6 ГГц) - 6 1 1 1 ~~IJ 1 1 1 1 J,8 1 1 ' 1 i ~10*(10В:5А) :Sl50 (50 В) ~10** ~150** (80 МГц) 1 - 2Т9Ш ~t1t~tjj 1 1 i 12.$ цв ~10*(7В:20А) - $0,16 - i 100* 1 2Т9112 1 1 .., ~ 1 "fU 1 ~ ~10*(5В;5А) - :S0,16 - 1 - 1 2Т9113 1 1 1 (l/17.7 1 1 1 ~ 1 1 c:::i 1 ,'OI 1 ! 1 1 1 (1117.7 "' 1 6.75 1 ! ti/ 3 ~ IY; '° С11) ~ 1 1 1 ! i 1 i 16.8 1 1 !
336 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKm•x' ~. ~216• Uкоо проб• lк m•x lкоо• Тип Струк- Токр.1 Р;.тm•х' ~;.!t. U~Rnpo6• UЭБО max• 1;, Н 11\8XI I~R• прибора ·с р~~ и m•x' с u~npo6• в 1~, тура .. мА мВт Мfц в мкА 2Т9114А п-р-п -60 ...+125 325** Вт - 50 3 13 А* 530 мА (50 В) 2Т91146 п-р-п -60 ...+125 85** Вт - 50 3 3,25 А* 58мА(50В) 2Т911А п-р-п -60 ...+125 3* Вт ~1000 55 3 0,4 А 53мА(55В) 2Т9116 п-р-п -60 ...+125 3* Вт ~840 55 3 0,4 А 53мА(55В) 1 1 1 . 2Т912А п-р-п -60 ...+125 30* Вт (85"С) ~90 70* (О,Оlк) 5 20А 550* мА (70 В) 2Т9126 п-р-п -60 ...+125 30* Вт (85"С) ~90 70* (О,Оlк) 5 20А 550* мА (70 В) 2Т912А-5 п-р-п - 60 ... +125 30* Вт ~90 70* 5 20А 550* мА 2Т9126-5 п-р-п -60 ... +125 30* Вт ~90 70* 5 20А 550* мА 2Т91ЗА п-р-п -60 ...+125 4,7* Вт (55"С) ~900 55 3,5 0,5 (1 *)А 510* мА (55 В) 2Т91ЗБ п-р-п -60 ... +125 8* Вт (70"С) ~900 55 3,5 1(2*)А 520* мА (55 В) 2Т91ЗВ п-р-п - 60 ... +125 12* Вт ~900 55 3,5 1(2*)А 520* мА (55 В) 2Т9117А п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 100 4,5 1А 50,1* мА (100 В) 2Т91176 п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 80 4,5 1А 50,1*мА(80В) 2Т9117В п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 50 4,5 1А 50,1*мА(50В) 2T9117f п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 100 4,5 1А 50,1 * мА (100 В) 2Т9118А п-р-п -60 ... +125 130** Вт ~1400 50 3,5 15* А 5150 мА (50 В) 2Т91186 п-р-п -60 ... +125 130** Вт ~1400 50 3,5 15* А 5150 мА (50 В) 2Т9118В п-р-п -60 ... +125 130** Вт ~1400 50 3,5 15* А 5150 мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения <:15* (5 В; 0,2 А) <:15* (5 В; 0,2 А) 10...50* (!О В; 5 А) 20".100* (10 В; 5 А) 10".50* (10 В; 5 А) 20".100* ( 10 В; 5 А) <:10* (5 В; 0,5 А) <:10* (5 В; 0.5 А) <:10* (5 В; 0,5 А) 80".250* (1 О В; 0.15 А) 80".250* ( 10 В; О, 15 А) 80."250* (10 В; 0,15 А) 40".160* (10 В; 0,15 А) 22зак9 1 1 1 SIO (28 В) SIO (28 В) s200 (27 В) S200 (27 В) s200 (27 В) s200 (27 В) s6 (28 В) sl2 (28 В) Sl4 (28 В) 40(5В) 40(5В) 40(5В) 40(5В) rкэ нас' Ом r~нас' Ом к~·", дБ <:6** <:6** <:2** <:2** $0, 12; <:10** $0,12; <:10** S0,12; <:10** $0,12; <:10** $1, 1; <:2,25* * $1, 1; <:2.25* * Sl ,I; <:2,25** <:6** <:6** <:6** Кш• дБ r;, Ом Р;:" Вт <:150** (1,5 ГГц) <:40** (1,5 ГГц) <:0,8** (1,8 ГГц) <:0,8** (1 ГГц) <:70** (30 МГц) <:70** (30 МГц) <:70** (30 МГц) <:70** (30 МГц) <:3** (1 ГГц) <:5** (1 ГГц) <:10** (1 ГГц) <:75** (1,3 ГГц) <:75** (1,4 ГГц) <:75** (1,22 ГГц) tк, ПС ~~~·· нс tВЬIКЛ t нс t:::., нс Sl5 $12 $(5 $900** $900** $900** $900** 337 Корпус 2Т9114 ~~~rж5 ж~ 2Т911 2Т912 2Т912-5 2Т913 2Т9117 2Т9118
338 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• \210• UКБО проб• lк max IКБО• 1 Тип Струк- Токр., Р~.тmax t ~:;lэt U~ЭR проб' UЭБО max' 1;, н maxt I~R• прибора ·с р~~иmax t с u;эо проб• в 1·· тура " мА КЭО• 1 мВт МГц в i мкА i 2Т9119А-2 i n-p-n 1 -60 . . . +125 3Вт - 20 i 1,5 1 1А(1*А) 1 :S2мА(20В) i 1 1 1 1 1 i i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9121А n-p-n -60 ...+125 92** Вт - 42 3 9.2* А 1 :Sl5 мА (42 В) 2Т9121Б 1 n-p-n 1-60. . . +125 46** Вт - 42 1 3 4.6*А ! :S7,5 мА (42 В) i 1 1 1 ' 1 1 1 !-60 ...+125 1 1 2Т9121В 1 n-p-n 11,5** Вт - 42 3 1.15* А s2.5 мА (42 В) 1 1 1 i 1 1-60...+125 2T912lf 1 n-p-n 130** Вт - 42 3 13* А :S22 мА (42 В) 2Т9122А n-p -n -60 ...+125 133** Вт - 40 2 6,5 А (7,5* А) :Sl50 мА (45 В) 2Т9122Б n-p -n -60 ...+125 110** Вт - 45 2 5.4А(6*А) :Sl50 мА (45 В) 1 1 1 ! ' 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 ! ! i 1 i 2Т9123А n-p-n -60 ...+125 60* Вт 130 60* (lк) 5 12,5 А; 30* А :S5* мА (60 В) 2Т9123Б n-p-n -60 ...+125 60* Вт 130 70* ( 1к) 5 12,5 А; 30* А :S5* мА (70 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9124А n-p-n -60 ...+125 23,5** Вт - 30 1,5 1,5А(2*А) :S20 мА (30 В) 2Т9124Б n-p-n -60 ...+125 21,5** Вт - 30 1,5 1,5А(2*А) s20 мА (30 В) 'r 1 1 ~ 1 ! ~ 1 . ! 1 а 1 1 2Т9125АС n-p-n -60 ...+125 1 64* Вт ~660 55* (10Ом)1 4 1 4А 1 s6o•мА(55В) ! i ! 1 1 1 1 i 1 ! ! ! 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 11800.. .18000 ( 10 В; 10 А) 1 1600...7000 (10 В; 1 А) 1 :5110* (5 В; 0,5 А) :57,5 (15 В) 1 1 7,5 (15 В) 7,5 (15 В) 7,5 (15 В) 7,5 (15 В) :570 (28 В) ~2.7** ~6** ~6** ~6** ~6** ~4** ~4** :50,3 :51,3 ~3** ~3.2** ~4** Кш, дБ r;, Ом Р:,., Вт ~4.5** (7 ГГц) ~35** (2,3 ...2,7 ГГц) ~17** (2,3 ...2,7 ГГц) ~4** (2,3 ...2,7 ГГц) ~50** (2,3 ...2, 7 ГГц) ~55** (2 ГГц) 1 ~45** (2 ГГц) 1 ~10** (3,1 ... 3,5 ГГц) ~8** (3,1 ...3,5 ГГц) ~50** (500 МГц) tlC1 пс ~~et НС tllWIUlt НС t::.. нс 250* 250* :520 339 Корпус 2Т9119-2 S,3 - п.• - {f-~ 1 + кТэ e,...c-h-~- 5.:s 2Т9121 ' '1/ .,.Б ..... к~ ... ,_ ~- rt ' ~э 4,6 - 211,5 2Т9122 1 - - 6.3 - 21..f 2Т9123 27,1 ~ ~Noi ~- ..,. . - к 2Т9124 ~~~Fmfз Ж1-f.ШJ 2Т9125
340 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~Р' ~216 1 UКБО npo6' lкmaA lкоо• Тип Струк- Токр., Р~.тmаА' cl'J' U~RnpoO' UЭБО max' 1;.к maxt I~R• прибора ·с р~~ к max' с u~ ...... в I" тура " мА КЭО• мВт мrц в мкА 2Т9126А п-р-п -60 ...+125 330* Вт ~100 100* (О,Оlк) 4 30А;50*А S200*мА(100В) 1 1 2Т9127А п-р-п -60 ...+125 1151 ** Вт ~1025 65 3 38* А s60* мА (65 В) 2Т91276 п-р-п -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т91278 -60 ...+125 1151**Вт ~1025 65 3 38* А s60* мА (65 В) 2Т912Л -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9127Д -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9127Е -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9127Ж -60 ...+125 1151** Вт ~1025 65 3 38* А s30* мА (65 В) 2Т9127И -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А S30* мА (65 В) 2Т9127К -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9128АС п-р-п -60 ...+125 115* Вт ~200 50* 4 18А SlOO* мА (50 В) 2Т9129А п-р-п -60 ...+125 47* Вт - 30 1,5 4А S30 мкА (30 В) 2Т91ЗОА п-р-п -60 ...+125 10* Вт ~200 250 6 150 Sl мкА (250 В) 1 2Т9131А п-р-п - 60 ... +125 350* Вт ~100 100* 6 25А;40*А S200*мА(100В) 2Т9132АС п-р-п 1-60... +125 220** Вт ~320 50 4 11,2 А; 22* А Sl50* мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 341 ! 1 1 1 ~ rкэнк• Ом Кw,дБ 'tк, ПС 1 с,, t:.ac• НС h211t ь;IЭ С~zэ• r~3 нок• Ом r;, Ом Корпус пФ к:· •. дБ Р:х• Вт t::мt НС t::. нс ~10*(10В;5А) $500 (50 В) ~13** ~500** (1,5 МГц) - 2Т9126 . :tri ..... 6 к N (l) 1 & v 463 1 - - ~5.6** ~550** - 2Т9127 1' (1,025... 1, 15 ГГц) 1 - - ~6.2** ~250** - (1,025 ... 1 , 15 ГГц) ~ 'rе-Б - - ~6.2** 500** - - - ~6.2** 250** - ..... к~lL.. - - ~6.2** 250** - ~ !"а." ""' Y:J ~ .... - - ~6.2** 125** - 1 - - ~6.2** 500** - - - - ~6.2** 250** - 4,6 211,5 - ~6.2** 125** - - - - - $100* (5 В: 0,5 А) 1 $430 (28 В) 7** (175 МГц) ~200** (175 МГц) 1 $30 2Т9128 ! 1: 1 t• 1 ~ :;.к·5 'а с-. в 23,2 3 - - ~4.5** ~20** (3,5 ГГц) - 2Т9129 1 ~~~3·~18· ! 60...250 (9 В: 20 мА) $6 (!О В) $50 - $20 2Т9130 1 ;fiкФз 10... 100 (10 В; 10 мА) ! $800 (50 В) $0,1; ~10** ~400** (30 МГц) - 2Т9131 1 :tjf~ ..... 6 к N (l) 1 & 463 1 - $170 (30 В) ~3.5** ~140** (650 МГц) $20 2Т9132 t11 ~ ""к 3 1 1 ::: ~к з ~ 1 1 1 16,2 1 ,, 1 1 d 1 ~ 1
342 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' 1,.,,. ~216• UКБО npoO• lк max lкоо• Тип Струк- Токр .• Р=. т max• (;lэ• U~Rnpo6' UЭБО max• 1~.и max• l~R' прибора ·с р~~ и maxt с· u~npo6• в I" тура ". мА кэо• мВт Мfц в 1 мкА 2Т9133А п-р-п - 60 ... +125 130* Вт (70°С) ~240 55* (0,Оlк) 4 16А 1 :5200,. ' мА (55 В) 1 1 1 1 1 1 1 i 1 2Т9134А п-р-п - 60 ".+125 2600** Вт - 50 3 78* А :5120* мА (50 В) 2Т9134Б п-р-п - 60 ".+125 2100** Вт - 50 3 63* А :5120* мА (50 В) i 1 2Т9135А-2 п-р-п 1 -60".+125 3,4 Вт - 15 1,2 950 :52 мА (15 В) 2Т9136АС 1 п-р-п - 60 ".+125 700** Вт ~300 60 4 30* А 1 :5140 мА (60 В) 1 1 1 1 1 1 1 i 2Т9137А п-р-п - 60 ".+125 9* Вт ~2700 22* (О,lк) 3,5 500 :510* мА (22 В) 2Т9137Б п-р-п - 60 ".+125 16* Вт ~2700 22* (О.lк) 3,5 1100 :525* мА (22 В) i 1 1 1 J 2Т9138А i п-р-п - 60 ".+125 60* Вт ~120 200 5 1 8А;12*А :520 мА (200 В) 1 1 i 1 11 1 i1 1 1
Биполярные кремниевь1е транзисторы специального назначения h21>' ь;IЭ 30 ... 70 (58; 5А) ck, с;2,• пФ $160 (28 В) $260 (45 В) ~5.5 (18 В) $5,5 (18 В) $250 (50 В) rкэнас' Ом r~нас:' Ом к~· •. дБ ~7.5** ~6** ~6** ~1.7** ~7** ~5.5** ~3.8** $0,2; $0,2* Кw,дБ r~, Ом Р;:•• Вт ~30** (225 МГц) ~1000** (1,5 ГГц) ~800** ( 1,5 ГГц) ~2.6**( 10 ГГц) ~500** (0,5 ГГц) ~2.1 ** (О, 1... 2 ,3 ГГц) ~4** (0,1 ...2,3 ГГц) 'tк, ПС t:_(', нс t:КJll НС t::;., нс $30 ~20 343 Корпус 2Т9133 ~t-..gз. 6 D fNЗ • 21 2Т9134 2Т9135 2Т9137 :Jtlк ~~ з 2 6,6 19,'J 2Т9138 16.8
344 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• \z10• UКБО проб• lк max •коо• Тип Струк- Токр., Р=. т max• ~:;1)1 U~Rnpo6• UЭБОmах• 1~.м max• J~R• прибора тура ·с р;: н maxt с;х, u~проб• в ••• мА КЭО• мВт МГц ·в мкА 2Т9139А п-р-п - 60 ... +125 23,5** Вт - 30 1,5 2*А $20* мА (30 В) 2Т9139Б п-р-п - 60 ... +125 21,5** Вт - 30 1,5 1,5* А $20* мА (30 В) 2Т9139В п-р-п -60 ...+125 52** Вт - 30 1.5 4*А $30* мА (30 В) 2Т9139Г п-р-п -60 ...+125 7,8** Вт - 30 1,5 0,7* А $5* мА (30 В) 1 2Т9140А п-р-п - 60 ... +125 176 Вт - 50 - 10А - 2Т914А р-п-р - 60 ... +125 7* Вт ~300 65 4 0,8 (1,5* А) 2*мА(65В) 2Т9143А р-п-р -60 ...+125 3* Вт ~1500 75 3 100; 300* $1* (50 В) 2Т9146А п-р-п -60 ...+125 350** Вт - 50; 45* 3 20* А $40 мА (50 В) 2Т9146Б п-р-п -60 ...+125 175** Вт - 50; 45* 3 10* А $20 мА (50 В) 2Т9146В п-р-п -60 ...+125 70** Вт - 50; 45* 3 4*А $10 мА (50 В) 2Т9146Г п-р-п -60 ...+125 350** Вт - 50; 45* 3 20* А $40 мА (50 В) 2Т9146Д п-р-п -60 ...+125 175** Вт - 50; 45* 3 10* А $20 мА (50 В) 2Т9146Е п-р-п -60 ...+125 70** Вт - 50; 45* 3 4*А $10 мА (50 BJ 2Т9146Ж п-р-п - 60 ... +125 350** Вт - 50; 45* 3 20* А $40 мА (50 В) 2Т9146И п-р-п -60 ...+125 175** Вт - 50; 45* 3 10* А $20 мА (50 В) 2Т9146К п-р-п -60 ...+125 70** Вт - 50; 45* 3 4*А $10 мА (50 В) 2Т9147АС п-р-п - 60 ... +125 233* Вт - 50* (0,01 к) 4 29А $120* мА (50 В) 1 !
1 Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 10...60* (5 В: 0,25 А) $12 (28 В) ~20(5В:50А) :s;3(10B) ~10* (5 В: 0,5 А) :s;340 (28 В) rкэ нас' Ом r~нас• Ом к~· •. дБ ~3.5** ~3.6** ~3.3** ~3.3** ~6.5** ~2.5** ~6** ~6** ~7** ~6** ~6** ~7** ~7** ~7** ~7** ~6.6** Кш, дБ r;, Ом Р;:•• Вт ~10** (2,7 .. . 3 .1 ГГц) ~9** (2,7...3, 1 ГГц) ~20** (2,7 .. . 3 .1 ГГц) ~3** (2,7 ...3, 1 ГГц) ~125** (1,2 . .. 1,4 ГГц) ~2.5** (400 МГц) ~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~40**( 1,45 . . .1,55ГГц) ~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~40**( 1,45 .. .1,55ГГц) ~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~40**( 1,45 .. .1.55ГГц) ~160** (0,4 ГГц) т., ПС ~~·нс tlblКJlf НС t::. нс $15 345 Корпус 2Т9139 2Т9140 1 --- - 6.S 21.5 2Т914 2Т9143 2Т9146 (А, f, Ж) 2Т9146 (Б, В, Д, Е, И, К) 1 .--~ ~ -- ' 4,6 211,5 2Т9147АС 23 ~ 111.• 11.4
346 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~. \21ь• UКБО npo6• lк max •коо• Тип Струк- Токр., р• ~;13• U~R проб' UЭБОmах• J~R' К. т max• •:. н max• прибора ·с р~:нmах• ("' u;эо проб• в ·~· тура "" мА мВт МГц в мкА 2Т9149А п-р-п -6 0 ... +1251 100** Вт - 45 2 4,5* А 1 :5100 мА (45 В) 2Т9149Б п-р-п 1-60. .. +125 56** Вт - 45 2 2,1* А :550 мА (45 В) ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 2Т915ЗАС n-p -n -60...+125 50* Вт - 50 4 4А :520 мА (50 В) 2Т915ЗБС п-р-п -60 ...+125 94* Вт - 50 4 IOA. :560 мА (50 В) : 1 1 1 1 : 1 1 1 i 1 1 1 ! 2Т9155А 1 n-p-n 1 -60 ...+125 43* Вт ~460 1 50 1 3 1 --4 А 1 ~25* мА (50 В) 1 2Т9155Б 1 п-р-п i -60 . .. +125 1 100* Вт ~450 50 3 1;5,А :525* мА (50 BJ 1 : 1 2Т9155В п-р-п -60 ...+125 180** Вт ~360 50 3 24А :525* мА (50 В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i 1 1 1 1 i 1 1 1 2Т9156АС п-р-п -6 0." +125 50* Вт - 50 3 4А :520* мА (50 В) 2Т9156БС n-p -n -6 0." +125 94* Вт - 50 3 10А ~60* мА (50 В) 1 1 2Т9158А п-р-п - 60 ".+125 98** Вт - 40 3 1 4,5* А :5100 мА (40 В) 2Т9158Б п-р-п 1 -60 . .. +125 45** Вт - 40 3 2,1* А :550 мА (40 В) 1 1 - 2Т9159А п-р-п -6 0." +125 5* Вт ~1100 120; 80** 3 400 :50,1 мА (120 В) - 1 ! 1 1 1 ; 1 2Т9159А5 п-~-п -60." +125 5* Вт 1100 120 3 400 :50.1 мА (120 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 347 J 1 1 i ~ 1 с" 1 rкэ нас' Ом Кш, дБ t11, ПС ~ t:act НС 1 1 h21>' ь;,э с;2э' r~Энас' Ом r;, Ом Корпус 1 пФ к~·р, дБ Р;:х• Вт t::клt НС 1 t::, НС 1 ~4** ~30** (2,15 . .. 2 ,3 ГГц) 2Т9149 - - - - - ~4** ~12** (2,15 .. . 2 ,3 ГГц) - !:fl' "" r:ч к ~ ~ 212 ~10* (5 8: 0,5 А) $37 (28 8) ~7.8** ~15**(0,39 ... О,84ГГц) - 2Т9153 ~10* (5 8: 0,5 А) 1 $66(288) 1 ~7** ~50* * (О,39 ...О,84ГГц) - 1 tll· 1 1 1 1 i 1 ...:- ..s к 3 1 1 .. ....5 ,8 .,. 18,2 ~10* (5 8: 0,5 А) $35 (28 8) ~6.5** ~15** (0,86 ГГц) - 2Т9155 ~10* (5 8: 0,5 А) $35 (28 8) ~6.2** ~50** (860 МГц) - tfi· ~ ..s 6 ...... .,. к 1 1 1 1 1 18,2 1 ! 1 1 : ' ! ~10*(58:0.5А) 1 $35 (28 8) ~5** ~100** (0,86 МГц) 1 - 2Т9155В 1 ! 1 1 1 i 23 1 ~ U.•1..J""":U 1 :61 t1 22,5 1 '~:t:::~,-1 ~10* (5 8: 0.5 А) 1 $37(288) ~7** ~15** (О,65".1 ГГц) - 2Т9156 ~10* (5 8: 0.5 А) 1 $66 (28 8) 1 ~6** ~50** (О.65".1 ГГц) - t11 i 1 1 1 ... "" 1 ;:: ~к 6 1 1 1 1 18,2 ' i '1 - - ~5** ~30** (2,3".2,7 ГГц) - 2Т9158 - - ~6** ~12** (2,3 . .. 2 ,7 ГГц) - !:111 "" r:чз 6 - ~ 212 20. "6 0* (5 8: 50 мА) $2,5(108) - - - 2Т9159 1 С'< f~ .. ... .. ~ 1S. '6 5;9 12,1 2,5 - 20" . 6 0* (5 8; 50 мА) $2,5(108) - - - 2Т9159-5 0,5 0,3 ~шт
348 Раздел 2. Билопярные транзисторы Рк max' ~•• (216' UКБО "роб' lк max IКБО' Тип Струк· Токр., Р~. т mал' (;lэ' U~Rлроб' UЭБО max' •• ·~ЭR• прибора тура ·с р~~ и maxl ~~·:х' u~"роб' в К,и maxt 1~. мВт МГц в мА мкА 2Т916А n-p -n -60...+100 30* Вт ~1100 55* (0,01 к) 3,5 2(4*)А :>:25* мА (55 В) 1 1 2Т9161АС n-p -n -60...+125 700** Вт 500 60 4 25А :>:280 мА (60 В) 2Т9162А n-p -n -60...+125 1290** Вт 600 50 3 39* А :>:60 мА (50 В) 2Т9162Б n-p -n -60...+125 1165** Вт 600 50 3 35* А :>:60 мА (50 В) 2Т91628 n-p -n -60 ...+125 1290** Вт 600 50 3 39* А :>:60 мА (50 В) 2Т9162Г n-p -n -60...+125 1265** Вт 600 50 3 39* А :>:60 мА (50 В) 2Т9164А n-p -n -60...+125 875** Вт - 65 - 20А - 1 2Т917А n-p -n -60...+125 50* Вт ~60 150 5 10 (15*) А :>:20 мА (150 В) 1 2Т9175А n-p -n -60...+125 3,75** Вт ~900 20* (10 Ом) 3 500 :>:1,5* мА (20 В) 2Т9175Б n-p -n -60 ...+125 7,5** Вт ~900 20* (10 Ом) 3 lA :>:3* мА (20 В) 2Т9175В n-p -n -60 ...+125 15** Вт ~780 20*(100м) 3 2А :>:5* мА (20 В) 1 1 1 ~ 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 349 ck, rкэнас• Ом Kw, дБ tк, ПС h21~• ь;IЭ с;2э' r;Энас• Ом r;, Ом t;ac• НС Корпус пФ к;•. дБ Р;~,, Вт t::кnt НС t::. нс 35* (5 В; 0,25 А) 1 :520 (30 В) :50,7" ~20** ( 1 ГГц) 1 :510 1 2Т916 1 1 1 ~~2, ,5 ~20* (5 В; 0.5 А) - ~7** ~500** (0,4 ... 0,5 ГГц) - 2Т9161 t1· ;:: ~к з 1 1 s.в 18;2 1 - - ~6** ~500** (1,4 .. .1,6 ГГц) - 2Т9162 - - ~** ~400** (1,4 .. .1,6 ГГц) - - - ~6** ~500** (1,4 ... 1,6 ГГц) - Б• - - ~7** ~500** (1,4 ... 1,6 ГГц) - 1"'~ .. .. 1 э ~ 1 К'\;_Э ' - Бfl ~ 1 ! 1 ~4** ~300** 2Т9164 - 1 - - 1 1 (1,03 ... 1,09 ГГц) tl 1 ~ ~к з ::: ~к з 16,2 10...60* (7 А; 5 В) - - 30... 50** (10 МГц) - 2Т917 1 1 1 ~ltil - к . ~. t:: 1~5 - :510 ~10** раз ~О.5**(200... 512МГц) :518 2Т9175 - :516 ~6** раз ~2**(200 ... 512МГц) :518 - :530 ~4** раз ~5**(200... 512МГц) :518 t-bl-1 ... <::>' 1__J "' 1 1 <::>' 1 20,5 .., ..... .. .: .., . f . I2 з._ ll Г'1 -з LЭ- 1Г -( ~ ..... ч; .... <о з't/к~ j <а 1\з 16 ~15
350 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• f,,,, (ш, UКБО ..... i lкmax 1 •коо• 1 Тип Струк· Токр .• Р;, т max• ~;lэ' U~Rnpo6' UЭБО maxt 1 ·~.. прибора тура ·с р~: н max• (;:х, u~npo6• в 1;.н maxt 1 ••• мА КЭО• мВт мrц в 1 мкА 2Т9175А-4 п-р-п -60 ...+125 3,75** Вт 900 - - 500 - 2Т9175Б-4 1 п-р-п 1 -60 ... +125 7,5** Вт 900 - - 1А - 2Т9175В-4 1 п-р-п 1-60... +1251 15** Вт 780 - - 2А - 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 i 1 1 2Т9183А-5 1 п-р-п 1 -60 . .. +125 - - 70* - 12А - БСИТ 2Т9184А п-р-п 1-60 ... +125 50* Вт ~30 70* ( lк) 5 10А;20*А :51 мА (70 В) 1 1 2Т9188А п-р-п -60 ...+125 35** Вт 700 - - 5А - 1 1 1 2Т9188А-4 п-р-п -60 ...+125 35** Вт 700 - - 1 5А - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения <::100 (5 В; 6 А) 60...100(1 В:4А) :510 :516 :530 :5350 :550 :550 rкэ ""' Ом r~нас' Ом к:· •. дБ <::10** раз <::6** раз <::4** раз :50,025 :50,1 <::5** раз <::5** раз Кw,дБ r;, Ом Р;:х• Вт <::0,5**(200 ... 512МГц) <::2* *(200... 512МГц) <::5* *(200... 512МГц) <::10** (0,2 ... 0,47 ГГц) 1 1 1 1 ! i 1 1 1 1 <::10** (0,2 ... 0,47ГГц)1 т,, пс ~;...нс tвыкп• НС t::, НС 351 Корпус 2Т9175-4 "> "' "' "' 5 1::3" ~ э з 1с) ..... ч) ...... з н 1,6 2Т9183-5 2Т9184 :rm-t ·~ 1 2Т9188 ! i .... 1~~ 2Т9188-4 "> "' "' "' 5 1::3" ~ э з 1с) .. ... ч) ...... з н 1,6
352 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~•• ~216• UKБOnpo6• lк .,., •коо• Тип Струк- Токр.1 Р~.тmах• ~;lэ• U~ЭR проб• UЭБО max• 1~, к max' J~R' прибора ·с р~~ к max' с· u~npo6• в ••• тура ". мА кэо• мВт МГц в мкА 2Т919А п-р-п -60 ...+125 10* Вт :21350 45 3,5 0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В) 2Т919Б п-р-п -60 ... +125 5* Вт :21350 45 3,5 0,35 (0,7*) А :55 мА (45 В) 2Т919В п-р-п -60 ...+125 3,25* Вт :21350 45 3,5 0,2 (0.4*) А :52 мА (45 В) 2Т919А-2 п-р-п -60 ... +125 10* Вт :21350 45 3,5' 0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В) 2Т919Б-2 п-р-п -60 ... +125 5* Вт :21350 45 3,5 0,35 (0,7*) А :55 мА (45 В) 2Т919В-2 п-р-п -60 ...+125 3,25* Вт :21350 45 3,5 0,2 (0,4*) А :52 мА (45 В) 2Т920А п-р-п -60 ... +125 5* вт (50°С) :2400 36 4 0,25 (l•) А :51*мА(36В) 2Т920Б п-р-п -60 ...+125 10* вт (5О0С) :2400 36 4 1(2*)А :52* мА (36 В) 2Т920В п-р-п -60 ...+125 25* Вт (50°С) :2400 36 4 3(7*)А :55* мА (36 В) 1 1 2Т921А п-р-п -60 ... +125 12,5* Вт (75°С) :290 65* (О,lк) 4 3,5 А :510* мА (70 В) 2Т921А-4 п-р-п - 6 0 ... +125 12,5* Вт (75°С) :290 65* (О,lк) 4 3,5 А :51* мА(70В) 2Т922А п-р-п -60 ...+125 8* вт (40°С) :2300 65* (0,lк) 4 0,8 (1,5*) А :52* мА (65 В) 2Т922Б п-р-п -60 ... +125 20• вт (40°С) :2300 65* (0, lк) 4 1,5 (4,5*) А :510* мА (65 В) 2Т922В п-р-п -60 ...+125 40* Вт (40°С) :2300 65* (О,lк) 4 3(9*)А :520* мА (65 В) 2Т925А 1 п-р-п - 6 0 ... +125 5,5* Вт (40°С) :2600 36* (О,lк) 4 0,5(\*)А :55 мА (36 В) 2Т925Б п-р-п -60 ...+125 11• Вт (40°С) :2600 36* (О,lк) 4 1(3*)А :510 мА (36 В) 2Т925В 1 п-р-п -60 ...+125 25* Вт (40°С) :2500 36* (О,lк) 3,5 3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В) 2Т926А п-р-п -60 ... +125 50* Вт (50°С) :251 150* (О,Оlк) 5 15 (25*) А :525* мА (150 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 353 ~ i 1 li ~ с,, rкэнас• Ом Кш, дБ tк, ПС li h21.1 ь;,э с;2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус 1 пФ к;·,, дБ Р;:,, Вт t::кл' НС t::, нс - :510 (28 В) - ~3.5** (2 ГГц) :52,2 2Т919 - :56,5 (28 В) - ~1.6** (2 ГГц) :52,2 - :55 (28 В) - ~0.8** (2 ГГц) :52,2 ~ зl''к ~ ~' 1~~6 2 16:6 - 19,J - :51О(28В) ~4.1 ** ~4.1 ** (2 ГГц) :52,2 1 2Т919-2 - :56,5 (28 В) ~3.2** ~1.6** (2 ГГц) :52,2 1 1 1 :55 (28 В) ~4** ~0.8** (2 ГГц) :52,2 "' ,, - 'с:.' -~~ 'S. h:o ,__ ~' ' Б '"'-i ~ t -~ 2.6 D • 1 :530* мА (5 В; 50 мА) :515 (10 В) ~7** ~2** (175 МГц) :520 2Т920 :540* мА (5 В; 100 мА) :525 (10 В) ~4.5** ~7** ( 175 МГц) :520 ~ ·-~-изк 1 :525* мА (5 В; 250 мА) :575 (!О В) ~3** ~20** (175 МГц) :520 ' ..;- ........... У:' ..,. ... .....,,, i;:: ~ ~ ,/!. __ " э 1 1 6 12.2 2 1 ~10·(10В;1А) :550 (20 В) ~8** ~12,5** (60 МГц) :5300* 2Т921 :е ff... 6 ~10*(10В; 1А) :550 (20 В) ~8** ~12,5** (60 МГц) :5300* 2Т921-4 ~ ~~~ j ~ 1 67 5 ~10* (0,5 В; 1 А) :515 (28 В) ~10** ~5** ( 175 МГц) :520 2Т922 ~10* (0,5 В; 0,25 А) :535 (28 В) ~5.5** ~20** (175 МГц) :520 ~10* (0,5 В; 0,5 А) :565 (28 В) ~4** ~40** ( 175 МГц) :525 ~~6 з ~ ,.,.. _! ..,. -- ~ -" ,._ э 6 72.2 2 ~8*(5В;0,2А) :515 (12,6 В) ~6.3** 2** (320 МГц) :520 2Т925 ~10* (5 В; 0,2 А) :530 (12,6 В) ~4** 7** (320 МГц) :535 ~ з ~17* (5 В; 0,2 А) :560 ( 12,6 В) ~3** 20** (320 МГц) :540 ~ ~6 к ЕЗ!~- ..,. ~L- ~ э 6 72.2 2 12...60* (7 В; 15 А) - :50,17 - - 2Т926 ~fitll g::: • t:::: 1~5 23зак9
354 Раздел 2. Биполярные транзисторы i ! 1 pKmax• (,,,. ~216• UКБО •роб• i IКБО• 1 lк max 1 Тип Струк- Токр. • р' t;lэ• U~ЭR ороб• UЭБО max• 1 1;, и max• 1 I~ЭR• К. т 1na'(t прибора тура ·с р~~ иmax• ~~:х• u;;,, ороб• в 1" мА КЭО• мВт Мfц в мкА 2Т928А n-p-n -60 ...+125 0,5 Вт (2*) Вт :?:300 60 5 0,8 (1,2*) А :51 (60 В) 2Т928Б n-p-n -60 ...+125 0,5 Вт (2*) Вт :?:300 60 5 0,8 (1,2*) А :51 (60 В) 1 1 1 1 1 2Т929А i n-p-n -60 ...+125 6 Вт (40°С) :?:700 30* (О.lк) 3 0,8 (1,5*) А :5500 (30 В) 1 2Т930А n-p -n -60 ...+125 75* Вт (40°С) :?:450 50* (О,lк) 4 БА :520* мА (50 В) 2Т930Б 1 n-p -n 1-60. . . +1251 120* Вт (40°С) :?:600 50* (0,lк) 4 IOA 1 :5100• мА (50 BI ·, ! ' ! 1 j " 1 ,, i 1 1 i ~ 1 1 1 ~ i ! 1 i i •' 1 ! 1 q i 1 1 ! ! 1 j 1 ! i 2Т931А 1 n-p-n l -60 ...+125 1 150 Вт (40°С) :?:250 1 60* (0,Оlк) 1 4 15А 1 :520* мА (60 В) 1 1 1 1 1 !11 i i 1 ~ !1 1 i 1 ! 1 1 ! ' 1 i 1 i 'i l2T932A 1 1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) i :?:30 1 80 4,5 1 2А i :51.5* мА (80 В) 1 p-n-p 1 1 2Т932Б ! p-n-p 1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) ! :?:50 60 4,5 2А ! :51,5* мА (60 BJ 1 1 i : l 1 • 1 i i i i 1 1 i ' 2Т933А p-n-p -60 ...+125 5* Вт (50°С) :?:75 80 1 4,5 0,5 А :50,5* мА (80 BI 2Т933Б p-n-p -60 ...+125 5* Вт (50°С) :?:75 60 1 4,5 0.5 А 1 :50,5* мА (60 В) 1 1 ' 1 ~ 1 1 1 ! i ! 1 1 1 i i 1 1 1 1 1 ' 1 i , 1 1 1 i 1 ~ 1 1 i 1 1 1 1 1 1 i 1 ! 1 1 ! 1 1 ! 1 ! 1 i 2Т934А i n-p -n 1-60.. . +125 7,5* Вт :?:500 60* (0.Оlк) 4 1 0.5 А 1 :55*мА(60В) 2Т934Б 1 n-p-n -60 ...+125 15* Вт :?:500 60* (О,Оlк) 4 1 IA i :510* мА (60 В) 2Т934В n-p -n -60 ...+125 30* Вт :?:500 60* (0,Оlк) 4 2А :520* мА (60 В) 1 2Т935А n-p-n -60 ...+125 60* Вт (50°С) :?:51 80* (О,Оlк) 1 5 1 20(30*)А 1 :530* мА (80 В) ~ 1 1 1 i ! 1· 1 i ! ! 1 1 1 i 1 1 1 1 'i 1 1 1 1 1 1 1 1 i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 355 1 ck, rкэиас' Ом Кw1 дБ tк, ПС h21.• ь;,э с;2э' r~нас' Ом r~, Ом t~ac• НС Корпус пФ к~·,, дБ Р:•• Вт t::КJI. нс t::. нс 30 ... 100* (5 В; 150 мА) :512 (10 В) :52 - :5225* 2Т928 50 ... 200* (5 В; 150 мА) :512 (10 В) :52 - :5225* ~кфз 1 ~25* (5 В; 0,7 А) :520 (8 В) ~10** ~2** (175 МГц) :525 2Т929 ...-ill ~ 6 l!JЗ К ~r.r. ., -~ 1!1. --= .L- ' 11 1з 6 121 21 40*(5В;0,5А) :580 (28 В) ~6** ~40** (400 МГц) 8 1 2Т930 50*(5В;0.5А) :5170 (28 В) ~4** ~75** (400 МГц) 11 1 lffii ~ t;" 7 25*(5В:0.5А) :5240 (28 В) 0,18; ~4** ~80* * ( 175 МГц) 18 2Т931 -i 1 ~ 1 1 1 ....., 1 ~ 7 1 1 ~15* (3 В: 1,5 А) :5300 (20 В) :51 - - 2Т932 ~30* (3 В: 1.5 А) :5300 (20 В) :51 - - п1~ ~ffli ~. ~15* (3 В; 0.4 А) :5100 (20 В) :53,75 - - 2Т933 ~30*(3В:0,4А) 1:5100(20В) :53,75 - - ;tфкфз 1 50*(5В;0.1А) :59 (28 В) 2; ~6** ~3** (400 МГц) :520 2Т934 50* (5 В; 0,15 А) :516 (28 В) 1; ~4** ~12** (400 МГц) :520 "~ • ,J', 50* (5 В; 0,25 А) :532 (28 В) о,5; ~3** ~25** (400 МГц) :520 ~ ~~;:: р1з 6 121 21 20... 100* (4 В: 15 А) i :5800 (10 В) :50,66 - :5700** 1 2Т935 1 1 ~liil ~. 1::: 1~5 2з·
356 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maxt ~. (216• Uкю npo0• IKmax Iкю, Тип Струк- Токр. • P~.тmaxt (;,3, U~Rnpo6• UЭБОmа1'.' 1;.н maxt I:СЭн' прибора тура ·с р~: и maxt с:х, u~ ..... в 1·· мА КЭО• мВт Мfц в мкА 2Т935А-5 п-р-п -60 ...+125 60* Вт ~51 80* 5 20А :530* мА 1 1 1 1 1 1 1 2Т937А-2 п-р-п -60 ...+125 3,6** Вт 6500 25 2,5 250 :52* мА (25 В) 2Т9375-2 п-р-п -60 ...+100 7,4** Вт 6500 25 2.5 450 :55* мА (25 В) 12Т937А-5 1 п-р-п -60 ...+125 3,6** Вт 6500 25 2,5 250 :52 мА (25 В) : i 1 1 1 1 1 2Т938А-2 п-р-п -60 ...+125 1,5* Вт ~2000 28 2,5 в 180 :51 мА (28 В) 1 1 1 1 1 2Т939А 1 п-р-п 1 -60 ... +125 4* Вт ~2500 30* (0.Оlк) 3,5 400 :52 мА (30 В) 2Т9395 1 п-р-п 1 -60 ... +125 4* Вт ~1500 30* (0,Оlк) 3,5 400 :52 мА (30 В) 1 1 1 1 2Т939А1 п-р-п -60 ...+125 4* Вт ~2500 30* (О,Оlк) 3,5 400 :51 мА (30 В) 2Т941А ! р-п-р -60 ...+125 4* Вт ~1500 30 3 500 :5300 (30 В) 1 2Т942А п-р-п -60 ...+125 25** Вт ~1950 45 3,5 1,5 А :520 мА (45 В) 2Т9425 п-р-п -60 ...+125 22** Вт ~1950 45 3.5 1,5 А :520 мА (45 В) 1 1 1 2Т942А-5 п-р-п -60 ...+125 25** Вт ~1950 45 3,5 1 1,5 А :520 мА (45 В) 2Т9425-5 п-р-п -60 ...+125 22** Вт ~1950 45 3,5 1,5 А :520 мА (45 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 357 ck, rкэ нас• Ом Кw,дБ tк, ПС hz,,• ь;,э с;2з' r~нас' Ом r;, Ом t~,. нс Корпус пФ к~·., дБ Р:,,, Вт t::.,, . нс t::, нс 20... 100* (4 В: 15 А) 1 :5800 (!О В) :50,66 - :5700** 2Т935-5 1 1 ~шт 1 - :55,5 (20 В) ~1.6** ~1.6** (5 ГГц) 0,78 2Т937 - :57,5 (20 В) ~1.8** ~3.6** (5 ГГц) 0,6 :ltl ;- ~ 6 2 6 19,;J - :55,5 (20 В) ~1.6** 1 ~1.6** (5 ГГц) 0,78 2Т937-5 ~mг - :54 (20 В) ~2** ~1 ** (5 ГГц) :52 2Т938-2 •tt f:m ifEit:i~ ~: ~1!~6 j 40...200* (12 В: 0.2 А) :55,5 (12 В) - - :59 2Т939 (2Т939А1) 20...200* (12 В: 0,2 А) :56 (12 В) - - $10 ~ f~ .- .: 1S. 40 ... 200* (12 В: 0,2 А) - - - - (9 11,1 2' ,5 (2.•.5,4) ~20* (5 В: О,1А) :55 (20 В) :56 - :515 2Т941 ;fiкФэ - :520 (28 В) ~2.5** ~8** (2 ГГц) :52,2 2Т942 - :520 (28 В) ~2.5** ~6** (2 ГГц) :52,5 :ttl 1 ~- ~ 1 6 1 1 2 6,6 1 19. - :520 (28 В) ~2.5** ~8** (2 ГГц) :52,2 2Т942-5 - :520 (28 В) ~2.5** ~6** (2 ГГц) :52.5 ~r0r
358 Тип 1 Струк- Токр., прибора 1 тура \ ·с Рк max' Р~.тmax t р~~ и maxt мВт ~2Т944А n-p -n - 60." + 125 55* Вт (90°С) 2Т945А n-p -n 1-60. .. +125 50* Вт (50°С) 2Т945Б n-p -n 1 -60".+1251 50* Вт (50°С) 1-60 . .. +125 1 2Т945В n-p -n 50* Вт (50°С) 1 1 2Т945А-5 n-p-n 1 -60 ...+125 1 50* Вт (50°С) 2Т946А i n-p -n 1-60... +1251 37,5** Вт ~ ! j 1 1 1 2Т947А 1 n-p-n -60 ...+125 1 200* Вт (50°С) 1 1 1 ! ! 1 1 1 2Т948А 1 n-p-n 1 -60 ...+125 40* Вт 2Т948Б ! n-p -n 1 -60 ."+125 20* Вт 1 1 1 i 2Т949А n-p-n , -60 ...+125 60* Вт 1 1 i j 2Т950А 1 n-p-n -60 ...+125 84 Вт 2Т950Б n-p -n -60 ...+125 60 Вт 1 i f..v, \z1•• \;lэ' ~::х' МГц ~105 ~51 ~51 ~51 ~51 ~720 i ~75 1 ~1950 1 ~1950 180 1 ~150 ~90 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО о1ю<>' lк max lкоо• U~ЭR 01ю<>' UЭБО maxt 1~. н maxt I~R• u~ ороб• в 1·· мА кэо• в мкА 100* (0,01 к) 5 12,5 (20*} А :s80* мА (100 В 200* 5 15 (25*} А :s25* мА (200 В) (100 Ом) 150* 5 15 (25*) А :s25• мА (150 В) (100 Ом) 150* 5 10 (20*} А :s25* мА (150 В) (100 Ом) 200* 5 1 15(25*)А :S25* мА (200 В) (100 Ом) 50 3,5 2,5(5*)А \ :s50мА(50В) ' 1 ' i 1 i i 1 ' ) 100* (0,01 к) 5 20 (50*} А :SIOO* мА (100 В) 1 1 1 i i 45 2 2,5(5*)А 1 :s30мА(45В) 45 2 1,25 (2,5*} А ! :sl5 мА (45 В) 60* 5 20А :s50 мА 1 1 j! i 1 ~ 1 1 ~i' 1 1 1 60* 1 4 1 10А :s30 мА* (60 В) 65* 4 7А :s30 мА* (60 В) 1 i 1 1 1 1 1
1 11 11 i 1 1 11 ~ 1 Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения h21э' ь;!Э 10...80* (5 В; 10 А) 1 ! i1 1 10...60* (7 В; 15 А) 10...60* (7 В; 15 А) 10...60* (7 В; 10 А) 10...60* (7 В; 15 А) 10...80~ (5 В; 20 А) 1 i 1 i 1 10...90* (10 В; 15 А) '1 ! 1 15...100(5А; 10В) 1 10... 100(5А; IOB) 1 с" с;2э' пФ :5350 (28 В) s;200 (30 В) :5200 (30 В) :5200 (30 В) :5200 (30 В) :550 (10 В) :5850 (27 В) :530 (28 В) :517 (28 В) 550 :5165 (28 В) :5220 (28 В) rкэ иас' Ом r~э иас' Ом к:·,, дБ s;0,25; ::>: 10* * s;0,17 s;0,17 s;0,17 1 s;0,17 1 ! 1 1 ::>:4** ::>:10** 1 - 0,15; ::>:7** 0,15; ::>:10** 1 i 1 1 1 1 Кш, дБ r;, Ом Р:х, Вт ::>:100** (30 МГц) - - - - ::>:27* * (1 ГГц) ::>:250** (1,5 МГц) ::>:15** (2 ГГц) ::>:8* * (2 ГГц) - ::>:70** (80 МГц) ::>:50** (30 МГц) tк, ПС f~al'' НС t;ЫIUlt НС •::, НС - $1,1* мкс :51,1* мкс $1,1* мкс 1 :51,1* мкс ' 11 ! 1 140** 1 - ! - 1 1 1 359 1 Корпус 1 1 2Т944 r. 1: ! Чt~ ...; . с-. 2Т945 n.t кt) 6"з ~ .. ..., о'о ~ffl~ т ..:; . ' - к 2Т945-5 ~шт ~ 2Т946 2Т947 2Т948 1 /( э : i ""' i s:!' C"i 8,5 11 ~ 1 4,f 1 1 2Т949 i 1 ~1 ==tifj- ~ 1 . 1 \...--~ 1 2Т950 1 ! 1 1~ '; ·~~ 1-f'~Б К j ~' . А-А э ~· 15,7 -- ZI
360 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Рк max' ~" ~".. UКБО """"' lкоо• ~ lк max Тип Струк· Токр., Р~.тmах' ~;lэ' U~ЭR ""°"' UЭБО max' 1:,н rnax t J~ЭR• прибора тура ·с р~~ и maxt ~~·;х' u~""""' в мА I~эо• мВт МГц в мкА 2Т951А n-p-n - 60 ... +125 45 Вт** <:150 60* 4 5А :о;20 мА (60 В) 2Т951Б n-p -n - 60 ... +125 30 Вт** <:90 65* 4 ЗА :<;;20 мА (60 В) 2Т951В n-p -n -60 ...+125 6,3 Вт** <:150 60* 4 0.5 А :<;;5 мА (60 В) 2Т955А n-p-n - 60 ... +125 20* Вт (I00°C) <:100 70* (О,Оlк) 4 6А :o;lO* мА (60 В) 2Т956А n-p -n - 60 ... +125 70** Вт (I00°C) <:100 100* (О,Оlк) 4 15А :<;;80* мА ( 100 В) 2Т957А n-p-n -60 ...+125 100** Вт (1ОО0С) <:100 60* (0,01 к) 4 20А :<;;100* мА (60 В) 1 2Т958А n-p-n - 60 ... +125 85* * Вт (40°С) <:400 36* (О,Оlк) 4 10А :<;;15* мА (36 В) 1 1 1 ! 1 1 1 2Т960А n-p -n - 60 ... +125 70** Вт (40°С) <:600 36* (0,01 к) 4 7А :<;;20* мА (36 В) 2Т962А n-p-n - 60 ... +125 17** Вт (40°С) <:750 50 4 1,5 А :о;20 мА (50 В) 2Т962Б n-p-n - 60 ... +125 27** Вт (40°С) <:750 50 4 2,5 А :<;;20 мА (50 В) 2Т962В n-p-n - 60 ... +125 66** Вт (40°С) <:600 50 4 4А :о;ЗО мА (50 В) 2Т963А·2 n-p -n - 60 ... +125 1,1 *Вт - 18 1,5 210 :<;;1 мА (18 В) 2Т963Б-2 n-p -n - 60 ... +125 1,1 *Вт - 18 1,5 185 :<;;1 мА (18 В) 1 !1 i 1 1 1 i 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 15...100 (2 А: 10 8) 10... 100 (2 А; 10 8) 30...200 (2 А: 10 8) 10...80* (5 8: 1А) 10...80* (5 8: 1 А) . 10...80* (5 8; 5 А) 210* (8 8: 0.5 А) пФ $70 (28 8) $70 (28 8) $12 (28 8) $75 (28 8) $4005 (28 8) $600 (28 8) $180 (12 8) $120 (12 8) $20 (28 8) $35 (28 8) $50 (28 8) 1,5(58) 1,5(58) rкэ на{·' Ом r~э нас' Ом к:· .. дБ 28,3** 210** 215** 220** раз 220** 217** 24** 22,5** 24** 23,5** 23** 23**(10ГГц) 23** (10 ГГц) Кш• дБ r~, Ом Р;:х, Вт 225** (80 МГц) 220** (30 МГц) 23** (80 МГц) 220** (30 МГц) 2100** (30 МГц) 2125** (30 МГц) 240** (175 МГц) 240** (400 МГц) 210** (1 ГГц) 220** ( 1 ГГц) 240* * (1 ггц) 20,8** (10 ГГц) 20,5** ( 10 ГГц) 'tK1ПС f~act НС t::кл 1 НС t::, нс 12 12,5 $15 $14 $11 361 Корпус 2Т951 ,6 7J.2 2Т955 2Т956 ~~~ :11ыJ t ъ:J 2Т957 ~~~ :11ыJ t ъ:J 2Т958 +li2Т960 -т--...,....,...,,·6 ~~·~~·~к25Jl 2Т962 2Т963 _ S,3 n,Ф - ~·~ tч ~"-~ - ~" ·~- 1 ~ ко:э ~ ..... =- = 5.:1- l=i=: Б ~1
36.2 Раздел 2. Биполярные транзиотор&1 pKmaxt ~•• \21•• UK50npo6• •кmах lкоо• Тип Струк- Токр., Р~.тmа"'' ~;lэ' U~Rnpoб• UЭБOma1t.' 1;,и max' I~R• прибора ·с р~~ и max' с· U~ЭОnроб• в I~эо• тура ах• мА мВт МГц в мкА 2Т96ЗА-5 п-р-п -60 ...+125 1,1 *Вт 10 ГГц 18 1,5 1 185 1 :51 мА (18 В) 1 1 1 1 i i 1· 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т964А п-р-п -60 ...+125 200* Вт (50°С) <:150 80*(100 Ом) 4 IOA :5100 мА (80 В) 1 1 2Т965А ! п-р-п 1-60.. . +1251 32* Вт 1 <:100 1 36* (0,Оlк) 1 4 i4А :510* мА (36 В) 1 1 1 1 ! 1 i 1 ~ i i i 1 1 q 1 ! 1 1 i 1 1 ! ! i 1 1 1 1 1 1 2Т966А п-р-п -60...+125 64* Вт <:100 36* (О,Оlк) 4 8А :523* мА (36 В) ! 1 1 1 ! ! 1 ., ! 1 1 ! ' 1 1 1 1 1 1 i 1 1 2Т967А п-р-п 1-60. . . +125 1 100** Вт <:180 36* (О,Оlк) J 4 15А 1 :520* мА (36 В) 2Т968А п-р-п -60 ...+125 4 Вт* (40°С) <:90 300 5 100 (200*) :50.5* мА (250 В) ii 1 2Т968А-5 п-р-п -60 ...+125 4 Вт* (40°С) <:90 300 5 100 (200*) :50,5* мА (250 В) i11 : ' 1 1 -60 ...+125 1 1.70** Вт 50* (О,Оlк) 1 ' ! 2Т970А п-р-п <:600 4 13А i 100* мА (50 BI ! ' 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 363 i 1 ! ck, rкэ нас• Ом Кw,дБ t'K, ПС 1 h2," ь;,э с;2эt r~нас' Ом r~, Ом f~at"' НС Корпус пФ к:· •. дБ Р;:" Вт t::клt НС t::., нс - 1,5(58) - ~0.8** (10 ГГц) - 2Т963-5 0,45 0,08 ~шт 10...50* (5 А; 10 В) 1 :5290 (40 В) ~5** ~150** (80 МГц) 1 - i 2Т964 1 1 :tri 1 ..... .... 6 к 1 1 ~ ~J5,: 10...60* (5 В; 1 А) :5100 (12,6 В) ~13** ~20** (30 МГц) - 2Т965 1 ~~~- 1 !1') 1 <!it 1 1 G,9 i 1 - :5250 ( 12,6 В) ~16** ~40** (30 МГц) - 1 2Т966 $J:t" '/( G,9 ! 10... 100* (5 В; 5 А) :5500 (12,6 В) ~18** ~90** (30 МГц) - 2Т967 1 i 1 1 i 1 t1ii , i 1 1 :::: 6 к 1 1 ~ 1 & J5,: 1 1 35... 320* (30 мА; 1О В) :52,8 (30 В) :533** - :52** 2Т968 1 ~ЕФкщэ 1 1 1 ! ! 1 1 35...320* (30 мА; 10 В) j :52,8 (30 В) :533** - :52** 2Т968-5 1 i ~шт - 180 (28 В) ~4** ~100** (400 МГц) :525 2Т970 1 1[g 1 1- !1-$' 6 1 а ""'З . 1 i 1 1 i 1 ! 21 . 1 i 1 1 i 1 1 1 1
364 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 pKmax' f,,,. (216, Uквоnро0• 1 Iк.,,," Iкво• Тип Токр.t Р;.тmа"'' ~;1,1 U~Rnpo6• UЭIOmax• 1;.и max• J~R' прибора 1 тура 1 ·с р;иmах• с· u~-· в ·~· ". 1 мА 1 i мВт МГц в j мкА ! i 2Т971А n-p-n l -60 . .. +125 200** Вт ~220 50* (О,Оlк) 4 17А :S60* мА (50 В) 2Т974А р-п-р -6 0 ... +125 5* Вт (50°С) ~450 80 3 2А(10*А) :S5 мА (80 В) 2Т974Б р-п-р -6 0 ... +125 5* Вт (50°С) ~450 60 3 2А(10*А) :S5 мА (60 BJ 2Т9748 р-п-р -60 ...+125 5* Вт (50°С) ~450 50 3 2А(10*А) :S5 мА (50 В) 2Т974Г р-п-р -60 ...+125 1 5* Вт (50°С) ~450 60 3 2А(10*А) :S5 мА (60 В) 1 2Т975А n-p-n -6 0 . .. +125 500** Вт (85°С) - 50 3 15* А :S40* мА (45 В) 2Т975Б n-p-n -6 0 . .. +125 200** Вт (85°С) - 50 3 7*А :S20* мА (45 В) 1 1 1 1 !2Т976А ! n-p-n 1-60... +125 75** Вт (40°С) ~750 50 4 6А 1 :S60мА(50В) 1 1 2Т977А n-p -n - 6 0 ... +125 200** Вт (85°С) ~600 50 3 8*А :S25 мА (50 В) 2Т978А n-p -n -6 0 ... +125 40* Вт ~75 300* 5 10А(15*А) :S2 мА (300 В) (100 Ом). 120** 2Т978Б n-p -n -60 ...+125 40* Вт ~75 300* 5 10А(15*А) :S2 мА (300 В) (100 Ом). 150** 2Т979А n-p -n -60 ...+125 75* Вт - 50 3,5 5А;10*А :SIOO мА (50 В) 1 1 2Т980А n-p-n - 6 0 ... +125 300* Вт (30°С) ~150 100* (0,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 В) 2Т980Б n-p-n -60 ...+125 300* Вт (30°С) ~150 100* (О,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 365 ck, rКЭиасt Ом Кw,дБ tlCI ПС 1 h2," ь;,э с;2" r~нас' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус 1 пФ К~~ •• дБ Р;:" Вт t::IUll НС t:. нс - S330 (28 В) ;::3** ;::150** (175 МГц) S40 2Т971 3 tm - !1') 6 D fNЭ • 4 21 5...50 (5 А: 5 В) 80 (30 В) Sl 1 - S0.2 мкс 2Т974 5...50 (7 А: 5 В) 1 80 (30 В) S0,6 - 1 S0.2 мкс ;fФкщэ 5...50 (5 А: 5 В) 80 (30 В) Sl - S0,2 мкс ;::10* (7 А: 5 В) 80 (30 В) S0,6 - S0,2 мкс 1 1 - - ;::6** 200** (1,4 . .. 1,6 ГГц) S0,2 мкс 2Т975 - - ;::6** 100** (1,4 .. . 1,6 ГГц) - 6 ~~ з т:11 1 S70 (28 В) ~** - ;::60* * ( 1 ГГц) s25 2Т976 ~~ о;" llr'i "Q "" •6 1~в 21 - - - ;::50** (1,5 ГГц) - 2Т977 ~-~ !;:i' •• 1 : сч 6.6к 1 1 ;::15* (5 А: 5 В) sl20 (50 В) S0,2 - Sl,2* мкс 2Т978 ~,~ ;::15* (5 А; 5 В) Sl20 (50 В) S0,2 - sl ,2* мкс ~fflii ~ ..,. . - /( - - ;::б** ;::50** (1,3 ГГц) - 2Т979 ttlja !О:) ""к 1 - ~ 2l2 15...60* (IO В; 5 А) S450 (50 В) ;::16** раз ;::250** (30 МГц) - 2Т980 10... 60* (10 В; 5 А) S450 (50 В) ;::16** раз ;::250** (80 МГц) - :ttl ::::; 6 к & J5,:
366 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maкt {,.,. \216, UКБО проб• lк mак lкБО• Тип Струк- Токр.r Р~.тmакt ~;lэt U~Rnpo6• UЭБО mак t 1~,иmак' I~R• прибора тура ·с р"" c:ll., u~npoб• в 1;эо, К.иmакt мА мВт МГц в мкА 2Т981А n-p-n -60 ...+125 70* Вт ~300 36* (0,01 к) 4 10А ::;50* мА (36 В) 1 i ! 1 2Т982А-2 ! n-p-n - 60 ".+125 5,8** Вт - 20 1,5 600 ::;1 мА (20 В) 1 2Т982А-5 n-p-n -60".+125 5,8** Вт - 20 1,5 600 ::;1 мА (20 В) 1 i 1 ~ : 1 1 1 1 2Т983А n-p-n - 60 ".+125 8.7* Вт ~1200 40* (0,01 к) 4 0,5 А ::;5* мА (40 В) 2Т983Б 1 n-p-n 1-60 ". +125 13* Вт ~900 40* (0,01 к) 4 IA ::;8* мА (40 В) 2Т983В 1 n-p-n - 60" .+125 22,5* Вт ~750 40* (О,01 к) 4 2А ::;18* мА (40 В) ! 2Т984А n-p -n 1 -60".+125 1,4* Вт 1 720 65 4 1 7*А 1 ::;30 мА (65 В) 2Т984Б n-p -n 1 -60".+125 ! 4,7* Вт 1 720 1 65 4 16* А ::;80 мА (65 В) 1 i 1 1 i i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т985АС n-p-n 1-60 ". +125 185* Вт ~660 50* (10 Ом) 4 17А ::;120 мА (50 В) 1 1 1 ~ 2Т986А i n-p-n i -60 ".+125 1 910** Вт - 50 1 3 26*А i ::;60мА(50В) i 1 1 • 1 1 1 j-60 " . +1251 i 2Т986Б n-p-n 775** Вт - 50 3 26* А 1 ::;50 мА (50 В) 2Т986В n-p-n - 60 ".+125 910** Вт - 50 3 26* А 1 ::;40 мА (50 В) 2Т986Г n-p-n - 60 ".+125 910** Вт - 50 3 26* А ::;50 мА (50 В) 2Т987А n-p-n - 60 ".+125 93* Вт 1000 50 3.5 5А 100 мА (50 В) 1 1 1 1 i1 1 1 ~ 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 367 ck, fкэнас' Ом Кw,дБ t., пс h:H'*' ь;IЭ c;:?i' г~:энсt~• Ом r;, Ом t~c' НС Корпус пФ к~·•' дБ Р;:,, Вт t::kЛ, нс t:::,, нс 10...90* 15 В: 5 А) 1S400 (12.6 В) 1 ~5** ~50** (80 МГц) ! - 1 2Т981 ! 1 1 1 1 1 :tf+ifj 1 1 1 1 1 1 .... 6 к ' i 1 1 , 1 1 ~ J5,: - s6(15B) 2,5** ~3.2** (7 ГГц) - 2Т982 s.s Н,# - 1 ~ 1 ....- ~ ~·~ ..... ктэ ' " ,_ - 1~"1 1 1 ! 1 - ! ' 1 i i - S6 (15 В) 2,5** ~3.2** (7 ГГц) 1 - ! 2Т982-5 i 1 0,45 0,08 ~шт ~20* (5 В; 0,5 А) S8 (28 В) ~4** ~0.5** (860 МГц) - 2Т983 ~IO* (5 В; 0,5 А) Sl2 (28 В) ~3.6** ~1 ** (860 МГц) - ~ 71.]3 к ~10* (5 В: 0,5 А) S24 (28 В) ~3.2** ~3.5** (860 МГц) - ..; ~~~ Е • 1 О!" 1-..::1 1 1 ~ 1' 1з 1 ' 1 8 1'1. '2 2i 1 1 1 - S35 (30 В) ~5** ~75** (820 МГц) 5 2Т984 - S80 (30 В) ~4** ~250** (820 МГц) 5 ~~~rel] - S270 (28 В) ~3.5** ~125** (0,4 ГГц) S21 1 2Т985 1 i ~tl; 1 1 ' ! 1 1 1 1 1 В.5 23.2 - 1 - ~6** ~350** - 2Т986 (1,4 ... 1,6 ГГц) 6 - - ~6** ~300** (1,6 ГГц) - ~~~ - - ~7** ~350** (1,6 ГГц) - .... OQ- з - - ~7** ~350** - D ,... (0,6 ...0,8 ГГц) J,8 1. ' ~6** ~45** ( 1 ГГц) 2Т987
368 Раздел 2. Биполярные транзисторы рКmал' ~•• ~216• UКБО проб• lк mал lкоо• Тип Струк- Токр.• Р~.тmах' ~;lз' U~Rnpo6• UЭБО max' ·~.н max' I~R• прибора тура ·с р~: и max' ~::х' u~ ..... в мА 1~, мВт МГц в мкА 2Т988А п-р-п -60 ...+125 43* Вт - 50 3,5 2,5 А :550 мА (50 В) 2Т988Б п-р-п -60 ...+125 33* Вт - 50 3,5 1,7 А :530 мА (50 В) 1 2Т989А п-р-п -60 . .. +125 40* Вт (115°С) - 45 2 5А(7,5*А) :5100 мА (45 В) 2Т989Б п-р-п -6 0 . .. +125 30* Вт (115°С) - 45 2 4А(5*А) :5100 мА (45 В) 2Т989В п-р-п -6 0 . .. +125 14* Вт (115°С) - 45 2 1,7 А :530 мА (45 В) 2Т989Г п-р-п -60 ...+125 25* Вт(115°С) - 45 2 2,5 А :550 мА (45 В) 1' 2Т990А-2 п-р-п -60 ...+100 25* Вт 1,95 ГГц 45 3,5 1,5А(3*А) :520 мА (45 В) 1 2Т991АС п-р-п -60 ...+125 67* Вт ~540 50 4 3,7 А :550 мА (50 В) 2Т993А п-р-п -60 ...+125 50* Вт ~180 150 4 5А(IO*А) 30 мА (150 В) - 2Т994А-2 п-р-п -6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С) - 50 3 39* А :560 мА (50 В) 2Т994Б-2 п-р-п -60 ...+125 1165** Вт (85°С) - 50 3 35* А :560 мА (50 В) 2Т994В-2 п-р-п -6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С) - 50 3 39* А :560 мА (50 В) !
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 369 !1 1 1 1 ;1 ck, fкэнас' Ом Кш, дБ 't,, пс 1 t:a{·t НС 1 11 ii h21э' h~IЭ c;2j' r~э нас' Ом r~, Ом t:•ыкл t НС Корпус 11 ~ пФ к;.. дБ Р;:х' Вт t::, нс 1 - - 26** 215** (0.7 ГГц) - 2Т988 - - 27,8** 218** (l,4 ГГц) - ~~4~Б -- э ""' KS· r ... ~ ""' • -:; ~ 11 .f,~ с:: 2,,2 - 1 - 11 ! 11 1 1 - - 23,2** 235** (2 ГГц) - 2Т989 - - 24,3** 226** (2 ГГц) - - - 27** 212** (2 ГГц) - ~~ - 27** 225* * (l,7 ГГц) 1 ..JL Б - - э ""' Kr. г ... 1~ ""' ' ~~ 15,~ 21,2 11 - 1 i i 1 :522 (28 В) 28** (2 ГГц) 1 1 1 - - :52,5 2Т990-2 ~ 311~~ к <Q" c:::t '& ... 1~~ /j 2 16;6 19,'J - :575 (28 В) 26** 255** (0.7 ГГц) :56,8 2Т991 1,, 1 ! ~· "" ... к3 1 !I 1 ~ ~11, ~ 1 ~ 10...70* (5 В; 5А) 375 - - - 2Т993 ~1 ~=т=)- ." ;~ 11 1 1 1 ~~; т 1-~ 1 1 ' 1к : 1 1 о-1"!. : i i !!.• 1 - :5120 (45 В) 26** 2500** (l.4 ...l.6ГГц) - 2Т994 - :5120 (45 В) 26** 2400* * ( 1.4 .. . 1.6ГГц) - - :5120 (45 В) 27** 2500** (l,4 .. . l,6ГГц) - 61 lк,~- ... 1 э :!;! 1 KI\i-Э ~ Б/.Т 1 1 1 -Z1.l 1 1 24зак 9
370 Тип прибора 1 ~2Т995А-2 1 ~!2Т996А-2 2Т996Б-2 2Т996В-2 2T996f-2 2Т996А-5 !2Т996Б-5 ~ 2Т998А 1 1 1 Струк-1 Токр., ! ·с тура п-р-п 1 -60 ... +125 1 ! 1 1 1 п-р-п 1-60 ... +125 1 п-р-п i -60 ...+125 1 п-р-п 1-60 .. . +1251 п-р-п ! -60 ... +125 1 п-р-п 1 -60 ... + 125 п-р-п 1-60 ...+125 1 i 1 1 11 1 ! i п-р-п -60...+125 1 1 ! 1 ! ! pKmax' Р~. т max' р~~ н maxl мВт 3* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 1 i 1 1 1 1 1 1 1 ' i 1 ~.. ~,.. \;lэt (.' ' .... . Мfц 10 ГГu ~4 ГГu ~4 ГГu ~4 rru ~4 ГГu ~4 ГГu ~4 ГГu - 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО проб• U~Rnpo6' U::ЭО проб• в 18 20 20 20 20 20 20 100 1 1 U3~.,." i 1 1 1 1 1 i1 1 1 1 1,5 2,5 2.5 2.5 2,5 2,5 2.5 4 1 1 ! i 11 1 1 1 11 !1 1 •кmаА J~,н maxt мА 600 200 (0.3* А) 200 !О.З* А) 200; 300• 200: 300· 200 (0.3* А) 200 (0,3* А) 30А 1 11 1 1 •кьо• ·~R• ·~·мкА :52 мА (18 BI :55* мА (20 В) :55* мА (20 В) :51*мА(20В) :51*мА(20В) :55* мА (20 В) :55• мА (20 В) :560 мА (100 В) i'! 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 371 1 с•. rКЭнас:' Ом Кш, дБ tк, ПС h21эt ь;IЭ с;2~' r~мас:' Ом r;, Ом t~ct НС Корпус пФ к::•. дБ Р;:,, Вт t::кл' НС t::, нс - - ~1.5** ~1.5** (10 ГГц) - 2Т995 -s.s- - п,• - - 1 ~ =- .-= {f""' ~ - ~"е 5.:1 ~- ~ ~35* (10 В: 0.1 А) ;<:;2,3 (10 В) - - - 2Т996 ~70* (10 В: 0,1 А) ;<:;2,3 (10 В) - - - ~35* (10 В; 0,1 А) ;<:;2,3 (10 В) ~3.8** ~О.115** (650 МГц) - *'~@. ~35* (!О В; 0.1 А) $2.3 (10 В) ~4.5** ~О.135** (650 МГц) - ~ 1 '&. з.з 6 ~35* (10 В; 0.1 А) ;<:;2,3 (10 В) - - - 2Т996-5 ~70* (10 В; 0,1 А) :-:;2,3 (!О В) - - - 0,57 0,09 1 ~шт 1 1 ~10* (5 В; ·15 А) ;<:;2,3 (10 В) $0,2 - - 2Т998 ~rtll - к з i ~.~ 19.5 24·
372 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.11 . Биполярные кремниевые сборки специального назначения 1 Струк- Рк max' ~•• 'i:21•• UКБ0про6• IKma). ' •коо• Тип Токр.t Р~. т maxt \;)Jt U~Rnpo6' UЭбОmах' 1;,мmaxt ·~R' прибора 1 тура ·с р~~ и max' ~:;х, u~ ..... в ·~· : мА i j i 1 i мВт Мfц в мкА 1 2ТСЗОЗА-2 1 п-р-п, 1-60 ... +125 I 500 (6О 0 С) 300 45* (!Ок) - 100 (500*) :50,5 (45 В) 1 р-п-р 1 1 1 2ТСЗ103А р-п-р -6 0 ... +125 300 (55°С) ~600 15* (15к) 5 20 (50*) :50,2 (15 В) 2ТСЗ103Б р-п-р -60...+125 300 (55°С) ~600 15* (15к) 5 20 (50*) :50,2 (15 В) 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 2ТС3111А-1 п-р-п 1-60.. . +125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2ТСЗШБ-1 п-р-п 1-60... +125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2ТСЗ111В-1 п-р-п -60 ...+125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2TC3111f-1 п-р-п 1 -60 .. . +125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2ТСЗ111Д-1 n-p -n -60 ...+125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) i i 2ТСЗ136А-1 i п-р-п ! -60 ... +100 50 ооо·с) ~500 15 1 4 1 20 1 :50,1 (15В) 1 1 1 i 1 1 i 1 2ТЗ155АС-1 1 п-р-п 1 30 ~1000 10* ( 10к) 4 10; 20* 1 :50.5 (!О В) 2ТЗ155БС-1 п-р-п 30 ~1000 10* ( lОк) 4 10; 20* 1 :50,5 (!О В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 i 1 1 i j 1 ! 1 ! ' 2ТС393А-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С) ~500 10* (5к) 4 10 (20*) i :50.1 (!О В) 1 2ТС393Б-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С) ~500 10* (5к) 4 10 (20*) :50,2 (15 В) 1 1 ~ 2ТС393А-9 р-п-р -60...+85 20 ~500 10 4 10 :5100 мА 2ТС393Б-9 р-п-р -60 ...+85 20 ~500 15 4 10 :5100 мА i 1 '1 ! 1 1 11 1 1 1 : i 1 1 1 : i i 1 1 1 2ТС398А-1 1 п-р-п 1-60... +100 30 (85°С) ~1000 10* (!Ок) 4 10 (20*) 1 :50,5 (10 В) 2ТС398Б-1 1 n-p -n -60...+100 30 (85°С) ~1000 10* (10к) 4 10 (20*) :50,5 ( 10 В) 1 1
Биполярные кремниевые сборки специального назначения 373 !/ Ck, rкэш• Кш,АБ t"nc J h2," ь;,э с;2.• rБЭ ""' h21.1 / ь;,,2. t;,.,. нс Корпус l-.~~~~~~~~-+-~-"-Ф~~-+-~о_м~-+-~~л-u_:_._м_в~~--+-~t-:_м_•_"_с~-+-~~~~~~~~~~--iJ 40...180 (5 В; 1 мА) 40...200 (1 В: 1 мА) 40...200 (1 В; 1 мА) 150.. .400* (10 мкА: 5 В) 100.. .400* (10 мкА; 5 В) 50 .. .400* (10 мкА; 5 В) 20 .. .400* (10 мкА; 5 В) 20...400* (10 мкА: 5 В) 70...180 (5 В: 5 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) 40...180 (1 В: 1 мА) 30...140 (1 В; 1 мА) 40 .. .180 30.. .140 40...250 (1 В; 1 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) ' :s:8 (5 В) :52.5 (5 В) :52.5 (5 В) :52,5 (1 В) :52,5 (1 В) :52,5 (1 В) :52.5 (1 В) :s:2.5 (1 В) :s:2 (5 В) :S:l,5(5B) :S:l,5(5B) :52 (5 В) :52 (5 В) :51,5 (5 В) :s:l,5 (5 В) :520 :560 :560 :550 :560 $60 2:0,7* :530** :55 (60 МГц); 2:0,9* :55 (60 МГц); 2:0.8* $1 *; :55** 0,8 ... 1 .25*; :51,5** 0,9 ... 1,1*; :s:3** :56 (60 МГц) :s:6 (60 МГц) $3** :55** 0,8 ... 1,25*; $1,5** 0,9 ... 1,1*; $3** $80 :580 :580 $40 :550 :550 :580 $80 :550 :550 2ТСЗ103 ~-fi·~·:,~~ С;) 52 с-. К2 2ТСЗ111-1 D.95 о.а 2ТСЗЗ6·1 -~- 2ТЗ155·1 2ТСЗ9З-1 nii-· .... ....:- -к 'з 2ТСЗ93·9 ~ :sJ~t 6'(]ШК2 32 ЭI Б2 8 1 1\1 1(6/flll 2ТСЗ98-1 nii-· .... ....:- -к 'з
374 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк- Ркmах' ~•• \210 • UКБО nроб• •кmах' •коо• Тип Токр., Р~.тmах' ~;lэ' U~Rnpo6t UЭБOmaxt 1;.к maxt ·~R' прибора 1 ·с р~~ н max' с· u~npo6' в ·~· 1 тура "' мВт Мfц в мА мкА 2ТС398А-94 ! п-р-п -60 ...+100 1 30 ~1 ГГц 10 4 10 $0.5 2ТС3986-94 j п-р-п -60 ...+100 1 30 ~1 ГГц 10 4 10 $0.5 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ·1 1 ! 2ТС613А п-р-п -60 ...+1251 800 (50°С) ~200 60 4 400 (800*) $8 (60 В) 2ТС6136 п-р-п -60 ...+125 800 (50°С) ~200 60 4 400 (800*) :;;8 ~60 В) i1 1 1 1 1 4 400 (600*) $10 (45 В) 12ТС622А р-п-р -60" .+125 I 0,4 (10**) Вт 45* (1 к) ~200 2ТС6226 р-п-р - 6 0".+125 1 0,4 (10**) Вт 1 ~200 35* (lк) 4 400 (600*) i :;;20 (35 В) 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 ; 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 2ТС6226-1 р-п-р 1 -60 ... +125 I 0,4 Вт ~200 45 4 400 (600*) 10 r1 1 ! i 1 1 1 1 1 ! i 1 ! 1 2Т670АС. 1 п-р-п 1 ! 800; 3200** ~200 50; 40*(10к) 4 400; 800* 1 :;;5 (50 В) 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 '
Биполярные кремниевые сборки специального назначения h21" h;JЭ 40 ... 250 40 ... 250 25... 100* (5 В; 0,2 А) 40...200* (5 В; 0,2 А) 25...150* (5 В; 0,2 А) 25...150* (5 В; 0,2 А) 25 ... 150* 40...200* (5 В; 0,2 А) с" с;2э1 пФ sl5 (10 В) sl5 (10 В) sl5 (10 В) sl5 (10 В) 15 $15(108) rкэ ноtе1 Кш, дБ г~ нас' hz1,1 / h;ы, Ом лu:,мв $\,5** $3** $2,5; $5* т.0 пс f~a(·t НС t::IUl1 НС $\00* $100* $120* $200* $100* 375 Корпус 2ТС398-94 2ТС613 2ТС622 ~ 1 ..,i {ааааааа}~ ... 7,5 ~S! ... ... ~ ... =--~ ... ~"' t:! ~ ,;!: 2ТС622Б-1 6, к,з, \1/ 1 :fi; lL2Т670
376 Раздел 2. Биполярные транзисторы :1 1 Струк-1 f,,,, ~210• 1 IКБО• ' 11 pKmax' UКБО оро6• IKmax' 1! Тип Токр.r Р~.т1nаА' (;lэ' U~RopoO' UЭБОmа),' 1 I~ЭR' прибора 1 тура 1 ·с р~~ н max' ~::;х, u;эо проб' в 1~,и ma).' I~эо• мВт МГц в мА мкА 2ТС687АС-2 р-п-р 1,5 Вт ~450 60; 50* 3 1,5 А; 4,5*А - 2ТС687БС-2 р·П·р 1,5 Вт ~450 70; 60* 3 1,5 А; 3,5*А - i 1 1 1 1 1 12Т689АС 1 р-п-р 1 400; 6000* ~300 45 4 300: 600* 5.7 (45 В) ! 1' ' i 1 i 1 1 1 1 ! 1 i 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 !1 1 1 2ТС84ЗА п-р-п -60 ...+125 25* Вт (I00°C) - 120 4 12 А (25* А). 5.12 мА (120 В) 3А(6*А) 1 ~ 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 2ТС941А-2 р-п-р, -60 .. . +125 5* Вт ~300 1 60 4 800 (1500*) 5.5 мА (60 В) n·p ·n 1 1 i1 1
Биполярные кремниевые сборки специального назначения ~10(5В;3,5А) ~10(5В;3,5А) 50..150 (5 В; 80 мА) 10...50 (12 А; 5 В) 40...150 (5 В; 0,1 А) $20 (10 В) 12 (28 В) Скэ наr' r~э нас' Ом $2,6 $3,3 $4; $6* $0,2 $3,3 Кш, дБ h2,,, / ь;,,,, лu:~. мВ ~0.7 377 t,, ПС ~;ас' НС fвыклt НС Корпус 2ТС687-2 Ci:%f Б~42Б э . "!. э к '<!"к $90* 2Т689АС ( ) ~: :<;;2* мкс 2ТС843А s90; s500* 2ТС941А-2
Раздел 3 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенное обозначение Параметр 1 отечественное международное Iз IG Ток затвора (постоянный). Iз отс IGSX Ток отсечки затвора. ; Iз пр IGF Прямой ток затвора. - Iз ут IGSS Ток утечки затвора. Iзио IGSO Обратный ток перехода затвор-исток. Iзео 1 IGDo Обратный ток перехода затвор-сток. Iи 1Is Ток истока (постоянный). Iи нач Isos Начальный ток истока. Iи ост Isox Остаточный ток истока. Ie Io Ток стока (постоянный). Jc нагр IosR Ток стока при нагруженном затворе. le нач Ioss Начальный ток стока. 1с ост Iosx Остаточный ток стока. Iп iIв. Iu Ток подложки. ' ~ 1Uзи 1 UGs 1 Напряжение затвор-исток (постоянное). 1 Uзи обр 1 UGSR 1 Обратное напряжение затвор-исток (постоянное). i Uзи отс / UGS(OFF). UGS(off) Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором 1 и истоком (полевого транзистора с р-п-переходом и с изолирован- ным затвором). Uзи пор UGsт. UGS(th). UGs(ТO) Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затво- ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затво- ром). Uзи пр UGsF Прямое напряжение затвор-исток (постоянное). Uз проб 1 U(BR) GSS Пробивное напряжение затвора - напряжение пробоя затвор-и с-~ i 1 ток при замкнутых стоке и истоке. 1 Uзп 1 UGВ, UGU Напряжение затвор-подложка (постоянное). Uзе 1 UGD Напряжение затвор-сток (постоянное). Uип Usв. Usu Напряжение исток-подложка (постоянное). Uеи 1 Uos Напряжение сток-исток (постоянное). Uеп Uов. Uou Напряжение сток-подложка (постоянное). Uз1-Uз2 UG1-UG2. Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами). Реи Pos Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). Реи. т max ' Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом 1 1- 1 (постоянная). ! s i gms Крутизна характеристики. ~ ' '1
Раздел 3. Полевые транзисторы Буквенное обозначение ' 1 ~ отечественное международное Rзи ГGS, Гgs ~ Rзс 1ГGD, Гgd Rзсо ГGSS. Гgss Rси ros. Гds Rси отк ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп Rси эакр ГDS(Off), Гds(оП), ГDS off 1 1 j iic 1 зио Cgso Сзсо Cgdo Ссио 1 Cdso 1 С11и. Свх, и 1 Ciss. C11ss 1 ." 1 Crss. С l2ss i ~ С22и 1Coss, C22ss 11 n /t С22с !Cods, C22ds g11и giss. g1 ls 1 g22и goss, g22s 1У11и 1 Yis, Y11s i: 1 У12и Yrs, Y12s У21и Yrs, Y21s У22и 1 Yos. Y22s i Ку. Р Gp j fv21и 1 fvrs jЕш iUп iКш jF i- аш - ards tвкл ton tвыкл torr tэд,вкл td(on) tэд,выкл td(off) 379 Продолжение буквенных обозначений Параметр 1 Сопротивление затвор-исток. Сопротивление затвор-сток. Сопротивление затвора (при Uos = О или Uds = О). Сопротивление сток-исток. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии - сопротивле- ние между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток. 1 Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии - сопротивле- ~ ние между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора j при заданном напряжении сток-исток. Емкость затвор-исток - емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Емкость затвор-сток - емкость между затвором и стоком при ра- зомкнутых по переменному току остальных выводах. Емкость сток-исток - емкость между стоком и истоком при ра- зомкнутых по переменному току остальных выводах. Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком . ~ 1 Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком~ замыкании на входе по переменному току. li ' Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком. Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыка- нии на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по пере- менному току). Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). i Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто-1 ком при коротком замыкании на выходе). Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с об- щим истоком при коротком замыкании на выходе; Yrs = grs + gьrs = Io/Uas; на НЧ 1Yrs1 = grs). Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы- ка~ши на входе). Коэффициент усиления по мощности. Частота отсечки в схеме с общим истоком. ~ Шумовое напряжение транзистора. Коэффициент шума транзистора. 1 Температурный коэффициент тока стока. Температурный коэффициент сопротивления сток-исток. Время включения транзистора. Время выключения транзистора. Время задержки включения. Время задержки выключения.
380 Раздел 3. Полевые транзисторы Окончание буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр отечественное 1 международное tнр tr Время нарастания. tcn tr Время спада. Для сдвоенных полевых транзисторов: lз(ут )1-lз(ут)2 1 IGSS1-IGSS2 Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изо- лированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для по- i левых транзисторов с р-п-переходом). 1с нач 1/ 1с нач2 1 Ioss1 /Ioss2 Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток. Uзи1-UзИ2 iUGs1-UGs2 Разность напряжений затвор-исток. lлUзи1-Uзи2) 1/ лт 11л<uGs1-UGs2) 1/ лт Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя зна- чениями температуры. g22и 1-g22и2 gost·gos2 Разность выходных проводимостей в режи~е малого сигнала в схеме с общим истоком. g2tиl / g21и2 grs1/ grs2 Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме ма- лога сигнала в схеме с общим истоком. 3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов К полевым транзисторам относятся полупроводниковые приборы, принцип действия которых ос­ нован на использовании эффекта внешнего электрического поля для управления проводимостью транзистора. Такие транзисторы называются также униполярными, так как перенос тока в них осу­ ществляется только одним типом носителя заряда: в n-канальных - электронами; в р-канальных - дырками (в отличие от биполярных транзисторов, где ток переносится двумя типами носителей - основными и неосновными, т. е. и дырками, и электронами). Для управления током в униполярных транзисторах либо меняется концентрация носителей полупроводникового слоя, либо его площадь под действием электрического поля (эффект поля). От­ сюда название •полевые транзисторы». Проводящий слой, по которому проходит ток, называют ка­ налом (канальные транзисторы). Каналы могут быть приповерхностными (обогащенные слои из-за наличия доноров в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего поля) или объемными (участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обеднен­ ным слоем). Транзистор с приповерхностным слоем называют МОП-транзистором (металл-окисел-полу­ проводник). За рубежом его называют MOSFET. У транзисторов с объемным каналом обедненный слой создается с помощью р-n-перехода, поэтому их называют транзисторами с р-n-переходом (или просто полевыми), за рубежом - JFET . Структуры полевых транзисторов приведены на рис. 3.1 . Исток JaflNoJJ Сток Истол Jamflop l~rюк Ист01r Jатвор Сток Исток 3amf!Op С!Тюк р Канал п- р п а 6 в г Рис. 3.1. Структуры МОП-транзисторов: а - п-канальная обогащенного типа; б - п-канальная обедненного типа; в - р-канальная обогащенного типа; г - р-канальная обедненного типа Полевой транзистор с р-n-переходом состоит из полупроводниковой пластинки (стержня), кото­ рая образует канал. с омическими выводами от каждого ее конца (стока и истока) и на поверхности
Раздел 3. Полевые транзисторы 381 которой с противоположных сторон формируется р-п-переход параллельно направлению тока, вывод от которого называется затвором - электродом, управляющим сопротивлением (движением зарядов) между стоком и истоком. Затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п-переходом. Входной импеданс затвора является импедансом обратно смещенного р-п-перехода, что значительно ниже им- педанса МОП-приборов. · Сопротивление между стоком и истоком изменяется с изменением напряжения на затворе. Через запертый переход затвор-канал протекает ток утечки, который экспоненциально изменяет­ ся с температурой и который, проходя через резистор цепи затвора, может изменить напряжение смещения, если сопротивление резистора велико (особенно при высоких температурах). Этот эффект отсутствует у МОП-транзисторов. Их называют также транзисторами с изолированным затвором, так как у них затвор электрически изолирован от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика: ди­ электрическими пленками двуокиси кремния (Si02), нитрида кремния и окщи алюминия. поэтому они сохраняют высокое входное сопротивление независимо от величины и полярности Uзи- Условия. возникающие на поверхности раздела Si-Si02 таковы, что все приборы с каналом n-типа в исходном состоянии, т. е. при Uзи = О открыты, а с каналом р-типа закрыты. Каждый МОП-транзистор состоит из подложки, двух противоположно легированных подложке областей (истока и стока) и металлического затвора, лежащего сверху над тонким слоем окисла. На­ пряжение затвора регулирует движение зарядов в канале между истоком и стоком. Слой диэлектрика тонкий, поэтому при подаче напряжения на затвор в нем возникает сильное электрическое поле, которое вызывает образование инверсионного слоя (поверхностный канал), где основными носителями являются электроны в р-подложке. Падение напряжения между затвором\ и подложкой в основном происходит в диэлектрике, и направление поля вызывает увеличение инверси­ онного слоя. На границе раздела образуется поверхностный заряд. Когда Uз > О, поле притягивает электроны (неосновные носители материала р-типа) и появляется отрицательный заряд. Образуется обедненный слой (неподвижные ионы акцепторов). Если Uз > О, то происходит обогащение первона­ чального инверсионного слоя (увеличивается концентрация электронов на поверхности), если Uз < О. то происходит его обеднение (концентрация электронов у поверхности ниже, чем в объеме, так как они отталкиваются от поверхности). В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электро­ проводности. В режиме обеднения концентрация дырок будет превышать концентрацию электронов, т. е. тип электропроводности слоя изменится на противоположный (произойдет инверсия типа прово­ димости). Потенциал затвора изменяет ширину канала (концентрацию электронов), т. е. образуется канал с регулируемой электронной проводимостью (она увеличивается при увеличении Uз). В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или р-типа. Например. nМОП-транзисторы имеют электронную проводимость (носители зарядов - элек­ троны), а рМОП-транзисторы - дырочную проводимость (носители зарядов - дырки). У n-каналь­ ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, а к выводу истока прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т. е. полярность напряже­ ния стока положительная), а у р-канальных - наоборот. Таким образом существуют два основных режима работы: обеднения (проводимость канала мо­ жет быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения Uзи) и обогащения. У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе Uзи = О протекает не­ большой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи. близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В частности, полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом (с диффузионным каналом) являются нормально открытыми: они закрываются (т. е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря­ жении, называемом напряжением отсечки - это такое напряжение Uзи. которое необходимо, чтобы уменьшить ток стока 1с от lснач до О. По конструктивно-технологическим признакам полевые приборы делятся на транзисторы с встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Встроенный канал создается техно­ логически путем, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в ре­ зультате воздействия поперечного электрического поля. В транзисторах со встроенным каналом (например, КП305, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе вызывается подачей напряжения на затвор с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале (для р-канала Uзи > О, для n-канала Uзи < О), что вызывает обеднение канала носителями
382 Раздел 3. Полевые транзисторы заряда и ток 1с уменьшается. При соответствующем изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями и выходной ток 1с увеличится. Такие приборы могут ра­ ботать при обеих полярностях Uзи как в режимах обеднения, так и обогащения. Для них вводится понятие ~пороговое напряжение» (напряжение открывания). Это такое Uз, при котором электроны равновесного инверсионного слоя отталкиваются от поверхности и встроенный канал исчезает (кон­ центрация электронов в слое под окислом затвора становится равной концентрации дырок в объеме кремния). В транзисторах с индуцированным каналом, имеющих наибольшее распространение, при напря­ жении Uз = О канал отсутствует и только при Uз, равном пороговому напряжению, образуется (ин­ дуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый прибор) при одной полярности Uзи. В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом канал существует при Uз = О, т. е. они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нор­ мально открытый прибор). У приборов обедненного типа канал имеет тот же тип проводимости, что и сток с истоком, у приборов обогащенного типа канал легирован противоположной примесью по от­ ношению к стоку и истоку. На рис. 3.2, 3.3, 3.4 приведены выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) полевых тран­ зисторов (зависимость тока стока 1с от напряжения на стоке Uc) при различных напряжениях на за­ творе Uз). Они напоминают характеристики усилительных пентодов. О-5 -10 -15 -zo -Z5 - JO ~м,8 Рис. 3.2. Стоковые характеристики схемы с общим истоком (с р-п-переходом) 1 40L 1 ~JO~ ~1 ' 1 ~го' г то J Uc, В 5 sв 4В JB ZB Рис. 3.3 . Типичные вольт-амперные характеристики п-канального МОП-транзистора обогащенного типа Uc=U3 +UJиnop U3 =+!В 40 ов JO "<: -тв "'~ го "' -гв .... то -JB о г J 4 s Uc.B Рис. 3.4 . Типичные вольт-амперные характеристики п-канального МОП-транзистора обедненного типа Ток 1с зависит как от величины, так и полярности напряжений Uси и Uзи. Из ВАХ следует, что при изменении Uзи ток 1с сначала линейно возрастает (линейная область), затем выходит на поло­ гий участок (область насыщения) и затем резко возрастает (область пробоя) (см. рис. 3.2).
Раздел 3. Полевые транзисторы 383 В линейной области при Uc < Uотс проводимость между истоком и стоком является функцией Uзи (с изменением Uзи изменяется проводимость канала). В области насыщения. если Uc > Uотс. транзистор входит в режим насыщения (канал перекрывается), причем для каждого Uзи насыщение будет происходить при разном Uc. При увеличении 1Uзи1 < О ток 1с падает. В области пробоя при увеличении Uc ток резко возрастает из-за лавинного пробоя обратно смещенного диода стока. Проходные (передаточные) ВАХ (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неиз­ менном напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом и МОП-транзи­ сторов с каналами n- и р-типов проводимости приведены на рис. 3.5, 3.6. В отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом, у которых рабочая область составля­ ет от О вольт до запирания Uзиотс. МОП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. При графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом (у них при Uзи = О, Ic = = О) имеют пунктирну,ю ли1;1ию в обозначении канала, а со встроенным каналом (у них при Uзи = О течет ток lснач) ~' спло,шную (рис. 3.6, 6); стрелки определяют тип канала: направлена к каналу - канал n-типа, от канала - канал р-типа . . ДJ1' Встроенный Рис. 3.5 . Квадратичные передаточные характеристики МОП-транзисторов lc п-канал а) Uси = const Uеи > Uси р-канал +~ u р-канал ~~ lc б) Uси = const Uси ;io Uси нас u Рис. 3.6. Передаточные характеристики полевых транзисторов: а - с п-каналом и р-каналом и их условные графи­ ческие обозначения; 6 - передаточные характеристики МОП-транзисторов с встроенным каналом (с обеднением) с п-каналом и р-каналом и их условные графические обозначения В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора) от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отде­ лена только р-n-переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требует­ ся иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами (МОП-тетроды - КП322. КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не тре-
384 Раздел 3. Полевые транзисторы буют uепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет нормированную квадратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро­ ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ. Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувстви­ тельны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защи­ ты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны). МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с по­ левыми транзисторами с р-п-переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах. Среди мощных полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом необходимо отметить би­ полярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) с вертикальным нормально закры­ тым каналом, например, КП801, КП810. Они имеют выходные характеристики (рис. 3.7), подобные ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших то­ ках стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низ­ кое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагрузкой; они имеют более высокий коэффициент усиления, низкое напряжение насыщения и устойчивость ко вто­ рому пробою по сравнению с б"иполярными транзисторами. 5 10 15 20 JOUc11,B Рис. 3.7 . Выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) БСИТ Схемы включения БСИТ аналогичны схемам включения биполярных транзисторов. ВАХ биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) не имеет области насыщения тока стока (без пологой части), т. е. Rвых очень маленькое, что повышает энергетические показатели линейных усилителей мощности. У него, если Uз = О, то сопротивление канала минимально (БСИТ - нормально открытый транзистор) и с ростом Uси ток 1с увеличивается, но его ограниче­ ния не наступает. Выходные ВАХ при малых токах 1с приближенно описываются экспонентой. При больших токах 1с выходные ВАХ приближаются к линейной. Rвых у них меньше, чем у МОП-типа, что обеспечивает хорошее согласование с низкоомной нагрузкой и повышает КПД усилителя; дина­ мический диапазон шире, что снижает нелинейные искажения, рабочая температура выше. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), например КП730, КЕ702, представляет собой p-n-p транзистор, управляемый низковольтным МОП-транзистором с индуциро­ ванным каналом (рис. 3.8, 3.9) и объединяет в себе достоинства как биполярных (малое падение на­ пряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и МОП-транзисторов (малая мощность управления, высокие скорости коммутации), потери у него растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. По быстродеμствию уступает МОП-транзисто­ рам, но превосходит биполярные. Остаточное напряжение у них слабо зависит от температуры. На рис. 3.10 представлена ВАХ БТИЗ. Усилительные свойства БТИЗ характеризуются крутизной S, которая определяется усилитель­ ными свойствами МОП- и биполярного транзисторов в структуре. Значение S для БТИЗ (зарубежное название IGBT) более высокое по сравнению с биполярными и МОП-транзисторами. БТИЗ применяются в высоковольтных силовых преобразователях, для управления маломощны­ ми приводами для регулирования скорости вращения, в стиральных машинах, инверторных конди­ ционерах, в качестве высоковольтных ключей для электронного зажигания автомобилей, импульсных блоках питания.
Раздел 3. Полевые транзисторы 385 Эмиттер Заrвор 1 '!' р• э Коллектор Рис. 3.8 . Эквивалентная схема БТИЗ-транзистора Рис. 3.9 . Структура БТИЗ-транзистора 1: а 10 Рис. 3.10 . Выходные вольт-амперные характеристики БТИЗ-транзистора Эксплуатационным недостатком БСИТ является эффект «защелки», который связан с наличием триггерной схемы, образованной биполярной частью структуры и паразитным n-p-n транзистором, ко­ торый при определенных условиях работы, открывается, триггер опрокидывается, происходит защел­ кивание и лавинообразный выход прибора из строя. Для ограничения тока короткого замыкания при аварийном режиме рекомендуется включение между затвором и эмиттером параллельно цепи затвор-эмиттер последовательно соединенных диода Шоттки и конденсатора, заряженного до напряжения + 15 ... 16 В. Допускается применение в качестве защитного элемента стабилитрона на напряжение 15 ... 16 В. Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер не должно превышать +20 В, чтобы ис­ ключить пробой изоляции затвора. Не рекомендуется работа БТИЗ-транзистора и при «подвешен­ ном» затворе, так как в противном случае возможно ложное включение прибора. С целью снижения динамических потерь и увеличения частоты коммутации необходимо обес­ печить малое время переключения прибора ( 100 ... 10000 нс). Необходимо также уменьшать отрица­ тельную обратную связь, которая может возникнуть из-за индуктивности слишком длинного соединительного проводника к эмиттеру прибора. Монтажные работы с БТИЗ необходимо производить при наличии антистатического браслета, а непосредственно в схеме необходимо параллельно цепи затвор-эмиттер подключить резистор сопро­ тивлением 1О ... 20 кОм. Необходимо отметить. что МОП-транзисторы в ряде применений предпочтительнее биполярных. Уп?~авляющая цепь у них потребляет ничтожную энергию, так как входное сопротивление велико (до 10 7 Ом). Усиление мощности и тока в МОП-транзисторах много больше, чем в биполярных. Из-за того, что управляющая цепь изолирована от выходной цепи, значительно повышаются надежность работы и помехоустойчивость схем на МОП-транзисторах. Они имеют низкий уровень собственных шумов, что связано с отсутствием инжекции и свойственных ей флюктуации, обладают более высо­ ким собственным быстродействием, так как в них нет инерционных процессов накопления и рассасы­ вания носителей заряда. 25зак9
386 Раздел З. полевые транзисторы МОП-транзисторы имеют и недостатки: вследствие относительно высокого сопротивления кана­ ла в открытом состоянии падение напряжения на открытом МОП-транзисторе заметно больше, чем падение напряжения на насыщенном биполярном транзисторе, температурная зависимость сопротив­ ления канала сильнее, чем зависимость от температуры напряжения насыщения биполярного транзи­ стора (сопротивление канала открытого МОП-транзистора в диапазоне температур 25 .. .150 ·с увеличивается в 2 раза, а напряжение насыщения биполярного транзистора - примерно в 1,5 раза). МОП-транзисторы имеют существенно меньшее значение предельной температуры структуры Тп max. равное 150 ·с (для кремниевых биполярных транзисторов Тп max = 200 °С), что ограничивает их при­ менение в режимах эксплуатации с повышенной температурой окружающей среды (около 100 °С). Преимущества применения мощных полевых транзисторов в выходных каскадах усилителей зву­ ковой частоты (усилителях мощности): • простота управления, так как для управления мощным полевым транзистором требуется ничтожный по МОЩНОСТИ сигнал; • высокая линейность передаточных характеристик полевых транзисторов, что позволяет существенно снизить уровень нелинейных искажений; • крутизна мощных полевых транзисторов S = Лlс/ ЛUзи при Uc = coпst - основной параметр усилительного режима эксплуатации практически не зависит от мощности выходного сигнала. Однако пороговое напряжение МОП-транзисторов зависит от температуры: Uзипор (Токр) = Uзипор (20 °С) - ТКUзипор · ЛТ, где ТКUзипор - температурный коэффициент порогового напряжения, равный (-5. .. - 10) мВ/ 0С (при сильном увеличении температуры МОП-транзистор превращается в прибор с встроенным кана­ лом), что нежелательно для двухтактных усилителей. 3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов АПЗ20 (А-2, Б-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для примене­ ния в малошумящих СВЧ усилителях (Кш ~ 4,5 ... 6 дБ на 8 ГГц, Ку,р ~ 3 дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с. АПЗ25А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар­ ные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш·~ 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС. АПЗ28А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар­ ные с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш ~ 4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р ~ 9 дБ) в составе ГИС. АПЗ62А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с каналом п-типа в корпусе для поверх­ ностного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразова­ тельных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 70 ·с. АПЗ79А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных теле­ визионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах 100... 2000 МГц. Диапазон ' рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с. АП602(А-2-Д-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне час­ тот 3... 12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 ·с. АП603 - арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шот­ ки и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, пре­ образователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц. АП605 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в мало­ шумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 ·с.
Раздел 3. Полевые транзисторы 387 АП606 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В. АП608 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в соста­ ве ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц. АП967 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа с внут­ ренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В. КП101(Г-Е) - малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси­ лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с. КПIОЗ(Е-М) - малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилите­ лей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих тем­ ператур окружающей среды -55 ... +85 ·с. КП201(Е-1-Л-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планар­ ные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -40 .. . +85 ·с. КП202(Д-1-Е-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-пла­ нарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким вход­ ным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40.. . +85 ·с. КПЗОl(Б-Г) - малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе­ ратур окружающей среды -45 .. . +70 ·с. КПЗО2(А-r, АМ-ГМ) - высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения в широкополос­ ных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапа­ зон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 100 ·с. КПЗОЗ(А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзи­ сторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во вход­ ных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ - в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружаю­ щей среды -40.. . +85 ·с. КПЗО4А - диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду­ цированным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных кас­ кадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 ·с. КПЗО5(Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзи­ сторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -60 ... + 125 ·с. КПЗО6(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом п-типа. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -60.. . + 125 ·с. КПЗО7(А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси­ лителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувстви­ тельных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40.. . +85 ·с. 25*
388 Р-аздеп 3. П-олевые-транзисторы КПЗО8(А-Д) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планар­ ные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения: КП308(А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока; КПЗО8(Г-Д} - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с. КПЗIО(А, Б) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устрой­ ствах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 125 ·с. КПЗ12(А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 100 ·с. КПЗ1З(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высо­ ким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КПЗ14А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предвари­ тельных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей среды -170... +85 ·с. КПЗ22А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды - 60... +85 ·с. КПЗ2З(А-2, Б-2) - бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми вы­ водами и приклеиваемой керамической крышкой эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе· р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих уси­ лительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+10 ·с. КПЗ27(А-Г) - кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затво­ рами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательно­ сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с. КПЗ29(А, Б) - высокuчастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 100 ·с. КПЗ41(А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +125 ·с. КПЗ46(А9, 59) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с дву­ мя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каска­ дах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с. КПЗ47А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затвора­ ми, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах ра­ диоприемников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КПЗSО(А-В) - диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными за­ творами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобра­ зовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КП401(АС, БС) - сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран­ зисторов 0-й и 3-й транзисторы с n-каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р-каналом). Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КП402А - полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко­ вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с.
Ра~ .з. nопевые транзисторы 389 КП40ЗА - полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко­ вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 70 ·с. КП601(А, Б) - сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапа­ зон рабочих темпiратур окружающей среды -60 ... +85 ·с. КП704(А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выход­ ных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабо­ чих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. KmOS(A-B) - мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом n-типа. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источ­ никах электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +85 ·с. КП707(А-В) - мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным за­ твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс­ ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 100 ·с. КП709(А, Б) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за­ твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой­ ствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . + 100 ·с. КП712(А-В) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за­ твором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой­ ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 100 ·с. КП734 и КП-735 - полевые nМОП-транзисторы, предназначены для применения в устройст­ вах автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам. КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы, предназначены для применения в устройст­ вах, где уровень мощности рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод меж­ ду истоком и стоком для подавления воздействий переходного процесса. КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы имеют нормированное значение энергии од­ нократного и повторяющегося лавинного пробоя (соответственно 210 и 5 мДж, 280 и 7,4 мДж, 510 и 13 мДж), пиковое значение скорости восстановления защитного диода 3,5 В/ нс, ток лавинного про­ боя (2,5, 4,5 и 8 А соответственно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а также внутренние индуктивности стока и истока (4,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы из­ готавливаются в корпусном и бескорпусном исполнениях. КП814 - полевые транзисторы, предназначены для работы в переключающих устройствах, ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения. КП523, КП731. КП(739-753), КП(775-781), КП(783-787) - полевые транзисторы, предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключательных схемах, источни­ ках электропитания, схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дис­ плеев. КП71ЗО(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, предна­ значены для применения в источниках электропитания, электросварочном оборудовании, в стираль­ ных машинах и пылесосах, в схемах управления электродвигателями, имеют возможность параллельного вкл.ючения и стойкость к статическому электричеству (1 кВ). КП7132(А, Б и А9, Б9), КП7150(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроен­ ным обратным диодом и КП7132(А1, Бl и А91, Б91) со встроенным обратным диодом и стабили­ тронами защиты предназначены для применения в источниках электропитания аппаратуры связи, управления, светотехнике, автомобильной электронике, системах внутреннего и автономного элек­ троснабжения в промышлености и жилищно-коммунальном хозяйстве, в аппаратуре управления и защиты. КП71ЗЗ(А, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, применяют­ ся, кроме указанных для КП7132 областей, в преобразователях напряжения DC-DC, в высокочас­ тотных преобразователях.
390 Раздел 3. Полевые транзисторы КП7138(А, А9, А91) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом приме­ няются в источниках электропитания, бытовой технике, осветительных приборах, схемах управления электродвигателями. КП801(А-Г) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзисторы (СИТ) с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа-. Имеют характеристики, подобные лампо­ вому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей ап­ паратуры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью, крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 ·с. КП802(А, Б) - мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с ка­ налом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с. КП804А - эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и кана­ лом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устройствах. Диап