Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. Серия "Ремонт", выпуск 90 - Нефедов А.В., Аксенов А.И.

Автор: Нефедов А.В. Аксенов А.И.
Теги: электротехника телевидение транзисторы справочник руководство по ремонту серия ремонт
ISBN: 5-98003-239-8
Год: 2006
Похожие
Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное пособие. Аналоги и буквенные обозначения. Ремонт №59
Современные телевизоры. Серия «Ремонт», выпуск 70
Телевизоры Philips. Серия «Ремонт», выпуск 110
Зарубежные телевизоры на популярных микросхемах. Практическое пособие по ремонту. Серия Ремонт №47
Текст
                    <<РЕМОНТ>> N9 90
А.В. Нефедов
А.И. Аксенов
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ
ДЛЯ БЫТОВОЙ, ПРОМЫШЛЕННОЙ
И СПЕЦИАЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ
Справочное
пособие
Полная
информация
о приборах
Номенклатура
Изrотовитепи
Параметрь1
Корпуса
Анапоrи
Представлено
ДО 5000
наименований!
ICI
IJ
«СОЛОН»

УДК 621.397
ББК 32.94-5
Н58
Серия ((Ремонт", выпуск 90
Нефедов А. В., Аксенов А. И.
Н58
Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Спра-
вочное пособие. - М.: СОЛОН-Пресс, 2006.
-
600 с. - (Серия «Ремонт»)
ISBN 5-98003 -239 -8
Рассмотрены свойства и особенности биполярных и полевых транзисторов (с р-n-перехо
дом, МОП, биполярных транзисторов со статической индукцией и с изолированным затвором),
предназначенных для применения в бытовой, промышленной и специальной аппаратуре, при
ведены их электрические параметры, области применения, стандартизованные корпуса и зару
бежные аналоги, а также указаны предприятия-изготовители.
Справочное пособие рассчитано на широкий круг читателей, специалистов, студентов и ра
диолюбителей, занимающихся конструированием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
КНИГА- ПОЧТОЙ
УДК 621.397
ББК 32.94-5
Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом (оплата при получении) по фикси
рованной цене. Заказ оформляется одним из двух способов:
1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20.
2. Оформить заказ можно на сайте www.solon-press.ru в разделе «Книга - почтой».
Бесплатно высылается каталог издательства по почте.
При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы
книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желательно указать дополнительно свой телефон и ад
рес электронной почты.
Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Пресс», считав его
с адреса www.solon-press.ru/kat.doc.
ISBN 5-98003-239 -8
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК»
Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95, www.abook.ru
www.solon-press.ru . E -mail: solon-avtor@coba.ru
© Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2006
©А. В. Нефедов, А. И. Аксенов, 2006

Содержание
Предисловие .................................................................................................................4
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Германиевые транзисторы ............................................................................................................6
Биполярные кремниевые транзисторы ......................................................................................... 7
Кремниевые сборки ..................................................................................................................... 18
Германиевые транзисторы специального назначения ................................................................ 18
Кремниевые транзисторы специального назначения .................................................................. 19
Кремниевые сборки специального назначения ...........................................................................23
Полевые транзисторы .................................................................................................................24
Полевые транзисторы специального назначения .......................................................................28
Адреса предприятий-изготовителей ..........................................................................31
Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства .................32
Перечень корпусов зарубежных транзисторов ........................................................33
РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения
1.1. Система условных обозначений ........................................................................................34
1.2. Условные графические обозначения транзисторов ...........................................................36
РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов ......................................38
2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов ................................................ .41
2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника ...................................................51
2.4. Области работы'и вольт-амперные характеристики транзисторов ...................................54
2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов ......................................................57
2.6. Биполярные германиевые транзисторы .............................................................................62
2.7. Биполярные кремниевые транзисторы ..............................................................................82
2.8. Биполярные кремниевые сборки .....................................................................................256
2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения .................................264
2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения .................................. 272
2.11. Биполярные кремниевые сборки специального назначения ...........................................372
РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов ..........................................378
3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов .....................................................380
3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов .....................................................386
3.4. Полевые транзисторы широкого применения .................................................................392
3.5. Полевые транзисторы специального назначения ........................................................... .472
РАЗДЕЛ 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
4.1. Конструкции корпусов транзисторов ...............................................................................518
4.2. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные приборы ..................................519
4.3. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов
отечественных транзисторов ........................................................................................... 521
4.4 . Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов
зарубежных транзисторов ................................................................................................ 530
4.5. Соответствие отечественных корпусов зарубежным ......................................................546
РАЗДЕЛ 5. Аналоги транзисторов
5.1. О взаимозаменяемости транзисторов ..............................................................................547
5.2. Условные обозначения и классификация зарубежных приборов ...................................548
5.3. Сокращенные обозначения зарубежных фирм ................................................................549
5.4. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов ........................................................551
5.5. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги ..................................................554
5.6. Аналоги отечественных транзисторов .............................................................................575
Литература ................................................................................................................ 599

Предисловие
В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и ха
рактеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии.
Справочное пособие состоит из пяти разделов. В первом разделе даны классификация и услов
ные обозначения полупроводниковых приборов. Приведены условные графические обозначения бипо
лярных и полевых транзисторов, указатель транзисторов и их изготовители.
Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические па
раметры, области применения, буквенные обозначения параметров, а также электрические парамет
ры биполярных транзисторов широкого применения и специального назначения.
В третьем разделе рассмотрены основные свойства и особенности полевых транзисторов (с p-n
переходом, МОП-транзисторов), а также транзисторов со статической индукцией, биполярных тран
зисторов с изолированным затвором, относящихся к классу полевых транзисторов, области примене
ния. буквенные обозначения параметров, электрические параметры кремниевых полевых и
арсенидгаллиевых транзисторов, в том числе со структурой НЕМТ (High Electron-mobility Transistor)
GaA!As/ GaAs, широкого применения и специального назначения.
В четвертом разделе даны корпуса транзисторов.
В пятом разделе рассматривается взаимозаменяемость отечественных и зарубежных транзисто
ров, буквенные обозначения зарубежных транзисторов и их изготовителей. Кроме того, приведены
таблицы отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов и зарубежных транзисторов и их
отечественных аналогов.
В справочное пособие включены как современные типы транзисторов, так и снятые по разным
причинам с производства, и используемые для применения в бытовой, промышленной и специальной
радиоэлектронной аппаратуре.

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Германиевые транзисторы
i·
i
1 Стр.1
·1
Тип
Изготовитель
1.
il прибора i (см. стр. 31)
1
i
i ГТ108А
i-
62
1
'
t
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
ГТЗО9В
1 З-д «Транзистор»
64
т
и
ип
i зготовитель ! Стр.
прибора
(см. стр. 31)
ГТЗ29В
1З-д ПО «Альфа» 1 66
1
11 ГТ108Б
1-
162
1
1
11 ГТ108В
1-
162
1
1
!1 ГТ108Г
i-
1621
~1
1
1
! ГТ109А
-
62
ГТЗО9Г
1 З-д «Транзистор»
64
·1
ГТЗ09Д
1 З-д «Транзистор»
64
ГТЗО9Е
З-д «Транзистор»
64
1
ГТ310А
З-д «Квазар»
64
ГТЗ29Г
1З-д ПО «Альфа» i 66
гтззод
1З-д «Пульсар»
166
гтззож
1З-д «Пульсар»
166
гтззои
j З-д «Пульсар» i 66
ГТ109Б
-
1
62
ГТЗ10Б
З-д «Квазар»
64
ГТЗЗ5А
lтонди электроника 1 66 1
ГТ109В
-
1
62
ГТЗ10В
З-д «Квазар»
64
ГТЗЗ5Б
lтонди электроника j 66
1 ГТ109Г
-
i62
~ ГТ109Д
1-
i62
1
' 1 ГТ109Е
-
1
iГТ109Ж
i=
i
62
1
62
ГТ109И
11 ГТ115А
1ЗАО «Кремний»
1621
~1
'
1
li ГТ115Б
1 ЗАО «Кремний»
1
62
1
1
1 ГТ115В
1ЗАО «Кремний»
62
1 ГТ115Г
1ЗАО «Кремний»
62
1 ГТ115Д
1ЗАО «Кремний»
62
: ГТ122А
ЗАО «Кремний»
62
1
1
1ГТ122Б
1ЗАО «Кремний»
162
l
1
~ ГТ122В
1 ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ10Г
З-д «Квазар»
164
1
ГТЗ10Д
iЗ-д «Квазар»
i64
1
ГТЗ10Е
З-д «Квазар»
64
1
ГТЗ11А
З-д «Квазар»
64
11
ГТЗ11Б
З-д «Квазар»
1
64
ГТЗ11В
1З-д «Квазар»
1641
1 ГТЗ11Г
iЗ-д «Квазар»
1641
1
ГТЗ11Д
1З-д «Квазар»
64
1
ГТЗ11Е
З-д «Квазар»
1641
ГТЗ11Ж
j З-д «Квазар»
64 11
ГТЗ11И
З-д «Квазар»
164 1
1
1 ГТЗ1ЗА
З-д «Квазар»
1641
i
1
ГТЗ1ЗБ
З-д «Квазар»
641
ГТЗЗ5В
1Тонди электроника : 66
ГТЗЗ5Г
JТонди электроника : 66
1
ГТЗЗ5Д
!Тонди электроника 1 66
ГТЗЗSА
1 З-д «Квазар»
166
ГТЗЗSБ
1 З-д «Квазар»
166
1
гтззsв
1-
66
ГТЗ41А
1 З-д ПО «Альфа»
68
ГТЗ41Б
1З-д ПО «Альфа»
68
ГТЗ41В
1З-д ПО «Альфа»
68
ГТЗ46А
1 НПО «Планета»
68
ГТЗ46Б
1 НПО «Планета»
68
ГТЗ46В
!НПО «Планета»
68
ГТЗ62А
!З-д «Пульсар»
68
1
~ ГТ122Г
iЗАО «Кремний» i 62
ГТЗ1ЗВ
1З-д «Квазар»
164
ГТЗ62Б
: З-д «Пульсар»
68
ГТ124А
1ЗАО «Кремний»
62
ГТ124Б
1ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ20А
iтонди электроника 1 64
ГТЗ20Б
1Тонди электроника i 64
IJГТЗ76А- 1НПО «Планета»
68
1-
ГТЗSЗА-2
68
ГТ124В
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ20В
iТонди электроника 64
jj ГТЗSЗБ-2
i-
!68
ГТ124Г
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ21А
СКБ «Элькор»
164
~ ГТЗSЗВ-2 i-
168
ГТ125А
ЗАО «Кремний»
62
ГТ125Б
ЗАО «Кремний»
62
ГТ125В
ЗАО «Кремний»
62
1ГТ125Г
1 ЗАО «Кремний»
162
•
1
1
1
lirт12sд
1ЗАО «Кремний»
162
~ ГТ125Е
!ЗАО «Кремний» ! 62
ГТЗ21Б
СКБ «Элькор»
i64
ГТЗ21В
СКБ «Элькор»
64
ГТЗ21Г
СКБ «Элькор»
64
ГТЗ21Д
СКБ «Элькор»
1
64
1
ГТЗ21Е
СКБ «Элькор»
i64
ГТЗ22А
НПО «Планета»
66
1 ГТ402А
1 ЗАО «Кремний»
168
ГТ402Б
1ЗАО «Кремний»
168
1 ГТ402В
1 ЗАО «Кремний»
ГТ402Г
!ЗАО «Кремний»
68 1!
iЗАО «Кремний»
1
ГТ402Д
'
68
,,
'!
ГТ402Е
ЗАО «Кремний» 1 68
'
ГТ125Ж
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ22Б
НПО «Планета»
66
ГТ402Ж
ЗАО «Кремний»
68
ГТ125И
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ22В
НПО «Планета»
66
ГТ402И
ЗАО «Кремний»
68
ГТ125К
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ22Г
НПО «Планета»
66
ГТ403А
ЗАО «Кремний»
68
ГТ125Л
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗО5А
НП00 «Планета»
62
ГТЗ22Д
НПО «Планета»
66
ГТЗ22Е
НПО «Планета»
66
1 ГТ40ЗБ
ЗАО «Кремний»
68
ГТ40ЗВ
ЗАО «Кремний» 1 68
ГТЗО5Б
НПО «Планета»
62
ГТЗО5В
НПО «Планета»
62
ГТЗОSА
1СКБ «Элькор»
1
64
1
ГТЗ2ЗА
-
66
ГТЗ2ЗБ
-
166
i-
1
ГТЗ2ЗВ
i661
ГТ40ЗГ
ЗАО «Кремний» 1
68
,1
1
ГТ40ЗД
1ЗАО «Кремний»
;68
:1
ГТ40ЗЕ
!ЗАО «Кремний»
66 'i
•'
,iгтзоsБ
1 СКБ «Элькор»
!64
1
1
ГТЗ28А
НПО «Планета» i 66 i
: ЗАО «Кремний»
68
1
~ гтзоsв
iСКБ «Элькор»
64
1
IГТЗОSГ
iСКБ «Элькор»
164
1
1гтзоэд
1З-д «Транзистор» 1 64
ГТЗО9Б
1З-д «Транзистор» i 64
ГТЗ28Б
НПО «Планета» 1 66 11
i
ГТЗ28В
1 НПО «Планета»
166
ГТЗ29А
1З-д ПО «Альфа»
1
66
ГТЗ29Б
1 З-д ПО «Альфа»
66
ГТ40ЗИ
1 ЗАО «Кремний»
66
1 ГТ40ЗЮ
1 ЗАО «Кремний»
68
!
lt§04A
1 ЗАО «Кремний»
'
70
1
046
!ЗАО «Кремний»
70

6
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
'
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
.
!i
прибора
(см. стр. 31) i Стр. !1
ГТ404В
ЗАО «Кремний»
70
МП1ЗБ
-
72
П210А
1-
76
ГТ404Г
ЗАО «Кремний»
70
МП14
-
74
П210Б
-
76
ГТ404Д
ЗАО «Кремний»
70
МП14А
-
74
П210В
-
76
ГТ404Е
ЗАО «Кремний»
70
МП14Б
-
74
П210Ш
-
76
ГТ404Ж
ЗАО «Кремний»
70
11 ГТ404И
ЗАО «Кремний»
70
ГТ405А
ЗАО «Кремний» 1 70
i ГТ405Б
1ЗАО «Кремний»
170
i' ГТ405В
1ЗАО «Кремний»
70
1 ГТ405Г
1ЗАО ,;Кремний»
70
ГТ406А
-
70
МП14И
-
74
МП15
-
74
МП15А
-
74
МП15И
-
74
МП16
-
74
МП16А
-
74
МП16Б
-
74
П213
взпп
!761
1
!
П21ЗА
1ВЗПП
76 i1
П21ЗБ
взпп
1
761
1
П214
iвзпп
17611
П214А
взпп
1
76
1
i
'
П214Б
взпп
76
'
П214В
взпп
76
ГТС609А
З-д ПО «Альфа»
70
МП16Я1
-
74
П214Г
взпп
76
ГТС609Б
З-д ПО «Альфа»
70
МП16Я11
-
74
П215
. взпп
76
ГТС609В
З-д ПО «Альфа»
70
МП20А
-
74
П216
взпп
i76
ГТ612А-4
СКБ «Элькор»
70
МП20Б
-
74
П216А
взпп
76
1
ГТ701А
З-д ПО «ФОТОН»
70
1ГТ703А
ЗАО «Кремний»
70
liГТ7ОЗБ
1ЗАО «Кремний»
70
11гт1озв
1ЗАО «Кремний» 1 70
l'ГТ70ЗГ
iЗАО «Кремний» 1 70
ЗАО «Кремний» 1 70
ГТ70ЗД
1
МП21В
-
74
МП21Г
-
74
МП21Д
-
74
МП21Е
-
74
МП25
1-
74
МП25А
-
74
П216Б
lвзпп
~7611
.1
П216В
взпп
76 11
'
11
П216Г
взпп
!76i
i
П216Д
lвзпп
'
76 11
i
П217
lвзпп
1
76 11
1
1
П217А
lвзпп
1
76
'
ГТ705А
ЗАО «Кремний»
70
МП25Б
-
74
П217Б
взпп
76
ГТ705Б
ЗАО «Кремний»
70
МП26
-
74
П217В
взпп
76
ГТ705В
ЗАО «Кремний»
70
МП26А
-
74
П217Г
взпп
76
ГТ705Г
ЗАО «Кремний»
70
МП2,!iБ
-
74
П27
-
78
П27А
-
78
ГТ705Д
ЗАО «Кремний»
70
МПЗ5
-
74
П28
-
78
ГТ804А
-
72
ГТ804Б
1
1
72
1-
~ ГТ804В i-
172
ГТ806А
ЗАО «Кремний» 1 72
МПЗ6А
-
74
МПЗ7А
-
74
МПЗ7Б
-
74
МПЗ8
-
i74
П29
i-
!78
П29А
:781
-
i-
:78
!
пзо
1
П401
-
i78 1
ГТ806Б
ЗАО «Кремний»
72
МПЗ8А
-
74
П402
-
!78,1
ГТ806В
ЗАО «Кремний»
72
МПЗ9
-
74
П403
-
78
ГТ806Г
ЗАО «Кремний»
72
МПЗ9Б
-
74
П40ЗА
-
78
ГТ806Д
ЗАО «Кремний»
72
МП40
-
74
П416
-
78
ГТ810А
ЗАО «Кремний»
72
МП40А
-
74
П416А
-
178
ГТ905А
З-д ПО «ФОТОН»
72
1 ГТ905Б
З-д ПО «ФОТОН» i 72
ГТ906А
З-д ПО «ФОТОН» 1 72
1ГТ906АМ
З-д ПО «ФОТОН»
72
.
72
МГТ108А
-
МП41
-
76
МП41А
-
76
МП42
-
76
МП42А
-
76
МП42Б
-
76
П416Б
1-
178i1
П417
;
80 ·1
-
'
П417А
-
180
П417Б
-
80
П422
-
80
МГТ108Б
-
72
П201Э
взпп
76
П423
-
80
МГТ108В
-
72
П201АЭ
взпп
76
П605
З-д ПО «ФОТОН»
80
МГТ108Г
-
72
П202Э
взпп
76
П605А
З-д ПО «ФОТОН»
80
МГТ108Д
.
-
72
П20ЗЭ
взпп
76
П606
З-д ПО «ФОТОН»
80
МП9А.
-
-
72
П207
-
76
П606А
З-д ПО «ФОТОН»
80'
МП10
-
72
П207А
-
76
!
1
П607
З-д ПО «Альфа»
801
МП10А
-
72
П208
-
76
П607А
1З-д ПО «Альфа» ! 80 1
МП10Б
-
72
П208А
-
.
76
П608
З-д ПО «Альфа»
80
МП11
-
72
П209
-
76
П608А
З-д ПО «Альфа»
80
МП11А
-
72
П209А
-
76
П609
З-д ПО «Альфа»
80
МП13
-
72
П210
-
76
П609А
З-д ПО «Альфа»
80

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
7
Кремниевые транзисторы
1
Тип
i Изготовитель
1 Стр.
1 прибора
(см. стр. 31)
1
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1 Изготовитель
1 Стр.
прибора ! (см. стр:31)
КТ104А
ЗАО «Кремний»
182
КТ208Б
4, 12,33
86
КТЗО1А
17.36
88
КТ104Б
ЗАО «Кремний»
182
КТ208В
4, 12,33
86
КТЗО1Б
17,36
88 !1
1 КТ104В
ЗАО «Кремний» i 82
КТ208Г
4, 12,33
86
КТЗ01В
j1,З6
i88
1
1 КТ104Г
1ЗАО «Кремний»
182
! КТ117А
127.30
i82
КТ208Д
4, 12,33
86
КТ208Е
14, 12,33
186
1 КТЗ01Г
!ЗЗ,36
1
88
1КТЗ01Д
iПО «НИИЭТ»
188
!1 КТ117Б
121.зо
llКТ117В
127,30
11 КТ117Г
:21.зо
182
КТ118А
1З-д «Пульсар»
182
1 КТ118Б
З-д «Пульсар»
82
КТ118В
З-д «Пульсар»
82
82
КТ208Ж
4, 12,33
i86
КТ208И
4, 12,33
86
КТ208К
4, 12,33
86
КТ208Л
4, 12,33
186
КТ208М
4, 12,33
186
КТ209А
4, 12 ,28 ,33
86
82
КТЗ01Е
IПО «НИИЭТ»
88 ·'
"
КТЗО1Ж
IПО «НИИЭТ»
88 '1
КТЗО2А
ПО «НИИЭТ»
!88
·:
1 КТЗО2Б
!ПО «НИИЭТ»
881
КТЗ02В
IПО «НИИЭТ»
188
1
КТЗО2Г
1ПО «НИИЭТ»
88
КТ119А
З-д «Пульсар•
82
КТ209Б
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗ06А
IПО «НИИЭТ»
88
КТ119Б
3-д «Пульсар»
82
КТ209В
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗ06Б
IПО «НИИЭТ»
88
КТ120А
23, 13
82
КТ209В2
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗО6В
ПО «НИИЭТ»
88
КТ120Б
23, 13
82
КТ209Г
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗО6Г
ПО «НИИЭТ»
188
1КТ120В
23, 13
82
КТ209Д
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗО6Д
IПО «НИИЭТ»
i88i
11 КТ120А-1
123, 13
1821
"
1
1
;1 КТ120В-1
123, 13
182
1
!IКТ120А-5
123, 13
182
11 КТ120В·5
:2з. 1з
182
КТ209Е
1З-д «Арсенал»
86
КТ209Ж
1З-д «Арсенал•
86
КТ209И
1З-д «Арсенал»
86
КТ209К
НПО «Планета»
86
КТЗО6АМ
126,36
90 !i1
КТЗ06БМ
126.36
1901'
·!
КТЗО6ВМ
126,36
~90i
1
КТЗО6ГМ
26,36
:901
1КТ127А-1
З-д «Старт»
82
1 КТ127Б·1
З-д «Старт»
82
КТ209Л
З-д «Арсенал•
86
КТ209М
З-д «Арсенал•
186
КТЗ06ДМ
26,36
90
КТЗО7А·1
АО «Светлана»
90
КТ127В·1
З-д «Старт•
82
КТ209К9
НПО «Планета»
86
КТЗО7Б·1
АО «Светлана»
90
КТ127Г-1
З-д «Старт•
82
КТ210А
ЗАО «Кремний»
86
КТЗО7В·1
АО «Светлана»
90
КТ132А
З-д «Транзистор»
84
КТ210Б
ЗАО «Кремний»
86
КТЗО7Г·1
АО «Светлана»
90
КТ132Б
З-д «Транзистор»
84
КТ210В
ЗАО «Кремний»
86
КТЗ101А-2
АО «Светлана»
90
КТ1ЗЗА
З-д «Транзистор»
84
КТ211А-1
ЗАО «Кремний»
86
КТЗ101АМ
1АО «Светлана»
90 !11
I КТ1ЗЗБ
1 З-д «Транзистор»
84
КТ211Б·1
ЗАО «Кремний»
86
КТЗ102А
14, 7, 12, 13,26,28,33 90
!IКТ201А
126.33
184
КТ211В-1
ЗАО «Кремний» 1 86
КТЗ102Б
14, 7, 12, 13.26 .28,33 90
'
1
!1 КТ201Б
126,33
84
КТ214А·1
33, 13
1
88
1
КТ3102В
14. 7, 12, 13,26,28,33 90
11 КТ201В
26,33
184
КТ214Б-1
1
33, 13
188
КТЗ102Г
4, 7. 12, 13,26,28.33 90
1 КТ201Г
26,33
184
1
КТ214В·1
33, 13
188
КТЗ102Д
4, 7. 12, 13,26,28,33 90
КТ201Д
26,33
84
КТ214Г·1
33, 13
88
КТЗ102Е
4, 7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201АМ
4,26,33
84
КТ214Д·1
33, 13
88
КТЗ102Ж
4, 7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201БМ
4,26,33
84
КТ214Е·1
33, 13
88
КТЗ102И
4, 7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201ВМ
4,26,33
84
КТ215А·1
33, 13
88
КТЗ102К
4,7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201ГМ
4,26,33
84
КТ215Б·1
33, 13
88
КТЗ102АМ
4, 12 ,28,33
90
'кt201дм
4,26,33
84
КТ215В-1
33, 13
88
КТЗ102БМ
4, 12 .28,33
90
11 КТ202А·1
1ЗАО «Кремний»
84
1
-
!1 КТ202Б-1
ЗАО «Кремнии» 1 84
КТ215Г·1
33, 13
1
88
1
КТ215Д-1
33, 13
188
КТЗ102ВМ
14. 12 ,28.33
:90
'i
КТЗ102ГМ
14. 12 ,28 ,33
1
90 1i,,
КТ202В·1
1ЗАО «Кремний»
84
КТ215Е·1
33, 13
i
1
88
КТЗ102ДМ
14. 12 ,28,33
:
90 !!1
КТ202Г-1
ЗАО «Кремний»
84
КТ216А
АО «;элекс»
188
КТЗ102ЕМ
4, 12 ,28,33
!9011
КТ202Д·1
ЗАО «Кремний»
84
КТ216Б
АО «Элекс»
88
КТЗ102ЖМ
4, 12 ,28 ,33
90
КТ20ЗА
АО «Элекс»
КТ216В
АО «Элекс»
88
КТЗ102ИМ
4, 12 ,28 ,33
90
КТ20ЗБ
АО «Элекс»
84
КТ218А-9
АО «Элекс»
88
КТ3102КМ
4, 12 ,28 ,33
90
КТ20ЗВ
АО «Элекс»
84
КТ218Б-9
АО «Элекс»
88
КТЗ102А2
ЗАО «Кремний»
90
КТ20ЗАМ
4,33
84
КТ218В·9
АО «Элекс»
88
КТЗ102Б2
ЗАО «Кремний»
90
КТ20ЗБМ
4,33
84
КТ218Г-9
АО «Элекс»
88
КТЗ102В2
ЗАО «Кремний»
90
КТ20ЗВМ
4,33
84
КТ218Д·9
АО «Элекс»
88
КТЗ102Г2
ЗАО «Кремний»
9,0
КТ206А
33,26
86
КТ218Е-9
АО «Элекс»
88
КТЗ102Д2
ЗАО «Кремний»
90 1.
КТ206Б
АО «Светлана»
86
КТ220А9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102Е2
ЗАО «Кремний»
90
КТ207А
АО «Светлана»
86
КТ220Б9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102Ж2
ЗАО «Кремний»
90
КТ207Б
АО «Элекс»
86
КТ220В9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102И2
ЗАО «Кремний»
90
КТ207В
АО «Элекс»
86
КТ220Г9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102К2
ЗАО «Кремний»
90
КТ208А
4, 12,33
86
КТЗ01
7,36
88
КТЗ104А
АО «Восход»
92

8
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
:.
Тип
i Изготовитель 1
i: прибора
(см. стр. 31)
1 Стр.
1'
1КТЗ104Б
АО «ВОСХОД»
92
i КТЗ104В
АО «ВОСХОД»
92
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КТЗ128А·9
АО «Элекс»
98
КТЗ129А-9
4,28,33
98
Тип 1 Изготовитель :
ii
прибора (см. стр. 31) ! Стр. '1
КТЗ15Р
l12, 13, 15
1 100
КТЗ15А-1
12, 28, 33
102 1
КТЗ104Г
АО «ВОСХОД»
92
КТЗ129Б-9
4,28,33
98
КТЗ15Б-1
12, 28, 33
102
КТЗ104Д
АО «ВОСХОД»
92
КТЗ129В-9
4,28,33
98
КТЗ15В-1
12, 28, 33
102
КТЗ104Е
АО «ВОСХОД»
92
КТЗ129Г-9
4,28,33
98
КТЗ15Г-1
12, 28, 33
102
1 КТЗ106А-2
26,33
92
КТЗ106А-9
АО «Элекс»
92
il КТЗ107А
2,4, 12,28,33
92
КТЗ129Д·9
4,28,33
98
КТЗ1ЗА
4,33
98
КТЗ1ЗБ
4,33
98
КТЗ15Д-1
12, 28, 33
102
КТЗ15Е-1
12, 28, 33
1 102
КТЗ15Ж-1
12, 28, 33
! 102
1 КТЗ107Б
2,4, 12,28,33
92
КТЗ107В
2,4, 12,28,33
92
КТ31ЗА-1
4,33
98
КТЗ1ЗБ-1
4,33
98
КТЗ15И-1
12, 28, 33
1 102
КТЗ15Н-1
12, 28, 33
1 102
!1 КТЗ107Г
2,4, 12,28,33
92
КТЗ1ЗВ-1
4,33
98
КТЗ15Р-1
12,28,33
!1021
1 КТЗ107Д
2,4, 12,28,33
92
1 КТЗ107Е
2,4, 12,28,33
92
КТЗ107Ж
2,4, 12,28,33
92
КТЗ1ЗГ·1
4,33
98
КТЗ1ЗОА-9
4,28,33
98
КТЗ1ЗОБ-9
4,28,33
98
КТЗ150Б-2 3-д ПО «Альфа» i 102 1
КТЗ151А-9
4, 33
102
КТЗ151Б-9
4, 33
102
КТЗ107И
2,4, 12,28,33
92
КТЗ1ЗОВ-9
4,28,33
98
КТЗ151В·9
4, 33
102
КТЗ107К
4, 12,28
92
КТЗ1ЗОГ-9
4,28,33
98
КТЗ151Г·9
4, 33
102
КТЗ107Л
4, 12,28
92
КТЗ1ЗОД-9
4,28,33
98
КТЗ151Д-9
4, 33
102
КТЗ108А
2,4 ,33
92
КТЗ1ЗОЕ-9
4,28,33
98
КТЗ151Е-9
4, 33
102
КТЗ108Б
2,4 ,33
92
КТЗ1ЗОЖ-9
4,28,33
98
КТЗ15ЗА-9
4, 28, 33
102
1 КТЗ108В
2,4, 33
92
1
1КТЗ109А
3-д ПО «Альфа»
92
1 КТЗ109Б
13-д ПО «Альфа» 1 92
11 КТЗ109В
13-д ПО «Альфа»
92
1КТЗ114Б-б
13-д «Пульсар»
192
КТЗ114В·б
3-д «Пульсар»
92
КТЗ132А-2
3-д «Пульсар»
98
КТЗ132Б-2
3-д «Пульсар»
98
1 КТЗ132В-2
3-д «Пульсар»
1981
КТЗ132Г-2
3-д «Пульсар»
98
1
КТЗ132Д-2
3-д «Пульсар»
98
КТЗ132Е-2
3-д «Пульсар»
98
КТЗ15ЗА·5 14. 28, 33
!102fl
КТ3157А
12, 28, 33
i 102
КТЗ16А
IAO «Элекс»
1102I!
КТЗ16Б IAO «Элекс»
i102~
11~КТ_З_1_б_В___,~А_О_«Э_л_е_к_с»
___+!~
КТЗ16Г
АО «Элекс»
102 1
КТЗ115А-2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ115В-2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ139А
3-д «Пульсар»
98
КТЗ139Б
3-д «Пульсар»
98
КТЗ16Д
АО «Элекс»
102
КТЗ16АМ АО «Элекс» 102 1
КТЗ115Г-2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ139В
3-д «Пульсар»
98
КТЗ16БМ
АО «Элекс»
102
КТЗ115Д·2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ139Г
3-д «Пульсар»
98
КТЗ16ВМ
АО «Элекс»
1 102
КТЗ117А
4, 12 ,28 ,33
94
КТЗ14А-2
АО «Элекс»
100
КТЗ16ГМ
АО «Элекс»
1 102
КТЗ117Б
4, 12 ,28 ,33
94
КТЗ140А
-
100
КТЗ16ДМ
АО «Элекс»
102
КТЗ117А·1
4, 12 ,28 ,33
94
КТЗ140Б
-
100
КТЗ165А
19, 28
104
КТЗ117А9
14. 12 ,28 ,33
94
КТЗ140В
-
100
КТЗ165А·9
19, 28
104
КТЗ117Б9
14. 12 ,28 ,33
94
1 КТЗ12А
7,33 ,36
94
КТЗ140Г
-
100
КТЗ140Д
-
100
КТЗ166А
АО «Элекс»
1 104
i
КТЗ166Б
АО «Элекс»
104
КТЗ12Б
7,33 ,36
94
КТЗ142А
4,28
100
КТЗ166В
АО «Элекс»
1 104
КТЗ12В
7,33 ,36
94
КТЗ14ЗА
АО «Светлана»
100
КТЗ166Г
АО «Элекс»
104
КТЗ12А1
7,33 ,36
94
КТЗ144А
АО «Светлана»
100
КТЗ168А-9
АО «Светлана»
104
КТЗ12Б1
7,33 ,36
94
КТЗ145А-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ169А-9
НПО «Планета»
104
КТЗ12В1
7,33 ,36
94
КТЗ145Б-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ169А91
НПО «Планета»
104
1 КТЗ120АМ
АО «Светлана»
94
1 КТЗ121А·б
АО «Светлана»
i94
КТЗ122А
3-д «Квазар»
96
i1КТЗ122Б
3-д «Квазар»
196
КТЗ145В-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ145Г-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ145Д-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ146А·9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ17А·1 13, 23
104 1
,,_кт_з_11_Б_-_1------<!_1_3. _2_3 __ _ __i
_1 _04 --- --11!1
КТЗ17В-1
l13, 23
i 104
КТЗ170А·9 АО «Элекс»
1104~
1 КТЗ12ЗА·2
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ146Б-9
АО «НИИЭТ»
100
КТ3171А·9
АО «Элекс»
1 104
1КТЗ12ЗБ-2
13-д ПО «Альфа» 1 96
1
КТЗ146В-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ172А·9
АО «Элекс»
1 106
1 КТЗ12ЗВ-2
3-д ПО «Альфа» 1 96
КТЗ12ЗАМ
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ12ЗБМ
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ146Г-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ146Д-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ15А
12, 13, 15
100
КТЗ17ЗА·9
АО «Элекс»
106
106 1
КТЗ176А-9
АО «Элекс»
КТЗ179А·9
АО «Элекс»
106
КТЗ12ЗВМ
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ15Б
12, 13, 15
100
КТЗ1 SA-1
13, 23
106
КТЗ126А
33,28
96
КТЗ15В
12, 13, 15
100
КТЗ18Б·1
13, 23
106
КТЗ126Б
33,28
96
КТЗ15Г
12, 13, 15
100
КТЗ18В-1
13, 23
! 106
КТЗ126А-9
33,28
96
КТЗ15Д
12, 13, 15
100
КТЗ18Г·1
13, 23
1 106
КТЗ127А
33,28
96
КТЗ15Е
12, 13, 15
100
КТЗ18Д-1
13, 23
1 106
1КТЗ128А
13-д «Транзистор» 96
КТЗ15Ж
12, 13, 15
100
КТЗ18Е·1
13, 23
1 106
КТЗ128А·1
13-д «Транзистор»
98
КТЗ15И
12, 13, 15
100
КТЗ180А-9
АО «Элекс»
106
КТЗ128Б-1
3-д «Транзистор»
98
КТЗ15Н
12, 13, 15
100 '
КТЗ184А9
ПР3ПП
106

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
9
,,
,,
Тип
Изготовитель Стр.
11 прибора 1 (см. стр. 31)
КТ3184Б9
IПРЗПП
106
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КТ324Г-1
АО «Светлана»
110
Тип
Изготовитель
i
прибора
(см. стр. 31)
! Стр.1
КТ343А
АО «Элекс»
114
1КТ3186А-9
1НПО «Планета»
106
КТ324Д-1
АО «Светлана»
110
КТ343Б
АО «Элекс»
114
11 КТ3186Б-9 1НПО «Планета» i 106
1
КТ324Е-1
АО «Светлана»
110
КТ343В
АО «Элекс»
114
11 КТ3186В-9 i НПО «Планета» 1 106
КТ325А
АО «Светлана»
110
КТ345А
З-д ПО «Альфа»
114
11 КТ3187А-9
НПО «Планета»
106
КТ325Б
АО «Светлана»
110
КТ345Б
З-д ПО «Альфа»
114
j КТ3187А91
НПО «Планета»
106
1КТ3187Б91
НПО «Планета»
106
1КТ3187В91
НПО «Планета»
106
11 КТ3189А-9
14,28
1
108
1
!j КТ3189Б-9
1
14.28
1 108
КТ325В
АО «Светлана»
110
КТ325АМ
АО «Элекс»
112
1
КТ325БМ
АО «Элекс•
1 112
КТ325ВМ
АО «Элекс»
112
КТ326А
2,4,33
1 112
КТ345В
З-д ПО «Альфа»
114
КТ347А
IAO «Элекс»
!114i
1 КТ347Б
IAO «Элекс»
114 11
1
11
1КТ347В
[АО «Элекс»
114 il
КТ348А-3
1 СКБ «ЭЛЬКОР»
116 1'
.1
;1 КТ3189В-9 [4,28
1 108 1 КТ326Б
2,4,33
1 112
КТ348Б-3
1 СКБ «Элькор»
1
'
116 1
!1 КТ319А-1
1-
1 108
1
1 КТ326АМ
4,33
112
КТ348В-3
1 СКБ «Элькор» i 116
1 КТ319Б-1
-
108
КТ326БМ
4,33
112
КТ349А
З-д ПО «Альфа» : 116
1 КТ319В-1
-
108
КТ331А-1
СКБ «Элькор»
112
КТ349Б
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3191А-9
НПО «Планета»
108
КТ331Б-1
СКБ «Элькор»
112
КТ349В
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3191А91
НПО «Планета»
108
КТ331В-1
СКБ «Элькор»
112
КТ350А
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3192А-9
З-д «Транзистор»
108
КТ331Г-1
СКБ «Элькор»
112
КТ351А
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3193А
ЗАО «Кремний»
108
КТ3193Б
ЗАО «Кремний»
108
КТ332А-1
-
112
КТ332Б-1
-
1 112
КТ351Б
З-д ПО «Альфа» 1 116 11
1
КТ352А
1З-д ПО «Альфа» ! 116 !!
!1 КТ3193В
1ЗАО «Кремний» 1 108
:1 КТ3193Г
1 ЗАО «Кремний» 1 108
!i КТ319ЗД
j ЗАО «Кремний» i 108
1
1КТ3193Е
1 ЗАО «Кремний»
108
КТ3196А-9
З-д «Транзистор»
108
КТ332В-1
'-
112
КТ332Г-1
-
1
112
1
КТ332Д-1
-
112
КТ333А-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ333Б-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
1
11 КТ352Б
!З-д ПО «АльФа»
116
1АО «Светлана»
1КТ354А-2
116
1
1
1 КТ354Б-2
1АО «Светлана»
1 116
:1
КТ355А
1АО «Светлана»
1 116
КТ355АМ
АО «Светлана»
: 116
КТ3197А-9
З-д «Транзистор»
108
КТ333В-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ357А
-
1 116
1
КТ3198А
НПО «Планета»
108
КТ333Г-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ357Б
-
116
КТ3198Б
НПО «Планета»
108
КТ333Д-3
З-д «Экситон»
112
КТ357В
-
116
КТ3198В
НПО «Планета»
108
КТ333Е-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ357Г
-
116
КТ3198Г
НПО «Планета»
108
КТ336А
АО «Светлана»
112
КТ358А
взпп
116
КТ3198Д
НПО «Планета»
108
КТ336Б
АО «Светлана»
1 112
КТ358Б
1взпп
~1161
1
КТ3198Е
НПО «Планета»
108
КТ336В
АО «Светлана»
112
КТ358В
lвзпп
i 116
,,
,,
КТ3198Ж
1НПО «Планета»
1 108
КТ336Г
АО «Светлана»
1 112
КТ359А-3
iСКБ «Элькор»
i 118 r!.,
КТ3198А9
1НПО «Планета»
1 108
КТ3198Б9
1НПО «Планета» ! 108
КТ336Д
АО «Светлана»
112
КТ336Е
АО «Светлана»
1 112
'
КТ359Б-3
1СКБ «Элькор»
118 1'
1 КТ359В-3
1
СКБ «Элькор»
118
КТ3198В9
НПО «Планета» 1 108
КТ337А
З-д ПО «Альфа»
112
КТ360А-1
З-д ПО «Альфа» 1 118
КТ3198Г9
НПО «Планета»
108
КТ337Б
З-д ПО «Альфа»
112
КТ360Б-1
З-д ПО «Альфа»
118
КТ3198Д9
НПО «Планета»
108
КТ337В
З-д ПО «Альфа»
112
КТ360В-1
З-д ПО «Альфа»
118
КТ3198Е9
НПО «Планета»
108
КТ339АМ
АО «Элекс»
114
КТ361А
15,33
118
КТ3198Ж9
НПО «Планета»
108
КТ339А
АО «Элекс•
114
КТ361А1
15,33
118
КТ3198А92
НПО «Планета»
110
КТ339Б
АО «Элекс»
114
КТ361Б
15, 33
118
КТ3198Г92
НПО «Планета»
110
1КТ3199А9
1НПО «Планета»
110 1
КТ3199А91
1НПО «Планета» 1 110 1
КТ339В
АО «Элекс»
114
КТ339Г
АО «Элекс»
114
КТ339Д
АО «Элекс»
114
КТ361В
15,33
i118!!
11КТ361Г
115,33
118 11
11 КТ3199А92
1НПО «Планета»
110
il КТ3201А9
НПО «Планета» 1 110
1КТ3201Б9
НПО «Планета»
110
КТ340А
-
114
КТ340Б
1-
114
КТ340В
-
f 114
КТ361Д
l15, 33
i1181'
КТ361Д1 l 15, 33
1118~
1г--~~---t---------+----i1
КТ361 Е
15, 33
; 118
1КТ3201В9
НПО «Планета»
110
КТЗ40Г
-
114
КТ361Ж
l15, 33
1 118
1КТ3201Г9
НПО «Планета»
110
КТ340Д
-
114
КТ361И
15, 33
1 118
КТ321А
СКБ «Элькор»
110
КТ342А
АО «Элекс»
114
КТ361 К
15, 33
118
КТ321Б
СКБ «Элькор»
110
КТ342Б
АО «Элекс•
114
КТ361Л
15, 33
118
КТ321В
СКБ «Элькор»
110
КТ342В
АО «Элекс»
114
КТ361 М
15, 33
118
1 КТ321Г
СКБ «Элькор»
110
, КТ321Д
СКБ «Элькор»
110
1 КТ321Е
1СКБ «Элькор»
110
1 КТ324А-1
1АО «Светлана»
110
1
![ КТ324Б-1
1АО «Светлана»
110
1
КТ324В-1
АО «Светлана»
110
КТ342Г
АО «Элекс»
114
КТ342АМ
АО «Элекс»
114
КТ342БМ
АО «Элекс»
114
КТ342ВМ
АО «Элекс»
114
КТ342ГМ
АО «Элекс»
114
КТ342ДМ
АО «Элекс•
i 114
118
КТ361 Н
15, 33
:
118 :1
КТ361П
l15,33
КТ361 А-2
f12,28,33
: 118
КТ361А-3
l12, 28, 33
i1181
КТ361Б-2
12, 28, 33
11181j
, КТ361В-2
l12, 28, 33
11181

10
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
~
!
~ Тип
Изготовитель
1 Стр.
!1
прибора ; (см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель i
11
прибора
(см. стр. 31) \Стр..1
.
1
КТЗ61Г-2
i12, 28, 33
118
КТЗSОА
АО «Элекс»
124
КТ506А
ЗАО «Кремний» 1 128 1
КТЗ61Г-З
112. 28, 33
118
КТЗSОБ
АО «Элекс»
124
КТ506Б
ЗАО «Кремний»
128
КТЗ61Д-2
112. 28, 33
118
ктзsов
АО «Элекс»
124
КТ509А
ЗАО «Кремний» 1 130
КТЗ61Д-З
12.28,33
118
КТЗ81Б
СКБ «Элькор»
124
КТ511А9
АО «Элекс»
130
КТЗ61Е-2
12,28,33
118
КТЗ81В
СКБ «Элькор»
124
КТ511Б9
АО «Элекс»
130
КТЗ61Ж-2
12,28,33
118
КТЗ81Г
СКБ •Элькор»
124
КТ511В9
АО «Элекс»
130
КТЗ61И-2
12,28,33
118
КТЗ81Д
СКБ «Элькор»
124
КТ511Г9
АО «Элекс»
130
КТЗ61К-2
112. 28, 33
118
КТ381Е
СКБ •Элькор»
124
КТ511Д9
АО «Элекс»
!130!
1 КТЗ61Л-2
112. 28, 33
118
КТЗ61М-2
112, 28, 33
118
i КТЗ61Н-2
112, 28, 33
118
1 КТЗ82А
АО «Светлана»
124
КТЗ82Б
АО «Светлана»
124
КТЗ82АМ
АО «Светлана»
124
КТ511Е9
АО «Элекс»
11301
КТ511Ж9
АО оЭлекс»
130
КТ511И9
АО «Элекс»
130
КТЗ61П-2
12,28 ,33
118
КТЗ82БМ
АО «Светлана»
124
КТ511К9
АО «Элекс»
130
:;
~ КТЗ6ЗА
11181
12.33
КТЗ6ЗБ
2,33
1 118
1
КТЗ84А-2
З-д «Транзистор»
124
КТЗ84АМ-2
З-д «Транзистор» 1 124
КТ512А9
АО «Элекс»
130
КТ512Б9
IAO «Элекс»
1 130
КТЗ6ЗАМ
12.33
118
КТЗ85А-2
З-д «Транзистор»
124
КТ512В9
АО «Элекс•
130
КТЗ6ЗБМ
2,33
118
КТЗ85АМ-2
З-д «Транзистор»
124
КТ512Г9
АО «Элекс»
130
КТЗ64А-2
3-д ПО •Альфа»
120
КТЗ85БМ-2
З-д «Транзистор»
124
КТ512Д9
АО «Элекс»
130
КТЗ64Б-2
З-д ПО «Альфа»
120
КТЗ88Б-2
АО •Элекс»
126
КТ512Е9
АО «Элекс•
1 130
КТЗ64В-2
З-д ПО •Альфа»
120
1КТЗ66А
IНИИМП
1 120
КТЗ66Б
1ниимп
120
~ КТЗ66В
lниимп
120
j1ктзб8А 12.4 ,33
120
jlктзбsБ
:2.4 .33
120
КТЗ68А-5
14.28 , 33
120
КТЗ88БМ-2
АО «Элекс»
126
КТЗ89Б-2
АО «Элекс»
126
КТЗ91А-2
З-д «Пульсар»
126
КТ391Б-2
З-д «Пульсар»
1 126
КТЗ91В-2
З-д «Пульсар»
126
КТ392А-2
З-д ПО «Альфа»
126
КТ396А-2
АО «Светлана»
126
КТ512Ж9
IAO «Элекс»
1 130
1КТ512И9
iAO «Элекс»
1130,1
КТ512К9
АО «Элекс»
!130ti
КТ513А9
IAO «Элекс»
113011
КТ513Б9
АО «Элекс»
130
КТ51ЗВ9
АО «Элекс»
1 130
КТ51ЗГ9
АО «Элекс»
! 130
КТЗ68А-9
14,28,33
120
КТ396А-9
АО «Светлана»
126
КТ513Д9
АО «Элекс»
113011
КТЗ68Б-9
4,28,33
120
КТ397А-2
АО «Светлана»
126
КТ514А9
АО «Элекс»
130 1!
КТЗ68АМ
4,28, 33
120
КТ399А
АО «Светлана»
128
КТ514Б9
АО «Элекс»
130
КТЗ68БМ
4,28 ,33
120
КТЗ99АМ
АО «Светлана»
128
КТ514В9
АО «Элекс•
130
КТЗ68ВМ
14.28,33
120
КТ501А
ЗАО «Кремний»
128
КТ514Г9
АО •Элекс»
130 1
КТЗ69А
1З-д «Транзистор»
120
КТЗ69Б
1З-д «Транзистор»
120
КТ501Б
ЗАО «Кремний»
128
КТ501В
ЗАО «Кремний»
128
КТ514Д9
АО «Элекс•
!1301
i
.1
КТ515А9
АО «Элекс»
130 11
КТЗ69В
1 З-д «Транзистор» 1 120
КТ501Г
ЗАО «Кремний»
128
КТ515Б9
АО «Элекс•
130
КТЗ69Г
: З-д «Транзистор»
120
КТ501Д
ЗАО «Кремний»
128
КТ515В9
АО «Элекс»
1 130
1 КТЗ69А-1
1З-д «Транзистор» 1 120
КТЗ69Б-1
1З-д «Транзистор» 1 120
КТ501Е
ЗАО «Кремний»
128
КТ501Ж
ЗАО «Кремний»
128
КТ516А9
АО «Элекс»
130
КТ516Б9
АО «Элекс•
130
1 КТЗ69В-1
1З-д «Транзистор»
120
КТ501И
ЗАО «Кремний»
128
КТ516В9
АО «Элекс»
130
КТЗ69Г-1
З-д «Транзистор»
120
КТ501К
ЗАО «Кремний»
128
КТ517А
АО «Элекс»
130
КТЗ70А-1
З-д ПО «Альфа»
122
КТ501Л
ЗАО «Кремний»
128
КТ517Б
АО «Элекс»
130
КТЗ70Б-1
З-д ПО •Альфа»
122
КТ501М
ЗАО «Кремний»
128
КТ517В
АО «Элекс»
130
КТЗ70А-9
З-д ПО •Альфа»
122
КТ502А
4, 12 ,28,33
128
КТ517Г
АО «Элекс•
130
КТЗ70Б-9
1З-д ПО •Альфа»
122
КТ502Б
4, 12 ,28,33
128
КТ517Д
АО «Элекс»
1
130
1
КТЗ71А
1АО «Светлана»
122
КТ502В
4, 12 ,28,33
128
КТ517Е
АО «Элекс»
1 130
КТЗ71АМ
1АО «Светлана»
122
КТ502Г
4, 12 ,28,33
128
КТ517А-1
АО •Элекс•
1 132
КТ372А
1З-д «Пульсар»
122
КТ502Д
4, 12 ,28,33
128
КТ517Б-1
АО «Элекс»
132
КТ372Б
'З-д «Пульсар»
122
КТ502Е
4, 12 ,28,33
128
КТ517В-1
АО «Элекс•
132
КТ372В
З-д «Пульсар»
122
КТSОЗА
4, 12 ,28,33
128
КТ517Г-1
АО «Элекс•
132
КТ373А
АО «Элекс»
122
КТSОЗБ
4, 12 ,28,33
128
КТ517Д-1
АО «Элекс•
132
КТ373Б
АО «Элекс»
122
ктsозв
4, 12 ,28,33
128
КТ517Е-1
АО «Элекс»
132
КТ373В
АО «Элекс»
122
ктsозг
4, 12 ,28,33
128
КТ517А-9
АО «Элекс»
132
КТ373Г
АО «Элекс»
122
КТSОЗД
4, 12 ,28 ,33
128
КТ517Б-9
АО «Элекс»
132
КТ375А
взпп
122
КТSОЗЕ
4, 12 ,28,33
128
КТ517В-9
АО оЭлекс»
132
КТЗ75Б
взпп
122
КТ504А
12,33
128
КТ517Г-9
АО «Элекс»
132
КТ379А
АО «Элекс»
122
КТ504Б
12,33
128
КТ517Д-9
АО «Элекс»
1 132
1 КТЗ79Б
АО •Элекс»
122
1КТЗ79В
АО «Элекс»
122
КТ504В
12,33
128
КТ505А
ЗАО «Кремний»
128
КТ517Е-9
АО «Элекс»
132
КТ519А
З-д «Микрон»
132
КТЗ79Г
АО «Элекс»
122
КТ505Б
ЗАО «Кремний»
128
КТ519Б
З-д «Микрон»
132

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
i!
Тип
~ прибора
!КТ5198
1 КТ520А
КТ520Б
КТ521А
,__
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
~ КТ5238
~ КТ523Г
~ КТ523Д
~ КТ523А9
iiКТ52ЗБ9
liКТ52389
!IКТ52ЗГ9
КТ523Д9
КТ524А
КТ524А-5
КТ525А
КТ525д-5
llКТ526д
i КТ526А-5
!КТ528д9
j КТ528Б9
КТ52889
КТ528Г9
КТ528Д9
.КТ529д
КТ530д
КТ538д
КТ601А
1 КТ601АМ
КТ602А
КТ&О2Б
КТ6028
КТ602Г
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603д
КТ603Б
КТ6038
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604д
КТ604Б
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605д
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606д
КТ606Б
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608д
i Изготовитель
i (см. стр. 31)
13-д «Микрон»
28.33
28.33
28.33
28,33
АО «Элекс»
АО «Элекс»
IAO «Элекс»
;до «Элекс»
АО «Элекс»
Стр.
132
132
132
132
132
132
132
1 132
1
132
132
iАО «Элекс»
132
АО «Элекс»
1 132
АО «Элекс»
1 132
АО «Элекс»
132
АО «Элекс»
132
3-д «Микрон»
132
3-д «Микрон»
132
3-д «Микрон»
134
3-д «Микрон»
134
3-д «Микрон»
134
3-д «Микрон»
134
IAO «Элекс»
1 134
IAO «Элекс»
1 134
АО «Элекс»
134
АО «Элекс»
134
АО «Элекс•
134
12, 33
134
12, 33
134
3-д «Транзистор»
134
1,7,36
136
11,7 ,36
136
1,7,36
1 136
i1, 7, 36
! 136
1,7,36
136
1,7,36
136
12, 36
136
12, 36
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
1НПО «Планета»
136
1НПО «Планета»
136
17, 36
136
' 7,36
136
7, 36
136
7, 36
136
АО «ВОСХОД»
136
АО «ВОСХОД»
136
ПО «НИИЭТ»
138
ПО «НИИЭТ»
138
7,9
138
7,9
138
3-д «Транзистор»
138
3-д «Транзистор»
138
НПО «Планета»
138
Тип
Изготовитель !
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.
КТ608Б
НПО «Планета»
138
КТ610А
3-д «Транзистор»
138
КТ610Б
3-д «Транзистор»
138
КТ6102А
-
138
КТ6103д
-
138
КТ6104А
-
138
КТ6105д
-
138
КТ6107д
-
1 138
КТ6108д
1
-
1 138
КТ6109д
28,33
1
138
1
КТ6109Б
28,33
1 138
КТ61098
28,33
i 138
КТ6109Г
28,33
138
КТ6109Д
28,33
1 138
КТ611д
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611Б
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611В
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611Г
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611АМ
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611БМ
ПО «НИИЭТ»
140
КТ6110А
28,33
140
КТ6110Б
28,33
140
КТ61108
28,33
140
КТ6110Г
28,33
140
КТ6110Д
28, 33.
140
КТ6111д
28,33
140
КТ6111Б
28,33
140
КТ6111В
28,33
140
КТ6111Г
28,33
140
КТ6112А
28,33
140
КТ6112Б
28,33
140
КТ6112В
28,33
140
КТ6113А
28,33
1 140
КТ6113Б
28,33
140
КТ6113В
28,33
140
КТ6113Г
28,33
140
КТ6113Д
28,33
140
КТ6113Е
28,33
140
КТ6114А
28,33
140
КТ6114Б
28,33
140
КТ61148
28,33
140
КТ6114Г
28,33
140
КТ6114Д
28,33
140
КТ6114Е
28,33
140
КТ6115д
28,33
140
КТ6115Б
28,33
140
КТ61158
28,33
140
КТ6115Г
28,33
140
КТ6115Д
28,33
140
КТ6115Е
28,33
140
КТ6116А
4,28 ,33
140
КТ6116Б
4,28 ,33
140
КТ6117А
4,28,33
142
КТ6117Б
4,28,33
142
КТ6127А
АО «Элекс»
142
КТ6127Б
АО «Элекс»
142
КТ6127В
АО «Элекс»
142
11
Тип
1 Изготовитель
t Стр.~
прибора 1 (см. стр. 31)
КТ6127Г
IAO «Элекс»
! 142
КТ6127Д
АО «Элекс»
1 142
КТ6127Е
АО «Элекс»
1 142
КТ6127Ж
АО «Элекс»
1 142
КТ6127И
АО «Элекс»
1 142
КТ6127К
АО «Элекс»
1 142
КТ6128А
128.33
1
142 1
1
КТ6128Б
j28.33
142 !i
1!
КТ6128В
:28,33
1
142
КТ6128Г
128.33
'
142 •:
КТ6128Д
!28.33
142 i!
КТ6128Е
128,33
1 142ii
КТ6129А-9
1НПО «Планета»
' 142
1
'
КТ6129Б-2
НПО «Планета»
142
КТ6130д-9
НПО «Планета»
142
КТ6131А
НПО «Планета»
142
КТ6132А
НПО «Планета»
144
КТ6133А
НПО «Планета»
144
КТ6133Б
НПО «Планета» 1 144
КТ6133В
1НПО «Планета» i 144 i!
КТ6134д
1НПО «Планета»
1
144 1
КТ6134Б
1НПО «Планета»
1 144
КТ61348
1НПО «Планета» ! 144
КТ6135д
iНПО «Планета» 1 144
КТ6135Б
НПО «Планета»
144
КТ6135В
НПО «Планета»
144
КТ6135Г
НПО «Планета»
144
КТ6135д9
НПО «Планета»
144
КТ6135Б9
НПО «Планета»
144
КТ613589
1НПО «Планета»
144
КТ6135Г9
1НПО «Планета» ! 144
КТ6135Д9
1НПО «Планета»
i 144
КТ6136А
128,33
:14411
КТ6137д
128,33
! 144
КТ6138д
IAO «Элекс»
144
КТ6138Б
IAO «Элекс»
1 144
КТ6138В
АО «Элекс»
144
КТ6138Г
АО «Элекс»
144
КТ6138Д
АО «Элекс»
144
КТG139д
АО «Элекс»
144
КТ6139Б
АО «Элекс»
144
КТ61398
IAO «Элекс»
11441
КТ6139Г
IAO «Элекс»
!144i
КТ6139Д
IAO «Элекс»
1 144
КТ6140А
3-д «Микрон»
1
144
КТ6141д9
1НПО «Планета»
146
КТ6141Б9
НПО «Планета»
146
КТ6142А
НПО «Планета»
146
КТ6142Б
НПО «Планета»
146
КТ6142А9
НПО «Планета»
146
КТ616д
3-д «Транзистор»
146
КТ616Б
3-д «Транзистор»
146
КТ617А
3-д «Транзистор»
146
КТ618А
В3ПП
146
КТ620А
-
146
КТ620Б
-
146
КТ624А-2
3-д «Транзистор»
146

12
Тип
1 Изготовитель
1 Стр.
i
прибора i (см. стр. 31)
КТ624АМ·2
1 З-д «Транзистор»
146
КТ625д
1З-д «Транзистор»
148
КТ625АМ
1З-д «Транзистор»
148
КТ625АМ-2
З-д «Транзистор»
148
КТ626д
ЗАО «Кремний»
148
КТ626Б
ЗАО «Кремний»
148
КТ626В
ЗАО «Кремний»
148
КТ626Г
ЗАО «Кремний»
148
1 КТ626Д
ЗАО «Кремний»
148
1КТ629А·2
АО «Элекс»
148
1 КТ629Б-2
АО «Элекс»
148
1 КТ629БМ·2
АО «Элекс»
148
1КТ630д
112. 33
148
1 КТ630Б
12, 33
1 148
1 КТ630В
12,33
148
КТ630Г
12,33
148
КТ630Д
12,33
148
КТ630Е
12, 33
148
КТбЗОА-5
12, 33
148
КТбЗОБ-5
l12. 33
148
КТбЗОВ-5
112.33
1 148
j КТбЗОГ-5
112. 33
1 148
1
1КТ632Б
IAO «Элекс»
1 148
КТ632Б-1
IAO «Элекс»
1
150
КТ632В-1
АО «ЭЛеКС»
150
1iКТ633д
З-д «Транзистор»
150
КТ633Б
З-д «Транзистор»
150
КТ634А-2
З-д «Транзистор»
150
КТ634Б-2
З-д «Транзистор»
150
КТ635д
28,33
150
КТ635Б
28,33
150
КТ637А-2
З-д «Транзистор»
150
КТ637Б-2
З-д «Транзистор»
150
КТ638А
АО «Элекс»
150
J КТ638д1
IAO «Элекс»
150
КТ639А
2, 12, 15
152
КТ639Б
2, 12, 15
1 152
КТ639В
2, 12, 15
152
1
КТ639Г
2, 12, 15
152
КТ639Д
2, 12, 15
152
КТ639Е
2, 12, 15
152
КТ639Ж
2, 12, 15
152
КТ639И
2, 12, 15
152
КТ639д-1
12.12,15
1
1 152
11 КТ639Б·1
12, 12, 15
152
~ КТ639В-1 i2.12.15
i 152
1
1 КТ639Г-1
2, 12, 15
152
КТ639Д-1
2, 12, 15
152
КТ639Е-1
2, 12, 15
152
КТ639Ж-1
2, 12, 15
152
КТ639И-1
2, 12, 15
152
КТ640А·2
З-д «Пульсар»
152
КТ640Б-2
З-д «Пульсар»
152
КТ640В-2
З-д «Пульсар»
152
КТ642А·2
З-д «Пульсар»
152
КТ642А·5
З-д «Пульсар»
152
КТ643А-2
З-д «Пульсар»
152
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Тип
Изготовитель
прибора
(см. стр. 31)
КТ644А
2, 12
КТ644Б
2, 12
КТ644В
2, 12
КТ644Г
2, 12
КТ645д
12,28 ,33
КТ645Б
12,28 ,33
КТ646д
12,28 , 33
КТ646Б
12,28 , 33
1
КТ646В
12,28 ,33
КТ647А-2
З-д «Пульсар»
КТ647А·5
З-д «Пульсар»
КТ648А·2
З-д «Пульсар»
КТ648А-5
З-д «Пульсар»
КТ653д
ЗАО «Кремний»
КТ653Б
ЗАО «Кремний»
КТ657А-2
З-д «Пульсар»
КТ657Б-2
З-д «Пульсар»
КТ657В-2
З-д «Пульсар»
КТ657д-5
З-д «Пульсар»
КТ657Б-5
З-д «Пульсар»
КТ657В-5
1З-д «Пульсар»
КТ659А
ПО «НИИЭТ»
КТ660д
28,33
КТ660Б
28,33
КТ661А
4,33
КТ662д
АО «Элекс»
КТ664А-9
12,28 ,33
КТ664Б-9
12,28 , 33
КТ665А·9
12,33
КТ665Б-9
12,33
КТ666А-9
ЗАО «Кремний»
КТ667д-9
ЗАО «Кремний»
КТ668д
З-д ПО «Альфа»
КТ668Б
З-д ПО «Альфа»
КТ668В
З-д ПО «Альфа»
КТ680д
АО «Элекс»
КТ681д
АО «Элекс»
КТ682А·2
З-д «Пульсар»
КТ682Б·2
З-д «Пульсар»
КТ682А-5
З-д «Пульсар»
КТ682Б-5
З-д «Пульсар»
КТ683д
ЗАО «Кремний»
КТ683Б
ЗАО «Кремний»
КТ683В
ЗАО «Кремний»
КТ683Г
ЗАО «Кремний»
КТ683Д
ЗАО «Кремний»
КТ683Е
ЗАО «Кремний»
КТ684д
З-д ПО «Альфа»
КТ684Б
З-д ПО «Альфа»
КТ684В
З-д ПО «Альфа»
КТ684Г
З-д ПО «Альфа»
КТ685д
З-д ПО «Альфа»
КТ685Б
З-д ПО «Альфа»
КТ685В
З-д ПО «Альфа»
КТ685Г
З-д ПО «Альфа»
КТ685Д
З-д ПО «Альфа»
КТ685Е
З-д ПО «Альфа»
Стр.
152
152
152
152
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
156
156
156
1
156
1
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
Тип
прибора
КТ685Ж
КТ686д
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
КТ692д
КТ695д
КТ698д
КТ698Б
КТ698В
КТ698Г
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ708д
КТ708Б
КТ708В
КТ709д
КТ709Б
КТ709В
КТ710А
КТ712А
КТ712Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
КТ721д
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728д
КТ729А
КТ729Б
КТ730д
КТ731А
КТ731Б
КТ731В
КТ731Г
КТ732А
КТ733А
КТ734А
КТ734Б
КТ734В
КТ734Г
КТ735д
1 Изготовитель
1 (см. стр. 31)
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
1 З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
!АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «ЭЛеКС»
АО «Элекс»
:
~
! Cтp. lj
1 158
1 158
i 158
158
158
1 158
158
1 158
1160~
1 160
160
160
1 160
160 1
160
160
160
160
1 160
1 АО «Электронприбор» 1 160 J
j АО «Электронприбор» 1 160 ii
!АО «Электронприбор» 1 160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
АО «ЭЛИЗ»
160
ЗАО «Кремний»
162
1 ЗАО «Кремний» ! 162
11,34
1 162
ЗАО «Кремний» ! 162
1ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний» 1 162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний» 1 162
З-д «Искра»
1 162
ЗАО «Кремний» 1 162
ЗАО «Кремний» , 162
ЗАО «Кремний»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д «Транзистор»
164
З-д «Транзистор»
164
З-д «Микрон»
164
З-д «Микрон»
164
З-д «Микрон»
164
З-д «Микрон»
164 1
З-д «Микрон»
164

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
13
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
j КТ735Б
1З-д «Микрон»
164
i1кт1зsв
1З-д «Микрон»
164
КТ8107Г2
З-д «Искра»
170
КТ8107Д2
З-д «Искра»
170
КТ8127Б-1
1АО «Электронприбор» i 176
1
КТ8127В-1
АО «Электронприбор» i 176
КТ735Г
1з:д «Микрон»
164
КТ8107Е2
З-д «Искра»
170
КТ8129А
ЗАО «Кремний» i 176
!1КТ736А
128,40
164
: КТ736Б
i28,40
164
КТ8108А
АО сЭлектрон"прибор» 170
КТ8108Б
АО «Электронприбор» 170
КТ8130А
10, 12
! 176
КТ81ЗОБ
10, 12
1 176
1
КТ736В
128,40
164
КТ736Г
i28,40
164
КТ8108В
АО «Электронприбор» 170
КТ8108А-1
АО •Электронприбор» 170
КТ81ЗОВ
10, 12
1 176
1
КТ8131А
1ЗАО «Кремний» ' 176
1
КТ737А
З-д «Микрон»
164
КТ8108Б-1
АО «Электронприбор» 170
КТ8131Б
ЗАО «Кремний»
176
КТ737Б
З-д «Микрон»
164
КТ8108В-1
АО «Электронприбор» 170
КТ8131В
ЗАО «Кремний»
176
КТ737В
З-д «Микрон»
164
КТ8109А
10, 12
170
КТ8133А
ЗАО «Кремний»
176
КТ737Г
З-д «Микрон»
164
КТ8109Б
ЗАО «Кремний»
170
КТ81ЗЗБ
ЗАО «Кремний»
176
КТ738А
1 З-д «Транзистор» 1 164
КТ8110А
10, 12
170
КТ8134А
-
176
КТ739А
1 З-д «Транзистор» 1 166
КТ8110Б
10, 12
170
'
КТ8135А
-
1
176
1КТ740А
i7,З6
166
:iКТ740А1
f7,З6
1 166
КТ801А
!АО «Элекс»
166
КТ8110В
10, 12
i 170
КТ8111А9
1-
172
КТ8111Б9
-
172
КТ8136А
IAO «Элиз»
: 176
КТ8136А-1
iAO «ЭЛИЗ»
!176!
КТ8137А
iЗ-д «Искра»
1
176 1!
1
1 КТ801Б
iAO «Элекс»
1
166
1
КТ802А
: З-д «Искра»
: 166
КТ811189
1-
1 172
КТ8112А
10, 12
i 172
КТ8138А
1-
1
178 ~
КТ8138Б
-
!1781
1
КТ80ЗА
З-д «Искра»
166
КТ805А
7, 10
166
КТ811ЗА
З-д «Транзистор»
172
КТ811ЗБ
З-д «Транзистор»
172
КТ8138В
-
1 178
1
КТ8138Г
-
178
КТ805Б
7, 10
166
КТ811ЗВ
З-д «Транзистор»
172
КТ8138Д
-
178
КТ805АМ
7, 10, 12,28
166
КТ8114А
АО сЭлектронприбор» 172
КТ8138Е
-
178
КТ805БМ
7, 10, 12,28
166
КТ8114Б
АО «Электронприбор» 172
КТ8138Ж
-
178 11
КТ805ВМ
17, 10, 12,28
166
КТ8114В
АО «Электронприбор» 172
КТ8138И
1-
;178!i
КТ807А
1З-д «Искра»
166
1 КТ807Б
З-д «Искра»
166
!КТВО7АМ 1З-д «Искра»
i 168
· КТ807БМ
; З-д «Искра»
168
КТ8114Г
АО •Электронприбор» 172
КТ8115А
10,28
172
1
КТ8115Б
З-д «Транзистор»
172
КТ8115В
З-д «Транзистор»
172
КТ8140А
АО «ЭЛИЗ»
1 178
1
КТ8140А-1
IAO «Элиз»
i 178
КТ8141А
1 ЗАО «Кремний» i 178
1
1
КТ8141Б
ЗАО «Кремний» 1 178
1
КТ808А
1З-д «Искра»
1 168
КТ8116А
10,28
1 172
КТ8141В
ЗАО «Кремний»
178
КТ808А1
З-д «Искра»
168
КТ8116Б
З-д «Транзистор»
172
КТ8141Г
ЗАО «Кремний»
178
КТ808Б1
З-д «Искра»
168
КТ81168
З-д «Транзистор»
172
КТ814А
10, 12, 15,28,ЗЗ
178
КТ80881
З-д «Искра»
168
КТ8117А
З-д «Искра»
172
КТ814Б
10, 12, 15,28,ЗЗ
178
КТ808Г1
З-д «Искра»
168
КТВОВАЗ
1З-д «Искра»
168
КТ8117Б
З-д «Искра»
172
КТ8118А
З-д «Искра»
174
КТ814В
10, 12 , 15,28,ЗЗ
178
КТ814Г
10, 12 , 15,28.ЗЗ
178 11
КТ808БЗ
З-д «Искра»
168
КТ812А
10,З5
174
1
1
КТ8143А
10, 12,З4
178
КТ808АМ
1З-д «Искра»
168
КТ812Б
10,З5
174
КТ814ЗБ
10, 12,З4
178
~КТВОВБМ
i З-д «Искра»
168
КТ812В
10, З5
174
КТ814ЗВ
10, 12,З4
178
1
1
КТ808ВМ
: З-д «Искра»
1 168
КТ8120А
10,28
174
КТ814ЗГ
10, 12,З4
1
178
КТ808ГМ
!З-д «Искра»
168
КТ8121А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗД
10, 12,З4
1 178
КТ809А
1З-д «Искра»
1
168
1
КТ8121Б
З-д «Искра»
174
КТ814ЗЕ
110, 12,З4
1
178 1
1
КТ8101А
ЗАО «Кремний» 1 168
КТ8121А-1
З-д «Искра»
174
КТ814ЗЖ
10, 12,З4
1 178
КТ8101Б
ЗАО «Кремний»
168
КТ8121Б-1
З-д «Искра»
174
КТ81433 -
10, 12,З4
178
КТ8102А
ЗАО «Кремний»
168
КТ8121А-2
З-д «Искра»
174
КТ814ЗИ
10, 12,З4
178
КТ8102Б
ЗАО «Кремний»
168
КТ8121Б-2
З-д «Искра»
174
КТ814ЗК
10, 12,34
178
КТ8104А
ЗАО «Кремний»
168
КТ8123А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗЛ
10, 12,34
178
КТ8105А
ЗАО «Кремний»
170
КТ8124А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗМ
10, 12,34
i1781
КТ8106А
ЗАО «Кремний»
170
КТ8124Б
З-д «Искра»
174
КТ814ЗН
10, 12,34
11781
КТ8106Б
ЗАО «Кремний»
170
КТ81248
З-д «Искра»
174
КТ814ЗП
10, 12,34
11781
КТ8107А
1З-д «Искра»
! 170
КТ8125А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗР
10, 12,34
'
178 1
1
· КТ8107Б
З-д «Искра»
170
КТ8125Б
З-д «Искра»
1 174
КТ814ЗС
10, 12,34
i 178
'КТ8107В
1 З-д «Искра»
170
КТ8125В
З-д «Искра»
174
КТ814ЗТ
10, 12,34
1
178
1
КТ8107Г
З-д «Искра»
170
КТ8126А1
10,28
174
КТ814ЗУ
10, 12, 34
1
178
КТ8107Д
З-д «Искра»
170
КТ8126Б1
10,28
174
КТ814ЗФ
10, 12,34
178
КТ8107Е
З-д «Искра»
170
КТ8127А
АО «Электронприбор» 174
КТ8144А
З-д «Искра»
178
КТ8107А2
З-д «Искра»
170
КТ8127Б
АО сЭлектронприбор» 174
КТ8144Б
З-д «Искра»
178
КТ8107Б2
З-д «Искра»
170
КТ81278
АО «Электронприбор» 174
КТ8145А
З-д «Искра»
i 178
КТ810782
З-д «Искра»
170
КТ8127А-1
АО •Электронприбор» 176
КТ8145Б
З-д «Искра»
'
178
:

14
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
1
Тип
1 Изготовитель Стр.
1
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1
Изготовитель
i Стр.
прибора
(см. стр. 31)
jlКТ8146А
З-д «Искра»
180
КТ8175А
-
184
КТ8205А
1З-д «Микрон»
i 190
1 КТ8146Б
З-д «Искра»
180
КТ8147А
1З-д «Искра»
1 180
КТ8175Б
-
184
КТ8175А·1
-
186
КТ8207А
З-д «Микрон»
190
КТ8209А
З-д «Микрон»
190
КТ8147Б
13-д «Искра»
180
КТ8175Б·1
-
186
КТ820А·1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8149А
3-д «Искра»
180
КТ8176А
З-д «Транзистор»
186
КТ820Б-1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8149А-1
З-д «Искра»
180
КТ8176Б
З-д «Транзистор»
186
КТ8208·1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8149А-2
З-д «Искра»
180
КТ81768
З-д •Транзистор»
186
КТ8212А
З-д «Транзистор»
192
КТ8150А
З-д «Искра»
180
КТ8177А
3-д «Транзистор»
186
КТ8212Б
·
З-д «Транзистор»
192
КТ8150А-1
З-д «Искра»
180
КТ8177Б
З-д «Транзистор»
186
КТ8212В
З-д «Транзистор» 1 192
КТ8150А·2
1З-д «Искра»
180
КТ8154А
З-д «Искра»
180
I КТ8154Б
1З-д «Искра»
180
КТ81778
3-д «Транзистор»
186
КТ817А
10, 12, 15,28
186
КТ817Б
10, 12, 15,28
186
КТ821ЗА
1З-д «Транзистор» 1 192 ~
КТ821ЗБ
1З-д «Транзистор» : 192
!i
КТ821ЗВ
З-д «Транзистор»
192
1 КТ8155А
1З-д «Искра»
180
1 КТ8155Б
З-д «Искра»
180
КТ8178
10, 12, 15,28
186
КТ817Г
10, 12, 15,28
186
КТ8214А
З-д «Транзистор»
192
КТ8214Б
З-д «Транзистор»
192
1 КТ8156А
1З-д «Транзистор»
182
КТ817Б·2
10, 12, 15,28
186
КТ8214В
З-д «Транзистор»
192
1 КТ8156Б
З-д «Транзистор»
182
КТ817Г·2
10, 12 , 15,28
186
КТ8215А
З-д «Транзистор»
192
КТ8157А
З-д «Искра»
182
КТ8181А
-
186
КТ8215Б
З-д «Транзистор»
192
КТ8157Б
З-д «Искра»
182
КТ8181Б
-
186
КТ82158
З-д «Транзистор»
192
КТ8158А
3-д «Транзистор»
182
КТ8182А
-
186
КТ8216А
ЗАО «Кремний»
192
КТ8158Б
3-д «Транзистор»
182
КТ8182Б
-
186
КТ8216Б
ЗАО «Кремний»
192
КТ81588
3-д «Транзистор»
182
КТ818ЗА
-
186
КТ8216В
1ЗАО «Кремний»
' 192
1
КТ8159А
З-д «Транзистор»
182
!1 КТ8159Б
1 З-д «Транзистор»
182
КТ818ЗБ
-
186
КТ818ЗА-1
-
186
КТ8216Г
1ЗАО «Кремний»
1192il
КТ8216А1
ЗАО «Кремний»
11921!
1 КТ81598
1 З-д «Транзистор»
182
КТ818ЗБ-1
-
186
КТ8216Б1
ЗАО «Кремний» 1 192 11
IКТ815А
112, 15, 28, 33
182
КТ818ЗА-2
-
186
КТ821681
ЗАО «Кремний»
192
'
КТ815Б
12, 15 ,28 ,33
182
КТ818ЗБ-2
-
186
КТ8216Г1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8158
12, 15 ,28 ,33
182
КТ818А
10, 12 ,28
188
КТ8217А
ЗАО «Кремний»
194
КТ815Г
12, 15 ,28 ,33
182
КТ818Б
10, 12,28
188
КТ8217Б
ЗАО «Кремний»
194
КТ8163А
ЗАО «Кремний»
182
КТ8188
10, 12,28
188
КТ82178
ЗАО «Кремний»
194
КТ8164А
З-д «Транзистор»
182
КТ818Г
10, 12,28
188
КТ8217Г
ЗАО «Кремний»
194
КТ8164Б
З-д «Транзистор»
182
КТ818АМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ8217А1
ЗАО «Кремний»
194
КТ816А
12, 15 ,28 ,33
184
КТ816Б
112. 15, 28, 33
184
КТ8168
:12.15,28,33
184
КТ816Г
l12, 15, 28, 33
184
КТ818БМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ818ВМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ818ГМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ818А·1
ЗАО «Кремний»
1
188
1
КТ8217Б1
ЗАО «Кремний» 1 194
КТ8217В1
ЗАО «Кремний» 1 194
1
1
КТ8217Г1
ЗАО «Кремний» '
194
КТ821А-1
ЗАО «Кремний»
194
КТ816А-2
l12, 15, 28, 33
184
КТ818Б·1
ЗАО «Кремний»
188
КТ821Б-1
ЗАО «Кремний»
194
КТ8165А
1ЗАО «Кремний»
184
КТ818В·1
ЗАО «Кремний»
188
КТ821В·1
ЗАО «Кремний»
194
КТ8165Б
ЗАО «Кремний»
184
КТ818Г-1
ЗАО «Кремний»
188
КТ8218А
ЗАО «Кремний»
194
КТ81658
ЗАО «Кремний»
184
КТ8196А
ЗАО «Кремний»
188
КТ8218Б
ЗАО «Кремний»
194
КТ8165Г
ЗАО «Кремний»
184
КТ8197А-2
7,36
188
КТ8218В
ЗАО «Кремний»
194
КТ8166А
ЗАО «Кремний»
184
КТ8197Б-2
7,36
188
КТ8218Г
ЗАО «Кремний»
194
КТ8166Б
ЗАО «Кремний»
184
КТ8197В-2
7,36
188
КТ8218А1
ЗАО «Кремний»
194
КТ81668
1ЗАО «Кремний»
184
КТ8199А
З-д «Микрон»
188
КТ8218Б1
ЗАО «Кремний»
194
КТ8166Г
1ЗАО «Кремний»
184
КТ819А
10, 12
190
КТ821881
1ЗАО «Кремний» ! 194
1 КТ8167А
1ЗАО «Кремний»
1 184
КТ8167Б
1ЗАО о Кремний»
184
КТ819Б
10, 12
190
КТ819В
l10. 12
190
КТ8218Г1
1ЗАО «Кремний»
1 194
КТ8219А
ЗАО «Кремний» 1 196
КТ8167В
1ЗАО «Кремний»
184
КТ819Г
10, 12
190
КТ8219Б
ЗАО «Кремний»
196
КТ8167Г
ЗАО «Кремний»
184
КТ819АМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219В
ЗАО «Кремний» 1 196
КТ8167Д
1ЗАО «Кремний»
184
КТ819БМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219Г
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168А
ЗАО «Кремний»
184
КТ819ВМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219А1
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168Б
ЗАО «Кремний»
184
КТ819ГМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219Б1
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168В
ЗАО «Кремний»
184
КТ819А-1
ЗАО «Кремний»
190
КТ821981
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168Г
ЗАО «Кремний»
184
КТ8168Д
ЗАО «Кремний»
184
КТ8170А-1
З-д «Транзистор»
184
КТ819Б-1
ЗАО «Кремний»
190
КТ819В·1
ЗАО «Кремний»
190
КТ819Г·1
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219Г1
ЗАО «Кремний»
196 1
КТ8220А
ЗАО «Кремний»
196
1
КТ8220Б
ЗАО «Кремний»
1 196
КТ8170Б-1
1З-д «Транзистор»
184
КТ8171А
ЗАО «Кремний»
184
КТ8201А
З-д «Микрон»
190
КТ8203А
З-д «Микрон»
190
КТ82208
ЗАО «Кремний» ! 196
1
КТ8220Г
ЗАО «Кремний» i 196

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
15
~ Тип
1 Изготовитель
! прибора ! (см. стр. 31) Стр.
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
i Изготовитель ! Стр.11
прибора i (см. стр. 31)
~ КТ8221А 1ЗАО «Кремний»
196
КТ8241Д5
АО оЭлекс»
202
КТ836А
1
208
'КТ8221Б
ЗАО «Кремний»
196
КТ8241Е5
АО «Элекс»
202
КТ836Б
i
i 208
~ КТ8221В
1ЗАО «Кремний»
196
КТ8241Ж5
АО «Элекс»
202
КТ836В
1
1 208
11 КТ8221Г
1ЗАО «Кремний»
1 196
КТ8242А5
АО «Элекс»
202
КТ837А
7, 10, 12,28
208
iКТ8224А
З·д «Транзистор»
196
КТ8242Б5
АО «Элекс»
202
КТ837Б
7, 10, 12,28
208
КТ8224Б
1З-д «Транзистор»
196
КТ8242В5
АО оЭлекс»
202
КТ837В
7, 10, 12,28
208
КТ8225А
1З-д «Транзистор»
198
КТ8243А5
АО «Элекс»
202
КТ837Г
7, 10, 12,28
208
КТ8228А
З-д «Транзистор»
198
КТ8243Б5
АО «Элекс»
202
КТ837Д
7, 10, 12,28
208
КТ8228Б
З-д «Транзистор»
198
КТ8243В5
АО «Элекс»
202
КТ837Е
7, 10, 12,28
208
КТ8229А
iЗ-д «Транзистор» 198
КТ8244А5
АО «Элекс»
202
КТ837Ж
11. 10, 12, 28
120811
11КТВ22А-1
1ЗАО «Кремний»
198
КТ8244Б5
АО «ЭЛеКС»
202
IКТВ37И
17. 10, 12, 28
i208 1
~ КТ822Б-1
: ЗАО «Кремний»
198
КТ8244В5
АО «Элекс»
1 202
КТ837К
17. 10, 12, 28
1 208
1
11КТ822В-1
! ЗАО «Кремний»
198
1
iКТ823А-1
; ЗАО «Кремний»
198
КТ8244Г5
АО «Элекс»
202
КТ8245А5
АО «Элекс»
202 1
1 КТ837Л
7, 10, 12,28
208 1
КТ837М
17, 10, 12, 28
1 208
КТ823Б-1
1ЗАО «Кремний»
198
КТ8245Б5
АО «Элекс»
202
КТ837Н
7, 10, 12,28
208
КТ823В-1
1ЗАО «Кремний»
198
КТ8245В5
АО «Элекс»
202
КТ837П
7, 10, 12,28
1 208
КТ825Г
ЗАО «Кремний»
198
КТ8245Г5
АО «Элекс»
202
КТ837Р
7, 10, 12,28
208
КТ825Д
ЗАО «Кремний»
198
КТ8246А
7,З6
202
КТ837С
7, 10, 12,28
208
КТ825Е
ЗАО «Кремний»
198
КТ8246Б
7,З6
202
КТ837Т
7, 10, 12,28
208
КТ826А
АО«ЭЛИЗ»
198
КТ8246В
7,З6
202
КТ837У
7, 10, 12,28
208
КТ826Б
IAO «ЭЛИЗ»
198
КТ8246Г
7,З6
202
КТ837Ф
17. 10, 12, 28
1 208
1
11КТВ26В
iAO «Элиз•
1 198
JIКТ827А
!12, З5
1 198
~ктв21Б
:12.З5
198
:iктв21в : 12, З5
198
i1КТВ28А
IAO «Элиз»
198
! КТ828Б
IAO «ЭЛИЗ»
198
~
I КТ828В
АО «ЭЛИЗ»
198
КТ8247А
З-д «Транзистор»
204
КТ8248А1
З-д «Транзистор» 1 204
КТ8250А
взпп
1 204
КТ8250Б
взпп
204
КТ8251А
-
1 204
КТ8254А
ЗАО «Кремний»
1 204
КТ8255А
З-д «Транзистор»
204
1КТВЗВА
1АО «Эnектронприбор» i 208 i
КТВЗВБ
1АО «Эnектронприбор» 208 i
1 КТ839А
1АО «ЭnектронприбОР» j 208 11
1 КТ840А
110. 12
120811
КТ840Б
110. 12
: 208
1
КТ840В
1ЗАО «Кремний»
1 208
КТ841А
10, 12
210
1
КТ828Г
АО «ЭЛИЗ»
198
КТ8261А
З-д «Транзистор»
206
КТ841Б
10, 12
210
КТ829А
10, 12,З5
198
КТ8270А
З-д «Транзистор»
206
КТ841В
10, 12
210
КТ829Б
10, 12,З5
198
КТ8271А
З-д «Транзистор»
206
КТ841Г
ЗАО «Кремний»
210
КТ829В
10, 12,З5
198
КТ8271Б
З-д «Транзистор»
206
КТ841Д
ЗАО «Кремний»
210 1
КТ829Г
l10. 12, З5
198
КТ8271В
З-д «Транзистор»
206
1
КТ841Е
'ЗАО «Кремний» i 210 '!
КТ8230А
1З-д «Транзистор»
200
КТ8272А
З-д «Транзистор»
206
КТ842А
ЗАО «Кремний» 1
!
210
КТ8231А
!ЗАО «Кремний»
200
КТ8272Б
З-д «Транзистор»
206
КТ842Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ8231А1
1ЗАО «Кремний»
200
КТ8272В
З-д «Транзистор»
206
КТ842В
ЗАО «Кремний»
210
КТ8231А2
: ЗАО «Кремний»
200
КТ8232А1
l7,З6
200
КТ8232Б1
7,З6
200
КТ829А
10, 12,З5
206
КТ829Б
10, 12,З5
206 1
КТ829В
10, 12,З5
206
1 КТ844А
АО «Эnектронприбор» 1 210
1 КТ845А
АО «Эnектронприбор» 210
КТ846А
10,З4
210
КТ8233А5
АО «Элекс»
200
КТ829Г
10, 12,З5
206
КТ846Б
10,З4
210
КТ8233Б5
АО «Элекс»
200
КТ829АТ
ЗАО «Кремний»
206
КТ846В
10,З4
210
КТ8233В5
АО «Элекс»
200
КТ829АП
ЗАО «Кремний»
206
КТ847А
АО «ЭЛИЗ»
210
КТ8234А5
IAO «Элекс»
202
КТ829АМ
ЗАО «Кремний»
206
КТ847Б
АО «ЭЛИЗ»
210
1
КТ8234Б5
АО «Элекс»
202
КТ8290А
З-д «Транзистор»
206
КТ848А
АО «Эnектронприбор» i 210 1
КТ8234В5
IAO «Элекс»
202
КТВЗОА
ЗАО «Кремний»
206
КТ848Б
АО «Эnектронприбор» 1 210
КТ8235А
IAO «Элекс»
202
КТВЗОБ
ЗАО «Кремний»
206
КТ850А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240А5
IAO «Элекс»
202
ктвзов
ЗАО «Кремний»
206
КТ850Б
ЗАО «Кремний» 1 210
КТ8240Б5
IAO «Элекс»
1 202
ктвзог
ЗАО «Кремний»
206
КТ850В
ЗАО «Кремний» 1 210
КТ8240В5
АО «Элекс»
202
КТ831А
ЗАО «Кремний»
206
КТ851А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Г5
!АО «Элекс»
202
КТ831Б
ЗАО «Кремний»
208
КТ851Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Д5
АО «Элекс»
202
КТ831В
ЗАО «Кремний»
208
КТ851В
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Е5
АО «Элекс»
202
КТ831Г
ЗАО «Кремний»
208
КТ852А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Ж5
АО «Элекс»
202
КТ834А
АО «Эnектронприбор» 208
КТ852Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241А5
АО «Элекс»
202
КТ834Б
АО «Эnектронприбор» 208
КТ852В
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241Б5
АО «Элекс»
202
КТ834В
АО «Эпектронприбор» 208
КТ852Г
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241В5
АО «Элекс»
202
КТ835А
ПО «НИИЭТ»
208
КТ853А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241Г5
АО «Элекс»
202
КТ835Б
ПО «НИИЭТ»
208
КТ853Б
ЗАО «Кремний»
210

16
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
11
Тип
1
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
•
1!
Тип
Изготовитель
1 Стр.1!
прибора
(см. стр. 31)
1КТ853В
ЗАО «Кремний»
210
1
КТ85ЗГ
1ЗАО «Кремний»
210
КТ897Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ898А
ЗАО «Кремний»
216
КТ9134А
1 З-д «Пульсар»
' 226
'
КТ9134Б
1 З-д «Пульсар»
226
КТ854А
10, 12
210
КТ898Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ9136АС
ПО «НИИЭТ»
226
КТ854Б
10, 12
210
КТ898А·1
ЗАО «Кремний»
218
КТ914А
АО «Элекс»
226
КТ855А
ЗАО «Кремний»
210
КТ898Б-1
ЗАО «Кремний»
218
КТ9141А
З-д «Пульсар»
226
КТ855Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ899А
З-д «Искра»
218
КТ9141А-1
З-д «Пульсар»
226
КТ855В
ЗАО «Кремний»
210
КТ902А
ВЗПП
218
КТ9142А
ПО «НИИЭТ»
226
КТ856А
З-д «Искра»
210
КТ902АМ
взпп
218
КТ914ЗА
НПО «Планета»
226
КТ856Б
З-д «Искра»
210
КТ90ЗА
взпп
218
КТ914ЗБ
НПО «Планета»
226
КТ856А·1
1 З-д «Искра»
212
КТ90ЗБ
взпп
218
КТ914ЗВ
НПО «Планета» 1 226
КТ856Б·1
З-д «Искра»
212
КТ904А
ВЗПП
218
КТ9144А·5
ЗАО «Кремний» 1 228
КТ857А
110, 12
212
1 КТ858А
110. 12. 34
.
212
1КТ859А
10, 12, 34
212
КТ904Б
взпп
218
КТ907А
ПО «НИИЭТ»
218
КТ907Б
ПО «НИИЭТ»
218
КТ9145А-5
ЗАО «Кремний» ! 228 1
КТ9144А-9
ЗАО «Кремний» 1 228
КТ9145А-9
ЗАО «Кремний» 1 228
КТ862Б
З-д «Пульсар»
212
КТ908А
АО «ЭЛИЗ»
218
КТ9146А
З-д «Пульсар»
228
КТ862В
З-д «Пульсар»
212
КТ908Б
АО «Элиз»
218
КТ9146Б
З-д «Пульсар»
228
КТ862Г
З-д «Пульсар»
212
КТ909А
7,36
220
КТ9146В
З-д «Пульсар»
228
КТ86ЗА
ЗАО «Кремний»
212
КТ909Б
7,36
220
КТ9147АС
ПО «НИИЭТ»
228
КТ86ЗБ
ЗАО «Кремний»
212
КТ909В
7,36
220
КТ9150А
ПО «НИИЭТ»
228
КТ86ЗВ
ЗАО «Кремний»
212
КТ909Г
7,36
220
КТ9151А
ПО «НИИЭТ»
228
КТ864А
ЗАО «Кремний»
212
КТ9101АС
7,36
220
КТ9152А
ПО «НИИЭТ»
228
КТ865А
ЗАО «Кремний»
212
I КТ866А
1З-д «Пульсар»
212
КТ9104А
7,36
220
КТ9104Б
7,36
220
КТ915ЗАС
ПО «НИИЭТ»
1230 1
1'
КТ915ЗБС
ПО «НИИЭТ»
1 230
1КТ866Б
1 З-д «Пульсар»
212
КТ9105АС
7,36
220
КТ9155А
ПО «НИИЭТ»
230
КТ867А
10, 12
212
КТ9106АС-2
НПП «Пульсар»
220
КТ9155Б
ПО «НИИЭТ»
230
КТ868А
З-д «Искра»
214
КТ9106БС-2 НПП «Пульсар»
220
КТ9155В
ПО «НИИЭТ»
230
КТ868Б
З-д «Искра»
214
КТ9109А
7,36
220
КТ9156АС
ПО «НИИЭТ»
230
КТ872А
28,34
214
КТ9111А
З-д «Пульсар»
220
КТ9156БС
ПО «НИИЭТ»
230
КТ872Б
З-д «Транзистор» 214
КТ9115А
ЗАО «Кремний»
222
КТ9157А
ЗАО «Кремний»
230
КТ872В
3-д «Транзистор»
214
КТ9115Б
ЗАО «Кремний»
222
КТ9160А
З-д «Пульсар»
230
КТ874А
З-д «Пульсар»
214
КТ9116А
ПО «НИИЭТ»
222
КТ9160Б
З-д «Пульсар»
230
КТ874Б
З-д «Пульсар»
214
КТ9116Б
ПО «НИИЭТ»
222
КТ9160В
З-д «Пульсар»
230
КТ878А
З-д «Искра»
214
КТ911А
7,36
222
КТ9161АС
ПО «НИИЭТ»
232
1
КТ878Б
З-д «Искра»
214
КТ911Б
7,36
222
КТ9164А
3-д «Пульсар»
1 232
КТ878В
З-д «Искра»
214
КТ911В
7,36
222
КТ9166А
ЗАО «Кремний»
232
КТ879А
З-д «Искра»
214
КТ911Г
7,36
222
КТ916А
З-д «Транзистор» 232
КТ879Б
З-д «Искра»
214
КТ912А
З-д «Пульсар»
222
КТ916Б
З-д «Транзистор» 232
КТ885А
З-д «Пульсар»
214
КТ912Б
З-д «Пульсар»
222
КТ917ЗА
по .нииэт.
232
КТ885Б
З-д «Пульсар»
214
КТ9131А
З-д «Пульсар»
222
КТ9174А
ПО «НИИЭТ»
232
КТ886А·1
АО «Электронприбор» 214
КТ9132АС
ПО «НИИЭТ»
222
КТ9176А
З-д «Искра•
232
КТ886Б-1
АО •Электронnрибор» 214
КТ91ЗА
З-д «Транзистор»
222
КТ9177А
З-д «Искра»
232
КТ887А
ЗАО «Кремний»
214
КТ91ЗБ
З-д «Транзистор»
222
КТ9180А
ЗАО «Кремний»
234
КТ887Б
ЗАО «Кремний»
214
КТ913В
З-д «Транзистор»
222
КТ9180Б
ЗАО «Кремний» 1 234
КТ888А
ЗАО «Кремний»
216
КТ9120А
ЗАО «Кремний»
222
КТ9180В
ЗАО «Кремний»
234
КТ888Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ9121А
З-д «Пульсар»
224
КТ9180Г
ЗАО «Кремний»
234
КТ890А
АО «Элиз»
216
КТ9121Б
З-д «Пульсар»
224
КТ9181А
ЗАО «Кремний»
234
КТ890Б
АО «Элиз»
216
КТ9121В
З-д «Пульсар»
224
КТ9181Б
ЗАО «Кремний»
234
КТ890В
АО «Элиз»
216
КТ9121Г
З-д «Пульсар»
224
КТ9181В
ЗАО «Кремний»
234
КТ892А
3-д «Искра»
216
КТ9125АС
ПО «НИИЭТ»
224
КТ9181Г
ЗАО «Кремний»
234
КТ892Б
3-д «Искра»
216
КТ9126А
3-д «Пульсар»
224
КТ918А-2
З-д «Транзистор» 234
КТ892В
З-д «Искра»
216
КТ9127А
З-д «Пульсар»
224
КТ918Б-2
З-д «Транзистор»
234
КТ89ЗА
АО «ЭЛИЗ»
216
КТ9127Б
З-д «Пульсар»
224
КТ9182А
ПО «НИИЭТ»
234
КТ896А
ЗАО «Кремний»
216
КТ9128АС
ПО «НИИЭТ»
224
КТ9186А
ЗАО «Кремний»
234
КТ896Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ91ЗОА
ЗАО «Кремний»
224
КТ9186Б
ЗАО «Кремний»
234
КТ897А
ЗАО «Кремний»
216
КТ91ЗЗА
7,36
224
КТ9186В
ЗАО «Кремний»
234

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Тип
прибора
' 1 КТ9186Г
::кт91ввд
ii КТ9189А-2
,1 КТ9189Б-2
! КТ9189В-2
1
11КТ919А
1 КТ919Б
КТ919В
1 КТ919Г
КТ9190А
11 КТ9190А-4
IJ КТ9192А-2
! КТ9192Б-2
1
llКТ9193А
J КТ919ЗБ
КТ919ЗА-4
КТ919ЗБ-4
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
ji КТ922А
i!КТ922Б
1! КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
1
i1КТ927Б
1 КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
КТ9ЗОА
КТ9ЗОБ
1
!КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ9ЗЗА
КТ9ЗЗБ
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
2зак9
1 Изготовитель
(см. стр. 31)
: ЗАО «Кремний»
: ЗАО «Кремний»
17.36
1
17.36
17.36
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
7,36
17.36
17.36
17.36
17.36
!7.36
7,36
7,36
7,36
7,36
7,36
17.36
1З-д «Пульсар»
1З-д «Пульсар»
!7.36
17.36
17.36
7,36
7,36
7,36
.
7,36
7,36
17.36
АО «Элиз»
jAO «Элиз»
!З-д «Пульсар•
1З-д «Пульсар»
1 З-д «Пульсар»
28,33
28,33
28,33
7,36
17.36
17.36
7,36
З-д ниипп
З-д ниипп
З-д ниипп
З-дНИИПП
З-дНИИПП
7,36
7,36
7,36
J7,36
Стр.!
234
234
2З4
234
234
234
234 1
234
234
236
236
1 236
1 236
1 236
236
238
238
238
238
238
238
238
' 238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
i 238
238
1 238
238
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
1
Тип Изготовитель 1
1
Стр.!'
1
.
прибора
(см. стр. 31)
1--~-~l-----il--~--~~l---!-----i1
1 КТ934Д
!7, 36
240 1
1КТ935А
JАО «Элиз»
240
1
1 КТ936А
1 З-д «Пульсар»
1
240
КТ936Б
З-д «Пульсар»
1 242
КТ937А-2
З-д «Пульсар»
1 242
КТ937Б-2
З-д «Пульсар»
242
КТ938А-2
З-д «Транзистор»
242
КТ938Б-2
З-д «Транзистор»
242
КТ939А
З-д «Транзистор»
242
КТ939Б
З-д «Транзистор»
242
КТ940А
110. 12, 28, 33
242 1
КТ940Б
10, 12 ,28 ,33
242
1
КТ940В
110, 12, 28, 33
242
КТ940А1
10, 12 ,28 ,33
242 1
1 КТ940Б1
10, 12 ,28 ,33
1242 1
1
1 КТ940В1
10, 12 ,28 ,33
242
, КТ94 0А-5
10, 12 ,28 ,33
242
КТ940Б-5
10, 12 ,28 ,33
242
КТ940В-5
10, 12 ,28 ,33
242
КТ940А9
10, 12 ,28 ,33
1 242
КТ940Б9
10, 12 ,28 ,33
1 242
КТ942В
З-д «Пульсар»
244
КТ94ЗА
АО «ЭЛИЗ»
1 244
КТ94ЗБ
АО«ЭЛИЗ»
244
КТ94ЗВ
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ94ЗГ
АО «Элиз»
244
КТ94ЗД
АО «Элиз»
244
КТ944А
АО «Элиз»
244
КТ945А
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ945Б
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ945В
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ945Г
АО «Элиз»
244
КТ946А
З-д «Пульсар»
244
КТ947А
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ948А
З-д «Пульсар»
244
КТ948Б
З-д «Пульсар»
244
КТ955А
АО «ЭЛИЗ»
246
КТ956А
АО «Элиз»
246
КТ957А
АО «Элиз»
246
КТ958А
7,36
1 246
КТ960А
7,36
246
КТ961А
10. 12 ,28 ,33
1
246
1
КТ961Б
10, 12,28,33
246
КТ961В
110, 12, 28, 33
246
КТ961Г
10, 12 ,28 ,33
246
КТ961А1
110, 12, 28, 33
246
КТ961Б1
10, 12 ,28 ,33
246
КТ961В1
10, 12 ,28 ,33
246
КТ962А
7,36
246
КТ962Б
7,36
246
КТ962В
7,36
246
КТ963А-2
З-д «Пульсар»
246
КТ96ЗБ-2
З-д «Пульсар»
1
246
17
Тип Изготовитель '
11
прибора (см. стр. 31) : Стр. 11
КТ96ЗА-5 iЗ-д «Пульсар» , 246 i!
f---КТ_9_6З_Б_-_s__~!-З_-д_«П_у_л_ь_с_аР_>_>----< -24_6_ __.i !
КТ965А
АО «Элиз»
248 'I
КТ966А
1АО «Элиз»
248 "
--- --- --< --- --- --- ----<1
КТ967А
КТ969А
КТ969А1
КТ969А-5
КТ970А
КТ971А
КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
КТ97ЗА
КТ973Б
КТ97ЗВ
КТ97ЗГ
КТ976А
КТ977А
КТ979А
IКТ980А
КТ980Б
1 КТ981А
КТ98ЗА
КТ98ЗБ
КТ98ЗВ
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
КТ986А
КТ986Б
КТ986В
КТ986Г
КТ991АС
1 КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
КТ996А-5
КТ996Б-5
КТ996В-5
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
КТД8264А
КТД8264А5
КТД8275А
КТД8275Б
, КТД8275В
1 КТД8276А
КТД8276Б
КТД8276В
1 КТД8276Г
IAO «ЭЛИЗ•
10, 12,28
10, 12,28
10, 12,28
7,36
7,36
f28,33
128,33
28,33
28,33
128.33
128.33
28,33
28,33
7,36
З-д «Пульсар»
1З-д «Пульсар»
!З-д «Пульсар»
1
i З-д «Пульсар»
!АО «Элиз»
ПО «НИИЭТ»
IПО «НИИЭТ»
ПО «НИИЭТ»
7,36
7,36
7,36
З-д «Пульсар»
1 З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
7,36
З-д «Пульсар»
1 З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
АО «Элиз»
iAo «Элиз•
IAO «ЭЛИЗ»
10,35
1АО «Орбита»
АО «Орбита»
ЗАО «Кремний»
, ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
1ЗАО «Кремний»
i24811
'
248
248
248
248
1
248 !
1
1
248 1:
1 248
1
248
1 248
1 250
!
1
i250i
250
250
1 250
--<
250 1:
1
250 11
250
250
250
1 250
1 250
!
250
252
252
252
! 252
.1
i 252
11
1 252
252
1
1 252
1
252 1
1
! 252
252
252
! 252
1
1 252
1
252
·1
' 252
11,,
11
1252 1
125411
1254 ~
' 254
1
254
254 1
254
1
254
1 254
1 254
'
254
1

18
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Кремниевые сборки
i1
Тип
1 Изготовитель 1 С
'и
прибора 1 (см. стр. 31) 1 тр.
I КТСЗОЗА-2 1З-д ПО«Альфа» ! 256
КТСЗ10ЗА
1З-д ПО«Альфа»
256
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КТСЗ94А-2
АО «Элекс»
258
КТСЗ94Б-2
АО «Элекс»
258
Тип
i Изготовитель i
1i
прибора 1 (см. стр. 31) i Стр. ·1
КТС631Б
1З-д «Транзистор» i 260
11
КТС631В
1 З-д «Транзистор» 260
КТСЗ10ЗБ
З-д ПО«Альфа»
256
КТС395А-1
АО «Элекс»
258
КТС631Г
З-д «Транзистор» 260
КТСЗ10ЗА1
З-д ПО«Альфа»
256
КТСЗ95Б-1
АО «Элекс»
1 258
КТ674АС
АО «Элекс»
260
КТСЗ10ЗБ1
З-д ПО«Альфа»
256
КТСЗ95А-2
АО «Элекс»
258
КТ677АС
АО «Элекс»
260
КТСЗ161АС
АО «Элекс»
256
КТСЗ95Б-2
АО «ЭЛеКС»
i 258
КТ678АС
IAO «Элекс»
262
КТСЗ174АС-2 АО «Элекс»
256
КТСЗ81Б
1-
256
КТС381В
:-
256
КТСЗ95В-2
АО «Элекс»
258
КТСЗ98А-1
АО «Светлана»
258
кtСЗ98Б-1
АО «Светлана»
258
КТ69ЗАС
1ЗАО «Кремний» 1 262
К1НТ251
7,З6
!262 1
К1НТ661А
IAO «Элекс»
1262 ~
КТСЗ81Г
1
256
i-
1
11 КТСЗ81Д
i-
1 256
11 КТСЗ81Е
1-
256
КТСЗ98А9
АО «Светлана»
260
КТС398Б9
АО «Светлана»
260
КТС61ЗА
З-д «Транзистор» 260
К129НТ1А-1 1-
'
262 ii
К129НТ1Б-1 '
262 11
1-
"
1
К129НТ1В-1 1-
1 262 "ii
11 КТСЗ9ЗА
1 З-д ПО«Альфа» 1 258
КТСЗ93Б
: З-д ПО«Альфа»
258
КТС39ЗА-1
З-д ПО«Альфа» 1 258
КТСЗ9ЗБ-1
З-д ПО«Альфа»
258
КТСЗ9ЗА-9
З-д ПО«Альфа»
258
КТСЗ9ЗБ-9
З-д ПО«Альфа»
258
КТС61ЗБ
1З-д «Транзистор» 260
КТС61ЗВ
З-д «Транзистор» 260
КТС61ЗГ
З-д «Транзистор» 260
КТС622А
взпп
260
КТС622Б
ВЗПП
260
КТС631А
З-д «Транзистор» 260
К129НТ1Г-1
i-
'
262 11
'
К129НТ1Д-1 1-
i262·1
К129НТ1Е·1
!2621
-
1
К129НТ1Ж-1 -
262
К129НТ1И-1
-
1
262
11
Германиевые транзисторы специального назначения
~ Тип
Изготовитель 1
'
1 Стр.
i прибора; (см. стр. 31)
1
Тип 1 Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Изготовитель
!'
Тип 1
iстр.1:
прибора
(см. стр. 31)
11 п101
1АО «Светлана»
1 264
1Т3110А-2 СКБ «Элькор»
266
ПЗВЗБ-2 -
! 268
1Т101А 1АО «Светлана»
1 264
1ТЗ1ЗА
З-д «Квазар»
1 266
ПЗВЗВ-2 -
1 268
1Т101Б 1АО «Светлана»
264
1ТЗ1ЗБ
З-д «Квазар»
266
1Т386А
З-д «Транзистор»
1 268
1Т102
АО «Светлана»
264
1Т31ЗВ
З-д «Квазар»
266
ПЗ87А·2 СКБ «Элькор»
i 268
1Т102А 1АО «Светлана»
264
1ТЗ20А
оТонди электроника»
266
ПЗ87Б-2 СКБ «Элькор»
268
1Т115А 1ЗАО «Кремний»
264
ПЗ20Б
«Тонди электроника»
266
1Т403А 1-
! 268
1Т115Б 1ЗАО «Кремний»
264
1Т320В
«Тонди электроника»
266
1Т40ЗБ -
1
268
1
J п11sв 1ЗАО «Кремний»
264
1ТЗ21А
СКБ «Элькор»
266
1Т403В 1-
' 268
j 1Т115Г ЗАО «Кремний»
264
1ТЗ21Б
СКБ «Элькор»
266
1Т40ЗГ 1-
' 268
l 1T116A 1ЗАО «Кремний»
264
1
1Т321В
СКБ «Элькор»
266
1Т40ЗД -
268
l П116Б 1.ЗАО «Кремний»
1 264
1ТЗ21Г
СКБ «Элькор»
1 266
1Т40ЗЕ -
: 268
~ 1Т116В 1ЗАО «Кремний»
1 264
1ТЗ21Д
СКБ «Элькор»
266
1Т40ЗЖ 1
1 268
1-
il 1Т116Г 1ЗАО «Кремний»
264
1ТЗ21Е 1СКБ «Элькор»
1 266
1Т40ЗИ -
i 268
1ТЗОЗ
;-
264
1ТЗ29А 1З-д ПО«Альфа»
1
266
1Т612А-4 СКБ «Элькор»
!2701
1ТЗОЗА -
264
ПЗОЗБ -
264
1Т329Б
З-д ПО«Альфа»
266
ПЗ29В
З-д ПО«Альфа»
266
1Т614А СКБ «Элькор»
270
1
1Т615
-
270 1
1ТЗОЗВ -
264
ПЗЗОА
З-д «Пульсар»
266
1Т702А
З-д ПО «ФОТОН»
270
1
пзозг
-
264
ПЗЗОБ
З-д «Пульсар»
266
1Т702Б З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗОЗД -
264
пззов
З-д «Пульсар»
266
1Т702В
З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗО5А 1НПО «Планета»
1 264
пззог
З-д «Пульсар»
266
1Т806А ЗАО «Кремний»
270
1ТЗО5Б 1НПО «Планета»
264
1ТЗЗ5А
«Тонди электроника»
266
1Т806Б 1ЗАО «Кремний»
270
пзоsв 1НПО «Планета»
264
1ТЗЗ5Б
«Тонди электроника»
266
1Т806В
ЗАО «Кремний»
270
:11тзовд : СКБ «Элькор»
1 264
1ТЗЗ5В
«Тонди электроника»
266
1Т81ЗА ЗАО «Кремний»
270
1ТЗО8Б 1СКБ «Элькор»
264
пзовв 1 СКБ «Элькор»
264
пззsг
«Тонди электроника»
266
1ТЗЗ5Д
«Тонди электроника»
266
1Т81ЗБ
ЗАО «Кремний»
270
1Т81ЗВ
ЗАО «Кремний»
270
пзовг
СКБ «Элькор»
264
1Т341А
З-д ПОаАльфа»
266
1Т901А З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗ11А
З-д «Квазар»
264
1Т341Б
З-д ПО«Альфа»
266
1Т901Б
З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗ11Б
З-д «Квазар»
264
1ТЗ41В
З-д поадльфа»
266
1Т905А
З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗ11Г
З-д «Квазар»
264
1Т311Д
З-д «Квазар»
264
1ТЗ11К
З-д «Квазар»
264
1ТЗ11Л : З-д «Квазар»
264
1ТЗ62А
З-д «Квазар»
268
1ТЗ74А-6 З-д «Квазар»
268
1ТЗ76А
НПО «Планета»
268
ПЗВЗА-2 1-
1
268
1
1Т906А
З-д ПО «ФОТОН»
1 270
11
1Т910АД З-д ПО «ФОТОН»
! 270
11
1'
:1

.r'казатель транзисторов и предприятий-изготовителей
19
Кремниевые транзисторы специального назначения
!!
Тип
1 Изготовитель
Стр.
jl прибора 1 (см. стр. 31)
1
Тип
Изготовитель 1
11
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.1
Тип
1
Изготовитель 1
ii
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.11
'
.
:12Т104А
1З-д «Искра»
272
12Т104Б
!З-д «Искра»
272
'
il2T104B
!З-д «Искра»
272
1
i' 2Т104Г
l З-д «Искра»
1 272
2Т214Г-1
АО «Элекс»
274
2Т214Д-1
АО «Элекс»
274
2Т214Е-1
АО «Элекс»
274
2Т214А·5
АО «Элекс»
1 274
2ТЗ117А
i4.28
1
278
1
1
12ТЗ117Б 4,28
i278 1
·взпп
1
1
2ТЗ12А
278
1
2ТЗ12Б
ВЗПП
1 278
1
1 2Т117А
1З-д «Старт»
272
2Т214Б-5
АО «Элекс»
274
2ТЗ12В
взпп
278
2Т117Б
З-д «Старт»
272
2Т214В-5
АО «Элекс»
274
2ТЗ120А
АО «Светлана»
278
2Т117В
З-д «Старт»
272
2Т214Г-5
АО «Элекс»
274
2ТЗ121А-6
1НПО «Планета»
280
2Т117Г
З-д «Старт»
272
1.2Т117А-5 З-д «Старт»
272
i!2Т118А
1З-д «Пульсар»
272
: 2Т118Б
З-д «Пульсар»
272
1
112т11вв
1З-д «Пульсар»
272
1
i! 2Т118А-1
З-д «Пульсар»
1 272
1
2Т214Д-5
АО «Элекс»
274
2Т214Е-5
АО «Элекс»
274
2Т214А-9
АО «Элекс»
1 276
2Т214Б-9
!до «Элекс»
276
2Т214В-9
АО «Элекс»
276
2Т214Г-9
АО «Элекс»
276
12ТЗ12ЗА·2
З-д ПО «Альфа»
280
1
2ТЗ12ЗБ·2
1З-д ПО «Альфа»
280
i2ТЗ12ЗВ·2 1З-д ПО «Альфа»
280 ii
2ТЗ124А-2
!З-д «Пульсар»
12801
2ТЗ124Б-2
З-д «Пульсар»
1 280
2ТЗ124В-2
З-д «Пульсар»
1 280
112т11вБ-1
1З-д «Пульсар»
272
2Т214Д-9
АО «Элекс»
276
2ТЗ129А9
4,33
280
!i 2Т126А-1
1З-д «Старт»
272
2Т214Е-9
АО «Элекс»
276 1 2ТЗ129Б9
'4,33
12801
12Т126Б-1
: З-д «Старт»
272
2Т215А-1
АО «Элекс»
1 276
2ТЗ129В9
4,33
280
2Т126В-1
З-д «Старт»
272
2Т215Б-1
АО «Элекс»
276
2ТЗ129Г9
4,33
280
2Т126Г-1
З-д «Старт»
272
2Т215В-1
АО «Элекс»
276
2ТЗ129Д9
4,33
280
2Т127А-1
З-д «Старт»
272
2Т215Г-1
АО «Элекс»
276
2ТЗ1ЗА
4,32 ,33
280
2Т127Б-1
З-д «Старт»
272
2Т215Д·1
АО «Элекс»
276
2ТЗ13Б
4,32,ЗЗ
1 280
112т121в-1
1З-д «Старт»
1 272
12т121г-1
1З-д «Старт»
1 272
l12T201A
[АО «Светлана»
272
f!2Т201Б
1АО «Светлана»
1 272
1
li 2Т201В
1АО «Светлана»
272
2Т215Е-1
АО «Элекс»
276
12Т215А·5
АО «Элекс»
276
12Т215Б-5
АО «Элекс»
276
2Т215В-5
АО «Элекс»
276
2Т215Г·5
АО «Элекс»
276
2ТЗ1ЗОА·9
14.ЗЗ
1280 1
11
2ТЗ1ЗОБ·9
14.32. 33
' 280
11
1:
2ТЗ1ЗОВ-9
4,33
'280!
'
2ТЗ1ЗОГ-9
4,33
1 280
1
2ТЗ1ЗОД-9
14. 33
1 280
12т201г
1АО «Светлана»
272
12Т201Д
1АО «Светлана»
272
2Т202А-1
1ЗАО «Кремний»
274
2Т215Д-5
АО «Элекс»
1 276
2Т215Е-5
АО «Элекс»
276
2Т215А·9
!до «ЭЛеКС»
276
2ТЗ1ЗОЕ-9
4, 33
1
280
1
2ТЗ132А-2
1з-д «Пульсар»
1 280
2ТЗ132Б-2
З-д «Пульсар»
280 1
2Т202Б-1
ЗАО «Кремний»
274
2Т215Б-9
АО «Элекс»
276
2ТЗ132В-2
З-д «Пульсар»
280
2Т202В-1
ЗАО «Кремний»
274
2Т215В-9
АО «Элекс»
276
2ТЗ132Г-2
З-д «Пульсар»
280
2Т202Г-1
ЗАО «Кремний»
274
2Т215Г-9
АО «ЭЛеКС»
276
2ТЗ1ЗЗА
28, 33
1
280
1
12Т202Д-1
ЗАО «Кремний»
274
12Т20ЗА
IAO «Элекс»
274
2Т20ЗБ
4,33
274
2Т215Д-9
АО «Элекс»
276
2Т215Е-9
АО «Элекс»
1 276
2тзо1г
ВЗПП
276
2ТЗ1ЗЗА-2
28. 33
1282 i
2ТЗ134А-1
!АО «Элекс»
i282:i
!
1
2ТЗ135А·1
2,33
282
12т2озв
14,33
274
2ТЗО1Д
взпп
276
2ТЗ150Б2
2, 33
282
2Т20ЗГ
4,33
274
2ТЗО1Е
ВЗПП
276
2ТЗ152А
ЗАО «Кремний»
282
2Т203Д
IAO «Элекс»
274
2ТЗО1Ж
ВЗПП
276
2ТЗ152Б
1ЗАО «Кремний»
282
2Т205А-З
IAO «Элекс»
274
2ТЗ06А
7,26
276
2ТЗ152В
ЗАО «Кремний»
282
2Т205Б-З
АО «Элекс»
274
2ТЗ06Б
7,26
276
2ТЗ152Г
ЗАО «Кремний»
282
2Т208А
ЗАО «Кремний»
274
2ТЗО6В
7,26
276
2ТЗ152Д
ЗАО «Кремний»
282
2Т208Б
ЗАО «Кремний»
274
2ТЗ06Г
7,26
276
2ТЗ152Е
ЗАО «Кремний»
282
2Т208В
ЗАО «Кремний»
274
2ТЗ07А-1
взпп
276
2ТЗ154А-1
АО «Светлана»
282
2Т208Г
ЗАО «Кремний»
274
2Т307Б-1
взпп
276
2ТЗ156А-2
1АО «Светлана»
1282 1
2Т208Д
1ЗАО «Кремний»
274
2Т208Е
1ЗАО «Кремний»
274
2Т307В-1
взпп
276
2ТЗ07Г-1
взпп
276
2ТЗ158А-2
1З-д «Транзистор» : 284 1
2ТЗ16А
АО «Светлана»
128411
1
! 2Т208Ж
1ЗАО «Кремний»
274
1 2Т208И
'ЗАО «Кремний»
274 1
1 2т2овк
iЗАО «Кремний» 1 274
1
l 2Т208Л
1ЗАО «Кремний»
274
2Т208М
'ЗАО «Кремний»
274
2ТЗ101А·2
АО «Светлана»
276
1
2ТЗ106А-2
АО «Светлана»
278
2ТЗ108А
З-д ПО «Альфа»
278
2ТЗ108Б
З-д ПО «Альфа» 1 278
2ТЗ108В
З-д ПО «Альфа» ! 278
2ТЗ16Б
1АО «Светлана»
12841!
2ТЗ16В
iАО «Светлана» : 284 1!
l 2тз1&г
1АО «Светлана»
1284 1
1
2ТЗ16Д
1АО «Светлана• i 284
2ТЗ160А-2
1З-д «Транзистор» ' 284
2Т211А-1
АО «Элекс»
274
2ТЗ114А-6
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ162А
12,33
284
2Т211Б-1
АО «Элекс»
274
2ТЗ114Б-6
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ162А5
i2.зз
284
2Т211В-1
АО «Элекс»
274
2Т214А-1
АО «Элекс»
274
2Т214Б-1
АО «Элекс»
274
2Т214В-1
АО «Элекс»
274
2ТЗ114В-6
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ115А-2
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ115Б·2
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ115А-6
З-д «Пульсар»
1 278
'
2ТЗ164А
1 з-д по «Альфа»
284
1
2ТЗ167А-7
1АО «Светлана» i 284
2ТЗ17А-1
IПРЗПП
1 284
l, 2ТЗ17Б-1
284 ~
IПРЗПП

20
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
ИзгоУовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
: 2ТЗ17В-1
IПРЗПП
284
2ТЗ55А
АО «Светлана»
288
2ТЗ99А
1АО «Светлана» i 296
'2ТЗ175А
АО «Элекс»
286
2ТЗ60А-1
З-д ПО «Альфа»
288
2Т504А
ЗАО «Кремний» 1 298
2ТЗ18А-1
ПРЗПП
286
2ТЗ60Б-1
З-д ПО «Альфа»
288
2Т504Б
ЗАО «Кремний» i 298 1'
1 2ТЗ18Б-1
ПРЗПП
286
2ТЗ60В-1
З-д ПО «Альфа»
288
2Т504А-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18В-1
ПРЗПП
286
2ТЗ6ЗА
З-д ПО «Альфа»
290
2Т504Б-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18Г-1
ПРЗПП
286
2ТЗ6ЗБ
З-д ПО «Альфа»
290
2Т505А
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18Д-1
ПРЗПП
286
2ТЗ64А-2
З-д ПО «Альфа»
290
2Т505Б
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18Е-1
ПРЗПП
286
2ТЗ64Б-2
З-д ПО «Альфа»
290
2Т505А-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18В1-1
ПРЗПП
286
2ТЗ64В-2
З-д ПО «Альфа»
290
2Т506А
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ187А-9
НПО «Планета»
286
2ТЗ66А-1
ниимп
290
2Т506Б
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ187А-91
НПО «Планета»
286
2ТЗ66Б-1
ниимп
290
2Т506А-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ19А-1
1-
286
2ТЗ19Б-1
1-
286
2ТЗ66В-1
ниимп
290
2ТЗ66Б1-1
ниимп
1 290
2Т509А
1 ЗАО «Кремний»
298 11
2Т509А-5
ЗАО «Кремний» ! 298 1i
1
2ТЗ19В-1
1-
286
2ТЗ67А
-
290
2Т528А-9
АО «Элекс»
1
300
1
2ТЗ21А
13, 15,23
286
2ТЗ68А
АО «Светлана»
290
2Т528Б-9
АО «Элекс»
! 300
2ТЗ21Б
13, 15,23
286
2ТЗ21В
13, 15, 23
1 286
2ТЗ21Г
13, 15,23
286
2Т368Б
АО «Светлана»
290
2ТЗ68А-9
АО «Светлана»
290
2ТЗ68Б-9
АО «Светлана»
1 290
2Т528В-9
АО «Элекс»
300
1
2Т528Г-9
АО «Элекс»
300
2Т528Д-9
АО «Элекс»
300
2ТЗ21Д
13, 15,23
286
2ТЗ70А-1
З-д ПО «Альфа»
290
2Т602А
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ21Е
13, 15,23
286
2ТЗ70Б-1
З-д ПО «Альфа»
290
2Т602Б
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ24А-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ70А9
З-д ПО «Альфа»
292
2Т602АМ
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ24Б-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ70Б9
З-д ПО «Альфа»
292
2Т602БМ
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ24В-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ24Г-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ71А
АО «Светлана»
292
2Т372А
З-д «Пульсар»
1 292
2Т60ЗА
НПО «Планета»
300
1
2Т60ЗБ
НПО «Планета»
300
2ТЗ24Д-1
АО «Светлана»
286
ll2T324E-1
1АО «Светлана»
286
: 2ТЗ25А
АО «Светлана»
286
1
12ТЗ25Б
1АО «Светлана»
286
2ТЗ72Б
З-д «Пульсар»
292
2ТЗ72В
З-д «Пульсар»
292
2ТЗ77А-2
З-д «Транзистор»
292
2ТЗ77Б-2
З-д «Транзистор»
292
2Т60ЗВ
НПО «Планета» 1 300 11
2Т60ЗГ
НПО «Планета» ' 300 1
1
1
2Т60ЗИ
НПО «Планета» 1 300
2Т606А
ПО «Знамя»
1 300
1
2ТЗ25В
1АО «Светлана»
286
2Т377В-2
З-д «Транзистор»
292
2Т607А-4
З-д «Транзистор» 300
2ТЗ26А
32,33
286
2ТЗ77А1-2
З-д «Транзистор»
292
2Т608А
ПО «Знамя»
300
2ТЗ26Б
4,33
286
2ТЗ77Б1-2
З-д «Транзистор»
292
2Т608Б
ПО «Знамя»
300
2ТЗЗ1А-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ77В1·2
3-д «Транзистор»
292
2Т610А
З-д •Транзистор»
302
2ТЗЗ1Б-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ78А-2
З-д «Транзистор»
292
2Т610Б
З-д «Транзистор»
302
2ТЗЗ1В-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ78Б-2
З-д «Транзистор»
292
2Т624А-2
З-д «Транзистор»
302
2ТЗЗ1Г-1
1СКБ «Элькор»
288
2Т378Б-2·1
З-д «Транзистор»
292
2Т624АМ-2
З-д «Транзистор» 302 1
12тзз1д-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗЗ2А-1
1-
288
2ТЗ78А1-2
З-д «Транзистор»
292
2ТЗ78Б1-2
З-д «Транзистор»
292
2Т625А-2
З-д «Транзистор» 1 302
11
2Т625Б-2
З-д «Транзистор» 1 302
'
12тзз2Б-1
1
288
1-
2ТЗ81А-1
СКБ «Элькор»
294
2Т625АМ-2
1З-д «Транзистор» 1 302
2ТЗЗ2В-1
1-
288
2ТЗ81Б-1
СКБ «Элькор»
294
2Т625БМ-2
З-д «Транзистор»
302
2ТЗ32Г-1
-
288
2ТЗ81В-1
СКБ «Элькор»
294
2Т629А-2
АО «Элекс»
1 302
2ТЗЗ2Д-1
-
288
2ТЗ81Г-1
СКБ «Элькор»
294
2Т629А-5
АО «Элекс»
302
2ТЗЗЗА-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ81Д-1
СКБ «Элькор»
294
2Т629АМ-2
32,33
302
2ТЗЗЗБ-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ82А
АО «Светлана»
294
2Т630А
ЗАО «Кремний»
304
2ТЗЗЗВ-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ82Б
АО «Светлана»
294
2Т6ЗОБ
ЗАО «Кремний»
304
2ТЗЗЗГ-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ84А-2
З-д с Транзистор»
294
2Т630А-5
ЗАО «Кремний»
304
2ТЗЗЗД-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ84АМ-2
З-д «Транзистор»
294
2Т632А
АО «Элекс»
304
2ТЗЗЗЕ-З
З-д «Экситон»
288
2ТЗ85А-2
З-д «Транзистор»
294
2Т6ЗЗА
З-д «Транзистор» 1 304
2ТЗЗ6А
АО «Светлана»
288
2ТЗ85А-9
28,33
294
2Т634А-2
З-д «Транзистор» 1 304
2ТЗЗ6Б
IAO «Светлана»
288
2ТЗ85АМ-2
З-д «Транзистор»
294
2Т635А
З-д «Транзистор» 1 304
2ТЗЗ6В
АО «Светлана»
288
2ТЗ88А·2
32,33
294
2Т637А-2
З-д «Транзистор»
304
2ТЗЗ6Г
АО «Светлана»
288
2ТЗ88А-5
32,33
296
2Т638А
304
2ТЗЗ6Д
АО «Светлана»
288
2ТЗ88АМ-2
32,33
296
2Т640А·2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ36Е
АО «Светлана»
288
2ТЗ89А-2
АО «Элекс»
296
2Т640А1-2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ48А-З
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ91А-2
З-д «Пульсар»
296
2Т640А-6
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ48Б-З
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ91Б-2
З-д «Пульсар»
296
2Т640А-5
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ48В-З
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ92А-2
З-д ПО «Альфа»
296
2Т642А-2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ54А-2
АО «Светлана»
288
2Т396А-2
АО «Светлана»
296
2Т642А1-2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ54Б-2
АО «Светлана»
288
2Т397А-2
АО «Светлана»
296
2Т642Б1-2
З-д «Пульсар»
306

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
21
Тип
Изготовитель
Стр.
1
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
IJ 2T642B1-2
1З-д «Пульсар»
306
2Т716В
ЗАО «Кремний»
1 314
2Т831В-1
1ЗАО «Кремний» ! 322 1
'
i
!' 2Т642Г1-2
З-д «Пульсар»
306
il2T642A-5
1 З-д «Пульсар»
306
i 2Т642А1·5 'З-д «Пульсар»
306
2Т716А-1
ЗАО «Кремний»
316
1
2Т716Б-1
ЗАО «Кремний»
316
2Т716В·1
ЗАО «Кремний»
316
12твз1г-1
1ЗАО «Кремний»
132211
"
12твз2д
1
322 1!
1-
11
2Т832Б
1-
i322 1
i
l 2T643A-2
1 З-д «Пульсар»
306
2Т643Б-2
1 З-д «Пульсар»
308
'
J 2T643A-5
1З-д оl1ульсар»
308
1
J 2T647A-2
З-д «Пульсар»
308
2Т718д
1З-д «Искра»
i 316
2Т718Б
З-д «Искра»
316
2Т803д
З-д «Искра»
1 316
2Т808д
З-д «Искра»
1
316
1
2Т834А
IAO «Элиз»
1 322
1
2Т834Б
iAo «Элиз»
1
322
1
2Т834В
iAO «ЭЛИЗ»
322
2Т836А
i ЗАО «Кремний»
322
2Т647А-5
З-д «Пульсар»
308
2Т808А·2
З-д «Искра»
1 316
2Т836Б
1ЗАО «Кремний»
322
2Т648А-2
З-д «Пульсар»
308
2Т648А-5
З-д «Пульсар»
308
2Т649А-2
З-д «Пульсар»
308
i 2T652A
: З-д «Транзистор» 1 308
1
i 2Т652А-2
1 З-д «Транзистор»
308
[ 2Т653д
i ЗАО «Кремний»
310
~2Т653Б 1ЗАО «Кремний»
310
~2Т657А-2 1З-д «Пульсар»
310
112Т657Б-2
1З-д «Пульсар»
1 310
1
il2T657B-2
! З-д «Пульсар»
1 310
i2Т658А-2 НПО «Планета»
310
12Т658Б·2 НПО «Планета»
310
2Т658В-2
НПО «Планета»
310
J 2T663A
IAO «Элекс»
310
12Т809А
З-д «Искра»
1 316
2Т812А
10,35
1 3111
l 2Т812Б
l10,35
1 316
!12тв1вд 1ЗАО «Кремний»
1 316
1
12тв1вБ
1ЗАО «Кремний»
1 316
l 2тв1вв
ЗАО «Кремний»
316
12тв1вд.2
ЗАО «Кремний» 1 318
12Т818Б-2
1ЗАО «Кремний»
318
1
1 2Т818В-2
ЗАО «Кремний» ! 318 11
J 2T819A
1ЗАО «Кремний»
1 318
1
1
2Т819Б
ЗАО «Кремний»
1318 1
2Т819В
ЗАО «Кремний» 1 318
2Т819А·2
ЗАО «Кремний»
318
2Т819Б-2
1ЗАО «Кремний»
1 318
2Т836В
1ЗАО «Кремний»
322
2Т836Г
1ЗАО «Кремний»
322
[2Т836А-5
1
1 ЗАО «Кремний»
' 322!'
1
1
12Т837А : З-д «Искра»
:
322 JI
2Т837Б
1З-д «Искра»
1322 1
2Т837В
1З-д «Искра»
13221
1
12твз1г
1 З-д «Искра»
1 322
!2Т837Д
1З-д «Искра»
1 322
l 2T837E
1 З-д «Юпитер»
322
12Т839д
iAO «Элиз»
i 322
2Т841А
[ЗАО «Кремний» 1 324
2Т841Б
1ЗАО «Кремний»
1 324
2Т841В
1ЗАО «Кремний»
1 324
2Т841А-1
1ЗАО «Кремний»
'
324
1
1!2Т663Б
IAO «Элекс»
1 310
1
1
12Т664А9-1 1ЗАО «Кремний»
1 310
1
~2Т664Б9-1 : ЗАО «Кремний»
1
310 1
!i 2Т665д9-1
1ЗАО «Кремний»
1 310
1
1
2Т819В-2
ЗАО «Кремний»
1318 1
2Т824А
ЗАО «Кремний»
131811
2Т824Б
ЗАО «Кремний» : 318 1
:
2Т824АМ
ЗАО «Кремний»
1 318
1
2Т841Б-1
1 ЗАО «Кремний»
324
l2T842A
: ЗАО «Кремний»
1 324
112Т842Б
: ЗАО «Кремний»
324
12тВ42д-1
!ЗАО «Кремний» i 324
1
!
~2Т665Б9-1 : ЗАО «Кремний»
1 310
2Т824БМ
1ЗАО «Кремний»
1 318
2Т842Б-1
1ЗАО «Кремний»
1 324
0 2Т669д
: З-д «Транзистор»
1
310
1
2Т825А
ЗАО «Кремний»
318
2Т844А
IAO «Элиз»
1 324
2Т669д1
1З-д «Транзистор» ' 312
!
2Т825Б
ЗАО «Кремний» 1 318
2Т845А
IAO «ЭЛИЗ»
1 324
2Т671А-2
З-д «Пульсар»
312
2Т825В
ЗАО «Кремний»
318
2Т847А
АО «ЭЛИЗ»
324
2Т672А-2
З-д «Транзистор»
З12
2Т825А-2
ЗАО «Кремний» 1 318
2Т847Б
АО «Элиз»
324
2Т679А-2
32,З3
312
2Т825Б-2
ЗАО «Кремний»
318
2Т848А
10,35
З24
2Т679Б-2
АО «Элекс»
З12
2Т825В-2
ЗАО «Кремний»
318
2Т856А
З-д «Искра»
1 324
2Т679А-5
'АО «Элекс»
312
2Т825А-5
ЗАО «Кремний»
318
2Т856Б
1З-д «Искра»
1324 1
2Т679Б·5
АО«Элекс»
З12
2Т682А-2
3-д «Пульсар»
1 З12
2Т826А
АО «Элиз»
1 320
2Т826Б
АО «Элиз»
1 320
12Т856В
i З-д «Искра»
З24 ~
2Т856Г
1З-д «Искра»
1 326
2Т682Б-2
1 З-д «Пульсар»
312
2Т826В
АО «Элиз»
1 320
12Т860А
1ЗАО «Кремний»
1 326
'2Т687АС2
З-д «Пульсар»
312
2Т826А-5
АО «Элиз»
320
2Т860Б
1ЗАО «Кремний»
326
2Т687БС2
3-д «Пульсар»
312
2Т827А
АО «Элиз»
320
2Т860В
ЗАО «Кремний»
326
2Т688А2
З-д «Пульсар»
312
2Т827Б
АО «Элиз»
320
2Т861А
ЗАО «Кремний»
326
2Т688Б2
З-д «Пульсар»
312
2Т691А2
З-д «Пульсар»
314
2Т827В
АО «Элиз»
320
2Т827А-5
АО «Элиз»
320
12Т861Б
ЗАО «Кремний»
326
2Т861В
ЗАО «Кремний»
326
2Т693АС
ЗАО «Кремний»
314
2Т827А·2
АО «ЭЛИЗ»
320
2Т862А
З-д «Пульсар»
326
2Т704А
АО «Элиз»
314
2Т704Б
АО «Элиз»
314
2Т708д
ЗАО «Кремний»
314
2Т708Б
1ЗАО «Кремний»
314
2Т708В
1 ЗАО «Кремний»
314
12Т709А 1ЗАО «Кремний»
314
2Т709Б
ЗАО, «Кремний»
314
l2Т709В
1ЗАО «Кремний»
314
2Т827Б-2
АО «Элиз»
320
2Т827В·2
АО «Элиз»
320
2Т828д
АО «Элиз»
320
2Т828Б
АО «ЭЛИЗ»
320
1
2Т830А
ЗАО «Кремний»
320
2Т830Б
ЗАО «Кремний»
320
2Т830В
ЗАО «Кремний»
320
2Т830Г
1 ЗАО «Кремний»
1 320
2Т862Б
З-д «Пульсар»
326
1
2Т862В
З-д «Пульсар»
1 326
1З-д «Пульсар»
1
2Т862Г
13261
2Т866А
1З-д «Пульсар»
1 326
1
2Т867А
1З-д «Искра»
13261!
"
12Т874А
2Т874Б
З-д «Пульсар»
326
З-д «Пульсар»
326
ЗАО «Кремний»
328
2Т875А
2Т709А2
ЗАО «Кремний»
314
2Т830В-1
ЗАО «Кремний»
320
2Т875Б
ЗАО «Кремний»
328
2Т709Б2
ЗАО «Кремний»
314
2Т830Г-1
ЗАО «Кремний»
320
2Т875В
ЗАО «Кремний»
328
2Т709В2
ЗАО «Кремний»
314
2Т831А
ЗАО «Кремний»
322
2Т875Г
ЗАО «Кремний»
328
2Т713А
АО «Элиз»
314
2Т831Б
ЗАО «Кремний»
322
2Т876А
ЗАО «Кремний»
328
2Т716А
ЗАО «Кремний»
314
2Т831В
ЗАО «Кремний»
322
2Т876Б
ЗАО «Кремний»
328
2Т716Б
ЗАО «Кремний»
314
2Т831Г
ЗАО «Кремний»
322
2Т876В
ЗАО «Кремний»
328

22
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
112Т876Г
1ЗАО «Кремний»
328
1!2Т877А
1ЗАО «Кремний»
1 328
1
1
:12твпБ
1ЗАО «Кремний»
328
1
j 2Т877В
ЗАО «Кремний»
328
!l 2T878A
1З-д «Искра»
328
1
!'2Т878Б
1 З-д «Искра»
328
2Т878В
1 З-д «Искра»
328
2Т879А
З-д «Искра»
328
2Т879Б
З-д «Искра»
328
2Т880А
ЗАО «Кремний»
328
2Т880Б
ЗАО «Кремний»
328
2Т880В
1
ЗАО «Кремний» 1 328
112тввог
ЗАО «Кремний» 1 328
12Т880А-5 1ЗАО «Кремний»
1 328
1 2Т880Б-5
1 ЗАО «Кремний»
328 1
1
!2Т881А
1ЗАО «Кремний»
328 11
2Т881Б
1ЗАО «Кремний»
328
2Т881В
ЗАО «Кремний»
328
2Т881Г
ЗАО «Кремний»
328
2Т881А-5
ЗАО «Кремний»
328
2Т881Б-5
ЗАО «Кремний»
328
2Т882А
ЗАО «Кремний»
328
2Т882Б
1ЗАО «Кремний»
328
2Т882В
1ЗАО «Кремний»
328
2Т88ЗА
i ЗАО «Кремний»
330
12тввзБ
1ЗАО «Кремний»
1 330
1
12твв4д
1 ЗАО «Кремний»
1 330
l 2Т884Б
iЗАО «Кремний» 1 330
1
12Т885А 1З-д «Пульсар»
330
2Т885Б
З-д «Пульсар»
330
2Т886А
1ЗАО «Кремний»
330
2Т886Б
ЗАО «Кремний»
330
2Т887А
ЗАО «Кремний»
330
2Т887Б
1 ЗАО «Кремний»
330
2Т888А
1ЗАО «Кремний»
330
2Т888Б
1 ЗАО «Кремний»
330
2Т891А
i З-д «Пульсар»
330
2Т903А
взпп
330
2Т903Б
взпп
330
2Т904А
ПО «Знамя»
330
2Т907А
взпп
332
2Т908А
З-д «Искра»
332
2Т909А
взпп
332
2Т909Б
взпn
332
2Т~101АС
lвзпп
332
2Т9102А-2
1З-д «Пульсар»
332
2Т9102Б-2
1З-д «Пульсар»
332
2Т9103А-2
1З-д «Пульсар»
332
2Т9103Б-2
З-д «Пульсар»
332
2Т9104А
взпп
332
2Т9104Б
взпп
332
2Т9105АС
взпп
332
2Т9107А-2
З-д «Пульсар»
334
2Т9108А-2
З-д «Пульсар»
334
2Т9109А
взпп
334
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
11
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
2Т9110А-2
З-д «Пульсар»
334
2Т9110Б-2
! З-д «Пульсар»
334
12Т9111А
1З-д «Пульсар»
334
2Т9112А
iAo «Элиз»
1 334
1 2Т911ЗА
!АО «Элиз»
334
2Т9114А
З-д «Пульсар»
336
2Т9114Б
! З-д «Пульсар»
336
2Т911А
lвзпп
336
2Т911Б
взпп
336
2Т912А
13-д «Пульсар»
336
2Т912Б
3-д «Пульсар»
336
2Т912А-5
З-д «Пульсар»
336
2Т912Б-5
13-д «Пульсар»
336
2Т913А
3-д «Транзистор»
336
2Т91ЗБ
3-д «Транзистор»
336
2Т913В
13-д «Транзистор» 336
2Т9117А
1ЗАО «Кремний»
1 336
2Т9117Б
1ЗАО «Кремний»
336
2Т9117В
1 ЗАО «Кремний»
336
2Т9117Г
ЗАО «Кремний»
336
2Т9118А
3-д «Пульсар»
336
2Т9118Б
!3-д «Пульсар»
336
2Т9118В
!3-д «Пульсар»
336
1! 2Т9119А-2
1 338
2Т9121А
З-д «Пульсар»
1 338
12Т9121Б
13-д «Пульсар»
338
12Т9121В ·
З-д «Пульсар»
338
11
l12Т9121Г 1 З-д «Пульсар»
1
112Т9122А З-д «Пульсар»
338
2Т9122Б
З-д «Пульсар»
338
2Т9123А
АО оЭлиз»
338 1
2Т912ЗБ
АО «Элиз»
338 1
2Т9124А
З-д «Пульсар»
338
2Т9124Б
З-д «Пульсар»
338
2Т9125АС
взпп
338
2Т9126А
З-д «Пульсар»
340
2Т9127А
3-д «Пульсар»
340
2Т9127Б
З-д «Пульсар»
340
2Т9127В
З-д «Пульсар»
340
2Т9127Г
3-д «Пульсар»
340
2Т9127Д
З-д «Пульсар»
340
2Т9127Е
З-д «Пульсар»
340
2Т9127Ж
З-д «Пульсар»
340
2Т9127И
З-д «Пульсар»
340
2Т9127К
З-д «Пульсар»
340
2Т9128АС
ПО оНИИЭТ»
340
2Т9129А
З-д «Пульсар»
340
2Т9130А
ЗАО «Кремний»
340
2Т9131А
З-д «Пульсар»
340
2Т9132АС
ПО «НИИЭТ»
340
2Т9133А
3-д «Пульсар»
342
2Т9134А
З-д «Пульсар»
342
2Т9134Б
З-д «Пульсар»
342
2Т9135А-2
З-д «Пульсар»
342
2Т9137А
З-д «Пульсар»
342
Тип
Изготовитель
1 Стр.11
прибора
(см. стр. 31)
2Т9137Б
З-д «Пульсар»
~3421!
,12Т9138А
1
1!
IAO «Элиз»
1 342
'1
2Т9139А
lзп
1344 li
-д « ульсар»
1!
2Т9139Б
1 З-д «Пульсар»
344
2Т9139В
З-д «Пульсар»
1 344 i11
2Т9139Г
З-д «Пульсар»
344
1
2Т9140А
З-д «Пульсар»
344
2Т914А
АО «Элекс»
344 1
2Т9143А
НПО оПланета»
344 1
i
2Т9146А
З-д «Пульсар»
344 '!
2Т9146Б
З-д «Пульсар»
344
1
2Т9146В
З-д «Пульсар»
344
2Т9146Г
З-д «Пульсар»
1344 1
'
2Т9146Д
З-д «Пульсар»
344 1
1
,2Т9146Е
1 З-д «Пульсар»
! 344
1
2Т9146Ж
З-д «Пульсар»
! 344
1
1 2Т9146И
З-д «Пульсар»
i3441
2Т9146К
З-д «Пульсар»
344 1
2Т9147АС
ПО «НИИЭТ»
344 1!
2Т9149А
З-д «Пульсар»
=J~tJ
1 2Т9149Б
1З-д «Пульсар»
.
1
2Т9153АС
lпо .нииэт» 1 346 11
2Т9153БС
ПО «НИИЭТ»
:346i1
12Т9155А lпо «НИИЭТ» 1----~~-J
112Т9155Б 1по «НИИЭТ» ! 346 11
ll 2T9155B
1ПО «НИИЭТ»
!346!
12Т9156АС ПО «НИИЭТ» 1 346
1
346
1
1~ 2Т9156БС ПО «НИИЭТ»
346
346
346
12Т9158А
НПП «Пульсар»
2Т9158Б
НПП «Пульсар»
1: 2Т9159А
З-д «Пульсар»
346
348
12Т9159А5
З-д «Пульсар»
12Т916А
З-д «Транзистор»
2Т9161дС
по .нииэт»
1 348
2Т9162А
1 З-д «Пульсар»
1 348
2Т9162Б
З-д «Пульсар»
i 348
2Т9162В
З-д «Пульсар»
1 348
2Т9162Г
З-д «Пульсар»
348
2Т9164А
З-д .пульсар»
1 348
2Т9175А
ПО «НИИЭТ»
348
2Т9175Б
ПО «НИИЭТ»
348
2Т9175В
ПО «НИИЭТ»
348 ,
2Т9175А-4 ПО «НИИЭТ» 350 1
2Т9175Б-4
ПО «НИИЭТ»
350
3_т_9_1_1s_в_-,_4_ __,11-п_о_.н_и_и_э_т_»__-+1-з_5_о___,11[,
2Т9183А-5 IAO «Элекс»
1350 11
2Т9184А
1 З-д «Искра»
1350li
lf------+--------~----il
2Т9188А
1ПО «НИИЭТ»
13501
2Т9188А-4
350
2Т919А З-д «Пульсар» 352 1
2Т919Б
3-д •ПУ"~Р•
352
2Т919В
З-д «Пульсар»
352
2Т919А-2
З-д «Пульсар»
352
2Т919Б-2
З-д «Пульсар»
352
2Т919В-2
З-д «Пульсар» 1 352

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
23
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
2Т920А
IВ3ПП
352
2Т944А
3-д «Искра»
358
2Т975Б
13-д «Пульсар» ! 364 1
1
1
i 2Т920Б
IВ3ПП
1 352
1
!12Т920В
IВ3ПП
352
1
2Т945А
АО «ЭЛИЗ»
358
2Т945Б
АО «Элиз»
1 358
2Т976А
IВ3ПП
'
: 364 "11
2Т977А
13-д «Пульсар»
13641
112Т921А
i3-д «Пульсар»
352
2Т945В
АО «ЭЛИЗ»
358
2Т978д
3-д «Искра»
364
1
13-д «Пульсар»
i 2Т921А-4
352
1
2Т945А-5
АО «Элиз•
358
2Т978Б
3-д «Искра»
364
1· 2Т922А
jв3пп
352
2Т946А
22,35
358
2Т979А
3-д «Пульсар»
364
2Т922Б
В3ПП
352
2Т947А
3-д «Искра»
358
2Т980А
3-д «Пульсар»
364
2Т922В
В3ПП
352
2Т948А
3-д «Пульсар•
358
2Т980Б
3-д «Пульсар»
364
2Т925А
В3ПП
352
2Т948Б
3-д «Пульсар»
358
2Т981А
АО «Элиз»
366
2Т925Б
В3ПП
352
2Т949А
-
358
2Т982А-2
3-д «Пульсар•
366
2Т925В
В3ПП
352
2Т950д
3-д «Пульсар»
358
2Т982А-5
3-д «Пульсар•
366
2Т926А
IAO «ЭЛИЗ»
352
l 2T928A
13-д «Транзистор» 1 354 11
2Т950Б
3-д «Пульсар•
358
2Т951А
3-д «Пульсар»
360
12Т983А
lв3пп
i
366 1.
1
2Т983Б
lв3ПП
1 366
11
l2Т928Б
13-д «Транзистор» 354 1
2Т951Б
3-д «Пульсар»
360
2Т983В
В3ПП
1 366
1
1
2Т929А
!В3ПП
354
2Т951В
3-д «Пульсар»
360
2Т984А
В3ПП
366
2Т930А
IВ3ПП
354
2Т955д
АО «Элиз•
360
2Т984Б
В3ПП
366
2Т9ЗОБ
В3ПП
354
2Т956А
АО «Элиз•
360
2Т985АС
В3ПП
366
2Т931А
В3ПП
354
2Т957д
АО «ЭЛИЗ»
360
2Т986д
3-д «Пульсар»
366
2Т932А
3-д ниипп
354
2Т958А
В3ПП
360
2Т986Б
3-д «Пульсар»
366
2Т932Б
3-д ниипп
354
2Т960д
В3ПП
360
2Т986В
3-д «Пульсар»
366
2Т933А
3-д ниипп
354
2Т962А
В3ПП
360
2Т986Г
3-д «Пульсар»
366
2Т933Б
13-д ниипп
354
2Т934А
IВ3ПП
354
1
112Т934Б
lв3пп
354
~2Т934В 183ПП
1 354
2Т962Б
В3ПП
360
2Т962В
В3ПП
1 360
2Т963А-2
3-д «Пульсар»
1 360
2Т963Б-2
3-д «Пульсар»
1 360
2Т987д
3-д «Пульсар»
1 366
12Т988А 13-д «Пульсар»
1
368
,I
'
12Т988Б
13-д «Пульсар»
i 368
11
2Т989А
13-д «Пульсар» ' 368
i2Т935А :до «Элиз»
354
2Т963А-5
3-д «Пульсар»
i 362
2Т989Б
3-д «Пульсар»
1 368
12Т935А-5 IAO «Элиз»
356
2Т937А-2
13-д «Пульсар»
356
2Т937Б-2
3-д «Пульсар»
356
2Т964А
3-д «Пульсар»
362
2Т965А
В3ПП
362
2Т966А
В3ПП
362
2Т989В
3-д «Пульсар»
368
2Т989Г
3-д «Пульсар»
368
2Т990А-2
3-д «Пульсар»
368
2Т937А-5
13-д «Пульсар»
356
2Т967А
АО «Элиз•
362
2Т991АС
В3ПП
368
2Т938А-2
13-д «Транзистор• 356
2Т968А
3-д «Искра»
362
2Т993д
АО «Элиз»
368
2Т939А
3-д «Транзистор»
356
2Т968А-5
3-д «Искра»
362
2Т994А-2
3-д «Пульсар»
368
2Т939Б
13-д «Транзистор• 356
2Т970А
В3ПП
362
2Т994Б-2
3-д «Пульсар»
368
1
2Т939А1
13-д «Транзистор• 356
l 2T941A
IAO «Элекс»
356 1
1
1
!12Т942А
13-д «Пульсар»
356
l 2Т942Б
13-д «Пульсар»
356
2Т971А
В3ПП
364
2Т974А
3-д «Пульсар»
364
2Т974Б
3-д «Пульсар»
1 364
2Т974В
3-д «Пульсар»
1 364
2Т994В-2
3-д «Пульсар»
!368:1
i3-д «Пульсар»
.!
12Т995А-2
i 370 111
2Т996А-5
13-д «Пульсар»
1 370
1
1
l 2Т996Б-5
13-д «Пульсар»
370
2Т942А-5
/3-д «Пульсар»
356
2Т974Г
3-д «Пульсар»
364
2Т998А
370
2Т942Б-5
13-д «Пульсар»
356
2Т975д
3-д «Пульсар»
364
Кремниевые сборки специального назначения
11
Тип
Изготовитель
Стр.
1· прибора
(см. стр. 31)
1
i 2ТСЗОЗА-2 13-д ПО «Альфа»
372
Тип
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
2ТЗ155БС-1 АО «Светлана»
1 372
Тип
1 Изготовитель :
11
1с
1
прибора 1 (см. стр. 31) ; тр. 1'
'
1
2ТС61ЗБ
13-д «Транзистор» : 374 1:
;12тсз1озд i3-д ПО «Альфа»
372
2ТС393А-1
3-д ПО «Альфа»
! 372
2ТС622А
lв3пп
1
374 ::
1
:12тсз1озБ 13-д ПО «Альфа»
372
112ТСЗ111А-1 iНИИМП
1 372
:· 2ТС3111 Б-1 IНИИМП
1 372
2ТС393Б-1 3-д ПО «Альфа»
1 372
2ТС393А-9 13-д ПО «Альфа»
1
372
1
2ТСЗ9ЗБ-9 3-д ПО «Альфа»
i 372
2ТС622Б
IВ3ПП
13741,
1:
2ТС622Б-1 jВ3ПП
'
374
11
2Т670АС
13-д «Транзистор» 1 374
1
~2ТС3111В-1 ниимп
372
2ТСЗ111Г-1 ниимп
372
2ТСЗ98А-1 АО «Светлана»
372
2ТС398Б-1
АО «Светлана»
372
2ТС687АС-2 13-д «Пульсар»
i 376
2ТС687БС-2 13-д «Пульсар»
i 376
2ТСЗ111Д-1 ниимп
372
2ТСЗ98А-94 АО «Светлана»
374
2Т689АС
В3ПП
i 376
2ТС3136А-1 3-д ПО «Альфа»
372
2ТС398Б-94 АО «Светлана»
374
2ТС843А
АО «Плутон»
1 376
2ТЗ155АС-1 АО «Светлана»
372
2ТС61ЗА
3-д «Транзистор»
374
2ТС941А-2
АО «Элекс»
! 376

24
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Полевые транзисторы
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
АП320А-2
НПП «Пульсар»
392
l!АП320Б-2 1НПП «Пульсар»
'
392
1
НПП «Пульсар»
392
I АП324А-2
11АП324Б-2
1 НПП «Пульсар»
392
АПЗ24В-2
1НПП «Пульсар»
392
АПбОЗА-5
3-д «Пульсар»
398
АПбОЗБ-5
3-д «Пульсар»
398
АП604А-2
3-д «Пульсар»
398
АП604Б-2
3-д «Пульсар»
398
АП604В-2
3-д «Пульсар»
1 398
1
КП10ЗЕР1
ППО «Октябрь»
404
КП10ЗЖР1
1ППО «Октябрь»
14041
КП103ИР1
ППО «Октябрь»
404
КП103КР1
1ППО «Октябрь»
1 404
1
КП10ЗЛР1
ППО «Октябрь»
404
АП324Б-5
1НПП «Пульсар»
1 392
АП604Г-2
3-д «Пульсар»
398
КП10ЗМР1
ППО «Октябрь•
404
АПЗ25А-2
НПО «Планета»
392
АП604А1-2
НПО «Планета»
400
КП103Е9
18,33
404
АПЗ26А-2
НПО «Планета»
392
АП604Б1-2
3-д «Пульсар»
400
КП10ЗЖ9
18, 33
404
АП326Б-2
НПО «Планета»
392
АП604В1-2
3-д «Пульсар»
400
КП10ЗИ9
18,33
404
АП328А-2
НПО «Планета»
394
АП604Г1-2
3-д «Пульсар»
400
КП103К9
18,33
404
АПЗЗОА-2
НПО «Планета»
394
АП605А-2
3-д «Пульсар»
400
КП103Л9
18,33
404
АПЗЗОБ-2
НПО «Планета»
394
АПЗЗОВ-2
1НПО «Планета»
394
АП605А1-2
НПО «Планета»
400
АП605А2-2
НПО «Планета»
400
КП103М9
l18, 33
1 404
~
КП150
7,36
1 406
, АПЗЗОВ1-2
1НПО «Планета»
394
'
1 АПЗЗОВ2-2
1НПО «Планета»
1 394
АПЗЗОВЗ-2
i НПО «Планета»
394
АП606А-2
3-д «Пульсар»
400
АП606Б-2
3-д «Пульсар»
400
АП606В-2
3-д «Пульсар»
400
КП201Е-1
АО «ВОСХОД•
i4061
КП201Ж-1
АО «ВОСХОД»
i 406
КП201И-1
АО «ВОСХОД»
406
АП331А-2
1НПО «Планета»
394
АП606А-5
3-д «Пульсар»
400
КП201К-1
АО «Восход•
406 1
АП331А-5
НПО «Планета»
394
АП606Б-5
3-д «Пульсар»
400
КП201Л-1
АО «Восход»
406
АП339А-2
НПО «Планета»
394
АП606В-5
3-д «Пульсар»
400
КП202Д-1
АО «Восход»
406
АПЗ4ЗА-2
НПО «Планета»
394
АП607А-2
3-д «Пульсар»
400
КП202Е-1
АО «Восход•
406
АП343А1-2
НПО «Планета»
394
АП608А-2
3-д «Пульсар»
402
КП214А-9
3-д «Транзистор»
406
АП343А2-2
НПО «Планета»
394
АП608Б-2
3-д «Пульсар»
402
КП240
7,36
406
АП343АЗ-2
НПО «Планета»
394
АП608В-2
3-д ~<Пульсар»
402
КП250
7,36
406
1 АП344А-2
1НПО «Планета»
396
АП344А1-2
НПО «Планета»
396
АП608А-5
3-д «Пульсар»
402
АП608Д-5
3-д «Пульсар•
402
КПЗО1Б
ППО «Октябрь» 1 406
КПЗО1В
ППО «Октябрь»
406
11 АП344А2-2
1НПО «Планета»
396
IАПЗ44АЗ-2 ! НПО «Планета»
396
АП608Е-5
3-д «Пульсар»
402
АП915А-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗО1Г
ППО «Октябрь• ! 406
1
КПЗ02А
ППО «Октябрь»
1 406
1 АП344А4-2
1НПО «Планета•
396
АП354А-5
НПО «Сатурн»
396
АП915Б-2
3-д «Пульсар»
402
1
АП925А-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗО2Б
ППО «Октябрь»
1 406
КПЗ02В
ППО «Октябрь»
406
АП354Б-5
НПО «Сатурн»
396
АП925Б-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗО2Г
ППО «Октябрь»
406
АП354В-5
НПО «Сатурн•
396
АП925В-2
3-д «Пульсар»
402
КП302АМ
ППО «Октябрь•
408
АП355А-5
НПО «Сатурн»
396
АП930А-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗ02БМ
ППО «Октябрь»
408
АП355Б-5
НПО «Сатурн»
396
АП930Б-2
3-д «Пульсар»
402
КП302ВМ
ППО «Октябрь»
408
АП355В-5
НПО «Сатурн»
396
АП930В-2
3-д «Пульсар»
402
КП302ГМ
ППО «Октябрь»
408
АПЗ56А-5
НПО «Сатурн»
396
1 АП356Б-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП356В-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП967А-2
3-д «Пульсар»
402
АП967Б-2
3-д «Пульсар»
402
АП967В-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗОЗА
31,33
! 408
1
КПЗОЗБ
31,33
' 408
'
1
кпзозв
131,33
1
408
1
1АП357А-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП967Г-2
3-д «Пульсар»
402
кпзозг
31,33
i4081
АП357Б-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП967Д-2
3-д «Пульсар»
402
кпзозд
31, 33
1 408
АП357В-5
1НПО «Сатурн»
396
АП358А-5
НПО «Сатурн»
396
АП967Е-2
3-д «Пульсар»
402
АП967Ж-2
3-д «Пульсар»
402
1 КПЗОЗЕ
31,33
408
кпзозж
31,33
408
АП358Б-5
НПО «Сатурн»
396
КЕ702А
НПП «Пульсар»
404
кпзози
31,33
408
АП358В-5
НПО «Сатурн»
396
КЕ702Б
НПП «Пульсар»
404
КПЗОЗА9
31,33
408
АПЗ62А-9
НПО «Планета»
396
КЕ702В
НПП «Пульсар»
404
КПЗОЗБ9
31, 33
408
АП362Б-9
НПО «Планета.
396
КЕ707А
ОАО «Ангстрем»
404
КПЗОЗВ9
31,33
408
АП379А-9
НПО «Планета»
398
КЕ707Б
ОАО «Ангстрем»
404
КПЗОЗГ9
31,33
1 408
АП379Б-9
НПО «Планета»
398
КЕ707А2
ОАО «Ангстрем»
404
КПЗОЗД9
131,33
' 408
АП381А-5
НПП «Пульсар»
398
1 АП602А-2
1НПП «Пульсар»
398
!АП602Б-2 1НПП «Пульсар»
398
КЕ707Б2
ОАО «Ангстрем»
404
КП101Г
Тонди электроника 404
КП101Д
Тонди электроника 404
1 КПЗОЗЕ9
31,33
1 408
КПЗОЗЖ9
31,33
1408il
КПЗОЗИ9
31,33
1 408
АП602В-2
1 НПП «Пульсар»
398
КП101Е
Тонди электроника 404
КПЗО4А
АО «Светлана»
408 il
АП602Г-2
НПП «Пульсар»
398
КП103Е
18.33
404
КПЗО5Д
24,25
408 li
АП602Д-2
НПП «Пульсар»
398
КП103Ж
18,33
404
КП305Е
24,25
408
АПбОЗА-2
3-д «Пульсар»
398
КП103И
18,33
404
КП305Ж
24,25
408
АПбОЗБ-2
3-д «Пульсар»
398
КП10ЗК
18,33
404
КПЗО5И
24,25
408
АПбОЗА-1-2
3-д «Пульсар»
398
КП103Л
18,33
404
КПЗО6А
5, 18
408 1
АПбОЗБ-1-2
3-д «Пульсар»
398
КП10ЗМ
18, 33
404
КПЗО6Б
5, 18
408

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
25
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КПЗОбВ
5. 18
408
КПЗ82А
3-д «Транзистор»
414
КП707Г1
17,36
1 422
КПЗ07д
128.31 .33
410
li КПЗО7Б
128.31 .33
1 410
1·
1
:1кпзо1в
:28,31 ,33
410
КПЗSЗА-9
АО «Светлана»
1 416
КП401АС
i-
1
416
КП401БС
1-
416
17,36
: 422
,1
КП707Д1
!1
1
1 КП707Е1
17,36
422 "1·
11
КП707А2
17,36
422 11
ii КПЗ07Г
128.31.33
1 410
КП402А
АО «Светлана»
416
КП707В2
17, 36
i 422
1'"'""
1
28,31 ,33
410
КПЗО7Е
28,31 ,33
410
КПЗ07Ж
28,31 ,33
410
КП40ЗА
АО «Светлана»
416
КП440
7,36
416
КП450
7, 36
416
КП708А
АО «ЭЛИЗ»
422
КП708Б
АО «Элиз»
422
АО «Элиз»
'
422
КП709д
КПЗ07А1
28, 31,33
410
КП501А
3-д «Транзистор»
416
КП709Б
АО «Элиз»
422
КПЗО7Б1
28,31 ,33
410
КП501Б
3-д «Транзистор»
416
КП709В
АО «Элиз»
422
КПЗ07Г1
28,31 ,33
410
КП501В
3-д «Транзистор»
416
КП709Г
АО «ЭЛИЗ»
422
КПЗО7Е1
28,31 ,33
410
КП502А
3-д «Транзистор»
418
КП709Д
АО «ЭЛИЗ»
i 422
КПЗ07Ж1
28, 31,33
410
КПSОЗА
3-д «Транзистор»
418
КП710
В3ПП
1 422
КПЗОSА-1
13-д ПО «ФОТОН»
410
КПЗОSБ-1
13-Д ПО «ФОТОН»
410
КП504А
13-д «Транзистор» 418
КП504Б
13-д «Транзистор» 418
КП7128
13-д «Транзистор» ! 424 11
КП712А
IВ3ПП
;42411
·1
КПЗОSВ-1
13-д ПО «ФОТОН»
410
КП504В
3-д «Транзистор» 1 418
1
КП712Б
В3ПП
1424:1
1
КПЗОSГ-1
1 3-д ПО «ФОТОН»
410
КП505д
3-д «Транзистор»
418
1КП712В
В3ПП
i42411
КПЗОSД-1
13-д ПО «ФОТОН»
410
КП505Б
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОА
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ10А
НПП «ВОСТОК»
410
КП505В
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОБ
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ10Б
НПП «ВОСТОК»
410
КП505Г
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОВ
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ12А
З--д «Пульсар»
410
КП507А
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОА2
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ12Б
3-д «Пульсар»
410
КП508А
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОА9
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ1ЗА
5, 18
410
КП509А-9
3-д «Транзистор»
418
КП7131А-9
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ1ЗБ
l5. 18
410
КП509Б-9
3-д «Транзистор»
418
КП7132А
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ13В
15. 18
410
КПЗ14д
\ 3-Д ПО «ФОТОН»
410
КП509В-9
3-д "Транзистор»
418
КП510
7,36
418
КП7132Б
ОАО «Ангстрем» 1 426
1
КП7132А1
1ОАО «Ангстрем» 1 426
1 КПЗ22А
3-д ПО «ФОТОН»
410
КП510А9
3-д «Транзистор»
418
КП7132Б1
1 ОАО «Ангстрем»
!426i
11 КПЗ2ЗА-2
13-д «Пульсар»
412
КП511А
3-д «Транзистор» 1 420
КП7132А9
ОАО «Ангстрем» 1 426
:1 КПЗ2ЗБ-2
j 3-д «Пульсар»
412
КП511Б
3-д «Транзистор»
420
КП7132Б9
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27А
18, 21
412
КП520
7,36
420
КП7132А91
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27Б
18,21
412
КП52ЗА
3-д «Транзистор» 1 420
КП7132Б91
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27В
18,21
412
КП52ЗБ
3-д «Транзистор»
420
КП713Зд
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27Г
18,21
412
КП52ЗВ
3-д «Транзистор»
420
КП71ЗЗА9
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗ29А
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП52ЗГ
3-д «:ГранЗистор» 420
КП7134А
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗ29Б
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП530
7,36
420
КП7135А
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗЗЗА
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП540
7,36
420
КП71Збд
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗЗЗБ
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП601А
3-д ПО «ФОТОН»
420
КП7137А
ОАО «Ангстрем» 1 428
11 КПЗ40
!7.36
412
11 КПЗ41д
13-д «Пульсар»
412
1
1
l КПЗ41Б
13-д «Пульсар»
412
i! КПЗ46А-9
1НПП «Пульсар» i 412 1
ii КПЗ46Б-9
iНПП «Пульсар» 1 412
i КПЗ46В-9 1НПП «Пульсар»
412
КП601Б
3-д ПО «ФОТОН»
420
КП610
7,36
420
КП620
7, 36
1 420
КПбЗО
7, 36
420
КП640
j7,36
420
КП704А
3-д «Гравитон»
420
КП7138д
1 ОАО «Ангстрем»
1 428
КП7138д9
1ОАО «Ангстрем» : 430 1
.1
1 КП7138д91 !ОАО «Ангстрем» 1 430 11
1•
КП7150А
1ОАО «Ангстрем» ! 430 1
КП7150А2
1 ОАО «Ангстрем»
143011
КП7150д9
ОАО «Ангстрем»
430 1
КПЗ47А-2
3-д «Пульсар»
414
КП704Б
3-д «Гравитон»
420
КП717А
3-д «Транзистор»
432
кпзsо
В3ПП
414
КП705А
НПП «Пульсар»
422
КП717Б
3-д «Транзистор»
432
КПЗSОА
ППО «Октябрь»
414
КП705Б
НПП «Пульсар»
422
КП717В
3-д «Транзистор»
432
КПЗSОБ
ППО «Октябрь»
414
КП705В
НПП «Пульсар»
422
КП717Г
3-д «Транзистор»
432
кпзsов
ППО «Октябрь»
414
КП70бд
НПП «Пульсар»
422
КП717Д
3-д «Транзистор»
432
КПЗ61А
АО «Элекс»
'
414
КПЗ64А
IAO «Элекс»
414
КПЗ64Б
!АО «Элекс»
414
КП706Б
НПП «Пульсар»
422
КП706В
НПП «Пульсар»
422
КП707А
7,36
1 422
IКП717Е
13-д «Транзистор» 1 432 1!
1
11
КП717А1
1 3-д «Транзистор» : 432 '1
КП717Б1
13-д «Транзистор» 1 432 1
КП364В
iAO «Элекс»
414
КП707Б
7,36
! 422
КП717В1
3-д «Транзистор» 1 432
,,
'
КПЗ64Г
\АО «Элекс»
414
КП707В
7,36
1 422
КП717Г1
3-д «Транзистор»
432
КПЗ64Д
АО «Элекс»
414
КП707Г
7, 36
422
КП717Д1
3-д «Транзистор»
432
КПЗ64Е
АО «Элекс»
414
КП707Д
7,36
422
КП717Е1
3-д «Транзистор»
432
КПЗ64Ж
АО «Элекс»
i
414
i
КПЗ64И
АО «Элекс»
414
1 КПЗ65А
3-д «Транзистор»
414
КП707Е
7,36
422
КП707А1
7,36
422
КП707Б1
7,36
422
КП718А
3-д «Транзистор»
432
1
КП718Б
3-д «Транзистор»
432
КП718В
3-д «Транзистор»
432
1 КПЗ65Б
3-д «Транзистор»
414
КП707В1
7,36
422
КП718Г
3-д «Транзистор»
432

26
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
1КП71ВД
3-д «Транзистор»
432
КП71ВЕ
3-д «Транзистор»
432 1
КП739В
3-д «Транзистор»
440
КП740
В3ПП
440
КП761Б
3-д «Микрон»
i 448
~
КП761В
13-д «Микрон»
1
448
1
КП718А1
13-д «Транзистор» 432
КП740А
3-д «Транзистор»
440
КП761Г
3-д «МИКРОН»
! 448
КП718Б1
13-д «Транзистор» 432
КП740Б
3-д «Транзистор»
440
КП771А
3-д «Транзистор» 448
КП71ВВ1
3-д «Транзистор»
432
КП740В
3-д «Транзистор»
440
КП771Б
3-д «Транзистор»
448
КП718Г1
3-д «Транзистор»
432
КП741А
3-д «Транзистор»
442
КП771В
3-д «Транзистор»
448
КП71ВД1
3-д «Транзистор»
432
КП741Б
3-д «Транзистор»
442
КП775А
3-д «Транзистор»
448
КП718Е1
3-д «Транзистор»
432
КП743А
3-д «Транзистор»
442
КП775Б
3-д «Транзистор»
448
КП720
В3ПП
432
КП743Б
3-д «Транзистор»
442
КП775В
3-д «Транзистор»
448
КП722А
3-д «Транзистор»
432
КП743В
3-д «Транзистор»
442
КП776А
3-д «Транзистор»
448
КП723А
13-д «Транзистор» 432
КП743А1
3-д «Транзистор»
442
КП776Б
3-д «Транзистор»
448
КП723Б
3-д «Транзистор»
432
КП744А
3-д «Транзистор»
442
КП776В
3-д «Транзистор» 1 448
1
КП723В
13-д «Транзистор» 432
1 КП723Г
3-д «Транзистор»
432
1КП724А
13-д «Транзистор» 432
1
1 КП724Б
3-д «Транзистор»
432
КП744Б
3-д «Транзистор»
442
КП744В
3-д «Транзистор»
442
КП744Г
3-д «Транзистор»
442
КП745А
3-д «Транзистор»
442
КП776Г
3-д «Транзистор» 1 448 11
КП777А
13-д «Транзистор» 1 448 1
КП777Б
3-д «Транзистор» 1 448
!
КП777В
3-д «Транзистор»
448
11КП725А
13-д «Транзистор» 432
КП726А
13-д «Транзистор» 434
КП745Б
3-д «Транзистор»
442
КП745В
3-д «Транзистор»
442
КП77ВА
3-д «Транзистор»
450
КП779д
3-д «Транзистор»
450
КП726Б
3-д «Транзистор•
434
КП745Г
3-д «Транзистор»
442
КП780А
3-д «Транзистор»
450
КП726А1
3-д «Транзистор»
434
КП746А
3-д «Транзистор»
444
КП7ВОБ,В
3-д «Транзистор» 450
КП726Б1
3-д «Транзистор»
434
КП746Б
3-д «Транзистор»
444
КП7ВОАС1
3-д «Транзистор»
450
КП727А
3-д «Транзистор»
434
КП746В
3-д «Транзистор»
444
КП781А
3-д «Транзистор»
450
КП727Б
3-д «Транзистор»
434
КП746Г
3-д «Транзистор»
444
КП7ВЗА
3-д «Транзистор»
452
1 КП727В
3-д «Транзистор»
434
КП727Г, Д
13-д «Транзистор» 434
1КП727Е, Ж 13-д «Транзистор» 434
l1кт2вд 13-д «Транзистор» 436
КП746А1
3-д «Транзистор»
444
КП746Б1
3-д «Транзистор»
444
КП746В1
3-д «Транзистор»
444
КП746Г1
3-д «Транзистор»
444
КП784А
13-д «Транзистор» 452
КП785А
3-д «Транзистор» 1 452 '1
1
КП786А
3-д «Транзистор» 1 452 1
КП787А
3-д «Транзистор» 1 452 i
1КП72ВГ1
13-д «Транзистор» 1 436
I КП72ВС1
3-д «Транзистор•
436
КП747А
3-д «Транзистор»
444
КП748А
3-д «Транзистор»
444
КП796А
3-д «Транзистор»
452
КПВО1А
НРП «Октава»
452
КП72ВЕ1
3-д «Транзистор»
436
КП74ВБ
3-д «Транзистор»
444
КП801Б
НРП «Октава»
452
КП72ВГ2
3-д «Транзистор»
436
КП748В
3-д «Транзистор»
444
КПВО1В
НРП «Октава»
452
КП72ВС2
3-д «Транзистор•
436
КП749А
3-д «Транзистор»
444
КПВО1Г
НРП «Октава»
452
КП728Е2
3-д «Транзистор»
436
КП749Б
3-д «Транзистор»
444
КП802А
НРП «Октава»
454
КП730
В3ПП
436
КП749В
3-д «Транзистор»
444
КП802Б
НРП «Октава»
454
КП730А
В3ПП
436
КП731
J7,28
436
J КП731А
17.28
438
1 КП731Б
7,28
438
1 КП731В
7,28
1 438
КП733А
7,36
438
КП750А
3-д «Транзистор»
444
КП750Б
3-д «Транзистор»
444
КП750В
3-д «Транзистор»
444
КП750Г
3-д «Транзистор»
444
КП750А1
13-д «Транзистор» 446
КП750Б1
·
3-д «Транзистор»
446
КП804А
НПП «Пульсар»
454
1
КП805А
НПП «Пульсар» 1 454
1
КП805Б
НПП «Пульсар» 1 454
КП805В
НПП «Пульсар» 1 454
1
1
КПВО9А
7,36
1 454
КП809Б
7,36
454
КП733Б
7,36
438
КП75081
3-д «Транзистор»
446
КП809В
7,36
454
КП733Г
7,36
438
КП751А1
3-д «Транзистор»
446
КП809Г
7,36
454
КП733Д
7,36
438
КП751Б1
3-д «Транзистор»
446
КП809Д
7,36
454
КП733В·1
7,36
438
КП75181
3-д «Транзистор»
446
КП809Е
7,36
454
КП734д
3-д «Микрон»
438
КП752А
3-д «Транзистор»
446
КП809К
7,36
454
КП734Б
3-д «Микрон»
438
КП752Б
3-д «Транзистор»
446
КП809А1
7,36
454
КП734В
3-д «Микрон»
438
КП752В
3-д «Транзистор»
446
КП809Б1
7,36
454
КП734А-1
3-д «Микрон»
438
КП753А
3-д «Транзистор»
446
КП80981
7,36
454
КП734Б-1
3-д «Микрон»
438
КП753Б
3-д «Транзистор»
446
КП809Г1
7,36
i 454
КП735А
3-д «Микрон»
440
КП753В
3-д «Транзистор»
446
КП809Д1
7,36
454 ;
КП735Б
3-д «Микрон»
440
КП759А
3-д «Микрон»
448
КП809Е1
7,36
1 454
КП735В
3-д «Микрон»
440
КП759Б
3-д «Микрон»
448
КПВ10А
АО «Эльдаг»
454
КП735Г
3-д «Микрон»
440
КП759В
3-д «Микрон»
448
КП810Б
АО «Эльдаг»
1454'
КП737А
3-д «Транзистор»
440
КП759Г
3-д «Микрон•
448
КПВ10В
АО «Эльдаг»
454
КП737Б
3-д «Транзистор»
440
КП760А
3-д «Микрон•
448
КПВ12А1
7,36
454
КП737В
3-д «Транзистор»
440
КП760Б
3-д «Микрон»
448
КП812Б1
7,36
454
КП737Г
3-д «Транзистор»
440
КП760В
3-д «Микрон»
448
КП812В1
7,36
454
КП739А
3-д «Транзистор»
440
КП760Г
3-д «Микрон»
448
КП81ЗА
7,36
456
КП739Б
3-д «Транзистор»
440
КП761А
3-д «МИКРОН»
448
КП813Б
7,36
456

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
1:
Тип
i Изготовитель
'
Стр.
:t прибора 1 (см. стр. 31)
11
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
!1 КП813Г
17.36
456
'
j КП813А1
17,36
456
КП923В
3-д «Пульсар»
460
КП923Г
13-д «Пульсар» i 460
ji КП81ЗБ1
7,36
456
li КП813А1-5 17.36
456
, 1 КП813Б1-5
7,36
456
1 КП814А
-
456
1КП814Б
-
456
1:кпв14в
1-
1 456
11 КП814Г
i-
456
КП928А
3-д «Пульсар»
14601
КП928Б
3-д «Пульсар»
460 1
КП931А
-
i 462
КП931Б
-
1 462
КП931В
-
1 462
КП932А
3-д «ФОТОН»
1 462
КП934А
НРП «Октава»
462
: КП814Д
1-
456
: КП814Е
1-
456
КП934Б
НРП «Октава»
462
1КП934В
НРП «Октава»
462
11 КП814Ж
-
456
КП814И
1-
456
КП934А1
НРП «Октава»
462
КП934Б1
НРП «Октава»
462
КП814К
-
456
КП934В1
НРП «Октава»
462
КП814Л
-
456
КП814М
-
456
КП936А
3-д «Гравитон»
462
КП936Б
3-д «Гравитон»
462
1
КП814Н
-
456
КП936В
3-д «Гравитон»
462
КП814П
-
456
КП936Г
3-д «Гравитон»
462
КП814Р
-
456
КП936Д
3-д «Гравитон»
462
1КП814С
1-
456
,,
1
1 КП814Т
·-
456
l!КП814У
1-
1 456
iКП814Ф 1-
i 456
!1 КП817А
1по «НИИЭТ»
456
11 КП817Б
ПО «НИИЭТ»
456
11 КП817В
!ПО «НИИЭТ»
456
1
1
11 КП820
IВ3ПП
458
1! кпвзо
В3ПП
458
1 КП840
В3ПП
458
!КП901А
3-д «Пульсар»
458
1КП901Б
13-д «Пульсар»
458
1,
i3-д «Пульсар»
1 458
l;КП902А
1КП902Б
13-д «Пульсар»
458
!1кп902в 13-д «Пульсар»
1 458
1 КП903А
13-д «Пульсар»
1 458
КП903Б
3-д «Пульсар»
1 458
КП903В
3-д «Пульсар»
458
КП936Е
13-д «Гравитон» 1 462
КП936А-5
13-д «Гравитон»
462
1
1 КП936Б-5
3-д «Гравитон»
462
1КП936В-5
3-д «Гравитон»
462
1
КП936Г-5
3-д «Гравитон»
462
КП936Д-5
13-д «Гравитон»
462 1
КП936Е-5
3-д «Гравитон»
462
1
КП937А
НРП «Октава»
464
КП937А-5
'НРП «Октава»
464
1
КП938А
НРП «Октава»
464 1
КП938Б
НРП «Октава»
~
КП938В
НРП «Октава»
1
1
КП938Г
1 НРП «Октава»
1464 1
1 КП938Д
1 НРП «Октава»
1464 11
1 КП944А
3-д «Пульсар»
1464 11
КП944Б
3-д «Пульсар»
i 464
1
КП945А
НПП «Пульсар»
464
1 КП945Б
НПП «Пульсар»
464
1
КП904А
3-д «Пульсар»
458
КП904Б
3-д «Пульсар»
458
КП946А
АО «Эльдаг»
466
1
КП946Б
АО «Эльдаг»
466
КП905А
18,21
458
КП948А
АО «Эльдаг»
466
КП905Б
18,21
458
КП948Б
АО «Эльдаг»
466
КП905В
l18, 21
458
КП948В
АО «Эльдаг»
466
~ КП907А
118, 21
458
КП948Г
АО «Эльдаг»
1
466
1
j!КП907Б : 18. 21
1 458
~ КП907В
:18,21
1 458
~ КП908А : 18, 21
460
~ КП908Б
118, 21
1 460
КП951А-2
1НПП «Пульсар»
1 466
i
КП951Б-2
1 НПП «Пульсар»
1466 1
КП951В-2
НПП «Пульсар»
1466 11
КП953А
АО «Эльдаг»
1466 1
1 КП921А
13-д «Гравитон»
460
1КП921Б
3-д «Гравитон»
460
1
КП922А
8, 12
460
КП95ЗБ
АО «Эльдаг»
466 1
КП953В
АО «Эльдаг»
466
КП953Г
АО «Эльдаг»
466
КП922Б
8, 12
460
КП953Д
АО «Эльдаг»
466
КП922В
8, 12
460
КП954А
АО «Эльдаг»
466
КП922А1
8, 12
460
КП954Б
АО «Эльдаг»
466
КП922Б1
8, 12
460
КП954В
АО «Эльдаг»
466
КП922В1
8, 12
460
КП954Г
АО «Эльдаг»
466
КП922Г1
18. 12
460
КП954Д
АО «Эльдаг»
466
1iКП923А 13-д «Пульсар»
1 460
КП955А
АО «Эльдаг»
466
11КП92ЗБ
3-д «Пульсар»
460
КП955Б
1АО «Эльдаг»
466
Тип
прибора
КП956А
КП956Б
КП957А
КП957Б
КП957В
КП958А
КП958Б
КП958В
1 КП958Г
КП959А
КП959Б
КП959В
КП960А
КП960Б
КП960В
КП961А
КП961Б
КП961В
11 КП961Г
КП961Д
1 КП961Е
11 КП962А
1КП962А-5
КП963А
КП963А-5
КП964А
КП964Б
КП964В
КП964Г
1 КП965А
1КП965Б
1КП965В
!КП965Г
КП9650
КП971А
КП971Б
КП973А
КП97ЗБ
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
1
1 КПС104Д
11кпс104е
11 КПС202А-2
11 КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2
КПС203А-1
КПС203Б-1
КПС203В-1
КПС20ЗГ-1
КПСЗ15А
КПСЗ15Б
КПСЗ16Д-1
КПС316Е-1
КПС316Ж-1
КПС316И-1
1
Изготовитель
(см. стр. 31)
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг•
1АО «Эльдаг•
i АО «Эльдаг»
1
iАО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «ЭльдаГ>>
1АО «Эльдаг»
1 АО «Эльдаг»
1 НРП «Октава»
1
1НРП «Октава»
НРП «Октава»
НРП «Октава»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
!АО «Эльдаг»
1 АО «Эльдаг»
1 АО «Эльдаг»
!АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
iАО «Эльдаг»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
АО «Восход»
!АО «ВОСХОД»
IAO «Восход»
1АО «ВОСХОД»
1АО «ВОСХОД»
!АО «ВОСХОД•
АО «ВОСХОД»
1АО «Восход»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
3-д ПО «ФОТОН»
3-д ПО «ФОТОН>>
3-д ПО «ФОТОН»
3-д ПО «ФОТОН»
3-д ПО «ФОТОН»
13-д ПО «ФОТОН»
27
1 Стр.
11
466
1466 1
1466l
1 466
466
466 1
466
1
1466 !1
'
:466~
1
11
'
466
,,
11
1
466 "1
1 466
468
468
468
1
468
468
1
468
468
468
468
468
1 468
468
1 468
1
1 468
468
468 1
468
!4701
1
1470li
1470 ;!
470 ;:
! 470 '111
1
1
470 1
470
470
470
470
i 470
1
1 470
' 470
1
470 !!
470
470
1 470
!4701
470
470
470
470
470
470
1 470
1 470
'
! 470
1
470
1
1
1 470

28
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Полевые транзисторы специального назначения
1.
1
!1
Тип
1 Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
!
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.
ЗПЗ20А-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85В-2
НПО «Планета»
480
ЗП915Б-2
3-д «Пульсар»
486
ЗПЗ20Б-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85А-5
НПО «Планета»
480
ЗП925А-2
НПП «Пульсар»
486
ЗПЗ21А-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85Б-5
НПО «Планета»
480
ЗП925Б-2
НПП «Пульсар»
486
ЗПЗ24А-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85В-5
НПО «Планета»
480
ЗП925В-2
НПП «Пульсар»
486
ЗПЗ24Б-2
3-д «Пульсар»
472
ЗП602А·2
3-д «Пульсар»
480
ЗП925А-5
НПП «Пульсар»
486
I ЗПЗ24В-2
13-д «Пульсар»
472
ЗП602Б-2
3-д «Пульсар»
480
ЗП927А-2
3-д «Пульсар»
1 486
1 ЗПЗ25А-2
1 НПО «Планета»
472
ЗП602В·2
3-д «Пульсар»
480
ЗП927Б·2
3-д «Пульсар»
486
!iзnз2sA-s 1 НПО «Планета»
1 474
ЗП602Г-2
3-д «Пульсар»
480
ЗП927В·2
3-д «Пульсар»
1 486
!1зпз2&А-2 i НПО «Планета»
474
ЗПЗ26Б-2
1НПО «Планета»
474
ЗП602Д-2
13-д «Пульсар»
480
ЗП602Б-5
3-д «Пульсар»
482
1
!
ЗП927Г-2
3-д «Пульсар»
486
i
1
ЗП927Д-2
3-д «Пульсар»
486
ЗПЗ26А-5
НПО «Планета»
474
ЗП602Д-5
3-д «Пульсар»
1 482
ЗП929А-2
3-д «Пульсар»
486
ЗПЗ28А·2
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗА-2
3-д «Пульсар»
482
ЗП9ЗОА-2
3-д «Пульсар»
488
ЗПЗ28А-5
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗБ-2
3-д «Пульсар»
482
ЗП9ЗОБ-2
3-д «Пульсар»
488
ЗПЗЗОА-5
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗА1-2
3-д «Пульсар»
482
ЗП9ЗОВ-2
3-д «Пульсар»
488
ЗПЗЗОА-2
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗБ1-2
3-д «Пульсар»
482
2Е701А
1НПП «Пульсар»
488
IЗПЗЗОБ-2
1 НПО «Планета»
474
ЗП60ЗБ-5
13-д «Пульсар»
482
2Е701Б
НПП «Пульсар» j 488 !1
llзпззов-2 1НПО «Планета»
474
11 ЗПЗЗОВ1-2
1 НПО «Планета»
476
ЗП604А-2
· 3-д
«Пульсар»
482
ЗП604Б-2
3-д «Пульсар»
482
2Е701В
НПП «Пульсар» i 488
2Е701Г
НПП «Пульсар» i 488
ЗПЗЗОВ2·2
1 НПО «Планета»
1 476
ЗП604В-2
3-д «Пульсар»
482
2П101А
Тонди электроника 488
ЗПЗЗОВЗ-2
iНПО «Планета»
476
ЗП604Г-2
3-д «Пульсар»
482
2П101Б
Тонди электроника 488
ЗПЗЗ1А-2
1НПО «Планета»
476
ЗП604А1-2
3-д «Пульсар»
482
2П101В
Тонди электроника 488
ЗПЗЗ1А-5
НПО «Планета»
476
ЗП604Б1·2
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗА
18,33
488
ЗПЗЗ9А-2
НПО «Планета»
476
ЗП604В1-2
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗБ
18,33
488
ЗПЗ4ЗА-2
НПО «Планета»
476
ЗП604Г1-2
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗВ
18,33
488
ЗПЗ4ЗА1-2
НПО «Планета»
476
ЗП604А-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗГ
18,33
488
ЗПЗ4ЗА2-2
j НПО «Планета»
476
ЗП604Б-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗД
18,33
488
ЗПЗ4ЗАЗ-2
j НПО «Планета»
476
ЗП604В-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗАР
18,33
488
ЗПЗ44А-2
iНПО «Планета» 476
ЗП604Г-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗБР
18,33
i 488
ЗПЗ44А1-2
1 НПО «Планета»
1 476
ЗП605А-2
1НПО «Планета»
484
2П10ЗВР
18,33
1 488
ЗПЗ44А2·2
1НПО «Планета»
1 476
ЗП605А-5
НПО «Планета»
484
2П10ЗГР
18,33
488
ЗПЗ44АЗ-2
НПО «Планета»
476
ЗП606А·2
3-д «Пульсар»
484
2П10ЗДР
18,33
488
ЗПЗ44А4-2
НПО «Планета»
476
ЗП606Б-2
3-д «Пульсар»
484
2П201А-1
АО «Восход»
488
ЗПЗ45А-2
НПП «Пульсар»
478
ЗП606В-2
3-д «Пульсар»
484
2П201Б-1
АО «Восход•
488
ЗПЗ45Б-2
НПП «Пульсар»
478
ЗП606Б-5
3-д «Пульсар»
484
2П201В-1
АО «Восход»
488
ЗПЗ45А-5
НПП «Пульсар»
478
ЗПЗ48А-2
1НПС «Планета»
478
ЗП606В-5
3-д «Пульсар»
484
ЗП607А-2
13-д «Пульсар»
484
2П201Г·1
1АО «Восход»
1 488
2П201Д-1
АО «ВОСХОД»
1 488
11
ЗПЗ51А-2
1 НПО «Планета»
478
ЗП608А·2
3-д «Пульсар»
484
2П201Е-1
АО «ВОСХОД»
' 488
'j
1
1
ЗПЗ51А-5
1 НПО «Планета»
478
ЗП608Б-2
3-д «Пульсар»
484
2П201Ж-1
АО «ВОСХОД»
488
ЗПЗ51А1-2
1НПО «Планета»
1 478
ЗП608В-2
3-д «Пульсар»
484
2П202Д·1
АО «ВОСХОД»
1 490
ЗПЗ5ЗА-5
J НПО «Планета»
480
ЗП608Г-2
3-д «Пульсар»
484
2П202Е-1
АО «Восход»
490
ЗПЗ72А·2
НПП «Пульсар»
480
ЗП608А-5
3-д «Пульсар»
484
2ПЗО1А
ППО «Октябрь»
490
ЗПЗ7ЗА-2
НПО «Планета»
480
ЗП608Д-5
3-д «Пульсар»
484
2ПЗО1Б
ППО «Октябрь»
490
ЗПЗ7ЗБ-2
НПО «Планета»
480.
ЗП608Е-5
3-д «Пульсар»
484
2ПЗ01В
ППО «Октябрь»
490
ЗПЗ7ЗВ·2
НПО «Планета»
480
ЗПЗ76А-5
НПО «Салют»
480
ЗП910А-2
3-д «Пульсар»
486
ЗП910Б-2
3-д «Пульсар»
486
2ПЗ01А-1
ППО «Октябрь»
490
11
2ПЗО1Б-1
ППО «Октябрь» 1
490
1
ЗПЗ84А-5
1НПП «Пульсар»
480
ЗП910А-5
3-д «Пульсар»
486
2ПЗО1В-1
ППО «Октябрь» 1 490
1
ЗПЗ85А-2
1 НПО «Планета»
480
ЗП910Б-5
3-д «Пульсар»
486
2ПЗО1А-5
ППО «Октябрь» 1
490 ri
1
~ ЗПЗ85Б-2 1НПО «Планета»
1 480
ЗП915А-2
3-д «Пульсар»
486
2ПЗО2А
1ППО «Октябрь»
490

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Тип
Изготовитель 1
(
1Стр. I
прибора
см. стр. 31)
~~~~~~~~~~~~~-+-~~!
i12пзо2Б
iППО «Октябрь» i 490
Тип
1
Изготовитель 1
1
прибора i (см. стр. 31) I Стр.
2П312А
13-д «ПУЛ';>Сар»
1 494
2П302В
1ППО «Октябрь»
490
2ПЗ12Б
\ 3-д «Пульсар»
1 494
12пзо2д.1
iППО «Октябрь» 490
2П312А·5
3-д «Пульсар»
1 494
2ПЗО2Б-1
ППО «Октябрь»
490
2П312Б·5
13-д «Пульсар» 1 494
2П302В·1
1ППО «Октябрь»
1 490
2ПЗ13А
НПП «ВОСТОК»
1 494
2ПЗОЗА
131,33
1 490
2П31ЗБ
НПП «ВОСТОК»
1 494
2ПЗОЗБ
!31,33
1
490
1
2П313В
НПП «ВОСТОК»
1 494
j12пзозв
;31,33
i 490
~2ПЗОЗГ
!31,33
1 490
2П322А
13-д ПО «ФОТОН» i 494
2ПЗЗЗА
3-д ПО «ФОТОН» i 494
\2пзозд
;31,33
1 490
2ПЗЗЗБ
3-д ПО «ФОТОН» 1 494
~2ПЗОЗЕ 131,33
i 490
2ПЗЗЗВ
3-д ПО «ФОТОН» 1 494
2ПЗОЗИ
31,33
490
2ПЗЗЗГ
3-д ПО «ФОТОН» i 494
2П304А
\АО о Светлана»
492
2П334А
3-д ПО «ФОТОН»
494
2П305д
САР3ПУЛ
492
2П334Б
3-д ПО «ФОТОН»
494
2П305Б
jсдР3ПУЛ
492
2П335А-2
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П305В
\САР3ПУЛ
492
2П335Б·2
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П305Г
САР3ПУЛ
492
2ПЗ36А·1
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П305А·2
iСАР3ПУЛ
492
2П336Б-1
i3-д ПО «ФОТОН» 1 496
i2пзоsБ-2 IСАР3ПУЛ
14921
2ПЗ37АР
3-д ПО «ФОТОН» 1 496
~2П305В·2
1СдР3ПУЛ
492
2П337БР
3-д ПО «ФОТОН»
1
496
l2П305Г-2
IСАР3ПУЛ
1 492
2П338АР·1
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П306А
1НПП «ВОСТОК»
492
2П340А·1
В3ПП
496
2ПЗО6Б
НПП «ВОСТОК»
492
2П340Б-1
В3ПП
496
2П306В
НПП «ВОСТОК»
492
2П341А
3-д «Пульсар»
496
2П306Г
НПП «ВОСТОК»
492
2П341Б
3-д «Пульсар»
496
2П306Д
НПП «ВОСТОК»
492
2П347А·2
3-д «Пульсар»
496
2П306Е
НПП «ВОСТОК»
492
2П350А
ППО «Октябрь»
496
2П307А
13-д ПО «ФОТОН»
1 492
2П350Б
ППО .октябрь»
496
2П307Б
: 3-д ПО «ФОТОН»
492
2П601А
3-д ПО «ФОТОН»
498
~2П307В
13-д ПО «ФОТОН»
492
112П307Г
13-д ПО «ФОТОН»
1 492
2П601Б
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П601А9
13-д ПО «ФОТОН»
498
2ПЗО7Д
3-д ПО «ФОТОН» 1 492
2П609А
3-д ПО «ФОТОН» 1 498
2П308д
31,33
492
2П609Б
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П308Б
31,33
492
2П609А·5
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П308В
31,33
492
2П609Б·5
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П308Г
31,33
492
2П701А
3-д «Пульсар»
498
2П308Д
131,33
492
2П701Б
3-д «Пульсар»
498
2П308А·1
131,33
492
2П702А
3-д «Пульсар»
498
2П308Б·1
131,33
492
2П703д
НПП «Пульсар»
498
2П308В-1
131,33
492
2П703Б
НПП «Пульсар»
498
12пзовг-1
131,33
1 492
2П706А
3-д «Пульсар»
500
2ПЗО8Д·1
131,33
492
2П706Б
3-д «Пульсар»
500
2П308А-9
31, 33
494
2П706В
3-д «Пульсар»
500
2ПЗО8Б-9
31, 33
494
2П7102А
3-д «Транзистор»
500
2П308В·9
31, 33
494
2П7118А
3-д «Пульсар»
500
2П308Г·9
31,33
494
2П7118Б
3-д «Пульсар»
500
2П308Д·9
31,33
494
2П7118В
3-д «Пульсар»
500
2П308Е·9
j31,33
494
2П7118Г
3-д «Пульсар»
500
2П310А
1НПП «ВОСТОК»
494
2П7118Д
3-д «Пульсар»
1 500
~ 2П310Б
1НПП «ВОСТОК»
494
2П7118Е
3-д «Пульсар»
500
1
1
IJ
Тип
прибора
12П7118Ж
2П7118И
2П7118К
2П7118Л
2П712А
2П712Б
2П712В
~ 2П712А-5
!12П712Б·5
2П712В·5
2П7140А
2П7141А
2П7142А
2П7143А
2П7144А
2П7145А
2П762А
2П762В
2П762Д
2П762Ж
2П762К
2П762Л
2П762М
2П762Н
2П762И2
2П762Б1
2П762Г1
2П762Е1
2П762Г1·5
2П762Е1·5
2П762И2-5
2П771А
2П771А91
2П797Г
2П797Г91
2П802А
2П803д
2П803Б
2П815А
2П815Б
2П815В
2П815Г
2П816А
2П816Б
2П816В
2П816Г
2П901А
2П901Б
2П901А·5
2П901Б-5
Изготовитель
(см. стр. 31)
j 3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
i3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
j НПП «Пульсар»
1 НПП «Пульсар»
1
1НПП «Пульсар»
1
j НПП «Пульсар»
13-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
13-д «Транзистор»
13-д «Транзистор»
13-д «Транзистор»
1-
1НПП «Пульсар»
j НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
j НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
3-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
НПП «ВОСТОК»
13-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
j 3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
1
1
1
1
1
1
1
29
Стр. i:
11
500 i
500
500
500
500
1
500 1
1
500 1:
500
500
500
i
502
502
502
502
502
502
1
502
1502,1
1
1502li
1 502
502
502
502
502
504
504
1 504
1
!504~
1 504
11
1 504
504
1
504
504
504
504
504
1 506
1
1 506
.1
1506 1
1
1 506
1
1 506
506
506
506
506
506
i 506
! 506
!506li
1506 1

30
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
1
1
11
Тип
i Изготовитель
1'
1
Стр.
1
прибора 1 (см. стр. 31)
1
Тип
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
1
Тип
i Изготовитель
i Стр.11
прибора
(см. стр. 31)
l2n902A
13-д «Пульсар»
1 506
2П902Б
13-д «Пульсар» 1 506
2П917А
1-
510
1
2П917Б
-
510
i1
2П941Б
НПП «Пульсар»
514
2П941В
НПП «Пульсар»
514
2П903А
3-д «Пульсар»
506
2П918А
НПП «Пульсар»
510
2П941Г
НПП «Пульсар»
514
2П90ЗБ
3-д «Пульсар»
506
2П918Б
НПП «Пульсар»
510
2П941Д
НПП «Пульсар»
514
2П903В
3-д «Пульсар»
506
2П920А
3-д «Пульсар»
510
2П942А
-
514
2П90ЗА-5
3-д «Пульсар»
508
2П920Б
3-д «Пульсар»
510
2П942Б
-
514
2П90ЗБ-5
3-д «Пульсар»
508
2П903В·5
13-д «Пульсар»
508
2П922А
3-д «Гравитон»
510
2П922Б
3-д «Гравитон»
510
2П942В
-
514
--J'
2П942А-5
-'--
514 11
li2П904A
3-д «Пульсар»
508
2П922А·5
3-д «Гравитон»
510
2П942Б-5
-
151411
2П904Б
13-д «Пульсар»
1 508
2П922Б·5
3-д «Гравитон»
510
2П942В-5
-
514 11
1!2П905А
1НПП оПульсар»
508
1
2П905Б
1НПП «Пульсар»
508
2П905А·5
1НПП «Пульсар»
508
2П907А
НПП «Пульсар»
508
2П923А
13-д «Пульсар»
512
2П92ЗБ
3-д «Пульсар»
1 512
2П92ЗВ
3-д «Пульсар»
512
1
2П923Г
3-д «Пульсар»
512
1
2ПС104А
АО «ВОСХОД»
1 514
1
1
1
2ПС104Б
IAO «ВОСХОД»
1514il
2ПС104В
1АО «Восход»
514 1
2ПС104Г
: АО «ВОСХОД»
514 1
2П907Б
НПП «Пульсар»
508
2П908А
3-д «Пульсар»
508
2П908Б
3-д «Пульсар»
1 508
2П926А
НПП «ВОСТОК»
512
1
2П926Б
НПП «ВОСТОК»
512
2П928А
НПП «Пульсар»
512
2ПС104Д
АО «ВОСХОД»
514
2ПС104Е
АО «ВОСХОД»
514
2ПС202А·2
1АО «ВОСХОД»
151611
2П909А
13-д «Пульсар» 1 508
2П928Б
НПП «Пульсар»
512
2ПС202Б·2
1 АО «ВОСХОД»
! 516
1
!
1
l 2П909Б
13-д «Пульсар»
508
12П909В 3-д «Пульсар»
508
2П909Г
i3-д «Пульсар»
508
2П911А
13-д «Пульсар» 1 508 1·
2П9ЗЗА
НПП «Пульсар»
512
2П93ЗБ
НПП «Пульсар»
512
1
12П934А
1НПО «Октава»
1
512
1
l2П934Б
1НПО «Октава»
1 512
2ПС202В·2
АО «ВОСХОД»
1
516
11
2ПС202Г·2
АО «ВОСХОД»
i 516
12пс202д-1 !АО «ВОСХОД»
1516i
1
1
1,
2ПС202Е-1
!АО «Восход»
151611
2П911Б
13-д «Пульсар»
508
2П912А
13-д «Гравитон»
508
2П912Б
3-д «Гравитон»
508
2П913А
3-д «Пульсар»
510
2П91ЗБ
13-д «Пульсар»
510
1i2П914А
13-д ПО «ФОТОН»
510
2П938А
НПП «ВОСТОК»
512
2П938Б
НПП «ВОСТОК»
512
2П938В
НПП «ВОСТОК»
1
512
2П938Г
НПП «ВОСТОК»
512
2П938Д
НПП «ВОСТОК»
512
2П941А
НПП «Пульсар»
514
2ПСЗ16А·1
3-д ПО «ФОТОН» 1 516
'1
2ПС316Б·1
3-д ПО «ФОТОН»
516 1
2ПСЗ16В-1
3-д ПО «ФОТОН»
516
'1
2ПСЗ16Г·1
13-д ПО «ФОТОН»
516
11
1
,I
11

Адреса предприятий-изготовителей
Адреса предприятий-изготовителей
il .N'o
Название предприятия
11
1 3-д •Алион
1 2 13-дПО •Альфа»
1
1
3 1 ОАО «Ангстрем»
4 1 3-д •АрсенаЛ»
5 : НПП •Восток»
6 i АО •Восход»
~1
7 взпп
8 3-д «Гравитон»
9 ПО •Знамя»
10 3-д •Искра»
i 11 1 3-д •Квазар»
12 : ЗАО «Кремний»
u
13 1 СКБ .Элькор»
14 : НРП •Октава»
15 ! 3-д ниипп
16 i ниимп
17 1 АО •Орбита»
18 ППО •Октябрь»
19 НПО •Планета»
1
1~АО «Плутон >)
t 21 1 НПП •Пульсар»
1i 22 i 3-д •Пульсар»
23 : ПРЗПП
1 24 1 ПО «Рефлектор»
25 САРЗПУЛ
26 АО «Светлана»
27 3-д •Старт»
28 l 3-д «Транзистор»
29 «Тонди электроника»
UO IУлРЛЗД
~ 31 t 3-д. ПО «Фотон»
32 i 3-д .Экситон»
~
:
33 1 АО •Элекс»
34 АО •Электронприбор»
35 АО •Элиз»
36 по .нииэт»
37 3-д •Юпитер»
38 1 НПО •Сатурн»
39 1 АО .Эльдаг»
40 ; 3-д •Микрон»
Почтовый адрес
396072, г. Нововоронеж, Воронежской обл., ул. Первомайская, д. 2
1 LV1006, Рижск. з-д ППП АО •Альфа». г. Рига, ул. Ропажу, 140
l 124460, г. Москва, Зеленоград
1
i 143090, г. Краснознаменск, Московской обл., а/я 226
i 630075, г. Новосибирск. ул. Дуси Ковальчук, д. 276
l 248014, г. Калуга, Грабцевское шоссе, д 60-а
1
394007, г. Воронеж, Ленинский проспект. д. 118-а
274031, Украина, г. Черновцы, ул. Русская, д. 248
314002, Украина, г. Полтава, ул. Автобазовская, д. 2/9
432030, г. Ульяновск, ул, Репина, д. 2
254136, Украина, г. Киев, ул. Северо-Сырецкая, д. 1
l241037, г. Брянск, ул. Красноармейская, д. 103
j 360603, Республика Кабардино-Балкария, г. Нальчик.
1 Государственное СКБ •Элькор»
[ 630049, г. Новосибирск, Красный проспект, д. 220
l 634034, г. Томск, Красноармейская ул., д. 99-а
l 103460, г. Москва, г. Зеленоград
430904, г. Саранск, п/ о Ялга
287100, Украина. г. Винница, ул. Ватутина, д. 18
173004, г. Великий Новгород, Федоровский ручей, д. 2/ 13
1
1 107120, г. Москва, ул. Нижняя Сыромятническая, д.
! 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27
l 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27
1
l 361005, Республика Кабардино-Балкария, г. Прохладный, ул. Ленина. д. 104
410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101
410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101
l 194156, г. С-Петербург, проспект Энгельса, д. 27
107066, г. Москва, ул. Новорязанская, д. 31/7
220108, Республика Беларусь. Минск, ул. Корженевского, 16
ЕЕ107, Эстония, г. Таллин, Пярнусское шоссе., д. 142
i 432028, г. Ульяновск, Октябрьская. д. 28-а
i 700047, Узбекистан. г. Ташкент, ул. Пролетарская. д. 13
l 142500, г. Павловский Посад Московской области.
1 ул. Интернациональная, д. 34-а
l 601600, г. Александров. Владимирской обл. ул. Институтская, д. 3
141120, г, Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2
141120, г. Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2
394042, г. Воронеж, Ленинский проспект, д. 119-а
396750, г. Богучар Воронежской обл., ул. Здоровья, д.
1 Украина, 252680, г. Киев, ул. 50 лет Октября, 2-6
! 367009, г. Махачкала, ул. Авиационная. 7
1
i 103460, г. Москва, Зеленоград 1. ЗападныИ проезд, 12
11
31
!
1
!1

32
Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства
Перечень стандартизованных корпусов отечественного
производства
Тип
1
Стр.
1
Тип
Стр_.
Тип
Стр.
Тип
Стр.
КТ-1-1
1
521
КТ-3-8
523
КТ-34-1
525
КТ-43С
527
КТ-1-2
1
521
КТ-3-9
523
КТ-34-2
525
527
КТ-1-3
1
521
!
1
1
!i КТ-1-4
521
!1 КТ-1-5
521
li КТ-1-6
521
~г----------.-----4
i КТ-1-7
521
1 КТ-1-8
521
КТ-1-9
1
521
1
1
1
КТ-1-10
1
521
КТ-3-10
523
КТ-3-11
523
КТ-3-12
! 523
КТ-3-13
! 523
КТ-3-14
! 523
КТ-3-15
523
КТ-3-16
523
КТ-3-17
523
КТ-34-3
1
525
1
КТ-34-4
! 525
КТ-34-5
1
525
1
((Т-34-6
1
525
КТ-34-7
! 525
КТ-34-8
1
525
1
КТ-34-9
1
525
КТ-34-10
1
525
1 КТ-44
527
11 КТ-45
527
КТ-46
1
527 1
[ КТ-47
:
~
КТ-48
:
527 1
КТ-49
527
КТ-50
! 527
КТ-51
!
527
КТ-1-11
521 .
1
КТ-1-12
521
КТ-1-13
1
521
1
КТ-1-14
1
521
КТ-1-15
! 521
КТ-3-18
523
КТ-3-19
523
КТ-4-2
1
523
КТ-5
528
КТ-6
523
КТ-34-11
525
КТ-34-12
1
525
!
КТ-34-13
1
525
КТ-34-14
1
525
КТ-34-15
1
525
КТ-52
i 527
КТ-53
i 527
КТ-54
i5271
КТ-55
L~J
КТ-56
!527il
КТ-1-16
1
521
КТ-7
523
КТ-34-16
! 525
КТ-57
1
527
1
КТ-1-17
1
521
1
КТ-1-18
i 521
КТ-1-19
1
521
КТ-1-20
1 521
КТ-2-1
521
КТ-8
523
КТ-9
1
523
КТ-10
523
КТ-11
523
КТ-12
524
КТ-34-17
i 525
КТ-34-18
1
525
КТ-34-19
1
525
1
КТ-34-20
525
КТ-35-1
526
1
l_кт_-58__-- -- -+ _52'__j
КТ-59
1 527
КТ-60
:
527
1
КТ-61
i 527
КТ-61А
1
527
1
КТ-2-2
521
КТ-2-3
521
КТ-13
524
КТ-13А
524
КТ-35-2
526
КТ-35-3
526
КТ-62
i 528
1
КТ-63
'
528
КТ-2-4
521
КТ-14
1
524
КТ-35-4
1
526
528
,,
КТ-2-5
i 522
1
i
11 КТ-2-6
522
1· КТ-2-7
522
КТ-2-8
i 522
1 КТ-2-9
1
522
КТ-15
524
КТ-16
524
КТ-17
524
КТ-18
524
КТ-19
1
524
КТ-35-5
i 526
КТ-35-6
i 526
КТ-35-7
526
КТ-35-8
526
КТ-35-9
1
526
, 1 КТ-65
528
КТ-66
1
528 !i
КТ-69
i 528
1
КТ-70
i 528
i
1
КТ-71
528
КТ-2-10
522
КТ-20
524
КТ-35-10
526
КТ-72
528
КТ-2-11
522
КТ-21
524
КТ-35-11
526
КТ-73
528
КТ-2-12
522
КТ-2-13
522
КТ-22
524
КТ-23
524
КТ-35-12
526
КТ-35-13
1
526
КТ-75
528
'1
КТ-76
528
КТ-2-14
522
[j КТ-2-15
i 522
КТ-23А
524
КТ-24
524
КТ-35-14
526
КТ-35-15
526
КТ-77
'
528 11
КТ-78
528
li КТ-2-16
1
522
КТ-25
524
КТ-35-16
526
КТ-79
1
528
1 КТ-2-17
1
522
1
il КТ-2-18
1
522
КТ-26
524
КТ-26А
524
КТ-35-17
526
КТ-35-18
526
КТ-80А
1
528
КТ-80В
1
528
1 КТ-2-19
i 522
КТ-27
524
КТ-35-19
526
КТ-80С
1
528
!
КТ-2-20
1
522
КТ-28
524
КТ-35-20
526
КТ-81
! 528
КТ-3-1
522
КТ-28А
524
КТ-37
526
КТ-82
528
КТ-3-2
1
522
КТ-29
524
КТ-40
526
КТ-89
1
529
-
КТ-3-3
522
КТ-30
524
КТ-41
526
КТ-90
1
529
КТ-3-4
522
КТ-31
524
КТ-42
1
526
КТ-92
! 529
КТ-3-5
1
522
КТ-32
524
КТ-43
527
КТ-16-1
529
КТ-3-6
! 523
КТ-33
525
КТ-43А
527
КТ-23В
i 529
1
J КТ-3-7
1
523
КТ-33А
525
КТ-43В
527
КТ-28-1
! 529

Перечень корпусов зарубежных транзисторов
33
Перечень корпусов зарубежных транзисторов
Тип
Стр.
Тип
Стр.
Тип
1
Стр.
SC-62
530
1 SC-70
530
1!SC-71
i 530
llSOT-9
1 537
!jsoт-23
1
533
1
1
: SOT-25
i 533
1
1 SOT-32
i 534
SOT-194
532
SOT-199
533
SOT-223
i 533
SOT227b
533
SOT-262a1
1
534
1
SOT-268
534
SOT-273
534
ТО-78
1
540
11
ТО-89
'
540
'
·1
ТО-92
'
540
.,
ii
lто-96
1:1-------------+----~·
ТО-99
540 11
;!
540
1 ТО-72
540 ;1
то 116
540
-
SOT-37
535
SOT-279
534
ТО-119
541
i
SOT-48b
536
SOT-289
534
ТО-120
541
SOT-54
536
SOT-323
535
ТО-122
1
541
1
SOT-82
1
536
1
1
l[SOT-89
536
~SOT-89a
536
1 SOT-324
535
SOT-343
1
535
1
SOT-343R
1
535
1
1 ТО-126
541
1 ТО-127
11-------------+----~;
1 ТО-202
541
541
1
1
1SOT-93
537
SOT-353
! 535
1
iТО-205
541
~ SOT-93a
1
537
SOT-363
i 535
ТО-210
1
541
:
1
SOT-100
530
SOT-437a
i 536
ТО-217аа
1
542
SOT-103
530
ТО-3
537
ТО-218
1
542
SOT-119
530
ТО-5
537
ТО-220
543
SOT-121
531
ТО-18
538
ТО-221
543
SOT-122D
531
ТО-33
538
ТО-236
1
544
SOT-123
531
ТО-39
538
ТО-243
1
544
1
SOT-1288
1
531
ТО-46
538
ТО-247
544
~SOT-143
1
531
ТО-50
i 538
T0-247VAR
544
SOT-143R
! 531
ТО-59,
539
ТО-226аа
1
544
1
SOT-160
1
532
ТО-60
1
539
ТО-251
1
545
1
SOT-161
532
ТО-61
539
ТО-252
545
SOT-172D
532
ТО-62
539
ТО-253
545
SOT-173
532
ТО-63
539
ТО-263
545
SOT-186
532
ТО-66
539
ТО-262дд
545
3зак9

Раздел 1
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
1.1. Система условных обозначений
Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов ши
рокого и специального применения основывается на буквенно-цифровом коде.
Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материа
ла, из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктив
но-технологические особенности.
Первый злемент
Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого
изготовлен полупроводниковый прибор
Второй злемент
Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора
Третий злемент 1 Цифра, определяет основные функциональные возможности (допустимое значение рассеи-.
1
1ваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту)
~
Четвертый, пятый Цифры и буквы, обозначают порядковый номер разработки технологического типа
и шестой злементы
Седьмой злемент Буква, определяет классификацию приборов по параметрам
Первый зJiемент обозначения. Буква или цифра (для специального применения), обозначает
исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен полупроводниковый прибор.
Условное обозначение
Исходный материал
rилиl
Германий или его соединения
кили2
Кремний или его соединения
Аили3
1 Соединения галлия (например, арсенид галлия)
ИИЛИ4
1 Соединения индия (например, фосфид индия)
Второй зJiемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора.
Условное обозначение
Подкласс (или группа) приборов
т
Транзисторы (за исключением полевых)
1
п
1 Транзисторы полевые
Третий зJiемент обозначения.
Условное
обозначение
2
Назначение прибора
Транзисторы биполярные
Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк = 0,3 Вт):
низкой частоты (fгр < 3 МГц)
средней частоты (fгр = 3" .3 0 МГц)
~,,
•
;
~
'
1

Раздел 1. Условные обозначения
Условное
обозначение
3
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7
8
9
Назначение прибора
высокой частоты (fгр > 30 МГц)
! Транзисторы средней мощности ( Рк = 0,3 ... 1,5 Вт):
1
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мошности ( Рк > 1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и свервысокой частот
1 Транзисторы полевые
Транзисторы малой мощности (Ре< 0,3 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
1
i Транзисторы средней мощности (Ре= 0,3 ... 1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мощносrпи (Ре > 1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
35
Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают
порядковый номер разработки технологического типа.
Условное
обозначение
Назначение прибора
От 01 до 999 1 Определяет порядковый номер разработки технологического типа
Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по па
раметрам.
Условное
Назначение прибора
обозначение
ОтАдоЯ
Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по
(кроме букв 3, О, Ч) единой технологии
i!
з·

1
1
1
1
1
1
36
Раздел 1. Условные обозначения
1.2. Условные графические обозначения транзисторов
Ниже приводятся графические обозначения транзисторов.
Условное графическое
обозначение
~
:~х
~
~
i
Наименование
1 Транзистор типа р-п-р
i
i
!
Транзистор типа п-р-п
Лавинный транзистор типа п-р-п
1
1
1 Однопереходной транзистор с п-базой
1
!
Однопереходный транзистор с р-базой
i
i
Транзистор двухэмиттерный типа р-п-р
Полевой транзистор с каналом п-типа
1
1
1
Полевой транзистор с каналом р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом
1
~i!
,!
1
~
1
1

Раздел 1. Условные обозначения
37
Окончание графических обозначений транзисторов
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом
i1
J
il
1
1
i
,!
11
1
'1
!
:!
11
[ Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с п-каналом 11
IГ--------+-1------1
~
i!
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и l'i
с внутренним соединением подложки и истока
1
ипс
1
~ ПолоеоО •р•юшорс юол.JЮ"""""'"'оромободно""оn>'""'с р-~шом !
ж
ипс
К(С)
Э(Е)
~
З(J
К(С)
Э(Е)·
~/Г
З(J
1
1 Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с n-ка-
1 налом и с выводом от подложки
1
Условные графические обозначения БТИЗ (IGВТ-транзисторов)

Раздел 2
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
Буквенное
обозначение
Параметр
отечественное 1 международное
lкБО
![
!1
11 Iэво
11
JI Iкэо
iкэн
1 Iсво
1
!
i
1 IEBO
i
1 icEo
Обратный ток коллентор-эмиттер при з:данном обратном напряжении кол-11
!
лектор-эмиттер и разомкнутом выводе оазы.
I!
j icER
' Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кoл-l·ll
!
лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
1
IГ----------+----------+---~--~--~-------------~------~-----1
icES
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-11
Iкэк
lкэv
1
i
1
11 lкэх
1
[Iкmax
1lэmax
11 Iв max
lк. и max
Iэ. и max
11 lкР
icEV
1 lcEX
!
1Icmax
!IE max
1Iвmax
1 !см max
!
1 IЕм max
-
1
лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
11
!1
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении 11
коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи ба-1!
1 за-эмиттер.
!
1 Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
1 лектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
1 Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
Максимально допустимый постоянный ток базы.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
Критический ток биполярного транзистора.
1
•
11 Uкво проб
i U(BR) сво
i Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол-
1!
!
1 лектора и разомкнутой цепи эмиттера.
11 Uэво проб
1 U(ВR) ЕВО
[ Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
!1
1
1 эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
,
'1
'
1
1
r
1
,
Uкэо проб
· i U(BR) СЕО
1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1
г---------тl_________-+-и_р_а_з_о_м_к_н_у_т_о_й_ц_е_п_и_б_а_з_ь_1.__ _ __ __ __ _ __ __ _ __ __ _ __~
Uкэн проб
U(BR) CER
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1
и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Uкэк проб
11 Uкэv проб
11
U(BR) CES
iU(BR) CEV
1
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора
и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
1i
.!
1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в [i
i цепи ба.за-эмиттер.
!i

Раздел 2. Биполярные транзисторы
39
Продолжение буквенных обозначений
i
1
i
Буквенное
~.
обозначение
Параметр
;1
1
1
отечественное 1 международное
Uкэх nроб
V(BR) еЕХ
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря-
жении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
Uкэо гр
Uщ еЕО
Граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и
эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uсмк
Upt
Напряжение смыкания транзистора.
Uкэ нас
1 UeE sat
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 коллектора.
при заданных токах базы иjj
!VБЭ нас
J UвЕ sat
Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмит-
11
!
тера.
UэБ nл
1 VEBfl
Плавающее напряжение эмиттер-база - напряжение между эмиттером и
1
базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой
цепи эмиттера.
UкБ max
Uев max
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
Uкэmах
UeE max
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UэБ max
UЕв max
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
Uкэ и max
i UeEM max
Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
iiUкБиmax
1
! Uевм max
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
G
1 UЕВм max
Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
iUэБиmax
IP
i
1Ptot
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
Рср
Рдv
Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Ри
Рм
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
Рк
Ре
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Рктmax
-
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Рвых
Pout
Выходная мощность транзистора.
Ри max
Рм max
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
Рк max
Ре max
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. 1
1
Рк со max
-
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
Гб
rьь. rь
Сопротивление базы.
ГКЭ нас
ГеЕ sat
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
1
С!!э,С!16
С!!е, С!lb
Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно.
с22э. С22б
с22е, с22ь
Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей ба-
зой соответственно.
Ск
Се
Емкость коллекторного перехода.
1
Емкость эмиттерного перехода.
Сэ
1Се
1
fгр
jfт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы
cl
общим эмиттером.
fmax
1 fmax
Максимальная частота генерации.
fh2lэ. fh2lб
fh2le. fhre;
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с
fh21ь. fhrь
общим эмиттером и общей базой.
tвкл
ton
Время включения.
tвыкл
torr
Время выключения.
tзд
td
Время задержки.
tно
tг
Время нарастания.
toac
ts
Время рассасывания.
tcn
tr
Время спада.

40
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Окончание буквенных обозначений
Буквенное
обозначение
Параметр
11
1
отечественное 1 международное
1
1
h1 lэ, h116
1 h1le. h11ь;
Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмит-
i h,e, h;ь
тером и общей базой соответственно.
h21 э. h216
1 h21e. h21ь;
[ Статический коэффициент пер·едачи тока транзистора в режиме малого
1 hre. hп1
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
1 h21э, hJ26
"
!
!h 12е. h12ь:
1Коэффициент обратнои связи по напряжению транзистора в режиме мало-li
''
: hге. hгь
[ го сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. :
1,~---------i----'-=..:..._~,________;_.c_::.._:c:..:..:.:.:.:..:::.:.:..:::__o::~___::cc:..::_'-'--::.._:_:_:=.:.:...:_.::..:._:c:..:...:_:_::r....::.:.:.:_.:.:__.:..::.=:..:..:_...::..=-=-:c.:.:__.::...::_.::....:..:'-"-'c-=-:-=-=c:..:..:.=-=-c_~
ti h22э. h226
i h22e. h2211;
i Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1j
i' ___ ___ ___ _. _ ' _h_ _,,o" - c,_. - 'h - " o " -b - - - -- - -1 -lс.:...х_е.:_11-с.:1_с::.._:ос.:бс.:щ=:и.:...м:.._::_э.:...м_:_и:..:т_:тс.:е-"р-"0_:_11-.:...1-'-и:.._::_ос:.б.=щ:осе:..:И.:...'с.:б:..:а:..:з:..:о_:й:.._::_с.::.о.::.о.:...т=-ве=-т.:...с.:...т:..:в=-.е:..:н.:...н.:...о=--.'------------11
1' !h2!э 1
! 1h2Iе1
. Мод
ль коэ ициента пе едачи тока т анзисто а на высокой частоте. 'j
ll h1IЭ
!h11Е.h1E
1 Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для cxe- li
1 мы с общим эмиттером.
1'
/ У1 lэ, У116
11
/i У12э. У126
У21э. У21б
1
1 У22э. У226
1
11 S1 lэ, S116. S1 lк
lj S12э, S126, S12к
j Н21Е, HFE
1
1
1 У21Е
i У1 le. У11ь;
i У;е. У;ь
/ У12е. У12ь;
i Уге. Угь
1
1У21е. У21ь;
1 Yre. Уrь
1У 22е. У22ь;
IYae. Уаь
1S1le. S11ь.S1lc
Sie. Siь, Sic
1 S12е, S12Ь, S12с;
1 Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в
1 режиме большого сигнала.
[Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. ,1
[ Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 11
i схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
ll
1
Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сиг-·
/ нала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
1 Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
[ Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте-1
i'
! Sre. S,ь, Src
1
.
ром, общей базой и общим коллектором соответственно.
i;
11----------+------------j.C-'------------------'------------------~11
il S22э, S226. S22к
1 S22e. S2211. S22c;
1 Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим ii
'I
1s
ss
1
1 эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
1
:
ое,
оЬ. ос
1 S21e. S21ь. S21c;
1
базо1
S21э. S216. S21к
1 Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей
1 Src. Sr11. Src
1 и общим коллектором соответственно.
-
1 fse. fsь. fsc
Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21e=l,
S21ь=l, S21c=l).
Ку, р
Gp
Коэффициент усиления мощности.
!1
-
Gл, Ga
Номинальный коэффициент усиления по мощности.
IF
i Коэффициент шума транзистора.
i 'с (г'ьь Се)
[ Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
1
lj Такр
1 Тл, Taml1
Температура окружающей среды.
1
JI Тк
ITc, Tcase
Температура корпуса.
1 'Т"
iт!
Температура перехода.
·,
1r.
Rт. п-с
Rthja
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
i
1f
il
Rт. п-к
Rthjc
Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
11
f Rт. к-с
Rthca
Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
li
1~п-к
1
Тепловая постоянная времени переход-корпус.
il
i "tthjC
1
11 "tт. п-с
1 тthja
Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
!.
11 1:т. к-с
! "tthca
11
~-------~---------~'~Т~е~п~л~о~в~а~я~п~о~с~т~о~я~н~н~а~я_в~р~е~м~е~н~и~к~о~р~п~у~с~-~о~к~р~у~ж~а~ю~щ_а~я~с~р~е~д~а~·------~~

Раздел 2. Биполярные транзисторы
41
2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов
Перечень параметров, включаемых в ТУ, характеризующих свойства полупроводниковых при
боров. выбирается с учетом их физико-технологических особенностей и схемного назначения.
В большинстве случаев необходимы сведения об их статических, динамических и предельных пара
метрах. Статические параметры характеризуют поведение приборов при постоянном токе, динами
ческие - их частотно-временные свойства, предельные параметры определяют область устойчивой
и надежной работы.
В справочники, стандарты или ТУ на полупроводниковые приборы включается необходимая
для детального расчета схем информация о параметрах: нормы на значения параметров, режимы их
измерений, максимальные и максимально допустимые значения параметров, вольт-амперные харак
теристики, зависимости параметров от режима и температуры, конструктивно-технологические осо
бенности приборов, их основное назначение, специфические требования, методы измерения
параметров, типовые схемы применения.
Постоянные (случайные) изменения технологических факторов оказывают существенное влия
ние на значения параметров изготавливаемых приборов. Поэтому значения параметров даже одного
типа приборов являются случайными величинами, т. е. имеется отклонение от среднего (типового,
номинального) уровня. Для некоторых параметров устанавливаются граничные (предельные) значе
ния (нормы) и возможные отклонения (разброс). Нормы на разброс параметров устанавливаются
на основе экспериментально-статистических данных при обеспечении надежной и устойчивой рабо
ты приборов в различных условиях и режимах применения, а также исходя ·из экономических со
ображений.
В зависимости от технологии и качества изготовления приборы имеют различные диапазоны
разброса параметров. Для одних параметров ОкБо, Ск, Гб'Ск, Uкэ нас. Кш) предусматривается односто
роннее ограничение (по минимуму или максимуму), для других (h21э, h21э.) - двустороннее.
Параметры транзисторов, определяемые геометрией конструкции (длиной, шириной, площадью
или объемом отдельных областей): емкости переходов, распределенное сопротивление базы, частот
ные характеристики - подвержены меньшим изменениям, чем параметры, зависящие от состояния
поверхности. Состояние поверхности определяет значения пробивных напряжений и стабильность
обратных токов, коэффициент усиления.
Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжения
Максимальное напряжение, которо_е может выдерживать диод или транзистор, ограничивается
явлением пробоя. Пробой р-n-перехода выражается в резком увеличении обратного тока при дости
жении обратным напряжением определенного (критического) значения. Различают электрический и
тепловой пробои. Механизм пробоя определяется физическими параметрами исходного материала,
типом проводимости, мощностью прибора, конструктивно-технологическими факторами, внешними
условиями и другими причинами.
Существуют два вида электрического пробоя: туннельный (зенеровский) и лавинный, связанные
с увеличением напряженности электрического поля в р-n-переходе. Туннельный и лавинный пробои
различаются знаками температурного коэффициента напряжения (ТКН) - отрицательным для тун
нельного (он уменьшается с ростом температуры) и положительным для лавинного (он увеличивает
ся с ростом температуры). Электрический пробой определяется характеристиками р-n-перехода
(шириной, объемными и поверхностными свойствами, удельным сопротивлением исходного материа
ла). Оба вида электрического пробоя находят применение в стабилитронах: в области пробоя напря
жение слабо зависит от тока, что и определяет стабилизацию напряжения.
Тепловой пробой возникает из-за потери устойчивости теплового режима работы и появления те
плоэлектрической обратной связи. При плохих условиях теплопередачи от перехода происходит повы
шение его температуры (саморазогрев) и возможно разрушение прибора из-за перегрева (общего или
локального). На вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференци
альным сопротивлением. Вероятность возникновения теплового пробоя существенно зависит от теп
лового сопротивления прибора, внешних условий, схемы включения, элементов входной цепи,
рабочего тока и напряжения на приборе. Чем выше Тп max и ниже обратные токи и тепловые сопротив
ления, тем более устойчивы к тепловому пробою приборы. Теплового пробоя можно избежать, обеспе
чив тепловую стабильность режима работы прибора, т. е. хороший теплообмен. Напряжения
теплового пробоя значительно больше напряжений лавинного и туннельного пробоев для кремниевых
приборов.

42
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Т:ранзисторы характеризуются максимальными (пробивными) напряжениями переходов
(Uкво проб. Uэво проб. Uобр). Кроме того, максимальное напряжение коллектор-эмиттер зависит от
схемы. в которой применяется транзистор, - от условий во входной цепи (между эмиттером и ба
зой), т. е. от значений сопротивлений Rбэ и Rэ и напряжения смещения. Значения напряжения кол
лектор-эмиттер для произвольной схемы (UкэR проб, Uкэк проб, Uкэv проб) находятся а интервале
между значениями напряжений Uкэо проб и Uкво проб. Пробивное напряжение Uкэо проб является
наименьшим из всех возможных пробивных напряжений коллектор-эмиттер и соответствует наихуд
шим условиям на входе, когда цепь базы отключена (Rбэ = оо), т. е. Uкво проб > Uкэх проб >
> Uкэк проб > UкэR проб > Uкэо проб (рис. 2.1 ). Схемы измерения пробивных напряжений и обратных
токов приведены на рис. 2.2, а-е. Для обеспечения стабильной и надежной работы транзисторов ра
бочее напряжение коллектор-эмиттер выбирают меньше Uкэо проб. Изменение напряжения коллек
тор-эмиттер от сопротивлений Rбэ и Rэ характеризуется зависимостью UкэRпроб от этих
сопротивлений. При включении сопротивления Rэ входное сопротивление увеличивается. поэтому
возможно увеличение Rбэ (см. рис. 2.2, д). Имеется критическое сопротивление в цепи базы Rбэ кр.
при котором начинается снижение допустимого рабочего напряжения (рис. 2.3). Чем больше Rбэ. тем
сильнее зависимость UкэR проб от температуры. Сопротивление Rбэ существенно изменяет UкэR проб,
если оно сравнимо или больше входного сопротивления транзистора.
Напряжение Uкэк проб используется для расчета схем с трансформатором или резонансным кон
туром на входе; напряжение Uэво проб - для расчета напряжения запирания переключающих или
усилительных схем при работе с отсечкой коллекторного тока; напряжение Uкво проб - для расчета
режимов работы запертого транзистора и схем с общей базой.
UкБО проб
Uкэо проб
Uкэх проб Uкэ
Рис. 2.1. Выходные вольт-амперные характеристики транзистора в области пробоя
при различных условиях на входе
а)
UкБо проб UкБ
~·~
б) Uкэо проб
Uкэ
lкэк
lкэR
~
lк
Rбэ2 < Roo1
Uкэ
UкэR проб Uкэ
в)
г)
lкэR
lк
lкэv
~
Rб3
Uкэ
д)
е)
Рис. 2.2. Схемы измерения пробивных напряжений и обратных токов
при различных ус,ловиях на входе
Uкэ

Раздел 2. Биполярные транзисторы
UкэRmax. В
100г--.........
80
60
lк= О,2А
Токр =25 'С
~_
_.__
__.. _ __.__
____..___,____.
10·1
10
10" Rt;3 , Ом
43
Рис. 2.3 . Зависимость пробивного напряжения от сопротивления
резистора в цепи базы
Пробивные напряжения переходов устанавливаются при определенном значении тока (напри·
мер, для маломощных транзисторов напряжение UкБо проб фиксируется при токах от 1 до 200 мкА).
Пробивные напряжения снижаются, если повышается температура, т. е. приборы могут выйти из
строя при напряжениях, безопасных при нормальной температуре.
Максимально допустимые напряжения устанавливаются по наименьшим из измеренных значе
ний пробивных напряжений с некоторым запасом для обеспечения надежной работы приборов. Мак
симальные и максимально допустимые напряжения определяют верхнюю допустимую границу
рабочего диапазона обратных напряжений диодов и транзисторов.
При некотором сочетании параметров (при больших напряжениях и токах, даже не превышаю
щих предельных значений) у любого транзистора в активном режиме при прямом или обратном (в ре
жиме отсечки) смещении на переходе эмиттер-база может возникнуть второй пробой (рис. 2.4).
Поэтому изготовители приборов определяют области их безопасной работы, исключающие этот вид
пробоя, сходного с тепловым. Кроме того, созданы транзисторы с по-
вышенной устойчивостью ко второму пробою (например, транзисто
ры с эпитаксиальной базой, с балластными стабилизирующими
резисторами в цепях эмиттеров). Существуют также схемные реше
ния, уменьшающие вероятность возникновения второго пробоя.
В большей степени второму пробою подвержены транзисторы, рабо
тающие с индуктивной нагрузкой в ключевом режиме (при запира
нии). Вследствие второго пробоя значительно сужается область
безопасной работы мощных высокочастотных транзисторов. Даже
при наличии запасов по предельным параметрам они могут выйти из
строя при средней мощности, меньшей предельно допустимой. Часто
в ТУ для прямого смещения приводятся значения тока, при которых
происходит второй пробой.
Максимальные токи
U2
U1 Uкэ
Рис. 2.4. Форма воль'Р-амперной
характеристики в области второго
пробоя (U 1 и U2 - напряжения
первого и второго пробоя)
Максимальный ток, протекающий через полупроводниковый прибор, определяется допустимой
рассеиваемой мощностью, коэффициентом усиления, уменьшающимся при увеличении тока Iк (напри
мер до значения h2JЭ < 10), критическим током, при котором происходит второй пробой, сопротивле
нием Гкэ нас транзистора. Поэтому для увеличения максимального тока стараются уменьшить rкэнас и
Uпр. увеличить рассеиваемую мощность (т. е. уменьшить тепловое сопротивление, увеличить допусти
мую температуру перехода), повысить устойчивость ко второму пробою, уменьшить снижение коэф
фициента усиления при увеличении тока lк. Максимально допустимый ток устанавливается через
максимальный с учетом коэффициента запаса.
Максимальный ток базы ограничивается сопротивлениями вывода и контактов базы. Ограниче
ние максимального тока коллектора, как правило, наступает раньше, чем достигается максимальный
ток базы.
Обратные токи
Обратные токи и их зависимости от приложенных напряжений и температуры учитываются при
расчете режима работы транзисторов.
Значение обратного тока через переход зависит от свойства материала, технологии изготовле
ния (геометрии перехода, состояния поверхности), мощности прибора и рабочей температуры. Пол
ный обратный ток р-п-переходов lобр состоит из трех компонентов: теплового тока 10 , тока
термогенерации Iт и тока утечки ly.

44
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тепловой ток зависит от физических свойств материала и обычно характеризуется температу
рой удвоения (приращением температуры, вызывающим удвоение теплового тока). У кремниевых он
значительно меньше, чем у германиевых р-п-переходов при одной и той же площади перехода. Ток Io
экспоненциально зависит от температуры, причем у германиевых диодов он примерно удваивается
при увеличении температуры на каждые 7... 10 °С, у кремниевых - на каждые 8... 12 °С.
Особенностью тока термогенерации является зависимость от напряжения (ширина перехода
увеличивается с ростом напряжения, и ток Iт возрастает). Он пропорuионален ~И обр, но увеличива-
ется с ростом температуры слабее, чем ток Io. Ток Io начинает превышать Iт при температуре 100 °С.
При комнатной температуре для германиевых р-п-переходов Iт обычно мал и меньше Io, но для крем
ниевых, у которых Iт является главным компонентом полного обратного тока, Iт >> Io (на несколько
порядков). Ток Iт для германиевых приборов становится соизмеримым с током Io лишь при отрица
тельной температуре.
Ток утечки ly обусловлен проводимостью поверхности кристалла (характером ее обработки),
связан с нарушением кристаллической решетки, наличием окисных пленок, шунтирующих переход,
загрязнением поверхности и является основной причиной нестабильности lобр во времени. При повы
шении напряжения ток ly растет почти линейно и слабо зависит от температуры. Обычно у реальных
кремниевых р-п-переходов ly > Io + Iт.
Небольшой наклон вольт-амперных характеристик свидетельствует о том, что основная состав
ляющая обратного тока - не зависящий от напряжения ток lб. Если же характеристики имеют боль
шой наклон. то основными составляющими являются токи Iт и ly. Большой ток ly нарушает
указанный выше закон удвоения, т. е. увеличение lобр ослабляет его зависимость от температуры.
Транзисторы характеризуются обратными токами переходов эмиттер-база lэБО и коллектор-ба
за lкБо. а также обратным током между коллектором и эмиттером, значение которого, как и про
бивное напряжение между коллектором и эмиттером, зависит от условий во входной цепи
транзистора.
Обратный ток коллектора lкБо экспоненциально увеличивается с ростом температуры. Считает
ся, что он изменяется приблизительно на 6 ... 8% у германиевых приборов и на 8 ... 10% у кремниевых
при изменении температуры на 1 °С (рис. 2.5).
lкБО. мкА
1000
100
10
,
/
1
/
о
~q,-+=J.
,,"~о/-
;:,{911/
1
1
lf,
/
//
//
/
/
50
1
,
100
150 200
Токр.°С
Рис. 2.5 . Зависимость обратного тока коллектора от температуры
Обратные токи обычно определяются при максимальных обратных напряжениях. Большие об
ратные токи переходов свидетельствуют о недостаточно хорошем качестве приборов.
Тепловые параметры
К тепловым параметрам приборов относятся минимальная Тп min и максимальная Тп max темпера
туры перехода, тепловые сопротивления Rт, тепловые постоянные времени tт и теплоемкости Ст.
Они определяют стабильность работы полупроводниковых приборов при изменении температуры, ог
раничивают максимальные мощности, токи и напряжения, допусти~ые диапазоны температур окру-

Раздел 2. Биполярные транзисторы
45
жающей среды, при которых обеспечивается надежная работа. В частности, параметры Rт, tт, Ст
позволяют определять нагрев транзистора 11ли диода в рабочем режиме.
Как уже отмечалось, максимальная мощность полупроводниковых приборов в различных услови·
ях эксплуатации ограничивается максимальной температурой перехода, при достижении которой
либо резко ухудшаются их параметры, либо они выходят из строя из-за теплового пробоя переходов.
При постоянных условиях окружающей среды Тп является функцией электрической мощности
Р = UI, приложенной к прибору, и зависит от его структуры, теплофизических характеристик мате
риалов (типа исходного материала, степени его легирования, состояния поверхности) и других техно
логических факторов. Кремниевые р-п-переходы сохраняют свои свойства до температуры
150 ... 200 °С. германиевые - до 70... 120 ·с.
В процессе работы на р-п-переходах выделяется основная мощность и происходит повышение
температуры. Так как р-п-переход нагревается до температуры, большей, чем температура корпуса и
окружающей среды, то для полупроводниковых приборов устанавливается диапазон максимально до
пустимой окружающей температуры: для кремниевых приборов -60... + 125 °С, для германие
вых -60.. . +70 °С. Связь между Тп и Такр описывается формулой Тп - Такр = RтР, где Rт показывает
возрастание температуры на единицу рассеиваемой мощности.
Приводимые в справочниках значения Тп max определяются экспериментально или рассчитыва
ются и имеют запас по сравнению со значением температуры, при которой наступает разрушение
прибора.
1
Измерять Тп прямыми методами сложно, поэтому используются косвенные методы, при которых
она оценивается по значению какого-либо термочувствительного параметра. Термочувствительными
параметрами диодов являются обратный ток lобр и прямое напряжение Uпр. а транзисторов - обрат
ные токи Iкво. Iэво. напряжения Uэв. Uкв. коэффициент передачи тока h21э. входное сопротивление.
Температуру рабочих областей полупроводниковых приборов измеряют и другими методами, напри
мер методом регистрации инфракрасного излучения, физическим (термопарой).
Теплообмен между переходом и окружающей средой принято характеризовать тепловым сопро
тивлением прибора - сопротивлением элементов конструкции распространению тепла от перехода к
корпусу и теплоотводу, которое определяется конструкцией прибора, теплопроводностью ее элемен
тов и системой охлаждения корпуса. Тепловое сопротивление переход-среда Rт, п-с необходимо
знать для расчета допустимой рассеиваемой мощности маломощных диодов и транзисторов, обычно
работающих без теплоотвода, а тепловое сопротивление переход-корпус Rт. п-к - для расчета режи
ма работы мощных приборов при наличии внешнего радиатора (рис. 2.6). Обычно Rт, п-с >> Rт. п-к (со
противление Rт. п-к остается постоянным только в случае работы при малых плотностях тока). Тепло
от кристалла с переходами к корпусу или радиатору отводится за счет теплопроводности, а от корпу
са в окружающее пространство - конвекцией и излучением.
Rт, к-с
Тп Rт, п-к
Переход
Rт, к-р
Rт, р-е
Рис. 2.6 . Тепловая эквивалентная схема транзистора с теплоотводом
(Rт, п-к, Rт, к-с. Rт, к-р. Rт, р-с - тепловые сопротивления переход-корпус,
корпус-среда, корпус-радиатор и радиатор-среда соответственно)
Для охлаждения корпуса мощного прибора вместо радиатора может использоваться поток жид
кости или газа. При применении радиатора нагрев полупроводникового прибора зависит от качества
теплового контакта корпуса с радиатором, т. е. сопротивление корпус-среда Rт. к-с зависит от типа
радиатора, метода крепления, чистоты сопрягающихся поверхностей, усилия, с которым прижимается
прибор (контактного давления). Для уменьшения контактного сопротивления применяются специаль
ные смазки (например, кремнийорганические) и пасты, заполняющие пустоты между контактирующи
ми поверхностями, а также прокладки из мягких, легко деформируемых металлов: свинца, индия,
меди, алюминия.
Тепловые постоянные времени переход-корпус tт, п-к и корпус-среда tт, к-с используются для
расчета теплового режима приборов в динамическом режиме и характеризуют скорость нарастания
температуры отдельных участков объема полупроводникового прибора, когда температура перехода
значительно изменяется за период действия импульсной мощности. Постоянная времени tт, п-к опре-

46
Раздел 2. Биполярные транзисторы
деляется по переходным тепловым характеристикам нагревания или остывания приборов и зависит
от типа материала и конструкции приборов; tт, к-с зависит от способа отвода тепла от прибора. По
стоянная времени переход-среда tт, п-с характеризует время установления теплового режима диодов
и транзисторов без теплоотвода.
Значения теплоемкостей переход-корпус Ст, п-к и корпус-среда Ст, к-с необходимы при опреде
лении тепловых режимов в случае работы приборов при малых длительностях импульсов. Они опре
деляются экспериментально.
Для приборов средней и большой мощностей, используемых с радиатором, обычно оговаривает
ся предельная температура корпуса прибора.
Для зарубежных приборов часто указывается максимальная температура хранения, которая яв
ляется предельной температурой перехода данного прибора. При больших температурах даже в нера
бочем состоянии могут происходить необратимые изменения свойств прибора. При высокой
температуре активизируется действие примесей на поверхности кристалла, поэтому скорость дегра
дации электрических параметров выше, чем при низких температурах.
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность определяется физическими свойствами полупроводникового материала,
геометрическими, конструктивно-технологическими и тепловыми характеристиками прибора. Мощ
ность. рассеиваемая транзистором, состоит из мощностей, выделяемых на переходах коллек
тор-база и эмиттер-база: Робщ = Рэ + Рк = lБUБэ + IкUкэ .:: Рк (часто величиной Рэ можно
пренебречь, так как Рэ « Рк). Различают максимально допустимую рассеиваемую мощность в стати
ческом и импульсном режимах. В последнем случае она зависит от формы, длительности. частоты и
скважности импульсов. При тепловом равновесии рассеиваемая мощность расходуется на нагревание
и влияет на температуру перехода при заданной температуре окружающей среды Токр или температу
ре корпуса Тк.
Максимальная мощность, рассеиваемая диодом или транзистором, ограничивается максималь
ной температурой перехода Тп. а также рядом специфических процессов, определяющих максималь
ные напряжения и токи. Зависимость между максимальной (максимально допустимой) мощностью
рассеяния и максимальной температурой перехода для прибора без радиатора (теплоотвода) имеет
вид Рк max = (Тп - Токр)/ Rт, п-с, где Rт, п-с
-
тепловое сопротивление переход-среда.
Для приборов, работающих с внешним теплоотводом, Рк.т max = (Т п - Тк)/ Rт, п-к. где Rт, п·к
-
тепловое сопротивление переход-корпус. Максимальная (максимально допустимая) мощность при
увеличении Токр или Тк линейно уменьшается. Она рассчитывается в соответствии с указанными
формулами или находится из типовых зависимостей, которые приводятся для конкретных приборов
(рис. 2.7). Для мощных транзисторов значения Рк, т max приводятся в справочниках при условии иде
ального отвода тепла или для радиаторов различных размеров (рис. 2.8, 2.9). Максимально допусти
мая мощность, в отличие от максимальной, приводится с запасом, гарантирующим заданную
надежность.
50
100
150
200
Токр, •с
Рис. 2.7 . Зависимость рассеиваемой мощности от
температуры
Рк, т max. Вт
Sp> 300см2
12,5
10
7,5
L~..__-'-~-'----'-.:=::::::52!!!!\!lrli.....:T~~~P
о
255075100125150175
Токр, •с
Рис. 2.8. Зависимость рассеиваемой мощности от
температуры при различных значениях и площади
радиатора Sp

Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк, т max. Вт
100 200 300 400 500 600
Sp. см2
Рис. 2.9. Зависимость мощности рассеяния от площади радиатора
при различных значениях температуры
Коэффициент передачи по току
47
Коэффициент передачи h2JЭ транзистора зависит от тока коллектора (эмиттера); с увеличением
тока Iк Оэ) он сначала возрастает, достигает максимума, а затем уменьшается. В зависимости от тех
нологии изготовления максимум кривой h2JЭ = q>(lк) может быть резко выраженным или размытым
(рис. 2.10). Например, максимум этой кривой у меза-транзисторов достигается при токах, на 1-2
порядка больших, чем у сплавных. После прохождения максимума h2JЭ уменьшается приблизительно
обратно пропорционально Iк. Такая неравномерность усиления в диапазоне токов является источни
ком нелинейных искажений. В мощных транзисторах спад коэффициента передачи происходит более
резко, чем в маломощных. Особенно резкий спад происходит у сплавных кремниевых р-п-р транзи
сторов (из-за физико-технологических причин). Поэтому не удалось создать такие транзисторы на
большие рабочие токи. Для повышения усиления используются составные транзисторы.
о 50 100 150 200 250 1••мА
Рис. 2.10 . Типовые зависимости коэффициента передачи
от тока коллектора
У сплавных приборов h21Э растет с увеличением напряжения на коллекторе Uк, у диффузион
ных эта зависимость слабо выражена (она наблюдается лишь при малых напряжениях на коллекто
ре). С ростом температуры h2JЭ обычно увеличивается (рис. 2.11 ).
h21Э отн
1111
Токр= 100 "С
_,_
---
-1·
--
=25°С
-
~--
11
-
-4О0С
--
~-
-::.- -
.-
0,1
0,01
0,1
~- -"
г-- ....
~-
.-.
_h_
'
\
\
1
1
10
....
... ..
' \:\
\"
\'\
100
lк. мА
Рис. 2.11. Зависимость относительного коэффициента передачи от тока коллектора, при различных значениях темпе
ратурыинапряжения(-- - Uкэ =1В,---Uкэ =10В)

48
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Составные транзисторы
Составной транзистор фактически представляет собой соединение двух биполярных транзисто
ров по определенной схеме, имеющей три внешних вывода, Например, в составном транзисторе по
схеме Дарлингтона (рис. 2.12, а, 6) коллекторы соединены вместе, входом служит база транзистора
VTl, а эмиттером - эмиттер транзистора VT2. Для обеспечения нормальных режимов работы управ
ляющего VT 1 и выходного VT2 транзисторов по постоянному току и напряжению транзистор VT2 де
лается более мощным. Такой составной транзистор функционально соответствует одному
транзистору с высоким результирующим коэффициентом передачи тока, равным произведению коэф
фициентов передачи входящих в него одиночных транзисторов:
h21Эоб = h21э1 + h21э2 + h21э1h21э2 ~ h21э1h21э2.
Недостатком составных транзисторов является повышенное напряжение насыщения Uкэ нас =
= Uкэ нас! + Uвэ2, а также относительно большой обратный ток.
к
к
Б~ Б~
~VТ2
~VТ2
э
э
а)
б)
Рис. 2.12. Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы
Для увеличения стабильности работы эмиттерные переходы транзисторов VTl и VT2 могут шун
тироваться резисторами Rбэl и Rбэ2 (например, Rбэl = 1... 10 кОм, Rбэ2 = 25 ... 300 Ом), предотвращаю
щими возрастание токов утечки (особенно при высоких температурах), но и влияющими на общий
коэффициент усиления (рис. 2.13, а, 6):
h2JЭоб = h21э1Rбэ!/(Rбэ! + Гвх!) +'h21э2Rбэ2/(Rбэ2 + Гвх2) +
+ h21э1h1э2Rбэ!Rбэ2/[(Rбэ! + Гвх1НR6э2 + Гвх2)],
где Гвх - входное сопротивление транзистора. При этом
к
к
Б
Б
э
э
а)
6)
Рис. 2.13 . Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы
с резисторами Rбэl и Rбэ2
Внутренняя структура составных транзисторов варьируется в зависимости от области их приме
нения. В ряде приборов могут отсутствовать резисторы Rбэl и Rбэ2 (например, у 2SB678, 2SB679,
2SB880, 2SD549, 2SD688, 2SD1190, 2SD1224), может быть только резистор Rбэl (например, у
RCA9203, 2SD684, 2SD1088, 2SD1410, 2SD1861 ). Имеются приборы, в которых между коллектором
и эмиттером выходного транзистора включается диод (например, у КТ825, 2N6050, 2N6285, ТIPl 10),
защищающий транзистор от инверсных (обратных) токов, возникающих в результате переходного
процесса при работе на индуктивную нагрузку и при непредусмотренном изменении полярности на
пряжения питания (см. рис. 2.13). Но тогда они становятся не пригодными для использования в ин
верторных мостовых схемах. Для повышения стойкости ко второму пробою между коллектором и

Раздел 2. Биполярные транзисторы
49
базой или между коллектором и эмиттером включается стабилитрон (например, у 2SD706. 2SD708.
2SD1208, 2SD1294).
Составные транзисторы применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсно
го действия, электронных системах зажигания автомобилей (например, КТ848А), схемах управления
двигателей, в различных усилительных и переключательных схемах.
Необходимо отметить, что большое усиление могут иметь и одиночные мощные и маломощные
транзисторы со сверхбольшим коэффициентом усиления (так называемые Ultra-Beta и Super-Beta),
например 2N596 l-2N5963, 2SC 1888, 2SC 1983, 2SC2 l 98, 2SC23 l 5-2SC23 l 7, 2SC249 l, 2SD920,
2SD931, 2SD982, 2SD1052, 2SDI090, 2SD1353.
Емкости переходов и постоянная времени коллектора
Емкости р-n-переходов влияют на частотные и импульсные характеристики полупроводниковых
приборов. Обычный р-n-переход подобен конденсатору, емкость которого меняется при изменении
приложенного напряжения. Эта емкость состоит из двух компонентов, проявляющихся при работе
диода в прямом и обратном направлениях, - барьерной и диффузионной емкостей. Барьерная (за
рядная) емкость Сб не зависит от тока через переход и является функцией частоты и обратного при
ложенного напряжения. Диффузионная емкость Сд пропорциональна прямому току (даже при
небольших прямых токах Сд > Сб) и также зависит от частоты. Емкость р-n-перехода при прямом
смещении диода равна сумме Сд и Сб, при обратном - приблизительно емкости Сб, так как в этом
случае емкость Сд пренебрежимо мала.
Обычно в ТУ на прибор даются зависимости емкостей от напряжений, приложенных к перехо
дам. На рис. 2.14 приведена зависимость Ск(Uк5}. С увеличением напряжения емкость нелинейно
уменьшается. Емкость Ск равна разности измерений выходной емкости С22э и паразитной емкости
ножки корпуса.
250
200
150
100
о
25
lэ=О
Такр =25 'С
f=1МГц
50 75 UкБ.В
Рис. 2.14 . Зависимость емкости коллектора от напряжения коллектор-база
Постоянная времени •к = r'бСк, где r'б - сопротивление базы, характеризует внутреннюю об
ратную связь в транзисторе и определяет частотные и усилительные свойства, максимальную часто
ту генерации и коэффициент усиления по мощности на высокой частоте. Кроме того, чем меньше
его значение, тем выше устойчивость к самовозбуждению транзистора в усилителе. Через парамет
ры •к и Ск можно определить сопротивление базы, необходимое для расчета схем.
Шумы транзисторов
Собственные шумы транзисторов ограничивают чувствительность усилителей. Их источниками
являются шумы: тепловые, дробовые эмиттерного и коллекторного переходов, избыточные, а также
случайного перераспределения тока эмиттера между коллектором и базой.
Тепловые шумы транзистора практически определяются омическим сопротивлением базовой об
ласти. Дробовые шумы обусловлены флуктуациями носителей заряда через прибор (возникают при
прохождении тока через эмиттерный и коллекторный переходы).
Избыточные шумы (фликкер-шумы) - специфические шумы, возникающие вследствие измене
ния состояния поверхности кристалла полупроводника во времени. Они пропорциональны протекаю
щему току и проявляются на низких частотах: в диапазоне звуковых и инфранизких частот.
Значения избыточных шумов могут сильно колебаться даже для транзисторов одного типа, так как
зависят от технологических факторов. Избыточные шумы больше у n-p:n транзисторов, чем у p-n-p.
Транзисторы с большими или нестабильными токами lкБо имеют повышенные избыточные шумы.
43З1(9

50
Раздел 2. Биполярные транзисторы
С ростом рабочей частоты доля избыточных шумов уменьшается и шумы транзисторов определяются
в основном дробовыми и тепловыми составляющими.
Шумовые свойства транзистора обычно характеризуются коэффициентом шума, который опре
деляется экспериментально или рассчитывается на основе анализа отдельных источников шума. Рас
считать точно коэффициент шума для области избыточных шумов невозможно, поэтому его
определяют экспериментально.
Коэффициент шума - сложная функция многих переменных: полного сопротивления источника
сигнала Rг, параметров режима, параметров транзисторов (h21э, lкБО. Сэ, fh2Jб, г'б, Гэ) и рабочей час
тоты fp. Зависимость Кш от частоты имеет три характерных участка (рис. 2.15): низких частот (Кш
уменьшается пропорционально 1/ f); средних частот (Кш не зависит от частоты) - область «белого»
шума; высоких частот (при f > fгр усиление резко уменьшается и шумы возрастают, Кш зависит от г'б
и отношения (fp/ fh2lб) 2).
Кw.дБ
ЗдБ/окr
1...5 кГц
Рис. 2.15. Типовая зависимость коэффициента шума от частоты
Эти участки обусловлены тем, что на различных частотах шумы генерируются различными
источниками шумов. В области низких частот (О, 1... 5 кГц) коэффициент шума уменьшается при
мерно на 3 дБ на октаву, в области высоких частот увеличивается на 6 дБ на октаву, в области
средних частот он минимален.
Следует отметить, что имеется взаимосвязь низкочастотных шумов и отказов приборов. Уровень
низкочастотных шумов, пропорциональных 1/ f, дает информацию о структурных изменениях прибо
ров и используется для распознавания разных дефектов в транзисторах, в частности трещин и нару
шений целостности кристалла, наличия загрязнений поверхности, которые могут привести к отказам
приборов. Методы неразрушающего контроля качества приборов по их шумам используются в техно
логическом цикле производства. Кроме того, существуют методы прогнозирования основных парамет
ров надежности приборов по их низкочастотным шумам.
Минимальное значение Кш достигается при определенных значениях сопротивления источника
сигнала Rг и тока lк (рис. 2.16, 2.17). Увеличение Кш при росте Iк происходит медленно при малых
токах. При больших токах Кш растет почти пропорционально lк. С ростом Uк (в пределах 1... 10 В)
Кш почти не меняется, пока избыточные шумы малы по сравнению с дробовыми и тепловыми.
В дальнейшем из-за увеличения избыточных шумов Кш возрастает. Таким образом, для того чтобы
свести шумы к минимуму, выбирают оптимальный режим работы транзистора.
Кш.дБ
12
10
8
i\.
'
6
4
2 r\.
о
1о-4
\
\
...
....
'
Uкэ=5в
~
'\
"
10·2
10·1
11;
11. .iJ
Iо·
!:) $?
tV
1/
1
~
11' ,
lt)
.:..·1
)
~"
10
/
,__
,__
1а2
f, МГц
Рис. 2.16 . Зависимость коэффициента шума от
частоты при различных значениях тока коллектора
и сопротивления источника сигнала
Rг.кОм
100 .---........П'li:~~:-v-.....-~~
50
10
51:s.:;;;;::!=:t:t:""'=:::t=::::);~~~
0,5
О,1 .....,.........;,..._L...Cl_L.-_._.....__.....____.
0,01
0,05 0 ,1
0,5
lк, мА
Рис. 2.17. Типовая зависимость коэффициента
шума от сопротивления источника сигнала
и тока коллектора

Раздел 2. Биполярные транзисторы
51
На средних и высоких частотах минимальный Кш будут иметь транзисторы с малыми r' б и lкБО и
большими h21э и h21б.
Измерения параметра Кш производятся обычно при стандартном сопротивлении Rг. Как правило,
коэффициент шума увеличивается с ростом температуры.
2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника
Для анализа работы транзистора в усилительном или генераторном режимах используются ме
тод эквивалентных схем и метод четырехполюсника.
При первом методе основные расчетные соотношения схемы усилителя выражаются через пара
метры, отражающие физические процессы в транзисторе (диффузию, модуляцию ширины запираю
щего слоя), зарядные емкости, последовательные сопротивления и др., с учетом особенностей
конструкции. паразитных емкостей и индуктивностей выводов в рабочем интервале частот. Для раз
личных областей применения и диапазонов рабочих частот эти схемы различны. В зависимости от
расположения пассивных элементов получаются Т- и П-образные эквивалентные схемы.
Эквивалентная схема диода, включающая сопротивление р-n-перехода, емкости р-n-перехода (Сб
и Сд). емкость корпуса, индуктивности выводов, сопротивления базы и выводов, видоизменяется при
обратном и прямом смещениях.
Метод четырехполюсника позволяет рассчитывать усилитель с помощью матриц без составле
ния эквивалентной схемы транзистора. При этом параметры четырехполюсника (четыре комплекс
ных параметра), характеризующие свойства транзистора, определяются экспериментально, В
отличие от параметров эквивалентной схемы, они зависят от схемы включения. Существуют три сис
темы параметров, однозначно определяющие свойства транзисторов~ h-, У- и S-параметры. Каждая из
них имеет свои преимущества и недостатки. Выбор той или иной системы параметров определяется
удобством анализа и расчета каждой конкретной схемы.
При расчете низкочастотных схем наибольшее распространение получили Z- и h-параметры. вы
сокочастотных схем - У-параметры.
Для устранения нестабильности работы транзисторов в усилительном режиме, связанной с
внутренней обратной связью, используются схемные методы нейтрализации и демпфирования вход
ных и выходных проводимостей. С помощью внешних схемных элементов стараются уменьшить ко
эффициенты, характеризующие обратную связь (h12. У 12). У ряда современных транзисторов влияние
обратной связи снижается технологическим способом.
Измерение параметра У 116 позволяет оценить сопротивление базы, которое, в свою очередь, оп
ределяет усилительные и частотные свойства транзисторов, а также высокочастотные шумы токорас
пределения (у транзисторов с малым сопротивлением r'б уровень шумов также мал). Вообще
сопротивление r'б зависит от конструкции и типа транзистора и лежит в диапазоне от нескольких
единиц (у мощных приборов) до нескольких сотен Ом.
В качестве параметров, описывающих транзистор как четырехполюсник для СВЧ-диапазона, ис
пользуются S-параметры: S11 и S12 - коэффициенты отражения соответственно от входа и выхода
четырехполюсника при нагрузке на волновое сопротивление (входные и выходные сопротивления),
S12 и S21 - коэффициенты обратной и прямой передач. Они применяются для расчета схем, рабо
тающих на частотах от 100 МГц до нескольких гигагерц (на этих частотах трудно осуществить усло
вие короткого замыкания при измерении У-параметров). Кроме того, S-параметры имеют ряд
преимуществ с точки зрения обеспечения устойчивости в процессе измерения, но определяются
только для конкретной рабочей точки и на фиксированной частоте.
Типовые (нормализованные) зависимости параметров четырехполюсника от режима и темпера-
туры иногда приводятся в справочниках или ТУ (технических условиях).
Частотные свойства транзисторов
Частотные свойства полупроводниковых приборов определяют области их применения.
Для эквивалентных схем и четырехполюсников существует ряд характеристических частот.
Практическое значение имеют частоты, связанные с параметрами h2Iб, h21э и У21э. а также частота
генерации fmax, определяющая область частот, в которой транзистор, в принципе, может применяться
как генератор колебаний (на этой частоте коэффициент усиления по мощности Кур = 1). Кроме того,
fmax используется для оценки Кур на других частотах.

52
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Модули коэффициентов передачи тока hz1б, hz1э и крутизны У21э уменьшаются с ростом часто
ты, поэтому вводятся характеристические частоты, на которых эти параметры снижаются в .J2 раз
(до 0,707) относительно их значения на низкой частоте (соответствующие предельные частоты fh2lб,
fh2lэ. fv21э). Усиление транзистора на частотах, превышающих fh2lэ и fh2lб. падает со скоростью 6 дБ
на октаву, т. е. при рабочей частоте, в 2 раза превышающей fh2lэ и fh2lб, коэффициент усиления
уменьшается в 2 раза.
С ростом частоты входного сигнала коэффициент передачи плавно снижается и на некоторой
частоте, называемой граничной (fгр = 1hz1э1 fизм, где fизм - частота измерения), модуль hz1э достига
ет значения, равного единице, т. е. усиление по току отсутствует (рис. 2.18).
ЗдБ h21б
fh21э fh21б frp f
Рис. 2.18 . Зависимости коэффициентов передачи тока от частоты
Частота fv21 используется для расчета ограниченного ряда схем (генераторов и широкополосных
усилителей) и связана с fгр формулой
fv21э = fгрrэ/ Г'б-
Частота fmax также связана с fгр:
fmax = ~fгр /8rc · r;c •.
Для характеристики транзисторов частота fh2lб обычно используется на частотах до 20 МГц,
а fгр - свыше 20 МГц.
Имеются формулы, связывающие частоты fh2lб, fh2lэ и fгр- В частности, fгр = kfh2lб, где k =
= 0,65 ...0,82 для различных типов транзисторов или fh2lб = (1,2 ... 1,б)fгр- Для бездрейфовых
(сплавных) транзисторов обычно k = 0,82, а предельная частота fh2lэ = (1 - hz1б>fh2lб- Значения
fгр зависят от положения рабочей точки (рис. 2.19) и температуры. Максимум зависимости fгр от
тока коллектора (эмиттера) обычно почти совпадает с максимумом зависимости параметра hz1э от
тока (рис. 2.20). При больших токах предельная частота падает, при малых токах частотные свой
ства транзисторов также ухудшаются.
Uкэ.В
50
10
5
--
--
с::Е
о
"""11
д"
о
со
\\
\\
\,
\
~\~ \~\
о~
а)~
Токр =25 ·с
\~
\\ эDOj
\'
\,
./
\21о/
'
1
'
1
1
1\~~,
\'
""
/J
\
/J
'
'
L"\I /fh
""
\ \;;ю/'//
о\ .о
~а) ,_
~
0,02 0,05 О,1 0,2 0,5 1 2
51020
lк,А
Рис. 2.19 . Зависимость граничной частоты от
тока коллектора
frp. МГц
100
80
60
40
v
20
0,01
/
/
r-\.
/'
'
\
0,1
Рис. 2.20. Зависимость граничной частоты от
режима работы (Токр = 25 "С)

Раздел 2. Биполярные транзисторы
53
Высокочастотные транзисторы
Различие между низкочастотными и высокочастотными транзисторами заключается в размерах
активных областей и в значениях параметров структуры и паразитных параметров корпуса - для
высокочастотных приборов они должны быть значительно меньшими.
К транзисторам, предназначенным для работы на высоких и сверхвысоких частотах, предъявля
ется ряд дополнительных требований. Они должны иметь малые емкости между электродами, соз
дающие (!аразитную обратную связь, и малую индуктивность общего вывода. Кроме того, для
получения максимального Кур они должны иметь высокую частоту fгр и малые '!к, Ск и Uкэ нас- При
создании высокочастотных приборов труднее получить высокую воспроизводимость и идентичность
параметров у приборов одного технологического типа.
Высокочастотные транзисторы могут работать и ~ак усилители, и как генераторы. Однако
транзистор, оптимальный для усилителя мощности, не обязательно будет пригоден для генератора
и, наоборот.
Высокочастотные мощные транзисторы характеризуются такими параметрам, как Рвых. Ку,Е.!.
КПД Iкр (критический ток коллектора, при достижении которого происходит уменьшение fгр в ..J2
раз по отношению к максимальному значению, - определяет условную границу, при которой полу
чают удовлетворительные частотные свойства транзистора). Факторы, определяющие усиление и ши
рину полосы транзисторных усилителей, могут быть найдены только в комбинации свойств
транзистора и схемы, в которой он используется. Кроме того, параметр Кр зависит от условий опре
деления входной и выходной мощностей, поэтому имеется несколько коэффициентов, характеризую
щих усиление транзистора. В качестве обобщенной характеристики усилительных свойств
транзисторов используется U-функция (максимальный Ку, р при обратной связи, нейтрализованной
внешней схемой). Помимо указанных параметров они должны иметь хорошую устойчивость к рассо
гласованию нагрузки.
Для получения высокого КПД рабочая точка транзисторов должна находиться вблизи области
насыщения. Высокочастотное напряжение насыщения (оно больше статического) определяет также
выходную мощность на высокой частоте. Следует отметить, что использовать транзисторы с больши
ми пробивными напряжениями для низковольтных устройств нецелесообразно, так как они имеют
большие напряжения насыщения и низкие КПД.
Надежная работа мощных приборов при больших Рвых обеспечивается лишь при пониженных
значениях параметров электрического и теплового режимов. Обычно Рвых указывается в справочни
ках для уровня, соответствующего надежной работе, и не превышает в режиме непрерывных колеба
ний 50% Рк max. На высоких частотах выходная мощность изменяется пропорционально 1/ f2 . Она
монотонно увеличивается до определенных значений с ростом входной мощности и напряжения ис
точника питания Uиn-
Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителя мощности, должны иметь
пробивное напряжение коллекторного перехода в 2... 3 раза больше Uиn. В схемах генераторов при
расстройке коллекторной цепи пиковое значение напряжения на коллекторе может достигать
(3 .. .4)Uиn и более, особенно на нижнем участке рабочего диапазона частот.
Обычно высокочастотные мощные транзисторы работают ненадежно в режимах короткого замы
кания и холостого хода и могут отказывать при рассогласовании нагрузки на выходе. Например.
транзистор 2N5178 обеспечивает мощность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно на
страиваемом узкополосном усилителе, и даже при слабом нарушении согласования возможен отказ.
Имеются высокочастотные транзисторы, которые могут работать при всех условиях рассогласо
вания нагрузочного полного сопротивления. Так, транзисторы 2N5764 и 2N5765 могут работать в ус
ловиях сильного рассогласования, в отличие от типов 2N4430 и 2N4431. Разработаны также
приборы для специальных областей применения, в которых требуются различные значения рабочего
напряж~ния (6; 12; 13,5; 24; 28 В и др.), с различными уровнями широкополосности, с высокой ли
нейностью.
Для передачи информации с помощью кабелей (например, в кабельных телевизионных систе
мах) разработаны специальные широкополосные линейные транзисторы, работающие в классе А или
АВ, при котором обеспечивается малый уровень искажений. вызываемых перекрестной модуляцией.
Они имеют слабую зависимость коэффициента усиления от тока, малую емкость Ск и применяются
на частотах много меньших, чем максимальная рабочая частота. Для стабилизации температурного
режима в корпусе транзистора монтируют схему температурной стабилизации с диодом - датчиком
температуры. Нелинейность таких транзисторов характеризуется коэффициентом нелинейных (ин-

54
Раздел 2. Биполярные транзисторы
термодуляционных) искажений. При сравнительной оценке линейности транзисторов могут исполь
зоваться зависимости S21Ок) и S21(Uк).
Транзисторы для линейных широкополосных усилителей, работающих в режиме одной боковой
полосы. характеризуются отдаваемой мощностью в пике огибающей (РРЕР).
Мощные высокочастотные транзисторы могут применяться в импульсном режиме, при этом вы
ходная мощность может быть увеличена при повышении рабочих напряжений. Например, транзистор
MSC1330 имеет в непрерывном режиме выходную мощность _30 Вт на частоте 1,3 ГГц при
Uип =28 В. а в импульсном <tи = 10 мкс) при Uип =40 В на той же частоте уже 70 Вт.
Современные мощные высокочастотные транзисторы имеют сложные геометрические и техноло
гические структуры (полосковые, гребенчатые. многоэмиттерные, сетчатые, мнqгоэлементные).
В этих структурах в'Ьзмож'но развитие второго пробоя, который чаще всего проявляется при работе
или испытаниях транзисторов в статическом режиме (на постоянном токе) или режиме класса А.
Среди возможных причин отказа высокочастотных и сверхвысокочастотных усилительных тран
зисторов можно назвать возникновение генерации за счет паразитных реактивностей схемы, пере
грузку при переходных процессах и действие статического электричества.
2.4. Области работы и вольт-амперные характеристики
транзисторов
Для транзисторов принято различать четыре области работы (рис. 2.21 ): отсечки, активную
(усиления), насыщения и лавинного пробоя (умножения), а также три схемы включения: с общим
эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Транзисторы работают в прямом и
инверсном включениях.
-lк
UкБ= О
lэ= о
Область отсечки
Рис. 2.21 . Выходная вольт-амперная характеристика транзистора
При прямом включении в области отсечки оба перехода (эмиттерный и коллекторный) смещены
в обратном направлении и через них протекают очень малые токи lкБО и lэ50. В активной области
транзистор работает как усилительный элемент (эмиттерный переход смещен в прямом направлении,
а коллекторный - в обратном). В области насыщения оба перехода смещены в прямом направлении,
через транзистор протекает большой ток, а остаточное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Uкэ нас характеризует его как переключатель в замкнутом состоянии. В области умножения коллек
торный переход находится в состоянии лавинного (электрического) пробоя.
При инверсном включении, в отличие от прямого, эмиттер смещен в обратном направлении, а
коллектор - в прямом. Транзистор работает в активной области, но его усилительные свойства
хуже (например, h21б iпv = 0,1 ...0,8). Дрейфовые (диффузионные) транзисторы редко исп:ользуются в
таком включении, так как из-за асимметрии конструкции (большого различия площадей эмиттера и
коллектора) инверсное усиление· мало. Инверсный режим может иметь место во время переходных
процессов в импульсных схемах.
Вольт-амперные характеристики, приводимые в справочниках, дают информацию о работе тран
зисторов во всех областях и режимах работы на большом и малом сигналах при различных допусти
мых сочетаниях токов и напряжений. По ним можно определить ряд основных параметров
транзистора, выбрать оптимальное положение рабочей точки, рассчитать нелинейные искажения.

Раздел 2. Биполярные транзисторы
цепи смещения и стабилизации режима. Для анализа ре
жимов и расчета схем обычно широко используются два
семейства статических характеристик: входных и выход
ных для схем с ОБ и ОЭ. При необходимости по ним мож
но построить переходные характеристики (прямые и
обратные). По входным характеристикам определяются па
раметры h11б и h11э. по выходным - h22б, У22б, h21э, У21э,
У21б (в зависимости от режима).
Наклон начального участка выходных характеристик
определяет сопротивление Гкэ нас· Кроме того, на выход
ных характеристиках обычно указывают область безопас
ной работы транзисторов.
Типичная область безопасных режимов работы (ОБР)
для статического режима эксплуатации приведена на
рис. 2.22 . Они ограничены отрезками АВ (определяет зна
чение максимально допустимого тока прибора), СО (опре
lк,и max
lк,max
10
0,1
0,01
··········-·········-...-·········
А В ··-..
"·.!и1
10
·-..tи2 :
·..
:
··.":
·:
о· 4s·· ..
100 о 1000
Икэо max
55
И,В
Рис. 2.22. Область безопасных режимов ра·
боты (пунктирными линиями -
импульсный режим)
деляет значение максимально допустимого напряжения Uкэо max), ВС (характеризует ограничение
электрического режима по мощности, т. е. значение выделяющейся мощности не должно выходить за
пределы ВС).
Для большинства тргнзисторов ОБР ограничивается отрезком C'D' и уменьшается, что связано
с воздействием электротепловой нестабильности: выделяющаяся мощность и тепловое сопротивле
ние увеличиваются с ростом температуры (растет нагрев транзистора), а теплоотвод ухудшается и
растет температура перехода. Выход рабочей точки за пределы ОБР приводит обычно к необратимо
му ухудшению параметров транзистора.
Для обеспечения надежной работы режимы использования, особенно мощных транзисторов,
должны не выходить за пределы области максимальных режимов.
При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности рабочего
импульса tи границы области ОБР перемещаются в сторону больших значений токов и напряжений.
Чем меньше tи и больше скважность, тем будет больше импульсная мощность рассеяния, вызываю
щая разогрев р-n-перехода до предельно допустимой температуры.
Импульсный и ключевой режимы работы
Рабочие токи, напряжения или мощности при работе в импульсном и ключевом режимах могут
значительно превышать номинальное значение, установленное для режима постоянного тока.
Транзисторные ключи работают в насыщенном (режим переключения) или ненасыщенном режи
ме (в импульсных усилителях). В первом случае рабочая точка на семействе выходных характери
стик циклически перемещается из области отсечки в область насыщения через активную область и
обратно. Во втором случае рабочая точка проходит только через две области - отсечки и активную.
В режиме переключения (рис. 2.23, а) транзистор как ключевой элемент меняет свое со
стояние от закрытого (высокое напряжение и малый ток) до открытого (низкое напряжение и
большой ток). Насыщенные ключи имеют меньшую мощность рассеяния Рк во включенном со
стоянии и хорошую помехоустойчивость, но у них хуже быстродействие, так как переход из об
ласти насыщения происходит с задержкой, и больше мощность
рассеяния на базе при больших степенях насыщения. Увеличе
ние быстродействия транзисторов достигается уменьшением
времени жизни неосновных носителей путем легирования ак
тивных и пассивных областей структуры атомами золота. Но
для таких транзисторов велика вероятность возникновения ла
винного пробоя. Поэтому для увеличения быстродействия часто
параллельно переходу коллектор-база подключается диод Шат
ки, что предотвращает насыщение транзистора (отсутствуют ре
жимы накопления и рассасывания зарядов). Такие транзисторы
более устойчивы ко второму пробою в случае больших запи
рающих токов (например КТ635).
Для переключательных транзисторов в справочниках приво
дятся импульсные значения максимально допустимых параметров
или графики, позволяющие определить импульсную рассеивае-
Uкэ
lк
Uкэ нас
а)
=1:""""".i.
б)
Рис. 2.23 . Выходные напряжение и
ТОК (а) и выходная МОЩНОСТЬ (6)
импульсного транзистора

56
Раздел 2. Биполярные транзисторы
мую мощность Ри в зависимости от соотношения длительности импульса tи. скважности Q и частоты.
Значения Ри на фронте или срезе импульса могут превышать Рк max (рис. 2.23, 6). Ток lк. и max обыч
но определяется экспериментально для заданной длительности импульса и ограничивается Рк max.
Формы входного и выходного импульсов тока представлены на рис. 2.24 . Как видно, выходной им
пульс сдвинут относительно входного на tзд, а фронт и срез имеют конечную длительность. Задержка
фронта обусловлена зарядом входной емкости, равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и кол
лекторного переходов.
-IБ2
lк
0,9
0,1
j~
~
1
"
·-
+
-
lвкл
lи
:.
1
а)
\-
}нр lpac
!сп
t
lвыкл
б)
Рис. 2.24 . Форма токов базы и коллектора импульсного транзистора
Время переключения транзистора, т. е. его быстродействие, состоит из времен включения tвк.п и
выключения tвыкл. В свою очередь, время включения состоит из времен задержки tзд и нарастания
tнр. а время выключения - из времен задержки выключения tpac (времени рассасывания) и спада tсп
Время переключения определяется как свойствами самого транзистора, так и выбранной схемой
включения транзистора и параметрами управляющего сигнала. Оно является функцией частоты fгр и
эмиттерного и коллекторного токов. Получить высокое быстродействие при большом токе трудно.
Для высокочастотных транзисторов (с fгр > 100 МГц) задержка включения определяется в ос
новном емкостью Сэ. Кремниевые транзисторы имеют большие значения t 3д, чем германиевые. Время
задержки может быть уменьшено путем увеличения мощности включающего сигнала. Для времени
нарастания влияние емкости Сэ незначительно, но играют роль fгр и входной ток. Как уже отмеча
лось, на длительности фронта и среза значительное влияние оказывает емкость Ск. Время tсп зависит
от Iк и от отношения Iк/IБ.
Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима измерения. При боль
ших степенях насыщения (или больших запирающих токах) и существенных отклонениях режима ис
пользования от указанного в справочнике время рассасывания может принимать значения,
отличающиеся от номинального.
Параметры tpac. Ск, Сэ. fгр. h21Э дают возможность сравнивать переключательные свойства тран
зисторов при одинаковых режимах измерения.
Параметры tвкл и tвыкл приводятся лишь для некоторых типов транзисторов, используемых при
предельном быстродействии. Эти времена определяются для конкретной (типовой) электрической
схемы, зависят от элементов внешних цепей (сопротивления нагрузки, сопротивления входной цепи,
реактивных сопротивлений) и используются как справочные или рекламные сведения.
Работа транзистора в режиме насыщения характеризуется также остаточным напряжением кол
лектор-эмиттер Uкэ нас или сопротивлением насыщения Гкэ нас. При сравнении транзисторов удоб
нее использовать параметр Гкэ нас, а не Uкэ нас. так как он слабо зависит от тока. Напряжение Uкэ нас
зависит от геометрических и физических параметров транзистора. Его уменьшают, выбирают опреде
ленную геометрию структуры, а также создавая конструкции с эпитаксиальными слоями. С увеличе
нием степени насыщения (в 3 ... 5 раз и выше) Uкэ нас почти не меняется. С ростом температуры оно
несколько увеличивается (рис. 2.25). Большое сопротивление Гкэ нас транзистора и диода увеличивает
потери мощности в приборах и снижает КПД устройств, особенно при работе на больших токах.
Переключательные транзисторы (в отличие от усилительных) обычно имеют малые остаточные
напряжения (Uкэ нас. UБэ нас). времена переключения и большие пробивные напряжения UкБО проб.

Раздел 2. Биполярные транзисторы
Uэво проб. Для этих транзисторов нет необходимости иметь
большие h21э. В общем случае мощность, выделяемая транзи
стором в ключевом режиме, состоит из мощностей, выделяю
щихся на коллекторном переходе в режиме насыщения
(Рвкл). в режиме отсечки (Рвыкл), в процессе перехода транзи
стора из одного режима в другой (Рпер). и управляющей мощ
ности в цепи базы (Рупр). При небольших рабочих частотах
(менее 1 кГц) основной составляющей, определяющей тепло
вые потери в транзисторе, является Рвкл- Мощностью Рпер ог
раничивается предельная частота работы транзистора.
Следует отметить, что для надежного отпирания транзистора
необходимо подавать напряжение, превышающее плавающее
напряжение UэБ пл - напряжение между выводами .базы и
эмиттера, обусловленное параметрами lкво. Г'б и сопротивле
нием утечки.
Uкэ нас. В
0,25
0,20
0,15
0,10
-
0,05
о
0,01 0,1
57
Тор= 1оо·с_';-/,
111
1 ~5~~
-40 t;
...~"
-~-~"
10
lк, мА
Рис. 2.25. Зависимость напряжения
насыщения коллектор-эмиттер от тока
коллектора при различных значениях
температуры
2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов
Надежность полупроводниковых приборов существенно зависит от электрических и тепловых
режимов работы, т. е. определяется реальными условиями их эксплуатации. Приборы работают на
дежно, если их рабочие токи, напряжения, мощности, температура перехода и температура окружаю
щей среды не превышают максимально допустимых значений.
Надежность полупроводниковых приборов закладывается еще на этапе разработки и в даль
нейшем обеспечивается на всех стадиях их изготовления. В производственных условиях надеж
ность приборов зависит от конструкции, технологии изготовления (например, надежность
планарных приборов выше надежности сплавных и сплавно-диффузионных) и методов контроля ка
чества и надежности.
В ТУ на приборы определены условия, при которых гарантируется их надежная и устойчивая
работа и предусмотрен комплекс мероприятий для обеспечения высокой надежности. При заводских
испытаниях проводятся испытания приборов на безотказность и долговечность, позволяющие опреде
лить производственную надежность (для оговоренных в ТУ режимов, условий испытаний и критери
ев отказов), как правило, в условиях и режимах более тяжелых, чем условия эксплуатации, и с
оценкой результатов испытаний по более жестким критериям. Количественные показатели надежно
сти приборов в процессе работы в аппаратуре определяются эксплуатационной надежностью. Экс
плуатационная надежность (в конкретных режимах, условиях и схемах применения) обычно выше
производственной, т. е. интенсивность отказов приборов в аппаратуре меньше, чем при заводских ис
пытаниях.
Разница между производственной и эксплуатационной надежностями более значительна, если
приборы работают в облегченных электрических и эксплуатационных режимах по сравнению с мак
симально допустимыми (предусмотрены запасы по напряжению, току и мощности рассеяния) и если
работа схемы (устройства) допускает большой диапазон изменения параметров используемых прибо
ров. Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации необходимо выбирать рабочие ре
жимы с коэффициентом нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7 ... 0,8. Не
рекомендуется применять транзисторы при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратны
ми токами во всем диапазоне рабочих температур, а также в совмещенных предельных режимах.
Данные об эксплуатационной надежности накапливаются при эксплуатации аппаратуры и учи
тываются при ее доработке или усовершенствовании.
Применение биполярных транзисторов
Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумя
щие, переключательные и генераторные), так и специализированные, отличающиеся специфическим
сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления, для рабо
ты в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с
малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию параметров), комплементарные пары
транзисторов, составные и лавинные транзисторы.

58
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока, низкой частоты, проме
жуточной частоты, высокой частоты и др.) являются входное и выходное сопротивления каскада,
соотношения, определяющие усиление, частотные свойства, режимы работы, температурная ста
бильность и прочие показатели.
В соответствии с назначением различают каскады предварительного усиления (напряжения,
тока или мощности), предназначенные для получения максимального усиления (обычно по резистор
ной или трансформаторной схемам), и каскады усиления мощности, обеспечивающие на заданной
нагрузке необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях и мощности потребле
ния от источника питания. В многокаскадных усилителях с отрицательной обратной связью имеют
место фазовые сдвиги между входными и выходными токами, поэтому для их устойчивой работы
транзисторы выбирают исходя из условия fв $ 0,3fh2lэ (fв - верхняя рабочая частота усилителя);
при малой обратной связи fв $ fh21э. Возможны два варианта усилителя с мощным выходным каска
дом: бестрансформаторный (с выходной мощностью не более 5 ... 10 Вт) и трансформаторный (на де
сятки и сотни ватт). При выходной мощности 0,1 ... 1 Вт каскады выполRяются однотактными с
режимом работы в классе А; при больших значениях мощности - двухтактными с режимом работы
в классах А, АВ или В.
В схемах с дополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов со структурами
р-п-р и n-p-n, приборы должны иметь одинаковые параметры и характеристики. Требуется подбор пар
последовательно включенных транзисторов по параметрам h21э и fh2lэ с разбросом не более 10... 15%.
Для этой цели разработаны специальные (комплементарные) пары транзисторов, например отечест
венные транзисторы со структурами n-p-n и p-n-p соответственно: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815;
КТ816 и КТ817; КТ818 и КТ819 и другие.
В каскадах предварительного усиления напряжение Uкэ в рабочей точке мало (несколько
вольт). Оно выбирается из соображений получения малого напряжения шумов или неискаженной
формы сигнала на выходе.
В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилизацию, замена транзисто
ра на однотипный с более высоким значением h21э обычно не приводит к значительному увеличению
тока коллектора в рабочей точке.
В транзисторных генераторах наиболее предпочтительными являются режимы классов В и С
(реже АВ). При расчете транзисторного генератора с внешним возбуждением по заданным выходной
мощности и верхней рабочей частоте выбирают тип транзистора и проверяют его пригодность по па
раметрам Рк. fгр и предельно допустимым параметрам UкБО max. UэБО max. Iк max для заданного угла от
сечки коллекторного тока. Для расчета генераторов необходимо также знать Ск. •к. fmax- Следует
учитывать. что чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше коэффициент усиления по
мощности Кур. Для получения Кур= 5 ... 7 дБ необходимо, чтобы частота fв была в 4 ... 10 раз ниже fh2lб-
B каскадах усиления и генерации мощности Uкэ выбирается достаточно большим для получения
максимального КПД и малых нелинейных искажений.
Транзисторы некоторых. типов используются в специфических классах схем и характеризуются
рядом особенностей режима и условий работы. Эти специализированные транзисторы образуют свое
образный класс приборов, например, транзисторы для схем с автоматической регулировкой усиления
(АРУ), для усилителей промежуточной частоты, для работы в микроамперном диапазоне токов, для
работы в ВЧ- и СВЧ-диапазонах, лавинные транзисторы, сдвоенные, составные, двухэмиттерные
и т. п. Есть узлы, в которых требуются высоковольтные транзисторы. Кроме того, разработаны тран
зисторы универсального назначения. Оптимальное сочетание параметров и характеристик, удовлетво
ряющих различным требованиям, дает возможность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре
вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов (например, транзистор КТ630).
Для схем с АРУ разработаны специальные транзисторы (германиевые и кремниевые), обладаю
щие регулируемым усилением при увеличении рабочего тока (прямая АРУ). Уменьшение усиления
таких транзисторов на высокой частоте происходит вследствие снижения fгр при увеличении тока
эмиттера и уменьшения напряжения на коллекторе, например, КТ3128, П328, КТ3153, предназна
ченные для применения в радиоприемниках с АРУ и телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ
приемников (за счет смещения их рабdчей точки можно регулировать усиление в широком диапазо
не). В связи с этим наблюдается сильная зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют мень
шую зависимость коэффициента усиления от электрического режима. Для зарубежных транзисторов,
предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления (отношение максималь
ного коэффициента усиления к минимальному).

Раздел 2. Биполярные транзисторы
59
Жесткие требования к экономичности радиоэлектронной аппаратуры в ряде специальных приме
нений способствовали созданию кремниевых транзисторов, функционирующих при малых токах (еди
ницы и десятки микроампер), поскольку германиевые транзисторы вследствие большого обратного
тока коллектора для этой цели непригодны. Такие приборы (например, транзисторы КТ3102, КТ3107)
имеют малые токи Iкво и большие коэффициенты усиления. Однако при работе в микрорежиме у них
ухудшаются частотные свойства, но несколько улучшаются шумовые характеристики. Кроме того,
при малых токах обычно увеличивается зависимость параметров от температуры, снижается крутиз
на и затрудняется стабилизация режима.
Реализация большого коэффициента усиления по мощности в высокочастотных усилителях свя
зана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзи
стора У12. Разработаны транзисторы (например, КТ339АМ), у которых для снижения емкости
обратной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (электростатический экран
Фарадея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирую
щего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и ба
зовым выводами в 2,5 .. . 4 раза (емкость С12э снижается до значения не более 0,3 пФ) и обеспечить
большой коэффициент усиления Кур без применения схем нейтрализации.
Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллектор
ного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные (со сто
роны коллектора или эмиттера) и N-образные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики.
Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно и встречается на
практике. но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда импульсов, ста
бильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность применения обыч
ных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты fгр
при увеличении коллекторного тока.
Лавинные транзисторы имеют следующие основные параметры: напряжение лавинного пробоя
коллекторного перехода Uкво проб, напряжение пробоя при отключенной базе Uкэо проб, напряжение
U'кэо проб в максимуме вольт-амперной характеристики, зависящее от сопротивления Rбэ и управ
ляющего тока. максимальный ток разряда и время нарастания лавинного импульса. Область лавинно
го пробоя лежит между напряжениями Uкво проб и Uкэо проб. Лавинные транзисторы применяются в
релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необ
ходимое быстродействие и амплитуду импульсов при более высоких надежности и стабильности. чем
обычные транзисторы. используемые в режиме пробоя.
С помощью лавинных транзисторов можно формировать амплитуды импульсов 1О... 15 В и выше
на низкоомной нагрузке (50... 70 Ом) и при малом времени нарастания фронта (менее 1 нс).
Отечественной промышленностью выпускаются лавинные транзисторы типов ГТ338 и КТ3122,
за рубежом - лавинные транзисторы типов ASZ23, ECL1239, NSl 110-NSl 116, PADT51,
RП 110-RП 116, SYL3013, 2N3033-2N3035, 2N5236, 2N5271, 2SA252, 2SA411.
В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары).
изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преоб
разующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, долж
ны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора
ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в
зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п-переходов
транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение
Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении Uy приложено между базой и кол
лектором). Если Uy приложено, например, в p-n -p транзисторе минусом к базе, то оба перехода тран
зистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения - ключ открыт). При изменении
полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ закрыт).
В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с
началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротив
лением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и остаточным
током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост = О, Uост = О, Rзакр = оо, Iзакр = О). Оста
точные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отме
тить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие
значения Uост и Iзакр. чем в прямом включении (особенно для сплавных транзисторов, у которых пло
щадь коллектора много больше площади эмиттера).

60
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры
(Uост :S 12 мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие
значения остаточных параметров (например, у КП 18 Uост менее 0,2 мВ, зарубежные ЗN74, ЗNl 11).
Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использования в инверсном включе
нии (например, зарубежные транзисторы 2N2432, 2N2944-2N2946, 2N4138), которые имеют малое
остаточное напряжение (менее 1 мВ) и применяются в модуляторах для стабильных усилителей по
стоянного тока, построенных по схеме модуляции-демодуляции, в схемах управления реверсивными
двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах,
например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, при запирании транзистор
может переходить в режим инверсного включения при работе на комплексную нагрузку.
Для работы в выходных каскадах усилителя низких частот радиовещательных приемников, вы
сококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые тран
зисторы разного типа проводимости (например ГТ401, ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они характеризуются
слабой зависимостью коэффициента усиления от тока, высокой частотой fh2Iэ, низким напряжением
Uкэ нас. что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых
частот. В свою очередь, это дает возможность упрощать схемы усилителей, уменьшать число приме
няемых транзисторов, повышать надежность и снижать себестоимость устройств. Зависимость коэф
фициента передачи hh2Iэ от тока характеризуется коэффициентом линейности - отношением
коэффициентов передачи при двух значениях тока эмиттера.
Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по опре
деленной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого
транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функ
ционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно
равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав
ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972. КТ973,
КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158,
КТ8159, КТ8214, КТ8215, КТ8225) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и им
пульсного действия, бесконтактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сго
рания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и
переключательных устройствах.
Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы
с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне то
ков (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130).
Ряд транзисторов разработан для целевого применения:
•
высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно-белых и цветных телевизоров
(например, КТ872) и высоковольтных источников питания (КТ8126, КТ8224, КТ8228);
•
импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997);
•
для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных
каскадов класса А и широкополосных усилителей;
•
для селекторов телевизоров, с повышенной устойчивостью к интермодуляционным искаже
ниям (КТ3109);
•
для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококачественных УНЧ и видеоусилителей
телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и
КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999;
•
для высокочастотных широкополосных усилителей с малой постоянной времени •к (КТ368);
•
для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887,
КТ888);
•
для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807);
•
для линейных и импульсных устройств (КТ315 - первый отечественный прибор в пластмас-
совом корпусе); ·
•
универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352);
•
для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342);
•
для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных
каскадах усилителей (КТ201 и КТ203);
•
высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) - при непосредственном
включении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы 800... 1ООО В;
•
для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926).

Раздел 2. Биполярные транзисторы
61
Для линейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Un = 10 В),
КТ912 и КТ921 (Un = 27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Un = 28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965,
КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 Un = 12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим эмиттером.
Un =28 В).
Транзисторы КТl 17, КТl 19, КТ132, КТ133 являются однопереходными. Транзистор КТ120Б-1
имеет два вывода (используется в качестве диода). Транзисторные сборки, состоящие из двух транзи
сторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 пред
назначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с
общей базой (ОБ).
Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно
жителей используются транзисторы КТ606 (Un = 28 В), КТ607 (Un = 20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ,
Un = 15 В). КТ642, КТ647 (Un = 15 В), КТ648 (Un = 10 В). КТ657 (с ОЭ, Un = 15 В), КТ682. КТ996
Un = 10 В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913. КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931,
КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 Un = 28 В), КТ930 (Un = 30 В), КТ918, КТ938 (Un = 20 В), КТ919
(с ОБ. Un = 28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Un= 12,6 В), КТ929 (Un = 8 В), КТ937 (с ОБ.
U-n = 21 В). КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускают работу на рассогласованную нагрузку),
КТ9104 (с ОБ. Un = 28 В), КТ945, КТ947 (Un = 27 В), КТ977 (с ОК, Un = 40 В), КТ9142.
Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе
ратур -60... +200 °С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141,
а для схем фотовспышек - КТ863 и КТ9137, транзистор КТ3166
-
для контроля температуры воз
духа и элементов конструкции систем (у него соединены коллектор и база).
Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516, предна
значены для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзисторы вы
пускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для поверхностного
монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26.
Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в
различных корпусах (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для примене
ния в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47).
Транзисторы КТ519А, КТ6128 предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а
транзисторы КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в
режиме класса «В» портативных радиоприемников. В малошумящем предварительном усилителе мо
жет использоваться транзистор КТ526А.
Транзисторы КТ732-КТ739, КТ6136 и КТ6137, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 и КТ8230 предназна
чены для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключа
тельных и усилительных схемах.
Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тю
неров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и пере
ключателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высоковольтных ключей, стабилизаторов с
импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран
зисторы КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав
ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла).
Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и
КТ8234, КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном испол
нении, и мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 (на ток 15 А), КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 (на
ток 20 А), мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы
в ВЧ и СВЧ диапазонах.
Комплементарные транзисторы (со структурами p-n -p и n-p -n) КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ403,
П703 и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720.
КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102.
КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре
в схемах с дополнительной симметрией.
Имеется. также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в со
ставе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТ3130, КТ682; переключательные
КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, моду
ляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТЗ 170А9, КТЗ 173А9,
КТ3179А9, КТ3180А9, КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169).

62
2.6. Биполярные германиевые транзисторы
i
! Тип
прибора
П108А
П108Б
П108В
П108Г
~П109А
П109Б
~П109В
П109Г
П109Д
П109Е
П109Ж
П109И
П115А
П115Б
П115В
пнsr
:1п11sд
t
'1
11
П122А
П122Б
П122В
п122r
П124А
'П124Б
IП124В
~П124Г
П125А
П125Б
П125В
п12sr
П125Д
П125Е
1п12sж
'П125И
П125К
П125Л
ПЗОSА
ПЗОSБ
пзоsв
!
1
1
!Структу-1
iра'
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
p-n-p
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1
1
1
1
1
pKmax•
Р~.тmах•
р~: н max•
мВт
75
75
75
75
30
30
30
30
30
30
30
30
50
50
50
50
50
150
150
150
150
75
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
75
75
75
1
1
1
1
~р• \210•
~;,~,
~;;х•
МГц
0,5*
1*
1*
1*
?.1*
?.1*
?.1*
?.1*
?.3*
?.5*
-
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.2*
?.2*
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.140
?.160
?.160
1
1
'
1
UКБО ороб•
U~Ropoб'
u~ороб•
в
5
5
5
5
10 (18 имп.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имп.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имп.)
20
30
20
30
20
35
20
20
20
25
25
25
25
35
35
35
35
35
35
35
70
70
70
15
15
15
1
1
1
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UЭБО ороб•
в
5
5
5
5
!
-
1
-
-
1
-
1
-
-
1
-
-
20
20
20
1
20
1
20
i
:
10
10
1
10
1
10
20
20
20
1
20
20
20
1
20
20
20
20
1,5
1,5
0,5
1
!
lкmax
1;,н max•
мА
50
50
50
50
20
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
100*
100*
100*
100*
300*
300*
300*
~00*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
40 (100*)
40 (100*)
40 (100*)
i1
i
1
1
1
1
'
!
1
1
1
i
!1
1
'
'
1
!
i1
1
1
1
1
1
1
IКБО•
J~R'
1··
кэо•
мкА
10(5В)
10(5В)
10(5В)
10(5В)
:>5 (5 В)
$5(5В)
:>5 (5 В)
:>5 (5 В)
:>2(1,2В)
:>2 (1,2 В)
:>1 (1,5 В)
:>5 (5 В)
:>40 (20 В)
:>40 (30 В)
:>40 (20 В)
:>40 (30 В)
:>40 (20 BJ
:>20 (5 В)
:>20 (5 В)
:>20 (5 В)
:>20 (5 В)
:>15(158)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15(15В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15(15В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15(15В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
-
-
:>4 (15 В)
'
\
j
'
~
~
~
1,
i
!1
~!;
:r
~.,
1·
i!11
~1
11
j~

Биполярные германиевые транзисторы
63
ck,
rкэ нк•
Кш1 дБ
tк, ПС
h21,o ь;IЭ
с;2"
r~э наt:•
r;. Ом
t~c•
Корпус
пФ
Ом
Р;:" Вт
t::11"1
t::. нс
20...50 (5 В; 1мА)
50 (50 В)
5000
rпos
35...80 (5 В; 1мА) 60...130 50 (50 В)
5000
~tt
(5 В; 1мА) 110...250 (5 В; 50 (50 В)
5000
1 мА)
50 (50 В)
5000
,.
~
20...50 (5 В; 1мА)
$30(5В) 1
$10000
П109
35...80 (5 В; 1мА)
$30 (5 В)
1
-
-
1
$10000
60... 130 (5 В; 1 мА)
$30 (5 В)
-
-
$10000
:~
110... 250 (5 В; 1 мА)
$30 (5 В)
-
-
$10000
20...70 (5 В; 1мАО
$40 (1,2 В)
-
-
$10000
к
50... 100 (5 В; 1 мА)
$40 (1,2 В)
-
-
$10000
1
~$
<:100* (1,5 В)
1
-
-
-
$10000
20...80 (5 В; 1 мА)
1 $30(5В)
-
$12 (1 кГц)
$10000
1
20...80 (1 В; 25 мА)
-
-
-
1
-
П115
20...80 (1В; 25 мА)
-
-
-
-
~tt
60... 150 (1 В; 25 мА)
-
-
-
-
60... 150 (1 В; 25 мА)
-
-
-
1
-
,.
.
125...250 (1 В; 25 мА)
-
-
-
-
1
i
1
1
~
j
i
1
~
1
1
15...45 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
П122
15...45 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
:ti·Ф.·
30...60 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
30...60 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
1
1
28...56 (0,5 В; 0,1 А) 1
-
1 $0,5
-
1
-
1
П124
1
4
45...90 (0,5 В; 0.1 А) 1
1
$0,5
1
•
1
-
-
-
~-
71...162(0,5В;0,1 А) 1
-
$0,5
-
-
120...200 (0,5 В; О,1А) 1
-
1
$0,5
-
-
~ _,.$
1
~
к.6
28...56 (0,5 В; 25 мА)
-
$1
-
-
П125
45...90 (5 В; 25 мА)
-
$1
-
-
71...140(5В;25мА)
-
$1
-
-
:No·~'
120...200 (5 В; 25 мА)
-
$1
-
-
1
<:28* (0.5 В; 100 мА)
-
$1
-
-
1
!
45...90 (5 В; 25 мА)
1
-
$1
-
1
-
71...140(5В;25мА) 1
$1
1
'
1
-
-
-
1
!
1 25...56* (0.5 В; 100 мА) 1
-
$1
-
-
1
i
1
1
45 ... 90* (0,5 В; 100 мА)
-
$1
-
1
-
71 ... 140* (0,5 В; 100 мА)
1
$1
1
1
-
-
-
1
25...80* (1 В; 10 мА)
$7(5В)
$50
-
$300
ПЗО5
60... 180* (1 В; 10 мА)
$7(5В)
$50
-
$300
tt
40... 120* (5 В; 5 мА)
$5,5 (5 В)
-
$6 (1,6 МГц)
$300
8
~
·Ф
~
1

64
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Рк max'
~pl f,;2161
U КБО npoбt
lк max
IKБQI
Тип
iСтрукту-1 Р~, т maxl
~:;lэ'
U~ЭR """"1
UЭБО """"1
1~, и max'
I~ЭR 1
прибора 1 ра j р~~ н max'
~~·:х t
u;эо """"1
в
1;301
мВт
МГц
в
мА
мкА
П308А
p-n-p
150 (360**)
290
20
3
50 (120*)
$2(5В)
П308Б
p-n -p
150 (360**)
2120
20
3
50(120*)
$2(5В)
П3088
p-n -p
150 (360**)
2120
20
3
50 (120*)
$2(5В)
П308Г
p-n-p
150 (360**)
2120
20*
3
50 (120*)
$2(5В)
1
i
1'
1
11r-~~~--i~~~-t-~~~~~~-t--~~~-+--~~~~~--+~~~~-t--~~~~-t-~~~~~~~1
I П309А
.JпзоэБ
~П3098
П309Г
П309Д
П309Е
1
'ПЗlОА
ПЗlОБ
ПЗlОВ
ПЗlОГ
1пз1од
1пз10Е
П311А
П311Б
П3118
пзнr
П311Д
П311Е
П311Ж
П311И
ПЗlЗА
ПЗlЗБ
ПЗlЗВ
П320А
П320Б
П3208
П321А
П321Б
П321В
П321Г
П321Д
П321Е
!
1
1
1
1
1
i
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n -[1
p-n-p
p-n -p
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-р-л
p-n-p
р-л-р
р-л-р
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
р-л-р
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n -p
i
1
1
1
75
75
75
75
75
75
20 (35°CJ
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
150
150
150
150
150
150
1501
150
100
100
100
200
200
200
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
!60 (20** Вт)
160 (20** Вт)
1
1
1
1
2120
2120
280
280
280
280
2160
2160
2120
2120
280
280
2300
2300
2450
2450
2600
2250
2300
2450
2300
2450
2350
280
2120
2160
260
260
260
260
260
260
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12 (20 имn.)
12 (20 имл.)
10
15
15
15
20
20
20
40**
40**
40**
30**
30**
30**
i
1
1
1
1
1
1
1,5
1.5
1,5
1,5
1,5
1,5
-
-
-
-
-
-
2
2
2
2
2
2
2
1,5
0,7
0,7
0,7
3
3
3
4
4
4
2,5
2,5
2,5
1
i
1
1
1
1
1
1
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
50
50
50
50
50
50
50
50
30
30
30
150 (300*)
150 (300*)
150 (300*)
200 {2* А)
200 (2* А)
200 {2* А)
200 {2* А)
200 {2* А)
200 (2* А)
i
1
i!
!
1
1
1
1
1
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5BJ
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(12В)
$5 (12 В)
$5 (10 В)
$5(12В)
$5 (12 В)
$5 (12 В)
$10 (20 В)
$10 (20 В)
$10 (20 В)
$500 (60 В)
$500 (60 В)
$500 (60 В)
$500 (45 В)
$500 (45 В)
$500 (45 В)
,1
11
ii,,
:~
~
1
!~
1
~1;
11
~

Биполярные германиевые транзисторы
65
1
1
1
с,,
fкэ на~:'
Кш, дБ
1
т,, пс
h21•' ь;,э
с;2,,
f~ H.i~I
1
r;,, Ом
1
t;iacl
Корпус
пФ
Ом
Р;:", Вт
t::кл'
t:·:. нс
20...75* (1 В; 1О мА)
s8(5В) 1 $30
1
i $400
i
ПЗО8
11
-
1
'
50...120•(1В:10мА) 1 S8(5В) 1 $24
1
$1000*
!
1
-
No·~)
~
1
80...200* (1В: 10 мА) 1 $8 (5 В)
1
$24
S8 (1,6 МГц) 1 $400
~
1
1
1
80...150(1В;10мА) 1 s8(5В) 1 $24
S8 (1,6 МГц)
$500
1
$1000*
1
1
;
1
1
:
20...70 (5 В; 1мА)
s7,5 (5 В)
-
-
$500
ПЗО9
60... 180 (5 В; 1 мА)
s7,5 (5 В)
-
S6 (1,6 МГц)
$500
20...70 (5 В; 1мА)
$7,5 (5 В)
-
s6 (1,6 МГц)
$1000
7.4
60... 180 (5 В; 1 мА)
S7,5 (5 В)
-
-
$1000
5.8
20...70 (5 В; 1мА)
S7,5 (5 В)
-
-
$1000
к
~
~
60... 180 !5 В: 1 мА)
s7.5 (5 В)
-
'
-
1
S1000
з
6
20...70 (5 В: 1мА)
$4(5В)
$3 (1,6 МГц)
$300
ГТЗIО
60... 180 (5 В: 1 мА)
s4(5В)
S3 (1,6 МГц)
$300
20...70 (5 В: 1мА)
s5(5В)
s4 (1.6 МГц)
$300
60 ... 180(58; 1 мА)
s5(5В)
s4 (1,6 МГц)
$300
20...70 (5 В: 1мА)
s5(5В)
$4 (1.6 МГц)
$500
60... 180 (5 В: 1 мА)
s5(5В)
s4 (1,6 МГц)
$500
1
1
\
"
:
1
~
15...80*!3В:5мА) ! $2,5(5В) i $20
1
$50*
ПЗ11
>
'
-
.!
'
30...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В) 1 $20
-
$50*
i'
'<
1
'
-11
:!
~ 15...50• (3 В: 5 мА)
$2,5 (5 В)
$20
-
$50*
,,
;No·$
1
30...80* (3 В; 5 мА) i s2,5 (5 В)
$20
-
$50*
1
60...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В)
$20
-
$50*
20...80* (3 В: 5 мА)
1 S2.5(5В)
$20
-
$75; $50*
50...200*(3В:5мА) 1 S2.5(5В) 1 $20
$100; $50*
1
-
1
100...300* (3 В: 5 мА) 1 s2,5 (5 В)
1
$20
-
$100; $50*
Карп.
i
20... 250 (5 В: 5 мА)
s2,5 (5 В)
1
$4,6
-
$75
1
ПЗIЗ
20... 250 (5 В; 5 мА)
s2,5 (5 В)
$4,6
-
$40
1
30... 170 (5 В; 5 мА)
s2,5 (5 В) 1 $4,6
-
$75
-11
1
11
к
,•
'
1
1
'
i
20...80* (1 В: 1О мА)
S8(5В)
$8,5
-
$500
ПЗ20
50... 160* (1 В; 10 мА)
S8(5В)
$8,5
-
$500
No·~)
80...250* (1 В; 10 мА)
s8(5В)
$8,5
-
$600
1
i
~
1
i
"
1
~
20...60* (3 В: 0,5 мА) 1 s80 (IO В)
$3,5
-
1
$600
1
ПЗ21
~
40...120* (3 В: 0,5 мА) 1 S80 (10 В)
$3,5
$600
,,
-
:No·•
!!
80...200* (3 В: 0.5 мА) ! S80 (10 В)
$3,5
-
$600
20... 60• (3 В: 0,5 мА)
S80 (10 В)
$3,5
-
$600
40 ... 120* (3 В; 0,5 мА)
S80 (10 В)
$3,5
-
$600
80 ... 200* (3 В; 0,5 мА)
S80 (IO В)
$3,5
-
$600
5зак.9

66
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmax1
~pl ~2161
UКБО "роб'
lк max
IКБО•
Тип
Структу-
Р~. т m;iixl
~;,~,
U~ЭR "роб'
UЭБО "роб'
1~.и max'
I~RI
прибора
р; и max'
с·
u~"роб'
в
г·
ра
'"
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
П322А
p-n-p
50
1
:?:80
25
0,25
10
:>4 (25 В)
П322Б
p-n-p
50
:?:80
25
0,25
10
1
:>4 (25 В)
П322В
p-n-p 1
50
j :?:80
25
0.25
'
10
1
:>4 (25 В)
П322Г
p-n-p i
50
:?:50
15
0,25
1
5
:>4 (15 В)
П322Д
p-n-p
1
50
1
:?:50
15
0.25
1
5
i :>4(15В)
П322Е
p-n-p 1
50
:?:50
1
15
0,25
1
5
1
:>4 (15 в
1
1
!
1
'
1
'
П323А
n-p-n
500
:?:200
20
2
1000
:>30
П323Б
n-p-n
500
~200
20
2
1000
:>30
П3238
n-p -n
500
1
:?:300
20
2
1000
1
:>30
i
~
1
11
i
11
~
1
1
i
!1
1
1
1
1
~
1
'
50 (55°С)
i
15* (5к)
1
:>10 (15 В)
П328А
p-n-p
:?:400
0,25
10
П328Б
p-n-p
50 (55·с)
:?:300
15* (5к)
0,25
10
:>10 (15 В)
П3288
p-n-p
50 (55°С)
:?:300
15* (5к)
0,25
10
:>10 (15 В)
1
1
i
!
П329А
1
n-p -n
50 (4о·с>
:?:1200
10
0,5
20
1
:>5 (10 В)
П329Б
n-p -n
1
50 (4о·с1
:?:1680
10
0,5
20
i :>5(10В)
П329В
1
n-p-n
1
50 (4о·с1
:?:990
10
1
1
20
1
:>5 (10 В)
П329Г
1 n-p-n
1
25 (бо·с>
:?:700
10
0,5
20
! :>5(10В)
1
i
f
!
;
1
пззод
n-p -n
50 (45°С)
:?:500
10 (20 имn.)
1,5
20
:>5 (10 В)
пззож
n-p-n
50 (45·с>
:?:1000
10 (20 имn.)
1,5
20
:>5 (10 В)
пззои
50 (45°С)
:?:500
10 (20 имn.)
1,5
1
20
'
:>5 (10 В)
n-p-n
1
1
1
1
i
1
1
1
1
П335А
p-n-p
200 (45°С)
:?:80
20
3
150 (250*)
:>10
П335Б
p-n -p
200 (45°С)
:?:80
20
3
150 (250*)
:>10
П3358
p-n -p
200 (45°С)
:?:80
20
3
150 (250*)
:>10
П335Г
p-n-p
200 (45·с>
:?:300
20
3
150 (250*)
$10
П335Д
p-n-p
200 (45°С)
:?:300
20
3
150 (250*)
:>10
~
1
!
~
1
p-n-p
-
-
1
-
П338Б
1
p-n-p
100
-
20 (13**)
-
1
1000
1
:>30 (20 В)
1
1
П3388
p-n-p
100
-
20 (5**)
-
1
1000
1
:>30 (20 В)
i
1
IП338А
100
20 (8**)
1000
<30 (20 В)

67
Корпус
ПЗ22
ПЗ2З
ПЗ28
пззо
:>8 (400 МГц)
1
:>30; <50*
<15
1
<50; <50*
'
30...400* (5 В; 5 мА~
1
<3(5В)
$15
:>8 (400 МГц)
<30; <50*
:>3 (5 В)
30 400*(5В;5мА
:>3 (5 В)
:>15
10:::400* (5 В; 5 мА)
1
1
1
i
!
i
1
1
1
-
ПЗЗ5
- 11,7
:No~ 11
1
1
ПЗЗ8
1,
li
."$
i
!
!1 к.
;
3 ""'
1
<100*
40 70*(3В;50мА)
1
<8,5
$150*
-
$8,5
-
-
60 ...100* (3 В; 50 мА)
-
$8,5
-
$150*
...
70•(3В;50мА)
-
4о".
50 А)
$8,5
-
60 100*(3В; м
$8,5
-
... 100* (3 В; 50 мА)
50" .
1
]

68
i
Тип
прибора
ПЗ41А
ПЗ41Б
ПЗ41В
!ПЗ46А
iпз4&Б
ПЗ46В
i
~,,
"
ПЗ62А
ПЗ62Б
ПЗ76А
iiПЗSЗА-2
iПЗSЗБ-2
iПЗSЗВ-2
,,
~П402А
~П402Б
~П402В
~П402f
IП402Д
П402Е
iП402Ж
П402И
"
'
П40ЗА
П40ЗБ
П40ЗВ
П40Зf
IП40ЗД
~П40ЗЕ
IП40ЗЖ
IП40ЗИ
!П40ЗЮ
1
1
/Структу-/
:
'
'
i
'
;
i
1
'
1
1
!
'
1
1
ра1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
p-n-p
р-п-р
p-n-p
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
j
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
Р;.тmа).'
р~~ и max•
мВт
35 (60°с)
35 (6О0С)
35 (6О0С)
50 (55°С)
50 (55°С)
50 (55°С)
40
40
35 (85°С)
25 (55°С)
25 (55°С)
25 (55°С)
300; 600
300; 600
300; 600
300; 600
0,3 Вт; 0.6 Вт
0.3 Вт; 0.6 Вт
0,3 Вт; 0,6 Вт
0.3 Вт: 0,6 Вт
4* Вт
4* Вт
5* Вт
4* Вт
4* Вт
5* Вт
4* Вт
4* Вт
4* Вт
i
'
i1
1
i
Мfц
<:1500
<:1980
<:1500
<:700
<:550
<:550
<:2400
<:2400
<:1020
<:2400
<:1500
<:3600
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:0,008**
<:0,008**
<:0,008**
<:0,006**
<:0,006**
<:0,008**
<:0,008**
<:0,008**
<:0,008**
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
в
10
10
10
20
20
20
5 (55°С)
5 (55°С)
7**
5*(1к)
5*(1к)
5*(1к)
25* (О,2к)
25* (О,2к)
40* (О,2к)
40* (О,2к)
25* (О,2к)
25* (О,2к)
40* (О,2к)
40* (О,2к)
45
45
60
60
60
60
80
80
45
1
!1
1
1
!
1
1
'
!
0,3
0,3
0,5
0.3
0,3
0.3
0,2
0.2
0,25
0,5
0,5
0,5
-
-
-
-
-
20
20
20
20
30
20
20
20
20
1
1
1
i
i
'
1
1
1
'
1
:
1
1
1
1
1
.Iк max
lк, и m.ix•
мА
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
500
500
500
500
500
500
500
500
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
;
!
!i
1
i
1
!'
мкА
s5 (10 В)
s5 (10 В)
s5 (10 В)
SIO (20 В)
SIO (20 В)
SlO (20 В)
s5(5В)
s5(5В)
s5 (7В)
s5(5В)
s5(5В)
s5(5В)
S20 (10 В)
s20 (10 В)
S20 (10 В)
s20 (10 В)
s25 (10 В)
s25 (IO В)
s25 (10 В)
S25 (10 BJ
s50 (45 В)
s50 (45 В)
s50 (60 В)
s50 (60 В)
S50 (60 В)
s50 t60 BJ
s50 180 BJ
s50 (80 В)
s50 (45 BJ
!(
1
i:1
",.
!1
!t
li
~n
i
,.
~
,1

Биполярные германиевые транзисторы
ьь·
21j' 213
j
~
~ 15...300* 15 В: 5 мА)
15... 300* 15 В: 5 мА)
15... 300* (5 В; 5 мА)
10... 150 (10 В: 2 мА)
~ 10...150(10В:2мА)
'15...150(10В.2мА)
10...200 (3 В: 5 мА)
10... 250 (3 В; 5 мА)
1
10... 150• (5 В: 2 мА)
15... 250 (3.2 В: 5 мА)
10... 250 13.2 В: 5 мА)
15... 250 (3,2 В; 5 мА)
30...80 (1В; 3 мА)
60... 150 (1 В; 3 мА)
30...80 (1В: 3мА)
60... 150 (1 В; 3 мА)
30...80 (1В; 3 мА)
60... 150 (1 В: 3 мА)
30..'.80 (1 В; 3 мА)
30...80 (1В: 3мА)
20...60 (5 В; 0.1 А)
50... 150 (5 В; 0.1 А)
20...60 (5 В: О,1 А)
50...150 (5 В; 0,1 А(
50... 150 (5 В: 0,1 А)
30* (0,45 А)
20...60 (5 В: 0.1 А)
30· Ш.45 А)
30...60 (5 В: 0.1 А)
'
1
i
1
!
~
i1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
с,,
c;2t•
пФ
:>1 (5 В)
:>1 (5 В)
:>1 (5 В)
:>1.3(5В)
:>1,3 (5 В)
:>1.3(5В)
:>1 (5 В)
:>1 (5 В)
:>1,2 (5 В)
:>1 (3,2 В)
:>1 (3,2 В)
:>1 (3,2 В)
-
-
-
-
-
-
-
-
r~ н.1~··
Ом1
1
1
-
1
1
-
-
1
-
1
-
1
i
1
1
!-
1
-
-
-
1
1
1
-
-
-
l-
$5
1
$51
1
$5
$5
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
r,:, м
Р;:х• Вт
:>4,5 (1 ГГц)
:>5,5 (1 ГГц)
:>5,5 (1 ГГц)
:>6 (800 МГц)
:>8 (800 МГц)
:>7 (200 МГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:>5,5 (2,25 ГГц)
:>3,5 (180 МГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:>4 (1 ГГц)
:>5,5 (2,83 ГГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
:
!
1
1
1
1
t", пс
t"pat•
t::к.1 •
(.:.нс
$10
$10
:>10
$3
$5.5
$6
$10
$20
:>15
$10
$10
:>15
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
69
Корпус
i
i
ПЗ41
11
~tft 1'
1
..,,.
... ..
~
6
-
~
к
~
ПЗ46
11
11
~
~5,8
ji
ПЗ62
.... ~-~;
~-173
..,,.
.....
~
6
-
~
к
i
ПЗ76
i
~fi ф
~ Корп. К6
1.
ПЗ83
~~~SP
П402
-п.1
!
к
Р.
~
..,,
...
....
П403
~10
-12
§~

70
Тип
прибора
П404А
П404Б
IП404В
.IП404r
11П404Д
П404Е
IП404Ж
П404И
1
11
П405А
П405Б
П405В
П405Г
П406А
ПС609А
ПС609Б
ПС609В
П612А-4
П701А
П70ЗА
П70ЗБ
П70ЗВ
П70ЗГ
П70ЗД
П705А
П705Б
П705В
П705Г
П705Д
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Структу-
ра
n-p-n
n-p -n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p -n
n-p-n
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n-p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n -p
n-p -n
n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
1
1
1
1
1
.
PK1nax'
Р~.тmах•
р~~ н max•
мВт
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
500 (43°С)
500 (43°С)
500 (43°С)
570
50* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
i
1
~р• f,;210•
~:;1э•
~::х•
МГц
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
0,006**
~60
~60
~60
~1500
~О.05*
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~0.010••
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~О.010
1
1
!
1
UКБО nроб•
U~ЭR n1юб•
u;эо nvoб'
в
25* (0.2к)
25* (О,2к)
40* (0,2к)
40* (О,2к)
25* (0.2к)
25* (О.2к)
40* (О,2к)
40* (0,2к)
25* (О,2к)
25* (0,2к)
40* (О,2к)
40* (О,2к)
25
50
50
50
12
55* (140 имп.)
20 (О,05к)
20 (О,05к)
30 (О,05к)
30 (О,05к)
40 (О,05к)
20*
20*
20*
20*
20*
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UЭБО nроб•
в
20
2,5
2,5
2,5
0.2
15
10
10
10
10
10
10
10
30
10
10
'
'
1
1
1
1
IKmax
1;, И 11\аХ 1
мА
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
1250
700*
700*
700*
120 (200*)
12А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
i
!
1
1
1
!
1
i
1
1
i1
1
1
1
•кw•
·~ЭR•
1;эо,
мкА
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$50 (25 В)
$40 (30 В)
$40 (30 В)
$40 (30 В)
$5 (12 В)
$6 мА
$500
$500
$500
$500
$500
$500
$3.5 мА
$3.5 мА
$500
$500
,,
'!
1
~~
li
1
~
i

Биполярные германиевые транзисторы
71
11
'1
'tк, ПС
с,,
rкэ нм·'
Кw,дБ
h"" ь;,э
С~2·"'
r~ш•с'
r~, Ом
t;,..,
Корпус
пФ
Ом
Р;:х' Вт
t::кл,
t:·:, нс
30...80 (1 В; 3 мА)
-
$6
-
-
П404
60 ... 150(1 В;3мА)
-
$6
-
-
rJ11,7
30...80 (1В; 3 мА)
-
$6
-
-
:llfф)
60... 150 (1 В; 3 мА)
-
$6
-
-
1
!t
30...80 (1В; 3мА)
-
$6
-
1
-
'
60...150(1 В;3мА) i
-
$6
-
-
30...80 (1В; 3 мА)
1
-
$6
-
-
1
1
60...150(1 В;3мА) i
-
$6
-
-
1
30...80 (1 В; 3 мА)
-
-
-
-
П405
60 ... 150(1 В;3мА)
-
-
-
-
7.5
30...80 (1В; 3 мА)
-
-
-
-
rm fffl
60 ... 150(1 В;3мА)
-
-
-
-
50...150 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
~
~
3к
!
1
30...200 (3 В; 0.5 А)
1 :->50(108) 1 $3,2
-
:->700*
ПС609
50...160 (3 В; 0.5 А)
1
:->50 (10 В)
$3,2
1
:->700*
1
1
-
11/
~
80...420 (3 В; 0.5 А)
:->50 (10 В)
$3,2
-
$700*
1
1
1
1
~ W/t,μ
1
11~
~~~~IL ~ /V .lm !.r
.....
т1
15,3
--ll_k-10
-
:->3,5 (5 В)
-
~0.2** Вт (2 ГГц)
$7
П612
~
1
tq.
"'
...
10*(2В;6А)
-
-
-
-
П701
:32 -~~~
1
~•~
1
1
Р.
i
1
30...70* (1В; 50 мА)
-
$0,2
-
1
-
П703
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
1
-
30...70* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
-
~~i
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
-
20...45* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
1
-
~ @)@
~
к
30...70* (1 В; 50 мА)
-
:->0,6
-
-
П705
~
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
30...70* (1В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
~i
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
:;
з6
90...250* (1В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
.
5:»
@)о
~
... ,.
к

72
Тип
прибора
П804А
П804Б
П8048
П806А
П806Б
П806В
П806Г
П806Д
П810А
П905А
П905Б
~П906А
1
П906АМ
1
1
1
1
МП108А
МП108Б
МП1088
МП108Г
МП108Д
'lмпgл
lмшо
МШОА
МШОБ
МП11
МП11А
мшз
!.МШЗБ
!i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!
!
1
1
1
!1
i
1
1
i
1
;
Структу-J
1
ра:
i
1
p-n -p
1
p-n -p
p-n-p !
p-n-p
p-n -p
1
p-n-p
p-n-p
1
p-n -p
1
1
1
p-n -p
p-n -p
!
p-n -p
p-n -p
1
1
p-n -p
1
1
1
1
1
1
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
1
1
!
n-p-n 1
1
n-p -n
!
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
p-n -p
1
p-n-p
;
Раздел 2. Биполярные транзисторы
PKmaA'
Р~.тmах'
р~~ и max'
в
мт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
15* Вт
6Вт
6Вт
15* Вт:
300** Вт
15* Вт;
300** Вт
75
75
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
1
мгц
:?:10
:?:10
:?:10
:?:10*
:?:10*
1
:?:10*
:?:10*
:?:10*
i
:?:15
:?:60
:?:60
:?:30
1
:?:30
:?:0.5*
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
1
1
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
:?:2*
:?:2*
:?:0,5*
:?:1 *
'
1
1
1
1
1
1
1
UКБО nроб'
U~ЭR nроб'
U~Onpoб•
в
100**
140**
190**
75
100
120
50
140
200
75
60
75
75
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
15
15
30
30
15
15
15
15
1
i-
1
-
-
1,5
1
1,5
1,5
1,5
1,5
1
1,4
1
0,4
1
0.4
1,4
1.4
1
1
1
1
5
5
5
5
5
1
1
1
1
!
15
15
30
1
30
15
15
15
15
1
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
!
1
;
'
}к max
Iк. и m.ix'
мА
10А
10А
10А
15А
15А
15А
15А
15А
10А
3А(7*А)
3А(7*А)
6А
6А
50
50
50
50
50
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
1
i
!
1
1
1
11
1
'
1
'
1
i
'
:1
1
'
!
'
!
'
1
1
1
1
'
lкьо•
l~эR•
1"
кэо•
мкА
-
-
-
-
-
-
-
-
:S;20 мА
:S;20 мА
:S;20 мА
:S;8 мА (75 В)
:S;8 мА (75 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
30* (30 В)
30* (30 В)
30* (30 В)
50* (30 В)
30* (30 В)
30* (30 В)
:S;30 (15 В)
:S;30 (15 В)
'1
1
1
~:1
!1
!I,,
1:
:!
~
'
:1
1,
,.
";!
~
'
1
:1
li
1[

Биполярные германиевые транзисторы
20... 150* (10 В; 5 А)
20...150* (10 В; 5 А)
20...150* (10 В; 5 А)
10... 100* (10 AJ
10... 100* (10 А)
10... 100* (10 А)
11
i0... 100* ( 10 А)
1
10... 100* (!О А)
15*;(10В;5А)
1
ii
1•
35...100* (70 В; 3 А)
·'ь,,
35...100* (70В: 3А)
1'
1·
.1
30...150* (10 В; 5 А)
1
30...150* (10 В; 5 А)
~~
t
li
25...50 (6 В; 1мА)
35...80 (5 В; 1мА)
60... 130 (5 В; 1 мА)
110...250 (5 В; 1 мА)
30...120 (5 В; 1мА)
15...45 (5 В; 1 мА)
15...30 (5 В: 1мА)
15...30 (5 В; 1мА)
25...50 (5 В: 1мА)
25...55 (5 В; 1 мА)
45... 100 (5 В; 1 мА)
~12(5В; 1мА)
20...60 (5 В: 1 мА)
с"
с~2"'пФ
-
-
-
i1
1 $200 (30 В)
1 $200 (30 В)
-
1
-
1
1
1
1
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$50 (5 В)
$50 (5 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
fКЭ Hat·I
f~Э Hat•I
Ом
$0,04
$0,04
$0,04
$0,04
$0,04
$0,07
$0,17
-
-
1
1
1
1
1
1
Kw, дБ
r;, Ом
Р;:х' Вт
-
i
-
1
1
1
-
-
1
-
1
-
-
1
1
1
1
$6 (1кГц)
$10(1 кГц)
$10 (1кГц)
$10(1 кГц)
$10 (1кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$150*
$12 (1 кГц)
$1000
$1000
$1000
-
-
5*мкс
$300; 4*мкс
$300; 4*мкс
$5000*
$5000*
$5000
$5000
$5000
$5000
$5000
!1
1
1
1
1
1
'i
1
1
1
1
73
Корпус
ГТ804
ГТ806
1
""
'
$:::!"
з
...
6
~
о
о
ГТ810, ГТ905
-щ·tJ 1.
11
1:
ок
1:
~
li
~
з
.....
ГТ906
i~б
1
ГТ906АМ
~
~
б10
il
б
о
ок
МГТ108
:No·~·
МП9, МШО, MПll, МШ3
:No{~}'

74
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Рк max'
~•• \210 •
UКБО проб•
lкmax
•кw•
Тип
Структу-
Р~. тmax'
~;1~'
U~ЭR проб•
UЭБО проб•
1:,и maxt
J~R•
прибора
ра
р;. и maxt
с;х,
U":ЭО проб•
в
•••
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
МП14
р-п-р
150
~1*
15
15
20 (150*)
S30 (15 В)
МП14А
р-п-р
150
~1*
30
30
20 (150*)
S30 (30 В)
МП145
р-п-р
150
~1*
30
30
20 (150*)
s50 (30 В)
МП14И
р-п-р
150
~1*
30
30
1
20 (150*)
S50 (30 В)
1
1
МП15
1 р-п-р
1
150
~2*
15
15
1
20 (150*) i
s30 (15 В)
1
IМП15А
i р-п-р 1
150
~2*
15
15
20 (150*)
1
S30 (15 В)
МП15И
1
р-п-р
1
150
-
15
15
20 (150*)
1
-
1
1
1
МПI&
р-п-р
200
~1*
15
15
50 (300*)
s25 (15 В)
МПl&А
р-п-р
200
~1*
15
15
50 (300*)
s25 (15 В)
МПl&Б
р-п-р
200
~2*
15
15
50 (300*)
s25 (15 В)
МПl&Яl
р-п-р
150
-
15* (100)
15
-
300*
s50* (15 В)
МП16Я11
р-п-р
150
-
15* (100)
15
300*
S50* (15 В)
МП20А
i
р-п-р
150
~2* 1
30
30
300*
i S50(30В)
i
МП205
1 р-п-р
150
~1.5*
30
30
300*
J,
S50 (30 8)
!
1
МП21В
i р-п-р
150
~1.5*
40
40
300*
S50 (40 В)
мп21r
р-п-р
150
~1*
60
40
300*
S50 (60 В)
МП21Д
р-п-р
1
150
~/*
60
40
300*
s50 (50 В)
МП21Е
р-п-р
150
~0.7*
70
40
300*
s50 (50 В)
МП25
р-п-р
200
~.2*
40
40
300*
S75 (40 В)
МП25А
р-п-р
200
~0.2*
40
40
400*
S75 (40 В)
МП25Б
р-п-р
200
~0.5*
40
40
400*
s75 (40 В)
МП26
р-п-р
200
~0.2*
70
70
300*
s75 (70 В)
МП26А
р-п-р
200
~.2*
70
70
400*
S75 (70 В)
МП265
р-п-р
200
~О.5*
70
70
400*
s75 (70 В)
1
!
1
1
1
1
МПЗ5
1 п-р-п 1
150
~0.5*
1
15
-
20 (150*)
1
s30 (5 В)
1
МПЗ&А
п-р-п
150
~1*
15
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ7А
п-р-п
150
~1*
30
-
20 (150*)
1
s30 (5 В)
МПЗ75
п-р-п
150
~1*
30
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ8
п-р-п
150
~2*
15
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ8А
п-р-п
150
~2*
15
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ9
р-п-р
150
~.5*
15* (IОк)
5
20 (150*)
sl5 (5 В)
МПЗ9Б
р-п-р
150
~.5*
15* (IОк)
5
1
20(150*)
Sl5 (5 В)
'
1
1
q
1
1
1
1
1
;
1
1
~
!
1
1
d
1
1
1
!
1
1
МП40
i р-п-р
150
~1*
15* (IОк)
1
5
1
20 (150*)
1
Sl5 (5 В)
1
МП40А
1 р-п-р
150
~1*
30* ( IОк)
5
20 (150*)
sl5 (5 В)
1
1
1
1
~

Биполярные германиевые транзисторы
75
~
i
tк, ПС
i
li
~
с"
fкэ на.:'
Кш, дБ
11
~
t~>at·• 1
h:!IJ' ь;IЭ
с;2~·
С~Э11а.:'
r~· Ом
Корпус
1
1
пФ
Ом
Р;:" Вт
t::кл•
t~·:' нс
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150*
-
МП14, МП15
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150•
-
30...60 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150•
-
~11.7
20...80 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
:!>20
:!>150*
-
.., ,
к
30...60 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
з
-
:!>150*
-
50... 100 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150*
-
~
~
'
:
'
1 20...35 (1 8: 10 мА)
1
-
:!>15
-
:!>2000*
МП16, МП20
30...50 (1 8; 10 мА)
-
:!>15
-
:!>1500*
45... 100 (1 8; 1 мА)
-
:!>15
-
:!>1000*
:No·•
20... 70 (10 8; 100 мА)
-
:!>6,6
-
-
10... 70 (10 8; 100 мА)
-
:!>6,6
-
-
50... 150 (5 В; 25 мА)
-
:!>I
-
-
80...200 (5 8; 25 мА)
-
:!>I
-
-
1
20... 100 (5 8; 25 мА)
-
:!>I
-
1
-
МП21, МП25
20...80 (5 8; 25 мА)
1
:!>I
1
j
-
-
1
-
1
60...200 (5 8; 25 мА) 1
-
1
:!>I
-
1
-
1
:fi·Ф·
в
'
11
30...150(58:25мА) 1
-
:!>I
-
1
-
~
i
1
1
1
1
13...25 (20 8; 2,5 мА)
:!>20 (20 8)
1
:!>2,2
1
-
:!>1500***
1
20...50 (20 8; 2,5 мА)
:!>20 (20 8)
:!>2
-
:!>1500***
30...80 (20 8: 2,5 мА)
:!>20 (20 8)
:!>1,8
-
:!>1500***
13...25 (35 8; 1,5 мА)
:!>15(358)
:!>2,2
-
:!>1500***
МП26, МП35
20...50 (35 8; 1,5 мА)
:!>15 (35 8)
:!>2,2
-
:!>1500***
30...80 (35 8; 1,5 мА)
:!>15(358)
:!>l,8
-
:!>1500***
:No·Ф·
13 ... 125(58: 1 мА) i
-
-
:!>220*
-
1
'
'
1
J
1
13...45 (~ )3; 1 мА)
-
-
:!>10 (1 кГц)
-
МП36, МП37
:ti·Ф·
15...30 (5 8; 1 мА)
-
-
:!>220*
-
25...50 (5 8; 1 мА)
-
-
:!>220*
-
1
1
1
~ 25...55 (5 8: 1 мА)
1
-
-
:!>220*
-
МП38, МП39, МП40
1
~ 45...100(58: 1мА)
1
-
-
:!>220*
1
-
1
1
i
1
1
1
~12(58;1мА)
:!>50 (5 8)
-
-
-
:fi·Ф·
20...60 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>12 (1 кГц)
-
1
1
1
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
-
-
i
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
-
'
-
1
1
i
1
1
~
1
i
~
1
i
1
1

76
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
Структу-
прибора
ра
!мп41
р-п-р
!МП41А
p-n-p
!
1
МП42
МП42А
МП42Б
П201Э
П201АЭ
П202Э
П20ЗЭ
П207
П207А
П208
П208А
П209
П209А
П210
П210А
П210Б
П210В
П21ОШ
П213
П21ЗА
П21ЗБ
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
~П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
!
р-п-р
p-n-p
p-n-p
1 р-п-р
1
p-n-p
!
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
р-п-р
р-п-р
p-n-p
p-n-p
р-п-р
p-n-p
p-n-p
p-n-p
р-п-р
p-n-p
p-n-p
р-п-р
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1
1
1
1
1
!
1
!
i
1
1
11
1
Ркmах'
~pt ~:216'
Р~. тmaxt
~;1~'
р~~ и maxt
~:;:х,
мВт
МГц
150
~1*
150
~1*
1
200
~2*
200
~1.5*
200
~1*
10* Вт
~0.1*
10* Вт
1
~0.2*
!
10* Вт
~0.1*
10* Вт
~0.2*
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
60* Вт
1 ~0.1**
60* Вт
1 ~0.1 **
1
60* Вт
~.1**
60* Вт
~О.Р'*
45* Вт
~.1**
45* Вт
~0.1**
60* Вт
~0.1**
11,5* Вт
1
~0.2* 1
10* Вт
~.2* 1
10* Вт
1
~.2* 1
1
1
1
10* Вт
1
~.2* !
10* Вт
1
~0.2*
1
11,5* Вт
~0.2*
10* Вт
~0.2*
10* Вт
~0.2*
10* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2*
24* Вт
~0.2*
24* Вт
~О.2*
24* Вт
~0.2*
24* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2* 1
30* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2*
24 Вт
~0.2*
24 Вт
~0.2*
UКБО проб•
•кmа11.
JКБО•
U~ЭR nроб'
UЭБО проб•
1;, И ЛW),t
·~·
u~проб•
в
·~·
в
мА
мкА
15* (IОк)
5
20 (150*)
:Sl5 (5 BJ
15* (IОк)
5
20 (150*)
$15 (5 В1
1
!
1
15* (3к)
-
150*
-
15* (3к)
-
150*
-
15* (3к)
-
150*
-
1
1
45
1
-
1.5 А
! :S0.4 мА
~
45
1
-
! 1,5А
i
:S0,4 мА
;
~
!
1
1
~
!
1
i
~
!
!
70
2А
:S0.4 мА
70
2А
:S0,4 мА
40**
25А
:516 мА
40**
25А
sl6 мА
60**
25А
s25 мА
60**
25А
:S25 мА
40**
1
25
1
12А
1
:S8 мА
1
1
40**
1
25
12А
1
s8 мА
1
'
1
1
60**
25
12А
sl2 мА
65**
25
12А
s8мА(45В)
65
25
12А
:515 мА
45
25
12А
:Sl5 мА
64*
25
12А
$8мА(65В)
45
15
1
5А
1
s0.15 мА
45
1
10
5А
:SI мА
1
45
10
i
5А
1
:SI мА
1
1
1
1
!
60
1
15
1
5А
i
s0.3 мА
60
15
1
5А
1
s0,3 мА
60
15
1
5А
:S0,15 мА
60
10
5А
sl,5 мА
60
10
5А
sl,5 мА
80
15
5А
:S0,3 мА
40
15
7,5 А
s0.5 мА
40
15
7.5 А
i :S0.5 мА
35
15
7.5 А
1
:Sl.5 мА
35
15
7,5 А
:52 мА
~
50
15
7,5 А
s2.5 мА
1
50
15
7,5 А
:52 мА
60
15
7,5 А
:S0.5 мА
60
15
7,5 А
s0.5 мА
60
15
7,5 А
:S0,5 мА
60
15
7,5 А
s3 мА
60
15
7,5 А
:S3 мА
;1

Биполярные германиевые транзисторы
п
1
~
h:!l:1' ь;IЭ
30...60 (5 В; 1 мА)
50... 100 (5 В; 1 мА)
20...35* (1В: 10 мА)
30...50* (1В: 10 мА)
458 ... 100* (1 В: 1О мА)
~20• (10 В: 0.2 А)
~40• (10 В: 0,2 А)
~20* (IO В: 0,2 А)
5... 15
5.. .12
~15
~15
~15
~15
~15*(2В;5А)
~15*(2В:5А)
~10*(2В:5А)
~10*(2В:5А)
~15•(2В:5А)
20...50• (5 в: 1А)
~20* (5 В; 0.2 А)
~40• (5 В: 0,2 А)
20" .60* (5 В; 0,2 А)
50... 150* (5 В; 0.2 А)
20... 150* (5 В; 0,2 А)
~20* (5 В; 0,2 А)
20."150• (5 В: 0.2 А)
~16 (0.75 В: 4 А)
20...80 (0.75 В: 4 А)
~10(3В:2А)
~30(3В:2А)
~5(3В:2А)
15."30 (3 В: 2 А)
~16 (0,75 В; 4 А)
20."60 (5 В; 1 А)
~20(5В: 1А)
~15*(1 Bj,4A)
15."40 (3 В: 2 А)
i с,,
1
1
c;2:t•
пФ
1
:!>50 (5 В)
:!>50 (5 В)
1
-
-
-
'
'
1
1
rкэ иас'
r~н;к:•
Ом
-
-
:!>20
:!>20
:!>20
:!>l,25
:!>l,25
:!>l,25
:!>l,25
:!>О,16
:!>l.25
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,2
1 :!>0,2
1 :!>О.25
1 :!>О,25
1
1
:!>О,25
:!>0,5
:!>0,5
:!>0,5
:!>О,25
:!>0,5
i
1
1
Кш, дБ
t,, пс
t:Ja("'
r~, Ом
Р;:х• Вт
t::i.л.
t~·:. нс
-
-
-
-
1
-
:!>2000***
-
:!>1500***
-
:!>1000***
1
1
Корпус
МП41, МП42
:No·Ф·
1
1
П201, П202
П207, П208
П209, П210
П213, П214
П215, П216
2J
~
:tl~ciw
77
!,.
11
1'
.:

78
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
pKmaxt
~•• \210•
Uкво проо'
JКБО•
lк max
Тип
Структу-
Р~. т maxt
~;1~·
U~ЭR проб•
UЭБО npo6•
1~.и maxt
·~ЭR•
прибора
р~~ и maxt
с·
U~эо npoo•
в
·~·
ра
'"
мА
мВт
МГц
в
мкА
П27
р-п-р
30
~1*
5* (0,5к)
-
6
53(5В)
П27А
р-п-р
30
~1*
5* (О,5к)
-
6
53(5В)
1
'
1
1
1
1
1
1
~
'
1
1
1
1
1
i
1
1
1
'
1
1
i
~
1
!
1
!
1
1
!
i
1
1
!
П28
р-п-р
30
~5*
5* (О,5к)
-
6
53(5В)
1
П29
i р-п-р
1
30
1
~5*
1
10*
1
12
100*
1
54 (12 В)
~
1
П29А
1
р-п-р
!
30
~5* 1
10*
1
12
100*
1
54 (12 В)
~
!
'
!
1
'
1
1
пзо
р-п-р
30
~10*
12*
12
100*
54 (12 В)
1
1
1
~
1
1
;!
1
1
i:
1
1
i
1
1
•1
!
1
1
1
1
i
'
1
1
1
П401
р-п-р
100
~30
10
1
20
510 (5 В)
П402
р-п-р
100
~50
10
1
20
55(5В)
1
1
!
1
'
1
!
П403
р-п-р
100
~100
10
1
1
20
55(5В)
П40ЗА
р-п-р
100
~80
10
1
20
i
55(5В)
•
1
1
1
!
П416
р-п-р
100 (360*)
~40
12
3
25(120*)
53(108)
П416А
р-п-р
100 (360*)
~60
12
3
25 (120*)
53 (10 В)
П416Б
р-п-р
100 (360*)
~80
12
3
25 (120*)
53 (10 В)
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1

Биполярные гер
.
маниевыетр анзисторы
00(5В;0.5мА)
20... 1
В·О5мА)
20".170 (5 ' '
00(5в.о5мА)
20."2
'
'
О(05В;20мА)
20" .5
. 5в·20мА)
40".100 (О, '
(о5в·20мА)
80".180 '
.
300(5В;5мА)
I~..
5А)
250(5В; м
16" .
100(5В;5мА)
30. "
5А)
200(5В; м
16" .
80(5В:5мА)
20."
5А)
60 120(5В; м
...250(5В;5мА)
90".
j<20(6В)
1~20(6В)
::;20 (6 В)
<15 (5 В)
~10 (5 В)
<10 (5 В)
~10 (5 В)
1
<8(5В)
~8(5В)
I ~8(5В)
1
1
f"КЭ Hilt ' 1
f БЭ на..:•
Ом
10
10
10
:S40
::;40
:S40
Кш, дБ
.
Ом
r,,•
р" Вт
вых'
<10 (1кГц)
-::;5 (1кГц)
::;5 ( 1 кГц)
'··пс
t:)a~t
t:~~·
Корпус
t~·;, н~с--jг--
::;6000
:S6000
6000
:S3500
::;JOOO
::;500
::;500
П27
П28
~Ш.д±\\,
~rщ W,
П29
~Ш.~&\,
~oww
пзо
П401, П402
П403
<500; :SIOOO *
~500; :SIOOO
~500: :SIOOO*
&~1ф.
1
0416
*1
79

80
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Структу-
Ркmах'
~.. \"..
UКБО проб'
1
•кmах
•кво•
Тип
P~.тmaxt
\;1~'
U~ЭR проб•
UЭБО проб• 1 1;.и max•
·~ЭR•
прибора ' ра
р~~ и maxt
~~·;xt
u~проб•
в
•••
1
1
мА
КЭО•
'
1
мВт
МГц
в
мкА
~
П417
1 p-n-p
50
~200
8
1
0,7
1
10
53(10В)
-~
'П417А 1 p-n -p
50
~200
8
0,7
1
10
53 (10 В)
П417Б
i p-n-p
50
~200
8
0,7
10
53(10В)
!
i
i
1
1
1
П422
p-n-p
100
~50
10* (!к)
-
20
55(5В)
П423
p-n-p
100
~100
10* (!к)
-
20
55(5В)
1
il
.
1
f,
i
П605
p-n -p
3Вт
-
45
1
1500
52000 (45 В)
П605А
p-n -p
3Вт
-
45
0,5
1500
52000 (45 В)
1
;
П606
1 p-n-p
1,25 Вт
~30
35
1
1500
i 52000(35В) !
!
П606А
1
p-n-p
1,25 Вт
~30
35
0,5
1500
i 52000 (35 В)
1
1
i
1
1
1
1
П607
p-n -p
1,5 Вт
~60
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
П607А
p-n -p
1,5 Вт
~60
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
1
~
1
1.
П608
p-n-p
1,5 Вт
~90
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
П608А
p-n-p
1,5 Вт
~90
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
~
1
•
!
!
1
i
П609
1
p-n -p
1,5 Вт
~120
30
1,5
300 (600*)
1
5300 (30 В)
'
П609А
p-n -p
1,5 Вт
~120
30
1,5
300 (600*)
1
5300 (30 В)
!
1
!

60(3В:0,5А)
20...
5А)
40... 120 (3 В;
<130 (20 В)
~130 (20 В)
---,
<50 (10 В)
20 80*(3В:0.25А)
~50(10 В)
···
ОО(3В;0,25 А)
60...2
в.О25А)
40...120(3 , ,5А)
80...240 (3 В; 0,2
в.О25А)
40...120(3 • ·
А)
80 ... 240 (3 В; 0,25
6зак9
<50 (10 В)
~80 (10 В)
S40
S40
slO
slO
<3000*
~4000*
<3000*
~3000*
<3000*
~3000*
<3000*
~3000*
П422, П423
П605
115,5 lt.6
.. ..
оо
Of
~о
"
а
8
П606
•
115,5 lt.6
....
оо
Of
~о
"
а
8
П607
П608
115,5 lt.6
....
оо
Of
~о
"
а
8
П609
1115,5 lt.6
....
•о
Of
~•О
"
а
.

82
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2. 7. Биполярные кремниевые транзисторы
1
~•• ~216•
Ркmах'
Uкоо max•
'JKmax
Iкоо,
Тип
Струк-
Р;, тmaxf
\;1э•
U~Rmax'
UЭБО max•
1;, и maxt
·~·
прибора
р~: М max•
с·
u~PlOlx'
в
·~·
тура
...
мА
мВт
Мfц
в
мкА
КТ104А
р-п-р
150 (60"С)
:?:5*
30**
10
50
Sl (30 В)
КТ104Б
р-п-р
150 (60"С)
:?:5*
15**
10
50
sl (15 В)
КТ1048
р-п-р
150 (60"С)
:?:5*
15**
10
50
SI (15 В)
КТ104f
P'!l-P
150 (60"С)
:?:5*
30**
10
50
1
Sl (30 В)
1
1
КТ117А
п-база
300
0,2***
30
30
50 (1* А)
Sl (30 В)
КТ117Б
п-база
1
300
0,2***
30
30
50(1*А)
Sl (30 В)
КТ1178
п-баЗа
300
0,2***
1
30
30
50(1*А) 1
Sl (30 В)
KT117f
п-база
300
0,2***
30
30
50(1*А)
Sl (30 В)
КТ118А
р-п-р
100 (IOO"C)
-
15
31
50
SO,l (15 В)
КТ118Б
р-п-р
100 (IOO"C)
-
15
31
50
SO,I (15 В)
КТ1188
1 р-п-р
100 (lOO"C)
-
15
31
50
SO,I (15 В)
1
1
1
!
i
1
КТ119А
i п-база 1
25
0,2***
20
20
10 (50*)
-
КТ119Б
п-база
25
0,2***
20
20
10 (50*)
-
1
1
•
1
1
!
КТ120А
! р-п-р
10
:?:1
60
10
i 10 (20*)
s0.5 (60 В)
1
КТ120Б
1 р-п-р
10
:?:1
30
10
10 (20*)
1
S0,5 (30 В)
1
КТ1208
р-п-р
10
:?:!
60
10
10 (20*)
S0,5 (60 В)
КТ120А-1
p-n -p
10
-
60
10
10
S0,5 (60 В)
КТ120В-1
р-п-р
10
-
60
10
10
-
i
1
'
1
1
!
1
1
1
КТ120А-5
р-п-р
10
-
60
10
10
-
КТ120В-5
р-п-р
20
-
60
10
10
-
КТ127А-1
п-р-п
15 (бО"С)
:?:0,1**
25
3
50
Sl (25 В)
КТ127Б-1
п-р-п
15 (60"С)
:?:0,1 **
25
3
50
Sl (25 В)
КТ127В-1
п-р-в
15 (60"С)
:?:0,1**
45
3
50
Sl (25 В)
КТ127f-1 ·
1
. n-р-п
15 (бО"С)
:?:0,1 **
45
3
50
1
Sl (25 ВJ
1
1
1
1
1
1
1
1

1
1
1
транзисторы
Биполярные кремниевые
rКЭиасt Ом
ck,
r~м.ас' Ом
ь.,•. ь;,э
с;2з'
к;.·,.. дБ
пФ
<50
9...36 (5 В: 1 мА)
1
$50 (5 В)
$50 (5 В)
$50
20...80 (5 В; 1 мА)
$50 (5 В)
$50
40... 160 (5 В; 1 мА)
15...60 (5 В; 1 мА)
1
$50 (5 В)
$50
1
i
г О,5... 0 ,7 (U5152=10 В) !
0.65 ...0,9 (Uы52=10 В) 1
1
-
-
1
-
О.5 ... 0 .7 (Uы52=1О В)
-
1
-
1
О,65... 0 .9 (U5152=10 В)
-
1
~
~
!
1
1
100
-
1
100
1
-
120
-
1
1
-
-
1
i
1
1
'
О.5... 0 .65 (U52ы=lO В)
1
i
!
-
0.6 . .. 0 ,75 (U5251=!0 В)
-
'
1
~
!
~
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
20...200(5В:1мА) 1 $5(5В)
<50
20...200(5В; 1мА) 1 $5(5В)
-
20...200(5В;1мА) 1 $5(5В)
$110
1
i $5(5В)
<50
1 20...200 (5 В: 1мА)
1
$110
1
$5(5В)
20...200 (5 В; 1 мА)
1
1
20...200 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
<50
20...200 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
$110
1
1
1
1
1
15...60 (5 В: 1мА)
$5(5В)
<170
40...200 (5 В; 1мА)
$5(5В)
$170
15...60 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
$170
40... 200 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
$170
б'
Кw,дБ
r;, Ом
р" Вт
вых•
<120*
$120*
$120*
$120*
-
-
-
-
-
1
1
1
-
-
-
-
-
-
83
'[кt ПС
t' нс
",.
Корпус
t" нс
выК11•
КТ104
ti
-
~ офк
-
~
3
КТ117
rEi 51
-
1'о)
з
-
~$2
1
КТ118
1 <500**
1
1
<500**
!IS,fJll
$500**
~fj ~-
1
!
1
62
61
~•
32
1
1
1
i
КТ119
~~
~ 1f\\
1
1
61623
1
1
КТ120
~~~
1
-
1
51 Ьо\' -
\
КТ120-1
1
~rn
11\
6кз
1
КТ120-5
~В:У
1
КТ127-1
~~if
-
-
11
1
35К

84
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~•• \210•
UKБOmax•
1
•к~,
lкво,
Тип
Струк-
Р;,тmах'
~;lэ•
U~Rma).t
UЭБО maxt
1
1;.и max•
l~Rt
р;~ и max•
с·
u~rnax•
в
1··
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
мrц
в
1
мА
мкА
КТ132А
однопер.
300
-
-
35
2*А
12
IКТ132Б
1
300
-
-
35
2*А
0,2
~
1
t
!
i
'
i
1
1
1
1
1
i
1
!
1
!
1
КТIЗЗА
однопер.
300
-
-
35
1,5* А
1
КТIЗЗБ
300
-
-
35
1,5* А
1
!
1
1
!
"
!
1
R
1
1
!
!
1
1
1
1
·'
1
!
!
~
1
,.
1
1
1
'
~КТ201А
n-p-n
150 (90°С)
i
~10
1
20
20
i 20 (100*)
1
:s;I (20 В)
1
1
iкnotБ
n-p-n
150
1
~10
1
20
20
1
20 (100*)
:s;l (20 В)
~КТ201В
n-p-n
150
~10
1
10
10
1
20 (100*) 1
:s;I (20 В)
1·
кт201r
n-p-n
150
~10
1
10
10
20 (100*)
1
:s;l (20 В)
КТ201Д
n-p-n
150
~10
10
1
10
20 (100*)
:s;l (20 В)
1
КТ201АМ
1
n-p -n
150
~10
20
20
20 (100*)
:s;l (20 В)
КТ201БМ
'
n-p -n
150
~10
20
20
20 (100*)
:s;l (20 В)
КТ201ВМ ! n-p-n
150
~10
1
10
1
10
20 (100*)
1
:s;I (20 В)
~кт201rм 1
1
150
~10
10
10
20 (100*)
1
$1 (20 В)
n-p-n
1
!КТ20ЩМ 1
n-p -n
150
~10
1
10
1
10
1
20 (100*)
1
:s;I (20 В)
1
1
!
1
1
!
1
1
i
1
1
!
'
i
1
1
1
1
i
1
КТ202А-1
1
p-n-p
15 (55°С)
~5
15
10
10 (25*)
$1 (15 В)
КТ202Б-1
p-n-p
15 (55°С)
~5
15
10
10 (25*)
:s;I (15 В)
КТ202В-1
p-n -p
15 (55°С)
~5
30
10
10 (25*)
:s;l (30 В)
кт202r-1
p-n -p
15 (55°С)
~5
30
10
10 (25*)
:s;l (30 В)
.
КТ202Д-1
15 (55°С)
~5
15
10
10 (25*)
1
:s;l (15 BJ
r
p-n -p
'
i
1
~
1
i
i
1
;i
!
1
'
!
1
!
~
1
!
'
R
1
iKT203A
p-n -p
150 (75°С)
~5*
60
30
10 (50*)
:s;I (60 В)
КТ203Б
p-n -p
150 (75°С)
~5*
30
15
10 (50*)
:s;I (30 В)
КТ203В
p-n -p
150 (75°С)
~5*
15
10
10 (50*)
:s;l (15 В)
1
1
i
1
1
1
i
;
1
i
;
!КТ203АМ p-n -p 1
150 (75°С)
~5*
60
30
10 (50*) i
:s;I (60 В)
1
1
1кт20ЗБМ
p-n-p 1
150 (75°С)
~5*
30
15
10 (50*) i :s;l (30 В)
КТ203ВМ
p-n-p 1
150 (75°С)
~5*
15
10
10 (50*)
:s;l (15 В)
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1

i
i
'
i.
Биполярные кремниевые транзисторы
0,56 ...0,75
0,68 ...0,82
0,56 ...0.75
0,7 ...0,85
20...60 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В: 5 мА)
30...90 (1 В: 5 мА)
70...210 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
20...60 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
70.•.210 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
15...70 (5 В; 1мА)
40...160 (5 В; 1 мА)
15...70 (5 В; 1мА)
40...160 (5 В; 1 мА)
100...300 (5 В; 1 мА)
<::9(5В;1мА)
30... 150 (5 В; 1 мА)
30...200 (5 В; 1 мА)
<::9(5В; 1мА) ·
30... 150 (5 В; i мА)
30...200 (5 В; 1 мА)
!
1
!
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
1 :<>20 (5 В)
1 :<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>25 (5 В)
1
:<>25 (5 В)
:<>25 (5 В)
:<>25 (5 В)
:<>25 (5 В)
:<>10 (5 В)
1 :<>10 (5 В)
1 :<>10 (5 В)
1
:<>10 (5 В)
:<>10 (5 В)
:<>10 (5 В)
i
!
fкэна1..·• Ом
r~Энаt.·• Ом
к;.:.. дБ
3,5
3,5
2,5
2,5
:<>50
:<>25
:<>50
:<>25
Kw, дБ
,~,Ом
Р;:х' Вт
:<>15(1 кГц)
:<>15 (1 кГц)
:<>300*
:<>300*
:<>300*
:<>300*
:<>300*
:<>300*
т•• пс
1
1
~;,.,.нс
tвым• НС
:<>1000*
:<>1000*
:<>1000*
:<>1000*
:<>1000*
85
Корпус
КТ132
КТ133
КТ201
КТ201-М
КТ202-1
~~
/1\ ~tj
6кэ
КТ203
КТ203М

86
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• ~216•
UКБО maxt
Iк,,,.,
lкw•
Тип
Струк-
P;.тmaxt
~;lэ'
U~Rmaxt
UЭБOmaxt
1;.и maxt
l~R'
р;:иmах•
с·
u~maxt
в
1··
прибора
тура
ах•
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ206А
п-р-п 1
15
~10
20* (3к)
20
20
1
Sl (20 В)
1
КТ206Б
п-р-п
1
15
~10
1-
12* (3к)
12
20
Sl (12 В)
1
!
1
1
1
1
1
1
КТ207А
р-п-р
15
~5
60
30
10 (50*)
S0,05 (60 В)
КТ207Б
р-п-р
15
~5
30
15
10 (50*)
S0,05 (30 В)
КТ2078
р-п-р
15
~5
15
10
10 (50*)
S0,05 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ208А
р-п-р
200 (6О0С)
~5
20* (10к) 1 10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Б
р-п-р
200 (6О0С)
~5
20
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208В
р-п-р
200 (6О0С)
~5
20
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Г
р-п-р
200 (60°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Д
р-п-р
200 (60°С)
~5
30* ( lОк)
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Е
р-п-р
200 (6О0С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Ж
р-п-р
200 (60°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208И
р-п-р
200 (60°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208К
р-п-р
200 (60°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Л
р-п-р
200 (60°С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208М
р-п-р
200 (6О 0С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ209А
р-п-р
1
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
1
Sl* (15 В)
КТ209Б
i р-п-р
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
!
Sl*(15 В)
КТ2098
1 р-п-р
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
Sl*(15 В)
КТ20982
1 р-п-р
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
1
Sl* (15 В)
КТ209Г
р-п-р
200 (35°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl* (30 В)
КТ209Д
р-п-р
200 (35°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl*(30 В)
КТ209Е
р-п-р
200 (35°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl*(30B)
КТ209Ж
р-п-р
200 (35°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl*(45 В)
КТ209И
р-п-р
200 (35°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl*(45 В)
КТ209К
р-п-р
200 (35°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl* (45 В)
КТ209Л
р-п-р
200 (35°С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl*(60 В)
КТ209М
р-п-р
200 (35°С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl*(60 В)
1
1
1
!,,
КТ209К9
1 р-п-р
200
~4
40
25
150
!
Sl
1
i
1
1
1
1
1
КТ210А
р-п-р
25
~10
15
10
20 (40*)
SlO (15 В)
КТ210Б
р-п-р
25
~10
30
10
20 (40*)
SlO (30 В)
КТ2108
р-п-р
25
~10
60
10
20 (40*)
slO (60 В)
.
1
1
КТ211А-1
1 р-п-р
25
~10
15
5
20 (50*)
SlO (15 В)
КТ211Б-1
1 р-п-р
25
~10
15
5
20 (50*)
SlO (15 В)
КТ211В-1
1 р-п-р
25
~10
15
5
20 (50*)
Sl0(15B)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
1 30...90* (1 В; 5мА)
70...120* (1 В; 5 мА)
~9(5В;1мА)
30...150 (5 В; 1 мА)
30...200 (5 В; 1 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1 В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1 В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40... 120* (1 В; 30 мА)
80... 240* (1 В; 30 мА)
20...60* ( 1 В; 30 мА)
S20 (5 В)
S20 (5 В)
S10 (5 В)
S10 (5 В)
slO (5 В)
s50(10B)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
sSO(IOB)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
40...120* (1 В; 30 мА) 1 S50 (10 В)
1 20...60* (1 В; 30 мА)
,.
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1 В; 30 мА)
~200* (1 В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...160* (1 В: 30 мА)
20...60* (1 В; 30мА) 1
40... 120* (1 В; 30 мА) 1
~30 (0,2 В: 12 мА)
80...240 (5 В; 1 мА)
80...240 (5 В; 1 мА)
40...120 (5 В; 1 мА)
40... 120 (1 В; 40 мА)
80...240 (1 В; 40 мА)
160.. .480 (1 В; 40 мА)
s50 (10 В)
s50(10B)
s50(10B)
s50(10B)
s50 (10 В)
s50 (IO В)
S50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50(10B)
S50(10B)
Sl5
S25 (5 В)
S25 (5 В)
S25 (5 В)
s20 (5 В)
S20.(5 В)
S20 (5 В)
rкэмк• Ом
r~",. Ом
к;_*,_, дБ
SIOO
SIOO
s50
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,I
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:х• Вт
S300*
s300*
s300*
S4 (1 кГц)
s4(1кГц)
S4 (1 кГц)
s5 (1 кГц)
s5(1 кГц)
s5 (1 кГц)
s5 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
Тк1 ПС
~~,. нс
tвым• НС
Корпус
КТ206
!it
6КЗ
КТ207
КТ208
КТ209
КТ209К9
s
О.95
~~х_
КТ210
..... ~~о к ]:11,25
r:::sкoo6
fJll
Кпюч
КТ211-1
~:м
''' 1_j
6кэ
87

88
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~Р' ~216'
UКБО maxt
lк max
IКБО•
Тип
Струк-
р'
\;lэ'
u·
UЭБО max•
•:. м max'
I~ЭR•
К,тmах•
КЭR max'
прибора
тура
р~~ м max•
~~·:х'
u~max•
в
I"
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
~
КТ214А-1
р-п-р
50
~5
80**
30
50 (100*)
51 (30 В)
КТ214Б-1
р-п-р
50
~5
80**
7
50 (100*)
51 (30 В)
КТ214В-1
'
р-п-р
50
~5
60**
7
50 (\00*)
51 (30 В)
i КТ214Г-1
р-п-р
1
50
~5
40**
7
50 (100*)
51 (30 В)
~КТ214Д-1
р-п-р
50
~5
30**
7
1
50 ( 100*)
51 (30 В)
IKT214E-1
р-п-р 1
50
~5
20**
20
1
50 (100*)
1
51 (30 В)
i
1
i
1
1
1
КТ215А-1
п-р-п
50
~5
80**
5
50 (100*)
5100* (30 В)
КТ215Б-1
п-р-п
50
~5
80**
5
50 (100*)
5100* (30 В)
КТ215В-1
п-р-п
50
~5
60**
5
50 (100*)
5100* (30 В)
КТ215Г-1
п-р-п
50
~5
40**
5
50 ( 100*)
5100* (30 В)
КТ215Д-1
п-р-п
50
~5
30**
5
1
50 (100*)
5100* (30 В)
"
КТ215Е-1
п-р-п
50
~5
20**
5
1
50 (100*)
1
5100• (30 BJ
~
1
1
1
i
.,
!
1
1
1
КТ216А
р-п-р
75
~5
60
30
10
50,05
1
КТ216Б
1 р-п-р
75
~5
30
15
10
1
50,05
1
КТ216В
1 р-п-р
75
~5
30
10
10
51
1
1
1
1
!
1
КТ218А-9
р-п-р
200
~5
80
30
50
51
КТ218Б-9
р-п-р
200
~5
80
7
50
51
КТ218В-9
р-п-р
200
~5
60
7
50
51
КТ218Г-9
р-п-р
200
~5
40
7
50
51
КТ218Д-9
р-п-р
200
~5
30
7
50
51
КТ218Е-9
1
р-п-р
200
~5
20
20
50
51
i
1
1
КТ220А9
1
п-р-п 1
200
~250
60
5
1
100
50.1
1
1
IКТ220Б9
п-р-п 1
200
~250
60
5
100
1
50,1
КТ220В9
1 п-р-п
200
~250
60
1
5
100
1
50,1
1
1
1
1
КТ220Г9
1 п-р-п
200
~250
60
1
5
1
100
1
50,1
1
1
1
i
КТЗОI
п-р-п
150 (6О0С)
~20
20
3
10 (20*)
1
510
КТЗОIА
п-р-п
150 (6О0С)
~20
20
3
10 (20*)
1
510
КТЗОIБ
п-р-п
150 (60°С)
~20
30
3
10 (20*)
1
510
~
КТЗОIВ
1 п-р-п
150 (6О0С)
~20
30
3
10 (20*)
510
'
КТЗОIГ
1 п-р-п
150 (6О0С)
~30
30
3
10
510 (20 В)
КТЗОIД
i п-р-п
1
150 (60°С)
~30
30
3
10
510 (20 В)
КТЗОIЕ
1
п-р-п
150 (60°С)
~30
30
3
10
510 (30 В)
КТЗОIЖ
п-р-п
150 (6О 0С)
~30
20
3
10
510 (20 В)
КТЗО2А
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (15 В)
КТЗО2Б
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (158)
КТЗО2В
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (15 В)
КТЗО2Г
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (15 В)
!
1
i
i
1
1
1
КТЗО6А
1
1
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
1
50.5 (15 В)
1
п-р-п 1
IКТЗО6Б
1 п-р-п i
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
50,5 (15 В)
КТЗО6В
1
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
1
50,5 (15 В)
п-р-п
1
КТЗО6Г
п-р-п
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
1
50,5 (15 В)
КТЗО6Д
п-р-п
150 (90°С)
~200
15
4
30 (50*)
50,5 (15 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
89
ck,
rкэиас' Ом
Кw,дБ
t., ПС
ь.,•. ь;,э
с;2э'
r~нк' Ом
,~,Ом
t;,_., НС
Корпус
пФ
к;:", дБ
Р;~х' Вт
t::IUI, НС
~20(5В;10мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
КТ214-1, КТ215-1
30... 90 (5 В; 10 мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
40...120 (5 В; 10 мА) 1 S:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
40 .. .120 (5 В; 10 мА) 1 s:50(10B)
s:60
~1200*
-
~
1
~80 (1 В; 40 мкА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
~
~40 (1В: 40 мкА)
s:50 (10 В)
s:60
~1200*
-
~20(5В;10мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
11\
30... 90 (5 В; 10 мА)
S:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
5кз
40... 120 (5 В; 10 мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
40... 120 (5 В; 10 мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
~80(1В;40мА)
s:50 (10 В)
s:60
~1200*
-
~40 (1 В; 40 мкА)
s:50(10B)
s:60
~1200*
-
~9(5В:1мА)
s:lO
-
-
-
КТ216, КТ218-9
30... 150 (5 В; 1 мА)
s:lO
-
-
-
30... 200 (5 В; 1 мА)
s;lO
-
-
-
s
0,95
~~х
~20(5В;10мА)
S:l5
-
-
-
~30(5В;10мА)
S:l5
-
-
-
40... 120 (5 В; 10 мА)
S:l5
-
-
-
~40(5В;10мА)
S:l5
-
-
-
~80 (1 В; 40 мкА)
S:l5
-
-
-
~40 (1 В; 40 мкА)
S:l5
-
-
-
90... 180
-
-
-
-
КТ220-9
135... 270
-
-
-
-
~~1
200.. .400
-
-
-
-
300... 600
-
-
-
-
20...60 (!О В; 3 мА)
s:lO (!О В)
s:300
-
-
КТЗОI
40.. .120 (10 В; 3 мА)
s:lO (!О В)
s:300
-
-
10...32 (10 В; 3 мА)
S:lO (!О В)
s:300
-
-
~
20...60 (10 В; 3 мА)
s:lO (!О В)
S:300
-
-
10...32 (10 В; 3 мА)
s:lO (!О В)
s:300
-
S:2000
~ф6
20...60 (1 О В; 3 мА)
s:lO (10 В)
S:300
-
S:2000
40... 120 (10 В; 3 мА)
s:lO (10 В)
s:300
-
:!>2000
80...300 (10 В; 3 мА)
s:lO(lOB)
s:300
-
S:2000
110... 250 (1 В; 0,11 мА)
-
-
s;7 (1 кГц)
-
КТЗО2
90... 150 (3 В; 2 мА)
-
-
s:7 (1 кГц)
-
110... 250 (1,5 В; 0,5 мА)
-
-
s:7 (1 кГц)
-
Ьi-
200... 800 (3,5 В; 5 мА)
-
-
s:7 (1 кГц)
-
~~
~
к.6
20...60* (1 В; 1ОмА)
s;5 (5 В)
s:30
-
S:30*
КТЗО6
40... 120* (1 В; lОмА)
s;5 (5 В)
s:30
-
S:30*
20... 100* (1 В; lОмА)
s:5 (5 В)
-
s:30*
S:500
~~
40... 200* (1 В; lОмА)
s;5 (5 В)
-
s:30*
S:500
30... 150* (1 В; lОмА)
s;5 (5 В)
-
s:30*
s;300
~ ~зфк
6

90
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKm•x'
~•• \210•
UКБО max'
Iк ,,,. .
lкоо•
Тип
Струк-
Р;, т max'
\;lэ'
U~Rmax'
UЭБО m.ax'
1;. и max•
·~·
прибора
тура
р;: и max•
~;;х,
u~max•
в
1~.
мВт
Мfц
в
мА
мкА
1
'
КТ306АМ i п-р-п
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
S0,5 (15 В)
КТ306БМ ! п-р-п
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
1
S0,5 (15 В)
КТ306ВМ 1
п-р-п
150 (9О0С)
~300
15
4
30 (50*)
:S:0,5 ( 15 В)
1
ктзо&rм ! п-р-п
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
S0,5 (15 В)
КТ306ДМ
п-р-п
150 (90°С)
~200
15
4
30 (50*)
s0,5 (15 В)
КТ307А-1
п-р-п
15
~250
1О* (3к)
4
20 (50*)
:S:0,5 ( 10 В)
КТ307Б-1
п-р-п
15
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
:S:0,5 ( 1О В)
КТ3078-1
п-р-п
15
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
:S:0.5 (!О В)
KT307f-1
n-p-n
15
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
S0.5 (10 В)
1
1
1
KTЗIOIA-2
п-р-п
100 (45°С)
~4000
15
2,5
20 (40*)
:S:0.5 (15 В)
КТЗIОIАМ j п-р-п
100
~4000
15
2,5
20
1
:S:0.5 (15 В)
1
1
i
1
КТ3102А
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102Б
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
s0,05 (50 В)
КТ31028
1 п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
ктз102r
1
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
s0,015 (20 В)
КТ3102Д
п-р-п
250
~150
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102Е
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
s0,015 (20 В)
КТ3102:Ж
1
h-p -n
250
~200
50
5
100 (200*)
s0,05 (50 В)
КТ3102И
n-p -n
250
~200
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102К
п-р-п
250
~200
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102АМ
. n-p. -n
250
~150
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102БМ
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
S0,05 (50 В)
КТ3102ВМ
п-р-п
250
~150
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
ктз102rм
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
S0,015 (30 В)
КТ3102ДМ
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102ЕМ
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
S0,015 (30 В)
КТ3102:ЖМ 1 n-p -n
250
~200
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102ИМ 1 n-p-n
250
~200
50
5
100 (200*)
s0.05 (50 В)
КТ3102КМ 1 п-р-п
250
~200
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102А2
п-р,п
250
~200
50
5
200
-
КТ3102Б2
п-р-п
250
~200
50
5
200
-
КТ310282
n-p-n
250
~200
30
5
200
-
KT3102f2
п-р-п
250
~200
20
5
200
-
КТ3102Д2
п-р-п
250
~200
30
5
200
-
КТ3102~2
п-р-я
250
~300
20
5
200
-
КТ3Ю2.Ж.2
П'р-П
250
~200
50
5
200
-
КТ3102И2
п-р-п
250
~200
50
5
200
-
КТ3102К2
п-р-п
250
~200
30
5
200
-

Биполярные кремниевые транзисторы
20 ... 60* (1 8; IОмА)
40 ... 120* (1 8; IОмА)
20... 100* (1 8; IОмА)
40...200* (1 8; 1ОмА)
30 ... 150* (1 8; 1ОмА)
~20(18; IОмА)
~40(18;10мА)
~40(18;10мА)
~80(18;10мА)
35...300 (18; 5 мА)
35...300 (1 8; 5 мА)
100...200 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 1 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
400...1000 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
400...1000 (5 8; 2 мА)
100...250 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
100...200 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА) 1
200...500 (5 8; 2 мА)
1
1
400... 1000 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА) !
400... 1000 (5 8; 2 мА)
100...250 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
100 ... 200
200 ... 500
200 ... 500
400 ... 500
200 ... 500
400 ... 1000
100 ... 250
200 ... 500
200 ... 500
с,,
с;2з'
пФ
$5(58)
$5(58)
$5(58)
$5(58)
$5(58)
$6(18)
$6(18)
$6(18)
$6(18)
$1,5(58)
$1,5(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
~6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
1
1
rкэнас• Ом
r~э нас• Ом
к;.·,.. дБ
$30
$30
$20
$20
$20
$20
~8** (1 ГГц)
!
1
Кш, дБ
r~. Ом
Р;:,, Вт
$30*
$30*
$30*
$4,5 (2,25 ГГц)
$4,5 ( 1 ГГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10(1 кГц)
$4 (1 кГц)
$4 (1кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$4 (1 кГц)
$4 (1кГц)
1
1
tк, ПС
f~ac• НС
t::кл• НС
$30*
$30*
$500
$500
$300
$30*
$30*
$30*
$30*
$10
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
91
Корпус
КТ306М
КТ307-1
!lt
бКЭ
i
1
1
КТ3101-2
1
1,7
10
1 ~w~~
1
КТ3101М
КТ3102
КТ3102М
КТ3102-2

92
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
1,.• • ~216'
UKБOmax'
)Kmax
lкю,
Тип
Струк-
Р~. т maxt
~;,~,
U~Rmax'
UЭБОmах'
•:.и max'
·~·
прибора
тура
р~~ и max'
~::х'
u~max•
в
·~·
мВт
мrц
в
мА
1
мкА
1
КТ3104А
1
р-п-р
15 (35°С)
~200
30
3,5
10
1
:51 (30 В)
КТ3104Б
р-п-р
15 (35°С)
~200
30
3,5
10
:51 (30 В)
КТ3104В
1 р-п-р
15 (35°С)
~200
30
3.5
10
:51 (30 В)
KT3104f
i р-п-р
1
15 (35°С)
~200
15
3,5
10
1
:51 (15 В)
КТ3104Д
р-п-р
15 (35°С)
~200
15
3.5
10
:51 (15 В)
КТ3104Е
р-п-р
15 (35°С)
~200
15
3,5
10
1
:51 (15 В)
КТ3106А-2
п-р-п
30 (50°С)
~1000
15* (IОк)
2,5
20 (40*)
:50,5 (15 В)
!
i
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ3106А-9 i п-р-п 1
100
~1000
15* (lОк)
3
1
20 (40*)
i
:50,5 (15 В)
1
1
1
1
!1
1
i
~
i
1
i
i
!
1
11
'
КТ3107А
1 р-п-р
300
1
~200
50
5
100 (200*) 1
:50.1 (20 В)
КТ3107Б
i
р-п-р
300
~200
50
5
100 (200*) 1
:50,1 (20 В)
КТ3107В
р-п-р
300
1
~200
30
5
100 (200*)
1
:50,1 (20 В)
KT3107f
1 р-п-р
300
1
~200
30
5
100 (200*)
:50.1 (20 В)
КТ3107Д
1 р-п-р
300
~200
30
5
1
100 (200*)
1
:50.1 (20 В)
1
КТ3107Е
р-п-р 1
300
~200
25
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107Ж
р-п-р
300
~200
25
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107И
р-п-р
300
~200
50
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107К
р-п-р
300
~200
30
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107Л
p-n-p
300
~200
25
5
100 (200*)
:50.1 (20 В)
КТ3108А
1 р-п-р
300 (360*)
~250
1 60* (lОк)
5
1
200
1
:50.2 (60 В)
~
1
1
КТ3108Б
1 р-п-р
300 (360*)
~250
45* (lОк)
5
200
i
:50.2 (45 8)
1
КТЗ108В
1 р-п-р
300 (360*)
~300
45* (10к)
5
200
1
:50,2 (45 В)
!
КТ3109А
р-п-р
170 (40°С)
~800
30
3
50
:50,1 (20 В)
КТ3109Б
р-п-р
170 (40°С)
~800
25
3
50
:50,1 (20 В)
КТ3109В
р-п-р
170 (40°С)
~800
25
3
50
:50,1 (20 В)
1
1
j
!
1
1
1
1
1
1
!
i
1
1
1
!
1
!
!
1
!
IКТ3114Б-6
1
1
25 ооо·с)
1
1
1
1
i
i
1
п-р-п
~4300
5
1
1
15
:50,5 (5 В)
1
!
КТЗ114В-6 ' п-р-п
25 ооо·с>
~4300
5
1
15
:50.5 (5 В)
!

Биполярные кремниевые транзисторы
93
Ck,
rкэнас• Ом
Кw1 дБ
tк• ПС
h21" ь;IЭ
с;2э•
r~"""' Ом
r;, Ом
t;,.., нс
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;:,, Вт
t::IUll НС
15...90 (1 В; 2 мА)
$25 (5 В)
$!()()
s8 (6 МГц)
$800
КТЗ104
50...150 (1 В; 2 мА)
s25 (5 В)
slOO
s8 (6 МГц)
$800
~t
70...280 (1В; 2 мА)
s25 (5 В)
$100
s8 (6 МГц)
$800
15...90 (1 В; 2 мА)
s25 (5 В)
SlOO
s8 (6 МГц)
$800
50...150 (1 В; 2 мА)
s25 (5 В)
SlOO
s8 (6 МГц)
$800
70...280 (1 В; 2 мА)
$25 (5 В)
$100
s8 (6 МГц)
$800
5КЗ
~40(5В;5мА)
s2(5В)
-
s2 (120 МГц)
-
1
КТЗ106-2
'
1,15
0,95
~х
/1\
5/(з
~40(5В;5мА)
s2(5В)
-
s2 (120 МГц)
SlO
КТЗ106-9
1
~~t
70...140 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
slO (1 кГц)
-
КТЗ107
120...220 (5 В; 2 мА)
s7 (!О В)
$20
SlO (1 кГц)
-
70...140 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
$20
slO (1 кГц)
-
120... 220 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
slO (1 кГц)
-
~fi:~
180.. .460 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
$20
slO (1 кГц)
-
120...220 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
s4 (1 кГц)
-
180.. .460 (5 В; 2 мА)
s7 (!О В)
$20
S4 (1 кГц)
-
180... 460 (5 В; 2 мА)
S7 (10 В)
$20
slO (1 кГц)
-
&<')
~-•
~
""
380...800 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
S20
slO (1 кГц)
-
.........
380...800 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
s4 (1 кГц)
-
1
50... 150 (1 В; 10 мА)
s5 (10 В)
$25
s6 (100 МГц)
$250
КТЗ108
50... 150 (1 В; 10 мА)
s5 (10 В)
s25
s6 (100 МГц)
s250
~
100...300 (1 В; 10 мА)
s5 (10 В)
s25
S6 (100 МГц)
$250
""":>
5
::
з{фк
~
~15 (10 В; 10 мА)
sl (!О В) ~15** (0,8 ГГц)
s6 (800 МГц)
$6
КТЗ109
~15 (10 В; 10 мА)
sl (10 В)
~13** (0,8 ГГц)
s7 (800 МГц)
$10
~15 (10 В; 10 мА)
sl (!О В) ~13** (0,8 ГГц)
s8 (800 МГц)
slO
~i
15... 80 (3 В;"'! мА)
s0,44 (3 В)
-
s2 (400 МГц)
$8
:КТЗ114-6
15...80 (3 В; 1мА)
s0,44 (3 В)
-
s3 (400 МГц)
$8
1
~{@

94
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• (216•
UKБOmax'
lк max
1
lкоо•
1
Тип
Струк-
Р~.тmах•
1~:;1э•
U~Rmax'
UЭБОmах'
1;.н max'
J~R'
прибора
тура
р~нmах'
~;;х,
u~max'
в
i
·~·
мВт
Мfц
в
мА
i
мкА
1
КТ3115А-2 1 п-р-п
70 (70°С)
~5800
10* (1 к)
1
8,5
1
g),5 (10 В)
lктз11sв-2 1 п-р-п
70 (70°С)
~5800
10* (lк)
1
8,5
1
~0.5 (10 В)
KT3115f-2
1
50 (85"С)
~5800
7* (1к)
1
8,5
g),5 (7 В)
1
п-р-п
КТ3115Д-2
п-р-п
50 (85"С)
~5800
7* (1к)
1
8,5
~О.5 (5 В)
1
КТ3117А
п-р-п
300 (800**)
~200
60
4
400 (800*)
~10 (60 В)
КТ3117Б
п-р-п
300
~200
75
4
400 (0,8* А)
~10 (75 В)
1
1
1
i
i
1
1
1
КТ3117А-1 1 п-р-п 1
500
~200
60
4
400 (0,8* А)
~10 (60 В)
КТ3117А9
п-р-п
300 (800*)
~200
60
4
400 (0,8*А)
~10 (60 В)
!КТ3117Б9 1 п-р-п 1
300
~200
75
4
400 (0,8*А) 1 ~10 (75 В)
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
i
КТ312А
п-р-п
225
~80
20
4
30 (60*)
~10 (20 В)
КТ312Б
п-р-п
225
~120
35
4
30 (60*)
~10 (35 В)
КТ3128
п-р-п
225
~120
20
4
30 (60*)
~10 (25 В)
1
КТ312А1
1 п-р-п
1
225
~80
20
4
30 (60*)
~10 (20 В)
IКТ312Б1 1
п-р-п
225
~120
35
4
30 (60*)
~10 (35 В)
КТ31281
1 п-р-п
225
~120
20
4
30 (60*)
~10 (20 В)
КТ3120АМ
п-р-п
100
~1800
15
3
20 (40*)
~0.5 (15 В)
1
1
1
1
1
КТ3121А-6
п-р-п
25
~100
12
2
10
~1 (10 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
95
с,,
rкэнас• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h21,1 ь;IЭ
с; 2,,
r;Энас• Ом
r;, Ом
t;..,., нс
Корпус
пФ
к;_*", дБ
Р;:•• Вт .
t::IUll НС
:515(5В;5мА)
:50,6 (5 В)
~5** (5 ГГц)
:54,6 (5 ГГц)
:53,8
КТЗ115-2
:515(5В;5мА)
:50.,6 (5 В)
~5** (5 ГГц)
:54,4 (5 ГГц)
:53,8
4t1@
:515(5В:5мА)
:50,6 (5 В) ~4.4** (5 ГГц)
:55, 7 (5 ГГц)
:53,8
70...150 (5 В: 5 мА)
:50,6 (5 В) ~8** (2,25 ГГц)
:52,5 (2,25 ГГц)
:53,8
!
1
40...200* (5 В; 0,2 А)
:510 (10 В)
:51,2
-
:580*
КТ3117
100...300* (5 В; 0,2 А) :510 ( 10 В)
:51,2
-
:580*
~"':>
6
::
зфк
~
40...200 (5 В: 0.2 А) 1 :510 (10 В) 1
:51,2
:580*
1
КТ3117-1
-
1
.
i
!
'
1
~~~
1
11')
~-•
~
~....., .
40... 200* (5 В; 0,2 А)
:510 (IO В)
:51,2
-
:580*
КТ3117-9
10...300* (5 В; 0,2 А)
:510 (IO В)
:51,2
-
:580*
~t
1 10.. .100* (2 В: 20 мА) 1 :55(108)
:540
-
:5500; :5100*
1
КТЗ12
1
25...100* (2 В: 20 мА) 1 :55 (10 В)
:540
-
:5500; :5130"
50...280* (2 В: 20 мА)
1
:55 (10 В)
:540
-
1
:5500: :5130* 1
~hi
1
1
1
~"
1
i
1
6фк
1
1
~
з
10...100 (2 В; 20 мА)
:55 (IO В)
:540
-
:5500; :5100*
КТ312-1
25...100 (2 В; 20 мА)
:55 (10 В)
:540
-
:5500; :5130*
50...280 (2 В; 20 мА)
:55 (10 В)
:540
-
:5500; :5130*
Ti
1
1
" ':>
6
1
1
::
зфк
1
1
~
1
1
~40(1В:5мА)
1 :52 (5 В) , ~10** (400 МГц) 1 :52 (400 МГц)
1
:58
!
КТЗ120
i
~t
1
1
1
!
1
~О(5В:2мА)
1
:51 (5 В)
~8** (1 ГГц)
:52 (1 ГГц)
1
-
1
КТ3121-6
1
1
i
f@
~7

96
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• ~216•
UKБOmax•
•к ma•
lкоо•
1
Тип
Струк-
Р;, т max'
(;lз'
U~Rmax'
UЭБОmах•
1;, и max'
J~R'
прибора
р~: и maxt
с·
u~ma]t'
в
·~·
i
тура
1
".
мА
мВт
мrц
в
мкА
1
КТ3122А
1
п-р-п
150 (750**)
-
35* (2к)
-
100 (!*А) i
:51 (12 В)
КТ3122Б
п-р-п
150 (750**)
-
35* (2к)
-
100 (!*А)
:51 (12 В)
1
1
1
1
1
1
КТ3123А-2
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15 В)
КТ3123Б-2
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15 В)
КТ31238-2 ! р-п-р
150
3500
10
3
30 (50*)
1
:525 (10 В)
1
1
i
!
КТ3123АМ
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15 В)
КТ3123БМ
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15В)
КТ3123ВМ
р-п-р
150
3500
10
3
30 (50*)
:525 (10 В)
1
1
1
1
'
1
КТ3126А
р-п-р
150 (30°С)
~500
20
3
20
:51 (15 В)
КТ3126Б
р-п-р
150 (30°С)
~500
20
3
20
:51 (15 В)
КТ3126А-9
р-п-р
110
~450
35
3
30
:51 (15 В)
1
КТ3127А
р-п-р
100 (35°С)
~600
20
3
25
:51 (15 В)
1
КТ3128А
р-п-р
100 (35°С)
~800
40
3
20
:51 (15 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
97
rкэнк• Ом
Кw,дБ
!
ck,
tк, ПС
h21>' ь;IЭ
с;2.•
r~.". Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;~•·' дБ
Р;:,, Вт
t::IUll НС
-
s.7 (IO В)
-
-
tн< 1
КТЗ122
-
5.7 (10 В)
-
-
tн< 1,5
7.2
J
~11 v
~~D
5КЗ
40(10В:10мА)
5.1 (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
$10
КТЗ12З-2
40(10В:10мА)
$1 (108)
~5** ( 1 ГГц)
3 (1 ГГц)
$10
40(10В;10мА)
Sl (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
$10
~rНJ
~~з/
40(10В;10мА)
S.1 ,2 (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
S.10
КТЗ12ЗМ
40(10В;10мА)
5.1 ,2 (10 В)
?:5** ( 1 ГГц)
3 (1 ГГц)
S.10
40(10В;10мА)
5.1 ,2 (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
$10
~~t
1
25...100 (5 В; 3 мА)
s.2,5 (10 В)
$120
-
S.15
КТЗ126
60... 180 (5 В; 3 мА)
s.2,5 (10 В)
S.120
-
S.15
~fi:~
~
~-.
.. ..
~
-
25... 100 (5 В; 3 мА)
s.2,5 (10 В)
S.120
-
$10
КТЗ126-9
~1t
25... 150 (5 В; 3 мА)
$1 (10 В)
-
s.5(1 ГГц)
S.10
КТЗ127
f5.8
з!j э
; Корп.Ф,6
15... 150 (5 В; 3 мА)
5.1 (10 В) ~14** (0,2 ГГц)
S.34*
s.5
КТЗ128
f5.8
зfi '
; Кор~Ф,6
7зак9

98
Раздел 2. Бипопярные транзисторы
1 Струк-
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max•
1к ....
lкоо,
Тип
Р~. т max'
(;lэ'
U~Rmax'
UЭБО max•
1;:н max'
·~·
прибора 1 тура
р~~HlQllJLI
с·
u~max•
в
r:эо.
...
мА
мВт
мrц
в
мкА
КТ3128А-1
p-n-p
300
~800
40
4
30 (0,8* А)
50,l (20 В)
КТ3128Б-1
р-п-р
300
~800
40
4
30 (0,8* А)
g),l (20 В)
КТ3128А-9
p-n-p
100
~650
35
3
20
51 (15 В)
1
11
1
1
1
КТ3129А-9
р-п-р
75 (100**)
~200
50
5
100 (200*)
51 (50 В)
КТ3129Б-9
р-п-р
75 (100**)
~200
50
5
100 (200*)
51 (50 В)
КТ3129В-9
р-п-р
75 (100**)
~200
30
5
100 (200*)
51 (30 В)
KT3129f-9
p-rr-p
75 (100**)
~200
30
5
100 (200*)
51' (30 В)
КТ3129Д-9
р-п-р
75 (100**)
~200
20
5
100 (200*)
51 (20 В)
КТЗIЗА
р-п-р
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*)
50,5 (50 В)
КТЗIЗБ
1 р-п-р
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*)
50,5 (50 В)
КТЗIЗА-1
p-n -p
300 (1000*)
~200
60
5
350
50,5 (50 В)
КТЗIЗБ-1
р-п-р
300 (1000*)
~200
60
5
350
50,5 (50 В)
КТЗIЗВ-1
р-п-р
300 (1000*)
~200
50
5
350
50,5 (50 В)
КТЗIЗГ-1
р-п-р
300 (1000*)
~200
30
5
700*
50,5 (50 В)
1
'
КТЗIЗОА-9
n-p -n
100
~150
50
5
100
50.1 (50 В)
КТЗIЗОБ-9
n-p -n
100
~150
50
5
100
50,1 (50 В)
КТЗIЗОВ-9
п-р-п
100
~150
30
5
100
50,1 (30 В)
КТЗIЗОГ-9
п-р-п
100
~300
20
5
100
50,1 (20 В)
КТЗIЗОД-9
n-p-n
100
~150
30
5
100
50,1 (30 В)
КТЗIЗОЕ-9
n-p-n
100
~300
20
5
100
g),l (20 В)
КТЗIЗОЖ-9 п-р-п
100
~150
30
5
100
50,1 (30 В)
КТ3132А-2
n-p-n
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
КТ3132Б-2
п-р-п
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
КТ3132В-2
п-р-п
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
KT3132f-2
п-р-п
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
g),5 (10 В)
КТ3132Д-2
n-p-n
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (IO В)
КТ3132Е-2
n-p-n
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
КТ3139А
п-р-п
200
~150
20
5
200
50,02 (20 В)
КТ3139Б
п-р-п
200
~150
32__
5
200
50,001 (32 В)
КТ3139В
п-р-п
200
~150
32
5
200
50,001 (32 В)
KT3139f
п-р-п
200
~150
32
5
200
50,05 (32 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
99
Ck,
rкэнк• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
1
h21.• ь;,э
с;2э•
r~нk' Ом
r;, Ом
t:X, НС
Корпус
пФ
к;_*", дБ
Р;:.. Вт
t::кл, НС
1
35...150 (10 8: 3 мА)
$1 (10 8)
<!:15** (0,2 ГГц)
$5 (0,2 ГГц)
$5
КТЗ128-1
25...200 (10 8: 3 мА)
sl (10 8)
<!:15** (0,2 ГГц)
$5 (0,2 ГГц)
$5
1f
1
1
~-~
1
~
...
t:!"
~
15... 150 (10 8: 3 мА)
sl (10 8)
-
s5 (200 МГц)
-
КТЗ128-9
!
1
1
1
~1
!
1 30...120(58:2мА)
1
$10 (10 8)
1
$20
-
-
КТЗ129-9
80...250 (5 8: 3 мА)
$10 (10 8)
$20
-
-
80...250 (5 8; 2 мА) 1 $10(108) 1
$20
-
1
-
~~t
200... 500 (5 8: 2 мА)
$10 (!О 8)
$20
-
1
-
200...500 (5 8; 2 мА)
$10 (10 8)
$20
-
1
-
1
1
30... 120 (10 8: 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
1
КТЗIЗ
80...300 (10 8; 1 мА) $12 (10 8)
$3,3
-
$120*
1
~5,81/
1
;fi
1
кфз
1
1
5
30... 120 (10 8; 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
КТЗ13-1
80...300 (10 8; 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
~~~
200... 520 (10 8; 1 мА) $12 (10 8)
$3,3
-
$120*
400... 800 (10 8; 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
!
lr)
~-•
~.
~.......
1
1 100...250 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
1
КТЗ130-9
.
200...500 (5 8: 2 мА) 1 sl2 (5 8)
slO (1 кГц)
1
1
-
-
200... 500 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
~~t
400... 1000 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
1
200... 500 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
400... 1000 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$4 (1 кГц)
-
1
100... 500 (5 8; 2 мА)
sl2 (5 8)
-
$4 (1 кГц)
-
15... 150 (7 8; 3 мА)
$5,5 (7 8)
<!:6** (3,6 ГГц)
s2,5 (3,6 ГГц)
-
КТЗ132-2
15... 150 (7 8; 3 мА)
s5,5 (7 8)
<!:4** (3,6 ГГц)
s4,8 (3,6 ГГц)
-
f.r±F
15... 150 (7 8; 3 мА)
s5,5 (7 8)
<!:5** (5 ГГц)
s4,8 (3,5 ГГц)
-
15... 150 (7 8; 3 мА)
$5,5 (7 8)
<!:7** (4 ГГц)
s3,6 (3,4 ГГц)
-
20...150 (7 8: 3 мА)
s5,5 (7 8) <!:8, 1** (2,25 ГГц)
s2 (2,25 ГГц)
-
~~з63
70... 150 (7 8: 3 мА)
s5,5 (7 8) <!:8,1 ** (2,25 ГГц) $2,5 (2,25 ГГц)
-
'
1
1
1
1
<!:200 (5 8: 0,2 мА)
$4,5 (10 8)
$50
$85**
s270*; Sl30*** 1
КТЗ139
<!:60 (5 8; 2 мА)
$4,5 (10 8)
$50
$85**
$270*
s
О,95
<!:120 (5 8; 2 мА)
s4.5(108)
$50
$85**
$270*
~~х
100... 310 (5 8; 2 мА)
$4,5(108)
$50
$85**
$270*

100
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Ркmах'
1,.•• ~•••
UK60max'
lкоо,
lк ,..,
Тип
Струк- J
Р;,тmах•
~;lз•
u~mu•
UЭБОmах•
1;,н max•
J~R'
p~:мnuix•
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
...
КЭО•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ314А-2
п-р-п
500
<!:300
55
4
60 (70*)
S0,075 (55 В)
КТ3140А
р-п-р
200
<!:150
20
5
200
S0,02 (20 В)
КТ3140Б
р-п-р
200
<!:150
32
5
200
S0.001 (32 В)
КТ3140В
р-п-р
200
<!:150
32
5
200
S0.001 (32 В)
KT3140f
р-п-р
200
<!:150
32
5
200
S0,05 (32 В)
КТ3140Д
р-п-р
200
<!:150
20
5
200
S0,02 (20 В)
КТ3142А
п-р-п
360
<!:500
40
4.5
200; 500*
S0,4 (20 В)
1
1
1
1
1
i
i
1
1
:
!
i
КТ3143А
п-р-п
50
<!:600
10
4
10
S0,5 (10 В)
КТ3144А
п-р-п
50
<!:1800
15
3
1
10
$0,5 (15 В)
1
!
IKT3145A-9
п-р-п
200
<!:125
32* (0,lк)
5
200
1
S0.02 (32 В)
КТ3145Б-9
п-р-п
200
<!:125
45* (0,lк)
5
200
Sl (45 В)
КТ3145В-9 1 п-р-п
200
<!:125
45* (0,lк)
5
200
1
Sl (45 В)
KT3145f-9
1 п-р-п 1
200
<!:125
45* (О,lк)
1
5
200
1
s0.05 (45 В)
КТ3145Д-9 1 п-р-п 1
200
<!:125
45* (0,lк)
5
200
S0,05 (45 В)
КТ3146А-9
р-п-р
200
<!:125
32* (О,lк)
5
200
s0.02 (32 В)
КТ3146Б-9
р-п-р
200
<!:125
45* (О,lк)
5
200
Sl (45 В)
КТ3146В-9
р-п-р
200
<!:125
45* (О,lк)
5
200
sl (45 В)
KT3146f-9
р-п-р
200
<!:125
45* (О,lк)
5
200
s0.05 (45 В)
КТ3146Д-9
р-п-р
200
<!:125
45* (0,1 к)
5
200
S0.05 (45 В)
1
1
1
i
КТ315А
п-р-п
150 (250*)
<!:250
25
6
100
S0.5 (10 В)
КТ315Б
п-р-п
150 (250*)
<!:250
20
6
100
S0,5 (!О В)
КТ315В
п-р-п
150 (250*)
<!:250
40
6
100
S0,5 (10 В)
KT315f
п-р-п
150 (250*)
<!:250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Д
п-р-п
150 (250*)
<!:250
40* (lОк)
6
100
S0,6 (10 В)
КТ315Е
п-р-п
150 (250*)
<!:250
35* (!Ок)
6
100
S0,6 (10 В)
КТ315Ж
п-р-п
100
<!:250
20* (10к)
6
50
$0,6 (!О В)
КТ315И
п-р-п
100
<!:250
60* (10к)
6
50
$0,6 (10 В)
КТ315Н
п-р-п
150
<!:250
35* (10к)
6
100
S0.6 (10 В)
КТ315Р
п-р-п
150
<!:250
35* (10к)
6
100
$0,5 (10 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
101
Ck,
rкэнас• Ом
Кw,дБ
т., пс
h2," ь;,э
с;2э•
r~""'' Ом
r;, Ом
t;...,, нс
Корпус
пФ
к;~,... дБ
Р.:,:" Вт
t:.ll.JI, нс 1
'
30.. .120 (5 В: 0,25 мА)
SIO (5 В)
SIO
-
S80; S300*
КТЗ14-2
~~!
1'\~
6кэ
~200(5В:2мА)
sб,5 (10 В)
s50
S85**
S270*; S400**
КТЗ140
~60(5В:2мА)
sб,5 (10 В)
$50
s85**
S270*
120.. .460 (5 В; 2'мА) Sб,5 (10 В)
s50
S85**
S270*
j
0.,95
100...310 (5 В; 2 мА) sб,5 (10 В)
s50
S85**
S270*
~х_
~200(5В:2мА)
sб,5 (10 В)
S50
S85**
S270*
1
40...120 (1 В: 10 мА)
S4 (10 В)
S25
-
Sl3*; Sl8**
КТЗ142А
115,81/
1
;fi к-$з
1
1
6
1
i
1
40...300 (5 В; lОмА)
S3(5В)
S0,4
-
1
sl5*
1
КТЗ14З, КТЗ144
~IJ:~
~40(1В;5мА)
Sl,9 (5 В)
-
s5 (400 МГц)
-
~
"1t--
'
~
""
.....,
~200(5В:2мА)
Sll
S50
-
SllOO*
КТЗ145-9
~60(5В;2мА)
Sll
s50
-
SllOO*
:fjf
120...460 (5 В; 2 мА)
Sll
S50
-
SllOO*
100...310 (5 В; 2 мА)
Sll
S50
-
SI 100*
120·...460 (5 В: 2 мА) 1
Sll
S50
-
SllOO*
1
к6
~200(5В:2мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
КТЗ146-9
~(5В;2мА)
Sl2
so
-
SllOO*
120.. .460 (5 В; 2 мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
~~1
100...310 (5 В; 2 мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
120...460 (5 В; 2 мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
30...120* (1О В; 1мА)
1
s7 (10 В)
S20
S40*
S300
КТЗ15
50...350* (1 О В; 1 мА)
S7 (10 В)
S20
S40*
S500
30...120* (1О В: 1мА)
s7 (10 В)
S20
S40*
$500
7.2
J
50...350* (10 В; 1 мА)
S7 (10 В)
S20
S40*
S500
20...90* (1О В: 1 мА)
S7 (10 В)
s30
S40*
SIOOO
ir
50...350* (10 В; 1 мА)
s?.(10 В)
sзо
s40*
SIOOO
~tm
30...250* (10 В; 1 мА) SIO (10 В)
S25
-
S800
~'
~30* (10 В: 1 мА)
slO(lOB)
S45
-
S950
D
50... 350* ( 10 В; 1, мА)
S7 (10 В)
S5,5
-
SIOOO
6КЗ
150...350* (10 В; 1 мА) S7 (10 В)
S20
-
S500

102
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
.. .. . \216,
UKБOmax•
Iк ....
lкоо•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБО max•
1;,11 max•
J~R•
р~: и max•
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
."
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
IKT315A-1
1
150
~250
25
6
1
100.
1
S0,5 (10 В)
п-р-п
1
КТ315Б-1
п-р:п
150
~250
20
6
100
S0.5 (10 В)
КТ315В-1
1
п-р-п
150
~250
40
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Г-1
п-р-п
150
~250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Д-1
1 п-р-п
150
~250
40
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Е-1
п-р-п
150
~250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Ж-1
п-р-п
100
~250
15
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315И-1
п-р-п
100
~250
60
6
100
s0,5 (10 В)
КТ315Н-1
п-р-п
150
~250
20
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Р-1
п-р-п
150
~250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ3150Б-2
р-п-р
120 (65°С)
~1200
35* ( lОк)
4
30 (50*)
S0,5 (40 В)
i
1
1
1
1
КТ3151А-9
п-р-п
200
~100
80*
5
100
SI (100 В)
КТ3151Б-9
п-р-п
200
~100
80*
5
100
SI (90 В)
КТ3151В-9
п-р-п
200
~100
60*
5
100
Sl (80 В)
KT3151f-9
п-р-п
200
~100
40*
5
100
SI (60 В)
КТ3151д-9
п-р-п
200
~100
30*
.
5
100
Sl (30 В)
КТ3151Е-9
п-р-п
200
~100
20*
5
100
SI (30 В)
1
КТ3153А-9 1 п-р-п
1
300
~250
60
5
400 (0,6* А)
1
S0,05 (45 В)
1
1
1
1
КТ3153А-5
п-р-п
300
~250
60
5
0.4 А (0,6* А)
S0,05 (45 В)
КТ3157А
р-п-р
1
200
~60
250* (IОк)
5
30 (100*)
sO.I · (200 В)
1
1
1
1
КТ316А
п-р-п
150 (90°С)
~600
10* (3к)
4
50
:
S0,5 (10 В)
КТ316Б
п-р-п
150 (90°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316В
п-р-п
150 (90°С)
~800
10* (3к)
4
50
s0.5 (10 В)
KT316f
п-р-п
150 (90°С)
~600
10* (3к)
4
50
s0.5 (10 В)
КТ316Д
п-р-п
150 (90°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
1
1
!
КТ316АМ
п-р-п
150 (85°С)
~600
10* (3к)
4
50
s0.5 (10 В)
КТ316БМ
п-р-п
150 (85°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316ВМ
п-р-п
150 (85°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316ГМ
п-р-п
150 (85°С)
~600
1О* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316ДМ
п-р-п
150 (85°С)
~800
10*· (3к)
4
50
S0,5 (10 В)

Бипопярнь1е кремниевые транзисторы
20...90 (10 В; 1 мА)
50... 350 (10 В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
50". 350 (10 В; 1 мА)
20".90 (IO В; 1 мА)
20".90 (IO В: 1 мА)
30". 250 (IO В; 1 мА)
30(IOВ;1мА)
50". 350 {10 В; 1 мА)
150."350 (10 В; 1 мА)
60... 180* (5 В; 2,5 мА)
~(5В;10мА)
30".90 (5 В; 1О мА)
40".120 (5 В; 1О мА)
40".120 (5 В; 10 мА)
~80(5В:10мА)
~40(5В;1ОмА)
100".300 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s7 (IO В)
~7 (IO В)
S7(IOB)
S7 (\О В)
S7 (10 В)
S7 (\О В)
S7 (IO В)
S7 (10 В)
s7 (IO В)
S2 (\О В)
Sl5(10B)
Sl5(IOB)
Sl5 (10 В)
Sl5 (10 В)
Sl5 (\О В)
Sl5 (IO В)
S4,5 (IO В)
100".300 (5 В; 2 мА)
S4,5 (IO В)
~50*(20В;25мА) 1 s3(30В)
20".60* (1 В; 1О мА)
40".120* ( 1 В; 1О мА)
40... 120* (1 В; 1О мА)
20".100* (1 В; 1О мА)
60".300* (1 В; 10 мА)
20".60* (1 В; 10 мА)
40".120" (1 В; 10 мА) 1
40".120* (1 В; 10 мА)
20".100* (1 В; 1О мА)
60."300* (1 В; 1О мА)
S3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
s3(5В)
S3(5В)
s3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
rDнac' Ом
r~нас• Ом
к;."", дБ
S20
S20
S20
S20
S20
S20
S20
S20
S25
s60
S60
SбО
S60
s60
s60
S2,б
S2,3
SбО
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
1
1
1
i
tк, ПС
~;...нс
t ...ILJll, нс
sзоо
S300
sзоо
S300
S300
S300
sзоо
S300
s30; s30*
S400*
S400*
SIO*
SIO*
Sl5*
Sl50
Sl50
SIO*
SIO*
Sl5*
Sl50
Sl50
103
Корпус
КТЗ15-1
КТЗ150-Z
~~~
"" ,~l
6КЗ
КТЗ151-9
j
0,95
~*Х
КТЗ15З-9
~1КТЗ15ЗА-5
1
0,8
0,3
1 ;}шт
КТЗ16
КТЗ16М

104
Раздел 2. Биполярные транзисторы
!
i
i PKmax•
~" li:21••
UКБО max•
lкво,
!
lк max
j
Тип
1 Струк-1
Р~. т max•
~:;Jэ•
U~Rmax•
UЭБОmах•
·~·
'
•:.н maxt
1 прибора
р~: н max•
с·
u~max•
в
·~·
I тура
."
1
мВт
МГц
в
мА
мкА
1
1
jктз1вsл i p-n -p
160 (55°С)
~750
40
3
1
30
1
s:O,I (20 В)
1
1
1
1
1
i
1
КТ3165А-9
p-n -p
100
1060
40
5
1
30
i 0,5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
UэБпр
КТ3166А
n-p-n
15
~400
15* (lк)
~546,6 мВ
1
-
КТ3166Б
n-p -n
15
~400
15* (lк)
~545,1 мВ
1
-
КТ31668
n-p -n
15
~400
15* (lк)
~543,6 мВ
1
-
КТ3166Г
n-p -n
15
~400
15* (lк)
~540,6 мВ
1
1
-
1
i
1
1
!
КТ3168А-9
n-p -n
180 (55°С)
~3000
15* (!Ок)
2,5
28 (56*)
s:0,5 (15 В)
КТ3169А-9
p-n -p
200
~750
40
3
30
s:O.I (20 В)
1
11
1
1
1
КТ3169А91
p-n -p
200
~750
40
3
30 (0,6* А)
:S:O, I (20 В)
КТ317А-1
n-p -n
15
~100
5
3,5
15 (45*)
:S:I (5 В)
КТ317Б-1
1
n-p -n
15
~100
5
3,5
15 (45*)
:S:I (5 В)
КТ317В-1
1 n-p-n
15
~100
5
3,5
15 (45*)
:S:I(5В).
~
11
КТ3170А-9
n-p -n
250
~300
40
4
30
0,1 (20 В)
КТ3171А-9
p-n -p
200
~150
15
4
1
530
i :S:O.I (12 В)
i
1
'
1
1
1
!
1
i
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
105
ck,
rкэна"' Ом
Кw,дБ
tк, ПС
hz,,• ь;,э
c;z,•
r~нас• Ом
r;, Ом
t;k. нс
Корпус
пФ
к;.·р.• дБ
Р:,х, Вт
t:.ll .JI. нс
~25* (10 В; 3 мА)
$0,65 (10 В)
-
$8 (1 ГГц)
$3
КТ3165
~i
~25(10В;3мА)
-
-
7
$3
КТ3165А-9
~1КТ3166
280... 1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
~fi:~
280.. .1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
280... 1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
280... 1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
'r ')
<:t--
•
~
111')
1
.....,
60...180 (5 В; 5 мА)
$1,5 (5 В)
~7** (1 ГГц)
$3 (1 ГГц)
$10
КТ3168А-9
~~1
~25(1В;3мА)
$0,6 (10 В) ~13** (0,8 ГГц)
$6 (800 МГц)
-
КТ3169-9
1
j
О,95
~х
~25(10В;3мА)
$0,6 (10 В) ~13** (800 МГц)
$6 (800 МГц)
-
КТ3169-91
~1
25...75 (1 В; 1 мА)
$11 (1 В)
$30
-
$130*
КТ317-1
35... 120 (1 В; 1 мА)
$1l(1В)
$30
-
$130*
80...250 (1 В; 1 мА)
$1I(1В)
$30
-
$130*
w~~ ~
11
/ 1\ :::::
6кз
~100 (10 В; 7 мА)
$2 (10 В)
-
-
-
КТ3170-9, КТ3171А-9
j
0,95
~х
~50* (2 В: 100 мА)
$15 (15 В)
$1,5
-
$20
j
!
1

106
Раздел 2. 15ипопярные транзисторы
PKmaX"•
~.. ~,..
UКБО max•
lк max
lкво•
Тип
Струк-
Р;,тmах•
(;1зt
U:CЭR max•
Uэоо max•
1;, и max•
1:сэн.
прибора
р;." m11x•
t:xt
u~max:I
в
J''
тура
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
КТЗ172А~9
n-p-n
200
~500
20*
4,5
200*
S0,4 (20 В)
.
1
1
1
1
i
1
КТЗ173А-9
1
p-n·-p
200
~200
30
5
530
~.1 (20 В)
j'
КТЗ176А-9
200
~150
35
5
500
'
~.1 (35 В)
п-р-п
КТ3179А-9
п-р-п
200
~150
150
5
55
sl (lOO В)
1
КТ318А-1
1 п-р-п
15
~430
10
3,5
1
20 (45~)
s0.5 (10 В)
КТ318Б-1
п-р-п
15
~430
10
3,5
20 (-45*)
s0.5 (10 В)
КТ318В-1
п-р-п
15
~430
10
3,5
20 (45*)
1
~.5 (10 В)
КТЗ18Г-1
п-р-п
15
~350
10
3,5
20 (45*)
s0.5 (10 В)
КТЗ18Д-1
п-р-п
15
~350
10
3,5
20 (45*)
s0.5 (10 В)
КТЗ18Е-1
п-р-п
15
~350
10
3,5
20 (45*)
~.5 (10 В)
КТЗ180А-9
р-п-р
200
~150
150
5
50
SI (150 В)
1
КТЗ184А9
n-p-n
1200
~200
80; 65*
6
500
SlO (60 В)
КТЗ184Б9
п-р-п
1200
~200
80; 65*
6
. 500
SlO (60 В)
1
1
1
1
КТЗ186А-9
П•р-П
1
300
~6 ГГц
20
2,5
50
sO,l (IOB)
КТЗ186Б-9
п-р-п
90
~3.2 ГГц
20
2,5
50
~.1 (10 В)
КТЗ186В-9
п-р-п
250
~4 ГГц
20
2,5
50
SO,l (10 В)
КТЗ187А-9
n-p -n
200
~4.4 ГГц
20
2
25
SO,l (10 В) ·
1
1
1
!
КТЗ187А91
п-р-п
-
200
~4600
20; 12*
2
20
-
КТ3187Б91
п-р-п
90
~3200
18; 12•
2
10
-
КТЗ1&7В91
п-р-п
200
~3000
20
2
25
-

Биполярные кремниевые транзисторы
107
ck,
rкэ.к• Ом
Kw, дБ
tк• ПС
ь"" ь;,э
с;2э•
r~.". Ом
r;, Ом
t~. нс
Корпус
пФ
к;:,.. дБ
Р;~х• Вт
t::.IUll НС
~40(1В;10мА)
~3 (10 В)
$1
-
$45
КТЗ172-9, КТЗ173-9
1
;J
О,95
~Jk
50...500 (5 В; 30 мА)
:s;lO (!О В)
$1,5
-
$20**
1
~
1
q
1
~
~60 (10 В; 150 мА)
$15 (10 В)
$1,2
-
-
КТЗ176-9, КТЗ179-9
~65* (5 В; 10 мА)
:s;3
:s;33
-
-
;J
О,95
~*Jk
30...90 (1 В; 10 мА)
$3,5 (5 В)
$27
-
$15*
1
КТЗ18-1
1 50...150(1В; 10мА)
$3,5 (5 В)
$27
-
$15*
1
1 70...280 (1 В; 10 мА)
1
:s;3,5 (5 В)
$27
-
$15*
1
30...90 (1 В; 10 мА)
$4,5 (5 В)
$27
-
$10*
~~~
50...150 (1В; 10 мА)
$4,5 (5 В)
$27
-
$10*
70...280 (1В; 10 мА)
$4,5 (5 В)
$27
-
:s;lO*
")
11\
1
6кз
~90* (5 В; 10 мА)
-
:s;33
-
-
1
КТЗ180-9
1
;J
0,95
1
~*Jk
'
1
1
~
i
20...80 (5 В; 0,2 А)
$15 (!О В)
$4; 7,5*
:s;6 (100 МГц)
$400
КТЗ184-9
50... 180 (5 В; 0,2 А)
:s;15 (10 В)
$4; 7,5*
$6 (100 МГц)
$400
1/,6
11
~Ф~·~• ' J.
.
<::!'
5
4q
~" o.ss
448 l5-
1,5
~60(5В;15мА)
:s;0,9 (8 В)
~8** (2 ГГц)
:s;3,5 (2 ГГц)
-
КТЗ186-9
~40(3В;2мА)
1
:s;0,9 (8 В)
~6** (2 ГГц)
:s;3 (2 ГГц)
-
~~
~35(5В;10мА)
:s;0,9 (8 В)
~6** (2 ГГц)
$4 (2 ГГц)
-
:~к 6
~40 (10 В; 14 мА)
:s;0,9 (10 В) ~12** (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
КТЗ187-9 (КТЗ187-91)
i
1
;J
0,95
1
1
1
~~Jk
1 ~40(10В;14мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
1
~40(3В;2мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:s;2 (0,8 ГГц)
-
~40(5В;5мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:s;2,5 (0,8 ГГц)
-
(6) (З)

108
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Pкmu•
~•• (216'
UKБOmax•
1
1
•коо•
!
)Kmax
1
Тип
1 Струк- J
р~тmах•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБО max• J
1
·~R'
;
прибора 1 тура 1 PtZ н max•
с·
u~max•
в
1;.11 max•
·~· i
".
мА
1
мВт
МГц .
в
1
мкА
i
КТЗ189А-9 i п-р-п i
225
300
50
6
100
i
-
КТЗ189Б-9
1
п-р-п
225
300
50
6
100
1
-
КТЗ189В-9
п-р-п
225
300
50
6
100
-
КТЗ19А-1
п-р-п
15
~100
5
3,5
1
15
:51
КТЗ19Б-1
п-р-п
15
~100
5
3,5
1
15
!.·
:51
1
КТЗ19В-1
п-р-п
15-
~100
5
3.5
1
15
:51
1
1
i
1
1
1
1
j
!
1
!
1
1
1
!
1
1
1
КТЗ191А-9
р-п-р
200
~4500
15**
2
25
:50,1 (20 В)
КТЗ191А91
р-п-р 1
200
~4500
15**
2
25
1
:50,1 (20 В)
1
i
1
1
1
1
1
1
i1
1
1
i
КТ3192А-9 1 р-п-р
1
200
800
40
3
30
i 0.1
1
!
1
!
i
1
i
1
1
1
КТЗ19ЗА
р-п-р
200
~50
50* (lОк)
20
150; 300*
:550 (50 В)
КТЗ19ЗБ
р-п-р
200
~50
40* (lОк)
20
150; 300*
:550 (40 В)
КТЗ19ЗВ
р-п-р
200
~50
30* (lОк)
20
150; 300*
:550 (30 В)
КТЗ19ЗГ
р-п-р
200
~50
50* (lОк)
5
150; 300*
:550 (50 В)
КТЗ19ЗД
р-п-р
200
~50
40* (lОк)
5
150; 300*
1
:550 (40 В) !
КТЗ19ЗЕ
'
р-п-р
200
~50
30* (!Ок)
5
1
150; 300*
~50 (30 В)
1
1
1
КТЗ196А-9 1 р-п-р
1
225
250
40
5
200
1
10
1
1
i
1
1
1
i
1
1
1
1
КТЗ197А-9
п-р-п
225
200
60
6
200
10
КТЗ198А
п-р-п
280
4600
15*
1 2,5
25
-
1
КТЗ198Б
1
п-р-п
280
4600
15*
1
2,5
25
!-
r
КТЗ198В
300
4000
15*
2,5
50
1
1 п-р-п
'
-
'
КТЗ198Г
1
п-р-п i
300
4000
15*
2,2
35
1
-
1
.
j
IКТЗ198Д
п-р-п
280
3000
20
1 2,5
30
1
-
КТЗ198Е
п-р-п
300
1
6000
20
1
3
100
!
-
КТЗ198Ж
п-р-п
300
6500
20
2,5
50
КТЗ198А9
п-р-п
280
~4200
20
2,5
30
КТЗ198Б9
п-р-п
280
~4200
20
2,5
30
КТЗ198В9
п-р-п
300
~4000
20
2,5
50
КТЗ198Г9
п-р-п
300
~4000
15
2
35
КТЗ198Д9
п-р-п
280
~3000
20
2,5
30
КТЗ198Е9
п-р-п
300
~6000
20
3
100
КТЗ198Ж9
п-р-п
200
~6500
20
2,5
50

Sиполярные кремниевые транзисторы
109
1
Ck,
fкэнас• Ом
Kw, дБ
тк, пс
ь.,,. ь;,э
c;2:t•
r~нас• Ом
r;, Ом
t;..... нс
Корпус
пФ
к;.·,_, дБ
Р,:,, Вт
t;ыu• НС
110... 220
-
б
10
-
КТЗ189-9
1
200 .. .450
-
б
10
-
0,95
j
420... 800
-
6
10
-
~х_
15...55 (1В; 1мА)
SI1(1 В)
S30
-
$130*
КТЗ19-1
45...90 (1 В; 1мА)
SlI (1 В)
$30
-
$130*
~~ 1Р
80...200 (1 В; 1 мА)
Sll(IB)
$30
-
$130*
1
5ЗК
~20 (10 В: 14 мА)
S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ191-9
j
О.95
~~х_
~20(10В; 14 мА)
S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ191-91 (КТЗ192-9)
j
О.95
~*Х
20
-
-
6
-
(З)(5)
80...400 (5 В; 30 мА)
S35 (20 В)
$1
-
$400*
КТЗ19З
80...400 (5 В; 30 мА) $35 (20 В)
$1
-
$400*
Ti' ·
80...400 (5 В; 30 мА)
S35 (20 В)
SI
-
$400*
100.. .400 (5 В; 30 мА)
S60 (20 В)
$1
-
$400*
"11
з
100.. .400 (5 В; 30 мА)
S60 (20 В)
SI
-
$400*
:: 5$К
100.. .400 (5 В; 30 мА)
S60 (20 В)
$1
-
$400*
~
100... 300
-
2
-
-
КТЗ196-9, КТЗ197-9
j
О.95
~х_
100... 300
-
1,5
-
-
.
40
-
~16** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ198
40
-
~12** (0,5 ГГц)
2
-
~i
25#
-
14**
1,9
-
40
-
~11 ** (0,8 ГГц)
1,6
-
~20(1В;2мА)
-
~10** (0,8 ГГц)
S4 (0,8 ГГц)
-
~50 (10 В; 20 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
-
6
;а' ''"
~(8В:15мА)
-
~13** (0,8 ГГц)
Sl ,8 (0,8 ГГц)
-
~40 (10 В; 14 мА)
-
~13** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ198-9
~40 (10 В; 14 мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
~25(5В;30мА)
-
~13** (0,5 ГГц)
S2,3 (0,5 ГГц)
-
~$$?!
~40(5В;30мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
-
~20(1В;2мА)
-
~10** (0,8 ГГц)
S4 (0,8 ГГц)
-
~50 (10 В; 20 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
s2 (0,8 ГГц)
-
~50(5В;15мА)
-
~16** (0,8 ГГц)
S 1,8 (0,8 ГГц)
-
.

110
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• ~216'
UKБOmaxt
lкmax
lкю•
Тип
Струк-
Р;. тmах•
~;lз'
U~Rmax•
UЭБО max•
1;.н max•
I~R•
прибора
р;~ н max'
с·
u~max•
в
1"
тура
."
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ3198А92
п-р-п
300
~4500
20
2,5
30
-
КТ3198Г92
п-р-п
300
~5000
15
2
35
-
1
КТ3199А9
1
п-р-п
1
300
~6000
20
1 2,5
50
1
-
1
1
КТ3199А91
п-р-п
300
~6000
20
2,5
50
-
КТ3199А92
п-р-п
300
~5500
15.
1
2
50
-
1
1
КТ3201А9
п-р-п
300
~100
450
6
400
-
КТ3201Б9
п-р-п
300
~100
400
6
400
-
КТ3201В9
п-р-п
300
~100
300
6
400
-
КТ3201Г9
1
п-р-п
300
~100
250
6
400
1
-
i
1
1
1
1
1
КТ321А
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
60
4
200 (2* А)
:s;O,I (60 В)
КТ321Б
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
60
4
200 (2* А)
:s;O,I (60 В)
КТ321В
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
60
4
200 (2* А)
:s;O,I (60 В)
КТ321Г
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
45
4
200 (2* А)
:s;O,I (45 В)
КТ321Д
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
45
4
200 (2* А)
:s;O,I (45 В)
КТ321Е
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
45
4
200 (2* А)
:s;O,I (45 В)
i
КТ324А-1
1
п-р-п
1
15
~800
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Б-1 1 п-р-п
15
~800
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324В-1
1
п-р-п 1
15
~800
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Г-1
п-р-п
15
~600
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Д-1
п-р-п
15
~600
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Е-1
п-р-п
15
~600
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ325А
п-р-п
225 (85°С)
~800
15* (3к)
4
30 (60*)
:s;0,5 (15 В)
КТ325Б
п-р-п
225 (85°С)
~800
15* (3к)
4
30 (60*)
:s;0,5 (15 В)
КТ325В
п-р-п
225 (85°С)
~1000
15* (3к)
4
30 (60*)
:s;0,5 (15 В)
1
1
1
~
1
1
!
1
1
1
1
1

Бипопярнь1е кремниев~е щран=1исторы
111
Ck,
Гкэ нас' О:м
Кw,дБ
tк, ПС
h21.• ь;,э
с~2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,..,, НС
Корпус
пФ
. к;."", дБ
Р:~х' Вт
t::кnt НС
1
~35(58;10мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
s2 (0,8 ГГц)
-
1 КТ3198-92, КТ3199-9.
~40 (10 8; 14 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:!>3,4 (0,8 ГГц)
-
1
1
-~
:ttФf
~60(58;15мА)
-
~15** (0,8 ГГц)
Sl,8 (0,8 ГГц)
-
к6
-
~60 (5 8; 15 мА)I
-
~15** (0,8 ГГц)
Sl,8 (0,8 ГГц)
-
КТ3199-91
1
1
-~
1
'
1
1
:tЩ
!
1
1
1
1
1
'
'
1
!
1
кэ
i
i
~80(88;15мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
s2 (0,8 ГГц)
-
i
КТ3199-92
!
1
rii
1
!
i
~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8)
SlO; 1,5*
1
-
1
-
1
КТ3201-9
•
~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8)
SlO; 1,5*
-
-
~30(108;50мА) 1 s4,5(208)
SlO; 1,5*
-
-
~1
~30 (10 8; 50 мА)
1
:!>4,5 (20 8)
SlO; 1,5*
-
-
1
20".60* (3 8; 0,5 А)
:!>80 (10 8)
$3,6
-
$1000*
КТ321
40... 120* (3 В; 0,5 А)
sSO (10 8)
$3,6
-
$1000*
:fi1•6
80...200* (3 В; 0,5 А)
$80(108)
$3,6
-
$1000*
20...60* (3 8; 0.5 А)
$80(108)
$3,6
-
$1000*
40... 120* (3 В; 0,5 А)
1
sBO (10 8)
$3,6
-
$1000*
80...200* (3 В; 0,5 А)
:!>80 (10 8)
$3,6
-
$1000*
i1
20...60 (1 8; 10 мА)
:!>2,5 (5 8)
$30
-
1 :!>180; slO*
КТ324-1
40... 120 (1 8; 10 мА)
s2,5 (5 8)
$30
-
:!>180; SlO*
80...250 (1 8; 10 мА)
:!>2,5 (5 В)
$30
-
$180; $10*
~t
40... 120 (1 8; 10 мА)
$2,5 (5 8)
$30
-
$180; $10*
20...80 (1 8; 10 мА)
s2,5 (5 8)
$30
-
:!>180; $10*
60...250 (1 8; 10 мА)
s2,5 (5 В)
S30
-
:!>180; SlO*
1
'
1
5КЗ
1
i
1
1
30."90• (5 8; 10 мА)
1
:!>2,5 (5 8)
-
1
-
1
$125
!
КТ325
i
70...210* (5 8: 10 мА)
s2,5 (5 8)
-
-
$125
'
160...400* (5 8; 10 мА) s2,5 (5 8)
-
-
$125
!
~ffl6Ф·
1
1
1
i
!
1
1
!
1
i
'
'
1
i
1
1
' !:)
з о,о
1
1
~
Корп.

112
Рк max'
~р• ~216•
Тип
Ст рук-
Р~. т maxf
(;lэ'
прибора
тура
р~~ н max'
с·
'"
мВт
МГц
КТ325АМ 1 n-p-n
225 (85°С)
~800
КТ325БМ
1
n-p -n
225 (85°С)
~800
КТ325ВМ
n-p-n
225 (85°С)
~1000
1
1
1
1
1
КТ326А
р-п-р
200 (30°С)
~250
КТ326Б
p-n -p
200 (30°С)
~400
КТ326АМ
р-п-р
200 (30°С)
~250
КТ326БМ
р-п-р
200 (30°С)
~400
1
1
.
КТ331А-1
n-p -n
15
~250
КТ331Б-1
n-p-n
15
~250
КТ331В-1
n-p-n
15
~250
КТ331Г-1
n-p-n
15
~400
КТ332А-1
n-p-n
15
~250
КТ332Б-1
n-p -n
15
~250
КТ3328-1
n-p-n
15
~250
КТ332Г-1
n-p-n
15
~500
КТ332Д-1
n-p-n
15
~500
КТ333А-3
n-p-n
15
~450
КТ333Б-3
n-p-n
15
~450
КТ333В-3
n-p-n
15
~450
КТ333Г-3
n-p-n
15
~350
КТ333Д-3
n-p-n
15
~350
КТ333Е-3
n-p-n
15
~350
КТ336А
n-p-n
50
~250
КТ336Б
n-p-n
50
~250
КТ3368
n-p-n
50
~250
КТ336Г
n-p-n
50
~450
КТ336Д
n-p-n
50
~450
КТ336Е
n-p-n
50
~450
КТ337А
р-п-р
150 (60°С)
~500
КТ337Б
p-n -p
150 (60°С)
~600
КТ337В
р-п-р
150 (60"С)
~600
UКБО max'
U~Rmax'
u~max'
в
15* (3к)
15* (3к)
15* (3к)
15* (IООк)
15* (IООк)
15* (IООк)
15* (IООк)
15* (IОк)
15* (!Ок)
15* (IОк)
15* (IОк)
15* (!Ок)
15* (IОк)
15* (IОк)
15* (!Ок)
15* (IОк)
IO* (3к)
10* (3к)
1О* (3к)
1О* (3к)
IO* (3к)
IO* (3к)
1О* (3к)
1О* (3к)
1О* (3к)
IO* (3к)
1О* (3к)
10* (3к)
6* ( !Ок)
6* (IОк)
6* (10к)
t
Раздел 2. Биполярные транзисторы
lк max
IКБО•
UЭБО max'
•:. н max'
·~R'
в
1··
кэо•
мА
мкА
4
30 (60*)
:S0,5 (15 8)
4
30 (60*)
:S0,5(158)
4
30 (60*)
:S0,5 (15 В)
5
50
:S0,5 (20 8)
5
50
:S0,5 (20 8)
5
50
:S0.5 (20 8)
5
50
:S0,5 (20 8)
1
3
20 (50*)
:S0.2 (15 8)
3
20 (50*)
$0,2(158)
3
20 (50*)
:S0.2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2(158)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3,5
20 (45*)
1
:S0,4 (10 8)
3,5
20 (45*)
:S0.4 (10 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 (10 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 ( 1О 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 (IO 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 ( 10 8)
4
20 (50*)
:S0,5 ( 1О 8)
4
20 (50*)
:S0,5 ( 1О 8)
4
20 (50*)
:S0,5 (IO 8)
4
20 (50*)
:s;0,5 (IO 8)
4
20 (50*)
:S0,5 (IO 8)
4
20 (50*)
:S0,5 ( 1О 8)
4
30
:Sl (6 8)
4
30
:s:I (6 8)
4
30
:SI (6 8)

Биполярные кремниевые транзисторы
113
с•.
rкэ нас• О:м
Кш, дБ
тк, пс
h21>' ь;,э
с;2э•
r~ нас• О:м
r~, Ом
t~act НС
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р;~х• Вт
t::клt НС
30...90* (5 В; 10 мА)
:52,5 (5 В)
-
-
:5125
КТ325М
70...210* (5 В; 10 мА)
:52,5 (5 В)
-
-
:5125
~!f~~
160.. .400* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В)
-
-
:5125
1
1
~
1С)
~
1
~
~
20... 70* (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:5450
КТ326
45... 160* (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:5450
~5,81/
81зiФу 1
~
1
~
20... 70* (2 В; 10 мА)
! :55(5В)
:530
-
:5450
1
КТ326М
"
45...160* (2 В: 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:5450
=if~~
н
~
~
20...60 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
КТЗЗl-1
40...120 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
~~if
80... 220 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
40...120 (5 В; 1мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
11
1
35К
20...60 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 ( 100 МГц)
:5300
КТ332-1
40...120 (5 В; 1мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
~~if
80... 220 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
40... 120 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
80...220 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
11
1
35К
30...90 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
КТЗЗЗ-3
50...150 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
~пВt
70...280 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
30...90 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
50.. .150 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
е:sкоо6
70...280 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
О//
Кпюч
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:530*
КТ336
40... 120 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:530*
~80(1В;10мА)
:55 (5 В)
:530
-
:550*
~~·1t
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:515*
40...120 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:515*
~80(1В;10мА)
:55 (5 В)
:530
-
:515*
~~6оq,к
Кпюч
0,0//
~30* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:520
-
:525*
КТ337
~50* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:520
-
:528*
аз
~70* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:520
-
:528*
~ .5$К
8зак9

114
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
Ркmах•
~•• t,;21••
UКБО max•
lкmax
1
lкоо•
Тип
Р~.тmах•
(;lэ'
U~Rnux•
UЭБОmах•
1;, н maxt
1
I~R•
1тура1
р~~ н maxt
с·
u~m.1x•
в
1··
прибора
;
1
".
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
1
мкА
1
КТ339АМ
n-p-n i
260 (55°С)
~300
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339А
n-p -n
260 (55 ·с>
~300
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339Б
п-р-п
260 (55 ·с>
~250
25
4
25
sl (40 В)
КТ339В
п-р-п
260 (55 ·с>
~450
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339Г
п-р-п
260 (55 ·с>
~250
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339Д
п-р-п
260 (55 ·с>
~250
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ340А
п-р-п
150 (85°С)
~300
15
5
50
sl (15 В)
КТ340Б
n-p -n
150 (85°С)
~300
20
5
50
sl (20 В)
КТ340В
n-p -n
150 (85°С)
~300
15
5
50 (200*)
sl (15 В)
КТ340Г
п-р-п
150 (85°С)
~300
15
5
75 (500*)
sl (15 В)
КТ340Д
n-p -n
150 (85°С)
~300
15
5
50
sl (15 В)
КТ342А
1 n-p-n
250
~250
35
5
50 (300*)
s0,05 (25 В)
КТ342Б
1 п-р-п
250
~300
30
5
50 (300)
s0,05 (20 В)
КТ342В
1
п-р-п
250
~300
25
5
50 (300)
s0.05 (10 В)
КТ342Г
n-p-n
250
~300
60* (lОк)
5
50 (300*)
$0,05 (60 В)
КТ342АМ
п-р-п
250
~250
35
5
50 (300*)
:S0,05 (25 В)
КТ342БМ
n-p -n
250
~300
30
5
50 (300*)
s0.05 (20 В)
КТ342ВМ
п-р-п
250
~300
25
5
50 (300*)
:S0,05 (10 В)
КТ342ГМ
1
n-p -n
250
~150
30* (lОк)
5
50 (300*)
:S0,05 (30 В)
КТ342ДМ
п-р-п
250
~150
25* ( lОк)
5
50 (300*)
:S0.05 (25 В)
1
i
КТ343А
р-п-р
150 (75°С)
~300
17* (lОк)
4
50 (150*)
:Sl (10 В)
КТ343Б
р-п-р
150 (75°С)
~300
17* (lОк)
4
50 (150*)
sl (10 В)
КТ343В
р-п-р
150 (75°С)
~300
9* (lОк)
4
50 (150*)
:Sl (7 В)
КТ345А
р-п-р
300 (600**)
~350
20* (lОк)
5
200 (300*)
:S0,5 (20 В)
КТ345Б
р-п-р
300 (600**)
~350
20* (lОк)
5
200 (300*)
:S0,5 (20 В)
КТ345В
р-п-р
300 (600**)
~350
20* (10к)
5
200 (300*)
s0,5 (20 В)
КТ347А
р.-п-р
150 (75°С)
~500
15* (lОк)
4
50 (110*)
sl (15 В)
КТ347Б
р-п-р
150 (75°С)
~500
9* (IОк)
4
50 (110*)
sl(9В)
КТ347В
р-п-р
150 (75°С)
~500
6* ( lОк)
4
50(110*)
sl(6В)
1
i
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
115
il
i
1
1
1
1
1
1
с..
rкэ,..,• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
!
h21•' ь;IЭ
1
с;2,•
r~Энас• Ом
r;, Ом
t;acl НС
Корпус
i
пФ
к;.*•.. дБ
Р;~х• Вт
t::кл• НС
,
~25* (10 В; 7 мА)
:52 (5 В)
-
-
:525
КТ339М
1
~~~
~
~-.
~.
~-~
~25* (10 В; 7 мА)
:52 (5 В)
-
-
:525
КТ339
~15* (10 В: 7 мА)
1
:52 (5 В)
:525
1
-
-
1
5
1 ~25*(10В;7мА)
:52 (5 В)
:550
1
-
-
1 ~40*(10В;7мА) 1 :52(5В)
-
-
:5100
..,.
з
1 ~15*(10В:7мА) 1 :52(5В)
-
-
:5150
:: 6$К
~
100... 300* (1 В: lОмА) :53, 7 (5 В)
:520
-
:545; :510*
КТ340
~100* (1 В; 10 мА)
:53,7 (5 В)
:525
-
:540; :515*
115,81/
~35* (2 В; 0,2 А)
:53,7 (5 В)
:52
-
:585; :515*
;fi
~16* (2 В; 0,5 А)
:53,7 (5 В)
:51,2
-
:585; :515*
~40* (2 В; 0,2 А)
:56 (5 В)
:530
-
:5150; :575*
кфз
~
1
1
1
6
1
i100...250*(5В: 1мА) 1 :58(5В)
:510
-
:5200
1
КТ342
н 200...500* (5 В: 1 мА)
1
:58 (5 В)
:510
-
:5300
400 .. .1000* (5 В: 1 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5700
115,81/
50... 120* (5 В; 1 мА)
:58 (5 В)
:510
-
-
;fi кфз
6
100... 250* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5200
КТ342М
200...500* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5300
~~~
400 ... 1000* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5700
1
1
100... 250* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
-
1
200...500* (5 В: 2 мА) 1 :58 (5 В)
:510
-
-
1
i
i
!
lr)
~-.
!
!
1
~.
~
1
-~
,
1
~30* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:510*
КТ343
~50* (0,3 В: 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:520*
fiз
~30* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:510*
~ .5$К
~20* (1 В; 100 мА)
1
:515 (5 В)
:53
-
1
:570*
1
КТ345
~50* (1 В: 100 мА)
:515 (5 В)
:53
-
1
:570*
~~~
~70*(1В:100мА) 1 :515(5В)
:53
-
1
:570*
~
i
1
~
~-.
~
~
-~
30 .. .400* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:525*
КТ347
30.. .400* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:525*
53
50".400* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:540*
1
1
~ .5$К
1
1
~

116
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Pкmaxt
~•• t ,;216'
UКБО max•
IKmax
JКБО,
Тип
Струк-
Р~.тmах•
1i:;1 ~·
u~Rmaxt
UЭБО max•
J~,н m"x•
I~R•
р;~ н max•
с·
u~max'
в
1~,
прибора
тура
".
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ348А-3
n-p-n
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(58)
КТ348Б-3 1 n-p -n
15
~100
5* (3к)
1
3,5
15 (45*)
1
$1(58)
КТ348В-3 1
15
~100
5* (3к)
1
3,5
1
15 (45*)
1
$1(58)
1 n-p-n
1
1
'
1
1
1
i
1
1
Р.
i
!
1
1
1
:
!
1
1
i
1
1
1
1
КТ349А
p-n-p
200 (35°С)
~300
15* (IОк)
4
50 (100*)
$1 (IO 8)
КТ349Б
p-n-p
200 (35°С)
~300
15* (lОк)
4
50 (100*)
$1 (10 8)
КТ349В
p-n -p
200 (35°С)
~300
15* (IОк)
4
50 (100*)
$1 (10 8)
1
1
1
КТ350А
1 p-n-p !
300 (30°С)
~100
20
5
600*
i $1 (108)
IKT351A
i
1
300 (30°С)
1
~200
15* (10к)
1
5
1
400*
1
$1(108)
1 p-n-p
!
КТ351Б
1
p-n-p 1
300 (30°С)
~200
15" (lОк)
1
5
1
400*
1
$1(108)
!
1
1
1
i
1
КТ352А
p-n -p
300 (30°С)
~200
20
5
200*
$1 (10 8)
КТ352Б
p-n -p
300 (30°С)
~200
20
5
200*
$1 (10 8)
КТ354А-2
n-p-n
30
~1100
10* (3к)
4
10 (20*)
$0,5 (10 8)
КТ354Б-2
п-р-п
30
~1500
10* (3к)
4
10 (20*)
$0.5 (10 8)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
r.
1
1
1
;
i
1
1
1
1
1
1
'
1
i
1
КТ355А
1
n-p-n
225 (85°С)
~1500
15" (3к)
4
30 (60*)
$0,5 (15 8)
КТ355АМ
n-p-n
225 (85°С)
~1500
15* (3к)
4
30 (60*)
$0,5 (15 8)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ357А
p-n -p
100 (50°С)
~300
6*
3,5
40 (80*)
$5(68)
КТ357Б
p-n-p
100 (50°С)
~300
6*
3,5
40 (80*)
$5(68)
КТ357В
p-n-p
100 (50°С)
~300
20*
3,5
40 (80*)
$5 (20 8)
КТ357Г
p-n-p
100 (50°С)
~300
20*
3,5
40 (80*)
$5 (20 8)
1
КТ358А
1 n-p-n
100 (50°С)
~80
15
4
1 30 (60*)
1
$10 (15 8)
КТ358Б
1
1
100 (50°С)
~120
30
4
1 30 (60*)
1
$10 (30 В)
n-p-n
1
1
!КТ358В
n-p -n
1
100 (50°С)
~120
15
4
30 (60*)
$10 (15 8)
1
1
1
1
1
!
1

Биполярные кремниевые транзисторы
117
!
с•.
Гкэнас• Ом
Кш, дБ
т•• пс
1
h21.• ь;,э
c;2.t•
r~н.ас• О:м
r;, Ом
t~ilL' НС
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:", Вт
t::1и11 НС
25...75 (1 В; 1 мА)
:S:ll (1 В)
:!>30
-
:!>130*
КТ348-3
35... 120 (1 В; 1 мА)
:S:ll (1 В)
:s:30
-
:!>130*
().7
0,25
80...250 ( 1 В; 1 мА)
:S:ll (1 В)
:!>30
-
:!>130*
.
1
~~]:
с:sкоо6
О//
Кпюч
20...80* ( 1 В; 10 мА)
:s:6 (5 В)
:s:30
-·
-
КТ349
40... 160• (1 В; 10 мА)
1
:!>6 (5 В)
:!>30
-
-
ьэ
120... 300* (1 В; 10 мА)
:!>6 (5 В)
:!>30
-
-
~.6$К
20...200* ( 1 В: 0,5 А)
:!>70 (5 В)
:!>2
-
-
КТ350, КТЗ51, КТ352
20...80* ( 1 В; 0,5 А)
:s:20 (5 В)
:S:l,5
-
-
~!!:~
50...200* ( 1 В: 0,3 А)
:!>20 (5 В)
:!>2,25
-
-
25... 125* (1 В: 0,2 А)
:!>15 (5 В)
:s:3
-
-
11')
~-•
70...300* (1 В; 0,2 А)
:s:l5 (5 В)
:s:3
-
:!>150*
~
~
!
-~
40... 200 (2 В; 5 мА)
:s:l,3 (5 В)
-
:s:IO*
:!>25
КТЗ54-2
90...360 (2 В; 5 мА)
:S:l,3 (5 В)
-
:S:IO*
:s:30
1
0,8
~щ ~Ж
i
5КЭ
80...300* (5 В: 10 мА)
1
:s:2 (5 В)
-
:s:5,5 (60 МГц)
:s:60
КТ355
~~6ф•
11;:)
з о,о
~
Корп.
80...300* (5 В; 10 мА)
:s:2 (5 В)
-
:s:5,5 (60 МГц)
:s:60
КТ355М
1
~!!:~
11')
~
•
~
~..... ,, _
20... 100* (0,5 В; 10 мА)
:s:7 (5 В)
:!>30
-
:!>150*
КТ357
60... 300* (0,5 В; 10 мА)
:s:7 (5 В)
:!>30
-
:!>250*
.1j
20... 100* (0,5 В; 10 мА)
:s:7 (5 В)
:s:30
-
:!>150*
60... 300* (0,5 В; 10 мА)
:!>7 (5 В)
:s:30
-
:!>250*
~lm
'
~
10.. .100* (5.5 В: 20 мА) :!>5 (10 В)
:!>40
-
:!>500
КТ358
125 ... 100• (5.5 В: 20 мА) J :s:5 (10 В)
:!>40
-
1
:!>500
1
~!!:~
l 50...280* (5.5 В; 20мА)1 :!>5(108)
:!>40
-
:!>500
1
\
i
1
1
1
1
11')
~-•
~
~
-~

118
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~•• ~210•
UКБО max•
•кmах
Iкro •
Тип
Струк-
Р;.тmах•
\;lt•
U~Rmax•
UЭБОша).•
1~.н max•
I~R•
прибора
р;~нmах•
с·
u;ЭOmax•
в
1~,
тура
".
мА
мВт
МГц
в
мкА
КТ359А-3
п-р-п
15
~300
15* (3к)
3,5
20
S0,5 (15 В)
КТ359Б-3
п-р-п
15
~300
15* (3к)
3,5
20
~.5 (15 В)
КТ3598-3
п-р-п
15
~300
15* (3к)
3,5
20
s0,5 (15 В)
КТ360А-1
р-п-р
10 (55°С)
~300
25
5
20 (75*)
Sl (25 В)
КТ360Б-1
р-п-р
J..O (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
Sl (20 В)
КТ360В-1
р-п-р
10 (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
1
sl (20 В)
i
1
1
j
i
1
1
1
1
1
КТ361А
р-п-р
150 (35°С)
~250
25
4
50
Sl (10 В)
КТ361А1
р-п-р
150
~150
25
4
100
Sl (10 В)
КТ361Б
р-п-р
150 (35°С)
~250
20
4
50
sl (10 В)
КТ361В
р-п-р
150 (35°С)
~250
40
4
50
Sl (!О В)
КТ361Г
р-п-р
150 (35°С)
~250
35
4
50
sl (!О В)
КТ361Г1
р-п-р
150
~250
35
4
100
Sl (!О В)
КТ361д
р-п-р
150 (35°С)
~250
40
4
50
sl (!О В)
КТ361д1
р-п-р
150
~150
40
4
50
1
sl (!О В)
КТ361Е
р-п-р
150 (35°С)
~250
35
4
50
Sl (!О В)
11КТ361Ж i р-п-р
150
~250
10
4
50
sl (10 В)
КТ361И
р-п-р
150
~250
15
4
50
Sl (10 В)
КТ361К
р-п-р
150
~250
60
4
50
Sl (10 В)
КТ361Л
р-п-р
150
~250
20
4
100
Sl (10 В)
КТ361М
р-п-р
150
~250
40
4
100
Sl (10 В)
КТ361Н
р-п-р
150
~150
45
4
50
Sl (10 В)
КТ361П
р-п-р
150
~300
50
4
50
sl (!О В)
КТ361А-2
р-п-р
150
~250
25
5
100
Sl (10 В)
КТ361А-3
р-п-р
150
~150
25
5
100
Sl (10 В)
КТ361Б-2
р-п-р
150
~250
20
5
50
Sl (!О В)
КТ361В-2
р-п-р
150
~250
40
5
50
sl (10 В)
КТ361Г-2
р-п-р
150
~250
35
5
50
1
Sl (!О В)
КТ361Г-3
1
р-п-р
150
~250
35
5
50
1
Sl (108)
КТ361д-2
р-п-р
150
~250
40
5
50
Sl (!О В)
КТ361д-3
р-п-р
150
~150
40
5
50
Sl (10 В)
КТ361Е-2
р-п-р
150
~250
35
5
50
Sl (10 В)
КТ361Ж-2
р-п-р
150
~250
10
5
50
Sl (10 В)
КТ361И-2
р-п-р
150
~250
15
5
50
Sl(ЮВ)
КТ361К-2
р-п-р
150
~250
60
5
50
Sl (!О В)
КТ361Л-2
р-п-р
150
~250
20
5
100
Sl (10 В)
КТ361М-2
р-п-р
150
~250
40
5
100
Sl (10 В)
КТ361Н-2
р-п-р
150
~150
45
5
50
Sl (10 В)
КТ361П-2
р-п-р
150
~300
50
5
50
sl (10 В)
КТ363А
р-п-р
150 (45°С)
~1200
15* (lк)
4,5
1
30 (50*)
1
s0.5 (15 В)
КТ363Б
р-п-р
150 (45°С)
~1500
12* (lк)
4,5
30 (50*)
1
S0,5 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
;
КТ363АМ
р-п-р
150 (45°С)
~1200
15* ( 1к)
4,5
30 (50*)
S0,5 (15 В)
КТ363БМ
р-п-р
150 (45°С)
~1500
12* (lк)
4,5
30 (50*)
s0,5 (15 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
1'19
1
с••
rкэ нас• Ом
Kw, дБ
1
tк, ПС
h2,,1 ь;,э
с;2,•
r~нас• Ом
r~, Ом
t;,.., нс
Корпус
~
пФ
к:~•-' дБ
Р;~", Вт
1
t::м' НС
1
1
1
1
1
!30...90(18:10мА) 1 s5(58)
$70
$6 (20 МГц)
1
$100
1
КТ359-3
1
i50...150(18:10мА) 1 s5(58)
s70
S6 (20 МГц)
slOO
1
~~t
1 70...280(18:10мА) 1 s5(58)
1
$70
s6 (20 МГц)
$100
i
1
1
!
1
е:sкоо6
Ключ
О//
20...70 (2 8; 10 мА)
s5(58)
s35
-
S450; SIOO*
КТ360-1
40... 140 (2 8; 10 мА)
s5(58)
s35
-
S450; S200*
!5ir
80...240 (2 8; 10 мА)
s5(58)
$35
-
s450; s200*
1
1
t
1
~
1
1
1
-
1
'
i
5КЭ
,,
20...90(108:1мА) 1 S9(108)
$20
$40*
s500
1
КТ361, КТ361-1
20...90 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
$500
'1
50...350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
s500
40...160 (10 8: 1 мА)
$7(108)
$20
$40*
$1000
50...350 (10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
$20
$40*
s500
7.2
J
100... 350 (10 8; 1 мА) $7(108)
s20
s40*
$500
v
20...90 (10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
s50
-
S250
~ffii
20...90 (10 8; 1 мА)
$7(108)
$50
-
s250
50...350 (10 8: 1 мА)
s7 (10 8)
s50
-
$1000
~фD
50...350 (10 8; 1 мА)
$9(108)
s50
-
slOO
;е:250(108; 1 мА)
1
$9(108)
s50
-
$1000
6КЗ
50...350 (10 8: 1 мА)
s7 (IO 8)
s50
-
s500
50...350 (10 8; 1 мА)
1
s9(108)
-
-
-
70...160 (10 8: 1 мА)
s7(108)
-
-
-
20...90 (10 8: 1 мА)
S7 (10 8)
-
-
-
100...350 ( 10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
-
-
-
!
20...90 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
s500
КТ361-2, КТ361-3
20...90 (10 8: 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
s500
50...350 (1О 8: 1 мА)
$9(108)
s20
s40*
s500
40...160 (10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
s20
$40*
$1000
50...350 (10 8; 1 мА)
$7(108)
s20
$40*
s500
100... 350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
$20
$40*
s500
f
20...90 (!О 8; 1 мА)
$7(108)
s50
-
$250
: 20...90 (10 8: 1 мА)
S9 (10 8)
s50
-
1
s250
~ ~t€~
50...350 (10 8: 1 мА) ' $7(108)
$50
$1000
1
1
-
50...350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s50
-
SIOO
1 250(108:1мА)
1
s9(108)
s20
-
$1000
~-
~
-
50...350 (10 8; 1 мА)
s7 (IO 8)
s20
-
s500
50...350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
-
-
-
70...160 (10 8; 1 мА)
s7(108)
-
-
-
20...90 (10 8; 1 мА)
$7(108)
-
-
-
100...350 ( 10 8; 1 мА)
s7(108)
-
-
-
20...120* (5 8; 5 мА)
s2(58)
$35
-
s50
КТ363
40...120* (5 8; 5 мА)
s2(58)
s35
-
S75
fl5,811
1
1
ОзФ•
1
20...120* (5 8; 5 мА)
s2(58)
$35
-
s50
КТ363М
40...120* (5 8; 5 мА)
$2(58)
$35
-
s75
~IJ:~
11')
~-•
~
~
-~

120
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
~.. (,,..
UКБО max•
lк max
lкБО•
Тип
Струк-
Р~. т max•
\;(эt
U~Rmaxt
UЭБО maxt
J~.и m:.x•
1~••
прибора
р~~н max•
~~·:х'
u;.эо max•
в
г
тура
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТЗ64А-2
p-n-p
30
~250
25
5
200 (400*)
:51 (25 8)
КТЗ64Б-2
p-n-p
30
~250
25
5
200 (400*)
:51 (25 8)
КТ364В-2
р-п-р
30
~250
25
5
200 (400*)
:51 (25 8)
1
КТЗ66А
1 n-p-n 1
30 (7о·с)
~1000
15
4,5
10 (20*)
:50,1 (15 8)
КТЗ66Б
n-p -n
30 (7О0С)
~1000
15
4,5
20 (40*)
:50,1 (15 8)
КТЗ66В
n-p-n
30 (7о·с)
~1000
15
4,5
45 (70*)
:50,1 (15 8)
1
КТЗ68А
n-p-n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50.5(158)
КТЗ68Б
n-p -n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50,5 (15 8)
1
1
КТЗ68А-5
n-p-n
225 (65°С)
~900
15*
4
30 (60*)
0,5 (15 8)
КТ368А-9
n-p-n
100
~900
15*
4
30 (60*)
0,5 (15 8)
КТЗ68Б-9
n-p -n
100
~900
15*
4
30 (60*)
0,5(158)
1
КТЗ68АМ
n-p-n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50,5(158)
КТЗ68БМ
n-p-n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50.5 (15 8)
КТЗ68ВМ
n-p -n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
1
:50.5 (15 8)
1
1
1
1
j
1
1
1
!
1
1
1
1
i
1
1
КТЗ69А
n-p-n
50
~200
45
4
250 (400*)
:57 (45 8)
КТЗ69Б
1
n-p-n
50
~200
45
4
250 (400*)
:57 (45 8)
КТЗ69В
n-p -n
50
~200
65
4
250 (400*)
:510 (65 8)
КТЗ69Г
n-p-n
50
~200
65
4
250 (400*)
:510 (65 8)
1
1
1
i
!
!
1
~~
1
1
1
i
1
КТЗ69А-1
n-p-n
1
50
~200
45
4
250 (400*)
:57 (45 8)
КТЗ69Б-1 1 П:Р-П 1
50
~200
45
4
1
250 (400*) i :57 (45 8)
i
jKT369B-l
1 n-p-n 1
50
~200
65
4
250 (400*)
1
:510(658)
1
КТЗ69Г-1
1 n-p-n
1
50
~200
1
65
4
1
250 (400*)
1
:510 (65 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
20...70* (1 8; 0.1 А)
40... 120* (1 8; 0,1 А)
80...240* (1 8: 0.1 А)
50...200 (1 8; 1 мА)
50...200 ( 1 8; 5 мА)
50...200 (1 8; 15 мА)
50...300* (5 8; 10 А)
50...300* (5 8; 10 мА)
50...450 (1 8; 10 мА)
50...300 (1 8; 1О мА)
50...300 (1 8; 10 мА)
50...450* (5 8; 10 мА)
50.. .450* (5 8; 10 мА)
100.. .450* (5 8; 10 мА)
20... 100* (2 8; 0,15 А)
40...200* (2 8; 0,15 А)
20... 100* (3 8; 10 мА)
40...200* (3 8; 10 мА)
20... 100* (2 8; 0.15 А)
40...200* (2 8; О, 15 А)
20... 100* (3 8; 10 мА)
40...200* (3 8; 10 мА)
=>15 (5 8)
=>15 (5 8)
=>15 (5 8)
=>1,1 (0,1 8)
=>1,8 (0,1 8)
=>3,3 (0,1 8)
=>1,7 (5 8)
:=>1,7 (5 8)
=>1,7 (5 8)
$1,7(58)
=>1,7 (5 8)
=>1,7 (5 8)
$\,7(58)
=>1,7 (5 8)
=>15 (10 8)
=>15 (10 8)
=>10 (10 8)
=>10 (10 8)
=>15 (10 8)
=>15(108)
$10(108)
=>10 (10 8)
rкэ нас• Ом
r~э нас' Ом
к;.·•.. дБ
$30
:s;ЗО
=>30
=>80
=>25
=>16
$4
$4
=>2,5
$2,5
$4
$4
=>2,5
=>2,5
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:х' Вт
=>3,3 (60 МГц)
=>3,3 (60 МГц)
=>3,3 (60 МГц)
=>3,3 (60 МГц)
tk, пс
f~acl НС
t:•ыкл' НС
$500; =>150*
=>500; =>180*
=>500; =>230*
=>60; =>50*
=>60; =>80*
=>60; =>120*
$15
=>15
=>15 (10 мА)
=>15(10мА)
=>15 (!О мА)
=>5
$15
121
Корпус
КТЗ64-2
J
1
1
1
~t-lnlт 1
~11
бКЗ
КТЗ68
"":>Eit45,8 з
~ Корл~б
~
'Qf
КТЗ68А-5
КТЗ68-9
КТЗ68М
КТЗ69
КТЗ69-1
-~~
КбЭ

122
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• \210•
UK60max'
IKmax
•коо•
Тип
Струк-
Р~. тmax•
\;1~'
U~Rmax•
UЭБОmах•
1~.н max•
·~R'
р~~11 max•
с·
u~max•
в
•••
прибора
тура
".
кэо•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ370А-1
р-п-р
15
~1000
15* (lк)
4
15 (30*)
g),5 (15 В)
КТ370Б-1
р-п-р
15
~1200
12* (lк)
4
15 (30*)
~О.5 (12 В)
КТ370А-9
30 (5о·с>
1000
15* (lк)
4
15 (30*)
'
~О.5 (15 В)
р-п-р
КТ370Б-9
р-п-р
30 (5о·с>
1000
12* (lк)
4
15 (30*) \
~О.5 (12 В)
КТ371А
п-р-п
100 (65°С)
~3000
10
3
20 (40*) '
~0.5 (10 В)
1
1
1
КТ371АМ
п-р-п
100 (85°С)
~3000
10* (3к)
3
20 (40*)
~О.5 (10 В)
1
КТ372А
п-р-п
50 <1оо·с>
~2400
15* ( lОк)
3
10
~О.5 (15 В)
КТ372Б
п-р-п
50 <1оо·с>
~3000
15* (IОк)
3
10
~О.5 (15 В)
КТ372В
п-р-п
50 (1оо·с>
~2400
15* (lОк)
3
10
~О.5 (15 В)
КТ373А
п-р-п
150 (55°С)
~350
30* (lОк)
5
50 (200*)
~О.05 (25 В)
КТ373Б
п-р-п
150 (55°С)
~300
25* (lОк)
5
50 (200*)
~О.05 (20 В)
КТ3738
1
п-р-п
150 (55°С)
~300
10* (lОк)
5
50 (200*)
~О.05 (10 В)
KT373f
п-р-п
150 (55·с>
~250
60* (10к)
5
50 (200*)
~О.05 (25 В)
1
1
1
КТ375А
п-р-п
200 (400**)
~250
60
5
100 (200*)
~1 (60 В)
КТ375Б
п-р-п
200 (400**)
~250
30
5
100 (200*)
~1 (30 В)
1
КТ379А
1
п-р-п
1
25
~250
30* (lОк)
5
30 (100*)
~0.05 (30 В)
КТ379Б
п-р-п
25
~300
25* (IОк)
5
30 (100*)
~О.05 (25 В)
КТ379В
п-р-п
25
~300
10* ( lОк)
5
30 (100*)
~О.05 (10 В)
KT379f
п-р-п 1
25
~250
60* (lОк)
5
30 (100*)
~О.05 (60 В)

Биполярные крем
-
ь·
h:llэ' 213
70(5В;3мА)
20
::·l20 (5 В; 3 мА)
40.
20 70(5В:3мА)
40.:: ·120 (5 В; 3 мА)
30...240 (1 В; 10 мА)
30...240 (1 В: 10 мА)
>10* (5 В; 10 мА)
;lO* (5 В; 10 мА)
;1о~ (5 В; 10мА)
100... 250 (5 В; 1 мА)
200 500(5В; 1мА)
400 ...1000 (5 В; 1 мА)
50::: 125 (5 В: 1 мА)
ниевые транзисторы
!
1
1
i
1
i
ck,
с~2э'
пФ
:s:2 (5 В)
:52 (5 В)
<2(5В)
:s:2 (5 В)
:s:l,2 (5 В)
:51,2 (5 В)
<1(5В)
:s:l (5 В)
:s:I (5 В)
<8(5В)
~8(5В)
:58 (5 В)
:s:8 (5 В)
1
1
Гкэ нас' Ом
·
Ом
ГБЭнас'
К" дБ
у.р.'
<35
:535
9,9
9,9
>9** (400 МГц)
>10** (1 ГГц)
>10** (1 ГГц)
;10** (1 ГГц)
<10
:510
:510
:520
1
1
123
1
1
Кш, дБ
'tкt ПС
Корпус
r;, Ом
t~"("t нс 1
гнс
р" Вт
ВЫК.1'1 I
•ыхt
<50; <10*
КТЗ70-1
<50; <10*
~~~It 1
!.,
"
~
БКЗ
i!
1
КТЗ70-9
1
<10*
J
0,95
<10*
1
~~х_
<5 (400 МГц)
<15
КТЗ71
<10*
~t
<5 (400 МГц)
<15
КТЗ71М
~i!
КТЗ72
i
1'
<3,5 ( 1 ГГц)
<9
."~
<9
<5,5 ( 1 ГГц)
:59
:55.5 ( 1 ГГц)
4ц~ N
КТЗ73
КТЗ75
КТЗ79
1
1
1
~~t
Ключ

124
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
1
1
;
!
Рк max'
~•• \21••
UКБО maxt
1
lк moix
1
lкоо•
Тип
P~.тmaxt
~;l~t
U~Rmax'
Uэоо max•
1~.н max•
1
J~R'
прибора 1 тура ,
р;~ н max•
с:х.
u~max•
в
1
1··
1
1
1
мА
1
КЭО•
мВт
мrц
в
1
мкА
КТЗSОА
1
i
15
1
<!:ЗОО
17* ( 10к)
4
10(25*) i Sl(108)
i р-п-р
1
1
IКТЗSОБ
1 р-п-р
15
<!:ЗОО
1
17* (lОк)
4
10(25*) i Sl(108)
1
ктзsов
1 р-п-р
15
1
<!:ЗОО
9* (lОк)
4
20 (25*)
1
:!>l (7 8)
1
1
1
i
!
1
1
1
1
1
1
КТЗ81Б
п-р-п
15
<!:200
25
6,5
15
1
о.аз (5 8J
КТЗ81В
п-р-п
15
<!:200
25
6,5
15
1
о.аз (5 8)
ктзs1r
п-р-п
15
<!:200
25
1 6,5
15
О,ОЗ (5 8)
КТЗ81д
1 п-р-п
15
<!:200
25
6,5
15
1
О,ОЗ (5 8)
КТЗ81Е
1
п-р-п
15
<!:200
25
6,5
-
15
1
О,ОЗ (5 8)
1
1
1
КТЗ82А
п-р-п
100 (65°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
s0,5 (15 8)
КТЗ82Б
п-р-п
100 (65°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
:!>0,5 (15 8)
КТЗ82АМ
п-р-п
100 (85°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
1
s0,5 (15 8)
КТЗ82БМ 1 п-р-п
1
100 (85°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
1
s0.5 (15 8J
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
КТЗ84А-2
1
п-р-п
300
2!:450
30* (5к)
4
1 300 (500*) 1
:!>10 (30 8)
1
КТЗ84АМ-2 п-р-п
300
2!:450
30* (5к)
4
300 (500*)
:!>10 (ЗО 8)
КТЗ85А-2
п-р-п
зоо
<!:200
60
4
зоо (500*)
:!>10 (60 8)
1
1
!
1
1
1
1
!
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
КТЗ85АМ-2
п-р-п
300
<!:200
60
4
300 (500*)
slO (60 8)
КТЗ85БМ-2
п-р-п
зоо
<!:200
60
4
300 (500*)
:!>10 (60 8)

Биполярные кремниевые транзисторы
125
ck,
rкэнас• Ом
Kw, дБ
t., пс
ь.,,. ь;,э
с;2э•
r;э нас• Ом
r;, Ом
t;,.,, нс
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;:х• Вт
t::кп• НС
.
30...90 (0.3 8: 10 мА)
1
:s;б (5 8)
:;;30
-
10*
1
КТЗ80
50 ... 150 (0.3 8: 10 мА)
:s;б (5 8)
:;;30
-
20*
1
1
f
30...90 Ю.3 8: 10 мА) 1 :s;б (5 8)
:;;30
-
10*
~No~
'
1
кз
\
~40 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
КТЗ81
~30 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
1
f
~20 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
~~~
~20 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
~20 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
-
1
1
\
1
1
зк
40...330 (18; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~9** (400 МГц)
:;;3 (400 МГц) 1
:S;l5
1
КТЗ82, КТЗ82М
40...330 (1 8; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~5** (400 МГц)
:S;4,5 (400 МГц)
1
:;;10
~t
40...330 (1 8; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~9** (400 МГц)
:;;3 (400 МГц)
:S;l5
40...330 (1 8; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~5** (400 МГц)
:;;4,5 (400 МГц)
:;;10
30...180* (1 8; 0,15 А) 1 :;;4 (10 8)
S4
-
Sl5*
КТЗ84-2
1
~t/ 1\ t::::.
1
5КЗ
30 ... 180* (1 8; 0,15 А)
:;;4(108)
S4
-
Sl5*
1
КТЗ84М
'
J
~
1
-~
1
К6З
20...200* (1 8; О, 15 А)
:;;4 (10 8)
:;;5
-
:s;бО*
КТЗ85-2
~re~rt
.
11\..... 1
1
5КЗ
1
20 ... 200• (1 8: 0.15 А) 1 :;;4(108)
s5
-
sбО*
КТЗ85М
20...100* (1 8: О, 15 ~)
1
:;;4 (!О 8)
s5
-
sбО*
J
~
1
-~К6З

126
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~р• \210•
UKБOmax•
IKmax
JКБО•
Тип
Струк-
Р;, т max•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1:.и max•
·~R'
прибора
р;~ н max•
~:·:х•
u~max•
в
•••
тура
мА
кэо•
мВт
мrц
в
1
мкА
КТЗ88Б-2
p-n-p i
300 (8О0С)
1
<!:250
50
4,5
250
.: :;2 (50 В)
i
1
1
КТЗ88БМ-2
p-n-p
300
<!:250
50
4,5
250
.: :;2 (50 В)
КТЗ89Б-2
1
p-n-p
300 (80°С)
2!:450
25* (!к)
1 4,5
1
300
1
.::;1 (25 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТЗ91А-2
n-p-n
70 (85°С)
<!:5000
15
2
10
.::;О,5 (10 В)
КТЗ91Б-2
n-p-n
70 (85°С)
<!:5000
15
2
10
.::;О,5 (!О В)
КТЗ91В-2
n-p-n
70 (85°С)
2!:4000
10
1
10
.::;О,5 (7 В)
1
1
1
i
1
1
1
КТЗ92А-2
p-n-p
120 (65°С)
<!:300
40* (5к)
4
10 (20*)
.::;О,5 (40 В)
1
КТЗ96А-2 1 n-p -n
1
30 (50°С)
2!:2100
15
3
40
1
.::;О,5 (15 В)
i
i
1
1
КТЗ96А-9
n-p -n
100
<!:2100
15
3
40
.::;О,5 (15 В)
1
КТЗ97А-2
i
n-p -n
120 (90°С)
<!:500
40* (!Ок)
4
10 (20*)
.::;1 (40 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
25 ... 100* (1 В; 0.12 А)
25 ... 100* (1 В; 0.12 А)
25...100* (1 В: 0.2 А)
<!:20 (7 В: 5 мА)
<!:20 (7 В: 5 мА)
<!:20 (7 В: 5 мА)
1
1
~7 (10 В)
~7 (10 В)
~10 (10 В)
~0.7 (5 В)
1
1 ~0.7(5В) 1
~О.7 (5 В)
1
1
1
40... 180* (5 В; 2.5 мА) 1 ~2.5 (5 В)
1
!
40...250 (2 В: 5 мА)
~1.5 (5 В)
1
40...250 (2 В: 5 мА)
~2(5В)
1
!
i
40...300 (5 В; 2 мА) 1 ~1.3 (5 В)
1
1
1
rКЭнк• Ом
r;энк• Ом
к;.·,.. дБ
~5
~5
~3
~50
~11*
~25*
1
1
Kw, дБ
r~, Ом
Р;~х• Вт
~4.5 (3,6 ГГц) 1
~5.5 (3.6 ГГц)
~6 (3,6 ГГц)
1
4,5 (100 МГц)
!
-
тк, пс
~~,.нс
f•ыК.11• НС
60; ~60*
~25*; ~180
~3.7
~3.7
~3.7
~120
~15
~15
~40
!
1
1
1
1
i'i
1
'
'
11
1
1
'
1
1
!
i1
1
!
127
Корпус
КТ388-2 (КТ388БМ-2)
;;~у
~,,,~о
6к3
КТ389-2
~ri (4
"'
111 ~l
5КЗ
КТ391-2
КТ392-2
2,2
1,1/
~,~l
5КЗ
КТ396-2
~~~!
5КЗ
I
КТ396-9
!
f
~~111,2
5з
~
КТ397-2
~~~
11\~
~
6к3
G
~Р.

128
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• t,;" ••
UКБО max•
lк max
lкю•
Тип
Струк-
Р~.тmaxt
\;lэ'
U~Rmaxt
UЭБО maxt
J~.н maxt
I~R'
прибора
р~~ н maxt
с·
u~max'
в
1~,
тура
"'
мА
мВт
МГц
в
мкА
КТ399А
n-p-n
150 (55°С)
~1800
15**
3
1
20 (40*)
:о;О,5 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ399АМ
n-p-n
150 (55°С)
~1800
15**
3
30 (60*)
:о;О,5 (15 В)
1
1 КТ501А
p-n-p
350 (35°С)
~5
15* ( !Ок)
10
1
300 (500*)
$1*(15В)
КТ501Б
1
p-n-p
350 (35°С)
~5
15* (!Ок)
10
300 (500*)
1
$1* (15 В)
КТ501В
p-n-p
350 (35·с)
~5
15* (IОк)
10
300 (500*)
$1*(15В)
КТ501Г
1 p-n-p
350 (35°С)
~5
30* ( !Ок)
10
1
300 (500*)
$1*(30В)
КТ501д
p-n-p
350 (35°С)
?:5
30* (!Ок)
10
300 (500*)
:o;I * (30 В)
КТ501Е
p-n-p
350 (35°С)
?:5
30* ( !Ок)
10
300 (500*)
$1*(30В)
КТ501Ж
p-n-p
350 (35°С)
?:5
45* ( !Ок)
20
300 (500*)
$1*(45В)
КТ501И
p-n-p
350 (35°С)
?:5
45* (IОк)
20
300 (500*)
:o;I * (45 В)
КТ501К
p-n-p
350 (35°С)
?:5
45* (IОк)
20
300 (500*)
1
$1*(45В)
i
1 КТ501Л
1 p-n-p
350 (35°С)
~5
60* (IОк)
1
20
300 (500*)
1
:o;I * (60 В)
i
IKT501M
1
p-n-p
350 (35°С)
?:5
60* ( !Ок)
20
1
300 (500*)
1
$1*(60В)
1
!
КТ502А
1
p-n-p
350
5... 50
40
5
1
150 (300*)
:o;I (40 В)
КТ502Б
p-n-p
350
5... 50
40
5
1
150 (300*)
:o;I (40 В)
КТ502В
p-n-p
350
5... 50
60
5
150 (300*)
:o;I (60 В)
КТ502Г
p-n-p
350
5... 50
60
5
1
150 (300*)
:o;I (60.В)
КТ502Д
p-n-p
350
5...50
80
5
150 (300*)
:o;I (80 В)
КТ502Е
p-n-p
350
5... 50
90
5
150 (300*)
$1 (90 В)
КТ503А
n-p-n
350
5... 50
40
5
150 (300*)
:o;I (40 В)
КТ503Б
n-p-n
350
5...50
40
5
150 (300*)
$1 (40 В)
КТ503В
n-p-n
350
5... 50
60
5
150 (300*)
:o;I (60 В)
КТ503Г
n-p-n
350
5... 50
60
5
150 (300*)
$1 (60 В)
КТ503Д
n-p-n
350
5... 50
80
5
150 (300*)
:o;I (80 В)
КТ503Е
n-p-n
350
5... 50
100
5
150 (300*)
$1 (100 В)
КТ504А
n-p-n
1 (10*) Вт
~20
400; 350*
6
1(2*)А
:o;IOO (400 В)
КТ504Б
n-p-n
1 (10*) Вт
~20
200* (О, 1к)
6
1(2*)А
$100 (250 В)
КТ504В
n-p-n
1 (10*) Вт
~20
275* (О, 1к)
6
1(2*)А
:o;IOO (300 В)
1
КТ505А
p-n-p
1 (5*) Вт
~20
300* (О, 1к)
5
1(2*)А 1
:o;IOO (300 В)
~
КТ505Б
p-n-p
1 (5*) Вт
~20
250* (0,1 к)
5
1(2*)А
:o;IOO (250 В) ~
КТ506А
n-p-n
0,8 (10*) Вт
~10
800
5
2 (5*)А
:о;200 (600 В)
КТ506Б
n-p-n
0,8 (10*) Вт
~10
600
5
2(5*)А
$200 (600 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
129
с,,
Гкэ нас' Ом
Кш, дБ
tk, пс
h21э 1 ь;IЭ
с;2э'
Г~э нас' Ом
r;, Ом
t~act НС
Корпус
пФ
к;:." дБ
Р;:х' Вт
t:~клt НС
;>:40* (1 8; 5 мА)
1
$1,7(58) ;>:11,5** (0,4 ГГц)
$2 (400 МГц)
$8
КТЗ99
Р5,8
~Ei '
~ Корлфб
~
к
;>:40* (1 8; 5 мА)
$1,7 (5 8) ;>:11,5** (0,4 ГГц) $2 (4000 МГц)
$8
КТЗ99М
~f!:~
"'l
~-.
~
~
-~
20...60* (18; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
КТ501
40... 120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
$4 (1 кГц)
-
20...60* (1 8; 30 мА)
$50 (10 8)
$1,3
-
-
ii'
40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
$4 (1 кГц)
-
~ .5$К
20...60* (18; 30 мА)
$50(108)
$1,3
-
-
40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
80...240* (18: 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
$4 (1кГц)
-
20 ... 60* ( 1 8; 30 мА) $50(108)
$1,3
-
-
40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
40... 120 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$320*
-
КТ502
80...240 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$320*
-
~~~
40 ... 120 (5 8; 10 мА) $50(108)
$60
$320*
-
80...240 (5 8; 10 мА)
$50 (10 8)
$60
$320*
-
40...120 (5 8; 10 мА)
$50 (10 8)
$60
$320*
-
40... 120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8)
$60
$320*
-
"'l
~-.
~
~
-~
40...120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8)
$60
$580*
-
КТ503
80". 240 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$580*
-
~!!:~
40... 120 (5 8; 10 мА)
$50 (10 8)
$60
$580*
-
80. "240 (5 8; 10 мА)
1
$50 (10 8)
$60
$580*
-
40".120 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$580*
-
40."120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8)
$60
$580*
-
11')
~-•
~
~
-~
15... 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8)
$2
-
$2700*
КТ504, КТ505,КТ506
15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8)
$2
-
$2700*
15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8)
$2
-
$2700*
:tiK$3
25".140* (10 8; 0,5 А) $70 (5 8)
$3,6
-
$2600*
25".140* (10 8; 0.5 А) $70 (5 8)
$3,6
-
$2600*
1
30...150* (5 8; 0.3 А)
$40 (5 8)
$2
-
$1560*
30."150* (5 8; 0,3 А)
$40 (5 8)
$2
-
$1560*
9зак9

130
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
1,,,. ~16•
Uкоо max•
lк max
IКБО,
Тип
Струк-
Р;,тmах•
J;:;Jэf
{fКЭR max•
UЭБО max•
J~.и max•
1~.
прибора
тура
P.Zиmax•
с..
U-кэо nuax•
в
1~.
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ509А
p-n-p
300; 1*Вт
~10
500
5
20
s:5 (500 В)
КТ511А9
р-п-р
1000
~120
200•
-
1,5 А
-
КТ511Б9
р-п-р
1000
~120
160*
-
1,5 А
-
КТ511В9
р-п-р
1000
~120
120•
-
1,5 А
-
КТ511С9
р-п-р
1000
~120
90•
-
2А
-
КТ511Д9
р-п-р
1000
~120
70*
-
2А
-
КТ511Е9
р-п-р
1000
~120
50•
-
2А
-
КТ511Ж9
1 р-п-р
1000
~120
30•
-
2А
-
КТ511И9
р-п-р
1000
~120
20•
-
2А
1
-
IП511К9
р-п-р
1000
~120
10•
-
2А
-
КТ512А9
n-p -n
1000
~120
200•
-
1,5 А
-
КТ512Б9
п-р-п
1000
~120
160*
-
1,5 А
-
КТ512В9
п-р-п
1000
~120
120•
-
1,5 А
-
КТ512С9
п-р-п
1000
~120
90•
-
2А
-
КТ512Д9
п-р-п
1000
~120
70*
-
2А
-
КТ512Е9
n-p-n
1000
~120
50•
-
2А
-
КТ512Ж9
п-р-п
1000
~120
зо•
-
2А
-
КТ512И9
n-p-n
1000
~120
20•
-
2А
-
КТ512К9
n-p-n
1000
~120
10•
-
2А
-
КТ513А9
p-n-p
1000
~50
300•
-
0,5 А
-
КТ513Б9
p-n-p
1000
~50
250*
-
0,5 А
-
КТ51389
р-п-р
1000
~50
200*
-
0,5 А
-
КТ513С9
р-п-р
1000
~50
160*
-
0,5 А
-
КТ513Д9
р-п-р
1000
~50
120•
-
0,5 А
-
КТ514А.9
п-р-п
1000
~50
зоо•
-
0,5 А
-
КТ514Б9
п-р-п
1000
~50
250*
-
0,5 А
-
КТ514В9
п-р-п
1000
~50
200•
-
0,5 А
-
КТ514С9
1
n-p -n
1000
~50
160*
-
0,5 А
-
КТ514Д9
n-p-n
1000
~50
120•
-
0,5 А
-
1
КТ515А9
1
р-п-р
1000
~120
80*
-
2А
-
КТ515Б9
р-п-р
1000
~120
50*
-
2А
-
КТ515В9
p-n-p
1000
~120
25*
-
2А
-
КТ516А9
п-р-п
1000
~120
во•
-
2А
-
КТ516Б9
n-p-n
1000
~120
50•
-
2А
-
КТ516В9
п-р-п
1000
~120
25*
-
2А
-
1
i
КТ517А
1
п-р-п
500
~125
30; 30••
-
0,5 А
-
КТ517Б
п-р-п
500
~125
30; 30••
-
0,5 А
-
КТ517В
п-р-п
500
~125
40; 40**
-
0,5 А
-
КТ517Г
п-р-п
500
~125
40; 40**
-
0,5 А
-
КТ517Д.
n-p-n
500
~125
50; 50••
-
0,5 А
-
КТ517Е
п-р-п
500
~125
60; 60**
-
0,5 А
-

Биполярные кремниевые транзисторы
с••
h2," ь;,э
с;2"
пФ
10.. .100 (10 В; 0.1 мА) $2,9 (100 В)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0.5А)
220(5В:0.5А)
220(5В;0,5А)
220(5В:0.5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В:0.5А)
220(5В;0.5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0.5А)
220(5В:0.5А)
1
i
1
1
1
1
i 40...600 (10 В: 50 мА) !
м1 40...600 (10 В; 50 мА)
40...600 (10 В; 50 мА)
40...600 (1О В; 50 мА)
40... 600 (10 В; 50 мА)
40...600 (1О В: 50 мА)
40...600 (10 В; 50 мА) 1
40...600 (10 В; 50 мА)
40...600 (1О В; 50 мА) I
40...600 (10 В; 50 мА)
250(5В;0,5А)
250(5В;0.5А)
225(5В:0.5А)
250(5В;0,5А)
250(5В:0,5А)
225(5В:0,5А)
i
1
1
/ 25000(5В:10мА)
~ 210000 (5 В: 10 мА)
1 210000 15 В: 10 мА)
10000... 100000
9*
(5 В; lOмAJ
210000 (5 В; 10 мА)
210000 (5 В; 10 мА)
$7
$7
$7
$7
$7
$7
rкэ нас• Ом
r~нк' Ом
к;.·•.. дБ
lОк
$0,3
$0,25
$0,25
$0,2
$0,2
$0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$0,3
$0,25
$0,25
$0,2
$0,2
$0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$10
$10
$5
$5
$5
$10
$10
$5
$5
$5
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$11
$11
$11
$11
$11
$11
Kw, дБ
r~, Ом
Р;~).. Вт
tк, ПС
~~,.нс
tвыкл• НС
$500
1
1
1
1
1
1
Корпус
КТ509
КТ511-9
1/,6
131
~
1.6
~ф~-F• ,'1)- ~·
<:t
5
0,11
~"' 11' O ,SS
0,48 1 .5
1,5
КТ512-9
1/,6
-
1.6
~i~,(J- ~·
<:t
н
4"
~ 1o1"'fss
0,4 ~5
1,5
КТ513-9, КТ514-9
КТ515-9, КТ516-9
КТ517

132
Тип
прибора
1 КТ517А-1
1 КТ517Б-1
IKT517B-l
iiKT517f-l
1
1 КТ517Д-1
КТ517Е-1
КТ517А-9
КТ517Б-9
КТ517В-9
KT517f-9
11
~КТ517Д-9
llKT517E-9
11
I
KT519A
КТ519Б
.IKT519B
1'
11
1 КТ520А
1~КТ520Б
!
i!
!
liKT521A
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
ГТ523В
I KT523f
1
КТ523Д
11
11
11КТ523А9
i КТ523Б9
11КТ523В9
KT523f9
!КТ523Д9
КТ524А
11
11
КТ524А-5
1
1
1
1
1
i
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1
1
1
1
i
1
pKmax'
Р~. тmах•
р~~ и ma),,•
мВт
800
800
800
800
800
800
300
300
300
300
300
300
450
450
450
625
625
625
625
500
500
500
500
500
300
300
300
300
300
1000
1000
!
1
~р• ~:216'
~~li'
~:;,,
Мfц
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~100
~100
~100
~50
~50
~50
?:50
?:150
?:150
?:150
~150
?:150
~150
~150
~150
~150
~150
~100
~100
UKБOma\•
U~R1nct\•
u;Э01n.i''
в
30
30
40
40
50
60
30; 30*•
30
40
40
50
60
50; 45**
50; 45*•
50; 45*•
300; 300**
200; 200**
300; 300**
300; 300•·
30; 30**
30; 30**
40; 40**
50; 50•·
60; 60**
30; 30••
30; 30•·
40; 40**
50; 50**
60; 60**
40; 25**
40; 25**
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
UЭБОmаА•
в
1
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
5
5
5
1
1
1
-
1
-
-
-
-
-
-
1
1
1
!
1
1
-
1-
-
-
-
6
1
1
1
1
1
6
1
1
1
IKma11
1:,ИIПЗА1
мА
0,5 А
0.5 А
0.5 А
0.5 А
0.5 А
0.5 А
300
300
300
300
300
300
100
100
100
500
500
500
500
500
500
500
500
500
300
300
300
300
300
1500
1500
1
1
1
!
1
'
i
1
i
i
1
i1
1
i
i
1
1
IКБ<)'
I~R•
I~"
мкА
-
-
-
-
-
-
:50,05 (50 В)
:50,05 (50 В)
:50.05 (50 В)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:50,1 (35 В)
:50,1 (35 В)
~
~
1'
11
11
~11
11
11
"
~;
11
11,,
11
iil'1
~
11
11
~11
,1
~
1!
1
1
~I!
ji
1!,1
li
1:
р
li
1
1
11

Биполярные кремниевые транзисторы
133
ck,
fкэнаt' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
1
ь"" ь;,э
c;2i'
г~наt' Ом
r;. Ом
t;,.,. нс
Корпус
i
пФ
к;.·,.. дБ
Р;~х' Вт
t::клt НС
25000 (5 В: 10 мА)
1
57
511
-
-
КТ517-1
210000 (5 В: 10 мА)
57
511
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
1
57
511
-
-
Qtm
10000... 100000
57
511
-
-
~7.8 ~
(5В;10мАJ
11
210000 (5 В; 10 мА) 1
57
511
-
-
210000 (5 В: 10 мА) 1
57
511
~
36
1
-
-
1
1
1
25000 (5 В: 10 мА)
57
511
-
-
КТ517-9
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
s
0,95
10000 ... 100000
57
511
-
-
~*Х
(5В:10мА)
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
60... 150 (5 В; 1 мА)
57(10В)
-
510 (1 кГц)
-
КТ519, КТ520
100...300 (5 В; 1 мА)
1
57 (10 В)
-
510(1 кГц)
-
1
200...600 (5 В: 1 мА)
57(10В)
-
510 (1 кГц)
-
~tf~~
i
1
240(1ОВ; 10 мА)
53
525
-
-
~
q.-
240(1ОВ: 10 мА)
54
520.
-
-
-
1
1
1
240 (10 В; 10 мА)
1
56
525
-
-
КТ521, КТ523
240 (10 В; 10 мА)
58
520
-
-
1
1
1
1,
1
~f~
11
'
1
1
25000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
...
q'"
~~
210000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
210000 (5 В: 10 мА)
57
512
-
1
-
25000 (5 В: 1О мА)
-
512
-
-
КТ523-9
210000 (5 В; 10 мА)
-
512
-
-
s
0,95
210000 (5 В; 10 мА)
-
512
-
-
210000 (5 В: 10 мА)
-
512
-
-
~~~' 1
210000 (5 В; 10 мА)
-
512
-
-
1
1
'
1
1
'
'
1
1
1,
i
1
!
1
!1
'1
24011В:0,8А)
1 9(10В) 1
50,6
-
-
КТ524
1
'
~f~
...
q'"
~~
85...300(1В;О,1А)
9(10В)
50,6
-
-
i
КТ524-5
1,
i
:
!
1

134
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max'
lк max
•ноо•
Тип
Струк-
Р~.тmах'
~;lэl
U~Rmax'
UЭБО max'
1;,и max'
·~R•
прибора
р~:иmах'
с·
u~max•
в
•••
тура
."
мА
l<ЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ525А
п-р-п
625
-
40; 20**
5
500
$0,1 (25 В)
КТ525А-5
п-р-п
625
-
40; 20**
5
500
$0,1 (25 В)
КТ526А
n-p -rl
450
~150
50; 45**
5
100
$0,05 (50 В)
!
КТ526А-5
п-р-п
450
~150
50; 45**
5
100
$0,05 (50 В)
КТ528А9
1
п-р-п
600
-
100*
-
1
2000
-
КТ528Б9
1 п-р-п
600
-
80*
-
2000
-
КТ528В9
п-р-п
600
-
50*
-
2000
-
КТ528Г9
п-р-п
600
-
30*
-
2000
-
КТ528Д9
п-р-п
600
-
12*
-
2000
-
КТ529А
р-п-р
500
~150
60
4
IA
$1 (80 В)
1
КТ530А
п-р-п
500
~150
60
4
IA
$1 (80 В)
КТ538А
1 п-р-п
700
~4
600
9
500
$100*
:

Биполярные кремниевые транзисторы
64...202 (1 В; 50мА)
~40 (1 В; 0,.8 А)
60...1000 (38, 1 кА) ! "3.5 (10 В) 1
60... 1000 (5 В; 1 мА) SЗ,5 (10 В)
20...200 (5 В; 1 А)
20...200 (5 В; 1 А)
50...250 (5 В; 1 А)
50...250 (5 В; 1 А)
50...250 (5 В; 1 А)
~180 (5 В; 300 мА)
~180 (5 В: 300 мА)
5...90
rкэ ...• Ом
r~нк' Ом
к;·". дБ
:!>l,2
:!>0.25
:!>0,25
:!>0,25
:!>0,25
:!>0.25
?::0,7
?::0,7
Кw,АБ
r;, Ом
Р:., Вт
:!>IO (1 МГц)
:!>IO (1 МГц)
300
300
300
300
300
't." пс
t;..., нс
•:....,нс
1
135
Корпус
КТБ2Б
КТБ2Б-Б
КТ526
КТБ26-Б
~rВТ
КТБ28-9
IП529
IП530
КТБ38

136
Раздел 2. Биполярные транзисторы
.
Ркmах•
~•• ~216•
UKБOmax'
lкmax
Iкво,
Тип
Струк-
Р~.т1111х•
~;1"
U~Rmax'
U350 max•
1;,и max•
·~R'
прибора
тура
р;, и max•
~~:х'
u~max•
в
·~·
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ601А
n-p -n
0,25 (0,5*) Вт
~40
100*
3
30
s50 (50 В)
1
1
!
1
КТ601АМ
n-p-n
0,5 Вт
~40
100*
3
30
:S300* (100 В)
1
1
КТ602А
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
:S70 (120 В)
КТ602Б
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
:S70 ( 120 В)
КТ602В
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
80
5
75 (300*)
:S70 (80 В)
KT602f
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
80
5
75 (300*)
:S70 (80 В)
КТ602АМ
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
:S70 (120 В)
КТ602БМ
1
n-p-n 1
0,85 (2.8*) Вт
~150
120
5
75 (300*) i :S70 (120 В)
!1
1
1
1
i
КТ60ЗА
n-p-n
1
0,5 Вт (50"С)
~200
30* (lк)
3
300 (600*)
:SIO (30 В)
КТ60ЗБ
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
:SO (30 В)
КТ60ЗВ
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
:S5 (15 В)
KT603f
n-p-n 1 0,5 Вт (50"С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
:S5 (15 В)
КТ60ЗД
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
10* (lк)
3
300 (600*)
:SI (10 В)
КТ60ЗЕ
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
10* (lк)
3
300 (600*) 1
:SI (10 В)
КТ60ЗИ
1 n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
1
:SIO (30 В)
!
КТ604А
1
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
300
5
1
200
1
:S50 (250 В)
КТ604Б
1
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
250* (lк)
5
1
200
1
s50 (250 В)
КТ604АМ
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
250* (lк)
5
200
:S20* (250 В)
КТ604БМ
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
300
5
200
:S20 (250 В)
i
!
1
!
КТ605А
1
n-p -n
1
0.4 Вт ( 1ОО"С)
~40
300
1
5
1
100 (200*)
:S50* (250 В)
КТ605Б
n-p-n 1
0,4 Вт (IOO"C)
~40
300
5
100 (200*) i s50* (250 В)
!1
i
1
1
1
1
i
1
1
'i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
~16 (20 В; 10 мА)
~16 (20 В; 10 мА1)
80 (10В; 10 мА')
20...
ОА)
>50(10В;1м
lS... 80 (10 В; 10 Mf)
>50(10В;10мА
80(10В;10мА)
20...
ОА)
~50(10В;1 м
10 80*(2В;15А)
>ОО* (2 В; 0,15 А)
1080*(2В;0,15А)
;00• (2 В; 0,15 А)
2080*(2В:0.15А)
60 ··200• (2 В: 0,15 А)
~20* (2 В; 0,35 А)
10.. .4 0* (40 В; 20 мм~)
30.. .120* (40 В; 20
10 40*(40В;20мА)
30.::"i20* (40 В; 20 мА)
10 40*(40В;20мА)
...120* (40В; 20мА)
30. "
s!5 (20 В)
sl5 (20 В)
<4 (50 В)
~4 (50 В)
~4 (50 В)
s4 (50 В)
<4 (50 В)
~4 (50 В)
<15 (10 В)
~15 (10 В)
~15 (10 В)
~15 (10 В)
~15 (!О В)
~15 (10 В)
~15 (10 В)
s7 (40 В)
s7 (40 В)
<7 (40 В)
~7 (40 В)
s7 (40 В)
s7 (40 В)
Гкэнас• Ом
•
Ом
ГБЭ нас'
к;:... дБ
:>60
:>60
$60
:>60
:>60
:>60
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$3,4
:>400
:>400
:>400
:>400
:>400
:>400
Kw, дБ
.
Ом
"'
р.•
Вт
вwxt
tк, ПС
t;act НС
t••
нс
аыклt
:>600
:>600
:>300
:>300
:>300
:>300
$300
:>300
<100**
~100**
:>100**
:>100**
<100**
~100**
:>100**
:>250
:>250
137
Корпус
КТ601
КТ601М
КТ602
КТ602М
КТ603, КТ604
КТ604М
КТ605

138
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк-•
~. ~21••
UК&Omax'
)Kmax
JllEO,
Тип
Струк-
р~тmах•
(;lэt
lГКЭRmaJlt
Uэоо ma•'
J~. max•
rКЭR,
прибора
тура
р~ ........
с..,
(]"КЭОmах•
в
Гкэо,
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ605АМ
n-p-n
О,4 Вт ооо·с)
~40
300
5
100 (200*)
~О* (250 В)
КТ&ОSБМ
n-р-п
О,4 Вт ооо·с)
~40
300
5
100 (200*)
~· (250В)
1
1
1
1
КТ606Л
п-р-п
2,5 Вт (40-С)
~350
60
4
400 (800*)
~;I ,5* (60 В)
КТ&О&Б
п-р-n
2,5 Вт (40"С)
~300
60
4
400 (800*)
Sl,5* (60 В)
КТ607Л-4
п-р-п
1,5 Вт
~700
40
4
150
SI (30 В)
КТ607Б-4
п-р-п
1,5 Вт
~700
30.
4
150
SI {30 В)
IП608Л
п-р-п
0,5 Вт
~200
60
4
400 (800*)
slO (60 В)
КТ608Б
п-р-п
0,5 Вт
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 В)
1
КТ6109А
р-п-р
625
~300
40; 20* (lОк)
5
500
SO.I мкА (25 В)
КТ6109Б
p-n -p
625
~300
40; 20* ( IОк)
5
500
SO,I мкА (25 В)
КТ6109В
р-п-р
625
~300
40; 20* (1 Ок)
5
500
SO,l мкА (25 В)
КТ6109Г
р-п-р
625
~300
40; 20* ( IОк)
5
500
SO,l мкА (25 В)
КТ6109Д
p-n -p
625
~300
40; 20* (lОк)
5
500
so.1 мкА (25 В)
КТ610Л
n-р-п
1,5 Вт (SO"C)
~1000
26
4
300
S0,5 (26 В)
КТ610Б
п-р-п
1,5 Вт (so•c)
~700
26
4
300
S0.5 (26 В)
КТ6102Л
р-п-р
1000
-
110
5
1500
SO.l
КТ6103А
n-p-n
1000
-
140
5
1500
SO.l
КТ6104А
n-p-n
1000
-
300
5
150
SO.l
КТ6105Л
р-п-р
1000
-
300
5
150
SO.I
КТ6107А
n-p -n
1000
-
500
5
130
SO,l
КТ6108Л
р-п-р
1000
-
500
5
130
so.t

Биполярные кремниевые транзисторы
139
tк, ПС
о
Kw, дБ
t·",, нс
fкэш• м
·Ом
1
l~~~~~~-;;~--;;;~с~··~~~~r~~~"'~'·;О~м~~~~~;~:~";в~т'_~~--'t=·~~~~·~"-_с~~~~~~~--~~~
с;," к".••
ктsоsм
h,", ь;"
пФ •·•
'25(]
<400
<250
... и;
<7 (40 В)
~
1О40"(40в,20мА)
<7 (40 В)
<400
~-- .Фт
-
зо.::; 20, (4О в, 20 мА)
__
Корпус
~
>15* (10 В; 0,10 А)
~15• (10 В; 0,10 А)
-
-
20 80*(5В;0,2А)
40.::·160* (5 В; 0,2 А)
1
!
64 91(1В;50мА) i
78 ...112 (1 В; 50 мА)
98··· l35 (1 В; 50 мА)
112::.166 (1 В; 50 мА~
144...202 (1 В; 50 мА
<10 (28 В)
SIO (28 В)
<4(10В)
:54,5 ( 10 В)
<15 (10 В)
:515(10В)
) 1 <4,1(10В)
50 300* (10 В: 0.15 А :54,1 (10 В)
20:::300* 110 в: о.15 А)
1
<5
:55
>4** (1 ГГц)
~3** (1 ГГц)
<2,5
:52,5
<1,2
:51,2
:51,2
:51,2
:51,2
>О 8** (400 МГц)
>0:6** (400 МГц)
>1 ** (1 ГГц)
>!**(!ГГц)
6 (0,2 ГГц)
6 (0,2 ГГц)
i
1
1
1
<10
<12
<18
<25
<120*
<120*
<55
<22
!О
э6
....
КТ606
КТ607-4
КТ608
1
1
КТ6109
1
КТ610
04 КТ6107
КТ6102, КТ61 '
108
КТ6103, КТ6105, КТ6

140
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKma),,'
~Р' ~:2161
UKБOmaAI
lк max
lкБо•
Тип
Струк-
Р~. т max'
~;1~·
u~RmaAI
UЭБOmaAI
1~.и max•
·~ЭR•
прибора
тура
р~:иmа"'
~~;х,
u;ЭOmaA'
в
•••
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ611А
п-р-п
О.В (3*) Вт
::::60
200
3
100
:<>200 (!ВО В)
КТ611Б
п-р-п
О.В (3*) Вт
::::60
200
1
3
100
1
:<>200 (lBO В)
КТ611В
1 п-р-п i О.В (3*) Вт
::::60
1
lBO
3
1
100
:<>100 (150 В) !
КТ611Г
1 п-р-п ! О.В (3*) Вт
::::60
lBO
3
1
100
1
:<>100 (150 В) 1
1
!
!
1
f
i
1
:
i
i
r.
'
1
1
КТ611АМ
п-р-п
О,В (3*) Вт
::::60
200
4
100
:<>100 (!ВО В)
КТ611БМ
п-р-п
О.В (3*) Вт
::::60
200
4
100
:<>100 (!ВО В)
i
1
1
!
1
i
!,
1
i'
1
'
!IKT6110A
i п-р-п 1
625
-
40
1
5
1
500
!
sO.l
11КТ6110Б
1
п-р-п
1
625
1
-
40
5
500
sO,l
llKT6110B
1
п-р-п
625
1
-
40
5
500
$0,1
КТ6110Г
п-р-п
1
625
-
40
1
5
500
$0,1
КТ6110Д
1
п-р-п
625
-
40
1
5
500
$0,1
1
КТ6ША
п-р-п
450
150
50
5
100
s0.05
КТ6ШБ
п-р-п
450
150
50
5
100
s0.05
КТ6ШВ
п-р-п
450
150
50
5
100
$0,05
КТ6ШГ
п-р-п
450
150
50
5
100
s0.05
'
i
i
'
1
1
1
'
'
,,
1
1
1
1
JIKT6112A
р-п-р
450
100
50
5
1
100
1
$0.05
~
11КТ6112Б
1
1
450
100
50
5
1
100
!
$0.05
i
р-п-р
1
1
~КТ6112В 1 р-п-р
450
100
50
5
1
100
$0,05
11
КТ6113А
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Б
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113В
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Г
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Д
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Е
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6114А
1
п-р-п
1000
100
40
6
1
1500
SO.l
1
КТ6114Б
! п-р-п
1
1000
1
100
40
i6
1
1500
1
:<>0.1
КТ6114В
1 п-р-п
1000
100
40
!6
1500
$0,1
~КТ6114Г 1 п-р-п 1
700
100
40
6
1100
$0,1
1/КТ6114Д i п-р-п 1
700
1
100
1
40
6
1
1100
$0.1
1 КТ6114Е
1 п-р-п
1
700
! 100
1
40
6
1100
sO.l
i
1
1
КТ6115А
р-п-р
1000
100
40
'
6
1500
:<>0.1
КТ6115Б
р-п-р
1000
100
40
6
1500
sO.l
КТ6115В
р-п-р
1000
100
40
6
1500
sO.l
КТ6115Г
р-п-р
1000
100
40
6
1100
$0,1
КТ6115Д
р-п-р
1000
100
40
6
1
1100
sO.l
КТ6115Е
р-п-р
1000
100
40
6
1100
$0,1
1
КТ6116А
р-п-р
625
>100
1
160
!
5
i 600
1
s0.05
~
IКТ6116Б
р-п-р
625
>100
130
5
1
600
1
S0.01
~
~
1
1
1
li
'
1
!
1
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
141
~
1
1
11
с.,
rКЭнас' Ом
Кw1 дБ
tк, ПС
·:
~
h21.·· ь;1?
c;2"t'
r~нilc' Ом
r;, Ом
t~dl' нс
Корпус
"
1
пФ
к;.·•.. дБ
1
Р;:", Вт
t::кл, НС
1
~
1
10.. .40* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
$400
-
$200
КТ611
30... 120* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
$400
-
$200
:No6<Ф•
10...40* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
s400
-
s200
30... 120* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
$400
-
s200
!i
1·
к
~ 10...40•(40В:20мА) 1 s5(40В)
s400
-
s200
1
КТ611М
~
!I 30...120•(40В;20мА) 1 s5(40В)
$400
-
s200
11
1
1
~g;
11
1
1
е:
11
:::;.
·В
!j
:~
~1:
'1
:,
1
64 ... 91
1,2
КТ6110, КТ6111
!
-
-
-
1!
78 ... 112
-
1,2
-
-
11
,1
96 ... 135
-
1,2
-
-
11
112 ... 166
-
1,2
-
-
~~~
144 ... 202
-
1,2
-
-
1
1!
1
1
60... 150
<3
<10 (1 кГц)
11
-
-
~
~-.
1
~
i00... 300
-
<3
<10 (1 кГц)
-
1
~ 1ОО1
~
,.
200... 600
1
-
<3
<10 (1 кГц)
-
-~
1
f!
400 ... 1000
1
-
<3
<10 (1 кГц)
-
1
11
1
11
60 ... 150
-
<7
<10(1 кГц)
1
-
КТ6112, КТ6113
:
100 ... 300
-
<7
<10(1 кГц)
1
-
200 ... 600
-
<7
<10 (1 кГц)
!
-
1
1
1
1
~~~
f--
1
1
1
28 .. .45
-
<10
-
;
-
1
39 ... 60
<10
1
-
-
-
~
54 ... 80
1
-
<10
-
-
1
11
72 ... 108
<10
~
~-.
1
-
-
-
~ Wlll
~
1
97 ... 146
1
-
<10
-
-
-~
132 ... 198
1
-
<10
-
-
1
1
85 ... 160
-
-
1
-
-
КТ6114, КТ6115
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
85 ... 160
-
-
-
-
1
120... 200
-
-
-
-
~~~
160... 300
1
1
-
-
-
-
11
н
1
'1
1
85 ... 160
1
-
-
-
-
120... 200
-
-
-
-
~
~-.
~.
~
160 ... 300
-
-
-
-
-~
85 ... 160
-
-
-
-
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
'
.
60. "2 40
-
-
$8
-
КТ6116
40 ... 180
-
-
-
-
~Ei!:~ i
~
1
1
~
1
1
1
~
~-.
~
1
1
~
~
11
1
-~
~
~

142
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~.. ..:....
UКБО max'
IKmax
lкw•
Тип
Струк-
Р~. т max•
1~:;1э•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,и milx'
·~R'
р~~ и max•
с·
u;Э() max•
в
•••
прибора
тура
".
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ6117А
п-р-п
625
>100
180; 160*
5
600
~О.05
КТ6117Б
п-р-п
625
>100
160; 140*
5
600
~О.1
1
КТ6127А
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
90
4
2 (8*)
~20 (90)
КТ6127Б
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
70
4
2 (8*)
~20 (70)
КТ6127В
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
50
4
2 (8*)
~20 (50)
КТ6127Г
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
30
4
2 (8*)
~20 (30)
КТ6127Д
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
20
4
2 (8*)
~20 (20)
КТ6127Е
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
10
4
2 (8*)
~20 (10)
КТ6127Ж
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
120
4
2 (8*)
~20 (120)
КТ6127И
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
160
4
2 (8*)
~20 (160)
КТ6127К
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
200
4
2 (8*)
~20 (200)
КТ6128А
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Б
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128В
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Г
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Д
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Е
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6129А-9
р-п-р
700
~4500
20; 15*
3
100
~0.1 (10 В)
КТ6129Б-2
р-п-р
1Вт
~250
50
4,5
1000
~5 (50 В)
КТ61ЗОА-9
п-р-п
700
~4000
15*
-
100
-
КТ6131А
п-р-п
1,3 Вт
~3.5 ГГц
1
40; 20* (lк)
3
150
~0.5 мкА (40 8)
1
(10 В; 50 мА)
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
80...250 (5 В: 10 мА)
60...250 (5 В: 10 мА)
~30* (5 В: 500 мА)
~30* (5 В; 500 мА)
~30* (5 В; 500 мА)
~50* (5 В; 500 мА)
~50* (5 В; 500 мА)
~50* (5 В: 500 мА)
~50* (5 В: 500 мА)
~30* (5 В; 500 мА)
~30* (5 В: 500 мА)
28...45 (5 8; 1 мА)
39...60 (5 В; 1 мА)
54...80 (5 В; 1мА)
72...108 (5 В; 1 мА)
97...146 (5 В; 1 мА)
132...198 (5 В; 1 мА)
S74 (5 В)
s74 (5 В)
S74 (5 В)
S74 (5 В)
s74 (5 В)
S74 (5 В)
s74 (5 В)
S74 (5 8)
j S74(5В) !
20...150* (10 В: 50 мА) iSl.45 (10 8) 1
1
i
1
1
1
1
25...150 (5 В; 0,2 А)
c:S25 (IO В)
~40(108;100мА) ! cS2(10В)
rкэнас• 0111
r~нас:' Ом
к;~,.• АБ
$4
$5
s0,15
s0,15
s0,15
s0,15
s0,15
$0,15
s0,2
s0,2
$0,25
1
1
1
1
Кш, АБ
r~, Ом
Р,;:,,, Вт
$8
1
!1
'[к• ПС
~F' нс
Корпус
fаwкл• НС
S250*
s250*
s250*
s250*
s250*
s250*
s250*
c:S250*
s250*
90*
КТ6127
1
КТ6128
i
1
КТ6129-9
1
!
!
КТ6129Б-2
КТ6130-9
i
КТ6131
1
1
1.11
11х
{f~W
143

144
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• ~216•
UKБOmax•
lкmax
•коо•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
\;1з•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,н max•
J~R'
р~~ и max•
с
u~max•
в
•••
прибора
тура
..
кэо•
1
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ61З2А
1 р-п-р
1,3 Вт
~3.5 ГГц
40
3
150
:50.5 мкА (40 В)
1
(10 В; 50 мА)
КТ61ЗЗА
р-п-р
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61ЗЗБ
р-п-р
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61ЗЗВ
р-п-р
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61З4А
п-р-п
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61З4Б
п-р-п
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61З4В
1 п-р-п
1000
~100
25*
-
1200
-
1
КТ61З5А
п-р-п
800
~100
400*
-
500
-
КТ61З5Б
п-р-п
800
~100
300*
-
500
-
КТ61З5В
п-р-п
800
~100
200*
-
500
-
КТ61З5r
п-р-п
800
~100
100*
-
500
-
КТ61З5А9
п-р-п
1Вт
~90
400
6
500
-
КТ61З5Б9
п-р-п
1Вт
~90
300
6
500
-
КТ61З589 i п-р-п
1
1Вт
~90
200
6
500
-
КТ61З5Г9 1 п-р-п
1Вт
~90
100
6
500
-
КТ61З5Д9
1
п-р-п
1Вт
~90
50
5
500
-
КТ6142А9
п-р-п
1
600
5000
20
3
100
-
КТ61З6А
р-п-р
625
~250
40**
5
200
:s;0,05*
КТ61З7А
п-р-п
625
~300
60; 40**
6
200
:50,05*
КТ61З8А
р-п-р
500
50
300
-
100
-
КТ6138Б
р-п-р
500
50
250
-
100
-
КТ61З8В
р-п-р
500
50
200
-
100
-
КТ61З8r
р-п-р
500
50
160
-
100
-
КТ61З8Д
р-п-р
500
50
120
-
100
-
КТ61З9А
п-р-п
500
50
300
-
100
-
КТ61З9Б
п-р-п
500
50
250
-
100
-
КТ61З9В
п-р-п
500
50
200
-
100
-
КТ61З9f
п-р-п
500
50
160
-
100
-
КТ61З9Д
п-р-п
500
50
120
-
100
-
КТ6140А
р-п-р
400
~700
30; 15**
5
50
:s;0,05 (12 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
145
ck,
Гкэнас' Ом
Кw,дБ
t., пс
ь.,,. ь;,э
с~2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р:х, Вт
t::ltJll НС
?:40 (10 В; 100 мА)
:<>2 (10 В)
-
-
-
КТ6132
:tf~IW
85 ... 160
-
-
-
-
КТ6133, КТ6134, KT613S
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
~IJ:~
85 .. .160
-
-
-
-
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
11')
~-•
~
11<')
....,..
50 ... 500
-
-
-
-
50 ... 500
-
-
-
-
50 ... 500
-
-
-
-
50 ... 500
-
-
-
-
?:50 (10 В; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
KT613S-9
?:50 (1О В; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
4,6
~50 (10 В; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
~
.t
?:50 (1ОВ; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
~
?:100 (10 В; 50 мА)
-
:<>12; 16*
-
-
?:50 (1ОВ; 20 мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
:<>2 (0,8 ГГц)
-
ЗI~
~ ~jll O.SS
448 1.S
1,5
100... 300 (1 В; 10 мА)
S4,5
:<>8
-
-
КТ6136, КТ6137
~IJ:~
100... 300 (1 В; 10 мА)
:S4
:S6
-
-
11')
~-
~
11<')
.....,
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
КТ6138, КТ6139, КТ6140
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40... 600 (!О В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
~IJ:~
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
11')
~-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
~
11<')
....,..
28."198 (5 В; 1 мА)
:<>1,7 (10 В)
:<>50
-
-
10 зак. 9

146
Раздел 2. БиnОЛRрНые транзисторы
Ркmах•
~. ~%!••
Uкoomax•
lк '""'
1
•кю•
Тип
Струк-
Р=. т max'
С1з•
trlCЭR ......
UЭБО max•
i
1~.
прибора
тура
Р;, н mu•
Сх•
V-кэо ..... •
в
1:.н max•
Гкэо,
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ6141А9
п-р-п
500
~3200
20
3
50
-
КТ6141Б9
п-р-п
700
~3200
20
3
70
-
КТ6142Л
1
п-р-п
600
6000
20
3
70
1
-
КТ6142Б
п-р-п
600
4000
25
3
100
-
1
КТ616А
п-р-п
0,3 Вт
~00
20*
4
400 (600*)
:515 (10 В)
КТ616Б
п-р-п
0,3 Вт
~00
20*
4
400 (600*)
:S15(IOB)
1
1
КТ617А
п-р-п
0.5 Вт
~150
30
4
400 (600*)
:55 (30 В)
IП618А
п-р-n
0,5 Вт
~40
зоо
5
100
:550* (250 В}
1
1
1
11
КТ620А
р-п-р
0.225 Вт
~200
50
з
400
:55 (50 В)
КТ620Б
р-п-р
0,5 Вт
~00
50
4
400
:55 (50 В)
IП624А-2
п-р-п
1Вт
~450
30
4
1000 (1300*)
:5100 (30 В)
1
КТ624АМ-2 п-р-п
1Вт
~450
30
4
1000 (1300*)
:5100 (30 В)
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
147
с,,
rкэнас• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
ь.,,. ь;,э
с~2э'
r~н•с' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р;~х' Вт
t:•ыlUI' НС
~50 (10 8: 50 мА)
-
~14** (О,5 ГГц)
:53,6 (О,5 ГГц)
-
1
КТ6141-9
~50 (10 8: 50 мА)
-
~9** (0,8 ГГц)
:54 (0,8 ГГц)
-
~i
~50 (!О 8; 50 мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
:53 (0,8 ггц)
-
КТ6142
~40 (10 8; 50 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:53 (0,8 ГГц)
-
tf
1
~~~
1
~
~
!
~40* (18; 0,5 А)
:515(108) 1
:Sl ,2
-
:550*
КТ616
~25* (18; 0,5 А)
:515 (10 8)
:Sl ,2
-
:515*
145,81/
;fi кфз
5
~30* (2 8: 0.4 AI
1 :515(108) j
:57
:5120
1
КТ617, КТ618
-
!
1
1
i
1
'
1
1
1
1
1
i
i
1
1
1
~бf
1
$
~30* (40 8; 1 мА)
:57 (40 8)
-
-
-
~
НЮ* (1О 8; 10 мА)
-
:52,5
-
-
КТ620
30... 100* (5 8; 0,2 А)
-
:52,5
-
1
:5100*
1
1
1
i
1
:No6~)3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
к
30.. .180* (0,5 8; 0.3 А)
:515 (5 8)
:59
-
:518
КТ624
1
1
~~и
1
1
/1\ t:::. 1
5К3
30... 180* (О.5 8; 0,3 А) 1 :515 (5 8)
:59
-
:518
КТ624М
1
3
1
-~~
К53
10·

148
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax'
~•• ~216•
UKБOma''
IKmax
•кw•
Тип
Струк-
Р;,тmах•
(;,j.
U~Rmax•
UЭБOmct).•
J~. и max•
·~ЭR•
прибора
тура
р;~нmах•
~~;)..
u~ma).'
в
·~·
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ625А
n-p-n
1Вт
~200
40* (5к)
5
1000 (1300*)
:530 (60 В)
1
1
1
1
~
1
1
1
1
!
1
КТ625АМ
n-p-n
1Вт
~200
60
5
1000 (1300*)
:530 (60 В)
КТ625АМ-2 n-p-n
1Вт
~200
60
5
1000
:530 (60 В)
КТ626А
p-n-p
6,5 Вт (6О0С)
~75
45
4
500 (1500*) 1
:510 (30 BI
КТ626Б
1
6.5 Вт (6О0С)
~75
60
4
500 (1500*) 1
:5150 (30 В)
p-n-p
IKT626B
p-n-p
6,5 Вт (6О0С)
~45
80
4
500 (1500*) 1 :51 мА (80 В)
KT626f
p-n-p
6,5 Вт (60°С)
~45
20* (О,lк)
4
0,5 (1,5*) А
:5150 (20 В)
КТ626Д
p-n-p
6,5 Вт (60°С)
~45
20* (0,1 к)
4
0,5 (1,5*) А
:5150 (20 В)
КТ629А-2
p-n -p
1 Вт (80°С)
~250
50
4,5
1000
:55 (50 В)
КТ629Б-2
p-n -p
1 Вт (80°С)
~250
50
4,5
1000
:55 (50 В)
1
1
1
1
i
1
КТ629БМ-2 1 p-n -p
1
1Вт
~250
50* (1 к)
4,5
1000
1
:55 (50 BI
1
1
КТ630А
n-p -n
0,8 Вт
~50
120
7
1000 (2000*)
:51 (90 В)
КТ630Б
n-p-n
0,8 Вт
~50
120
7
1000 (2000*)
:51 (90 В)
КТ6308
n-p -n
0,8 Вт
~50
150
7
1000 (2000*)
51 (90 В)
KT630f
n-p-n
0,8 Вт
~50
100
5
1000 (2000*)
:51 (40 В)
КТ630Д
1 n-p-n
0,8 Вт
~50
60
5
1000 (2000*)
:51 (40 BI
КТ630Е
1 n-p-n 1
0,8 Вт
~50
60
5
1 1000 (2000*)
1
:51 (40 8)
h
1
1
1
1
1
1
'
1
1
!
i
1
1
КТ630А-5
n-p-n
800
~50
120
1
7
1А(2*А)
:5100 (120 В)
КТ630Б-5
n-p -n
800
~50
120
7
1А(2*А)
:5100 (120 В)
КТ6308-5
n-p -n
800
~50
150
7
1А(2*А)
:5100 (120 В)
KT630f-5
n-p -n
800
~50
100
5
1А(2*А)
:5100 (100 В)
КТ632Б
p-n -p ! 0.5 Вт (45°С)
~200
1
120* (lк)
5
100 (350*1
:51 (120 В)
1
1
!
1
1
1
!
:
1
!1
1
1
!

Биполярные кремниевые транзисторы
149
1
1
1
1
'
~
с,,
rКЭнас• Ом
Кш1 дБ
1
LK, пс
i
h",, h~IЭ
с;21•
г~нас• Ом
r;, Ом
t:ac• НС
1
Корпус
1
1
пФ
к;.·,.. дБ
1
Р;:"' Вт
t::кn' НС
20...200* (1 В; 0,5 А)
s9(10B)
:52,4
-
:560
КТ625
2,2
1,5
~~d
1'\~
1
5к3
20...200* (1 В; 0.5 А)
1
:59(108)
:52,4
-
:560
1
КТ625М
20...200 (1 В; 0,5 А)
:59 (10 В)
:51,3
1
-
:560
J
1
1
-~~
К53
40 ... 260* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В)
:52
-
:5500
КТ626
30... 100• <2 в; 0.15 А) :5150 (10 В)
:52
-
:5500
15...45* (2 В; 0,15 А)
:5150 (10 В)
:52
-
:5500
Q;
15... 60* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В)
:52
-
:5500
Е:
40...250* (2 В; О, 15 А) :5150 (10 В)
:52
:5500
:::.: .
·8
-
:~
1
i
1
i
1
1
1
!
!
1
1
1
25...150* (5 В; 0.5 А)
:525(10В) 1
:52
-
90*
КТ629А-2, КТ629М
25". 150• (5 В; 0.2 А)
:525 (10 В)
:52
-
-
25... 150* (1,2 В; 0,5 А) :525 (10 В)
:52
-
90*
1.2
1.2
~~,~d
6к3
1
1
1
1
1
40...120* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
КТ6ЗО
80".240* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
40".120* (10 В; 150 мА) :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
~fWкфэ
40".120* (IO В; 150 мА) :515 (IO В)
:52
~5*
:5500**
80."240* (1 О В; 150 мА) :515 (10 В)
:52
~5·
:5500**
160.. .480* (10 В; 150 мА) :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
40".120 (10 В; 0,1 А)
:515 (10 В)
:53,3
-
-
КТGЗО-5
80."240 (1 О В; 0.1 А)
1
:515 (10 В) 1
:53,3
-
-
40".120 (10 В; 0.1 А)
:515 (10 В)
:53,3
-
-
1
0,32
40...120 (10 В; 0,1 AJ
! :515 (10 В)
:53,3
-
-
~шт
1
1
1
1
~50(1В;1мА)
:55 (20 В)
:525
-
:5100
КТ6З2
1
1
1
:РiкФэ
!
!
~

150
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~р• (216,
UKБOmax•
lк max
lкю•
Тип
Струк-
Р;, т max•
~:;1з•
U~Rmax•
UЭБОmах•
••
·~Rt
р~~иmах•
с·
u~max•
в
К, н max•
•••
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ6З2Б-1
1
р-п-р
350 (40°С)
>200
120* (1 к)
5
100 (350*)
~1 (120 В)
КТ6З2В-1
р-п-р
350 (40°С)
>200
120* (1 к)
5
100 (350*)
~1 (120 В)
'
КТ6ЗЗА
п-р-п
1,2 Вт
;?:500
30
4,5
200 (500*)
~10 (30 В)
КТ6ЗЗБ
п-р-п
1,2 Вт
;?:500
30
4,5
200 (500*)
~10 (30 В)
1
КТ6З4А-2
п-р-п
1,2 Вт
;?:1500
30
3
150 (250*)
~О.5 мА (30 В)
КТ6З4Б-2
п-р-п
1,3 Вт
;?:1500
30
3
150 (250*)
~1мА(30В)
1
КТ6ЗSА
п-р-п
0,5 Вт
;?:200
60
5
1 (1,2*) А
~30 (60 В)
КТ6ЗSБ
п-р-п
0,5 Вт
;?:250
60
5
1 (1,2*) А
~30 (60 В)
КТ6З7А-2
п-р-п
1,5 Вт
;?:1300
30
2,5
200 (300*)
~0.1 мА (30 В)
КТ6З7Б-2
п-р-п
1,5 Вт
;?:800
30
2,5
200 (300*)
~2мА(30В)
;
КТ6З8А
п-р-п
500
;?:200
110
5
100 (350*)
~0.1 мА (110 В)
КТ6З8А1
п-р-п
500
;?:200
120
5
100
~0.1 (120 В)

БunОЛRрные кремниевые транзисторы
151
1
ck.
l'кэнк• Ом
J[w•No
t'll , вс
1
1
hi1э• ь;IЭ'
1
с;2.•
"~_.ом
·~·Ом
t;... нс
Корпус
пФ
к.;~". д:Б
..-:.. Вr
t:.... ·~
50...350 (1 В; 1 мА)
:S:5 (20 В)
$25
-
SIOO
1
КТ632-1
150...450 (1О В; 1мА)
s5 (20 В)
$25
-
2000*
1
~IJ:tiЩ
1
1
1
i
1
1
~
~.
~
111)
... .....
40... 140 (1 В; 10 мА)
:!>4,5 (10 В)
s5
sб (20 мГц)
$30*
IП633
20...160 (l В; Ш мА)
:!>4,5 (10 В)
$5
s6 (20 мГц)
$30*
:Itщ3
1
-
1
s2,5 Н5 В) 1 ~1.4** (5 ГГц)
~.2** (5 ГГц)
s2
КТ634-2
-
S3 (15 В)
~1.4** (5 ГГц)
~.45** (5 ГГц)
SЗ,5
6 '\f
~:lзtw
~1 \.1!~1
25... 150* (1 В; 0,5 А)
:!>15 (10 В)
$1
-
s58; s60**
КТ635
20... 150* (I В; 0,5 А)
sIO(lOB}
SI
-
:!>58; Sб()**
1
i
;Ефкщэ
i
1
1
1
1
1
1
1
30... 140* (5 В: 50 мА) $4,5 (15 В)
-
~.5** (3 ГГц)
$3
IП637-2
30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В)
-
~.25** (3 ГГц)
SI5
~~~
1
~1 \.jft!1
1
1
1
1
1
50...350 (1 В; 10 llfA) 1 S8 f20 В)
$25
-
1
S25 tl* мкс}
КТ&38
1
i
1
§~
~50(10В;2мА)
sб
S25
11П638А1
1
;fWкщэ
1
1
1
1
1
1
i

152
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Струк-1 pKmax'
~•• ~216•
UKБOmax•
lкmax
lкоо•
Тип
Р;,тmах•
(;lэ•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,и max•
·~R•
прибора
тура 1
р~~ и max•
с·
u~max•
в
•••
."
мА
кэо•
1
мВт
Мfц
в
мкА
КТ639А
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
45
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639Б
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
45
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639В
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
45
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
KT639f
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
60
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639Д
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
60
5
1 1,5А(2*А) 1
:50,1 (30 В)
КТ639Е
р-п-р 1
1 Вт (35°С)
~80
100
5
1.5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
КТ639Ж
р-п-р
1 Вт (35°С)
~80
100
5
1,5А(2*А)
:50.1 (30 В)
КТ639И
1
р-п-р
1 Вт (35°С)
~80
30
5
1,5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
i
КТ639А-1
1
1
500 (30** Вт)
~80
45
5
1,5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
1
р-п-р
1
КТ639Б-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
45
1
5
1
1.5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639В-1
р-п-р
500 (30** Вт) 1
~80
45
1
5
1.5А(2*А) 1
:50,1 (30 В)
1
1
KT639f-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
60
1
5
1 1,5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
КТ639Д-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
60
5
1 1.5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
КТ639Е-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
100*
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639Ж-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
100*
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639И-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
30
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ640А-2 1
1
0.6 Вт (6О 0С)
~3000
25
!
3
60
1
:50,5 мА (25 В)
п-р-п
КТ640Б-2 ! п-р-п
0.6 Вт (6О 0С)
~3800
25
3
60
1 :50.5 мА (25 В)
КТ640В-2 i
0.6 Вт (60°С)
~3800
25
3
1
60
1
:50,5 мА (25 В)
п-р-п
1
1
1
1
i
1
1
КТ642А-2
п-р-п
500
-
20
2
1
60
:51 мА (20 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ642А-5
п-р-п
500
-
20
1
2
60
:51 мА (20 В)
1
1
КТ64ЗА-2
п-р-п
1, 1 Вт (50°С)
-
25
3
120
:51 мА (25 В)
1
КТ644А
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
60
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
КТ644Б
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
60
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
КТ644В
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
40**
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
KT644f
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
40**
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
1
1
1
1
1
1
i!
1
!

Биполярные кремниевые транзисторы
153
ck,
rкэнас' Ом
кw,д6
tk, пс
hz," ь;,э
с;2з'
r;Эиас' Ом
r;, Ом
t;,.c, НС
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р;:" Вт
t::IUI, НС
40...100* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
КТ639
63...160* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
100... 250* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
;и;
40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
:-~
63...160* (2 В: 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
60...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
180.. .400* (2 В; О, 15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
40... 100 (2 В; 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
КТ639-1
40...160 (2 В; 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
90...160 (2 В; 0.15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
~tm5t
40".100 (2 В: 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
63".160 (2 В; 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
40".100 (2 В; 0,15 А)
550 "О В)
51
-
5200*
63".160 (2 В; 0.15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
180".400 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
к
58 (6 ГГц)
КТ640-2
~15*(5В;5мА)
51,3 (15 В)
~6** (7 ГГц)
~О.1 ** (7 ГГц)
0,6
~15*(5В;5мА)
51,3 (15 В)
~6** (7 ГГц)
~О.1 ** (7 ГГц)
1
~IНр.
~15*(5В:5мА)
51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц)
~О.08** (7 ГГц)
1
...
О)
•
6
з
1
-
51,1 (158) ~3.5** (8 ГГц)
~0.1** (8 ГГц)
-
КТ642-2
~No
-
51,1 (15 В) ~3.5** (8 ГГц)
~0.1** (8 ГГц)
-
КТ642-5
0,45
0,1
~шт
-
51,8 (15 В)
-
~О.48** (7 ГГц)
-
КТ643-2
~No
40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (IO В)
52,7
-
5180*
КТ644
100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В)
52,7
-
5180*
40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В)
52,7
-
5180*
;~.
100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В)
52,7
-
5180*
:-~

154
Раздел 2. Биполярные транзи.сторы
Рк max' ·
\р. \216•
UКБО m.axt-
lк max
•кво•
Твп
Струк-
Р~. тm.ax'
~;lэ'
U"'КЭR m.axr
UЭБО max'
1:.к max"
rКЭR,
прибора
тура
PiZ' н max•
t:x'
U-кэо max'
в
rкэо,
мВт
м:rц
в
мА
мкА
КТ645А
п-р-п
0,5 {I*) Вт
2:200
60
4
0.3 А; 0.6* А
::;Ю tбО В)
IП645Б
n-p-n
500
2:200
40
4
300 (600*)
::;IO (40 В)
'
1
1
1
1
1
1
1
!
!
1
1
1
1
IП&4&А
n-p -n
l (2,5*) Вт
2:200
60
4(5)
lА;1,2 "А
::;10 (60 В)
IП&451t
п-р-п
1Вт
2:200
40
4
t А; 1,2" А•.
$:10 (40 В)
IПM&IJ
п-р-п
1Вт
2:200
40
4
rА;1,2"А
$:JO (40 В)
IП&47А-2
п-р-п 1
560
-
18
2
!Ю
$:! мА (18 В)
1
1
1
1
j!
1
IП&47А-5
n-p -n
560
-
18
2
90
$:1 мА (18 В)
1
1
К1'И8А-2
1
n-p-n
420
-
18
1
2
60
$:1 мА (18 В)
IП&48А-5
. n-p-n
420
-
18
2
60
$:! мА (18 В)
i
1
IT&53A
n-p -n
5Вт
2: 50
120*
7
rА
10* (120 В)
I1'&53Б
п-р-п
5Вт
~50
100*
7
1А
1€}* (IOO В)
IП557А-2
n-p -n
375 {ОО"С)
2:3 rrц
12*
2
60
$:1* мА 02 В)
П5575-2 1 n-p -n
375 (бО"С)
2:3 Гfц
12*
2
60
$:l* мА (12 В)
I1'~%. ! n.р-в
375 (ОО'С)
2:3 fГц
12*
2
60
:>l*мA(l2B)

Биполярные кремниевые транзисторы
155
ck,
rкэнк• Ом
Кш, дБ
т., пс
h21.• ь;,э
с;2.•
r~Энас.:• Ом
r;, Ом
t~c' НС
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;~х' Вт
t::кл, НС
20...200* (2 В; 0,15 А) 1 $5 (10 В)
$3,3
-
$120; $50*
1
КТ645
1
~80110В:2мА)
1 $5(10В)
1
-
-
-
1
~f,~
1
1
1
j
1
1
1
1
1
!<')
~-•
~•
'r)
-~
40...200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В)
$1,7
-
$120; $60*
КТ646
150... 200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В)
$1,2
-
$120; $60*
150... 300* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В)
$0,06
-
$120; $60*
~~: ·~
-
$1,5 (15 В) ~3** (10 ГГц)
0,2** (10 ГГц)
-
КТ647-2
1
i
{f~!W
-
$1,5 (15 В) ~3** (IO ГГц)
0,2** (10 ГГц)
-
КТ647-5
1
1
0,45
0,1
1
1
нЕJТ
1
i
1
!
1
1
-
$1,5 (IO В) ~3** (12 ГГц)
0,04** (12 ГГц)
-
КТ648-2
i
{f~!W
-
$1,5 (10 В) ~3* * (12 ГГц)
~О.04** (12 ГГц) i
-
КТ648-5
1
1
1
1
0,5
0,1
1
~шт
40...150 (10 В; 150 мА) $20 (10 В)
$3,3
$1 •• мкс
КТ65З
80...250 (IO В: 150 мА) $20 (10 В)
$3,3
$1 ** мкс
1
1
1
;~хф
i $1,1 (15 В)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц) 1
КТ657-2
-
1
-
60...200 (6 В: 30 мА) $1,1 (15 В)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц) 1
-
35... 70 (6 В; 30 мА)
! $1,1 (15 В)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц) 1
-
{f~
1
1
6

1
i
!
156
Тип
прибора
КТ657А-5
КТ657Б-5
КТ657В-5
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
j КТ666А-9
КТ667А-9
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1 р-п-р
;
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1
п-р-п
п-р-п
1
i
:
1 п-р-п
i
1
!
!
р-п-р
1
1
1
1
'1
i
1
1
1
1
1
1
pKmax'
Р~.тmах•
р~:и max•
мВт
375
375
375
1Вт
0.5 Ет
0.5 Вт
0,4 Вт (1,8* Вт)
0,6 Вт (3* Вт)
300(1*Вт)
300(1•Вт)
300 (1 *Вт)
300(1• Вт)
300(1•Вт)
300(1*Вт)
1
1
1
i
1
1
~Р' \21б'
~;lj'
~~·;х,
Мfц
~3 ГГц
~3 ГГц
~3 ГГц
~300
~200
~200
~200
~200
~50
~50
~50
~50
~60
~40
'
1
1
1
1
UKБ0m.1x•
U~Rm11x•
U~Omax•
в
12*
12*
12*
60
50
30
60
60
120
100
120
100
300
300
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i
!
1
1
1
!
1
1
1
1
1
i1
1
UЭБО max•
в
2
2
2
6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IKma"
1:.и max•
мА
60
60
60
1,2 А
0,8 А
0,8 А
lкw•
J~R'
1··
кэо•
мкА
$1* мА (12 В)
$1* мА (12 В)
$l*мА(12В)
$0,5 мА (60 В)
$1 (50 В)
$1 (30 В)
J 0,3А;0.6*А 1 $0.01 мА(50В)
1
1
1
1
1
1
0,4 А; 0,6* А $0,01 мА (50 В)
1
:1
1
!1
1
1
1
1A(l,5*A)
$10 (100 В)
IA(l,5*A)
$10 (100 В)
1
1А(1,5* А)
$10 (100 В)
1А(1,5* А)
$10 (100 В)
1
1
'
20 (50*)
1
$0.1 мА (300 BJ
!
1
i
'
i'!
20; 50*
$0,1 (300 В)
!
1
1
1
i
!
1
~

Биполярные кремниевые транзисторы
157
'
1
1
j
ck,
rкэнас' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
1
h2," ь;,э
с;2э'
r~на... • Ом
r;, Ом
t~al.'t НС
Корпус
пФ
к:.·•.. дБ
Р;:,, Вт
t::кл• НС
-
$1,1 (158)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
-
КТ657-5
60 ... 200 (6 8; 30 мА) $1,1 (158) ~8** (2 ГГц)
~0.05•• (2 ГГц)
-
0,5
0,1
35...70 (6 8; 30 мА)
$1,1 (158)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
-
~шт
~35* (1 8; 0,3 А)
$10 (10 8)
$9
-
$80**
КТ659
$кщэ
110... 220* ( 10 8; 0,2 А) $10 (10 8)
$1
-
-
КТ660
200...450* (1О 8; 0,2 А) $10 (10 8)
$1
-
-
~!f-~
~
~
~
~
100... 300* оо 8; 0.15А)1 $8 (10 8)
$3,2
-
$150**
КТ661
5....
з
~ офК
~
,....
100... 300* (IO 8; 0,15 А) $8 (10 8)
$3,2
-
$200**
КТ662
1
:Еiкщэ
40...250 (2 8; О,1А)
$25 (5 8)
$2,3
-
$700**
КТ664-9, КТ665-9 -
40...250 (2 8; 0,1 А)
$25 (5 8)
$2,3
-
$700**
4,6
-
1.6
~~~!
40...250 (2 8; О,15 А)
$25 (5 8)
$2
-
-
...
}дч
40...250 (2 8; 0.15 А)
1
$25 (5 8)
$2
-
~ 1о1~ !ss
-
-
448. ~5_
1,5
~50(IO8;5мА)
-
$80
-
-
КТ666А-9, КТ667А-9
1/,6
Ф=t
~50(108;5мА)
-
$80
-
-
ЗI~ s.... t5
дч
1
1
~1о1~o.ss
1
1
448 ~5_
1,5
1
i
1

158
Раздел 2. Биполярные транзисторы
iСтрук-1 Ркmах'
~р• \210•
UКБО max'
lк max
JКБО•
Тип
Р~. тmax'
~:;lз•
U~Rmax•
UЭБО max•
••
J~R•
прибора
тура 1
р~~и max•
~;;х,
U~Oma).'
в
К, и max•
•••
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ668А
p-n-p
0,5 Вт
~200
50
5
0,1 А
~15 нА (30 В)
КТ668Б
p-n-p
0,5 Вт
~200
50
5
0,1 А
~15 нА (30 В)
КТ6688
р-п-р
0,5 Вт
~200
50
5
0,1 А
~15 нА (30 В)
1
КТ680А
1 n-p-n
350 (85"С)
~120
30
5
0,6А(2*А)
~10 (25 В)
КТ681А
р-п-р
350 (85"С)
~120
30
5
0,6А(2*А)
~10 (25 В)
КТ682А-2
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~1 (lOB)
КТ682Б-2
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~1 (10 В)
КТ682А-5
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~100В)
КТ682Б-5
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~100В)
КТ68ЗА
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
150* (3к) .
7
1А;2*А
~1 (90 В)
КТ68ЗБ
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
120* (3к)
7
1А;2*А
~1 (90 В)
КТ68ЗВ
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
120* (3к)
7
1
1А;2*А
1
~1 (90 В)
КТ68ЗГ
1 n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
100* (3к)
5
1
1А;2*А
~1 (40 В)
КТ68ЗД
1 n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
60* (3к)
5
1А;2*А
~1 (40 В)
КТ68ЗЕ
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
60* (3к)
5
1А;2*А
~1 (40 В)
КТ684А
p-n-p 1
0,8 Вт
~40
45* (1 к)
5
1А(1,5*А)
~0.1 (30 В)
КТ684Б
p-n-p
0,8 Вт
~40
60* (lк)
5
1А{1,5*А)
~0.1 (30 В)
КТ6848
p-n-p
0,8 Вт
~40
100* Ок)
5
1А0.5*А)
~О.1 (30 В)
КТ684Г
p-n-p
0,8 Вт
~40
30
5
1А0.5*А)
~0.1 (30 В)
1
КТ685А
p-n-p
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~О.02 (50 В)
КТ685Б
р-п-р
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~0.01 (50 В)
КТ685В
р-п-р
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~О.02 (50 В)
КТ685Г
p-n -p
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~О.01 (50 В)
КТ685Д
p-n-p
0,6 Вт
~350
30
5
0,6 А
~О.02 (25 В)
КТ685Е
p-n-p
0.6 Вт
~250
30
5
0,6 А
~О.02 (25 В)
КТ685Ж
p-n -p
0,6 Вт
~250
30
5
0,6 А
~О.02 (25 В)
КТ686А
p-n-p
0,625 {1,4*) Вт
~100
50* (О)
5
0,8 А (1,5* А)
~О.1 (45 В)
КТ686Б
p-n-p
0,625 0 .4*) Вт
~100
50* (О)
5
0,8 А (1,5* А)
~0.1 (45 В)
КТ6868
p-n-p
0,625 0,4*) Вт
~100
50* (О)
5
0,8 А (1,5* А)
~0.1 (45 В)
КТ686Г
p-n-p
0,625 (1,4*) Вт
~100
30* (О)
5
0,8А0,5*А)
~0.1 (25 В)
КТ686Д
p-n-p
0,625 0.4*) Вт
~100
30* (О)
5
0.8А0.5*А)
~0.1 (25 В)
КТ686Е
! р-п-р
0,625 0 .4*) Вт
~100
30* (О)
5
0,8 А 0,5* А)
~0.1 (25 В)
КТ686Ж
1 p-n-p
1 0.625 (1,4*) Вт
~100
30* (О)
5
0,8А0,5*А)
~0.1 (25 В)
!
1
1
1
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
1
1
75...140 (5 В; 2 мАI
125...250 (5 В; 2 мА)
220...475 (5 В; 2 мА)
85... 300* (1 В; 0,5 А) 1
i
1
85...300• о в; о.5 AJ · j
40...45 (7 В; 2 мА)
80...120 (7 В; 2 мА)
S7
S7
S7
S0,9 (!О В)
~9 (10 В)
40...45 (7 В; 2 мАt 1 S0,9 (IO В)
80...120 (7 В; 2 мА) 1 SO.~ (!О В)
40.. .1 20* (IO В; 0,15 А)
80...240* (10 В; 0,15 А)
40... 120* (10 В; 0,15 А)
40.. .1 20* (IO В; 0.15 А)
80...240* (IO В; 0.15 А)
160.. .480* (10 В; 0,15 А)
40 ...250* (2 В; 0,15 А)
40.. .160* (2 В; 0,15 А)
40.. .1 60* (2 В; 0,15 А}
180.. .400 (2 В; 0,15 А)
40.. .120* (10 В; 0,15 А)
40.. .120* (10 В; 0.15 А)
100... 300* (10 В; 0.15 А)
100...300* (10 В; 0,15 А)
70...200* (1 В; 0,15 А)
40...120* (1 В; 0,3 А)
100...300* ( 1 В: 0.3 А)
100...250* (1 В; 0,1 М
160...400* (1 В; 0,1 А)
250...630* (l В; 0,1 А)
100...250* (1 В; 0,1 А)
160...400* (1 В; 0.1 А)
250... 630* (1 В: 0.1 А)
1
1
1
100...250* (1 В: 0,1 А) 1
1
1
Sl5 (IO В)
Sl5 (10 В)
S15 (10 В)
Sl5 (10 В)
S15 (IO В)
Sl5 (10 В)
s50 (10 В)
S50 (10 В)
SSO (10 В)
S50 (10 В)
$800В)
$8 (10 В)
S8 (10 В)
S8 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (IO В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (!О В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
rкэ""' Ом
r~иас• Ом.
к;::,_• .1.Б
s6.5
S6,5
S6,5
S0,5
S0,5
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
S3; sб.6*
S3; S6.6*
S3; S6.6*
S3; S6.6*
S3; S6.6*
S3; Sб.6*
Sl
Sl
sl
SI
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Кш, .1.Б
r;, Ом
Р:х' Вт
SIO (!кГц)
SIO (!кГц)
SIO (!кГц)
S4 (3,6 ГГц)
S4 (3,6 ГГц)
4 (3,6 ГГц)
S4 (3,6 ГГц)
S8*
S8*
S8*
S8*
S8*
S8*
1
т•• пс
t;...,, вс
t:.IUI, НС
S500**
s500**
S500**
s500**
S500**
S500**
S80*
S80*
S80*
S80*
S80*
Sl50
Sl50
159
Корпус
КТ668
КТ680, КТ681
КТ682-5
0,4
0,1
~rВТ
КТ684
КТ685
КТ&86

160
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~•• \210•
UКБО max'
lкmax
lкоо•
Тип
Струк-
P~.тmaxt
~:;lз'
U~Rmax'
UЭБОmах'
•:,м max'
I:СЭн•
р~~ н max•
с·
u~max•
в
•••
прибора
тура
."
КЭО•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ692А
р-п-р
1Вт
~200
40
5
lA
sO.l (30 В)
1
1
1
1
1
1
КТ695А
п-р-п
450
~300
30
4
30
SO,l (30 В)
КТ698А
п-р-п
600
~150
90*
4
2А
S20* (90 В)
КТ698Б
п-р-п
600
~150
70*
4
2А
S20* (70 В)
КТ698В
п-р-п
600
~150
50*
4
2А
S20* (50 В)
KT698f
п-р-п
600
~150
30*
4
2А
S20* (30 В)
КТ698Д
п-р-п
600
~150
12*
4
2А
S20* (12 В)
КТ698Е
п-р-п
600
~150
12*
4
2А
S20* (12 В)
КТ698Ж
п-р-п
600
~150
120*
4
2А
S20* (120 В)
КТ698И
п-р-п
600
~150
160*
4
2А
S20* (160 В)
КТ698К
п-р-п
600
~150
200*
4
2А
S20* (200 В)
КТ704А
п-р-п
15* Вт (50"С)
~3
500* (!ООО имп.)
4
2,5 (4*) А
S5* мА (1000 В)
КТ704Б
п-р-п
15* Вт (50"С)
~3
400* (700 имп.)
4
2,5 (4*) А
S5* мА (700 В)
КТ704В
п-р-п
15* Вт (50"С)
~3
400* (500 имп.)
4
2,5 (4*) А
S5* мА (500 В)
1
КТ708А
р-п-р
5Вт
~3
100; 80*
5
2А
-
КТ708&
р-п-р
5Вт
~3
80; 60*
5
2А
-
КТ708В
р-п-р
5Вт
~3
60; 40*
5
2А
-
КТ709А
р-п-р
30 Вт
~3
100; 80*
5
10А
-
КТ709Б
р-п-р
30 Вт
~3
80; 60*
5
10А
-
КТ7098
р-п-р
30 Вт
~3
60; 40*
5
10А
-
КТПОА
п-р-п
50* Вт (50"С)
-
3000* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
S2 мА (3000 В)

Биполярные кремниевь1е транзисторы
161
ck,
rкэ••,. Ом
Кw1 дБ
t., пс
h21.• ь;,э
с;2з•
r~нас• Ом
r;, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к;.",.• дБ
Р;~х' Вт
t::IUI, НС
~20(1В;0,5А)
s20 (30 В)
sl
-
s90**
КТ692А
1
~кфз
1
50...200 (10 В; 1 мА)
Sl,5 (10 В)
-
-
-
КТ695А
~tm.tк
~20*(5В;1А)
1
s74 (5 В)
so.12
-
S245*
КТ698
~20*(5В;1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
S245*
~50*(5В; 1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
S245*
~50*(5В;1А)
S74 (5 В)
$0,12
-
S245*
~I!:~
~50*(5В;1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
$245*
~50*(5В; 1А)
S74 (5 В)
s0,12
-
S245*
~30*(5В;1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
S245*
~30*(5В;1А)
.s74 (5 В)
s0,15
$245*
~
.. : :t-•
•
-
~
~
~30*(5В; 1А)
s74 (5 В)
S0,17
-
S245*
.. ..,
10.. .100* (15 В; 1 А)
s50 (20 В)
S2,5
-
-
КТ704
10... 100* (15 В; 1 А)
s50 (20 В)
$2,5
-
-
~10*(15В; 1А)
s50 (20 В)
$2,5
-
-
~ttll
-
к
.
~. t::: 1~5
~500
-
Sl
КТ708
~700
-
Sl
~700
-
Sl
;[фкфз
$1
.sl
.Sl
~500
-
Sl
КТ709
~700
-
Sl
~700
-
$1
11~
°'No· ~
О\
......
-
-
"=>
.,..,
.
g
к
~3.5(10В;4А)
-
S0,9
-
30000*
КТ710
п1~
~ffli ~
~
к
11 зак. 9

162
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
Рк,...•
f,,,.~,••
Uкоо .... •
lк ....
Iкво,
Тип
Р~.т maxt
~~lз'
1Гкэи...,х•
UЭБО .... •
1;. М IПl'Xt
1~,
прибора 1
тура
р;: •шах'
Сх,
1Г"кэо...,,•
в
1~,
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ712А
p-n-p
1,5 (50*) Вт
~з
200
5
10 (15*) А
Sl мА (200 В)
КТ7125
p-n-p
1,5 (50*) Вт
~з
160
5
10 (15*) А
SI мА (160 В)
1
КТ715А
n-p-n
75* Вт (5О0С)
~0,45
5000
5
2А
Sl мА (5000 В)
1
КТ716А
n-p -n
1 Вт {60 Вт*)
~6
100
5
8А
s0,1 мА
КТ7165
n-p -n
1 Вт (60 Вт*)
~6
80
5
8А
SO,I мА
КТ716В
1
n-p -n
1 Вт (60 Вт*)
~6
60
5
8А
SO,I мА
КТ716f
n-p-n
1 Вт (60 Вт*)
~6
45
5
8А
SO,I мА
1
КТ719А
n-p -n
10* Вт
~з
120
5
1,5 А
-
КТ720А
p-n -p
10* Вт
~з
120
5
1,5А
-
КТ721А
n-p -n
25* Вт
~з
120
5
1,5 А
-
КТ722А
p-n -p
25* Вт
~з
120
5
1,5 А
-
КТ723А
n-p-n
60* Вт
~з
120
5
IOA
-
-КТ724А
p-n -p
60* Вт
~з
120
5
IOA
-
КТ728А
n-p -n
115* Вт
~2.5
60
7
15А
S0,7 мА (60 В)
КТ729А
n-p -n
150* Вт
~.2
50
5
30А
S2мА(50В)
КТ729Б
n-p -n
150* Вт
~.2
100
7
20А
s5 мА (100 В)
i
1
1

1
1
1
Биполярные кремниевые транзисторы
h21.• ь;,э
~500•(5В:2А)
~400*(5В;2А)
1
1
i
1
~15 (10 В; 0,2 А)
~750(5В;5А)
~750(5В;5А)
~750(5В;5А)
~750(5В;5А)
~20 (2 В: 0,15 А)
~20(2В:0.15А) 1
1
~20(2В: 1А)
~20(2В; 1А)
~20(5В;5А)
~20(5В;5А)
20...70 (5 В; 4 А)
15... 60* (4 В: 15 А)
15...60 (4 В; 10 А)
11'
с••
с;2.•
пФ
-
-
-
150 (5 В)
150 (5 В)
150 (5 В)
150 (5 В)
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
rкэнас' Ом
r~нас• Ом
к;_·р.• д&
$l
$1
:515
:50,4
:50,4
$0,4
$0,4
$1,2
$1,2
$0,6
$0,6
$0,4
:50,4
$0,3
$0,13
$0,14
163
Кш,д6
tк, ПС
r~. Ом
t~ac• НС
Корпус
Р;:х• Вт
t::1и1• НС
-
-
КТ712
-
-
:ft
ЗК6
-
:527500*
КТ715
~·....
~.
~
6.25
-
$7000*
КТ716
-
$7000*
-
$7000*
:ft
-
:57000*
ЗК6
-
-
1
КТ719, КТ720
11
-
-
1
1
~иw
1
1
::;.
·8
=~
-
-
КТ721, КТ722
-
-
~;
1
:·~
-
-
-
КТ72З, КТ724 ..
-
-
:fjtЗК6
1
'
1
-
1
-
1
КТ728, КТ729
~
1
1
'
1
1
1
!

164
Раздел 2. Биполярные транзисторы
PKm.ax'
Тип
Струк-
P~.Tffiil),t
прибора
тура
р~~ М W111X t
мВт
МГц
UKБOm;,кt
JK m;,к
•кw•
U~Rma).t
UЭБOm;,xt
·~'И m.aAt
·~·
u~milx'
в
г
мА
кэо•
в
мкА
КТ730А
n-p -n
150* Вт
<::0,2
160
7
16А
$2 мА (140 В)
1
!
1
i
1
:
1
1
1
~
1
1
1
!
КТ731А
n-p-n
1Вт;10*Вт
<::30
25; 20**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
КТ731Б
n-p -n
1Вт;IO*Вт
<::30
40; 35**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
КТ731В
n-p -n
1Вт;10*Вт
<::30
60; 55**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
КТ731Г
n-p -n
1Вт;10*Вт
<::30
80; 70**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
1
'
1
1
1
1
1
u
1
1
1
1
1
Jкпз2л 1
1
90* Вт
2::1
160
7
16А
0,75 мА
n-p-n j
1
1
1
20* А
(\60 В)
1
КТ733А
p-n-p
90* Вт
2::1
160
1
7
16А
0.75 мА
!1
i
1
20* А
(160 В)
'
1
1
!
'
1
'
1
'
i
i
1
ri
,,
1
~
1
1
i
!
1
i
i
i
i
i
1
1
1
КТ734А
1
40* Вт
<::3
40
1
5
! 3А;5А*
1
S0.3** (30 В)
n-p-n
1
КТ734Б
n-p -n
40* Вт
<::3
60
5
3А;5А*
s0.3* (30 в>
КТ734В
n-p -n
40* Вт
<::3
80
5
3А;5А*
S0,3* (60 В)
КТ734Г
n-p -n
40* Вт
2::3
100
5
3А;5А*
s0,3* (60 В)
КТ735А
p-n-p
40* Вт
<::3
40
5
3А;5А*
so.3 · (30 В)
КТ735Б
p-n-p
40* Вт
2::3
60
5
3А;5А*
s0.3* (30 В)
IКТ735В
1
p-n -p
40* Вт
<::3
1
80
1
5
3А;5А*
s0.3* (60 В)
КТ735Г
p-n-p
40* Вт
2::3
100
1
5
3А;5А*
S0.3* (60 В)
i
i
;
i
;
1
К1736А
1
1
65* Вт
1
<::3
40
5
1 6А; IOA*
$0,7* (30 В)
1 n-p-n
КТ736Б
1 n-p-n 1
65* Вт
<::3
1
60
5
1
6А;1ОА*
s0.7* (30 В)
1
КТ736В
1 n-p-n !
65* Вт
2::3
80
5
1
6А;10А*
S0.7* (60 В)
КТ736Г
n-p-n
65* Вт
2::3
100
5
6А;10А*
S0.7* (60 В)
КТ737А
p-n-p
65* Вт
<::3
40
5
6A;IOA*
s0,7* (30 В)
КТ737Б
p-n-p
65* Вт
<::3
60
5
6А; IOA*
S0,7* (30 В)
КТ737В
p-n-p
65* Вт
<::3
80
5
6А;10А*
s0,7* (30 В)
КТ737Г
p-n-p
65* Вт
2::3
100
5
6А;10А*
s0,7* (30 В)
1
i
i
1
КТ738А
! n-p-n
! 90Вт
<::10
70
5
10А
1
1мА(100В)
ri
1
1
1
'
i
1
i
!
1
1
i
j
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Бипопярнь1е кремниевые транзисторы
165
:
1
rкэнас' Ом
Кш, дБ
1
!
с,,
t'кt ПС
'
hz,,• ь;,э
с;2,•
r~нас' Ом
r~, Ом
1
t;_, НС
Корпус
пФ
к;~". дБ
Р;:х' Вт
t;ыкл• НС
15...60: (4 В; 8 А) !
-
~О.17
-
-
КТ730
п1~
~Noii ~·
..,.
..
-
к
~40 (10 В; 50 мА)
-
S0,5
-
-
КТ731
~40 (10 В; 50 мА)
-
S0,5
-
-
~40 (10 В; 50 мА)
-
S0,5
-
-
~иw
~30(10В:50мА) 1
-
S0,5
-
-
1
1
:·~
1
~15(2В;8А)
-
s0,25
-
-
КТ732
~8(4В;16А)
nt~
1
1
~No- ·~.
1
~15(2В:8А)
-
s0,25
-
-
КТ7ЗЗ
~8(4В;16А)
1
п1~
~Noii ·~.
~25(4В;1А)
-
s0,4
-
-
КТ734, КТ735
~25(4В;1А)
-
S0,4
-
-
~10(4В;3А)
-
s0,4
-
-
~fjt
~10(4В;3А)
-
S0,4
-
-
~25(4В;1А)
1
-
s0,4
-
-
~25(4В;1А)
-
S0,4
-
-
~
D
~10(4В;3А)
-
S0,4
-
-
ЗКI
~10(4В;3А)
-
S0,4
-
-
~30(4В;3А)
-
S0,25
-
-
КТ736, IП737
~30(4В;3А)
-
s0,25
-
-
~15 (4 В; ЗА)
-
s0,25
-
-
:ft
~15(4В;3А)
-
s0,25
-
-
~30 (4 В: ЗА)
-
S0,25
-
-
~30(4В:3А)
-
S0,25
-
-
~15 (4 В; ЗА)
-
s0,25
-
-
~15 (4 В; ЗА)
S0,25
ЗК6
-
-
-
'
20...70 (4 В; 4 А)
-
S0,3
-
SI**
КТ738
~r
1
IКЗ
-
1

166
Раздел 2. Биполярные транзисторы
iСтрук-1
!
1·
'
pKm.ax•
~•• f ,;210•
UKБOmax•
JKmax
•кw•
Тип
Р~. тmax•
~;lз•
u~RmaAI
UЭБOmdA'
J~.н max•
i ·~ЭR'
прибора ! тура 1
р~~ и m.ax•
~::х•
U~Omax•
в
l~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ739А
р-п-р
90 Вт
~10
70
5
IOA
1мА(100В)
1
КТ740А
1
п-р-п 1
125* Вт
-
200
5
20А
-
1
1
1
i
1
i
КТ740Аl
n-p-n
60* Вт
-
200
5
20А
-
!
1
1
1
'
1
1
i
1
i
~
1
1
1
Q
КТ801А
n-p -n
5* Вт (55°С)
~10
80* (О,lк)
2,5
2А
10* мА (80 В)
КТ801Б
n-p -n
5* Вт (55°С)
~10
60* (О,lк)
2,5
2А
10* мА (60 В)
!
КТ802А
1 n-p-n
50* Вт
~10; ~20
150; 180
3;5
5А
1
~60 мА (150 В)
1
1
КТ803А
n-p-n
60* Вт
~20
60* (О,!к)
4
10А
~5* мА (70 В)
КТ805А
n-p -n
30 Вт
~20
60* (160 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805Б
n-p -n
30 Вт
~20
60* (135 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805АМ 1 n-p-n
30* Вт (50°С)
~20
60* ( 160 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805БМ
1
п-р-п
30* Вт (50°С)
~20
60* ( 135 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805ВМ
n-p-n
30* Вт (50°С)
~20
60* ( 135 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
1
1
1
-
КТ807А
n-p -n
10* Вт (70°С)
~5
100*
4
0,5; 1,5* А
~5* мА (100 В)
КТ807Б
n-p -n
10* Вт (70°С)
~5
100*
4
0,5; 1,5* А
~5* мА (100 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
167
с,,
rкэ-• Ом
Kw, .11.Б
т., пс
h2," ь;,э
с;2"
r.;.. ...,, Ом
r~1 Ом
t;.., нс
Корпус
пФ
к~·". .11.&
Р:,, Вт
t:.... вс
1
20...70 (4 В; 4 А)
1
-
:50,3
-
:50, 7**
КТ739А
1
=EmT
!
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
:('
а
i
1
1
IКЗ
~30
-
:50,125
-
1
-
1
IП740А
1
~r
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
!
1
6КЗ
1
1
~30
1
:50, 125
1
!
IП740А1
-
-
-
1
1
i
ft
1
1
6113
i
1
15...50* (5 В; 1 А) 1
-
:52
1
-
1
-
1
КТ801
30...150* (5В; 1А) 1
:52
1
1
!
-
-
-
1
:~~i
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
к
~15*(10В;2А)
-
:51
-
-
ктаеz.. IП803, КТ805
~5- ,,J~
10...70* (10 В; 5 А)
:5250 (20 В)
:S0,5
-
:5190**
.~oL'(fd~
.~J1rt.
~
~11 ~~\'4~ ~
~15*(10В;2А)
1
:50,5
......
....
......:: ~
-
-
-
~15*(10В;2А)
-
:51
-
-
~15*(lOВ;2А)
-
S0.5
-
-
IПOUI
~15*(IOВ;2А)
-
Sl
-
-
:ft
~15*(ЮВ;2А)
-
$1,25
-
-
1
316
r5.. .45* (5 В; o.s AJ
-
:52
-
-
IП807
зо... rоо• (5 в: о.5 А)
-
:52
-
-
~!t~t*

168
Раздел 2. Биполярные mранзисторь1
'
1
~•• ~216•
1
!
1
!
IКБО,
1
'
Ркmах'
UKБOmax• !
lк max
1
Тип
J Струк-1
Р~.тmах•
\;1з•
U~Rmax•
UЭБО max•
··~.и max'
1
J~R'
р~~ н max•
с·
U~Omax•
1
1··
прибора 1 тура 1
1
в
1
."
мА
КЭО•
мВт
мrц
в
мкА
КТ807АМ
п-р-п
1
10* Вт (70°С)
2':5
100* (lк)
4
1
0,5 (1.5*) А
1
S5* мА (100 В)
КТ807БМ
п-р-п
10* Вт (70°С)
2':5
100* (1 к)
4
0,5 (1,5*) А
s5* мА(100В)
1
1
!
!
i
1
1
1
i
1
i
КТ808А
1 п-р-п 1
50* Вт (50°С)
2':7,2
120* (250 имп.)
4
1
1ОА
1
S3* мА (120 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
КТ808А1
п-р-п
70* Вт
2':8
130*
5
1ОА
S2* мА (130 В)
КТ808Б1
п-р-п
70* Вт
2':8
100*
5
1
1ОА
S2* мА (100 В)
КТ808В1
i п-р-п
70* Вт
2':8
80*
1
5
1ОА
1 S2*мА(80В)
КТ808П
1
п-р-п
1
70* Вт
2':8
70*
5
1ОА
S2* мА (70 В)
КТ808АЗ
п-р-п
70* Вт
2':8
130
5
10 (15*) А
S2* мА (130 В)
КТ808БЗ
п-р-п
70* Вт
2':8
100
5
10(15*)А
S2* мА (100 В)
1
1
1
КТ808АМ
п-р-п
60* Вт (50°С)
2':8
130* (250 имп.)
5
IOA
S2* мА (120 В)
КТ808БМ
п-р-п
60* Вт (50°С)
2':8
100* (160 имп.)
5
10А
S2* мА (100 В)
КТ808ВМ
п-р-п
60* Вт (50°С)
2':8
80* (135 имп.)
5
10А
S2* мА (100 В)
ктsоsrм
n-p -n
1
60* Вт (50°С)
2':8
70* (80 имп.)
5
IOA
2':2* мА (70 В)
КТ809А
п-р-п
40* Вт (50°С)
2':5,1
400* (О,Оlк)
4
3А;5*А
s3* мА (400 В)
1
1
1
..::;:;:.-
~
!
КТ8101А
п-р-п
2 Вт; 150* Вт
2':10
200
6
16А(25*А)
SI мА (200 В)
КТ8101Б
п-р-п
2 Вт; 150* Вт
2':10
160
6
16А(25*А)
SI мА (160 В)
КТ8102А
р-п-р
2 Вт; 150* Вт
2':10
200
6
16А(25*А)
SI мА (200 В)
КТ8102Б
р-п-р
2 Вт; 150* Вт
2':10
160
6
16А(25*А)
SI мА (180 В)
КТ8104А
р-п-р
150 Вт
2':10
350
1
5
1
20А(25А*)
1
S0,7 мА (350 В)
1
1
1
!
1
1
1
1
i
i
!
i
i
1
1
1
1
i
1
1
!
1
'
!
1
i

Биполярные кремниевь1е транзисторы
169
ck,
rкэиас• Ом
кw,д&
't._, пс
h21.• ь;,э
с;2.•
r~нас• Ом
r;, Ом
t~.... нс
Корпус
пФ
к;.·р.• д&
Р;:,. Вт
t::..... нс
15...45* (5 В; 0,5 А)
-
$2
-
-
КТ807М
30... 100* (5 В; 0,5 А)
-
$2
-
-
:;~
10...50* (3 В: 6 А)
S500 (10 В)
-
-
$2000*
КТ808
~if6
20...125 (3 В; 2 А)
S500 (10 В)
S0,33
-
-
КТ808-1
20...125 (3 В; 2 А)
S500 (!О В)
S0,33
-
-
~r
20...125 (3 В: 2 А)
S500 (IO В)
S0,33
-
-
20...125 (3 В; 2 А)
S500 (10 В)
$0,33
-
-
6КЗ
20...125 (3 В; 2А)
S500 (100 В)
-
-
$2000*
КТ808-3
20...125 (3 В; 2 А)
s500 (100 В)
-
-
$2000*
~ttt.'
~
D
ЗК6
20...125* (3 В: 2 А)
S500 (100 В)
S0,33
-
$2000*
КТ808М
20...125* (3 В; 2 А)
S500 (100 В)
S0,33
-
$2000*
"'' ~
20...125* (3 В; 2 А)
S500 (100 В)
S0,33
-
$2000*
;fWi ~.
20... 125* (3 В; 2 А)
S500 (100 В)
$0,33
-
$2000*
15...100* (5 В; 2 А)
Sl50 (20 В)
S0,75
-
$4000*
КТ809
~••
~20*(!ОВ;2А)
SOOO (5 В)
$3,3
-
-
КТ8101, КТ8102
~20*(10В;2А)
SIOOO (5 В)
$3,3
-
-
~r
~О*(!ОВ;2А)
SIOOO (5 В)
$3,3
-
-
~О*(10В;2А)
SIOOO (5 В)
$3,3
-
-
6КЗ
1000(5В:5А)
-
<0,2
-
-
КТ8104
""~
~Noi~
~
/(

170
'Раздел Z. Биполярные транзисторы
pKm.ax '
~.. ~...
UКБО max'
lк max
•коо•
Тип
Струк-
Р;.т m.ax'
ii:;1~·
(fКЭR max•
Uэоо max•
1:.н max•
·~·
р;. Н INIJI: 1
с;х,
(f~max•
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
IKT8105A
1
п-р-п 1
150 Вт
~10
200
5
20А(25А*)
1
SO.7 мА (350 В)
1
1
11
1
1
1
1
1
1
1
IП8106А
п-р-п
2 Вт; 125* Вт
~1
90*
5
20А(30*А)
-
К.Т81065
п-р-п
2 Вт; 125* Вт
~1
60
5
20А(30*А)
-
1
К.Т8107А
п-р-п
1
100* Вт
~7
1500 (700*)
5
8АН5*А)
s0,7 мА (1500 В)
КТ81075
п-р-п
125* Вт
~7
1500 (700*)
5
5А(7,5"А)
sO,T мА (1500 В)
K1'8107ll
n-p -n
50* Вт
~7
1500 (600*)
5
5А(8"А)
S0,7 мА (1500 В)
К.Т810П
п-р-n
100 Вт
~7
1500
б
10А
s0,7 мА (1500 В)
КТ8107Д
п-р-п
100 Вт
~7
1200
б
IOA
S0,7 мА (1200 В)
КТ8101Е
П·р·П
100 Вт
~7
1000
6
10А
s0,7 мА (1000 В)
К.Т8107А2
п-р-п
100* Вт
~7
1500 (700*)
5
8А(15*А)
S0,7 мА (1500 В)
К.Т8107&2
п-р-n
125* Вт
~7
1500 (700*)
5
5 А (7,5* А) S0.7 мА (1500 В)
КТ8107В2
п-р·п
50* Вт
~7
1500 (600*)
5
5А(8*А)
S0,7 мА (1500 В)
К.Т81&71'2 1 п-р-п
100* Вт
>7
1500
6
10А
s0,7 мА (1500 В)
К.Т8107Д2 1 п-р-п
100* Вт
>7
1200
6
10А
s0,7 мА (1200 В)
К.Т8107Е2
п-р-п
100* Вт
>7
1000
б
10А
S0,7 мА (1000 В)
КТ8108А
п-р-п
70" Вт
~15
850
5
5 (7"')
0,5 мА (850 В)
К.Т8108Б
п-р-п
70* Вт
~15
850
5
5 (7*)
0,5 мА (850 В)
КТ8108В
п-р-п
70* Вт
~15
900
5
5 (7*)
0,5 мА (900 В)
КТ8108А-1
n-p·n
70* Вт
15
850
5
5(7*)А
s0,5 мА (850 В)
К.Т81085-1
п-р-п
70* Вт
15
850
5
5(7*)А
s0,5 мА (850 В)
КТ8108В-1
п-р-п
70* Вт
15
900
5
5(7*)А
s0,5 мА (850 В)
К'Пt88А
п-р-п
80* Вт
~7
350
5
7А(10*А)
s3 мА (350 В)
КТ81096
п-р-п
80" Вт
~7
300
5
7А(10*А)
S3 мА (300 В)
IП8U8A
1 п-р-п
2Вт:60*Вт
~о
500
5
7А(14*А) 1 SIOOO(500В)
КТ81105
1
п-р-п
2Вт;60*Вт
~20
500; 400••
5
7А(14*А)
:!>100 (400 В)
КТ8110В
n-p -n
2Вт;60*Вт
~20
500; 350"*
5
7А(14*А)
slOO (400 В)

:
1
1
1
!
!
11
Биполярные кремниевые транзисторы
h2," ь;,э
;e:lOOO (5 В; 5 А)
750 ... 18000 (10 В; 5 А)
750...18000 (1 О В; 5 А)
;е:2,25* (5 В; 4.5 А)
;е:2,25* (5 В; 4,5 А)
8...12* (5В; 1А)
;е:2,25* (5 В; 4,5 А)
;е:2,25* (5 В; 4,5 А)
8...12* (5В; 1А)
10 50(5В·О5А)
...
40...80 (5 В: 0.5 А)
10...50 (5 В; 0.5 А)
10...50* (5 В; 0,5 А)
40...80* (5 В; 0,5 А)
10...50* (5 В; 0,5 А)
;е:150• (5 В; 2.5 А)
;е:150* (5 В; 2.5 А)
15...30* (5 В; 0,8 А)
15...30* (5 В; 0,8 А)
15...30* (5 В; 0,8 А)
с,,
с~2"'пФ
-
1
1
i
1 :5700 (IO В)
1 :5700 (10 В)
1
-
1
-
<75 (15 В)
-
1 :575 (15 В)
1
:575 (15 В)
1
:575 (5 В)
:575 (5 В)
:575 (5 В)
1
-
1
1
-
!
i1
-
-
-
1
!1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11
1
rкэнаt·' Ом
r~э наt·• Ом
к;.·•.. дБ
<0,2
:50,4
:50,4
:50,22
:50,65
:50,22
:50,22
:50,4
:50,4
:50,22
:50,65
:5022
<О,22
<0,4
<0,4
<О4
-
.
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
:50,75
:50,75
:50,2
:50,2
:50,2
Кш, дБ
i
i
r;, Ом
Р;:)., Вт
-
1
1
1
!
-
i
-
-
-
1
-
1
-
i
-
i
1
1
-
1
-
-
1
!
1
-
1
1
-
1
1
1
i
i
i
-
-
-
1
1
1
1
i
1
i11
тк, пс
f~act НС
t::IUI, НС
-
:54500**
:54500"
:53500*
:53500*
:53,500*
:53500*
:53500*
:53500*
<3000*
-
:53000*
:53000*
3* мкс
3* мкс
3* мкс
:53* мкс
:53* мкс
:52500*
:52500*
:52500*
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
i
1
i1
1
1
i1
i
171
Корпус
КТ8105
п1 КТ1
~fflii ~ 111
~
.
11
.. ..
/(
~
КТ8106
~
~~r
;~
'
D
6кз
КТ8107
15.9
5
1
-~·1
....~ ......
;~
'
D
6кз
КТ8107-2, КТ8108
27,1 КТ1
~t1i ~-
~
..
.. ..
к
КТ8108-1
:ft 1
ЗК5
1
1
1
КТ8109
70,G5
1/,8
wт6КЭ
КТ8110
10,7
li,8
11
т1
.. ..
~
~
D

172
Раздел 2. Биполярные транзисторы
j
1
1
1
1
1
1
1
Ркmах'
~•• t,;., ••
UКБОmах'
1
lк max
i
Iю;о,
Тип
Струк· 1
р•
i.:;,i,
U~Rmax'
UЭБОmах' 1
1
·~R'
К.тm11х'
1
1;,н max'
j
1
р~~ н max•
("
u~max' 1 в
'
·~·
прибора
тура
1
"'
!
1
мА
1
i
мВт
Мfц
в
1
мкА
КТ8111А9
1
п-р-п
125* Вт
;e:I
100
5
20А
-
КТ8111Б9
п-р-п
125* Вт
;е:1
80
5
20А
-
КТ8111В9
п-р-п
125* Вт
;e:I
60
5
20А
-
!
1
1
r
!
1
1
1
:
КТ8112А
1 п-р-п i
1Вт;10*Вт
;е:20
400* (1 к)
1
5
10.5А(1,5*А)i
-
!
'
1
i
!
:
i
i
1
1
i
'
1
1
1
1
t
!
1
1
1
!
1
1
1
1
'
КТ8113А
р-п-р
2Вт;65*Вт
;е:З
100
6
6 (10*) А
s700 (60 В)
КТ8113Б
р-п-р
2Вт;65*Вт
;е:З
80
6
6 (10*) А
s700 (60 В)
КТ8113В
р-п-р
2Вт;65*Вт
;е:З
60
6
6 (10*) А
S700 (30 В)
1
1
!
!1
'
'
'
!
i
!
1
1
1
1
1
1
iктs114А
1
п-р-п 1
125* Вт
-
1500*
6
1 8А;15*А
1
SO,I мА ( 1500 В)
IКТ8114Б
п-р-п
125* Вт
-
1200*
6
8А;15*А
S0.1 мА (1200 В)
КТ8114В
п-р-п
100* Вт
-
1200*
6
8А;15*А
sO,I мА (1200 В)
KT8114f
п-р-п
100* Вт
-
1500*
6
8А;15*А
SO,I мА (1500 В)
.
11
'
КТ8115А
1 р-п-р
65* Вт
;е:4
100
5
1 8(16*)А
1
s0.2 мА (100 В)
КТ8115Б
1 р-п-р
65* Вт
;е:4
80
5
1
8 (16*) А
s0.2 мА (80 ВJ
КТ8115В
! р-п-р
1
65* Вт
;е:4
60
5
8 (16*) А
1
S0.2 мА (60 В)
:
1
i
1
1
КТ8116А
п-р-п
65* Вт
;е:4
100
5
8А(16*А)
S200 (100 В)
КТ8116Б
п-р-п
65* Вт
;е:4
80
5
8А(16*А)
S200 (80 В)
КТ8116В
п-р-п
65* Вт
;е:4
60
5
8А(16*А)
S200 (60 В)
i
1
1
'
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
'
i
1
КТ8117А
п-р-п
100* Вт
;е:5
700
8
10 (20*) А
SI мА (400 В)
КТ8117Б
п-р-п
100* Вт
;е:5
500
8
10 (20*) А
SI мА (400 В)
!
1
1
i
i
1
1
i
1
i
'
i
i
1
'
1

мниевые транзисторы
Биполярные кре
j
1
rКЭнас' Ом
r
ck,
•
Ом
с;2,•
rБЭнас'
h21.• ь;,э
1
i
i
'
1
i8000 (3 В: 10 А)
750.
750..l8000(3В; 10А)
750::: 18000 (3 в: 10 А>
:2::300 (5 В; 0,05 А)
15...75* (4 В; 3 А)
15...75* (4 В; 3 А)
15...75* (4 В: 3 А)
>IOOO* (3 В; 0,5 ...3 А) j
;IOOO* (3 В; 0.5...3 А) j
:2::1000* (3 В: 0,5...3 А)
<!::IOOO* (3 В; 0,5 А)
>IOOO* (3 В; 0,5 А)
;1000* (3 В; 0,5 А)
>\О*(5В;5А)
;\О*(5В;5А)
1
!
пФ
$400
$400
$400
к;.·", дБ
<0,2
g),2
g),2
<40
<0,27
$0,27
g),27
<0,25
$0,25
$0,25
$0,25
g),7
$0,7
$0,7
<0,7
g),7
g),7
Кш, дБ
r;, Ом
р00 Вт
sыxt
1
1
tк, ПС
t• нс
рк•
t••
нс
... ".
4,5* мкс
4,5* мкс
4,5* мкс
tcn 0,5 МКС
tcn 0,5 МКС
tcn=0,5 МКС
tcn=0,5 МКС
<1,7* мкс
<1,7* мкс
173
Корпус
КТ8111-9
=~r
~ЕУН D
6КЗ
КТ8112
КТ8113
КТ8114
:::~~15,9 15
°"~
ln
~
D
6КЗ
КТ8115
КТ8116
КТ8117
:rmr
-
6КЗ

174
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• \210•
UKБOmaA•
•кmах
lкБо•
Тип
Струк-
Р~. тmax•
~;,~.
U~Rma).•
UЭ001naAt
J~.и mo1A'
·~R'
р~~нmах•
~:·;".
u~maAt
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ8118А
п-р-п
50* Вт
;::15
900
5
3А(IO*А)
$10 (800 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
КТ812А
п-р-п
50* Вт (50°С)
;::3
400* (О.01 к)
7
8А;12*А
$5* мА (700 В)
КТ812Б
п-р-п
50* Вт (50°С)
;::3
300* (0.01 к)
7
8А;12*А
$5* мА (500 В)
КТ812В
п-р-п
50* Вт (50°С)
;::3
200* (0,01 к)
7
8А; 12*А
$5* мА (300 В)
КТ8120А
! п-р-п
60* Вт
;::20
600; 450**
5
1
8А(16*А)
$100 (450 В)
1
i
!
1
1
!КТ8121А 1
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 700*;
5
8A(IO*A)
$2000 (700 BJ
400**
КТ8121Б
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 600*;
5
8А(10*А)
$2000 (600 в)
400**
КТ8121А-1
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 700*
5
8А(10*А)
$2000 (700 В)
КТ8121Б-1
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 600*
5
8А(10*А)
$2000 (600 В)
КТ8121А-2
п-р-п
1
75* Вт
;::7
1500; 700*
5
8А(10*А)
$2000 ( 700 в)
КТ8121Б-2
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 600*
1
5
8А(10*А) 1 $2000(600В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
11
1
!
1
'
1
КТ8123А
п-р-п
25* Вт
;::5
200
5
2А(3*А)
$50 (150 В)
КТ8124А
п-р-п
60* Вт
;::10
400
5
7А(15*А)
-
КТ8124Б
п-р-п
60* Вт
;::10
400
5
7А(15*А)
-
КТ8124В
п-р-п
60* Вт
;::10
330
5
7А(15*А)
-
i
1
КТ8125А
п-р-п
65* Вт
;::3
100
5
6 (10*) А
$0,4 мА (100 В)
КТ8125Б
п-р-п
65* Вт
;::3
80
5
6 (10*) А
$0.4 мА (80 В)
КТ8125В
п-р-п
65* Вт
;::3
60
5
6 (10*) А
$0,4 мА (60 В)
КТ8126А1
п-р-п
80* Вт
;::4
700; 400**
9
8 (16*) А
$1 мА (700 В)
КТ8126Б1
п-р-п
80* Вт
;::4
600; 300**
9
8(16*)А
$1 мА (600 В)
КТ8127А
п-р-п
56* Вт
-
1500* (100 Ом)
5
5 (7.5*) А $0.9 мА (1500* ВJ
КТ8127Б
п-р-п
56* Вт
-
1200* (100 Ом)
5
1
5 (7,5*) А $0.6 мА (1800* В)
КТ8127В
п-р-п
1
56* Вт
-
11500* (100 Ом)
5
5 (7.5*) А $0.9 мА ( 1500* В)
j
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторь1
175
ck,
rКЭuс• Ом
Кш, дБ
1
'tк1ПС
ь.,,. ь;,э
c~z"•
r~wiilc' Ом
r;, Ом
f~cl НС
Корпус
1
!
пФ
к;~•·' дБ
Р,:.:.х, Вт
1
t:мt НС
1
1
i
1
1 J0...40* (5 В; 0,2 А) 1
-
1
sl,3
-
1
:>2,5* мкс
1
КТ8118
!
1
i
1
!
10.,G5
f,B
ц
~1т
1
1
1
6КЭ
~4*(2,5В;8А)
:>100 (100 В)
s0,3
-
tcnSl ,3 МКС
КТ812
~4*(2,5В;8А)
:>100 (100 В)
$0,3
-
tcnSl ,3 МКС
~10*(5В;5А)
$100 (100 В)
:>0,3
-
tcnSl ,3 МКС
п.1 ~
1
~ffli У-
1
1
1
i""
'
-
к
1
j
i
~10* (5 В; 0.2 А)
-
:>О,25
-
::;2* мкс
КТ8120, КТ8121, КТ8121-1
1
70,85
f.B
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,25
-
:>3* мкс
wт
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,75
-
:>3* мкс
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,25
-
:>3* мкс
.IКЭ
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,75
-
:>3* мкс
1
!
i
1
8...60* (5 В; ~ А)
1
-
S0,25
-
:>3* мкс
l{'if8121-2
8...60* (5 В: 2 А)
-
:>0,75
-
$3* мкс
щ~
~EWJ-·· ·~
~
~..
...
.
.
""
-
.
к
~40* (10 В; 0,4 А)
-
~
-
-
КТ8123, КТ8124
1
1
70,G5
f,B
1
wт'
~!О*(5В:5А)
-
1
:>0.2
-
1
$1.5* мкс
i
~10*15В:5А)
-
:>0,17
-
1
Sl,3* мкс 1
~10*(5В:5А)
-
:>0,2
-
1
$1,5* мкс
1
1
1
1
1
6КЭ
1
15...75* (4 В; 3 А)
-
:>0,25
-
-
КТ8125, КТ8126
15...75* (4R 3А)
-
:>0,25
-
-
15...75* (4 .В; 3 А)
-
$0,25
-
-
70,G5
f,B
wт
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,5
-
1,7* мкс
8...60* (5 В; 2 А)
-
$0,5
-
1,7* мкс
1
1
ЭК6
35*(5В;О.~А)
-
:>0,22
-
tсп=О,7 МКС
КТ8127
35*(5В;0,5А)
-
$1,1
-
tcn=0,7 МКС
35*(5В;0,5А)
-
$1,1
-
tсп=О,7 МКС
п,1 ~
~No-·'~
...,;
.
-
к

176
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~•• ~210•
UКБО maxt
lк max
•коо•
Тип
Струк·
Р~. т max•
(;lэ'
U~Rmax•
UЭБО max•
1;.н max•
J~R'
прибора
р~~ м maxt
с·
u~max•
в
•••
тура
".
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
i
мкА
КТ8127А-1 1 n-p -n 1
56* Вт
-
1500* (100 Ом)
5
5 (7,5*) А 1 s0.9 мА (1500* В)
КТ8127Б-1 1 n-p -n
1
56* Вт
-
1200* (100 Ом)
5
5 (7,5*) А S0,6 мА (1800* В)
КТ8127В-1 1 n-p -n
56* Вт
-
1500* (100 Ом)
5
5 (7,5*) А S0,9 мА (1500* В)
1
1
1
1
КТ8129А
n-p -n
60* Вт
;::4
1500
5
5А
1
-
1
1
1
1
1
1
КТ81ЗОА
1
p-n -p
1Вт;20*Вт
1
;::25
40
5
4А;8*А
SIOO (40 В)
КТ81ЗОБ
p-n -p
1Вт;20*Вт
;::25
60
5
4А;8*А
SIOO (60 В)
КТ81ЗОВ
p-n-p
1Вт;20*Вт
;::25
80
5
4А;8*А
SIOO (80 В)
КТ8131А
n-p -n
1Вт;20*Вт
;::25
40
5
4А;8*А
SIOO (40 В)
КТ8131Б
n-p -n
1Вт;20*Вт
;::25
60
5
4А;8*А
SIOO (60 В)
КТ8131В
n-p -n
1Вт;20*Вт
;::25
80
5
4А;8*А
SIOO (80 В)
1
КТ81ЗЗА
n-p -n
60* Вт
;::ЗО
240
5
8А
-
КТ81ЗЗБ
n-p-n
60* Вт
;::ЗО
160
5
8А
-
КТ8134А
р-п-р
25* Вт
;::З
20
-
4А
-
КТ8135А
n-p -n
25* Вт
;::З
20
-
4А
-
КТ8136А
n-p -n
60* Вт
-
600
5
10А(15А*)
-
КТ8136А·1
n-p -n
60* Вт
-
600
5
10А(15А*)
-
с Аемnферным
Jl.HOAOM ме11Щу
кu"епором и
!tмнттером
КТ8137А
n-p-n
40* Вт
;::4
700*
9
1,5А(ЗА*)
SI мА (700 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
177
Ck,
rКЭиас' Ом
Кw,дБ
tк, ПС
h21.• ь;,э
с;2.•
r~нас• Ом
r;. Ом
t;,.,, нс
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;~•• Вт
t;..кл, НС
::;35* (5 В; 0,5 А)
-
::;Q,22
-
tсп=О,7 МКС
КТ8127-1
::;6* (5 В; 0,03 А)
-
::;1,1
-
tсп=О,7 МКС
~~r
::;6* (5 В: 0,03 А)
-
::;1,1
-
tсп=О,7 МКС
.,. ~
.
ln
'${
D
6КЗ
~2.25* (5 В: 4,5 А)
-
::;1,1
-
-
КТ8129
ЦI®
~ffli ~.
'
750.. .15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В)
::;1
-
-
КТ8130, КТ8131
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В)
::;1
-
-
750 ... 15000* (3 В: 0,2 А) ::;200 (10 В)
::;1
-
-
~иw
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;IOO(IOB)
::;1
-
-
:·~
750... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В)
::;1
-
-
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В)
::;1
-
-
300...3000
-
::;О,б
-
-
КТ8133
300".3000
-
::;О,6
-
-
10,15
tB
wтэ
40 ... 250
-
::;Q,8
-
-
КТ8134, КТ8135
40 ...250
-
::;о.в
-
-
:оо~
10...50* (5 В; 0,8 А)
-
::;Q,25
-
tсп::;О,2 МКС
КТ8136, КТ8136-1
70,15
tB
10...50* (5 В; 0,8 А)
-
::;О,25
-
tсп::;О,2 МКС
wтIКЭ
8.. .40* (2 В; 0,5 А)
-
::;2
-
::;4* мкс
КТ8137
:оо~
12 зак. 9

178
Раздел 2. БunonSJPflЬle транзисторы
Ркmах•
f,,,, ~•••
UКБОmах'
lк,..,
IКIIO,
Тип
Струк-
Р;.тmак'
J.:;lэ'
U~R'""' UЭБОmах• 1;..• maxl
·~·
прибора
тура
p~•maxl
t:..
u-l<ЭO ......
в
·~·
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ8138А
п-р-п
50* Вт
20
500; 400**
7
7А;14*А
::>0.01 мА (500 В)
КТ8138Б
1
п-р-п
40* Вт
-
450 400**
10
7А;14*А
::>0,1 мА (450 В)
IKT8138B
1 п-р-п
75* Вт
<?:4
700; 400**
9
4А;8*А
sl мА (700 В)
KT8138f
1 п-р_-п
80* Вт
<?:4
700; 400**
9
8А;16*А
SI мА (700 В)
lктs1зsд ! п-р-~
60* Вт
<?:10
400; 200**
6
7А;14*А
Sl мА (400 В)
/КТ8138Е i П·р-п, С
60* Вт
<?:10
400; 200**
1
6
7А;14*А 1 SlмА(400В)
1
.
1 ДИО;tЮМ
1
КТ8138Ж
п-р-п
60* Вт
<?:10
600; 350**
6
IOA;l6*A
SI мА (600 В)
КТ8138И
1 п-р-п, с
80* Вт
<?:4
700; 400**
9
8А;16*А 1 SIмА(700В)
ДИОДОМ
КТ8140А
п-р-п
60* Вт
<?:10
400
6
7A(IOA*)
Sl (400 В)
КТ8140А-1
п-р-п
60* Вт
<?:10
400
6
7А(10А*)
SI (400 В)
с Аемпфериwм
диодом ме&,1.у
коJ1J1ектором·
и змиттером
1
КТ8141А
1
п-р-п
60* Вт
<?:7
100
-
8А(12*А)
S0.2 (100 В)
КТ8141Б
п-р-п
60* Вт
<?:7
80
-
8А(12*А) 1 $0,2(80В)
IKT8141B
1 п-р-п
60* Вт
<?:7
60
-
1
8А(12*А) 1 ::>0,2(60В)
KT8141f
1 п-р-п
60* Вт
<?:7
45
-
8А(12*А) 1
::>0,2 (45 В)
1
iктst4A 1
1
1
р-п-р
1 (10*) Вт
<?:3
40* (0,lк)
5
1,5(3*)А
S0,05 мА (40 В)
1
КТ814Б
р-п-р
10* Вт
<?:3
50* (О,lк)
5
1,5 (3*) А
::>0,05 мА (40 В)
КТ814В
р-п-р
10* Вт
<?:3
70* (О,lк)
5
1,5 (3*) А
$0,05 мА (40 В)
KT814f
р-п-р
10* Вт
<?:3
100* (О,lк)
5
1,5(3*)А
$0,05 мА (40 В)
1
КТ814ЗА
'
1
175* Вт
120; 90**
6
25А;40*А
::>5* мА (90 В)
i п-р-п
-
КТ814ЗБ
1
п-р-п
175* Вт
-
120**
6
25А;40*А
::>5* мА (120 В)
КТ814ЗВ
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
25А;40*А 1 ::>5*мА(180В)
КТ814Зf
1
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
25А;40*А 1 $5*мА(400В)
КТ814ЗД
1 п-р-п
175* Вт
-
90**
6
32А;50*А
1
::>5* мА (90 В)
КТ814ЗЕ
п-р-п
175* Вт
-
120**
6
32А;50*А
::>5* мА (120 В)
КТ8143Ж
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
32А;50*А
::>5* мА (180 В)
КТ81433
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
32А;50*А
::>5* мА (400 В)
КТ8143И
п-р-п
175* Вт
-
120; 90**
6
40А;63*А
::>5* мА (90 В)
КТ8143К
п-р·n
175* Вт
-
120**
6
40А;63*А
$5* мА (120 В)
КТ8143Л
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
40А;63*А
$5* мА (180 В)
КТ8143М
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
40А;63*А
::>5* мА (400 В)
КТ8143Н
п-р-п
175* Вт
-
100**
6
50А;125*А
::>5* мА (100 В)
КТ8143П
п-р-п
175* Вт
-
150**
6
150А;125*А
1
::>5* мА (150 В)
КТ8143Р
1 п-р-п
175* Вт
-
400; 200**
6
50А;125*А
::>5* мА (400 В)
'
КТ8143С
1 п-р-п
175* Вт
-
90**
6
63А;150*А
1
::>5* мА (90 В)
КТ8143Т
п-р-п
175* Вт
-
120**
6
63А;150*А
::>5* мА (120 В)
КТ8143У
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
63А;150*А j $5*мА(180В)
КТ8143Ф
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
63А;150*А
$5* мА (400 В)
КТ8144А
i п-р-п 1
175* Вт
<?:5
800
8
25А(40*А)
1мА(800В)
1
КТ8144Б
п-р-п
175* Вт
<?:5
600
8
25А(40*А)
1мА(600В)
.
1
1
1
1
i
КТ8145А
1 п-р-п
100* Вт
<?:10
700
8
15А(20*А) 1 ::>5мА(700В)
t
КТ8145Б
i п-р-п
100* Вт
<?:10
500
8
115А(20*А)
1
s5 мА (500 В)
1
1
1
1
1
1
1
,
1

Биполярные кремниевые транзисторы
12*
~10*(5В;4А)
~10*(5В;4А)
8...40* (5 В; 2 А)
5...30* (5 В; 5 А)
~10*(5В:5А)
~10*(5В:5А)
~20*(5В:2А)
5...30* (5 В; 5 А)
~10*(5В;5А)
~10"(5В;5А)
~750*(3В;3А)
~750*(3В;3А)
~750*(3В;3А)
~750*(3В;3А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~30* (2 В: 0.15 А)
~15*(3В:20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;32А)
~15*(3В:32А)
~15*(3В:32А)
~15*(3В;32А)
~15*(3В:32А)
~15*(3В:35А)
~15*(3В;35А)
~15*(3В:35А)
~15*(3В:35А)
~15*(3В;35А)
~15*(3В;35А)
~15*(3В:40А)
~15*(3В;40А)
~15*(3В;40А)
~4*(5В;20А)
~4*(5В:20А)
~10*(1В;5А)
~10*(1В;5А)
1
-
1
Sl20 (5 В)
Sl20 (5 В)
Sl20 (5 В)
Sl20 (5 В)
S60 (5 В)
S60 (5 В)
J
S60 (5 В)
1 S60(5В)
1
1
rкэнк• Ом
r~иас' Ом
к:.·,.. дБ
$0,2
so.2
S0,25
s0,4
$0,2
$0,2
s0,4
s0,25
s0,66
$0,66
s0,66
s0,66
$1,2
$1,2
Sl,2
Sl,2
s0,08
S0,08
$0,08
S0,08
s0,08
s0,08
$0,08
$0,08
$0,08
S0,08
s0,08
s0,08
s0,08
$0,08
$0,08
S0,08
s0,08
$0,08
S0,08
$0,25
S0,25
Кw,дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
tlC, пс
t;,.., нс
t;ыклt НС
$2,5* мкс
S2,5* мкс
$4* мкс
$3* мкс
tсп $ О,75 МКС
tсп $ О,75 МКС
tсп $ 0,7 МКС
S3* мкс
5,8** мкс
5,8** мкс
5.8** мкс
5,8** мкс
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1700*
1700*
1700*
$2,5* мкс
S2,5* мкс
1,7* мкс
1,7* мкс
179
Корпус
КТ8138
КТ8140, КТ8141
~mtt
~m
КТ814
КТ8143
5
~~15,9
""~
....
"${
то
6КЗ
КТ8144
КТ8145
:fftt
·~

180
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmак•
~•• \210 •
UKБOmax'
lк max
lкоо•
Тип
Струк·
Р~.тmах•
\;1э•
U~Rmax'
UЭБОmакl
1;,н max'
·~R•
PiZ н max•
r,;;·
u~max•
в
•••
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ8146А
n-p -n
150* Вт
~5
800
8
1 15А(25*А)
$1 мА (800 В)
КТ81465
n-p-n
150* Вт
~5
600
8
1
15А(25*А)
1
$1 мА (600 В)
1
1
1
!
!
IKT8147A
i n-p-n
1
100* Вт
1
~5
1
700
1
8
!10А(20*А) i $1мА(700В)
1
i
КТ81475
! n-p-n
100* Вт
~5
500
8
10А(20*А)
1
$1 мА (500 В)
1
1
!
i
1
1
i
1
КТ8149А
!p-n-p 1
115* Вт
~4
70; 60**
1
7
i15А:30•А i $1мА(70В)
1
!
KT8149A·l
р-п-р
90* Вт
~3
70; 60**
7
15А;30*А
$1мА(70В)
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
!
1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
!
КТ8149А-2 1 p-n -p
75* Вт
i~3
70; 60**
7
1 10А;15*А 1 $1мА(70В)
1
1
1
КТ8150А
n-p -n
115* Вт
~4
70; 60**
7
!15А;30*А 1 $1мА(70В)
1
i
!
1
!
1
i
i
i
1
1
1
1
1
i
1
1
KT8150A·l
n-p -n
90* Вт
~3
70; 60**
7
15А;30*А
$1мА(70В)
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
i
1
i
1
1
КТ8150А-2 i n-p -n j
75* Вт
~3
1
70; 60**
!7
1 10А;15*А 1 $1мА(70В)
1
:
1
1
!
1
1
1
1
i
i
1
1
1
!
i
1
1
1
1
1
1
!
1
КТ8154А
1 n-p-n 1
175* Вт
~5
1 600; 450**
1
8
1 30А;60*А i $1мА(600В)
1
КТ81545
1
n-p -n
i 175* Вт
~5
500; 400**
8
1
30А;60*А i S:IмА(500В)
1
1
1
!
1
1
1
!
1
i
КТ8155А
i n-p-n
1
175* Вт
~5
600; 450**
8
i50А;80*А
1
$2 мА (600 В)
КТ81555
1 n-p-n
175* Вт
~5
500; 400**
8
1
50А;80*А
$2 мА (500 В)
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
181
ck,
rкэ нас• Ом
Kw, дБ
тк, пс
ь.,,. ь;,э
с;2э'
r;Энас' Ом
r;, Ом
t~, НС
Корпус
пФ
к;.",.• дБ
Р=~х' Вт
t::кл, НС
~5*(5В;15А)
-
~О.15
-
1.7* мкс
КТ8146, КТ8147, КТ8149
~5*(5В:15А)
-
~О.15
-
1,7* мкс
11.1 Кf)
~5·(1,5В;8А)
-
~0.2
-
1,7* мкс
~Noi~
~5*ll,5В;8А)
-
~О.2
-
1,7* мкс
..:;
.
20... 150• (4 В: 4 А)
-
~О.27
-
/{
-
-
20... 150* (4 В: 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8149-1
:~r
~~
...
:!
о
6К3
20... 100• (4 В: 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8149-2
1
1
70,65
tB
wт6КЭ
20... 150• (4 В; 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8150
Ц/ Кf)
~Noi~·
..:;
.
-
/{
20...150* (4 В; 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8150-1
~r6КЗ
20...100* (4 В; 4 А)
-
1
~О.27
-
-
КТ8150-2
7D,65
tB
w.т6КЭ
.-
-
-
-
1700*
КТ8154, КТ8155
-
1
-
-
-
1
1700*
Ц/ Кf)
-
-
-
-
-
~Noi~
-
-
-
-
-
..:;
.
-
к

182
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~pl \216•
UКБО max'
lк max
•кw•
Тип
Струк-
Р~. т maxt
\;]31
U~Rmax'
UЭБО max'
J~, н maxt
·~R•
р~~ н maxt
с·
u~max'
в
·~·
прибора
тура
"'
мА
1
мВт
МГц
в
мкА
КТ8156А
n-p-n
60* Вт
-
330; 150**
6
8А
-
КТ8156Б
n-p -n
60* Вт
-
200**
6
8А
-
1
1
КТ8157А
n-p -n
150* Вт
~5
1500
7
10А(15*А)
3 мА (1500 В)
КТ8157Б
n-p -n
150* Вт
~5
1500
7
10А(15*А)
3 мА (1500 В)
КТ8158А
n-p -n
125* Вт
-
60
5
12А
:S:400 (60 В)
КТ8158Б
n-p -n
1
125* Вт
-
80
5
12А
:S:400 (80 В)
КТ81588
1
n-p -n
125* Вт
-
100
5
12А
:S:400 (100 В)
КТ8159А
р-п-р
125* Вт
-
60
5
12А
:S:400 (60 В)
КТ8159Б
р-п-р
125* Вт
-
80
5
12А
:S:400 (80 В)
КТ81598
p-n -p
125* Вт
-
100
5
12А
:S:400 (100 В)
!
1
1
КТ815А
n-p-n
10* Вт
~3
40* (О, 1к)
5
1,5(3*)А
:S:0,05 мА (40 В)
КТ815Б
n-p-n
10* Вт
~3
50* (О, 1к)
5
1,5 (3*) А
:S:0,05 мА (40 В)
КТ8158
n-p-n
10* Вт
~3
70* (О, 1к)
5
1,5 (3*) А
:S:0,05 мА (40 В)
КТ815Г
n-p -n
10* Вт
~3
100* (О,lк)
5
1,5 (3*) А
:S:0,05 мА (40 В)
1
КТ816ЗА
n-p -n
50* Вт
~10
600
5
7А;10*А
:S:lOO (600 В)
КТ8164А
n-p -n
75* Вт
~4
700
9
4А
:S:lO мА (700 В)
КТ8164Б
n-p -n
75* Вт
~4
600
9
4А
:S:lO мА (600 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
1
ck,
r113 _, 0111
К", дБ
TIC, ПС
h21>' ь;,э
с;".
r~ .... 0111
r;, Ом
t;_, нс
Корпус
'
к:~.... дБ
Р:,,, Вт.
t;wк.n• НС
1
пФ
,.
1
1
-
-
-
-
1
-
КТ8156
-
-
-
-
-
1415
f,8
i
1
wт
1
1
1
к
1
1
&~Tl__)m
1
~R1i ~~VOI
!
L;J
3
1
l/01
~8·(5В;1А)
-
g),12
-
2• мкс
КТ8157
~s·(5В;1А)
-
S0,25
-
2• мкс
~/ [11
~Noi ~.
2500
-
-
-
-
КТ8158
2500
-
-
-
-
2500
-
-
-
-
:~t
' :;(
D
6КЗ
2500
-
-
-
-
КТ8159
2500
-
-
-
-
2500
-
-
-
-
1415
f.8
1
wтэ
~40• (2 В; 0,15 А)
. sбО(5В)
Sl,2
-
-
КТ815
~40• (2 В; 0.15 А)
sбО (5 В)
Sl,2
-
-
~40'" (2 В; 0,15 А)
sбО (5 В)
Sl,2
-
-
~!1
~30* (2 В; 0,15 А)
sбО (5 В)
Sl,2
-
-
:-~
10...30 (2 В; 1 А)
SIOO (IO В)
g),05
-
Sl,5'" мкс -
КТ8163, КТ8164
10...60•
-
-
-
-
.
10."60*
-
-
-
-
ft
1
1
э

184
Раздел 2. Биполярные fflP!JHЗucmopы
:
1
Pкmaxt
~•• t,;216•
UKБOmaxt
IКБО,
)Kmax
Тип
1 Струк-
Р~. т max•
~~lэ'
U~Rmax'
UЭБOmaxt
1;.м max'
J~R•
р;~ и maxt
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
"'
мА
КЭО•
1
мВт
мrц
в
мкА
КТ816А
р-п-р
25* Вт
?:3
40* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (25 В)
КТ816Б
р-п-р
25* Вт
?:3
45* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (45 В)
КТ8168
р-п-р
25* Вт
?:3
60* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (60 В)
КТ8161"
р-п-р
25* Вт
?:3
100* (lк)
5
3(6*)А
:50,1 мА(lООВ)
КТ816А-2 ·
р-п-р
25* Вт
?:3
40* (lк)
5
3А(6*А)
:5100 (25 В)
1
1
КТ8165А
р-п-р
1
3Вт;50*Вт
?:20
90
5
10 (15*) А
:53 мА (90 В)
КТ8165Б
р-п-р
3Вт;50*Вт
?:20
70
5
10(15*)А
:53 мА (70 В)
КТ81658
р-п-р
!
3Вт;50*Вт
?:20
50
5
10 (15*) А
:53 мА (50 В)
КТ81651"
1 р-п-р
3Вт;50*Вт
?:20
90
5
10 (15*) А
:53 мА (90 В)
КТ816.6А
п-р-п
50 Вт
?:20
90
5
10А(15*А)
:53 мА (90 В)
КТ8166Б
п-р-п
50 Вт
?:20
70
5
10А(15*А)
:53 мА (70 В)
КТ81668
п-р-п
50 Вт
?:20
50
5
10А(15*А)
:53 мА (50 В)
КТ81661"
п-р-п
50 Вт
?:20
90
5
10А(15*А)
:53 мА (90 В)
1
КТ8167А
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
100* (1 к)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 в)
КТ8167Б
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
80* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 t80 В)
КТ81678
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
50* (1 к)
4,5
2(4*)А
:5200 (50 В)
KT8167f
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
100* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 В)
КТ8167Д
1
р-п-р
0,8 Вт; 1О* Вт
?:30
80* (1 к)
4,5
2(4*)А
:5200 (80 В)
КТ8168А
п-р-п
0,8 Вт; 1О* Вт
?:30
100* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 В)
КТ8168Б
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
80* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (80 В)
КТ81688
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
50* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (50 В)
КТ81681"
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
100* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 В)
КТS168Д 1
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
80* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (80 В)
1
КТ8170А-1
п-р-п
40* Вт
?:4
700
9
1,5 А
:51 мА (700 В)
КТ8170Б-1 i п-р-п
40* Вт
?:4
600
9
1,5 А
:51 мА (600 В)
КТ8171А
п-р-п
100* Вт
-
350**
-
20А
1
-
1
1
1
i
КТ8175А
n-p -n
20* Вт
-
700*;
9
1,5 (3*) А
-
400**
КТ8175Б
n-p -n
20* Вт
-
600*;
9
1,5(3*)А
-
!
300**
i1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
i
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
185
с••
rкэ мае• Ом
Kw, дБ
tll, пс
ь.," ь;,э
с;2э'
r~мас• Ом
r~, Ом
t~c• НС
Корпус
пФ
к;.*р.• дБ
Р;:х• Вт
t;..IC.lt, нс
~25*(2В;1А)
~60 (10 В)
~0.6
-
-
КТ816, КТ816-2,
~25*(2В;1А)
~60(108)
~О.6
-
-
~25*(2В;1А)
~60 (10 В)
~О.6
-
-
~ИI
~25*(2В;1А)
~60 (10 В)
~О.6
-
-
:::.
·8
~200* (1 В; 0,03 А)
~60 (10 В)
~О.6
-
-
:Фт
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~0.1
-
~1000**
КТ8165, КТ8166
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
40...160 (5 В; 5А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
п1 trJ
~No~ ~.
80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (IO В)
~О.1
-
~1000**
40...160 (5 В; 5А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
КТ8167
80...250 (1 В; 1 А)
~00 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
80...250 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
:tiJФз
40...160 (1 В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
160...350 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
~80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
КТ8168
~80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
~80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
:fiкФз
~40... 160 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
~160...350 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
5...25* (2 В; 1 А)
-
-
-
-
КТ8170-1
5...25* (2 В; 1 А)
-
-
-
-
~;: .Фт
~10000
-
-
-
-
КТ8171
~r6КЗ
8...40(2 В; 1А)
-
~1
-
3000*
КТ8175
8...40 (2 В; 1 А)
-
~1
-
3000*
~11: -~

186
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк "а•
~.. ~...
UKБOmax•
Iк ....
lкоо,
Тип
Струк-
Р~, .....
ti:;l'J"
{f'К:ЭR max•
UЭБOmu•
r;." ma:1•
·~·
прибора
тура
Р~" .....
с:х,
u~max•
в
·~·
мВт
Мl"ц
в
мА
мкА
КТ8175А-1
П•р-П
20* Вт
-
700*;
9
1,5 (З*) А
-
400**
К.Т8175Б-1
п-р-п
20* Вт
-
600*;
9
1,5 (З*) А
-
ЗОО**
1
1
1
КТ8176А
п-р-п
40* Вт
~з
60
5
ЗА
-
К.Т8176Б
п-р-п
40* Вт
~з
80
5
ЗА
-
К.Т817&В
n-p -n
40* Вт
~з
100
5
ЗА
-
К.Т8177А.
р-п-р
40* Вт
~з
60
5
ЗА
-
К.Т8177Б
_р-11-р
40* Вт
~з
80
5
ЗА
-
КТ8177В
p-n-p
40* Вт
~з
100
5
ЗА
-
К.Т817А
п-р-п
25* Вт
~
40* (lк)
5
З(6*)А
~.1 мА (25 В)
К.Т817Б
п-р-п
25* Вт
~з
45* (lк)
5
З(6*)А
:!>0,1 мА (45 В)
К.Т817В
1
п-р-п
25* Вт
~з
60* (1 к)
5
З(6*)А
:s;O,l мА (60 В)
КТ8171"
п-р-п
25* Вт
~з
100* (1 к)
5
З(6*)А
:!>0,1 мА (100 В)
К.Т817Б-2
п-р-п
25* Вт
~з
45* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (40 В)
К.Т8171"-2
п-р-п
25* Вт
~з
100* (lк)
5
З(6*)А
~.1 мА (40 В)
КТ8181А
п-р-п
50* Вт
-
700*;
9
4(8*)А
-
400**
К.Т81816
п-р-п
50* Вт
-
600*;
9
4(8*)А
-
300**
К.Т8182А
1 п-р-п
60* Вт
-
700*;
9
8 (16*) А
-
1
400**
КТ81826
.п-р-п
60* Вт
-
600*;
9
8 (16*) А
-
ЗОО**
К.Т8183А
n-p -n
56* Вт
-
1500;
-
8А;15*А
-
е ДИОДОМ
700**
и резне-
тором
К'f8183Б
П·р-П
56* Вт
-
1200;
-
8А;15*А
-
е J{ИОДОМ
600**
и_резие-
тором
К.Т8183А-1
'
п-р-п
56* Вт
-
1500;
-
8А;15*А
-
е ДИОДОМ
700**
и резне-
тором
К.Т8183Б-1
n-p -n
56* Вт
-
1200;
-
8А;15*А
-
с диодом
600**
и резне-
тором
К.Т8183А~2
п-р-п
56* Вт
-
1500;
-
8А;15*А
-
е :J(ИОДОМ
700**
и резне-
тором
1
КТ8183Б-2
п-р-п
56* Вт
-
1200;
-
8А;15*А
-
С ДИОДОМ
600**
И реЗJЮ!-
тором

Биполярные кремниевые транзисторы
8...40 (2 В; 1А)
8...40 (2 В; 1А)
~25*(4В: 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В: 1А)
~25*(2В;1А)
~25*(2В: 1А)
~25*(2В: 1А)
~25*(2В: 1А)
~100* (5 В: 50 мА)
~100* (5 В: 50 мА)
10...60* (5 В; 1А)
10...60* (5 В: 1 А)
8...40* (5 В: 2 А)
8...40* (5 В; 2 А)
1
!
1
s60(10B) 1
1 S60(10В)
1
s60(10B)
s60(10B)
J Sб0(10В)
s60(10B)
i
~5·(5В:3А)
J
~5*(5В;3А)
~5*(5В:3А)
~5*(5В;3А)
~5*(5В;3А)
~5*(5В:3А)
rкэ."• Ом
r~нас• Ом
к;.·", дБ
SI
SI
S0,6
S0,6
S0,6
S0,6
S0,08
S0,08
S0,25
S0,25
S0,4
S0.4
S0,17
S0,17
S0,17
S0,17
S0,17
S0,17
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:•• Вт
!
i1
1
1
!
1
1
1
1
1
i
tll, пс
t~,. нс
t:.кл, НС
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
1
1
!
187
Корпус
КТ8175-1
~rm-t
~m
КТ8176, КТ8177
:OO-t
~m
КТ817, КТ817-2
КТ8181, КТ8182
:OO-t
~m
КТ8183
КТ8183-1
КТ8183-2
с и:sо.яироааииыми выводами
~r6КЗ

188
Раздел 2. Биполярные транзисторы
!
1
Рк max'
1
1,,,. \21••
UКБО maJ. '
1
!
i
JКБО•
i lкmax
1
Тип
J Струк- ! Р~.тmах'
(;lэ'
U~Rmaxt
UЭБОmах'
1
1
·~R•
1:.н max'
1
р~~м max'
с·
u~max'
в
! •••
прибора 1 тура 1
1
."
1
мА
кэо•
мВт
мrц
в
1
i
мкА
КТ818А
1 p-n-p
60'" Вт
~3
40'" (О,lк)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
1
КТ8186
p-n -p
60* Вт
~3
50* (О,lк)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
КТ818В
p-n-p
60* Вт
~3
70* (О,lк)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
KT818r
p-n -p
60* Вт
~3
90* (0,1 к)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
1
1
1
КТ818АМ
p-n-p
100* Вт
~3
40* (0,lк)
5
15(20*)А 1 ~1мА(40В)
КТ818БМ
p-n-p 1
100'" Вт
~3
50* (0,1 к)
5
1 15(20*)А 1 ~1мА(40В)
1
КТ818ВМ 1 p-n-p 1
100* Вт
~3
70* (0,lк)
5
1
15(20*)А 1 ~1мА(40В)
1
KT818rM
1
p-n-p
1
100'" Вт
~3
90* (О, lк)
5
1
15(20'")А 1 ~1мА(40В)
!
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ818А-1
p-n-p
100* Вт
~3
40* (О, 1к)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
КТ818Б-1
p-n-p
100* Вт
~3
50* (О,lк)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
КТ818В-1
p-n-p
100* Вт
~3
70* (О, lк)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
KT818r-1
р-п-р
100* Вт
~3
90* (О, lк)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
i
i
1
КТ8196А
1
1
1
350*'"
1
1ОА
n-p -n
100* Вт
1
-
-
!
-
1
.
!
1
1
!
1
1
1
КТ8197А-2
n-p-n
2** Вт
400
-
-
0,5 А
-
КТ8197Б-2
n-p-n
5** Вт
400
-
-
1А
-
КТ8197В-2
n-p-n
8** Вт
400
-
-
1,6 А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ8199А
p-n-p
50* Вт
-
30
5
1ОА
~IO (30 В)
1
!

Биполярные кремниевые транзисторы
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В;5А)
~15*(5В:5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В:5А)
~Н!*(5В:5А)
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В;5А)
~400
85(1В:8А)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
1 :51000 (5 В)
1
1
2
15
25
rкэнас' Ом
r~нк' Ом
к;~•-' дБ
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
15** (175 МГц)
10** (175 МГц)
80** (175 МГц)
:50,125
Кw,дБ
r;, Ом
Р:х, Вт
0,5** (175 МГц)
2** (175 МГц)
5** (175 МГц)
тк, пс
~~,.нс
t ... к.n, нс
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
Корпус
КТ818
:fftt
f=жКТ818М
КТ818-1
189
::::-~15,9 Ts
с-. ~
....
'$(
о
6КЗ
КТ8196
:mft
~m
КТ8197
~11
."

190
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
..... ti:" ••
UK50maxt
lк max
lкоо•
Тип
Струк-
Р;, т max'
(;lэ'
U~Rmax 1
U350 max•
1;,н max•
I~R'
прибора
тура
р;: н max•
t:x•
u~max•
в
1~,
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ819А
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~3
40* (О, 1к)
5
10 (15*) А
:!>I мА (40 В)
КТ8196
п-р-п
1.5 Вт; 60* Вт
~3
50* (О,1 к)
5
10 (15*) А
:!>1 мА (40 В)
КТ8198
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~3
70* (О, 1к)
5
10 (15*) А
:!>1 мА (40 В)
КТ819Г
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~3
100* (О,lк)
5
10 (15*) А
:!>I мА (40 В)
1
1
1
КТ819АМ
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
40* (0,1 к)
5
15 (20*) А
:!>l мА (40 В)
КТ8196М
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
50* (0,1 к)
5
15 (20*) А
:!>1 мА (40 В)
КТ819ВМ
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
70* (О,lк)
5
15 (20*) А
:!>I мА (40 В)
КТ819ГМ
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
100* (О,lк)
5
15 (20*) А
:!>l мА (40 В)
КТ819А-1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
40* (0,lк)
5
15 (20*) А
:!>I мА (40 В)
КТ8196-1
1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
50* (0,1 к)
5
1 15(20*)А
:!>l мА (40 В)
КТ819В-1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
70* (0,1 к)
5
1 15(20*)А i :!>1мА(40В)
КТ819Г-1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
90* (О,lк)
5
1 15(20*)А
:!>l мА (40 В)
i
КТ8201А
п-р-п
20* Вт
-
700; 400**
9
300; 600*
:!>10 (30 В)
1
1
КТ820ЗА
п-р-п
20* Вт
4
700; 400**
9
1,5А;3А*
:!>10 (30 В)
КТ8205А
п-р-п
75* Вт
-
700; 400**
9
4А;ВА*
:!>10 (30 В)
1
1
1
1
1
1
1
КТ8207А
п-р-п
80* Вт
-
700; 400**
9
8А;16А*
:!>10 (30 В)
КТ8209А
п-р-п
100* Вт
-
700; 400**
9
12А;24А*
:!>10 (30 В)
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
~15*(5В;5А)
<::20* (5 В; 5 А)
~15*(5В;5А)
~12•(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В:5А)
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В;5А)
5...40 (2 В: 0,2 А) j
5...25 (2 В; 1 А)
i...40(5В;2А)
5...30 (5 В; 5 А)
6...30 (5 В; 8 А)
rкэнас• Ом
r~Энк' Ом
к;.:.. дБ
s0.4
$0,4
s0,4
$0,4
$0,4
$0,4
$0,4
$0,4
SI
SI
SI
SI
$5
SI
S0,25
S0,4
S0,25
Кw,АБ
r;, Ом
Р:,,, Вт
$0,3; $2*
S0,7; S4*
$0,9; S4*
$0,7; S3*
$0,7; $3*
!
т",пс 1
~~''НС 1
t.WICJI. нс
$2500** 1
$2500**
$2500**
$2500**
$2500**
S2500**
$2500**
S2500**
$2500**
S2500**
S2500**
$2500**
Корпус
КТ819
~fflrt
i=m
КТ819М
КТ819-1
191
~t6КЗ
КТ8201
КТ8203
КТ8205, КТ8207
~t
~т
КТ8209

192
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• ~216•
UKБOmax'
lк max
JКБО•
Тип
Струк-
Р~. т maxt
\;1э•
U~Rmax•
Uэоо max•
·~.н maxt
·~R'
прибора
р~~ н max•
с·
u~max'
в
•••
тура
'"
мА
КЭО•
1
мВт
Мfц
в
мкА
КТ820А-1
1
р-п-р
10* Вт
:?:3
50* (0.1 к)
5
0,5 (1,5*) А
$30 (40 В)
.
КТ820Б-1
р-п-р
10* Вт
:?:3
70* (О, lк)
5
0,5 (1,5*) А
$30 (40 В)
КТ820В-1
р-п-р
10* Вт
:?:3
100* (О, 1к)
5
0,5 (1,5*) А
$30 (40 В)
КТ8212А
п-р-п
65 Вт
:?:3
60
5
6А
$400* мА (60 В)
КТ8212Б
п-р-п
65 Вт
:?:3
80
5
6А
$400* мА (80 В)
КТ8212В
п-р-п
65 Вт
:?:3
100
5
6А
$400* мА (100 В)
КТ821ЗА
р-п-р
65 Вт
:?:3
60
5
6А
$400* мА (60 В)
КТ821ЗБ
р-п-р
65 Вт
:?:3
80
5
6А
$400* мА (80 В)
КТ821ЗВ
р-п-р
65 Вт
;::.:3
100
5
6А
$400* мА (100 В)
КТ8214А
п-р-п
50 Вт
-
60
5
2А
$1000 (60 В)
КТ8214Б
п-р-п
50 Вт
-
80
5
2А
$1000 (80 В)
КТ8214В
п-р-п
50 Вт
-
100
5
2А
$1000 (100 В)
КТ8215А
р-п-р
50 Вт
-
60
5
2А
$1000 (60 В)
IП8215Б
р-п-р
50 Вт
-
80
5
2А
$1000 (80 В)
КТ8215В
р-п-р
50 Вт
-
100
5
2А
$1000 (100 В)
КТ8216А
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
40**
5
10 (15*) А
$0.2 (40 В)
КТ8216Б
п-р-п
1.75; 40* Вт
:?:3
60**
5
10 (15*) А
$0,2 (60 В)
КТ8216В
п-р-п
1.75; 40* Вт
:?:3
80**
5
10 (15*) А
$0,2 (80 В)
KT8216f
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
100**
5
10 (15*) А
$0.2 (100 В)
KT8216Al
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
40**
5
10 {15*) А
$0.2 (40 В)
КТ8216Б1
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
60**
5
l0(15*)A
$0.2 (60 В)
KT8216Bl
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
80**
5
l0(15*)A
$0,2 (80 В)
КТ8216П
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
100**
5
10 (15*) А
$0,2 (100 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
h2," ь;,э
>40* (2 В; 0,15 А)
;40* (2 В; 0.15 А)
;30* (2 В; 0,15 А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3А)
>500(4В;2А)
;500(4 В; 2А)
;500(4В; 2А)
>500(4В;2А)
;500(4В; 2А)
;500(4 В; 2А)
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
12...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15".275 (4 В; 3 А)
12".275 (4 В; 3 А)
13 381. 9
1
1
1
1
i1
с,,
с;2з'
пФ
:<:65 (5 В)
:<:65 (5 В)
:<:65 (5 В)
-
-
-
-
-
-
rКЭк.асt Ом
•
Ом
l"БЭк.асt
к;:•.. дБ
<1
$1
$1
<0,25
:<:0,25
:<:0,25
<О,25
:<:0,25
$0,25
<1,25
$1,25
$1,25
<1,25
$1,25
$1,25
<0,25
$0,25
$0,25
$0,25
<0,25
:<:0,25
:<:0,25
:<:0,25
Кш, дБ
r~, Ом
р"" Вт
выхt
-
-
т., пс
t~act НС
t"" нс
8ЫIUlt
-
<0,7**
<0,7**
$0,7**
<0,7**
<0,7**
:<:0,7**
<4,5**
<4,5**
:<:4,5**
<4,5**
<4,5**
:<:4,5**
1
...
193
Корпус
КТ820-1
~:~~\а;~;!КТ8212
~mi ~-
27,1 ~
~orr к
КТ8213
КТ8214
:rm-r
·~
КТ8215
КТ8216
6,54
....:2i..:2:::..:85:......т---i
'
'-
1 ----.
1
j,
!
!1
j
,,
11 11
_i J_~
БКЭ
КТ8216-1
L
-
о
6,54
2,285
-- -'-'-' ---.,_
r:-
1-
1
-

194
Раздел 2. Бипоmчжые транзисторы
1
pKm•x "
~·~16•
UK60m1x•
lк max
1
lкю,
Тип
/ Сt:рук-
Ук. .....
c..J"
trКЭRmaI,-
Uэоо .... •
1:. н max'"
fкэн,
прибора
тура
Ук:' •...,,.
с..
1Гкэоmах'
в
Гкэо,
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ8217А
p-n -p
1,75; 40* Вт
:!:3
40**
5
10 (15*) А
~.2 (40 В)
КТ8217&
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
60**
5
Ю (15*) А
~.2 (60 В)
КТ8217В
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
80**
5
10 (15*) А
~.2 (80 В)
КТ821Л
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
\()()**
5
10 (15*) А
~.2 (100 В)
1
KT8217AI
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
40**
5
10 (15*) А
~0.2 (40 В)
КТ8217&1
р-п-р
1,75; 40* Вт
:!:3
60**
5
10 (15*) А
~.2 (60 В)
КТ8217ВI
р-п-р
1,75; 40* Вт
:!:3
80**
5
10 (15*) А
~О.2 (80 В)
КТ82fЛ1
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
100**
5
10 (15*) А
~0.2 (100 В)
!
IП821А-1
1 п-р-п
10* Вт
~3
50* (О, lк)
5
0,5 (1,5*) А
~30 (40 В)
К.Т821&-t
п-р-п
10* Вт
~3
70* (О, lк)
5
0,5 (1,5*) А
~О (40 В)
КТ821В-1
п-р-п
10* Вт
:!:3
100* (О,lк)
5
0,5 (1,5*) А
~30 (40 В)
К.Т8218А
11'-р-П
1,75; 40* Вт
~5
40
5
4(8*)А
~0.1 мА {40 В)
КТ8218&
n-р-п
1,75; 40* Вт
~25
60
5
4(8*)А
~О.1 мА (60 В)
К.Т8218В
1 n-p-n
1,75; 40* Вт
~25
80
5
4(8*)А
~.1 мА (80 В)
KT8218r
1 п-р-п
1,75; 40* Вт
~5
100
5
4(8*)А
~.1 мА (100 В)
IП8218А1
n-p-n
1,75; 40* Вт
~25
40
5
4(8*)А
~.1 мА (40 В)
КТ8218&1
п-р-п
1,75; 40* Вт
~25
60
5
4(8*)А
~.1 мА (60 В)
КТ8218В1
п-р-п
1,75; 40* Вт
~25
80
5
4(8*)А
~о.1 мА (80 В)
IП8218П
п-р-п
1,75; 40* Вт
~25
100
5
4(8*)А
~О.1 мА (100 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
12...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
12...275 (4 В; 3 А)
~40• (2 В; 0.15 А)
~40* (2 В; 0.15 А)
~30* <2 В; 0.15 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750.. .15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750.. .15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
1з·
:540 (5 В)
:540 (5 В)
:540 (5 В)
:5100 (IO В)
:5100 ( 10 В)
:5100 ( 10 В)
:5100 ( 10 В)
:5100 (10 В)
:5100 (10 В)
:5100 ( 10 В)
:5100(108)
rкэ",• Ом
r~Энас' Ом
к;.·•.. дБ
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:51,2
:51,2
:51,2
:51
:51
:51
:51
:51
:51
:51
:51
Кш, дБ
r=, Ом
Р:х• Вт
т", пс
t;,.,. нс
t::JUll НС
1О
1
1О
195
Корпус
КТ8217
КТ8217-1
КТ821-1
1.8
0,8
~щ~
/j1 \З
КТ8218
2,285
КТ8218-1
6,54

196
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~.. ..:....
UKБOmax•
lк max
JКБО•
Тип
Струк·
Р;, т maxt
\;1~·
U~Rmax•
UЭБОmах•
•:.н max•
·~·
р~~н max•
~~·;х,
u~m"x•
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ8219А
р-п-р
1,75; 40* Вт
~25
40
5
4(8*А)
:50.1 мА (40 В)
КТ8219Б
1 р-п-р
1
1,75; 40* Вт
~25
60
5
4(8*А)
:50.1 мА (60 В)
'
КТ8219В
1 p-n-p
1,75; 40* Вт
~25
80
5
4(8*А)
:50,1 мА (80 В)
КТ8219Г
1 р-п-р
1.75; 40* Вт
~25
100
5
4(8*А)
:50,1 мА (100 В)
1
i
1
!
1
i
1
1
КТ8219А1 i
1.75; 40* Вт
~25
40
1
5
1 4(8*А)
i
:50,1 мА (40 В)
р-п-р
'
1
1
КТ8219Б1 ! р-п-р i
1,75; 40* Вт
~25
60
1
5
i 4(8*А) j :50.1мА(60В)
КТ8219В1 J р-п-р 1
1,75; 40* Вт
~25
80
5
1 4(8*А) i :50.1мА(80В)
КТ8219П i р-п-р i
1,75; 40* Вт
~25
100
1
5
1
4(8*А) ! :50.1мА(100В)
j
1
1
1
'
1
i
!
!
1
i
i
1
i
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
!
1
!
!
1
'
:
1
i
!
1
1
i
1
1
!
1
IKT8220A
J
n-p -n
1
65* Вт
1
~з
40
1
5
!
6А
1
1
!
КТ8220Б
i n-p-n
1
65* Вт
~з
60
5
6А
1
!
!
JKT8220B
1 n-p-n 1
65* Вт
~з
80
5
6А
!
КТ8220Г
! n-p-n 1
65* Вт
~з
1
100
5
1
6А
!
i
1
1
1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ8221А
1 р-п-р
65* Вт
~з
40
5
6А
1
1
1
1
КТ8221Б
1 р-п-р 1
65* Вт
~з
1
60
5
j6А
1
1
КТ8221В
р-п-р
1
65* Вт
~з
80
5
1
6А
1
КТ8221Г
р-п-р
65* Вт
~з
100
5
1
6А
1
1
1
1
КТ8224А
1 n-p-n
1
100 Вт
-
1500; 700**
7,5
8А
1
:51000
КТ8224Б
1 n-p-n
100 Вт
-
1500; 700**
7,5
8А
:51000
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
750...15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2А) 1
750...15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2 А) j
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3А)
4 ... 7(58;0.1 А)
23(5В;0,1А)
с"
с;2э'
пФ
:-:;200 (10 В)
$200 (10 В)
:-:;200 ( 10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
rкэ нас' Ом
r~э нас' Ом
к;.*•.• дБ
$0,25
$0,25
$0,25
:-:;О,25
:-:;О,25
:-:;О,25
$0,25
$0,25
Кш, дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
t'll., пс
t~(-t нс
t::клt НС
1
197
Корпус
КТ8219
6,54
2 285
1 ,__
lJ]
КТ8219-1
i----" -6'-",54_ .: ._ _ .. ., 2,285
1-+-1
,,
!
1
111111
к
.....
"'
...
) VТI
~l7
~) ,_vo
1 .д.i VТ1
КТ8220
10,28
7,11
4.55
КТ8221
10.28
7,11
4.55
т
КТ8224
5
то
:::~-15,9
~ t:!
1
ln
'5:1-"
-
/jк3

198
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-
Рк max•
~•• \210 •
UКБО maxt
)Kmax
1
•кw•
Тип
Р;,тmах'
\;lэ•
U~Rmax'
UЭБОmал•
1;.н max•
·~ЭR•
прибора 1 тура
р~~ нmax•
с·
u~max•
в
•••
."
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ8225А
n-p-n
155 Вт
-
350
5
15А
~ню
..
КТ8228А
1
n-p-n
125 Вт
-
1500; 800*
7,5
12А
1
~100
КТ8228Б
n-p-n
125 Вт
-
1500; 800*
7,5
12А
~100
КТ8229А
n-p-n
125 Вт
~3
180
5
25А
-
1
1
1
1
1·
1
1
1
КТ822А-1
p-n-p
20* Вт
~3
45* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (40 В)
КТ822Б-1
p-n-p
20* Вт
~3
60* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (40 В)
КТ822В-1
p-n-p
20* Вт
~3
100* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (40 В)
КТ82ЗА-1
n-p-n
20* Вт
~3
45* (0,1 к)
5
2(4*)А
~50 (45 В)
КТ82ЗБ-1
n-p-n
20* Вт
~3
60* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (45 В)
КТ82ЗВ-1
n-p-n
20* Вт
~3
100* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (45 В)
1
КТ825Г
1
p-n-p
125* Вт
~4
90
5
20(30*)А 1 ~1*мА(90В)
КТ825Д
p-n-p
125* Вт
~4
60
5
20 (30*) А
~1· мА (60 В)
КТ825Е
1
p-n-p
125* Вт
~4
30
5
20 (30*) А
~1* мА (30 В)
КТ826А
n-p -n
15* Вт 0(50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
~2 мА (700 В)
КТ826Б
n-p -n
15* Вт (50°С)
~6
700* (0,Оlк)
5
IA
~2 мА (700 В)
КТ826В
n-p -n
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
~мА (700 В)
КТ827А
n-p -n
125* Вт
~4
100* (1 к)
5
20 (40*) А
~3* мА (100 В)
КТ827Б
n-p-n
0
125* Вт
~4
80* (lк)
5
20 (40*) А
~3* мА (80 В)
КТ!f27В
n-p-n
125* Вт
~4
60* (lк)
5
20 (40*) А
~3* мА (60 В)
КТ828А
n-p-n
50* Вт (50°С)
~4
800* (О,Оlк)
5
5 (7.5*) А
~5 мА (1400 В)
КТ828Б
n-p-n
50* Вт
~4
600* (0,01 к)
5
5 (7,5*} А
~5 мА (1200 В)
КТ828В
n-p-n
50* Вт (50°С)
~4
800* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
~5 мА (800 В)
КТ828Г
n-p -n
50* Вт
~4
600* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
~5 мА (600 В)
КТ829А
n-p-n
60* Вт
~4
100* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (100 В)
КТ829Б
n-p-n
60* Вт
~4
80* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (80 В)
КТ829В
n-p -n
60* Вт
~4
60* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (60 В)
КТ829Г
n-p-n
60* Вт
~4
45* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (60 В)

Бипопярные мремние8Ые транзисторы
199
с,.
.rКЭн1с• Ом
кw. ,1;6
т._"пс
j
h21.• ь;,э
с;2.•
r;эик• Ом
";,Ом
t;,_., вс
Корпус
пФ
к;~•-' ,1;Б
•:,,вт
t:... нс
1
2:300
-
-
-
-
КТ8225
~r'/(3
5...9,5 (5 В; 0.1 А)
-
S0,12
-
:5900*"
КТ8228
15...25 (5 В; 0,1 А)
-
s0,12
-
:5900*"
=Emt
1
1
1
11!:
а
61(3
15...75 (4 В; 15 А)
-
s0,12
-
S800**
IП8229
1
:Emr
6К3
2:25*(2В;1А)
sl15 (10 В)
s0,6
-
-
КТ822-t, КТ823-1
2:25*(2В;1А)
sl15{!ОВ)
s0,6
-
-
2:25*(2В;1А)
:5115 (10 В)
s0,6
-
-
~1!
2:25*(2В;1А)
:575 (10 В)
sD,6
-
-
2:25*(2В;1М
g5 (IОЩ
s0,6
-
-
2:25"(2В;1А)
S75 НО В)
S0,6
-
-
•/ \з
2:750" (10 В; 10 А)
:5600 (10 В)
S0,4
-
:54,5** мкс
К.1'825, КТ826
2:750" (10 В; 10 А)
~600 (10 В)
50,4
-
:54,5"* ККС
2:750" (10 В: 10 А)
.sбОО (10 В)
sD,4
-
:54,5** мкс
Цt iJ
i
~No- ~:~
10... 120* (10 В; 0,1 А) s25 (100 В)
S5
-
tcnS1500
5...300* (10 В; 0,1 А) :525 (100 В)
s5
-
tcnS700
~
к
5...120" (Ю В; 0.1 А) s25 (100 щ
:55
-
tcnS700
750... 18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В)
S0,2
-
:54,5" мкс
КТ827, КТ828
750... 18000 " (3 В; 10 В) S400 (Н> В)
S0,2
-
:54,5* мкс
750.. .18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В)
50,2
-
:54,5* мкс
ЦI~
~~~.
2:2.25* (.5 В; 4..5 А}
-
stl,66
-
:510*.
2:2.25* (5 В; 4.5 А)
-
s0,66
-
:510"
2:2.25* (5 В; 4.5 А~
1
-
~.6&
-
:510"
2:2.25" (5 В: 4.5 А}
-
gJ,66
-
:510*
2:750* (3 В; З А}
1
:5120
S0,57
-
-
КТ829
2:750" (3 В; ЗА)
:5120
S0,57
-
-
2:7.50* (3 В; 3 А}
- :!>120
sQ,57
-
-
1415
f,I
2:750* (3 В; 3 А)
:5120
S0,57
-
-
w.тIКЭ

200
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
~•• ~216'
UKБOmax•
lк max
JКБО•
Тип
Струк-
Р;.тmах'
~;lз'
U~Rmax•
UЭБО max•
•:.и max•
·~R'
прибора
тура
р~~ и max•
~:;х,
u~max•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ82ЗОА
p-n -p
125 Вт
~3
180
5
25А
-
1
1
!
КТ8231А
1 n-p-n
1
1
180* Вт
-
350**
i-
15А
-
1
i
КТ8231А1
n-p -n
155* Вт
-
350**
-
1
15А
-
1
1
КТ8231А2
n-p-n
65* Вт
-
350**
-
15А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
i
1
КТ8232А1
11-p-n
125* Вт
-
350
5
20А
-
КТ8232Б1
n-р-п
125* Вт
-
350
5
20А
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
'
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
КТ82ЗЗАS 1 p-n-p 1
-
~4
100
1
5
5А
J
-
КТ82ЗЗБS 1 p-n -p 1
-
~4
80
5
5А
!
-
КТ823ЗВS
1
p-n -p
1
-
1
~4
60
5
5А
i
-
1
1
1
1
1
i
1
1
1
'
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
201
ck,
rкэнк• Ом
Кw1 дБ
t._, пс
h21.• ь;,э
с;2з'
r~и•с' Ом
r;, Ом
t;,.,, НС
Корпус
пФ
к;_*,_, дБ
Р:х, Вт
t:.КJI. нс
15...75 (4 В; 15 А)
-
::>0,12
-
::>800**
КТ8230
~gtJr
~
а
6КЗ
~400
-
-
-
-
КТ8231
п1~
~No-~
~
/(
~400
-
-
-
-
КТ8231А1
~r
"!111"
а
6КЗ
~400
-
-
-
-
КТ8231А2
16
5
--
l
VO\ NN
--
V.U V
БКЭ
300... 8000 (10 В; 5 А)
-
::>0,18
-
-
КТ8232-1
300... 8000 (10 В; 5 А)
-
:s;0,18
-
-
16
5
-·-
lli
VO\
-
N
N
-
vtl v
БКЭ
к
Б
VП ~V01
...
"'vтz- ~voz
1"~
_R1
Rl
-
-
э
~1000 (3 В: 0,5 А)
::>300
::>3
-
-
КТ8233-5
~1000 (3 В: 0,5 А)
SЗОО
::>3
-
-
1,6
0.5
~1000 (3 В: 0,5 А)
::>300
::>3
-
-
~ют

Раздел 2. Бипотrрные транзисторы
Ркmах•
f,. •• (210•
UК&Omax•
lкmax
lкоо•
Тип
Струк-
Р~. т m1x•
~lэ'
U~Rmax'
Uэюm1х"' 1;, 11 max•
l~и•
прибора
тура
р;иmм.t
Сх•
U-КЭОmах•
в
Гкэо,
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ8234А5
1'1-p-n 1
-
<!:4
100
5
5А
1
-
КТ8234Б5
n-p-n
-
<!:4
80
51
5А
-
КТ823485
n-p-n
-
<!:4
1
60
5
5А
-
1
1
1
1
1
:КТ8235А
D-р-П
1000
<!:30
700; 400**
5
2А
-
БСИТ
11
1
i
КТ8240А5
1
n-p-n 1
-
<!:150
30
-
800
-
КТ8240Б5
n-p-n
-
<!:150
30
-
800
1
-
КТ824085 1 n-p-n
-
<!:150
40
-
1
800
1
-
ктs24ors 1 n-p-n
-
<!:150
50
-
1
800
1
-
КТ82.ЮД5
n-p -n
-
<!:150
60
-
800
-
КТ8240Е5
п-р-п
-
<!:150
70
-
800
-
КТ8240Ж5
n-p-n
-
<!:150
80
-
800
-
КТ8241А5
p-n -p
-
<!:150
30
-
800
-
КТ8241Б5
p-n-p
-
<!:150
30
-
800
-
К:Т8241В5
p-n-p
-
<!:150
40
-
800
-
КТ8241r5 1 р-п-р
1
-
<!:150
50
-
800
-
КТ8241д5 1 р-п-р
-
<!:150
60
-
800
-
КТ8241Е5 1 p-n-p
-
<!:150
70
-
800
-
1
КТ824DК5 1 p-n -p 1
-
<!:150
80
-
800
-
1
1
КТ8242А5 i р-п-р 1
-
<!:25
100
-
2000
-
1
1
КТ8242Б5
1
<!:25
80
2000
p-n-p 1
-
-
-
IП824285
p-n-p
-
<!:25
60
-
2000
-
КТ8243А5
n-p-n
-
<!:25
100
-
2000
-
КТ8243Б5
п-р-п
-
<!:25
80
-
2000
1
-
КТ824385 1
<!:25
60
2000
i
n-p -n
-
-
1
-
!
1
1
1
IП'8244Л5 1 p-n-p
-
<!:150
45
-
2000
-
КТ8244Б5 1 р-п-р
-
<!:150
60
-
2000
-
IТ824485
р-п-р
-
<!:150
60
-
2000
-
1ктs244rs
р-п-р
-
<!:150
80
-
2000
1
-
КТ8245Л5
n-p -n
-
<!:150
45
-
2000
-
IТ8245Б5
п-р-n
-
<!:150
60
-
2000
-
IП8245В5
n-р-п
-
<!:150
60
-
2000
-
IП8245r5
п-р-n
-
<!:150
80
-
2000
-
1
1
1
!
КТ8246А
1
n-p -n
60* Вт
-
100
5
15А
-
КТ8246Б
n-р-п
60* Вт
-
120
5
15А
-
КТ8246В
п-р-.п -
60* Вт
-
160
5
15А
-
к.тs2.i&r
n-p-n
60* Вт
-
160
5
15А
-
'

Биполярные кремниевые транзисторы
203
i
1
1
!
с..
rКЭиасt Ом
Кw,д6
'tкt ПС
1
1
ь",. ь;,э
с;2.•
r;Энас' Ом
r;, Ом
t;,.,, НС
1
Корпус
1
пФ
к;.·", дБ
Р;:.. Вт
t::IUll НС !
i
1
i
~1000 (3 В: 0,5 А) i :>200
:>3
-
-
1
КТ8234-5
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
S3
-
-
1,6
0,5
~шт
8...40 (2 В; 0,5 А)
:>30
Sl
-
-
КТ8235
1
!
1
1
Q;
1
: 4No.
1
1
~5000(5В;10мА) 1
-
Sl5
-
1
-
1
КТ8240-5
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
1,6
0,5
~10000 {5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~шт
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
1
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
!
-
1
1
j
~5000 (5 В; 10 мА)
:>15
!
i
КТ8241-5
-
-
1
-
~10000 (5 В: 10 мА)
-
:>15
1
-
!-
~10000 (5 B;·lO мА)
-
:>15
-
-
1,6
0,5
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~шт
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
-
~500 (3 В; 0,5 А)
:>200
:>3
-
-
КТ8242-5, КТ8243-5
~500 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~500 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
1
1,6
0,5
~
i
1
~шт ~
~500 (3 В; 0,5 А)
:>100
:>3
-
-
1
~500 (3 В: 0.5 А)
:>100
:>3
-
-
~500 (3 В; 0,5 А)
:>100
S3
-
-
1
1
1
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
КТ8244-5, КТ8245-5
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
:>200
:>3
-
-
1,6
0,5
~шт
~1000 (3 В; 0.5 А)
:>100
S3
-
-
~1000 (3 В; 0.5 А)
:>100
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
:>100
S3
'
-
-
1
~1000 (3 В; 0,5 А)
:>100
S3
-
-
1
!
~1000
-
:>2,5
-
-
КТ8246
~1000
-
S2,5
-
-
~1000
-
:>2,5
-
-
:ft
~1000
-
S2,5
-
-
зк~
i

204
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Ркmах•
~•• ..:210•
UKБOmax'
1
i
•коо•
1
lкmaA -
i
Тип
1 Струк-1
Р;.тmах•
(;lэ'
U~Rmax•
UЭБО inax' i 1;, и max'
1
·~R'
i
1
р~~иrnax 1
с·
u~max•
в
1
1
·~·
прибора
тура
."
!
'
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ8247А
1 п-р-п
75 Вт
-
700
1
12
1
5А
$100*
!
КТ8248А1 1 п-р-п 1
90 Вт
-
1500*
7,5
1
5А
-
1
1
!
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
!
i
1
i
1
1
1
КТ8250А
п-р-п
50* Вт
-
190; 40**
5
15А
-
КТ82506
п-р-п
50* Вт
-
190; 80**
5
15А
1
-
1
1
1
1
1
КТ8251А
п-р-п
125 Вт
-
180
5
10А
$100
i
1
1
КТ8254А
п-р-п
20 Вт
~10
1
800
-
2А
1
i
i
1
1
1
1
1
1
1
'
i
i
КТ8255А
п-р-п
60 Вт
-
330
6
7А
$1* мА
i
1
1
!
1
1
!
!

Биполярные кремниевые транзисторы
205
1
ck,
Гкэнас' Ом
Кш• дБ
'tк' ПС
h2,,• ь ;,э
с;2э'
r~э нас' Ом
r~, Ом
t:ac' НС
Корпус
пФ
к;·•.. дБ
Р;:х, Вт
t::IUlt НС
~22
-
-
-
-
КТ8247
70,G5
lf,8
-
w.ir
6К3
3,8 ...9
-
-
-
-
КТ8248-1
-Ет
5
т
-~ ......
:~.
~-
...
а
6кз
~100
-
~;0,05
-
-
КТ8250
~100
-
$0,05
-
-
:ft
ЭК!i
~1000
-
-
-
-
КТ8251
-Ет
5
т
-~ ......
:~.
~-
...
а
6кз
~30* (5 В; 0,3 А)
$2
КТ8254
6,54
2,285
--
L
11
j,
1
-
"'
i
i
i
""
~
•'
11 1J
~
i11
~
ii1i
-~
1
1
!i
!i
j_J]
Бкэ
~15
-
-
-
-
КТ8255
:ft
fiKЭ

206
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• ..:210•
UKБOmax'
JKmax
JКБО•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
(;lэ•
U~Rmax•
UЭБОшах•
•:.и max•
J~R'
прибора
р~:иmах•
с·
u~max•
в
·~·
тура
'"
мА
мВт
мrц
в
мкА
КТ8261А
п-р-п
25 Вт
-
700
9
2А
s50*
1
1
1
1
i
1
1
1
КТ8270А
i п-р-п
7Вт
<!:4
600
1
9
1
500
s100•
1
1
1
1
1
КТ8271А
р-п-р
10 Вт
-
45
5
1500
SO,l (45 В)
КТ8271Б
р-п-р
10 Вт
-
60
5
1500
SO,l (60 В)
КТ8271В
р-п-р
10 Вт
-
80
5
1500
SO,l (80 В)
КТ8272А
п-р-п
10 Вт
-
45
5
1500
SO.l (45 В)
КТ8272Б
п-р-п
10 Вт
-
60
5
1500
SO,l (60 В)
КТ8272В
п-р-п
10 Вт
-
80
5
1500
SO,l (80 В)
1
КТ829А
1
п-р-п
1
60 Вт
<!:4
100* (lк)
5
8А;12*А
Sl,5 (100 В)
КТ829Б
п-р-п
1
60 Вт
<!:4
80* (lк)
5
8А;12*А
Sl,5 (80 В)
КТ829В
п-р-п
60 Вт
<!:4
60* (lк)
1
5
8А;12*А
Sl,5 (60 В)
KT829f
п-р-п
60 Вт
<!:4
45* (!к)
5
8А;12*А
Sl,5 (45 В)
КТ829АТ
п-р-п
50 Вт
<!:4
100
5
5А
-
КТ829АП
п-р-п
50 Вт
<!:4
1
160
5
5А
1
-
КТ829АМ
п-р-п
60 Вт
<!:4
1
240
5
8А
-
1
i
1
1
1
1
КТ8290А
п-р-п
100 Вт
-
700
9
10А
SlOO
1
1
1
!
1
1
1
1
КТ8ЗОА
р-п-р
5* Вт
<!:4
35
5
2А;4*А
SlOO (35 В)
КТ8ЗОБ
р-п-р
5* Вт
<!:4
60
5
2А;4*А
SlOO (60 В)
КТ8ЗОВ
р-п-р
5* Вт
<!:4
80
5
2А;4*А
SlOO (80 В)
ктsзоr
р-п-р
5* Вт
<!:4
100
5
2А;4*А
SlOO (100 В)
КТ831А
п-р-п
5Вт
<!:4
35
1
12
2А
1
-
КТ831Б
1 п-р-п
5Вт
<!:4
60
5
2А
1
-
КТ831В
1
1
5Вт
<!:4
80
5
2А
i
п-р-п 1
-
KT831f
1
п-р-п 1
5Вт
<!:4
100
5
2А
-
1

Биполярные кремниевые транзисторы
207
1
1
с,.
rкэ."• Ом
Кш, дБ
i
t'к' ПС
1
h"" ь;,э
с,2"
r~Энас' Ом
r;, Ом
t;..,. нс
Корпус
1
пФ
к;_*,.. дБ
Р;~х' Вт
1
t::..л, нс
1
~10
!-
1
-
1
-
1
-
1
КТ8261, КТ8270
5... 90
-
-
-
-
~иw: Фт
~25
-
-
-
-
КТ8271, КТ8272
~25
-
-
-
-
~25
-
-
-
-
~иw
1
:Фт
~25
1
-
-
-
-
1
~25
-
-
-
-
~25
-
-
-
-
~750*(3В;3А)
::;120
::;О,57
-
-
КТ829
~750"' (3 В; 3 А)
::;120
::;О,57
-
-
~750*(3В;3А)
::;120
::;О,57
-
-
:ttr
~750*(3В;3А)
::;120
::;О,57
-
-
1
fiK 3
1
'
~1000
1
-
::;О,3
-
-
КТ829(Т-М)
~700
-
::;О,25
-
-
400...3000
-
::;О,66
-
-
10.28
7.11
4,55
R
~
.;
..,•
..
-
~111
~
г
f
к"'
Бt•:~-- Э"'
~10
1
-
-
-
-
КТ8290
)
Щ65
tB
w.тIКЗ
~О*(1 В; 1А)
-
$1,2
-
::;1000*
IП830
~20*(1 В.; 1А)
-
::;1,2
-
::;1000*
1
;fiк$э
~О* (1В;1 At
1
-
$1,2
-
::;1000•
~20*(1 В; 1А)
-
$1,2
-
::;1000*
1
1
1
1
1
1
1
1
~2
-
::;О,6
-
-
КТ831
~5
-
::;О,6
-
-
:~кфз
~25
-
::;О,6
-
-
~о
-
$0,6
-
-
1
1
1
!
~-
5.
1
f:
1
'

208
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Струк- 1
pKmax•
~•• ..:210•
UKБOmax•
lк max
1
lкю•
Тип
Р~.тm1х•
(;.3,
U~Rmaxt
UЭБО max•
1
J~R•
1~.и max•
i
р~: и max•
с·
u~m.ax•
в
1
·~·
прибора
тура 1
ох•
1
мВт
мrц
в
мА
1
мкА
КТ834А
п-р-п
!()()* Вт
~4
500* (0,lк)
8
15 (20*) А
~З* мА (500 В)
КТ834Б
п-р-п
100* Вт
~4
450* (О,lк)
8
15(20*)А
~З* мА (450 В)
КТ834В
п-р-п
100* Вт
~4
400* (О,lк)
8
15 (20*) А
~З* мА (400 В)
КТ835А
р-п-р
25* Вт
~1
зо
4
ЗА
~0.1 мА (30 В)
КТ835Б
р-п-р
25* Вт
*1
45
4
7,5 А
1 ~0.15 мА (45 В)
1
1
1
1
1
1
1
КТ836А
р-п-р
5Вт
~4
90
5
ЗА
~100 (90 В)
КТ836Б
р-п-р
• 5Вт
~4
85
5
ЗА
~100 (85 В)
КТ8368
р-п-р
5Вт
~4
60
5
ЗА
~100 (60 В)
1
'
i
1
КТ837А
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
15
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
КТ837Б
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
15
7,5 А
~.15 мА (80 В)
КТ8378
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
15
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
KT837r
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
15
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Д
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
15
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Е
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
15
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Ж
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
15
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837И
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
15
7.5 А
1
~О.15 мА (45 В)
КТ837К
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
15
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837Л
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
5
7,5 А
~0.15 мА (80 В)
КТ837М
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
5
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
КТ837Н
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
5
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
КТ837П
р-п-р
30* Вт
~1
60
5
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Р
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
5
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837С
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
5
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Т
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
5
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837У
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
5
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837Ф
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
5
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ838А
п-р-п
12,5* Вт (90°С)
~з
1500
5;7
5 (7,5*) А
~1* мА(1500В)
КТ838Б
п-р-п
12,5* Вт
~з
1200
5;7
5 (7,5*) А
1
~1 *мА (1200 В)
1
КТ839А
п-р-п
50* Вт
~5
1500
5
lOA
~1 мА (1500 В)
1
КТ840А
п-р-п
60* Вт
~8
400*; 900
5
6(8*)А
~3 мА (900 В)
KT84CJ&
п-р-п
60* Вт
~8
З50*; 750
5
6(8*)А
~З мА (750 В)
КТ840В
п-р-п
60* Вт
~8
800; З75*
5
6(8*)А
~з мА (800 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
209
ck,
fкэнас• Ом
Kw, дБ
т., пс
h21•' ь;,э
с;2э•
r~Энас• Ом
r;, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к;.*,.. дБ
Р;~•• Вт
t::IUll НС
150...3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В)
:s;0,13
-
tcn::>l,2 МКС
КТ834
150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В)
::>0,13
-
tcn::>l ,2 МКС
150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В)
:s;0,13
-
tcn::>l ,2 МКС
n1~
~Noi 1ti
..:;
.
-
к
~25* (1 В; 1А)
::>800 (10 В)
:s;0,35
-
-
КТ835
10.. .100* (5 В; 2 А)
::>800 (10 В)
::>0,8
-
-
10,85
tB
1
wт6КЭ
20...100 (5 В; 2 А)
-
::>0,3
КТ836
20...100 (5 В; 2 А)
-
:s;0,018
20...100 (5 В; 2А)
-
:s;0,022
:Jf·Ф·
~
5
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,8
-
-
КТ837
20...80* (5 В; 2А)
-
:s;0,8
-
-
50...150* (5 В; 2 А)
-
::>0,8
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
20...80* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
50...150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
~ft
20...80* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
50... 150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
::>0,8
-
-
20...80* (5 В; 2 А)
-
:s;0,8
-
-
50...150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,8
-
-
~
D
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
ЗК6
20...80* (5 В; 2А)
-
:s;0,3
-
-
50... 150* (5 В; 2 А)
-
::>0,3
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
20...80* (5 В; 2 А)
-
::>0,25
-
-
50... 150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
~4*(5В;3,5А)
170 (10 В)
::>1,1
-
::>10* мкс;
КТ838,КТ839,КТ840
tcn::>l ,5
~4*(5В;3,5А)
170(108)
S:l,l
-
::>10* мкс
n1~
~5*(10В;4А)
240 (10 В)
:s;0,375
-
S:IO* мкс;
~Noi 1ti
tcn::>l,5
~
к
10... 60* (2,5 В; 8 А)
-
::>0,75
-
tcn:S:0,6
~10* (2,5 В; 8 А)
-
:s;0,75
-
tcn:S:0,6
10... 100* (2,5 В; 8 А)
-
:s;0,24
-
S:3500*.

210
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKm.Jx'
~" f.:21••
UКБОmах•
JK max
•кво•
Тип
Струк-
р~ т max•
\;Jэt
u~max•
UЭБО так•
·~." ma.x'
·~Rt
прибора
тура
p~нmu•
Сх•
If~max•
в
·~·
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ841А
п-р-п
3 (50*) Вт
~10
600
5
10 (15*) А
:53 мА (600 В)
КТ841Б
п-р-п
3 (50*) Вт
~10
400
5
10 (15*) А
$3 мА (400 В)
КТ841В
п-р-п
3 (50*) Вт
~10
600
5
10 (15*) А
:53 мА (600 В)
KT841f
n-p -n
100* Вт
~7
200
5
10 (15*) А
:53 мА (200 В)
КТ841д
п-р-п
100* Вт
~5
500
5
10 (15*) А
:s;3 мА (500 BJ
КТ841Е
п-р-п
50* Вт
~7
800
5
10(15*)А
:53 мА (800 BJ
1
КТ842А
р-п-р
3 (50*) Вт
~20
300
5
5 (10*) А
:Sl мА (300 В)
КТ842Б
р-п-р
3 (50*) Вт
~20
200
5
5 (10*) А
:Sl мА (200 В)
КТ842В
р-п-р
100* Вт
~7
200
5
5 (10*) А
:SI мА (200 В)
КТ844А
п-р-п
50* Вт (5О 0С)
~7.2
250* (О,Оlк)
4
10 (20*) А
:53* мА (250 В)
КТ845А
п-р-п
40* вт (50°С)
~4.5
400* (0,01 к)
4
.5 (7,5*) А
:S3* мА (400 В)
КТ846А
п-р-п
12.5* Вт (9О0С)
~2
1500* (О,Оlк)
5;7
5 (7,5*) А 1 :SI* мА (1500 В)
КТ846Б
п-р-п
12,5* Вт (95"С)
~2
1200
5;7
5 (7.5*) А
1
:SI * мА (1200 В)
КТ846В
1
п-р-п
12,5* Вт (95°С)
~2
1500
5;7 1 5(7,5*)А
:SI * мА (1500 BJ
!
КТ847А
п-р-п
125* Вт
~15
650* (0,01 к)
8
15 (25*) А
5мА(650В)
КТ847Б
п-р-п
125* Вт
~10
650* (О,Оlк)
8
15 (25*) А
5мА(650В)
КТ848А
п-р-п
35* Вт (IOO"C)
~3
520
15
15А
:SЗ* мА (400 В)
КТ848Б
п-р-п
35* Вт ( 1оо·с)
~3
400
15
15А
:53* мА (400 В)
КТ850А
п-р-п
25* Вт
~20
250
5
2(3*)А
:5100 (250 В)
КТ850Б
п-р-п
25* Вт
~20
300
5
2(3*)А
:5500 (300 В)
КТ850В
п-р-п
25* Вт
~20
180
5
2(3*)А
:5500 (180 В)
:
i
1
КТ851А
i р-п-р
25* Вт
~20
250
5
2(3*)А
:5100 (250 В)
КТ851Б
1 р-п-р
25* Вт
~20
300
5
2(3*)А
:5500 (300 В)
КТ851В
р-п-р
25* Вт
~20
180
5
2(3*)А
:5500 (180 В)
КТ852А
р-п-р
50* Вт
~7
100
5
2,5 (4*) А
:SI мА (100 В)
КТ852Б
р-п-р
50* Вт
~7
80
5
2,5 (4*) А
:SI мА (80 В)
КТ852В
р-п-р
50* Вт
~7
60
5
2,5 (4*) А
:SI мА (60 В)
KT852f
р-п-р
50* Вт
~7
45
5
2,5 (4*) А
:SI мА (45 В)
КТ85ЗА
р-п-р
60* Вт
~7
100
5
8 (12*) А
:5200 (100 В)
КТ85ЗБ
р-п-р
60* Вт
~7
80
5
8 (12*) А
:5200 (80 В)
КТ85ЗВ
р-п-р
60* Вт
~7
60
5
8 (12*) А
$200 (60 В)
ктssзr
р-п-р
60* Вт
~7
45
5
8(12*)А 1 $200(45В)
1
КТ854А
п-р-п
60* Вт
~10
600
5
10 (15*) А
:53 мА (600 В)
КТ854Б
п-р-п
60* Вт
~10
400
5
10 (15*) А
:53 мА (400 В)
КТ855А
р-п-р
40* Вт
~5
250
5
5(8*)А
:51000 (250 В)
КТ855Б
р-п-р
40* Вт
~5
150
5
5(8*)А
:51000 (150 В)
КТ855В
р-п-р
40* Вт
~5
150
5
5(8*)А
:51000 (150 В)
КТ856А
п-р-п
75* Вт
~10
800
5
10А;12*А
:53 мА (800 В)
КТ856Б
п-р-п
75* Вт
~10
700
5
10А;12*А
:53 мА (600 В)
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
211
"
!
1
rкэ ""' Ом
Кw1 дБ
1
с,,
1
tll:, пс
h2," ь;,э
с;2э'
r~н•с• Ом
r~. Ом
t~<' НС
Корпус
пФ
к;.·Р·' дБ
Р;~х• Вт
t;ы11.11• НС
~12*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
КТ841, КТ842, КТ844
~12*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~12*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~20*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~20*(5В;2А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
п.1 ~
~10*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~ffli ~
~15*(4В;5А)
250 (10 В)
$0,36
800*
-
~
.
~15*(4В;5А)
250 (10 В)
$0,36
-
800*
-
к
~20*(4В;5А)
i250(10В)
$0,44
-
800*
'
!
10...50• (3 В: 6 А) i $300 (10 В)
$0,4
1
-
1
$2000*
1
1
15...100* (5 В; 2 А)
1
$45 (200 В)
$0,75
-
$4000*
КТ845, КТ846, КТ847,
КТ848
-
$200
$0,22
-
$12000*
-
-
$1,1
-
$12000*
п.1 ~
-
-
$1,1
-
$12000*
~ffli ~.
8...25* (3В: 15А) 1$200(400В) 1
$0,1
-
$2000*
8...25* (3 В; 15 А) 1 $200 (400 В)
1
$0,1
-
$3000*
!
i
i
:
1
1
1
1
1
~20*(5В;15А) i
-
$0,2
-
1
-
~20*(5В;15А) !
-
$0,2
-
-
1
1
1
40...200* (10 В; 0.5 А) 1 $35 (5 В)
$2
-
1
1500*
! КТ850, КТ851, КТ852
~20* (10 В; 0,5 А)
$35 (5 В)
$2
-
1500*
~20* (10 В; 0,5 А)
$35 (5 В)
$2
-
1500*
40...200* (10 В; 0,5 А)
1
40(5В)
$2
-
1400*
70,G5
~в
20... 200* (10 В: 0,5 А)
40(5В)
$2
-
1400*
wт
20...200* (10 В; 0.5 А)
40(5В)
$2
-
1400*
1
~500•(4В;2А)
$28 (5 В)
1
$1,25
-
1
2000**
~500•(4В:2А)
$28 (5 В)
$1,25
2000**
6КЭ
1
-
1
~1000* (4 В; 1 А)
1
$28 (5 В)
$1,25
-
2000**
~1000* (4 В; 1 А)
$28(5В) 1
$1,25
-
1
2000**
1
!
i
!
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
КТ853,КТ854,КТ855
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
п.1 !)
~20*(4В;2А)
200 (10 В)
$0,4
-
tcn=700
~ffl- ~
~20•(4В;2А)
200 (10 В)
$0,4
-
tcn=700
~
.
~20*(4В;2А)
200 (10 В)
-
к
$0,5
-
-
~20*(4В;2А)
200 (10 В)
$0,5
-
-
~15*(4В;2А)
200 (10 В)
$0,5
-
-
10...60* (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
$2* мкс
КТ856
10...60* (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
$2* мкс
n.t ~
~ffli ~.
14*

212
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i Ркmах'
~•• ~216'
UKБOmax'
!
JКБО•
lк max
Тип
Струк-
Р~.тmах'
~;lэ'
U~Rmax'
UЭБО max'
1;,н maxt
J~R'
р~~ н m1xt
1,;,··
u~max•
в
1··
прибора
тура
"'
кэо•
1
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ856А-1 i
i
50* Вт
10
800
5
1 10А;12*А
! $;3мА(800В)
п-р-п 1
КТ856Б-1 1 п-р-п 1
50* Вт
10
1
600
5
1 IOA;12*А
$;3 мА (600 В)
i
1
i
i
i
i
!
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
КТ857А
п-р-п
60* Вт
<?:10
250
6
! 7(10*)А
$;5 мА (250 В)
1
1
1
1
КТ858А
п-р-п
j
60* Вт
<?:10
400
6
7 (10*) А
$;1 мА (400 В)
1
1
КТ859А
п-р-п i
40* Вт
1
<?:25
800
1
10
3(4*)А ! $;1мА(800В)
1
i
1
1
1
1
i
1
1
1 $;2.5 мА (300 В)
КТ862Б
п-р-п
50* Вт
<?:20
450
5
15А;25*А
КТ862В
п-р-п
50* Вт
<?:20
600 (350**)
1
5
10А:15*А 1 $;3мА(600В)
КТ862Г
п-р-п
50* Вт
<?:20
600 (400**) 1
5
lOA: 15* А
1
$;3 мА (600 В)
1
1
!
КТ86ЗА
п-р-п
50* Вт
<?:4
30
5
i 10А
$;1 мА (30 В)
КТ86ЗБ
п-р-п
50* Вт
<?:4
30
5
1
10А
:!>I мА (30 В)
КТ86ЗВ
п-р-п
1
50* Вт
<?:4
160
5
10А
$;1 мА (30 В)
1
1
КТ864А
п-р-п
100* Вт
<?:15
200
6
10 (15*) А
~100 (200 В)
i
!
КТ865А
р-п-р
100* Вт
<?:15
200
6
1
10(15*)А
:!>100 (200 В)
1
1
КТ866А
п-р-п
30* Вт
25
200; 100**
4
15А;20*А
:!>25 мА (100 В)
КТ866Б
п-р-п
30* Вт
25
200; 80**
4
15А;20*А
$;25 мА (100 В)
1
КТ867А
1
п-р-п
100* Вт
<?:25
200
7
25А(40*А)
:!>3 (250 В)
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
213
ck,
rкэн•('' Ом
Кw,дБ
tll, пс
h2," ь;,э
с;2,•
r~""'' Ом
r;. Ом
t;,.,, нс
Корпус
пФ
к;.·,_, дБ
Р;:•• Вт
t::.мt НС
10...60* (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
$2* мкс
КТ856-1
1 10...60'" (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
1
$2* мкс
~~r
1
1
1
t'.f $::!
•
....
' ;!(
D
6КЗ
<?:7,5* (1 В; 3 А)
-
$0,33
-
$2500*
КТ857, КТ858, КТ859
70,65
t,8
wт
<?:10* (5 В; 5 А)
1
-
$0,2
-
$2500*
<?:10* 110 В; 1 А)
1
-
$1,5
-
$3500*
6КЭ
12...100* (5 В; 8 А)
$300 (30 В)
$0,13
-
$1000*
КТ862
12...50* (5 В; 5 А)
$250 (10 В)
$0,29
-
$2000*
12...50* (5 В; 5 А)
$250 (10 В)
$0,29
-
$2000*
~!~_~1·~18·
<?:100* (2 В; 5 А)
-
$0,06
-
-
1
КТ863
<?:70* (2 В; 5 А)
1
-
$0,1
-
-
1
<?:70* (2 В; 5 А)
1
$0,1
70,65
t,8
-
-
-
wт6КЭ
40...200* (4 В; 2 А)
S300 (5 В)
S0,6
-
-
КТ864, КТ865
40...200* (4 В; 2 А)
$300 (5 В)
$0,3
-
-
п.1 ~
~Noi v.
<?:15* (10 В; 10 А)
$400 (!О В)
$0,15
-
$450**
КТ866
<?:15* (10 В; 10 А)
$400 (10 В)
$0,15
-
$450**
" '=>
,,...
з
6
t~
-
~ 212
<?:10* (5 В; 20 А)
$400 (10 В)
$0,075
-
1,3* мкс
1
КТ867
п.1 ~
~вri~
~
.
-
к

214
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
~•• ~216•
Ркm1х'
UKБOm1x•
lк m1x
JКБО•
Тип
1 Струк-
Р~.тm1х•
Ii:;1э•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,и max•
·~R'
р~~ и max•
с·
u~max•
в
."
прибора I тура
".
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ868А
n-p-n
70* Вт
~8
900
5
6(8*)А
$3 мА (900 В)
КТ868Б
n-p-n
70* Вт
~8
750
5
6(8*)А
$3 мА (750 В)
КТ872А
n-p-n
100* Вт
~7
1500; 700*
6
8 (15*) А
$1 мА (1500 В)
КТ872Б
n-p-n
100* Вт
~7
1500; 700*
6
8 (15*) А
$1 мА (1500 В)
КТ872В
n-p-n
100* Вт
~7
1200; 600*
6
8 (15*) А
$1 мА (1200 В)
КТ874А
n-p-n
75* Вт
~20
150;
5
30А;50*А
$3 мА (150 В)
100* (О,Оlк)
КТ874Б
n-p-n
75* Вт
~20
150;
5
30А;50*А
$3 мА (150 В)
120* (О,Оlк)
КТ878А
n-p-n
150* Вт
~10
900* (О,Оlк)
5
25 (50*) А
~3 мА (900 В)
КТ878Б
n-p -n
2 Вт; 100* Вт
~10
800* (0,01 к)
6
25 (50*) А
$3 мА (800 В)
КТ878В
n-p -n
2 Вт; 100* Вт
~10
600* (0,01 к)
6
25 (50*) А
$3 мА (600 В)
1
КТ879А
n-p -n
250* Вт
~10
200
6
50А;(75*)А $3мА(200В)
КТ879Б
n-p-n
250* Вт
~10
200
6
50А;(75*)А $3мА(200В)
КТ885А
n-p-n
150* Вт
~15
400* (0,01 к)
5
40 (60*) А
$1 мА (500 В)
КТ885Б
n-p-n
150* Вт
~15
5.00* (О,01 к)
5
40 (60*) А
$1 мА (500 В)
КТ886А-1
n-p-n
75* Вт
~10.5
1400*(0,Оlк)
7
10 А; (15*) А $0,1 мА (1000 В)
КТ886Б-1
n-p -n
75* Вт
~10.5
1000*(0,Оlк)
7
10 А; (15*) А $0,5 мА (1000 В)
1
КТ887А
р-п-р
3Вт;75*Вт
~15
700
5
2А;(5*)А $0,25мА(700В)
КТ887Б
p-n-p
3Вт;75*Вт
~15
600
5
2А;(5*)А $0,25мА(600В)
:
1

Биполярные кfiемниевые транзuсinоры
215
с,,
rкэиас• Ом
Кw,АБ
tк, ПС
ь.," ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,..,, нс
Корпус
пФ
к;.·,.. АБ
Р;:х' Вт
t::,КJI, нс
10...60* (5 В; 0,6 А)
5100 (80 В)
50,75
-
53500*
КТ868, КТ872
10... 100* (5 В; 0,6 А) 5100 (80 В)
50,75
-
53500*
:Emr
~6(5В;30мА)
5125 (15 В)
50,22
-
57500*
~6(5В;30мА)
1 5125 (15 В)
51,1
-
57500*
~6(5В:30мА)
1
5125(158)
51,1
-
57500*
1
6КЗ
15...50* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
50,04
-
0,5* мкс
КТ874
10...40* (5 В; 30 А)
200 (tOO В)
50,04
-
0,5* мкс
"=>
.,..
з
6
t111
-
~ 21,2
12...50* (5 В; 10 А)
1
5500 (10 В)
1
50,1
-
53000*
КТ878
12...50* (5 В; 10 А)
5500 (10 В)
50,1
-
53000*
12...50* (5 В; 10 А) 1 5500 (10 В)
50,1
-
53000*
nt~
1
~Noii ~
1
..,.
'
.. ..
/(
~20*(4В;20А)
5800 (10 В)
$0,06
-
1,2* мкс
КТ879
~15*(4В;20А)
5800 (10 В)
$0,1
-
1,2* мкс
=rt~
'
~
1
~12*(5В;20А)
$200 (100 В)
50,08
-
$2000*
КТ885
~12*(5В;20А)
5200 (100 В)
50,08
-
$2000*
п1~
~Noii ~
..,.
.
.. ..
к
6...25* (5 В; 4 А)
$l35(IOB)
50,25
-
2,5* мкс
КТ886-1
6...25* (5 В; 4 А)
5135 (10 В)
50,25
-
2,5* мкс
~r
1
1
6КЗ
20...120* (9 В; 1 А)
350(IOB)
$1,5
-
$5* мкс
КТ887
20... 120* (9 В; 1 А)
350 (10 В)
$1,5
-
$5* мкс
1
щ~
~Noii '!.:!.

216
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax'
~р• ~216•
Uкooma:ii:•
lк max
JКБО•
Тип
Струк-
Р;,тmах•
~;lз•
u~m•x'
UЭБOma:ii:•
1~.н m1:1•
·~·
р~~ и max•
с·
lf';ЭOm1к•
в
·~·
прибора
тура
ах•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ888А
1
р-п-р
0,8 Вт; 7* Вт
2:15
900
7
100 (200*)
slO (900 В)
КТ888Б
р-п-р
0.8 Вт; 7* Вт
2:15
600
7
1
100 (200*)
:!>10 (600 В)
1
1
1
1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
'1
1
КТ890А
п-р-п
120* Вт
40
650
5
20А
0,5** мА (350 В)
КТ890Б
п-р-п
120* вт
40
500
5
20А
0,25** мА (350 В)
КТ890В
п-р-п
120* Вт
40
350
5
20А
0,25** мА (350 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ892А
п-р-п
1
100* Вт
8
350* (О,Оlк)
5
15 (30*) А
:S:З мА (350 В)
КТ892Б
п-р-п
100* Вт
8
400* (О,Оlк)
5
15 (30*) А
s3 мА (400 В)
КТ892В
п-р-п
100* Вт
8
300* (0,Оlк) 1
5
15 (30*) А
s3 мА (300 В)
1
1
КТ89ЗА
п-р-п
120* Вт
-
800* (0,01 к)
5
1
6А;8*А
1
sl* мА (800 В)
1
1
1
1
1
'
'
1
1
КТ896А
р-п-р
2 Вт; 125* Вт
2:4
90* (lк)
5
20А(30*А)
-
КТ896Б
Р:П-р
2 Вт; 125* Вт
;::4
60* (!к)
5
20А(30*А)
-
1
1
1
1
КТ897А
п-р-п
3 Вт: 150* Вт
;::10
350
5
20А(30*А)
$250 (350 В)
КТ897Б
п-р-п
3 Вт; 150* Вт
2:10
200
5
20А(30*А)
$250 (200 В)
КТ898А
п-р-п
1,5 Вт; 125* Вт
2:10
350
5
20А(30*А)
-
КТ898Б
п-р-п
1,5 Вт; 125* Вт
2:10
200
5
20А(30*А)
-
1
1
1
1

'
Биполярн
нзисторы
ые кремниевые тра
30 120* (30 В: 30 мА)
30:::120• (30 В; 30 мА)
~00*(5В;5А)
>200*(5В:5А)
~200*(5В;5А)
>300* (10 В; 5 А)
~300* (10 В; 5 А)
~300* (10 В; 5 А)
10... 20*
) <700 (10 В)
750 ... 18000* (!О В; 5 А $100 (10 В)
750... 18000* (10 В; 5 А)
>400*(5В;5А)
S400* (5В; 5А)
>400*(5В;5А)
;400*(5В;5А)
rкэнас' Ом
•
Ом
rБЭ нас'
к;_*", АБ
$50
s50
<0,23
$0,22
$0,2
<0,225
$0,225
$0,225
<О,б
$0,4
$0,4
$0,23
$0,23
$0,23
$0,23
Kw, АБ
r;, Ом
р•• Вт
sыxt
'tll. , пс
t• нс
,..,.
t••
нс
awu•
<3* мкс
<3* мкс
tсп<4 МКС
tсп<4 МКС
tсп<4 МКС
<2* мкс
$4500**
<4500**
217
Корпус
КТ888
КТ890
~-Em·~ r
1С)
Q
':!
6К3
КТ892
27,1 ~
.
6з
~Noi !J•O
....
к
...
КТ893
КТ896
gfJf6К3КТ897
КТ898
gfJf6К3

218
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк .... •
~•• 'i:210•
UК&Omax•
lк ,..,
lкю,
Тип
Струк-
р~тm11х•
(;.3,
u~max'. UЭ6011111к' 1;, .......
·~·
прибора
тура
p;•max'
t:x•
U-кэо,..,•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ898А-1
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~10
350
5
20А(30*А)
-
КТ898Б-1
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~10
200
5
20А(30*А)
-
:КТ899А
1 п-р-п
40* Вт
~8
160
5
8А(15*А)
Sl (160 В)
1
1
1
КТ902А
п-р-п
30* Вт (5О0С)
~35
65 (110 имп.)
5
5А
slO мА (70 В)
КТ902АМ
п-р-п
30* Вт (50°С)
~35
65 (110 имп.)
5
5А
SlO мА (70 В)
1
1
:КТ90ЗА
1
п-р-п
30* Вт (60**)
~120
60 (80 имn.)
4
3(5*)А
SIO* мА (70 В)
КТ90ЗБ
n-p -n
30* Вт (60**)
~120
60 (80 имn.)
4
3(5")А
SIO* мА (70 В)
:КТ904А
n-p-n
5* Вт (40°С)
~350
60* (0,1 к)
4
0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В)
IП904Б
n-p -n
5* Вт (40-С)
~300
60* (0,lк)
4
0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В)
IП907А
n-p-n
13,5* Вт
~350
60* (О,lк)
4
1(3*)А
S3* мА (60В)
КТ907Б
1 п-р-п
13,5* Вт
~300
60* (О,lк)
4
1(3*)А
S3* мА i60 В)
КТ908А
n-p-n
50* Вт (SO-C)
~30
100* (О,Оlк)
5
1ОА
S25* мА (100 В)
:КТ908Б
п-р-п
50• Вт (so·c)
~30
60* (О,25к)
5
10А
S50* мА (60 В)
--
.'

Биполярные кремниевые транзисторы
219
ck,
rкэн1с:' Ом
Кш,д6
tк, ПС
1
h21.• ь;,э
с;2,•
r;э нас' Ом
r;, Ом
t~. нс
Корпус
пФ
1
к;.·,.. дБ
Р:•• Вт
t;..kЛ. нс 1
!
1 ~400*(5В:5А)
1
-
$0,23
-
-
КТ898-1
~400*(5В:5А)
-
$0,23
-
-
с изо.пироваииыми выводами
~~r
~ t:!
.
1
ln
'$f
D
6к3
~1000* (5 В; 5 А)
-
$0,26
-
1
-
КТ899
1
1
1
1
1
1
~~r
~ t:!
ln
'$f
D
6КЗ
~15*(10В;2А)
$300 (10 В)
$1: ~7**
~20** (10 МГц)
-
КТ902
:щ··
~fj .
t't
о
1
~15*(10В;2А)
$300 (10 В)
$1: ~7**
~20** (10 МГц)
-
КТ902М
~иw: ·~
15...70* (10 В; 2 А) $180 (30 В)
$1,25; ~3**
~10** (50 МГц)
-
КТ903
40... 180* (10 В; 2 А) $180 (30 В)
$1,25; ~3**
~10** (50 МГц)
-
~§$
~10* (5 В; 0,25 А)
$12 (28 В)
$5; ~2.5**
~3** (400 МГц)
$15
КТ904,КТ907
~10* (5 В: 0,25 А)
$12 (28 В)
$5; ~2**
~2.5** (400 МГц)
$20
~;е
~10* (5 В: 0,4 А)
$20 (30 В)
$4; ~2**
~8** (400 МГц)
$15
~10* (5 В: 0,4 А)
$20 (30 В)
$4; ~1.5**
~6** (400 МГц)
$20
1~
6
8...60* (2 В: 10 А)
$700 (10 В)
$0,15
-
$2600*
КТ908
~20*(4В;4А)
$700 (10 В)
$0,25
-
$2600*
~!11$

220
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Ркm.х•
~•• ~216•
UКБОmак•
lк m•x
•кю•
Тип
J Струк-
Р~. т max'
Ii:;1э•
U~Rn111r.•
UЭБО max•
1;.н mак•
·~R'
прибора
тура
р~~ и max•
Сх•
u~mair.•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ909А
п-р-п
27* Вт
;е:350
60* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
30* мА (60 В)
КТ9096
п-р-п
54* Вт
;е:500
60* (0,01 к)
3,5
4(8*)А
60* мА (60 В)
КТ909В
п-р-п
27* Вт
;е:300
60* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
30* мА (60 В)
КТ909Г
п-р-п
54* Вт
;е:450
60* (0,01 к)
3.5
4(8*)А
60* мА (60 В)
1
КТ9101АС
п-р-п
128* Вт
;е:350
50
4
7А
$30 мА (50 В)
КТ9104А
п-р-п
10** Вт
;е:600
50
4
1,5 А
$10 мА (50 В)
КТ91046
п-р-п
23** Вт
;е:600
50
4
5А
$20 мА (50 В)
.
1
1
1
1
КТ9105АС
п-р-п
i 133* Вт
;е:660
50* (0,01 к)
1
4
16А
!
$120* мА (50 В)
1
!
КТ9106АС-2 \ 2Тб42-5
300 и 2500
-
12* и 20*
2и2.5
60и200 1
$1 мА
1 +два
1
2Т996А5
КТ91066С-2
300 и 2500
-
12* и 20*
2и2,5
60и200
$1 мА
1
1
КТ9109А
п-р-п
1120** Вт
;е:360
65
4
29* А
$60 мА (65 В)
IКТ9ША 1 п-р-п
200** Вт
;е:200
120
4
10А
$100 мА (100 В)
1
1
1
1
1
1
•
1
!
1

Биполярные кремниевые транзисторы
221
ck,
fкэнас:• Ом
Кw,дБ
tlC, пс
h2," ь;,э
с;2э•
r~нк' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;~,.• дБ
Р;~х' Вт
t::м' НС
-
s30 (28 В)
s0,3; ~1.7**
20** (500 МГц)
· s20
КТ909
-
s60 (28 В)
s0,18; ~1.75**
40** (500 МГц)
S20
~~~
-
s35 (28 В)
S0,3; ~1.2**
15** (500 МГц)
$30
-
sбО (28 В)
s0,18; ~1.5**
~30** (500 МГц)
S30
...
~
.
J//.7
-
Sl50 (28 В)
~5.5**
~100** (0,7 ГГц)
S45
КТ9101
trm·
~ ....
з
-
....
к
11J,2
-
1 $20(28В)
~8**
~5** (0,7 ГГц)
S20
КТ9104
-
S40 (28 В)
~7**
~20** (0,7 ГГц)
$20
~51
....
к
з
:
t:~
Sl60* (5 В; 0,1 А)
S240 (28 В)
~5**
~100** (0,5 ГГц)
Sl2
КТ9105
1
~tfМ
8,5
.2
30... 100 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
КТ9106-2
31.61
К/61 К1ЭJ
60...150 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
61
-J .1
"'
, 1 Dlllli
_l
~х1
t:::
i
$"'
1
'°
1
т
'"
10
6131 Kl К1ЭJ
61KI61
31.61 К1 Э1
l«}~
61 Э1
Kl
К1 31
-
sl40 (50 В) ~3.5** (820 МГц) ~500** (820 МГц)
SlO
КТ9109
~
....
кз
~31
~ с-. 2"4
~10*(10В;5А)
Sl50 (50 В)
~10**
~150** (80 МГц)
-
КТ9111
~t~~l~tfj
12.S
J5,8

222
Раздел 2. Биполярные транзисторы
·
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max'
lк mlillx
lкво•
Тип
Струк-
Р~.тmах'
~;lз'
U~Rmax'
UЭБО max'
1:.н max'
I:Сн•
р~~н max•
с·
u~max'
в
I"
прибора
тура
'"
КЭО•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ9115А
p-n-p
10* Вт
~90
300* ( 10к)
5
100; 300*
1
$0,05 (250 В)
КТ9115Б
1
p-n-p
10* Вт
~90
150* ( 10к)
5
100; 300*
$0,05 (150 В)
1
1
1
1
КТ9116А
n-p-n
46* Вт
~240
55* (О,Оlк)
4
4А
$30 мА (55 В)
КТ9116Б
n-p-n
76,7* Вт
~230
55* (О,Оlк)
4
10А
$100 мА (55 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ911А
n-p -n
3* Вт
~750
55
3
0,4 А
$5мА(55В)
КТ911Б
n-p -n
3* Вт
~600
55
3
0,4 А
$5мА(55В)
КТ9118
n-p -n
3* Вт
~750
40
3
0,4 А
$5мА(40В)
КТ911Г
n-p -n
3* Вт
~600
40
3
0,4 А
$5мА(40В)
КТ912А
n-p -n
30* Вт (85°С)
~90
70* (0,01 к)
5
20А
$50* мА (70 В)
КТ912Б
n-p -n
30* Вт (85°С)
~90
70* (О,Оlк)
5
20А
$50* мА (70 В)
!
1
1
КТ9131А
n-p-n
350* Вт
~100
100
4
25А; 40*А
$200* мА
(IOOB)
1
КТ9132АС
n-p-n
163** Вт
-
50
4
11,2 А
-
1
1
1
11
КТ913А
n-p -n
4,7* Вт (55°С)
~900
55
3,5
О,5(1*)А
$25* мА (55 В)
КТ913Б
n-p -n
8* Вт (70°С)
~900
55
3,5
1(2*)А
$50* мА (55 В)
КТ9138
n-p -n
12* Вт
~900
55
3,5
1(2*)А
$50* мА (55 В)
1
1
1
!
'
!
!
1
КТ9120А
p-n -p
50* Вт
~50
1
45* (О,lк)
5
12 (30*) А
$0,1 мА (45 В)
1

'
ниевые транзисторы
Биполярные крем
~5(10В;30мА)
~5(10В:30мА)
>20* (5 В; 0,5 А>
~20* (5 В; 0,5 А)
-
-
-
-
l0... 50* (!О В; 5 А)
20... 100* (10 В; 5 А)
~10(10В:10А)
-
>10* (10 В; 0,5 А)
~10* (10 В; 0,5 А)
~10· (10 В; 0,5 А)
~40*(1В;4А)
s5.5 (30 В)
s5,5 (30 В)
s55 (28 В)
:!>155 (28 В)
<10 (28 В)
<10 (28 В)
~10 (28 В)
~10 (28 В)
<200 (27 В)
1 :!>200 (27 В)
:!>800 (50 В)
.
<6 (28 В)
is12(28В)
:!>14 (28 В)
:!>1900 (10 В)
.
rкэ ""'' Ом
•
Ом
rБЭ нк•
к:.·,.. дБ
<33
$33
>25**
~10**
<5; >2,5**
$5; ~2.6**
$5; ~2.2**
:!>5; ~2.2**
<0,12; >10**
$0,12
>10**
(30 МГц)
$0,1
>3,5** раз
<1,1; >2**
$1,1; ~2**
$1,1; ~2**
<0,75
Kw, дБ
r;, Ом
Р,:" Вт
>5** (225 МГц)
>15** (225 МГц)
>1** (1,8 ГГц)
>1** (1 ГГц)
~ 8** (1,8 ГГц)
-~О.В** (1 ГГц)
>70** (30 МГц)
>70** (30 МГц)
>400** (30 МГц)
>l40** (650 МГц)
>3** (1 ГГц)
>5** (1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
1
i
i
!
i
1
1
't'к, ПС
t;,.... нс
t" нс
......
<25
<30
<25
<25
:!>50
$100
<18
<15
$15
<500*
223
Корпус
КТ9115
~1~' t
~
D
ЗК6
КТ9116
~t~gз.6
а
с.<з .
21
КТ911
КТ912
КТ9131
3
КТ9132
КТ913
КТ9120

224
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
1 Струк-
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max'
lк max
1
•кю•
Тип
Р~. т max'
(;lэ'
U~Rmax'
UЭБО ffiilX'
••
J~R•
прибора
р~~ и max'
с·
u~milx'
в
К, и maxt
•••
тура
'"
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ9121А
п-р-п
92** Вт
-
42
3
9,2* А
:515 мА (42 В)
КТ9121Б
n-p-n
46** Вт
-
42
3
4,6* А
:57,5 мА (42 В)
КТ9121В
n-p-n
11,5**Вт
-
42
3
1,15* А
:52,5 мА (42 В)
КТ9121Г
n-p-n 1
130** Вт
-
42
3
13* А
:522 мА (42 В)
i
1
1
1
1
i
КТ9125АС
1
n-p -n
60* Вт (40°С)
:<:660
55* (10 Ом)
4
4А
:560* мА (55 В)
1
КТ9126А
n-p-n
330* Вт (50°С)
:<:100
100* (О,Оlк)
4
30А
:5200* мА (100 В)
1
1
1
1
1
1
КТ9127А
n-p-n
1151**Вт
-
65
3
38* А
:560* мА (65 В)
КТ9127Б
n-p-n
524** Вт
-
65
3
19* А
:530* мА (65 В)
1
1
1
КТ9128АС
n-p-n
180* Вт (50°С)
:<:200
50* (10 Ом)
4
18А
:5100* мА (50 В)
КТ91ЗОА
n-p -n
10* Вт
:<:200
250
6
150
1
:51 мкА (250 В)
1
КТ91ЗЗА
n-p-n
130* Вт
:<:225
55* (0,01 к)
4
16А
:5200* мА (55 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
225
~
~
с"
rКЭнас' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h2," h;,э
С~2э'
r~э нас' Ом
"~,Ом
t~al'' НС
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:х' Вт
t::клt НС
-
-
~6,4**
~35**
-
КТ9121
(2,3 ...2,7 ГГц)
-
-
~6.4**
~17**
-
1.
'tf ..... Б
(2,3 ...2,7 ГГц)
-
1
-
-
~6.4**
~4**
-
:~ ...... К,.:._ rl- .._
1
(2,3 ...2,7 ГГц)
~
. ..,
-
,....
1
с,.
-
-
~12,5**
~50**
-
1
жэ
(2,3. "2,7 ГГц)
~
4,6
2/J,.f
:>110* (5 В; 0,5 А)
:>70 (28 В) ~6** (500 МГц) ~50** (500 МГц)
:>20
КТ9125
tfl1
~
~к·
5
-
с..
1j
1
[]
23,2
3
1
1
~10*(10В;5А)
:>500 (50 В)
;;:13**; :>0,05
~500** ( 1,5 МГц)
-
КТ9126
.....
""'
/j
к
tjti]
~ ~J5,:
-
-
~5.6**
~550**
-
КТ9127
(1,025."1,15 ГГц)
-
-
~6.2**
~250**
-
1
j
'lf ~Б
(1,025 ... 1, 15 ГГц)
-
:~
К, _..,
~
......
... ..
-
. ..,
'-
.
н-
с,.
-
жэ
1
'
4,6
2/J,.f
:>100* (5 В; 0,5 А)
:>430 (28 В) 7** ( 175 МГц) ~200** (175 МГц)
:>30
КТ9128
tfl!
~
~к·
5
-
с..
1j
[]
23,2
3
10...45 (9 В; 20 мА)
:>6 (10 В)
:>50
-
-
КТ9130
;fiкФз
-
:>160 (28 В)
~7.5**
~30** (225 МГц)
:>30
КТ9133
~tg·
а
<Nз
.
21
15 зак. 9

226
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
~р• t ...
Uкоо max•
lк max
lкоо•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
~~l!t'
U~Rmax•
UЭБОm•х' 1;. к max•
J~R•
р~нmах•
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
".
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ9134А
п-р-п
2600** Вт
<>:600
50
3
78* А
:5120 мА (50 В)
1
КТ9134Б
п-р-п
2100** Вт
<>:600
50
3
71* А
1 :5120 мА (50 В)
КТ9136АС
п-р-п
700** Вт
<>:300
60
4
30* А
:5140 мА (60 В)
1
!
11
КТ914А
р-п-р
7* Вт
<>:300
65
4
0,8 (1,5* А)
2*мА(65В)
КТ9141А
п-р-п
3* Вт
<>:1 ГГц
120
3
300
:5100 (120 В)
1
КТ9141А-1
п-р-п
5* Вт
<>:1 ГГц
120
3
400
:50,1 (120 В)
1
1
1
1
!
КТ9142А
п-р-п
72* Вт
-
55
3
15А
:5100 мА (55 В)
КТ914ЗА
р-п-р
3* Вт
<>:1500
75
3
100 (300*)
:51*мА(50В)
КТ914ЗБ
р-п-р
3* Вт
<>:1500
75
3
100 (300*)
:51*мА(50В)
КТ914ЗВ
р-п-р
1
3* Вт
<>:1000
75
3
100 (300*)
:51*мА(50В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
227
1
1
с"
rКЭHilc' Ом
1
Кш• дБ
tк, ПС
~
h21,• ь;,э
1
с;2э'
r~э нас' Ом
r;, Ом
t:ilC, нс
Корпус
1
1
пФ
к;.·•.. дБ
1
Р;:х' Вт
t:~к.nt нс
1
~
i
i
;::6**
!
;::!ООО*•
1
КТ9134
~
1
-
1
-
i
-
1
(1,4 ... 1,6 ГГц)
'
1
1
;::6**
;::800**
-
11 +6.l
-
1
-
(1,4 ... 1,6 ГГц)
1Е1 Вlн•l•--j* ,~ 1
~t@~~i)
1
1
i
-
$260 (45 8) ;::?** (500 МГц) ;::500** (500 МГц)
$20
!
КТ9136
'
i
i
*11'
1'
i1
1
1
.. :-
..s к
э
1
.. ..5 ,8
.....
18,2
1
10...60* (5 8; 0,25 А)
$12(288)
$12
;::2,5** (400 МГц)
$20
1
КТ914
if
1
i:~-1
1
1
1
:
1
'
:
1
i
•1
15...45* (5 8: 50 мА) 1 $2,5 (10 8)
-
-
-
КТ9141
1
:ЕiкФз
15...45* (5 8; 50 мА)
$2,5 (10 8)
-
-
-
1
КТ9141-1
1
1
~~
1
.....
~~5.к
"""
r==liii ~
"&.
·э
5,9 12.1
20.5
-
;::10 (5 8; 0,5 А)
$70 (28 8)
;::6**
50** (860 МГц)
-
КТ9142
*1'
1
.. :-
..s к
6
1
1
. .. .5,8
....
18,2
!
;::20* (5 8; 50 мА)
$3(108)
-
-
-
КТ9143
20...60* (5 8; 50 мА)
$3(108)
-
-
-
;::20* (5 8; 50 мА)
$4 (10 8)
-
-
-
qjкфэ
~
5
i
15·

228
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Струк- 1
pKma). •
~•• li:ш•
UKБOmax•
1
1
lкБО•
lк max
1
Тип
Р~. тmax•
~;·~·
U~Rmax'
UЭБОmа1'.•
1
J~R•
1
1;.м m41xl
1
'
прибора
тура
1
р~~н max•
~~·;)..
u;ЭOmax• 1 в
1
·~·
'
мВт
МГц
в
1
мА
1
мкА
~,
.
i
1
КТ9144А-5
5* Вт
~30
500
1
5
50 (100*)
1
51 (500 В)
р-п-р 1
1
1
КТ9145А-5
п-р-п 1
5* Вт
~50
500
1
5
50 (100*)
51 (500 В)
1
'
1
1
КТ9144А-9
р-п-р
0,3 Вт; 1*Вт
~30
500
5
50(100*)
51 (500 В)
КТ9145А-9
п-р-п
0,3 Вт; 1*Вт
~50
500
5
50 ( 100*)
51 (500 В)
1
КТ9146А
п-р-п
380** Вт
-
50
3
19* А
550 мА (50 В)
1
1
'
КТ9146Б
п-р-п
1
260** Вт
-
50
3
13* А
533 мА (50 В)
КТ91468
п-р-п
65** Вт
-
50
3
3.3* А
58мА(50В)
КТ9147АС
п-р-п
233** Вт
-
50* (10 Ом)
4
29А
-
КТ9150А
п-р-п
50* Вт
-
40* (10 Ом)
4
5А
525* мА (40 В)
1
1
i
1
i1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
КТ9151А
1
п-р-п
1
280* Вт
~230
55
3
1
33А
5150* мА (55 В)
КТ9152А
п-р-п
246* Вт
-
55
3
24А
5200 мА (55 В)
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
~20• (10 В; 10 мА)
20... 150 (10 В: 10 мА)
20...150 (10 В; 10 мА)
20...150 (10 В: 10 мА)
~10* (5 В: 0,5 А)
~10* (5 В; 0,5 А)
~10* (5 В: 0,5 А)
rкэнас• Ом
r~нас• Ом
к;.·,_, дБ
:!>100
:!>100
:!>60
:!>100
~6**
~6**
~7**
~6**
Кw,дБ
r;, Ом
Р;~х• Вт
~200** (1,55 ГГц)
~130** (1,55 ГГц)
~35** (1,55 ГГц)
~160** (400 МГц)
:!>42 (25 В) ~8.5** (860 МГц) ~8** (860 МГц)
1 :!>350 (28 В) ~7** (230 МГц) ~200** (230 МГц)
1
:!>100 (28 В) ~6** (860 МГц) ~100** (860 МГц)
Тк• ПС
~;....нс
tвыкп• НС
229
Корпус
КТ9144-5, КТ9145-5
0,5
0,3
i ;:rEJT
i
КТ9144-9, КТ9145-9
1/,6
~
1,6
~~~·- ~
""N
~
....
Д//
~ни lss
448 ~......5_ _,. .. .. ..,,. _1,5
КТ9146А
1 к"~-
...
1
э
~
Kr\.J__э
Бf.1
~
-
Л..5
КТ9146 (Б, В)
"
'~ '1-Б
.....
кд.. -l L
1
-~~ -~i;
~--~
--~
4,б_ -
-
211,5 -
---..-------
КТ9147
КТ9150
КТ9151, КТ9152

230
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
1,,,. ~216•
UKБOmax•
lк max
IКБО•
Тип
Струк-
Р~. т max•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБО max•
J~. и max•
J~Rt
р~~и max•
с·
u~0max•
в
1··
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ9153АС
n-p-n
50** Вт
-
50* (10 Ом)
4
4А
-
1
1
1
1
КТ9153БС
n-p -n
94* Вт
-
50* (10 Ом)
4
10А
~60* мА (50 В)
КТ9155А
n-p -n
43* Вт
-
50
3
4А
~25* мА (50 В)
КТ9155Б
n-p -n
100* Вт
-
50
3
15А
~25* мА (50 В)
КТ9155В
n-p -n
181* Вт
-
50
3
24А
1
~25* мА (50 BJ
1
1
1
КТ9156АС
n-p -n
50** Вт
-
50* (10 Ом)
3
4А
~60** мА (50 BJ
КТ9156БС
n-p-n
94* Вт
-
50* (10 Ом)
3
10А
~60* мА (50 В)
КТ9157А
n-p -n
1,2 Вт; 10* Вт
~100
30
5
5 (10*) А
~10 (30 В)
КТ9160А
n-p -n
465* Вт (50°С)
~60
140* (10 Ом)
4
30А
~200* мА (140 В)
КТ9160Б
n-p -n
465* Вт (50°С)
~60
140* (10 Ом)
4
30А
~200* мА (140 В)
КТ9160В
n-p -n
465* Вт (50°С)
~60
140* (10 Ом)
4
30А
~200* мА (140 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
231
~.
с,,
rкэ...,• Ом
Кw,дБ
t., пс
1
1
h,,,. ь;,э
с;".
r~ .... Ом
r;, Ом
•:..с. нс
Корпус
пФ
к;~•·' дБ
Р:х' Вт
t::.КJI. нс
-
-
~7.8**
~15** (390... 640МГц)
-
КТ9153
*113
::-
~к
з
1
1
5,8
16.2
.
1
1
1
1
~10* (5 В; 0.5 А)
s66 (28 В)
~7**
~50**
-
КТ9153, КТ9155
(615... 840 МГц)
*11
~10* (5 В; 0.5 А)
S35 (28 В) ~6.5** (860 МГц) ~15** (860 МГц)
-
;::-5,В ~к~2 6
~10* (5 В; 0,5 А) 1 s35 (28 В) ~** (860 МГц) ~50** (860 МГц)
-
1
~10* (5 В; 0,5 А)
S35 (28 В) ~5** (860 МГц) ~100** (860 МГц)
t
-
КТ9155В
1
1
!
23
1
1
i
1
1
1
1
~t 1.
lillaci1
1
1
1
.!
1
38
·~:i)~.-1
-
-
~7**
~15** (0,65 ... 1 ГГц)
-
КТ9156
~·
~
с.. к
з
1
1
1~
~1·~1~·
'
1
1
!
!
1
~10* (5 В; 0.5 А)
1
s66 (28 В) 1 ~6** (1 ГГц)
~50** (1 ГГц) 1
-
1
КТ9156
1
1
:
1
!
t11
~
с.. к
з
;::
~к16,2 з
140...450* (1 В; 0,5 А) Sl50 (5 В)
~.25
-
-
1
КТ9157
1
1
!
~Ii
1
: .Фт
10...30* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц)
-
КТ9160
20...50* ( 10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц)
-
40... 90* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц)
-
·:~·
к
о
э
1
1
1
о
1
1
Б
41
!
1
1

232
Раздел 2. Биполярные транзисторы
11
i
Ркmaxt
1
~μ' ~:216'
UКБО max'
1
1
1 IКБО'
1
lк max
Тип
Струк- 1
Р~. т max'
~:;lj'
U~R max'
UЭБО max'
1
J~. и max'
I~ЭR•
~
1
1
прибора
тура ,
р~~ н m11xt
~;:х'
u;эо max'
!
в
i
!
1;эо,
ii
мВт
МГц
в
мА
i мкА
i
1
1
i
~
1
"
1
1
1
1
.,
~КТ9161АС 1 П·р·П
700* Вт
-
60
4
25А
:>280 мА (60 В) 1
1
μ
1
i
1
i
1
1
1
1
!
КТ9164А
1
n·p ·n
-
1
-
-
-
-
-
1
1
1
1
р
i
1
'
·'
J
1
1
1
1
i
~
1
1
!
!
!
1
1
1
~
1
1
1
!1
КТ9166А
n-p ·n
60* Вт
-
45
-
15А
-
1
1
1
1
1
i
1
!
1
1
1
.
i
1
1!
1
1
1
!КТ916А 1 n·p·n
30* Вт
21100
55* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
:>25* мА (55 В)
КТ916Б
1
П·р·П 1
30* Вт
2900
55
3,5
2(4*}А 1 :>40*мА(55В)
1
1
1
1
i
КТ9173А
n-p·n
140* Вт
-
55* (10 Ом)
4
14А
:>250* мА (55 В)
1
1
1
КТ9174А
n·p·n
400* Вт
-
55* (10 Ом)
3
30А
:>150* мА (55 В)
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ9176А
1
p·n·p !
10* Вт
290
40
5
3(7*)А
:>1 (30 В)
!
КТ9177А
n·р·П
10* Вт
290
40
5
3(7*)А
:>1 (30 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
~20* (5 В; 0,5 А)
~50*(1В;4А)
35* (5 В; 0,25 А)
35* (5 В; 0.25 А)
~20* (5 В; 0,5 А)
60.. .400* (2 В; 1 А)
60...400* (2 В; 1 А)
$20 (30 В)
$20 (30 В)
rкэнас:' Ом
r~нас:• Ом
к;.·,.. дБ
~7** (500 МГц)
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:х• Вт
~500** (500 МГц)
~6** (1090 МГц) ~300** (1090 МГц)
$0,06
$0,8; ~2.25**
$0,8; ~1.85**
~20** (1 ГГц)
~16** (1 ГГц)
$230 (28 В) ~10** (230 МГц) ~50** (225 МГц)
~4** (230 МГц) ~300** (230 МГц)
45 (10 В)
$0,25
$0,25
233
тк, пс
~;ас:• НС
tвык.11• НС
Корпус
КТ9161
КТ9164
КТ9166
КТ916
КТ9173
КТ9174
КТ9176, КТ9177

234
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
'
Ркmп•
1,.. ~216'
Uкюmах'
'
lкю,
lк max
Тип
1 Струк-
Р~. т max'
(;.3,
U~Rmaxt
UЭБО max'
J~.11 max•
·~·
прибора
р~ н m•x'
с·
u~max•
в
·~·
тура
".
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ9180А
p-n -p
1,5 Вт; 12,5*Вт
~100
40
5
3А(7*А)
SI (30 В)
КТ9180Б
p-n -p
12,5*Вт
~100
60
7
3А(7*А)
SI (60 В)
КТ91808
p-n -p
12,5*Вт
~100
80
7
3А(7*А)
SI (80 В)
KT9180f
p-n -p
12,5*Вт
~100
100
7
3А{7*А)
SI (100 В)
КТ9181А
n-p -n
12.5*Вт
~100
40
5
3А(7*А)
SI (30 В)
КТ9181Б
n-p -n
12,5*Вт
~100
60
1
7
3А(7*А) 1
SI (60 В)
КТ91818
n-p-n
1
12,5*Вт
~100
80
7
1 3А(7*А)
SI (80 В)
KT9181f
n-p-n
12,5*Вт
~100
100
7
1
3А(7*А)
SI (100 В)
КТ918А-2
n-p-n
2,5* Вт
~800
30
2,5
250
s2мА(30В)
КТ918Б-2
n-p-n
2,5* Вт
~1000
30
2.5
250
S2мА(30В)
КТ9182А
n-p-n
300* Вт
-
55* (10 Ом)
3
24А
1 S200мА(55В)
!
1
КТ9186А
n-p-n
5Вт
~50
100; 60*
-
IA
-
КТ9186Б
n-p -n
5Вт
~50
80; 60*
-
IA
-
КТ9186В
n-p -n
5Вт
~50
50; 40*
-
IA
-
КТ9186Г
n-p-n
5Вт
~50
40*
-
IA
-
IКТ9186Д
n-p -n
5Вт
~50
40*
-
iIA
1
-
1
1
КТ9189А-2
n-p -n
2** Вт
1000
-
-
0,5 А
-
КТ9189Б-2
n-p -n
5** Вт
1000
-
-
IA
-
КТ9189В-2
n-p -n
8** Вт
900
-
-
1,6А
-
1
1
1
КТ919А
n-p -n
10* Вт
~1350
45
3,5
0,7 (1,5*) А
SIO мА (45 В)
КТ919Б
n-p -n
5* Вт
~1350
45
3,5
0,35 (0.7*) А
S5мА(45В)
КТ919В
n-p -n
3,25* Вт
~1350
45
3,5
0,2 (0,4*) А
s2мА(45В)
КТ919Г
n-p-n
10* Вт
~1350
45
3,5
0,7 (1,5*) А
SIO мА (45 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
235
i
'
i
ck,
rкэ нас• Ом
Kw, дБ
тк, пс
ь.," ь;,э
с;2э•
r~нас• Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:,, Вт
t::u• НС
60...400* (2 В; 1 А)
-
s0,25
-
-
1
КТ9180, КТ9181
50...250* (1 В; О,15 А)
-
s0,4
-
-
50...250* (1 В; 0.15 А)
-
$0,4
-
-
50...250* (1 В; О, 15 А)
-
$0,4
-
-
~Il1: . Фт
60...400* (2 В; 1 А)
-
$0,25
-
-
50...250* (1В; О,15 А)
-
$0,4
-
-
50... 250* (1 В; 0.15 А)
-
$0,4
-
-
1
50...250* (1В; О,15 А)
-
s0,4
-
-
1
-
1 S4,2(15B)
~2**
~О.25** (3 ГГц)
$15
1
КТ918-2
-
S4,2 (15 В)
~2**
~0.5** (3 ГГц)
$4
~~rь
~i 's1!;!6
-
-
~З* * (860 МГц) ~150** (860 МГц)
-
КТ9182
;t~
,~
.
зс]
'~:1:::~:1
80 ... 250
-
$0,2
КТ9186
80 ... 250
-
s0,2
:tiкщэ
80 ... 250
-
$0,2
80 ... 250
-
so.2
80 ... 250
-
$0,2
-
4,5
12** (470 МГц)
0,5** ( 175 МГц)
-
КТ9189
-
13
10** (470 МГц)
2**(175МГц)
-
-
20
6** (470 МГц)
5** (175 МГц)
-
~! D2,5~ ~1~1
с::.·
10. 8
.g
~
5м
~.i
"'
".Зrif ""~
lt
с:;
"'
-
1
0,5
1
SIO (28 В)
-
~3.5** (2 ГГц)
$2,2
КТ919
sб,5 (28 В)
-
~1.б** (2 ГГц)
$2,2
s5 (28 В)
-
~о.в•• (2 ГГц)
$2,2
;ltl
Sl2 (28 В)
-
~3** (2 ГГц)
s2,2
~-
g
6
2
6
1
19,;J
1

236
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~р• ~216•
UКБО n1axt
lк max
IКБО•
Тип
Струк-
р·
\;1эt
u·
UЭБО n1axt
J~.и mалt
I~R•
К,тшахt
КЭR max t
р~:нmaxt
с·
U~.ЭО max'
в
г·
прибора
тура
'"
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ9190А
n-p-n
40** Вт
720
-
-
ВА
-
1
1
1
!
1
'
!
:
1
'
1
'
1
1
1
!
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
j
1
1
;
~КТ9190А-4 n-p-n
40** Вт
720
-
-
ВА
-
1
1
КТ9192А-2
n-p-n
2** Вт
1200
-
-
0,5 А
-
КТ9192Б-2
n-p-n
5** Вт
1200
-
-
1,6 А
-
1
1
КТ9193А
n-p-n
23** Вт
1000
-
-
4А
-
КТ9193Б
n-p-n
40** Вт
1000
-
-
ВА
-
1
1
i
1
!
1
1
i
~
1
1
,,
i
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
237
1
ck,
rкэ нас• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
h2," ь;,э
с;2"
r~э нас' Ом
r;. Ом
t;,.., нс
Корпус
'
пФ
к;:•.. дБ
Р;~х' Вт
t::ut НС
!
1
-
1
65
-
20** (470 МГц)
-
КТ9190А
!
"'
~
<:)
1
_J
"'
1
1
с:.·
1 20,5
1..,
.. ..
. ..::
...,
612
з-.n 1'1 ~з
LЭ-
r-т-
-<h~~
"'
...-tl...~ 1
"'
з/(1r-э16
~tS
-
65
-
20** (470 МГц)
-
КТ9190А-4
8,2
1
_J~
....
., ,,
"'
r::i с::)
5
\ 3,2
э-:~~ ........3
lt)
.....
~
.....
з-l:JY.,-
,,.. 3
1,6
.
/(
f
-
-
6** (900 МГц)
0,5** (900 МГц)
-
КТ9192-2
-
-
5** (900 МГц)
2** (900 МГц)
-
~
"'с:.·
1
_J
"'
1
1
<:)
1 20,5
1~ ....
...,
612
з-.n1'1 ~з
LЭ-
"
-<h.., ....
..; .. ..
"'
з't//(~;
"'
r-з 16
~fS
-
-
4 (900 МГц)
10** (900 МГц)
-
КТ9193
-
-
-
20** (900 МГц)
-
~
"'
с:.·
1 _.J
"'
1
1
с:.·
1 20,5
1~ ....
...,
~12
з-.. :'1 i;-i 1 -з
1:.:tr ~.., ....
..; "
"'
_,~...~·
"'
з/(1'з16
~fS

238
Раздел 2. Биполярные транзисторы
:
1 Струк-1
Ркmах•
~Р' ~:2161
UKБOmaxt
1
lк max
i •коо•
Тип
Р~.тmах•
~:;J;t
u~RmaAt
UЭБО max•
1:.м max•
·~ЭR'
'
р~~ и max•
~:·;~.
u~max•
в
1
•••
прибора 1 тура 1
!
кэо•
1
i мВт
Мfц
в
мА
i
мкА
КТ919ЗА-4
п-р-п
23** Вт
1000
-
-
4А
-
КТ919ЗБ-4
п-р-п
40** Вт
1000
-
-
8А
-
КТ920А
п-р-п
5* Вт (50"С)
~400
36
4
0,25(1•)А
:52* мА (36 В)
КТ920Б
п-р-п
10* Вт (50"С)
~400
36
4
1(2*)А
:54* мА (36 В)
КТ9208
п-р-п
25* Вт (50"С)
~400
36
4
3(7*)А
:57,5* мА (36 В)
KT920f
п-р-п
25* Вт (50"С)
~350
36
4
3(7*)А
:57,5* (36 В)
1
1
1
1
1
~
1
1
1
lкт921л
1
п-р-п 1 12.5* Вт (75"С)
~90
1
65* (0,lк)
1
4
3,5 А
:510* мА (70 В)
iКТ921Б
п-р-п 1 12,5* Вт (75"С)
~90
65* (О,lк)
4
3,5 А
:510* мА (70 В)
.
1
КТ922А
п-р-п
8* Вт (40"С)
~300
65* (О,lк)
4
0,8 (1,5*) А
:55* мА (65 В)
КТ922Б
п-р-п
20* Вт (40"С)
~300
65* (0, 1к)
4
1.5 (4,5*) А
:520* мА (65 В)
IKT922B
1
п-р-п
1
40* Вт (40"С)
~300
65* (0, 1к)
4
3(9*)А
:540* мА (65 В)
KT922f
п-р-п
20* Вт (40"С)
~300
65* (О,lк)
4
1,5 (4,5*) А
:520* мА (65 В)
КТ922Д
п-р-п
40* Вт (40"С)
~250
65* (0,lк)
4
3(9*)А
:540* мА (65 В)
1
КТ925А
п-р-п
5.5* Вт (40"С)
~500
36* (0, 1к)
4
0,5 (1*) А
:57 мА (36 В)
КТ925Б
п-р-п
11 * Вт (40"С)
~500
36* (О, 1к)
4
1(3*)А
:512 мА (36 В)
КТ9258
п-р-п
25* Вт (40"С)
~450
36* (0, lк)
3,5
3,3 (8,5*) А
:530 мА (36 В)
KT925f
п-р-п
25* Вт (40"С)
~450
36* (О, 1к)
3,5
3,3 (8,5*) А
:530 мА (36 В)
КТ926А
п-р-п
50* Вт (50"С)
~51
150* (О,Оlк)
5
15 (25*) А
:525* мА ( 150 В)
КТ926Б
п-р-п
50* Вт (50"С)
~51
150* (О.Оlк)
5
15 (25*) А
:525* мА ( 150 В)
~
1
1
~•
1
1
1
КТ927А
п-р-п
83,3* Вт (75"С)
~105
70* (ОИ)
3.5
10 (30*) А
:540* мА (70 В)
КТ927Б
п-р-п
83,3* Вт (75"С)
~105
70* (ОИ)
3,5
10 (30*) А
:540* мА (70 В)
КТ9278
п-р-п
83,3* Вт (75"С)
~105
70* (ОИ)
3,5
10 (30*) А
:540* мА (70 В)
1
1

1
1
Биполярные кремниевые транзисторы
-
-
-
-
~10*(10В; 1А)
~10*(10В; 1А)
-
-
-
-
-
~8*(5В;0,2А)
-
~17* (5 В; 0.2 А)
-
10...60• (7 В; 15 А)
10...60* (5 В; 5 А)
~15*(6В:5А)
~5*(6В;5А)
~40•(6В:5А)
1
Sl5 (10 В)
1 S25(!ОВ)
1 s75(!ОВ)
1
1
S75 (10 В)
1
1
s50 (20 В)
s50 (20 В)
1
1
1
1 Sl5(28В)
S35 (28 В)
$65 (28 В)
$35 (28 В)
s65 (28 В)
Sl5 (12,6 В)
s30 (12,6 В)
s60 (12,6 В)
1s60(12,6В) 1
!
1
!
i1
!
1
'
-
-
Sl90 (28 В)
Sl90 (28 В)
Sl90 (28 В)
1
1
'
rкэнас:• Ом
r~нас:• Ом
к;.·,.. дБ
4 (900 МГц)
~1··
~4.5**
~3**
~3**
Sl,8; ~8**
Sl,8; ~5**
~10••
~5.5**
~4**
~5**
~З.5**
~6.3**
~5**
~3**
~2.5**
s0,17
s0.25
$0,07; ~13.4**
s0.07; ~13,4**
s0.07; ~13,4**
1
1
11
Кш, дБ
r~, Ом
Р;:", Вт
10* * (900 МГц)
20** (900 МГц)
~2* * (175 МГц)
~5** (175 МГц)
~20* * ( 175 МГц)
~15** (175 МГц)
~12,5** (60 МГц)
~12,5** (60 МГц)
~5**(175 МГц)
~20* * ( 175 МГц)
~40* * (175 МГц)
~17** (175 МГц)
~35* * (175 МГц)
2** (320 МГц)
5** (320 МГц)
20* * (320 МГц)
15** (320 МГц)
-
-
~75* (20 МГц)
~75* * (20 МГц)
~75** (20 МГц)
1
1
1
1
1
i
i
1
!
!
i
!
1
1
1
i
239
t'к1 ПС
~~".нс
t.ык.11• НС
Корпус
КТ9193-4
8,2
'
с;,· с:)'
5
i
1
\ 3,2
з-п t-\ -1
i
1
......... 3
1
1()
-
...,;
-
э-ll У,-
.,.,э
к
f,6
1
s20
i
КТ920
1
s20
!
i
i
s20
1
JЗК
t
S20
1 <.Q
5
-
1 о;-
-
. l!.
1
~
~
,
1з
в 122
2
s22; sзоо•
КТ921
s22; s300*
fi'
~-D1
-
.
1
~
6
S20
КТ922, КТ925
S20
S25
s20
s25
t 51~
-
""
...
,_....
о;-
""
L_
.. ..
L-......:0
S20
'
'
1з
S35
в,,,
2
s40
s40
1
!
-
i
КТ926
1
-
1
i
:!Jt~r1
!
-
!
КТ927
i

240
Тип
прибора
КТ928А
КТ928Б
1КТ928В
,,
1
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ9328
i~1•
КТ933А
j КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
1
КТ935А
КТ936А
1
1
1
1
Струк
тура
n-p -n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p -n
1
1
i
1
1
Рк max'
~~· т max'
Рк. и m11x'
мВт
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
6* Вт (40°С)
75* Вт (40°С)
120* Вт (40°С)
150** Вт (40°С)
20• вr (5о·с)
20* Вт (50°С)
20• Вт (50°С)
5* Вт (50°С)
5* Вт (50°С)
7,5* Вт
15* Вт
30* Вт
15* Вт
30* Вт
60* Вт (50°С)
28* Вт (75°С)
1
1
МГц
г250
г250
г250
г700
г450
г600
г250
г40
г6О
г40
г75
г75
г500
г500
г500
г450
г450
г51
-
i'
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО maxt
lк max
IКБО•
u·
UЭБО max'
I~R•
КЭR max t
1~,н maxt
u;.эо max'
в
I~эо•
в
мА
мкА
60
5
0.8 (1,2*) А
:"':5 (60 В)
60
5
0,8 (1,2*) А
:"':5 (60 В)
75
5
0,8 (1.2*) А
:<O:l (60 В)
1
1
1
'
'·
30* (0.1 к)
3
1
0.8 (1,5*) А 1 :<;;5* мА (30 В)
'
1
!
50* (О. 1к)
4
1
6*А
1 :"':20* мА (50 В)
50* (О,lк)
4
6*А
1
:<0:100* мА (50 В)
1
'
1
60* (0,01 к)
4
15А
:<0:30* мА (60 В)
80
4,5
2А
:"':1,5* мА (80 В)
60
4,5
2А
:"':1,5* мА (60 В)
40
4,5
2А
:"':1,5* мА (40 В)
1
80
4,5
0,5 А
1 :"':0.5* мА (80 В)
60
4,5
0,5 А
i :"':0.5* мА (60 В)
1
1
60* (0,01 к)
4
0,5 А
:<0:7,5* мА (60 В)
60* (0,01 к)
4
lA
:<0:15* мА (60 В)
60* (О,Оlк)
4
2А
:<0:30* мА (60 В)
60* (0,01 к)
4
lA
:"':15* мА (60 В)
60* (0,01 к)
4
2А
:<0:30* мА (60 В)
1
80* (0,01 к)
5
20 (30*) А
:<0:30* мА (80 В)
60
3,5
3,3 А
:<0:10* мА (60 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
241
1
с"
rкэ нас' Ом
Кш, дБ
1' 111 ПС
1
h21·,t h~IЭ
с~2~'
r~э 1ыс' Ом
г~, Ом
t;,il{' НС
Корпус
пФ
к;.·." дБ
Р;::., Вт
t:•ыклt НС 1
:1
!
1.
:1
1
11
~ 20".100* (5 В: 150 мА) sl2 (!О В) 1
s3.3
-
s250*
КТ928
!! .50".200* (5 В: 150 мА) sl2 (10 В)
s3,3
-
s250*
:tiкФэ
100".3 00* (5 В; 150 мА) sl2 (10 В)
s3,3
-
s250*
~25* (5 В; 0.7 А)
s20 (8 В)
~8**
~2** (175 МГц)
s25
КТ929
..,;
~ '5 IJJ3к
11
о;
~ ~3-+Е
1
е._
IТlз
1·
1'
~
1
,8 122
27
1'
1
40*(5В;0,5А)
s80 (28 В)
~5**
~40** (400 МГц)
8
КТ930, КТ931
50*(5В;0,5А)
sl70 (28 В)
~3.5**
~75** (400 МГц)
11
6
25*(5В;0,5А)
s240 (28 В)
0,18; ~3.5**
~80** (175 МГц)
18
~JiПtJ~Jl
t;~ ~icrк 25
7
1
~15* (3 В; 1.5 А)
s300 (20 В)
sl
КТ932
-
-
1
~30* (3 В; 1.5 А)
s300 (20 В)
sl
-
-
Ц1 [f)
~40* (3 В; 1.5 А)
s300 (20 В)
sl
-
-
!:
~No~ у
.. :;
.
...
/(
~15* (3 В; 0,4 А)
s70 (20 В)
s3,75
-
-
КТ933
~30* (3 в: о.4 А)
s70 (20 В)
s3,75
-
-
:~кфэ 1
1
1!
1
50*(5В;0,1А)
s9 (28 В)
2; ~6**
~3** (400 МГц)
s20
КТ934
1
50* (5 В: 0.15 А)
sl6 (28 В)
1; ~4**
~12** (400 МГц)
s20
50* (5 В; 0.25 А)
s32 (28 В)
о.5: ~3**
~25** (400 МГц)
s20
~ ~Jз
5
к
-
sl6 (28 В)
~3.3**
~10** (400 МГц)
s25
..,;
3-~
о;
R'
·-
s32 (28 В)
~2.4**
~20** (400 МГц)
s25
'&
-
••
з
8 12.2
27
20".100* (4 В; 15 А)
s800 (10 В)
s0,066
-
s700**
КТ935
:ft~11
""
19,5
~6·(3В:0,1А)
-
-
-
-
КТ936А
~.~~
6.7
6,5
16зак 9

242
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1 Струк-
1
pKmax'
~р• \210•
UКБОmаА'
lк max
JКБО•
Тип
Р~.тmах'
~;lэ'
u~m•x'
UЭБОmаА'
J~,и maA•
·~R'
прибора 1 тура
р~~" max•
с:х.
u~тnax•
в
·~·
мА
1
мВт
МГц
в
мкА
КТ936Б
1
п-р-п
1
83,3* Вт (75°С)
-
60
3,5
10А
:s:30* мА (60 В)
КТ937А-2
п-р-п
3,6* Вт
6500
25
2.5
250
:s:2 мА (25 В)
КТ937Б-2
п-р-п
7,4* Вт
6500
25
2.5
450
:s:5 мА (25 В)
1
1
'
1
i
1
i
i
i
1
1
1
1
1
1
1
КТ938А-2
п-р-п
1,5* Вт
;е:2000
28
2,5
180
:S:I мА (28 В)
КТ938Б-2
п-р-п
1,5* Вт
;е:1800
28
2.5
180
:S:l мА (28 В)
1
i
1
КТ939А
1 п-р-п
4* Вт
;е:2500
30* (0,01 к)
3,5
1
400
1
:S:2 мА (30 В)
КТ939Б
1 п-р-п 1
4* Вт
;е:1500
30* (0,Оlк)
3.5
400
1 :s:2мА(30В)
1
1
!
1
i
1
1
1
1
1
КТ940А
п-р-п
1,2 (10*) Вт
;e:go
300* (!Ок)
5
0,1 (0,3*)А
:s:0,05 мА (250В)
КТ940Б
п-р-п
1,2 (10*) Вт
;e:go
250* (IОк)
5
О, 1 (0,3*) А :s:0,05 мА (200 В)
КТ940В
п-р-п
1,2(10*)Вт
;е:90
160* (IОк)
5
0,1 (0,3*) А :s:0.05 мА (100 В)
1
1
1
КТ940А1
п-р-п
500, 10* Вт
;е:90
300
5
100; 300*
:s:0.05 (250 В)
КТ940Б1
п-р-п
500, 10* Вт
;е:90
250
5
100; 300*
:s:0,05 (200 В)
КТ940В1
п-р-п
500, 10* Вт
;е:90
160
5
100; 300*
:s:0,05 (100 В)
КТ940А-5
п-р-п
10* Вт
;e:go
300
5
100 (300*)
1
:s:50 мА (250 В)
КТ940Б-5
1
п-р-п
10* Вт
;e:go
250
5
100 (300*)
:s:50 мА (200 В)
КТ940В-5
п-р-п
10* Вт
;e:go
160
5
1
100 (300*)
1
:s:50 мА ( 100 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
~
1
КТ940А9
п-р-п
1200
;е:90
300
5
100
-
КТ940Б9
п-р-п
1200
;е:90
250
5
100
-
1
1

'
~,,
"11
if
!1
1
~
~ц
1
·~
~
~
~
h 21"~' h;IЭ
~6*(3В;0.1А)
-
-
-
-
40 200*(12В;О.2А)
20::.200 ( 12 В; 0.2 А)
>25* (10 В; 30 мА)
;25* (10 В; 40 мА)
;25* (10 В; 30 мА)
>25 (10 В, 30 мА)
;25 (10В; 30мА)
;25(1оВ;30мА)
>25* (10 В; 30 мА)
;25* (10 В; 30 мА)
;25* (10 В; 30 мА)
>25 (10 В; 30 мА)
;25(10В;30мА)
16·
1
1
'
i
1
1
1
1
"
c;2t'
пФ
s5,5 (20 В)
s7,5 (20 В)
s4 (20 В)
s4,5 (20 В)
s5.5 (12 В)
s6(12B)
4.2 (30 В)
4,2 (30 В)
4,2 (30 В)
s4,2 (30 В)
s4.2 (30 В)
s4.2 (30 В)
s4,2 (30 В)
s4,2 (30 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
·
Ом
rБэ н"l.,
к;.·•.. дБ
-
-
-
<33
s33
s33
<3,3
<3
_3.
s3,3
s40
s40
s40
s3,3
s3,3
1
r
1
1
1
1
<,1
t" нс
1
1
р" Вт
вык.n 1
вых'
КТ936Б
i1
1
·~~
к
-~
-
35
о 1J,6
>1,6** (5 ГГц)
0,78
КТ937-2
:m:J ,,", 1!
>3,2** (5 ГГц)
0.6
!
!1
....
1!
1
'С)
~ n~~
"Q
l 1~~6
~+-
6,6 -
11
-
19,3 -
-
1
КТ938-2
1
1
<2
>1**(5ГГц)
<2
''·' tw
>1 •• (5 ГГц)
~~
~
~f ЪjfW5 1
"1
:
1'
1
КТ939
11
<9
<10
1
'
~·~~
1
1
~~~
1
"Q u-
r
·з
r ~g 1z1J
20,5
~
~
КТ940
ir;~ :1
-
i ..,,.
3Б
1'
11
1
1
...
:!
1
KT940-l
1
Qf5,2
i
КТ940-5
КТ940-9

244
Тип
прибора
КТ942В
КТ94ЗА
КТ94ЗБ
КТ94ЗВ
КТ94ЗГ
КТ94ЗД
КТ944А
'
КТ945А
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
КТ946А
КТ947А
1
КТ948А
КТ948Б
Струк-
тура
n-p -n
1
1
1
n-p -n
n-p -n
п-р-п
n-p -n
n-p -n
1 n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1. n-p-n
i
п-р-п
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
1
1
1
1
Ркmак'
Р~.тmа"'
р~~ и max'
мВт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
55* Вт (90°С)
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
37,5* Вт
200* Вт (50°С)
40* Вт
20* Вт
11
1
~•• (210•
\;lэ'
~~·;х,
МГц
;е:1950
;е:30
;е:30
;е:3о
;е:30
;е:30
;e:J05
;е:50
;е:50
;е:50
;е:50
;е:720
;е:75
;е:1950
;е:1950
1
1
UКБО ma"'
u~RmaAI
u~ma>.•
в
45
45
60
100
100
100
100* (0,01 к)
150* (10 Ом)
150* (10 Ом)
150* (10 Ом)
150* (10 Ом)
50
100* (О,Оlк)
45
45
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
1
11
1
1
1
UЭБОmах'
в
3,5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
3,5
5
2
2
1
1
i
1
1
IKm3x
lкБо•
1~.и ma"'
·~..
·~·
мА
мкА
1,5 (3*) А
:S20 мА (45 В)
11
!1
1
2(6*)А
:SO.I мА(45В)
2(6*)А
:SO,I мА (60 В)
2(6*)А
:SO,I мА (100 В)
2(6*)А
:SI мА (100 В)
2(6*)А
:SI мА (100 В)
1
1
1
1
12.5 (20*) А 1 :S80* мА (100 В)
15 (25*) А 1 :S25* мА (150 В)
15(25*)А 1 :S25* мА (150 В)
10 (25*) А 1 :S25* мА (150 BI
15 (25*) А
!
:S25* мА (150 В)
2,5 (5*) А
:S50 мА (50 В)
20 (50*) А :SIOO* мА (100 В)
2,5 (5*) А
:S35 мА (45 В)
1.25 (2.5*) А
:Sl5 мА (45 В)
~
i
1
"
!.

Биполярные кремниевые транзисторы
245
'
1
i
ck,
fкэна..:' Ом
Кш, дБ
'tкt ПС
h2,,• ь;,э
с;2э•
r~Э11"с• Ом
r~, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;~". дБ
Р;:,, Вт
t::1t.1• нс
-
s25 (28 В)
~2.5**
~8** (2 ГГц)
$3
КТ942
1
:ltl
...-
с:>
'Q
.. ..
1
1
6
1
2
6,6
'
1
,"19.J ~
!i
1
~
40 ... 200* (2 В; 0,15 А)
-
$0,6
-
-
КТ94З
40... 160* (2 В; 0,15 А)
-
$0,6
-
-
40 ... 120* (2 В; 0,15 А)
-
:<>0,6
-
-
Qц;
20...60* (2 В; 0.15 А)
-
:<>1,2
-
1
-
=~
30 ... 100* (2 В; 0,15 А)
-
$1,2
-
-
!
10...80* (5 В; 10 А)
s350 (28 В)
s0,25; ~10••
~100** (30 МГц)
1
-
1
КТ944
~
1
!1
1
1
=~~
.,;
.
....
10...60* (7 В; 15 А)
s200 (30 В)
s0.17
-
$1,1 *мкс
КТ945
10...60 (7 В; 15 А)
s200 (30 В)
:<>0,17
-
sl.I *мкс
10...60 (7 В; 10 А)
s200 (30 В)
s0,25
-
Sl.I *мкс
n.t ~
12...60 (7 В; 15 А)
s200 (30 В)
$0,17
-
sl,I* мкс
~Noi ~.
-
$50(108)
~4**
~27** ( 1 МГц)
-
КТ946
itlJ
~ r;S'
4:
6,1 к
10...80* (5 В; 20 А)
s850 (27 В)
~10**
~250** (1,5 МГц)
!-
КТ947
1
1
1
~rt ~
--
~.
-
s30 (28 В)
~6.5**
~15** (2 ГГц)
-
КТ948
-
$17(288)
~6.5**
~8** (2 ГГц)
1
-
~it1
1
1
1
1

246
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• ~;216•
UKБOmaAt
1
lк m.i"
IКБО•
Тип
Струк-
P~.тmaAt
~;li•
u~Rmaxt
UЭБОmаА'
1~,н m.ixt
·~..
прибора
р~нmах'
с·
u;ЭOmax'
в
I~эо•
тура
'"
мА
мВт
МГц
в
мкА
КТ955А
п-р-п
20* Вт (100°С)
~100
70* (0,01 к)
4
6А
:SlO мА (60 В)
1
1
1
1
1
"
КТ956А
п-р-п
70** Вт (1ОО0С)
~100
100* (О,Оlк)
4
lSА
s:80* мА (100 В)
КТ957А
п-р-п
100** Вт (I00°C)
~100
60* (О,Оlк)
4
20А
:SlOO* мА (60 В)
1
КТ958А
п-р-п
85** Вт (40°С)
~300
36* (0,Оlк)
4
10А
:S25* мА (36 В)
КТ960А
п-р-п
70** Вт (40°С)
~600
36* (0,01 к)
4
7А
s:20* мА (36 В)
1
КТ961А
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
100* (lк)
5
1,5 (2*) А
s;lO (60 В)
КТ961Б
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
80* (lк)
5
1,5(2*)А
s;lQ (60 В)
КТ961В
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
60* (lк)
5
1,5 (2*) А
:SlO (60 В)
КТ961Г
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
40* (lк)
5
2(3*)А
s;lO (60 В)
КТ961А1
п-р-п
500
~50
100
5
1000
:SlO (60 В)
КТ961Б1
п-р-п
500
~50
80
5
1000
s;lO (60 В)
КТ961В1
п-р-п
500
~50
60
5
1000
:SlO (60 BI
1
1
1
1
КТ962А
п-р-п
17** Вт (40°С)
~750
50
4
1,5 А
:S20 мА (50 В)
КТ962Б
п-р-п . 27** Вт (40°С)
~750
50
4
2,5 А
:S20 мА (50 В)
КТ962В
п-р-п
66** Вт (40°С)
~600
50
4
4А
:S30 мА (50 В)
КТ96ЗА-2
п-р-п
1.1* Вт
-
18
1,5
210
s;l мА(18В)
КТ96ЗБ-2
п-р-п
1,1* Вт
-
18
1,5
1
185
1
s;lмА(18В) 1
1
:
1
1
1
1
КТ96ЗА-5
п-р-п
1,1 *Вт
-
18
1,5
210
:Sl мА (18 В)
КТ96ЗБ-5
п-р-п
1,1 *Вт
-
18
1,5
185
:SI мА (18 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
247
i
1
1
1
с"
rкэ ...• Ом
Кш, дБ
'tк' ПС
ь21" ь;,э
1
с;2,,
1
r~...,. Ом
r~, Ом
·~·нс
Корпус
1
1
пФ
к;.·". дБ
Р;:х' Вт
t;ы~' НС
10...80* (5 В: 1 А)
1
:<;,75 (28 В)
~о··
:<:20** (30 МГц)
-
1
КТ955
~~i~-
1
'/(
5,9
!
!
1
!
i
!
'
i0...80* (5 В: 1А) 1 :<;,400 (28 В) 1
:<:20**
1 :<:100** (30 МГц) !
-
!
КТ956, КТ957
1
i
1
~tjt~
10...80* (5 В; 5 А)
:<;,600 (28 В)
:<:17**
:<:125** (30 МГц)
-
'
1
1
'f l.S
J5,8
1
1
i
1
1
:<:10* (8 В; 0,5 А)
:<;,180 (12 В) 1 0,16; :<:4**
:<:40** (175 МГц)
1
12
КТ958,КТ960
1
8ii
-
:<;,120 (12 В)
! 0,16: :<:2.5**
:<:40** (400 МГц)
12.5
1
1
;
40 ... 100* (2 В; 0,15 А)
-
$1
-
-
КТ961
63 ... 160* (2 В: 0.15 А)
-
$1
-
-
100... 250* (2 В: 0.15 А)
-
$1
-
-
~rm
20 ...500* (2 В; 0,15 А)
-
$1
-
-
=~
.
40...100 (2 В: 0.15 А) 1
$45
$1
1
КТ961-1
1
-
-
1
! 63...160 12 В: 0.15 А)
:<;,45
$1
1
-
-
1
§~
1 100... 250 (2 В: 0,15 А)
:<;,45
$1
-
-
1
i
1
1
....
~
~'
-
:<;,20 (28 В)
:<:4**
:<:10** (1 ГГц)
1
:<;,15
КТ962
-
:<;,35 (28 В)
:<:3,5**
:<:20** ( 1 ГГц)
$14
1tfH~
-
:<;,50 (28 В)
:<:3**
:<:40** (1 ГГц)
$11
<а
,..,,
з.к
1
о;
""
'&
с..2·:
!
1
1
!
'
'
1
-
1 1.5(5В)
:<:3** ( 10 ГГц)
:2:0,8** (10 ГГц)
1
-
i
КТ963-2
1
-
1,5 (5 В)
:<:3** ( 10 ГГц)
:2:0.5** (1 О ГГц)
-
1
зtll
1
1
сок
з
1
:
~11
-
1,5 (5 В)
:<:3** (10 ГГц)
:2:0,8** (1 О ГГц)
-
КТ963-5
-
1.5 (5 В)
:<:3** (10 ГГц)
:<:0,8** (10 ГГц)
-
0,45
0,08
1
j ~шт
1
1

248
Раздел 2. Биполярные транзисторы
::
pKma.1,t
~v' ~:21б'
UКБО max'
1
1
lкБО•
il
Струк-1
1
lк max
Тип
р·
~:;IJ'
U~Rmaлt
UЭБО ffiil).'
I"
I~ЭR•
К, т max'
!1
прибора
тура
1
р··
1
~~·:х'
U~ЭOmaxt
в
К, tt mак'
1;эо,
К. и m11xt
!мА
,,
мВт
МГц
1
в
1
мкА
1'
1
КТ965А
n-p-n
32* Вт
;>:100
36* (0,01 к)
!
4
4А
s!O* мА (36 BJ
!
1
1
1
llкT966A
1
! n-p-n
1
64* Вт
;>:100
36* (О.О! к)
4
1
8А
1 s23*мА(36В)
1!
!
1
:
~
1
i
1
1
1
1
!
1
!
1
1
:
КТ967А
n-p-n
100** Вт
;>:180
36* (0,01 к)
4
15А
s20* мА (36 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11
1
1
1
j
1
1
,,
!
!
1
11
1
1
~
1
1
1
1
1
!
1
i
1
1
:!
1
!!КТ969А 1
n-p-n
1 (6*) Вт
;>:60
300
1
5
1
100 (200*)
1
s0,05 (200 В)
KT969Al
n-p-n
;>:6,1 * Вт
;>:60
300
5
100
s0,05 (200 В)
1
1
i
1
1
i
1
1
11
1
11
i
1
КТ969А-5
n-p -n
6* Вт
;>:60
300
5
100 (200*)
s50 мА (200 В)
:
1
1
1
КТ970А
1
n-p -n
1
170** Вт
;>:600
50* (0,01 к)
4
13А
1
100* мА (50 В)
КТ971А
n-p -n
200** Вт
;>:220
50* (0,01 к)
4
17А
1
s60* мА (50 BJ
1
1
i
КТ972А
n-p-n
8* Вт
;>:200
60* (1 к)
5
4*А
sl *мА (60 В)
КТ972Б
n-p -n
8* Вт
;>:200
45* (!к)
5
4*А
sl *мА (45 В)
!
КТ972В
n-p-n
8* Вт
;>:200
60* (!к)
5
2А
si• мА(60BJ
КТ972Г
n-p -n
1
8* Вт
;>:200
60* ( 1к)
5
2А
sl •мА (60 В)
~
~
[
i
1
il
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
249
с"
rкэнас' Ом
Кш, дБ
Т11,ПС
h,,,, ь;,э
с;2~'
r~э нас' Ом
г;, Ом
t:a1:' НС
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:к' Вт
t::кл 7 НС
10."60* (5 В; 1 А) $100 (12,6 В)
<:13**
<:20* * (30 МГц)
-
КТ965
$i
-
$250 (12,6 В)
<:16**
<:40* * (30 МГц)
-
КТ966
1
$J
10". 100* (5 В; 5 А) $500 (12,6 В)
<:18**
<:90** (30 МГц)
-
КТ967
.....
6
к
:t1 '
~ii
50."250* (1О В; 15 мА) $1,8 (30 В)
$60
-
-
КТ969
:::.
·8
~11:~
50". 250 (10 В; 15 мА) $1,8 (30 В)
$60
-
-
КТ969-1
§~
~
~
-
<:50* (1О В; 15 мА)
-
$70
-
-
КТ969-5
0,57
0,35
~шт
-
180 (28 В)
<:4**
<:100** (400 МГц)
$25
КТ970, КТ971
-
$330 (28 В)
<:3**
$150** (175 МГц)
$40
~--
lr)
6
D
rs,. З
'
4
21
<:750* (3 В; 1 А)
-
$3
-
$200*
КТ972
<:750* (3 В; 1 А)
-
$3
-
$200*
750" .5000 (3 В: 1 А)
-
$3
-
$200*
~11
750".5000 (3 В; 1 А)
-
$1,9
-
$200*
:·~

250
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~р• ~216•
UКБО m.ax'
lк max
Iкю,
Тип
Струк-
Р~.тmах'
\;1эt
U~Rmaxt
UЭБOmaxt
1;.н m.axt
•:о•.
р~~ и m.axt
~:·;xt
u~maxt
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ973А
р-п-р
8* Вт
~200
60* (!к)
5
1
4*А
i
:Sl*мА(бОВ)
КТ973Б
р-п-р
8* Вт
~200
45* (lк)
5
4*А
:Sl*мA(45B)
КТ9738
1
р-п-р
8* Вт
~200
60* (lк)
5
2А
1
s;(•мА(60В)
IKT973f
р-п-р 1
8* Вт
~200
60* (lк)
5
2А
s;1• мА (60 В)
1
1
КТ976А
п-р-п
75** Вт (40"С)
~750
50
4
6А
s;бО мА (50 В)
1
1
1
1
i
1
КТ977А
п-р-п
200** Вт (85"С)
~600
50
3
8*А
:S25 мА (50 В)
Jкт979А 1
п-р-п
1
75* Вт
-
50
1
3,5
1
5А;10*А
1 :SIOO мА (50 В)
'
1
i
1
1
;
i
1
1
1
КТ980А
п-р-п
300* Вт
~150
100* (О,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 В)
КТ980Б
п-р-п
300* Вт
~150
100* (О,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 BJ
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
КТ981А
п-р-п
70* Вт
-
36* (0,01 к)
4
10А
:S50* мА (36 В)
1
1
IKT983A
1
п-р-п
8,7* Вт
~1200
40* (О,Оlк)
4
0,5 А
1
:S5* мА (40 В)
КТ983Б
п-р-п
1
13* Вт
~900
1
40* (0,Оlк)
4
IA
s;8* мА (40 В)
КТ9838
п-р-п
22,5* Вт
~750
40* (0,01 к)
4
2А
:Sl8* мА (40 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
h21.• ь;,э
>750* (3 В; 1А)
;750*(3В;lА))
750...5000 (3 В; 11)
750...5000 (3 В; 1
>15*(10В;5А)
-;10(10 В; 5А)
1
1
1
ck,
с;2.•
пФ
$70 (28 В)
<450 (50 В)
~450 (50 В)
rкэнас:' Ом
·
Ом
rБЭ 11a~·t
к:.·•.. дБ
$3
$3
$3
$2
~2**
~6**
>25** (30 МГц)
-~5** (80 МГц)
Кш, дБ
.
Ом
"'
р•• Вт
ВЫ). t
~60** (1 ГГц)
~50* * ( 1,5 ГГц)
~5О** (1.3 ГГц)
>250** (30 МГц)
-~250* (80 МГц)
Тк, ПС
t~,. нс
t::к.,t нс
$200*
$200*
$200*
$200*
$25
1 $400 (12.6 В)
!О... !Ю"(5 в, 5А)
~
i
1
~
~5**
>20* (5 В; 0.5 А)
;10•(5В;0,5А)
;10•(5В;0,5А)
$8 (28 В)
<12 (28 В)
~24 (28 В)
~4**
~3.6**
~3.2**
>0,5** (860 МГц)
->l ** (860 МГц)
~з. 5 ** (860 МГц)
КТ983
251

252
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-
PKmaxt
~Р' ~:216' i UKБOm"xt
1
lкоо•
lк max
!
Тип
P~.тm"xt
~;lэ'
U~Rmax'
UЭБО maxt
J~.и milк'
1~,
р~~ и max'
с·
u;ЭOmaxt
в
1;;.,.
прибора
тура
."
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ984А
п-р-п
1.4* Вт
~720
65
4
7*А
:530 мА (65 В)
КТ984Б
1 п-р-п
4,7* Вт
~720
65
4
16* А
:580 мА (65 В)
-
1
1
1 КТ985АС
1 п-р-п
105* Вт
1
~660
50* (О,Оlк)
1
4
17А
! :5120• мА 150 В)
::
i
i
1
,,
:
1
'
КТ986А
п-р-п
910** Вт
-
50
3
26* А
:560 мА (50 В)
910** Вт
-
50
3
26* А
:550 мА (50 В)
КТ986Б
п-р-п
1
1
КТ986В
910** Вт
50
3
1
26* А
:550 мА (50 В) 11
п-р-п
-
KT986f
1
п-р-п 1
910** Вт
-
50
3
26* А
! :540мА150В) !
11
1
1
!
1\
1
1
~
КТ991АС
п-р-п
67* Вт
~600
50
4
3,7 А
:550 мА (50 В)
1
1
1
!
КТ996А-2 1 п-р-п
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2.5
200(0,3*А) 1 :51*мА(20В)
KT996S-2
1
п-р-п 1
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2.5
200(О.3*А) 1 :51*мА(20В)
КТ996В-2
п-р-п 1
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2.5
200 (0,3* А)
:51*мА(20В)
КТ996А-5
п-р-п
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2,5
200 (0,3* А)
:55 мА (20 В)
КТ996Б-5
п-р-п
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2,5
200 (0.3* А)
:55 мА (20 В)
КТ996В-5 1 п-р-п 1
2.5* Вт
1
~4 ГГц
1
20
2.5
200 (0.3* А)
1
:55 мА (20 В)
1
!
!
1
i
1
'
i
1
'
11
i
1
!i
1
i
1
1
11
:
1
u
1
~
1
1
1
11
1
i
!
КТ997А
п-р-п
1
50* Вт
~51
45
5
10 (20*) А
:510 мА (45 В)
КТ997Б
п-р-п
50* Вт
~51
45
5
10 (20*) А
:510 мА (45 В)
КТ997В
п-р-п
1
50* Вт
~51
60
5
10 (20*) А
:510 мА (60 В)
1
1
1
1
1
!
1
1
!
1
i
'
:
!
1
1
!
1
i
1
i
!
J
1
:
j
'
1
1
i
'
i
i
1
'

253
<270 (28 8)
>3,5**
КТ985
<:rt....~·~
::::
.
с-.
з
D
8,5
23,2
r--
3.8
>6**
>350**
КТ986
4
-
(1,4 . .. 1,6 ГГц)
> 3ОО** (1,6 ГГц)
-
?.6**
; 350** (1,6 ГГц)
?.7**
-
5
-~~hd---;;;~~I~7TT.1~11--=~K~T99~1-
I
1
1
<6.8
;
-
!<75(28В)
>б•• >55" (О 7ГГо) 1 ~:~.*~i~~
'
~·
i
ILJ~h:t~~
;350** (0,8 ГГц)
-
?.7**
-
5
1
КТ996-2
>
35
*(108;0,IA)
:~·;~:~~~ I
?.0,11**(650МГц)
:w'l,I rmgК
;
7
0•(10в,0.1А)
<2:3 (10 В)
-
::?
"
з:
6
З
'3s• (\О в, 0,1 А)
-
1
>35* (10 8; 0,1 А)
;70* (10 8; 0,1 А)
;35* (10 8; 0,1 А)
>4О*(18;4А)
;20*(18;4А)
;20*(18;4А)
1
1 <2,3 (10 8)
<23(108)
~2:3 (10 8)
<270 (10 8)
s;270 (10 8)
1
<0,125
s;0, 125
s;0,125
?.0 ,11** (650 МГц)
<500*
<500*
1
1
КТ996-5
КТ997
~rm-t
r.11
-

254
Раздел 2. Биполярные транзисторы
РКmак'
~IJ' ~:210•
UKБOm.t).'
•кw•
1
lк max
Тип
Струк-
P~.тmaxt
~;lэ'
U~RПJil),'
UЭБOПJ.t).f
1~. и lnil). '
·~ЭR•
прибора
тура
р~: к m.axt
~:·;х,
U~ЭOnш,t
в
...
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
КТ999А
n-p-n
1,6 Вт; 5* Вт
~60
250
5
50 (100*)
:s;O,l (250 В)
КТД8264А Состав-
1.5Вт; 125*Вт
-
350* (О, lк)
5
20А
:s;O,l (300 В)
ной
n-p-n
1
1
i
'1
1
11
11
i
КТД8264А5 Состав-
1.5Вт; 125*Вт
-
350* (0.lк)
5
20А
1
:s;O,l (300 В)
!1
1
ной
1
n-p-n
1
1
1
i
i
1
i1
1·
1!
!
!j
КТД8275А
Состав-
125* Вт
~15
100
5
20А
-
1
КТД8275Б
ной
125* Вт
~15
80
5
20А
-
КТД82758
n-p-n
125* Вт
~15
60
5
20А
-
1
КТД8276А
Состав-
60* Вт
~15
100
5
8А
-
КТД8276Б
ной
60* Вт
~15
80
5
8А
-
КТД82768
n-p-n
60* Вт
~15
60
5
8А
-
КТД8276f
60* Вт
~15
45
5
1
8А
-
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
'

Биполярные кремниевые транзисторы
~50 (lО В; 25 мА)
300(10В;5А)
300(1ОВ:5А)
750 ... 18000
750 ... 18000
750 ... 18000
~750
~750
~750
~750
$2 (30 В)
i
1
;
f"кэнас' Ом
f"~Энас' Ом
к;·,, дБ
$66
$0,18
$0,18
$0,2
$0,2
$0.2
$0,66
$0,66
$0,66
$0,66
Кш• дБ
r~, Ом
Р;:х' Вт
1
1
1
т", пс
t:a~ t НС
t::кл, НС
255
Корпус
КТ999
110,4 Тil(,610,16
~
~
о;
~
~
D ЗКб
.. ..
к
КТД8264
::~Ю175,9 т5
С'-! ~
•
ln
'$!
а
6к3
КТД8264-5
5,16
0.38
~шт
КТД8275
27.1 КР
~No~ ~-
~
..
-
к
КТД8276
~mtt
р,п

256
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.8. Биполярные кремниевые сборки
pKm<1x'
fгр, 1;216'
UKБOmax'
lк max
IКБО•
Тип
Ст рук-
P;,lmax.t
(;IЭ'
U~ЭR max'
UЭБО maxt
1~.и max'
I~R•
прибора
тура
р~~и max t
~:;х'
U~ЭOmax'
в
г·
мА
кэо•
мВт
Мfц
в
мкА
КТСЗОЗА-2 1 p-n -p ,
1
500 (5о·с)
г300
45* (IОк)
-
100 (500*)
S:0,5 (45 В)
il
n-p -n
1
~
ji
1
1
1
,:
1
1
,,
1
ji
1
1!
1
1
1
1
i
1
КТС3103А
p-n -p
300 (55·с)
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
S:200 (15 В)
КТС3103Б
p-n -p
300 (55°С)
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
S:200 (15 В)
.
КТС3103А1
1
p-n -p
1
300
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
s:О,2мА(15В)
J КТС3103Б1
1
p-n-p
300
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
s:0,2 мА (15 В)
1
1
1
1
1
1
КТС3161АС
1 n-p-n ,
300
г4оо
12
4
200
S:IO(l2B)
1
2 p-n-p
1
'
1
1
1
1
!
1
1
11
1
1
1
1
1
1
!
1
1
КТС3174АС-2 n-p -n
150
600
10
1
7,5
S:I (IOB)
11
1.
1
1'
11
1
1
1,
!
1'
КТС381Б
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:30 (5 В)
,i
КТС381В
1
n-p -n
15
-
25
6,5
15
1
s:30 (5 В)
1'
.1
KTC381f
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:ЗО (5 В)
li
КТС381Д
1
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:ЗО (5 В)
КТС381Е
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:ЗО (5 В)
1
1

Биполярные кремниевые сборки
1
40... 180 (5 В; 1 мА)
:58 (5 В)
rкэ нас•
r~нас•
Ом
:520
40...200 (1 В; 1 мА)
:52,5 (5 В)
:560
40...200 (1 В; 1 мА)
:52,5 (5 В)
:560
1
40...200 (1 В; 1 мА)
:52,5 (5 В)
:560
40...200 (1 В; 1мА)
1
:52,5 (5 В)
:560
~20(1В;0,1А)
~80(5В;3мА)
~40 (5 В; 10 мкА)
~30 (5 В; 10 мкА)
~20 (5 В; 10 мкА)
~20 (5 В; 10 мкА)
~20 (5 В; 10 мкА)
1
1
1
1
1
0,65 (6 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:58
:55
:55
:55
:55
17зак9
Кш, дБ
h21э1/h;1э2•
u:;,,мв
~0.7*
:55 (60 МГц); ~0.9*
:55 (60 МГц); ~0.8*
:53**
:55**
~0.9*
~0.8*
:53 (100 МГц)
~0.9*; :54**
~О.85*; :54**
~О.85*; :53**
~0.9*
tк, ПС
t:Мс• НС
t::кл• НС
:580
:580
:580
:580
257
Корпус
КТСЗ103
Ei(l9,11
51 31
......
оо
<:t'
Kf
~ "Ф~52КТСЗ103·11 8
1tl85
~*
КТСЗ161
КТСЗ81
$\
1

258
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
Ркmах'
fгpt (216'
UКБО max'
1
lк max
!
•коо•
1
Тип
P~.lmax'
(;IЭ'
U~Rmaxt
UЭБОmах'
1~,и maxt
·~R'
прибора
р~~и max•
~:·:х'
u~max•
в
1
."
iтура1
1
!
1
1
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
!
мкА
iKTC393A
1 р-п-р 1
20 (45°С)
~500 1
10* (lОк)
4
10 (20*) i $0.1 (10 BJ
1i
1
КТС393Б
1 р-п-р 1
20 (45°С)
~500
15* (lОк)
4
10 (20*)
1
$0.2 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
КТС393А-1
р-п-р
20
~500
10
4
10 (20*)
1
$0,1 (10 В)
1
!КТС393Б-1 i р-п-р 1
20
1 ~500
15
4
10 (20*)
1
$0,2 (15 В)
1
'
1
1
1
i
1
!
1
1
1
1
i
1
i
i
1
!
i
1
!
!
i
1
1
!
!
1
1
КТС393А-9
р-п-р
20
~500
10
4
10 (20*)
$0,1 (10 В)
КТС393Б-9
р-п-р
20
~500
15
4
10 (20*)
$0,2 (15 В)
i
1
i
1
i
1
1
1
1
1
'
1
j
1
!
1
1
1
1
1
1
1
i
КТС394А-2
р-п-р
300*
~300
45* (10к)
4
100
$0,5 (45 В)
КТС394Б-2
р-п-р
300*
~300
45* (10к)
4
100
$0,5 (!О В)
1
1
1
;
1
!
~
КТС395А-1 i п-р-п
30
~300
45* (!Ок)
4
1
20
1
$0,5 (45 BJ
КТС395Б-1 ! п-р-п
30
~300
45* ( lОк)
4
20
1
$0,5 (10 В)
!1
1
1
u
1
1
!
1
КТС395А-2
п-р-п
150 (500**)
~300
45* (IОк)
4
100
$0,5 (45 В)
КТС395Б-2
п-р-п
150 (500**)
~300
45* (IОк)
4
100
45* (10к)
КТС395В-2 1 п-р-п
150 (500**)
~300
45* (!Ок)
4
100
45* (lОк)
i
i
11
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
i
1
1
КТС398А-1
1
п-р-п
30 (85°С)
~1000
10* (!Ок)
4
10 (20*)
$0,5 (10 В)
КТС398Б-1
п-р-п
30 (85°С)
~1000
10* (!Ок)
4
10 (20*)
$0,5 (10 В)
1
1

Биполярные кремниевые сборки
259
~
i
1
'
li
Кш, дБ
i
i!
с,.
ri\Энас' 1
t'Kt ПС
'
:1
h21" h;IЭ
с;2э'
r~нас:'
h21э1/h;1э2•
t~att НС 1
Корпус
'i
!
1
пФ
Ом
u:;;,мв
t:•ыкл• НС 1
1
40 ... 180 (1В;1 мА)
1
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц); ~0.9*
:580
КТС393
30".140 (1 В; 1 мА)
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц); ~0.8*
:580
6,к,з,
\1'
1
~
'
i
j~~~ !_
1
1
i
1
11
~
1
1
! 40".180(1В;1 мА) 1 :52 (5 В)
:560
1
:56 (60 МГц)
1
:580
1
КТС393-1
11
1 30".140 (1 В; 1 мА)
1
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц)
:580
1
1
1
1
6,к,з,
I,
i
1
1
1
\1'
1
11
1
J~~~ !_
1
40".180 (1 В; 1 мА)
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц)
:580
1
КТС393-9
~ 30".140 (1 В; 1 мА)
1
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц)
:580
иisJ4 ~
'
1
1
1
1
1
1
1
1
i
11
i
1
1
.1
1
Б2Ш1К2 1
1
1
:J2
·
Э!
1
"'
Б2
1
В
1К\
~,,,,,
40".120 (5 В; 1 мА)
:58 (10 В)
:530
:510**
-
КТС394-2
100" .300 (5 В; 1 мА)
:58 (10 В)
:530
-
-
1
~~1
1j; '
1
1
i
1
1
11\
d
1
6к3
1
1
i
40".120 (5 В; 1 мА)
1
:58 (!О В)
:530
:510**
1
1
КТС395-1
-
1
~350(5В;1мА)
:58 (!О В)
:530
1
-
1
-
'
1
1
1
1
~~
~-
\
кз
1
!
40".120 (5 В; 1 мА)
1
:58(10В)
:530
:51 О**
1
-
1
КТС395-2
1
100" .300 (5 В; 1 мА)
:58(10В) 1 :530
-
-
'
~350(5В;1мА)
:58(1ОВ)
1
:5230
-
-
1
~~, -
1
1
!
1
1
/1\1j;
1
1
1
1
1
1
'
1
1
6к3
40".250 (1В; 1мА)
:51,5 (5 В)
-
0,8". 1,25*; :51,5**
:550
КТС398-1
40".250 (1В; 1мА)
:51,5 (5 В)
-
0,9 ".1 ,1 *; :53**
:550
1
1
dj-·
1
1
...
1
1
......
-..к
1
i
1
'з
1
з
i
17·

260
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
fгр, ~216'
UKБOmax'
IKm.tx
1
•коо•
Тип
Струк-
P~.tmaxt
(;1э•
U~ЭR max'
UЭБOmaxt
·~.И ln.llX t
J~R•
прибора
тура
p~:иma).t
(;;х•
u-;;o max•
в
1
1;эо•
мВт
МГц
в
мА
1
мкА
КТСЗ98А94
n-p-n
30
~1 ГГц
10* ( lОк)
4
10 (20*)
:50,5 (10 В)
КТСЗ98Б94
1
n-p-n
30
~1 ГГц
10* (IОк)
4
1о (20*)
:50,5 (1 О В)
1
1
1
1
КТС61ЗА
n-p-n
800 (50'С)
~200
60
4
400 (800*)
:58 (60 В)
КТС61ЗБ
n-p-n
800 (50'С)
~200
60
4
400 (800*)
:58 (60 В)
КТС61ЗВ
1 n-p-n
1
800 (50'С)
~200
40
4
1
400 (800*)
1
:58 (40 В)
КТС61ЗГ
1
n-p -n
800 (50'С)
~200
40
4
400 (800*)
:58 (40 В)
1
1
1
КТС622А
p-n-p
0,4 ( 10**) Вт
~200
45* (1 к)
4
400 (600*)
:510 (45 В)
КТС622Б
p-n-p
0,4 (10**) Вт
~200
35* (1 к)
4
400 (600*)
:520 (35 В)
1
1
!
1
'
1
1
1
~КТС631А
n-p-n
4 Вт (55'С)
~350
30
4
1 (1,3*)А
:5200 (30 В)
11КТС631Б 1 n-p-n
4 Вт (55'С)
~350
30
4
1 (1,3*) А
:550 (30 В)
!КТС631В
1
n-p-n 1 4 Вт (55'С)
~350
60
4
1 (1,3*)А
:550 (60 В)
КТС631Г
n-p-n
1
4 Вт (55'С)
~350
60
4
1 (1,3*) А
1
:5200 (60 В)
!
1
,
1
КТ674АС
p-n -p
900
~250
40
5
0,2 А (0,5* А)
:50,05 (30 В)
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!
i
1
1
i
1
1
~
1
!
1
1
1
1
'
1
!
1
i
1
1
i
1
КТ677АС
n-p-n
2500
100
60
-
IA
:50,05
~
1
1
1
1
i
1
1
1
1
'
1
~1
1
!
i
1
!
'
1

Биполярные кремниевые сборки
ck,
rкэ нас'
Кш, дБ
tKt ПС
hll.t' ь;,э
c~2j,
r~нас'
ь 2 ,,,/ь;,,,,
t~dc' НС
пФ
Ом
u:_:, мВ
t::к..,, нс
40...250 (1 В; 1 мА)
51,5 (5 В)
0,8 ... 1,25*
550
40...250 (1 В; 1 мА)
5l,5(5B)
0,9 ... 1,1 *
550
25...100* (5 В: 0.2 AJ
515 (10 В)
52,5
5100*
40... 200* (5 В; 0.2 А)
515(10В)
52,5
5100*
20... 120* (5 В; 0.2 А)
515(10В)
52,5
5100*
50...300* (5 В: 0,2 А)
515 (10 В)
52,5
5100*
25...150* (5 В; 0,2 А)
515 (10 В)
53,25
5120*
;::10* (5 В: 0,2 А)
515(10В)
53,25
5200*
20...115* (1В: 0.3 AJ
515(10В)
52.8
540: 530*
20... 125* (1 В: 0,3 AJ
515(10В)
512
540; 530*
20... 125* (1 В: 0,3 А)
515 (10 В)
512
540; 560*
20...115* (1 В: 0,3 А)
515(10В)
52,8
540; 560*
75(1В;10мА)
54,4 (15 В)
530
;::25
0,8
261
Корпус
КТС398-94
0.7
1
·rt
•
'
,~
-
-
J
.
11
'
!!
'1
1
КТС613
15,iI
1,6, 7,12-З 5,2 ,8.ff -K
J/1,9,10-6
КТС622
'lп2 73
а
J12
ав
"
11
2510
69
7
КТС631
КТС674АС
~к5з з/jк
~
""
!i!,..,....r..+r..+.-.+.-rl-..,.j.,.~l-I
.$!
КТ677АС
~к5з з/jк
~
""
!i!~.r..+r..+.-.+.-r!-..,.j.,.~l-I
.$!
.,
11
~
1
1

262
1 Струк-
pKmax'
Тип
P~.tmaxf
прибора ! тура
р~:иmах'
'
мВт
МГц
IKT678AC
n-p -n
500; 1**Вт
<:250
КТ693АС
n-p -n
600
1
1
1
il
1
1
1
К1НТ251
n-p -n
400 (50°С)
<:200
i
К1НТ661А 1 n-p-n
100 (50"С)
-
1
1
1
1
К129НПА-1
n-p-n
15 (85"С)
<:250
К129НПБ-1
n-p-n
15 (85°С)
<:250
К129НПВ-1
n-p-n
15 (85"С)
<:250
К129НПГ-1
n-p-n
15 (85"С)
<:250
К129НПД-1
n-p-n
-1
15 (85"С)
<:250
К129НПЕ-1
n-p -n
1
15 (85"С)
<:250
К129НТ1Ж-1
1
n-p-n 1
15 (85"С)
<:250
К129НПИ-1
n-p-n
1
15 (85"С)
<:250
UKБOmax'
U~ЭRmaxt
u~max'
в
60
150
45* (1 к)
300
15
15
15
15
15
15
15
15
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
lк max
IКБО•
UЭБОmаА'
1~,и maA•
l~R'
в
1;30.
мА
мкА
5
200; 750*
~;;Q,05 (40 В)
5
150 (200*)
:510* ( 120 В)
1
11
11
1
1'
1
~
1
i
'1
1
1
1
4
400 (800*)
:56 мА (45 В)
i
!
1
1
-
i 5(1О*)
1
:530 (250 В)
i
1
1
1
1
1
1
4
10 (40*)
1
:50,2 ( 15 В)
4
10 (40*)
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
:50.2 (15 В)
4
10 (40*)
1
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
1
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
!
:50,2 (15 В)

Биполярные кремниевые сборки
ь21,, ь;,э
75...230 (1 В; 10 мА)
<:40 (5 В; 0,1 А)
<:10* (5 В; 0,2 А)
<:5* (5 В; 10 мА)
20...80 (5 В; 1 мА)
60...80 (5 В; 1мА)
<:80 (5 В; 50 мкА)
20...80 (5 В; 1мА)
60...80 (5 В: 1мА)
<:80 (5 В: 50 мкА)
40...160 (5 В; 1 мА)
40...160 (5 В; 1 мА)
с,,
с;2,•
пФ
s4(5В)
sl5 (10 В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
fкэи_.'
r~иас•
Ом
s20
slOOO
Кш, дБ
ь 21 ,.;ь;,э2,
u:;,, мВ
<:0,85*; sЗ**
<:0,85*; sЗ**
<:0,85*; sЗ**
<:О,75*; sl5**
<:0,75*; $15**
<:0,75*; $15**
<:0,85*; sЗ**
<:0,75*; $\5**
tK• ПС
~;ас' НС
tвык.11• НС
s5IO**
Корпус
КТ678АС
~/(5з з/jк
~~
~~........ -. . -.... .... ~1 -1
~
КТС693АС
КIНТ251
К1НТ661
К129НТ1
з6к
1
~ >!tlD
з~ш_
263

264
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
Тип
прибора
П101
П101А
П101Б
11Т102П102А
11
1Т115А
П115Б
П115В
П115f
П116А
П116Б
1Т116В
l Пllбf
1
П303
П303А
П303Б
П303В
П303f
П303Д
1
П305А
П305Б
П305В
П308А
lltт308Б
~П308В
iпзosr
~~
П311А
П311Б
П311f
П311Д
П311К
!П311Л
"
i
1
1
1
1 Струк-1
! тура
i
i
i
1
1
1
!
i
1
i
1
1
i
1
1
1
1
!
1
i
1
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n-p
р-п-р
n-p -n
n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
!
1
1
!
!
i11
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
1
!
Токр,
·с
-6 0 ."+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
!
-60...+73 1
-60...+73
1
-60...+73
-60...+73
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70 1
1
1
1
1
1
-60 ...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+73
-60...+73
-60...+73
-60...+70
-60...+70
-60...+70
1
-60...+70
1
1
1
1
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
Ркmах'
Р~.тmах'
р~: и max'
мВт
50
50
50
30
30
50
50
50
50
150
150
150
150
100
100
100
100
100
100
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Мfц
2*
2*
5*
1*
1*
1
1
1
1
1
1
1
1
36
36
36
72
72
72
160
140
160
100
120
120
120
0,45 ГГц
0,3 ГГц
0,3 ГГц
0,45 ГГц
0,6 ГГц
0,45 ГГц
1
1
UКБО nроб•
U~ЭR nроб•
Uкэо проб•
в
15
15
15
5
5
50
50
70
70
15*
15*
15*
15*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
12**
12**
12**
20
20
20
20
12
12
12
12
12
12
1
1
1
1
UЭБОmах•
в
15
15
15
5
5
50
50
50
50
15
15
15
15
-
-
-
-
-
-
1,5
1,5
1,5
3
3
3
3
2
2
2
2
2
2
1
1
i1
1
1
1
1
1
1
;
i
1
!к max
lк, и max'
мА
10
10
10
6
6
100
100
100
100
50 (300*)
50 (300*)
50 (300*)
50 (300*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
40 (100*)
40 (100*)
40 (100*)
50 (120*)
50 (120*)
50 (120*)
50 (120*)
50
50
50
50
50
50
1
1
1
1
1
!
1
lкоо•
l~ЭR'
I~o•
мкА
15
15
15
10
10
50
50
50
50
30
30
30
30
6
6
6
6
6
6
6
6
6
5
5
5
5
:s:lO
:s:5
:s:5
:s:5
:S:5
:s:5
1
·i
!i
11

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
265
с•.
Кш, дБ
."пс
rкэ нас•
t~c• НС
h21>' ь;,э
с;2э•
rБЭ нас'
r~, Ом
t:.:кл' НС
Корпус
!
пФ
Ом
Р.:х, Вт
1
1
~
t::. нс
1
1
30... 60
1
50
-
-
-
1
1Т101, 1Т102
1
i
20 .. .40
1
50
-
-
-
! 60... 120
50
-
-
-
:Ii1Ф·
1
~20(5В;1мА)
30
-
s7 (1 кГц)
-
~20(5В;1мА)
30
-
Sl2(1 кГц)
-
20 ... 60
50
-
-
-
1Т115
50... 150
50
-
-
-
~tt
20 ... 60
-
-
-
-
50 ... 150
-
-
-
-
к
зф1
1
~
15 ... 65
-
1
-
-
-
1Т116
15 ... 65
-
-
-
-
:Ii1e
20 ... 65
-
-
-
-
15 ... 65
-
-
-
-
15 ... 30
1
10
-
-
1* мкс
1Т303
30... 80
10
-
-
1* мкс
§·($)·
60... 160
10
-
-
1*мкс
15 ... 30
10
-
-
1*мкс
30... 80
10
-
-
1*мкс
60 ... 160
10
-
-
1*мкс
25 ... 80*
6
-
-
-
1Т305
60... 180*
7
-
-
-
40 ... 120
7
-
-
-
~tt ·Ф
~
25 ... 75
8
-
-
1* мкс
1Т308
50 ... 120
8
-
-
1*мкс
No·($)·
80 ... 150
8
-
8
1*мкс
100... 300
8
-
6
-
15 ... 180
S2,5
-
-
50*
1Т311
30... 180
s2,5
1
-
8
50*
;!f·ф
30... 180
s2,5
-
-
50*
60... 180
S2,5
-
-
50*
60 ... 180
S2,5
-
-
50*
150 ... 300
S2,5
-
-
50*

266
!
Тип
прибора
ПЗНОА-2
ПЗIЗА
1Т313Б
1Т313В
1Т320А
1Т320Б
1Т3208
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
1Т321f
1Т321Д
1Т321Е
~1Т329А
i1ТЗ29Б
1Т3298
,,
ПЗЗОА
ПЗЗОБ
пззов
пззоr
1Т335А
1Т335Б
1Т335В
пззsr
~1Т335Д
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
i
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
'
i
i
i
1
1
!
1
!i
i
1
!
1
i1
Струк-
Такр,
тура
·с
n-p -n
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n -p
-60...+70
1
1
'
1
1
p-n-p
1
-60... +70
p-n-p
- 60".+70
p-n-p
-60... +70
1
p-n-p
-60... +70
p-n-p
- 60".+70
p-n-p
1 -60".+70 1
1
1
1
!
!
1
n-p-n 1 -60". +70
n-p-n 1 -60".+70 1
n-p-n 1 -60". +70
1
n-p-n
- 60".+70
n-p-n
- 60". +70
n-p-n
- 60". +70
n-p-n
- 60".+70
p-n -p
- 60".+70
p-n -p
1
- 60. "+70
p-n -p
- 60". +70
p-n -p 1 -60."+70 1
p-n -p
1
- 60".+70 1
1
1
n-p -n
- 60".+70
n-p-n
- 60".+70
n-p -n
- 60".+70
1
1
1
1
1
1
1
1
1
pKmax'
р•
К.тmах'
р~~ и max'
мВт
175
100
100
100
200
200
200
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
50
50
50
50
50
50
50
200
200
200
200
200
35
35
35
1
1
1
1
1
1
1
1
1
~•• ~216•
~;1;'
~:=~·Мfц
~2.5 ГГц
~300
~450
~350
~160
~160
~200
~60
~60
~60
~60
~60
~60
~1.2 ГГц
~1.7 ГГц
~1 ГГц
~1 ГГц
~1.5 ГГц
~1 ГГц
~О.7 ГГц
~300
~300
~300
~300
~300
~1.5 ГГц
~2 ГГц
~1.5 ГГц
r
UКБО проб'
U~ЭR проб'
u~проб•
в
10
12
12
12
20
20
20
60
60
60
45
45
45
10
10
10
13
13
13
13
20
20
20
20
20
10
10
10
Раздел 2. Биполярные транзисторы
11
1
1
1
1
1
1
UЭБО max'
в
0,2
0,7
0,7
0,7
3
3
3
4
4
4
2,5
2,5
2,5
0,7
0,7
1
1,5
1,5
1,5
1,5
3
3
3
3
3
0,3
0,3
0,5
11
1
1
1
1
1
i
IKmax
J~,И max'
мА
17,5 (140*)
50
50
50
200 (300*) '
200 (300*).
200 (300*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
20
20
20
20
20
20
20
150 (250*)
150 (250*)
150 (250*)
150 (250*)
r5o (250*)
10
10
10
lкБО•
J~R'
."
кэо•
мкА
$50
1
i
$500
$500
$500
$500
$500
$500
1
.
i
i
'
i
$5
'i
i$5
j
•
1
$5
$5
$5
$5
$5
i $10
$10
$10
!
$10
$10
1
1
$5
$5
$5
1
i
1
1
i
~

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
267
ck,
Кш, дБ
т... , пс
rкэ нас'
t~.itl нс
h21•' ь;,э
с;23•
r~э наt·•
r~. Ом
t::кл, НС
пФ
Ом
Р;:х, Вт
t~·:, нс
Корпус
S3,5
3 (0,5 ГГц)
s5
ПЗНОА-2
~О.05** (4 ГГц)
1
к
,,
~
1
1
"- :!
зэ
i
~
~
d
....~
!
'
'Q
5
!
1
11
1
1
·1
1
10...230 (3 В: 15 мА)
$2,5
-
S8 (60 МГц)
s75
П313
10...75 (3 В; 15 мА)
S2,5
-
s8 (60 МГц)
$40
~11
30...230 (3 В; 15 мА)
$2,5
-
S8 (60 МГц).
S40
R'f)'
1
1
1
"i
: 40...100(1 В; 10мА)
1
$8
-
-
0,2* мкс
1
П320
~ 70...160(1 В; 10мА)
$8
-
-
0,2* мкс
1
No·•·
~ 100... 250 (1 В: 10 мА)
!
$8
-
-
0,2* мкс
~
1!
1
1
1'
1
1
1
·'
!
1
1
20...60 (3 В; 0,5 А)
s80
-
-
1*мкс
П321
40...120 (3 В; 0,5 А)
$80
-
-
1*мкс
No·•·
80...200 (3 В: 0,5 А)
$80
-
-
1* мкс
1
,,
20...60 (3 В: 0,5 А)
1
1
ii
"
$80
-
-
1*мкс i
'
1
, 40."120 (3 В: 0.5 А)
S80
-
-
1*мкс
1
!~
'•
80... 200 (3 В: 0.5 А)
s80
1
-
1
-
1*мкс
1
il
'
i
!
i1
i
1
1
1!
n
!
11
~
1
1
1
i 15."300 (5 В: 5 мА)
$2
i-
s4 (0,4 ГГц)
1
15
1
П329, ПЗЗО
15...300 (5 В; 5 мА)
$3
-
s6 (0,4 ГГц)
30
1
15...300 (5 В; 5 мА)
S3
-
s6 (0,4 ГГц)
20
~-1'
30...400 (5 В; 5 мА)
s2
s5 (0,4 ГГц)
25; 50*
~
~б
-
30...400 (5 В; 5 мА)
$2
-
s5 (0,4 ГГц)
50
80...400 (5 В: 5 мА)
s2
-
s5 (0,4 ГГц)
1
100
~
к
30...400 (5 В: 5 мА)
$3
-
s5 (0,4 ГГц)
1
30; 50*
11
1
'·
1
!
1!
1
40...70 (3 В: 50 мА) i S8,5
-
-
1
0,1 * мкс
1
П335
1
60".100 (3 В; 50 мА) 1 $8,5
1
1
-
-
-
1
:No~
1 40...70 (3 В; 50 мА) i $8,5
!-
-
1 0,15* мкс
1
60".100 (3 В; 50 мА)
$8,5
-
-
0,15* мкс
50... 100 (3 В; 50 мА)
$8,5
-
-
0,15* мкс
15... 250 (5 В; 5 мА)
Sl
-
S4,5 (1 ГГц)
-
П341
1·
15...250 (5 В: 5 мА)
Sl
-
S5,5 (1 ГГц)
-
1
11
1
1
~-1'
15...250 (5 В: 5 мА)
Sl
-
s5,5 (1 ГГц)
-
1
il
1
11
1
1
1
... ,,.
~
б
1
1
~
к
1

268
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
i
1
~μ' (:216'
1
i •коо•
1
Рк rnJxl
UКБО проб' 1
lк mал
Тип
Струк-1 Токр,
р'
~:;l'j'
U~ЭR проб'
UЭБО rnaxl
1
·~R'
К. т max'
1;, и max'
прибора тура
1
·с
р;~ и max'
~~-;)\'
U~эо ""°"'
в
·~·
~
мВт
МГц
в
мА
мкА
1
1
IТ362А
n-p -n
-60 ...+70
40
~2.4 ГГц
5
0,2
10
s5
1
1
1
1
i
!
1
1
1
i
1
1
~
1
1 -60".+1251
1
1
~ IТ374А-6 1 n-p -n
25
~2.4 ГГц
5
0.3
10
s5
11
i
1
1
!
1
1
IТ376А
p-n -p
- 60".+185
35
~l ГГц
7
0,25
!О
s5
11
1
!
~
"
i
i
il
1
,,
1
~
11
1
!1
1
1'
!
:1
11
1
!
!
:
1
i
:
1
i
IТ383А-2
1
n-p -n
- 60".+85
25
~2.4 ГГц
5
0,5
10
s5
11
П383Б-2 n-p -n
- 60".+85
25
~l.5 ГГц
5
0,5
10
s5
IТ383В-2
1
n-p -n
- 60".+85
25
~3.6 ГГц
5
0,5
10
s5
1
1
1
!
1
1
1
1
!
i
i
1
~ IТ386А 1 n-p -n ! -60".+70
40
~О.45 ГГц
15
1
0,3
'
10
!
slO
~
i
;
1
i
1
1
1
1
1
1
i
1
1
:
1
1
1
1
1
1
!
'1
Jtт387A-2 n-p -n
- 6 0".+70
175
~2.16 ГГц
10
0,2
140*
slO
11
iП387Б-2 : n-p-n 1 -60 ...+70
175
~3 ГГц
!О
0.2
140*
1
slO
:1
1
11
i!
!
1
1
1
1
ii
1
1
~1
1
1
1.
I!
!
1
11
,.
i
1
.!
1
!
1
1Т403А
p-n -p
- 6 0".+70
4Вт
0.008**
45
20
1.25 А
s5** мА
1
IТ403Б
p-n-p
- 6 0".+70
4Вт
0.008**
45
20
l,25 А
s5** мА
1:
IТ403В
p-n -p
- 6 0".+70
5Вт
0,008**
69
20
l,25 А
s5** мА
IТ403Г
p-n -p
- 6 0".+70
4Вт
1
0,008**
60
20
l,25 А
s5** мА
11
П403Д
p-n -p
- 6 0".+70
4Вт
0.008**
1
60
30
1.25 А
s5** мА
IТ403Е
p-n -p
- 60".+70
5Вт
0.008**
60
20
1.25А 1
s5" мА
~
11Т403Ж p-n -p
- 60".+70
1
4Вт
1
0,008**
1
80
20
1
1,25 А
i s6** мА
t
ltт403И
- 6 0".+70
4Вт
0,008**
1
80
20
l,25 А
s6'* мА
1:
p-n -p
!
1

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
269
!
с•.
Кш, дБ
'tк, ПС
rкэ на~:•
t;Jac• НС
1
h21"' ь;IЭ
с;2",
rБЭ нас•
r~, Ом
t:~кл• НС
Корпус
'
пФ
Ом
Р;~х• Вт
1
1
i
t~:. нс i
'
lt-----
1
i 10...200 13 В: 5 мА)
1
$1
1-
1
$4,5 (2,25 ГГц)
-
1
1Т362А
'
;
i
~
1
1
!
~~1'
...,,.
~
6
~
к
10... 100 (3 В: 2 мА)
$1
-
4,5
-
1Т374А-6
1
1
1
1
1
1
1
~m
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
"
10... 150 (5 В; 2 мА)
$1,2
-
$3,5 (180 МГц)
-
1Т376А
-5,8
1
~r; '
1
1
~ Корп.Ф,6
j
i
~
!
i
1
1
j 15... 250 (3.2 В; 5 мА)
$1
1-
1
$4,5 (2,25 ГГц)
-
1Т383
!0... 250 (3,2 В; 5 мА)
$1
-
$4 (1 ГГц)
-
15...250 (3,2 В; 5 мА)
$1
-
$5,5 (2,83 ГГц)
-
~~~SP
10... 100 (5 В: 3 мА)
$1,5
-
$4 (180 МГц)
-
1Т386А
1
1
- 5,8
1
i
i
~вw .
1
~ Корп.Ф,6
1
1
-
$3
-
$5 (1 ГГц)
-
1Т387
-
$3
-
$4,8 ( 1 ГГц)
-
~О.05** (4 ГГц)
~f~
r--;
~
1
'Q
5
20...60 (5 В; 0.1 А)
-
$1
-
-
1Т403
50... 150 (5 В; 0,1 А)
-
-
$1
-
-
20...60 (5 В; 0.1 А)
-
$1
-
-
tJ10
-12
50... 150 (5 В; 0,1 А)
-
$1
-
-
§~
50... 150 (5 В; 0,1 А)
-
$1
-
-
30(5В;0,1А)
-
$1
-
-
20...60 (5 В; 0,1 А)
-
$1
-
-
30(5В;0,1А)
-
$1
-
-

270
Раздел 2. Биполярные транзисторы
~
!
!
РкmаА'
~р• ~216' 1 UКБО nроб• i
1
IKm;iA
1
lкБО•
'
Тип 1 Струк- i Токр1
Р;,тm.ах'
\;1э1
U~ЭR npo6'
1
UЭБОmах' i 1~,и max'
1
I~ЭR•
прибора
1
тура
1
·с
р~~ и m.tx•
1
~:·:)..
u;эо nроб'
в
1
1;эо,
мА
'
1
мВт
МГц
в
!
мкА
П612А-4 1 п-р-п
-55 ...+70
0,36 Вт
2:1,5 ГГц
12
0,2
0,2* А
~О.005 мА
П614А
п-р-п
1
-60 ...+85
0,4 Вт
2:1 ГГц
12
0,5
1
200
~О.О! мА
П615
1
п-р-п
1
-60 ...+70
0,7 Вт
0,4 ГГц
12
0,5
1
500
-
1
j
'
1
1
1
1
1
1
1
!
!I
!
1
!
~
~П702А 1 р-п-р
-60 ...+70
150* Вт
0,12
60
4
1
30А
~12 мА
П702Б 1 р-п-р
-60 ...+70
150* Вт
0,12
60
4
30А
~12 мА
П702В
1
р-п-р
-60 ...+70
150* Вт
0,12
40
4
30А
~12 мА
1
1
1
1
i
1
1
1
'
!
1
'
1
1
1
!
1
i
i
1
1
i
'
i
1
'
~
1
1
1
i
!1
!
!
'
П806А
р-п-р
-60 ...+70
30* Вт
2:10
40**
2
20А(25*А)
~12 мА
П806Б
р-п-р
-60 ...+70
30* Вт
2:10
65**
2
20А(25*А)
~12 мА
П806В 1 р-п-р
-60 ...+70
30* Вт
2:10
80**
2
20А(25*А)
~12 мА
i
1
П813А 1 р-п-р
-60 ...+70
50* Вт
'
-
60**
2
30 А (40* А)\
-
П813Б 1 р-п-р
-60 ...+70
50* Вт
-
35**
2
1 30А(40*А)/
-
~
П813В : р-п-р
-60 ...+70
50* Вт
1
-
80**
2
130А(40*А)!
-
П901А ' р-п-р
-60 ...+70
1
15* Вт
1
2:30
1
50
1
-
i IOA
1
~8 мА
!
1
1
П901Б ! р-п-р
-60 ...+70
15* Вт
1
2:30
40
1
-
i IOA
1
~8 мА
1
1
1
1
1
1
1
П905А
р-п-р
-60 ...+70
б* Вт
2:30
75
1
3А{7*А)
1
~2 мА
-
1
1
1
1
1
!
!
'
j
1
1
1
~
!
1
i
:
ltт906A 1
1
-60 ...+70 i
15* Вт
2:30
75
1,4
! 10А
1
~8 мА
р-п-р !
'
i
1
1
1
1
1
П910АД
!
р-п-р
-60 ...+70
35* Вт
2:30
33
-
10А(20*А)
~6 мА
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
i
1
1
i
1
1

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
271
i-
'
'
1
h21.• ь;,э
15...250 (5 В; 50 мА)
15... 100 (1,5 В; 30 А)
15... 100 (1,5 В: 30 А)
15... 100 (1.5 В: 30 А)
10.. .100 ( 10 А)
10... 100 (10 А)
10.. .100 ( 10 А)
10...60 (20 А)
10...60 (20 А)
10...60 (20 А)
20...50 (10 В; 5 А)
40... 100 (10 В; 5 А)
35...100 (10 В: 3 А)
30... 150 (10 В; 5 А)
50...320 (IO В; 20 А)
1
1
с,,
с;2"'
i
пФ
1
$3,5
$250
rKЭюillct
r~нact
Ом
$0,02
$0,04
$0,02
$0,03
$0,03
$0,03
$0,026
$0,026
$0,026
$0,12
$0,12
$0,16
$0,1
$0,06
Кw,дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
<::0.15** (2 ГГц)
<::0.200** (0,5 ГГц)
тк, пс
f~ac:t НС
t::клt НС
t:·: . нс
$7
$15
$30** мкс
$30** мкс
$30** мкс
3** мкс
5** мкс
5** мкс
lн$0,7 МКС
t.$0,7 мкс
$4* мкс
$5* мкс
lcn$l МКС
11
Корпус
!
1Т612, 1Т614, 1Т615
,
1,6
16,J
....
'К.
r...~
...
1Т702
@1
1Т806, 1Т813
:3,5.
~m.
~tJ&~ ~
1Т901
1Т905А, 1Т906А
i~1Т910Ад
~

272
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
Тип
прибора
2Т104А
2Т104Б
2Т104В
2Т104Г
: 2Т117А
j 2Т117Б
j,2Т117В
1t2п11r
2Т117А-5
'12Т118А
' i 2Т118Б
, 2Т118В
;
2Т118А-1
2Т118Б-1
1
1
!
1
2Т126А-1
2Т126Б-1
2Т126В-1
2Т126Г-1
2Т127А-1
2Т127Б-1
2Т127В-1
12п21r-1
1
2Т201А
2Т201Б
2Т201В
2Т201Г
2Т201Д
1
1
'
1
1
'
1
Струк- j
1
Токр.,
тура
·с
p-n -p
-60 ...+ 125
p-n -p
-60 ...+125
p-n -p
-60 ...+125
p-n -p
-60 ...+125
n-база
n-база
n-база
n-база
-60 ...+125
1 -60 ...+125
-60 ...+125
1
.
-60 ...+125
n-база -60 ...+125
i p-n-p
-60 ...+125
1
p-n -p
1 -60 ...+125
! p-n-p
-60 ...+125
1
i
1
1
i
1
p-n -p
p-n -p
1
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
1
Ркmaxt
Р;., m"'
р;:" m"'
мВт
150 (6О0С)
150 (6О0С)
150 (6о·с>
150 (6о·с>
300
300
300
300
30
100 ооо·с>
100 о оо·с>
100 ооо·с>
30 (85°С)
30 (85°С)
15 (7О0С)
15 (7о·с>
15 (7О0С)
15 (7о·с>
15 (6О0С)
15 (6о·с>
15 (6О0С)
15 (6о·с>
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
МГц
;:>:5*
;:>:5*
;:>:5*
;:>:5*.
;:>:0,2***
;:>:0,2***
;:>:0,2***
гО,2***
;:>:0,2***
-
-
;:>:0,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
10
10
10
10
10
UКБО щюб'
U~ЭR щю6t
Uкэо npo6'
в
30**
15**
15**
30
30
30
30
30
30
15
15
15
15* (lОк)
15* (!Ок)
25
25
45
45
25
25
45
45
20
20
10
10
10
UЭБOmaxt
в
10
10
10
10
30
30
30
30
30
31
31
31
31
16
3
3
3
3
-
-
-
-
20
20
10
10
10
1
.lк m:.ix
lк,н maxt
мА
50
50
50
50
50 (1* А)
1
1
50(1*А)
50(1*А) i
50 (1* А)
1
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
20(100*)
20 (100*)
20(100*)
20(100*)
20 (100*)
11
1
1
1
1
JКБО'
J~ЭR•
1;30,
мкА
sl (30 8)
sl (15 8)
sl (15 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sO,l (15 8)
sO,l (15 8)
sO,l (158)
s0,1 (158)
sl (25 8)
sl (25 8)
sl (45 8)
sl (45 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
s0,5 (20 8)
s0,5 (20 8)
s0,5 (!О 8)
s0,5 (20 8)
s0,5 (20 8)
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
',,
'
· !:li
1
h"" ь;,э
il
1
с,,
c;Zэt
пФ
r~Эна~·t Ом
Г~э наt·' Ом
к~·,, дБ
Кш, дБ
r~, Ом
Р;:л, Вт
t'I(, пс
~;". нс
tВЫК.11 t НС
t:· .:n, нс
273
Корпус
'
1
1г--~~~~~~~--t-~~~~+-~~~~~--t-~~~~~~--+~~~~~+-~~~~~~~~~---jj
1·
7".40(1В:10мА) 1 550(5В)
1
15...80 (1 В; 10 мА)
1
J
550 (5 В)
19 ... 160(1 В; IОмА)
550(5В)
10...60 (1 В: 10 мА)
550 (5 В)
0,5 . "0,7 (UБ1Б2=10 В)
~ 0.65" .0 .9 (UыБZ=IO В)
"!1 0,5...0,7 (UБ1Б2=IО В)
11 0,65" .0 ,9 (UыБZ=lO В)
~
0,5 .. . 0 ,9 (UБ1Б2=10 В)
550
550
550
550
100
100
100
30
30
5120*
5120*
5120*
5120*
5500**
5500**
5500**
550*
550*
2Т104
2Т117
2Т117А-5
2Т118
2Т118А-1, 2Т118Б-1
1
! ~Jrt
11\ ~l_j
5кэ
0--~~~~~~~--+-~~~~-+-~~~~~--+-~~~~~~-+~~~~~+-~~~~~~~~~~1
1
2Т126
15."60 (5 В: 1 мА)
15...60 (5 В; 1мА)
40".200 (5 В; 1 мА)
40...200 (5 В: 1 мА)
55(5В) 1
55(5В)
55(5В)
55(5В)
5166
5166
5166
5166
~G ir
...
11\ ~df
11------------i-----+--------+-------+------+---б-К_З____ ,1
15".60 (5 В; 1 мА)
40...200 (5 В: 1 мА)
15...60 (5 В; 1мА)
40 ...200 (5 В: 1 мА)
20...60 (1 В; 5 мА)
30".90 (1 В: 5 мА)
30".90 (1 В: 5 мА)
70...210 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5мА)
18зак9
55(5В)
55(5В)
55(5В)
55(5В)
520 (5 В)
520 (5 В)
520 (5 В)
520 (5 В)
520 (5 В)
5170
5170
5170
5170
515(1 кГц)
2Т127-1
~vAif
LJr: 1
ЗБК
2Т201
145,81/
;fi

274
Раздел 2. Биполярные транзисторы
!
pKmax'
~•• \216,
UКБОп.... •
lк max
lкБО•
Тип
1 Струк- Токр.1
Р~.тmах•
~;lэ•
U~н.,,.., UЭБОmо111х• 1~,н max•
·~RI
прибора
·с
р;~ н max•
~~;xt
u~ ......
в
...
тура
мА
кэо•
1
мВт
мrц
в
мкА
2Т202А-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35·с>
5
15
10
20 (50*)
::;1 (15 8)
2Т202Б-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35°С)
5
15
10
20 (50*)
::;1 (15 8)
2Т202В-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35°С)
5
30
10
20 (50*)
::;1(308)
2т202r-1
p-n-p
-60 ...+85
25 (35·с>
5
30
10
20 (50*)
::;1(308)
2Т202Д-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35°С)
5
15
10
20 (50•)
::;1 (15 8)
2Т20ЗА
p-n-p
-60 ...+125
150 (75°С)
~5·
60
30
10 (50*)
::;1(608)
2Т20ЗБ
p-n-p
-60 ...+125
150 (75°С)
~5·
30
15
10 (50*)
::;1(308)
2Т20ЗВ
p-n-p
-60 ...+125
150 (75°С)
~5·
15
10
10 (50*)
::;1 (15 8)
2т2озr
p-n -p
-60 ...+125
150 (75°С)
~10·
60
30
10 (50*)
::;1(608)
2Т20ЗД
p-n -p
-60 ...+125
150 (75°С)
~10·
15
10
10 (50*)
::;1 (15 8)
l 2Т205А-З
n-p-n i -60 ...+125 1
40 (9о·с)
~20
250
i 3 20(45*)
1
3*(2508) !
lj2Т205Б-З
n-p-n !-60 ...+125 1
40 (9о·с>
~20
250
1
3
20 (45*)
1
2*(2008) ~
'·
!
1
'i
1
.
:
1
1
i
!
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т208А
1
p-n -p
-60 ...+125
200 (6О0С)
~5
20* (IОк)
20
150 (300*) 1
::;1 (20 8)
2Т208Б
p-n -p
-60 ...+125
200 (6о·с>
~5
20
20
150 (300*)
1
::;1 (20 8)
2Т208В
p-n -p
-60 ...+125
200 (6о·с>
~5
20
20
150 (300*)
::;1 (20 8)
~
2т2osr
1 p-n-p
-60 ...+125
200 (6о·с>
~5
30
20
150 (300*)
i
::;1 (20 8)
.
2Т208Д
'
1-60 ...+1251
200 (6о·с>
~5
30* (IОк)
1
20
150 (300*)
::;1(208)
p-n-p
1
i
!•
il2T208E
p-n-p !-60 ...+125
200 (6О0С)
~5
1
30
20
150 (300*) 1
::;1(208)
"
1
i
1
ji
i12Т208Ж
p-n-p 1 -60 ...+125 1 200 (6О0С)
~5
45
1
20
150 (300*)
1
::;1 (20 8)
1
J
!2Т208И
p-n-p i -60 .. . +125 1 200 (60°с>
~5
45
20
150 (300*)
::;1(208)
1', ,
!J2T208K
p-n-p 1 -60 ...+1251
200 (60°CJ
~5
1
45
1
20
150 (300*) 1 ::;1 (20 8)
1
12Т208Л
p-n-p 1 -60 .. . +125
200 (6о·с>
~5
60
1
20
150 (300*) 1
::;1 (20 8)
2Т208М
p-n -p 1 -60.. . +125
200 (6о·с>
~5
60
120
150 (300*)
::;1(208)
1
2Т211А-1
p-n-p
-60 ...+125
25 (50**)
~10
15
5
20 (50*)
::;О,01 (15 8)
2Т211Б-1
p-n-p
-60 ...+125
25 (50**)
~10
15
5
20 (50*)
::;О.01 (15 8)
2Т211В-1
p-n-p
-60 ...+125
25 (50**)
~10
15
5
20 (50*)
::;О,01 (15 8)
1
1
1
1
1
j
!
1
1
!
i
11
1
i
1'
1
:!
11
1
1
i
1
l2T214A-l i p-n-p 1-60 ...+100
50
i~5
100* (10к)
30 i 50 (100*)
1
::;1(308)
2Т214Б-1
p-n-p 1 -60 ...+100
50
1
~5
80* (IОк)
7
1
50(100*)
::;1 (30 8)
2Т214В-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
80* (IОк)
7
50 (100*)
::;1 (30 8)
2Т214Г-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
60* (IОк)
7
50 (100*)
::;1 (30 8)
2Т214Д-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
30* (IОк)
7
50(100*)
::;1 (30 В)
2Т214Е-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
30* (IОк)
20
50 (100*)
::;1 (30 8)
1
1
1
~
1
1
1
!
•I
1
1
'
2Т214А-5 1 p-n -p
-60 ...+100
50
1
~5
94••
1
-
i50
1
::;1 (30 В)
~
1
12Т214Б-5
1
p-n -p
-60 ...+100 1
50
~5
94••
-
50
i
::;1(308i
i
j
2Т214В-5
p-n -p
'-60...+100
50
1
~5
70**
-
50
::;1(308)
~
2Т214Г-5 1 p-n-p 1 -60 . . . +100
50
1
~5
47••
1
-
50
::;1 (30 8)
2Т214Д-5 1 p-n-p ! -60 .. . +100 1
50
1
~5
35••
1
-
50
::;1(308)
11
1
i
2Т214Е-5 1 p-n -p 1 -60. . . +1001
50
1
~5
24** 1
-
50
::;1 (30 8)
:

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
275
1
1
1
1
1
с,,
rкэно11с' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h,,,. ь;,э
с;2з'
r~нас• Ом
r;, Ом
f~c' НС
Корпус
пФ
к~· •. дБ
Р;:х' Вт
t::клt НС
t:::. нс
15...70 (5 8; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
2Т202-1
40 ... 160(58; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
15... 70(58; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
1
~jf
40...160 (5 8; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
100... 300 (5 8: 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
;~
1
1
1
'i
!
1
i
'1
;
1
'
1
/I\ LJ
1.
!
1
6кэ
1:
1!
1
·1
1
1
'
~9(58:1мА)
:o;IO (5 8) 1
-
300*
-
2Т20ЗА
30...90 (5 8; 1 мА)
:o;IO (5 8)
$50
300*
-
- 5,81/
15... 100 (5 8; 1 мА)
:o;IO (5 8)
-
300*
-
;fi
~4(58;1мА)
:o;IO (5 8)
$50
300*
-
60...200 (5 8; 1 мА)
:o;IO (5 8)
$35
300*
-
кфз
!
5
1
i 10...40 ( 10 8: 2.5 мА)
:o;lO (10 8)
$400
-
1
$1000*
1
2Т205А
''
10...40 (10 8: 2.5 мА)
:o;IO (10 8)
$400
:о;1000·
1
-
1
п
1
1,2
0,3
t
1
•
i
!1
1
зоок
t
'
С'\)
~п§.]:
и
0.01/
пnюч
20...60* (1 8: 30 мА)
:о;50 (10 8)
$1,3
40 ... 120* (1 8: 30 мА) :о;50 (10 8)
$1,3
80...240* (1 8; 30 мА)
$50(108)
$1,3
$4 (1 кГц)
20...60* (1 8; 30 мА)
:о;50(108)
$1,3
40...120• (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8)
$1,3
80...240* (1 8; 30 мА)
$50(108)
$1,3
$4 (1 кГц)
20...60• 11 8; 30 мА)
:о;50(108)
$1,3
40...i20* (18:30 мА)
$50(108)
$1,3
80...240* (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8)
$1,3
:о;4 (1 кГц)
1
1
1
2Т208
20...60* {1 8: 30 мА)
:о;50 (10 8)
$1,3
! 40 ... i20• (1 8: 30 мА) 1 $50(108)
$1,3
-
i
-
!
"
!
!
1
1
1
1
40...120 (1 8; 40 мА)
:о;20 (5 8)
-
:о;3 (1 кГц)
-
2Т211-1
80...240 (1 8; 40 мА)
:о;2О (5 8)
-
:о;3 (1 кГц)
-
160...480 (1 8; 40 мА)
:о;20 (5 8)
-
:о;3 (1 кГц)
-
~~1
1
1
~
1
1
11\
1
1
1
11
1
1
!
6кэ
1:
1
i
~
~20(58;10мА)
1
:о;30 (10 8)
1
$45
$1200*
:о;5
!
2Т214А-1
i
30...90 (5 8: 10 мА)
:о;30 (10 8)
$45
$1200*
$5
1
40...120 (5 8; 10 мА)
:о;30 (10 8)
$45
$1200*
$5
~
1
40... 120 (5 8; 10 мА)
:о;30 (10 8)
$45
$1200*
$5
rn
~80 (1 8; 40 мкА)
1
:о;30 (10 8)
$45
:о;1200*; :о;5 (1 кГц)
$5
1
~40 (18; 40 мкА)
:о;30(108)
$45
$1200*
$5
1
11\
5кэ
~25(58:10мА)
1
$50
1
$19,5
-
-
2Т214А-5
36...78 (5 8: 10 мА)
:
$50
1
$19,5
i
1
-
-
0,5
О,1
50...104(5 8: 10мА) 1
:о;50
1
$19,5
-
-
1
1
~шт
50...104 (5 8; 10 мА)
1
:о;50
$19,5
-
-
~91 (1 8; 40 мкА)
$50
$19.5
-
-
~46 (1 8: 40 мкА)
$50
1
$19,5
-
1
-
1
1
1!
1
i
1в·

276
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
pKmax•
~'" \210•
UКБО ороб•
1
1
lкоо•
1
Тип
1 Струк- Токр.,
р'
~:;1*'
U~Rщ1o6' UЭБО m•> ' 1
lк max
I~ЭR•
К. тmах•
J~.и maAt
i
прибора
·с
р~~ и ma:1.•
с·
u~npo6•
I~эо•
1
тура
'"
в
'
мА
1
мВт
МГц
в
мкА
2Т214А-9 i р·П·р
-60 ...+85
200
~5
80**
30
50 (100*)
1
:s;l (30 В)
2Т214Б-9
1
р-п-р
-60 ...+85
200
~5
во••
7
50 (100*)
:51 (30 В)
2Т214В-9
р-п-р
1
-60 ...+85
200
~5
60**
7
1
50 (100*)
:51 (30 В)
2Т214Г-9
р-п-р
-60 ...+85 1
200
~5
40**
7
1
50(100*)
:s;l (30 В)
1
112Т214Д-9
р-п-р ! -60 ...+85 1
200
~5
30**
7
1
50 (100*)
:51 (30 В)
2Т214Е-9
р-п-р
-60 ...+85
200
1
~5
20**
20
50 (100*)
:51 (30 В)
!
2Т215А-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
80**
5
50 (100*)
:5100* (30 В)
2Т215Б-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
80**
5
50 (100*)
:5100* (30 В)
2Т215В-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
60**
5
1 50 (100*)
:5100* (30 В)
2Т215Г-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
40**
1
5
1
50 (100*)
1
:s;\OO• (30 BJ
~2Т215Д-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
30**
1
5
1 50 (100*)
1
:s;lQO• 130 В) f!
2Т215Е-1
п-р-п 1-60... +100
50
~5
20**
5
1 50 (100*)
1
:5100* (30 В)
1
1
1
1
!
1
1
2Т215А-5
п-р-п
-60 ...+100 1
50
~5
1
94**
-
1
50
1
:s;l (30 В)
2Т215Б-5
п-р-п
-60 ...+1001
50
~5
94**
-
1
50
:51 (30 В)
2Т215В-5
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
70**
-
50
:51 (30 В)
2Т215Г-5
п-р-п 1 -60 . .. +100
50
~5
47**
-
50
:51 (30 В)
2Т215Д-5
п-р-п 1-60. .. +100
50
~5
35**
-
50
:51 (30 В)
2Т215Е-5
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
24**
-
50
:51 (30 В)
1
2Т215А-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
100* (IОк)
5
50 (100*)
1
:51* (100 В)
1
2Т215Б-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
90* (IОк)
5
50 (100*)
:51*(90ВJ
2Т215В-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
80* (lОк)
5
50 (100*)
:51* (80 В)
2Т215Г-9
1
п-р-п
-60 ...+85
200
~5
60* (IОк)
5
50 (100*)
:51*(60В)
2Т215Д-9
п-р-п
-60 ...+85
200
~5
30* (IОк)
5
50 (100*)
:51*(308)
2Т215Е-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
30* (lОк)
5
50 (100*)
:s;l*(ЗОВ)
!
i
1
'
'
2ТЗО1Г
п-р-п
-60 ...+125
150 (60°С)
~30
30
3
10 (20*)
:55* (30 В)
2ТЗО1Д
п-р-п
-60 ...+125
150 (6О0С)
~30
30
3
10 (20*)
:55* (30 В)
2ТЗО1Е
п-р-п
-60 ...+125
150 (6О0С)
~20
20
3
10 (20*)
:55* (20 В)
2ТЗ01Ж
п-р-п
-60 ...+125
150 (6О0С)
~30
20
3
10 (20*)
:55* (20 В)
1
1
i
!
i
~
r.
1
1
ri
1
'
1·
1
1
1
1!
'
~2ТЗО6А
1
п-р-п 1-60 . .. +1251
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
:50,5 (15 В)
~2ТЗО6Б
п-р-п
-60 ...+125
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
:50,5 (15 В)
!l2ТЗО6В 1 п-р-п 1-60 . .. +1251 150 (90"С)
~300
15
4
30 (50*)
:50,5 (15 В)
i2ТЗО6Г 1 п-р-п
-60 ...+125
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
:50.5 (15 В)
~
i1
2ТЗО7А-1
п-р-п
-60 ...+85
15
~300
10* (Зк)
4
20 (50*)
:50,5 (10 В)
2ТЗО7Б-1
п-р-п
-60 ...+85
15
~300
10* (Зк)
4
1
20 (50*)
:50.5 (10 В)
2ТЗО7В-1
1
п-р-п
-60 ...+85
1
15
1
~300
10* (Зк)
4
1
20 (50*)
:50.5 (10 В)
~
2ТЗО7Г-1
п-р-п 1 -60 ...+85
15
~300
10* (Зк)
4
20 (50*)
1
:50,5 (10 В)
i
i
1
;
1
1
1
t
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
--
2ТЗ101А-2 1 п-р-п 1-60... +125 1 100 (45°С)
~4000
15
2,5
20 (40*)
:50,5 (15 В)
i
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
220(5В;10мА)
30...90 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
280 (1В; 40 мкА)
240 (1В; 40 мкА)
220(5В;10мА)
30...90 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
280(1В;40мА)
240 (1В; 40 мкА)
225(5В;10мА)
36...78 (5 В; 10 мА)
46... 104 (5 В; 10 мА)
46... 104 (5 В; 10 мА)
291 (1 В; 40 мкА)
246 (1В; 40 мкА)
1 220(5В;10мА)
I ЗС...90 (5 В; 10 мА)
1 40...120(5В: 10мА)
li 40 ... 120(5В: lОмА)
280 (1В; 40 мкА)
240 (1В; 40 мкА)
10...32 (10 В; 3 мА)
20...60 (10 В; 3 мА)
40... 120 (10 В: 3 мА)
80...300 (10 В; 3 мА)
20...60* (1 В: 1ОмА)
40... 120• (1 В: lОмА)
20... 100* (1 В; lОмА)
40... 200* (1 В; lОмА)
220(1В;10мА)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50(10В)
:<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50
:<>50
:<>50
:<>50
:<>50
:<>50
1
:<>50 (10 В) 1
1 :<>50 (10 В)
1 :<>50(10В)
1 :<>50(10В) 1
1 :<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>5 (5 В)
:<>5 (5 В)
:<>5 (5 В)
:<>5 (5 В)
240(1В:10мА)
1
:<>5 (1 В)
:<>5 (1 В)
:<>5 (1 В)
:<>5 (1 В)
240(1В;10мА)
1
280 (1 В; 10мА)
1
1
i
35...300 (1В; 5 мА)
:<>1,5 (5 В)
rкэнас• Ом
r~нас• Ом
к;.. дБ
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>О,45
:<>0,45
:<>0,45
:<>0,45
:<>О,45
:<>0,45
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>300
:<>300
:<>300
:<>300
:<>30
:<>30
:<>20
:<>20
:<>20
:<>20
26**
Кш, дБ
r;, Ом
Р;~", Вт
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*; :<>5 (1 кГц)
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*; :<>5 (1 кГц)
:<>1200*
:-:;1200·
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
1
i
:<>5 (1 кГц); :<>1200* 1
:<>1200•
:<>30 (1 кГц)
:<>8 (90 МГц)
:<>30
:<>30
:<>4,5 (2,25 ГГц)
tKt ПС
~~cl НС
tвыкл• НС
t::, НС
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>4500; :<>4500*
:<>4500; :<>4500*
:<>4500; :<>8000*
:<>2000; :<>8000*
:<>30*
:<>30•
:<>500
:<>500
:<>30*
:<>30*
:<>50
:<>50
:<>10
277
Корпус
2Т214А-9
j
0,95
~*Х
2Т215А-1
1
~~
11\
5кэ
2Т215-5
0,5
0,1
~шт
2Т215-9
2Т301
2Т306
fit
5КЭ
2Т3101-2

278
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
iСтрук-1
pKmo111x'
1,μ. ~:210•
UКБО проб•
JКБО•
11
Тип
Токр.,
р•
~;lэ'
u~Rnpoб• l!эоо max'
IKmax
•:с.•.
1\.тmах'
·~.н maxt
прибора 1
1
·с
р~~ н maxt
с·
u~проб•
в
1;эо•
1.
тура
."
1
мА
1
1
мВт
МГц
в
!
мкА
2ТЗ106А-2 1 n-p -n
-60 ...+125
30 (50°С)
~900
15* (10к)
2,5
20 (40*)
:о;О,5(15В)
1
1
1
1
1
1
2ТЗ108А i p-n -p 1-60.. . +125
300 (360*)
1
~250
60* (IОк)
5
1
200
1
:о;О,2 (60 В)
2ТЗ108Б i p-n-p
-60 ...+125
300 (360*)
1
~250
45* (IОк)
5
200
:о;О,2 (45 В)
2ТЗ108В 1 p-n-p 1-60...+125
300 (360*)
1
~300
45* ( 10к)
5
200
:о;О,2 (45 В)
!
!
1
1
1
1
1
~
1
1
1
1
2ТЗ114А-6
n-p -n
-60 ...+125
25 (I00°C)
~4300
5
1
15
1
:о;О,5 (5 В)
2ТЗ114Б-6
n-p -n
-60 ...+125
25 (I00°C)
~4300
5
1
15
:о;О,5 (5 В)
2ТЗ114В-6
n-p -n
-60 ...+125
25 (I00°C)
~4300
5
1
15
:о;О,5 (5 В)
l1
1
1!
:
!
1
!
1
!
1
!
1
1
1
i
!
1
i
2ТЗ115А-2
n-p-n 1 -60 ...+125 i 70 (70°С)
~5800 i 10* (lк) 1
1
1
8,5
:о;О,5 (10 В)
1
2ТЗ115Б-2
n-p-n 1 -60 ...+125
70 (70°С)
~5800
10* (lк)
1
8,5
:о;О,5 (10 В)
1
1
1
1
2ТЗ115А-6
n-p-n
-60 ...+100
50 (85°С)
~5800
10*(lк) ! 1
1
8,5
1
:о;О,5 (10 В)
1
1
1
1
1
1
1
'
1
!
i
2ТЗ117А
n-p -n
-60 ...+125
300
~300
60
4
400 (0,8* А)
:о;5 (60 В)
2ТЗ117Б
n-p -n
-60 ...+125
300
~300
75
4
400 (0,8* А)
:о;5 (75 В)
1
1
1
1
ii
2Т312А
1
1
1
1 n-p-n
-60 ...+125
225
~80
30
4
30 (60*)
:o;I (30 В)
2ТЗ12Б
1 n-p-n 1 ~60... +1251
225
~120
30
4
30 (60*)
:o;I (30 В)
2ТЗ12В
1
n-p-n 1 -60 ...+125 .
225
~120
30
4
30 (60*)
:o;I (30 В)
~
2ТЗ120А
n-p -n
-60 ...+125
100
~1800
15
3
20 (40*)
:о;О,5 (15 В)
1
1
~
1
1
11
1
1'
1
1
1
11
1
!
i
1
1
1
1
1
~
!
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
279
1
! ck,
rкэнас' Ом
Кw,дБ
т., пс
11
1
1
t;,..,, нс
\
h21.• ь;,э
1
с;2~'
r~нк' Ом
r;, Ом
Корпус
~
пФ
к;.. дБ
Р;~,, Вт
t::КJI, нс
~
i
t:::.,, нс
1
1
•
1
:52 (5 В)
<>:17** (120 МГц)
s2 ( 120 МГц)
1
1
1 <>:4015В:5мА)
-
2ТЗ106-2
1,15
0,95
~х
/1\
5/(з
50... 150 (1 В; 10 мА)
1
:55 (10 В)
:525
:56 ( 100 МГц)
:5250; :5175*
2ТЗ108
50... 150 (1 В: 10 мА)
s5(10B)
:525
:56 ( 100 МГц)
:5250: :5175*
- 5,81/
100... 300 (1 В: 10 мА)
1
s5(10B)
:525
:56 ( 100 МГц)
:5250; :5175*
;EJ к~з
'·
'
15...80 (3 В; 1 мА)
:50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц)
:51,5 (400 МГц)
$8
2ТЗ114-6
15...80 (3 В; 1 мА)
:50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц)
:52 (400 МГц)
:58
m
15...80 (3 В: 1 мА)
s0,44 (3 В) <>:3** (2,25 ГГц)
:53 (400 МГц)
:58
t11
!<>:15(5В:5мА)
i
:50,6 (5 В)
<>:5** (5 ГГц)
:54,6 (5 ГГц)
:53,8
2ТЗ115-2
<>:15 15 В: 5 мА)
:50,6 (5 В)
<>:6** (4 ГГц)
:54,4 (5 ГГц)
:53,8
~IН9
!
1
1
1
1
1
1
~
1
1
i
1
1
1
1
~~з/
1
1
<>:15 (5 В; 5 мА)
:50,6 (5 В)
<>:5 ( 1 ГГц)
:59** ( 1 ГГц)
:53,8
2ТЗ115-6
1
t1m
:i
1
~
i
40... 200 (5 В: 0,2 А)
:510 (10 В)
:51
-
:560*
2ТЗ117
100...300 (5 В; 0,2 А)
:510 (10 В)
:51
-
:560*
9~ $·
~
з
10... 100* (2 В; 20 мА)
:55 (10 В)
:525
-
:5500: :5100*
2ТЗ12
25... 100* (2 В: 20 мА)
s5(10B)
:525
-
:5500; :5130*
~hi
50...280* (2 В; 20 мА)
s5(10B)
:517
-
:5500; :5130*
с-.'
5фк
~1
3
<>:40 (1 В; 5 мА)
s2(5В)
<>:10** (400 МГц)
s2 (400 МГц)
:58
2ТЗ120
rnli

280
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~Р' ~:216' UKБ0npu6'
lкmaA
lкБо•
Тип
Струк- Токр.,
р·
~:;ll'
U~ЭR проб' UЭБО 1паА'
·~R•
К.т m.ix'
J~.11 max'
прибора
·с
р··
с·
U~ЭОnроб'
в
1;эо,
тура
К. н max'
"'
мА
мВт
мrц
в
мкА
l2тз121А-6 1 П·р·П
·60 ... +125
25
~100
10
2
10
i
:<>1 (10 В)
1
1
!
ii
1
1
1
1
1
;
1
1
'
1!
1
1
1
i
'
i
i
1
'
1
1
ii
i
1
11
1
1
2ТЗ12ЗА-2
p-n -p
-6 0 ... +125
150
5000
15
3
30 (50*)
:<>25 (15 В)
2ТЗ12ЗБ-2
p-n -p
-6 0 ... +125
150
5000
15
3
30 (50*)
:<>25 (15 В)
2ТЗ12ЗВ-2
p-n -p
-6 0 ... +125
150
3500
10
3
30 (50*)
:<>25 (10 В)
1
1
1
'
1
1
1
l12ТЗ124А-2 i
1
1
1
h
n-p-n 1 -60 ...+125
70 (85°С)
~6* ГГц
10
1
7
1 :<>0.5 (10 В) ~
1
1
i 2ТЗ124Б-2 1 n-p -n 1-60". +1251
70 (85°С)
~6* ГГц 1
10
1
7
1
:<>0.5 ( 10 В)
1
1
1
1
112ТЗ124В-2 1
1-60". +1251
70 (85°С)
~6* ГГц 1
10
1
7
:<>0,5 (10 В)
n-p -n
1
1
1
'
1
11
1
1
1
i
1
1
1
2ТЗ129А9
p-n -p
-6 0 ... +125
200
~200
50
5
100 (200*)
:<>1 (50 В)
2ТЗ129Б9
p-n -p
- 6 0."+125
200
~200
50
5
100 (200*)
$1 (50 В)
2ТЗ12989
p-n -p
- 6 0".+125
200
~200
30
5
100 (200*)
:<>1 (30 В)
2ТЗ129Г9
p-n -p
- 6 0".+125
200
~200
1
30
5
100 (200*)
:<>1 (30 В)
l2ТЗ129Д9 i p-n -p 1 -60 ... +1251
200
~200
20
5
1
100 (200*)
SI (20 В)
1
!
1
'
;
1
1
!
i
!
1
:
1
~2ТЗ1ЗА 1 p-n -p i -60" .+125
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*) 1
s0,5 (50 В)
2ТЗ1ЗБ
1 p-n -p 1 -60" .+125
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*)
:<>0,5 (50 В)
1
j
!
1
2ТЗ1ЗОА-9 n-p -n
-60 ...+85 1
200
~150
50
5
100
sO.I (50 В)
!l 2тз1ЗОБ-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1
200
~150
50
5
1
100
i
:<>0.1 (50 В)
1
ll 2T3130B-9
n-p-n 1 -60 ...+85 1
200
1
~150
30
5
100
1
:<>0.1 (30 В)
i
i! 2ТЗ1ЗОГ-9 n-p -n 1 -60 ".+85
1
200
~300
20
5
100
1
sO.I (20 В)
!12ТЗ1ЗОД-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1
200
~150
30
5
1
100
sO.l (30 В)
:12тз1ЗОЕ-9 n-p -n
1
-6 0".+85 !
200
~300
1
20
5
1
100
:<>0,1 (20 В)
,,
!
!
11
i
1
~2ТЗ132А-2 n-p -n
- 6 0".+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
S0,5 (10 В)
l2ТЗ132Б-2 n-p -n
- 6 0."+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
s0.5 (10 В)
2ТЗ1328-2
n-p -n
- 6 0".+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
S0,5 (10 В)
2ТЗ132Г-2
n-p -n
- 6 0".+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
:<>О,5(10В)
• 2ТЗ1ЗЗА
1 n-p-n 1
300
~200
50
4
300: 700*
1
:<>10 (50 В)
i
1
!
i
1
1
~
i
1
1
1
11
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
11
1
1
1
!
~
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
281
ck,
rкэнас' Ом
Кш, дБ
fKI ПС
h21,• ь;,э
с~2э'
r~Энас' Ом
r;, Ом
t;act НС
Корпус
пФ
к~:,, дБ
Р;:,, Вт
t::клt НС
t::., нс
30...400 (5 В; 2 мА)
51(5В)
~8** (1 ГГц)
52 (1 ГГц)
-
2ТЗ121-6
1
!
t1m
i
~~
"
20(IOВ;10мА)
51 (10 В)
~5** ( 1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
510
2ТЗ123-2
20(10В;10мА)
51 (10 В)
~5** ( 1 ГГц)
3 (1 ГГц)
510
~@.
20(10В;10мА)
51 (10 В)
~5** ( 1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
510
~~363
15... 200* (5 мА; 7 В)
0,5
~4** (6 ГГц)
55 (6 ГГц)
52,5
2Т3124-2
15... 200• (5 мА: 7 В)
0,5
~5** (5 ГГц)
55 (5 ГГц)
52,5
ftf@.
15...200* (5 мА; 7 В)
0,5
~6** (4 ГГц)
53,6 (4 ГГц)
52,5
1
r\j
'4"')
-
-
&
О)3/
30...120 (5 В; 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
2Т3129-9
80...250 (5 В; 3 мА)
510 (IO В)
520
-
-
1
О,95
80...250 (5 В; 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
~*Х
200...500 (5 В; 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
1
'
200...500 (5 В: 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
'
'
1
30... 120 (10 В; 1 мА)
512 (10 В)
53,3
-
5120*
2Т313
80...300 (1О В: 1 мА)
512 (10 В)
53,3
-
5120*
!45,81/
9 К-$3
5
100...250 (5 В: 2 мА)
512 (5 В)
-
510(1 кГц)
-
2Т3130-9
200...500 (5 В; 2 мА)
512 (5 В)
-
510 (1 кГц)
-
1
0,95
200...500 (5 В: 2 мА) 1 512 (5 В)
-
510(1 кГц)
-
~х
400...1000 15 В: 2 мА)
512 (5 В)
-
510 (1 кГц)
-
200...500 (5 В: 2 мА)
512 (5 В)
-
510 (1 кГц)
-
400...1000 (5 В; 2 мА)
512 (5 В)
-
54 (1кГц)
-
15... 150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~6** (3,6 ГГц)
52,5 (3,6 ГГц)
-
2Т3132-2
15... 150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~4** (6 ГГц)
55 (6 ГГц)
-
ftf~
15... 150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~5** (5 ГГц)
55 (5 ГГц)
-
15...150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~6** (4 ГГц)
53,6 (4 ГГц)
-
С'\1-
'4 "')
-
-
&
О)3/
25...100 (3 В: 150 мА)
55(108)
50,43
-
5100*
2Т3133
1
1
1
10
;,
1
1
-~3
1
1
1
'О
~
.. ..
1
~
,
lJ
u~
-
_!....
о'
-

282
1
!
Тип
прибора
2ТЗIЗЗА-2
!2ТЗ134А-1
2ТЗ135А-1
2ТЗ150Б2
~~
~2ТЗ152А
2ТЗ152Б
2ТЗ152В
2ТЗ152Г
2ТЗ152Д
2ТЗ152Е
2ТЗ154А-1
1
!
2ТЗ156А-2
:
1
1
1
1 Струк- Токр.•
1
·с
1
тура
1
i
1
1 -60 ...+125
п-р-п
1
'
i
'
:
i'
:
i
1
i1
;
1
1
!1
.
i
!
п-р-п 1 -60 ...+125
р-п-р -60 ...+125
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
1
1
!
1
1
!
1
1
1
1
1
!
1
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 . .. +125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+85
п-р-п -60 ...+125
1
1
1
Рк max'
~•• \210 •
Р~.тmаА'
\;lj'
р~:и maxt
~:;х,
мВт
МГц
300
~200
1
30
~1500 !
15
~1500
120 (65°С)
~1200
1
200 (6О0С)
~50
200 (6О0С)
~50
200 (6О0С)
~50
200 (6О0С)
~50
200 (60°С)
~50
200 (6О0С)
~50
15
~800
120
~500
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
UКБОnроб•
IKmax
lкоо•
U~ЭR проб• UЭБOmiixt 1 •:.и maxt
I~R•
u~npoб•
в
1
1··
1
мА
кэо•
в
мкА
45*
4
1
300; 700*
$10 (50 В)
(500 Ом) 1
1
1
1
1
1
r
!
1
1
10
1
4
1
10; 20*
1 $0,5 (10 В)
-
1
!
i
15* (lк)
4
30; 50*
$1 (15 В)
1
i
1
1
!
i
j
1
1
1
35* ( IОк)
4
30 (50*)
$0,5 (40 В)
1
!
1
i!
'
50*
20
150 (300*)
$10* (50 В)
40*
20
150 (300*)
$10* (40 В)
30*
20
150 (300*)
$10* (30 В)
50*
5
150 (300*)
$10* (50 В)
40*
5
150 (300*)
$10* (40 В)
30*
5
150 (300*)
$10* (30 В)
1
~
10* (3к)
4
! 20; 50*
$0.5 (10 В)
i
f
1
i·, ,
'
f
40* (lОк) 1
4
10; 20*
$1 (40 В)

1
~
~1
1
~
~
~
~
~
.
i;i
i
!
!~
1
"
~
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
283
Ck,
rкэн.ас• Ом
Кw1 дБ
h21.• ь;,э
с;2.•
r~Энас• Ом
r;, Ом
пФ
к~·,, дБ
Р;:~, Вт
25... 100 (3 В; 150 мА)
$5 (IO В)
$8*
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
90...450 (2 В; 5 мА)
$1,5(58)
$35; $110*
-
1
'
50...180 (5 В: 3 мА)
$1,5 (10 В)
$30; $110*
i
1
!
60...180•(5В;2,5 мА) 1 $2(10В)
$25
1
1
1
!
1
i
!
i
1
'1
1
'
~80(5В;30мА)
$35 (20 В)
$1
-
~80(5В;30мА)
$35 (20 В)
$1
-
~80(5В;30мА)
$35 (20 В)
$1
-
~100(5В;30мА) 1 $35(20В)
$1
-
~100 (5 В; 30 мА)
1
$35 (20 В)
$1
-
1
~100 (5 В; 30 мА)
$35 (20 В)
$1
-
1
1
40... 120 (10 мА)
$2,5 (5 В)
$30; $110*
-
'
1
1
40...300 (5 В; 2 мА) i $1,3 (5 В)
-
-
11
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
tк, ПС
t~ac• НС
Корпус
t::кл' НС
t::·n• НС
$100*
2Т3133-2
~IНJ
~
~--
&
<:>)' з
/
$25
2Т3134-1
1
~~~
1
~
1
11\
'
1
1
5кз
1
$50; $10* !
2Т3135-1
1
1
~Pr-ir
1
VJ\~П
:
$30: $30•
2Т3150-2
1
~~ (4
i1
'
~- /ll~l
'
1
1
1
6КЗ
$400*
2Т3152
$400*
$400*
а
$400*
....
з
$400*
~ офк
$400*
~
1
$10*
2Т3154-1
"~, ~
"
G:\ :;
г;п 6.6
(
0.1JS
$40
1
2Т3156-2
i
1
~пз !
1
1
1
1'\~
6кз
,1
'
i
!
'
!
'

284
Тип
прибора
2Т3158А-2
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
ll 2T3160A-2
1
1
1
2Т3162А
11
1!
2Т3162А5
2Т3164А
2Т3167А-7
2Т317А-1
2Т317Б-1
i2T317B-1
i
l
l
1
1
!
1
1
1
1
1
1
i11
1
1
:
i1
Струк- Токр"
тура
·с
n-p -n
- 60 ... +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n 1 -60 .. . +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n 1 -60 ... +125
p-n -p
- 60 ... +125
1
1
p-n -p
- 60 ... +125
p-n -p
-60...+125
n-p-n
-60...+ 125
n-p -n
-60...+85
n-p-n
-60...+85
n-p-n
-60...+85
1
1
pk.m .ax'
Р~.т1nо1:.'
р~~ И IПdAt
мВт
50
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
300
300
300
250; 500**
120
15
15
15
~V' ~216'
~;1~'
~~;",
МГц
;:>:200
;:>:600
;:>:800
;:>:800
;:>:600
;:>:800
;:>:200
;:>:700
;:>:700
;:>:800
;:>:400
;:>:100
;:>:100
;:>:100
i
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБОnр<>б•
U~ЭRnp<>б•
u;эо npu(1t
в
50; 50*
10* (3к)
10* (3к)
10* (3к)
10* (3к)
10* (3к)
50
60* (5к)
60* (5к)
15* (lООк)
40* ( lОк)
5
5
5
1
1
1
1
i1
1
UЭБOmaxt
в
4
4
4
4
4
4
4
-
-
4
4
3,5
3,5
3.5
1
1
•кmа:.
1~. и ша'\'
мА
400; 800*
50
50
50
50
50
300; 700•
150
150
10; 20*
15 (45*)
15 (45*)
15 (45*)
1
1
1
!
1
1
1
'
1
1
!1
IКБО'
l~R•
l~эо•
мкА
s5 (50 ВJ
s0,5 (10 8)
s0.5 (10 8)
s0.5(108)
s0,5 (10 8)
s0,5 (10 8)
slO (50 8)
so.5 (60 8)
s0,5 (60 8)
S0,5 (20 8)
sl (40 8)
sl(58)
sl(58)
sl(58)
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
i
50...180 (5 В; 200 мА)
1
1
1 20...60• (1 В; 10 мА) !1
'
1 40... 120* (1 В; 10 мА)
1
140...120*11 В; 10мА) 1
20...100• (1 В: 10 мА)
60...300* (1 В; 10 мА)
515 (10 В)
53(5В)
53(5В)
53(5В)
53(5В)
53(5В)
30...150 (3 В; 150 мА) 55 В (10 В)
fкэнас' Ом
r~нас• Ом
к~· •. дБ
50,53; 510*
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:х' Вт
1
"tк, ПС
t~,. нс
t:~кл' НС
t::. нс
5400; 570*
5\О•
510*
515*
5150
5150
5100*
285
Корпус
2Т3158-2
]
,
...
1tl-·-·-
1--
-1-·f-I ~
-
/
1]\
~ //J0.04 llJ ~r-
Ко1111~ктор Б.&iа Эl'fummep
2ТЗ16
2ТЗ160-2
~~*
"\ t:: L]
5КЗ
60...200 (3 В; 10 мА) j 55 (!О В)
5150; 5100* 1
1
2Т3162
!60...200(3В;10мА) ! 55(10В) 1
1
1
30... 120 (7 В: 2 мА)
40...300 (5 В; 2 мА)
25...75 (1 В; 1мА)
35...120 (1 В; 1мА)
80...250 (1 В: 1 мА)
1
1
55(5В)
52(5В)
511 (1 В)
511(18)
511 (1 В)
1
525
535; 5120*
530
530
530
5150; 5100*
5150
540
5130*
5130*
5130*
1
2Т3162-5
0,8
о3
1~шr
2ТЗ164
~r-ffi а
;ап'4ояФ.
2ТЗ167-7
~~ ХО.95
1JМ 1
""'
/1\~1
5/(з
2ТЗ17-1
~~1,1
v11
/ 1\ ::::
5зк

286
Тип
прибора
, 2Т3175А
2Т318А-1
2Т318Б-1
2Т318В-1
~2T318f-1
2Т318Д-1
~2Т318Е-1
~ 2Т31881-1
~j
'!
~
i;
2Т3187А-9
2Т3187А-91
2Т319А-1
2Т319Б-1
2Т319В-1
2Т321А
2Т321Б
2Т321В
2T321f
2Т321д
2Т321Е
i2T324A-1
2Т324Б-1
l2T324B-1
1 2Т324Г-1
2Т324JИ
2Т324Е-1
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
2Т326А
2Т326Б
1 Струк- Такр.,
i
1
1
!
1
1
тура
·с
!
n-p-n 1 -60 ...+125
!
n-p -n
-60 ...+85
n-p -n
-60 ...+85
n-p -n
-60 +85
...
n-p -n i -60".+85
n-p -n 1 -60".+85
1
1
n-p -n 1 -60".+85
n-p-n 1 -60 ...+85
1
i
n-p -n
- 60".+85 i
n-p -n
- 60".+85 1
n-p -n
-60 ...+85
n-p -n
- 60".+85
n-p -n
-6 0".+85
1
1
i
1
p-n -p
-60".+125
p-n -p
-60". + 125
p-n -p
-60".+125
p-n -p
-60".+125
p-n -p
-60". + 125
p-n -p
, -60...+125 1
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
'
!
!
-6 0".+851
1 -60".+85
1 -60".+85
1
1
-60 ...+85 1
-60 ...+85
- 60".+85
n-p -n
n-p -n
1 n-p-n
-6 0".+125
-6 0".+125
1-60".+1251
1
!
'
1
1
1 p-n-p
p-n -p
i1
1
1
i
-6 0".+125
-6 0".+125
Ркmах'
р"
К. т m.ixt
р~:иmах'
мВт
350
15
15
15
15
15
15
15
200
200
-
-
-
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
15
15
15
15
15
15
225 (85°С)
225 (85°С)
225 (85°С)
250 (25°С)
250 (25°С)
1
!
1
1
1
!!
~•• r.:210•
~:;lэ'
~::;)\. t
МГц
<::300
<::430
<::430
>430
-
<::350
<::350
<::350
<::350
<::4.4 ГГц
4600
<::100
<::100
<::100
<::800
<::800
<::800
<::600
<::600
<::600
<::800
<::800
<::1000
<::250
<::400
1
!
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО npu6•
{J"KЭR npu6'
U~эо npu6•
в
45* (10к)
10
10
10
10
10
10
10
20
12*
5
5
5
60
60
60
45
45
45
10
10
10
10
10
10
1
i
1
1
i
i
1
1
1
15* (3к)
15* (3к) 1
15* (3к)
1
1
1
1
15* (IООк) 1
15* (lООк)
1
UЭБОшахt J
в
5
3.5
3,5
35
3,5
3.5
3,5
3.5
2
2
3,5
3.5
3.5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
IKmax
1:,и maxt
мА
100 (200*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
25
25
15
15
15
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
60
60
60
50
50
1
1
1
1
1
i1
1
1
1
1
i
1
1
!
•коо•
J~R•
I~o•
мкА
s0.05 (50 В)
s0,5 (10 В)
S0,5(10B)
<05(10В)
-
.
s0.5 (10 В)
s0.5 (10 В)
s0.5 (10 В)
s0.5 (10 В)
sO.l (10 В)
sO,l (IOB)
$1
Sl
Sl
:!>100 (60 В)
:!>100 (60 В)
:!>100 (60 В)
:!>100 (45 В)
:!>100 (45 В)
:!>100 (45 В)
S0,5 (10 В)
s0.5 (!О В)
S0.5 (10 В)
s0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
S0,5 (15 В)
s0.5 (15 В)
S0,5 (15 BJ
S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
!
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
'
ь,,,. ь;,э
250... 1000 (5 В; 2 мА)
1
i
"/
'
i
1 30...90 (1 В; 10 мА)
50... 150 (1 В; 10 мА)
70...280 (1 В; 10 мА)
30...90 (1 В; 10 мА)
50... 150 (1 В; 10 мА)
70...280 (1В; 10 мА)
70...280 (1В; 10 мА)
~40 (10 В; 14 мА)
•
~40 (!О В: 14 мА)
'!
•
1
15...55 (1 В; 1мА)
45...90 (1В; 1мА)
80...220 (1 В; 1 мА)
j
г---
i 20...60• !3 В: 0.5 А)
1 40... 120* (3 В; 0,5 А)
1 80...200* (3 В; 0.5 А)
1
20...60• (3 В; 0.5 А)
40... 120* (3 В: 0.5 А)
80...200• (3 В; 0,5 А)
20...60 (1В; 10 мА)
40... 120 (1 В; 10 мА)
S0...250 (1 В; 1О мА)
40 ... 120(1 В; !ОмА)
20...80 (1 В; 10 мА)
60...250 (! В; 1О мА)
30...90* (5 В: 10 мА)
70...210* (5 В; 10 мА)
160 ... 400* (5 В; 10 мА)
20...70* (2 В; 10 мА)
45... 160• 12 В; 10 мА)
1
1
1
!
1
1
1
!
i
1
;
1
1
1
1
1
11
1
ck,
с;2.•
пФ
-
$3,5 (5 В)
$3,5 (5 В)
$3,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$0.9 (10 В)
$0,9 (!О В)
$\l (1 В)
$\l (1 В)
$11 (1 В)
$40 (10 В)
$40 (10 В)
$40 (10 В)
$40 (10 В)
$40(108)
$40 (10 В)
$2,5 (5 В)
$2.5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2.5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$5(5В)
$5(5В)
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
rкэнас' Ом
r~Эна1.:' Ом
к:· •. дБ
-
$27
$27
$27
$33
$33
$33
$27
~12** (0,85 Гц)
~12** (0,85 Гц)
$30
$30
$30
$3,6
$3,6
$3,6
$3,6
$3,6
$3,6
$30
$30
$30
$30
$30
$30
$30
$30
Кш1дБ
r;, Ом
Р;:" Вт
-
-
-
-
-
-
-
-
$2 (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
tк, ПС
t;,.,. нс
t:~кл' НС
t::, нс
-
$15*
$\5*
$\5*
$25*
$25*
$25*
$10*
-
-
$\30*
$\30*
$130*
$400: $1000*
$400; $\ООО*
$400; $1000*
$400; $\ООО*
$400; $\ООО*
$400; $1000*
$10*
$10*
$\О*
$15*
$180
$\80
$\25
$\25
$\25
$450
$450
287
Корпус
2ТЗ175
1
JJ5,81/
1
;1 1ii
1
!1
К-$3
1
1
5
1
2ТЗ18-1
1
1
~~~~
11\
5кз
2ТЗ187-91 (2ТЗ187-9)
1
О,95
i1
1 ~@х_
5з
1,2
(Э)(5)
2ТЗ19-1
~ш qr
~\
1
1
5зк
2ТЗ21
:1i1~·2ТЗ24-1
1
~т'
5кз
2ТЗ25
~fi(l~i/бф.о к
з ;Го
11:;)
•
~
Корп.
1
2ТЗ26
1
JJ5,81/
1 ~rffiJ кШз
1
~rr. ~
1
н
i
~~
1'
"
!,
11
.1
11
·1
11
11
·.
1
1
1
1

288
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
'
t
.
iСтрук-1
'
Ркmах'
~pt ~:216' UКБО npo6•
i •коо•
~
lк max
Тип
Такр.•
P~.тmaxt
~;lэt
u~. npo6•
UЭБО max'
1~,и maxt
1
·~ЭR•
прибора 1 тура
·с
р~~ и max'
~;;х,
U~эо npo6•
в
I~эо•
1
мА
1
мВт
мrц
в
мкА
2ТЗЗIА-1
п-р-п
-60 ...+125
15
~250
15* (IОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 В)
2ТЗЗIБ-1
п-р-п
-60 ...+125
15
~250
15* (IОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 8)
2ТЗЗIВ-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~250
15* (IОк)
3
20: 50*
$0,2 (15 8)
2ТЗЗIГ-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~400
15* ( lОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 ВJ
2ТЗЗIД-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~500
15* (lОк)
3
20; 50*
:;;О,2 (15 8)
1
i
~
1
1
1
1
1
1
~
:
1
2ТЗЗ2А-1 1 п-р-п 1 -60" .+125
15
~250
15* (lОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 ВJ
2ТЗЗ2Б-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~250
1
15* (10к)
3
20; 50*
:;;О,2 (15 8)
2ТЗЗ2В-1
п-р-п
-6 0" .+125
15
~250
15* (lОк)
3
20; 50*
$0.2 (15 8)
2ТЗЗ2Г-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~500
15* (lОк)
3
20; 50*
:;;О,2 (15 8)
2ТЗЗ2Д-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~500
15* (lОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 8)
.
2ТЗЗЗА-З
п-р-п
-6 0".+85
15
~450
10* (3к)
3,5
20 (45*)
:;;О,4 (10 8)
2ТЗЗЗБ-З
п-р-п
-6 0".+85
15
~450
10* (3к)
3,5
20 (45*)
$0,4(108)
2ТЗЗЗВ-З
п-р-п
-6 0".+85
15
~450
10* (3к)
3,5
20 (45*)
1
$0,4 (10 8)
ll2тзззr-з 1 п-р-п
-6 0".+85
15
~350
10* (3к)
3,5
20 (45*)
1
:;;О,4 (10 8)
~2ТЗЗЗД-З 1 п-р-п
-6 0".+85
15
~350
10* (3к)
3.5
20 (45*)
1
$0,4 (10 8)
2ТЗЗЗЕ-З
'
п-р-п
1
-6 0".+85
15
~350
10* (3к)
3,5
1
20 (45*)
1
$0,4 (10 ВJ
п
i
1
1
2ТЗЗ6А
i п-р-п
1
-6 0".+85
50
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5(108)
2ТЗЗ6Б
1 п-р-п
-6 0".+85
50
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5(108)
2ТЗЗ6В
п-р-п
-6 0".+85
50
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
$0.5 (10 8)
2ТЗЗ6Г
п-р-п
-6 0".+85
50
~450
10* (3к)
4
20 (50*)
:;;О,5 (10 8)
2ТЗЗ6Д
п-р-п
-6 0".+85
50
~450
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5 (10 8)
2ТЗЗ6Е
п-р-п
-6 0".+85
50
~450
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5 (10 8)
2ТЗ48А-З 1 п-р-п
1
- 60 ".+85
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(5ВJ
2ТЗ48Б-З 1
п-р-п
-6 0".+85
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(5ВJ
1
2ТЗ48В-З
1
п-р-п 1 -60 ".+85
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(58)
~
1
1
1
1
1
2ТЗ54А-2
1
п-р-п
-6 0" .+125
30
~1100
10* (3к)
4
10 (20*)
:;;О,5 (10 8)
2ТЗ54Б-2
п-р-п
-6 0" .+125
30
~1500
10* (3к)
4
10 (20*)
$0,5(108)
1
1
1
1
!
112ТЗ55А 1
п-р-п 1-60 ". +125 1 225 (85°С)
~1500
15* (3к)
4
30 (60*)
1
$0.5 (15 8)
1
i
1
1
2ТЗ60А-1
р-п-р
-6 0".+85
10 (55°С)
~300
25
5
20 (75*)
$1 (25 8)
2ТЗ60Б-1
р-п-р
-6 0".+85
10 (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
$1 (20 8)
2ТЗ60В-1
р-п-р
-6 0".+85
10 (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
:;;1 (20 8)
1
"
1
1
1!
1
1
1
1
'
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
289
!1
1
1!
11
ck.
rкэнас' Ом
Кш• дБ
т" пс
1
h21,o ь;,э
с;2эt
r~Энас' Ом
r;,, Ом
t~act НС
Корпус
1
пФ
к~·•. дБ
Р;:х, Вт
t::клt НС
1
t::.. нс
20...60* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
2Т331-1
40...120* (1 мА; 5 В)
s5(5В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
~~if
80...220* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
40...120* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
80...220* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
1
11
1
1
ЗбК
1
!1
20...60* (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
s8 (100 МГц)
$300
1
2Т332-1
1'
40... 120* (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
~~~if
~ 80...220* (5 В; 1 мА)
s5(5В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
i40...120* (5 В; 1мА)
s5(5В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
80...220* (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
s8 (100 МГц)
:5300
•1
1
;:
11
1
"
1
ЗбК
30...90 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
$27
-
$15*
2Т333-3
50...150 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
$15*
0.7
0,25
70...280 (1 В; 1О мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
30...90 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
h~L
50 ... 150(1 В; IОмА)
:54,5 (5 В)
$27
-
:525*
<::SКооб
70...280 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
$27
-
:525*
Кпюч 0.ОЧ
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
$30
-
$30*
2Т336
40... 120 (1 В; 10 мА)
1
:55 (5 В)
:530
$30*
1
-
hm,t
;е:80 (1 В; 10 мА)
s5(5В)
:530
-
:550*
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
$30
-
$15*
40... 120 (1 В; 10 мА)
s5(5В)
1
$30
-
:515*
;е:80 (1 В; 10 мА)
s5(5В)
$30
-
$15*
r::::r5 оq.к
Кпюч
0,01/
25...75 (1В; 1мА)
:511 (1 В)
:530
-
:5130*
2Т348-3
35...120 (1 В; 1мА)
:511 (1 В)
:530
-
$130*
hпfJt
80...250 (1 В; 1 мА)
:511 (1 В)
:530
-
:5130*
1
~
1
i
1
~
<::SКооб
1
/(,
о.оч
1
~
1
пюч
40...200 (2 В; 5 мА)
:51,3 (5 В)
-
:510*
:525
2Т354-2
90...360 (2 В; 5 мА)
:51,3 (5 В)
-
$10*
:530
1
0,8
~щ~л~ 1
5КЗ
1
80...300* (5 В; 1О мА) 1
:52 (5 В)
-
-
:560
1
2Т355
1
1
ii6Фkз о.о
~
'
.
Корп.
25...70 (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:535
-
$450; :5100*
2Т360-1
40...120 (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:535
-
:5450; :5200*
!;1
0,8
80...240 (2 В; 1О мА)
s5(5В)
:535
-
$450; :5200*
v
Q;)
'
1
5КЭ
19зак 9

290
Тип
прибора
2ТЗ6ЗА
,2ТЗ6ЗБ
1:
~
1
1
2ТЗ64А-2
2ТЗ64Б-2
2ТЗ64В-2
1
•
l2ТЗ66А-1
2ТЗ66Б-1
2ТЗ66В-1
2ТЗ66Б1-1
,,
..
i:
'1,
2ТЗ67А
1[
\\2ТЗ68А
~2ТЗ68Б
"
;,
f,
q
1
2ТЗ68А-9
2ТЗ68Б-9
2ТЗ70А-1
12тз10Б-1
1
Струк- Такр .•
тура
·с
p-n-p
-60...+1251
p-n-p
-60...+125
!
p-n-p
-6 0".+85
p-n-p
- 6 0."+85
p-n-p i -60" .+85 1
i
1
1
1
i
1
!
1
1 n-p-n 1 -60".+85
1
'
'
'
n-p-n
1
- 6 0".+85
1
n-p-n 1 -60".+85 1
n-p -n
1
- 6 0".+85
1
1
1
1
i
;
1
'
1
n-p-n 1 -60."+125
1
1
i
1
1
!
1
1
1
1
n-p-n 1 -60".+125 \
'
nрn160+1251
'
--
-
".
1
!
1
!
1
1
'
!
1
1
1
1
1
n-p -n
- 6 0".+100
n-p-n
- 6 0".+100
1
1
i
1 p-n-p
1
-60".+85 1
! p-n-p
- 6 0".+85
1
1
1
1
1
Ркmах•
Р~.тmа''
р~:иmах•
мВт
150 (45°С)
150 (45°С)
30
30
30
30 (70°С)
50 (70°CJ
90 (70°С)
50 (70°С)
100
225 (65°С)
225 (65°С)
100 (65°С)
100 (65°С)
15
15
1
1
!
1
1
1
1
1
'1
1
1
1
1
1
~•• \210 •
~:;lt•
с·
'"
МГц
~1000
~1500
~250
~250
~250
~1000
~1000
~1000
~800
1,5 ГГц
~900
>900
-
~900
~900
~1000
~1200
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
'
1
1
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Uю;onpo0•
U~ЭR npo6'
U~эо проб•
в
15* (lк)
12* (lк)
25
25
25
15
15
15
15
10
15
15
15
15
15* (lк)
12* (lк)
'
1
1
1
;
1
1
1
i
'
i
1
1
1
i1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
UЭБOmaxt
в
4.5
4.5
5
5
5
4,5
4,5
4.5
4,5
4
4
4
4
4
4
4
1
1
1
:
i
1
1
1
'
!
1
i
1
:
!
1
1
1
1
1
lк maA
1~. н max•
мА
30 (50*)
30 (50*)
200 (400*)
200 (400*)
200 (400*)
10 (20•)
20 (40*)
45 (70*)
10 (40*)
20 (40*)
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
15 (30*)
15 (30*)
:
1
1
'i
1
!
1
!
'
!
1
i
1
!
i
i
i
!
1
1
1
1
:
1
1
ii
!
1
1
IКБО•
l~ЭR•
гКЭО•
мкА
$0.5 115 BJ
$0.5 (15 ВJ
$1 (25 В)
$1 (25 В)
$1 (25 В)
$0,1 115 BJ
$0,1 (15 В)
$0,1 (15 В)
$0,1 (15 В)
$0,5 (15 В)
$0.5(158)
<05(1581
-
.
$0,5 (15 В)
$0,5 (15 В)
$0,5 (15 В)
$0,5 (12 В)
.,
'~
!
j
'
;
'.,
1.
1'
!!
11
~11
!i
~
~R,.

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
,1
:
~..120* (5В: 5мА) 1 s2 (5В)
40... 120• (5 В; 5 мА)
s2(5В)
!1
20...70* (1 В: 0.1 А)
:515 (5 В)
,,
4U...120• 11 В: 0.1 А)
sl5(5В) 1
11
11 80...:!40* (1 В: 0.1 А)
sl5(5В) '
.,
1
.,
'
11
1
11
:1
!
,,
1
11
11
1'
50...200 11 В: 1 мА)
sl.l (0,1 В)
1
50...200 (1 В; 5 мА)
sl,8 (0,1 В)
50".2 00 (1 В; 15 мА) s3,3 (0.1 В)
11
11
11
50...200• /15 мА: 1В\ sl.8 IO.l В)
40...330 (5 В; 10 мА)
1,5
50...300* (1 В: 10 А)
sl.7 (5 В)
50...300• (1 В: 1О мА)
sl,7 (5 В)
50."300 (1 В: 10 мА)
sl,7 (5 В)
50...300 (1 В; 10 мА)
sl.7 (5 В)
20...70 (5 В; 3 мА)
s2(5В)
40... 120 (5 В: 3 мА)
s2(5В)
19'
rКЭнас' Ом
r~Эн.icl Ом
к:· •. дБ
$35
$35
s3
$3
$3
s80
s25
$16
s25
$35
$35
1
1
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
s3.3 (60 МГц)
s3,3 (60 МГц)
s3,3 (60 МГц)
:
1
т,. пс
f~a{' НС
t::кл 1 НС
t''"в11.л' НС
s50; slO*
s75; s50*
s500: slOO*
s500: sl30•
s500: sl60•
s60; s50*
s50; s80*
$10; $120*
s50: s80*
$15
$15
$15
$15
s50: slO*
s75: slO*
291
Корпус
1!
2Т363
~5,Bq
1
~зфк
1
1
2Т364-2
!
J
1
1
!
~11~1
"1 !Е
~
1"
11
1
бКЭ
1
2Т366
0,85
о,5
т
1
:Q
1!
~~
i
11
1
1 с.о
,,
·1
,,
бКЭ
2Т366-1-1
1
0,8
~Щ~Jf
5КЭ
1
2Т367
~tк ~ 2,7
2Т368
~5,8
~tj з
~ Корп-$5
~
к
2Т368-9
J
О,95
~х_
2Т370-1
~tt~It
бк·з

292
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
pKmaAt
~р• (216•
UКГ><> проб'
lкоо•
~
Тип
Струк-1 Токμ.,
р•
~:;,1,
U~ЭR nμoбt UЭБOтnd\t
lк шах
·~ЭR•
1
К.Т!Пd\t
••
прибора 1 тура 1 ·с
р~:иm.н.t
~~;),,
u;ЭОп1М.Ю'
в
J\,И IШl'(t
I;эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
IJ2T370A9
1
p-n-p 1 -60 ...+85
30
~1000
1
15* (lк)
1
4
15 (30*)
1
$0,5 (15 8)
112Т370Б9 1 p-n-p 1
-60 ...+85 1
30
~1200
12* (1 к)
4
1 15 (30*)
1
$0,5 (12 8)
1
1
i
1
1
!
2Т371А
n-p-n
-60 ...+125
100 (85°С)
~3000
10
3
20 (40*)
$0,5 (10 8)
1
'
1
1
1
i
1
~
1
1
i
1
1
1
1
1
1
2Т372А
n-p-n
-60 ...+125
50 (100°С)
~2400
1
15* (lОк)
3
10
$0,5(158)
2Т372Б
n-p-n
-60 ...+125
50 (lOO"C)
~3000
15* (10к)
3
10
s0,5 (15 8)
2Т372В
n-p-n
-60 ...+125
50 (lOO"C)
~2400
15* (lОк)
3
10
$0,5 (15 8)
'
1
1
;
li2TЗ77A-2 1 n-p-n i -60 .. . +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
S3 (30 8)
~2Т377Б-2 1 n-p-n 1 -60 .. . +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
s3 (30 8)
ll2T377B-2
1
n-p-n 1 -60 . .. +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
s3 (30 8)
~
i
1
~
1
1
11
1
!
i'
1!
1
2Т377А1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
s3 (30 8)
2Т377Б1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
$3 (30 8)
~2Т377В1-2 1 n-p-n 1 -60 . .. +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
sЗ (30 8)
1
•'
1
i
ii
р
1
!
i
!1
!
1
~
il
!
1
'
2Т378А-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 8)
2Т378Б-2
'
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 8)
n-p-n
i
1
1
~ 2Т378Б-2-1 i n-p-n ! -60 . .. +125
50
~200
30
4
400 (800*)
1
slO (30 8)
1'
i
i
.1
1
1
1
1
:1
1
1
i
1
•
,,
1
1
1
11
1
1
1
'1
1.
1
1
~
1
1
2Т378А1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 8)
2Т378Б1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
slO (60 8)
~
i
1
1
11
~
1
i
1

i
1
i
~,
)
1
1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
h",, ь;,э
20...70 (5 8; 3 мА)
40".i20 (5 8; 3 мА)
30". 240 (1 8; 10 мА)
10".90 (5 8; 10 мА)
10".90 (5 8; 10 мА)
10".90 (5 8; 10 мА)
20".80* (150 мА; 2 8)
50" .i20• (150 мА: 2 8)
80".220• ( 150 мА; 2 8)
20".80* ( 150 мА; 2 8)
50" .120* (150 мА; 2 8)
80".220* ( 150 мА; 2 8)
20".80* (200 мА; 5 8)
50. "180* (200 мА: 5 8)
40". 180* (200 мА; 5 8)
20".80* (200 мА: 5 8)
50" .180* (200 мА; 5 8)
1
i
!
1
1
i
1
1
!
ck,
c;l~'
пФ
$2(58)
$2(58)
$1,2 (5 В)
$1(58)
$1(58)
$1(58)
$15(108)
$15 (10 8)
$15 (10 8)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
1
1
1
1
1
1
1
fкэкас' Ом
r~Эи.~с' Ом
к~·., дБ
$35
$35
~9** (0,4 ГГц)
~10** (1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
$6
$6
$6
$4
$4
$4
$4
$4
'
1
1
1
1
Kw, дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
$4 (400 МГц)
$10•
$3,5 (1 ГГц)
$5,5 (1 ГГц)
$5,5 (1 ГГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
."пс
t~,. нс
t::IUlt НС
t::, нс
$50; $10*
$75; $10*
$15
$400: $70•
$400: $70•
$400: $70•
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
293
Корпус
2Т370-9
J
О.95
~~х
2Т371
2ТЗ72
~~~No
2Т377-2
С))
--
r-.
/1\
,._
1
5КЭ
2Т377-1-2
J
-~
7
~
КбЭ
2Т378-2
~~ ~t
/1\
5КЭ
1
2Т378-2-1
!1
i
J
7
-~~
КбЭ
2Т378-1-2
1
J
7
-~~1
КбЭ
1
!
,,
·'

294
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
i
1
1
1
1
PKll!d\'
~v' ~:21б'
UKБ011pu()t
lкьо•
1
i
1
lк mdx
Тип
1Струк- Токр. •
P~.Tlnd\'
~:;lt'
U~ЭR npt.16 1
1u
'
i
I~э••
прибора 1 тура
·с
р~~иm.i\'
~~:~,
U~эо пμоб' 1 Эlв"'"' i 1~,и m.i'(t
1
1;эо•
1
мВт
МГц
в
мА
1
мкА
2Т381А-1
-60 ...+70
15 (40°С)
~200
15* (1к)
6,5
1
15
! :<>10мА(5В)
n-p-n
1
2Т381Б-1
n-p-n
-60 ...+70'
15 (40°С)
~200
15* (1 к)
6,5
15
1
:<>10 мА (5 В)
2Т381В-1
n-p-n
-60...+70
15 (40°С)
~200
15* (1 к)
6.5
1
15
:<>10 мА (5 В)
2Т381Г-1
n-p-n
-60 ...+70
15 (40°С)
~200
1
25* (1 к)
6.5
1
15
1
:<>10 мА (5 В)
l 2Т381Д-1
n-p-n
-60...+70
15 (40°С)
~200
15* (1 к)
6,5
1
15
1
:<>10 мА (5 В)
1
1
!
!
1
1
.1
1
1
2Т382А
n-p-n 1-60.. . +1251
100 (65°С)
~1800
15
1
3
1
20 (40*)
S0,5 (15 В)
2Т382Б
n-p-n ! -60 .. . +1251
100 (65°С)
~1800
15
3
20 (40*)
s0.5 (15 В)
1
i
11
2Т384А-2
- 60 ... +125
300
~450
30* (5к)
5
300 (500*)
:<>10 (30 В)
n-p-n
:1
1
i
i;
i
1
1
1
11
1
1
1
1
11
1
1
1
1
'
1
1
1
1
1
2Т384АМ-2 n-p-n
- 60 ... +125
300
~450
30* (5к)
5
300 (500*)
~~
1
1
2Т385А-2 i n-p -n
- 60 ... +125
300
1
~200
60
5
300 (500*) 1 :<>10 (60 В)
1
1
1
i
i
1
1
i
1
1
1
2Т385А-9
n-p-n
- 60 ... +125
150
~250
60
5
300
:<>100 мА
11
1
i
1
i
1
1
1
1
1
2Т385АМ-2 1 n-p-n
- 60 ... +125
300
~200
60
5
300 (500*) 1 :<>10 (60 В)
2Т388А-2
p-n -p
- 60 ... +125
300 (8О0С)
~250
50
4,5
250
:<>2 (50 В)
1
1
1
1
i
i
1
1
1
1
1
1
i
1
·1
1
1
1
1
1
'1
!1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
295
с•.
rкэ",• Ом
Кw1 дБ
tк• ПС
ь"•. ь;,э
с;2,,
r~""' Ом
r;, Ом
t~c• НС
Корпус
пФ
к~:.. дБ
Р;~х• Вт
t::кл• НС
t:::,. нс
~50* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
-
2Т381-1
~40* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
-
1,1
1t
~30* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
-
~20* (10 мкА; 5 В)
-
$40
-
-
-
~20* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
!
-
. ..:
'
1
:
1
1
~
1
i
1
1
бЭК
,1
'
1
40...330 (1 8: 5 мА)
$2(58)
~9** (0,4 ГГц)
$3 (400 МГц)
$15
1
2Т382
40...330 (1 8: 5 мА)
$2(58)
~5** (О,4 ГГц)
$4,5 (400 МГц)
$10
~t
30... 180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8)
$4
-
$12*
1
2Т384-2
1
1
~~ ~t
1
i
1
'1\
5К3
30...180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8)
$4
-
$12*
2Т384М-2
J
-&
7
~
1
К5Э
1,
1
1:
~ 30... 150* (! 8: 0,15 А) 1 $4(108)
$5
-
1
$60*
1
2Т385-2
'
1
1
~~~1,1
~
111-~
бКЭ
40 ... 150* (! 8; 0,15 А)
-
-
-
$60*
2Т385-9
J
0,95
1
1
~*Х
1
30 .. .150* (! 8; 0,15 А) $4(108)
$5
-
$60*
2Т385М-2
J
-&
7
~
К5Э
25 ... 100* (1 8; О, 12 А) $7(108)
$5
-
60; $60*
2Т388-2
1
~пз !
1
1
1
1
1
11\~
1
1
6кз

296
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maAt
~•• (z10•
UКБО проб'
IKmax
lкоо•
Тип
Струк- Такр.•
Р~.т 1n3At
Ii:; 1~·
U~ЭR """"' UЭБOmaAt 1:. и maxt
I~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~ и maxt
~:;.\,
U~эо """"'
в
мА
1;;;,о•
1·
мВт
Мfц
в
мкА
!i2T388A-5
p-n-p ! -60 . .. +1251
300
~250
50
4,5
250
:s;2 (50 В)
,,
11
i
1:
li
11
2Т388АМ-2 p-n-p
-60 ...+125
300 (8О0с)
~250
50
4,5
250
:52 (50 В)
!1
lf--~~~-+-~~-+-~~~+-~~~~~+-~~~--lf--~~~+-~~-+-~~~~-+-~~~~~--0
Jj2T389A-2
11
11
2Т391А-2
2Т391Б-2
2Т392А-2
l2ТЗ96А-2
ii, .
~~
2Т397А-2
11
11
'1
~2Т399А
'
1
1
1
1
1
1
:
1
1
i
1
i
:
1
1
p-n-p 1-60 . .. +1251 300 (8О 0С)
n-p -n
-60 ...+125
n-p -n
-60 ...+125
1
1
1
1
1
1
p-n-p
1
-60 ...+85
1
n-p-n 1 -60 . .. +1251
i
1
!
1
1
1
!
!
n-p-n
-60 ...+125
1
i
1
1
1
n-p-n 1-60. .. +1251
10 (85°С)
10 (85°С)
120 (65°С)
30 (5О0с)
120 (9О0С)
150 (65°С)
1
1
1
~450
~5000
~5000
~300
~2100
~500
~1800
25* ( 1к)
15
15
1 40*(10к)
15
1
1
40* (lОк)
i
1
15
4,5
2
2
4
3
4
3
1
1
1
1
300
10
10
10 (20*)
40 (40*)
10 (20*)
20 (40*)
1
1
1
!
1
:51 (25 В)
:50.5 (10 В)
:50,5 (10 В)
:50,5 (40 В)
:50,5 (15 В)
$1(40в
:s;0,5 (15 В)
1
~~

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
25 ... 100* (1 В: 0.12 А)
1
25 ... 100* (1 В; 0.12 А)
ck,
с;2эt
пФ
$7(108)
s7(10B)
25... 100* (1 В; 0,2 А)
SIO (10 В)
~20(7В;5мА)
~20(7В;5мА)
40 ... 180* (5 В: 2.5 мА)
40...250 (2 В: 5 мА)
40...300 (5 В; 2 мА)
~40~!1В;5мА)
s0,7 (5 В)
s0.7 (5 В)
s2.5 (5 В)
sl.5 (5 В)
Sl,3 (5 В)
sl.7 (5 В)
Гкэиас' Ом
r~Ha{·' Ом
к~·•. дБ
$5
$5
$3
~6**
~6**
$50
slI*
$25*
~11,5 (0,4 ГГц)
Кш, дБ
r~, Ом
Р;:" Вт
$4,5 (3,6 ГГц)
s5,5 (3,6 ГГц)
4,5 (100 МГц)
s2 (400 МГц)
tк, ПС
t~,. нс
t::клt НС
t::, нс
$60*
60; s60*
$25*; $180
$3,7
$3,7
$120
$15
$40
$8
297
Корпус
2Т388-5
1
о~
~з
1 cir:EJT
2Т388М-2
~ЩJ ~м-
/1\ -L]
5КЗ
2Т389-2
:;~у
,, ,~о
6кз
2Т391-2
2Т392-2
~~ i•
"
/11 ~l
6КЭ
2Т396-2
~~~!
5/(э
1
2Т397-2
Z2
7,5
:;4?, ~д
6кз
2Т399
~Ei!l5,8 з
~ Корл~б
t:1
~

298
1
~
~ Типприбора
2Т504А
2Т504Б
2Т504А-5
2Т504Б-5
2Т505А
2Т505Б
11
li
1
l2T505A-5
!2Т506А
.2Т506Б
2Т506А-5
2Т509А
1
2Т509А-5
~
!
1
1 Струк-1 Токр.•
1
тура
1
1
n-p -n
n-p -n
:
1
1 n-p-n
n-p -n
p-n-p
p-n-p
:
:
p-n -p
1
1
1
1
n-p -n
n-p -n
!·с
i
1-60" .+125
-60 ...+125
1
1-60 " .+125
- 6 0".+125
- 60".+125
- 60".+125
- 60".+125 !
i
-6 0 " .+1251
- 60".+125
i
pKm41,11:t
P~.tmJiiA'
р~~ и ma.xt
мВт
1 (10*) Вт
1 (10*) Вт
0,025 ( 1О*) Вт
0,025 (10*) Вт
1 (5*) Вт
1 (5*) Вт
1 (5*) Вт
0,8 ( 10*) Вт
0,8 (10*) Вт
n-p -n
-60". +125 f 0,8 (10*) Вт
p-n -p
- 60".+125 1 0,3 (1 *) Вт
i
1
1
i1
1
p-n -p
-40".+85
0,025 ( 1*) Вт
1
1
1
1
i
1
i1
1
1
1
i
1
1
1
1
~•• t .:210•
~:;lэ'
t"
"'
МГц
~20
~20
~20
~20
~20
~20
~20
~10
~10
~10
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО щюб•
U~ЭR проб•
u~проб•
в
1(2*)А
1(2*)А
1
400; 350*
200* (0,1 к)
300* (0.1 к)
250* (О, 1к)
1
1
i
1 300* (О, 1к)
1
1
1
1
800
600
800
1
1 u'",;•"
1
1
1
1
6
6
6
6
5
5
5
5
5
5
1450*(lОк)1 5
1
1
1
1
1
1
1
450* ( 10к)
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
i1
1
1
1
i
i
i
1
JKm•).
1:.н maA'
мА
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
2(5*)А
2(5*)А
2(5*)А
20
20
1
1
1
!
1
1
i
1
1
:
1
1
!
i
i1
i
lкю•
I~ЭR•
1~,
мкА
SlOO (400 В)
SlOO (250 В)
SlOO (400 В)
SlOO (250 В)
SlOO (300 В)
SlOO (250 В)
SlOO (300 В)
SlOOO (800 В)
S200 (600 BI
SlOOO (800 В)
s5 (500 В)
s5 (500 В)
<
i
1

!
1
1
!
;
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
h~i'' h~ 13
15... 100* (5 В; 0.5 А)
15... 100• (5 В; 0.5 А)
i5...100• (5 В; 0.5 А)
15... lOO• 15 В: 0.5 А)
25...140* (1О В; 0.5 А)
25...140* (10 В; 0,5 А)
25 ... i40• !10 В: 0.5 А)
30...150* (5 В; 0,3 А)
30...150* (5 В; 0.3 А)
30...150' (5 В; 0.3 А)
с,,
c;2j•
пФ
s30 (10 В)
s30 (10 В)
s30 (10 В)
s30(IOB)
s70 (5 В)
S70 (5 В)
S70 (5 В)
s40 (5 В)
s40 (5 В)
s40 (5 В)
15 ... 100 (10 В; 0.1 мА) s2,9 (100 В)
15 ... 100 (10 В; 0,1 мА) s2,9 (100 В)
i
11
1
1
1
1
1
1
Гкэ11ас' Ом
r~энdt·' Ом
к:· •. дБ
$2
s2
$3,6
$3,6
$3,6
lОк
lОк
1
1
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
1
1
1
!
1
1
-
t111ПС
t~,"l, нс
t::.~кл• НС
t:·:,. нс
$2700•
$2700'
$2700*
$2700'
$2600*
$2600*
$2600*
$1560*
$1560*
$1560*
S500
$500
299
Корпус
2Т504
2Т504-5
1
0,32
-ШТ
2Т505
2Т505-5
1
1
1
0,32
-rВТ
2Т506
2Т506-5
2Т509
'<>~
/(
з
..
tw:.
С'1
б
2Т509-5
1
0,32
-ШТ 1
1:
1'
~
'
~

300
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pl\1m1\I
1
~11• ~2161
UКБО nμui1I
lк m.111:
lкьо •
Тип
Струк- Токр.о
P~.тin.ixl
~:;11•
u~ЭR npol1I
UЭБOmaxl I"
I~ЭR•
прибора
тура
·с
р~:ИIП.~\1
~;;~,
u~эо ,,, .,..
в
К, и 111.ix'
I~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т528А-9
n-p-n 1-60...+125
600
-
100*
-
2000
-
i
2Т528Б-9
n-p -n
-60 ...+125
600
-
80*
-
2000
-
2Т5288-9
n-p -n
-60 ...+125
600
-
50*
-
2000
-
2Т528Г-9 1 n-p-n i -60 ...+125
600
-
30*
-
2000
-
!12Т528Д-9 1 n-p-n 1 -60 . . . +1251
600
-
12*
-
2000
-
11
1
1
1
1
1
11
1
1
i!
1
11
1
1
2Т602А
n-p-n
-60 ...+125
0.85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
SIO (120 В)
2Т602Б
n-p-n
-60 ...+125
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
slO (120 В)
1
1
1
~
1
!
1
1
2Т602АМ
n-p-n
-60 ...+125
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
slO (120 В)
2Т602БМ 1
n-p-n
-60 ...+125
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
SIO (120 В)
1
1
1
1
1
1
1
11
~
1
!
1
'
12Т603А 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 О,5 Вт (50°С)
~200
30* ( 1к)
3
1 300(600*) ! s3(30В)
~
12Т603Б 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 о.5 Вт (50°С)
~200
30* ( 1к)
3
300 (600*)
s3 (30 В)
12Т6038 1 n-p-n 1-60 . . . +125 О,5 Вт (50°С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
s3 (15 В)
2Т603Г
1
n-p-n
-60 ...+125 О,5 вт (50°С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
s3 (15 В)
2Т603И
n-p-n 1-60 . . . +125 о.5 Вт (50°С)
~200
30* ( 1к)
3
300 (600*)
s3 (30 В)
2Т606А
n-p -n
-60 ...+125 2,5** Вт (40°С)
~350
65
4
400 (800*)
Sl,5* (65 В)
1
!
i
1
1
1:
'
2Т607А-4
n-p-n
-60 ...+125
1,5 Вт
~700
40
4
150
sl (30 В)
'
1
~
2Т608А
-60 ...+125
0.5 Вт
~200
60
1
4
400 (800*)
1
SIO (60 В)
1:
n-p-n
1
'
l2Т608Б
n-p-n 1-60 . . . +1251
0,5 Вт
!
~200
60
1
4
400 (800*)
1
SIO (60 В)
·!
~
1
1
i!
~
1
1
1
!1
ii
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
301
ck,
fкэнас' Ом
Кш, дБ
t" пс
h21"t ь;IЭ
с;2э'
r~Энас' Ом
r~, Ом
(те' НС
Корпус
пФ
К~',. дБ
Р;~", Вт
•::кл' НС
t::,, нс
20...200 (5 В; 1 А)
-
$0,4
-
300*
2Т528-9
20...200 (5 В; 1 А)
-
$0,4
-
300*
50...250 (5 В; 1А)
-
$0,4
-
300*
4,6
-
1,6
50...250 (5 В; 1 AJ
-
$0,4
-
300*
1
1 50...250 (5 В; 1 AJ
-
$0,4
-
1
300*
~t~-Pw \tt ~
i
1
1
1
~-
5
0,4
1
1
~"' 11 O..f.f
i
~5.
1,5
0,48
20...80 (10 В; 10 мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
2Т602
<':50(10В; 10мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
:1~1~у
1
1
к
1
20...80 (10 В; 10 мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
2Т602М
<':50 (10 В; 10 мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
Q~=~
20...80* (2 В; 15 А) 1 $15 (10 В)
$7
-
$400; $70*
2Т603
<'::60* (2 В; 0.15 А) 1 $15 (10 В)
$7
-
1
$400; $70*
20...80* (2 В: 0.15 А) 1 $15 (10 В)
$7
-
$400; $70*
:I~1<Ф.
1 <'::60* 12 В: 0.15 AJ
1 $15(!ОВ)
$7
-
$400; $70*
2 <':20*t2В;0.35AJ i $15(10В)
$3,4
-
$400; $70*
~
1
1
'
1
1
i
к
<':15* (10 В; 0,1 А)
$10 (28 В)
$5; <':2,5**
;:.:О,8** (0,4 ГГц)
$10
2Т606
\
:~~
fl.....
6
-
1 $4(108)
<':4** (1 ГГц)
<':I ** (1 ГГц)
$18
2Т607-4
_j~'к
.
6,~ 6
25...80* (5 В; 0,2 А)
$15 (10 В)
$2,5
-
$120*
2Т608
50...160* (5 В: 0.2 А) $15 (10 В)
$2,5
-
$120*
'
:No6<Ф3
1
1
к

302
Тип
прибора
~2Т610А
112Т610Б
~!
1
2Т624А-2
1
!
i Струк
тура
i
i
n·p ·n
n-p -n
n·p ·n
11
!
12Т624АМ-2 1 n-p -n
i2T625A-2
1!2Т625Б-2
11
li
11
11
2Т625АМ-2
2Т625БМ-2
li2T629A-2
'1
1
n·p·n
n·p·n
n·p·n
n·p·n
Такμ,
·с
-6 0 ... +1251
-6 0 ... +125
-6 0 ... +125
1
1
1
!
1 -60 ...+125 1
1 -60 ...+125 1
-60 ...+125 1
1
1
1
-6 0 ... +125
-60 ...+125
2Т629А-5
p·n ·p
-60 ...+125
2Т629АМ-2 p-n -p
-60...+125
1
1
pl\llld\'
~,,, ~:216'
Р~. т rn""'
~:;1 t'
р~~ 11 md"'
~~·;,'
мВт
МГц
1,5 Вт (50°С)
~1000
1,5 Вт (50°С)
~700
1
1Вт
~450
1Вт
~450
1Вт
~200
0.7 Вт (125°С)
~200
1Вт
~200
0,7 Вт (125°С)
~200
1Вт
~250
1000
~250
1Вт
~250
J
1
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО Про(J' 1
!
U~ЭR "pu6'
1 Uэьо ma"'
u~эо"''°'" 1 в
в
i
1
26
4
26
4
30
4
1
30
4
40* (5к)
5
40* (5к)
5
40* (5к)
5
40* (5к)
50* ( lк)
4,5
50
4,5
60
4,5
Ik.m",,,
1~. н ma"''
мА
300
300
1000 (1300*)
1000 (1300•) 1
!ООО (1300*) 1
IA(l,3 •A) 1
1
1
'
1000 ( 1300*)
1А(1,3*А)
1000
1000
!
!А
IКЬО'
I~ЭR•
I~эо•
мкА
:<>0,5 (20 В)
:<>0,5 (20 В)
:<>100 (30 В)
$\00 (30 BJ
:<>30 (60 В)
$30 (60 В)
:<>30 (60 В)
:<>30 (60 В)
:<>5 (50 В)
$5 (50 BJ
$5 (50 В)
1
1
:1
i!

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
303
i
1
1
1
1
~
rКЭнасt Ом
' tll.1 пс
1
1;
1
с..
Кш, дБ
u
t~1.• НС 1
~
!
h21з• ь;.э
С~2,•
r~эн~• Ом
r~. Ом
1
Корпус
~
пФ
к~·v, дБ
Р;~". Вт
t::мt НС
i
t:::, НС
50 ... 250* (10 В; 0.15 А) :s;4,l (10 В)
-
6 (0.2 ГГц)
:s;35
2Т610
20 ... 250* (10 В; 0,15 А) :s;4,l (10 В) ~6.4** (0,4 ГГц)
6 (0.2 ГГц)
:s;l8
~
с-..
~
,....,
~
"&.
·З
~g 12,1
20,5
i
30... 180* (0.5 В: 0.3 А) 1 :s;l5 (5 В)
:s;9
-
1
:s;I8
i
2Т624-2
~
:
i
1
;
1
~~ ~t
1
1
1
~
1
1
1
1
1
1
1
11\
5К3
30... 180* (0.5 В; 0,3 А)
:s;l5 (5 В)
:s;9
-
:s;18
2Т624М-2
J
1
'
-ffiF ~ 1!
1
1
!i
1
i
i
К5Э
1
'
1
1!
!
.1
30...120* (1 В: 0.5 А) 1 :s;9 (10 В)
:s;2.4
1
:s;60
2Т625-2
·1
-
1
11
i20...i20* (500мА: 1В) i :s;9 (10В) 1
:s;l,3
-
1
:s;60
~~;!1
1
1
1
1
'
1
1'\~
5кз
30... 120* (1 В; 0.5 А)
:s;9 (10 В)
:s;2,4
-
:s;60
2Т625М
20... 120* (500 мА: 1 В)
:s;9 (10 В)
:s;l,3
-
:s;60
~
1
1
1
J
7
1
1
1
-ffiF ~
К5Э
25...80* (1.2 В: 0.5 А)
:s;20 ( 1О В)
:s;l,6
:s;l20; 90*
2Т629А-2
~~у
,, '~о
5кз
25...150* (5 В: 0.5 А)
:s;25 (1 О В)
90*
2Т629А-5
25...80* (1.2 В; 0,5 А)
:s;20 (10 В)
:s;l,6
2Т629АМ-2
~~у
",~о
5кз

304
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Рк rna). '
~р• ~••••
UКБО ороб'
lкw•
IKmax
Тип
Струк- Токр.,
Р~. тmа).'
~;lэ'
u~ЭR ороб' UЭБОmах' J~. и max'
I~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~и ma).'
~:;х,
u;эо проб'
в
мА
1;эо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т630А
n-p -n
- 60 ... +125
0,8 Вт
<'::50
120
7
1000 (2000*)
$\ (90 В)
2Т630Б
n-p -n
-60 ... +125
0,8 Вт
<'::50
120
7
1000 (2000*)
:Sl (90 В)
1
1
1
1
1
!1
i1
11
!
1
!
!
1
'2Т630А-5
n-p-n 1-60 ... +125
0,8 Вт
;:>:50
120
7
1000 (2000*)
sO,l (90 В)
2Т632А
p-n-p
-60 ... +125
0,5 Вт (40'С)
<':200
120* (lк)
5
О, 1 А (0,35*А)
:Sl (120 В)
.
~
1
1
1
12Т633А n-p-n
- 60 ... +125
1,2* Вт
<'::500
30
4,5
200 (500*)
s3 (30 В)
i
'
2Т634А-2
i n-p -n 1-60.. . +125
1,2 Вт
<':1500
50
3
150 (250*)
:Sl мА (30 В)
1'
1
1
1'
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т635А
n-p-n
- 60 ... +125
0,5 Вт
<':250
60
5
1 {1,2*)А
:SIO (60 В)
1
1
1
i2T637A-2 ! n-p-n
-60 ... +100
1,5 Вт
<':1300
30
2,5
200 (300*)
sO.l мА (30 В)
1
2Т638А
n-p-n
-60 ... +125
0,5 Вт; 1•• Вт
<':200
120* (lк)
5
O,IA (0,35* А) 1 sO.l мА (120 В)
1
1
~
1
1
~
1
1
1
1:
1
~
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
!40... 120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В)
80... 240* (10 В: 150 мА) :!>15 (IO В)
40.. .120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В)
~50(1мА;10В)
1 :!>8 (20 В)
40.. .140 (1 В; 10 мА) ~4.5 (10 В)
rкэиас:' Ом
r;Эиас:' Ом
к:~.. дБ
:!>25
$5
:!>2,5 (15 В) ~1,4** (5 ГГц)
25...150* (1 В; 0,5 А)
:!>10 (10 В)
30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В)
~50(1В;10мА)
:!>8 (20 В)
20зак 9
Кш• дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
~5*
~5*
~5·
:!>6 (20 МГц)
~О.45** (5 ГГц)
~0.5•• (3 ггц)
'tKI пс
~~,.нс
tаыклt НС
t::, нс
:!>500**
$500**
$500**
:!>100; :!>2000*
$13*; $18**
:!>58; :!>60**
$25; 1* мкс
305
Корпус
2Т630
1
2Т630-5
~rEJГ
2Т632
2Т633
2Т634-2
~з~
~t ~1+w6
2Т635
2Т637-2
2Т638

306
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах1
1,,,. (210•
UK50npoб'
lк max
lкоо,
Тип
Струк· Токр.,
Р~.тmах1
t1э•
U~Rnpoб• UЭ&Omax• 1;, и max•
·~Rt
прибора
·с
р~кmах•
с
u;эо проб•
в
•••
тура
х•
мА
КЭО•
1
мВт
мrц
в
мкА
!
2Т640А-2
п-р-п 1 -60 .. . +125 I 0,6 Вт (60°С)
~3 ГГц
25
3
60
1 ~О.5 мА(25В) 1
1
i
1
!
1
1
1
2Т640А1-2 п-р-п
-60 ...+125
0,6 Вт (6О0С)
~3 ГГц
25
3
60
~0.5 мА (25 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т640А-6
п-р-п
-60 ...+100
0,6 Вт (60°С)
~3 ГГц
15
3
30
~0.5 мА (25 В)
!
i
1
1
!
!
~
1
i
1
1
2Т640А-5 1 п-р-п l -60 .. . +100
0,6 Вт (60°С)
~3 ГГц
15
3
!30
1 ~0.5 мА(25BJ
1
'
1
2Т642А-2
п-р-п
-60 ...+125
500 (75°С)
-
20
2
60
~1мА(20В)
1
i
1
1
1
1
2Т642А1-2
1
п-р-п 1 -60 .. . +1251
350
3600
15
2
40
~500 (15 В)
2Т642Б1-2 п-р-п
-60 ...+125
350
3600
15
2
40
~500 (15 В)
2Т64281-2
п-р-п
-60 ...+125
230
-
15
2
40
~О.5 мА (15 В)
2Т642П-2
п-р-п -60 .. . +125
230
-
15
2
40
~О.5 мА (15 В)
2Т642А-5
п-р-п
-60 ...+125
500
-
20
2
60
~1мА(20В)
2Т642А1-5
п-р-п -60 .. . +125
500
-
20
2
60
~1мА(20BJ
1
ll
1
1
q
1
1
1
1
2Т64ЗА-2
1
п-р-п -60 ...+125 1 1,1Вт (50°С)
-
25
3
1
120
~1мА(25В)
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения .
307
ck,
fкэнас:' Ом
Кш, дБ
tK• ПС
h21э' ь;IЭ
с;2~·
r~нас:' Ом
r~, Ом
f~c' НС
Корпус
пФ
к:·•. дБ
Р;:х, Вт
•::кл, НС
•::, нс
1
:?:15* (5 В; 5 мА)
:>1,3 (15 В)
1
:?::6* * (7 ГГц)
:>8 (6 ГГц); :?:0,1 **
1
0,6
2Т640-2
1
1
1
{f ',
1
1
1
1
1
r
1
1
1
1Н9
,,
1
1
11
~
1
1
1
•,
1
1
1
1
1
1
1
1
О)з
1
1
1
:?:15* (5 В; 5 мА)
:>1,3 (15 В) 1 :?::6** (7 ГГц)
:?:65** мВт (7 ГГц)
0.6
!
2Т640-1-2
1
1
'
1'
1
:tr~rйP '
:?:15* (5 В; 5 мА)
:>1,3 (15 В)
:?::6** (7 ГГц)
:?:65** мВт (7 ГГц)
0,6
2Т640-6
i
1
1
'lМ
n
!
1
1
ltJ~'flIO·
,~
:?:15* (5 В: 5 мА)
:>1,3 (15 В)
:?::6** (7 ГГц)
:?:65** мВт (7 ГГц)
1
0,6
2Т640-5
11
1
~11
1
,,
i
1
!
1
1
,,
'
."
•
;
:>1,1 (15 В)
:?:3,5* * (8 ГГц) :?::100** мВт (8 ГГц)
2Т642-2, 2Т642-1-2
:>1,1 (15 В) :?:9** (2,25 ГГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:tr~rйP
:>1,1 (15 В) :?:8** (2,25 ГГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:?::6** (3,6 ГГц)
:>5 (3,6 ГГц)
:?:5,5** (3,6 ГГц)
:>5,5 (3,6 ГГц)
:>1,1 (15 В)
:?:3,5** (8 ГГц)
:?::0,1 ** (8 ГГц)
2Т642А-5, 2T642-l-5
:>1,1 (15 В)
:?:3,5** (8 ГГц)
:?::0,07** (8 ГГц)
0,45
0,1
нВТ
:>1,8(15В)
:?:0,48** (7 ГГц)
2Т643-2
:tr~rйP
20·

308
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Рк max•
~,. \210•
UКБО npo61
lк max
JКБО•
Тип
1 Струк· Токр.,
Р~. тmа>.1
~;lэ'
U~R проб' UЭБО п1ахt 1;,н m<1xt
·~R•
прибора
тура
·с
p~~иma>.t
~:;),,
u~""""' в
•••
мА
КЭО•
1
1
мВт
МГц
в
мкА
2Т643Б-2 i n-p-n 1 -60 ...+125
1.1 вт (50°С)
-
25
3
120
:<;1 мА (25 В)
1
1
1
~2Т643А-5 i n-p -n 1-60. . . +125
1.1 вт (50°С)
-
25
1
3
120
:<;I мА (25 В)
1
i1
1
1
1
2Т647А-2
n-p-n
-60 ...+125 О,56 вт (8О0С)
-
18
2
90
1000 (18 В)
2Т647А-5
n-p-n
-60 ...+125 О,56 вт (8О0С)
-
18
2
90
1000(18В)
2Т648А-2
n-p-n
-60 ...+125
420 (45°С)
-
18
2
60
:<;1 мА(18В)
1
1
2Т648А-5
!n-p-n 1 -60 ...+1251
420 (45°С)
-
1
18
2
60
1
:<;1 мА (18 В)
1
!
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
2Т649А-2
n-p-n
-60 ...+125
1,5 Вт
~1.3 ГГц
30
2,5
200
-
2Т652А
n-p-n
-60 ...+125
1 Вт (50°С)
~200
50
4
1А(2*А)
:<;300 (50 В)
1
1
2Т652А-2
n-p -n
-60 ...+125 О,5 Вт (50°С)
~200
50
4
1А(2*А)
:<;300 (50 В)
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
150... 150* (10 В; 50 мА) 1
1
1
:51,8 (15 В)
1
~.8 (15 В)
:51.5 (15 В)
:51,5 (15 В)
:51,5 (10 В)
:51,5 (10 В)
20...90* (5 В; 50 мА)
:53
25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В)
25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В)
rкэнас• Ом
r~нас• Ом
к;,, дБ
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:х• Вт
:?:0,48•• (7 ГГц)
:?:0.48* • (7 ГГц)
:?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц)
:?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц)
3•• (12 ГГц)
50** мВт (12 ГГц)
3** (12 ГГц)
50** мВт (12 ГГц)
3** (12 ГГц)
:?:0,4** (3 ГГц)
."пс
~~·нс
t·~:л· нс
tвкл• НС
:s;1 оо•
309
Корпус
2Т643-2
2Т643-5
0,45
0,1
~шт
2Т647-2
2Т647-5
0,45
0,1
~шт
2Т648-2
2Т648-5
0,5
0,1
~шт
2Т652
з~ 2.<
11\ t::r
ЗКо
2Т652-2
~~у
,,,~о
зк5

310
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmак'
~•• ~216'
UКБО про<>'
lк max
lкБО•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmа"'
~:;,~,
U~ЭR проб• UЭБО max'
1~. н maA'
I~ЭR•
прибора
тура
·с
p~~нmaxt
~~;х,
u;эо проб•
в
мА
1;_;,о,
мВт
МГц
в
мкА
2Т653А
n-p-n
-60 ...+125
5 Вт (40°С)
2:50
130
7
1 А (2А*)
10* (120 В)
2Т653Б
n-p-n
-60 ...+125
5 Вт (40°С)
;,:50
130
7
1 А (2А*)
10* (100 В)
'
i
11
1
1
!
1
1
1
1
1
2Т657А-2 1 n-p-n 1 -60 ...+1251
375
;,:3 ГГц
12*
2
60
:51 мА (12 В)
2Т657Б-2
n-p -n
-60 ...+125 1
375
2:3 ГГц
12*
2
60
:51 мА (12 В)
2Т657В-2
n-p-n
-60 ...+125
375
2:3 ГГц
12*
2
60
:51 мА (12 В)
!
2Т658А-2
p-n-p
-60 ...+125
600 (60'С)
2:4 ГГц
12* (lк)
3
75 (150*)
1
:50.5 мА (15 В)
2Т658Б-2 1 p-n-p 1 -60. . . +1251
600 (6О0С)
2:4 ГГц
в· (lк)
3
75 (150*)
:50.5 мА (10 В)
2Т658В-2
1
p-n-p
-60 ...+125
600 (60'С)
2:2 ГГц
15* (lк)
3
75 (150*)
:50.5 мА (20 В)
2Т663А
p-n-p
-60 ...+100
400
2:300
50*
3
250
:50,5 (45 В)
2Т663Б
p-n-p
-60 ...+100
400
2:300
25*
3
250
:50,5 (25 В)
1
1
1
i
1
1
i1
1
1
1
1
1
1
2Т664А9-1
p-n-p
-6 0".+100 l
1• Вт
2:140
120
5
:51 А (1,5* А)
:510 ( 100 В)
2Т664Б9-1
p-n-p
-6 0".+100
!*Вт
2:140
100
5
:5IA(l,5*A)
:510 (100 В)
11
1
1
1
2Т665А9-1 n-p-n 1-60 ". +100
!*Вт
2:50
120
5
1
IA
:510 (100 В)
2Т665Б9-1 n-p-n
-6 0".+100
1• Вт
2:50
1
100
5
1
!А
:510 (100 В)
1
1
1
~
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
'
2Т669А
:55 (50 В)
n-p -n
-6 0".+125
500
2:200
50
4
400: 800*
~
!
1
1
1
.,
1
i
1
1
,;
,.
1
·'
1
1
1!
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
li 40...150 (150 мА; 10 8)
80 ... 250 (150 мА: 10 8)
60...200 (6 8; 30 мА)
35...70 (6 8; 30 мА)
~20* (50 мА; 5 8)
~30* (50 мА; 5 8)
~20* (50 мА; 5 8)
20...80* (5 8; 50 мА)
20...80* (5 8; 50 мА)
40...250* (2 8; 0.1 А)
40...250• (2 8; О,1А)
40...250 (2 8; О,15 А)
40...250 (2 8; 0,15 А)
$20 (10 8)
$20 (10 8)
$1,1 (15 8)
$1,1 (15 8)
$1,1 (15 8)
$2(108)
$2(108)
$2(108)
$12
$12
$25 (5 8)
$25 (5 8)
$25
$25
50...160 (5 8; 200 мА) 1 $15 (10 8)
rкэнас' Ом
r~нас' Ом
к~· •. дБ
$3,3
$3,3
~8** (2 ГГц)
~8** (2 ГГц)
~8** (2 ГГц)
~6** (1 ГГц)
~6** (1 ГГц)
~6** (1 ГГц)
$3; 8*
$3; 8*
$2,3
$2,3
$2,5; $5*
Кw,дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
~О.05** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
$7,8 (1 ГГц)
$7,8 (1 ГГц)
$7,8 ( 1 ГГц)
i:" пс
~~,. нс
f•ыклt НС
•:.нс
$1** мкс
$1 ** мкс
$700**
$700**
$500**
$500**
$100*
Корпус
2Т653
2Т657-2
2Т658-2
2Т663
2Т664-9
Ч,6
311
-
1,6
~i~~~ ,1)- ~ '
..,,.
5
д*
~" 111 O.SJ
448 ~5.
1,5
2Т665-9
Ч,6
-
1.6
~i~~~ ,f- ~·
..,,.
5
д*
~"" IMJ
448 1.5.
1,5
2Т669

312
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i[
1
'
Рк m"x'
~,. ~210•
UКБО п,,оо•
lкБО•
11
Тип
1 Струк-1 Такр.•
р·
\;lэ'
U~ЭR п,,оо• UЭБО mал t
lк max
I~ЭR•
К, т maxt
1~, И ffiilX t
прибора
1
тура
·с
р~~ и maxt
~::х'
U~эоп,,оо•
в
I~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т669А1
n-p-n
-60 ...+125
225
:?:200
50
4
300; 600*
:>:5 (50 В)
1
ii1
2Т671А-2
n-p-n
-60 ...+125
900
:?:2 ГГц
15
1,5
150
:>:1 мА (15 В)
2Т672А-2
n-p-n
-60 ...+125
1* Вт
:?:200
50
4
1А;2*А
-
1
2Т679А-2
p-n-p
-60 ...+125
1,5* Вт
:?:300
50* (lк)
3
0,5А;1*А
:>:1 (50 В)
2Т679Б-2
p-n-p
1,5* Вт
:?:300
25* (lк)
3
0,5А;1*А
:>:1 (25 В)
'
i
2Т679А-5
p-n -p
-60 ...+125
1**Вт
:?:300
50
3
0,5А;1*А
:>:1 (50 В)
2Т679Б-5
p-n -p
1**Вт
:?:300
25
3
0,5А;1*А
:>:1 (25 В)
2Т682А-2
n-p-n
-60 ...+125
350
:?:4,4 ГГц
10
1
50
:>:1 (lOB)
2Т682Б-2
n-p-n
-60 ...+125
350
:?:4,4 ГГц
10
1
50
:>:! (lOB)
2Т687АС2
p-n-p
-60 ...+125
1,5 Вт
300
70
3
1,5{3*)А
:>:2 мА (50 В)
2Т687БС2
p-n-p
-6 0". +125
1,5 Вт
300
60
3
1,5{3*)А
:>:2 мА (50 В)
2Т688А2
n-p-n
-60 ...+125
750
-
16
1
100
:>:1 мА (16 В)
2Т688Б2
n-p-n
-60 ...+125
750
-
16
1
100
:>:1 мА (16 В)
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
40... 180 (2 В; 70 мА)
30... 120
20...80 (2 В; 0,5 А)
20...80 (2 В; 0,5 А)
20... 80 (2 В; 0,5 А)
20...80 (2 В; 0,5 А)
40...75 (7 В; 2 мА)
80... 120 (7 В; 2 мА)
20...90* (5 В; 0,3 А)
20...90* (5 В; 0,3 А)
20...90* (5 В; 0,3 А)
20...90* (5 В; 0,3 А)
$15 (10 В)
1,45 (8 В)
$30 (10 В)
$30 (10 В)
$30 (10 В)
$30 (10 В)
$0,9 (10 В)
$0,9 (10 В)
$1,1 (8 В)
$1,1 (8 В)
rкэ и.ас' Ом
r~э нас' Ом
к~· •. дБ
$9; $17*
~4.8**
$1,6; $3*
$1,6;$3*
$1,6
$1,6
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
$3,3
$2,6
~1.6** (15 ГГц)
~1.6** (12 ГГц)
Кш, дБ
r~, Ом
Р;~х' Вт
~0.3** (8,5 ГГц)
$4 (3,6 ГГц)
$4 (3,6 ГГц)
~О.04** (15 ГГц)
~О.08** (12 ГГц)
tк, ПС
~~ас' НС
tаыклt НС
t::, нс
$150; $100* 1
1
$60*; <200**
$60*; <200**
$60*
$60*
70
70
313
Корпус
2Т669
2Т671-2
2Т672А-2
~~\~!
5кз
2Т679-2
~~*
/1\ ~l]
бКЗ
2Т679-5
0,45
0,1
~шт
2Т687-2
~i'Щ
Б~42Б
э
·
~э
к
qк
2Т688-2
f
G

314
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1Струк-1
Ркmах•
~•• (216•
UКБО проб•
lк max
1
•коо•
Ти.п
Токр.•
Р~. т max•
(;1~·
U°КЭR проб• UЭБОmах• 1;. и max•
J~Rt
прибора 1
1
·с
р~: и max•
~:;х•
U".:ЗО проб'
в
•••
тура
мА
i
кэо•
1
1
мВт
мrц
в
мкА
1
i
1
i
i
1
•
l2T691A2
1!
&
р-п-р i-60 ...+125 1
1
1
1200
~3 ГГц
40
3
200
SlмА(40В)
1
i
:
i
'
1
i
!
1
!
'
1
!
1
1
!
!
:
1
1
R
;
1
'
1
1
i
!
!
;
1
1
1
2Т693АС
п-р-п
-60 ...+125
750
-
150*
5
150
SlO (120 В)
1
1
1
!
1
1
1
1
1
i
1
i
1
1
1
1
~
1
1
:
!
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
1
15* Вт (50°С)
!
1 500** i
i 2,5(4*)А 1 S5*мА(1000В)
2Т704А
п-р-п 1-60 ...+100
~3
4
;
j (1000 имп) 1
i
1
2Т7046
п-р-п i -60 .. . +100
15* Вт (50°С) 1
~3
1 400*
1
4
1
2.5(4*)А 1 S5*(700В)
1
1
(700 имп)
1
1
1
2Т708А
р-п-р -60 .. . +125
0,7 Вт
~3
100* (lк)
5
12,5А(5А*)
Sl мА (100 В)
2Т7086
р-п-р
-60 ...+125
0,7 Вт
~3
80* (lк)
5
1
2,5А(5А*)
SlмА(80В)
2Т7088
i р-п-р 1 -60 ...+125 1
0,7 Вт
1
~3
60* (lк)
5
2,5А(5А*)
SlмА(60В)
1
!
1
'
1
1
1
1
;
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
!
i
1
1
1
1
2Т709А
р-п-р -60 ...+125
2 (30*) Вт
~3
100
5
10 (20*) А
Sl мА (100 В)
2Т7096
р-п-р
-60 ...+125
2 (30*) Вт
~3
80
5
10 (20*) А
SlмА(80В)
2Т7098
р-п-р -60 ...+125
2 (30*) Вт
~3
60
5
10 (20*) А
SlмА(60В)
1
1
2Т709А2
1
р-п-р -60 .. . +100
1 (30*) Вт
~3
100
5
10 (20*) А
Sl мА (100 В)
2Т70962
р-п-р -60 .. . +100
1 (30*) Вт
~3
80
5
10 (20*) А
SlмА(80В)
2Т70982
р-п-р
-60 ...+100
1 (30*) Вт
~3
60
5
10 (20*) А
SlмА(60В)
2Т713А
n-p-n
-60 ...+100
50* Вт
~1.5
2,5 кВ
6
ЗА
Sl мА (2,5 кВ)
1
1
1
i
1
1
1
1
1
2Т716А
n-p-n
-60..+125
30* Вт
~6
100
5
10 (20*) А
Sl мА (100 В)
2Т7166
п-р-п
-60 ...+125
30* Вт
~6
80
5
10 (20*) А
SlмА(80В)
2Т716В
n-p-n
-60 ...+125
30* Вт
~6
60
5
10 (20*) А
s1· мА (60 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
315
~
1
Ck,
rКЭн.1с' Ом
Кш1 дБ
tк, ПС
~
h21.• ь; ,э
с;2"•
r~эн.аL·' Ом
r;, Ом
f~atf НС
Корпус
!1
пФ
к:· .. дБ
Р;:,, Вт
t::кл' НС
,,
1
t::, нс
i
1
'
1
11
~20(1ОВ;50мА)
1
SЗ,5 (10 В)
~6.6**
s4 (1 ГГц)
-
2Т691-2
!1
!!
1
'
1
~t~
~!
1
"':>'
~
'Q
.....
6
1
~40(5В;0,1А)
!
-
S4
-
-
2Т693АС
1
1!
<fflffi'h3
'1
,___!! __ _
!:
,,
1
" 11rr1••
11
"
;шш1 ~
~
!
1•
;
10... 100* (15 В; 1 А)
s50 (20 В)
S2,5
2Т704
10... 100* (15 В; 1 А)
S50 (20 В)
S2,5
:rt~11
....
19.5
~500*(2А;5В)
SI
$4** мкс
2Т708
~750•(2А:5В)
SI
$4** мкс
~Еiк~з
~750*12А;5В)
sl
S4** мкс
~500*(5А;5В)
s230 (5 В)
S0,4
S4.5** мкс
2Т709
~750*(5А:5В)
S230 (5 В)
s0,4
$4,5** мкс
5No
~750*(5А;5В)
S230 (5 В)
s0.4
S4,5** мкс
~
....
~
~
~'
~500·15А;5в>
s250 (5 В)
S0,4
2Т709-2
~750•(5А;5В)
S250 (5 В)
s0,4
:ft
~750*(5А;5В)
S250 (5 В)
s0,4
ЭК5
5...20* (10 В; 1,5 А)
s0,66
Sl5* мкс
2Т713
27,1 ~
~No!/ ~.
~750*(5А;5В)
Sl50 (5 В)
s0,4
:>;7000**
2Т716
~750*(5А;5В)
Sl50 (5 В)
S0,4
S7000**
5'
~750*(5А;5В)
Sl50 (5 В)
s0,4
S7000**
~
....
~
~
~'

316
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Ркmах•
~•• (210•
UКБО npo0•
1
•коо•
lк max
1
Тип
Струк- Токр.1
Р~.тmах•
~;lэ•
U~ЭR npo6'
UЭБО max•
1
J~R'
1~.и max•
прибора
тура
·с
р~: и max•
с..
u~npoб•
в
мА
·~·
мВт
МГц
в
мкА
2Т716А-1
п-р-п
-60...+100
30* Вт
?:3
100
5
10А
~1 мА (100 В)
2Т716Б-1
п-р-п
-60 ...+100
30* Вт
?:3
80
5
10А
~1мА(80В)
2Т716В-1
п-р-п
-60...+100
30* Вт
?:3
60
5
10А
~1мА(60В)
1
1
1
1
1
!
1
~2Т718А
1
п-р-п 1 -60 ... +125 i
200* Вт
1
?:0,2
400
5
10(12*)А i ~0.2мА(400В)
J2Т718Б
п-р-п 1 -60 ...+125 i
200* Вт
?:0,2
1
300
5
1 10(12*)А 1 ~О.2мА(300В)
1
i
1
1
i
'
1
1
:
1
1
2Т803А
п-р-п -60 . .. +125
60* Вт
?:20
60* (О, 1к)
4
10А
~5* мА (70 В)
1
1
1
1
i
!
1
2Т808А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт (50°С)
?:8
120*
4
10А
~3* мА (120 В)
(250 имп.)
2Т808А-2
п-р-п
-60...+125
50* Вт
?:8
120•
4
10 (15*) А ~3* мА (120 В)
!
1
1
1
1
1
2Т809А
П:Р-П -60 ... +125
40* Вт (50°С)
?:5,1
400* (О,Оlк)
4
3А;5*А
~3* мА (400 В)
1
2Т812А
п-р-п 1-60... +125
50* Вт (50°С)
?:3
400* (0,Оlк)
6
10А;17*А 1 ~5*мА(700В)
2Т812Б
1 п-р-п
-60 ...+125
50* Вт (50°С)
?:3
300* (О,Оlк)
6
10А;17*А
~5* мА (500 В)
!
i
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т818А
р-п-р
-60 ...+125
40* Вт
?:3
100* (О,lк)
5
15А;20*А ~1*мА(100В)
2Т818Б
р-п-р
-60 ...+125
40* Вт
?:3
80* (О,lк)
5
15А;20*А
~l*мА(80В)
2Т818В
р-п-р
-60...+125
40* Вт
?:3
60* (О,lк)
5
15А;20*А
~1 *мА (60 В)
i
'
1
!
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
317
1
1
с.,
rкэ ик• Ом
Кш, дБ
tK• ПС
.
t~cf НС
!
ь.". ь;,э
с;2.•
r~Эиас' Ом
r;, Ом
Корпус
i
пФ
к~·", дБ
Р,:,, Вт
t;bllUlt НС
1
t::. нс
~500*(5А:5В)
:5150(5 В)
:50,4
-
:57000**
2Т716-1
~750*(5А;5В)
:5150 (5 В)
:50,4
-
:57000**
:ft
~750*(5А;5В)
:5150 (5 В)
:50,4
-
:57000**
ЗК6
~20(4В;2А)
-
:50,2
-
:52500*
2Т718
~20(4В:2А)
-
:50,2
-
:52500*
=t~
~
.
~
1
10...50* (10 В; 5 А)
:5500 (10 В)
0,5
-
:52500*
2Т803
:w.
~~ оз
10...50* (3 В: б А)
:5500 (IO В)
-
-
:52000*
2Т808
1
~§6
10...50* (3 В: б А)
:5500 (10 В)
:50,33
-
:52000*
2Т808-2
ф~ 1I
1/ \з
15...100* (5 В: 2 А)
:5270 (5 В)
:50,75
-
:53* мкс
2Т809
~tte
5...30* (3 в: в А) . :5100 (100 В)
:50,3
-
tcлsl ,3 мкс
2Т812
5...30* (3 В; 8 А)
:5100 (100 В)
:50,3
-
tc.11,;l,3 мкс
"'' ~
~Noii ~
~
'
-
к
~20*(5В;5А)
:5100 (5 В)
:50,2
-
:52500**
2Т818
~20*(5В;5А)
:5100 (5 В)
:50,2
-
:52500**
~о•(5В;5А)
:5100 (5 В)
:50,2
-
:52500**
"'' ~
~Noii ~
~
'
-
к

318
Тип
прибора
2Т818А-2
2Т818Б-2
~2Т818В-2
,,
~
1
~
2Т819А
2Т819Б
2Т8198
~
12Т819А-2
2Т819Б-2
2Т819В-2
2Т824А
2Т824Б
11
1',1
2Т824АМ
2Т824БМ
2Т825А
2Т825Б
2Т8258
i
j
1
2Т825А-2
2Т825Б-2
2Т825В-2
1
2Т825А-5
1
1
Струк-1·
тура
1
Токр.,
·с
pKin.tx'
Р~.тmах'
р~~ и maxt
мВт
i
1
1
1
1
1
1
!
'
';
:
~
1
1
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1
-60 ...+100
' -60 ...+100
1 -60 ...+100
i
!
'
1
!
40* Вт
40* Вт
40* Вт
п-р-п -60 . .. +125
100* Вт
п-р-п -60...+ 125
100* Вт
п-р-п -60 ... + 125
100* Вт
1
п-р-п 1-40. .. +100 1
40* Вт
п-р-п -40 . .. +100 1
40* Вт
п-р-п 1-40. .. +1001
40* Вт
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
1
1
!1
'1
п-р-п i -60 . .. +125
50* Вт
п-р-п
-60...+125
50* Вт
р-п-р
-60 ...+125
3 Вт; 125* Вт
р-п-р -60 . .. +125
3 Вт; 125* Вт
р-п-р
-60...+125 1 3Вт: 125*Вт
'
1
1
1
!
р-п-р
-60 ...+100
1Вт;30*Вт
р-п-р
-60 ...+100
1Вт;30*Вт
р-п-р -60 . .. +100
1Вт:30*Вт
1
1
р-п-р i-60 ...+1001 3 Вт; 125* Вт
:
i
1
1
1
1
1
1
~•• f.:210•
(;lэ'
~:;х,
МГц
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3.5
~3.5
~3.5
~3.5
~4
~4
~4
~4
~4
~4
i
1
1
1
i
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО про<>'
U~ЭRпро6'
u;;o про6•
в
100* (0,lк)
80* (О,lк)
60* (О,lк)
100
80
60
100
80
60
400
350
400
350
100* (!к)
80* (1 к)
60* (1 к)
100* (!к)
80* ( 1к)
60* ( 1к)
100* (1 к)
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
UЭБOm.axt
в
5
5
5
5
5
5
5
5
5
7
7
7
7
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
IKmax
J~,и maxt
мА
15А:20*А
15А:20*А
15А:20*А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
IOA; 17* А
10А:17*А
10А;17*А
10А:17*А
!
120А(40*А)
!20А(40*А)
120А(40*А)
1
1
1
!
15А(30*А)
15А(30*А)
15А(30*А)
20А(40*А)
!
i
1
1
1
1
!
!
!
i
1
1
•коо•
·~ЭR•
I~эо•
мкА
:51*мА(100В)
:51* мА (80 В)
:51* мА 160 В)
:51*мА(100В)
:51*мА(80В)
:51*мА(60В)
:51* мА 1100 В)
:51* мА (80 BI
:51* мА (60 В)
:55 мА (700 В)
:55 мА (500 В)
:55 мА (700 В)
:55 мА (500 В)
:51 мА (100 BI
:51мА180 В1
:51мА160 В1
:51 мА (100 В)
:51 мА (80 В)
:51 мА (60 В)
:51мА1100 В)
~
1
,1
~/,
;
i
~,,
~:1
.!
·1
1
'

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
319
с.,
Гкэмас• Ом
Кw,дБ
tKt ПС
h21•' ь;,э
с;2,•
r~Энас• Ом
r~, Ом
t;,.,.• нс
Корпус
пФ
К~~•• дБ
Р;:х• Вт
t::IUll НС
t~:. нс
1
~20*(5В:5А)
SIOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
2Т818-2
~20•(5В:5А)
SIOO(5В) 1
S0,2
-
1
S2500**
1
~ft
! ~20•(5В:5А)
1SIOO(5В)
S0,2
-
S2500**
~
D
ЗК6
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
2Т819
~20*(5В:5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
~20*(5В:5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
s2500**
п1~
!
~No~ ~
1
1
,.:;
.
-
к
1
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
1
S2500**
1
2Т819-2
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
~ft
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
s2500**
~
D
ЗК6
~5*(8А;2,5В)
1 S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
2Т824
~5*(8А;2,5В)
S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
•
1
~ltII
'
1
-
к
.
!
g::
.
t:: 19.5
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
~5*(8А;2,5В)
S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
2Т824М
~5*(8А;2,5В)
S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
~lt
~
~ !ё>
1
1
к
1
1
500".18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В)
s0,2
-
1
S4.5** мкс
1
2Т825
750... 18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс
750".18000* (10 А; 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс
п1~
~ffl~ ~.
500.. .18000* (IO А; 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс
2Т825-2
750... 18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В)
s0,2
-
S4,5** мкс
t0.7
11,8
11
750".18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс !
j
1
1
....
1
1
1
!
~
i
'
1
1
1
~
'
1
1
1
D
1
!
1
6КЗ
1
i
1
1
1
500... 18000* (10 А; 10 В) sбОО (IO В)
S0,2
-
1 S4,5** мкс
2Т825-5
1ВТ
i

320
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• t.:210•
UКБО проб'
lк max
JКБО'
Тип
Струк- Токр.•
Р~. т max•
t1э•
U~R проб' UЭБОmах• 1~.и max•
I:СЭн'
прибора
·с
р~: и max•
с
u~проб•
в
1;эо,
тура
х•
мА
мВт
МГц
в
'мкА
2Т826А
п-р-п 1 -60 ". +125
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
S2* мА (700 В)
2Т826Б
п-р-п i -60 ". +125
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
s2* мА (700 В)
2Т826В
1
п-р-п 1-60" . +125 ! 15* Вт (50°С)
~6
700* (0,01 к)
5
1А
s2• мА (700 В)
1
2Т826А-5
п-р-п
-60 .. . +125
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
lA
S2 мА (700 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т827А
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
100* (lк)
5
20 (40*) А
3* мА (100 В)
2Т827Б
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
во• (lк)
5
20 (40*) А
3* мА* (80 В)
2Т827В
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
60* (lк)
5
20 (40*) А
3* мА* (60 В)
2Т827А-5
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
100
5
20 (40*) А
s3 мА (100 В)
2Т827А-2
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
100
5
20 (40*) А
s3 мА (100 В)
2Т827Б-2
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
80
5
20 (40*) А
s3мА(80В)
2Т827В-2
п-р-п
- 6 0".+125
125* Вт
~4
60
5
20 (40*) А
s3мА(60В)
.
1
2Т828А
п-р-п
- 60".+125
50* Вт (50°С)
~4
800* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
S5* мА (800 В)
2Т828Б
п-р-п
- 60".+125
50* Вт (50°С)
~4
600* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
S5* мА (600 В)
2Т830А
р-п-р
- 60".+125
1Вт
~4
35
5
2А;4*А
SlOO (35 В)
2Т830Б
р-п-р
- 60".+125
1Вт
~4
60
5
2А;4*А
SlOO (60 В)
2Т8308
р-п-р
- 60".+125
1Вт
~4
80
5
2А;4*А
slOO (80 В)
2Т830Г
1 р-п-р
- 60".+125 J
1Вт
~4
100
5
2А;4*А
SlOO (80 В)
1
1
2Т830В-1
р-п-р
- 60".+100
1 (5*) Вт
~4
80
5
2А;4*А
SIOO (80 В)
2Т830Г-1
р-п-р
- 60".+100
1 (5*) Вт
~4
100
5
2А;4*А
SIOO (80 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
10 ... 120* (IO В; 0,1 А) S25 (100 В)
!10...120* (10 В; 0,1 А) 1 S25 (100 В)
10... 120* (10 В: 0,1 А) 1 S25 (100 В)
10 ... 120* (10 В; 0,1 А) S25 (100 В)
750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (IO В)
750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (IO В)
750.. .18000* (3 В: 10 А) s400 (IO В)
750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В)
750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В)
750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (10 В)
750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В)
~2.25* (5 В; 4,5 А)
~2.25* (5 В: 4.5 А)
25...55* (1 А; 1 В)
25...55* (1 А; 1 В)
25...55* (1 А; 1 В)
20...50* (1А; 1 В)
25...200• (1 А; 1 В)
25...200* (1 А; 1 В)
21 зак. 9
Sl50 (5 В)
sl50 (5 В)
sl50 (5 В)
Sl50 (5 В)
Sl50 (5 В)
sl50 (5 В)
rкэнас• Ом
r~нас' Ом
к~· •. дБ
s5
s5
s5
s5
so.2
S0,2
S0,2
so.2
s0,2
so.2
S0,2
S0,66
S0,66
S0,6
S0,6
S0,6
s0,6
S0,6
S0,6
Кw,дБ
r~, Ом
Р;~х• Вт
't'K, ПС
~;..,.нс
t~~ltJll НС
talUll НС
tcnS1500
tcnS700
tcnS1500
S4,5* мкс
s4,5* мкс
S4,5* мкс
6** мкс
6** мкс
6** мкс
SlO* мкс;
tcnSI ,2 МКС
SIO* мкс;
tcnSI ,2 МКС
sl*мкс
SI*мкс
Sl*мкс
SI *мкс
Sl* мкс
Sl *мкс
321
Корпус
2Т826
2Т826-5
2Т827
27.1 ®
~ewi ~-
.. ..
.
-
к
2Т827-5
2Т827-2
2Т828
27.1 ®
~ewi ~-
.. ..
.
-
к
2Т830
2Т830-1
~Щ iJ
1/\э~

322
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i1
Ркmах'
..... t •..
UK60opo6•
\uв-·\ 1
lкоо,
1 Струк-.
Iк ...,
1
Тип
Токр.1
р~ т max•
(;.~,
u~ .....
1;. м max•
·~·
прибора
1
1
·с
Р.Zмmп'
с.
u~ .....
1··
тура
мА
кэо•
мВт
мrц
в
1
мкА
2Т831А
n-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
30* (lк)
5
2А;4*А
~100 (35 В)
2Т831Б
п-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
50* (lк)
5
2А;4*А
~100 (60 В)
2Т831В
п-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
70* (lк)
5
2А;4*А
~100 (80 В)
2T83lr
п-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
90* (lк)
5
2А;4*А
~100 (80 В)
11
1
1
1
1
1
1
!
1
i
1
2Т831В-1 1 п-р-п
-60 ...+100 1
1Вт
<::4
70* (1 к)
5
2А;4*А
1
~100 (80 В)
2T83lr-l
1 п-р-п
-60...+100
1Вт
<::4
90* (lк)
5
2А;4*А
~100 (80 В)
1
2Т832А
п-р-п
-60...+125
10* Вт
6
1000*(100м)
7
100
-
2Т832Б
п-р-п
-60...+125
10* Вт
6
800*(100м)
7
100
-
1
1
i
1
1
1
1
2Т834А
п-р-п l -60 ... +125
100* Вт
<::4
500* (0,lк)
8
15(20*)А 1 ~3*мА(500В)
2Т834Б
п-р-п 1 -60 ... +125
100* Вт
<::4
450* (О.lк)
8
15 (20*) А
~3* мА (450 В)
2Т834В
п-р-п
-60 ...+125
100* Вт
<::4
400* (0,lк)
8
15 (20*) А
~3* мА (400 В)
2Т836А
р-п-р -60 .. . +125
0.7 (5*) Вт
<::4*
90
5
3А(4*А) 1 ~.1мА(90В)
1
2Т836Б
р-п-р
-60 ...+125
0,7 (5*) Вт
<::4*
85
5
3А(4*А) 1 ~.1мА(85В)
2Т836В
р-п-р
-60...+125
0,7 (5*) Вт
<::4*
85
5
3А(4*А) 1 ~0.1мА(85В)
2T836r
р-п-р
-60...+125
0,7 (5*) Вт
<::4*
60
5
3А(4*А) 1 ~.1мА(60В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т836А-5
р-п-р
-60...+125
0,7 Вт
<::4*
90
5
3А(4*А)
~О.1 мА (90 В)
2Т837А
1 р-п-р
-60...+100
30* Вт
<::3
80
15
8А
~5мА(80В)
2Т837Б
1 р-п-р
-60...+100
30* Вт
<::3
60
15
8А
~5мА(60В)
2Т837В
1 р-п-р
-60...+100
30* Вт
<::3
45
15
8А
~5мА(45В)
1
2T837r
1 p-n-p
-60...+100
30* Вт
<::3
80
5
8А
~5мА(80В)
2Т8370
1
р-п-р
-60 ...+100
30* Вт
<::3
60
5
8А
~5мА(60В)
2Т837П
р-п-р 1 -60... +100
30* Вт
<::3
45
5
8А
~5· мА (45 В)
1
2Т839А
п-р-п
-60 ...+100
50* Вт
5
1500
5
10 (10*) А ~1 мА (1500 В)
1
1
1
i
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
323
>
1
1
1
'
rкэ ""' Ом
't'K, ПС
~
ck,
Кw,дБ
;
t~,. нс
h21.• ь;,э
с;2.•
r;э нас' Ом
r;, Ом
Корпус
пФ
к~: .. дБ
Р;:,, Вт
t~:... , нс
t:,, нс
25...200* (1А; 1 BJ
s150 (5 В)
s0,6
-
sl *мкс
2Т831
25...200* (1А; 1 В)
s150 (5 В)
s0,6
-
Sl *мкс
:t_i1Фз
25...200* (! А: 1 BJ
S150 (5 В)
$0,6
-
$1 *мкс
25...150* (1 А: 1 В)
s150 (5 В)
s0,6
-
$1 *мкс
1
i
1
1
1
1
1
i
j
1
1
1
25...200* (1 А; 1 В)
s150 (5 В)
s0.6
-
sl *мкс 1
2Т831-1
25...200* (1 А; 1 BJ
S150 (5 В)
$0,6
-
$1 *мкс
~~1
6/ \з
10... 50* (30 мА; 10 В)
20(5В)
-
-
-
2Т832
10... 50* (30 мА; 10 В)
20(5В)
-
-
-
1
nt~
~ffli ~.
1
150...3000* (5 В; 5 А)
-
S0.13
-
tcnSl,2 МКС
2Т834
150...3000* (5 В; 5 А)
-
s0,13
-
tcnSl,2 МКС
2/1 i)
150...3000* (5 В; 5 А)
-
$0,13
-
tcnSl,2 МКС
~No- ~
..;;
.
-
к
1
20... 100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,3
-
Sl,6** мкс
2Т836
20... 100• (2 А: 5 В)
S370 (5 В)
$0,18
-
Sl,6** мкс
;fiкФз
20... 100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,18
-
Sl,6** мкс
1 20...100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,22
-
Sl,6** мкс
1
20... 100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,3
-
Sl,6** мкс
2Т836-5
1
1
~шт
1
1
1
1
15... 120* (5 В: 2 А)
-
s0.3
-
$1 ** мкс
1
2Т837
30...150* (5 В;2А) 1
-
$0,3
-
$1 ** мкс
1
40...180* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
$1 ** мкс
:ft
15... 120* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
$1 ** мкс
30... 150* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
$1 ** мкс
40... 180* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
sl ** мкс
ЗК6
~5* мА (1500 В)
240 (10 В)
$0,375
-
SlO* мкс;
2Т839
tcnSl ,5 МКС
п1~
~ffli ~.
21·

324
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~· \210•
UКБО npoO•
lк max
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmах'
~l::tf
U~Rnpo6• Uэоо max'
1;.н max'
l~н•
прибора
·с
р~: н max'
с;х,
u~npo6•
в
1··
тура
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т841А
1 п-р-п 1-60.. . +1251
3 (50*) Вт
<::10
600
5
10 (15*) А
s3 мА (600 В)
2Т841Б
1 п-р-п
-60 ...+125
3 (50*) Вт
<::10
400
5
10 (15*) А
1
s3 мА (400 В)
1
2Т841В
1
п-р-п 1-60. . . +1251
3 (50*) Вт
<::10
800
5
10 (15*) А
s3 мА (800 В)
1
1
1
1
2Т841А-1
п-р-п
-60 ...+100
30* Вт
<::10
600
5
10 (15*) А
s3 мА (600 В)
2Т841Б-1
п-р-п
-60 ...+100
30* Вт
<::10
400
5
10 (15*) А
s3 мА (400 В)
1
1
1
1
1
2Т842А
1 р-п-р 1-60.. . +1251
3 (50*) Вт ! <::20
300
5
5(8*)А 1 SlмА(300В)
2Т842Б
1
р-п-р !-60 ...+125 1 3 (50*)Вт 1
<::20
200
5
5(8*)А
sl мА (200 В)
!
1
2Т842А-1
р-п-р
-60 ...+100
30* Вт
<::10
300
5
5(8*)А
sl мА (300 В)
2Т842Б-1
р-п-р
-60 ...+100
30* Вт
<::10
200
5
5(8*)А
SI мА (200 В)
1
2Т844А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт (50"С)
<::7,2
250* (О,Оlк)
4
10 (20*) А s3* мА (250 В)
2Т845А
п-р-п
-60 ...+125
40* Вт (50"С)
<::4,5
400* (0,Оlк)
4
5 (7,5*) А
s3* мА (400 В)
2Т847А
1
п-р-п
-60 ...+100
125* Вт
<::15
650*
8
15А
s5 мА (650 В)
(10 Ом)
2Т847Б
п-р-п
-60 ...+100
125* Вт
<::15
400**
8
15А
s5 мА
2Т848А
п-р-п
-60 ...+125
35* Вт
<::3
400*
7
15А
s250* (400 В)
1
2Т856А
1 п-р-п
-60...+125
75* Вт
<::10
1000
5
10 (12*) А s3 мА (1000 В)
2Т856Б
п-р-п -60 ...+125
75* Вт
<::10
800
5
10 (12*) А
s3 мА (800 В)
2Т856В
п-р-п
-60 ...+125
75* Вт
<::10
600
5
10 (12*) А
s3 мА (600 В)
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
325
~
tк, ПС
'
ck,
rКЭн;кt Ом
Кш, дБ
~
f~ct НС
i
h2," ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
Корпус
пФ
к:~ .. дБ
P;~xt Вт
t::клt НС
t::, нс
;е:12* (5 В; 5 А)
s300 (10 В)
s0,3
-
slOOO*
2Т841
;е:12* (5 В; 5 А)
s300 (10 В)
s0,3
-
$1000*
2'1 ®
;е:12* (5 В; 5 А)
s300 (10 В)
s0,3
~fflii ·~
.. :;
.
-
к
;e:IO* (5 В; 5 А)
sl85 (iO В)
s0,3
-
$1*мкс
1
2Т841-1
;e:IO* (5 В; 5 А)
sl85 (10 В)
s0,3
-
sl*мкс
:ft
бКЗ
;е:15* (4 В; 5 А)
s400 (10 В)
s0,36
-
800*
2Т842
;е:15* (4 В; 5 А)
s400(1ОВ)
$0,36
-
800*
27.1 ®
~fflii ~·
..:;
.
-
к
!
;e:IO* (4 В; 5 А)
s400 (10 В)
$0,36
-
2,2* мкс
2Т842-1
;e:IO* (4 В; 5 А)
s400 (10 В)
$0,36
-
2,2* мкс
:fjtбКЗ
10...50* (3 В; 6 А)
s300(10В)
s0,4
-
S2000*
2Т844, 2Т845
.~1 ®
~fflii ·~
15... 100* (5 В; 2 А)
s45 (200 В)
$0,75
-
$4000*
.. :;
.
-
к
8...25* (3 В; 15 А)
S200 (400 В)
$0,1
-
s3000*
2Т847, 2Т848
8...25* (3 В; 15 А)
s200 (400 В)
$0,1
-
$3000*
27.1 [V,
~fflii ~·
;е:2О• (5 В; 15 А)
-
$0,2
-
-
..:;
.
-
к
10...30* (5 А; 5 В)
slOO (90 В)
s0,3
-
$2* мкс
2Т856
10...60* (5 А; 5 В)
slOO (90 В)
:-;;О,3
-
$2* МКС
~Em
5
10...60* (5 А; 5 В)
:<;;100 (:ЭО В)
:-;;О,3
-
$2* мкс
т
С\8 ~
•
1
1с>
1
~'
-
о
~
~
/jкз

326
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
t,,,. (216'
UКБ0про6•
lк max
JКБО•
Тип
Струи- Токр.,
Р~. т max•
(;lэ•
U~Rnpo6• UЭБО max•
1;.н max•
·~R•
прибора
тура
·с
р~~ нmax•
(n:x•
u~ .....
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т856Г
1 п-р-п 1-60... +100
75* Вт
~10
1
900
5
10 (12*) А
s3мА(900BJ 1
!
1
1
1
1
i
1
1
1
1
2Т860А
р-п-р
-60 ... +100
1 (10*) Вт
~10
90
5
2А(4*А)
sO,l мА (90 В)
2Т860Б
р-п-р
-60 ... +100
1 (10*) Вт
~10
70
5
2А(4*А)
SO,l мА (70 В)
2Т860В
р-п-р
- 60 ... +100
1 (10*) Вт
~10
40
5
2А(4*А)
SO,l мА (40 В)
1
1
1
1
1
!
!
1
'
1
1
1
i
1
i
!
1
1
1
1
2Т861А
п-р-п
-60 ... +125
1 (10*) Вт
~10
90
5
2А(4*А)
sO.l мА(90В)
2Т861Б
п-р-п
- 60 ... +125
1 (10*) Вт
~10
70
5
2А(4*А)
sO.l мА (70 В)
2Т861В
п-р-п
-60 ... +125
1 (10*) Вт
~10
40
5
2А(4*А)
sO,l мА (40 В)
2Т862А
! п-р-п
-60 ... +125
70* Вт
~20
450
1
5
15А(25*А) 1 s2.5мА(300BI
!
!
1
1
i
~
'
'
1
1
i
1
1
!
!
1
1
1
1
2Т862Б
п-р-п
-60... +125
50* Вт
~20
450
5
15А;25*А S2,5мА(300В)
2Т862В
п-р-п
- 60 ... +125
50* Вт
~20
600
5
lOA; 15* А
S3 мА (600 В)
2Т862Г
п-р-п
- 60 ... +125
50* Вт
~20
600
5
lOA; 15* А
S3 мА (600 В)
1
1
1
1
1
1
1
'
i
2Т866А
п-р-п 1-60... +125
30 Вт (50"С)
25
200
1
4
1 15А:20*А 1 S25мА(100В)
1
1
1
i
!
·1
1
1
!
1
!
1
1
2Т867А
п-р-п
- 60 ... +125
100* Вт
25
200
7
25А(40*А)
S3 мА (250 В)
:
1
1
1
!
1
2Т874А
i п-р-п
-60 ... +125
75* Вт
20
150
5
30А;50*А i s3мА(150В)
1
2Т874Б
1 п-р-п
-60... +125
75* Вт
20
150
5
30А:50*А 1 s3мА(150В)
1
i
!
1
1
!
-

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
321
1
ck,
rкэнк• Ом
К", дБ
т., ПС
h2," ь;,э
с;2.•
r~"""' Ом
r;, Ом
t;,.., нс
Корпус
пФ
к;•. д.Б
Р,:., Вт
t:,.., нс
t:;., нс
10...30* (5 А; 5 В)
S:IOO (90 В)
~.3
-
$2* мкс
2Т856
~~t
с-.,~
ln
";\(
о
6КЗ
40.. .160* (1 А: 2 В)
s:l50 (5 В)
s:0,35
-
s:I** мкс
2Т860
50...200* ( 1 А; 2 В)
s;150·(5 В)
s:0,35
-
S:I ** мкс
;tфкфз
80...300• <1 А; 2 в>
S:l50 (5 В)
s:0.35
-
s:I ** мкс
1
40... 160* (1 А; 2 В)
s:l50 (5 В)
s:0,35
-
S:I** мкс
2Т861
50...200* (1 А; 2 В)
S:l50 (5 В)
s:0,35
-
S:I** мкс
:ЕiкФз
80...300* (1 А; 2 В)
s:l50 (5 В)
s:0,35
-
s:I ** мкс
1 10...100* (15 А; 5В) 1 s:300 (30В)
s:0,13
-
S:I * мкс
2Т862
1
ЛI®
~Noi~
~
.
-
к
10.. .100* (15 А; 5 В)
s:300 (30 В)
s:0,13
-
s:I * мкс
2Т862
12...50* (5 А; 5 В)
$250 (10 В)
s:0,19
-
S:2* мкс
t•
12...50* (5 А; 5 В)
s:250 (10 В)
S:0,13
-
$2* мкс
з
·6
~
1
"
~'"
1
1
15.. .100* (10 А; 10 В) s:400 (10 В)
s:0,15
-
S:450**
2Т866
....
.,... з
6
t•
....
~ 2l2
12...100* (20 А; 5 В)
S:400 (10 В)
~.08
-
S:l,3* мкс
2Т867
1
t•
....
.,... з
6
-
~ 21,2
15...50* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
s:0,04
-
s:0,5* мкс
2Т874
10...40* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
s:0,04
-
s:0,5* мкс
t•
....
.,... з
6
....
~ 21,2

328
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maxt
~. (216•
UКБОnро0•
lк max
lкво,
Тип
Струи- Токр.,
Р~. т maxt
1i:;.~,
U~Rnpo0• UЭБО maxt
1;,н max•
l~н•
прибора
·с
р~: н max•
с·
u~ .....
в
1··
тура
ах'
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т875А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А;15*А 1 s3мА(90В)
2Т8756
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
70
5
10А;15*А
S3мА(70В)
2Т875В
1 п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
50
5
10А;15*А
s3мА(50В)
2Т875Г
1
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А;15*А
s3мА(90В)
2Т876А
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А(15*А)
s3мА(90В)
2Т8766
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
70
5
10А(15*А)
s3мА(70В)
2Т876В
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
50
5
10А(15*А)
S3мА(50В)
2Т876Г
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А(15*А)
S3мА(90В)
2Т877А
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::100
во
5
20А(10*А)
SI* мА (ВО В)
2Т8776
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::100
60
5
20А(10*А)
sl *мА (60 В)
2Т877В
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<?:100
40
5
20А(10*А)
SI *мА (40 В)
2Т878А
1 п-р-п
-60...+125
10* Вт
<::10
воо
6
25А(30*А)
s3 мА (ВОО В)
2Т8786
1 п-р-п 1-60 ...+125
10* Вт
<::10
600
6
25А(30*А)
S3 мА (600 В)
2Т878В
1 п-р-п !-60 ...+125
10* Вт
<::10
900
6
25А(30*А)
S3 мА (900 В)
2Т879А
п-р-п
-60 ...+125
250* Вт
<::10
200
6
50А(75*А)
s3 мА (200 В)
2Т8796
п-р-п -60 .. . +125
250* Вт
<::10
200
6
50А(75*А)
S3 мА (200 В)
2Т880А
р-п-р -60 .. . +125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
1
s0,2 мА (100 В)
2Т8806
р-п-р
-60 ...+125
5* Вт
<::30
во
6
2А(4*А)
1
s0,2 мА (ВО В)
2Т880В
р-п-р -60 .. . +125
5* Вт
<::30
50
6
2А(4*А)
s0,2 мА (50 В)
2Т880Г
1
р-п-р
-60 ...+125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т880А-5
п-р-п
-60 ...+125 О,В Вт; 5* Вт
<::30
100
4,5
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т880&-5
п-р-п
-60 ...+125
О.В Вт; 5* Вт
<::30
во
4,5
2А(4*А)
s0,2 мА (ВО В)
1
2Т881А
1 п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т881&
1 п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
во
6
2А(4*А)
s0,2 мА (ВО В)
2Т881В
1
п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
50
6
2А(4*А)
s0,2 мА (50 В)
2Т881Г
п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т881А-5
п-р-п
-60 ...+125
О,В Вт
<::30
100
4,5
2А(4*А)
s200 (100 В)
2Т8816-5
п-р-п
-60 ...+125
О.В Вт
<::30
во
4,5
2А(4*А)
s200 (ВО В)
1
2Т882А
п-р-п 1-60.. . +100
10* Вт
<::20
400
6
1А(2*А)
sO.I мА (400 В)
2Т882&
п-р-п
-60 ...+100
10* Вт
<::20
300
6
1А(2*А)
sO,I мА(300В)
2Т882В
п-р-п
-60 ...+100
10* Вт
<::20
250
6
1А(2*А)
SO,I мА (250 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
329
с"
rкэнас• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h2," ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
г~, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к~·•. дБ
Р;~х' Вт
t::клt НС
t::, нс
80...250* (5 8; 5 А)
910 (10 8)
$0,1
-
400**
2Т875, 2Т876
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
400**
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
400**
40."160* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
400**
27.1 [V
~Noi ·~
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
$1 ** мкс
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
$1 ** мкс
. .,;'
'
80".250* (5 8; 5 А)
910 (10 8)
$0,1
$1 ** мкс
-
к
-
~15*(58;5А)
910 (10 8)
$0,1
-
$1** мкс
750".10000*(10 8; 10 А) 830 (20 8)
$0,2
-
0,75* мкс
2Т877, 2Т878
2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 8)
$0,2
-
0,75* мкс
2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 В)
50,2
-
0,75* мкс
27.1 [V
~Noi ·~.
12."50* (5 8; 10 А)
s:SOO (10 8)
$0,1
-
$3* мкс
12".50* (5 8; 10 А)
5500 (10 В)
$0,1
-
$3* мкс
12."50* (5 В; 10 А)
S500 (10 В)
$0,1
-
:<;;3* мкс
~20*(20В;4А)
:<;;800 ( 10 В)
$0,06
-
$1,2* мкс
2Т879
~15*(208;4А)
:<;;800 (10 8)
$0,1
-
$1,2* мкс
=tt ~
~~
'
с-..
80".250* (1В; 1А)
:<;;200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
2Т880
80".250* (18; 1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
;tfкфз
80".250* (18; 1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
40."160* (1 В; 1 А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
80".250* (18; 1 А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
2Т880-5
80".250* (1В; 1А)
:<;;200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
~mr
80".250* (1В; 1А)
5200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
2Т881
80".250* (1 В; 1 А)
:-;;200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
:ЕiкФз
80".250*(1 8;1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
40."160* (1 8; 1 А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
80".250*(1 В; 1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
500*
2Т881-5
40."160* (1 8; 1 А)
:<;;200 (5 8)
50,35
-
500*
~mr
~15* (5 8; 0,5 А)
550 (5 8)
$2
-
$3* мкс
2Т882
~15* (5 В; 0,5 А)
:<;;50 (5 8)
$2
-
53* мкс
70,G5
tB
~15* (5 8: 0.5 А)
:<;;50 (5 8)
$2
-
$3* мкс
wт6КЭ

330
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Pкmaxt
1,,,. ~216•
UКБОпроО•
lкmax i
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~. т maxt
~;lэt
u~. ороО• UЭБOmaxt ·~.и max'
·~..
прибора тура
·с
р~ и maxt
с;х,
u~npoO•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т883А
p-n-p
-60 ...+100
10* Вт
~20
300
5
1А(2*А)
::>0,1 мА (300 В)
2Т883Б
p-n -p
-60 ...+100
10* Вт
~20
250
5
1А(2*А)
::>0,1 мА (250 В)
i
1
1
2Т884А
n-p -n
- 60 ".+125
15* Вт
~10
800
5
2А(5*А)
::>0,2 мА (800 В)
2Т884Б
n-p -n
-6 0" .+125
15* Вт
~10
600
5
2А(5*А)
::>0,2 мА (800 В)
2Т885А
1 n-p -n 1-60 ". +125
150* Вт
~15
400*
5
40А(60*А) 1 ::>1мА(500В)
2Т885Б
1
n-p -n
- 60 ".+125
150* Вт
~15
500*
5
40А(60*А)j ::>1мА(500В)
1
1
1
1
1
2Т886А
n-p -n
- 60 ."+125
175* Вт
~10.5
1400
7
10(15*)А ! :>О,1* мА(1000 В)
2Т886Б
n-p -n
-6 0" .+125
175* Вт
~10,5
1000
7
10 (15*) А :50,1 * мА (\ООО В)
1
1
1
1
;
2Т887А
р-п-р -60" .+125 75* Вт (750**)
~15
700
5
2 А; (5*) А ::>0,25 мА (700 В)
2Т887Б
1 р-п-р
- 60 ".+125 75* Вт (750**)
~15
600
5
2 А; (5*) А :50,25 мА (700 В)
1
2Т888А
р-п-р -60" .+125
7* Вт
~15
900
7
100 (200*)
::>10 мА (900 В)
2Т888Б
p-n -p
- 60 ".+125
7* Вт
~15
600
7
100 (200*)
:510 мА (600 В)
1
1
1
1
1
!
1
2Т891А
n-p -n
- 60 ".+125 150* Вт (60**)
~12
250* (0,Оlк)
7
40А;60*А
::>2 мА (250 В)
2Т903А
n-p -n
-6 0" .+125 30* Вт (60**)
~120
60 (80 имп.)
4
3А;(5*)А
::>2* мА (70 BJ
2Т903Б
1
n-p -n J -60 ".+125 30* Вт (60**)
~120
60 (80 имn.)
4
3А;(5*)А
::>2* мА (70 В)
1
1
1
1
1
1
1
t
2Т904А
n-p -n
- 60 ".+125
7* вт (40°С)
~350
65* (О,lк)
4
0,8 {1,5*) А
::>1*мА(65В)
i
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
'
1
i
~25* (10 В: 0.5 А)
~25* (10 В: 0.5 А)
1 570(5В) 1
i570(5В) !
!
i
~25* (5 В; 0.3 А)
~25* (5 В; 0,3 А)
~12*(5В:20А)
~12*(5В:20А)
1
560 (5 В)
560 (5 В)
1
1
1
1
560 (5 В)
560 (5 В)
6".25*(10В;2А) 15135(10В)
6".25* (10 В; 2 А)
5135 (10 В)
20...120* (9 В: 1А)
5400 (10 В)
20".120* (9 В; 1 А)
5400 (10 В)
30...120* (3 В; 30 А)
5400 (10 В)
30...120* (3 В; 30 А)
5400 (10 В)
20...50• (4 В: 5А) 1 5400 (100 В)
15... 70* (10 В; 2 А)
5180 (30 В)
40... 180* (10 В; 2 А)
5180 (30 В)
~10* (5 В; 0,25 А)
52,6 (28 В)
rкэ нас• Ом
r~•ac• Ом
к::"' дБ
53,6
53.6
50,27
50,27
50,08
50,08
50.25
50,25
51,4
51,4
550
550
50,03
51,25; ~3**
51,25; ~3**
55; ~2.5**
Кw1 д6
r;, Ом
Р;:.. Вт
~10** (50 МГц)
~10** (50 МГц)
~3** (400 МГц)
1
1
1
1
1
tltl пс
~;..,.нс
t-:11.11 ' нс
t:;., НС
55,2* мкс
55,2* мкс
53* мкс
53* мкс
52* мкс
52* мкс
53500*
53500*
55000*
55000*
53000*
53000*
51000*
5500*
5500*
331
Корпус
2Т88З, 2Т884
~rm-t
~m
2Т885
1
2Т886
2Т888
1
2Т891
2Т90З
2Т904

332
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струи-
Ркmах'
~. 'i:21••
Uк~nроб•
lк max
•коо•
Тип
Токр.,
p~тmaxt
(;lэ'
U~Rnpo6• UЭБО max•
1;.н max•
·~R'
прибора 1 тура
·с
PtZ к maxl
с:..
u~ .....
в
·~·
1
мВт
Мfц
в
мА
1
мкА
1
2Т907А
1
п-р-п -60 ... +125
16* Вт
~350
65" (0,1 к)
4
1(3*)А 1 52*мА(65В)
1
2Т908А
п-р-п
- 60 ... +125
50* Вт (50°С)
~30
НЮ* (0,Оlк)
5
10А
525* мА (100 В)
1
1
2Т909А
п-р-п -60 ... +125
27** Вт
~350
60* (О,Оlк)
3,5
2(4*)А
525* мА (60 В)
2Т9096
п-р-п
-60 ...+125
54** Вт
~500
60* (О,Оlк)
3,5
4(8*)А
530* мА (60 В)
2Т9101АС
п-р-п l-60 ... +1255
130* Вт
~350
50
4
7,5 А
530 мА (50 В)
1
1
2Т9102А-2
п-р-п
-60 ...+125
10** Вт
~1.35 ГГц
45
3,5
0,7 А
510 мА (45 В)
2Т91026-2
п-р-п
- 60 ... +125
5** Вт
~1.35 ГГц
45
_3,5
0,35 А
55мА(45В)
2Т910ЗА-2 n-p-n
-60 ...+125
16,4** Вт
-
25
2
1,1 А
57 (25 В)
2Т910ЗБ-2
п-р-п
-60 ...+125
16,4** Вт
-
25
2
1,1 А
57 (25 В)
2Т9104А
п-р-п -60 . .. +125
10** Вт
~600
50
4
1,5 А
510 мА (50 В)
2Т91046 1 п-р-п -60 .. . +125
23** Вт
~600
50
4
5А
520 мА (50 В)
1
2Т9105АС
п-р-п -60 ... +125
160* Вт
~660
50* (10 Ом)
4
16А
5120* мА (50 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
333
ck,
rкэим:• Ом
Кw1 дБ
t'., пс
h2," ь;,э
с;2.•
r~ .... Ом
r;, Ом
t;,.., НС
Корпус
пФ
к~:.. дБ
Р;~•• Вт
t:.IUlt НС
t::., нс
~IO* (5 В: 0,4 А)
520 (30 В)
54; ~2**
~8** (400 МГц)
-
2Т907
:е
ff-
6
8...60* (2 В: 1О А)
5700 (IO В)
50,15
-
52600*
2Т908
~-1
-
530 (28 В)
0,36; ~1.7**
~17** (500 МГц)
520
2Т909
-
560 (28 В)
0,18; ~1.75**
~35** (500 МГц)
520
~~itfj
..,..
с..
J//,7
-
5150 (28 В)
~3.5**
~100** (0,7 ГГц)
545
2Т9101
:ttl
"&.
~
6
2
6
~
-
5!0 (28 В)
-
~3.5** (2 ГГц)
52,2
2Т9102
-
56,5 (28 В)
-
~1.6** (2 ГГц)
52,2
:ttl
"&.
~
6
2
6
~'J
-
-
~1.7**
~7** (5 ГГц)
-
2Т910З
-
-
~1.7**
~iO** (5 ГГц)
-
.......
~~Б
....
~~к1
э
....:-
J~
...
1
(6
~'
1'-5
-
-
520 (28 В)
~8**
~5** (0,7 ГГц)
520
2Т9104
-
540 (29 В)
~7**
~20** (0,7 ГГц)
520
~31
...
к
3
:~"
5160* (5 В; 0,1 А)
5240 (28 В)
~3**
~100** (0,5 ГГц)
512
2Т9105
~t•8,5
23.2

334
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Струк-1
Pкmu•
~. ~216• UKБOnpo6•
lкmax
•кю•
Тип
Токр.,
Р;, т max•
~;lэ•
U~Rnpo6' UЭБО max•
1;.к max•
·~R'
прибора тура 1 ·с
р~: к max•
(.:х•
u~npo6•
в
•••
мА
кэо•
1
мВт
Мfц
в
1
мкА
2Т9107А-2
п-р-п -60 ... +125
37,5* Вт
720
50
3,5
2,5А(5*А)
550 мА (50 В)
2Т9108А-2
п-р-п
- 60 ".+100
200** Вт
-
50
3
8*А
525 мА (50 В)
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9109А
п-р-п
- 60".+125
1,12** кВт
~360
65
4
29• А
560 мА (65 В)
1
1
2Т9110А-2
п-р-п
- 60 ".+100
500** Вт
600
50
3
15* А
550 мА (50 В)
2Т91106-2
п-р-п
- 60 ".+100
200** Вт
600
50
3
7*А
525 мА (50 В)
!
i
'
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9111А
п-р-п
- 60 ".+125 200** Вт (50°С)
~300
120*(10 Ом)
4
10А
5100 мА (120 В)
2Т9112А
п-р-п
- 60 ".+125
5* Вт
~30
65
4
20А .1 540мА(65В)
1
1
1
1
1
2Т9113А
п-р-п -60" . +125
82** Вт
-
150
4
3,25* А
530 мА (160 В)
i
1
1
..
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
335
1
Ck,
rкэик• Ом
Кш, дБ
т., пс
1
1
t~, НС
h21эt ь;,э
1
с;2"
r~•к' Ом
r;, Ом
Корпус
1
1
пФ
1
к~:Р' дБ
Р,;.:" Вт
t;ЫIUll НС
t::.:,, НС
-
:S50 (10 В)
~4**
~27* * (1 ГГц)
-
2Т9107
±tlJ
-
-
-
~50** (1,5 ГГц)
-
2Т9108
i
±tlJ
1
~
c;:r
•
1
1
к
i
f.
6,6
!
!
1
1
-
1
1
-
1; ~'~ (50 В)
~3.5**
~500** (0,82 ГГц)
:SIO
2Т9109
1
~II
1
5.8.
14
-
1
-
~6**
~200** (1,4 ...1,6 ГГц) 1
-
1
2Т9110
-
-
~6**
~100** (1,4 ... 1,6 ГГц)
-
6
1
1
1
~~IJ
1
1
1
1
J,8
1
1
'
1
i
~10*(10В:5А)
:Sl50 (50 В)
~10**
~150** (80 МГц)
1
-
2Т9Ш
~t1t~tjj
1
1
i 12.$
цв
~10*(7В:20А)
-
$0,16
-
i 100*
1
2Т9112
1
1
..,
~
1
"fU
1
~
~10*(5В;5А)
-
:S0,16
-
1
-
1
2Т9113
1
1
1
(l/17.7
1
1
1
~
1
1
c:::i
1
,'OI
1
!
1
1
1
(1117.7
"'
1
6.75
1
!
ti/ 3
~
IY; '°
С11)
~
1
1
1
!
i
1
i
16.8
1
1
!

336
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKm•x'
~. ~216•
Uкоо проб•
lк m•x
lкоо•
Тип
Струк- Токр.1
Р;.тm•х'
~;.!t.
U~Rnpo6• UЭБО max•
1;, Н 11\8XI
I~R•
прибора
·с
р~~ и m•x'
с
u~npo6•
в
1~,
тура
..
мА
мВт
Мfц
в
мкА
2Т9114А
п-р-п
-60 ...+125
325** Вт
-
50
3
13 А*
530 мА (50 В)
2Т91146
п-р-п
-60 ...+125
85** Вт
-
50
3
3,25 А*
58мА(50В)
2Т911А
п-р-п
-60 ...+125
3* Вт
~1000
55
3
0,4 А
53мА(55В)
2Т9116
п-р-п
-60 ...+125
3* Вт
~840
55
3
0,4 А
53мА(55В)
1
1
1
.
2Т912А
п-р-п
-60 ...+125
30* Вт (85"С)
~90
70* (О,Оlк)
5
20А
550* мА (70 В)
2Т9126
п-р-п
-60 ...+125
30* Вт (85"С)
~90
70* (О,Оlк)
5
20А
550* мА (70 В)
2Т912А-5
п-р-п
- 60 ... +125
30* Вт
~90
70*
5
20А
550* мА
2Т9126-5
п-р-п -60 ... +125
30* Вт
~90
70*
5
20А
550* мА
2Т91ЗА
п-р-п
-60 ...+125
4,7* Вт (55"С)
~900
55
3,5
0,5 (1 *)А
510* мА (55 В)
2Т91ЗБ
п-р-п -60 ... +125
8* Вт (70"С)
~900
55
3,5
1(2*)А
520* мА (55 В)
2Т91ЗВ
п-р-п
- 60 ... +125
12* Вт
~900
55
3,5
1(2*)А
520* мА (55 В)
2Т9117А
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
100
4,5
1А
50,1* мА (100 В)
2Т91176
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
80
4,5
1А
50,1*мА(80В)
2Т9117В
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
50
4,5
1А
50,1*мА(50В)
2T9117f
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
100
4,5
1А
50,1 * мА (100 В)
2Т9118А
п-р-п -60 ... +125
130** Вт
~1400
50
3,5
15* А
5150 мА (50 В)
2Т91186
п-р-п -60 ... +125
130** Вт
~1400
50
3,5
15* А
5150 мА (50 В)
2Т9118В
п-р-п -60 ... +125
130** Вт
~1400
50
3,5
15* А
5150 мА (50 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
<:15* (5 В; 0,2 А)
<:15* (5 В; 0,2 А)
10...50* (!О В; 5 А)
20".100* (10 В; 5 А)
10".50* (10 В; 5 А)
20".100* ( 10 В; 5 А)
<:10* (5 В; 0,5 А)
<:10* (5 В; 0.5 А)
<:10* (5 В; 0,5 А)
80".250* (1 О В; 0.15 А)
80".250* ( 10 В; О, 15 А)
80."250* (10 В; 0,15 А)
40".160* (10 В; 0,15 А)
22зак9
1
1
1
SIO (28 В)
SIO (28 В)
s200 (27 В)
S200 (27 В)
s200 (27 В)
s200 (27 В)
s6 (28 В)
sl2 (28 В)
Sl4 (28 В)
40(5В)
40(5В)
40(5В)
40(5В)
rкэ нас' Ом
r~нас' Ом
к~·", дБ
<:6**
<:6**
<:2**
<:2**
$0, 12; <:10**
$0,12; <:10**
S0,12; <:10**
$0,12; <:10**
$1, 1; <:2,25* *
$1, 1; <:2.25* *
Sl ,I; <:2,25**
<:6**
<:6**
<:6**
Кш• дБ
r;, Ом
Р;:" Вт
<:150** (1,5 ГГц)
<:40** (1,5 ГГц)
<:0,8** (1,8 ГГц)
<:0,8** (1 ГГц)
<:70** (30 МГц)
<:70** (30 МГц)
<:70** (30 МГц)
<:70** (30 МГц)
<:3** (1 ГГц)
<:5** (1 ГГц)
<:10** (1 ГГц)
<:75** (1,3 ГГц)
<:75** (1,4 ГГц)
<:75** (1,22 ГГц)
tк, ПС
~~~·· нс
tВЬIКЛ t нс
t:::., нс
Sl5
$12
$(5
$900**
$900**
$900**
$900**
337
Корпус
2Т9114
~~~rж5
ж~
2Т911
2Т912
2Т912-5
2Т913
2Т9117
2Т9118

338
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• \210•
UКБО проб•
lк max
IКБО•
1
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmax t
~:;lэt
U~ЭR проб' UЭБО max'
1;, н maxt
I~R•
прибора
·с
р~~иmax t
с
u;эо проб•
в
1··
тура
"
мА
КЭО•
1
мВт
МГц
в
i
мкА
i
2Т9119А-2 i n-p-n 1 -60 . . . +125
3Вт
-
20
i 1,5
1 1А(1*А) 1 :S2мА(20В) i
1
1
1
1
1
i
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9121А
n-p-n
-60 ...+125
92** Вт
-
42
3
9.2* А
1
:Sl5 мА (42 В)
2Т9121Б
1
n-p-n 1-60. . . +125
46** Вт
-
42
1
3
4.6*А !
:S7,5 мА (42 В) i
1
1
1
'
1
1
1
!-60 ...+125
1
1
2Т9121В
1 n-p-n
11,5** Вт
-
42
3
1.15* А
s2.5 мА (42 В)
1
1
1
i
1
1-60...+125
2T912lf
1
n-p-n
130** Вт
-
42
3
13* А
:S22 мА (42 В)
2Т9122А
n-p -n
-60 ...+125
133** Вт
-
40
2
6,5 А (7,5* А)
:Sl50 мА (45 В)
2Т9122Б
n-p -n
-60 ...+125
110** Вт
-
45
2
5.4А(6*А)
:Sl50 мА (45 В)
1
1
1
!
'
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
!
!
i
1
i
2Т9123А
n-p-n
-60 ...+125
60* Вт
130
60* (lк)
5
12,5 А; 30* А
:S5* мА (60 В)
2Т9123Б
n-p-n
-60 ...+125
60* Вт
130
70* ( 1к)
5
12,5 А; 30* А
:S5* мА (70 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9124А
n-p-n
-60 ...+125
23,5** Вт
-
30
1,5
1,5А(2*А)
:S20 мА (30 В)
2Т9124Б
n-p-n
-60 ...+125
21,5** Вт
-
30
1,5
1,5А(2*А)
s20 мА (30 В)
'r
1
1
~
1
!
~
1
.
!
1
а
1
1
2Т9125АС
n-p-n
-60 ...+125 1
64* Вт
~660
55* (10Ом)1
4
1
4А
1 s6o•мА(55В)
!
i
!
1
1
1
1
i
1
!
!
!
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
11800.. .18000 ( 10 В; 10 А)
1 1600...7000 (10 В; 1 А)
1
:5110* (5 В; 0,5 А)
:57,5 (15 В)
1
1
7,5 (15 В)
7,5 (15 В)
7,5 (15 В)
7,5 (15 В)
:570 (28 В)
~2.7**
~6**
~6**
~6**
~6**
~4**
~4**
:50,3
:51,3
~3**
~3.2**
~4**
Кш, дБ
r;, Ом
Р:,., Вт
~4.5** (7 ГГц)
~35**
(2,3 ...2,7 ГГц)
~17**
(2,3 ...2,7 ГГц)
~4**
(2,3 ...2,7 ГГц)
~50**
(2,3 ...2, 7 ГГц)
~55** (2 ГГц) 1
~45** (2 ГГц) 1
~10** (3,1 ... 3,5 ГГц)
~8** (3,1 ...3,5 ГГц)
~50** (500 МГц)
tlC1 пс
~~et НС
tllWIUlt НС
t::.. нс
250*
250*
:520
339
Корпус
2Т9119-2
S,3 -
п.• -
{f-~
1
+
кТэ
e,...c-h-~-
5.:s
2Т9121
'
'1/ .,.Б
.....
к~ ... ,_
~-
rt
'
~э
4,6
-
211,5
2Т9122
1
-
-
6.3
-
21..f
2Т9123
27,1 ~
~Noi ~-
..,.
.
-
к
2Т9124
~~~Fmfз
Ж1-f.ШJ
2Т9125

340
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~Р' ~216 1
UКБО npo6'
lкmaA
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmаА'
cl'J'
U~RnpoO' UЭБО max'
1;.к maxt
I~R•
прибора
·с
р~~ к max'
с
u~ ......
в
I"
тура
"
мА
КЭО•
мВт
мrц
в
мкА
2Т9126А
п-р-п
-60 ...+125
330* Вт
~100
100* (О,Оlк)
4
30А;50*А S200*мА(100В)
1
1
2Т9127А
п-р-п
-60 ...+125
1151 ** Вт
~1025
65
3
38* А
s60* мА (65 В)
2Т91276
п-р-п
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т91278
-60 ...+125
1151**Вт
~1025
65
3
38* А
s60* мА (65 В)
2Т912Л
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9127Д
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9127Е
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9127Ж
-60 ...+125
1151** Вт
~1025
65
3
38* А
s30* мА (65 В)
2Т9127И
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
S30* мА (65 В)
2Т9127К
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9128АС
п-р-п
-60 ...+125
115* Вт
~200
50*
4
18А
SlOO* мА (50 В)
2Т9129А
п-р-п
-60 ...+125
47* Вт
-
30
1,5
4А
S30 мкА (30 В)
2Т91ЗОА
п-р-п
-60 ...+125
10* Вт
~200
250
6
150
Sl мкА (250 В)
1
2Т9131А
п-р-п
- 60 ... +125
350* Вт
~100
100*
6
25А;40*А S200*мА(100В)
2Т9132АС
п-р-п 1-60... +125
220** Вт
~320
50
4
11,2 А; 22* А Sl50* мА (50 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
341
!
1
1
1
~
rкэнк• Ом
Кw,дБ
'tк, ПС
1
с,,
t:.ac• НС
h211t ь;IЭ
С~zэ•
r~3 нок• Ом
r;, Ом
Корпус
пФ
к:· •. дБ
Р:х• Вт
t::мt НС
t::. нс
~10*(10В;5А)
$500 (50 В)
~13**
~500** (1,5 МГц)
-
2Т9126
.
:tri
.....
6
к
N
(l)
1
&
v
463
1
-
-
~5.6**
~550**
-
2Т9127
1'
(1,025... 1, 15 ГГц)
1
-
-
~6.2**
~250**
-
(1,025 ... 1 , 15 ГГц)
~
'rе-Б
-
-
~6.2**
500**
-
-
-
~6.2**
250**
-
.....
к~lL..
-
-
~6.2**
250**
-
~
!"а."
""'
Y:J ~
....
-
-
~6.2**
125**
-
1
-
-
~6.2**
500**
-
-
-
-
~6.2**
250**
-
4,6
211,5
-
~6.2**
125**
-
-
-
-
-
$100* (5 В: 0,5 А)
1
$430 (28 В) 7** (175 МГц) ~200** (175 МГц) 1
$30
2Т9128
!
1:
1
t•
1
~
:;.к·5
'а
с-.
в
23,2
3
-
-
~4.5**
~20** (3,5 ГГц)
-
2Т9129
1
~~~3·~18·
!
60...250 (9 В: 20 мА)
$6 (!О В)
$50
-
$20
2Т9130
1
;fiкФз
10... 100 (10 В; 10 мА) ! $800 (50 В)
$0,1; ~10**
~400** (30 МГц)
-
2Т9131
1
:tjf~
.....
6
к
N
(l)
1
&
463
1
-
$170 (30 В)
~3.5**
~140** (650 МГц)
$20
2Т9132
t11
~ ""к
3
1
1
:::
~к
з
~
1
1
1
16,2
1
,,
1
1
d
1
~
1

342
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
1,.,,. ~216•
UКБО npoO•
lк max
lкоо•
Тип
Струк- Токр .•
Р=. т max•
(;lэ•
U~Rnpo6' UЭБО max•
1~.и max•
l~R'
прибора
·с
р~~ и maxt
с·
u~npo6•
в
I"
тура
".
мА
кэо•
мВт
Мfц
в
1
мкА
2Т9133А
п-р-п
- 60 ... +125
130* Вт (70°С)
~240
55* (0,Оlк)
4
16А
1
:5200,. ' мА (55 В)
1
1
1
1
1
1
1
i
1
2Т9134А
п-р-п
- 60 ".+125
2600** Вт
-
50
3
78* А
:5120* мА (50 В)
2Т9134Б
п-р-п
- 60 ".+125
2100** Вт
-
50
3
63* А
:5120* мА (50 В)
i
1
2Т9135А-2
п-р-п 1 -60".+125
3,4 Вт
-
15
1,2
950
:52 мА (15 В)
2Т9136АС 1 п-р-п
- 60 ".+125
700** Вт
~300
60
4
30* А
1
:5140 мА (60 В)
1
1
1
1
1
1
1
i
2Т9137А
п-р-п
- 60 ".+125
9* Вт
~2700
22* (О,lк)
3,5
500
:510* мА (22 В)
2Т9137Б
п-р-п
- 60 ".+125
16* Вт
~2700
22* (О.lк)
3,5
1100
:525* мА (22 В)
i
1
1
1
J
2Т9138А i п-р-п
- 60 ".+125
60* Вт
~120
200
5
1
8А;12*А
:520 мА (200 В)
1
1
i
1
11
1
i1
1
1

Биполярные кремниевь1е транзисторы специального назначения
h21>' ь;IЭ
30 ... 70 (58; 5А)
ck,
с;2,•
пФ
$160 (28 В)
$260 (45 В)
~5.5 (18 В)
$5,5 (18 В)
$250 (50 В)
rкэнас' Ом
r~нас:' Ом
к~· •. дБ
~7.5**
~6**
~6**
~1.7**
~7**
~5.5**
~3.8**
$0,2; $0,2*
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:•• Вт
~30** (225 МГц)
~1000** (1,5 ГГц)
~800** ( 1,5 ГГц)
~2.6**( 10 ГГц)
~500** (0,5 ГГц)
~2.1 ** (О, 1... 2 ,3 ГГц)
~4** (0,1 ...2,3 ГГц)
'tк, ПС
t:_(', нс
t:КJll НС
t::;., нс
$30
~20
343
Корпус
2Т9133
~t-..gз. 6
D
fNЗ
•
21
2Т9134
2Т9135
2Т9137
:Jtlк
~~
з
2
6,6
19,'J
2Т9138
16.8

344
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• \z10•
UКБО проб•
lк max
•коо•
Тип
Струк- Токр.,
Р=. т max•
~:;1)1
U~Rnpo6• UЭБОmах• 1~.м max•
J~R•
прибора
тура
·с
р;: н maxt
с;х,
u~проб•
в
•••
мА
КЭО•
мВт
МГц
·в
мкА
2Т9139А
п-р-п
- 60 ... +125
23,5** Вт
-
30
1,5
2*А
$20* мА (30 В)
2Т9139Б
п-р-п
- 60 ... +125
21,5** Вт
-
30
1,5
1,5* А
$20* мА (30 В)
2Т9139В
п-р-п
-60 ...+125
52** Вт
-
30
1.5
4*А
$30* мА (30 В)
2Т9139Г
п-р-п
-60 ...+125
7,8** Вт
-
30
1,5
0,7* А
$5* мА (30 В)
1
2Т9140А
п-р-п
- 60 ... +125
176 Вт
-
50
-
10А
-
2Т914А
р-п-р
- 60 ... +125
7* Вт
~300
65
4
0,8 (1,5* А)
2*мА(65В)
2Т9143А
р-п-р
-60 ...+125
3* Вт
~1500
75
3
100; 300*
$1* (50 В)
2Т9146А
п-р-п
-60 ...+125
350** Вт
-
50; 45*
3
20* А
$40 мА (50 В)
2Т9146Б
п-р-п
-60 ...+125
175** Вт
-
50; 45*
3
10* А
$20 мА (50 В)
2Т9146В
п-р-п
-60 ...+125
70** Вт
-
50; 45*
3
4*А
$10 мА (50 В)
2Т9146Г
п-р-п
-60 ...+125
350** Вт
-
50; 45*
3
20* А
$40 мА (50 В)
2Т9146Д
п-р-п
-60 ...+125
175** Вт
-
50; 45*
3
10* А
$20 мА (50 В)
2Т9146Е
п-р-п
-60 ...+125
70** Вт
-
50; 45*
3
4*А
$10 мА (50 BJ
2Т9146Ж
п-р-п
- 60 ... +125
350** Вт
-
50; 45*
3
20* А
$40 мА (50 В)
2Т9146И
п-р-п
-60 ...+125
175** Вт
-
50; 45*
3
10* А
$20 мА (50 В)
2Т9146К
п-р-п
-60 ...+125
70** Вт
-
50; 45*
3
4*А
$10 мА (50 В)
2Т9147АС
п-р-п
- 60 ... +125
233* Вт
-
50* (0,01 к)
4
29А
$120* мА (50 В)
1
!

1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
10...60* (5 В: 0,25 А) $12 (28 В)
~20(5В:50А)
:s;3(10B)
~10* (5 В: 0,5 А)
:s;340 (28 В)
rкэ нас' Ом
r~нас• Ом
к~· •. дБ
~3.5**
~3.6**
~3.3**
~3.3**
~6.5**
~2.5**
~6**
~6**
~7**
~6**
~6**
~7**
~7**
~7**
~7**
~6.6**
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:•• Вт
~10** (2,7 .. . 3 .1 ГГц)
~9** (2,7...3, 1 ГГц)
~20** (2,7 .. . 3 .1 ГГц)
~3** (2,7 ...3, 1 ГГц)
~125** (1,2 . .. 1,4 ГГц)
~2.5** (400 МГц)
~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~40**( 1,45 . . .1,55ГГц)
~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~40**( 1,45 .. .1,55ГГц)
~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~40**( 1,45 .. .1.55ГГц)
~160** (0,4 ГГц)
т., ПС
~~·нс
tlblКJlf НС
t::. нс
$15
345
Корпус
2Т9139
2Т9140
1
---
-
6.S
21.5
2Т914
2Т9143
2Т9146 (А, f, Ж)
2Т9146 (Б, В, Д, Е, И, К)
1
.--~
~
--
'
4,6
211,5
2Т9147АС
23
~
111.•
11.4

346
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~. \21ь• UКБО npo6•
lк max
•коо•
Тип
Струк- Токр.,
р•
~;13•
U~R проб' UЭБОmах•
J~R'
К. т max•
•:. н max•
прибора
·с
р~:нmах•
("'
u;эо проб•
в
·~·
тура
""
мА
мВт
МГц
в
мкА
2Т9149А
п-р-п
-6 0 ... +1251
100** Вт
-
45
2
4,5* А
1
:5100 мА (45 В)
2Т9149Б
п-р-п 1-60. .. +125
56** Вт
-
45
2
2,1* А
:550 мА (45 В)
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
2Т915ЗАС
n-p -n
-60...+125
50* Вт
-
50
4
4А
:520 мА (50 В)
2Т915ЗБС
п-р-п
-60 ...+125
94* Вт
-
50
4
IOA.
:560 мА (50 В)
:
1
1
1
1
:
1
1
1
i
1
1
1
!
2Т9155А 1 n-p-n 1 -60 ...+125
43* Вт
~460
1
50
1
3
1
--4 А
1
~25* мА (50 В)
1
2Т9155Б 1 п-р-п i -60 . .. +125 1
100* Вт
~450
50
3
1;5,А
:525* мА (50 BJ
1
:
1
2Т9155В
п-р-п
-60 ...+125
180** Вт
~360
50
3
24А
:525* мА (50 В)
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
1
1
1
1
i
1
1
1
2Т9156АС
п-р-п
-6 0." +125
50* Вт
-
50
3
4А
:520* мА (50 В)
2Т9156БС
n-p -n
-6 0." +125
94* Вт
-
50
3
10А
~60* мА (50 В)
1
1
2Т9158А
п-р-п
- 60 ".+125
98** Вт
-
40
3
1
4,5* А
:5100 мА (40 В)
2Т9158Б
п-р-п 1 -60 . .. +125
45** Вт
-
40
3
2,1* А
:550 мА (40 В)
1
1
-
2Т9159А
п-р-п
-6 0." +125
5* Вт
~1100
120; 80**
3
400
:50,1 мА (120 В)
-
1
!
1
1
1
;
1
2Т9159А5
п-~-п -60." +125
5* Вт
1100
120
3
400
:50.1 мА (120 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
347
J
1
1
i
~
1
с"
1
rкэ нас' Ом
Кш, дБ
t11, ПС
~
t:act НС
1
1
h21>' ь;,э
с;2э'
r~Энас' Ом
r;, Ом
Корпус
1
пФ
к~·р, дБ
Р;:х• Вт
t::клt НС
1
t::, НС
1
~4**
~30** (2,15 . .. 2 ,3 ГГц)
2Т9149
-
-
-
-
-
~4**
~12** (2,15 .. . 2 ,3 ГГц)
-
!:fl'
""
r:ч к
~
~
212
~10* (5 8: 0,5 А)
$37 (28 8)
~7.8**
~15**(0,39 ... О,84ГГц)
-
2Т9153
~10* (5 8: 0,5 А)
1
$66(288) 1
~7**
~50* * (О,39 ...О,84ГГц)
-
1
tll·
1
1
1
1
i
1
...:-
..s к
3
1
1
.. ....5 ,8
.,.
18,2
~10* (5 8: 0,5 А)
$35 (28 8)
~6.5**
~15** (0,86 ГГц)
-
2Т9155
~10* (5 8: 0,5 А)
$35 (28 8)
~6.2**
~50** (860 МГц)
-
tfi·
~
..s
6
......
.,. к
1
1
1
1
1
18,2
1
!
1
1
:
'
! ~10*(58:0.5А)
1
$35 (28 8)
~5**
~100** (0,86 МГц) 1
-
2Т9155В
1
!
1
1
1
i
23
1
~ U.•1..J""":U
1
:61
t1
22,5
1
'~:t:::~,-1
~10* (5 8: 0.5 А)
1 $37(288)
~7**
~15** (О,65".1 ГГц)
-
2Т9156
~10* (5 8: 0.5 А)
1
$66 (28 8)
1
~6**
~50** (О.65".1 ГГц)
-
t11
i
1
1
1
...
""
1
;::
~к
6
1
1
1
1
18,2
'
i
'1
-
-
~5**
~30** (2,3".2,7 ГГц)
-
2Т9158
-
-
~6**
~12** (2,3 . .. 2 ,7 ГГц)
-
!:111
""
r:чз
6
-
~ 212
20. "6 0* (5 8: 50 мА) $2,5(108)
-
-
-
2Т9159
1
С'<
f~
.. ... ..
~
1S.
'6
5;9 12,1
2,5
-
20" . 6 0* (5 8; 50 мА) $2,5(108)
-
-
-
2Т9159-5
0,5
0,3
~шт

348
Раздел 2. Билопярные транзисторы
Рк max'
~•• (216'
UКБО "роб'
lк max
IКБО'
Тип
Струк· Токр.,
Р~. т mал'
(;lэ'
U~Rлроб' UЭБО max'
••
·~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~ и maxl
~~·:х'
u~"роб'
в
К,и maxt
1~.
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т916А
n-p -n
-60...+100
30* Вт
~1100
55* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
:>:25* мА (55 В)
1
1
2Т9161АС
n-p -n
-60...+125
700** Вт
500
60
4
25А
:>:280 мА (60 В)
2Т9162А
n-p -n
-60...+125
1290** Вт
600
50
3
39* А
:>:60 мА (50 В)
2Т9162Б
n-p -n
-60...+125
1165** Вт
600
50
3
35* А
:>:60 мА (50 В)
2Т91628
n-p -n
-60 ...+125
1290** Вт
600
50
3
39* А
:>:60 мА (50 В)
2Т9162Г
n-p -n
-60...+125
1265** Вт
600
50
3
39* А
:>:60 мА (50 В)
2Т9164А
n-p -n
-60...+125
875** Вт
-
65
-
20А
-
1
2Т917А
n-p -n
-60...+125
50* Вт
~60
150
5
10 (15*) А
:>:20 мА (150 В)
1
2Т9175А
n-p -n
-60...+125
3,75** Вт
~900
20* (10 Ом)
3
500
:>:1,5* мА (20 В)
2Т9175Б
n-p -n
-60 ...+125
7,5** Вт
~900
20* (10 Ом)
3
lA
:>:3* мА (20 В)
2Т9175В
n-p -n
-60 ...+125
15** Вт
~780
20*(100м)
3
2А
:>:5* мА (20 В)
1
1
1
~
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
349
ck,
rкэнас• Ом
Kw, дБ
tк, ПС
h21~• ь;IЭ
с;2э'
r;Энас• Ом
r;, Ом
t;ac• НС
Корпус
пФ
к;•. дБ
Р;~,, Вт
t::кnt НС
t::. нс
35* (5 В; 0,25 А)
1 :520 (30 В)
:50,7"
~20** ( 1 ГГц)
1
:510
1
2Т916
1
1
1
~~2, ,5
~20* (5 В; 0.5 А)
-
~7**
~500** (0,4 ... 0,5 ГГц)
-
2Т9161
t1·
;::
~к
з
1
1
s.в
18;2
1
-
-
~6**
~500** (1,4 .. .1,6 ГГц)
-
2Т9162
-
-
~**
~400** (1,4 .. .1,6 ГГц)
-
-
-
~6**
~500** (1,4 ... 1,6 ГГц)
-
Б•
-
-
~7**
~500** (1,4 ... 1,6 ГГц)
-
1"'~
.. ..
1
э
~
1
К'\;_Э
'
-
Бfl
~
1
!
1
~4**
~300**
2Т9164
-
1
-
-
1
1
(1,03 ... 1,09 ГГц)
tl
1
~
~к
з
:::
~к
з
16,2
10...60* (7 А; 5 В)
-
-
30... 50** (10 МГц)
-
2Т917
1
1
1
~ltil
-
к
.
~. t:: 1~5
-
:510
~10** раз
~О.5**(200... 512МГц)
:518
2Т9175
-
:516
~6** раз
~2**(200 ... 512МГц)
:518
-
:530
~4** раз
~5**(200... 512МГц)
:518
t-bl-1
...
<::>'
1__J
"'
1
1
<::>'
1
20,5
.., .....
.. .: ..,
.
f
.
I2
з._ ll Г'1 -з
LЭ-
1Г
-( ~ .....
ч; ....
<о
з't/к~ j
<а
1\з 16
~15

350
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
f,,,, (ш,
UКБО .....
i lкmax
1
•коо•
1
Тип
Струк· Токр .•
Р;, т max•
~;lэ'
U~Rnpo6' UЭБО maxt
1
·~..
прибора тура
·с
р~: н max•
(;:х,
u~npo6•
в
1;.н maxt
1
•••
мА
КЭО•
мВт
мrц
в
1
мкА
2Т9175А-4
п-р-п
-60 ...+125
3,75** Вт
900
-
-
500
-
2Т9175Б-4 1 п-р-п 1 -60 ... +125
7,5** Вт
900
-
-
1А
-
2Т9175В-4 1 п-р-п 1-60... +1251
15** Вт
780
-
-
2А
-
1
1
1
1
1
1
1
!
1
i
1
1
2Т9183А-5 1 п-р-п 1 -60 . .. +125
-
-
70*
-
12А
-
БСИТ
2Т9184А
п-р-п 1-60 ... +125
50* Вт
~30
70* ( lк)
5
10А;20*А
:51 мА (70 В)
1
1
2Т9188А
п-р-п
-60 ...+125
35** Вт
700
-
-
5А
-
1
1
1
2Т9188А-4
п-р-п
-60 ...+125
35** Вт
700
-
-
1
5А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
<::100 (5 В; 6 А)
60...100(1 В:4А)
:510
:516
:530
:5350
:550
:550
rкэ ""' Ом
r~нас' Ом
к:· •. дБ
<::10** раз
<::6** раз
<::4** раз
:50,025
:50,1
<::5** раз
<::5** раз
Кw,дБ
r;, Ом
Р;:х• Вт
<::0,5**(200 ... 512МГц)
<::2* *(200... 512МГц)
<::5* *(200... 512МГц)
<::10** (0,2 ... 0,47 ГГц) 1
1
1
1
!
i
1
1
1
1
<::10** (0,2 ... 0,47ГГц)1
т,, пс
~;...нс
tвыкп• НС
t::, НС
351
Корпус
2Т9175-4
">
"'
"' "'
5
1::3" ~
э
з
1с)
.....
ч)
......
з
н
1,6
2Т9183-5
2Т9184
:rm-t
·~
1
2Т9188
!
i ....
1~~
2Т9188-4
">
"'
"' "'
5
1::3" ~
э
з
1с)
.. ...
ч)
......
з
н
1,6

352
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~•• ~216•
UKБOnpo6•
lк .,.,
•коо•
Тип
Струк- Токр.1
Р~.тmах•
~;lэ•
U~ЭR проб• UЭБО max•
1~, к max'
J~R'
прибора
·с
р~~ к max'
с·
u~npo6•
в
•••
тура
".
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т919А
п-р-п
-60 ...+125
10* Вт
:21350
45
3,5
0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В)
2Т919Б
п-р-п -60 ... +125
5* Вт
:21350
45
3,5
0,35 (0,7*) А
:55 мА (45 В)
2Т919В
п-р-п
-60 ...+125
3,25* Вт
:21350
45
3,5
0,2 (0.4*) А
:52 мА (45 В)
2Т919А-2
п-р-п -60 ... +125
10* Вт
:21350
45
3,5'
0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В)
2Т919Б-2
п-р-п -60 ... +125
5* Вт
:21350
45
3,5
0,35 (0,7*) А :55 мА (45 В)
2Т919В-2
п-р-п
-60 ...+125
3,25* Вт
:21350
45
3,5
0,2 (0,4*) А
:52 мА (45 В)
2Т920А
п-р-п -60 ... +125
5* вт (50°С)
:2400
36
4
0,25 (l•) А
:51*мА(36В)
2Т920Б
п-р-п
-60 ...+125 10* вт (5О0С)
:2400
36
4
1(2*)А
:52* мА (36 В)
2Т920В
п-р-п
-60 ...+125 25* Вт (50°С)
:2400
36
4
3(7*)А
:55* мА (36 В)
1
1
2Т921А
п-р-п -60 ... +125 12,5* Вт (75°С)
:290
65* (О,lк)
4
3,5 А
:510* мА (70 В)
2Т921А-4
п-р-п
- 6 0 ... +125 12,5* Вт (75°С)
:290
65* (О,lк)
4
3,5 А
:51* мА(70В)
2Т922А
п-р-п
-60 ...+125 8* вт (40°С)
:2300
65* (0,lк)
4
0,8 (1,5*) А :52* мА (65 В)
2Т922Б
п-р-п -60 ... +125 20• вт (40°С)
:2300
65* (0, lк)
4
1,5 (4,5*) А :510* мА (65 В)
2Т922В
п-р-п
-60 ...+125 40* Вт (40°С)
:2300
65* (О,lк)
4
3(9*)А
:520* мА (65 В)
2Т925А
1
п-р-п
- 6 0 ... +125 5,5* Вт (40°С)
:2600
36* (О,lк)
4
0,5(\*)А
:55 мА (36 В)
2Т925Б
п-р-п
-60 ...+125 11• Вт (40°С)
:2600
36* (О,lк)
4
1(3*)А
:510 мА (36 В)
2Т925В
1
п-р-п
-60 ...+125 25* Вт (40°С)
:2500
36* (О,lк)
3,5
3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В)
2Т926А
п-р-п -60 ... +125 50* Вт (50°С)
:251
150* (О,Оlк)
5
15 (25*) А :525* мА (150 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
353
~
i
1
li
~
с,,
rкэнас• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
li
h21.1 ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
1
пФ
к;·,, дБ
Р;:,, Вт
t::кл' НС
t::, нс
-
:510 (28 В)
-
~3.5** (2 ГГц)
:52,2
2Т919
-
:56,5 (28 В)
-
~1.6** (2 ГГц)
:52,2
-
:55 (28 В)
-
~0.8** (2 ГГц)
:52,2
~ зl''к
~ ~' 1~~6
2
16:6 -
19,J
-
:51О(28В)
~4.1 **
~4.1 ** (2 ГГц)
:52,2
1
2Т919-2
-
:56,5 (28 В)
~3.2**
~1.6** (2 ГГц)
:52,2
1
1
1
:55 (28 В)
~4**
~0.8** (2 ГГц)
:52,2
"'
,,
-
'с:.'
-~~
'S.
h:o
,__
~'
'
Б '"'-i
~
t
-~
2.6 D
•
1
:530* мА (5 В; 50 мА)
:515 (10 В)
~7**
~2** (175 МГц)
:520
2Т920
:540* мА (5 В; 100 мА) :525 (10 В)
~4.5**
~7** ( 175 МГц)
:520
~ ·-~-изк 1
:525* мА (5 В; 250 мА) :575 (!О В)
~3**
~20** (175 МГц)
:520
'
..;-
...........
У:'
..,.
... .....,,,
i;::
~
~ ,/!. __
"
э
1
1
6 12.2
2
1
~10·(10В;1А)
:550 (20 В)
~8**
~12,5** (60 МГц)
:5300*
2Т921
:е
ff...
6
~10*(10В; 1А)
:550 (20 В)
~8**
~12,5** (60 МГц)
:5300*
2Т921-4
~
~~~
j
~
1
67
5
~10* (0,5 В; 1 А)
:515 (28 В)
~10**
~5** ( 175 МГц)
:520
2Т922
~10* (0,5 В; 0,25 А)
:535 (28 В)
~5.5**
~20** (175 МГц)
:520
~10* (0,5 В; 0,5 А)
:565 (28 В)
~4**
~40** ( 175 МГц)
:525
~~6 з
~
,.,..
_!
..,.
--
~
-"
,._
э
6 72.2
2
~8*(5В;0,2А)
:515 (12,6 В)
~6.3**
2** (320 МГц)
:520
2Т925
~10* (5 В; 0,2 А)
:530 (12,6 В)
~4**
7** (320 МГц)
:535
~
з
~17* (5 В; 0,2 А)
:560 ( 12,6 В)
~3**
20** (320 МГц)
:540
~
~6
к
ЕЗ!~-
..,.
~L-
~
э
6 72.2
2
12...60* (7 В; 15 А)
-
:50,17
-
-
2Т926
~fitll
g:::
•
t::::
1~5
23зак9

354
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i
!
1
pKmax•
(,,,. ~216•
UКБО •роб•
i
IКБО•
1
lк max
1
Тип
Струк- Токр. •
р'
t;lэ•
U~ЭR ороб• UЭБО max• 1
1;, и max•
1
I~ЭR•
К. т 1na'(t
прибора
тура
·с
р~~ иmax•
~~:х•
u;;,, ороб•
в
1"
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
2Т928А
n-p-n
-60 ...+125
0,5 Вт (2*) Вт
:?:300
60
5
0,8 (1,2*) А
:51 (60 В)
2Т928Б
n-p-n
-60 ...+125
0,5 Вт (2*) Вт
:?:300
60
5
0,8 (1,2*) А
:51 (60 В)
1
1
1
1
1
2Т929А
i
n-p-n
-60 ...+125
6 Вт (40°С)
:?:700
30* (О.lк)
3
0,8 (1,5*) А
:5500 (30 В)
1
2Т930А
n-p -n
-60 ...+125
75* Вт (40°С)
:?:450
50* (О,lк)
4
БА
:520* мА (50 В)
2Т930Б
1 n-p -n 1-60. . . +1251 120* Вт (40°С)
:?:600
50* (0,lк)
4
IOA
1 :5100• мА (50 BI
·,
!
'
!
1
j
"
1
,,
i
1
1
i
~
1
1
1
~
i
!
1
i
i
•'
1
!
1
q
i
1
1
!
!
1
j
1
!
i
2Т931А
1
n-p-n l
-60 ...+125 1 150 Вт (40°С)
:?:250
1 60* (0,Оlк) 1 4
15А
1
:520* мА (60 В)
1
1
1
1
1
!11
i
i
1
~
!1
1
i
1
!
1
1
!
'
1
i
1
i
'i
l2T932A
1
1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) i
:?:30
1
80
4,5
1
2А
i
:51.5* мА (80 В)
1 p-n-p
1
1
2Т932Б
! p-n-p 1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) !
:?:50
60
4,5
2А
! :51,5* мА (60 BJ
1
1
i
:
l
1
•
1
i
i
i
i
1
1
i
'
2Т933А
p-n-p
-60 ...+125
5* Вт (50°С)
:?:75
80
1
4,5
0,5 А
:50,5* мА (80 BI
2Т933Б
p-n-p
-60 ...+125
5* Вт (50°С)
:?:75
60
1
4,5
0.5 А
1
:50,5* мА (60 В)
1
1
'
1
~
1
1
1
!
i
!
1
1
1
i
i
1
1
1
1
1
'
1
i
,
1
1
1
i
1
~
1
1
i
1
1
1
1
1
1
i
1
!
1
1
!
1
1
!
1
!
1
i
2Т934А
i n-p -n 1-60.. . +125
7,5* Вт
:?:500
60* (0.Оlк)
4
1
0.5 А
1 :55*мА(60В)
2Т934Б
1
n-p-n
-60 ...+125
15* Вт
:?:500
60* (О,Оlк)
4
1
IA
i :510* мА (60 В)
2Т934В
n-p -n
-60 ...+125
30* Вт
:?:500
60* (0,Оlк)
4
2А
:520* мА (60 В)
1
2Т935А
n-p-n
-60 ...+125
60* Вт (50°С)
:?:51
80* (О,Оlк) 1
5
1 20(30*)А
1
:530* мА (80 В) ~
1
1
1
i
!
1·
1
i
!
!
1
1
1
i
1
1
1
1
'i
1
1
1
1
1
1
1
1
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
355
1
ck,
rкэиас' Ом
Кw1 дБ
tк, ПС
h21.• ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r~, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к~·,, дБ
Р:•• Вт
t::КJI. нс
t::. нс
30 ... 100* (5 В; 150 мА) :512 (10 В)
:52
-
:5225*
2Т928
50 ... 200* (5 В; 150 мА) :512 (10 В)
:52
-
:5225*
~кфз
1
~25* (5 В; 0,7 А)
:520 (8 В)
~10**
~2** (175 МГц)
:525
2Т929
...-ill ~ 6 l!JЗ К
~r.r. ., -~
1!1.
--=
.L-
'
11 1з
6 121
21
40*(5В;0,5А)
:580 (28 В)
~6**
~40** (400 МГц)
8
1
2Т930
50*(5В;0.5А)
:5170 (28 В)
~4**
~75** (400 МГц)
11
1
lffii
~
t;"
7
25*(5В:0.5А)
:5240 (28 В)
0,18; ~4**
~80* * ( 175 МГц)
18
2Т931
-i
1
~
1
1
1
.....,
1
~
7
1
1
~15* (3 В: 1,5 А)
:5300 (20 В)
:51
-
-
2Т932
~30* (3 В: 1.5 А)
:5300 (20 В)
:51
-
-
п1~
~ffli ~.
~15* (3 В; 0.4 А)
:5100 (20 В)
:53,75
-
-
2Т933
~30*(3В:0,4А) 1:5100(20В)
:53,75
-
-
;tфкфз
1
50*(5В;0.1А)
:59 (28 В)
2; ~6**
~3** (400 МГц)
:520
2Т934
50* (5 В; 0,15 А)
:516 (28 В)
1; ~4**
~12** (400 МГц)
:520
"~ • ,J',
50* (5 В; 0,25 А)
:532 (28 В)
о,5; ~3**
~25** (400 МГц)
:520
~
~~;::
р1з
6 121
21
20... 100* (4 В: 15 А) i :5800 (10 В)
:50,66
-
:5700**
1
2Т935
1
1
~liil
~. 1::: 1~5
2з·

356
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maxt
~. (216•
Uкю npo0•
IKmax
Iкю,
Тип
Струк- Токр. •
P~.тmaxt
(;,3,
U~Rnpo6• UЭБОmа1'.' 1;.н maxt
I:СЭн'
прибора тура
·с
р~: и maxt
с:х,
u~ .....
в
1··
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
2Т935А-5
п-р-п
-60 ...+125
60* Вт
~51
80*
5
20А
:530* мА
1
1
1
1
1
1
1
2Т937А-2
п-р-п
-60 ...+125
3,6** Вт
6500
25
2,5
250
:52* мА (25 В)
2Т9375-2
п-р-п
-60 ...+100
7,4** Вт
6500
25
2.5
450
:55* мА (25 В)
12Т937А-5 1
п-р-п
-60 ...+125
3,6** Вт
6500
25
2,5
250
:52 мА (25 В)
:
i
1
1
1
1
1
2Т938А-2
п-р-п
-60 ...+125
1,5* Вт
~2000
28
2,5 в
180
:51 мА (28 В)
1
1
1
1
1
2Т939А
1 п-р-п 1 -60 ... +125
4* Вт
~2500
30* (0.Оlк)
3,5
400
:52 мА (30 В)
2Т9395
1 п-р-п 1 -60 ... +125
4* Вт
~1500
30* (0,Оlк)
3,5
400
:52 мА (30 В)
1
1
1
1
2Т939А1
п-р-п
-60 ...+125
4* Вт
~2500
30* (О,Оlк)
3,5
400
:51 мА (30 В)
2Т941А
! р-п-р
-60 ...+125
4* Вт
~1500
30
3
500
:5300 (30 В)
1
2Т942А
п-р-п
-60 ...+125
25** Вт
~1950
45
3,5
1,5 А
:520 мА (45 В)
2Т9425
п-р-п
-60 ...+125
22** Вт
~1950
45
3.5
1,5 А
:520 мА (45 В)
1
1
1
2Т942А-5
п-р-п
-60 ...+125
25** Вт
~1950
45
3,5 1
1,5 А
:520 мА (45 В)
2Т9425-5
п-р-п
-60 ...+125
22** Вт
~1950
45
3,5
1,5 А
:520 мА (45 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
357
ck,
rкэ нас• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
hz,,• ь;,э
с;2з'
r~нас' Ом
r;, Ом
t~,. нс
Корпус
пФ
к~·., дБ
Р:,,, Вт
t::.,, . нс
t::, нс
20... 100* (4 В: 15 А)
1
:5800 (!О В)
:50,66
-
:5700**
2Т935-5
1
1
~шт
1
-
:55,5 (20 В)
~1.6**
~1.6** (5 ГГц)
0,78
2Т937
-
:57,5 (20 В)
~1.8**
~3.6** (5 ГГц)
0,6
:ltl
;-
~
6
2
6
19,;J
-
:55,5 (20 В)
~1.6**
1
~1.6** (5 ГГц)
0,78
2Т937-5
~mг
-
:54 (20 В)
~2**
~1 ** (5 ГГц)
:52
2Т938-2
•tt
f:m
ifEit:i~
~: ~1!~6
j 40...200* (12 В: 0.2 А) :55,5 (12 В)
-
-
:59
2Т939 (2Т939А1)
20...200* (12 В: 0,2 А)
:56 (12 В)
-
-
$10
~
f~
.- .:
1S.
40 ... 200* (12 В: 0,2 А)
-
-
-
-
(9 11,1
2' ,5
(2.•.5,4)
~20* (5 В: О,1А)
:55 (20 В)
:56
-
:515
2Т941
;fiкФэ
-
:520 (28 В)
~2.5**
~8** (2 ГГц)
:52,2
2Т942
-
:520 (28 В)
~2.5**
~6** (2 ГГц)
:52,5
:ttl
1
~-
~
1
6
1
1
2
6,6
1
19.
-
:520 (28 В)
~2.5**
~8** (2 ГГц)
:52,2
2Т942-5
-
:520 (28 В)
~2.5**
~6** (2 ГГц)
:52.5
~r0r

358
Тип 1 Струк- Токр.,
прибора 1 тура \ ·с
Рк max'
Р~.тmax t
р~~ и maxt
мВт
~2Т944А
n-p -n
- 60." + 125 55* Вт (90°С)
2Т945А
n-p -n 1-60. .. +125 50* Вт (50°С)
2Т945Б
n-p -n 1 -60".+1251 50* Вт (50°С)
1-60 . .. +125
1
2Т945В
n-p -n
50* Вт (50°С)
1
1
2Т945А-5
n-p-n 1 -60 ...+125 1 50* Вт (50°С)
2Т946А
i n-p -n 1-60... +1251
37,5** Вт
~
!
j
1
1
1
2Т947А
1 n-p-n
-60 ...+125 1 200* Вт (50°С)
1
1
1
!
!
1
1
1
2Т948А
1 n-p-n 1 -60 ...+125
40* Вт
2Т948Б
! n-p -n 1 -60 ."+125
20* Вт
1
1
1
i
2Т949А
n-p-n ,
-60 ...+125
60* Вт
1
1
i
j
2Т950А
1 n-p-n
-60 ...+125
84 Вт
2Т950Б
n-p -n
-60 ...+125
60 Вт
1
i
f..v, \z1••
\;lэ'
~::х'
МГц
~105
~51
~51
~51
~51
~720
i
~75
1
~1950
1
~1950
180
1
~150
~90
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО о1ю<>'
lк max
lкоо•
U~ЭR 01ю<>' UЭБО maxt
1~. н maxt
I~R•
u~ ороб•
в
1··
мА
кэо•
в
мкА
100* (0,01 к)
5
12,5 (20*} А :s80* мА (100 В
200*
5
15 (25*} А :s25* мА (200 В)
(100 Ом)
150*
5
15 (25*) А :s25• мА (150 В)
(100 Ом)
150*
5
10 (20*} А :s25* мА (150 В)
(100 Ом)
200*
5
1
15(25*)А :S25* мА (200 В)
(100 Ом)
50
3,5
2,5(5*)А \ :s50мА(50В)
'
1
'
i
1
i
i
1
'
)
100* (0,01 к)
5
20 (50*} А :SIOO* мА (100 В)
1
1
1
i
i
45
2
2,5(5*)А 1 :s30мА(45В)
45
2
1,25 (2,5*} А ! :sl5 мА (45 В)
60*
5
20А
:s50 мА
1
1
j!
i
1
~
1
1
~i'
1
1
1
60*
1
4
1
10А
:s30 мА* (60 В)
65*
4
7А
:s30 мА* (60 В)
1
i
1
1
1
1
1

1
11
11
i
1
1
11
~
1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
h21э' ь;!Э
10...80* (5 В; 10 А)
1
!
i1
1
10...60* (7 В; 15 А)
10...60* (7 В; 15 А)
10...60* (7 В; 10 А)
10...60* (7 В; 15 А)
10...80~ (5 В; 20 А)
1
i
1
i
1
10...90* (10 В; 15 А) '1
!
1
15...100(5А; 10В) 1
10... 100(5А; IOB) 1
с"
с;2э'
пФ
:5350 (28 В)
s;200 (30 В)
:5200 (30 В)
:5200 (30 В)
:5200 (30 В)
:550 (10 В)
:5850 (27 В)
:530 (28 В)
:517 (28 В)
550
:5165 (28 В)
:5220 (28 В)
rкэ иас' Ом
r~э иас' Ом
к:·,, дБ
s;0,25; ::>: 10* *
s;0,17
s;0,17
s;0,17
1
s;0,17
1
!
1
1
::>:4**
::>:10**
1
-
0,15; ::>:7**
0,15; ::>:10**
1
i
1
1
1
1
Кш, дБ
r;, Ом
Р:х, Вт
::>:100** (30 МГц)
-
-
-
-
::>:27* * (1 ГГц)
::>:250** (1,5 МГц)
::>:15** (2 ГГц)
::>:8* * (2 ГГц)
-
::>:70** (80 МГц)
::>:50** (30 МГц)
tк, ПС
f~al'' НС
t;ЫIUlt НС
•::, НС
-
$1,1* мкс
:51,1* мкс
$1,1* мкс
1
:51,1* мкс
'
11
!
1
140**
1
-
!
-
1
1
1
359
1
Корпус
1
1
2Т944
r.
1:
!
Чt~
...;
.
с-.
2Т945
n.t кt)
6"з
~
.. ...,
о'о
~ffl~ т
..:;
.
'
-
к
2Т945-5
~шт ~
2Т946
2Т947
2Т948
1
/(
э
:
i
""'
i
s:!'
C"i
8,5
11
~
1
4,f
1
1
2Т949
i
1
~1
==tifj-
~
1
.
1
\...--~
1
2Т950
1
!
1
1~
'; ·~~
1-f'~Б К
j
~'
.
А-А
э
~· 15,7 --
ZI

360
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Рк max'
~" ~".. UКБО """"'
lкоо•
~
lк max
Тип
Струк· Токр.,
Р~.тmах'
~;lэ'
U~ЭR ""°"'
UЭБО max'
1:,н rnax t
J~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~ и maxt
~~·;х'
u~""""' в
мА
I~эо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т951А
n-p-n
- 60 ... +125
45 Вт**
<:150
60*
4
5А
:о;20 мА (60 В)
2Т951Б
n-p -n
- 60 ... +125
30 Вт**
<:90
65*
4
ЗА
:<;;20 мА (60 В)
2Т951В
n-p -n
-60 ...+125
6,3 Вт**
<:150
60*
4
0.5 А
:<;;5 мА (60 В)
2Т955А
n-p-n
- 60 ... +125
20* Вт (I00°C)
<:100
70* (О,Оlк)
4
6А
:o;lO* мА (60 В)
2Т956А
n-p -n
- 60 ... +125 70** Вт (I00°C)
<:100
100* (О,Оlк)
4
15А
:<;;80* мА ( 100 В)
2Т957А
n-p-n
-60 ...+125 100** Вт (1ОО0С)
<:100
60* (0,01 к)
4
20А
:<;;100* мА (60 В)
1
2Т958А
n-p-n
- 60 ... +125
85* * Вт (40°С)
<:400
36* (О,Оlк)
4
10А
:<;;15* мА (36 В)
1
1
1
!
1
1
1
2Т960А
n-p -n
- 60 ... +125
70** Вт (40°С)
<:600
36* (0,01 к)
4
7А
:<;;20* мА (36 В)
2Т962А
n-p-n
- 60 ... +125
17** Вт (40°С)
<:750
50
4
1,5 А
:о;20 мА (50 В)
2Т962Б
n-p-n
- 60 ... +125
27** Вт (40°С)
<:750
50
4
2,5 А
:<;;20 мА (50 В)
2Т962В
n-p-n
- 60 ... +125
66** Вт (40°С)
<:600
50
4
4А
:о;ЗО мА (50 В)
2Т963А·2
n-p -n
- 60 ... +125
1,1 *Вт
-
18
1,5
210
:<;;1 мА (18 В)
2Т963Б-2
n-p -n
- 60 ... +125
1,1 *Вт
-
18
1,5
185
:<;;1 мА (18 В)
1
!1
i
1
1
1
i
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
15...100 (2 А: 10 8)
10... 100 (2 А; 10 8)
30...200 (2 А: 10 8)
10...80* (5 8: 1А)
10...80* (5 8: 1 А)
.
10...80* (5 8; 5 А)
210* (8 8: 0.5 А)
пФ
$70 (28 8)
$70 (28 8)
$12 (28 8)
$75 (28 8)
$4005 (28 8)
$600 (28 8)
$180 (12 8)
$120 (12 8)
$20 (28 8)
$35 (28 8)
$50 (28 8)
1,5(58)
1,5(58)
rкэ на{·' Ом
r~э нас' Ом
к:· .. дБ
28,3**
210**
215**
220** раз
220**
217**
24**
22,5**
24**
23,5**
23**
23**(10ГГц)
23** (10 ГГц)
Кш• дБ
r~, Ом
Р;:х, Вт
225** (80 МГц)
220** (30 МГц)
23** (80 МГц)
220** (30 МГц)
2100** (30 МГц)
2125** (30 МГц)
240** (175 МГц)
240** (400 МГц)
210** (1 ГГц)
220** ( 1 ГГц)
240* * (1 ггц)
20,8** (10 ГГц)
20,5** ( 10 ГГц)
'tK1ПС
f~act НС
t::кл 1 НС
t::, нс
12
12,5
$15
$14
$11
361
Корпус
2Т951
,6 7J.2
2Т955
2Т956
~~~
:11ыJ t ъ:J
2Т957
~~~
:11ыJ t ъ:J
2Т958
+li2Т960
-т--...,....,...,,·6
~~·~~·~к25Jl
2Т962
2Т963
_
S,3
n,Ф
-
~·~
tч
~"-~
-
~"
·~-
1
~
ко:э
~ .....
=-
= 5.:1-
l=i=: Б
~1

36.2
Раздел 2. Биполярные транзиотор&1
pKmaxt
~•• \21••
UK50npo6•
•кmах
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmа"''
~;lэ'
U~Rnpoб• UЭБOma1t.' 1;,и max'
I~R•
прибора
·с
р~~ и max'
с·
U~ЭОnроб•
в
I~эо•
тура
ах•
мА
мВт
МГц
в
мкА
2Т96ЗА-5
п-р-п
-60 ...+125
1,1 *Вт
10 ГГц
18
1,5
1
185
1
:51 мА (18 В)
1
1
1
1
i
i
1·
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т964А
п-р-п
-60 ...+125
200* Вт (50°С)
<:150
80*(100 Ом)
4
IOA
:5100 мА (80 В)
1
1
2Т965А
! п-р-п 1-60.. . +1251
32* Вт
1
<:100
1 36* (0,Оlк) 1 4
i4А
:510* мА (36 В)
1
1
1
1
!
1
i
1
~
i
i
i
1
1
q
1
!
1
1
i
1
1
!
!
i
1
1
1
1
1
1
2Т966А
п-р-п
-60...+125
64* Вт
<:100
36* (О,Оlк)
4
8А
:523* мА (36 В)
!
1
1
1
!
!
1
.,
!
1
1
!
'
1
1
1
1
1
1
i
1
1
2Т967А
п-р-п 1-60. . . +125 1
100** Вт
<:180
36* (О,Оlк) J
4
15А
1 :520* мА (36 В)
2Т968А
п-р-п
-60 ...+125
4 Вт* (40°С)
<:90
300
5
100 (200*)
:50.5* мА (250 В)
ii
1
2Т968А-5
п-р-п
-60 ...+125
4 Вт* (40°С)
<:90
300
5
100 (200*)
:50,5* мА (250 В)
i11
:
'
1
1
-60 ...+125 1
1.70** Вт
50* (О,Оlк) 1
'
!
2Т970А
п-р-п
<:600
4
13А
i
100* мА (50 BI
!
'
1
i
1
i
1
1
1
1
1
1
'
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
363
i
1
!
ck,
rкэ нас• Ом
Кw,дБ
t'K, ПС
1
h2," ь;,э
с;2эt
r~нас' Ом
r~, Ом
f~at"' НС
Корпус
пФ
к:· •. дБ
Р;:" Вт
t::клt НС
t::., нс
-
1,5(58)
-
~0.8** (10 ГГц)
-
2Т963-5
0,45
0,08
~шт
10...50* (5 А; 10 В) 1 :5290 (40 В)
~5**
~150** (80 МГц)
1
-
i
2Т964
1
1
:tri
1
.....
....
6
к
1
1
~ ~J5,:
10...60* (5 В; 1 А)
:5100 (12,6 В)
~13**
~20** (30 МГц)
-
2Т965
1
~~~-
1
!1')
1
<!it
1
1
G,9
i
1
-
:5250 ( 12,6 В)
~16**
~40** (30 МГц)
-
1
2Т966
$J:t"
'/(
G,9
! 10... 100* (5 В; 5 А) :5500 (12,6 В)
~18**
~90** (30 МГц)
-
2Т967
1
i
1
1
i
1
t1ii
,
i
1
1
::::
6
к
1
1
~
1
&
J5,:
1
1
35... 320* (30 мА; 1О В) :52,8 (30 В)
:533**
-
:52**
2Т968
1
~ЕФкщэ
1
1
1
!
!
1
1
35...320* (30 мА; 10 В) j :52,8 (30 В)
:533**
-
:52**
2Т968-5
1
i
~шт
-
180 (28 В)
~4**
~100** (400 МГц)
:525
2Т970
1
1[g
1
1-
!1-$'
6
1
а
""'З .
1
i
1
1
i
1
!
21
.
1
i
1
1
i
1
1
1
1

364
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
pKmax'
f,,,. (216,
Uквоnро0•
1
Iк.,,,"
Iкво•
Тип
Токр.t
Р;.тmа"''
~;1,1
U~Rnpo6• UЭIOmax• 1;.и max•
J~R'
прибора 1 тура 1 ·с
р;иmах•
с·
u~-· в
·~·
".
1
мА
1
i
мВт
МГц
в
j
мкА
!
i
2Т971А
n-p-n l -60 . .. +125
200** Вт
~220
50* (О,Оlк)
4
17А
:S60* мА (50 В)
2Т974А
р-п-р
-6 0 ... +125
5* Вт (50°С)
~450
80
3
2А(10*А)
:S5 мА (80 В)
2Т974Б
р-п-р
-6 0 ... +125
5* Вт (50°С)
~450
60
3
2А(10*А)
:S5 мА (60 BJ
2Т9748
р-п-р
-60 ...+125
5* Вт (50°С)
~450
50
3
2А(10*А)
:S5 мА (50 В)
2Т974Г
р-п-р
-60 ...+125 1 5* Вт (50°С)
~450
60
3
2А(10*А)
:S5 мА (60 В)
1
2Т975А
n-p-n
-6 0 . .. +125 500** Вт (85°С)
-
50
3
15* А
:S40* мА (45 В)
2Т975Б
n-p-n
-6 0 . .. +125 200** Вт (85°С)
-
50
3
7*А
:S20* мА (45 В)
1
1
1
1
!2Т976А ! n-p-n 1-60... +125 75** Вт (40°С)
~750
50
4
6А
1 :S60мА(50В)
1
1
2Т977А
n-p -n
- 6 0 ... +125 200** Вт (85°С)
~600
50
3
8*А
:S25 мА (50 В)
2Т978А
n-p -n
-6 0 ... +125
40* Вт
~75
300*
5
10А(15*А)
:S2 мА (300 В)
(100 Ом).
120**
2Т978Б
n-p -n
-60 ...+125
40* Вт
~75
300*
5
10А(15*А)
:S2 мА (300 В)
(100 Ом).
150**
2Т979А
n-p -n
-60 ...+125
75* Вт
-
50
3,5
5А;10*А
:SIOO мА (50 В)
1
1
2Т980А
n-p-n
- 6 0 ... +125 300* Вт (30°С)
~150
100* (0,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 В)
2Т980Б
n-p-n
-60 ...+125 300* Вт (30°С)
~150
100* (О,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
365
ck,
rКЭиасt Ом
Кw,дБ
tlCI ПС
1
h2," ь;,э
с;2"
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
1
пФ
К~~ •• дБ
Р;:" Вт
t::IUll НС
t:. нс
-
S330 (28 В)
;::3**
;::150** (175 МГц)
S40
2Т971
3
tm
-
!1')
6
D
fNЭ
•
4
21
5...50 (5 А: 5 В)
80 (30 В)
Sl
1
-
S0.2 мкс
2Т974
5...50 (7 А: 5 В)
1
80 (30 В)
S0,6
-
1
S0.2 мкс
;fФкщэ
5...50 (5 А: 5 В)
80 (30 В)
Sl
-
S0,2 мкс
;::10* (7 А: 5 В)
80 (30 В)
S0,6
-
S0,2 мкс
1
1
-
-
;::6**
200** (1,4 . .. 1,6 ГГц)
S0,2 мкс
2Т975
-
-
;::6**
100** (1,4 .. . 1,6 ГГц)
-
6
~~
з
т:11
1
S70 (28 В)
~**
-
;::60* * ( 1 ГГц)
s25
2Т976
~~
о;"
llr'i
"Q
""
•6
1~в
21
-
-
-
;::50** (1,5 ГГц)
-
2Т977
~-~
!;:i'
••
1
:
сч 6.6к
1
1
;::15* (5 А: 5 В)
sl20 (50 В)
S0,2
-
Sl,2* мкс
2Т978
~,~
;::15* (5 А; 5 В)
Sl20 (50 В)
S0,2
-
sl ,2* мкс
~fflii ~
..,.
.
-
/(
-
-
;::б**
;::50** (1,3 ГГц)
-
2Т979
ttlja
!О:)
""к
1
-
~ 2l2
15...60* (IO В; 5 А)
S450 (50 В)
;::16** раз
;::250** (30 МГц)
-
2Т980
10... 60* (10 В; 5 А)
S450 (50 В)
;::16** раз
;::250** (80 МГц)
-
:ttl
::::;
6
к
&
J5,:

366
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maкt
{,.,. \216,
UКБО проб•
lк mак
lкБО•
Тип
Струк- Токр.r
Р~.тmакt
~;lэt
U~Rnpo6• UЭБО mак t 1~,иmак'
I~R•
прибора
тура
·с
р""
c:ll.,
u~npoб•
в
1;эо,
К.иmакt
мА
мВт
МГц
в
мкА
2Т981А
n-p-n
-60 ...+125
70* Вт
~300
36* (0,01 к)
4
10А
::;50* мА (36 В)
1
i
!
1
2Т982А-2
!
n-p-n
- 60 ".+125
5,8** Вт
-
20
1,5
600
::;1 мА (20 В)
1
2Т982А-5
n-p-n
-60".+125
5,8** Вт
-
20
1,5
600
::;1 мА (20 В)
1
i
1
~
:
1
1
1
1
2Т983А
n-p-n
- 60 ".+125
8.7* Вт
~1200
40* (0,01 к)
4
0,5 А
::;5* мА (40 В)
2Т983Б
1 n-p-n 1-60 ". +125
13* Вт
~900
40* (0,01 к)
4
IA
::;8* мА (40 В)
2Т983В
1 n-p-n
- 60" .+125
22,5* Вт
~750
40* (О,01 к)
4
2А
::;18* мА (40 В)
!
2Т984А
n-p -n 1 -60".+125
1,4* Вт
1
720
65
4
1
7*А
1
::;30 мА (65 В)
2Т984Б
n-p -n 1 -60".+125 !
4,7* Вт
1
720
1
65
4
16* А
::;80 мА (65 В) 1
i
1
1
i
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т985АС
n-p-n 1-60 ". +125
185* Вт
~660
50* (10 Ом)
4
17А
::;120 мА (50 В)
1
1
1
~
2Т986А
i n-p-n i -60 ".+125 1
910** Вт
-
50
1
3
26*А i ::;60мА(50В) i
1
1
•
1
1
1
j-60 " . +1251
i
2Т986Б
n-p-n
775** Вт
-
50
3
26* А
1 ::;50 мА (50 В)
2Т986В
n-p-n
- 60 ".+125
910** Вт
-
50
3
26* А
1
::;40 мА (50 В)
2Т986Г
n-p-n
- 60 ".+125
910** Вт
-
50
3
26* А
::;50 мА (50 В)
2Т987А
n-p-n
- 60 ".+125
93* Вт
1000
50
3.5
5А
100 мА (50 В)
1
1
1
1
i1
1
1
~
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
367
ck,
fкэнас' Ом
Кw,дБ
t., пс
h:H'*' ь;IЭ
c;:?i'
г~:энсt~• Ом
r;, Ом
t~c' НС
Корпус
пФ
к~·•' дБ
Р;:,, Вт
t::kЛ, нс
t:::,, нс
10...90* 15 В: 5 А) 1S400 (12.6 В) 1
~5**
~50** (80 МГц) !
-
1
2Т981
!
1
1
1
1
1
:tf+ifj
1
1
1
1
1
1
....
6
к
'
i
1
1
,
1
1
~ J5,:
-
s6(15B)
2,5**
~3.2** (7 ГГц)
-
2Т982
s.s
Н,#
-
1
~
1
....-
~
~·~
.....
ктэ
'
"
,_
-
1~"1
1
1
!
1
-
!
'
1
i
i
-
S6 (15 В)
2,5**
~3.2** (7 ГГц) 1
-
!
2Т982-5
i
1
0,45
0,08
~шт
~20* (5 В; 0,5 А)
S8 (28 В)
~4**
~0.5** (860 МГц)
-
2Т983
~IO* (5 В; 0,5 А)
Sl2 (28 В)
~3.6**
~1 ** (860 МГц)
-
~ 71.]3 к
~10* (5 В: 0,5 А)
S24 (28 В)
~3.2**
~3.5** (860 МГц)
-
..;
~~~
Е
•
1
О!"
1-..::1
1
1
~
1' 1з
1
'
1
8 1'1. '2
2i
1
1
1
-
S35 (30 В)
~5**
~75** (820 МГц)
5
2Т984
-
S80 (30 В)
~4**
~250** (820 МГц)
5
~~~rel]
-
S270 (28 В)
~3.5**
~125** (0,4 ГГц)
S21
1
2Т985
1
i
~tl;
1
1
'
!
1
1
1
1
1
В.5
23.2
-
1
-
~6**
~350**
-
2Т986
(1,4 ... 1,6 ГГц)
6
-
-
~6**
~300** (1,6 ГГц)
-
~~~
-
-
~7**
~350** (1,6 ГГц)
-
....
OQ-
з
-
-
~7**
~350**
-
D
,...
(0,6 ...0,8 ГГц)
J,8
1.
'
~6**
~45** ( 1 ГГц)
2Т987

368
Раздел 2. Биполярные транзисторы
рКmал'
~•• ~216•
UКБО проб•
lк mал
lкоо•
Тип
Струк- Токр.•
Р~.тmах'
~;lз'
U~Rnpo6• UЭБО max'
·~.н max'
I~R•
прибора тура
·с
р~: и max'
~::х'
u~ .....
в
мА
1~,
мВт
МГц
в
мкА
2Т988А
п-р-п
-60 ...+125
43* Вт
-
50
3,5
2,5 А
:550 мА (50 В)
2Т988Б
п-р-п
-60 ...+125
33* Вт
-
50
3,5
1,7 А
:530 мА (50 В)
1
2Т989А
п-р-п -60 . .. +125 40* Вт (115°С)
-
45
2
5А(7,5*А)
:5100 мА (45 В)
2Т989Б
п-р-п
-6 0 . .. +125 30* Вт (115°С)
-
45
2
4А(5*А)
:5100 мА (45 В)
2Т989В
п-р-п
-6 0 . .. +125 14* Вт (115°С)
-
45
2
1,7 А
:530 мА (45 В)
2Т989Г
п-р-п
-60 ...+125 25* Вт(115°С)
-
45
2
2,5 А
:550 мА (45 В)
1'
2Т990А-2
п-р-п
-60 ...+100
25* Вт
1,95 ГГц
45
3,5
1,5А(3*А)
:520 мА (45 В)
1
2Т991АС
п-р-п
-60 ...+125
67* Вт
~540
50
4
3,7 А
:550 мА (50 В)
2Т993А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
~180
150
4
5А(IO*А)
30 мА (150 В)
-
2Т994А-2
п-р-п
-6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С)
-
50
3
39* А
:560 мА (50 В)
2Т994Б-2
п-р-п
-60 ...+125 1165** Вт (85°С)
-
50
3
35* А
:560 мА (50 В)
2Т994В-2
п-р-п
-6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С)
-
50
3
39* А
:560 мА (50 В)
!

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
369
!1
1
1
1
;1
ck,
fкэнас' Ом
Кш, дБ
't,, пс
1
t:a{·t НС
1
11
ii
h21э' h~IЭ
c;2j'
r~э нас' Ом
r~, Ом
t:•ыкл t НС
Корпус
11
~
пФ
к;.. дБ
Р;:х' Вт
t::, нс
1
-
-
26**
215** (0.7 ГГц)
-
2Т988
-
-
27,8**
218** (l,4 ГГц)
-
~~4~Б
--
э
""' KS· r
...
~
""'
•
-:; ~
11
.f,~
с::
2,,2 -
1
-
11
!
11
1
1
-
-
23,2**
235** (2 ГГц)
-
2Т989
-
-
24,3**
226** (2 ГГц)
-
-
-
27**
212** (2 ГГц)
-
~~
-
27**
225* * (l,7 ГГц)
1
..JL
Б
-
-
э
""'
Kr.
г
...
1~
""'
'
~~
15,~
21,2
11
-
1
i
i
1
:522 (28 В)
28** (2 ГГц)
1
1
1
-
-
:52,5
2Т990-2
~ 311~~ к
<Q"
c:::t
'&
...
1~~ /j
2
16;6
19,'J
-
:575 (28 В)
26**
255** (0.7 ГГц)
:56,8
2Т991
1,,
1
!
~·
""
...
к3
1
!I
1
~ ~11,
~
1
~
10...70* (5 В; 5А)
375
-
-
-
2Т993
~1
~=т=)-
."
;~ 11
1
1
1
~~; т 1-~
1
1
'
1к
:
1
1
о-1"!. :
i
i !!.•
1
-
:5120 (45 В)
26**
2500** (l.4 ...l.6ГГц)
-
2Т994
-
:5120 (45 В)
26**
2400* * ( 1.4 .. . 1.6ГГц)
-
-
:5120 (45 В)
27**
2500** (l,4 .. . l,6ГГц)
-
61
lк,~-
...
1
э
:!;!
1
KI\i-Э
~
Б/.Т
1
1
1
-Z1.l
1
1
24зак 9

370
Тип
прибора
1
~2Т995А-2
1
~!2Т996А-2
2Т996Б-2
2Т996В-2
2T996f-2
2Т996А-5
!2Т996Б-5
~
2Т998А
1
1
1
Струк-1 Токр.,
!
·с
тура
п-р-п 1 -60 ... +125
1
!
1
1
1
п-р-п 1-60 ... +125 1
п-р-п i -60 ...+125 1
п-р-п 1-60 .. . +1251
п-р-п ! -60 ... +125 1
п-р-п 1 -60 ... + 125
п-р-п 1-60 ...+125 1
i
1
1
11
1
!
i
п-р-п
-60...+125
1
1
!
1
!
!
pKmax'
Р~. т max'
р~~ н maxl
мВт
3* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
1
i
1
1
1
1
1
1
1
'
i
1
~.. ~,..
\;lэt
(.' '
.... .
Мfц
10 ГГu
~4 ГГu
~4 ГГu
~4 rru
~4 ГГu
~4 ГГu
~4 ГГu
-
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО проб•
U~Rnpo6'
U::ЭО проб•
в
18
20
20
20
20
20
20
100
1
1 U3~.,."
i
1
1
1
1
1
i1
1
1
1
1,5
2,5
2.5
2.5
2,5
2,5
2.5
4
1
1
!
i
11
1
1
1
11
!1
1
•кmаА
J~,н maxt
мА
600
200 (0.3* А)
200 !О.З* А)
200; 300•
200: 300·
200 (0.3* А)
200 (0,3* А)
30А
1
11
1
1
•кьо•
·~R•
·~·мкА
:52 мА (18 BI
:55* мА (20 В)
:55* мА (20 В)
:51*мА(20В)
:51*мА(20В)
:55* мА (20 В)
:55• мА (20 В)
:560 мА (100 В)
i'!
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
371
1
с•.
rКЭнас:' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h21эt ь;IЭ
с;2~'
r~мас:' Ом
r;, Ом
t~ct НС
Корпус
пФ
к::•. дБ
Р;:,, Вт
t::кл' НС
t::, нс
-
-
~1.5**
~1.5** (10 ГГц)
-
2Т995
-s.s-
-
п,• -
-
1
~
=- .-=
{f""' ~
-
~"е
5.:1
~-
~
~35* (10 В: 0.1 А)
;<:;2,3 (10 В)
-
-
-
2Т996
~70* (10 В: 0,1 А)
;<:;2,3 (10 В)
-
-
-
~35* (10 В; 0,1 А)
;<:;2,3 (10 В)
~3.8**
~О.115** (650 МГц)
-
*'~@.
~35* (!О В; 0.1 А)
$2.3 (10 В)
~4.5**
~О.135** (650 МГц)
-
~
1
'&.
з.з
6
~35* (10 В; 0.1 А)
;<:;2,3 (10 В)
-
-
-
2Т996-5
~70* (10 В; 0,1 А)
:-:;2,3 (!О В)
-
-
-
0,57
0,09
1
~шт
1
1
~10* (5 В; ·15 А)
;<:;2,3 (10 В)
$0,2
-
-
2Т998
~rtll
-
к
з
i
~.~ 19.5
24·

372
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.11 . Биполярные кремниевые сборки специального назначения
1 Струк-
Рк max'
~•• 'i:21••
UКБ0про6•
IKma). '
•коо•
Тип
Токр.t
Р~. т maxt
\;)Jt
U~Rnpo6' UЭбОmах' 1;,мmaxt
·~R'
прибора 1 тура
·с
р~~ и max'
~:;х,
u~ .....
в
·~·
:
мА
i
j
i
1
i
мВт
Мfц
в
мкА
1
2ТСЗОЗА-2 1 п-р-п, 1-60 ... +125 I 500 (6О 0 С)
300
45* (!Ок)
-
100 (500*)
:50,5 (45 В)
1
р-п-р
1
1
1
2ТСЗ103А
р-п-р
-6 0 ... +125
300 (55°С)
~600
15* (15к)
5
20 (50*)
:50,2 (15 В)
2ТСЗ103Б
р-п-р
-60...+125
300 (55°С)
~600
15* (15к)
5
20 (50*)
:50,2 (15 В)
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
2ТС3111А-1
п-р-п 1-60.. . +125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2ТСЗШБ-1
п-р-п 1-60... +125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2ТСЗ111В-1
п-р-п
-60 ...+125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2TC3111f-1
п-р-п 1 -60 .. . +125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2ТСЗ111Д-1
n-p -n
-60 ...+125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
i
i
2ТСЗ136А-1 i п-р-п ! -60 ... +100
50 ооо·с)
~500
15
1
4
1
20
1
:50,1 (15В)
1
1
1
i
1
1
i
1
2ТЗ155АС-1
1
п-р-п
1
30
~1000
10* ( 10к)
4
10; 20*
1
:50.5 (!О В)
2ТЗ155БС-1 п-р-п
30
~1000
10* ( lОк)
4
10; 20*
1
:50,5 (!О В)
1
1
1
1
1
!
1
1
i
1
1
i
j
1
!
1
!
'
2ТС393А-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С)
~500
10* (5к)
4
10 (20*) i :50.1 (!О В)
1
2ТС393Б-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С)
~500
10* (5к)
4
10 (20*)
:50,2 (15 В)
1
1
~
2ТС393А-9
р-п-р
-60...+85
20
~500
10
4
10
:5100 мА
2ТС393Б-9
р-п-р
-60 ...+85
20
~500
15
4
10
:5100 мА
i
1
'1
!
1
1
11
1
1
1
:
i
1
1
1
:
i
i
1
1
1
2ТС398А-1 1 п-р-п 1-60... +100
30 (85°С)
~1000
10* (!Ок)
4
10 (20*)
1
:50,5 (10 В)
2ТС398Б-1 1 n-p -n
-60...+100
30 (85°С)
~1000
10* (10к)
4
10 (20*)
:50,5 ( 10 В)
1
1

Биполярные кремниевые сборки специального назначения
373
!/
Ck,
rкэш•
Кш,АБ
t"nc
J
h2," ь;,э
с;2.•
rБЭ ""'
h21.1 / ь;,,2.
t;,.,. нс
Корпус
l-.~~~~~~~~-+-~-"-Ф~~-+-~о_м~-+-~~л-u_:_._м_в~~--+-~t-:_м_•_"_с~-+-~~~~~~~~~~--iJ
40...180 (5 В; 1 мА)
40...200 (1 В: 1 мА)
40...200 (1 В; 1 мА)
150.. .400* (10 мкА: 5 В)
100.. .400* (10 мкА; 5 В)
50 .. .400* (10 мкА; 5 В)
20 .. .400* (10 мкА; 5 В)
20...400* (10 мкА: 5 В)
70...180 (5 В: 5 мА)
40...250 (1 В; 1 мА)
40...250 (1 В; 1 мА)
40...180 (1 В: 1 мА)
30...140 (1 В; 1 мА)
40 .. .180
30.. .140
40...250 (1 В; 1 мА)
40...250 (1 В; 1 мА)
'
:s:8 (5 В)
:52.5 (5 В)
:52.5 (5 В)
:52,5 (1 В)
:52,5 (1 В)
:52,5 (1 В)
:52.5 (1 В)
:s:2.5 (1 В)
:s:2 (5 В)
:S:l,5(5B)
:S:l,5(5B)
:52 (5 В)
:52 (5 В)
:51,5 (5 В)
:s:l,5 (5 В)
:520
:560
:560
:550
:560
$60
2:0,7*
:530**
:55 (60 МГц); 2:0,9*
:55 (60 МГц); 2:0.8*
$1 *; :55**
0,8 ... 1 .25*; :51,5**
0,9 ... 1,1*; :s:3**
:56 (60 МГц)
:s:6 (60 МГц)
$3**
:55**
0,8 ... 1,25*; $1,5**
0,9 ... 1,1*; $3**
$80
:580
:580
$40
:550
:550
:580
$80
:550
:550
2ТСЗ103
~-fi·~·:,~~
С;)
52
с-.
К2
2ТСЗ111-1
D.95
о.а
2ТСЗЗ6·1
-~-
2ТЗ155·1
2ТСЗ9З-1
nii-·
....
....:-
-к
'з
2ТСЗ93·9
~ :sJ~t
6'(]ШК2
32
ЭI
Б2
8
1 1\1
1(6/flll
2ТСЗ98-1
nii-·
....
....:-
-к
'з

374
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-
Ркmах'
~•• \210 •
UКБО nроб•
•кmах'
•коо•
Тип
Токр.,
Р~.тmах'
~;lэ'
U~Rnpo6t UЭБOmaxt 1;.к maxt
·~R'
прибора 1
·с
р~~ н max'
с·
u~npo6'
в
·~·
1
тура
"'
мВт
Мfц
в
мА
мкА
2ТС398А-94 ! п-р-п
-60 ...+100 1
30
~1 ГГц
10
4
10
$0.5
2ТС3986-94 j п-р-п
-60 ...+100 1
30
~1 ГГц
10
4
10
$0.5
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
·1
1
!
2ТС613А
п-р-п
-60 ...+1251
800 (50°С)
~200
60
4
400 (800*)
$8 (60 В)
2ТС6136
п-р-п
-60 ...+125
800 (50°С)
~200
60
4
400 (800*)
:;;8 ~60 В)
i1
1
1
1
1
4
400 (600*)
$10 (45 В)
12ТС622А р-п-р -60" .+125 I 0,4 (10**) Вт
45* (1 к)
~200
2ТС6226
р-п-р
- 6 0".+125 1 0,4 (10**) Вт 1 ~200
35* (lк)
4
400 (600*)
i
:;;20 (35 В)
1
i
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
;
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
2ТС6226-1
р-п-р 1 -60 ... +125 I
0,4 Вт
~200
45
4
400 (600*)
10
r1
1
!
i
1
1
1
1
1
!
i
1
!
1
2Т670АС. 1 п-р-п
1
! 800; 3200**
~200
50; 40*(10к)
4
400; 800*
1
:;;5 (50 В)
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'

Биполярные кремниевые сборки специального назначения
h21" h;JЭ
40 ... 250
40 ... 250
25... 100* (5 В; 0,2 А)
40...200* (5 В; 0,2 А)
25...150* (5 В; 0,2 А)
25...150* (5 В; 0,2 А)
25 ... 150*
40...200* (5 В; 0,2 А)
с"
с;2э1
пФ
sl5 (10 В)
sl5 (10 В)
sl5 (10 В)
sl5 (10 В)
15
$15(108)
rкэ ноtе1
Кш, дБ
г~ нас'
hz1,1 / h;ы,
Ом
лu:,мв
$\,5**
$3**
$2,5; $5*
т.0 пс
f~a(·t НС
t::IUl1 НС
$\00*
$100*
$120*
$200*
$100*
375
Корпус
2ТС398-94
2ТС613
2ТС622
~
1 ..,i
{ааааааа}~
...
7,5
~S!
...
...
~
...
=--~
...
~"'
t:!
~
,;!:
2ТС622Б-1
6, к,з,
\1/
1
:fi; lL2Т670

376
Раздел 2. Биполярные транзисторы
:1
1 Струк-1
f,,,, ~210•
1
IКБО•
'
11
pKmax'
UКБО оро6•
IKmax'
1!
Тип
Токр.r
Р~.т1nаА'
(;lэ'
U~RopoO' UЭБОmа),'
1
I~ЭR'
прибора
1
тура
1
·с
р~~ н max'
~::;х,
u;эо проб'
в
1~,и ma).'
I~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
2ТС687АС-2 р-п-р
1,5 Вт
~450
60; 50*
3
1,5 А; 4,5*А
-
2ТС687БС-2 р·П·р
1,5 Вт
~450
70; 60*
3
1,5 А; 3,5*А
-
i
1
1
1
1
1
12Т689АС 1 р-п-р 1
400; 6000*
~300
45
4
300: 600*
5.7 (45 В)
!
1'
'
i
1
i
1
1
1
1
!
1
i
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!1
1
1
2ТС84ЗА
п-р-п
-60 ...+125
25* Вт (I00°C)
-
120
4
12 А (25* А). 5.12 мА (120 В)
3А(6*А)
1
~
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
2ТС941А-2
р-п-р, -60 .. . +125
5* Вт
~300
1
60
4
800 (1500*)
5.5 мА (60 В)
n·p ·n
1
1
i1
1

Биполярные кремниевые сборки специального назначения
~10(5В;3,5А)
~10(5В;3,5А)
50..150 (5 В; 80 мА)
10...50 (12 А; 5 В)
40...150 (5 В; 0,1 А)
$20 (10 В)
12 (28 В)
Скэ наr'
r~э нас'
Ом
$2,6
$3,3
$4; $6*
$0,2
$3,3
Кш, дБ
h2,,, / ь;,,,,
лu:~. мВ
~0.7
377
t,, ПС
~;ас' НС
fвыклt НС
Корпус
2ТС687-2
Ci:%f
Б~42Б
э
.
"!. э
к
'<!"к
$90*
2Т689АС
(
)
~:
:<;;2* мкс
2ТС843А
s90; s500*
2ТС941А-2

Раздел 3
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
Буквенное обозначение
Параметр
1 отечественное
международное
Iз
IG
Ток затвора (постоянный).
Iз отс
IGSX
Ток отсечки затвора.
;
Iз пр
IGF
Прямой ток затвора.
-
Iз ут
IGSS
Ток утечки затвора.
Iзио
IGSO
Обратный ток перехода затвор-исток.
Iзео
1 IGDo
Обратный ток перехода затвор-сток.
Iи
1Is
Ток истока (постоянный).
Iи нач
Isos
Начальный ток истока.
Iи ост
Isox
Остаточный ток истока.
Ie
Io
Ток стока (постоянный).
Jc нагр
IosR
Ток стока при нагруженном затворе.
le нач
Ioss
Начальный ток стока.
1с ост
Iosx
Остаточный ток стока.
Iп
iIв. Iu
Ток подложки.
'
~
1Uзи
1 UGs
1 Напряжение затвор-исток (постоянное).
1
Uзи обр
1 UGSR
1 Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
i Uзи отс
/ UGS(OFF). UGS(off)
Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором
1
и истоком (полевого транзистора с р-п-переходом и с изолирован-
ным затвором).
Uзи пор
UGsт. UGS(th). UGs(ТO) Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затво-
ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затво-
ром).
Uзи пр
UGsF
Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
Uз проб
1 U(BR) GSS
Пробивное напряжение затвора - напряжение пробоя затвор-и с-~
i
1 ток при замкнутых стоке и истоке.
1
Uзп
1 UGВ, UGU
Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Uзе
1 UGD
Напряжение затвор-сток (постоянное).
Uип
Usв. Usu
Напряжение исток-подложка (постоянное).
Uеи
1 Uos
Напряжение сток-исток (постоянное).
Uеп
Uов. Uou
Напряжение сток-подложка (постоянное).
Uз1-Uз2
UG1-UG2.
Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
Реи
Pos
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
Реи. т max
'
Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом 1
1-
1
(постоянная).
!
s
i gms
Крутизна характеристики.
~
'
'1

Раздел 3. Полевые транзисторы
Буквенное обозначение
'
1
~ отечественное
международное
Rзи
ГGS, Гgs
~ Rзс
1ГGD, Гgd
Rзсо
ГGSS. Гgss
Rси
ros. Гds
Rси отк
ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп
Rси эакр
ГDS(Off), Гds(оП), ГDS off
1
1
j
iic
1 зио
Cgso
Сзсо
Cgdo
Ссио
1 Cdso
1
С11и. Свх, и
1 Ciss. C11ss
1
."
1 Crss. С l2ss
i
~ С22и
1Coss, C22ss
11
n
/t С22с
!Cods, C22ds
g11и
giss. g1 ls
1
g22и
goss, g22s
1У11и
1 Yis, Y11s
i:
1
У12и
Yrs, Y12s
У21и
Yrs, Y21s
У22и
1 Yos. Y22s
i
Ку. Р
Gp
j fv21и
1 fvrs
jЕш
iUп
iКш
jF
i-
аш
-
ards
tвкл
ton
tвыкл
torr
tэд,вкл
td(on)
tэд,выкл
td(off)
379
Продолжение буквенных обозначений
Параметр
1
Сопротивление затвор-исток.
Сопротивление затвор-сток.
Сопротивление затвора (при Uos = О или Uds = О).
Сопротивление сток-исток.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии - сопротивле-
ние между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток.
1
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии - сопротивле- ~
ние между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора j
при заданном напряжении сток-исток.
Емкость затвор-исток - емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость затвор-сток - емкость между затвором и стоком при ра-
зомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость сток-исток - емкость между стоком и истоком при ра-
зомкнутых по переменному току остальных выводах.
Входная емкость транзистора - емкость между затвором
и истоком .
~
1
Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком~
замыкании на входе по переменному току.
li
'
Выходная емкость транзистора - емкость между стоком
и истоком.
Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыка-
нии на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по пере-
менному току).
Активная составляющая входной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
i
Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто-1
ком при коротком замыкании на выходе).
Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на входе).
Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с об-
щим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yrs = grs + gьrs = Io/Uas; на НЧ 1Yrs1 = grs).
Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы-
ка~ши на входе).
Коэффициент усиления по мощности.
Частота отсечки в схеме с общим истоком.
~
Шумовое напряжение транзистора.
Коэффициент шума транзистора.
1 Температурный коэффициент тока стока.
Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
Время включения транзистора.
Время выключения транзистора.
Время задержки включения.
Время задержки выключения.

380
Раздел 3. Полевые транзисторы
Окончание буквенных обозначений
Буквенное обозначение
Параметр
отечественное
1 международное
tнр
tr
Время нарастания.
tcn
tr
Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
lз(ут )1-lз(ут)2
1 IGSS1-IGSS2
Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изо-
лированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для по-
i
левых транзисторов с р-п-переходом).
1с нач 1/ 1с нач2
1 Ioss1 /Ioss2
Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
Uзи1-UзИ2
iUGs1-UGs2
Разность напряжений затвор-исток.
lлUзи1-Uзи2) 1/ лт 11л<uGs1-UGs2) 1/ лт Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя зна-
чениями температуры.
g22и 1-g22и2
gost·gos2
Разность выходных проводимостей в режи~е малого сигнала в
схеме с общим истоком.
g2tиl / g21и2
grs1/ grs2
Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме ма-
лога сигнала в схеме с общим истоком.
3.2. Параметры и характеристики полевых
транзисторов
К полевым транзисторам относятся полупроводниковые приборы, принцип действия которых ос
нован на использовании эффекта внешнего электрического поля для управления проводимостью
транзистора. Такие транзисторы называются также униполярными, так как перенос тока в них осу
ществляется только одним типом носителя заряда: в n-канальных - электронами; в р-канальных
-
дырками (в отличие от биполярных транзисторов, где ток переносится двумя типами носителей -
основными и неосновными, т. е. и дырками, и электронами).
Для управления током в униполярных транзисторах либо меняется концентрация носителей
полупроводникового слоя, либо его площадь под действием электрического поля (эффект поля). От
сюда название •полевые транзисторы». Проводящий слой, по которому проходит ток, называют ка
налом (канальные транзисторы). Каналы могут быть приповерхностными (обогащенные слои из-за
наличия доноров в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего
поля) или объемными (участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обеднен
ным слоем).
Транзистор с приповерхностным слоем называют МОП-транзистором (металл-окисел-полу
проводник). За рубежом его называют MOSFET. У транзисторов с объемным каналом обедненный
слой создается с помощью р-n-перехода, поэтому их называют транзисторами с р-n-переходом (или
просто полевыми), за рубежом - JFET .
Структуры полевых транзисторов приведены на рис. 3.1 .
Исток JaflNoJJ Сток
Истол Jamflop l~rюк
Ист01r Jатвор Сток
Исток 3amf!Op С!Тюк
р
Канал п- р
п
а
6
в
г
Рис. 3.1. Структуры МОП-транзисторов: а - п-канальная обогащенного типа; б
-
п-канальная обедненного типа;
в - р-канальная обогащенного типа; г
-
р-канальная обедненного типа
Полевой транзистор с р-n-переходом состоит из полупроводниковой пластинки (стержня), кото
рая образует канал. с омическими выводами от каждого ее конца (стока и истока) и на поверхности

Раздел 3. Полевые транзисторы
381
которой с противоположных сторон формируется р-п-переход параллельно направлению тока, вывод
от которого называется затвором - электродом, управляющим сопротивлением (движением зарядов)
между стоком и истоком. Затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п-переходом. Входной
импеданс затвора является импедансом обратно смещенного р-п-перехода, что значительно ниже им-
педанса МОП-приборов.
·
Сопротивление между стоком и истоком изменяется с изменением напряжения на затворе.
Через запертый переход затвор-канал протекает ток утечки, который экспоненциально изменяет
ся с температурой и который, проходя через резистор цепи затвора, может изменить напряжение
смещения, если сопротивление резистора велико (особенно при высоких температурах). Этот эффект
отсутствует у МОП-транзисторов. Их называют также транзисторами с изолированным затвором,
так как у них затвор электрически изолирован от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика: ди
электрическими пленками двуокиси кремния (Si02), нитрида кремния и окщи алюминия. поэтому
они сохраняют высокое входное сопротивление независимо от величины и полярности Uзи- Условия.
возникающие на поверхности раздела Si-Si02 таковы, что все приборы с каналом n-типа в исходном
состоянии, т. е. при Uзи = О открыты, а с каналом р-типа закрыты.
Каждый МОП-транзистор состоит из подложки, двух противоположно легированных подложке
областей (истока и стока) и металлического затвора, лежащего сверху над тонким слоем окисла. На
пряжение затвора регулирует движение зарядов в канале между истоком и стоком.
Слой диэлектрика тонкий, поэтому при подаче напряжения на затвор в нем возникает сильное
электрическое поле, которое вызывает образование инверсионного слоя (поверхностный канал), где
основными носителями являются электроны в р-подложке. Падение напряжения между затвором\ и
подложкой в основном происходит в диэлектрике, и направление поля вызывает увеличение инверси
онного слоя. На границе раздела образуется поверхностный заряд. Когда Uз > О, поле притягивает
электроны (неосновные носители материала р-типа) и появляется отрицательный заряд. Образуется
обедненный слой (неподвижные ионы акцепторов). Если Uз > О, то происходит обогащение первона
чального инверсионного слоя (увеличивается концентрация электронов на поверхности), если
Uз < О. то происходит его обеднение (концентрация электронов у поверхности ниже, чем в объеме,
так как они отталкиваются от поверхности).
В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электро
проводности. В режиме обеднения концентрация дырок будет превышать концентрацию электронов,
т. е. тип электропроводности слоя изменится на противоположный (произойдет инверсия типа прово
димости).
Потенциал затвора изменяет ширину канала (концентрацию электронов), т. е. образуется канал
с регулируемой электронной проводимостью (она увеличивается при увеличении Uз).
В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или
р-типа. Например. nМОП-транзисторы имеют электронную проводимость (носители зарядов - элек
троны), а рМОП-транзисторы - дырочную проводимость (носители зарядов
-
дырки). У n-каналь
ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, а к выводу истока
прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т. е. полярность напряже
ния стока положительная), а у р-канальных - наоборот.
Таким образом существуют два основных режима работы: обеднения (проводимость канала мо
жет быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения Uзи) и
обогащения. У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе Uзи = О протекает не
большой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи. близких к нулю. Такие
приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В частности,
полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом (с диффузионным каналом) являются нормально
открытыми: они закрываются (т. е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря
жении, называемом напряжением отсечки - это такое напряжение Uзи. которое необходимо, чтобы
уменьшить ток стока 1с от lснач до О.
По конструктивно-технологическим признакам полевые приборы делятся на транзисторы с
встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Встроенный канал создается техно
логически путем, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в ре
зультате воздействия поперечного электрического поля.
В транзисторах со встроенным каналом (например, КП305, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе
вызывается подачей напряжения на затвор с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда
в канале (для р-канала Uзи > О, для n-канала Uзи < О), что вызывает обеднение канала носителями

382
Раздел 3. Полевые транзисторы
заряда и ток 1с уменьшается. При соответствующем изменении полярности напряжения на затворе
произойдет обогащение канала носителями и выходной ток 1с увеличится. Такие приборы могут ра
ботать при обеих полярностях Uзи как в режимах обеднения, так и обогащения. Для них вводится
понятие ~пороговое напряжение» (напряжение открывания). Это такое Uз, при котором электроны
равновесного инверсионного слоя отталкиваются от поверхности и встроенный канал исчезает (кон
центрация электронов в слое под окислом затвора становится равной концентрации дырок в объеме
кремния).
В транзисторах с индуцированным каналом, имеющих наибольшее распространение, при напря
жении Uз = О канал отсутствует и только при Uз, равном пороговому напряжению, образуется (ин
дуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый
прибор) при одной полярности Uзи.
В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом канал существует при Uз = О, т. е. они
имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нор
мально открытый прибор). У приборов обедненного типа канал имеет тот же тип проводимости, что
и сток с истоком, у приборов обогащенного типа канал легирован противоположной примесью по от
ношению к стоку и истоку.
На рис. 3.2, 3.3, 3.4 приведены выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) полевых тран
зисторов (зависимость тока стока 1с от напряжения на стоке Uc) при различных напряжениях на за
творе Uз). Они напоминают характеристики усилительных пентодов.
О-5
-10
-15
-zo -Z5
- JO ~м,8
Рис. 3.2. Стоковые характеристики схемы с общим истоком (с р-п-переходом)
1
40L
1
~JO~
~1
'
1
~го'
г
то
J
Uc, В
5
sв
4В
JB
ZB
Рис. 3.3 . Типичные вольт-амперные
характеристики п-канального МОП-транзистора
обогащенного типа
Uc=U3 +UJиnop
U3 =+!В
40
ов
JO
"<:
-тв
"'~ го
"'
-гв
....
то
-JB
о
г
J
4
s Uc.B
Рис. 3.4 . Типичные вольт-амперные
характеристики п-канального МОП-транзистора
обедненного типа
Ток 1с зависит как от величины, так и полярности напряжений Uси и Uзи. Из ВАХ следует, что
при изменении Uзи ток 1с сначала линейно возрастает (линейная область), затем выходит на поло
гий участок (область насыщения) и затем резко возрастает (область пробоя) (см. рис. 3.2).

Раздел 3. Полевые транзисторы
383
В линейной области при Uc < Uотс проводимость между истоком и стоком является функцией
Uзи (с изменением Uзи изменяется проводимость канала). В области насыщения. если Uc > Uотс.
транзистор входит в режим насыщения (канал перекрывается), причем для каждого Uзи насыщение
будет происходить при разном Uc. При увеличении 1Uзи1 < О ток 1с падает. В области пробоя при
увеличении Uc ток резко возрастает из-за лавинного пробоя обратно смещенного диода стока.
Проходные (передаточные) ВАХ (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неиз
менном напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом и МОП-транзи
сторов с каналами n- и р-типов проводимости приведены на рис. 3.5, 3.6.
В отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом, у которых рабочая область составля
ет от О вольт до запирания Uзиотс. МОП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление
при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора
затвора.
При графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом (у них при Uзи = О, Ic =
= О) имеют пунктирну,ю ли1;1ию в обозначении канала, а со встроенным каналом (у них при Uзи = О
течет ток lснач) ~' спло,шную (рис. 3.6, 6); стрелки определяют тип канала: направлена к каналу -
канал n-типа, от канала - канал р-типа .
. ДJ1'
Встроенный
Рис. 3.5 . Квадратичные передаточные характеристики МОП-транзисторов
lc
п-канал
а)
Uси = const
Uеи > Uси
р-канал
+~
u
р-канал
~~
lc
б)
Uси = const
Uси ;io Uси нас
u
Рис. 3.6. Передаточные характеристики полевых транзисторов: а - с п-каналом и р-каналом и их условные графи
ческие обозначения; 6 - передаточные характеристики МОП-транзисторов с встроенным каналом (с обеднением) с
п-каналом и р-каналом и их условные графические обозначения
В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора)
от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отде
лена только р-n-переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требует
ся иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами
(МОП-тетроды - КП322. КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не тре-

384
Раздел 3. Полевые транзисторы
буют uепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет
нормированную квадратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро
ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ.
Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувстви
тельны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защи
ты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны).
МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с по
левыми транзисторами с р-п-переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на
высоких частотах.
Среди мощных полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом необходимо отметить би
полярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) с вертикальным нормально закры
тым каналом, например, КП801, КП810. Они имеют выходные характеристики (рис. 3.7), подобные
ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых
в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших то
ках стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низ
кое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагрузкой; они
имеют более высокий коэффициент усиления, низкое напряжение насыщения и устойчивость ко вто
рому пробою по сравнению с б"иполярными транзисторами.
5 10 15 20 JOUc11,B
Рис. 3.7 . Выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) БСИТ
Схемы включения БСИТ аналогичны схемам включения биполярных транзисторов.
ВАХ биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) не имеет области насыщения
тока стока (без пологой части), т. е. Rвых очень маленькое, что повышает энергетические показатели
линейных усилителей мощности. У него, если Uз = О, то сопротивление канала минимально
(БСИТ - нормально открытый транзистор) и с ростом Uси ток 1с увеличивается, но его ограниче
ния не наступает. Выходные ВАХ при малых токах 1с приближенно описываются экспонентой. При
больших токах 1с выходные ВАХ приближаются к линейной. Rвых у них меньше, чем у МОП-типа,
что обеспечивает хорошее согласование с низкоомной нагрузкой и повышает КПД усилителя; дина
мический диапазон шире, что снижает нелинейные искажения, рабочая температура выше.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), например КП730, КЕ702,
представляет собой p-n-p транзистор, управляемый низковольтным МОП-транзистором с индуциро
ванным каналом (рис. 3.8, 3.9) и объединяет в себе достоинства как биполярных (малое падение на
пряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и МОП-транзисторов
(малая мощность управления, высокие скорости коммутации), потери у него растут пропорционально
току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. По быстродеμствию уступает МОП-транзисто
рам, но превосходит биполярные. Остаточное напряжение у них слабо зависит от температуры. На
рис. 3.10 представлена ВАХ БТИЗ.
Усилительные свойства БТИЗ характеризуются крутизной S, которая определяется усилитель
ными свойствами МОП- и биполярного транзисторов в структуре. Значение S для БТИЗ (зарубежное
название IGBT) более высокое по сравнению с биполярными и МОП-транзисторами.
БТИЗ применяются в высоковольтных силовых преобразователях, для управления маломощны
ми приводами для регулирования скорости вращения, в стиральных машинах, инверторных конди
ционерах, в качестве высоковольтных ключей для электронного зажигания автомобилей, импульсных
блоках питания.

Раздел 3. Полевые транзисторы
385
Эмиттер Заrвор
1 '!'
р•
э
Коллектор
Рис. 3.8 . Эквивалентная схема БТИЗ-транзистора
Рис. 3.9 . Структура БТИЗ-транзистора
1:
а
10
Рис. 3.10 . Выходные вольт-амперные характеристики БТИЗ-транзистора
Эксплуатационным недостатком БСИТ является эффект «защелки», который связан с наличием
триггерной схемы, образованной биполярной частью структуры и паразитным n-p-n транзистором, ко
торый при определенных условиях работы, открывается, триггер опрокидывается, происходит защел
кивание и лавинообразный выход прибора из строя.
Для ограничения тока короткого замыкания при аварийном режиме рекомендуется включение
между затвором и эмиттером параллельно цепи затвор-эмиттер последовательно соединенных диода
Шоттки и конденсатора, заряженного до напряжения + 15 ... 16 В. Допускается применение в качестве
защитного элемента стабилитрона на напряжение 15 ... 16 В.
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер не должно превышать +20 В, чтобы ис
ключить пробой изоляции затвора. Не рекомендуется работа БТИЗ-транзистора и при «подвешен
ном» затворе, так как в противном случае возможно ложное включение прибора.
С целью снижения динамических потерь и увеличения частоты коммутации необходимо обес
печить малое время переключения прибора ( 100 ... 10000 нс). Необходимо также уменьшать отрица
тельную обратную связь, которая может возникнуть из-за индуктивности слишком длинного
соединительного проводника к эмиттеру прибора.
Монтажные работы с БТИЗ необходимо производить при наличии антистатического браслета, а
непосредственно в схеме необходимо параллельно цепи затвор-эмиттер подключить резистор сопро
тивлением 1О ... 20 кОм.
Необходимо отметить. что МОП-транзисторы в ряде применений предпочтительнее биполярных.
Уп?~авляющая цепь у них потребляет ничтожную энергию, так как входное сопротивление велико (до
10 7 Ом). Усиление мощности и тока в МОП-транзисторах много больше, чем в биполярных. Из-за
того, что управляющая цепь изолирована от выходной цепи, значительно повышаются надежность
работы и помехоустойчивость схем на МОП-транзисторах. Они имеют низкий уровень собственных
шумов, что связано с отсутствием инжекции и свойственных ей флюктуации, обладают более высо
ким собственным быстродействием, так как в них нет инерционных процессов накопления и рассасы
вания носителей заряда.
25зак9

386
Раздел З. полевые транзисторы
МОП-транзисторы имеют и недостатки: вследствие относительно высокого сопротивления кана
ла в открытом состоянии падение напряжения на открытом МОП-транзисторе заметно больше, чем
падение напряжения на насыщенном биполярном транзисторе, температурная зависимость сопротив
ления канала сильнее, чем зависимость от температуры напряжения насыщения биполярного транзи
стора (сопротивление канала открытого МОП-транзистора в диапазоне температур 25 .. .150 ·с
увеличивается в 2 раза, а напряжение насыщения биполярного транзистора - примерно в 1,5 раза).
МОП-транзисторы имеют существенно меньшее значение предельной температуры структуры Тп max.
равное 150 ·с (для кремниевых биполярных транзисторов Тп max = 200 °С), что ограничивает их при
менение в режимах эксплуатации с повышенной температурой окружающей среды (около 100 °С).
Преимущества применения мощных полевых транзисторов в выходных каскадах усилителей зву
ковой частоты (усилителях мощности):
• простота управления, так как для управления мощным полевым транзистором требуется
ничтожный по МОЩНОСТИ сигнал;
• высокая
линейность передаточных характеристик полевых транзисторов, что позволяет
существенно снизить уровень нелинейных искажений;
• крутизна мощных полевых транзисторов S = Лlс/ ЛUзи при Uc = coпst - основной параметр
усилительного режима эксплуатации практически не зависит от мощности выходного сигнала.
Однако пороговое напряжение МОП-транзисторов зависит от температуры:
Uзипор (Токр) = Uзипор (20 °С) - ТКUзипор · ЛТ,
где ТКUзипор - температурный коэффициент порогового напряжения, равный (-5. .. - 10) мВ/ 0С
(при сильном увеличении температуры МОП-транзистор превращается в прибор с встроенным кана
лом), что нежелательно для двухтактных усилителей.
3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов
АПЗ20 (А-2, Б-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для примене
ния в малошумящих СВЧ усилителях (Кш ~ 4,5 ... 6 дБ на 8 ГГц, Ку,р ~ 3 дБ) в составе ГИС. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с.
АПЗ25А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар
ные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения во
входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш·~ 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС.
АПЗ28А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар
ные с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом п-типа. Предназначены
для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш ~ 4,5 дБ на 8 ГГц,
Ку,р ~ 9 дБ) в составе ГИС.
АПЗ62А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с каналом п-типа в корпусе для поверх
ностного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразова
тельных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 70 ·с.
АПЗ79А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в
корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных теле
визионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах 100... 2000 МГц. Диапазон
' рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с.
АП602(А-2-Д-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые
эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне час
тот 3... 12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+85 ·с.
АП603 - арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шот
ки и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, пре
образователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц.
АП605 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные
полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в мало
шумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+85 ·с.

Раздел 3. Полевые транзисторы
387
АП606 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом
п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях
частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
АП608 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом
п-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в соста
ве ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц.
АП967 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа с внут
ренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях
мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
КП101(Г-Е) - малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором
на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси
лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45 ... +85 ·с.
КПIОЗ(Е-М) - малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-п перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилите
лей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих тем
ператур окружающей среды -55 ... +85 ·с.
КП201(Е-1-Л-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планар
ные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом р-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -40 .. . +85 ·с.
КП202(Д-1-Е-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-пла
нарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены
для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким вход
ным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -40.. . +85 ·с.
КПЗОl(Б-Г) - малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и
нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе
ратур окружающей среды -45 .. . +70 ·с.
КПЗО2(А-r, АМ-ГМ) - высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы
с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения в широкополос
ных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапа
зон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 100 ·с.
КПЗОЗ(А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзи
сторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во вход
ных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ - в зарядочувствительных
усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружаю
щей среды -40.. . +85 ·с.
КПЗО4А - диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду
цированным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных кас
кадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-45...+85 ·с.
КПЗО5(Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзи
сторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях
высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -60 ... + 125 ·с.
КПЗО6(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя
изолированными затворами и каналом п-типа. Предназначены для применения в преобразовательных
и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -60.. . + 125 ·с.
КПЗО7(А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси
лителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувстви
тельных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур
окружающей среды -40.. . +85 ·с.
25*

388
Р-аздеп 3. П-олевые-транзисторы
КПЗО8(А-Д) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планар
ные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения: КП308(А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока;
КПЗО8(Г-Д} - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с.
КПЗIО(А, Б) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устрой
ствах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 125 ·с.
КПЗ12(А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и
преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60... + 100 ·с.
КПЗ1З(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высо
ким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
КПЗ14А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе
р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предвари
тельных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей
среды -170... +85 ·с.
КПЗ22А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами
на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных
каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
- 60... +85 ·с.
КПЗ2З(А-2, Б-2) - бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми вы
водами и приклеиваемой керамической крышкой эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
затвором на основе· р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих уси
лительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+10 ·с.
КПЗ27(А-Г) - кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затво
рами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах
телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательно
сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45 ... +85 ·с.
КПЗ29(А, Б) - высокuчастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода
с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до
200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 100 ·с.
КПЗ41(А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе
р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +125 ·с.
КПЗ46(А9, 59) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с дву
мя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каска
дах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с.
КПЗ47А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затвора
ми, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах ра
диоприемников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
КПЗSО(А-В) - диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными за
творами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобра
зовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей
среды -45 .. . +85 ·с.
КП401(АС, БС) - сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран
зисторов 0-й и 3-й транзисторы с n-каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р-каналом). Предназначены для
работы в переключающих и импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей
среды -45 .. . +85 ·с.
КП402А - полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с.

Ра~ .з. nопевые транзисторы
389
КП40ЗА - полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 70 ·с.
КП601(А, Б) - сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые
транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во
входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапа
зон рабочих темпiратур окружающей среды -60 ... +85 ·с.
КП704(А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выход
ных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабо
чих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
KmOS(A-B) - мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом
n-типа. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источ
никах электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +85 ·с.
КП707(А-В) - мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным за
твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс
ных и непрерывных вторичных источниках электропитания
и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 100 ·с.
КП709(А, Б) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за
твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой
ствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . + 100 ·с.
КП712(А-В) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за
твором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой
ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 100 ·с.
КП734 и КП-735 - полевые nМОП-транзисторы, предназначены для применения в устройст
вах автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое
переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам.
КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы, предназначены для применения в устройст
вах, где уровень мощности рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод меж
ду истоком и стоком для подавления воздействий переходного процесса.
КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы имеют нормированное значение энергии од
нократного и повторяющегося лавинного пробоя (соответственно 210 и 5 мДж, 280 и 7,4 мДж, 510 и
13 мДж), пиковое значение скорости восстановления защитного диода 3,5 В/ нс, ток лавинного про
боя (2,5, 4,5 и 8 А соответственно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а
также внутренние индуктивности стока и истока (4,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы из
готавливаются в корпусном и бескорпусном исполнениях.
КП814 - полевые транзисторы, предназначены для работы в переключающих устройствах,
ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения.
КП523, КП731. КП(739-753), КП(775-781), КП(783-787) - полевые транзисторы,
предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключательных схемах, источни
ках электропитания, схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дис
плеев.
КП71ЗО(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, предна
значены для применения в источниках электропитания, электросварочном оборудовании, в стираль
ных машинах и пылесосах, в схемах управления электродвигателями, имеют возможность
параллельного вкл.ючения и стойкость к статическому электричеству (1 кВ).
КП7132(А, Б и А9, Б9), КП7150(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроен
ным обратным диодом и КП7132(А1, Бl и А91, Б91) со встроенным обратным диодом и стабили
тронами защиты предназначены для применения в источниках электропитания аппаратуры связи,
управления, светотехнике, автомобильной электронике, системах внутреннего и автономного элек
троснабжения в промышлености и жилищно-коммунальном хозяйстве, в аппаратуре управления и
защиты.
КП71ЗЗ(А, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, применяют
ся, кроме указанных для КП7132 областей, в преобразователях напряжения DC-DC, в высокочас
тотных преобразователях.

390
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП7138(А, А9, А91) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом приме
няются в источниках электропитания, бытовой технике, осветительных приборах, схемах управления
электродвигателями.
КП801(А-Г) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзисторы
(СИТ) с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа-. Имеют характеристики, подобные лампо
вому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей ап
паратуры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью,
крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-40...+85 ·с.
КП802(А, Б) - мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с ка
налом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и
линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с.
КП804А - эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и кана
лом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных
устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . +85 °С.
КП805(А-В) - мощные МДП-полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для
применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур ок
ружающей среды -60 ... +85 ·с.
КП901(А, Б) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду
цированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в
диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+125 ·с.
КП902(А-В) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и кана
лом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с.
КП903(А-В) - мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе p-n пе
рехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах
до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +100 ·с.
КП904(А, Б) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду
цированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, преобразовательных и гене
раторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -60 .. . + 125 ·с.
КП905(А, Б) - мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до
1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85 ·с.
КП907(А, Б) - мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом
n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 .. . +85 ·с.
КП908(А, Б) - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до 2,25 ГГц и
быстродействующих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -40 ... +85 ·с.
КП921А - мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и
индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю
щих устройствах. ·диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
КП923(А-Г) - мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17 ... 50 Вт
на частоте 1 ГГц.
КП928(А, Б) - мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи
сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до
400 МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабо
чих температур окружающей среды -60 ... +125 ·с.
КП937(А, А-5) - .мощные планарные полевые транзисторы с p-n переходом и вертикальным
каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобра
зователях напряжения, импульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+125 ·с.

Раздел 3. Полевь1е транзисторы
391
КП938(А-Д) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-п-переходом и
вертикальным каналом п-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках
электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях низ
кой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 125 ·с.
КП944(А, Б) - мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом р-типа. Пред
назначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких магнитных
дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с.
КП945(А, Б) - мощные МДП-транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения
в импульсных и переключательных схемах.
КП951(А2-В2) - бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиаль
но-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для
применения в СВЧ усилителях и генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+85 ·с.
КПС104(А-Е) - сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзи
-сторы с затвором на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во вход
ных каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и
усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур ок
ружающей среды -45 .. . +85 ·с.
КПС202(А2-f2) - сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные
малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназна
чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите
лей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением
(например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже
транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с
защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом
(минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее
0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более 3 °С/ мВт.
При пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не
должен превышать +125 ·с. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +70 ·с.
КПС203(А1-f1) - сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
малошумящие планарно-диффузионные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и ка
налом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих
дифференциальных и операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким
входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба
должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба - не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки - не ме
нее 1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов свыше + 125 ·с. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -45 ... +85 ·с.
КПС315(А, Б) - сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на ос
нове р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифферен
циальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Диапазон рабочих температур ок
ружающей среды -60.. . +100 ·с.
КПС316(Д1-И1) - сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя
планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных
каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на инюtвидуальной
ил!-{ групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40.. . +85 ·с.

392
Раздел 3. Полевые транзисторы
3.4. Полевые транзисторы
1
Реи maxt
Тип
мВт
Uз11 '"''
UOtmax'
Uзиmах•
lc,
lснач•
прибора
Структура
р~Итmахt
u;и пор• u~max•
в
l~и•
1~..,•• мА
Вт
в
в
мА
Параметры арсени.11-гаJrлиевых поJiевых транзисторов
АПЗ20А-2
1
Сп-каналом
80
-
4; 8*
5
-
-
АПЗ20Б-2
!
80
-
4; 8*
5
-
-
1
1
1
1
1
АПЗ24А-2 1
Сп-каналом
80
4
3
-
-
1
-
1
АПЗ24Б-2
80
-
4
3
-
-
АПЗ24В-2
80
-
4
3
-
-
1
1
1
АПЗ24Б-5 1
Сп-каналом
80
-
4
3
-
-
1
1
АПЗ25А-2
С барьером lllотки,
25
4
2
4,5
-
-
сп-каналом
6*
1
1
!
1
1
1
1
1
1
АПЗ26А-2
Сп-каналом
30
-
2,5; -5,5*
4
-
-
АПЗ26Б-2
30
-
2,5; 5,5*
4
-
1
-
!
1
!1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1

Полевые транзисторы
S, мА/В
Rси отк' Ом
к;.!" дБ
р •ых' Вт
лu;~·. мВ
Кш, дБ
U~,мкВ
Е:, нВ/..jfЦ
Q.", Кл
393
вклt НС 1
t:..,,. нс
1
1
~·,МГц
ЛU3и/лт···,
Корпус
мкВ/*С j
Параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов
5".16
5".16
~5(1,5В;10мА) 1
1
~8(2В;8мА)
~8(2В;8мА)
0,18; 0,15*
0,15*; 0,18**
~3* (8 ГГц)
~5* (8 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~4.5* (8 ГГц)
~3* (17,4 ГГц)
~3* (17,4 ГГц)
$4,5 (8 ГГц)
$6 (8 ГГц)
$l,5(12ГГц)
$2 (12 ГГц)
$2,5(12ГГц) 1
$2 (12 ГГц)
$2 (8 ГГц)
$4,5 ( 17.4 ГГц)
$5,5 (17,4 ГГц)
АП320-2
ФJ
~1 F?Lt
----
'
i-C
9,S
АП324-5
~rВТ
АП325-2
tJ2,15
., ..
~-.:t=c:::::::ll~:>1
//~
9,S
АП326-2
//,J
~-f
~·11::i~i
~~
1~

394
Раздел З. Полевые транзисторы
Рсиmах'
UЗИ<nе• U.cиmaxt
Ic,
Тип
Структура
мВт
u;и пор• u~max' Uзи maxt
l~и•
Ic .... •
прибора
Р~и т maxt
в
l~ост 1 мА
i
в
в
1
мА
1
;
Вт
1
АПЗ28А-2 1 С барьером lllотки.
50
1
4
6
4;6
-
-
1
с двумя затворами
1
с n-каналом
!
1
!
1
1
1
АПЗЗОА-2 1 С барьером lliотки,
30
-
3; -6*
-
-
-
АПЗЗОБ-2 1
с n-каналом
30
-
3; -6*
-
-
-
АПЗЗОВ-2
30
-
3; -6*
-
-
-
АП3ЗОВ1·2
100
-
5; -7*
-
-
-
АПЗЗОВ2-2
100
-
5; -7*
-
-
-
АПЗЗОВЗ-2
100
-
5; -7*
-
-
-
АПЗЗ1А-2
1
С барьером lllотки,
250
2,5 ...5
5; -8*
-
-
-
1
с n-каналом
i
1
1
1
1
1
1
,,
i
1
1
1
1
1
1
!
АПЗЗtА-5
с n-каналом
250 (70°С)
2,5 ...5
5;8*
4
-
~100 (3 В)
1
i
1
1
1
1
i
i
1
IАПЗЗ9А-2 i С барьером lllотки,
250
-
1
5,5; -7* 1
-
1
-
1
-
i
с n-каналом
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
АПЗ4ЗА-2
С барьером lllотки,
35
2.. .4
3,5; -6*
3
-
~20 (2 В)
АПЗ4ЗА1-2
с n-каналом
35
2.. .4
3,5; -6*
3
-
~20 (2 В)
АПЗ4ЗА2-2
35
2.. .4
3,5; -6*
3
-
~20 (2 В)
АПЗ4ЗАЗ-2 1
35
2.. .4
3,5; -6*
3
-
~20 (2 В)
1
i
i
1
i
1
1
1
'
1
'
1
!
i
'
1
1
i
1
1
1
-

полевые транзисторы
395
Rсиотк• Ом
Кш, дБ
t,.,,, НС
cllн' с;2н'
к;_.,, дБ
U~,мкВ
t:ЫIUJf НС
S, мА/В
с;;., пФ
Р'"'' Вт
Е:, нВ/../fЦ ~·.мгц
Корпус
лu;~·. мВ
Q'-, Кп
лu31Jлт···,
мкВ/"С
?.7(4В;8мА)
-
?.9* (8 ГГц)
:S4,5 (8 ГГц)
-
АП328-2
?.4(4В;8мА)
'
1
~2,15
.. ..
~
1
1
1
1
1
~1 ЕЗ=;f:>1
i
1
!
'
1
1
i
1
:
!
1
с:.·
~2
//
.. ..
-,
F
or
и~
!}.5
?.5 (5 кГц)
1
-
1
?.3* ( 17,4 ГГц)
:Sб (25 ГГц) !
-
i
АПЗЗО-2
i
1
?.5 (5 кГц)
1
-
1
?.3* (25 ГГц)
:S4,5 (25 ГГц)
-
1
l/,J
1
1
'
?.5 (5 кГц)
1
-
i ?.6* (25 ГГц)
1
:s;3,5 (25 ГГц)
-
1~·1::i~t
'
i
?.20 (5 кГц)
1
-
?.8* (17,4 ГГц)
:s;2 (17,4 ГГц)
-
1
?.20 (5 кГц)
1
-
?.8* (17,4 ГГц)
:Sl ,5 (17,4 ГГц)
-
~~
?.20 (5 кГц)
i
-
?.8* (17,4 ГГц)
:s;l (17,4ГГц)
-
1
1
;
1
1
1
?.15 (5 кГц)
-
?.8* (10 ГГц)
:S2,5 (10 ГГц)
1
-
АП331-2
?.0,03** (10 ГГц)
4,55
~·1::1~t
!
1
1
i
1
.
'
1
~~
1
1
1
'
i
1
i
i
1
1
1
1
1
1
!
1
1
i
i
1?.15(4В;40мА) 1
-
i ?.5,5* (1 О ГГц)
1
:s;2,5 ( 10 ГГц) !
-
i
АП331-5
1
?.0 ,03** (IO ГГц)
1
0,5
0,17
~шт
?.10 (5 кГц)
-
1
?.5* ( 17,4 ГГц)
:S4 (17,4 ГГц)
-
АП339-2
1
?.0,015** (17,4 ГГц)
1
l/,J
1
i
!
~·i::i~t
1
1
~
!
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
?.10 (5 кГц)
-
?.8,5* (12 ГГц)
:S2 (12 ГГц)
-
АП343-2
?.20 (5 кГц)
-
?.8,5* (12 ГГц)
:Sl,5 (12 ГГц)
-
~2,15
.. ..
?.20 (5 кГц)
-
?.8,5* (12 ГГц)
:Sl,I (12 ГГц)
-
E&J1
?.20 (5 кГц)
-
?.8,5* ( 12 ГГц)
:s;0,9 ( 12 ГГц)
-
~1
1
1
с:.·
1
1
!
i
vИ
1
1
1
1
1
_}/
!
1
"'\
1
1
1
1
1
1
.. ..
"
(3
1
1
1
or
1
1
и~
1
1
9,5

396
Раздел З. Полевые транзисторы
Реи milx'
UЗИоn:' Uси m.ax'
lc,
Тип
мВт
Uзи max'
lc и.ач t
1
прибора
Структура
p~ll тmilxt
u;и поμ' u~ffiilXt
в
·~·ll'
1~ ост, мА
в
в
мА
1
'
Вт
1
'
1
1
IАП344А-2
1
С барьером ll!отки,
100
-
4,5; -7*
4
-
-
АП344А1-2
с п-каиалом
100
-
5; -7*
4
-
-
АП344А2-2 1
100
-
5; -7*
4
-
-
АП344А3-2 j
100
-
5; -7*
4
-
-
АП344А4-2
100
-
5; -7*
4
-
-
1
1
1
1
АП354А-5
1
Сп-каналом
100
1
1
3,5; -5*
- 2,5
$50
1
-
-
1
1 АП354Б-5
Сп-каналом
1
100
1
1
3,5; -5*
-2,5
7.. .40
i
-
1
-
АП354В-5
С n-каналом
100
1
-
3,5; -5*
-2,5
7.. .40
-
1
1
АП355А-5
С п-каиалом
70
1
-
3,5; -5*
- 2,5
20
1
-
АП355Б-5
С п-каиалом
70
-
3,5; -5*
- 2,5
5...20
1
-
;
АП355В-5 1
С n-каналом
70
1
-
3,5; -5*
-2,5
5...20
1
-
11
1
1
1
АП356А-5 1
Сп-каналом
40
-
3,5
- 2,5
$20
-
АП356Б-5 1
С n-каналом
40
-
3,5
-2,5
3... 15
-
АП356В-5 1
Сп-каналом
40
-
3,5
-2,5
3... 15
-
АП357А-5 1
Сп-каналом
30
3,5
-2
1
2...8
1
-
-
АП357Б-5
1
Сп-каналом
30
-
3,5
-2
2...8
-
~
jАП357В-5
Сп-каналом
30
-
3,5
-2
2...8
-
1
1
1
1
1
АП358А-5
С n-каналом
30
-
3,5; -4,5* 1
-2
2...8
-
АП358Б-5
Сп-каналом
30
-
3,5
-2
2...8
-
АП358В-5
С n-каналом
30
-
3,5
-2
2...8
-
1
1
i
1:
J
1
1
1
r
11АП362А-9
С двумя затворами.
90
-
4,5; -7*
-4
-
1
-
11
11АП362Б-9 1
п-каналом
90
-
4,5; -4,5* 1
4
-
i
-
1
1
1
1
1
1
1
11
1
~

397
>15 (5 кГц)
-
;40 (5 кГц)
-
;40 (5 кГц)
-
;40 (5 кГц)
1
-
~40 (5 кГц)
•
1
1
1
1
1
'
,
;
1
1
j
i
i
1
~2,15
~
-G1=;p
-
~1
-
1
1
1
i:::.·
1
1
J
/)
vИ
1
1
1
1
\_
'
1
1
~
11
11
1
1
.
! ~~~~~~~~~~~~~~~=-~~--:<~l:(i3.~6~ГГ~ц~)~~~~~~~~~A~П~З~S"4~-S~~0:1~5~il
>13*
<0,8 (3,6 ГГц)
0,52 т·
~1
~
щ•ГГ)ш11
>50 (2.5 В)
_
3•
:>:0,6 (3,6 ц
,
ii
;50 (2.5 В)
>1
i
il
~о-
11
~50 (2.5 В)
I
-
·
------~---=~--~---;;~--~~~~~~~-~~-l---~А~П~~З5~5~-~5~~~-
1
~rз, 1
~и-
i
-
J
9,S
_J
......
1
-
i
:
<1,55 (8 ГГц)
О15
~ ~ = ~:g: ~i'<~·г~~ц) ~А Т
>30
ll_J
~-~h~--=1~1
1
>7,5'
<1, 70 (12 ГГц)
О,т·j,
АПЗ56-5
1
<204(12ГГц)
77
034
Г~20!1
_
~7•5*. :>:1:46 (12 ГГц)
ш1'
~5
1
>20
-
i;;o_
'
"20
1
IL~~~~-~i'~--=~~~~~~~~~:}j!~~~~~~~~~A~П~35~7~-5~~-
'
<2,5 (18 ГГц)
О15
~15
~15
~15
~7(3В)
~7(3В)
~7(3В)
>15(3В;20мА)
;20(3В;20мА)
'
1
>6.5'
<1,76 (18 ГГц)
.-Н
i
>6,5*
<1,95 (18 ГГц)
0.47 т·
=
,,.
~ll_J
1
1
-
-
-
.
>5*
~5*
~5.5*
>9* (1 ГГц)
~9* (1 ГГц)
<5,5 (37 ГГц)
АПЗ58-5
<4,3 (37 ГГц)
:>:3,4 (37 ГГц)
<1 (1 ГГц)
АПЗ62-9
<1 (1 ГГц)
1
1
1
_g

398
Тип
прибора
IАПЗ79А-9
АПЗ79Б-9
АПЗ81А-5
АП602А-2
АП602Б-2
АП602В-2
АП6021"-2
АП6020-2
~АП60ЗА-2
j
lлn&ОЗБ-2
АП&ОЗА-1-2
1
1
1
1
i1
1
!
!1
1
'1
1
АП&ОЗБ-1-2 i
i1
i
1
АП60ЗА-5
АП60ЗБ-5
1
1
АП604А-2 i
АП604Б-2 1
АП604В-2
АП6041"-2
Структура
С двумя затворами
сп-каналом
Сп-каналом
Сп-каналом
С барьером lllотки,
сп-каналом
С барьером lllотки,
сп-каналом
Сп-каналом
Сп-каналом
Сп-каналом
Сп-каналом
Сп-каналом
Сп-каналом
Реи maxt
Uз11мс•
мВт
u;и nop'
p~(i т max'
в
Вт
240
-
1
240
-
80
-
1
1
!
900
900
900
1800
1800
2,5*
2,5*
'
2,5*
-
2,5*
-
1
1
!
2.5*
-
2,5*
-
900
-
900
-
500
-
500
-
Раздел З. Полевые транзисторы
Ucиmaxt
Ic,
u~maxt Uзи max'
l~и•
lси•ч'
в
в
мА
1~..,,, мА
10; 6*
-
-
i
-
!
1
8; -8*
-
-·
1
-
3; -6*
-3
i60
1
-
!
1
1
1
1
1
7
3,5
1
~220 (3 В)
7
3,5
1
~180 (3 В)
7
3,5
~110 (3 В)
7,5
3,5
~440 (3 В)
7,5
3,5
~360 (3 В)
3.5
400; 5*
3.5
400; 5*
1
•
1
i
1
1
1
-
3,5
i-
400; 5*
i
i
1
1
-
3,5
i
-
400; 5*
1
1
1
1
-
3,5
-
400; 5*
-
3,5
-
450; 5*
1
1
1
1
1
7
-3
-
1
-
7
-3
-
-
1
7
-3
-
-
7
-3
-
-

Полевые транзисторы
S, мА/В
<:20 (5 В; 10 мА)
<:20 (5 В; 10 мА)
15... 35 (2,5 В)
20...100 (2 В)
20...80 (2 В)
20...70 (2 В)
40... 200 (2 В)
40... 160 (2 В)
<:50 (3 В; 0.4 А)
<:80 (3 В; 0.4 А)
<:50 (3 В; 0,4 А)
<:80 (3 В; 0.4 А)
<:50 (3 В; 0,4 А)
<:80 (3 В; 0,4 А)
20...40 (3 В; 0.1 А) 1
15...40 (3 В; 0,1 А) 1
10... 20 (3 В; 50 мА)
10... 20 (3 В; 50 мА)
cllи' с~2н'
с;;", пФ
Rси."• Ом
к;!'' дБ
рвыхt Вт
лu;~·, мВ
<:16* (0,8 ГГц)
<:16* (0,8 ГГц)
<:14* (1750 МГц)
<:9*
<:0,18** (12 ГГц)
<:2,6* ( 12 ГГц)
<:О, 1• • <12 ггц)
<:3* ( 12 ГГц)
<:0,2** (8 ГГц)
<:3* (8 ГГц)
<:0,4 ** ( 10 ГГц)
<:2,6* ( 10 ГГц)
<:0,5* * (8 ГГц)
<:3* (8 ГГц)
$4
<:3* (12 ГГц)
<:0,5** ( 12 ГГц)
$4; <:3*; <:1 **
$4
<:3* (12 ГГц)
<:0,5** ( 12 ГГц)
$4
<:3* (12 ГГц); <:1 **
1 <:3* (17,4 ГГц)
i <:0,2** ( 17,4 ГГц)
1
<:3 ( 17,4 ГГц)
<:0,125** (17,4 ГГц)
<:3* (17.4 ГГц)
<:0,075** ( 17.4 ГГц)
<:3* (17,4 ГГц)
<:0,005** (17,4 ГГц)
Кш, дБ
U~,мкВ
Е:, нВ/..jfЦ
Q·-, Кл
:>1,4 (1 ГГц) 1
:>1,4(1 ГГц) 1
:>2,1 (1750МГц)1
:>0,8 (6,5 ГГц)
f 11к.л, НС
t:ымлt НС
~·.мгц
ЛU3и/лт···, 1
мкв/·с 1
0.24
0.24
0,24
0,24
0,24
0,24
399
Корпус
АП379-9
:im~~с и
АП381-5
0,45
0,08
~шт
АП602
~~
'°)
"'t
""'
~3
с
АП603-2
9
наркщю4ка
АП603-1-2
АП603-5
0,77
0,34
~шт
АП604-2
Наркщю4ка
9

400
Раздел 3. Полевые транзисторы
Реи milx'
Uзи отс' Uси max'
Ic,
Тип
Структура
мВт
u;~I noμt
u;c maxt
Uзи max'
·~. ~1'
•с ИilЧ t
прибора
р~И т maxt
в
в
в
мА
1~ ос•, мА
1
Вт
АП604Аl-2 1
Сп-каналом
900
-
8
-3
-
-
АП604Бl-2
Сп-каналом
900
-
8
-3
-
-
АП604Вl-2
Сп-каналом
500
-
8
-3
-
-
АП604Гl-2
С п-каналом
500
-
8
-3
-
-
АП605А-2
С барьером Шатки,
450
$5,5
6; -4*
-
-
;?:150(38)
с п-каналом
~
1
1
1
АП605Аl-2
Сп-каналом
450
-
6; -8*
-
-
-
АП605А2-2
450
-
6; -8*
-
-
-
1
1
1
1
АП606А-2
С барьером Шатки,
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
с п-каналом
АП606Б-2
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
АП606В-2
2*
-
8
-3,5
-
160; 5*
1
1
1
11
1
~
!
АП606А-5
С барьером Шатки,
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
с п-каналом
АП606Б-5
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
АП606В-5
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
1
АП607А-2 :
Сп-каналом
3,5*
-
8
5
-
i s:l600; s:5*
1
1
'
i

Полевые транзисторы
1
,,
!
.,
~
11
1
cllн' с~2н'
~ S,мА/В
1
с;;и, пФ
20."40(3 В;О,1А)
-
15".40 (3 В; 0,1 А)
-
10".20 (3 В; 50 мА)
-
10... 20 (3 В; 50 мА)
-
i,
1
1
1
~
!
'1
1
~30(4В;30мА)
~70 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~90 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~100 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~70 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~90 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~100 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~80 (3 В)
26зак9
1
1
Rси."• Ом
к;.!" дБ
рвы>• Вт
лu;;,·. мВ
~0.2** (17,4 ГГц)
~О.125** (17,4 ГГц)
~О.075** (17,4 ГГц)
~О.05** (17,4 ГГц)
53,5 (8 ГГц)
~8* (8 ГГц)
~О.1 ** (8 ГГц)
~6* (8 ГГц)
~0.1** (8 ГГц)
~7* (8 ГГц)
~О.15** (8 ГГц)
~4* (12 ГГц)
~0.4** (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~0,4** (12 ГГц)
~5* (12 ГГц)
~О.75** (12 ГГц)
~4*
~0.4** (12 ГГц)
~6*
~О.4 * * (12 ГГц)
~5* (12 ГГц)
~О.75** (12 ГГц)
~1 ** (10 ГГц); ~4.5*
Кш, дБ
t,кл• НС
t:ыклt НС
U~,мкВ
Е:, нВ/../fЦ ~·.МГц
Q".• Кл
ЛU 3и/лт"',
мкВ/'С
-
-
-
-
-
-
-
-
'
i1
53,5 (8 ГГц)
52 (8 ГГц)
51,5 (8 ГГц)
tн=IOO
tн=IOO
tн=IOO
tн=IOO
tн=IOO
tн=IOO
Корпус
АП604-1-2
FL-~
~6 ...: -2,6
и
9,5
АП605-2
l/,J
АП605 (Al-2, А2-2)
l/,J
АП606-2
9
Наркuро6ка
АП606-5
Исток
АП607-2
+
ft,$
с
401
,1
il
li1
1
1
il
!1
1:
11

402
Раздел 3. Полевые транзисторы
Реи m.i\'
UЗ11отсt UCllmaxt
Ic,
Тип
Структура
мВт
u;ll пор• u;Cmilx'
Uзи 1nax•
J~. Иt
lсна•1'
прибора
р•
в
I~•хт, мА
Cll т m<iк'
в
в
мА
Вт
li
1
!
1
!
11АП608А-2 f
С барьером Шотки,
0,6*
-
-
-3
-
1
-
!!
1
с n-каналом
1
1 АП608Б-2
1
1,1 *
-3
1
!
-
-
-
-
1
1
!
АП608В-2
1
1*
-
1
-
-3
-
-
1
АП608А-5
С барьером Шотки,
30
-
-
-3
-
-
с n-каналом
1
АП6080-5 1
30
-
-
-3
-
-
~
liАП608П-5 1
1
~
1
1
1
10
-
-
-3
-
-
1
1
i
1
1
АП915А-2
С барьером Шотки,
12*
-
7
-5
-
-
АП915Б-2
с n-каналом
12*
-
7
-5
-
-
i
1
i
1
1
[JАП925А-2
С n-каналом
1
7*
-
9
5
-
ЗА
i1АП925Б-2
16*
-
9
5
-
1
~3.6А(3BI
1
АП925В-2
7*
-
9
5
-
ЗА
АП930А-2
С барьером Шотки,
21*
-
8
1
-5
-
:54.5; :515*
11АП930Б-2
с n-каналом
21*
-
8
1
-5
-
1
$4,5; :515*
!IАП930В-2
21*
-
8
-5
-
1
$4,5; :515*
1
·1
1
1
1
IJ
1
1
11
1
1
1
i
!!
1
!
i
1
1
1
1
1
АП967А-2
С барьером Шотки,
14*
-
8
-5
-
-
с n-каналом,
АП967Б-2
с внутренними цепями
14*
-
8
-5
-
-
согласования
1
1
7*
8
-5
l,АП967В-2
-
-
-
1'
11
j
11АП967Г-2
1
7*
-
8
-5
-
-
!
il
1
!!
1
1
~
1АП9670-2
1
7*
8
-5
1
!
-
-
-
1
1
АП967П-2
14*
-
8
-5
-
-
АП967Т-2
14*
-
8
-5
-
-

403
ili
1
~,,
1
:1
!l.'------L-----·~--;;:т:----:-f1--=--l---==-l1--:---:A~П~9~6~7-:2~~-~
1
1
il ,". (5:~:6.4 rr,) 1
11
~11~!~1~<~;;~,~"l::~ч,·1
1
i
>5** (3,7 .. .4,2 ГГц) 1
,
1
i-
>6'
1
1
i
1
~2** {3.:i;~4,2 ГГц) 1
!1
и
I,
1
~2** (4.3 .. .4,8 ГГц)
~6*
i
~
1
~2** (3,4 ...3,9 ГГц)
'
i:
~7* 1
11
!
1 ;,i•• (5.6 ...6.2 rr,) 1
!
.
'
•
>7'
•
i
lj-~~--_J--~~-~1~~~5~*~*~(3~A~--~-3~,9~г~г:ц)~l-~___L_ __ _J ._ __ __~-----
i
'
1
26*

404
Раздел 3. Полевые транзисторы
PClllПA.\.'
UЗlloт~·t Uси ma.\. '
Ic,
Тип
Структура
мВт
u;H nopt
u~n1a.\.t UЗИm.i11.t
1~11•
ICHdЧ'
прибора 1
p~llтm.i.\.'
в
l~ост, мА
Вт
в
в
!мА
d
'
1
1
i
..
..
Параметры кремниевых полевых транзисторов
КЕ702А
БТИЗ
75 Вт
UкБ=600
-
-
1к=50 А
-
КЕ702Б
75 Вт
UкБ=IООО
-
-
lк=33 А
-
КЕ702В
75 Вт
UкБ=900
-
-
1к=25 А
-
КЕ707А
БТИЗ
-
UкБ=600
-
-
lк=34 А
-
КЕ707Б
-
UкБ=600
-
-
1к=23 А
-
1
1
1
i
!
1
1
1
1
1
КЕ707А2
БТИЗ
-
UкБ=600
-
-
lк=34 А
-
КЕ707Б2
-
UкБ=600
-
-
1к=23 А
-
1
1
1
1
КП101Г
С р-п-переходом
50
5
10
10
2
0,15 ... 2
КП101Д
и р-каналом
50
6
10
10
5
0,3 .. .4
КП101Е
50
6
10
10
5
0,5 ...5
КШОЗЕ
С р-п-переходом
7
0,4 ... 1,5
10
-
1
-
0.3 ... 2.5
lкшозж 1
и р-каналом
12
0,5...2,2
10
-
1
-
! 0.35 ... 3.8
кшози
21
0,8 ... 3
12
-
1
-
1
0,8 .. .1,8
кшозк
1
38
1,4 .. .4
10
-
-
1... 5,5
кшозл
66
2... 6
12
-
1
-
1.8 ... 6,6
кшозм
120
2,8 ... 7
10
-
-
3... 12
КП10ЗЕР1
С р-п-переходом
7
0,4 ... 1,5
10
-
-
0,3 ... 2,5
КП10ЗЖР1
и р-каналом
12
0,5 ...2,2
10
-
-
0,35 ... 3,8
КП10ЗИР1
21
0,8 ... 3
12
-
-
0,8 ... 1.8
КП10ЗКР1
38
1,4 .. .4
10
-
-
1...5 .5
КП10ЗЛР1
66
2...6
12
-
-
1.8 ... 6.6
КП10ЗМР1
120
2,8 ... 7
10
-
-
3... 12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
КП10ЗЕ9 1
С р-п-переходом
7
1
0,4 .. .1,5
15
30
-
0,3 ... 2,5
КП10ЗЖ9 1
и п-каналом
12
0,5...2,2
15
30
-
0,35 ...3,8
КП10ЗИ9
21
0,6 ... 3
15
30
-
0.8 ... 1.8
КП10ЗК9
38
1.. .4
15
30
-
1... 5,5
КП10ЗЛ9
66
2...6
17
30
-
1,8 ... 6,6
КП10ЗМ9
120
2,6 ... 7
17
30
-
3... 12

Полевые транзисторы
'
1
1
1
t11..._,,
НСi
'
i
Rclloтк' Ом
Кш, дБ
1
'·
1
t:1.1 ...,t нс
i
i
1
cllн' с;2и'
к:Р• дБ
U~. мкВ
S, мА/В
с;;н, пФ
Р:~., Вт
Е:, нВ/.,/fЦ (",МГц
лu;;,·, мВ
О'", Кл
ЛU 31,/ЛТ".,
мкВ/"С
.
:
~
Параметры кремниевых полевых транзисторов
-
-
-
i,,
,1
~
-
-
~
1
-
-
~
~
;?:0,15 (5 В)
;?:0,4 (5 В)
;?:0,3 (5 В)
0.4...2.4 (5В)
0,5...2,8 (5 В)
0,8...2,6 (5 В)
1...3 (5 В)
1,8 ...3,8 (5 В)
1,3 .. .4,4 (5 В)
0,4...2,4
0.5...2.8
0.8 ...2.6
1... 3
1,8...3,8
1.3 ...4,4
0,4...2,4 (10 В)
0.5 ...2.8 (10 В)
0,8...2.6 (10 В)
1...3.3 (10 В)
1,8 ...3.8 {IO В)
1.3 .. .4,4 (10 В)
1
1
'
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
-
-
-
-
-
-
-
:510; :50,4**
:510; :50.4**
:510; :50.4**
:520; :58*
:520; :58*
:520; :58*
:520; :58*
:520; :<>8*
:520; :58*
:520; :58·
:520; :58·
:520; :58*
:520; :58*
:520; :58*
:520; :58*
:58*
:58*
:58*
:58*
:58·
:58*
0,35
0,4
0,4
i
1
1
1
0,12
0,06
1
1
0,12
0,06
-
-
-
'
1
1
1
-
-
-
-
-
-
1
-
-
1
1
1
1
-
-
-
-
-
-
-
:54 (1 кГц)
:57 (1 кГц)
:57 (1 кГц)
:53 {1 кГц)
:53 (1 кГц)
:53 (1 кГц)
:<>3 (1 кГц)
:53 {1 кГц)
:53 {1 кГц)
:53 (1 кГц)
:53 (1 кГц)
:53 (1 кГц)
:53 (1 кГц)
:53 (1 кГц)
:53 (1 кГц)
-
-
-
22; 540*
17; 78*
1
1
22; 540* i
17; 78* i
-
-
1
-
1
1
1
1
3**
3*•
3**
3**
3**
3**
1
-
1
1
-
:580*
:580*
405
~
Корпус
КЕ702
!_{13
5
""
....
'
-
~ 212
11
11
КЕ707
70,G5
1/,8
w.тзкэ
il
КЕ707-2
'1
11
~tJr
1,
C't ~
•
...
' ;;(
о
3к3
КП101
tJl/,75
~IJ '~
... .
......
~
-
кшоз
~5,8
;ЕJФ·
-
и
1
КШОЗР
1·
КШОЗ-9
J
0,95
~*Х

406
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
Pc11in.a . .. •
UЗll от~' UCilпш"t
Ic,
Тип
мВт
UЗllrщo,t
ICt!.d'I '
Структура
u;ll nop'
u·
(_,"
1~ о~·т, мА
прибора
р'
1
ЗС Пl<I.\ t
в
1
Cll т rnc1\ t
в
в
мА
1
Вт
1
'
!
1
КП150
nМОП
150*
2* ... 4*
100
±20
38 ( 140*) А :<::25' мкА (l 00 В)
1
1
1
,1
:1
1
.,
;
i
1
11
!
1!
11
КП201Е-1
1
С р-n-nереходом
60
$1,5
10; 15*
-0 .5
-
0.3 . О,6~1
КП201Ж-1
и р-каналом
60
$2.2
1
10; 15*
-0 .5
-
0.55 ...1.2
1
КП201И-1
60
$3
10; 15*
-0 ,5
-
l...2.1
1
КП201К-1
60
$4
10; 15*
1
-0 ,5
-
1.7 ..3
1
КП201Л-1
60
$6
10; 15*
-0 ,5
-
3...6
11
11
,1
11
КП202Д-1
С р-n-nереходом
60
0.4 ...2
15; 20*
0,5
-
:<::1.5
'i
КП202Е-1
1
и р-каналом
60
1... 3
15; 20*
0,5
-
1.1 ..3
l1
li
1!
1
il
1
1
il
'i
11
11
.1
11
КП214А-9
С n-каналом
200
1... 2,5*
60
±40
115
O.l *
11
1
"
1
1
1
1
1
ii
1!
1
1
!
ii
1
;
!
'1
1
1
1
КП240
nМОП
125*
2...4*
200
±20
18(72*)А :<::25* мкА (200 В)
КП250
nМОП
150*
2...4*
200
±20
30 ( 120*) А :<::25* мкА (200 В)
!
1
1кпзо1Б 1 С изолированным затвором,
200
2.7 . .. 5.4*
20
i30
1
15
! :<::0.5 мкА (15 В) i
"
i
с индуцированным
i
1
i
;
1кпзош
р-каналом
200
2.7 . .. 5,4*
20
30
i15
:<::0.5 мкА (15 В) 1;I
1
1
il
КПЗОIГ
200
2.7 ... 5.4*
20
30
15
:<::0,5 мкА ( 15 В)
1
.
КП302А
С р-n-переходом
300
1... 5
20
10
24
:<::24; 6*
i
КП302Б
300
2.5 ...7
20
10
43
:<::43; 6*
1
и n-каналом
;
КП302В
300
3... 10
20
12
-
:<::33; 6*
КП302Г
300
2...7
20
10
-
:<::65; 6*
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

полевые транзисторы
11
1'
~
11
~1'
~11
1u
11
"
11
1
1
i
S,мА/В
~13·103
(258;25А)
~0,4 (10 8)
~0.7 (10 8)
~О.8 (10 8)
~1.4(108)
~1.8 (10 8)
~О.65
~1
80
~6.9·103
(258;11А)
~12·103
(258;18А)
1... 2 .6
(158;5мА)
2... 3
(158;5мА)
0.5 ...1,6
(158:5мА)
5... 12 (7 8)
7... 14 (7 8)
-
7... 14(78)
$2800; 1100**
!
s20; s8*
$20; $8*
$20; $8*
s20; s8*
$20; $8*
! $6; $2*
1
s6; s2•
1
1
1
1
-
'
i11
1 sl300; 130**
1
1
$2800; 780**
1 s3,5; sl *; s3.5**
s3.5; :Sl *; s3,5**
1
1
s3,5; sl *; s3,5*
1
1
i
:S20; :S8*
$20; $8*
$20; $8*
:S20; :S8*
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Rc".", Ом
к:.Р' дБ
Р:~•• Вт
лu;:,·, мВ
:S0,055
-
-
-
-
-
-
-
7,5
$0,18
:S0,085
-
-
-
-
$150
:SlOO
:Sl50
1
1
1
Кш, дБ
U~,мкВ
Е:, нВ/../fЦ
Q''', Кл
:S3 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
:S3 (1 кГц)
:S3 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
-
-
-
-
-
s9.5 (100 МГц)
1
:
i
i
1
1
1
1
1
1
1
i
s9.5 (100 МГц) 1
i
s9,5 (100 МГц) 1
1
1
1
s3 (1 кГц)
-
-
-
tнклt НС
t:ыкл• НС , .
~·,МГц
ЛU311 /лт"·, 1
мкВ/*С
1сп=81
1
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
!
1сп=36
1сп=62
100**
i
100**
i
100**
1
$4; $5*
$4; $5*
$4; $5*
:S4; :S5*
1
1
i1
407
Корпус
КП150
щ~
'"'No;;; ~ ~
~
""'
""
i
....
'1
~
КП201-1
~~=
<:;5'
~'=3
и
КП202-1
~
i~1
L-
!
~
-0 ,01/
3Doz1. о
КП214-9
j
0,95
~Щ~t~Jk '
~i
КП240, КП250
27,1
-rAfi\
,,
;;No-, '!,,~
: ~\V
t:!
.
1
КПЗОl
'
~5.8
!I
:Ii
~
с
зфщn
и
КПЗО2
~;-е~
t
""'
~ ti'-
3

408
Раздел 3. Полевые транзисторы
:1
1
1
1
!
!
j
~
1
1
1
pCllm.111.t
1
1
1
1 UЗ11он:'
1
UClt ma:- .t
Io
Тип
мВт
!
UЗllin.i.\t
lси"••'
прибора
Структура
р·
u;llnoμ'
1
u;Cmaxt
в
1~. и'
1~ ост, мА
С\1тmакt
в
в
мА
Вт
КП302АМ
С р-n-nереходом
300
1... 5
20
10
24
$24; 6*
КП302БМ
и n-каиалом
300
2.5 ...7
20
10
43
$43; 6*
КП302ВМ
300
1
3... 10
20
12
-
$33; 6*
КП302ГМ
300
2... 7
20
10
-
1
$65; 6•
!I
1
1
1!
1
1
'I
!!
1
1
1,
1:
1
1
i
il
1
1
'1
1
1
1
11
i
1
1
КП303А
С р-n-nереходом
200
0,5 ... 3
25; 30*
30
20
$2,5; 5*
КП303Б
и n-каиалом
200
0,5 ... 3
25; 30*
30
20
$2,5; 5*
КП303В
200
1.. .4
25; 30*
30
20
$5; 5*
кпзозг
200
$8
25; 30*
30
20
$12; 5*
КП303Д
200
$8
25; 30*
30
20
$9; 5*
КП303Е
200
$8
25; 30*
30
20
$20; 5*
11кпзозж
200
0,3 ... 3
1
25; 30*
30
20
$3; 5*
1
200
0.5 ... 2
25; 30*
30
1
20
1
$5; 5*
1 кпзози
1
1
1
~1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
!
i
1
11КП303А9
С р-n-nереходом
i 200
1
0,5 ... 3
1
30*
30
-
20
КП303Б9 i
и n-каналом
200
0,5 ... 3
30*
30
-
20
1
КП303В9
200
1
1.. .4
30*
30
-
20
КП303Г9
200
$8
30*
30
-
20
КП303Д9
200
$8
30*
30
-
20
КП303Е9
200
$8
30*
30
-
20
КП303Ж9
200
0,3 ... 3
30*
30
-
20
КП303И9
200
0,5 ... 2
30*
30
-
20
1
~
1
11
!
~
!
КП304А
С изолированным затвором
200
1
~5* 1 25; 30*
1
30
30 (60*)
$0,2 мкА
и индуцированным каналом
р-тиnа
КП305Д
С изолированным затвором
150
~6
15; ± 15*
±15
15
-
iкпЗО5Е i
и n-каналом
150
~6
15; ± 15*
±15
15
-
1
lкпзоsж 1
150
~6
15; ±15*
±15
15
-
КП305И
150
~6
15; ± 15*
±15
15
-
КП306А
С двумя изолированными
150
$4
20
20
20
$0,005
затворами и
КП306Б
n-каналом
150
$4
20
20
20
$0.005
КП306В
1
150
$6
20
20
20
$0,005
i
1
i
1
i
1
1
1
1
i
1
1
1
!
1

Полевые транзисторы
409
!
1
f 0КJ1, НС
1
i
Rсиотк' Ом
Кш, дБ
cllи' с~2и'
к;Р• дБ
U~, мкВ
t:ыКJJ' НС
S, мА/В
с;;,, пФ
ре~к' Вт
Е:, нВ/../fЦ ~',МГц
Корпус
лu;~·. мВ
Q.". Кл
лuл1 /лт·".
мкв;·с
5... 12 (7 В)
S20; S8*
1
-
s3 (1 кГц)
S4; S5*
КП302М
li
7... 14 (7 В)
S20; S8*
Sl50
-
S4; S5*
•1
-
S20; S8*
SIOO
-
S4; S5*
tJ5,8Ч
7... 14 (7 В)
S20: S8*
Sl50
-
s4: s5*
:[j с
1
и$з
1
~
1
1... 4(10В)
s6; s2*
-
s30** (20 Гц)
-
КП303
1.. .4(10В)
S6; S2*
-
s20** (1кГц)
-
2... 5 (10 В)
S6; S2*
-
S20** (1 кГц)
-
~fi
3... 7(10В)
S6; S2*
-
s(6· I0 . 17 )***
-
с
~2.6 (10 В)
s6; s2*
-
s4 (100 МГц)
-
ифз
~4 (10 В)
s6: s2*
-
S4 (100 МГц)
-
1
.,.,.
1... 4(10В)
S6; S2*
-
SIOO** ( 1 кГц)
-
"
2... 6 (!О В)
s6; s2*
-
SIOO** (1 кГц)
-
~-
Корп.
1... 4(10В)
s2*
-
-
S500; SIOO*
КП303-9
1.. .4(10В)
S2*
-
-
S500; sl30*
2... 5 (10 В)
S2*
-
-
S500; Sl30*
3... 7 (10 В)
S2*
-
-
-
~2.6 (10 В)
S2*
-
-
-
~4 (10 В)
S2*
-
-
-
J
0,95
1... 4(10В)
S2*
-
-
-
~~~t~Jk
2... 6 (10 В)
1
S2*
-
-
-
,1
1'
!
1
~
~
~4(1ОВ:1ОмА)
S9; S2*; S6**
SIOO
-
-
КП304
m
с
ифкорп.
1
3
1
'
5.2 .. . 10,5
1
S5; S0,8*
~13* (250 МГц)
s7,5 (250 МГц)
-
КП305
(10В:5мА)
4. "8
s5: s0,8*
-
-
-
1/)5,8//
(10В:5мА)
5,2 ... 10,5
S5; S0,8*
~13* (250 МГц)
S7,5 (250 МГц)
-
и
(10В;5мА)
~-rm зфПодл.
4... 10,5
s5: s0,8*
-
-
-
корп.
(10В;5мА)
..,,.
.....
с
4... 8 (Uз2и= 1О В)
S5: S0,07*
-
s6 (200 МГц,
800**
КП306
1
Uз2и=IО В)
4... 8 Шз2и=IО В) i s5; s0,07*
-
s6 (200 МГц)
800**
~~
4... 8 (Uз2и= 1О В) ! S5; S0,07*
-
s6 (200 МГц)
800**
з,
1
!
1
1<)'
32$:0011.
1
" -..
~-~
- ..._.
с
i

410
Раздел 3. Полевые транзисторы
pOlm.ixt
UЗlloтc• UOlma"t
Icr
Тип
Структура
мВт
u;Jlnop•
u;Cm;i11.t
UЗllm.i"'
1~.11'
lсиа•1•
прибора
p~llтm.i"t
в
1~°'', мА
Вт
в
в
мА
КПЗ07А
С р-п-переходом
250
0.5 ...3
25: 27*
27
25
:!>9
КПЗО7Б
и п-каналом
250
1... 5
25: 27*
27
25
:!>15
КПЗ07В
250
1... 5
25; 27*
27
25
:!>15
КПЗО7Г
250
1.5 ...6
25: 27*
27
25
24
КПЗО7Д
250
1,5 ... 6
25: 27*
27
25
8... 24
КПЗО7Е
250
:!>2,5
25: 27*
27
25
$5
КПЗ07Ж
250
:s;7
25: 27*
27
25
:!>25
1
КП307А1
С р-п-переходом
250
0,5 ... 3
27*
27
25
КПЗО7Б1
и п-каналом
250
1... 5
27*
27
25
КПЗО7Г1
250
1,5 ... 6
27*
27
25
КП307Е1
250
:!>2,5
27*
27
25
КПЗ07Ж1
250
:!>7
27*
27
25
60
1 0,2...1.2 1 25; 30*
30
20
КПЗОSА-1
С р-п-переходом
КПЗОSБ-1
и п-каналом
1
60
1 0,3 ... 1,8
25: 30*
30
20
i :!>1.6
~
1
КПЗОSВ-1
1
60
1 0,4 ... 2,4
25; 30*
30
20
1
:s;3
!
КПЗОSГ-1
1
60
1
1... 6
25: 30•
30
20
i
-
§
IКПЗОSД-1
60
1... 3
25: 30*
30
20
1
-
1
1
i
1
'
i
!
IКПЗ10А С изолированным затвором
80
1
-
1
8: 10*
1
10
1
20
1
:!>5: :s;O,l *
КПЗ10Б
и каналом п-типа
80
-
1
8:10* 1 10
20
1
:!>5; :s;O,l *
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
!
~
КПЗ12А
1
С р-п-переходом
1
100
1
2... 8
20;25* i 25
25
i :!>25
~
!
1
~
1 КПЗ12Б
1
и п-каналом
100
0,8 ... 6
1
20; 25*
25
25
:s;7
~
1
1
•
!
1
1
1
~
1
i
1
1
1
КПЗ13А
С изолированным затвором
75
~6
15; 15*
10
15
-
и п-каналом
КПЗ1ЗБ
75
~6
15; 15*
10
15
-
КПЗ1ЗВ
75
~6
15; 15*
10
15
-
1
1
1
1
!
1
1
i
i
1
1
!.
КПЗ14А
i
С р-п-переходом
1
200
25
30
20
! 2.5 ...20
1
-
1
и п-каналом
1
КПЗ22А
С двумя затворами, с
200
2,2 ... 12
20
20
-
:!>42
р-п-переходом
и п-каналом
~
1
1
1
!i
1
1
1
;
i
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
!

Полевые транзисторы
'
11
;,
1
!1
~1
1
li~
S, мА/В
4... 9(108)
5... 10 (10 8)
5... 10(108)
6... 12 (10 8)
6... 12 (10 8)
3... 8 (10 8)
4 ... 14(108)
4...9 (10 8)
5... 10 (10 В)
6... 12 (10 8)
3...8 (10 8)
4... 14 (10 8)
1.. .4(108)
1.. .4(108)
2... 6,5 (10 8)
3...6 (5 8; 5 мА)
3...6 (5 8; 5 мА)
4...5,8 (15 8)
2... 5 (15 8)
4,5 ... 10,5
(108;5мА)
4,5 ... 105
(108;5мА)
4.5 ...10.5
(108;5мА)
~4 (10 8)
1
1
1
1
1
!
i1
i1
3.2 ...6,3 (10 8) !
$5; $1.5*
$5: $1,5*
$5; $1,5*
$5; $1,5*
$5; $1,5*
$5; $1,5*
$5; $1,5*
$6; $2**
$6: $2**
$6; $2**
$6: $2**
$6; $2**
$2,5: $0,5*
$2,5; $0,5*
$4; $1*
$4; $1*
$7; $0,9*
$7; $0,9*
$7; $0,9*
$6: $2*
$6; $0,2*
i
i1
1
1
Rснот.• Ом
к:Р• дБ
Р:~,, Вт
лu;~·. мВ
$250
$250
~5* (1 ГГц)
~5* (1 ГГц)
~2* (400 МГц)
~2* (400 МГц}
~10* (250 МГц)
~ 10* (250 МГц)
~10* (250 МГц)
-
Кш, дБ
u:" мкВ
Е~, нВ/./fЦ
Q"•• Кл
t""", НС
1
J
t:ыкл• НС 1
!(0
,
МГц :
1 ЛU311 /лт·". [
i мкВ/"С !
$20** (1кГц) 1
J $2,5** ( 100 кГц) 1
1
1
1
1
1
$2.5** ( 100 кГц) i
$6 (400 МГц) 1
$6 (400 МГц)
$20** (1 кГц)
$(4·10- 17 )***
$20** (1 кГц)
$20** (1 кГц)
$20** (1 кГц)
$6 (1 ГГц)
$7 (1 ГГц)
$4 (400 МГц)
$6 (400 МГц)
$7.5 (250 МГц)
$7,5 (250 МГц)
$7.5 (250 МГц)
$ (1,35·10- 17 )***
$6 (250 МГц)
1
1
1
1
1
1
$20: $20*
$20; $20*
-
-
300**
300**
300**
~100**
i
411
Корпус
КП307-1
КП308-1
Jtвa
-=3
L_
с
н
112
КП310
~с
""
....
ифз
~
~
ПoiJn.
КП312
~1D
~ ~Stj
.....
с
3
и
КП313
:Ebl
J
ir
зис
КП314
r/Jll,75 .
3
.. ...
сфк
....;-
....
'"3
-
и
КП322
~3,
•
~
Jоо
2
и
1
1
11
1

412
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
1
i
i
Potmd"'
UЗИотс' UC(tm.a"'
lc,
Тип
1
мВт
Uзнmа"'
lc на•1'
прибора
1
Структура
p~ltтmd''
u;ll nop'
u~mar..'
в
·~·"'
1~"'" мА
в
в
мА
Вт
!
КП323А-2
С р-п-переходом
100
0,74 ... 6
20
25
12
3... 12
КП323Б-2
и п-каналом
100
0,74 ... 6
20
25
12
3... 12
i
1
'
1
,,
i
1
КП327А
1 С двумя изолированными
200
$2,7
18
6
30
$10
КП327Б
1
затворами и защитными
200
$2,7
18
6
30
$10
1
КП327В
1
диодами. с п-каналом
200
-
1
14; 16*
5
30
$17
КП327f
200
-
14; 16*
5
30
$17
КП329А
С р-п-переходом
250
~1.5
50
45
-
~1
КП329Б
и п-каналом
250
~1.5
40
35
-
1
~1
1
1
1.
1
1
!
1
1
1
1
1
КП333А
С р-п-переходом
250
1... 8
50; 50*
45
-
$1 мкА
КП333Б
и п-каналом
250
0,6 .. .4
40; 40*
35
-
$1 мкА
1
1
1
!
1
КП340
1
пМОП
125*
2.. .4*
400 ! ±20
10 (38*) А 1 $25* мкА (400 В)
1
1
1
1
1
1
КП341А
С р-п-переходом
150 (60°С)
$3
15; 15*
1
10
-
i
$20
1
и каналом п-типа
1
1
КП341Б
150 {60°С)
$3
15; 15*
10
-
$30
1
1
1
1
1
1
11
1
~1
1
1
1
1
КП346А-9 С двумя изолированными
200
-
14; 16*
10
30
2... 20
затворами
КП346Б-9
и п-каналом
200
-
14; 16*
10
30
$20
КП346В-9
200
-
14: 16*
10
30
2...20
'
1
!
'
1
i
i
1
1
!
1
!
1
!
1

полевые транзисторы
413
г--
1
1
!
i
1
RCll0", Ом
Кш, дБ
tвкл' НС
1
cllн• с~2н•
к:Р• дБ
U~, мкВ
t:ык..,• НС
1'
S, мА/В
с;;н, пФ
Р:=", Вт
Е:, иВ/.jfЦ (",МГц 1
Корпус
лu;~·. мВ
Q.". Кл
лu,,Jлт···.
мкв/·с
4...5.8 (10 В)
:54; :51,2*
-
:55**
400**
КП323-2
4...5,8 (10 В)
:54: :51,2*
-
:55**
400**
f6J,6
1
1
~p;t~9j ~
1
1
"
1
1
1
1
1
1
~11(10В: 10мА) 1
:52.5
~12* (0,8 ГГц)
1
:54,5 {0,8 ГГц)
-
КП327
~11(IOВ;10мА) 1
:52,5
~18* (250 МГц)
:53 (0.2 ГГц)
-
~9.5 (10 В: 10 мА)
:52,5: :51.6*
~12* {0,8 ГГц)
:54,5 (0,8 ГГц)
-
ic~~
~9.5 (10 В; 10 мА)
:53,6; :53*
~18* (0,2 ГГц)
:53 (0,2 ГГц)
-
~ Щ\~31
() <а
...;
2,7
32
~3(10В)
1
:56
:51500
:520**
200**
1
КП329
~1 (10 В)
:56
:51500
:520**
1
200**
~tJ,t$J
1
1
1
1
1
1
1
~
~~
1
~-
1<)
~
4...5,8 (10 В)
:56{10В)
:51500
-
-
кпззз
2.. .5 (10 В)
:56(10В)
:51500
:520**
-
~5,/Jll
1
{iнфз
1
floOn.
!
1
1
~7.7-103
1
:51400: 130·
:50,55
1
-
lсл=24 1
КП340
(50В:6А)
1
27,1
~
"No"""' ':1!
:
~,\l)
...,..
-
1
15...30 (5 В)
:55; 1*; 1,6**
-
2.8 (400 МГц)
-
КП341
:51,2** (100 кГц)
18...32 (5 В)
1
:55; 1*; 1,6**
-
1,8 (200 МГц)
-
~tu~~
1
:51,2** (100 кГц)
1
1
.. ..
с
3
1
и
~12 {10 В; 10 мА)
:52,6; :50,035*;
.
~15* (0,8 ГГц)
:53,5 (0,8 ГГц)
-
КП346-9
:51,3**
~IO{lOB; lОмА)
:53; :50,035*;
:513 (0,8 ГГц)
:54,5 (800 МГц)
-
:! ffl~4
1
:51,5**
~12{10В; lОмА) :52,6: :50,035*;
~21 (200 МГц)
:51,9 (200 МГц)
-
:51,3**
1
1
1
1
~
i
1
1
1
ис
i
1

414
Тип
прибора
КП347А-2
1:
li
11
11
КП350
1
1
11
11
1·
i КП350А
КП350Б
КП350В
1 КП361А
\i
1:
"
;1
11
:1
КП364А
КП364Б
КП364В
КП364Г
КП364Д
1IКП364Е
!IКП364Ж
:1кпз64И
1
КП365А
КП365Б
JIKП382A
11
Структура
С n-каналом, с двумя
i изолированными затворами,
'
'
с двумя защитными
!
диодами
nМОП
1 С двумя изолированными
затворами и встроенным
n-каналом
1
i n-канал, для электретных
1
микрофонов
1
i
!
С р-n-nереходом,
n-каналом
1
1
1
1
С р-n-переходом.
n-каналом
nМОП. с двумя затворами
pCllm.1;1,t
UЗlloтo.:t
мВт
u;llnupt
p~llтm.н,t
Вт
в
200
3
150*
2".4*
1
200
0,17" .6
200
0.17 ".6
200
0,17 ".6
150
-
200
0,5" .3
200
0.5" .3
200
1" .4
200
$8
200
$8
200
$8
200
0,3" .3
200
0.5" .2
150
-0.4".-3
150
- 0,4".-3
2,7
Раздел 3. Полевые транзисторы
UCllma\t
Ict
u;Cma>.'
UЗllm.1\'
1~. н'
lc н.1•1'
в
I~~т, мА
в
мА
14
5
::::5
1
:
1
400
±20
14 (56*) А ::::25* мкА (400 В)
~
i
1
1
:
15
15
30
$3,5
15
15
30
$3,5
15
15
30
$3,5
,!
i
1!
20
-
10
$1,2
~
1:
11
:1
i
1!
1
'1
'
11
!
1
11
1
1
25; 30*
30
20
0,5" .2,5
25: 30*
30
20
0,5." 2,5
25; 30*
30
20
1,5 ...5
25; 30*
30
20
3". 12
li,,
25; 30*
30
20
3".9
!I
25: 30•
30
20
5". 20
11
25; 30*
30
20
0.3".З
25: 30~
30
20
1.5 .5
20
20
4.5 ". 20
20
20
12".3 5
15
::::20

Полевые транзисторы
1'
1
11
1:
11
11
~
"•:
~
~,,
~
!
1
1
S, мА/В
<::10 (10 В; 10 мА)
2: 1О·103
(25В:25А)
2:6(10В; IОмА)
2:6 (10 В; 10 мА)
2:6 (10В; 10мА)
-
1".4 (10 В)
1".4 (10 В)
2".5 (10 В)
3... 7 (10 В)
2:2.6 (1 О В)
2:4 (10 В)
1".4 (10 В)
2".6 (10 В)
2:15
2:18
2:10
'
1
1
1
:;;3,5 ( 10 В)
0,04*
s2600; 250'
$6; $0,07*;
$6**
$6; $0,07*;
$6**
$6; $0,07*;
$6**
-
S6; S2
S6; $2
$6; $2
s6; s2
S6; S2
s6; s2
S6; S2
$6; $2
RC!luтк' Ом
к;r, дБ
Р::,, Вт
лu;~·. мВ
2:18* (200 МГц)
S0,3
-
-
-
-
2:13*
Кш, дБ
u:,, мкВ
Е:, нВ/)Г~i
Q.", Кл
S2,5 (200 МГц)
-
:;;6 (400 МГц)
s5 (100 МГц)
:;;8 (400 МГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
:;;30** (20 Гц)
s20** (1кГц)
s20** (1 кГц)
S4 (100 МГц)
s4(100МГц)
slOO** (1 кГц)
SIOO** (1 кГц)
1,5*
1,8*
3
1
t"•• нс i
l
l(._.,НСi
'
(°,МГц 1
ЛU311 /лт·", 1
мкВ/"С
tcn=4 7 1
;
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
i
415
Корпус
КП347А-2
fr~@
~п~32
КП350
".:
27,1 ~
1;
il
~&~~! 1
~
.
КП350А
~~ з,
11
11
11
")"
зфн
,.._
.......
2
поал.
... ..
~
с
11
... .._
КП361
~!f:tщt
..,..,
.,,,..
::::·
..,..,
i
....:
"1
КП364
КП365
КП382

416
Раздел 3. полевые транзисторы
Pcllmax'
UЗН OT(t
UСИ max'
lc,
Тип
мВт
Uзи max'
lc нач'
прибора
Структура
р~И т max'
u;и nop'
u;c max'
в
1~. и•
I~Q{·т, мА 1
Вт
в
в
1
мА
i
1
i
1
!
~КП383А-9 1 С двумя изолир. затворами,
200
-
14; 16*
±5
30
S0,5 (30 В)
i
n-каналом
1
КП401АС
Сборка из четырех
420
~О.8
30
20
1
-
3(1и3)
t
транзисторов
1
КП401БС
1 и 3 с n-каналами,
420
~0.8
30
20
-
1(2и4)
2 и 4 с р-каналами
1
1
1
1
'
1
1 КП402А
С р-каналом
-
(0,8" . 2,8)
200
1
'
-
150
$60
КП403А
С n-каналом
-
(0,8".2,8)
200
-
300
1
s60
1
1
~
1
1
1
!
11
1
1
КП440
nМОП
125*
2".4*
500
±20
8 (30*) А S25* мкА (500 В)
КП450
nМОП
150*
2".4*
500
±20
12 (52*) А s25* мкА (500 В)
1
1
11
1
1
1
i
1
1
1
'
КП501А
С изолированным затвором
500
1". 3*
240
1
±20
180
10 мкА
КП501Б
и n-каналом
500
1". 3*
200
±20
180
10 мкА
КП501В
500
1" .3*
200
±20
180
10 мкА

Полевые транзисторы
417
Rc11".• Ом
Кш, дБ
t,.,,, нс
1
cllн' с~2н'
к:Р• дБ
U~,мкВ
t:ыклt НС
S,мА/В
с;;н, пФ
Р:~"' Вт
Е:, иВ/..jfЦ ~·,МГц 1
Корпус
лu;~·. мВ
Q.", Кл
ЛU31 Jлт·".
мкВ/'С 1
~13(108: lОмА) i :'>2.5 (10 В)
~13* (0,8 ГГц)
::;3 (0,8 ГГц)
1
-
1
КП383-9
1
'
'
1
;
-11
1
il
1
J
11
1
1
1
:1 rn~~
1
1
1
1
ис
~280(1 и3)
-
$1,2 (п-кан.);
-
-
КП401
:'>2,5 (р-кан.)
~130(2и4)
-
:'>2 (п-кан.);
-
-
7.5_
~
1
$5 (р-кан.)
1
-
1
1
~-JштщjwШD~.w •1 '"'
~
~
1
....
1
,..."
ш
~
c:::r
"
2.5 76 6ы6т1а6 О,52
!
.....
-
-.
..........
~
1G
,.. ...
г- -..
g
~,..___
·-
~
~ L- ....J
...
...
"'1
.......
...
-
~
~60(25В;0,1А) 1
:'>20
1
1
КП402А
'
d
-
-
-
i
i
1
1
1
1
1
~tt~ 1
i
1
1
1
1
14')
~-
~-
~
~
~60 (25 В; 0,1 А)
-
$6
-
-
КП403А
1
~tt~ 1
1
14')
~-
·1
1
1
~-
~
1
~
1
i
1
~5.3 (25 В; 5 А) 1 :'>1300; 120*
$0,85
-
1
tсп=20 1
КП440, КП450
No~lffi\
-
и,3
~9.3 (25 В; 7,75 А)
:'>2600; 720**
$0,4
N
'-:
oio
-
tсп=44
:
~\l/
1
~
1
1
1
1
1
11
1
.
~100
10
1
-
-
1
-
1
КП501
1
~100
10
-
-
-
~100
15
-
-
-
~tt:~
1
14')
~-
~-
~
.
~
27зак9

418
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
Рентах'
Uзнотс' Uси max'
1
lc,
Тип
Структура
мВт
u;llnopt u~maxt 1 u3~1maxt
·~ft•
•сн.1ч'
прибора
p~llтmaxt
1
в
J~ост t МА
в
в
!
мА
Вт
1
1
1
КП502А
С изолированным затвором
1000
1,5 ...2,5*
400
±10
120
1 мкА
КП503А
и п-каналом
1000
-1,8 ... -0,7*
240
±10
150
1 мкА
КП504А
1000
0,6 ... 1,2*
240
±10
250
1 мкА
КП504Б
1000
0,6...1,2*
240
±10
250
1 мкА
КП504В
1000
0,6...1,2*
200
±10
250
1 мкА
КП505А
1000
0,8 ...2*
50
±10
1400
1 мкА
КП505Б
1000
0,8 ...2*
50
1
±10
1
1400
1
1 мкА
1
КП505В
1000
0,8 ...2*
60
±10 i
1400
1 мкА
!
КП505f
1
700
0,4 ...0,8*
8
1
±10 i
500
1
1 мкА
1
1
i
1
1
1
~
1
1
1
i
1
КП507А
С р-каналом
1000
-0,8 ... -2
-50
±20
1100
1*
КП508А
С р-каналом
1000
-0,8 ... -2
-240
±20
150
-
1
ь
1
:
'
КП509А-9 1
Сп-каналом
360
0,8...2*
240
±14
100
i
-
КП509Б-9
1
Сп-каналом
500
0,6 ... 1,2*
240
±14
250
1
-
КП509В-9
Сп-каналом
360
0,8...2*
200
±14
100
-
1
1
1
1
1
1
КП510
пМОП
43*
2...4*
100
±20
1
5,6 (20*) А 1 :<;;25* мкА (100 В)
1
1
!
i
'
!
t,
1
!
i
1
1
1
1
1
КП510А9
Сп-каналом
540
0,7 ... 1,6*
20
±12
1200
-
1
~
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
1

полевые транзисторы
S, мА/В
~О.1 А/В
~О.14 А/В
~О.14 А/В
~О.14 А/В
~О.14 А/В
~0.5 А/В
~О.5 А/В
~0.5 А/В
~0.5 А/В
250
160
140
60
1~1300(50В; 3.4 А) 1
i
1
~
'
1
!
!
1300
27·
180; 15*
Rсиоткt Ом
к;1" дБ
рвых' Вт
лu;~·. мв
28
20
8
8
8
0,3
0,3
0,3
1.2
0,8
20
16
8
16
~О.54
0,25
Кш, дБ
U~,мкВ
Е:, нВ/.jfЦ
Q""', Кл
·1
tвклt НС
t:.". нс
~·,МГц
1 ЛU31Jлт·".
мкВ/"С
tcn=9.4
Корпус
КП502, КП503,
КП504, KПSOS
'~и
КП507
КП508
КП509-9
~~1KПSIO
419
7,9
7,1
KПSI0-9

420
Раздел 3. полевые транзисторы
pCllmax'
UЗ,loтt:' UatmaA'
lc,
Тип
Структура
мВт
u;'1 nop'
u~max' UЗHm.i.-.r
1~. и•
lсн.~ч'
прибора
р'
в
l~ост' мА
СН т rn.1111 .t
в
в
мА
Вт
КП511А
Сп-каналом
750
0.8 ...2
350
1
±20
140
-
КП511Б
Сп-каналом
750
0.8 ...2
400
±20
140
-
11
1
1
!·
1
1
1
1
:1
!
1
1
'1
1
1
1
1
11
1
1
1
1
1
1
КП520
пМОП
60*
2.. .4*
100
±20
9,2 (37*) А $25* мкА (100 В)
11
1
1
1
1
il
1
1
1
1
1
1
КП523А
пМОП
1Вт
0,8 ...2
200
±20
480
1*
КП523Б
пМОП
1Вт
0,8 ...2
200
±14
480
1*
КП523В
пМОП
700
0,8 ...2
200
±20
480
1*
КП523f
пМОП
700
0,8...2
200
±14
480
1*
КП530
пМОП
88*
1 2.. .4*
100
±20
14(56*)А $25* мкА (100 В)
11
1
1
1
~
1
i
1
1
1 КП540
пМОП
150*
2.. .4*
100
1
±20 j 28 (110*) А $25* мкА (100 В)
КП601А
С р-п-переходом
500; 2*
4...9
20; 20*
15
-
$400
КП601Б
и п-каналом
500; 2*
6... 12
20; 20*
15
-
$400
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
КП610
пМОП
36*
2.. .4*
200
±20
3,3 (10*) А s25* мкА (200 В)
КП620
пМОП
50*
2.. .4*
200
±20
5,2 (18*) А $25* мкА (200 В)
КП630
пМОП
74*
2.. .4*
200
±20
9(36*)А 1$25* мкА(200В)
1
КП640
1
пМОП
125*
1
2.. .4*
200
±20
18 (72*) А $25* мкА (200 В)
1
КП704А
С изолированным затвором,
75*
1,5 ...4*
200
±20
10А;30*А
$0,8
КП704Б
с п-каналом
75*
1,5 .. .4*
200
±20
10А;30*А
$1

Полевые транзисторы
S,мА/В
125
125
~2700 (50 В; 5,5 А)
~500 I0.45 А)
~5"()0 (0.45 А)
~500 (0.45 А)
~500 (0.45 А)
~5100 (50 В; 8,4 А)
1
360: 150**
670; 60*
22
22
50,27
2
4
2
4
50,16
Кw,дБ
U~,мкВ
Е:, нвt.ДЦ
Q"•• Кл
fвкпt НС
t:ыкл' НС
~·.мrц
ЛU 3и/лт·",
мкВ/"С
tсп=20
tсп=24
421
Корпус
КП511
КП520
1
~~ ~11и
$t_'-
с
1,15
2.5i'т2.51,9
1,1
КП530, КП540
~ 10,65
' !J ,6, -.....,.".В--
...
-
l-' '
1
1
,;, :%:"' . -t
1--~~~~~~1--~~~~~-+-~~~~~~--+~~~~~-+~~~~~;-~. 1
~8700 (50 В; 17 А)
1700; 120*
50,077
-
tcn=43
...L.L
~.:: ~,~,15
40...87 (10 В)
40...87 (10 В)
i~800(50 В: 2А)
~1500 (50 В; 3,1 А)
~3800 (50 В; ЗА А)
56*
56*
140; 15*
260: 30*
950; 76*
51,5
50,8
50,4
56 (400 МГц)
56 (400 МГц)
tсп=8,9
lсп=IЗ
tсп=25
2.5 -i т 2. 5 l'--',9---1,_1-
КП601
КП610, КП620, КП630,
КП640, КП704
1/,8
~ 70,65
'!Jfi
•
...,
L..-.
~',/-r,37 1
+ 1 ..u<J
_LL
.Фrят1
[I
11--~~~~~---ir--~~~~~--t-~~~~~~-t-~~~~~-;-~~~-----j ;-~- 1
111
~6700(508: 11 А)
1600; 130*
50,18
-
1сп=40
1
1
~"°*·!!l--t-""'.:3-mmrmtг.'•Иt.'.•5
'1
1000...2500 (1 А) 1
~ 1000...2500 (1 А) 1
11
1
250**
250**
50,35
1·
-
5100; 5100* $t.',;" С-11411-11ооо.:...'-'
:S0,5
-
:SIOO; :5100*
19 _1,1
1
1
2.5~-4--1-Е-=2=5 ~·----

422
Раздел 3. Полевые транзисторы
Рснmал'
UЗlloтc' UСИmал'
lc,
Тип
Структура
мВт
u;H пор' u~maл' UЗllmaxt
1~.и•
lсиач'
прибора
p~llтmaxt
в
l~ост, мА
Вт
в
в
1
мА
i
!
КП705А
сп-каналом
125*
-
1000; 1010*
30
5,4А;6*А
$7; $10·
КП705Б
125*
-
800; 840*
30
5.4А;7*А
$7; $10*
КП705В
125*
-
800; 800*
30
5,4А;7*А
$15; $5*
КП706А
пМОП
100*
-
500
30
22А
I; 4* (500 В)
КП706Б
100*
-
400
30
1
22А
1; 4* (400 В)
КП706В
1
100*
-
400
1
30
1
22А
1
1: 4• (400 В)
1
i
1
1
i
1
1
1
1
1
i
1
1
1
КП707А
С изолированным затвором,
100*
5
400
±20
25* А
$25; $1 *
с п-каналом
КП707Б
100*
5
600
±20
16,5* А
$25; $1 •
1
1
КП707В
1
100*
5
750
±20
12,5* А
$25: $1 •
'
1
1
!
1
1
КП707Г
1
100*
2" .5
1
700
±20
1
8*А
$0,1
КП707Д
1
100*
1
2".5
1
500
±20
8*А
$0,1
КП707Е
1
100*
2".5
750
±20
8*А
$0,1
КП707А1
пМОП
60*
2".5
400
±20
6 (25*) А $25* мкА (400 В)
КП707Б1
60*
2".5
600
±20
4 (16.5*) А $25* мкА (600 В)
КП707В1
55*
2".5
800
±20
3 (12,5*) А $25* мкА (750 В)
КП707Г1
60*
2".5
•
700
±20
8*А
$25* мкА (400 В)
КП707Д1
60*
2".5
500
±20
12* А
$25* мкА (600 В)
КП707Е1
50*
2".5
750
±20
8*А
1 $25* мкА (750 В)
i
:
:
КП707А2
1
пМОП
1
50*
-
350 i ±20
2А
! $0.1: $0Г
КП707В2
1
50*
1
2".4 .5
800 1
±20
1 3.5 (9*) А !$25• мкА(800В)
1
!
1
1
;
1
1
i
1
i
'
1
i
1
1
1
!
i
1
1
i
КП708А
С изолированным затвором
75*
2" . 4,5*
500
±20
4,5 А
0,5
КП708Б
и 11-каналом
75*
2" . 4,5*
500
±20
4,5 А
0,5
КП709А 1 С изолированным затвором, 1
75*
2".4
600
±20
4,5А;18*А1
$0,5
КП709Б
с п-каналом
.
75*
2".4
600
±20
4,5А;14*А 1
$0,5
КП709В
1
75*
2".5
600
±20
3,5А;16*А 1 $0,25(20В)
КП709Г
75*
2".5
500
±20
4,5А:18*А 1 $0,25(20В)
КП709Д 1
75*
2" .5
500
±20
4А;14*А
$0,25 (20 В)
1
1
КП710
пМОП
36*
2" .4
400
±20
2 (6*) А $25* мкА (400 В)

Полевые транзисторы
423
Rснотк' Ом
Кш, дБ
f 11кл, НС
cllн' с~2н'
к;!" дБ
U~, мкВ
f:ыклt НС
S, мА/В
с;;,, пФ
Р•ых' Вт
Е:, нВ/..jfЦ (",МГц
Корпус
лu;~·. мв
Q···, Кл
ЛU 3и/лт·",
мкв/·с
1
21000 (30 В; 2 А)
1
1500 (50 В); 20*
s4,3
1
s60; s80*
КП705
-
21000 (30 В; 2 А) 1500 (50 В); 20*
s3,3
-
s60; s80*
21000(30В;2А) 1 1500(50В);20*
s3,3
-
s60; s80*
27.1 Ю7
1
...._
,_
3И
~No~ ..
1
1
2300(30В;2А)
2500; 300**
0,65
-
70; 100*
КП706
2300(30В;2А)
2500; 300**
0,44
-
70; 100*
2300(30В;2А)
2500; 300**
0,6
-
70; 100*
1
с~и
!
-~
1
~
"" ~~+r
~'
'~
1
(t"-и
1
6..1
21..,.
-
1
1
21600 (20 В; 3 А)
sl600 (25 В);
sl
-
1
s80*
КП707
s45*
1
21600 (20 В; 3 А)
sl600 (25 В);
s2,5
-
s80*
"
"'
s45*
1
~~ -~'"- i~1
--
21600 (20 В; 3 А)
sl600 (25 В);
sЗ
sSO*
-
-' j~11
-
/•
s45*
1
~~
r i..., 1
-,-
-
Jt'~~
21600 (20 В; 3 А)
21200
1
s2,5
-
1
-
1
п-т!11
"
21600(20В;3А) 1
21200
1
sl,5
1
~
-
1
-
!
~~1
i
1
21600 (20 В: 3 А)
21200
s5
-
-
1
21600 (20 В: 3 А)
s2600; 95*
sl
-
s80*
КП707-1, КП707-2
121600(20В:3А)
s2600; 95*
s2,5
-
s80*
21600 (20 В; 3 А)
s2600; 95*
sЗ
-
s80*
' 1,8
21600 (20 В; 3 А)
:-::1200
s2,5
-
-
" ' !. 70,65 ~J,5,
21600 (20 В: 3 А)
s2600
sl,5
"".~~,., 1,Jl
-
-
.i
±
21600 (20 В: 3 А)
s2600
s5
1"1
-
-
-
.,,,..
1
~~
., ,. ..,.
-
21500
1200; 200**
s5
1
-
-
11
21600 (20 В; 3 А)
1200; 200**
s2,8
1
-
""'!!:1
11,15
11
'
,,..- ~
11
..... v
1,9
1,1
2.5 -
_ 2.5
'
исз
22000 (25 В; 2 А)
s650; s70*
s0.75
-
s50
КП708, КП709, КП710
22000 (25 В; 2 А)
s650: s70*
sl
-
s50
~ 70.55 ~J,5,
' 1,8
22000 (25 В; 2 А) s650 (25 В); s70*
s4,6
-
s50
""-,,, 1,37 1
22000 (25 В; 2 А) s650 (25 В); s70*
s2
-
s50
~1,,.,
-±
1500 (25 В; 2,5 А)
s950 (25 В)
s2.5
1
sЗО; 150*
1~-
,'f 1,,..
1
1500 (25 В; 2.5 А)
s950 (25 В)
sl,5
s30; 150*
~..,.
1500 (25 В; 2.5 А)
s950 (25 В)
s2
s30; 150*
~
•
i
i
1
i
3Jи
""~
•
!
i
- :t. "' .....
с
1,15
21(508;1.2А) 1
170; 6,3*
1
s0,36
-
! !сп= 11
1,9
1,1
2.5 -
2.5
!
1
1
-

424
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
1
PC~I ma~ •
Тип
мВт
UЗИотс' UCИmax• Uзиmах•
Icr
lcначt
прибора
Структура
Р~и т ma~•
u;и пор• u~max•
в
1~."1'
l~ост, мА
1
в
в
мА
1
Вт
КП7128
С р-каналом
200 Вт
-2 ...-4*
-100
±20
40А
-
1
!
1
КП712А
С изолированным затвором,
50*
-2 ... -5
-80
±20
10А
~1
с р-каналом
КП712Б
50*
-2 ... -5
-100
±20
10А
~1
КП712В
50*
-2 ... -5
-100
±20
8А
~1
i
КП7130А
ДМОП, с п-каналом,
125* Вт
2...4*
600
±30
6,2 А
::;О,!
КП7130Б
с обратным диодом
125* Вт
2.. .4*
600
±30
6,2 А
::;О,1
КП71ЗОВ
125* Вт
2...4;
550
±30
6,2 А
::;О,1
КП7130А2 i ДМОП, с п-каналом,
2...4*
600
с обратным диодом
±30 ! 6,8А
1
::;О,1
КП71ЗОА9
ДМОП, с п-каналом,
2...4*
600
±30
6,2 А
::;О,1
с обратным диодом
i
1
1
1
КП7131А-9
Сдвоенный, п-канал
2Вт
1...3*
20
-
3,5 А
-
1
1
1
1
1
'

полевые транзисторы
425
1
Rс11от" Ом
Кш, дБ
tвклt НС
cllн' с;2н'
к;!'' дБ
U~, мкВ
t:ык.лt НС
S, мА/В
с;;", пФ
Р••" Вт
Е:, нВ/.jfЦ ~·,МГц
Корпус
лu;;.·, мВ
Q"', Кл
ЛU3и/лт···,
мкВ/"С
-
-
0,06
-
-
КП7128
~ 70.65 i'J.6.
4,8
"'",,...-..., 1,Jt 1
'.i.1"''
-
~
l.lf'т 1
...
~
1
..,,.
....
-
'
.._, !D 3
и
~- ..... с
1,15
-.~
1,9
1,1
1
2,5
2.5
~2000(4В;2А)
:51800 (25 В);
:S0,25
-
130; 350*
КП712
100*
ftl
~2000(4В;2А)
:51800 (25 В);
:S0,3
-
130; 350*
и
100*
" ':>
•
~1800(4В;2А)
:51800 (25 В);
:S0,4
-
130; 350*
~
3
100*
22
4700
1300; 160**
1,2
-
-
КП71ЗО
4700
1300; 160**
1,5
-
-
4,8
4700
1300; 160**
1,2
-
-
~ 10,65 i'J.6.
"'"~v t,п 1
'
1
"'
-
t
1
,...,.
1
1
...
~
!<'>" ....
....
'
_.. .,_ _. ..,
r~.15
1-
.._,
~;--%
~-.... ,
2,5
2.5 1,9
1,1
4700
1300; 160**
1,2
-
-
КП71ЗО-2
~~r
С'8 ~
'
1
....
'$!
Q
зси
4700
1300; 160**
1,2
-
-
КП71ЗО-9
10,28
7,11
4,55
....-
.
~
...
.;
"~
'
'
"'11111~
г
-
N
f 3 r__··~~ -- н,,;
~1100
-
0,1
-
-
КП7131-9
18
:8J ~:~ig"
m
CI
.:EJJ2 ~ ' с;
32 5с.
1
1,75
4

426
Раздел З. Полевые транзисторы
!
i
i
1
[
1
~
р01ш;1л'
1
'
UЗlloн' UСИrш1"'
Ic,
1
Тип
1
мВт
1
UЗllmdл'
1
lc иilч'
1
Структура
u;и nop'
u~rnaл'
1~. Н'
1
прибора
р~ltтш.н.'
в
в
в
мА
1~ ос,, мА
Вт
КП7132А
ДМОП, с n-каналом,
45*
1
2... 4*
70
±20
15А
!
sl мкА
КП7132Б
с обратным диодом
45*
2... 4*
55
±20
15А
sl мкА
!
1
1
!
1
1
1
1
~
1
1
'
!
1
1
i
1
КП7132А1
ДМОП, с n-каналом,
45*
1
2.. .4*
70
i ±20
1·
15А
1
sl мкА
КП7132Б1
с обратным диодом
45*
2...4*
55
±20
15А
sl мкА
и стабилитронами защиты
1
1
1
i
1
i
1
1
i
1
1
1
1
~
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
КП7132А9
ДМОП, с n-каналом.
45*
2.. .4*
70
±20
15А
sl мкА
КП7132Б9
с обратным диодом
45*
2...4*
55
±20
15А
sl мкА
1
1
1
1
1
1
i
!
1
1
1
КП7132А91
ДМОП, с n-каналом,
45*
2...4*
70
±20
15А
sl мкА
КП7132Б91
с обратным диодом
45*
2... 4*
55
±20
15А
sl мкА
и стабилитронами защиты
1
i
!
1
1
1
1
i
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КП7133А
ДМОП, с n-каналом,
125*
2...4*
200
±20
18А
-
с обратным диодом
1
'
!
1j
1
1
~
1
!
i
1
i
1!
1
1
!
i
1•
i
1
!
il
'

Полевые транзисторы
S, мА/В
6700
250; 100**
250; 100**
250; 160**
250; 160**
250; 100**
250; 100**
250; 160**
250; 160**
1300; 430**
RОlотк' Ом
к:.Р• дБ
Р:~х' Вт
лu;~·. мв
s0,09
s0,09
s0,09
s0,09
s0.09
s0.09
s0,09
s0,09
s0,18
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/..jfЦ
Q··· , Кл
tвк.лl НС
t:ык.л' НС
(",МГц
ЛU 311 /лт·".
1
мкв/·с 1
427
Корпус
КП7132, КП7132-1
2.5
2.5
1,9
1,1
КП7132
КП7132-1
с
с
,-@ з*Э
и
и
КП7132-9, КП7132-91
10,28
7.11
4,55
~
КП7132-9
КП7132-91
,~ '~
и
и
КП7133
4,8
1,9
1,1

428
Раздел З. llолевые транзисторы
Рсиmал'
UЗИont Ucиmax'
Io
Тип
Структура
мВт
u;и пор' u~maAt Uзи max'
·~.11•
lсиачt
прибора
р~ИтmаА'
в
1~"", мА
Вт
в
в
мА
i
КП7133А9 1 ДМОП, с п-каналом,
125*
2".4*
200
±20
18А
-
~
1
с обратным диодом
1
1
КП7134А 1
Сп-каналом
82*
2".4*
1
200
i-
9,3 А
i
-
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
КП7135А
Сп-каналом
50*
2". 4*
200
-
5,2 А
-
КП7136А 1
Сп-каналом
125*
2".4*
400
-
10А
-
i
i1
1
1
1
JШ7137А 1
Сп-каналом
125*
2".4*
500
-
8А
-
1
1
1
1
1
1
!
КП7138А
ДМОП, с п-каналом.
35*
2".4*
600
±30
1,4 А
:s;0,025
с обратным диодом
1
1
1'
1
1
1
1
1
!
1
1
1
.1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1

полевые транзисторы
S, мА/В
6700
1300; 430**
3000
1300
5600
4900
229; 32,5** •
Rc11 .", Ом
к:.Р• дБ
Р:~х• Вт
лu;;,·, мв
~О.18
0,3
0,8
0,55
0,85
~7
Кш, дБ
U~, м.кВ
Е:, нВ/.jfЦ
Q·-, Кл
tвк.лt НС
t:..кл• НС
~:·, Мfц
ЛU 311 /лт·".
мкВ/"С
429
Корпус
КП7133
10.28
7.11
~
.
i
КП7134, КП7135
1/,8
1,9
1,1
КП7136
1/,8
1,9
1,1
КП7137
1,9
1,1
КП71З8
1,9
1,1

430
~1!
11
Тип
1
прибора
КП7138А9
1
КП7138А91
!
1
!
КП7150А
1
КП7150А2
~
КП7150А9
1
1
ii
1
1
1
;
1
i
1
1
:
!
i
:
:
'
1
1
1
1
Структура
ДМОП, с п-каналом,
с обратным диодом
ДМОП, с п-каналом.
с обратным диодом
ДМОП, с п-каналом,
с обратным диодом
ДМОП, с п-каналом,
с обратным диодом
ДМОП, с п-каналом,
с обратным диодом
!
:
pCllm.ix'
UЗllon·t
мВт
u;llno11'
p~llTIЩIAt
Вт
в
35*
2".4*
i
j
1
1
1
1
35*
2.. .4*
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
35*
2... 4*
1
1
i
1
35*
2.. .4*
1
35*
2.. .4*
Раздел 3. Полевые транзисторы
!
!
!
i
1
1
UCll 1naл'
1
1
•с• 1
'
1
UЗНшал'
1
IСна•1'
u;Cmax'
·~.11'
в
I~ост' мА
в
мА
600
±30
1.4 А
S0,025
1
1
1
1
!
1
1
1
i
1
i
i
i
1
1
1
1
600
1
±30
1,4 А
S0,025
1
i
i
!
1
1
:
1
:
i
'
'
i1
!
i1
1
60
±20
1
50А
s0,025
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!1
1
1
1
60
±20
50А
s0,025
1
1
1
1
!
1
!
60
±20
50А
s0.025

Полевые транзисторы
S, мА/В
229; 32,5**
229; 32,5**
1900; 920**
1900; 920**
1900; 920**
Rc11.," Ом
к;!'' дБ
Р,ы" Вт
лu;;,·. мв
~7
~7
~О.028
~О.028
~0.028
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/.,/fЦ
Q···, Кл
t,..вкл 1 НС
fаык.л• НС
(",МГц
ЛU311 /лт···.
мкВ/'С
1
Корпус
КП7138-9
3си
КП7138-91
6,6
КП7150А
431
2,37
;+---" '!
10,65
,J,6, ............~·8~
1,~..._,___
КП7150А2
~~
1
==~~15,9 т5
1
~
D
зси
КП7150А9
10,28
7,11
4,55

432
Раздел 3. Полевые транзисторы
Pcitmaxt
UЗ"loтt·t UCИmax•
lc,
Тип
Структура
мВт
u;l-1 пор• u;Cmaxt
Uзи1пах•
1~."1'
lc нач•
прибора
р~Итmахt
в
1~""', мА
Вт
в
в
мА
1
КП717А
пМОП
150*
-
1
350
±20
15А
1
0.25*
КП717Б
150*
-
400
±20
1
15А
0.25*
КП717В
1
150*
-
350
±20
13А
0.25*
КП717f
1
150*
-
400
±20
13А
0,25*
КП717Д
150*
-
350
±20
11А
0,25*
КП717Е
150*
-
400
±20
11А
0,25*
КП717А1
пМОП
170*
-
350
±20
15А
0,25*
КП717Б1
170*
-
400
±20
15А
0,25*
КП717В1
170*
-
350
±20
13А
0,25*
КП717П
170*
-
400
±20
13А
0.25*
КП717Д1
1
170*
-
350
±20
11А
0,25*
КП717Е1
170*
-
400
±20
1
11А
1
0.25*
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
:
1
i
1
КП718А
1
пМОП
125*
-
500
1
±20
9,6 А
0.25*
КП718Б
125*
-
450
±20
9,6 А
0,25*
КП718В
125*
-
500
±20
8,3 А
0,25*
КП718f
125*
-
450
±20
8,3 А
0,25*
КП718Д
125*
-
500
±20
10А
0,25*
КП718Е
125*
-
450
±20
10А
0,25*
КП718А1
пМОП
125*
-
500
±20
9,6 А
0.25*
КП718Б1 1
125*
-
450
±20 1 9,6А
1
0.25*
КП718В1
1
125*
-
500
±20 1 8,3А
0.25*
КП718П
125*
-
450
±20
1
8,3 А
0.25*
КП718Д1 1
125*
-
500
±20
10А
0,25*
КП718Е1
125*
-
450
±20
10А
0,25*
КП720
пМОП
50*
2.. .4
400
±20
3,3 (13*) А :S25* мкА (400 В)
КП722А
пМОП
125*
-
200
±20
22А
0.25*
1
1
1
1
1
1
'
КП72ЗА
1
пМОП
150*
-
60
±20
35А
0,25*
КП72ЗБ
150*
-
50
±20
35А
0,25*
КП72ЗВ
150*
-
60
±20
35А
0.25*
КП72Зf
150*
-
50
±20
35А
0,25*
КП724А
пМОП
125*
-
600
±20
6А
0,25*
КП724Б
125*
-
500
±20
6А
0,25*
!
КП725А
1
пМОП
125*
-
500
±20
13А
0,25*

Полевые транзисторы
433
11
1
1
:
1
'
11
Rc11."• Ом
Кш, дБ
1
fвклt НС 1
cllи• с;2и'
к;!" дБ
U~, мкВ
t:ыкл' НС
S, мА/В
с;;", пФ
рвы~• Вт
Е:, нв/..jfЦ ~·,МГц
Корпус
лu;~·. мв
Q'", Кл
ЛU 311 /лт···,
мкВ/'С
В·103
-
0,3
-
-
КП717
вооо
-
0,3
-
-
27,f
7000
-
0,35
-
-
с
7000
-
0,35
-
-
-
....
3и
6000
0,4
N
t::)
оо
-
-
-
-
""
1
6000
1
0,4
:
/,
-
-
-
...,
-
,,
i
i
1
!
1
'
1
!
В-103
1
-
0,3
-
1
-
КП717-1
~ 8000
-
0,3
-
-
~~r
7000
-
0,35
-
-
7000
-
0,35
-
-
6000
-
0,4
-
-
6000
-
0,4
-
-
"" t:!
'
....
"${
о
зси
2700
1
-
0,6
-
1
-
КП718
11
2700
-
0,6
-
1
-
27.f ~
2700
1
-
о.в
-
-
1
.
3и
2700
0,8
1
~~ ..
-
-
-
2700
-
0,5
-
1
-
1
2700
1
-
0,5
-
-
2700
-
0,6
-
-
КП718-1
2700
-
0,6
-
-
~~r
1
2700
-
о.в
-
-
2700
-
о.в
-
-
2700
-
0,5
-
-
2700
0,5
""~ '
-
-
-
'
1
....
i
"${
о
зси
i
.
1
'
1
~1700(50В;2А) 1
490; 47*
1
:51 .в
-
tсп= 15
КП720, КП722
1
1
27.f ~
-
....
3и
9000
-
0,12
-
-
=~ ..
10000
-
О,02В
-
-
КП723, КП724
10000
-
О,02В
-
-
:! 10,65
,J,G, 4,8
10000
-
0,035
-
-
-v 1,37 1
10000
1
0,035
1
-
-
-
.i
1,,
t
1_,, ..
-
1
1
1
С111 ц:~
2000
-
1,2
-
-
.....
....
-
2000
-
1
-
-
....
.,.,,·~ з
t~15
:i '4W
с
2.5 -
2.5
1,9
1,1
7ВОО
-
0,4
-
-
КП725
27.1 ~
-
....
3и
1
=~ ."
28зак9

434
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
1
i
~
Pcllma).t
UЗlloтc• Uotm.ax •
lc,
i
1
Тип
Структура
мВт
u;ll пор• u;Cmaxt
UЗИшах•
1~. ~"
lсн"ч•
прибора
p~llтma''
в
I~ос:т• мА
Вт
в
в
мА
1
КП726А
пМОП
75*
2.. .4*
600
±20
4А;16*А
0,25* (600 В)
КП726Б
75*
2... 4*
600
±20
14,5А;18*А
0.25* (600 В)
1
'
1
1
1
'
!
'
!
i
1:
1
i
f.
1
'
'1
1
1
:
:
1
'
~
!
!
!
11
i
1
1
!
КП726А1
1
пМОП
75*
2.. .4*
600
1
±20
1 4А;16*А
0,25* (600 В)
КП726Б1
75*
2.. .4*
600
±20
14,5А;18*А
0,25* (600 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
1
1
1
'
1
1
КП727А
1
пМОП
40*
2.. .4
50
±20
14А
$0,25*
КП727Б
90*
2... 4
50
±20
2,6 А
:">0,25*
КП727В
90*
2.. .4
50
±20
ЗА
s0.25*
КП727Г
90*
2.. .4
50
±20
4А
s0.25*
КП727Д
75*
2.. .4
50
±20
З.З А
s0.25*
1
1
1
1
1
11
1
i
КП727Е
пМОП
90*
2.. .4
50
±20
1
ЗА
s0.25*
IКП727Ж 1
90*
2.. .4
50
±20
1
2.6 А
s0.25*
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1·
1
i

Полевые транзисторы
~!1
n
1
1
S, мА/В
2500 (25 В: 2.8 AI
2500 (25 В: 2.8 А)
г9300
г!ООО
гlООО
г1500
г2100
гlООО
гlООО
26*
1
1
i1
$1050
$1050
$1050
$1050
-
-
1
1
!
Rсиотк1 Ом
к:Р• дБ
Р:;~, Вт
лu;~·. мВ
$2
$1,6
$2
Sl.6
$0,1
$4
$3
S2
$3
$3
$4
Кш, дБ
u:, мкВ
Е:, нВ/..jfЦ
Q···, Кл
-
-
1
1
1
t." •• нс
1
t••". нс
1
(.МГц
ЛU 311 /лт···,
мкВ/"С :
sl50• i
$150*
1
Sl50*
:::;150*
1·
i
i1
1
!
1
-
-
1
!
1
i1
1
435
Корпус
КП726
:;. 10,55
'IJ.6. .,....,,_
..._.в__
-v f,J7 1
"
1 ..u'l
.У! lят 1
~-~- 1
-±
КП726-1
10,28
КП727 (А-Д)
1,1
1
з
1
и
КП727 (Е, Ж)
~;: . :Фзt:
1
1
1'
[
,-@
и

436
Раздел З. Полевые транзисторы
ii
'
1
1
li
1
PCJl1n<1:>.'
Uзи отс• Uси ma)(,
lc,
11
Тип
Структура
мВт
u;и noμ 1
u~milx' UЗJI max'
1~.11'
lcнач1
прибора
р·
в
1~"", мА
CJI т in.н'
в
в
мА
Вт
КП728А
пМОП
75*
2...4*
800
±20
ЗА
s0,25*
'
1
1
1
ll КП728Гl
пМОП
75*
2...4*
700
±20
ЗА
-
КП728СI
пМОП
75*
2...4*
650
±20
ЗА
-
КП728ЕI
пМОП
75*
2.. .4*
600
±20
З,З А
-
1
J1
1
i
КП728Г2 1
пМОП
75*
2...4*
700
±20
ЗА
-
КП728С2
пМОП
75*
2...4*
650
±20
ЗА
-
КП728Е2
пМОП
75*
2.. .4*
600
±20
З.З А
-
1
1
1
,1
1
1
КП730
пМОП
74*
2...4
400
±20
5,5 (22*) А s25* мкА (400 В)
1
li,,
1
11
:1
1
1
11
1
1
11
1
КП730А
Биполярный транзистор
200*
З.. 5.5
Uкэ=1200 Uзэ=±20
lк=45
s25* (1200 В)
с изолированным затвором
(90*) А
с п-каналом
:1
1_КП731
Биполярный транзистор
160*
З ... 5.5
Uкэ=600 Uзэ=±20
Iк=40
s25* (600 В) 11
j с изолированным затвором
1
(80•) А 1
,!
11
1
!1
1
с п-каналом
!
11
1
1
1
li
1
1
1
11
1
11
1

Полевые транзисторы
437
,.,,
RCllo"' Ом
Кш, дБ
tsкл• НС
1
С1111• С~2н•
к:Р' дБ
U~, мкВ
f:ыкл• НС
S,мА/В
с;;•• пФ
Р:~,. Вт
Е:, нв/.ДЦ \",МГц
Корпус
лu;~·. мВ
1
Q···, Кл
лu311 /лт···,
1
мкв/·с
<:1000
-
s3
-
-
КП728
.
~~
5
т
C'lf $:::!
•
....
~·
-
о
зси
-
1
-
5
-
-
КП728 (П-ЕI)
-
-
4
-
-
-
-
3
-
-
~ 70.65
'13,6,
1/,8
"'~/ 1,JI 1
'
.t 1 ..i,,1
-~
;t IJfr 1
""
~
!
.,.,.
CQ"
.....
... ~
~•·., ,, ,... ...
с
1,15
.... '
11
1
2.5 -1
2.5
7,9
1,1
1
i
~
-
-
5
-
-
КП728 (Г2-Е2)
-
-
4
-
-
-
-
3
-
-
10.28
7,11
~
~
3
5
..,•
'
-
:~11с~
г
1
3 ~- ··~~-- ... и
1
1
;е:2900 (50 В; 3.3 А)
:S2600; 95*
SI
-
tсп=15 1
КП730
1/.8
~ 10,65
,J,6,
-
'
"' -,,, 1,Jl 1
.t 1 ,.,..1
-
~
·'*
....
1
""
~
.,.,.
CQ'
.....
1
.._
14'
~1wи
~· .... с
1,15
2.5iт2.5
1,9
1,1
1
1
:
1
1
1
;е:7500 (100 В; 25 А)
s2400; 28*
Llкэн=sО, 116
-
:S4SO•
КП730А, КП731
'1
~ 70.65
'13,6,
1/,8
1
"' -v1,Jl 1
.i
1 ,.,...
-!
....
1
""
~
~- CQ"
;е:9200 ( 100 В; 24 А)
sl 500; 20*
Uкэн=:SО, 15
-
:S410*
....
...
:ю 3~
и
~"' с
1,15
1
2.5
7,9
1,1
2.5
11
!

438
Тип
прибора
11КП731А
:,IКП731Б
~КП731В
~~
КП733А
КП733Б
ijКП733Г
КП733Д
I КП733В-1
ii
11
1'
·'
11
~
'1
КП734А
КП734Б
КП734В
1
1
i1;
~!1
il1•
r'' ll734A-l
П734Б-1
1
1!1
i!
1
1
Структура
1 С изолированным затвором,
1
1
1
1
-
n каналом, с защитным
ДИОДОМ
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
пМОП
1
1
Pcltm.н.•
мВт
p~lt тm.1~•
Вт
36 Вт
36 Вт
36 Вт
125*
125*
125*
125*
1*
72*
72*
72*
72*
72*
1
1
Uз11 от~•
u;JI пор•
в
2.. .4
2.. .4
2.. .4
2.. .4*
1... 2*
2.. .4*
2.. .4•
2.. .4*
1... 2
1... 2
1... 2
1... 2
1... 2
1
1
1
11
!
1
Uotmax•
u;Cmax•
в
400
350
400
400
400
600
650
550
60; 60*
60; 60*
15; 15*
60; 60•
60; 60*
1
1
1
1
1
!
:
i
1
1
1
!
i
'
Раздел 3. Полевые транзисторы
Uзн 1n",•
в
±20
+-20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±10
±10
±10
±10
±10
1
i1
1
1
1
1
1
1
i
'
1
lc,
1~.11•
мА
2А
2А
1.7 А
1.5 (6*) А
1.5 (6*) А
5*А
4•А
500 (2000*)
19А
18А
19А
19А
18А
!
!
i1
1
1
1
1
1
1
1
'
!
lсн.11•1•
l~ос:т• МА
s0.25 (400 В)
<_О.25 (350 BJ
s0.25 1400 BJ
so.1 ·
sOY
:50,1*
so.1 •
so.1 • 1550 BJ
:50,25
:50,25
s0.25
$0,25
:50,25
~
1
1
1
11
~
'1

Полевые транзисторы
439
Rc1toт.• Ом
Кш, дБ
taк.n• НС
cllн• с~2н•
к;!" дБ
U~,мкВ
f:ыклt НС
1
S, мА/В
~·.МГц
Корпус
1
с;;", пФ
рвых• Вт
Е:, нВ/.JfЦ
лu;:i·. мВ
Q···, Кл
лu311 /лт·",
мкв/·с
;е:!ООО (25 В; 1.2 А)
:5250; 20*
:53,6
-
:545*
КП731
;е: 1000 (25 В; 1,2 А)
:5250; 20*
$3,6
-
:545*
;е:!ООО (25 В: 1.2 А)
s250; 20*
1
:55
-
:545*
1
:r 70.65
1/,8
j
1
-~.S,,з1 1
1
• 1 ,...,
-~
. VI ,,,..
...
са
....-...-
...
..... ·~ 31 tИ
1
~-..., с
1.15
1
1
1
, .....
1,9
1,1
1
1
2д
2.5
1
!
1
1
-
1
i
;е:500 (20 В; 1 А)
:5400; 15*
1
$3,6
-
tсп:580
КП733
;е:500 (20 В; 1 А)
:5400; 15*
1
$3,6
-
tcnS80
;е:500 (20 В; 1 А)
:5400; 15*
$4,4
-
tcnS80
:r 1D,65 tJJ,G,
1/,8
~500(20В;1А)
:5400; 15·
$5
-
1сп:580
-v 1,37 1
.i
1'1
-~
'""
...
са
....-
...-
.....
... ..
~311и
1
~.... с
1,15
1
:1
1
1,9
1,1
2.5 -
2.5
~
-
;е:500 (20 В; 1 А)
:5150** (25 В);
:510
-
tcnS80
КП733-1
:515* (25 В);
~1~~
1
1
'
,.
1
;J
11
!j
1
НЗС
1
-
:51000; 400**
:50,05
-
!-
1
КП734
1
11
-
:51000; 400**
1
s0.06
-
i-
1
1
-
$l000; 400**
1
:50,02
-
1
-
1
"'t. 7D,65 tJJ,G,
1/,8
1
-
1
-
"', -V1,П 1
1
1
1
1
'
.i
!
-
-
1 "''
1
'""'
-
-
1
-
...
са
!
1
-
-
....-
'<$'
.....
-
-
-
-
..... ·~ 31 и
:!:' ...,
с
1,15
2д
2.5
7,9
1,1
1
-
:51000; 400**
:50,05
-
1
-
1
КП734-1
-
:51000; 260·
1
s0,06
-
!
-
i
1
1
-
1
-
1
6,6
~1
!
1
1
-
1
-
i
5,2
r-
~
~
1
-
-
1
L''
1
1
1
11
1
1
1
1
1
!1
!
i
1
1
1
1
!
<D
1
~·'
'
'
11
t~
-t
шс
1
3
4,55
и
1
1

440
Раздел 3. Полевые транзисторы
ri
pCllma"'
1
!
l
11
Тип
мВт
Uз~toтt'
1
UCJlmaлt U3Jlma1.1
lc,
1
lcнач1
!I прибора
Структура
р·
u;ll пор• u~ma).•
в
1
·~·~1•
1~~" мА 1
Cll тmах•
в
в
мА
1
.,
Вт
1
'1
!
i
1
IКП735А
пМОП
100*
2.. .4
60; 60*
±20
48А
s0.25
1
КП735Б
пМОП
100*
2.. .4
60; 60*
±20
42А
s0.25
КП735В
пМОП
100*
2.. .4
50; 50*
±20
48А
$0,25
КП735Г
пМОП
100*
2.. .4
50; 50*
±20
42А
$0,25
1
1
1
КП737А
1 С изолированным затвором,
74 Вт
2.. .4
200
±20
9А
s0,25 (200 В)
КП737Б
1
n·каналом. с защитным
74 Вт
2.. .4
250
±20
8,1 А
s0,25 (250 В)
КП737В
ДИОДОМ
74 Вт
2.. .4
250
±20
6,5 А
s0.25 (250 В)
КП737Г
74 Вт
1... 2*
200
±10
9А
-
1
КП739А
С изолированным затвором,
43 Вт
2...4
60
±20
1
10А
1
-
КП739Б
n·каналом, с защитным
43 Вт
2.. .4
60
±20
1
10А
-
КП739В
ДИОДОМ
43 Вт
2.. .4
60
±20
8,3 А
-
КП740
пМОП
125*
2.. .4
400
±20
10 (40*) А s25* мкА (400 В)
1
i
1
1
1 КП740А \С изолированным затвором, 60 Вт
2.. .4
60
±20
17А
-
КП740Б
n·каналом. с защитным
60 Вт
2.. .4
50
±20
17А
-
КП740В 1
диодом
60 Вт
2.. .4
60
±20
14А
1
-
1
1
1
1

Полевые транзисторы
441
Rc110," Ом
Кш, дБ
t,.,,, нс
cllнl с;2и'
к;.Р, дБ
U~, мкВ
t:ык..,, НС
S, мА/В
с;;.. пФ
Р 8:,, Вт
Е:, нВ/.jfЦ (",МГц
Корпус
лu;~·. мв
Q···, Кл
ЛU3и/лт···,
11
1
мкВ/"С
~-
1 $1800; 800*
$0,025
-
'
-
КП735
'·
-
1
$1800; 800·
$0,028
-
-
-
1
$1800; 800*
$0,025
-
-
10, 7
r
-
$1800; 800*
$0,025
-
-
-
-
~· ~~
~·"'=
lq,
Lm
,,...
.....
D
'
зси
23800 (25 В; 5,4 А) 1 $1300 (25 В)
$0,4
-
$59*
КП737
23600 (25 В; 5, 1 А) $1300 (25 В)
$0,45
-
$62*
22500(25 В;4,1А)
~1300 (25 В)
~О.68
-
$62*
~ 70.65 fiJ,G,
' 1,8
-
1
-
0,4
-
-
С\О ~i:... l]l 1
•
1
"
r [.:in
!
1
.'l
.....
1
-
Со 11:)
...,.
....
-
~
_,__
...
~~ ~ ~.15
2.s 1'Тf 25 1,9
1,1
26000 (6 В)
-
$0,2
-
-
КП739
22400 (50 В: 6 А)
-
$0,2
-
-
i 22400 (50 В: 5,8 А)
-
$0,3
-
-
~ 70.65 (JJ,G,
' 1,8
i
С\О ~/ 1,Jt 1
"
1~
-
tt
.t
1..,..
1
Со
~-
...,.
-
....
~t-~l~w~.15
., ,,...
......
2.s i'H 25 1,9
1,1
-
25800 (50 В; 6 А)
$1400; 120*
$0,55
-
tcn=24 1
КП740
1
~ 70.65 r/JJ,G,
'1 ,8
С\О~1/1,П1-
"
f [.:in
-~
.'l
.,., 1
Со 11:)
...,.
....
-
....
tНlw~.15
. ,;:,.•
.. ....
2.s 7Н 25 1,9
1,1
24500 (25 В; 10 А)
-
$0,1
-
-
КП740 (А-В)
25000(1.5В:9А) 1
-
1
$0,1
-
-
1
$0,12
'
lf,8
-
-
-
-
:s-
.,!!:!!_ r/JJ,G,
1.; 1,Jt 1
.Ж ..u<J
-~
IJf"t ' 1
Со 11:)
1
...,.
....
-
....~3tИ
.,,,......
с
1,15
.. ....
2.5
25 7,9
1,1

442
Раздел З. Полевые транзисторы
11
:
pCllmaxl
Uзи от{' UcИm.;ixl
•с•
Тип
Структура
мВт
u;и пор' u;Cma).I Uзнmа).'
1~. }jt
lc иач'
прибора
p~llтmd).I
в
1~"''' мА
Вт
в
в
мА
КП741А
С изолированным затвором,
190 Вт
2...4
60
±20
50А
-
КП741Б
n-каналом, с защитным
150 Вт
2.. .4
50
±20
50А
-
диодом
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
КП742А
С изолированным затвором,
200 Вт
2...4
60
±20
75А
-
КП742Б
n-каналом, с защитным
200 Вт
2.. .4
50
±20
80А
-
ДИОДОМ
1
1
i
1
i
1
1
1
КП74ЗА
nМОП
43 Вт
2.. .4
100
±20
5.6 А
-
КП74ЗБ
nМОП
43 Вт
2.. .4
80
±20
5.6 А
-
КП74ЗВ
nМОП
43 Вт
2.. .4
100
±20
4,9 А
-
1
1
1
1
!
.
1
i
1
1
1
1
!
1
11
i~I~~~-+-~~~~~~---+~~~~1--~~-1--~~......._~~-+-~~~-+-~~~~-1
~КП74ЗАI
КП744А
КП744Б
КП744В
1 КП744f
1
КП745А
КП745Б
КП745В
КП745f
nМОП
nМОП
nМОП
nМОП
nМОП
nМОП
nМОП
nМОП
nМОП
40 Вт
60 Вт
60 Вт
60 Вт
60 Вт
88 Вт
88 Вт
88 Вт
88 Вт
2.. .4*
2... 4
2.. .4
2.. .4
1... 2
2.. .4
2.. .4
2.. .4
1... 2
100
100
80
100
100
100
80
100
100
±20
±20
±20
±20
±10
±20
±20
±20
±10
5,5 А
9,2 А
9,2 А
8А
9,2 А
14А
14А
12А
15А

Полевые транзисторы
S,мА/В
· 227000 (25 В: 43 А)
227000 (25 В; 32 А)
225000 (40 А)
~21300(50В:3,4А)1
~ 21300 (50 В: 3,4 А)
11 21300 (50 В: 3,4 А)
21500 (24 В: 4 А)
22700 (50 В: 5.6 А)
22700 (50 В: 5.6 А)
23200 (50 В: 5,5 А) 1
25100 (50 В; 8,3 А)
25100 (50 В; 8,3 А)
25100 (50 В: 8,3 А)
26400 (50 В; 9 А)
!.
Rc110"• Ом
к:.Р• дБ
Р:~", Вт
лu;~·. мв
$0,018
$0,024
$0,014
$0,012
$0,54
$0,54
$0,74
0.54
$0,27
$0,27
$0,36
$0,27
$0,16
$0,16
$0,23
$0,22
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/JfЦ
Q.", Кл
'
t,.,,. нс
1
t;"'"'' нс
1
~-. мrц
1 ЛU311 /лт·". I
мквt·с
1
443
Корпус
КП741
1/,8
i ..... ~~llШ
['~~,,_,,_~**-
-
1,9
1,1
КП742
~-~У
~~ ·1
зси
1
КП743 1
1/,8
1,9
1,1
КП743-1
КП744, КП745
1,1

444
Раздел 3. Полевые транзисторы
pCllmdA'
u311oтtl Ucнma1.'
lc,
Тип
Структура
мВт
u;ll nopl
u;CmaAI
UЗИmaxl
·~. lfl
ICHd'I '
прибора
p~llтmaxl
в
·~()(тl МА
Вт
в
в
мА
КП746А
пМОП
150 Вт
2.. .4
100
±20
28А
-
КП746Б
пМОП
150 Вт
2... 4
80
±20
28А
-
КП746В
пМОП
150 Вт
2.. .4
100
±20
25А
-
КП746Г
1
пМОП
150 Вт
1... 2
100
±10
28А
-
1
1
1
КП746А1
Сп-каналом
150 Вт
2... 4*
100
±20
28А
-
КП746Б1
Сп-каналом
150 Вт
2.. .4*
80
±20
28А
-
КП746В1
Сп-каналом
150 Вт
2.. .4*
100
±20
25А
-
КП746Г1
Сп-каналом
150 Вт
1... 2*
100
±10
28А
-
КП747А
пМОП
230 Вт
2.. .4
100
±20
41А
-
1
КП748А
пМОП
50 Вт
2.. .4
200
±20
3,3 А
-
КП748Б
пМОП
50 Вт
2.. .4
150
±20
3,3 А
-
КП748В
пМОП
50 Вт
2.. .4
200
±20
2,6 А
-
КП749А
пМОП
50 Вт
2.. .4
200
±20
5,2 А
-
КП749Б
пМОП
50 Вт
2.. .4
150
±20
5,2 А
-
КП749В
пМОП
50 Вт
2.. .4
200
±20
4А
-
1
1
1
~
КП750А
1
пМОП
125 Вт
1
2.. .4
200
1
±20
18А
1
-
:1
1
КП750Б
1
пМОП
125 Вт
2.. .4
150
±20
1
18А
-
1
1
КП750В
1
пМОП
125 Вт
2.. .4
200
1
±20
16А
-
КП750Г
пМОП
125 Вт
1... 2
200
±10
18А
-
1

Полевые транзисторы
445
Rc 110," Ом
Кш, дБ
tнклt НС
cllн' с~2и'
к;-.'" дБ
U~, мкВ
t:ык.п• НС
S, мА/В
с;;", пФ
Р 11ы).' Вт
Е:, нВ/../fЦ (',МГц
Корпус
лu;~·. мв
Q'", Кл
лu,11 /лт"·,
мкв/·с
~8700 (50 В; 17 А)
-
s;0,077
-
-
КП746
~8700(50В; 17А) 1
1
-
s;0,077
-
-
"'"!. 70.65
-
1/,8
1
~8700 (50 В; 17 А)
-
s;O,l
-
-
"" ,_iJ.S,,зт 1
~12000 (50 В; 17 А)
-
s;0,077
1
-
-
l
1
.i
1 ,u.oi
-
1Я't"
...
~
!
~- ...-
-
~·~31и
~-... с
1,15
.. ..
2.5
2.5 1,9
1,1
~8700 (50 В; 17 А)
-
s;0,077
-
-
КП746-1
~8700 (50 В; 17 А)
-
s;0,077
-
-
6.6
2)5
~8700 (5~В; 17 А) 1
-
s;O,l
-
-
0,5 ~
-
s;0,077
-
-
~ 5.2
'
L
-..
'
-
1
-
~
,___
1
-
.. ..
$:::!
IQ"
3...,
1~
[ '(и
fr~
1,1
~-
0.8
1.i ·57 "
~1300 (20 А)
-
s;0,055
-
-
КП747
~
1
1
:~r
~
1
~
'
1
~
зси
~800 (50 В; 1,6 А)
-
-5 .l,5
-
-
КП748
~800 (50 В; 1,6 А)
-
-5 .l,5
1/,8
~800 (50 В; 1,6 А)
-
s;2,4
"'"!. 70.65 fJJ.6.
°'"L~(/ f,Jt 1
1
.i
11 ,u.oi
-
~
Г\Я't"
1
...
~
!
1
...,- ....
-
1
1
1
1
~~15
....
1
~~3
~-l'C с
.... ~
.
1,9
1,1
2.5
2.5
~1300 (2,5 А)
-
s;0,8
-
-
КП749, КП750
~1300 (2,5 А)
-
s;0,8
~1300 (2,5 А)
-
s;l ,2
"'"!. 70.65 fJJ,6,
1/,8
"" ,..___ v 1,37 1
11~
l
l.n-
-
1 ...
~
1
...,- ....
' ~6700(50В;10А) 1
' 5.0,18
-
-
-
-
~6700 (50 В; 10 А)
-
s;0,18
-
-
...
~6700(50В; 10А) 1
-
s;0,22
-
~·~ 3
и
-
~9000(5В;8А)
-
s;0,18
-
~... с
1,15
-
.. ..
1
1
2.5 _
2.5 1,9
1,1

446
Тип
прибора
1IКП750А1
!КП750Б1
~КП750В1
,.
1·
КП751А
1 КП751Б
КП751В
~
'~1
iКП751А1
КП751Б1
КП751В1
!
КП752А
КП752Б
КП752В
1
1 КП753А
1 КП753Б
КП753В
Структура
Сп-каналом
1
Сп-каналом
1
Сп-каналом
i
1
1
1
1
1
1
i
!
1
пМОП
1
пМОП
1
пМОП
1
i
!1
1
пМОП
1
1
пМОП
1
пМОП
1
1
1
1
1
1
1
1
пМОП
1
1
пМОП
пМОП
1
пМОП
1
пМОП
1
пМОП
1
Potmaxl
UЗlfoтtl
мВт
p~llтm.iAI
u;H пор'
Вт
в
125 Вт
1 2...4*
125 Вт
1 2.. .4•
125 Вт
2...4*
50 Вт
2...4*
50 Вт
2...4*
50 Вт
2.. .4*
1
1
1
50 Вт
2...4*
50 Вт
2.. .4*
50 Вт
1
2...4*
1
1
1
74 Вт
2...4
74 Вт
2...4
74 Вт
2.. .4
74 Вт
2...4
74 Вт
2...4
74 Вт
2...4
Раздел 3. Полевые транзисторы
UCl1m.axl
•с•
UЗll111a\I
lc на•~'
u;Cma1.I
в
1~ 11'
l~otт• мА
в
мА
1
200
±20
18А
'
-
1
'
'
150
±20
18А
i-
1
200
±20
16А
-
i
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
i
1
i
1
1
400
±20
3,3 А
-
1
350
1
±20
1
3,3 А
1
-
400
1
±20
1
2,8 А
-
1
!
1
1
'
1
i
1
400
±20
3,3 А
-
350
±20 i
3.3 А
-
1
400
±20
1
2,8 А
1
-
i
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
400
1
±20
1
5.5 А
-
350
1
±20 i
5.5 А
-
1
400
! ±20
1
4,5 А
-
i
1
1
1
1
1
1
500
±20
1
4.5 А
-
1
450
1
±20
4.5 А
-
1
500
±20
1
4А
1
1
1
-
1
i
1
1

Полевые транзисторы
S, мА/В
<:6700 (50 8; 10 А)
~ <:6700 (50 8; 10 А)
11 <:6700 (50 8; 10 А)
r:
~
r
<:1800 (50 8; 1.8 А)
<:1800 (50 8; 1.8 А)
<:1800 (50 8; 1.8 А)
<:1800(508; 1,8А)
<:1800 (50 8; 1,8 А)
<:1800(508; 1.8А)
<:2900 (50 8; 3 А)
<:2900 (50 8; 3 А)
<:2900 (50 8; 3 А)
<:2700 (50 8; 2,5 А)
<:2700 (50 8; 2.5 А)
<:2700 (50 8; 2,5 А)
RСl!отк' Ом
к;1" дБ
раых' Вт
лu;~·. мв
$0,18
$0,18
$0,22
$1,8
$1,8
$2,5
$1,8
$1,8
$2,5
$1
$1
$1,5
$1,5
$1,5
$2
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/.jfЦ
Q.", Кл
tlHL~ 1 НС
t:ыкл1 НС
~;·,МГц
лuз"/лт·".
мкВ/"С
3
1,1
3
1,1
Корпус
КП750-1
6,б
5.Z
КП751
447
4,8
1,9
1,1
КП751-1
6,б
2,J5
0,5 м
КП752
4,8
2,5~......_~2=5 1'--•9_.,,~1,_f_
КП753

448
Раздел 3. Полевые транзисторы
·'
1
,,
1
1:
pOlm<1x1
1
11
Тип
мВт
UЗ~lотс1 Uси ma:>. 1
Uзи rnax 1
lc,
lc н<1ч'
прибора
Структура
р·
u;и nop1
u;С1ш1х'
в
1~.11 •
1~ "'" мА
СИ т max1
в
в
мА
Вт
КП759А
пМОП
50*
2.. .4
500
±20
2,5 А
-
КП759Б
пМОП
50*
2" .4
450
±20
2,5 А
-
КП759В
пМОП
50*
2". 4
500
±20
2,5 А
-
КП759Г
пМОП
50*
2" .4
450
±20
2,5 А
-
i
1
r
:
~КП760А 1
1
пМОП
74*
2". 4
500
±20
4,5 А
1
-
i1КП760Б
пМОП
74*
2". 4
450
±20
4,5 А
-
IКП760В
пМОП
74*
2". 4
500
±20
4,5 А
-
КП760Г
пМОП
74*
2". 4
450
±20
4,5 А
-
КП761А
пМОП
125
2". 4
500
±20
8А
-
КП761Б
пМОП
125
2". 4
450
±20
8А
-
КП761В
пМОП
125
2". 4
500
±20
8А
-
КП761Г
пМОП
125
2". 4
450
±20
8А
-
i1
КП771А
С n·каналом
150 Вт
2".4*
100
±20
1
40А
-
КП771Б
С п-каналом
150 Вт
2".4*
100
±20
35А
-
КП771В
С n·каналом
150 Вт
2".4*
125
±20
30А
-
КП775А
пМОП
200 Вт
1".2
60
±20
50А
-
КП775Б
пМОП
200 Вт
1".2
55
±20
50А
-
КП775В
пМОП
200 Вт
1".2
60
±20
50А
-
1
1
1
i
1
11
КП776А
пМОП
125 Вт
2". 4
400
±20
10А
-
КП776Б
пМОП
125 Вт
2" .4
350
±20
10А
-
КП776В
пМОП
125 Вт
2" .4
400
±20
8,3 А
-
КП776Г
пМОП
125 Вт
2" .4
450
±20
8,8 А
-
1
1
1
1
КП777А
пМОП
125 Вт
2". 4
500
±20
8А
-
КП777Б
пМОП
125 Вт
2". 4
450
±20
8А
-
КП777В
пМОП
125 Вт
2". 4
500
±20
7А
-
1
1
!
1
1
1
1
1

Полевые транзисторы
449
RCll ••" Ом
Кш, дБ
tик.л' НС
!1
cllн' с;2н'
к;Р, дБ
U~, мкВ
t:ык..,1 НС
1
S, мА/В
с;;", пФ
Р::,, Вт
Е:, нВ/../fЦ ~;·,МГц
Корпус
11
1
лu;~*, мв 1
Q"', Кл
ЛU 31Jлт"·,
мкВ/"С
1
-
360; 92**
1
:0:3
-
-
1
КП759, КП760
1·
360; 92**
:0:3
-
-
-
1/,8
-
360; 92"
:0:4
-
-
~ 70.65 ~3.6,
-
360; 92*~
$4
"",~~v 1,37
1
1 ..IJo'l
-l
1""" l
""
~
!
610; 68*
:O:l,5
~- 'с>'
-
-
-
-
610; 160**
:0:1,5
-
-
1
610; 68*
:0:2
.,..' l!t 31 и
-
-
-
1
610; 160•~
:0:2
~-!'<: с
1,15
-
""-
1
1
1,9
1,1
1
1
2.5
2.5
1
-
1300; 120*
:0:0,85
-
-
КП761, КП771
-
1300; 310**
:0:0,85
-
-
-
1300; 120*
:0:1,1
-
-
~ 7D.65 ~3.6,
1/,8
-
1300; 310**
$1,1
-
-
"",~ i-: -=. -v
1,37
1
-
-
.t
1 ..IJo'l
-l
-
-
ТА"Р 1
""
~
1
.,.,.
'с>'
-
-
-
0,04
-
-
1
-
-
0.055
-
-
....·~ 31 и
-
-
0,077
-
-
~- .... с
1,15
""-
1
2.5
2.5 1,9
1,1
-
-
-
:0:0,09
-
-
КП775
1
-
1
-
:О:О.09
-
-
1/,8
~ 70.65 ~3.6,
-
-
$0,011
-
-
""·• i---v 1,31 1
.t
1 ,,и1'1
t
,.,.,.
1
-
""
~
1
.,.,.
'с>'
-
.... ·~ 3
и
~-..,
с
1,15
""-
11
i
2,5~
2.5
1,9
1,1
-
'
25800 (50 В; 5,2 А)
-
$0.55
-
1
-
КП776
25800 (50 В; 5,2 А)
-
:0:0,55
-
-
1/,8
25800 (50 В; 5.2 А)
-
:0:0,8
-
-
~ 70.65 ~3.6,
24500 (50 В; 5,3 А)
:0:0,63
""~~!/ 1,31
1
-
-
-
1 11 ..u<l
l
;(,, .. ..
1
-
""
~
!
~- 'с>'
...
""\!:: 3
lt~.15
~-,...
с
"""u
2.5-'.
2.5
1,9
1,1
~
1
24900 (50 В; 4,4 А) 1
1
·[
-
:0:0,85
-
-
КП777
24900 (50 В: 4.4 А)
-
:0:0,85
-
-
24900 (50 В: 4.4 А) 1
-
:0:1.1
-
-
~ 7D.65 ~3.6,
1/,8
"",~~v 1,П 1
.i ·~· -t
.,, .... 1
""
~
1
.,.,.
'с>'
-
....
""~ 3 lt~.15
~- ..... с
"""•u
2,5
2.5
1,9
1,1
1
-
-
29зак9

450
Раздел 3. Полевые транзисторы
11
1
-
1
1
1
Рс11111о1>.'
Uзн отt·' Ucиrn.i).'
Ic,
lc11.i•1'
Тип
Структура
мВт
u;,. пор'
u;Cmoo.t
Uз11111,н.'
·~.11'
прибора
p~llTШd'll;t
в
l~m·т, мА
Вт
в
в
мА
!КП778А 1
пМОП
190 Вт
2.. .4
200
1
±20
30А i
-
ji
!
1
1
1
КП779А
пМОП
190 Вт
2.. .4
500
±20
14А
-
1
1
1
1
1
1
КП780А
пМОП
50 Вт
2...4*
500
±20
2.5 А
-
КП780Б
пМОП
50 Вт
2.. .4*
450
±20
2.5 А
-
КП780В
пМОП
50 Вт
2.. .4*
500
±20
2.2 А
-
1
:1
1
1
1
1
~
!
i
1
~
1
КП780АС1
Сп-каналом
50 Вт
2.. .4*
500
±20
2.4 А
-
~
1
р
1
1
1
~
1
1
1
1
КП781А
пМОП
190 Вт
2...4
400
±20
16А
-
1
1
1
1
1
~
1
ii
i
1
!
1
1
~
1
1
11
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Полевые транзисторы
jl
11
,1
S, мА/В
29000(15В: 19А)
~
1
11
i
~25500(15В:7.5А)1
~21500(15В:1.4А)1
28000 (8 А)
29"
Rоtотк' Ом
к:Р• дБ
Р:~~, Вт
лu;;:. мВ
s0.085
s0.4
sЗ
sЗ
s4
3
sО,З
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/.JfЦ
Q"., Кл
1
t"л• НС 1
1
t:ыкл' НС 1
1
(.мru 1
ЛU311 /лт··-,
[ мкВ/"С !
1
.+
~ ..-
•
~I
Корпус
КП778
451
il
11
11
!1
:::~@115,9 т511
""~ '
1
~
11
-
зис •
1
КП780
11
lj
2.5
2.5
1,9
7,7
КП780·1
2.37
+-----+\
1
l1
i
i
1
3
'4,58
~·
с
КП781
1/,8
1,9 1,1

452
Раздел З. Полевые транзисторы
Pciimax'
1
1
1
1
Тип
мВт
UЗ(.lотс' Uси max'
UЗll 1n.1A '
lc,
lснс1•1'
прибора
Структура
p~llтrn.1x'
u;и пор'
1
u~IП&:\t
в
·~.11' 1 1~~" мА
1
в
в
мА
~
!
Вт
1
i
i
~
'
!
1
1'
1
i
1
1
1
КП783А
1
пМОП
200 Вт
2.. .4
55
±20
70А
-
1
1
1
1
КП784А
рМОП
88 Вт
-2 ... -4
-60
±20
18А
-
1
1
КП785А
1
рМОП
150 Вт
-2 ... -4
-1 00
±20
1
19А
-
КП786А
пМОП
100 Вт
2...4
800
±20
4А
-
!
1
1
КП787А
пМОП
150 Вт
2.. .4
600
±20
8А
-
КП796А
С р-каналом
74*
-(2...4*)
-250
±20
4,1 А
-
1
1
КП801А
1
С р-п-переходом н
60*
-30
75; 110*
-35
5А
4500
КП801Б
п-каналом
60*
-30
75; 90*
-35
5А
4500
КП801В
100*
-30
110; 150*
-40
8А
3500
КП801f
100*
-30
140; 180*
-40
8А
3000
1

Полевые транзисторы
453
~
1
tBКJll НС
1
~
1
Rсиотк' Ом
Кш.дБ
11
cl\иl с;:?н•
к:., дБ
U~, мкВ
t:ыклl НС
S, мА/В
с;;и, пФ
Р:;", Вт
Е:, нВ/.ffЦ ~·. Мfц 1
Корпус
лu;,~·. мв
Q.", Кл
лu 31,jлт·".
мкв/·с
::>:44000 (25 В; 59 А)
-
:50,008
-
-
КП783, КП784
...
70.65
1/,8
.._;-
- tJ.S,,J7 1
t
•
1 ..bl"'"I
-
.'// lят 1
.,.
Q;)
1
i::>:5900 (25 В; 11 А)
...,.
1а·
:50,14
-
-
-
-
11
1
""ю Зi tИ
!
1
~-с
1,15
1
.. ..
11
1,9
1,1
2.5
25-
-
::>:6200 (50 В; 11 А)
-
:50,2
-
-
КП785, КП786
:t lD.65
1/,8
1
_,J.G,_37 1
1
v•
1
"
1 "'1
-
!
,fIЯТ1
.,.
Q;)
!
~- 1а·
::>:1000 (25 В; 1.5 А)
-
:53
-
-
.,
~3
и
1~~ с
1,15
2.5iт25
1,9
1,1
::>:5000 (25 В; 5 А)
-
:50,9
-
-
КП787
~~r
с.о -
•
ln
'${
D
зси
2200
-
1
-
-
КП796
" "1. 70.65
'1J.6f.
1/,8
1
"" '------ /
,37 1
'.i
1 L#I
-~i
1
.,,.. 1
!
.,.
Q;)
...,.
1а·
-
---
r~15
""~
3
~- ;-с
.... ,
"
.
1,9
1,1
2.5 _
25
1
::>:600 (15 В; 4 А)
-
:52,2
-
-
КП801
::>:450 (15 В; 3 А)
-
:54,4
-
-
::>:800 (20 В; 4 А)
-
:52,2
-
-
27.1
::>:600 (20 В; 4 А)
-
:52,2
-
-
с
-No- 3.И
1
с-;
с::)оо
.. ..
<;/-
1
1
1
1
1
..,,
-
!
'
1

454
r=
il
1
Тип
прибора
КП802А
КП802Б
~:1
1.
11
[!кпsо4л
1
1
КП805А
~
~КП805Б
!кпsоsв
li
КП809А
КП809Б
КП809В
IKП809f
JIКП809Д
IКП809Е
~КП809К
\
il
~
~КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809П
КП809Д1
КП809Е1
КП810А
КП810Б
КП810В
1
КП812А1
КП812Б1
КП812В1
1
1
1
1
1
1
Структура
С р-п-переходом и
п-каналом
i
1
'
1
1
1
1
i
1
С изолированным затвором. !
с п-каналом
'
1
С изолированным затвором. 1
с п-каналом
пМОП
'
1
'
1
1
1
пМОП
1
1 Биполярный со статической j
1
индукuией.
,
!
п-канал
1
!
!
1
1
1
1
пМОП
1
i11
1
1
pCllinax'
мВт
р·
Olтmaxt
Вт
40*
40*
2*
60*
60*
60*
100*
100*
100*
100*
100*
100*
150•
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
125*
80*
70*
1
i
i
'
1
i
i
UЗlloтc'
u;,, пор'
в
-25
-28
:<>4*
:<>4*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2... 4*
2."4*
2".4*
1
1
1
11
'
1
j
f
1
1
1
1
UCИ1na).'
u;CmaAt
в
500; 535*
450: 480*
60
600: 600·
600; 600*
500: 500·
400
500
600
700
800
750
400
400
500
600
700
800
750
1500
1300
1100
60
60
60
1
1
!
'
1
;
1
1
i
1
1
Раздел З. Полевые транзисторы
UЗllinaA'
в
-35
-30
20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
+20
-
±20
±20
±20
±20
±20
±20
5
5
5
±20
±20
±20
1
1
1
1
!
1
1
i
1
!
1
i
!
i
1
i
1
1
1
1
!
1
!
i
i
1
1
1
1
1
1
1
1
;
i
•с• i1
·~"..
мА
2,5 А
2,5 А
1
1
i
!
1
1
IA
1
1
1
4А
4А
4А
9.6 (35*) А 1
9.6 (35*) А
9.6 (35*) А
9,6 135*) А
9.6 135•) А
9.6 135•) А
20• А
9.6 (35*) А
9.6 (35*) А
9.6 (35*) А
9.6 (35*) А
9.6 (35*) А
9,6 (35*) А
7А
7А
5А
1
i
50 (200*) А
1
35(68*)А
30 (120*) А
1
ICHd'I '
I~оп' мА
0,5*
0,5*
~
~,,
11
i
ti
'i
:<>0,25;
:-:;1 •
'i
:<>1: :-:;3•
,.
JI1
~
:<>i: :-:;3·
;1
!
:<>1;:<>3•
~
1
:<>1 мА (400 в'1
$0.25: $1 *
i
:<>0.25: :-:;1 •
~
:<>0.25; :-:;( • i
:<>0.25; :-:;1 •
~
:<>О.25: :-:;1 •
i!
<025 <1·
1:
-
.
.-
,i
11
:<>0.25: :<>1*
:<>О.25: :<>1*
:<>О,25; :<>1*
:<>О.25; :<>1*
:<>О,25; :<>1 *
:<>0,25; :-:;1 •
-
~
-
,1
-
ii
i
:<>0.25*(60 Б)
:<>0.25*(60 Б)
:<>0,25*(60 Б)
11
:1
~~
~
ri
1

Полевые транзисторы
,i
11
1!
11
1
1
1
1'J
11
'1
1'
1
S, мА/В
2800 (20 В; 3.5 А)
2800 (20 В: 3.5 А)
2800 (10 В: 0.8 А)
22500 (20 В: 2 А)
22500 (20 В: 2 А)
22500 (20 В: 2 А)
21500 (20 В; 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 120 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В; 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
21500 (20 В: 3 А)
-
-
-
215000 (25 В: 31 А)
25500 (25 В: 24 А)
11 29300 (25 В: 18 А)
1
1
!
1
!1
'
'1
!
1
!
i1
i
c111r' с~:?и'
с;;1,, пФ
-
-
:::200 (25 В)
:::25*: :::100··
:::1300 (20 В):
:::40*
$1300 (20 В);
$40*
:::1300 (20 В);
:::40•
:::130**
$3000: :::220*
$3000: :::220*
:::3000; $220*
:::3000: :::220*
:::3000: :::220·
:::3000; :::220·
$3000; $220*
:::3000; :::220·
:::3000; :::220*
:::3000: :::220*
:::3000: $220*
:::3000: :::220*
$3000: $220*
-
-
-
1900: 920**
640: 360**
1200: 600**
1
1
!
1
1
Rснатк' Ом
к;е, дБ
Р:~,, Вт
лu;,~·. мв
:::3
$3
$0,6
$2,5
$0,3
:::0.6
$1,2
$1,5
$1,8
:::2.5
$0,15
$0,3
:::0.6
$1,2
$1,5
$1,8
$2,5
0.2
0.2
0.2
$0,028
:::О,035
:::О,05
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/$Ц
Q.", Кл
-
-
1
-
1
1
-
1
-
1
-
1
-
-
1
-
1
-
-
-
-
!
-
-
-
-
1
-
tкКJI' НС
t:ыклt НС
(·,МГц
ЛU311 /лт·",
мкв/·с
:::80::::30*
s80:s3o·
:::54:
$45*
1
1
1
1
:
1
i s 180: :::220·
i s 180: :::220*
1
1
1
!
1
:::180: :::220*
tcnSl 00
tcnSlOO
tcnSlOO
tcnSlOO
!cnSl 00
!cnSl 00
!cnSl 00
tcnSlOO
!cnSl 00
!cnSl 00
tcnSlOO
tcпSlOO
tcnslOO
200
200
200
!сп=92
tcn=42
lcn=52
1
1
!
1
1
i
1
!
1
i
455
Корпус
КП802
27,1
~
"II" ~;~
:
~\l/
~
---т
КП804
:Elfi·Ф
;1!:
3
КП805
:mrr
·rnr
КП809
~
r:::s
оо
"'"
.. ._
!
...,-
-
КП809-1, КП810
~~
5
т
сч~
•
....
~-
....
D
зси
КП812-1
~ 70,65 ~JД
1/,8
t\O -
lJI 1
1,9
1,1
1
1
1
i
1
1
1
il
1'
jl
1
1
1
1

456
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
1
PCll111.:1\'
UЗlluнl UCltina\'
Ieo
1
Тип
Структура
мВт
u;11.шр' u;Cma''
Uз11 rПd\'
1~. 11'
JС1ыч'
прибора
р'
в
1~04..т' мА
Cll т 111.-1\'
в
в
мА
Вт
IКП813А С изолированным затвором J
150*
2,1 ...4
200
±20
22 (88*) А 1 s0.25*(200 В) 1
КП813Б
и п-каналом
1
150*
2.1 .. .4
200
±20
1
22 (88*) А
s0.25*(200 В) !1
КП813f
1
150•
2.1 .. .4
200
±20
20А
S0,25*(200 BI 1
1
1
КП813А1
С изолированным затвором
125*
2,1 ...4
200
±20
22 (88*) А s0,25*(200 В)
КП813Б1
и п-каналом
125*
2,1 ...4
200
±20
22 (88*) А s0,25*(200 В)
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
КП813А1-5 С изолированным затвором
125*
2.1 .. .4
200
±20
22 (88*) А s0,25*(200 В)
КП813Б1-5
и п-каналом
125*
2.1 .. .4
200
±20
22 (88*) А s0,25*(200 В)
11
1
1
11
1
1
1
1
I КП814А
МОП, п-канал
-
1
-
зоо
25
1
10А
s6
КП814Б
МОП, п-канал
-
-
зоо
25
1
12А
$6
КП814В
МОП, п-канал
-
-
400
25
8А
$6
КП814f
МОП, п-канал
-
-
400
25
10А
$6
КП814Д
МОП, п-канал
-
-
500
25
7А
s6
КП814Е
МОП, п-канал
-
-
500
25
10А
$6
КП814Ж
МОП, п-канал
-
-
600
25
6А
$6
КП814И
МОП, п-канал
-
-
600
25
8А
$6
КП814К
1
МОП, п-канал
-
-
700
25
1
5А
$6
КП814Л
МОП, п-канал
-
-
700
25
6А
s6
КП814М
МОП, п-канал
-
-
800
25
ЗА
1
s6
КП814Н
1
МОП. п-канал
-
-
800
25
1
4А
s6
1
КП814П
МОП, п-канал
-
-
900
25
ЗА
1
s6
КП814Р
МОП. п-канал
-
1
-
900
1
25
З.8 А
s6
КП814С
1
МОП, п-канал
-
1
-
950
25
ЗА
s6
КП814Т
МОП, п-канал
-
-
950
25
З,6 А
$6
КП814У
МОП. п-канал
-
-
1000
25
ЗА
$6
КП814Ф
МОП, п-канал
-
-
1000
25
З,6 А
$6
КП817А
рМОП
-
-
зо
-
200*
-
КП817Б
рМОП
-
-
40
-
150*
-
КП817В
рМОП
-
-
60
-
100*
-
11
1
1
1
i
1
11
1!
1
1
1
~
1!
1
11
1
1
1
1
1
11
1
1
1
1
1

Полевые транзисторы
457
1:
1
t11к.1t нс 1
1!
Rc11."1 Ом
Кш, дБ
С1111' С~2•1'
к;_., дБ
U~, мкВ
t:ык.11 НС
11
S, мА/В
с;;м, пФ
р8ы'' Вт
Е:, нВ/.JfЦ ~;·, Мfц
Корпус
1
лu;~·. мв
Q.", Кл
ЛU 311 /ЛТ".,
мкв/·с
Ji <:9000 (20 8; 10 А)
2700; 540**
:>0,12
-
!сп:S:140
КП813
<:9000 (20 8; 10 А)
2700; 540**
:s:0,12
-
!сп:S:140
<:9000 (20 8; 10 А)
2700; 540**
:>О,06
-
!сп:S:140
27.1 ~
....
...
3и
1
~~ ..
1
1
1
1
1
<:5500 (20 8: 10 А)
2700; 540**
:s:0,12
-
!сп:S:140 1
КП813-1
<:5500 (20 8: 10 А)
2700; 540**
:s:0,18
-
!сп:S:140
1
~~
5
т
C\f ~
•
....
1
~-....
11
зси
'
i
j <:5500 (20 8: 10 А) 1 2700: 540**
:s:0,12
-
!сп:S:140
КП813-5
<:5500 (20 8: 10 А)
2700; 540**
:>0,18
-
!сп:S:140
1
5,6
0,4
~rВ т
1300... 3000(308;2,5А)
-
:>1
-
-
КП814
1300... 3000(308;2.5А)
-
:>0,8
-
-
1300... 3000(308;2,5А)
-
:S:l,5
-
-
1300... 3000(308:2.5А)
-
:>1,2
-
-
1300... 3000(308;2,5А)
-
:>2
-
-
1300... 3000(308;2.5А)
-
:>1,3
-
-
1300... 3000(308;2.5А)
-
:>2,3
н
'
1300... 3000(308;2.5А)
-
:>1.8
--
1300... 3000(308;2,5А)
-
:>3
~
~
:!·
r
1300... 3000(308;2,5А)
:>2,5
[]
..,..
~
-
.....
1300... 3000(308;2,5А)
-
:>4,2
~~
1300... 3000(308;2,5А)
:>3
,
-
1300... 3000(308;2,5А)
-
:>4,5
.f,Ф
21,2
1300... 3000(308;2.5А)
:>4
-
-
-
1300... 3000(308;2.5А)
-
:>4,5
1
1300... 3000(308:2.5А)
-
:>4
1
1300... 3000(308;2,5А)
-
:>4,7
i
1300... 3000(30В;2.5А)
-
:>4
-
-
:>0,04
-
-
КП817
-
-
:s:0,05
-
-
-
-
:s:0,15
-
-
10,65
lf,8
-
-
:t _,J.R,_3, 1
v'
-
-
.+
1 ,., ..1
-~
-
-
111
... Q;i
.,.,.
<о"
...
.,,.'i!i з~ и
11
~ ..... с
1,15
,1
..... v
1,9
1,1
R
1
2.5
25
li
1
1
~
1

458
11
i Тип
1
прибора
КП820
КП830
КП840
•
~
КП901А
КП901Б
КП902А
il
llкп902Б
КП902В
'
КП903А
КП903Б
КП903В
li·,
I КП904А
КП904Б
КП905А
llкпgosБ
"
iкпgоsв
1
1
КП907А
КП907Б
КП907В
1
Структура
пМОП
i11
!
С изолированным затвором
и индуцированным
п-каналом
i С изолированным затвором
1
и п-каналом
С р-п-переходом
и п-каналом
i
i1
1
1 С изолированным затвором
1
и индуцированным
п-каналом
С изолированным затвором 1
и п-каналом
1
!
1
1
С изолированным затвором
и п-каналом
Рен rna>.'
мВт
p~llт111a''
Вт
50*
74*
125*
20*
20*
3,5*
3.5*
3,5*
6*
6*
6*
75*
75•
4*
4*
4*
11,5*
11,5"
11,5*
1
i1
1
i
U311 от~'
u;ll пор'
в
2" .4
2...4
2...4
-
-
-
-
-
5...12
1... 6 ,5
1... 10
i!
1
UCИmax'
u;Cmax'
в
500
500
500
70: 85*
70: 85*
50
50
50
20; 20*
20; 20*
20; 20*
70: 90*
70: 90*
60: 70*
60; 70*
60; 70*
60: 70*
60; 70*
60; 70*
!
!
1
1
1
1
1
1
Раздел З. Полевые транзисторы
UЗll 1n. 1A '
в
±20
±20
±20
30
30
30
30
30
15
15
15
30
30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
1
1
1
1
1
1
1
1
1
lc,
·~ "'
мА
2,5 (8*) А
4,5 (18*) А
8 (32*) А
4А
4А
200
200
200
700
700
700
5А
ЗА
350
350
350
2,7 А
1,7 А
1,3 А
!
1
1
J
1
i1
;
;
1
1
'
1
1
!
1
lc н"ч'
l~сн-т' мА
:50,25*(500 В)
:50,25*(500 В)
:s:0,25*(500 В)
:5200; :550*
:5200: :550*
:510: :s:0.5·
$10: $0,5*
:510; :50,5*
$700: :50,05 •
:5480: :50,05*
:5600: :50.05 •
:5350; :5200*
:5350: :5200*
:520: :::;1 •
$20: :s:1·
:520; $l *
:s:IOO; :s:10•
:5100; :510*
:5100; :510*
1
1

Полевые транзисторы
I!
il,,
11
S, мА/В
11
1
1 ::>:1500 (50 В; 1.5 А).
1 ::>:2500 (50 В; 2,7 А)
::>:4900 (50 В; 4,8 А)
50... 160
(20 В; 0,5 А)
60 ... 170
(20 В; 0,5 А)
360; 92**
610; 160**
1300; 310**
$100; $10*
$10*
10... 25
1 $11; $0,6*; $11** 1
!20В;50мАJ 1
1
10".25
1 $11; $0,6*; $11**
(20 В; 50 мА)
.1
~ 10... 25
$11; $0,8*; $11**
(20 В; 50 мА)
.1
85".140 (8 В)
$18
1
50".130 (8 В)
$18
60... 140 (8 В)
$18
250... 510
$300 (30 В)
250... 510
$300 (30 В)
1
1
1.
18".39
$7; $0,6*; $4**
·1
~!20В;50мА)
18 ...39
$1 I; $0,6*; $4**
(20 В; 50 мА)
18".39
$13; $0,8•; $6**
(20 В; 50 мА)
110".2 00
$3* (25 В)
(20 В; 0.5 А)
100. " 200
$3* (25 В)
(20 В; 0.5 А)
80."110
$3* (25 В)
1
!:
(20 В; 0.5 А)
"
1
,,
RClloт" Ом
к:•. дБ
Р:~\' Вт
лu;;,·, мв
$3
$1,5
$0,85
::>:7* (100 МГц)
::>:10** (100 МГц)
::>:6,7** (100 МГц)
::>:6.6* (250 МГц)
::>:0,8** (60 МГц)
::>:0.8** (60 МГц)
::>:0,8** (60 МГц)
::>:0,09** (30 МГц);
$10; ::>:7,6*
::>:0.09* (30 МГц);
$10; ;:>:7,6*
::>:0,09* * (30 МГц);
$10; ::>:7,6*
::>:50** (60 МГц)
::>:30** (60 МГц)
::>:13* (60 МГц)
::>:1 **; ::>:8* ( 1 ГГц)
::>:6* (1 ГГц)
::>:4* (1 ГГц)
::>:4** (1 ГГц)
::>:3** (1 ГГц)
::>:5** (0,4 ГГц)
1
Кш, дБ
u:, мкВ
Е:, нВ/../fЦ
Q···, Кл
$6 (250 МГц)
-
$8 (250 МГц)
$5** (100 кГц)
$5* (100 кГц)
$5** (100 кГц)
-
-
-
$6,5 ( 1ООО МГц)
-
-
-
-
i1
1
1
1сп=16
1сп=16
1сп=20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
$2; $2*
$2; $2*
$2; $2*
!
1
ii
459
1
-
-
Корпус
КП820, КП830,
КП840
1/,8
1,9
1,1
КП901
КП902
ш
з
$
::~ си
по0л.
КП903
:i$.
КП904
~~m
КП905, КП907
t
~
.. ..
1
!Q. 1
Si
°"
20,sc
5,9 12,1
11
!
'
1
1
!
1
·1
·1
i!
:i

460
Раздел З. Полевые транзисторы
1
pCllma>. '
UЗlloп·' UCИmax'
•с•
Тип
мВт
UЗ~l 1na>.'
JСначt
прибора
Структура
p~JITmd>.t
u;и пор' u;Cmax'
в
·~·"'
1~ 0.,,, мА
Вт
в
в
мА
КП908А
С изолированным затвором
3,5*
-
40; 50*
20
280
:<>25: :<>0,5*
КП908Б
и индуцированным
3.5 ·
-
40; 50*
20
200
:<>25; S0,2*
n-каналом
'
1 КП921А
С изолированным затвором
15*
-
45
40 (имn.)
10А
1
:<>2,5 (40 В)
и индуцированным каналом
1
КП921Б
n-тиnа
15*
2" .8
40
±40
7А
:<>2,5 (40 В)
КП922А
С изолированным затвором
60*
2".8*
100
±30
10А
2
КП922Б
и индуцированным
60*
2".8*
100
1
±30
10А
2
КП922В
n-каналом
60*
2".8*
100
1
±30
10А
2
1
1
1
КП922А1
С изолированным затвором
60*
2".8*
100
±30
10А
2
КП922Б1
и индуцированным
60*
2".8*
1
100
±30
10А
2
КП922В1
n-каналом
60*
2".8*
100
±30
10А
2
КП922Г1
60*
2."8*
100
±30
10А
2
1
КП923А
С изолированным затвором
100*
-
50; 60*
20
12А
:<>50; :<>50*
и n-каналом
1
КП923Б
100*
-
50; 60*
20
8А
1
:<>50; :<>50*
1
1
1
1
КП923В
50*
-
50; 60*
20
6А
1
:<>25; :<>25*
1
1
КП923Г
50*
-
50; 60*
20
4А
:<>25; :<>25*
КП928А
С !1Золированным затвором
250*
-
50; 60*
25
21А
:<>150; :<>150*
и каналом n-тиnа
КП928Б
250*
-
55; 65*
25
16А
:<>150: :<>150*
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Полевые транзисторы
1
1 S, мА/В
2:24 (20 В; 80 мА)
2:24 (20 В; 80 мА)
:5:4,5 (25 В); :!>0,6*
:!>6.5 (25 В); :!>0,6*
800... 1500
(25В;1А)
2:800
i25 В; 1 А) 1 ''""" "280"
1000" .2 100 (1 А)
1000". 2100 (1 А)
1000". 2100 (1 А)
i
1
1
1
1000".2100 (1 А) 1
1000" .2 100 (1 А)
1000".2100 (1 А)
1000" .2 100 (1 А)
2:1000 (20 В; 3 А)
2:700 (20 В; 3 А)
2:550 (20 В; 2 А)
2:350 (20 В; 2 А)
s2000 (20 В)
s2000 (20 В)
:!>2000 (20 В)
:!>2000 (20 В)
s2000 (20 В)
:!>2000 (20 В)
:!>2000 (20 В)
:!>400 (10 В)
:!>400 (10 В)
s220 (10 В)
:!>220 (10 В)
1800(20В;3А)
530 (10 В); 50*
1800(20В;3А)
530 (10 В); 50*
Rсио"' Ом
к:.Р• дБ
Р::х• Вт
лu;~·. мВ
2:1 ** (1,76 ГГц)
:!>25
$0,13
$0,2
$0,4
SI
:!>0,2
s0.4
sl
:!>0,17
2:50** (1 ГГц);
2:4*
2:25** ( 1 ГГц)
2:4*
sl; 2:25** (1 ГГц)
2:4*
:!>3; 2:17** (1 ГГц)
;::4•
s0.4; 2:6,2*
2:250** (0,4 ГГц)
:!>0,4; 2:6*
2:200** (0,4 ГГц)
Кш, дБ
U~, мкВ
Е:, нВ/../fЦ
Q.". Кл
i tвкл• НС
t:ыкл• НС
~·.МГц
лu /лт".
зи
•
мкв/·с
$100*
:!>100; $100*
:!>100; $100*
461
Корпус
КП908
~~}э~Ц:~~н·с
5,9 12, 1
20,5
КП921
:rm-r
·rnr
КП922
1 -rffi- з.и
slOO; slOO*
27,f ~С
i~Otf оо
1 slOO; :!>100*
slOO; slOO*
SIOO; slOO*
slOO; slOO*
КП922-1
•
•' 11
~-~-
3~IH1111f'И
C-fllll 1,15
1
2.5 -i т2.5 1.'-.;·9
..i -. i- ..:1,_l _
КП923
3l11Т16ор
~
КП928

462
Раздел 3. Полевые транзисторы
Рс11 nы''
U311uн 1 UCИma\I
lc,
Тип
Структура
мВт
u;ll noμ'
u;c ma:>.. 1
UЗllrтш,1
(11,
lc на•1'
прибора
р·
в
I~OlT' мА
Cll т IПil\ 1
в
в
мА
i
:1
1
Вт
1
i
1
!
'
~
'
1
;
t
i1КП931А 1
nМОП
1
20*
800
5А
1
-
-
-
~
iiКП931Б 1
nМОП
i 20*
600
-
SA
-
-
1
1.
11КП9318 1
nМОП
20*
450
-
5А
-
-
1
11
,
11
1
1
1
IКП932А
nМОП
10*
250
-
1
300
i
0,1
0.1
1
1
!1
'
1
1
11
1
КП934А
Со статической индукцией,
40*
-
450
5
15А
-
КП934Б
с каналом n-тиnа
40*
-
300
5
1
15А
1
-
!!КП934В 1
40*
1
400
5
15А
1
!
-
i
1
-
:
1
1
i
!
;1
1
!
!'
1
ii
11
11
1
КП934Аl
Со статической индукцией,
20*
-
450
5
15А
-
КП934Бl
с каналом n-типа
20*
-
300
5
15А
-
КП934Вl
20*
-
400
5
15А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
КП936А
С изолированным затвором.
75 Вт
-
350
30
1
10А
$1,4 (280 В)
КП936Б
с n-каналом
75 Вт
-
400
30
1
7А
$1,4 (320 В)
КП936В
75 Вт
-
350
30
10А
$1,4 (280 В)
КП936Г
75 Вт
-
400
30
1
7А
$1,4 (280 В)
КП936Д
75 Вт
-
300
30
10А
$1,4 (260 В)
КП936Е
75 Вт
-
400
30
1
7А
$1,4 (320 В)
1
1
'
11
1
1
~
1
~
!i
;
,!
11
!
,,
!
!
ii
1
'1
1
КП936А-5 1 С изолированным затвором,
75 Вт
-
350
1
30
1
10А
1
$1.4 (280 BJ 1
КП936Б-5
с n-каналом
75 Вт
-
400
30
1
7А
1
$1,4 (320 В)
КП936В-5
75 Вт
-
350
30
10А
$1,4 (280 В)
КП936Г-5
75 Вт
-
400
30
7А
sl ,4 (280 В)
КП936Д-5
75 Вт
-
300
30
10А
$1,4 (260 В)
КП936Е-5
75 Вт
-
400
30
7А
$1.4 (320 В)

Полевые транзисторы
'
li
~!
S, мА/В
<:20
<:20
r
55".93
hш=I0".80 (5 А)
hш=I0".80 (5 А)
hш=I0".80 (5 А)
hш=I0".80 (5 А)
hш=I0".80 (5 А)
hш=I0".80 (5 А)
800".2500 (1 А)
800" . 2500 (1 А)
800" . 2500 (1 А)
800".2500 ( 1 А)
800" . 2500 (1 А)
800" . 2500 (1 А)
800" .2500 ( 1 А)
iS00".2500 ( l AI
800" .2500!1 AJ
800" .2500 ( 1 AI
800" .2500 ( 1 А)
800" .2500 ( 1 А)
cll11• с;2и•
с;;и, пФ
-
-
-
-
-
s2300 (25 В)
:52300 (25 В)
s2300 (25 В)
:52300 (25 В)
:52300 (25 В)
s2300 (25 В)
s2300 (25 В)
s2300 \25 В)
:52300 (25 В)
s2300 (25 В)
:52300 (25 В)
s2300 (25 В)
1
1
1
1
1
1
RClloтк' Ом
к:Р• дБ
Р:~\' Вт
лu;;,·, мв
-
-
$0, 1
:50,1
sO.I
$0,1
$0,1
s0,1
s0.5
s0,85
sl,I
Sl,I
:50,4
s0,6
s0.5
s0.85
Sl,I
Sl,I
s0.4
s0,6
1
!
1
Кш, дБ
u:, мкВ
Е:, нB/.Jf,.i.
Q000
,
Кл
-
-
-
-
-
fts"-,, НС
t:ык.1• НС
~:·,МГц
ЛU 311 /лт·".
мкВ/"С
400
1
400
1
1
400
1
1
1
1
:5100; :52500*
:5100; :52500*
:5100; :52500*
1
!
1
SI 00; :52500*
slOO; s2500*
:5100; :52500*
:5120*
s120•
:5120*
s120•
s120·
:5120*
s120•
s120·
s120•
s120·
s120·
s120•
463
Корпус
КП931
1
i1
1/,8
~ 70.65
·'
,,
1,9
1,1
1
'
з
t~15
1.... ~
~-..,, с
1 ....
.
1,9
1,1
2.5
2.5
КП934
27.1
с
-
....
3и
11
~
!:::)
оо
<:t
!
1,
~
КП934-1
1,9
1,1
КП936
1/,8
1,9
1,1
КП936-5
Nr!JГ"

464
Раздел 3. Полевые транзисторы
il
1
1
1
~
'i
POl1na' -'
1
1,
UЗlloтc' UCИrn;ix'
1
Ic,
1'
Тип
lc н,,~ч'
;i
Структура
мВт
u;ll пор' u;c max'
UЗll max'
1~. "'
11
прибора
р'
1
в
1~ ост, мА
11
Cll т rn<1"'
в
в
мА
1
Вт
КП937А
С р-п-nереходом и
50*
-15
450; 475*
20
17,5 А
-
п-каналом
1
IКП937А-5 1
С р-п-переходом и
50*
1·
-15
1
450; 475*
1
20
1
17,5 А
-
11
1
п-каналом
1
1
11
1
1
КП938А
С р-п-nереходом и
50·
-
500; 500*
-5
12А
:>3*
КП938Б
п-каналом
50*
-
500; 500*
-5
12А
:>3*
КП938В
50*
-
450; 450*
-5
12А
:>3*
КП938Г
50*
-
400; 400*
-5
12А
:>3*
КП938Д
50*
-
1
300; 300*
-5
12А
s3·
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
11КП944А 1 С изолированным затвором
30*
-1,5 .. -4,5 50; 50*
20
15А
1
$0,5; $1 *
и р-каналом
1
КП944Б
30*
-1.5 .. -4,5 60; 60*
20
10А
:>0,5; $1 *
КП945А
С изолированным затвором
30*
1,5 ... 4,5
50; 50*
20
15А
$0,5; $1 *
и п-каналом
1
КП945Б
30*
1
1,5 ... 4.5
70; 70*
20
10А
s0,5; sl •
!1
1
1
1
i
i
1
1 КП946А
БСИТ
40*
1
-
400
5
15А
-
КП946Б
п-канал
40*
-
200
5
15А
КП948А
БСИТ
20*
-
400
5
5А
-
КП948Б
п-канал
20*
-
300
5
5А
-
КП9488
20*
-
370
5
5А
-
КП948Г
20·
1
-
250
5
5А
-
~
11
1
1
1
1
1
1
1
!
КП951А-2 С изолированным затвором,
3*
:>6*
36;41*
1
20
600
:>1; s2•
1
1
КП951Б-2
с п-каналом
3*
:>6*
36;41*
20
600
:>2; $4*
КП951В-2
3*
s6•
36;41*
20
600
:>2; :>8*
1

полевые транзисторы
465
11
1
RCll0," Ом I Кш,дБ 1 t_.,_,, нс
11
s, мА/В
с;;,, пФ
Р:~" Вт
Е:, нВ/..jfЦ ~.' 1мri;.. 1
Корпус
111
С11"• с:2"•
к:Р• дБ
U~, мкВ 1 t.~"'·'' нс
•••
Q···, Кл
ЛUз11 ЛТ ,
1
ЛU311 , мВ
мквt·с
11·~~--+-~~t--~----t~~--r-~-t-~~~-
:1 20*(5В;5А)
-
$0,07
-
-
КП937
1
1,1
1
1
1 ~~1~i
t-----------+1------; - - -- - - - - -+- - - - - - -j- - - - -+'-----------1'1
1 '20"/5 в, 5А) 1
-
1
<0,07
-
1
-
1
7937.5 0,4
1
фrВТ
h21э:?:20* (5 В; 5 А)
h21э:?:20• (5 В: 5 А)
h21э:?:20* (5 В: 5 А)
h21э:?:20• (5 В: 5 А)
h21э:?:20• (5 В: 5 А)
1 ~3000(10 В; 4А)
:?:3000 (10 В: 4 А)
1
1
1700 (20 В; 1 МГц)
80* (20 В)
700 (20 В; 1 МГц)
80* (20 В)
600
1'2300(3в,2AI
11
1
11
'
1
:?:2300 (3 В: 2А) 1
1
(25 В; 1 МГц)
150*
600
(25 В; 1 МГц)
300·•
!
:?:200 (10 В; 0,5 А)
:?:500(IOB; 1,5А)
:?:1000 (10 В: 3 А)
30зак9
$0,07
$0,07
$0,1
$0,1
$0,1
$0,15
0,1
0,1
0,15
0,15
0.15
0,15
:?:3** (0,4 ГГц)
:?:5** (0,4 ГГц)
:?: 15** (0,4 ГГц)
$200
$200
$200
$200
$200
90: 120*
90; 120•
60; 180*
60; 180*
80
80
80
80
80
80
КП938
КП944, КП945
6,6
2,J5
0,5 ~
[__
иl-
L·
0,5
0,8
КП946, КП948
~ 70.65
'1J.G. .~~,_.,.·8.__
(\j ~ ....... f,J7 1
•
1 ""1
.w
l#'t" 1
~-~- l
-~
1
1
~~~~~;..w-111 }~.15
1
2.5-=---+-+о...=2.=5 7. ' --, 9_ . . ,, _ . .1 . _1 _
1
i
КП951-2
20

466
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
1
1!
Рс11 m11x'
11
UЗ\lон' Uc11ma.1 .'
lc,
1
Тип
Структура
мВт
u;flnoμ'
u;c rna.1. '
UЗlt m.н'
1~.11'
lc н.~ч 1
прибора
р·
в
I~oLт, мА
Clt Tlll.t\I
в
в
мА
Вт
КП953А
БСИТ
50*
-
450
5
15А
-
КП953Б
п-канал
50*
-
300
5
15А
-
КП953В
50*
-
450
5
15А
1
-
!
КП953Г
1
300
5
15А
1
50'
-
1
-
КП953Д
50*
-
450 1
5
15А
1
-
1
КП954А
БСИТ
40*
-
150
5
20А
-
КП954Б
п-канал
40*
-
100
5
20А
-
КП954В
40*
-
60
5
20А
-
КП954Г
40*
-
20
5
20А
-
КП954Д
40*
-
60
5
20А
-
1
i
КП955А
БСИТ
70*
-
700
5
20А
-
КП955Б
п-канал
70*
-
450
5
20А
-
:1
1
11
!1
11
i
·:
!
КП956А
БСИТ
10*
-
350
5
2А
-
КП956Б
п-канал
10*
-
200
5
2А
-
1
1
1
КП957А
БСИТ
10*
-
800
5
IA
1
-
КП957Б
п-канал
10*
-
800
5
IA
-
КП957В
10*
-
1
700
5
1
lA
i
-
~
1
,1
1
!
1
1
'
1
1
'
~
1
i
КП958А
БСИТ
70*
-
150
5
30А
1
-
КП958Б
п-канал
70*
-
100
5
30А
-
КП958В
70*
-
60
5
30А
-
КП958Г
70*
-
20
5
20А
-
1
i
1
·1
КП959А
БСИТ
7*
-
220
5
200
1
-
~
КП959Б
7*
200 !
5
200
!
,!
п-канал
-
-
11
"
1 КП959В
11
li
7*
1
120
5
200
1
1
li
11
j

полевые транзисторы
S, мА/В
il
i
1
-
-
ii
1
~-
1
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
'
!
i
1
!
-
i-
1
-
-
-
-
зо·
1
1
1
1
i
1
1
RО1отк' Ом
к:.Р• дБ
Р:~,, Вт
лu;~·. мВ
0,06
0,06
0,06
0,06
0,064
$0,03
$0,03
$0,025
$0,025
$0,05
0.8
0,8
0,8
0,02
0,02
0,02
0,02
57
57
57
1
1
1
Кш, дБ
U~, мкВ
Е=, нВ/.JfЦ
Q···, Кл
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
tвк.11 НС
1 t:ык.~ 1 НС
1 (", Мfц
1
/
•••
,ЛU311ЛТ,
1
мкВ/"С
i1
i
1
1
1
!
150; 50•·
150; 50**
150; 50**
150; 50**
150: 50··
50; 100··
50; 100**
50; 100•·
50; 100**
50; 100**
80; 50**
80; 50**
80; 50**
80; 100**
80; 100**
80; 100··
80; 100**
200**
200**
200**
1
1
'
'
!
1
i
1
Корпус
КП953
::~~75,9
~~
1
...,
~·....
зси
КП954
5
1D
-
·8
~
...:
-
~
КП958
~~r
С\е ~
•
...,
'${
D
зси
КП959
::::.
·8
~;: ~-t t~;
467
11
1

468
Раздел 3. Полевые транзисторы
Рен 1п.~х•
UЗ~I отt• UCHmax•
lc,
Тип
Структура
мВт
u~~· пор• u~max• U3~1 ffidЛ'
1~.н•
•сна•1•
прибора
p~~I т m.i>.'
в
в
в
мА
f~ост, МА
1
Вт
1
КП960А 1
БСИТ
7*
-
220 1
5
200
-
КП960Б 1
р-канал
7*
-
200
1
5
200
-
КП960В 1
7*
-
1
120
5
200
1
-
'
КП961А
БСИТ
10*
-
120
5
5А
-
КП961Б
п-канал
10*
-
80
5
5А
-
КП961В
10*
-
60
5
5А
-
КП961Г
10*
-
40
5
5А
-
КП961Д
1
1
10~
-
20
5
5А
-
КП961Е
10*
-
10
5
5А
-
'
1
1
КП962А 1
СИТ, п-канал
10*
-15 1 400
-20
2;8*А
-
1
1
КП962А-5
СИТ, п-канал
10*
-15
400
-20
2;8*А
-
i
1
1
КП963А
СИТ, п-канал
40*
-
150
-5
15; 50* А
-
1
КП963А-5.
СИТ, п-канал
40*
-
150
-5
15; 50* А
-
КП964А
БСИТ
40*
-
150
5
1
20А
1
-
КП964Б
р-канал
40*
-
100
5
20А
1
-
КП964В 1
40*
-
60
5
20А
-
КП964Г
1
40*
-
20
5
20А
-
1

Полевые транзисторы
cllн' с~2и1
S, мА/В
с;;и, пФ
1
-
-
--
-
-
-
1
1
1
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
i
'
1
1
1
$0,03 (10 А)
$0,03 (10 А)
Rсиотк' Ом
к:r• дБ
Р:~х' Вт
лu;,~·. мВ
57
57
57
0,16
0,13
0,11
0,10
0,10
0,8
$0.5
$0,5
0.9
0,9
0,03
0,03
0,025
0,025
Кш, дБ
U~, мкВ
Е~, нВ/.jГЦ
Q"., Кл
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
!
t,,,КJI, нс
t:ы..._11 НС
(",МГц
лu,1.f лт···.
мкВ/'С
150**
150*•
150**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
40; 100**
$100 .
100
400
400
50; 100**
50; 100*'
50; 100•·
50; 100•·
1
i1
1
:
1
469
Корпус
КП960
1
е:
~
~
-8
~~:~
i
КП961
~II=~ ~
КП962
Lё)" ------
cxiт--tт-i--11
...
'-
Ц')
<О...
КП962-5
КП963
Lё)" ----~
сх)т--tт-i--11
...
'-
Ц')
<1:>-
исз
КП963-5
КП964
11
11
11
~,, J

1:
~
470
'1
т
11
ип
:~ прибора
;1
11
i1КП965А
КП965Б
КП965В
КП965Г
КП9650
Структура
БСИТ
р-канал
Реи rnd"''
UЗ"отс'
мВт
u;f1110μ'
р·
Cll т IПЗJI.'
в
Вт
10*
10*
10*
10*
10*
Раздел 3. полевые транзисторы
Ucиmax'
IC'
u;Cmax'
UЗИmах'
1~ 11'
lc на•1'
в
l~о~т'МА
в
мА
250
5
5А
160
5
5А
120
5
5А
60
5
5А
20
5
5А
lг---~~-+-~~~~~~_____,г---~~--;~~--;~~~+-~~-+-~~~+--~~~---il
~КП971А
i1КП971Б
1
1
КП973А
КП97ЗБ
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
!IКПС104Е
JI
il
i
1
1
1
1
БСИТ
п-канал
1
БСИТ
п-канал
Сдвоенные, с р-п-переходом
и п-каналом
1
i
1
1 КПС202А-2 iСдвоенные. с р-n-переходом 1
КПС202Б-2 1
и п-каналом
КПС202В-2
КПС202Г-2
КПС203А-1 Сдвоенные. с р-n-переходом
КПС20ЗБ-1 1
и р-каналом
КПС203В-1 [
[ КПС203Г-1 11
i
КПС315А Сдвоенные, с р-n-переходом
КПС315Б
и каналом п-типа
1
1
1
КПС316Д-1 1 Сдвоенные, с р-п-переходом
КПСЗ16Е-1
и каналом n-типа
КПСЗ16Ж-1
КПСЗ16И-1
1
i
100*
100*
100*
100·
45
45
45
45
45
45
60
60
60
60
30 (55°С)
30 (55·с>
30 (55·с>
30 (55°С)
300
300
60
60
60
60
1
i
1
1
-
-
0.2 ...1
0,2 ... 1
0,4 ... 2
0.4 ...2
0.8 ...3
0,8 ...3
0,4 ... 2
0.4 ...2
0,4 ... 2
1... 3
0,2 ...2
0,2 ...2
0,4 ... 2
1... 3
1... 5
0,4 ... 2
0,3 ...2,2
0,3 ...2,2
1,3 ...4
2.5 ...6
'
1
1
900
800
700
600
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
25; 30*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
15; 20*
25; 30*
25; 30*
25; 25*
25; 25*
25; 25*
25; 25*
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5
5
5
5
- 30; 0,5
- 30; 0.5
- 30; 0,5
-30: 0,5
-30; 0,5
-30: 0.5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
30
30
25
25
25
25
1
'
i
!1
1
1
i
1
1
1
1
25А
25А
30А
30А
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
-
-
s0.8
$0,8
s0.8
s0.8
с
1
s0.8
~
s0.8
!;, .
1
$1.5
Sl.5
Sl,5
$3
0.25... 1 .5
0,25... 1,5
0.35... 1 .5
1.1 ...3
1... 20
1... 20
~1
-
-
-
-
~il

Полевые транзисторы
471
'1
RС11uтк' Ом
Кш, дБ
t.'" '' нс
1
cllн' с;'2и'
к;Р, дБ
U~, мкВ
t,ым• НС 1
S, мА/В
с;;н, пФ
Р::х' Вт
Е:, нВ/.jfЦ ~·.МГц
Корпус
лu;,~·. мВ
Q.". Кл
ЛU311 /лт···.
1
мкВ/"С
-
-
0,8
-
40; 200**
КП965
1
-
-
1
0.6
-
40; 200**
-
-
0,6
-
40; 200**
~
-
-
0,4
-
40; 200**
!::
1
-
-в
11
11
-
-
0.4
'
-
40; 200**
:::·
li
1
1
~
,.
..,..
,,
1
.1
!
i
1
...,
1:
il
-
1
-
0.04
1
-
i 200
1
КП971, КП973
-
1
-
0,04
1
-
150
1
~Emr
1
-
-
1
0,03
-
150
С\1 ~
'
-
-
0,03
-
150
....
';:{
о
зси
1
1
гО.35 (!О В) 1
s4.5; sl .5*
1
s30***
s0,4* ( 10 Гu)
s50***
КПС104
11
1
1
*
1
***
*
***
гО.35 (10 В)
s4.5. sl.5
s30
s1 (10Гu)
sl50
gj9.lt
1
гО.65 ( 10 В)
1
s4.5: sl.5*
1
s50***
s5* (10 Гц)
sl50***
БRс.i'
~
гl (10 В)
1
s4.5; sl .5*
s50***
sl*(lOГц)
slOO**•
~ И2~З1 1
1
1
гl (10 В)
s4.5; sl .5*
s30***
s5* (10 Гu)
sl50**•
г0,65(10В)
s4,5; sl.5*
s20***
-
s20***
с::.
32оои,
1
""
1
С2
го.5 (5 В)
s6; s2*
slO***
-
30**
КПС202-2
гО.5 (5 В)
s6; s2*
slO***
-
30**
~
гО,65 (5 В)
s6; s2*
s30***
-
30**
~гl(5В)
s6; s2*
s30***
-
30**
2
1
C1ffiИ2
11
~
1
э,-
32
1
И1
С2
:i
!!
11
s6 (!О В); s2*
1
~ гО.5 (10 В)
slO***
s2.5* ( 10 Гu)
s40**•
КПС203-1
J!
,,
го.5 110 В)
s6!10B);s2*
slO***
sl2* (!О Гu)
s40**'
~fcr
![
~:
r,
гО.65 (10 В)
s6 (10 В); s2*
s30***
-
sl50***
1
~
гl (10 В)
s6 (10 BJ; s2*
s30***
-
sl50***
11
1
1
1
0,8
1
с~_и,
31
-Зz
и-
-с2
.
,
6
г2.8 (5 В)
s8 (10 В)
s30***
-
s3o••*: 60** 1
КПС315
гl...5 (5 В)
s8 (10 В)
s30**'
i
-
s3o•••; 60•· ,
~~)
1
1
1
....,
ио.ои
1о.о2
~
С2
32
гО.5 (5 В; 0,3 мА)
s6(10В); s2*
s50***
-
s40***
КПС316
1
гО,5 (5 В; 0,3 мА)
s6(10В); s2*
s50***
-
s40***
гО.5 (5 В; 0.3 мА)
s6 (10 В); s2*
s50***
-
s40***
:~п-v
гО,5 (5 В; 0,3 мА)
s6 (10 В); s2*
s50***
-
s40***
.1
1
1
i
11
11
1
11
1
1
....
1
11
11
1
1
И1С131
~
1
.1
~
i
i
il

472
Раздел 3. Полевые транзисторы
3.5 . Полевые транзисторы специального назначения
1
~
11
11
11
11
11
1
1
1
Тип
прибора
3П320А-2
3П320Б-2
3П324А-2
3П324Б-2
303248-2
3П325А-2
!
1
1
1
1
1
1
1
1
Токр., Рс1111ш.' мВт UЗl!oнt UCll1nc1\' 1
UЗl!ind\'
Ic,
Структура
1
·с
Р~11т111d,, Вт u;H пор' u;Cllld\t
в
1~.11'
в
в
мА
Параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов
С n-каналом
-60...+85
-60...+85
С n-каналом
-60 ...+70
1
1
1
1
С n-каналом 1 -60 .. . +85
1
-60...+85
-60...+85
1
1
1
1
1
С барьером Шотки, -60 . . . +85
с n-каналом
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
80
80
30
80
80
80
25
1
i
1
1
1
1
1
!1
1
1,5 .. .4,5
-
-
-
1
4
1
1
1
1
4; 8*
4; 8*
3; 4*
4
4
4
2.5; 5*
11
1
1
1
1
1
1
1
i
1
5
5
3*
3
3
3
3,5
1
1
1
-
-
-
1
1
1
-
1
1
i
1
1
1( Hd'lt
1~01:т' мА
1
1
i
~
1
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
-
1
1
11
11
i
i
1
!1
1

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
RСНотк' Ом
к:Р• дБ
Р::", Вт
лu;,~·. мВ
Кш, дБ
Uw·, мкВ
Е:·, нв/JГЦ
Q.", Кл
thl!.Jll нс
1
t:ымt НС 1
(',МГц
лu 311 /лт·". i
мкВ/'С i
Корпус
Параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов
5... 16 (1,5 В)
5... 16 (1,5 В)
~5(2В;8мА)
15 .. .40 (15 мА)
15 .. .40 (15 мА)
15 .. .40 (15 мА)
~8(1,58; lОмА)
0,18; 0,15*
0,15*; 0,18**
~3* (8 ГГц)
~5* (8 ГГц)
~3* (8 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~6* (12 ГГц)
~5* (8 ГГц)
:54,5 (8 ГГц)
:56 (8 ГГц)
2,8 (8 ГГц)
:51,5 (12 ГГц)
:52 (12 ГГц)
:52,5 ( 12 ГГц)
:52 (8 ГГц)
~t
°'
ЗПЗ20-2
r;JJ
1:·1
с
и
ЗПЗ21А-2
r;JJ
~1~4
~г=t~r:J.J:::::::~~1~с
ЗПЗ24-2
~2,15
.. ..
~-f r::L;f~1i:::.-
и
....
о;
н
9,5
ЗПЗ25А-2
~2,15
.. ..
~-f Г::kt('
•
i:::.-
.. ..
c:i.·
473

474
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр., РСJl:п.в' мВт u311 отt:' UCJ1пia).' UЗllrтт.н'
lc,
1(. 11'1'1'
прибора
Структура
·с
р·
Вт u;ll nup'
u;c ma~'
в
1~. i!'
I~ост, мА
Cll т max'
в
в
мА
1
l"
!
!
1
,.
!
'·
'•
13П325А-5 С барьером Шотки, -60 . . . +85
25
4
2,5; 5*
3,5
-
i
-
~
1
1
с n-каналом
1
~1
1
i1
3П326А-2 1 С n-каналом
- 60".+85
30
1".4
2.5: 5,5*
4
-
-
3П326Б-2
- 60".+85
30
1".4
2,5; 5,5*
4
-
-
1
1
~
~
1'
i
1
1
!
ij
1
1
\
i
1
1
!
3П326А-5 1 С барьером Шотки,
- 60".+85
30
1".4
2,5: 5,5*
4
-
-
с n-каналом
:
1
1
1
!
3П328А-2 1 С барьером Шотки. -60 ". +85
50
4
6
4;6
-
-
~
11
1
с двумя затворами
1
1
!
,
1
'
11
с n-каналом
1
;
~
1
!
11
~
1
~
11
:
,,
11
3П328А-5 С барьером Шотки, -60 ". +85
50
4
6
1
4:6
-
-
!
1
с двумя затворами
1
'
i с n-каналом
'
!
~
i
1!
i
i
1
~
~
1
1
~
1
1
3П330А-5 1 С барьером Шотки,
- 60".+85
30
l,5" .4,5
3; 6*
4
15" .50
-
с n-каналом
1
1
~
!
1
1
i
1
1
1
1
;;
1
i
!
1
1
1
~
3П330А-2 [ С барьером Шотки, 1 -60 ". +85
30
l,5" .4,5
3: 6*
!
15" .50
~
4
1
-
3П330Б-2 1 с n-каналом
- 60".+85
30
l,5" .4,5
3; 6*
4
15" .50
-
~
3П330В-2 !
1
- 60".+85
30
l ,5".4,5
3; 6*
4
15" .50
-
1

Полевые транзисторы специального назначения
~
~
S, мА/В
~8 (1.5 В; 10 мА)
~8*(2В:8мА)
~8*(2В;8мА)
~8·(2В;8мА)
~8*(4В:8мА)
~8*(4В;8мА)
~5 (5 кГц)
~5 (5 кГц)
~5 (5 кГц)
~5 (5 кГц)
i
1
1
i
i
1
1
1
1
1
-
i
-
1
1
Rснотк' Ом
к;.!" дБ
pu1,i:..' Вт
лu;;,·, мВ
~5* (8 ГГц)
~3* ( 17,4 ГГц)
~3* ( 17,4 ГГц)
~3* ( 17,4 ГГц)
~9* (8 ГГц)
~10* (8 ГГц)
~3* (17,4 ГГц)
~3· (25 ГГц)
~6* (25 ГГц)
1
Кш, дБ
Uw•, мкВ
Е ;; , нВ/ ,Jr.i.
Q.", Кл
S:2 (8 ГГц)
:54,5 (17.4 ГГц)
:55,5 (17,4 ГГц)
:54,5 (17.4 ГГц)
:53.5 (8 ГГц)
:51.4 (1 ГГц)
:53 (17,4 ГГц)
:56 (25 ГГц)
:54,5 (25 ГГц)
:53,5 (25 ГГц)
!
tuкл 1 НС
: t:ыклt НС
'
1
\",МГц
лu,11 /лт·".
: мкв/•с
i
1
1
1
-
i
-
1
1
1
1
i
475
Корпус
3П325А-5
0,47
0,15
~шт
30326-2
~
Ч.J
-ф.....: - 1
1
~~
~-
"
и
3П326А-5
0,47
О, 15
~шт
3П328А-2
3П328А-5
3П330А-5
0,47
0.15
~т
~ш
3П330А-2
l/.J
::1 1::1~i
~
:
1'
1
1
1
'1
,,
11

476
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
1
Такр.•
Pcllm"' мВт UЗ~tотс' UOlrп.ax' UЗИmtix'
lc,
lc н.ilч'
прибора
Структура
·с
Р~н т m.a).• Вт u;~, пор' u;Cmax'
в
·~.11•
1~..,,, мА
!
в
в
мА
1
1
1
1
1
3033081-2 1 С барьером Шотки, 1 -60 . . . +85 1
100
1
1,5 .. .4,5
5; 7*
1
4
15...50 i
-
l 3033082-2 1 с n-каналом
-60 ...+85
100
1,5 .. .4,5
5; 7*
4
15 ... 50
1
-
l3П33ОВ3-2
!
1
-60 ...+85
100
1,5 .. .4.5
5; 7*
4
15 ... 50
-
i
1
1
3ПЗ31А-2 С барьером Шотки, -60 .. . +85
250
2,5 ...5
5.5; 8*
5
-
100 ... 150
с n-каналом
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3П331А-5
С n-каналом
-60 ...+85
250
2,5 ...5
5,5; 8*
5
-
?:100 (3 В)
3П339А-2 С барьером Шотки, -60 . . . +85
250
5
5,5; 7*
5
-
50 ... 90
i!
i
с n-каналом
1
1
~
i
1
1
1
1
j
1
1
1
11
1
1
1
1.
1
1
1
1
ЗП343А-2 С барьером Шотки, -60 .. . +85
35
2.. .4
3,5; 6*
3
-
?:20 (2 В)
3П343А1-2
с n-каналом
-60 ...+85
35
2.. .4
3,5; 6*
3
-
?:20 (2 В)
3П343А2-2
-60 ...+85
35
2.. .4
3,5; 6*
3
-
?:20 (2 В)
3П343АЗ-2
-60 ...+85
35
2.. .4
3,5; 6*
3
-
1
?:20 (2 В)
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3П344А-2 С барьером Шотки, -60 . . . +85
100
-
4,5; 7*
4
-
1
-
3П344А1-2
с n-каналом
-60 ...+85
100
-
5; 7*
4
-
-
3П344А2-2
1
-60 ...+85
100
-
5; 7*
4
-
-
3П344А3-2
-60 ...+85
100
-
5; 7*
4
-
-
I, 3П344А4-2
-60 ...+85
100
-
5; 7*
4
-
!
-
;
1
1
1
'1
1
1
1
1
1
r
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Полевые транзисторы специального назначения
S,мА/В
~20 (5 кГц)
~20 (5 кГц)
~20 (5 кГц)
~25 (5 кГц)
~15* (4 В; 40 мА)
~10 (5 кГц)
~10 (5 кГц)
~20 (5 кГц)
~20 (5 кГц)
~20 (5 кГц)
~15 (5 кГц)
~40 (5 кГц)
~40 (5 кГц)
~40 (5 кГц)
~40 (5 кГц)
Rc110 ", Ом
к;!'' дБ
рвых' Вт
лu;;,·, мв
~8* ( 17,4 ГГц)
~8* ( 17.4 ГГц)
~8* ( 17.4 ГГц)
~5* (10 ГГц)
~45** (10 ГГц)
~5.5* ( 1О ГГц)
~45** (10 ГГц)
~5* ( 17,4 ГГц)
~15** ( 17.4 ГГц)
~8.5* ( 12 ГГц)
~8.5* ( 12 ГГц)
~8.5* ( 12 ГГц)
~8.5* (12 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~10 (4 ГГц)
~15 (1 ГГц)
1
Кш, дБ
Uш*, мкВ
Е:*, нВ/,/fЦ
Q"., Кл
:<;;2 ( 17.4 ГГц)
:<;;1,5 (17,4 ГГц) 1
1
:<;;1 ( 17,4 ГГц)
:<;;2,8 ( 1О ГГц)
:<;;2,8 (10 ГГц)
:<;;4 ( 17,4 ГГц)
:<;;2 ( 12 ГГц)
:<;;1,1 (12 ГГц)
:<;;1,1 (12 ГГц)
:<;;0,9 (12 ГГц)
:<;;1 (4 ГГц)
:<;;0,7 (4 ГГц)
:<;;0,5 (4 ГГц)
:<;;0,3 (4 ГГц)
:<;;0,3 (1 ГГц)
tвкл' НС
t:ыкл 1 НС
\',МГц
ЛU 3и/лт"·,
мкв/·с
477
Корпус
30330В1·2
l/,J
~·1::i~t
~
30331А-2
l/,J
~·11::i~t
~~
30331А-5
~rВТ
30339А-2
l/.J
30343-2
~2,15
.. .,
~~tGk:i;,1
~-t
_L)( -
30344-2
~2,15
...,
1 g-.~tГ:J=;(1
/,(____
и~(39,5
1

478
1
1
,1
!I,,
11
11,,
!
Тип
прибора
ЗПЗ45А-2
ЗПЗ45Б-2
ЗПЗ45А-5
ЗПЗ48А-2
Структура
'
:
'
1 С барьером Шотки, 1
с n-каналом
С барьером Шатки,
с n-каналом,
! с двумя затворами
1
1
1
!1
С n-каналом
i
i
1
i
Такр.•
·с
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
1
1
Рс11 m•" мВт
p~lfтmd1'' Вт
1
!
1
!
80
80
1
1
80
1
i
1
250
1
1
!
!
ЗПЗSIА-2 1 С барьером Шатки,
-60 ...+85
75
ЗПЗSIА-5
ЗПЗSIАl-2
.,
ii
11
11
1
с n-каналом,
1 с двумя затворами
1
1
1
С барьером Шатки, 1
с n-каналом
1
1 С одним затвором,
1
!
n-каналом
1
1
i
1
1
i
1
1
!
1
i
i
1
i
-60 ...+85 1
75
1
1
'
-60 ...+85
75
1
1
i1
1
1
Раздел 3. Полевые транзисторы
UЗltoпl UCllin.aA'
Uзн 1nax'
lc,
Ii: Hd'I'
u;ltвopl u~IПd:>.I
1~.11'
в
в
в
мА
1~ 0", мА
i
:
1
1
1
1
-
4
1
2
1
-
20 ... 60
-
4
2
1
-
20 ... 60
i
1
1
1
1
i
1
1
-
4
2
1
-
1
20 ... 60
1
!
i
1
!
i
i
1
1
i
5; -7*
-4
-
-
-
1
~
1
:
:!
i
1
2... 4
5,5
-9
1
20... 50
i
1
!i
1
~
'
i
11
-
5,5
9
-
!
-
1
1
2.. .4
5,5; -9
-9
-
20 ... 50
1:
~
i11

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
~15(2В;20мА)
~25(2В:20мА)
~15(2В:20мА)
~15(2В:20мА)
~8(3В:10мА)
~8(3В;10мА)
cl 11•' с~2н'
с;;н, пФ
~0.35 (2 В)
~0.35 (2 В)
~0.35 (2 В)
RCJ!uт11' Ом
к;"' дБ
Р::,, Вт
лu;;,·, мВ
~10* (4 ГГц)
~0.04** (4 ГГц)
~9*
~8*
~8* ( 17,4 ГГц)
Кш, дБ
Uw', мкВ
Е:,', нВ/.jГЦ
Q···, Кл
~2.8** (30 МГц)
~2.5** (30 МГц)
~2.8** (30 МГц) 1
~1.4** (0.1 ГГц)
~1 (4 ГГц)
~4.5 (12 ГГц) 1
~5.5 ( 17,5 ГГц)
~5.5 ( 17,4 ГГц)
t1н..1t НС
t:hli..лt НС
(.МГц
лuз"/лт···.
мкВ/'С
479
Корпус
3П345-2
3П345А-5
0,47
0,15
~шт
3П348А-2
t/J2,15
""
~-1 FZl==;(1С:,'
и
с
""
., ,.
и
3П351А-2
3П351А-5
0,4
О,1
~шт
3П351А1-2
t/J2,15
""
~-:t=====I\G:4t"1
~-t
с
и

480
Раздел З. Полевые транзисторы
Тип
Токр.•
Pclfmd:.. '
мВт UЗНотс' UCHmax'
UЗll 1n.a:. .'
lc,
1( HdЧI
прибора
Структура
·с
P~llтmd\' Вт u;llnop'
u;Cma:..'
8
1~.11'
I~Ol.т' мА
8
8
мА
1
130353А-5 1 С барьером Шотки,
-6 0 ."+85
30
-1 ... -2,5
4; 4,5*
1
-
1
-
1
-
1
с n-каналом
1
1
1
1
1
30372А-2
НЕМТ
- 6 0".+125
60
-
3; 6*
3
-
-
с n-каналом
30373А-2 1 С барьером Шотки,
-6 0 ".+85
100
-
4,5; -7
3
-
-
1303735-2
с n-каналом
-6 0 ".+85
100
-
4.5; -7
3
1
-
-
303738-2
1
1
·- 60". +85
100
-
4,5; -7
3
-
-
1
1
1
30376А-5
НЕМТ
-60...+125
40
-
3
1,5
-
-
'
с n-каналом
]!
~1
1
i
'1
30384А-5
НЕМТ
- 60".+125
550
-
-
3
-
-
с n-каналом
30385А-2
С n-каналом
- 6 0".+85
35
0,5 ...2,5
3,5; -6
-2,5
-
10".30
303855-2
С n-каналом
- 6 0".+85
35
0,5 ...2,5
3,5; -6
-2,5
-
10".30
303858-2
С n-каналом
- 6 0".+85
35
0,5". 2,5
3,5; -6
-2,5
-
10".30
1
1
30385А-5
!
С n-каналом
-60...+85
35
0,5". 2,5
3,5; -6
-2,5
-
10".30
303855-5
С n-каналом
-60...+85
35
0,5". 2,5
3,5; -6
-2,5
-
10 ... 30
303858-5
С n-каналом
-6 0 ."+85
35
0,5". 2,5
3,5; -6
-2,5
-
10... 30
1
'
i
i
!
1
1
30602А-2 1 С n-каналом
-6 0 ".+85
900
-
7
3,5
-
~220 (3 В)
306025-2
1
-6 0 ".+85
900
-
7
3,5
-
~180 (3 В)
306028-2
-60...+85
900
-
7
3,5
-
~110 (3 В)
30602Г-2
-6 0 ".+85
1800
-
7,5
3,5
-
~440 (3 В)
30602Д-2
-6 0 ".+85
1800
-
7,5
3,5
-
~360 (3 В)

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
!1
1
-
li
1
1
1
8...13 (3В: 8мА)
-
10" .35 (2,58; lОмА)
-
1 ~30(3В:20мА) 1
-
~~30(3В;20мА) 1
-
~30(3В;20мА) i
-
1
i
i
~12 (3 В)
1
-
1
1
1
30".42 (3 В; 50 мА)
-
1
1
1
\
i
~15(3В:8мА)
1
-
~15(3В;8мА)
-
~15(3В;8мА)
-
1
~15(3В;8мА)
-
~15(3В;8мА) 1
-
1
~15(3В:8мА)
1
-
1
1
20".100 (2 В)
-
20". 80 (2 В)
-
20". 70 (2 В)
-
40...200 (2 В)
-
1
1
40".160 (2 В)
-
1
1
1
31зак9
Rc11 .", Ом
к:Р• дБ
Р::", Вт
лu;;1·, мВ
~6*
~7*
~12,5* (4 ГГц)
~12* (4 ГГц)
~11 * (4 ГГц)
~5*
~О.Об** (37 ГГц)
~4*
~9.5* (17,4 ГГц)
~10* ( 17,4 ГГц)
~8.5* ( 17,4 ГГц)
~9,5* (17,4 ГГц)
~10* ( 17,4 ГГц)
~8.5* ( 17,4 ГГц)
~О.18** (12 ГГц)
~2.6* (12 ГГц)
~0.1** (12 ГГц)
~3* (12 ГГц)
~О.2** (8 ГГц)
~3* (8 ГГц)
~0,4** (!О ГГц)
~2.6* ( 1О ГГц)
~0.5** (8 ГГц)
~3* (8 ГГц)
1
1
i
Кш, дБ
Uш*, мкВ
Е:·, нВ/.JfЦ
Q***, Кл
:S:4 (37 ГГц)
:S:l,5 (15 ГГц)
:s:0,4 (4 ГГц)
:s:0,5 (4 ГГц)
:s:0,6 (4 ГГц)
:S:4 (60 ГГц)
1
:
1
1
i
:s:0,8 ( 17,4 ГГц) 1
:S:l (17,4 ГГц) 1
:S:l ,2 ( 17,4 ГГц)
:s:0,8 ( 17,4 ГГц)
:S:l (17,4 ГГц)
:s:l,2 (17,4 ГГц)
-
-
-
-
1
-
!
i
1
t,кл• НС
t:ыкл' НС
~·.МГц
/ ...
ЛU 311 ЛТ
мкВ/*С
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
•
1
1
1
1
1.
1
1
1
1
1
1
1
481
Корпус
30353А-5
0,47
0,15
~ют
30372А-2, 30373-2
t/J2,15
,, .,
~-1 5=;(1 1r::, •
/)(
.. .,
н~ (з'
.. ..
11
9,S
1.
!
30376А-5
1
0,4
0,1
~ют
30384А-5
0,45
0,1
~ют i
1
1
30385-2
//,J
::J1 1: :i~t
~~
tч"
"
и
1
30385-5
11
I'
~
0,35
0,12
нВТ
1
30602-2
ir1
~
~
.. ..
~3
с
j

482
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр.•
Рс11 rnax' мВт UЗl!uтct Uси max'
UЗI! ma~'
1
lи
lc н"ч'
прибора
Структура
1
·с
p~IJ т m.ax' Вт u;~J nuμ'
u;c m.ax'
8
1~.11'
(~,,мА
8
8
1
мА
i
i
1
•
1
1
i
1
1
30602Б-5
С n-каналом
-60 ...+85
1
30602Д-5
-60 ...+85
30603А-2
С n-каналом
-60 ...+125
2,5*
-
-
3.5
-
400; 5*
30603Б-2
С n-каналом
-60 ...+125
2,5*
-
-
3,5
-
400; 5*
i
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
30603Al-2
С n-каналом
-60 ...+125
2,5*
-
-
3.5
-
400; 5*
30603Бl-2
С n-каналом
-60 ...+125
2,5*
-
-
3,5
-
400; 5*
1
1
1
li
;
1
1
1
1
1
1
ri
1
1
1
1
30603А-5
С n-каналом
-60 ...+125
2,5*
-
-
3,5
-
400; 5*
30603Б-5
С n-каналом
-60 ...+125
2,5*
-
-
3,5
-
400; 5*
1
1
1
i
1
j 30604A-2
1
1
1
1
С n-каналом
-60 ...+125
900
-
7
-3
1
-
-
1
i
130604Б-2 '
'
1-60 .. . +125
i
: С n-каналом
900
-
7
-3
i-
-
1
!
1
1
306048-2
1
С n-каналом
- 60. "+125
500
-
7
-3
-
-
1
30604Г-2
С n-каналом
-60 ...+125
500
-
7
-3
-
-
30604Al-2
1
С n-каналом
- 60."+100
900
-
7
-3
-
-
30604Бl-2
С n-каналом
- 60."+100
900
-
7
-3
-
-
i
3060481-2 i С n-каналом
- 60".+100
500
-
7
-3
-
-
1,
i
1
!130604Гl-2 1 С n-каналом
1 -60 ."+100
500
i-
7
-3
-
-
'
1
11
1
1
1
'
1
1
i
30604А-5 1 С n-каналом 1-60" .+100 1 900
!
-
7
-3
i-
1
-
1
1
30604Б-5
С n-каналом
-60 ...+100
900
-
7
-3
-
-
306048-5
С n-каналом
- 60."+100
500
-
7
-3
-
-
30604Г-5
С n-каналом
-60 ...+100
500
-
7
-3
-
-
1
1
!
!

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
1
'1
20...100 (2 В)
1·1
40... 160 (2 В)
1
11
~11
!i
~<::5013В:0.4А)
1
1 <80(3К0.4А)
1
1
<::50 (3 В: 0,4 А)
<::80 (3 В; 0.4 А)
1
~
1.
fl <::50 (3 В; 0.4 А)
,,
~
~
~ <::80(3В;0.4А)
~
20...40 (3 В; О, 1 А)
15...40 (3 В; 0,1 А)
10...20 (3 В; 50 мА)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10...20 (3 В: 50мА) 1
20...40 (3 В: О,1А)
15".40 (3 В; 0.1 А)
10."20 (3 В; 50 мА)
10".20 (3 В; 50 мА)
20."40 (3 В;О,1А) !
i15".40 (3 В; 0.1 А) 1
10".20 (3 В; 50 мА) !
10".20 (3 В; 50мА) 1
з1·
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Rc11 .", Ом
к:.Р• дБ
Р:=~, Вт
лu;;,·, мв
$4
<::3* ( 12 ГГц)
<::О,5н (12 ГГц)
$4; <::3*; <::1 **
$4
>3* (12 ГГц)
-
<::0,5*• ( 12 ГГц)
$4; <::3*; <::1 ••
$4
<::3• (12 ГГц)
<::0,5** (12 ГГц)
$4; <::3*; <::1**
<::3* ( 17,4 ГГц)
<::0,2** (17,4 ГГц)
<::3 (17,4 ГГц)
<::0,125** (17,4 ГГц)
<::3* (17,4 ГГц)
1 <::0.075** ( 17,4 ГГц)
<::3* ( 17,4 ГГц)
1 <::О,005**(17,4ГГц)
1
<::3* (17,4 ГГц)
<::0.2** (17,4 ГГц)
<::3 ( 17,4 ГГц)
<::0,125** (17,4 ГГц)
<::3* (17,4 ГГц)
<::0,075** ( 17,4 ГГц)
<::3* (17,4 ГГц)
<::0,005** ( 17,4 ГГц)
<::3* (17,4 ГГц)
<::0.2** (17,4 ГГц)
<::3 ( 17,4 ГГц)
' < ::0,125** (17,4 ГГц)
<::3* ( 17,4 ГГц)
<::0,075** (17.4 ГГц)
<::3* ( 17.4 ГГц)
<::0,005** (17,4 ГГц)
1
Кш, дБ
Uw*, мкВ
Е:·, нВ/../fЦ
а·", Кл
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
t."·' . нс
1
t,"~'. нс 1
~~·.МГц
1 ЛU311 /лт"·,
1 мкВ/"С j
1
!
!
1
1
0,24
0,24
0,24
1
1
1
1
0.24
1
0,24
0,24
-
-
-
1
-
1
-
1
-
-
-
1
-
1
1
-
-
-
483
Корпус
30602-5
0,45
О,1
н:ЕJТ
30603-2
9
Наркиро/Jка
' l,11
30603-1 -2
Маркиро8ка
!
1"0~6
li~
3ат6ор
... ,
1
....-
.,.,
-;- - IГI []1
'
р
~·
сток l"
'
'
r--- ""
~-
Исток
2Г
1f.6~
~
30603-5
1
0,45
'1
О,1
1·
нВТ 11
30604-2
1!No~9.S
1
30604-1 -2
~t~.NoIm9,S
с керамическим колпачком
30604-5
1
1
~rег
i
1
1

484
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр. 1 Рснm"• мВт UЗИотс' Ucиmax' Uзиmах•
lc,
lcи,,qt
прибора
Структура
·с
p~~t т max' Вт u~nop' u~max'
в
1~.и•
I~ск·т• мА
в
в
мА
1
30605А-2
Сп-каналом
-60 ...+85
450
~5.5
6,8
-
-
~150 (3 В)
!
1
30605А-5
Сп-каналом
-60 ...+85
450
~5.5
6,8
-
-
~150 (3 В)
1
30606А-2 С барьером lllотки, -60 . . . +125
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
30606Б-2
с п-каналом
306068-2
-60 .. . +125
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
-60 ...+125
2*
-
8
- 3,5
-
160; 5*
1
1
1
!
1
30606Б-5 С барьером lllотки, -60 .. . +125
2*
-
8
-3 .5
-
1
160: 5*
306068-5
с п-каналом
1
-60 .. . +125
2*
-
8
-3,5
1
-
160; 5*
30607А-2
Сп-каналом
-60 .. . +125
3,5*
-
8
- 3,5
1
-
:S:l60: 5•
!
!
1
1
i
30608А-2
Сп-каналом
-60 ...+125
3,5*
-
-
-3
-
30608Б-2
-60 ...+125
3,5*
-
-
-3
-
306088-2
-60 ...+125
3,5*
-
-
-3
-
30608Г-2
-60 ...+125
3,5*
-3
1
-
-
-
1
1
1
1
i
i
1
!
1
1
1
!
1
1
1
1
!
1
1
1
30608А-5
Сп-каналом
-60 .. . +125
3,5*
-
-
-
-
30608Д-5
-60 .. . +125
3,5*
-
-
-
-
30608Е-5
-60 ...+125
3,5*
-
-
-
-

Полевые транзисторы специального назначения
485
Rснот•' Ом
Кш, дБ
t.к..n, нс
cllи' с;2м'
к;!'' дБ
Uш-, мкВ
t:wut НС
S, мА/В
с;;м• пФ
Р•w•• Вт
Е:·, нВ/..jfii.
~·,МГц
Корпус
1
лu;;,·, мВ
Q···, Кл
ЛU311 /ЛТ".,
1
мкв/•с 1
~30(4В;30мА)
!
1
:s:3.5 (8 ГГц)
1 :s:3.5 (8 ГГц) 1
1
30605А-2
-
-
1
!
i ~8* (8 ГГц)
1
1
1
1
1
1
1
//,J
1
1
~О.1 ** (8 ГГц)
~·1i::1~t
~~
tч'
"
и
~30(4В;30мА)
-
:s:3,5 (8 ГГц)
:s:3,5 (8 ГГц)
-
30605А-5
1
1
~8* (8 ГГц)
1
'
1
0,45
~О.1 •* (8 ГГц)
1
0,17
1
нfJT
1
1
1
1
1
1
~70 (3 В; 0.25 А)
3(5В)
~4* (12 ГГц)
-
1
tб=IOO
30606-2
~0.4** (12 ГГц)
~90 (3 В; 0.25 А)
3(5В)
~6* (12 ГГц)
-
tб=IOO
~0.4** (12 ГГц)
~i~.No~
~100 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~5* (12 ГГц)
-
tб=IOO
~О. 75** ( 12 ГГц)
1
1
9,5
i
1
1
1
1
1
!
1
~90(3В;0.25А) 1
3(5В)
~6* (12 ГГц)
-
tб=IOO
1
30606-5
<1>,4** (12 ГГц)
i
~100 (3 В; 0,25 А)
3(5В)
~5* (12 ГГц)
-
tб=IOO
~шт
~0.75** (12 ГГц)
~80 (3 В)
-
~1 ** (10 ГГц); ~4.5*
-
-
30607А-2
1
1
~J====з /,) ~f
1
1
1
1
+ 9=:1·
1
1
:i. ~
!
1
1
42
11.s
~15(3В;50мА)
-
-
-
30608-2
~15(3В;50мА)
-
-
-
~
~15(3В;50мА)
-
-
-
.!l
~15(3В;50мА)
-
-
-
'
~~~,~
i
1
1
t'S
:t
~
WJ'i "' ~
:
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
~15(3В;50мА)
-
~4* (37 Гц)
-
-
1
30608-5
~О.03** (37 ГГц)
1
0,52
0,15
~15(3В;50мА)
-
~3.5* (37 ГГц)
-
-
~шт
~О.15** (37 ГГц)
~15(3В;50мА)
-
~4* (37 ГГц)
-
-
~О.01 * (37 ГГц)

486
1
Тип
,
прибора
11
11
IJ30910л-2
!309105-2
Структура
1 С барьером Шотки.1
i с п-каналом 1
'
Токр.,
·с
-60 ...+85 1
-60...+85
30910А-5 1 С барьером Шотки.1 -60 . . . +85
309105-5 i с п-каналом 1 -60 . . . +85
.
1
~
1
i
1
i
1
1
1
1
!
!
1
1
30915А-2 С барьером Шотки, -60 . . . +85
309155-2
сп-каналом
-60 ...+85
1
1
,1
~
11
!
,,
,,
!
1
il30925A-2
1 С барьером Шатки, -60 . . . +125
~309255-2 1
с п-каналом
-60 ...+125
309258-2
1
-60 ...+125
30925А-5 1 С барьером Шатки, -60 . . . +125
11
1
с п-каналом
1
.1
1
1
11
1
!
30927А-2
Сп-каналом
-60 ...+125
309275-2
Сп-каналом
-60 ...+125
309278-2
Сп-каналом
-60 ...+125
30927Г-2
Сп-каналом
-60 ...+125
30927Д-2
Сп-каналом
-60 ...+125
1
1
1
1:
1
li3o929A-2
1
Сп-каналом 1 -60 . . . +125 1
1
,,
1
'
1!
1
'
11
1
ij
11
'1
~
Pc1tma>- • мВт
p~llтmd>-' Вт
3*
3*
3*
3*
12*
12*
7*
7•
16•
7*
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
2,5*
14*
UЗltoн•
u;,1 поμ•
8
-
-
1
1
1
-
-
-
-
1
7
7
7
7
7
1
1
-
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
i
UC~t 1nax•
u;Cmd,_t
8
7
7
7
7
7
7
9
9
9
9
-
-
-
-
-
8
Раздел З. Полевые транзисторы
1
i'1
i
1
1
1
1
1
:
1
1
1
1
UЗH111d\.
8
3,5
3,5
3.5
3.5
-5
-5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
-5
1
lc,
1
·~.11•
i1
мА
i
i
i
1
1
-
-
'
:
1
-
1
-
1
-
-
-
-
-
-
-
1
'
i
1
1
-
lc Hd'lt
I~f.Кт• мА
800... 2000
800... 2000
800... 2000
800... 2000
!
1
1
1
;
-
-
1
1
\
1
'
1
i
1
h
1
1800... 3000
1800... 3000
3600... 6000
i s3А
1
';
1
1
1
1
-
-
-
-
-
1
1
i
'
1
j ~3.5 А; 15•
1
1
1
1
1
1
'
~

ы специального назначения
Полевые транзистор
S, мА/В
<:50 (3 В)
<:200 (3 В)
>100 (3 В)
;100 (3 В)
>350 (1,5 В; 0.5 А)
;300 (1.5 В; 0,5 А)
1500(3В;1.8А) 1
1
Rсиотк' Ом
к;Р• дБ
Р.~к' Вт
...
в
ЛU3"•м
>3*; >0.5** (8 ГГц)
<:3*; 2:1 ** (8 ГГц)
1
>3*; >0,5** (8 ГГц)
<:3*; 2:1 •• (8 ГГц)
1
>5** (8 ГГц); >3*
<:3** (8 ГГц); <:3*
>2** (3,7 ...4,2 ГГц)
>2** (4,3 ...4,8 ГГц)
;5** (3,7 . . .4,2 ГГц)
1
>3** (4.2 ГГц)
1
<:7* (4,2 ГГц)
1
Кш, дБ
Uw", мкВ
Е", нВ/.jfЦ
с(", Кл
i
i
tвкл' НС
t:ыкл' НС
(',МГц
ЛUзи/лт·",
мкв;·с
487
Корпус
3П910
i
i
3П910-5
3П915
3П925-2
3П925-5
l~~--~~-сl-~~~~~+:з~::;;:;;:;;-(;;,;:г;;~----:=-~~~~=-~~~~~~3~П:9~2~7~~~--
>3*; >0,5** ( 17,4ГГц)
!;!..
Моркиро/Jка
So... 1so (3 в, о.• AI
, 5 ., ,О,5" 07.4rr,)
_
_
'!!~ ,~ !
50...200 (3 в, 0.4 А)
-
~s•, ,0,6" (17,4ГГ,)
_
1j
~
50 200(3В;0.4А)
-
; 3.; 2:0,7** (17,4ГГц)
-
_
Wj""'" ~
50:::200 (3 В; 0,4А)1
-
;3*; <:0,5** (17,4ГГц)
-
50..200 (3 в, 0.4 А) ,
-
7.5
В~2,7
i
<:1000 (3 В; 4 А)
>4.5*; >4** (8,4 ГГц)
3П929А-2
i

488
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Тuкр. 9 Рс1111ш.' мВт UЗll от~' UCll1щ1).' UЗllmd"'
Ieo
lc на•~'
прибора
Структура
·с
p~llтma"' Вт u;ll nop'
u;CmdAt
8
1~.11•
I~ост, мА
8
8
мА
1
30930А-2
- 60 ... +125
21*
-
8
-5
-
$4,5; $15*
309306-2 1
- 60 ... +125
21*
-
8
-5
-
$4,5; $15*
309308-2
!
- 60 ... +125
21*
-
8
-5
-
$4,5; $15*
1
1
Параметры кремниевых полевых транзисторов
2Е701А
БТИЗ с n-каналом -60 ... +125
2.. .4*
Uкэ=500 Uзэ=20
lк=25 А
2Е701Б
:60... +125
2.. .4*
Uкэ=700 Uзэ=20
lк=25 А
2Е7018
- 60". +125
2".4*
Uкэ=500 Uзэ=20
lк=25 А
2Е701Г
- 60". +125
2".4*
Uкэ=700 Uзэ=20
lк=25 А
1
!
~
1
1
1
1
1
1
!
1
2П101А
р-канал
- 60". +125
50
5
10
10
-
0,3" .1
2П101Б
р-канал
- 60". +125
50
5
10
10
-
0.7".2.2
2П1018
р-канал
- 60. "+125
50
8
10
10
-
0.5" .5
1
2П103А
р-канал
- 60". +85
120
0,5".2,2
10; 15*
10
-
0,55".1.2
2П103Б
р-канал
- 60". +85
120
0,8" .3
10; 15*
10
-
1".2.1
2П1038
р-канал
-60 ... +85
120
1,4".4
10; 15*
10
-
1.7".3,8
2П103Г
р-канал
- 60".+85
1
120
2". 6
10; 17*
10
-
3". 6.6
2П103Д
р-канал
-60 ... +85
120
2,8" .7
10; 17*
10
-
5,4 ... 12
2П103АР
р-канал
-60...+85
120
0,5". 2,2
10
10
-
0.55 ".1,2
2П103БР
1
р-канал
- 60. "+85
120
0,8".3
10
10
-
1".2,1
2П1038Р
р-канал
- 60".+85
120
1.4".4
10
10
-
1,7".3.8
2П103ГР
р-канал
- 60". +85
120
2". 6
10
10
-
3". 6.6
2П103ДР
1
р-канал
- 60. "+85
120
2,8".7
10
10
-
5,4" .12
1
1
1
1
'
1
1
1
!
i
!
1
20201А-1
р-канал
- 60". +85
60
0,4".1,4
1
10
15
-
0.3".0.65
202016-1
р-канал
- 60". +85
60
0,5".2 .2
10
15
-
0,55 ... 1.2
202018-1
р-канал
-60...+85
60
0,8 ...3
10
15
-
1".2,1
20201Г-1
р-канал
- 60". +85
60
1.4 .. .4
10
15
-
1.7 ...3.8
20201Д-1
р-канал
-60...+85
60
2... 6
10
15
-
3...6
20201Е-1
р-канал
-60 ... +85
60
2... 6
10
15
-
2.1
20201Ж-1
р-канал
-60...+85
60
2... 6
10
15
-
3.8

Полевые транзисторы специального назначения
489
R 010," Ом
Кш.дБ
1
tвклt НС
1
cllн' с~2н 1
к;!" дБ
Uш-, мкВ 1 t:ыкл• НС
S, мА/В
с;;•• пФ
Рвы'' Вт
Е:·, нВ/JfЦ ~;",МГц
Корпус
лu;,~·. мВ
Q.". Кл
лu3'1 /лт·".
мкв/·с
1
~1000(3В:4А)
-
~5** (5,7 ...6,3 ГГц)
-
-
30930
~1000(3В;4А)
-
~7.5** (5,7 . . . 6,3 ГГц)
-
-
~1000(3В;4А)
-
~10** (5,7 .. . 6,3 ГГц)
-
-
iи
1
1
1
]t
L....Т--1
"'1".
.....
зie:i
·+-
с
.....
"'1".
~
а
с-..
5,75
,
~
!i,5
1
~
25.5
-
-
J
·..
Параметры кремниевых полевых транзисторов
~12000 (5 В; 10 А)
:51700 (30 В)
0,25
:5250
2Е701
~12000 (5 В; 10 А)
:51700 (30 В)
0,25
:5250
~12000 (5 В; 10 А)
:51700 (30 В)
0,25
:5250
~~-
~12000 (5 В; 10 А)
:51700 (30 В)
0,25
:5250
ко
--
3
°'1
э~- li"
...
!.
1
1
'"'-1
1
1
11
~ i='"
1
. f,+
-
21,2
-
-
0,3
12; 2,7*
-
:55 (1 кГц)
-
2П101
0,3
12; 2,9*
-
:55 (1 кГц)
-
0,5
12; 3*
-
:510 ( 1 кГц)
-
tJl/,75
~fi сф
.....
r-- .
~
и
0,7 ...2.1
17
-
4
3**
2П103
0.8 ...2,6
17
-
4
3**
1,4 ...5.5
17
-
4
3**
rJ5,8
1.8 ...5,8
17
-
4
3**
;~Ф·
2.. .4,4
17
-
4
3**
1
-
и
!
0.7 ...2.1
17
-
4
250***
2П103Р
0,8 ...2.6
17
-
4
250***
1,4 ...3,5
17
-
4
300***
rJS,8
1,8 ...3.8
17
-
4
300***
~РfФ·
2.. .4,4
17
-
4
300***
~
и
0,4 ... 1,8
17; 8*
-
:53 (1 кГц)
-
20201-1
0.7 ...2,1
17; 8*
-
:53 (1кГц)
-
0.8 ...2.6
17; 8*
-
:53 (1кГц)
-
~~=
1,4 ...3,5
17; 8*
-
1
:53 (1кГц)
-
1.8 ...3.8
17; 8*
-
:53 (1 кГц)
-
1... 2 .6
17; 8*
-
:53 (1 кГц)
-
~'
1,4 ...3,5
17; 8*
-
:53 (1кГц)
-
=3
1
1
и
1

490
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
1
Токр., PO!ma>.' мВ т Uзи он' Uсн max'
UЗJ! rna"'
Ieo
IСнач t
Структура
u;ll nop'
u·
(1"
прибора
·с
p~llтm<1x' Вт
3С m.illX t
8
1
1~ ост, мА
1
8
8
1
мА
1
i
i
1
!
1
20202Д-1
n-канал
1 -60 ... +125
60
-
15
20
-
1,5
20202Е-1
n-канал
-60 ...+125
60
-
15
20
-
3
!
1
20301А
1
р-канал
-60 ...+85
1
200
1
2,7 ... 5,4*
20
30
1
15
1
:>0.5 мкА
20301Б
р-канал
1
-60 ...+85
200
2,7 ...5,4*
20
30
1
15
:>0.5 мкА
f203018
р·канал
1
-60 ...+85 1
200
<::2,7*
20
30
15
1
:>0,5 мкА
1
1
20301А-1
р-канал
-60 ...+85
200
2,7 ... 5,4*
20
30
15
:>0,5 мкА
20301Б-1
р-канал
-60 ...+85
200
2,7 ... 5,4*
20
30
15
:>0,5 мкА
203018-1
р-канал
-60 ...+85
200
2,7*
20
30
15
:>0.5 мкА
1
!1
"
1
:1
i
,,
1
i
11
i
!
~
1
!
1
1
1
120301л-s 1
р-канал
-60 ...+85
200
2,7 ... 5,4*
20
30
15
1
:>0,5 мкА
20302А
1
n-канал
- 60 ... +125
300
:>5
20
10
24
3...24
20302Б
n-канал
-60 ...+125
300
$7
20
10
43
18 .. .43
203028
n-канал
- 60 ... +125
300
:>10
20
12
-
33 ... 66
1
1
1
1
1
1
!
20302А-1
n-канал
-60 ...+125
300
:>5
20
10
24
3...24
20302Б-1
n-канал
-60 ...+125
300
:>7
20
10
43
18 .. .43
203028-1
n-канал
-60 ...+125
300
:>10
20
12
-
33 ... 66
1
1
,,
1
,.
i
1
1
i!
!
1
1
!
~20303А 1
•
1
1
n-канал
1-60 .. . +1251
200
0,5 ... 3
25: 30*
30
20
0.5 ...2.5
20303Б
1
n-канал
-60 ...+125
200
0,5...3
25; 30*
30
20
0.5 ...2.5
203038
n·канал
- 60 ... +125
200
1.. .4
25; 30*
30
20
1.5 ...5
20303Г
n-канал
-60 ...+125
200
:>8
25; 30*
30
20
3...12
20303Д
n-канал
-60 ...+125
200
$8
25; 30*
30
20
3...9
20303Е
n-канал
-60 ...+125
200
:>8
25: 30*
30
20
5...20
20303И
n-канал
-60 ...+125
200
1... 3
25; 30*
30
20
1,5 ...5
'
!
'

Полевые транзисторы специального назначения
1
~
S, мА/В
0.65
1
i
!
1
1".2,6
i
1... 2 ,6
~ ~! (15В;5мА) ~
il
'~
!1
11
1".2,6
1".2,6
~1
5".12
7".14
5. "12
7".14
1. "4
1" .4
2". 5
3." 7
~2.6
~4
2". 6
!
1
1
1
6
6
$3,5
$3,5
$3,5
s3,5
$3,5
$3,5
$3,5
20**
20**
20**
20**
20**
20**
$6
s6
$6
s6
$6
$6
$6
1
Rс11от.• Ом
к;". дБ
Рв••~' Вт
лu;;1 ", мВ
$150
$150
$150
$150
$150
$150
-
-
-
-
-
-
-
1
1
Кш, дБ
Uш*, мкВ
Е:·. нВ/../fЦ
Q···, Кл
s5 (100 МГц)
$5 (100 МГц)
s5 (100 МГц)
s2,75 (1 кГц)
s2,75(1 кГц)
52,75 (1 кГц)
s2,75 ( 1 кГц)
s2,75(1 кГц)
s2,75 ( 1 кГц)
30** (20 Гц)
20** (1 кГц)
20** (1 кГц)
$(6·10·17)***
54 (100 МГц)
54 (100 МГц)
54 (100 МГц)
1
$4; $5*
s4; s5*
$4; $5*
$4; $5*
$4; $5*
$4; $5*
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
491
Корпус
2П202-1
2П301
..,~rJ5.8 с
:
з$кщп
..,
о
и
2П301-5
l.t')
":>"
-
3
2ПЗОЗА
~rj с
.,,.
нфз
......
~-
Корп.
!I11
11
11
i
1.
11
11
1
i
'1
!1
il

492
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр.о Рш m•" мВт Uзиотс• Ucиma11:• UЗИmах•
•с• 1
lснач•
прибора
Структура
·с
P~~t т ma),,' Вт u;и лоμ• u;Cmax•
в
l~и•
1~..,,, мА
в
в
мА
2ПЗО4А
С изолированным -60 .. . +125
200
~5*
25; 30•
30
30
:50,2 мкА
затвором и каналом
р-типа
2ПЗО5А
-60...+125
150
1
~6
1
15; ±30*
±30
15
1
1* мкА
п-канал
2ПЗО5Б
п-канал
-60...+125
150
~6
15; ±30*
±30
15
1
1• мкА
2ПЗО58
п-канал
-60 ...+125
150
~6
15; ±30*
±30
15
1* мкА
2ПЗО5Г
п-канал
-60 ...+125
150
~6
15; ±30*
±30
15
1* мкА
2ПЗО5А-2
п-канал
-60 ...+85
80
~6
15; ±30*
±30
15
1* мкА
2ПЗО5Б-2
п-канал
-60 ...+85
80
~6
15; ±30*
±30
15
1* мкА
2ПЗО5В-2
п-канал
-60...+85
80
~6
15: ±30*
±30
15
1
1* мкА
2ПЗО5Г-2
п-канал
-60 ...+85
80
~6
15: ±30*
±30
15
1
1* мкА
1
1
1
!
1
1
2ПЗО6А
п-канал
-60...+125
150
0,8...4
20
20
20
:55* мкА
2ПЗ06Б
п-канал
-60...+125
150
0,2 .. .4
20
20
20
:55* мкА
2ПЗО6В
п-канал
-60...+125
150
1,3 ...6
20
20
20
:55* мкА
2ПЗО6Г
п-канал
-60...+125
150
0,8 .. .4
20
20
20
:55* мкА
2ПЗО6Д
п-канал
-60...+125
150
0,2 .. .4
20
20
20
:55* мкА
2ПЗО6Е
п-канал
-60...+125
150
1,3 ...6
20
20
20
:55* мкА
1
2ПЗО7А
п-канал
-60...+125
250
0,5 ...3
25; 30*
30
30
3...9
'
2ПЗО7Б
п-канал
-60 ...+125
250
1... 5
25; 30*
30
30
5... 15
2ПЗО78
п-канал
-60 ...+125
250
1... 5
25; 30*
30
30
5... 15
2ПЗО7Г
п-канал
-60 ...+125
250
1,5...6
25; 30*
30
30
8...24
2ПЗО7Д
п-канал
-60 ...+125
250
1,5...6
25; 30*
30
30
8...24
2П308А
п-канал
-60 ...+125
60
0,2... 1,2
25
30
20
0,4 ... 1
2П308Б
п-канал
-60 ...+125
60
0,3 ... 1,8
25
30
20
0,8...1.6
2ПЗО8В
п-канал
-60 ...+125
60
0,4 ...2,4
1
25
30
20
1,4 ... 3
2П308Г
1
-60 ...+125
60
1... 6
25
30
20
1
п-канал
1
-
2ПЗО8Д
п-канал
1-60...+125
60
1... 3
1
25
30
20
1
-
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2ПЗО8А-1
п-канал
-60 ...+85
60
0,2...1.2
25
30
20
0,4 ... 1
2ПЗО8Б-1
п-канал
-60 ...+85
60
0,3 ... 1,8
25
30
20
0,8...1.6
2ПЗО88-1
п-канал
-60 ...+85
60
0,4 ... 2,4
25
30
20
1,4 ...3
2П308Г-1
п-канал
-60 ...+85
60
1... 6
25
30
20
-
2ПЗО8Д-1
п-канал
-60 ...+85
60
1... 3
25
30
20
-

полевые транзисторы специального назначения
493
Rсиот.• Ом
Кш, дБ
tвlUI' НС
С11.• С~2м•
к:., дБ
Uш*, мкВ
t:WКJI, НС
S,мА/В
с;;.. пФ
Р:~•• Вт
Е:·, нВ/ .JГu. ~·,МГц
Корпус
лu;;.·, мв
Q***, Кл
ЛU311 /лт···.
мкВ/*С
~4(10В;10мА)
:59; :56**
:5100
-
-
2П304
1
1
1
инс
.. ,-
ифк/1/Nl
~
3
6...10 (10В; 5 мА)
:55
~13 (250 МГц)
:56,5 (250 МГц)
-
2П305
6...10 (10В; 5мА)
:55
~13 (250 МГц)
-
-
6...10 (10В: 5мА) 1
:55
~13 (250 МГц)
:56,5 (250 МГц)
-
1
tJ5,8//
6...10 (10В; 5мА)
:55
~13 (250 МГц)
-
-
и
1
1
~ti
1
1
зфПодА.корп.
.. ..
А
......
с
6...10 (10 В; 5 мА)
6,8
12*
:56 (250 МГц)
-
2П305-2
6...10 (10 В; 5 мА)
6,8
12*
:56 (250 МГц)
-
6".10 (10 В: 5 мА)
6,8
12*
:56 (250 МГц)
-
{~
6...10(10В;5мА)
6,8
12*
:56 (250 МГц)
-
~
3...8 (15 В; 5 мА)
5
10*
:56 (200 МГц)
-
2П306
3...8 (15 В: 5 мА1
5
10*
:56 (200 МГц)
-
~~
3...8 (15 В; 5 мА
5
10*
:56 (200 МГц)
-
3...8 (15 В: 5 мА)
5
10*
:58 (200 МГц)
-
3,
3...8 (15 В; 5 мА)
5
10*
:58 (200 МГц)
-
1<)'
з,ф~ал.
3...8 (15 В: 5 мА)
5
10*
:58 (200 МГц)
-
.....
--..
"'"'' ~
.. ..
--
с
1
4...9
5
-
:56 (О,4 ГГц)
-
1
2П307
;
:520** (1 кГц)
1
~5/И
5... 10
5
-
:52,5** (1 кГц)
-
5...10
5
-
:56 (0,4 ГГц)
-
iiнФа
6...12
5
-
:52,5** (1 кГц)
-
6...12
5
-
:56 (0,4 ГГц)
-
Корп.
1.. .4
6
-
20**
-
2П308
1.. .4
6
-
20**
-
2...5
6
-
20**
-
tlS,IJll
-
6
:5250
-
:520
~нфз
-
6
:5500
-
:520
lliJiJn.
1." 4
6
-
20**
-
2П308-1
1" .4
6
-
20**
-
2...5
6
-
-
-
Jt~'
-
6
:5250
-
:520
L_
с
-
6
:5500
-
:520
н
f12

494
11
11
1
'1
1
Тип
прибора
2П308А-9
2П308Б-9
2П308В-9
2П308f-9
2П308Д-9
2П308Е-9
2П310А
2П310Б
2П312А
2ПЗ12Б
2П312А-5
2П312Б-5
2П313А
2П313Б
2П313В
2П322А
2ПЗЗЗА
2П333Б
2П3338
2пзззr
~2П334А
!\2П334Б
:;
,.
!~
'
1
1
1
Ре""'"' мВт j
! Структура
Токр.•
!
1
·с
1р'
в1
f
Cllт1n.н.• Т
1
i
1
1
1
!
1
n-канал
-60 ...+100
80
n-канал
-60 ...+100
80
n-канал
- 6 0".+100
80
- 60".+100
n-канал
80
1
n-канал
- 6 0."+100
80
n-канал
- 60".+100
80
С изолированным -60 ". +1251
80
затвором и каналом -60 .. . +125
80
n-тиnа
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
n-канал
1-60...+1251
100
n-канал
1 -60 ."+125
100
'
1
1
n-канал
1-60 . "+125
50
n-канал
- 60".+125
50
1
1
1
1
1
1
1
n-канал
- 6 0".+85
120
n-канал
- 60".+85
120
n-канал
-60."+85 1
120
С двумя затворами. -45 ". +85
,
с р-n-nереходом
200
1 и n-каналом
n-канал
n-канал
n-канал
n-канал
С р-n-nереходом,
с n-каналом
- 60".+125 1
- 60".+125
- 60".+125
- 60".+125
1
-6 0 " .+1251
- 60".+125
i
1
!
i
250
250
250
250
200
200
1
UЗlloн' 1
u;llnщ1• 1
1
в
i
0,2".1,2 1
0,3...1.8
0,4". 2 .4
1". 6
1".3
1
0.2."6
1
2".8
0.8."6
2... 8
0,8".6
1
~6
~6
~6
1... 8
1
0,6.. .4
1... 8
0,6".4
0,3 ...2
2".8
Раздел 3. Полевые транзисторы
UCllm.н.•
u;Cmd:\ 1
в
25
25
25
25
25
25
8; 10*
8; 10*
20
20
20; 25*
20; 25*
15
15
15
20
50
40
50
40
1
!
1
1
1
1
1
1
i.
1
!
1
1
1
25; 30* 1
25; 30* !
1
1
i
UЗlfrn4\t
в
30
30
30
30
30
30
10
10
25
25
25
25
10
10
10
25
45
35
45
35
30
30
!
1
1
1
1
1
lc,
1~.11•
мА
20
20
20
20
20
20
20
20
25
25
25
25
15
15
15
10
10
10
10
1
i
1
1
1
1
~
i
1
!
1
i
1
1
1
1
lc на••'
1~~', мА
0,4 ... 1
1.4".3
1.4 ...3
-
-
6
0.35. "5
0.35. "5
8. "25
1,5 ... 7
8...25
1.5 ...7
-
-
-
5.. .42
:51 мкА
:51 мкА
:51 мкА
:51 мкА
~1,
'1
!·
ii
1'
1!
'
i
~

Полевые транзисторы специального назначения
495
1
1
tвклt НС
1
Rotoт.• Ом
Кш, дБ
i С1111• С~211•
к;_.,, дБ
Uw*, мкВ
t:ыкл• НС
1
S, мА/В
! с;;и, пФ
рвы"' Вт
Е:·, нВ/JfЦ 1 (,Мfц
Корпус
!
j
i лu;~·. мв
Q***, Кл
1 ЛU 311 /лт···, 1
1
1
1
! мкВ/"С 1
~ 1...4
1
6
i
-
20*•
i
-
1
2ПЗО8-9
1
1
i
1.. .4
1
6
-
20*•
-
3
i
2...5
1
6
-
20**
-
~
-
6
:5250
-
:520
~чv -
~~~
-
6
:5500
-
:520
u-
~1
6
-
-
-
О,!15 D,95
1
г4" r+tc
1
~ ~111 11
1
1
1
1
1
1
1~з
1
1
11О,Фб
1
1
1
3...6
1
:52,5
~5* (1 ГГц)
:56 (1 ГГц) i
-
2ПЗ10
3...6
:52,5
~5* (1 ГГц)
:57 (1 ГГц) 1
-
~tiнф,11оtИ.
4...5,8
4
~2*
:54 (0,4 ГГц)
-
2ПЗ12
2...5
4
~2*
:56 (О,4 ГГц)
-
~~ 10.
1
~ ~98
n
'
i
1
'
1
~
1
1
i
1
1
1
~4
:54
~2* (400 МГц)
:54 (400 МГц)
1
-
2ПЗ12А-5
~2
:54
~2* (400 МГц)
:56 (400 МГц)
-
1
нВТ
1
1
5... 10
1
:56,8; 0,8*
1
300**
2ПЗ13
1
-
-
1
5... 10
1
:56,8; 0,8*
1
-
-
300**
:tbl
J
1
5... 10
1
:56,8; 0,8*
-
-
1
300**
v
1
!1
1
1
1
1
1
1
зис
i
4 ...6,3
:56; :50,2*
-
:56 (250 МГц)
1
-
2ПЗ22
та,
1
~•
1
1
~
32
и
~ 4...5.8 110 В) i :56 (10В)
-
20** 175 Гц) 1 200**
2ПЗЗЗ, 2ПЗЗ4
1
1
2...5
1
:56(10В) i
-
i 20** (75 Гц) i 200•*
4 ... 5.8
'
:56 (10 В)
1
-
:514•* (1 кГц) ! 200*•
1
'
:56 (10 В)
:514** ( 1 кГц)
200**
~5,84
~пззз
2...5
-
11
3
~
4...16,5 (10 В)
:56 (10 В)
-
:520** ( 1 кГц)
-
1
с 2ПЗЗ4
6 ... 21 (IOB)
:56 (10 В)
:55,5**(200 МГц)
...,
и
3
-
-
!i

496
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Такр.•
Pcllmd~' мВт UЗlloт(' UCHmax'
Uзи пых•
Ic,
lc ш1ч•
прибора
Структура
·с
p~ll т m.н.' Вт u;llnop•
u;Cmaxt
в
1~. ~1'
l~oc', мА
в
в
мА
l12П335А-2 1 С р-n-nереходом,
-60 ...+125
100
2...8
20; 25*
1
25
1
25
!
8...25
1
2П335Б-2 ! с n-каналом
-60 ...+125
100
0,8 ...6
1
20; 25*
25
25
1,5 ...7
1
i
11
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
2ПЗ36А-1
С р-n-nереходом, -60 . . . +125
60
0,4 ...2.5
25
30
-
-
2ПЗ36Б-1
с n-каналом
-60 ...+125
60
1,5 ...6
25
30
-
-
2П337АР
С р-n-nереходом, -60 .. . +125
200
2... 6
25; 30*
20... 87
2П337БР
с n-каналом
-60 ...+125
200
2...6
25; 30*
1
20 ... 87
!
1
1
1
1
1
2П338АР-1 С р-n-nереходом, -60 . . . +125
60
0,2 ...4,5
20
2
с n-каналом
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
l 2П340А-1
1
С р-n-nереходом, -60 . . . +125
60
0,4 ...2,5
25
30
5
-
2П340Б-1
с n-каналом
-60 ...+125
60
1,5 ...6
25
30
5
-
2ПЗ41А
n-канал
-60 ...+125
150
0,4 ...3
15; 15*
10
-
4,5...20
2П341Б
n-канал
-60 ...+125
150
0,4 ...3
15; 15*
10
-
16 ... 30
1
1
1
!
1
1
2ПЗ47А-2 1
с двумя
-60 ...+125
200
-0,1 ... -0,3* 14; 16*
5
-
:<=;5
изолированными
затворами,
с n-каналом
'
2П350А
1
с двумя
-60...+85
200
:<=;6
15
15
1
30
:<=;3.5
2П350Б
и изолированными
-60...+85
200
:<=;6
15
15
30
:<=;3,5
затворами и
1
встроенным
1
n-каналом

Полевые транзисторы специального назначения
497
i
RClloтi..' Ом
Кш, дБ
tlikJlt нс
1
cllиt с~2и'
к:r• дБ
Uш*, мкВ
t:ыi,.,,t НС
S, мА/В
с;;н, пФ
Р:1:", Вт
Е:', нВ/.Jfц ~·.МГц
Корпус
1
лu;~,·. мВ
Q.". Кл
ЛU 311 /лт"·,
1
мкв/·с
1
11
:?:4
:54; :s;1 •
1
:?:1,8*
:54 (400 МГц)
-
2П335-2
11
:?:2
:54
1
:?:1,8*
! :56 (400 МГц)
-
~~ 10и
~
1
1
1
~ Qei
:?:4 (10 В)
6(10В)
-
:520* * (1 кГц)
-
2П336-1
:?:4 (10 В)
6(10В)
-
-
-
JtIВaз
L_
с
н
112
:?:10
:55.5
:5200**•
:51,5* •( 100 кГц)
:5400**•
2П337Р
i
:?:10
:55,5
:5200***
1 :53,5**( 100 кГц)
:5400***
1
ti'
i
11
1
1
1
1
1
1
1
:
ифз
1
ti
Корп.
:?:5
:55
-
:55* *( 1 кГц)
-
2П338Р-1
Jt~з
1
L_
с
н
112
:?:4 (10 В)
6
-
:520** (1кГц)
-
1
2ПЗ40-1
:?:2 (10 В)
1
6
-
:520** (1кГц)
-
JtIВaз
1
~
L_
с
н
112
:?:15 (5 В)
:55
-
:51,2** (100 кГц)
-
2П341А
:?:18 (5 В)
:55
-
1,8 (200 МГц)
-
~ tои
1
~ ~!ББ1
1
~ :?:10 (IO В; 10 мА)
:53.5; :50,04.
:?:12* (0,8 ГГц)
:53,9 (800 МГц)
1
-
2П347А-2
1
~@
~
°'
.
'&
с
31
1
32
1
6... 11
:56
1
:56 (400 МГц)
!
2П350
~
1
-
-
1
6... 11
:56
-
:56 (400 МГц)
-
1
1
~~ з,
lt)
з,фffовл.
.... ...... ..
.....
~
.....
..__
&
32зак9

498
Раздел 3. Полевые транзисторы
11
1
1
1
"
;
~
11
Uзн отс' Uсн m;ix'
lc,
i
,,
Тип
i
Токр.•
Рс11 max' мВт
UЗИm:ix'
1
lc но1<1'
~
11
прибора i· Структура
·с
p~(I т max' Вт u;ll пор' u;Cmax'
в
I~. IP
1~ ос', мА
1
в
в
мА
2Пб01А
n-канал
-6 0 ... +125
2*
4...9
20; 20*
15
-
169 .. .400
2П601Б
n-канал
- 6 0".+125
2*
6... 12
20; 20*
15
-
169 .. .400
1
1
~
1
1
1
ll2П601A9 1 С р-n-nереходом
-6 0 ... +125
1Вт
1 4".12
25
1
25
i 190
1
169 .. .400
~
1
i
i
1
и n-каналом
1
1
1
i
2П609А
n-канал
1-60 .. . +125
1,2*
6" .8
25
25
1
190
100".190
'
i
~
l 2П609Б i
n-канал
-60 ...+125
1,2*
3."6
20
20
190
60". 110
11
1
'
1!
!
1
~
:1
1:
'
1
'
11
i
1
1
1
1
2П609А-5
n-канал
-6 0 ... +125
1,2*
6...8
25
25
190
100... 190
2П609Б-5
n-канал
- 6 0".+125
1,2*
3...6
20
20
190
60... 110
1
1
~
1!
i
i
li2П701A 1
1
1
1
С изолированным -60 ... +1251
40*
-
1
500
25
5... 17 А
30; $35*
1
1\2П701Б 1
затвором,
-6 0 ... +125
40*
-
1
400
25
5... 17 А
30; $35*
1
с n-каналом
1
1
!
!
1
1
2П702А
С изолированным -60 ... +125
50*
-
300; 320*
30
8... 16 А
10
1
затвором,
1
с n-каналом
1
1
1
1
11
1
1
1
1
!1
1
1
1
~
1
i'
1
1
!
1
1
1
2П703А
С изолированным -60". +125
60*
4...9*
-150
30
12...25 А
5; 10*
2П703Б
затвором,
-6 0 ... +125
60*
4. "9*
-100
30
12...25 А
5; 10*
с р-каналом
1
:
1
!1
1
i
1
!
~
'1
1
!
il
1
1
1
"
i
11
'
1

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
50... 87
50... 87
50... 87
1
:s;10; :s;3,2·
~30
~25
~30
~25
800... 2100 (2,5 А) 1
800... 2100 (2,5 А)
1
800... 2100 (2,5 А)
,1
1
!1
1
:s;IO; :s;3,2*
:s;IO; :s;3,2*
$10; $3,2*
:s;lQ; :s;3,2*
$30* ( 10 МГц)
:s;30* (10 МГц)
7*
~800(30В;1А)
$1500; :s;30*
~800(30В; 1А)
$ l 500; :s;30*
!
1
з2·
1
1
i
1
1
Rоtотк' Ом
к:Р• дБ
Р::,, Вт
лu;;,·. мВ
$3,5
$3,5
$1
$1,1
$0,9
Кш, дБ
Uш-, мкВ
Е:", нВ/..jfЦ
Q"•• Кл
$2'* (100 кГц)
:s;2** ( 100 кГц)
5 (400 МГц);
3 (200 МГц)
5 (400 МГц);
1
3 (200 МГц)
5 (400 МГц);
3 (200 МГц)
5 (400 МГц);
3 (200 МГц)
5 (400 МГц);
3 (200 МГц)
1
;
tнклt НС
t;ым• НС
.
~", Мfц
ЛU 3и/лт"",
мкВ/"С
30; 40*
30; 40•
499
Корпус
2П601
2П601А9
2П609
2П609-5
0,77
0,2
1 ~шт
1
2П701
60; 80*
1
2П702А
i
f ~2П703

500
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр.о PCI! m:ix' мВт UЗИон" UСИm;н,1 UЗИm.11>-'
lc,
lc 1-1;~ч'
прибора
Структура
·с
р~11тm;н' Вт U~И noμ'
u;Cm.11лl
8
·~·И'
1~..,.,. мА
8
8
мА
20706А
С изолированным -60 . . . +125
100*
500
30
15А
10; 4* (500 В)
20706Б
затвором,
-60 ...+125
100*
400
30
15А
10; 4* (400 В)
207068
с n-каналом
-60 ...+125
100*
400
30
15А
! 10;4*(400В)
1
1
1
i·
1
1
!
б
11
!
i
!
!
207102А
МОП, с р-каналом -60 .. . + 125
125*
2.. .4*
60
±20
50А
$(),025
1
207102А91 МОП, с р-каналом -60 . . . +125
125*
2.. .4*
60
±20
50А
$0,025
1
1
1
1
1
i
1
1
i
1
11
1
11
1
207118А
МДП,
-60 ...+125
80*
1,5 ...5*
30
-
35 А; 100*А
0.5
207118Б
с n-каналом
-60 ...+125
80*
1,5 ...5*
40
-
35 А; !ОО*А
0,5
2071188
-60 ...+125
80*
1,5...5*
50
-
35 А; IOO*A
0.5
207118Г
-60 ...+125
80*
1,5 ...5*
60
-
30 А; IOO*A
0.5
207118Д
-60 ...+125
60*
l,5 ...5*
100
-
30 А; IOO*A
0,5
207118Е
-60 ...+125
60*
1,5 ...5*
100
-
30 А; IOO*A
0,5
207118Ж
-60 ...+125
80*
1,5 ...5*
150
-
25 А; lOO*A
0.5
207118И
-60 ...+125
80*
1,5 ...5*
150
-
25 А; IOO*A
0.5
207118К 1
-60 ...+125
80*
1,5 ...5*
200
-
20 А; IOO*A
0.5
207118Л
1
-60 ...+125
80*
l,5...5*
200
-
1 20 А; IOO*A
0.5
1
20712А
С изолированным -60 . . . +125
50*
-2 ... -5*
-80
±20
18...27 А
$1
20712Б
затвором,
-60 ...+125
50*
-2 ... -5*
- 100
±20
18...27 А
$1
207128
с р-каналом
-60 ...+125
50*
-2 ... -5*
- 100
±20
18...27 А
$1
20712А-5
С изолированным -60 . . . +125
50*
-2 ... -5*
-80
±20
18...27 А
1
$1
i20712Б-5
затвором.
-60...+125
50*
-2 ... -5*
1
-100
±20 1 18...27 А
$1
207128-5
с р-каналом
-60 ...+125
50*
!-2...-5*
- 100
±20 1 18...27 А 1
$1
~
1
1
'
~
1
1
~
1
!
1
~

полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
~1500 (30 В; 2 А)
~1500 (30 В; 2 А)
~1500 (30 В; 2 А)
~15000 (25 В; 31 А)
~15000 (25 В; 31 А) 1
1
2500;300*
2500; 300*
2500; 300*
1900; 920**
1900: 920*•
~2000 (4 В; 2 А) 1 :'>1800 (25 В);
1
100*
~2000(4В;2А)
~2000 (4 В; 2 А)'
~1800(4В:2А)
:'>1800 (25 В);
100*
:'>1800 (25 В);
100*
:'>1800 (25 В);
100*
:<;1800 (25 В);
100·
:'>1800 (25 В):
100·
Rcиono• Ом
к;!'' дБ
Раых' Вт
лu;~·. мВ
:<;0,8
:<;0,5
:<;0,65
:<;0,028
:<;0,028
0,025
0.035
0,04
0,05
0,075
0,085
0,1
0,12
0,16
0,2
0,25
0,3
0,4
0,25
0,3
0,4
1
1
1
1
Кш, дБ
Uш*, мкВ
Е:·, нВ/$U,
Q···, Кл
1
1
1
1
1
t.к.n• нс 1
t:ы~• НС
~·. Мfц 1
ЛU 3и/лт···,
мкВ/*С
70; 100*
70; 100*
70: 100*
130; 350* 1
130: 350•
130; 350*
130; 350*
130; 350•
130: 350•
Корпус
2П706
2П7102
1/.8
~ 10,65 tJJ,G.
'
"'1 ~v 1,Jl '
-В:
•
1 А.111""1
.t IJt"t' 1
~-~- !
501
~
1
".:~ 3 fИ
~.r с 1,15
lr
1.5
2 5 1.=-,g~~1·-1 - l
!'
2П7102-91
10,28
7,11
г
2П7118
2П712
2П712-5
А а.34
;;IDT

502
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр., Рс11 rш1л' мВт UЗlioн' UCl1 rn;н.' UЗll 111d" - '
lc,
lcНJЧ1
прибора
Структура
·с
Р~11т111d"-' Вт u;ll пov' u;Cin.i"'
в
1~ "'
I~тт, мА ~
в
1
в
мА
i
1
!!
1
'
1!
!
2П7140А
МОП, с n-каналом -60 .. . +125
-
1
-
50
1
-
ЗА
-
1
1
2П7141А
МОП, с р-каналом -60 .. . +125
150*
-
100
-
40А
-
1
2П7142А
МОП, с р-каналом -60 . . . +125
-
-
30
20
4,9 А
-
1
1
1
1
1
2П7143А
МОП, с р-каналом -60 .. . +125
-
-
30
20
10А
1
-
1
1
11
'1
1
'
1
2П7144А
МОП. с р-каналом -60 .. . +125
125*
-
100
20
19А
!
-
1
i
1
~
1
11
11
1
2П7145А i МОП. с n"-каналом -60 .. . +125
190*
-
200
20
30А
-
1
1
!1
i
~
1!2П762А
С изолированным ·1 -60 .. . +125
80*
2... 5*
1
100
1
15
30А;100*А
$2
:1
!12П762В
затвором,
-60 ...+125
80*
2... 5*
100 1
15
30А;100*А
$2
2П762Д
с n-каналом
-60 ...+125
80*
2...5*
150
15
30А;100*А
$2
11
2П762Ж
-60 ...+125
80*
2...5*
150
15
20А;80*А
$2
11
2П762К
-60 ...+125
60*
1,5 ...4*
100
15
15А;40*А
$1
2П762Л
-60 ...+125
60*
1,5 .. .4*
200
15
10А;40*А
$1
2П762М
-60 ...+125
80*
2...5*
60
15
30А;110*А
$2
2П762Н
-60 ...+125
80*
2...5*
200
15
20А;80*А
$2
i
.

полевые транзисторы специального назначения
503
и
!
1
~
Rсиот.• Ом
Кш, дБ
tвкл' НС
1
i
1
cllн' с~2и•
1
к;!' дБ
Uш•, мкВ
t:Wxл' НС
S, мА/В
i
Е:·. нв/.JfЦ (,Мfц
Корпус
i
~
1
~;;•• пФ
Р'"" Вт
лu / лт···
1
лu;:i·. мВ
о···. Кл
1
1
зи
•
1
мкВ/'С
~3800(15В:3А) 1
-
$0,13
-
-
2П7140, 2П7141
~ 70,65 filJ.6[
'1 ,8
t\i,~~v ~.J1 1
11 1#1
!
,.... 1
-
...
~
., ,.
..,,.
-
~10000 (50 В: 21 А)
-
$0,06
-
-
i
i~'!:!:
~~15
...
з
11
1
~,!;" с
.
1,g
1,1
1
2,;
25--
!
1
~7700 (15 В; 4.9 А)
-
$0,058
-
-
2П7142, 2П7143
lf.8
~ 70,65 JilJ.6 .
-
,
(\j i---1:. -
1,.J7
1
.t
r~
!
,.... 1
-
...
1
~
·1
1<)" ..,,.
~5600 (10 В: 5.6 А) 1
.. ..
-
$0,02
-
-
j _..... _.. _
r~15
...
1
!·
1
~з
~
~
1
~-.....
'
1
2,;
25
1,g
1,1
~6200(10 В; 11 А)
-
$0,2
-
-
2П7144
~ 70,65 J,6.
' 1,8
1
(\j ~~ 1,37 1
1
it1~
-е:
1
1
т.... 1
1
1
1
1
1 ~-~-
1
1
i
1
'
1
1
1
....._. _ _._
1
1
1
1
~~ r~15
1
!
1
1~
!
1~
.
1
25 1,g
1,1
2,;
-
~12000 (50 В; 18 А)
-
$0,085
-
-
2П7145
1
27,1 -~
1
i ;;;IJ-, ~,!
1
!
-
~,\V
1
1 ....
1
-
1
!
1
1
----т
1
1
1
1
1
::;3330 (20 В)
1
1
-
$0,085
-
40; 80*
2П762
-
$3330 (20 В)
$0,1
-
40; 80*
-
$3330 (20 В)
::;О,1
-
40: 80*
ttl
-
$3330 (20 В)
$0,2
-
40; 80*
JI
-
$1600 (20 В)
::;О,2
-
30; 60*
~
.
-
$1600 (20 В)
$0,5
-
30; 60*
~
з
-
::;3330 (20 В)
::;О,5
-
40; 80*
-
::;3330 (20 В)
::;О,2
-
40; 80*
22
1
1
1
i
ii

504
Раздел 3. полевые транзисторы
1
'
1
i
1
'
1
Тип
Токр" Рсв111d\' мВт UЗlloн' Ucitiпa'' UЗllnid\'
lc,
•с HdЧt
прибора
Структура
·с
Р~11т~п""'' Вт u;ll no11'
u;Cma''
в
1~.11'
l~ост' мА
в
в
мА
2П762И2
С изолированным -60 ... +125
80*
2...5*
200; 200*
15
20А;80*А
$2
затвором,
с n-каналом
1
1
1
11
1
1
1
1
1!
~
1
1
1
2П762Бl
n-канал
- 60 ... +125
80*
2...5*
100; 100*
15
30А
::;2
2П762П
n-канал
- 60 ... +125
80*
2...5*
100; 100*
15
30А
::;2
2П762Еl
n-канал
- 60 ... +125
80*
2...5*
150; 150*
15
30А
::;2
2П762П-5 С изолированным -60 .. . +125
80*
2...5*
100; 100*
15
30А;100*А
::;2
2П762Еl-5
затвором.
-60...+125
80*
2...5*
150; 150*
15
30А;100*А
::;2
2П762И2-5
1
с n-каналом
- 60 ... +125
80*
2...5*
200; 200*
15
20 А; 80*А
::;2
1
2П771А
МОП, с n-каналом -60 ... +125 1 150*
2...4*
100
±20
40А
-
2П797f
- 60 ... +125
150*
2...4*
100
±20
28А
-
1
1
1
i
1
2П771А91
МОП, с n-каналом -60 ... +125
150*
2...4*
100
±20
40А
-
2П797f91
- 60 ... +125
150*
2 ...4*
100
±20
28А
-
1
1
1
1
1
1
2П802А
n-канал
- 60 ... +125
40*
-25
500
-35
2,5 А
0,5* (400 В)
1
1
1
1
1
1
11
1
!
.,
1
ii
1
1
1
1
1
~=
1
1
1

Полевые транзисторы специального назначения
!1
i
S, мА/В
~14000 (20 А)
~8700 (50 В; 17 А)
~14000 (20 А)
~8700 (50 В; 17 А)
~800
$3330; $650**
$3330 (20 В)
::;3330 (20 В)
::;3330 (20 В)
::;3330; $650* *
$3330; $650**
$3330; $650* *
Rсиотк' Ом
к:Р• дБ
Р::х, Вт
лv;::. мВ
$0,25
s;0,085
s;0,1
s;O,I
$0,2
s;0,2
s;0,5
$0,045
$0,077
$0,045
s;0,077
Кш, дБ
Uw-, мкВ
Е:·. нв/j[Ц
Q.". Кл
t.11кл1 НС
t11ыкл1 НС
~~·.МГц
лu",/лт"·,
мкВ/"С
40; 80*
40; 80*
40; 80*
40; 80*
$80; $30*
40; 80*
40; 80*
40; 80*
505
Корпус
2П762-2
2П762-1
2П762-5
2П771, 2П797
"
1~1
.t
,..,,, 1
~-~- !
°"~ 3~
и
":i...,
с
1,15
2.5_.1-+-~2.~5 1.'-',9_,,~1._1_
2П771-91, 2П797-91
10.28
7.11
г
2П802
~m~ ~.~
27,1 ~'с
~пr .

506
Раздел 3. Полевые транзисторы
Тип
Токр.•
Рс111ш1х' мВт UЗ!loдl UСВ1ш1х' UЗ!ltna>.'
lc,
lсн:.1ч'
прибора
Структура
·с
p~ll т тах1 Вт u;ll noμ'
u;c tnax'
в
(.11 '
I~ост, мА
в
в
мА
2П803А
С изолированным -60 ... +125
60*
-
1000
30
1 2.6...3,5А 1
s7; slO*
2П803Б
затвором.
-6 0 ... +125
60*
-
800
30
1
3...4 А !
s7: slO*
с n-каналом
1
i
2П815А
С изолированным -60 ... +125
125*
2...7*
400
20
20А
2; 5*
2П815Б
затвором,
-6 0 ... +125
125*
2...7*
500
20
20А
2; 5*
2П815В
с n-каналом
-60...+125
125*
2...7*
400
20
15А
2; 5*
2П815Г
-60...+125
125*
2...7*
500
20
15А
2; 5*
i
1
1
1
1
1
2П816А
С изолированным -60 ... +125
125*
5
800
25
i 25А
2; 5*
2П816Б
затвором.
-6 0 ... +125
125*
5
800
25
1
25А
2; 5*
2П816В
с n·каналом
-6 0 ... +125
125*
5
1000
25
25А
1; 5*
2П816Г
-6 0 ... +125
125*
5
1000
25
25А
1; 5*
1
'
2П901А
1
n-канал
-60 ...+125
20*
1
-
70
30
1
4А
200
1
2П901Е
1
n·канал
-60 ...+125
20*
1
-
70
30
1
4А
200
1
;
1
1
1
2П901А-5
n-канал
-60...+125
20*
-
70
30
4А
200
2П901Б-5
n-канал
-60 ...+125
20*
-
70
30
4А
200
1
'
:
'
~
'
1
'
1
1
i
i
1
'
'
i
1
2П902А
1 С изолирован11ым
-60 ...+125
3,5*
-
50
30
1
~00
1
slC: sCf.5*
з-атвором и
1
2П902Б
n·каналом
-60 ...+125
3,5*
-
50
30
200
slO; s0.5•
li 2l1903A
1 С p-n-neμexvдuм 1 -60 ... +125 !
6*
i 5... 12
2G; 2CJ•
1
15
1
700
1 s7u(. ::;".05• il
1
1
1
1i
1
и п-каналом
!
1
'
!
1
il211903Б
1'
J12П903В
1 -60...+125 1
1
1
1-60 ... +125 1
6*
1... 6,5
20: 20*
15
7(JJ
6*
1... 10
20: 20*
15
700
sб.J(,: sv.05*
11
~

Полевые транзисторы специального назначения
1!
v
S, мА/В
z750130В:1А)
z750(30В: 1AI
z4500 (25 В; 2 А)
z4500 (25 В: 2 А)
z4500 (25 В: 2 А)
z4500 (25 В: 2 А)
zlOOOO (25 В: 10А)1
zlOOOO (25 В; 10 А)
zlOOOO (25 В; 10 А)
zlOOOO (25 В; 10 А)
IГ50".160
1!
60".170
1.
li
1
50". 16 0
60 ... 170
10".26
(20 В: 50 мА)
10."26
(20 В: 50 мА)
85".140 (8 В)
50".130 (8 В)
60".140 (8 В)
$3100: $20*
$3100: $20*
$5600 (20 В)
$130*
$440**
$440**
$2600 (20 В)
$150*
$400**
$400**
$100
$100
$100
$100
$11: $0,6*
$11; $0,6*
$18
$18
$18
Rc110", Ом
к:Р• дБ
Р:1:,, Вт
лu;,~·. мВ
$5
$4,5
$0,3
$0,8
$0,5
$1
$1
$1
$1,2
$1,2
zlO**; 7* (100 МГц)
z6,7**; 7* (100 МГц)
zlO**; 7* (100 МГц)
z6,7**: 7* (100 МГц)
z6,6* (250 МГц)
z0,8* (60 МГц)
Кш, дБ
Uw" мкВ
Е:·, нВ/.JfЦ
Q".. Кл
$6 (250 МГц)
$6 (250 МГц)
гО,09** (30 МГц); $1** (100 кГц)
$10; г7,6*
гО,09* (30 МГц); $2,5** (IOO кГц)
$10; г7,6*
гО,09** (30 МГц); $4,6** (100 кГц)
$10; г7,6*
1
1
t,..кк.11, НС 1
t.~ык..1' НС 1
f,;,МГц I
лu,11 /лт·".:
мкВ/"С i
40: 160*
40: 160•
40; 160•
40: 160•
$90: $1 IO•
$90: $1 IO·
$90; $110*
$90; $110*
507
Корпус
2П803
2П815
2П816
2П901
2П901-5
2П902
2П903
:i$

508
Раздел 3. Палевые транзисторы
1
!
1
1
1
'
1
!
1
u311отс' 1
UCHmax'
IC'
Тип
Токр.•
1 Рс11 '""' мВт 1
i
Uзи m•н'"
:
JСн:,;~ч•
Структура
u;и пор' 1 u;Cma"'
1~.-и•
прибора
·с
!р~11тmax1Вт
в
в
в
мА
'
l~oc•, мА
1
i
1
2П903А-5
С р-п-переходом -60 . . . +125 [
6*
5... 12
20; 20*
15
700
s700: s0,05*
и п-каналом
:-60 ...+125I
1
2П903Б-5
6*
1
1... 6 ,5
20; 20*
15
700
s480; s0,05*
1
'
1
1
2П903В-5
-60 ...+125
6*
1
1... 10
20; 20*
15
700
s600; s0,05*
1
2П904А
С изолированным -60 . . . +125
75*
-
70; 90*
1
30
5А
i s350: s200*
2П904Б
затвором и
-60 ...+125
75*
-
70; 90*
1
30
ЗА
1
s350: s200•
1
1
;
!
индуцированным
'
!
п-каналом
1
i
1
!
:
2П905А
С изолированным -60 . . . +125
4*
-
60; 70*
±30
350
20*; 1.
2П905Б
затвором и
-60 ...+125
4*
-
60; 70*
±30
350
20*; 1*
п-каналом
1
2П905А-5
С изолированным 1 -60.
.+125
4*
-
60; 70*
±30
350
i
20*; 1*
затвором и
1
п-каналом
2П907А
С изолирова1mым -60 . . . +125
11,5•
-
60; 70*
±30
2,7 А
slOO: slO*
затвором и
2П907Б
n-каналом
-60 ...+125
11,5*
-
60; 70*
±30
1,7 А
sIOO; slO*
1
1
i
!
1
i
!
1
2П908А
1 С изолированным
-60 ...+1251
3,5*
1
-
40; 50*
1
20
1
280
s25; so.5·
2П908Б
затвором
-60 ...+125
3,5*
-
40; 50*
1
20
200
s25; s0.2•
и индуцированным
п-каналом
2П909А
С изолированным -60 . .. +125
60
-
50; 60*
25
6,5 А
200; 100*
2П909Б
затвором
-60 ...+125
60
-
50; 60•
25
6.5 А
200: 100*
2П909В
и индуцированным 1 -60 . . . +125
40
1
-
50; 60*
25
6.5 А
1
200; 100*
2П909f
п-каналом
1
'
40
1
-
1
50; 60* 1
25
1
6.5 А
1
зо: зо·
!
'
1
1
1
'
1
1
i
i
1
i
'
2П911А
i С изолированным 1 -60 . . . +125
30
1
-
50; 60*
1
25
1
6,5 А
1... 150: 50*
i
2П911Б
1
затвором
1 -60 ...+125
30
-
50;60• 1 25
1
6.5 А
1... 70: зо·
'
1
1
,,
1
1
1
~
и индуцированным
i
1
п-каналом
2П912А
С изолированным -60 . . . +125
40*
-
100; 110*
20
8А
О,! ... 20
2П912Б
затвором, п-канал
-60 ...+125
40*
-
60; 70*
20
12А
0,1 ...20
11
1
1
1
!
1
ii
1

Полевые транзисторы специального назначения
509
1:
Rси."• Ом
Кш, дБ
t..,,, нс
11
cllи1 с~2и'
к;_.. дБ
Uw·, мкВ
t:wк.nt НС
S, мА/В
с;;,, пФ
Рвых' Вт
Е:·, нВ/.,/fЦ ~·.мrц
Корпус
1
лu;~·. мв
Q"•• Кл
ЛU3и/лт·".
мкВ/"С
1
85...140 (8 В)
$18
~О.09** (30 МГц): ::;1 ** (IOO кГц)
-
20903-5
$10: ~7.6*
50...130 (8 В)
$18
~О.09* (30 МГц): ::;2,5** (100 кГц)
-
~rВТ
$10; ~7.6*
60... 140 (8 В)
$18
~О.09** (30 МГц); $4,6** (100 кГц)
-
$10; ~7.6*
250 ... 510
::;ЗОО (30 В)
~50** (60 МГц)
-
-
2П904
250 ... 510
::;300 (30 в)
~30** (60 МГц) ·
-
-
Мf~
~13* (60 МГц)
18 ... 39
::;7 (25 В)
~1** (1 ГГц)
::;6 (1 ГГц)
-
20905
18 ... 39
::;11 (25 В)
~6** (1 ГГц)
$6,5 (1 ГГц)
-
1
tj!~""
'
1
~-
2~sc
18 ... 39
::;7 (25 В)
~1** (1 ГГц)
::;6 (1 ГГц)
-
2090.SA-5
0,47
0,15
~шт
110... 200
$3* (25 В)
~4** (1 ГГц)
-
$2; $2*
2П907
(20 В: 0,5 А)
110... 200
::;3* (25 В)
~3** (1 ГГц)
-
$2; $2*
t
1ij
(20В:0.5А) 1
....
,
"'
1
~
'&.
1
·с
-
~· 12,1
20,5
~24 (20 В: 80 мА) ::;4,5 (25 В); ::;О,6*
~1** (1,76 ГГц)
-
-
20908
~4 (20 В; 80 мА) ::;6,5 (25 В); ::;О,6*
$25
-
-
1tr~...
~-
1
2~sc
1
350 ... 1000
::;225 (5 В)
~50** (0,4 ГГц)
-
4; 4*
2П909, 2П911
350 ... 1000
:::;225 (5 В)
~30** (0,4 ГГц)
-
4: 4*
о
350 ... 1000
::;225 (5 В)
~30** (0,4 ГГц)
-
4; 4*
<")"
А~ 9J
.....
350 ... 1000
$225 (б В)
$1,6
-
4: 4*
15r
~"зс
,
200 ... 600
80 (-5 В)
~10** (1 ГГц)
:!1
.
-
-
.
~'
.
200 ... 600
80 (-5 В)
$3,5
-
3; 5*
А-А
~f
~' -- 21,.Т
800 ... 2200
500 (5 В)
$0,8
-
30; 30*
20912
800 ... 2200
16* (-5 В)
::;О,4
-
30; 30*
-~
1
~
оо
.., .
-
1

510
Раздел 3. Полевые транзисторы
lj
1
1
~
1
UЗlluн' UOl111ax'
Ic,
1
1
Тип
Токр.•
Ре11 nш.' мВт
UЗИmа"'
lc нdч'
Структура
р~И тmа"'' Вт
u·
u;Cm.ix'
1~. 11'
l~оп, мА
прибора
·с
311 nup'
в
в
в
мА
2П913А
С изолированным -60 . .. +125
100*
-
50; 60*
20
14А
:>200*; s300*
2П913Б
затвором, n-канал
-60 . .. +125
100*
-
50; 60*
20
10А
s200*; s300*
1
i
1
2П914А
С р-n-nереходом. -60 . .. +125
2.5*
8... 30
50: во·
-30
100
s250*: so.01 •
n-каналом
112П917А С изолированным -60 . .. +125
30*
-
300: 310*
25
5А
-
2П917Б
затвором. n-канал -60 . . . +125
30*
-
150; 160*
1
25
5А
1
-
11
1
1
1
2П918А
С изолированным -60 . . . +125
45*
-
45; 55*
20
6А
60: 50·
2П918Б
затвором. n-канал
-60 ... +125
45*
-
45; 55*
1
20
4А
60; 50*
1
2П920А
С изолированным -60 . . . +125
130*
-
50; 60*
25
15А
100; 100*
2П920Б
затвором, n-канал
-60 ... +125
130*
-
50; 60*
25
12А
100; 100*
11
1
1
2П922А
С изолированным -60 . . . +125
75*
2... 8*
100
1
±30
10А
2
2П922Б
затвором и
-60 . .. +125
75*
2... 8*
100
±30
10А
2
индуцированным
n-каналом
1
2П922А-5
С изолированным -60 . .. +125
75*
2... 8*
100
±30
10А
2
1
2П922Б-5
затвором и
-60 . .. +125
75*
2... 8*
100
±30
1
10А
2
11
1
индуцированным
1
!
1!
1
n-каналом
1
1
1
1
j!
1
1
1
1
ii
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
1000... 2500
1000... 2500
10...30 (10 В)
200... 1700
200... 1700
550... 700
350... 600
~
1
1000... 2300
1000...2000
1000... 2100 (1 А)
1000... 2100 (1 А)
1
1000... 2100 (1 А)
1000... 2100 (1 А)·
~
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
:S:390 (25 В)
:S:390 (25 В)
:s:IO; :s:2,5*
:S:l30 (-5 В)
:S:l30 (-5 В)
$160**
$7*
:S:2000 (20 В)
:S:2000 (20 В)
:S:2000 (20 В)
:s:2000 (20 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
Rc110"' Ом
к;_.,, дБ
Р,.,, Вт
лu;;,·, мВ
~100** (0,4 ГГц)
~70** (0.4 ГГц),
~4· (0,4 ГГц)
~3* (200 МГц)
~25** (1 ГГц)
~17** (1 ГГц)
~150** (0,4 ГГц)
~120** (0,4 ГГц)
$0,2
$0,4
:s:0,2
$0,4
'
;
Кш, дБ
Uш*, мкВ
Е:-. нВ/.jfЦ
о···, Кл
:s:6 (200 МГц)
-
-
-
-
-
-
!1
1
1
:
;
511
t"" нс
11
t:ыКJ1t НС
(',МГц '
/
•••
1
ЛU311ЛТ,1
мкв/·с 1
1
'
1
1
.. ....
.. ....-
.. ..
Корпус
20913
и
20914А
п
i се:.
! <о::.'
з~с
20917А
-
-
3и
27.f ю;
~~ ·.·
20918
-
-
-
'
;
-
1
20920
-
t' ~э
1
~ ~c~+r
1
1
1
,, гж-- и
.1
21.5
:S:IOO; $100* 1
20922
$100; :s:100· !
i
nt ю;
1
1
--~ ~~
~
~
i ..,
i ....
$100; $100*
20922-5
$100; $100*
0,77
1
0,34
~шт
1
1
i
!
!1
1
i,
1'
~

512
Тип
прибора
l 2П923А
il2П923Б
112П9238
12П923Г
1!
2П926А
l 2П926Б
1
11
[1
:1
:1
1
2П928А
2П928Б
il
11
11
2П933А
2П933Б
1
li
2П934А
12П934Б
1
2П938А
12П938Б
i 2П9388
112П938Г
l12П938Д
!1
,
1
1
!
1
1
1
j
1
1
1
1
Токр.1
Структура
·с
С изолированным -60 ... +125
затвором и
-6 0 ... +125
n-каналом
С р-n-nереходом, -60 ... + 125
n-каналом
-60 ...+125
С изолированным -60 ... +125
затвором и
- 6 0."+125
n-каналом
1
1
С изолированным -60." +125
затвором и каналом -60." +125
n-тиnа
СИТ, n-канал
-6 0 ... +125
-6 0 ... +1251
1
1
1
С р-n-nереходом и -60 ... +125
n-каналом
-6 0 ... +125
1-60 ...+125 1
-6 0 ... +125
-6 0 ... +125
Pci1 mdx' мВт
Р~11т1тм'' Вт
100*
100*
50*
50*
50*
50*
250*
250*
160*
160*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
50*
UЗll оп'
u;ll nop'
в
-15
-15
1
1
r
1
-
-
1
1
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
UСИ maxt
u·ЗС max t
в
50; 60*
50; 60*
50; 60*
50; 60*
450; 475*
400; 420*
50; 60*
55; 65*
45; 55*
45; 55*
450
300
500; 505*
500; 505*
450; 455*
400; 405*
300; 305*
Раздел 3. Полевые транзисторы
Uзи md\'
в
20
20
20
20
-25
-20
25
25
1
20
20
-5
-5
-5
-5
-5
-5
-5
lc,
1~. 11'
мА
12А
ВА
6А
4А
16,5 А
16,5 А
21А
16А
9А
7,5 А
15А
15А
15А
15А
15А
15А
15А
lc н<1ч'
l~ю, мА
~50; ~50*
~50; ~50*
~25; ~25*
~25; ~25•
~'1
1
1
1
~150; ~150*
~150; ~150*
1
1
1
75; 75*
75; 75*
1
1
1
1
11
i
,1
1
11
1!
1
11
-
11
1
-
1
1
~3*!Uзи=0) ,1
~3* (Uзи = -3 В) 11,,
~3*!Uзи= -3В)11
~3*!Uзи= -3 BJ
1
~3*(Uзи= -3В>

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
г!ООО (20 8; 3 А)
г700(208;3А)
г550(208;2А)
г350(208;2А)
г2000 (20 8; 4 А)
г2000 (20 8; 4 А)
1800(208;3А)
1800(208;3А)
г650(208;2А)
г550(208;2А)
h21хг20 (5 8; 5 А)
h21хг20 (5 8; 5 А)
h21эг20* (5 8; 5 А)
h21эг20* (5 8; 5 А)
h21эг20* (5 8; 5 А)
h21эг20* (5 8; 5 А)
h21эг20* (5 8; 5 А)
33зак 9
5400 (10 8)
5400 (10 8)
5220(108)
5220 (!О 8)
г150** (20 8)
г150** (20 8)
210 (10 8)
210(108)
RClloт"' Ом
к;!'' дБ
Рв1~"'' Вт
лu;~·. мВ
г50** (! ГГц)
гзо• * (1 ГГц)
г25** (1 ГГц)
гl 7** (1 ГГц)
50.1
50,1
г250** (0.4 ГГц)
г200* * (0.4 ГГц)
г70** (1 ГГц)
г60* * (! ГГц)
50,07
50,07
50,07
50,07
50.07
50,07
50,07
Кш. дБ
Uш", мкВ
Е::. нВ/.jГЦ
Q".. Кл
tfll{JI' нс
t:Ы1tл' НС
~:·,МГц
ЛU3"/лт·".
мкВ/"С
100; 100*
100; 100*
100; 2500*
100; 2500*
5200
5200
5200
5200
5200
513
Корпус
2П923
-
20,.f -
2П926
2П928
2П933
2П934А
.,_
-
зи
27,1 ~
~~ '.'
2П938

514
Раздел 3. Полевые транзисторы
11
1
i
1
Тип
1
Токр.• Рс111пdА' мВт UЗlloтt·I UCllmaJ..'
UЗll1n",1
lc,
!
lc н.t•1'
Структура
u;llnop'
u;Cm.tAI
1~. 11'
1
прибора
·с
p~llтmdx' Вт
в
l~oc•, мА
1
в
в
мА
2П941А
С изолированным -60 ... +125
З*
-
З6;41*
20
600
:S:IO; :S:2*
затвором и
n-каналом
1
i
!
ii
1
1
2П941Б
С изолированным -60 ... +125
15*
-
З6;41*
20
ЗА
:s:20: :s:8~
затвором и
n-каналом
1
1
1
2П9418
1 С изолированным
-6 0 ... +125
зо~
-
З6;41*
20
6А
1
:s:ЗО; :s:l6*
2П941f
1
затвором и
-6 0 ... +125
ЗО*
-
З6;41*
20
5А
:s:ЗО; :s:l6~
2П941Д
n-каналом.
-60...+125
ЗО*
-
З6;41*
20
ЗА
$20; $8*
сдвоенный
1
2П942А
СИТ
-6 0 ... +125
40*
-
800; -10*
-25
1
10А;ЗО*А1
-
2П942Б
с n-каналом
-6 0 ... +125
40*
-
700; -10*
-25
110А;ЗО*А1
-
2П942В
-60...+125
40*
-
600; -10*
-25
10А;ЗО*А
-
2П942А-5
сит
-60...+125
40*
-
800; -10*
-25
10А;ЗО*А
-
2П942Б-5
с n-каналом
-60 ...+125
40*
-
700; -10*
-25
10А;ЗО*А
-
2П942В-5
-60 ...+125
40*
-
600; -10*
-25
10А;ЗО*А
-
1
1
1
1
1
1
i
1
1
Сборки полевых транзисторов
2ПС104А
Сдвоенный.
-60...+125
45
- (0,2 ... 1)
25; ЗО*
-ЗО; +0,5
-
0,1 ...0.8
2ПС104Б
с р-каналом
-60 ...+125
45
- (0,2 ... 1) 25; ЗО*
-ЗО; +0,5
-
0,1 ...0.8
2ПС1048
-60 ...+125
45
- (0,4 ... 2) 25; ЗО* -ЗО; +0,5
-
О.З5 ... 1,5
2ПС104f
-6 0 ... +125
45
- (0,8 ... З) 25; ЗО*
-ЗО; +0,5
-
2ПС104Д
-60...+125
45
- (0,8... З) 25; ЗО*
-ЗО; +0,5
-
1
2ПС104Е
-60...+125
45
- (0.4 ... 2)
25; ЗО*
-ЗО; +0,5
-
!
1
1
i
;
i
1
1

Полевые транзисторы специального назначения
S, мА/В
200.. .400 (0,5 А)
600... 1800 (2 А)
1 1200... 3600 (4 А)
1000... 3600 (4 А)
зз·
~600 (2 А)
h21э~8 (5 А)
h21э~8 (5 А)
h21э~8 (5 А)
h21э~8 (5 А)
h21э~8 (5 А)
h21э~8 (5 А)
~О.35 (!О В)
~О.35 (10 В)
~О.65 (10 В)
~1 (10 В)
~1 (!О В)
~О.65 (10 В)
1
:S:20 (12 В)
$100(128)
:S:200 (12 В)
:S:200 (12 В)
:S:200 (12 В)
:S:4,5 (10 В); 1,5*
:S:4,5 (10 В); 1,5*
:S:4,5 (10 В); 1,5*
:S:4,5 (1 О В); 1,5*
:S:4,5 ( 10 В); 1,5*
$4,5 (10 В); 1,5*
Rсио'"' Ом
к;!" дБ
Р'"'' Вт
лu;,~·. мв
1 ~7.5*; ~3** (0,4 ГГц)
~4.3*;
~15** (0,4 ГГц)
~5*; ~30** (О,4 ГГц)
~4.5*;~25** (О,4 ГГц)
~5*; ~30** (0,4 ГГц)
Кш, дБ
Uш*, мкВ
Е:·, нВ/ .JfЦ
Q"•• Кл
fвкл' НС
t:ыкл' НС
~·.МГц ,
лu3,,/ лт·", 1
мкВ/*С
Сборки попевых транзисторов
$30***
$30***
:S:50***
:S:50***
$20***
:S:20***
:S:0,4*(10 Гц)
:S:l *(10 Гц)
::;5*(10 Гц)
:S:l *(10 Гц)
:S:5*(10 Гц)
$50***
$150***
$150***
:S:l00***
$150***
$20***
'
1
515
Корпус
2П941А
2П941Б
...
t,../ТГ31
!<t.'
;:;r:::.::::1-+ --FC
...
;_;;
!32
r-..-J_-
6
1.1
~
2П942А
-
зи
27,f ЮJ"с
~5fr ..
2П942А-5
5,5
0,45
~шт
2ПС104
OOt/J9/t
Н1
~ 32$0~с,
«:)
с
з,
.. ..
2
и,

516
Раздел 3. Полевые транзисторы
1
UЗlloтc' UCHmax•
lc,
Тип
Такр.•
Pc 11 m"• мВт
Uзнm"х•
lc на•1'
прибора
Структура
·с
Р~н т max• Вт u;ll пор• u;Cma). 1
в
1~.н•
1~01.-т •мА
в
в
мА
2ПС202А-2 С р-n-nереходом, -60 . . . +125
30
0,4 ... 1
15; 20*
0,5
-
0.35 .. . 0,8
2ПС202Б-2
с n-каналом
-60 ...+125
30
0,4 ...2
15; 20*
0,5
-
0.35 ...1.5
2ПС2028-2
-60 ...+125
30
1... 3
15; 20*
0,5
1
-
1
1.1 ...3
!
2ПС202Г-2
-60 ...+125
30
1... 3
15; 20~ 1 0.5
1
-
1
1.1 ...3
1
1
1
i
'
1
1
1
2ПС202Д-1
1
С р-n-nереходом, 1 -60 . . . +125
60
0,4 ...2
15; 20* 1
0,5
1
-
1
0.35 ...1.5
2ПС202Е-1
с n-каналом
-60 ...+125
60
1... 3
15; 20~ i 0.5
!-
i 1.1 ...З
1
1
1·
1
1
1
2ПС316А-1 С р-n-nереходом, -60 .. . +125
60
0,3 ...2
25; 25*
25
1
-
-
2ПС316Б-1 1
с n-каналом
1 -60 ...+125
60
о:з ... 2
1 25: 25*
25
1
-
-
i2ПС3168-1 1
1 -60 ...+125
60
1,3 .. .4
25; 25*
25
-
-
2ПС316Г-1
1
-60 ...+125
60
2,5 ...6
25: 25*
25
-
-

Полевые транзисторы специального назначения
517
~
i
1
tккл' НС
1
~
~
RClloтк' Ом
Кш, дБ
1
~
j
сl!и• с~2и•
к;!' дБ
Uш*, мкВ
t:"КJ\. нс
S, мА/В
с;;и, пФ
рвых• Вт
Е:*, нв/.JГЦ (",МГц
Корпус
лu;;,·, мВ
Q"•• Кл
лu,11 /лт···.
мкВ/"С
~О.65 (5 В)
$6 ( 10В); $2*(1ОВ)
$30***
$20**
30**;$50***
2ПС202-2
~О.65 (5 В)
$6 ( 10В); $2*(1~В)
$30***
$20'*
30**;$150***
~1(5В)
$6 (IOB); $2*(10В)
$30***
$20**
30**;$100***
'c::::J"""'
~1(5В)
$6 (IOB); $2*(10В)
$30***
-
30**;$150**
2
1
с,ти2 1·
1
31-
Зz
,1
i
1
1
Н1
Cz
~
1
1
1
1
1
Щ65 (5 В)
$6 (IOB); $2*( 10В)
$30***
-
30**
2ПС202-1
~
~1(5В)
$6 ( 1ОВ); $2*( 10В)
$30***
-
30**
'c::::J"""'
2
с,ти,
31-
Зz
Н1
Cz
~0.5(5В; 0.3 мА) $6 (10 МГц); $2*
$50***
-
$15***
2ПС316-1
~0.5 (5 В; 0,3 мА) $6 (10 МГц): $2*
$50***
1
-
$30***
1
~0.5 (5 В; 0.3 мА) $6 (10 МГц): $2*
$50***
-
$30*н 1
Зz С2Н2
i
~0.5 (5 В; 0.3 мА) $6 (10 МГц): $2*
$50***
-
$30***
1
1п
1,1/
'
:
~1fи,с,з,

Раздел 4
КОРПУСА ОТЕЧЕСТВЕННЫХ И ЗАРУБЕЖНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
4.1. Конструкции корпусов транзисторов
Корпус прибора должен защищать кристалл от механических повреждений и воздействия внеш
них факторов, эффективно отводить тепло, обеспечивать электрическую изоляцию токопроводящих
выводов и их надежное соединение с внешними электрическими цепями, а также простое и удобное
крепление в аппаратуре.
При производстве полупроводниковых приборов используются типовые (базовые) унифициро
ванные конструкции корпуса. Конструктивное оформление приборов обусловлено максимальными
мощностью рассеяния и током, частотными свойствами, особенностями технологии изготовления и
условиями эксплуатации.
Для сборки кристаллов применяются цельно- и металлостеклянные, металлические с проходным
изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной (пластмассовой) герметизацией и
пластмассовые корпуса различных форм и размеров. Выпускаются также бескорпусные приборы.
Металлостеклянный корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпачка), герметич
но соединяемых друг с другом электроконтактной и холодной сваркой или пайкой. Наружные метал
лические детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь металлическое (золочение,
никелирование и др.) или лакокрасочное покрытие. Наличие поверхности баллона (колпачка) цилин
дрической формы допускает применение радиаторов, позволяющих увеличить рассеиваемую мощ
ность приборов.
Выводы корпусов могут иметь одно- или двухстороннее расположение и находиться с той сторо
ны, которой прибор прижимается к теплоотводу или шасси (направляться вниз), например в корпу
сах КТ-9 (ТО-3); могут располагаться со стороны, противоположной контактирующей (обычно в
мощных приборах), например в корпусах КТ-4 (ТО-60, ТО-63) а также могут иметь радиальное распо
ложение (обычно у ВЧ- и СВЧ-транзисторов).
Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан
с корпусом или все выводы могут быть электрически изолированы от него. Для улучшения теплоот
вода с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто используется держатель
из бериллиевой керамика, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изо
лятором и в то же время обладает высокой теплопроводностью.
Отвод тепла от кристалла зависит от теплофизических свойств материала корпуса. Так как у
транзисторов отвод тепла обычно осуществляется через область коллектора, связанного электриче
ски с корпусом, а работа прибора предпочтительнее в схеме с ОЭ, то корпус прибора изолируется от
шасси с помощью прокладки (из слюды, окиси бериллия и др.). Имеются конструкции. где отвод теп
ла осуществляется через коллектор, электрически изолированный от корпуса, например корпус КТ-4
(ТО-60). Иногда для улучшения отвода тепла в транзисторах малой и средней мощности внутренний
объем корпуса заполнятся теплоотводящим наполнителем. Фланцевые корпуса обеспечивают лучший
отвод тепла, чем корпуса с монтажным винтом.
В различных странах проведены стандартизация и унификация конструкций корпусов полупро
водниковых приборов. Это дает возможность, в частности, стандартизировать теплоотводы (радиато
ры) для приборов. Габаритные и присоединительные размеры корпусов отечественных диодов и
транзисторов стандартизированы и устанавливаются ГОСТ 18472-88 . По габаритно-присоедини
тельным размерам конструкции корпусов с учетом международной стандартизации должны отвечать
рекомендациям МЭК No 191-2 . В нашей стране имеется ряд корпусов транзисторов и диодов, соответ
ствующих этому документу:
•
металлостеклянный корпус типа КТ-1 с двумя, тремя (аналогичный зарубежный корпус типа
ТО-18), четырьмя (ТО-72) или пятью выводами для транзисторов с рабочей частотой до
1,5 ГГц;

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
519
•
металлостеклянный корпус типа КТ-2 (ТО-5, ТО-39, ТО-33) для транзисторов малой и средней
мощности (до 15 Вт);
•
металлокерамический корпус типа КТ-4 (ТО-60), имеющий три изолированных вывода,
крепящий болт и предназначенный для мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов;
•
металлокерамические корпуса типов КТ-6, КТ-7 (ТО-61, ТО-63 соответственно) для
транзисторов большой мощности (до 200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или
тремя (для высокочастотных транзисторов) изолированными от корпуса выводами;
•
металлостеклянные корпуса типов КТ-8, КТ-9 (ТО-66, ТО-3 соответственно) для транзисторов
большой МОЩНОСТИ.
Корпус типа КТ-9 (ТО-3) обычно используется для работы на частотах до 100... 150 МГц, типа
КТ-4 (ТО-60) - до 500 МГц; для работы на более высоких частотах применяются специальные кон
струкции (КТ-15, КТ-20, КТ-30, КТ-32).
На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают влиять паразитные пара
метры корпуса: межэлектродные емкости, емкости электродов относительно корпуса и индуктивно
сти выводов. Для работы на СВЧ (более 1 ГГц) индуктивность выводов должна быть менее 1 нГн.
В отличие от низкочастотных приборов, у высокочастотных выводы делаются короткими, тол
стыми, широкими и далеко расположенными друг от друга. Были разработаны коаксиальный корпус
и различные модификации корпуса с полосковыми выводами (для сопряжения с полосковыми линия
ми). Например, у коаксиального корпуса индуктивность общего вывода 0,1 нГн, у керамического по
лоскового корпуса типа L-5 индуктивность эмиттерного вывода 0,275 нГн.
Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов существуют два способа монтажа кристалла в корпус: для схем с
ОЭ (эмиттер электрически связан с корпусом) и с ОБ. Наилучшие резу.Льтаты работы усилительных
транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме с ОБ (класс С), так как при этом получаются
высокие Кур и достигается лучшая стабильность усилителя. Транзисторы, включаемые по схеме с
ОЭ, являются оптимальными для генераторов, так как паразитные параметры корпуса оказываются
включенными в цепь обратной связи.
4.2. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные
приборы
Бескорпусные приборы в виде кристаллов (пластин) с шариковыми, балочными, проволочными
или ленточными выводами, на керамических держателях, а малогабаритных пластмассовых корпусах
КТ-46, КТ-47 (SOT-23, SOT-89) применяются в составе гибридных интегральных микросхем. При
этом осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы для защиты приборов от
влияния окружающей среды.
Разработка полупроводниковых приборов в пластмассовом корпусе позволила снизить их стои
мость и упростить технологию герметизации по сравнению с аналогичными по электрическим пара
метрам приборами в металлостеклянном корпусе. Это произошло за счет автоматизации операций
монтажа. герметизации, сборки и классификации приборов, а также вследствие снижения некоторых
требований к приборам (например, у приборов в пластмассовом корпусе более узкий рабочий диапа
зон температур). Использование пластмассовых корпусов - это также экономия керамики и метал
лов. в том числе дорогостоящих. Ряд конструкций корпусов создан лишь благодаря специфическим
свойствам полимерных материалов.
Технологически процессы изготовления этих приборов не отличаются от аналогичных процессов
изготовления приборов в обычном корпусе, только вместо ножки здесь используется центральный
(обычно коллекторный) вывод и вместо металлического корпуса - заливка всей структуры полиме
рами.
Герметизация полимерами, применяемая как для маломощных. так и для мощных приборов, осу
ществляется либо в виде монолитной конструкции (герметизирующий материал контактирует с кри
сталлом), созданной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрессовкой
или формовкой, либо в вице капсульной конструкции, при которой контакт кристалла с герметизи
рующим материалом отсутствует. Герметизация может быть односторонней (для мощных приборов)
или двусторонней (для маломощных приборов). В качестве заливочных компаундов (полимеров) ис
пользуются эпоксидная, полиэфирная или фенольная смола, кремнийорганические материалы с раз
личными наполнителями.

520
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
Стабильность параметров и надежность приборов, герметизированных полимерами, связаны с
различными серьезными проблемами и определяются изменениями. которые происходят на поверхно
сти кристаллов. Эти изменения обусловлены наличием примесей в полимерном материале, проникно
вением влаги через выводы и полимер на поверхность кристалла, внутренними напряжениями,
возникающими в герметизирующем слое, адгезией пластмассы с материалом выводов, наличием
электролиза контактов при проникновении влаги. Состав материала корпуса и метод герметизации
оказываются наиболее важными факторами. связанными с надежностью приборов. Дефекты пласт
массового корпуса могут вызвать большие токи утечки. электрохимические процессы разрушения
(металлизации и выводов), термомеханические разрушения (из-за различия коэффициентов расшире
ния пластмассы и металлических выводов). Поэтому пластмасса должна иметь высокие электроизо
ляционные свойства {для снижения токов утечки), минимальные усадку и старение в течение
длительного срока службы, быть влагонепроницаемой, термостойкой до температуры пайки и выше.
Кроме того, она должна быть светонепроницаемой и пожаробезопасной (не должна самовоспламе
няться).
Пластмассовые приборы имеют высокую механическую прочность, вибро- и ударопрочность. Од
нако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет плохой отвод тепла. В ряде случаев
при использовании пластмассовых приборов в радиоэлектронной аппаратуре требуется дополнитель
ная магнитная и электрическая экранировка их корпуса.
Для мощных приборов в качестве основания пластмассового корпуса и теплоотвода служит ме
таллическая пластина (например, медная), на которую непосредственно монтируется кристалл при
бора и запрессовывается пластмассой.
Следует отметить, что транзисторы в корпусах ТО-202 (SOT-128) по сравнению с аналогичными
транзисторами в корпусах КТ-27 (ТО-126) или SOT-32 имеют рассеиваемую мощность приме~но на
20% больше за счет имеющегося металлического радиатора с площадью поверхности 250 мм , т. е.
при эксплуатации в одинаковых режимах температура переходов у них будет примерно на 20%
ниже, поэтому прогнозируемый срок их службы выше.
Существуют три способа монтажа приборов в аппаратуре: навесной, печатный и поверхностный.
Для поверхностного монтажа применяются специальные малогабаритные пластмассовые корпуса, на
пример, отечественные КТ-46, КТ-47, КТ-89 (зарубежные SOT-23, SOT-89, ТО-252, SOT-143), кото- ·
рые позволяют более эффективно использовать поверхность платы. Технология поверхностного
монтажа (SMT - Surfoce mount techпology) дает возможность при автоматизированном процессе
сборки повысить плотность монтажа в 3 раза и уменьшить размеры плат, т. е. уменьшить массогаба
ритные показатели аппаратуры, исключить технологический процесс изготовления отверстий на пе
чатных платах, сократить время монтажа по сравнению с монтажом на платах со сквозными
отверстиями.

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
4.3. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов
отечественных транзисторов
'/15,8~
Ф5,81/
кт-1-2
Ф5',81/ _
KT-f-J
01/,!15
кт-1-1
r,6 '1,95
фi/,!15
1
-
~
Lф
~
ф
~1
Jф
~-
~-
~--
......
-
\с:.
~
~
i-...·
~-..., ;:
r;J5,8'1
-
-
КТ-1-1/
ф5,8'1
KT-f-. f
{65,8'1
кт-1-и
0'1.!15
rд+,!15 -
фl/95
1
-
"">
Lф
"' :.
ф
"':.'
LJф
"::. '
~-
=
~-
==
~.
·1u
8.<'11
1·1~
~ 111·
щ
"i ,,
t-. .. •LJ11
ф5,8Ф
ф5".8'1 -
::.
r/>5,8'1
кт-1-9
~'195
кт-1-7
r/>'19.f
кт-1-8
r/> Ф,!1_,
"':. ~
ф
t.:. ,,
-ф t.:.~ L <$}
~-
~-
~-
==
~
·u
~
~
!Ш
~--
ш
O\i 'V
""
L_
'
'-----'
r/>5;8'1
ф,f,8#
Ф5;8'1
фl/95
-
кr-1-10
ф#.9.f -
кт-1-11
11)1/95
кт-1-12
-
"":.
=u
ф- "":.
ф "":.
1
$
\с:.'
~-
,,,.,,,,
~-- ~=~
u ·11
~
1.u
~
~LJ 11
......
11m
~--
1
""-
f65,8'1
::.
кт-t-tJ
ф,f,8'1
кт-1-1;
r/>5,8'1
кт-1-1,;
tAM5 -
tДU.f
~9.!l.f
"":.
$-
"':.
ф "":.
1
ф
~-
~-
~-
==
=
==
~
·!U
~
'IU
~
1ш
ш
1
ш
-
r;J5,8'1
r;J~I+ -
::
КТ-/-/7
Ф5,8# _
-
KT-f-/8
t;б+..95
КТ-1-18
ффj}S -
ф+,95 -
~·'
ф t.:.
ф "":.
LJ -$-
~-
~--
~-
===
~-
~
":.
J'
-~~·~
...._,,,
1
~--
'
.....
--
r/> 5,61/
КТ-/-/9
Ф5,Н
-
11)1,'1
фФ,15 _
-
-
кт-1-20
кт-2-1
ф~95
-
r;Jl,5 -
ф
-
""'
ф~·~LLф
<с:.'~
!
~--
~-
"'=
'с:.'
IU
~u~ш
~
~
lJф
1
·wш
t- ...'
1}
...... __.
Ф.9,Ф _
кт-2-2
-
r;J.9,'1 -
KT-2-J
-
r;J.9,"
кт-2-;
06. .f
-
ф
-
06..f
ф
-_ф 8.5 _,
ф
'<>
'с:.
!
1
<с:.1'
1
'с:.'
'с:.'
1
Се:.'
~
·1ф
~,,
т
~
ш
t:!'•v
521

522
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
кт-z-5"
кт-2-п
кт-2-7
1..,,
ффф
'<:>
!«:.'
'< :>'
1
":.
1~1
"'
кт-2-в
Ф9, '1
кт-2-g
кт-2-11J
ф~
08..J
ф~ф
кт-2-11
кт-2-12
кт-2-1J
фе~ф
/r'T -2-/lt
кт-2-и
кт-2-10
ффф
. .,.
~
~
~
":.
"' -'
кт-2-17
кт-2-18
кт-2-1.9
ффф
.. ,.
'<::.'
~
~
!(T-2 -2/J
кт-J-1
КТ-.1-2
ффф
....
.....
'с:.
.....
......
..,,.
~
~
\о\
.....
t::!'
KT-J -J
кт-J-'1
кт-J-5"
ффф
!',_
"
....
.....
.....-
.....
~
~
~

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
523
кт-J-о
кт-J-1
Gкт-J-12
кт-J-1'1
ф
кт-J-1.f'
кт-J-/7
ф
ф
кт-.т-1в
KT-J -fl
кт-'1-2
фф

524
5
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
кт-12
rо
КТ-1Ф
2,7
КТ-17 ~.....
кт-20
КТ-27
'ff
о
КТ-1.1
QD
кт-11
кт-21 (КТ-22)
пf
Ц)1, 15 (2,2)@9,5
!:i
ic. ,.
~
~'.
Ц)' ------
Qj'~h-+-.1
.....
'-
Ц)
<ci
.....
КТ-25
KT-J1 с:..
~'
-..::
Q
7,2
12,1
А-А
12,5
КТ-15'
20.5
кт-19
КТ-2J (KT-2JA)
if~@КТ-26
(КТ-26А)
2,1
KT-.J2
7

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
525
KT-JJ (КТ-JJА)
l(Т-J11-z
КТ-.111-J
KT-Jl/-'1
KT-Jl/- .f
КТ-.1#-6
KT-Jl/-J
КТ-.1'1-11
КТ-.111-1.1
KT-Jl/-15
КТ-.1'1-11
КТ-3+-17
КТ-J#-18
КТ-Jl/-/9
КТ-.111-211

526
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
KT-JS-1
ФS,ВФ
фlf,.9.f
KT-J .f -2
t/JПФ
f(T-J.f -J
(J!/,l.f
-$
~
ф
.......
"'"
~'
ш
. ...
ф
~
... .
~
m
KT-JS-Ф
r/JS,BФ
КТ-.13-5
фl/,.9.f
KT-J.J-o
ф
ф
~
"''
~
щ
ф
~
"''
~
"-'
КТ-.15-7
кт-J.f'-8
fJO,IФ
V,l ,f
KT-J .J -.9
-ф~ ф
""
~
ф
~
"''
~
КТ-J.J-/11
rjJ.f,IФ
кт-л-11
fJ#.1.f
fJ.f;IФ
KT-J.J-/2
фФ..95
-ф~ $
"''
~
t- ..'
ф
~
"''
"'"
~...
ш
. ...
fJ5;1Ф
KT-J .J-/ .f '
ФU.f
~
ф
....
~
КТ-35-18
KT-S5-16
КТ-35-11
,
".-
"
"""'
.,
'--
KT-J.f-11
КТ-J!'
КТ-Фll
КТ-Фf
кт-•2

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
15,9
(16,5)
о
1----i~N
N~
(i~5) КТ-43
__ , _ _ _ _,'--(КТ-43А)
КТ-'17
11
КТ-56
16
КТ-60
~~--
0
.. ...
...1--..+-1-11"'--1
. J,I
21. 2
16
(20,54)
5,65
2,8
КТ-43С
(КТ-430)
21,2
КТ-61 (КТ-6/А)
21..;
527

528
21
·Щ
12
о
5,1
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
КТ-65
45
КТ-бб
"'
~N"
"'
30
46
КТ-7Q
КТ-7!
......
fl,7
KT-7J
КТ-75
197
0,82
g
о
1,5
~~~
КТ-69
......
кт-12
fl,7
КТ-79

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
КТ-89
6,6
КТ-16-1
rnl
-
•
"
34 зак. 9
КТ-90
2,35
10,28
7,11
КТ-238
КТ-92
КТ-28-1
о
k====::i-.+
'
f-·Jl::::==:::L.:~
1
!
;j
1
.
'
-·. .._ ..:. .--!+-
2,54
529
2,37
~
2,4

530
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
4.4. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов
зарубежных транзисторов
SC-62
SC-70
~
O.l'0 .1
~
<:::i
O.l
J
';:f
"'
-·
А
~
/,]!0,1
~
"'
<:::i
<:::i
l!O.l
SC-71
l,5 '0 .1
SOT-100
J
0.85
SOT-119
SOT-103
...
"
...
!;
~
З 5.1тт
""
&'
ОЛ mar
~~
1.l mar
<:; ....,_
.
.,.__..........'-+-.........__.,
l.7 mar
~
"'

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
SOT-121
-
[:21:
--
--
,__ .,.,
~с;._
~5
"
~1'8
"~
li
.. ...
:.!:?
"'
"'
,__
-
--
flJ/ll тах
;;1
SOT-123
... .-- f--
-
-
~--
f/110 1/ЮХ
SOT-143
34•
"
"
"'~
.. ..
i
jl
SOT-122D
",__
__ _.
~
~
r----1 ~
l6.25!/,J5
SOT-1288
'·' тах
0 f/10.l А
0.1 '
1.575 '0.155
0.65 mar
·~
1.6
SOT-143R
531

532
~\
1
L__
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
SOT-160
2,,5 тах
о"
.s;
"
~
...,
7 тiл
SOT-172D
о 110.2 А
zs.s !/.S
10.2 тах
5.lmax, 1
SOT-186
ол
"
"'
"
~
"'
'&.
1.08!0.19
1.6 тах
~
"
"'
"
~
"'
2.9 тах
O.SS тах
t.J
"
"'
"
..,
о.:
~
<;!;
""
"'
SOT-161
1.95 !0 .15
;;:
"'
.....
f5
э"'
5•
'Q
!--<
~
1.14
"'
f5
1.0l
~
18. 'l
ZS.l тах
):::>
;:
-.-
!
10.l тах
SOT-173
~
l5S'0 .2
"
"'
111. /!0.1
"
"'
_.,
SOT-194
7.6
1.2
0.1
0.62
1.1

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
SOT-199
15.J тах
7.3
1
"'
с::;
..
"
'О с::;
~J.l!O./
...
rn "'
"'
~
"'
.....
"'
.. ..
....,
о.'
l
SOT-223
6.S '0.l
J!O./
i
·-·-·-·+·-·-·-
!
J0.1:0.1
Б
18.1 •О.1
SOT-23
АБ
1.1 тох
0.48 .:,
-ф0.01МАБ
SOT227b
/l'/J .l
г
-+-
L
533
""
---
----: :..
г
-+-
"'
....
._..-+---i-t-'=·1_,'11~.I -+-+ --' l"". O""'S -=!Q=09S =
SOT-25

534
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
SOT-262al
1~1
11 тах
1с;!
!1'
1
/
По[оtJочная по~еохно[ть/
21.BS
025
11 тах
=
i2
1
i
--- -f-- ---
i
i
1
"'
'<>
-·
s
1,__ 1 .-~21._94 _ _J
1
ДJ тах
.
SOT-273
"'
"'
г-г-h~===*====-.-h,-,--~-+- ~
$-
1
i
-----+ -----
i
i
5
SOT-289
"'
0.IJ
,__~18.l_max_~
i
i
-~----i-----
i
!
J
1.4
~l
SOT-268
15 ток
"'
"'
<>
~
",
"
"'
"'
'<S
.,.,,
~
~!
0.1
SOT-279
9.J так
1i1
1i1
15 тах
18. '7
SOT-32

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
535
SOT-323
=0.15
А
<:>..
6
SOT-343
0.1 '0 .1
c;:;i
""
"'
:q
-::
SOT-353
~
<:>.,
"'
х:...:
п..,
~
~
.s;
-~ .....
Es
...
:::::·
_...__
1.l так
l.7 так
<;;i
"'
~
"'
SOT-37
0.l4 так
SOT-324
6А8 так
"'
~
~
1-------'"""-='-" -- - - - ~
~
~~
l{ll
~-·
~ L;;
"'~
:g
"'
1l
-'-~+-~~..__......., . ._ _ _ . _........ _. . . + -. ~ - ~
i
-----т-----
i
J
SOT-343R
-:-O.lМА
~
~-::
6
SOT-363
' ti'
'
~
-·

536
•
1
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
SOT-437a
6.5 тах
SOT-54
{l тах
~lъ~
(/)0.67 тах
SOT-89
О. '05 !О. 035
--t
(
5.15 тах
J.85'О15
"·'
1.6 тах
нв
J
J
г+-1
SOT-48b
SOT-82
1.Z
SOT-89a
z
0.4!0.05
1
15 тт
O,f !0.05
1
-·-т-·

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
537
SOT-93
r11'.l '0.05
,,6 тох
l
SOT-9
11
1'. 1 тох
1.6
SOT-93a
н
~ ~ 0.5",
1
0. ' !0,05
i
l
!J
5.5
5.5
1.8
ТО-3
f!J.96!О,11
ТО-5
7.9 min
10,92 !0,25
8.89!2.5/.

538
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
ТО-18
127тах
ТО-33
-
6.JS min
38.1 тiп
6.JS !0 .25
-51!§._
J. llmax l.54 min
1::=::::1
~ ......
"'
~
~~
~
-r----~-~ - ......
~
~
"'
~ ""~
~
t~ 0.762 min
<:::i
;
1.27 тах
~1 ) Посадочная пабеахнасть
ТО-39
127 min
6л·о2s
-
1
6.JS min
J. llmax
2Я min
ь
"" ....
""' ....
<:::) <:::)
---
--
-----
-~ "~
Cti Cti
t::::= ~
~~
=1
~ ....
с::.
1 1,l!Цl
<:::)
<:::)
..
..
.. ....
.. ..
1.27 тах
....
.. ..
<:::i
<:::i
~
~
) Посадочная по/jерхнасть
ТО-50
0.546 !0 .165
ТО-46
....
к:
~
1l7 min
с::.-
1.9!0.JS
..
<::;)
~
..
6.JS min
'О
'О
.. ..
с::;
"'
<:::i
"
~..... ~
с::;
..
с::;
.,
"~
....
~
k: ......
......
~
~ ..,.,
"'
"'
<:::i
~
"'
"'
•.
<:::i
!.;;
!.;;
J '" "~'03'5 t
....._
..
"'
§
~~
-:
;g ""
f
с::.
1.016 тах
<::;)
'ii
с::;
<:::i
с:;
..
"
~
1.27 тах
--±-- - ;
.....
1i
с::;
с:;
1
~~.
----j----

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
539
ТО-59, ТО-60, ТО-61, ТО-62, ТО-63
::i::
--L..
~~~
е
-
?о:
/~
"'~
~~
г-г-
~
~].
...,
1-
1,r
•
1__
r--
с::, -1 - ~i:o--·--,- ~
--
--<
~~1
\
~>•i~ 1
~t
1
-
_L
-
'~.......
fL-
1--
N
Е
А
N
J
Посааочная по6еохность\
::i::
,_ L-
~~~
е
?о:
~~~~
•
~
(
1
-
1__
'
•
'
q;
-+ --
---
,__
-~ с::..j. 1-.. >--·- с-
. L:'
~-
1
\~>•i~ 1
-
--) 1
. ___
--
-'-
-
-
"- -'
'~:;/
fL
-
N,
Е
А
J
N
Посоаочная по6еохность\
Варнаноы
Обоэна- ААJТО-59)
АВ (ТО-60)
АС (ТО-61)
АО (ТО-62)
АЕ (ТО-63)
..........
мин.•
~с .•
мин.,
макс.•
мин.•
макс.,
мин.•
макс.,
ммн .•
ммс.•
""
""
""
""
""
""
""
-
-
""
А
8,2 11,8 5,5
8,1
8,3 11,6 9,15 11 ,02 12,2 13,58
А,
-
6,35
-
4,19
-
6,85
-
6,85
-
7,62
'2Jb
-
-
0,77 1,16
-
-
-
-
-
-
D 11,16 12 ,82 10 .57 12 ,82 17,91 20,14 12,7 16 ,4 22,8 25 ,6
' 2JD 9,66 11 ,09 9,15 11 ,09 15,5 17,44 11
14,2 19.7 22,2
Е 10.77 11,09 10 ,77 11 ,09 16 ,95 17,44 13,82 14,27 21,72 22 ,22
е
4,7 5,46 4,7 5,46 8 ,64 10.54 5,97 6,73 12 ,32 13 ,08
е,
2,29 2,79 2,29 2,79 4,32 5,41 2,93 3,42 6 ,1
6,6
F,
2,29 3,81 2,29 3,42 2,29 3,81 2,29 3,81 2,29 4 ,24
J
14,5 19,3 9 ,1
12,1 16,3 22 ,2 17,45 18,71 23 ,8 26 ,16
' 2JM 4,15 4 ,8 4,15 4 ,8 5,59 6,32 4,15 4,8 7,07 7,92
N 10,16 11,55 9,53 11 ,55 10 .72 11,55 10.~ 12,64 11,69 12 ,57
N,
-
1,98
-
1,98
-
2,28
-
1,98
-
2,66
' 2JT 1,02 1,65
-
-
1,2 1 ,82 1,07 1,8 1,53 2,66
'2JT, 1,15 1,77
-
-
1,17 1 ,95 1,15 1 ,75 1,53 2,66
'2JW
О, 19"
О, 19"
0,25"
О, 19"
0,31"
32 вкnса на 1" 32 вкnса на 1" 28 8НТКО8 на 1" 32 антка на 1" 24 11М'Т1U1 на 1"
ТО-66
127 тах
1.59 !О,]2
-
~
'""
с:;
..
1
~
1~""
с:;
t::J
'Э.
1с:;е;
..
1~~
1 ~lr\
1'Э.~
1
9.14 min
-
7,1.9!1, 14
5.08!0.25

540
ТО-72
ll.7 п11п
,,81'0.51
L
;;; ~
r:;:j ~
~~
~- ..,;
~
Посаdоч11ая nofJepx11ocmь
ТО-89
::::
~....
...,
<:i
0.181 ~ах
~
0.181 тах
~
:::
<:i
J68!0.l5
ТО-96
ll7min
615"0.15
~ 1~.15 mia
~~
с:-; c;::i
-
-- --- ---
".
•1
~
~~
ее; ее;
\\\.
'&
<g~
l.Ol тах
~~
......
...
l.l7 тах
...
...
с::;
с::;
\\\.
\\\.
/посоdочноя поfJеохность
~
~
~..,;
;:;:;
~....
"'
....:
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
lllmin
lll min
6.15 min
l.ll тох
1
1
ТО-78
ТО-92
\
--· -----1 ----
1
1/
l.91 min
Посаdочная nofJe хность
ТО-99
6.15 min
l.Ol тах
~
щ~
'if
<;::)
~-
-- --- --
-~~
ее; "<S
'& '&
1·
l.llmax
<;::)
..
...
0.6 ,!fl.18
...
с::;
Пасаdочная по/Jеохность
'&
ТО-116
0.51 тiп
0.761 тох

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
Несто dлн
наркиро ки
0.76 '0.IJ
ТО-119
ТО-126
141.92 !0.18
ТО-202
2.67 !О,]8
Посаdачная
попе хность
1.27'0 .!8
0.51!O./J
ТО-120
ТО-205
ТО-122
:g
"'0.=28'--!=0.0=8-o - - -i <;j
0.68!0.f~t
~
1
2
~ -------
~[[ J
Несто dпя -
--i
наркиро ки
j
1.78!0,/2
ТО-127
~
t---+ - -+ r::i
"'
~
:::::
""
~с;::;
..
~~
:::::
~
В.Ш!/1.755
ТО-210
541
Посаао~ноя
попе хность
1.27'0 .18
0.81 '0. /Z

542
А
ь
с
с,
D
Е
Е,
е
е,
8z
е,
L
L,
L2
Ls
р
Q
R
s
у
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
ТО-217аа
Посадочная по е хност
l.28 тах
0.19 ! .0/9
~
::;
~~ t-----fl
r--,1.-т-+--+ <;:;
....,,.,.__.._+--+~
~ 7.87!0.JB
11.17 t0.51
ТО-218
Посаt1очна11 поп~охность
Е
\Д.
~.~~-[
><.!~ '
т--1"'---'1,~~~ ',,-
1
--
8
-'-т-+JJ-
.............
1 -т+,.1~
~·2
]
L~μ -~
е
а
Рис. а
.и=-
._
1 " ПосаiJочна11
. ..,
1 vrопеохность
q~
~1
Рrк. о
s
гJ..г-~
АА (рмс. а)
'
\
1
flocaiJo'IНIJR 1 'd
\ пonl!Dxнacm Ll
Рис. Ь
АВ (рис. 6)
АС (рис. а)
...,
AD (рис. а)
мин., мм макс., мм мин.• мм
макс., мм мин., мм макс.• мм МNН., мм макс., мм
4,318
1,143
1,016
0,305
10,287
14,732
7,366
5,207
10,668
11,938
2,794
3,896
2,794
4,318
16,637
13,462
4,953
1,397
1,524
0,427
10,795
15,748
7,874
5,715
11,176
3,429
4,089
3,429
4,826
17,145
14,478
4,318
1,143
1,016
0,305
10,287
14,732
7,366
4,953
1,397
1,524
0,457
10,795
15,748
7,874
5,207 5,715
10,668 11,176
-
1.27
7,925
-
3,896 4,089
2,794 3,429
4,318 4,826
16,637 17, 145
13,462 14,478
4,191
1,016
1,346
О,З81
11,68
15,494
7,747
5,207
10,668
12,7
3,988
2,36
4,318
15,24
5,08
1,651
1,651
0,762
12,827
16,256
8,128
5,715
11,176
16,05
3,81
4,241
3,2
4,826
16,51
4,318
1,143
1,016
0,305
10,287
14,732
7,366
4,953
1,397
1,651
0,762
12,827
18,256
8,128
10,668 11,176
-
1,27
7,925
-
3,896 4,241
2,388 3,429
4,318 4,826
16,637 17, 145

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
543
ТО-220
""''"-·м~-Q
\5
]'
'1 ...
\
'
.
.
~!!
Рис. А
Поrааочная по~еохноrть ~
Е
i
i
f4P
-
,t...,_
r-
--
с::.1 /1..
в j-(f)-1
t'Кj,
-
..!..
с:,
1
i~
R-~
~iili
ili
...
1ь
i1
1 ;!J.
1! зi
.._
L
-
;,
1--!L -
-fL-
Pur. Б
Pur. В
Вариа.нты
ОбоJ.....ение
АА
АВ
АС
мин., мм
макс., мм
мнн.• мм
МАКС., ММ
ммн., мм
макс.,.,..
А
3,56
4,52
3,56
4,62
3,56
4,62
ь,
1,15
1,77
1, 15
1,77
0,99
1,4
0Ь
0,51
1,14
0,51
1,14
0,51
1, 14
с
0,31
1,14
0,31
1, 14
0,31
1,14
о
14,23
15,37
14,23
16,51
14,23
16,51
Е
9,66
10,66
9,66
10,66
9,66
10,66
е
-
-
2.29
2,79
-
-
е,
-
-
4,63
5,33
5,06
BSC
в.
4,63
5,33
-
-
-
-
83
-
-
1, 15
-
-
-
F
0,51
1,35
0,51
1,39
0,51
1,39
н,
5.65
6,65
5,65
6,65
5,65
6,65
J,
2,04
2,92
2,04
2,92
2,04
2,92
L
-
-
12,7
14,73
12,7
14,73
L,
-
-
-
6,35
4,6
5,35
L,
-
1,27
-
-
-
-
L3
6,64
10,71
-
-
-
-
L.
-
-
-
-
-
0,51
0Р
3,531
3,733
3,54
4,06
3,531
3,733
а
2,54
3,04
2,54
3,42
2,54
3,04
s
14,74
15,49
-
-
-
-
ТО-221
~1
1
i
11
i•...
;;;
i
~ :-;-·
i
....
~
......
....-
iz
-:
1/
1J
!~! l-
1-
о..
1i1
""'
ii~~
i"'
;;:;
""
::::
1
t1
1 1l.5,!O,/J
1 5.08!0 ,lS

544
117 01111
1,_
i!
11
11
f:"""~:..
~
""
~
1
1
r
1
.....
""
<;:;
~
""
~
•1
1
1
r
ТО-226аа
1 6.JS тiп
l l.5' тах
1 1.27 так
,,
'
---
----
/
6.225 !0,505
..,
'
.....
~-
~
1
~-
~
1ПосаdочнаR по!Jеохность
~"""'~1
РисБ ~i
Рис. В
ТО-243
ТО-247
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
Рис. А
Альтернати!JнаR
канфиtурациR !Jы!Joda
1.5!0,/
0.]9!0,05
ТО-236
0.51 !0.08
T0-247VAR
T0-247VAR

Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
ТО-251
1
l
1
i_
ТО-253
0.415 !0.0 '5
-
"'
<;:;;
..
'::f
.....
.....
.-:
.....
19.l
А
А
l9l!O./l
~
~
"'
...,
r;j
...,
<;:;;
1
i 1 о.825 !0.065
1•
•1
35зак9
2.185!0.095
0.51!006
!J.51'0 .06
1I
9.97 !0.12
"'
;:;::,
"'~
е;
......
;:!
-::
21
<>:
;::;
-::
"'
..
"'
~
е;
::s
....,
... ,
1.27 !O. IJ
0.76!О,12
•
0.1
ТО-263
А-А
~6 n"6epНIJ80
.~
ТО-252
l,!85 !fl.095
1_1115 !0. /15
О.76 '0,!2_
0.95 '0 .19
ТО-262АА
'·" !0.19
1.27 !0. IJ
:g
<::)
о. 76 !0.12
0.55 !0.09
2А1 !0.18
545
А-А
0.82!0.17
;:!
<::)
.,
'<>
<::)

546
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
4.5. Соответствие отечественных корпусов зарубежным
,,
Транзисторы
1
КТ-1-7
ТО-18
!
1
КТ-1-12
ТО-72
~ КТ-2-7
ТО-39
КТ-2-10
ТО-5
КТ-29
i
SOT-37
КТ-30
!
SOT-123
КТ-31
!
SOT-121
КТ-35-7
!
ТО-46
КТ-43
'
ТО-218. SOT-93
.
~
КТ-2-12
i
ТО-12
·'
КТ-43С
SOT-199
КТ-2-13
ТО-205АВ
КТ-44
SOT-279
i'
КТ-2-15
1
ТО-33
1
1
КТ-4-2
ТО-60
КТ-6
ТО-61
кт 45
SOT 161
1
КТ-46
1
SOT-23 . SC-70
i
1
КТ-47
1
SOT-89 . ТО-243, SC-62
КТ-7
ТО-63
КТ-48
: SOT-143 , ТО-253
КТ-8
SOT-9, ТО-66
КТ-50
i
SOT-128. ТО-205АС
1
КТ-9
ТО-3
1
КТ-14
1
ТО-119
КТ-17
SOT-48
11
КТ-51
SC-71
КТ-53
SOT-103
КТ-54
F0-83
11
КТ-24
1
F0-93
11
1
КТ-55
F0-91
il
КТ-26
ТО-92
КТ-58
SOT-289
1~~~~~~~~~->-~~~~~~~~---11
l~~~~к_т_-2_1~~~---t~т_о_-_12_6_._sо_т_-3_2_._sо_т_-_82__,1
;1
КТ-28
1
ТО-220. SOT-78
КТ-82
i
SOT-262AI

Раздел 5
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ
5.1 . О взаимозаменяемости транзисторов
Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых
приборов, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппара
туре, а также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы).
Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых при
боров предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и харак
теристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров.
Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полу
проводниковых приборов - это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изгото
вителя.
Принципы и методы определения наиболее вероятных значений и установление норм и допусков
электрических параметров, принятые в разных странах, неодинаковы.
Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно отли
чаться от их реальных значений.
Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и кли
матических испытаний, нормы на параметры - критерии годности при испытаниях, методы изме
рений, от которых в общем зависят устанавливаемые параметры, многообразны, принципиально
различны и не универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят не только от ре
жима работы и температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы и
при хранении).
Эксплуатационные свойства транзисторов описываются большим числом параметров, поэтому
можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных транзисторов
недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной)
или приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной
электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов (показа
телей функционирования) в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении
технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться, прежде всего, требования
к выходным параметрам. Поэтому не все параметры транзисторов будут одинаково важными, а толь
ко те. по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.
Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов зависит не только от их свойств.
условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитываю
щей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене
зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка
схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация.
Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров (показателей
функционирования) отечественных и зарубежных приборов из справочников, стандартов или техни
ческих условий на эти приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, техноло
гия изготовления, структура (р-п-р или п-р-п), предельные (предельно допустимые) параметры,
данные об электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и дру
гие сведения.
Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологическом процессе, иногда раз
деляются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например, тран
зисторы ВС107-ВС109 имеют металлостеклянный корпус ТО-18, приборы с таким же сочетанием
параметра ВС107Р-ВС109Р, ВС147-ВС149, ВС207-ВС209, РВС107-РВС109 имеют соответственно
корпуса Х-55, ММ-12, R0-110, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквива
ленты в пластмассовом корпусе.
35•

548
Раздел 5. Аналоги транзисторов
5.2. Условные обозначения и классификация зарубежных приборов
За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Наибо
лее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим
советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом,
маркировкой), в котором первая цифра соответствует числу р-п переходов: 1 - диод; 2 - транзи
стор; 3 - тетрод (тиристор). За цифрой следуют буква N и серийный номер, который регистрирует
ся ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или
несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным па
раl\lетрам или характеристикам. Однако цифры серийного нol\lepa не определяют тип исходного мате
риала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения.
Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегистриро
ванным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC.
В Европе кроме JEDEC широко используется система. по которой обозначения полупроводни
ковым приборам присваиваются организацией Associatioп Pro Electroп. По этой системе приборы
для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, для
промышленной и специальной аппаратуры - тремя буквами и двумя цифрами. Так. у приборов ши
рокого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый номер от 100 до 999. У прибо
ров, применяемых в промышленной и специальной аппаратуре. третий знак - буква (буквы
используются в обратном алфавитном порядке: Z, У, Х и т. д.), за которой следует порядковый но
мерот10до99.
Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов, то обозначение производится в
соответствии с кодом (маркировкой) для одиночных дискретных приборов. При наличии в одном кор
пусе нескольких разных приборов в качестве второй буквы обозначения используется буква G. К ос
новному обозначению может добавляться буква, указывающая на отличие прибора от основного типа
по каким-либо параметрам или корпусу.
В системе Pro Electroп приняты следующие условные обозначения:
Первый элемент
Исходный материал
1
.
Ширина запрещенной
зоны, зВ
Условное обозначение
Германий
1
0,6 ... 1
А
11 Кремний
1... 1,3
В
----------------+------------+----------~
j Арсени,;;. галлия
Более 1.3
с
/~тимонид индия
Менее 0,6
D
Примечание. Приборы на основе других полупроводниковых материалов обозначаются буквой R.
Второй элемент
Подкласс приборов
Условное
обозначение
Транзисторы низкочастотные маломощные (Rthja > 15 °С/Вт)
С
~Транзисторы низкочастотные мощные (Rthja < 15 °С/Вт)
D
j Транзисторы высокочастотные маломощные (Rthja > 15 °С/Вт)
F
,,
; Транзисторы высокочастотные мощные (Rthja < 15 °С/Вт)
L
' i Транзисторы переключающие маломощные
S
Uf----------------------------------+- -- - -- - -
i Транзисторы переключающие мощные
U
1
По существующей в настоящее время в Японии системе стандартных обозначений (стандарт
JIS-C -7012, принятый ассоциацией EIAJ - Electroпic Iпdustries Associatioп of Jарап) можно опреде
лить класс прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости. Вид полупроводнико
вого материала в этой системе не отражается. Условное обозначение состоит из пяти элементов.

Раздел 5. Аналоги транзисторов
549
Первый элемент
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~r=-~~~~~~~~~~~~"91
1.
1:~~~~~~~~~~~~~К~л~а~с~с~п~р~и~б~о~р~о~в~~~~~~~~~~~~......~У~с~л~о~в~н~о~е~о~б~о~з~н~а~ч~е~н~и~е
i1 Фотодиоды, фототранзисторы
11--~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~--+-~~~~~~~~~~~~--,
о
:! Транзисторы
2
i.~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~-~~~--+-~~~~~~~~~~~~~
il Четырехслойные приборы
3
Второй элемент, указывающий на то, что данный прибор является полу.проводниковым, обозна
чается буквой S (Semicoпductor).
Третий элемент
1:-
li
Подкласс приборов
11 Транзисторы p-n -p высокочастотные
1
ji Транзисторы p-n-p низкочастотные
1
!1 Транзисторы n-p-n высокочастотные
\1 Транзисторы n-p-n низкочастотные
11 Одноnереходные транзисторы
li Полевые транзисторы с р-каналом
Полевые транзисторы с n-каналом
Условное обозначение
А
в
с
D
н
J
к
Четвертый элемент обозначает регистрационный нol\lep и начинается с числа 11.
Пятый элемент отражает усовершенствование (А и В - первая и вторая модификации).
После маркировки могут быть дополнительные индексы (N, М, S), отражающие требования спе-
;шальных стандартов.
Кроме вышеуказанных систем стандартных обозначений, изготовители приборов широко исполь
зуют внутренние (внутрифирменные) обозначения. В этом случае за основу буквенного обозначения
чаще всего берется принцип сокращенного названия фирмы, коды материала и применения.
5.3. Сокращенные обозначения зарубежных фирм
i Обозначение
Фирма, страна
Обозначение
Фирма, страна
j Ас:
! Асг1аn. Inc., США
CSD
1 Centгal Sem1conductoг Div" США
Н AEG
i Аmрегех Electгonic Согр., США
CSDG
Conditioning Semiconductoг Devices Согр .. США
' АЕ!
! Amex Electгonics, Inc., СШ А
CSR
1 CSR Industгies, Inc., СШ А
11
r, AI
1 Avantek, Inc., США
01
Dionics, Inc., США
'AII
1 Alpha Industгies. Inc., США
011
Datel-lnteгsil. Inc., США
jАм
Ameгican Micгosemiconductoг, США
DTC
Diode Tгansistoг Comp" США
AMI
Ameгican Micгosemiconductoг, Inc., США
ЕС
Eastгon Согр., США
Amp
Аmрегех Electгonic Согр., США
ED
ЕЕТЕСН Div., США
1
AMS
Ameгican Micгosystems, Inc., США
EDI
Electгonics Devices, lnc, США
1
APD
Ameгican Ро\\·ег Devices, США
1AS
1 Ansaldo S. р. А. Италия
11
: ASI
!Advanced Semiconductoгs, Inc., США
"~ Ati
i Atlantic Semiconductoгs Inc США
.,
ЕЕ
Електронни Элементи, БНР
1
1
EI
Elektгonska Industгija (lskгa). Югославия
~
EII
1 Edal lnd., lnc .. США
!I
ESPI
1 Elite Semicoпductoг Pгoducts. Iпс .. США
,j
,,
~вв
: Вго\\'П Boveгi, Германия
qВЕ
1 Boeing Electгonics. Швейцария
~ BEL
1 Bhaгat Electгonics., Ltd., Индия
fi со
Compensated Devices, Inc., США
GDI
Conti11e11tal Device lndia, Ltd., Индия
1 ЕТС
1 Electгomc Tгaпs1stoгs Согр" США
11
1
1FE
! Fagaг Electгotechnica. Испания
·i
FEL
Feггa11ti Electгoпics. Ltd" Англия
11
1 FEG
Fujitsu Electгic, Япония
11
FS
Faiгchil<I Semico11ductoг Согр., США
1
CEIL
Calbeгt Electгonics Inteг., Ltd., США
Cherry
Сhеггу Semicoпductoг Согр., США
CODI
CODI Semiconductoг Согр., США
1 csc
Cгimson Semiconductoг Согр., США
GDC
Gепегаl Diode Согр., США
:1
GE
1 Gепегаl Electгic Согр" США
GIC
1 Gепегаl Instгumeпt Согр" США
!1
GPD
Gегmапшm Ро\\·ег Devices Согр" США
:1

550
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Обозначение
Фирма, страна
Обозначение
Фирма, страна
'1
GS
Gепtгоп Согр .• США
"
1 Geпeral Semicoпductor lпdustries, !пс., США
GSI
RCA
1 RCA Согр., США
1!
1
RCC
Rectifier Соmропепt Согр., США
,1
1
css
i Gold Star Semicoпduclors, Ltd. , Ю. Корея
GTC
Geпeral Traпsistor Согр., США
Нагг1s
1 Harris Semicoпductor, США
1
HL
Hitachi Ltd. , Япония
НР
1 Hewlett Packard. США
RFТ
RFТ. ГДР
1
RL
Rectro11 Ltd. , Китай
!1
Rohm
1 Rohm Согр., Япония
RS
Raytheoп Semicoпductor, США
RTG
RTC La Radiotechпique. Франция
~
HS
Hybrid Semicoпductors, США
SA
1 Siemeпs Aktieпgesellschaft. Германия
1
HSE
Hybrid Semicoпductor Electroпic, !пс., США
Samtech
Samlech Согр., Япония
HVS
High Vollage Semicoпductor, США
Sап
Sa11yo Electric Comp., СШ А
!С
Iпterfet Согр" США
IDG
Iпterпatioпal Diode Согр., США
IDI
Iпterпatioпal Devices, !пс.
sc
Sопу Согр., Япония
·1
SCL
1 Semitroп Cricklade, Ltd. , Анг лия
1,
:
SDI
Solitrori Devices, !пс" США
•!
!11
1 Iпtersil, !пс., США
1
i IPS
1 Iпtегпаtюпаl Power Semicoпductors, Индия
1
1IR
i Iпterпatioпal Rectifier Semicoпductor, США
IRC
1 Iпterпatioпal Rectifier Согр" США
SE
i Sапkеп Electric Comp" США
::
1
Semicoa
1 Semicoa, США
1!
1 Spraque Electric Comp., США
!
SEC
11
SECI
Swampscoll Electroпics Comp., США
j
IТТ
Iпtermetall (der Deutsche IТТ), Германия
KMG
КМG Semicoпductor Согр" США
KPD
Keltroп Power Devices, Индия
SEM
1 Shiпdeпgeп Electric Mfg.. Япония
1
Sem
Semicoп, !пс" США
SGS
SGS-Ates, Италия
LEC
Lucas Electrical Comp .. Англия
LS
Lambda Semicoпductors, США
LT
Laпsdale Traпsistor, США
SI
Silicoпix, !пс .. США
1
SII
Semikroп Iпterпatioпal, !пс., США
SL
Semicoпductors. Ltd. , Индия
1
МА
[ Microwave Associates, США
SMC
[ Schauer Maпufacturiпg Согр., США
,,
,,
1
MDP
Mallory Distributor Products. США
МЕ
Mitsublshi Electric Согр., Япония
SPC
1 Solid Power Согр" США
!:
SPE
i Space Power Electroпics, lпс .. США
1i
"
MEG
Matsushita Electroпics Согр" Япония
MECJ
Mitsublshi Electric Согр., Япония
,,
SSD
Seпsitroп Semicoпduclor D1v. , СШ А
"
SSDI
Solid State Devices. !пс., США
:1
'1
MED
Магсоп1 Electroпic Devices, Англия
SSE
1 Solid State Electroпics Comp., США
1'
1
MEL
Microeiectroпics, Ltd. , Го н к о н г
SSI
Solid Stale l11dustries. !пс .• США
.[
MENA
Murata-Erie North Americaп Согр" США
SSII
j Solid State lпdustries, !пс" США
i
MIS
1 Mistral SPA, Италия
Mist
1 Mistral, Италия
ML
Milliard, Ltd., Англия
Mot
Motorola Semicoпductor Products, !пс" США
MPS
1 Micro Power Systems, США
i1 .АЛS
! Microsemicoпductor Согр" США
sss
1 Solid State Systems, США
11
sтс
S1licoп Traпsistor Согр" США
STI
1 Semicoпduclor Techпology, !пс" США
1
STSI
ST-Semicoп. !пс" США
.1
Supertex
i Supertex. !пс" США
:!
i Sупtаг lпductries. !пс" США
i
Sуп
~
:! NAE
: NAE. !пс" США
j NAS
1 North Аmепсап Semicoпductor, Германия
TAG
! TAG Semicoпductor, Ltd" Швейцария
'i
те
Toshiba Согр., Япония
1
1 NEC
1 Nippoп Electric Comp., Япония
l'NEI
Natioпal Electroпics !пс., США
NJRG
New Jарап Radio Comp. , Япония
TCI
Teledyпe Crystaloпics, lпс., США
1
ТЕ!
Тессог Electroпics, !пс., США
Tel
Telefuпkeп Eleclroпic, Германия
NJS
1 New Jersey Semicoпductor Prod., США
Tesla
Tesla, Чехия
NSC
Natioпal Semicoпductor Согр., США
Thom
Thomsoп-CSF, Франция
ОЕС
Origiп Electric Comp., Япония
РЕС
Philips Electroпic Comp" Нидерланды
Т1
Texas lпstrumeпts, !пс., США
1
!
TRW
TRW Sem1coпductor, !пс" США
11
1
Philco
Philco Radio Televisao, Бразилия
TS
Teledyпe Semicoпductor, США
1
PI
i Parametr1c lпd" США
TSI
! Traпsistor Specialtys, !пс .. США
i!
PIC
: Piher Iпtегпаtюпаl Согр., Испания
UA
1 Uпited Aircraft. США
РРС
1 РРС Products Согр., США
uc
Uпitrode Согр., США
,; PPI
Ресог Presideпt Iпterprises Согр., США
Uпitra
Uпitra, Польша
PS
1 Piher Semicoпduclors, Испания
UPI
UPI Semicoпductors, США
PSDI
Puпjal Semicoпductor Devices, Ltd. , Индия
v
Valvo, Германия
PSE
Plessey Semicoпductors, Англия
VEG
Victory Eпgiпeeriпg Согр., США
PSI
Power Semicoпductors, !пс., США
VSI
Varo Semicoпductor, !пс., США
РТ!
Power Tech, !пс" США
WDI
Walberп Devices, !пс" США
QC
Quaпtrad Согр., США
WEC
Wesliпghouse Electric Согр" США
1
RC
Raytheoп Comp" США
ws
1 Westcode Semicoпductors. Англия
,i

Раздел 5. Аналоги транзисторов
551
5.4. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов
1 Обозпаче- i
! пие трап- 1
зистора
Фирма
°А
; АЕС
iАС
1 BEL, CSD, EI, GPD, ML,
РЕС, RTC, SA, V, WDI
АСУ
AD
ADP
ADY
: ADZ
;Af
: AFY
iАМ
!AMF
АР
ASY
ASZ
АТ
AU
AUY
·В
1
. BAL
: ВАМ
·ВАР
1
вс
1
ВСЕ
BCF
ВСР
1 всv
1
: BC\V
, вех
:
ВСУ
BD
BDP
BDV
BDW
1 BDX
i BDY
1
:ВЕ
BEL
Bf
1
CSD, EI, GPD, HSE,
ТНОМ, SA
ASI, BEL, CSD. EI, GPD.
ML. РЕС, RTC, SA, V , WDI
UNIТRA
GPD
, CSD, GPD
1 EI. GTC, HSE. IDI, ML.
1 РЕС, RTC, UNITRA , V
'W DI
1
1 CSD, GPD
iAMI
'A MI
ACR,ASC
CSD, GPD, UNITRA
BEL, CSD , GPD. WDI
AI
CSD,GPD
CSD,GPD. HSE
AI, STI , ТНОМ
!AI
1 АЕС, ASI, BEL, CDI, EI"
1 CSC. CSD. FEL. IDI. IТТ,
:KRD MELMLРЕСRTC
SA, SGS , ТНОМ, UNITRA, V
UNITRA
АЕС, ML. РЕС, RTC,
ТНОМ, V
UNITRA
i АЕС. FEL, ML . RTC, ТНОМ,
!SA,V
1 АПС. ASI, CSC. FEL, ML,
1 РЕС. RTC. SEC . SA, ТНОМ,
i UNITRA, V , WDI
f АЕС. ASI. CSD, CSC, FEL.
i IТТ. ML, РЕС, RTC, SEC.
1 SA. ТНОМ, V, WDI
АЕС. ASI, CSD, CSC, ML,
РЕС, RTC, V, WDI
ASI, BEL. CSD, CSC, ML,
РЕС, RTC, RFТ, SA, UNIТRA
UNITRA
ML, PEC,RTC,SGS, V
CSD, IPS , ML . РЕС, RTC,
SGS, SSE , SDI
BEL. CSC. CSD. FEL. IPS,
1 ML, SGS. RTC, РЕС, V
iIPS, HSE. ML . РЕС. RTC
SDI, TEL , SGS , UNITRA, V
ВЕ
BEL
RFТ, RTC, TEL , V, WDI,
CSD, ACR, CSC, EI, IDI,
АЕС, ASI, BEL, FEL , CDI ,
KRD, IC , HSE , MIS, РЕС,
UNITRA
1
Обозпаче-1
пие трап-
Фирма
зистора 1
BFE
UNITRA
BFN
RTC. SA
BfP
SA, UNITRA, TI
BFQ
АЕС, FEL, ML , RTC, РЕС, V
BFR
АЕС, ASI, CSD, IC, ML.
РЕС, RTC, SA , ТНОМ,
UNITRA, V , WDI
BFS
АЕС, ASI, FEL, HSE, ML,
РЕС, RTC, ТНОМ, UNITRA,
1
SA, V, WDI
1 ВFТ
ASI, FEL , ML . РЕС, RTC.
i
SA, SGS, TEL, ПЮМ, V
1 BFV
TI
1 BFW
А UNITRA. V, WDI
1
ЕС, ASI, BEL, CDI , CSC ,
1
CSD, ML , РЕС, RTC.
BFX
ASI, CDI, CSD. CSC . FEL .
IDI, HSE , DTC, ML . РЕС,
RTC, SGS, TEL. V, WDI
BFY
ASI, CSD, CSC, CDI, HSE,
IDI. FEL . ML . РЕС, SGS,
TEL, V, WDI
BGY
ML, РЕС, RTC
вш
ML, РЕС. RTC, V
BLV
ML, РЕС, RTC, V
BLW
ML, РЕС, RTC, V
BLX
ML, РЕС, RTC, SDI , V
BLY
HSE. ML . РЕС, RTC, V
вм
SII
ВР
SII
BR
MEL, SDI
BRT
SEM, TRW
BRY
ML, РЕС, RTC, V
BS
IТТ, ML, РЕС. RTC. V
BSJ
EI
BSR
АЕС, ML, РЕС, RTC,
1 тном. v
BSS
J АЕС, ASI, CSD, FEL, IDI.
1ML, РЕС, RTC. SA. V, WDI
BST
АЕС, ML, РЕС, RTC, V
BSV
1 АЕС, CSD, ML . РЕС, RTC,
1 SA, SGS, FEL, ТНОМ, V,
WDI, TEL
BSW
АЕС, ML, MIS, РЕС, RTC,
SGS, TEL , UNITRA. V
BSX
ASI, CDI, CSC, CSD, EI,
HSE, IDI, ML , MIS, РЕС,
RTC, SGS , TEL . UNITRA.
V. WDI
BSXP
UNITRA
BSY
ASI, CDI, CSC, HSE, IDI,
FEL, ML , РЕС, RTC, SGS ,
i
TEL, V
вт
RS
BU
ASI, CSD , DTC, GTC, HSE ,
KPD, ML, NEC, PPI, RTC,
SDI, SGS , TEL , ТНОМ,
UNITRA, V , WDI
BUC
мот
BUP
UNITRA
BUR
SGS, SEM
1
Обозпаче- i1
Фирма
пие трап- 1
зистора
1
BUS
ML, РЕС, RTC, ТНОМ. V
:
вuт
ML, РЕС, RTC, SGS. TEL, V i
BUV
ML, РЕС. RТС. SGS. SDI .
!
TEL, ТНОМ, V
BUW
CSD, ML . РЕС, RTC, SGS .
SDI, ТНОМ, V
BUX
CSD, FEL, KPD. ML, РЕС. i
RTC, SGS , SDI. TEL .
1
ТНОМ, UNITRA, UC, V . WDI !
BUYP
PPI. UNITRA
1
BUY
ASI. FEL . CSD, HSE. RTC,
1
1
, SGS SDI WDI
! BUZ
ML,PEC,RTC,SGS ,SA . V i
1
BZW
1
SA
i
1
с
ASI, ACR. TCI , ТI, WDI
1
CD
SII
1
1СА
1 GPD
CDT
GPD
Cf
SII
CIL
CDI
ск
STI
i
см
TCI
1
СР
TCI
!
CQT
GPD
!
cs
ASI, NSC. WDI
i
сsт
GPD
1
1
1
!
ISEC
cv
i SEM
сх
ASI, WDI
D
1ACR, CSC , GE, МОТ, NSC, !
1
SGS, PPI, STI. TI . WEC
1
DA
GPD, WEC
DB
WEC
1
DC
DI
1
:
!1
i
1DD
1DI
IAMS
1DI
jDM
iAMS
IDMP
i ML, РЕС, RTC. V
1
!
1DI.SI
DI
DQN
DI
1
DT
MED
1
DTA
МЕС
!
DTG
ASI, DTC, GPD. STI, WDI
1
DTN
DI
1
DTS
ASI. CSD . DTC, SPC, SSI,
i
TI, WDI
!
1DV
SI
1
DVD
SI
1
1
п
NSC. SDI . WDI
1
пс
UA
:
1
ED
1 NSC
1
EN
ASI, CSD , IDI. STI , WDI
1
l
1
ERS
ЕТС
!
ESM
MIS, ТНОМ
!
ЕТР
ЕТС
1
FC
SEC
FGT
FEL
!
FMMT
FEL
i
FM
ACR,NSC

552
! Обозначе· 1
! ние траи- 1
знстора
Фирма
'FN
,S!
ю~
:FS
·rт
: FS. МОТ, SП
: FТR
iFS
jGC
j RFТ, TESLA
'GD
1 RFТ, TESLA
1
!GE
1 CSC, CSD. GE
1
1 ~~т
1GE
i RFТ. TESLA
· GFY
TESLA
GS
1 RFТ. TESLA
GSDB
GSI
! GSDS
1 GSi
1 GSDU
1 GSI
; GSRl.J
: GSI
GSTU
1 GS!
GT
GDC,HSE
н
S!I
НА
GDC
НЕР
мот
НЕРЕ
МОТ
HEPS
мот
НР
НР
нs
GE. SEC
1 HSE
1 HSE
:нт
'FEL
' H\i
1 BEL
. iDA
;ю;
· IDB
: !Di
:юс
; ID!
IDD
i !Di
[О[
! ID!
!MF
1 !!, NSC
IR
!R
!RF
FS, IR, МОТ, RCA, SGS, S!
!RFD, !RFB !R
!RFF
!R
: !RFZ. IRG
,!R
.
!Т
;Ir
! !ТЕ
'!!. NSC
..
'.;
, iC, !i. МОТ. NSC, SI. SDI
.JA
· IТТ
•Jc
1 ITT
,jE
1 NEC
JH
SDI
iJO
TRW
к
ASI. HSE . WD!. КМС
1КА
TESLA
кв
WEC
кс
TESLA
ко
КМС, TESLA, WEC
1КЕ
NSC. SD! , WDI. WEC
1
,KF
, МА!, TESLA
; KFY
: TESLA
:МА!
!км
I ASI. WD!
·
KN
1 KPD
КР
KPD
KS. KSC
TESLA. WEC, Samsune:
KSP
PPS
KSY
TESLA
KU
TESLA
KUY
TESLA
L
ASI. WDI
LDA
АЕС
1
1
1
1
1
Обозначе·
ние тран
зистора
1 LOT
.
LS
1LT
мс
MD
MDS
МЕМ
MEU
MF
MFE
MFEC
MG
MGM
MGP
мн
МНА
MJ
1
MJE
:
1 MJEC
MJH
1мм
!
ММВА
ммвс
MMBF
MMBPU
MMBR
мм вт
ММВТА
ммвтн
ммвтs
ммс
MMCF
MMFF
ммсм
ммт
MN
МР
MPF
MPS
MPSA
1
MPSC
MPSD
MPSH
MPSK
MPSL
MPSU
MPSUC
Фирма
TRW
1S!
i NSC
1 ASI. !!, WD!
AS!, HSE . MEL. МОТ,
1 ST!. WD!
Р!
CSC. МОТ. Р!
мот
G!. SD!
MEL
МОТ. Р!, SП
CSC, МОТ, SD!. S!
мот
1те
мот
мот
MEL, WDI
FS
AS!, CSC . CSD . IDI, GTC.
!PS. МОТ, PPI, RCA , SGS ,
STC, STI . П. WD!
ASI, CSD. CSC, GTC. ID!,
МЕС. МОТ, NSC, РР!, SGS,
STI, ТНОМ, WDI
мот
мот
AS!, CSC, HSE , МОТ.
STI. WD!
МОТ, SEC
МОТ, SEC
МОТ. NSC
мот
мот
МОТ, NSC, SEC
МОТ. SEC
МОТ, NSC
мот
IMOT
мот
мот
мот
мот
STI
GPD. MPS, MEL. STC
MEL. МОТ, NSC. SD!,
SI. WDI
FEL, FS , CSC, SCD. IDI. GE .
МОТ. NSC, RC , SEC , STI.
TI, ТНОМ, WDI
FEL, FS, CSD, GE, IDI. ST!,
MEL. МОТ, NSC, RC . SEC ,
TI. ТНОМ, WDI
мот
CSC, CSD, GE. MEL, МОТ,
RC. SEC . STI. WD!
CSC, CSD, FS, GE. ID!.
MEL. МОТ, NSC. SEC ,
STI. WDI
CSC.SEC
CSC. FS, GE , IDI, МОТ,
NSC, SEC, ST!, TI. WDI
МОТ. SPE. WD!
мот
Раздел 5. Аналоги транзисторов
!
1
1
1
:
1
!;
1
!
!
:
:
1
1
1
1
'
i
1
1
1
1
Обозначе
ние тран-
зистора
1 MPSW
! MPU
j МРХ
1 MRF
MRFC
1MS
MSA
i MSB
'MSP
MST
мт
МТА
! МТЕ
1 мтн
1 мтм
МТР
MTS
MTU
мu
N
NA
NB
NDF
1NF
NKT
r NPC
j NPD
1NR
!NS
NSD
NSDU
NSE
NT
NTM
ос
ON
р
1 РВМ
РС
PD
РЕ
РЕС
РЕТ
PF
PG
РН
PL
PMD
PMS
PN
РТ
Q
R
RCA
RCP
RCS
RFD
RFH
RFK
RFL
1 RFM
Фирма
МОТ. NSC
GE. МОТ
мот
DTC. МОТ
мот
Т!
FS
WD!
HSE. ST!
HSE. SП
FS, MEL, РТ!
мот
!МОТ
! мот
j МОТ, SGS
1 FS, МОТ. SGS
'мот
MEL
GE, МОТ
CHERRY. KPD. Т!
NSC
NSC
NSC
1 !!. MEL. NSC. SI. TS
1 HSE
ITHOM
j NSC
! NSC
1
1 NSC
NSC. WD!
NSC
NSC
NEC
NEC
GPD. HSE, GTC. STI . Т!
ML. РЕС, RTC. V
CHERRY. NSC. SD!. S!. S.
1 SD. WD!
[ PHILCO
j PHILCO
! PHILCO
1 PHILCO
DI, PHILCO
1 FS, PH!LCO, NSC. РР!
РР!
STI
NSC
SEC
АЕС, ML. РЕС, RTC. V
Т!
CSD, LS
LS
1CSD. CSC. FS. MEL. NSC.
RC. SSD. SSI
BEL. РТ!, SSD, TRW
HSE
WDI
'
!
!
1
1
1
'
1
1
1
i
1
i
i
'
1
1
'
i
1
1
:
'
-
RCA
1
1
STI
RCA
FEL
RCA
RCA
RCA
i RCA

Раздел 5. Аналоги транзисторов
1 Обозначе· 1
! ние трап·
Фирма
: зистора 1
Обозначе-
ние трап-
зистора
1 RFP
1 RCA
su
RRF
1 RCA
sv
'RT
l RTC
SVN
:s
i ACR. SSD. те. UA
SVT
sc
GPD, RFТ. Р!
SWT
1 SCA
Р!
т
jSD
1 ML, RFТ, RTC, TEL, S!,
твс
1
тном. v
TBF
i SDF
SDI
те
iSDG
GPD
тсн
lsoм
SDI
тсs
SDN
sтс
ТЕС
SDP
STC
TED
SDT
CSC. GPD, SD! , SSD
TF
SE
ASI. CSD , FS , IDI, GTC,
TG
:
МОТ, NSC, SEC . STI , WDI
тн
SFMN
Р!, RFТ
ТНА
: SFN
i SDI
тнв
1 SFТ
1 MIS, Р!, ТНОМ
тнх
SGS
SGS
ТНУ
SGSP
SGS
Т!
SHA
SS!
Т!Р
SK
RCA. STI
SL
PS
SM
RFТ
SMBT
SA
Т!РС
ISO
тном
ПРL
SOR
тном
TIS
1SP
RS, SDI
'SPC
SPC
Т!Х
SPK
i SDI
пхм
SPM
l SDI
Т!ХР
1 SPT
i SSI
T!XS
jSQ
SEM
TL
ISQD
SEM
ТМР
SRF
FEL
TN
SRL
STC
SRLP
STC
ТР
·SRМ
1 STC
ТРЕ
1 SRS
1 STC. STI
ТРР
iss
RFТ, SS!
TPS
~ SSP
1 SSI
TPV
1
SSX
Р!
TQ
,ST
1 NSC, ST!, те. IR
TR
1 STA
1 sтс
TRF
1 STC
~рп
TRL
ST!
STI
TRM
STIP
STI
TRS
sтм
STI
TRSP
STP
STI
TRW
STS
sтс
TS
Фирма
RП, SGS, TSC
NSC
SDI
SDI. SSD, STI . TRW
SECI
1
SEM
те
те
MED
TAG
Т!
те
те
MED
UNITRA
SEC, ТНОМ
тном
тном
тном
тном
HSE, ST! , П, WDI
ASI, CSC, CSD, FEL, GTC,
IDI, МЕС, MEL, МОТ, ML,
SC, РР!, РЕС, RCA, RTC,
NSGS, SDI, ST!, Т!, V, WDI
мот
п
D!C, IDI , MEL, NSC, SDI ,
STI, TI. WD!
п
Т!
РТ!
Т!
тном
SEC
NSC, MEL, SUPERTEX .
ТС!, Т!
SEC
SEC
SEC
SEC
TPW
SEC
GDC. HSE, NVS. МЕ, SП
Т!
GDC, HSE, SП
GDC, HVS, HSE, STI
GDC. HSE, HVS. SSD , STI
GDC, HSE, NVS, SSD . STI
TRW
Т!
Обозначе
ние трап-
зистора
TSB
TZ
u
uc
UMIL
UMT
UPT
UTV
v
VAM
VCR
VMIL
УМОВ
VMP
VN
VNM
VNN
VNP
VP
VQ
VTV
w
WT
XGS
XGSA
XGSQ
XGSR
ZDT
ZT
zтх
ZVN
2NU
ЗNU
4NU
5NU
бNU
7NU
IOINU
!02NU
IOЗNU
!04NU
!05NU
!OбNU
!07NU
152NU
153NU
154NU
155NU
156NU
2Т
553
Фирма
'
те
1
SEC
i
IFC, !! , NSC, МОТ, SI, SD! ,
UC. WDI
МОТ. SDI
1
ACR
1
uc
uc
ACR
SGS, UA
ACR
!!. S!
ACR
ACR
SI
1
!!, SD! , S!, SUPERTEX
1
SDI
:
SDI
1
SDI
SD!, SUPERTEX
SUPERTEX
ACR
WDI
WEC
GS!
GSI
GSI
GS!
FEL
FEL
FEL
FEL
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
1
TESLA
;
TESLA
1
TESLA
1
TESLA
1
TESLA
TESLA
1
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
TESLA
пп
'

554
Раздел 5. Аналоги транзисторов
5.5. Зарубежные тра~зисторы и их отечественные аналоги
1
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
ll 101NU70
1 МПЗ5
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
2N1499B
ПЗО5Б
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
2NI 925
1 МП21Г
1
!! 102NU70
! МПЗ5
2Nl500
ПЗО5Г
2Nl926
i МП21Д
"
.,
.,
! МПЗ7
1
:! IOЗNU7U
il 104NU70
: МПЗ6А
1
\ i05NU7U
: МП36А
11 106NU70
1 МПЗ6А
1 i06NU70
'МПЗ7А
l2Nl507
1
КТ6ЗОЕ
1 П422
2N1524
2Nl526
П422
2N1564
КТ601А
11
2N1565
КТ601А
l2N193
! МПЗ8
'.,
iКТ608А
'
(
.
2N1958
!~
2N1959
! КТ608Б
2N2020
IKT3117A
:1.,
2N2048
1 П308Б, 1ТЗО8В
1
107NU70
МП36А, МП38А
2Nl566
ПЗО7Б. КТ602Г
2N2048A
ГТЗО8Б
152NU70
МПЗ6А, МПЗ8
2N1566A
КТ602Б
2N206
МГТ108А
153NU70
МП36А
2Nl572
П309
2N207
МГТ108Г
154NU70
МПЗ8
2Nl573
ПЗО8, 2T215AI
2N207A
МГТ108Г
27АМО5
2Т9121Б
2Nl574
ПЗО8
2N207B
МГТ108Г
2NI024
КТ104Б
2Nl585
ПЗllЖ
2N2089
П403, П416А
1
1 2N1027
1 КТ104Б
2Nl613
КТ6ЗОГ
2N2102
КТ6ЗОА
~
il 2NI028
1 КТ104А
2N1643
КТ104А
2N2102A
1 КТ6ЗОА
'
11 2NI036
1 2Т214А9
!: 2NI04
1 МП40А
2Nl655
2Т214Б9
2Nl671
КТ119А
2N2121
КТ3117А
1•
•
2N2121A
1КТЗI17Б
~
i 2NI05
1 ГТ109Б
.
2NI051
КТ601А
2Nl681
МП42Б
2Nl683
ПЗО8Б
2N2137
1 ГТ701А
2N2138A
ГТ701А
2Nl07
ГТI 15А
2Nl700
КТ801Б
2N2142A
ГТ701А
2N109
МП20Б
2NI 175
МП20Б
2Nl204
КТ312Г
2Nl204A
КТЗ12Г
2N1218
ГТ705Г
2Nl701
П702
2NI 702
КТ80ЗА
2N171 I
КТ603 (Е, Г)
2Nl714
П701А
2Nl716
П701А
.1
2N2143
ГТ701А
2N2147
ГТ905А
2N2148
ГТ905Б
1:
2N215
МП40А
11
2N218
ГТ109Е
1
2N1219
КТ104Г
2Nl22U
: КТ104А
2N:22:
: КТ104Г
, ! 2Nl222
1 КТ104А
il 2Nl~23
; КТ104А
1
11 2N123
1 МП42Б
1 2Nl28
! ГТЗIОД
l 2Nl292
ГТЗО5В
2NIЗO
МГТ108А
2N 1726
П417А
1
2NI 727
П417
1
2N1728
1 П417А
2NI 742
ПЗIЗБ
2NI 743
ПЗIЗА
2NI 745
1 ПЗО5Б
2NI 746
П417
2NI 747
П417
2NI 748
ПЗО5В
l 2N2192
1 КТ630Е
i!
1
il
2N2192A
1 КТ6ЗОЕ
,,
1 2N2193
':
1 КТ6ЗОГ
!
1 2N2193A
1 КТ6ЗОГ
"
,.
2N2194
КТ630Д
ii
'1
2N2194A
КТ630Д
~
2N2195
КТ6ЗОД
:
2N2199
ПЗО5А
1
1
1
2N220
П27А
1
'1
l 2NIЗOO
ГТЗО8А
l 2NIЗOI
П308А
2NIЗОЗ
МП20А
2NIЗOA
ГТ108А
11 2N131
! МГТ108Б
2Nl75
П27
2N 1752
П417
2NI 754
ПЗО5А
2NI 777
КТ665Б9
2Nl78
П216Б
2N2200
ГТЗО5Б
2N2217
КТ928А
2N2218
КТ928Б
i
2N2218A
КТ928Б
1,
':
2N2219
! КТ928Б
~
1
~ 2NIЗIA
1 МГТ108Б
1
:i ''NIЗn
: МГТ108В
:1...
4,
~! 2Nl32l
i ГТ705Б
:1 ~N13~9
'ГТ705В
1
jl 2Nl32A
МГТ108В
1 2N133
МГТ108Б
J. 2Nl353
МП42А
2NI 785
П417А
2NI 786
П417
2Nl787
П417
2Nl838
КТ617А
2Nl839
КТ617А
2Nl840
КТ617А
2N1854
П308Б
2N2219A
j КТ928Б
~.,
1 2N2221
1КТЗI17А
,1
i
1 2N2221A
1 КТЗ117А
1
l 2N2222
КТЗ117А
1
1
2N2222
1КТЗI17Б
,,
1
2N2224
КТ608Б
i!
2N2236
КТ617А
1
1
2Nl354
МП42Б
2NI 864
П417
2N2237
КТ608Б
2Nl366
ГТ122В
2Nl865
П417Б
2N2237
КТ603Б
2N1384
ГТЗ21Е. ГТЗ21Г
2Nl86A
МП25Б, МП20А
2N2242
КТЗ40В
1
2Nl384
ГТЗ21Д
2NI 889
КТ6ЗОГ
2N2243
КТ630А
1 2Nl387
КТЗОIБ
2N189
МП25А
2N2243A
! КТ6ЗОА
.!
j 2Ni39
ГТ109Е
2Nl890
КТ6ЗОБ
2N2246
1 КТЗ151Е9
J·
:1 2N1390
1 КТЗОIД
j! 2Ni4i3
1 МПЗ9Б. МП20А
2N1893
КТ630А
2N190·
МП25А
1
2N2270
1 КТ6ЗОД
!!
2N2273
1 ГТЗО5Б
·:
1
!I 2N1414
1 МПЗ9Б. МП20А
2Nl902
КТ926А
2N2274
КТ20ЗБ
11
1
!I 2Nl415
МПЗ9Б, МП20А
1
1 2Nl42U
КТ6ЗОЕ
l 2Nl494A
i ГТЗ21Г
2Nl499A
ГТЗО5А
2N1904
1 КТ926Б
11
2Nl91
МП25Б
1
2Nl923
2Т215БI
2N1924
МП21Г
2N2275
КТ20ЗБ
~
2N2276
КТ20ЗВ
·1
li
2N2277
КТ20ЗВ
'
2N2297
КТ630Г

Раздел 5. Аналоги транзисторов
555
J Зарубежный
Приближенный
~ транзистор
отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
l 2N233A
П122Б
2N2360
ГТЗ76А
~ 2N2361
П376А
2N2907A
КТЗIЗБ. КТ661А
2N2932
КТ201ГМ
2N2933
КТ201ДМ
2N3394
КТ37ЗГ
1
2N3397
КТ315Е
2N3399
ГТ346Б
jl 2N2368
КТбЗЗБ
2N2947
КТ90ЗА
2N3439
КТ504А
1 2N2369
КТбЗЗА, КТ3142А
2N2948
КТ903А
2N3440
КТ504Б
2N237
МП40А
2N2958
КТ608Б
2N3440S
КТ940А
1 2N2372
. КТ203В
~ 2N2373
1 КТ203В
~ 2N2400
ГТ308Б
2N2987
КТбЗОГ
1 2N2988
КТбЗОВ
2N2989
КТбЗОГ
2N3441
КТ802А
2N3442
КТ945А
!1
2N3451
КТ337А
r, 2N2405
1 КТбЗОБ
2N2990
КТбЗОВ
2N3467
КТ629Б2. 2Т629Б2
1
2N2410
КТ928А
2N2999
ГТ341В
2N3495
КТ632Б, 2Т632А
1
~ 2N2411
КТ352А
2NЗOIO
КТЗlбБ
2N3497
2Т632А
2N2412
КТ352А
2N3012
КТ347Б
2N3506
КТ8168В
2N2415
ГТ376А
2N3015
КТ928А
2N3507
КТ8168Б
2N2416
ГТЗ76А
2N3019
КТбЗОВ
2N3511
КТ384А2, 2Т384А2
1
2N2428
МП41А
2N3020
КТбЗОВ
2N3545
КТ343Б
1
2N2432
КТ201Б
2NЗОЗЗ
КТ3122А
2N3546
КТЗбЗА
i
11
1' 2N2432A
КТ201Б
:1 2N2475
1 КТЗlбБ
l zN2482
1 ГТЗllИ
2N3053
КТ608Б
2NЗО53
КТбЗОД
2N3054
КТ805Б
2N3565
КТ201АМ
i
1
'КТ399А
1
2N3570
2N3571
КТ399А
2N2483
1 КТЗ102Б
2NЗО54А
КТ803А
2N3572
КТ399А
i 2N2484
КТ3102Д
2N2537
1 КТ928Б
2N3055
КТ819ГМ, КТ8150А
2NЗО55Е
КТ819ГМ
2N3576
КТ347А
11
2N3583
КТ704В
1
1
2N2538
КТ928Б
2N3107
КТбЗОБ
2N3584
КТ809А
2N2539
КТ3117А
2N3108
КТбЗОГ
2N3585
КТ704Б
2N2615
КТ325А
2N3109
КТбЗОБ
2N3585
КТ704А
2N2616
КТ325Б
2N31 IO
КТбЗОГ
2N3600
КТ368А
2N2617
КТ201А
2N3114
КТ611 Г
2N3605
КТ375Б
2N2635
ГТ320В
2N3121
КТ315А
2N3606
КТ375Б
1
11
!1 ~N2646
1 КТ132А
:! 2N2647
КТ! 17Б, КТ! 325
il 2N265
МГТ108Г
j, 2N2659
П214А
1
2N3127
П328А, ГТ376А
2N3204
КТ836А, 2Т836А
2N3209
КТ347А
2N32IO
КТбlбБ
2N3607
КТЗ75Б
1
2N3611
ГТ701А
1
2N3613
ГТ701А
2N3638
КТ686Г
1
11 2N2660
1 П215
2N3237
КТ729А
2N3638A
КТ686Ж
il 2N266l
П215
2N3240
КТ730А
2N3671
КТ620А
11 2N2665
i П214А
2N3245
1 КТ629А2, 2Т629А2
2N368
МП40А
1 2N2666
П214А
2N3248
КТ351А
2N369
МП41А
2N2667
П215
2N3249
КТ345Б
2N3702
КТ345Б
2N2696
КТ351А
2N2708
КТ325Б
2NЗ250
КТЗIО8А, КТЗIЗБ
2N3250A
КТЗIЗБ, КТ3108В
2N3703
КТ685Е
1
2N3709
КТ358А, КТ373А
2N2711
КТ315Т
2N2712
, КТ315Б
2N2725
КТ635Б
2NЗ251
КТ3108Б
2N326
П705В
2NЗ267
ПЗ76А
2N37IO
КТ358В. КТ373А
1
1
2N371 I
КТ3102В
i~1
2N3712
КТ611Г
1
2N2727
КТ504Б
2N3279
П328А
1 КТ692А
1
2N3717
11
2N273
МП39А
2N3280
ГТЗ28А
2N3719
КТ8167В
1
2N2784
КТЗlбБ
2N3281
П328Б
2N3720
КТ8167Д
2N2811
1 КТ908Б
2N3282
П328В
2N3722
КТ608Б
2N2813
КТ908А
2N3283
П328А
2N3724
КТ608Б
2N283
МП40А
2N3284
П328В
2N3725
КТ635Б, КТ659А
2N2835
П213
2N3286
ГТ328Б
2N3730
ГТ810А
2N2836
ГТ703Д
2N3299
КТ608Б
2N3732
ГТ905А
2N2844
КПС104Б
2NЗ301
КТЗl 17А
2N3733
КТ907А
2N2857
КТ399А
2N2868
КТбЗОД
2N2890
КТ801А
2N2891
КТ801А
2NЗЗО2
КТ3117А
2NЗЗОЗ
КТ624А2, 2Т624А2
2N3304
КТ337А
2N331
МП39Б
2N3737
КТ659А
1
2N3738
КТ809А
2N3739
1 КТ809А
2N3740
КТ932Б
1
i
2N2894
КТ347Б
2N3329
КПIОЗЕ, 2ПIОЗА
2N374 I
КТ932А
1
il 2N2904AL
КТ620Б
2N3375
КТ904А
2N3742
КТ604Б
/ 2N2905A
КТ662А
2N3390
КТ373В
2N3766
КТ805Б
2N2906
КТЗIЗА
2N3391
КТ373В
2N3767
КТ805Б
2N2906A
КТЗIЗА
2N3392
КТ373А
2N3771
КТ729А
2N2907
КТЗIЗБ
2N3393
КТЗ7ЗА
2N3772
КТ729Б

556
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
11
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
!! 2N3773
КПЗОА
l 2N3821
1 КПЗОЗТ. КП329Б
I 2N3822
кпзози
! 2N3823
КПЗОЗА. КП329Д
1 2N3824
! КПЗО2БNo.
2N4258A
КТ363АМ
2N4260
КТ363А
21\:4261
КТЗбЗБ
2N4268
КП304А
2N4271
2Т653А
1
2N502B
1 ГТЗIЗА
2N503
ГТЗIОБ
2N5031
КТ399А
11
2N5032
1 КТ399А
1,
2N5043
1 ГТ329Б
h
'
2N3839
! КТ399А. КТЗ96А2. 2Т396А2
2N4291
КТ684Б
2N5044
ГТ329А
'1
' 1 2N3866
: КТ939А
1
2N43
МП25Б
2N5050
КТ802А
~
!' 2N3878
i КТ908А
2N4300
1 КТ8168А. КТ831А. 2Т831А
2N5051
КТ802А
1
2N3879
1 КТ908А
2N4301
КТ908А
2N5052
КТ802А
1 2N3880
КТ399А
2N4314
КТ933А
2N5056
КТ347Б
2N3883
ГТ320Б
2N4360
КПIОЗМРI
2N506
ГТ115Б
2N3903
КТ375А
2N438
ГТ122А
2N5067
КТ803А
2N3904
КТ375 (А. Б)
2N4391
2П914А
2N5068
КТ803А
2N3905
КТЗб 1Г. КТЗб 1В2
2N4393
КПЗО2ГМ, КПЗЗЗА. 2ПЗЗЗА
2N5069
КТ803А
i
2NЗ906
КТ361 Г, КТ361 Г2
2N44
1 МП25Б
2N5070
КТ912А
2N3953
КТ3123А2
2N4400
КТ645А
2N5090
1 КТ606А
1:
2N3964
1 КТ3107Л
2N4401
1 КТЗ85А2
1 2N5104
; КП329А
.;
'
~N397l
! КП302А. КП302АМ
2N441 I
1 КТ3126А. КТ3127А
1 2N5146
. КТС622А
'•
2N3972
·
КПЗО2ВМ
2N4416
1 КП323А2, 2ПЗ 12Б
2N5149
'2Т880В
'
2N397<
. КТЗI 72А9
2N4429
1 КТ911Б
2N5150
1 2Т881Б
2N403!J
i КТ933Б
1
1
2N403!
i КТ933А
2N4034
1 КТЗ26Б
2N4430
КТ913А
'
2N4431
КТ913Б
il
2N444
МП35
2N5161
: КТ914А
;i
l 2N5177
'КТ909А
:;
~
2N5178
; КТ909Б
•'
2N4034
КТ347А
2N4440
КТ907Б
2N5179
i КТ399А
·1
~
2N4036
КТ933А
2N4037
КТ933Б
2N4038
КПЗОIБ
2N404
: МП42Б
1
2N4046
'КТ608Б
2N444A
r МП35
2N445
МП38
2N445A
МП37
2N44A
МП40А
2N45
1 МП40А
1
2N5188
КТбОЗБ
'i
2N5190
1 КТ817А
,,
2N5191
КТ817В
:i
~
2N5192
: КТ817Г
.i
~i
2N5193
i КТ816А. КТ818А
~
2N405
'МП39А
2N456
1 П210В
i 2N5194
; КТ816В. КТ818Б
____.
2N4058
, i\.3193Б
2N457
П210Б
2N5195
! КТ816Г. КТ818:-
::
11 2N406
.
МП39А
1
~ 2N407:'
: ГТ705Д
li 2N4092
1 КП905А
2N458
П210Б
2N45A
! МП40А
11
1
2N4870
КТlЗЗА
2N5196
: КПСIО4В
'
2N5202
1 КТ908А
2N5209
КТ3102Д
2N4093
КПЗО2Г
2N4871
КТlЗЗБ
2N5210
! КТ3102Е
2N4123
КТ3102А
2N4889
КТ686Ж
2N5219
'КТ375Б
2N4124
КТЗ102Д
2N4891
КТ! 175
2N5221
КТ351А
2N4125
КТЗб 1Б. КТЗб 1АЗ
2N4893
КТ! 17В
2N5223
КТ375Б
2N4126
КТ3107Ж. КТ361А2,
2N4898
КТ932В
2N5226
КТЗSОА
КТЗIЗВl
2N4898
КТ932В
2N5228
КТ357А
' 2N4127
КТ922Г
'
2N4899
КТ932Б
2N5236
i КТ3122Б
'
1i 2N412Ь
: КТ922Д
2N4900
КТ932А
j 2N5239
1 КТ812Б
'
,.
11 2N413(J
: 2Т875Б
2N4910
П702А
11
2N5240
! КТ812А
'i
:i 2N4138
1 КТ201Б
,: 2N4207
1 КТ337Б
1
11 2N4208
f КТ337Б
1
'КТЗбЗА.
1 2N4209
1 2N4220
КП307Б
2N4223
КП305Д, КП307Б
2N4224
КП305Е. КП307В. 2П305Б
1
2N4911
П702
11
2N4912
П702
'1
2N4913
КТ808А
2N4914
КТ808А
1
1
2N4915
КТ808А
1
2N4923
КТ807БМ
2N4924
КТ611 Г
2N5270
i КТ3122А
1
2N5313
i КТ908А
~
'
2N5315
1 КТ908А
f,,
2N5317
1 КТ908А
"
,,
2N5319
КТ908А
2N5320
КТ8168Г
2N5321
КТ8168Д. 2Т881 Г
2N4231
П702
2N4232
П702
2N4925
КТ611 Г
2N4926
КТ604Б
2N5333
КТ8167Г
~
2N5334
КТ685Е
2N4233
П702
2N4927
КТ604Б
2N5354
КТ351А
~
2N4234
КТ830А. КТ692А
2N4933
1
КТ927А
2N5356
1 КТ685Ж. 2Т685Ж
•'
i 2N4235
КТ8ЗОБ
2N4960
КТ928Б. КТ635А
2N535A
ГТI 158
!1
il 2N4236
1 КТ830В. КТ830Г
!1 2N4237
КТ801А
1
1 2N4238
1 КТ801Б
2N4239
КТ801А
2N4964
КТ3193Б
2N497
КТбЗОД
2N4976
КТ911А
2N498
КТбЗОГ
2N535Б
1ГТI15Б
1
1
2N536
ГТI 15Г
~
2N5365
КТЗ51А
::
1
1
2N5366
КТ351Б
'1
2N4240
КТ704 (А. Б)
2N499A
ГТ305А, 1ТЗО5А
2N5373
КТ686А
1
'i
2N4254
КТ316АМ
2N4255
КТ316ГМ
2N501
ГТ305А
2N502A
ГТЗIЗА
2N5394
КПЗО7А
1'
2N5397
1 КП302Б
:!

Раздел 5. Аналоги транзисторов
557
~ Зарубежный Приближенный
1' транзистор
отечественный аналог
1 Зарубежный
Приближенный
1
транзистор
отечественный аналог
1 Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
2N5400
КТ6116Б, КТ6138Д
2N5889
ГТ701А, П216
2N6180
КТ932А
2N5401
КТ6116А
2N5890
ГТ701А. П216Г
2N6181
КТ932А
2N5401
КТ6138Г
2N5891
ГТ701А, П217
2N61A
МП20В
1· 2N5427
КТ808А
i! 2N5427
КТ808ГМ
Г2i::Js429
КТ808А
2N59
МП20А
2N591
ГТI 15Г
2N5995
КТ920Г
2N61B
МП21д
1
2N61C
МП21Г
1
2N6202
КТ934А
1
2N5447
КТЗ45Б
2N5996
КТ920Г
12N6203
КТ934Б
1
2N5452
КПС104А
2N59A
МП20А
2N6204
КТ934В
1
• 2N5456
КТЗ89Б2. 2ТЗ89Б2
I, 2N5468
2Т809А
2N5481
КТ911А
2N5483
КТ919В
2N5490
КТ819Б
2N5492
КТ819В
2N59B
МП21Д
2N59C
МП21Д
2N60
МП20Б
2N601 I
КТ825Б
2N6013
КТ685Д
2N6015
КТ685А, 2Т685А
2N6208
КТ916Б
1
2N6216
КТ684А
11
2N6246
КТ818ВМ
1
2N6247
КТ818ГМ
2N6248
КТ818ГМ
1
2N6253
КТ819БМ 1
2N5494
КТ819В
2N5496
КТ819Г
2N602
П416
2N603
П416
2N6260
КТ805Б
1!
2N6263
КТ802А
2N554
П216В
2N6034
КТ8130А, КТ8219А
2N6264
КТ802А
1:
1
2N5540
1 КТ854А
2N6035
КТ81ЗОБ
2N6266
IКТ919В
1!
2:"J555
1 П216В
2N6036
КТ81ЗОВ
2N6278
1 КТ879Б
,,
1
2N5550
КТ6117Б. КТ6139Д
2N6037
КТ8131А
2N6279
КТ879А
2N5551
1 КТ6117А. КТ61395
2N6038
КТ8131Б
2N6282
КТ827В
1
2N5556
КПЗОЗБ
2N6039
КТ8131В
2N6283
1 КТ827Б
2N5589
КТ934Г. КТ920А
2N604
П416А
2N6284
КТ827А
2N5590
КТ934Д
2N6047
КТ947А
2N6285
КТ825Д, 2Т825В. 2Т877Б
2N5591
КТ920В
2N6050
КТ825Д
2N6286
КТ825Г, 2Т825Б, 2Т877А
2N5596
КТ916А, КТ919А
. 2N560
ПЗ07В
2N5621
2Т876Б
2N5625
2Т876В
~ 2N5626
1 2Т875А
,----
2N6051
КТ825Г
2N6052
КТ825Г
2N6057
КТ827В
2N6058
КТ827Б
2N6059
КТ827А
2N6287
КТ825Г, 2Т825А
1
2N6288
КТ819А
2N6289
КТ819А
2N6290
КТ819В
11,,
2N6291
КТ819В
11
1
'2 N5 64:
1 КТ922А
2N6077
КТ812Б
2N6292
КТ819Г
2N5642
КТ922Б
2N6078
КТ812Б
2N6293
КТ819Г
2N5643
КТ922В
2N6079
КТ812А
2N6303
КТ8167Б
2N5650
2ТЗI 1486
2N6080
КТ920Б
2N6304
КТЗ99А
2N5652
КТЗ72В
2N6081
КТ920Г
2N6305
КТЗ99А
2N5653
2Т504Б
2N5672
КТ874А. 2Т974Б
2N6093
КТ912Б. КТ927Б
2N6099
КТ819В
2N6310
КТ818В
1
2N6341
КТ867А
2N5675
КТ8167А
2N5681
КТбЗОГ
2N5682
КТбЗОА
2N60A
МП21В
2N60B
МП21Д
2N60C
МП21Г
2N6362
КТ9ЗОА
·i
2N6364
КТ9ЗОБ
11
2N6369
КТ931А
1
2N5707
КТ921А
2N5709
1 КТ936А
2N5719
КТ929А
2N61
МП20А
2N6101
КТ819Г
2N6106
КТ837Б
2N6371
КТ819БМ
'i
2N6372
1 КТ808ГМ
!j
l 2N6373 l КТ808ГМ
li
, 2N 5764
КТ91ЗА
2N6107
1
КТ818Г
2N6374
КТ808БМ
il
2N5765
1 КТ91ЗБ
2N6108
КТ837Д
2N6427
КТ517В
2N5768
КТ919Б
2N61 IO
КТ837К
2N6448
КТ684А
2N5769
КТЗ142А
2N6111
КТ818А
2N6469
КТ818БМ
2N5770
КТЗ25ВМ
2N6121
КТ817А
2N6470
КТ819БМ
2N5771
КТЗбЗАМ
2N6122
КТ817В
2N6471
КТ819ВМ
2N5781
КТ8ЗОА. 2Т8ЗОА
2N6123
КТ817Г
2N6472
КТ819ГМ
2N5805
КТ840В
2N6124
КТ837Ф
2N6477
КТ812ЗА. КТ850В
2N581
МП42А
2N6125
КТ837С
2N6499
KT81 IOA
2N5838
КТ840Б
2N6126
КТ837Н
2N65
МП20А
2N5839
КТ840Б
2N5840
КТ840А
2N5842
, КТЗ55А
2N6129
КТ819Б
2N6130
КТ819В, 2Т819А2
2N6131
КТ819Г
2N6515
КТ6139В
i
2N653
1 МП20А
2N654
МП20А
2N5845
КТ645А
2N5851
1 КТ355А
2N6132
КТ818Б, КТ837Ж
2N6133
КТ818В
2N6542
КТ840Б
1
2N6543
КТ840А
2N5852
КТЗ55А
2N6134
КТ818Г
2N6546
КТ878Б
2N5867
КТ818ВМ
2N6135
КТбlОА
2N655
МП20Б
2N5887
ГТ701А, П216
2N6178
КТ943Д
2N6553
2Т9117А
2N5888
ГТ701А, П216
2N6179
КТ94ЗБ
2N656
КТбЗОД

558
Раздел 5. Аналоги транзисторов
11 Зарубежный 1
Приближенный
11
транзистор отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
Р,
транзистор
отечественный аналог ~
11 2N6560
КТ841А, 2Т862А
'·
~1 2N657
КТ630Г
1
ii 2N6575
КТ8146А
2N797
ГТ311И
2N797
ГТ308А
2N834
КТ340В
25Al033D
КТ3107К
!
1 ГТ322Б
1
25А104
~1
25А105
ГТЗlОЕ
11 2N6617
КТ3132А
2N835
КТ340В
25А1052В
КТ3129Б9
2N6658
2П912Б
2N842
КТЗОlД
25А1052С
КТ3129Г9
2N6669
КТ863А. КТ997 А, 2Т863А
2N843
КТЗОl (В, Ж)
25Al052D
КТ3129Г9
2N6672
КТ847А, 2Т862Б
2N844
П307В, КТ601А
25А106
ГТЗlОЕ
2N6678
КТ847А. КТ878В, 2Т878Б
2N845
П308, КТ601А
25А107
ГТЗlОД
2N6730
2Т880Б
2N869
КТ352А
25А1073
КТ865А
2N6755
2П912Б
2N869A
КТ347А
25А108
П422
2N6764
КП747А
2N914
КТ616Б
25А109
П422
1
2N6766
КП250
2N915
КТ342Г
25А1090
КТЗlЗБ. КТ3193А
! 2N6767
КП717В
1 2N6768
1 КП717Б
2N916
КТ342А
2N917
КТ368Б
25А1091
КТ6138А
25А110
П422
~
2N6769
1 КП717А
2N918
КТ368А
25Al 106
КТ8101Б
2N6770
1 КП450
2N919
КТ340В
25All l
П422
! 2N6772
1 КТ8175Бl
1
2N920
КТ340В
25Al 12
П422
2N6773
KT8175Al
2N923
КТ203Б
25Al 16
ГТЗlОВ
2N6928
КТ8120А
2N924
КТ20ЗБ
25AJ 160А
КТ686Д
2N6929
КТ8138Ж
2N929
КТ342А
25Al 1608
КТ686Е
2N6930
КТ8138И
2N930
КТ342А
25Al 17
ГТЗlОД
2N6931
КТ8117Б
2N94
МП38
25Al 18
ГТЗlОД
2N6932
КТ856Бl
2N943
КТ203Б
25Al 180
КТ865А
2N696
КТ630Д
2N944
КТ203Б
25А1213
КТ511Е9
1 2N697
j КТ630д
2N955
ГТ311И
25А1214
КТ511Ж9
~ 2N698
1 КТ630А
2N955A
ГТ311И
25А1224
1 2Т691А2
~
~ 2N699
: КТ630А
2N978
КТ350А
25А1274
КТ684В
~ 2N700
1
! ГТЗlЗБ, ГТ376А
2N979
ГТ305А
25А1320
КТ3157А
"
J 2N700A
i П376А
1 2N702
1 КТ312А
2N980
1 ГТ305А
2N987
1 ГТ322Б
1 25А1356
1 КТ626Г. КТ626д
1
i
25А1356
КТ626А
2N703
КТ312В
2N990
ГТ322В
25А1376
КТ6138В
2N705
П320В
2N991
ГТЗ22В
2SA1416R
КТ511В9
2N706A
КТ340В
2N993
ГТ322В
25А1515
КТ686Б
2N708
КТ340В
2N995
КТ352А
25А1544
КТ6138Б
2N709
КТ316Б
2N996
КТ352А
2SA1584
КТ9144А9
2N709A
1 КТ316Б
2NL234B
КП902Б
25А173
ГТ125Б
11 ~N71G
i iT320B
2NU72
П403Б
1
25Al 74
ГТ125Б
!
2N711
1 П320В
2NU73
П703Б
25А195
ГТ124А
2N7l!A
: П320Б
2NU74
ГТ701А, П210А
25А204
ГТ125Б
2N711Б
i ГТ320Б
252466
П201АЭ
25А205
ГТ125Д
1
2N7200LTI
1 КП214А9
253640
КТ3126Б
25А206
ГТ125Б
2N72Ь
i КТ349А
2N727
КТ349Б
25564
КТ686Г
1
25А1009
КТ851Б
'[
25А211
ГТ125А
~
25А212
ГТ125А
1
2N728
КТ312В
2SA101
ГТ322В
25А219
ГТ322В
2N729
КТ312Б
25А1015
КТ3107Б
25А221
ГТ322Б
2N734
П307, КТ601А
2N735
П307А. КТ601А
2N735
КТ601А, П307А
2N738
1 П309
25Al016f
КТ6138Д
25А102
П322В
25А1021
КТ722А
1
25А1029В
J КТ3107Г
11
1
25А223
ГТ322В
11
25А229
ГТЗlЗА
1
25А230
1 ГТЗlЗА
,,
'i
2SA234
1 ГТ309Б
')
ii 2N739
[ П308
2N741
1 ГТЗlЗВ
,;2N741A
1 ГТЗlЗА
2N743
1 КТ340В
1
2N744
КТ340В
2N753
КТ340Б
2N754
П307В
25А1029С
КТ3107Д
1
25Al029D
КТ3107И
1
25AJ03
ГТ322В
25АJОЗО
КТ668В, КТ3193А
11
25А1030В
КТ668Б
1
2SAJOЗOB
КТЗ 107Б, КТ668В
'1
25А1030С
КТЗ 107Д. КТ668В
25А235
ГТ309Б
~
25А236
ГТ322В
125А237
ГТЗ22В
1 25А246
ГТ305В
~
' 25А254
ГТ109Е
2SA255
ГТ109Д
'1
25А256
ГТЗ22Б
~
2N755
П308
25AJ03JB
КТ3107Г
25А257
ГТ322В
~
2N77
П109Б
25А1031С
КТ3107Ж
25А2570
КТ6142Б
2N780
КТЗ12Б
2SAIOЗJD
КТ3107Ж
25А258
ГТЗ22В
2N784A
КТ340В
1
25А1032
КТ668А
25А259
ГТЗ22В
.,
;1
:1 2N795
ГТ308А
1
25А1033В
КТ3107Г
25А260
, ГТЗIОА
.
!1 2N796
i ГТ308Б
1 1 25А1033С
КТ3107Д
il 25А266
i ГТЗО9Г
:

Раздел 5. Аналоги транзисторов
559
"
1
1
1 Зарубежный 1
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
1
транзистор
отечественный аналог
i 2SA267
ГТЗО9Г
1 2SA268
ГТЗО9Д
транзистор
отечественный а11алоr
2SA60
ГТЗ22Б
2SA603
КТЗIЗБ
транзистор
отечественный аналог
2SBIOl9
КТ818В
2SBI 10
ГТ124А
1 2SA269
rтзозд
1 2SA270
ГТ309Г
l 2SA271
ГТЗ09Г
2SA272
ГТ309А
2SA628
КТ357Г
2SA640
КТ3107 (К, И)
2SA641
КТЗ107Л
2SA65
ГТ125В
2SBI 11
ГТ124Б
2SBI 12
ГТ124В
2SBI 13
ГТ124В
2SBI 14
ГТ124Б
1 2SA277
1 ГТ124В
2SA670
КТ816В
2SBI 15
ГТ124В
2SA279
1 П416Б, ГТ305Б
2SA671
КТ816Б
2SBI 16
ГТ124Г
I 2SA282
1ГТI25(В,Г)
2SA673
1 КТЗ50А
2SBI 17
ГТ124Г
i, 2SA21J5
1 ГТЗ22Б
2SA69
ГТ309Е
2SBl2
ГТ124А
2SA286
ГТ322Б
2SA70
ГТ309Е
2SBl20
МП41А
2SA287
ГТ322Б
2SA71
ГТЗ09Е
2SBl214
КТ8219Б
2SA312
ГТ321Д
2SA715B
КТ639И
2SBl220Q
КТ3180А9
2SA321
ГТЗ22В
2SA715B
КТ639В
2SBl286
КТ852А
2SA322
ГТ322В
2SA715C
КТ639В
2SBl3
ГТ124А
2SA3355
КТ6142А
2SA715D
КТ639В
2SBIЗO
П201АЭ
2SA338
ГТЗ22В
2SA718
КТЗIЗБ
2SBl316A
КТ8219ВI
2SA339
ГТ322Б
2SA72
ГТЗ22В
2SBl35
ГТ124В
2SA340
ГТ322Б
2SA341
1 ГТЗ22Б
~ 2SA342
1 ГТЗ22Б
2SA343
1 ГТ309Б
2SA73
ГТ322В
2SA733
КТЗ107И
2SA738B
КТ639В
2SA738C
КТ639В
2SBl36
МП25А, МП20Б
J
2SBl36A
МП25А. МП20Б
;!
2SBl452Q
1 КТ8217ГI
:1
2SBl474A
КТ8219БI
1
2SA35U
1 П422
2SАЗ51
П422
2SA352
П422
. 2SA738D
КТ639В
2SA740
КТ851В, 2Т851В
2SA741H
КТЗ52А
2SBl5
ГТ125А
1
2SBl70
МП39А, МП40А
2SBl71
МП40А
2SA354
П422
2SA743
КТ639Г
2SBl72
МП20А, МП25Б
2SАЗ55
П422
2SA743A
КТ639Ж
2SBl73
МП39А
2SA374
П609А
2SA743A
КТ639Г, КТ639Ж
2SBl75
МП41А
2SA391
ГТ125В
2SA750
КТ3107К
2SBl76
МП25Б, МП20Б
2SA396
ГТ125Г
1 2SA4U
ГТ124Б
! 2SA400 1 ГТЗ09Г
~ 2SA412
i ГТ308Б
12SA414
! ГТ125Б
2SA755A
КТ932Б
2SA755B
КТ932Б
2SA768
КТ816В
2SA769
КТ816Г
2SA779K
КТ639В
2SBl80A
П201АЭ
11
2SBl81A
П202Э
2SB200
МП25Б. МП20А
1
2SB201
МП25Б. МП20А
2SB261
1ГТI15А
~ 2SA416
: ПбОбА
8 2SA422
1 ГТ346Б
2SA78
ГТ321Д
2SA78
ГТ321В
2SB262
ГТI 158
1'
2SB263
МП25Б
11
2SA44C
ГТЗIЗА
2SA780AK
КТ639Д
2SВЗО2
ГТ109Е
2SA467
КТ351Б
2SA781K
КТ345Б
2SВЗОЗ
ГТI 15Г
·
2SA479
ГТЗЗIА
2SA794
КТ9115Б
2SB32
МП39А
2SA49
ГТ109Е
2SA81 IC5
КТ3129Б9
2SВЗЗ
МП41А
2SA490
КТ816Б
2SA81 IC6
КТЗ129Г9
2SВЗЗ5
МГТ108В
2SA494G
КТ349В
2SA812M4
КТЗ129Б9
2SB336
МГТ108В
2SA495
КТ357Г
2SA812M5
КТЗ129Б9
2SB361
ГТ806А
2SA495G
КТ357Г
2SA815
КТ814Г
2SВЗЬ2
ГТ806Б
11
2SA496
КТ639Б
2SA50
1 пзо
2SA844C
КТЗ107И
2SA844D
КТ3107И
2SB367
1 П201АЭ
.1
2SB368
1 П201АЭ
1
2SA500
1 КТ352А
2SA504
i КТ9ЗЗА
2SA876H
КТЗIЗБ
2SA891
КТ529А
1
2SB37
МП41А
11
2SB39
ГТ115А
2SA505
1 КТ639Д
2SA92
ГТЗ22Б
2SB40
МП42Б
1
2SA52
1 ГТ109Е
2SA93
ГТЗ22В
2SB400
МГТ108Г
2SA522
КТЗ26Б
2SA952K
КТ6115Е, КТ686Е
2SB43
ГТ125В
2SA53
ГТ109Д
2SA952L
КТ6115Д, КТ686Д
2SB434
КТ837Р
2SA530
КТЗIЗБ
2SA952M
КТ6115Г
2SB434G
КТ837Р
2SA537
КТ9ЗЗБ
2SA962A
КТ639Д
2SB435
КТ837У
2SA550
КТ3193Д
2SA966Y
КТ686В
2SB435G
КТ837Р
2SA555
КТЗбlЕ, КТ361Е2
2SA967
КТ312ЗАМ
2SB435U
КТ816А2
2SA556
КТЗбlЕ
2SA983
КТ3109А
2SB439
МП41 А. МП39Б
2SA559
КТ352А
2SA999
КТЗ107И
2SB44
ГТ124В
1
2SA564
1 КТ3107Д
2SA999L
КТ3107И
2SB440
МП41 А. МП39Б
12SA564A
1 КТ3107И
2SBIOl6
КТ818Г
2SB443A
МГТ108Г
2SA568
КТ345В
2SBIOl 7
КТ818Г
2SB443B
МГТ108Г
2SA58
ГТЗ22Б
1 2SBIOl8
КТ818Г
1
2SB444A
МГТ108Г

560
Зарубежный
1
транзистор
I 2584448
il 258448
:1 258456
,,
!1 ~58467
:' 25846!1
1 25847
1 258473
1 25848
1 258481
25849
258497
258506А
25854
258546
'
1 258546А
1
1 25855
11 258551Н
1 258553
1258558
25856
25857
258595
258596
25860
25861
258630А
: 258650Н
1
11 258678
:1 258693Н
11258709
258709
258709А
258710
25875
258750А
258754
258772
258834
258883
1 25890
1 258906
1
11 258906
25897
258970
258973А
258996
25CIOOOGTM
25CIOOI
25С1008
25С1008А
25С1009А
25CIOIA
25Cl044
25Cl05
25С1056
25С1080
25С108А
25С1090
25Cl09A
25CI 111
25CI 112
25CI 113
1
Приближенный
Зарубежный
1
отечественный аналог
транзистор
1 МГТ108Г
25CI 114
1 П201АЭ
25CI 115
1 П202Э
25CI 1172Б
1
1
1 П202Э
25CI 141
ГТ810А
25CI 144
МГТIО8 (Д, Г)
25CI 145
П201АЭ
25CI 172
ГТ125Б
25CI 172А
П201АЭ
25CI 173
ГТ1258
25CI 188
МГТIО8Б
25С1215
КТ842А
25С1236
ГТ124Г
25С1254
КТ8518. 2Т8518
25С1260
1 КТ851А
25С1262
i ГТ125Г
25С1308
1 КТ932Б
25С131
КТ8188
25С1317
КТ818ГМ
25С132
ГТ125Г
25С133
МГТ108Б
25С134
КТ816Г
25С135
КТ816Г
25С137
МП41А
25С1395
МП41А
25С1440
КТ851А
25С1454
1 КТ825Г
25С1504
1 2Т708А
25С1515К
КТ825Г
25С151Н
i КТ3129Д9
25С1550
КТ3129Д9
25С1566
КТ3129Г9
25С1569
КТ3173А9
25С1576
ГТ1258
25С1617
КТ852Б
25С1618
КТ818Б
25С1618
КТ9176А
25С1619
КТ835Б, КТ8378
25С1619А
1 КТ8106Б
25С1619А
ГТ109Г
25Cl622D6
1 КТ835Б, КТ8378
25Cl622D7
КТ835А
25Cl623L
ГТIО98
25С1624
КТ3171А9
25С1625
КТ8528
25CI 70
КТ816Г
25С171
КТ3102Б
25CI 72
КТ925Г
25CI 789
КТ630Д
25С1805
КТ630Б
25С1815
КТ3151Д9
25С1826
КТ902А
25С1826
j КТ355А
25С1827
КТ312Б
25С1828
КТ605Б
25С1846
КТ683А
25С188
КТ630Г
25С1894
КТ372А
25С1895
КТ928Б
25С1896
КТ802А
25С1950
КТ802А
25С2001К
КТ808А
25C2001L
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Приближенный
отечественный аналог
КТ812Б
Зарубежный
Приближенный j
транзистор
отечественный аналог 1
25С2036
КТ646А
J.
2Т875Г
1
1
КТ839А
КТ8154А
1 КТ9098
·'
25С2042
;.
25С2068
1 КТ940А
1
1
25С2121
1 КТ828А
.,
1
КТ8154Б
25С2122
1 КТ841А
КТ809БМ
25С2137
КТ812А. КТ828Б
КТ839А
25С2138
КТ812А
КТ839А
25С2168
КТ850А
КТ943А
25С2173
КТ909Г
КТ325БМ
25С2188
КТ3126А9
КТ325АМ
25С2231
КТ9408
КТ3101АМ, 2Т3101А2
25С2231А
КТ9408
КТ3106А2, 2Т3106А2
25С2242
КТ940А
КТ399А
25С2258
1 КТ940Б
!
КТ939А
25С2270
1 КТ9157А
п
КТ841Г
25С2295
1 КТ3170А9
~
КТ616Б
25С2333
KT8175AI
·'
КТ645А
25С2335
КТ8138А
КТ616Б
25С2351
КТ3168А9
КТ616Б
25С2368
КТ312382
КТ616А
25С2369
КТ3123Б2
КТ616А
25С2404
КТ3130Г9
КТ616Б
25С2405
КТ3130Г9
КТ3258М
25С2431
КТ945А
КТ945А
25С2456
КТ940А
КТ812Б
25С247
! КТ602Г
КТ809А
25С2481
i КТ683Б
j
КIНТ661А
25С249
i КТ602Б
'
КТ603А
25С2516
i КТ863Б
КТ940Б
25С253
КТ325А
КТ940Б
25С2562
КТ805АМ
КТ940А
25С2611
КТ604БМ
КТ812А, КТ828Б
25C2688N
КТ9130А
КТ812Б
25С2790
КТ828А
КТ808А
25С2790А
КТ828А
КТ808БМ
25С2791
КТ828А
КТ808А
25С2794
КТ943Б
КТ808А
25С281
КТ3128
КТ808АМ
25С282
1 КТ3128
t
КТ3130Б9
25С2873
КТ52889
~
КТ3130Б9
25С3056
'КТ8138Б
~
КТ3130А9
25С3057
КТ8138Д
КТ9438
25С306
КТ630Д
КТ9438
25С3061
КТ886А 1, 2Т886А
КТ306Д
25С307
КТ630Г
КТ306Д
25С308
КТ630Г
КТ306Д
25С309
КТ630А
КТ399АМ
25С310
КТ6308
КТ916А
КТ3102Б
25С3150
КТ8118А
1
25С3217
1 КТ9155А
!!
КТ817Г2
КТ817Т
125c321s
1 КТ9142А. КТ9155Б.
,,
;!
i 2Т9142А
,,
КТ817Г
25С3257
КТ854А
1i
КТ828А
25С3277
КТ856БI
1
КТ645А
25С33
КТ312Б, КТ312Бl
КТ617А
25С3306
КТ8117А
КТ839А
25С3335
КТ940Б
КТ839А
25С3356
КТ3198Е9
КТ839А
25С3357
КТ6142А9
КТ640Б2
25С3358
КТ3198Е
КТ6144Е
25С3419
КТ646А
КТ6144Д
25С3422
КТ805АМ

Раздел 5. Аналоги транзисторов
561
~ Зарубежный 1
Приближенный
~ транзистор 1 отечественный aнa.nor
Зарубежный 1
Прнб.nиженный
транзистор
отечественный aнa.nor
Зарубежный 1
Приб.nнженный
!i
транзистор 1 отечественный аналоr 1
·
25С3422
КТ940В
25С507
КТ611Г
250128
ГТ404И
25С3423
1 КТ940В
25С508
КТ802А
2501287
КТ8105А. 2Т8105А
25С3424
КТ940Б
25С510
КТ630В
250128А
ГТ404И
25С3450
КТ856АI
25С512
КТ630Г
2501308
КТ939Б
25С3459
КТ8127ВI
25С517
КТ903А
2501348
КТ9181Б
25С3480
КТ8127БI
25С519А
КТ802А, КТ945А
2501354
КТ817В
25С3568М
КТ863В
25С520А
КТ802А
2501356
КТ817Г
25С3607
КТ911Г
25С3637
КТ886Б!
25С521А
КТ803А
25С525
П701А
2501406
КТ817В
11
2501408
КТ817Г
25С3647
КТ512В9
25С538
КТ3102Г
250146
П702А
25С3660
КТ9152А
25С538А
КТ3102Б
250147
П702
25C366G
КТ645А
25С543
КТ907Б
250148
П702
25C367G
КТ645А
25С549
КТ904Б
2501513К
КТ6114Е
25С3688
КТ8157А
25С553
КТ907Б
2501513L
КТ6114Д
25С370
КТ375Б
25С563
КТ339Г
2501577Fl
КТ8127Аl
25С371
КТ375Б
25С583
КТ368Б
2501624
КТ528В9
25С372
КТ375Б
25С589
КТ638А. 2Т638А
2501627
КТ512Е9
25С3801
КТ368БМ
25С594
КТ608А
2501742
КТ3171А9
25С3812
КТ9151А
25С598
КТ904А
250195
МП38А
25С3827
КТ368Б9
25С601
КТ306Б
250201
КТ808А
25С3840
КТ8175Б
25С390
КТ368А
25С612
КТ325В
25С618
КТ325А
250202
КТ808А
'
250203
1 КТ808А
~
25С395А
КТ616А
25С620
КТ375А
2502200Q
КТ8218Гl
1
25С40
КТ316Г
25С633
КТ315Б
250234
КТ817А
'1
2SC400
КТ306В
25С634
КТ315Г
250235
КТ817Б
1
25С4001
КТ9130А
25С635
КТ904Б
250292
КТ817В
25С401
КТ358В
25С64
КТ601А
25031
МП35
25С402
КТ358В
25С641
КТ315Г
250312
КТ826Б
25С403
КТ358Б
25С642
КТ904А
250312
КТ826Б
25С404
КТ358В
25С65
КТ611В
25032
МП38А
25С408
2Т945Б
25С66
КТ611Г
25033
МП38А
25С41
КТ802А
25С67
КТ340В
250350
КТ8157А
25С4106
КТ8138А, КТ81 IОБ
25С68
КТ340В
25037
МП37А
25C4106L
КТ811ОВ
25С712
КТ375Б
250372
1 КТ8143И, КТ8143С
25С4109
1 КТ8145Б
25С727
П307Б
250373
КТ8143Л, КТ8143Р
25С42
'КТ802А
25C752GTM
КТ645А
250374
КТ8143М
25С4242
КТ8138Б, КТ81 IОА
25С779
КТ809А
250380
КТ839А
25С43
КТ802А
25С784
2Т397А2
250414
КТ683В
25С44
КТ803А
25С788
КТ618А
250415
КТ683Д
25С4468
КТ8218БI
25С790
КТ817Б
250418
КТ841Д
25С4542
КТ8138В
25С793
КТ803А
2504670
КТ660В
25С454В
КТ3102В, КТ342АМ
25С796
КТ603А
25047
КТ908А
25С454С
КТ3102В
25С809
КТ325В
250526
КТ817Г
25С4540
КТ3102В
25С815
КТ645А
250536
КТ864А
25С458
КТ3102В
25С825
КТ809А
250601
КТ3130Ж9
25С458КВ
КТ3102В
25С828
КТ3102В
250601
КТ3130В9
'
25С458КС
КТ3102В
25С828А
КТ3102Б
250601А
КТ3130Б9
1!
25С458КО
КТ3102В
25С829
КТ358Б
250602
КТ3176А9
1!
!
25C458LGB
1 КТ3102Д
25С893
П701А
250605
1 КТ834А
1
25C458LGC
КТ3102Д
25С900
КТ3102Г
250610
КТ850А
25C458LGO
КТ3102Д
25С923
КТ3102Г
250621
КТ710А, КТ715А
25С4756
КТ8121Б
25С923К
КТ3102ЕМ
250630
КТ729А
25С481
КТ630Д
25С945
КТ3102Д
250640
КТ828Б, КТ828Г
25С482
КТ617А
25С9595
КТ630Б
250668
КТ611БМ. КТ602АМ
25С493
КТ803А
25С976
КТ911Г
250668А
КТ611БМ
25С495
КТ646А
25С977
КТ913А
250675А
КТ945А
25С497
КТ630Б
25С978
КТ913Б
25068
КТ902А
25С498
КТ630Б
2501111
КТ517Е
250685
КТ834А
25С503
КТ630Г
2501174
КТ8129А
250686
КТ829А
25С504
КТ6ЗОГ
25С505
КТ618А
250127
ГТ404Б
250127
ГТ404Е
250691
КТ829А
1
250692
КТ829А
25С506
КТ611Б
2501279
КТ839А
250716
КТ819ГМ
36зак9

562
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный анапоr
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
25072
ГТ404И
А70-28
2Т964А, 2Т950А
АО314
П217, ГТ701А
25075
МП38, МП36А
АС116
МП25А
АО325
П210Б, ГТ701А
25075А
МП37 А, МП36А
АС117
ГТ402И
А0431
П213
250814
КТ3179А9
АС121
МП20А
АО436
П213
250820
1 КТ839А
АС122
ГТ115Г
АО438
П214А
'250821
i КТ839А
АС124
ГТ403И
АО439
1 П215
1 250822
1 КТ839А
АС125
МП20Б
АО457
1 П214А
' 250 838
1 КТ710А
АС126
1 МП20Б
АО465
П213Б
250841
1 КТ859А
АС127
ГТ404Б
АО467
П214А
250843
1 КТ819ГМ
АС128
ГТ402И
АО469
П215
250867
КТ808АМ
АС132
МП20Б, ГТ402Е
АО542
П217, ГТ701А
250877
КТ802А
АС138
ГТ402И
АО545
П210Б
250880
КТ817В
АС139
ГТ402И
АОР665
ГТ403Б
250880
КТ817Б2
АС141
ГТ404Б
АОР666
ГТ403Г
250882
КТ9177А
АС141В
ГТ404Б
АОР670
П201АЭ
250995
КТ715А
АС142
ГТ402И
АОР671
П201АЭ
25К1057
КП727Г
АС150
МГТ108Д
АОР672
1 П202Э
25К1087
КП727Д
АС152
ГТ402И
АОУ27
ГТ703В
25К123
АП324А2
АС160
П28
AFI06
ГТ328Б
25К124
АП324В2
АС170
МГТ108Г
AFI06A
ГТ328В
25К133
КП801Г
АС171
МГТ108Г
AFI09R
ГТ328А
25К134
КП801В
АС176
ГТ404А
AFl24
ГТ322А
25К1409
КП937А
АС181
ГТ404Б
AFl39
ГТ346Б
25К1616
АП343Аl-2
АС182
МП20Б
AFl78
ГТ309Б
25К215
КП802А
АС183
МП36А, МП38А
AF200
ГТ328А
25К2498А
КП775А
АС184
ГТ402И
AF201
ГТ328А
25К2498В
КП775Б
АС185
ГТ404Г
AF202
ГТ328А
25К28
КП722А
АС187
ГТ404Б
AF239
ГТ346А
: 25К298
КП707А
АС188
ГТ402Е
AF2395
1 ГТ346А
125к313
КП717А
25К316
КП323Б2, КП341А
АС540
МП39Б
АС541
МП39Б
AF240
ГТ346Б
AF251
ГТ346А
; 25К506
1 КП341Б
АС542
МП39Б, МП41А
AF252
ГТ346А
, 25К60
i КП801А
АСУ24
МП26Б
AF253
i ГТ346А
25К700
! КП727Е
АСУ33
1
ГТ402И
AF256
ГТ346Б
25К757
КП704А
АО1202
П213Б
AF260
П29А
25К76А
КП801Б
А01203
П214Б
AF261
П30
2Т3531
П308, КТ602А
АО130
П217
AF266
МП42Б, МП20А
2Т3532
П308, КТ602А
АО131
П217
AF271
ГТ322В
2Т3674
КТ355А
АО132
П217
AF272
ГТ322В
2Т3841
КТ343А
АО138
П216
AF275
ГТ322Б
3NI05
КТ118А
АО139
П213
AF279
• ГТ330Ж
'l 3NI06
КТ118Б
АО142
П210Б
AF280
ГТ330И
• 3Nl07
КТ118В
А0143
П210В
AF426
ГТ322Б
3Nl40
КП350А
АО145
П210В, П216В
AF427
! ГТ322Б
3Nl69
КП908А
АО148
ГТ703В
AF428
ГТ322Б
3N225
i КП310А
АО149
ГТ703В
AF429
ГТ322Б
1 3N74
1 КТ118А
АО150
ГТ703Г
AF430
1 ГТ322В
3NU72
ГТ403Б
АО152
ГТ403Б
AFYll
ГТ313А
3NU73
ГТ703Г
АО155
ГТ403Е
AFYl2
ГТ328Б
3NU74
ГТ701А, П201А
АО161
ГТ705Д
AFYl3
ГТ305В
40675
КТ912Б
АО162
ГТ703Г
AFYl5
П30
4NU72
ГТ403Б
АО163
П217
AFY29
! ГТ305Б
4NU73
ГТ703Д
АО164
ГТ403Б
AFZll
ГТ309Б
4NU74
ГТ701А, П210А
АО169
ГТ403Е
ALIOO
1 ГТ806В
5NU72
ГТ403Е
АО262
П213
ALI02
ГТ806А
5NU73
П213
АО263
П214А
ALI03
1 ГТ806Б
i
5W74
ГТ701А, П210А
АО301
ГТ703Г
ALF3000
i АП355А5
6NU73
П215
АО302
П216
АМ1416-200
КТ9146А, 2Т994А2
6NU74
П210Б, ГТ701А
АО303
П217
АМ82731-45
КТ9121А. 2Т9121А
714U74
П210Б, ГТ701А
АО304
П217
АМ83135-40
2Т9129А
7NU73
П215
А0312
П216
АМРАС1214-125 2Т975А
А50-12
КТ981А
АО313
П217
АР1009
КТ887Б, 2Т887А

Раздел 5. Аналоги транзисторов
563
Зарубежный 1
Приближенный
1
транзистор 1 отечественный аналоr
ASXll
МП42Б
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналоr
ВС108ВР
КТЗ102В
Зарубежный 1
Приближенный
i
транзистор 1 отечественный аналог
ВС212А
КТ3107Б
ASX12
1 МП42Б
ВС108С
КТЗ42В
ВС212В
КТ3107И
1
ASY26
МП42А, МП20А
ВС108СР
КТЗ102Г
ВС212С
КТ3107К
ASY26
МП20А
ВС109В
КТЗ42Б
ВС213А
КТ3107Б
ASYЗl
МП42А
ВС109ВР
КТ3102Д
ВС213В
КТ3107И
АSУЗЗ
МП42А, МП20А
ВС109С
КТЗ42В
ВС213С
КТ3107К
ASY34
МП42А, МП20А
ВС109СР
КТЗ102Е
ВС214
КТЗ!ЗБl
ASY35
МП42Б. МП20А
ВС119
КТбЗОД
ВС216
КТ351А
ASY70
МП42
ВС!39
КТ93ЗБ
ВС216А
КТЗ51А
ASY76
ГТ403Б
ВС140
КТбЗОГ
ВС218
КТ340Б
ASY77
1 ГТ403Г
ВС141
КТбЗОГ
ВС218А
КТ340Б
ASYBO
ГТ403Б
ВС142
КТбЗОГ
ВС226
КТЗ51Б
ASZ1015
П217В
ВС143
КТ93ЗБ
ВС226А
КТЗ51Б
ASZIOlб
П217В
ВС146-О!
КТ37ЗА
ВС234
КТЗ42А
ASZI017
П217В
ВС146-02
КТЗ73Б
ВС234А
КТЗ42А
Р.
ASZI018
П217В
ВС146-ОЗ
КТЗ73В
ВС235
КТЗ42Б
ASZ15
П217А, ГТ701А
ВС147А
КТЗ73А
ВС235А
КТЗ42Б
ASZlб
П217А
ВС147В
КТЗ7ЗБ
ВС237А
КТЗ102А
ASZ17
П217А
ВС148А
КТ373А
ВС237В
КТЗ102Б
ASZ18
П217В, ГТ701А
ВС148В
КТЗ73Б
ВС238А
КТЗ102А
АТ1065-1
АП356А5
ВС148С
КТ37ЗВ
ВС238А
КТЗ102В
АТ270
МП42Б, МП20А
ВС149В
КТ373Б
ВС238В
КТ3102В
АТ275
МП42Б, МП20А
ВС149С
КТ373В
ВС238С
КТЗ102Г
I АТ41485
КТ642А2
I АТ8040
АПЗ24В2
ВС157
КТЗбlГ
ВС!58А
КТЗ49В
ВС239В
КТЗ102Д
'
ВС239С
КТ3102Е
11 АТ8041
1 АП326А2
ВС!бО-6
КТ93ЗБ
ВС250А
КТЗбlА
: ATBl IO
1 ЗПЗ49А2
BClбl-6
КТ933А
ВС250В
КТЗб 1Б, КТЗб 1Б2
11 АТ8250
1 АП605А2-2
ВС167А
КТ373А
ВС285
П308
1 ATFOl35
АП344А2-2
ВС!67В
КТЗ7ЗБ
ВС286
КТбЗОГ
~ AUIOЗ
1 ГТ810А
ВС168А
КТЗ7ЗА
всзоо
КТбЗОБ, 2Т6ЗОБ
AUI04
ГТ810А
ВС168В
КТЗ7ЗБ
ВС307А
КТ3107Б
AU107
ГТ810А
ВС168С
КТ373В
ВС307В
КТ3107И
AU108
ГТ806Б
ВС169В
КТЗ73Б
ВСЗ08А
КТ3107Г, КТЗ107Б
AUllO
ГТ806Д
ВС!69С
КТ373В
всзовв
КТ3107Д, КТ3107Д
AU!lЗ
ГТ810А
ВС170А
КТЗ75Б
всзовс
КТ3107К
AUYIO
П608А, ГТ905А
1 AUY18
П214А
ВС170В
КТ375В
ВС171А
КТЗ73А
ВС309В
КТЗ 107Е, КТЗ 107Ж
ВС309С
КТ3107Л, КТ3107Л
ii AUY19
П217
· 1 AUY20
, П217
ВС171В
КТ373Б
ВС172А
КТ37ЗА
ВС317
КТ3102А, КТЗlЗБ-1
ВС318
КТ3102Б, КТЗ!ЗВ-1
1
AUY2I
П210Б
ВС172В
КТ373Б
ВСЗ19
КТЗ102Е, КТЗlЗГ-1
AUY21A
П210Б
ВС172С
КТ373В
ВС320А
КТЗ107Б
AUY22
П210Б
ВС173В
КТ373В
ВС320В
КТ3107Д
AUY22A
П210Б
ВС173С
КТ37ЗВ
ВС321А
КТ3107Б
AUY28
П217
ВС177АР
КТ3107А
ВС321В
КТ3107И
AUY35
ГТ806А
BC177VlP
КТ3107Б
ВС321С
КТ3107К
АUУЗВ
ГТ806В
ВС178А
КТ349В, КТ326А
ВС322В
КТ3107Ж
B2-8Z
КТ929А
ВС178АР
КТ3107В
ВС322С
КТ3107Л
8850-35
КП904А
ВС178ВР
КТЗ107Д
ВСЗЗ7
КТ660А
BAL0102-150
КТ9128АС
BC178VlP
КТ3107В
ВС338
КТ660Б
1
1
BALOI05-100
1 КТ9105АС
ВС179АР
КТЗ107Е
ВСЗ55
КТ352Б
·1
BAL0105-50
КТ9125АС, КТ991АС
BCl 79ВР
КТ3107Ж
ВСЗ55А
КТЗ52А
BAL0204-125
1 КТ985АС
ВС182А
КТЗ102А
ВС369
КТ681А
BAL0710-75
2Т987А
ВС182В
КТ3102Б
ВСЗ82В
КТЗ102Б
BClOO
КТ605А
ВС182С
КТЗ102Б
ВС382С
КТЗ102Г
BCIOI
КТЗО!П
ВС183А
КТ3102А. КТ3102ЖМ,
ВСЗ8ЗВ
КТЗ102Д
ВС107А
КТЗ42А
КТЗlЗБ
ВС383С
КТЗ102Е
ВС107АР
КТ3102А
ВС183В
КТ3102Б
ВС384В
КТЗ1020
ВС107В
КТ342Б
ВС183С
КТЗ102Г
ВСЗ84С
КТЗ102Д
ВС107ВР
КТ3102Б
ВС183С
КТ3102Б
ВС451
КТ3102В
ВС108А
КТ342А
ВС184А
КТ3102Д
ВС452
КТЗ102Б. КТ3102ДМ
BCIOBAP
КТ3102В
ВС184В
КТЗ102Е
ВС453
КТЗ102Д
ВС108В
КТ342Б
ВС192
КТЗ51Б
ВС454А
КТ3107Б
36"

564
Раздел 5. Аналоги транзисторов
~ Зарубежный 1
Приближенный
1 транзистор · отечественный аналог
1
ВС454В
КТЗ107И
ВС454С
КТЗ107К
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
BCW47
КТ373А
BCW48
КТ373 (В, В)
Зарубежный 1
Приближенный
транзистор i отечественный аналог
BCY59-Vll
КТЗ102А
BCY59-Vlll
КТЗ102Б
ВС455А
i КТ3107Г
BCW49
КТ373 (Б, В)
ВСУ59-Х
КТЗ102д
ВС455В
КТ3107Д
BCW57
КТЗ61Г
BCY65-IX
1 КТ3102Б
ВС455С
1 КТЗ107К
1
BCW58
1 КТЗ61Е
BCY65-Vll
1 КТ3102А
i
!1 ВС456А
i КТ3107Е
BCW60
КТЗ153А9
BCY65-Vlll
; КТЗ102Б
~
~ ВС456В
1 КТЗ107Ж
:j ВС456С
[ КТЗ107Л
1
ВСWбОАА
1 КТ3145А9, 2ТЗ145А9
~
BCW60AB
1 КТ3145Д9
~
ВСУ69
1 КТЗ42В
~
ВСУ70
! КТ3107А
!
11 ВС479
1 КТЗ193Г
BCW60AR
1 КТЗ139Б
ВСУ71
1 КТ3107Е
!
ВС51З
~ КТЗ45А
ВСWбОВ
КТЗIЗОБ9
ВСУ72
КТЗ107В
ВС521
КТ3102Д
BCW60BL
КТЗ139Г, КТЗ145Б9
ВСУ78
КТ3107Д
ВС521С
КТ3102Д
BCW60BR
КТ3139В
ВСУ79
, КТЗ102Б
ВС526А
КТ3107И
ВСWбОС
КТЗIЗОВ9
ВСУ90
КТ208Е
ВС526В
КТ3107И
BCW60D
КТЗIЗОЕ9
ВСУ90В
КТ501Г
ВС526С
КТЗ107К
BCW61A
КТЗ129В9
ВСУ91
КТ208Е
ВС527-10
КТ644Б
BCW61B
КТ3129Г9
ВСУ91В
КТ501Г
ВС527-6
КТ644А
BCW61C
КТЗ129Г9
ВСУ92
1 КТ208Е
ВС547А
КТ645Б, КТЗ102А, КТЗ102АМ
BCW69
КТЗ129Б9
ВСУ93
1 КТ208К, 2ТЗ 152А
~
ВС547В
1 КТЗ 102Б, КТЗ 102БМ
1
~ ВС547С
1 КТЗ102Г, КТ3102ВМ
BCW70
КТ3129Г9
!
BCW71
КТЗIЗОА9
ВСУ9ЗВ
1 КТ501Л
ВСУ94
КТ208К
j
1- ВС548А
1 КТЗ102А
ВС548В
1 КТЗ 102В, КТЗ 102ДМ
BCW72
КТЗIЗОБ9
BCW81
1 КТЗIЗОБ9
ВСУ94В
! КТ501Л
~
ВСУ95
1 КТ208К
ВС548С
КТЗ102Г, КТЗ102ГМ
BCW89
КТ3129Б9
ВСУ95В
КТ501М
ВС549А
КТ3102Д
ВСХ51
КТ664А9, КТ515Б9,
BDI09
КТ805Б
ВС549В
КТ3102Д
2Т664А91
BDll5
КТ604Б
ВС549С
КТЗ 102Е, КТЗ 102ДМ
ВС557
КТЗ61Д
ВС557А
КТЗ107А
ВС557В
КТ3107И
ВСХ52
КТ664Б9, КТ515А9,
2Т664Б91
ВСХ53
КТ664А9, 2Т664А91
ВСХ54
КТ665А9, КТ516Б9,
2Т665А91
BD121
КТ902А
BDl23
КТ902А
BDl23
КТ805Б
BDIЗI
КТ94ЗВ
ВС558
1 КТЗ107Д
ВСХ55
КТ665Б9, КТ516А9.
BDl32
КТ961Г. КТ932Б. КТ9180А
ВС558А
i КТ3107Г
2Т665Б91
BDl35-6
1 КТ94ЗА. КТ8272А
1
ВС558В
i КТЗ107Д
ВСХ56
КТ666А9, 2Т665А91
BDl36
1 КТ626А, КТ8271А
~
1ВС559
! КТЗ107Ж
ВСХ70
КТЗ15ЗА9
BDl37-6
КТ943Б. КТ8272Б
~
ВС847В
: КТЗ189Б9
ВСХ70АН
КТЗ145А9, 2ТЗ145А9
BDl38
КТ626Б, КТ8271Б
ВС847С
1 КТЗ189В9
BCX70G
КТЗ130А9
BDl39-6
КТ94ЗВ, КТ8272В
ВС847А
1 КТЗ189А9
ВСХ70Н
КТЗIЗОБ9
BDl40
КТ626В. КТ8271В
ВС857
КТЗ129А9
BCX70J
КТЗ130В9
BDl42
КТ819БМ
ВС858
КТЗ129Б9
ВСХ70К
КТЗIЗОВ9
BDl48
КТ805Б
ВС858А
КТЗ129Г9
ВСХ71
КТЗ146А9, КТЗ129А9
BDl49
КТ805Б
ВС869-10
КТ511И9
ВСХ71Н
КТЗ129Г9
BDl65
КТ815А, 2Т815А
BCF29
КТЗ129В9
BCX71J
КТЗ129Г9
BDl66
КТ814Б
ВСFЗО
КТЗ129Г9
BCYIO
КТ208Е
BDl67
КТ815Б
1
BCF32
1 КТ31ЗОВ9
BCYll
КТ208Л
BDl68
1 КТ814В
ВСFЗЗ
КТЗIЗОЕ9
ВСУ12
КТ208Д
BDl69
КТ815В
BCF70
КТЗ129Г9
ВСУЗО
КТ208Л
BDl70
КТ814Г, КТ720А
BCF72
1 КТЗI 72f9
ВСУЗI
КТ208М
BDl72
КТ721А
BCF81
КТЗIЗОБ9
ВСУ32
КТ208М
BDl75
КТ817Б
ВСР627А
КТЗ7ЗА
ВСУЗЗ
КТ208Г
BDl76
КТ816Б
ВСР627В
КТ373Б
ВСУЗ4
КТ208Г
BDl77
КТ817В, 2Т817В
ВСР627С
КТЗ7ЗВ
ВСУЗВ
КТ501Д
BDl78
КТ816В
ВСР628А
КТЗ7ЗА
ВСУЗ9
КТ501М
BDl79
КТ817Г
ВСР628В
КТЗ73Б
ВСУ40
КТ501Д
BDl80
КТ816Г
ВСР628С
КТЗ7ЗВ
ВСУ42
КТЗ12Б
BDIBI
КТ819БМ
BCV52
КТЗ17АI
ВСУ43
КТ312В
BDl82
КТ819ВМ
BCV71
КТЗIЗОА9
ВСУ54
КТ501К
BDl83
КТ819ГМ
BCV72
КТЗIЗОБ9
ВСУ56
КТЗ102Б
BD201
КТ819В
BCW29
КТЗ129В9
ВСУ57
КТЗ102Е
BD202
1 КТ818Б
всwзо
1 КТЗ129Г9
ВСУ58А
КТЗ42А
BD203
КТ819Г
BCWЗI
КТЗIЗОВ9, КТЗ151А9
ВСУ58В
КТЗ42Б
BD204
КТ818В
BCW32
КТЗIЗОВ9
ВСУ58С
КТЗ42Б
BD216
КТ809А
всwзз
КТЗIЗОГ9
BCY58D
КТЗ42В
BD220
КТ817Г
BCW46
КТЗ14А2
BCY59-IX
КТ3102Б
BD221
КТ817В

Раздел 5. Аналоги транзисторов
565
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
1 80222
КТ817Г
80477
КТ972Б
80827
КТ646А
1
' 80223
КТ837Н
805018
КТ723А
80828
КТ639Д
1
1
80224
КТ837Ф
80533
КТ819Б
80840
1 КТ6398
1
~ 80225
КТ837С
80534
КТ818Б, КТ837 А
80842
КТ639Д
1 80226
КТ943А
: !30227
КТ639Б
80535
КТ8198
80536
КТ8188, КТ837Б
80875
КТ972Б. КТ8245А5
80876
КТ973Б, КТ8244А5
80228
КТ943Б
80537
КТ819Г
80877
КТ972Б. КТ8245(Б5. 85)
80229
1 КТ639Д
80538
КТ818Г
80878
КТ8244Б5. КТ824485
80230
КТ9438. КТ683Г
805430
КТ723А
80879
КТ8245Г5
80233
КТ817Б
80545
КТ819ГI
80880
КТ8244Г5
80234
КТ816Б, КТ8378
80545А
КТ81981
80933
КТ817Б
80235
КТ8178
805458
КТ819Б1
80934
КТ816Б
1
80236
КТ8168
80545С
KT819AI
80935
КТ8178
1
!
80237
КТ817Г, КТ721А. КТ807АМ
80546
КТ818ГI
80936
КТ8168
1
80238
КТ816Г
80546А
КТ81881
80937
1 КТ817Г
80239
КТ8178
805468
КТ818БI
80938
КТ816Г
80239А
КТ8178
80546С
KT818AI
80944
КТ837Ф
802398
КТ817Г
805460
КТ8102Б
80945
КТ863Б
80240
КТ8168
80566
КТ855А
80946
КТ837Ф
1 80240А
КТ8168
80611
КТ817А
80948
КТ837Ф_ КТ837Г
802408
КТ816Г
80612
КТ816А
80949
КТ819Б
80243А
КТ81258, КТ8220
80613
КТ817А
80950
КТ818Б
802438
КТ8125Б
80614
КТ816А
80951
КТ8198
80243С
КТ8125А
80615
КТ817Б
80952
КТ8188
80244
КТ8221А
80246
1 КТ818 (АМ-ГМ)
~ 80253
КТ809А
~ ВО26~
1 КТ829Б
ВО26ЗА
КТ829А
80616
КТ816Б
80617
КТ8178
80618
j КТ8168
80619
КТ817Г
80620
КТ816Г
80953
КТ819Г
:i
80954
КТ819Г
'1
80Р620
1 КТ947А
i'
80Т42С
КТ855Б, КТ8558
~
80Т91
КТ819Б
80265
КТ829Б
80643
КТ8298
80Т92
КТ818Б
80265
КТ829А
80645
КТ829Б
80Т93
КТ8198, КТ808А3
' 80267
1 КТ829Б
80647
КТ829А
80Т94
КТ8188. КТ808А3
8D267A
КТ829А
80663
КТ819А
80Т95
КТ819Г, КТ808Б3
802678
КТ829А
80664
КТ818Б
80Т96
КТ818Г
80291
КТ819А
80665
КТ829Г
80V64
КТ896Б, КТ8159А
80292
КТ818А
80675
КТ829Г
80V64A
КТ8159Б
80293
КТ819Б
80675А
КТ829Г
80V648
КТ896А
80294
КТ818Б
80677
КТ8298
80V648
КТ81598
80295
КТ8198
80677А
КТ8298
80V65
КТ8158А
.1
80296
'КТ8188
80679
КТ829Б
80V65A
1 КТ8158Б
80326
КТ9181А
80679А
КТ829Б
80V658
КТ81588
80330
КТ9180А
80681
КТ829А
80V65F
КТ8251А
80331
КТ8298
80705
КТ819А
80V668
КТ8106А, 2Т8106А
80333
КТ829Б
80706
КТ818Б
80V91
КТ819Б
80335
КТ829А
80707
КТ8198
80V92
КТ818Б
80371С
КТ9618
80708
КТ8188
80V93
КТ8198
80375
КТ943А
80709
КТ819Г
80V94
КТ8188
80377
КТ943Б
80710
КТ818Г
80V95
КТ819Г
80379
КТ9438, КТ719А
80711
КТ819Г
80V96
КТ818Г
80386
КТ644Б
80712
КТ818Г
80W21
КТ819АМ. 2Т875Б
80410
КТ8137А
80433
1 КТ817А
80719
КТ805БМ
80720
КТ8058М
BOW21A
КТ819БМ
11
80W218
КТ8198М
1
80434
КТ816А. КТ835Б
807440
КТ724А
80W21C
КТ819ГМ
1
80435
j КТ817А
80802
КТ724А
80W22
КТ818БМ
80436
КТ816А
80813
КТ815А
80W22A
КТ8188М
80437
КТ817Б
80814
КТ814А
80W228
КТ818ГМ
80431>
КТ816Б
80815
КТ815Б
80W22C
КТ818ГМ
80439
КТ8178
80816
КТ8148
80W23
КТ829Г
80440
КТ8168
80817
КТ8158
80W23A
КТ8298
80441
КТ817Г
80818
КТ814Г
80W238
КТ829Б
80442
КТ816Г
80825
КТ646А
80W23C
КТ829А
80466
КТ973Б
80826
КТ639Б
80W51
КТ819АМ

566
Раздел 5. Аналоги транзисторов
il Зарубежный
Приближенный
"
1
отечественный аналог
1
транзистор
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный 1
Приближенный
~
транзистор 1 отечественный аналог
8DW51A
1 КТ728А
8DX93
КТ819БМ
8F337
КТ604Б
8DW51A
КТ8198М
8DX94
КТ8188М
8F338
! КТ940А
1
8DW51Б
КТ819ГМ
8DX95
КТ819ГМ
8F362
КТЗ128А
8DW51C
КТ819ГМ
8DX96
КТ818ГМ. КТ841А
8F363
КТЗ128А
8DW52
КТ818БМ
8DYl2
КТ805Б
8F410C
КПЗ65А
8DW52A
КТ8188М
8DYIЗ
КТ805Б
8F419
КТ969А
8DW528
КТ818ГМ
8DY20
КТ819ГМ
8F457
КТ9408
8DW52C
КТ818ГМ
8DXIO
1 КТ819ГМ
8DY23
КТ803А
8DY24
КТ803А
8F458
КТ940Б
,1
8F459
КТ940А
1
8DXIOC
КТ819ГМ
8DY25
КТ8128
8F462
КТ61388
8DXIЗC
! КТ819БМ
8DY34
КТ943А
8F469
КТ940Б
1 8DXl8
1 КТ818ГМ
8DY38
КТ819ГМ
8F470
КТ940А
8DX25
1 КТ802А
8DX25
КТ808А
8DY60
КТ805А
1
8DY61
КТ805Б
8F471
КТ605БМ, КТ940А
8F472
КТ9115А
8DX34
КТ8538
8DY71
! КТ808БМ
1
8F480
КТЗ 120А. КТЗ 120АМ,
8DX35
КТ902АМ
8DY72
КТ802А
2ТЗ120А
8DX53
КТ829Г, КТ8141Г
8DY73
КТ819ГМ
8F50-35
2П909А
8DX53A
КТ8298, КТ81418. КТ85ЗГ
8DY78
КТ805Б
8F506
КТЗ126А
8DX538
КТ829Б, КТ8141Б
8DY79
КТ802А
8F554
КТЗ170А9
8DX53C
КТ829А, КТ8141А. КТ873А
8DY90
КТ945А, КТ908А
8F569
КТ3169А9. КТ3192А9
8DX54A
КТ85ЗГ
8DY91
КТ945А, КТ908А
8F597
КТЗ68АМ
'1
8DX548
1 КТ8538
8DY92
КТ908А. КТ908Б, КТ863А
8F599
КТЗ68А9
8DX54C
КТ85ЗА
8DY93
КТ704Б, КТ828
8f615
КТ940Б
8DX54F
КТ712А. КТ712Б
8DY94
КТ812А, КТ704Б
1
8f617
i КТ940А
I. 8DX62
КТ825Д
118DX62A
1 КТ825Г
! 8DX628
i КТ825Г
1
' 8DX63
1 КТ827Б
8DY95
, КТ704Б
8DY96
КТ8101А
8EPI 798
КТбl IБ
8FI 11
КТбl IA
'
8F620
'КТ666А9
'
1 8F621
КТ667А9
8F622
КТ9145А9
8F623
КТ9144А9
8DX63A
КТ827А
8DX64
КТ825Д
8DX64A
КТ825Г
8DX648
КТ825Г
8fl 14
КТбl IГ
8Fl37
КТбl IГ
1
8Fl40A
КТ6118
8Fl57
КТ9408
8F680
КТЗ109А
=3
8F715
КТ999А
8F727
КТЗ165А
8F849
КТ9115А
8DX65
КТ827Б
1 8DX65A
1 КТ827А
8Fl 73
КТЗЗ98
8FI 77
КТ602А
8F869
КТ999А
!
8F905
1 КПЗ50А
11 8DX66
1 КТ825Д
8Fl78
КТ61 IГ
8F960
КП327А. КПЗSОА. КПЗ82А.
!, 8DX66A
: КТ825Г
8FI 798
КТбllБ
КП801А
!1 8DX668
! КТ825Г
8FI 79С
КТ618А
8F961
КПЗ27Б
:18DX66C
; КТ8104А, 2Т8104А
1 BDX67
1 КТ827Б
'
8Fl82
КТЗ127А
1
8fl83
КТ3127А
1
8F964
! КП3278
8F966
КПЗ47 А2, КП327Г
1 8DX67A
КТ827А
8Fl86
· КТ611Г
8F970
КТ31098. КТ3165А
8DX71
КТ8198
8Fl97
КТЗЗ9Г
8F979
КТЗ109А
8DX73
КТ819Г
8Fl99
КТЗЗ9АМ
8F980
КП327А
8DX77
КТ819Г
8F208
КТЗЗ9А
8F989S
КПЗ83А9
8DX78
КТ818Г
8F223
КТЗЗ98
8F991
КПЗ46Б9
8DX85
КТ8278
8DX85A
КТ8278
8F240
КТЗ128
8F245C
КПЗ65Б
8F996
КП346А9
,I
8FFQ54T
КТ6132А
ii
8DX858
КТ827Б
8F254
КТЗЗ9АМ
8FG65T
КТЗ199А92
8DX85C
! КТ827 А
8F257
КТ611Г
8FG67
КТЗ186А9, КТЗ199А9
1 8DX86
КТ825Б, 2Т825Б
8DX86A
КТ825Б
8F258
КТ604Б, КТ940Б
8f259
КТ604Б
8FG92A
КТЗ186А9, КТЗI 98А92
8FG93A
КТЗ198Г92
1
! 8DX868
КТ825Г, 2Т709Б
8F272
КТЗ128А
8FJ57
КТ602Б
8DX86C
КТ825Г, 2Т709А
8F273
КТЗЗ9А
8FJ70
КТЗЗ98
8DX87
КТ8278
8F291
КТ611Г
8FJ93
КТЗ42Б
8DX87A
КТ8278
8F297
КТ9408
8FJ98
КТ61 IГ
8DX878
КТ827Б
8F298
КТ940А
8FN24
КТЗ20189
8DX87C
КТ827А
8F299
КТ940А
8FPI 77
КТ6118
8DX88
КТ825Д
8F305
КТ61 IГ
8FPI 78
КТ61 IГ
1 8DX88A
КТ825Д
! 8DX888
КТ825Г
1 8DX88C
КТ825Г
8FЗО6
КТЗЗ98
8F311
КТЗЗ9Б
8F316
КТЗ92А2
8FPI 79А
КТ61 IГ
1,,
,!
8FPI 79С
1 КТ618А
i
8FPI 94
i КТ6129А9
~
i! 8DX91
! КТ819БМ
iJ 8DX92
КТ818БМ
8FЗЗО
КТЗЗ98
8F336
КТ61 IГ
8FPI 96
КТ6130А9
~
8FP405
КТЗ144А

Раздел 5. Аналоги транзисторов
567
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
BFP67
КТЗ199А91
BFY46
КТбЗОД
ВSП5
КТ51ЗБ9, КТ51ЗВ9
BFP719
КТЗ15А
BFY50
КТбЗОГ
ВSТ16
КТ51ЗА9
BFP720
КТЗ15Б
BFY51
КТбЗОД
BST39
КТ514В9. КТ6135А9
BFP721
КТЗ15В
BFY52
КТбЗОД
ВSТ40
КТ514А9. КТ6135В9
BFP722
1 КТЗ15Г
BFY53
КТбЗОД
BSVl5-IO
КТ639Д
BFP95
КТ996А2. 2Т996А2
BFY55
КТбЗОГ
BSVl5-165
КТ639В
BFQ253
КТ914ЗА
BFY56
1 КТбЗОГ
BSVl5-6
КТ639Г
BFQ54Т
КТ6132А
BFY56A
КТбЗОГ
BSVl6
КТ639Д
BFQ65
КТЗ198Ж
BFY56B
КТбЗОГ
BSV49A
КТЗ51Б
BFQ67
КТ3198Ж9
BFY65
КТ611 Г
BSV59-VIII
КТ3117А
BFQ98Q
2Т658А2
BFY66
КТ355А
BSV64
КТ321А
BFRl80W
КТЗ14ЗА
BFY67A
КТбЗОА
BSWl9
КТЗ4ЗБ
BFR34
КТЗ72Б
BFY67C
КТбЗОА
BSW20
КТЗбlГ. КТ361ГЗ
BFR34A
КТЗ72Б
BFY68
КТбЗОЕ
BSW21
КТЗ4ЗБ
BFR86
КТ6139Д
BFY68A
КТбЗОБ
BSW27
КТ928А
BFR87
КТ6139Г
BFY78
КТЗ68А
BSW36
КТбОЗБ
BFR88
1 КТ6139Б
BFY80
ПЗО8, КТ601А
BSW39-IO
КТбЗОГ
BFR89
1 КТ6139А
BFY90
КТ399А
BSW39-16
КТбЗОГ
BFR90
КТЗ198А
BUY55
КТ808А
BSW39-6
КТбЗОГ
BFR90
КТЗ71А, КТЗ190А
BLWl8
КТ920Б
BSW41
1 КТ616А
BFR90A
КТЗ198Б
BLW24
КТ922Г
BSW51
КТ928Б
BFR91
КТЗ198В
BLX92
КТ913А
BSW52
КТ928Б
BFR91A
КТЗ198Г
BLX93
КТ91ЗБ
BSW61
КТЗ117А
BFR92
КТЗ187А91, КТЗ198А9
BLX96
КТ981А
BSW62
КТЗ117А
BFR92A
КТЗ187А9, КТЗ198Д, Б9
BLX97
КТ981Б
BSW65
КТбЗОГ
BFR93
КТЗ198В9
BLX98
КТ981В
BSW66
КТбЗОГ
BFR93A
КТ3198Г9
BLY47
КТ808А
BSW66A
КТбЗОГ
BFR96T
КТ6141А9
BLY47A
КТ808А
BSW67
КТбЗОА
1BFR96TS
1 КТ6141Б9
BLY48
КТ808А
BSW67A
КТбЗОА
BFSl7
: КТЗ187В91
BLY48A
КТ808А
BSW68
КТбЗОВ
j BFSl7A
1 КТЗ198Д9
BFS62
1 КТЗ68А
BLY49
КТ809А
BLY49A
КТ809А
BSW68A
КТбЗОВ
1
BSW88A
КТЗ75А
ВFТ19А
1 КТ505Б
BLY50
КТ809А
BSX21
ПЗО8
ВFТ28С
КТ505Б
BLY50A
КТ809А
BSX32
КТ928Б
ВFТ92
1 КТЗ191А9, КТЗ191А91
BLY63
КТ920Г
BSX32
КТ928Б
ВFТ96
2Т658Б2
BLY88A
КТ920Г
BSX38
КТ802АМ
BFWlб
КТбlОА
BMI00-28
КТ971А
BSX38A
КТ340А
BFWЗO
КТЗ99А
ВМ40-12
КТ958А
BSX45
КТбЗОГ
BFW45
КТ611Г
ВМ80-28
КТ931А
BSX45-IO
КТбЗОГ
BFW89
КТЗ51Б
BRY56
КТ117А
BSX45-16
КТбЗОБ
BFW90
КТЗ51Б, КТ371АМ
BSD39
КТ514Б9
BSX45-6
КТбЗОГ
BFW91
КТЗ51Б
BSJ36
КТЗ51Б
BSX46
КТбЗОГ
BFW92
КТЗ82Б
BSJ63
КТЗ40Б
BSX46-IO
КТбЗОГ
BFW93
l 2T3134AI, 2ТЗ54Б2
BSSl24
КП502А
BSX46-16
КТбЗОБ
BFXl2
КТЗ26АМ
BSSl29
КП50ЗА
BSX46-6
КТбЗОГ
BFXIЗ
КТЗ26БМ
BSSIЗI
КП509А9
BSX47
КТбЗОБ
BFX29
КТ9ЗЗБ
BSS27
КТ928А
BSX47-IO
КТбЗОБ
ВFХЗО
КТ9ЗЗБ
BSS28
КТ928Б
BSX47-6
КТбЗОА
BFX44
КТЗ40В
BSS29
КТ928А
BSX51
КТЗ40В
BFX59
КТЗIО6А2
BSS295
КП505А
BSX52
КТЗ40В
BFX65
КТЗ102Е
BSS297A
КП52ЗА
BSX53A
КТЗ40А
BFX73
КТЗ68А
BSS315
КП507А
BSX59
КТ928А
BFX84
КТбЗОГ
BSS38
КТ50ЗЕ, КТ602АМ
BSX60
КТ928А
BFX85
КТбЗОГ
BSS38
КТ602АМ
BSX61
КТ928А
BFX86
КТбЗОД
BSS42
КТбЗОА
BSX62
КТ801Б
BFX87
'КТ9ЗЗБ
BSS44
2Т974А
BSX63
КТ801А
BFX88
КТ9ЗЗБ
BSS61
2Т708В
BSX66
КТЗОбД, КТЗОбА
BFX89
КТЗ55А
BSS68
КТ502Е
BSX67
КТЗОбД, КТЗОбА
BFX94
КТЗ117А
BSS69
КТЗ145Б9
BSX72
КТбЗОД
BFY19
КТЗ26Б
BSS88
КП504А
BSX75
КТЗ117А
BFY34
КТбЗОГ
BSS89
КП40ЗА
BSX79A
КТЗ42А, КТЗ117А
BFY45
КТ611Г
BSS92
КП402А, КП508А
BSX79B
КТЗ42Б

568
Раздел 5. Аналоги транзисторов
JJ Зарубежный 1
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный 1
Приближенный
1:
1!
транзистор 1 отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
транзистор 1 отечественный аналог
.,
1
;i BSX8(,
: КТЗ75Б
BU2525D
1 КТ8228д
BUW26
1 КТ8147А
(
.1
:1 BSX81A
1 КТЗ75А
: BSX89
КТ616А
BU286
КТ893А
BU326
КТ840А. КТ8108Б
BUW35
i КТ841Е
~
BUW39
i КТ874А
'1
1 BSX97
КТЗI 17А
BU326A
КТ828А. КТ840А, КТ8108В
BUXl5
КТ8147Б
BSXP59
КТ928А
BU406
КТ81ЗОА. КТ858А, КТ8138Д
BUX21
2Т866А
BSXP60
КТ928А
BU406D
КТ8138Е. КТ8140АI
BUX25
КТ878В
BSXPбl
КТ928А
BU407
КТ8255А
BUX37
КТ848А. КТ8146Б
BSXP87
КТЗ40В
BU408
КТ858А. КТ8140А. КТ8124А
BUX47
КТ8147А. КТ8108А
BSYl7
КТ616Б
BU408D
KT8!36AI
BUX48
КТ856А
BSYl8
КТ616Б
BU409
КТ812Б
BUX48A
КТ856Б
BSY26
КТЗ40В
BU409
КТ857А
BUX48B
КТ8146А
~
1 BSY27
1 КТЗ40В
1
11 ВSУЗ4
1 КТ608А
i BSY38
КТ340В
1 ВSУЗ9
КТ340Б
BU426
КТ868Б
BU426A
КТ868А
BU508
КТ872А. КТ8127Б 1,
КТ8107Б. КТ8107Г
BUX54
i КТ506А
lili
BUX77
1 КТ908А
Ji
1
BUX82
1 КТ812А
BUX83
КТ812А
BSY40
КТ343А
BU508A
КТ886БI, КТ872Б, КТ8107А,
BUX84
КТ506Б, КТ859А
BSY41
КТ343Б
КТ8107Б
BUX86
КТ8137А
BSY51
КТбЗОД
BSY52
КТбЗОЕ
BU508D
КТ872В, КТ895А9. КТ8107Д
BU508Fl
КТ8127АI
BUX97
КТ828А
BUX97A
КТ828А
BSY53
КТбЗОГ
BU606
КТ840А
BUX97B
КТ828А
BSY54
КТбЗОГ
BU607
КТ840Б
BUX98
КТ878А. 2Т878А
BSY55
КТбЗОА
BU608
КТ848А
BUX98A
КТ8154Б
BSY56
КТбЗОБ
!' BSY58
i КТ608А
il BSY62
! КТ616Б
:1 BSY72
! КТ352А
1
i' ВSУ7З
i КТ312Б
BU608
КТ848А
BU807
КТ8156А
BU9302P
КТ890В
BU931Z
КТ897А
BU931ZP
КТ898А
BUX98AX
КТ8155Б
1
BUYl8
i КТ840А
:i
BUY21
1 КТ867А
i!1
BUY26
i КТ9166А
\
BUY43
1 П702
il BSY79
1ПЗО9
BU931ZPFI
KT898AI
BUY46
П702А
BSY81
КТ34 7А, КТ34 7Б
BU932Z
КТ892Б
BUYP52
КТ802А
BSY95
КТ340В
BU941Z
КТ8231А. КТ897Б
BUYP53
КТ802А
BSY95A
КТ340В
BU941ZP
КТ8225А, KT8231AI
BUYP54
КТ802А
BSYP62
КТ340В
BU941ZPF
КТ8231А2
BUZI l IS
КП789А
BSYP63
КТ340В
BUD44D2
КТ8261А
BUZ220
КП809Д
1 BSZIO
КТ104Б
1BSZI1
КТ104Б
:1 BSZl2
1 КТ203А
BUHIOO
КТ8290А
BUHЗIЗD
КТ8183Б2
BUH315D
КТ8183А2
BUZ307
КП728А
BUZЗI
КП704Б
BUZ32
КП704А
i
1
~ КТ812Б
; ВU!Об
! BUI08
1 КТ839А
i' BUl09A
1 KT81 IOB
' 1 BUl2U
КТ809А
BUL45D2
КТ8247А
BUL47
КТ8143Г
BUL47A
КТ8143Д. КТ8155А
BUP46
КТ8143К
BUZ323
КП717БI
вuzззо
КП718АI
BUZ350
КП813АI
BUZ354
1КП718ВI
BUl23
КТ802А
BUP47
КТ8143А, КТ8143Д. КТ8143Н
BUZ36
КП722А. КП81ЗА
BUl26
КТ704Б, КТ828А, КТ840Б
BUP47A
КТ8143Г
BUZ385
КП706В, 2П701А
BUl29
КТ809А
BUP51
КТ8143Х
BUZ43
2П701А
BUl32
КТ704А, КТ826А, КТ826Б
BUP52
КТ8143Ф
BUZ45
КП718А, КП809Б
ВUIЗЗ
КТ704Б, КТ828А
BUP53
КТ814ЗЖ, КТ8143М
BUZ45A
КП718Б
BU204
КТ838А
BUP54
КТ8143Г
BUZ53A
КП705А. 2П803А
BU205
КТ838А, 2Т704Б
BUS98
КТ885А. 2Т885А
BUZ54A
КП80ЗА
BU207
КТ838А. КТ846Б
BUTll
КТ8108БI
BUZ60
КП707АI
11 BU207A
КТ838А. КТ8107Е2
1 BU208
1 КТ838Б. КТ846В. КТ8127Б 1,
BUT90
КТ8143Б
BUT91
КТ814ЗВ. 2Т891А
BUT92
КТ814ЗА. 2Т891А
BUZ71
КП727А
BUZ80A
КП786А
BUZ90
КП707БI, КП709Б. КП726Б
11
1 КТ8157Б, КТ8107Б2,
КТ8121Б2
BU208A
КТ815 7А. КТ846А.
КТ8107 А2. КТ8107В2.
BUVl8
КТ8143Г
BUVl9
КТ814ЗА
BUV37
КТ890А. КТ890Б
BUZ90A
КП726А, КП726АI
BUZ91A
КП787А
BUZ94
КП809В
КТ8127А. КТ8121А2
BUV46
KT8108BI
BUZ98A
2Т885Б
BU208A
КТ838А
BUV48
КП95ЗА, 2П953А
С12-12
КТ925Б
BU208DX
КТ8183А
BUV66A
KT8108AI
С12-28
КТ934Б
BU2506D
KT8248AI
BUV74
КТ885А, 2Т885А
С25-12
КТ925В
BU2508A
КТ82224А
BUV98A
КТ885Б
С25-28
КТ934В
BU2508D
КТ8224Б
BUWll
КТ868Б
С2М-10-28А
КТ970А
I BU2520A
KT856AI
~ BU2525A
1 КТ8228А
BUWllA
КТ868А
BUW24
КТ8147Б
СЗ-12
КТ925А
1
СЗ-28
1КТ934А

Раздел 5. Аналоги транзисторов
569
11 Зарубежный 1
Приближенный
! транзистор отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный ана.поr
Зарубежный
1
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
.
CDl60
П21ЗБ
ЕFТЗЗI
МП20А
GC509
МП21Г
CF4-28
2П911А
ЕFТЗЗ2
МП20А
GC510K
ГТ40ЗЕ
CF739
АПЗ79А9
ЕFТЗЗЗ
МП20Б
GC512K
ГТ40ЗЕ
CFXl4
АПЗ26Б2. АПЗ20В2
ЕFТЗ41
МП21д
GC515
МП20А
CFXЗI
АП602В2
ЕFТЗ42
МП21Д
GC516
МП20А
CFYllЗ
ЗПЗ45А2
ЕFТЗ43
МП21д
GC517
1 МП20Б
CFY12
АПЗЗIА2
EXT555SM
1 КТ511Б9
GC518
МП20Б
CFYl8-12
АПЗ81А5
ЕХТ4515М
КТ511Д9
GC519
МП20Б
CFY25
АПЗ4ЗАl-2
FI020
2П920А
GC525
МПЗбА
CFY25-17
АПЗ4ЗАl-2
FI027
КП928А
GC525
МПЗ5А
CFY25-25
АПЗ4ЗА2
FI053
2П9ЗЗБ
GC526
МПЗбА, МПЗ7А
СМ40-12
1 КТ960А. КТ980А
FI053
КП92ЗВ
GC527
МПЗбА. МПЗ8А
СМ75-28
КТ9ЗОА
Fl201
КП951А2
GCN55
МП20А
СР640
КПбОIА
Fl203
КП951Б2
GCN56
МП21Г
СР651
КП601 Б, КП90ЗА
F2001
КП92ЗА
GDl75
П21ЗБ
012-28
КТ946А
F2002
КП92ЗБ
GDl80
П214А
D41DI
КТ626А
F2003
КП92ЗВ
GD240
П213
D41DI
КТ626А
F2005
КП92ЗГ
GD241
П213
D41D4
КТ626Б
F2006
2П9ЗЗА
GD242
П214А
D41D7
КТ626В
F2007
2П92ЗГ
GD243
П214А
D42C2N
КТ9181А
F2012
2П911Б
GD244
П215
D44HI
КТ997Б
F2013
2П918А
GD607
ГТ404Г
D44H2
КТ997В
F2013/H
КП92ЗБ
GD608
ГТ404Б
D44H5
КТ9166В
F2021
2П91ЗА
GD609
ГТ404Б
D44H8
КТ8250А
FHCЗOLG/FA АПЗ44АЗ-2
GD617
П201АЭ
D45H5
2Т9120А
FHCЗOLG/FA АПЗ44АЗ-2
GD618
П201АЭ
D45H5
КТ9120В
FJ0880-28
КТ9101АС
GD619
П20ЗЭ
DMI0-28
КТ962А
FJ201F
КТЗ132А2
GDll70
П21ЗБ
DM20-28
КТ962Б
FJ203
КТЗ121Аб
GES2219
КТббОА
DM40-28
КТ962В
DME250
КТ986Б
FJ203
КТЗ126Аб
FJ401
КТЗ115А2
GES5308
КТ517В
1
GFl26
ГТЗ09Г
DМЕЗ75
1 КТ986В
FJ403
КТ682А2
GFl28
ГТЗО9Б
1
DT4305
1 КТ845А
FJ9295
2Т9137А
GFIЗO
ГТЗО9Д
1
i DVI007
l 2П909Б
FJ9295CC
КТ996Б2, 2Т996Б2
GFl45
ГТЗ46А
DVl202S
КП902В
FLCl5
ЗП91ОА2
GFl47
ГТЗ46А
DVl202S
l 2П902А
FLC253
ЗП915А2
GF501
ГТЗIЗБ
DV28120
2П91ЗБ, 2П928А
FLM5964-8C
ЗП9ЗОА2
GF502
ГТЗIЗА
DXL2608A
АП605А2
FLM7177-5
АП915А2
GF503
ГТЗIЗБ
DXL2608A
АП605А2
FLX102MH-12 АП607А2
GF504
ГТЗIЗА
DXL3501
АП602А2
FMMTAIЗ
КТ517А9
GF506
ГТЗ28Б
DXLЗбlOA
АП604А2
FMMTAl4
КТ517Б9
GF507
ГТЗ46Б
Е1201
2П941А
FRHOIFH
АПЗЗОВ2-2
GF514
ГТЗ22А
Е1202
2П941Б
FSCIO
АПЗ44А2-2
GF514
ГТЗIЗБ
1
ЕЗ742-ЗА
ЗП925В2
FSCIOFA
АПЗ54Б5
GF515
ГТЗ22А
g
ЕСХ591
КТ511Г9
FXT565M
КТ528А9
GF516
ГТЗ22А
ЕСХ596
КТ511А9
GAT5
АПЗ25А2
GF517
ГТЗ22Б
ЕFТ212
П216
GАТб
АПЗ26А2
GFY50
ГТЗ22Б
ЕFТ213
П216
GCIOO
ГТIО9А
GSI09
МП42А
ЕFТ214
П217
GCIOI
ГТIО9А
GSll I
МП42Б
ЕFТ250
П217
GCll2
МП26А
GSll2
МП25А
ЕFТЗОб
МП40
GCllб
МГТIО8Д
GSl21
МП42
ЕFТЗ07
МП40
GCll7
МГТ108Д
НЕМЗ508В-20 КТ9134А
ЕПЗО8
КТ208Б
GCll8
МГТIО8Д
НРЗ586L
КТЗ91А2
EFТЗll
МП20А
GCl21
МПЗ9Б
HUF7507
КП7132АI, КП7132А91
ЕFТЗ12
МП20А
GCl21
МП20А
HUF7507PЗ
КП7132А. КП7132А9
ЕFТЗIЗ
МП20Б
GCl22
МП20А
HXTR2101
КТ648А2
ЕFТЗI 7
П401
ЕFТЗ19
П401
GCl23
МП21Г
GC500
ГТ402Д
HXTRбlOI
КТЗ132В2
1
HXTRбlOI
2ТЗ124Б2
·1
ЕFТЗ20
П401
GC501
ГТ402Е
HXTR6I02
КТЗ132Б2. КТ682А
ЕFТЗ21
1 МП20А
GC502
ГТ402И
IM44506
ЗП925Б2
ЕFТЗ22
МП20А
GC507
МП20А
IRFIЗO
2П912А
ЕFТЗ23
МП20Б
GC508
МП20Б
IRFl32
КП922А

570
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Зарубежный.
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный ана.поr
транзистор
отечественный аналог
IRF150
КП150
IRF74 I
КП776Б
IRFZ48
КП741А
IRF240
1 КП240
IRF7416
2П714ЗА
IRG4BCЗOS
i КЕ707А
IRF250
1 КП250
IRF742
КП776Б
IRG4BCЗOU
1 КЕ707Б
~ IRF3205
1 КП783А
IRF744
КП776Г
IRGBC40M
КП7ЗОА. КП731
IRF340
j КП340, КП717Е, КП809А
IRF820
КП820, КП759А, КП780А
IRGPH50F
КП7ЗОА
IRF341
1 КП717Д
IRF821
КП759Б, КП780Б
IRL520
КП744Г
IRF350
КПЗ50, КП71 7Б
IRF822
КП759В, КП780В
IRL530
КП745Г
IRF352
КП717Г
IRF823
КП759Г
IRL540
КП746Г
IRF353
КП717В
IRF830
КП830, КП75ЗА, КП760А
IRL630
КП737Г
IRF420
КП420, 2П802Б
IRF831
КП760Б, КП75ЗБ
IRL640
КП750Г
IRF440
КП440
IRF832
КП760В, КП75ЗВ
IRLML2402
КП510А9
IRF441
КП718Г
IRF833
КП760Г
IRLZ34
КП727В
IRF450
КП450, КП725А
IRF840
КП840, КП761А, КП777А
IRLZ44
КП72ЗГ
IRF452
КП7180
IRF840
КП7137А
IVN5200
КП908А
IRF453
КП718А, КП718Е
IRF841
КП706Б, КП761 Б
IVNбOOOKNR 2П917А
IRF46
1 КП741А
IRF841
КП777Б
IXTM4N95
КП705Б
IRF48
i КП741Б
IRF842
КП777В, КП761 В
Jl75
i 2ПЗО5А
I IRF510
i КП510, КП74ЗА
IRF843
КП761Г
Jl75
i КПЗ04А
IRF51 I
КП74ЗБ
IRF9020
КП944А
JE8050
1 КТ524А
IRF512
1 КП74ЗВ
IRF9130
КП712А
JE9013
i КТ525А5
IRF520
КП520, КП744А
IRF9140
2П7144АI
JE9015A
КТ519А
IRF521
КП744Б
IRF9540
КП785А
JE9015B
КТ519Б
IRF5210
КП7128А, 2П7141АI
IRF9620
2П70ЗА
JE9015C
КТ519В
IRF522
КП744В
IRF9621
2П70ЗБ
J02058
КТ9155А
IRf530
КП530, КП745А
IRF9634
КП796А
JS830
АПЗЗОВl-2
IRF531
КП745Б
IRF9Z34
КП784А, КП817В, КП748А
JS8830AS
АПЗЗОА2
IRF532
i КП745В
IRFBC20
кшззr
JS8864AS
1АП608А2
1
~ IRF540
! КП540. 2П797Г, КП746А
IRFBC40
КП805Б
К10500
: 2Т939А
'
•
~ IRF5401'\
; КП746А
IRFBC40
КП71ЗОА
К211ЗВ
! КТЗ82БМ
1IRF541
1 КП746Б
I IRF542
: КП746В
1
IRFBC40S
КП71ЗОА9
IRFBEЗO
КП707ВI
К2122СВ
i КТЗ82АМ
К5002
КТЗ 120А. 2ТЗ 120А
U IRF610
1 КПбlО, КП748А
IRFBE32
КП707В2
КС147
1 КТЗ7ЗА. КТ373Б
IRFбl 1
'КП748Б
IRFDlll
КП804А
КС148
КТЗ7ЗА, КТЗ73Б
IRF612
КП748В
IRFPl50
КП747А
КС149
КТЗ7ЗБ, КТ373В
IRF620
КП620, КП749А. КП7135А
IRFP250
КП778А
КС507
КТЗ42Б
IRF621
КП749Б
IRFP340
КП717ЕI
КС508
КТЗ42Б
IRF622
КП749В
IRFP350
КП781А
КС509
КТЗ42Б
IRF630
КПбЗО, КП737А, КП7134А
IRFP352
КП717Гl
1
KDбOI
КТ80ЗА
IRF634
КП737Б
IRFP353
КП717ВI
KD602
КТ808А
IRF635
/ КП737В
IRFP441
КП718Гl
KFl73
КТЗЗ9В
IRF640
КП640, КП750А, AI
IRFP450
КП779А
KF503
КТ602Б
IRF640
1 КП71ЗЗА
IRFP452
КП717Д1
KF504
КТбllГ
IRF640S
1 КП713ЗА9
IRFR020
КП945А
KF507
КТ617А
IRF641
КП750Б, КП750Б 1
IRFRINбO
КП7138А
KSA5390
КТ502Г
IRF642
КП750В. КП750В 1
IRFRINбOA
КП7138А9
KSA539R
КТ502В
IRF710
КП710, КП7ЗЗА. КП731А
IRFU420
КП780АСI
KSA539Y
КТ502Г
IRF7101
КП7131А9
IRFY340M
КП936Е
KSA5450
КТ502(Г, Д)
IRF7103
2П7140АI
IRFZIO
КП739Б
KSA545R
КТ502Д
IRF710A
КП731А
IRFZ14
КП739А
KSA545Y
КТ502(Г, Д)
IRF71 I
КП731Б
IRF712
КП731В
IRFZl5
КП739В
IRFZ20
КП740Б
KSB907
КП8219АI
KSCl395
i КТЗlбГМ
'
IRF720
1 КП751А
IRFZ24
КП740А
KSCl623
. КТ220А9
IRF720A
1 КП720
IRFZ25
КП740В
KSCl730
/ КТЗlбОМ
IRF72l
1 КП751Б
U IRF722
i КП751В
IRFZ34
КП812В 1, КП727Б
IRFZ40
КП72ЗВ
KSC2757
! КТЗ68А9
--1
KSC3074
1 КТ8218Б
1
--
IRF730
КП752А, КП707АI
IRFZ42
КП72ЗГ
KSC815
i КТ503А
IRF730A
КП707А 1. КП730
IRFZ44
КП72ЗА, КП812АI,
KSC8530
КТ503Г
IRF731
КП752Б
2П7102АI
KSC853R
КТ503(Г. ДJ
IRF7316
2П7142АI
IRFZ44E
КП7150А
KSC853Y
КТ50ЗГ
IRF732
КП752В
IRFZ44ES
КП7150А9
KSDl621
КТ512Ж9
IRF740
КП776А, КП7136А
IRFZ45
КП72ЗБ, КП812БI
KSD2270
КТ50ЗН
IRF740A
КП740
IRFZ46
КП741Б
KSD227Y
КТ503Б

Раздел 5. Аналоги транзисторов
571
~ Зарубежный 1
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
Зарубежный
Приближенный
1
~ транзистор 1 отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
транзистор
отечественный аналог
~ KSD73
1 КТ805ИМ
MGF4310
АП343А2-2
MJE\81
1 КТ9181В
1 KSH117
1 КТ8219Г!
MGF4415
АП343АЗ-2
MJE182
КТ9181Г
КSН1171
КТ8219В
MGF4511D
АП357В5
MJE230
КТ9180Б
1 КSН1271
КТ8219Г
MGF-X35M-Ol 1 АП603А2
MJE233
КТ9180В
1 KSH2955
КТ8217Бl
KSH29551
КТ8217Б
MHQ2221
КТСбЗlВ, KTC63lГ
MHQ2369
КТС631А. КТС631Б
MJE2955
2Т876А, 2Т876Г
MJE2955T
КТ8149А2
KSH3055
КТ8216А
MHQ2906
КТС622А
MJE3055
КТ819Б, КТ738А
KSH30551
КТ8216Бl
MJl0002
КТ841В
MJE3055T
КТ8150А2
KSHЗl
KT8218Al
MJl 1020
2Т8105А
MJE4343
КТ732А
1
1 KSHЗll
КТ8218А
~ КSН44Н! 11
1 КТ8218Г
1 KSY2l
КТ6!6Б
1 KSY34
1 КТ608А
MJl 1020
КТ8105В
MJl 1021
2Т8104А
MJ11021
КТ8104В
MJ250
КТ963А2
MJE4353
КТ732Б
1
MJE4353T
КТ8101А
1
MJE4553T
1 КТ8102Б
11
MJE7l0
КТ814Б
1
KSY62
КТ606Б
MJ2500
КТ825Д
MJE711
КТ814В
KSY63
КТ616Б
MJ2501
КТ825Г
MJE712
КТ814Г
KSY81
КТ347Б
MJ2955
КТ8102А, КТ8149А
MJE720
КТ815Б
KU601
КТ801Б
МJЗООО
КТ827В
MJE721
КТ815В
KU602
КТ801А
MJЗOOl
КТ827Б
MJE722
КТ815Г
KU605
КТ812В
MJ3480
КТ839А
MJHl1017
КТ709Б
KU606
КТ808А
MJ3520
КТ827В
MJHI 1019
КТ709А, 2Т709А
KU607
КТ812В
MJ3521
КТ827А
MJH6285
КТ8106А, 2Т8106А
KUбll
КТ801Б
MJ4030
КТ825Д
MJH6286
КТ8106Б
KU612
КТ801А
MJ4031
КТ825Г
МLЗООО
КТ602В
KUY12
КТ812В
MJ4032
КТ825Г
ML500
КТ963Б2, 2Т9135А. 2Т995А2
LAE4000Q
1 КТ657Б2, 2Т657Б2
MJ4033
КТ827В
ММ1748
КТ316А
LAE4001RA
КТ6131А
MJ4034
КТ827Б
ммзооо
КТ602А
LDA405
: К1НТ254
MJ4035
КТ827А
ММЗООI
КТ611В
LKE32002T
КТ918Б2
MJ4l0
КТ842А
ММ3375
КТ904Б
1 LП817
КТ9141Аl
MJ420
КТ618А
ММ404
МП42Б
LТ!819
2Т9159А
MJ4646
КТ505А
ММ8006
КТ399А
LП839
КТ9141А
MJ480
КТ803А
ММ8007
КТ399А
LП839
КТ9141А
MJ481
КТ803А
ММ8015
КТ382А
LT5839
КТ9143А
MJD2955
KT8217Bl
MMBF54592
КП308Аl
i
LT5839
1 2Т9143А
МА2!23
i КТ3114Б6
MJD3055
KT82l6Bl
MJD3055-l
КТ8216В
MMBF54592
2П308В9
11
ММВТ2222
КТ3117Б9
ММFЗОО-500 1 ЗП915Б2
MJDЗl
КТ82·16А
ММВТ3904
КТЗl 97 А9
1 МА909
! МП26А
MJDЗlA
КТ8216Б
ММВТ3906
КТ3196А9. КТ3140Г
. МА910
. МП26А
MJDЗlB
КТ8216В
ММВТ404А
КТ209К
MCF1305
АП354В5
MJD31BT4
KT8218Bl
ММВТ6427
КТ517В9
MCF1402
АП354А5
MJDЗlC
КТ8216Г, KT8216Al
ММВТ6427LП КТ517Г9
MCF451 l0
АП357В5
MJD32
КТ8217А
ММВТ6517
КТ3201А9
MD1129
KTC395Al
MJD32A
КТ8217Б
ММВТАIЗ
КТ517А9
MDllЗO
КТС394А2
MJD32B
КТ8217В
ММВТА\4
КТ517Б9
MD3762
2Т687АС2
MJD32C
КТ8217Г
ММВТА20
КТ315!Д9
MD5000
KTC3103Al, КТС393А9
MJD41C
КТ8216Г
ММВТА42
КТ3201Б9
MD5000B
КТСЗ 1ОЗБ l, КТС393Б9
MJE1002
КТ815В
ММВТА43
КТ3201Г9
MD918A
2TC398Al
MJElЗOOl
КТ538А, КТ8201А, КТ8270А
ММВТА63
КТ523А9
MD918AF
КТСЗ98Б94
MJEl3002
КТ8170Бl
ММВТА64
КТ523Б9
MD918F
КТС398А94
МJЕlЗООЗ
КТ8112А, КТ8170Аl,
ММSТЗ906
КТ3146В9
MD9762
2Т687АС2
КТ8175А, КТ8203А, КТ8235А
ММТ2857
КТ382А
MD986
КТСЗОЗА2
MJEl3004
КТ8164Б, КТ8181Б, 2Т8164Б
ММТ2857
КТ382Б
МЕМЗОО8
2Т9139Б
МЕМ430394
2Т982А2
MJE13005
КТ8138В, КТ8164А, КТ872А,
КТ8181А, КТ854Б, КТ8205А,
KT8226Al
МР4450-3
ЗП925А5
MPQ3906
КТ674АС
MFE12l
КПЗОбВ
MJEl3006
КТ8136А, КТ8182Б
MPS2711
КТ503А
MFE200l
КП307Г
MJE13007
КТ8138Г, КТ8126А,
MPS2712
КТSОЗБ
MFE2002
КП307Д
КТ8182Б, КТ8207А
MPS2713
КТЗОбБМ
MFE2098
КП302В
MJEl3008
КТ8138Ж
MPS2714
КТЗОбБМ
MFE2098
КПЗО2В
MJEl3009
КТ8138И, КТ8209А
MPS2907AL
КТ685Г
MFE3004
2ПЗО5А
MJE170
КТ9180Б
MPS2907AM
КТ685В
1
MG25BZ50
КП953В, КП955Б
MJE171
КТ9180В
MPS2907K
КТ685Б
MGF2116
АП605А2
MJE172
КТ9180Г
MPS2925
КТ680А
MGF2324-0l
АП606Б2
MJE180
КТ68ЗД, КТ9181Б
MPS3395
КТ681А

572
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Зарубежный 1
Приближенный
транзистор 1 отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный 1
Приближенный
транзистор j отечественный аналог
MPS3563
1 КТ325АМ
MPSU05
КТ807Б
NEl3783
i АП320Б2
MPS3638
КТ351А
MPSUOб
КТ807Б
NEl3783
АП355В5
MPS3638A
1 КТ351А
MPSU07
КТ807А
NE388-06
! АП339А2
MPS3639
i КТ357А
MPSU51
КТ639Б
NE4203
i 2Т91ОЗБ2
i
il MPS3640
i КТ347Б
11 MPS3702
! КТЗIО7Д
1
il MPS3703
1 КТЗIО7А
MPSU51A
КТ639Б
MPSU55
КТ639Г
1
MPSU56
КТ639Б, КТ626Б
NE46383
i АПЗ28А2
~
i
NE500
1 КП302Г
i
NE567-55
1 КТ647А2. 2Т671А2
~
I MPS3705
1
1 КТ645А
MPSWIЗ
КТ8240Д5
NE695
АПЗ20А2
MPS3707
КТЗIО2д
MPSWl4
КТ8240Е5
NE72089A
АП344А2
MPS3708
КТЗIО2В
MPSW63
КТ8241А5
NE73435
КТЗl 14Вб. 2Т3114Аб
MPS3709
КТЗIО2А
MPSW64
КТ8241Б5
NE75083
АПЗ56В5
MPS3710
КТЗIО2В
MQ2218
КТСбlЗА
NE76184A
АП344Аl-2
MPS371 I
КТЗIО2Г
MRA0510-50H КТ9156БС
NE90089A
АП605Аl-2
MPS3914
КТ680А
MRAOбl0-18
КТ91О4Б, 2Т988А
NEM2020
2Т9122А
MPS404
КТ209Е
MRAOбl0-3
КТ91О4А
NEM4205
2Т9103А2
MPS404A
КТ209К
MRAIOl4-35
2Т9118В
NEZlll2
АП602Б2
MPS5179
КТ368ВМ
1
1 КТ3102Д
1 MPS6512
1 MPS6513
КТ3102Д
MRAl214-55
2Т9118Б
MRAl417-25
2Т989А
MRFl48
КП908Б
NКТll
МГТIО8Г
NКТ73
[ МГТIО8Б
NT2222
[ KT3117AI
i
il MPS6514
1 КТ3102Д
MRF2005M
КТ948А
NTEI07
КТЗlбАМ
MPS6515
КТ3102Д
MRF2010
КТ942В
OCIOlб
ГТ703В
MPS6516
КТ3107Е
MRF2010
2Т942А
ОС1044
ГТ109Е
MPS6517
КТ3107Е
MRF430
КТ9160А
ОС1045
ГТ109Д
MPS6518
КТ3107Ж
MSOl46
КТ937А2
ОС1070
МП40А
MPS6519
КТЗIО7J1
MSA7505
КТ907А
ОС1071
МП40А, МПЗ9Б
MPS6530
КТ645А
MSCI075M
КТ984А
ОС1072
МП41А, МПЗ9Б
MPS6532
КТ645А, 2Тб45А
MSCl250M
КТ984Б
ОС1074
МП20А
MPS6541
КТЗlбБМ
MSCl550M
КТ9109А
ОС1075
МП41А, МП39Б
1 MPS6543
1 КТЗlбВМ
:· MPS6562
: КТ350А
MPS6563
1 КТ350А
1
MSCl827
ЗП927А2
MSC2001M
КТ919В
1
MSC2003
КТ913А
ОС1076
1 МП42Б. МП20А
ОС1077
j МП21Г
ОС1079
МП20А
, MPS6565
; КТ645А
MSC2003M
КТ919Б
ОС112
МП26
1 MPS6566
1 КТ645А
MSC2005M
КТ919А
ОС170
ГТ309Г, ГТ322Б
MPS6571
1 КТ3102Г
MSC4001
КТ938А2
ОС171
ГТЗО9Г
MPS706
КТ645А
MSC81550
КТ9127А
ОС200
КТ104Г
MPS706A
КТ375А
MSC85606
2Тб40Аl-2
ОС201
КТ104Б
MPS834
КТЗОбВМ
MSMl718-05
ЗП927Б2
ОС202
КТ104В
MPS9600
КТ201ВМ
MSM3742-5
ЗП925А2
ОС203
КТ203А
MPS9601
КТ201БМ
MSM5964-IO
ЗП9ЗОБ2
ОС204
КТ208Г
MPSA09
КТЗIО2Б
MSM7785-IO
ЗП929А2
ОС205
КТ208JI
MPSAIЗ
КТ517А
MSPLOI
2Тб38А
ОС206
КТ208Г
MPSAl4
1 КТ517Б
МТ9003
2Т316А
ОС207
1 КТ208А
MPSA25
1 КТ517Г
MTM15N50
КП706А
ОС25
П216
1 MPSA26
1 КТ517Д
i MPSA42
i КТ6135Б, КТ520А, КТ6139А
MTM2N85
2П803Б
1
МТМ475
2П701Б
ОС26
1 ГТ703Д
ОС27
1 ГТ703Г
MPSA43
1 КТ6135В, КТ520Б, КТ6139Б
MTM8N35
2П702А
ОС28
П217
MPSA44
КТ6135А
MTPЗN08L
КП727Б, КП727В
осзо
П201Э
МРSАбЗ
КТ523А
МТРбNбО
КП724А, 2П724А
ОС35
П217
MPSA64
КТ523Б
MTSl02
КТЗlббБ
ОС41
П29
MPSA75
КТ523Б
MU4894
КТI 17Г
ОС42
П29А
MPSA76
КТ52ЗГ
NDP506A
КП734А
ОС57
ГТ109А
MPSA77
КТ523Д
NDP506B
КП734Б
ОС58
ГТ109Б
MPSA92
КТ521А, КТ6138А
NDPбOI
КП734В
ОС59
ГТ109В
MPSA93
1 КТ521 Б. КТб 138Б
NDP605A
КП735В
ОСбО
ГТ109В
MPS-H37
КТ339АМ
NDP605B
КП735Г
ОС70
МП40А
MPSLOI
1 КТ632БI
NDP606A
КП735А
ОС71
МП40А
MPSL07
1 КТЗбЗА
NDP606B
КП735В
ОС75
МП40А. МП41А
MPSL08
i КТЗбЗА
NDPU506AL
КП734АI
ОС76
1 МП40А
MPSL51
КТ638А, KT632BI
NDPU506BL
КП734БI
ОС77
МП26Б
MPSUOI
1 КТ807Б
NE021-60
КТ657А2
РВС107А
КТ373А
MPSUOIA
КТ807Б
NE045
ЗП353А5. АП358В5
РВС107В
КТ373Б
MPSU04
КТ850Б
NEIOIOE
КТ913Б
РВС108А
КТ373А

Раздел 5. Аналоги транзисторов
573
Зарубежный
i
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
Зарубежный
Приближенный
транзис;тор
отечественный аналог
Зарубежный
1
Приближенный
11
транзистор 1 отечественный аналог
P8CI088
КТ3738
58870
АП35585
SF150C
КТ611Г
1
P8CI08C
КТ3738
589
2Т996А2
SF21
КТ617А
P8CI098
КТ373Б
5С2060
КТ373А
SF215C
КТ375Б, КТ373А
P8CI09C
КТ3738
5С206Е
КТ373Б
SF2150
КТ373А
P8MS3906
КТ3146Г9
5C206F
КТЗ738
5F215E
КТЗ73Б
Р8МТ3906
КТ314609. КТ31408
5С2070
КТ373А
5F216C
КТ375А, КТ373Г
PHI 114-50
2Т9118А
5С207Е
КТЗ7ЗБ
SF2160
КТ37ЗА
PHI 114-50С
КТ976А
5C207F
КТ373Б
5F216E
КТ373Б
PHI 114-60
КТ979А, 2Т979А
501300
КТЗ99А
5F22
КТ617А
PK823003U
КТ919Г
501301
КТ399А
5FE264
КП312А
PK823003U
КТ919Г
501308
КТ938Б
5FТ124
КТ501Е
PK83000U
КТ918А2
501505
2Т9140А
5FТ125
КТ501Е
PN2219
КТ530А
501540
КТ9164А
5FТ130
КТ501Е
PN2484
КТ3!02(Б, Д)
501543
КТ9134Б
5FТ131
КТ501Е
PN4888
КТ6138Г
501546
КТ9774
5FТ143
КТ501Ж
РРС9030
3П92782
501565
КТ9136АС, КТ9161АС.
5FТ144
КТ501И
РТ6680
КТ9098
2Т9136АС, 2Т914А
5FТ145
КТ501Ж
РТ9788А
2Т951А
50200
КП310А
5FТ146
КТ501И
РТ9790А
КТ911 IА, 2Т979А
50201
КП310Б
5FТ163
П423
РТ842003Х
КТ937Б2
50211
КП980Б
5FТ187
КТ602А
PZl21481504
2Т975Б
50300
КП314А
5FТ212
ГТ703Г
PZ2023U
2Т9149Б
SON6000
КТ8348
5FТ213
ГТ703Г
PZ2024810V
2Т9149А
SON6001
КТ834Б
5FТ214
П217
PZ23278150
2Т9158А
SON6002
КТ834А
5FТ223
МП20Б
PZ2731816V
2Т9139А
50N6251
КТ8348
5FТ238
П216
1
PZ816040U
1 КТ979А
SON6252
КТ834Б
5FТ239
П217
QF505
1 ГТ328Б
SON6253
КТ834А
5FТ240
П217
RF0401
КТ606Б
SOT3207
КТ908Б
5FТ250
П217, ГТ701А
RF04!0
КТ913А
50Т3208
КТ908А
5FТ251
МП20А, МП39Б
RF0420
КТ913Б
SOT5504
2Т881Б
5FТ252
МП20А, МП39Б
RF0421
КТ904А
SОТ7012
КТ908Б
5FТ253
МП20А, МП39Б
RFKION15
КП748Б
SОТ7013
КТ908А
5FТ306
МП39Б
RFКION45
КП718Г
SE9300
КТ716Г
5FТ307
КТ2088
RFKION50
КП440
SFl21A
КТ617А
SFТ308
КТ2088
RFКl2N35
КП717Д
SFl218
КТ6178
5FТ316
П422
RFКl2N40
КП340
SFl22A
КТ617А
5FТ319
П416
RFК25N20
КП240
SF1228
КТ617А
5FТ320
П416
RFM12N10
1 2П922Б
SF123A
КТ6028
SFТ321
МП20А
RFM18N10
l 2П912А
5Fl238
КТ602Г
5FТ322
МП20Б
RFP12N08
КП74ЗБ
5F123C
КТ602Г
SFТ323
МП20Б
RFPl2NIO
1 КП743А
SF126A
КТ617А
SFТ325
ГТ402И
RFPl5Nl5
КП750Б
5F1268
КТ617А
SFТ351
МП39Б
RFP18N08
КП745Б
5Fl26C
КТ617А
SFТ352
МП39Б
RFPl8NIO
КП745А, КП530
5F128A
КТ630Г
SFТ353
МП39Б
RFP25N06
КП746Б
5Fl288
КТ630Г
SFТ354
П422
RFP3N45
КП759Б
5Fl28C
КТ630Г
5FТ357
П422
RFP4N40
КП75181, КП733Б
5Fl280
КТ630Г
5FТ358
П423
RFP6N45
КП753Б
5F129A
КТ630А
5FТЗ77
ГТ404Ж
RFP7N35
КП752Б
5Fl298
КТ630А
5GM2004M
КТ379Б9
RFP7N40
КП752А
5F129C
КТ630А
SGS0200
КТ896А
RFP8Nl8
КП749Б
SF1290
КТ630Б
5G5F344
КТ8121А
1RFP8N20
1 КП748А, КП610
5Fl31E
КТЗ1028
5G5F444
КТ8114Б, КТ8127Б
RFR3N50
КП759А
SF131F
КТ3102Г
SGSF564
КТ8107Д2, КТ818ЗБ
RFR6N50
КП753А
5F132E
КТЗ102Б
5G5P201
КП727Ж
510-12
КТ965А. 1\'Т921 А
5F132F
КТ3!02Г
SG5P574
КП718Б. КП718Б1
510-28
КТ955А
SF1360
КТ342А
5L362
КТС3174АС2
5150-28
КТ957А
5Fl36E
КТ342Б
5L362
2ТС3174АС2
52000FI
КТ8183АI
5F136F
КТ3428
5М8ТАО5
КТ3184А9
530-12
КТ966А
5Fl370
КТ342А
5ML3552
КТ830Б
53640
КТ3126Б
5F137E
КТ342Б
55106
КТ340В
570-12
КТ967А
SF137F
КТ3428
55108
КТ340В
580-28
КТ956А, КТ944А
5F1508
КТ611Г
55109
КТ3408

574
Раздел 5. Аналоги транзисторов
1 Зарубежный
1
1
1
Приближенный
1 транзистор 1 отечественный аналог
Зарубежный
1
Приближенный
транзистор
отечественный аналог
1 Зарубежный 1
Приближенный
транзистор 1 отечественный аналог
155125
1 КТ617А
T32IN
1 МП38, МП37 А
Т1РЗ2С
1 КТ816Г, КТ735Г
55126
1 КТ608А
T322N
МП37Б
TIP35F
КТ8229А
55216
КТ375Б, КТ340Г
T323N
МП38А
TIP36F
КТ8230А
55218
КТ375Б, КТ349Г
Т354Н
П403, П416А
TIP41
КТ819А. КТ736А
55219
КТ375Б, КТ340Г
Т357Н
П403А
TIP41A
КТ81 9Б, КТ736Б, КТ8212В
5580508
КТ6114А, КТ6134А
Т358Н
П403
Т1Р41В
КТ819В, КТ736В. КТ8212Б
558050С
КТ6114Б. КТ6134Б
ТСН98
, КТ208Е
TIP41C
КТ819Г, КТ736Г. КТ8212А
5580500
j КТ6114В, КТ6134В
ТСН98В
КТ501К
TIP42
КТ737А
i
5585508
1 КТ6115А, КТ6133А
ТСН99
КТ208К
ТIР42А
КТ737Б, КТ8213В
! S58550C
i КТ6115Б. КТ6133Б
TG2
МГТIО8А
ТIР42В
КТ737В. КТ8213Б
1
~ 5585500
i КТ6115В. КТ6133В
ТGЗА
МГТIО8В
ТIР42С
1 КТ737Г. КТ8213А. КТ837А
Р S59012D
! КТ6109А
TGЗF
МГТIО8Г
ТIР50
1 КТ854А
559012Е
1 КТ6109Б
TG4
МГТIО8А
Т1Р519
КТ842Б
559012F
КТ6109В
TG5
ГТГ15Б
ПР61
КТ815А
559012G
КТ6109Г
TG50
МП20А
ТIР61А
КТ8!5Б
559012Н
КТ6109Д
TG51
МП21Г
Т!Рб!В
1 КТ815В
559013
КТ525А
TG52
МП20А
TlP6IC
КТ815Г
5590130
KT61 IOA
TG53
МП20А
ТIР62
КТ814А
559013Е
КТ61 IОБ
TG55
МП20А
ТIР62А
КТ814Б
559013F
KT61 IOB
TG5E
ГТI 15А, П27
ТIР62В
КТ814В
559013G
КТ61 IОГ
ТН430
2Т9131А
ТIР62С
КТ814Г
! 559013Н
! КТ6110Д
ТН430
КТ9126А, КТ980Б
ТIР661
КТ892Б
1 559014
j КТ526А
jl 559014А
1 KT611 IA
1 S59014B
1 КТ611 IБ
TIPIIO
КТ716А, КТ8214А,
КТ8243В5
ПР! 11
КТ716Б, КТ8214Б,
КТ8243Б5
ТIР662
КТ892В
ПХ3024
ГТ341Б
ТIXMIOI
ГТ341А
559014С
КТ611 IВ
5590140
КТ6111Г
TIPII2
КТ716В, КТ8214В.
КТ8243А5
ТIХМIОЗ
ГТ362А
ТIXMI04
ГТ341В
559015А
КТ6112А
TIPII5
КТ852В, КТ8215А,
TIXS36
2П914А
5590158
КТ6112Б
КТ8242В5
TN0535
КП5!1А
559015С
КТ6112В
TIPII6
КТ852Б, КТ8215Б,
TN0540
КП511Б
5590160
КТ6128А
~ 559016Е
1 КТ6128Б
:1 559016F
: КТ6128В
1
11 559016G
1 КТ6128Г
~ 5S9016H
'КТ6128Д
КТ8242Б5
TIPII7
КТ852А, КТ8215В.
КТ8243А5
TIPl20
КТ716В, КТ829В. КТ8116А.
КТ8234В5
TIPl21
КТ716Б, КТ829Б. КТ81 16Б,
TPQ4071
1 2ТС693АС
TPQ7041
1 КТ693АС
'
TPV375
1КТ9116Б
TPV376
KT9133AI. KT91173AI
TPV394
КТ9116А
11 ~59016i
1 КТ6128Е
КТ8234Б5
TPV5051
КТ9153А, 2Т9142А
. S59018
1 КТ6140А
5590180
1 КТ6113А
1 TIPl22
КТ716А, КТ829А, КТ8116В,
КТ8243А5
TPV595A
КТ9150А
TRSP5014
КТ509А
559018Е
КТ6113Б
TIPl25
КТ853В, КТ8115А,
КТ8233В5
TRW2020
2Т9122Б
559018F
КТ6113В
TIP126
КТ853Б, КТ8115Б,
TRW2020
КТ948А
559018G
КТ6113Г
КТ8233Б5
U291
КП601А
559018Н
КТ6113Д
TIPl27
КТ853А, КТ8 ! 15В, КТ8233А5
U320
КП601Б
5590181
КТ61 IЗЕ
TIPl32
КТ899А
U320
КП601Б
55UIN60
КП7129А
TIPl46
КТ896А
UC714
1 КП302А
,,
55У20
КТ617А
TIPl51
КТ8109А
UDR500
1 КТ9136АС. 2Т9136АС
5ТН75NО6
КП742А
TIP29
КТ815А, 2Т815А
UF28IOO
1 КП928Б
~ 5TH80N05
1 КП742Б
TIP2955
KT8149AI. КТ739А
UMIL40FТ
2П920А
5ТНЮ8100
КП81ОА
TIP29A
КТ815Б
UMIL40FТ
1 КП923А
SТН120N50
1 КП953А. КП955А
Т1Р29В
КТ815В
UPT315
КТ841 Г. КТ506Б
5THI20N50
КП955Б, КП953А
TIP29C
КТ815Г
VMPI
1 КП901А
STP40NIO
2П771А. КП771А
ТIРЗО
КТ814А
VMP4
КП902А
STP60S
КТ888Б, 2Т888Б
TIP3055
КТ8150А 1, КТ738А
VN89AD
КП90IБ
STP70S
КТ888А, 2Т888А
ТIРЗОА
КТ814Б
VSF9330
АПЗЗIА2
SVТ7571
2Т878В
ТIРЗОВ
КТ814В
WSH71G
КТ3129Б9
SXTA42
КТ6135А9
ТIРЗОС
КТ814Г
XGSRI0040
КТ862Б
Т241
МП20А
TIPЗI
КТ817А, КТ734А
YTF4125
. КТ3140А
Т242
1 МП21В
TIPЗIA
КТ817Б, КТ8176А, КТ734Б
YTF4126
КТ3140Б
Т243
МП21Г
TlPЗIB
КТ817В, КТ8176Б, КТ734В
YTF623
2П703А
Т316Н
1 П402, П416А
TIPЗIC
КТ817Г, КТ81768, КТ734Г
YTF832
КП805А
11 Т317
1 П401
TIP32
КТ816А, КТ8177А, КТ735А
ZТ2475
КТ316Б
Т319
П401
TIP32A
КТ816Б, КТ81 77Б, КТ735Б
ZТХ658
КТ6135А
Т320
П401
TIP32B
КТ816В, КТ8177В, КТ735В
ZVN2120
КП501А

Раздел 5. Аналоги транзисторов
575
5.6. Аналоги отечественных транзисторов
'
!
!Отечественный 'I
Зарубежный аналог
транзистор
,
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный ! Зарубежный аналог :1
транзистор
;
! IТIOI
!
IТЗЗ5Д
2П201Б-1
i
i!
:ПОIА
IТЗ41А
TIXMIOI
2П201В-1
;
IТIOIБ
IТЗ41Б
ТIХЗО24
2П201Г-1
IТ102
IТЗ41В
TIXM104, 2N2999
2П201Д-1
IТ102А
IТЗ62А
TIXMIOЗ
2П201Е-1
IТ115А
АС107, 2NI07
IТЗ74А-б
2П201Ж-1
IТI 15Б
2N506
IТЗ76А
2N700A, 2N2360 , 2N24 l 5
2П202Д-1
IТ115В
2N535A
IТЗ8ЗА-2
2N5043
2П202Е-1
IТI 15Г
АС122. 2N536
IТЗВЗБ-2
TIXMI05
2ПЗОIА
IТllбA
IТЗВЗВ-2
2ПЗОIА-1
i
IТllбБ
IТЗ86А
2ПЗОIА-5
;
~
IТllбB
IТЗ87А-2
2ПЗОIБ
! 2N4038
1
~
, IТI lбГ
IТЗ87Б-2
2ПЗОIБ-1
!
i
1 IТЗОЗ
IТ40ЗА
ADl52
2ПЗОIВ
~ IТЗОЗА
IТ40ЗБ
ADl52, ADl64
2ПЗОIВ-1
IТЗОЗБ
IТ40ЗВ
ASY77
2ПЗО2А
UC714, 2N3791
IТЗОЗВ
IТ40ЗГ
ADP466, ASY77
2ПЗ02А-1
IТЗОЗГ
IТ40ЗД
ASY80
2ПЗ02Б
2N5397
IТЗОЗД
IТ40ЗЕ
ADl55, ADl69
2ПЗ02Б-1
IТЗО5А
2N499
IТ40ЗЖ
5NU72
2ПЗО2В
MFE2098
IТЗО5Б
AFY39
IТ40ЗИ
АС124
2ПЗ02В-1
IТЗО5В
2Nl292
1Тб12А-4
2ПЗОЗА
2N3823
!IТЗОВА
l 2N797
i2N796
i 2N2048
1Тб14А
1Тб15
IТ702А
2ПЗОЗБ
l 2N5556
2ПЗОЗВ
!
2ПЗОЗГ
!
1 IТЗОВГ
IТ702Б
2ПЗОЗД
2NЗ823
" iТ ЗI IOA-2
IТ702В
i
2ПЗОЗЕ
МFЕЗООб
IТЗllA
l 2N2699
IТ806А
ALI02, AUY35
2ПЗОЗИ
2NЗ822
IТЗI IБ
1 2N2699
IТ806Б
ALIOЗ, AUI08
2ПЗ04А
2N4268, JI 75
IТЗllГ
2Nl585
IТВОбВ
ALIOO, АUУЗВ
2ПЗО5А
МFЕЗОО4, J 175
IТЗllД
2N2482
IТ81ЗА
2ПЗО5А-2
IТЗI IK
IТВIЗБ
2ПЗО5Б
2N4224
IТЗllЛ
IТ81ЗВ
2ПЗ05Б-2
AFYll
IТЗIЗА
IТ901А
2ПЗ05В
1
!,,
l 2NI 742
1IТЗIЗБ
IТЗIЗВ
12N741
1ПЗ2ОА
1 2NЗ883
IТ901Б
IТ905А
AUYIO
IТ906А
1
2ПЗ05В-2
1
!
2ПЗ05Г
1
11
2ПЗ05Г-2
!
IТЗ20Б
2N711A
IТ910АД
2ПЗ06А
МFЕЗ107
IТЗ20В
l 2N705
2Е701А
-
2ПЗ06Б
ТА7262
IТЗ21А
1 2SA479
2Е701Б
-
2ПЗО6В
MFEl21
IТЗ21Б
2SA412
2Е701В
2ПЗО6Г
IТЗ21В
2SA78
2Е701Г
2ПЗО6Д
IТЗ21Г
2Nl384
2ПIOIA
2ПЗО6Е
IТЗ21Д
2SАЗ12
2ПIОIБ
2ПЗ07А
2N5394
IТЗ21Е
2Nl204
2ПIOIB
2ПЗО7Б
2N4223, 2N4220
IТЗ29А
2N5041
2ПIОЗА
2NЗЗ29
2ПЗ07В
2N4224
IТЗ29Б
2N5043
2ПIОЗАР
2ПЗ07Г
MFE2001. 2N4216
1'
1
IТЗ29В
2ПIОЗБ
2ПЗ07Д
i MFE2002
il
IТЗЗОА
1
ПЗЗОБ
i
2ПIОЗБР
2ПIОЗВ
1
2ПЗО8А
.,
1
2ПЗО8А-1
MMBF54592
IТЗЗОВ
2ПIОЗВР
2ПЗО8А-9
IТЗЗОГ
1
2ПIОЗГ
2ПЗ08Б
IТЗЗ5А
2ПIОЗГР
2ПЗО8Б-1
1
IТЗЗ5Б
2ПIОЗД
2ПЗО8Б-9
IТЗЗ5В.
2ПIОЗДР
2ПЗО8В
IТЗЗ5Г
2П201А-1
2ПЗ08В-1

576
Раздел 5. Аналоги транзисторов
11
1
i] Отечественный 1
~ транзистор i Зарубежный аналог
!l 2пзоsв-9 iммвF54592
Отечественный
Зарубежный аналог 11
транзистор
1
2П7118Д
Отечественный i Зарубежный аналог i:
транзистор
1
;;
2П903Б-5
1
' 2П308Г
i
j 2пзоsг-1
1
~ 2ПЗ08Г-9
:
2П7118Е
2П7118Ж
2П7118И
2П903В
2П903В-5
1 2П904А
8850-35
1
1
2П308Д
2П7118К
2П904Б
MRF148
2П308Д-1
1
1
2П7118Л
2П905А
2N4092
2П308Д-9
!
2П712А
IRF9130
2П905А-5
!
2П308Е-9
1
2П712А-5
2П905Б
1
2ПЗ!ОА
SD200
2П712Б
2П907А
n
, 2ПЗ!ОБ
i SD201
2П712Б-5
2П907Б
1
/·
1
1
2П312А
1 SFE264
2П7!2В
2П908А
13N169, IVN5200
f.
! 2П312А-5
1
2П712В-5
2П908Б
'
1
i 2П312Б
1 2N4416
2П7140А1
IRF7103
2П909А
BF50-35
1 2П312Б-5
1
2П7141Аl
IRF5210
2П909Б
DV1007
2П313А
2П7142А1
IRF7316
2П909В
2П313Б
2П7143АI
IRF7416
2П909Г
2П313В
2П7144А1
IRF9140
2П911А
CF4-28
2П322А
3SK68
2П7145А
2П911Б
F2012
2ПЗЗЗА
2N4393
2П724А
MTP6N60
2П912А
IRFIЗO, REM18N!O
2П333Б
2П762А
2П912Б
2N6658. 2N6755
2П333В
2П762Б1
2П913А
! Fl021
; 2ПЗЗЗГ
!
2П762В
2П913Б
DV28120
~
2П334А
!
2П762Г1
2П914А
1 TIXS36. 2N4391
'
'
1 2П334Б
!
2П762Г1-5
1
2П917А
1 IVNбOOOKNR
'·
•
~ 2П335А-2
!
2П762Д
1
2П917Б
2П335Б-2
i
2П762ЕI
2П9!8А
F2013
..
2П336А-1
1
2П762ЕI-5
2П918Б
2П336Б-1
i
2П762Ж
2П920А
UMIL40FТ, FI020
2П337АР
2П762И2
2П920Б
DV28!20
2П337БР
2П762И2-5
2П922А
IRF132
2П338АР-1
2П762К
2П922А-5
2П340А
IRF340
2П762Л
2П922Б
RFM12NIO
2П340А-1
1
2П762М
2П922Б-5
1
1
: 2П340Б-1
i
2П762Н
2П923А
1 F2001, UMIL40FТ
!l 2П341А
i 2SK316
!12ПЗ41Б
i 2SK508
2П771А
STP40N!O
2П771А91
2П923Б
F2002, F2013/H
2П923В
1 F2003, FI053
it 2П347А-2
BF966
2П797Г
IRF540
2П923Г
F2005, F2007
2П350А
3N140
2П797Г91
2П926А
2П350Б
BF905
2П802А
2SK2!5, IRF420
2П926Б
2П601А
СР640, U291
2П802Б
IRF420
2П928А
FI027, DV28120
2П60!А9
2П803А
BUZ54A
2П928Б
UF28100U
2П601Б
2П803Б
MTM2N85, BUZ53A
2П933А
F2006
2П609А
2П8!5А
2П933Б
FI053
2П609А-5
2П815Б
2П934А
2П609Б
l 2Пб09Б-5 1
2П8!5В
2П815Г
2П934Б
2П938А
'1
I 2П701А
BUZ385, BUZ43
2П816А
2П938Б
1 2П701Б
1 МТМ475
2П816Б
2П938В
2П702А
1 MTM8N35
2П816В
2П938Г
2П703А
YTF623, IRF9620
2П816Г
2П938Д
2П70ЗБ
IRF9621
2П901А
VMPI
2П941А
FI201
2П706А
MTMI5N50
2П901А-5
2П941Б
FI202
2П706Б
IRF841
2П901Б
VN89AD
2П941В
2П706В
BUZ385
2П901Б-5
2П941Г
2П7102А1
IRFZ44
2П902А
VMP4, DV!202S
2П941Д
2П7118А
2П902Б
2NL234B
2П942А
2П7118Б
2П903А
СР651
2П942А-5
2П7118В
1
2П903А-5
2П942Б
i
2П7118Г
!
2П903Б
2П942Б-5

Раздел 5. Аналоги транзисторов
577
j[ Отечественный 1 Зарубежный аналог
11
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
1
1 2П9428
2Т205А-З
2ТЗО6Г
8SX67
2П9428-5
2Т205Б-З
2ТЗО7А-1
1-
2П95ЗА
STH120N50
2Т208А
2N2332
2ТЗО7Б-1
-
2П95ЗБ
-
2Т208Б
2N2333
2ТЗО78-1
-
2П9538
-
2Т2088
8СУ91
2ТЗО7Г-1
-
2П95ЗГ
1-
!! 2ПС104А
1
1
2Т208Г
8СУЗЗ, 2N2334
2Т208Д
8СУ12, 2N2335
2ТЗ101А-2
2SC1236
li
2ТЗ106А-2
2SC1254
1
2ПС104Б
1
2Т208Е
8СУ10, 8СУ90
2ТЗ108А
2NЗ250
i 2ПС1048
2Т208Ж
2N923
2ТЗ108Б
2NЗ251
2ПС!О4Г
2Т208И
8СУ92
2ТЗ1088
2NЗ250А
2ПС104Д
2Т208К
8СУ93
2ТЗ114А-6
NE73435
1
' 2ПС104Е
2Т208Л
8СУ11
2ТЗ114Б-6
МА2123
2ПС202А-2
2Т208М
8СУЗ1
2ТЗ1148-6
2N5650
2ПС202Б-2
2Т211А-1
-
2ТЗ115А-2
2ПС2028-2
2Т211Б-1
-
2Т3115А-6
-
2ПС202Г-2
2Т2118-1
-
2ТЗ115Б-2
FJ401
2ПС202Д-1
2Т214А-1
-
2Т3117А
2N2121, 2N2221
[ 2ПС202Е-1
1
2Т214А-5
-
2ТЗ117Б
12N2l2lА, 2N2222
'1
2ПСЗ16А-1
'1
2Т214А-9
2Nl036
2ТЗ120А
8F480. К5002
,,
1
2ПСЗ16Б-1
1
2Т214Б-1
-
2ТЗ121А-6
FJ203
1
2ПСЗ168-1
2Т214Б-5
-
2ТЗ12ЗА-2
2N3953, 2SA967
2ПСЗ16Г-1
!
2Т214Б-9
2Nl655
2ТЗ12ЗБ-2
2SC2369
2Т104А
. 2 Nl028
2Т2148-1
-
2ТЗ1238-2
2SC2368
2Т104Б
8SZ10
2Т2148-5
-
2ТЗ124А-2
НР122
2Т1048
ОС202
2Т2148-9
-
2ТЗ124Б-2
HXTR6101
2Т104Г
ОС200, 2Nl219
2Т214Г-1
-
2ТЗ1248-2
-
2Т117А
8RY56
2Т214Г-5
-
2ТЗ129А9
8CW89
2Тl 17А-5
2Т214Г-9
-
2ТЗ129Б9
8CW69
i 2Тl 17Б
1 2N2647
; 2Тl 178
i2N4893
1
j 2Тl 17Г
1 MU4894
2Т214Д-1
-
2Т214Д-5
-
2Т214Д-9
-
2ТЗ12989
8CF29, 8CW29
2ТЗ129Г9
[ 8СFЗО, 8СWЗО
1
2ТЗ129Д9
258709
1
2П 18А
: ЗN105. ЗN74
2Т214Е-1
-
2ТЗ12А
2N702
2Тl 18А-1
ЗN105, ЗN74
2Т214Е-5
-
2ТЗ12Б
8СУ42, 2SC105
2Тl 18Б
ЗN106
2Т214Е-9
-
2ТЗ128
8СУ43, 2N703
2Тl 18Б-1
, ЗN106, ЗN107
2Т215А-1
2Nl573
2ТЗ1ЗОА-9
8CW71, 8CW60A
..
2Тl 188
ЗN107
2Т215А-5
-
2ТЗ1ЗОБ-9
8CF8 l, 8CW72
2Т126А-1
2Т215А-9
-
2ТЗ1308-9
8СFЗ2, 8CW60C
2Т126Б-1
2Т215Б-1
2Nl923
2ТЗ1ЗОГ-9
8СWЗЗ
2Т1268-1
2Т215Б-5
-
2ТЗ!ЗОД-9
8СWЗ2
2Т126Г-1
2Т215Б-9
-
2ТЗ1ЗОЕ-9
8СFЗЗ
2Т127А-1
2Т2158-1
-
2ТЗ132А-2
FJ201F, 2N6617
2Т127Б-1
2Т2158-5
-
2ТЗ132Б-2
HXTR6102
1'
2Т1278-1
2Т2158-9
-
2ТЗ1328-2
HXTR6101
1
2Т127Г-1
1
2Т215Г-1
-
2ТЗ132Г-2
-
1
2Т201А
2N2432
2Т215Г-5
-
2Т31ЗЗА
2Т201Б
2N2432A
2Т215Г-9
-
2ТЗ1ЗЗА-2
2Т20!В
2Nl590
2Т215Д-1
-
2Т3134А-1
8FW93
2Т201Г
2N2617
2Т215Д-5
-
2ТЗ135А-1
2Т201Д
2N2617
2Т215Д-9
-
2ТЗ1ЗА
2N2906,2SA530
2Т202А-1
2Т215Е-1
-
2ТЗ1ЗБ
2NЗ250, 2SA718
2Т202Б-1
2Т215Е-5
-
2ТЗ145А9
8CW60AA, 8CX70AN
2Т2028-1
2Т215Е-9
-
2ТЗ150Б2
2Т202Г-1
2ТЗО1 Г
2Nl390
2Т3152А
8СУ93
2Т202д-1
1
2ТЗО!Д
2N842
2ТЗ152Б
-
2Т20ЗА
ОС203
2ТЗО1Е
8С101
2Т31528
-
2Т20ЗБ
1 2N923
2Т301Ж
2N843
2ТЗ152Г
-
2Т2038
2N2277
2ТЗО6А
8SX66
2ТЗ152Д
-
2Т20ЗГ
2ТЗО6Б
2SC601
2ТЗ152Е
-
2Т20ЗД
2ТЗО68
2SC400
2Т3154А-1
-
37зак9

578
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный \ Зарубежный аналог
транзистор
,
2ТЗ155АС-1. БС-1 1 -
2ТЗЗЗВ-З
-
2ТЗ82Б
J BFW92
2ТЗ156А-2
1-
2ТЗЗЗГ-З
-
2Т384А-2
12N351 I
2ТЗ158А-2
i-
2Т3160А-2
1
'
j 2ТЗ162А
2ТЗ162А5
1
2ТЗЗЗД-З
-
2ТЗЗЗЕ-З
-
2Т336А
-
2Т336Б
-
12ТЗ84АМ-2
;
2ТЗ85А-2
l 2N4401
12ТЗ85А-9
2ТЗ85АМ-2
i
· 2Т3164А
i
2ТЗ36В
-
2ТЗ88А-2
!
2ТЗ167А-7
i
2ТЗ36Г
-
2ТЗ88А-5
2ТЗ16А
МТ9003, 2N3010
2ТЗ36Д
-
2ТЗ88АМ-2
2ТЗ16Б
2N709
2ТЗЗ6Е
-
2ТЗ89А-2
2N5456
2Т316В
2N709A
2ТЗ48А-З
-
2Т391А-2
НРЗ586L
2ТЗ16Г
2SC40
2ТЗ48Б-З
-
2ТЗ91Б-2
1
1 2ТЗ16Д
12N2784
2ТЗ48В-З
-
2ТЗ92А-2
BF316
1 2ТЗI 74АС-2
J SL362
2ТЗ54А-2
2Nl219
2ТЗ96А-2
2N3839
2ТЗ175А
1-
2ТЗ54Б-2
BFW93
2Т397А-2
2SC784
2ТЗ17А-1
i
2ТЗ55А
2ТЗ99А
BFWЗO. 2N2857
1 2ТЗI 7Б-1
'
2ТЗ60А-1
1
2Т504А
2N3439
11 2ТЗI 78-1
1-
2ТЗ60Б-1
2Т504А-5
2N5663
1
2ТЗ187А-9
-
2ТЗ60В-1
1
2Т504Б
2N2727
2ТЗ187А-91
-
2ТЗ63А
2N3516. 2N4260
2Т504Б-5
-
2ТЗ18А-1
-
2ТЗ6ЗБ
2N4261
2Т504В
2N3440
2ТЗ18Б-1
-
2ТЗ64А-2
2Т505А
2N5416, MJ4646
2Т318В-1
-
2ТЗ64Б-2
2Т505А-5
-
2T318Bl-I
i-
2ТЗ64В-2
2Т505Б
1 ВFТ19А, ВFТ28С
2ТЗ18Г-1
1-
1
2Т366А
BFS62
2Т506А
1 BUX54
1
1 2ТЗ18д-1
1-
2ТЗ66А-1
2Т506А-5
1-
j 2ТЗ18Е-1
i-
2ТЗ66Б-1
2Т506Б
!BUX84
: 2ТЗ19А-1
1-
2ТЗ66Бl-1
2Т509А
! TRSP5014
;: 2ТЗ19Б-1
-
2ТЗ66В-1
[
2Т509А-5
:-
1. 2ТЗ19В-1
2Т367А
1
2Т528А-9
,_
j 2тз21А
1 BSV64
2ТЗ21Б
ММ2260
2ТЗ68А
2N918
2ТЗ68А-9
-
2Т528Б-9
!-
2Т528В-9
j-
li
2ТЗ21В
i-
2ТЗ68Б
2N917
2Т528Г-9
-
1!
2ТЗ21Г
-
2ТЗ68Б-9
-
2Т528Д-9
-
~
2ТЗ21Д
-
2Т370А-1
-
2Т602А
1 BFl77
~!
1 2ТЗ21Е
i-
2Т370А9
-
2Т602АМ
f BSS38. 2SD668
•
'
il 2ТЗ24А-1
1
1-
1
2ТЗ70Б-1
-
2Т602Б
i 2Nl566A
11 2ТЗ24Б-1
,_
2ТЗ70Б9
-
2Т602БМ
2SCl567
~ 2ТЗ24В-1
-
2ТЗ71А
BFR90
2Т60ЗА
! BSW36
~ 2ТЗ24Г-1
1_
ji 2ТЗ24Д-1
i-
1 2ТЗ24Е-1
1
1-
1
2ТЗ25А
12N2615
12ТЗ72А
2SCI090
2ТЗ72Б
BFR34
2ТЗ72В
2N5652
2T377Al-2
-
2Т60ЗБ
i 2SC796
2Т60ЗВ
! 2N2237
2Т603Г
! BSW36
2Т60ЗИ
1 2SCl51H
2ТЗ25Б
2N2616
2ТЗ77А-2
-
2Т606А
2N5090
2ТЗ25В
l 2SC612
2ТЗ77БI-2
-
2Т607А-4
i-
2ТЗ26А
ВС178
2ТЗ77Б-2
-
2Т608А
BSY34
2ТЗ26Б
BFYl9
l 2тзз1А-1 1А141
2T377Bl-2
-
2Т377В-2
-
2Т608Б
j 2NI959
!1
2Т610А
1-
~
1 2ТЗЗIБ-1
1
1-
2T378Al-2
-
2Т610Б
-
1
2ТЗЗIВ-1
1-
2ТЗ78А-2
-
2Т624А-2
J 2NЗЗОЗ
1
12ТЗЗIГ-1
'1-
2ТЗ78БI-2
-
2Т624АМ-2
1
\
1-
2ТЗЗIД-1
1-
2ТЗ78Б-2
-
2Т625А-2
-
'
2ТЗ32А-1
1-
2ТЗ78Б-2-1
-
2Т625АМ-2
j_
2ТЗЗ2Б-1
1-
2ТЗ81А-1
-
2Т625Б-2
-
2ТЗЗ2В-1
-
2ТЗ81Б-1
-
2Т625БМ-2
-
2ТЗЗ2Г-1
-
2Т381В-1
-
2Т629А-2
2NЗ245
2ТЗЗ2Д-1
-
2ТЗ81Г-1
-
2Т629А-5
-
2ТЗЗЗА-3
-
2Т381Д-1
-
2Т629АМ-2
2N3467
2ТЗЗЗБ-З
-
2ТЗ82А
ММТ2857
2Т6ЗОА
BFY67 А, 2N 1893

Раздел 5. Аналоги транзисторов
579
1 Отечественный 1 Зарубежный аналог
1 транзистор
1
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
2Т6ЗОА-5
1
1-
2Т688А2
2Т825В-2
2Т6ЗОБ
ВСЗОО, 2N 1890
2Т688Б2
2Т826А
BUI32
2Т632А
2N3495, 2N3497
2Т689АС
-
2Т826А-5
-
2Т6ЗЗА
2N2369
2Т691А2
2SA1224
2Т826Б
2SD312
2Т634А-2
-
2Т69ЗАС
TPQ4071
2Т826В
BUI32
2Т635А
2N4960
2Т704А
2N3585, BU143
2Т827А
ВDХбЗА, MJ3521
2Т637А-2
2Т704Б
BDY93, BU204
2Т827А-2
-
2Т638А
1MPSLOl, 2SC589
2Т708А
2SB678
2Т827А-5
-
11 2T640Al-2
1 MSC85606
2Т708Б
2Т827Б
1 BDX65
2Т640А-2
1NE21960
2Т708В
BSS61
2Т827Б-2
1-
i 2Т640А-5
1-
2Т709А
BDX86C, MJHllOl9
2Т827В
BDX85. МJз'520
2Т640А-6
1
f-
2Т709А2
2Т827В-2
-
2T642Al-2
-
2Т709Б
BDX86B
2Т828А
BU326A
2T642Al-5
2Т709Б2
2Т828Б
2SD640
2Т642А-2
АТ41485
2Т709В
2Т830А
2N4234, 2N5781
2Т642А-5
2Т709В2
2Т8ЗОБ
SML3552, 2N4235
2Т642Б1-2
-
2Т71ЗА
2Т8ЗОВ
2N4236
2T642Bl-2
-
2Т716А
TIPl 12, TIPI22
2Т8ЗОВ-1
2Т642Г1-2
2Т716А-1
2Т8ЗОГ
2N4236
2Т64ЗА-2
1
2Т64ЗА-5
!-
2Т64ЗБ-2
1 HXTR4101, NE98203
2Т716Б
TIPlll, TIP121
2Т716Б-1
2Т716В
TlPl 10, Т1Р120
2Т8ЗОГ-1
l 2N4300
1
2Т831А
1
2Т831Б
1
~ 2Т645А
! MPS6532
2Т716В-1
2Т831В
1
1 2Т647А-2
1NE56755
2Т718А
2Т831В-1
2Т647А-5
1
2Т718Б
2Т831Г
2Т648А-2
1 HXTR2101
2Т803А
BDY23
2Т831Г-1
2Т648А-5
-
2Т808А
BLY47
2Т832А
2Т649А-2
-
2Т808А-2
2Т832Б
2Т652А
-
2Т809А
BD216, BLY49
2Т834А
SVT6002,SDN6002
2Т652А-2
-
2Т8104А
MJI 1021, BDX66C
2Т834Б
SDN6001
2Т65ЗА
2N4271
2Т8105А
MJ 11020, 2SD 1287
2Т834В
SDN6000
2Т65ЗБ
1
2Т8106А
BDV66B, MJH6285
2Т836А
2N3204
2Т657А-2
1 NE021-60
2Т812А
BDY94
2Т836А-5
2Т657Б-2
1 LAE4000
2Т812Б
2Т836Б
2Т657В-2
,_
2Т815А
BD 165, TIP29
2Т836В
1 2Т658А-2
1BFQ98B
2Т8164А
MJE13004
2Т836Г
2Т658Б-2
ВFТ96
2Т817В
BDI77
2Т837А
BD534, TIP42C
2Т658В-2
-
2Т818А
BD292
2Т837Б
BD536
2Т663А
-
2Т818А-2
2Т837В
BD234
2Т66ЗБ
-
2Т818Б
BD202, BDT92
2Т837Г
BD225
2Т664А9-1
ВСХ51, ВСХ53
2Т818Б-2
2Т837Д
2SB434
2Т664Б9-1
ВСХ52
2Т818В
BD204, BDT94
2Т837Е
2N6125
2Т665А9-1
ВСХ54, ВСХ56
2Т818В-2
2Т839А
МJЗ480, 2SD380
2Т665Б9-1
ВСХ55, 2N 1777
2Т819А
BD291, TIP41
2Т841А
BDX96, 2N6560
12Т669А
1
2Т819А-2
2N6130
2Т841А-1
2Т669А!
1
1
2Т819Б
BD202, BDT91
2Т841Б
2SC2122
2Т670АС
-
2Т819Б-2
2Т841Б-1
2Т671А-2
NE567-55
2Т819В
BD201, BDT93
2Т841В
2Т672А-2
2Т819В-2
2Т842А
2SB506A
2Т679А-2
2Т824А
2Т842А-1
2Т679А-5
2Т824АМ
2Т842Б
ПР519
2Т679Б-2
2Т824Б
2Т842Б-1
2Т679Б-5
2Т824БМ
2Т844А
UPT732
2Т682А-2
HXTR6102, FJ403
2Т825А
2N6287
2Т845А
DТ4305
2Т682Б-2
АТ41435-2
2Т825А-2
2Т847А
2N6678. 2N6672
2Т685А
l 2N6015
2Т685Ж
2N5356
2Т687АС2
1MD3762
2Т825А-5
2Т825Б
2N6286, BDX86
2Т825Б-2
2Т847Б
1
2Т848А
BU608, BUX37
1
2Т851В
2SA740, 2SB548
2Т687БС2
2Т825В
2N6285
2Т856А
BUX48A
37*

580
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
2Т856Б
BUX48
2Т888А
5ТР705
2Т9128АС
BALOI02-150
2Т856В
2Т888Б
5ТР605
2Т9129А
АМ83135-40
2Т856Г
2Т891А
BUT91, BUT92
2Т912А
J 2N5070. 2N6093
1
1
2Т860А
i
2Т903А
2N2947
2Т912А-5
1-
!1
!1 2Т860Б
1
2Т903Б
25С517
2Т912Б
J 2N6093
1' 2Т860Б
1
l12т86IA
2Т904А
2N3375
2Т907А
2N3733
2Т912Б-5
-
2Т9130А
25C2688N. 25С400
2Т861Б
2Т908А
ВОУ92
2Т9131А
ТН430
2Т861В
2Т909А
2N5177
2Т9132АС
2Т862А
2N6560
2Т909Б
2N5178
2Т9133А
TRV376
2Т862Б
2N6672
2Т9101АС
FJ0880-28
2Т9134А
НЕМ3508В-20
2Т862В
2Т9102А-2
2Т9134Б
501543
2Т862Г
2Т9102Б-2
2Т9135А-2
ML500
2Т863А
ВОУ92, 2N6669
2Т9103А-2
NEM4205
2Т9136АС
501565. UOR500
2Т866А
BUX21
2Т867А
1BUY21. 2N6341
I 2Т874А
: BUW39
1 2Т874Б
12N5672
11 2Т875А
i 2N5626
1
1
2Т875Б
1 2N4130
2Т875В
J BOW21
2Т9103Б-2
NE4203
1
2Т9104А
MRA0610-3
1
2Т9104Б
MRA0610-18
11
2Т9105АС
1 MRA0610-100
1
1 2Т9107А-2
1
1
2Т9108А-2
2Т9109А
М5С1550М
2Т9137А
1FJ9295
'
12Т9137Б
!
~
2Т9138А
2Т9139А
1P72731Bl6V
~
2Т9139Б
'МЕМ3008
~
2Т9139В
2Т9139Г
2Т875Г
25CI 115
2T91 IOA-2
2Т913А
BLX92, 2N4430
2Т876А
MJE2955
2Т9110Б-2
2Т913Б
BLX93, 2N4431
2Т876Б
2N5625
2Т9111А
РТ9790А
2Т913В
NEIOIOE-28
2Т876В
2N5621
2Т9112А
2Т9140А
501505
2Т876Г
1MJE2955
2Т9113А
2Т9142А
25С3218. TRY5051
!1 2Т877А
i 2N6286
11 2Т877Б
12N6285
1
r
~
'
~ 2Т878А
; BUX98A
1
1
2Т877В
2Т9114А
2Т9114Б
11
l 2T9117A
i
1
l 2Т9117Б
2N6553
2Т9143А
1LT5839
~
2Т9146А
1АМ1416-200
i
~
12Т9146Б
1-
i
1 2Т9146В
1
1-
:• 2Т878Б
i BUX98. 2N6678
2Т9117В
i-
2Т9146Г
-
2Т878В
5VТ7571
2Т9117Г
-
2Т9146Д
-
2Т879А
2N6282, 2N6281
2Т9118А
PHI 114-50
2Т9146Е
-
2Т879Б
2Т9118Б
MRAl214-55
2Т9146Ж
-
2Т880А
1
2Т9118В
MRAIOl4-35
2Т9146И
1-
2Т880А-5
-
2Т911А
2N4976
2Т9146К
-
2Т880Б
2N6730
2Т911Б
2N4429
2Т9147АС
-
2Т880Б-5
1
,-
2Т9120А
045Н5
2Т9149А
PZ2024BIOV
1 2Т880В
i 2N5149
1
2Т9121А
АМ82731-45
2Т9149Б
1PZ2023-6
~ 2Т880Г
l12т88IA
1
;
2Т9121Б
27АМО5
2Т9121В
1
12Т914А
2N5161
!
2Т9153АС
:
: 2Т881А-5
,-
2Т9121Г
2Т9153БС
TPV5051
12Т881Б
1 50Т5504
2Т9122А
NEM2020
2Т9155А
25С3217
2Т881Б-5
1-
2Т9122Б
TRW2020
2Т9155Б
25С3218
2Т881В
2N5150
2Т9123А
-
2Т9155В
J02058
2Т881Г
2N5321
2Т9123Б
-
2Т9156АС
2Т882А
2Т9124А
-
2Т9156БС
MRA0510-50H
2Т882Б
2Т9124Б
-
2Т9158А
PZ2327Bl5U
2Т882В
2Т9125АС
BALOl05-50
2Т9158Б
-
2Т883А
2Т9126А
ТН430
2Т9159А
LТ1819
2Т883Б
;
2Т9127А
М5С81550М
2Т9159А5
i-
1
1
2Т884А
1
11 2Т884Б
1
2Т9127Б
-
2Т9127В
-
2Т9161АС
! 501565
1
1
2Т9162А
i
11
1· 2Т885А
1BU598, BUV74
I 2Т885Б
BUZ98A
2Т886А
1 25С3061
2Т9127Г
1-
2Т9127Д
-
2Т9127Е
2Т9162Б
1
2Т9162В
2Т9162Г
2Т886Б
;
2Т9127Ж
2Т9164А
501540
2Т887А
АР1009
2Т9127И
2Т916А
25С1805
2Т887Б
2Т9127К
2Т9175А

Раздел 5. Аналоги транзисторов
581
1
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
2Т9175А-4
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
2Т947А
2N6047. BDP620
Отечественный
Зарубежный аналог
11
транзистор
2Т989В
2Т9175Б
2Т948А
MRF2005M
2Т989Г
1 2Т9175Б-4
2Т948Б
TRW2020
2Т990А-2
1 2Т9175В
i
2Т949А
1
2Т991АС
1BALOI05-50
! 2Т9175В-4
2Т950А
А70-28
2Т993А
i
2Т9183А-5
2Т950Б
2Т994А-2
АМ1416-200
2Т9184А
2Т951А
РТ9788А
2Т994Б-2
2Т9188А
2Т951Б
2Т994В-2
2Т919А
2N5596, MSC2005
2Т951В
2Т995А-2
ML500
2Т919А-2
-
2Т955А
SI0-28
2Т996А-2
BFP95. S-89
2Т919Б
2N5768, MSC2003
2Т919Б-2
1-
2Т919В
2N5483, MSC2001
2Т956А
S80-28
2Т957А
Sl50-28
2Т958А
ВМ40-12
2Т996А-5
FJ9295CC
11
2Т996Б-2
FJ9295CC
1
2Т996Б-5
2Т919В-2
-
2Т960А
СМ40-12
2Т998А
2Т920А
2N5589
2Т962А
DMI0-28
2ТСЗОЗА-2
MD986
2Т920Б
BLWl8
2Т962Б
DM20-28
2ТСЗIОЗА
MD5000
2Т920В
2N5591
2Т962В
DM40-28
2ТСЗIОЗБ
MD5000B
2Т921А
2N5707, SI0-12
2Т963А-2
MJ250
2TCЗl 1IA-I
-
2Т921А-4
-
2Т922А
2N5641
2Т922Б
2N5642
2Т922В
2N5643
2Т963А-5
-
2Т963Б-2
ML500
2Т964А
А70-28
2Т965А
SI0-12
2ТС311 IБ-1
-
2TC31 l IB-I
-
1
2ТС311 IГ-1
-
2ТС311 IД-1
-
1
2Т925А
j СЗ-12
2Т925Б
1С12-12
1 2Т925В
i С25-12
2Т966А
SЗО-12
2Т967А
S70-12
2Т968А
2ТС3136А-1
1-
il
2ТС3174АС-2
1 SL362
11
2ТС393А-1
2Т926А
2Nl902
2Т968А-5
-
2ТС393А-9
MD5000
2Т928А
1BSS29, 2N22 l 7
2Т970А
C2MI00-28A
2ТС393Б-1
2Т928Б
BSX32, 2N2218
2Т971А
BMI00-128
2ТС393Б-9
MD5000B
2Т929А
1 B2-8Z, 2N5719
2Т974А
BSS44
2ТС398А-1
-
2Т930А
2N6362, СМ75-28
2Т974Б
2N5672
2ТС398А-94
2Т930Б
2N6364
2Т974В
2ТСЗ98Б-1
2Т931А
2N6369, ВМ80-28
2Т974Г
2ТС398Б-94
2Т932А
2N3741
2Т975А
АМРАС1214-125
2ТС613А
MQ2218
2Т932Б
BDl32
2Т975Б
PZ 121481504
2ТС61ЗБ
MQ2218A
!!
2Т93ЗА
1ВС160-2
1
~ 2Т93ЗБ
ВС139
2Т934А
СЗ-28, 2N6202, 2SCI021
2Т934Б
CI 2-28 , 2N6203 , BLY22
2Т976А
PHI 114-50С
2Т977А
SD1546
2Т978А
2Т978Б
2ТС622А
1!
!
2ТС622Б
МН2906. 2N5146
1
2ТС622Б-1
1
2ТС687АС-2
2Т934В
С25-28, 2N6204, BL У92А
2Т979А
PZBl6040U. PHI 114 -60
2ТС843А
2Т935А
BDU53
2Т980А
СМ40-12
2ТС941А-2
2Т935А-5
-
2Т980Б
ТН430
ЗПЗ20А-2
NE695
2Т937А-2
MSOl46
2Т981А
А50-12
ЗП320Б-2
NEl3783
2Т937А-5
-
2Т982А-2
МЕМ430394
ЗПЗ21А-2
2Т937Б-2
РТВ42003Х
2Т982А-5
-
ЗП324А-2
2SKI 23
2Т938А-2
MSCIOOI
2Т98ЗА
-
ЗП324Б-2
2SKl24
2Т939А
2SCI 262, 2N3866
2Т98ЗБ
-
ЗПЗ24В-2
АТ8040. CFXIЗ
!f
2T939AI
1-
2Т939Б
1К10800
2Т98ЗВ
-
2Т984А
MSCl075M
ЗПЗ25А-2
1GAT-5
~1
ЗП325А-5
1
I 2Т941А
i
2Т942А
1MRF20IO
2Т942А-5
2Т984Б
MSCl250M
2Т985АС
BAL0204-125
2Т986А
1214Р400
ЗП326А-2
АТ8041, GAT6
1
ЗП326А-5
1
ЗПЗ26Б-2
CFXl4
2Т942Б
2Т986Б
DME250
ЗП328А-2
NE46383
2Т942Б-5
2Т986В
DME375
ЗП328А-5
2Т944А
S80-28
2Т986Г
ЗПЗЗОА-2
JS8830AS
2Т945А
BDY90, 2SC5 l 9A
2Т987А
BAL0710-75
ЗПЗЗОА-5
2Т945А-5
-
2Т988А
MRA0610-18
ЗПЗЗОБ-2
NE673
2Т945Б
2SC408
2Т988Б
ЗПЗЗОВl-2
JS830AS
2Т945В
-
2Т989А
MRAl417-25
ЗПЗЗОВ-2
CFXl4
J, 2Т946А
1 МSСIЗЗО, 012-28
2Т989Б
ЗПЗЗОВ2-2
1 FRHOIFH

582
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный J Зарубежный аналог
транзистор
1
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
о
-
!
течественныи 1 Зарубежный аналог
транзистор
,
ЗПЗЗОВЗ-2
FRHOIFH
ЗП605А-5
АПЗ44АЗ-2
FHCЗOLC/FA
ЗПЗЗIА-2
CFYl2, VSF9330
ЗП606А-2
MGF2116
АПЗ44А4-2
ЗПЗЗIА-5
ЗП606Б-2
MGF2324-0I
АПЗ54А-5
MCFl402
ЗПЗЗ9А-2
NE388-06
ЗП606Б-5
АП354Б-5
FSCIOFA
ЗПЗ4ЗАl-2
CFY25-17 , 2SК1616
ЗП606В-2
АПЗ54В-5
MCFl305
ЗПЗ4ЗА-2
CFY25-20
ЗП606В-5
АПЗ55А-5
ALFЗOOO
1 ЗПЗ4ЗА2-2
\ MGF4310
ЗПЗ4ЗАЗ-2
1 MGF4415
ЗП607А-2
FLXI02MH-12
ЗП608А-2
JS8864AS
АП355Б-5
58870
АП355В-5
NE13783
1 ЗПЗ44Аl-2
NE76184A
ЗП608А-5
-
АП356А-5
АТ10650-1
1 ЗПЗ44А-2
NE72089A
ЗПЗ44А2-2
FSC 1О. АTFO 135
ЗПЗ44АЗ-2
i
ЗПЗ44А4-2
ЗП608Б-2
-
1
ЗП608В-2
-
ЗП608Г-2
i-
ЗП608Д-5
-
АПЗ56Б-5
1-
АПЗ56В-5
NE75083
1 АП357А-5
1
1-
АП357Б-5
-
ЗПЗ45А-2
CFYIЗ
ЗП608Е-5
-
АП357В-5
MGF4511D
ЗПЗ45А-5
ЗП910А-2
FLCl5
АП358А-5
-
ЗПЗ45Б-2
ЗП910А-5
-
АП358Б-5
-
ЗПЗ48А-2
ЗП910Б-2
-
АП358В-5
NE045
ЗП349А-2
АТ8110
ЗП910Б-5
-
АП362А-9
1-
I ЗП351Аl-2
1
1
ЗП915А-2
1 FLC253, FLМ7177-5
АП362Б-9
1-
1 ЗП351А-2
1
! ЗП915Б-2
МА4FЗОО-500
АП379А-9
CF739
' ЗПЗ51А-5
1
1
ЗП925А-2
MSM3742-5
АП379Б-9
ISGM2004M
ЗПЗ5ЗА-5
1NE045
1
ЗП925А-5
МР4450-З
1 АП381А-5
1CFYl8-12
!
1 ЗП372А-2
;
ЗП925Б-2
IM44506
АП602А-2
J DXL3501
ЗПЗ7ЗА-2
ЗП925В-2
ЕЗ742-ЗА
АП602Б-2
1 NEZ1112
ЗПЗ7ЗБ-2
ЗП927А-2
MSC1827
АП602В-2
CFXЗll
ЗП373В-2
ЗП927Б-2
MSM1718-05
АП602Г-2
МТС-Т1250
ЗПЗ76А-5
ЗП927В-2
PRC9030
АП602Д-2
ЗПЗ84А-5
ЗП927Г-2
-
АПбОЗА-1-2
ЗПЗ85А-2
ЗП927Д-2
-
АПбОЗА-2
MGF-X35M -OI
ЗПЗ85А-5
ЗП929А-2
MSM7785-10
АПбОЗА-5
ЗПЗ85Б-2
i
ЗП9ЗОА-2
FLM5964-8C
АПбОЗБ-I-2
, ЗПЗ85Б-5
:
ЗП9ЗОБ-2
MSM5694-10
АПбОЗБ-2
ЗПЗ85В-2
1
ЗП9ЗОВ-2
-
АПбОЗБ-5
1 ЗПЗ85В-5
'
1ЗП602А-2
1 DXL3501
АПЗ20А-2
NE695
АПЗ20Б-2
NE13783
АП604Аl-2
АП604А-2
\ DXL3610A
:, ЗП602Б-2
'N EZlll2
АПЗ24А-2
2SК123
АП604Б1-2
ЗП602Б-5
АПЗ24Б-2
2SК124
АП604Б-2
ЗП602В-2
CFXЗI
АПЗ24Б-5
-
АП604Вl-2
ЗП602Г-2
МТС-Т1250
АПЗ24В-2
АТ8040, CFXIЗ
АП604В-2
ЗП602Д-2
АПЗ25А-2
GAT-5
АП604Гl-2
ЗП602д-5
АПЗ26А-2
АТ8041, САТб
АП604Г-2
i
ЗПбОЗАl-2
1
1
АПЗ26Б-2
CFXl4
АП605А1-2
NE90089A
i
1ЗПбОЗА-2
1 MGF-X35M-01
АПЗ28А-2
NE46383
АП605А-2
DXL2608A
ЗПбОЗБl-2
i
АПЗЗОА-2
JS8830AS
АП605А2-2
АТ8250
ЗПбОЗБ-2
!
АПЗЗОБ-2
NE673
АП606А-2
MGF2I 16
ЗПбОЗБ-5
1
АПЗЗОВI-2
JS830
АП606А-5
ЗП604Аl-2
АПЗЗОВ-2
CFXI4
АП606Б-2
MGF2324-0I
ЗП604А-2
DXL3610A
АПЗЗОВ2-2
FRHOIFH
АП606Б-5
ЗП604А-5
АПЗЗОВЗ-2
FRHOIFH
АП606В-2
ЗП604Бl-2
АПЗЗIА-2
CFYl2, VSF9330
АП606В-5
ЗП604Б-2
АПЗЗIА-5
-
АП607А-2
FLXI02MH-12
ЗП604Б-5
АПЗ39А-2
NE388-06
АП608А-2
JS8864AS
ЗП604Вl-2
АП34ЗАl-2
CFY25-l 7, 2SKl616
АП608А-5
'
'
1 ЗП604В-2
АП343А-2
CFY25-20
АП608Б-2
i
'
ЗП604В-5
!
'
ЗП604Гl-2
АП343А2-2
MGF4310
АП343АЗ-2
MGF4415
АП608В-2
!
~
АП6080-5
ЗП604Г-2
:
АП344Аl-2
NE76184A
АП608П-5
ЗП604Г-5
'
АП344А-2
NE72089A
АП915А-2
1 FLM7177-5
0 ЗП605А-2
i DXL2608A
АП344А2-2
FSCIO, ATF0135
АП915Б-2
i

Раздел 5. Аналоги транзисторов
583
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
АП925А·2
ГГ309Д
2SA268
ГГ346Б
AFl39. AF240
АП925Б·2
ГГ309Е
2SA69
ГГ346В
AF239S
АП925В-2
i
ПЗIОА
2SA260
ГГ362А
ПХМIОЗ
АП930А·2
1
ГГЗIОБ
2N503
ГГ362Б
ПХМIОЗ
АП930Б·2
1
ГГЗIОВ
AFYIЗ
ГГ376А
2N700A. 2N2360
АП930В-2
1
ГГЗIОГ
2SAll6
П383А-2
2N5043
АП9б7А-2
ГГЗIОД
2Nl28
ГГ383Б-2
TIXMI05
АП967Б-2
ПЗIОЕ
2SAI05
ГГ383В-2
АП967В-2
ГГЗllА
2N2699
П402А
АС152
АП967Г-2
ГГЗllБ
2N2699
П402Б
АС132
АП9670-2
ГГЗl IВ
2N2482
П402В
АС124
АП967П-2
ГГЗl IГ
2Nl585
П402Г
ACI 17
АП967Т-2
ГГЗl IД
2N2482
П402Д
АС152
ГГ108А
2NIЗOA
ПЗllЕ
2N2699
П402Е
АС132. АС188
ГГIО8Б
2Nl352
ПЗllЖ
2Nl585
ГГ402Ж
АС124
ГГIО8В
2N220
ПЗllИ
2N797
П402И
ACI 17. АС138
ГГIО8Г
2Nl471
ПЗIЗА
AFYll
П403А
ADl52
ГГIО9А
ОС57
ПЗIЗБ
2NI 742
П403Б
ADl52, ADl64
ГГIО9Б
ОС58, 2N77
ПЗIЗВ
2N741
П403В
ASY77
ГГIО9В
ОС59
П320А
2N3883
ГГ403Г
ADP466, ASY77
ГГIО9Г
2SB90
П320Б
2N711A
П403Д
ASY80
ГГIО9Д
2SA53
П320В
2N705
ГГ403Е
ADl55, ADl69
ГГIО9Е
2Nl39, 2SA49
П321А
2SA479
ГГ403Ж
5NU72
ГГIО9Ж
2SB90
П321Б
2SA312
ГГ40ЗИ
АС124
ГГIО9И
2SA49
ГГ321В
2SA78
П403Ю
ASY80
ГГ115А
1 FCI07, 2NI07
П321Г
2Nl384
ГГ404А
АС176
ГГ115Б
l 2N506
П321Д
2SA312
ГГ404Б
АС127, АС141В
ГГ115В
[ 2N535A
П321Е
2Nl384
ГГ404В
GD607
~ ГГI 15Г
1 АС122
П322А
AFl24
ГГ404Г
АС181
ГГ115Д
l 2SB262
ГГ322Б
AF275
ГГ404Д
АС141В
ГГ122А
1 2N438
ГГЗ22В
AF271
ГГ404Е
2SDl27
-
ГГ122Б
2N233A
ГГ322Г
2SA338
ГГ404Ж
2SDl28A
ГГ122В
2Nl366
ГГ322Д
2SA321
П404И
2SDl28
ГГ122Г
2Nl366
ГГ322Е
2SA322
П405А
АС152
ГГ124А
2SAl95
ГГ323А
П405Б
АС132
ГГ124Б
2SA40
П323Б
ГГ405В
АС124
ГГ124В
2SA277
ГГ323В
П405Г
ACI 17
ГГ124Г
1 2SB55
ГГ328А
AFI09R, AF200
П406А
ADl64
ГГ125А
2SA21 I
ГГ328Б
AFI06, AFYl2
ГГ612А·4
1
ГГ125Б
l 2SAl73
ГГ328В
AFI06A
П701А
AD314, AD542
ГГ125В
2SA391
П329А
2N5044
П703А
ADl48
ГГ125Г
2SA396
ГГ329Б
2N5043
ГГ70ЗБ
2NU73
ГГ125Д
2SA205
П329В
-
ГГ703В
ADl48, ADY27
П125Е
2SA204
П329Г
-
ГГ703Г
ADl50, ADl62
П125Ж
2SA206
ПЗЗОД
-
ГГ703Д
4NU73
П125И
2SBl5
ггззож
AF279, 2NN5044
ГГ705А
2Nl292
ГГ125К
2SB55
пззои
AF280
ГГ705Б
2N4077
П125Л
2SBl5
П335А
-
ГГ705В
2N326
П305А
2N499A
ГГ335Б
-
П705Г
2Nl218
П305Б
AFY39
П335В
-
П705Д
ADl61
П305В
2Nl292
ГГ335Г
-
П804А
1
П308А
2N797
ГГ335Д
-
П804Б
П308Б
2N796
ГГ338А
ASZ23
ГГ804В
П308В
2N2048
П338Б
ГГ806А
ALI02, AUY35
П308Г
-
П338В
ГГ806Б
ALIOЗ, AUI08
ГГ309А
2SA272
П341А
TIXMIOI
ГГ806В
ALIOO. AUY38
ГГ309Б
AFl78
П341Б
TIX3024
ГГ806Г
AUY35
П309В
2SA272
П341В
TIXMI04, 2N2999
П8060
AUllO
ГГ309Г
2SA266
П346А
AF239, AF253
П810А
AUI04, AUI 13

584
Раздел 5. Аналоги транзисторов
1! Отечественный 1 Зарубежный аналог
:1
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный 1
'
транзистор
1
Зарубежный аналоr !1
1 ГГ905А
AUYlO
КПЗОlГ
КПЗ2ЗА-2
1 2N4416, SDЗOl
ГГ905Б
2N2148
КПЗ02А
UC714, 2N3791
КПЗ2ЗБ-2
SDЗOO. 2SK316
1
ГГ906А
КПЗО2АМ
2N3771
КПЗ27А
BF960, BF980
ГГ906АМ
КПЗ02Б
2N5397
КПЗ27Б
BF961
ГГС609А
КПЗО2БМ
2N3824
КПЗ27В
BF964
ГГС609Б
КПЗО2В
MFE2098
КПЗ27Г
BF966
ГГС609В
КПЗО2ВМ
2N3972
КПЗ29А
2N5104
Кl29HТl(Al-Иl) -
КПЗО2Г
NF500, 2N4093
КПЗ29Б
2NЗ821
К129НТIА-1
КПЗО2ГМ
2N3971, 2N4393
КПЗЗЗА
2N4393
'
1 К129НТ1 Б-1
КПЗОЗА
2N3823
КПЗЗЗБ
1-
~
К129НТ1 В-1
КПЗОЗА9
КПЗ40
RFKl2N40, IRF340
1К129НТIГ-1
1
КПЗОЗБ
2N5556
КПЗ41А
2SK316
К129НТIД-1
КПЗОЗБ9
КПЗ41Б
2SK508
К129НТIЕ-1
кпзозв
КПЗ46А-9
BF996
К129НТIЖ-1
КПЗОЗВ9
КПЗ46Б-9
BF991
К129НТIИ-1
кпзозг
КПЗ46В-9
-
КIНТ251
LDA405
КПЗОЗГ9
КПЗ47А-2
BF966
КIНТ661А
2SC1515K
КПЗОЗД
2N3823
КПЗ50
1RF350
КЕ702А
КПЗОЗД9
КПЗ50А
ЗN140
КЕ702Б
КПЗОЗЕ
МFЕЗООб
КПЗ50Б
BF905
КЕ702В
КПЗОЗЕ9
КПЗ50В
BF960
КЕ707А
IRG4BCЗOS
кпзозж
2NЗ821
КПЗ61А
i-
1
1 КЕ707А2
1
КПЗОЗЖ9
КПЗ64А
1-
i КЕ707Б
1 IRG4BCЗOU
кпзози
2N3822
КПЗ64Б
-
КЕ707Б2
1
КПЗОЗИ9
КПЗ64В
-
КПIОIГ
КПЗО4А
2N4268, JI75
КПЗ64Г
-
КПIОlД
1
КПЗ05Д
МFЕЗ004, 2N4223
КПЗ64Д
-
KПIOlE
КПЗО5Е
2N4224
КПЗ64Е
-
КПlОЗЕ
2NЗЗ29
КПЗ05Ж
MFE3004, 2N4223
КПЗ64Ж
-
КП10ЗЕ9
КПЗО5И
2N4224
КПЗ64И
-
КПIОЗЕРl
КПЗ06А
MFE3107
КПЗ65А
BF410C. BF410C
1 КПIОЗЖ
1
КПIОЗЖ9
КПIОЗЖРI
i
КПЗОбБ
ТА7262
КПЗОбВ
MFE121
КПЗ07А
2N5394
КПЗ65Б
1 BF245C
КПЗ82А
BF960
КПЗВЗА-9
BF989S
i КПIОЗИ
1
КПЗО7Аl
-
КП401АС
'
1
1-
1
i КПIОЗИ9
1
КПЗО7Б
2N4223, 2N4220
КП401БС
-
КПIОЗИРl
КПЗО7Бl
-
КП402А
BSS92
КПIОЗК
КПЗ07В
2N4224
КП40ЗА
BSS89
КПIОЗК9
КПЗО7Г
MFE2001, 2N4216
КП440
RFКION50, 1RF440
КПIОЗКРl
КПЗО7Гl
-
КП450
2N6770. IRF450
КПIОЗЛ
КПЗ07Д
MFE2002
КП501А
ZVN2120
КПIОЗЛ9
КПЗО7Е
-
КП501Б
ZVN2120
КПIОЗЛРl
КПЗО7Еl
-
КП501В
-
КПIОЗМ
КПЗ07Ж
-
КП502А
BSS124
КПIОЗМ9
1
КПIОЗМРI
2N4360
КПЗО7Жl
-
КПЗОВА-1
MMBF54592
КП50ЗА
, BSS129
~
КП504А
i BSS88
1
КП150
1 RFK35NIO. IRF150
КПЗОВБ-1
1-
КП504Б
1-
~
1 КП201Е-1
!
КПЗОВВ-1
-
КП504В
:-
КП201Ж-1
КПЗОВГ-1
-
КП505А
BSS295
КП201И-1
1
КПЗОВД-1
-
КП505Б
1
КП201К-i
КПЗlОА
ЗN225, SD200
КП505В
КП201Л-1
КПЗlОБ
SD201
КП505Г
КП202Д-1
КПЗ12А
SFE264
КП507А
BSS315
КП202Е-1
КПЗ12Б
-
КП508А
BSS92
КП214А-9
2N7200LТI
КПЗlЗА
-
КП509А-9
BSSIЗl
КП240
IRF240, RFK25N20
КПЗIЗБ
-
КП509Б-9
i-
КП250
IRF250, 2N6766
КПЗlЗВ
-
КП509В-9
-
I КПЗОlБ
2N4038
КПЗ14А
SDЗOO
КП510
RFP12NIO,IRF510
КПЗОlВ
1
КПЗ22А
ЗSК68
КП510А9
IRLМL2402

Раздел 5. Аналоги транзисторов
585
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
КП511А
TN0535
КП7132А91
HUF7507
КП727Д
2SК1087
КП511Б
TN0540
КП7132Б
-
КП727Е
2SK700
КП520
IRF520
КП7132Бl
-
КП727Ж
SGSP201
1КП52ЗА
BSS297A
КП7132Б9
-
КП728А
BUZ307
КП52ЗБ
-
КП7132Б91
-
КП728ГI
-
КП52ЗВ
КП713ЗА
IRF640
КП728Г2
-
КП52ЗГ
КП71ЗЗА9
IRF640S
КП728ЕI
-
КП530
RFPIBNIO, IRF530
КП7134А
IRF630
КП728Е2
-
КП540
IRF540
КП7135А
IRF620
КП728СI
-
КП601А
СР643
КП7136А
IRF740
КП728С2
-
КП601Б
СР651
КП7137А
IRF840
КП730
IRF730
КП610
RFP8N20, IRF610
КП7138А
IRFRIN60
КП7ЗОА
IRGPH50F
КП620
IRF620
КП7138А9
-
КП731
IRGBC40M
КП630
IRF630
КП7138А91
IRFRIN60A
КП731А
IRF7IO
1,
КП640
IRF640
КП7150А
IRFZ44E
КП731Б
IRF711
1
КП704А
1BUZ32
КП7150А2
-
КП731В
IRF712
i
КП704Б
BUZЗI
КП7150А9
IRFZ44ES
КП7ЗЗА
IRF710
КП705А
BUZ53A
КП717А
2N6769
КП7ЗЗБ
RFP4N40
КП705Б
IXTM4N95
КП717А1
IRFP453
КП7ЗЗВ-1
-
КП705В
-
КП717Б
IRF350, 2N6768
КП7ЗЗГ
IRFBC20
КП706А
МТМ15
КП717БI
BUZ323
КП73ЗД
-
КП706Б
IRF841
КП717В
2N6767, IRF353
КП734А
NDP506A
КП706В
BUZ385
КП717ВI
IRFP353
КП734А-1
NDP506AL
КП707А
2SK298
КП717Г
IRF352
КП734Б
NDP506B
КП707АI
IRF730, BUZ60
КП717ГI
IRFP352
КП734Б-1
NDP506BL
КП707А2
-
КП717Д
RFKl2N35, IRF341
КП734В
NDP601
КП707Б
-
КП717ДI
IRFP341
КП735А
NDP606A
'
КП707БI
BUZ90
КП717Е
RFKl2N40, IRF340
КП735Б
NDP606B
КП707В
-
КП717ЕI
IRFP340
КП735В
NDP605A
КП707ВI
IRFBEЗO
КП718А
BUZ45
КП735Г
NDP605B
КП707В2
IRFBE32
КП718А1
вuzззо
КП737А
IRF630
КП707Г
-
КП718Б
SGSP57
КП737Б
IRF634
КП707ГI
-
КП718Бl
SGAP57
КП737В
IRF635
КП707Д
-
КП718В
BUZ45A
КП737Г
IRL630
КП707ДI
IRF830
КП718В1
BUZ354
КП739А
IRFZl4
КП707Е
КП718Г
RFКION45, IRF441
КП739Б
IRFZIO
КП707ЕI
-
КП718ГI
IRFP441
КП739В
IRFZ15
КП708А
-
КП718Д
IRF452
КП740
IRF740
КП708Б
-
КП718ДI
IRFP452
КП740А
IRFZ24
КП709А
-
КП718Е
IRF453
КП740Б
IRFZ20
КП709Б
BUZ90A
КП718Еl
IRFP453
КП740В
IRFZ25
КП709В
BUZ90
КП720
IRF720
КП741А
IRF48
КП709Г
-
КП722А
BUZ36
КП741Б
IRF46
КП709Д
-
КП72ЗА
IRFZ44
КП742А
STН75N06
КП710
IRF710
КП72ЗБ
IRFZ45
КП742Б
STH80N05
КП7128
IRF5210
КП72ЗВ
IRLZ34, IRFZ40
КП743А
IRF5IO, RFPl2NIO
КП7129А
SSUIN60
КП72ЗГ
IRLZ44, IRF42
КП74ЗАI
-
КП712А
IRF9130
КП724А
MTP6N60
КП743Б
IRF511, RFPl2N08
КП712Б
КП724Б
IRF842
КП74ЗВ
IRF512
КП712В
КП725А
IRF450
КП744А
IRF520
1
КП7130А
IRFBC40
КП726А
BUZ90A
КП744Б
IRF521
КП7130А2
-
КП726Аl
BUZ90A
КП744В
IRF522
КП7130А9
IRFBC40S
КП726Б
BUZ90
КП744Г
IRL520
КП71ЗОБ
1-
КП726БI
BUZ90
КП745А
IRF530, RFPIBNIO
КП71ЗОВ
-
КП727Е
2SK700
КП745Б
IRF53 1, RFP l 8N08
КП7131А-9
IRF7101
КП727А
BUZ71, IRF720
КП745В
IRF532
КП7132А
HUF7507P3
КП727Б
MTPЗNOBL
КП745Г
IRL530
КП7132АI
-
КП727В
MTPЗNOBL
КП746А
IRF540N
КП7132А9
HUF7507
КП727Г
2SК1057
КП746АI
-
38зак9

586
Раздел 5. Аналоги транзисторов
il Отечественный 1 Зарубежный аналог
11 транзистор 1
\ КП746Б
! IRF54 I . RFP25N06
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
КП780В
IRF822
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
1
КП814Р
11 КП746БI
1-
КП781А
IRFP350
КП814С
1
КП746В
1 IRF542
КП783А
IRF3205
КП814Т
1
КП746ВI
'-
КП784А
IRF9Z34
КП814У
i
КП746Г
IRL540
КП785А
IRF9540
КП814Ф
КП746ГI
-
КП786А
BUZ80A
КП817А
1
КП747А
IRFP150, 2N6764
КП787А
BUZ91A
КП817Б
КП748А
IRFбlO. RFP8N20
КП789А
BUZlllS
КП817В
IRF9Z34
КП748Б
IRFбll, RFPIONl5
КП748В
1 IRF612
1КП749А
! IRF620
КП796А
IRF9634
КП801А
BF960, 2SK60
КП801Б
2SK76A
КП820
IRF820
1
КП830
: IRF830
~
КП840
IRF840
.1
'
КП749Б
1IRF62I,RFP8N18
i КП749В
i IRF622
КП801В
2SК134
КП801Г
2SК133
1
~
КП901Б
VN89AD
:i
1 КП901А
VMPI
1 КП750А
1 IRF640
КП802А
2SK215, IRF420
КП902А
1 VMP4
КП750АI
l IRF640
КП802Б
1 IRF420
КП902Б
1 2NL234B
i
КП750Б
1 IRF641, RFP15Nl5
КП803А
BUZ54A
КП902В
DVl202S
КП750БI
1 IRF641
КП804А
IRFDlll
КП903А
СР651
КП750В
IRF642
КП805А
YTF832
КП903Б
i
КП750ВI
IRF642
КП805Б
IRFBC40
КП903В
1
КП750Г
IRL640
КП751АI
IRF720
КП805В
КП809А
IRF340
КП904А
8850-35
1
КП904Б
MRFl48
КП751БI
IRF721
КП809АI
КП905А
1 2N4092
!1
КП751ВI
IRF722, RFP4N40
КП809Б
BUZ45
КП905Б
1
КП752А
IRF730. RFP7N40
КП809Б1
КП905В
i
!
КП752Б
l 1RF731, RFP7N35
1 КП752В
i IRF732
КП753А
1 IRF830, RFP6N50
КП809В
BUZ94
КП809ВI
1
КП809Г
1
1
КП907А
i
~~
КП907Б
"
КП907В
1
~
КП753Б
1 IRF83 I. RFP6N45
КП809ГI
КП908А
1 ЗN169, IVN5200
КП753В
IRF832
КП809Д
BUZ220
КП908Б
1
~
КП759А
IRF820, RFPЗN50
КП809ДI
КП921А
КП759Б
IRF82 I, RFPЗN45
КП809Е
КП921Б
КП759В
IRF822
КП809Е1
КП922А
! IRFl32
КП759Г
IRF823
КП809К
КП922АI
;
КП760А
1 IRF830
КП810А
STHI08100
КП922Б
~
КП760Б
l 1RF831
КП810Б
КП922БI
:
!
КП760В
l IRF832
КП810В
STHI08NIOO
КП922В
i
КП760Г
1 IRF833
КП812АI
IRFZ44
КП922ВI
1
КП761А
IRF840
КП812БI
IRFZ45
КП922ГI
КП761Б
IRF841
КП812ВI
IRFZ34
КП923А
1 F2001. UMIL40FТ
КП761В
IRF842
КП813А
BUZ36
КП923Б
F2002. F2013/H
КП761Г
IRF843
КП813АI
BUZ350
КП923В
F2003, FI053
КП771А
КП813Аl-5
-
КП923Г
F2004
КП771Б
STP40NIO
КП813Б
КП928А
FI027
КП771В
-
КП813Б1
КП928Б
UF28120
КП775А
2SK2498A
КП813Бl-5
-
КП931А
КП775Б
2SK2498B
КП813Г
КП931Б
КП775В
-
КП814А
КП931В
КП776А
IRF740
КП814Б
КП932А
КП776Б
1 IRF741
КП814В
КП934А
КП776В
IRF742
КП814Г
КП934АI
КП776Г
IRF744
КП814Д
КП934Б
КП777А
IRF840
КП814Е
КП934БI
КП777Б
IRF841
КП814Ж
КП934В
КП777В
IRF842
КП814И
КП934ВI
КП778А
IRFP250
КП814К
КП936А
-
КП779А
ffiFP450
КП814Л
КП936А-5
-
КП780А
IRF820
КП814М
КП936Б
,_
1
КП780АСI
IRFU420
КП814Н
КП936Б-5
-
КП780Б
IRF821
КП814П
КП936В
,_

Раздел 5. Аналоги транзисторов
587
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
КП9368-5
-
КП961Е
КТ127Б-1
КП936Г
-
КП962А
КТ1278-1
КП936Г-5
-
КП962А-5
-
КТ127Г-1
КП936Д
2SК1917М
КП963А
-
КТ132А
2N2646
КП936Д-5
-
КП963А-5
-
КТ132Б
2N2647
КП936Е
l IRFY340M
КП964А
-
КТIЗЗА
1 2N4870
КП936Е-5
1-
КП964Б
КТIЗЗБ
2N4871
КП937А
2SК1409
I КП937А-5
1
КП9648
КП964Г
КТ201А
2N2432
КТ201АМ
2N3565
КП938А
КП965А
КТ201Б
2N2432A
КП938Б
КП965Б
КТ201БМ
MPS9601
КП9388
КП9658
КТ2018
2Nl590
КП938Г
КП965Г
КТ2018М
MPS9600
КП938Д
КП9650
КТ201Г
2N2617
КП944А
!RF9020
КП971А
КТ201ГМ
2N2932
КП944Б
КП971Б
КТ201Д
2N2617
КП945А
IRFR020
КП973А
КТ201ДМ
2N2933
КП945Б
1
КП973Б
КТ202А-1
КП946А
1-
КПС104А
КТ202Б-1
КП946Б
i-
КПС104Б
КТ2028-1
КП948А
1
КПС1048
КТ202Г-1
КП948Б
КПС104Г
КТ202Д-1
КП9488
КПС104Д
КТ203А
ОС203
КП948Г
КПС104Е
КТ203АМ
КП951А-2
Fl201
КПС202А-2
КТ203Б
2N923
КП951Б-2
КПС202Б-2
КТ203БМ
КП9518-2
КПС2028-2
КТ2038
2N2277
КП953А
STHl20N50
КПС202Г-2
КТ2038М
КП953Б
-
КПС203А-1
КТ206А
КП9538
1MG258Z50
КПС203Б-1
КТ206Б
I КП953Г
1-
КПС2038-1
КТ207А
1КП953д
КПС203Г-1
КТ207Б
1 КП954А
КПСЗ!5А
КТ2078
КП954Б
КПС315Б
КТ208А
2N2332
КП9548
КПСЗ!бД-1
КТ208Б
2N2333
КП954Г
КПСЗ!бЕ-1
КТ2088
8СУ91
КП954Д
КПСЗ!бЖ-1
КТ208Г
8СУЗЗ, 2N2334
КП955А
STНl20N50
КПСЗ!бИ-1
КТ208Д
8СУ12, 2N2335
КП955Б
MG258Z50
КТ104А
2NI028
КТ208Е
8СУ!О, 8СУ90
КП956А
КТ104Б
8SZIO
КТ208Ж
2N923
КП956Б
КТ1048
ОС202
КТ208И
8СУ92
'
КП957А
КТ104Г
ОС200, 2Nl219
КТ208К
ВСУ93
КП957Б
1
КТ117А
8RY56
КТ208Л
BCYll
КП9578
КТ117Б
2N2647
КТ208М
ВСУЗI
КП958А
КТ! 178
2N4893
КТ209А
MPS404
КП958Б
КТ117Г
MU4894
КТ209Б
MPS404
КП9588
KTllBA
3NI05, ЗN74
КТ2098
MPS404
КП958Г
КТ! IВБ
ЗN!Об
КТ20982
MPS404
КП959А
КТ! 188
ЗN107
КТ209Г
MPS404
КП959Б
КТ! 19А
2Nl671
КТ209Д
MPS404
КП9598
КТ! 19Б
2N4891
КТ209Е
MPS404
КП960А
КТ120А
КТ209Ж
MPS404
КП960Б
1
КТ120А-1
КТ209И
MPS404
КП9608
КТ120А-5
КТ209К
MPS404A
КП961А
1
КТ120Б
КТ209К9
ММВТ404А
КП961Б
КТ!208
КТ209Л
MPS404A
КП9618
КТ1208-1
КТ209М
MPS404A
КП961Г
КТ1208-5
КТ210А
КП961Д
КТ127А-1
КТ210Б
зв·

588
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
КТ21ОВ
КТЗIО2АМ
ВС182А
КТ3117А-1
BFX94, NT2222
КТ211А-1
МП35, МП39
КТЗIО2Б
BCI07BP, ВС318
КТ3117А9
КТ211Б-1
МП35. МП39
КТЗIО2Б2
КТ3117Б
2N2122, 2N2222
КТ211В-1
МП35, МП39
КТЗIО2БМ
ВС182В
КТЗl 17Б9
ММВТ2222
КТ214А-1
КТЗIО2БМ
КТ3120АМ
BF480. К5002
КТ214Б-1
1
КТЗIО2В
ВС108АР. 2SCl815
КТ3121А-6
1 FJ203
КТ214В-1
!
КТЗIО2В2
КТ3122А
2NЗОЗЗ
1
КТ214Г-1
1
КТ3102ВМ
ВС183В
КТ3122Б
2N5236, 2N5270
1КТ214д-1
1
КТ3102Г
BCI08CP
КТ3123А-2
2N3953
КТ214Е-:
КТ3102Г2
КТ3123АМ
2SA967
КТ215А-1
КТ3102ГМ
ВСУ57
КТ3123Б-2
2SC2369
КТ215Б-1
КТ3102Д
ВС184А, 2N2484
КТ3123БМ
КТ215В-1
КТ3102д2
КТ3123В-2
2SC236
КТ215Г-1
КТ3102ДМ
ВС452
КТ3123ВМ
КТ215Д-1
КТ3102ДМ
ВС547А
КТ3126А
BF506. 2N44 l I
КТ215Е-1
КТЗIО2Е
BCI09CP, ВС547В
КТ3126А-9
2SC2188
КТ216А
1
КТЗIО2Е2
КТ3126Б
53640
КТ216Б
!
КТЗIО2ЕМ
ВС538, ВС548В
КТ3127А
BFl82. BFl83
КТ216В
:
КТ3102ЕМ
2SC923K
КТ3128А
1 BF272, BF362. BF363
КТ218А-9
! КТ214
КТЗIО2Ж
2N4123
КТ3128А-1
1
КТ218Б-9
! КТ214
КТ3102Ж2
КТ3128А-9
КТ218В-9
1 КТ214
КТ3102ЖМ
ВС183А, ВС549С
КТ3128Б-1
КТ218Г-9
КТ214
КТЗIО2И
ВСУ65
КТ3129А-9
ВС857, BCW89
КТ218Д-9
КТ214
КТ3102И2
КТ3129Б-9
ВС858, BCW69
КТ218Е-9
КТ214
КТЗIО2ИМ
2N4123
КТ3129В-9
ВСХ71, BCF29, BCW29
КТ220А9
KSCl623
КТ3102К
ВС452
КТ3129Г-9
ВС858В, ВСFЗО, ВСWЗО
КТ220Б9
KSCl623
КТ3102К2
КТ3129Д-9
2SB709
КТ220В9
KSCl623
КТ3102КМ
2N4124, ВС548В
КТ312А
2N702
КТ220Г9
KSCl623
КТ3104А
-
KT312AI
КТЗОI
1
КТ3104Б
-
КТ312Б
ВСУ42. 2SCI05
КТЗОIА
i
КТЗIО4В
-
1
КТ312БI
2SСЗЗ
КТЗОIБ
КТЗ104Г
-
КТ312В
1 ВСУ43, 2N703
КТЗОIВ
:
КТЗIО4Д
-
КТ312ВI
1
КТЗОIГ
l 2N1390
КТ3104Е
-
КТЗIЗОА-9
BCW71, ВСWбОА
КТЗОIД
1 2N842
КТЗIОбА-2
BFX59, 2SCl254
КТЗIЗОБ-9
BCF81, BCW72
КТЗОIЕ
BCIOI
КТЗIОбА-9
-
КТЗIЗОВ-9
BCF32. ВСWбОС
КТЗОIЖ
2N843
КТ3107А
ВС557А, MPS3703
КТЗIЗОГ-9
всwзз
КТ302А
КТ3107Б
ВС308А, ВС212А
КТЗIЗОД-9
BCW32
КТЗО2Б
КТЗIО7В
ВС 178АР, ВСУ72
КТЗIЗОЕ-9
ВСFЗЗ
КТЗО2В
КТ3107Г
ВС308А, ВС558А
КТЗIЗОЖ-9
2SD601
КТ302Г
1
КТ3107Д
ВСЗО8А. BCI 78ВР
КТ3132А-2
FJ201F. 2N6617
1
КТЗОбА
1 BSX66
КТЗIО7Е
ВС 179АР, ВС309В
КТ3132Б-2
HXTR6102
1КТЗОбАМ
! MPS2713
КТЗIО7Ж
ВС309В, ВС179ВР, ВС559
КТ3132В-2
HXTRбlOI
КТЗОбБ
1 2SC601
КТ3107И
ВС307В, ВС212С
КТ3132Г-2
1КТЗОбБМ
1 MPS2713
КТЗIО7К
ВС308С, ВС21 ЗС
КТ3132Д-2
КТЗОбВ
2SC400
КТ3107Л
ВС309С, ВСЗ22С
КТ3132Е-2
КТЗОбВМ
MPS834
КТ3108А
2N3250
КТ3139А
ВСWбОА
КТЗОбГ
BSX67
КТЗIО8Б
2N3251
КТ3139Б
BCW60AR
КТЗОбГМ
MPS2714
КТЗIО8В
2N3250A
КТ3139В
BCW60BR
КТЗОбД
BSX67
КТЗIО9А
BF680, 2SA983
КТ3139Г
BCW60BL
КТЗОбДМ
MPS834
КТ3109Б
BF979
КТЗIЗА
2N2906, 2SA530
КТ307А-1
КТЗIО9В
BF970
КТЗIЗА-1
2N3250, 2SA718
КТ307Б-1
1
КТ3114Б-6
МА2123
КТЗIЗБ
1 2N4123, BCI 78
КТ307В-i
i
КТ3114В-6
NE73435
КТЗIЗБ-1
ВС317,ВС214
1
КТЗО7Г-1
!
КТ3115А-2
FJ401
КТЗIЗВ-1
ВС318, 2N4126
КТЗIОIА-2
i
КТ3115В-2
КТЗIЗГ-1
ВС319
КТЗIОIАМ
2SCl236
КТ3115Г-2
КТ3140А
YTS4126
КТ3102А
BCI07AP. ВС317
КТ3115Д-2
КТ3140Б
YTS4125
КТЗIО2А2
КТ3117А
2N2121, 2N2221
КТ3140В
РМВТ3906

Раздел 5. Аналоги транзисторов
589
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
КТ3140Г
ММВТ3906
КТ316В
2N709A
КТ3198Е9
2SC3356
~
'
КТ3140Д
ММВТ3906
КТ316ВМ
КТ3198Ж
BFQ65
КТ3142А
2N2369, 2N5769
КТ316Г
2SC40
КТ3198Ж9
BFQ67
КТ3143А
BFRl80W
КТ316ГМ
2N4255, KSCl395
КТ3199А9
BFG67
КТ3144А
BFP405
КТ316Д
2N2784
КТ3199А91
BFP67
КТ3145А-9
ВСWбОАА
КТ316ДМ
KSCl730
КТ3199А92
BFG65T
КТ3145Б-9
BCWбOBL
КТ3170А-9
2SC2295, BF554
КТ319А-1
КТ3145В-9
BCWбOAR
КТ3171А-9
2SB970, 2SDI 742
КТЗ19Б-1
КТ3145Г-9
ВСWбОА
КТ3172А-9
BCF72. 2N3974
КТ319В-1
КТ3145Д-9
ВСWбОАВ
КТ3173А-9
2SB710
КТ3201А9
ММВТ6517
КТ3146А-9
ВСХ71
КТ3176А-9
2SD602
КТ3201Б9
ММВТА42
КТ3146Б-9
BSS69
КТ3179А-9
2SD814
КТ3201В9
BFN24
КТ3146В-9
MMST3906
КТ317А-1
-
КТ3201Г9
.i ММВТА43
'
КТ3146Г-9
PBMS3906
КТ317Б-1
-
КТ321А
BSV64
н
~ КТ3146Д-9
1 РВМТ3906
: КТ314А-2
BCW46
КТ317В-1
1-
КТ3180А-9
-
КТ321Б
1ММ2260
1
КТ321В
i КТ3150Б-2
КТ3184А9
SMBTA05
КТ321Г
КТ3151А-9
BCWЗI
КТ3184Б9
SMBTA05
КТ321Д
КТ3151Б-9
-
КТ3186А-9
BFG67, BFG92A
КТ321Е
КТ3151В-9
-
КТ3186Б-9
-
КТ324А-1
-
КТ3151Г-9
-
КТ3186В-9
-
КТ324Б-1
-
КТ3151Д-9
2SCI009A, ММВТА20
КТ3187А-9
BFR92A
КТ324В-1
-
КТ3151Е-9
2N2246
КТ3187А-91
BFR92
КТ324Г-1
-
КТ3153А-5
-
КТ3187Б-91
BFSl7
КТ324Д-1
-
КТ3153А-9
ВСWбО, ВСХ70
КТ3187В-91
BFSl7
КТ324Е-1
1-
КТ3157А
BF423, 2SA 1320
КТ3189А-9
ВС847А
КТ325А
2N2615
КТ315А
BFP719
КТ3189Б-9
ВС847В
КТ325АМ
2SC1188. MPS3563
КТЗ15А-i
1
КТ3189В-9
ВС847С
КТ325Б
2SC1215
КТ315Б
BFP20, 2N2712
КТ318А-1
-
КТ325БМ
2SC612
КТ315Б-1
КТ318Б-1
-
КТ325В
2N2616
КТ315В
BFP721
КТ318В-1
-
КТ325ВМ
2N5770. 2SC1395
КТ315В-1
КТ318Г-1
-
КТ326А
ВС178
КТ315Г
BFP722
КТ318Д-1
-
КТ326АМ
BFY19
КТ315Г-1
КТ318Е-1
-
КТ326Б
BFXl2
КТ315Д
2SC641
КТ3191А
BFQ51
КТ326БМ
BFXl3
КТ315Д-1
КТ3191А-9
ВFТ92
КТ331А-1
КТ315Е
2N3397
КТ3191А91
ВFТ92
КТ331Б-1
КТ315Е-1
КТ3192А-9
BF569
КТ331В-1
1
КТ315Ж
l 2N271 I
КТ3193А
2SAI090
КТ331Г-1
i
'
КТ315Ж-1
КТ3193Б
2N4964
КТ332А-1
КТ315И
2SC634
КТ3193В
2N4058
КТ332Б-1
1
КТ315И-1
КТ3193Г
ВС479
КТ332В-1
КТ315Н
2SC633
КТ3193Д
2SA550
КТ332Г-1
КТ315Н-1
КТ3193Е
КТ332Д-1
КТ315Р
BFP722
КТ3196А-9
ММВТ3906
КТ333А-3
КТ315Р-1
КТ3197А-9
ММВТ3904
КТ333Б-3
КТ3165А
BF727, ВР970
КТ3198А
BFR90
КТ333В-3
КТ3165А-9
-
КТ3198А9
BFR92
КТ333Г-3
КТ3166А
1 2SD602
КТ3198А92
BFG92A
КТ333Д-3
КТ3166Б
MTSI02
КТ3198Б
BFR90A
КТ333Е-3
КТ3166В
1-
КТ3198Б9
BFR92A
КТ336А
КТ3166Г
-
КТ3198В
BFR91
КТ336Б
КТ3168А-9
2SC2351
КТ3198В9
BFR93
КТ336В
КТ3169А-9
BF569
КТ3198Г
BFR91A
КТЗ36Г
КТ3169А91
-
КТ3198Г9
BFR93A
КТ336Д
КТ316А
2NЗOIO
КТ3198Г92
BFG93A
КТ336Е
КТ316АМ
2N4254, NTEI07
КТ3198Д
BFR92A
КТ337А
2N3304
КТ316Б
2N709
КТ3198Д9
BFSl7A
КТ337Б
2N4207
КТ316БМ
MPS6541
КТ3198Е
2SC3358
КТ337В
2N3451

590
Раздел 5. Аналоги транзисторов
li Отечественный Зарубежный аналог
i'
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный [ Зарубежный аналог
транзистор
,
1 КТ339А
1 8F208
KT361AI
2SA555
КТ370Б-9
1
КТ339АМ
8Fl99
КТ361А-2
2N4126, 2SA610
КТ371А
8FR90
КТ339Б
8F311
КТ361А-З
2N4125
КТ371АМ
8FR90
КТ3398
8Fl73
КТ36\Б
8С2508
КТ372А
2SCl090
КТ339Г
8F197
КТ36\Б-2
8С2508
КТ372Б
8FR34
КТ339Д
MPSH37
КТ36\8
8CW58
КТ3728
2N5652
КТ340А
8SX38A, 2N753
КТЗ6\8-2
2N3905
КТ373А
8С147А, 8С\68А
КТ340Б
8С218
КТ361Г
8С\57, 2N3905
КТ373Б
8С\478. 8С!678
1
I КТ3408
8FX44, 2N706A
КТ36\Г\
8CW58
1
1
КТ3738
1 8С148С. 8С\68С
11
1!
1
1 КТ340Г
1 8SY38
КТ361Г-2
2N3906
КТ373Г
1 8С157. 8CW47
!I
1 КТ340Д
8SY26
КТ361 Г-3
8SW20
КТ375А
8CW88A, 2N3903
КТ342А
8С107А. 2N929
КТ361Д
8С557
КТ375Б
8SX80, 2N3904
КТ342АМ
8С109С
КТ36\ДI
8С\57
КТ379А
КТ342Б
2SC4548
КТ36\Д-2
-
КТЗ79Б
1
КТ342БМ
8С239С
КТ361д-3
-
КТ3798
1
КТ3428
8С1078
КТ361Е
2SA566
КТ379Г
КТ3428М
8С108С
КТ36\Е-2
2SA555
КТ380А
КТ342Г
8С2398
КТ342ГМ
2N4124
КТ342ДМ
2N4123
КТ36\Ж
8С\57
КТ361Ж-2
-
КТ361И
8С!57
КТ380Б
,[
КТ3808
КТ38\Б
'
'
КТ343А
2N3545
КТ343Б
8SWl9
КТ361И-2
-
КТ361К
8CW62A
КТ38\8
1
il
КТ38!Г
'
11
КТ3438
8SY40
КТ361К-2
-
КТ38\Д
КТ345А
8С513
КТ361Л
2NЗ964
КТ38\Е
КТ345Б
8SY81. 2N3249
КТ3458
2SA568
КТЗ61Л-2
-
КТЗ6\М
8С157
КТ382А
1 ММТ2857
1
КТ382АМ
К2122С8
КТ347А
2N869A
КТ361М-2
-
КТ382Б
8SW92
·1
КТ347Б
8SY81
КТ3478
8SY81
КТ36\Н
2SA556
КТ36\Н-2
-
КТ382БМ
К21 \38
1
КТ384А-2
2N351 I
1
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ3488-3
1 КТ349А
i 2N726
КТЗ6\П-2
-
КТ363А
2N3546, 2N4260
КТ363АМ
2N5771, 2N4258A
КТ363Б
2N426\
КТ384АМ-2
2N35\I
1
КТ385А-2
2N4401
КТ385АМ-2
!
'·
.,
КТ385БМ-2
:
,,
,,
1
КТЗ49Б
12N727
КТЗ63БМ
MPSL08
КТЗ88Б-2
!!
! КТ3498
1 8С158А
КТ364А-2
КТ388БМ-2
КТ350А
MPS6563
КТ364Б-2
КТ389Б-2
2N5456
КТ351А
8С216
КТ3648-2
КТ391А-2
HP3568L
КТ351Б
i 8С192
КТ366А
8FS62
КТ391Б-2
КТ352А
8С355А, 2N869
КТ366Б
КТ3918-2
1
КТ352Б
8С355
КТ3668
КТ392А-2
8F3\6
КТ354А-2
КТ368А
2N918
КТЗ96А-2
2N3839
КТ354Б-2
КТ368А-5
КТ396А-9
КТ355А
8FX89, 2N5842
КТ368А-9
KSC2757, 8F599
КТ397А-2
2SC784
КТ355АМ
2SCI 954
КТ368АМ
8F597
КТ399А
8SW30. 2N2857
КТ357А
2SC628
КТ368Б
2N917
КТ399АМ
2SC9888, 2SCI 789
~
КТ357Б
l 2SA495G
КТ368Б-9
2SC568, 2SC3827
КТ501А
SFТ\30
КТ3578
'MPS3639
КТЗ68БМ
2SC3801
КТ501Б
SFl25
1
КТ357Г
2SA495
КТ3688М
MPS5\79
КТ5018
SFl31
КТ358А
2N3709
КТЗ69А
КТ501Г
8СУ908, 2Nl221
КТ358Б
2N3710
КТ369А-1
КТ501д
8СУ38
КТ3588
2N3710
КТ369Б
КТ501Е
SFТ\24
КТ359А-3
КТ369Б-\
КТ501Ж
SFТ\43
КТ359Б-3
КТ3698
КТ501И
SFТ\44
КТ3598-3
КТ3698-1
КТ501К
8СУ54
КТ360А-1
КТ369Г
КТ501Л
8СУ948
КТ360Б-1
КТ369Г-1
КТ501М
8СУ39, 8СУ958
КТ3608-1
КТ370А-1
КТ502А
KSA539R
КТ361Е
1 8С557
КТ370А-9
КТ502Б
1 KSA5390
КТ361А
8С520А, 2SA778
КТ370Б-1
КТ5028
KSA5450

Раздел 5. Аналоги транзисторов
591
Отечественный Зарубежный аналоr
транзистор
Отечественный Зарубежный аналоr
транзистор
Отечественный Зарубежный аналоr
транзистор
КТ502Г
KSA539Y
КТ517В-9
MMBT6427LТI
КТ604БМ
2SC1611
КТ502Д
KSA545R
КТ517Г
MPSA25
КТ605А
BCIOO
КТ502Е
BSS68
КТ517Г-1
-
КТ605АМ
2SC1056
КТ50ЗА
KSC8 l 5, KSD2270
КТ517Г-9
ММВТ6427
КТ605Б
Bf471
КТ50ЗБ
MPS2712
КТ517Д
MPSA26
КТ605БМ
Bf471
КТ50ЗВ
KSC853R
КТ517Д-1
-
КТ606А
2N5090
КТ50ЗГ
1KSC853R
КТ517Д-9
-
КТ606Б
1 RFD401
.
КТ50ЗД
KSC853R
КТ517Е
2SDllll
КТ607А-4
-
КТ50ЗЕ
/ BSS38
КТ517Е-1
-
КТ607Б-4
-
КТ504А
2NЗ439
КТ517Е-9
-
КТ608А
ВSУЗ4
КТ504Б
2N2727
КТ519А
JE9015A
КТ608Б
2Nl959
КТ504В
2NЗ440
КТ519Б
JE9015B
КТ6102А
КТ505А
2N5416, MJ4646
КТ519В
JE9015C
КТбlОЗА
КТ505Б
BFТI 9А,ВFТ28С
КТ520А
MPSA42
КТ6104А
КТ506А
BUX54
КТ520Б
MPSA43
КТ6105А
КТ506Б
UPT315, BUX84
КТ521А
MPSA92
КТ6107А
КТ509А
TRSP5014
КТ521Б
MPSA93
КТ6108А
КТ511А9
ЕСХ596
КТ52ЗА
МРSАбЗ
КТ6109А
SS9012D
КТ511Б9
EXT555SM
КТ52ЗА9
ММВТАбЗ
КТ6109Б
SS9012E
КТ511В9
2SAl416R
КТ52ЗБ
MPSA64
КТ6109В
SS9012f
КТ511Г9
1ЕСХ591
КТ52ЗБ9
ММВТА64
КТ6109Г
SS9012G
КТ51 IД9
ЕХТ4515М
КТ52ЗВ
MPSA75
КТ6109Д
SS9012H
КТ511Е9
2SA1213
КТ52ЗВ9
-
КТбlОА
BfWlб, 2N6135
КТ511Ж9
2SA1214
КТ52ЗГ
MPSA76
КТбlОБ
КТ511И9
ВС869-10
КТ52ЗГ9
-
KTбl IOA
SS9013D
КТ511К9
-
КТ52ЗД
MPSA77
КТбl IОБ
SS9013E
КТ512А9
-
КТ52ЗД9
-
КТбl IОВ
SS9013f
КТ512Б9
-
КТ524А
JE8050
КТбl IОГ
SS9013G
КТ512В9
2SC3647
КТ524А-5
-
КТбl IОД
SS9013H
КТ512Г9
1-
КТ525А
SS9013
KTбlllA
SS9014A
КТ512Д9
/-
КТ525А-5
JE9013
КТ6111Б
SS9014B
1
' КТ512Е9
/ 2SD1624
КТ526А
SS9014
КТ6111В
SS9014C
КТ512Ж9
KSD1621
КТ526А-5
SS9014
КТ6111Г
SS9014D
КТ512И9
-
КТ528А9
FXT56SM
КТ6112А
SS9015A
1
КТ512К9
-
КТ528Б9
2SC4272
КТ6112Б
SS9015B
КТ51ЗА9
ВSПб
КТ528В9
2SC2873, 2SD1624
КТ6112В
SS9015C
КТ51ЗБ9
ВSТ15
КТ528Г9
-
КТ611ЗА
SS9018D
КТ51ЗВ9
ВSТ15
КТ528Д9
-
КТбllЗБ
SS9018E
КТ51ЗГ9
-
КТ529А
2SA891
КТ611ЗВ
SS9018f
КТ51ЗД9
-
КТ5ЗОА
PN2219
КТ611ЗГ
SS9018G
КТ514А9
BST40
КТ538А
MJEIЗOOI
КТбl IЗД
SS9018H
КТ514Б9
BSD39
КТбОIА
BFY80
КТбllЗЕ
SS90181
КТ514В9
ВSТЗ9
КТбОIАМ
КТ6114А
SS8050B
КТ514Г9
-
КТ602А
Bfl77
КТ6114Б
SS8050C
КТ514Д9
-
КТ602АМ
BSS38, 2SD668
КТ6114В
SS8050D
КТ515А9
ВСХ52
КТ602Б
2Nl566A
КТ6114Г
2SC2001M
КТ515Б9
ВСХ51
КТ602БМ
2SCl567
КТ6114Д
2SC2001L, 2SD1513L
КТ515В9
-
КТ602В
ммзооо
КТ6114Е
2SC2001K, 2SD1513K
КТ516А9
ВСХ55
КТ602Г
Sfl23C
КТ6115А
SS8550B
КТ516Б9
ВСХ54
КТбОЗА
ВSWЗб
КТ6115Б
SS8550C
КТ516В9
-
КТбОЗБ
2SC796
КТ6115В
SS8550D
КТ517А
MPSAIЗ
КТбОЗВ
2N2237
КТ6115Г
2SA952M
КТ517А-1
-
КТбОЗГ
ВSWЗб
КТ6115Д
2SA952L
КТ517А-9
ММВТАIЗ, FMMTAIЗ
КТбОЗД
ВSWЗб
КТ6115Е
2SA952K
КТ517Б
1MPSA14
КТбОЗЕ
ВSWЗб
КТ6116А
2N5401
КТ517Б-1
-
КТбОЗИ
2SС151Н
КТбl lбБ
2N5400
КТ517Б-9
ММВТА14, FMMTA14
КТ604А
2NЗ742
КТ6117А
2N5551
КТ517В
2N6427, GES5308
КТ604АМ
BD115
КТ6117Б
2N5550
КТ517В-1
-
КТ604Б
2SC261 l
КТ611А
Bflll

592
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
1 КТ611АМ
l 2SD668A
КТ611Б
1 Bfl79B
1 КТ611БМ
1 2SD668
КТбlбА
BSX89
КТбlбБ
BSYl7, 2N914
КТ617А
2Nl838
КТ640Б·2
2SCl950
h1
КТ640В-2
1-
~
КТ642А-2
1АТ41485
1!
КТ611Б
Bfl40A
КТ618А
Bfl79C, MJ420
КТ642А-5
!-
КТ611Г
Bfll4
КТ620А
2N3671
КТ64ЗА-2
HXTR4 IO. Nf98203
КТ6127А
-
КТ620Б
2N2904AL
КТ644А
ВС527-6
КТ6127Б
-
КТ624А-2
2NЗЗОЗ
КТ644Б
ВС527·10
КТ6127В
-
КТ624АМ-2
КТ644В
-
КТ6127Г
-
КТ625А
КТ644Г
-
КТ6127Д
-
КТ625АМ
КТ645А
MPS6532
КТ6127Е
-
КТ625АМ-2
КТ645Б
ВС547, 2SC367G
КТ6127Ж
1-
КТ626А
ВDIЗб, D41DI
КТ646А
12SC495. BD827
J КТ6127И
'1-
КТ626Б
BDl38
'
1
КТ646Б
12SC496
11 КТ6127К
-
! КТ6128А
1 SS9016D
КТ626В
BDl40
1
КТ626Г
2SAl356
1
КТ646В
1-
КТ647А-2
1NE56755
1
КТ6128Б
SS9016E
КТ626Д
2SAl356
КТ647А-5
'
КТ6128В
SS9016f
КТ629А-2
2NЗ245
КТ648А-2
HXTR2101
КТ6128Г
SS9016G
КТ629Б-2
2NЗ467
КТ648А-5
-
КТ6128Д
SS9016H
КТ629БМ-2
КТ653А
2N4271
КТ6128Е
SS90161
КТбЗОА
2Nl893, 2N2405
КТ65ЗБ
КТ6129А-9
BFPl94
КТбЗОА-5
-
КТ657А-2
NE021·60
КТ6129Б-2
КТбЗОБ
ВСЗОО, 2N:890
КТ657А-5
-
КТбlЗОА-9
BDPl96
КТбЗОБ-5
-
КТ657Б·2
LAE4000Q
КТ6131А
LAE4001RA
1
11 КТ6132А
1 BFQ54T
1 КТ61ЗЗА
1 SS8550B
КТбЗОВ
2N2990. 2Nl711
1
КТбЗОВ-5
-
КТбЗОГ
ВС140, 2Nl889
КТ657Б-5
,_
1
3
11,_КТ_б_57_В-2__-+-!-- --- -·-1
КТ657В-5
1-
ri
1 КТ61ЗЗБ
1SS8550C
КТбЗОГ-5
1-
1 КТ659А
i 2NЗ725, 2NЗ737
1 КТ61ЗЗВ
1 SS8550D
КТбЗОД
BCI 19, 2N697
КТббОА
1ВСЗЗ7, GES2219
КТ6134А
1 SS8050B
КТбЗОЕ
BFY68
КТббОБ
ВСЗЗ8, 2SD467D
КТ6134Б
SS8050C
КТ632Б
КТббlА
2N2907A
КТ6134В
SS8050D
КТ632Б-1
MPSLSI
КТ662А
2N2905A
КТ6135А
ZТХ658, MPSA44
КТ632В-1
MPSLSI
КТ664А·9
BCXSI, ВСХSЗ
КТ6135А9
ВSТЗ9
КТбЗЗА
2N2369
КТ664Б-9
ВСХ52
КТ6135Б
MPSA42
КТбЗЗБ
2N2368
КТббSА-9
ВСХ54. ВСХ56
КТ6135Б9
SXTA42
КТ634А-2
КТ665Б-9
1 ВСХ55. 2N 1777
КТ6135В
MPSA43
КТ634Б-2
КТ666А·9
1 Bf620
1'
КТ6135В9
ВSТ40
КТ635А
2N4960
КТ667А-9
i Bf621
1 КТ6135Г
1-
КТ635Б
2NЗ725
1•
КТ668А
! 2SAI032
:
1КТ6135Г9
'
КТ6135д
1-
КТ637А-2
-
КТ637Б-2
-
КТ668Б
i 2SAIOЗOB
КТ668В
1 2SAIOЗO
1
КТ6135Д9
-
КТ638А
MPSLOI
КТ674АС
MPQ3906
КТ6136А
2N3906
KT638AI
-
КТ674АС
МРQЗ906
КТ6137А
2N3904
КТ639А
BD227
КТ677АС
-
КТ6138А
MPSA92, 2SAI091
КТ639А-1
КТ677АС
-
КТ6138Б
MPSA93, 2SAl544
КТ639Б
BD227
КТ678АС
-
КТ6138В
Bf462, 2SAl376
КТ639Б-1
КТ678АС
-
КТ6138Г
2N5401, PN4888
КТ639В
BD840
КТ680А
МРSЗ914, MPS2925. ВСЗ68
КТ6138д
2N5400, 2SAIOl6f
КТ639В-1
КТ681А
ВСЗ69, МРSЗЗ95
КТ6139А
MPSA42, BFR89
КТ639Г
MPSU55
КТ682А·2
1 HXTR6102. FJ403
il КТ6139Б
1 MPSA43. BFR88
КТ639Г-1
1
КТ682А-5
1-
u
i КТ6139В
1 2N6515
КТ639Д
BD229
КТ682Б-2
АТ41485
1
1 КТ6139Г
1 2N5551. BFR87
КТ639Д·I
КТ682Б-5
-
КТ6139Д
2N5550. BFR86
КТ639Е
MPSU56
КТ68ЗА
2SCI080
КТ6140А
SS9018
КТ639Е-1
КТ68ЗБ
2SC2481
КТ6141А9
BFR96T
КТ639Ж
2SA743A
КТ68ЗВ
2SD414
КТ6141Б9
BFR96TS
КТ639Ж-1
КТ68ЗГ
2N6178. BD230
КТ6142А
2SСЗЗ55
КТ639И
2SA715B
КТ68ЗД
MJE180, 2SD415
КТ6142А9
2SСЗЗ57
КТ639И-1
КТ68ЗЕ
12N6179
КТ6142Б
l 2SC2570A
КТ640А-2
NE21960
КТ684А
i 2N6488

Раздел 5. Аналоги транзисторов
593
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
КТ6845
2N4291
КТ731Г
-
КТ810752
BU208
КТ684В
2SAl274
КТ732А
MJE4343
КТ8107В
BU508A
КТ684Г
-
КТ7ЗЗА
MJE4353
КТ8107В2
BU208A
КТ685А
2N6015
КТ734А
ТIРЗI
КТ8107Г
BU508
КТ6855
MPS2907K
КТ7345
TIPЗIA
КТ8107Г2
BU208
КТ685В
MPS2907AM
КТ734В
ТIРЗJВ
КТ8107Д
SGSF464
КТ685Г
MPS2907AL
КТ734Г
TIPЗJC
КТ8107Д2
SGSF564
КТ685д
2N6013
КТ735А
ТIРЗ2
КТ8107Е
BU508D
КТ685Е
1 2NЗ703, 2N5334
КТ7355
ТIРЗ2А
КТ8107Е2
BU207A
1
КТ685Ж
2N5356
КТ735В
ТIРЗ2В
КТ8108А
BUX47
КТ686А
2N5373
КТ735Г
ТIРЗ2С
КТ8108А-1
BUV66A
КТ6865
2SAl515
КТ736А
TIP41
КТ81085
ВUЗ26
КТ686В
2SA966Y
КТ7365
ТIР41А
КТ81085-1
BUТJI
КТ686Г
2NЗ638, 2S564
КТ736В
ТIР41В
КТ8108В
BU326A
КТ686Д
2SAI lбОА, 2SA952L
КТ736Г
ТIР41С
КТ8108В-1
BUV46
КТ686Е
2SAI lбОВ, 2SA952K
КТ737А
ТIР42
КТ8109А
TIPl51
КТ686Ж
2N4889, 2NЗ638А
КТ7375
ТIР42А
КТ81095
КТ692А
2N4234, 2NЗ717
КТ737В
TIP42B
КТ81 lOA
2SC4242, 2N6499
КТ693АС
TPQ7041
КТ737Г
ТIР42С
КТ81 IОБ
2SC4106
КТ695А
-
КТ738А
ТIРЗО55
КТ81 JOB
BUI09P. 2SC4106L
КТ698А
1-
КТ739А
TIP2955
КТ811 IA9
КТ698Б
-
КТ740А
MJE4343
КТ811159
КТ698В
1-
КТ740АJ
КТ811 IB9
КТ698Г
-
КТ801А
ВSХбЗ
КТ8112А
МJЕJЗООЗ
КТ698Д
-
КТ8015
BSX62
КТ81 !ЗА
-
КТ698Е
-
КТ802А
BDX25, 2N505 I
КТ81135
-
КТ698Ж
-
КТ803А
BDY23
КТ811ЗВ
-
КТ698И
-
КТ805А
ВDУбО
КТ8114А
BU508A
КТ698К
-
КТ805АМ
2SСЗ422
КТ81145
SGSF444
КТ704А
2NЗ585, BUI 43
КТ8055
BD109, BDl23
КТ8114В
1
КТ7045
BDY93
КТ8055М
BD719
КТ8114Г
1
КТ704В
12NЗ583
КТ805ВМ
BD720
КТ8115А
ТIР127
КТ708А
-
КТ807А
MPSU07
КТ81155
ТIР126
КТ708Б
-
КТ807АМ
BD237
КТ8115В
ТIР125
КТ708В
-
КТ8075
MPSU05
КТ81 lбА
ТIР122
КТ709А
MJHJ 1019
КТ8075М
2N4923
КТ81165
ТIР121
КТ7095
MJHllOl7
КТ808А
BLY47
КТ81 lбВ
ТIР120
КТ709В
-
КТ808АJ
КТ8117А
2SСЗЗО6
КТ710А
2SD621, 2SD838
КТ808АЗ
BDT93, BDT94
КТ81175
2N6931
КТ712А
BDX54F
КТ808АМ
2SCJ619A
КТ8118А
2SСЗ150
КТ7125
BDX54F
КТ80851
КТ8120А
2N6928
КТ715А
2SD621, 2SD995
КТ80853
BDT95
КТ8121А
2SGSF344
'
КТ716А
ПР! 12, ТIР122
КТ8085М
BDY71, 2SCl618
КТ8121А-1
КТ7165
TIPJJJ, ТIР121
КТ716В
TIPJIO, ТIР120
KT808BJ
КТ808ВМ
2SCl619A
КТ8121А-2
BU208A
11
КТ81215
1 2SC4756
КТ716Г
SE9300
КТ808ГJ
КТ81215-1
КТ719А
BD379, MJE290
КТ808ГМ
2N5427
КТ81215-2
BU208
КТ720А
BDJ70
КТ809А
BD216, BLY49
КТ812ЗА
2N6477
КТ721А
BDl72, BD237
КТ8101А
MJE4343, BDY96
КТ8124А
BU408
КТ722А
2SAI021, BD236
КТ81015
2SAIJ06
КТ81245
КТ72ЗА
BD50JB, BD543D
КТ8102А
MJ2955
КТ8124В
КТ724А
BD744D, BD802
КТ81025
BD546D, MJE4353
КТ8125А
ВD24ЗС
КТ728А
BDW5JA
КТ8104А
MJ 11021, ВDХббС
КТ81255
ВD24ЗВ
КТ729А
2NЗ771, 2SD630
КТ8105А
MJI 1020, 2SDl287
КТ8125В
ВD24ЗА
КТ7295
2NЗ237, 2N3772
КТ8106А
BDV66B, MJH6285
KT8126AJ
MJEJ3007
КТ7ЗОА
2NЗ240, 2NЗ773
КТ731А
1-
КТ81065
2SB883, MJH6286
КТ8107А
BU508A, BUV48A
КТ812651
МJЕJЗООб
1
КТ8127А
BU208A
КТ7315
-
КТ8107А2
BU208A
КТ8127А-1
BU508FJ, 2SDJ577FI
КТ731В
1-
КТ81075
BU508
КТ81275
BU208

594
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
КТ8127Б-1
вu5ов. 2sсз4во
КТ8147А
BUX47, BUW26
КТ8175А
i МJЕIЗООЗ. BUX79
КТ8127В
SGSF444
КТ8147Б
BUW24, BUXl5
КТ8175А-1
1 2N6773. 2SC2333
КТ8127В-1
j 2SC3459
КТ8149А
MJ2955
КТ8175Б
! 2SC3840
КТ8129А
12501174
КТ8149А-1
ТIР2955
КТ8175Б-1
l 2N6772
КТ812А
ВОУ94
КТ8149А-2
MJE2955T
КТ8176А
ТIРЗIА
КТ812Б
BUl06
КТ814А
ТIРЗО
КТ8176Б
1 ТIРЗIВ
КТ812В
1 ВОУ25
КТ814Б
ВО166, MJE7IO
i
КТ8176В
1 TIPЗIC
1
КТ81ЗОА
2N6034. BU406
КТ814В
В0168, MJE71 I
КТ8177А
1 TIP32A
КТ81ЗОБ
12N6035. ВО876
КТ814Г
ВО170, MJE712
КТ8177Б
TIP32B
КТ81ЗОВ
2N6036
КТ8150А
2NЗО55
КТ8177В
TIP32C
КТ8131А
2N6037, ВО875
КТ8150А-1
TIP3055
КТ817А
ВО433, ТIРЗI
КТ8131Б
2N6038
КТ8150А-2
MJE3055T
КТ817Б
BOI 75, ВО233
КТ8131В
2N6039
КТ8154А
2SCll41
КТ817Б-2
250880
КТ81ЗЗА
КТ8154Б
BUX98A, 2SCI 144
КТ817В
1 ВО! 77. ВО235
КТ8133Б
КТ8155А
BUL47A, ESG99
КТ817Г
80179, ВО237
КТ8134А
КТ8155Б
BUX98AX, 2SC2147
КТ817Г-2
BOI79-16, 2SCl826
КТ8135А
КТ8156А
BU807
КТ8181А
MJEl3005
КТ8136А
МJЕIЗООб
КТ8156Б
-
КТ8181Б
MJEl3004
КТ8136А-1
BU4080
КТ8157А
BU208A, 250350
КТ8182А
MJEl3007
КТ8137А
1 ВО410, BUX86
КТ8157Б
2SC3688, BU208
КТ8182Б
МJЕIЗООб
КТ8138А
2SC4106, 2SC2335
КТ8158А
BOV65
КТ8183А
BU2080X
КТ8138Б
2SC4242, 2SC3056
КТ8158Б
BOV65A
КТ8183А-1
S2000FI
КТ8138В
МJЕ13005б 2SC4542
КТ8158В
BOV65B
КТ8183А-2
BUH3150
КТ8138Г
MJEl3007
КТ8159А
BOV64
КТ8183Б
SGSF564
КТ8138Д
BU406, 2SC3057
КТ8159Б
BOV64A
КТ8183Б-1
SGSF464
КТ8138Е
BU4060
КТ8159В
BOV64B
КТ8183Б-2
ВUНЗIЗО
"
КТ8138И
MJEl3009. 2N6930
КТ815А
ВО 165, TIP29
КТ818А
В0292, ВО202
КТ8138Т
MJEl3008, 2N6929
КТ815Б
ВО167, MJE720
КТ818А-1
ВО546С
КТ8140А
BU408
КТ815В
ВО169, MJE721
КТ818АМ
2N6469, BOW52
КТ8140А-1
BU4080
КТ815Г
В0818, MJE722
КТ818Б
ВО202, ВОТ92
КТ8141А
ВОХ53С
КТ8163А
1-
КТ818Б-1
В0546В
КТ8141Б
ВОХ53В
КТ8164А
MJEl3005
КТ818БМ
BOW22, ВОХ92
КТ8141В
ВОХ53А
КТ8164Б
MJEl3004
КТ818В
ВО204, ВОТ94
КТ8141Г
ВОХ53
КТ8165А
-
КТ818В-1
ВО546А
КТ8143А
BUP47, BUV19
КТ8165Б
-
КТ818ВМ
BOW52A. 2N5867
КТ8143Б
BUT90
КТ8165В
-
КТ818Г
ВО538, ВОТ96
КТ8143В
BUT91
КТ8165Г
-
КТ818Г-1
В0546
КТ8143Г
BUL47A. BUP54
КТ8!66А
-
КТ818ГМ
BOW22C. ВОХ18
КТ8143Д
1 BUP47, 2N6274
КТ8166Б
-
КТ8196А
1
;!
КТ8143Е
BUP47
КТ8!66В
-
КТ8197А-2
КТ8143Ж
BUP53
КТ8166Г
-
КТ8197Б-2
КТ81433
BUT92
КТ8167А
2N5675
КТ8197В-2
КТ8143И
250372
КТ8167Б
2N6303
КТ8199А
045Н2А
КТ8143К
BUP46
КТ8167В
2N3719
КТ819А
В02921 , TIP4 I
КТ8143Л
250373
КТ8167Г
2N5333
КТ819А-1
ВО545С
КТ8143М
250374, BUP53
КТ8167Д
2N3720
КТ819АМ
BOI81,BOl30
КТ8143Н
BUP47
КТ8168А
2N4300
КТ819Б
ВО202, ВОТ91
КТ8143П
2S0373
КТ8168Б
2NЗ507
КТ819Б-1
ВО545В
КТ814ЗР
250373
КТ8168В
2N3506
КТ819БМ
ВО142. BOW2IA
КТ8143С
250372
КТ8168Г
2N5320
КТ819В
1 ВО201, ВОТ93
1 КТ8143Т
j BUVl8
КТ8143У
BUP51
КТ8168Д
2N5321
КТ816А
ВО436, ТIР32
КТ819В-1
ВО545А
КТ819ВМ
В0182, ВОХ91
КТ8143Ф
1 BUP52
КТ816А-2
2SB435U
КТ819Г
ВО203, ВОТ95
i
КТ8144А
i MJl3334, BUX98
КТ816Б
ВО 176, ВО234
КТ819Г-1
ВО545
КТ8144Б
2SCI 139
КТ816В
ВО178, ВО236
КТ819ГМ
ВО183. 2N3055
КТ8145А
MJEI3009
КТ816Г
ВО180, ВО238
КТ8201А
MJEIЗOOI
КТ8145Б
MJEl3009, 2SC4109
КТ8170А-1
МJЕIЗООЗ
КТ8203А
МJЕIЗООЗ
КТ8146А
BUX48B, 2N6575
КТ8170Б-1
MJEI3002
КТ8205А
MJEl3005
КТ8146Б
BUX37
КТ8171А
КТ8207А
MJEl3007

Раздел 5. Аналоги транзисторов
595
1Отечественный Зарубежный аналог
,
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
1
КТ8209А
MJEl3009
КТ8224А
BU2508A
КТ8250А
1 D44H8
КТ820А-1
1-
КТ8224Б
BU2508D
КТ8250Б
1-
КТ820Б-1
-
КТ8225А
BU941ZP
КТ8250Г
-
КТ820В-1
-
КТ8228А
BU2525A
КТ8250Д
-
КТ8212А
ТIР41С
КТ8228Б
BU2525D
КТ8251А
BDV65F
КТ8212Б
TIP41B
КТ8229А
ТIP35F
КТ8254А
КТ8212В
TIP41A
КТ822А-1
-
КТ8255А
BU407
КТ821ЗА
TIP42C
КТ822Б-1
-
КТ825Г
BDX62A. MJ4031
КТ8213Б
TIP42B
КТ822В-1
-
КТ825Д
BDX62, MJ2500
1
КТ8213В
, TIP42A
1КТ8214А
1 TIPllO
КТ8230А
ТIРЗбF
КТ8231А
BU941Z
КТ825Е
BDX86
1
КТ8261А
BUD44D2
КТ8214Б
1 TIPlll
KT8231AI
BU941ZP
КТ826А
1 BUl32
КТ8214В
1 TIP112
КТ8231А2
BU941ZPF
КТ826Б
2SD312
КТ8215А
TIPll5
KT8232AI
-
КТ826В
BUl32
КТ8215Б
T!Pllб
КТ8232Б1
-
КТ8270А
MJEIЗOOI
КТ8215В
TIP117
КТ8233А5
TIPl27
КТ8271А
BDl63
КТ8216А
КSНЗ055, MJDЗI
КТ8233Б5
TIPl26
КТ8271Б
BDI38
КТ8216АI
MJDЗIC
КТ8233В5
TIPI25
КТ8271В
BDl40
КТ8216Б
MJDЗIA
КТ8234А5
TIP122
КТ8272А
BDl35
КТ8216Б1
KSH30551
КТ8234Б5
TIPl21
КТ8272Б
BDl37
КТ8216В
MJD3055-I, MJDЗIB
КТ8234В5
TIPI20
КТ8272В
BDl39
КТ8216Вl
MJD3055
КТ8235А
МJЕIЗООЗ
КТ827А
ВDХбЗА, MJ3521
КТ8216Г
MJD41C, MJDЗIC
КТ823А-1
-
КТ827Б
BDX65
КТ8216ГI
1
КТ823Б-1
-
КТ827В
BDX85, MJ3520
КТ8217А
!MJD32
КТ823В-1
-
КТ828А
BU326A
КТ8217АI
l 2SBl450Q
КТ8240А5
КТ828Б
2SD640
КТ8217Б
KSH29551, MJD32A
КТ8240Б5
КТ828В
BUX97B
КТ8217Б1
KSH2955
КТ8240В5
КТ828Г
2SD640
КТ8217В
MJD32B
КТ8240Г5
КТ8290А
BUHIOO
КТ8217ВI
MJD2955
КТ8240Д5
MPSWIЗ
КТ829А
BD267B, ТIР122
КТ8217Г
MJD42C1. MJD32C
КТ8240Е5
MPSWl4
КТ829АМ
I КТ8217ГI
2SBI452Q
КТ8240Ж5
КТ829АП
КТ8218А
KSHЗll
КТ8241А5
MPSW63
КТ829АТ
KT8218AI
KSHЗI
КТ8241Б5
MPSW64
КТ829Б
BD267A, BD263, TIPl21
КТ8218Б
KSC3074
КТ8241В5
КТ829В
ВDЗЗI. ТIР120
1
КТ8218Б1
2SC4668
КТ8241Г5
КТ829Г
BD665, BD675
КТ8218В
-
КТ8241Д5
КТВЗОА
2N5781. 2N4234
КТ8218ВI
МJDЗIВТ4
КТ8241Е5
КТВЗОБ
2N4235
КТ8218Г
KSH44H111
КТ8241Ж5
ктвзов
2N4236, SML3552
КТ8218ГI
2SD2200Q
КТ8242А5
TIPl17
ктвзог
2N4236
КТ8219А
2N6034
КТ8242Б5
TIPllб
КТ831А
2N4300
КТ8219А1
KSB907
КТ8242В5
ТIPl 15
КТ831Б
КТ8219Б
2SB1214
КТ824ЗА5
TIPl12
КТ831В
КТ8219БI
2SBl474A
КТ8243Б5
TIPlll
КТВЗIГ
КТ8219В
KSH1171
КТ8243В5
TIPllO
КТ834А
SDN6002
КТ8219В1
2SB1316A
КТ8244А5
BD876
КТ834Б
SDN6001
КТ8219Г
1 KSH1271
КТ8244Б5
BD878
КТ834В
SDN6000
КТ8219ГI
KSHl 17, MJDI 17
КТ8244В5
BD878
КТ835А
2SB906
КТ821А-1
-
КТ8244Г5
1 BD880
КТ835Б
BD434
КТ821Б-1
1-
КТ8245А5
BD875
КТ836А
2N3204
КТ821В-1
-
КТ8245Б5
BD877
КТ836Б
КТ8220А
BD243
КТ8245В5
BD877
КТ836В
КТ8220Б
КТ8245Г5
BD879
КТ837А
BD534, ТIР42С
КТ8220В
КТ8246А
КТ837Б
BD536, 2Nб 106
КТ8220Г
КТ8246Б
КТ837В
BD234
КТ8221А
BD244
КТ8246В
КТ837Г
BD225
КТ8221Б
КТ8246Г
КТ837Д
2SB434. 2N6108
КТ8221В
КТ8221Г
КТ8247А
BUL45D2
КТ8248АI
BU2506D
КТ837Е
2N6125
1
КТ837Ж
2N6124, 2Nбl32

596
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
КТ837И
2SB435
КТ858А
BU408, BU406
КТ908Б
BDY92
КТ837К
BD944, 2N6110
КТ859А
BUX84, 2SD841
КТ909А
2N5177
КТ837Л
2N6126
КТ862Б
XGSRI0040
КТ909Б
2N5178
КТ837М
BD223
КТ862В
КТ909В
2SC2042
КТ837Н
1 BD223
КТ862Г
КТ909Г
! 2SC2173
1
1
: КТ837П
i 2SB435G
11 КТ837Р
1 2SB434
1 КТ837С
1 BD225
КТ837Т
1 BD948
КТ837У
J 2SB435
КТ837Ф
1 BD224
КТ838А
BU204
КТ86ЗА
BDY92, 2N6669
1
КТ86ЗБ
BD245, BD945
1
1 КТ86ЗВ
2SC2516, 2SСЗ568М
1
11
КТ864А
1 2SD536, 2N6216
КТ865А
2SA 1180. 2SA 1073
1
КТ866А
КТ866Б
КТ9101АС
1 FJ0880-28
КТ9104А
MRAOбl0-3
!
КТ9104Б
MRAOбl0-18
КТ9105АС
BAL0105-100
КТ9106АС-2
-
КТ9106БС-2
-
КТ9109А
MSC1550M
КТ838Б
BU208
КТ867А
BUY21, 2N6341
КТ9111А
РТ9790А
КТ839А
MJ3480, 2SD380
КТ868А
BU426A, BUWl lA
КТ9115А
BF472, BF849
КТ840А
2N6543, ВUЗ26А
КТ868Б
BU426, BUWl 1
КТ9115Б
2SA794
КТ840Б
BU126, 2N6542
КТ872А
BU508, MJE13005
КТ9116А
TPV394
~
КТ840В
1 BU326. 2N5805
КТ872Б
BU508A
1
КТ9116Б
1 ТРVЗ75
j
1 КТ841А
i BDX96, 2N6560
1 КТ841Б
! 2SC2122, 2SC1308
I КТ841Б
1 MJI0002
КТ841Г
1 UРТЗ15_ BDX96
КТ872В
BU508D
КТ874А
BUW39
1
КТ874Б
2N5672
КТ878А
BUX98
1
КТ911А
1 2N4976
~
КТ911Б
1 2N4429
i
КТ911В
2N5481
КТ911Г
2SСЗ607
КТ841Д
2SD418, 2SC2139
КТ878Б
2N6516
КТ9120А
D45H5, BD706
КТ841Е
BUW35
КТ878В
2N6678. BUX25, BUX98
КТ9121А
АМ82731-45
КТ842А
2SB506A
КТ879А
2N6279, 2N6282
КТ9121Б
КТ842Б
ТIР519
КТ879Б
2N6278, 2N6281
КТ9121В
КТ842В
MJ410
КТ885А
BUS98, BUV74
КТ9121Г
27АМО5
КТ844А
UРТ732
КТ885Б
BUV98A
КТ9125АС
BAL0105-50
КТ845А
DТ4305
КТ886А-1
2SСЗО61
КТ9126А
ТН430
J
!
i КТ846А
1 BU208A
КТ886Б-1
BU508A, 2SC3637
КТ9127А
MSC81550M
i
J КТ846Б
BU207
! КТ846В
1 BU208
1
КТ887А
КТ887Б
АР1009
КТ9127Б
•1
КТ9128АС
BAL0102-50
!
11 КТ847А
1 2N6678, 2N6672
1
1
1 КТ847Б
1
КТ888А
STP70S
КТ888Б
STPбOS
КТ912А
2N5070, 2N6093
КТ912Б
2N6093
КТ848А
1 BU608. BUX37
1
КТ890А
BUV37
КТ91ЗОА
2SC2688N. 2SC4001
КТ848Б
КТ890Б
BUV37
КТ9131А
КТ850А
2SC216B, 2SD610
КТ890В
BU9302P
КТ9132АС
КТ850Б
MPSU04
КТ892А
Т!Рббl
КТ91ЗЗА
TPV376
КТ850В
2N6477
КТ892Б
BU932Z
КТ9134А
НЕМЗ508В-20
КТ851А
2SB546A, 2SB630
КТ892В
Т1Р662
КТ9134Б
SD1543
КТ851Б
2SAI009
КТ89ЗА
BU286
КТ9136АС
1 SD1565, UDR500
КТ851В
2SA740. 2SB546
1 КТ852А
Т!Рl 17, 2SBl286
1 КТ852Б
1Т!Рl 16, 2SB750A
КТ895А9
BU508D
КТ896А
BDV64B, SGSD200
КТ896Б
BDV64, ТIР146
КТ91ЗА
MSC2003. BLX92,
1
2N4430
КТ91ЗБ
BLX93, 2N4431
КТ852В
Т!Рl 15. 2SB973A
КТ897А
BU931Z
КТ91ЗВ
NElOlOlE-28
КТ852Г
Т!Рl 15
КТ897Б
BU941Z
КТ9141А
LT1839
КТ85ЗА
ТIPI 27, BDX54C
КТ898А
BU931ZP
КТ9141А-1
LTl817
КТ85ЗБ
Т1Р126, BDX54B
КТ898А-1
BU931ZPF1
КТ9142А
2SСЗ218, TRY505 I
КТ85ЗВ
Т1Р125, BDX34
КТ85ЗГ
BDX54A
КТ898Б
КТ898Б-1
КТ914ЗА
LT5839, BFQ253
1
КТ914ЗБ
1
КТ854А
2SC3257. Т1Р50
КТ899А
Т1Р132
КТ914ЗВ
КТ854Б
MJEl3006. 2N5540
1 КТ855А
BD566
КТ855Б
1 ВDТ42С
1
il КТ855В
1 BDT45C
i КТ856А
BUX48A
1 КТ856А-1
2SСЗ450. BU2520A
1 КТ856Б
BUX48
1 КТ856Б-i
2N6932, 2SСЗ277
КТ902А
BD121
КТ902АМ
BDX35
1 КТ903А
2N2947
КТ90ЗБ
2SC517
1
КТ904А
2N3375
КТ904Б
2SC549
1
КТ907А
2N3733
КТ907Б
2N4440
КТ9144А-5
~
КТ9144А-9
BF623. 2SA1584
КТ9145А-5
1
-------11
t
КТ9145А-9
1 BF622
~
КТ9146А
i АМ1416-200
!
КТ9146Б
!
КТ9146В
!
КТ9147АС
i
КТ857 А
BU409
КТ908А
BDY92
КТ914А
2N5161

Раздел 5. Аналоги транзисторов
597
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный
Зарубежный аналог
. транзистор
Отечественный 1 Зарубежный аналог
транзистор
,
1
КТ9150А
1 TPV595A
КТ9151А
2SC3812
КТ921Б
КТ922А
2N5641
1 BDY90. 25С519А
КТ945А
,I
КТ945Б
1
КТ9152А
2SC3660
КТ922Б
2N5642
КТ945В
КТ9153АС
КТ922В
2N5643
КТ945Г
КТ915ЗБС
TPV5051
КТ922Г
BLW24
КТ946А
012-28
1
КТ9155А
КТ922Д
2N4128
КТ947А
2N6047, BDP620
КТ9155Б
2SC3217
КТ925А
СЗ-12
КТ948А
MRF2005M
КТ9155В
2SСЗ218
КТ925Б
С12-12
КТ948Б
TRW2020
КТ9156АС
102058
КТ925В
С25-12
КТ955А
510-28
КТ9156БС
MRA0510-50H
КТ925Г
2SCIOOI
КТ956А
580-28
КТ9157А
25С2270
КТ926А
2Nl902
КТ957 А
5150-28
1
КТ9160А
MRF430
КТ926Б
2Nl904
КТ958А
1 ВМ40-12
КТ9160Б
КТ927А
2N4933
КТ960А
1 СМ40-12
1
1
КТ9160В
КТ927Б
2N6093
КТ961А
BD139
КТ9161АС
501565
КТ927В
-
KT961AI
КТ9164А
501540
КТ928А
BS529, 2N22 l 7
КТ961Б
BDl37. BD371C
КТ9166А
D44H5, BUY26
КТ928Б
ВSХЗ2, 2N22 l 9
КТ961БI
КТ916А
25С1805
КТ928В
2N2219A
КТ961В
BDl35
КТ916Б
2N5596, 2N6208
КТ929А
B2-8Z, 2N5719
KT961BI
КТ9173А
TPV376
КТ9ЗОА
2N6362, СМ75-28
КТ961Г
BDl32
КТ9174А
КТ9ЗОБ
2N6364
КТ962А
DMI0-28
КТ9176А
2SB772
КТ931А
2N6369, ВМ80-28
КТ962Б
DM20-28
КТ9177А
250882
КТ932А
2N3741
КТ962В
DM40-28
КТ9180А
BDl32. ВDЗЗО
КТ932Б
BDl32
КТ96ЗА-2
MJ250
!
КТ9180Б
MJE 170. MJE230
КТ932В
2N4898
КТ96ЗА-5
i
КТ9180В
MJE 171. MJE233
КТ9ЗЗА
ВСlбО-2
КТ963Б-2
ML500
КТ9180Г
MJEl72
КТ933Б
ВС139
КТ963Б-5
КТ9181А
BD326, D42CC2N
КТ934А
СЗ-28, 2N6202, 2SCI021
КТ965А
510-12
КТ9181Б
25Dl348.MJEl80
КТ934Б
С12-28, 2N6203, BLY22
КТ966А
530-12
КТ9181В
MJEl81
КТ934В
С25-28, 2N6204. BL У92А
КТ967А
570-12
КТ9181Г
MJEl82
КТ934Г
2N5589
КТ969А
BF469, BF419
КТ9182А
501492
КТ934Д
2N5590
KT969AI
КТ9186А
КТ935А
BDU53
КТ969А-5
КТ9186Б
КТ936А
2N5709
КТ970А
C2MI00-28A
'
КТ9186В
КТ936Б
-
КТ971А
BMI00-28
КТ9186Г
1
КТ937А-2
MS0146
КТ972А
1 BD877
1
КТ9186д
1
КТ937Б-2
РТВ4200ЗХ
КТ972Б
BD875. BD477
КТ9189А-2
1
КТ938А-2
М5С4001
КТ972В
1
КТ9189Б-2
1
КТ938Б-2
КТ972Г
КТ9189В-2
КТ939А.
2SCl262, 2N3866
КТ973А
BD876
КТ918А-2
РКВЗОООU
КТ939Б
501308
КТ973Б
BD466B
КТ918Б-2
LКЕЗ2002Т
КТ940А
BF298, 2N3440S
КТ973В
КТ9190А
КТ940АI
КТ973Г
КТ9190А-4
КТ940А-5
КТ976А
PHI 114-50С
КТ9192А-2
КТ940А9
КТ977А
501546
КТ9192Б-2
КТ940Б
BF458, BF459
КТ979А
PZBl6040U, PHI 114 -60
КТ919ЗА
КТ940Бl
КТ980А
СМ40-12
КТ919ЗА-4
1
КТ940Б-5
КТ980Б
ТН430
КТ9193Б
КТ940Б9
КТ981А
А50-12
КТ919ЗБ-4
!
КТ940В
BF297, BFl57
КТ983А
BLX96
КТ919А
2N5596, М5С2005М
KT940BI
КТ983Б
BLX97
КТ919Б
2N5768, М5С200ЗМ
КТ940В-5
КТ98ЗВ
BLX98
КТ919В
2N5483. М5С2001М
КТ942В
MRF2010
КТ984А
М5С1075М
-
КТ919Г
PKB23003U
КТ943А
BD375
КТ984Б
М5С1250М
КТ920А
2N5589
КТ943Б
ВDЗ77
КТ985АС
BAL0204-125
КТ920Б
BLWl8, 2N5590
КТ94ЗВ
BDIЗI
КТ986А
1214Р400
КТ920В
2N5591
КТ943Г
BD230
КТ986Б
DME250
КТ920Г
BLY88A
КТ943Д
BD379
КТ986В
DME375
КТ921А
2N57()7. 510 -12
КТ944А
580-28
КТ986Г
1-

598
Раздел 5. Аналоги транзисторов
Отечественный
Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный Зарубежный аналог
транзистор
Отечественный f Зарубежный аналог
транзистор
КТ991АС
BALOIOS-50
МГТ108А
2NIЗO
П208А
КТ996А-2
МГТ108Б
NКТ73
П209
КТ996А-5
МГТ108В
2Nl32
П209А
КТ996Б-2
FJ9295CC
МГТ108Г
АС170. АС171
П210
2N3614
КТ996Б-5
МГТ108Д
АС150
П21ОА
2N3614
КТ996В-2
МПIО
П21ОБ
ADl42. AD545
КТ996В-5
МПIОА
П210В
AD143
КТ997А
2N6609
КТ997Б
D44HI
КТ997В
044Н2
! КТ999А
BF869, BF7 l 5
1
j КТД8264А
1-
КТД8264А5
-
МПIОБ
MПll
MПllA
МПIЗ
МПIЗБ
МП14
П210Ш
1 2N3614
---1
П213
j ADl39. AD262
1 П21ЗА
! 2N2835
П21ЗБ
1 ADl202
П214
2N2660
КТД8275А
-
МП14А
П214А
AD263, AD457
КТД8275Б
-
МП14Б
П214Б
ADl203
КТД8275В
-
МП14И
П214В
AD263
КТД8276А
-
МП15
П214Г
; AF262
КТД8276Б
-
МП15А
П215
AD469. AD439
КТД8276В
-
МП15И
П216
ADl38. АDЗ02
КТД8276Г
-
МП16
П216А
J ADIЗO
1
КТСЗОЗА-2
1 MD986
МП16А
П216Б
: 2Nl78
н
КТСЗIОЗА
1 MD5000
МП16Б
П216В
1ADl45
КТСЗIОЗАI
МП16ЯI
П216Г
1 АDЗIЗ
КТСЗIОЗБ
MD5000B
МП16Яll
П216Д
AD312
КТСЗIОЗБI
КТС3161АС
КТСЗ 174АС-2
SL362
КТС381Б
КТС381В
МП20А
АС121. ASY26
МП20Б
ACI25. АС132
МП21В
2N60A
МП21Г
2N60C
МП21Д
2N59C
П217
ADЗIO. ADl63
:1
П217А
ASZl6
П217Б
AUYl9
!1
П217В
ASZl8. ASZl017
1
П217Г
ASZl7
КТС381Г
КТС381Д
КТСЗ81Е
КТС393А
i
МП21Е
2N61C
МП25
2Nl89
МП25А
АС!lб
МП25Б
2N43
П27
2Nl75
1
i
П27А
l 2N220
i
П28
1 АС160
~
КТСЗ9ЗА-l
МП26
ОС112
П29
1 ОС41
1 КТС39ЗА-У
1MD5000
МП26А
1 МА909
П29А
1 ОС42
1 КТС393Б
КТС393Б-1
МП26Б
АСУ24
МПЗ5
2N444
пзо
1 AFYl5
П401
1 SFТЗl 7
КТС393Б-9
MD5000B
МПЗ6А
АС183
П402
SFТ316H
КТС394А-2
MDllЗO
МПЗ7А
2N444A
П403
2N2089, SFТ357
КТС394Б-2
МП37Б
2SD75
П40ЗА
2N2089
КТС395А-1
MDll29
МП38
2N94
П416
2N602
КТС395А-2
МП38А
АС183
П416А
2N604
КТС395Б-1
МПЗ9
SFТ306
П416Б
2SA279
КТСЗ95Б-2
МП39Б
АС540
П417
2NI 727
r-
КТС395В-2
МП40
2SBl73
П417А
2NI 726
КТС398А-1
j MD918
МП40А
ОС70. 2N44A
П417Б
2Nl865
~
1 КТС398А94
J MD918F
1 КТСЗ9'&1
КТСЗ98Б94
MD918AF
КТС61ЗА
MQ2218
КТС61ЗБ
MQ2218A
МП41
АС540
МП41А
АС542
МП42
ASY70
МП42А
ASY26
МП42Б
AF266. ASX 11
П422
2Nl524
П423
2SAlll
Пб05
2SA416
Пб05А
2SA416
КТС61ЗВ
MQ2218
МП9А
П606
2SA416
КТС613Г
MQ2218
П201АЭ
ADP670
П606А
2SA416
--~
КТС622А
П201Э
ADP671
П607
AUYIO
~
КТС622Б
MHNQ2906, 2N5146
П202Э
ADP672
П607А
AUYIO
КТС631А
MHQ2369
П20ЗЭ
2SB467
П608
1 AUYIO
1 КТС631Б
1 MHQ2369
П207
П608А
1 AUYIO
'
1
1
1' КТС631В
1 MHQ2221
1
I КТС631Г
MHQ2221
П207А
П208
П609
2SАЗ74
:1
П609А
i 2SA374

Литература
l. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные
аналоги. Справочник. М.: Радио и связь, 1990.
2. Нефедов А. В., Аксенов А. И. Кремниевые транзисторы для бытовой и промышленной радио
электронной аппаратуры. Справочник. УПЦ ИПК «Московская правда», 1993.
3. Аксенов А. И., Нефедов А. В., Юшин А. М. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды.
Транзисторы. Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1988.
4. Аксенов А. И" Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное посо-
бие. 5-е изд. М.: СОЛОН-Пресс, 2005. Серия «Ремонт», выпуск 59.
5. Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. Т. 5. М.: РадиоСофт, 2002.
6. Петухов В. М. Зарубежные транзисторы и их аналоги. Справочник. Т. 5. М.: РадиоСофт, 2002.
7. Кроуфорд'Р. Схемные применения МОП-транзисторов. М.: Мир, 1970.
8. Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат,
1990.
9. Образцов А., Смердов В. Биполярные транзисторы с изолированным затвором / / Ремонт &
Сервис. 2004. No 11.
10. Каталог «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Минск: УП Завод
«Транзистор», 2004.
l l. Каталог «Полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и силовые модули».
Брянск: Группа Кремний, 2003.
12. Каталог изделий АООТ ВЗПП. Воронеж, 1996.
13. Каталог «Кремниевые транзисторы». Воронеж: НПО «Электроника», 1993.
14. Кожевников В., Асессоров В., Асессоров А., Дикарев В. Мощные низковольтные СВЧ тран-
зисторы для подвижных средств связи / / Радио. 1999. No 10.
15. Каталог «Полупроводниковые приборы». Вел. Новгород: ООО «НПО Планета», 2003.
16. Технический каталог микросхем и транзисторов. АООТ «НИИМЭ и Микрон». 2000.
17. Нефедов А. В. Мощные полевые транзисторы пМОП-типа КП734, КП735, КП759, КП760,
КП76l / / Ремонт & Сервис. 2002. No 11.
18. Нефедов А. В. Биполярные транзисторы КТ519, КТ524, КТ525, КТ526, КТ734, КТ735, КТ736,
КТ737, КТ6140, КТ8199, КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207, КТ8209 / / Ремонт & Сервис. 2001.
No 12.
19.НефедовА.В. Транзисторы типов KT5ll, KT5l2, КТ513, KT5l4, КТ515, KT5l7, КТ520.
КТ521, КТ523, КТ528 / / Ремонт & Сервис. 2002. No l.
20. Нефедов А. В. Полевые транзисторы КП523, КП73 l, КП737, КП739-КП753,
КП775-КП781, КП783-КП787 / / Ремонт & Сервис. 2002. No 5.
21. Нефедов А. В. Биполярные транзисторы KT6 l 28, KT6 l 36, KT6 l 37, КТ722, КТ733, КТ739,
КТ8120, КТ8212-КТ8290 / / Ремонт & Сервис. 2002. No 6.
22. Нефедов А. В. Новые биполярные и полевые транзисторы / / Ремонт & Сервис. 2004. No 12.
23. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы специального на
значения. М.: СОЛОН-Р, 2002. Серия «Ремонт», выпуск 62.
24. Нефедов А. В. Зарубежные аналоговые микросхемы и их аналоги. Т. 1-8. М.: РадиоСофт,
1999-2000 .
25. Транзисторы, Справочные данные по полупроводниковым приборам. Номенклатура. Таблицы
параметров. Изготовители. 1996.
26. Каталог «Компоненты и услуги». Минск: НПО «Интеграл», 2005.

Серия «Ремонт», выпуск 90
Нефедов Анатолий Владимирович
Аксенов Алексей Иванович
Транзисторы для бытовой,
промышленной и специальной аппаратуры
Справочное пособие
Ответственный за выпуск
В. Митин
Верстка
С.Тарасов
Обложка
Е. Жбанов
ООО «СОЛОН-Пресс»
123242, г. Москва, а/я 20
Телефоны:
(095) 254-44-10, 252-36 -96, 252-25-21
E-mail: Solon-A vtor@coba.ru
www.solon-press.ru
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК»
Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95
www.abook.ru
ООО «СОЛОН-Пресс»
127051, г. Москва, М. Сухаревская пл., д. 6, стр. 1 (пом. ТАРП ЦАО)
Формат 60х88/8. Объем 75 п. л. Тираж 1ООО
Зак. 9
ООО "Арт-диал"
143980, Московская обл., г. Железнодорожный,
ул. Керамическая, д. 2а.