Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. Серия "Ремонт", выпуск 90 - Нефедов А.В., Аксенов А.И.

Автор: Нефедов А.В. Аксенов А.И.
Теги: электротехника телевидение транзисторы справочник руководство по ремонту
ISBN: 5-98003-239-8
Год: 2006
Похожие
Ремонт 90. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры
Современные телевизоры. Серия «Ремонт», выпуск 70
Телевизоры SONY. Серия «Ремонт», выпуск 99
Телевизоры Philips. Серия «Ремонт», выпуск 110
Текст
                    <<РЕМОНТ>> N9 90
А.В. Нефедов
А.И. Аксенов
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ
ДЛЯ БЫТОВОЙ, ПРОМЫШЛЕННОЙ
И СПЕЦИАЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ
Справочное
пособие
Полная
информация
о приборах
Номенклатура
Изrотовитепи
Параметрь1
Корпуса
Анапоrи
Представлено
ДО 5000
наименований!
ICI
IJ
«СОЛОН»

УДК 621.397
ББК 32.94-5
Н58
Серия ((Ремонт", выпуск 90
Нефедов А. В., Аксенов А. И.
Н58
Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Спра-
вочное пособие. - М.: СОЛОН-Пресс, 2006.
-
600 с. - (Серия «Ремонт»)
ISBN 5-98003 -239 -8
Рассмотрены свойства и особенности биполярных и полевых транзисторов (с р-n-перехо
дом, МОП, биполярных транзисторов со статической индукцией и с изолированным затвором),
предназначенных для применения в бытовой, промышленной и специальной аппаратуре, при
ведены их электрические параметры, области применения, стандартизованные корпуса и зару
бежные аналоги, а также указаны предприятия-изготовители.
Справочное пособие рассчитано на широкий круг читателей, специалистов, студентов и ра
диолюбителей, занимающихся конструированием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
КНИГА- ПОЧТОЙ
УДК 621.397
ББК 32.94-5
Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом (оплата при получении) по фикси
рованной цене. Заказ оформляется одним из двух способов:
1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20.
2. Оформить заказ можно на сайте www.solon-press.ru в разделе «Книга - почтой».
Бесплатно высылается каталог издательства по почте.
При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы
книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желательно указать дополнительно свой телефон и ад
рес электронной почты.
Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Пресс», считав его
с адреса www.solon-press.ru/kat.doc.
ISBN 5-98003-239 -8
По вопросам приобретения обращаться:
ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК»
Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95, www.abook.ru
www.solon-press.ru . E -mail: solon-avtor@coba.ru
© Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2006
©А. В. Нефедов, А. И. Аксенов, 2006

Содержание
Предисловие .................................................................................................................4
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Германиевые транзисторы ............................................................................................................6
Биполярные кремниевые транзисторы ......................................................................................... 7
Кремниевые сборки ..................................................................................................................... 18
Германиевые транзисторы специального назначения ................................................................ 18
Кремниевые транзисторы специального назначения .................................................................. 19
Кремниевые сборки специального назначения ...........................................................................23
Полевые транзисторы .................................................................................................................24
Полевые транзисторы специального назначения .......................................................................28
Адреса предприятий-изготовителей ..........................................................................31
Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства .................32
Перечень корпусов зарубежных транзисторов ........................................................33
РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения
1.1. Система условных обозначений ........................................................................................34
1.2. Условные графические обозначения транзисторов ...........................................................36
РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов ......................................38
2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов ................................................ .41
2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника ...................................................51
2.4. Области работы'и вольт-амперные характеристики транзисторов ...................................54
2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов ......................................................57
2.6. Биполярные германиевые транзисторы .............................................................................62
2.7. Биполярные кремниевые транзисторы ..............................................................................82
2.8. Биполярные кремниевые сборки .....................................................................................256
2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения .................................264
2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения .................................. 272
2.11. Биполярные кремниевые сборки специального назначения ...........................................372
РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов ..........................................378
3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов .....................................................380
3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов .....................................................386
3.4. Полевые транзисторы широкого применения .................................................................392
3.5. Полевые транзисторы специального назначения ........................................................... .472
РАЗДЕЛ 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов
4.1. Конструкции корпусов транзисторов ...............................................................................518
4.2. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные приборы ..................................519
4.3. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов
отечественных транзисторов ........................................................................................... 521
4.4 . Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов
зарубежных транзисторов ................................................................................................ 530
4.5. Соответствие отечественных корпусов зарубежным ......................................................546
РАЗДЕЛ 5. Аналоги транзисторов
5.1. О взаимозаменяемости транзисторов ..............................................................................547
5.2. Условные обозначения и классификация зарубежных приборов ...................................548
5.3. Сокращенные обозначения зарубежных фирм ................................................................549
5.4. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов ........................................................551
5.5. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги ..................................................554
5.6. Аналоги отечественных транзисторов .............................................................................575
Литература ................................................................................................................ 599

Предисловие
В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и ха
рактеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии.
Справочное пособие состоит из пяти разделов. В первом разделе даны классификация и услов
ные обозначения полупроводниковых приборов. Приведены условные графические обозначения бипо
лярных и полевых транзисторов, указатель транзисторов и их изготовители.
Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические па
раметры, области применения, буквенные обозначения параметров, а также электрические парамет
ры биполярных транзисторов широкого применения и специального назначения.
В третьем разделе рассмотрены основные свойства и особенности полевых транзисторов (с p-n
переходом, МОП-транзисторов), а также транзисторов со статической индукцией, биполярных тран
зисторов с изолированным затвором, относящихся к классу полевых транзисторов, области примене
ния. буквенные обозначения параметров, электрические параметры кремниевых полевых и
арсенидгаллиевых транзисторов, в том числе со структурой НЕМТ (High Electron-mobility Transistor)
GaA!As/ GaAs, широкого применения и специального назначения.
В четвертом разделе даны корпуса транзисторов.
В пятом разделе рассматривается взаимозаменяемость отечественных и зарубежных транзисто
ров, буквенные обозначения зарубежных транзисторов и их изготовителей. Кроме того, приведены
таблицы отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов и зарубежных транзисторов и их
отечественных аналогов.
В справочное пособие включены как современные типы транзисторов, так и снятые по разным
причинам с производства, и используемые для применения в бытовой, промышленной и специальной
радиоэлектронной аппаратуре.

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Германиевые транзисторы
i·
i
1 Стр.1
·1
Тип
Изготовитель
1.
il прибора i (см. стр. 31)
1
i
i ГТ108А
i-
62
1
'
t
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
ГТЗО9В
1 З-д «Транзистор»
64
т
и
ип
i зготовитель ! Стр.
прибора
(см. стр. 31)
ГТЗ29В
1З-д ПО «Альфа» 1 66
1
11 ГТ108Б
1-
162
1
1
11 ГТ108В
1-
162
1
1
!1 ГТ108Г
i-
1621
~1
1
1
! ГТ109А
-
62
ГТЗО9Г
1 З-д «Транзистор»
64
·1
ГТЗ09Д
1 З-д «Транзистор»
64
ГТЗО9Е
З-д «Транзистор»
64
1
ГТ310А
З-д «Квазар»
64
ГТЗ29Г
1З-д ПО «Альфа» i 66
гтззод
1З-д «Пульсар»
166
гтззож
1З-д «Пульсар»
166
гтззои
j З-д «Пульсар» i 66
ГТ109Б
-
1
62
ГТЗ10Б
З-д «Квазар»
64
ГТЗЗ5А
lтонди электроника 1 66 1
ГТ109В
-
1
62
ГТЗ10В
З-д «Квазар»
64
ГТЗЗ5Б
lтонди электроника j 66
1 ГТ109Г
-
i62
~ ГТ109Д
1-
i62
1
' 1 ГТ109Е
-
1
iГТ109Ж
i=
i
62
1
62
ГТ109И
11 ГТ115А
1ЗАО «Кремний»
1621
~1
'
1
li ГТ115Б
1 ЗАО «Кремний»
1
62
1
1
1 ГТ115В
1ЗАО «Кремний»
62
1 ГТ115Г
1ЗАО «Кремний»
62
1 ГТ115Д
1ЗАО «Кремний»
62
: ГТ122А
ЗАО «Кремний»
62
1
1
1ГТ122Б
1ЗАО «Кремний»
162
l
1
~ ГТ122В
1 ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ10Г
З-д «Квазар»
164
1
ГТЗ10Д
iЗ-д «Квазар»
i64
1
ГТЗ10Е
З-д «Квазар»
64
1
ГТЗ11А
З-д «Квазар»
64
11
ГТЗ11Б
З-д «Квазар»
1
64
ГТЗ11В
1З-д «Квазар»
1641
1 ГТЗ11Г
iЗ-д «Квазар»
1641
1
ГТЗ11Д
1З-д «Квазар»
64
1
ГТЗ11Е
З-д «Квазар»
1641
ГТЗ11Ж
j З-д «Квазар»
64 11
ГТЗ11И
З-д «Квазар»
164 1
1
1 ГТЗ1ЗА
З-д «Квазар»
1641
i
1
ГТЗ1ЗБ
З-д «Квазар»
641
ГТЗЗ5В
1Тонди электроника : 66
ГТЗЗ5Г
JТонди электроника : 66
1
ГТЗЗ5Д
!Тонди электроника 1 66
ГТЗЗSА
1 З-д «Квазар»
166
ГТЗЗSБ
1 З-д «Квазар»
166
1
гтззsв
1-
66
ГТЗ41А
1 З-д ПО «Альфа»
68
ГТЗ41Б
1З-д ПО «Альфа»
68
ГТЗ41В
1З-д ПО «Альфа»
68
ГТЗ46А
1 НПО «Планета»
68
ГТЗ46Б
1 НПО «Планета»
68
ГТЗ46В
!НПО «Планета»
68
ГТЗ62А
!З-д «Пульсар»
68
1
~ ГТ122Г
iЗАО «Кремний» i 62
ГТЗ1ЗВ
1З-д «Квазар»
164
ГТЗ62Б
: З-д «Пульсар»
68
ГТ124А
1ЗАО «Кремний»
62
ГТ124Б
1ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ20А
iтонди электроника 1 64
ГТЗ20Б
1Тонди электроника i 64
IJГТЗ76А- 1НПО «Планета»
68
1-
ГТЗSЗА-2
68
ГТ124В
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ20В
iТонди электроника 64
jj ГТЗSЗБ-2
i-
!68
ГТ124Г
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ21А
СКБ «Элькор»
164
~ ГТЗSЗВ-2 i-
168
ГТ125А
ЗАО «Кремний»
62
ГТ125Б
ЗАО «Кремний»
62
ГТ125В
ЗАО «Кремний»
62
1ГТ125Г
1 ЗАО «Кремний»
162
•
1
1
1
lirт12sд
1ЗАО «Кремний»
162
~ ГТ125Е
!ЗАО «Кремний» ! 62
ГТЗ21Б
СКБ «Элькор»
i64
ГТЗ21В
СКБ «Элькор»
64
ГТЗ21Г
СКБ «Элькор»
64
ГТЗ21Д
СКБ «Элькор»
1
64
1
ГТЗ21Е
СКБ «Элькор»
i64
ГТЗ22А
НПО «Планета»
66
1 ГТ402А
1 ЗАО «Кремний»
168
ГТ402Б
1ЗАО «Кремний»
168
1 ГТ402В
1 ЗАО «Кремний»
ГТ402Г
!ЗАО «Кремний»
68 1!
iЗАО «Кремний»
1
ГТ402Д
'
68
,,
'!
ГТ402Е
ЗАО «Кремний» 1 68
'
ГТ125Ж
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ22Б
НПО «Планета»
66
ГТ402Ж
ЗАО «Кремний»
68
ГТ125И
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ22В
НПО «Планета»
66
ГТ402И
ЗАО «Кремний»
68
ГТ125К
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗ22Г
НПО «Планета»
66
ГТ403А
ЗАО «Кремний»
68
ГТ125Л
ЗАО «Кремний»
62
ГТЗО5А
НП00 «Планета»
62
ГТЗ22Д
НПО «Планета»
66
ГТЗ22Е
НПО «Планета»
66
1 ГТ40ЗБ
ЗАО «Кремний»
68
ГТ40ЗВ
ЗАО «Кремний» 1 68
ГТЗО5Б
НПО «Планета»
62
ГТЗО5В
НПО «Планета»
62
ГТЗОSА
1СКБ «Элькор»
1
64
1
ГТЗ2ЗА
-
66
ГТЗ2ЗБ
-
166
i-
1
ГТЗ2ЗВ
i661
ГТ40ЗГ
ЗАО «Кремний» 1
68
,1
1
ГТ40ЗД
1ЗАО «Кремний»
;68
:1
ГТ40ЗЕ
!ЗАО «Кремний»
66 'i
•'
,iгтзоsБ
1 СКБ «Элькор»
!64
1
1
ГТЗ28А
НПО «Планета» i 66 i
: ЗАО «Кремний»
68
1
~ гтзоsв
iСКБ «Элькор»
64
1
IГТЗОSГ
iСКБ «Элькор»
164
1
1гтзоэд
1З-д «Транзистор» 1 64
ГТЗО9Б
1З-д «Транзистор» i 64
ГТЗ28Б
НПО «Планета» 1 66 11
i
ГТЗ28В
1 НПО «Планета»
166
ГТЗ29А
1З-д ПО «Альфа»
1
66
ГТЗ29Б
1 З-д ПО «Альфа»
66
ГТ40ЗИ
1 ЗАО «Кремний»
66
1 ГТ40ЗЮ
1 ЗАО «Кремний»
68
!
lt§04A
1 ЗАО «Кремний»
'
70
1
046
!ЗАО «Кремний»
70

6
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
'
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
.
!i
прибора
(см. стр. 31) i Стр. !1
ГТ404В
ЗАО «Кремний»
70
МП1ЗБ
-
72
П210А
1-
76
ГТ404Г
ЗАО «Кремний»
70
МП14
-
74
П210Б
-
76
ГТ404Д
ЗАО «Кремний»
70
МП14А
-
74
П210В
-
76
ГТ404Е
ЗАО «Кремний»
70
МП14Б
-
74
П210Ш
-
76
ГТ404Ж
ЗАО «Кремний»
70
11 ГТ404И
ЗАО «Кремний»
70
ГТ405А
ЗАО «Кремний» 1 70
i ГТ405Б
1ЗАО «Кремний»
170
i' ГТ405В
1ЗАО «Кремний»
70
1 ГТ405Г
1ЗАО ,;Кремний»
70
ГТ406А
-
70
МП14И
-
74
МП15
-
74
МП15А
-
74
МП15И
-
74
МП16
-
74
МП16А
-
74
МП16Б
-
74
П213
взпп
!761
1
!
П21ЗА
1ВЗПП
76 i1
П21ЗБ
взпп
1
761
1
П214
iвзпп
17611
П214А
взпп
1
76
1
i
'
П214Б
взпп
76
'
П214В
взпп
76
ГТС609А
З-д ПО «Альфа»
70
МП16Я1
-
74
П214Г
взпп
76
ГТС609Б
З-д ПО «Альфа»
70
МП16Я11
-
74
П215
. взпп
76
ГТС609В
З-д ПО «Альфа»
70
МП20А
-
74
П216
взпп
i76
ГТ612А-4
СКБ «Элькор»
70
МП20Б
-
74
П216А
взпп
76
1
ГТ701А
З-д ПО «ФОТОН»
70
1ГТ703А
ЗАО «Кремний»
70
liГТ7ОЗБ
1ЗАО «Кремний»
70
11гт1озв
1ЗАО «Кремний» 1 70
l'ГТ70ЗГ
iЗАО «Кремний» 1 70
ЗАО «Кремний» 1 70
ГТ70ЗД
1
МП21В
-
74
МП21Г
-
74
МП21Д
-
74
МП21Е
-
74
МП25
1-
74
МП25А
-
74
П216Б
lвзпп
~7611
.1
П216В
взпп
76 11
'
11
П216Г
взпп
!76i
i
П216Д
lвзпп
'
76 11
i
П217
lвзпп
1
76 11
1
1
П217А
lвзпп
1
76
'
ГТ705А
ЗАО «Кремний»
70
МП25Б
-
74
П217Б
взпп
76
ГТ705Б
ЗАО «Кремний»
70
МП26
-
74
П217В
взпп
76
ГТ705В
ЗАО «Кремний»
70
МП26А
-
74
П217Г
взпп
76
ГТ705Г
ЗАО «Кремний»
70
МП2,!iБ
-
74
П27
-
78
П27А
-
78
ГТ705Д
ЗАО «Кремний»
70
МПЗ5
-
74
П28
-
78
ГТ804А
-
72
ГТ804Б
1
1
72
1-
~ ГТ804В i-
172
ГТ806А
ЗАО «Кремний» 1 72
МПЗ6А
-
74
МПЗ7А
-
74
МПЗ7Б
-
74
МПЗ8
-
i74
П29
i-
!78
П29А
:781
-
i-
:78
!
пзо
1
П401
-
i78 1
ГТ806Б
ЗАО «Кремний»
72
МПЗ8А
-
74
П402
-
!78,1
ГТ806В
ЗАО «Кремний»
72
МПЗ9
-
74
П403
-
78
ГТ806Г
ЗАО «Кремний»
72
МПЗ9Б
-
74
П40ЗА
-
78
ГТ806Д
ЗАО «Кремний»
72
МП40
-
74
П416
-
78
ГТ810А
ЗАО «Кремний»
72
МП40А
-
74
П416А
-
178
ГТ905А
З-д ПО «ФОТОН»
72
1 ГТ905Б
З-д ПО «ФОТОН» i 72
ГТ906А
З-д ПО «ФОТОН» 1 72
1ГТ906АМ
З-д ПО «ФОТОН»
72
.
72
МГТ108А
-
МП41
-
76
МП41А
-
76
МП42
-
76
МП42А
-
76
МП42Б
-
76
П416Б
1-
178i1
П417
;
80 ·1
-
'
П417А
-
180
П417Б
-
80
П422
-
80
МГТ108Б
-
72
П201Э
взпп
76
П423
-
80
МГТ108В
-
72
П201АЭ
взпп
76
П605
З-д ПО «ФОТОН»
80
МГТ108Г
-
72
П202Э
взпп
76
П605А
З-д ПО «ФОТОН»
80
МГТ108Д
.
-
72
П20ЗЭ
взпп
76
П606
З-д ПО «ФОТОН»
80
МП9А.
-
-
72
П207
-
76
П606А
З-д ПО «ФОТОН»
80'
МП10
-
72
П207А
-
76
!
1
П607
З-д ПО «Альфа»
801
МП10А
-
72
П208
-
76
П607А
1З-д ПО «Альфа» ! 80 1
МП10Б
-
72
П208А
-
.
76
П608
З-д ПО «Альфа»
80
МП11
-
72
П209
-
76
П608А
З-д ПО «Альфа»
80
МП11А
-
72
П209А
-
76
П609
З-д ПО «Альфа»
80
МП13
-
72
П210
-
76
П609А
З-д ПО «Альфа»
80

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
7
Кремниевые транзисторы
1
Тип
i Изготовитель
1 Стр.
1 прибора
(см. стр. 31)
1
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1 Изготовитель
1 Стр.
прибора ! (см. стр:31)
КТ104А
ЗАО «Кремний»
182
КТ208Б
4, 12,33
86
КТЗО1А
17.36
88
КТ104Б
ЗАО «Кремний»
182
КТ208В
4, 12,33
86
КТЗО1Б
17,36
88 !1
1 КТ104В
ЗАО «Кремний» i 82
КТ208Г
4, 12,33
86
КТЗ01В
j1,З6
i88
1
1 КТ104Г
1ЗАО «Кремний»
182
! КТ117А
127.30
i82
КТ208Д
4, 12,33
86
КТ208Е
14, 12,33
186
1 КТЗ01Г
!ЗЗ,36
1
88
1КТЗ01Д
iПО «НИИЭТ»
188
!1 КТ117Б
121.зо
llКТ117В
127,30
11 КТ117Г
:21.зо
182
КТ118А
1З-д «Пульсар»
182
1 КТ118Б
З-д «Пульсар»
82
КТ118В
З-д «Пульсар»
82
82
КТ208Ж
4, 12,33
i86
КТ208И
4, 12,33
86
КТ208К
4, 12,33
86
КТ208Л
4, 12,33
186
КТ208М
4, 12,33
186
КТ209А
4, 12 ,28 ,33
86
82
КТЗ01Е
IПО «НИИЭТ»
88 ·'
"
КТЗО1Ж
IПО «НИИЭТ»
88 '1
КТЗО2А
ПО «НИИЭТ»
!88
·:
1 КТЗО2Б
!ПО «НИИЭТ»
881
КТЗ02В
IПО «НИИЭТ»
188
1
КТЗО2Г
1ПО «НИИЭТ»
88
КТ119А
З-д «Пульсар•
82
КТ209Б
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗ06А
IПО «НИИЭТ»
88
КТ119Б
3-д «Пульсар»
82
КТ209В
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗ06Б
IПО «НИИЭТ»
88
КТ120А
23, 13
82
КТ209В2
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗО6В
ПО «НИИЭТ»
88
КТ120Б
23, 13
82
КТ209Г
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗО6Г
ПО «НИИЭТ»
188
1КТ120В
23, 13
82
КТ209Д
4, 12 ,28 ,33
86
КТЗО6Д
IПО «НИИЭТ»
i88i
11 КТ120А-1
123, 13
1821
"
1
1
;1 КТ120В-1
123, 13
182
1
!IКТ120А-5
123, 13
182
11 КТ120В·5
:2з. 1з
182
КТ209Е
1З-д «Арсенал»
86
КТ209Ж
1З-д «Арсенал•
86
КТ209И
1З-д «Арсенал»
86
КТ209К
НПО «Планета»
86
КТЗО6АМ
126,36
90 !i1
КТЗ06БМ
126.36
1901'
·!
КТЗО6ВМ
126,36
~90i
1
КТЗО6ГМ
26,36
:901
1КТ127А-1
З-д «Старт»
82
1 КТ127Б·1
З-д «Старт»
82
КТ209Л
З-д «Арсенал•
86
КТ209М
З-д «Арсенал•
186
КТЗ06ДМ
26,36
90
КТЗО7А·1
АО «Светлана»
90
КТ127В·1
З-д «Старт•
82
КТ209К9
НПО «Планета»
86
КТЗО7Б·1
АО «Светлана»
90
КТ127Г-1
З-д «Старт•
82
КТ210А
ЗАО «Кремний»
86
КТЗО7В·1
АО «Светлана»
90
КТ132А
З-д «Транзистор»
84
КТ210Б
ЗАО «Кремний»
86
КТЗО7Г·1
АО «Светлана»
90
КТ132Б
З-д «Транзистор»
84
КТ210В
ЗАО «Кремний»
86
КТЗ101А-2
АО «Светлана»
90
КТ1ЗЗА
З-д «Транзистор»
84
КТ211А-1
ЗАО «Кремний»
86
КТЗ101АМ
1АО «Светлана»
90 !11
I КТ1ЗЗБ
1 З-д «Транзистор»
84
КТ211Б·1
ЗАО «Кремний»
86
КТЗ102А
14, 7, 12, 13,26,28,33 90
!IКТ201А
126.33
184
КТ211В-1
ЗАО «Кремний» 1 86
КТЗ102Б
14, 7, 12, 13.26 .28,33 90
'
1
!1 КТ201Б
126,33
84
КТ214А·1
33, 13
1
88
1
КТ3102В
14. 7, 12, 13,26,28,33 90
11 КТ201В
26,33
184
КТ214Б-1
1
33, 13
188
КТЗ102Г
4, 7. 12, 13,26,28.33 90
1 КТ201Г
26,33
184
1
КТ214В·1
33, 13
188
КТЗ102Д
4, 7. 12, 13,26,28,33 90
КТ201Д
26,33
84
КТ214Г·1
33, 13
88
КТЗ102Е
4, 7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201АМ
4,26,33
84
КТ214Д·1
33, 13
88
КТЗ102Ж
4, 7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201БМ
4,26,33
84
КТ214Е·1
33, 13
88
КТЗ102И
4, 7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201ВМ
4,26,33
84
КТ215А·1
33, 13
88
КТЗ102К
4,7, 12, 13,26,28,33 90
КТ201ГМ
4,26,33
84
КТ215Б·1
33, 13
88
КТЗ102АМ
4, 12 ,28,33
90
'кt201дм
4,26,33
84
КТ215В-1
33, 13
88
КТЗ102БМ
4, 12 .28,33
90
11 КТ202А·1
1ЗАО «Кремний»
84
1
-
!1 КТ202Б-1
ЗАО «Кремнии» 1 84
КТ215Г·1
33, 13
1
88
1
КТ215Д-1
33, 13
188
КТЗ102ВМ
14. 12 ,28.33
:90
'i
КТЗ102ГМ
14. 12 ,28 ,33
1
90 1i,,
КТ202В·1
1ЗАО «Кремний»
84
КТ215Е·1
33, 13
i
1
88
КТЗ102ДМ
14. 12 ,28,33
:
90 !!1
КТ202Г-1
ЗАО «Кремний»
84
КТ216А
АО «;элекс»
188
КТЗ102ЕМ
4, 12 ,28,33
!9011
КТ202Д·1
ЗАО «Кремний»
84
КТ216Б
АО «Элекс»
88
КТЗ102ЖМ
4, 12 ,28 ,33
90
КТ20ЗА
АО «Элекс»
КТ216В
АО «Элекс»
88
КТЗ102ИМ
4, 12 ,28 ,33
90
КТ20ЗБ
АО «Элекс»
84
КТ218А-9
АО «Элекс»
88
КТ3102КМ
4, 12 ,28 ,33
90
КТ20ЗВ
АО «Элекс»
84
КТ218Б-9
АО «Элекс»
88
КТЗ102А2
ЗАО «Кремний»
90
КТ20ЗАМ
4,33
84
КТ218В·9
АО «Элекс»
88
КТЗ102Б2
ЗАО «Кремний»
90
КТ20ЗБМ
4,33
84
КТ218Г-9
АО «Элекс»
88
КТЗ102В2
ЗАО «Кремний»
90
КТ20ЗВМ
4,33
84
КТ218Д·9
АО «Элекс»
88
КТЗ102Г2
ЗАО «Кремний»
9,0
КТ206А
33,26
86
КТ218Е-9
АО «Элекс»
88
КТЗ102Д2
ЗАО «Кремний»
90 1.
КТ206Б
АО «Светлана»
86
КТ220А9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102Е2
ЗАО «Кремний»
90
КТ207А
АО «Светлана»
86
КТ220Б9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102Ж2
ЗАО «Кремний»
90
КТ207Б
АО «Элекс»
86
КТ220В9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102И2
ЗАО «Кремний»
90
КТ207В
АО «Элекс»
86
КТ220Г9
З-д «Транзистор»
88
КТЗ102К2
ЗАО «Кремний»
90
КТ208А
4, 12,33
86
КТЗ01
7,36
88
КТЗ104А
АО «Восход»
92

8
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
:.
Тип
i Изготовитель 1
i: прибора
(см. стр. 31)
1 Стр.
1'
1КТЗ104Б
АО «ВОСХОД»
92
i КТЗ104В
АО «ВОСХОД»
92
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КТЗ128А·9
АО «Элекс»
98
КТЗ129А-9
4,28,33
98
Тип 1 Изготовитель :
ii
прибора (см. стр. 31) ! Стр. '1
КТЗ15Р
l12, 13, 15
1 100
КТЗ15А-1
12, 28, 33
102 1
КТЗ104Г
АО «ВОСХОД»
92
КТЗ129Б-9
4,28,33
98
КТЗ15Б-1
12, 28, 33
102
КТЗ104Д
АО «ВОСХОД»
92
КТЗ129В-9
4,28,33
98
КТЗ15В-1
12, 28, 33
102
КТЗ104Е
АО «ВОСХОД»
92
КТЗ129Г-9
4,28,33
98
КТЗ15Г-1
12, 28, 33
102
1 КТЗ106А-2
26,33
92
КТЗ106А-9
АО «Элекс»
92
il КТЗ107А
2,4, 12,28,33
92
КТЗ129Д·9
4,28,33
98
КТЗ1ЗА
4,33
98
КТЗ1ЗБ
4,33
98
КТЗ15Д-1
12, 28, 33
102
КТЗ15Е-1
12, 28, 33
1 102
КТЗ15Ж-1
12, 28, 33
! 102
1 КТЗ107Б
2,4, 12,28,33
92
КТЗ107В
2,4, 12,28,33
92
КТ31ЗА-1
4,33
98
КТЗ1ЗБ-1
4,33
98
КТЗ15И-1
12, 28, 33
1 102
КТЗ15Н-1
12, 28, 33
1 102
!1 КТЗ107Г
2,4, 12,28,33
92
КТЗ1ЗВ-1
4,33
98
КТЗ15Р-1
12,28,33
!1021
1 КТЗ107Д
2,4, 12,28,33
92
1 КТЗ107Е
2,4, 12,28,33
92
КТЗ107Ж
2,4, 12,28,33
92
КТЗ1ЗГ·1
4,33
98
КТЗ1ЗОА-9
4,28,33
98
КТЗ1ЗОБ-9
4,28,33
98
КТЗ150Б-2 3-д ПО «Альфа» i 102 1
КТЗ151А-9
4, 33
102
КТЗ151Б-9
4, 33
102
КТЗ107И
2,4, 12,28,33
92
КТЗ1ЗОВ-9
4,28,33
98
КТЗ151В·9
4, 33
102
КТЗ107К
4, 12,28
92
КТЗ1ЗОГ-9
4,28,33
98
КТЗ151Г·9
4, 33
102
КТЗ107Л
4, 12,28
92
КТЗ1ЗОД-9
4,28,33
98
КТЗ151Д-9
4, 33
102
КТЗ108А
2,4 ,33
92
КТЗ1ЗОЕ-9
4,28,33
98
КТЗ151Е-9
4, 33
102
КТЗ108Б
2,4 ,33
92
КТЗ1ЗОЖ-9
4,28,33
98
КТЗ15ЗА-9
4, 28, 33
102
1 КТЗ108В
2,4, 33
92
1
1КТЗ109А
3-д ПО «Альфа»
92
1 КТЗ109Б
13-д ПО «Альфа» 1 92
11 КТЗ109В
13-д ПО «Альфа»
92
1КТЗ114Б-б
13-д «Пульсар»
192
КТЗ114В·б
3-д «Пульсар»
92
КТЗ132А-2
3-д «Пульсар»
98
КТЗ132Б-2
3-д «Пульсар»
98
1 КТЗ132В-2
3-д «Пульсар»
1981
КТЗ132Г-2
3-д «Пульсар»
98
1
КТЗ132Д-2
3-д «Пульсар»
98
КТЗ132Е-2
3-д «Пульсар»
98
КТЗ15ЗА·5 14. 28, 33
!102fl
КТ3157А
12, 28, 33
i 102
КТЗ16А
IAO «Элекс»
1102I!
КТЗ16Б IAO «Элекс»
i102~
11~КТ_З_1_б_В___,~А_О_«Э_л_е_к_с»
___+!~
КТЗ16Г
АО «Элекс»
102 1
КТЗ115А-2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ115В-2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ139А
3-д «Пульсар»
98
КТЗ139Б
3-д «Пульсар»
98
КТЗ16Д
АО «Элекс»
102
КТЗ16АМ АО «Элекс» 102 1
КТЗ115Г-2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ139В
3-д «Пульсар»
98
КТЗ16БМ
АО «Элекс»
102
КТЗ115Д·2
3-д «Пульсар»
94
КТЗ139Г
3-д «Пульсар»
98
КТЗ16ВМ
АО «Элекс»
1 102
КТЗ117А
4, 12 ,28 ,33
94
КТЗ14А-2
АО «Элекс»
100
КТЗ16ГМ
АО «Элекс»
1 102
КТЗ117Б
4, 12 ,28 ,33
94
КТЗ140А
-
100
КТЗ16ДМ
АО «Элекс»
102
КТЗ117А·1
4, 12 ,28 ,33
94
КТЗ140Б
-
100
КТЗ165А
19, 28
104
КТЗ117А9
14. 12 ,28 ,33
94
КТЗ140В
-
100
КТЗ165А·9
19, 28
104
КТЗ117Б9
14. 12 ,28 ,33
94
1 КТЗ12А
7,33 ,36
94
КТЗ140Г
-
100
КТЗ140Д
-
100
КТЗ166А
АО «Элекс»
1 104
i
КТЗ166Б
АО «Элекс»
104
КТЗ12Б
7,33 ,36
94
КТЗ142А
4,28
100
КТЗ166В
АО «Элекс»
1 104
КТЗ12В
7,33 ,36
94
КТЗ14ЗА
АО «Светлана»
100
КТЗ166Г
АО «Элекс»
104
КТЗ12А1
7,33 ,36
94
КТЗ144А
АО «Светлана»
100
КТЗ168А-9
АО «Светлана»
104
КТЗ12Б1
7,33 ,36
94
КТЗ145А-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ169А-9
НПО «Планета»
104
КТЗ12В1
7,33 ,36
94
КТЗ145Б-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ169А91
НПО «Планета»
104
1 КТЗ120АМ
АО «Светлана»
94
1 КТЗ121А·б
АО «Светлана»
i94
КТЗ122А
3-д «Квазар»
96
i1КТЗ122Б
3-д «Квазар»
196
КТЗ145В-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ145Г-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ145Д-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ146А·9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ17А·1 13, 23
104 1
,,_кт_з_11_Б_-_1------<!_1_3. _2_3 __ _ __i
_1 _04 --- --11!1
КТЗ17В-1
l13, 23
i 104
КТЗ170А·9 АО «Элекс»
1104~
1 КТЗ12ЗА·2
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ146Б-9
АО «НИИЭТ»
100
КТ3171А·9
АО «Элекс»
1 104
1КТЗ12ЗБ-2
13-д ПО «Альфа» 1 96
1
КТЗ146В-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ172А·9
АО «Элекс»
1 106
1 КТЗ12ЗВ-2
3-д ПО «Альфа» 1 96
КТЗ12ЗАМ
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ12ЗБМ
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ146Г-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ146Д-9
АО «НИИЭТ»
100
КТЗ15А
12, 13, 15
100
КТЗ17ЗА·9
АО «Элекс»
106
106 1
КТЗ176А-9
АО «Элекс»
КТЗ179А·9
АО «Элекс»
106
КТЗ12ЗВМ
3-д ПО «Альфа»
96
КТЗ15Б
12, 13, 15
100
КТЗ1 SA-1
13, 23
106
КТЗ126А
33,28
96
КТЗ15В
12, 13, 15
100
КТЗ18Б·1
13, 23
106
КТЗ126Б
33,28
96
КТЗ15Г
12, 13, 15
100
КТЗ18В-1
13, 23
! 106
КТЗ126А-9
33,28
96
КТЗ15Д
12, 13, 15
100
КТЗ18Г·1
13, 23
1 106
КТЗ127А
33,28
96
КТЗ15Е
12, 13, 15
100
КТЗ18Д-1
13, 23
1 106
1КТЗ128А
13-д «Транзистор» 96
КТЗ15Ж
12, 13, 15
100
КТЗ18Е·1
13, 23
1 106
КТЗ128А·1
13-д «Транзистор»
98
КТЗ15И
12, 13, 15
100
КТЗ180А-9
АО «Элекс»
106
КТЗ128Б-1
3-д «Транзистор»
98
КТЗ15Н
12, 13, 15
100 '
КТЗ184А9
ПР3ПП
106

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
9
,,
,,
Тип
Изготовитель Стр.
11 прибора 1 (см. стр. 31)
КТ3184Б9
IПРЗПП
106
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КТ324Г-1
АО «Светлана»
110
Тип
Изготовитель
i
прибора
(см. стр. 31)
! Стр.1
КТ343А
АО «Элекс»
114
1КТ3186А-9
1НПО «Планета»
106
КТ324Д-1
АО «Светлана»
110
КТ343Б
АО «Элекс»
114
11 КТ3186Б-9 1НПО «Планета» i 106
1
КТ324Е-1
АО «Светлана»
110
КТ343В
АО «Элекс»
114
11 КТ3186В-9 i НПО «Планета» 1 106
КТ325А
АО «Светлана»
110
КТ345А
З-д ПО «Альфа»
114
11 КТ3187А-9
НПО «Планета»
106
КТ325Б
АО «Светлана»
110
КТ345Б
З-д ПО «Альфа»
114
j КТ3187А91
НПО «Планета»
106
1КТ3187Б91
НПО «Планета»
106
1КТ3187В91
НПО «Планета»
106
11 КТ3189А-9
14,28
1
108
1
!j КТ3189Б-9
1
14.28
1 108
КТ325В
АО «Светлана»
110
КТ325АМ
АО «Элекс»
112
1
КТ325БМ
АО «Элекс•
1 112
КТ325ВМ
АО «Элекс»
112
КТ326А
2,4,33
1 112
КТ345В
З-д ПО «Альфа»
114
КТ347А
IAO «Элекс»
!114i
1 КТ347Б
IAO «Элекс»
114 11
1
11
1КТ347В
[АО «Элекс»
114 il
КТ348А-3
1 СКБ «ЭЛЬКОР»
116 1'
.1
;1 КТ3189В-9 [4,28
1 108 1 КТ326Б
2,4,33
1 112
КТ348Б-3
1 СКБ «Элькор»
1
'
116 1
!1 КТ319А-1
1-
1 108
1
1 КТ326АМ
4,33
112
КТ348В-3
1 СКБ «Элькор» i 116
1 КТ319Б-1
-
108
КТ326БМ
4,33
112
КТ349А
З-д ПО «Альфа» : 116
1 КТ319В-1
-
108
КТ331А-1
СКБ «Элькор»
112
КТ349Б
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3191А-9
НПО «Планета»
108
КТ331Б-1
СКБ «Элькор»
112
КТ349В
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3191А91
НПО «Планета»
108
КТ331В-1
СКБ «Элькор»
112
КТ350А
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3192А-9
З-д «Транзистор»
108
КТ331Г-1
СКБ «Элькор»
112
КТ351А
З-д ПО «Альфа»
116
КТ3193А
ЗАО «Кремний»
108
КТ3193Б
ЗАО «Кремний»
108
КТ332А-1
-
112
КТ332Б-1
-
1 112
КТ351Б
З-д ПО «Альфа» 1 116 11
1
КТ352А
1З-д ПО «Альфа» ! 116 !!
!1 КТ3193В
1ЗАО «Кремний» 1 108
:1 КТ3193Г
1 ЗАО «Кремний» 1 108
!i КТ319ЗД
j ЗАО «Кремний» i 108
1
1КТ3193Е
1 ЗАО «Кремний»
108
КТ3196А-9
З-д «Транзистор»
108
КТ332В-1
'-
112
КТ332Г-1
-
1
112
1
КТ332Д-1
-
112
КТ333А-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ333Б-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
1
11 КТ352Б
!З-д ПО «АльФа»
116
1АО «Светлана»
1КТ354А-2
116
1
1
1 КТ354Б-2
1АО «Светлана»
1 116
:1
КТ355А
1АО «Светлана»
1 116
КТ355АМ
АО «Светлана»
: 116
КТ3197А-9
З-д «Транзистор»
108
КТ333В-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ357А
-
1 116
1
КТ3198А
НПО «Планета»
108
КТ333Г-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ357Б
-
116
КТ3198Б
НПО «Планета»
108
КТ333Д-3
З-д «Экситон»
112
КТ357В
-
116
КТ3198В
НПО «Планета»
108
КТ333Е-3
З-д «ЭКСИТОН»
112
КТ357Г
-
116
КТ3198Г
НПО «Планета»
108
КТ336А
АО «Светлана»
112
КТ358А
взпп
116
КТ3198Д
НПО «Планета»
108
КТ336Б
АО «Светлана»
1 112
КТ358Б
1взпп
~1161
1
КТ3198Е
НПО «Планета»
108
КТ336В
АО «Светлана»
112
КТ358В
lвзпп
i 116
,,
,,
КТ3198Ж
1НПО «Планета»
1 108
КТ336Г
АО «Светлана»
1 112
КТ359А-3
iСКБ «Элькор»
i 118 r!.,
КТ3198А9
1НПО «Планета»
1 108
КТ3198Б9
1НПО «Планета» ! 108
КТ336Д
АО «Светлана»
112
КТ336Е
АО «Светлана»
1 112
'
КТ359Б-3
1СКБ «Элькор»
118 1'
1 КТ359В-3
1
СКБ «Элькор»
118
КТ3198В9
НПО «Планета» 1 108
КТ337А
З-д ПО «Альфа»
112
КТ360А-1
З-д ПО «Альфа» 1 118
КТ3198Г9
НПО «Планета»
108
КТ337Б
З-д ПО «Альфа»
112
КТ360Б-1
З-д ПО «Альфа»
118
КТ3198Д9
НПО «Планета»
108
КТ337В
З-д ПО «Альфа»
112
КТ360В-1
З-д ПО «Альфа»
118
КТ3198Е9
НПО «Планета»
108
КТ339АМ
АО «Элекс»
114
КТ361А
15,33
118
КТ3198Ж9
НПО «Планета»
108
КТ339А
АО «Элекс•
114
КТ361А1
15,33
118
КТ3198А92
НПО «Планета»
110
КТ339Б
АО «Элекс»
114
КТ361Б
15, 33
118
КТ3198Г92
НПО «Планета»
110
1КТ3199А9
1НПО «Планета»
110 1
КТ3199А91
1НПО «Планета» 1 110 1
КТ339В
АО «Элекс»
114
КТ339Г
АО «Элекс»
114
КТ339Д
АО «Элекс»
114
КТ361В
15,33
i118!!
11КТ361Г
115,33
118 11
11 КТ3199А92
1НПО «Планета»
110
il КТ3201А9
НПО «Планета» 1 110
1КТ3201Б9
НПО «Планета»
110
КТ340А
-
114
КТ340Б
1-
114
КТ340В
-
f 114
КТ361Д
l15, 33
i1181'
КТ361Д1 l 15, 33
1118~
1г--~~---t---------+----i1
КТ361 Е
15, 33
; 118
1КТ3201В9
НПО «Планета»
110
КТЗ40Г
-
114
КТ361Ж
l15, 33
1 118
1КТ3201Г9
НПО «Планета»
110
КТ340Д
-
114
КТ361И
15, 33
1 118
КТ321А
СКБ «Элькор»
110
КТ342А
АО «Элекс»
114
КТ361 К
15, 33
118
КТ321Б
СКБ «Элькор»
110
КТ342Б
АО «Элекс•
114
КТ361Л
15, 33
118
КТ321В
СКБ «Элькор»
110
КТ342В
АО «Элекс»
114
КТ361 М
15, 33
118
1 КТ321Г
СКБ «Элькор»
110
, КТ321Д
СКБ «Элькор»
110
1 КТ321Е
1СКБ «Элькор»
110
1 КТ324А-1
1АО «Светлана»
110
1
![ КТ324Б-1
1АО «Светлана»
110
1
КТ324В-1
АО «Светлана»
110
КТ342Г
АО «Элекс»
114
КТ342АМ
АО «Элекс»
114
КТ342БМ
АО «Элекс»
114
КТ342ВМ
АО «Элекс»
114
КТ342ГМ
АО «Элекс»
114
КТ342ДМ
АО «Элекс•
i 114
118
КТ361 Н
15, 33
:
118 :1
КТ361П
l15,33
КТ361 А-2
f12,28,33
: 118
КТ361А-3
l12, 28, 33
i1181
КТ361Б-2
12, 28, 33
11181j
, КТ361В-2
l12, 28, 33
11181

10
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
~
!
~ Тип
Изготовитель
1 Стр.
!1
прибора ; (см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель i
11
прибора
(см. стр. 31) \Стр..1
.
1
КТЗ61Г-2
i12, 28, 33
118
КТЗSОА
АО «Элекс»
124
КТ506А
ЗАО «Кремний» 1 128 1
КТЗ61Г-З
112. 28, 33
118
КТЗSОБ
АО «Элекс»
124
КТ506Б
ЗАО «Кремний»
128
КТЗ61Д-2
112. 28, 33
118
ктзsов
АО «Элекс»
124
КТ509А
ЗАО «Кремний» 1 130
КТЗ61Д-З
12.28,33
118
КТЗ81Б
СКБ «Элькор»
124
КТ511А9
АО «Элекс»
130
КТЗ61Е-2
12,28,33
118
КТЗ81В
СКБ «Элькор»
124
КТ511Б9
АО «Элекс»
130
КТЗ61Ж-2
12,28,33
118
КТЗ81Г
СКБ •Элькор»
124
КТ511В9
АО «Элекс»
130
КТЗ61И-2
12,28,33
118
КТЗ81Д
СКБ «Элькор»
124
КТ511Г9
АО «Элекс»
130
КТЗ61К-2
112. 28, 33
118
КТ381Е
СКБ •Элькор»
124
КТ511Д9
АО «Элекс»
!130!
1 КТЗ61Л-2
112. 28, 33
118
КТЗ61М-2
112, 28, 33
118
i КТЗ61Н-2
112, 28, 33
118
1 КТЗ82А
АО «Светлана»
124
КТЗ82Б
АО «Светлана»
124
КТЗ82АМ
АО «Светлана»
124
КТ511Е9
АО «Элекс»
11301
КТ511Ж9
АО оЭлекс»
130
КТ511И9
АО «Элекс»
130
КТЗ61П-2
12,28 ,33
118
КТЗ82БМ
АО «Светлана»
124
КТ511К9
АО «Элекс»
130
:;
~ КТЗ6ЗА
11181
12.33
КТЗ6ЗБ
2,33
1 118
1
КТЗ84А-2
З-д «Транзистор»
124
КТЗ84АМ-2
З-д «Транзистор» 1 124
КТ512А9
АО «Элекс»
130
КТ512Б9
IAO «Элекс»
1 130
КТЗ6ЗАМ
12.33
118
КТЗ85А-2
З-д «Транзистор»
124
КТ512В9
АО «Элекс•
130
КТЗ6ЗБМ
2,33
118
КТЗ85АМ-2
З-д «Транзистор»
124
КТ512Г9
АО «Элекс»
130
КТЗ64А-2
3-д ПО •Альфа»
120
КТЗ85БМ-2
З-д «Транзистор»
124
КТ512Д9
АО «Элекс»
130
КТЗ64Б-2
З-д ПО «Альфа»
120
КТЗ88Б-2
АО •Элекс»
126
КТ512Е9
АО «Элекс•
1 130
КТЗ64В-2
З-д ПО •Альфа»
120
1КТЗ66А
IНИИМП
1 120
КТЗ66Б
1ниимп
120
~ КТЗ66В
lниимп
120
j1ктзб8А 12.4 ,33
120
jlктзбsБ
:2.4 .33
120
КТЗ68А-5
14.28 , 33
120
КТЗ88БМ-2
АО «Элекс»
126
КТЗ89Б-2
АО «Элекс»
126
КТЗ91А-2
З-д «Пульсар»
126
КТ391Б-2
З-д «Пульсар»
1 126
КТЗ91В-2
З-д «Пульсар»
126
КТ392А-2
З-д ПО «Альфа»
126
КТ396А-2
АО «Светлана»
126
КТ512Ж9
IAO «Элекс»
1 130
1КТ512И9
iAO «Элекс»
1130,1
КТ512К9
АО «Элекс»
!130ti
КТ513А9
IAO «Элекс»
113011
КТ513Б9
АО «Элекс»
130
КТ51ЗВ9
АО «Элекс»
1 130
КТ51ЗГ9
АО «Элекс»
! 130
КТЗ68А-9
14,28,33
120
КТ396А-9
АО «Светлана»
126
КТ513Д9
АО «Элекс»
113011
КТЗ68Б-9
4,28,33
120
КТ397А-2
АО «Светлана»
126
КТ514А9
АО «Элекс»
130 1!
КТЗ68АМ
4,28, 33
120
КТ399А
АО «Светлана»
128
КТ514Б9
АО «Элекс»
130
КТЗ68БМ
4,28 ,33
120
КТЗ99АМ
АО «Светлана»
128
КТ514В9
АО «Элекс•
130
КТЗ68ВМ
14.28,33
120
КТ501А
ЗАО «Кремний»
128
КТ514Г9
АО •Элекс»
130 1
КТЗ69А
1З-д «Транзистор»
120
КТЗ69Б
1З-д «Транзистор»
120
КТ501Б
ЗАО «Кремний»
128
КТ501В
ЗАО «Кремний»
128
КТ514Д9
АО «Элекс•
!1301
i
.1
КТ515А9
АО «Элекс»
130 11
КТЗ69В
1 З-д «Транзистор» 1 120
КТ501Г
ЗАО «Кремний»
128
КТ515Б9
АО «Элекс•
130
КТЗ69Г
: З-д «Транзистор»
120
КТ501Д
ЗАО «Кремний»
128
КТ515В9
АО «Элекс»
1 130
1 КТЗ69А-1
1З-д «Транзистор» 1 120
КТЗ69Б-1
1З-д «Транзистор» 1 120
КТ501Е
ЗАО «Кремний»
128
КТ501Ж
ЗАО «Кремний»
128
КТ516А9
АО «Элекс»
130
КТ516Б9
АО «Элекс•
130
1 КТЗ69В-1
1З-д «Транзистор»
120
КТ501И
ЗАО «Кремний»
128
КТ516В9
АО «Элекс»
130
КТЗ69Г-1
З-д «Транзистор»
120
КТ501К
ЗАО «Кремний»
128
КТ517А
АО «Элекс»
130
КТЗ70А-1
З-д ПО «Альфа»
122
КТ501Л
ЗАО «Кремний»
128
КТ517Б
АО «Элекс»
130
КТЗ70Б-1
З-д ПО •Альфа»
122
КТ501М
ЗАО «Кремний»
128
КТ517В
АО «Элекс»
130
КТЗ70А-9
З-д ПО •Альфа»
122
КТ502А
4, 12 ,28,33
128
КТ517Г
АО «Элекс•
130
КТЗ70Б-9
1З-д ПО •Альфа»
122
КТ502Б
4, 12 ,28,33
128
КТ517Д
АО «Элекс»
1
130
1
КТЗ71А
1АО «Светлана»
122
КТ502В
4, 12 ,28,33
128
КТ517Е
АО «Элекс»
1 130
КТЗ71АМ
1АО «Светлана»
122
КТ502Г
4, 12 ,28,33
128
КТ517А-1
АО •Элекс•
1 132
КТ372А
1З-д «Пульсар»
122
КТ502Д
4, 12 ,28,33
128
КТ517Б-1
АО «Элекс»
132
КТ372Б
'З-д «Пульсар»
122
КТ502Е
4, 12 ,28,33
128
КТ517В-1
АО «Элекс•
132
КТ372В
З-д «Пульсар»
122
КТSОЗА
4, 12 ,28,33
128
КТ517Г-1
АО «Элекс•
132
КТ373А
АО «Элекс»
122
КТSОЗБ
4, 12 ,28,33
128
КТ517Д-1
АО «Элекс•
132
КТ373Б
АО «Элекс»
122
ктsозв
4, 12 ,28,33
128
КТ517Е-1
АО «Элекс»
132
КТ373В
АО «Элекс»
122
ктsозг
4, 12 ,28,33
128
КТ517А-9
АО «Элекс»
132
КТ373Г
АО «Элекс»
122
КТSОЗД
4, 12 ,28 ,33
128
КТ517Б-9
АО «Элекс»
132
КТ375А
взпп
122
КТSОЗЕ
4, 12 ,28,33
128
КТ517В-9
АО оЭлекс»
132
КТЗ75Б
взпп
122
КТ504А
12,33
128
КТ517Г-9
АО «Элекс»
132
КТ379А
АО «Элекс»
122
КТ504Б
12,33
128
КТ517Д-9
АО «Элекс»
1 132
1 КТЗ79Б
АО •Элекс»
122
1КТЗ79В
АО «Элекс»
122
КТ504В
12,33
128
КТ505А
ЗАО «Кремний»
128
КТ517Е-9
АО «Элекс»
132
КТ519А
З-д «Микрон»
132
КТЗ79Г
АО «Элекс»
122
КТ505Б
ЗАО «Кремний»
128
КТ519Б
З-д «Микрон»
132

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
i!
Тип
~ прибора
!КТ5198
1 КТ520А
КТ520Б
КТ521А
,__
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
~ КТ5238
~ КТ523Г
~ КТ523Д
~ КТ523А9
iiКТ52ЗБ9
liКТ52389
!IКТ52ЗГ9
КТ523Д9
КТ524А
КТ524А-5
КТ525А
КТ525д-5
llКТ526д
i КТ526А-5
!КТ528д9
j КТ528Б9
КТ52889
КТ528Г9
КТ528Д9
.КТ529д
КТ530д
КТ538д
КТ601А
1 КТ601АМ
КТ602А
КТ&О2Б
КТ6028
КТ602Г
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603д
КТ603Б
КТ6038
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ603И
КТ604д
КТ604Б
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605д
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606д
КТ606Б
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608д
i Изготовитель
i (см. стр. 31)
13-д «Микрон»
28.33
28.33
28.33
28,33
АО «Элекс»
АО «Элекс»
IAO «Элекс»
;до «Элекс»
АО «Элекс»
Стр.
132
132
132
132
132
132
132
1 132
1
132
132
iАО «Элекс»
132
АО «Элекс»
1 132
АО «Элекс»
1 132
АО «Элекс»
132
АО «Элекс»
132
3-д «Микрон»
132
3-д «Микрон»
132
3-д «Микрон»
134
3-д «Микрон»
134
3-д «Микрон»
134
3-д «Микрон»
134
IAO «Элекс»
1 134
IAO «Элекс»
1 134
АО «Элекс»
134
АО «Элекс»
134
АО «Элекс•
134
12, 33
134
12, 33
134
3-д «Транзистор»
134
1,7,36
136
11,7 ,36
136
1,7,36
1 136
i1, 7, 36
! 136
1,7,36
136
1,7,36
136
12, 36
136
12, 36
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
НПО «Планета»
136
1НПО «Планета»
136
1НПО «Планета»
136
17, 36
136
' 7,36
136
7, 36
136
7, 36
136
АО «ВОСХОД»
136
АО «ВОСХОД»
136
ПО «НИИЭТ»
138
ПО «НИИЭТ»
138
7,9
138
7,9
138
3-д «Транзистор»
138
3-д «Транзистор»
138
НПО «Планета»
138
Тип
Изготовитель !
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.
КТ608Б
НПО «Планета»
138
КТ610А
3-д «Транзистор»
138
КТ610Б
3-д «Транзистор»
138
КТ6102А
-
138
КТ6103д
-
138
КТ6104А
-
138
КТ6105д
-
138
КТ6107д
-
1 138
КТ6108д
1
-
1 138
КТ6109д
28,33
1
138
1
КТ6109Б
28,33
1 138
КТ61098
28,33
i 138
КТ6109Г
28,33
138
КТ6109Д
28,33
1 138
КТ611д
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611Б
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611В
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611Г
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611АМ
ПО «НИИЭТ»
140
КТ611БМ
ПО «НИИЭТ»
140
КТ6110А
28,33
140
КТ6110Б
28,33
140
КТ61108
28,33
140
КТ6110Г
28,33
140
КТ6110Д
28, 33.
140
КТ6111д
28,33
140
КТ6111Б
28,33
140
КТ6111В
28,33
140
КТ6111Г
28,33
140
КТ6112А
28,33
140
КТ6112Б
28,33
140
КТ6112В
28,33
140
КТ6113А
28,33
1 140
КТ6113Б
28,33
140
КТ6113В
28,33
140
КТ6113Г
28,33
140
КТ6113Д
28,33
140
КТ6113Е
28,33
140
КТ6114А
28,33
140
КТ6114Б
28,33
140
КТ61148
28,33
140
КТ6114Г
28,33
140
КТ6114Д
28,33
140
КТ6114Е
28,33
140
КТ6115д
28,33
140
КТ6115Б
28,33
140
КТ61158
28,33
140
КТ6115Г
28,33
140
КТ6115Д
28,33
140
КТ6115Е
28,33
140
КТ6116А
4,28 ,33
140
КТ6116Б
4,28 ,33
140
КТ6117А
4,28,33
142
КТ6117Б
4,28,33
142
КТ6127А
АО «Элекс»
142
КТ6127Б
АО «Элекс»
142
КТ6127В
АО «Элекс»
142
11
Тип
1 Изготовитель
t Стр.~
прибора 1 (см. стр. 31)
КТ6127Г
IAO «Элекс»
! 142
КТ6127Д
АО «Элекс»
1 142
КТ6127Е
АО «Элекс»
1 142
КТ6127Ж
АО «Элекс»
1 142
КТ6127И
АО «Элекс»
1 142
КТ6127К
АО «Элекс»
1 142
КТ6128А
128.33
1
142 1
1
КТ6128Б
j28.33
142 !i
1!
КТ6128В
:28,33
1
142
КТ6128Г
128.33
'
142 •:
КТ6128Д
!28.33
142 i!
КТ6128Е
128,33
1 142ii
КТ6129А-9
1НПО «Планета»
' 142
1
'
КТ6129Б-2
НПО «Планета»
142
КТ6130д-9
НПО «Планета»
142
КТ6131А
НПО «Планета»
142
КТ6132А
НПО «Планета»
144
КТ6133А
НПО «Планета»
144
КТ6133Б
НПО «Планета» 1 144
КТ6133В
1НПО «Планета» i 144 i!
КТ6134д
1НПО «Планета»
1
144 1
КТ6134Б
1НПО «Планета»
1 144
КТ61348
1НПО «Планета» ! 144
КТ6135д
iНПО «Планета» 1 144
КТ6135Б
НПО «Планета»
144
КТ6135В
НПО «Планета»
144
КТ6135Г
НПО «Планета»
144
КТ6135д9
НПО «Планета»
144
КТ6135Б9
НПО «Планета»
144
КТ613589
1НПО «Планета»
144
КТ6135Г9
1НПО «Планета» ! 144
КТ6135Д9
1НПО «Планета»
i 144
КТ6136А
128,33
:14411
КТ6137д
128,33
! 144
КТ6138д
IAO «Элекс»
144
КТ6138Б
IAO «Элекс»
1 144
КТ6138В
АО «Элекс»
144
КТ6138Г
АО «Элекс»
144
КТ6138Д
АО «Элекс»
144
КТG139д
АО «Элекс»
144
КТ6139Б
АО «Элекс»
144
КТ61398
IAO «Элекс»
11441
КТ6139Г
IAO «Элекс»
!144i
КТ6139Д
IAO «Элекс»
1 144
КТ6140А
3-д «Микрон»
1
144
КТ6141д9
1НПО «Планета»
146
КТ6141Б9
НПО «Планета»
146
КТ6142А
НПО «Планета»
146
КТ6142Б
НПО «Планета»
146
КТ6142А9
НПО «Планета»
146
КТ616д
3-д «Транзистор»
146
КТ616Б
3-д «Транзистор»
146
КТ617А
3-д «Транзистор»
146
КТ618А
В3ПП
146
КТ620А
-
146
КТ620Б
-
146
КТ624А-2
3-д «Транзистор»
146

12
Тип
1 Изготовитель
1 Стр.
i
прибора i (см. стр. 31)
КТ624АМ·2
1 З-д «Транзистор»
146
КТ625д
1З-д «Транзистор»
148
КТ625АМ
1З-д «Транзистор»
148
КТ625АМ-2
З-д «Транзистор»
148
КТ626д
ЗАО «Кремний»
148
КТ626Б
ЗАО «Кремний»
148
КТ626В
ЗАО «Кремний»
148
КТ626Г
ЗАО «Кремний»
148
1 КТ626Д
ЗАО «Кремний»
148
1КТ629А·2
АО «Элекс»
148
1 КТ629Б-2
АО «Элекс»
148
1 КТ629БМ·2
АО «Элекс»
148
1КТ630д
112. 33
148
1 КТ630Б
12, 33
1 148
1 КТ630В
12,33
148
КТ630Г
12,33
148
КТ630Д
12,33
148
КТ630Е
12, 33
148
КТбЗОА-5
12, 33
148
КТбЗОБ-5
l12. 33
148
КТбЗОВ-5
112.33
1 148
j КТбЗОГ-5
112. 33
1 148
1
1КТ632Б
IAO «Элекс»
1 148
КТ632Б-1
IAO «Элекс»
1
150
КТ632В-1
АО «ЭЛеКС»
150
1iКТ633д
З-д «Транзистор»
150
КТ633Б
З-д «Транзистор»
150
КТ634А-2
З-д «Транзистор»
150
КТ634Б-2
З-д «Транзистор»
150
КТ635д
28,33
150
КТ635Б
28,33
150
КТ637А-2
З-д «Транзистор»
150
КТ637Б-2
З-д «Транзистор»
150
КТ638А
АО «Элекс»
150
J КТ638д1
IAO «Элекс»
150
КТ639А
2, 12, 15
152
КТ639Б
2, 12, 15
1 152
КТ639В
2, 12, 15
152
1
КТ639Г
2, 12, 15
152
КТ639Д
2, 12, 15
152
КТ639Е
2, 12, 15
152
КТ639Ж
2, 12, 15
152
КТ639И
2, 12, 15
152
КТ639д-1
12.12,15
1
1 152
11 КТ639Б·1
12, 12, 15
152
~ КТ639В-1 i2.12.15
i 152
1
1 КТ639Г-1
2, 12, 15
152
КТ639Д-1
2, 12, 15
152
КТ639Е-1
2, 12, 15
152
КТ639Ж-1
2, 12, 15
152
КТ639И-1
2, 12, 15
152
КТ640А·2
З-д «Пульсар»
152
КТ640Б-2
З-д «Пульсар»
152
КТ640В-2
З-д «Пульсар»
152
КТ642А·2
З-д «Пульсар»
152
КТ642А·5
З-д «Пульсар»
152
КТ643А-2
З-д «Пульсар»
152
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Тип
Изготовитель
прибора
(см. стр. 31)
КТ644А
2, 12
КТ644Б
2, 12
КТ644В
2, 12
КТ644Г
2, 12
КТ645д
12,28 ,33
КТ645Б
12,28 ,33
КТ646д
12,28 , 33
КТ646Б
12,28 , 33
1
КТ646В
12,28 ,33
КТ647А-2
З-д «Пульсар»
КТ647А·5
З-д «Пульсар»
КТ648А·2
З-д «Пульсар»
КТ648А-5
З-д «Пульсар»
КТ653д
ЗАО «Кремний»
КТ653Б
ЗАО «Кремний»
КТ657А-2
З-д «Пульсар»
КТ657Б-2
З-д «Пульсар»
КТ657В-2
З-д «Пульсар»
КТ657д-5
З-д «Пульсар»
КТ657Б-5
З-д «Пульсар»
КТ657В-5
1З-д «Пульсар»
КТ659А
ПО «НИИЭТ»
КТ660д
28,33
КТ660Б
28,33
КТ661А
4,33
КТ662д
АО «Элекс»
КТ664А-9
12,28 ,33
КТ664Б-9
12,28 , 33
КТ665А·9
12,33
КТ665Б-9
12,33
КТ666А-9
ЗАО «Кремний»
КТ667д-9
ЗАО «Кремний»
КТ668д
З-д ПО «Альфа»
КТ668Б
З-д ПО «Альфа»
КТ668В
З-д ПО «Альфа»
КТ680д
АО «Элекс»
КТ681д
АО «Элекс»
КТ682А·2
З-д «Пульсар»
КТ682Б·2
З-д «Пульсар»
КТ682А-5
З-д «Пульсар»
КТ682Б-5
З-д «Пульсар»
КТ683д
ЗАО «Кремний»
КТ683Б
ЗАО «Кремний»
КТ683В
ЗАО «Кремний»
КТ683Г
ЗАО «Кремний»
КТ683Д
ЗАО «Кремний»
КТ683Е
ЗАО «Кремний»
КТ684д
З-д ПО «Альфа»
КТ684Б
З-д ПО «Альфа»
КТ684В
З-д ПО «Альфа»
КТ684Г
З-д ПО «Альфа»
КТ685д
З-д ПО «Альфа»
КТ685Б
З-д ПО «Альфа»
КТ685В
З-д ПО «Альфа»
КТ685Г
З-д ПО «Альфа»
КТ685Д
З-д ПО «Альфа»
КТ685Е
З-д ПО «Альфа»
Стр.
152
152
152
152
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
154
156
156
156
1
156
1
156
156
156
156
156
156
156
156
156
156
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
Тип
прибора
КТ685Ж
КТ686д
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
КТ692д
КТ695д
КТ698д
КТ698Б
КТ698В
КТ698Г
КТ698Д
КТ698Е
КТ698Ж
КТ698И
КТ698К
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ708д
КТ708Б
КТ708В
КТ709д
КТ709Б
КТ709В
КТ710А
КТ712А
КТ712Б
КТ715А
КТ716А
КТ716Б
КТ716В
КТ716Г
КТ719А
КТ720А
КТ721д
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728д
КТ729А
КТ729Б
КТ730д
КТ731А
КТ731Б
КТ731В
КТ731Г
КТ732А
КТ733А
КТ734А
КТ734Б
КТ734В
КТ734Г
КТ735д
1 Изготовитель
1 (см. стр. 31)
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
1 З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
З-д ПО «Альфа»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
!АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «Элекс»
АО «ЭЛеКС»
АО «Элекс»
:
~
! Cтp. lj
1 158
1 158
i 158
158
158
1 158
158
1 158
1160~
1 160
160
160
1 160
160 1
160
160
160
160
1 160
1 АО «Электронприбор» 1 160 J
j АО «Электронприбор» 1 160 ii
!АО «Электронприбор» 1 160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
ЗАО «Кремний»
160
АО «ЭЛИЗ»
160
ЗАО «Кремний»
162
1 ЗАО «Кремний» ! 162
11,34
1 162
ЗАО «Кремний» ! 162
1ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний» 1 162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний»
162
ЗАО «Кремний» 1 162
З-д «Искра»
1 162
ЗАО «Кремний» 1 162
ЗАО «Кремний» , 162
ЗАО «Кремний»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д ПО «ФОТОН»
164
З-д «Транзистор»
164
З-д «Транзистор»
164
З-д «Микрон»
164
З-д «Микрон»
164
З-д «Микрон»
164
З-д «Микрон»
164 1
З-д «Микрон»
164

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
13
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
j КТ735Б
1З-д «Микрон»
164
i1кт1зsв
1З-д «Микрон»
164
КТ8107Г2
З-д «Искра»
170
КТ8107Д2
З-д «Искра»
170
КТ8127Б-1
1АО «Электронприбор» i 176
1
КТ8127В-1
АО «Электронприбор» i 176
КТ735Г
1з:д «Микрон»
164
КТ8107Е2
З-д «Искра»
170
КТ8129А
ЗАО «Кремний» i 176
!1КТ736А
128,40
164
: КТ736Б
i28,40
164
КТ8108А
АО сЭлектрон"прибор» 170
КТ8108Б
АО «Электронприбор» 170
КТ8130А
10, 12
! 176
КТ81ЗОБ
10, 12
1 176
1
КТ736В
128,40
164
КТ736Г
i28,40
164
КТ8108В
АО «Электронприбор» 170
КТ8108А-1
АО •Электронприбор» 170
КТ81ЗОВ
10, 12
1 176
1
КТ8131А
1ЗАО «Кремний» ' 176
1
КТ737А
З-д «Микрон»
164
КТ8108Б-1
АО «Электронприбор» 170
КТ8131Б
ЗАО «Кремний»
176
КТ737Б
З-д «Микрон»
164
КТ8108В-1
АО «Электронприбор» 170
КТ8131В
ЗАО «Кремний»
176
КТ737В
З-д «Микрон»
164
КТ8109А
10, 12
170
КТ8133А
ЗАО «Кремний»
176
КТ737Г
З-д «Микрон»
164
КТ8109Б
ЗАО «Кремний»
170
КТ81ЗЗБ
ЗАО «Кремний»
176
КТ738А
1 З-д «Транзистор» 1 164
КТ8110А
10, 12
170
КТ8134А
-
176
КТ739А
1 З-д «Транзистор» 1 166
КТ8110Б
10, 12
170
'
КТ8135А
-
1
176
1КТ740А
i7,З6
166
:iКТ740А1
f7,З6
1 166
КТ801А
!АО «Элекс»
166
КТ8110В
10, 12
i 170
КТ8111А9
1-
172
КТ8111Б9
-
172
КТ8136А
IAO «Элиз»
: 176
КТ8136А-1
iAO «ЭЛИЗ»
!176!
КТ8137А
iЗ-д «Искра»
1
176 1!
1
1 КТ801Б
iAO «Элекс»
1
166
1
КТ802А
: З-д «Искра»
: 166
КТ811189
1-
1 172
КТ8112А
10, 12
i 172
КТ8138А
1-
1
178 ~
КТ8138Б
-
!1781
1
КТ80ЗА
З-д «Искра»
166
КТ805А
7, 10
166
КТ811ЗА
З-д «Транзистор»
172
КТ811ЗБ
З-д «Транзистор»
172
КТ8138В
-
1 178
1
КТ8138Г
-
178
КТ805Б
7, 10
166
КТ811ЗВ
З-д «Транзистор»
172
КТ8138Д
-
178
КТ805АМ
7, 10, 12,28
166
КТ8114А
АО сЭлектронприбор» 172
КТ8138Е
-
178
КТ805БМ
7, 10, 12,28
166
КТ8114Б
АО «Электронприбор» 172
КТ8138Ж
-
178 11
КТ805ВМ
17, 10, 12,28
166
КТ8114В
АО «Электронприбор» 172
КТ8138И
1-
;178!i
КТ807А
1З-д «Искра»
166
1 КТ807Б
З-д «Искра»
166
!КТВО7АМ 1З-д «Искра»
i 168
· КТ807БМ
; З-д «Искра»
168
КТ8114Г
АО •Электронприбор» 172
КТ8115А
10,28
172
1
КТ8115Б
З-д «Транзистор»
172
КТ8115В
З-д «Транзистор»
172
КТ8140А
АО «ЭЛИЗ»
1 178
1
КТ8140А-1
IAO «Элиз»
i 178
КТ8141А
1 ЗАО «Кремний» i 178
1
1
КТ8141Б
ЗАО «Кремний» 1 178
1
КТ808А
1З-д «Искра»
1 168
КТ8116А
10,28
1 172
КТ8141В
ЗАО «Кремний»
178
КТ808А1
З-д «Искра»
168
КТ8116Б
З-д «Транзистор»
172
КТ8141Г
ЗАО «Кремний»
178
КТ808Б1
З-д «Искра»
168
КТ81168
З-д «Транзистор»
172
КТ814А
10, 12, 15,28,ЗЗ
178
КТ80881
З-д «Искра»
168
КТ8117А
З-д «Искра»
172
КТ814Б
10, 12, 15,28,ЗЗ
178
КТ808Г1
З-д «Искра»
168
КТВОВАЗ
1З-д «Искра»
168
КТ8117Б
З-д «Искра»
172
КТ8118А
З-д «Искра»
174
КТ814В
10, 12 , 15,28,ЗЗ
178
КТ814Г
10, 12 , 15,28.ЗЗ
178 11
КТ808БЗ
З-д «Искра»
168
КТ812А
10,З5
174
1
1
КТ8143А
10, 12,З4
178
КТ808АМ
1З-д «Искра»
168
КТ812Б
10,З5
174
КТ814ЗБ
10, 12,З4
178
~КТВОВБМ
i З-д «Искра»
168
КТ812В
10, З5
174
КТ814ЗВ
10, 12,З4
178
1
1
КТ808ВМ
: З-д «Искра»
1 168
КТ8120А
10,28
174
КТ814ЗГ
10, 12,З4
1
178
КТ808ГМ
!З-д «Искра»
168
КТ8121А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗД
10, 12,З4
1 178
КТ809А
1З-д «Искра»
1
168
1
КТ8121Б
З-д «Искра»
174
КТ814ЗЕ
110, 12,З4
1
178 1
1
КТ8101А
ЗАО «Кремний» 1 168
КТ8121А-1
З-д «Искра»
174
КТ814ЗЖ
10, 12,З4
1 178
КТ8101Б
ЗАО «Кремний»
168
КТ8121Б-1
З-д «Искра»
174
КТ81433 -
10, 12,З4
178
КТ8102А
ЗАО «Кремний»
168
КТ8121А-2
З-д «Искра»
174
КТ814ЗИ
10, 12,З4
178
КТ8102Б
ЗАО «Кремний»
168
КТ8121Б-2
З-д «Искра»
174
КТ814ЗК
10, 12,34
178
КТ8104А
ЗАО «Кремний»
168
КТ8123А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗЛ
10, 12,34
178
КТ8105А
ЗАО «Кремний»
170
КТ8124А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗМ
10, 12,34
i1781
КТ8106А
ЗАО «Кремний»
170
КТ8124Б
З-д «Искра»
174
КТ814ЗН
10, 12,34
11781
КТ8106Б
ЗАО «Кремний»
170
КТ81248
З-д «Искра»
174
КТ814ЗП
10, 12,34
11781
КТ8107А
1З-д «Искра»
! 170
КТ8125А
З-д «Искра»
174
КТ814ЗР
10, 12,34
'
178 1
1
· КТ8107Б
З-д «Искра»
170
КТ8125Б
З-д «Искра»
1 174
КТ814ЗС
10, 12,34
i 178
'КТ8107В
1 З-д «Искра»
170
КТ8125В
З-д «Искра»
174
КТ814ЗТ
10, 12,34
1
178
1
КТ8107Г
З-д «Искра»
170
КТ8126А1
10,28
174
КТ814ЗУ
10, 12, 34
1
178
КТ8107Д
З-д «Искра»
170
КТ8126Б1
10,28
174
КТ814ЗФ
10, 12,34
178
КТ8107Е
З-д «Искра»
170
КТ8127А
АО «Электронприбор» 174
КТ8144А
З-д «Искра»
178
КТ8107А2
З-д «Искра»
170
КТ8127Б
АО сЭлектронприбор» 174
КТ8144Б
З-д «Искра»
178
КТ8107Б2
З-д «Искра»
170
КТ81278
АО «Электронприбор» 174
КТ8145А
З-д «Искра»
i 178
КТ810782
З-д «Искра»
170
КТ8127А-1
АО •Электронприбор» 176
КТ8145Б
З-д «Искра»
'
178
:

14
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
1
Тип
1 Изготовитель Стр.
1
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1
Изготовитель
i Стр.
прибора
(см. стр. 31)
jlКТ8146А
З-д «Искра»
180
КТ8175А
-
184
КТ8205А
1З-д «Микрон»
i 190
1 КТ8146Б
З-д «Искра»
180
КТ8147А
1З-д «Искра»
1 180
КТ8175Б
-
184
КТ8175А·1
-
186
КТ8207А
З-д «Микрон»
190
КТ8209А
З-д «Микрон»
190
КТ8147Б
13-д «Искра»
180
КТ8175Б·1
-
186
КТ820А·1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8149А
3-д «Искра»
180
КТ8176А
З-д «Транзистор»
186
КТ820Б-1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8149А-1
З-д «Искра»
180
КТ8176Б
З-д «Транзистор»
186
КТ8208·1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8149А-2
З-д «Искра»
180
КТ81768
З-д •Транзистор»
186
КТ8212А
З-д «Транзистор»
192
КТ8150А
З-д «Искра»
180
КТ8177А
3-д «Транзистор»
186
КТ8212Б
·
З-д «Транзистор»
192
КТ8150А-1
З-д «Искра»
180
КТ8177Б
З-д «Транзистор»
186
КТ8212В
З-д «Транзистор» 1 192
КТ8150А·2
1З-д «Искра»
180
КТ8154А
З-д «Искра»
180
I КТ8154Б
1З-д «Искра»
180
КТ81778
3-д «Транзистор»
186
КТ817А
10, 12, 15,28
186
КТ817Б
10, 12, 15,28
186
КТ821ЗА
1З-д «Транзистор» 1 192 ~
КТ821ЗБ
1З-д «Транзистор» : 192
!i
КТ821ЗВ
З-д «Транзистор»
192
1 КТ8155А
1З-д «Искра»
180
1 КТ8155Б
З-д «Искра»
180
КТ8178
10, 12, 15,28
186
КТ817Г
10, 12, 15,28
186
КТ8214А
З-д «Транзистор»
192
КТ8214Б
З-д «Транзистор»
192
1 КТ8156А
1З-д «Транзистор»
182
КТ817Б·2
10, 12, 15,28
186
КТ8214В
З-д «Транзистор»
192
1 КТ8156Б
З-д «Транзистор»
182
КТ817Г·2
10, 12 , 15,28
186
КТ8215А
З-д «Транзистор»
192
КТ8157А
З-д «Искра»
182
КТ8181А
-
186
КТ8215Б
З-д «Транзистор»
192
КТ8157Б
З-д «Искра»
182
КТ8181Б
-
186
КТ82158
З-д «Транзистор»
192
КТ8158А
3-д «Транзистор»
182
КТ8182А
-
186
КТ8216А
ЗАО «Кремний»
192
КТ8158Б
3-д «Транзистор»
182
КТ8182Б
-
186
КТ8216Б
ЗАО «Кремний»
192
КТ81588
3-д «Транзистор»
182
КТ818ЗА
-
186
КТ8216В
1ЗАО «Кремний»
' 192
1
КТ8159А
З-д «Транзистор»
182
!1 КТ8159Б
1 З-д «Транзистор»
182
КТ818ЗБ
-
186
КТ818ЗА-1
-
186
КТ8216Г
1ЗАО «Кремний»
1192il
КТ8216А1
ЗАО «Кремний»
11921!
1 КТ81598
1 З-д «Транзистор»
182
КТ818ЗБ-1
-
186
КТ8216Б1
ЗАО «Кремний» 1 192 11
IКТ815А
112, 15, 28, 33
182
КТ818ЗА-2
-
186
КТ821681
ЗАО «Кремний»
192
'
КТ815Б
12, 15 ,28 ,33
182
КТ818ЗБ-2
-
186
КТ8216Г1
ЗАО «Кремний»
192
КТ8158
12, 15 ,28 ,33
182
КТ818А
10, 12 ,28
188
КТ8217А
ЗАО «Кремний»
194
КТ815Г
12, 15 ,28 ,33
182
КТ818Б
10, 12,28
188
КТ8217Б
ЗАО «Кремний»
194
КТ8163А
ЗАО «Кремний»
182
КТ8188
10, 12,28
188
КТ82178
ЗАО «Кремний»
194
КТ8164А
З-д «Транзистор»
182
КТ818Г
10, 12,28
188
КТ8217Г
ЗАО «Кремний»
194
КТ8164Б
З-д «Транзистор»
182
КТ818АМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ8217А1
ЗАО «Кремний»
194
КТ816А
12, 15 ,28 ,33
184
КТ816Б
112. 15, 28, 33
184
КТ8168
:12.15,28,33
184
КТ816Г
l12, 15, 28, 33
184
КТ818БМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ818ВМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ818ГМ
ЗАО «Кремний»
188
КТ818А·1
ЗАО «Кремний»
1
188
1
КТ8217Б1
ЗАО «Кремний» 1 194
КТ8217В1
ЗАО «Кремний» 1 194
1
1
КТ8217Г1
ЗАО «Кремний» '
194
КТ821А-1
ЗАО «Кремний»
194
КТ816А-2
l12, 15, 28, 33
184
КТ818Б·1
ЗАО «Кремний»
188
КТ821Б-1
ЗАО «Кремний»
194
КТ8165А
1ЗАО «Кремний»
184
КТ818В·1
ЗАО «Кремний»
188
КТ821В·1
ЗАО «Кремний»
194
КТ8165Б
ЗАО «Кремний»
184
КТ818Г-1
ЗАО «Кремний»
188
КТ8218А
ЗАО «Кремний»
194
КТ81658
ЗАО «Кремний»
184
КТ8196А
ЗАО «Кремний»
188
КТ8218Б
ЗАО «Кремний»
194
КТ8165Г
ЗАО «Кремний»
184
КТ8197А-2
7,36
188
КТ8218В
ЗАО «Кремний»
194
КТ8166А
ЗАО «Кремний»
184
КТ8197Б-2
7,36
188
КТ8218Г
ЗАО «Кремний»
194
КТ8166Б
ЗАО «Кремний»
184
КТ8197В-2
7,36
188
КТ8218А1
ЗАО «Кремний»
194
КТ81668
1ЗАО «Кремний»
184
КТ8199А
З-д «Микрон»
188
КТ8218Б1
ЗАО «Кремний»
194
КТ8166Г
1ЗАО «Кремний»
184
КТ819А
10, 12
190
КТ821881
1ЗАО «Кремний» ! 194
1 КТ8167А
1ЗАО «Кремний»
1 184
КТ8167Б
1ЗАО о Кремний»
184
КТ819Б
10, 12
190
КТ819В
l10. 12
190
КТ8218Г1
1ЗАО «Кремний»
1 194
КТ8219А
ЗАО «Кремний» 1 196
КТ8167В
1ЗАО «Кремний»
184
КТ819Г
10, 12
190
КТ8219Б
ЗАО «Кремний»
196
КТ8167Г
ЗАО «Кремний»
184
КТ819АМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219В
ЗАО «Кремний» 1 196
КТ8167Д
1ЗАО «Кремний»
184
КТ819БМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219Г
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168А
ЗАО «Кремний»
184
КТ819ВМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219А1
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168Б
ЗАО «Кремний»
184
КТ819ГМ
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219Б1
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168В
ЗАО «Кремний»
184
КТ819А-1
ЗАО «Кремний»
190
КТ821981
ЗАО «Кремний»
196
КТ8168Г
ЗАО «Кремний»
184
КТ8168Д
ЗАО «Кремний»
184
КТ8170А-1
З-д «Транзистор»
184
КТ819Б-1
ЗАО «Кремний»
190
КТ819В·1
ЗАО «Кремний»
190
КТ819Г·1
ЗАО «Кремний»
190
КТ8219Г1
ЗАО «Кремний»
196 1
КТ8220А
ЗАО «Кремний»
196
1
КТ8220Б
ЗАО «Кремний»
1 196
КТ8170Б-1
1З-д «Транзистор»
184
КТ8171А
ЗАО «Кремний»
184
КТ8201А
З-д «Микрон»
190
КТ8203А
З-д «Микрон»
190
КТ82208
ЗАО «Кремний» ! 196
1
КТ8220Г
ЗАО «Кремний» i 196

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
15
~ Тип
1 Изготовитель
! прибора ! (см. стр. 31) Стр.
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
i Изготовитель ! Стр.11
прибора i (см. стр. 31)
~ КТ8221А 1ЗАО «Кремний»
196
КТ8241Д5
АО оЭлекс»
202
КТ836А
1
208
'КТ8221Б
ЗАО «Кремний»
196
КТ8241Е5
АО «Элекс»
202
КТ836Б
i
i 208
~ КТ8221В
1ЗАО «Кремний»
196
КТ8241Ж5
АО «Элекс»
202
КТ836В
1
1 208
11 КТ8221Г
1ЗАО «Кремний»
1 196
КТ8242А5
АО «Элекс»
202
КТ837А
7, 10, 12,28
208
iКТ8224А
З·д «Транзистор»
196
КТ8242Б5
АО «Элекс»
202
КТ837Б
7, 10, 12,28
208
КТ8224Б
1З-д «Транзистор»
196
КТ8242В5
АО оЭлекс»
202
КТ837В
7, 10, 12,28
208
КТ8225А
1З-д «Транзистор»
198
КТ8243А5
АО «Элекс»
202
КТ837Г
7, 10, 12,28
208
КТ8228А
З-д «Транзистор»
198
КТ8243Б5
АО «Элекс»
202
КТ837Д
7, 10, 12,28
208
КТ8228Б
З-д «Транзистор»
198
КТ8243В5
АО «Элекс»
202
КТ837Е
7, 10, 12,28
208
КТ8229А
iЗ-д «Транзистор» 198
КТ8244А5
АО «Элекс»
202
КТ837Ж
11. 10, 12, 28
120811
11КТВ22А-1
1ЗАО «Кремний»
198
КТ8244Б5
АО «ЭЛеКС»
202
IКТВ37И
17. 10, 12, 28
i208 1
~ КТ822Б-1
: ЗАО «Кремний»
198
КТ8244В5
АО «Элекс»
1 202
КТ837К
17. 10, 12, 28
1 208
1
11КТ822В-1
! ЗАО «Кремний»
198
1
iКТ823А-1
; ЗАО «Кремний»
198
КТ8244Г5
АО «Элекс»
202
КТ8245А5
АО «Элекс»
202 1
1 КТ837Л
7, 10, 12,28
208 1
КТ837М
17, 10, 12, 28
1 208
КТ823Б-1
1ЗАО «Кремний»
198
КТ8245Б5
АО «Элекс»
202
КТ837Н
7, 10, 12,28
208
КТ823В-1
1ЗАО «Кремний»
198
КТ8245В5
АО «Элекс»
202
КТ837П
7, 10, 12,28
1 208
КТ825Г
ЗАО «Кремний»
198
КТ8245Г5
АО «Элекс»
202
КТ837Р
7, 10, 12,28
208
КТ825Д
ЗАО «Кремний»
198
КТ8246А
7,З6
202
КТ837С
7, 10, 12,28
208
КТ825Е
ЗАО «Кремний»
198
КТ8246Б
7,З6
202
КТ837Т
7, 10, 12,28
208
КТ826А
АО«ЭЛИЗ»
198
КТ8246В
7,З6
202
КТ837У
7, 10, 12,28
208
КТ826Б
IAO «ЭЛИЗ»
198
КТ8246Г
7,З6
202
КТ837Ф
17. 10, 12, 28
1 208
1
11КТВ26В
iAO «Элиз•
1 198
JIКТ827А
!12, З5
1 198
~ктв21Б
:12.З5
198
:iктв21в : 12, З5
198
i1КТВ28А
IAO «Элиз»
198
! КТ828Б
IAO «ЭЛИЗ»
198
~
I КТ828В
АО «ЭЛИЗ»
198
КТ8247А
З-д «Транзистор»
204
КТ8248А1
З-д «Транзистор» 1 204
КТ8250А
взпп
1 204
КТ8250Б
взпп
204
КТ8251А
-
1 204
КТ8254А
ЗАО «Кремний»
1 204
КТ8255А
З-д «Транзистор»
204
1КТВЗВА
1АО «Эnектронприбор» i 208 i
КТВЗВБ
1АО «Эnектронприбор» 208 i
1 КТ839А
1АО «ЭnектронприбОР» j 208 11
1 КТ840А
110. 12
120811
КТ840Б
110. 12
: 208
1
КТ840В
1ЗАО «Кремний»
1 208
КТ841А
10, 12
210
1
КТ828Г
АО «ЭЛИЗ»
198
КТ8261А
З-д «Транзистор»
206
КТ841Б
10, 12
210
КТ829А
10, 12,З5
198
КТ8270А
З-д «Транзистор»
206
КТ841В
10, 12
210
КТ829Б
10, 12,З5
198
КТ8271А
З-д «Транзистор»
206
КТ841Г
ЗАО «Кремний»
210
КТ829В
10, 12,З5
198
КТ8271Б
З-д «Транзистор»
206
КТ841Д
ЗАО «Кремний»
210 1
КТ829Г
l10. 12, З5
198
КТ8271В
З-д «Транзистор»
206
1
КТ841Е
'ЗАО «Кремний» i 210 '!
КТ8230А
1З-д «Транзистор»
200
КТ8272А
З-д «Транзистор»
206
КТ842А
ЗАО «Кремний» 1
!
210
КТ8231А
!ЗАО «Кремний»
200
КТ8272Б
З-д «Транзистор»
206
КТ842Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ8231А1
1ЗАО «Кремний»
200
КТ8272В
З-д «Транзистор»
206
КТ842В
ЗАО «Кремний»
210
КТ8231А2
: ЗАО «Кремний»
200
КТ8232А1
l7,З6
200
КТ8232Б1
7,З6
200
КТ829А
10, 12,З5
206
КТ829Б
10, 12,З5
206 1
КТ829В
10, 12,З5
206
1 КТ844А
АО «Эnектронприбор» 1 210
1 КТ845А
АО «Эnектронприбор» 210
КТ846А
10,З4
210
КТ8233А5
АО «Элекс»
200
КТ829Г
10, 12,З5
206
КТ846Б
10,З4
210
КТ8233Б5
АО «Элекс»
200
КТ829АТ
ЗАО «Кремний»
206
КТ846В
10,З4
210
КТ8233В5
АО «Элекс»
200
КТ829АП
ЗАО «Кремний»
206
КТ847А
АО «ЭЛИЗ»
210
КТ8234А5
IAO «Элекс»
202
КТ829АМ
ЗАО «Кремний»
206
КТ847Б
АО «ЭЛИЗ»
210
1
КТ8234Б5
АО «Элекс»
202
КТ8290А
З-д «Транзистор»
206
КТ848А
АО «Эnектронприбор» i 210 1
КТ8234В5
IAO «Элекс»
202
КТВЗОА
ЗАО «Кремний»
206
КТ848Б
АО «Эnектронприбор» 1 210
КТ8235А
IAO «Элекс»
202
КТВЗОБ
ЗАО «Кремний»
206
КТ850А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240А5
IAO «Элекс»
202
ктвзов
ЗАО «Кремний»
206
КТ850Б
ЗАО «Кремний» 1 210
КТ8240Б5
IAO «Элекс»
1 202
ктвзог
ЗАО «Кремний»
206
КТ850В
ЗАО «Кремний» 1 210
КТ8240В5
АО «Элекс»
202
КТ831А
ЗАО «Кремний»
206
КТ851А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Г5
!АО «Элекс»
202
КТ831Б
ЗАО «Кремний»
208
КТ851Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Д5
АО «Элекс»
202
КТ831В
ЗАО «Кремний»
208
КТ851В
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Е5
АО «Элекс»
202
КТ831Г
ЗАО «Кремний»
208
КТ852А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8240Ж5
АО «Элекс»
202
КТ834А
АО «Эnектронприбор» 208
КТ852Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241А5
АО «Элекс»
202
КТ834Б
АО «Эnектронприбор» 208
КТ852В
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241Б5
АО «Элекс»
202
КТ834В
АО «Эпектронприбор» 208
КТ852Г
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241В5
АО «Элекс»
202
КТ835А
ПО «НИИЭТ»
208
КТ853А
ЗАО «Кремний»
210
КТ8241Г5
АО «Элекс»
202
КТ835Б
ПО «НИИЭТ»
208
КТ853Б
ЗАО «Кремний»
210

16
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
11
Тип
1
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
•
1!
Тип
Изготовитель
1 Стр.1!
прибора
(см. стр. 31)
1КТ853В
ЗАО «Кремний»
210
1
КТ85ЗГ
1ЗАО «Кремний»
210
КТ897Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ898А
ЗАО «Кремний»
216
КТ9134А
1 З-д «Пульсар»
' 226
'
КТ9134Б
1 З-д «Пульсар»
226
КТ854А
10, 12
210
КТ898Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ9136АС
ПО «НИИЭТ»
226
КТ854Б
10, 12
210
КТ898А·1
ЗАО «Кремний»
218
КТ914А
АО «Элекс»
226
КТ855А
ЗАО «Кремний»
210
КТ898Б-1
ЗАО «Кремний»
218
КТ9141А
З-д «Пульсар»
226
КТ855Б
ЗАО «Кремний»
210
КТ899А
З-д «Искра»
218
КТ9141А-1
З-д «Пульсар»
226
КТ855В
ЗАО «Кремний»
210
КТ902А
ВЗПП
218
КТ9142А
ПО «НИИЭТ»
226
КТ856А
З-д «Искра»
210
КТ902АМ
взпп
218
КТ914ЗА
НПО «Планета»
226
КТ856Б
З-д «Искра»
210
КТ90ЗА
взпп
218
КТ914ЗБ
НПО «Планета»
226
КТ856А·1
1 З-д «Искра»
212
КТ90ЗБ
взпп
218
КТ914ЗВ
НПО «Планета» 1 226
КТ856Б·1
З-д «Искра»
212
КТ904А
ВЗПП
218
КТ9144А·5
ЗАО «Кремний» 1 228
КТ857А
110, 12
212
1 КТ858А
110. 12. 34
.
212
1КТ859А
10, 12, 34
212
КТ904Б
взпп
218
КТ907А
ПО «НИИЭТ»
218
КТ907Б
ПО «НИИЭТ»
218
КТ9145А-5
ЗАО «Кремний» ! 228 1
КТ9144А-9
ЗАО «Кремний» 1 228
КТ9145А-9
ЗАО «Кремний» 1 228
КТ862Б
З-д «Пульсар»
212
КТ908А
АО «ЭЛИЗ»
218
КТ9146А
З-д «Пульсар»
228
КТ862В
З-д «Пульсар»
212
КТ908Б
АО «Элиз»
218
КТ9146Б
З-д «Пульсар»
228
КТ862Г
З-д «Пульсар»
212
КТ909А
7,36
220
КТ9146В
З-д «Пульсар»
228
КТ86ЗА
ЗАО «Кремний»
212
КТ909Б
7,36
220
КТ9147АС
ПО «НИИЭТ»
228
КТ86ЗБ
ЗАО «Кремний»
212
КТ909В
7,36
220
КТ9150А
ПО «НИИЭТ»
228
КТ86ЗВ
ЗАО «Кремний»
212
КТ909Г
7,36
220
КТ9151А
ПО «НИИЭТ»
228
КТ864А
ЗАО «Кремний»
212
КТ9101АС
7,36
220
КТ9152А
ПО «НИИЭТ»
228
КТ865А
ЗАО «Кремний»
212
I КТ866А
1З-д «Пульсар»
212
КТ9104А
7,36
220
КТ9104Б
7,36
220
КТ915ЗАС
ПО «НИИЭТ»
1230 1
1'
КТ915ЗБС
ПО «НИИЭТ»
1 230
1КТ866Б
1 З-д «Пульсар»
212
КТ9105АС
7,36
220
КТ9155А
ПО «НИИЭТ»
230
КТ867А
10, 12
212
КТ9106АС-2
НПП «Пульсар»
220
КТ9155Б
ПО «НИИЭТ»
230
КТ868А
З-д «Искра»
214
КТ9106БС-2 НПП «Пульсар»
220
КТ9155В
ПО «НИИЭТ»
230
КТ868Б
З-д «Искра»
214
КТ9109А
7,36
220
КТ9156АС
ПО «НИИЭТ»
230
КТ872А
28,34
214
КТ9111А
З-д «Пульсар»
220
КТ9156БС
ПО «НИИЭТ»
230
КТ872Б
З-д «Транзистор» 214
КТ9115А
ЗАО «Кремний»
222
КТ9157А
ЗАО «Кремний»
230
КТ872В
3-д «Транзистор»
214
КТ9115Б
ЗАО «Кремний»
222
КТ9160А
З-д «Пульсар»
230
КТ874А
З-д «Пульсар»
214
КТ9116А
ПО «НИИЭТ»
222
КТ9160Б
З-д «Пульсар»
230
КТ874Б
З-д «Пульсар»
214
КТ9116Б
ПО «НИИЭТ»
222
КТ9160В
З-д «Пульсар»
230
КТ878А
З-д «Искра»
214
КТ911А
7,36
222
КТ9161АС
ПО «НИИЭТ»
232
1
КТ878Б
З-д «Искра»
214
КТ911Б
7,36
222
КТ9164А
3-д «Пульсар»
1 232
КТ878В
З-д «Искра»
214
КТ911В
7,36
222
КТ9166А
ЗАО «Кремний»
232
КТ879А
З-д «Искра»
214
КТ911Г
7,36
222
КТ916А
З-д «Транзистор» 232
КТ879Б
З-д «Искра»
214
КТ912А
З-д «Пульсар»
222
КТ916Б
З-д «Транзистор» 232
КТ885А
З-д «Пульсар»
214
КТ912Б
З-д «Пульсар»
222
КТ917ЗА
по .нииэт.
232
КТ885Б
З-д «Пульсар»
214
КТ9131А
З-д «Пульсар»
222
КТ9174А
ПО «НИИЭТ»
232
КТ886А·1
АО «Электронприбор» 214
КТ9132АС
ПО «НИИЭТ»
222
КТ9176А
З-д «Искра•
232
КТ886Б-1
АО •Электронnрибор» 214
КТ91ЗА
З-д «Транзистор»
222
КТ9177А
З-д «Искра»
232
КТ887А
ЗАО «Кремний»
214
КТ91ЗБ
З-д «Транзистор»
222
КТ9180А
ЗАО «Кремний»
234
КТ887Б
ЗАО «Кремний»
214
КТ913В
З-д «Транзистор»
222
КТ9180Б
ЗАО «Кремний» 1 234
КТ888А
ЗАО «Кремний»
216
КТ9120А
ЗАО «Кремний»
222
КТ9180В
ЗАО «Кремний»
234
КТ888Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ9121А
З-д «Пульсар»
224
КТ9180Г
ЗАО «Кремний»
234
КТ890А
АО «Элиз»
216
КТ9121Б
З-д «Пульсар»
224
КТ9181А
ЗАО «Кремний»
234
КТ890Б
АО «Элиз»
216
КТ9121В
З-д «Пульсар»
224
КТ9181Б
ЗАО «Кремний»
234
КТ890В
АО «Элиз»
216
КТ9121Г
З-д «Пульсар»
224
КТ9181В
ЗАО «Кремний»
234
КТ892А
3-д «Искра»
216
КТ9125АС
ПО «НИИЭТ»
224
КТ9181Г
ЗАО «Кремний»
234
КТ892Б
3-д «Искра»
216
КТ9126А
3-д «Пульсар»
224
КТ918А-2
З-д «Транзистор» 234
КТ892В
З-д «Искра»
216
КТ9127А
З-д «Пульсар»
224
КТ918Б-2
З-д «Транзистор»
234
КТ89ЗА
АО «ЭЛИЗ»
216
КТ9127Б
З-д «Пульсар»
224
КТ9182А
ПО «НИИЭТ»
234
КТ896А
ЗАО «Кремний»
216
КТ9128АС
ПО «НИИЭТ»
224
КТ9186А
ЗАО «Кремний»
234
КТ896Б
ЗАО «Кремний»
216
КТ91ЗОА
ЗАО «Кремний»
224
КТ9186Б
ЗАО «Кремний»
234
КТ897А
ЗАО «Кремний»
216
КТ91ЗЗА
7,36
224
КТ9186В
ЗАО «Кремний»
234

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Тип
прибора
' 1 КТ9186Г
::кт91ввд
ii КТ9189А-2
,1 КТ9189Б-2
! КТ9189В-2
1
11КТ919А
1 КТ919Б
КТ919В
1 КТ919Г
КТ9190А
11 КТ9190А-4
IJ КТ9192А-2
! КТ9192Б-2
1
llКТ9193А
J КТ919ЗБ
КТ919ЗА-4
КТ919ЗБ-4
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
ji КТ922А
i!КТ922Б
1! КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
1
i1КТ927Б
1 КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ928В
КТ929А
КТ9ЗОА
КТ9ЗОБ
1
!КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ9ЗЗА
КТ9ЗЗБ
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
2зак9
1 Изготовитель
(см. стр. 31)
: ЗАО «Кремний»
: ЗАО «Кремний»
17.36
1
17.36
17.36
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
7,36
17.36
17.36
17.36
17.36
!7.36
7,36
7,36
7,36
7,36
7,36
17.36
1З-д «Пульсар»
1З-д «Пульсар»
!7.36
17.36
17.36
7,36
7,36
7,36
.
7,36
7,36
17.36
АО «Элиз»
jAO «Элиз»
!З-д «Пульсар•
1З-д «Пульсар»
1 З-д «Пульсар»
28,33
28,33
28,33
7,36
17.36
17.36
7,36
З-д ниипп
З-д ниипп
З-д ниипп
З-дНИИПП
З-дНИИПП
7,36
7,36
7,36
J7,36
Стр.!
234
234
2З4
234
234
234
234 1
234
234
236
236
1 236
1 236
1 236
236
238
238
238
238
238
238
238
' 238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
238
i 238
238
1 238
238
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
240
1
Тип Изготовитель 1
1
Стр.!'
1
.
прибора
(см. стр. 31)
1--~-~l-----il--~--~~l---!-----i1
1 КТ934Д
!7, 36
240 1
1КТ935А
JАО «Элиз»
240
1
1 КТ936А
1 З-д «Пульсар»
1
240
КТ936Б
З-д «Пульсар»
1 242
КТ937А-2
З-д «Пульсар»
1 242
КТ937Б-2
З-д «Пульсар»
242
КТ938А-2
З-д «Транзистор»
242
КТ938Б-2
З-д «Транзистор»
242
КТ939А
З-д «Транзистор»
242
КТ939Б
З-д «Транзистор»
242
КТ940А
110. 12, 28, 33
242 1
КТ940Б
10, 12 ,28 ,33
242
1
КТ940В
110, 12, 28, 33
242
КТ940А1
10, 12 ,28 ,33
242 1
1 КТ940Б1
10, 12 ,28 ,33
1242 1
1
1 КТ940В1
10, 12 ,28 ,33
242
, КТ94 0А-5
10, 12 ,28 ,33
242
КТ940Б-5
10, 12 ,28 ,33
242
КТ940В-5
10, 12 ,28 ,33
242
КТ940А9
10, 12 ,28 ,33
1 242
КТ940Б9
10, 12 ,28 ,33
1 242
КТ942В
З-д «Пульсар»
244
КТ94ЗА
АО «ЭЛИЗ»
1 244
КТ94ЗБ
АО«ЭЛИЗ»
244
КТ94ЗВ
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ94ЗГ
АО «Элиз»
244
КТ94ЗД
АО «Элиз»
244
КТ944А
АО «Элиз»
244
КТ945А
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ945Б
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ945В
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ945Г
АО «Элиз»
244
КТ946А
З-д «Пульсар»
244
КТ947А
АО «ЭЛИЗ»
244
КТ948А
З-д «Пульсар»
244
КТ948Б
З-д «Пульсар»
244
КТ955А
АО «ЭЛИЗ»
246
КТ956А
АО «Элиз»
246
КТ957А
АО «Элиз»
246
КТ958А
7,36
1 246
КТ960А
7,36
246
КТ961А
10. 12 ,28 ,33
1
246
1
КТ961Б
10, 12,28,33
246
КТ961В
110, 12, 28, 33
246
КТ961Г
10, 12 ,28 ,33
246
КТ961А1
110, 12, 28, 33
246
КТ961Б1
10, 12 ,28 ,33
246
КТ961В1
10, 12 ,28 ,33
246
КТ962А
7,36
246
КТ962Б
7,36
246
КТ962В
7,36
246
КТ963А-2
З-д «Пульсар»
246
КТ96ЗБ-2
З-д «Пульсар»
1
246
17
Тип Изготовитель '
11
прибора (см. стр. 31) : Стр. 11
КТ96ЗА-5 iЗ-д «Пульсар» , 246 i!
f---КТ_9_6З_Б_-_s__~!-З_-д_«П_у_л_ь_с_аР_>_>----< -24_6_ __.i !
КТ965А
АО «Элиз»
248 'I
КТ966А
1АО «Элиз»
248 "
--- --- --< --- --- --- ----<1
КТ967А
КТ969А
КТ969А1
КТ969А-5
КТ970А
КТ971А
КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
КТ97ЗА
КТ973Б
КТ97ЗВ
КТ97ЗГ
КТ976А
КТ977А
КТ979А
IКТ980А
КТ980Б
1 КТ981А
КТ98ЗА
КТ98ЗБ
КТ98ЗВ
КТ984А
КТ984Б
КТ985АС
КТ986А
КТ986Б
КТ986В
КТ986Г
КТ991АС
1 КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
КТ996А-5
КТ996Б-5
КТ996В-5
КТ997А
КТ997Б
КТ997В
КТ999А
КТД8264А
КТД8264А5
КТД8275А
КТД8275Б
, КТД8275В
1 КТД8276А
КТД8276Б
КТД8276В
1 КТД8276Г
IAO «ЭЛИЗ•
10, 12,28
10, 12,28
10, 12,28
7,36
7,36
f28,33
128,33
28,33
28,33
128.33
128.33
28,33
28,33
7,36
З-д «Пульсар»
1З-д «Пульсар»
!З-д «Пульсар»
1
i З-д «Пульсар»
!АО «Элиз»
ПО «НИИЭТ»
IПО «НИИЭТ»
ПО «НИИЭТ»
7,36
7,36
7,36
З-д «Пульсар»
1 З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
7,36
З-д «Пульсар»
1 З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
З-д «Пульсар»
АО «Элиз»
iAo «Элиз•
IAO «ЭЛИЗ»
10,35
1АО «Орбита»
АО «Орбита»
ЗАО «Кремний»
, ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
ЗАО «Кремний»
1ЗАО «Кремний»
i24811
'
248
248
248
248
1
248 !
1
1
248 1:
1 248
1
248
1 248
1 250
!
1
i250i
250
250
1 250
--<
250 1:
1
250 11
250
250
250
1 250
1 250
!
250
252
252
252
! 252
.1
i 252
11
1 252
252
1
1 252
1
252 1
1
! 252
252
252
! 252
1
1 252
1
252
·1
' 252
11,,
11
1252 1
125411
1254 ~
' 254
1
254
254 1
254
1
254
1 254
1 254
'
254
1

18
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Кремниевые сборки
i1
Тип
1 Изготовитель 1 С
'и
прибора 1 (см. стр. 31) 1 тр.
I КТСЗОЗА-2 1З-д ПО«Альфа» ! 256
КТСЗ10ЗА
1З-д ПО«Альфа»
256
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КТСЗ94А-2
АО «Элекс»
258
КТСЗ94Б-2
АО «Элекс»
258
Тип
i Изготовитель i
1i
прибора 1 (см. стр. 31) i Стр. ·1
КТС631Б
1З-д «Транзистор» i 260
11
КТС631В
1 З-д «Транзистор» 260
КТСЗ10ЗБ
З-д ПО«Альфа»
256
КТС395А-1
АО «Элекс»
258
КТС631Г
З-д «Транзистор» 260
КТСЗ10ЗА1
З-д ПО«Альфа»
256
КТСЗ95Б-1
АО «Элекс»
1 258
КТ674АС
АО «Элекс»
260
КТСЗ10ЗБ1
З-д ПО«Альфа»
256
КТСЗ95А-2
АО «Элекс»
258
КТ677АС
АО «Элекс»
260
КТСЗ161АС
АО «Элекс»
256
КТСЗ95Б-2
АО «ЭЛеКС»
i 258
КТ678АС
IAO «Элекс»
262
КТСЗ174АС-2 АО «Элекс»
256
КТСЗ81Б
1-
256
КТС381В
:-
256
КТСЗ95В-2
АО «Элекс»
258
КТСЗ98А-1
АО «Светлана»
258
кtСЗ98Б-1
АО «Светлана»
258
КТ69ЗАС
1ЗАО «Кремний» 1 262
К1НТ251
7,З6
!262 1
К1НТ661А
IAO «Элекс»
1262 ~
КТСЗ81Г
1
256
i-
1
11 КТСЗ81Д
i-
1 256
11 КТСЗ81Е
1-
256
КТСЗ98А9
АО «Светлана»
260
КТС398Б9
АО «Светлана»
260
КТС61ЗА
З-д «Транзистор» 260
К129НТ1А-1 1-
'
262 ii
К129НТ1Б-1 '
262 11
1-
"
1
К129НТ1В-1 1-
1 262 "ii
11 КТСЗ9ЗА
1 З-д ПО«Альфа» 1 258
КТСЗ93Б
: З-д ПО«Альфа»
258
КТС39ЗА-1
З-д ПО«Альфа» 1 258
КТСЗ9ЗБ-1
З-д ПО«Альфа»
258
КТСЗ9ЗА-9
З-д ПО«Альфа»
258
КТСЗ9ЗБ-9
З-д ПО«Альфа»
258
КТС61ЗБ
1З-д «Транзистор» 260
КТС61ЗВ
З-д «Транзистор» 260
КТС61ЗГ
З-д «Транзистор» 260
КТС622А
взпп
260
КТС622Б
ВЗПП
260
КТС631А
З-д «Транзистор» 260
К129НТ1Г-1
i-
'
262 11
'
К129НТ1Д-1 1-
i262·1
К129НТ1Е·1
!2621
-
1
К129НТ1Ж-1 -
262
К129НТ1И-1
-
1
262
11
Германиевые транзисторы специального назначения
~ Тип
Изготовитель 1
'
1 Стр.
i прибора; (см. стр. 31)
1
Тип 1 Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Изготовитель
!'
Тип 1
iстр.1:
прибора
(см. стр. 31)
11 п101
1АО «Светлана»
1 264
1Т3110А-2 СКБ «Элькор»
266
ПЗВЗБ-2 -
! 268
1Т101А 1АО «Светлана»
1 264
1ТЗ1ЗА
З-д «Квазар»
1 266
ПЗВЗВ-2 -
1 268
1Т101Б 1АО «Светлана»
264
1ТЗ1ЗБ
З-д «Квазар»
266
1Т386А
З-д «Транзистор»
1 268
1Т102
АО «Светлана»
264
1Т31ЗВ
З-д «Квазар»
266
ПЗ87А·2 СКБ «Элькор»
i 268
1Т102А 1АО «Светлана»
264
1ТЗ20А
оТонди электроника»
266
ПЗ87Б-2 СКБ «Элькор»
268
1Т115А 1ЗАО «Кремний»
264
ПЗ20Б
«Тонди электроника»
266
1Т403А 1-
! 268
1Т115Б 1ЗАО «Кремний»
264
1Т320В
«Тонди электроника»
266
1Т40ЗБ -
1
268
1
J п11sв 1ЗАО «Кремний»
264
1ТЗ21А
СКБ «Элькор»
266
1Т403В 1-
' 268
j 1Т115Г ЗАО «Кремний»
264
1ТЗ21Б
СКБ «Элькор»
266
1Т40ЗГ 1-
' 268
l 1T116A 1ЗАО «Кремний»
264
1
1Т321В
СКБ «Элькор»
266
1Т40ЗД -
268
l П116Б 1.ЗАО «Кремний»
1 264
1ТЗ21Г
СКБ «Элькор»
1 266
1Т40ЗЕ -
: 268
~ 1Т116В 1ЗАО «Кремний»
1 264
1ТЗ21Д
СКБ «Элькор»
266
1Т40ЗЖ 1
1 268
1-
il 1Т116Г 1ЗАО «Кремний»
264
1ТЗ21Е 1СКБ «Элькор»
1 266
1Т40ЗИ -
i 268
1ТЗОЗ
;-
264
1ТЗ29А 1З-д ПО«Альфа»
1
266
1Т612А-4 СКБ «Элькор»
!2701
1ТЗОЗА -
264
ПЗОЗБ -
264
1Т329Б
З-д ПО«Альфа»
266
ПЗ29В
З-д ПО«Альфа»
266
1Т614А СКБ «Элькор»
270
1
1Т615
-
270 1
1ТЗОЗВ -
264
ПЗЗОА
З-д «Пульсар»
266
1Т702А
З-д ПО «ФОТОН»
270
1
пзозг
-
264
ПЗЗОБ
З-д «Пульсар»
266
1Т702Б З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗОЗД -
264
пззов
З-д «Пульсар»
266
1Т702В
З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗО5А 1НПО «Планета»
1 264
пззог
З-д «Пульсар»
266
1Т806А ЗАО «Кремний»
270
1ТЗО5Б 1НПО «Планета»
264
1ТЗЗ5А
«Тонди электроника»
266
1Т806Б 1ЗАО «Кремний»
270
пзоsв 1НПО «Планета»
264
1ТЗЗ5Б
«Тонди электроника»
266
1Т806В
ЗАО «Кремний»
270
:11тзовд : СКБ «Элькор»
1 264
1ТЗЗ5В
«Тонди электроника»
266
1Т81ЗА ЗАО «Кремний»
270
1ТЗО8Б 1СКБ «Элькор»
264
пзовв 1 СКБ «Элькор»
264
пззsг
«Тонди электроника»
266
1ТЗЗ5Д
«Тонди электроника»
266
1Т81ЗБ
ЗАО «Кремний»
270
1Т81ЗВ
ЗАО «Кремний»
270
пзовг
СКБ «Элькор»
264
1Т341А
З-д ПОаАльфа»
266
1Т901А З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗ11А
З-д «Квазар»
264
1Т341Б
З-д ПО«Альфа»
266
1Т901Б
З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗ11Б
З-д «Квазар»
264
1ТЗ41В
З-д поадльфа»
266
1Т905А
З-д ПО «ФОТОН»
270
1ТЗ11Г
З-д «Квазар»
264
1Т311Д
З-д «Квазар»
264
1ТЗ11К
З-д «Квазар»
264
1ТЗ11Л : З-д «Квазар»
264
1ТЗ62А
З-д «Квазар»
268
1ТЗ74А-6 З-д «Квазар»
268
1ТЗ76А
НПО «Планета»
268
ПЗВЗА-2 1-
1
268
1
1Т906А
З-д ПО «ФОТОН»
1 270
11
1Т910АД З-д ПО «ФОТОН»
! 270
11
1'
:1

.r'казатель транзисторов и предприятий-изготовителей
19
Кремниевые транзисторы специального назначения
!!
Тип
1 Изготовитель
Стр.
jl прибора 1 (см. стр. 31)
1
Тип
Изготовитель 1
11
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.1
Тип
1
Изготовитель 1
ii
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.11
'
.
:12Т104А
1З-д «Искра»
272
12Т104Б
!З-д «Искра»
272
'
il2T104B
!З-д «Искра»
272
1
i' 2Т104Г
l З-д «Искра»
1 272
2Т214Г-1
АО «Элекс»
274
2Т214Д-1
АО «Элекс»
274
2Т214Е-1
АО «Элекс»
274
2Т214А·5
АО «Элекс»
1 274
2ТЗ117А
i4.28
1
278
1
1
12ТЗ117Б 4,28
i278 1
·взпп
1
1
2ТЗ12А
278
1
2ТЗ12Б
ВЗПП
1 278
1
1 2Т117А
1З-д «Старт»
272
2Т214Б-5
АО «Элекс»
274
2ТЗ12В
взпп
278
2Т117Б
З-д «Старт»
272
2Т214В-5
АО «Элекс»
274
2ТЗ120А
АО «Светлана»
278
2Т117В
З-д «Старт»
272
2Т214Г-5
АО «Элекс»
274
2ТЗ121А-6
1НПО «Планета»
280
2Т117Г
З-д «Старт»
272
1.2Т117А-5 З-д «Старт»
272
i!2Т118А
1З-д «Пульсар»
272
: 2Т118Б
З-д «Пульсар»
272
1
112т11вв
1З-д «Пульсар»
272
1
i! 2Т118А-1
З-д «Пульсар»
1 272
1
2Т214Д-5
АО «Элекс»
274
2Т214Е-5
АО «Элекс»
274
2Т214А-9
АО «Элекс»
1 276
2Т214Б-9
!до «Элекс»
276
2Т214В-9
АО «Элекс»
276
2Т214Г-9
АО «Элекс»
276
12ТЗ12ЗА·2
З-д ПО «Альфа»
280
1
2ТЗ12ЗБ·2
1З-д ПО «Альфа»
280
i2ТЗ12ЗВ·2 1З-д ПО «Альфа»
280 ii
2ТЗ124А-2
!З-д «Пульсар»
12801
2ТЗ124Б-2
З-д «Пульсар»
1 280
2ТЗ124В-2
З-д «Пульсар»
1 280
112т11вБ-1
1З-д «Пульсар»
272
2Т214Д-9
АО «Элекс»
276
2ТЗ129А9
4,33
280
!i 2Т126А-1
1З-д «Старт»
272
2Т214Е-9
АО «Элекс»
276 1 2ТЗ129Б9
'4,33
12801
12Т126Б-1
: З-д «Старт»
272
2Т215А-1
АО «Элекс»
1 276
2ТЗ129В9
4,33
280
2Т126В-1
З-д «Старт»
272
2Т215Б-1
АО «Элекс»
276
2ТЗ129Г9
4,33
280
2Т126Г-1
З-д «Старт»
272
2Т215В-1
АО «Элекс»
276
2ТЗ129Д9
4,33
280
2Т127А-1
З-д «Старт»
272
2Т215Г-1
АО «Элекс»
276
2ТЗ1ЗА
4,32 ,33
280
2Т127Б-1
З-д «Старт»
272
2Т215Д·1
АО «Элекс»
276
2ТЗ13Б
4,32,ЗЗ
1 280
112т121в-1
1З-д «Старт»
1 272
12т121г-1
1З-д «Старт»
1 272
l12T201A
[АО «Светлана»
272
f!2Т201Б
1АО «Светлана»
1 272
1
li 2Т201В
1АО «Светлана»
272
2Т215Е-1
АО «Элекс»
276
12Т215А·5
АО «Элекс»
276
12Т215Б-5
АО «Элекс»
276
2Т215В-5
АО «Элекс»
276
2Т215Г·5
АО «Элекс»
276
2ТЗ1ЗОА·9
14.ЗЗ
1280 1
11
2ТЗ1ЗОБ·9
14.32. 33
' 280
11
1:
2ТЗ1ЗОВ-9
4,33
'280!
'
2ТЗ1ЗОГ-9
4,33
1 280
1
2ТЗ1ЗОД-9
14. 33
1 280
12т201г
1АО «Светлана»
272
12Т201Д
1АО «Светлана»
272
2Т202А-1
1ЗАО «Кремний»
274
2Т215Д-5
АО «Элекс»
1 276
2Т215Е-5
АО «Элекс»
276
2Т215А·9
!до «ЭЛеКС»
276
2ТЗ1ЗОЕ-9
4, 33
1
280
1
2ТЗ132А-2
1з-д «Пульсар»
1 280
2ТЗ132Б-2
З-д «Пульсар»
280 1
2Т202Б-1
ЗАО «Кремний»
274
2Т215Б-9
АО «Элекс»
276
2ТЗ132В-2
З-д «Пульсар»
280
2Т202В-1
ЗАО «Кремний»
274
2Т215В-9
АО «Элекс»
276
2ТЗ132Г-2
З-д «Пульсар»
280
2Т202Г-1
ЗАО «Кремний»
274
2Т215Г-9
АО «ЭЛеКС»
276
2ТЗ1ЗЗА
28, 33
1
280
1
12Т202Д-1
ЗАО «Кремний»
274
12Т20ЗА
IAO «Элекс»
274
2Т20ЗБ
4,33
274
2Т215Д-9
АО «Элекс»
276
2Т215Е-9
АО «Элекс»
1 276
2тзо1г
ВЗПП
276
2ТЗ1ЗЗА-2
28. 33
1282 i
2ТЗ134А-1
!АО «Элекс»
i282:i
!
1
2ТЗ135А·1
2,33
282
12т2озв
14,33
274
2ТЗО1Д
взпп
276
2ТЗ150Б2
2, 33
282
2Т20ЗГ
4,33
274
2ТЗО1Е
ВЗПП
276
2ТЗ152А
ЗАО «Кремний»
282
2Т203Д
IAO «Элекс»
274
2ТЗО1Ж
ВЗПП
276
2ТЗ152Б
1ЗАО «Кремний»
282
2Т205А-З
IAO «Элекс»
274
2ТЗ06А
7,26
276
2ТЗ152В
ЗАО «Кремний»
282
2Т205Б-З
АО «Элекс»
274
2ТЗ06Б
7,26
276
2ТЗ152Г
ЗАО «Кремний»
282
2Т208А
ЗАО «Кремний»
274
2ТЗО6В
7,26
276
2ТЗ152Д
ЗАО «Кремний»
282
2Т208Б
ЗАО «Кремний»
274
2ТЗ06Г
7,26
276
2ТЗ152Е
ЗАО «Кремний»
282
2Т208В
ЗАО «Кремний»
274
2ТЗ07А-1
взпп
276
2ТЗ154А-1
АО «Светлана»
282
2Т208Г
ЗАО «Кремний»
274
2Т307Б-1
взпп
276
2ТЗ156А-2
1АО «Светлана»
1282 1
2Т208Д
1ЗАО «Кремний»
274
2Т208Е
1ЗАО «Кремний»
274
2Т307В-1
взпп
276
2ТЗ07Г-1
взпп
276
2ТЗ158А-2
1З-д «Транзистор» : 284 1
2ТЗ16А
АО «Светлана»
128411
1
! 2Т208Ж
1ЗАО «Кремний»
274
1 2Т208И
'ЗАО «Кремний»
274 1
1 2т2овк
iЗАО «Кремний» 1 274
1
l 2Т208Л
1ЗАО «Кремний»
274
2Т208М
'ЗАО «Кремний»
274
2ТЗ101А·2
АО «Светлана»
276
1
2ТЗ106А-2
АО «Светлана»
278
2ТЗ108А
З-д ПО «Альфа»
278
2ТЗ108Б
З-д ПО «Альфа» 1 278
2ТЗ108В
З-д ПО «Альфа» ! 278
2ТЗ16Б
1АО «Светлана»
12841!
2ТЗ16В
iАО «Светлана» : 284 1!
l 2тз1&г
1АО «Светлана»
1284 1
1
2ТЗ16Д
1АО «Светлана• i 284
2ТЗ160А-2
1З-д «Транзистор» ' 284
2Т211А-1
АО «Элекс»
274
2ТЗ114А-6
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ162А
12,33
284
2Т211Б-1
АО «Элекс»
274
2ТЗ114Б-6
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ162А5
i2.зз
284
2Т211В-1
АО «Элекс»
274
2Т214А-1
АО «Элекс»
274
2Т214Б-1
АО «Элекс»
274
2Т214В-1
АО «Элекс»
274
2ТЗ114В-6
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ115А-2
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ115Б·2
З-д «Пульсар»
278
2ТЗ115А-6
З-д «Пульсар»
1 278
'
2ТЗ164А
1 з-д по «Альфа»
284
1
2ТЗ167А-7
1АО «Светлана» i 284
2ТЗ17А-1
IПРЗПП
1 284
l, 2ТЗ17Б-1
284 ~
IПРЗПП

20
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
ИзгоУовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
: 2ТЗ17В-1
IПРЗПП
284
2ТЗ55А
АО «Светлана»
288
2ТЗ99А
1АО «Светлана» i 296
'2ТЗ175А
АО «Элекс»
286
2ТЗ60А-1
З-д ПО «Альфа»
288
2Т504А
ЗАО «Кремний» 1 298
2ТЗ18А-1
ПРЗПП
286
2ТЗ60Б-1
З-д ПО «Альфа»
288
2Т504Б
ЗАО «Кремний» i 298 1'
1 2ТЗ18Б-1
ПРЗПП
286
2ТЗ60В-1
З-д ПО «Альфа»
288
2Т504А-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18В-1
ПРЗПП
286
2ТЗ6ЗА
З-д ПО «Альфа»
290
2Т504Б-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18Г-1
ПРЗПП
286
2ТЗ6ЗБ
З-д ПО «Альфа»
290
2Т505А
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18Д-1
ПРЗПП
286
2ТЗ64А-2
З-д ПО «Альфа»
290
2Т505Б
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18Е-1
ПРЗПП
286
2ТЗ64Б-2
З-д ПО «Альфа»
290
2Т505А-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ18В1-1
ПРЗПП
286
2ТЗ64В-2
З-д ПО «Альфа»
290
2Т506А
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ187А-9
НПО «Планета»
286
2ТЗ66А-1
ниимп
290
2Т506Б
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ187А-91
НПО «Планета»
286
2ТЗ66Б-1
ниимп
290
2Т506А-5
ЗАО «Кремний»
298
2ТЗ19А-1
1-
286
2ТЗ19Б-1
1-
286
2ТЗ66В-1
ниимп
290
2ТЗ66Б1-1
ниимп
1 290
2Т509А
1 ЗАО «Кремний»
298 11
2Т509А-5
ЗАО «Кремний» ! 298 1i
1
2ТЗ19В-1
1-
286
2ТЗ67А
-
290
2Т528А-9
АО «Элекс»
1
300
1
2ТЗ21А
13, 15,23
286
2ТЗ68А
АО «Светлана»
290
2Т528Б-9
АО «Элекс»
! 300
2ТЗ21Б
13, 15,23
286
2ТЗ21В
13, 15, 23
1 286
2ТЗ21Г
13, 15,23
286
2Т368Б
АО «Светлана»
290
2ТЗ68А-9
АО «Светлана»
290
2ТЗ68Б-9
АО «Светлана»
1 290
2Т528В-9
АО «Элекс»
300
1
2Т528Г-9
АО «Элекс»
300
2Т528Д-9
АО «Элекс»
300
2ТЗ21Д
13, 15,23
286
2ТЗ70А-1
З-д ПО «Альфа»
290
2Т602А
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ21Е
13, 15,23
286
2ТЗ70Б-1
З-д ПО «Альфа»
290
2Т602Б
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ24А-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ70А9
З-д ПО «Альфа»
292
2Т602АМ
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ24Б-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ70Б9
З-д ПО «Альфа»
292
2Т602БМ
З-д «АлИОТ»
300
2ТЗ24В-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ24Г-1
АО «Светлана»
286
2ТЗ71А
АО «Светлана»
292
2Т372А
З-д «Пульсар»
1 292
2Т60ЗА
НПО «Планета»
300
1
2Т60ЗБ
НПО «Планета»
300
2ТЗ24Д-1
АО «Светлана»
286
ll2T324E-1
1АО «Светлана»
286
: 2ТЗ25А
АО «Светлана»
286
1
12ТЗ25Б
1АО «Светлана»
286
2ТЗ72Б
З-д «Пульсар»
292
2ТЗ72В
З-д «Пульсар»
292
2ТЗ77А-2
З-д «Транзистор»
292
2ТЗ77Б-2
З-д «Транзистор»
292
2Т60ЗВ
НПО «Планета» 1 300 11
2Т60ЗГ
НПО «Планета» ' 300 1
1
1
2Т60ЗИ
НПО «Планета» 1 300
2Т606А
ПО «Знамя»
1 300
1
2ТЗ25В
1АО «Светлана»
286
2Т377В-2
З-д «Транзистор»
292
2Т607А-4
З-д «Транзистор» 300
2ТЗ26А
32,33
286
2ТЗ77А1-2
З-д «Транзистор»
292
2Т608А
ПО «Знамя»
300
2ТЗ26Б
4,33
286
2ТЗ77Б1-2
З-д «Транзистор»
292
2Т608Б
ПО «Знамя»
300
2ТЗЗ1А-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ77В1·2
3-д «Транзистор»
292
2Т610А
З-д •Транзистор»
302
2ТЗЗ1Б-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ78А-2
З-д «Транзистор»
292
2Т610Б
З-д «Транзистор»
302
2ТЗЗ1В-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ78Б-2
З-д «Транзистор»
292
2Т624А-2
З-д «Транзистор»
302
2ТЗЗ1Г-1
1СКБ «Элькор»
288
2Т378Б-2·1
З-д «Транзистор»
292
2Т624АМ-2
З-д «Транзистор» 302 1
12тзз1д-1
СКБ «Элькор»
288
2ТЗЗ2А-1
1-
288
2ТЗ78А1-2
З-д «Транзистор»
292
2ТЗ78Б1-2
З-д «Транзистор»
292
2Т625А-2
З-д «Транзистор» 1 302
11
2Т625Б-2
З-д «Транзистор» 1 302
'
12тзз2Б-1
1
288
1-
2ТЗ81А-1
СКБ «Элькор»
294
2Т625АМ-2
1З-д «Транзистор» 1 302
2ТЗЗ2В-1
1-
288
2ТЗ81Б-1
СКБ «Элькор»
294
2Т625БМ-2
З-д «Транзистор»
302
2ТЗ32Г-1
-
288
2ТЗ81В-1
СКБ «Элькор»
294
2Т629А-2
АО «Элекс»
1 302
2ТЗЗ2Д-1
-
288
2ТЗ81Г-1
СКБ «Элькор»
294
2Т629А-5
АО «Элекс»
302
2ТЗЗЗА-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ81Д-1
СКБ «Элькор»
294
2Т629АМ-2
32,33
302
2ТЗЗЗБ-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ82А
АО «Светлана»
294
2Т630А
ЗАО «Кремний»
304
2ТЗЗЗВ-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ82Б
АО «Светлана»
294
2Т6ЗОБ
ЗАО «Кремний»
304
2ТЗЗЗГ-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ84А-2
З-д с Транзистор»
294
2Т630А-5
ЗАО «Кремний»
304
2ТЗЗЗД-З
З-д «ЭКСИТОН»
288
2ТЗ84АМ-2
З-д «Транзистор»
294
2Т632А
АО «Элекс»
304
2ТЗЗЗЕ-З
З-д «Экситон»
288
2ТЗ85А-2
З-д «Транзистор»
294
2Т6ЗЗА
З-д «Транзистор» 1 304
2ТЗЗ6А
АО «Светлана»
288
2ТЗ85А-9
28,33
294
2Т634А-2
З-д «Транзистор» 1 304
2ТЗЗ6Б
IAO «Светлана»
288
2ТЗ85АМ-2
З-д «Транзистор»
294
2Т635А
З-д «Транзистор» 1 304
2ТЗЗ6В
АО «Светлана»
288
2ТЗ88А·2
32,33
294
2Т637А-2
З-д «Транзистор»
304
2ТЗЗ6Г
АО «Светлана»
288
2ТЗ88А-5
32,33
296
2Т638А
304
2ТЗЗ6Д
АО «Светлана»
288
2ТЗ88АМ-2
32,33
296
2Т640А·2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ36Е
АО «Светлана»
288
2ТЗ89А-2
АО «Элекс»
296
2Т640А1-2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ48А-З
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ91А-2
З-д «Пульсар»
296
2Т640А-6
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ48Б-З
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ91Б-2
З-д «Пульсар»
296
2Т640А-5
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ48В-З
СКБ «Элькор»
288
2ТЗ92А-2
З-д ПО «Альфа»
296
2Т642А-2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ54А-2
АО «Светлана»
288
2Т396А-2
АО «Светлана»
296
2Т642А1-2
З-д «Пульсар»
306
2ТЗ54Б-2
АО «Светлана»
288
2Т397А-2
АО «Светлана»
296
2Т642Б1-2
З-д «Пульсар»
306

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
21
Тип
Изготовитель
Стр.
1
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
1
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
IJ 2T642B1-2
1З-д «Пульсар»
306
2Т716В
ЗАО «Кремний»
1 314
2Т831В-1
1ЗАО «Кремний» ! 322 1
'
i
!' 2Т642Г1-2
З-д «Пульсар»
306
il2T642A-5
1 З-д «Пульсар»
306
i 2Т642А1·5 'З-д «Пульсар»
306
2Т716А-1
ЗАО «Кремний»
316
1
2Т716Б-1
ЗАО «Кремний»
316
2Т716В·1
ЗАО «Кремний»
316
12твз1г-1
1ЗАО «Кремний»
132211
"
12твз2д
1
322 1!
1-
11
2Т832Б
1-
i322 1
i
l 2T643A-2
1 З-д «Пульсар»
306
2Т643Б-2
1 З-д «Пульсар»
308
'
J 2T643A-5
1З-д оl1ульсар»
308
1
J 2T647A-2
З-д «Пульсар»
308
2Т718д
1З-д «Искра»
i 316
2Т718Б
З-д «Искра»
316
2Т803д
З-д «Искра»
1 316
2Т808д
З-д «Искра»
1
316
1
2Т834А
IAO «Элиз»
1 322
1
2Т834Б
iAo «Элиз»
1
322
1
2Т834В
iAO «ЭЛИЗ»
322
2Т836А
i ЗАО «Кремний»
322
2Т647А-5
З-д «Пульсар»
308
2Т808А·2
З-д «Искра»
1 316
2Т836Б
1ЗАО «Кремний»
322
2Т648А-2
З-д «Пульсар»
308
2Т648А-5
З-д «Пульсар»
308
2Т649А-2
З-д «Пульсар»
308
i 2T652A
: З-д «Транзистор» 1 308
1
i 2Т652А-2
1 З-д «Транзистор»
308
[ 2Т653д
i ЗАО «Кремний»
310
~2Т653Б 1ЗАО «Кремний»
310
~2Т657А-2 1З-д «Пульсар»
310
112Т657Б-2
1З-д «Пульсар»
1 310
1
il2T657B-2
! З-д «Пульсар»
1 310
i2Т658А-2 НПО «Планета»
310
12Т658Б·2 НПО «Планета»
310
2Т658В-2
НПО «Планета»
310
J 2T663A
IAO «Элекс»
310
12Т809А
З-д «Искра»
1 316
2Т812А
10,35
1 3111
l 2Т812Б
l10,35
1 316
!12тв1вд 1ЗАО «Кремний»
1 316
1
12тв1вБ
1ЗАО «Кремний»
1 316
l 2тв1вв
ЗАО «Кремний»
316
12тв1вд.2
ЗАО «Кремний» 1 318
12Т818Б-2
1ЗАО «Кремний»
318
1
1 2Т818В-2
ЗАО «Кремний» ! 318 11
J 2T819A
1ЗАО «Кремний»
1 318
1
1
2Т819Б
ЗАО «Кремний»
1318 1
2Т819В
ЗАО «Кремний» 1 318
2Т819А·2
ЗАО «Кремний»
318
2Т819Б-2
1ЗАО «Кремний»
1 318
2Т836В
1ЗАО «Кремний»
322
2Т836Г
1ЗАО «Кремний»
322
[2Т836А-5
1
1 ЗАО «Кремний»
' 322!'
1
1
12Т837А : З-д «Искра»
:
322 JI
2Т837Б
1З-д «Искра»
1322 1
2Т837В
1З-д «Искра»
13221
1
12твз1г
1 З-д «Искра»
1 322
!2Т837Д
1З-д «Искра»
1 322
l 2T837E
1 З-д «Юпитер»
322
12Т839д
iAO «Элиз»
i 322
2Т841А
[ЗАО «Кремний» 1 324
2Т841Б
1ЗАО «Кремний»
1 324
2Т841В
1ЗАО «Кремний»
1 324
2Т841А-1
1ЗАО «Кремний»
'
324
1
1!2Т663Б
IAO «Элекс»
1 310
1
1
12Т664А9-1 1ЗАО «Кремний»
1 310
1
~2Т664Б9-1 : ЗАО «Кремний»
1
310 1
!i 2Т665д9-1
1ЗАО «Кремний»
1 310
1
1
2Т819В-2
ЗАО «Кремний»
1318 1
2Т824А
ЗАО «Кремний»
131811
2Т824Б
ЗАО «Кремний» : 318 1
:
2Т824АМ
ЗАО «Кремний»
1 318
1
2Т841Б-1
1 ЗАО «Кремний»
324
l2T842A
: ЗАО «Кремний»
1 324
112Т842Б
: ЗАО «Кремний»
324
12тВ42д-1
!ЗАО «Кремний» i 324
1
!
~2Т665Б9-1 : ЗАО «Кремний»
1 310
2Т824БМ
1ЗАО «Кремний»
1 318
2Т842Б-1
1ЗАО «Кремний»
1 324
0 2Т669д
: З-д «Транзистор»
1
310
1
2Т825А
ЗАО «Кремний»
318
2Т844А
IAO «Элиз»
1 324
2Т669д1
1З-д «Транзистор» ' 312
!
2Т825Б
ЗАО «Кремний» 1 318
2Т845А
IAO «ЭЛИЗ»
1 324
2Т671А-2
З-д «Пульсар»
312
2Т825В
ЗАО «Кремний»
318
2Т847А
АО «ЭЛИЗ»
324
2Т672А-2
З-д «Транзистор»
З12
2Т825А-2
ЗАО «Кремний» 1 318
2Т847Б
АО «Элиз»
324
2Т679А-2
32,З3
312
2Т825Б-2
ЗАО «Кремний»
318
2Т848А
10,35
З24
2Т679Б-2
АО «Элекс»
З12
2Т825В-2
ЗАО «Кремний»
318
2Т856А
З-д «Искра»
1 324
2Т679А-5
'АО «Элекс»
312
2Т825А-5
ЗАО «Кремний»
318
2Т856Б
1З-д «Искра»
1324 1
2Т679Б·5
АО«Элекс»
З12
2Т682А-2
3-д «Пульсар»
1 З12
2Т826А
АО «Элиз»
1 320
2Т826Б
АО «Элиз»
1 320
12Т856В
i З-д «Искра»
З24 ~
2Т856Г
1З-д «Искра»
1 326
2Т682Б-2
1 З-д «Пульсар»
312
2Т826В
АО «Элиз»
1 320
12Т860А
1ЗАО «Кремний»
1 326
'2Т687АС2
З-д «Пульсар»
312
2Т826А-5
АО «Элиз»
320
2Т860Б
1ЗАО «Кремний»
326
2Т687БС2
3-д «Пульсар»
312
2Т827А
АО «Элиз»
320
2Т860В
ЗАО «Кремний»
326
2Т688А2
З-д «Пульсар»
312
2Т827Б
АО «Элиз»
320
2Т861А
ЗАО «Кремний»
326
2Т688Б2
З-д «Пульсар»
312
2Т691А2
З-д «Пульсар»
314
2Т827В
АО «Элиз»
320
2Т827А-5
АО «Элиз»
320
12Т861Б
ЗАО «Кремний»
326
2Т861В
ЗАО «Кремний»
326
2Т693АС
ЗАО «Кремний»
314
2Т827А·2
АО «ЭЛИЗ»
320
2Т862А
З-д «Пульсар»
326
2Т704А
АО «Элиз»
314
2Т704Б
АО «Элиз»
314
2Т708д
ЗАО «Кремний»
314
2Т708Б
1ЗАО «Кремний»
314
2Т708В
1 ЗАО «Кремний»
314
12Т709А 1ЗАО «Кремний»
314
2Т709Б
ЗАО, «Кремний»
314
l2Т709В
1ЗАО «Кремний»
314
2Т827Б-2
АО «Элиз»
320
2Т827В·2
АО «Элиз»
320
2Т828д
АО «Элиз»
320
2Т828Б
АО «ЭЛИЗ»
320
1
2Т830А
ЗАО «Кремний»
320
2Т830Б
ЗАО «Кремний»
320
2Т830В
ЗАО «Кремний»
320
2Т830Г
1 ЗАО «Кремний»
1 320
2Т862Б
З-д «Пульсар»
326
1
2Т862В
З-д «Пульсар»
1 326
1З-д «Пульсар»
1
2Т862Г
13261
2Т866А
1З-д «Пульсар»
1 326
1
2Т867А
1З-д «Искра»
13261!
"
12Т874А
2Т874Б
З-д «Пульсар»
326
З-д «Пульсар»
326
ЗАО «Кремний»
328
2Т875А
2Т709А2
ЗАО «Кремний»
314
2Т830В-1
ЗАО «Кремний»
320
2Т875Б
ЗАО «Кремний»
328
2Т709Б2
ЗАО «Кремний»
314
2Т830Г-1
ЗАО «Кремний»
320
2Т875В
ЗАО «Кремний»
328
2Т709В2
ЗАО «Кремний»
314
2Т831А
ЗАО «Кремний»
322
2Т875Г
ЗАО «Кремний»
328
2Т713А
АО «Элиз»
314
2Т831Б
ЗАО «Кремний»
322
2Т876А
ЗАО «Кремний»
328
2Т716А
ЗАО «Кремний»
314
2Т831В
ЗАО «Кремний»
322
2Т876Б
ЗАО «Кремний»
328
2Т716Б
ЗАО «Кремний»
314
2Т831Г
ЗАО «Кремний»
322
2Т876В
ЗАО «Кремний»
328

22
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
112Т876Г
1ЗАО «Кремний»
328
1!2Т877А
1ЗАО «Кремний»
1 328
1
1
:12твпБ
1ЗАО «Кремний»
328
1
j 2Т877В
ЗАО «Кремний»
328
!l 2T878A
1З-д «Искра»
328
1
!'2Т878Б
1 З-д «Искра»
328
2Т878В
1 З-д «Искра»
328
2Т879А
З-д «Искра»
328
2Т879Б
З-д «Искра»
328
2Т880А
ЗАО «Кремний»
328
2Т880Б
ЗАО «Кремний»
328
2Т880В
1
ЗАО «Кремний» 1 328
112тввог
ЗАО «Кремний» 1 328
12Т880А-5 1ЗАО «Кремний»
1 328
1 2Т880Б-5
1 ЗАО «Кремний»
328 1
1
!2Т881А
1ЗАО «Кремний»
328 11
2Т881Б
1ЗАО «Кремний»
328
2Т881В
ЗАО «Кремний»
328
2Т881Г
ЗАО «Кремний»
328
2Т881А-5
ЗАО «Кремний»
328
2Т881Б-5
ЗАО «Кремний»
328
2Т882А
ЗАО «Кремний»
328
2Т882Б
1ЗАО «Кремний»
328
2Т882В
1ЗАО «Кремний»
328
2Т88ЗА
i ЗАО «Кремний»
330
12тввзБ
1ЗАО «Кремний»
1 330
1
12твв4д
1 ЗАО «Кремний»
1 330
l 2Т884Б
iЗАО «Кремний» 1 330
1
12Т885А 1З-д «Пульсар»
330
2Т885Б
З-д «Пульсар»
330
2Т886А
1ЗАО «Кремний»
330
2Т886Б
ЗАО «Кремний»
330
2Т887А
ЗАО «Кремний»
330
2Т887Б
1 ЗАО «Кремний»
330
2Т888А
1ЗАО «Кремний»
330
2Т888Б
1 ЗАО «Кремний»
330
2Т891А
i З-д «Пульсар»
330
2Т903А
взпп
330
2Т903Б
взпп
330
2Т904А
ПО «Знамя»
330
2Т907А
взпп
332
2Т908А
З-д «Искра»
332
2Т909А
взпп
332
2Т909Б
взпn
332
2Т~101АС
lвзпп
332
2Т9102А-2
1З-д «Пульсар»
332
2Т9102Б-2
1З-д «Пульсар»
332
2Т9103А-2
1З-д «Пульсар»
332
2Т9103Б-2
З-д «Пульсар»
332
2Т9104А
взпп
332
2Т9104Б
взпп
332
2Т9105АС
взпп
332
2Т9107А-2
З-д «Пульсар»
334
2Т9108А-2
З-д «Пульсар»
334
2Т9109А
взпп
334
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
11
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
2Т9110А-2
З-д «Пульсар»
334
2Т9110Б-2
! З-д «Пульсар»
334
12Т9111А
1З-д «Пульсар»
334
2Т9112А
iAo «Элиз»
1 334
1 2Т911ЗА
!АО «Элиз»
334
2Т9114А
З-д «Пульсар»
336
2Т9114Б
! З-д «Пульсар»
336
2Т911А
lвзпп
336
2Т911Б
взпп
336
2Т912А
13-д «Пульсар»
336
2Т912Б
3-д «Пульсар»
336
2Т912А-5
З-д «Пульсар»
336
2Т912Б-5
13-д «Пульсар»
336
2Т913А
3-д «Транзистор»
336
2Т91ЗБ
3-д «Транзистор»
336
2Т913В
13-д «Транзистор» 336
2Т9117А
1ЗАО «Кремний»
1 336
2Т9117Б
1ЗАО «Кремний»
336
2Т9117В
1 ЗАО «Кремний»
336
2Т9117Г
ЗАО «Кремний»
336
2Т9118А
3-д «Пульсар»
336
2Т9118Б
!3-д «Пульсар»
336
2Т9118В
!3-д «Пульсар»
336
1! 2Т9119А-2
1 338
2Т9121А
З-д «Пульсар»
1 338
12Т9121Б
13-д «Пульсар»
338
12Т9121В ·
З-д «Пульсар»
338
11
l12Т9121Г 1 З-д «Пульсар»
1
112Т9122А З-д «Пульсар»
338
2Т9122Б
З-д «Пульсар»
338
2Т9123А
АО оЭлиз»
338 1
2Т912ЗБ
АО «Элиз»
338 1
2Т9124А
З-д «Пульсар»
338
2Т9124Б
З-д «Пульсар»
338
2Т9125АС
взпп
338
2Т9126А
З-д «Пульсар»
340
2Т9127А
3-д «Пульсар»
340
2Т9127Б
З-д «Пульсар»
340
2Т9127В
З-д «Пульсар»
340
2Т9127Г
3-д «Пульсар»
340
2Т9127Д
З-д «Пульсар»
340
2Т9127Е
З-д «Пульсар»
340
2Т9127Ж
З-д «Пульсар»
340
2Т9127И
З-д «Пульсар»
340
2Т9127К
З-д «Пульсар»
340
2Т9128АС
ПО оНИИЭТ»
340
2Т9129А
З-д «Пульсар»
340
2Т9130А
ЗАО «Кремний»
340
2Т9131А
З-д «Пульсар»
340
2Т9132АС
ПО «НИИЭТ»
340
2Т9133А
3-д «Пульсар»
342
2Т9134А
З-д «Пульсар»
342
2Т9134Б
З-д «Пульсар»
342
2Т9135А-2
З-д «Пульсар»
342
2Т9137А
З-д «Пульсар»
342
Тип
Изготовитель
1 Стр.11
прибора
(см. стр. 31)
2Т9137Б
З-д «Пульсар»
~3421!
,12Т9138А
1
1!
IAO «Элиз»
1 342
'1
2Т9139А
lзп
1344 li
-д « ульсар»
1!
2Т9139Б
1 З-д «Пульсар»
344
2Т9139В
З-д «Пульсар»
1 344 i11
2Т9139Г
З-д «Пульсар»
344
1
2Т9140А
З-д «Пульсар»
344
2Т914А
АО «Элекс»
344 1
2Т9143А
НПО оПланета»
344 1
i
2Т9146А
З-д «Пульсар»
344 '!
2Т9146Б
З-д «Пульсар»
344
1
2Т9146В
З-д «Пульсар»
344
2Т9146Г
З-д «Пульсар»
1344 1
'
2Т9146Д
З-д «Пульсар»
344 1
1
,2Т9146Е
1 З-д «Пульсар»
! 344
1
2Т9146Ж
З-д «Пульсар»
! 344
1
1 2Т9146И
З-д «Пульсар»
i3441
2Т9146К
З-д «Пульсар»
344 1
2Т9147АС
ПО «НИИЭТ»
344 1!
2Т9149А
З-д «Пульсар»
=J~tJ
1 2Т9149Б
1З-д «Пульсар»
.
1
2Т9153АС
lпо .нииэт» 1 346 11
2Т9153БС
ПО «НИИЭТ»
:346i1
12Т9155А lпо «НИИЭТ» 1----~~-J
112Т9155Б 1по «НИИЭТ» ! 346 11
ll 2T9155B
1ПО «НИИЭТ»
!346!
12Т9156АС ПО «НИИЭТ» 1 346
1
346
1
1~ 2Т9156БС ПО «НИИЭТ»
346
346
346
12Т9158А
НПП «Пульсар»
2Т9158Б
НПП «Пульсар»
1: 2Т9159А
З-д «Пульсар»
346
348
12Т9159А5
З-д «Пульсар»
12Т916А
З-д «Транзистор»
2Т9161дС
по .нииэт»
1 348
2Т9162А
1 З-д «Пульсар»
1 348
2Т9162Б
З-д «Пульсар»
i 348
2Т9162В
З-д «Пульсар»
1 348
2Т9162Г
З-д «Пульсар»
348
2Т9164А
З-д .пульсар»
1 348
2Т9175А
ПО «НИИЭТ»
348
2Т9175Б
ПО «НИИЭТ»
348
2Т9175В
ПО «НИИЭТ»
348 ,
2Т9175А-4 ПО «НИИЭТ» 350 1
2Т9175Б-4
ПО «НИИЭТ»
350
3_т_9_1_1s_в_-,_4_ __,11-п_о_.н_и_и_э_т_»__-+1-з_5_о___,11[,
2Т9183А-5 IAO «Элекс»
1350 11
2Т9184А
1 З-д «Искра»
1350li
lf------+--------~----il
2Т9188А
1ПО «НИИЭТ»
13501
2Т9188А-4
350
2Т919А З-д «Пульсар» 352 1
2Т919Б
3-д •ПУ"~Р•
352
2Т919В
З-д «Пульсар»
352
2Т919А-2
З-д «Пульсар»
352
2Т919Б-2
З-д «Пульсар»
352
2Т919В-2
З-д «Пульсар» 1 352

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
23
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
2Т920А
IВ3ПП
352
2Т944А
3-д «Искра»
358
2Т975Б
13-д «Пульсар» ! 364 1
1
1
i 2Т920Б
IВ3ПП
1 352
1
!12Т920В
IВ3ПП
352
1
2Т945А
АО «ЭЛИЗ»
358
2Т945Б
АО «Элиз»
1 358
2Т976А
IВ3ПП
'
: 364 "11
2Т977А
13-д «Пульсар»
13641
112Т921А
i3-д «Пульсар»
352
2Т945В
АО «ЭЛИЗ»
358
2Т978д
3-д «Искра»
364
1
13-д «Пульсар»
i 2Т921А-4
352
1
2Т945А-5
АО «Элиз•
358
2Т978Б
3-д «Искра»
364
1· 2Т922А
jв3пп
352
2Т946А
22,35
358
2Т979А
3-д «Пульсар»
364
2Т922Б
В3ПП
352
2Т947А
3-д «Искра»
358
2Т980А
3-д «Пульсар»
364
2Т922В
В3ПП
352
2Т948А
3-д «Пульсар•
358
2Т980Б
3-д «Пульсар»
364
2Т925А
В3ПП
352
2Т948Б
3-д «Пульсар»
358
2Т981А
АО «Элиз»
366
2Т925Б
В3ПП
352
2Т949А
-
358
2Т982А-2
3-д «Пульсар•
366
2Т925В
В3ПП
352
2Т950д
3-д «Пульсар»
358
2Т982А-5
3-д «Пульсар•
366
2Т926А
IAO «ЭЛИЗ»
352
l 2T928A
13-д «Транзистор» 1 354 11
2Т950Б
3-д «Пульсар•
358
2Т951А
3-д «Пульсар»
360
12Т983А
lв3пп
i
366 1.
1
2Т983Б
lв3ПП
1 366
11
l2Т928Б
13-д «Транзистор» 354 1
2Т951Б
3-д «Пульсар»
360
2Т983В
В3ПП
1 366
1
1
2Т929А
!В3ПП
354
2Т951В
3-д «Пульсар»
360
2Т984А
В3ПП
366
2Т930А
IВ3ПП
354
2Т955д
АО «Элиз•
360
2Т984Б
В3ПП
366
2Т9ЗОБ
В3ПП
354
2Т956А
АО «Элиз•
360
2Т985АС
В3ПП
366
2Т931А
В3ПП
354
2Т957д
АО «ЭЛИЗ»
360
2Т986д
3-д «Пульсар»
366
2Т932А
3-д ниипп
354
2Т958А
В3ПП
360
2Т986Б
3-д «Пульсар»
366
2Т932Б
3-д ниипп
354
2Т960д
В3ПП
360
2Т986В
3-д «Пульсар»
366
2Т933А
3-д ниипп
354
2Т962А
В3ПП
360
2Т986Г
3-д «Пульсар»
366
2Т933Б
13-д ниипп
354
2Т934А
IВ3ПП
354
1
112Т934Б
lв3пп
354
~2Т934В 183ПП
1 354
2Т962Б
В3ПП
360
2Т962В
В3ПП
1 360
2Т963А-2
3-д «Пульсар»
1 360
2Т963Б-2
3-д «Пульсар»
1 360
2Т987д
3-д «Пульсар»
1 366
12Т988А 13-д «Пульсар»
1
368
,I
'
12Т988Б
13-д «Пульсар»
i 368
11
2Т989А
13-д «Пульсар» ' 368
i2Т935А :до «Элиз»
354
2Т963А-5
3-д «Пульсар»
i 362
2Т989Б
3-д «Пульсар»
1 368
12Т935А-5 IAO «Элиз»
356
2Т937А-2
13-д «Пульсар»
356
2Т937Б-2
3-д «Пульсар»
356
2Т964А
3-д «Пульсар»
362
2Т965А
В3ПП
362
2Т966А
В3ПП
362
2Т989В
3-д «Пульсар»
368
2Т989Г
3-д «Пульсар»
368
2Т990А-2
3-д «Пульсар»
368
2Т937А-5
13-д «Пульсар»
356
2Т967А
АО «Элиз•
362
2Т991АС
В3ПП
368
2Т938А-2
13-д «Транзистор• 356
2Т968А
3-д «Искра»
362
2Т993д
АО «Элиз»
368
2Т939А
3-д «Транзистор»
356
2Т968А-5
3-д «Искра»
362
2Т994А-2
3-д «Пульсар»
368
2Т939Б
13-д «Транзистор• 356
2Т970А
В3ПП
362
2Т994Б-2
3-д «Пульсар»
368
1
2Т939А1
13-д «Транзистор• 356
l 2T941A
IAO «Элекс»
356 1
1
1
!12Т942А
13-д «Пульсар»
356
l 2Т942Б
13-д «Пульсар»
356
2Т971А
В3ПП
364
2Т974А
3-д «Пульсар»
364
2Т974Б
3-д «Пульсар»
1 364
2Т974В
3-д «Пульсар»
1 364
2Т994В-2
3-д «Пульсар»
!368:1
i3-д «Пульсар»
.!
12Т995А-2
i 370 111
2Т996А-5
13-д «Пульсар»
1 370
1
1
l 2Т996Б-5
13-д «Пульсар»
370
2Т942А-5
/3-д «Пульсар»
356
2Т974Г
3-д «Пульсар»
364
2Т998А
370
2Т942Б-5
13-д «Пульсар»
356
2Т975д
3-д «Пульсар»
364
Кремниевые сборки специального назначения
11
Тип
Изготовитель
Стр.
1· прибора
(см. стр. 31)
1
i 2ТСЗОЗА-2 13-д ПО «Альфа»
372
Тип
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
2ТЗ155БС-1 АО «Светлана»
1 372
Тип
1 Изготовитель :
11
1с
1
прибора 1 (см. стр. 31) ; тр. 1'
'
1
2ТС61ЗБ
13-д «Транзистор» : 374 1:
;12тсз1озд i3-д ПО «Альфа»
372
2ТС393А-1
3-д ПО «Альфа»
! 372
2ТС622А
lв3пп
1
374 ::
1
:12тсз1озБ 13-д ПО «Альфа»
372
112ТСЗ111А-1 iНИИМП
1 372
:· 2ТС3111 Б-1 IНИИМП
1 372
2ТС393Б-1 3-д ПО «Альфа»
1 372
2ТС393А-9 13-д ПО «Альфа»
1
372
1
2ТСЗ9ЗБ-9 3-д ПО «Альфа»
i 372
2ТС622Б
IВ3ПП
13741,
1:
2ТС622Б-1 jВ3ПП
'
374
11
2Т670АС
13-д «Транзистор» 1 374
1
~2ТС3111В-1 ниимп
372
2ТСЗ111Г-1 ниимп
372
2ТСЗ98А-1 АО «Светлана»
372
2ТС398Б-1
АО «Светлана»
372
2ТС687АС-2 13-д «Пульсар»
i 376
2ТС687БС-2 13-д «Пульсар»
i 376
2ТСЗ111Д-1 ниимп
372
2ТСЗ98А-94 АО «Светлана»
374
2Т689АС
В3ПП
i 376
2ТС3136А-1 3-д ПО «Альфа»
372
2ТС398Б-94 АО «Светлана»
374
2ТС843А
АО «Плутон»
1 376
2ТЗ155АС-1 АО «Светлана»
372
2ТС61ЗА
3-д «Транзистор»
374
2ТС941А-2
АО «Элекс»
! 376

24
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Полевые транзисторы
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
АП320А-2
НПП «Пульсар»
392
l!АП320Б-2 1НПП «Пульсар»
'
392
1
НПП «Пульсар»
392
I АП324А-2
11АП324Б-2
1 НПП «Пульсар»
392
АПЗ24В-2
1НПП «Пульсар»
392
АПбОЗА-5
3-д «Пульсар»
398
АПбОЗБ-5
3-д «Пульсар»
398
АП604А-2
3-д «Пульсар»
398
АП604Б-2
3-д «Пульсар»
398
АП604В-2
3-д «Пульсар»
1 398
1
КП10ЗЕР1
ППО «Октябрь»
404
КП10ЗЖР1
1ППО «Октябрь»
14041
КП103ИР1
ППО «Октябрь»
404
КП103КР1
1ППО «Октябрь»
1 404
1
КП10ЗЛР1
ППО «Октябрь»
404
АП324Б-5
1НПП «Пульсар»
1 392
АП604Г-2
3-д «Пульсар»
398
КП10ЗМР1
ППО «Октябрь•
404
АПЗ25А-2
НПО «Планета»
392
АП604А1-2
НПО «Планета»
400
КП103Е9
18,33
404
АПЗ26А-2
НПО «Планета»
392
АП604Б1-2
3-д «Пульсар»
400
КП10ЗЖ9
18, 33
404
АП326Б-2
НПО «Планета»
392
АП604В1-2
3-д «Пульсар»
400
КП10ЗИ9
18,33
404
АП328А-2
НПО «Планета»
394
АП604Г1-2
3-д «Пульсар»
400
КП103К9
18,33
404
АПЗЗОА-2
НПО «Планета»
394
АП605А-2
3-д «Пульсар»
400
КП103Л9
18,33
404
АПЗЗОБ-2
НПО «Планета»
394
АПЗЗОВ-2
1НПО «Планета»
394
АП605А1-2
НПО «Планета»
400
АП605А2-2
НПО «Планета»
400
КП103М9
l18, 33
1 404
~
КП150
7,36
1 406
, АПЗЗОВ1-2
1НПО «Планета»
394
'
1 АПЗЗОВ2-2
1НПО «Планета»
1 394
АПЗЗОВЗ-2
i НПО «Планета»
394
АП606А-2
3-д «Пульсар»
400
АП606Б-2
3-д «Пульсар»
400
АП606В-2
3-д «Пульсар»
400
КП201Е-1
АО «ВОСХОД•
i4061
КП201Ж-1
АО «ВОСХОД»
i 406
КП201И-1
АО «ВОСХОД»
406
АП331А-2
1НПО «Планета»
394
АП606А-5
3-д «Пульсар»
400
КП201К-1
АО «Восход•
406 1
АП331А-5
НПО «Планета»
394
АП606Б-5
3-д «Пульсар»
400
КП201Л-1
АО «Восход»
406
АП339А-2
НПО «Планета»
394
АП606В-5
3-д «Пульсар»
400
КП202Д-1
АО «Восход»
406
АПЗ4ЗА-2
НПО «Планета»
394
АП607А-2
3-д «Пульсар»
400
КП202Е-1
АО «Восход•
406
АП343А1-2
НПО «Планета»
394
АП608А-2
3-д «Пульсар»
402
КП214А-9
3-д «Транзистор»
406
АП343А2-2
НПО «Планета»
394
АП608Б-2
3-д «Пульсар»
402
КП240
7,36
406
АП343АЗ-2
НПО «Планета»
394
АП608В-2
3-д ~<Пульсар»
402
КП250
7,36
406
1 АП344А-2
1НПО «Планета»
396
АП344А1-2
НПО «Планета»
396
АП608А-5
3-д «Пульсар»
402
АП608Д-5
3-д «Пульсар•
402
КПЗО1Б
ППО «Октябрь» 1 406
КПЗО1В
ППО «Октябрь»
406
11 АП344А2-2
1НПО «Планета»
396
IАПЗ44АЗ-2 ! НПО «Планета»
396
АП608Е-5
3-д «Пульсар»
402
АП915А-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗО1Г
ППО «Октябрь• ! 406
1
КПЗ02А
ППО «Октябрь»
1 406
1 АП344А4-2
1НПО «Планета•
396
АП354А-5
НПО «Сатурн»
396
АП915Б-2
3-д «Пульсар»
402
1
АП925А-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗО2Б
ППО «Октябрь»
1 406
КПЗ02В
ППО «Октябрь»
406
АП354Б-5
НПО «Сатурн»
396
АП925Б-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗО2Г
ППО «Октябрь»
406
АП354В-5
НПО «Сатурн•
396
АП925В-2
3-д «Пульсар»
402
КП302АМ
ППО «Октябрь•
408
АП355А-5
НПО «Сатурн»
396
АП930А-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗ02БМ
ППО «Октябрь»
408
АП355Б-5
НПО «Сатурн»
396
АП930Б-2
3-д «Пульсар»
402
КП302ВМ
ППО «Октябрь»
408
АП355В-5
НПО «Сатурн»
396
АП930В-2
3-д «Пульсар»
402
КП302ГМ
ППО «Октябрь»
408
АПЗ56А-5
НПО «Сатурн»
396
1 АП356Б-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП356В-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП967А-2
3-д «Пульсар»
402
АП967Б-2
3-д «Пульсар»
402
АП967В-2
3-д «Пульсар»
402
КПЗОЗА
31,33
! 408
1
КПЗОЗБ
31,33
' 408
'
1
кпзозв
131,33
1
408
1
1АП357А-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП967Г-2
3-д «Пульсар»
402
кпзозг
31,33
i4081
АП357Б-5
1 НПО «Сатурн»
396
АП967Д-2
3-д «Пульсар»
402
кпзозд
31, 33
1 408
АП357В-5
1НПО «Сатурн»
396
АП358А-5
НПО «Сатурн»
396
АП967Е-2
3-д «Пульсар»
402
АП967Ж-2
3-д «Пульсар»
402
1 КПЗОЗЕ
31,33
408
кпзозж
31,33
408
АП358Б-5
НПО «Сатурн»
396
КЕ702А
НПП «Пульсар»
404
кпзози
31,33
408
АП358В-5
НПО «Сатурн»
396
КЕ702Б
НПП «Пульсар»
404
КПЗОЗА9
31,33
408
АПЗ62А-9
НПО «Планета»
396
КЕ702В
НПП «Пульсар»
404
КПЗОЗБ9
31, 33
408
АП362Б-9
НПО «Планета.
396
КЕ707А
ОАО «Ангстрем»
404
КПЗОЗВ9
31,33
408
АП379А-9
НПО «Планета»
398
КЕ707Б
ОАО «Ангстрем»
404
КПЗОЗГ9
31,33
1 408
АП379Б-9
НПО «Планета»
398
КЕ707А2
ОАО «Ангстрем»
404
КПЗОЗД9
131,33
' 408
АП381А-5
НПП «Пульсар»
398
1 АП602А-2
1НПП «Пульсар»
398
!АП602Б-2 1НПП «Пульсар»
398
КЕ707Б2
ОАО «Ангстрем»
404
КП101Г
Тонди электроника 404
КП101Д
Тонди электроника 404
1 КПЗОЗЕ9
31,33
1 408
КПЗОЗЖ9
31,33
1408il
КПЗОЗИ9
31,33
1 408
АП602В-2
1 НПП «Пульсар»
398
КП101Е
Тонди электроника 404
КПЗО4А
АО «Светлана»
408 il
АП602Г-2
НПП «Пульсар»
398
КП103Е
18.33
404
КПЗО5Д
24,25
408 li
АП602Д-2
НПП «Пульсар»
398
КП103Ж
18,33
404
КП305Е
24,25
408
АПбОЗА-2
3-д «Пульсар»
398
КП103И
18,33
404
КП305Ж
24,25
408
АПбОЗБ-2
3-д «Пульсар»
398
КП10ЗК
18,33
404
КПЗО5И
24,25
408
АПбОЗА-1-2
3-д «Пульсар»
398
КП103Л
18,33
404
КПЗО6А
5, 18
408 1
АПбОЗБ-1-2
3-д «Пульсар»
398
КП10ЗМ
18, 33
404
КПЗО6Б
5, 18
408

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
25
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
КПЗОбВ
5. 18
408
КПЗ82А
3-д «Транзистор»
414
КП707Г1
17,36
1 422
КПЗ07д
128.31 .33
410
li КПЗО7Б
128.31 .33
1 410
1·
1
:1кпзо1в
:28,31 ,33
410
КПЗSЗА-9
АО «Светлана»
1 416
КП401АС
i-
1
416
КП401БС
1-
416
17,36
: 422
,1
КП707Д1
!1
1
1 КП707Е1
17,36
422 "1·
11
КП707А2
17,36
422 11
ii КПЗ07Г
128.31.33
1 410
КП402А
АО «Светлана»
416
КП707В2
17, 36
i 422
1'"'""
1
28,31 ,33
410
КПЗО7Е
28,31 ,33
410
КПЗ07Ж
28,31 ,33
410
КП40ЗА
АО «Светлана»
416
КП440
7,36
416
КП450
7, 36
416
КП708А
АО «ЭЛИЗ»
422
КП708Б
АО «Элиз»
422
АО «Элиз»
'
422
КП709д
КПЗ07А1
28, 31,33
410
КП501А
3-д «Транзистор»
416
КП709Б
АО «Элиз»
422
КПЗО7Б1
28,31 ,33
410
КП501Б
3-д «Транзистор»
416
КП709В
АО «Элиз»
422
КПЗ07Г1
28,31 ,33
410
КП501В
3-д «Транзистор»
416
КП709Г
АО «ЭЛИЗ»
422
КПЗО7Е1
28,31 ,33
410
КП502А
3-д «Транзистор»
418
КП709Д
АО «ЭЛИЗ»
i 422
КПЗ07Ж1
28, 31,33
410
КПSОЗА
3-д «Транзистор»
418
КП710
В3ПП
1 422
КПЗОSА-1
13-д ПО «ФОТОН»
410
КПЗОSБ-1
13-Д ПО «ФОТОН»
410
КП504А
13-д «Транзистор» 418
КП504Б
13-д «Транзистор» 418
КП7128
13-д «Транзистор» ! 424 11
КП712А
IВ3ПП
;42411
·1
КПЗОSВ-1
13-д ПО «ФОТОН»
410
КП504В
3-д «Транзистор» 1 418
1
КП712Б
В3ПП
1424:1
1
КПЗОSГ-1
1 3-д ПО «ФОТОН»
410
КП505д
3-д «Транзистор»
418
1КП712В
В3ПП
i42411
КПЗОSД-1
13-д ПО «ФОТОН»
410
КП505Б
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОА
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ10А
НПП «ВОСТОК»
410
КП505В
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОБ
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ10Б
НПП «ВОСТОК»
410
КП505Г
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОВ
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ12А
З--д «Пульсар»
410
КП507А
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОА2
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ12Б
3-д «Пульсар»
410
КП508А
3-д «Транзистор»
418
КП71ЗОА9
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ1ЗА
5, 18
410
КП509А-9
3-д «Транзистор»
418
КП7131А-9
ОАО «Ангстрем»
424
КПЗ1ЗБ
l5. 18
410
КП509Б-9
3-д «Транзистор»
418
КП7132А
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ13В
15. 18
410
КПЗ14д
\ 3-Д ПО «ФОТОН»
410
КП509В-9
3-д "Транзистор»
418
КП510
7,36
418
КП7132Б
ОАО «Ангстрем» 1 426
1
КП7132А1
1ОАО «Ангстрем» 1 426
1 КПЗ22А
3-д ПО «ФОТОН»
410
КП510А9
3-д «Транзистор»
418
КП7132Б1
1 ОАО «Ангстрем»
!426i
11 КПЗ2ЗА-2
13-д «Пульсар»
412
КП511А
3-д «Транзистор» 1 420
КП7132А9
ОАО «Ангстрем» 1 426
:1 КПЗ2ЗБ-2
j 3-д «Пульсар»
412
КП511Б
3-д «Транзистор»
420
КП7132Б9
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27А
18, 21
412
КП520
7,36
420
КП7132А91
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27Б
18,21
412
КП52ЗА
3-д «Транзистор» 1 420
КП7132Б91
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27В
18,21
412
КП52ЗБ
3-д «Транзистор»
420
КП713Зд
ОАО «Ангстрем»
426
КПЗ27Г
18,21
412
КП52ЗВ
3-д «Транзистор»
420
КП71ЗЗА9
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗ29А
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП52ЗГ
3-д «:ГранЗистор» 420
КП7134А
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗ29Б
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП530
7,36
420
КП7135А
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗЗЗА
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП540
7,36
420
КП71Збд
ОАО «Ангстрем»
428
КПЗЗЗБ
3-д ПО «ФОТОН»
412
КП601А
3-д ПО «ФОТОН»
420
КП7137А
ОАО «Ангстрем» 1 428
11 КПЗ40
!7.36
412
11 КПЗ41д
13-д «Пульсар»
412
1
1
l КПЗ41Б
13-д «Пульсар»
412
i! КПЗ46А-9
1НПП «Пульсар» i 412 1
ii КПЗ46Б-9
iНПП «Пульсар» 1 412
i КПЗ46В-9 1НПП «Пульсар»
412
КП601Б
3-д ПО «ФОТОН»
420
КП610
7,36
420
КП620
7, 36
1 420
КПбЗО
7, 36
420
КП640
j7,36
420
КП704А
3-д «Гравитон»
420
КП7138д
1 ОАО «Ангстрем»
1 428
КП7138д9
1ОАО «Ангстрем» : 430 1
.1
1 КП7138д91 !ОАО «Ангстрем» 1 430 11
1•
КП7150А
1ОАО «Ангстрем» ! 430 1
КП7150А2
1 ОАО «Ангстрем»
143011
КП7150д9
ОАО «Ангстрем»
430 1
КПЗ47А-2
3-д «Пульсар»
414
КП704Б
3-д «Гравитон»
420
КП717А
3-д «Транзистор»
432
кпзsо
В3ПП
414
КП705А
НПП «Пульсар»
422
КП717Б
3-д «Транзистор»
432
КПЗSОА
ППО «Октябрь»
414
КП705Б
НПП «Пульсар»
422
КП717В
3-д «Транзистор»
432
КПЗSОБ
ППО «Октябрь»
414
КП705В
НПП «Пульсар»
422
КП717Г
3-д «Транзистор»
432
кпзsов
ППО «Октябрь»
414
КП70бд
НПП «Пульсар»
422
КП717Д
3-д «Транзистор»
432
КПЗ61А
АО «Элекс»
'
414
КПЗ64А
IAO «Элекс»
414
КПЗ64Б
!АО «Элекс»
414
КП706Б
НПП «Пульсар»
422
КП706В
НПП «Пульсар»
422
КП707А
7,36
1 422
IКП717Е
13-д «Транзистор» 1 432 1!
1
11
КП717А1
1 3-д «Транзистор» : 432 '1
КП717Б1
13-д «Транзистор» 1 432 1
КП364В
iAO «Элекс»
414
КП707Б
7,36
! 422
КП717В1
3-д «Транзистор» 1 432
,,
'
КПЗ64Г
\АО «Элекс»
414
КП707В
7,36
1 422
КП717Г1
3-д «Транзистор»
432
КПЗ64Д
АО «Элекс»
414
КП707Г
7, 36
422
КП717Д1
3-д «Транзистор»
432
КПЗ64Е
АО «Элекс»
414
КП707Д
7,36
422
КП717Е1
3-д «Транзистор»
432
КПЗ64Ж
АО «Элекс»
i
414
i
КПЗ64И
АО «Элекс»
414
1 КПЗ65А
3-д «Транзистор»
414
КП707Е
7,36
422
КП707А1
7,36
422
КП707Б1
7,36
422
КП718А
3-д «Транзистор»
432
1
КП718Б
3-д «Транзистор»
432
КП718В
3-д «Транзистор»
432
1 КПЗ65Б
3-д «Транзистор»
414
КП707В1
7,36
422
КП718Г
3-д «Транзистор»
432

26
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
1КП71ВД
3-д «Транзистор»
432
КП71ВЕ
3-д «Транзистор»
432 1
КП739В
3-д «Транзистор»
440
КП740
В3ПП
440
КП761Б
3-д «Микрон»
i 448
~
КП761В
13-д «Микрон»
1
448
1
КП718А1
13-д «Транзистор» 432
КП740А
3-д «Транзистор»
440
КП761Г
3-д «МИКРОН»
! 448
КП718Б1
13-д «Транзистор» 432
КП740Б
3-д «Транзистор»
440
КП771А
3-д «Транзистор» 448
КП71ВВ1
3-д «Транзистор»
432
КП740В
3-д «Транзистор»
440
КП771Б
3-д «Транзистор»
448
КП718Г1
3-д «Транзистор»
432
КП741А
3-д «Транзистор»
442
КП771В
3-д «Транзистор»
448
КП71ВД1
3-д «Транзистор»
432
КП741Б
3-д «Транзистор»
442
КП775А
3-д «Транзистор»
448
КП718Е1
3-д «Транзистор»
432
КП743А
3-д «Транзистор»
442
КП775Б
3-д «Транзистор»
448
КП720
В3ПП
432
КП743Б
3-д «Транзистор»
442
КП775В
3-д «Транзистор»
448
КП722А
3-д «Транзистор»
432
КП743В
3-д «Транзистор»
442
КП776А
3-д «Транзистор»
448
КП723А
13-д «Транзистор» 432
КП743А1
3-д «Транзистор»
442
КП776Б
3-д «Транзистор»
448
КП723Б
3-д «Транзистор»
432
КП744А
3-д «Транзистор»
442
КП776В
3-д «Транзистор» 1 448
1
КП723В
13-д «Транзистор» 432
1 КП723Г
3-д «Транзистор»
432
1КП724А
13-д «Транзистор» 432
1
1 КП724Б
3-д «Транзистор»
432
КП744Б
3-д «Транзистор»
442
КП744В
3-д «Транзистор»
442
КП744Г
3-д «Транзистор»
442
КП745А
3-д «Транзистор»
442
КП776Г
3-д «Транзистор» 1 448 11
КП777А
13-д «Транзистор» 1 448 1
КП777Б
3-д «Транзистор» 1 448
!
КП777В
3-д «Транзистор»
448
11КП725А
13-д «Транзистор» 432
КП726А
13-д «Транзистор» 434
КП745Б
3-д «Транзистор»
442
КП745В
3-д «Транзистор»
442
КП77ВА
3-д «Транзистор»
450
КП779д
3-д «Транзистор»
450
КП726Б
3-д «Транзистор•
434
КП745Г
3-д «Транзистор»
442
КП780А
3-д «Транзистор»
450
КП726А1
3-д «Транзистор»
434
КП746А
3-д «Транзистор»
444
КП7ВОБ,В
3-д «Транзистор» 450
КП726Б1
3-д «Транзистор»
434
КП746Б
3-д «Транзистор»
444
КП7ВОАС1
3-д «Транзистор»
450
КП727А
3-д «Транзистор»
434
КП746В
3-д «Транзистор»
444
КП781А
3-д «Транзистор»
450
КП727Б
3-д «Транзистор»
434
КП746Г
3-д «Транзистор»
444
КП7ВЗА
3-д «Транзистор»
452
1 КП727В
3-д «Транзистор»
434
КП727Г, Д
13-д «Транзистор» 434
1КП727Е, Ж 13-д «Транзистор» 434
l1кт2вд 13-д «Транзистор» 436
КП746А1
3-д «Транзистор»
444
КП746Б1
3-д «Транзистор»
444
КП746В1
3-д «Транзистор»
444
КП746Г1
3-д «Транзистор»
444
КП784А
13-д «Транзистор» 452
КП785А
3-д «Транзистор» 1 452 '1
1
КП786А
3-д «Транзистор» 1 452 1
КП787А
3-д «Транзистор» 1 452 i
1КП72ВГ1
13-д «Транзистор» 1 436
I КП72ВС1
3-д «Транзистор•
436
КП747А
3-д «Транзистор»
444
КП748А
3-д «Транзистор»
444
КП796А
3-д «Транзистор»
452
КПВО1А
НРП «Октава»
452
КП72ВЕ1
3-д «Транзистор»
436
КП74ВБ
3-д «Транзистор»
444
КП801Б
НРП «Октава»
452
КП72ВГ2
3-д «Транзистор»
436
КП748В
3-д «Транзистор»
444
КПВО1В
НРП «Октава»
452
КП72ВС2
3-д «Транзистор•
436
КП749А
3-д «Транзистор»
444
КПВО1Г
НРП «Октава»
452
КП728Е2
3-д «Транзистор»
436
КП749Б
3-д «Транзистор»
444
КП802А
НРП «Октава»
454
КП730
В3ПП
436
КП749В
3-д «Транзистор»
444
КП802Б
НРП «Октава»
454
КП730А
В3ПП
436
КП731
J7,28
436
J КП731А
17.28
438
1 КП731Б
7,28
438
1 КП731В
7,28
1 438
КП733А
7,36
438
КП750А
3-д «Транзистор»
444
КП750Б
3-д «Транзистор»
444
КП750В
3-д «Транзистор»
444
КП750Г
3-д «Транзистор»
444
КП750А1
13-д «Транзистор» 446
КП750Б1
·
3-д «Транзистор»
446
КП804А
НПП «Пульсар»
454
1
КП805А
НПП «Пульсар» 1 454
1
КП805Б
НПП «Пульсар» 1 454
КП805В
НПП «Пульсар» 1 454
1
1
КПВО9А
7,36
1 454
КП809Б
7,36
454
КП733Б
7,36
438
КП75081
3-д «Транзистор»
446
КП809В
7,36
454
КП733Г
7,36
438
КП751А1
3-д «Транзистор»
446
КП809Г
7,36
454
КП733Д
7,36
438
КП751Б1
3-д «Транзистор»
446
КП809Д
7,36
454
КП733В·1
7,36
438
КП75181
3-д «Транзистор»
446
КП809Е
7,36
454
КП734д
3-д «Микрон»
438
КП752А
3-д «Транзистор»
446
КП809К
7,36
454
КП734Б
3-д «Микрон»
438
КП752Б
3-д «Транзистор»
446
КП809А1
7,36
454
КП734В
3-д «Микрон»
438
КП752В
3-д «Транзистор»
446
КП809Б1
7,36
454
КП734А-1
3-д «Микрон»
438
КП753А
3-д «Транзистор»
446
КП80981
7,36
454
КП734Б-1
3-д «Микрон»
438
КП753Б
3-д «Транзистор»
446
КП809Г1
7,36
i 454
КП735А
3-д «Микрон»
440
КП753В
3-д «Транзистор»
446
КП809Д1
7,36
454 ;
КП735Б
3-д «Микрон»
440
КП759А
3-д «Микрон»
448
КП809Е1
7,36
1 454
КП735В
3-д «Микрон»
440
КП759Б
3-д «Микрон»
448
КПВ10А
АО «Эльдаг»
454
КП735Г
3-д «Микрон»
440
КП759В
3-д «Микрон»
448
КП810Б
АО «Эльдаг»
1454'
КП737А
3-д «Транзистор»
440
КП759Г
3-д «Микрон•
448
КПВ10В
АО «Эльдаг»
454
КП737Б
3-д «Транзистор»
440
КП760А
3-д «Микрон•
448
КПВ12А1
7,36
454
КП737В
3-д «Транзистор»
440
КП760Б
3-д «Микрон»
448
КП812Б1
7,36
454
КП737Г
3-д «Транзистор»
440
КП760В
3-д «Микрон»
448
КП812В1
7,36
454
КП739А
3-д «Транзистор»
440
КП760Г
3-д «Микрон»
448
КП81ЗА
7,36
456
КП739Б
3-д «Транзистор»
440
КП761А
3-д «МИКРОН»
448
КП813Б
7,36
456

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
1:
Тип
i Изготовитель
'
Стр.
:t прибора 1 (см. стр. 31)
11
Тип
Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
!1 КП813Г
17.36
456
'
j КП813А1
17,36
456
КП923В
3-д «Пульсар»
460
КП923Г
13-д «Пульсар» i 460
ji КП81ЗБ1
7,36
456
li КП813А1-5 17.36
456
, 1 КП813Б1-5
7,36
456
1 КП814А
-
456
1КП814Б
-
456
1:кпв14в
1-
1 456
11 КП814Г
i-
456
КП928А
3-д «Пульсар»
14601
КП928Б
3-д «Пульсар»
460 1
КП931А
-
i 462
КП931Б
-
1 462
КП931В
-
1 462
КП932А
3-д «ФОТОН»
1 462
КП934А
НРП «Октава»
462
: КП814Д
1-
456
: КП814Е
1-
456
КП934Б
НРП «Октава»
462
1КП934В
НРП «Октава»
462
11 КП814Ж
-
456
КП814И
1-
456
КП934А1
НРП «Октава»
462
КП934Б1
НРП «Октава»
462
КП814К
-
456
КП934В1
НРП «Октава»
462
КП814Л
-
456
КП814М
-
456
КП936А
3-д «Гравитон»
462
КП936Б
3-д «Гравитон»
462
1
КП814Н
-
456
КП936В
3-д «Гравитон»
462
КП814П
-
456
КП936Г
3-д «Гравитон»
462
КП814Р
-
456
КП936Д
3-д «Гравитон»
462
1КП814С
1-
456
,,
1
1 КП814Т
·-
456
l!КП814У
1-
1 456
iКП814Ф 1-
i 456
!1 КП817А
1по «НИИЭТ»
456
11 КП817Б
ПО «НИИЭТ»
456
11 КП817В
!ПО «НИИЭТ»
456
1
1
11 КП820
IВ3ПП
458
1! кпвзо
В3ПП
458
1 КП840
В3ПП
458
!КП901А
3-д «Пульсар»
458
1КП901Б
13-д «Пульсар»
458
1,
i3-д «Пульсар»
1 458
l;КП902А
1КП902Б
13-д «Пульсар»
458
!1кп902в 13-д «Пульсар»
1 458
1 КП903А
13-д «Пульсар»
1 458
КП903Б
3-д «Пульсар»
1 458
КП903В
3-д «Пульсар»
458
КП936Е
13-д «Гравитон» 1 462
КП936А-5
13-д «Гравитон»
462
1
1 КП936Б-5
3-д «Гравитон»
462
1КП936В-5
3-д «Гравитон»
462
1
КП936Г-5
3-д «Гравитон»
462
КП936Д-5
13-д «Гравитон»
462 1
КП936Е-5
3-д «Гравитон»
462
1
КП937А
НРП «Октава»
464
КП937А-5
'НРП «Октава»
464
1
КП938А
НРП «Октава»
464 1
КП938Б
НРП «Октава»
~
КП938В
НРП «Октава»
1
1
КП938Г
1 НРП «Октава»
1464 1
1 КП938Д
1 НРП «Октава»
1464 11
1 КП944А
3-д «Пульсар»
1464 11
КП944Б
3-д «Пульсар»
i 464
1
КП945А
НПП «Пульсар»
464
1 КП945Б
НПП «Пульсар»
464
1
КП904А
3-д «Пульсар»
458
КП904Б
3-д «Пульсар»
458
КП946А
АО «Эльдаг»
466
1
КП946Б
АО «Эльдаг»
466
КП905А
18,21
458
КП948А
АО «Эльдаг»
466
КП905Б
18,21
458
КП948Б
АО «Эльдаг»
466
КП905В
l18, 21
458
КП948В
АО «Эльдаг»
466
~ КП907А
118, 21
458
КП948Г
АО «Эльдаг»
1
466
1
j!КП907Б : 18. 21
1 458
~ КП907В
:18,21
1 458
~ КП908А : 18, 21
460
~ КП908Б
118, 21
1 460
КП951А-2
1НПП «Пульсар»
1 466
i
КП951Б-2
1 НПП «Пульсар»
1466 1
КП951В-2
НПП «Пульсар»
1466 11
КП953А
АО «Эльдаг»
1466 1
1 КП921А
13-д «Гравитон»
460
1КП921Б
3-д «Гравитон»
460
1
КП922А
8, 12
460
КП95ЗБ
АО «Эльдаг»
466 1
КП953В
АО «Эльдаг»
466
КП953Г
АО «Эльдаг»
466
КП922Б
8, 12
460
КП953Д
АО «Эльдаг»
466
КП922В
8, 12
460
КП954А
АО «Эльдаг»
466
КП922А1
8, 12
460
КП954Б
АО «Эльдаг»
466
КП922Б1
8, 12
460
КП954В
АО «Эльдаг»
466
КП922В1
8, 12
460
КП954Г
АО «Эльдаг»
466
КП922Г1
18. 12
460
КП954Д
АО «Эльдаг»
466
1iКП923А 13-д «Пульсар»
1 460
КП955А
АО «Эльдаг»
466
11КП92ЗБ
3-д «Пульсар»
460
КП955Б
1АО «Эльдаг»
466
Тип
прибора
КП956А
КП956Б
КП957А
КП957Б
КП957В
КП958А
КП958Б
КП958В
1 КП958Г
КП959А
КП959Б
КП959В
КП960А
КП960Б
КП960В
КП961А
КП961Б
КП961В
11 КП961Г
КП961Д
1 КП961Е
11 КП962А
1КП962А-5
КП963А
КП963А-5
КП964А
КП964Б
КП964В
КП964Г
1 КП965А
1КП965Б
1КП965В
!КП965Г
КП9650
КП971А
КП971Б
КП973А
КП97ЗБ
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
1
1 КПС104Д
11кпс104е
11 КПС202А-2
11 КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2
КПС203А-1
КПС203Б-1
КПС203В-1
КПС20ЗГ-1
КПСЗ15А
КПСЗ15Б
КПСЗ16Д-1
КПС316Е-1
КПС316Ж-1
КПС316И-1
1
Изготовитель
(см. стр. 31)
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг•
1АО «Эльдаг•
i АО «Эльдаг»
1
iАО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «ЭльдаГ>>
1АО «Эльдаг»
1 АО «Эльдаг»
1 НРП «Октава»
1
1НРП «Октава»
НРП «Октава»
НРП «Октава»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
!АО «Эльдаг»
1 АО «Эльдаг»
1 АО «Эльдаг»
!АО «Эльдаг»
1АО «Эльдаг»
АО «Эльдаг»
iАО «Эльдаг»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
АО «Восход»
!АО «ВОСХОД»
IAO «Восход»
1АО «ВОСХОД»
1АО «ВОСХОД»
!АО «ВОСХОД•
АО «ВОСХОД»
1АО «Восход»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
АО «ВОСХОД»
3-д ПО «ФОТОН»
3-д ПО «ФОТОН>>
3-д ПО «ФОТОН»
3-д ПО «ФОТОН»
3-д ПО «ФОТОН»
13-д ПО «ФОТОН»
27
1 Стр.
11
466
1466 1
1466l
1 466
466
466 1
466
1
1466 !1
'
:466~
1
11
'
466
,,
11
1
466 "1
1 466
468
468
468
1
468
468
1
468
468
468
468
468
1 468
468
1 468
1
1 468
468
468 1
468
!4701
1
1470li
1470 ;!
470 ;:
! 470 '111
1
1
470 1
470
470
470
470
i 470
1
1 470
' 470
1
470 !!
470
470
1 470
!4701
470
470
470
470
470
470
1 470
1 470
'
! 470
1
470
1
1
1 470

28
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
Полевые транзисторы специального назначения
1.
1
!1
Тип
1 Изготовитель
Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель Стр.
прибора
(см. стр. 31)
Тип
Изготовитель
!
прибора
(см. стр. 31) 1 Стр.
ЗПЗ20А-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85В-2
НПО «Планета»
480
ЗП915Б-2
3-д «Пульсар»
486
ЗПЗ20Б-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85А-5
НПО «Планета»
480
ЗП925А-2
НПП «Пульсар»
486
ЗПЗ21А-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85Б-5
НПО «Планета»
480
ЗП925Б-2
НПП «Пульсар»
486
ЗПЗ24А-2
3-д «Пульсар»
472
ЗПЗ85В-5
НПО «Планета»
480
ЗП925В-2
НПП «Пульсар»
486
ЗПЗ24Б-2
3-д «Пульсар»
472
ЗП602А·2
3-д «Пульсар»
480
ЗП925А-5
НПП «Пульсар»
486
I ЗПЗ24В-2
13-д «Пульсар»
472
ЗП602Б-2
3-д «Пульсар»
480
ЗП927А-2
3-д «Пульсар»
1 486
1 ЗПЗ25А-2
1 НПО «Планета»
472
ЗП602В·2
3-д «Пульсар»
480
ЗП927Б·2
3-д «Пульсар»
486
!iзnз2sA-s 1 НПО «Планета»
1 474
ЗП602Г-2
3-д «Пульсар»
480
ЗП927В·2
3-д «Пульсар»
1 486
!1зпз2&А-2 i НПО «Планета»
474
ЗПЗ26Б-2
1НПО «Планета»
474
ЗП602Д-2
13-д «Пульсар»
480
ЗП602Б-5
3-д «Пульсар»
482
1
!
ЗП927Г-2
3-д «Пульсар»
486
i
1
ЗП927Д-2
3-д «Пульсар»
486
ЗПЗ26А-5
НПО «Планета»
474
ЗП602Д-5
3-д «Пульсар»
1 482
ЗП929А-2
3-д «Пульсар»
486
ЗПЗ28А·2
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗА-2
3-д «Пульсар»
482
ЗП9ЗОА-2
3-д «Пульсар»
488
ЗПЗ28А-5
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗБ-2
3-д «Пульсар»
482
ЗП9ЗОБ-2
3-д «Пульсар»
488
ЗПЗЗОА-5
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗА1-2
3-д «Пульсар»
482
ЗП9ЗОВ-2
3-д «Пульсар»
488
ЗПЗЗОА-2
НПО «Планета»
474
ЗП60ЗБ1-2
3-д «Пульсар»
482
2Е701А
1НПП «Пульсар»
488
IЗПЗЗОБ-2
1 НПО «Планета»
474
ЗП60ЗБ-5
13-д «Пульсар»
482
2Е701Б
НПП «Пульсар» j 488 !1
llзпззов-2 1НПО «Планета»
474
11 ЗПЗЗОВ1-2
1 НПО «Планета»
476
ЗП604А-2
· 3-д
«Пульсар»
482
ЗП604Б-2
3-д «Пульсар»
482
2Е701В
НПП «Пульсар» i 488
2Е701Г
НПП «Пульсар» i 488
ЗПЗЗОВ2·2
1 НПО «Планета»
1 476
ЗП604В-2
3-д «Пульсар»
482
2П101А
Тонди электроника 488
ЗПЗЗОВЗ-2
iНПО «Планета»
476
ЗП604Г-2
3-д «Пульсар»
482
2П101Б
Тонди электроника 488
ЗПЗЗ1А-2
1НПО «Планета»
476
ЗП604А1-2
3-д «Пульсар»
482
2П101В
Тонди электроника 488
ЗПЗЗ1А-5
НПО «Планета»
476
ЗП604Б1·2
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗА
18,33
488
ЗПЗЗ9А-2
НПО «Планета»
476
ЗП604В1-2
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗБ
18,33
488
ЗПЗ4ЗА-2
НПО «Планета»
476
ЗП604Г1-2
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗВ
18,33
488
ЗПЗ4ЗА1-2
НПО «Планета»
476
ЗП604А-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗГ
18,33
488
ЗПЗ4ЗА2-2
j НПО «Планета»
476
ЗП604Б-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗД
18,33
488
ЗПЗ4ЗАЗ-2
j НПО «Планета»
476
ЗП604В-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗАР
18,33
488
ЗПЗ44А-2
iНПО «Планета» 476
ЗП604Г-5
3-д «Пульсар»
482
2П10ЗБР
18,33
i 488
ЗПЗ44А1-2
1 НПО «Планета»
1 476
ЗП605А-2
1НПО «Планета»
484
2П10ЗВР
18,33
1 488
ЗПЗ44А2·2
1НПО «Планета»
1 476
ЗП605А-5
НПО «Планета»
484
2П10ЗГР
18,33
488
ЗПЗ44АЗ-2
НПО «Планета»
476
ЗП606А·2
3-д «Пульсар»
484
2П10ЗДР
18,33
488
ЗПЗ44А4-2
НПО «Планета»
476
ЗП606Б-2
3-д «Пульсар»
484
2П201А-1
АО «Восход»
488
ЗПЗ45А-2
НПП «Пульсар»
478
ЗП606В-2
3-д «Пульсар»
484
2П201Б-1
АО «Восход•
488
ЗПЗ45Б-2
НПП «Пульсар»
478
ЗП606Б-5
3-д «Пульсар»
484
2П201В-1
АО «Восход»
488
ЗПЗ45А-5
НПП «Пульсар»
478
ЗПЗ48А-2
1НПС «Планета»
478
ЗП606В-5
3-д «Пульсар»
484
ЗП607А-2
13-д «Пульсар»
484
2П201Г·1
1АО «Восход»
1 488
2П201Д-1
АО «ВОСХОД»
1 488
11
ЗПЗ51А-2
1 НПО «Планета»
478
ЗП608А·2
3-д «Пульсар»
484
2П201Е-1
АО «ВОСХОД»
' 488
'j
1
1
ЗПЗ51А-5
1 НПО «Планета»
478
ЗП608Б-2
3-д «Пульсар»
484
2П201Ж-1
АО «ВОСХОД»
488
ЗПЗ51А1-2
1НПО «Планета»
1 478
ЗП608В-2
3-д «Пульсар»
484
2П202Д·1
АО «ВОСХОД»
1 490
ЗПЗ5ЗА-5
J НПО «Планета»
480
ЗП608Г-2
3-д «Пульсар»
484
2П202Е-1
АО «Восход»
490
ЗПЗ72А·2
НПП «Пульсар»
480
ЗП608А-5
3-д «Пульсар»
484
2ПЗО1А
ППО «Октябрь»
490
ЗПЗ7ЗА-2
НПО «Планета»
480
ЗП608Д-5
3-д «Пульсар»
484
2ПЗО1Б
ППО «Октябрь»
490
ЗПЗ7ЗБ-2
НПО «Планета»
480.
ЗП608Е-5
3-д «Пульсар»
484
2ПЗ01В
ППО «Октябрь»
490
ЗПЗ7ЗВ·2
НПО «Планета»
480
ЗПЗ76А-5
НПО «Салют»
480
ЗП910А-2
3-д «Пульсар»
486
ЗП910Б-2
3-д «Пульсар»
486
2ПЗ01А-1
ППО «Октябрь»
490
11
2ПЗО1Б-1
ППО «Октябрь» 1
490
1
ЗПЗ84А-5
1НПП «Пульсар»
480
ЗП910А-5
3-д «Пульсар»
486
2ПЗО1В-1
ППО «Октябрь» 1 490
1
ЗПЗ85А-2
1 НПО «Планета»
480
ЗП910Б-5
3-д «Пульсар»
486
2ПЗО1А-5
ППО «Октябрь» 1
490 ri
1
~ ЗПЗ85Б-2 1НПО «Планета»
1 480
ЗП915А-2
3-д «Пульсар»
486
2ПЗО2А
1ППО «Октябрь»
490

Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей
Тип
Изготовитель 1
(
1Стр. I
прибора
см. стр. 31)
~~~~~~~~~~~~~-+-~~!
i12пзо2Б
iППО «Октябрь» i 490
Тип
1
Изготовитель 1
1
прибора i (см. стр. 31) I Стр.
2П312А
13-д «ПУЛ';>Сар»
1 494
2П302В
1ППО «Октябрь»
490
2ПЗ12Б
\ 3-д «Пульсар»
1 494
12пзо2д.1
iППО «Октябрь» 490
2П312А·5
3-д «Пульсар»
1 494
2ПЗО2Б-1
ППО «Октябрь»
490
2П312Б·5
13-д «Пульсар» 1 494
2П302В·1
1ППО «Октябрь»
1 490
2ПЗ13А
НПП «ВОСТОК»
1 494
2ПЗОЗА
131,33
1 490
2П31ЗБ
НПП «ВОСТОК»
1 494
2ПЗОЗБ
!31,33
1
490
1
2П313В
НПП «ВОСТОК»
1 494
j12пзозв
;31,33
i 490
~2ПЗОЗГ
!31,33
1 490
2П322А
13-д ПО «ФОТОН» i 494
2ПЗЗЗА
3-д ПО «ФОТОН» i 494
\2пзозд
;31,33
1 490
2ПЗЗЗБ
3-д ПО «ФОТОН» 1 494
~2ПЗОЗЕ 131,33
i 490
2ПЗЗЗВ
3-д ПО «ФОТОН» 1 494
2ПЗОЗИ
31,33
490
2ПЗЗЗГ
3-д ПО «ФОТОН» i 494
2П304А
\АО о Светлана»
492
2П334А
3-д ПО «ФОТОН»
494
2П305д
САР3ПУЛ
492
2П334Б
3-д ПО «ФОТОН»
494
2П305Б
jсдР3ПУЛ
492
2П335А-2
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П305В
\САР3ПУЛ
492
2П335Б·2
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П305Г
САР3ПУЛ
492
2ПЗ36А·1
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П305А·2
iСАР3ПУЛ
492
2П336Б-1
i3-д ПО «ФОТОН» 1 496
i2пзоsБ-2 IСАР3ПУЛ
14921
2ПЗ37АР
3-д ПО «ФОТОН» 1 496
~2П305В·2
1СдР3ПУЛ
492
2П337БР
3-д ПО «ФОТОН»
1
496
l2П305Г-2
IСАР3ПУЛ
1 492
2П338АР·1
3-д ПО «ФОТОН»
496
2П306А
1НПП «ВОСТОК»
492
2П340А·1
В3ПП
496
2ПЗО6Б
НПП «ВОСТОК»
492
2П340Б-1
В3ПП
496
2П306В
НПП «ВОСТОК»
492
2П341А
3-д «Пульсар»
496
2П306Г
НПП «ВОСТОК»
492
2П341Б
3-д «Пульсар»
496
2П306Д
НПП «ВОСТОК»
492
2П347А·2
3-д «Пульсар»
496
2П306Е
НПП «ВОСТОК»
492
2П350А
ППО «Октябрь»
496
2П307А
13-д ПО «ФОТОН»
1 492
2П350Б
ППО .октябрь»
496
2П307Б
: 3-д ПО «ФОТОН»
492
2П601А
3-д ПО «ФОТОН»
498
~2П307В
13-д ПО «ФОТОН»
492
112П307Г
13-д ПО «ФОТОН»
1 492
2П601Б
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П601А9
13-д ПО «ФОТОН»
498
2ПЗО7Д
3-д ПО «ФОТОН» 1 492
2П609А
3-д ПО «ФОТОН» 1 498
2П308д
31,33
492
2П609Б
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П308Б
31,33
492
2П609А·5
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П308В
31,33
492
2П609Б·5
3-д ПО «ФОТОН»
498
2П308Г
31,33
492
2П701А
3-д «Пульсар»
498
2П308Д
131,33
492
2П701Б
3-д «Пульсар»
498
2П308А·1
131,33
492
2П702А
3-д «Пульсар»
498
2П308Б·1
131,33
492
2П703д
НПП «Пульсар»
498
2П308В-1
131,33
492
2П703Б
НПП «Пульсар»
498
12пзовг-1
131,33
1 492
2П706А
3-д «Пульсар»
500
2ПЗО8Д·1
131,33
492
2П706Б
3-д «Пульсар»
500
2П308А-9
31, 33
494
2П706В
3-д «Пульсар»
500
2ПЗО8Б-9
31, 33
494
2П7102А
3-д «Транзистор»
500
2П308В·9
31, 33
494
2П7118А
3-д «Пульсар»
500
2П308Г·9
31,33
494
2П7118Б
3-д «Пульсар»
500
2П308Д·9
31,33
494
2П7118В
3-д «Пульсар»
500
2П308Е·9
j31,33
494
2П7118Г
3-д «Пульсар»
500
2П310А
1НПП «ВОСТОК»
494
2П7118Д
3-д «Пульсар»
1 500
~ 2П310Б
1НПП «ВОСТОК»
494
2П7118Е
3-д «Пульсар»
500
1
1
IJ
Тип
прибора
12П7118Ж
2П7118И
2П7118К
2П7118Л
2П712А
2П712Б
2П712В
~ 2П712А-5
!12П712Б·5
2П712В·5
2П7140А
2П7141А
2П7142А
2П7143А
2П7144А
2П7145А
2П762А
2П762В
2П762Д
2П762Ж
2П762К
2П762Л
2П762М
2П762Н
2П762И2
2П762Б1
2П762Г1
2П762Е1
2П762Г1·5
2П762Е1·5
2П762И2-5
2П771А
2П771А91
2П797Г
2П797Г91
2П802А
2П803д
2П803Б
2П815А
2П815Б
2П815В
2П815Г
2П816А
2П816Б
2П816В
2П816Г
2П901А
2П901Б
2П901А·5
2П901Б-5
Изготовитель
(см. стр. 31)
j 3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
i3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
j НПП «Пульсар»
1 НПП «Пульсар»
1
1НПП «Пульсар»
1
j НПП «Пульсар»
13-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
13-д «Транзистор»
13-д «Транзистор»
13-д «Транзистор»
1-
1НПП «Пульсар»
j НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
j НПП «Пульсар»
1НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
НПП «Пульсар»
3-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
3-д «Транзистор»
НПП «ВОСТОК»
13-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
j 3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
3-д «Пульсар»
13-д «Пульсар»
1
1
1
1
1
1
1
29
Стр. i:
11
500 i
500
500
500
500
1
500 1
1
500 1:
500
500
500
i
502
502
502
502
502
502
1
502
1502,1
1
1502li
1 502
502
502
502
502
504
504
1 504
1
!504~
1 504
11
1 504
504
1
504
504
504
504
504
1 506
1
1 506
.1
1506 1
1
1 506
1
1 506
506
506
506
506
506
i 506
! 506
!506li
1506 1

30
Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя
1
1
11
Тип
i Изготовитель
1'
1
Стр.
1
прибора 1 (см. стр. 31)
1
Тип
Изготовитель
1 Стр.
прибора
(см. стр. 31)
1
Тип
i Изготовитель
i Стр.11
прибора
(см. стр. 31)
l2n902A
13-д «Пульсар»
1 506
2П902Б
13-д «Пульсар» 1 506
2П917А
1-
510
1
2П917Б
-
510
i1
2П941Б
НПП «Пульсар»
514
2П941В
НПП «Пульсар»
514
2П903А
3-д «Пульсар»
506
2П918А
НПП «Пульсар»
510
2П941Г
НПП «Пульсар»
514
2П90ЗБ
3-д «Пульсар»
506
2П918Б
НПП «Пульсар»
510
2П941Д
НПП «Пульсар»
514
2П903В
3-д «Пульсар»
506
2П920А
3-д «Пульсар»
510
2П942А
-
514
2П90ЗА-5
3-д «Пульсар»
508
2П920Б
3-д «Пульсар»
510
2П942Б
-
514
2П90ЗБ-5
3-д «Пульсар»
508
2П903В·5
13-д «Пульсар»
508
2П922А
3-д «Гравитон»
510
2П922Б
3-д «Гравитон»
510
2П942В
-
514
--J'
2П942А-5
-'--
514 11
li2П904A
3-д «Пульсар»
508
2П922А·5
3-д «Гравитон»
510
2П942Б-5
-
151411
2П904Б
13-д «Пульсар»
1 508
2П922Б·5
3-д «Гравитон»
510
2П942В-5
-
514 11
1!2П905А
1НПП оПульсар»
508
1
2П905Б
1НПП «Пульсар»
508
2П905А·5
1НПП «Пульсар»
508
2П907А
НПП «Пульсар»
508
2П923А
13-д «Пульсар»
512
2П92ЗБ
3-д «Пульсар»
1 512
2П92ЗВ
3-д «Пульсар»
512
1
2П923Г
3-д «Пульсар»
512
1
2ПС104А
АО «ВОСХОД»
1 514
1
1
1
2ПС104Б
IAO «ВОСХОД»
1514il
2ПС104В
1АО «Восход»
514 1
2ПС104Г
: АО «ВОСХОД»
514 1
2П907Б
НПП «Пульсар»
508
2П908А
3-д «Пульсар»
508
2П908Б
3-д «Пульсар»
1 508
2П926А
НПП «ВОСТОК»
512
1
2П926Б
НПП «ВОСТОК»
512
2П928А
НПП «Пульсар»
512
2ПС104Д
АО «ВОСХОД»
514
2ПС104Е
АО «ВОСХОД»
514
2ПС202А·2
1АО «ВОСХОД»
151611
2П909А
13-д «Пульсар» 1 508
2П928Б
НПП «Пульсар»
512
2ПС202Б·2
1 АО «ВОСХОД»
! 516
1
!
1
l 2П909Б
13-д «Пульсар»
508
12П909В 3-д «Пульсар»
508
2П909Г
i3-д «Пульсар»
508
2П911А
13-д «Пульсар» 1 508 1·
2П9ЗЗА
НПП «Пульсар»
512
2П93ЗБ
НПП «Пульсар»
512
1
12П934А
1НПО «Октава»
1
512
1
l2П934Б
1НПО «Октава»
1 512
2ПС202В·2
АО «ВОСХОД»
1
516
11
2ПС202Г·2
АО «ВОСХОД»
i 516
12пс202д-1 !АО «ВОСХОД»
1516i
1
1
1,
2ПС202Е-1
!АО «Восход»
151611
2П911Б
13-д «Пульсар»
508
2П912А
13-д «Гравитон»
508
2П912Б
3-д «Гравитон»
508
2П913А
3-д «Пульсар»
510
2П91ЗБ
13-д «Пульсар»
510
1i2П914А
13-д ПО «ФОТОН»
510
2П938А
НПП «ВОСТОК»
512
2П938Б
НПП «ВОСТОК»
512
2П938В
НПП «ВОСТОК»
1
512
2П938Г
НПП «ВОСТОК»
512
2П938Д
НПП «ВОСТОК»
512
2П941А
НПП «Пульсар»
514
2ПСЗ16А·1
3-д ПО «ФОТОН» 1 516
'1
2ПС316Б·1
3-д ПО «ФОТОН»
516 1
2ПСЗ16В-1
3-д ПО «ФОТОН»
516
'1
2ПСЗ16Г·1
13-д ПО «ФОТОН»
516
11
1
,I
11

Адреса предприятий-изготовителей
Адреса предприятий-изготовителей
il .N'o
Название предприятия
11
1 3-д •Алион
1 2 13-дПО •Альфа»
1
1
3 1 ОАО «Ангстрем»
4 1 3-д •АрсенаЛ»
5 : НПП •Восток»
6 i АО •Восход»
~1
7 взпп
8 3-д «Гравитон»
9 ПО •Знамя»
10 3-д •Искра»
i 11 1 3-д •Квазар»
12 : ЗАО «Кремний»
u
13 1 СКБ .Элькор»
14 : НРП •Октава»
15 ! 3-д ниипп
16 i ниимп
17 1 АО •Орбита»
18 ППО •Октябрь»
19 НПО •Планета»
1
1~АО «Плутон >)
t 21 1 НПП •Пульсар»
1i 22 i 3-д •Пульсар»
23 : ПРЗПП
1 24 1 ПО «Рефлектор»
25 САРЗПУЛ
26 АО «Светлана»
27 3-д •Старт»
28 l 3-д «Транзистор»
29 «Тонди электроника»
UO IУлРЛЗД
~ 31 t 3-д. ПО «Фотон»
32 i 3-д .Экситон»
~
:
33 1 АО •Элекс»
34 АО •Электронприбор»
35 АО •Элиз»
36 по .нииэт»
37 3-д •Юпитер»
38 1 НПО •Сатурн»
39 1 АО .Эльдаг»
40 ; 3-д •Микрон»
Почтовый адрес
396072, г. Нововоронеж, Воронежской обл., ул. Первомайская, д. 2
1 LV1006, Рижск. з-д ППП АО •Альфа». г. Рига, ул. Ропажу, 140
l 124460, г. Москва, Зеленоград
1
i 143090, г. Краснознаменск, Московской обл., а/я 226
i 630075, г. Новосибирск. ул. Дуси Ковальчук, д. 276
l 248014, г. Калуга, Грабцевское шоссе, д 60-а
1
394007, г. Воронеж, Ленинский проспект. д. 118-а
274031, Украина, г. Черновцы, ул. Русская, д. 248
314002, Украина, г. Полтава, ул. Автобазовская, д. 2/9
432030, г. Ульяновск, ул, Репина, д. 2
254136, Украина, г. Киев, ул. Северо-Сырецкая, д. 1
l241037, г. Брянск, ул. Красноармейская, д. 103
j 360603, Республика Кабардино-Балкария, г. Нальчик.
1 Государственное СКБ •Элькор»
[ 630049, г. Новосибирск, Красный проспект, д. 220
l 634034, г. Томск, Красноармейская ул., д. 99-а
l 103460, г. Москва, г. Зеленоград
430904, г. Саранск, п/ о Ялга
287100, Украина. г. Винница, ул. Ватутина, д. 18
173004, г. Великий Новгород, Федоровский ручей, д. 2/ 13
1
1 107120, г. Москва, ул. Нижняя Сыромятническая, д.
! 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27
l 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27
1
l 361005, Республика Кабардино-Балкария, г. Прохладный, ул. Ленина. д. 104
410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101
410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101
l 194156, г. С-Петербург, проспект Энгельса, д. 27
107066, г. Москва, ул. Новорязанская, д. 31/7
220108, Республика Беларусь. Минск, ул. Корженевского, 16
ЕЕ107, Эстония, г. Таллин, Пярнусское шоссе., д. 142
i 432028, г. Ульяновск, Октябрьская. д. 28-а
i 700047, Узбекистан. г. Ташкент, ул. Пролетарская. д. 13
l 142500, г. Павловский Посад Московской области.
1 ул. Интернациональная, д. 34-а
l 601600, г. Александров. Владимирской обл. ул. Институтская, д. 3
141120, г, Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2
141120, г. Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2
394042, г. Воронеж, Ленинский проспект, д. 119-а
396750, г. Богучар Воронежской обл., ул. Здоровья, д.
1 Украина, 252680, г. Киев, ул. 50 лет Октября, 2-6
! 367009, г. Махачкала, ул. Авиационная. 7
1
i 103460, г. Москва, Зеленоград 1. ЗападныИ проезд, 12
11
31
!
1
!1

32
Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства
Перечень стандартизованных корпусов отечественного
производства
Тип
1
Стр.
1
Тип
Стр_.
Тип
Стр.
Тип
Стр.
КТ-1-1
1
521
КТ-3-8
523
КТ-34-1
525
КТ-43С
527
КТ-1-2
1
521
КТ-3-9
523
КТ-34-2
525
527
КТ-1-3
1
521
!
1
1
!i КТ-1-4
521
!1 КТ-1-5
521
li КТ-1-6
521
~г----------.-----4
i КТ-1-7
521
1 КТ-1-8
521
КТ-1-9
1
521
1
1
1
КТ-1-10
1
521
КТ-3-10
523
КТ-3-11
523
КТ-3-12
! 523
КТ-3-13
! 523
КТ-3-14
! 523
КТ-3-15
523
КТ-3-16
523
КТ-3-17
523
КТ-34-3
1
525
1
КТ-34-4
! 525
КТ-34-5
1
525
1
((Т-34-6
1
525
КТ-34-7
! 525
КТ-34-8
1
525
1
КТ-34-9
1
525
КТ-34-10
1
525
1 КТ-44
527
11 КТ-45
527
КТ-46
1
527 1
[ КТ-47
:
~
КТ-48
:
527 1
КТ-49
527
КТ-50
! 527
КТ-51
!
527
КТ-1-11
521 .
1
КТ-1-12
521
КТ-1-13
1
521
1
КТ-1-14
1
521
КТ-1-15
! 521
КТ-3-18
523
КТ-3-19
523
КТ-4-2
1
523
КТ-5
528
КТ-6
523
КТ-34-11
525
КТ-34-12
1
525
!
КТ-34-13
1
525
КТ-34-14
1
525
КТ-34-15
1
525
КТ-52
i 527
КТ-53
i 527
КТ-54
i5271
КТ-55
L~J
КТ-56
!527il
КТ-1-16
1
521
КТ-7
523
КТ-34-16
! 525
КТ-57
1
527
1
КТ-1-17
1
521
1
КТ-1-18
i 521
КТ-1-19
1
521
КТ-1-20
1 521
КТ-2-1
521
КТ-8
523
КТ-9
1
523
КТ-10
523
КТ-11
523
КТ-12
524
КТ-34-17
i 525
КТ-34-18
1
525
КТ-34-19
1
525
1
КТ-34-20
525
КТ-35-1
526
1
l_кт_-58__-- -- -+ _52'__j
КТ-59
1 527
КТ-60
:
527
1
КТ-61
i 527
КТ-61А
1
527
1
КТ-2-2
521
КТ-2-3
521
КТ-13
524
КТ-13А
524
КТ-35-2
526
КТ-35-3
526
КТ-62
i 528
1
КТ-63
'
528
КТ-2-4
521
КТ-14
1
524
КТ-35-4
1
526
528
,,
КТ-2-5
i 522
1
i
11 КТ-2-6
522
1· КТ-2-7
522
КТ-2-8
i 522
1 КТ-2-9
1
522
КТ-15
524
КТ-16
524
КТ-17
524
КТ-18
524
КТ-19
1
524
КТ-35-5
i 526
КТ-35-6
i 526
КТ-35-7
526
КТ-35-8
526
КТ-35-9
1
526
, 1 КТ-65
528
КТ-66
1
528 !i
КТ-69
i 528
1
КТ-70
i 528
i
1
КТ-71
528
КТ-2-10
522
КТ-20
524
КТ-35-10
526
КТ-72
528
КТ-2-11
522
КТ-21
524
КТ-35-11
526
КТ-73
528
КТ-2-12
522
КТ-2-13
522
КТ-22
524
КТ-23
524
КТ-35-12
526
КТ-35-13
1
526
КТ-75
528
'1
КТ-76
528
КТ-2-14
522
[j КТ-2-15
i 522
КТ-23А
524
КТ-24
524
КТ-35-14
526
КТ-35-15
526
КТ-77
'
528 11
КТ-78
528
li КТ-2-16
1
522
КТ-25
524
КТ-35-16
526
КТ-79
1
528
1 КТ-2-17
1
522
1
il КТ-2-18
1
522
КТ-26
524
КТ-26А
524
КТ-35-17
526
КТ-35-18
526
КТ-80А
1
528
КТ-80В
1
528
1 КТ-2-19
i 522
КТ-27
524
КТ-35-19
526
КТ-80С
1
528
!
КТ-2-20
1
522
КТ-28
524
КТ-35-20
526
КТ-81
! 528
КТ-3-1
522
КТ-28А
524
КТ-37
526
КТ-82
528
КТ-3-2
1
522
КТ-29
524
КТ-40
526
КТ-89
1
529
-
КТ-3-3
522
КТ-30
524
КТ-41
526
КТ-90
1
529
КТ-3-4
522
КТ-31
524
КТ-42
1
526
КТ-92
! 529
КТ-3-5
1
522
КТ-32
524
КТ-43
527
КТ-16-1
529
КТ-3-6
! 523
КТ-33
525
КТ-43А
527
КТ-23В
i 529
1
J КТ-3-7
1
523
КТ-33А
525
КТ-43В
527
КТ-28-1
! 529

Перечень корпусов зарубежных транзисторов
33
Перечень корпусов зарубежных транзисторов
Тип
Стр.
Тип
Стр.
Тип
1
Стр.
SC-62
530
1 SC-70
530
1!SC-71
i 530
llSOT-9
1 537
!jsoт-23
1
533
1
1
: SOT-25
i 533
1
1 SOT-32
i 534
SOT-194
532
SOT-199
533
SOT-223
i 533
SOT227b
533
SOT-262a1
1
534
1
SOT-268
534
SOT-273
534
ТО-78
1
540
11
ТО-89
'
540
'
·1
ТО-92
'
540
.,
ii
lто-96
1:1-------------+----~·
ТО-99
540 11
;!
540
1 ТО-72
540 ;1
то 116
540
-
SOT-37
535
SOT-279
534
ТО-119
541
i
SOT-48b
536
SOT-289
534
ТО-120
541
SOT-54
536
SOT-323
535
ТО-122
1
541
1
SOT-82
1
536
1
1
l[SOT-89
536
~SOT-89a
536
1 SOT-324
535
SOT-343
1
535
1
SOT-343R
1
535
1
1 ТО-126
541
1 ТО-127
11-------------+----~;
1 ТО-202
541
541
1
1
1SOT-93
537
SOT-353
! 535
1
iТО-205
541
~ SOT-93a
1
537
SOT-363
i 535
ТО-210
1
541
:
1
SOT-100
530
SOT-437a
i 536
ТО-217аа
1
542
SOT-103
530
ТО-3
537
ТО-218
1
542
SOT-119
530
ТО-5
537
ТО-220
543
SOT-121
531
ТО-18
538
ТО-221
543
SOT-122D
531
ТО-33
538
ТО-236
1
544
SOT-123
531
ТО-39
538
ТО-243
1
544
1
SOT-1288
1
531
ТО-46
538
ТО-247
544
~SOT-143
1
531
ТО-50
i 538
T0-247VAR
544
SOT-143R
! 531
ТО-59,
539
ТО-226аа
1
544
1
SOT-160
1
532
ТО-60
1
539
ТО-251
1
545
1
SOT-161
532
ТО-61
539
ТО-252
545
SOT-172D
532
ТО-62
539
ТО-253
545
SOT-173
532
ТО-63
539
ТО-263
545
SOT-186
532
ТО-66
539
ТО-262дд
545
3зак9

Раздел 1
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
1.1. Система условных обозначений
Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов ши
рокого и специального применения основывается на буквенно-цифровом коде.
Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материа
ла, из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктив
но-технологические особенности.
Первый злемент
Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого
изготовлен полупроводниковый прибор
Второй злемент
Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора
Третий злемент 1 Цифра, определяет основные функциональные возможности (допустимое значение рассеи-.
1
1ваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту)
~
Четвертый, пятый Цифры и буквы, обозначают порядковый номер разработки технологического типа
и шестой злементы
Седьмой злемент Буква, определяет классификацию приборов по параметрам
Первый зJiемент обозначения. Буква или цифра (для специального применения), обозначает
исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен полупроводниковый прибор.
Условное обозначение
Исходный материал
rилиl
Германий или его соединения
кили2
Кремний или его соединения
Аили3
1 Соединения галлия (например, арсенид галлия)
ИИЛИ4
1 Соединения индия (например, фосфид индия)
Второй зJiемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора.
Условное обозначение
Подкласс (или группа) приборов
т
Транзисторы (за исключением полевых)
1
п
1 Транзисторы полевые
Третий зJiемент обозначения.
Условное
обозначение
2
Назначение прибора
Транзисторы биполярные
Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк = 0,3 Вт):
низкой частоты (fгр < 3 МГц)
средней частоты (fгр = 3" .3 0 МГц)
~,,
•
;
~
'
1

Раздел 1. Условные обозначения
Условное
обозначение
3
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7
8
9
Назначение прибора
высокой частоты (fгр > 30 МГц)
! Транзисторы средней мощности ( Рк = 0,3 ... 1,5 Вт):
1
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мошности ( Рк > 1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и свервысокой частот
1 Транзисторы полевые
Транзисторы малой мощности (Ре< 0,3 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
1
i Транзисторы средней мощности (Ре= 0,3 ... 1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
Транзисторы большой мощносrпи (Ре > 1,5 Вт):
низкой частоты
средней частоты
высокой и сверхвысокой частот
35
Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают
порядковый номер разработки технологического типа.
Условное
обозначение
Назначение прибора
От 01 до 999 1 Определяет порядковый номер разработки технологического типа
Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по па
раметрам.
Условное
Назначение прибора
обозначение
ОтАдоЯ
Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по
(кроме букв 3, О, Ч) единой технологии
i!
з·

1
1
1
1
1
1
36
Раздел 1. Условные обозначения
1.2. Условные графические обозначения транзисторов
Ниже приводятся графические обозначения транзисторов.
Условное графическое
обозначение
~
:~х
~
~
i
Наименование
1 Транзистор типа р-п-р
i
i
!
Транзистор типа п-р-п
Лавинный транзистор типа п-р-п
1
1
1 Однопереходной транзистор с п-базой
1
!
Однопереходный транзистор с р-базой
i
i
Транзистор двухэмиттерный типа р-п-р
Полевой транзистор с каналом п-типа
1
1
1
Полевой транзистор с каналом р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом
1
~i!
,!
1
~
1
1

Раздел 1. Условные обозначения
37
Окончание графических обозначений транзисторов
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом
i1
J
il
1
1
i
,!
11
1
'1
!
:!
11
[ Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с п-каналом 11
IГ--------+-1------1
~
i!
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и l'i
с внутренним соединением подложки и истока
1
ипс
1
~ ПолоеоО •р•юшорс юол.JЮ"""""'"'оромободно""оn>'""'с р-~шом !
ж
ипс
К(С)
Э(Е)
~
З(J
К(С)
Э(Е)·
~/Г
З(J
1
1 Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с n-ка-
1 налом и с выводом от подложки
1
Условные графические обозначения БТИЗ (IGВТ-транзисторов)

Раздел 2
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов
Буквенное
обозначение
Параметр
отечественное 1 международное
lкБО
![
!1
11 Iэво
11
JI Iкэо
iкэн
1 Iсво
1
!
i
1 IEBO
i
1 icEo
Обратный ток коллентор-эмиттер при з:данном обратном напряжении кол-11
!
лектор-эмиттер и разомкнутом выводе оазы.
I!
j icER
' Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кoл-l·ll
!
лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
1
IГ----------+----------+---~--~--~-------------~------~-----1
icES
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-11
Iкэк
lкэv
1
i
1
11 lкэх
1
[Iкmax
1lэmax
11 Iв max
lк. и max
Iэ. и max
11 lкР
icEV
1 lcEX
!
1Icmax
!IE max
1Iвmax
1 !см max
!
1 IЕм max
-
1
лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
11
!1
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении 11
коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи ба-1!
1 за-эмиттер.
!
1 Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол-
1 лектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
1 Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
Максимально допустимый постоянный ток базы.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
Критический ток биполярного транзистора.
1
•
11 Uкво проб
i U(BR) сво
i Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол-
1!
!
1 лектора и разомкнутой цепи эмиттера.
11 Uэво проб
1 U(ВR) ЕВО
[ Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
!1
1
1 эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
,
'1
'
1
1
r
1
,
Uкэо проб
· i U(BR) СЕО
1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1
г---------тl_________-+-и_р_а_з_о_м_к_н_у_т_о_й_ц_е_п_и_б_а_з_ь_1.__ _ __ __ __ _ __ __ _ __ __ _ __~
Uкэн проб
U(BR) CER
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1
и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Uкэк проб
11 Uкэv проб
11
U(BR) CES
iU(BR) CEV
1
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора
и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
1i
.!
1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в [i
i цепи ба.за-эмиттер.
!i

Раздел 2. Биполярные транзисторы
39
Продолжение буквенных обозначений
i
1
i
Буквенное
~.
обозначение
Параметр
;1
1
1
отечественное 1 международное
Uкэх nроб
V(BR) еЕХ
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря-
жении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
Uкэо гр
Uщ еЕО
Граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и
эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uсмк
Upt
Напряжение смыкания транзистора.
Uкэ нас
1 UeE sat
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 коллектора.
при заданных токах базы иjj
!VБЭ нас
J UвЕ sat
Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмит-
11
!
тера.
UэБ nл
1 VEBfl
Плавающее напряжение эмиттер-база - напряжение между эмиттером и
1
базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой
цепи эмиттера.
UкБ max
Uев max
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
Uкэmах
UeE max
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UэБ max
UЕв max
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
Uкэ и max
i UeEM max
Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
iiUкБиmax
1
! Uевм max
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
G
1 UЕВм max
Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
iUэБиmax
IP
i
1Ptot
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
Рср
Рдv
Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Ри
Рм
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
Рк
Ре
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Рктmax
-
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Рвых
Pout
Выходная мощность транзистора.
Ри max
Рм max
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
Рк max
Ре max
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. 1
1
Рк со max
-
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
Гб
rьь. rь
Сопротивление базы.
ГКЭ нас
ГеЕ sat
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
1
С!!э,С!16
С!!е, С!lb
Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно.
с22э. С22б
с22е, с22ь
Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей ба-
зой соответственно.
Ск
Се
Емкость коллекторного перехода.
1
Емкость эмиттерного перехода.
Сэ
1Се
1
fгр
jfт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы
cl
общим эмиттером.
fmax
1 fmax
Максимальная частота генерации.
fh2lэ. fh2lб
fh2le. fhre;
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с
fh21ь. fhrь
общим эмиттером и общей базой.
tвкл
ton
Время включения.
tвыкл
torr
Время выключения.
tзд
td
Время задержки.
tно
tг
Время нарастания.
toac
ts
Время рассасывания.
tcn
tr
Время спада.

40
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Окончание буквенных обозначений
Буквенное
обозначение
Параметр
11
1
отечественное 1 международное
1
1
h1 lэ, h116
1 h1le. h11ь;
Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмит-
i h,e, h;ь
тером и общей базой соответственно.
h21 э. h216
1 h21e. h21ь;
[ Статический коэффициент пер·едачи тока транзистора в режиме малого
1 hre. hп1
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
1 h21э, hJ26
"
!
!h 12е. h12ь:
1Коэффициент обратнои связи по напряжению транзистора в режиме мало-li
''
: hге. hгь
[ го сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. :
1,~---------i----'-=..:..._~,________;_.c_::.._:c:..:..:.:.:.:..:::.:.:..:::__o::~___::cc:..::_'-'--::.._:_:_:=.:.:...:_.::..:._:c:..:...:_:_::r....::.:.:.:_.:.:__.:..::.=:..:..:_...::..=-=-:c.:.:__.::...::_.::....:..:'-"-'c-=-:-=-=c:..:..:.=-=-c_~
ti h22э. h226
i h22e. h2211;
i Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1j
i' ___ ___ ___ _. _ ' _h_ _,,o" - c,_. - 'h - " o " -b - - - -- - -1 -lс.:...х_е.:_11-с.:1_с::.._:ос.:бс.:щ=:и.:...м:.._::_э.:...м_:_и:..:т_:тс.:е-"р-"0_:_11-.:...1-'-и:.._::_ос:.б.=щ:осе:..:И.:...'с.:б:..:а:..:з:..:о_:й:.._::_с.::.о.::.о.:...т=-ве=-т.:...с.:...т:..:в=-.е:..:н.:...н.:...о=--.'------------11
1' !h2!э 1
! 1h2Iе1
. Мод
ль коэ ициента пе едачи тока т анзисто а на высокой частоте. 'j
ll h1IЭ
!h11Е.h1E
1 Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для cxe- li
1 мы с общим эмиттером.
1'
/ У1 lэ, У116
11
/i У12э. У126
У21э. У21б
1
1 У22э. У226
1
11 S1 lэ, S116. S1 lк
lj S12э, S126, S12к
j Н21Е, HFE
1
1
1 У21Е
i У1 le. У11ь;
i У;е. У;ь
/ У12е. У12ь;
i Уге. Угь
1
1У21е. У21ь;
1 Yre. Уrь
1У 22е. У22ь;
IYae. Уаь
1S1le. S11ь.S1lc
Sie. Siь, Sic
1 S12е, S12Ь, S12с;
1 Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в
1 режиме большого сигнала.
[Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. ,1
[ Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 11
i схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
ll
1
Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого
сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сиг-·
/ нала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
1 Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1
схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим
эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
[ Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте-1
i'
! Sre. S,ь, Src
1
.
ром, общей базой и общим коллектором соответственно.
i;
11----------+------------j.C-'------------------'------------------~11
il S22э, S226. S22к
1 S22e. S2211. S22c;
1 Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим ii
'I
1s
ss
1
1 эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
1
:
ое,
оЬ. ос
1 S21e. S21ь. S21c;
1
базо1
S21э. S216. S21к
1 Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей
1 Src. Sr11. Src
1 и общим коллектором соответственно.
-
1 fse. fsь. fsc
Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21e=l,
S21ь=l, S21c=l).
Ку, р
Gp
Коэффициент усиления мощности.
!1
-
Gл, Ga
Номинальный коэффициент усиления по мощности.
IF
i Коэффициент шума транзистора.
i 'с (г'ьь Се)
[ Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
1
lj Такр
1 Тл, Taml1
Температура окружающей среды.
1
JI Тк
ITc, Tcase
Температура корпуса.
1 'Т"
iт!
Температура перехода.
·,
1r.
Rт. п-с
Rthja
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
i
1f
il
Rт. п-к
Rthjc
Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
11
f Rт. к-с
Rthca
Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
li
1~п-к
1
Тепловая постоянная времени переход-корпус.
il
i "tthjC
1
11 "tт. п-с
1 тthja
Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
!.
11 1:т. к-с
! "tthca
11
~-------~---------~'~Т~е~п~л~о~в~а~я~п~о~с~т~о~я~н~н~а~я_в~р~е~м~е~н~и~к~о~р~п~у~с~-~о~к~р~у~ж~а~ю~щ_а~я~с~р~е~д~а~·------~~

Раздел 2. Биполярные транзисторы
41
2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов
Перечень параметров, включаемых в ТУ, характеризующих свойства полупроводниковых при
боров. выбирается с учетом их физико-технологических особенностей и схемного назначения.
В большинстве случаев необходимы сведения об их статических, динамических и предельных пара
метрах. Статические параметры характеризуют поведение приборов при постоянном токе, динами
ческие - их частотно-временные свойства, предельные параметры определяют область устойчивой
и надежной работы.
В справочники, стандарты или ТУ на полупроводниковые приборы включается необходимая
для детального расчета схем информация о параметрах: нормы на значения параметров, режимы их
измерений, максимальные и максимально допустимые значения параметров, вольт-амперные харак
теристики, зависимости параметров от режима и температуры, конструктивно-технологические осо
бенности приборов, их основное назначение, специфические требования, методы измерения
параметров, типовые схемы применения.
Постоянные (случайные) изменения технологических факторов оказывают существенное влия
ние на значения параметров изготавливаемых приборов. Поэтому значения параметров даже одного
типа приборов являются случайными величинами, т. е. имеется отклонение от среднего (типового,
номинального) уровня. Для некоторых параметров устанавливаются граничные (предельные) значе
ния (нормы) и возможные отклонения (разброс). Нормы на разброс параметров устанавливаются
на основе экспериментально-статистических данных при обеспечении надежной и устойчивой рабо
ты приборов в различных условиях и режимах применения, а также исходя ·из экономических со
ображений.
В зависимости от технологии и качества изготовления приборы имеют различные диапазоны
разброса параметров. Для одних параметров ОкБо, Ск, Гб'Ск, Uкэ нас. Кш) предусматривается односто
роннее ограничение (по минимуму или максимуму), для других (h21э, h21э.) - двустороннее.
Параметры транзисторов, определяемые геометрией конструкции (длиной, шириной, площадью
или объемом отдельных областей): емкости переходов, распределенное сопротивление базы, частот
ные характеристики - подвержены меньшим изменениям, чем параметры, зависящие от состояния
поверхности. Состояние поверхности определяет значения пробивных напряжений и стабильность
обратных токов, коэффициент усиления.
Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжения
Максимальное напряжение, которо_е может выдерживать диод или транзистор, ограничивается
явлением пробоя. Пробой р-n-перехода выражается в резком увеличении обратного тока при дости
жении обратным напряжением определенного (критического) значения. Различают электрический и
тепловой пробои. Механизм пробоя определяется физическими параметрами исходного материала,
типом проводимости, мощностью прибора, конструктивно-технологическими факторами, внешними
условиями и другими причинами.
Существуют два вида электрического пробоя: туннельный (зенеровский) и лавинный, связанные
с увеличением напряженности электрического поля в р-n-переходе. Туннельный и лавинный пробои
различаются знаками температурного коэффициента напряжения (ТКН) - отрицательным для тун
нельного (он уменьшается с ростом температуры) и положительным для лавинного (он увеличивает
ся с ростом температуры). Электрический пробой определяется характеристиками р-n-перехода
(шириной, объемными и поверхностными свойствами, удельным сопротивлением исходного материа
ла). Оба вида электрического пробоя находят применение в стабилитронах: в области пробоя напря
жение слабо зависит от тока, что и определяет стабилизацию напряжения.
Тепловой пробой возникает из-за потери устойчивости теплового режима работы и появления те
плоэлектрической обратной связи. При плохих условиях теплопередачи от перехода происходит повы
шение его температуры (саморазогрев) и возможно разрушение прибора из-за перегрева (общего или
локального). На вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференци
альным сопротивлением. Вероятность возникновения теплового пробоя существенно зависит от теп
лового сопротивления прибора, внешних условий, схемы включения, элементов входной цепи,
рабочего тока и напряжения на приборе. Чем выше Тп max и ниже обратные токи и тепловые сопротив
ления, тем более устойчивы к тепловому пробою приборы. Теплового пробоя можно избежать, обеспе
чив тепловую стабильность режима работы прибора, т. е. хороший теплообмен. Напряжения
теплового пробоя значительно больше напряжений лавинного и туннельного пробоев для кремниевых
приборов.

42
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Т:ранзисторы характеризуются максимальными (пробивными) напряжениями переходов
(Uкво проб. Uэво проб. Uобр). Кроме того, максимальное напряжение коллектор-эмиттер зависит от
схемы. в которой применяется транзистор, - от условий во входной цепи (между эмиттером и ба
зой), т. е. от значений сопротивлений Rбэ и Rэ и напряжения смещения. Значения напряжения кол
лектор-эмиттер для произвольной схемы (UкэR проб, Uкэк проб, Uкэv проб) находятся а интервале
между значениями напряжений Uкэо проб и Uкво проб. Пробивное напряжение Uкэо проб является
наименьшим из всех возможных пробивных напряжений коллектор-эмиттер и соответствует наихуд
шим условиям на входе, когда цепь базы отключена (Rбэ = оо), т. е. Uкво проб > Uкэх проб >
> Uкэк проб > UкэR проб > Uкэо проб (рис. 2.1 ). Схемы измерения пробивных напряжений и обратных
токов приведены на рис. 2.2, а-е. Для обеспечения стабильной и надежной работы транзисторов ра
бочее напряжение коллектор-эмиттер выбирают меньше Uкэо проб. Изменение напряжения коллек
тор-эмиттер от сопротивлений Rбэ и Rэ характеризуется зависимостью UкэRпроб от этих
сопротивлений. При включении сопротивления Rэ входное сопротивление увеличивается. поэтому
возможно увеличение Rбэ (см. рис. 2.2, д). Имеется критическое сопротивление в цепи базы Rбэ кр.
при котором начинается снижение допустимого рабочего напряжения (рис. 2.3). Чем больше Rбэ. тем
сильнее зависимость UкэR проб от температуры. Сопротивление Rбэ существенно изменяет UкэR проб,
если оно сравнимо или больше входного сопротивления транзистора.
Напряжение Uкэк проб используется для расчета схем с трансформатором или резонансным кон
туром на входе; напряжение Uэво проб - для расчета напряжения запирания переключающих или
усилительных схем при работе с отсечкой коллекторного тока; напряжение Uкво проб - для расчета
режимов работы запертого транзистора и схем с общей базой.
UкБО проб
Uкэо проб
Uкэх проб Uкэ
Рис. 2.1. Выходные вольт-амперные характеристики транзистора в области пробоя
при различных условиях на входе
а)
UкБо проб UкБ
~·~
б) Uкэо проб
Uкэ
lкэк
lкэR
~
lк
Rбэ2 < Roo1
Uкэ
UкэR проб Uкэ
в)
г)
lкэR
lк
lкэv
~
Rб3
Uкэ
д)
е)
Рис. 2.2. Схемы измерения пробивных напряжений и обратных токов
при различных ус,ловиях на входе
Uкэ

Раздел 2. Биполярные транзисторы
UкэRmax. В
100г--.........
80
60
lк= О,2А
Токр =25 'С
~_
_.__
__.. _ __.__
____..___,____.
10·1
10
10" Rt;3 , Ом
43
Рис. 2.3 . Зависимость пробивного напряжения от сопротивления
резистора в цепи базы
Пробивные напряжения переходов устанавливаются при определенном значении тока (напри·
мер, для маломощных транзисторов напряжение UкБо проб фиксируется при токах от 1 до 200 мкА).
Пробивные напряжения снижаются, если повышается температура, т. е. приборы могут выйти из
строя при напряжениях, безопасных при нормальной температуре.
Максимально допустимые напряжения устанавливаются по наименьшим из измеренных значе
ний пробивных напряжений с некоторым запасом для обеспечения надежной работы приборов. Мак
симальные и максимально допустимые напряжения определяют верхнюю допустимую границу
рабочего диапазона обратных напряжений диодов и транзисторов.
При некотором сочетании параметров (при больших напряжениях и токах, даже не превышаю
щих предельных значений) у любого транзистора в активном режиме при прямом или обратном (в ре
жиме отсечки) смещении на переходе эмиттер-база может возникнуть второй пробой (рис. 2.4).
Поэтому изготовители приборов определяют области их безопасной работы, исключающие этот вид
пробоя, сходного с тепловым. Кроме того, созданы транзисторы с по-
вышенной устойчивостью ко второму пробою (например, транзисто
ры с эпитаксиальной базой, с балластными стабилизирующими
резисторами в цепях эмиттеров). Существуют также схемные реше
ния, уменьшающие вероятность возникновения второго пробоя.
В большей степени второму пробою подвержены транзисторы, рабо
тающие с индуктивной нагрузкой в ключевом режиме (при запира
нии). Вследствие второго пробоя значительно сужается область
безопасной работы мощных высокочастотных транзисторов. Даже
при наличии запасов по предельным параметрам они могут выйти из
строя при средней мощности, меньшей предельно допустимой. Часто
в ТУ для прямого смещения приводятся значения тока, при которых
происходит второй пробой.
Максимальные токи
U2
U1 Uкэ
Рис. 2.4. Форма воль'Р-амперной
характеристики в области второго
пробоя (U 1 и U2 - напряжения
первого и второго пробоя)
Максимальный ток, протекающий через полупроводниковый прибор, определяется допустимой
рассеиваемой мощностью, коэффициентом усиления, уменьшающимся при увеличении тока Iк (напри
мер до значения h2JЭ < 10), критическим током, при котором происходит второй пробой, сопротивле
нием Гкэ нас транзистора. Поэтому для увеличения максимального тока стараются уменьшить rкэнас и
Uпр. увеличить рассеиваемую мощность (т. е. уменьшить тепловое сопротивление, увеличить допусти
мую температуру перехода), повысить устойчивость ко второму пробою, уменьшить снижение коэф
фициента усиления при увеличении тока lк. Максимально допустимый ток устанавливается через
максимальный с учетом коэффициента запаса.
Максимальный ток базы ограничивается сопротивлениями вывода и контактов базы. Ограниче
ние максимального тока коллектора, как правило, наступает раньше, чем достигается максимальный
ток базы.
Обратные токи
Обратные токи и их зависимости от приложенных напряжений и температуры учитываются при
расчете режима работы транзисторов.
Значение обратного тока через переход зависит от свойства материала, технологии изготовле
ния (геометрии перехода, состояния поверхности), мощности прибора и рабочей температуры. Пол
ный обратный ток р-п-переходов lобр состоит из трех компонентов: теплового тока 10 , тока
термогенерации Iт и тока утечки ly.

44
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тепловой ток зависит от физических свойств материала и обычно характеризуется температу
рой удвоения (приращением температуры, вызывающим удвоение теплового тока). У кремниевых он
значительно меньше, чем у германиевых р-п-переходов при одной и той же площади перехода. Ток Io
экспоненциально зависит от температуры, причем у германиевых диодов он примерно удваивается
при увеличении температуры на каждые 7... 10 °С, у кремниевых - на каждые 8... 12 °С.
Особенностью тока термогенерации является зависимость от напряжения (ширина перехода
увеличивается с ростом напряжения, и ток Iт возрастает). Он пропорuионален ~И обр, но увеличива-
ется с ростом температуры слабее, чем ток Io. Ток Io начинает превышать Iт при температуре 100 °С.
При комнатной температуре для германиевых р-п-переходов Iт обычно мал и меньше Io, но для крем
ниевых, у которых Iт является главным компонентом полного обратного тока, Iт >> Io (на несколько
порядков). Ток Iт для германиевых приборов становится соизмеримым с током Io лишь при отрица
тельной температуре.
Ток утечки ly обусловлен проводимостью поверхности кристалла (характером ее обработки),
связан с нарушением кристаллической решетки, наличием окисных пленок, шунтирующих переход,
загрязнением поверхности и является основной причиной нестабильности lобр во времени. При повы
шении напряжения ток ly растет почти линейно и слабо зависит от температуры. Обычно у реальных
кремниевых р-п-переходов ly > Io + Iт.
Небольшой наклон вольт-амперных характеристик свидетельствует о том, что основная состав
ляющая обратного тока - не зависящий от напряжения ток lб. Если же характеристики имеют боль
шой наклон. то основными составляющими являются токи Iт и ly. Большой ток ly нарушает
указанный выше закон удвоения, т. е. увеличение lобр ослабляет его зависимость от температуры.
Транзисторы характеризуются обратными токами переходов эмиттер-база lэБО и коллектор-ба
за lкБо. а также обратным током между коллектором и эмиттером, значение которого, как и про
бивное напряжение между коллектором и эмиттером, зависит от условий во входной цепи
транзистора.
Обратный ток коллектора lкБо экспоненциально увеличивается с ростом температуры. Считает
ся, что он изменяется приблизительно на 6 ... 8% у германиевых приборов и на 8 ... 10% у кремниевых
при изменении температуры на 1 °С (рис. 2.5).
lкБО. мкА
1000
100
10
,
/
1
/
о
~q,-+=J.
,,"~о/-
;:,{911/
1
1
lf,
/
//
//
/
/
50
1
,
100
150 200
Токр.°С
Рис. 2.5 . Зависимость обратного тока коллектора от температуры
Обратные токи обычно определяются при максимальных обратных напряжениях. Большие об
ратные токи переходов свидетельствуют о недостаточно хорошем качестве приборов.
Тепловые параметры
К тепловым параметрам приборов относятся минимальная Тп min и максимальная Тп max темпера
туры перехода, тепловые сопротивления Rт, тепловые постоянные времени tт и теплоемкости Ст.
Они определяют стабильность работы полупроводниковых приборов при изменении температуры, ог
раничивают максимальные мощности, токи и напряжения, допусти~ые диапазоны температур окру-

Раздел 2. Биполярные транзисторы
45
жающей среды, при которых обеспечивается надежная работа. В частности, параметры Rт, tт, Ст
позволяют определять нагрев транзистора 11ли диода в рабочем режиме.
Как уже отмечалось, максимальная мощность полупроводниковых приборов в различных услови·
ях эксплуатации ограничивается максимальной температурой перехода, при достижении которой
либо резко ухудшаются их параметры, либо они выходят из строя из-за теплового пробоя переходов.
При постоянных условиях окружающей среды Тп является функцией электрической мощности
Р = UI, приложенной к прибору, и зависит от его структуры, теплофизических характеристик мате
риалов (типа исходного материала, степени его легирования, состояния поверхности) и других техно
логических факторов. Кремниевые р-п-переходы сохраняют свои свойства до температуры
150 ... 200 °С. германиевые - до 70... 120 ·с.
В процессе работы на р-п-переходах выделяется основная мощность и происходит повышение
температуры. Так как р-п-переход нагревается до температуры, большей, чем температура корпуса и
окружающей среды, то для полупроводниковых приборов устанавливается диапазон максимально до
пустимой окружающей температуры: для кремниевых приборов -60... + 125 °С, для германие
вых -60.. . +70 °С. Связь между Тп и Такр описывается формулой Тп - Такр = RтР, где Rт показывает
возрастание температуры на единицу рассеиваемой мощности.
Приводимые в справочниках значения Тп max определяются экспериментально или рассчитыва
ются и имеют запас по сравнению со значением температуры, при которой наступает разрушение
прибора.
1
Измерять Тп прямыми методами сложно, поэтому используются косвенные методы, при которых
она оценивается по значению какого-либо термочувствительного параметра. Термочувствительными
параметрами диодов являются обратный ток lобр и прямое напряжение Uпр. а транзисторов - обрат
ные токи Iкво. Iэво. напряжения Uэв. Uкв. коэффициент передачи тока h21э. входное сопротивление.
Температуру рабочих областей полупроводниковых приборов измеряют и другими методами, напри
мер методом регистрации инфракрасного излучения, физическим (термопарой).
Теплообмен между переходом и окружающей средой принято характеризовать тепловым сопро
тивлением прибора - сопротивлением элементов конструкции распространению тепла от перехода к
корпусу и теплоотводу, которое определяется конструкцией прибора, теплопроводностью ее элемен
тов и системой охлаждения корпуса. Тепловое сопротивление переход-среда Rт, п-с необходимо
знать для расчета допустимой рассеиваемой мощности маломощных диодов и транзисторов, обычно
работающих без теплоотвода, а тепловое сопротивление переход-корпус Rт. п-к - для расчета режи
ма работы мощных приборов при наличии внешнего радиатора (рис. 2.6). Обычно Rт, п-с >> Rт. п-к (со
противление Rт. п-к остается постоянным только в случае работы при малых плотностях тока). Тепло
от кристалла с переходами к корпусу или радиатору отводится за счет теплопроводности, а от корпу
са в окружающее пространство - конвекцией и излучением.
Rт, к-с
Тп Rт, п-к
Переход
Rт, к-р
Rт, р-е
Рис. 2.6 . Тепловая эквивалентная схема транзистора с теплоотводом
(Rт, п-к, Rт, к-с. Rт, к-р. Rт, р-с - тепловые сопротивления переход-корпус,
корпус-среда, корпус-радиатор и радиатор-среда соответственно)
Для охлаждения корпуса мощного прибора вместо радиатора может использоваться поток жид
кости или газа. При применении радиатора нагрев полупроводникового прибора зависит от качества
теплового контакта корпуса с радиатором, т. е. сопротивление корпус-среда Rт. к-с зависит от типа
радиатора, метода крепления, чистоты сопрягающихся поверхностей, усилия, с которым прижимается
прибор (контактного давления). Для уменьшения контактного сопротивления применяются специаль
ные смазки (например, кремнийорганические) и пасты, заполняющие пустоты между контактирующи
ми поверхностями, а также прокладки из мягких, легко деформируемых металлов: свинца, индия,
меди, алюминия.
Тепловые постоянные времени переход-корпус tт, п-к и корпус-среда tт, к-с используются для
расчета теплового режима приборов в динамическом режиме и характеризуют скорость нарастания
температуры отдельных участков объема полупроводникового прибора, когда температура перехода
значительно изменяется за период действия импульсной мощности. Постоянная времени tт, п-к опре-

46
Раздел 2. Биполярные транзисторы
деляется по переходным тепловым характеристикам нагревания или остывания приборов и зависит
от типа материала и конструкции приборов; tт, к-с зависит от способа отвода тепла от прибора. По
стоянная времени переход-среда tт, п-с характеризует время установления теплового режима диодов
и транзисторов без теплоотвода.
Значения теплоемкостей переход-корпус Ст, п-к и корпус-среда Ст, к-с необходимы при опреде
лении тепловых режимов в случае работы приборов при малых длительностях импульсов. Они опре
деляются экспериментально.
Для приборов средней и большой мощностей, используемых с радиатором, обычно оговаривает
ся предельная температура корпуса прибора.
Для зарубежных приборов часто указывается максимальная температура хранения, которая яв
ляется предельной температурой перехода данного прибора. При больших температурах даже в нера
бочем состоянии могут происходить необратимые изменения свойств прибора. При высокой
температуре активизируется действие примесей на поверхности кристалла, поэтому скорость дегра
дации электрических параметров выше, чем при низких температурах.
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность определяется физическими свойствами полупроводникового материала,
геометрическими, конструктивно-технологическими и тепловыми характеристиками прибора. Мощ
ность. рассеиваемая транзистором, состоит из мощностей, выделяемых на переходах коллек
тор-база и эмиттер-база: Робщ = Рэ + Рк = lБUБэ + IкUкэ .:: Рк (часто величиной Рэ можно
пренебречь, так как Рэ « Рк). Различают максимально допустимую рассеиваемую мощность в стати
ческом и импульсном режимах. В последнем случае она зависит от формы, длительности. частоты и
скважности импульсов. При тепловом равновесии рассеиваемая мощность расходуется на нагревание
и влияет на температуру перехода при заданной температуре окружающей среды Токр или температу
ре корпуса Тк.
Максимальная мощность, рассеиваемая диодом или транзистором, ограничивается максималь
ной температурой перехода Тп. а также рядом специфических процессов, определяющих максималь
ные напряжения и токи. Зависимость между максимальной (максимально допустимой) мощностью
рассеяния и максимальной температурой перехода для прибора без радиатора (теплоотвода) имеет
вид Рк max = (Тп - Токр)/ Rт, п-с, где Rт, п-с
-
тепловое сопротивление переход-среда.
Для приборов, работающих с внешним теплоотводом, Рк.т max = (Т п - Тк)/ Rт, п-к. где Rт, п·к
-
тепловое сопротивление переход-корпус. Максимальная (максимально допустимая) мощность при
увеличении Токр или Тк линейно уменьшается. Она рассчитывается в соответствии с указанными
формулами или находится из типовых зависимостей, которые приводятся для конкретных приборов
(рис. 2.7). Для мощных транзисторов значения Рк, т max приводятся в справочниках при условии иде
ального отвода тепла или для радиаторов различных размеров (рис. 2.8, 2.9). Максимально допусти
мая мощность, в отличие от максимальной, приводится с запасом, гарантирующим заданную
надежность.
50
100
150
200
Токр, •с
Рис. 2.7 . Зависимость рассеиваемой мощности от
температуры
Рк, т max. Вт
Sp> 300см2
12,5
10
7,5
L~..__-'-~-'----'-.:=::::::52!!!!\!lrli.....:T~~~P
о
255075100125150175
Токр, •с
Рис. 2.8. Зависимость рассеиваемой мощности от
температуры при различных значениях и площади
радиатора Sp

Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк, т max. Вт
100 200 300 400 500 600
Sp. см2
Рис. 2.9. Зависимость мощности рассеяния от площади радиатора
при различных значениях температуры
Коэффициент передачи по току
47
Коэффициент передачи h2JЭ транзистора зависит от тока коллектора (эмиттера); с увеличением
тока Iк Оэ) он сначала возрастает, достигает максимума, а затем уменьшается. В зависимости от тех
нологии изготовления максимум кривой h2JЭ = q>(lк) может быть резко выраженным или размытым
(рис. 2.10). Например, максимум этой кривой у меза-транзисторов достигается при токах, на 1-2
порядка больших, чем у сплавных. После прохождения максимума h2JЭ уменьшается приблизительно
обратно пропорционально Iк. Такая неравномерность усиления в диапазоне токов является источни
ком нелинейных искажений. В мощных транзисторах спад коэффициента передачи происходит более
резко, чем в маломощных. Особенно резкий спад происходит у сплавных кремниевых р-п-р транзи
сторов (из-за физико-технологических причин). Поэтому не удалось создать такие транзисторы на
большие рабочие токи. Для повышения усиления используются составные транзисторы.
о 50 100 150 200 250 1••мА
Рис. 2.10 . Типовые зависимости коэффициента передачи
от тока коллектора
У сплавных приборов h21Э растет с увеличением напряжения на коллекторе Uк, у диффузион
ных эта зависимость слабо выражена (она наблюдается лишь при малых напряжениях на коллекто
ре). С ростом температуры h2JЭ обычно увеличивается (рис. 2.11 ).
h21Э отн
1111
Токр= 100 "С
_,_
---
-1·
--
=25°С
-
~--
11
-
-4О0С
--
~-
-::.- -
.-
0,1
0,01
0,1
~- -"
г-- ....
~-
.-.
_h_
'
\
\
1
1
10
....
... ..
' \:\
\"
\'\
100
lк. мА
Рис. 2.11. Зависимость относительного коэффициента передачи от тока коллектора, при различных значениях темпе
ратурыинапряжения(-- - Uкэ =1В,---Uкэ =10В)

48
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Составные транзисторы
Составной транзистор фактически представляет собой соединение двух биполярных транзисто
ров по определенной схеме, имеющей три внешних вывода, Например, в составном транзисторе по
схеме Дарлингтона (рис. 2.12, а, 6) коллекторы соединены вместе, входом служит база транзистора
VTl, а эмиттером - эмиттер транзистора VT2. Для обеспечения нормальных режимов работы управ
ляющего VT 1 и выходного VT2 транзисторов по постоянному току и напряжению транзистор VT2 де
лается более мощным. Такой составной транзистор функционально соответствует одному
транзистору с высоким результирующим коэффициентом передачи тока, равным произведению коэф
фициентов передачи входящих в него одиночных транзисторов:
h21Эоб = h21э1 + h21э2 + h21э1h21э2 ~ h21э1h21э2.
Недостатком составных транзисторов является повышенное напряжение насыщения Uкэ нас =
= Uкэ нас! + Uвэ2, а также относительно большой обратный ток.
к
к
Б~ Б~
~VТ2
~VТ2
э
э
а)
б)
Рис. 2.12. Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы
Для увеличения стабильности работы эмиттерные переходы транзисторов VTl и VT2 могут шун
тироваться резисторами Rбэl и Rбэ2 (например, Rбэl = 1... 10 кОм, Rбэ2 = 25 ... 300 Ом), предотвращаю
щими возрастание токов утечки (особенно при высоких температурах), но и влияющими на общий
коэффициент усиления (рис. 2.13, а, 6):
h2JЭоб = h21э1Rбэ!/(Rбэ! + Гвх!) +'h21э2Rбэ2/(Rбэ2 + Гвх2) +
+ h21э1h1э2Rбэ!Rбэ2/[(Rбэ! + Гвх1НR6э2 + Гвх2)],
где Гвх - входное сопротивление транзистора. При этом
к
к
Б
Б
э
э
а)
6)
Рис. 2.13 . Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы
с резисторами Rбэl и Rбэ2
Внутренняя структура составных транзисторов варьируется в зависимости от области их приме
нения. В ряде приборов могут отсутствовать резисторы Rбэl и Rбэ2 (например, у 2SB678, 2SB679,
2SB880, 2SD549, 2SD688, 2SD1190, 2SD1224), может быть только резистор Rбэl (например, у
RCA9203, 2SD684, 2SD1088, 2SD1410, 2SD1861 ). Имеются приборы, в которых между коллектором
и эмиттером выходного транзистора включается диод (например, у КТ825, 2N6050, 2N6285, ТIPl 10),
защищающий транзистор от инверсных (обратных) токов, возникающих в результате переходного
процесса при работе на индуктивную нагрузку и при непредусмотренном изменении полярности на
пряжения питания (см. рис. 2.13). Но тогда они становятся не пригодными для использования в ин
верторных мостовых схемах. Для повышения стойкости ко второму пробою между коллектором и

Раздел 2. Биполярные транзисторы
49
базой или между коллектором и эмиттером включается стабилитрон (например, у 2SD706. 2SD708.
2SD1208, 2SD1294).
Составные транзисторы применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсно
го действия, электронных системах зажигания автомобилей (например, КТ848А), схемах управления
двигателей, в различных усилительных и переключательных схемах.
Необходимо отметить, что большое усиление могут иметь и одиночные мощные и маломощные
транзисторы со сверхбольшим коэффициентом усиления (так называемые Ultra-Beta и Super-Beta),
например 2N596 l-2N5963, 2SC 1888, 2SC 1983, 2SC2 l 98, 2SC23 l 5-2SC23 l 7, 2SC249 l, 2SD920,
2SD931, 2SD982, 2SD1052, 2SDI090, 2SD1353.
Емкости переходов и постоянная времени коллектора
Емкости р-n-переходов влияют на частотные и импульсные характеристики полупроводниковых
приборов. Обычный р-n-переход подобен конденсатору, емкость которого меняется при изменении
приложенного напряжения. Эта емкость состоит из двух компонентов, проявляющихся при работе
диода в прямом и обратном направлениях, - барьерной и диффузионной емкостей. Барьерная (за
рядная) емкость Сб не зависит от тока через переход и является функцией частоты и обратного при
ложенного напряжения. Диффузионная емкость Сд пропорциональна прямому току (даже при
небольших прямых токах Сд > Сб) и также зависит от частоты. Емкость р-n-перехода при прямом
смещении диода равна сумме Сд и Сб, при обратном - приблизительно емкости Сб, так как в этом
случае емкость Сд пренебрежимо мала.
Обычно в ТУ на прибор даются зависимости емкостей от напряжений, приложенных к перехо
дам. На рис. 2.14 приведена зависимость Ск(Uк5}. С увеличением напряжения емкость нелинейно
уменьшается. Емкость Ск равна разности измерений выходной емкости С22э и паразитной емкости
ножки корпуса.
250
200
150
100
о
25
lэ=О
Такр =25 'С
f=1МГц
50 75 UкБ.В
Рис. 2.14 . Зависимость емкости коллектора от напряжения коллектор-база
Постоянная времени •к = r'бСк, где r'б - сопротивление базы, характеризует внутреннюю об
ратную связь в транзисторе и определяет частотные и усилительные свойства, максимальную часто
ту генерации и коэффициент усиления по мощности на высокой частоте. Кроме того, чем меньше
его значение, тем выше устойчивость к самовозбуждению транзистора в усилителе. Через парамет
ры •к и Ск можно определить сопротивление базы, необходимое для расчета схем.
Шумы транзисторов
Собственные шумы транзисторов ограничивают чувствительность усилителей. Их источниками
являются шумы: тепловые, дробовые эмиттерного и коллекторного переходов, избыточные, а также
случайного перераспределения тока эмиттера между коллектором и базой.
Тепловые шумы транзистора практически определяются омическим сопротивлением базовой об
ласти. Дробовые шумы обусловлены флуктуациями носителей заряда через прибор (возникают при
прохождении тока через эмиттерный и коллекторный переходы).
Избыточные шумы (фликкер-шумы) - специфические шумы, возникающие вследствие измене
ния состояния поверхности кристалла полупроводника во времени. Они пропорциональны протекаю
щему току и проявляются на низких частотах: в диапазоне звуковых и инфранизких частот.
Значения избыточных шумов могут сильно колебаться даже для транзисторов одного типа, так как
зависят от технологических факторов. Избыточные шумы больше у n-p:n транзисторов, чем у p-n-p.
Транзисторы с большими или нестабильными токами lкБо имеют повышенные избыточные шумы.
43З1(9

50
Раздел 2. Биполярные транзисторы
С ростом рабочей частоты доля избыточных шумов уменьшается и шумы транзисторов определяются
в основном дробовыми и тепловыми составляющими.
Шумовые свойства транзистора обычно характеризуются коэффициентом шума, который опре
деляется экспериментально или рассчитывается на основе анализа отдельных источников шума. Рас
считать точно коэффициент шума для области избыточных шумов невозможно, поэтому его
определяют экспериментально.
Коэффициент шума - сложная функция многих переменных: полного сопротивления источника
сигнала Rг, параметров режима, параметров транзисторов (h21э, lкБО. Сэ, fh2Jб, г'б, Гэ) и рабочей час
тоты fp. Зависимость Кш от частоты имеет три характерных участка (рис. 2.15): низких частот (Кш
уменьшается пропорционально 1/ f); средних частот (Кш не зависит от частоты) - область «белого»
шума; высоких частот (при f > fгр усиление резко уменьшается и шумы возрастают, Кш зависит от г'б
и отношения (fp/ fh2lб) 2).
Кw.дБ
ЗдБ/окr
1...5 кГц
Рис. 2.15. Типовая зависимость коэффициента шума от частоты
Эти участки обусловлены тем, что на различных частотах шумы генерируются различными
источниками шумов. В области низких частот (О, 1... 5 кГц) коэффициент шума уменьшается при
мерно на 3 дБ на октаву, в области высоких частот увеличивается на 6 дБ на октаву, в области
средних частот он минимален.
Следует отметить, что имеется взаимосвязь низкочастотных шумов и отказов приборов. Уровень
низкочастотных шумов, пропорциональных 1/ f, дает информацию о структурных изменениях прибо
ров и используется для распознавания разных дефектов в транзисторах, в частности трещин и нару
шений целостности кристалла, наличия загрязнений поверхности, которые могут привести к отказам
приборов. Методы неразрушающего контроля качества приборов по их шумам используются в техно
логическом цикле производства. Кроме того, существуют методы прогнозирования основных парамет
ров надежности приборов по их низкочастотным шумам.
Минимальное значение Кш достигается при определенных значениях сопротивления источника
сигнала Rг и тока lк (рис. 2.16, 2.17). Увеличение Кш при росте Iк происходит медленно при малых
токах. При больших токах Кш растет почти пропорционально lк. С ростом Uк (в пределах 1... 10 В)
Кш почти не меняется, пока избыточные шумы малы по сравнению с дробовыми и тепловыми.
В дальнейшем из-за увеличения избыточных шумов Кш возрастает. Таким образом, для того чтобы
свести шумы к минимуму, выбирают оптимальный режим работы транзистора.
Кш.дБ
12
10
8
i\.
'
6
4
2 r\.
о
1о-4
\
\
...
....
'
Uкэ=5в
~
'\
"
10·2
10·1
11;
11. .iJ
Iо·
!:) $?
tV
1/
1
~
11' ,
lt)
.:..·1
)
~"
10
/
,__
,__
1а2
f, МГц
Рис. 2.16 . Зависимость коэффициента шума от
частоты при различных значениях тока коллектора
и сопротивления источника сигнала
Rг.кОм
100 .---........П'li:~~:-v-.....-~~
50
10
51:s.:;;;;::!=:t:t:""'=:::t=::::);~~~
0,5
О,1 .....,.........;,..._L...Cl_L.-_._.....__.....____.
0,01
0,05 0 ,1
0,5
lк, мА
Рис. 2.17. Типовая зависимость коэффициента
шума от сопротивления источника сигнала
и тока коллектора

Раздел 2. Биполярные транзисторы
51
На средних и высоких частотах минимальный Кш будут иметь транзисторы с малыми r' б и lкБО и
большими h21э и h21б.
Измерения параметра Кш производятся обычно при стандартном сопротивлении Rг. Как правило,
коэффициент шума увеличивается с ростом температуры.
2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника
Для анализа работы транзистора в усилительном или генераторном режимах используются ме
тод эквивалентных схем и метод четырехполюсника.
При первом методе основные расчетные соотношения схемы усилителя выражаются через пара
метры, отражающие физические процессы в транзисторе (диффузию, модуляцию ширины запираю
щего слоя), зарядные емкости, последовательные сопротивления и др., с учетом особенностей
конструкции. паразитных емкостей и индуктивностей выводов в рабочем интервале частот. Для раз
личных областей применения и диапазонов рабочих частот эти схемы различны. В зависимости от
расположения пассивных элементов получаются Т- и П-образные эквивалентные схемы.
Эквивалентная схема диода, включающая сопротивление р-n-перехода, емкости р-n-перехода (Сб
и Сд). емкость корпуса, индуктивности выводов, сопротивления базы и выводов, видоизменяется при
обратном и прямом смещениях.
Метод четырехполюсника позволяет рассчитывать усилитель с помощью матриц без составле
ния эквивалентной схемы транзистора. При этом параметры четырехполюсника (четыре комплекс
ных параметра), характеризующие свойства транзистора, определяются экспериментально, В
отличие от параметров эквивалентной схемы, они зависят от схемы включения. Существуют три сис
темы параметров, однозначно определяющие свойства транзисторов~ h-, У- и S-параметры. Каждая из
них имеет свои преимущества и недостатки. Выбор той или иной системы параметров определяется
удобством анализа и расчета каждой конкретной схемы.
При расчете низкочастотных схем наибольшее распространение получили Z- и h-параметры. вы
сокочастотных схем - У-параметры.
Для устранения нестабильности работы транзисторов в усилительном режиме, связанной с
внутренней обратной связью, используются схемные методы нейтрализации и демпфирования вход
ных и выходных проводимостей. С помощью внешних схемных элементов стараются уменьшить ко
эффициенты, характеризующие обратную связь (h12. У 12). У ряда современных транзисторов влияние
обратной связи снижается технологическим способом.
Измерение параметра У 116 позволяет оценить сопротивление базы, которое, в свою очередь, оп
ределяет усилительные и частотные свойства транзисторов, а также высокочастотные шумы токорас
пределения (у транзисторов с малым сопротивлением r'б уровень шумов также мал). Вообще
сопротивление r'б зависит от конструкции и типа транзистора и лежит в диапазоне от нескольких
единиц (у мощных приборов) до нескольких сотен Ом.
В качестве параметров, описывающих транзистор как четырехполюсник для СВЧ-диапазона, ис
пользуются S-параметры: S11 и S12 - коэффициенты отражения соответственно от входа и выхода
четырехполюсника при нагрузке на волновое сопротивление (входные и выходные сопротивления),
S12 и S21 - коэффициенты обратной и прямой передач. Они применяются для расчета схем, рабо
тающих на частотах от 100 МГц до нескольких гигагерц (на этих частотах трудно осуществить усло
вие короткого замыкания при измерении У-параметров). Кроме того, S-параметры имеют ряд
преимуществ с точки зрения обеспечения устойчивости в процессе измерения, но определяются
только для конкретной рабочей точки и на фиксированной частоте.
Типовые (нормализованные) зависимости параметров четырехполюсника от режима и темпера-
туры иногда приводятся в справочниках или ТУ (технических условиях).
Частотные свойства транзисторов
Частотные свойства полупроводниковых приборов определяют области их применения.
Для эквивалентных схем и четырехполюсников существует ряд характеристических частот.
Практическое значение имеют частоты, связанные с параметрами h2Iб, h21э и У21э. а также частота
генерации fmax, определяющая область частот, в которой транзистор, в принципе, может применяться
как генератор колебаний (на этой частоте коэффициент усиления по мощности Кур = 1). Кроме того,
fmax используется для оценки Кур на других частотах.

52
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Модули коэффициентов передачи тока hz1б, hz1э и крутизны У21э уменьшаются с ростом часто
ты, поэтому вводятся характеристические частоты, на которых эти параметры снижаются в .J2 раз
(до 0,707) относительно их значения на низкой частоте (соответствующие предельные частоты fh2lб,
fh2lэ. fv21э). Усиление транзистора на частотах, превышающих fh2lэ и fh2lб. падает со скоростью 6 дБ
на октаву, т. е. при рабочей частоте, в 2 раза превышающей fh2lэ и fh2lб, коэффициент усиления
уменьшается в 2 раза.
С ростом частоты входного сигнала коэффициент передачи плавно снижается и на некоторой
частоте, называемой граничной (fгр = 1hz1э1 fизм, где fизм - частота измерения), модуль hz1э достига
ет значения, равного единице, т. е. усиление по току отсутствует (рис. 2.18).
ЗдБ h21б
fh21э fh21б frp f
Рис. 2.18 . Зависимости коэффициентов передачи тока от частоты
Частота fv21 используется для расчета ограниченного ряда схем (генераторов и широкополосных
усилителей) и связана с fгр формулой
fv21э = fгрrэ/ Г'б-
Частота fmax также связана с fгр:
fmax = ~fгр /8rc · r;c •.
Для характеристики транзисторов частота fh2lб обычно используется на частотах до 20 МГц,
а fгр - свыше 20 МГц.
Имеются формулы, связывающие частоты fh2lб, fh2lэ и fгр- В частности, fгр = kfh2lб, где k =
= 0,65 ...0,82 для различных типов транзисторов или fh2lб = (1,2 ... 1,б)fгр- Для бездрейфовых
(сплавных) транзисторов обычно k = 0,82, а предельная частота fh2lэ = (1 - hz1б>fh2lб- Значения
fгр зависят от положения рабочей точки (рис. 2.19) и температуры. Максимум зависимости fгр от
тока коллектора (эмиттера) обычно почти совпадает с максимумом зависимости параметра hz1э от
тока (рис. 2.20). При больших токах предельная частота падает, при малых токах частотные свой
ства транзисторов также ухудшаются.
Uкэ.В
50
10
5
--
--
с::Е
о
"""11
д"
о
со
\\
\\
\,
\
~\~ \~\
о~
а)~
Токр =25 ·с
\~
\\ эDOj
\'
\,
./
\21о/
'
1
'
1
1
1\~~,
\'
""
/J
\
/J
'
'
L"\I /fh
""
\ \;;ю/'//
о\ .о
~а) ,_
~
0,02 0,05 О,1 0,2 0,5 1 2
51020
lк,А
Рис. 2.19 . Зависимость граничной частоты от
тока коллектора
frp. МГц
100
80
60
40
v
20
0,01
/
/
r-\.
/'
'
\
0,1
Рис. 2.20. Зависимость граничной частоты от
режима работы (Токр = 25 "С)

Раздел 2. Биполярные транзисторы
53
Высокочастотные транзисторы
Различие между низкочастотными и высокочастотными транзисторами заключается в размерах
активных областей и в значениях параметров структуры и паразитных параметров корпуса - для
высокочастотных приборов они должны быть значительно меньшими.
К транзисторам, предназначенным для работы на высоких и сверхвысоких частотах, предъявля
ется ряд дополнительных требований. Они должны иметь малые емкости между электродами, соз
дающие (!аразитную обратную связь, и малую индуктивность общего вывода. Кроме того, для
получения максимального Кур они должны иметь высокую частоту fгр и малые '!к, Ск и Uкэ нас- При
создании высокочастотных приборов труднее получить высокую воспроизводимость и идентичность
параметров у приборов одного технологического типа.
Высокочастотные транзисторы могут работать и ~ак усилители, и как генераторы. Однако
транзистор, оптимальный для усилителя мощности, не обязательно будет пригоден для генератора
и, наоборот.
Высокочастотные мощные транзисторы характеризуются такими параметрам, как Рвых. Ку,Е.!.
КПД Iкр (критический ток коллектора, при достижении которого происходит уменьшение fгр в ..J2
раз по отношению к максимальному значению, - определяет условную границу, при которой полу
чают удовлетворительные частотные свойства транзистора). Факторы, определяющие усиление и ши
рину полосы транзисторных усилителей, могут быть найдены только в комбинации свойств
транзистора и схемы, в которой он используется. Кроме того, параметр Кр зависит от условий опре
деления входной и выходной мощностей, поэтому имеется несколько коэффициентов, характеризую
щих усиление транзистора. В качестве обобщенной характеристики усилительных свойств
транзисторов используется U-функция (максимальный Ку, р при обратной связи, нейтрализованной
внешней схемой). Помимо указанных параметров они должны иметь хорошую устойчивость к рассо
гласованию нагрузки.
Для получения высокого КПД рабочая точка транзисторов должна находиться вблизи области
насыщения. Высокочастотное напряжение насыщения (оно больше статического) определяет также
выходную мощность на высокой частоте. Следует отметить, что использовать транзисторы с больши
ми пробивными напряжениями для низковольтных устройств нецелесообразно, так как они имеют
большие напряжения насыщения и низкие КПД.
Надежная работа мощных приборов при больших Рвых обеспечивается лишь при пониженных
значениях параметров электрического и теплового режимов. Обычно Рвых указывается в справочни
ках для уровня, соответствующего надежной работе, и не превышает в режиме непрерывных колеба
ний 50% Рк max. На высоких частотах выходная мощность изменяется пропорционально 1/ f2 . Она
монотонно увеличивается до определенных значений с ростом входной мощности и напряжения ис
точника питания Uиn-
Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителя мощности, должны иметь
пробивное напряжение коллекторного перехода в 2... 3 раза больше Uиn. В схемах генераторов при
расстройке коллекторной цепи пиковое значение напряжения на коллекторе может достигать
(3 .. .4)Uиn и более, особенно на нижнем участке рабочего диапазона частот.
Обычно высокочастотные мощные транзисторы работают ненадежно в режимах короткого замы
кания и холостого хода и могут отказывать при рассогласовании нагрузки на выходе. Например.
транзистор 2N5178 обеспечивает мощность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно на
страиваемом узкополосном усилителе, и даже при слабом нарушении согласования возможен отказ.
Имеются высокочастотные транзисторы, которые могут работать при всех условиях рассогласо
вания нагрузочного полного сопротивления. Так, транзисторы 2N5764 и 2N5765 могут работать в ус
ловиях сильного рассогласования, в отличие от типов 2N4430 и 2N4431. Разработаны также
приборы для специальных областей применения, в которых требуются различные значения рабочего
напряж~ния (6; 12; 13,5; 24; 28 В и др.), с различными уровнями широкополосности, с высокой ли
нейностью.
Для передачи информации с помощью кабелей (например, в кабельных телевизионных систе
мах) разработаны специальные широкополосные линейные транзисторы, работающие в классе А или
АВ, при котором обеспечивается малый уровень искажений. вызываемых перекрестной модуляцией.
Они имеют слабую зависимость коэффициента усиления от тока, малую емкость Ск и применяются
на частотах много меньших, чем максимальная рабочая частота. Для стабилизации температурного
режима в корпусе транзистора монтируют схему температурной стабилизации с диодом - датчиком
температуры. Нелинейность таких транзисторов характеризуется коэффициентом нелинейных (ин-

54
Раздел 2. Биполярные транзисторы
термодуляционных) искажений. При сравнительной оценке линейности транзисторов могут исполь
зоваться зависимости S21Ок) и S21(Uк).
Транзисторы для линейных широкополосных усилителей, работающих в режиме одной боковой
полосы. характеризуются отдаваемой мощностью в пике огибающей (РРЕР).
Мощные высокочастотные транзисторы могут применяться в импульсном режиме, при этом вы
ходная мощность может быть увеличена при повышении рабочих напряжений. Например, транзистор
MSC1330 имеет в непрерывном режиме выходную мощность _30 Вт на частоте 1,3 ГГц при
Uип =28 В. а в импульсном <tи = 10 мкс) при Uип =40 В на той же частоте уже 70 Вт.
Современные мощные высокочастотные транзисторы имеют сложные геометрические и техноло
гические структуры (полосковые, гребенчатые. многоэмиттерные, сетчатые, мнqгоэлементные).
В этих структурах в'Ьзмож'но развитие второго пробоя, который чаще всего проявляется при работе
или испытаниях транзисторов в статическом режиме (на постоянном токе) или режиме класса А.
Среди возможных причин отказа высокочастотных и сверхвысокочастотных усилительных тран
зисторов можно назвать возникновение генерации за счет паразитных реактивностей схемы, пере
грузку при переходных процессах и действие статического электричества.
2.4. Области работы и вольт-амперные характеристики
транзисторов
Для транзисторов принято различать четыре области работы (рис. 2.21 ): отсечки, активную
(усиления), насыщения и лавинного пробоя (умножения), а также три схемы включения: с общим
эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Транзисторы работают в прямом и
инверсном включениях.
-lк
UкБ= О
lэ= о
Область отсечки
Рис. 2.21 . Выходная вольт-амперная характеристика транзистора
При прямом включении в области отсечки оба перехода (эмиттерный и коллекторный) смещены
в обратном направлении и через них протекают очень малые токи lкБО и lэ50. В активной области
транзистор работает как усилительный элемент (эмиттерный переход смещен в прямом направлении,
а коллекторный - в обратном). В области насыщения оба перехода смещены в прямом направлении,
через транзистор протекает большой ток, а остаточное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Uкэ нас характеризует его как переключатель в замкнутом состоянии. В области умножения коллек
торный переход находится в состоянии лавинного (электрического) пробоя.
При инверсном включении, в отличие от прямого, эмиттер смещен в обратном направлении, а
коллектор - в прямом. Транзистор работает в активной области, но его усилительные свойства
хуже (например, h21б iпv = 0,1 ...0,8). Дрейфовые (диффузионные) транзисторы редко исп:ользуются в
таком включении, так как из-за асимметрии конструкции (большого различия площадей эмиттера и
коллектора) инверсное усиление· мало. Инверсный режим может иметь место во время переходных
процессов в импульсных схемах.
Вольт-амперные характеристики, приводимые в справочниках, дают информацию о работе тран
зисторов во всех областях и режимах работы на большом и малом сигналах при различных допусти
мых сочетаниях токов и напряжений. По ним можно определить ряд основных параметров
транзистора, выбрать оптимальное положение рабочей точки, рассчитать нелинейные искажения.

Раздел 2. Биполярные транзисторы
цепи смещения и стабилизации режима. Для анализа ре
жимов и расчета схем обычно широко используются два
семейства статических характеристик: входных и выход
ных для схем с ОБ и ОЭ. При необходимости по ним мож
но построить переходные характеристики (прямые и
обратные). По входным характеристикам определяются па
раметры h11б и h11э. по выходным - h22б, У22б, h21э, У21э,
У21б (в зависимости от режима).
Наклон начального участка выходных характеристик
определяет сопротивление Гкэ нас· Кроме того, на выход
ных характеристиках обычно указывают область безопас
ной работы транзисторов.
Типичная область безопасных режимов работы (ОБР)
для статического режима эксплуатации приведена на
рис. 2.22 . Они ограничены отрезками АВ (определяет зна
чение максимально допустимого тока прибора), СО (опре
lк,и max
lк,max
10
0,1
0,01
··········-·········-...-·········
А В ··-..
"·.!и1
10
·-..tи2 :
·..
:
··.":
·:
о· 4s·· ..
100 о 1000
Икэо max
55
И,В
Рис. 2.22. Область безопасных режимов ра·
боты (пунктирными линиями -
импульсный режим)
деляет значение максимально допустимого напряжения Uкэо max), ВС (характеризует ограничение
электрического режима по мощности, т. е. значение выделяющейся мощности не должно выходить за
пределы ВС).
Для большинства тргнзисторов ОБР ограничивается отрезком C'D' и уменьшается, что связано
с воздействием электротепловой нестабильности: выделяющаяся мощность и тепловое сопротивле
ние увеличиваются с ростом температуры (растет нагрев транзистора), а теплоотвод ухудшается и
растет температура перехода. Выход рабочей точки за пределы ОБР приводит обычно к необратимо
му ухудшению параметров транзистора.
Для обеспечения надежной работы режимы использования, особенно мощных транзисторов,
должны не выходить за пределы области максимальных режимов.
При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности рабочего
импульса tи границы области ОБР перемещаются в сторону больших значений токов и напряжений.
Чем меньше tи и больше скважность, тем будет больше импульсная мощность рассеяния, вызываю
щая разогрев р-n-перехода до предельно допустимой температуры.
Импульсный и ключевой режимы работы
Рабочие токи, напряжения или мощности при работе в импульсном и ключевом режимах могут
значительно превышать номинальное значение, установленное для режима постоянного тока.
Транзисторные ключи работают в насыщенном (режим переключения) или ненасыщенном режи
ме (в импульсных усилителях). В первом случае рабочая точка на семействе выходных характери
стик циклически перемещается из области отсечки в область насыщения через активную область и
обратно. Во втором случае рабочая точка проходит только через две области - отсечки и активную.
В режиме переключения (рис. 2.23, а) транзистор как ключевой элемент меняет свое со
стояние от закрытого (высокое напряжение и малый ток) до открытого (низкое напряжение и
большой ток). Насыщенные ключи имеют меньшую мощность рассеяния Рк во включенном со
стоянии и хорошую помехоустойчивость, но у них хуже быстродействие, так как переход из об
ласти насыщения происходит с задержкой, и больше мощность
рассеяния на базе при больших степенях насыщения. Увеличе
ние быстродействия транзисторов достигается уменьшением
времени жизни неосновных носителей путем легирования ак
тивных и пассивных областей структуры атомами золота. Но
для таких транзисторов велика вероятность возникновения ла
винного пробоя. Поэтому для увеличения быстродействия часто
параллельно переходу коллектор-база подключается диод Шат
ки, что предотвращает насыщение транзистора (отсутствуют ре
жимы накопления и рассасывания зарядов). Такие транзисторы
более устойчивы ко второму пробою в случае больших запи
рающих токов (например КТ635).
Для переключательных транзисторов в справочниках приво
дятся импульсные значения максимально допустимых параметров
или графики, позволяющие определить импульсную рассеивае-
Uкэ
lк
Uкэ нас
а)
=1:""""".i.
б)
Рис. 2.23 . Выходные напряжение и
ТОК (а) и выходная МОЩНОСТЬ (6)
импульсного транзистора

56
Раздел 2. Биполярные транзисторы
мую мощность Ри в зависимости от соотношения длительности импульса tи. скважности Q и частоты.
Значения Ри на фронте или срезе импульса могут превышать Рк max (рис. 2.23, 6). Ток lк. и max обыч
но определяется экспериментально для заданной длительности импульса и ограничивается Рк max.
Формы входного и выходного импульсов тока представлены на рис. 2.24 . Как видно, выходной им
пульс сдвинут относительно входного на tзд, а фронт и срез имеют конечную длительность. Задержка
фронта обусловлена зарядом входной емкости, равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и кол
лекторного переходов.
-IБ2
lк
0,9
0,1
j~
~
1
"
·-
+
-
lвкл
lи
:.
1
а)
\-
}нр lpac
!сп
t
lвыкл
б)
Рис. 2.24 . Форма токов базы и коллектора импульсного транзистора
Время переключения транзистора, т. е. его быстродействие, состоит из времен включения tвк.п и
выключения tвыкл. В свою очередь, время включения состоит из времен задержки tзд и нарастания
tнр. а время выключения - из времен задержки выключения tpac (времени рассасывания) и спада tсп
Время переключения определяется как свойствами самого транзистора, так и выбранной схемой
включения транзистора и параметрами управляющего сигнала. Оно является функцией частоты fгр и
эмиттерного и коллекторного токов. Получить высокое быстродействие при большом токе трудно.
Для высокочастотных транзисторов (с fгр > 100 МГц) задержка включения определяется в ос
новном емкостью Сэ. Кремниевые транзисторы имеют большие значения t 3д, чем германиевые. Время
задержки может быть уменьшено путем увеличения мощности включающего сигнала. Для времени
нарастания влияние емкости Сэ незначительно, но играют роль fгр и входной ток. Как уже отмеча
лось, на длительности фронта и среза значительное влияние оказывает емкость Ск. Время tсп зависит
от Iк и от отношения Iк/IБ.
Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима измерения. При боль
ших степенях насыщения (или больших запирающих токах) и существенных отклонениях режима ис
пользования от указанного в справочнике время рассасывания может принимать значения,
отличающиеся от номинального.
Параметры tpac. Ск, Сэ. fгр. h21Э дают возможность сравнивать переключательные свойства тран
зисторов при одинаковых режимах измерения.
Параметры tвкл и tвыкл приводятся лишь для некоторых типов транзисторов, используемых при
предельном быстродействии. Эти времена определяются для конкретной (типовой) электрической
схемы, зависят от элементов внешних цепей (сопротивления нагрузки, сопротивления входной цепи,
реактивных сопротивлений) и используются как справочные или рекламные сведения.
Работа транзистора в режиме насыщения характеризуется также остаточным напряжением кол
лектор-эмиттер Uкэ нас или сопротивлением насыщения Гкэ нас. При сравнении транзисторов удоб
нее использовать параметр Гкэ нас, а не Uкэ нас. так как он слабо зависит от тока. Напряжение Uкэ нас
зависит от геометрических и физических параметров транзистора. Его уменьшают, выбирают опреде
ленную геометрию структуры, а также создавая конструкции с эпитаксиальными слоями. С увеличе
нием степени насыщения (в 3 ... 5 раз и выше) Uкэ нас почти не меняется. С ростом температуры оно
несколько увеличивается (рис. 2.25). Большое сопротивление Гкэ нас транзистора и диода увеличивает
потери мощности в приборах и снижает КПД устройств, особенно при работе на больших токах.
Переключательные транзисторы (в отличие от усилительных) обычно имеют малые остаточные
напряжения (Uкэ нас. UБэ нас). времена переключения и большие пробивные напряжения UкБО проб.

Раздел 2. Биполярные транзисторы
Uэво проб. Для этих транзисторов нет необходимости иметь
большие h21э. В общем случае мощность, выделяемая транзи
стором в ключевом режиме, состоит из мощностей, выделяю
щихся на коллекторном переходе в режиме насыщения
(Рвкл). в режиме отсечки (Рвыкл), в процессе перехода транзи
стора из одного режима в другой (Рпер). и управляющей мощ
ности в цепи базы (Рупр). При небольших рабочих частотах
(менее 1 кГц) основной составляющей, определяющей тепло
вые потери в транзисторе, является Рвкл- Мощностью Рпер ог
раничивается предельная частота работы транзистора.
Следует отметить, что для надежного отпирания транзистора
необходимо подавать напряжение, превышающее плавающее
напряжение UэБ пл - напряжение между выводами .базы и
эмиттера, обусловленное параметрами lкво. Г'б и сопротивле
нием утечки.
Uкэ нас. В
0,25
0,20
0,15
0,10
-
0,05
о
0,01 0,1
57
Тор= 1оо·с_';-/,
111
1 ~5~~
-40 t;
...~"
-~-~"
10
lк, мА
Рис. 2.25. Зависимость напряжения
насыщения коллектор-эмиттер от тока
коллектора при различных значениях
температуры
2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов
Надежность полупроводниковых приборов существенно зависит от электрических и тепловых
режимов работы, т. е. определяется реальными условиями их эксплуатации. Приборы работают на
дежно, если их рабочие токи, напряжения, мощности, температура перехода и температура окружаю
щей среды не превышают максимально допустимых значений.
Надежность полупроводниковых приборов закладывается еще на этапе разработки и в даль
нейшем обеспечивается на всех стадиях их изготовления. В производственных условиях надеж
ность приборов зависит от конструкции, технологии изготовления (например, надежность
планарных приборов выше надежности сплавных и сплавно-диффузионных) и методов контроля ка
чества и надежности.
В ТУ на приборы определены условия, при которых гарантируется их надежная и устойчивая
работа и предусмотрен комплекс мероприятий для обеспечения высокой надежности. При заводских
испытаниях проводятся испытания приборов на безотказность и долговечность, позволяющие опреде
лить производственную надежность (для оговоренных в ТУ режимов, условий испытаний и критери
ев отказов), как правило, в условиях и режимах более тяжелых, чем условия эксплуатации, и с
оценкой результатов испытаний по более жестким критериям. Количественные показатели надежно
сти приборов в процессе работы в аппаратуре определяются эксплуатационной надежностью. Экс
плуатационная надежность (в конкретных режимах, условиях и схемах применения) обычно выше
производственной, т. е. интенсивность отказов приборов в аппаратуре меньше, чем при заводских ис
пытаниях.
Разница между производственной и эксплуатационной надежностями более значительна, если
приборы работают в облегченных электрических и эксплуатационных режимах по сравнению с мак
симально допустимыми (предусмотрены запасы по напряжению, току и мощности рассеяния) и если
работа схемы (устройства) допускает большой диапазон изменения параметров используемых прибо
ров. Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации необходимо выбирать рабочие ре
жимы с коэффициентом нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7 ... 0,8. Не
рекомендуется применять транзисторы при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратны
ми токами во всем диапазоне рабочих температур, а также в совмещенных предельных режимах.
Данные об эксплуатационной надежности накапливаются при эксплуатации аппаратуры и учи
тываются при ее доработке или усовершенствовании.
Применение биполярных транзисторов
Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумя
щие, переключательные и генераторные), так и специализированные, отличающиеся специфическим
сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления, для рабо
ты в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с
малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию параметров), комплементарные пары
транзисторов, составные и лавинные транзисторы.

58
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока, низкой частоты, проме
жуточной частоты, высокой частоты и др.) являются входное и выходное сопротивления каскада,
соотношения, определяющие усиление, частотные свойства, режимы работы, температурная ста
бильность и прочие показатели.
В соответствии с назначением различают каскады предварительного усиления (напряжения,
тока или мощности), предназначенные для получения максимального усиления (обычно по резистор
ной или трансформаторной схемам), и каскады усиления мощности, обеспечивающие на заданной
нагрузке необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях и мощности потребле
ния от источника питания. В многокаскадных усилителях с отрицательной обратной связью имеют
место фазовые сдвиги между входными и выходными токами, поэтому для их устойчивой работы
транзисторы выбирают исходя из условия fв $ 0,3fh2lэ (fв - верхняя рабочая частота усилителя);
при малой обратной связи fв $ fh21э. Возможны два варианта усилителя с мощным выходным каска
дом: бестрансформаторный (с выходной мощностью не более 5 ... 10 Вт) и трансформаторный (на де
сятки и сотни ватт). При выходной мощности 0,1 ... 1 Вт каскады выполRяются однотактными с
режимом работы в классе А; при больших значениях мощности - двухтактными с режимом работы
в классах А, АВ или В.
В схемах с дополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов со структурами
р-п-р и n-p-n, приборы должны иметь одинаковые параметры и характеристики. Требуется подбор пар
последовательно включенных транзисторов по параметрам h21э и fh2lэ с разбросом не более 10... 15%.
Для этой цели разработаны специальные (комплементарные) пары транзисторов, например отечест
венные транзисторы со структурами n-p-n и p-n-p соответственно: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815;
КТ816 и КТ817; КТ818 и КТ819 и другие.
В каскадах предварительного усиления напряжение Uкэ в рабочей точке мало (несколько
вольт). Оно выбирается из соображений получения малого напряжения шумов или неискаженной
формы сигнала на выходе.
В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилизацию, замена транзисто
ра на однотипный с более высоким значением h21э обычно не приводит к значительному увеличению
тока коллектора в рабочей точке.
В транзисторных генераторах наиболее предпочтительными являются режимы классов В и С
(реже АВ). При расчете транзисторного генератора с внешним возбуждением по заданным выходной
мощности и верхней рабочей частоте выбирают тип транзистора и проверяют его пригодность по па
раметрам Рк. fгр и предельно допустимым параметрам UкБО max. UэБО max. Iк max для заданного угла от
сечки коллекторного тока. Для расчета генераторов необходимо также знать Ск. •к. fmax- Следует
учитывать. что чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше коэффициент усиления по
мощности Кур. Для получения Кур= 5 ... 7 дБ необходимо, чтобы частота fв была в 4 ... 10 раз ниже fh2lб-
B каскадах усиления и генерации мощности Uкэ выбирается достаточно большим для получения
максимального КПД и малых нелинейных искажений.
Транзисторы некоторых. типов используются в специфических классах схем и характеризуются
рядом особенностей режима и условий работы. Эти специализированные транзисторы образуют свое
образный класс приборов, например, транзисторы для схем с автоматической регулировкой усиления
(АРУ), для усилителей промежуточной частоты, для работы в микроамперном диапазоне токов, для
работы в ВЧ- и СВЧ-диапазонах, лавинные транзисторы, сдвоенные, составные, двухэмиттерные
и т. п. Есть узлы, в которых требуются высоковольтные транзисторы. Кроме того, разработаны тран
зисторы универсального назначения. Оптимальное сочетание параметров и характеристик, удовлетво
ряющих различным требованиям, дает возможность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре
вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов (например, транзистор КТ630).
Для схем с АРУ разработаны специальные транзисторы (германиевые и кремниевые), обладаю
щие регулируемым усилением при увеличении рабочего тока (прямая АРУ). Уменьшение усиления
таких транзисторов на высокой частоте происходит вследствие снижения fгр при увеличении тока
эмиттера и уменьшения напряжения на коллекторе, например, КТ3128, П328, КТ3153, предназна
ченные для применения в радиоприемниках с АРУ и телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ
приемников (за счет смещения их рабdчей точки можно регулировать усиление в широком диапазо
не). В связи с этим наблюдается сильная зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют мень
шую зависимость коэффициента усиления от электрического режима. Для зарубежных транзисторов,
предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления (отношение максималь
ного коэффициента усиления к минимальному).

Раздел 2. Биполярные транзисторы
59
Жесткие требования к экономичности радиоэлектронной аппаратуры в ряде специальных приме
нений способствовали созданию кремниевых транзисторов, функционирующих при малых токах (еди
ницы и десятки микроампер), поскольку германиевые транзисторы вследствие большого обратного
тока коллектора для этой цели непригодны. Такие приборы (например, транзисторы КТ3102, КТ3107)
имеют малые токи Iкво и большие коэффициенты усиления. Однако при работе в микрорежиме у них
ухудшаются частотные свойства, но несколько улучшаются шумовые характеристики. Кроме того,
при малых токах обычно увеличивается зависимость параметров от температуры, снижается крутиз
на и затрудняется стабилизация режима.
Реализация большого коэффициента усиления по мощности в высокочастотных усилителях свя
зана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзи
стора У12. Разработаны транзисторы (например, КТ339АМ), у которых для снижения емкости
обратной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (электростатический экран
Фарадея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирую
щего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и ба
зовым выводами в 2,5 .. . 4 раза (емкость С12э снижается до значения не более 0,3 пФ) и обеспечить
большой коэффициент усиления Кур без применения схем нейтрализации.
Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллектор
ного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные (со сто
роны коллектора или эмиттера) и N-образные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики.
Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно и встречается на
практике. но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда импульсов, ста
бильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность применения обыч
ных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты fгр
при увеличении коллекторного тока.
Лавинные транзисторы имеют следующие основные параметры: напряжение лавинного пробоя
коллекторного перехода Uкво проб, напряжение пробоя при отключенной базе Uкэо проб, напряжение
U'кэо проб в максимуме вольт-амперной характеристики, зависящее от сопротивления Rбэ и управ
ляющего тока. максимальный ток разряда и время нарастания лавинного импульса. Область лавинно
го пробоя лежит между напряжениями Uкво проб и Uкэо проб. Лавинные транзисторы применяются в
релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необ
ходимое быстродействие и амплитуду импульсов при более высоких надежности и стабильности. чем
обычные транзисторы. используемые в режиме пробоя.
С помощью лавинных транзисторов можно формировать амплитуды импульсов 1О... 15 В и выше
на низкоомной нагрузке (50... 70 Ом) и при малом времени нарастания фронта (менее 1 нс).
Отечественной промышленностью выпускаются лавинные транзисторы типов ГТ338 и КТ3122,
за рубежом - лавинные транзисторы типов ASZ23, ECL1239, NSl 110-NSl 116, PADT51,
RП 110-RП 116, SYL3013, 2N3033-2N3035, 2N5236, 2N5271, 2SA252, 2SA411.
В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары).
изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преоб
разующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, долж
ны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора
ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в
зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п-переходов
транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение
Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении Uy приложено между базой и кол
лектором). Если Uy приложено, например, в p-n -p транзисторе минусом к базе, то оба перехода тран
зистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения - ключ открыт). При изменении
полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ закрыт).
В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с
началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротив
лением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и остаточным
током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост = О, Uост = О, Rзакр = оо, Iзакр = О). Оста
точные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отме
тить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие
значения Uост и Iзакр. чем в прямом включении (особенно для сплавных транзисторов, у которых пло
щадь коллектора много больше площади эмиттера).

60
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры
(Uост :S 12 мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие
значения остаточных параметров (например, у КП 18 Uост менее 0,2 мВ, зарубежные ЗN74, ЗNl 11).
Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использования в инверсном включе
нии (например, зарубежные транзисторы 2N2432, 2N2944-2N2946, 2N4138), которые имеют малое
остаточное напряжение (менее 1 мВ) и применяются в модуляторах для стабильных усилителей по
стоянного тока, построенных по схеме модуляции-демодуляции, в схемах управления реверсивными
двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах,
например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, при запирании транзистор
может переходить в режим инверсного включения при работе на комплексную нагрузку.
Для работы в выходных каскадах усилителя низких частот радиовещательных приемников, вы
сококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые тран
зисторы разного типа проводимости (например ГТ401, ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они характеризуются
слабой зависимостью коэффициента усиления от тока, высокой частотой fh2Iэ, низким напряжением
Uкэ нас. что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых
частот. В свою очередь, это дает возможность упрощать схемы усилителей, уменьшать число приме
няемых транзисторов, повышать надежность и снижать себестоимость устройств. Зависимость коэф
фициента передачи hh2Iэ от тока характеризуется коэффициентом линейности - отношением
коэффициентов передачи при двух значениях тока эмиттера.
Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по опре
деленной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого
транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функ
ционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно
равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав
ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972. КТ973,
КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158,
КТ8159, КТ8214, КТ8215, КТ8225) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и им
пульсного действия, бесконтактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сго
рания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и
переключательных устройствах.
Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы
с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне то
ков (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130).
Ряд транзисторов разработан для целевого применения:
•
высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно-белых и цветных телевизоров
(например, КТ872) и высоковольтных источников питания (КТ8126, КТ8224, КТ8228);
•
импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997);
•
для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных
каскадов класса А и широкополосных усилителей;
•
для селекторов телевизоров, с повышенной устойчивостью к интермодуляционным искаже
ниям (КТ3109);
•
для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококачественных УНЧ и видеоусилителей
телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и
КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999;
•
для высокочастотных широкополосных усилителей с малой постоянной времени •к (КТ368);
•
для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887,
КТ888);
•
для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807);
•
для линейных и импульсных устройств (КТ315 - первый отечественный прибор в пластмас-
совом корпусе); ·
•
универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352);
•
для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342);
•
для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных
каскадах усилителей (КТ201 и КТ203);
•
высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) - при непосредственном
включении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы 800... 1ООО В;
•
для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926).

Раздел 2. Биполярные транзисторы
61
Для линейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Un = 10 В),
КТ912 и КТ921 (Un = 27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Un = 28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965,
КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 Un = 12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим эмиттером.
Un =28 В).
Транзисторы КТl 17, КТl 19, КТ132, КТ133 являются однопереходными. Транзистор КТ120Б-1
имеет два вывода (используется в качестве диода). Транзисторные сборки, состоящие из двух транзи
сторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 пред
назначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с
общей базой (ОБ).
Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно
жителей используются транзисторы КТ606 (Un = 28 В), КТ607 (Un = 20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ,
Un = 15 В). КТ642, КТ647 (Un = 15 В), КТ648 (Un = 10 В). КТ657 (с ОЭ, Un = 15 В), КТ682. КТ996
Un = 10 В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913. КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931,
КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 Un = 28 В), КТ930 (Un = 30 В), КТ918, КТ938 (Un = 20 В), КТ919
(с ОБ. Un = 28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Un= 12,6 В), КТ929 (Un = 8 В), КТ937 (с ОБ.
U-n = 21 В). КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускают работу на рассогласованную нагрузку),
КТ9104 (с ОБ. Un = 28 В), КТ945, КТ947 (Un = 27 В), КТ977 (с ОК, Un = 40 В), КТ9142.
Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе
ратур -60... +200 °С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141,
а для схем фотовспышек - КТ863 и КТ9137, транзистор КТ3166
-
для контроля температуры воз
духа и элементов конструкции систем (у него соединены коллектор и база).
Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516, предна
значены для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзисторы вы
пускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для поверхностного
монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26.
Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в
различных корпусах (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для примене
ния в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47).
Транзисторы КТ519А, КТ6128 предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а
транзисторы КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в
режиме класса «В» портативных радиоприемников. В малошумящем предварительном усилителе мо
жет использоваться транзистор КТ526А.
Транзисторы КТ732-КТ739, КТ6136 и КТ6137, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 и КТ8230 предназна
чены для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключа
тельных и усилительных схемах.
Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тю
неров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и пере
ключателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высоковольтных ключей, стабилизаторов с
импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран
зисторы КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав
ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла).
Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и
КТ8234, КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном испол
нении, и мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 (на ток 15 А), КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 (на
ток 20 А), мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы
в ВЧ и СВЧ диапазонах.
Комплементарные транзисторы (со структурами p-n -p и n-p -n) КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ403,
П703 и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720.
КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102.
КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре
в схемах с дополнительной симметрией.
Имеется. также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в со
ставе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТ3130, КТ682; переключательные
КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, моду
ляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТЗ 170А9, КТЗ 173А9,
КТ3179А9, КТ3180А9, КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169).

62
2.6. Биполярные германиевые транзисторы
i
! Тип
прибора
П108А
П108Б
П108В
П108Г
~П109А
П109Б
~П109В
П109Г
П109Д
П109Е
П109Ж
П109И
П115А
П115Б
П115В
пнsr
:1п11sд
t
'1
11
П122А
П122Б
П122В
п122r
П124А
'П124Б
IП124В
~П124Г
П125А
П125Б
П125В
п12sr
П125Д
П125Е
1п12sж
'П125И
П125К
П125Л
ПЗОSА
ПЗОSБ
пзоsв
!
1
1
!Структу-1
iра'
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
p-n-p
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1
1
1
1
1
pKmax•
Р~.тmах•
р~: н max•
мВт
75
75
75
75
30
30
30
30
30
30
30
30
50
50
50
50
50
150
150
150
150
75
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
75
75
75
1
1
1
1
~р• \210•
~;,~,
~;;х•
МГц
0,5*
1*
1*
1*
?.1*
?.1*
?.1*
?.1*
?.3*
?.5*
-
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.2*
?.2*
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.1 *
?.140
?.160
?.160
1
1
'
1
UКБО ороб•
U~Ropoб'
u~ороб•
в
5
5
5
5
10 (18 имп.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имп.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имп.)
20
30
20
30
20
35
20
20
20
25
25
25
25
35
35
35
35
35
35
35
70
70
70
15
15
15
1
1
1
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UЭБО ороб•
в
5
5
5
5
!
-
1
-
-
1
-
1
-
-
1
-
-
20
20
20
1
20
1
20
i
:
10
10
1
10
1
10
20
20
20
1
20
20
20
1
20
20
20
20
1,5
1,5
0,5
1
!
lкmax
1;,н max•
мА
50
50
50
50
20
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
100*
100*
100*
100*
300*
300*
300*
~00*
300*
300*
300*
300*
300*
300*
40 (100*)
40 (100*)
40 (100*)
i1
i
1
1
1
1
'
!
1
1
1
i
!1
1
'
'
1
!
i1
1
1
1
1
1
1
IКБО•
J~R'
1··
кэо•
мкА
10(5В)
10(5В)
10(5В)
10(5В)
:>5 (5 В)
$5(5В)
:>5 (5 В)
:>5 (5 В)
:>2(1,2В)
:>2 (1,2 В)
:>1 (1,5 В)
:>5 (5 В)
:>40 (20 В)
:>40 (30 В)
:>40 (20 В)
:>40 (30 В)
:>40 (20 BJ
:>20 (5 В)
:>20 (5 В)
:>20 (5 В)
:>20 (5 В)
:>15(158)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15(15В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15(15В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
:>15(15В)
:>15 (15 В)
:>15 (15 В)
-
-
:>4 (15 В)
'
\
j
'
~
~
~
1,
i
!1
~!;
:r
~.,
1·
i!11
~1
11
j~

Биполярные германиевые транзисторы
63
ck,
rкэ нк•
Кш1 дБ
tк, ПС
h21,o ь;IЭ
с;2"
r~э наt:•
r;. Ом
t~c•
Корпус
пФ
Ом
Р;:" Вт
t::11"1
t::. нс
20...50 (5 В; 1мА)
50 (50 В)
5000
rпos
35...80 (5 В; 1мА) 60...130 50 (50 В)
5000
~tt
(5 В; 1мА) 110...250 (5 В; 50 (50 В)
5000
1 мА)
50 (50 В)
5000
,.
~
20...50 (5 В; 1мА)
$30(5В) 1
$10000
П109
35...80 (5 В; 1мА)
$30 (5 В)
1
-
-
1
$10000
60... 130 (5 В; 1 мА)
$30 (5 В)
-
-
$10000
:~
110... 250 (5 В; 1 мА)
$30 (5 В)
-
-
$10000
20...70 (5 В; 1мАО
$40 (1,2 В)
-
-
$10000
к
50... 100 (5 В; 1 мА)
$40 (1,2 В)
-
-
$10000
1
~$
<:100* (1,5 В)
1
-
-
-
$10000
20...80 (5 В; 1 мА)
1 $30(5В)
-
$12 (1 кГц)
$10000
1
20...80 (1 В; 25 мА)
-
-
-
1
-
П115
20...80 (1В; 25 мА)
-
-
-
-
~tt
60... 150 (1 В; 25 мА)
-
-
-
-
60... 150 (1 В; 25 мА)
-
-
-
1
-
,.
.
125...250 (1 В; 25 мА)
-
-
-
-
1
i
1
1
~
j
i
1
~
1
1
15...45 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
П122
15...45 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
:ti·Ф.·
30...60 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
30...60 (5 В; 1 мА)
-
-
200*
-
1
1
28...56 (0,5 В; 0,1 А) 1
-
1 $0,5
-
1
-
1
П124
1
4
45...90 (0,5 В; 0.1 А) 1
1
$0,5
1
•
1
-
-
-
~-
71...162(0,5В;0,1 А) 1
-
$0,5
-
-
120...200 (0,5 В; О,1А) 1
-
1
$0,5
-
-
~ _,.$
1
~
к.6
28...56 (0,5 В; 25 мА)
-
$1
-
-
П125
45...90 (5 В; 25 мА)
-
$1
-
-
71...140(5В;25мА)
-
$1
-
-
:No·~'
120...200 (5 В; 25 мА)
-
$1
-
-
1
<:28* (0.5 В; 100 мА)
-
$1
-
-
1
!
45...90 (5 В; 25 мА)
1
-
$1
-
1
-
71...140(5В;25мА) 1
$1
1
'
1
-
-
-
1
!
1 25...56* (0.5 В; 100 мА) 1
-
$1
-
-
1
i
1
1
45 ... 90* (0,5 В; 100 мА)
-
$1
-
1
-
71 ... 140* (0,5 В; 100 мА)
1
$1
1
1
-
-
-
1
25...80* (1 В; 10 мА)
$7(5В)
$50
-
$300
ПЗО5
60... 180* (1 В; 10 мА)
$7(5В)
$50
-
$300
tt
40... 120* (5 В; 5 мА)
$5,5 (5 В)
-
$6 (1,6 МГц)
$300
8
~
·Ф
~
1

64
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Рк max'
~pl f,;2161
U КБО npoбt
lк max
IKБQI
Тип
iСтрукту-1 Р~, т maxl
~:;lэ'
U~ЭR """"1
UЭБО """"1
1~, и max'
I~ЭR 1
прибора 1 ра j р~~ н max'
~~·:х t
u;эо """"1
в
1;301
мВт
МГц
в
мА
мкА
П308А
p-n-p
150 (360**)
290
20
3
50 (120*)
$2(5В)
П308Б
p-n -p
150 (360**)
2120
20
3
50(120*)
$2(5В)
П3088
p-n -p
150 (360**)
2120
20
3
50 (120*)
$2(5В)
П308Г
p-n-p
150 (360**)
2120
20*
3
50 (120*)
$2(5В)
1
i
1'
1
11r-~~~--i~~~-t-~~~~~~-t--~~~-+--~~~~~--+~~~~-t--~~~~-t-~~~~~~~1
I П309А
.JпзоэБ
~П3098
П309Г
П309Д
П309Е
1
'ПЗlОА
ПЗlОБ
ПЗlОВ
ПЗlОГ
1пз1од
1пз10Е
П311А
П311Б
П3118
пзнr
П311Д
П311Е
П311Ж
П311И
ПЗlЗА
ПЗlЗБ
ПЗlЗВ
П320А
П320Б
П3208
П321А
П321Б
П321В
П321Г
П321Д
П321Е
!
1
1
1
1
1
i
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n -[1
p-n-p
p-n -p
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-р-л
p-n-p
р-л-р
р-л-р
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
р-л-р
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n -p
i
1
1
1
75
75
75
75
75
75
20 (35°CJ
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
20 (35°С)
150
150
150
150
150
150
1501
150
100
100
100
200
200
200
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
!60 (20** Вт)
160 (20** Вт)
1
1
1
1
2120
2120
280
280
280
280
2160
2160
2120
2120
280
280
2300
2300
2450
2450
2600
2250
2300
2450
2300
2450
2350
280
2120
2160
260
260
260
260
260
260
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12 (20 имn.)
12 (20 имл.)
10
15
15
15
20
20
20
40**
40**
40**
30**
30**
30**
i
1
1
1
1
1
1
1,5
1.5
1,5
1,5
1,5
1,5
-
-
-
-
-
-
2
2
2
2
2
2
2
1,5
0,7
0,7
0,7
3
3
3
4
4
4
2,5
2,5
2,5
1
i
1
1
1
1
1
1
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
50
50
50
50
50
50
50
50
30
30
30
150 (300*)
150 (300*)
150 (300*)
200 {2* А)
200 (2* А)
200 {2* А)
200 {2* А)
200 {2* А)
200 (2* А)
i
1
i!
!
1
1
1
1
1
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5BJ
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(5В)
$5(12В)
$5 (12 В)
$5 (10 В)
$5(12В)
$5 (12 В)
$5 (12 В)
$10 (20 В)
$10 (20 В)
$10 (20 В)
$500 (60 В)
$500 (60 В)
$500 (60 В)
$500 (45 В)
$500 (45 В)
$500 (45 В)
,1
11
ii,,
:~
~
1
!~
1
~1;
11
~

Биполярные германиевые транзисторы
65
1
1
1
с,,
fкэ на~:'
Кш, дБ
1
т,, пс
h21•' ь;,э
с;2,,
f~ H.i~I
1
r;,, Ом
1
t;iacl
Корпус
пФ
Ом
Р;:", Вт
t::кл'
t:·:. нс
20...75* (1 В; 1О мА)
s8(5В) 1 $30
1
i $400
i
ПЗО8
11
-
1
'
50...120•(1В:10мА) 1 S8(5В) 1 $24
1
$1000*
!
1
-
No·~)
~
1
80...200* (1В: 10 мА) 1 $8 (5 В)
1
$24
S8 (1,6 МГц) 1 $400
~
1
1
1
80...150(1В;10мА) 1 s8(5В) 1 $24
S8 (1,6 МГц)
$500
1
$1000*
1
1
;
1
1
:
20...70 (5 В; 1мА)
s7,5 (5 В)
-
-
$500
ПЗО9
60... 180 (5 В; 1 мА)
s7,5 (5 В)
-
S6 (1,6 МГц)
$500
20...70 (5 В; 1мА)
$7,5 (5 В)
-
s6 (1,6 МГц)
$1000
7.4
60... 180 (5 В; 1 мА)
S7,5 (5 В)
-
-
$1000
5.8
20...70 (5 В; 1мА)
S7,5 (5 В)
-
-
$1000
к
~
~
60... 180 !5 В: 1 мА)
s7.5 (5 В)
-
'
-
1
S1000
з
6
20...70 (5 В: 1мА)
$4(5В)
$3 (1,6 МГц)
$300
ГТЗIО
60... 180 (5 В: 1 мА)
s4(5В)
S3 (1,6 МГц)
$300
20...70 (5 В: 1мА)
s5(5В)
s4 (1.6 МГц)
$300
60 ... 180(58; 1 мА)
s5(5В)
s4 (1,6 МГц)
$300
20...70 (5 В: 1мА)
s5(5В)
$4 (1.6 МГц)
$500
60... 180 (5 В: 1 мА)
s5(5В)
s4 (1,6 МГц)
$500
1
1
\
"
:
1
~
15...80*!3В:5мА) ! $2,5(5В) i $20
1
$50*
ПЗ11
>
'
-
.!
'
30...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В) 1 $20
-
$50*
i'
'<
1
'
-11
:!
~ 15...50• (3 В: 5 мА)
$2,5 (5 В)
$20
-
$50*
,,
;No·$
1
30...80* (3 В; 5 мА) i s2,5 (5 В)
$20
-
$50*
1
60...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В)
$20
-
$50*
20...80* (3 В: 5 мА)
1 S2.5(5В)
$20
-
$75; $50*
50...200*(3В:5мА) 1 S2.5(5В) 1 $20
$100; $50*
1
-
1
100...300* (3 В: 5 мА) 1 s2,5 (5 В)
1
$20
-
$100; $50*
Карп.
i
20... 250 (5 В: 5 мА)
s2,5 (5 В)
1
$4,6
-
$75
1
ПЗIЗ
20... 250 (5 В; 5 мА)
s2,5 (5 В)
$4,6
-
$40
1
30... 170 (5 В; 5 мА)
s2,5 (5 В) 1 $4,6
-
$75
-11
1
11
к
,•
'
1
1
'
i
20...80* (1 В: 1О мА)
S8(5В)
$8,5
-
$500
ПЗ20
50... 160* (1 В; 10 мА)
S8(5В)
$8,5
-
$500
No·~)
80...250* (1 В; 10 мА)
s8(5В)
$8,5
-
$600
1
i
~
1
i
"
1
~
20...60* (3 В: 0,5 мА) 1 s80 (IO В)
$3,5
-
1
$600
1
ПЗ21
~
40...120* (3 В: 0,5 мА) 1 S80 (10 В)
$3,5
$600
,,
-
:No·•
!!
80...200* (3 В: 0.5 мА) ! S80 (10 В)
$3,5
-
$600
20... 60• (3 В: 0,5 мА)
S80 (10 В)
$3,5
-
$600
40 ... 120* (3 В; 0,5 мА)
S80 (10 В)
$3,5
-
$600
80 ... 200* (3 В; 0,5 мА)
S80 (IO В)
$3,5
-
$600
5зак.9

66
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmax1
~pl ~2161
UКБО "роб'
lк max
IКБО•
Тип
Структу-
Р~. т m;iixl
~;,~,
U~ЭR "роб'
UЭБО "роб'
1~.и max'
I~RI
прибора
р; и max'
с·
u~"роб'
в
г·
ра
'"
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
П322А
p-n-p
50
1
:?:80
25
0,25
10
:>4 (25 В)
П322Б
p-n-p
50
:?:80
25
0,25
10
1
:>4 (25 В)
П322В
p-n-p 1
50
j :?:80
25
0.25
'
10
1
:>4 (25 В)
П322Г
p-n-p i
50
:?:50
15
0,25
1
5
:>4 (15 В)
П322Д
p-n-p
1
50
1
:?:50
15
0.25
1
5
i :>4(15В)
П322Е
p-n-p 1
50
:?:50
1
15
0,25
1
5
1
:>4 (15 в
1
1
!
1
'
1
'
П323А
n-p-n
500
:?:200
20
2
1000
:>30
П323Б
n-p-n
500
~200
20
2
1000
:>30
П3238
n-p -n
500
1
:?:300
20
2
1000
1
:>30
i
~
1
11
i
11
~
1
1
i
!1
1
1
1
1
~
1
'
50 (55°С)
i
15* (5к)
1
:>10 (15 В)
П328А
p-n-p
:?:400
0,25
10
П328Б
p-n-p
50 (55·с)
:?:300
15* (5к)
0,25
10
:>10 (15 В)
П3288
p-n-p
50 (55°С)
:?:300
15* (5к)
0,25
10
:>10 (15 В)
1
1
i
!
П329А
1
n-p -n
50 (4о·с>
:?:1200
10
0,5
20
1
:>5 (10 В)
П329Б
n-p -n
1
50 (4о·с1
:?:1680
10
0,5
20
i :>5(10В)
П329В
1
n-p-n
1
50 (4о·с1
:?:990
10
1
1
20
1
:>5 (10 В)
П329Г
1 n-p-n
1
25 (бо·с>
:?:700
10
0,5
20
! :>5(10В)
1
i
f
!
;
1
пззод
n-p -n
50 (45°С)
:?:500
10 (20 имn.)
1,5
20
:>5 (10 В)
пззож
n-p-n
50 (45·с>
:?:1000
10 (20 имn.)
1,5
20
:>5 (10 В)
пззои
50 (45°С)
:?:500
10 (20 имn.)
1,5
1
20
'
:>5 (10 В)
n-p-n
1
1
1
1
i
1
1
1
1
П335А
p-n-p
200 (45°С)
:?:80
20
3
150 (250*)
:>10
П335Б
p-n -p
200 (45°С)
:?:80
20
3
150 (250*)
:>10
П3358
p-n -p
200 (45°С)
:?:80
20
3
150 (250*)
:>10
П335Г
p-n-p
200 (45·с>
:?:300
20
3
150 (250*)
$10
П335Д
p-n-p
200 (45°С)
:?:300
20
3
150 (250*)
:>10
~
1
!
~
1
p-n-p
-
-
1
-
П338Б
1
p-n-p
100
-
20 (13**)
-
1
1000
1
:>30 (20 В)
1
1
П3388
p-n-p
100
-
20 (5**)
-
1
1000
1
:>30 (20 В)
i
1
IП338А
100
20 (8**)
1000
<30 (20 В)

67
Корпус
ПЗ22
ПЗ2З
ПЗ28
пззо
:>8 (400 МГц)
1
:>30; <50*
<15
1
<50; <50*
'
30...400* (5 В; 5 мА~
1
<3(5В)
$15
:>8 (400 МГц)
<30; <50*
:>3 (5 В)
30 400*(5В;5мА
:>3 (5 В)
:>15
10:::400* (5 В; 5 мА)
1
1
1
i
!
i
1
1
1
-
ПЗЗ5
- 11,7
:No~ 11
1
1
ПЗЗ8
1,
li
."$
i
!
!1 к.
;
3 ""'
1
<100*
40 70*(3В;50мА)
1
<8,5
$150*
-
$8,5
-
-
60 ...100* (3 В; 50 мА)
-
$8,5
-
$150*
...
70•(3В;50мА)
-
4о".
50 А)
$8,5
-
60 100*(3В; м
$8,5
-
... 100* (3 В; 50 мА)
50" .
1
]

68
i
Тип
прибора
ПЗ41А
ПЗ41Б
ПЗ41В
!ПЗ46А
iпз4&Б
ПЗ46В
i
~,,
"
ПЗ62А
ПЗ62Б
ПЗ76А
iiПЗSЗА-2
iПЗSЗБ-2
iПЗSЗВ-2
,,
~П402А
~П402Б
~П402В
~П402f
IП402Д
П402Е
iП402Ж
П402И
"
'
П40ЗА
П40ЗБ
П40ЗВ
П40Зf
IП40ЗД
~П40ЗЕ
IП40ЗЖ
IП40ЗИ
!П40ЗЮ
1
1
/Структу-/
:
'
'
i
'
;
i
1
'
1
1
!
'
1
1
ра1
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
p-n-p
р-п-р
p-n-p
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
j
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
Р;.тmа).'
р~~ и max•
мВт
35 (60°с)
35 (6О0С)
35 (6О0С)
50 (55°С)
50 (55°С)
50 (55°С)
40
40
35 (85°С)
25 (55°С)
25 (55°С)
25 (55°С)
300; 600
300; 600
300; 600
300; 600
0,3 Вт; 0.6 Вт
0.3 Вт; 0.6 Вт
0,3 Вт; 0,6 Вт
0.3 Вт: 0,6 Вт
4* Вт
4* Вт
5* Вт
4* Вт
4* Вт
5* Вт
4* Вт
4* Вт
4* Вт
i
'
i1
1
i
Мfц
<:1500
<:1980
<:1500
<:700
<:550
<:550
<:2400
<:2400
<:1020
<:2400
<:1500
<:3600
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:1 *
<:0,008**
<:0,008**
<:0,008**
<:0,006**
<:0,006**
<:0,008**
<:0,008**
<:0,008**
<:0,008**
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
в
10
10
10
20
20
20
5 (55°С)
5 (55°С)
7**
5*(1к)
5*(1к)
5*(1к)
25* (О,2к)
25* (О,2к)
40* (О,2к)
40* (О,2к)
25* (О,2к)
25* (О,2к)
40* (О,2к)
40* (О,2к)
45
45
60
60
60
60
80
80
45
1
!1
1
1
!
1
1
'
!
0,3
0,3
0,5
0.3
0,3
0.3
0,2
0.2
0,25
0,5
0,5
0,5
-
-
-
-
-
20
20
20
20
30
20
20
20
20
1
1
1
i
i
'
1
1
1
'
1
:
1
1
1
1
1
.Iк max
lк, и m.ix•
мА
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
500
500
500
500
500
500
500
500
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
;
!
!i
1
i
1
!'
мкА
s5 (10 В)
s5 (10 В)
s5 (10 В)
SIO (20 В)
SIO (20 В)
SlO (20 В)
s5(5В)
s5(5В)
s5 (7В)
s5(5В)
s5(5В)
s5(5В)
S20 (10 В)
s20 (10 В)
S20 (10 В)
s20 (10 В)
s25 (10 В)
s25 (IO В)
s25 (10 В)
S25 (10 BJ
s50 (45 В)
s50 (45 В)
s50 (60 В)
s50 (60 В)
S50 (60 В)
s50 t60 BJ
s50 180 BJ
s50 (80 В)
s50 (45 BJ
!(
1
i:1
",.
!1
!t
li
~n
i
,.
~
,1

Биполярные германиевые транзисторы
ьь·
21j' 213
j
~
~ 15...300* 15 В: 5 мА)
15... 300* 15 В: 5 мА)
15... 300* (5 В; 5 мА)
10... 150 (10 В: 2 мА)
~ 10...150(10В:2мА)
'15...150(10В.2мА)
10...200 (3 В: 5 мА)
10... 250 (3 В; 5 мА)
1
10... 150• (5 В: 2 мА)
15... 250 (3.2 В: 5 мА)
10... 250 13.2 В: 5 мА)
15... 250 (3,2 В; 5 мА)
30...80 (1В; 3 мА)
60... 150 (1 В; 3 мА)
30...80 (1В: 3мА)
60... 150 (1 В; 3 мА)
30...80 (1В; 3 мА)
60... 150 (1 В: 3 мА)
30..'.80 (1 В; 3 мА)
30...80 (1В: 3мА)
20...60 (5 В; 0.1 А)
50... 150 (5 В; 0.1 А)
20...60 (5 В: О,1 А)
50...150 (5 В; 0,1 А(
50... 150 (5 В: 0,1 А)
30* (0,45 А)
20...60 (5 В: 0.1 А)
30· Ш.45 А)
30...60 (5 В: 0.1 А)
'
1
i
1
!
~
i1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
с,,
c;2t•
пФ
:>1 (5 В)
:>1 (5 В)
:>1 (5 В)
:>1.3(5В)
:>1,3 (5 В)
:>1.3(5В)
:>1 (5 В)
:>1 (5 В)
:>1,2 (5 В)
:>1 (3,2 В)
:>1 (3,2 В)
:>1 (3,2 В)
-
-
-
-
-
-
-
-
r~ н.1~··
Ом1
1
1
-
1
1
-
-
1
-
1
-
1
i
1
1
!-
1
-
-
-
1
1
1
-
-
-
l-
$5
1
$51
1
$5
$5
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$1
r,:, м
Р;:х• Вт
:>4,5 (1 ГГц)
:>5,5 (1 ГГц)
:>5,5 (1 ГГц)
:>6 (800 МГц)
:>8 (800 МГц)
:>7 (200 МГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:>5,5 (2,25 ГГц)
:>3,5 (180 МГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:>4 (1 ГГц)
:>5,5 (2,83 ГГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
:
!
1
1
1
1
t", пс
t"pat•
t::к.1 •
(.:.нс
$10
$10
:>10
$3
$5.5
$6
$10
$20
:>15
$10
$10
:>15
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
69
Корпус
i
i
ПЗ41
11
~tft 1'
1
..,,.
... ..
~
6
-
~
к
~
ПЗ46
11
11
~
~5,8
ji
ПЗ62
.... ~-~;
~-173
..,,.
.....
~
6
-
~
к
i
ПЗ76
i
~fi ф
~ Корп. К6
1.
ПЗ83
~~~SP
П402
-п.1
!
к
Р.
~
..,,
...
....
П403
~10
-12
§~

70
Тип
прибора
П404А
П404Б
IП404В
.IП404r
11П404Д
П404Е
IП404Ж
П404И
1
11
П405А
П405Б
П405В
П405Г
П406А
ПС609А
ПС609Б
ПС609В
П612А-4
П701А
П70ЗА
П70ЗБ
П70ЗВ
П70ЗГ
П70ЗД
П705А
П705Б
П705В
П705Г
П705Д
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Структу-
ра
n-p-n
n-p -n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p -n
n-p-n
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n-p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
p-n -p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n -p
n-p -n
n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
1
1
1
1
1
.
PK1nax'
Р~.тmах•
р~~ н max•
мВт
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
600; 300
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
0,6 Вт
500 (43°С)
500 (43°С)
500 (43°С)
570
50* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
i
1
~р• f,;210•
~:;1э•
~::х•
МГц
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
~1*
0,006**
~60
~60
~60
~1500
~О.05*
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~0.010••
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~О.010**
~О.010
1
1
!
1
UКБО nроб•
U~ЭR n1юб•
u;эо nvoб'
в
25* (0.2к)
25* (О,2к)
40* (0,2к)
40* (О,2к)
25* (0.2к)
25* (О.2к)
40* (О,2к)
40* (0,2к)
25* (О,2к)
25* (0,2к)
40* (О,2к)
40* (О,2к)
25
50
50
50
12
55* (140 имп.)
20 (О,05к)
20 (О,05к)
30 (О,05к)
30 (О,05к)
40 (О,05к)
20*
20*
20*
20*
20*
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UЭБО nроб•
в
20
2,5
2,5
2,5
0.2
15
10
10
10
10
10
10
10
30
10
10
'
'
1
1
1
1
IKmax
1;, И 11\аХ 1
мА
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
1250
700*
700*
700*
120 (200*)
12А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
3,5 А
i
!
1
1
1
!
1
i
1
1
i1
1
1
1
•кw•
·~ЭR•
1;эо,
мкА
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$25 (10 В)
$50 (25 В)
$40 (30 В)
$40 (30 В)
$40 (30 В)
$5 (12 В)
$6 мА
$500
$500
$500
$500
$500
$500
$3.5 мА
$3.5 мА
$500
$500
,,
'!
1
~~
li
1
~
i

Биполярные германиевые транзисторы
71
11
'1
'tк, ПС
с,,
rкэ нм·'
Кw,дБ
h"" ь;,э
С~2·"'
r~ш•с'
r~, Ом
t;,..,
Корпус
пФ
Ом
Р;:х' Вт
t::кл,
t:·:, нс
30...80 (1 В; 3 мА)
-
$6
-
-
П404
60 ... 150(1 В;3мА)
-
$6
-
-
rJ11,7
30...80 (1В; 3 мА)
-
$6
-
-
:llfф)
60... 150 (1 В; 3 мА)
-
$6
-
-
1
!t
30...80 (1В; 3мА)
-
$6
-
1
-
'
60...150(1 В;3мА) i
-
$6
-
-
30...80 (1В; 3 мА)
1
-
$6
-
-
1
1
60...150(1 В;3мА) i
-
$6
-
-
1
30...80 (1 В; 3 мА)
-
-
-
-
П405
60 ... 150(1 В;3мА)
-
-
-
-
7.5
30...80 (1В; 3 мА)
-
-
-
-
rm fffl
60 ... 150(1 В;3мА)
-
-
-
-
50...150 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
~
~
3к
!
1
30...200 (3 В; 0.5 А)
1 :->50(108) 1 $3,2
-
:->700*
ПС609
50...160 (3 В; 0.5 А)
1
:->50 (10 В)
$3,2
1
:->700*
1
1
-
11/
~
80...420 (3 В; 0.5 А)
:->50 (10 В)
$3,2
-
$700*
1
1
1
1
~ W/t,μ
1
11~
~~~~IL ~ /V .lm !.r
.....
т1
15,3
--ll_k-10
-
:->3,5 (5 В)
-
~0.2** Вт (2 ГГц)
$7
П612
~
1
tq.
"'
...
10*(2В;6А)
-
-
-
-
П701
:32 -~~~
1
~•~
1
1
Р.
i
1
30...70* (1В; 50 мА)
-
$0,2
-
1
-
П703
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
1
-
30...70* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
-
~~i
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
-
20...45* (1 В; 50 мА)
-
$0,2
-
1
-
~ @)@
~
к
30...70* (1 В; 50 мА)
-
:->0,6
-
-
П705
~
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
30...70* (1В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
~i
50...100* (1 В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
:;
з6
90...250* (1В; 50 мА)
-
$0,6
-
-
.
5:»
@)о
~
... ,.
к

72
Тип
прибора
П804А
П804Б
П8048
П806А
П806Б
П806В
П806Г
П806Д
П810А
П905А
П905Б
~П906А
1
П906АМ
1
1
1
1
МП108А
МП108Б
МП1088
МП108Г
МП108Д
'lмпgл
lмшо
МШОА
МШОБ
МП11
МП11А
мшз
!.МШЗБ
!i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!
!
1
1
1
!1
i
1
1
i
1
;
Структу-J
1
ра:
i
1
p-n -p
1
p-n -p
p-n-p !
p-n-p
p-n -p
1
p-n-p
p-n-p
1
p-n -p
1
1
1
p-n -p
p-n -p
!
p-n -p
p-n -p
1
1
p-n -p
1
1
1
1
1
1
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
1
1
!
n-p-n 1
1
n-p -n
!
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
p-n -p
1
p-n-p
;
Раздел 2. Биполярные транзисторы
PKmaA'
Р~.тmах'
р~~ и max'
в
мт
15* Вт
15* Вт
15* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
30* Вт
15* Вт
6Вт
6Вт
15* Вт:
300** Вт
15* Вт;
300** Вт
75
75
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
1
мгц
:?:10
:?:10
:?:10
:?:10*
:?:10*
1
:?:10*
:?:10*
:?:10*
i
:?:15
:?:60
:?:60
:?:30
1
:?:30
:?:0.5*
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
1
1
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
:?:1 *
:?:2*
:?:2*
:?:0,5*
:?:1 *
'
1
1
1
1
1
1
1
UКБО nроб'
U~ЭR nроб'
U~Onpoб•
в
100**
140**
190**
75
100
120
50
140
200
75
60
75
75
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
10 (18 имn.)
15
15
30
30
15
15
15
15
1
i-
1
-
-
1,5
1
1,5
1,5
1,5
1,5
1
1,4
1
0,4
1
0.4
1,4
1.4
1
1
1
1
5
5
5
5
5
1
1
1
1
!
15
15
30
1
30
15
15
15
15
1
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
!
1
;
'
}к max
Iк. и m.ix'
мА
10А
10А
10А
15А
15А
15А
15А
15А
10А
3А(7*А)
3А(7*А)
6А
6А
50
50
50
50
50
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
20 (150*)
1
i
!
1
1
1
11
1
'
1
'
1
i
'
:1
1
'
!
'
!
'
1
1
1
1
'
lкьо•
l~эR•
1"
кэо•
мкА
-
-
-
-
-
-
-
-
:S;20 мА
:S;20 мА
:S;20 мА
:S;8 мА (75 В)
:S;8 мА (75 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
:S;lO (5 В)
30* (30 В)
30* (30 В)
30* (30 В)
50* (30 В)
30* (30 В)
30* (30 В)
:S;30 (15 В)
:S;30 (15 В)
'1
1
1
~:1
!1
!I,,
1:
:!
~
'
:1
1,
,.
";!
~
'
1
:1
li
1[

Биполярные германиевые транзисторы
20... 150* (10 В; 5 А)
20...150* (10 В; 5 А)
20...150* (10 В; 5 А)
10... 100* (10 AJ
10... 100* (10 А)
10... 100* (10 А)
11
i0... 100* ( 10 А)
1
10... 100* (!О А)
15*;(10В;5А)
1
ii
1•
35...100* (70 В; 3 А)
·'ь,,
35...100* (70В: 3А)
1'
1·
.1
30...150* (10 В; 5 А)
1
30...150* (10 В; 5 А)
~~
t
li
25...50 (6 В; 1мА)
35...80 (5 В; 1мА)
60... 130 (5 В; 1 мА)
110...250 (5 В; 1 мА)
30...120 (5 В; 1мА)
15...45 (5 В; 1 мА)
15...30 (5 В: 1мА)
15...30 (5 В; 1мА)
25...50 (5 В: 1мА)
25...55 (5 В; 1 мА)
45... 100 (5 В; 1 мА)
~12(5В; 1мА)
20...60 (5 В: 1 мА)
с"
с~2"'пФ
-
-
-
i1
1 $200 (30 В)
1 $200 (30 В)
-
1
-
1
1
1
1
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$60 (5 В)
$50 (5 В)
$50 (5 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
fКЭ Hat·I
f~Э Hat•I
Ом
$0,04
$0,04
$0,04
$0,04
$0,04
$0,07
$0,17
-
-
1
1
1
1
1
1
Kw, дБ
r;, Ом
Р;:х' Вт
-
i
-
1
1
1
-
-
1
-
1
-
-
1
1
1
1
$6 (1кГц)
$10(1 кГц)
$10 (1кГц)
$10(1 кГц)
$10 (1кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$150*
$12 (1 кГц)
$1000
$1000
$1000
-
-
5*мкс
$300; 4*мкс
$300; 4*мкс
$5000*
$5000*
$5000
$5000
$5000
$5000
$5000
!1
1
1
1
1
1
'i
1
1
1
1
73
Корпус
ГТ804
ГТ806
1
""
'
$:::!"
з
...
6
~
о
о
ГТ810, ГТ905
-щ·tJ 1.
11
1:
ок
1:
~
li
~
з
.....
ГТ906
i~б
1
ГТ906АМ
~
~
б10
il
б
о
ок
МГТ108
:No·~·
МП9, МШО, MПll, МШ3
:No{~}'

74
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Рк max'
~•• \210 •
UКБО проб•
lкmax
•кw•
Тип
Структу-
Р~. тmax'
~;1~'
U~ЭR проб•
UЭБО проб•
1:,и maxt
J~R•
прибора
ра
р;. и maxt
с;х,
U":ЭО проб•
в
•••
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
МП14
р-п-р
150
~1*
15
15
20 (150*)
S30 (15 В)
МП14А
р-п-р
150
~1*
30
30
20 (150*)
S30 (30 В)
МП145
р-п-р
150
~1*
30
30
20 (150*)
s50 (30 В)
МП14И
р-п-р
150
~1*
30
30
1
20 (150*)
S50 (30 В)
1
1
МП15
1 р-п-р
1
150
~2*
15
15
1
20 (150*) i
s30 (15 В)
1
IМП15А
i р-п-р 1
150
~2*
15
15
20 (150*)
1
S30 (15 В)
МП15И
1
р-п-р
1
150
-
15
15
20 (150*)
1
-
1
1
1
МПI&
р-п-р
200
~1*
15
15
50 (300*)
s25 (15 В)
МПl&А
р-п-р
200
~1*
15
15
50 (300*)
s25 (15 В)
МПl&Б
р-п-р
200
~2*
15
15
50 (300*)
s25 (15 В)
МПl&Яl
р-п-р
150
-
15* (100)
15
-
300*
s50* (15 В)
МП16Я11
р-п-р
150
-
15* (100)
15
300*
S50* (15 В)
МП20А
i
р-п-р
150
~2* 1
30
30
300*
i S50(30В)
i
МП205
1 р-п-р
150
~1.5*
30
30
300*
J,
S50 (30 8)
!
1
МП21В
i р-п-р
150
~1.5*
40
40
300*
S50 (40 В)
мп21r
р-п-р
150
~1*
60
40
300*
S50 (60 В)
МП21Д
р-п-р
1
150
~/*
60
40
300*
s50 (50 В)
МП21Е
р-п-р
150
~0.7*
70
40
300*
s50 (50 В)
МП25
р-п-р
200
~.2*
40
40
300*
S75 (40 В)
МП25А
р-п-р
200
~0.2*
40
40
400*
S75 (40 В)
МП25Б
р-п-р
200
~0.5*
40
40
400*
s75 (40 В)
МП26
р-п-р
200
~0.2*
70
70
300*
s75 (70 В)
МП26А
р-п-р
200
~.2*
70
70
400*
S75 (70 В)
МП265
р-п-р
200
~О.5*
70
70
400*
s75 (70 В)
1
!
1
1
1
1
МПЗ5
1 п-р-п 1
150
~0.5*
1
15
-
20 (150*)
1
s30 (5 В)
1
МПЗ&А
п-р-п
150
~1*
15
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ7А
п-р-п
150
~1*
30
-
20 (150*)
1
s30 (5 В)
МПЗ75
п-р-п
150
~1*
30
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ8
п-р-п
150
~2*
15
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ8А
п-р-п
150
~2*
15
-
20 (150*)
s30 (5 В)
МПЗ9
р-п-р
150
~.5*
15* (IОк)
5
20 (150*)
sl5 (5 В)
МПЗ9Б
р-п-р
150
~.5*
15* (IОк)
5
1
20(150*)
Sl5 (5 В)
'
1
1
q
1
1
1
1
1
;
1
1
~
!
1
1
d
1
1
1
!
1
1
МП40
i р-п-р
150
~1*
15* (IОк)
1
5
1
20 (150*)
1
Sl5 (5 В)
1
МП40А
1 р-п-р
150
~1*
30* ( IОк)
5
20 (150*)
sl5 (5 В)
1
1
1
1
~

Биполярные германиевые транзисторы
75
~
i
tк, ПС
i
li
~
с"
fкэ на.:'
Кш, дБ
11
~
t~>at·• 1
h:!IJ' ь;IЭ
с;2~·
С~Э11а.:'
r~· Ом
Корпус
1
1
пФ
Ом
Р;:" Вт
t::кл•
t~·:' нс
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150*
-
МП14, МП15
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150•
-
30...60 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150•
-
~11.7
20...80 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
:!>20
:!>150*
-
.., ,
к
30...60 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
з
-
:!>150*
-
50... 100 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>150*
-
~
~
'
:
'
1 20...35 (1 8: 10 мА)
1
-
:!>15
-
:!>2000*
МП16, МП20
30...50 (1 8; 10 мА)
-
:!>15
-
:!>1500*
45... 100 (1 8; 1 мА)
-
:!>15
-
:!>1000*
:No·•
20... 70 (10 8; 100 мА)
-
:!>6,6
-
-
10... 70 (10 8; 100 мА)
-
:!>6,6
-
-
50... 150 (5 В; 25 мА)
-
:!>I
-
-
80...200 (5 8; 25 мА)
-
:!>I
-
-
1
20... 100 (5 8; 25 мА)
-
:!>I
-
1
-
МП21, МП25
20...80 (5 8; 25 мА)
1
:!>I
1
j
-
-
1
-
1
60...200 (5 8; 25 мА) 1
-
1
:!>I
-
1
-
1
:fi·Ф·
в
'
11
30...150(58:25мА) 1
-
:!>I
-
1
-
~
i
1
1
1
1
13...25 (20 8; 2,5 мА)
:!>20 (20 8)
1
:!>2,2
1
-
:!>1500***
1
20...50 (20 8; 2,5 мА)
:!>20 (20 8)
:!>2
-
:!>1500***
30...80 (20 8: 2,5 мА)
:!>20 (20 8)
:!>1,8
-
:!>1500***
13...25 (35 8; 1,5 мА)
:!>15(358)
:!>2,2
-
:!>1500***
МП26, МП35
20...50 (35 8; 1,5 мА)
:!>15 (35 8)
:!>2,2
-
:!>1500***
30...80 (35 8; 1,5 мА)
:!>15(358)
:!>l,8
-
:!>1500***
:No·Ф·
13 ... 125(58: 1 мА) i
-
-
:!>220*
-
1
'
'
1
J
1
13...45 (~ )3; 1 мА)
-
-
:!>10 (1 кГц)
-
МП36, МП37
:ti·Ф·
15...30 (5 8; 1 мА)
-
-
:!>220*
-
25...50 (5 8; 1 мА)
-
-
:!>220*
-
1
1
1
~ 25...55 (5 8: 1 мА)
1
-
-
:!>220*
-
МП38, МП39, МП40
1
~ 45...100(58: 1мА)
1
-
-
:!>220*
1
-
1
1
i
1
1
1
~12(58;1мА)
:!>50 (5 8)
-
-
-
:fi·Ф·
20...60 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
:!>12 (1 кГц)
-
1
1
1
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
-
-
i
20...40 (5 8; 1 мА)
:!>50 (5 8)
-
-
'
-
1
1
i
1
1
~
1
i
~
1
i
1
1

76
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Тип
Структу-
прибора
ра
!мп41
р-п-р
!МП41А
p-n-p
!
1
МП42
МП42А
МП42Б
П201Э
П201АЭ
П202Э
П20ЗЭ
П207
П207А
П208
П208А
П209
П209А
П210
П210А
П210Б
П210В
П21ОШ
П213
П21ЗА
П21ЗБ
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
~П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
!
р-п-р
p-n-p
p-n-p
1 р-п-р
1
p-n-p
!
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
р-п-р
р-п-р
p-n-p
p-n-p
р-п-р
p-n-p
p-n-p
p-n-p
р-п-р
p-n-p
p-n-p
р-п-р
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
1
1
1
1
1
!
1
!
i
1
1
11
1
Ркmах'
~pt ~:216'
Р~. тmaxt
~;1~'
р~~ и maxt
~:;:х,
мВт
МГц
150
~1*
150
~1*
1
200
~2*
200
~1.5*
200
~1*
10* Вт
~0.1*
10* Вт
1
~0.2*
!
10* Вт
~0.1*
10* Вт
~0.2*
100* Вт
100* Вт
100* Вт
100* Вт
60* Вт
1 ~0.1**
60* Вт
1 ~0.1 **
1
60* Вт
~.1**
60* Вт
~О.Р'*
45* Вт
~.1**
45* Вт
~0.1**
60* Вт
~0.1**
11,5* Вт
1
~0.2* 1
10* Вт
~.2* 1
10* Вт
1
~.2* 1
1
1
1
10* Вт
1
~.2* !
10* Вт
1
~0.2*
1
11,5* Вт
~0.2*
10* Вт
~0.2*
10* Вт
~0.2*
10* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2*
24* Вт
~0.2*
24* Вт
~О.2*
24* Вт
~0.2*
24* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2* 1
30* Вт
~0.2*
30* Вт
~0.2*
24 Вт
~0.2*
24 Вт
~0.2*
UКБО проб•
•кmа11.
JКБО•
U~ЭR nроб'
UЭБО проб•
1;, И ЛW),t
·~·
u~проб•
в
·~·
в
мА
мкА
15* (IОк)
5
20 (150*)
:Sl5 (5 BJ
15* (IОк)
5
20 (150*)
$15 (5 В1
1
!
1
15* (3к)
-
150*
-
15* (3к)
-
150*
-
15* (3к)
-
150*
-
1
1
45
1
-
1.5 А
! :S0.4 мА
~
45
1
-
! 1,5А
i
:S0,4 мА
;
~
!
1
1
~
!
1
i
~
!
!
70
2А
:S0.4 мА
70
2А
:S0,4 мА
40**
25А
:516 мА
40**
25А
sl6 мА
60**
25А
s25 мА
60**
25А
:S25 мА
40**
1
25
1
12А
1
:S8 мА
1
1
40**
1
25
12А
1
s8 мА
1
'
1
1
60**
25
12А
sl2 мА
65**
25
12А
s8мА(45В)
65
25
12А
:515 мА
45
25
12А
:Sl5 мА
64*
25
12А
$8мА(65В)
45
15
1
5А
1
s0.15 мА
45
1
10
5А
:SI мА
1
45
10
i
5А
1
:SI мА
1
1
1
1
!
60
1
15
1
5А
i
s0.3 мА
60
15
1
5А
1
s0,3 мА
60
15
1
5А
:S0,15 мА
60
10
5А
sl,5 мА
60
10
5А
sl,5 мА
80
15
5А
:S0,3 мА
40
15
7,5 А
s0.5 мА
40
15
7.5 А
i :S0.5 мА
35
15
7.5 А
1
:Sl.5 мА
35
15
7,5 А
:52 мА
~
50
15
7,5 А
s2.5 мА
1
50
15
7,5 А
:52 мА
60
15
7,5 А
:S0.5 мА
60
15
7,5 А
s0.5 мА
60
15
7,5 А
:S0,5 мА
60
15
7,5 А
s3 мА
60
15
7,5 А
:S3 мА
;1

Биполярные германиевые транзисторы
п
1
~
h:!l:1' ь;IЭ
30...60 (5 В; 1 мА)
50... 100 (5 В; 1 мА)
20...35* (1В: 10 мА)
30...50* (1В: 10 мА)
458 ... 100* (1 В: 1О мА)
~20• (10 В: 0.2 А)
~40• (10 В: 0,2 А)
~20* (IO В: 0,2 А)
5... 15
5.. .12
~15
~15
~15
~15
~15*(2В;5А)
~15*(2В:5А)
~10*(2В:5А)
~10*(2В:5А)
~15•(2В:5А)
20...50• (5 в: 1А)
~20* (5 В; 0.2 А)
~40• (5 В: 0,2 А)
20" .60* (5 В; 0,2 А)
50... 150* (5 В; 0.2 А)
20... 150* (5 В; 0,2 А)
~20* (5 В; 0,2 А)
20."150• (5 В: 0.2 А)
~16 (0.75 В: 4 А)
20...80 (0.75 В: 4 А)
~10(3В:2А)
~30(3В:2А)
~5(3В:2А)
15."30 (3 В: 2 А)
~16 (0,75 В; 4 А)
20."60 (5 В; 1 А)
~20(5В: 1А)
~15*(1 Bj,4A)
15."40 (3 В: 2 А)
i с,,
1
1
c;2:t•
пФ
1
:!>50 (5 В)
:!>50 (5 В)
1
-
-
-
'
'
1
1
rкэ иас'
r~н;к:•
Ом
-
-
:!>20
:!>20
:!>20
:!>l,25
:!>l,25
:!>l,25
:!>l,25
:!>О,16
:!>l.25
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,3
:!>0,2
1 :!>0,2
1 :!>О.25
1 :!>О,25
1
1
:!>О,25
:!>0,5
:!>0,5
:!>0,5
:!>О,25
:!>0,5
i
1
1
Кш, дБ
t,, пс
t:Ja("'
r~, Ом
Р;:х• Вт
t::i.л.
t~·:. нс
-
-
-
-
1
-
:!>2000***
-
:!>1500***
-
:!>1000***
1
1
Корпус
МП41, МП42
:No·Ф·
1
1
П201, П202
П207, П208
П209, П210
П213, П214
П215, П216
2J
~
:tl~ciw
77
!,.
11
1'
.:

78
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
pKmaxt
~•• \210•
Uкво проо'
JКБО•
lк max
Тип
Структу-
Р~. т maxt
~;1~·
U~ЭR проб•
UЭБО npo6•
1~.и maxt
·~ЭR•
прибора
р~~ и maxt
с·
U~эо npoo•
в
·~·
ра
'"
мА
мВт
МГц
в
мкА
П27
р-п-р
30
~1*
5* (0,5к)
-
6
53(5В)
П27А
р-п-р
30
~1*
5* (О,5к)
-
6
53(5В)
1
'
1
1
1
1
1
1
~
'
1
1
1
1
1
i
1
1
1
'
1
1
i
~
1
!
1
!
1
1
!
i
1
1
!
П28
р-п-р
30
~5*
5* (О,5к)
-
6
53(5В)
1
П29
i р-п-р
1
30
1
~5*
1
10*
1
12
100*
1
54 (12 В)
~
1
П29А
1
р-п-р
!
30
~5* 1
10*
1
12
100*
1
54 (12 В)
~
!
'
!
1
'
1
1
пзо
р-п-р
30
~10*
12*
12
100*
54 (12 В)
1
1
1
~
1
1
;!
1
1
i:
1
1
i
1
1
•1
!
1
1
1
1
i
'
1
1
1
П401
р-п-р
100
~30
10
1
20
510 (5 В)
П402
р-п-р
100
~50
10
1
20
55(5В)
1
1
!
1
'
1
!
П403
р-п-р
100
~100
10
1
1
20
55(5В)
П40ЗА
р-п-р
100
~80
10
1
20
i
55(5В)
•
1
1
1
!
П416
р-п-р
100 (360*)
~40
12
3
25(120*)
53(108)
П416А
р-п-р
100 (360*)
~60
12
3
25 (120*)
53 (10 В)
П416Б
р-п-р
100 (360*)
~80
12
3
25 (120*)
53 (10 В)
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1

Биполярные гер
.
маниевыетр анзисторы
00(5В;0.5мА)
20... 1
В·О5мА)
20".170 (5 ' '
00(5в.о5мА)
20."2
'
'
О(05В;20мА)
20" .5
. 5в·20мА)
40".100 (О, '
(о5в·20мА)
80".180 '
.
300(5В;5мА)
I~..
5А)
250(5В; м
16" .
100(5В;5мА)
30. "
5А)
200(5В; м
16" .
80(5В:5мА)
20."
5А)
60 120(5В; м
...250(5В;5мА)
90".
j<20(6В)
1~20(6В)
::;20 (6 В)
<15 (5 В)
~10 (5 В)
<10 (5 В)
~10 (5 В)
1
<8(5В)
~8(5В)
I ~8(5В)
1
1
f"КЭ Hilt ' 1
f БЭ на..:•
Ом
10
10
10
:S40
::;40
:S40
Кш, дБ
.
Ом
r,,•
р" Вт
вых'
<10 (1кГц)
-::;5 (1кГц)
::;5 ( 1 кГц)
'··пс
t:)a~t
t:~~·
Корпус
t~·;, н~с--jг--
::;6000
:S6000
6000
:S3500
::;JOOO
::;500
::;500
П27
П28
~Ш.д±\\,
~rщ W,
П29
~Ш.~&\,
~oww
пзо
П401, П402
П403
<500; :SIOOO *
~500; :SIOOO
~500: :SIOOO*
&~1ф.
1
0416
*1
79

80
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Структу-
Ркmах'
~.. \"..
UКБО проб'
1
•кmах
•кво•
Тип
P~.тmaxt
\;1~'
U~ЭR проб•
UЭБО проб• 1 1;.и max•
·~ЭR•
прибора ' ра
р~~ и maxt
~~·;xt
u~проб•
в
•••
1
1
мА
КЭО•
'
1
мВт
МГц
в
мкА
~
П417
1 p-n-p
50
~200
8
1
0,7
1
10
53(10В)
-~
'П417А 1 p-n -p
50
~200
8
0,7
1
10
53 (10 В)
П417Б
i p-n-p
50
~200
8
0,7
10
53(10В)
!
i
i
1
1
1
П422
p-n-p
100
~50
10* (!к)
-
20
55(5В)
П423
p-n-p
100
~100
10* (!к)
-
20
55(5В)
1
il
.
1
f,
i
П605
p-n -p
3Вт
-
45
1
1500
52000 (45 В)
П605А
p-n -p
3Вт
-
45
0,5
1500
52000 (45 В)
1
;
П606
1 p-n-p
1,25 Вт
~30
35
1
1500
i 52000(35В) !
!
П606А
1
p-n-p
1,25 Вт
~30
35
0,5
1500
i 52000 (35 В)
1
1
i
1
1
1
1
П607
p-n -p
1,5 Вт
~60
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
П607А
p-n -p
1,5 Вт
~60
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
1
~
1
1.
П608
p-n-p
1,5 Вт
~90
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
П608А
p-n-p
1,5 Вт
~90
30
1,5
300 (600*)
5300 (30 В)
~
1
•
!
!
1
i
П609
1
p-n -p
1,5 Вт
~120
30
1,5
300 (600*)
1
5300 (30 В)
'
П609А
p-n -p
1,5 Вт
~120
30
1,5
300 (600*)
1
5300 (30 В)
!
1
!

60(3В:0,5А)
20...
5А)
40... 120 (3 В;
<130 (20 В)
~130 (20 В)
---,
<50 (10 В)
20 80*(3В:0.25А)
~50(10 В)
···
ОО(3В;0,25 А)
60...2
в.О25А)
40...120(3 , ,5А)
80...240 (3 В; 0,2
в.О25А)
40...120(3 • ·
А)
80 ... 240 (3 В; 0,25
6зак9
<50 (10 В)
~80 (10 В)
S40
S40
slO
slO
<3000*
~4000*
<3000*
~3000*
<3000*
~3000*
<3000*
~3000*
П422, П423
П605
115,5 lt.6
.. ..
оо
Of
~о
"
а
8
П606
•
115,5 lt.6
....
оо
Of
~о
"
а
8
П607
П608
115,5 lt.6
....
оо
Of
~о
"
а
8
П609
1115,5 lt.6
....
•о
Of
~•О
"
а
.

82
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2. 7. Биполярные кремниевые транзисторы
1
~•• ~216•
Ркmах'
Uкоо max•
'JKmax
Iкоо,
Тип
Струк-
Р;, тmaxf
\;1э•
U~Rmax'
UЭБО max•
1;, и maxt
·~·
прибора
р~: М max•
с·
u~PlOlx'
в
·~·
тура
...
мА
мВт
Мfц
в
мкА
КТ104А
р-п-р
150 (60"С)
:?:5*
30**
10
50
Sl (30 В)
КТ104Б
р-п-р
150 (60"С)
:?:5*
15**
10
50
sl (15 В)
КТ1048
р-п-р
150 (60"С)
:?:5*
15**
10
50
SI (15 В)
КТ104f
P'!l-P
150 (60"С)
:?:5*
30**
10
50
1
Sl (30 В)
1
1
КТ117А
п-база
300
0,2***
30
30
50 (1* А)
Sl (30 В)
КТ117Б
п-база
1
300
0,2***
30
30
50(1*А)
Sl (30 В)
КТ1178
п-баЗа
300
0,2***
1
30
30
50(1*А) 1
Sl (30 В)
KT117f
п-база
300
0,2***
30
30
50(1*А)
Sl (30 В)
КТ118А
р-п-р
100 (IOO"C)
-
15
31
50
SO,l (15 В)
КТ118Б
р-п-р
100 (IOO"C)
-
15
31
50
SO,I (15 В)
КТ1188
1 р-п-р
100 (lOO"C)
-
15
31
50
SO,I (15 В)
1
1
1
!
i
1
КТ119А
i п-база 1
25
0,2***
20
20
10 (50*)
-
КТ119Б
п-база
25
0,2***
20
20
10 (50*)
-
1
1
•
1
1
!
КТ120А
! р-п-р
10
:?:1
60
10
i 10 (20*)
s0.5 (60 В)
1
КТ120Б
1 р-п-р
10
:?:1
30
10
10 (20*)
1
S0,5 (30 В)
1
КТ1208
р-п-р
10
:?:!
60
10
10 (20*)
S0,5 (60 В)
КТ120А-1
p-n -p
10
-
60
10
10
S0,5 (60 В)
КТ120В-1
р-п-р
10
-
60
10
10
-
i
1
'
1
1
!
1
1
1
КТ120А-5
р-п-р
10
-
60
10
10
-
КТ120В-5
р-п-р
20
-
60
10
10
-
КТ127А-1
п-р-п
15 (бО"С)
:?:0,1**
25
3
50
Sl (25 В)
КТ127Б-1
п-р-п
15 (60"С)
:?:0,1 **
25
3
50
Sl (25 В)
КТ127В-1
п-р-в
15 (60"С)
:?:0,1**
45
3
50
Sl (25 В)
КТ127f-1 ·
1
. n-р-п
15 (бО"С)
:?:0,1 **
45
3
50
1
Sl (25 ВJ
1
1
1
1
1
1
1
1

1
1
1
транзисторы
Биполярные кремниевые
rКЭиасt Ом
ck,
r~м.ас' Ом
ь.,•. ь;,э
с;2з'
к;.·,.. дБ
пФ
<50
9...36 (5 В: 1 мА)
1
$50 (5 В)
$50 (5 В)
$50
20...80 (5 В; 1 мА)
$50 (5 В)
$50
40... 160 (5 В; 1 мА)
15...60 (5 В; 1 мА)
1
$50 (5 В)
$50
1
i
г О,5... 0 ,7 (U5152=10 В) !
0.65 ...0,9 (Uы52=10 В) 1
1
-
-
1
-
О.5 ... 0 .7 (Uы52=1О В)
-
1
-
1
О,65... 0 .9 (U5152=10 В)
-
1
~
~
!
1
1
100
-
1
100
1
-
120
-
1
1
-
-
1
i
1
1
'
О.5... 0 .65 (U52ы=lO В)
1
i
!
-
0.6 . .. 0 ,75 (U5251=!0 В)
-
'
1
~
!
~
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
20...200(5В:1мА) 1 $5(5В)
<50
20...200(5В; 1мА) 1 $5(5В)
-
20...200(5В;1мА) 1 $5(5В)
$110
1
i $5(5В)
<50
1 20...200 (5 В: 1мА)
1
$110
1
$5(5В)
20...200 (5 В; 1 мА)
1
1
20...200 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
<50
20...200 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
$110
1
1
1
1
1
15...60 (5 В: 1мА)
$5(5В)
<170
40...200 (5 В; 1мА)
$5(5В)
$170
15...60 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
$170
40... 200 (5 В; 1 мА)
$5(5В)
$170
б'
Кw,дБ
r;, Ом
р" Вт
вых•
<120*
$120*
$120*
$120*
-
-
-
-
-
1
1
1
-
-
-
-
-
-
83
'[кt ПС
t' нс
",.
Корпус
t" нс
выК11•
КТ104
ti
-
~ офк
-
~
3
КТ117
rEi 51
-
1'о)
з
-
~$2
1
КТ118
1 <500**
1
1
<500**
!IS,fJll
$500**
~fj ~-
1
!
1
62
61
~•
32
1
1
1
i
КТ119
~~
~ 1f\\
1
1
61623
1
1
КТ120
~~~
1
-
1
51 Ьо\' -
\
КТ120-1
1
~rn
11\
6кз
1
КТ120-5
~В:У
1
КТ127-1
~~if
-
-
11
1
35К

84
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~•• \210•
UKБOmax•
1
•к~,
lкво,
Тип
Струк-
Р;,тmах'
~;lэ•
U~Rma).t
UЭБО maxt
1
1;.и max•
l~Rt
р;~ и max•
с·
u~rnax•
в
1··
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
мrц
в
1
мА
мкА
КТ132А
однопер.
300
-
-
35
2*А
12
IКТ132Б
1
300
-
-
35
2*А
0,2
~
1
t
!
i
'
i
1
1
1
1
1
i
1
!
1
!
1
КТIЗЗА
однопер.
300
-
-
35
1,5* А
1
КТIЗЗБ
300
-
-
35
1,5* А
1
!
1
1
!
"
!
1
R
1
1
!
!
1
1
1
1
·'
1
!
!
~
1
,.
1
1
1
'
~КТ201А
n-p-n
150 (90°С)
i
~10
1
20
20
i 20 (100*)
1
:s;I (20 В)
1
1
iкnotБ
n-p-n
150
1
~10
1
20
20
1
20 (100*)
:s;l (20 В)
~КТ201В
n-p-n
150
~10
1
10
10
1
20 (100*) 1
:s;I (20 В)
1·
кт201r
n-p-n
150
~10
1
10
10
20 (100*)
1
:s;l (20 В)
КТ201Д
n-p-n
150
~10
10
1
10
20 (100*)
:s;l (20 В)
1
КТ201АМ
1
n-p -n
150
~10
20
20
20 (100*)
:s;l (20 В)
КТ201БМ
'
n-p -n
150
~10
20
20
20 (100*)
:s;l (20 В)
КТ201ВМ ! n-p-n
150
~10
1
10
1
10
20 (100*)
1
:s;I (20 В)
~кт201rм 1
1
150
~10
10
10
20 (100*)
1
$1 (20 В)
n-p-n
1
!КТ20ЩМ 1
n-p -n
150
~10
1
10
1
10
1
20 (100*)
1
:s;I (20 В)
1
1
!
1
1
!
1
1
i
1
1
!
'
i
1
1
1
1
i
1
КТ202А-1
1
p-n-p
15 (55°С)
~5
15
10
10 (25*)
$1 (15 В)
КТ202Б-1
p-n-p
15 (55°С)
~5
15
10
10 (25*)
:s;I (15 В)
КТ202В-1
p-n -p
15 (55°С)
~5
30
10
10 (25*)
:s;l (30 В)
кт202r-1
p-n -p
15 (55°С)
~5
30
10
10 (25*)
:s;l (30 В)
.
КТ202Д-1
15 (55°С)
~5
15
10
10 (25*)
1
:s;l (15 BJ
r
p-n -p
'
i
1
~
1
i
i
1
;i
!
1
'
!
1
!
~
1
!
'
R
1
iKT203A
p-n -p
150 (75°С)
~5*
60
30
10 (50*)
:s;I (60 В)
КТ203Б
p-n -p
150 (75°С)
~5*
30
15
10 (50*)
:s;I (30 В)
КТ203В
p-n -p
150 (75°С)
~5*
15
10
10 (50*)
:s;l (15 В)
1
1
i
1
1
1
i
;
1
i
;
!КТ203АМ p-n -p 1
150 (75°С)
~5*
60
30
10 (50*) i
:s;I (60 В)
1
1
1кт20ЗБМ
p-n-p 1
150 (75°С)
~5*
30
15
10 (50*) i :s;l (30 В)
КТ203ВМ
p-n-p 1
150 (75°С)
~5*
15
10
10 (50*)
:s;l (15 В)
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1

i
i
'
i.
Биполярные кремниевые транзисторы
0,56 ...0,75
0,68 ...0,82
0,56 ...0.75
0,7 ...0,85
20...60 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В: 5 мА)
30...90 (1 В: 5 мА)
70...210 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
20...60 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
70.•.210 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5 мА)
15...70 (5 В; 1мА)
40...160 (5 В; 1 мА)
15...70 (5 В; 1мА)
40...160 (5 В; 1 мА)
100...300 (5 В; 1 мА)
<::9(5В;1мА)
30... 150 (5 В; 1 мА)
30...200 (5 В; 1 мА)
<::9(5В; 1мА) ·
30... 150 (5 В; i мА)
30...200 (5 В; 1 мА)
!
1
!
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
1 :<>20 (5 В)
1 :<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>20 (5 В)
:<>25 (5 В)
1
:<>25 (5 В)
:<>25 (5 В)
:<>25 (5 В)
:<>25 (5 В)
:<>10 (5 В)
1 :<>10 (5 В)
1 :<>10 (5 В)
1
:<>10 (5 В)
:<>10 (5 В)
:<>10 (5 В)
i
!
fкэна1..·• Ом
r~Энаt.·• Ом
к;.:.. дБ
3,5
3,5
2,5
2,5
:<>50
:<>25
:<>50
:<>25
Kw, дБ
,~,Ом
Р;:х' Вт
:<>15(1 кГц)
:<>15 (1 кГц)
:<>300*
:<>300*
:<>300*
:<>300*
:<>300*
:<>300*
т•• пс
1
1
~;,.,.нс
tвым• НС
:<>1000*
:<>1000*
:<>1000*
:<>1000*
:<>1000*
85
Корпус
КТ132
КТ133
КТ201
КТ201-М
КТ202-1
~~
/1\ ~tj
6кэ
КТ203
КТ203М

86
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• ~216•
UКБО maxt
Iк,,,.,
lкw•
Тип
Струк-
P;.тmaxt
~;lэ'
U~Rmaxt
UЭБOmaxt
1;.и maxt
l~R'
р;:иmах•
с·
u~maxt
в
1··
прибора
тура
ах•
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ206А
п-р-п 1
15
~10
20* (3к)
20
20
1
Sl (20 В)
1
КТ206Б
п-р-п
1
15
~10
1-
12* (3к)
12
20
Sl (12 В)
1
!
1
1
1
1
1
1
КТ207А
р-п-р
15
~5
60
30
10 (50*)
S0,05 (60 В)
КТ207Б
р-п-р
15
~5
30
15
10 (50*)
S0,05 (30 В)
КТ2078
р-п-р
15
~5
15
10
10 (50*)
S0,05 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ208А
р-п-р
200 (6О0С)
~5
20* (10к) 1 10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Б
р-п-р
200 (6О0С)
~5
20
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208В
р-п-р
200 (6О0С)
~5
20
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Г
р-п-р
200 (60°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Д
р-п-р
200 (60°С)
~5
30* ( lОк)
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Е
р-п-р
200 (6О0С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Ж
р-п-р
200 (60°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208И
р-п-р
200 (60°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208К
р-п-р
200 (60°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208Л
р-п-р
200 (60°С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ208М
р-п-р
200 (6О 0С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl (20 В)
КТ209А
р-п-р
1
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
1
Sl* (15 В)
КТ209Б
i р-п-р
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
!
Sl*(15 В)
КТ2098
1 р-п-р
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
Sl*(15 В)
КТ20982
1 р-п-р
200 (35°С)
~5
15
10
300 (500*)
1
Sl* (15 В)
КТ209Г
р-п-р
200 (35°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl* (30 В)
КТ209Д
р-п-р
200 (35°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl*(30 В)
КТ209Е
р-п-р
200 (35°С)
~5
30
10
300 (500*)
Sl*(30B)
КТ209Ж
р-п-р
200 (35°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl*(45 В)
КТ209И
р-п-р
200 (35°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl*(45 В)
КТ209К
р-п-р
200 (35°С)
~5
45
20
300 (500*)
Sl* (45 В)
КТ209Л
р-п-р
200 (35°С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl*(60 В)
КТ209М
р-п-р
200 (35°С)
~5
60
20
300 (500*)
Sl*(60 В)
1
1
1
!,,
КТ209К9
1 р-п-р
200
~4
40
25
150
!
Sl
1
i
1
1
1
1
1
КТ210А
р-п-р
25
~10
15
10
20 (40*)
SlO (15 В)
КТ210Б
р-п-р
25
~10
30
10
20 (40*)
SlO (30 В)
КТ2108
р-п-р
25
~10
60
10
20 (40*)
slO (60 В)
.
1
1
КТ211А-1
1 р-п-р
25
~10
15
5
20 (50*)
SlO (15 В)
КТ211Б-1
1 р-п-р
25
~10
15
5
20 (50*)
SlO (15 В)
КТ211В-1
1 р-п-р
25
~10
15
5
20 (50*)
Sl0(15B)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
1 30...90* (1 В; 5мА)
70...120* (1 В; 5 мА)
~9(5В;1мА)
30...150 (5 В; 1 мА)
30...200 (5 В; 1 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1 В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1 В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40... 120* (1 В; 30 мА)
80... 240* (1 В; 30 мА)
20...60* ( 1 В; 30 мА)
S20 (5 В)
S20 (5 В)
S10 (5 В)
S10 (5 В)
slO (5 В)
s50(10B)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
sSO(IOB)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
40...120* (1 В; 30 мА) 1 S50 (10 В)
1 20...60* (1 В; 30 мА)
,.
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1 В; 30 мА)
~200* (1 В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...240* (1В; 30 мА)
20...60* (1 В; 30 мА)
40...120* (1 В; 30 мА)
80...160* (1 В: 30 мА)
20...60* (1 В; 30мА) 1
40... 120* (1 В; 30 мА) 1
~30 (0,2 В: 12 мА)
80...240 (5 В; 1 мА)
80...240 (5 В; 1 мА)
40...120 (5 В; 1 мА)
40... 120 (1 В; 40 мА)
80...240 (1 В; 40 мА)
160.. .480 (1 В; 40 мА)
s50 (10 В)
s50(10B)
s50(10B)
s50(10B)
s50 (10 В)
s50 (IO В)
S50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50 (10 В)
s50(10B)
S50(10B)
Sl5
S25 (5 В)
S25 (5 В)
S25 (5 В)
s20 (5 В)
S20.(5 В)
S20 (5 В)
rкэмк• Ом
r~",. Ом
к;_*,_, дБ
SIOO
SIOO
s50
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,3
Sl,I
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:х• Вт
S300*
s300*
s300*
S4 (1 кГц)
s4(1кГц)
S4 (1 кГц)
s5 (1 кГц)
s5(1 кГц)
s5 (1 кГц)
s5 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
s3 (1 кГц)
Тк1 ПС
~~,. нс
tвым• НС
Корпус
КТ206
!it
6КЗ
КТ207
КТ208
КТ209
КТ209К9
s
О.95
~~х_
КТ210
..... ~~о к ]:11,25
r:::sкoo6
fJll
Кпюч
КТ211-1
~:м
''' 1_j
6кэ
87

88
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~Р' ~216'
UКБО maxt
lк max
IКБО•
Тип
Струк-
р'
\;lэ'
u·
UЭБО max•
•:. м max'
I~ЭR•
К,тmах•
КЭR max'
прибора
тура
р~~ м max•
~~·:х'
u~max•
в
I"
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
~
КТ214А-1
р-п-р
50
~5
80**
30
50 (100*)
51 (30 В)
КТ214Б-1
р-п-р
50
~5
80**
7
50 (100*)
51 (30 В)
КТ214В-1
'
р-п-р
50
~5
60**
7
50 (\00*)
51 (30 В)
i КТ214Г-1
р-п-р
1
50
~5
40**
7
50 (100*)
51 (30 В)
~КТ214Д-1
р-п-р
50
~5
30**
7
1
50 ( 100*)
51 (30 В)
IKT214E-1
р-п-р 1
50
~5
20**
20
1
50 (100*)
1
51 (30 В)
i
1
i
1
1
1
КТ215А-1
п-р-п
50
~5
80**
5
50 (100*)
5100* (30 В)
КТ215Б-1
п-р-п
50
~5
80**
5
50 (100*)
5100* (30 В)
КТ215В-1
п-р-п
50
~5
60**
5
50 (100*)
5100* (30 В)
КТ215Г-1
п-р-п
50
~5
40**
5
50 ( 100*)
5100* (30 В)
КТ215Д-1
п-р-п
50
~5
30**
5
1
50 (100*)
5100* (30 В)
"
КТ215Е-1
п-р-п
50
~5
20**
5
1
50 (100*)
1
5100• (30 BJ
~
1
1
1
i
.,
!
1
1
1
КТ216А
р-п-р
75
~5
60
30
10
50,05
1
КТ216Б
1 р-п-р
75
~5
30
15
10
1
50,05
1
КТ216В
1 р-п-р
75
~5
30
10
10
51
1
1
1
1
!
1
КТ218А-9
р-п-р
200
~5
80
30
50
51
КТ218Б-9
р-п-р
200
~5
80
7
50
51
КТ218В-9
р-п-р
200
~5
60
7
50
51
КТ218Г-9
р-п-р
200
~5
40
7
50
51
КТ218Д-9
р-п-р
200
~5
30
7
50
51
КТ218Е-9
1
р-п-р
200
~5
20
20
50
51
i
1
1
КТ220А9
1
п-р-п 1
200
~250
60
5
1
100
50.1
1
1
IКТ220Б9
п-р-п 1
200
~250
60
5
100
1
50,1
КТ220В9
1 п-р-п
200
~250
60
1
5
100
1
50,1
1
1
1
1
КТ220Г9
1 п-р-п
200
~250
60
1
5
1
100
1
50,1
1
1
1
i
КТЗОI
п-р-п
150 (6О0С)
~20
20
3
10 (20*)
1
510
КТЗОIА
п-р-п
150 (6О0С)
~20
20
3
10 (20*)
1
510
КТЗОIБ
п-р-п
150 (60°С)
~20
30
3
10 (20*)
1
510
~
КТЗОIВ
1 п-р-п
150 (6О0С)
~20
30
3
10 (20*)
510
'
КТЗОIГ
1 п-р-п
150 (6О0С)
~30
30
3
10
510 (20 В)
КТЗОIД
i п-р-п
1
150 (60°С)
~30
30
3
10
510 (20 В)
КТЗОIЕ
1
п-р-п
150 (60°С)
~30
30
3
10
510 (30 В)
КТЗОIЖ
п-р-п
150 (6О 0С)
~30
20
3
10
510 (20 В)
КТЗО2А
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (15 В)
КТЗО2Б
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (158)
КТЗО2В
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (15 В)
КТЗО2Г
п-р-п
100 (50°С)
-
15
4
10
51 (15 В)
!
1
i
i
1
1
1
КТЗО6А
1
1
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
1
50.5 (15 В)
1
п-р-п 1
IКТЗО6Б
1 п-р-п i
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
50,5 (15 В)
КТЗО6В
1
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
1
50,5 (15 В)
п-р-п
1
КТЗО6Г
п-р-п
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
1
50,5 (15 В)
КТЗО6Д
п-р-п
150 (90°С)
~200
15
4
30 (50*)
50,5 (15 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
89
ck,
rкэиас' Ом
Кw,дБ
t., ПС
ь.,•. ь;,э
с;2э'
r~нк' Ом
,~,Ом
t;,_., НС
Корпус
пФ
к;:", дБ
Р;~х' Вт
t::IUI, НС
~20(5В;10мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
КТ214-1, КТ215-1
30... 90 (5 В; 10 мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
40...120 (5 В; 10 мА) 1 S:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
40 .. .120 (5 В; 10 мА) 1 s:50(10B)
s:60
~1200*
-
~
1
~80 (1 В; 40 мкА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
~
~40 (1В: 40 мкА)
s:50 (10 В)
s:60
~1200*
-
~20(5В;10мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
11\
30... 90 (5 В; 10 мА)
S:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
5кз
40... 120 (5 В; 10 мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
40... 120 (5 В; 10 мА)
s:50 (!О В)
s:60
~1200*
-
~80(1В;40мА)
s:50 (10 В)
s:60
~1200*
-
~40 (1 В; 40 мкА)
s:50(10B)
s:60
~1200*
-
~9(5В:1мА)
s:lO
-
-
-
КТ216, КТ218-9
30... 150 (5 В; 1 мА)
s:lO
-
-
-
30... 200 (5 В; 1 мА)
s;lO
-
-
-
s
0,95
~~х
~20(5В;10мА)
S:l5
-
-
-
~30(5В;10мА)
S:l5
-
-
-
40... 120 (5 В; 10 мА)
S:l5
-
-
-
~40(5В;10мА)
S:l5
-
-
-
~80 (1 В; 40 мкА)
S:l5
-
-
-
~40 (1 В; 40 мкА)
S:l5
-
-
-
90... 180
-
-
-
-
КТ220-9
135... 270
-
-
-
-
~~1
200.. .400
-
-
-
-
300... 600
-
-
-
-
20...60 (!О В; 3 мА)
s:lO (!О В)
s:300
-
-
КТЗОI
40.. .120 (10 В; 3 мА)
s:lO (!О В)
s:300
-
-
10...32 (10 В; 3 мА)
S:lO (!О В)
s:300
-
-
~
20...60 (10 В; 3 мА)
s:lO (!О В)
S:300
-
-
10...32 (10 В; 3 мА)
s:lO (!О В)
s:300
-
S:2000
~ф6
20...60 (1 О В; 3 мА)
s:lO (10 В)
S:300
-
S:2000
40... 120 (10 В; 3 мА)
s:lO (10 В)
s:300
-
:!>2000
80...300 (10 В; 3 мА)
s:lO(lOB)
s:300
-
S:2000
110... 250 (1 В; 0,11 мА)
-
-
s;7 (1 кГц)
-
КТЗО2
90... 150 (3 В; 2 мА)
-
-
s:7 (1 кГц)
-
110... 250 (1,5 В; 0,5 мА)
-
-
s:7 (1 кГц)
-
Ьi-
200... 800 (3,5 В; 5 мА)
-
-
s:7 (1 кГц)
-
~~
~
к.6
20...60* (1 В; 1ОмА)
s;5 (5 В)
s:30
-
S:30*
КТЗО6
40... 120* (1 В; lОмА)
s;5 (5 В)
s:30
-
S:30*
20... 100* (1 В; lОмА)
s:5 (5 В)
-
s:30*
S:500
~~
40... 200* (1 В; lОмА)
s;5 (5 В)
-
s:30*
S:500
30... 150* (1 В; lОмА)
s;5 (5 В)
-
s:30*
s;300
~ ~зфк
6

90
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKm•x'
~•• \210•
UКБО max'
Iк ,,,. .
lкоо•
Тип
Струк-
Р;, т max'
\;lэ'
U~Rmax'
UЭБО m.ax'
1;. и max•
·~·
прибора
тура
р;: и max•
~;;х,
u~max•
в
1~.
мВт
Мfц
в
мА
мкА
1
'
КТ306АМ i п-р-п
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
S0,5 (15 В)
КТ306БМ ! п-р-п
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
1
S0,5 (15 В)
КТ306ВМ 1
п-р-п
150 (9О0С)
~300
15
4
30 (50*)
:S:0,5 ( 15 В)
1
ктзо&rм ! п-р-п
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
S0,5 (15 В)
КТ306ДМ
п-р-п
150 (90°С)
~200
15
4
30 (50*)
s0,5 (15 В)
КТ307А-1
п-р-п
15
~250
1О* (3к)
4
20 (50*)
:S:0,5 ( 10 В)
КТ307Б-1
п-р-п
15
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
:S:0,5 ( 1О В)
КТ3078-1
п-р-п
15
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
:S:0.5 (!О В)
KT307f-1
n-p-n
15
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
S0.5 (10 В)
1
1
1
KTЗIOIA-2
п-р-п
100 (45°С)
~4000
15
2,5
20 (40*)
:S:0.5 (15 В)
КТЗIОIАМ j п-р-п
100
~4000
15
2,5
20
1
:S:0.5 (15 В)
1
1
i
1
КТ3102А
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102Б
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
s0,05 (50 В)
КТ31028
1 п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
ктз102r
1
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
s0,015 (20 В)
КТ3102Д
п-р-п
250
~150
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102Е
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
s0,015 (20 В)
КТ3102:Ж
1
h-p -n
250
~200
50
5
100 (200*)
s0,05 (50 В)
КТ3102И
n-p -n
250
~200
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102К
п-р-п
250
~200
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102АМ
. n-p. -n
250
~150
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102БМ
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
S0,05 (50 В)
КТ3102ВМ
п-р-п
250
~150
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
ктз102rм
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
S0,015 (30 В)
КТ3102ДМ
п-р-п
250
~150
50
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102ЕМ
п-р-п
250
~300
20
5
100 (200*)
S0,015 (30 В)
КТ3102:ЖМ 1 n-p -n
250
~200
50
5
100 (200*)
:S:0,05 (50 В)
КТ3102ИМ 1 n-p-n
250
~200
50
5
100 (200*)
s0.05 (50 В)
КТ3102КМ 1 п-р-п
250
~200
30
5
100 (200*)
s0,015 (30 В)
КТ3102А2
п-р,п
250
~200
50
5
200
-
КТ3102Б2
п-р-п
250
~200
50
5
200
-
КТ310282
n-p-n
250
~200
30
5
200
-
KT3102f2
п-р-п
250
~200
20
5
200
-
КТ3102Д2
п-р-п
250
~200
30
5
200
-
КТ3102~2
п-р-я
250
~300
20
5
200
-
КТ3Ю2.Ж.2
П'р-П
250
~200
50
5
200
-
КТ3102И2
п-р-п
250
~200
50
5
200
-
КТ3102К2
п-р-п
250
~200
30
5
200
-

Биполярные кремниевые транзисторы
20 ... 60* (1 8; IОмА)
40 ... 120* (1 8; IОмА)
20... 100* (1 8; IОмА)
40...200* (1 8; 1ОмА)
30 ... 150* (1 8; 1ОмА)
~20(18; IОмА)
~40(18;10мА)
~40(18;10мА)
~80(18;10мА)
35...300 (18; 5 мА)
35...300 (1 8; 5 мА)
100...200 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 1 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
400...1000 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
400...1000 (5 8; 2 мА)
100...250 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
100...200 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА) 1
200...500 (5 8; 2 мА)
1
1
400... 1000 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА) !
400... 1000 (5 8; 2 мА)
100...250 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
200...500 (5 8; 2 мА)
100 ... 200
200 ... 500
200 ... 500
400 ... 500
200 ... 500
400 ... 1000
100 ... 250
200 ... 500
200 ... 500
с,,
с;2з'
пФ
$5(58)
$5(58)
$5(58)
$5(58)
$5(58)
$6(18)
$6(18)
$6(18)
$6(18)
$1,5(58)
$1,5(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
~6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
$6(58)
1
1
rкэнас• Ом
r~э нас• Ом
к;.·,.. дБ
$30
$30
$20
$20
$20
$20
~8** (1 ГГц)
!
1
Кш, дБ
r~. Ом
Р;:,, Вт
$30*
$30*
$30*
$4,5 (2,25 ГГц)
$4,5 ( 1 ГГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10(1 кГц)
$4 (1 кГц)
$4 (1кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$10 (1 кГц)
$4 (1 кГц)
$4 (1кГц)
1
1
tк, ПС
f~ac• НС
t::кл• НС
$30*
$30*
$500
$500
$300
$30*
$30*
$30*
$30*
$10
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
$100
91
Корпус
КТ306М
КТ307-1
!lt
бКЭ
i
1
1
КТ3101-2
1
1,7
10
1 ~w~~
1
КТ3101М
КТ3102
КТ3102М
КТ3102-2

92
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
1,.• • ~216'
UKБOmax'
)Kmax
lкю,
Тип
Струк-
Р~. т maxt
~;,~,
U~Rmax'
UЭБОmах'
•:.и max'
·~·
прибора
тура
р~~ и max'
~::х'
u~max•
в
·~·
мВт
мrц
в
мА
1
мкА
1
КТ3104А
1
р-п-р
15 (35°С)
~200
30
3,5
10
1
:51 (30 В)
КТ3104Б
р-п-р
15 (35°С)
~200
30
3,5
10
:51 (30 В)
КТ3104В
1 р-п-р
15 (35°С)
~200
30
3.5
10
:51 (30 В)
KT3104f
i р-п-р
1
15 (35°С)
~200
15
3,5
10
1
:51 (15 В)
КТ3104Д
р-п-р
15 (35°С)
~200
15
3.5
10
:51 (15 В)
КТ3104Е
р-п-р
15 (35°С)
~200
15
3,5
10
1
:51 (15 В)
КТ3106А-2
п-р-п
30 (50°С)
~1000
15* (IОк)
2,5
20 (40*)
:50,5 (15 В)
!
i
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ3106А-9 i п-р-п 1
100
~1000
15* (lОк)
3
1
20 (40*)
i
:50,5 (15 В)
1
1
1
1
!1
1
i
~
i
1
i
i
!
1
11
'
КТ3107А
1 р-п-р
300
1
~200
50
5
100 (200*) 1
:50.1 (20 В)
КТ3107Б
i
р-п-р
300
~200
50
5
100 (200*) 1
:50,1 (20 В)
КТ3107В
р-п-р
300
1
~200
30
5
100 (200*)
1
:50,1 (20 В)
KT3107f
1 р-п-р
300
1
~200
30
5
100 (200*)
:50.1 (20 В)
КТ3107Д
1 р-п-р
300
~200
30
5
1
100 (200*)
1
:50.1 (20 В)
1
КТ3107Е
р-п-р 1
300
~200
25
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107Ж
р-п-р
300
~200
25
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107И
р-п-р
300
~200
50
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107К
р-п-р
300
~200
30
5
100 (200*)
:50,1 (20 В)
КТ3107Л
p-n-p
300
~200
25
5
100 (200*)
:50.1 (20 В)
КТ3108А
1 р-п-р
300 (360*)
~250
1 60* (lОк)
5
1
200
1
:50.2 (60 В)
~
1
1
КТ3108Б
1 р-п-р
300 (360*)
~250
45* (lОк)
5
200
i
:50.2 (45 8)
1
КТЗ108В
1 р-п-р
300 (360*)
~300
45* (10к)
5
200
1
:50,2 (45 В)
!
КТ3109А
р-п-р
170 (40°С)
~800
30
3
50
:50,1 (20 В)
КТ3109Б
р-п-р
170 (40°С)
~800
25
3
50
:50,1 (20 В)
КТ3109В
р-п-р
170 (40°С)
~800
25
3
50
:50,1 (20 В)
1
1
j
!
1
1
1
1
1
1
!
i
1
1
1
!
1
!
!
1
!
IКТ3114Б-6
1
1
25 ооо·с)
1
1
1
1
i
i
1
п-р-п
~4300
5
1
1
15
:50,5 (5 В)
1
!
КТЗ114В-6 ' п-р-п
25 ооо·с>
~4300
5
1
15
:50.5 (5 В)
!

Биполярные кремниевые транзисторы
93
Ck,
rкэнас• Ом
Кw1 дБ
tк• ПС
h21" ь;IЭ
с;2э•
r~"""' Ом
r;, Ом
t;,.., нс
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;:,, Вт
t::IUll НС
15...90 (1 В; 2 мА)
$25 (5 В)
$!()()
s8 (6 МГц)
$800
КТЗ104
50...150 (1 В; 2 мА)
s25 (5 В)
slOO
s8 (6 МГц)
$800
~t
70...280 (1В; 2 мА)
s25 (5 В)
$100
s8 (6 МГц)
$800
15...90 (1 В; 2 мА)
s25 (5 В)
SlOO
s8 (6 МГц)
$800
50...150 (1 В; 2 мА)
s25 (5 В)
SlOO
s8 (6 МГц)
$800
70...280 (1 В; 2 мА)
$25 (5 В)
$100
s8 (6 МГц)
$800
5КЗ
~40(5В;5мА)
s2(5В)
-
s2 (120 МГц)
-
1
КТЗ106-2
'
1,15
0,95
~х
/1\
5/(з
~40(5В;5мА)
s2(5В)
-
s2 (120 МГц)
SlO
КТЗ106-9
1
~~t
70...140 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
slO (1 кГц)
-
КТЗ107
120...220 (5 В; 2 мА)
s7 (!О В)
$20
SlO (1 кГц)
-
70...140 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
$20
slO (1 кГц)
-
120... 220 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
slO (1 кГц)
-
~fi:~
180.. .460 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
$20
slO (1 кГц)
-
120...220 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
s4 (1 кГц)
-
180.. .460 (5 В; 2 мА)
s7 (!О В)
$20
S4 (1 кГц)
-
180... 460 (5 В; 2 мА)
S7 (10 В)
$20
slO (1 кГц)
-
&<')
~-•
~
""
380...800 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
S20
slO (1 кГц)
-
.........
380...800 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s20
s4 (1 кГц)
-
1
50... 150 (1 В; 10 мА)
s5 (10 В)
$25
s6 (100 МГц)
$250
КТЗ108
50... 150 (1 В; 10 мА)
s5 (10 В)
s25
s6 (100 МГц)
s250
~
100...300 (1 В; 10 мА)
s5 (10 В)
s25
S6 (100 МГц)
$250
""":>
5
::
з{фк
~
~15 (10 В; 10 мА)
sl (!О В) ~15** (0,8 ГГц)
s6 (800 МГц)
$6
КТЗ109
~15 (10 В; 10 мА)
sl (10 В)
~13** (0,8 ГГц)
s7 (800 МГц)
$10
~15 (10 В; 10 мА)
sl (!О В) ~13** (0,8 ГГц)
s8 (800 МГц)
slO
~i
15... 80 (3 В;"'! мА)
s0,44 (3 В)
-
s2 (400 МГц)
$8
:КТЗ114-6
15...80 (3 В; 1мА)
s0,44 (3 В)
-
s3 (400 МГц)
$8
1
~{@

94
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• (216•
UKБOmax'
lк max
1
lкоо•
1
Тип
Струк-
Р~.тmах•
1~:;1э•
U~Rmax'
UЭБОmах'
1;.н max'
J~R'
прибора
тура
р~нmах'
~;;х,
u~max'
в
i
·~·
мВт
Мfц
в
мА
i
мкА
1
КТ3115А-2 1 п-р-п
70 (70°С)
~5800
10* (1 к)
1
8,5
1
g),5 (10 В)
lктз11sв-2 1 п-р-п
70 (70°С)
~5800
10* (lк)
1
8,5
1
~0.5 (10 В)
KT3115f-2
1
50 (85"С)
~5800
7* (1к)
1
8,5
g),5 (7 В)
1
п-р-п
КТ3115Д-2
п-р-п
50 (85"С)
~5800
7* (1к)
1
8,5
~О.5 (5 В)
1
КТ3117А
п-р-п
300 (800**)
~200
60
4
400 (800*)
~10 (60 В)
КТ3117Б
п-р-п
300
~200
75
4
400 (0,8* А)
~10 (75 В)
1
1
1
i
i
1
1
1
КТ3117А-1 1 п-р-п 1
500
~200
60
4
400 (0,8* А)
~10 (60 В)
КТ3117А9
п-р-п
300 (800*)
~200
60
4
400 (0,8*А)
~10 (60 В)
!КТ3117Б9 1 п-р-п 1
300
~200
75
4
400 (0,8*А) 1 ~10 (75 В)
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
i
КТ312А
п-р-п
225
~80
20
4
30 (60*)
~10 (20 В)
КТ312Б
п-р-п
225
~120
35
4
30 (60*)
~10 (35 В)
КТ3128
п-р-п
225
~120
20
4
30 (60*)
~10 (25 В)
1
КТ312А1
1 п-р-п
1
225
~80
20
4
30 (60*)
~10 (20 В)
IКТ312Б1 1
п-р-п
225
~120
35
4
30 (60*)
~10 (35 В)
КТ31281
1 п-р-п
225
~120
20
4
30 (60*)
~10 (20 В)
КТ3120АМ
п-р-п
100
~1800
15
3
20 (40*)
~0.5 (15 В)
1
1
1
1
1
КТ3121А-6
п-р-п
25
~100
12
2
10
~1 (10 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
95
с,,
rкэнас• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h21,1 ь;IЭ
с; 2,,
r;Энас• Ом
r;, Ом
t;..,., нс
Корпус
пФ
к;_*", дБ
Р;:•• Вт .
t::IUll НС
:515(5В;5мА)
:50,6 (5 В)
~5** (5 ГГц)
:54,6 (5 ГГц)
:53,8
КТЗ115-2
:515(5В;5мА)
:50.,6 (5 В)
~5** (5 ГГц)
:54,4 (5 ГГц)
:53,8
4t1@
:515(5В:5мА)
:50,6 (5 В) ~4.4** (5 ГГц)
:55, 7 (5 ГГц)
:53,8
70...150 (5 В: 5 мА)
:50,6 (5 В) ~8** (2,25 ГГц)
:52,5 (2,25 ГГц)
:53,8
!
1
40...200* (5 В; 0,2 А)
:510 (10 В)
:51,2
-
:580*
КТ3117
100...300* (5 В; 0,2 А) :510 ( 10 В)
:51,2
-
:580*
~"':>
6
::
зфк
~
40...200 (5 В: 0.2 А) 1 :510 (10 В) 1
:51,2
:580*
1
КТ3117-1
-
1
.
i
!
'
1
~~~
1
11')
~-•
~
~....., .
40... 200* (5 В; 0,2 А)
:510 (IO В)
:51,2
-
:580*
КТ3117-9
10...300* (5 В; 0,2 А)
:510 (IO В)
:51,2
-
:580*
~t
1 10.. .100* (2 В: 20 мА) 1 :55(108)
:540
-
:5500; :5100*
1
КТЗ12
1
25...100* (2 В: 20 мА) 1 :55 (10 В)
:540
-
:5500; :5130"
50...280* (2 В: 20 мА)
1
:55 (10 В)
:540
-
1
:5500: :5130* 1
~hi
1
1
1
~"
1
i
1
6фк
1
1
~
з
10...100 (2 В; 20 мА)
:55 (IO В)
:540
-
:5500; :5100*
КТ312-1
25...100 (2 В; 20 мА)
:55 (10 В)
:540
-
:5500; :5130*
50...280 (2 В; 20 мА)
:55 (10 В)
:540
-
:5500; :5130*
Ti
1
1
" ':>
6
1
1
::
зфк
1
1
~
1
1
~40(1В:5мА)
1 :52 (5 В) , ~10** (400 МГц) 1 :52 (400 МГц)
1
:58
!
КТЗ120
i
~t
1
1
1
!
1
~О(5В:2мА)
1
:51 (5 В)
~8** (1 ГГц)
:52 (1 ГГц)
1
-
1
КТ3121-6
1
1
i
f@
~7

96
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• ~216•
UKБOmax•
•к ma•
lкоо•
1
Тип
Струк-
Р;, т max'
(;lз'
U~Rmax'
UЭБОmах•
1;, и max'
J~R'
прибора
р~: и maxt
с·
u~ma]t'
в
·~·
i
тура
1
".
мА
мВт
мrц
в
мкА
1
КТ3122А
1
п-р-п
150 (750**)
-
35* (2к)
-
100 (!*А) i
:51 (12 В)
КТ3122Б
п-р-п
150 (750**)
-
35* (2к)
-
100 (!*А)
:51 (12 В)
1
1
1
1
1
1
КТ3123А-2
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15 В)
КТ3123Б-2
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15 В)
КТ31238-2 ! р-п-р
150
3500
10
3
30 (50*)
1
:525 (10 В)
1
1
i
!
КТ3123АМ
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15 В)
КТ3123БМ
р-п-р
150
5000
15
3
30 (50*)
:525 (15В)
КТ3123ВМ
р-п-р
150
3500
10
3
30 (50*)
:525 (10 В)
1
1
1
1
'
1
КТ3126А
р-п-р
150 (30°С)
~500
20
3
20
:51 (15 В)
КТ3126Б
р-п-р
150 (30°С)
~500
20
3
20
:51 (15 В)
КТ3126А-9
р-п-р
110
~450
35
3
30
:51 (15 В)
1
КТ3127А
р-п-р
100 (35°С)
~600
20
3
25
:51 (15 В)
1
КТ3128А
р-п-р
100 (35°С)
~800
40
3
20
:51 (15 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
97
rкэнк• Ом
Кw,дБ
!
ck,
tк, ПС
h21>' ь;IЭ
с;2.•
r~.". Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;~•·' дБ
Р;:,, Вт
t::IUll НС
-
s.7 (IO В)
-
-
tн< 1
КТЗ122
-
5.7 (10 В)
-
-
tн< 1,5
7.2
J
~11 v
~~D
5КЗ
40(10В:10мА)
5.1 (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
$10
КТЗ12З-2
40(10В:10мА)
$1 (108)
~5** ( 1 ГГц)
3 (1 ГГц)
$10
40(10В;10мА)
Sl (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
$10
~rНJ
~~з/
40(10В;10мА)
S.1 ,2 (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
S.10
КТЗ12ЗМ
40(10В;10мА)
5.1 ,2 (10 В)
?:5** ( 1 ГГц)
3 (1 ГГц)
S.10
40(10В;10мА)
5.1 ,2 (10 В)
~5** (1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
$10
~~t
1
25...100 (5 В; 3 мА)
s.2,5 (10 В)
$120
-
S.15
КТЗ126
60... 180 (5 В; 3 мА)
s.2,5 (10 В)
S.120
-
S.15
~fi:~
~
~-.
.. ..
~
-
25... 100 (5 В; 3 мА)
s.2,5 (10 В)
S.120
-
$10
КТЗ126-9
~1t
25... 150 (5 В; 3 мА)
$1 (10 В)
-
s.5(1 ГГц)
S.10
КТЗ127
f5.8
з!j э
; Корп.Ф,6
15... 150 (5 В; 3 мА)
5.1 (10 В) ~14** (0,2 ГГц)
S.34*
s.5
КТЗ128
f5.8
зfi '
; Кор~Ф,6
7зак9

98
Раздел 2. Бипопярные транзисторы
1 Струк-
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max•
1к ....
lкоо,
Тип
Р~. т max'
(;lэ'
U~Rmax'
UЭБО max•
1;:н max'
·~·
прибора 1 тура
р~~HlQllJLI
с·
u~max•
в
r:эо.
...
мА
мВт
мrц
в
мкА
КТ3128А-1
p-n-p
300
~800
40
4
30 (0,8* А)
50,l (20 В)
КТ3128Б-1
р-п-р
300
~800
40
4
30 (0,8* А)
g),l (20 В)
КТ3128А-9
p-n-p
100
~650
35
3
20
51 (15 В)
1
11
1
1
1
КТ3129А-9
р-п-р
75 (100**)
~200
50
5
100 (200*)
51 (50 В)
КТ3129Б-9
р-п-р
75 (100**)
~200
50
5
100 (200*)
51 (50 В)
КТ3129В-9
р-п-р
75 (100**)
~200
30
5
100 (200*)
51 (30 В)
KT3129f-9
p-rr-p
75 (100**)
~200
30
5
100 (200*)
51' (30 В)
КТ3129Д-9
р-п-р
75 (100**)
~200
20
5
100 (200*)
51 (20 В)
КТЗIЗА
р-п-р
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*)
50,5 (50 В)
КТЗIЗБ
1 р-п-р
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*)
50,5 (50 В)
КТЗIЗА-1
p-n -p
300 (1000*)
~200
60
5
350
50,5 (50 В)
КТЗIЗБ-1
р-п-р
300 (1000*)
~200
60
5
350
50,5 (50 В)
КТЗIЗВ-1
р-п-р
300 (1000*)
~200
50
5
350
50,5 (50 В)
КТЗIЗГ-1
р-п-р
300 (1000*)
~200
30
5
700*
50,5 (50 В)
1
'
КТЗIЗОА-9
n-p -n
100
~150
50
5
100
50.1 (50 В)
КТЗIЗОБ-9
n-p -n
100
~150
50
5
100
50,1 (50 В)
КТЗIЗОВ-9
п-р-п
100
~150
30
5
100
50,1 (30 В)
КТЗIЗОГ-9
п-р-п
100
~300
20
5
100
50,1 (20 В)
КТЗIЗОД-9
n-p-n
100
~150
30
5
100
50,1 (30 В)
КТЗIЗОЕ-9
n-p-n
100
~300
20
5
100
g),l (20 В)
КТЗIЗОЖ-9 п-р-п
100
~150
30
5
100
50,1 (30 В)
КТ3132А-2
n-p-n
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
КТ3132Б-2
п-р-п
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
КТ3132В-2
п-р-п
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
KT3132f-2
п-р-п
70
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
g),5 (10 В)
КТ3132Д-2
n-p-n
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (IO В)
КТ3132Е-2
n-p-n
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
50,5 (10 В)
КТ3139А
п-р-п
200
~150
20
5
200
50,02 (20 В)
КТ3139Б
п-р-п
200
~150
32__
5
200
50,001 (32 В)
КТ3139В
п-р-п
200
~150
32
5
200
50,001 (32 В)
KT3139f
п-р-п
200
~150
32
5
200
50,05 (32 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
99
Ck,
rкэнк• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
1
h21.• ь;,э
с;2э•
r~нk' Ом
r;, Ом
t:X, НС
Корпус
пФ
к;_*", дБ
Р;:.. Вт
t::кл, НС
1
35...150 (10 8: 3 мА)
$1 (10 8)
<!:15** (0,2 ГГц)
$5 (0,2 ГГц)
$5
КТЗ128-1
25...200 (10 8: 3 мА)
sl (10 8)
<!:15** (0,2 ГГц)
$5 (0,2 ГГц)
$5
1f
1
1
~-~
1
~
...
t:!"
~
15... 150 (10 8: 3 мА)
sl (10 8)
-
s5 (200 МГц)
-
КТЗ128-9
!
1
1
1
~1
!
1 30...120(58:2мА)
1
$10 (10 8)
1
$20
-
-
КТЗ129-9
80...250 (5 8: 3 мА)
$10 (10 8)
$20
-
-
80...250 (5 8; 2 мА) 1 $10(108) 1
$20
-
1
-
~~t
200... 500 (5 8: 2 мА)
$10 (!О 8)
$20
-
1
-
200...500 (5 8; 2 мА)
$10 (10 8)
$20
-
1
-
1
1
30... 120 (10 8: 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
1
КТЗIЗ
80...300 (10 8; 1 мА) $12 (10 8)
$3,3
-
$120*
1
~5,81/
1
;fi
1
кфз
1
1
5
30... 120 (10 8; 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
КТЗ13-1
80...300 (10 8; 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
~~~
200... 520 (10 8; 1 мА) $12 (10 8)
$3,3
-
$120*
400... 800 (10 8; 1 мА)
$12 (10 8)
$3,3
-
$120*
!
lr)
~-•
~.
~.......
1
1 100...250 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
1
КТЗ130-9
.
200...500 (5 8: 2 мА) 1 sl2 (5 8)
slO (1 кГц)
1
1
-
-
200... 500 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
~~t
400... 1000 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
1
200... 500 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$10 (1 кГц)
-
400... 1000 (5 8; 2 мА)
$12 (5 8)
-
$4 (1 кГц)
-
1
100... 500 (5 8; 2 мА)
sl2 (5 8)
-
$4 (1 кГц)
-
15... 150 (7 8; 3 мА)
$5,5 (7 8)
<!:6** (3,6 ГГц)
s2,5 (3,6 ГГц)
-
КТЗ132-2
15... 150 (7 8; 3 мА)
s5,5 (7 8)
<!:4** (3,6 ГГц)
s4,8 (3,6 ГГц)
-
f.r±F
15... 150 (7 8; 3 мА)
s5,5 (7 8)
<!:5** (5 ГГц)
s4,8 (3,5 ГГц)
-
15... 150 (7 8; 3 мА)
$5,5 (7 8)
<!:7** (4 ГГц)
s3,6 (3,4 ГГц)
-
20...150 (7 8: 3 мА)
s5,5 (7 8) <!:8, 1** (2,25 ГГц)
s2 (2,25 ГГц)
-
~~з63
70... 150 (7 8: 3 мА)
s5,5 (7 8) <!:8,1 ** (2,25 ГГц) $2,5 (2,25 ГГц)
-
'
1
1
1
1
<!:200 (5 8: 0,2 мА)
$4,5 (10 8)
$50
$85**
s270*; Sl30*** 1
КТЗ139
<!:60 (5 8; 2 мА)
$4,5 (10 8)
$50
$85**
$270*
s
О,95
<!:120 (5 8; 2 мА)
s4.5(108)
$50
$85**
$270*
~~х
100... 310 (5 8; 2 мА)
$4,5(108)
$50
$85**
$270*

100
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Ркmах'
1,.•• ~•••
UK60max'
lкоо,
lк ,..,
Тип
Струк- J
Р;,тmах•
~;lз•
u~mu•
UЭБОmах•
1;,н max•
J~R'
p~:мnuix•
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
...
КЭО•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ314А-2
п-р-п
500
<!:300
55
4
60 (70*)
S0,075 (55 В)
КТ3140А
р-п-р
200
<!:150
20
5
200
S0,02 (20 В)
КТ3140Б
р-п-р
200
<!:150
32
5
200
S0.001 (32 В)
КТ3140В
р-п-р
200
<!:150
32
5
200
S0.001 (32 В)
KT3140f
р-п-р
200
<!:150
32
5
200
S0,05 (32 В)
КТ3140Д
р-п-р
200
<!:150
20
5
200
S0,02 (20 В)
КТ3142А
п-р-п
360
<!:500
40
4.5
200; 500*
S0,4 (20 В)
1
1
1
1
1
i
i
1
1
:
!
i
КТ3143А
п-р-п
50
<!:600
10
4
10
S0,5 (10 В)
КТ3144А
п-р-п
50
<!:1800
15
3
1
10
$0,5 (15 В)
1
!
IKT3145A-9
п-р-п
200
<!:125
32* (0,lк)
5
200
1
S0.02 (32 В)
КТ3145Б-9
п-р-п
200
<!:125
45* (0,lк)
5
200
Sl (45 В)
КТ3145В-9 1 п-р-п
200
<!:125
45* (0,lк)
5
200
1
Sl (45 В)
KT3145f-9
1 п-р-п 1
200
<!:125
45* (О,lк)
1
5
200
1
s0.05 (45 В)
КТ3145Д-9 1 п-р-п 1
200
<!:125
45* (0,lк)
5
200
S0,05 (45 В)
КТ3146А-9
р-п-р
200
<!:125
32* (О,lк)
5
200
s0.02 (32 В)
КТ3146Б-9
р-п-р
200
<!:125
45* (О,lк)
5
200
Sl (45 В)
КТ3146В-9
р-п-р
200
<!:125
45* (О,lк)
5
200
sl (45 В)
KT3146f-9
р-п-р
200
<!:125
45* (О,lк)
5
200
s0.05 (45 В)
КТ3146Д-9
р-п-р
200
<!:125
45* (0,1 к)
5
200
S0.05 (45 В)
1
1
1
i
КТ315А
п-р-п
150 (250*)
<!:250
25
6
100
S0.5 (10 В)
КТ315Б
п-р-п
150 (250*)
<!:250
20
6
100
S0,5 (!О В)
КТ315В
п-р-п
150 (250*)
<!:250
40
6
100
S0,5 (10 В)
KT315f
п-р-п
150 (250*)
<!:250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Д
п-р-п
150 (250*)
<!:250
40* (lОк)
6
100
S0,6 (10 В)
КТ315Е
п-р-п
150 (250*)
<!:250
35* (!Ок)
6
100
S0,6 (10 В)
КТ315Ж
п-р-п
100
<!:250
20* (10к)
6
50
$0,6 (!О В)
КТ315И
п-р-п
100
<!:250
60* (10к)
6
50
$0,6 (10 В)
КТ315Н
п-р-п
150
<!:250
35* (10к)
6
100
S0.6 (10 В)
КТ315Р
п-р-п
150
<!:250
35* (10к)
6
100
$0,5 (10 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
101
Ck,
rкэнас• Ом
Кw,дБ
т., пс
h2," ь;,э
с;2э•
r~""'' Ом
r;, Ом
t;...,, нс
Корпус
пФ
к;~,... дБ
Р.:,:" Вт
t:.ll.JI, нс 1
'
30.. .120 (5 В: 0,25 мА)
SIO (5 В)
SIO
-
S80; S300*
КТЗ14-2
~~!
1'\~
6кэ
~200(5В:2мА)
sб,5 (10 В)
s50
S85**
S270*; S400**
КТЗ140
~60(5В:2мА)
sб,5 (10 В)
$50
s85**
S270*
120.. .460 (5 В; 2'мА) Sб,5 (10 В)
s50
S85**
S270*
j
0.,95
100...310 (5 В; 2 мА) sб,5 (10 В)
s50
S85**
S270*
~х_
~200(5В:2мА)
sб,5 (10 В)
S50
S85**
S270*
1
40...120 (1 В: 10 мА)
S4 (10 В)
S25
-
Sl3*; Sl8**
КТЗ142А
115,81/
1
;fi к-$з
1
1
6
1
i
1
40...300 (5 В; lОмА)
S3(5В)
S0,4
-
1
sl5*
1
КТЗ14З, КТЗ144
~IJ:~
~40(1В;5мА)
Sl,9 (5 В)
-
s5 (400 МГц)
-
~
"1t--
'
~
""
.....,
~200(5В:2мА)
Sll
S50
-
SllOO*
КТЗ145-9
~60(5В;2мА)
Sll
s50
-
SllOO*
:fjf
120...460 (5 В; 2 мА)
Sll
S50
-
SllOO*
100...310 (5 В; 2 мА)
Sll
S50
-
SI 100*
120·...460 (5 В: 2 мА) 1
Sll
S50
-
SllOO*
1
к6
~200(5В:2мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
КТЗ146-9
~(5В;2мА)
Sl2
so
-
SllOO*
120.. .460 (5 В; 2 мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
~~1
100...310 (5 В; 2 мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
120...460 (5 В; 2 мА)
Sl2
S50
-
SllOO*
30...120* (1О В; 1мА)
1
s7 (10 В)
S20
S40*
S300
КТЗ15
50...350* (1 О В; 1 мА)
S7 (10 В)
S20
S40*
S500
30...120* (1О В: 1мА)
s7 (10 В)
S20
S40*
$500
7.2
J
50...350* (10 В; 1 мА)
S7 (10 В)
S20
S40*
S500
20...90* (1О В: 1 мА)
S7 (10 В)
s30
S40*
SIOOO
ir
50...350* (10 В; 1 мА)
s?.(10 В)
sзо
s40*
SIOOO
~tm
30...250* (10 В; 1 мА) SIO (10 В)
S25
-
S800
~'
~30* (10 В: 1 мА)
slO(lOB)
S45
-
S950
D
50... 350* ( 10 В; 1, мА)
S7 (10 В)
S5,5
-
SIOOO
6КЗ
150...350* (10 В; 1 мА) S7 (10 В)
S20
-
S500

102
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
.. .. . \216,
UKБOmax•
Iк ....
lкоо•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБО max•
1;,11 max•
J~R•
р~: и max•
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
."
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
IKT315A-1
1
150
~250
25
6
1
100.
1
S0,5 (10 В)
п-р-п
1
КТ315Б-1
п-р:п
150
~250
20
6
100
S0.5 (10 В)
КТ315В-1
1
п-р-п
150
~250
40
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Г-1
п-р-п
150
~250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Д-1
1 п-р-п
150
~250
40
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Е-1
п-р-п
150
~250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Ж-1
п-р-п
100
~250
15
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315И-1
п-р-п
100
~250
60
6
100
s0,5 (10 В)
КТ315Н-1
п-р-п
150
~250
20
6
100
S0,5 (10 В)
КТ315Р-1
п-р-п
150
~250
35
6
100
S0,5 (10 В)
КТ3150Б-2
р-п-р
120 (65°С)
~1200
35* ( lОк)
4
30 (50*)
S0,5 (40 В)
i
1
1
1
1
КТ3151А-9
п-р-п
200
~100
80*
5
100
SI (100 В)
КТ3151Б-9
п-р-п
200
~100
80*
5
100
SI (90 В)
КТ3151В-9
п-р-п
200
~100
60*
5
100
Sl (80 В)
KT3151f-9
п-р-п
200
~100
40*
5
100
SI (60 В)
КТ3151д-9
п-р-п
200
~100
30*
.
5
100
Sl (30 В)
КТ3151Е-9
п-р-п
200
~100
20*
5
100
SI (30 В)
1
КТ3153А-9 1 п-р-п
1
300
~250
60
5
400 (0,6* А)
1
S0,05 (45 В)
1
1
1
1
КТ3153А-5
п-р-п
300
~250
60
5
0.4 А (0,6* А)
S0,05 (45 В)
КТ3157А
р-п-р
1
200
~60
250* (IОк)
5
30 (100*)
sO.I · (200 В)
1
1
1
1
КТ316А
п-р-п
150 (90°С)
~600
10* (3к)
4
50
:
S0,5 (10 В)
КТ316Б
п-р-п
150 (90°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316В
п-р-п
150 (90°С)
~800
10* (3к)
4
50
s0.5 (10 В)
KT316f
п-р-п
150 (90°С)
~600
10* (3к)
4
50
s0.5 (10 В)
КТ316Д
п-р-п
150 (90°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
1
1
!
КТ316АМ
п-р-п
150 (85°С)
~600
10* (3к)
4
50
s0.5 (10 В)
КТ316БМ
п-р-п
150 (85°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316ВМ
п-р-п
150 (85°С)
~800
10* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316ГМ
п-р-п
150 (85°С)
~600
1О* (3к)
4
50
S0,5 (10 В)
КТ316ДМ
п-р-п
150 (85°С)
~800
10*· (3к)
4
50
S0,5 (10 В)

Бипопярнь1е кремниевые транзисторы
20...90 (10 В; 1 мА)
50... 350 (10 В; 1 мА)
20".90 (10 В; 1 мА)
50". 350 (10 В; 1 мА)
20".90 (IO В; 1 мА)
20".90 (IO В: 1 мА)
30". 250 (IO В; 1 мА)
30(IOВ;1мА)
50". 350 {10 В; 1 мА)
150."350 (10 В; 1 мА)
60... 180* (5 В; 2,5 мА)
~(5В;10мА)
30".90 (5 В; 1О мА)
40".120 (5 В; 1О мА)
40".120 (5 В; 10 мА)
~80(5В:10мА)
~40(5В;1ОмА)
100".300 (5 В; 2 мА)
s7 (10 В)
s7 (IO В)
~7 (IO В)
S7(IOB)
S7 (\О В)
S7 (10 В)
S7 (\О В)
S7 (IO В)
S7 (10 В)
s7 (IO В)
S2 (\О В)
Sl5(10B)
Sl5(IOB)
Sl5 (10 В)
Sl5 (10 В)
Sl5 (\О В)
Sl5 (IO В)
S4,5 (IO В)
100".300 (5 В; 2 мА)
S4,5 (IO В)
~50*(20В;25мА) 1 s3(30В)
20".60* (1 В; 1О мА)
40".120* ( 1 В; 1О мА)
40... 120* (1 В; 1О мА)
20".100* (1 В; 1О мА)
60".300* (1 В; 10 мА)
20".60* (1 В; 10 мА)
40".120" (1 В; 10 мА) 1
40".120* (1 В; 10 мА)
20".100* (1 В; 1О мА)
60."300* (1 В; 1О мА)
S3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
s3(5В)
S3(5В)
s3(5В)
S3(5В)
S3(5В)
rDнac' Ом
r~нас• Ом
к;."", дБ
S20
S20
S20
S20
S20
S20
S20
S20
S25
s60
S60
SбО
S60
s60
s60
S2,б
S2,3
SбО
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
S40
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
S40*
1
1
1
i
tк, ПС
~;...нс
t ...ILJll, нс
sзоо
S300
sзоо
S300
S300
S300
sзоо
S300
s30; s30*
S400*
S400*
SIO*
SIO*
Sl5*
Sl50
Sl50
SIO*
SIO*
Sl5*
Sl50
Sl50
103
Корпус
КТЗ15-1
КТЗ150-Z
~~~
"" ,~l
6КЗ
КТЗ151-9
j
0,95
~*Х
КТЗ15З-9
~1КТЗ15ЗА-5
1
0,8
0,3
1 ;}шт
КТЗ16
КТЗ16М

104
Раздел 2. Биполярные транзисторы
!
i
i PKmax•
~" li:21••
UКБО max•
lкво,
!
lк max
j
Тип
1 Струк-1
Р~. т max•
~:;Jэ•
U~Rmax•
UЭБОmах•
·~·
'
•:.н maxt
1 прибора
р~: н max•
с·
u~max•
в
·~·
I тура
."
1
мВт
МГц
в
мА
мкА
1
1
jктз1вsл i p-n -p
160 (55°С)
~750
40
3
1
30
1
s:O,I (20 В)
1
1
1
1
1
i
1
КТ3165А-9
p-n -p
100
1060
40
5
1
30
i 0,5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
UэБпр
КТ3166А
n-p-n
15
~400
15* (lк)
~546,6 мВ
1
-
КТ3166Б
n-p -n
15
~400
15* (lк)
~545,1 мВ
1
-
КТ31668
n-p -n
15
~400
15* (lк)
~543,6 мВ
1
-
КТ3166Г
n-p -n
15
~400
15* (lк)
~540,6 мВ
1
1
-
1
i
1
1
!
КТ3168А-9
n-p -n
180 (55°С)
~3000
15* (!Ок)
2,5
28 (56*)
s:0,5 (15 В)
КТ3169А-9
p-n -p
200
~750
40
3
30
s:O.I (20 В)
1
11
1
1
1
КТ3169А91
p-n -p
200
~750
40
3
30 (0,6* А)
:S:O, I (20 В)
КТ317А-1
n-p -n
15
~100
5
3,5
15 (45*)
:S:I (5 В)
КТ317Б-1
1
n-p -n
15
~100
5
3,5
15 (45*)
:S:I (5 В)
КТ317В-1
1 n-p-n
15
~100
5
3,5
15 (45*)
:S:I(5В).
~
11
КТ3170А-9
n-p -n
250
~300
40
4
30
0,1 (20 В)
КТ3171А-9
p-n -p
200
~150
15
4
1
530
i :S:O.I (12 В)
i
1
'
1
1
1
!
1
i
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
105
ck,
rкэна"' Ом
Кw,дБ
tк, ПС
hz,,• ь;,э
c;z,•
r~нас• Ом
r;, Ом
t;k. нс
Корпус
пФ
к;.·р.• дБ
Р:,х, Вт
t:.ll .JI. нс
~25* (10 В; 3 мА)
$0,65 (10 В)
-
$8 (1 ГГц)
$3
КТ3165
~i
~25(10В;3мА)
-
-
7
$3
КТ3165А-9
~1КТ3166
280... 1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
~fi:~
280.. .1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
280... 1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
280... 1000* (5 В; 0,1 мА)
-
-
-
-
'r ')
<:t--
•
~
111')
1
.....,
60...180 (5 В; 5 мА)
$1,5 (5 В)
~7** (1 ГГц)
$3 (1 ГГц)
$10
КТ3168А-9
~~1
~25(1В;3мА)
$0,6 (10 В) ~13** (0,8 ГГц)
$6 (800 МГц)
-
КТ3169-9
1
j
О,95
~х
~25(10В;3мА)
$0,6 (10 В) ~13** (800 МГц)
$6 (800 МГц)
-
КТ3169-91
~1
25...75 (1 В; 1 мА)
$11 (1 В)
$30
-
$130*
КТ317-1
35... 120 (1 В; 1 мА)
$1l(1В)
$30
-
$130*
80...250 (1 В; 1 мА)
$1I(1В)
$30
-
$130*
w~~ ~
11
/ 1\ :::::
6кз
~100 (10 В; 7 мА)
$2 (10 В)
-
-
-
КТ3170-9, КТ3171А-9
j
0,95
~х
~50* (2 В: 100 мА)
$15 (15 В)
$1,5
-
$20
j
!
1

106
Раздел 2. 15ипопярные транзисторы
PKmaX"•
~.. ~,..
UКБО max•
lк max
lкво•
Тип
Струк-
Р;,тmах•
(;1зt
U:CЭR max•
Uэоо max•
1;, и max•
1:сэн.
прибора
р;." m11x•
t:xt
u~max:I
в
J''
тура
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
КТЗ172А~9
n-p-n
200
~500
20*
4,5
200*
S0,4 (20 В)
.
1
1
1
1
i
1
КТЗ173А-9
1
p-n·-p
200
~200
30
5
530
~.1 (20 В)
j'
КТЗ176А-9
200
~150
35
5
500
'
~.1 (35 В)
п-р-п
КТ3179А-9
п-р-п
200
~150
150
5
55
sl (lOO В)
1
КТ318А-1
1 п-р-п
15
~430
10
3,5
1
20 (45~)
s0.5 (10 В)
КТ318Б-1
п-р-п
15
~430
10
3,5
20 (-45*)
s0.5 (10 В)
КТ318В-1
п-р-п
15
~430
10
3,5
20 (45*)
1
~.5 (10 В)
КТЗ18Г-1
п-р-п
15
~350
10
3,5
20 (45*)
s0.5 (10 В)
КТЗ18Д-1
п-р-п
15
~350
10
3,5
20 (45*)
s0.5 (10 В)
КТЗ18Е-1
п-р-п
15
~350
10
3,5
20 (45*)
~.5 (10 В)
КТЗ180А-9
р-п-р
200
~150
150
5
50
SI (150 В)
1
КТЗ184А9
n-p-n
1200
~200
80; 65*
6
500
SlO (60 В)
КТЗ184Б9
п-р-п
1200
~200
80; 65*
6
. 500
SlO (60 В)
1
1
1
1
КТЗ186А-9
П•р-П
1
300
~6 ГГц
20
2,5
50
sO,l (IOB)
КТЗ186Б-9
п-р-п
90
~3.2 ГГц
20
2,5
50
~.1 (10 В)
КТЗ186В-9
п-р-п
250
~4 ГГц
20
2,5
50
SO,l (10 В)
КТЗ187А-9
n-p -n
200
~4.4 ГГц
20
2
25
SO,l (10 В) ·
1
1
1
!
КТЗ187А91
п-р-п
-
200
~4600
20; 12*
2
20
-
КТ3187Б91
п-р-п
90
~3200
18; 12•
2
10
-
КТЗ1&7В91
п-р-п
200
~3000
20
2
25
-

Биполярные кремниевые транзисторы
107
ck,
rкэ.к• Ом
Kw, дБ
tк• ПС
ь"" ь;,э
с;2э•
r~.". Ом
r;, Ом
t~. нс
Корпус
пФ
к;:,.. дБ
Р;~х• Вт
t::.IUll НС
~40(1В;10мА)
~3 (10 В)
$1
-
$45
КТЗ172-9, КТЗ173-9
1
;J
О,95
~Jk
50...500 (5 В; 30 мА)
:s;lO (!О В)
$1,5
-
$20**
1
~
1
q
1
~
~60 (10 В; 150 мА)
$15 (10 В)
$1,2
-
-
КТЗ176-9, КТЗ179-9
~65* (5 В; 10 мА)
:s;3
:s;33
-
-
;J
О,95
~*Jk
30...90 (1 В; 10 мА)
$3,5 (5 В)
$27
-
$15*
1
КТЗ18-1
1 50...150(1В; 10мА)
$3,5 (5 В)
$27
-
$15*
1
1 70...280 (1 В; 10 мА)
1
:s;3,5 (5 В)
$27
-
$15*
1
30...90 (1 В; 10 мА)
$4,5 (5 В)
$27
-
$10*
~~~
50...150 (1В; 10 мА)
$4,5 (5 В)
$27
-
$10*
70...280 (1В; 10 мА)
$4,5 (5 В)
$27
-
:s;lO*
")
11\
1
6кз
~90* (5 В; 10 мА)
-
:s;33
-
-
1
КТЗ180-9
1
;J
0,95
1
~*Jk
'
1
1
~
i
20...80 (5 В; 0,2 А)
$15 (!О В)
$4; 7,5*
:s;6 (100 МГц)
$400
КТЗ184-9
50... 180 (5 В; 0,2 А)
:s;15 (10 В)
$4; 7,5*
$6 (100 МГц)
$400
1/,6
11
~Ф~·~• ' J.
.
<::!'
5
4q
~" o.ss
448 l5-
1,5
~60(5В;15мА)
:s;0,9 (8 В)
~8** (2 ГГц)
:s;3,5 (2 ГГц)
-
КТЗ186-9
~40(3В;2мА)
1
:s;0,9 (8 В)
~6** (2 ГГц)
:s;3 (2 ГГц)
-
~~
~35(5В;10мА)
:s;0,9 (8 В)
~6** (2 ГГц)
$4 (2 ГГц)
-
:~к 6
~40 (10 В; 14 мА)
:s;0,9 (10 В) ~12** (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
КТЗ187-9 (КТЗ187-91)
i
1
;J
0,95
1
1
1
~~Jk
1 ~40(10В;14мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
1
~40(3В;2мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:s;2 (0,8 ГГц)
-
~40(5В;5мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:s;2,5 (0,8 ГГц)
-
(6) (З)

108
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Pкmu•
~•• (216'
UKБOmax•
1
1
•коо•
!
)Kmax
1
Тип
1 Струк- J
р~тmах•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБО max• J
1
·~R'
;
прибора 1 тура 1 PtZ н max•
с·
u~max•
в
1;.11 max•
·~· i
".
мА
1
мВт
МГц .
в
1
мкА
i
КТЗ189А-9 i п-р-п i
225
300
50
6
100
i
-
КТЗ189Б-9
1
п-р-п
225
300
50
6
100
1
-
КТЗ189В-9
п-р-п
225
300
50
6
100
-
КТЗ19А-1
п-р-п
15
~100
5
3,5
1
15
:51
КТЗ19Б-1
п-р-п
15
~100
5
3,5
1
15
!.·
:51
1
КТЗ19В-1
п-р-п
15-
~100
5
3.5
1
15
:51
1
1
i
1
1
1
1
j
!
1
!
1
1
1
!
1
1
1
КТЗ191А-9
р-п-р
200
~4500
15**
2
25
:50,1 (20 В)
КТЗ191А91
р-п-р 1
200
~4500
15**
2
25
1
:50,1 (20 В)
1
i
1
1
1
1
1
1
i1
1
1
i
КТ3192А-9 1 р-п-р
1
200
800
40
3
30
i 0.1
1
!
1
!
i
1
i
1
1
1
КТЗ19ЗА
р-п-р
200
~50
50* (lОк)
20
150; 300*
:550 (50 В)
КТЗ19ЗБ
р-п-р
200
~50
40* (lОк)
20
150; 300*
:550 (40 В)
КТЗ19ЗВ
р-п-р
200
~50
30* (lОк)
20
150; 300*
:550 (30 В)
КТЗ19ЗГ
р-п-р
200
~50
50* (lОк)
5
150; 300*
:550 (50 В)
КТЗ19ЗД
р-п-р
200
~50
40* (lОк)
5
150; 300*
1
:550 (40 В) !
КТЗ19ЗЕ
'
р-п-р
200
~50
30* (!Ок)
5
1
150; 300*
~50 (30 В)
1
1
1
КТЗ196А-9 1 р-п-р
1
225
250
40
5
200
1
10
1
1
i
1
1
1
i
1
1
1
1
КТЗ197А-9
п-р-п
225
200
60
6
200
10
КТЗ198А
п-р-п
280
4600
15*
1 2,5
25
-
1
КТЗ198Б
1
п-р-п
280
4600
15*
1
2,5
25
!-
r
КТЗ198В
300
4000
15*
2,5
50
1
1 п-р-п
'
-
'
КТЗ198Г
1
п-р-п i
300
4000
15*
2,2
35
1
-
1
.
j
IКТЗ198Д
п-р-п
280
3000
20
1 2,5
30
1
-
КТЗ198Е
п-р-п
300
1
6000
20
1
3
100
!
-
КТЗ198Ж
п-р-п
300
6500
20
2,5
50
КТЗ198А9
п-р-п
280
~4200
20
2,5
30
КТЗ198Б9
п-р-п
280
~4200
20
2,5
30
КТЗ198В9
п-р-п
300
~4000
20
2,5
50
КТЗ198Г9
п-р-п
300
~4000
15
2
35
КТЗ198Д9
п-р-п
280
~3000
20
2,5
30
КТЗ198Е9
п-р-п
300
~6000
20
3
100
КТЗ198Ж9
п-р-п
200
~6500
20
2,5
50

Sиполярные кремниевые транзисторы
109
1
Ck,
fкэнас• Ом
Kw, дБ
тк, пс
ь.,,. ь;,э
c;2:t•
r~нас• Ом
r;, Ом
t;..... нс
Корпус
пФ
к;.·,_, дБ
Р,:,, Вт
t;ыu• НС
110... 220
-
б
10
-
КТЗ189-9
1
200 .. .450
-
б
10
-
0,95
j
420... 800
-
6
10
-
~х_
15...55 (1В; 1мА)
SI1(1 В)
S30
-
$130*
КТЗ19-1
45...90 (1 В; 1мА)
SlI (1 В)
$30
-
$130*
~~ 1Р
80...200 (1 В; 1 мА)
Sll(IB)
$30
-
$130*
1
5ЗК
~20 (10 В: 14 мА)
S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ191-9
j
О.95
~~х_
~20(10В; 14 мА)
S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ191-91 (КТЗ192-9)
j
О.95
~*Х
20
-
-
6
-
(З)(5)
80...400 (5 В; 30 мА)
S35 (20 В)
$1
-
$400*
КТЗ19З
80...400 (5 В; 30 мА) $35 (20 В)
$1
-
$400*
Ti' ·
80...400 (5 В; 30 мА)
S35 (20 В)
SI
-
$400*
100.. .400 (5 В; 30 мА)
S60 (20 В)
$1
-
$400*
"11
з
100.. .400 (5 В; 30 мА)
S60 (20 В)
SI
-
$400*
:: 5$К
100.. .400 (5 В; 30 мА)
S60 (20 В)
$1
-
$400*
~
100... 300
-
2
-
-
КТЗ196-9, КТЗ197-9
j
О.95
~х_
100... 300
-
1,5
-
-
.
40
-
~16** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ198
40
-
~12** (0,5 ГГц)
2
-
~i
25#
-
14**
1,9
-
40
-
~11 ** (0,8 ГГц)
1,6
-
~20(1В;2мА)
-
~10** (0,8 ГГц)
S4 (0,8 ГГц)
-
~50 (10 В; 20 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
-
6
;а' ''"
~(8В:15мА)
-
~13** (0,8 ГГц)
Sl ,8 (0,8 ГГц)
-
~40 (10 В; 14 мА)
-
~13** (0,5 ГГц)
S2,4 (0,5 ГГц)
-
КТЗ198-9
~40 (10 В; 14 мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
~25(5В;30мА)
-
~13** (0,5 ГГц)
S2,3 (0,5 ГГц)
-
~$$?!
~40(5В;30мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
S2 (0,8 ГГц)
-
~20(1В;2мА)
-
~10** (0,8 ГГц)
S4 (0,8 ГГц)
-
~50 (10 В; 20 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
s2 (0,8 ГГц)
-
~50(5В;15мА)
-
~16** (0,8 ГГц)
S 1,8 (0,8 ГГц)
-
.

110
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• ~216'
UKБOmaxt
lкmax
lкю•
Тип
Струк-
Р;. тmах•
~;lз'
U~Rmax•
UЭБО max•
1;.н max•
I~R•
прибора
р;~ н max'
с·
u~max•
в
1"
тура
."
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ3198А92
п-р-п
300
~4500
20
2,5
30
-
КТ3198Г92
п-р-п
300
~5000
15
2
35
-
1
КТ3199А9
1
п-р-п
1
300
~6000
20
1 2,5
50
1
-
1
1
КТ3199А91
п-р-п
300
~6000
20
2,5
50
-
КТ3199А92
п-р-п
300
~5500
15.
1
2
50
-
1
1
КТ3201А9
п-р-п
300
~100
450
6
400
-
КТ3201Б9
п-р-п
300
~100
400
6
400
-
КТ3201В9
п-р-п
300
~100
300
6
400
-
КТ3201Г9
1
п-р-п
300
~100
250
6
400
1
-
i
1
1
1
1
1
КТ321А
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
60
4
200 (2* А)
:s;O,I (60 В)
КТ321Б
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
60
4
200 (2* А)
:s;O,I (60 В)
КТ321В
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
60
4
200 (2* А)
:s;O,I (60 В)
КТ321Г
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
45
4
200 (2* А)
:s;O,I (45 В)
КТ321Д
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
45
4
200 (2* А)
:s;O,I (45 В)
КТ321Е
р-п-р
210 (20** Вт)
~60
45
4
200 (2* А)
:s;O,I (45 В)
i
КТ324А-1
1
п-р-п
1
15
~800
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Б-1 1 п-р-п
15
~800
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324В-1
1
п-р-п 1
15
~800
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Г-1
п-р-п
15
~600
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Д-1
п-р-п
15
~600
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ324Е-1
п-р-п
15
~600
10
4
20 (50*)
:s;0,5 (10 В)
КТ325А
п-р-п
225 (85°С)
~800
15* (3к)
4
30 (60*)
:s;0,5 (15 В)
КТ325Б
п-р-п
225 (85°С)
~800
15* (3к)
4
30 (60*)
:s;0,5 (15 В)
КТ325В
п-р-п
225 (85°С)
~1000
15* (3к)
4
30 (60*)
:s;0,5 (15 В)
1
1
1
~
1
1
!
1
1
1
1
1

Бипопярнь1е кремниев~е щран=1исторы
111
Ck,
Гкэ нас' О:м
Кw,дБ
tк, ПС
h21.• ь;,э
с~2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,..,, НС
Корпус
пФ
. к;."", дБ
Р:~х' Вт
t::кnt НС
1
~35(58;10мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
s2 (0,8 ГГц)
-
1 КТ3198-92, КТ3199-9.
~40 (10 8; 14 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:!>3,4 (0,8 ГГц)
-
1
1
-~
:ttФf
~60(58;15мА)
-
~15** (0,8 ГГц)
Sl,8 (0,8 ГГц)
-
к6
-
~60 (5 8; 15 мА)I
-
~15** (0,8 ГГц)
Sl,8 (0,8 ГГц)
-
КТ3199-91
1
1
-~
1
'
1
1
:tЩ
!
1
1
1
1
1
'
'
1
!
1
кэ
i
i
~80(88;15мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
s2 (0,8 ГГц)
-
i
КТ3199-92
!
1
rii
1
!
i
~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8)
SlO; 1,5*
1
-
1
-
1
КТ3201-9
•
~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8)
SlO; 1,5*
-
-
~30(108;50мА) 1 s4,5(208)
SlO; 1,5*
-
-
~1
~30 (10 8; 50 мА)
1
:!>4,5 (20 8)
SlO; 1,5*
-
-
1
20".60* (3 8; 0,5 А)
:!>80 (10 8)
$3,6
-
$1000*
КТ321
40... 120* (3 В; 0,5 А)
sSO (10 8)
$3,6
-
$1000*
:fi1•6
80...200* (3 В; 0,5 А)
$80(108)
$3,6
-
$1000*
20...60* (3 8; 0.5 А)
$80(108)
$3,6
-
$1000*
40... 120* (3 В; 0,5 А)
1
sBO (10 8)
$3,6
-
$1000*
80...200* (3 В; 0,5 А)
:!>80 (10 8)
$3,6
-
$1000*
i1
20...60 (1 8; 10 мА)
:!>2,5 (5 8)
$30
-
1 :!>180; slO*
КТ324-1
40... 120 (1 8; 10 мА)
s2,5 (5 8)
$30
-
:!>180; SlO*
80...250 (1 8; 10 мА)
:!>2,5 (5 В)
$30
-
$180; $10*
~t
40... 120 (1 8; 10 мА)
$2,5 (5 8)
$30
-
$180; $10*
20...80 (1 8; 10 мА)
s2,5 (5 8)
$30
-
:!>180; $10*
60...250 (1 8; 10 мА)
s2,5 (5 В)
S30
-
:!>180; SlO*
1
'
1
5КЗ
1
i
1
1
30."90• (5 8; 10 мА)
1
:!>2,5 (5 8)
-
1
-
1
$125
!
КТ325
i
70...210* (5 8: 10 мА)
s2,5 (5 8)
-
-
$125
'
160...400* (5 8; 10 мА) s2,5 (5 8)
-
-
$125
!
~ffl6Ф·
1
1
1
i
!
1
1
!
1
i
'
'
1
i
1
1
' !:)
з о,о
1
1
~
Корп.

112
Рк max'
~р• ~216•
Тип
Ст рук-
Р~. т maxf
(;lэ'
прибора
тура
р~~ н max'
с·
'"
мВт
МГц
КТ325АМ 1 n-p-n
225 (85°С)
~800
КТ325БМ
1
n-p -n
225 (85°С)
~800
КТ325ВМ
n-p-n
225 (85°С)
~1000
1
1
1
1
1
КТ326А
р-п-р
200 (30°С)
~250
КТ326Б
p-n -p
200 (30°С)
~400
КТ326АМ
р-п-р
200 (30°С)
~250
КТ326БМ
р-п-р
200 (30°С)
~400
1
1
.
КТ331А-1
n-p -n
15
~250
КТ331Б-1
n-p-n
15
~250
КТ331В-1
n-p-n
15
~250
КТ331Г-1
n-p-n
15
~400
КТ332А-1
n-p-n
15
~250
КТ332Б-1
n-p -n
15
~250
КТ3328-1
n-p-n
15
~250
КТ332Г-1
n-p-n
15
~500
КТ332Д-1
n-p-n
15
~500
КТ333А-3
n-p-n
15
~450
КТ333Б-3
n-p-n
15
~450
КТ333В-3
n-p-n
15
~450
КТ333Г-3
n-p-n
15
~350
КТ333Д-3
n-p-n
15
~350
КТ333Е-3
n-p-n
15
~350
КТ336А
n-p-n
50
~250
КТ336Б
n-p-n
50
~250
КТ3368
n-p-n
50
~250
КТ336Г
n-p-n
50
~450
КТ336Д
n-p-n
50
~450
КТ336Е
n-p-n
50
~450
КТ337А
р-п-р
150 (60°С)
~500
КТ337Б
p-n -p
150 (60°С)
~600
КТ337В
р-п-р
150 (60"С)
~600
UКБО max'
U~Rmax'
u~max'
в
15* (3к)
15* (3к)
15* (3к)
15* (IООк)
15* (IООк)
15* (IООк)
15* (IООк)
15* (IОк)
15* (!Ок)
15* (IОк)
15* (IОк)
15* (!Ок)
15* (IОк)
15* (IОк)
15* (!Ок)
15* (IОк)
IO* (3к)
10* (3к)
1О* (3к)
1О* (3к)
IO* (3к)
IO* (3к)
1О* (3к)
1О* (3к)
1О* (3к)
IO* (3к)
1О* (3к)
10* (3к)
6* ( !Ок)
6* (IОк)
6* (10к)
t
Раздел 2. Биполярные транзисторы
lк max
IКБО•
UЭБО max'
•:. н max'
·~R'
в
1··
кэо•
мА
мкА
4
30 (60*)
:S0,5 (15 8)
4
30 (60*)
:S0,5(158)
4
30 (60*)
:S0,5 (15 В)
5
50
:S0,5 (20 8)
5
50
:S0,5 (20 8)
5
50
:S0.5 (20 8)
5
50
:S0,5 (20 8)
1
3
20 (50*)
:S0.2 (15 8)
3
20 (50*)
$0,2(158)
3
20 (50*)
:S0.2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2(158)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3
20 (50*)
:S0,2 (15 8)
3,5
20 (45*)
1
:S0,4 (10 8)
3,5
20 (45*)
:S0.4 (10 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 (10 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 ( 1О 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 (IO 8)
3,5
20 (45*)
:S0,4 ( 10 8)
4
20 (50*)
:S0,5 ( 1О 8)
4
20 (50*)
:S0,5 ( 1О 8)
4
20 (50*)
:S0,5 (IO 8)
4
20 (50*)
:s;0,5 (IO 8)
4
20 (50*)
:S0,5 (IO 8)
4
20 (50*)
:S0,5 ( 1О 8)
4
30
:Sl (6 8)
4
30
:s:I (6 8)
4
30
:SI (6 8)

Биполярные кремниевые транзисторы
113
с•.
rкэ нас• О:м
Кш, дБ
тк, пс
h21>' ь;,э
с;2э•
r~ нас• О:м
r~, Ом
t~act НС
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р;~х• Вт
t::клt НС
30...90* (5 В; 10 мА)
:52,5 (5 В)
-
-
:5125
КТ325М
70...210* (5 В; 10 мА)
:52,5 (5 В)
-
-
:5125
~!f~~
160.. .400* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В)
-
-
:5125
1
1
~
1С)
~
1
~
~
20... 70* (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:5450
КТ326
45... 160* (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:5450
~5,81/
81зiФу 1
~
1
~
20... 70* (2 В; 10 мА)
! :55(5В)
:530
-
:5450
1
КТ326М
"
45...160* (2 В: 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:5450
=if~~
н
~
~
20...60 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
КТЗЗl-1
40...120 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
~~if
80... 220 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
40...120 (5 В; 1мА)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
:5120
11
1
35К
20...60 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 ( 100 МГц)
:5300
КТ332-1
40...120 (5 В; 1мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
~~if
80... 220 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
40... 120 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
80...220 (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
11
1
35К
30...90 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
КТЗЗЗ-3
50...150 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
~пВt
70...280 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
30...90 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
50.. .150 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
е:sкоо6
70...280 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
О//
Кпюч
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:530*
КТ336
40... 120 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:530*
~80(1В;10мА)
:55 (5 В)
:530
-
:550*
~~·1t
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:515*
40...120 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:530
-
:515*
~80(1В;10мА)
:55 (5 В)
:530
-
:515*
~~6оq,к
Кпюч
0,0//
~30* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:520
-
:525*
КТ337
~50* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:520
-
:528*
аз
~70* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:520
-
:528*
~ .5$К
8зак9

114
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
Ркmах•
~•• t,;21••
UКБО max•
lкmax
1
lкоо•
Тип
Р~.тmах•
(;lэ'
U~Rnux•
UЭБОmах•
1;, н maxt
1
I~R•
1тура1
р~~ н maxt
с·
u~m.1x•
в
1··
прибора
;
1
".
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
1
мкА
1
КТ339АМ
n-p-n i
260 (55°С)
~300
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339А
n-p -n
260 (55 ·с>
~300
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339Б
п-р-п
260 (55 ·с>
~250
25
4
25
sl (40 В)
КТ339В
п-р-п
260 (55 ·с>
~450
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339Г
п-р-п
260 (55 ·с>
~250
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ339Д
п-р-п
260 (55 ·с>
~250
40
4
25
:Sl (40 В)
КТ340А
п-р-п
150 (85°С)
~300
15
5
50
sl (15 В)
КТ340Б
n-p -n
150 (85°С)
~300
20
5
50
sl (20 В)
КТ340В
n-p -n
150 (85°С)
~300
15
5
50 (200*)
sl (15 В)
КТ340Г
п-р-п
150 (85°С)
~300
15
5
75 (500*)
sl (15 В)
КТ340Д
n-p -n
150 (85°С)
~300
15
5
50
sl (15 В)
КТ342А
1 n-p-n
250
~250
35
5
50 (300*)
s0,05 (25 В)
КТ342Б
1 п-р-п
250
~300
30
5
50 (300)
s0,05 (20 В)
КТ342В
1
п-р-п
250
~300
25
5
50 (300)
s0.05 (10 В)
КТ342Г
n-p-n
250
~300
60* (lОк)
5
50 (300*)
$0,05 (60 В)
КТ342АМ
п-р-п
250
~250
35
5
50 (300*)
:S0,05 (25 В)
КТ342БМ
n-p -n
250
~300
30
5
50 (300*)
s0.05 (20 В)
КТ342ВМ
п-р-п
250
~300
25
5
50 (300*)
:S0,05 (10 В)
КТ342ГМ
1
n-p -n
250
~150
30* (lОк)
5
50 (300*)
:S0,05 (30 В)
КТ342ДМ
п-р-п
250
~150
25* ( lОк)
5
50 (300*)
:S0.05 (25 В)
1
i
КТ343А
р-п-р
150 (75°С)
~300
17* (lОк)
4
50 (150*)
:Sl (10 В)
КТ343Б
р-п-р
150 (75°С)
~300
17* (lОк)
4
50 (150*)
sl (10 В)
КТ343В
р-п-р
150 (75°С)
~300
9* (lОк)
4
50 (150*)
:Sl (7 В)
КТ345А
р-п-р
300 (600**)
~350
20* (lОк)
5
200 (300*)
:S0,5 (20 В)
КТ345Б
р-п-р
300 (600**)
~350
20* (lОк)
5
200 (300*)
:S0,5 (20 В)
КТ345В
р-п-р
300 (600**)
~350
20* (10к)
5
200 (300*)
s0,5 (20 В)
КТ347А
р.-п-р
150 (75°С)
~500
15* (lОк)
4
50 (110*)
sl (15 В)
КТ347Б
р-п-р
150 (75°С)
~500
9* (IОк)
4
50 (110*)
sl(9В)
КТ347В
р-п-р
150 (75°С)
~500
6* ( lОк)
4
50(110*)
sl(6В)
1
i
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
115
il
i
1
1
1
1
1
1
с..
rкэ,..,• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
!
h21•' ь;IЭ
1
с;2,•
r~Энас• Ом
r;, Ом
t;acl НС
Корпус
i
пФ
к;.*•.. дБ
Р;~х• Вт
t::кл• НС
,
~25* (10 В; 7 мА)
:52 (5 В)
-
-
:525
КТ339М
1
~~~
~
~-.
~.
~-~
~25* (10 В; 7 мА)
:52 (5 В)
-
-
:525
КТ339
~15* (10 В: 7 мА)
1
:52 (5 В)
:525
1
-
-
1
5
1 ~25*(10В;7мА)
:52 (5 В)
:550
1
-
-
1 ~40*(10В;7мА) 1 :52(5В)
-
-
:5100
..,.
з
1 ~15*(10В:7мА) 1 :52(5В)
-
-
:5150
:: 6$К
~
100... 300* (1 В: lОмА) :53, 7 (5 В)
:520
-
:545; :510*
КТ340
~100* (1 В; 10 мА)
:53,7 (5 В)
:525
-
:540; :515*
115,81/
~35* (2 В; 0,2 А)
:53,7 (5 В)
:52
-
:585; :515*
;fi
~16* (2 В; 0,5 А)
:53,7 (5 В)
:51,2
-
:585; :515*
~40* (2 В; 0,2 А)
:56 (5 В)
:530
-
:5150; :575*
кфз
~
1
1
1
6
1
i100...250*(5В: 1мА) 1 :58(5В)
:510
-
:5200
1
КТ342
н 200...500* (5 В: 1 мА)
1
:58 (5 В)
:510
-
:5300
400 .. .1000* (5 В: 1 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5700
115,81/
50... 120* (5 В; 1 мА)
:58 (5 В)
:510
-
-
;fi кфз
6
100... 250* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5200
КТ342М
200...500* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5300
~~~
400 ... 1000* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
:5700
1
1
100... 250* (5 В; 2 мА)
:58 (5 В)
:510
-
-
1
200...500* (5 В: 2 мА) 1 :58 (5 В)
:510
-
-
1
i
i
!
lr)
~-.
!
!
1
~.
~
1
-~
,
1
~30* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:510*
КТ343
~50* (0,3 В: 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:520*
fiз
~30* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:510*
~ .5$К
~20* (1 В; 100 мА)
1
:515 (5 В)
:53
-
1
:570*
1
КТ345
~50* (1 В: 100 мА)
:515 (5 В)
:53
-
1
:570*
~~~
~70*(1В:100мА) 1 :515(5В)
:53
-
1
:570*
~
i
1
~
~-.
~
~
-~
30 .. .400* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:525*
КТ347
30.. .400* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:525*
53
50".400* (0,3 В; 10 мА)
:56 (5 В)
:530
-
:540*
1
1
~ .5$К
1
1
~

116
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Pкmaxt
~•• t ,;216'
UКБО max•
IKmax
JКБО,
Тип
Струк-
Р~.тmах•
1i:;1 ~·
u~Rmaxt
UЭБО max•
J~,н m"x•
I~R•
р;~ н max•
с·
u~max'
в
1~,
прибора
тура
".
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ348А-3
n-p-n
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(58)
КТ348Б-3 1 n-p -n
15
~100
5* (3к)
1
3,5
15 (45*)
1
$1(58)
КТ348В-3 1
15
~100
5* (3к)
1
3,5
1
15 (45*)
1
$1(58)
1 n-p-n
1
1
'
1
1
1
i
1
1
Р.
i
!
1
1
1
:
!
1
1
i
1
1
1
1
КТ349А
p-n-p
200 (35°С)
~300
15* (IОк)
4
50 (100*)
$1 (IO 8)
КТ349Б
p-n-p
200 (35°С)
~300
15* (lОк)
4
50 (100*)
$1 (10 8)
КТ349В
p-n -p
200 (35°С)
~300
15* (IОк)
4
50 (100*)
$1 (10 8)
1
1
1
КТ350А
1 p-n-p !
300 (30°С)
~100
20
5
600*
i $1 (108)
IKT351A
i
1
300 (30°С)
1
~200
15* (10к)
1
5
1
400*
1
$1(108)
1 p-n-p
!
КТ351Б
1
p-n-p 1
300 (30°С)
~200
15" (lОк)
1
5
1
400*
1
$1(108)
!
1
1
1
i
1
КТ352А
p-n -p
300 (30°С)
~200
20
5
200*
$1 (10 8)
КТ352Б
p-n -p
300 (30°С)
~200
20
5
200*
$1 (10 8)
КТ354А-2
n-p-n
30
~1100
10* (3к)
4
10 (20*)
$0,5 (10 8)
КТ354Б-2
п-р-п
30
~1500
10* (3к)
4
10 (20*)
$0.5 (10 8)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
r.
1
1
1
;
i
1
1
1
1
1
1
'
1
i
1
КТ355А
1
n-p-n
225 (85°С)
~1500
15" (3к)
4
30 (60*)
$0,5 (15 8)
КТ355АМ
n-p-n
225 (85°С)
~1500
15* (3к)
4
30 (60*)
$0,5 (15 8)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ357А
p-n -p
100 (50°С)
~300
6*
3,5
40 (80*)
$5(68)
КТ357Б
p-n-p
100 (50°С)
~300
6*
3,5
40 (80*)
$5(68)
КТ357В
p-n-p
100 (50°С)
~300
20*
3,5
40 (80*)
$5 (20 8)
КТ357Г
p-n-p
100 (50°С)
~300
20*
3,5
40 (80*)
$5 (20 8)
1
КТ358А
1 n-p-n
100 (50°С)
~80
15
4
1 30 (60*)
1
$10 (15 8)
КТ358Б
1
1
100 (50°С)
~120
30
4
1 30 (60*)
1
$10 (30 В)
n-p-n
1
1
!КТ358В
n-p -n
1
100 (50°С)
~120
15
4
30 (60*)
$10 (15 8)
1
1
1
1
1
!
1

Биполярные кремниевые транзисторы
117
!
с•.
Гкэнас• Ом
Кш, дБ
т•• пс
1
h21.• ь;,э
c;2.t•
r~н.ас• О:м
r;, Ом
t~ilL' НС
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:", Вт
t::1и11 НС
25...75 (1 В; 1 мА)
:S:ll (1 В)
:!>30
-
:!>130*
КТ348-3
35... 120 (1 В; 1 мА)
:S:ll (1 В)
:s:30
-
:!>130*
().7
0,25
80...250 ( 1 В; 1 мА)
:S:ll (1 В)
:!>30
-
:!>130*
.
1
~~]:
с:sкоо6
О//
Кпюч
20...80* ( 1 В; 10 мА)
:s:6 (5 В)
:s:30
-·
-
КТ349
40... 160• (1 В; 10 мА)
1
:!>6 (5 В)
:!>30
-
-
ьэ
120... 300* (1 В; 10 мА)
:!>6 (5 В)
:!>30
-
-
~.6$К
20...200* ( 1 В: 0,5 А)
:!>70 (5 В)
:!>2
-
-
КТ350, КТЗ51, КТ352
20...80* ( 1 В; 0,5 А)
:s:20 (5 В)
:S:l,5
-
-
~!!:~
50...200* ( 1 В: 0,3 А)
:!>20 (5 В)
:!>2,25
-
-
25... 125* (1 В: 0,2 А)
:!>15 (5 В)
:s:3
-
-
11')
~-•
70...300* (1 В; 0,2 А)
:s:l5 (5 В)
:s:3
-
:!>150*
~
~
!
-~
40... 200 (2 В; 5 мА)
:s:l,3 (5 В)
-
:s:IO*
:!>25
КТЗ54-2
90...360 (2 В; 5 мА)
:S:l,3 (5 В)
-
:S:IO*
:s:30
1
0,8
~щ ~Ж
i
5КЭ
80...300* (5 В: 10 мА)
1
:s:2 (5 В)
-
:s:5,5 (60 МГц)
:s:60
КТ355
~~6ф•
11;:)
з о,о
~
Корп.
80...300* (5 В; 10 мА)
:s:2 (5 В)
-
:s:5,5 (60 МГц)
:s:60
КТ355М
1
~!!:~
11')
~
•
~
~..... ,, _
20... 100* (0,5 В; 10 мА)
:s:7 (5 В)
:!>30
-
:!>150*
КТ357
60... 300* (0,5 В; 10 мА)
:s:7 (5 В)
:!>30
-
:!>250*
.1j
20... 100* (0,5 В; 10 мА)
:s:7 (5 В)
:s:30
-
:!>150*
60... 300* (0,5 В; 10 мА)
:!>7 (5 В)
:s:30
-
:!>250*
~lm
'
~
10.. .100* (5.5 В: 20 мА) :!>5 (10 В)
:!>40
-
:!>500
КТ358
125 ... 100• (5.5 В: 20 мА) J :s:5 (10 В)
:!>40
-
1
:!>500
1
~!!:~
l 50...280* (5.5 В; 20мА)1 :!>5(108)
:!>40
-
:!>500
1
\
i
1
1
1
1
11')
~-•
~
~
-~

118
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~•• ~210•
UКБО max•
•кmах
Iкro •
Тип
Струк-
Р;.тmах•
\;lt•
U~Rmax•
UЭБОша).•
1~.н max•
I~R•
прибора
р;~нmах•
с·
u;ЭOmax•
в
1~,
тура
".
мА
мВт
МГц
в
мкА
КТ359А-3
п-р-п
15
~300
15* (3к)
3,5
20
S0,5 (15 В)
КТ359Б-3
п-р-п
15
~300
15* (3к)
3,5
20
~.5 (15 В)
КТ3598-3
п-р-п
15
~300
15* (3к)
3,5
20
s0,5 (15 В)
КТ360А-1
р-п-р
10 (55°С)
~300
25
5
20 (75*)
Sl (25 В)
КТ360Б-1
р-п-р
J..O (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
Sl (20 В)
КТ360В-1
р-п-р
10 (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
1
sl (20 В)
i
1
1
j
i
1
1
1
1
1
КТ361А
р-п-р
150 (35°С)
~250
25
4
50
Sl (10 В)
КТ361А1
р-п-р
150
~150
25
4
100
Sl (10 В)
КТ361Б
р-п-р
150 (35°С)
~250
20
4
50
sl (10 В)
КТ361В
р-п-р
150 (35°С)
~250
40
4
50
Sl (!О В)
КТ361Г
р-п-р
150 (35°С)
~250
35
4
50
sl (!О В)
КТ361Г1
р-п-р
150
~250
35
4
100
Sl (!О В)
КТ361д
р-п-р
150 (35°С)
~250
40
4
50
sl (!О В)
КТ361д1
р-п-р
150
~150
40
4
50
1
sl (!О В)
КТ361Е
р-п-р
150 (35°С)
~250
35
4
50
Sl (!О В)
11КТ361Ж i р-п-р
150
~250
10
4
50
sl (10 В)
КТ361И
р-п-р
150
~250
15
4
50
Sl (10 В)
КТ361К
р-п-р
150
~250
60
4
50
Sl (10 В)
КТ361Л
р-п-р
150
~250
20
4
100
Sl (10 В)
КТ361М
р-п-р
150
~250
40
4
100
Sl (10 В)
КТ361Н
р-п-р
150
~150
45
4
50
Sl (10 В)
КТ361П
р-п-р
150
~300
50
4
50
sl (!О В)
КТ361А-2
р-п-р
150
~250
25
5
100
Sl (10 В)
КТ361А-3
р-п-р
150
~150
25
5
100
Sl (10 В)
КТ361Б-2
р-п-р
150
~250
20
5
50
Sl (!О В)
КТ361В-2
р-п-р
150
~250
40
5
50
sl (10 В)
КТ361Г-2
р-п-р
150
~250
35
5
50
1
Sl (!О В)
КТ361Г-3
1
р-п-р
150
~250
35
5
50
1
Sl (108)
КТ361д-2
р-п-р
150
~250
40
5
50
Sl (!О В)
КТ361д-3
р-п-р
150
~150
40
5
50
Sl (10 В)
КТ361Е-2
р-п-р
150
~250
35
5
50
Sl (10 В)
КТ361Ж-2
р-п-р
150
~250
10
5
50
Sl (10 В)
КТ361И-2
р-п-р
150
~250
15
5
50
Sl(ЮВ)
КТ361К-2
р-п-р
150
~250
60
5
50
Sl (!О В)
КТ361Л-2
р-п-р
150
~250
20
5
100
Sl (10 В)
КТ361М-2
р-п-р
150
~250
40
5
100
Sl (10 В)
КТ361Н-2
р-п-р
150
~150
45
5
50
Sl (10 В)
КТ361П-2
р-п-р
150
~300
50
5
50
sl (10 В)
КТ363А
р-п-р
150 (45°С)
~1200
15* (lк)
4,5
1
30 (50*)
1
s0.5 (15 В)
КТ363Б
р-п-р
150 (45°С)
~1500
12* (lк)
4,5
30 (50*)
1
S0,5 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
;
КТ363АМ
р-п-р
150 (45°С)
~1200
15* ( 1к)
4,5
30 (50*)
S0,5 (15 В)
КТ363БМ
р-п-р
150 (45°С)
~1500
12* (lк)
4,5
30 (50*)
s0,5 (15 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
1'19
1
с••
rкэ нас• Ом
Kw, дБ
1
tк, ПС
h2,,1 ь;,э
с;2,•
r~нас• Ом
r~, Ом
t;,.., нс
Корпус
~
пФ
к:~•-' дБ
Р;~", Вт
1
t::м' НС
1
1
1
1
1
!30...90(18:10мА) 1 s5(58)
$70
$6 (20 МГц)
1
$100
1
КТ359-3
1
i50...150(18:10мА) 1 s5(58)
s70
S6 (20 МГц)
slOO
1
~~t
1 70...280(18:10мА) 1 s5(58)
1
$70
s6 (20 МГц)
$100
i
1
1
!
1
е:sкоо6
Ключ
О//
20...70 (2 8; 10 мА)
s5(58)
s35
-
S450; SIOO*
КТ360-1
40... 140 (2 8; 10 мА)
s5(58)
s35
-
S450; S200*
!5ir
80...240 (2 8; 10 мА)
s5(58)
$35
-
s450; s200*
1
1
t
1
~
1
1
1
-
1
'
i
5КЭ
,,
20...90(108:1мА) 1 S9(108)
$20
$40*
s500
1
КТ361, КТ361-1
20...90 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
$500
'1
50...350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
s500
40...160 (10 8: 1 мА)
$7(108)
$20
$40*
$1000
50...350 (10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
$20
$40*
s500
7.2
J
100... 350 (10 8; 1 мА) $7(108)
s20
s40*
$500
v
20...90 (10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
s50
-
S250
~ffii
20...90 (10 8; 1 мА)
$7(108)
$50
-
s250
50...350 (10 8: 1 мА)
s7 (10 8)
s50
-
$1000
~фD
50...350 (10 8; 1 мА)
$9(108)
s50
-
slOO
;е:250(108; 1 мА)
1
$9(108)
s50
-
$1000
6КЗ
50...350 (10 8: 1 мА)
s7 (IO 8)
s50
-
s500
50...350 (10 8; 1 мА)
1
s9(108)
-
-
-
70...160 (10 8: 1 мА)
s7(108)
-
-
-
20...90 (10 8: 1 мА)
S7 (10 8)
-
-
-
100...350 ( 10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
-
-
-
!
20...90 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
s500
КТ361-2, КТ361-3
20...90 (10 8: 1 мА)
s9 (10 8)
s20
$40*
s500
50...350 (1О 8: 1 мА)
$9(108)
s20
s40*
s500
40...160 (10 8; 1 мА)
s7 (10 8)
s20
$40*
$1000
50...350 (10 8; 1 мА)
$7(108)
s20
$40*
s500
100... 350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
$20
$40*
s500
f
20...90 (!О 8; 1 мА)
$7(108)
s50
-
$250
: 20...90 (10 8: 1 мА)
S9 (10 8)
s50
-
1
s250
~ ~t€~
50...350 (10 8: 1 мА) ' $7(108)
$50
$1000
1
1
-
50...350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
s50
-
SIOO
1 250(108:1мА)
1
s9(108)
s20
-
$1000
~-
~
-
50...350 (10 8; 1 мА)
s7 (IO 8)
s20
-
s500
50...350 (10 8; 1 мА)
s9 (10 8)
-
-
-
70...160 (10 8; 1 мА)
s7(108)
-
-
-
20...90 (10 8; 1 мА)
$7(108)
-
-
-
100...350 ( 10 8; 1 мА)
s7(108)
-
-
-
20...120* (5 8; 5 мА)
s2(58)
$35
-
s50
КТ363
40...120* (5 8; 5 мА)
s2(58)
s35
-
S75
fl5,811
1
1
ОзФ•
1
20...120* (5 8; 5 мА)
s2(58)
$35
-
s50
КТ363М
40...120* (5 8; 5 мА)
$2(58)
$35
-
s75
~IJ:~
11')
~-•
~
~
-~

120
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
~.. (,,..
UКБО max•
lк max
lкБО•
Тип
Струк-
Р~. т max•
\;(эt
U~Rmaxt
UЭБО maxt
J~.и m:.x•
1~••
прибора
р~~н max•
~~·:х'
u;.эо max•
в
г
тура
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТЗ64А-2
p-n-p
30
~250
25
5
200 (400*)
:51 (25 8)
КТЗ64Б-2
p-n-p
30
~250
25
5
200 (400*)
:51 (25 8)
КТ364В-2
р-п-р
30
~250
25
5
200 (400*)
:51 (25 8)
1
КТЗ66А
1 n-p-n 1
30 (7о·с)
~1000
15
4,5
10 (20*)
:50,1 (15 8)
КТЗ66Б
n-p -n
30 (7О0С)
~1000
15
4,5
20 (40*)
:50,1 (15 8)
КТЗ66В
n-p-n
30 (7о·с)
~1000
15
4,5
45 (70*)
:50,1 (15 8)
1
КТЗ68А
n-p-n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50.5(158)
КТЗ68Б
n-p -n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50,5 (15 8)
1
1
КТЗ68А-5
n-p-n
225 (65°С)
~900
15*
4
30 (60*)
0,5 (15 8)
КТ368А-9
n-p-n
100
~900
15*
4
30 (60*)
0,5 (15 8)
КТЗ68Б-9
n-p -n
100
~900
15*
4
30 (60*)
0,5(158)
1
КТЗ68АМ
n-p-n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50,5(158)
КТЗ68БМ
n-p-n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
:50.5 (15 8)
КТЗ68ВМ
n-p -n
225 (65°С)
~900
15
4
30 (60*)
1
:50.5 (15 8)
1
1
1
1
j
1
1
1
!
1
1
1
1
i
1
1
КТЗ69А
n-p-n
50
~200
45
4
250 (400*)
:57 (45 8)
КТЗ69Б
1
n-p-n
50
~200
45
4
250 (400*)
:57 (45 8)
КТЗ69В
n-p -n
50
~200
65
4
250 (400*)
:510 (65 8)
КТЗ69Г
n-p-n
50
~200
65
4
250 (400*)
:510 (65 8)
1
1
1
i
!
!
1
~~
1
1
1
i
1
КТЗ69А-1
n-p-n
1
50
~200
45
4
250 (400*)
:57 (45 8)
КТЗ69Б-1 1 П:Р-П 1
50
~200
45
4
1
250 (400*) i :57 (45 8)
i
jKT369B-l
1 n-p-n 1
50
~200
65
4
250 (400*)
1
:510(658)
1
КТЗ69Г-1
1 n-p-n
1
50
~200
1
65
4
1
250 (400*)
1
:510 (65 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
20...70* (1 8; 0.1 А)
40... 120* (1 8; 0,1 А)
80...240* (1 8: 0.1 А)
50...200 (1 8; 1 мА)
50...200 ( 1 8; 5 мА)
50...200 (1 8; 15 мА)
50...300* (5 8; 10 А)
50...300* (5 8; 10 мА)
50...450 (1 8; 10 мА)
50...300 (1 8; 1О мА)
50...300 (1 8; 10 мА)
50...450* (5 8; 10 мА)
50.. .450* (5 8; 10 мА)
100.. .450* (5 8; 10 мА)
20... 100* (2 8; 0,15 А)
40...200* (2 8; 0,15 А)
20... 100* (3 8; 10 мА)
40...200* (3 8; 10 мА)
20... 100* (2 8; 0.15 А)
40...200* (2 8; О, 15 А)
20... 100* (3 8; 10 мА)
40...200* (3 8; 10 мА)
=>15 (5 8)
=>15 (5 8)
=>15 (5 8)
=>1,1 (0,1 8)
=>1,8 (0,1 8)
=>3,3 (0,1 8)
=>1,7 (5 8)
:=>1,7 (5 8)
=>1,7 (5 8)
$1,7(58)
=>1,7 (5 8)
=>1,7 (5 8)
$\,7(58)
=>1,7 (5 8)
=>15 (10 8)
=>15 (10 8)
=>10 (10 8)
=>10 (10 8)
=>15 (10 8)
=>15(108)
$10(108)
=>10 (10 8)
rкэ нас• Ом
r~э нас' Ом
к;.·•.. дБ
$30
:s;ЗО
=>30
=>80
=>25
=>16
$4
$4
=>2,5
$2,5
$4
$4
=>2,5
=>2,5
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:х' Вт
=>3,3 (60 МГц)
=>3,3 (60 МГц)
=>3,3 (60 МГц)
=>3,3 (60 МГц)
tk, пс
f~acl НС
t:•ыкл' НС
$500; =>150*
=>500; =>180*
=>500; =>230*
=>60; =>50*
=>60; =>80*
=>60; =>120*
$15
=>15
=>15 (10 мА)
=>15(10мА)
=>15 (!О мА)
=>5
$15
121
Корпус
КТЗ64-2
J
1
1
1
~t-lnlт 1
~11
бКЗ
КТЗ68
"":>Eit45,8 з
~ Корл~б
~
'Qf
КТЗ68А-5
КТЗ68-9
КТЗ68М
КТЗ69
КТЗ69-1
-~~
КбЭ

122
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• \210•
UK60max'
IKmax
•коо•
Тип
Струк-
Р~. тmax•
\;1~'
U~Rmax•
UЭБОmах•
1~.н max•
·~R'
р~~11 max•
с·
u~max•
в
•••
прибора
тура
".
кэо•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ370А-1
р-п-р
15
~1000
15* (lк)
4
15 (30*)
g),5 (15 В)
КТ370Б-1
р-п-р
15
~1200
12* (lк)
4
15 (30*)
~О.5 (12 В)
КТ370А-9
30 (5о·с>
1000
15* (lк)
4
15 (30*)
'
~О.5 (15 В)
р-п-р
КТ370Б-9
р-п-р
30 (5о·с>
1000
12* (lк)
4
15 (30*) \
~О.5 (12 В)
КТ371А
п-р-п
100 (65°С)
~3000
10
3
20 (40*) '
~0.5 (10 В)
1
1
1
КТ371АМ
п-р-п
100 (85°С)
~3000
10* (3к)
3
20 (40*)
~О.5 (10 В)
1
КТ372А
п-р-п
50 <1оо·с>
~2400
15* ( lОк)
3
10
~О.5 (15 В)
КТ372Б
п-р-п
50 <1оо·с>
~3000
15* (IОк)
3
10
~О.5 (15 В)
КТ372В
п-р-п
50 (1оо·с>
~2400
15* (lОк)
3
10
~О.5 (15 В)
КТ373А
п-р-п
150 (55°С)
~350
30* (lОк)
5
50 (200*)
~О.05 (25 В)
КТ373Б
п-р-п
150 (55°С)
~300
25* (lОк)
5
50 (200*)
~О.05 (20 В)
КТ3738
1
п-р-п
150 (55°С)
~300
10* (lОк)
5
50 (200*)
~О.05 (10 В)
KT373f
п-р-п
150 (55·с>
~250
60* (10к)
5
50 (200*)
~О.05 (25 В)
1
1
1
КТ375А
п-р-п
200 (400**)
~250
60
5
100 (200*)
~1 (60 В)
КТ375Б
п-р-п
200 (400**)
~250
30
5
100 (200*)
~1 (30 В)
1
КТ379А
1
п-р-п
1
25
~250
30* (lОк)
5
30 (100*)
~0.05 (30 В)
КТ379Б
п-р-п
25
~300
25* (IОк)
5
30 (100*)
~О.05 (25 В)
КТ379В
п-р-п
25
~300
10* ( lОк)
5
30 (100*)
~О.05 (10 В)
KT379f
п-р-п 1
25
~250
60* (lОк)
5
30 (100*)
~О.05 (60 В)

Биполярные крем
-
ь·
h:llэ' 213
70(5В;3мА)
20
::·l20 (5 В; 3 мА)
40.
20 70(5В:3мА)
40.:: ·120 (5 В; 3 мА)
30...240 (1 В; 10 мА)
30...240 (1 В: 10 мА)
>10* (5 В; 10 мА)
;lO* (5 В; 10 мА)
;1о~ (5 В; 10мА)
100... 250 (5 В; 1 мА)
200 500(5В; 1мА)
400 ...1000 (5 В; 1 мА)
50::: 125 (5 В: 1 мА)
ниевые транзисторы
!
1
1
i
1
i
ck,
с~2э'
пФ
:s:2 (5 В)
:52 (5 В)
<2(5В)
:s:2 (5 В)
:s:l,2 (5 В)
:51,2 (5 В)
<1(5В)
:s:l (5 В)
:s:I (5 В)
<8(5В)
~8(5В)
:58 (5 В)
:s:8 (5 В)
1
1
Гкэ нас' Ом
·
Ом
ГБЭнас'
К" дБ
у.р.'
<35
:535
9,9
9,9
>9** (400 МГц)
>10** (1 ГГц)
>10** (1 ГГц)
;10** (1 ГГц)
<10
:510
:510
:520
1
1
123
1
1
Кш, дБ
'tкt ПС
Корпус
r;, Ом
t~"("t нс 1
гнс
р" Вт
ВЫК.1'1 I
•ыхt
<50; <10*
КТЗ70-1
<50; <10*
~~~It 1
!.,
"
~
БКЗ
i!
1
КТЗ70-9
1
<10*
J
0,95
<10*
1
~~х_
<5 (400 МГц)
<15
КТЗ71
<10*
~t
<5 (400 МГц)
<15
КТЗ71М
~i!
КТЗ72
i
1'
<3,5 ( 1 ГГц)
<9
."~
<9
<5,5 ( 1 ГГц)
:59
:55.5 ( 1 ГГц)
4ц~ N
КТЗ73
КТЗ75
КТЗ79
1
1
1
~~t
Ключ

124
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
1
1
;
!
Рк max'
~•• \21••
UКБО maxt
1
lк moix
1
lкоо•
Тип
P~.тmaxt
~;l~t
U~Rmax'
Uэоо max•
1~.н max•
1
J~R'
прибора 1 тура ,
р;~ н max•
с:х.
u~max•
в
1
1··
1
1
1
мА
1
КЭО•
мВт
мrц
в
1
мкА
КТЗSОА
1
i
15
1
<!:ЗОО
17* ( 10к)
4
10(25*) i Sl(108)
i р-п-р
1
1
IКТЗSОБ
1 р-п-р
15
<!:ЗОО
1
17* (lОк)
4
10(25*) i Sl(108)
1
ктзsов
1 р-п-р
15
1
<!:ЗОО
9* (lОк)
4
20 (25*)
1
:!>l (7 8)
1
1
1
i
!
1
1
1
1
1
1
КТЗ81Б
п-р-п
15
<!:200
25
6,5
15
1
о.аз (5 8J
КТЗ81В
п-р-п
15
<!:200
25
6,5
15
1
о.аз (5 8)
ктзs1r
п-р-п
15
<!:200
25
1 6,5
15
О,ОЗ (5 8)
КТЗ81д
1 п-р-п
15
<!:200
25
6,5
15
1
О,ОЗ (5 8)
КТЗ81Е
1
п-р-п
15
<!:200
25
6,5
-
15
1
О,ОЗ (5 8)
1
1
1
КТЗ82А
п-р-п
100 (65°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
s0,5 (15 8)
КТЗ82Б
п-р-п
100 (65°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
:!>0,5 (15 8)
КТЗ82АМ
п-р-п
100 (85°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
1
s0,5 (15 8)
КТЗ82БМ 1 п-р-п
1
100 (85°С)
<!:1800
15
з
20 (40*)
1
s0.5 (15 8J
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
КТЗ84А-2
1
п-р-п
300
2!:450
30* (5к)
4
1 300 (500*) 1
:!>10 (30 8)
1
КТЗ84АМ-2 п-р-п
300
2!:450
30* (5к)
4
300 (500*)
:!>10 (ЗО 8)
КТЗ85А-2
п-р-п
зоо
<!:200
60
4
зоо (500*)
:!>10 (60 8)
1
1
!
1
1
1
1
!
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
КТЗ85АМ-2
п-р-п
300
<!:200
60
4
300 (500*)
slO (60 8)
КТЗ85БМ-2
п-р-п
зоо
<!:200
60
4
300 (500*)
:!>10 (60 8)

Биполярные кремниевые транзисторы
125
ck,
rкэнас• Ом
Kw, дБ
t., пс
ь.,,. ь;,э
с;2э•
r;э нас• Ом
r;, Ом
t;,.,, нс
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;:х• Вт
t::кп• НС
.
30...90 (0.3 8: 10 мА)
1
:s;б (5 8)
:;;30
-
10*
1
КТЗ80
50 ... 150 (0.3 8: 10 мА)
:s;б (5 8)
:;;30
-
20*
1
1
f
30...90 Ю.3 8: 10 мА) 1 :s;б (5 8)
:;;30
-
10*
~No~
'
1
кз
\
~40 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
КТЗ81
~30 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
1
f
~20 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
~~~
~20 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
~20 (5 8; 10 мкА)
-
-
-
-
-
1
1
\
1
1
зк
40...330 (18; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~9** (400 МГц)
:;;3 (400 МГц) 1
:S;l5
1
КТЗ82, КТЗ82М
40...330 (1 8; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~5** (400 МГц)
:S;4,5 (400 МГц)
1
:;;10
~t
40...330 (1 8; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~9** (400 МГц)
:;;3 (400 МГц)
:S;l5
40...330 (1 8; 5 мА)
:;;2 (5 8) ~5** (400 МГц)
:;;4,5 (400 МГц)
:;;10
30...180* (1 8; 0,15 А) 1 :;;4 (10 8)
S4
-
Sl5*
КТЗ84-2
1
~t/ 1\ t::::.
1
5КЗ
30 ... 180* (1 8; 0,15 А)
:;;4(108)
S4
-
Sl5*
1
КТЗ84М
'
J
~
1
-~
1
К6З
20...200* (1 8; О, 15 А)
:;;4 (10 8)
:;;5
-
:s;бО*
КТЗ85-2
~re~rt
.
11\..... 1
1
5КЗ
1
20 ... 200• (1 8: 0.15 А) 1 :;;4(108)
s5
-
sбО*
КТЗ85М
20...100* (1 8: О, 15 ~)
1
:;;4 (!О 8)
s5
-
sбО*
J
~
1
-~К6З

126
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~р• \210•
UKБOmax•
IKmax
JКБО•
Тип
Струк-
Р;, т max•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1:.и max•
·~R'
прибора
р;~ н max•
~:·:х•
u~max•
в
•••
тура
мА
кэо•
мВт
мrц
в
1
мкА
КТЗ88Б-2
p-n-p i
300 (8О0С)
1
<!:250
50
4,5
250
.: :;2 (50 В)
i
1
1
КТЗ88БМ-2
p-n-p
300
<!:250
50
4,5
250
.: :;2 (50 В)
КТЗ89Б-2
1
p-n-p
300 (80°С)
2!:450
25* (!к)
1 4,5
1
300
1
.::;1 (25 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТЗ91А-2
n-p-n
70 (85°С)
<!:5000
15
2
10
.::;О,5 (10 В)
КТЗ91Б-2
n-p-n
70 (85°С)
<!:5000
15
2
10
.::;О,5 (!О В)
КТЗ91В-2
n-p-n
70 (85°С)
2!:4000
10
1
10
.::;О,5 (7 В)
1
1
1
i
1
1
1
КТЗ92А-2
p-n-p
120 (65°С)
<!:300
40* (5к)
4
10 (20*)
.::;О,5 (40 В)
1
КТЗ96А-2 1 n-p -n
1
30 (50°С)
2!:2100
15
3
40
1
.::;О,5 (15 В)
i
i
1
1
КТЗ96А-9
n-p -n
100
<!:2100
15
3
40
.::;О,5 (15 В)
1
КТЗ97А-2
i
n-p -n
120 (90°С)
<!:500
40* (!Ок)
4
10 (20*)
.::;1 (40 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
25 ... 100* (1 В; 0.12 А)
25 ... 100* (1 В; 0.12 А)
25...100* (1 В: 0.2 А)
<!:20 (7 В: 5 мА)
<!:20 (7 В: 5 мА)
<!:20 (7 В: 5 мА)
1
1
~7 (10 В)
~7 (10 В)
~10 (10 В)
~0.7 (5 В)
1
1 ~0.7(5В) 1
~О.7 (5 В)
1
1
1
40... 180* (5 В; 2.5 мА) 1 ~2.5 (5 В)
1
!
40...250 (2 В: 5 мА)
~1.5 (5 В)
1
40...250 (2 В: 5 мА)
~2(5В)
1
!
i
40...300 (5 В; 2 мА) 1 ~1.3 (5 В)
1
1
1
rКЭнк• Ом
r;энк• Ом
к;.·,.. дБ
~5
~5
~3
~50
~11*
~25*
1
1
Kw, дБ
r~, Ом
Р;~х• Вт
~4.5 (3,6 ГГц) 1
~5.5 (3.6 ГГц)
~6 (3,6 ГГц)
1
4,5 (100 МГц)
!
-
тк, пс
~~,.нс
f•ыК.11• НС
60; ~60*
~25*; ~180
~3.7
~3.7
~3.7
~120
~15
~15
~40
!
1
1
1
1
i'i
1
'
'
11
1
1
'
1
1
!
i1
1
!
127
Корпус
КТ388-2 (КТ388БМ-2)
;;~у
~,,,~о
6к3
КТ389-2
~ri (4
"'
111 ~l
5КЗ
КТ391-2
КТ392-2
2,2
1,1/
~,~l
5КЗ
КТ396-2
~~~!
5КЗ
I
КТ396-9
!
f
~~111,2
5з
~
КТ397-2
~~~
11\~
~
6к3
G
~Р.

128
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• t,;" ••
UКБО max•
lк max
lкю•
Тип
Струк-
Р~.тmaxt
\;lэ'
U~Rmaxt
UЭБО maxt
J~.н maxt
I~R'
прибора
р~~ н maxt
с·
u~max'
в
1~,
тура
"'
мА
мВт
МГц
в
мкА
КТ399А
n-p-n
150 (55°С)
~1800
15**
3
1
20 (40*)
:о;О,5 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ399АМ
n-p-n
150 (55°С)
~1800
15**
3
30 (60*)
:о;О,5 (15 В)
1
1 КТ501А
p-n-p
350 (35°С)
~5
15* ( !Ок)
10
1
300 (500*)
$1*(15В)
КТ501Б
1
p-n-p
350 (35°С)
~5
15* (!Ок)
10
300 (500*)
1
$1* (15 В)
КТ501В
p-n-p
350 (35·с)
~5
15* (IОк)
10
300 (500*)
$1*(15В)
КТ501Г
1 p-n-p
350 (35°С)
~5
30* ( !Ок)
10
1
300 (500*)
$1*(30В)
КТ501д
p-n-p
350 (35°С)
?:5
30* (!Ок)
10
300 (500*)
:o;I * (30 В)
КТ501Е
p-n-p
350 (35°С)
?:5
30* ( !Ок)
10
300 (500*)
$1*(30В)
КТ501Ж
p-n-p
350 (35°С)
?:5
45* ( !Ок)
20
300 (500*)
$1*(45В)
КТ501И
p-n-p
350 (35°С)
?:5
45* (IОк)
20
300 (500*)
:o;I * (45 В)
КТ501К
p-n-p
350 (35°С)
?:5
45* (IОк)
20
300 (500*)
1
$1*(45В)
i
1 КТ501Л
1 p-n-p
350 (35°С)
~5
60* (IОк)
1
20
300 (500*)
1
:o;I * (60 В)
i
IKT501M
1
p-n-p
350 (35°С)
?:5
60* ( !Ок)
20
1
300 (500*)
1
$1*(60В)
1
!
КТ502А
1
p-n-p
350
5... 50
40
5
1
150 (300*)
:o;I (40 В)
КТ502Б
p-n-p
350
5... 50
40
5
1
150 (300*)
:o;I (40 В)
КТ502В
p-n-p
350
5... 50
60
5
150 (300*)
:o;I (60 В)
КТ502Г
p-n-p
350
5... 50
60
5
1
150 (300*)
:o;I (60.В)
КТ502Д
p-n-p
350
5...50
80
5
150 (300*)
:o;I (80 В)
КТ502Е
p-n-p
350
5... 50
90
5
150 (300*)
$1 (90 В)
КТ503А
n-p-n
350
5... 50
40
5
150 (300*)
:o;I (40 В)
КТ503Б
n-p-n
350
5...50
40
5
150 (300*)
$1 (40 В)
КТ503В
n-p-n
350
5... 50
60
5
150 (300*)
:o;I (60 В)
КТ503Г
n-p-n
350
5... 50
60
5
150 (300*)
$1 (60 В)
КТ503Д
n-p-n
350
5... 50
80
5
150 (300*)
:o;I (80 В)
КТ503Е
n-p-n
350
5... 50
100
5
150 (300*)
$1 (100 В)
КТ504А
n-p-n
1 (10*) Вт
~20
400; 350*
6
1(2*)А
:o;IOO (400 В)
КТ504Б
n-p-n
1 (10*) Вт
~20
200* (О, 1к)
6
1(2*)А
$100 (250 В)
КТ504В
n-p-n
1 (10*) Вт
~20
275* (О, 1к)
6
1(2*)А
:o;IOO (300 В)
1
КТ505А
p-n-p
1 (5*) Вт
~20
300* (О, 1к)
5
1(2*)А 1
:o;IOO (300 В)
~
КТ505Б
p-n-p
1 (5*) Вт
~20
250* (0,1 к)
5
1(2*)А
:o;IOO (250 В) ~
КТ506А
n-p-n
0,8 (10*) Вт
~10
800
5
2 (5*)А
:о;200 (600 В)
КТ506Б
n-p-n
0,8 (10*) Вт
~10
600
5
2(5*)А
$200 (600 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
129
с,,
Гкэ нас' Ом
Кш, дБ
tk, пс
h21э 1 ь;IЭ
с;2э'
Г~э нас' Ом
r;, Ом
t~act НС
Корпус
пФ
к;:." дБ
Р;:х' Вт
t:~клt НС
;>:40* (1 8; 5 мА)
1
$1,7(58) ;>:11,5** (0,4 ГГц)
$2 (400 МГц)
$8
КТЗ99
Р5,8
~Ei '
~ Корлфб
~
к
;>:40* (1 8; 5 мА)
$1,7 (5 8) ;>:11,5** (0,4 ГГц) $2 (4000 МГц)
$8
КТЗ99М
~f!:~
"'l
~-.
~
~
-~
20...60* (18; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
КТ501
40... 120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
$4 (1 кГц)
-
20...60* (1 8; 30 мА)
$50 (10 8)
$1,3
-
-
ii'
40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
$4 (1 кГц)
-
~ .5$К
20...60* (18; 30 мА)
$50(108)
$1,3
-
-
40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
80...240* (18: 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
$4 (1кГц)
-
20 ... 60* ( 1 8; 30 мА) $50(108)
$1,3
-
-
40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8)
$1,3
-
-
40... 120 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$320*
-
КТ502
80...240 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$320*
-
~~~
40 ... 120 (5 8; 10 мА) $50(108)
$60
$320*
-
80...240 (5 8; 10 мА)
$50 (10 8)
$60
$320*
-
40...120 (5 8; 10 мА)
$50 (10 8)
$60
$320*
-
40... 120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8)
$60
$320*
-
"'l
~-.
~
~
-~
40...120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8)
$60
$580*
-
КТ503
80". 240 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$580*
-
~!!:~
40... 120 (5 8; 10 мА)
$50 (10 8)
$60
$580*
-
80. "240 (5 8; 10 мА)
1
$50 (10 8)
$60
$580*
-
40".120 (5 8; 10 мА)
$50(108)
$60
$580*
-
40."120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8)
$60
$580*
-
11')
~-•
~
~
-~
15... 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8)
$2
-
$2700*
КТ504, КТ505,КТ506
15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8)
$2
-
$2700*
15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8)
$2
-
$2700*
:tiK$3
25".140* (10 8; 0,5 А) $70 (5 8)
$3,6
-
$2600*
25".140* (10 8; 0.5 А) $70 (5 8)
$3,6
-
$2600*
1
30...150* (5 8; 0.3 А)
$40 (5 8)
$2
-
$1560*
30."150* (5 8; 0,3 А)
$40 (5 8)
$2
-
$1560*
9зак9

130
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
1,,,. ~16•
Uкоо max•
lк max
IКБО,
Тип
Струк-
Р;,тmах•
J;:;Jэf
{fКЭR max•
UЭБО max•
J~.и max•
1~.
прибора
тура
P.Zиmax•
с..
U-кэо nuax•
в
1~.
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ509А
p-n-p
300; 1*Вт
~10
500
5
20
s:5 (500 В)
КТ511А9
р-п-р
1000
~120
200•
-
1,5 А
-
КТ511Б9
р-п-р
1000
~120
160*
-
1,5 А
-
КТ511В9
р-п-р
1000
~120
120•
-
1,5 А
-
КТ511С9
р-п-р
1000
~120
90•
-
2А
-
КТ511Д9
р-п-р
1000
~120
70*
-
2А
-
КТ511Е9
р-п-р
1000
~120
50•
-
2А
-
КТ511Ж9
1 р-п-р
1000
~120
30•
-
2А
-
КТ511И9
р-п-р
1000
~120
20•
-
2А
1
-
IП511К9
р-п-р
1000
~120
10•
-
2А
-
КТ512А9
n-p -n
1000
~120
200•
-
1,5 А
-
КТ512Б9
п-р-п
1000
~120
160*
-
1,5 А
-
КТ512В9
п-р-п
1000
~120
120•
-
1,5 А
-
КТ512С9
п-р-п
1000
~120
90•
-
2А
-
КТ512Д9
п-р-п
1000
~120
70*
-
2А
-
КТ512Е9
n-p-n
1000
~120
50•
-
2А
-
КТ512Ж9
п-р-п
1000
~120
зо•
-
2А
-
КТ512И9
n-p-n
1000
~120
20•
-
2А
-
КТ512К9
n-p-n
1000
~120
10•
-
2А
-
КТ513А9
p-n-p
1000
~50
300•
-
0,5 А
-
КТ513Б9
p-n-p
1000
~50
250*
-
0,5 А
-
КТ51389
р-п-р
1000
~50
200*
-
0,5 А
-
КТ513С9
р-п-р
1000
~50
160*
-
0,5 А
-
КТ513Д9
р-п-р
1000
~50
120•
-
0,5 А
-
КТ514А.9
п-р-п
1000
~50
зоо•
-
0,5 А
-
КТ514Б9
п-р-п
1000
~50
250*
-
0,5 А
-
КТ514В9
п-р-п
1000
~50
200•
-
0,5 А
-
КТ514С9
1
n-p -n
1000
~50
160*
-
0,5 А
-
КТ514Д9
n-p-n
1000
~50
120•
-
0,5 А
-
1
КТ515А9
1
р-п-р
1000
~120
80*
-
2А
-
КТ515Б9
р-п-р
1000
~120
50*
-
2А
-
КТ515В9
p-n-p
1000
~120
25*
-
2А
-
КТ516А9
п-р-п
1000
~120
во•
-
2А
-
КТ516Б9
n-p-n
1000
~120
50•
-
2А
-
КТ516В9
п-р-п
1000
~120
25*
-
2А
-
1
i
КТ517А
1
п-р-п
500
~125
30; 30••
-
0,5 А
-
КТ517Б
п-р-п
500
~125
30; 30••
-
0,5 А
-
КТ517В
п-р-п
500
~125
40; 40**
-
0,5 А
-
КТ517Г
п-р-п
500
~125
40; 40**
-
0,5 А
-
КТ517Д.
n-p-n
500
~125
50; 50••
-
0,5 А
-
КТ517Е
п-р-п
500
~125
60; 60**
-
0,5 А
-

Биполярные кремниевые транзисторы
с••
h2," ь;,э
с;2"
пФ
10.. .100 (10 В; 0.1 мА) $2,9 (100 В)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0.5А)
220(5В:0.5А)
220(5В;0,5А)
220(5В:0.5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В:0.5А)
220(5В;0.5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0,5А)
220(5В;0.5А)
220(5В:0.5А)
1
i
1
1
1
1
i 40...600 (10 В: 50 мА) !
м1 40...600 (10 В; 50 мА)
40...600 (10 В; 50 мА)
40...600 (1О В; 50 мА)
40... 600 (10 В; 50 мА)
40...600 (1О В: 50 мА)
40...600 (10 В; 50 мА) 1
40...600 (10 В; 50 мА)
40...600 (1О В; 50 мА) I
40...600 (10 В; 50 мА)
250(5В;0,5А)
250(5В;0.5А)
225(5В:0.5А)
250(5В;0,5А)
250(5В:0,5А)
225(5В:0,5А)
i
1
1
/ 25000(5В:10мА)
~ 210000 (5 В: 10 мА)
1 210000 15 В: 10 мА)
10000... 100000
9*
(5 В; lOмAJ
210000 (5 В; 10 мА)
210000 (5 В; 10 мА)
$7
$7
$7
$7
$7
$7
rкэ нас• Ом
r~нк' Ом
к;.·•.. дБ
lОк
$0,3
$0,25
$0,25
$0,2
$0,2
$0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$0,3
$0,25
$0,25
$0,2
$0,2
$0,35
$0,35
$0,35
$0,35
$10
$10
$5
$5
$5
$10
$10
$5
$5
$5
$1
$1
$1
$1
$1
$1
$11
$11
$11
$11
$11
$11
Kw, дБ
r~, Ом
Р;~).. Вт
tк, ПС
~~,.нс
tвыкл• НС
$500
1
1
1
1
1
1
Корпус
КТ509
КТ511-9
1/,6
131
~
1.6
~ф~-F• ,'1)- ~·
<:t
5
0,11
~"' 11' O ,SS
0,48 1 .5
1,5
КТ512-9
1/,6
-
1.6
~i~,(J- ~·
<:t
н
4"
~ 1o1"'fss
0,4 ~5
1,5
КТ513-9, КТ514-9
КТ515-9, КТ516-9
КТ517

132
Тип
прибора
1 КТ517А-1
1 КТ517Б-1
IKT517B-l
iiKT517f-l
1
1 КТ517Д-1
КТ517Е-1
КТ517А-9
КТ517Б-9
КТ517В-9
KT517f-9
11
~КТ517Д-9
llKT517E-9
11
I
KT519A
КТ519Б
.IKT519B
1'
11
1 КТ520А
1~КТ520Б
!
i!
!
liKT521A
КТ521Б
КТ523А
КТ523Б
ГТ523В
I KT523f
1
КТ523Д
11
11
11КТ523А9
i КТ523Б9
11КТ523В9
KT523f9
!КТ523Д9
КТ524А
11
11
КТ524А-5
1
1
1
1
1
i
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1
1
1
1
i
1
pKmax'
Р~. тmах•
р~~ и ma),,•
мВт
800
800
800
800
800
800
300
300
300
300
300
300
450
450
450
625
625
625
625
500
500
500
500
500
300
300
300
300
300
1000
1000
!
1
~р• ~:216'
~~li'
~:;,,
Мfц
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~125
~100
~100
~100
~50
~50
~50
?:50
?:150
?:150
?:150
~150
?:150
~150
~150
~150
~150
~150
~100
~100
UKБOma\•
U~R1nct\•
u;Э01n.i''
в
30
30
40
40
50
60
30; 30*•
30
40
40
50
60
50; 45**
50; 45*•
50; 45*•
300; 300**
200; 200**
300; 300**
300; 300•·
30; 30**
30; 30**
40; 40**
50; 50•·
60; 60**
30; 30••
30; 30•·
40; 40**
50; 50**
60; 60**
40; 25**
40; 25**
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
UЭБОmаА•
в
1
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
5
5
5
1
1
1
-
1
-
-
-
-
-
-
1
1
1
!
1
1
-
1-
-
-
-
6
1
1
1
1
1
6
1
1
1
IKma11
1:,ИIПЗА1
мА
0,5 А
0.5 А
0.5 А
0.5 А
0.5 А
0.5 А
300
300
300
300
300
300
100
100
100
500
500
500
500
500
500
500
500
500
300
300
300
300
300
1500
1500
1
1
1
!
1
'
i
1
i
i
1
i1
1
i
i
1
1
IКБ<)'
I~R•
I~"
мкА
-
-
-
-
-
-
:50,05 (50 В)
:50,05 (50 В)
:50.05 (50 В)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:50,1 (35 В)
:50,1 (35 В)
~
~
1'
11
11
~11
11
11
"
~;
11
11,,
11
iil'1
~
11
11
~11
,1
~
1!
1
1
~I!
ji
1!,1
li
1:
р
li
1
1
11

Биполярные кремниевые транзисторы
133
ck,
fкэнаt' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
1
ь"" ь;,э
c;2i'
г~наt' Ом
r;. Ом
t;,.,. нс
Корпус
i
пФ
к;.·,.. дБ
Р;~х' Вт
t::клt НС
25000 (5 В: 10 мА)
1
57
511
-
-
КТ517-1
210000 (5 В: 10 мА)
57
511
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
1
57
511
-
-
Qtm
10000... 100000
57
511
-
-
~7.8 ~
(5В;10мАJ
11
210000 (5 В; 10 мА) 1
57
511
-
-
210000 (5 В: 10 мА) 1
57
511
~
36
1
-
-
1
1
1
25000 (5 В: 10 мА)
57
511
-
-
КТ517-9
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
s
0,95
10000 ... 100000
57
511
-
-
~*Х
(5В:10мА)
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
511
-
-
60... 150 (5 В; 1 мА)
57(10В)
-
510 (1 кГц)
-
КТ519, КТ520
100...300 (5 В; 1 мА)
1
57 (10 В)
-
510(1 кГц)
-
1
200...600 (5 В: 1 мА)
57(10В)
-
510 (1 кГц)
-
~tf~~
i
1
240(1ОВ; 10 мА)
53
525
-
-
~
q.-
240(1ОВ: 10 мА)
54
520.
-
-
-
1
1
1
240 (10 В; 10 мА)
1
56
525
-
-
КТ521, КТ523
240 (10 В; 10 мА)
58
520
-
-
1
1
1
1,
1
~f~
11
'
1
1
25000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
210000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
...
q'"
~~
210000 (5 В; 10 мА)
57
512
-
-
210000 (5 В: 10 мА)
57
512
-
1
-
25000 (5 В: 1О мА)
-
512
-
-
КТ523-9
210000 (5 В; 10 мА)
-
512
-
-
s
0,95
210000 (5 В; 10 мА)
-
512
-
-
210000 (5 В: 10 мА)
-
512
-
-
~~~' 1
210000 (5 В; 10 мА)
-
512
-
-
1
1
'
1
1
'
'
1
1
1,
i
1
!
1
!1
'1
24011В:0,8А)
1 9(10В) 1
50,6
-
-
КТ524
1
'
~f~
...
q'"
~~
85...300(1В;О,1А)
9(10В)
50,6
-
-
i
КТ524-5
1,
i
:
!
1

134
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max'
lк max
•ноо•
Тип
Струк-
Р~.тmах'
~;lэl
U~Rmax'
UЭБО max'
1;,и max'
·~R•
прибора
р~:иmах'
с·
u~max•
в
•••
тура
."
мА
l<ЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ525А
п-р-п
625
-
40; 20**
5
500
$0,1 (25 В)
КТ525А-5
п-р-п
625
-
40; 20**
5
500
$0,1 (25 В)
КТ526А
n-p -rl
450
~150
50; 45**
5
100
$0,05 (50 В)
!
КТ526А-5
п-р-п
450
~150
50; 45**
5
100
$0,05 (50 В)
КТ528А9
1
п-р-п
600
-
100*
-
1
2000
-
КТ528Б9
1 п-р-п
600
-
80*
-
2000
-
КТ528В9
п-р-п
600
-
50*
-
2000
-
КТ528Г9
п-р-п
600
-
30*
-
2000
-
КТ528Д9
п-р-п
600
-
12*
-
2000
-
КТ529А
р-п-р
500
~150
60
4
IA
$1 (80 В)
1
КТ530А
п-р-п
500
~150
60
4
IA
$1 (80 В)
КТ538А
1 п-р-п
700
~4
600
9
500
$100*
:

Биполярные кремниевые транзисторы
64...202 (1 В; 50мА)
~40 (1 В; 0,.8 А)
60...1000 (38, 1 кА) ! "3.5 (10 В) 1
60... 1000 (5 В; 1 мА) SЗ,5 (10 В)
20...200 (5 В; 1 А)
20...200 (5 В; 1 А)
50...250 (5 В; 1 А)
50...250 (5 В; 1 А)
50...250 (5 В; 1 А)
~180 (5 В; 300 мА)
~180 (5 В: 300 мА)
5...90
rкэ ...• Ом
r~нк' Ом
к;·". дБ
:!>l,2
:!>0.25
:!>0,25
:!>0,25
:!>0,25
:!>0.25
?::0,7
?::0,7
Кw,АБ
r;, Ом
Р:., Вт
:!>IO (1 МГц)
:!>IO (1 МГц)
300
300
300
300
300
't." пс
t;..., нс
•:....,нс
1
135
Корпус
КТБ2Б
КТБ2Б-Б
КТ526
КТБ26-Б
~rВТ
КТБ28-9
IП529
IП530
КТБ38

136
Раздел 2. Биполярные транзисторы
.
Ркmах•
~•• ~216•
UKБOmax'
lкmax
Iкво,
Тип
Струк-
Р~.т1111х•
~;1"
U~Rmax'
U350 max•
1;,и max•
·~R'
прибора
тура
р;, и max•
~~:х'
u~max•
в
·~·
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ601А
n-p -n
0,25 (0,5*) Вт
~40
100*
3
30
s50 (50 В)
1
1
!
1
КТ601АМ
n-p-n
0,5 Вт
~40
100*
3
30
:S300* (100 В)
1
1
КТ602А
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
:S70 (120 В)
КТ602Б
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
:S70 ( 120 В)
КТ602В
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
80
5
75 (300*)
:S70 (80 В)
KT602f
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
80
5
75 (300*)
:S70 (80 В)
КТ602АМ
n-p-n
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
:S70 (120 В)
КТ602БМ
1
n-p-n 1
0,85 (2.8*) Вт
~150
120
5
75 (300*) i :S70 (120 В)
!1
1
1
1
i
КТ60ЗА
n-p-n
1
0,5 Вт (50"С)
~200
30* (lк)
3
300 (600*)
:SIO (30 В)
КТ60ЗБ
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
:SO (30 В)
КТ60ЗВ
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
:S5 (15 В)
KT603f
n-p-n 1 0,5 Вт (50"С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
:S5 (15 В)
КТ60ЗД
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
10* (lк)
3
300 (600*)
:SI (10 В)
КТ60ЗЕ
n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
10* (lк)
3
300 (600*) 1
:SI (10 В)
КТ60ЗИ
1 n-p-n
0,5 Вт (50"С)
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
1
:SIO (30 В)
!
КТ604А
1
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
300
5
1
200
1
:S50 (250 В)
КТ604Б
1
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
250* (lк)
5
1
200
1
s50 (250 В)
КТ604АМ
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
250* (lк)
5
200
:S20* (250 В)
КТ604БМ
n-p-n
0,8 (3*) Вт
~40
300
5
200
:S20 (250 В)
i
!
1
!
КТ605А
1
n-p -n
1
0.4 Вт ( 1ОО"С)
~40
300
1
5
1
100 (200*)
:S50* (250 В)
КТ605Б
n-p-n 1
0,4 Вт (IOO"C)
~40
300
5
100 (200*) i s50* (250 В)
!1
i
1
1
1
1
i
1
1
'i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
~16 (20 В; 10 мА)
~16 (20 В; 10 мА1)
80 (10В; 10 мА')
20...
ОА)
>50(10В;1м
lS... 80 (10 В; 10 Mf)
>50(10В;10мА
80(10В;10мА)
20...
ОА)
~50(10В;1 м
10 80*(2В;15А)
>ОО* (2 В; 0,15 А)
1080*(2В;0,15А)
;00• (2 В; 0,15 А)
2080*(2В:0.15А)
60 ··200• (2 В: 0,15 А)
~20* (2 В; 0,35 А)
10.. .4 0* (40 В; 20 мм~)
30.. .120* (40 В; 20
10 40*(40В;20мА)
30.::"i20* (40 В; 20 мА)
10 40*(40В;20мА)
...120* (40В; 20мА)
30. "
s!5 (20 В)
sl5 (20 В)
<4 (50 В)
~4 (50 В)
~4 (50 В)
s4 (50 В)
<4 (50 В)
~4 (50 В)
<15 (10 В)
~15 (10 В)
~15 (10 В)
~15 (10 В)
~15 (!О В)
~15 (10 В)
~15 (10 В)
s7 (40 В)
s7 (40 В)
<7 (40 В)
~7 (40 В)
s7 (40 В)
s7 (40 В)
Гкэнас• Ом
•
Ом
ГБЭ нас'
к;:... дБ
:>60
:>60
$60
:>60
:>60
:>60
$7
$7
$7
$7
$7
$7
$3,4
:>400
:>400
:>400
:>400
:>400
:>400
Kw, дБ
.
Ом
"'
р.•
Вт
вwxt
tк, ПС
t;act НС
t••
нс
аыклt
:>600
:>600
:>300
:>300
:>300
:>300
$300
:>300
<100**
~100**
:>100**
:>100**
<100**
~100**
:>100**
:>250
:>250
137
Корпус
КТ601
КТ601М
КТ602
КТ602М
КТ603, КТ604
КТ604М
КТ605

138
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк-•
~. ~21••
UК&Omax'
)Kmax
JllEO,
Тип
Струк-
р~тmах•
(;lэt
lГКЭRmaJlt
Uэоо ma•'
J~. max•
rКЭR,
прибора
тура
р~ ........
с..,
(]"КЭОmах•
в
Гкэо,
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ605АМ
n-p-n
О,4 Вт ооо·с)
~40
300
5
100 (200*)
~О* (250 В)
КТ&ОSБМ
n-р-п
О,4 Вт ооо·с)
~40
300
5
100 (200*)
~· (250В)
1
1
1
1
КТ606Л
п-р-п
2,5 Вт (40-С)
~350
60
4
400 (800*)
~;I ,5* (60 В)
КТ&О&Б
п-р-n
2,5 Вт (40"С)
~300
60
4
400 (800*)
Sl,5* (60 В)
КТ607Л-4
п-р-п
1,5 Вт
~700
40
4
150
SI (30 В)
КТ607Б-4
п-р-п
1,5 Вт
~700
30.
4
150
SI {30 В)
IП608Л
п-р-п
0,5 Вт
~200
60
4
400 (800*)
slO (60 В)
КТ608Б
п-р-п
0,5 Вт
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 В)
1
КТ6109А
р-п-р
625
~300
40; 20* (lОк)
5
500
SO.I мкА (25 В)
КТ6109Б
p-n -p
625
~300
40; 20* ( IОк)
5
500
SO,I мкА (25 В)
КТ6109В
р-п-р
625
~300
40; 20* (1 Ок)
5
500
SO,l мкА (25 В)
КТ6109Г
р-п-р
625
~300
40; 20* ( IОк)
5
500
SO,l мкА (25 В)
КТ6109Д
p-n -p
625
~300
40; 20* (lОк)
5
500
so.1 мкА (25 В)
КТ610Л
n-р-п
1,5 Вт (SO"C)
~1000
26
4
300
S0,5 (26 В)
КТ610Б
п-р-п
1,5 Вт (so•c)
~700
26
4
300
S0.5 (26 В)
КТ6102Л
р-п-р
1000
-
110
5
1500
SO.l
КТ6103А
n-p-n
1000
-
140
5
1500
SO.l
КТ6104А
n-p-n
1000
-
300
5
150
SO.l
КТ6105Л
р-п-р
1000
-
300
5
150
SO.I
КТ6107А
n-p -n
1000
-
500
5
130
SO,l
КТ6108Л
р-п-р
1000
-
500
5
130
so.t

Биполярные кремниевые транзисторы
139
tк, ПС
о
Kw, дБ
t·",, нс
fкэш• м
·Ом
1
l~~~~~~-;;~--;;;~с~··~~~~r~~~"'~'·;О~м~~~~~;~:~";в~т'_~~--'t=·~~~~·~"-_с~~~~~~~--~~~
с;," к".••
ктsоsм
h,", ь;"
пФ •·•
'25(]
<400
<250
... и;
<7 (40 В)
~
1О40"(40в,20мА)
<7 (40 В)
<400
~-- .Фт
-
зо.::; 20, (4О в, 20 мА)
__
Корпус
~
>15* (10 В; 0,10 А)
~15• (10 В; 0,10 А)
-
-
20 80*(5В;0,2А)
40.::·160* (5 В; 0,2 А)
1
!
64 91(1В;50мА) i
78 ...112 (1 В; 50 мА)
98··· l35 (1 В; 50 мА)
112::.166 (1 В; 50 мА~
144...202 (1 В; 50 мА
<10 (28 В)
SIO (28 В)
<4(10В)
:54,5 ( 10 В)
<15 (10 В)
:515(10В)
) 1 <4,1(10В)
50 300* (10 В: 0.15 А :54,1 (10 В)
20:::300* 110 в: о.15 А)
1
<5
:55
>4** (1 ГГц)
~3** (1 ГГц)
<2,5
:52,5
<1,2
:51,2
:51,2
:51,2
:51,2
>О 8** (400 МГц)
>0:6** (400 МГц)
>1 ** (1 ГГц)
>!**(!ГГц)
6 (0,2 ГГц)
6 (0,2 ГГц)
i
1
1
1
<10
<12
<18
<25
<120*
<120*
<55
<22
!О
э6
....
КТ606
КТ607-4
КТ608
1
1
КТ6109
1
КТ610
04 КТ6107
КТ6102, КТ61 '
108
КТ6103, КТ6105, КТ6

140
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKma),,'
~Р' ~:2161
UKБOmaAI
lк max
lкБо•
Тип
Струк-
Р~. т max'
~;1~·
u~RmaAI
UЭБOmaAI
1~.и max•
·~ЭR•
прибора
тура
р~:иmа"'
~~;х,
u;ЭOmaA'
в
•••
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ611А
п-р-п
О.В (3*) Вт
::::60
200
3
100
:<>200 (!ВО В)
КТ611Б
п-р-п
О.В (3*) Вт
::::60
200
1
3
100
1
:<>200 (lBO В)
КТ611В
1 п-р-п i О.В (3*) Вт
::::60
1
lBO
3
1
100
:<>100 (150 В) !
КТ611Г
1 п-р-п ! О.В (3*) Вт
::::60
lBO
3
1
100
1
:<>100 (150 В) 1
1
!
!
1
f
i
1
:
i
i
r.
'
1
1
КТ611АМ
п-р-п
О,В (3*) Вт
::::60
200
4
100
:<>100 (!ВО В)
КТ611БМ
п-р-п
О.В (3*) Вт
::::60
200
4
100
:<>100 (!ВО В)
i
1
1
!
1
i
!,
1
i'
1
'
!IKT6110A
i п-р-п 1
625
-
40
1
5
1
500
!
sO.l
11КТ6110Б
1
п-р-п
1
625
1
-
40
5
500
sO,l
llKT6110B
1
п-р-п
625
1
-
40
5
500
$0,1
КТ6110Г
п-р-п
1
625
-
40
1
5
500
$0,1
КТ6110Д
1
п-р-п
625
-
40
1
5
500
$0,1
1
КТ6ША
п-р-п
450
150
50
5
100
s0.05
КТ6ШБ
п-р-п
450
150
50
5
100
s0.05
КТ6ШВ
п-р-п
450
150
50
5
100
$0,05
КТ6ШГ
п-р-п
450
150
50
5
100
s0.05
'
i
i
'
1
1
1
'
'
,,
1
1
1
1
JIKT6112A
р-п-р
450
100
50
5
1
100
1
$0.05
~
11КТ6112Б
1
1
450
100
50
5
1
100
!
$0.05
i
р-п-р
1
1
~КТ6112В 1 р-п-р
450
100
50
5
1
100
$0,05
11
КТ6113А
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Б
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113В
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Г
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Д
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6113Е
п-р-п
400
700
30
5
50
$0,05
КТ6114А
1
п-р-п
1000
100
40
6
1
1500
SO.l
1
КТ6114Б
! п-р-п
1
1000
1
100
40
i6
1
1500
1
:<>0.1
КТ6114В
1 п-р-п
1000
100
40
!6
1500
$0,1
~КТ6114Г 1 п-р-п 1
700
100
40
6
1100
$0,1
1/КТ6114Д i п-р-п 1
700
1
100
1
40
6
1
1100
$0.1
1 КТ6114Е
1 п-р-п
1
700
! 100
1
40
6
1100
sO.l
i
1
1
КТ6115А
р-п-р
1000
100
40
'
6
1500
:<>0.1
КТ6115Б
р-п-р
1000
100
40
6
1500
sO.l
КТ6115В
р-п-р
1000
100
40
6
1500
sO.l
КТ6115Г
р-п-р
1000
100
40
6
1100
$0,1
КТ6115Д
р-п-р
1000
100
40
6
1
1100
sO.l
КТ6115Е
р-п-р
1000
100
40
6
1100
$0,1
1
КТ6116А
р-п-р
625
>100
1
160
!
5
i 600
1
s0.05
~
IКТ6116Б
р-п-р
625
>100
130
5
1
600
1
S0.01
~
~
1
1
1
li
'
1
!
1
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
141
~
1
1
11
с.,
rКЭнас' Ом
Кw1 дБ
tк, ПС
·:
~
h21.·· ь;1?
c;2"t'
r~нilc' Ом
r;, Ом
t~dl' нс
Корпус
"
1
пФ
к;.·•.. дБ
1
Р;:", Вт
t::кл, НС
1
~
1
10.. .40* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
$400
-
$200
КТ611
30... 120* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
$400
-
$200
:No6<Ф•
10...40* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
s400
-
s200
30... 120* (40 В; 20 мА)
s5 (40 В)
$400
-
s200
!i
1·
к
~ 10...40•(40В:20мА) 1 s5(40В)
s400
-
s200
1
КТ611М
~
!I 30...120•(40В;20мА) 1 s5(40В)
$400
-
s200
11
1
1
~g;
11
1
1
е:
11
:::;.
·В
!j
:~
~1:
'1
:,
1
64 ... 91
1,2
КТ6110, КТ6111
!
-
-
-
1!
78 ... 112
-
1,2
-
-
11
,1
96 ... 135
-
1,2
-
-
11
112 ... 166
-
1,2
-
-
~~~
144 ... 202
-
1,2
-
-
1
1!
1
1
60... 150
<3
<10 (1 кГц)
11
-
-
~
~-.
1
~
i00... 300
-
<3
<10 (1 кГц)
-
1
~ 1ОО1
~
,.
200... 600
1
-
<3
<10 (1 кГц)
-
-~
1
f!
400 ... 1000
1
-
<3
<10 (1 кГц)
-
1
11
1
11
60 ... 150
-
<7
<10(1 кГц)
1
-
КТ6112, КТ6113
:
100 ... 300
-
<7
<10(1 кГц)
1
-
200 ... 600
-
<7
<10 (1 кГц)
!
-
1
1
1
1
~~~
f--
1
1
1
28 .. .45
-
<10
-
;
-
1
39 ... 60
<10
1
-
-
-
~
54 ... 80
1
-
<10
-
-
1
11
72 ... 108
<10
~
~-.
1
-
-
-
~ Wlll
~
1
97 ... 146
1
-
<10
-
-
-~
132 ... 198
1
-
<10
-
-
1
1
85 ... 160
-
-
1
-
-
КТ6114, КТ6115
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
85 ... 160
-
-
-
-
1
120... 200
-
-
-
-
~~~
160... 300
1
1
-
-
-
-
11
н
1
'1
1
85 ... 160
1
-
-
-
-
120... 200
-
-
-
-
~
~-.
~.
~
160 ... 300
-
-
-
-
-~
85 ... 160
-
-
-
-
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
'
.
60. "2 40
-
-
$8
-
КТ6116
40 ... 180
-
-
-
-
~Ei!:~ i
~
1
1
~
1
1
1
~
~-.
~
1
1
~
~
11
1
-~
~
~

142
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~.. ..:....
UКБО max'
IKmax
lкw•
Тип
Струк-
Р~. т max•
1~:;1э•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,и milx'
·~R'
р~~ и max•
с·
u;Э() max•
в
•••
прибора
тура
".
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ6117А
п-р-п
625
>100
180; 160*
5
600
~О.05
КТ6117Б
п-р-п
625
>100
160; 140*
5
600
~О.1
1
КТ6127А
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
90
4
2 (8*)
~20 (90)
КТ6127Б
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
70
4
2 (8*)
~20 (70)
КТ6127В
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
50
4
2 (8*)
~20 (50)
КТ6127Г
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
30
4
2 (8*)
~20 (30)
КТ6127Д
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
20
4
2 (8*)
~20 (20)
КТ6127Е
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
10
4
2 (8*)
~20 (10)
КТ6127Ж
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
120
4
2 (8*)
~20 (120)
КТ6127И
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
160
4
2 (8*)
~20 (160)
КТ6127К
р-п-р
600 (6 Вт**)
~150
200
4
2 (8*)
~20 (200)
КТ6128А
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Б
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128В
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Г
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Д
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6128Е
п-р-п
400
~400
30; 20**
-
25
-
КТ6129А-9
р-п-р
700
~4500
20; 15*
3
100
~0.1 (10 В)
КТ6129Б-2
р-п-р
1Вт
~250
50
4,5
1000
~5 (50 В)
КТ61ЗОА-9
п-р-п
700
~4000
15*
-
100
-
КТ6131А
п-р-п
1,3 Вт
~3.5 ГГц
1
40; 20* (lк)
3
150
~0.5 мкА (40 8)
1
(10 В; 50 мА)
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
80...250 (5 В: 10 мА)
60...250 (5 В: 10 мА)
~30* (5 В: 500 мА)
~30* (5 В; 500 мА)
~30* (5 В; 500 мА)
~50* (5 В; 500 мА)
~50* (5 В; 500 мА)
~50* (5 В: 500 мА)
~50* (5 В: 500 мА)
~30* (5 В; 500 мА)
~30* (5 В: 500 мА)
28...45 (5 8; 1 мА)
39...60 (5 В; 1 мА)
54...80 (5 В; 1мА)
72...108 (5 В; 1 мА)
97...146 (5 В; 1 мА)
132...198 (5 В; 1 мА)
S74 (5 В)
s74 (5 В)
S74 (5 В)
S74 (5 В)
s74 (5 В)
S74 (5 В)
s74 (5 В)
S74 (5 8)
j S74(5В) !
20...150* (10 В: 50 мА) iSl.45 (10 8) 1
1
i
1
1
1
1
25...150 (5 В; 0,2 А)
c:S25 (IO В)
~40(108;100мА) ! cS2(10В)
rкэнас• 0111
r~нас:' Ом
к;~,.• АБ
$4
$5
s0,15
s0,15
s0,15
s0,15
s0,15
$0,15
s0,2
s0,2
$0,25
1
1
1
1
Кш, АБ
r~, Ом
Р,;:,,, Вт
$8
1
!1
'[к• ПС
~F' нс
Корпус
fаwкл• НС
S250*
s250*
s250*
s250*
s250*
s250*
s250*
c:S250*
s250*
90*
КТ6127
1
КТ6128
i
1
КТ6129-9
1
!
!
КТ6129Б-2
КТ6130-9
i
КТ6131
1
1
1.11
11х
{f~W
143

144
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• ~216•
UKБOmax•
lкmax
•коо•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
\;1з•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,н max•
J~R'
р~~ и max•
с
u~max•
в
•••
прибора
тура
..
кэо•
1
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ61З2А
1 р-п-р
1,3 Вт
~3.5 ГГц
40
3
150
:50.5 мкА (40 В)
1
(10 В; 50 мА)
КТ61ЗЗА
р-п-р
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61ЗЗБ
р-п-р
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61ЗЗВ
р-п-р
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61З4А
п-р-п
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61З4Б
п-р-п
1000
~100
25*
-
1200
-
КТ61З4В
1 п-р-п
1000
~100
25*
-
1200
-
1
КТ61З5А
п-р-п
800
~100
400*
-
500
-
КТ61З5Б
п-р-п
800
~100
300*
-
500
-
КТ61З5В
п-р-п
800
~100
200*
-
500
-
КТ61З5r
п-р-п
800
~100
100*
-
500
-
КТ61З5А9
п-р-п
1Вт
~90
400
6
500
-
КТ61З5Б9
п-р-п
1Вт
~90
300
6
500
-
КТ61З589 i п-р-п
1
1Вт
~90
200
6
500
-
КТ61З5Г9 1 п-р-п
1Вт
~90
100
6
500
-
КТ61З5Д9
1
п-р-п
1Вт
~90
50
5
500
-
КТ6142А9
п-р-п
1
600
5000
20
3
100
-
КТ61З6А
р-п-р
625
~250
40**
5
200
:s;0,05*
КТ61З7А
п-р-п
625
~300
60; 40**
6
200
:50,05*
КТ61З8А
р-п-р
500
50
300
-
100
-
КТ6138Б
р-п-р
500
50
250
-
100
-
КТ61З8В
р-п-р
500
50
200
-
100
-
КТ61З8r
р-п-р
500
50
160
-
100
-
КТ61З8Д
р-п-р
500
50
120
-
100
-
КТ61З9А
п-р-п
500
50
300
-
100
-
КТ61З9Б
п-р-п
500
50
250
-
100
-
КТ61З9В
п-р-п
500
50
200
-
100
-
КТ61З9f
п-р-п
500
50
160
-
100
-
КТ61З9Д
п-р-п
500
50
120
-
100
-
КТ6140А
р-п-р
400
~700
30; 15**
5
50
:s;0,05 (12 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
145
ck,
Гкэнас' Ом
Кw,дБ
t., пс
ь.,,. ь;,э
с~2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р:х, Вт
t::ltJll НС
?:40 (10 В; 100 мА)
:<>2 (10 В)
-
-
-
КТ6132
:tf~IW
85 ... 160
-
-
-
-
КТ6133, КТ6134, KT613S
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
~IJ:~
85 .. .160
-
-
-
-
120... 200
-
-
-
-
160... 300
-
-
-
-
11')
~-•
~
11<')
....,..
50 ... 500
-
-
-
-
50 ... 500
-
-
-
-
50 ... 500
-
-
-
-
50 ... 500
-
-
-
-
?:50 (10 В; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
KT613S-9
?:50 (1О В; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
4,6
~50 (10 В; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
~
.t
?:50 (1ОВ; 50 мА)
-
:<>10; 16*
-
-
~
?:100 (10 В; 50 мА)
-
:<>12; 16*
-
-
?:50 (1ОВ; 20 мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
:<>2 (0,8 ГГц)
-
ЗI~
~ ~jll O.SS
448 1.S
1,5
100... 300 (1 В; 10 мА)
S4,5
:<>8
-
-
КТ6136, КТ6137
~IJ:~
100... 300 (1 В; 10 мА)
:S4
:S6
-
-
11')
~-
~
11<')
.....,
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
КТ6138, КТ6139, КТ6140
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40... 600 (!О В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
~IJ:~
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
11')
~-
40...600 (10 В; 30 мА)
-
:<>25
-
-
~
11<')
....,..
28."198 (5 В; 1 мА)
:<>1,7 (10 В)
:<>50
-
-
10 зак. 9

146
Раздел 2. БиnОЛRрНые транзисторы
Ркmах•
~. ~%!••
Uкoomax•
lк '""'
1
•кю•
Тип
Струк-
Р=. т max'
С1з•
trlCЭR ......
UЭБО max•
i
1~.
прибора
тура
Р;, н mu•
Сх•
V-кэо ..... •
в
1:.н max•
Гкэо,
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ6141А9
п-р-п
500
~3200
20
3
50
-
КТ6141Б9
п-р-п
700
~3200
20
3
70
-
КТ6142Л
1
п-р-п
600
6000
20
3
70
1
-
КТ6142Б
п-р-п
600
4000
25
3
100
-
1
КТ616А
п-р-п
0,3 Вт
~00
20*
4
400 (600*)
:515 (10 В)
КТ616Б
п-р-п
0,3 Вт
~00
20*
4
400 (600*)
:S15(IOB)
1
1
КТ617А
п-р-п
0.5 Вт
~150
30
4
400 (600*)
:55 (30 В)
IП618А
п-р-n
0,5 Вт
~40
зоо
5
100
:550* (250 В}
1
1
1
11
КТ620А
р-п-р
0.225 Вт
~200
50
з
400
:55 (50 В)
КТ620Б
р-п-р
0,5 Вт
~00
50
4
400
:55 (50 В)
IП624А-2
п-р-п
1Вт
~450
30
4
1000 (1300*)
:5100 (30 В)
1
КТ624АМ-2 п-р-п
1Вт
~450
30
4
1000 (1300*)
:5100 (30 В)
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
147
с,,
rкэнас• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
ь.,,. ь;,э
с~2э'
r~н•с' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р;~х' Вт
t:•ыlUI' НС
~50 (10 8: 50 мА)
-
~14** (О,5 ГГц)
:53,6 (О,5 ГГц)
-
1
КТ6141-9
~50 (10 8: 50 мА)
-
~9** (0,8 ГГц)
:54 (0,8 ГГц)
-
~i
~50 (!О 8; 50 мА)
-
~11 ** (0,8 ГГц)
:53 (0,8 ггц)
-
КТ6142
~40 (10 8; 50 мА)
-
~12** (0,8 ГГц)
:53 (0,8 ГГц)
-
tf
1
~~~
1
~
~
!
~40* (18; 0,5 А)
:515(108) 1
:Sl ,2
-
:550*
КТ616
~25* (18; 0,5 А)
:515 (10 8)
:Sl ,2
-
:515*
145,81/
;fi кфз
5
~30* (2 8: 0.4 AI
1 :515(108) j
:57
:5120
1
КТ617, КТ618
-
!
1
1
i
1
'
1
1
1
1
1
i
i
1
1
1
~бf
1
$
~30* (40 8; 1 мА)
:57 (40 8)
-
-
-
~
НЮ* (1О 8; 10 мА)
-
:52,5
-
-
КТ620
30... 100* (5 8; 0,2 А)
-
:52,5
-
1
:5100*
1
1
1
i
1
:No6~)3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
к
30.. .180* (0,5 8; 0.3 А)
:515 (5 8)
:59
-
:518
КТ624
1
1
~~и
1
1
/1\ t:::. 1
5К3
30... 180* (О.5 8; 0,3 А) 1 :515 (5 8)
:59
-
:518
КТ624М
1
3
1
-~~
К53
10·

148
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax'
~•• ~216•
UKБOma''
IKmax
•кw•
Тип
Струк-
Р;,тmах•
(;,j.
U~Rmax•
UЭБOmct).•
J~. и max•
·~ЭR•
прибора
тура
р;~нmах•
~~;)..
u~ma).'
в
·~·
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ625А
n-p-n
1Вт
~200
40* (5к)
5
1000 (1300*)
:530 (60 В)
1
1
1
1
~
1
1
1
1
!
1
КТ625АМ
n-p-n
1Вт
~200
60
5
1000 (1300*)
:530 (60 В)
КТ625АМ-2 n-p-n
1Вт
~200
60
5
1000
:530 (60 В)
КТ626А
p-n-p
6,5 Вт (6О0С)
~75
45
4
500 (1500*) 1
:510 (30 BI
КТ626Б
1
6.5 Вт (6О0С)
~75
60
4
500 (1500*) 1
:5150 (30 В)
p-n-p
IKT626B
p-n-p
6,5 Вт (6О0С)
~45
80
4
500 (1500*) 1 :51 мА (80 В)
KT626f
p-n-p
6,5 Вт (60°С)
~45
20* (О,lк)
4
0,5 (1,5*) А
:5150 (20 В)
КТ626Д
p-n-p
6,5 Вт (60°С)
~45
20* (0,1 к)
4
0,5 (1,5*) А
:5150 (20 В)
КТ629А-2
p-n -p
1 Вт (80°С)
~250
50
4,5
1000
:55 (50 В)
КТ629Б-2
p-n -p
1 Вт (80°С)
~250
50
4,5
1000
:55 (50 В)
1
1
1
1
i
1
КТ629БМ-2 1 p-n -p
1
1Вт
~250
50* (1 к)
4,5
1000
1
:55 (50 BI
1
1
КТ630А
n-p -n
0,8 Вт
~50
120
7
1000 (2000*)
:51 (90 В)
КТ630Б
n-p-n
0,8 Вт
~50
120
7
1000 (2000*)
:51 (90 В)
КТ6308
n-p -n
0,8 Вт
~50
150
7
1000 (2000*)
51 (90 В)
KT630f
n-p-n
0,8 Вт
~50
100
5
1000 (2000*)
:51 (40 В)
КТ630Д
1 n-p-n
0,8 Вт
~50
60
5
1000 (2000*)
:51 (40 BI
КТ630Е
1 n-p-n 1
0,8 Вт
~50
60
5
1 1000 (2000*)
1
:51 (40 8)
h
1
1
1
1
1
1
'
1
1
!
i
1
1
КТ630А-5
n-p-n
800
~50
120
1
7
1А(2*А)
:5100 (120 В)
КТ630Б-5
n-p -n
800
~50
120
7
1А(2*А)
:5100 (120 В)
КТ6308-5
n-p -n
800
~50
150
7
1А(2*А)
:5100 (120 В)
KT630f-5
n-p -n
800
~50
100
5
1А(2*А)
:5100 (100 В)
КТ632Б
p-n -p ! 0.5 Вт (45°С)
~200
1
120* (lк)
5
100 (350*1
:51 (120 В)
1
1
!
1
1
1
!
:
1
!1
1
1
!

Биполярные кремниевые транзисторы
149
1
1
1
1
'
~
с,,
rКЭнас• Ом
Кш1 дБ
1
LK, пс
i
h",, h~IЭ
с;21•
г~нас• Ом
r;, Ом
t:ac• НС
1
Корпус
1
1
пФ
к;.·,.. дБ
1
Р;:"' Вт
t::кn' НС
20...200* (1 В; 0,5 А)
s9(10B)
:52,4
-
:560
КТ625
2,2
1,5
~~d
1'\~
1
5к3
20...200* (1 В; 0.5 А)
1
:59(108)
:52,4
-
:560
1
КТ625М
20...200 (1 В; 0,5 А)
:59 (10 В)
:51,3
1
-
:560
J
1
1
-~~
К53
40 ... 260* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В)
:52
-
:5500
КТ626
30... 100• <2 в; 0.15 А) :5150 (10 В)
:52
-
:5500
15...45* (2 В; 0,15 А)
:5150 (10 В)
:52
-
:5500
Q;
15... 60* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В)
:52
-
:5500
Е:
40...250* (2 В; О, 15 А) :5150 (10 В)
:52
:5500
:::.: .
·8
-
:~
1
i
1
i
1
1
1
!
!
1
1
1
25...150* (5 В; 0.5 А)
:525(10В) 1
:52
-
90*
КТ629А-2, КТ629М
25". 150• (5 В; 0.2 А)
:525 (10 В)
:52
-
-
25... 150* (1,2 В; 0,5 А) :525 (10 В)
:52
-
90*
1.2
1.2
~~,~d
6к3
1
1
1
1
1
40...120* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
КТ6ЗО
80".240* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
40".120* (10 В; 150 мА) :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
~fWкфэ
40".120* (IO В; 150 мА) :515 (IO В)
:52
~5*
:5500**
80."240* (1 О В; 150 мА) :515 (10 В)
:52
~5·
:5500**
160.. .480* (10 В; 150 мА) :515 (10 В)
:52
~5*
:5500**
40".120 (10 В; 0,1 А)
:515 (10 В)
:53,3
-
-
КТGЗО-5
80."240 (1 О В; 0.1 А)
1
:515 (10 В) 1
:53,3
-
-
40".120 (10 В; 0.1 А)
:515 (10 В)
:53,3
-
-
1
0,32
40...120 (10 В; 0,1 AJ
! :515 (10 В)
:53,3
-
-
~шт
1
1
1
1
~50(1В;1мА)
:55 (20 В)
:525
-
:5100
КТ6З2
1
1
1
:РiкФэ
!
!
~

150
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~р• (216,
UKБOmax•
lк max
lкю•
Тип
Струк-
Р;, т max•
~:;1з•
U~Rmax•
UЭБОmах•
••
·~Rt
р~~иmах•
с·
u~max•
в
К, н max•
•••
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ6З2Б-1
1
р-п-р
350 (40°С)
>200
120* (1 к)
5
100 (350*)
~1 (120 В)
КТ6З2В-1
р-п-р
350 (40°С)
>200
120* (1 к)
5
100 (350*)
~1 (120 В)
'
КТ6ЗЗА
п-р-п
1,2 Вт
;?:500
30
4,5
200 (500*)
~10 (30 В)
КТ6ЗЗБ
п-р-п
1,2 Вт
;?:500
30
4,5
200 (500*)
~10 (30 В)
1
КТ6З4А-2
п-р-п
1,2 Вт
;?:1500
30
3
150 (250*)
~О.5 мА (30 В)
КТ6З4Б-2
п-р-п
1,3 Вт
;?:1500
30
3
150 (250*)
~1мА(30В)
1
КТ6ЗSА
п-р-п
0,5 Вт
;?:200
60
5
1 (1,2*) А
~30 (60 В)
КТ6ЗSБ
п-р-п
0,5 Вт
;?:250
60
5
1 (1,2*) А
~30 (60 В)
КТ6З7А-2
п-р-п
1,5 Вт
;?:1300
30
2,5
200 (300*)
~0.1 мА (30 В)
КТ6З7Б-2
п-р-п
1,5 Вт
;?:800
30
2,5
200 (300*)
~2мА(30В)
;
КТ6З8А
п-р-п
500
;?:200
110
5
100 (350*)
~0.1 мА (110 В)
КТ6З8А1
п-р-п
500
;?:200
120
5
100
~0.1 (120 В)

БunОЛRрные кремниевые транзисторы
151
1
ck.
l'кэнк• Ом
J[w•No
t'll , вс
1
1
hi1э• ь;IЭ'
1
с;2.•
"~_.ом
·~·Ом
t;... нс
Корпус
пФ
к.;~". д:Б
..-:.. Вr
t:.... ·~
50...350 (1 В; 1 мА)
:S:5 (20 В)
$25
-
SIOO
1
КТ632-1
150...450 (1О В; 1мА)
s5 (20 В)
$25
-
2000*
1
~IJ:tiЩ
1
1
1
i
1
1
~
~.
~
111)
... .....
40... 140 (1 В; 10 мА)
:!>4,5 (10 В)
s5
sб (20 мГц)
$30*
IП633
20...160 (l В; Ш мА)
:!>4,5 (10 В)
$5
s6 (20 мГц)
$30*
:Itщ3
1
-
1
s2,5 Н5 В) 1 ~1.4** (5 ГГц)
~.2** (5 ГГц)
s2
КТ634-2
-
S3 (15 В)
~1.4** (5 ГГц)
~.45** (5 ГГц)
SЗ,5
6 '\f
~:lзtw
~1 \.1!~1
25... 150* (1 В; 0,5 А)
:!>15 (10 В)
$1
-
s58; s60**
КТ635
20... 150* (I В; 0,5 А)
sIO(lOB}
SI
-
:!>58; Sб()**
1
i
;Ефкщэ
i
1
1
1
1
1
1
1
30... 140* (5 В: 50 мА) $4,5 (15 В)
-
~.5** (3 ГГц)
$3
IП637-2
30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В)
-
~.25** (3 ГГц)
SI5
~~~
1
~1 \.jft!1
1
1
1
1
1
50...350 (1 В; 10 llfA) 1 S8 f20 В)
$25
-
1
S25 tl* мкс}
КТ&38
1
i
1
§~
~50(10В;2мА)
sб
S25
11П638А1
1
;fWкщэ
1
1
1
1
1
1
i

152
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Струк-1 pKmax'
~•• ~216•
UKБOmax•
lкmax
lкоо•
Тип
Р;,тmах•
(;lэ•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,и max•
·~R•
прибора
тура 1
р~~ и max•
с·
u~max•
в
•••
."
мА
кэо•
1
мВт
Мfц
в
мкА
КТ639А
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
45
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639Б
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
45
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639В
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
45
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
KT639f
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
60
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639Д
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~80
60
5
1 1,5А(2*А) 1
:50,1 (30 В)
КТ639Е
р-п-р 1
1 Вт (35°С)
~80
100
5
1.5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
КТ639Ж
р-п-р
1 Вт (35°С)
~80
100
5
1,5А(2*А)
:50.1 (30 В)
КТ639И
1
р-п-р
1 Вт (35°С)
~80
30
5
1,5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
i
КТ639А-1
1
1
500 (30** Вт)
~80
45
5
1,5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
1
р-п-р
1
КТ639Б-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
45
1
5
1
1.5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639В-1
р-п-р
500 (30** Вт) 1
~80
45
1
5
1.5А(2*А) 1
:50,1 (30 В)
1
1
KT639f-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
60
1
5
1 1,5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
КТ639Д-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
60
5
1 1.5А(2*А)
1
:50,1 (30 В)
КТ639Е-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
100*
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639Ж-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
100*
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ639И-1
р-п-р
500 (30** Вт)
~80
30
5
1,5А(2*А)
:50,1 (30 В)
КТ640А-2 1
1
0.6 Вт (6О 0С)
~3000
25
!
3
60
1
:50,5 мА (25 В)
п-р-п
КТ640Б-2 ! п-р-п
0.6 Вт (6О 0С)
~3800
25
3
60
1 :50.5 мА (25 В)
КТ640В-2 i
0.6 Вт (60°С)
~3800
25
3
1
60
1
:50,5 мА (25 В)
п-р-п
1
1
1
1
i
1
1
КТ642А-2
п-р-п
500
-
20
2
1
60
:51 мА (20 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ642А-5
п-р-п
500
-
20
1
2
60
:51 мА (20 В)
1
1
КТ64ЗА-2
п-р-п
1, 1 Вт (50°С)
-
25
3
120
:51 мА (25 В)
1
КТ644А
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
60
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
КТ644Б
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
60
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
КТ644В
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
40**
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
KT644f
р-п-р
1 (12,5*) Вт
~200
40**
5
0,6А;1*А
:50,1 (50 В)
1
1
1
1
1
1
i!
1
!

Биполярные кремниевые транзисторы
153
ck,
rкэнас' Ом
кw,д6
tk, пс
hz," ь;,э
с;2з'
r;Эиас' Ом
r;, Ом
t;,.c, НС
Корпус
пФ
к;.·,.. дБ
Р;:" Вт
t::IUI, НС
40...100* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
КТ639
63...160* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
100... 250* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
;и;
40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
:-~
63...160* (2 В: 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
60...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
180.. .400* (2 В; О, 15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
40... 100 (2 В; 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
КТ639-1
40...160 (2 В; 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
90...160 (2 В; 0.15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
~tm5t
40".100 (2 В: 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
63".160 (2 В; 0,15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
40".100 (2 В; 0,15 А)
550 "О В)
51
-
5200*
63".160 (2 В; 0.15 А)
550 (10 В)
51
-
5200*
180".400 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В)
51
-
5200*
к
58 (6 ГГц)
КТ640-2
~15*(5В;5мА)
51,3 (15 В)
~6** (7 ГГц)
~О.1 ** (7 ГГц)
0,6
~15*(5В;5мА)
51,3 (15 В)
~6** (7 ГГц)
~О.1 ** (7 ГГц)
1
~IНр.
~15*(5В:5мА)
51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц)
~О.08** (7 ГГц)
1
...
О)
•
6
з
1
-
51,1 (158) ~3.5** (8 ГГц)
~0.1** (8 ГГц)
-
КТ642-2
~No
-
51,1 (15 В) ~3.5** (8 ГГц)
~0.1** (8 ГГц)
-
КТ642-5
0,45
0,1
~шт
-
51,8 (15 В)
-
~О.48** (7 ГГц)
-
КТ643-2
~No
40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (IO В)
52,7
-
5180*
КТ644
100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В)
52,7
-
5180*
40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В)
52,7
-
5180*
;~.
100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В)
52,7
-
5180*
:-~

154
Раздел 2. Биполярные транзи.сторы
Рк max' ·
\р. \216•
UКБО m.axt-
lк max
•кво•
Твп
Струк-
Р~. тm.ax'
~;lэ'
U"'КЭR m.axr
UЭБО max'
1:.к max"
rКЭR,
прибора
тура
PiZ' н max•
t:x'
U-кэо max'
в
rкэо,
мВт
м:rц
в
мА
мкА
КТ645А
п-р-п
0,5 {I*) Вт
2:200
60
4
0.3 А; 0.6* А
::;Ю tбО В)
IП645Б
n-p-n
500
2:200
40
4
300 (600*)
::;IO (40 В)
'
1
1
1
1
1
1
1
!
!
1
1
1
1
IП&4&А
n-p -n
l (2,5*) Вт
2:200
60
4(5)
lА;1,2 "А
::;10 (60 В)
IП&451t
п-р-п
1Вт
2:200
40
4
t А; 1,2" А•.
$:10 (40 В)
IПM&IJ
п-р-п
1Вт
2:200
40
4
rА;1,2"А
$:JO (40 В)
IП&47А-2
п-р-п 1
560
-
18
2
!Ю
$:! мА (18 В)
1
1
1
1
j!
1
IП&47А-5
n-p -n
560
-
18
2
90
$:1 мА (18 В)
1
1
К1'И8А-2
1
n-p-n
420
-
18
1
2
60
$:1 мА (18 В)
IП&48А-5
. n-p-n
420
-
18
2
60
$:! мА (18 В)
i
1
IT&53A
n-p -n
5Вт
2: 50
120*
7
rА
10* (120 В)
I1'&53Б
п-р-п
5Вт
~50
100*
7
1А
1€}* (IOO В)
IП557А-2
n-p -n
375 {ОО"С)
2:3 rrц
12*
2
60
$:1* мА 02 В)
П5575-2 1 n-p -n
375 (бО"С)
2:3 Гfц
12*
2
60
$:l* мА (12 В)
I1'~%. ! n.р-в
375 (ОО'С)
2:3 fГц
12*
2
60
:>l*мA(l2B)

Биполярные кремниевые транзисторы
155
ck,
rкэнк• Ом
Кш, дБ
т., пс
h21.• ь;,э
с;2.•
r~Энас.:• Ом
r;, Ом
t~c' НС
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;~х' Вт
t::кл, НС
20...200* (2 В; 0,15 А) 1 $5 (10 В)
$3,3
-
$120; $50*
1
КТ645
1
~80110В:2мА)
1 $5(10В)
1
-
-
-
1
~f,~
1
1
1
j
1
1
1
1
1
!<')
~-•
~•
'r)
-~
40...200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В)
$1,7
-
$120; $60*
КТ646
150... 200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В)
$1,2
-
$120; $60*
150... 300* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В)
$0,06
-
$120; $60*
~~: ·~
-
$1,5 (15 В) ~3** (10 ГГц)
0,2** (10 ГГц)
-
КТ647-2
1
i
{f~!W
-
$1,5 (15 В) ~3** (IO ГГц)
0,2** (10 ГГц)
-
КТ647-5
1
1
0,45
0,1
1
1
нЕJТ
1
i
1
!
1
1
-
$1,5 (IO В) ~3** (12 ГГц)
0,04** (12 ГГц)
-
КТ648-2
i
{f~!W
-
$1,5 (10 В) ~3* * (12 ГГц)
~О.04** (12 ГГц) i
-
КТ648-5
1
1
1
1
0,5
0,1
1
~шт
40...150 (10 В; 150 мА) $20 (10 В)
$3,3
$1 •• мкс
КТ65З
80...250 (IO В: 150 мА) $20 (10 В)
$3,3
$1 ** мкс
1
1
1
;~хф
i $1,1 (15 В)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц) 1
КТ657-2
-
1
-
60...200 (6 В: 30 мА) $1,1 (15 В)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц) 1
-
35... 70 (6 В; 30 мА)
! $1,1 (15 В)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц) 1
-
{f~
1
1
6

1
i
!
156
Тип
прибора
КТ657А-5
КТ657Б-5
КТ657В-5
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
КТ664А-9
КТ664Б-9
КТ665А-9
КТ665Б-9
j КТ666А-9
КТ667А-9
Струк-
тура
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
1 р-п-р
;
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1
п-р-п
п-р-п
1
i
:
1 п-р-п
i
1
!
!
р-п-р
1
1
1
1
'1
i
1
1
1
1
1
1
pKmax'
Р~.тmах•
р~:и max•
мВт
375
375
375
1Вт
0.5 Ет
0.5 Вт
0,4 Вт (1,8* Вт)
0,6 Вт (3* Вт)
300(1*Вт)
300(1•Вт)
300 (1 *Вт)
300(1• Вт)
300(1•Вт)
300(1*Вт)
1
1
1
i
1
1
~Р' \21б'
~;lj'
~~·;х,
Мfц
~3 ГГц
~3 ГГц
~3 ГГц
~300
~200
~200
~200
~200
~50
~50
~50
~50
~60
~40
'
1
1
1
1
UKБ0m.1x•
U~Rm11x•
U~Omax•
в
12*
12*
12*
60
50
30
60
60
120
100
120
100
300
300
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i
!
1
1
1
!
1
1
1
1
1
i1
1
UЭБО max•
в
2
2
2
6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
IKma"
1:.и max•
мА
60
60
60
1,2 А
0,8 А
0,8 А
lкw•
J~R'
1··
кэо•
мкА
$1* мА (12 В)
$1* мА (12 В)
$l*мА(12В)
$0,5 мА (60 В)
$1 (50 В)
$1 (30 В)
J 0,3А;0.6*А 1 $0.01 мА(50В)
1
1
1
1
1
1
0,4 А; 0,6* А $0,01 мА (50 В)
1
:1
1
!1
1
1
1
1A(l,5*A)
$10 (100 В)
IA(l,5*A)
$10 (100 В)
1
1А(1,5* А)
$10 (100 В)
1А(1,5* А)
$10 (100 В)
1
1
'
20 (50*)
1
$0.1 мА (300 BJ
!
1
i
'
i'!
20; 50*
$0,1 (300 В)
!
1
1
1
i
!
1
~

Биполярные кремниевые транзисторы
157
'
1
1
j
ck,
rкэнас' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
1
h2," ь;,э
с;2э'
r~на... • Ом
r;, Ом
t~al.'t НС
Корпус
пФ
к:.·•.. дБ
Р;:,, Вт
t::кл• НС
-
$1,1 (158)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
-
КТ657-5
60 ... 200 (6 8; 30 мА) $1,1 (158) ~8** (2 ГГц)
~0.05•• (2 ГГц)
-
0,5
0,1
35...70 (6 8; 30 мА)
$1,1 (158)
~8** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
-
~шт
~35* (1 8; 0,3 А)
$10 (10 8)
$9
-
$80**
КТ659
$кщэ
110... 220* ( 10 8; 0,2 А) $10 (10 8)
$1
-
-
КТ660
200...450* (1О 8; 0,2 А) $10 (10 8)
$1
-
-
~!f-~
~
~
~
~
100... 300* оо 8; 0.15А)1 $8 (10 8)
$3,2
-
$150**
КТ661
5....
з
~ офК
~
,....
100... 300* (IO 8; 0,15 А) $8 (10 8)
$3,2
-
$200**
КТ662
1
:Еiкщэ
40...250 (2 8; О,1А)
$25 (5 8)
$2,3
-
$700**
КТ664-9, КТ665-9 -
40...250 (2 8; 0,1 А)
$25 (5 8)
$2,3
-
$700**
4,6
-
1.6
~~~!
40...250 (2 8; О,15 А)
$25 (5 8)
$2
-
-
...
}дч
40...250 (2 8; 0.15 А)
1
$25 (5 8)
$2
-
~ 1о1~ !ss
-
-
448. ~5_
1,5
~50(IO8;5мА)
-
$80
-
-
КТ666А-9, КТ667А-9
1/,6
Ф=t
~50(108;5мА)
-
$80
-
-
ЗI~ s.... t5
дч
1
1
~1о1~o.ss
1
1
448 ~5_
1,5
1
i
1

158
Раздел 2. Биполярные транзисторы
iСтрук-1 Ркmах'
~р• \210•
UКБО max'
lк max
JКБО•
Тип
Р~. тmax'
~:;lз•
U~Rmax•
UЭБО max•
••
J~R•
прибора
тура 1
р~~и max•
~;;х,
U~Oma).'
в
К, и max•
•••
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ668А
p-n-p
0,5 Вт
~200
50
5
0,1 А
~15 нА (30 В)
КТ668Б
p-n-p
0,5 Вт
~200
50
5
0,1 А
~15 нА (30 В)
КТ6688
р-п-р
0,5 Вт
~200
50
5
0,1 А
~15 нА (30 В)
1
КТ680А
1 n-p-n
350 (85"С)
~120
30
5
0,6А(2*А)
~10 (25 В)
КТ681А
р-п-р
350 (85"С)
~120
30
5
0,6А(2*А)
~10 (25 В)
КТ682А-2
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~1 (lOB)
КТ682Б-2
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~1 (10 В)
КТ682А-5
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~100В)
КТ682Б-5
n-p -n
350
~4.4 ГГц
10
1
50
~100В)
КТ68ЗА
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
150* (3к) .
7
1А;2*А
~1 (90 В)
КТ68ЗБ
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
120* (3к)
7
1А;2*А
~1 (90 В)
КТ68ЗВ
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
120* (3к)
7
1
1А;2*А
1
~1 (90 В)
КТ68ЗГ
1 n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
100* (3к)
5
1
1А;2*А
~1 (40 В)
КТ68ЗД
1 n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
60* (3к)
5
1А;2*А
~1 (40 В)
КТ68ЗЕ
n-p-n
1,2 (8*) Вт
~50
60* (3к)
5
1А;2*А
~1 (40 В)
КТ684А
p-n-p 1
0,8 Вт
~40
45* (1 к)
5
1А(1,5*А)
~0.1 (30 В)
КТ684Б
p-n-p
0,8 Вт
~40
60* (lк)
5
1А{1,5*А)
~0.1 (30 В)
КТ6848
p-n-p
0,8 Вт
~40
100* Ок)
5
1А0.5*А)
~О.1 (30 В)
КТ684Г
p-n-p
0,8 Вт
~40
30
5
1А0.5*А)
~0.1 (30 В)
1
КТ685А
p-n-p
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~О.02 (50 В)
КТ685Б
р-п-р
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~0.01 (50 В)
КТ685В
р-п-р
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~О.02 (50 В)
КТ685Г
p-n -p
0,6 Вт
~200
60
5
0,6 А
~О.01 (50 В)
КТ685Д
p-n-p
0,6 Вт
~350
30
5
0,6 А
~О.02 (25 В)
КТ685Е
p-n-p
0.6 Вт
~250
30
5
0,6 А
~О.02 (25 В)
КТ685Ж
p-n -p
0,6 Вт
~250
30
5
0,6 А
~О.02 (25 В)
КТ686А
p-n-p
0,625 {1,4*) Вт
~100
50* (О)
5
0,8 А (1,5* А)
~О.1 (45 В)
КТ686Б
p-n-p
0,625 0 .4*) Вт
~100
50* (О)
5
0,8 А (1,5* А)
~0.1 (45 В)
КТ6868
p-n-p
0,625 0,4*) Вт
~100
50* (О)
5
0,8 А (1,5* А)
~0.1 (45 В)
КТ686Г
p-n-p
0,625 (1,4*) Вт
~100
30* (О)
5
0,8А0,5*А)
~0.1 (25 В)
КТ686Д
p-n-p
0,625 0.4*) Вт
~100
30* (О)
5
0.8А0.5*А)
~0.1 (25 В)
КТ686Е
! р-п-р
0,625 0 .4*) Вт
~100
30* (О)
5
0,8 А 0,5* А)
~0.1 (25 В)
КТ686Ж
1 p-n-p
1 0.625 (1,4*) Вт
~100
30* (О)
5
0,8А0,5*А)
~0.1 (25 В)
!
1
1
1
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
1
1
75...140 (5 В; 2 мАI
125...250 (5 В; 2 мА)
220...475 (5 В; 2 мА)
85... 300* (1 В; 0,5 А) 1
i
1
85...300• о в; о.5 AJ · j
40...45 (7 В; 2 мА)
80...120 (7 В; 2 мА)
S7
S7
S7
S0,9 (!О В)
~9 (10 В)
40...45 (7 В; 2 мАt 1 S0,9 (IO В)
80...120 (7 В; 2 мА) 1 SO.~ (!О В)
40.. .1 20* (IO В; 0,15 А)
80...240* (10 В; 0,15 А)
40... 120* (10 В; 0,15 А)
40.. .1 20* (IO В; 0.15 А)
80...240* (IO В; 0.15 А)
160.. .480* (10 В; 0,15 А)
40 ...250* (2 В; 0,15 А)
40.. .160* (2 В; 0,15 А)
40.. .1 60* (2 В; 0,15 А}
180.. .400 (2 В; 0,15 А)
40.. .120* (10 В; 0,15 А)
40.. .120* (10 В; 0.15 А)
100... 300* (10 В; 0.15 А)
100...300* (10 В; 0,15 А)
70...200* (1 В; 0,15 А)
40...120* (1 В; 0,3 А)
100...300* ( 1 В: 0.3 А)
100...250* (1 В; 0,1 М
160...400* (1 В; 0,1 А)
250...630* (l В; 0,1 А)
100...250* (1 В; 0,1 А)
160...400* (1 В; 0.1 А)
250... 630* (1 В: 0.1 А)
1
1
1
100...250* (1 В: 0,1 А) 1
1
1
Sl5 (IO В)
Sl5 (10 В)
S15 (10 В)
Sl5 (10 В)
S15 (IO В)
Sl5 (10 В)
s50 (10 В)
S50 (10 В)
SSO (10 В)
S50 (10 В)
$800В)
$8 (10 В)
S8 (10 В)
S8 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (IO В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (!О В)
Sl2 (10 В)
Sl2 (10 В)
rкэ""' Ом
r~иас• Ом.
к;::,_• .1.Б
s6.5
S6,5
S6,5
S0,5
S0,5
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
S3; sб.6*
S3; S6.6*
S3; S6.6*
S3; S6.6*
S3; S6.6*
S3; Sб.6*
Sl
Sl
sl
SI
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
S2,6
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Sl,4
Кш, .1.Б
r;, Ом
Р:х' Вт
SIO (!кГц)
SIO (!кГц)
SIO (!кГц)
S4 (3,6 ГГц)
S4 (3,6 ГГц)
4 (3,6 ГГц)
S4 (3,6 ГГц)
S8*
S8*
S8*
S8*
S8*
S8*
1
т•• пс
t;...,, вс
t:.IUI, НС
S500**
s500**
S500**
s500**
S500**
S500**
S80*
S80*
S80*
S80*
S80*
Sl50
Sl50
159
Корпус
КТ668
КТ680, КТ681
КТ682-5
0,4
0,1
~rВТ
КТ684
КТ685
КТ&86

160
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~•• \210•
UКБО max'
lкmax
lкоо•
Тип
Струк-
P~.тmaxt
~:;lз'
U~Rmax'
UЭБОmах'
•:,м max'
I:СЭн•
р~~ н max•
с·
u~max•
в
•••
прибора
тура
."
КЭО•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ692А
р-п-р
1Вт
~200
40
5
lA
sO.l (30 В)
1
1
1
1
1
1
КТ695А
п-р-п
450
~300
30
4
30
SO,l (30 В)
КТ698А
п-р-п
600
~150
90*
4
2А
S20* (90 В)
КТ698Б
п-р-п
600
~150
70*
4
2А
S20* (70 В)
КТ698В
п-р-п
600
~150
50*
4
2А
S20* (50 В)
KT698f
п-р-п
600
~150
30*
4
2А
S20* (30 В)
КТ698Д
п-р-п
600
~150
12*
4
2А
S20* (12 В)
КТ698Е
п-р-п
600
~150
12*
4
2А
S20* (12 В)
КТ698Ж
п-р-п
600
~150
120*
4
2А
S20* (120 В)
КТ698И
п-р-п
600
~150
160*
4
2А
S20* (160 В)
КТ698К
п-р-п
600
~150
200*
4
2А
S20* (200 В)
КТ704А
п-р-п
15* Вт (50"С)
~3
500* (!ООО имп.)
4
2,5 (4*) А
S5* мА (1000 В)
КТ704Б
п-р-п
15* Вт (50"С)
~3
400* (700 имп.)
4
2,5 (4*) А
S5* мА (700 В)
КТ704В
п-р-п
15* Вт (50"С)
~3
400* (500 имп.)
4
2,5 (4*) А
S5* мА (500 В)
1
КТ708А
р-п-р
5Вт
~3
100; 80*
5
2А
-
КТ708&
р-п-р
5Вт
~3
80; 60*
5
2А
-
КТ708В
р-п-р
5Вт
~3
60; 40*
5
2А
-
КТ709А
р-п-р
30 Вт
~3
100; 80*
5
10А
-
КТ709Б
р-п-р
30 Вт
~3
80; 60*
5
10А
-
КТ7098
р-п-р
30 Вт
~3
60; 40*
5
10А
-
КТПОА
п-р-п
50* Вт (50"С)
-
3000* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
S2 мА (3000 В)

Биполярные кремниевь1е транзисторы
161
ck,
rкэ••,. Ом
Кw1 дБ
t., пс
h21.• ь;,э
с;2з•
r~нас• Ом
r;, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к;.",.• дБ
Р;~х' Вт
t::IUI, НС
~20(1В;0,5А)
s20 (30 В)
sl
-
s90**
КТ692А
1
~кфз
1
50...200 (10 В; 1 мА)
Sl,5 (10 В)
-
-
-
КТ695А
~tm.tк
~20*(5В;1А)
1
s74 (5 В)
so.12
-
S245*
КТ698
~20*(5В;1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
S245*
~50*(5В; 1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
S245*
~50*(5В;1А)
S74 (5 В)
$0,12
-
S245*
~I!:~
~50*(5В;1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
$245*
~50*(5В; 1А)
S74 (5 В)
s0,12
-
S245*
~30*(5В;1А)
S74 (5 В)
S0,12
-
S245*
~30*(5В;1А)
.s74 (5 В)
s0,15
$245*
~
.. : :t-•
•
-
~
~
~30*(5В; 1А)
s74 (5 В)
S0,17
-
S245*
.. ..,
10.. .100* (15 В; 1 А)
s50 (20 В)
S2,5
-
-
КТ704
10... 100* (15 В; 1 А)
s50 (20 В)
$2,5
-
-
~10*(15В; 1А)
s50 (20 В)
$2,5
-
-
~ttll
-
к
.
~. t::: 1~5
~500
-
Sl
КТ708
~700
-
Sl
~700
-
Sl
;[фкфз
$1
.sl
.Sl
~500
-
Sl
КТ709
~700
-
Sl
~700
-
$1
11~
°'No· ~
О\
......
-
-
"=>
.,..,
.
g
к
~3.5(10В;4А)
-
S0,9
-
30000*
КТ710
п1~
~ffli ~
~
к
11 зак. 9

162
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
Рк,...•
f,,,.~,••
Uкоо .... •
lк ....
Iкво,
Тип
Р~.т maxt
~~lз'
1Гкэи...,х•
UЭБО .... •
1;. М IПl'Xt
1~,
прибора 1
тура
р;: •шах'
Сх,
1Г"кэо...,,•
в
1~,
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ712А
p-n-p
1,5 (50*) Вт
~з
200
5
10 (15*) А
Sl мА (200 В)
КТ7125
p-n-p
1,5 (50*) Вт
~з
160
5
10 (15*) А
SI мА (160 В)
1
КТ715А
n-p-n
75* Вт (5О0С)
~0,45
5000
5
2А
Sl мА (5000 В)
1
КТ716А
n-p -n
1 Вт {60 Вт*)
~6
100
5
8А
s0,1 мА
КТ7165
n-p -n
1 Вт (60 Вт*)
~6
80
5
8А
SO,I мА
КТ716В
1
n-p -n
1 Вт (60 Вт*)
~6
60
5
8А
SO,I мА
КТ716f
n-p-n
1 Вт (60 Вт*)
~6
45
5
8А
SO,I мА
1
КТ719А
n-p -n
10* Вт
~з
120
5
1,5 А
-
КТ720А
p-n -p
10* Вт
~з
120
5
1,5А
-
КТ721А
n-p -n
25* Вт
~з
120
5
1,5 А
-
КТ722А
p-n -p
25* Вт
~з
120
5
1,5 А
-
КТ723А
n-p-n
60* Вт
~з
120
5
IOA
-
-КТ724А
p-n -p
60* Вт
~з
120
5
IOA
-
КТ728А
n-p -n
115* Вт
~2.5
60
7
15А
S0,7 мА (60 В)
КТ729А
n-p -n
150* Вт
~.2
50
5
30А
S2мА(50В)
КТ729Б
n-p -n
150* Вт
~.2
100
7
20А
s5 мА (100 В)
i
1
1

1
1
1
Биполярные кремниевые транзисторы
h21.• ь;,э
~500•(5В:2А)
~400*(5В;2А)
1
1
i
1
~15 (10 В; 0,2 А)
~750(5В;5А)
~750(5В;5А)
~750(5В;5А)
~750(5В;5А)
~20 (2 В: 0,15 А)
~20(2В:0.15А) 1
1
~20(2В: 1А)
~20(2В; 1А)
~20(5В;5А)
~20(5В;5А)
20...70 (5 В; 4 А)
15... 60* (4 В: 15 А)
15...60 (4 В; 10 А)
11'
с••
с;2.•
пФ
-
-
-
150 (5 В)
150 (5 В)
150 (5 В)
150 (5 В)
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
rкэнас' Ом
r~нас• Ом
к;_·р.• д&
$l
$1
:515
:50,4
:50,4
$0,4
$0,4
$1,2
$1,2
$0,6
$0,6
$0,4
:50,4
$0,3
$0,13
$0,14
163
Кш,д6
tк, ПС
r~. Ом
t~ac• НС
Корпус
Р;:х• Вт
t::1и1• НС
-
-
КТ712
-
-
:ft
ЗК6
-
:527500*
КТ715
~·....
~.
~
6.25
-
$7000*
КТ716
-
$7000*
-
$7000*
:ft
-
:57000*
ЗК6
-
-
1
КТ719, КТ720
11
-
-
1
1
~иw
1
1
::;.
·8
=~
-
-
КТ721, КТ722
-
-
~;
1
:·~
-
-
-
КТ72З, КТ724 ..
-
-
:fjtЗК6
1
'
1
-
1
-
1
КТ728, КТ729
~
1
1
'
1
1
1
!

164
Раздел 2. Биполярные транзисторы
PKm.ax'
Тип
Струк-
P~.Tffiil),t
прибора
тура
р~~ М W111X t
мВт
МГц
UKБOm;,кt
JK m;,к
•кw•
U~Rma).t
UЭБOm;,xt
·~'И m.aAt
·~·
u~milx'
в
г
мА
кэо•
в
мкА
КТ730А
n-p -n
150* Вт
<::0,2
160
7
16А
$2 мА (140 В)
1
!
1
i
1
:
1
1
1
~
1
1
1
!
КТ731А
n-p-n
1Вт;10*Вт
<::30
25; 20**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
КТ731Б
n-p -n
1Вт;IO*Вт
<::30
40; 35**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
КТ731В
n-p -n
1Вт;10*Вт
<::30
60; 55**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
КТ731Г
n-p -n
1Вт;10*Вт
<::30
80; 70**
5
1,5А;3*А
:<>20 (30 В)
1
'
1
1
1
1
1
u
1
1
1
1
1
Jкпз2л 1
1
90* Вт
2::1
160
7
16А
0,75 мА
n-p-n j
1
1
1
20* А
(\60 В)
1
КТ733А
p-n-p
90* Вт
2::1
160
1
7
16А
0.75 мА
!1
i
1
20* А
(160 В)
'
1
1
!
'
1
'
1
'
i
i
1
ri
,,
1
~
1
1
i
!
1
i
i
i
i
i
1
1
1
КТ734А
1
40* Вт
<::3
40
1
5
! 3А;5А*
1
S0.3** (30 В)
n-p-n
1
КТ734Б
n-p -n
40* Вт
<::3
60
5
3А;5А*
s0.3* (30 в>
КТ734В
n-p -n
40* Вт
<::3
80
5
3А;5А*
S0,3* (60 В)
КТ734Г
n-p -n
40* Вт
2::3
100
5
3А;5А*
s0,3* (60 В)
КТ735А
p-n-p
40* Вт
<::3
40
5
3А;5А*
so.3 · (30 В)
КТ735Б
p-n-p
40* Вт
2::3
60
5
3А;5А*
s0.3* (30 В)
IКТ735В
1
p-n -p
40* Вт
<::3
1
80
1
5
3А;5А*
s0.3* (60 В)
КТ735Г
p-n-p
40* Вт
2::3
100
1
5
3А;5А*
S0.3* (60 В)
i
i
;
i
;
1
К1736А
1
1
65* Вт
1
<::3
40
5
1 6А; IOA*
$0,7* (30 В)
1 n-p-n
КТ736Б
1 n-p-n 1
65* Вт
<::3
1
60
5
1
6А;1ОА*
s0.7* (30 В)
1
КТ736В
1 n-p-n !
65* Вт
2::3
80
5
1
6А;10А*
S0.7* (60 В)
КТ736Г
n-p-n
65* Вт
2::3
100
5
6А;10А*
S0.7* (60 В)
КТ737А
p-n-p
65* Вт
<::3
40
5
6A;IOA*
s0,7* (30 В)
КТ737Б
p-n-p
65* Вт
<::3
60
5
6А; IOA*
S0,7* (30 В)
КТ737В
p-n-p
65* Вт
<::3
80
5
6А;10А*
s0,7* (30 В)
КТ737Г
p-n-p
65* Вт
2::3
100
5
6А;10А*
s0,7* (30 В)
1
i
i
1
КТ738А
! n-p-n
! 90Вт
<::10
70
5
10А
1
1мА(100В)
ri
1
1
1
'
i
1
i
!
1
1
i
j
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Бипопярнь1е кремниевые транзисторы
165
:
1
rкэнас' Ом
Кш, дБ
1
!
с,,
t'кt ПС
'
hz,,• ь;,э
с;2,•
r~нас' Ом
r~, Ом
1
t;_, НС
Корпус
пФ
к;~". дБ
Р;:х' Вт
t;ыкл• НС
15...60: (4 В; 8 А) !
-
~О.17
-
-
КТ730
п1~
~Noii ~·
..,.
..
-
к
~40 (10 В; 50 мА)
-
S0,5
-
-
КТ731
~40 (10 В; 50 мА)
-
S0,5
-
-
~40 (10 В; 50 мА)
-
S0,5
-
-
~иw
~30(10В:50мА) 1
-
S0,5
-
-
1
1
:·~
1
~15(2В;8А)
-
s0,25
-
-
КТ732
~8(4В;16А)
nt~
1
1
~No- ·~.
1
~15(2В:8А)
-
s0,25
-
-
КТ7ЗЗ
~8(4В;16А)
1
п1~
~Noii ·~.
~25(4В;1А)
-
s0,4
-
-
КТ734, КТ735
~25(4В;1А)
-
S0,4
-
-
~10(4В;3А)
-
s0,4
-
-
~fjt
~10(4В;3А)
-
S0,4
-
-
~25(4В;1А)
1
-
s0,4
-
-
~25(4В;1А)
-
S0,4
-
-
~
D
~10(4В;3А)
-
S0,4
-
-
ЗКI
~10(4В;3А)
-
S0,4
-
-
~30(4В;3А)
-
S0,25
-
-
КТ736, IП737
~30(4В;3А)
-
s0,25
-
-
~15 (4 В; ЗА)
-
s0,25
-
-
:ft
~15(4В;3А)
-
s0,25
-
-
~30 (4 В: ЗА)
-
S0,25
-
-
~30(4В:3А)
-
S0,25
-
-
~15 (4 В; ЗА)
-
s0,25
-
-
~15 (4 В; ЗА)
S0,25
ЗК6
-
-
-
'
20...70 (4 В; 4 А)
-
S0,3
-
SI**
КТ738
~r
1
IКЗ
-
1

166
Раздел 2. Биполярные транзисторы
iСтрук-1
!
1·
'
pKm.ax•
~•• f ,;210•
UKБOmax•
JKmax
•кw•
Тип
Р~. тmax•
~;lз•
u~RmaAI
UЭБOmdA'
J~.н max•
i ·~ЭR'
прибора ! тура 1
р~~ и m.ax•
~::х•
U~Omax•
в
l~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ739А
р-п-р
90 Вт
~10
70
5
IOA
1мА(100В)
1
КТ740А
1
п-р-п 1
125* Вт
-
200
5
20А
-
1
1
1
i
1
i
КТ740Аl
n-p-n
60* Вт
-
200
5
20А
-
!
1
1
1
'
1
1
i
1
i
~
1
1
1
Q
КТ801А
n-p -n
5* Вт (55°С)
~10
80* (О,lк)
2,5
2А
10* мА (80 В)
КТ801Б
n-p -n
5* Вт (55°С)
~10
60* (О,lк)
2,5
2А
10* мА (60 В)
!
КТ802А
1 n-p-n
50* Вт
~10; ~20
150; 180
3;5
5А
1
~60 мА (150 В)
1
1
КТ803А
n-p-n
60* Вт
~20
60* (О,!к)
4
10А
~5* мА (70 В)
КТ805А
n-p -n
30 Вт
~20
60* (160 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805Б
n-p -n
30 Вт
~20
60* (135 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805АМ 1 n-p-n
30* Вт (50°С)
~20
60* ( 160 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805БМ
1
п-р-п
30* Вт (50°С)
~20
60* ( 135 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
КТ805ВМ
n-p-n
30* Вт (50°С)
~20
60* ( 135 имп.)
5
5(8*)А
~15* мА (60 В)
1
1
1
-
КТ807А
n-p -n
10* Вт (70°С)
~5
100*
4
0,5; 1,5* А
~5* мА (100 В)
КТ807Б
n-p -n
10* Вт (70°С)
~5
100*
4
0,5; 1,5* А
~5* мА (100 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
167
с,,
rкэ-• Ом
Kw, .11.Б
т., пс
h2," ь;,э
с;2"
r.;.. ...,, Ом
r~1 Ом
t;.., нс
Корпус
пФ
к~·". .11.&
Р:,, Вт
t:.... вс
1
20...70 (4 В; 4 А)
1
-
:50,3
-
:50, 7**
КТ739А
1
=EmT
!
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
:('
а
i
1
1
IКЗ
~30
-
:50,125
-
1
-
1
IП740А
1
~r
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
!
1
6КЗ
1
1
~30
1
:50, 125
1
!
IП740А1
-
-
-
1
1
i
ft
1
1
6113
i
1
15...50* (5 В; 1 А) 1
-
:52
1
-
1
-
1
КТ801
30...150* (5В; 1А) 1
:52
1
1
!
-
-
-
1
:~~i
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
к
~15*(10В;2А)
-
:51
-
-
ктаеz.. IП803, КТ805
~5- ,,J~
10...70* (10 В; 5 А)
:5250 (20 В)
:S0,5
-
:5190**
.~oL'(fd~
.~J1rt.
~
~11 ~~\'4~ ~
~15*(10В;2А)
1
:50,5
......
....
......:: ~
-
-
-
~15*(10В;2А)
-
:51
-
-
~15*(lOВ;2А)
-
S0.5
-
-
IПOUI
~15*(IOВ;2А)
-
Sl
-
-
:ft
~15*(ЮВ;2А)
-
$1,25
-
-
1
316
r5.. .45* (5 В; o.s AJ
-
:52
-
-
IП807
зо... rоо• (5 в: о.5 А)
-
:52
-
-
~!t~t*

168
Раздел 2. Биполярные mранзисторь1
'
1
~•• ~216•
1
!
1
!
IКБО,
1
'
Ркmах'
UKБOmax• !
lк max
1
Тип
J Струк-1
Р~.тmах•
\;1з•
U~Rmax•
UЭБО max•
··~.и max'
1
J~R'
р~~ н max•
с·
U~Omax•
1
1··
прибора 1 тура 1
1
в
1
."
мА
КЭО•
мВт
мrц
в
мкА
КТ807АМ
п-р-п
1
10* Вт (70°С)
2':5
100* (lк)
4
1
0,5 (1.5*) А
1
S5* мА (100 В)
КТ807БМ
п-р-п
10* Вт (70°С)
2':5
100* (1 к)
4
0,5 (1,5*) А
s5* мА(100В)
1
1
!
!
i
1
1
1
i
1
i
КТ808А
1 п-р-п 1
50* Вт (50°С)
2':7,2
120* (250 имп.)
4
1
1ОА
1
S3* мА (120 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
КТ808А1
п-р-п
70* Вт
2':8
130*
5
1ОА
S2* мА (130 В)
КТ808Б1
п-р-п
70* Вт
2':8
100*
5
1
1ОА
S2* мА (100 В)
КТ808В1
i п-р-п
70* Вт
2':8
80*
1
5
1ОА
1 S2*мА(80В)
КТ808П
1
п-р-п
1
70* Вт
2':8
70*
5
1ОА
S2* мА (70 В)
КТ808АЗ
п-р-п
70* Вт
2':8
130
5
10 (15*) А
S2* мА (130 В)
КТ808БЗ
п-р-п
70* Вт
2':8
100
5
10(15*)А
S2* мА (100 В)
1
1
1
КТ808АМ
п-р-п
60* Вт (50°С)
2':8
130* (250 имп.)
5
IOA
S2* мА (120 В)
КТ808БМ
п-р-п
60* Вт (50°С)
2':8
100* (160 имп.)
5
10А
S2* мА (100 В)
КТ808ВМ
п-р-п
60* Вт (50°С)
2':8
80* (135 имп.)
5
10А
S2* мА (100 В)
ктsоsrм
n-p -n
1
60* Вт (50°С)
2':8
70* (80 имп.)
5
IOA
2':2* мА (70 В)
КТ809А
п-р-п
40* Вт (50°С)
2':5,1
400* (О,Оlк)
4
3А;5*А
s3* мА (400 В)
1
1
1
..::;:;:.-
~
!
КТ8101А
п-р-п
2 Вт; 150* Вт
2':10
200
6
16А(25*А)
SI мА (200 В)
КТ8101Б
п-р-п
2 Вт; 150* Вт
2':10
160
6
16А(25*А)
SI мА (160 В)
КТ8102А
р-п-р
2 Вт; 150* Вт
2':10
200
6
16А(25*А)
SI мА (200 В)
КТ8102Б
р-п-р
2 Вт; 150* Вт
2':10
160
6
16А(25*А)
SI мА (180 В)
КТ8104А
р-п-р
150 Вт
2':10
350
1
5
1
20А(25А*)
1
S0,7 мА (350 В)
1
1
1
!
1
1
1
1
i
i
!
i
i
1
1
1
1
i
1
1
!
1
'
!
1
i

Биполярные кремниевь1е транзисторы
169
ck,
rкэиас• Ом
кw,д&
't._, пс
h21.• ь;,э
с;2.•
r~нас• Ом
r;, Ом
t~.... нс
Корпус
пФ
к;.·р.• д&
Р;:,. Вт
t::..... нс
15...45* (5 В; 0,5 А)
-
$2
-
-
КТ807М
30... 100* (5 В; 0,5 А)
-
$2
-
-
:;~
10...50* (3 В: 6 А)
S500 (10 В)
-
-
$2000*
КТ808
~if6
20...125 (3 В; 2 А)
S500 (10 В)
S0,33
-
-
КТ808-1
20...125 (3 В; 2 А)
S500 (!О В)
S0,33
-
-
~r
20...125 (3 В: 2 А)
S500 (IO В)
S0,33
-
-
20...125 (3 В; 2 А)
S500 (10 В)
$0,33
-
-
6КЗ
20...125 (3 В; 2А)
S500 (100 В)
-
-
$2000*
КТ808-3
20...125 (3 В; 2 А)
s500 (100 В)
-
-
$2000*
~ttt.'
~
D
ЗК6
20...125* (3 В: 2 А)
S500 (100 В)
S0,33
-
$2000*
КТ808М
20...125* (3 В; 2 А)
S500 (100 В)
S0,33
-
$2000*
"'' ~
20...125* (3 В; 2 А)
S500 (100 В)
S0,33
-
$2000*
;fWi ~.
20... 125* (3 В; 2 А)
S500 (100 В)
$0,33
-
$2000*
15...100* (5 В; 2 А)
Sl50 (20 В)
S0,75
-
$4000*
КТ809
~••
~20*(!ОВ;2А)
SOOO (5 В)
$3,3
-
-
КТ8101, КТ8102
~20*(10В;2А)
SIOOO (5 В)
$3,3
-
-
~r
~О*(!ОВ;2А)
SIOOO (5 В)
$3,3
-
-
~О*(10В;2А)
SIOOO (5 В)
$3,3
-
-
6КЗ
1000(5В:5А)
-
<0,2
-
-
КТ8104
""~
~Noi~
~
/(

170
'Раздел Z. Биполярные транзисторы
pKm.ax '
~.. ~...
UКБО max'
lк max
•коо•
Тип
Струк-
Р;.т m.ax'
ii:;1~·
(fКЭR max•
Uэоо max•
1:.н max•
·~·
р;. Н INIJI: 1
с;х,
(f~max•
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
IKT8105A
1
п-р-п 1
150 Вт
~10
200
5
20А(25А*)
1
SO.7 мА (350 В)
1
1
11
1
1
1
1
1
1
1
IП8106А
п-р-п
2 Вт; 125* Вт
~1
90*
5
20А(30*А)
-
К.Т81065
п-р-п
2 Вт; 125* Вт
~1
60
5
20А(30*А)
-
1
К.Т8107А
п-р-п
1
100* Вт
~7
1500 (700*)
5
8АН5*А)
s0,7 мА (1500 В)
КТ81075
п-р-п
125* Вт
~7
1500 (700*)
5
5А(7,5"А)
sO,T мА (1500 В)
K1'8107ll
n-p -n
50* Вт
~7
1500 (600*)
5
5А(8"А)
S0,7 мА (1500 В)
К.Т810П
п-р-n
100 Вт
~7
1500
б
10А
s0,7 мА (1500 В)
КТ8107Д
п-р-п
100 Вт
~7
1200
б
IOA
S0,7 мА (1200 В)
КТ8101Е
П·р·П
100 Вт
~7
1000
6
10А
s0,7 мА (1000 В)
К.Т8107А2
п-р-п
100* Вт
~7
1500 (700*)
5
8А(15*А)
S0,7 мА (1500 В)
К.Т8107&2
п-р-n
125* Вт
~7
1500 (700*)
5
5 А (7,5* А) S0.7 мА (1500 В)
КТ8107В2
п-р·п
50* Вт
~7
1500 (600*)
5
5А(8*А)
S0,7 мА (1500 В)
К.Т81&71'2 1 п-р-п
100* Вт
>7
1500
6
10А
s0,7 мА (1500 В)
К.Т8107Д2 1 п-р-п
100* Вт
>7
1200
6
10А
s0,7 мА (1200 В)
К.Т8107Е2
п-р-п
100* Вт
>7
1000
б
10А
S0,7 мА (1000 В)
КТ8108А
п-р-п
70" Вт
~15
850
5
5 (7"')
0,5 мА (850 В)
К.Т8108Б
п-р-п
70* Вт
~15
850
5
5 (7*)
0,5 мА (850 В)
КТ8108В
п-р-п
70* Вт
~15
900
5
5 (7*)
0,5 мА (900 В)
КТ8108А-1
n-p·n
70* Вт
15
850
5
5(7*)А
s0,5 мА (850 В)
К.Т81085-1
п-р-п
70* Вт
15
850
5
5(7*)А
s0,5 мА (850 В)
КТ8108В-1
п-р-п
70* Вт
15
900
5
5(7*)А
s0,5 мА (850 В)
К'Пt88А
п-р-п
80* Вт
~7
350
5
7А(10*А)
s3 мА (350 В)
КТ81096
п-р-п
80" Вт
~7
300
5
7А(10*А)
S3 мА (300 В)
IП8U8A
1 п-р-п
2Вт:60*Вт
~о
500
5
7А(14*А) 1 SIOOO(500В)
КТ81105
1
п-р-п
2Вт;60*Вт
~20
500; 400••
5
7А(14*А)
:!>100 (400 В)
КТ8110В
n-p -n
2Вт;60*Вт
~20
500; 350"*
5
7А(14*А)
slOO (400 В)

:
1
1
1
!
!
11
Биполярные кремниевые транзисторы
h2," ь;,э
;e:lOOO (5 В; 5 А)
750 ... 18000 (10 В; 5 А)
750...18000 (1 О В; 5 А)
;е:2,25* (5 В; 4.5 А)
;е:2,25* (5 В; 4,5 А)
8...12* (5В; 1А)
;е:2,25* (5 В; 4,5 А)
;е:2,25* (5 В; 4,5 А)
8...12* (5В; 1А)
10 50(5В·О5А)
...
40...80 (5 В: 0.5 А)
10...50 (5 В; 0.5 А)
10...50* (5 В; 0,5 А)
40...80* (5 В; 0,5 А)
10...50* (5 В; 0,5 А)
;е:150• (5 В; 2.5 А)
;е:150* (5 В; 2.5 А)
15...30* (5 В; 0,8 А)
15...30* (5 В; 0,8 А)
15...30* (5 В; 0,8 А)
с,,
с~2"'пФ
-
1
1
i
1 :5700 (IO В)
1 :5700 (10 В)
1
-
1
-
<75 (15 В)
-
1 :575 (15 В)
1
:575 (15 В)
1
:575 (5 В)
:575 (5 В)
:575 (5 В)
1
-
1
1
-
!
i1
-
-
-
1
!1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11
1
rкэнаt·' Ом
r~э наt·• Ом
к;.·•.. дБ
<0,2
:50,4
:50,4
:50,22
:50,65
:50,22
:50,22
:50,4
:50,4
:50,22
:50,65
:5022
<О,22
<0,4
<0,4
<О4
-
.
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
:50,75
:50,75
:50,2
:50,2
:50,2
Кш, дБ
i
i
r;, Ом
Р;:)., Вт
-
1
1
1
!
-
i
-
-
-
1
-
1
-
i
-
i
1
1
-
1
-
-
1
!
1
-
1
1
-
1
1
1
i
i
i
-
-
-
1
1
1
1
i
1
i11
тк, пс
f~act НС
t::IUI, НС
-
:54500**
:54500"
:53500*
:53500*
:53,500*
:53500*
:53500*
:53500*
<3000*
-
:53000*
:53000*
3* мкс
3* мкс
3* мкс
:53* мкс
:53* мкс
:52500*
:52500*
:52500*
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
i
1
i1
1
1
i1
i
171
Корпус
КТ8105
п1 КТ1
~fflii ~ 111
~
.
11
.. ..
/(
~
КТ8106
~
~~r
;~
'
D
6кз
КТ8107
15.9
5
1
-~·1
....~ ......
;~
'
D
6кз
КТ8107-2, КТ8108
27,1 КТ1
~t1i ~-
~
..
.. ..
к
КТ8108-1
:ft 1
ЗК5
1
1
1
КТ8109
70,G5
1/,8
wт6КЭ
КТ8110
10,7
li,8
11
т1
.. ..
~
~
D

172
Раздел 2. Биполярные транзисторы
j
1
1
1
1
1
1
1
Ркmах'
~•• t,;., ••
UКБОmах'
1
lк max
i
Iю;о,
Тип
Струк· 1
р•
i.:;,i,
U~Rmax'
UЭБОmах' 1
1
·~R'
К.тm11х'
1
1;,н max'
j
1
р~~ н max•
("
u~max' 1 в
'
·~·
прибора
тура
1
"'
!
1
мА
1
i
мВт
Мfц
в
1
мкА
КТ8111А9
1
п-р-п
125* Вт
;e:I
100
5
20А
-
КТ8111Б9
п-р-п
125* Вт
;е:1
80
5
20А
-
КТ8111В9
п-р-п
125* Вт
;e:I
60
5
20А
-
!
1
1
r
!
1
1
1
:
КТ8112А
1 п-р-п i
1Вт;10*Вт
;е:20
400* (1 к)
1
5
10.5А(1,5*А)i
-
!
'
1
i
!
:
i
i
1
1
i
'
1
1
1
1
t
!
1
1
1
!
1
1
1
1
'
КТ8113А
р-п-р
2Вт;65*Вт
;е:З
100
6
6 (10*) А
s700 (60 В)
КТ8113Б
р-п-р
2Вт;65*Вт
;е:З
80
6
6 (10*) А
s700 (60 В)
КТ8113В
р-п-р
2Вт;65*Вт
;е:З
60
6
6 (10*) А
S700 (30 В)
1
1
!
!1
'
'
'
!
i
!
1
1
1
1
1
1
iктs114А
1
п-р-п 1
125* Вт
-
1500*
6
1 8А;15*А
1
SO,I мА ( 1500 В)
IКТ8114Б
п-р-п
125* Вт
-
1200*
6
8А;15*А
S0.1 мА (1200 В)
КТ8114В
п-р-п
100* Вт
-
1200*
6
8А;15*А
sO,I мА (1200 В)
KT8114f
п-р-п
100* Вт
-
1500*
6
8А;15*А
SO,I мА (1500 В)
.
11
'
КТ8115А
1 р-п-р
65* Вт
;е:4
100
5
1 8(16*)А
1
s0.2 мА (100 В)
КТ8115Б
1 р-п-р
65* Вт
;е:4
80
5
1
8 (16*) А
s0.2 мА (80 ВJ
КТ8115В
! р-п-р
1
65* Вт
;е:4
60
5
8 (16*) А
1
S0.2 мА (60 В)
:
1
i
1
1
КТ8116А
п-р-п
65* Вт
;е:4
100
5
8А(16*А)
S200 (100 В)
КТ8116Б
п-р-п
65* Вт
;е:4
80
5
8А(16*А)
S200 (80 В)
КТ8116В
п-р-п
65* Вт
;е:4
60
5
8А(16*А)
S200 (60 В)
i
1
1
'
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
'
i
1
КТ8117А
п-р-п
100* Вт
;е:5
700
8
10 (20*) А
SI мА (400 В)
КТ8117Б
п-р-п
100* Вт
;е:5
500
8
10 (20*) А
SI мА (400 В)
!
1
1
i
i
1
1
i
1
i
'
i
i
1
'
1

мниевые транзисторы
Биполярные кре
j
1
rКЭнас' Ом
r
ck,
•
Ом
с;2,•
rБЭнас'
h21.• ь;,э
1
i
i
'
1
i8000 (3 В: 10 А)
750.
750..l8000(3В; 10А)
750::: 18000 (3 в: 10 А>
:2::300 (5 В; 0,05 А)
15...75* (4 В; 3 А)
15...75* (4 В; 3 А)
15...75* (4 В: 3 А)
>IOOO* (3 В; 0,5 ...3 А) j
;IOOO* (3 В; 0.5...3 А) j
:2::1000* (3 В: 0,5...3 А)
<!::IOOO* (3 В; 0,5 А)
>IOOO* (3 В; 0,5 А)
;1000* (3 В; 0,5 А)
>\О*(5В;5А)
;\О*(5В;5А)
1
!
пФ
$400
$400
$400
к;.·", дБ
<0,2
g),2
g),2
<40
<0,27
$0,27
g),27
<0,25
$0,25
$0,25
$0,25
g),7
$0,7
$0,7
<0,7
g),7
g),7
Кш, дБ
r;, Ом
р00 Вт
sыxt
1
1
tк, ПС
t• нс
рк•
t••
нс
... ".
4,5* мкс
4,5* мкс
4,5* мкс
tcn 0,5 МКС
tcn 0,5 МКС
tcn=0,5 МКС
tcn=0,5 МКС
<1,7* мкс
<1,7* мкс
173
Корпус
КТ8111-9
=~r
~ЕУН D
6КЗ
КТ8112
КТ8113
КТ8114
:::~~15,9 15
°"~
ln
~
D
6КЗ
КТ8115
КТ8116
КТ8117
:rmr
-
6КЗ

174
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• \210•
UKБOmaA•
•кmах
lкБо•
Тип
Струк-
Р~. тmax•
~;,~.
U~Rma).•
UЭ001naAt
J~.и mo1A'
·~R'
р~~нmах•
~:·;".
u~maAt
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ8118А
п-р-п
50* Вт
;::15
900
5
3А(IO*А)
$10 (800 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
КТ812А
п-р-п
50* Вт (50°С)
;::3
400* (О.01 к)
7
8А;12*А
$5* мА (700 В)
КТ812Б
п-р-п
50* Вт (50°С)
;::3
300* (0.01 к)
7
8А;12*А
$5* мА (500 В)
КТ812В
п-р-п
50* Вт (50°С)
;::3
200* (0,01 к)
7
8А; 12*А
$5* мА (300 В)
КТ8120А
! п-р-п
60* Вт
;::20
600; 450**
5
1
8А(16*А)
$100 (450 В)
1
i
!
1
1
!КТ8121А 1
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 700*;
5
8A(IO*A)
$2000 (700 BJ
400**
КТ8121Б
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 600*;
5
8А(10*А)
$2000 (600 в)
400**
КТ8121А-1
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 700*
5
8А(10*А)
$2000 (700 В)
КТ8121Б-1
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 600*
5
8А(10*А)
$2000 (600 В)
КТ8121А-2
п-р-п
1
75* Вт
;::7
1500; 700*
5
8А(10*А)
$2000 ( 700 в)
КТ8121Б-2
п-р-п
75* Вт
;::7
1500; 600*
1
5
8А(10*А) 1 $2000(600В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
11
1
!
1
'
1
КТ8123А
п-р-п
25* Вт
;::5
200
5
2А(3*А)
$50 (150 В)
КТ8124А
п-р-п
60* Вт
;::10
400
5
7А(15*А)
-
КТ8124Б
п-р-п
60* Вт
;::10
400
5
7А(15*А)
-
КТ8124В
п-р-п
60* Вт
;::10
330
5
7А(15*А)
-
i
1
КТ8125А
п-р-п
65* Вт
;::3
100
5
6 (10*) А
$0,4 мА (100 В)
КТ8125Б
п-р-п
65* Вт
;::3
80
5
6 (10*) А
$0.4 мА (80 В)
КТ8125В
п-р-п
65* Вт
;::3
60
5
6 (10*) А
$0,4 мА (60 В)
КТ8126А1
п-р-п
80* Вт
;::4
700; 400**
9
8 (16*) А
$1 мА (700 В)
КТ8126Б1
п-р-п
80* Вт
;::4
600; 300**
9
8(16*)А
$1 мА (600 В)
КТ8127А
п-р-п
56* Вт
-
1500* (100 Ом)
5
5 (7.5*) А $0.9 мА (1500* ВJ
КТ8127Б
п-р-п
56* Вт
-
1200* (100 Ом)
5
1
5 (7,5*) А $0.6 мА (1800* В)
КТ8127В
п-р-п
1
56* Вт
-
11500* (100 Ом)
5
5 (7.5*) А $0.9 мА ( 1500* В)
j
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторь1
175
ck,
rКЭuс• Ом
Кш, дБ
1
'tк1ПС
ь.,,. ь;,э
c~z"•
r~wiilc' Ом
r;, Ом
f~cl НС
Корпус
1
!
пФ
к;~•·' дБ
Р,:.:.х, Вт
1
t:мt НС
1
1
i
1
1 J0...40* (5 В; 0,2 А) 1
-
1
sl,3
-
1
:>2,5* мкс
1
КТ8118
!
1
i
1
!
10.,G5
f,B
ц
~1т
1
1
1
6КЭ
~4*(2,5В;8А)
:>100 (100 В)
s0,3
-
tcnSl ,3 МКС
КТ812
~4*(2,5В;8А)
:>100 (100 В)
$0,3
-
tcnSl ,3 МКС
~10*(5В;5А)
$100 (100 В)
:>0,3
-
tcnSl ,3 МКС
п.1 ~
1
~ffli У-
1
1
1
i""
'
-
к
1
j
i
~10* (5 В; 0.2 А)
-
:>О,25
-
::;2* мкс
КТ8120, КТ8121, КТ8121-1
1
70,85
f.B
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,25
-
:>3* мкс
wт
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,75
-
:>3* мкс
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,25
-
:>3* мкс
.IКЭ
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,75
-
:>3* мкс
1
!
i
1
8...60* (5 В; ~ А)
1
-
S0,25
-
:>3* мкс
l{'if8121-2
8...60* (5 В: 2 А)
-
:>0,75
-
$3* мкс
щ~
~EWJ-·· ·~
~
~..
...
.
.
""
-
.
к
~40* (10 В; 0,4 А)
-
~
-
-
КТ8123, КТ8124
1
1
70,G5
f,B
1
wт'
~!О*(5В:5А)
-
1
:>0.2
-
1
$1.5* мкс
i
~10*15В:5А)
-
:>0,17
-
1
Sl,3* мкс 1
~10*(5В:5А)
-
:>0,2
-
1
$1,5* мкс
1
1
1
1
1
6КЭ
1
15...75* (4 В; 3 А)
-
:>0,25
-
-
КТ8125, КТ8126
15...75* (4R 3А)
-
:>0,25
-
-
15...75* (4 .В; 3 А)
-
$0,25
-
-
70,G5
f,B
wт
8...60* (5 В; 2 А)
-
:>0,5
-
1,7* мкс
8...60* (5 В; 2 А)
-
$0,5
-
1,7* мкс
1
1
ЭК6
35*(5В;О.~А)
-
:>0,22
-
tсп=О,7 МКС
КТ8127
35*(5В;0,5А)
-
$1,1
-
tcn=0,7 МКС
35*(5В;0,5А)
-
$1,1
-
tсп=О,7 МКС
п,1 ~
~No-·'~
...,;
.
-
к

176
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~•• ~210•
UКБО maxt
lк max
•коо•
Тип
Струк·
Р~. т max•
(;lэ'
U~Rmax•
UЭБО max•
1;.н max•
J~R'
прибора
р~~ м maxt
с·
u~max•
в
•••
тура
".
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
i
мкА
КТ8127А-1 1 n-p -n 1
56* Вт
-
1500* (100 Ом)
5
5 (7,5*) А 1 s0.9 мА (1500* В)
КТ8127Б-1 1 n-p -n
1
56* Вт
-
1200* (100 Ом)
5
5 (7,5*) А S0,6 мА (1800* В)
КТ8127В-1 1 n-p -n
56* Вт
-
1500* (100 Ом)
5
5 (7,5*) А S0,9 мА (1500* В)
1
1
1
1
КТ8129А
n-p -n
60* Вт
;::4
1500
5
5А
1
-
1
1
1
1
1
1
КТ81ЗОА
1
p-n -p
1Вт;20*Вт
1
;::25
40
5
4А;8*А
SIOO (40 В)
КТ81ЗОБ
p-n -p
1Вт;20*Вт
;::25
60
5
4А;8*А
SIOO (60 В)
КТ81ЗОВ
p-n-p
1Вт;20*Вт
;::25
80
5
4А;8*А
SIOO (80 В)
КТ8131А
n-p -n
1Вт;20*Вт
;::25
40
5
4А;8*А
SIOO (40 В)
КТ8131Б
n-p -n
1Вт;20*Вт
;::25
60
5
4А;8*А
SIOO (60 В)
КТ8131В
n-p -n
1Вт;20*Вт
;::25
80
5
4А;8*А
SIOO (80 В)
1
КТ81ЗЗА
n-p -n
60* Вт
;::ЗО
240
5
8А
-
КТ81ЗЗБ
n-p-n
60* Вт
;::ЗО
160
5
8А
-
КТ8134А
р-п-р
25* Вт
;::З
20
-
4А
-
КТ8135А
n-p -n
25* Вт
;::З
20
-
4А
-
КТ8136А
n-p -n
60* Вт
-
600
5
10А(15А*)
-
КТ8136А·1
n-p -n
60* Вт
-
600
5
10А(15А*)
-
с Аемnферным
Jl.HOAOM ме11Щу
кu"епором и
!tмнттером
КТ8137А
n-p-n
40* Вт
;::4
700*
9
1,5А(ЗА*)
SI мА (700 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
177
Ck,
rКЭиас' Ом
Кw,дБ
tк, ПС
h21.• ь;,э
с;2.•
r~нас• Ом
r;. Ом
t;,.,, нс
Корпус
пФ
к;.·", дБ
Р;~•• Вт
t;..кл, НС
::;35* (5 В; 0,5 А)
-
::;Q,22
-
tсп=О,7 МКС
КТ8127-1
::;6* (5 В; 0,03 А)
-
::;1,1
-
tсп=О,7 МКС
~~r
::;6* (5 В: 0,03 А)
-
::;1,1
-
tсп=О,7 МКС
.,. ~
.
ln
'${
D
6КЗ
~2.25* (5 В: 4,5 А)
-
::;1,1
-
-
КТ8129
ЦI®
~ffli ~.
'
750.. .15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В)
::;1
-
-
КТ8130, КТ8131
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В)
::;1
-
-
750 ... 15000* (3 В: 0,2 А) ::;200 (10 В)
::;1
-
-
~иw
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;IOO(IOB)
::;1
-
-
:·~
750... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В)
::;1
-
-
750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В)
::;1
-
-
300...3000
-
::;О,б
-
-
КТ8133
300".3000
-
::;О,6
-
-
10,15
tB
wтэ
40 ... 250
-
::;Q,8
-
-
КТ8134, КТ8135
40 ...250
-
::;о.в
-
-
:оо~
10...50* (5 В; 0,8 А)
-
::;Q,25
-
tсп::;О,2 МКС
КТ8136, КТ8136-1
70,15
tB
10...50* (5 В; 0,8 А)
-
::;О,25
-
tсп::;О,2 МКС
wтIКЭ
8.. .40* (2 В; 0,5 А)
-
::;2
-
::;4* мкс
КТ8137
:оо~
12 зак. 9

178
Раздел 2. БunonSJPflЬle транзисторы
Ркmах•
f,,,, ~•••
UКБОmах'
lк,..,
IКIIO,
Тип
Струк-
Р;.тmак'
J.:;lэ'
U~R'""' UЭБОmах• 1;..• maxl
·~·
прибора
тура
p~•maxl
t:..
u-l<ЭO ......
в
·~·
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ8138А
п-р-п
50* Вт
20
500; 400**
7
7А;14*А
::>0.01 мА (500 В)
КТ8138Б
1
п-р-п
40* Вт
-
450 400**
10
7А;14*А
::>0,1 мА (450 В)
IKT8138B
1 п-р-п
75* Вт
<?:4
700; 400**
9
4А;8*А
sl мА (700 В)
KT8138f
1 п-р_-п
80* Вт
<?:4
700; 400**
9
8А;16*А
SI мА (700 В)
lктs1зsд ! п-р-~
60* Вт
<?:10
400; 200**
6
7А;14*А
Sl мА (400 В)
/КТ8138Е i П·р-п, С
60* Вт
<?:10
400; 200**
1
6
7А;14*А 1 SlмА(400В)
1
.
1 ДИО;tЮМ
1
КТ8138Ж
п-р-п
60* Вт
<?:10
600; 350**
6
IOA;l6*A
SI мА (600 В)
КТ8138И
1 п-р-п, с
80* Вт
<?:4
700; 400**
9
8А;16*А 1 SIмА(700В)
ДИОДОМ
КТ8140А
п-р-п
60* Вт
<?:10
400
6
7A(IOA*)
Sl (400 В)
КТ8140А-1
п-р-п
60* Вт
<?:10
400
6
7А(10А*)
SI (400 В)
с Аемпфериwм
диодом ме&,1.у
коJ1J1ектором·
и змиттером
1
КТ8141А
1
п-р-п
60* Вт
<?:7
100
-
8А(12*А)
S0.2 (100 В)
КТ8141Б
п-р-п
60* Вт
<?:7
80
-
8А(12*А) 1 $0,2(80В)
IKT8141B
1 п-р-п
60* Вт
<?:7
60
-
1
8А(12*А) 1 ::>0,2(60В)
KT8141f
1 п-р-п
60* Вт
<?:7
45
-
8А(12*А) 1
::>0,2 (45 В)
1
iктst4A 1
1
1
р-п-р
1 (10*) Вт
<?:3
40* (0,lк)
5
1,5(3*)А
S0,05 мА (40 В)
1
КТ814Б
р-п-р
10* Вт
<?:3
50* (О,lк)
5
1,5 (3*) А
::>0,05 мА (40 В)
КТ814В
р-п-р
10* Вт
<?:3
70* (О,lк)
5
1,5 (3*) А
$0,05 мА (40 В)
KT814f
р-п-р
10* Вт
<?:3
100* (О,lк)
5
1,5(3*)А
$0,05 мА (40 В)
1
КТ814ЗА
'
1
175* Вт
120; 90**
6
25А;40*А
::>5* мА (90 В)
i п-р-п
-
КТ814ЗБ
1
п-р-п
175* Вт
-
120**
6
25А;40*А
::>5* мА (120 В)
КТ814ЗВ
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
25А;40*А 1 ::>5*мА(180В)
КТ814Зf
1
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
25А;40*А 1 $5*мА(400В)
КТ814ЗД
1 п-р-п
175* Вт
-
90**
6
32А;50*А
1
::>5* мА (90 В)
КТ814ЗЕ
п-р-п
175* Вт
-
120**
6
32А;50*А
::>5* мА (120 В)
КТ8143Ж
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
32А;50*А
::>5* мА (180 В)
КТ81433
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
32А;50*А
::>5* мА (400 В)
КТ8143И
п-р-п
175* Вт
-
120; 90**
6
40А;63*А
::>5* мА (90 В)
КТ8143К
п-р·n
175* Вт
-
120**
6
40А;63*А
$5* мА (120 В)
КТ8143Л
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
40А;63*А
$5* мА (180 В)
КТ8143М
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
40А;63*А
::>5* мА (400 В)
КТ8143Н
п-р-п
175* Вт
-
100**
6
50А;125*А
::>5* мА (100 В)
КТ8143П
п-р-п
175* Вт
-
150**
6
150А;125*А
1
::>5* мА (150 В)
КТ8143Р
1 п-р-п
175* Вт
-
400; 200**
6
50А;125*А
::>5* мА (400 В)
'
КТ8143С
1 п-р-п
175* Вт
-
90**
6
63А;150*А
1
::>5* мА (90 В)
КТ8143Т
п-р-п
175* Вт
-
120**
6
63А;150*А
::>5* мА (120 В)
КТ8143У
п-р-п
175* Вт
-
180**
6
63А;150*А j $5*мА(180В)
КТ8143Ф
п-р-п
175* Вт
-
400; 240**
6
63А;150*А
$5* мА (400 В)
КТ8144А
i п-р-п 1
175* Вт
<?:5
800
8
25А(40*А)
1мА(800В)
1
КТ8144Б
п-р-п
175* Вт
<?:5
600
8
25А(40*А)
1мА(600В)
.
1
1
1
1
i
КТ8145А
1 п-р-п
100* Вт
<?:10
700
8
15А(20*А) 1 ::>5мА(700В)
t
КТ8145Б
i п-р-п
100* Вт
<?:10
500
8
115А(20*А)
1
s5 мА (500 В)
1
1
1
1
1
1
1
,
1

Биполярные кремниевые транзисторы
12*
~10*(5В;4А)
~10*(5В;4А)
8...40* (5 В; 2 А)
5...30* (5 В; 5 А)
~10*(5В:5А)
~10*(5В:5А)
~20*(5В:2А)
5...30* (5 В; 5 А)
~10*(5В;5А)
~10"(5В;5А)
~750*(3В;3А)
~750*(3В;3А)
~750*(3В;3А)
~750*(3В;3А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~40* (2 В; 0,15 А)
~30* (2 В: 0.15 А)
~15*(3В:20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;20А)
~15*(3В;32А)
~15*(3В:32А)
~15*(3В:32А)
~15*(3В;32А)
~15*(3В:32А)
~15*(3В:35А)
~15*(3В;35А)
~15*(3В:35А)
~15*(3В:35А)
~15*(3В;35А)
~15*(3В;35А)
~15*(3В:40А)
~15*(3В;40А)
~15*(3В;40А)
~4*(5В;20А)
~4*(5В:20А)
~10*(1В;5А)
~10*(1В;5А)
1
-
1
Sl20 (5 В)
Sl20 (5 В)
Sl20 (5 В)
Sl20 (5 В)
S60 (5 В)
S60 (5 В)
J
S60 (5 В)
1 S60(5В)
1
1
rкэнк• Ом
r~иас' Ом
к:.·,.. дБ
$0,2
so.2
S0,25
s0,4
$0,2
$0,2
s0,4
s0,25
s0,66
$0,66
s0,66
s0,66
$1,2
$1,2
Sl,2
Sl,2
s0,08
S0,08
$0,08
S0,08
s0,08
s0,08
$0,08
$0,08
$0,08
S0,08
s0,08
s0,08
s0,08
$0,08
$0,08
S0,08
s0,08
$0,08
S0,08
$0,25
S0,25
Кw,дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
tlC, пс
t;,.., нс
t;ыклt НС
$2,5* мкс
S2,5* мкс
$4* мкс
$3* мкс
tсп $ О,75 МКС
tсп $ О,75 МКС
tсп $ 0,7 МКС
S3* мкс
5,8** мкс
5,8** мкс
5.8** мкс
5,8** мкс
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1300*
1700*
1700*
1700*
$2,5* мкс
S2,5* мкс
1,7* мкс
1,7* мкс
179
Корпус
КТ8138
КТ8140, КТ8141
~mtt
~m
КТ814
КТ8143
5
~~15,9
""~
....
"${
то
6КЗ
КТ8144
КТ8145
:fftt
·~

180
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmак•
~•• \210 •
UKБOmax'
lк max
lкоо•
Тип
Струк·
Р~.тmах•
\;1э•
U~Rmax'
UЭБОmакl
1;,н max'
·~R•
PiZ н max•
r,;;·
u~max•
в
•••
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ8146А
n-p -n
150* Вт
~5
800
8
1 15А(25*А)
$1 мА (800 В)
КТ81465
n-p-n
150* Вт
~5
600
8
1
15А(25*А)
1
$1 мА (600 В)
1
1
1
!
!
IKT8147A
i n-p-n
1
100* Вт
1
~5
1
700
1
8
!10А(20*А) i $1мА(700В)
1
i
КТ81475
! n-p-n
100* Вт
~5
500
8
10А(20*А)
1
$1 мА (500 В)
1
1
!
i
1
1
i
1
КТ8149А
!p-n-p 1
115* Вт
~4
70; 60**
1
7
i15А:30•А i $1мА(70В)
1
!
KT8149A·l
р-п-р
90* Вт
~3
70; 60**
7
15А;30*А
$1мА(70В)
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
!
1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
!
КТ8149А-2 1 p-n -p
75* Вт
i~3
70; 60**
7
1 10А;15*А 1 $1мА(70В)
1
1
1
КТ8150А
n-p -n
115* Вт
~4
70; 60**
7
!15А;30*А 1 $1мА(70В)
1
i
!
1
!
1
i
i
i
1
1
1
1
1
i
1
1
KT8150A·l
n-p -n
90* Вт
~3
70; 60**
7
15А;30*А
$1мА(70В)
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
i
1
i
1
1
КТ8150А-2 i n-p -n j
75* Вт
~3
1
70; 60**
!7
1 10А;15*А 1 $1мА(70В)
1
:
1
1
!
1
1
1
1
i
i
1
1
1
!
i
1
1
1
1
1
1
!
1
КТ8154А
1 n-p-n 1
175* Вт
~5
1 600; 450**
1
8
1 30А;60*А i $1мА(600В)
1
КТ81545
1
n-p -n
i 175* Вт
~5
500; 400**
8
1
30А;60*А i S:IмА(500В)
1
1
1
!
1
1
1
!
1
i
КТ8155А
i n-p-n
1
175* Вт
~5
600; 450**
8
i50А;80*А
1
$2 мА (600 В)
КТ81555
1 n-p-n
175* Вт
~5
500; 400**
8
1
50А;80*А
$2 мА (500 В)
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
181
ck,
rкэ нас• Ом
Kw, дБ
тк, пс
ь.,,. ь;,э
с;2э'
r;Энас' Ом
r;, Ом
t~, НС
Корпус
пФ
к;.",.• дБ
Р=~х' Вт
t::кл, НС
~5*(5В;15А)
-
~О.15
-
1.7* мкс
КТ8146, КТ8147, КТ8149
~5*(5В:15А)
-
~О.15
-
1,7* мкс
11.1 Кf)
~5·(1,5В;8А)
-
~0.2
-
1,7* мкс
~Noi~
~5*ll,5В;8А)
-
~О.2
-
1,7* мкс
..:;
.
20... 150• (4 В: 4 А)
-
~О.27
-
/{
-
-
20... 150* (4 В: 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8149-1
:~r
~~
...
:!
о
6К3
20... 100• (4 В: 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8149-2
1
1
70,65
tB
wт6КЭ
20... 150• (4 В; 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8150
Ц/ Кf)
~Noi~·
..:;
.
-
/{
20...150* (4 В; 4 А)
-
~О.27
-
-
КТ8150-1
~r6КЗ
20...100* (4 В; 4 А)
-
1
~О.27
-
-
КТ8150-2
7D,65
tB
w.т6КЭ
.-
-
-
-
1700*
КТ8154, КТ8155
-
1
-
-
-
1
1700*
Ц/ Кf)
-
-
-
-
-
~Noi~
-
-
-
-
-
..:;
.
-
к

182
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~pl \216•
UКБО max'
lк max
•кw•
Тип
Струк-
Р~. т maxt
\;]31
U~Rmax'
UЭБО max'
J~, н maxt
·~R•
р~~ н maxt
с·
u~max'
в
·~·
прибора
тура
"'
мА
1
мВт
МГц
в
мкА
КТ8156А
n-p-n
60* Вт
-
330; 150**
6
8А
-
КТ8156Б
n-p -n
60* Вт
-
200**
6
8А
-
1
1
КТ8157А
n-p -n
150* Вт
~5
1500
7
10А(15*А)
3 мА (1500 В)
КТ8157Б
n-p -n
150* Вт
~5
1500
7
10А(15*А)
3 мА (1500 В)
КТ8158А
n-p -n
125* Вт
-
60
5
12А
:S:400 (60 В)
КТ8158Б
n-p -n
1
125* Вт
-
80
5
12А
:S:400 (80 В)
КТ81588
1
n-p -n
125* Вт
-
100
5
12А
:S:400 (100 В)
КТ8159А
р-п-р
125* Вт
-
60
5
12А
:S:400 (60 В)
КТ8159Б
р-п-р
125* Вт
-
80
5
12А
:S:400 (80 В)
КТ81598
p-n -p
125* Вт
-
100
5
12А
:S:400 (100 В)
!
1
1
КТ815А
n-p-n
10* Вт
~3
40* (О, 1к)
5
1,5(3*)А
:S:0,05 мА (40 В)
КТ815Б
n-p-n
10* Вт
~3
50* (О, 1к)
5
1,5 (3*) А
:S:0,05 мА (40 В)
КТ8158
n-p-n
10* Вт
~3
70* (О, 1к)
5
1,5 (3*) А
:S:0,05 мА (40 В)
КТ815Г
n-p -n
10* Вт
~3
100* (О,lк)
5
1,5 (3*) А
:S:0,05 мА (40 В)
1
КТ816ЗА
n-p -n
50* Вт
~10
600
5
7А;10*А
:S:lOO (600 В)
КТ8164А
n-p -n
75* Вт
~4
700
9
4А
:S:lO мА (700 В)
КТ8164Б
n-p -n
75* Вт
~4
600
9
4А
:S:lO мА (600 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
1
ck,
r113 _, 0111
К", дБ
TIC, ПС
h21>' ь;,э
с;".
r~ .... 0111
r;, Ом
t;_, нс
Корпус
'
к:~.... дБ
Р:,,, Вт.
t;wк.n• НС
1
пФ
,.
1
1
-
-
-
-
1
-
КТ8156
-
-
-
-
-
1415
f,8
i
1
wт
1
1
1
к
1
1
&~Tl__)m
1
~R1i ~~VOI
!
L;J
3
1
l/01
~8·(5В;1А)
-
g),12
-
2• мкс
КТ8157
~s·(5В;1А)
-
S0,25
-
2• мкс
~/ [11
~Noi ~.
2500
-
-
-
-
КТ8158
2500
-
-
-
-
2500
-
-
-
-
:~t
' :;(
D
6КЗ
2500
-
-
-
-
КТ8159
2500
-
-
-
-
2500
-
-
-
-
1415
f.8
1
wтэ
~40• (2 В; 0,15 А)
. sбО(5В)
Sl,2
-
-
КТ815
~40• (2 В; 0.15 А)
sбО (5 В)
Sl,2
-
-
~40'" (2 В; 0,15 А)
sбО (5 В)
Sl,2
-
-
~!1
~30* (2 В; 0,15 А)
sбО (5 В)
Sl,2
-
-
:-~
10...30 (2 В; 1 А)
SIOO (IO В)
g),05
-
Sl,5'" мкс -
КТ8163, КТ8164
10...60•
-
-
-
-
.
10."60*
-
-
-
-
ft
1
1
э

184
Раздел 2. Биполярные fflP!JHЗucmopы
:
1
Pкmaxt
~•• t,;216•
UKБOmaxt
IКБО,
)Kmax
Тип
1 Струк-
Р~. т max•
~~lэ'
U~Rmax'
UЭБOmaxt
1;.м max'
J~R•
р;~ и maxt
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
"'
мА
КЭО•
1
мВт
мrц
в
мкА
КТ816А
р-п-р
25* Вт
?:3
40* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (25 В)
КТ816Б
р-п-р
25* Вт
?:3
45* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (45 В)
КТ8168
р-п-р
25* Вт
?:3
60* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (60 В)
КТ8161"
р-п-р
25* Вт
?:3
100* (lк)
5
3(6*)А
:50,1 мА(lООВ)
КТ816А-2 ·
р-п-р
25* Вт
?:3
40* (lк)
5
3А(6*А)
:5100 (25 В)
1
1
КТ8165А
р-п-р
1
3Вт;50*Вт
?:20
90
5
10 (15*) А
:53 мА (90 В)
КТ8165Б
р-п-р
3Вт;50*Вт
?:20
70
5
10(15*)А
:53 мА (70 В)
КТ81658
р-п-р
!
3Вт;50*Вт
?:20
50
5
10 (15*) А
:53 мА (50 В)
КТ81651"
1 р-п-р
3Вт;50*Вт
?:20
90
5
10 (15*) А
:53 мА (90 В)
КТ816.6А
п-р-п
50 Вт
?:20
90
5
10А(15*А)
:53 мА (90 В)
КТ8166Б
п-р-п
50 Вт
?:20
70
5
10А(15*А)
:53 мА (70 В)
КТ81668
п-р-п
50 Вт
?:20
50
5
10А(15*А)
:53 мА (50 В)
КТ81661"
п-р-п
50 Вт
?:20
90
5
10А(15*А)
:53 мА (90 В)
1
КТ8167А
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
100* (1 к)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 в)
КТ8167Б
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
80* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 t80 В)
КТ81678
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
50* (1 к)
4,5
2(4*)А
:5200 (50 В)
KT8167f
р-п-р
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
100* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 В)
КТ8167Д
1
р-п-р
0,8 Вт; 1О* Вт
?:30
80* (1 к)
4,5
2(4*)А
:5200 (80 В)
КТ8168А
п-р-п
0,8 Вт; 1О* Вт
?:30
100* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 В)
КТ8168Б
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
80* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (80 В)
КТ81688
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
50* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (50 В)
КТ81681"
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
100* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (100 В)
КТS168Д 1
п-р-п
0,8 Вт; 10* Вт
?:30
80* (lк)
4,5
2(4*)А
:5200 (80 В)
1
КТ8170А-1
п-р-п
40* Вт
?:4
700
9
1,5 А
:51 мА (700 В)
КТ8170Б-1 i п-р-п
40* Вт
?:4
600
9
1,5 А
:51 мА (600 В)
КТ8171А
п-р-п
100* Вт
-
350**
-
20А
1
-
1
1
1
i
КТ8175А
n-p -n
20* Вт
-
700*;
9
1,5 (3*) А
-
400**
КТ8175Б
n-p -n
20* Вт
-
600*;
9
1,5(3*)А
-
!
300**
i1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
i
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
185
с••
rкэ мае• Ом
Kw, дБ
tll, пс
ь.," ь;,э
с;2э'
r~мас• Ом
r~, Ом
t~c• НС
Корпус
пФ
к;.*р.• дБ
Р;:х• Вт
t;..IC.lt, нс
~25*(2В;1А)
~60 (10 В)
~0.6
-
-
КТ816, КТ816-2,
~25*(2В;1А)
~60(108)
~О.6
-
-
~25*(2В;1А)
~60 (10 В)
~О.6
-
-
~ИI
~25*(2В;1А)
~60 (10 В)
~О.6
-
-
:::.
·8
~200* (1 В; 0,03 А)
~60 (10 В)
~О.6
-
-
:Фт
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~0.1
-
~1000**
КТ8165, КТ8166
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
40...160 (5 В; 5А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
п1 trJ
~No~ ~.
80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (5 В; 5 А)
~1300 (IO В)
~О.1
-
~1000**
40...160 (5 В; 5А)
~1300 (10 В)
~О.1
-
~1000**
80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
КТ8167
80...250 (1 В; 1 А)
~00 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
80...250 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
:tiJФз
40...160 (1 В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
160...350 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
~80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
КТ8168
~80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
~80...250 (1В; 1А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
:fiкФз
~40... 160 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
~160...350 (1 В; 1 А)
~400 (5 В)
~О.35
-
~1.8* мкс
5...25* (2 В; 1 А)
-
-
-
-
КТ8170-1
5...25* (2 В; 1 А)
-
-
-
-
~;: .Фт
~10000
-
-
-
-
КТ8171
~r6КЗ
8...40(2 В; 1А)
-
~1
-
3000*
КТ8175
8...40 (2 В; 1 А)
-
~1
-
3000*
~11: -~

186
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк "а•
~.. ~...
UKБOmax•
Iк ....
lкоо,
Тип
Струк-
Р~, .....
ti:;l'J"
{f'К:ЭR max•
UЭБOmu•
r;." ma:1•
·~·
прибора
тура
Р~" .....
с:х,
u~max•
в
·~·
мВт
Мl"ц
в
мА
мкА
КТ8175А-1
П•р-П
20* Вт
-
700*;
9
1,5 (З*) А
-
400**
К.Т8175Б-1
п-р-п
20* Вт
-
600*;
9
1,5 (З*) А
-
ЗОО**
1
1
1
КТ8176А
п-р-п
40* Вт
~з
60
5
ЗА
-
К.Т8176Б
п-р-п
40* Вт
~з
80
5
ЗА
-
К.Т817&В
n-p -n
40* Вт
~з
100
5
ЗА
-
К.Т8177А.
р-п-р
40* Вт
~з
60
5
ЗА
-
К.Т8177Б
_р-11-р
40* Вт
~з
80
5
ЗА
-
КТ8177В
p-n-p
40* Вт
~з
100
5
ЗА
-
К.Т817А
п-р-п
25* Вт
~
40* (lк)
5
З(6*)А
~.1 мА (25 В)
К.Т817Б
п-р-п
25* Вт
~з
45* (lк)
5
З(6*)А
:!>0,1 мА (45 В)
К.Т817В
1
п-р-п
25* Вт
~з
60* (1 к)
5
З(6*)А
:s;O,l мА (60 В)
КТ8171"
п-р-п
25* Вт
~з
100* (1 к)
5
З(6*)А
:!>0,1 мА (100 В)
К.Т817Б-2
п-р-п
25* Вт
~з
45* (lк)
5
3(6*)А
~.1 мА (40 В)
К.Т8171"-2
п-р-п
25* Вт
~з
100* (lк)
5
З(6*)А
~.1 мА (40 В)
КТ8181А
п-р-п
50* Вт
-
700*;
9
4(8*)А
-
400**
К.Т81816
п-р-п
50* Вт
-
600*;
9
4(8*)А
-
300**
К.Т8182А
1 п-р-п
60* Вт
-
700*;
9
8 (16*) А
-
1
400**
КТ81826
.п-р-п
60* Вт
-
600*;
9
8 (16*) А
-
ЗОО**
К.Т8183А
n-p -n
56* Вт
-
1500;
-
8А;15*А
-
е ДИОДОМ
700**
и резне-
тором
К'f8183Б
П·р-П
56* Вт
-
1200;
-
8А;15*А
-
е J{ИОДОМ
600**
и_резие-
тором
К.Т8183А-1
'
п-р-п
56* Вт
-
1500;
-
8А;15*А
-
е ДИОДОМ
700**
и резне-
тором
К.Т8183Б-1
n-p -n
56* Вт
-
1200;
-
8А;15*А
-
с диодом
600**
и резне-
тором
К.Т8183А~2
п-р-п
56* Вт
-
1500;
-
8А;15*А
-
е :J(ИОДОМ
700**
и резне-
тором
1
КТ8183Б-2
п-р-п
56* Вт
-
1200;
-
8А;15*А
-
С ДИОДОМ
600**
И реЗJЮ!-
тором

Биполярные кремниевые транзисторы
8...40 (2 В; 1А)
8...40 (2 В; 1А)
~25*(4В: 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В; 1А)
~25*(4В: 1А)
~25*(2В;1А)
~25*(2В: 1А)
~25*(2В: 1А)
~25*(2В: 1А)
~100* (5 В: 50 мА)
~100* (5 В: 50 мА)
10...60* (5 В; 1А)
10...60* (5 В: 1 А)
8...40* (5 В: 2 А)
8...40* (5 В; 2 А)
1
!
1
s60(10B) 1
1 S60(10В)
1
s60(10B)
s60(10B)
J Sб0(10В)
s60(10B)
i
~5·(5В:3А)
J
~5*(5В;3А)
~5*(5В:3А)
~5*(5В;3А)
~5*(5В;3А)
~5*(5В:3А)
rкэ."• Ом
r~нас• Ом
к;.·", дБ
SI
SI
S0,6
S0,6
S0,6
S0,6
S0,08
S0,08
S0,25
S0,25
S0,4
S0.4
S0,17
S0,17
S0,17
S0,17
S0,17
S0,17
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:•• Вт
!
i1
1
1
!
1
1
1
1
1
i
tll, пс
t~,. нс
t:.кл, НС
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
3000*
1
1
!
187
Корпус
КТ8175-1
~rm-t
~m
КТ8176, КТ8177
:OO-t
~m
КТ817, КТ817-2
КТ8181, КТ8182
:OO-t
~m
КТ8183
КТ8183-1
КТ8183-2
с и:sо.яироааииыми выводами
~r6КЗ

188
Раздел 2. Биполярные транзисторы
!
1
Рк max'
1
1,,,. \21••
UКБО maJ. '
1
!
i
JКБО•
i lкmax
1
Тип
J Струк- ! Р~.тmах'
(;lэ'
U~Rmaxt
UЭБОmах'
1
1
·~R•
1:.н max'
1
р~~м max'
с·
u~max'
в
! •••
прибора 1 тура 1
1
."
1
мА
кэо•
мВт
мrц
в
1
i
мкА
КТ818А
1 p-n-p
60'" Вт
~3
40'" (О,lк)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
1
КТ8186
p-n -p
60* Вт
~3
50* (О,lк)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
КТ818В
p-n-p
60* Вт
~3
70* (О,lк)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
KT818r
p-n -p
60* Вт
~3
90* (0,1 к)
5
1О (15*) А
~1мА(40В)
1
1
1
КТ818АМ
p-n-p
100* Вт
~3
40* (0,lк)
5
15(20*)А 1 ~1мА(40В)
КТ818БМ
p-n-p 1
100'" Вт
~3
50* (0,1 к)
5
1 15(20*)А 1 ~1мА(40В)
1
КТ818ВМ 1 p-n-p 1
100* Вт
~3
70* (0,lк)
5
1
15(20*)А 1 ~1мА(40В)
1
KT818rM
1
p-n-p
1
100'" Вт
~3
90* (О, lк)
5
1
15(20'")А 1 ~1мА(40В)
!
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ818А-1
p-n-p
100* Вт
~3
40* (О, 1к)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
КТ818Б-1
p-n-p
100* Вт
~3
50* (О,lк)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
КТ818В-1
p-n-p
100* Вт
~3
70* (О, lк)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
KT818r-1
р-п-р
100* Вт
~3
90* (О, lк)
5
15 (20*) А
~1мА(40В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
i
i
1
КТ8196А
1
1
1
350*'"
1
1ОА
n-p -n
100* Вт
1
-
-
!
-
1
.
!
1
1
!
1
1
1
КТ8197А-2
n-p-n
2** Вт
400
-
-
0,5 А
-
КТ8197Б-2
n-p-n
5** Вт
400
-
-
1А
-
КТ8197В-2
n-p-n
8** Вт
400
-
-
1,6 А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ8199А
p-n-p
50* Вт
-
30
5
1ОА
~IO (30 В)
1
!

Биполярные кремниевые транзисторы
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В;5А)
~15*(5В:5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В:5А)
~Н!*(5В:5А)
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В;5А)
~400
85(1В:8А)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
:51000 (5 В)
1 :51000 (5 В)
1
1
2
15
25
rкэнас' Ом
r~нк' Ом
к;~•-' дБ
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,27
:50,4
:50,4
:50,4
:50,4
15** (175 МГц)
10** (175 МГц)
80** (175 МГц)
:50,125
Кw,дБ
r;, Ом
Р:х, Вт
0,5** (175 МГц)
2** (175 МГц)
5** (175 МГц)
тк, пс
~~,.нс
t ... к.n, нс
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
:52500**
Корпус
КТ818
:fftt
f=жКТ818М
КТ818-1
189
::::-~15,9 Ts
с-. ~
....
'$(
о
6КЗ
КТ8196
:mft
~m
КТ8197
~11
."

190
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
..... ti:" ••
UK50maxt
lк max
lкоо•
Тип
Струк-
Р;, т max'
(;lэ'
U~Rmax 1
U350 max•
1;,н max•
I~R'
прибора
тура
р;: н max•
t:x•
u~max•
в
1~,
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ819А
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~3
40* (О, 1к)
5
10 (15*) А
:!>I мА (40 В)
КТ8196
п-р-п
1.5 Вт; 60* Вт
~3
50* (О,1 к)
5
10 (15*) А
:!>1 мА (40 В)
КТ8198
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~3
70* (О, 1к)
5
10 (15*) А
:!>1 мА (40 В)
КТ819Г
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~3
100* (О,lк)
5
10 (15*) А
:!>I мА (40 В)
1
1
1
КТ819АМ
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
40* (0,1 к)
5
15 (20*) А
:!>l мА (40 В)
КТ8196М
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
50* (0,1 к)
5
15 (20*) А
:!>1 мА (40 В)
КТ819ВМ
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
70* (О,lк)
5
15 (20*) А
:!>I мА (40 В)
КТ819ГМ
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
100* (О,lк)
5
15 (20*) А
:!>l мА (40 В)
КТ819А-1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
40* (0,lк)
5
15 (20*) А
:!>I мА (40 В)
КТ8196-1
1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
50* (0,1 к)
5
1 15(20*)А
:!>l мА (40 В)
КТ819В-1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
70* (0,1 к)
5
1 15(20*)А i :!>1мА(40В)
КТ819Г-1
п-р-п
2 Вт; 100* Вт
~3
90* (О,lк)
5
1 15(20*)А
:!>l мА (40 В)
i
КТ8201А
п-р-п
20* Вт
-
700; 400**
9
300; 600*
:!>10 (30 В)
1
1
КТ820ЗА
п-р-п
20* Вт
4
700; 400**
9
1,5А;3А*
:!>10 (30 В)
КТ8205А
п-р-п
75* Вт
-
700; 400**
9
4А;ВА*
:!>10 (30 В)
1
1
1
1
1
1
1
КТ8207А
п-р-п
80* Вт
-
700; 400**
9
8А;16А*
:!>10 (30 В)
КТ8209А
п-р-п
100* Вт
-
700; 400**
9
12А;24А*
:!>10 (30 В)
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
~15*(5В;5А)
<::20* (5 В; 5 А)
~15*(5В;5А)
~12•(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В:5А)
~15*(5В;5А)
~20*(5В;5А)
~15*(5В;5А)
~12*(5В;5А)
5...40 (2 В: 0,2 А) j
5...25 (2 В; 1 А)
i...40(5В;2А)
5...30 (5 В; 5 А)
6...30 (5 В; 8 А)
rкэнас• Ом
r~Энк' Ом
к;.:.. дБ
s0.4
$0,4
s0,4
$0,4
$0,4
$0,4
$0,4
$0,4
SI
SI
SI
SI
$5
SI
S0,25
S0,4
S0,25
Кw,АБ
r;, Ом
Р:,,, Вт
$0,3; $2*
S0,7; S4*
$0,9; S4*
$0,7; S3*
$0,7; $3*
!
т",пс 1
~~''НС 1
t.WICJI. нс
$2500** 1
$2500**
$2500**
$2500**
$2500**
S2500**
$2500**
S2500**
$2500**
S2500**
S2500**
$2500**
Корпус
КТ819
~fflrt
i=m
КТ819М
КТ819-1
191
~t6КЗ
КТ8201
КТ8203
КТ8205, КТ8207
~t
~т
КТ8209

192
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• ~216•
UKБOmax'
lк max
JКБО•
Тип
Струк-
Р~. т maxt
\;1э•
U~Rmax•
Uэоо max•
·~.н maxt
·~R'
прибора
р~~ н max•
с·
u~max'
в
•••
тура
'"
мА
КЭО•
1
мВт
Мfц
в
мкА
КТ820А-1
1
р-п-р
10* Вт
:?:3
50* (0.1 к)
5
0,5 (1,5*) А
$30 (40 В)
.
КТ820Б-1
р-п-р
10* Вт
:?:3
70* (О, lк)
5
0,5 (1,5*) А
$30 (40 В)
КТ820В-1
р-п-р
10* Вт
:?:3
100* (О, 1к)
5
0,5 (1,5*) А
$30 (40 В)
КТ8212А
п-р-п
65 Вт
:?:3
60
5
6А
$400* мА (60 В)
КТ8212Б
п-р-п
65 Вт
:?:3
80
5
6А
$400* мА (80 В)
КТ8212В
п-р-п
65 Вт
:?:3
100
5
6А
$400* мА (100 В)
КТ821ЗА
р-п-р
65 Вт
:?:3
60
5
6А
$400* мА (60 В)
КТ821ЗБ
р-п-р
65 Вт
:?:3
80
5
6А
$400* мА (80 В)
КТ821ЗВ
р-п-р
65 Вт
;::.:3
100
5
6А
$400* мА (100 В)
КТ8214А
п-р-п
50 Вт
-
60
5
2А
$1000 (60 В)
КТ8214Б
п-р-п
50 Вт
-
80
5
2А
$1000 (80 В)
КТ8214В
п-р-п
50 Вт
-
100
5
2А
$1000 (100 В)
КТ8215А
р-п-р
50 Вт
-
60
5
2А
$1000 (60 В)
IП8215Б
р-п-р
50 Вт
-
80
5
2А
$1000 (80 В)
КТ8215В
р-п-р
50 Вт
-
100
5
2А
$1000 (100 В)
КТ8216А
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
40**
5
10 (15*) А
$0.2 (40 В)
КТ8216Б
п-р-п
1.75; 40* Вт
:?:3
60**
5
10 (15*) А
$0,2 (60 В)
КТ8216В
п-р-п
1.75; 40* Вт
:?:3
80**
5
10 (15*) А
$0,2 (80 В)
KT8216f
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
100**
5
10 (15*) А
$0.2 (100 В)
KT8216Al
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
40**
5
10 {15*) А
$0.2 (40 В)
КТ8216Б1
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
60**
5
l0(15*)A
$0.2 (60 В)
KT8216Bl
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
80**
5
l0(15*)A
$0,2 (80 В)
КТ8216П
п-р-п
1,75; 40* Вт
:?:3
100**
5
10 (15*) А
$0,2 (100 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
h2," ь;,э
>40* (2 В; 0,15 А)
;40* (2 В; 0.15 А)
;30* (2 В; 0,15 А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3А)
>500(4В;2А)
;500(4 В; 2А)
;500(4В; 2А)
>500(4В;2А)
;500(4В; 2А)
;500(4 В; 2А)
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
12...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15".275 (4 В; 3 А)
12".275 (4 В; 3 А)
13 381. 9
1
1
1
1
i1
с,,
с;2з'
пФ
:<:65 (5 В)
:<:65 (5 В)
:<:65 (5 В)
-
-
-
-
-
-
rКЭк.асt Ом
•
Ом
l"БЭк.асt
к;:•.. дБ
<1
$1
$1
<0,25
:<:0,25
:<:0,25
<О,25
:<:0,25
$0,25
<1,25
$1,25
$1,25
<1,25
$1,25
$1,25
<0,25
$0,25
$0,25
$0,25
<0,25
:<:0,25
:<:0,25
:<:0,25
Кш, дБ
r~, Ом
р"" Вт
выхt
-
-
т., пс
t~act НС
t"" нс
8ЫIUlt
-
<0,7**
<0,7**
$0,7**
<0,7**
<0,7**
:<:0,7**
<4,5**
<4,5**
:<:4,5**
<4,5**
<4,5**
:<:4,5**
1
...
193
Корпус
КТ820-1
~:~~\а;~;!КТ8212
~mi ~-
27,1 ~
~orr к
КТ8213
КТ8214
:rm-r
·~
КТ8215
КТ8216
6,54
....:2i..:2:::..:85:......т---i
'
'-
1 ----.
1
j,
!
!1
j
,,
11 11
_i J_~
БКЭ
КТ8216-1
L
-
о
6,54
2,285
-- -'-'-' ---.,_
r:-
1-
1
-

194
Раздел 2. Бипоmчжые транзисторы
1
pKm•x "
~·~16•
UK60m1x•
lк max
1
lкю,
Тип
/ Сt:рук-
Ук. .....
c..J"
trКЭRmaI,-
Uэоо .... •
1:. н max'"
fкэн,
прибора
тура
Ук:' •...,,.
с..
1Гкэоmах'
в
Гкэо,
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ8217А
p-n -p
1,75; 40* Вт
:!:3
40**
5
10 (15*) А
~.2 (40 В)
КТ8217&
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
60**
5
Ю (15*) А
~.2 (60 В)
КТ8217В
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
80**
5
10 (15*) А
~.2 (80 В)
КТ821Л
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
\()()**
5
10 (15*) А
~.2 (100 В)
1
KT8217AI
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
40**
5
10 (15*) А
~0.2 (40 В)
КТ8217&1
р-п-р
1,75; 40* Вт
:!:3
60**
5
10 (15*) А
~.2 (60 В)
КТ8217ВI
р-п-р
1,75; 40* Вт
:!:3
80**
5
10 (15*) А
~О.2 (80 В)
КТ82fЛ1
р-п-р
1,75; 40* Вт
~3
100**
5
10 (15*) А
~0.2 (100 В)
!
IП821А-1
1 п-р-п
10* Вт
~3
50* (О, lк)
5
0,5 (1,5*) А
~30 (40 В)
К.Т821&-t
п-р-п
10* Вт
~3
70* (О, lк)
5
0,5 (1,5*) А
~О (40 В)
КТ821В-1
п-р-п
10* Вт
:!:3
100* (О,lк)
5
0,5 (1,5*) А
~30 (40 В)
К.Т8218А
11'-р-П
1,75; 40* Вт
~5
40
5
4(8*)А
~0.1 мА {40 В)
КТ8218&
n-р-п
1,75; 40* Вт
~25
60
5
4(8*)А
~О.1 мА (60 В)
К.Т8218В
1 n-p-n
1,75; 40* Вт
~25
80
5
4(8*)А
~.1 мА (80 В)
KT8218r
1 п-р-п
1,75; 40* Вт
~5
100
5
4(8*)А
~.1 мА (100 В)
IП8218А1
n-p-n
1,75; 40* Вт
~25
40
5
4(8*)А
~.1 мА (40 В)
КТ8218&1
п-р-п
1,75; 40* Вт
~25
60
5
4(8*)А
~.1 мА (60 В)
КТ8218В1
п-р-п
1,75; 40* Вт
~25
80
5
4(8*)А
~о.1 мА (80 В)
IП8218П
п-р-п
1,75; 40* Вт
~25
100
5
4(8*)А
~О.1 мА (100 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
12...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
20...275 (4 В; 3 А)
15...275 (4 В; 3 А)
12...275 (4 В; 3 А)
~40• (2 В; 0.15 А)
~40* (2 В; 0.15 А)
~30* <2 В; 0.15 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750.. .15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750.. .15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
1з·
:540 (5 В)
:540 (5 В)
:540 (5 В)
:5100 (IO В)
:5100 ( 10 В)
:5100 ( 10 В)
:5100 ( 10 В)
:5100 (10 В)
:5100 (10 В)
:5100 ( 10 В)
:5100(108)
rкэ",• Ом
r~Энас' Ом
к;.·•.. дБ
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:50,25
:51,2
:51,2
:51,2
:51
:51
:51
:51
:51
:51
:51
:51
Кш, дБ
r=, Ом
Р:х• Вт
т", пс
t;,.,. нс
t::JUll НС
1О
1
1О
195
Корпус
КТ8217
КТ8217-1
КТ821-1
1.8
0,8
~щ~
/j1 \З
КТ8218
2,285
КТ8218-1
6,54

196
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~.. ..:....
UKБOmax•
lк max
JКБО•
Тип
Струк·
Р;, т maxt
\;1~·
U~Rmax•
UЭБОmах•
•:.н max•
·~·
р~~н max•
~~·;х,
u~m"x•
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ8219А
р-п-р
1,75; 40* Вт
~25
40
5
4(8*А)
:50.1 мА (40 В)
КТ8219Б
1 р-п-р
1
1,75; 40* Вт
~25
60
5
4(8*А)
:50.1 мА (60 В)
'
КТ8219В
1 p-n-p
1,75; 40* Вт
~25
80
5
4(8*А)
:50,1 мА (80 В)
КТ8219Г
1 р-п-р
1.75; 40* Вт
~25
100
5
4(8*А)
:50,1 мА (100 В)
1
i
1
!
1
i
1
1
КТ8219А1 i
1.75; 40* Вт
~25
40
1
5
1 4(8*А)
i
:50,1 мА (40 В)
р-п-р
'
1
1
КТ8219Б1 ! р-п-р i
1,75; 40* Вт
~25
60
1
5
i 4(8*А) j :50.1мА(60В)
КТ8219В1 J р-п-р 1
1,75; 40* Вт
~25
80
5
1 4(8*А) i :50.1мА(80В)
КТ8219П i р-п-р i
1,75; 40* Вт
~25
100
1
5
1
4(8*А) ! :50.1мА(100В)
j
1
1
1
'
1
i
!
!
1
i
i
1
i
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
!
1
!
!
1
'
:
1
i
!
1
1
i
1
1
!
1
IKT8220A
J
n-p -n
1
65* Вт
1
~з
40
1
5
!
6А
1
1
!
КТ8220Б
i n-p-n
1
65* Вт
~з
60
5
6А
1
!
!
JKT8220B
1 n-p-n 1
65* Вт
~з
80
5
6А
!
КТ8220Г
! n-p-n 1
65* Вт
~з
1
100
5
1
6А
!
i
1
1
1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ8221А
1 р-п-р
65* Вт
~з
40
5
6А
1
1
1
1
КТ8221Б
1 р-п-р 1
65* Вт
~з
1
60
5
j6А
1
1
КТ8221В
р-п-р
1
65* Вт
~з
80
5
1
6А
1
КТ8221Г
р-п-р
65* Вт
~з
100
5
1
6А
1
1
1
1
КТ8224А
1 n-p-n
1
100 Вт
-
1500; 700**
7,5
8А
1
:51000
КТ8224Б
1 n-p-n
100 Вт
-
1500; 700**
7,5
8А
:51000
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
750...15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750... 15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2А) 1
750...15000 (3 В; 2 А)
750...15000 (3 В; 2 А) j
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3 А)
15...75 (4 В; 3А)
4 ... 7(58;0.1 А)
23(5В;0,1А)
с"
с;2э'
пФ
:-:;200 (10 В)
$200 (10 В)
:-:;200 ( 10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
:-:;200 (10 В)
rкэ нас' Ом
r~э нас' Ом
к;.*•.• дБ
$0,25
$0,25
$0,25
:-:;О,25
:-:;О,25
:-:;О,25
$0,25
$0,25
Кш, дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
t'll., пс
t~(-t нс
t::клt НС
1
197
Корпус
КТ8219
6,54
2 285
1 ,__
lJ]
КТ8219-1
i----" -6'-",54_ .: ._ _ .. ., 2,285
1-+-1
,,
!
1
111111
к
.....
"'
...
) VТI
~l7
~) ,_vo
1 .д.i VТ1
КТ8220
10,28
7,11
4.55
КТ8221
10.28
7,11
4.55
т
КТ8224
5
то
:::~-15,9
~ t:!
1
ln
'5:1-"
-
/jк3

198
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-
Рк max•
~•• \210 •
UКБО maxt
)Kmax
1
•кw•
Тип
Р;,тmах'
\;lэ•
U~Rmax'
UЭБОmал•
1;.н max•
·~ЭR•
прибора 1 тура
р~~ нmax•
с·
u~max•
в
•••
."
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ8225А
n-p-n
155 Вт
-
350
5
15А
~ню
..
КТ8228А
1
n-p-n
125 Вт
-
1500; 800*
7,5
12А
1
~100
КТ8228Б
n-p-n
125 Вт
-
1500; 800*
7,5
12А
~100
КТ8229А
n-p-n
125 Вт
~3
180
5
25А
-
1
1
1
1
1·
1
1
1
КТ822А-1
p-n-p
20* Вт
~3
45* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (40 В)
КТ822Б-1
p-n-p
20* Вт
~3
60* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (40 В)
КТ822В-1
p-n-p
20* Вт
~3
100* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (40 В)
КТ82ЗА-1
n-p-n
20* Вт
~3
45* (0,1 к)
5
2(4*)А
~50 (45 В)
КТ82ЗБ-1
n-p-n
20* Вт
~3
60* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (45 В)
КТ82ЗВ-1
n-p-n
20* Вт
~3
100* (О,lк)
5
2(4*)А
~50 (45 В)
1
КТ825Г
1
p-n-p
125* Вт
~4
90
5
20(30*)А 1 ~1*мА(90В)
КТ825Д
p-n-p
125* Вт
~4
60
5
20 (30*) А
~1· мА (60 В)
КТ825Е
1
p-n-p
125* Вт
~4
30
5
20 (30*) А
~1* мА (30 В)
КТ826А
n-p -n
15* Вт 0(50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
~2 мА (700 В)
КТ826Б
n-p -n
15* Вт (50°С)
~6
700* (0,Оlк)
5
IA
~2 мА (700 В)
КТ826В
n-p -n
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
~мА (700 В)
КТ827А
n-p -n
125* Вт
~4
100* (1 к)
5
20 (40*) А
~3* мА (100 В)
КТ827Б
n-p-n
0
125* Вт
~4
80* (lк)
5
20 (40*) А
~3* мА (80 В)
КТ!f27В
n-p-n
125* Вт
~4
60* (lк)
5
20 (40*) А
~3* мА (60 В)
КТ828А
n-p-n
50* Вт (50°С)
~4
800* (О,Оlк)
5
5 (7.5*) А
~5 мА (1400 В)
КТ828Б
n-p-n
50* Вт
~4
600* (0,01 к)
5
5 (7,5*} А
~5 мА (1200 В)
КТ828В
n-p-n
50* Вт (50°С)
~4
800* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
~5 мА (800 В)
КТ828Г
n-p -n
50* Вт
~4
600* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
~5 мА (600 В)
КТ829А
n-p-n
60* Вт
~4
100* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (100 В)
КТ829Б
n-p-n
60* Вт
~4
80* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (80 В)
КТ829В
n-p -n
60* Вт
~4
60* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (60 В)
КТ829Г
n-p-n
60* Вт
~4
45* (lк)
5
8 (12*) А
~1.5* мА (60 В)

Бипопярные мремние8Ые транзисторы
199
с,.
.rКЭн1с• Ом
кw. ,1;6
т._"пс
j
h21.• ь;,э
с;2.•
r;эик• Ом
";,Ом
t;,_., вс
Корпус
пФ
к;~•-' ,1;Б
•:,,вт
t:... нс
1
2:300
-
-
-
-
КТ8225
~r'/(3
5...9,5 (5 В; 0.1 А)
-
S0,12
-
:5900*"
КТ8228
15...25 (5 В; 0,1 А)
-
s0,12
-
:5900*"
=Emt
1
1
1
11!:
а
61(3
15...75 (4 В; 15 А)
-
s0,12
-
S800**
IП8229
1
:Emr
6К3
2:25*(2В;1А)
sl15 (10 В)
s0,6
-
-
КТ822-t, КТ823-1
2:25*(2В;1А)
sl15{!ОВ)
s0,6
-
-
2:25*(2В;1А)
:5115 (10 В)
s0,6
-
-
~1!
2:25*(2В;1А)
:575 (10 В)
sD,6
-
-
2:25*(2В;1М
g5 (IОЩ
s0,6
-
-
2:25"(2В;1А)
S75 НО В)
S0,6
-
-
•/ \з
2:750" (10 В; 10 А)
:5600 (10 В)
S0,4
-
:54,5** мкс
К.1'825, КТ826
2:750" (10 В; 10 А)
~600 (10 В)
50,4
-
:54,5"* ККС
2:750" (10 В: 10 А)
.sбОО (10 В)
sD,4
-
:54,5** мкс
Цt iJ
i
~No- ~:~
10... 120* (10 В; 0,1 А) s25 (100 В)
S5
-
tcnS1500
5...300* (10 В; 0,1 А) :525 (100 В)
s5
-
tcnS700
~
к
5...120" (Ю В; 0.1 А) s25 (100 щ
:55
-
tcnS700
750... 18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В)
S0,2
-
:54,5" мкс
КТ827, КТ828
750... 18000 " (3 В; 10 В) S400 (Н> В)
S0,2
-
:54,5* мкс
750.. .18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В)
50,2
-
:54,5* мкс
ЦI~
~~~.
2:2.25* (.5 В; 4..5 А}
-
stl,66
-
:510*.
2:2.25* (5 В; 4.5 А)
-
s0,66
-
:510"
2:2.25* (5 В; 4.5 А~
1
-
~.6&
-
:510"
2:2.25" (5 В: 4.5 А}
-
gJ,66
-
:510*
2:750* (3 В; З А}
1
:5120
S0,57
-
-
КТ829
2:750" (3 В; ЗА)
:5120
S0,57
-
-
2:7.50* (3 В; 3 А}
- :!>120
sQ,57
-
-
1415
f,I
2:750* (3 В; 3 А)
:5120
S0,57
-
-
w.тIКЭ

200
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
~•• ~216'
UKБOmax•
lк max
JКБО•
Тип
Струк-
Р;.тmах'
~;lз'
U~Rmax•
UЭБО max•
•:.и max•
·~R'
прибора
тура
р~~ и max•
~:;х,
u~max•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ82ЗОА
p-n -p
125 Вт
~3
180
5
25А
-
1
1
!
КТ8231А
1 n-p-n
1
1
180* Вт
-
350**
i-
15А
-
1
i
КТ8231А1
n-p -n
155* Вт
-
350**
-
1
15А
-
1
1
КТ8231А2
n-p-n
65* Вт
-
350**
-
15А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
i
1
КТ8232А1
11-p-n
125* Вт
-
350
5
20А
-
КТ8232Б1
n-р-п
125* Вт
-
350
5
20А
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
'
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
КТ82ЗЗАS 1 p-n-p 1
-
~4
100
1
5
5А
J
-
КТ82ЗЗБS 1 p-n -p 1
-
~4
80
5
5А
!
-
КТ823ЗВS
1
p-n -p
1
-
1
~4
60
5
5А
i
-
1
1
1
1
1
i
1
1
1
'
i
1

Биполярные кремниевые транзисторы
201
ck,
rкэнк• Ом
Кw1 дБ
t._, пс
h21.• ь;,э
с;2з'
r~и•с' Ом
r;, Ом
t;,.,, НС
Корпус
пФ
к;_*,_, дБ
Р:х, Вт
t:.КJI. нс
15...75 (4 В; 15 А)
-
::>0,12
-
::>800**
КТ8230
~gtJr
~
а
6КЗ
~400
-
-
-
-
КТ8231
п1~
~No-~
~
/(
~400
-
-
-
-
КТ8231А1
~r
"!111"
а
6КЗ
~400
-
-
-
-
КТ8231А2
16
5
--
l
VO\ NN
--
V.U V
БКЭ
300... 8000 (10 В; 5 А)
-
::>0,18
-
-
КТ8232-1
300... 8000 (10 В; 5 А)
-
:s;0,18
-
-
16
5
-·-
lli
VO\
-
N
N
-
vtl v
БКЭ
к
Б
VП ~V01
...
"'vтz- ~voz
1"~
_R1
Rl
-
-
э
~1000 (3 В: 0,5 А)
::>300
::>3
-
-
КТ8233-5
~1000 (3 В: 0,5 А)
SЗОО
::>3
-
-
1,6
0.5
~1000 (3 В: 0,5 А)
::>300
::>3
-
-
~ют

Раздел 2. Бипотrрные транзисторы
Ркmах•
f,. •• (210•
UК&Omax•
lкmax
lкоо•
Тип
Струк-
Р~. т m1x•
~lэ'
U~Rmax'
Uэюm1х"' 1;, 11 max•
l~и•
прибора
тура
р;иmм.t
Сх•
U-КЭОmах•
в
Гкэо,
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ8234А5
1'1-p-n 1
-
<!:4
100
5
5А
1
-
КТ8234Б5
n-p-n
-
<!:4
80
51
5А
-
КТ823485
n-p-n
-
<!:4
1
60
5
5А
-
1
1
1
1
1
:КТ8235А
D-р-П
1000
<!:30
700; 400**
5
2А
-
БСИТ
11
1
i
КТ8240А5
1
n-p-n 1
-
<!:150
30
-
800
-
КТ8240Б5
n-p-n
-
<!:150
30
-
800
1
-
КТ824085 1 n-p-n
-
<!:150
40
-
1
800
1
-
ктs24ors 1 n-p-n
-
<!:150
50
-
1
800
1
-
КТ82.ЮД5
n-p -n
-
<!:150
60
-
800
-
КТ8240Е5
п-р-п
-
<!:150
70
-
800
-
КТ8240Ж5
n-p-n
-
<!:150
80
-
800
-
КТ8241А5
p-n -p
-
<!:150
30
-
800
-
КТ8241Б5
p-n-p
-
<!:150
30
-
800
-
К:Т8241В5
p-n-p
-
<!:150
40
-
800
-
КТ8241r5 1 р-п-р
1
-
<!:150
50
-
800
-
КТ8241д5 1 р-п-р
-
<!:150
60
-
800
-
КТ8241Е5 1 p-n-p
-
<!:150
70
-
800
-
1
КТ824DК5 1 p-n -p 1
-
<!:150
80
-
800
-
1
1
КТ8242А5 i р-п-р 1
-
<!:25
100
-
2000
-
1
1
КТ8242Б5
1
<!:25
80
2000
p-n-p 1
-
-
-
IП824285
p-n-p
-
<!:25
60
-
2000
-
КТ8243А5
n-p-n
-
<!:25
100
-
2000
-
КТ8243Б5
п-р-п
-
<!:25
80
-
2000
1
-
КТ824385 1
<!:25
60
2000
i
n-p -n
-
-
1
-
!
1
1
1
IП'8244Л5 1 p-n-p
-
<!:150
45
-
2000
-
КТ8244Б5 1 р-п-р
-
<!:150
60
-
2000
-
IТ824485
р-п-р
-
<!:150
60
-
2000
-
1ктs244rs
р-п-р
-
<!:150
80
-
2000
1
-
КТ8245Л5
n-p -n
-
<!:150
45
-
2000
-
IТ8245Б5
п-р-n
-
<!:150
60
-
2000
-
IП8245В5
n-р-п
-
<!:150
60
-
2000
-
IП8245r5
п-р-n
-
<!:150
80
-
2000
-
1
1
1
!
КТ8246А
1
n-p -n
60* Вт
-
100
5
15А
-
КТ8246Б
n-р-п
60* Вт
-
120
5
15А
-
КТ8246В
п-р-.п -
60* Вт
-
160
5
15А
-
к.тs2.i&r
n-p-n
60* Вт
-
160
5
15А
-
'

Биполярные кремниевые транзисторы
203
i
1
1
!
с..
rКЭиасt Ом
Кw,д6
'tкt ПС
1
1
ь",. ь;,э
с;2.•
r;Энас' Ом
r;, Ом
t;,.,, НС
1
Корпус
1
пФ
к;.·", дБ
Р;:.. Вт
t::IUll НС !
i
1
i
~1000 (3 В: 0,5 А) i :>200
:>3
-
-
1
КТ8234-5
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
S3
-
-
1,6
0,5
~шт
8...40 (2 В; 0,5 А)
:>30
Sl
-
-
КТ8235
1
!
1
1
Q;
1
: 4No.
1
1
~5000(5В;10мА) 1
-
Sl5
-
1
-
1
КТ8240-5
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
1,6
0,5
~10000 {5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~шт
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
1
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
!
-
1
1
j
~5000 (5 В; 10 мА)
:>15
!
i
КТ8241-5
-
-
1
-
~10000 (5 В: 10 мА)
-
:>15
1
-
!-
~10000 (5 B;·lO мА)
-
:>15
-
-
1,6
0,5
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~шт
~10000 (5 В; 10 мА)
-
:>15
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
-
~10000 (5 В; 10 мА)
-
Sl5
-
-
~500 (3 В; 0,5 А)
:>200
:>3
-
-
КТ8242-5, КТ8243-5
~500 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~500 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
1
1,6
0,5
~
i
1
~шт ~
~500 (3 В; 0,5 А)
:>100
:>3
-
-
1
~500 (3 В: 0.5 А)
:>100
:>3
-
-
~500 (3 В; 0,5 А)
:>100
S3
-
-
1
1
1
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
КТ8244-5, КТ8245-5
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
S200
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
:>200
:>3
-
-
1,6
0,5
~шт
~1000 (3 В; 0.5 А)
:>100
S3
-
-
~1000 (3 В; 0.5 А)
:>100
:>3
-
-
~1000 (3 В; 0,5 А)
:>100
S3
'
-
-
1
~1000 (3 В; 0,5 А)
:>100
S3
-
-
1
!
~1000
-
:>2,5
-
-
КТ8246
~1000
-
S2,5
-
-
~1000
-
:>2,5
-
-
:ft
~1000
-
S2,5
-
-
зк~
i

204
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Ркmах•
~•• ..:210•
UKБOmax'
1
i
•коо•
1
lкmaA -
i
Тип
1 Струк-1
Р;.тmах•
(;lэ'
U~Rmax•
UЭБО inax' i 1;, и max'
1
·~R'
i
1
р~~иrnax 1
с·
u~max•
в
1
1
·~·
прибора
тура
."
!
'
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ8247А
1 п-р-п
75 Вт
-
700
1
12
1
5А
$100*
!
КТ8248А1 1 п-р-п 1
90 Вт
-
1500*
7,5
1
5А
-
1
1
!
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
!
i
1
i
1
1
1
КТ8250А
п-р-п
50* Вт
-
190; 40**
5
15А
-
КТ82506
п-р-п
50* Вт
-
190; 80**
5
15А
1
-
1
1
1
1
1
КТ8251А
п-р-п
125 Вт
-
180
5
10А
$100
i
1
1
КТ8254А
п-р-п
20 Вт
~10
1
800
-
2А
1
i
i
1
1
1
1
1
1
1
'
i
i
КТ8255А
п-р-п
60 Вт
-
330
6
7А
$1* мА
i
1
1
!
1
1
!
!

Биполярные кремниевые транзисторы
205
1
ck,
Гкэнас' Ом
Кш• дБ
'tк' ПС
h2,,• ь ;,э
с;2э'
r~э нас' Ом
r~, Ом
t:ac' НС
Корпус
пФ
к;·•.. дБ
Р;:х, Вт
t::IUlt НС
~22
-
-
-
-
КТ8247
70,G5
lf,8
-
w.ir
6К3
3,8 ...9
-
-
-
-
КТ8248-1
-Ет
5
т
-~ ......
:~.
~-
...
а
6кз
~100
-
~;0,05
-
-
КТ8250
~100
-
$0,05
-
-
:ft
ЭК!i
~1000
-
-
-
-
КТ8251
-Ет
5
т
-~ ......
:~.
~-
...
а
6кз
~30* (5 В; 0,3 А)
$2
КТ8254
6,54
2,285
--
L
11
j,
1
-
"'
i
i
i
""
~
•'
11 1J
~
i11
~
ii1i
-~
1
1
!i
!i
j_J]
Бкэ
~15
-
-
-
-
КТ8255
:ft
fiKЭ

206
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• ..:210•
UKБOmax'
JKmax
JКБО•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
(;lэ•
U~Rmax•
UЭБОшах•
•:.и max•
J~R'
прибора
р~:иmах•
с·
u~max•
в
·~·
тура
'"
мА
мВт
мrц
в
мкА
КТ8261А
п-р-п
25 Вт
-
700
9
2А
s50*
1
1
1
1
i
1
1
1
КТ8270А
i п-р-п
7Вт
<!:4
600
1
9
1
500
s100•
1
1
1
1
1
КТ8271А
р-п-р
10 Вт
-
45
5
1500
SO,l (45 В)
КТ8271Б
р-п-р
10 Вт
-
60
5
1500
SO,l (60 В)
КТ8271В
р-п-р
10 Вт
-
80
5
1500
SO,l (80 В)
КТ8272А
п-р-п
10 Вт
-
45
5
1500
SO.l (45 В)
КТ8272Б
п-р-п
10 Вт
-
60
5
1500
SO,l (60 В)
КТ8272В
п-р-п
10 Вт
-
80
5
1500
SO,l (80 В)
1
КТ829А
1
п-р-п
1
60 Вт
<!:4
100* (lк)
5
8А;12*А
Sl,5 (100 В)
КТ829Б
п-р-п
1
60 Вт
<!:4
80* (lк)
5
8А;12*А
Sl,5 (80 В)
КТ829В
п-р-п
60 Вт
<!:4
60* (lк)
1
5
8А;12*А
Sl,5 (60 В)
KT829f
п-р-п
60 Вт
<!:4
45* (!к)
5
8А;12*А
Sl,5 (45 В)
КТ829АТ
п-р-п
50 Вт
<!:4
100
5
5А
-
КТ829АП
п-р-п
50 Вт
<!:4
1
160
5
5А
1
-
КТ829АМ
п-р-п
60 Вт
<!:4
1
240
5
8А
-
1
i
1
1
1
1
КТ8290А
п-р-п
100 Вт
-
700
9
10А
SlOO
1
1
1
!
1
1
1
1
КТ8ЗОА
р-п-р
5* Вт
<!:4
35
5
2А;4*А
SlOO (35 В)
КТ8ЗОБ
р-п-р
5* Вт
<!:4
60
5
2А;4*А
SlOO (60 В)
КТ8ЗОВ
р-п-р
5* Вт
<!:4
80
5
2А;4*А
SlOO (80 В)
ктsзоr
р-п-р
5* Вт
<!:4
100
5
2А;4*А
SlOO (100 В)
КТ831А
п-р-п
5Вт
<!:4
35
1
12
2А
1
-
КТ831Б
1 п-р-п
5Вт
<!:4
60
5
2А
1
-
КТ831В
1
1
5Вт
<!:4
80
5
2А
i
п-р-п 1
-
KT831f
1
п-р-п 1
5Вт
<!:4
100
5
2А
-
1

Биполярные кремниевые транзисторы
207
1
1
с,.
rкэ."• Ом
Кш, дБ
i
t'к' ПС
1
h"" ь;,э
с,2"
r~Энас' Ом
r;, Ом
t;..,. нс
Корпус
1
пФ
к;_*,.. дБ
Р;~х' Вт
1
t::..л, нс
1
~10
!-
1
-
1
-
1
-
1
КТ8261, КТ8270
5... 90
-
-
-
-
~иw: Фт
~25
-
-
-
-
КТ8271, КТ8272
~25
-
-
-
-
~25
-
-
-
-
~иw
1
:Фт
~25
1
-
-
-
-
1
~25
-
-
-
-
~25
-
-
-
-
~750*(3В;3А)
::;120
::;О,57
-
-
КТ829
~750"' (3 В; 3 А)
::;120
::;О,57
-
-
~750*(3В;3А)
::;120
::;О,57
-
-
:ttr
~750*(3В;3А)
::;120
::;О,57
-
-
1
fiK 3
1
'
~1000
1
-
::;О,3
-
-
КТ829(Т-М)
~700
-
::;О,25
-
-
400...3000
-
::;О,66
-
-
10.28
7.11
4,55
R
~
.;
..,•
..
-
~111
~
г
f
к"'
Бt•:~-- Э"'
~10
1
-
-
-
-
КТ8290
)
Щ65
tB
w.тIКЗ
~О*(1 В; 1А)
-
$1,2
-
::;1000*
IП830
~20*(1 В.; 1А)
-
::;1,2
-
::;1000*
1
;fiк$э
~О* (1В;1 At
1
-
$1,2
-
::;1000•
~20*(1 В; 1А)
-
$1,2
-
::;1000*
1
1
1
1
1
1
1
1
~2
-
::;О,6
-
-
КТ831
~5
-
::;О,6
-
-
:~кфз
~25
-
::;О,6
-
-
~о
-
$0,6
-
-
1
1
1
!
~-
5.
1
f:
1
'

208
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Струк- 1
pKmax•
~•• ..:210•
UKБOmax•
lк max
1
lкю•
Тип
Р~.тm1х•
(;.3,
U~Rmaxt
UЭБО max•
1
J~R•
1~.и max•
i
р~: и max•
с·
u~m.ax•
в
1
·~·
прибора
тура 1
ох•
1
мВт
мrц
в
мА
1
мкА
КТ834А
п-р-п
!()()* Вт
~4
500* (0,lк)
8
15 (20*) А
~З* мА (500 В)
КТ834Б
п-р-п
100* Вт
~4
450* (О,lк)
8
15(20*)А
~З* мА (450 В)
КТ834В
п-р-п
100* Вт
~4
400* (О,lк)
8
15 (20*) А
~З* мА (400 В)
КТ835А
р-п-р
25* Вт
~1
зо
4
ЗА
~0.1 мА (30 В)
КТ835Б
р-п-р
25* Вт
*1
45
4
7,5 А
1 ~0.15 мА (45 В)
1
1
1
1
1
1
1
КТ836А
р-п-р
5Вт
~4
90
5
ЗА
~100 (90 В)
КТ836Б
р-п-р
• 5Вт
~4
85
5
ЗА
~100 (85 В)
КТ8368
р-п-р
5Вт
~4
60
5
ЗА
~100 (60 В)
1
'
i
1
КТ837А
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
15
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
КТ837Б
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
15
7,5 А
~.15 мА (80 В)
КТ8378
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
15
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
KT837r
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
15
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Д
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
15
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Е
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
15
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Ж
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
15
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837И
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
15
7.5 А
1
~О.15 мА (45 В)
КТ837К
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
15
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837Л
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
5
7,5 А
~0.15 мА (80 В)
КТ837М
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
5
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
КТ837Н
р-п-р
ЗО* Вт
~1
80
5
7,5 А
~О.15 мА (80 В)
КТ837П
р-п-р
30* Вт
~1
60
5
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Р
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
5
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837С
р-п-р
ЗО* Вт
~1
60
5
7,5 А
~О.15 мА (60 В)
КТ837Т
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
5
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837У
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
5
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ837Ф
р-п-р
ЗО* Вт
~1
45
5
7,5 А
~О.15 мА (45 В)
КТ838А
п-р-п
12,5* Вт (90°С)
~з
1500
5;7
5 (7,5*) А
~1* мА(1500В)
КТ838Б
п-р-п
12,5* Вт
~з
1200
5;7
5 (7,5*) А
1
~1 *мА (1200 В)
1
КТ839А
п-р-п
50* Вт
~5
1500
5
lOA
~1 мА (1500 В)
1
КТ840А
п-р-п
60* Вт
~8
400*; 900
5
6(8*)А
~3 мА (900 В)
KT84CJ&
п-р-п
60* Вт
~8
З50*; 750
5
6(8*)А
~З мА (750 В)
КТ840В
п-р-п
60* Вт
~8
800; З75*
5
6(8*)А
~з мА (800 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
209
ck,
fкэнас• Ом
Kw, дБ
т., пс
h21•' ь;,э
с;2э•
r~Энас• Ом
r;, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к;.*,.. дБ
Р;~•• Вт
t::IUll НС
150...3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В)
:s;0,13
-
tcn::>l,2 МКС
КТ834
150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В)
::>0,13
-
tcn::>l ,2 МКС
150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В)
:s;0,13
-
tcn::>l ,2 МКС
n1~
~Noi 1ti
..:;
.
-
к
~25* (1 В; 1А)
::>800 (10 В)
:s;0,35
-
-
КТ835
10.. .100* (5 В; 2 А)
::>800 (10 В)
::>0,8
-
-
10,85
tB
1
wт6КЭ
20...100 (5 В; 2 А)
-
::>0,3
КТ836
20...100 (5 В; 2 А)
-
:s;0,018
20...100 (5 В; 2А)
-
:s;0,022
:Jf·Ф·
~
5
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,8
-
-
КТ837
20...80* (5 В; 2А)
-
:s;0,8
-
-
50...150* (5 В; 2 А)
-
::>0,8
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
20...80* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
50...150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
~ft
20...80* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
50... 150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
::>0,8
-
-
20...80* (5 В; 2 А)
-
:s;0,8
-
-
50...150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,8
-
-
~
D
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,3
-
-
ЗК6
20...80* (5 В; 2А)
-
:s;0,3
-
-
50... 150* (5 В; 2 А)
-
::>0,3
-
-
10...40* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
20...80* (5 В; 2 А)
-
::>0,25
-
-
50... 150* (5 В; 2 А)
-
:s;0,25
-
-
~4*(5В;3,5А)
170 (10 В)
::>1,1
-
::>10* мкс;
КТ838,КТ839,КТ840
tcn::>l ,5
~4*(5В;3,5А)
170(108)
S:l,l
-
::>10* мкс
n1~
~5*(10В;4А)
240 (10 В)
:s;0,375
-
S:IO* мкс;
~Noi 1ti
tcn::>l,5
~
к
10... 60* (2,5 В; 8 А)
-
::>0,75
-
tcn:S:0,6
~10* (2,5 В; 8 А)
-
:s;0,75
-
tcn:S:0,6
10... 100* (2,5 В; 8 А)
-
:s;0,24
-
S:3500*.

210
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKm.Jx'
~" f.:21••
UКБОmах•
JK max
•кво•
Тип
Струк-
р~ т max•
\;Jэt
u~max•
UЭБО так•
·~." ma.x'
·~Rt
прибора
тура
p~нmu•
Сх•
If~max•
в
·~·
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ841А
п-р-п
3 (50*) Вт
~10
600
5
10 (15*) А
:53 мА (600 В)
КТ841Б
п-р-п
3 (50*) Вт
~10
400
5
10 (15*) А
$3 мА (400 В)
КТ841В
п-р-п
3 (50*) Вт
~10
600
5
10 (15*) А
:53 мА (600 В)
KT841f
n-p -n
100* Вт
~7
200
5
10 (15*) А
:53 мА (200 В)
КТ841д
п-р-п
100* Вт
~5
500
5
10 (15*) А
:s;3 мА (500 BJ
КТ841Е
п-р-п
50* Вт
~7
800
5
10(15*)А
:53 мА (800 BJ
1
КТ842А
р-п-р
3 (50*) Вт
~20
300
5
5 (10*) А
:Sl мА (300 В)
КТ842Б
р-п-р
3 (50*) Вт
~20
200
5
5 (10*) А
:Sl мА (200 В)
КТ842В
р-п-р
100* Вт
~7
200
5
5 (10*) А
:SI мА (200 В)
КТ844А
п-р-п
50* Вт (5О 0С)
~7.2
250* (О,Оlк)
4
10 (20*) А
:53* мА (250 В)
КТ845А
п-р-п
40* вт (50°С)
~4.5
400* (0,01 к)
4
.5 (7,5*) А
:S3* мА (400 В)
КТ846А
п-р-п
12.5* Вт (9О0С)
~2
1500* (О,Оlк)
5;7
5 (7,5*) А 1 :SI* мА (1500 В)
КТ846Б
п-р-п
12,5* Вт (95"С)
~2
1200
5;7
5 (7.5*) А
1
:SI * мА (1200 В)
КТ846В
1
п-р-п
12,5* Вт (95°С)
~2
1500
5;7 1 5(7,5*)А
:SI * мА (1500 BJ
!
КТ847А
п-р-п
125* Вт
~15
650* (0,01 к)
8
15 (25*) А
5мА(650В)
КТ847Б
п-р-п
125* Вт
~10
650* (О,Оlк)
8
15 (25*) А
5мА(650В)
КТ848А
п-р-п
35* Вт (IOO"C)
~3
520
15
15А
:SЗ* мА (400 В)
КТ848Б
п-р-п
35* Вт ( 1оо·с)
~3
400
15
15А
:53* мА (400 В)
КТ850А
п-р-п
25* Вт
~20
250
5
2(3*)А
:5100 (250 В)
КТ850Б
п-р-п
25* Вт
~20
300
5
2(3*)А
:5500 (300 В)
КТ850В
п-р-п
25* Вт
~20
180
5
2(3*)А
:5500 (180 В)
:
i
1
КТ851А
i р-п-р
25* Вт
~20
250
5
2(3*)А
:5100 (250 В)
КТ851Б
1 р-п-р
25* Вт
~20
300
5
2(3*)А
:5500 (300 В)
КТ851В
р-п-р
25* Вт
~20
180
5
2(3*)А
:5500 (180 В)
КТ852А
р-п-р
50* Вт
~7
100
5
2,5 (4*) А
:SI мА (100 В)
КТ852Б
р-п-р
50* Вт
~7
80
5
2,5 (4*) А
:SI мА (80 В)
КТ852В
р-п-р
50* Вт
~7
60
5
2,5 (4*) А
:SI мА (60 В)
KT852f
р-п-р
50* Вт
~7
45
5
2,5 (4*) А
:SI мА (45 В)
КТ85ЗА
р-п-р
60* Вт
~7
100
5
8 (12*) А
:5200 (100 В)
КТ85ЗБ
р-п-р
60* Вт
~7
80
5
8 (12*) А
:5200 (80 В)
КТ85ЗВ
р-п-р
60* Вт
~7
60
5
8 (12*) А
$200 (60 В)
ктssзr
р-п-р
60* Вт
~7
45
5
8(12*)А 1 $200(45В)
1
КТ854А
п-р-п
60* Вт
~10
600
5
10 (15*) А
:53 мА (600 В)
КТ854Б
п-р-п
60* Вт
~10
400
5
10 (15*) А
:53 мА (400 В)
КТ855А
р-п-р
40* Вт
~5
250
5
5(8*)А
:51000 (250 В)
КТ855Б
р-п-р
40* Вт
~5
150
5
5(8*)А
:51000 (150 В)
КТ855В
р-п-р
40* Вт
~5
150
5
5(8*)А
:51000 (150 В)
КТ856А
п-р-п
75* Вт
~10
800
5
10А;12*А
:53 мА (800 В)
КТ856Б
п-р-п
75* Вт
~10
700
5
10А;12*А
:53 мА (600 В)
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
211
"
!
1
rкэ ""' Ом
Кw1 дБ
1
с,,
1
tll:, пс
h2," ь;,э
с;2э'
r~н•с• Ом
r~. Ом
t~<' НС
Корпус
пФ
к;.·Р·' дБ
Р;~х• Вт
t;ы11.11• НС
~12*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
КТ841, КТ842, КТ844
~12*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~12*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~20*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~20*(5В;2А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
п.1 ~
~10*(5В;5А)
$300 (10 В)
$0,3
-
$1000*
~ffli ~
~15*(4В;5А)
250 (10 В)
$0,36
800*
-
~
.
~15*(4В;5А)
250 (10 В)
$0,36
-
800*
-
к
~20*(4В;5А)
i250(10В)
$0,44
-
800*
'
!
10...50• (3 В: 6 А) i $300 (10 В)
$0,4
1
-
1
$2000*
1
1
15...100* (5 В; 2 А)
1
$45 (200 В)
$0,75
-
$4000*
КТ845, КТ846, КТ847,
КТ848
-
$200
$0,22
-
$12000*
-
-
$1,1
-
$12000*
п.1 ~
-
-
$1,1
-
$12000*
~ffli ~.
8...25* (3В: 15А) 1$200(400В) 1
$0,1
-
$2000*
8...25* (3 В; 15 А) 1 $200 (400 В)
1
$0,1
-
$3000*
!
i
i
:
1
1
1
1
1
~20*(5В;15А) i
-
$0,2
-
1
-
~20*(5В;15А) !
-
$0,2
-
-
1
1
1
40...200* (10 В; 0.5 А) 1 $35 (5 В)
$2
-
1
1500*
! КТ850, КТ851, КТ852
~20* (10 В; 0,5 А)
$35 (5 В)
$2
-
1500*
~20* (10 В; 0,5 А)
$35 (5 В)
$2
-
1500*
40...200* (10 В; 0,5 А)
1
40(5В)
$2
-
1400*
70,G5
~в
20... 200* (10 В: 0,5 А)
40(5В)
$2
-
1400*
wт
20...200* (10 В; 0.5 А)
40(5В)
$2
-
1400*
1
~500•(4В;2А)
$28 (5 В)
1
$1,25
-
1
2000**
~500•(4В:2А)
$28 (5 В)
$1,25
2000**
6КЭ
1
-
1
~1000* (4 В; 1 А)
1
$28 (5 В)
$1,25
-
2000**
~1000* (4 В; 1 А)
$28(5В) 1
$1,25
-
1
2000**
1
!
i
!
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
КТ853,КТ854,КТ855
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
~750*(3В;3А)
$120 (5 В)
$0,66
-
3300**
п.1 !)
~20*(4В;2А)
200 (10 В)
$0,4
-
tcn=700
~ffl- ~
~20•(4В;2А)
200 (10 В)
$0,4
-
tcn=700
~
.
~20*(4В;2А)
200 (10 В)
-
к
$0,5
-
-
~20*(4В;2А)
200 (10 В)
$0,5
-
-
~15*(4В;2А)
200 (10 В)
$0,5
-
-
10...60* (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
$2* мкс
КТ856
10...60* (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
$2* мкс
n.t ~
~ffli ~.
14*

212
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i Ркmах'
~•• ~216'
UKБOmax'
!
JКБО•
lк max
Тип
Струк-
Р~.тmах'
~;lэ'
U~Rmax'
UЭБО max'
1;,н maxt
J~R'
р~~ н m1xt
1,;,··
u~max•
в
1··
прибора
тура
"'
кэо•
1
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ856А-1 i
i
50* Вт
10
800
5
1 10А;12*А
! $;3мА(800В)
п-р-п 1
КТ856Б-1 1 п-р-п 1
50* Вт
10
1
600
5
1 IOA;12*А
$;3 мА (600 В)
i
1
i
i
i
i
!
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
КТ857А
п-р-п
60* Вт
<?:10
250
6
! 7(10*)А
$;5 мА (250 В)
1
1
1
1
КТ858А
п-р-п
j
60* Вт
<?:10
400
6
7 (10*) А
$;1 мА (400 В)
1
1
КТ859А
п-р-п i
40* Вт
1
<?:25
800
1
10
3(4*)А ! $;1мА(800В)
1
i
1
1
1
1
i
1
1
1 $;2.5 мА (300 В)
КТ862Б
п-р-п
50* Вт
<?:20
450
5
15А;25*А
КТ862В
п-р-п
50* Вт
<?:20
600 (350**)
1
5
10А:15*А 1 $;3мА(600В)
КТ862Г
п-р-п
50* Вт
<?:20
600 (400**) 1
5
lOA: 15* А
1
$;3 мА (600 В)
1
1
!
КТ86ЗА
п-р-п
50* Вт
<?:4
30
5
i 10А
$;1 мА (30 В)
КТ86ЗБ
п-р-п
50* Вт
<?:4
30
5
1
10А
:!>I мА (30 В)
КТ86ЗВ
п-р-п
1
50* Вт
<?:4
160
5
10А
$;1 мА (30 В)
1
1
КТ864А
п-р-п
100* Вт
<?:15
200
6
10 (15*) А
~100 (200 В)
i
!
КТ865А
р-п-р
100* Вт
<?:15
200
6
1
10(15*)А
:!>100 (200 В)
1
1
КТ866А
п-р-п
30* Вт
25
200; 100**
4
15А;20*А
:!>25 мА (100 В)
КТ866Б
п-р-п
30* Вт
25
200; 80**
4
15А;20*А
$;25 мА (100 В)
1
КТ867А
1
п-р-п
100* Вт
<?:25
200
7
25А(40*А)
:!>3 (250 В)
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
213
ck,
rкэн•('' Ом
Кw,дБ
tll, пс
h2," ь;,э
с;2,•
r~""'' Ом
r;. Ом
t;,.,, нс
Корпус
пФ
к;.·,_, дБ
Р;:•• Вт
t::.мt НС
10...60* (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
$2* мкс
КТ856-1
1 10...60'" (5 В; 5 А)
$100 (90 В)
$0,3
-
1
$2* мкс
~~r
1
1
1
t'.f $::!
•
....
' ;!(
D
6КЗ
<?:7,5* (1 В; 3 А)
-
$0,33
-
$2500*
КТ857, КТ858, КТ859
70,65
t,8
wт
<?:10* (5 В; 5 А)
1
-
$0,2
-
$2500*
<?:10* 110 В; 1 А)
1
-
$1,5
-
$3500*
6КЭ
12...100* (5 В; 8 А)
$300 (30 В)
$0,13
-
$1000*
КТ862
12...50* (5 В; 5 А)
$250 (10 В)
$0,29
-
$2000*
12...50* (5 В; 5 А)
$250 (10 В)
$0,29
-
$2000*
~!~_~1·~18·
<?:100* (2 В; 5 А)
-
$0,06
-
-
1
КТ863
<?:70* (2 В; 5 А)
1
-
$0,1
-
-
1
<?:70* (2 В; 5 А)
1
$0,1
70,65
t,8
-
-
-
wт6КЭ
40...200* (4 В; 2 А)
S300 (5 В)
S0,6
-
-
КТ864, КТ865
40...200* (4 В; 2 А)
$300 (5 В)
$0,3
-
-
п.1 ~
~Noi v.
<?:15* (10 В; 10 А)
$400 (!О В)
$0,15
-
$450**
КТ866
<?:15* (10 В; 10 А)
$400 (10 В)
$0,15
-
$450**
" '=>
,,...
з
6
t~
-
~ 212
<?:10* (5 В; 20 А)
$400 (10 В)
$0,075
-
1,3* мкс
1
КТ867
п.1 ~
~вri~
~
.
-
к

214
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
~•• ~216•
Ркm1х'
UKБOm1x•
lк m1x
JКБО•
Тип
1 Струк-
Р~.тm1х•
Ii:;1э•
U~Rmax•
UЭБОmах•
1;,и max•
·~R'
р~~ и max•
с·
u~max•
в
."
прибора I тура
".
кэо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ868А
n-p-n
70* Вт
~8
900
5
6(8*)А
$3 мА (900 В)
КТ868Б
n-p-n
70* Вт
~8
750
5
6(8*)А
$3 мА (750 В)
КТ872А
n-p-n
100* Вт
~7
1500; 700*
6
8 (15*) А
$1 мА (1500 В)
КТ872Б
n-p-n
100* Вт
~7
1500; 700*
6
8 (15*) А
$1 мА (1500 В)
КТ872В
n-p-n
100* Вт
~7
1200; 600*
6
8 (15*) А
$1 мА (1200 В)
КТ874А
n-p-n
75* Вт
~20
150;
5
30А;50*А
$3 мА (150 В)
100* (О,Оlк)
КТ874Б
n-p-n
75* Вт
~20
150;
5
30А;50*А
$3 мА (150 В)
120* (О,Оlк)
КТ878А
n-p-n
150* Вт
~10
900* (О,Оlк)
5
25 (50*) А
~3 мА (900 В)
КТ878Б
n-p -n
2 Вт; 100* Вт
~10
800* (0,01 к)
6
25 (50*) А
$3 мА (800 В)
КТ878В
n-p -n
2 Вт; 100* Вт
~10
600* (0,01 к)
6
25 (50*) А
$3 мА (600 В)
1
КТ879А
n-p -n
250* Вт
~10
200
6
50А;(75*)А $3мА(200В)
КТ879Б
n-p-n
250* Вт
~10
200
6
50А;(75*)А $3мА(200В)
КТ885А
n-p-n
150* Вт
~15
400* (0,01 к)
5
40 (60*) А
$1 мА (500 В)
КТ885Б
n-p-n
150* Вт
~15
5.00* (О,01 к)
5
40 (60*) А
$1 мА (500 В)
КТ886А-1
n-p-n
75* Вт
~10.5
1400*(0,Оlк)
7
10 А; (15*) А $0,1 мА (1000 В)
КТ886Б-1
n-p -n
75* Вт
~10.5
1000*(0,Оlк)
7
10 А; (15*) А $0,5 мА (1000 В)
1
КТ887А
р-п-р
3Вт;75*Вт
~15
700
5
2А;(5*)А $0,25мА(700В)
КТ887Б
p-n-p
3Вт;75*Вт
~15
600
5
2А;(5*)А $0,25мА(600В)
:
1

Биполярные кfiемниевые транзuсinоры
215
с,,
rкэиас• Ом
Кw,АБ
tк, ПС
ь.," ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,..,, нс
Корпус
пФ
к;.·,.. АБ
Р;:х' Вт
t::,КJI, нс
10...60* (5 В; 0,6 А)
5100 (80 В)
50,75
-
53500*
КТ868, КТ872
10... 100* (5 В; 0,6 А) 5100 (80 В)
50,75
-
53500*
:Emr
~6(5В;30мА)
5125 (15 В)
50,22
-
57500*
~6(5В;30мА)
1 5125 (15 В)
51,1
-
57500*
~6(5В:30мА)
1
5125(158)
51,1
-
57500*
1
6КЗ
15...50* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
50,04
-
0,5* мкс
КТ874
10...40* (5 В; 30 А)
200 (tOO В)
50,04
-
0,5* мкс
"=>
.,..
з
6
t111
-
~ 21,2
12...50* (5 В; 10 А)
1
5500 (10 В)
1
50,1
-
53000*
КТ878
12...50* (5 В; 10 А)
5500 (10 В)
50,1
-
53000*
12...50* (5 В; 10 А) 1 5500 (10 В)
50,1
-
53000*
nt~
1
~Noii ~
1
..,.
'
.. ..
/(
~20*(4В;20А)
5800 (10 В)
$0,06
-
1,2* мкс
КТ879
~15*(4В;20А)
5800 (10 В)
$0,1
-
1,2* мкс
=rt~
'
~
1
~12*(5В;20А)
$200 (100 В)
50,08
-
$2000*
КТ885
~12*(5В;20А)
5200 (100 В)
50,08
-
$2000*
п1~
~Noii ~
..,.
.
.. ..
к
6...25* (5 В; 4 А)
$l35(IOB)
50,25
-
2,5* мкс
КТ886-1
6...25* (5 В; 4 А)
5135 (10 В)
50,25
-
2,5* мкс
~r
1
1
6КЗ
20...120* (9 В; 1 А)
350(IOB)
$1,5
-
$5* мкс
КТ887
20... 120* (9 В; 1 А)
350 (10 В)
$1,5
-
$5* мкс
1
щ~
~Noii '!.:!.

216
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax'
~р• ~216•
Uкooma:ii:•
lк max
JКБО•
Тип
Струк-
Р;,тmах•
~;lз•
u~m•x'
UЭБOma:ii:•
1~.н m1:1•
·~·
р~~ и max•
с·
lf';ЭOm1к•
в
·~·
прибора
тура
ах•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ888А
1
р-п-р
0,8 Вт; 7* Вт
2:15
900
7
100 (200*)
slO (900 В)
КТ888Б
р-п-р
0.8 Вт; 7* Вт
2:15
600
7
1
100 (200*)
:!>10 (600 В)
1
1
1
1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
'1
1
КТ890А
п-р-п
120* Вт
40
650
5
20А
0,5** мА (350 В)
КТ890Б
п-р-п
120* вт
40
500
5
20А
0,25** мА (350 В)
КТ890В
п-р-п
120* Вт
40
350
5
20А
0,25** мА (350 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ892А
п-р-п
1
100* Вт
8
350* (О,Оlк)
5
15 (30*) А
:S:З мА (350 В)
КТ892Б
п-р-п
100* Вт
8
400* (О,Оlк)
5
15 (30*) А
s3 мА (400 В)
КТ892В
п-р-п
100* Вт
8
300* (0,Оlк) 1
5
15 (30*) А
s3 мА (300 В)
1
1
КТ89ЗА
п-р-п
120* Вт
-
800* (0,01 к)
5
1
6А;8*А
1
sl* мА (800 В)
1
1
1
1
1
'
'
1
1
КТ896А
р-п-р
2 Вт; 125* Вт
2:4
90* (lк)
5
20А(30*А)
-
КТ896Б
Р:П-р
2 Вт; 125* Вт
;::4
60* (!к)
5
20А(30*А)
-
1
1
1
1
КТ897А
п-р-п
3 Вт: 150* Вт
;::10
350
5
20А(30*А)
$250 (350 В)
КТ897Б
п-р-п
3 Вт; 150* Вт
2:10
200
5
20А(30*А)
$250 (200 В)
КТ898А
п-р-п
1,5 Вт; 125* Вт
2:10
350
5
20А(30*А)
-
КТ898Б
п-р-п
1,5 Вт; 125* Вт
2:10
200
5
20А(30*А)
-
1
1
1
1

'
Биполярн
нзисторы
ые кремниевые тра
30 120* (30 В: 30 мА)
30:::120• (30 В; 30 мА)
~00*(5В;5А)
>200*(5В:5А)
~200*(5В;5А)
>300* (10 В; 5 А)
~300* (10 В; 5 А)
~300* (10 В; 5 А)
10... 20*
) <700 (10 В)
750 ... 18000* (!О В; 5 А $100 (10 В)
750... 18000* (10 В; 5 А)
>400*(5В;5А)
S400* (5В; 5А)
>400*(5В;5А)
;400*(5В;5А)
rкэнас' Ом
•
Ом
rБЭ нас'
к;_*", АБ
$50
s50
<0,23
$0,22
$0,2
<0,225
$0,225
$0,225
<О,б
$0,4
$0,4
$0,23
$0,23
$0,23
$0,23
Kw, АБ
r;, Ом
р•• Вт
sыxt
'tll. , пс
t• нс
,..,.
t••
нс
awu•
<3* мкс
<3* мкс
tсп<4 МКС
tсп<4 МКС
tсп<4 МКС
<2* мкс
$4500**
<4500**
217
Корпус
КТ888
КТ890
~-Em·~ r
1С)
Q
':!
6К3
КТ892
27,1 ~
.
6з
~Noi !J•O
....
к
...
КТ893
КТ896
gfJf6К3КТ897
КТ898
gfJf6К3

218
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк .... •
~•• 'i:210•
UК&Omax•
lк ,..,
lкю,
Тип
Струк-
р~тm11х•
(;.3,
u~max'. UЭ6011111к' 1;, .......
·~·
прибора
тура
p;•max'
t:x•
U-кэо,..,•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ898А-1
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~10
350
5
20А(30*А)
-
КТ898Б-1
п-р-п
1,5 Вт; 60* Вт
~10
200
5
20А(30*А)
-
:КТ899А
1 п-р-п
40* Вт
~8
160
5
8А(15*А)
Sl (160 В)
1
1
1
КТ902А
п-р-п
30* Вт (5О0С)
~35
65 (110 имп.)
5
5А
slO мА (70 В)
КТ902АМ
п-р-п
30* Вт (50°С)
~35
65 (110 имп.)
5
5А
SlO мА (70 В)
1
1
:КТ90ЗА
1
п-р-п
30* Вт (60**)
~120
60 (80 имn.)
4
3(5*)А
SIO* мА (70 В)
КТ90ЗБ
n-p -n
30* Вт (60**)
~120
60 (80 имn.)
4
3(5")А
SIO* мА (70 В)
:КТ904А
n-p-n
5* Вт (40°С)
~350
60* (0,1 к)
4
0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В)
IП904Б
n-p -n
5* Вт (40-С)
~300
60* (0,lк)
4
0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В)
IП907А
n-p-n
13,5* Вт
~350
60* (О,lк)
4
1(3*)А
S3* мА (60В)
КТ907Б
1 п-р-п
13,5* Вт
~300
60* (О,lк)
4
1(3*)А
S3* мА i60 В)
КТ908А
n-p-n
50* Вт (SO-C)
~30
100* (О,Оlк)
5
1ОА
S25* мА (100 В)
:КТ908Б
п-р-п
50• Вт (so·c)
~30
60* (О,25к)
5
10А
S50* мА (60 В)
--
.'

Биполярные кремниевые транзисторы
219
ck,
rкэн1с:' Ом
Кш,д6
tк, ПС
1
h21.• ь;,э
с;2,•
r;э нас' Ом
r;, Ом
t~. нс
Корпус
пФ
1
к;.·,.. дБ
Р:•• Вт
t;..kЛ. нс 1
!
1 ~400*(5В:5А)
1
-
$0,23
-
-
КТ898-1
~400*(5В:5А)
-
$0,23
-
-
с изо.пироваииыми выводами
~~r
~ t:!
.
1
ln
'$f
D
6к3
~1000* (5 В; 5 А)
-
$0,26
-
1
-
КТ899
1
1
1
1
1
1
~~r
~ t:!
ln
'$f
D
6КЗ
~15*(10В;2А)
$300 (10 В)
$1: ~7**
~20** (10 МГц)
-
КТ902
:щ··
~fj .
t't
о
1
~15*(10В;2А)
$300 (10 В)
$1: ~7**
~20** (10 МГц)
-
КТ902М
~иw: ·~
15...70* (10 В; 2 А) $180 (30 В)
$1,25; ~3**
~10** (50 МГц)
-
КТ903
40... 180* (10 В; 2 А) $180 (30 В)
$1,25; ~3**
~10** (50 МГц)
-
~§$
~10* (5 В; 0,25 А)
$12 (28 В)
$5; ~2.5**
~3** (400 МГц)
$15
КТ904,КТ907
~10* (5 В: 0,25 А)
$12 (28 В)
$5; ~2**
~2.5** (400 МГц)
$20
~;е
~10* (5 В: 0,4 А)
$20 (30 В)
$4; ~2**
~8** (400 МГц)
$15
~10* (5 В: 0,4 А)
$20 (30 В)
$4; ~1.5**
~6** (400 МГц)
$20
1~
6
8...60* (2 В: 10 А)
$700 (10 В)
$0,15
-
$2600*
КТ908
~20*(4В;4А)
$700 (10 В)
$0,25
-
$2600*
~!11$

220
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Ркm.х•
~•• ~216•
UКБОmак•
lк m•x
•кю•
Тип
J Струк-
Р~. т max'
Ii:;1э•
U~Rn111r.•
UЭБО max•
1;.н mак•
·~R'
прибора
тура
р~~ и max•
Сх•
u~mair.•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ909А
п-р-п
27* Вт
;е:350
60* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
30* мА (60 В)
КТ9096
п-р-п
54* Вт
;е:500
60* (0,01 к)
3,5
4(8*)А
60* мА (60 В)
КТ909В
п-р-п
27* Вт
;е:300
60* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
30* мА (60 В)
КТ909Г
п-р-п
54* Вт
;е:450
60* (0,01 к)
3.5
4(8*)А
60* мА (60 В)
1
КТ9101АС
п-р-п
128* Вт
;е:350
50
4
7А
$30 мА (50 В)
КТ9104А
п-р-п
10** Вт
;е:600
50
4
1,5 А
$10 мА (50 В)
КТ91046
п-р-п
23** Вт
;е:600
50
4
5А
$20 мА (50 В)
.
1
1
1
1
КТ9105АС
п-р-п
i 133* Вт
;е:660
50* (0,01 к)
1
4
16А
!
$120* мА (50 В)
1
!
КТ9106АС-2 \ 2Тб42-5
300 и 2500
-
12* и 20*
2и2.5
60и200 1
$1 мА
1 +два
1
2Т996А5
КТ91066С-2
300 и 2500
-
12* и 20*
2и2,5
60и200
$1 мА
1
1
КТ9109А
п-р-п
1120** Вт
;е:360
65
4
29* А
$60 мА (65 В)
IКТ9ША 1 п-р-п
200** Вт
;е:200
120
4
10А
$100 мА (100 В)
1
1
1
1
1
1
•
1
!
1

Биполярные кремниевые транзисторы
221
ck,
fкэнас:• Ом
Кw,дБ
tlC, пс
h2," ь;,э
с;2э•
r~нк' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;~,.• дБ
Р;~х' Вт
t::м' НС
-
s30 (28 В)
s0,3; ~1.7**
20** (500 МГц)
· s20
КТ909
-
s60 (28 В)
s0,18; ~1.75**
40** (500 МГц)
S20
~~~
-
s35 (28 В)
S0,3; ~1.2**
15** (500 МГц)
$30
-
sбО (28 В)
s0,18; ~1.5**
~30** (500 МГц)
S30
...
~
.
J//.7
-
Sl50 (28 В)
~5.5**
~100** (0,7 ГГц)
S45
КТ9101
trm·
~ ....
з
-
....
к
11J,2
-
1 $20(28В)
~8**
~5** (0,7 ГГц)
S20
КТ9104
-
S40 (28 В)
~7**
~20** (0,7 ГГц)
$20
~51
....
к
з
:
t:~
Sl60* (5 В; 0,1 А)
S240 (28 В)
~5**
~100** (0,5 ГГц)
Sl2
КТ9105
1
~tfМ
8,5
.2
30... 100 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
КТ9106-2
31.61
К/61 К1ЭJ
60...150 (5 В; 0,1 А)
-
-
-
-
61
-J .1
"'
, 1 Dlllli
_l
~х1
t:::
i
$"'
1
'°
1
т
'"
10
6131 Kl К1ЭJ
61KI61
31.61 К1 Э1
l«}~
61 Э1
Kl
К1 31
-
sl40 (50 В) ~3.5** (820 МГц) ~500** (820 МГц)
SlO
КТ9109
~
....
кз
~31
~ с-. 2"4
~10*(10В;5А)
Sl50 (50 В)
~10**
~150** (80 МГц)
-
КТ9111
~t~~l~tfj
12.S
J5,8

222
Раздел 2. Биполярные транзисторы
·
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max'
lк mlillx
lкво•
Тип
Струк-
Р~.тmах'
~;lз'
U~Rmax'
UЭБО max'
1:.н max'
I:Сн•
р~~н max•
с·
u~max'
в
I"
прибора
тура
'"
КЭО•
мВт
МГц
в
мА
мкА
КТ9115А
p-n-p
10* Вт
~90
300* ( 10к)
5
100; 300*
1
$0,05 (250 В)
КТ9115Б
1
p-n-p
10* Вт
~90
150* ( 10к)
5
100; 300*
$0,05 (150 В)
1
1
1
1
КТ9116А
n-p-n
46* Вт
~240
55* (О,Оlк)
4
4А
$30 мА (55 В)
КТ9116Б
n-p-n
76,7* Вт
~230
55* (О,Оlк)
4
10А
$100 мА (55 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ911А
n-p -n
3* Вт
~750
55
3
0,4 А
$5мА(55В)
КТ911Б
n-p -n
3* Вт
~600
55
3
0,4 А
$5мА(55В)
КТ9118
n-p -n
3* Вт
~750
40
3
0,4 А
$5мА(40В)
КТ911Г
n-p -n
3* Вт
~600
40
3
0,4 А
$5мА(40В)
КТ912А
n-p -n
30* Вт (85°С)
~90
70* (0,01 к)
5
20А
$50* мА (70 В)
КТ912Б
n-p -n
30* Вт (85°С)
~90
70* (О,Оlк)
5
20А
$50* мА (70 В)
!
1
1
КТ9131А
n-p-n
350* Вт
~100
100
4
25А; 40*А
$200* мА
(IOOB)
1
КТ9132АС
n-p-n
163** Вт
-
50
4
11,2 А
-
1
1
1
11
КТ913А
n-p -n
4,7* Вт (55°С)
~900
55
3,5
О,5(1*)А
$25* мА (55 В)
КТ913Б
n-p -n
8* Вт (70°С)
~900
55
3,5
1(2*)А
$50* мА (55 В)
КТ9138
n-p -n
12* Вт
~900
55
3,5
1(2*)А
$50* мА (55 В)
1
1
1
!
'
!
!
1
КТ9120А
p-n -p
50* Вт
~50
1
45* (О,lк)
5
12 (30*) А
$0,1 мА (45 В)
1

'
ниевые транзисторы
Биполярные крем
~5(10В;30мА)
~5(10В:30мА)
>20* (5 В; 0,5 А>
~20* (5 В; 0,5 А)
-
-
-
-
l0... 50* (!О В; 5 А)
20... 100* (10 В; 5 А)
~10(10В:10А)
-
>10* (10 В; 0,5 А)
~10* (10 В; 0,5 А)
~10· (10 В; 0,5 А)
~40*(1В;4А)
s5.5 (30 В)
s5,5 (30 В)
s55 (28 В)
:!>155 (28 В)
<10 (28 В)
<10 (28 В)
~10 (28 В)
~10 (28 В)
<200 (27 В)
1 :!>200 (27 В)
:!>800 (50 В)
.
<6 (28 В)
is12(28В)
:!>14 (28 В)
:!>1900 (10 В)
.
rкэ ""'' Ом
•
Ом
rБЭ нк•
к:.·,.. дБ
<33
$33
>25**
~10**
<5; >2,5**
$5; ~2.6**
$5; ~2.2**
:!>5; ~2.2**
<0,12; >10**
$0,12
>10**
(30 МГц)
$0,1
>3,5** раз
<1,1; >2**
$1,1; ~2**
$1,1; ~2**
<0,75
Kw, дБ
r;, Ом
Р,:" Вт
>5** (225 МГц)
>15** (225 МГц)
>1** (1,8 ГГц)
>1** (1 ГГц)
~ 8** (1,8 ГГц)
-~О.В** (1 ГГц)
>70** (30 МГц)
>70** (30 МГц)
>400** (30 МГц)
>l40** (650 МГц)
>3** (1 ГГц)
>5** (1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
1
i
i
!
i
1
1
't'к, ПС
t;,.... нс
t" нс
......
<25
<30
<25
<25
:!>50
$100
<18
<15
$15
<500*
223
Корпус
КТ9115
~1~' t
~
D
ЗК6
КТ9116
~t~gз.6
а
с.<з .
21
КТ911
КТ912
КТ9131
3
КТ9132
КТ913
КТ9120

224
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
1 Струк-
Ркmах'
~•• ~216•
UКБО max'
lк max
1
•кю•
Тип
Р~. т max'
(;lэ'
U~Rmax'
UЭБО ffiilX'
••
J~R•
прибора
р~~ и max'
с·
u~milx'
в
К, и maxt
•••
тура
'"
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ9121А
п-р-п
92** Вт
-
42
3
9,2* А
:515 мА (42 В)
КТ9121Б
n-p-n
46** Вт
-
42
3
4,6* А
:57,5 мА (42 В)
КТ9121В
n-p-n
11,5**Вт
-
42
3
1,15* А
:52,5 мА (42 В)
КТ9121Г
n-p-n 1
130** Вт
-
42
3
13* А
:522 мА (42 В)
i
1
1
1
1
i
КТ9125АС
1
n-p -n
60* Вт (40°С)
:<:660
55* (10 Ом)
4
4А
:560* мА (55 В)
1
КТ9126А
n-p-n
330* Вт (50°С)
:<:100
100* (О,Оlк)
4
30А
:5200* мА (100 В)
1
1
1
1
1
1
КТ9127А
n-p-n
1151**Вт
-
65
3
38* А
:560* мА (65 В)
КТ9127Б
n-p-n
524** Вт
-
65
3
19* А
:530* мА (65 В)
1
1
1
КТ9128АС
n-p-n
180* Вт (50°С)
:<:200
50* (10 Ом)
4
18А
:5100* мА (50 В)
КТ91ЗОА
n-p -n
10* Вт
:<:200
250
6
150
1
:51 мкА (250 В)
1
КТ91ЗЗА
n-p-n
130* Вт
:<:225
55* (0,01 к)
4
16А
:5200* мА (55 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
225
~
~
с"
rКЭнас' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h2," h;,э
С~2э'
r~э нас' Ом
"~,Ом
t~al'' НС
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:х' Вт
t::клt НС
-
-
~6,4**
~35**
-
КТ9121
(2,3 ...2,7 ГГц)
-
-
~6.4**
~17**
-
1.
'tf ..... Б
(2,3 ...2,7 ГГц)
-
1
-
-
~6.4**
~4**
-
:~ ...... К,.:._ rl- .._
1
(2,3 ...2,7 ГГц)
~
. ..,
-
,....
1
с,.
-
-
~12,5**
~50**
-
1
жэ
(2,3. "2,7 ГГц)
~
4,6
2/J,.f
:>110* (5 В; 0,5 А)
:>70 (28 В) ~6** (500 МГц) ~50** (500 МГц)
:>20
КТ9125
tfl1
~
~к·
5
-
с..
1j
1
[]
23,2
3
1
1
~10*(10В;5А)
:>500 (50 В)
;;:13**; :>0,05
~500** ( 1,5 МГц)
-
КТ9126
.....
""'
/j
к
tjti]
~ ~J5,:
-
-
~5.6**
~550**
-
КТ9127
(1,025."1,15 ГГц)
-
-
~6.2**
~250**
-
1
j
'lf ~Б
(1,025 ... 1, 15 ГГц)
-
:~
К, _..,
~
......
... ..
-
. ..,
'-
.
н-
с,.
-
жэ
1
'
4,6
2/J,.f
:>100* (5 В; 0,5 А)
:>430 (28 В) 7** ( 175 МГц) ~200** (175 МГц)
:>30
КТ9128
tfl!
~
~к·
5
-
с..
1j
[]
23,2
3
10...45 (9 В; 20 мА)
:>6 (10 В)
:>50
-
-
КТ9130
;fiкФз
-
:>160 (28 В)
~7.5**
~30** (225 МГц)
:>30
КТ9133
~tg·
а
<Nз
.
21
15 зак. 9

226
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
~р• t ...
Uкоо max•
lк max
lкоо•
Тип
Струк-
Р~.тmах•
~~l!t'
U~Rmax•
UЭБОm•х' 1;. к max•
J~R•
р~нmах•
с·
u~max•
в
1··
прибора
тура
".
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ9134А
п-р-п
2600** Вт
<>:600
50
3
78* А
:5120 мА (50 В)
1
КТ9134Б
п-р-п
2100** Вт
<>:600
50
3
71* А
1 :5120 мА (50 В)
КТ9136АС
п-р-п
700** Вт
<>:300
60
4
30* А
:5140 мА (60 В)
1
!
11
КТ914А
р-п-р
7* Вт
<>:300
65
4
0,8 (1,5* А)
2*мА(65В)
КТ9141А
п-р-п
3* Вт
<>:1 ГГц
120
3
300
:5100 (120 В)
1
КТ9141А-1
п-р-п
5* Вт
<>:1 ГГц
120
3
400
:50,1 (120 В)
1
1
1
1
!
КТ9142А
п-р-п
72* Вт
-
55
3
15А
:5100 мА (55 В)
КТ914ЗА
р-п-р
3* Вт
<>:1500
75
3
100 (300*)
:51*мА(50В)
КТ914ЗБ
р-п-р
3* Вт
<>:1500
75
3
100 (300*)
:51*мА(50В)
КТ914ЗВ
р-п-р
1
3* Вт
<>:1000
75
3
100 (300*)
:51*мА(50В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
227
1
1
с"
rКЭHilc' Ом
1
Кш• дБ
tк, ПС
~
h21,• ь;,э
1
с;2э'
r~э нас' Ом
r;, Ом
t:ilC, нс
Корпус
1
1
пФ
к;.·•.. дБ
1
Р;:х' Вт
t:~к.nt нс
1
~
i
i
;::6**
!
;::!ООО*•
1
КТ9134
~
1
-
1
-
i
-
1
(1,4 ... 1,6 ГГц)
'
1
1
;::6**
;::800**
-
11 +6.l
-
1
-
(1,4 ... 1,6 ГГц)
1Е1 Вlн•l•--j* ,~ 1
~t@~~i)
1
1
i
-
$260 (45 8) ;::?** (500 МГц) ;::500** (500 МГц)
$20
!
КТ9136
'
i
i
*11'
1'
i1
1
1
.. :-
..s к
э
1
.. ..5 ,8
.....
18,2
1
10...60* (5 8; 0,25 А)
$12(288)
$12
;::2,5** (400 МГц)
$20
1
КТ914
if
1
i:~-1
1
1
1
:
1
'
:
1
i
•1
15...45* (5 8: 50 мА) 1 $2,5 (10 8)
-
-
-
КТ9141
1
:ЕiкФз
15...45* (5 8; 50 мА)
$2,5 (10 8)
-
-
-
1
КТ9141-1
1
1
~~
1
.....
~~5.к
"""
r==liii ~
"&.
·э
5,9 12.1
20.5
-
;::10 (5 8; 0,5 А)
$70 (28 8)
;::6**
50** (860 МГц)
-
КТ9142
*1'
1
.. :-
..s к
6
1
1
. .. .5,8
....
18,2
!
;::20* (5 8; 50 мА)
$3(108)
-
-
-
КТ9143
20...60* (5 8; 50 мА)
$3(108)
-
-
-
;::20* (5 8; 50 мА)
$4 (10 8)
-
-
-
qjкфэ
~
5
i
15·

228
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Струк- 1
pKma). •
~•• li:ш•
UKБOmax•
1
1
lкБО•
lк max
1
Тип
Р~. тmax•
~;·~·
U~Rmax'
UЭБОmа1'.•
1
J~R•
1
1;.м m41xl
1
'
прибора
тура
1
р~~н max•
~~·;)..
u;ЭOmax• 1 в
1
·~·
'
мВт
МГц
в
1
мА
1
мкА
~,
.
i
1
КТ9144А-5
5* Вт
~30
500
1
5
50 (100*)
1
51 (500 В)
р-п-р 1
1
1
КТ9145А-5
п-р-п 1
5* Вт
~50
500
1
5
50 (100*)
51 (500 В)
1
'
1
1
КТ9144А-9
р-п-р
0,3 Вт; 1*Вт
~30
500
5
50(100*)
51 (500 В)
КТ9145А-9
п-р-п
0,3 Вт; 1*Вт
~50
500
5
50 ( 100*)
51 (500 В)
1
КТ9146А
п-р-п
380** Вт
-
50
3
19* А
550 мА (50 В)
1
1
'
КТ9146Б
п-р-п
1
260** Вт
-
50
3
13* А
533 мА (50 В)
КТ91468
п-р-п
65** Вт
-
50
3
3.3* А
58мА(50В)
КТ9147АС
п-р-п
233** Вт
-
50* (10 Ом)
4
29А
-
КТ9150А
п-р-п
50* Вт
-
40* (10 Ом)
4
5А
525* мА (40 В)
1
1
i
1
i1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
КТ9151А
1
п-р-п
1
280* Вт
~230
55
3
1
33А
5150* мА (55 В)
КТ9152А
п-р-п
246* Вт
-
55
3
24А
5200 мА (55 В)
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
~20• (10 В; 10 мА)
20... 150 (10 В: 10 мА)
20...150 (10 В; 10 мА)
20...150 (10 В: 10 мА)
~10* (5 В: 0,5 А)
~10* (5 В; 0,5 А)
~10* (5 В: 0,5 А)
rкэнас• Ом
r~нас• Ом
к;.·,_, дБ
:!>100
:!>100
:!>60
:!>100
~6**
~6**
~7**
~6**
Кw,дБ
r;, Ом
Р;~х• Вт
~200** (1,55 ГГц)
~130** (1,55 ГГц)
~35** (1,55 ГГц)
~160** (400 МГц)
:!>42 (25 В) ~8.5** (860 МГц) ~8** (860 МГц)
1 :!>350 (28 В) ~7** (230 МГц) ~200** (230 МГц)
1
:!>100 (28 В) ~6** (860 МГц) ~100** (860 МГц)
Тк• ПС
~;....нс
tвыкп• НС
229
Корпус
КТ9144-5, КТ9145-5
0,5
0,3
i ;:rEJT
i
КТ9144-9, КТ9145-9
1/,6
~
1,6
~~~·- ~
""N
~
....
Д//
~ни lss
448 ~......5_ _,. .. .. ..,,. _1,5
КТ9146А
1 к"~-
...
1
э
~
Kr\.J__э
Бf.1
~
-
Л..5
КТ9146 (Б, В)
"
'~ '1-Б
.....
кд.. -l L
1
-~~ -~i;
~--~
--~
4,б_ -
-
211,5 -
---..-------
КТ9147
КТ9150
КТ9151, КТ9152

230
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
1,,,. ~216•
UKБOmax•
lк max
IКБО•
Тип
Струк-
Р~. т max•
~;lэ•
U~Rmax•
UЭБО max•
J~. и max•
J~Rt
р~~и max•
с·
u~0max•
в
1··
прибора
тура
"'
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ9153АС
n-p-n
50** Вт
-
50* (10 Ом)
4
4А
-
1
1
1
1
КТ9153БС
n-p -n
94* Вт
-
50* (10 Ом)
4
10А
~60* мА (50 В)
КТ9155А
n-p -n
43* Вт
-
50
3
4А
~25* мА (50 В)
КТ9155Б
n-p -n
100* Вт
-
50
3
15А
~25* мА (50 В)
КТ9155В
n-p -n
181* Вт
-
50
3
24А
1
~25* мА (50 BJ
1
1
1
КТ9156АС
n-p -n
50** Вт
-
50* (10 Ом)
3
4А
~60** мА (50 BJ
КТ9156БС
n-p-n
94* Вт
-
50* (10 Ом)
3
10А
~60* мА (50 В)
КТ9157А
n-p -n
1,2 Вт; 10* Вт
~100
30
5
5 (10*) А
~10 (30 В)
КТ9160А
n-p -n
465* Вт (50°С)
~60
140* (10 Ом)
4
30А
~200* мА (140 В)
КТ9160Б
n-p -n
465* Вт (50°С)
~60
140* (10 Ом)
4
30А
~200* мА (140 В)
КТ9160В
n-p -n
465* Вт (50°С)
~60
140* (10 Ом)
4
30А
~200* мА (140 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
231
~.
с,,
rкэ...,• Ом
Кw,дБ
t., пс
1
1
h,,,. ь;,э
с;".
r~ .... Ом
r;, Ом
•:..с. нс
Корпус
пФ
к;~•·' дБ
Р:х' Вт
t::.КJI. нс
-
-
~7.8**
~15** (390... 640МГц)
-
КТ9153
*113
::-
~к
з
1
1
5,8
16.2
.
1
1
1
1
~10* (5 В; 0.5 А)
s66 (28 В)
~7**
~50**
-
КТ9153, КТ9155
(615... 840 МГц)
*11
~10* (5 В; 0.5 А)
S35 (28 В) ~6.5** (860 МГц) ~15** (860 МГц)
-
;::-5,В ~к~2 6
~10* (5 В; 0,5 А) 1 s35 (28 В) ~** (860 МГц) ~50** (860 МГц)
-
1
~10* (5 В; 0,5 А)
S35 (28 В) ~5** (860 МГц) ~100** (860 МГц)
t
-
КТ9155В
1
1
!
23
1
1
i
1
1
1
1
~t 1.
lillaci1
1
1
1
.!
1
38
·~:i)~.-1
-
-
~7**
~15** (0,65 ... 1 ГГц)
-
КТ9156
~·
~
с.. к
з
1
1
1~
~1·~1~·
'
1
1
!
!
1
~10* (5 В; 0.5 А)
1
s66 (28 В) 1 ~6** (1 ГГц)
~50** (1 ГГц) 1
-
1
КТ9156
1
1
:
1
!
t11
~
с.. к
з
;::
~к16,2 з
140...450* (1 В; 0,5 А) Sl50 (5 В)
~.25
-
-
1
КТ9157
1
1
!
~Ii
1
: .Фт
10...30* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц)
-
КТ9160
20...50* ( 10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц)
-
40... 90* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц)
-
·:~·
к
о
э
1
1
1
о
1
1
Б
41
!
1
1

232
Раздел 2. Биполярные транзисторы
11
i
Ркmaxt
1
~μ' ~:216'
UКБО max'
1
1
1 IКБО'
1
lк max
Тип
Струк- 1
Р~. т max'
~:;lj'
U~R max'
UЭБО max'
1
J~. и max'
I~ЭR•
~
1
1
прибора
тура ,
р~~ н m11xt
~;:х'
u;эо max'
!
в
i
!
1;эо,
ii
мВт
МГц
в
мА
i мкА
i
1
1
i
~
1
"
1
1
1
1
.,
~КТ9161АС 1 П·р·П
700* Вт
-
60
4
25А
:>280 мА (60 В) 1
1
μ
1
i
1
i
1
1
1
1
!
КТ9164А
1
n·p ·n
-
1
-
-
-
-
-
1
1
1
1
р
i
1
'
·'
J
1
1
1
1
i
~
1
1
!
!
!
1
1
1
~
1
1
1
!1
КТ9166А
n-p ·n
60* Вт
-
45
-
15А
-
1
1
1
1
1
i
1
!
1
1
1
.
i
1
1!
1
1
1
!КТ916А 1 n·p·n
30* Вт
21100
55* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
:>25* мА (55 В)
КТ916Б
1
П·р·П 1
30* Вт
2900
55
3,5
2(4*}А 1 :>40*мА(55В)
1
1
1
1
i
КТ9173А
n-p·n
140* Вт
-
55* (10 Ом)
4
14А
:>250* мА (55 В)
1
1
1
КТ9174А
n·p·n
400* Вт
-
55* (10 Ом)
3
30А
:>150* мА (55 В)
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
КТ9176А
1
p·n·p !
10* Вт
290
40
5
3(7*)А
:>1 (30 В)
!
КТ9177А
n·р·П
10* Вт
290
40
5
3(7*)А
:>1 (30 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
~20* (5 В; 0,5 А)
~50*(1В;4А)
35* (5 В; 0,25 А)
35* (5 В; 0.25 А)
~20* (5 В; 0,5 А)
60.. .400* (2 В; 1 А)
60...400* (2 В; 1 А)
$20 (30 В)
$20 (30 В)
rкэнас:' Ом
r~нас:• Ом
к;.·,.. дБ
~7** (500 МГц)
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:х• Вт
~500** (500 МГц)
~6** (1090 МГц) ~300** (1090 МГц)
$0,06
$0,8; ~2.25**
$0,8; ~1.85**
~20** (1 ГГц)
~16** (1 ГГц)
$230 (28 В) ~10** (230 МГц) ~50** (225 МГц)
~4** (230 МГц) ~300** (230 МГц)
45 (10 В)
$0,25
$0,25
233
тк, пс
~;ас:• НС
tвык.11• НС
Корпус
КТ9161
КТ9164
КТ9166
КТ916
КТ9173
КТ9174
КТ9176, КТ9177

234
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
'
Ркmп•
1,.. ~216'
Uкюmах'
'
lкю,
lк max
Тип
1 Струк-
Р~. т max'
(;.3,
U~Rmaxt
UЭБО max'
J~.11 max•
·~·
прибора
р~ н m•x'
с·
u~max•
в
·~·
тура
".
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ9180А
p-n -p
1,5 Вт; 12,5*Вт
~100
40
5
3А(7*А)
SI (30 В)
КТ9180Б
p-n -p
12,5*Вт
~100
60
7
3А(7*А)
SI (60 В)
КТ91808
p-n -p
12,5*Вт
~100
80
7
3А(7*А)
SI (80 В)
KT9180f
p-n -p
12,5*Вт
~100
100
7
3А{7*А)
SI (100 В)
КТ9181А
n-p -n
12.5*Вт
~100
40
5
3А(7*А)
SI (30 В)
КТ9181Б
n-p -n
12,5*Вт
~100
60
1
7
3А(7*А) 1
SI (60 В)
КТ91818
n-p-n
1
12,5*Вт
~100
80
7
1 3А(7*А)
SI (80 В)
KT9181f
n-p-n
12,5*Вт
~100
100
7
1
3А(7*А)
SI (100 В)
КТ918А-2
n-p-n
2,5* Вт
~800
30
2,5
250
s2мА(30В)
КТ918Б-2
n-p-n
2,5* Вт
~1000
30
2.5
250
S2мА(30В)
КТ9182А
n-p-n
300* Вт
-
55* (10 Ом)
3
24А
1 S200мА(55В)
!
1
КТ9186А
n-p-n
5Вт
~50
100; 60*
-
IA
-
КТ9186Б
n-p -n
5Вт
~50
80; 60*
-
IA
-
КТ9186В
n-p -n
5Вт
~50
50; 40*
-
IA
-
КТ9186Г
n-p-n
5Вт
~50
40*
-
IA
-
IКТ9186Д
n-p -n
5Вт
~50
40*
-
iIA
1
-
1
1
КТ9189А-2
n-p -n
2** Вт
1000
-
-
0,5 А
-
КТ9189Б-2
n-p -n
5** Вт
1000
-
-
IA
-
КТ9189В-2
n-p -n
8** Вт
900
-
-
1,6А
-
1
1
1
КТ919А
n-p -n
10* Вт
~1350
45
3,5
0,7 (1,5*) А
SIO мА (45 В)
КТ919Б
n-p -n
5* Вт
~1350
45
3,5
0,35 (0.7*) А
S5мА(45В)
КТ919В
n-p -n
3,25* Вт
~1350
45
3,5
0,2 (0,4*) А
s2мА(45В)
КТ919Г
n-p-n
10* Вт
~1350
45
3,5
0,7 (1,5*) А
SIO мА (45 В)
1

Биполярные кремниевые транзисторы
235
i
'
i
ck,
rкэ нас• Ом
Kw, дБ
тк, пс
ь.," ь;,э
с;2э•
r~нас• Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:,, Вт
t::u• НС
60...400* (2 В; 1 А)
-
s0,25
-
-
1
КТ9180, КТ9181
50...250* (1 В; О,15 А)
-
s0,4
-
-
50...250* (1 В; 0.15 А)
-
$0,4
-
-
50...250* (1 В; О, 15 А)
-
$0,4
-
-
~Il1: . Фт
60...400* (2 В; 1 А)
-
$0,25
-
-
50...250* (1В; О,15 А)
-
$0,4
-
-
50... 250* (1 В; 0.15 А)
-
$0,4
-
-
1
50...250* (1В; О,15 А)
-
s0,4
-
-
1
-
1 S4,2(15B)
~2**
~О.25** (3 ГГц)
$15
1
КТ918-2
-
S4,2 (15 В)
~2**
~0.5** (3 ГГц)
$4
~~rь
~i 's1!;!6
-
-
~З* * (860 МГц) ~150** (860 МГц)
-
КТ9182
;t~
,~
.
зс]
'~:1:::~:1
80 ... 250
-
$0,2
КТ9186
80 ... 250
-
s0,2
:tiкщэ
80 ... 250
-
$0,2
80 ... 250
-
so.2
80 ... 250
-
$0,2
-
4,5
12** (470 МГц)
0,5** ( 175 МГц)
-
КТ9189
-
13
10** (470 МГц)
2**(175МГц)
-
-
20
6** (470 МГц)
5** (175 МГц)
-
~! D2,5~ ~1~1
с::.·
10. 8
.g
~
5м
~.i
"'
".Зrif ""~
lt
с:;
"'
-
1
0,5
1
SIO (28 В)
-
~3.5** (2 ГГц)
$2,2
КТ919
sб,5 (28 В)
-
~1.б** (2 ГГц)
$2,2
s5 (28 В)
-
~о.в•• (2 ГГц)
$2,2
;ltl
Sl2 (28 В)
-
~3** (2 ГГц)
s2,2
~-
g
6
2
6
1
19,;J
1

236
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~р• ~216•
UКБО n1axt
lк max
IКБО•
Тип
Струк-
р·
\;1эt
u·
UЭБО n1axt
J~.и mалt
I~R•
К,тшахt
КЭR max t
р~:нmaxt
с·
U~.ЭО max'
в
г·
прибора
тура
'"
мА
КЭО•
мВт
МГц
в
мкА
КТ9190А
n-p-n
40** Вт
720
-
-
ВА
-
1
1
1
!
1
'
!
:
1
'
1
'
1
1
1
!
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
j
1
1
;
~КТ9190А-4 n-p-n
40** Вт
720
-
-
ВА
-
1
1
КТ9192А-2
n-p-n
2** Вт
1200
-
-
0,5 А
-
КТ9192Б-2
n-p-n
5** Вт
1200
-
-
1,6 А
-
1
1
КТ9193А
n-p-n
23** Вт
1000
-
-
4А
-
КТ9193Б
n-p-n
40** Вт
1000
-
-
ВА
-
1
1
i
1
!
1
1
i
~
1
1
,,
i
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
237
1
ck,
rкэ нас• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
h2," ь;,э
с;2"
r~э нас' Ом
r;. Ом
t;,.., нс
Корпус
'
пФ
к;:•.. дБ
Р;~х' Вт
t::ut НС
!
1
-
1
65
-
20** (470 МГц)
-
КТ9190А
!
"'
~
<:)
1
_J
"'
1
1
с:.·
1 20,5
1..,
.. ..
. ..::
...,
612
з-.n 1'1 ~з
LЭ-
r-т-
-<h~~
"'
...-tl...~ 1
"'
з/(1r-э16
~tS
-
65
-
20** (470 МГц)
-
КТ9190А-4
8,2
1
_J~
....
., ,,
"'
r::i с::)
5
\ 3,2
э-:~~ ........3
lt)
.....
~
.....
з-l:JY.,-
,,.. 3
1,6
.
/(
f
-
-
6** (900 МГц)
0,5** (900 МГц)
-
КТ9192-2
-
-
5** (900 МГц)
2** (900 МГц)
-
~
"'с:.·
1
_J
"'
1
1
<:)
1 20,5
1~ ....
...,
612
з-.n1'1 ~з
LЭ-
"
-<h.., ....
..; .. ..
"'
з't//(~;
"'
r-з 16
~fS
-
-
4 (900 МГц)
10** (900 МГц)
-
КТ9193
-
-
-
20** (900 МГц)
-
~
"'
с:.·
1 _.J
"'
1
1
с:.·
1 20,5
1~ ....
...,
~12
з-.. :'1 i;-i 1 -з
1:.:tr ~.., ....
..; "
"'
_,~...~·
"'
з/(1'з16
~fS

238
Раздел 2. Биполярные транзисторы
:
1 Струк-1
Ркmах•
~Р' ~:2161
UKБOmaxt
1
lк max
i •коо•
Тип
Р~.тmах•
~:;J;t
u~RmaAt
UЭБО max•
1:.м max•
·~ЭR'
'
р~~ и max•
~:·;~.
u~max•
в
1
•••
прибора 1 тура 1
!
кэо•
1
i мВт
Мfц
в
мА
i
мкА
КТ919ЗА-4
п-р-п
23** Вт
1000
-
-
4А
-
КТ919ЗБ-4
п-р-п
40** Вт
1000
-
-
8А
-
КТ920А
п-р-п
5* Вт (50"С)
~400
36
4
0,25(1•)А
:52* мА (36 В)
КТ920Б
п-р-п
10* Вт (50"С)
~400
36
4
1(2*)А
:54* мА (36 В)
КТ9208
п-р-п
25* Вт (50"С)
~400
36
4
3(7*)А
:57,5* мА (36 В)
KT920f
п-р-п
25* Вт (50"С)
~350
36
4
3(7*)А
:57,5* (36 В)
1
1
1
1
1
~
1
1
1
lкт921л
1
п-р-п 1 12.5* Вт (75"С)
~90
1
65* (0,lк)
1
4
3,5 А
:510* мА (70 В)
iКТ921Б
п-р-п 1 12,5* Вт (75"С)
~90
65* (О,lк)
4
3,5 А
:510* мА (70 В)
.
1
КТ922А
п-р-п
8* Вт (40"С)
~300
65* (О,lк)
4
0,8 (1,5*) А
:55* мА (65 В)
КТ922Б
п-р-п
20* Вт (40"С)
~300
65* (0, 1к)
4
1.5 (4,5*) А
:520* мА (65 В)
IKT922B
1
п-р-п
1
40* Вт (40"С)
~300
65* (0, 1к)
4
3(9*)А
:540* мА (65 В)
KT922f
п-р-п
20* Вт (40"С)
~300
65* (О,lк)
4
1,5 (4,5*) А
:520* мА (65 В)
КТ922Д
п-р-п
40* Вт (40"С)
~250
65* (0,lк)
4
3(9*)А
:540* мА (65 В)
1
КТ925А
п-р-п
5.5* Вт (40"С)
~500
36* (0, 1к)
4
0,5 (1*) А
:57 мА (36 В)
КТ925Б
п-р-п
11 * Вт (40"С)
~500
36* (О, 1к)
4
1(3*)А
:512 мА (36 В)
КТ9258
п-р-п
25* Вт (40"С)
~450
36* (0, lк)
3,5
3,3 (8,5*) А
:530 мА (36 В)
KT925f
п-р-п
25* Вт (40"С)
~450
36* (О, 1к)
3,5
3,3 (8,5*) А
:530 мА (36 В)
КТ926А
п-р-п
50* Вт (50"С)
~51
150* (О,Оlк)
5
15 (25*) А
:525* мА ( 150 В)
КТ926Б
п-р-п
50* Вт (50"С)
~51
150* (О.Оlк)
5
15 (25*) А
:525* мА ( 150 В)
~
1
1
~•
1
1
1
КТ927А
п-р-п
83,3* Вт (75"С)
~105
70* (ОИ)
3.5
10 (30*) А
:540* мА (70 В)
КТ927Б
п-р-п
83,3* Вт (75"С)
~105
70* (ОИ)
3,5
10 (30*) А
:540* мА (70 В)
КТ9278
п-р-п
83,3* Вт (75"С)
~105
70* (ОИ)
3,5
10 (30*) А
:540* мА (70 В)
1
1

1
1
Биполярные кремниевые транзисторы
-
-
-
-
~10*(10В; 1А)
~10*(10В; 1А)
-
-
-
-
-
~8*(5В;0,2А)
-
~17* (5 В; 0.2 А)
-
10...60• (7 В; 15 А)
10...60* (5 В; 5 А)
~15*(6В:5А)
~5*(6В;5А)
~40•(6В:5А)
1
Sl5 (10 В)
1 S25(!ОВ)
1 s75(!ОВ)
1
1
S75 (10 В)
1
1
s50 (20 В)
s50 (20 В)
1
1
1
1 Sl5(28В)
S35 (28 В)
$65 (28 В)
$35 (28 В)
s65 (28 В)
Sl5 (12,6 В)
s30 (12,6 В)
s60 (12,6 В)
1s60(12,6В) 1
!
1
!
i1
!
1
'
-
-
Sl90 (28 В)
Sl90 (28 В)
Sl90 (28 В)
1
1
'
rкэнас:• Ом
r~нас:• Ом
к;.·,.. дБ
4 (900 МГц)
~1··
~4.5**
~3**
~3**
Sl,8; ~8**
Sl,8; ~5**
~10••
~5.5**
~4**
~5**
~З.5**
~6.3**
~5**
~3**
~2.5**
s0,17
s0.25
$0,07; ~13.4**
s0.07; ~13,4**
s0.07; ~13,4**
1
1
11
Кш, дБ
r~, Ом
Р;:", Вт
10* * (900 МГц)
20** (900 МГц)
~2* * (175 МГц)
~5** (175 МГц)
~20* * ( 175 МГц)
~15** (175 МГц)
~12,5** (60 МГц)
~12,5** (60 МГц)
~5**(175 МГц)
~20* * ( 175 МГц)
~40* * (175 МГц)
~17** (175 МГц)
~35* * (175 МГц)
2** (320 МГц)
5** (320 МГц)
20* * (320 МГц)
15** (320 МГц)
-
-
~75* (20 МГц)
~75* * (20 МГц)
~75** (20 МГц)
1
1
1
1
1
i
i
1
!
!
i
!
1
1
1
i
239
t'к1 ПС
~~".нс
t.ык.11• НС
Корпус
КТ9193-4
8,2
'
с;,· с:)'
5
i
1
\ 3,2
з-п t-\ -1
i
1
......... 3
1
1()
-
...,;
-
э-ll У,-
.,.,э
к
f,6
1
s20
i
КТ920
1
s20
!
i
i
s20
1
JЗК
t
S20
1 <.Q
5
-
1 о;-
-
. l!.
1
~
~
,
1з
в 122
2
s22; sзоо•
КТ921
s22; s300*
fi'
~-D1
-
.
1
~
6
S20
КТ922, КТ925
S20
S25
s20
s25
t 51~
-
""
...
,_....
о;-
""
L_
.. ..
L-......:0
S20
'
'
1з
S35
в,,,
2
s40
s40
1
!
-
i
КТ926
1
-
1
i
:!Jt~r1
!
-
!
КТ927
i

240
Тип
прибора
КТ928А
КТ928Б
1КТ928В
,,
1
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ9328
i~1•
КТ933А
j КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
1
КТ935А
КТ936А
1
1
1
1
Струк
тура
n-p -n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p -n
1
1
i
1
1
Рк max'
~~· т max'
Рк. и m11x'
мВт
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
0,5 Вт; 2* Вт
6* Вт (40°С)
75* Вт (40°С)
120* Вт (40°С)
150** Вт (40°С)
20• вr (5о·с)
20* Вт (50°С)
20• Вт (50°С)
5* Вт (50°С)
5* Вт (50°С)
7,5* Вт
15* Вт
30* Вт
15* Вт
30* Вт
60* Вт (50°С)
28* Вт (75°С)
1
1
МГц
г250
г250
г250
г700
г450
г600
г250
г40
г6О
г40
г75
г75
г500
г500
г500
г450
г450
г51
-
i'
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО maxt
lк max
IКБО•
u·
UЭБО max'
I~R•
КЭR max t
1~,н maxt
u;.эо max'
в
I~эо•
в
мА
мкА
60
5
0.8 (1,2*) А
:"':5 (60 В)
60
5
0,8 (1,2*) А
:"':5 (60 В)
75
5
0,8 (1.2*) А
:<O:l (60 В)
1
1
1
'
'·
30* (0.1 к)
3
1
0.8 (1,5*) А 1 :<;;5* мА (30 В)
'
1
!
50* (О. 1к)
4
1
6*А
1 :"':20* мА (50 В)
50* (О,lк)
4
6*А
1
:<0:100* мА (50 В)
1
'
1
60* (0,01 к)
4
15А
:<0:30* мА (60 В)
80
4,5
2А
:"':1,5* мА (80 В)
60
4,5
2А
:"':1,5* мА (60 В)
40
4,5
2А
:"':1,5* мА (40 В)
1
80
4,5
0,5 А
1 :"':0.5* мА (80 В)
60
4,5
0,5 А
i :"':0.5* мА (60 В)
1
1
60* (0,01 к)
4
0,5 А
:<0:7,5* мА (60 В)
60* (0,01 к)
4
lA
:<0:15* мА (60 В)
60* (О,Оlк)
4
2А
:<0:30* мА (60 В)
60* (0,01 к)
4
lA
:"':15* мА (60 В)
60* (0,01 к)
4
2А
:<0:30* мА (60 В)
1
80* (0,01 к)
5
20 (30*) А
:<0:30* мА (80 В)
60
3,5
3,3 А
:<0:10* мА (60 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
241
1
с"
rкэ нас' Ом
Кш, дБ
1' 111 ПС
1
h21·,t h~IЭ
с~2~'
r~э 1ыс' Ом
г~, Ом
t;,il{' НС
Корпус
пФ
к;.·." дБ
Р;::., Вт
t:•ыклt НС 1
:1
!
1.
:1
1
11
~ 20".100* (5 В: 150 мА) sl2 (!О В) 1
s3.3
-
s250*
КТ928
!! .50".200* (5 В: 150 мА) sl2 (10 В)
s3,3
-
s250*
:tiкФэ
100".3 00* (5 В; 150 мА) sl2 (10 В)
s3,3
-
s250*
~25* (5 В; 0.7 А)
s20 (8 В)
~8**
~2** (175 МГц)
s25
КТ929
..,;
~ '5 IJJ3к
11
о;
~ ~3-+Е
1
е._
IТlз
1·
1'
~
1
,8 122
27
1'
1
40*(5В;0,5А)
s80 (28 В)
~5**
~40** (400 МГц)
8
КТ930, КТ931
50*(5В;0,5А)
sl70 (28 В)
~3.5**
~75** (400 МГц)
11
6
25*(5В;0,5А)
s240 (28 В)
0,18; ~3.5**
~80** (175 МГц)
18
~JiПtJ~Jl
t;~ ~icrк 25
7
1
~15* (3 В; 1.5 А)
s300 (20 В)
sl
КТ932
-
-
1
~30* (3 В; 1.5 А)
s300 (20 В)
sl
-
-
Ц1 [f)
~40* (3 В; 1.5 А)
s300 (20 В)
sl
-
-
!:
~No~ у
.. :;
.
...
/(
~15* (3 В; 0,4 А)
s70 (20 В)
s3,75
-
-
КТ933
~30* (3 в: о.4 А)
s70 (20 В)
s3,75
-
-
:~кфэ 1
1
1!
1
50*(5В;0,1А)
s9 (28 В)
2; ~6**
~3** (400 МГц)
s20
КТ934
1
50* (5 В: 0.15 А)
sl6 (28 В)
1; ~4**
~12** (400 МГц)
s20
50* (5 В; 0.25 А)
s32 (28 В)
о.5: ~3**
~25** (400 МГц)
s20
~ ~Jз
5
к
-
sl6 (28 В)
~3.3**
~10** (400 МГц)
s25
..,;
3-~
о;
R'
·-
s32 (28 В)
~2.4**
~20** (400 МГц)
s25
'&
-
••
з
8 12.2
27
20".100* (4 В; 15 А)
s800 (10 В)
s0,066
-
s700**
КТ935
:ft~11
""
19,5
~6·(3В:0,1А)
-
-
-
-
КТ936А
~.~~
6.7
6,5
16зак 9

242
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1 Струк-
1
pKmax'
~р• \210•
UКБОmаА'
lк max
JКБО•
Тип
Р~.тmах'
~;lэ'
u~m•x'
UЭБОmаА'
J~,и maA•
·~R'
прибора 1 тура
р~~" max•
с:х.
u~тnax•
в
·~·
мА
1
мВт
МГц
в
мкА
КТ936Б
1
п-р-п
1
83,3* Вт (75°С)
-
60
3,5
10А
:s:30* мА (60 В)
КТ937А-2
п-р-п
3,6* Вт
6500
25
2.5
250
:s:2 мА (25 В)
КТ937Б-2
п-р-п
7,4* Вт
6500
25
2.5
450
:s:5 мА (25 В)
1
1
'
1
i
1
i
i
i
1
1
1
1
1
1
1
КТ938А-2
п-р-п
1,5* Вт
;е:2000
28
2,5
180
:S:I мА (28 В)
КТ938Б-2
п-р-п
1,5* Вт
;е:1800
28
2.5
180
:S:l мА (28 В)
1
i
1
КТ939А
1 п-р-п
4* Вт
;е:2500
30* (0,01 к)
3,5
1
400
1
:S:2 мА (30 В)
КТ939Б
1 п-р-п 1
4* Вт
;е:1500
30* (0,Оlк)
3.5
400
1 :s:2мА(30В)
1
1
!
1
i
1
1
1
1
1
КТ940А
п-р-п
1,2 (10*) Вт
;e:go
300* (!Ок)
5
0,1 (0,3*)А
:s:0,05 мА (250В)
КТ940Б
п-р-п
1,2 (10*) Вт
;e:go
250* (IОк)
5
О, 1 (0,3*) А :s:0,05 мА (200 В)
КТ940В
п-р-п
1,2(10*)Вт
;е:90
160* (IОк)
5
0,1 (0,3*) А :s:0.05 мА (100 В)
1
1
1
КТ940А1
п-р-п
500, 10* Вт
;е:90
300
5
100; 300*
:s:0.05 (250 В)
КТ940Б1
п-р-п
500, 10* Вт
;е:90
250
5
100; 300*
:s:0,05 (200 В)
КТ940В1
п-р-п
500, 10* Вт
;е:90
160
5
100; 300*
:s:0,05 (100 В)
КТ940А-5
п-р-п
10* Вт
;e:go
300
5
100 (300*)
1
:s:50 мА (250 В)
КТ940Б-5
1
п-р-п
10* Вт
;e:go
250
5
100 (300*)
:s:50 мА (200 В)
КТ940В-5
п-р-п
10* Вт
;e:go
160
5
1
100 (300*)
1
:s:50 мА ( 100 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
~
1
КТ940А9
п-р-п
1200
;е:90
300
5
100
-
КТ940Б9
п-р-п
1200
;е:90
250
5
100
-
1
1

'
~,,
"11
if
!1
1
~
~ц
1
·~
~
~
~
h 21"~' h;IЭ
~6*(3В;0.1А)
-
-
-
-
40 200*(12В;О.2А)
20::.200 ( 12 В; 0.2 А)
>25* (10 В; 30 мА)
;25* (10 В; 40 мА)
;25* (10 В; 30 мА)
>25 (10 В, 30 мА)
;25 (10В; 30мА)
;25(1оВ;30мА)
>25* (10 В; 30 мА)
;25* (10 В; 30 мА)
;25* (10 В; 30 мА)
>25 (10 В; 30 мА)
;25(10В;30мА)
16·
1
1
'
i
1
1
1
1
"
c;2t'
пФ
s5,5 (20 В)
s7,5 (20 В)
s4 (20 В)
s4,5 (20 В)
s5.5 (12 В)
s6(12B)
4.2 (30 В)
4,2 (30 В)
4,2 (30 В)
s4,2 (30 В)
s4.2 (30 В)
s4.2 (30 В)
s4,2 (30 В)
s4,2 (30 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
·
Ом
rБэ н"l.,
к;.·•.. дБ
-
-
-
<33
s33
s33
<3,3
<3
_3.
s3,3
s40
s40
s40
s3,3
s3,3
1
r
1
1
1
1
<,1
t" нс
1
1
р" Вт
вык.n 1
вых'
КТ936Б
i1
1
·~~
к
-~
-
35
о 1J,6
>1,6** (5 ГГц)
0,78
КТ937-2
:m:J ,,", 1!
>3,2** (5 ГГц)
0.6
!
!1
....
1!
1
'С)
~ n~~
"Q
l 1~~6
~+-
6,6 -
11
-
19,3 -
-
1
КТ938-2
1
1
<2
>1**(5ГГц)
<2
''·' tw
>1 •• (5 ГГц)
~~
~
~f ЪjfW5 1
"1
:
1'
1
КТ939
11
<9
<10
1
'
~·~~
1
1
~~~
1
"Q u-
r
·з
r ~g 1z1J
20,5
~
~
КТ940
ir;~ :1
-
i ..,,.
3Б
1'
11
1
1
...
:!
1
KT940-l
1
Qf5,2
i
КТ940-5
КТ940-9

244
Тип
прибора
КТ942В
КТ94ЗА
КТ94ЗБ
КТ94ЗВ
КТ94ЗГ
КТ94ЗД
КТ944А
'
КТ945А
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
КТ946А
КТ947А
1
КТ948А
КТ948Б
Струк-
тура
n-p -n
1
1
1
n-p -n
n-p -n
п-р-п
n-p -n
n-p -n
1 n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1. n-p-n
i
п-р-п
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
1
1
1
1
Ркmак'
Р~.тmа"'
р~~ и max'
мВт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
25* Вт
55* Вт (90°С)
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
50* Вт (50°С)
37,5* Вт
200* Вт (50°С)
40* Вт
20* Вт
11
1
~•• (210•
\;lэ'
~~·;х,
МГц
;е:1950
;е:30
;е:30
;е:3о
;е:30
;е:30
;e:J05
;е:50
;е:50
;е:50
;е:50
;е:720
;е:75
;е:1950
;е:1950
1
1
UКБО ma"'
u~RmaAI
u~ma>.•
в
45
45
60
100
100
100
100* (0,01 к)
150* (10 Ом)
150* (10 Ом)
150* (10 Ом)
150* (10 Ом)
50
100* (О,Оlк)
45
45
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
1
11
1
1
1
UЭБОmах'
в
3,5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
3,5
5
2
2
1
1
i
1
1
IKm3x
lкБо•
1~.и ma"'
·~..
·~·
мА
мкА
1,5 (3*) А
:S20 мА (45 В)
11
!1
1
2(6*)А
:SO.I мА(45В)
2(6*)А
:SO,I мА (60 В)
2(6*)А
:SO,I мА (100 В)
2(6*)А
:SI мА (100 В)
2(6*)А
:SI мА (100 В)
1
1
1
1
12.5 (20*) А 1 :S80* мА (100 В)
15 (25*) А 1 :S25* мА (150 В)
15(25*)А 1 :S25* мА (150 В)
10 (25*) А 1 :S25* мА (150 BI
15 (25*) А
!
:S25* мА (150 В)
2,5 (5*) А
:S50 мА (50 В)
20 (50*) А :SIOO* мА (100 В)
2,5 (5*) А
:S35 мА (45 В)
1.25 (2.5*) А
:Sl5 мА (45 В)
~
i
1
"
!.

Биполярные кремниевые транзисторы
245
'
1
i
ck,
fкэна..:' Ом
Кш, дБ
'tкt ПС
h2,,• ь;,э
с;2э•
r~Э11"с• Ом
r~, Ом
t;,.,. нс
Корпус
пФ
к;~". дБ
Р;:,, Вт
t::1t.1• нс
-
s25 (28 В)
~2.5**
~8** (2 ГГц)
$3
КТ942
1
:ltl
...-
с:>
'Q
.. ..
1
1
6
1
2
6,6
'
1
,"19.J ~
!i
1
~
40 ... 200* (2 В; 0,15 А)
-
$0,6
-
-
КТ94З
40... 160* (2 В; 0,15 А)
-
$0,6
-
-
40 ... 120* (2 В; 0,15 А)
-
:<>0,6
-
-
Qц;
20...60* (2 В; 0.15 А)
-
:<>1,2
-
1
-
=~
30 ... 100* (2 В; 0,15 А)
-
$1,2
-
-
!
10...80* (5 В; 10 А)
s350 (28 В)
s0,25; ~10••
~100** (30 МГц)
1
-
1
КТ944
~
1
!1
1
1
=~~
.,;
.
....
10...60* (7 В; 15 А)
s200 (30 В)
s0.17
-
$1,1 *мкс
КТ945
10...60 (7 В; 15 А)
s200 (30 В)
:<>0,17
-
sl.I *мкс
10...60 (7 В; 10 А)
s200 (30 В)
s0,25
-
Sl.I *мкс
n.t ~
12...60 (7 В; 15 А)
s200 (30 В)
$0,17
-
sl,I* мкс
~Noi ~.
-
$50(108)
~4**
~27** ( 1 МГц)
-
КТ946
itlJ
~ r;S'
4:
6,1 к
10...80* (5 В; 20 А)
s850 (27 В)
~10**
~250** (1,5 МГц)
!-
КТ947
1
1
1
~rt ~
--
~.
-
s30 (28 В)
~6.5**
~15** (2 ГГц)
-
КТ948
-
$17(288)
~6.5**
~8** (2 ГГц)
1
-
~it1
1
1
1
1

246
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmaxt
~•• ~;216•
UKБOmaAt
1
lк m.i"
IКБО•
Тип
Струк-
P~.тmaAt
~;li•
u~Rmaxt
UЭБОmаА'
1~,н m.ixt
·~..
прибора
р~нmах'
с·
u;ЭOmax'
в
I~эо•
тура
'"
мА
мВт
МГц
в
мкА
КТ955А
п-р-п
20* Вт (100°С)
~100
70* (0,01 к)
4
6А
:SlO мА (60 В)
1
1
1
1
1
"
КТ956А
п-р-п
70** Вт (1ОО0С)
~100
100* (О,Оlк)
4
lSА
s:80* мА (100 В)
КТ957А
п-р-п
100** Вт (I00°C)
~100
60* (О,Оlк)
4
20А
:SlOO* мА (60 В)
1
КТ958А
п-р-п
85** Вт (40°С)
~300
36* (0,Оlк)
4
10А
:S25* мА (36 В)
КТ960А
п-р-п
70** Вт (40°С)
~600
36* (0,01 к)
4
7А
s:20* мА (36 В)
1
КТ961А
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
100* (lк)
5
1,5 (2*) А
s;lO (60 В)
КТ961Б
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
80* (lк)
5
1,5(2*)А
s;lQ (60 В)
КТ961В
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
60* (lк)
5
1,5 (2*) А
:SlO (60 В)
КТ961Г
п-р-п
1 (12,5*) Вт
~50
40* (lк)
5
2(3*)А
s;lO (60 В)
КТ961А1
п-р-п
500
~50
100
5
1000
:SlO (60 В)
КТ961Б1
п-р-п
500
~50
80
5
1000
s;lO (60 В)
КТ961В1
п-р-п
500
~50
60
5
1000
:SlO (60 BI
1
1
1
1
КТ962А
п-р-п
17** Вт (40°С)
~750
50
4
1,5 А
:S20 мА (50 В)
КТ962Б
п-р-п . 27** Вт (40°С)
~750
50
4
2,5 А
:S20 мА (50 В)
КТ962В
п-р-п
66** Вт (40°С)
~600
50
4
4А
:S30 мА (50 В)
КТ96ЗА-2
п-р-п
1.1* Вт
-
18
1,5
210
s;l мА(18В)
КТ96ЗБ-2
п-р-п
1,1* Вт
-
18
1,5
1
185
1
s;lмА(18В) 1
1
:
1
1
1
1
КТ96ЗА-5
п-р-п
1,1 *Вт
-
18
1,5
210
:Sl мА (18 В)
КТ96ЗБ-5
п-р-п
1,1 *Вт
-
18
1,5
185
:SI мА (18 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
247
i
1
1
1
с"
rкэ ...• Ом
Кш, дБ
'tк' ПС
ь21" ь;,э
1
с;2,,
1
r~...,. Ом
r~, Ом
·~·нс
Корпус
1
1
пФ
к;.·". дБ
Р;:х' Вт
t;ы~' НС
10...80* (5 В: 1 А)
1
:<;,75 (28 В)
~о··
:<:20** (30 МГц)
-
1
КТ955
~~i~-
1
'/(
5,9
!
!
1
!
i
!
'
i0...80* (5 В: 1А) 1 :<;,400 (28 В) 1
:<:20**
1 :<:100** (30 МГц) !
-
!
КТ956, КТ957
1
i
1
~tjt~
10...80* (5 В; 5 А)
:<;,600 (28 В)
:<:17**
:<:125** (30 МГц)
-
'
1
1
'f l.S
J5,8
1
1
i
1
1
:<:10* (8 В; 0,5 А)
:<;,180 (12 В) 1 0,16; :<:4**
:<:40** (175 МГц)
1
12
КТ958,КТ960
1
8ii
-
:<;,120 (12 В)
! 0,16: :<:2.5**
:<:40** (400 МГц)
12.5
1
1
;
40 ... 100* (2 В; 0,15 А)
-
$1
-
-
КТ961
63 ... 160* (2 В: 0.15 А)
-
$1
-
-
100... 250* (2 В: 0.15 А)
-
$1
-
-
~rm
20 ...500* (2 В; 0,15 А)
-
$1
-
-
=~
.
40...100 (2 В: 0.15 А) 1
$45
$1
1
КТ961-1
1
-
-
1
! 63...160 12 В: 0.15 А)
:<;,45
$1
1
-
-
1
§~
1 100... 250 (2 В: 0,15 А)
:<;,45
$1
-
-
1
i
1
1
....
~
~'
-
:<;,20 (28 В)
:<:4**
:<:10** (1 ГГц)
1
:<;,15
КТ962
-
:<;,35 (28 В)
:<:3,5**
:<:20** ( 1 ГГц)
$14
1tfH~
-
:<;,50 (28 В)
:<:3**
:<:40** (1 ГГц)
$11
<а
,..,,
з.к
1
о;
""
'&
с..2·:
!
1
1
!
'
'
1
-
1 1.5(5В)
:<:3** ( 10 ГГц)
:2:0,8** (10 ГГц)
1
-
i
КТ963-2
1
-
1,5 (5 В)
:<:3** ( 10 ГГц)
:2:0.5** (1 О ГГц)
-
1
зtll
1
1
сок
з
1
:
~11
-
1,5 (5 В)
:<:3** (10 ГГц)
:2:0,8** (1 О ГГц)
-
КТ963-5
-
1.5 (5 В)
:<:3** (10 ГГц)
:<:0,8** (10 ГГц)
-
0,45
0,08
1
j ~шт
1
1

248
Раздел 2. Биполярные транзисторы
::
pKma.1,t
~v' ~:21б'
UКБО max'
1
1
lкБО•
il
Струк-1
1
lк max
Тип
р·
~:;IJ'
U~Rmaлt
UЭБО ffiil).'
I"
I~ЭR•
К, т max'
!1
прибора
тура
1
р··
1
~~·:х'
U~ЭOmaxt
в
К, tt mак'
1;эо,
К. и m11xt
!мА
,,
мВт
МГц
1
в
1
мкА
1'
1
КТ965А
n-p-n
32* Вт
;>:100
36* (0,01 к)
!
4
4А
s!O* мА (36 BJ
!
1
1
1
llкT966A
1
! n-p-n
1
64* Вт
;>:100
36* (О.О! к)
4
1
8А
1 s23*мА(36В)
1!
!
1
:
~
1
i
1
1
1
1
!
1
!
1
1
:
КТ967А
n-p-n
100** Вт
;>:180
36* (0,01 к)
4
15А
s20* мА (36 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11
1
1
1
j
1
1
,,
!
!
1
11
1
1
~
1
1
1
1
1
!
1
i
1
1
:!
1
!!КТ969А 1
n-p-n
1 (6*) Вт
;>:60
300
1
5
1
100 (200*)
1
s0,05 (200 В)
KT969Al
n-p-n
;>:6,1 * Вт
;>:60
300
5
100
s0,05 (200 В)
1
1
i
1
1
i
1
1
11
1
11
i
1
КТ969А-5
n-p -n
6* Вт
;>:60
300
5
100 (200*)
s50 мА (200 В)
:
1
1
1
КТ970А
1
n-p -n
1
170** Вт
;>:600
50* (0,01 к)
4
13А
1
100* мА (50 В)
КТ971А
n-p -n
200** Вт
;>:220
50* (0,01 к)
4
17А
1
s60* мА (50 BJ
1
1
i
КТ972А
n-p-n
8* Вт
;>:200
60* (1 к)
5
4*А
sl *мА (60 В)
КТ972Б
n-p -n
8* Вт
;>:200
45* (!к)
5
4*А
sl *мА (45 В)
!
КТ972В
n-p-n
8* Вт
;>:200
60* (!к)
5
2А
si• мА(60BJ
КТ972Г
n-p -n
1
8* Вт
;>:200
60* ( 1к)
5
2А
sl •мА (60 В)
~
~
[
i
1
il
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы
249
с"
rкэнас' Ом
Кш, дБ
Т11,ПС
h,,,, ь;,э
с;2~'
r~э нас' Ом
г;, Ом
t:a1:' НС
Корпус
пФ
к;.·•.. дБ
Р;:к' Вт
t::кл 7 НС
10."60* (5 В; 1 А) $100 (12,6 В)
<:13**
<:20* * (30 МГц)
-
КТ965
$i
-
$250 (12,6 В)
<:16**
<:40* * (30 МГц)
-
КТ966
1
$J
10". 100* (5 В; 5 А) $500 (12,6 В)
<:18**
<:90** (30 МГц)
-
КТ967
.....
6
к
:t1 '
~ii
50."250* (1О В; 15 мА) $1,8 (30 В)
$60
-
-
КТ969
:::.
·8
~11:~
50". 250 (10 В; 15 мА) $1,8 (30 В)
$60
-
-
КТ969-1
§~
~
~
-
<:50* (1О В; 15 мА)
-
$70
-
-
КТ969-5
0,57
0,35
~шт
-
180 (28 В)
<:4**
<:100** (400 МГц)
$25
КТ970, КТ971
-
$330 (28 В)
<:3**
$150** (175 МГц)
$40
~--
lr)
6
D
rs,. З
'
4
21
<:750* (3 В; 1 А)
-
$3
-
$200*
КТ972
<:750* (3 В; 1 А)
-
$3
-
$200*
750" .5000 (3 В: 1 А)
-
$3
-
$200*
~11
750".5000 (3 В; 1 А)
-
$1,9
-
$200*
:·~

250
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~р• ~216•
UКБО m.ax'
lк max
Iкю,
Тип
Струк-
Р~.тmах'
\;1эt
U~Rmaxt
UЭБOmaxt
1;.н m.axt
•:о•.
р~~ и m.axt
~:·;xt
u~maxt
в
•••
прибора
тура
кэо•
мВт
мrц
в
мА
мкА
КТ973А
р-п-р
8* Вт
~200
60* (!к)
5
1
4*А
i
:Sl*мА(бОВ)
КТ973Б
р-п-р
8* Вт
~200
45* (lк)
5
4*А
:Sl*мA(45B)
КТ9738
1
р-п-р
8* Вт
~200
60* (lк)
5
2А
1
s;(•мА(60В)
IKT973f
р-п-р 1
8* Вт
~200
60* (lк)
5
2А
s;1• мА (60 В)
1
1
КТ976А
п-р-п
75** Вт (40"С)
~750
50
4
6А
s;бО мА (50 В)
1
1
1
1
i
1
КТ977А
п-р-п
200** Вт (85"С)
~600
50
3
8*А
:S25 мА (50 В)
Jкт979А 1
п-р-п
1
75* Вт
-
50
1
3,5
1
5А;10*А
1 :SIOO мА (50 В)
'
1
i
1
1
;
i
1
1
1
КТ980А
п-р-п
300* Вт
~150
100* (О,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 В)
КТ980Б
п-р-п
300* Вт
~150
100* (О,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 BJ
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
КТ981А
п-р-п
70* Вт
-
36* (0,01 к)
4
10А
:S50* мА (36 В)
1
1
IKT983A
1
п-р-п
8,7* Вт
~1200
40* (О,Оlк)
4
0,5 А
1
:S5* мА (40 В)
КТ983Б
п-р-п
1
13* Вт
~900
1
40* (0,Оlк)
4
IA
s;8* мА (40 В)
КТ9838
п-р-п
22,5* Вт
~750
40* (0,01 к)
4
2А
:Sl8* мА (40 В)

Биполярные кремниевые транзисторы
h21.• ь;,э
>750* (3 В; 1А)
;750*(3В;lА))
750...5000 (3 В; 11)
750...5000 (3 В; 1
>15*(10В;5А)
-;10(10 В; 5А)
1
1
1
ck,
с;2.•
пФ
$70 (28 В)
<450 (50 В)
~450 (50 В)
rкэнас:' Ом
·
Ом
rБЭ 11a~·t
к:.·•.. дБ
$3
$3
$3
$2
~2**
~6**
>25** (30 МГц)
-~5** (80 МГц)
Кш, дБ
.
Ом
"'
р•• Вт
ВЫ). t
~60** (1 ГГц)
~50* * ( 1,5 ГГц)
~5О** (1.3 ГГц)
>250** (30 МГц)
-~250* (80 МГц)
Тк, ПС
t~,. нс
t::к.,t нс
$200*
$200*
$200*
$200*
$25
1 $400 (12.6 В)
!О... !Ю"(5 в, 5А)
~
i
1
~
~5**
>20* (5 В; 0.5 А)
;10•(5В;0,5А)
;10•(5В;0,5А)
$8 (28 В)
<12 (28 В)
~24 (28 В)
~4**
~3.6**
~3.2**
>0,5** (860 МГц)
->l ** (860 МГц)
~з. 5 ** (860 МГц)
КТ983
251

252
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-
PKmaxt
~Р' ~:216' i UKБOm"xt
1
lкоо•
lк max
!
Тип
P~.тm"xt
~;lэ'
U~Rmax'
UЭБО maxt
J~.и milк'
1~,
р~~ и max'
с·
u;ЭOmaxt
в
1;;.,.
прибора
тура
."
мВт
Мfц
в
мА
мкА
КТ984А
п-р-п
1.4* Вт
~720
65
4
7*А
:530 мА (65 В)
КТ984Б
1 п-р-п
4,7* Вт
~720
65
4
16* А
:580 мА (65 В)
-
1
1
1 КТ985АС
1 п-р-п
105* Вт
1
~660
50* (О,Оlк)
1
4
17А
! :5120• мА 150 В)
::
i
i
1
,,
:
1
'
КТ986А
п-р-п
910** Вт
-
50
3
26* А
:560 мА (50 В)
910** Вт
-
50
3
26* А
:550 мА (50 В)
КТ986Б
п-р-п
1
1
КТ986В
910** Вт
50
3
1
26* А
:550 мА (50 В) 11
п-р-п
-
KT986f
1
п-р-п 1
910** Вт
-
50
3
26* А
! :540мА150В) !
11
1
1
!
1\
1
1
~
КТ991АС
п-р-п
67* Вт
~600
50
4
3,7 А
:550 мА (50 В)
1
1
1
!
КТ996А-2 1 п-р-п
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2.5
200(0,3*А) 1 :51*мА(20В)
KT996S-2
1
п-р-п 1
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2.5
200(О.3*А) 1 :51*мА(20В)
КТ996В-2
п-р-п 1
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2.5
200 (0,3* А)
:51*мА(20В)
КТ996А-5
п-р-п
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2,5
200 (0,3* А)
:55 мА (20 В)
КТ996Б-5
п-р-п
2,5* Вт
~4 ГГц
20
2,5
200 (0.3* А)
:55 мА (20 В)
КТ996В-5 1 п-р-п 1
2.5* Вт
1
~4 ГГц
1
20
2.5
200 (0.3* А)
1
:55 мА (20 В)
1
!
!
1
i
1
'
i
1
'
11
i
1
!i
1
i
1
1
11
:
1
u
1
~
1
1
1
11
1
i
!
КТ997А
п-р-п
1
50* Вт
~51
45
5
10 (20*) А
:510 мА (45 В)
КТ997Б
п-р-п
50* Вт
~51
45
5
10 (20*) А
:510 мА (45 В)
КТ997В
п-р-п
1
50* Вт
~51
60
5
10 (20*) А
:510 мА (60 В)
1
1
1
1
1
!
1
1
!
1
i
'
:
!
1
1
!
1
i
1
i
!
J
1
:
j
'
1
1
i
'
i
i
1
'

253
<270 (28 8)
>3,5**
КТ985
<:rt....~·~
::::
.
с-.
з
D
8,5
23,2
r--
3.8
>6**
>350**
КТ986
4
-
(1,4 . .. 1,6 ГГц)
> 3ОО** (1,6 ГГц)
-
?.6**
; 350** (1,6 ГГц)
?.7**
-
5
-~~hd---;;;~~I~7TT.1~11--=~K~T99~1-
I
1
1
<6.8
;
-
!<75(28В)
>б•• >55" (О 7ГГо) 1 ~:~.*~i~~
'
~·
i
ILJ~h:t~~
;350** (0,8 ГГц)
-
?.7**
-
5
1
КТ996-2
>
35
*(108;0,IA)
:~·;~:~~~ I
?.0,11**(650МГц)
:w'l,I rmgК
;
7
0•(10в,0.1А)
<2:3 (10 В)
-
::?
"
з:
6
З
'3s• (\О в, 0,1 А)
-
1
>35* (10 8; 0,1 А)
;70* (10 8; 0,1 А)
;35* (10 8; 0,1 А)
>4О*(18;4А)
;20*(18;4А)
;20*(18;4А)
1
1 <2,3 (10 8)
<23(108)
~2:3 (10 8)
<270 (10 8)
s;270 (10 8)
1
<0,125
s;0, 125
s;0,125
?.0 ,11** (650 МГц)
<500*
<500*
1
1
КТ996-5
КТ997
~rm-t
r.11
-

254
Раздел 2. Биполярные транзисторы
РКmак'
~IJ' ~:210•
UKБOm.t).'
•кw•
1
lк max
Тип
Струк-
P~.тmaxt
~;lэ'
U~RПJil),'
UЭБOПJ.t).f
1~. и lnil). '
·~ЭR•
прибора
тура
р~: к m.axt
~:·;х,
U~ЭOnш,t
в
...
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
КТ999А
n-p-n
1,6 Вт; 5* Вт
~60
250
5
50 (100*)
:s;O,l (250 В)
КТД8264А Состав-
1.5Вт; 125*Вт
-
350* (О, lк)
5
20А
:s;O,l (300 В)
ной
n-p-n
1
1
i
'1
1
11
11
i
КТД8264А5 Состав-
1.5Вт; 125*Вт
-
350* (0.lк)
5
20А
1
:s;O,l (300 В)
!1
1
ной
1
n-p-n
1
1
1
i
i
1
i1
1·
1!
!
!j
КТД8275А
Состав-
125* Вт
~15
100
5
20А
-
1
КТД8275Б
ной
125* Вт
~15
80
5
20А
-
КТД82758
n-p-n
125* Вт
~15
60
5
20А
-
1
КТД8276А
Состав-
60* Вт
~15
100
5
8А
-
КТД8276Б
ной
60* Вт
~15
80
5
8А
-
КТД82768
n-p-n
60* Вт
~15
60
5
8А
-
КТД8276f
60* Вт
~15
45
5
1
8А
-
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
'

Биполярные кремниевые транзисторы
~50 (lО В; 25 мА)
300(10В;5А)
300(1ОВ:5А)
750 ... 18000
750 ... 18000
750 ... 18000
~750
~750
~750
~750
$2 (30 В)
i
1
;
f"кэнас' Ом
f"~Энас' Ом
к;·,, дБ
$66
$0,18
$0,18
$0,2
$0,2
$0.2
$0,66
$0,66
$0,66
$0,66
Кш• дБ
r~, Ом
Р;:х' Вт
1
1
1
т", пс
t:a~ t НС
t::кл, НС
255
Корпус
КТ999
110,4 Тil(,610,16
~
~
о;
~
~
D ЗКб
.. ..
к
КТД8264
::~Ю175,9 т5
С'-! ~
•
ln
'$!
а
6к3
КТД8264-5
5,16
0.38
~шт
КТД8275
27.1 КР
~No~ ~-
~
..
-
к
КТД8276
~mtt
р,п

256
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.8. Биполярные кремниевые сборки
pKm<1x'
fгр, 1;216'
UKБOmax'
lк max
IКБО•
Тип
Ст рук-
P;,lmax.t
(;IЭ'
U~ЭR max'
UЭБО maxt
1~.и max'
I~R•
прибора
тура
р~~и max t
~:;х'
U~ЭOmax'
в
г·
мА
кэо•
мВт
Мfц
в
мкА
КТСЗОЗА-2 1 p-n -p ,
1
500 (5о·с)
г300
45* (IОк)
-
100 (500*)
S:0,5 (45 В)
il
n-p -n
1
~
ji
1
1
1
,:
1
1
,,
1
ji
1
1!
1
1
1
1
i
1
КТС3103А
p-n -p
300 (55·с)
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
S:200 (15 В)
КТС3103Б
p-n -p
300 (55°С)
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
S:200 (15 В)
.
КТС3103А1
1
p-n -p
1
300
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
s:О,2мА(15В)
J КТС3103Б1
1
p-n-p
300
г600
15* (15к)
5
20 (50*)
s:0,2 мА (15 В)
1
1
1
1
1
1
КТС3161АС
1 n-p-n ,
300
г4оо
12
4
200
S:IO(l2B)
1
2 p-n-p
1
'
1
1
1
1
!
1
1
11
1
1
1
1
1
1
!
1
1
КТС3174АС-2 n-p -n
150
600
10
1
7,5
S:I (IOB)
11
1.
1
1'
11
1
1
1,
!
1'
КТС381Б
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:30 (5 В)
,i
КТС381В
1
n-p -n
15
-
25
6,5
15
1
s:30 (5 В)
1'
.1
KTC381f
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:ЗО (5 В)
li
КТС381Д
1
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:ЗО (5 В)
КТС381Е
n-p -n
15
-
25
6,5
15
s:ЗО (5 В)
1
1

Биполярные кремниевые сборки
1
40... 180 (5 В; 1 мА)
:58 (5 В)
rкэ нас•
r~нас•
Ом
:520
40...200 (1 В; 1 мА)
:52,5 (5 В)
:560
40...200 (1 В; 1 мА)
:52,5 (5 В)
:560
1
40...200 (1 В; 1 мА)
:52,5 (5 В)
:560
40...200 (1 В; 1мА)
1
:52,5 (5 В)
:560
~20(1В;0,1А)
~80(5В;3мА)
~40 (5 В; 10 мкА)
~30 (5 В; 10 мкА)
~20 (5 В; 10 мкА)
~20 (5 В; 10 мкА)
~20 (5 В; 10 мкА)
1
1
1
1
1
0,65 (6 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:51,5 (5 В)
:58
:55
:55
:55
:55
17зак9
Кш, дБ
h21э1/h;1э2•
u:;,,мв
~0.7*
:55 (60 МГц); ~0.9*
:55 (60 МГц); ~0.8*
:53**
:55**
~0.9*
~0.8*
:53 (100 МГц)
~0.9*; :54**
~О.85*; :54**
~О.85*; :53**
~0.9*
tк, ПС
t:Мс• НС
t::кл• НС
:580
:580
:580
:580
257
Корпус
КТСЗ103
Ei(l9,11
51 31
......
оо
<:t'
Kf
~ "Ф~52КТСЗ103·11 8
1tl85
~*
КТСЗ161
КТСЗ81
$\
1

258
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
Ркmах'
fгpt (216'
UКБО max'
1
lк max
!
•коо•
1
Тип
P~.lmax'
(;IЭ'
U~Rmaxt
UЭБОmах'
1~,и maxt
·~R'
прибора
р~~и max•
~:·:х'
u~max•
в
1
."
iтура1
1
!
1
1
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
!
мкА
iKTC393A
1 р-п-р 1
20 (45°С)
~500 1
10* (lОк)
4
10 (20*) i $0.1 (10 BJ
1i
1
КТС393Б
1 р-п-р 1
20 (45°С)
~500
15* (lОк)
4
10 (20*)
1
$0.2 (15 В)
1
1
1
1
1
1
1
КТС393А-1
р-п-р
20
~500
10
4
10 (20*)
1
$0,1 (10 В)
1
!КТС393Б-1 i р-п-р 1
20
1 ~500
15
4
10 (20*)
1
$0,2 (15 В)
1
'
1
1
1
i
1
!
1
1
1
1
i
1
i
i
1
!
i
1
!
!
i
1
1
!
!
1
1
КТС393А-9
р-п-р
20
~500
10
4
10 (20*)
$0,1 (10 В)
КТС393Б-9
р-п-р
20
~500
15
4
10 (20*)
$0,2 (15 В)
i
1
i
1
i
1
1
1
1
1
'
1
j
1
!
1
1
1
1
1
1
1
i
КТС394А-2
р-п-р
300*
~300
45* (10к)
4
100
$0,5 (45 В)
КТС394Б-2
р-п-р
300*
~300
45* (10к)
4
100
$0,5 (!О В)
1
1
1
;
1
!
~
КТС395А-1 i п-р-п
30
~300
45* (!Ок)
4
1
20
1
$0,5 (45 BJ
КТС395Б-1 ! п-р-п
30
~300
45* ( lОк)
4
20
1
$0,5 (10 В)
!1
1
1
u
1
1
!
1
КТС395А-2
п-р-п
150 (500**)
~300
45* (IОк)
4
100
$0,5 (45 В)
КТС395Б-2
п-р-п
150 (500**)
~300
45* (IОк)
4
100
45* (10к)
КТС395В-2 1 п-р-п
150 (500**)
~300
45* (!Ок)
4
100
45* (lОк)
i
i
11
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
i
1
1
КТС398А-1
1
п-р-п
30 (85°С)
~1000
10* (!Ок)
4
10 (20*)
$0,5 (10 В)
КТС398Б-1
п-р-п
30 (85°С)
~1000
10* (!Ок)
4
10 (20*)
$0,5 (10 В)
1
1

Биполярные кремниевые сборки
259
~
i
1
'
li
Кш, дБ
i
i!
с,.
ri\Энас' 1
t'Kt ПС
'
:1
h21" h;IЭ
с;2э'
r~нас:'
h21э1/h;1э2•
t~att НС 1
Корпус
'i
!
1
пФ
Ом
u:;;,мв
t:•ыкл• НС 1
1
40 ... 180 (1В;1 мА)
1
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц); ~0.9*
:580
КТС393
30".140 (1 В; 1 мА)
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц); ~0.8*
:580
6,к,з,
\1'
1
~
'
i
j~~~ !_
1
1
i
1
11
~
1
1
! 40".180(1В;1 мА) 1 :52 (5 В)
:560
1
:56 (60 МГц)
1
:580
1
КТС393-1
11
1 30".140 (1 В; 1 мА)
1
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц)
:580
1
1
1
1
6,к,з,
I,
i
1
1
1
\1'
1
11
1
J~~~ !_
1
40".180 (1 В; 1 мА)
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц)
:580
1
КТС393-9
~ 30".140 (1 В; 1 мА)
1
:52 (5 В)
:560
:56 (60 МГц)
:580
иisJ4 ~
'
1
1
1
1
1
1
1
1
i
11
i
1
1
.1
1
Б2Ш1К2 1
1
1
:J2
·
Э!
1
"'
Б2
1
В
1К\
~,,,,,
40".120 (5 В; 1 мА)
:58 (10 В)
:530
:510**
-
КТС394-2
100" .300 (5 В; 1 мА)
:58 (10 В)
:530
-
-
1
~~1
1j; '
1
1
i
1
1
11\
d
1
6к3
1
1
i
40".120 (5 В; 1 мА)
1
:58 (!О В)
:530
:510**
1
1
КТС395-1
-
1
~350(5В;1мА)
:58 (!О В)
:530
1
-
1
-
'
1
1
1
1
~~
~-
\
кз
1
!
40".120 (5 В; 1 мА)
1
:58(10В)
:530
:51 О**
1
-
1
КТС395-2
1
100" .300 (5 В; 1 мА)
:58(10В) 1 :530
-
-
'
~350(5В;1мА)
:58(1ОВ)
1
:5230
-
-
1
~~, -
1
1
!
1
1
/1\1j;
1
1
1
1
1
1
'
1
1
6к3
40".250 (1В; 1мА)
:51,5 (5 В)
-
0,8". 1,25*; :51,5**
:550
КТС398-1
40".250 (1В; 1мА)
:51,5 (5 В)
-
0,9 ".1 ,1 *; :53**
:550
1
1
dj-·
1
1
...
1
1
......
-..к
1
i
1
'з
1
з
i
17·

260
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
fгр, ~216'
UKБOmax'
IKm.tx
1
•коо•
Тип
Струк-
P~.tmaxt
(;1э•
U~ЭR max'
UЭБOmaxt
·~.И ln.llX t
J~R•
прибора
тура
p~:иma).t
(;;х•
u-;;o max•
в
1
1;эо•
мВт
МГц
в
мА
1
мкА
КТСЗ98А94
n-p-n
30
~1 ГГц
10* ( lОк)
4
10 (20*)
:50,5 (10 В)
КТСЗ98Б94
1
n-p-n
30
~1 ГГц
10* (IОк)
4
1о (20*)
:50,5 (1 О В)
1
1
1
1
КТС61ЗА
n-p-n
800 (50'С)
~200
60
4
400 (800*)
:58 (60 В)
КТС61ЗБ
n-p-n
800 (50'С)
~200
60
4
400 (800*)
:58 (60 В)
КТС61ЗВ
1 n-p-n
1
800 (50'С)
~200
40
4
1
400 (800*)
1
:58 (40 В)
КТС61ЗГ
1
n-p -n
800 (50'С)
~200
40
4
400 (800*)
:58 (40 В)
1
1
1
КТС622А
p-n-p
0,4 ( 10**) Вт
~200
45* (1 к)
4
400 (600*)
:510 (45 В)
КТС622Б
p-n-p
0,4 (10**) Вт
~200
35* (1 к)
4
400 (600*)
:520 (35 В)
1
1
!
1
'
1
1
1
~КТС631А
n-p-n
4 Вт (55'С)
~350
30
4
1 (1,3*)А
:5200 (30 В)
11КТС631Б 1 n-p-n
4 Вт (55'С)
~350
30
4
1 (1,3*) А
:550 (30 В)
!КТС631В
1
n-p-n 1 4 Вт (55'С)
~350
60
4
1 (1,3*)А
:550 (60 В)
КТС631Г
n-p-n
1
4 Вт (55'С)
~350
60
4
1 (1,3*) А
1
:5200 (60 В)
!
1
,
1
КТ674АС
p-n -p
900
~250
40
5
0,2 А (0,5* А)
:50,05 (30 В)
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!
i
1
1
i
1
1
~
1
!
1
1
1
1
'
1
!
1
i
1
1
i
1
КТ677АС
n-p-n
2500
100
60
-
IA
:50,05
~
1
1
1
1
i
1
1
1
1
'
1
~1
1
!
i
1
!
'
1

Биполярные кремниевые сборки
ck,
rкэ нас'
Кш, дБ
tKt ПС
hll.t' ь;,э
c~2j,
r~нас'
ь 2 ,,,/ь;,,,,
t~dc' НС
пФ
Ом
u:_:, мВ
t::к..,, нс
40...250 (1 В; 1 мА)
51,5 (5 В)
0,8 ... 1,25*
550
40...250 (1 В; 1 мА)
5l,5(5B)
0,9 ... 1,1 *
550
25...100* (5 В: 0.2 AJ
515 (10 В)
52,5
5100*
40... 200* (5 В; 0.2 А)
515(10В)
52,5
5100*
20... 120* (5 В; 0.2 А)
515(10В)
52,5
5100*
50...300* (5 В: 0,2 А)
515 (10 В)
52,5
5100*
25...150* (5 В; 0,2 А)
515 (10 В)
53,25
5120*
;::10* (5 В: 0,2 А)
515(10В)
53,25
5200*
20...115* (1В: 0.3 AJ
515(10В)
52.8
540: 530*
20... 125* (1 В: 0,3 AJ
515(10В)
512
540; 530*
20... 125* (1 В: 0,3 А)
515 (10 В)
512
540; 560*
20...115* (1 В: 0,3 А)
515(10В)
52,8
540; 560*
75(1В;10мА)
54,4 (15 В)
530
;::25
0,8
261
Корпус
КТС398-94
0.7
1
·rt
•
'
,~
-
-
J
.
11
'
!!
'1
1
КТС613
15,iI
1,6, 7,12-З 5,2 ,8.ff -K
J/1,9,10-6
КТС622
'lп2 73
а
J12
ав
"
11
2510
69
7
КТС631
КТС674АС
~к5з з/jк
~
""
!i!,..,....r..+r..+.-.+.-rl-..,.j.,.~l-I
.$!
КТ677АС
~к5з з/jк
~
""
!i!~.r..+r..+.-.+.-r!-..,.j.,.~l-I
.$!
.,
11
~
1
1

262
1 Струк-
pKmax'
Тип
P~.tmaxf
прибора ! тура
р~:иmах'
'
мВт
МГц
IKT678AC
n-p -n
500; 1**Вт
<:250
КТ693АС
n-p -n
600
1
1
1
il
1
1
1
К1НТ251
n-p -n
400 (50°С)
<:200
i
К1НТ661А 1 n-p-n
100 (50"С)
-
1
1
1
1
К129НПА-1
n-p-n
15 (85"С)
<:250
К129НПБ-1
n-p-n
15 (85°С)
<:250
К129НПВ-1
n-p-n
15 (85"С)
<:250
К129НПГ-1
n-p-n
15 (85"С)
<:250
К129НПД-1
n-p-n
-1
15 (85"С)
<:250
К129НПЕ-1
n-p -n
1
15 (85"С)
<:250
К129НТ1Ж-1
1
n-p-n 1
15 (85"С)
<:250
К129НПИ-1
n-p-n
1
15 (85"С)
<:250
UKБOmax'
U~ЭRmaxt
u~max'
в
60
150
45* (1 к)
300
15
15
15
15
15
15
15
15
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
lк max
IКБО•
UЭБОmаА'
1~,и maA•
l~R'
в
1;30.
мА
мкА
5
200; 750*
~;;Q,05 (40 В)
5
150 (200*)
:510* ( 120 В)
1
11
11
1
1'
1
~
1
i
'1
1
1
1
4
400 (800*)
:56 мА (45 В)
i
!
1
1
-
i 5(1О*)
1
:530 (250 В)
i
1
1
1
1
1
1
4
10 (40*)
1
:50,2 ( 15 В)
4
10 (40*)
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
:50.2 (15 В)
4
10 (40*)
1
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
1
:50,2 (15 В)
4
10 (40*)
!
:50,2 (15 В)

Биполярные кремниевые сборки
ь21,, ь;,э
75...230 (1 В; 10 мА)
<:40 (5 В; 0,1 А)
<:10* (5 В; 0,2 А)
<:5* (5 В; 10 мА)
20...80 (5 В; 1 мА)
60...80 (5 В; 1мА)
<:80 (5 В; 50 мкА)
20...80 (5 В; 1мА)
60...80 (5 В: 1мА)
<:80 (5 В: 50 мкА)
40...160 (5 В; 1 мА)
40...160 (5 В; 1 мА)
с,,
с;2,•
пФ
s4(5В)
sl5 (10 В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
s4(5В)
fкэи_.'
r~иас•
Ом
s20
slOOO
Кш, дБ
ь 21 ,.;ь;,э2,
u:;,, мВ
<:0,85*; sЗ**
<:0,85*; sЗ**
<:0,85*; sЗ**
<:О,75*; sl5**
<:0,75*; $15**
<:0,75*; $15**
<:0,85*; sЗ**
<:0,75*; $\5**
tK• ПС
~;ас' НС
tвык.11• НС
s5IO**
Корпус
КТ678АС
~/(5з з/jк
~~
~~........ -. . -.... .... ~1 -1
~
КТС693АС
КIНТ251
К1НТ661
К129НТ1
з6к
1
~ >!tlD
з~ш_
263

264
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
Тип
прибора
П101
П101А
П101Б
11Т102П102А
11
1Т115А
П115Б
П115В
П115f
П116А
П116Б
1Т116В
l Пllбf
1
П303
П303А
П303Б
П303В
П303f
П303Д
1
П305А
П305Б
П305В
П308А
lltт308Б
~П308В
iпзosr
~~
П311А
П311Б
П311f
П311Д
П311К
!П311Л
"
i
1
1
1
1 Струк-1
! тура
i
i
i
1
1
1
!
i
1
i
1
1
i
1
1
1
1
!
1
i
1
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n-p
р-п-р
n-p -n
n-p-n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
!
1
1
!
!
i11
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
1
!
Токр,
·с
-6 0 ."+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
!
-60...+73 1
-60...+73
1
-60...+73
-60...+73
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70 1
1
1
1
1
1
-60 ...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+73
-60...+73
-60...+73
-60...+70
-60...+70
-60...+70
1
-60...+70
1
1
1
1
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
-60...+70
Ркmах'
Р~.тmах'
р~: и max'
мВт
50
50
50
30
30
50
50
50
50
150
150
150
150
100
100
100
100
100
100
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Мfц
2*
2*
5*
1*
1*
1
1
1
1
1
1
1
1
36
36
36
72
72
72
160
140
160
100
120
120
120
0,45 ГГц
0,3 ГГц
0,3 ГГц
0,45 ГГц
0,6 ГГц
0,45 ГГц
1
1
UКБО nроб•
U~ЭR nроб•
Uкэо проб•
в
15
15
15
5
5
50
50
70
70
15*
15*
15*
15*
10*
10*
10*
10*
10*
10*
12**
12**
12**
20
20
20
20
12
12
12
12
12
12
1
1
1
1
UЭБОmах•
в
15
15
15
5
5
50
50
50
50
15
15
15
15
-
-
-
-
-
-
1,5
1,5
1,5
3
3
3
3
2
2
2
2
2
2
1
1
i1
1
1
1
1
1
1
;
i
1
!к max
lк, и max'
мА
10
10
10
6
6
100
100
100
100
50 (300*)
50 (300*)
50 (300*)
50 (300*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
15 (120*)
40 (100*)
40 (100*)
40 (100*)
50 (120*)
50 (120*)
50 (120*)
50 (120*)
50
50
50
50
50
50
1
1
1
1
1
!
1
lкоо•
l~ЭR'
I~o•
мкА
15
15
15
10
10
50
50
50
50
30
30
30
30
6
6
6
6
6
6
6
6
6
5
5
5
5
:s:lO
:s:5
:s:5
:s:5
:S:5
:s:5
1
·i
!i
11

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
265
с•.
Кш, дБ
."пс
rкэ нас•
t~c• НС
h21>' ь;,э
с;2э•
rБЭ нас'
r~, Ом
t:.:кл' НС
Корпус
!
пФ
Ом
Р.:х, Вт
1
1
~
t::. нс
1
1
30... 60
1
50
-
-
-
1
1Т101, 1Т102
1
i
20 .. .40
1
50
-
-
-
! 60... 120
50
-
-
-
:Ii1Ф·
1
~20(5В;1мА)
30
-
s7 (1 кГц)
-
~20(5В;1мА)
30
-
Sl2(1 кГц)
-
20 ... 60
50
-
-
-
1Т115
50... 150
50
-
-
-
~tt
20 ... 60
-
-
-
-
50 ... 150
-
-
-
-
к
зф1
1
~
15 ... 65
-
1
-
-
-
1Т116
15 ... 65
-
-
-
-
:Ii1e
20 ... 65
-
-
-
-
15 ... 65
-
-
-
-
15 ... 30
1
10
-
-
1* мкс
1Т303
30... 80
10
-
-
1* мкс
§·($)·
60... 160
10
-
-
1*мкс
15 ... 30
10
-
-
1*мкс
30... 80
10
-
-
1*мкс
60 ... 160
10
-
-
1*мкс
25 ... 80*
6
-
-
-
1Т305
60... 180*
7
-
-
-
40 ... 120
7
-
-
-
~tt ·Ф
~
25 ... 75
8
-
-
1* мкс
1Т308
50 ... 120
8
-
-
1*мкс
No·($)·
80 ... 150
8
-
8
1*мкс
100... 300
8
-
6
-
15 ... 180
S2,5
-
-
50*
1Т311
30... 180
s2,5
1
-
8
50*
;!f·ф
30... 180
s2,5
-
-
50*
60... 180
S2,5
-
-
50*
60 ... 180
S2,5
-
-
50*
150 ... 300
S2,5
-
-
50*

266
!
Тип
прибора
ПЗНОА-2
ПЗIЗА
1Т313Б
1Т313В
1Т320А
1Т320Б
1Т3208
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
1Т321f
1Т321Д
1Т321Е
~1Т329А
i1ТЗ29Б
1Т3298
,,
ПЗЗОА
ПЗЗОБ
пззов
пззоr
1Т335А
1Т335Б
1Т335В
пззsr
~1Т335Д
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
i
i
1
1
1
1
1
!
1
1
1
'
i
i
i
1
1
!
1
!i
i
1
!
1
i1
Струк-
Такр,
тура
·с
n-p -n
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n-p
-60...+70
p-n -p
-60...+70
1
1
'
1
1
p-n-p
1
-60... +70
p-n-p
- 60".+70
p-n-p
-60... +70
1
p-n-p
-60... +70
p-n-p
- 60".+70
p-n-p
1 -60".+70 1
1
1
1
!
!
1
n-p-n 1 -60". +70
n-p-n 1 -60".+70 1
n-p-n 1 -60". +70
1
n-p-n
- 60".+70
n-p-n
- 60". +70
n-p-n
- 60". +70
n-p-n
- 60".+70
p-n -p
- 60".+70
p-n -p
1
- 60. "+70
p-n -p
- 60". +70
p-n -p 1 -60."+70 1
p-n -p
1
- 60".+70 1
1
1
n-p -n
- 60".+70
n-p-n
- 60".+70
n-p -n
- 60".+70
1
1
1
1
1
1
1
1
1
pKmax'
р•
К.тmах'
р~~ и max'
мВт
175
100
100
100
200
200
200
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
160 (20** Вт)
50
50
50
50
50
50
50
200
200
200
200
200
35
35
35
1
1
1
1
1
1
1
1
1
~•• ~216•
~;1;'
~:=~·Мfц
~2.5 ГГц
~300
~450
~350
~160
~160
~200
~60
~60
~60
~60
~60
~60
~1.2 ГГц
~1.7 ГГц
~1 ГГц
~1 ГГц
~1.5 ГГц
~1 ГГц
~О.7 ГГц
~300
~300
~300
~300
~300
~1.5 ГГц
~2 ГГц
~1.5 ГГц
r
UКБО проб'
U~ЭR проб'
u~проб•
в
10
12
12
12
20
20
20
60
60
60
45
45
45
10
10
10
13
13
13
13
20
20
20
20
20
10
10
10
Раздел 2. Биполярные транзисторы
11
1
1
1
1
1
1
UЭБО max'
в
0,2
0,7
0,7
0,7
3
3
3
4
4
4
2,5
2,5
2,5
0,7
0,7
1
1,5
1,5
1,5
1,5
3
3
3
3
3
0,3
0,3
0,5
11
1
1
1
1
1
i
IKmax
J~,И max'
мА
17,5 (140*)
50
50
50
200 (300*) '
200 (300*).
200 (300*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
200 (2000*)
20
20
20
20
20
20
20
150 (250*)
150 (250*)
150 (250*)
150 (250*)
r5o (250*)
10
10
10
lкБО•
J~R'
."
кэо•
мкА
$50
1
i
$500
$500
$500
$500
$500
$500
1
.
i
i
'
i
$5
'i
i$5
j
•
1
$5
$5
$5
$5
$5
i $10
$10
$10
!
$10
$10
1
1
$5
$5
$5
1
i
1
1
i
~

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
267
ck,
Кш, дБ
т... , пс
rкэ нас'
t~.itl нс
h21•' ь;,э
с;23•
r~э наt·•
r~. Ом
t::кл, НС
пФ
Ом
Р;:х, Вт
t~·:, нс
Корпус
S3,5
3 (0,5 ГГц)
s5
ПЗНОА-2
~О.05** (4 ГГц)
1
к
,,
~
1
1
"- :!
зэ
i
~
~
d
....~
!
'
'Q
5
!
1
11
1
1
·1
1
10...230 (3 В: 15 мА)
$2,5
-
S8 (60 МГц)
s75
П313
10...75 (3 В; 15 мА)
S2,5
-
s8 (60 МГц)
$40
~11
30...230 (3 В; 15 мА)
$2,5
-
S8 (60 МГц).
S40
R'f)'
1
1
1
"i
: 40...100(1 В; 10мА)
1
$8
-
-
0,2* мкс
1
П320
~ 70...160(1 В; 10мА)
$8
-
-
0,2* мкс
1
No·•·
~ 100... 250 (1 В: 10 мА)
!
$8
-
-
0,2* мкс
~
1!
1
1
1'
1
1
1
·'
!
1
1
20...60 (3 В; 0,5 А)
s80
-
-
1*мкс
П321
40...120 (3 В; 0,5 А)
$80
-
-
1*мкс
No·•·
80...200 (3 В: 0,5 А)
$80
-
-
1* мкс
1
,,
20...60 (3 В: 0,5 А)
1
1
ii
"
$80
-
-
1*мкс i
'
1
, 40."120 (3 В: 0.5 А)
S80
-
-
1*мкс
1
!~
'•
80... 200 (3 В: 0.5 А)
s80
1
-
1
-
1*мкс
1
il
'
i
!
i1
i
1
1
1!
n
!
11
~
1
1
1
i 15."300 (5 В: 5 мА)
$2
i-
s4 (0,4 ГГц)
1
15
1
П329, ПЗЗО
15...300 (5 В; 5 мА)
$3
-
s6 (0,4 ГГц)
30
1
15...300 (5 В; 5 мА)
S3
-
s6 (0,4 ГГц)
20
~-1'
30...400 (5 В; 5 мА)
s2
s5 (0,4 ГГц)
25; 50*
~
~б
-
30...400 (5 В; 5 мА)
$2
-
s5 (0,4 ГГц)
50
80...400 (5 В: 5 мА)
s2
-
s5 (0,4 ГГц)
1
100
~
к
30...400 (5 В: 5 мА)
$3
-
s5 (0,4 ГГц)
1
30; 50*
11
1
'·
1
!
1!
1
40...70 (3 В: 50 мА) i S8,5
-
-
1
0,1 * мкс
1
П335
1
60".100 (3 В; 50 мА) 1 $8,5
1
1
-
-
-
1
:No~
1 40...70 (3 В; 50 мА) i $8,5
!-
-
1 0,15* мкс
1
60".100 (3 В; 50 мА)
$8,5
-
-
0,15* мкс
50... 100 (3 В; 50 мА)
$8,5
-
-
0,15* мкс
15... 250 (5 В; 5 мА)
Sl
-
S4,5 (1 ГГц)
-
П341
1·
15...250 (5 В: 5 мА)
Sl
-
S5,5 (1 ГГц)
-
1
11
1
1
~-1'
15...250 (5 В: 5 мА)
Sl
-
s5,5 (1 ГГц)
-
1
il
1
11
1
1
1
... ,,.
~
б
1
1
~
к
1

268
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
i
1
~μ' (:216'
1
i •коо•
1
Рк rnJxl
UКБО проб' 1
lк mал
Тип
Струк-1 Токр,
р'
~:;l'j'
U~ЭR проб'
UЭБО rnaxl
1
·~R'
К. т max'
1;, и max'
прибора тура
1
·с
р;~ и max'
~~-;)\'
U~эо ""°"'
в
·~·
~
мВт
МГц
в
мА
мкА
1
1
IТ362А
n-p -n
-60 ...+70
40
~2.4 ГГц
5
0,2
10
s5
1
1
1
1
i
!
1
1
1
i
1
1
~
1
1 -60".+1251
1
1
~ IТ374А-6 1 n-p -n
25
~2.4 ГГц
5
0.3
10
s5
11
i
1
1
!
1
1
IТ376А
p-n -p
- 60".+185
35
~l ГГц
7
0,25
!О
s5
11
1
!
~
"
i
i
il
1
,,
1
~
11
1
!1
1
1'
!
:1
11
1
!
!
:
1
i
:
1
i
IТ383А-2
1
n-p -n
- 60".+85
25
~2.4 ГГц
5
0,5
10
s5
11
П383Б-2 n-p -n
- 60".+85
25
~l.5 ГГц
5
0,5
10
s5
IТ383В-2
1
n-p -n
- 60".+85
25
~3.6 ГГц
5
0,5
10
s5
1
1
1
!
1
1
1
1
!
i
i
1
~ IТ386А 1 n-p -n ! -60".+70
40
~О.45 ГГц
15
1
0,3
'
10
!
slO
~
i
;
1
i
1
1
1
1
1
1
i
1
1
:
1
1
1
1
1
1
!
'1
Jtт387A-2 n-p -n
- 6 0".+70
175
~2.16 ГГц
10
0,2
140*
slO
11
iП387Б-2 : n-p-n 1 -60 ...+70
175
~3 ГГц
!О
0.2
140*
1
slO
:1
1
11
i!
!
1
1
1
1
ii
1
1
~1
1
1
1.
I!
!
1
11
,.
i
1
.!
1
!
1
1Т403А
p-n -p
- 6 0".+70
4Вт
0.008**
45
20
1.25 А
s5** мА
1
IТ403Б
p-n-p
- 6 0".+70
4Вт
0.008**
45
20
l,25 А
s5** мА
1:
IТ403В
p-n -p
- 6 0".+70
5Вт
0,008**
69
20
l,25 А
s5** мА
IТ403Г
p-n -p
- 6 0".+70
4Вт
1
0,008**
60
20
l,25 А
s5** мА
11
П403Д
p-n -p
- 6 0".+70
4Вт
0.008**
1
60
30
1.25 А
s5** мА
IТ403Е
p-n -p
- 60".+70
5Вт
0.008**
60
20
1.25А 1
s5" мА
~
11Т403Ж p-n -p
- 60".+70
1
4Вт
1
0,008**
1
80
20
1
1,25 А
i s6** мА
t
ltт403И
- 6 0".+70
4Вт
0,008**
1
80
20
l,25 А
s6'* мА
1:
p-n -p
!
1

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
269
!
с•.
Кш, дБ
'tк, ПС
rкэ на~:•
t;Jac• НС
1
h21"' ь;IЭ
с;2",
rБЭ нас•
r~, Ом
t:~кл• НС
Корпус
'
пФ
Ом
Р;~х• Вт
1
1
i
t~:. нс i
'
lt-----
1
i 10...200 13 В: 5 мА)
1
$1
1-
1
$4,5 (2,25 ГГц)
-
1
1Т362А
'
;
i
~
1
1
!
~~1'
...,,.
~
6
~
к
10... 100 (3 В: 2 мА)
$1
-
4,5
-
1Т374А-6
1
1
1
1
1
1
1
~m
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
"
10... 150 (5 В; 2 мА)
$1,2
-
$3,5 (180 МГц)
-
1Т376А
-5,8
1
~r; '
1
1
~ Корп.Ф,6
j
i
~
!
i
1
1
j 15... 250 (3.2 В; 5 мА)
$1
1-
1
$4,5 (2,25 ГГц)
-
1Т383
!0... 250 (3,2 В; 5 мА)
$1
-
$4 (1 ГГц)
-
15...250 (3,2 В; 5 мА)
$1
-
$5,5 (2,83 ГГц)
-
~~~SP
10... 100 (5 В: 3 мА)
$1,5
-
$4 (180 МГц)
-
1Т386А
1
1
- 5,8
1
i
i
~вw .
1
~ Корп.Ф,6
1
1
-
$3
-
$5 (1 ГГц)
-
1Т387
-
$3
-
$4,8 ( 1 ГГц)
-
~О.05** (4 ГГц)
~f~
r--;
~
1
'Q
5
20...60 (5 В; 0.1 А)
-
$1
-
-
1Т403
50... 150 (5 В; 0,1 А)
-
-
$1
-
-
20...60 (5 В; 0.1 А)
-
$1
-
-
tJ10
-12
50... 150 (5 В; 0,1 А)
-
$1
-
-
§~
50... 150 (5 В; 0,1 А)
-
$1
-
-
30(5В;0,1А)
-
$1
-
-
20...60 (5 В; 0,1 А)
-
$1
-
-
30(5В;0,1А)
-
$1
-
-

270
Раздел 2. Биполярные транзисторы
~
!
!
РкmаА'
~р• ~216' 1 UКБО nроб• i
1
IKm;iA
1
lкБО•
'
Тип 1 Струк- i Токр1
Р;,тm.ах'
\;1э1
U~ЭR npo6'
1
UЭБОmах' i 1~,и max'
1
I~ЭR•
прибора
1
тура
1
·с
р~~ и m.tx•
1
~:·:)..
u;эо nроб'
в
1
1;эо,
мА
'
1
мВт
МГц
в
!
мкА
П612А-4 1 п-р-п
-55 ...+70
0,36 Вт
2:1,5 ГГц
12
0,2
0,2* А
~О.005 мА
П614А
п-р-п
1
-60 ...+85
0,4 Вт
2:1 ГГц
12
0,5
1
200
~О.О! мА
П615
1
п-р-п
1
-60 ...+70
0,7 Вт
0,4 ГГц
12
0,5
1
500
-
1
j
'
1
1
1
1
1
1
1
!
!I
!
1
!
~
~П702А 1 р-п-р
-60 ...+70
150* Вт
0,12
60
4
1
30А
~12 мА
П702Б 1 р-п-р
-60 ...+70
150* Вт
0,12
60
4
30А
~12 мА
П702В
1
р-п-р
-60 ...+70
150* Вт
0,12
40
4
30А
~12 мА
1
1
1
1
i
1
1
1
'
!
1
'
1
1
1
!
1
i
i
1
1
i
'
i
1
'
~
1
1
1
i
!1
!
!
'
П806А
р-п-р
-60 ...+70
30* Вт
2:10
40**
2
20А(25*А)
~12 мА
П806Б
р-п-р
-60 ...+70
30* Вт
2:10
65**
2
20А(25*А)
~12 мА
П806В 1 р-п-р
-60 ...+70
30* Вт
2:10
80**
2
20А(25*А)
~12 мА
i
1
П813А 1 р-п-р
-60 ...+70
50* Вт
'
-
60**
2
30 А (40* А)\
-
П813Б 1 р-п-р
-60 ...+70
50* Вт
-
35**
2
1 30А(40*А)/
-
~
П813В : р-п-р
-60 ...+70
50* Вт
1
-
80**
2
130А(40*А)!
-
П901А ' р-п-р
-60 ...+70
1
15* Вт
1
2:30
1
50
1
-
i IOA
1
~8 мА
!
1
1
П901Б ! р-п-р
-60 ...+70
15* Вт
1
2:30
40
1
-
i IOA
1
~8 мА
1
1
1
1
1
1
1
П905А
р-п-р
-60 ...+70
б* Вт
2:30
75
1
3А{7*А)
1
~2 мА
-
1
1
1
1
1
!
!
'
j
1
1
1
~
!
1
i
:
ltт906A 1
1
-60 ...+70 i
15* Вт
2:30
75
1,4
! 10А
1
~8 мА
р-п-р !
'
i
1
1
1
1
1
П910АД
!
р-п-р
-60 ...+70
35* Вт
2:30
33
-
10А(20*А)
~6 мА
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
i
1
1
i
1
1

Биполярные германиевые транзисторы специального назначения
271
i-
'
'
1
h21.• ь;,э
15...250 (5 В; 50 мА)
15... 100 (1,5 В; 30 А)
15... 100 (1,5 В: 30 А)
15... 100 (1.5 В: 30 А)
10.. .100 ( 10 А)
10... 100 (10 А)
10.. .100 ( 10 А)
10...60 (20 А)
10...60 (20 А)
10...60 (20 А)
20...50 (10 В; 5 А)
40... 100 (10 В; 5 А)
35...100 (10 В: 3 А)
30... 150 (10 В; 5 А)
50...320 (IO В; 20 А)
1
1
с,,
с;2"'
i
пФ
1
$3,5
$250
rKЭюillct
r~нact
Ом
$0,02
$0,04
$0,02
$0,03
$0,03
$0,03
$0,026
$0,026
$0,026
$0,12
$0,12
$0,16
$0,1
$0,06
Кw,дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
<::0.15** (2 ГГц)
<::0.200** (0,5 ГГц)
тк, пс
f~ac:t НС
t::клt НС
t:·: . нс
$7
$15
$30** мкс
$30** мкс
$30** мкс
3** мкс
5** мкс
5** мкс
lн$0,7 МКС
t.$0,7 мкс
$4* мкс
$5* мкс
lcn$l МКС
11
Корпус
!
1Т612, 1Т614, 1Т615
,
1,6
16,J
....
'К.
r...~
...
1Т702
@1
1Т806, 1Т813
:3,5.
~m.
~tJ&~ ~
1Т901
1Т905А, 1Т906А
i~1Т910Ад
~

272
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
Тип
прибора
2Т104А
2Т104Б
2Т104В
2Т104Г
: 2Т117А
j 2Т117Б
j,2Т117В
1t2п11r
2Т117А-5
'12Т118А
' i 2Т118Б
, 2Т118В
;
2Т118А-1
2Т118Б-1
1
1
!
1
2Т126А-1
2Т126Б-1
2Т126В-1
2Т126Г-1
2Т127А-1
2Т127Б-1
2Т127В-1
12п21r-1
1
2Т201А
2Т201Б
2Т201В
2Т201Г
2Т201Д
1
1
'
1
1
'
1
Струк- j
1
Токр.,
тура
·с
p-n -p
-60 ...+ 125
p-n -p
-60 ...+125
p-n -p
-60 ...+125
p-n -p
-60 ...+125
n-база
n-база
n-база
n-база
-60 ...+125
1 -60 ...+125
-60 ...+125
1
.
-60 ...+125
n-база -60 ...+125
i p-n-p
-60 ...+125
1
p-n -p
1 -60 ...+125
! p-n-p
-60 ...+125
1
i
1
1
i
1
p-n -p
p-n -p
1
p-n -p
p-n -p
p-n -p
p-n -p
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+85
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
1
Ркmaxt
Р;., m"'
р;:" m"'
мВт
150 (6О0С)
150 (6О0С)
150 (6о·с>
150 (6о·с>
300
300
300
300
30
100 ооо·с>
100 о оо·с>
100 ооо·с>
30 (85°С)
30 (85°С)
15 (7О0С)
15 (7о·с>
15 (7О0С)
15 (7о·с>
15 (6О0С)
15 (6о·с>
15 (6О0С)
15 (6о·с>
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
МГц
;:>:5*
;:>:5*
;:>:5*
;:>:5*.
;:>:0,2***
;:>:0,2***
;:>:0,2***
гО,2***
;:>:0,2***
-
-
;:>:0,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
гО,1 **
10
10
10
10
10
UКБО щюб'
U~ЭR щю6t
Uкэо npo6'
в
30**
15**
15**
30
30
30
30
30
30
15
15
15
15* (lОк)
15* (!Ок)
25
25
45
45
25
25
45
45
20
20
10
10
10
UЭБOmaxt
в
10
10
10
10
30
30
30
30
30
31
31
31
31
16
3
3
3
3
-
-
-
-
20
20
10
10
10
1
.lк m:.ix
lк,н maxt
мА
50
50
50
50
50 (1* А)
1
1
50(1*А)
50(1*А) i
50 (1* А)
1
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
20(100*)
20 (100*)
20(100*)
20(100*)
20 (100*)
11
1
1
1
1
JКБО'
J~ЭR•
1;30,
мкА
sl (30 8)
sl (15 8)
sl (15 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sO,l (15 8)
sO,l (15 8)
sO,l (158)
s0,1 (158)
sl (25 8)
sl (25 8)
sl (45 8)
sl (45 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
sl (30 8)
s0,5 (20 8)
s0,5 (20 8)
s0,5 (!О 8)
s0,5 (20 8)
s0,5 (20 8)
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
',,
'
· !:li
1
h"" ь;,э
il
1
с,,
c;Zэt
пФ
r~Эна~·t Ом
Г~э наt·' Ом
к~·,, дБ
Кш, дБ
r~, Ом
Р;:л, Вт
t'I(, пс
~;". нс
tВЫК.11 t НС
t:· .:n, нс
273
Корпус
'
1
1г--~~~~~~~--t-~~~~+-~~~~~--t-~~~~~~--+~~~~~+-~~~~~~~~~---jj
1·
7".40(1В:10мА) 1 550(5В)
1
15...80 (1 В; 10 мА)
1
J
550 (5 В)
19 ... 160(1 В; IОмА)
550(5В)
10...60 (1 В: 10 мА)
550 (5 В)
0,5 . "0,7 (UБ1Б2=10 В)
~ 0.65" .0 .9 (UыБZ=IO В)
"!1 0,5...0,7 (UБ1Б2=IО В)
11 0,65" .0 ,9 (UыБZ=lO В)
~
0,5 .. . 0 ,9 (UБ1Б2=10 В)
550
550
550
550
100
100
100
30
30
5120*
5120*
5120*
5120*
5500**
5500**
5500**
550*
550*
2Т104
2Т117
2Т117А-5
2Т118
2Т118А-1, 2Т118Б-1
1
! ~Jrt
11\ ~l_j
5кэ
0--~~~~~~~--+-~~~~-+-~~~~~--+-~~~~~~-+~~~~~+-~~~~~~~~~~1
1
2Т126
15."60 (5 В: 1 мА)
15...60 (5 В; 1мА)
40".200 (5 В; 1 мА)
40...200 (5 В: 1 мА)
55(5В) 1
55(5В)
55(5В)
55(5В)
5166
5166
5166
5166
~G ir
...
11\ ~df
11------------i-----+--------+-------+------+---б-К_З____ ,1
15".60 (5 В; 1 мА)
40...200 (5 В: 1 мА)
15...60 (5 В; 1мА)
40 ...200 (5 В: 1 мА)
20...60 (1 В; 5 мА)
30".90 (1 В: 5 мА)
30".90 (1 В: 5 мА)
70...210 (1 В; 5 мА)
30...90 (1 В; 5мА)
18зак9
55(5В)
55(5В)
55(5В)
55(5В)
520 (5 В)
520 (5 В)
520 (5 В)
520 (5 В)
520 (5 В)
5170
5170
5170
5170
515(1 кГц)
2Т127-1
~vAif
LJr: 1
ЗБК
2Т201
145,81/
;fi

274
Раздел 2. Биполярные транзисторы
!
pKmax'
~•• \216,
UКБОп.... •
lк max
lкБО•
Тип
1 Струк- Токр.1
Р~.тmах•
~;lэ•
U~н.,,.., UЭБОmо111х• 1~,н max•
·~RI
прибора
·с
р;~ н max•
~~;xt
u~ ......
в
...
тура
мА
кэо•
1
мВт
мrц
в
мкА
2Т202А-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35·с>
5
15
10
20 (50*)
::;1 (15 8)
2Т202Б-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35°С)
5
15
10
20 (50*)
::;1 (15 8)
2Т202В-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35°С)
5
30
10
20 (50*)
::;1(308)
2т202r-1
p-n-p
-60 ...+85
25 (35·с>
5
30
10
20 (50*)
::;1(308)
2Т202Д-1
p-n -p
-60 ...+85
25 (35°С)
5
15
10
20 (50•)
::;1 (15 8)
2Т20ЗА
p-n-p
-60 ...+125
150 (75°С)
~5·
60
30
10 (50*)
::;1(608)
2Т20ЗБ
p-n-p
-60 ...+125
150 (75°С)
~5·
30
15
10 (50*)
::;1(308)
2Т20ЗВ
p-n-p
-60 ...+125
150 (75°С)
~5·
15
10
10 (50*)
::;1 (15 8)
2т2озr
p-n -p
-60 ...+125
150 (75°С)
~10·
60
30
10 (50*)
::;1(608)
2Т20ЗД
p-n -p
-60 ...+125
150 (75°С)
~10·
15
10
10 (50*)
::;1 (15 8)
l 2Т205А-З
n-p-n i -60 ...+125 1
40 (9о·с)
~20
250
i 3 20(45*)
1
3*(2508) !
lj2Т205Б-З
n-p-n !-60 ...+125 1
40 (9о·с>
~20
250
1
3
20 (45*)
1
2*(2008) ~
'·
!
1
'i
1
.
:
1
1
i
!
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т208А
1
p-n -p
-60 ...+125
200 (6О0С)
~5
20* (IОк)
20
150 (300*) 1
::;1 (20 8)
2Т208Б
p-n -p
-60 ...+125
200 (6о·с>
~5
20
20
150 (300*)
1
::;1 (20 8)
2Т208В
p-n -p
-60 ...+125
200 (6о·с>
~5
20
20
150 (300*)
::;1 (20 8)
~
2т2osr
1 p-n-p
-60 ...+125
200 (6о·с>
~5
30
20
150 (300*)
i
::;1 (20 8)
.
2Т208Д
'
1-60 ...+1251
200 (6о·с>
~5
30* (IОк)
1
20
150 (300*)
::;1(208)
p-n-p
1
i
!•
il2T208E
p-n-p !-60 ...+125
200 (6О0С)
~5
1
30
20
150 (300*) 1
::;1(208)
"
1
i
1
ji
i12Т208Ж
p-n-p 1 -60 ...+125 1 200 (6О0С)
~5
45
1
20
150 (300*)
1
::;1 (20 8)
1
J
!2Т208И
p-n-p i -60 .. . +125 1 200 (60°с>
~5
45
20
150 (300*)
::;1(208)
1', ,
!J2T208K
p-n-p 1 -60 ...+1251
200 (60°CJ
~5
1
45
1
20
150 (300*) 1 ::;1 (20 8)
1
12Т208Л
p-n-p 1 -60 .. . +125
200 (6о·с>
~5
60
1
20
150 (300*) 1
::;1 (20 8)
2Т208М
p-n -p 1 -60.. . +125
200 (6о·с>
~5
60
120
150 (300*)
::;1(208)
1
2Т211А-1
p-n-p
-60 ...+125
25 (50**)
~10
15
5
20 (50*)
::;О,01 (15 8)
2Т211Б-1
p-n-p
-60 ...+125
25 (50**)
~10
15
5
20 (50*)
::;О.01 (15 8)
2Т211В-1
p-n-p
-60 ...+125
25 (50**)
~10
15
5
20 (50*)
::;О,01 (15 8)
1
1
1
1
1
j
!
1
1
!
i
11
1
i
1'
1
:!
11
1
1
i
1
l2T214A-l i p-n-p 1-60 ...+100
50
i~5
100* (10к)
30 i 50 (100*)
1
::;1(308)
2Т214Б-1
p-n-p 1 -60 ...+100
50
1
~5
80* (IОк)
7
1
50(100*)
::;1 (30 8)
2Т214В-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
80* (IОк)
7
50 (100*)
::;1 (30 8)
2Т214Г-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
60* (IОк)
7
50 (100*)
::;1 (30 8)
2Т214Д-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
30* (IОк)
7
50(100*)
::;1 (30 В)
2Т214Е-1
p-n -p
-60 ...+100
50
~5
30* (IОк)
20
50 (100*)
::;1 (30 8)
1
1
1
~
1
1
1
!
•I
1
1
'
2Т214А-5 1 p-n -p
-60 ...+100
50
1
~5
94••
1
-
i50
1
::;1 (30 В)
~
1
12Т214Б-5
1
p-n -p
-60 ...+100 1
50
~5
94••
-
50
i
::;1(308i
i
j
2Т214В-5
p-n -p
'-60...+100
50
1
~5
70**
-
50
::;1(308)
~
2Т214Г-5 1 p-n-p 1 -60 . . . +100
50
1
~5
47••
1
-
50
::;1 (30 8)
2Т214Д-5 1 p-n-p ! -60 .. . +100 1
50
1
~5
35••
1
-
50
::;1(308)
11
1
i
2Т214Е-5 1 p-n -p 1 -60. . . +1001
50
1
~5
24** 1
-
50
::;1 (30 8)
:

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
275
1
1
1
1
1
с,,
rкэно11с' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h,,,. ь;,э
с;2з'
r~нас• Ом
r;, Ом
f~c' НС
Корпус
пФ
к~· •. дБ
Р;:х' Вт
t::клt НС
t:::. нс
15...70 (5 8; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
2Т202-1
40 ... 160(58; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
15... 70(58; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
1
~jf
40...160 (5 8; 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
100... 300 (5 8: 1 мА)
:о;25 (3 8)
-
-
$1000*
;~
1
1
1
'i
!
1
i
'1
;
1
'
1
/I\ LJ
1.
!
1
6кэ
1:
1!
1
·1
1
1
'
~9(58:1мА)
:o;IO (5 8) 1
-
300*
-
2Т20ЗА
30...90 (5 8; 1 мА)
:o;IO (5 8)
$50
300*
-
- 5,81/
15... 100 (5 8; 1 мА)
:o;IO (5 8)
-
300*
-
;fi
~4(58;1мА)
:o;IO (5 8)
$50
300*
-
60...200 (5 8; 1 мА)
:o;IO (5 8)
$35
300*
-
кфз
!
5
1
i 10...40 ( 10 8: 2.5 мА)
:o;lO (10 8)
$400
-
1
$1000*
1
2Т205А
''
10...40 (10 8: 2.5 мА)
:o;IO (10 8)
$400
:о;1000·
1
-
1
п
1
1,2
0,3
t
1
•
i
!1
1
зоок
t
'
С'\)
~п§.]:
и
0.01/
пnюч
20...60* (1 8: 30 мА)
:о;50 (10 8)
$1,3
40 ... 120* (1 8: 30 мА) :о;50 (10 8)
$1,3
80...240* (1 8; 30 мА)
$50(108)
$1,3
$4 (1 кГц)
20...60* (1 8; 30 мА)
:о;50(108)
$1,3
40...120• (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8)
$1,3
80...240* (1 8; 30 мА)
$50(108)
$1,3
$4 (1 кГц)
20...60• 11 8; 30 мА)
:о;50(108)
$1,3
40...i20* (18:30 мА)
$50(108)
$1,3
80...240* (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8)
$1,3
:о;4 (1 кГц)
1
1
1
2Т208
20...60* {1 8: 30 мА)
:о;50 (10 8)
$1,3
! 40 ... i20• (1 8: 30 мА) 1 $50(108)
$1,3
-
i
-
!
"
!
!
1
1
1
1
40...120 (1 8; 40 мА)
:о;20 (5 8)
-
:о;3 (1 кГц)
-
2Т211-1
80...240 (1 8; 40 мА)
:о;2О (5 8)
-
:о;3 (1 кГц)
-
160...480 (1 8; 40 мА)
:о;20 (5 8)
-
:о;3 (1 кГц)
-
~~1
1
1
~
1
1
11\
1
1
1
11
1
1
!
6кэ
1:
1
i
~
~20(58;10мА)
1
:о;30 (10 8)
1
$45
$1200*
:о;5
!
2Т214А-1
i
30...90 (5 8: 10 мА)
:о;30 (10 8)
$45
$1200*
$5
1
40...120 (5 8; 10 мА)
:о;30 (10 8)
$45
$1200*
$5
~
1
40... 120 (5 8; 10 мА)
:о;30 (10 8)
$45
$1200*
$5
rn
~80 (1 8; 40 мкА)
1
:о;30 (10 8)
$45
:о;1200*; :о;5 (1 кГц)
$5
1
~40 (18; 40 мкА)
:о;30(108)
$45
$1200*
$5
1
11\
5кэ
~25(58:10мА)
1
$50
1
$19,5
-
-
2Т214А-5
36...78 (5 8: 10 мА)
:
$50
1
$19,5
i
1
-
-
0,5
О,1
50...104(5 8: 10мА) 1
:о;50
1
$19,5
-
-
1
1
~шт
50...104 (5 8; 10 мА)
1
:о;50
$19,5
-
-
~91 (1 8; 40 мкА)
$50
$19.5
-
-
~46 (1 8: 40 мкА)
$50
1
$19,5
-
1
-
1
1
1!
1
i
1в·

276
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
pKmax•
~'" \210•
UКБО ороб•
1
1
lкоо•
1
Тип
1 Струк- Токр.,
р'
~:;1*'
U~Rщ1o6' UЭБО m•> ' 1
lк max
I~ЭR•
К. тmах•
J~.и maAt
i
прибора
·с
р~~ и ma:1.•
с·
u~npo6•
I~эо•
1
тура
'"
в
'
мА
1
мВт
МГц
в
мкА
2Т214А-9 i р·П·р
-60 ...+85
200
~5
80**
30
50 (100*)
1
:s;l (30 В)
2Т214Б-9
1
р-п-р
-60 ...+85
200
~5
во••
7
50 (100*)
:51 (30 В)
2Т214В-9
р-п-р
1
-60 ...+85
200
~5
60**
7
1
50 (100*)
:51 (30 В)
2Т214Г-9
р-п-р
-60 ...+85 1
200
~5
40**
7
1
50(100*)
:s;l (30 В)
1
112Т214Д-9
р-п-р ! -60 ...+85 1
200
~5
30**
7
1
50 (100*)
:51 (30 В)
2Т214Е-9
р-п-р
-60 ...+85
200
1
~5
20**
20
50 (100*)
:51 (30 В)
!
2Т215А-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
80**
5
50 (100*)
:5100* (30 В)
2Т215Б-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
80**
5
50 (100*)
:5100* (30 В)
2Т215В-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
60**
5
1 50 (100*)
:5100* (30 В)
2Т215Г-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
40**
1
5
1
50 (100*)
1
:s;\OO• (30 BJ
~2Т215Д-1
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
30**
1
5
1 50 (100*)
1
:s;lQO• 130 В) f!
2Т215Е-1
п-р-п 1-60... +100
50
~5
20**
5
1 50 (100*)
1
:5100* (30 В)
1
1
1
1
!
1
1
2Т215А-5
п-р-п
-60 ...+100 1
50
~5
1
94**
-
1
50
1
:s;l (30 В)
2Т215Б-5
п-р-п
-60 ...+1001
50
~5
94**
-
1
50
:51 (30 В)
2Т215В-5
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
70**
-
50
:51 (30 В)
2Т215Г-5
п-р-п 1 -60 . .. +100
50
~5
47**
-
50
:51 (30 В)
2Т215Д-5
п-р-п 1-60. .. +100
50
~5
35**
-
50
:51 (30 В)
2Т215Е-5
п-р-п
-60 ...+100
50
~5
24**
-
50
:51 (30 В)
1
2Т215А-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
100* (IОк)
5
50 (100*)
1
:51* (100 В)
1
2Т215Б-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
90* (IОк)
5
50 (100*)
:51*(90ВJ
2Т215В-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
80* (lОк)
5
50 (100*)
:51* (80 В)
2Т215Г-9
1
п-р-п
-60 ...+85
200
~5
60* (IОк)
5
50 (100*)
:51*(60В)
2Т215Д-9
п-р-п
-60 ...+85
200
~5
30* (IОк)
5
50 (100*)
:51*(308)
2Т215Е-9 1 п-р-п
-60 ...+85
200
~5
30* (lОк)
5
50 (100*)
:s;l*(ЗОВ)
!
i
1
'
'
2ТЗО1Г
п-р-п
-60 ...+125
150 (60°С)
~30
30
3
10 (20*)
:55* (30 В)
2ТЗО1Д
п-р-п
-60 ...+125
150 (6О0С)
~30
30
3
10 (20*)
:55* (30 В)
2ТЗО1Е
п-р-п
-60 ...+125
150 (6О0С)
~20
20
3
10 (20*)
:55* (20 В)
2ТЗ01Ж
п-р-п
-60 ...+125
150 (6О0С)
~30
20
3
10 (20*)
:55* (20 В)
1
1
i
!
i
~
r.
1
1
ri
1
'
1·
1
1
1
1!
'
~2ТЗО6А
1
п-р-п 1-60 . .. +1251
150 (90°С)
~300
15
4
30 (50*)
:50,5 (15 В)
~2ТЗО6Б
п-р-п
-60 ...+125
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
:50,5 (15 В)
!l2ТЗО6В 1 п-р-п 1-60 . .. +1251 150 (90"С)
~300
15
4
30 (50*)
:50,5 (15 В)
i2ТЗО6Г 1 п-р-п
-60 ...+125
150 (90°С)
~500
15
4
30 (50*)
:50.5 (15 В)
~
i1
2ТЗО7А-1
п-р-п
-60 ...+85
15
~300
10* (Зк)
4
20 (50*)
:50,5 (10 В)
2ТЗО7Б-1
п-р-п
-60 ...+85
15
~300
10* (Зк)
4
1
20 (50*)
:50.5 (10 В)
2ТЗО7В-1
1
п-р-п
-60 ...+85
1
15
1
~300
10* (Зк)
4
1
20 (50*)
:50.5 (10 В)
~
2ТЗО7Г-1
п-р-п 1 -60 ...+85
15
~300
10* (Зк)
4
20 (50*)
1
:50,5 (10 В)
i
i
1
;
1
1
1
t
1
1
1
1
1
1
1
1
!
1
1
--
2ТЗ101А-2 1 п-р-п 1-60... +125 1 100 (45°С)
~4000
15
2,5
20 (40*)
:50,5 (15 В)
i
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
220(5В;10мА)
30...90 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
280 (1В; 40 мкА)
240 (1В; 40 мкА)
220(5В;10мА)
30...90 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
40... 120 (5 В; 10 мА)
280(1В;40мА)
240 (1В; 40 мкА)
225(5В;10мА)
36...78 (5 В; 10 мА)
46... 104 (5 В; 10 мА)
46... 104 (5 В; 10 мА)
291 (1 В; 40 мкА)
246 (1В; 40 мкА)
1 220(5В;10мА)
I ЗС...90 (5 В; 10 мА)
1 40...120(5В: 10мА)
li 40 ... 120(5В: lОмА)
280 (1В; 40 мкА)
240 (1В; 40 мкА)
10...32 (10 В; 3 мА)
20...60 (10 В; 3 мА)
40... 120 (10 В: 3 мА)
80...300 (10 В; 3 мА)
20...60* (1 В: 1ОмА)
40... 120• (1 В: lОмА)
20... 100* (1 В; lОмА)
40... 200* (1 В; lОмА)
220(1В;10мА)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>30 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50(10В)
:<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>50
:<>50
:<>50
:<>50
:<>50
:<>50
1
:<>50 (10 В) 1
1 :<>50 (10 В)
1 :<>50(10В)
1 :<>50(10В) 1
1 :<>50 (10 В)
:<>50 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>10 (10 В)
:<>5 (5 В)
:<>5 (5 В)
:<>5 (5 В)
:<>5 (5 В)
240(1В:10мА)
1
:<>5 (1 В)
:<>5 (1 В)
:<>5 (1 В)
:<>5 (1 В)
240(1В;10мА)
1
280 (1 В; 10мА)
1
1
i
35...300 (1В; 5 мА)
:<>1,5 (5 В)
rкэнас• Ом
r~нас• Ом
к;.. дБ
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>О,45
:<>0,45
:<>0,45
:<>0,45
:<>О,45
:<>0,45
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>19,5
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>60
:<>300
:<>300
:<>300
:<>300
:<>30
:<>30
:<>20
:<>20
:<>20
:<>20
26**
Кш, дБ
r;, Ом
Р;~", Вт
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*; :<>5 (1 кГц)
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*; :<>5 (1 кГц)
:<>1200*
:-:;1200·
:<>1200*
:<>1200*
:<>1200*
1
i
:<>5 (1 кГц); :<>1200* 1
:<>1200•
:<>30 (1 кГц)
:<>8 (90 МГц)
:<>30
:<>30
:<>4,5 (2,25 ГГц)
tKt ПС
~~cl НС
tвыкл• НС
t::, НС
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>5
:<>4500; :<>4500*
:<>4500; :<>4500*
:<>4500; :<>8000*
:<>2000; :<>8000*
:<>30*
:<>30•
:<>500
:<>500
:<>30*
:<>30*
:<>50
:<>50
:<>10
277
Корпус
2Т214А-9
j
0,95
~*Х
2Т215А-1
1
~~
11\
5кэ
2Т215-5
0,5
0,1
~шт
2Т215-9
2Т301
2Т306
fit
5КЭ
2Т3101-2

278
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
iСтрук-1
pKmo111x'
1,μ. ~:210•
UКБО проб•
JКБО•
11
Тип
Токр.,
р•
~;lэ'
u~Rnpoб• l!эоо max'
IKmax
•:с.•.
1\.тmах'
·~.н maxt
прибора 1
1
·с
р~~ н maxt
с·
u~проб•
в
1;эо•
1.
тура
."
1
мА
1
1
мВт
МГц
в
!
мкА
2ТЗ106А-2 1 n-p -n
-60 ...+125
30 (50°С)
~900
15* (10к)
2,5
20 (40*)
:о;О,5(15В)
1
1
1
1
1
1
2ТЗ108А i p-n -p 1-60.. . +125
300 (360*)
1
~250
60* (IОк)
5
1
200
1
:о;О,2 (60 В)
2ТЗ108Б i p-n-p
-60 ...+125
300 (360*)
1
~250
45* (IОк)
5
200
:о;О,2 (45 В)
2ТЗ108В 1 p-n-p 1-60...+125
300 (360*)
1
~300
45* ( 10к)
5
200
:о;О,2 (45 В)
!
!
1
1
1
1
1
~
1
1
1
1
2ТЗ114А-6
n-p -n
-60 ...+125
25 (I00°C)
~4300
5
1
15
1
:о;О,5 (5 В)
2ТЗ114Б-6
n-p -n
-60 ...+125
25 (I00°C)
~4300
5
1
15
:о;О,5 (5 В)
2ТЗ114В-6
n-p -n
-60 ...+125
25 (I00°C)
~4300
5
1
15
:о;О,5 (5 В)
l1
1
1!
:
!
1
!
1
!
1
!
1
1
1
i
!
1
i
2ТЗ115А-2
n-p-n 1 -60 ...+125 i 70 (70°С)
~5800 i 10* (lк) 1
1
1
8,5
:о;О,5 (10 В)
1
2ТЗ115Б-2
n-p-n 1 -60 ...+125
70 (70°С)
~5800
10* (lк)
1
8,5
:о;О,5 (10 В)
1
1
1
1
2ТЗ115А-6
n-p-n
-60 ...+100
50 (85°С)
~5800
10*(lк) ! 1
1
8,5
1
:о;О,5 (10 В)
1
1
1
1
1
1
1
'
1
!
i
2ТЗ117А
n-p -n
-60 ...+125
300
~300
60
4
400 (0,8* А)
:о;5 (60 В)
2ТЗ117Б
n-p -n
-60 ...+125
300
~300
75
4
400 (0,8* А)
:о;5 (75 В)
1
1
1
1
ii
2Т312А
1
1
1
1 n-p-n
-60 ...+125
225
~80
30
4
30 (60*)
:o;I (30 В)
2ТЗ12Б
1 n-p-n 1 ~60... +1251
225
~120
30
4
30 (60*)
:o;I (30 В)
2ТЗ12В
1
n-p-n 1 -60 ...+125 .
225
~120
30
4
30 (60*)
:o;I (30 В)
~
2ТЗ120А
n-p -n
-60 ...+125
100
~1800
15
3
20 (40*)
:о;О,5 (15 В)
1
1
~
1
1
11
1
1'
1
1
1
11
1
!
i
1
1
1
1
1
~
!
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
279
1
! ck,
rкэнас' Ом
Кw,дБ
т., пс
11
1
1
t;,..,, нс
\
h21.• ь;,э
1
с;2~'
r~нк' Ом
r;, Ом
Корпус
~
пФ
к;.. дБ
Р;~,, Вт
t::КJI, нс
~
i
t:::.,, нс
1
1
•
1
:52 (5 В)
<>:17** (120 МГц)
s2 ( 120 МГц)
1
1
1 <>:4015В:5мА)
-
2ТЗ106-2
1,15
0,95
~х
/1\
5/(з
50... 150 (1 В; 10 мА)
1
:55 (10 В)
:525
:56 ( 100 МГц)
:5250; :5175*
2ТЗ108
50... 150 (1 В: 10 мА)
s5(10B)
:525
:56 ( 100 МГц)
:5250: :5175*
- 5,81/
100... 300 (1 В: 10 мА)
1
s5(10B)
:525
:56 ( 100 МГц)
:5250; :5175*
;EJ к~з
'·
'
15...80 (3 В; 1 мА)
:50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц)
:51,5 (400 МГц)
$8
2ТЗ114-6
15...80 (3 В; 1 мА)
:50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц)
:52 (400 МГц)
:58
m
15...80 (3 В: 1 мА)
s0,44 (3 В) <>:3** (2,25 ГГц)
:53 (400 МГц)
:58
t11
!<>:15(5В:5мА)
i
:50,6 (5 В)
<>:5** (5 ГГц)
:54,6 (5 ГГц)
:53,8
2ТЗ115-2
<>:15 15 В: 5 мА)
:50,6 (5 В)
<>:6** (4 ГГц)
:54,4 (5 ГГц)
:53,8
~IН9
!
1
1
1
1
1
1
~
1
1
i
1
1
1
1
~~з/
1
1
<>:15 (5 В; 5 мА)
:50,6 (5 В)
<>:5 ( 1 ГГц)
:59** ( 1 ГГц)
:53,8
2ТЗ115-6
1
t1m
:i
1
~
i
40... 200 (5 В: 0,2 А)
:510 (10 В)
:51
-
:560*
2ТЗ117
100...300 (5 В; 0,2 А)
:510 (10 В)
:51
-
:560*
9~ $·
~
з
10... 100* (2 В; 20 мА)
:55 (10 В)
:525
-
:5500: :5100*
2ТЗ12
25... 100* (2 В: 20 мА)
s5(10B)
:525
-
:5500; :5130*
~hi
50...280* (2 В; 20 мА)
s5(10B)
:517
-
:5500; :5130*
с-.'
5фк
~1
3
<>:40 (1 В; 5 мА)
s2(5В)
<>:10** (400 МГц)
s2 (400 МГц)
:58
2ТЗ120
rnli

280
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max'
~Р' ~:216' UKБ0npu6'
lкmaA
lкБо•
Тип
Струк- Токр.,
р·
~:;ll'
U~ЭR проб' UЭБО 1паА'
·~R•
К.т m.ix'
J~.11 max'
прибора
·с
р··
с·
U~ЭОnроб'
в
1;эо,
тура
К. н max'
"'
мА
мВт
мrц
в
мкА
l2тз121А-6 1 П·р·П
·60 ... +125
25
~100
10
2
10
i
:<>1 (10 В)
1
1
!
ii
1
1
1
1
1
;
1
1
'
1!
1
1
1
i
'
i
i
1
'
1
1
ii
i
1
11
1
1
2ТЗ12ЗА-2
p-n -p
-6 0 ... +125
150
5000
15
3
30 (50*)
:<>25 (15 В)
2ТЗ12ЗБ-2
p-n -p
-6 0 ... +125
150
5000
15
3
30 (50*)
:<>25 (15 В)
2ТЗ12ЗВ-2
p-n -p
-6 0 ... +125
150
3500
10
3
30 (50*)
:<>25 (10 В)
1
1
1
'
1
1
1
l12ТЗ124А-2 i
1
1
1
h
n-p-n 1 -60 ...+125
70 (85°С)
~6* ГГц
10
1
7
1 :<>0.5 (10 В) ~
1
1
i 2ТЗ124Б-2 1 n-p -n 1-60". +1251
70 (85°С)
~6* ГГц 1
10
1
7
1
:<>0.5 ( 10 В)
1
1
1
1
112ТЗ124В-2 1
1-60". +1251
70 (85°С)
~6* ГГц 1
10
1
7
:<>0,5 (10 В)
n-p -n
1
1
1
'
1
11
1
1
1
i
1
1
1
2ТЗ129А9
p-n -p
-6 0 ... +125
200
~200
50
5
100 (200*)
:<>1 (50 В)
2ТЗ129Б9
p-n -p
- 6 0."+125
200
~200
50
5
100 (200*)
$1 (50 В)
2ТЗ12989
p-n -p
- 6 0".+125
200
~200
30
5
100 (200*)
:<>1 (30 В)
2ТЗ129Г9
p-n -p
- 6 0".+125
200
~200
1
30
5
100 (200*)
:<>1 (30 В)
l2ТЗ129Д9 i p-n -p 1 -60 ... +1251
200
~200
20
5
1
100 (200*)
SI (20 В)
1
!
1
'
;
1
1
!
i
!
1
:
1
~2ТЗ1ЗА 1 p-n -p i -60" .+125
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*) 1
s0,5 (50 В)
2ТЗ1ЗБ
1 p-n -p 1 -60" .+125
300 (1000*)
~200
60
5
350 (700*)
:<>0,5 (50 В)
1
j
!
1
2ТЗ1ЗОА-9 n-p -n
-60 ...+85 1
200
~150
50
5
100
sO.I (50 В)
!l 2тз1ЗОБ-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1
200
~150
50
5
1
100
i
:<>0.1 (50 В)
1
ll 2T3130B-9
n-p-n 1 -60 ...+85 1
200
1
~150
30
5
100
1
:<>0.1 (30 В)
i
i! 2ТЗ1ЗОГ-9 n-p -n 1 -60 ".+85
1
200
~300
20
5
100
1
sO.I (20 В)
!12ТЗ1ЗОД-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1
200
~150
30
5
1
100
sO.l (30 В)
:12тз1ЗОЕ-9 n-p -n
1
-6 0".+85 !
200
~300
1
20
5
1
100
:<>0,1 (20 В)
,,
!
!
11
i
1
~2ТЗ132А-2 n-p -n
- 6 0".+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
S0,5 (10 В)
l2ТЗ132Б-2 n-p -n
- 6 0."+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
s0.5 (10 В)
2ТЗ1328-2
n-p -n
- 6 0".+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
S0,5 (10 В)
2ТЗ132Г-2
n-p -n
- 6 0".+125
70 (85°С)
~5.5 ГГц
10* (lк)
1
8,5
:<>О,5(10В)
• 2ТЗ1ЗЗА
1 n-p-n 1
300
~200
50
4
300: 700*
1
:<>10 (50 В)
i
1
!
i
1
1
~
i
1
1
1
11
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
11
1
1
1
!
~
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
281
ck,
rкэнас' Ом
Кш, дБ
fKI ПС
h21,• ь;,э
с~2э'
r~Энас' Ом
r;, Ом
t;act НС
Корпус
пФ
к~:,, дБ
Р;:,, Вт
t::клt НС
t::., нс
30...400 (5 В; 2 мА)
51(5В)
~8** (1 ГГц)
52 (1 ГГц)
-
2ТЗ121-6
1
!
t1m
i
~~
"
20(IOВ;10мА)
51 (10 В)
~5** ( 1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
510
2ТЗ123-2
20(10В;10мА)
51 (10 В)
~5** ( 1 ГГц)
3 (1 ГГц)
510
~@.
20(10В;10мА)
51 (10 В)
~5** ( 1 ГГц)
2,4 (1 ГГц)
510
~~363
15... 200* (5 мА; 7 В)
0,5
~4** (6 ГГц)
55 (6 ГГц)
52,5
2Т3124-2
15... 200• (5 мА: 7 В)
0,5
~5** (5 ГГц)
55 (5 ГГц)
52,5
ftf@.
15...200* (5 мА; 7 В)
0,5
~6** (4 ГГц)
53,6 (4 ГГц)
52,5
1
r\j
'4"')
-
-
&
О)3/
30...120 (5 В; 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
2Т3129-9
80...250 (5 В; 3 мА)
510 (IO В)
520
-
-
1
О,95
80...250 (5 В; 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
~*Х
200...500 (5 В; 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
1
'
200...500 (5 В: 2 мА)
510 (10 В)
520
-
-
'
'
1
30... 120 (10 В; 1 мА)
512 (10 В)
53,3
-
5120*
2Т313
80...300 (1О В: 1 мА)
512 (10 В)
53,3
-
5120*
!45,81/
9 К-$3
5
100...250 (5 В: 2 мА)
512 (5 В)
-
510(1 кГц)
-
2Т3130-9
200...500 (5 В; 2 мА)
512 (5 В)
-
510 (1 кГц)
-
1
0,95
200...500 (5 В: 2 мА) 1 512 (5 В)
-
510(1 кГц)
-
~х
400...1000 15 В: 2 мА)
512 (5 В)
-
510 (1 кГц)
-
200...500 (5 В: 2 мА)
512 (5 В)
-
510 (1 кГц)
-
400...1000 (5 В; 2 мА)
512 (5 В)
-
54 (1кГц)
-
15... 150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~6** (3,6 ГГц)
52,5 (3,6 ГГц)
-
2Т3132-2
15... 150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~4** (6 ГГц)
55 (6 ГГц)
-
ftf~
15... 150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~5** (5 ГГц)
55 (5 ГГц)
-
15...150 (7 В; 3 мА)
55,5 (7 В)
~6** (4 ГГц)
53,6 (4 ГГц)
-
С'\1-
'4 "')
-
-
&
О)3/
25...100 (3 В: 150 мА)
55(108)
50,43
-
5100*
2Т3133
1
1
1
10
;,
1
1
-~3
1
1
1
'О
~
.. ..
1
~
,
lJ
u~
-
_!....
о'
-

282
1
!
Тип
прибора
2ТЗIЗЗА-2
!2ТЗ134А-1
2ТЗ135А-1
2ТЗ150Б2
~~
~2ТЗ152А
2ТЗ152Б
2ТЗ152В
2ТЗ152Г
2ТЗ152Д
2ТЗ152Е
2ТЗ154А-1
1
!
2ТЗ156А-2
:
1
1
1
1 Струк- Токр.•
1
·с
1
тура
1
i
1
1 -60 ...+125
п-р-п
1
'
i
'
:
i'
:
i
1
i1
;
1
1
!1
.
i
!
п-р-п 1 -60 ...+125
р-п-р -60 ...+125
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
1
1
!
1
1
!
1
1
1
1
1
!
1
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 . .. +125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+125
-60 ...+85
п-р-п -60 ...+125
1
1
1
Рк max'
~•• \210 •
Р~.тmаА'
\;lj'
р~:и maxt
~:;х,
мВт
МГц
300
~200
1
30
~1500 !
15
~1500
120 (65°С)
~1200
1
200 (6О0С)
~50
200 (6О0С)
~50
200 (6О0С)
~50
200 (6О0С)
~50
200 (60°С)
~50
200 (6О0С)
~50
15
~800
120
~500
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
UКБОnроб•
IKmax
lкоо•
U~ЭR проб• UЭБOmiixt 1 •:.и maxt
I~R•
u~npoб•
в
1
1··
1
мА
кэо•
в
мкА
45*
4
1
300; 700*
$10 (50 В)
(500 Ом) 1
1
1
1
1
1
r
!
1
1
10
1
4
1
10; 20*
1 $0,5 (10 В)
-
1
!
i
15* (lк)
4
30; 50*
$1 (15 В)
1
i
1
1
!
i
j
1
1
1
35* ( IОк)
4
30 (50*)
$0,5 (40 В)
1
!
1
i!
'
50*
20
150 (300*)
$10* (50 В)
40*
20
150 (300*)
$10* (40 В)
30*
20
150 (300*)
$10* (30 В)
50*
5
150 (300*)
$10* (50 В)
40*
5
150 (300*)
$10* (40 В)
30*
5
150 (300*)
$10* (30 В)
1
~
10* (3к)
4
! 20; 50*
$0.5 (10 В)
i
f
1
i·, ,
'
f
40* (lОк) 1
4
10; 20*
$1 (40 В)

1
~
~1
1
~
~
~
~
~
.
i;i
i
!
!~
1
"
~
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
283
Ck,
rкэн.ас• Ом
Кw1 дБ
h21.• ь;,э
с;2.•
r~Энас• Ом
r;, Ом
пФ
к~·,, дБ
Р;:~, Вт
25... 100 (3 В; 150 мА)
$5 (IO В)
$8*
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
90...450 (2 В; 5 мА)
$1,5(58)
$35; $110*
-
1
'
50...180 (5 В: 3 мА)
$1,5 (10 В)
$30; $110*
i
1
!
60...180•(5В;2,5 мА) 1 $2(10В)
$25
1
1
1
!
1
i
!
i
1
'1
1
'
~80(5В;30мА)
$35 (20 В)
$1
-
~80(5В;30мА)
$35 (20 В)
$1
-
~80(5В;30мА)
$35 (20 В)
$1
-
~100(5В;30мА) 1 $35(20В)
$1
-
~100 (5 В; 30 мА)
1
$35 (20 В)
$1
-
1
~100 (5 В; 30 мА)
$35 (20 В)
$1
-
1
1
40... 120 (10 мА)
$2,5 (5 В)
$30; $110*
-
'
1
1
40...300 (5 В; 2 мА) i $1,3 (5 В)
-
-
11
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
tк, ПС
t~ac• НС
Корпус
t::кл' НС
t::·n• НС
$100*
2Т3133-2
~IНJ
~
~--
&
<:>)' з
/
$25
2Т3134-1
1
~~~
1
~
1
11\
'
1
1
5кз
1
$50; $10* !
2Т3135-1
1
1
~Pr-ir
1
VJ\~П
:
$30: $30•
2Т3150-2
1
~~ (4
i1
'
~- /ll~l
'
1
1
1
6КЗ
$400*
2Т3152
$400*
$400*
а
$400*
....
з
$400*
~ офк
$400*
~
1
$10*
2Т3154-1
"~, ~
"
G:\ :;
г;п 6.6
(
0.1JS
$40
1
2Т3156-2
i
1
~пз !
1
1
1
1'\~
6кз
,1
'
i
!
'
!
'

284
Тип
прибора
2Т3158А-2
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
ll 2T3160A-2
1
1
1
2Т3162А
11
1!
2Т3162А5
2Т3164А
2Т3167А-7
2Т317А-1
2Т317Б-1
i2T317B-1
i
l
l
1
1
!
1
1
1
1
1
1
i11
1
1
:
i1
Струк- Токр"
тура
·с
n-p -n
- 60 ... +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n 1 -60 .. . +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n
- 60 ... +125
n-p-n 1 -60 ... +125
p-n -p
- 60 ... +125
1
1
p-n -p
- 60 ... +125
p-n -p
-60...+125
n-p-n
-60...+ 125
n-p -n
-60...+85
n-p-n
-60...+85
n-p-n
-60...+85
1
1
pk.m .ax'
Р~.т1nо1:.'
р~~ И IПdAt
мВт
50
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
150 (75°С)
300
300
300
250; 500**
120
15
15
15
~V' ~216'
~;1~'
~~;",
МГц
;:>:200
;:>:600
;:>:800
;:>:800
;:>:600
;:>:800
;:>:200
;:>:700
;:>:700
;:>:800
;:>:400
;:>:100
;:>:100
;:>:100
i
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБОnр<>б•
U~ЭRnp<>б•
u;эо npu(1t
в
50; 50*
10* (3к)
10* (3к)
10* (3к)
10* (3к)
10* (3к)
50
60* (5к)
60* (5к)
15* (lООк)
40* ( lОк)
5
5
5
1
1
1
1
i1
1
UЭБOmaxt
в
4
4
4
4
4
4
4
-
-
4
4
3,5
3,5
3.5
1
1
•кmа:.
1~. и ша'\'
мА
400; 800*
50
50
50
50
50
300; 700•
150
150
10; 20*
15 (45*)
15 (45*)
15 (45*)
1
1
1
!
1
1
1
'
1
1
!1
IКБО'
l~R•
l~эо•
мкА
s5 (50 ВJ
s0,5 (10 8)
s0.5 (10 8)
s0.5(108)
s0,5 (10 8)
s0,5 (10 8)
slO (50 8)
so.5 (60 8)
s0,5 (60 8)
S0,5 (20 8)
sl (40 8)
sl(58)
sl(58)
sl(58)
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
i
50...180 (5 В; 200 мА)
1
1
1 20...60• (1 В; 10 мА) !1
'
1 40... 120* (1 В; 10 мА)
1
140...120*11 В; 10мА) 1
20...100• (1 В: 10 мА)
60...300* (1 В; 10 мА)
515 (10 В)
53(5В)
53(5В)
53(5В)
53(5В)
53(5В)
30...150 (3 В; 150 мА) 55 В (10 В)
fкэнас' Ом
r~нас• Ом
к~· •. дБ
50,53; 510*
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:х' Вт
1
"tк, ПС
t~,. нс
t:~кл' НС
t::. нс
5400; 570*
5\О•
510*
515*
5150
5150
5100*
285
Корпус
2Т3158-2
]
,
...
1tl-·-·-
1--
-1-·f-I ~
-
/
1]\
~ //J0.04 llJ ~r-
Ко1111~ктор Б.&iа Эl'fummep
2ТЗ16
2ТЗ160-2
~~*
"\ t:: L]
5КЗ
60...200 (3 В; 10 мА) j 55 (!О В)
5150; 5100* 1
1
2Т3162
!60...200(3В;10мА) ! 55(10В) 1
1
1
30... 120 (7 В: 2 мА)
40...300 (5 В; 2 мА)
25...75 (1 В; 1мА)
35...120 (1 В; 1мА)
80...250 (1 В: 1 мА)
1
1
55(5В)
52(5В)
511 (1 В)
511(18)
511 (1 В)
1
525
535; 5120*
530
530
530
5150; 5100*
5150
540
5130*
5130*
5130*
1
2Т3162-5
0,8
о3
1~шr
2ТЗ164
~r-ffi а
;ап'4ояФ.
2ТЗ167-7
~~ ХО.95
1JМ 1
""'
/1\~1
5/(з
2ТЗ17-1
~~1,1
v11
/ 1\ ::::
5зк

286
Тип
прибора
, 2Т3175А
2Т318А-1
2Т318Б-1
2Т318В-1
~2T318f-1
2Т318Д-1
~2Т318Е-1
~ 2Т31881-1
~j
'!
~
i;
2Т3187А-9
2Т3187А-91
2Т319А-1
2Т319Б-1
2Т319В-1
2Т321А
2Т321Б
2Т321В
2T321f
2Т321д
2Т321Е
i2T324A-1
2Т324Б-1
l2T324B-1
1 2Т324Г-1
2Т324JИ
2Т324Е-1
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
2Т326А
2Т326Б
1 Струк- Такр.,
i
1
1
!
1
1
тура
·с
!
n-p-n 1 -60 ...+125
!
n-p -n
-60 ...+85
n-p -n
-60 ...+85
n-p -n
-60 +85
...
n-p -n i -60".+85
n-p -n 1 -60".+85
1
1
n-p -n 1 -60".+85
n-p-n 1 -60 ...+85
1
i
n-p -n
- 60".+85 i
n-p -n
- 60".+85 1
n-p -n
-60 ...+85
n-p -n
- 60".+85
n-p -n
-6 0".+85
1
1
i
1
p-n -p
-60".+125
p-n -p
-60". + 125
p-n -p
-60".+125
p-n -p
-60".+125
p-n -p
-60". + 125
p-n -p
, -60...+125 1
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
n-p -n
1
'
!
!
-6 0".+851
1 -60".+85
1 -60".+85
1
1
-60 ...+85 1
-60 ...+85
- 60".+85
n-p -n
n-p -n
1 n-p-n
-6 0".+125
-6 0".+125
1-60".+1251
1
!
'
1
1
1 p-n-p
p-n -p
i1
1
1
i
-6 0".+125
-6 0".+125
Ркmах'
р"
К. т m.ixt
р~:иmах'
мВт
350
15
15
15
15
15
15
15
200
200
-
-
-
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
210 (20** Вт)
15
15
15
15
15
15
225 (85°С)
225 (85°С)
225 (85°С)
250 (25°С)
250 (25°С)
1
!
1
1
1
!!
~•• r.:210•
~:;lэ'
~::;)\. t
МГц
<::300
<::430
<::430
>430
-
<::350
<::350
<::350
<::350
<::4.4 ГГц
4600
<::100
<::100
<::100
<::800
<::800
<::800
<::600
<::600
<::600
<::800
<::800
<::1000
<::250
<::400
1
!
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО npu6•
{J"KЭR npu6'
U~эо npu6•
в
45* (10к)
10
10
10
10
10
10
10
20
12*
5
5
5
60
60
60
45
45
45
10
10
10
10
10
10
1
i
1
1
i
i
1
1
1
15* (3к)
15* (3к) 1
15* (3к)
1
1
1
1
15* (IООк) 1
15* (lООк)
1
UЭБОшахt J
в
5
3.5
3,5
35
3,5
3.5
3,5
3.5
2
2
3,5
3.5
3.5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
IKmax
1:,и maxt
мА
100 (200*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
20 (45*)
25
25
15
15
15
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
200 (2* А)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
20 (50*)
60
60
60
50
50
1
1
1
1
1
i1
1
1
1
1
i
1
1
!
•коо•
J~R•
I~o•
мкА
s0.05 (50 В)
s0,5 (10 В)
S0,5(10B)
<05(10В)
-
.
s0.5 (10 В)
s0.5 (10 В)
s0.5 (10 В)
s0.5 (10 В)
sO.l (10 В)
sO,l (IOB)
$1
Sl
Sl
:!>100 (60 В)
:!>100 (60 В)
:!>100 (60 В)
:!>100 (45 В)
:!>100 (45 В)
:!>100 (45 В)
S0,5 (10 В)
s0.5 (!О В)
S0.5 (10 В)
s0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
S0,5 (15 В)
s0.5 (15 В)
S0,5 (15 BJ
S0,5 (10 В)
S0,5 (10 В)
!
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
'
ь,,,. ь;,э
250... 1000 (5 В; 2 мА)
1
i
"/
'
i
1 30...90 (1 В; 10 мА)
50... 150 (1 В; 10 мА)
70...280 (1 В; 10 мА)
30...90 (1 В; 10 мА)
50... 150 (1 В; 10 мА)
70...280 (1В; 10 мА)
70...280 (1В; 10 мА)
~40 (10 В; 14 мА)
•
~40 (!О В: 14 мА)
'!
•
1
15...55 (1 В; 1мА)
45...90 (1В; 1мА)
80...220 (1 В; 1 мА)
j
г---
i 20...60• !3 В: 0.5 А)
1 40... 120* (3 В; 0,5 А)
1 80...200* (3 В; 0.5 А)
1
20...60• (3 В; 0.5 А)
40... 120* (3 В: 0.5 А)
80...200• (3 В; 0,5 А)
20...60 (1В; 10 мА)
40... 120 (1 В; 10 мА)
S0...250 (1 В; 1О мА)
40 ... 120(1 В; !ОмА)
20...80 (1 В; 10 мА)
60...250 (! В; 1О мА)
30...90* (5 В: 10 мА)
70...210* (5 В; 10 мА)
160 ... 400* (5 В; 10 мА)
20...70* (2 В; 10 мА)
45... 160• 12 В; 10 мА)
1
1
1
!
1
1
1
!
i
1
;
1
1
1
1
1
11
1
ck,
с;2.•
пФ
-
$3,5 (5 В)
$3,5 (5 В)
$3,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$4,5 (5 В)
$0.9 (10 В)
$0,9 (!О В)
$\l (1 В)
$\l (1 В)
$11 (1 В)
$40 (10 В)
$40 (10 В)
$40 (10 В)
$40 (10 В)
$40(108)
$40 (10 В)
$2,5 (5 В)
$2.5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2.5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$2,5 (5 В)
$5(5В)
$5(5В)
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
rкэнас' Ом
r~Эна1.:' Ом
к:· •. дБ
-
$27
$27
$27
$33
$33
$33
$27
~12** (0,85 Гц)
~12** (0,85 Гц)
$30
$30
$30
$3,6
$3,6
$3,6
$3,6
$3,6
$3,6
$30
$30
$30
$30
$30
$30
$30
$30
Кш1дБ
r;, Ом
Р;:" Вт
-
-
-
-
-
-
-
-
$2 (0,8 ГГц)
$2 (0,8 ГГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
tк, ПС
t;,.,. нс
t:~кл' НС
t::, нс
-
$15*
$\5*
$\5*
$25*
$25*
$25*
$10*
-
-
$\30*
$\30*
$130*
$400: $1000*
$400; $\ООО*
$400; $1000*
$400; $\ООО*
$400; $\ООО*
$400; $1000*
$10*
$10*
$\О*
$15*
$180
$\80
$\25
$\25
$\25
$450
$450
287
Корпус
2ТЗ175
1
JJ5,81/
1
;1 1ii
1
!1
К-$3
1
1
5
1
2ТЗ18-1
1
1
~~~~
11\
5кз
2ТЗ187-91 (2ТЗ187-9)
1
О,95
i1
1 ~@х_
5з
1,2
(Э)(5)
2ТЗ19-1
~ш qr
~\
1
1
5зк
2ТЗ21
:1i1~·2ТЗ24-1
1
~т'
5кз
2ТЗ25
~fi(l~i/бф.о к
з ;Го
11:;)
•
~
Корп.
1
2ТЗ26
1
JJ5,81/
1 ~rffiJ кШз
1
~rr. ~
1
н
i
~~
1'
"
!,
11
.1
11
·1
11
11
·.
1
1
1
1

288
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
'
t
.
iСтрук-1
'
Ркmах'
~pt ~:216' UКБО npo6•
i •коо•
~
lк max
Тип
Такр.•
P~.тmaxt
~;lэt
u~. npo6•
UЭБО max'
1~,и maxt
1
·~ЭR•
прибора 1 тура
·с
р~~ и max'
~;;х,
U~эо npo6•
в
I~эо•
1
мА
1
мВт
мrц
в
мкА
2ТЗЗIА-1
п-р-п
-60 ...+125
15
~250
15* (IОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 В)
2ТЗЗIБ-1
п-р-п
-60 ...+125
15
~250
15* (IОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 8)
2ТЗЗIВ-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~250
15* (IОк)
3
20: 50*
$0,2 (15 8)
2ТЗЗIГ-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~400
15* ( lОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 ВJ
2ТЗЗIД-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~500
15* (lОк)
3
20; 50*
:;;О,2 (15 8)
1
i
~
1
1
1
1
1
1
~
:
1
2ТЗЗ2А-1 1 п-р-п 1 -60" .+125
15
~250
15* (lОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 ВJ
2ТЗЗ2Б-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~250
1
15* (10к)
3
20; 50*
:;;О,2 (15 8)
2ТЗЗ2В-1
п-р-п
-6 0" .+125
15
~250
15* (lОк)
3
20; 50*
$0.2 (15 8)
2ТЗЗ2Г-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~500
15* (lОк)
3
20; 50*
:;;О,2 (15 8)
2ТЗЗ2Д-1
п-р-п
- 6 0".+125
15
~500
15* (lОк)
3
20; 50*
$0,2 (15 8)
.
2ТЗЗЗА-З
п-р-п
-6 0".+85
15
~450
10* (3к)
3,5
20 (45*)
:;;О,4 (10 8)
2ТЗЗЗБ-З
п-р-п
-6 0".+85
15
~450
10* (3к)
3,5
20 (45*)
$0,4(108)
2ТЗЗЗВ-З
п-р-п
-6 0".+85
15
~450
10* (3к)
3,5
20 (45*)
1
$0,4 (10 8)
ll2тзззr-з 1 п-р-п
-6 0".+85
15
~350
10* (3к)
3,5
20 (45*)
1
:;;О,4 (10 8)
~2ТЗЗЗД-З 1 п-р-п
-6 0".+85
15
~350
10* (3к)
3.5
20 (45*)
1
$0,4 (10 8)
2ТЗЗЗЕ-З
'
п-р-п
1
-6 0".+85
15
~350
10* (3к)
3,5
1
20 (45*)
1
$0,4 (10 ВJ
п
i
1
1
2ТЗЗ6А
i п-р-п
1
-6 0".+85
50
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5(108)
2ТЗЗ6Б
1 п-р-п
-6 0".+85
50
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5(108)
2ТЗЗ6В
п-р-п
-6 0".+85
50
~250
10* (3к)
4
20 (50*)
$0.5 (10 8)
2ТЗЗ6Г
п-р-п
-6 0".+85
50
~450
10* (3к)
4
20 (50*)
:;;О,5 (10 8)
2ТЗЗ6Д
п-р-п
-6 0".+85
50
~450
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5 (10 8)
2ТЗЗ6Е
п-р-п
-6 0".+85
50
~450
10* (3к)
4
20 (50*)
$0,5 (10 8)
2ТЗ48А-З 1 п-р-п
1
- 60 ".+85
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(5ВJ
2ТЗ48Б-З 1
п-р-п
-6 0".+85
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(5ВJ
1
2ТЗ48В-З
1
п-р-п 1 -60 ".+85
15
~100
5* (3к)
3,5
15 (45*)
$1(58)
~
1
1
1
1
1
2ТЗ54А-2
1
п-р-п
-6 0" .+125
30
~1100
10* (3к)
4
10 (20*)
:;;О,5 (10 8)
2ТЗ54Б-2
п-р-п
-6 0" .+125
30
~1500
10* (3к)
4
10 (20*)
$0,5(108)
1
1
1
1
!
112ТЗ55А 1
п-р-п 1-60 ". +125 1 225 (85°С)
~1500
15* (3к)
4
30 (60*)
1
$0.5 (15 8)
1
i
1
1
2ТЗ60А-1
р-п-р
-6 0".+85
10 (55°С)
~300
25
5
20 (75*)
$1 (25 8)
2ТЗ60Б-1
р-п-р
-6 0".+85
10 (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
$1 (20 8)
2ТЗ60В-1
р-п-р
-6 0".+85
10 (55°С)
~400
20
4
20 (75*)
:;;1 (20 8)
1
"
1
1
1!
1
1
1
1
'
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
289
!1
1
1!
11
ck.
rкэнас' Ом
Кш• дБ
т" пс
1
h21,o ь;,э
с;2эt
r~Энас' Ом
r;,, Ом
t~act НС
Корпус
1
пФ
к~·•. дБ
Р;:х, Вт
t::клt НС
1
t::.. нс
20...60* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
2Т331-1
40...120* (1 мА; 5 В)
s5(5В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
~~if
80...220* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
40...120* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
:54,5 (100 МГц)
$120
80...220* (1 мА; 5 В)
:55 (5 В)
-
1
11
1
1
ЗбК
1
!1
20...60* (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
s8 (100 МГц)
$300
1
2Т332-1
1'
40... 120* (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
~~~if
~ 80...220* (5 В; 1 мА)
s5(5В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
i40...120* (5 В; 1мА)
s5(5В)
-
:58 (100 МГц)
:5300
80...220* (5 В; 1 мА)
:55 (5 В)
-
s8 (100 МГц)
:5300
•1
1
;:
11
1
"
1
ЗбК
30...90 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
$27
-
$15*
2Т333-3
50...150 (1 В; 10 мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
$15*
0.7
0,25
70...280 (1 В; 1О мА)
:53,5 (5 В)
:527
-
:515*
30...90 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
:527
-
:525*
h~L
50 ... 150(1 В; IОмА)
:54,5 (5 В)
$27
-
:525*
<::SКооб
70...280 (1 В; 10 мА)
:54,5 (5 В)
$27
-
:525*
Кпюч 0.ОЧ
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
$30
-
$30*
2Т336
40... 120 (1 В; 10 мА)
1
:55 (5 В)
:530
$30*
1
-
hm,t
;е:80 (1 В; 10 мА)
s5(5В)
:530
-
:550*
20...60 (1 В; 10 мА)
:55 (5 В)
$30
-
$15*
40... 120 (1 В; 10 мА)
s5(5В)
1
$30
-
:515*
;е:80 (1 В; 10 мА)
s5(5В)
$30
-
$15*
r::::r5 оq.к
Кпюч
0,01/
25...75 (1В; 1мА)
:511 (1 В)
:530
-
:5130*
2Т348-3
35...120 (1 В; 1мА)
:511 (1 В)
:530
-
$130*
hпfJt
80...250 (1 В; 1 мА)
:511 (1 В)
:530
-
:5130*
1
~
1
i
1
~
<::SКооб
1
/(,
о.оч
1
~
1
пюч
40...200 (2 В; 5 мА)
:51,3 (5 В)
-
:510*
:525
2Т354-2
90...360 (2 В; 5 мА)
:51,3 (5 В)
-
$10*
:530
1
0,8
~щ~л~ 1
5КЗ
1
80...300* (5 В; 1О мА) 1
:52 (5 В)
-
-
:560
1
2Т355
1
1
ii6Фkз о.о
~
'
.
Корп.
25...70 (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:535
-
$450; :5100*
2Т360-1
40...120 (2 В; 10 мА)
:55 (5 В)
:535
-
:5450; :5200*
!;1
0,8
80...240 (2 В; 1О мА)
s5(5В)
:535
-
$450; :5200*
v
Q;)
'
1
5КЭ
19зак 9

290
Тип
прибора
2ТЗ6ЗА
,2ТЗ6ЗБ
1:
~
1
1
2ТЗ64А-2
2ТЗ64Б-2
2ТЗ64В-2
1
•
l2ТЗ66А-1
2ТЗ66Б-1
2ТЗ66В-1
2ТЗ66Б1-1
,,
..
i:
'1,
2ТЗ67А
1[
\\2ТЗ68А
~2ТЗ68Б
"
;,
f,
q
1
2ТЗ68А-9
2ТЗ68Б-9
2ТЗ70А-1
12тз10Б-1
1
Струк- Такр .•
тура
·с
p-n-p
-60...+1251
p-n-p
-60...+125
!
p-n-p
-6 0".+85
p-n-p
- 6 0."+85
p-n-p i -60" .+85 1
i
1
1
1
i
1
!
1
1 n-p-n 1 -60".+85
1
'
'
'
n-p-n
1
- 6 0".+85
1
n-p-n 1 -60".+85 1
n-p -n
1
- 6 0".+85
1
1
1
1
i
;
1
'
1
n-p-n 1 -60."+125
1
1
i
1
1
!
1
1
1
1
n-p-n 1 -60".+125 \
'
nрn160+1251
'
--
-
".
1
!
1
!
1
1
'
!
1
1
1
1
1
n-p -n
- 6 0".+100
n-p-n
- 6 0".+100
1
1
i
1 p-n-p
1
-60".+85 1
! p-n-p
- 6 0".+85
1
1
1
1
1
Ркmах•
Р~.тmа''
р~:иmах•
мВт
150 (45°С)
150 (45°С)
30
30
30
30 (70°С)
50 (70°CJ
90 (70°С)
50 (70°С)
100
225 (65°С)
225 (65°С)
100 (65°С)
100 (65°С)
15
15
1
1
!
1
1
1
1
1
'1
1
1
1
1
1
~•• \210 •
~:;lt•
с·
'"
МГц
~1000
~1500
~250
~250
~250
~1000
~1000
~1000
~800
1,5 ГГц
~900
>900
-
~900
~900
~1000
~1200
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
'
1
1
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Uю;onpo0•
U~ЭR npo6'
U~эо проб•
в
15* (lк)
12* (lк)
25
25
25
15
15
15
15
10
15
15
15
15
15* (lк)
12* (lк)
'
1
1
1
;
1
1
1
i
'
i
1
1
1
i1
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
UЭБOmaxt
в
4.5
4.5
5
5
5
4,5
4,5
4.5
4,5
4
4
4
4
4
4
4
1
1
1
:
i
1
1
1
'
!
1
i
1
:
!
1
1
1
1
1
lк maA
1~. н max•
мА
30 (50*)
30 (50*)
200 (400*)
200 (400*)
200 (400*)
10 (20•)
20 (40*)
45 (70*)
10 (40*)
20 (40*)
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
30 (60*)
15 (30*)
15 (30*)
:
1
1
'i
1
!
1
!
'
!
1
i
1
!
i
i
i
!
1
1
1
1
:
1
1
ii
!
1
1
IКБО•
l~ЭR•
гКЭО•
мкА
$0.5 115 BJ
$0.5 (15 ВJ
$1 (25 В)
$1 (25 В)
$1 (25 В)
$0,1 115 BJ
$0,1 (15 В)
$0,1 (15 В)
$0,1 (15 В)
$0,5 (15 В)
$0.5(158)
<05(1581
-
.
$0,5 (15 В)
$0,5 (15 В)
$0,5 (15 В)
$0,5 (12 В)
.,
'~
!
j
'
;
'.,
1.
1'
!!
11
~11
!i
~
~R,.

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
,1
:
~..120* (5В: 5мА) 1 s2 (5В)
40... 120• (5 В; 5 мА)
s2(5В)
!1
20...70* (1 В: 0.1 А)
:515 (5 В)
,,
4U...120• 11 В: 0.1 А)
sl5(5В) 1
11
11 80...:!40* (1 В: 0.1 А)
sl5(5В) '
.,
1
.,
'
11
1
11
:1
!
,,
1
11
11
1'
50...200 11 В: 1 мА)
sl.l (0,1 В)
1
50...200 (1 В; 5 мА)
sl,8 (0,1 В)
50".2 00 (1 В; 15 мА) s3,3 (0.1 В)
11
11
11
50...200• /15 мА: 1В\ sl.8 IO.l В)
40...330 (5 В; 10 мА)
1,5
50...300* (1 В: 10 А)
sl.7 (5 В)
50...300• (1 В: 1О мА)
sl,7 (5 В)
50."300 (1 В: 10 мА)
sl,7 (5 В)
50...300 (1 В; 10 мА)
sl.7 (5 В)
20...70 (5 В; 3 мА)
s2(5В)
40... 120 (5 В: 3 мА)
s2(5В)
19'
rКЭнас' Ом
r~Эн.icl Ом
к:· •. дБ
$35
$35
s3
$3
$3
s80
s25
$16
s25
$35
$35
1
1
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
s3.3 (60 МГц)
s3,3 (60 МГц)
s3,3 (60 МГц)
:
1
т,. пс
f~a{' НС
t::кл 1 НС
t''"в11.л' НС
s50; slO*
s75; s50*
s500: slOO*
s500: sl30•
s500: sl60•
s60; s50*
s50; s80*
$10; $120*
s50: s80*
$15
$15
$15
$15
s50: slO*
s75: slO*
291
Корпус
1!
2Т363
~5,Bq
1
~зфк
1
1
2Т364-2
!
J
1
1
!
~11~1
"1 !Е
~
1"
11
1
бКЭ
1
2Т366
0,85
о,5
т
1
:Q
1!
~~
i
11
1
1 с.о
,,
·1
,,
бКЭ
2Т366-1-1
1
0,8
~Щ~Jf
5КЭ
1
2Т367
~tк ~ 2,7
2Т368
~5,8
~tj з
~ Корп-$5
~
к
2Т368-9
J
О,95
~х_
2Т370-1
~tt~It
бк·з

292
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
pKmaAt
~р• (216•
UКГ><> проб'
lкоо•
~
Тип
Струк-1 Токμ.,
р•
~:;,1,
U~ЭR nμoбt UЭБOтnd\t
lк шах
·~ЭR•
1
К.Т!Пd\t
••
прибора 1 тура 1 ·с
р~:иm.н.t
~~;),,
u;ЭОп1М.Ю'
в
J\,И IШl'(t
I;эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
IJ2T370A9
1
p-n-p 1 -60 ...+85
30
~1000
1
15* (lк)
1
4
15 (30*)
1
$0,5 (15 8)
112Т370Б9 1 p-n-p 1
-60 ...+85 1
30
~1200
12* (1 к)
4
1 15 (30*)
1
$0,5 (12 8)
1
1
i
1
1
!
2Т371А
n-p-n
-60 ...+125
100 (85°С)
~3000
10
3
20 (40*)
$0,5 (10 8)
1
'
1
1
1
i
1
~
1
1
i
1
1
1
1
1
1
2Т372А
n-p-n
-60 ...+125
50 (100°С)
~2400
1
15* (lОк)
3
10
$0,5(158)
2Т372Б
n-p-n
-60 ...+125
50 (lOO"C)
~3000
15* (10к)
3
10
s0,5 (15 8)
2Т372В
n-p-n
-60 ...+125
50 (lOO"C)
~2400
15* (lОк)
3
10
$0,5 (15 8)
'
1
1
;
li2TЗ77A-2 1 n-p-n i -60 .. . +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
S3 (30 8)
~2Т377Б-2 1 n-p-n 1 -60 .. . +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
s3 (30 8)
ll2T377B-2
1
n-p-n 1 -60 . .. +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
s3 (30 8)
~
i
1
~
1
1
11
1
!
i'
1!
1
2Т377А1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
s3 (30 8)
2Т377Б1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
$3 (30 8)
~2Т377В1-2 1 n-p-n 1 -60 . .. +125
50
~200
30* (1 к)
3
300 (600*)
sЗ (30 8)
1
•'
1
i
ii
р
1
!
i
!1
!
1
~
il
!
1
'
2Т378А-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 8)
2Т378Б-2
'
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 8)
n-p-n
i
1
1
~ 2Т378Б-2-1 i n-p-n ! -60 . .. +125
50
~200
30
4
400 (800*)
1
slO (30 8)
1'
i
i
.1
1
1
1
1
:1
1
1
i
1
•
,,
1
1
1
11
1
1
1
'1
1.
1
1
~
1
1
2Т378А1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
SlO (60 8)
2Т378Б1-2
n-p-n
-60 ...+125
50
~200
60
4
400 (800*)
slO (60 8)
~
i
1
1
11
~
1
i
1

i
1
i
~,
)
1
1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
h",, ь;,э
20...70 (5 8; 3 мА)
40".i20 (5 8; 3 мА)
30". 240 (1 8; 10 мА)
10".90 (5 8; 10 мА)
10".90 (5 8; 10 мА)
10".90 (5 8; 10 мА)
20".80* (150 мА; 2 8)
50" .i20• (150 мА: 2 8)
80".220• ( 150 мА; 2 8)
20".80* ( 150 мА; 2 8)
50" .120* (150 мА; 2 8)
80".220* ( 150 мА; 2 8)
20".80* (200 мА; 5 8)
50. "180* (200 мА: 5 8)
40". 180* (200 мА; 5 8)
20".80* (200 мА: 5 8)
50" .180* (200 мА; 5 8)
1
i
!
1
1
i
1
1
!
ck,
c;l~'
пФ
$2(58)
$2(58)
$1,2 (5 В)
$1(58)
$1(58)
$1(58)
$15(108)
$15 (10 8)
$15 (10 8)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
$15(108)
1
1
1
1
1
1
1
fкэкас' Ом
r~Эи.~с' Ом
к~·., дБ
$35
$35
~9** (0,4 ГГц)
~10** (1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
~10** (1 ГГц)
$6
$6
$6
$4
$4
$4
$4
$4
'
1
1
1
1
Kw, дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
$4 (400 МГц)
$10•
$3,5 (1 ГГц)
$5,5 (1 ГГц)
$5,5 (1 ГГц)
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
."пс
t~,. нс
t::IUlt НС
t::, нс
$50; $10*
$75; $10*
$15
$400: $70•
$400: $70•
$400: $70•
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
$400; $70*
293
Корпус
2Т370-9
J
О.95
~~х
2Т371
2ТЗ72
~~~No
2Т377-2
С))
--
r-.
/1\
,._
1
5КЭ
2Т377-1-2
J
-~
7
~
КбЭ
2Т378-2
~~ ~t
/1\
5КЭ
1
2Т378-2-1
!1
i
J
7
-~~
КбЭ
2Т378-1-2
1
J
7
-~~1
КбЭ
1
!
,,
·'

294
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
i
1
1
1
1
PKll!d\'
~v' ~:21б'
UKБ011pu()t
lкьо•
1
i
1
lк mdx
Тип
1Струк- Токр. •
P~.Tlnd\'
~:;lt'
U~ЭR npt.16 1
1u
'
i
I~э••
прибора 1 тура
·с
р~~иm.i\'
~~:~,
U~эо пμоб' 1 Эlв"'"' i 1~,и m.i'(t
1
1;эо•
1
мВт
МГц
в
мА
1
мкА
2Т381А-1
-60 ...+70
15 (40°С)
~200
15* (1к)
6,5
1
15
! :<>10мА(5В)
n-p-n
1
2Т381Б-1
n-p-n
-60 ...+70'
15 (40°С)
~200
15* (1 к)
6,5
15
1
:<>10 мА (5 В)
2Т381В-1
n-p-n
-60...+70
15 (40°С)
~200
15* (1 к)
6.5
1
15
:<>10 мА (5 В)
2Т381Г-1
n-p-n
-60 ...+70
15 (40°С)
~200
1
25* (1 к)
6.5
1
15
1
:<>10 мА (5 В)
l 2Т381Д-1
n-p-n
-60...+70
15 (40°С)
~200
15* (1 к)
6,5
1
15
1
:<>10 мА (5 В)
1
1
!
!
1
1
.1
1
1
2Т382А
n-p-n 1-60.. . +1251
100 (65°С)
~1800
15
1
3
1
20 (40*)
S0,5 (15 В)
2Т382Б
n-p-n ! -60 .. . +1251
100 (65°С)
~1800
15
3
20 (40*)
s0.5 (15 В)
1
i
11
2Т384А-2
- 60 ... +125
300
~450
30* (5к)
5
300 (500*)
:<>10 (30 В)
n-p-n
:1
1
i
i;
i
1
1
1
11
1
1
1
1
11
1
1
1
1
'
1
1
1
1
1
2Т384АМ-2 n-p-n
- 60 ... +125
300
~450
30* (5к)
5
300 (500*)
~~
1
1
2Т385А-2 i n-p -n
- 60 ... +125
300
1
~200
60
5
300 (500*) 1 :<>10 (60 В)
1
1
1
i
i
1
1
i
1
1
1
2Т385А-9
n-p-n
- 60 ... +125
150
~250
60
5
300
:<>100 мА
11
1
i
1
i
1
1
1
1
1
2Т385АМ-2 1 n-p-n
- 60 ... +125
300
~200
60
5
300 (500*) 1 :<>10 (60 В)
2Т388А-2
p-n -p
- 60 ... +125
300 (8О0С)
~250
50
4,5
250
:<>2 (50 В)
1
1
1
1
i
i
1
1
1
1
1
1
i
1
·1
1
1
1
1
1
'1
!1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
295
с•.
rкэ",• Ом
Кw1 дБ
tк• ПС
ь"•. ь;,э
с;2,,
r~""' Ом
r;, Ом
t~c• НС
Корпус
пФ
к~:.. дБ
Р;~х• Вт
t::кл• НС
t:::,. нс
~50* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
-
2Т381-1
~40* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
-
1,1
1t
~30* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
-
~20* (10 мкА; 5 В)
-
$40
-
-
-
~20* (10 мкА; 5 8)
-
$40
-
!
-
. ..:
'
1
:
1
1
~
1
i
1
1
бЭК
,1
'
1
40...330 (1 8: 5 мА)
$2(58)
~9** (0,4 ГГц)
$3 (400 МГц)
$15
1
2Т382
40...330 (1 8: 5 мА)
$2(58)
~5** (О,4 ГГц)
$4,5 (400 МГц)
$10
~t
30... 180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8)
$4
-
$12*
1
2Т384-2
1
1
~~ ~t
1
i
1
'1\
5К3
30...180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8)
$4
-
$12*
2Т384М-2
J
-&
7
~
1
К5Э
1,
1
1:
~ 30... 150* (! 8: 0,15 А) 1 $4(108)
$5
-
1
$60*
1
2Т385-2
'
1
1
~~~1,1
~
111-~
бКЭ
40 ... 150* (! 8; 0,15 А)
-
-
-
$60*
2Т385-9
J
0,95
1
1
~*Х
1
30 .. .150* (! 8; 0,15 А) $4(108)
$5
-
$60*
2Т385М-2
J
-&
7
~
К5Э
25 ... 100* (1 8; О, 12 А) $7(108)
$5
-
60; $60*
2Т388-2
1
~пз !
1
1
1
1
1
11\~
1
1
6кз

296
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maAt
~•• (z10•
UКБО проб'
IKmax
lкоо•
Тип
Струк- Такр.•
Р~.т 1n3At
Ii:; 1~·
U~ЭR """"' UЭБOmaAt 1:. и maxt
I~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~ и maxt
~:;.\,
U~эо """"'
в
мА
1;;;,о•
1·
мВт
Мfц
в
мкА
!i2T388A-5
p-n-p ! -60 . .. +1251
300
~250
50
4,5
250
:s;2 (50 В)
,,
11
i
1:
li
11
2Т388АМ-2 p-n-p
-60 ...+125
300 (8О0с)
~250
50
4,5
250
:52 (50 В)
!1
lf--~~~-+-~~-+-~~~+-~~~~~+-~~~--lf--~~~+-~~-+-~~~~-+-~~~~~--0
Jj2T389A-2
11
11
2Т391А-2
2Т391Б-2
2Т392А-2
l2ТЗ96А-2
ii, .
~~
2Т397А-2
11
11
'1
~2Т399А
'
1
1
1
1
1
1
:
1
1
i
1
i
:
1
1
p-n-p 1-60 . .. +1251 300 (8О 0С)
n-p -n
-60 ...+125
n-p -n
-60 ...+125
1
1
1
1
1
1
p-n-p
1
-60 ...+85
1
n-p-n 1 -60 . .. +1251
i
1
!
1
1
1
!
!
n-p-n
-60 ...+125
1
i
1
1
1
n-p-n 1-60. .. +1251
10 (85°С)
10 (85°С)
120 (65°С)
30 (5О0с)
120 (9О0С)
150 (65°С)
1
1
1
~450
~5000
~5000
~300
~2100
~500
~1800
25* ( 1к)
15
15
1 40*(10к)
15
1
1
40* (lОк)
i
1
15
4,5
2
2
4
3
4
3
1
1
1
1
300
10
10
10 (20*)
40 (40*)
10 (20*)
20 (40*)
1
1
1
!
1
:51 (25 В)
:50.5 (10 В)
:50,5 (10 В)
:50,5 (40 В)
:50,5 (15 В)
$1(40в
:s;0,5 (15 В)
1
~~

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
25 ... 100* (1 В: 0.12 А)
1
25 ... 100* (1 В; 0.12 А)
ck,
с;2эt
пФ
$7(108)
s7(10B)
25... 100* (1 В; 0,2 А)
SIO (10 В)
~20(7В;5мА)
~20(7В;5мА)
40 ... 180* (5 В: 2.5 мА)
40...250 (2 В: 5 мА)
40...300 (5 В; 2 мА)
~40~!1В;5мА)
s0,7 (5 В)
s0.7 (5 В)
s2.5 (5 В)
sl.5 (5 В)
Sl,3 (5 В)
sl.7 (5 В)
Гкэиас' Ом
r~Ha{·' Ом
к~·•. дБ
$5
$5
$3
~6**
~6**
$50
slI*
$25*
~11,5 (0,4 ГГц)
Кш, дБ
r~, Ом
Р;:" Вт
$4,5 (3,6 ГГц)
s5,5 (3,6 ГГц)
4,5 (100 МГц)
s2 (400 МГц)
tк, ПС
t~,. нс
t::клt НС
t::, нс
$60*
60; s60*
$25*; $180
$3,7
$3,7
$120
$15
$40
$8
297
Корпус
2Т388-5
1
о~
~з
1 cir:EJT
2Т388М-2
~ЩJ ~м-
/1\ -L]
5КЗ
2Т389-2
:;~у
,, ,~о
6кз
2Т391-2
2Т392-2
~~ i•
"
/11 ~l
6КЭ
2Т396-2
~~~!
5/(э
1
2Т397-2
Z2
7,5
:;4?, ~д
6кз
2Т399
~Ei!l5,8 з
~ Корл~б
t:1
~

298
1
~
~ Типприбора
2Т504А
2Т504Б
2Т504А-5
2Т504Б-5
2Т505А
2Т505Б
11
li
1
l2T505A-5
!2Т506А
.2Т506Б
2Т506А-5
2Т509А
1
2Т509А-5
~
!
1
1 Струк-1 Токр.•
1
тура
1
1
n-p -n
n-p -n
:
1
1 n-p-n
n-p -n
p-n-p
p-n-p
:
:
p-n -p
1
1
1
1
n-p -n
n-p -n
!·с
i
1-60" .+125
-60 ...+125
1
1-60 " .+125
- 6 0".+125
- 60".+125
- 60".+125
- 60".+125 !
i
-6 0 " .+1251
- 60".+125
i
pKm41,11:t
P~.tmJiiA'
р~~ и ma.xt
мВт
1 (10*) Вт
1 (10*) Вт
0,025 ( 1О*) Вт
0,025 (10*) Вт
1 (5*) Вт
1 (5*) Вт
1 (5*) Вт
0,8 ( 10*) Вт
0,8 (10*) Вт
n-p -n
-60". +125 f 0,8 (10*) Вт
p-n -p
- 60".+125 1 0,3 (1 *) Вт
i
1
1
i1
1
p-n -p
-40".+85
0,025 ( 1*) Вт
1
1
1
1
i
1
i1
1
1
1
i
1
1
1
1
~•• t .:210•
~:;lэ'
t"
"'
МГц
~20
~20
~20
~20
~20
~20
~20
~10
~10
~10
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО щюб•
U~ЭR проб•
u~проб•
в
1(2*)А
1(2*)А
1
400; 350*
200* (0,1 к)
300* (0.1 к)
250* (О, 1к)
1
1
i
1 300* (О, 1к)
1
1
1
1
800
600
800
1
1 u'",;•"
1
1
1
1
6
6
6
6
5
5
5
5
5
5
1450*(lОк)1 5
1
1
1
1
1
1
1
450* ( 10к)
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
i1
1
1
1
i
i
i
1
JKm•).
1:.н maA'
мА
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
1(2*)А
2(5*)А
2(5*)А
2(5*)А
20
20
1
1
1
!
1
1
i
1
1
:
1
1
!
i
i1
i
lкю•
I~ЭR•
1~,
мкА
SlOO (400 В)
SlOO (250 В)
SlOO (400 В)
SlOO (250 В)
SlOO (300 В)
SlOO (250 В)
SlOO (300 В)
SlOOO (800 В)
S200 (600 BI
SlOOO (800 В)
s5 (500 В)
s5 (500 В)
<
i
1

!
1
1
!
;
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
h~i'' h~ 13
15... 100* (5 В; 0.5 А)
15... 100• (5 В; 0.5 А)
i5...100• (5 В; 0.5 А)
15... lOO• 15 В: 0.5 А)
25...140* (1О В; 0.5 А)
25...140* (10 В; 0,5 А)
25 ... i40• !10 В: 0.5 А)
30...150* (5 В; 0,3 А)
30...150* (5 В; 0.3 А)
30...150' (5 В; 0.3 А)
с,,
c;2j•
пФ
s30 (10 В)
s30 (10 В)
s30 (10 В)
s30(IOB)
s70 (5 В)
S70 (5 В)
S70 (5 В)
s40 (5 В)
s40 (5 В)
s40 (5 В)
15 ... 100 (10 В; 0.1 мА) s2,9 (100 В)
15 ... 100 (10 В; 0,1 мА) s2,9 (100 В)
i
11
1
1
1
1
1
1
Гкэ11ас' Ом
r~энdt·' Ом
к:· •. дБ
$2
s2
$3,6
$3,6
$3,6
lОк
lОк
1
1
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:,, Вт
1
1
1
!
1
1
-
t111ПС
t~,"l, нс
t::.~кл• НС
t:·:,. нс
$2700•
$2700'
$2700*
$2700'
$2600*
$2600*
$2600*
$1560*
$1560*
$1560*
S500
$500
299
Корпус
2Т504
2Т504-5
1
0,32
-ШТ
2Т505
2Т505-5
1
1
1
0,32
-rВТ
2Т506
2Т506-5
2Т509
'<>~
/(
з
..
tw:.
С'1
б
2Т509-5
1
0,32
-ШТ 1
1:
1'
~
'
~

300
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pl\1m1\I
1
~11• ~2161
UКБО nμui1I
lк m.111:
lкьо •
Тип
Струк- Токр.о
P~.тin.ixl
~:;11•
u~ЭR npol1I
UЭБOmaxl I"
I~ЭR•
прибора
тура
·с
р~:ИIП.~\1
~;;~,
u~эо ,,, .,..
в
К, и 111.ix'
I~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т528А-9
n-p-n 1-60...+125
600
-
100*
-
2000
-
i
2Т528Б-9
n-p -n
-60 ...+125
600
-
80*
-
2000
-
2Т5288-9
n-p -n
-60 ...+125
600
-
50*
-
2000
-
2Т528Г-9 1 n-p-n i -60 ...+125
600
-
30*
-
2000
-
!12Т528Д-9 1 n-p-n 1 -60 . . . +1251
600
-
12*
-
2000
-
11
1
1
1
1
1
11
1
1
i!
1
11
1
1
2Т602А
n-p-n
-60 ...+125
0.85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
SIO (120 В)
2Т602Б
n-p-n
-60 ...+125
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
slO (120 В)
1
1
1
~
1
!
1
1
2Т602АМ
n-p-n
-60 ...+125
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
slO (120 В)
2Т602БМ 1
n-p-n
-60 ...+125
0,85 (2,8*) Вт
~150
120
5
75 (500*)
SIO (120 В)
1
1
1
1
1
1
1
11
~
1
!
1
'
12Т603А 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 О,5 Вт (50°С)
~200
30* ( 1к)
3
1 300(600*) ! s3(30В)
~
12Т603Б 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 о.5 Вт (50°С)
~200
30* ( 1к)
3
300 (600*)
s3 (30 В)
12Т6038 1 n-p-n 1-60 . . . +125 О,5 Вт (50°С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
s3 (15 В)
2Т603Г
1
n-p-n
-60 ...+125 О,5 вт (50°С)
~200
15* (lк)
3
300 (600*)
s3 (15 В)
2Т603И
n-p-n 1-60 . . . +125 о.5 Вт (50°С)
~200
30* ( 1к)
3
300 (600*)
s3 (30 В)
2Т606А
n-p -n
-60 ...+125 2,5** Вт (40°С)
~350
65
4
400 (800*)
Sl,5* (65 В)
1
!
i
1
1
1:
'
2Т607А-4
n-p-n
-60 ...+125
1,5 Вт
~700
40
4
150
sl (30 В)
'
1
~
2Т608А
-60 ...+125
0.5 Вт
~200
60
1
4
400 (800*)
1
SIO (60 В)
1:
n-p-n
1
'
l2Т608Б
n-p-n 1-60 . . . +1251
0,5 Вт
!
~200
60
1
4
400 (800*)
1
SIO (60 В)
·!
~
1
1
i!
~
1
1
1
!1
ii
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
301
ck,
fкэнас' Ом
Кш, дБ
t" пс
h21"t ь;IЭ
с;2э'
r~Энас' Ом
r~, Ом
(те' НС
Корпус
пФ
К~',. дБ
Р;~", Вт
•::кл' НС
t::,, нс
20...200 (5 В; 1 А)
-
$0,4
-
300*
2Т528-9
20...200 (5 В; 1 А)
-
$0,4
-
300*
50...250 (5 В; 1А)
-
$0,4
-
300*
4,6
-
1,6
50...250 (5 В; 1 AJ
-
$0,4
-
300*
1
1 50...250 (5 В; 1 AJ
-
$0,4
-
1
300*
~t~-Pw \tt ~
i
1
1
1
~-
5
0,4
1
1
~"' 11 O..f.f
i
~5.
1,5
0,48
20...80 (10 В; 10 мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
2Т602
<':50(10В; 10мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
:1~1~у
1
1
к
1
20...80 (10 В; 10 мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
2Т602М
<':50 (10 В; 10 мА)
$4 (50 В)
$60
-
$300
Q~=~
20...80* (2 В; 15 А) 1 $15 (10 В)
$7
-
$400; $70*
2Т603
<'::60* (2 В; 0.15 А) 1 $15 (10 В)
$7
-
1
$400; $70*
20...80* (2 В: 0.15 А) 1 $15 (10 В)
$7
-
$400; $70*
:I~1<Ф.
1 <'::60* 12 В: 0.15 AJ
1 $15(!ОВ)
$7
-
$400; $70*
2 <':20*t2В;0.35AJ i $15(10В)
$3,4
-
$400; $70*
~
1
1
'
1
1
i
к
<':15* (10 В; 0,1 А)
$10 (28 В)
$5; <':2,5**
;:.:О,8** (0,4 ГГц)
$10
2Т606
\
:~~
fl.....
6
-
1 $4(108)
<':4** (1 ГГц)
<':I ** (1 ГГц)
$18
2Т607-4
_j~'к
.
6,~ 6
25...80* (5 В; 0,2 А)
$15 (10 В)
$2,5
-
$120*
2Т608
50...160* (5 В: 0.2 А) $15 (10 В)
$2,5
-
$120*
'
:No6<Ф3
1
1
к

302
Тип
прибора
~2Т610А
112Т610Б
~!
1
2Т624А-2
1
!
i Струк
тура
i
i
n·p ·n
n-p -n
n·p ·n
11
!
12Т624АМ-2 1 n-p -n
i2T625A-2
1!2Т625Б-2
11
li
11
11
2Т625АМ-2
2Т625БМ-2
li2T629A-2
'1
1
n·p·n
n·p·n
n·p·n
n·p·n
Такμ,
·с
-6 0 ... +1251
-6 0 ... +125
-6 0 ... +125
1
1
1
!
1 -60 ...+125 1
1 -60 ...+125 1
-60 ...+125 1
1
1
1
-6 0 ... +125
-60 ...+125
2Т629А-5
p·n ·p
-60 ...+125
2Т629АМ-2 p-n -p
-60...+125
1
1
pl\llld\'
~,,, ~:216'
Р~. т rn""'
~:;1 t'
р~~ 11 md"'
~~·;,'
мВт
МГц
1,5 Вт (50°С)
~1000
1,5 Вт (50°С)
~700
1
1Вт
~450
1Вт
~450
1Вт
~200
0.7 Вт (125°С)
~200
1Вт
~200
0,7 Вт (125°С)
~200
1Вт
~250
1000
~250
1Вт
~250
J
1
1
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО Про(J' 1
!
U~ЭR "pu6'
1 Uэьо ma"'
u~эо"''°'" 1 в
в
i
1
26
4
26
4
30
4
1
30
4
40* (5к)
5
40* (5к)
5
40* (5к)
5
40* (5к)
50* ( lк)
4,5
50
4,5
60
4,5
Ik.m",,,
1~. н ma"''
мА
300
300
1000 (1300*)
1000 (1300•) 1
!ООО (1300*) 1
IA(l,3 •A) 1
1
1
'
1000 ( 1300*)
1А(1,3*А)
1000
1000
!
!А
IКЬО'
I~ЭR•
I~эо•
мкА
:<>0,5 (20 В)
:<>0,5 (20 В)
:<>100 (30 В)
$\00 (30 BJ
:<>30 (60 В)
$30 (60 В)
:<>30 (60 В)
:<>30 (60 В)
:<>5 (50 В)
$5 (50 BJ
$5 (50 В)
1
1
:1
i!

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
303
i
1
1
1
1
~
rКЭнасt Ом
' tll.1 пс
1
1;
1
с..
Кш, дБ
u
t~1.• НС 1
~
!
h21з• ь;.э
С~2,•
r~эн~• Ом
r~. Ом
1
Корпус
~
пФ
к~·v, дБ
Р;~". Вт
t::мt НС
i
t:::, НС
50 ... 250* (10 В; 0.15 А) :s;4,l (10 В)
-
6 (0.2 ГГц)
:s;35
2Т610
20 ... 250* (10 В; 0,15 А) :s;4,l (10 В) ~6.4** (0,4 ГГц)
6 (0.2 ГГц)
:s;l8
~
с-..
~
,....,
~
"&.
·З
~g 12,1
20,5
i
30... 180* (0.5 В: 0.3 А) 1 :s;l5 (5 В)
:s;9
-
1
:s;I8
i
2Т624-2
~
:
i
1
;
1
~~ ~t
1
1
1
~
1
1
1
1
1
1
1
11\
5К3
30... 180* (0.5 В; 0,3 А)
:s;l5 (5 В)
:s;9
-
:s;18
2Т624М-2
J
1
'
-ffiF ~ 1!
1
1
!i
1
i
i
К5Э
1
'
1
1!
!
.1
30...120* (1 В: 0.5 А) 1 :s;9 (10 В)
:s;2.4
1
:s;60
2Т625-2
·1
-
1
11
i20...i20* (500мА: 1В) i :s;9 (10В) 1
:s;l,3
-
1
:s;60
~~;!1
1
1
1
1
'
1
1'\~
5кз
30... 120* (1 В; 0.5 А)
:s;9 (10 В)
:s;2,4
-
:s;60
2Т625М
20... 120* (500 мА: 1 В)
:s;9 (10 В)
:s;l,3
-
:s;60
~
1
1
1
J
7
1
1
1
-ffiF ~
К5Э
25...80* (1.2 В: 0.5 А)
:s;20 ( 1О В)
:s;l,6
:s;l20; 90*
2Т629А-2
~~у
,, '~о
5кз
25...150* (5 В: 0.5 А)
:s;25 (1 О В)
90*
2Т629А-5
25...80* (1.2 В; 0,5 А)
:s;20 (10 В)
:s;l,6
2Т629АМ-2
~~у
",~о
5кз

304
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
1
Рк rna). '
~р• ~••••
UКБО ороб'
lкw•
IKmax
Тип
Струк- Токр.,
Р~. тmа).'
~;lэ'
u~ЭR ороб' UЭБОmах' J~. и max'
I~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~и ma).'
~:;х,
u;эо проб'
в
мА
1;эо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т630А
n-p -n
- 60 ... +125
0,8 Вт
<'::50
120
7
1000 (2000*)
$\ (90 В)
2Т630Б
n-p -n
-60 ... +125
0,8 Вт
<'::50
120
7
1000 (2000*)
:Sl (90 В)
1
1
1
1
1
!1
i1
11
!
1
!
!
1
'2Т630А-5
n-p-n 1-60 ... +125
0,8 Вт
;:>:50
120
7
1000 (2000*)
sO,l (90 В)
2Т632А
p-n-p
-60 ... +125
0,5 Вт (40'С)
<':200
120* (lк)
5
О, 1 А (0,35*А)
:Sl (120 В)
.
~
1
1
1
12Т633А n-p-n
- 60 ... +125
1,2* Вт
<'::500
30
4,5
200 (500*)
s3 (30 В)
i
'
2Т634А-2
i n-p -n 1-60.. . +125
1,2 Вт
<':1500
50
3
150 (250*)
:Sl мА (30 В)
1'
1
1
1'
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т635А
n-p-n
- 60 ... +125
0,5 Вт
<':250
60
5
1 {1,2*)А
:SIO (60 В)
1
1
1
i2T637A-2 ! n-p-n
-60 ... +100
1,5 Вт
<':1300
30
2,5
200 (300*)
sO.l мА (30 В)
1
2Т638А
n-p-n
-60 ... +125
0,5 Вт; 1•• Вт
<':200
120* (lк)
5
O,IA (0,35* А) 1 sO.l мА (120 В)
1
1
~
1
1
~
1
1
1
1:
1
~
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
!40... 120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В)
80... 240* (10 В: 150 мА) :!>15 (IO В)
40.. .120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В)
~50(1мА;10В)
1 :!>8 (20 В)
40.. .140 (1 В; 10 мА) ~4.5 (10 В)
rкэиас:' Ом
r;Эиас:' Ом
к:~.. дБ
:!>25
$5
:!>2,5 (15 В) ~1,4** (5 ГГц)
25...150* (1 В; 0,5 А)
:!>10 (10 В)
30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В)
~50(1В;10мА)
:!>8 (20 В)
20зак 9
Кш• дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
~5*
~5*
~5·
:!>6 (20 МГц)
~О.45** (5 ГГц)
~0.5•• (3 ггц)
'tKI пс
~~,.нс
tаыклt НС
t::, нс
:!>500**
$500**
$500**
:!>100; :!>2000*
$13*; $18**
:!>58; :!>60**
$25; 1* мкс
305
Корпус
2Т630
1
2Т630-5
~rEJГ
2Т632
2Т633
2Т634-2
~з~
~t ~1+w6
2Т635
2Т637-2
2Т638

306
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах1
1,,,. (210•
UK50npoб'
lк max
lкоо,
Тип
Струк· Токр.,
Р~.тmах1
t1э•
U~Rnpoб• UЭ&Omax• 1;, и max•
·~Rt
прибора
·с
р~кmах•
с
u;эо проб•
в
•••
тура
х•
мА
КЭО•
1
мВт
мrц
в
мкА
!
2Т640А-2
п-р-п 1 -60 .. . +125 I 0,6 Вт (60°С)
~3 ГГц
25
3
60
1 ~О.5 мА(25В) 1
1
i
1
!
1
1
1
2Т640А1-2 п-р-п
-60 ...+125
0,6 Вт (6О0С)
~3 ГГц
25
3
60
~0.5 мА (25 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т640А-6
п-р-п
-60 ...+100
0,6 Вт (60°С)
~3 ГГц
15
3
30
~0.5 мА (25 В)
!
i
1
1
!
!
~
1
i
1
1
2Т640А-5 1 п-р-п l -60 .. . +100
0,6 Вт (60°С)
~3 ГГц
15
3
!30
1 ~0.5 мА(25BJ
1
'
1
2Т642А-2
п-р-п
-60 ...+125
500 (75°С)
-
20
2
60
~1мА(20В)
1
i
1
1
1
1
2Т642А1-2
1
п-р-п 1 -60 .. . +1251
350
3600
15
2
40
~500 (15 В)
2Т642Б1-2 п-р-п
-60 ...+125
350
3600
15
2
40
~500 (15 В)
2Т64281-2
п-р-п
-60 ...+125
230
-
15
2
40
~О.5 мА (15 В)
2Т642П-2
п-р-п -60 .. . +125
230
-
15
2
40
~О.5 мА (15 В)
2Т642А-5
п-р-п
-60 ...+125
500
-
20
2
60
~1мА(20В)
2Т642А1-5
п-р-п -60 .. . +125
500
-
20
2
60
~1мА(20BJ
1
ll
1
1
q
1
1
1
1
2Т64ЗА-2
1
п-р-п -60 ...+125 1 1,1Вт (50°С)
-
25
3
1
120
~1мА(25В)
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения .
307
ck,
fкэнас:' Ом
Кш, дБ
tK• ПС
h21э' ь;IЭ
с;2~·
r~нас:' Ом
r~, Ом
f~c' НС
Корпус
пФ
к:·•. дБ
Р;:х, Вт
•::кл, НС
•::, нс
1
:?:15* (5 В; 5 мА)
:>1,3 (15 В)
1
:?::6* * (7 ГГц)
:>8 (6 ГГц); :?:0,1 **
1
0,6
2Т640-2
1
1
1
{f ',
1
1
1
1
1
r
1
1
1
1Н9
,,
1
1
11
~
1
1
1
•,
1
1
1
1
1
1
1
1
О)з
1
1
1
:?:15* (5 В; 5 мА)
:>1,3 (15 В) 1 :?::6** (7 ГГц)
:?:65** мВт (7 ГГц)
0.6
!
2Т640-1-2
1
1
'
1'
1
:tr~rйP '
:?:15* (5 В; 5 мА)
:>1,3 (15 В)
:?::6** (7 ГГц)
:?:65** мВт (7 ГГц)
0,6
2Т640-6
i
1
1
'lМ
n
!
1
1
ltJ~'flIO·
,~
:?:15* (5 В: 5 мА)
:>1,3 (15 В)
:?::6** (7 ГГц)
:?:65** мВт (7 ГГц)
1
0,6
2Т640-5
11
1
~11
1
,,
i
1
!
1
1
,,
'
."
•
;
:>1,1 (15 В)
:?:3,5* * (8 ГГц) :?::100** мВт (8 ГГц)
2Т642-2, 2Т642-1-2
:>1,1 (15 В) :?:9** (2,25 ГГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:tr~rйP
:>1,1 (15 В) :?:8** (2,25 ГГц)
:>4,5 (2,25 ГГц)
:?::6** (3,6 ГГц)
:>5 (3,6 ГГц)
:?:5,5** (3,6 ГГц)
:>5,5 (3,6 ГГц)
:>1,1 (15 В)
:?:3,5** (8 ГГц)
:?::0,1 ** (8 ГГц)
2Т642А-5, 2T642-l-5
:>1,1 (15 В)
:?:3,5** (8 ГГц)
:?::0,07** (8 ГГц)
0,45
0,1
нВТ
:>1,8(15В)
:?:0,48** (7 ГГц)
2Т643-2
:tr~rйP
20·

308
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Рк max•
~,. \210•
UКБО npo61
lк max
JКБО•
Тип
1 Струк· Токр.,
Р~. тmа>.1
~;lэ'
U~R проб' UЭБО п1ахt 1;,н m<1xt
·~R•
прибора
тура
·с
p~~иma>.t
~:;),,
u~""""' в
•••
мА
КЭО•
1
1
мВт
МГц
в
мкА
2Т643Б-2 i n-p-n 1 -60 ...+125
1.1 вт (50°С)
-
25
3
120
:<;1 мА (25 В)
1
1
1
~2Т643А-5 i n-p -n 1-60. . . +125
1.1 вт (50°С)
-
25
1
3
120
:<;I мА (25 В)
1
i1
1
1
1
2Т647А-2
n-p-n
-60 ...+125 О,56 вт (8О0С)
-
18
2
90
1000 (18 В)
2Т647А-5
n-p-n
-60 ...+125 О,56 вт (8О0С)
-
18
2
90
1000(18В)
2Т648А-2
n-p-n
-60 ...+125
420 (45°С)
-
18
2
60
:<;1 мА(18В)
1
1
2Т648А-5
!n-p-n 1 -60 ...+1251
420 (45°С)
-
1
18
2
60
1
:<;1 мА (18 В)
1
!
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
2Т649А-2
n-p-n
-60 ...+125
1,5 Вт
~1.3 ГГц
30
2,5
200
-
2Т652А
n-p-n
-60 ...+125
1 Вт (50°С)
~200
50
4
1А(2*А)
:<;300 (50 В)
1
1
2Т652А-2
n-p -n
-60 ...+125 О,5 Вт (50°С)
~200
50
4
1А(2*А)
:<;300 (50 В)
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
150... 150* (10 В; 50 мА) 1
1
1
:51,8 (15 В)
1
~.8 (15 В)
:51.5 (15 В)
:51,5 (15 В)
:51,5 (10 В)
:51,5 (10 В)
20...90* (5 В; 50 мА)
:53
25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В)
25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В)
rкэнас• Ом
r~нас• Ом
к;,, дБ
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:х• Вт
:?:0,48•• (7 ГГц)
:?:0.48* • (7 ГГц)
:?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц)
:?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц)
3•• (12 ГГц)
50** мВт (12 ГГц)
3** (12 ГГц)
50** мВт (12 ГГц)
3** (12 ГГц)
:?:0,4** (3 ГГц)
."пс
~~·нс
t·~:л· нс
tвкл• НС
:s;1 оо•
309
Корпус
2Т643-2
2Т643-5
0,45
0,1
~шт
2Т647-2
2Т647-5
0,45
0,1
~шт
2Т648-2
2Т648-5
0,5
0,1
~шт
2Т652
з~ 2.<
11\ t::r
ЗКо
2Т652-2
~~у
,,,~о
зк5

310
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmак'
~•• ~216'
UКБО про<>'
lк max
lкБО•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmа"'
~:;,~,
U~ЭR проб• UЭБО max'
1~. н maA'
I~ЭR•
прибора
тура
·с
p~~нmaxt
~~;х,
u;эо проб•
в
мА
1;_;,о,
мВт
МГц
в
мкА
2Т653А
n-p-n
-60 ...+125
5 Вт (40°С)
2:50
130
7
1 А (2А*)
10* (120 В)
2Т653Б
n-p-n
-60 ...+125
5 Вт (40°С)
;,:50
130
7
1 А (2А*)
10* (100 В)
'
i
11
1
1
!
1
1
1
1
1
2Т657А-2 1 n-p-n 1 -60 ...+1251
375
;,:3 ГГц
12*
2
60
:51 мА (12 В)
2Т657Б-2
n-p -n
-60 ...+125 1
375
2:3 ГГц
12*
2
60
:51 мА (12 В)
2Т657В-2
n-p-n
-60 ...+125
375
2:3 ГГц
12*
2
60
:51 мА (12 В)
!
2Т658А-2
p-n-p
-60 ...+125
600 (60'С)
2:4 ГГц
12* (lк)
3
75 (150*)
1
:50.5 мА (15 В)
2Т658Б-2 1 p-n-p 1 -60. . . +1251
600 (6О0С)
2:4 ГГц
в· (lк)
3
75 (150*)
:50.5 мА (10 В)
2Т658В-2
1
p-n-p
-60 ...+125
600 (60'С)
2:2 ГГц
15* (lк)
3
75 (150*)
:50.5 мА (20 В)
2Т663А
p-n-p
-60 ...+100
400
2:300
50*
3
250
:50,5 (45 В)
2Т663Б
p-n-p
-60 ...+100
400
2:300
25*
3
250
:50,5 (25 В)
1
1
1
i
1
1
i1
1
1
1
1
1
1
2Т664А9-1
p-n-p
-6 0".+100 l
1• Вт
2:140
120
5
:51 А (1,5* А)
:510 ( 100 В)
2Т664Б9-1
p-n-p
-6 0".+100
!*Вт
2:140
100
5
:5IA(l,5*A)
:510 (100 В)
11
1
1
1
2Т665А9-1 n-p-n 1-60 ". +100
!*Вт
2:50
120
5
1
IA
:510 (100 В)
2Т665Б9-1 n-p-n
-6 0".+100
1• Вт
2:50
1
100
5
1
!А
:510 (100 В)
1
1
1
~
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
!
'
2Т669А
:55 (50 В)
n-p -n
-6 0".+125
500
2:200
50
4
400: 800*
~
!
1
1
1
.,
1
i
1
1
,;
,.
1
·'
1
1
1!
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
li 40...150 (150 мА; 10 8)
80 ... 250 (150 мА: 10 8)
60...200 (6 8; 30 мА)
35...70 (6 8; 30 мА)
~20* (50 мА; 5 8)
~30* (50 мА; 5 8)
~20* (50 мА; 5 8)
20...80* (5 8; 50 мА)
20...80* (5 8; 50 мА)
40...250* (2 8; 0.1 А)
40...250• (2 8; О,1А)
40...250 (2 8; О,15 А)
40...250 (2 8; 0,15 А)
$20 (10 8)
$20 (10 8)
$1,1 (15 8)
$1,1 (15 8)
$1,1 (15 8)
$2(108)
$2(108)
$2(108)
$12
$12
$25 (5 8)
$25 (5 8)
$25
$25
50...160 (5 8; 200 мА) 1 $15 (10 8)
rкэнас' Ом
r~нас' Ом
к~· •. дБ
$3,3
$3,3
~8** (2 ГГц)
~8** (2 ГГц)
~8** (2 ГГц)
~6** (1 ГГц)
~6** (1 ГГц)
~6** (1 ГГц)
$3; 8*
$3; 8*
$2,3
$2,3
$2,5; $5*
Кw,дБ
r;, Ом
Р;~х' Вт
~О.05** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
~О.05** (2 ГГц)
$7,8 (1 ГГц)
$7,8 (1 ГГц)
$7,8 ( 1 ГГц)
i:" пс
~~,. нс
f•ыклt НС
•:.нс
$1** мкс
$1 ** мкс
$700**
$700**
$500**
$500**
$100*
Корпус
2Т653
2Т657-2
2Т658-2
2Т663
2Т664-9
Ч,6
311
-
1,6
~i~~~ ,1)- ~ '
..,,.
5
д*
~" 111 O.SJ
448 ~5.
1,5
2Т665-9
Ч,6
-
1.6
~i~~~ ,f- ~·
..,,.
5
д*
~"" IMJ
448 1.5.
1,5
2Т669

312
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i[
1
'
Рк m"x'
~,. ~210•
UКБО п,,оо•
lкБО•
11
Тип
1 Струк-1 Такр.•
р·
\;lэ'
U~ЭR п,,оо• UЭБО mал t
lк max
I~ЭR•
К, т maxt
1~, И ffiilX t
прибора
1
тура
·с
р~~ и maxt
~::х'
U~эоп,,оо•
в
I~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т669А1
n-p-n
-60 ...+125
225
:?:200
50
4
300; 600*
:>:5 (50 В)
1
ii1
2Т671А-2
n-p-n
-60 ...+125
900
:?:2 ГГц
15
1,5
150
:>:1 мА (15 В)
2Т672А-2
n-p-n
-60 ...+125
1* Вт
:?:200
50
4
1А;2*А
-
1
2Т679А-2
p-n-p
-60 ...+125
1,5* Вт
:?:300
50* (lк)
3
0,5А;1*А
:>:1 (50 В)
2Т679Б-2
p-n-p
1,5* Вт
:?:300
25* (lк)
3
0,5А;1*А
:>:1 (25 В)
'
i
2Т679А-5
p-n -p
-60 ...+125
1**Вт
:?:300
50
3
0,5А;1*А
:>:1 (50 В)
2Т679Б-5
p-n -p
1**Вт
:?:300
25
3
0,5А;1*А
:>:1 (25 В)
2Т682А-2
n-p-n
-60 ...+125
350
:?:4,4 ГГц
10
1
50
:>:1 (lOB)
2Т682Б-2
n-p-n
-60 ...+125
350
:?:4,4 ГГц
10
1
50
:>:! (lOB)
2Т687АС2
p-n-p
-60 ...+125
1,5 Вт
300
70
3
1,5{3*)А
:>:2 мА (50 В)
2Т687БС2
p-n-p
-6 0". +125
1,5 Вт
300
60
3
1,5{3*)А
:>:2 мА (50 В)
2Т688А2
n-p-n
-60 ...+125
750
-
16
1
100
:>:1 мА (16 В)
2Т688Б2
n-p-n
-60 ...+125
750
-
16
1
100
:>:1 мА (16 В)
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
40... 180 (2 В; 70 мА)
30... 120
20...80 (2 В; 0,5 А)
20...80 (2 В; 0,5 А)
20... 80 (2 В; 0,5 А)
20...80 (2 В; 0,5 А)
40...75 (7 В; 2 мА)
80... 120 (7 В; 2 мА)
20...90* (5 В; 0,3 А)
20...90* (5 В; 0,3 А)
20...90* (5 В; 0,3 А)
20...90* (5 В; 0,3 А)
$15 (10 В)
1,45 (8 В)
$30 (10 В)
$30 (10 В)
$30 (10 В)
$30 (10 В)
$0,9 (10 В)
$0,9 (10 В)
$1,1 (8 В)
$1,1 (8 В)
rкэ и.ас' Ом
r~э нас' Ом
к~· •. дБ
$9; $17*
~4.8**
$1,6; $3*
$1,6;$3*
$1,6
$1,6
~7** (3,6 ГГц)
~7** (3,6 ГГц)
$3,3
$2,6
~1.6** (15 ГГц)
~1.6** (12 ГГц)
Кш, дБ
r~, Ом
Р;~х' Вт
~0.3** (8,5 ГГц)
$4 (3,6 ГГц)
$4 (3,6 ГГц)
~О.04** (15 ГГц)
~О.08** (12 ГГц)
tк, ПС
~~ас' НС
tаыклt НС
t::, нс
$150; $100* 1
1
$60*; <200**
$60*; <200**
$60*
$60*
70
70
313
Корпус
2Т669
2Т671-2
2Т672А-2
~~\~!
5кз
2Т679-2
~~*
/1\ ~l]
бКЗ
2Т679-5
0,45
0,1
~шт
2Т687-2
~i'Щ
Б~42Б
э
·
~э
к
qк
2Т688-2
f
G

314
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1Струк-1
Ркmах•
~•• (216•
UКБО проб•
lк max
1
•коо•
Ти.п
Токр.•
Р~. т max•
(;1~·
U°КЭR проб• UЭБОmах• 1;. и max•
J~Rt
прибора 1
1
·с
р~: и max•
~:;х•
U".:ЗО проб'
в
•••
тура
мА
i
кэо•
1
1
мВт
мrц
в
мкА
1
i
1
i
i
1
•
l2T691A2
1!
&
р-п-р i-60 ...+125 1
1
1
1200
~3 ГГц
40
3
200
SlмА(40В)
1
i
:
i
'
1
i
!
1
!
'
1
!
1
1
!
!
:
1
1
R
;
1
'
1
1
i
!
!
;
1
1
1
2Т693АС
п-р-п
-60 ...+125
750
-
150*
5
150
SlO (120 В)
1
1
1
!
1
1
1
1
1
i
1
i
1
1
1
1
~
1
1
:
!
1
1
1
1
1
1
1
1
'
1
1
15* Вт (50°С)
!
1 500** i
i 2,5(4*)А 1 S5*мА(1000В)
2Т704А
п-р-п 1-60 ...+100
~3
4
;
j (1000 имп) 1
i
1
2Т7046
п-р-п i -60 .. . +100
15* Вт (50°С) 1
~3
1 400*
1
4
1
2.5(4*)А 1 S5*(700В)
1
1
(700 имп)
1
1
1
2Т708А
р-п-р -60 .. . +125
0,7 Вт
~3
100* (lк)
5
12,5А(5А*)
Sl мА (100 В)
2Т7086
р-п-р
-60 ...+125
0,7 Вт
~3
80* (lк)
5
1
2,5А(5А*)
SlмА(80В)
2Т7088
i р-п-р 1 -60 ...+125 1
0,7 Вт
1
~3
60* (lк)
5
2,5А(5А*)
SlмА(60В)
1
!
1
'
1
1
1
1
;
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
!
i
1
1
1
1
2Т709А
р-п-р -60 ...+125
2 (30*) Вт
~3
100
5
10 (20*) А
Sl мА (100 В)
2Т7096
р-п-р
-60 ...+125
2 (30*) Вт
~3
80
5
10 (20*) А
SlмА(80В)
2Т7098
р-п-р -60 ...+125
2 (30*) Вт
~3
60
5
10 (20*) А
SlмА(60В)
1
1
2Т709А2
1
р-п-р -60 .. . +100
1 (30*) Вт
~3
100
5
10 (20*) А
Sl мА (100 В)
2Т70962
р-п-р -60 .. . +100
1 (30*) Вт
~3
80
5
10 (20*) А
SlмА(80В)
2Т70982
р-п-р
-60 ...+100
1 (30*) Вт
~3
60
5
10 (20*) А
SlмА(60В)
2Т713А
n-p-n
-60 ...+100
50* Вт
~1.5
2,5 кВ
6
ЗА
Sl мА (2,5 кВ)
1
1
1
i
1
1
1
1
1
2Т716А
n-p-n
-60..+125
30* Вт
~6
100
5
10 (20*) А
Sl мА (100 В)
2Т7166
п-р-п
-60 ...+125
30* Вт
~6
80
5
10 (20*) А
SlмА(80В)
2Т716В
n-p-n
-60 ...+125
30* Вт
~6
60
5
10 (20*) А
s1· мА (60 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
315
~
1
Ck,
rКЭн.1с' Ом
Кш1 дБ
tк, ПС
~
h21.• ь; ,э
с;2"•
r~эн.аL·' Ом
r;, Ом
f~atf НС
Корпус
!1
пФ
к:· .. дБ
Р;:,, Вт
t::кл' НС
,,
1
t::, нс
i
1
'
1
11
~20(1ОВ;50мА)
1
SЗ,5 (10 В)
~6.6**
s4 (1 ГГц)
-
2Т691-2
!1
!!
1
'
1
~t~
~!
1
"':>'
~
'Q
.....
6
1
~40(5В;0,1А)
!
-
S4
-
-
2Т693АС
1
1!
<fflffi'h3
'1
,___!! __ _
!:
,,
1
" 11rr1••
11
"
;шш1 ~
~
!
1•
;
10... 100* (15 В; 1 А)
s50 (20 В)
S2,5
2Т704
10... 100* (15 В; 1 А)
S50 (20 В)
S2,5
:rt~11
....
19.5
~500*(2А;5В)
SI
$4** мкс
2Т708
~750•(2А:5В)
SI
$4** мкс
~Еiк~з
~750*12А;5В)
sl
S4** мкс
~500*(5А;5В)
s230 (5 В)
S0,4
S4.5** мкс
2Т709
~750*(5А:5В)
S230 (5 В)
s0,4
$4,5** мкс
5No
~750*(5А;5В)
S230 (5 В)
s0.4
S4,5** мкс
~
....
~
~
~'
~500·15А;5в>
s250 (5 В)
S0,4
2Т709-2
~750•(5А;5В)
S250 (5 В)
s0,4
:ft
~750*(5А;5В)
S250 (5 В)
s0,4
ЭК5
5...20* (10 В; 1,5 А)
s0,66
Sl5* мкс
2Т713
27,1 ~
~No!/ ~.
~750*(5А;5В)
Sl50 (5 В)
s0,4
:>;7000**
2Т716
~750*(5А;5В)
Sl50 (5 В)
S0,4
S7000**
5'
~750*(5А;5В)
Sl50 (5 В)
s0,4
S7000**
~
....
~
~
~'

316
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Ркmах•
~•• (210•
UКБО npo0•
1
•коо•
lк max
1
Тип
Струк- Токр.1
Р~.тmах•
~;lэ•
U~ЭR npo6'
UЭБО max•
1
J~R'
1~.и max•
прибора
тура
·с
р~: и max•
с..
u~npoб•
в
мА
·~·
мВт
МГц
в
мкА
2Т716А-1
п-р-п
-60...+100
30* Вт
?:3
100
5
10А
~1 мА (100 В)
2Т716Б-1
п-р-п
-60 ...+100
30* Вт
?:3
80
5
10А
~1мА(80В)
2Т716В-1
п-р-п
-60...+100
30* Вт
?:3
60
5
10А
~1мА(60В)
1
1
1
1
1
!
1
~2Т718А
1
п-р-п 1 -60 ... +125 i
200* Вт
1
?:0,2
400
5
10(12*)А i ~0.2мА(400В)
J2Т718Б
п-р-п 1 -60 ...+125 i
200* Вт
?:0,2
1
300
5
1 10(12*)А 1 ~О.2мА(300В)
1
i
1
1
i
'
1
1
:
1
1
2Т803А
п-р-п -60 . .. +125
60* Вт
?:20
60* (О, 1к)
4
10А
~5* мА (70 В)
1
1
1
1
i
!
1
2Т808А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт (50°С)
?:8
120*
4
10А
~3* мА (120 В)
(250 имп.)
2Т808А-2
п-р-п
-60...+125
50* Вт
?:8
120•
4
10 (15*) А ~3* мА (120 В)
!
1
1
1
1
1
2Т809А
П:Р-П -60 ... +125
40* Вт (50°С)
?:5,1
400* (О,Оlк)
4
3А;5*А
~3* мА (400 В)
1
2Т812А
п-р-п 1-60... +125
50* Вт (50°С)
?:3
400* (0,Оlк)
6
10А;17*А 1 ~5*мА(700В)
2Т812Б
1 п-р-п
-60 ...+125
50* Вт (50°С)
?:3
300* (О,Оlк)
6
10А;17*А
~5* мА (500 В)
!
i
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т818А
р-п-р
-60 ...+125
40* Вт
?:3
100* (О,lк)
5
15А;20*А ~1*мА(100В)
2Т818Б
р-п-р
-60 ...+125
40* Вт
?:3
80* (О,lк)
5
15А;20*А
~l*мА(80В)
2Т818В
р-п-р
-60...+125
40* Вт
?:3
60* (О,lк)
5
15А;20*А
~1 *мА (60 В)
i
'
1
!
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
317
1
1
с.,
rкэ ик• Ом
Кш, дБ
tK• ПС
.
t~cf НС
!
ь.". ь;,э
с;2.•
r~Эиас' Ом
r;, Ом
Корпус
i
пФ
к~·", дБ
Р,:,, Вт
t;bllUlt НС
1
t::. нс
~500*(5А:5В)
:5150(5 В)
:50,4
-
:57000**
2Т716-1
~750*(5А;5В)
:5150 (5 В)
:50,4
-
:57000**
:ft
~750*(5А;5В)
:5150 (5 В)
:50,4
-
:57000**
ЗК6
~20(4В;2А)
-
:50,2
-
:52500*
2Т718
~20(4В:2А)
-
:50,2
-
:52500*
=t~
~
.
~
1
10...50* (10 В; 5 А)
:5500 (10 В)
0,5
-
:52500*
2Т803
:w.
~~ оз
10...50* (3 В: б А)
:5500 (IO В)
-
-
:52000*
2Т808
1
~§6
10...50* (3 В: б А)
:5500 (10 В)
:50,33
-
:52000*
2Т808-2
ф~ 1I
1/ \з
15...100* (5 В: 2 А)
:5270 (5 В)
:50,75
-
:53* мкс
2Т809
~tte
5...30* (3 в: в А) . :5100 (100 В)
:50,3
-
tcлsl ,3 мкс
2Т812
5...30* (3 В; 8 А)
:5100 (100 В)
:50,3
-
tc.11,;l,3 мкс
"'' ~
~Noii ~
~
'
-
к
~20*(5В;5А)
:5100 (5 В)
:50,2
-
:52500**
2Т818
~20*(5В;5А)
:5100 (5 В)
:50,2
-
:52500**
~о•(5В;5А)
:5100 (5 В)
:50,2
-
:52500**
"'' ~
~Noii ~
~
'
-
к

318
Тип
прибора
2Т818А-2
2Т818Б-2
~2Т818В-2
,,
~
1
~
2Т819А
2Т819Б
2Т8198
~
12Т819А-2
2Т819Б-2
2Т819В-2
2Т824А
2Т824Б
11
1',1
2Т824АМ
2Т824БМ
2Т825А
2Т825Б
2Т8258
i
j
1
2Т825А-2
2Т825Б-2
2Т825В-2
1
2Т825А-5
1
1
Струк-1·
тура
1
Токр.,
·с
pKin.tx'
Р~.тmах'
р~~ и maxt
мВт
i
1
1
1
1
1
1
!
'
';
:
~
1
1
р-п-р
р-п-р
р-п-р
1
-60 ...+100
' -60 ...+100
1 -60 ...+100
i
!
'
1
!
40* Вт
40* Вт
40* Вт
п-р-п -60 . .. +125
100* Вт
п-р-п -60...+ 125
100* Вт
п-р-п -60 ... + 125
100* Вт
1
п-р-п 1-40. .. +100 1
40* Вт
п-р-п -40 . .. +100 1
40* Вт
п-р-п 1-40. .. +1001
40* Вт
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
1
1
!1
'1
п-р-п i -60 . .. +125
50* Вт
п-р-п
-60...+125
50* Вт
р-п-р
-60 ...+125
3 Вт; 125* Вт
р-п-р -60 . .. +125
3 Вт; 125* Вт
р-п-р
-60...+125 1 3Вт: 125*Вт
'
1
1
1
!
р-п-р
-60 ...+100
1Вт;30*Вт
р-п-р
-60 ...+100
1Вт;30*Вт
р-п-р -60 . .. +100
1Вт:30*Вт
1
1
р-п-р i-60 ...+1001 3 Вт; 125* Вт
:
i
1
1
1
1
1
1
~•• f.:210•
(;lэ'
~:;х,
МГц
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3
~3.5
~3.5
~3.5
~3.5
~4
~4
~4
~4
~4
~4
i
1
1
1
i
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО про<>'
U~ЭRпро6'
u;;o про6•
в
100* (0,lк)
80* (О,lк)
60* (О,lк)
100
80
60
100
80
60
400
350
400
350
100* (!к)
80* (1 к)
60* (1 к)
100* (!к)
80* ( 1к)
60* ( 1к)
100* (1 к)
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
UЭБOm.axt
в
5
5
5
5
5
5
5
5
5
7
7
7
7
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
IKmax
J~,и maxt
мА
15А:20*А
15А:20*А
15А:20*А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
15 (20*) А
IOA; 17* А
10А:17*А
10А;17*А
10А:17*А
!
120А(40*А)
!20А(40*А)
120А(40*А)
1
1
1
!
15А(30*А)
15А(30*А)
15А(30*А)
20А(40*А)
!
i
1
1
1
1
!
!
!
i
1
1
•коо•
·~ЭR•
I~эо•
мкА
:51*мА(100В)
:51* мА (80 В)
:51* мА 160 В)
:51*мА(100В)
:51*мА(80В)
:51*мА(60В)
:51* мА 1100 В)
:51* мА (80 BI
:51* мА (60 В)
:55 мА (700 В)
:55 мА (500 В)
:55 мА (700 В)
:55 мА (500 В)
:51 мА (100 BI
:51мА180 В1
:51мА160 В1
:51 мА (100 В)
:51 мА (80 В)
:51 мА (60 В)
:51мА1100 В)
~
1
,1
~/,
;
i
~,,
~:1
.!
·1
1
'

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
319
с.,
Гкэмас• Ом
Кw,дБ
tKt ПС
h21•' ь;,э
с;2,•
r~Энас• Ом
r~, Ом
t;,.,.• нс
Корпус
пФ
К~~•• дБ
Р;:х• Вт
t::IUll НС
t~:. нс
1
~20*(5В:5А)
SIOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
2Т818-2
~20•(5В:5А)
SIOO(5В) 1
S0,2
-
1
S2500**
1
~ft
! ~20•(5В:5А)
1SIOO(5В)
S0,2
-
S2500**
~
D
ЗК6
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
2Т819
~20*(5В:5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
~20*(5В:5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
s2500**
п1~
!
~No~ ~
1
1
,.:;
.
-
к
1
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
1
S2500**
1
2Т819-2
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
S2500**
~ft
~20*(5В;5А)
SIOOO (5 В)
S0,2
-
s2500**
~
D
ЗК6
~5*(8А;2,5В)
1 S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
2Т824
~5*(8А;2,5В)
S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
•
1
~ltII
'
1
-
к
.
!
g::
.
t:: 19.5
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
~5*(8А;2,5В)
S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
2Т824М
~5*(8А;2,5В)
S250 (100 В)
sо.з
-
1,8* мкс
~lt
~
~ !ё>
1
1
к
1
1
500".18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В)
s0,2
-
1
S4.5** мкс
1
2Т825
750... 18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс
750".18000* (10 А; 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс
п1~
~ffl~ ~.
500.. .18000* (IO А; 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс
2Т825-2
750... 18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В)
s0,2
-
S4,5** мкс
t0.7
11,8
11
750".18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В)
S0,2
-
S4,5** мкс !
j
1
1
....
1
1
1
!
~
i
'
1
1
1
~
'
1
1
1
D
1
!
1
6КЗ
1
i
1
1
1
500... 18000* (10 А; 10 В) sбОО (IO В)
S0,2
-
1 S4,5** мкс
2Т825-5
1ВТ
i

320
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• t.:210•
UКБО проб'
lк max
JКБО'
Тип
Струк- Токр.•
Р~. т max•
t1э•
U~R проб' UЭБОmах• 1~.и max•
I:СЭн'
прибора
·с
р~: и max•
с
u~проб•
в
1;эо,
тура
х•
мА
мВт
МГц
в
'мкА
2Т826А
п-р-п 1 -60 ". +125
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
S2* мА (700 В)
2Т826Б
п-р-п i -60 ". +125
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
1А
s2* мА (700 В)
2Т826В
1
п-р-п 1-60" . +125 ! 15* Вт (50°С)
~6
700* (0,01 к)
5
1А
s2• мА (700 В)
1
2Т826А-5
п-р-п
-60 .. . +125
15* Вт (50°С)
~6
700* (О,Оlк)
5
lA
S2 мА (700 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т827А
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
100* (lк)
5
20 (40*) А
3* мА (100 В)
2Т827Б
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
во• (lк)
5
20 (40*) А
3* мА* (80 В)
2Т827В
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
60* (lк)
5
20 (40*) А
3* мА* (60 В)
2Т827А-5
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
100
5
20 (40*) А
s3 мА (100 В)
2Т827А-2
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
100
5
20 (40*) А
s3 мА (100 В)
2Т827Б-2
п-р-п
- 60".+125
125* Вт
~4
80
5
20 (40*) А
s3мА(80В)
2Т827В-2
п-р-п
- 6 0".+125
125* Вт
~4
60
5
20 (40*) А
s3мА(60В)
.
1
2Т828А
п-р-п
- 60".+125
50* Вт (50°С)
~4
800* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
S5* мА (800 В)
2Т828Б
п-р-п
- 60".+125
50* Вт (50°С)
~4
600* (О,Оlк)
5
5 (7,5*) А
S5* мА (600 В)
2Т830А
р-п-р
- 60".+125
1Вт
~4
35
5
2А;4*А
SlOO (35 В)
2Т830Б
р-п-р
- 60".+125
1Вт
~4
60
5
2А;4*А
SlOO (60 В)
2Т8308
р-п-р
- 60".+125
1Вт
~4
80
5
2А;4*А
slOO (80 В)
2Т830Г
1 р-п-р
- 60".+125 J
1Вт
~4
100
5
2А;4*А
SlOO (80 В)
1
1
2Т830В-1
р-п-р
- 60".+100
1 (5*) Вт
~4
80
5
2А;4*А
SIOO (80 В)
2Т830Г-1
р-п-р
- 60".+100
1 (5*) Вт
~4
100
5
2А;4*А
SIOO (80 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
10 ... 120* (IO В; 0,1 А) S25 (100 В)
!10...120* (10 В; 0,1 А) 1 S25 (100 В)
10... 120* (10 В: 0,1 А) 1 S25 (100 В)
10 ... 120* (10 В; 0,1 А) S25 (100 В)
750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (IO В)
750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (IO В)
750.. .18000* (3 В: 10 А) s400 (IO В)
750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В)
750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В)
750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (10 В)
750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В)
~2.25* (5 В; 4,5 А)
~2.25* (5 В: 4.5 А)
25...55* (1 А; 1 В)
25...55* (1 А; 1 В)
25...55* (1 А; 1 В)
20...50* (1А; 1 В)
25...200• (1 А; 1 В)
25...200* (1 А; 1 В)
21 зак. 9
Sl50 (5 В)
sl50 (5 В)
sl50 (5 В)
Sl50 (5 В)
Sl50 (5 В)
sl50 (5 В)
rкэнас• Ом
r~нас' Ом
к~· •. дБ
s5
s5
s5
s5
so.2
S0,2
S0,2
so.2
s0,2
so.2
S0,2
S0,66
S0,66
S0,6
S0,6
S0,6
s0,6
S0,6
S0,6
Кw,дБ
r~, Ом
Р;~х• Вт
't'K, ПС
~;..,.нс
t~~ltJll НС
talUll НС
tcnS1500
tcnS700
tcnS1500
S4,5* мкс
s4,5* мкс
S4,5* мкс
6** мкс
6** мкс
6** мкс
SlO* мкс;
tcnSI ,2 МКС
SIO* мкс;
tcnSI ,2 МКС
sl*мкс
SI*мкс
Sl*мкс
SI *мкс
Sl* мкс
Sl *мкс
321
Корпус
2Т826
2Т826-5
2Т827
27.1 ®
~ewi ~-
.. ..
.
-
к
2Т827-5
2Т827-2
2Т828
27.1 ®
~ewi ~-
.. ..
.
-
к
2Т830
2Т830-1
~Щ iJ
1/\э~

322
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i1
Ркmах'
..... t •..
UK60opo6•
\uв-·\ 1
lкоо,
1 Струк-.
Iк ...,
1
Тип
Токр.1
р~ т max•
(;.~,
u~ .....
1;. м max•
·~·
прибора
1
1
·с
Р.Zмmп'
с.
u~ .....
1··
тура
мА
кэо•
мВт
мrц
в
1
мкА
2Т831А
n-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
30* (lк)
5
2А;4*А
~100 (35 В)
2Т831Б
п-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
50* (lк)
5
2А;4*А
~100 (60 В)
2Т831В
п-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
70* (lк)
5
2А;4*А
~100 (80 В)
2T83lr
п-р-п
-60 ...+125
1 (5*) Вт
<::4
90* (lк)
5
2А;4*А
~100 (80 В)
11
1
1
1
1
1
1
!
1
i
1
2Т831В-1 1 п-р-п
-60 ...+100 1
1Вт
<::4
70* (1 к)
5
2А;4*А
1
~100 (80 В)
2T83lr-l
1 п-р-п
-60...+100
1Вт
<::4
90* (lк)
5
2А;4*А
~100 (80 В)
1
2Т832А
п-р-п
-60...+125
10* Вт
6
1000*(100м)
7
100
-
2Т832Б
п-р-п
-60...+125
10* Вт
6
800*(100м)
7
100
-
1
1
i
1
1
1
1
2Т834А
п-р-п l -60 ... +125
100* Вт
<::4
500* (0,lк)
8
15(20*)А 1 ~3*мА(500В)
2Т834Б
п-р-п 1 -60 ... +125
100* Вт
<::4
450* (О.lк)
8
15 (20*) А
~3* мА (450 В)
2Т834В
п-р-п
-60 ...+125
100* Вт
<::4
400* (0,lк)
8
15 (20*) А
~3* мА (400 В)
2Т836А
р-п-р -60 .. . +125
0.7 (5*) Вт
<::4*
90
5
3А(4*А) 1 ~.1мА(90В)
1
2Т836Б
р-п-р
-60 ...+125
0,7 (5*) Вт
<::4*
85
5
3А(4*А) 1 ~.1мА(85В)
2Т836В
р-п-р
-60...+125
0,7 (5*) Вт
<::4*
85
5
3А(4*А) 1 ~0.1мА(85В)
2T836r
р-п-р
-60...+125
0,7 (5*) Вт
<::4*
60
5
3А(4*А) 1 ~.1мА(60В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т836А-5
р-п-р
-60...+125
0,7 Вт
<::4*
90
5
3А(4*А)
~О.1 мА (90 В)
2Т837А
1 р-п-р
-60...+100
30* Вт
<::3
80
15
8А
~5мА(80В)
2Т837Б
1 р-п-р
-60...+100
30* Вт
<::3
60
15
8А
~5мА(60В)
2Т837В
1 р-п-р
-60...+100
30* Вт
<::3
45
15
8А
~5мА(45В)
1
2T837r
1 p-n-p
-60...+100
30* Вт
<::3
80
5
8А
~5мА(80В)
2Т8370
1
р-п-р
-60 ...+100
30* Вт
<::3
60
5
8А
~5мА(60В)
2Т837П
р-п-р 1 -60... +100
30* Вт
<::3
45
5
8А
~5· мА (45 В)
1
2Т839А
п-р-п
-60 ...+100
50* Вт
5
1500
5
10 (10*) А ~1 мА (1500 В)
1
1
1
i
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
323
>
1
1
1
'
rкэ ""' Ом
't'K, ПС
~
ck,
Кw,дБ
;
t~,. нс
h21.• ь;,э
с;2.•
r;э нас' Ом
r;, Ом
Корпус
пФ
к~: .. дБ
Р;:,, Вт
t~:... , нс
t:,, нс
25...200* (1А; 1 BJ
s150 (5 В)
s0,6
-
sl *мкс
2Т831
25...200* (1А; 1 В)
s150 (5 В)
s0,6
-
Sl *мкс
:t_i1Фз
25...200* (! А: 1 BJ
S150 (5 В)
$0,6
-
$1 *мкс
25...150* (1 А: 1 В)
s150 (5 В)
s0,6
-
$1 *мкс
1
i
1
1
1
1
1
i
j
1
1
1
25...200* (1 А; 1 В)
s150 (5 В)
s0.6
-
sl *мкс 1
2Т831-1
25...200* (1 А; 1 BJ
S150 (5 В)
$0,6
-
$1 *мкс
~~1
6/ \з
10... 50* (30 мА; 10 В)
20(5В)
-
-
-
2Т832
10... 50* (30 мА; 10 В)
20(5В)
-
-
-
1
nt~
~ffli ~.
1
150...3000* (5 В; 5 А)
-
S0.13
-
tcnSl,2 МКС
2Т834
150...3000* (5 В; 5 А)
-
s0,13
-
tcnSl,2 МКС
2/1 i)
150...3000* (5 В; 5 А)
-
$0,13
-
tcnSl,2 МКС
~No- ~
..;;
.
-
к
1
20... 100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,3
-
Sl,6** мкс
2Т836
20... 100• (2 А: 5 В)
S370 (5 В)
$0,18
-
Sl,6** мкс
;fiкФз
20... 100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,18
-
Sl,6** мкс
1 20...100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,22
-
Sl,6** мкс
1
20... 100* (2 А; 5 В)
s370 (5 В)
$0,3
-
Sl,6** мкс
2Т836-5
1
1
~шт
1
1
1
1
15... 120* (5 В: 2 А)
-
s0.3
-
$1 ** мкс
1
2Т837
30...150* (5 В;2А) 1
-
$0,3
-
$1 ** мкс
1
40...180* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
$1 ** мкс
:ft
15... 120* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
$1 ** мкс
30... 150* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
$1 ** мкс
40... 180* (5 В; 2 А)
-
s0,3
-
sl ** мкс
ЗК6
~5* мА (1500 В)
240 (10 В)
$0,375
-
SlO* мкс;
2Т839
tcnSl ,5 МКС
п1~
~ffli ~.
21·

324
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~· \210•
UКБО npoO•
lк max
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmах'
~l::tf
U~Rnpo6• Uэоо max'
1;.н max'
l~н•
прибора
·с
р~: н max'
с;х,
u~npo6•
в
1··
тура
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т841А
1 п-р-п 1-60.. . +1251
3 (50*) Вт
<::10
600
5
10 (15*) А
s3 мА (600 В)
2Т841Б
1 п-р-п
-60 ...+125
3 (50*) Вт
<::10
400
5
10 (15*) А
1
s3 мА (400 В)
1
2Т841В
1
п-р-п 1-60. . . +1251
3 (50*) Вт
<::10
800
5
10 (15*) А
s3 мА (800 В)
1
1
1
1
2Т841А-1
п-р-п
-60 ...+100
30* Вт
<::10
600
5
10 (15*) А
s3 мА (600 В)
2Т841Б-1
п-р-п
-60 ...+100
30* Вт
<::10
400
5
10 (15*) А
s3 мА (400 В)
1
1
1
1
1
2Т842А
1 р-п-р 1-60.. . +1251
3 (50*) Вт ! <::20
300
5
5(8*)А 1 SlмА(300В)
2Т842Б
1
р-п-р !-60 ...+125 1 3 (50*)Вт 1
<::20
200
5
5(8*)А
sl мА (200 В)
!
1
2Т842А-1
р-п-р
-60 ...+100
30* Вт
<::10
300
5
5(8*)А
sl мА (300 В)
2Т842Б-1
р-п-р
-60 ...+100
30* Вт
<::10
200
5
5(8*)А
SI мА (200 В)
1
2Т844А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт (50"С)
<::7,2
250* (О,Оlк)
4
10 (20*) А s3* мА (250 В)
2Т845А
п-р-п
-60 ...+125
40* Вт (50"С)
<::4,5
400* (0,Оlк)
4
5 (7,5*) А
s3* мА (400 В)
2Т847А
1
п-р-п
-60 ...+100
125* Вт
<::15
650*
8
15А
s5 мА (650 В)
(10 Ом)
2Т847Б
п-р-п
-60 ...+100
125* Вт
<::15
400**
8
15А
s5 мА
2Т848А
п-р-п
-60 ...+125
35* Вт
<::3
400*
7
15А
s250* (400 В)
1
2Т856А
1 п-р-п
-60...+125
75* Вт
<::10
1000
5
10 (12*) А s3 мА (1000 В)
2Т856Б
п-р-п -60 ...+125
75* Вт
<::10
800
5
10 (12*) А
s3 мА (800 В)
2Т856В
п-р-п
-60 ...+125
75* Вт
<::10
600
5
10 (12*) А
s3 мА (600 В)
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
325
~
tк, ПС
'
ck,
rКЭн;кt Ом
Кш, дБ
~
f~ct НС
i
h2," ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
Корпус
пФ
к:~ .. дБ
P;~xt Вт
t::клt НС
t::, нс
;е:12* (5 В; 5 А)
s300 (10 В)
s0,3
-
slOOO*
2Т841
;е:12* (5 В; 5 А)
s300 (10 В)
s0,3
-
$1000*
2'1 ®
;е:12* (5 В; 5 А)
s300 (10 В)
s0,3
~fflii ·~
.. :;
.
-
к
;e:IO* (5 В; 5 А)
sl85 (iO В)
s0,3
-
$1*мкс
1
2Т841-1
;e:IO* (5 В; 5 А)
sl85 (10 В)
s0,3
-
sl*мкс
:ft
бКЗ
;е:15* (4 В; 5 А)
s400 (10 В)
s0,36
-
800*
2Т842
;е:15* (4 В; 5 А)
s400(1ОВ)
$0,36
-
800*
27.1 ®
~fflii ~·
..:;
.
-
к
!
;e:IO* (4 В; 5 А)
s400 (10 В)
$0,36
-
2,2* мкс
2Т842-1
;e:IO* (4 В; 5 А)
s400 (10 В)
$0,36
-
2,2* мкс
:fjtбКЗ
10...50* (3 В; 6 А)
s300(10В)
s0,4
-
S2000*
2Т844, 2Т845
.~1 ®
~fflii ·~
15... 100* (5 В; 2 А)
s45 (200 В)
$0,75
-
$4000*
.. :;
.
-
к
8...25* (3 В; 15 А)
S200 (400 В)
$0,1
-
s3000*
2Т847, 2Т848
8...25* (3 В; 15 А)
s200 (400 В)
$0,1
-
$3000*
27.1 [V,
~fflii ~·
;е:2О• (5 В; 15 А)
-
$0,2
-
-
..:;
.
-
к
10...30* (5 А; 5 В)
slOO (90 В)
s0,3
-
$2* мкс
2Т856
10...60* (5 А; 5 В)
slOO (90 В)
:-;;О,3
-
$2* МКС
~Em
5
10...60* (5 А; 5 В)
:<;;100 (:ЭО В)
:-;;О,3
-
$2* мкс
т
С\8 ~
•
1
1с>
1
~'
-
о
~
~
/jкз

326
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк max•
t,,,. (216'
UКБ0про6•
lк max
JКБО•
Тип
Струи- Токр.,
Р~. т max•
(;lэ•
U~Rnpo6• UЭБО max•
1;.н max•
·~R•
прибора
тура
·с
р~~ нmax•
(n:x•
u~ .....
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т856Г
1 п-р-п 1-60... +100
75* Вт
~10
1
900
5
10 (12*) А
s3мА(900BJ 1
!
1
1
1
1
i
1
1
1
1
2Т860А
р-п-р
-60 ... +100
1 (10*) Вт
~10
90
5
2А(4*А)
sO,l мА (90 В)
2Т860Б
р-п-р
-60 ... +100
1 (10*) Вт
~10
70
5
2А(4*А)
SO,l мА (70 В)
2Т860В
р-п-р
- 60 ... +100
1 (10*) Вт
~10
40
5
2А(4*А)
SO,l мА (40 В)
1
1
1
1
1
!
!
1
'
1
1
1
i
1
i
!
1
1
1
1
2Т861А
п-р-п
-60 ... +125
1 (10*) Вт
~10
90
5
2А(4*А)
sO.l мА(90В)
2Т861Б
п-р-п
- 60 ... +125
1 (10*) Вт
~10
70
5
2А(4*А)
sO.l мА (70 В)
2Т861В
п-р-п
-60 ... +125
1 (10*) Вт
~10
40
5
2А(4*А)
sO,l мА (40 В)
2Т862А
! п-р-п
-60 ... +125
70* Вт
~20
450
1
5
15А(25*А) 1 s2.5мА(300BI
!
!
1
1
i
~
'
'
1
1
i
1
1
!
!
1
1
1
1
2Т862Б
п-р-п
-60... +125
50* Вт
~20
450
5
15А;25*А S2,5мА(300В)
2Т862В
п-р-п
- 60 ... +125
50* Вт
~20
600
5
lOA; 15* А
S3 мА (600 В)
2Т862Г
п-р-п
- 60 ... +125
50* Вт
~20
600
5
lOA; 15* А
S3 мА (600 В)
1
1
1
1
1
1
1
'
i
2Т866А
п-р-п 1-60... +125
30 Вт (50"С)
25
200
1
4
1 15А:20*А 1 S25мА(100В)
1
1
1
i
!
·1
1
1
!
1
!
1
1
2Т867А
п-р-п
- 60 ... +125
100* Вт
25
200
7
25А(40*А)
S3 мА (250 В)
:
1
1
1
!
1
2Т874А
i п-р-п
-60 ... +125
75* Вт
20
150
5
30А;50*А i s3мА(150В)
1
2Т874Б
1 п-р-п
-60... +125
75* Вт
20
150
5
30А:50*А 1 s3мА(150В)
1
i
!
1
1
!
-

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
321
1
ck,
rкэнк• Ом
К", дБ
т., ПС
h2," ь;,э
с;2.•
r~"""' Ом
r;, Ом
t;,.., нс
Корпус
пФ
к;•. д.Б
Р,:., Вт
t:,.., нс
t:;., нс
10...30* (5 А; 5 В)
S:IOO (90 В)
~.3
-
$2* мкс
2Т856
~~t
с-.,~
ln
";\(
о
6КЗ
40.. .160* (1 А: 2 В)
s:l50 (5 В)
s:0,35
-
s:I** мкс
2Т860
50...200* ( 1 А; 2 В)
s;150·(5 В)
s:0,35
-
S:I ** мкс
;tфкфз
80...300• <1 А; 2 в>
S:l50 (5 В)
s:0.35
-
s:I ** мкс
1
40... 160* (1 А; 2 В)
s:l50 (5 В)
s:0,35
-
S:I** мкс
2Т861
50...200* (1 А; 2 В)
S:l50 (5 В)
s:0,35
-
S:I** мкс
:ЕiкФз
80...300* (1 А; 2 В)
s:l50 (5 В)
s:0,35
-
s:I ** мкс
1 10...100* (15 А; 5В) 1 s:300 (30В)
s:0,13
-
S:I * мкс
2Т862
1
ЛI®
~Noi~
~
.
-
к
10.. .100* (15 А; 5 В)
s:300 (30 В)
s:0,13
-
s:I * мкс
2Т862
12...50* (5 А; 5 В)
$250 (10 В)
s:0,19
-
S:2* мкс
t•
12...50* (5 А; 5 В)
s:250 (10 В)
S:0,13
-
$2* мкс
з
·6
~
1
"
~'"
1
1
15.. .100* (10 А; 10 В) s:400 (10 В)
s:0,15
-
S:450**
2Т866
....
.,... з
6
t•
....
~ 2l2
12...100* (20 А; 5 В)
S:400 (10 В)
~.08
-
S:l,3* мкс
2Т867
1
t•
....
.,... з
6
-
~ 21,2
15...50* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
s:0,04
-
s:0,5* мкс
2Т874
10...40* (5 В; 30 А)
200 (100 В)
s:0,04
-
s:0,5* мкс
t•
....
.,... з
6
....
~ 21,2

328
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maxt
~. (216•
UКБОnро0•
lк max
lкво,
Тип
Струи- Токр.,
Р~. т maxt
1i:;.~,
U~Rnpo0• UЭБО maxt
1;,н max•
l~н•
прибора
·с
р~: н max•
с·
u~ .....
в
1··
тура
ах'
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т875А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А;15*А 1 s3мА(90В)
2Т8756
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
70
5
10А;15*А
S3мА(70В)
2Т875В
1 п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
50
5
10А;15*А
s3мА(50В)
2Т875Г
1
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А;15*А
s3мА(90В)
2Т876А
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А(15*А)
s3мА(90В)
2Т8766
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
70
5
10А(15*А)
s3мА(70В)
2Т876В
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
50
5
10А(15*А)
S3мА(50В)
2Т876Г
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::20
90
5
10А(15*А)
S3мА(90В)
2Т877А
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::100
во
5
20А(10*А)
SI* мА (ВО В)
2Т8776
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<::100
60
5
20А(10*А)
sl *мА (60 В)
2Т877В
р-п-р
-60 ...+125
50* Вт
<?:100
40
5
20А(10*А)
SI *мА (40 В)
2Т878А
1 п-р-п
-60...+125
10* Вт
<::10
воо
6
25А(30*А)
s3 мА (ВОО В)
2Т8786
1 п-р-п 1-60 ...+125
10* Вт
<::10
600
6
25А(30*А)
S3 мА (600 В)
2Т878В
1 п-р-п !-60 ...+125
10* Вт
<::10
900
6
25А(30*А)
S3 мА (900 В)
2Т879А
п-р-п
-60 ...+125
250* Вт
<::10
200
6
50А(75*А)
s3 мА (200 В)
2Т8796
п-р-п -60 .. . +125
250* Вт
<::10
200
6
50А(75*А)
S3 мА (200 В)
2Т880А
р-п-р -60 .. . +125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
1
s0,2 мА (100 В)
2Т8806
р-п-р
-60 ...+125
5* Вт
<::30
во
6
2А(4*А)
1
s0,2 мА (ВО В)
2Т880В
р-п-р -60 .. . +125
5* Вт
<::30
50
6
2А(4*А)
s0,2 мА (50 В)
2Т880Г
1
р-п-р
-60 ...+125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т880А-5
п-р-п
-60 ...+125 О,В Вт; 5* Вт
<::30
100
4,5
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т880&-5
п-р-п
-60 ...+125
О.В Вт; 5* Вт
<::30
во
4,5
2А(4*А)
s0,2 мА (ВО В)
1
2Т881А
1 п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т881&
1 п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
во
6
2А(4*А)
s0,2 мА (ВО В)
2Т881В
1
п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
50
6
2А(4*А)
s0,2 мА (50 В)
2Т881Г
п-р-п
-60 ...+125
5* Вт
<::30
100
6
2А(4*А)
s0,2 мА (100 В)
2Т881А-5
п-р-п
-60 ...+125
О,В Вт
<::30
100
4,5
2А(4*А)
s200 (100 В)
2Т8816-5
п-р-п
-60 ...+125
О.В Вт
<::30
во
4,5
2А(4*А)
s200 (ВО В)
1
2Т882А
п-р-п 1-60.. . +100
10* Вт
<::20
400
6
1А(2*А)
sO.I мА (400 В)
2Т882&
п-р-п
-60 ...+100
10* Вт
<::20
300
6
1А(2*А)
sO,I мА(300В)
2Т882В
п-р-п
-60 ...+100
10* Вт
<::20
250
6
1А(2*А)
SO,I мА (250 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
329
с"
rкэнас• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h2," ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
г~, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к~·•. дБ
Р;~х' Вт
t::клt НС
t::, нс
80...250* (5 8; 5 А)
910 (10 8)
$0,1
-
400**
2Т875, 2Т876
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
400**
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
400**
40."160* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
400**
27.1 [V
~Noi ·~
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
$1 ** мкс
80".250* (5 8; 5 А)
910(108)
$0,1
-
$1 ** мкс
. .,;'
'
80".250* (5 8; 5 А)
910 (10 8)
$0,1
$1 ** мкс
-
к
-
~15*(58;5А)
910 (10 8)
$0,1
-
$1** мкс
750".10000*(10 8; 10 А) 830 (20 8)
$0,2
-
0,75* мкс
2Т877, 2Т878
2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 8)
$0,2
-
0,75* мкс
2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 В)
50,2
-
0,75* мкс
27.1 [V
~Noi ·~.
12."50* (5 8; 10 А)
s:SOO (10 8)
$0,1
-
$3* мкс
12".50* (5 8; 10 А)
5500 (10 В)
$0,1
-
$3* мкс
12."50* (5 В; 10 А)
S500 (10 В)
$0,1
-
:<;;3* мкс
~20*(20В;4А)
:<;;800 ( 10 В)
$0,06
-
$1,2* мкс
2Т879
~15*(208;4А)
:<;;800 (10 8)
$0,1
-
$1,2* мкс
=tt ~
~~
'
с-..
80".250* (1В; 1А)
:<;;200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
2Т880
80".250* (18; 1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
;tfкфз
80".250* (18; 1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
40."160* (1 В; 1 А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
80".250* (18; 1 А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
2Т880-5
80".250* (1В; 1А)
:<;;200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
~mr
80".250* (1В; 1А)
5200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
2Т881
80".250* (1 В; 1 А)
:-;;200 (5 В)
$0,35
-
0,5* мкс
:ЕiкФз
80".250*(1 8;1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
40."160* (1 8; 1 А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
0,5* мкс
80".250*(1 В; 1А)
:<;;200 (5 8)
$0,35
-
500*
2Т881-5
40."160* (1 8; 1 А)
:<;;200 (5 8)
50,35
-
500*
~mr
~15* (5 8; 0,5 А)
550 (5 8)
$2
-
$3* мкс
2Т882
~15* (5 В; 0,5 А)
:<;;50 (5 8)
$2
-
53* мкс
70,G5
tB
~15* (5 8: 0.5 А)
:<;;50 (5 8)
$2
-
$3* мкс
wт6КЭ

330
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Pкmaxt
1,,,. ~216•
UКБОпроО•
lкmax i
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~. т maxt
~;lэt
u~. ороО• UЭБOmaxt ·~.и max'
·~..
прибора тура
·с
р~ и maxt
с;х,
u~npoO•
в
·~·
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т883А
p-n-p
-60 ...+100
10* Вт
~20
300
5
1А(2*А)
::>0,1 мА (300 В)
2Т883Б
p-n -p
-60 ...+100
10* Вт
~20
250
5
1А(2*А)
::>0,1 мА (250 В)
i
1
1
2Т884А
n-p -n
- 60 ".+125
15* Вт
~10
800
5
2А(5*А)
::>0,2 мА (800 В)
2Т884Б
n-p -n
-6 0" .+125
15* Вт
~10
600
5
2А(5*А)
::>0,2 мА (800 В)
2Т885А
1 n-p -n 1-60 ". +125
150* Вт
~15
400*
5
40А(60*А) 1 ::>1мА(500В)
2Т885Б
1
n-p -n
- 60 ".+125
150* Вт
~15
500*
5
40А(60*А)j ::>1мА(500В)
1
1
1
1
1
2Т886А
n-p -n
- 60 ."+125
175* Вт
~10.5
1400
7
10(15*)А ! :>О,1* мА(1000 В)
2Т886Б
n-p -n
-6 0" .+125
175* Вт
~10,5
1000
7
10 (15*) А :50,1 * мА (\ООО В)
1
1
1
1
;
2Т887А
р-п-р -60" .+125 75* Вт (750**)
~15
700
5
2 А; (5*) А ::>0,25 мА (700 В)
2Т887Б
1 р-п-р
- 60 ".+125 75* Вт (750**)
~15
600
5
2 А; (5*) А :50,25 мА (700 В)
1
2Т888А
р-п-р -60" .+125
7* Вт
~15
900
7
100 (200*)
::>10 мА (900 В)
2Т888Б
p-n -p
- 60 ".+125
7* Вт
~15
600
7
100 (200*)
:510 мА (600 В)
1
1
1
1
1
!
1
2Т891А
n-p -n
- 60 ".+125 150* Вт (60**)
~12
250* (0,Оlк)
7
40А;60*А
::>2 мА (250 В)
2Т903А
n-p -n
-6 0" .+125 30* Вт (60**)
~120
60 (80 имп.)
4
3А;(5*)А
::>2* мА (70 BJ
2Т903Б
1
n-p -n J -60 ".+125 30* Вт (60**)
~120
60 (80 имn.)
4
3А;(5*)А
::>2* мА (70 В)
1
1
1
1
1
1
1
t
2Т904А
n-p -n
- 60 ".+125
7* вт (40°С)
~350
65* (О,lк)
4
0,8 {1,5*) А
::>1*мА(65В)
i
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
'
1
i
~25* (10 В: 0.5 А)
~25* (10 В: 0.5 А)
1 570(5В) 1
i570(5В) !
!
i
~25* (5 В; 0.3 А)
~25* (5 В; 0,3 А)
~12*(5В:20А)
~12*(5В:20А)
1
560 (5 В)
560 (5 В)
1
1
1
1
560 (5 В)
560 (5 В)
6".25*(10В;2А) 15135(10В)
6".25* (10 В; 2 А)
5135 (10 В)
20...120* (9 В: 1А)
5400 (10 В)
20".120* (9 В; 1 А)
5400 (10 В)
30...120* (3 В; 30 А)
5400 (10 В)
30...120* (3 В; 30 А)
5400 (10 В)
20...50• (4 В: 5А) 1 5400 (100 В)
15... 70* (10 В; 2 А)
5180 (30 В)
40... 180* (10 В; 2 А)
5180 (30 В)
~10* (5 В; 0,25 А)
52,6 (28 В)
rкэ нас• Ом
r~•ac• Ом
к::"' дБ
53,6
53.6
50,27
50,27
50,08
50,08
50.25
50,25
51,4
51,4
550
550
50,03
51,25; ~3**
51,25; ~3**
55; ~2.5**
Кw1 д6
r;, Ом
Р;:.. Вт
~10** (50 МГц)
~10** (50 МГц)
~3** (400 МГц)
1
1
1
1
1
tltl пс
~;..,.нс
t-:11.11 ' нс
t:;., НС
55,2* мкс
55,2* мкс
53* мкс
53* мкс
52* мкс
52* мкс
53500*
53500*
55000*
55000*
53000*
53000*
51000*
5500*
5500*
331
Корпус
2Т88З, 2Т884
~rm-t
~m
2Т885
1
2Т886
2Т888
1
2Т891
2Т90З
2Т904

332
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струи-
Ркmах'
~. 'i:21••
Uк~nроб•
lк max
•коо•
Тип
Токр.,
p~тmaxt
(;lэ'
U~Rnpo6• UЭБО max•
1;.н max•
·~R'
прибора 1 тура
·с
PtZ к maxl
с:..
u~ .....
в
·~·
1
мВт
Мfц
в
мА
1
мкА
1
2Т907А
1
п-р-п -60 ... +125
16* Вт
~350
65" (0,1 к)
4
1(3*)А 1 52*мА(65В)
1
2Т908А
п-р-п
- 60 ... +125
50* Вт (50°С)
~30
НЮ* (0,Оlк)
5
10А
525* мА (100 В)
1
1
2Т909А
п-р-п -60 ... +125
27** Вт
~350
60* (О,Оlк)
3,5
2(4*)А
525* мА (60 В)
2Т9096
п-р-п
-60 ...+125
54** Вт
~500
60* (О,Оlк)
3,5
4(8*)А
530* мА (60 В)
2Т9101АС
п-р-п l-60 ... +1255
130* Вт
~350
50
4
7,5 А
530 мА (50 В)
1
1
2Т9102А-2
п-р-п
-60 ...+125
10** Вт
~1.35 ГГц
45
3,5
0,7 А
510 мА (45 В)
2Т91026-2
п-р-п
- 60 ... +125
5** Вт
~1.35 ГГц
45
_3,5
0,35 А
55мА(45В)
2Т910ЗА-2 n-p-n
-60 ...+125
16,4** Вт
-
25
2
1,1 А
57 (25 В)
2Т910ЗБ-2
п-р-п
-60 ...+125
16,4** Вт
-
25
2
1,1 А
57 (25 В)
2Т9104А
п-р-п -60 . .. +125
10** Вт
~600
50
4
1,5 А
510 мА (50 В)
2Т91046 1 п-р-п -60 .. . +125
23** Вт
~600
50
4
5А
520 мА (50 В)
1
2Т9105АС
п-р-п -60 ... +125
160* Вт
~660
50* (10 Ом)
4
16А
5120* мА (50 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
333
ck,
rкэим:• Ом
Кw1 дБ
t'., пс
h2," ь;,э
с;2.•
r~ .... Ом
r;, Ом
t;,.., НС
Корпус
пФ
к~:.. дБ
Р;~•• Вт
t:.IUlt НС
t::., нс
~IO* (5 В: 0,4 А)
520 (30 В)
54; ~2**
~8** (400 МГц)
-
2Т907
:е
ff-
6
8...60* (2 В: 1О А)
5700 (IO В)
50,15
-
52600*
2Т908
~-1
-
530 (28 В)
0,36; ~1.7**
~17** (500 МГц)
520
2Т909
-
560 (28 В)
0,18; ~1.75**
~35** (500 МГц)
520
~~itfj
..,..
с..
J//,7
-
5150 (28 В)
~3.5**
~100** (0,7 ГГц)
545
2Т9101
:ttl
"&.
~
6
2
6
~
-
5!0 (28 В)
-
~3.5** (2 ГГц)
52,2
2Т9102
-
56,5 (28 В)
-
~1.6** (2 ГГц)
52,2
:ttl
"&.
~
6
2
6
~'J
-
-
~1.7**
~7** (5 ГГц)
-
2Т910З
-
-
~1.7**
~iO** (5 ГГц)
-
.......
~~Б
....
~~к1
э
....:-
J~
...
1
(6
~'
1'-5
-
-
520 (28 В)
~8**
~5** (0,7 ГГц)
520
2Т9104
-
540 (29 В)
~7**
~20** (0,7 ГГц)
520
~31
...
к
3
:~"
5160* (5 В; 0,1 А)
5240 (28 В)
~3**
~100** (0,5 ГГц)
512
2Т9105
~t•8,5
23.2

334
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Струк-1
Pкmu•
~. ~216• UKБOnpo6•
lкmax
•кю•
Тип
Токр.,
Р;, т max•
~;lэ•
U~Rnpo6' UЭБО max•
1;.к max•
·~R'
прибора тура 1 ·с
р~: к max•
(.:х•
u~npo6•
в
•••
мА
кэо•
1
мВт
Мfц
в
1
мкА
2Т9107А-2
п-р-п -60 ... +125
37,5* Вт
720
50
3,5
2,5А(5*А)
550 мА (50 В)
2Т9108А-2
п-р-п
- 60 ".+100
200** Вт
-
50
3
8*А
525 мА (50 В)
'
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9109А
п-р-п
- 60".+125
1,12** кВт
~360
65
4
29• А
560 мА (65 В)
1
1
2Т9110А-2
п-р-п
- 60 ".+100
500** Вт
600
50
3
15* А
550 мА (50 В)
2Т91106-2
п-р-п
- 60 ".+100
200** Вт
600
50
3
7*А
525 мА (50 В)
!
i
'
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9111А
п-р-п
- 60 ".+125 200** Вт (50°С)
~300
120*(10 Ом)
4
10А
5100 мА (120 В)
2Т9112А
п-р-п
- 60 ".+125
5* Вт
~30
65
4
20А .1 540мА(65В)
1
1
1
1
1
2Т9113А
п-р-п -60" . +125
82** Вт
-
150
4
3,25* А
530 мА (160 В)
i
1
1
..
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
335
1
Ck,
rкэик• Ом
Кш, дБ
т., пс
1
1
t~, НС
h21эt ь;,э
1
с;2"
r~•к' Ом
r;, Ом
Корпус
1
1
пФ
1
к~:Р' дБ
Р,;.:" Вт
t;ЫIUll НС
t::.:,, НС
-
:S50 (10 В)
~4**
~27* * (1 ГГц)
-
2Т9107
±tlJ
-
-
-
~50** (1,5 ГГц)
-
2Т9108
i
±tlJ
1
~
c;:r
•
1
1
к
i
f.
6,6
!
!
1
1
-
1
1
-
1; ~'~ (50 В)
~3.5**
~500** (0,82 ГГц)
:SIO
2Т9109
1
~II
1
5.8.
14
-
1
-
~6**
~200** (1,4 ...1,6 ГГц) 1
-
1
2Т9110
-
-
~6**
~100** (1,4 ... 1,6 ГГц)
-
6
1
1
1
~~IJ
1
1
1
1
J,8
1
1
'
1
i
~10*(10В:5А)
:Sl50 (50 В)
~10**
~150** (80 МГц)
1
-
2Т9Ш
~t1t~tjj
1
1
i 12.$
цв
~10*(7В:20А)
-
$0,16
-
i 100*
1
2Т9112
1
1
..,
~
1
"fU
1
~
~10*(5В;5А)
-
:S0,16
-
1
-
1
2Т9113
1
1
1
(l/17.7
1
1
1
~
1
1
c:::i
1
,'OI
1
!
1
1
1
(1117.7
"'
1
6.75
1
!
ti/ 3
~
IY; '°
С11)
~
1
1
1
!
i
1
i
16.8
1
1
!

336
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKm•x'
~. ~216•
Uкоо проб•
lк m•x
lкоо•
Тип
Струк- Токр.1
Р;.тm•х'
~;.!t.
U~Rnpo6• UЭБО max•
1;, Н 11\8XI
I~R•
прибора
·с
р~~ и m•x'
с
u~npo6•
в
1~,
тура
..
мА
мВт
Мfц
в
мкА
2Т9114А
п-р-п
-60 ...+125
325** Вт
-
50
3
13 А*
530 мА (50 В)
2Т91146
п-р-п
-60 ...+125
85** Вт
-
50
3
3,25 А*
58мА(50В)
2Т911А
п-р-п
-60 ...+125
3* Вт
~1000
55
3
0,4 А
53мА(55В)
2Т9116
п-р-п
-60 ...+125
3* Вт
~840
55
3
0,4 А
53мА(55В)
1
1
1
.
2Т912А
п-р-п
-60 ...+125
30* Вт (85"С)
~90
70* (О,Оlк)
5
20А
550* мА (70 В)
2Т9126
п-р-п
-60 ...+125
30* Вт (85"С)
~90
70* (О,Оlк)
5
20А
550* мА (70 В)
2Т912А-5
п-р-п
- 60 ... +125
30* Вт
~90
70*
5
20А
550* мА
2Т9126-5
п-р-п -60 ... +125
30* Вт
~90
70*
5
20А
550* мА
2Т91ЗА
п-р-п
-60 ...+125
4,7* Вт (55"С)
~900
55
3,5
0,5 (1 *)А
510* мА (55 В)
2Т91ЗБ
п-р-п -60 ... +125
8* Вт (70"С)
~900
55
3,5
1(2*)А
520* мА (55 В)
2Т91ЗВ
п-р-п
- 60 ... +125
12* Вт
~900
55
3,5
1(2*)А
520* мА (55 В)
2Т9117А
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
100
4,5
1А
50,1* мА (100 В)
2Т91176
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
80
4,5
1А
50,1*мА(80В)
2Т9117В
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
50
4,5
1А
50,1*мА(50В)
2T9117f
п-р-п
-60 ...+125
6* Вт
~50
100
4,5
1А
50,1 * мА (100 В)
2Т9118А
п-р-п -60 ... +125
130** Вт
~1400
50
3,5
15* А
5150 мА (50 В)
2Т91186
п-р-п -60 ... +125
130** Вт
~1400
50
3,5
15* А
5150 мА (50 В)
2Т9118В
п-р-п -60 ... +125
130** Вт
~1400
50
3,5
15* А
5150 мА (50 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
<:15* (5 В; 0,2 А)
<:15* (5 В; 0,2 А)
10...50* (!О В; 5 А)
20".100* (10 В; 5 А)
10".50* (10 В; 5 А)
20".100* ( 10 В; 5 А)
<:10* (5 В; 0,5 А)
<:10* (5 В; 0.5 А)
<:10* (5 В; 0,5 А)
80".250* (1 О В; 0.15 А)
80".250* ( 10 В; О, 15 А)
80."250* (10 В; 0,15 А)
40".160* (10 В; 0,15 А)
22зак9
1
1
1
SIO (28 В)
SIO (28 В)
s200 (27 В)
S200 (27 В)
s200 (27 В)
s200 (27 В)
s6 (28 В)
sl2 (28 В)
Sl4 (28 В)
40(5В)
40(5В)
40(5В)
40(5В)
rкэ нас' Ом
r~нас' Ом
к~·", дБ
<:6**
<:6**
<:2**
<:2**
$0, 12; <:10**
$0,12; <:10**
S0,12; <:10**
$0,12; <:10**
$1, 1; <:2,25* *
$1, 1; <:2.25* *
Sl ,I; <:2,25**
<:6**
<:6**
<:6**
Кш• дБ
r;, Ом
Р;:" Вт
<:150** (1,5 ГГц)
<:40** (1,5 ГГц)
<:0,8** (1,8 ГГц)
<:0,8** (1 ГГц)
<:70** (30 МГц)
<:70** (30 МГц)
<:70** (30 МГц)
<:70** (30 МГц)
<:3** (1 ГГц)
<:5** (1 ГГц)
<:10** (1 ГГц)
<:75** (1,3 ГГц)
<:75** (1,4 ГГц)
<:75** (1,22 ГГц)
tк, ПС
~~~·· нс
tВЬIКЛ t нс
t:::., нс
Sl5
$12
$(5
$900**
$900**
$900**
$900**
337
Корпус
2Т9114
~~~rж5
ж~
2Т911
2Т912
2Т912-5
2Т913
2Т9117
2Т9118

338
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~•• \210•
UКБО проб•
lк max
IКБО•
1
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmax t
~:;lэt
U~ЭR проб' UЭБО max'
1;, н maxt
I~R•
прибора
·с
р~~иmax t
с
u;эо проб•
в
1··
тура
"
мА
КЭО•
1
мВт
МГц
в
i
мкА
i
2Т9119А-2 i n-p-n 1 -60 . . . +125
3Вт
-
20
i 1,5
1 1А(1*А) 1 :S2мА(20В) i
1
1
1
1
1
i
i
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9121А
n-p-n
-60 ...+125
92** Вт
-
42
3
9.2* А
1
:Sl5 мА (42 В)
2Т9121Б
1
n-p-n 1-60. . . +125
46** Вт
-
42
1
3
4.6*А !
:S7,5 мА (42 В) i
1
1
1
'
1
1
1
!-60 ...+125
1
1
2Т9121В
1 n-p-n
11,5** Вт
-
42
3
1.15* А
s2.5 мА (42 В)
1
1
1
i
1
1-60...+125
2T912lf
1
n-p-n
130** Вт
-
42
3
13* А
:S22 мА (42 В)
2Т9122А
n-p -n
-60 ...+125
133** Вт
-
40
2
6,5 А (7,5* А)
:Sl50 мА (45 В)
2Т9122Б
n-p -n
-60 ...+125
110** Вт
-
45
2
5.4А(6*А)
:Sl50 мА (45 В)
1
1
1
!
'
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
!
!
i
1
i
2Т9123А
n-p-n
-60 ...+125
60* Вт
130
60* (lк)
5
12,5 А; 30* А
:S5* мА (60 В)
2Т9123Б
n-p-n
-60 ...+125
60* Вт
130
70* ( 1к)
5
12,5 А; 30* А
:S5* мА (70 В)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т9124А
n-p-n
-60 ...+125
23,5** Вт
-
30
1,5
1,5А(2*А)
:S20 мА (30 В)
2Т9124Б
n-p-n
-60 ...+125
21,5** Вт
-
30
1,5
1,5А(2*А)
s20 мА (30 В)
'r
1
1
~
1
!
~
1
.
!
1
а
1
1
2Т9125АС
n-p-n
-60 ...+125 1
64* Вт
~660
55* (10Ом)1
4
1
4А
1 s6o•мА(55В)
!
i
!
1
1
1
1
i
1
!
!
!
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
11800.. .18000 ( 10 В; 10 А)
1 1600...7000 (10 В; 1 А)
1
:5110* (5 В; 0,5 А)
:57,5 (15 В)
1
1
7,5 (15 В)
7,5 (15 В)
7,5 (15 В)
7,5 (15 В)
:570 (28 В)
~2.7**
~6**
~6**
~6**
~6**
~4**
~4**
:50,3
:51,3
~3**
~3.2**
~4**
Кш, дБ
r;, Ом
Р:,., Вт
~4.5** (7 ГГц)
~35**
(2,3 ...2,7 ГГц)
~17**
(2,3 ...2,7 ГГц)
~4**
(2,3 ...2,7 ГГц)
~50**
(2,3 ...2, 7 ГГц)
~55** (2 ГГц) 1
~45** (2 ГГц) 1
~10** (3,1 ... 3,5 ГГц)
~8** (3,1 ...3,5 ГГц)
~50** (500 МГц)
tlC1 пс
~~et НС
tllWIUlt НС
t::.. нс
250*
250*
:520
339
Корпус
2Т9119-2
S,3 -
п.• -
{f-~
1
+
кТэ
e,...c-h-~-
5.:s
2Т9121
'
'1/ .,.Б
.....
к~ ... ,_
~-
rt
'
~э
4,6
-
211,5
2Т9122
1
-
-
6.3
-
21..f
2Т9123
27,1 ~
~Noi ~-
..,.
.
-
к
2Т9124
~~~Fmfз
Ж1-f.ШJ
2Т9125

340
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
~Р' ~216 1
UКБО npo6'
lкmaA
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmаА'
cl'J'
U~RnpoO' UЭБО max'
1;.к maxt
I~R•
прибора
·с
р~~ к max'
с
u~ ......
в
I"
тура
"
мА
КЭО•
мВт
мrц
в
мкА
2Т9126А
п-р-п
-60 ...+125
330* Вт
~100
100* (О,Оlк)
4
30А;50*А S200*мА(100В)
1
1
2Т9127А
п-р-п
-60 ...+125
1151 ** Вт
~1025
65
3
38* А
s60* мА (65 В)
2Т91276
п-р-п
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т91278
-60 ...+125
1151**Вт
~1025
65
3
38* А
s60* мА (65 В)
2Т912Л
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9127Д
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9127Е
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9127Ж
-60 ...+125
1151** Вт
~1025
65
3
38* А
s30* мА (65 В)
2Т9127И
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
S30* мА (65 В)
2Т9127К
-60 ...+125
524** Вт
~1025
65
3
19* А
s30* мА (65 В)
2Т9128АС
п-р-п
-60 ...+125
115* Вт
~200
50*
4
18А
SlOO* мА (50 В)
2Т9129А
п-р-п
-60 ...+125
47* Вт
-
30
1,5
4А
S30 мкА (30 В)
2Т91ЗОА
п-р-п
-60 ...+125
10* Вт
~200
250
6
150
Sl мкА (250 В)
1
2Т9131А
п-р-п
- 60 ... +125
350* Вт
~100
100*
6
25А;40*А S200*мА(100В)
2Т9132АС
п-р-п 1-60... +125
220** Вт
~320
50
4
11,2 А; 22* А Sl50* мА (50 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
341
!
1
1
1
~
rкэнк• Ом
Кw,дБ
'tк, ПС
1
с,,
t:.ac• НС
h211t ь;IЭ
С~zэ•
r~3 нок• Ом
r;, Ом
Корпус
пФ
к:· •. дБ
Р:х• Вт
t::мt НС
t::. нс
~10*(10В;5А)
$500 (50 В)
~13**
~500** (1,5 МГц)
-
2Т9126
.
:tri
.....
6
к
N
(l)
1
&
v
463
1
-
-
~5.6**
~550**
-
2Т9127
1'
(1,025... 1, 15 ГГц)
1
-
-
~6.2**
~250**
-
(1,025 ... 1 , 15 ГГц)
~
'rе-Б
-
-
~6.2**
500**
-
-
-
~6.2**
250**
-
.....
к~lL..
-
-
~6.2**
250**
-
~
!"а."
""'
Y:J ~
....
-
-
~6.2**
125**
-
1
-
-
~6.2**
500**
-
-
-
-
~6.2**
250**
-
4,6
211,5
-
~6.2**
125**
-
-
-
-
-
$100* (5 В: 0,5 А)
1
$430 (28 В) 7** (175 МГц) ~200** (175 МГц) 1
$30
2Т9128
!
1:
1
t•
1
~
:;.к·5
'а
с-.
в
23,2
3
-
-
~4.5**
~20** (3,5 ГГц)
-
2Т9129
1
~~~3·~18·
!
60...250 (9 В: 20 мА)
$6 (!О В)
$50
-
$20
2Т9130
1
;fiкФз
10... 100 (10 В; 10 мА) ! $800 (50 В)
$0,1; ~10**
~400** (30 МГц)
-
2Т9131
1
:tjf~
.....
6
к
N
(l)
1
&
463
1
-
$170 (30 В)
~3.5**
~140** (650 МГц)
$20
2Т9132
t11
~ ""к
3
1
1
:::
~к
з
~
1
1
1
16,2
1
,,
1
1
d
1
~
1

342
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах'
1,.,,. ~216•
UКБО npoO•
lк max
lкоо•
Тип
Струк- Токр .•
Р=. т max•
(;lэ•
U~Rnpo6' UЭБО max•
1~.и max•
l~R'
прибора
·с
р~~ и maxt
с·
u~npo6•
в
I"
тура
".
мА
кэо•
мВт
Мfц
в
1
мкА
2Т9133А
п-р-п
- 60 ... +125
130* Вт (70°С)
~240
55* (0,Оlк)
4
16А
1
:5200,. ' мА (55 В)
1
1
1
1
1
1
1
i
1
2Т9134А
п-р-п
- 60 ".+125
2600** Вт
-
50
3
78* А
:5120* мА (50 В)
2Т9134Б
п-р-п
- 60 ".+125
2100** Вт
-
50
3
63* А
:5120* мА (50 В)
i
1
2Т9135А-2
п-р-п 1 -60".+125
3,4 Вт
-
15
1,2
950
:52 мА (15 В)
2Т9136АС 1 п-р-п
- 60 ".+125
700** Вт
~300
60
4
30* А
1
:5140 мА (60 В)
1
1
1
1
1
1
1
i
2Т9137А
п-р-п
- 60 ".+125
9* Вт
~2700
22* (О,lк)
3,5
500
:510* мА (22 В)
2Т9137Б
п-р-п
- 60 ".+125
16* Вт
~2700
22* (О.lк)
3,5
1100
:525* мА (22 В)
i
1
1
1
J
2Т9138А i п-р-п
- 60 ".+125
60* Вт
~120
200
5
1
8А;12*А
:520 мА (200 В)
1
1
i
1
11
1
i1
1
1

Биполярные кремниевь1е транзисторы специального назначения
h21>' ь;IЭ
30 ... 70 (58; 5А)
ck,
с;2,•
пФ
$160 (28 В)
$260 (45 В)
~5.5 (18 В)
$5,5 (18 В)
$250 (50 В)
rкэнас' Ом
r~нас:' Ом
к~· •. дБ
~7.5**
~6**
~6**
~1.7**
~7**
~5.5**
~3.8**
$0,2; $0,2*
Кw,дБ
r~, Ом
Р;:•• Вт
~30** (225 МГц)
~1000** (1,5 ГГц)
~800** ( 1,5 ГГц)
~2.6**( 10 ГГц)
~500** (0,5 ГГц)
~2.1 ** (О, 1... 2 ,3 ГГц)
~4** (0,1 ...2,3 ГГц)
'tк, ПС
t:_(', нс
t:КJll НС
t::;., нс
$30
~20
343
Корпус
2Т9133
~t-..gз. 6
D
fNЗ
•
21
2Т9134
2Т9135
2Т9137
:Jtlк
~~
з
2
6,6
19,'J
2Т9138
16.8

344
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Ркmах•
~•• \z10•
UКБО проб•
lк max
•коо•
Тип
Струк- Токр.,
Р=. т max•
~:;1)1
U~Rnpo6• UЭБОmах• 1~.м max•
J~R•
прибора
тура
·с
р;: н maxt
с;х,
u~проб•
в
•••
мА
КЭО•
мВт
МГц
·в
мкА
2Т9139А
п-р-п
- 60 ... +125
23,5** Вт
-
30
1,5
2*А
$20* мА (30 В)
2Т9139Б
п-р-п
- 60 ... +125
21,5** Вт
-
30
1,5
1,5* А
$20* мА (30 В)
2Т9139В
п-р-п
-60 ...+125
52** Вт
-
30
1.5
4*А
$30* мА (30 В)
2Т9139Г
п-р-п
-60 ...+125
7,8** Вт
-
30
1,5
0,7* А
$5* мА (30 В)
1
2Т9140А
п-р-п
- 60 ... +125
176 Вт
-
50
-
10А
-
2Т914А
р-п-р
- 60 ... +125
7* Вт
~300
65
4
0,8 (1,5* А)
2*мА(65В)
2Т9143А
р-п-р
-60 ...+125
3* Вт
~1500
75
3
100; 300*
$1* (50 В)
2Т9146А
п-р-п
-60 ...+125
350** Вт
-
50; 45*
3
20* А
$40 мА (50 В)
2Т9146Б
п-р-п
-60 ...+125
175** Вт
-
50; 45*
3
10* А
$20 мА (50 В)
2Т9146В
п-р-п
-60 ...+125
70** Вт
-
50; 45*
3
4*А
$10 мА (50 В)
2Т9146Г
п-р-п
-60 ...+125
350** Вт
-
50; 45*
3
20* А
$40 мА (50 В)
2Т9146Д
п-р-п
-60 ...+125
175** Вт
-
50; 45*
3
10* А
$20 мА (50 В)
2Т9146Е
п-р-п
-60 ...+125
70** Вт
-
50; 45*
3
4*А
$10 мА (50 BJ
2Т9146Ж
п-р-п
- 60 ... +125
350** Вт
-
50; 45*
3
20* А
$40 мА (50 В)
2Т9146И
п-р-п
-60 ...+125
175** Вт
-
50; 45*
3
10* А
$20 мА (50 В)
2Т9146К
п-р-п
-60 ...+125
70** Вт
-
50; 45*
3
4*А
$10 мА (50 В)
2Т9147АС
п-р-п
- 60 ... +125
233* Вт
-
50* (0,01 к)
4
29А
$120* мА (50 В)
1
!

1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
10...60* (5 В: 0,25 А) $12 (28 В)
~20(5В:50А)
:s;3(10B)
~10* (5 В: 0,5 А)
:s;340 (28 В)
rкэ нас' Ом
r~нас• Ом
к~· •. дБ
~3.5**
~3.6**
~3.3**
~3.3**
~6.5**
~2.5**
~6**
~6**
~7**
~6**
~6**
~7**
~7**
~7**
~7**
~6.6**
Кш, дБ
r;, Ом
Р;:•• Вт
~10** (2,7 .. . 3 .1 ГГц)
~9** (2,7...3, 1 ГГц)
~20** (2,7 .. . 3 .1 ГГц)
~3** (2,7 ...3, 1 ГГц)
~125** (1,2 . .. 1,4 ГГц)
~2.5** (400 МГц)
~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~40**( 1,45 . . .1,55ГГц)
~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~40**( 1,45 .. .1,55ГГц)
~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц)
~40**( 1,45 .. .1.55ГГц)
~160** (0,4 ГГц)
т., ПС
~~·нс
tlblКJlf НС
t::. нс
$15
345
Корпус
2Т9139
2Т9140
1
---
-
6.S
21.5
2Т914
2Т9143
2Т9146 (А, f, Ж)
2Т9146 (Б, В, Д, Е, И, К)
1
.--~
~
--
'
4,6
211,5
2Т9147АС
23
~
111.•
11.4

346
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~. \21ь• UКБО npo6•
lк max
•коо•
Тип
Струк- Токр.,
р•
~;13•
U~R проб' UЭБОmах•
J~R'
К. т max•
•:. н max•
прибора
·с
р~:нmах•
("'
u;эо проб•
в
·~·
тура
""
мА
мВт
МГц
в
мкА
2Т9149А
п-р-п
-6 0 ... +1251
100** Вт
-
45
2
4,5* А
1
:5100 мА (45 В)
2Т9149Б
п-р-п 1-60. .. +125
56** Вт
-
45
2
2,1* А
:550 мА (45 В)
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
2Т915ЗАС
n-p -n
-60...+125
50* Вт
-
50
4
4А
:520 мА (50 В)
2Т915ЗБС
п-р-п
-60 ...+125
94* Вт
-
50
4
IOA.
:560 мА (50 В)
:
1
1
1
1
:
1
1
1
i
1
1
1
!
2Т9155А 1 n-p-n 1 -60 ...+125
43* Вт
~460
1
50
1
3
1
--4 А
1
~25* мА (50 В)
1
2Т9155Б 1 п-р-п i -60 . .. +125 1
100* Вт
~450
50
3
1;5,А
:525* мА (50 BJ
1
:
1
2Т9155В
п-р-п
-60 ...+125
180** Вт
~360
50
3
24А
:525* мА (50 В)
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
i
1
1
1
1
i
1
1
1
2Т9156АС
п-р-п
-6 0." +125
50* Вт
-
50
3
4А
:520* мА (50 В)
2Т9156БС
n-p -n
-6 0." +125
94* Вт
-
50
3
10А
~60* мА (50 В)
1
1
2Т9158А
п-р-п
- 60 ".+125
98** Вт
-
40
3
1
4,5* А
:5100 мА (40 В)
2Т9158Б
п-р-п 1 -60 . .. +125
45** Вт
-
40
3
2,1* А
:550 мА (40 В)
1
1
-
2Т9159А
п-р-п
-6 0." +125
5* Вт
~1100
120; 80**
3
400
:50,1 мА (120 В)
-
1
!
1
1
1
;
1
2Т9159А5
п-~-п -60." +125
5* Вт
1100
120
3
400
:50.1 мА (120 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
347
J
1
1
i
~
1
с"
1
rкэ нас' Ом
Кш, дБ
t11, ПС
~
t:act НС
1
1
h21>' ь;,э
с;2э'
r~Энас' Ом
r;, Ом
Корпус
1
пФ
к~·р, дБ
Р;:х• Вт
t::клt НС
1
t::, НС
1
~4**
~30** (2,15 . .. 2 ,3 ГГц)
2Т9149
-
-
-
-
-
~4**
~12** (2,15 .. . 2 ,3 ГГц)
-
!:fl'
""
r:ч к
~
~
212
~10* (5 8: 0,5 А)
$37 (28 8)
~7.8**
~15**(0,39 ... О,84ГГц)
-
2Т9153
~10* (5 8: 0,5 А)
1
$66(288) 1
~7**
~50* * (О,39 ...О,84ГГц)
-
1
tll·
1
1
1
1
i
1
...:-
..s к
3
1
1
.. ....5 ,8
.,.
18,2
~10* (5 8: 0,5 А)
$35 (28 8)
~6.5**
~15** (0,86 ГГц)
-
2Т9155
~10* (5 8: 0,5 А)
$35 (28 8)
~6.2**
~50** (860 МГц)
-
tfi·
~
..s
6
......
.,. к
1
1
1
1
1
18,2
1
!
1
1
:
'
! ~10*(58:0.5А)
1
$35 (28 8)
~5**
~100** (0,86 МГц) 1
-
2Т9155В
1
!
1
1
1
i
23
1
~ U.•1..J""":U
1
:61
t1
22,5
1
'~:t:::~,-1
~10* (5 8: 0.5 А)
1 $37(288)
~7**
~15** (О,65".1 ГГц)
-
2Т9156
~10* (5 8: 0.5 А)
1
$66 (28 8)
1
~6**
~50** (О.65".1 ГГц)
-
t11
i
1
1
1
...
""
1
;::
~к
6
1
1
1
1
18,2
'
i
'1
-
-
~5**
~30** (2,3".2,7 ГГц)
-
2Т9158
-
-
~6**
~12** (2,3 . .. 2 ,7 ГГц)
-
!:111
""
r:чз
6
-
~ 212
20. "6 0* (5 8: 50 мА) $2,5(108)
-
-
-
2Т9159
1
С'<
f~
.. ... ..
~
1S.
'6
5;9 12,1
2,5
-
20" . 6 0* (5 8; 50 мА) $2,5(108)
-
-
-
2Т9159-5
0,5
0,3
~шт

348
Раздел 2. Билопярные транзисторы
Рк max'
~•• (216'
UКБО "роб'
lк max
IКБО'
Тип
Струк· Токр.,
Р~. т mал'
(;lэ'
U~Rлроб' UЭБО max'
••
·~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~ и maxl
~~·:х'
u~"роб'
в
К,и maxt
1~.
мВт
МГц
в
мА
мкА
2Т916А
n-p -n
-60...+100
30* Вт
~1100
55* (0,01 к)
3,5
2(4*)А
:>:25* мА (55 В)
1
1
2Т9161АС
n-p -n
-60...+125
700** Вт
500
60
4
25А
:>:280 мА (60 В)
2Т9162А
n-p -n
-60...+125
1290** Вт
600
50
3
39* А
:>:60 мА (50 В)
2Т9162Б
n-p -n
-60...+125
1165** Вт
600
50
3
35* А
:>:60 мА (50 В)
2Т91628
n-p -n
-60 ...+125
1290** Вт
600
50
3
39* А
:>:60 мА (50 В)
2Т9162Г
n-p -n
-60...+125
1265** Вт
600
50
3
39* А
:>:60 мА (50 В)
2Т9164А
n-p -n
-60...+125
875** Вт
-
65
-
20А
-
1
2Т917А
n-p -n
-60...+125
50* Вт
~60
150
5
10 (15*) А
:>:20 мА (150 В)
1
2Т9175А
n-p -n
-60...+125
3,75** Вт
~900
20* (10 Ом)
3
500
:>:1,5* мА (20 В)
2Т9175Б
n-p -n
-60 ...+125
7,5** Вт
~900
20* (10 Ом)
3
lA
:>:3* мА (20 В)
2Т9175В
n-p -n
-60 ...+125
15** Вт
~780
20*(100м)
3
2А
:>:5* мА (20 В)
1
1
1
~
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
349
ck,
rкэнас• Ом
Kw, дБ
tк, ПС
h21~• ь;IЭ
с;2э'
r;Энас• Ом
r;, Ом
t;ac• НС
Корпус
пФ
к;•. дБ
Р;~,, Вт
t::кnt НС
t::. нс
35* (5 В; 0,25 А)
1 :520 (30 В)
:50,7"
~20** ( 1 ГГц)
1
:510
1
2Т916
1
1
1
~~2, ,5
~20* (5 В; 0.5 А)
-
~7**
~500** (0,4 ... 0,5 ГГц)
-
2Т9161
t1·
;::
~к
з
1
1
s.в
18;2
1
-
-
~6**
~500** (1,4 .. .1,6 ГГц)
-
2Т9162
-
-
~**
~400** (1,4 .. .1,6 ГГц)
-
-
-
~6**
~500** (1,4 ... 1,6 ГГц)
-
Б•
-
-
~7**
~500** (1,4 ... 1,6 ГГц)
-
1"'~
.. ..
1
э
~
1
К'\;_Э
'
-
Бfl
~
1
!
1
~4**
~300**
2Т9164
-
1
-
-
1
1
(1,03 ... 1,09 ГГц)
tl
1
~
~к
з
:::
~к
з
16,2
10...60* (7 А; 5 В)
-
-
30... 50** (10 МГц)
-
2Т917
1
1
1
~ltil
-
к
.
~. t:: 1~5
-
:510
~10** раз
~О.5**(200... 512МГц)
:518
2Т9175
-
:516
~6** раз
~2**(200 ... 512МГц)
:518
-
:530
~4** раз
~5**(200... 512МГц)
:518
t-bl-1
...
<::>'
1__J
"'
1
1
<::>'
1
20,5
.., .....
.. .: ..,
.
f
.
I2
з._ ll Г'1 -з
LЭ-
1Г
-( ~ .....
ч; ....
<о
з't/к~ j
<а
1\з 16
~15

350
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
f,,,, (ш,
UКБО .....
i lкmax
1
•коо•
1
Тип
Струк· Токр .•
Р;, т max•
~;lэ'
U~Rnpo6' UЭБО maxt
1
·~..
прибора тура
·с
р~: н max•
(;:х,
u~npo6•
в
1;.н maxt
1
•••
мА
КЭО•
мВт
мrц
в
1
мкА
2Т9175А-4
п-р-п
-60 ...+125
3,75** Вт
900
-
-
500
-
2Т9175Б-4 1 п-р-п 1 -60 ... +125
7,5** Вт
900
-
-
1А
-
2Т9175В-4 1 п-р-п 1-60... +1251
15** Вт
780
-
-
2А
-
1
1
1
1
1
1
1
!
1
i
1
1
2Т9183А-5 1 п-р-п 1 -60 . .. +125
-
-
70*
-
12А
-
БСИТ
2Т9184А
п-р-п 1-60 ... +125
50* Вт
~30
70* ( lк)
5
10А;20*А
:51 мА (70 В)
1
1
2Т9188А
п-р-п
-60 ...+125
35** Вт
700
-
-
5А
-
1
1
1
2Т9188А-4
п-р-п
-60 ...+125
35** Вт
700
-
-
1
5А
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
<::100 (5 В; 6 А)
60...100(1 В:4А)
:510
:516
:530
:5350
:550
:550
rкэ ""' Ом
r~нас' Ом
к:· •. дБ
<::10** раз
<::6** раз
<::4** раз
:50,025
:50,1
<::5** раз
<::5** раз
Кw,дБ
r;, Ом
Р;:х• Вт
<::0,5**(200 ... 512МГц)
<::2* *(200... 512МГц)
<::5* *(200... 512МГц)
<::10** (0,2 ... 0,47 ГГц) 1
1
1
1
!
i
1
1
1
1
<::10** (0,2 ... 0,47ГГц)1
т,, пс
~;...нс
tвыкп• НС
t::, НС
351
Корпус
2Т9175-4
">
"'
"' "'
5
1::3" ~
э
з
1с)
.....
ч)
......
з
н
1,6
2Т9183-5
2Т9184
:rm-t
·~
1
2Т9188
!
i ....
1~~
2Т9188-4
">
"'
"' "'
5
1::3" ~
э
з
1с)
.. ...
ч)
......
з
н
1,6

352
Раздел 2. Биполярные транзисторы
pKmax•
~•• ~216•
UKБOnpo6•
lк .,.,
•коо•
Тип
Струк- Токр.1
Р~.тmах•
~;lэ•
U~ЭR проб• UЭБО max•
1~, к max'
J~R'
прибора
·с
р~~ к max'
с·
u~npo6•
в
•••
тура
".
мА
кэо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т919А
п-р-п
-60 ...+125
10* Вт
:21350
45
3,5
0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В)
2Т919Б
п-р-п -60 ... +125
5* Вт
:21350
45
3,5
0,35 (0,7*) А
:55 мА (45 В)
2Т919В
п-р-п
-60 ...+125
3,25* Вт
:21350
45
3,5
0,2 (0.4*) А
:52 мА (45 В)
2Т919А-2
п-р-п -60 ... +125
10* Вт
:21350
45
3,5'
0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В)
2Т919Б-2
п-р-п -60 ... +125
5* Вт
:21350
45
3,5
0,35 (0,7*) А :55 мА (45 В)
2Т919В-2
п-р-п
-60 ...+125
3,25* Вт
:21350
45
3,5
0,2 (0,4*) А
:52 мА (45 В)
2Т920А
п-р-п -60 ... +125
5* вт (50°С)
:2400
36
4
0,25 (l•) А
:51*мА(36В)
2Т920Б
п-р-п
-60 ...+125 10* вт (5О0С)
:2400
36
4
1(2*)А
:52* мА (36 В)
2Т920В
п-р-п
-60 ...+125 25* Вт (50°С)
:2400
36
4
3(7*)А
:55* мА (36 В)
1
1
2Т921А
п-р-п -60 ... +125 12,5* Вт (75°С)
:290
65* (О,lк)
4
3,5 А
:510* мА (70 В)
2Т921А-4
п-р-п
- 6 0 ... +125 12,5* Вт (75°С)
:290
65* (О,lк)
4
3,5 А
:51* мА(70В)
2Т922А
п-р-п
-60 ...+125 8* вт (40°С)
:2300
65* (0,lк)
4
0,8 (1,5*) А :52* мА (65 В)
2Т922Б
п-р-п -60 ... +125 20• вт (40°С)
:2300
65* (0, lк)
4
1,5 (4,5*) А :510* мА (65 В)
2Т922В
п-р-п
-60 ...+125 40* Вт (40°С)
:2300
65* (О,lк)
4
3(9*)А
:520* мА (65 В)
2Т925А
1
п-р-п
- 6 0 ... +125 5,5* Вт (40°С)
:2600
36* (О,lк)
4
0,5(\*)А
:55 мА (36 В)
2Т925Б
п-р-п
-60 ...+125 11• Вт (40°С)
:2600
36* (О,lк)
4
1(3*)А
:510 мА (36 В)
2Т925В
1
п-р-п
-60 ...+125 25* Вт (40°С)
:2500
36* (О,lк)
3,5
3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В)
2Т926А
п-р-п -60 ... +125 50* Вт (50°С)
:251
150* (О,Оlк)
5
15 (25*) А :525* мА (150 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
353
~
i
1
li
~
с,,
rкэнас• Ом
Кш, дБ
tк, ПС
li
h21.1 ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
1
пФ
к;·,, дБ
Р;:,, Вт
t::кл' НС
t::, нс
-
:510 (28 В)
-
~3.5** (2 ГГц)
:52,2
2Т919
-
:56,5 (28 В)
-
~1.6** (2 ГГц)
:52,2
-
:55 (28 В)
-
~0.8** (2 ГГц)
:52,2
~ зl''к
~ ~' 1~~6
2
16:6 -
19,J
-
:51О(28В)
~4.1 **
~4.1 ** (2 ГГц)
:52,2
1
2Т919-2
-
:56,5 (28 В)
~3.2**
~1.6** (2 ГГц)
:52,2
1
1
1
:55 (28 В)
~4**
~0.8** (2 ГГц)
:52,2
"'
,,
-
'с:.'
-~~
'S.
h:o
,__
~'
'
Б '"'-i
~
t
-~
2.6 D
•
1
:530* мА (5 В; 50 мА)
:515 (10 В)
~7**
~2** (175 МГц)
:520
2Т920
:540* мА (5 В; 100 мА) :525 (10 В)
~4.5**
~7** ( 175 МГц)
:520
~ ·-~-изк 1
:525* мА (5 В; 250 мА) :575 (!О В)
~3**
~20** (175 МГц)
:520
'
..;-
...........
У:'
..,.
... .....,,,
i;::
~
~ ,/!. __
"
э
1
1
6 12.2
2
1
~10·(10В;1А)
:550 (20 В)
~8**
~12,5** (60 МГц)
:5300*
2Т921
:е
ff...
6
~10*(10В; 1А)
:550 (20 В)
~8**
~12,5** (60 МГц)
:5300*
2Т921-4
~
~~~
j
~
1
67
5
~10* (0,5 В; 1 А)
:515 (28 В)
~10**
~5** ( 175 МГц)
:520
2Т922
~10* (0,5 В; 0,25 А)
:535 (28 В)
~5.5**
~20** (175 МГц)
:520
~10* (0,5 В; 0,5 А)
:565 (28 В)
~4**
~40** ( 175 МГц)
:525
~~6 з
~
,.,..
_!
..,.
--
~
-"
,._
э
6 72.2
2
~8*(5В;0,2А)
:515 (12,6 В)
~6.3**
2** (320 МГц)
:520
2Т925
~10* (5 В; 0,2 А)
:530 (12,6 В)
~4**
7** (320 МГц)
:535
~
з
~17* (5 В; 0,2 А)
:560 ( 12,6 В)
~3**
20** (320 МГц)
:540
~
~6
к
ЕЗ!~-
..,.
~L-
~
э
6 72.2
2
12...60* (7 В; 15 А)
-
:50,17
-
-
2Т926
~fitll
g:::
•
t::::
1~5
23зак9

354
Раздел 2. Биполярные транзисторы
i
!
1
pKmax•
(,,,. ~216•
UКБО •роб•
i
IКБО•
1
lк max
1
Тип
Струк- Токр. •
р'
t;lэ•
U~ЭR ороб• UЭБО max• 1
1;, и max•
1
I~ЭR•
К. т 1na'(t
прибора
тура
·с
р~~ иmax•
~~:х•
u;;,, ороб•
в
1"
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
2Т928А
n-p-n
-60 ...+125
0,5 Вт (2*) Вт
:?:300
60
5
0,8 (1,2*) А
:51 (60 В)
2Т928Б
n-p-n
-60 ...+125
0,5 Вт (2*) Вт
:?:300
60
5
0,8 (1,2*) А
:51 (60 В)
1
1
1
1
1
2Т929А
i
n-p-n
-60 ...+125
6 Вт (40°С)
:?:700
30* (О.lк)
3
0,8 (1,5*) А
:5500 (30 В)
1
2Т930А
n-p -n
-60 ...+125
75* Вт (40°С)
:?:450
50* (О,lк)
4
БА
:520* мА (50 В)
2Т930Б
1 n-p -n 1-60. . . +1251 120* Вт (40°С)
:?:600
50* (0,lк)
4
IOA
1 :5100• мА (50 BI
·,
!
'
!
1
j
"
1
,,
i
1
1
i
~
1
1
1
~
i
!
1
i
i
•'
1
!
1
q
i
1
1
!
!
1
j
1
!
i
2Т931А
1
n-p-n l
-60 ...+125 1 150 Вт (40°С)
:?:250
1 60* (0,Оlк) 1 4
15А
1
:520* мА (60 В)
1
1
1
1
1
!11
i
i
1
~
!1
1
i
1
!
1
1
!
'
1
i
1
i
'i
l2T932A
1
1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) i
:?:30
1
80
4,5
1
2А
i
:51.5* мА (80 В)
1 p-n-p
1
1
2Т932Б
! p-n-p 1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) !
:?:50
60
4,5
2А
! :51,5* мА (60 BJ
1
1
i
:
l
1
•
1
i
i
i
i
1
1
i
'
2Т933А
p-n-p
-60 ...+125
5* Вт (50°С)
:?:75
80
1
4,5
0,5 А
:50,5* мА (80 BI
2Т933Б
p-n-p
-60 ...+125
5* Вт (50°С)
:?:75
60
1
4,5
0.5 А
1
:50,5* мА (60 В)
1
1
'
1
~
1
1
1
!
i
!
1
1
1
i
i
1
1
1
1
1
'
1
i
,
1
1
1
i
1
~
1
1
i
1
1
1
1
1
1
i
1
!
1
1
!
1
1
!
1
!
1
i
2Т934А
i n-p -n 1-60.. . +125
7,5* Вт
:?:500
60* (0.Оlк)
4
1
0.5 А
1 :55*мА(60В)
2Т934Б
1
n-p-n
-60 ...+125
15* Вт
:?:500
60* (О,Оlк)
4
1
IA
i :510* мА (60 В)
2Т934В
n-p -n
-60 ...+125
30* Вт
:?:500
60* (0,Оlк)
4
2А
:520* мА (60 В)
1
2Т935А
n-p-n
-60 ...+125
60* Вт (50°С)
:?:51
80* (О,Оlк) 1
5
1 20(30*)А
1
:530* мА (80 В) ~
1
1
1
i
!
1·
1
i
!
!
1
1
1
i
1
1
1
1
'i
1
1
1
1
1
1
1
1
i

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
355
1
ck,
rкэиас' Ом
Кw1 дБ
tк, ПС
h21.• ь;,э
с;2э'
r~нас' Ом
r~, Ом
t~ac• НС
Корпус
пФ
к~·,, дБ
Р:•• Вт
t::КJI. нс
t::. нс
30 ... 100* (5 В; 150 мА) :512 (10 В)
:52
-
:5225*
2Т928
50 ... 200* (5 В; 150 мА) :512 (10 В)
:52
-
:5225*
~кфз
1
~25* (5 В; 0,7 А)
:520 (8 В)
~10**
~2** (175 МГц)
:525
2Т929
...-ill ~ 6 l!JЗ К
~r.r. ., -~
1!1.
--=
.L-
'
11 1з
6 121
21
40*(5В;0,5А)
:580 (28 В)
~6**
~40** (400 МГц)
8
1
2Т930
50*(5В;0.5А)
:5170 (28 В)
~4**
~75** (400 МГц)
11
1
lffii
~
t;"
7
25*(5В:0.5А)
:5240 (28 В)
0,18; ~4**
~80* * ( 175 МГц)
18
2Т931
-i
1
~
1
1
1
.....,
1
~
7
1
1
~15* (3 В: 1,5 А)
:5300 (20 В)
:51
-
-
2Т932
~30* (3 В: 1.5 А)
:5300 (20 В)
:51
-
-
п1~
~ffli ~.
~15* (3 В; 0.4 А)
:5100 (20 В)
:53,75
-
-
2Т933
~30*(3В:0,4А) 1:5100(20В)
:53,75
-
-
;tфкфз
1
50*(5В;0.1А)
:59 (28 В)
2; ~6**
~3** (400 МГц)
:520
2Т934
50* (5 В; 0,15 А)
:516 (28 В)
1; ~4**
~12** (400 МГц)
:520
"~ • ,J',
50* (5 В; 0,25 А)
:532 (28 В)
о,5; ~3**
~25** (400 МГц)
:520
~
~~;::
р1з
6 121
21
20... 100* (4 В: 15 А) i :5800 (10 В)
:50,66
-
:5700**
1
2Т935
1
1
~liil
~. 1::: 1~5
2з·

356
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maxt
~. (216•
Uкю npo0•
IKmax
Iкю,
Тип
Струк- Токр. •
P~.тmaxt
(;,3,
U~Rnpo6• UЭБОmа1'.' 1;.н maxt
I:СЭн'
прибора тура
·с
р~: и maxt
с:х,
u~ .....
в
1··
мА
КЭО•
мВт
Мfц
в
мкА
2Т935А-5
п-р-п
-60 ...+125
60* Вт
~51
80*
5
20А
:530* мА
1
1
1
1
1
1
1
2Т937А-2
п-р-п
-60 ...+125
3,6** Вт
6500
25
2,5
250
:52* мА (25 В)
2Т9375-2
п-р-п
-60 ...+100
7,4** Вт
6500
25
2.5
450
:55* мА (25 В)
12Т937А-5 1
п-р-п
-60 ...+125
3,6** Вт
6500
25
2,5
250
:52 мА (25 В)
:
i
1
1
1
1
1
2Т938А-2
п-р-п
-60 ...+125
1,5* Вт
~2000
28
2,5 в
180
:51 мА (28 В)
1
1
1
1
1
2Т939А
1 п-р-п 1 -60 ... +125
4* Вт
~2500
30* (0.Оlк)
3,5
400
:52 мА (30 В)
2Т9395
1 п-р-п 1 -60 ... +125
4* Вт
~1500
30* (0,Оlк)
3,5
400
:52 мА (30 В)
1
1
1
1
2Т939А1
п-р-п
-60 ...+125
4* Вт
~2500
30* (О,Оlк)
3,5
400
:51 мА (30 В)
2Т941А
! р-п-р
-60 ...+125
4* Вт
~1500
30
3
500
:5300 (30 В)
1
2Т942А
п-р-п
-60 ...+125
25** Вт
~1950
45
3,5
1,5 А
:520 мА (45 В)
2Т9425
п-р-п
-60 ...+125
22** Вт
~1950
45
3.5
1,5 А
:520 мА (45 В)
1
1
1
2Т942А-5
п-р-п
-60 ...+125
25** Вт
~1950
45
3,5 1
1,5 А
:520 мА (45 В)
2Т9425-5
п-р-п
-60 ...+125
22** Вт
~1950
45
3,5
1,5 А
:520 мА (45 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
357
ck,
rкэ нас• Ом
Кw,дБ
tк, ПС
hz,,• ь;,э
с;2з'
r~нас' Ом
r;, Ом
t~,. нс
Корпус
пФ
к~·., дБ
Р:,,, Вт
t::.,, . нс
t::, нс
20... 100* (4 В: 15 А)
1
:5800 (!О В)
:50,66
-
:5700**
2Т935-5
1
1
~шт
1
-
:55,5 (20 В)
~1.6**
~1.6** (5 ГГц)
0,78
2Т937
-
:57,5 (20 В)
~1.8**
~3.6** (5 ГГц)
0,6
:ltl
;-
~
6
2
6
19,;J
-
:55,5 (20 В)
~1.6**
1
~1.6** (5 ГГц)
0,78
2Т937-5
~mг
-
:54 (20 В)
~2**
~1 ** (5 ГГц)
:52
2Т938-2
•tt
f:m
ifEit:i~
~: ~1!~6
j 40...200* (12 В: 0.2 А) :55,5 (12 В)
-
-
:59
2Т939 (2Т939А1)
20...200* (12 В: 0,2 А)
:56 (12 В)
-
-
$10
~
f~
.- .:
1S.
40 ... 200* (12 В: 0,2 А)
-
-
-
-
(9 11,1
2' ,5
(2.•.5,4)
~20* (5 В: О,1А)
:55 (20 В)
:56
-
:515
2Т941
;fiкФэ
-
:520 (28 В)
~2.5**
~8** (2 ГГц)
:52,2
2Т942
-
:520 (28 В)
~2.5**
~6** (2 ГГц)
:52,5
:ttl
1
~-
~
1
6
1
1
2
6,6
1
19.
-
:520 (28 В)
~2.5**
~8** (2 ГГц)
:52,2
2Т942-5
-
:520 (28 В)
~2.5**
~6** (2 ГГц)
:52.5
~r0r

358
Тип 1 Струк- Токр.,
прибора 1 тура \ ·с
Рк max'
Р~.тmax t
р~~ и maxt
мВт
~2Т944А
n-p -n
- 60." + 125 55* Вт (90°С)
2Т945А
n-p -n 1-60. .. +125 50* Вт (50°С)
2Т945Б
n-p -n 1 -60".+1251 50* Вт (50°С)
1-60 . .. +125
1
2Т945В
n-p -n
50* Вт (50°С)
1
1
2Т945А-5
n-p-n 1 -60 ...+125 1 50* Вт (50°С)
2Т946А
i n-p -n 1-60... +1251
37,5** Вт
~
!
j
1
1
1
2Т947А
1 n-p-n
-60 ...+125 1 200* Вт (50°С)
1
1
1
!
!
1
1
1
2Т948А
1 n-p-n 1 -60 ...+125
40* Вт
2Т948Б
! n-p -n 1 -60 ."+125
20* Вт
1
1
1
i
2Т949А
n-p-n ,
-60 ...+125
60* Вт
1
1
i
j
2Т950А
1 n-p-n
-60 ...+125
84 Вт
2Т950Б
n-p -n
-60 ...+125
60 Вт
1
i
f..v, \z1••
\;lэ'
~::х'
МГц
~105
~51
~51
~51
~51
~720
i
~75
1
~1950
1
~1950
180
1
~150
~90
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО о1ю<>'
lк max
lкоо•
U~ЭR 01ю<>' UЭБО maxt
1~. н maxt
I~R•
u~ ороб•
в
1··
мА
кэо•
в
мкА
100* (0,01 к)
5
12,5 (20*} А :s80* мА (100 В
200*
5
15 (25*} А :s25* мА (200 В)
(100 Ом)
150*
5
15 (25*) А :s25• мА (150 В)
(100 Ом)
150*
5
10 (20*} А :s25* мА (150 В)
(100 Ом)
200*
5
1
15(25*)А :S25* мА (200 В)
(100 Ом)
50
3,5
2,5(5*)А \ :s50мА(50В)
'
1
'
i
1
i
i
1
'
)
100* (0,01 к)
5
20 (50*} А :SIOO* мА (100 В)
1
1
1
i
i
45
2
2,5(5*)А 1 :s30мА(45В)
45
2
1,25 (2,5*} А ! :sl5 мА (45 В)
60*
5
20А
:s50 мА
1
1
j!
i
1
~
1
1
~i'
1
1
1
60*
1
4
1
10А
:s30 мА* (60 В)
65*
4
7А
:s30 мА* (60 В)
1
i
1
1
1
1
1

1
11
11
i
1
1
11
~
1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
h21э' ь;!Э
10...80* (5 В; 10 А)
1
!
i1
1
10...60* (7 В; 15 А)
10...60* (7 В; 15 А)
10...60* (7 В; 10 А)
10...60* (7 В; 15 А)
10...80~ (5 В; 20 А)
1
i
1
i
1
10...90* (10 В; 15 А) '1
!
1
15...100(5А; 10В) 1
10... 100(5А; IOB) 1
с"
с;2э'
пФ
:5350 (28 В)
s;200 (30 В)
:5200 (30 В)
:5200 (30 В)
:5200 (30 В)
:550 (10 В)
:5850 (27 В)
:530 (28 В)
:517 (28 В)
550
:5165 (28 В)
:5220 (28 В)
rкэ иас' Ом
r~э иас' Ом
к:·,, дБ
s;0,25; ::>: 10* *
s;0,17
s;0,17
s;0,17
1
s;0,17
1
!
1
1
::>:4**
::>:10**
1
-
0,15; ::>:7**
0,15; ::>:10**
1
i
1
1
1
1
Кш, дБ
r;, Ом
Р:х, Вт
::>:100** (30 МГц)
-
-
-
-
::>:27* * (1 ГГц)
::>:250** (1,5 МГц)
::>:15** (2 ГГц)
::>:8* * (2 ГГц)
-
::>:70** (80 МГц)
::>:50** (30 МГц)
tк, ПС
f~al'' НС
t;ЫIUlt НС
•::, НС
-
$1,1* мкс
:51,1* мкс
$1,1* мкс
1
:51,1* мкс
'
11
!
1
140**
1
-
!
-
1
1
1
359
1
Корпус
1
1
2Т944
r.
1:
!
Чt~
...;
.
с-.
2Т945
n.t кt)
6"з
~
.. ...,
о'о
~ffl~ т
..:;
.
'
-
к
2Т945-5
~шт ~
2Т946
2Т947
2Т948
1
/(
э
:
i
""'
i
s:!'
C"i
8,5
11
~
1
4,f
1
1
2Т949
i
1
~1
==tifj-
~
1
.
1
\...--~
1
2Т950
1
!
1
1~
'; ·~~
1-f'~Б К
j
~'
.
А-А
э
~· 15,7 --
ZI

360
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1
Рк max'
~" ~".. UКБО """"'
lкоо•
~
lк max
Тип
Струк· Токр.,
Р~.тmах'
~;lэ'
U~ЭR ""°"'
UЭБО max'
1:,н rnax t
J~ЭR•
прибора
тура
·с
р~~ и maxt
~~·;х'
u~""""' в
мА
I~эо•
мВт
МГц
в
мкА
2Т951А
n-p-n
- 60 ... +125
45 Вт**
<:150
60*
4
5А
:о;20 мА (60 В)
2Т951Б
n-p -n
- 60 ... +125
30 Вт**
<:90
65*
4
ЗА
:<;;20 мА (60 В)
2Т951В
n-p -n
-60 ...+125
6,3 Вт**
<:150
60*
4
0.5 А
:<;;5 мА (60 В)
2Т955А
n-p-n
- 60 ... +125
20* Вт (I00°C)
<:100
70* (О,Оlк)
4
6А
:o;lO* мА (60 В)
2Т956А
n-p -n
- 60 ... +125 70** Вт (I00°C)
<:100
100* (О,Оlк)
4
15А
:<;;80* мА ( 100 В)
2Т957А
n-p-n
-60 ...+125 100** Вт (1ОО0С)
<:100
60* (0,01 к)
4
20А
:<;;100* мА (60 В)
1
2Т958А
n-p-n
- 60 ... +125
85* * Вт (40°С)
<:400
36* (О,Оlк)
4
10А
:<;;15* мА (36 В)
1
1
1
!
1
1
1
2Т960А
n-p -n
- 60 ... +125
70** Вт (40°С)
<:600
36* (0,01 к)
4
7А
:<;;20* мА (36 В)
2Т962А
n-p-n
- 60 ... +125
17** Вт (40°С)
<:750
50
4
1,5 А
:о;20 мА (50 В)
2Т962Б
n-p-n
- 60 ... +125
27** Вт (40°С)
<:750
50
4
2,5 А
:<;;20 мА (50 В)
2Т962В
n-p-n
- 60 ... +125
66** Вт (40°С)
<:600
50
4
4А
:о;ЗО мА (50 В)
2Т963А·2
n-p -n
- 60 ... +125
1,1 *Вт
-
18
1,5
210
:<;;1 мА (18 В)
2Т963Б-2
n-p -n
- 60 ... +125
1,1 *Вт
-
18
1,5
185
:<;;1 мА (18 В)
1
!1
i
1
1
1
i
1
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
15...100 (2 А: 10 8)
10... 100 (2 А; 10 8)
30...200 (2 А: 10 8)
10...80* (5 8: 1А)
10...80* (5 8: 1 А)
.
10...80* (5 8; 5 А)
210* (8 8: 0.5 А)
пФ
$70 (28 8)
$70 (28 8)
$12 (28 8)
$75 (28 8)
$4005 (28 8)
$600 (28 8)
$180 (12 8)
$120 (12 8)
$20 (28 8)
$35 (28 8)
$50 (28 8)
1,5(58)
1,5(58)
rкэ на{·' Ом
r~э нас' Ом
к:· .. дБ
28,3**
210**
215**
220** раз
220**
217**
24**
22,5**
24**
23,5**
23**
23**(10ГГц)
23** (10 ГГц)
Кш• дБ
r~, Ом
Р;:х, Вт
225** (80 МГц)
220** (30 МГц)
23** (80 МГц)
220** (30 МГц)
2100** (30 МГц)
2125** (30 МГц)
240** (175 МГц)
240** (400 МГц)
210** (1 ГГц)
220** ( 1 ГГц)
240* * (1 ггц)
20,8** (10 ГГц)
20,5** ( 10 ГГц)
'tK1ПС
f~act НС
t::кл 1 НС
t::, нс
12
12,5
$15
$14
$11
361
Корпус
2Т951
,6 7J.2
2Т955
2Т956
~~~
:11ыJ t ъ:J
2Т957
~~~
:11ыJ t ъ:J
2Т958
+li2Т960
-т--...,....,...,,·6
~~·~~·~к25Jl
2Т962
2Т963
_
S,3
n,Ф
-
~·~
tч
~"-~
-
~"
·~-
1
~
ко:э
~ .....
=-
= 5.:1-
l=i=: Б
~1

36.2
Раздел 2. Биполярные транзиотор&1
pKmaxt
~•• \21••
UK50npo6•
•кmах
lкоо•
Тип
Струк- Токр.,
Р~.тmа"''
~;lэ'
U~Rnpoб• UЭБOma1t.' 1;,и max'
I~R•
прибора
·с
р~~ и max'
с·
U~ЭОnроб•
в
I~эо•
тура
ах•
мА
мВт
МГц
в
мкА
2Т96ЗА-5
п-р-п
-60 ...+125
1,1 *Вт
10 ГГц
18
1,5
1
185
1
:51 мА (18 В)
1
1
1
1
i
i
1·
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т964А
п-р-п
-60 ...+125
200* Вт (50°С)
<:150
80*(100 Ом)
4
IOA
:5100 мА (80 В)
1
1
2Т965А
! п-р-п 1-60.. . +1251
32* Вт
1
<:100
1 36* (0,Оlк) 1 4
i4А
:510* мА (36 В)
1
1
1
1
!
1
i
1
~
i
i
i
1
1
q
1
!
1
1
i
1
1
!
!
i
1
1
1
1
1
1
2Т966А
п-р-п
-60...+125
64* Вт
<:100
36* (О,Оlк)
4
8А
:523* мА (36 В)
!
1
1
1
!
!
1
.,
!
1
1
!
'
1
1
1
1
1
1
i
1
1
2Т967А
п-р-п 1-60. . . +125 1
100** Вт
<:180
36* (О,Оlк) J
4
15А
1 :520* мА (36 В)
2Т968А
п-р-п
-60 ...+125
4 Вт* (40°С)
<:90
300
5
100 (200*)
:50.5* мА (250 В)
ii
1
2Т968А-5
п-р-п
-60 ...+125
4 Вт* (40°С)
<:90
300
5
100 (200*)
:50,5* мА (250 В)
i11
:
'
1
1
-60 ...+125 1
1.70** Вт
50* (О,Оlк) 1
'
!
2Т970А
п-р-п
<:600
4
13А
i
100* мА (50 BI
!
'
1
i
1
i
1
1
1
1
1
1
'
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
363
i
1
!
ck,
rкэ нас• Ом
Кw,дБ
t'K, ПС
1
h2," ь;,э
с;2эt
r~нас' Ом
r~, Ом
f~at"' НС
Корпус
пФ
к:· •. дБ
Р;:" Вт
t::клt НС
t::., нс
-
1,5(58)
-
~0.8** (10 ГГц)
-
2Т963-5
0,45
0,08
~шт
10...50* (5 А; 10 В) 1 :5290 (40 В)
~5**
~150** (80 МГц)
1
-
i
2Т964
1
1
:tri
1
.....
....
6
к
1
1
~ ~J5,:
10...60* (5 В; 1 А)
:5100 (12,6 В)
~13**
~20** (30 МГц)
-
2Т965
1
~~~-
1
!1')
1
<!it
1
1
G,9
i
1
-
:5250 ( 12,6 В)
~16**
~40** (30 МГц)
-
1
2Т966
$J:t"
'/(
G,9
! 10... 100* (5 В; 5 А) :5500 (12,6 В)
~18**
~90** (30 МГц)
-
2Т967
1
i
1
1
i
1
t1ii
,
i
1
1
::::
6
к
1
1
~
1
&
J5,:
1
1
35... 320* (30 мА; 1О В) :52,8 (30 В)
:533**
-
:52**
2Т968
1
~ЕФкщэ
1
1
1
!
!
1
1
35...320* (30 мА; 10 В) j :52,8 (30 В)
:533**
-
:52**
2Т968-5
1
i
~шт
-
180 (28 В)
~4**
~100** (400 МГц)
:525
2Т970
1
1[g
1
1-
!1-$'
6
1
а
""'З .
1
i
1
1
i
1
!
21
.
1
i
1
1
i
1
1
1
1

364
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-1
pKmax'
f,,,. (216,
Uквоnро0•
1
Iк.,,,"
Iкво•
Тип
Токр.t
Р;.тmа"''
~;1,1
U~Rnpo6• UЭIOmax• 1;.и max•
J~R'
прибора 1 тура 1 ·с
р;иmах•
с·
u~-· в
·~·
".
1
мА
1
i
мВт
МГц
в
j
мкА
!
i
2Т971А
n-p-n l -60 . .. +125
200** Вт
~220
50* (О,Оlк)
4
17А
:S60* мА (50 В)
2Т974А
р-п-р
-6 0 ... +125
5* Вт (50°С)
~450
80
3
2А(10*А)
:S5 мА (80 В)
2Т974Б
р-п-р
-6 0 ... +125
5* Вт (50°С)
~450
60
3
2А(10*А)
:S5 мА (60 BJ
2Т9748
р-п-р
-60 ...+125
5* Вт (50°С)
~450
50
3
2А(10*А)
:S5 мА (50 В)
2Т974Г
р-п-р
-60 ...+125 1 5* Вт (50°С)
~450
60
3
2А(10*А)
:S5 мА (60 В)
1
2Т975А
n-p-n
-6 0 . .. +125 500** Вт (85°С)
-
50
3
15* А
:S40* мА (45 В)
2Т975Б
n-p-n
-6 0 . .. +125 200** Вт (85°С)
-
50
3
7*А
:S20* мА (45 В)
1
1
1
1
!2Т976А ! n-p-n 1-60... +125 75** Вт (40°С)
~750
50
4
6А
1 :S60мА(50В)
1
1
2Т977А
n-p -n
- 6 0 ... +125 200** Вт (85°С)
~600
50
3
8*А
:S25 мА (50 В)
2Т978А
n-p -n
-6 0 ... +125
40* Вт
~75
300*
5
10А(15*А)
:S2 мА (300 В)
(100 Ом).
120**
2Т978Б
n-p -n
-60 ...+125
40* Вт
~75
300*
5
10А(15*А)
:S2 мА (300 В)
(100 Ом).
150**
2Т979А
n-p -n
-60 ...+125
75* Вт
-
50
3,5
5А;10*А
:SIOO мА (50 В)
1
1
2Т980А
n-p-n
- 6 0 ... +125 300* Вт (30°С)
~150
100* (0,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 В)
2Т980Б
n-p-n
-60 ...+125 300* Вт (30°С)
~150
100* (О,Оlк)
4
15А
:SIOO мА (100 В)

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
365
ck,
rКЭиасt Ом
Кw,дБ
tlCI ПС
1
h2," ь;,э
с;2"
r~нас' Ом
r;, Ом
t;,.,. нс
Корпус
1
пФ
К~~ •• дБ
Р;:" Вт
t::IUll НС
t:. нс
-
S330 (28 В)
;::3**
;::150** (175 МГц)
S40
2Т971
3
tm
-
!1')
6
D
fNЭ
•
4
21
5...50 (5 А: 5 В)
80 (30 В)
Sl
1
-
S0.2 мкс
2Т974
5...50 (7 А: 5 В)
1
80 (30 В)
S0,6
-
1
S0.2 мкс
;fФкщэ
5...50 (5 А: 5 В)
80 (30 В)
Sl
-
S0,2 мкс
;::10* (7 А: 5 В)
80 (30 В)
S0,6
-
S0,2 мкс
1
1
-
-
;::6**
200** (1,4 . .. 1,6 ГГц)
S0,2 мкс
2Т975
-
-
;::6**
100** (1,4 .. . 1,6 ГГц)
-
6
~~
з
т:11
1
S70 (28 В)
~**
-
;::60* * ( 1 ГГц)
s25
2Т976
~~
о;"
llr'i
"Q
""
•6
1~в
21
-
-
-
;::50** (1,5 ГГц)
-
2Т977
~-~
!;:i'
••
1
:
сч 6.6к
1
1
;::15* (5 А: 5 В)
sl20 (50 В)
S0,2
-
Sl,2* мкс
2Т978
~,~
;::15* (5 А; 5 В)
Sl20 (50 В)
S0,2
-
sl ,2* мкс
~fflii ~
..,.
.
-
/(
-
-
;::б**
;::50** (1,3 ГГц)
-
2Т979
ttlja
!О:)
""к
1
-
~ 2l2
15...60* (IO В; 5 А)
S450 (50 В)
;::16** раз
;::250** (30 МГц)
-
2Т980
10... 60* (10 В; 5 А)
S450 (50 В)
;::16** раз
;::250** (80 МГц)
-
:ttl
::::;
6
к
&
J5,:

366
Раздел 2. Биполярные транзисторы
Рк maкt
{,.,. \216,
UКБО проб•
lк mак
lкБО•
Тип
Струк- Токр.r
Р~.тmакt
~;lэt
U~Rnpo6• UЭБО mак t 1~,иmак'
I~R•
прибора
тура
·с
р""
c:ll.,
u~npoб•
в
1;эо,
К.иmакt
мА
мВт
МГц
в
мкА
2Т981А
n-p-n
-60 ...+125
70* Вт
~300
36* (0,01 к)
4
10А
::;50* мА (36 В)
1
i
!
1
2Т982А-2
!
n-p-n
- 60 ".+125
5,8** Вт
-
20
1,5
600
::;1 мА (20 В)
1
2Т982А-5
n-p-n
-60".+125
5,8** Вт
-
20
1,5
600
::;1 мА (20 В)
1
i
1
~
:
1
1
1
1
2Т983А
n-p-n
- 60 ".+125
8.7* Вт
~1200
40* (0,01 к)
4
0,5 А
::;5* мА (40 В)
2Т983Б
1 n-p-n 1-60 ". +125
13* Вт
~900
40* (0,01 к)
4
IA
::;8* мА (40 В)
2Т983В
1 n-p-n
- 60" .+125
22,5* Вт
~750
40* (О,01 к)
4
2А
::;18* мА (40 В)
!
2Т984А
n-p -n 1 -60".+125
1,4* Вт
1
720
65
4
1
7*А
1
::;30 мА (65 В)
2Т984Б
n-p -n 1 -60".+125 !
4,7* Вт
1
720
1
65
4
16* А
::;80 мА (65 В) 1
i
1
1
i
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2Т985АС
n-p-n 1-60 ". +125
185* Вт
~660
50* (10 Ом)
4
17А
::;120 мА (50 В)
1
1
1
~
2Т986А
i n-p-n i -60 ".+125 1
910** Вт
-
50
1
3
26*А i ::;60мА(50В) i
1
1
•
1
1
1
j-60 " . +1251
i
2Т986Б
n-p-n
775** Вт
-
50
3
26* А
1 ::;50 мА (50 В)
2Т986В
n-p-n
- 60 ".+125
910** Вт
-
50
3
26* А
1
::;40 мА (50 В)
2Т986Г
n-p-n
- 60 ".+125
910** Вт
-
50
3
26* А
::;50 мА (50 В)
2Т987А
n-p-n
- 60 ".+125
93* Вт
1000
50
3.5
5А
100 мА (50 В)
1
1
1
1
i1
1
1
~
1
1
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
367
ck,
fкэнас' Ом
Кw,дБ
t., пс
h:H'*' ь;IЭ
c;:?i'
г~:энсt~• Ом
r;, Ом
t~c' НС
Корпус
пФ
к~·•' дБ
Р;:,, Вт
t::kЛ, нс
t:::,, нс
10...90* 15 В: 5 А) 1S400 (12.6 В) 1
~5**
~50** (80 МГц) !
-
1
2Т981
!
1
1
1
1
1
:tf+ifj
1
1
1
1
1
1
....
6
к
'
i
1
1
,
1
1
~ J5,:
-
s6(15B)
2,5**
~3.2** (7 ГГц)
-
2Т982
s.s
Н,#
-
1
~
1
....-
~
~·~
.....
ктэ
'
"
,_
-
1~"1
1
1
!
1
-
!
'
1
i
i
-
S6 (15 В)
2,5**
~3.2** (7 ГГц) 1
-
!
2Т982-5
i
1
0,45
0,08
~шт
~20* (5 В; 0,5 А)
S8 (28 В)
~4**
~0.5** (860 МГц)
-
2Т983
~IO* (5 В; 0,5 А)
Sl2 (28 В)
~3.6**
~1 ** (860 МГц)
-
~ 71.]3 к
~10* (5 В: 0,5 А)
S24 (28 В)
~3.2**
~3.5** (860 МГц)
-
..;
~~~
Е
•
1
О!"
1-..::1
1
1
~
1' 1з
1
'
1
8 1'1. '2
2i
1
1
1
-
S35 (30 В)
~5**
~75** (820 МГц)
5
2Т984
-
S80 (30 В)
~4**
~250** (820 МГц)
5
~~~rel]
-
S270 (28 В)
~3.5**
~125** (0,4 ГГц)
S21
1
2Т985
1
i
~tl;
1
1
'
!
1
1
1
1
1
В.5
23.2
-
1
-
~6**
~350**
-
2Т986
(1,4 ... 1,6 ГГц)
6
-
-
~6**
~300** (1,6 ГГц)
-
~~~
-
-
~7**
~350** (1,6 ГГц)
-
....
OQ-
з
-
-
~7**
~350**
-
D
,...
(0,6 ...0,8 ГГц)
J,8
1.
'
~6**
~45** ( 1 ГГц)
2Т987

368
Раздел 2. Биполярные транзисторы
рКmал'
~•• ~216•
UКБО проб•
lк mал
lкоо•
Тип
Струк- Токр.•
Р~.тmах'
~;lз'
U~Rnpo6• UЭБО max'
·~.н max'
I~R•
прибора тура
·с
р~: и max'
~::х'
u~ .....
в
мА
1~,
мВт
МГц
в
мкА
2Т988А
п-р-п
-60 ...+125
43* Вт
-
50
3,5
2,5 А
:550 мА (50 В)
2Т988Б
п-р-п
-60 ...+125
33* Вт
-
50
3,5
1,7 А
:530 мА (50 В)
1
2Т989А
п-р-п -60 . .. +125 40* Вт (115°С)
-
45
2
5А(7,5*А)
:5100 мА (45 В)
2Т989Б
п-р-п
-6 0 . .. +125 30* Вт (115°С)
-
45
2
4А(5*А)
:5100 мА (45 В)
2Т989В
п-р-п
-6 0 . .. +125 14* Вт (115°С)
-
45
2
1,7 А
:530 мА (45 В)
2Т989Г
п-р-п
-60 ...+125 25* Вт(115°С)
-
45
2
2,5 А
:550 мА (45 В)
1'
2Т990А-2
п-р-п
-60 ...+100
25* Вт
1,95 ГГц
45
3,5
1,5А(3*А)
:520 мА (45 В)
1
2Т991АС
п-р-п
-60 ...+125
67* Вт
~540
50
4
3,7 А
:550 мА (50 В)
2Т993А
п-р-п
-60 ...+125
50* Вт
~180
150
4
5А(IO*А)
30 мА (150 В)
-
2Т994А-2
п-р-п
-6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С)
-
50
3
39* А
:560 мА (50 В)
2Т994Б-2
п-р-п
-60 ...+125 1165** Вт (85°С)
-
50
3
35* А
:560 мА (50 В)
2Т994В-2
п-р-п
-6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С)
-
50
3
39* А
:560 мА (50 В)
!

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
369
!1
1
1
1
;1
ck,
fкэнас' Ом
Кш, дБ
't,, пс
1
t:a{·t НС
1
11
ii
h21э' h~IЭ
c;2j'
r~э нас' Ом
r~, Ом
t:•ыкл t НС
Корпус
11
~
пФ
к;.. дБ
Р;:х' Вт
t::, нс
1
-
-
26**
215** (0.7 ГГц)
-
2Т988
-
-
27,8**
218** (l,4 ГГц)
-
~~4~Б
--
э
""' KS· r
...
~
""'
•
-:; ~
11
.f,~
с::
2,,2 -
1
-
11
!
11
1
1
-
-
23,2**
235** (2 ГГц)
-
2Т989
-
-
24,3**
226** (2 ГГц)
-
-
-
27**
212** (2 ГГц)
-
~~
-
27**
225* * (l,7 ГГц)
1
..JL
Б
-
-
э
""'
Kr.
г
...
1~
""'
'
~~
15,~
21,2
11
-
1
i
i
1
:522 (28 В)
28** (2 ГГц)
1
1
1
-
-
:52,5
2Т990-2
~ 311~~ к
<Q"
c:::t
'&
...
1~~ /j
2
16;6
19,'J
-
:575 (28 В)
26**
255** (0.7 ГГц)
:56,8
2Т991
1,,
1
!
~·
""
...
к3
1
!I
1
~ ~11,
~
1
~
10...70* (5 В; 5А)
375
-
-
-
2Т993
~1
~=т=)-
."
;~ 11
1
1
1
~~; т 1-~
1
1
'
1к
:
1
1
о-1"!. :
i
i !!.•
1
-
:5120 (45 В)
26**
2500** (l.4 ...l.6ГГц)
-
2Т994
-
:5120 (45 В)
26**
2400* * ( 1.4 .. . 1.6ГГц)
-
-
:5120 (45 В)
27**
2500** (l,4 .. . l,6ГГц)
-
61
lк,~-
...
1
э
:!;!
1
KI\i-Э
~
Б/.Т
1
1
1
-Z1.l
1
1
24зак 9

370
Тип
прибора
1
~2Т995А-2
1
~!2Т996А-2
2Т996Б-2
2Т996В-2
2T996f-2
2Т996А-5
!2Т996Б-5
~
2Т998А
1
1
1
Струк-1 Токр.,
!
·с
тура
п-р-п 1 -60 ... +125
1
!
1
1
1
п-р-п 1-60 ... +125 1
п-р-п i -60 ...+125 1
п-р-п 1-60 .. . +1251
п-р-п ! -60 ... +125 1
п-р-п 1 -60 ... + 125
п-р-п 1-60 ...+125 1
i
1
1
11
1
!
i
п-р-п
-60...+125
1
1
!
1
!
!
pKmax'
Р~. т max'
р~~ н maxl
мВт
3* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
2,5* Вт
1
i
1
1
1
1
1
1
1
'
i
1
~.. ~,..
\;lэt
(.' '
.... .
Мfц
10 ГГu
~4 ГГu
~4 ГГu
~4 rru
~4 ГГu
~4 ГГu
~4 ГГu
-
1
Раздел 2. Биполярные транзисторы
UКБО проб•
U~Rnpo6'
U::ЭО проб•
в
18
20
20
20
20
20
20
100
1
1 U3~.,."
i
1
1
1
1
1
i1
1
1
1
1,5
2,5
2.5
2.5
2,5
2,5
2.5
4
1
1
!
i
11
1
1
1
11
!1
1
•кmаА
J~,н maxt
мА
600
200 (0.3* А)
200 !О.З* А)
200; 300•
200: 300·
200 (0.3* А)
200 (0,3* А)
30А
1
11
1
1
•кьо•
·~R•
·~·мкА
:52 мА (18 BI
:55* мА (20 В)
:55* мА (20 В)
:51*мА(20В)
:51*мА(20В)
:55* мА (20 В)
:55• мА (20 В)
:560 мА (100 В)
i'!
1

Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения
371
1
с•.
rКЭнас:' Ом
Кш, дБ
tк, ПС
h21эt ь;IЭ
с;2~'
r~мас:' Ом
r;, Ом
t~ct НС
Корпус
пФ
к::•. дБ
Р;:,, Вт
t::кл' НС
t::, нс
-
-
~1.5**
~1.5** (10 ГГц)
-
2Т995
-s.s-
-
п,• -
-
1
~
=- .-=
{f""' ~
-
~"е
5.:1
~-
~
~35* (10 В: 0.1 А)
;<:;2,3 (10 В)
-
-
-
2Т996
~70* (10 В: 0,1 А)
;<:;2,3 (10 В)
-
-
-
~35* (10 В; 0,1 А)
;<:;2,3 (10 В)
~3.8**
~О.115** (650 МГц)
-
*'~@.
~35* (!О В; 0.1 А)
$2.3 (10 В)
~4.5**
~О.135** (650 МГц)
-
~
1
'&.
з.з
6
~35* (10 В; 0.1 А)
;<:;2,3 (10 В)
-
-
-
2Т996-5
~70* (10 В; 0,1 А)
:-:;2,3 (!О В)
-
-
-
0,57
0,09
1
~шт
1
1
~10* (5 В; ·15 А)
;<:;2,3 (10 В)
$0,2
-
-
2Т998
~rtll
-
к
з
i
~.~ 19.5
24·

372
Раздел 2. Биполярные транзисторы
2.11 . Биполярные кремниевые сборки специального назначения
1 Струк-
Рк max'
~•• 'i:21••
UКБ0про6•
IKma). '
•коо•
Тип
Токр.t
Р~. т maxt
\;)Jt
U~Rnpo6' UЭбОmах' 1;,мmaxt
·~R'
прибора 1 тура
·с
р~~ и max'
~:;х,
u~ .....
в
·~·
:
мА
i
j
i
1
i
мВт
Мfц
в
мкА
1
2ТСЗОЗА-2 1 п-р-п, 1-60 ... +125 I 500 (6О 0 С)
300
45* (!Ок)
-
100 (500*)
:50,5 (45 В)
1
р-п-р
1
1
1
2ТСЗ103А
р-п-р
-6 0 ... +125
300 (55°С)
~600
15* (15к)
5
20 (50*)
:50,2 (15 В)
2ТСЗ103Б
р-п-р
-60...+125
300 (55°С)
~600
15* (15к)
5
20 (50*)
:50,2 (15 В)
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
!
1
1
1
1
1
2ТС3111А-1
п-р-п 1-60.. . +125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2ТСЗШБ-1
п-р-п 1-60... +125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2ТСЗ111В-1
п-р-п
-60 ...+125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2TC3111f-1
п-р-п 1 -60 .. . +125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
2ТСЗ111Д-1
n-p -n
-60 ...+125
10
~250
30
7
1000
:510 мА (25 В)
i
i
2ТСЗ136А-1 i п-р-п ! -60 ... +100
50 ооо·с)
~500
15
1
4
1
20
1
:50,1 (15В)
1
1
1
i
1
1
i
1
2ТЗ155АС-1
1
п-р-п
1
30
~1000
10* ( 10к)
4
10; 20*
1
:50.5 (!О В)
2ТЗ155БС-1 п-р-п
30
~1000
10* ( lОк)
4
10; 20*
1
:50,5 (!О В)
1
1
1
1
1
!
1
1
i
1
1
i
j
1
!
1
!
'
2ТС393А-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С)
~500
10* (5к)
4
10 (20*) i :50.1 (!О В)
1
2ТС393Б-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С)
~500
10* (5к)
4
10 (20*)
:50,2 (15 В)
1
1
~
2ТС393А-9
р-п-р
-60...+85
20
~500
10
4
10
:5100 мА
2ТС393Б-9
р-п-р
-60 ...+85
20
~500
15
4
10
:5100 мА
i
1
'1
!
1
1
11
1
1
1
:
i
1
1
1
:
i
i
1
1
1
2ТС398А-1 1 п-р-п 1-60... +100
30 (85°С)
~1000
10* (!Ок)
4
10 (20*)
1
:50,5 (10 В)
2ТС398Б-1 1 n-p -n
-60...+100
30 (85°С)
~1000
10* (10к)
4
10 (20*)
:50,5 ( 10 В)
1
1

Биполярные кремниевые сборки специального назначения
373
!/
Ck,
rкэш•
Кш,АБ
t"nc
J
h2," ь;,э
с;2.•
rБЭ ""'
h21.1 / ь;,,2.
t;,.,. нс
Корпус
l-.~~~~~~~~-+-~-"-Ф~~-+-~о_м~-+-~~л-u_:_._м_в~~--+-~t-:_м_•_"_с~-+-~~~~~~~~~~--iJ
40...180 (5 В; 1 мА)
40...200 (1 В: 1 мА)
40...200 (1 В; 1 мА)
150.. .400* (10 мкА: 5 В)
100.. .400* (10 мкА; 5 В)
50 .. .400* (10 мкА; 5 В)
20 .. .400* (10 мкА; 5 В)
20...400* (10 мкА: 5 В)
70...180 (5 В: 5 мА)
40...250 (1 В; 1 мА)
40...250 (1 В; 1 мА)
40...180 (1 В: 1 мА)
30...140 (1 В; 1 мА)
40 .. .180
30.. .140
40...250 (1 В; 1 мА)
40...250 (1 В; 1 мА)
'
:s:8 (5 В)
:52.5 (5 В)
:52.5 (5 В)
:52,5 (1 В)
:52,5 (1 В)
:52,5 (1 В)
:52.5 (1 В)
:s:2.5 (1 В)
:s:2 (5 В)
:S:l,5(5B)
:S:l,5(5B)
:52 (5 В)
:52 (5 В)
:51,5 (5 В)
:s:l,5 (5 В)
:520
:560
:560
:550
:560
$60
2:0,7*
:530**
:55 (60 МГц); 2:0,9*
:55 (60 МГц); 2:0.8*
$1 *; :55**
0,8 ... 1 .25*; :51,5**
0,9 ... 1,1*; :s:3**
:56 (60 МГц)
:s:6 (60 МГц)
$3**
:55**
0,8 ... 1,25*; $1,5**
0,9 ... 1,1*; $3**
$80
:580
:580
$40
:550
:550
:580
$80
:550
:550
2ТСЗ103
~-fi·~·:,~~
С;)
52
с-.
К2
2ТСЗ111-1
D.95
о.а
2ТСЗЗ6·1
-~-
2ТЗ155·1
2ТСЗ9З-1
nii-·
....
....:-
-к
'з
2ТСЗ93·9
~ :sJ~t
6'(]ШК2
32
ЭI
Б2
8
1 1\1
1(6/flll
2ТСЗ98-1
nii-·
....
....:-
-к
'з

374
Раздел 2. Биполярные транзисторы
1 Струк-
Ркmах'
~•• \210 •
UКБО nроб•
•кmах'
•коо•
Тип
Токр.,
Р~.тmах'
~;lэ'
U~Rnpo6t UЭБOmaxt 1;.к maxt
·~R'
прибора 1
·с
р~~ н max'
с·
u~npo6'
в
·~·
1
тура
"'
мВт
Мfц
в
мА
мкА
2ТС398А-94 ! п-р-п
-60 ...+100 1
30
~1 ГГц
10
4
10
$0.5
2ТС3986-94 j п-р-п
-60 ...+100 1
30
~1 ГГц
10
4
10
$0.5
1
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
·1
1
!
2ТС613А
п-р-п
-60 ...+1251
800 (50°С)
~200
60
4
400 (800*)
$8 (60 В)
2ТС6136
п-р-п
-60 ...+125
800 (50°С)
~200
60
4
400 (800*)
:;;8 ~60 В)
i1
1
1
1
1
4
400 (600*)
$10 (45 В)
12ТС622А р-п-р -60" .+125 I 0,4 (10**) Вт
45* (1 к)
~200
2ТС6226
р-п-р
- 6 0".+125 1 0,4 (10**) Вт 1 ~200
35* (lк)
4
400 (600*)
i
:;;20 (35 В)
1
i
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
;
1
1
1
1
1
i
1
1
1
1
1
1
2ТС6226-1
р-п-р 1 -60 ... +125 I
0,4 Вт
~200
45
4
400 (600*)
10
r1
1
!
i
1
1
1
1
1
!
i
1
!
1
2Т670АС. 1 п-р-п
1
! 800; 3200**
~200
50; 40*(10к)
4
400; 800*
1
:;;5 (50 В)
1
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'

Биполярные кремниевые сборки специального назначения
h21" h;JЭ
40 ... 250
40 ... 250
25... 100* (5 В; 0,2 А)
40...200* (5 В; 0,2 А)
25...150* (5 В; 0,2 А)
25...150* (5 В; 0,2 А)
25 ... 150*
40...200* (5 В; 0,2 А)
с"
с;2э1
пФ
sl5 (10 В)
sl5 (10 В)
sl5 (10 В)
sl5 (10 В)
15
$15(108)
rкэ ноtе1
Кш, дБ
г~ нас'
hz1,1 / h;ы,
Ом
лu:,мв
$\,5**
$3**
$2,5; $5*
т.0 пс
f~a(·t НС
t::IUl1 НС
$\00*
$100*
$120*
$200*
$100*
375
Корпус
2ТС398-94
2ТС613
2ТС622
~
1 ..,i
{ааааааа}~
...
7,5
~S!
...
...
~
...
=--~
...
~"'
t:!
~
,;!:
2ТС622Б-1
6, к,з,
\1/
1
:fi; lL2Т670

376
Раздел 2. Биполярные транзисторы
:1
1 Струк-1
f,,,, ~210•
1
IКБО•
'
11
pKmax'
UКБО оро6•
IKmax'
1!
Тип
Токр.r
Р~.т1nаА'
(;lэ'
U~RopoO' UЭБОmа),'
1
I~ЭR'
прибора
1
тура
1
·с
р~~ н max'
~::;х,
u;эо проб'
в
1~,и ma).'
I~эо•
мВт
МГц
в
мА
мкА
2ТС687АС-2 р-п-р
1,5 Вт
~450
60; 50*
3
1,5 А; 4,5*А
-
2ТС687БС-2 р·П·р
1,5 Вт
~450
70; 60*
3
1,5 А; 3,5*А
-
i
1
1
1
1
1
12Т689АС 1 р-п-р 1
400; 6000*
~300
45
4
300: 600*
5.7 (45 В)
!
1'
'
i
1
i
1
1
1
1
!
1
i
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!1
1
1
2ТС84ЗА
п-р-п
-60 ...+125
25* Вт (I00°C)
-
120
4
12 А (25* А). 5.12 мА (120 В)
3А(6*А)
1
~
1
1
1
1
1
1
!
1
1
!
1
1
1
1
1
1
1
2ТС941А-2
р-п-р, -60 .. . +125
5* Вт
~300
1
60
4
800 (1500*)
5.5 мА (60 В)
n·p ·n
1
1
i1
1

Биполярные кремниевые сборки специального назначения
~10(5В;3,5А)
~10(5В;3,5А)
50..150 (5 В; 80 мА)
10...50 (12 А; 5 В)
40...150 (5 В; 0,1 А)
$20 (10 В)
12 (28 В)
Скэ наr'
r~э нас'
Ом
$2,6
$3,3
$4; $6*
$0,2
$3,3
Кш, дБ
h2,,, / ь;,,,,
лu:~. мВ
~0.7
377
t,, ПС
~;ас' НС
fвыклt НС
Корпус
2ТС687-2
Ci:%f
Б~42Б
э
.
"!. э
к
'<!"к
$90*
2Т689АС
(
)
~:
:<;;2* мкс
2ТС843А
s90; s500*
2ТС941А-2

Раздел 3
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
Буквенное обозначение
Параметр
1 отечественное
международное
Iз
IG
Ток затвора (постоянный).
Iз отс
IGSX
Ток отсечки затвора.
;
Iз пр
IGF
Прямой ток затвора.
-
Iз ут
IGSS
Ток утечки затвора.
Iзио
IGSO
Обратный ток перехода затвор-исток.
Iзео
1 IGDo
Обратный ток перехода затвор-сток.
Iи
1Is
Ток истока (постоянный).
Iи нач
Isos
Начальный ток истока.
Iи ост
Isox
Остаточный ток истока.
Ie
Io
Ток стока (постоянный).
Jc нагр
IosR
Ток стока при нагруженном затворе.
le нач
Ioss
Начальный ток стока.
1с ост
Iosx
Остаточный ток стока.
Iп
iIв. Iu
Ток подложки.
'
~
1Uзи
1 UGs
1 Напряжение затвор-исток (постоянное).
1
Uзи обр
1 UGSR
1 Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
i Uзи отс
/ UGS(OFF). UGS(off)
Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором
1
и истоком (полевого транзистора с р-п-переходом и с изолирован-
ным затвором).
Uзи пор
UGsт. UGS(th). UGs(ТO) Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затво-
ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затво-
ром).
Uзи пр
UGsF
Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
Uз проб
1 U(BR) GSS
Пробивное напряжение затвора - напряжение пробоя затвор-и с-~
i
1 ток при замкнутых стоке и истоке.
1
Uзп
1 UGВ, UGU
Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Uзе
1 UGD
Напряжение затвор-сток (постоянное).
Uип
Usв. Usu
Напряжение исток-подложка (постоянное).
Uеи
1 Uos
Напряжение сток-исток (постоянное).
Uеп
Uов. Uou
Напряжение сток-подложка (постоянное).
Uз1-Uз2
UG1-UG2.
Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
Реи
Pos
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
Реи. т max
'
Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом 1
1-
1
(постоянная).
!
s
i gms
Крутизна характеристики.
~
'
'1

Раздел 3. Полевые транзисторы
Буквенное обозначение
'
1
~ отечественное
международное
Rзи
ГGS, Гgs
~ Rзс
1ГGD, Гgd
Rзсо
ГGSS. Гgss
Rси
ros. Гds
Rси отк
ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп
Rси эакр
ГDS(Off), Гds(оП), ГDS off
1
1
j
iic
1 зио
Cgso
Сзсо
Cgdo
Ссио
1 Cdso
1
С11и. Свх, и
1 Ciss. C11ss
1
."
1 Crss. С l2ss
i
~ С22и
1Coss, C22ss
11
n
/t С22с
!Cods, C22ds
g11и
giss. g1 ls
1
g22и
goss, g22s
1У11и
1 Yis, Y11s
i:
1
У12и
Yrs, Y12s
У21и
Yrs, Y21s
У22и
1 Yos. Y22s
i
Ку. Р
Gp
j fv21и
1 fvrs
jЕш
iUп
iКш
jF
i-
аш
-
ards
tвкл
ton
tвыкл
torr
tэд,вкл
td(on)
tэд,выкл
td(off)
379
Продолжение буквенных обозначений
Параметр
1
Сопротивление затвор-исток.
Сопротивление затвор-сток.
Сопротивление затвора (при Uos = О или Uds = О).
Сопротивление сток-исток.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии - сопротивле-
ние между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток.
1
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии - сопротивле- ~
ние между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора j
при заданном напряжении сток-исток.
Емкость затвор-исток - емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость затвор-сток - емкость между затвором и стоком при ра-
зомкнутых по переменному току остальных выводах.
Емкость сток-исток - емкость между стоком и истоком при ра-
зомкнутых по переменному току остальных выводах.
Входная емкость транзистора - емкость между затвором
и истоком .
~
1
Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком~
замыкании на входе по переменному току.
li
'
Выходная емкость транзистора - емкость между стоком
и истоком.
Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыка-
нии на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по пере-
менному току).
Активная составляющая входной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в
схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
i
Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто-1
ком при коротком замыкании на выходе).
Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с
общим истоком при коротком замыкании на входе).
Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с об-
щим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yrs = grs + gьrs = Io/Uas; на НЧ 1Yrs1 = grs).
Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы-
ка~ши на входе).
Коэффициент усиления по мощности.
Частота отсечки в схеме с общим истоком.
~
Шумовое напряжение транзистора.
Коэффициент шума транзистора.
1 Температурный коэффициент тока стока.
Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
Время включения транзистора.
Время выключения транзистора.
Время задержки включения.
Время задержки выключения.

380
Раздел 3. Полевые транзисторы
Окончание буквенных обозначений
Буквенное обозначение
Параметр
отечественное
1 международное
tнр
tr
Время нарастания.
tcn
tr
Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
lз(ут )1-lз(ут)2
1 IGSS1-IGSS2
Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изо-
лированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для по-
i
левых транзисторов с р-п-переходом).
1с нач 1/ 1с нач2
1 Ioss1 /Ioss2
Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
Uзи1-UзИ2
iUGs1-UGs2
Разность напряжений затвор-исток.
lлUзи1-Uзи2) 1/ лт 11л<uGs1-UGs2) 1/ лт Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя зна-
чениями температуры.
g22и 1-g22и2
gost·gos2
Разность выходных проводимостей в режи~е малого сигнала в
схеме с общим истоком.
g2tиl / g21и2
grs1/ grs2
Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме ма-
лога сигнала в схеме с общим истоком.
3.2. Параметры и характеристики полевых
транзисторов
К полевым транзисторам относятся полупроводниковые приборы, принцип действия которых ос
нован на использовании эффекта внешнего электрического поля для управления проводимостью
транзистора. Такие транзисторы называются также униполярными, так как перенос тока в них осу
ществляется только одним типом носителя заряда: в n-канальных - электронами; в р-канальных
-
дырками (в отличие от биполярных транзисторов, где ток переносится двумя типами носителей -
основными и неосновными, т. е. и дырками, и электронами).
Для управления током в униполярных транзисторах либо меняется концентрация носителей
полупроводникового слоя, либо его площадь под действием электрического поля (эффект поля). От
сюда название •полевые транзисторы». Проводящий слой, по которому проходит ток, называют ка
налом (канальные транзисторы). Каналы могут быть приповерхностными (обогащенные слои из-за
наличия доноров в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего
поля) или объемными (участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обеднен
ным слоем).
Транзистор с приповерхностным слоем называют МОП-транзистором (металл-окисел-полу
проводник). За рубежом его называют MOSFET. У транзисторов с объемным каналом обедненный
слой создается с помощью р-n-перехода, поэтому их называют транзисторами с р-n-переходом (или
просто полевыми), за рубежом - JFET .
Структуры полевых транзисторов приведены на рис. 3.1 .
Исток JaflNoJJ Сток
Истол Jamflop l~rюк
Ист01r Jатвор Сток
Исток 3amf!Op С!Тюк
р
Канал п- р
п
а
6
в
г
Рис. 3.1. Структуры МОП-транзисторов: а - п-канальная обогащенного типа; б
-
п-канальная обедненного типа;
в - р-канальная обогащенного типа; г
-
р-канальная обедненного типа
Полевой транзистор с р-n-переходом состоит из полупроводниковой пластинки (стержня), кото
рая образует канал. с омическими выводами от каждого ее конца (стока и истока) и на поверхности

Раздел 3. Полевые транзисторы
381
которой с противоположных сторон формируется р-п-переход параллельно направлению тока, вывод
от которого называется затвором - электродом, управляющим сопротивлением (движением зарядов)
между стоком и истоком. Затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п-переходом. Входной
импеданс затвора является импедансом обратно смещенного р-п-перехода, что значительно ниже им-
педанса МОП-приборов.
·
Сопротивление между стоком и истоком изменяется с изменением напряжения на затворе.
Через запертый переход затвор-канал протекает ток утечки, который экспоненциально изменяет
ся с температурой и который, проходя через резистор цепи затвора, может изменить напряжение
смещения, если сопротивление резистора велико (особенно при высоких температурах). Этот эффект
отсутствует у МОП-транзисторов. Их называют также транзисторами с изолированным затвором,
так как у них затвор электрически изолирован от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика: ди
электрическими пленками двуокиси кремния (Si02), нитрида кремния и окщи алюминия. поэтому
они сохраняют высокое входное сопротивление независимо от величины и полярности Uзи- Условия.
возникающие на поверхности раздела Si-Si02 таковы, что все приборы с каналом n-типа в исходном
состоянии, т. е. при Uзи = О открыты, а с каналом р-типа закрыты.
Каждый МОП-транзистор состоит из подложки, двух противоположно легированных подложке
областей (истока и стока) и металлического затвора, лежащего сверху над тонким слоем окисла. На
пряжение затвора регулирует движение зарядов в канале между истоком и стоком.
Слой диэлектрика тонкий, поэтому при подаче напряжения на затвор в нем возникает сильное
электрическое поле, которое вызывает образование инверсионного слоя (поверхностный канал), где
основными носителями являются электроны в р-подложке. Падение напряжения между затвором\ и
подложкой в основном происходит в диэлектрике, и направление поля вызывает увеличение инверси
онного слоя. На границе раздела образуется поверхностный заряд. Когда Uз > О, поле притягивает
электроны (неосновные носители материала р-типа) и появляется отрицательный заряд. Образуется
обедненный слой (неподвижные ионы акцепторов). Если Uз > О, то происходит обогащение первона
чального инверсионного слоя (увеличивается концентрация электронов на поверхности), если
Uз < О. то происходит его обеднение (концентрация электронов у поверхности ниже, чем в объеме,
так как они отталкиваются от поверхности).
В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электро
проводности. В режиме обеднения концентрация дырок будет превышать концентрацию электронов,
т. е. тип электропроводности слоя изменится на противоположный (произойдет инверсия типа прово
димости).
Потенциал затвора изменяет ширину канала (концентрацию электронов), т. е. образуется канал
с регулируемой электронной проводимостью (она увеличивается при увеличении Uз).
В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или
р-типа. Например. nМОП-транзисторы имеют электронную проводимость (носители зарядов - элек
троны), а рМОП-транзисторы - дырочную проводимость (носители зарядов
-
дырки). У n-каналь
ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, а к выводу истока
прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т. е. полярность напряже
ния стока положительная), а у р-канальных - наоборот.
Таким образом существуют два основных режима работы: обеднения (проводимость канала мо
жет быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения Uзи) и
обогащения. У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе Uзи = О протекает не
большой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи. близких к нулю. Такие
приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В частности,
полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом (с диффузионным каналом) являются нормально
открытыми: они закрываются (т. е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря
жении, называемом напряжением отсечки - это такое напряжение Uзи. которое необходимо, чтобы
уменьшить ток стока 1с от lснач до О.
По конструктивно-технологическим признакам полевые приборы делятся на транзисторы с
встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Встроенный канал создается техно
логически путем, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в ре
зультате воздействия поперечного электрического поля.
В транзисторах со встроенным каналом (например, КП305, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе
вызывается подачей напряжения на затвор с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда
в канале (для р-канала Uзи > О, для n-канала Uзи < О), что вызывает обеднение канала носителями

382
Раздел 3. Полевые транзисторы
заряда и ток 1с уменьшается. При соответствующем изменении полярности напряжения на затворе
произойдет обогащение канала носителями и выходной ток 1с увеличится. Такие приборы могут ра
ботать при обеих полярностях Uзи как в режимах обеднения, так и обогащения. Для них вводится
понятие ~пороговое напряжение» (напряжение открывания). Это такое Uз, при котором электроны
равновесного инверсионного слоя отталкиваются от поверхности и встроенный канал исчезает (кон
центрация электронов в слое под окислом затвора становится равной концентрации дырок в объеме
кремния).
В транзисторах с индуцированным каналом, имеющих наибольшее распространение, при напря
жении Uз = О канал отсутствует и только при Uз, равном пороговому напряжению, образуется (ин
дуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый
прибор) при одной полярности Uзи.
В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом канал существует при Uз = О, т. е. они
имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нор
мально открытый прибор). У приборов обедненного типа канал имеет тот же тип проводимости, что
и сток с истоком, у приборов обогащенного типа канал легирован противоположной примесью по от
ношению к стоку и истоку.
На рис. 3.2, 3.3, 3.4 приведены выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) полевых тран
зисторов (зависимость тока стока 1с от напряжения на стоке Uc) при различных напряжениях на за
творе Uз). Они напоминают характеристики усилительных пентодов.
О-5
-10
-15
-zo -Z5
- JO ~м,8
Рис. 3.2. Стоковые характеристики схемы с общим истоком (с р-п-переходом)
1
40L
1
~JO~
~1
'
1
~го'
г
то
J
Uc, В
5
sв
4В
JB
ZB
Рис. 3.3 . Типичные вольт-амперные
характеристики п-канального МОП-транзистора
обогащенного типа
Uc=U3 +UJиnop
U3 =+!В
40
ов
JO
"<:
-тв
"'~ го
"'
-гв
....
то
-JB
о
г
J
4
s Uc.B
Рис. 3.4 . Типичные вольт-амперные
характеристики п-канального МОП-транзистора
обедненного типа
Ток 1с зависит как от величины, так и полярности напряжений Uси и Uзи. Из ВАХ следует, что
при изменении Uзи ток 1с сначала линейно возрастает (линейная область), затем выходит на поло
гий участок (область насыщения) и затем резко возрастает (область пробоя) (см. рис. 3.2).

Раздел 3. Полевые транзисторы
383
В линейной области при Uc < Uотс проводимость между истоком и стоком является функцией
Uзи (с изменением Uзи изменяется проводимость канала). В области насыщения. если Uc > Uотс.
транзистор входит в режим насыщения (канал перекрывается), причем для каждого Uзи насыщение
будет происходить при разном Uc. При увеличении 1Uзи1 < О ток 1с падает. В области пробоя при
увеличении Uc ток резко возрастает из-за лавинного пробоя обратно смещенного диода стока.
Проходные (передаточные) ВАХ (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неиз
менном напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом и МОП-транзи
сторов с каналами n- и р-типов проводимости приведены на рис. 3.5, 3.6.
В отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом, у которых рабочая область составля
ет от О вольт до запирания Uзиотс. МОП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление
при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора
затвора.
При графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом (у них при Uзи = О, Ic =
= О) имеют пунктирну,ю ли1;1ию в обозначении канала, а со встроенным каналом (у них при Uзи = О
течет ток lснач) ~' спло,шную (рис. 3.6, 6); стрелки определяют тип канала: направлена к каналу -
канал n-типа, от канала - канал р-типа .
. ДJ1'
Встроенный
Рис. 3.5 . Квадратичные передаточные характеристики МОП-транзисторов
lc
п-канал
а)
Uси = const
Uеи > Uси
р-канал
+~
u
р-канал
~~
lc
б)
Uси = const
Uси ;io Uси нас
u
Рис. 3.6. Передаточные характеристики полевых транзисторов: а - с п-каналом и р-каналом и их условные графи
ческие обозначения; 6 - передаточные характеристики МОП-транзисторов с встроенным каналом (с обеднением) с
п-каналом и р-каналом и их условные графические обозначения
В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора)
от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отде
лена только р-n-переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требует
ся иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами
(МОП-тетроды - КП322. КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не тре-

384
Раздел 3. Полевые транзисторы
буют uепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет
нормированную квадратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро
ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ.
Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувстви
тельны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защи
ты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны).
МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с по
левыми транзисторами с р-п-переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на
высоких частотах.
Среди мощных полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом необходимо отметить би
полярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) с вертикальным нормально закры
тым каналом, например, КП801, КП810. Они имеют выходные характеристики (рис. 3.7), подобные
ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых
в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших то
ках стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низ
кое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагрузкой; они
имеют более высокий коэффициент усиления, низкое напряжение насыщения и устойчивость ко вто
рому пробою по сравнению с б"иполярными транзисторами.
5 10 15 20 JOUc11,B
Рис. 3.7 . Выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) БСИТ
Схемы включения БСИТ аналогичны схемам включения биполярных транзисторов.
ВАХ биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) не имеет области насыщения
тока стока (без пологой части), т. е. Rвых очень маленькое, что повышает энергетические показатели
линейных усилителей мощности. У него, если Uз = О, то сопротивление канала минимально
(БСИТ - нормально открытый транзистор) и с ростом Uси ток 1с увеличивается, но его ограниче
ния не наступает. Выходные ВАХ при малых токах 1с приближенно описываются экспонентой. При
больших токах 1с выходные ВАХ приближаются к линейной. Rвых у них меньше, чем у МОП-типа,
что обеспечивает хорошее согласование с низкоомной нагрузкой и повышает КПД усилителя; дина
мический диапазон шире, что снижает нелинейные искажения, рабочая температура выше.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), например КП730, КЕ702,
представляет собой p-n-p транзистор, управляемый низковольтным МОП-транзистором с индуциро
ванным каналом (рис. 3.8, 3.9) и объединяет в себе достоинства как биполярных (малое падение на
пряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и МОП-транзисторов
(малая мощность управления, высокие скорости коммутации), потери у него растут пропорционально
току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. По быстродеμствию уступает МОП-транзисто
рам, но превосходит биполярные. Остаточное напряжение у них слабо зависит от температуры. На
рис. 3.10 представлена ВАХ БТИЗ.
Усилительные свойства БТИЗ характеризуются крутизной S, которая определяется усилитель
ными свойствами МОП- и биполярного транзисторов в структуре. Значение S для БТИЗ (зарубежное
название IGBT) более высокое по сравнению с биполярными и МОП-транзисторами.
БТИЗ применяются в высоковольтных силовых преобразователях, для управления маломощны
ми приводами для регулирования скорости вращения, в стиральных машинах, инверторных конди
ционерах, в качестве высоковольтных ключей для электронного зажигания автомобилей, импульсных
блоках питания.

Раздел 3. Полевые транзисторы
385
Эмиттер Заrвор
1 '!'
р•
э
Коллектор
Рис. 3.8 . Эквивалентная схема БТИЗ-транзистора
Рис. 3.9 . Структура БТИЗ-транзистора
1:
а
10
Рис. 3.10 . Выходные вольт-амперные характеристики БТИЗ-транзистора
Эксплуатационным недостатком БСИТ является эффект «защелки», который связан с наличием
триггерной схемы, образованной биполярной частью структуры и паразитным n-p-n транзистором, ко
торый при определенных условиях работы, открывается, триггер опрокидывается, происходит защел
кивание и лавинообразный выход прибора из строя.
Для ограничения тока короткого замыкания при аварийном режиме рекомендуется включение
между затвором и эмиттером параллельно цепи затвор-эмиттер последовательно соединенных диода
Шоттки и конденсатора, заряженного до напряжения + 15 ... 16 В. Допускается применение в качестве
защитного элемента стабилитрона на напряжение 15 ... 16 В.
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер не должно превышать +20 В, чтобы ис
ключить пробой изоляции затвора. Не рекомендуется работа БТИЗ-транзистора и при «подвешен
ном» затворе, так как в противном случае возможно ложное включение прибора.
С целью снижения динамических потерь и увеличения частоты коммутации необходимо обес
печить малое время переключения прибора ( 100 ... 10000 нс). Необходимо также уменьшать отрица
тельную обратную связь, которая может возникнуть из-за индуктивности слишком длинного
соединительного проводника к эмиттеру прибора.
Монтажные работы с БТИЗ необходимо производить при наличии антистатического браслета, а
непосредственно в схеме необходимо параллельно цепи затвор-эмиттер подключить резистор сопро
тивлением 1О ... 20 кОм.
Необходимо отметить. что МОП-транзисторы в ряде применений предпочтительнее биполярных.
Уп?~авляющая цепь у них потребляет ничтожную энергию, так как входное сопротивление велико (до
10 7 Ом). Усиление мощности и тока в МОП-транзисторах много больше, чем в биполярных. Из-за
того, что управляющая цепь изолирована от выходной цепи, значительно повышаются надежность
работы и помехоустойчивость схем на МОП-транзисторах. Они имеют низкий уровень собственных
шумов, что связано с отсутствием инжекции и свойственных ей флюктуации, обладают более высо
ким собственным быстродействием, так как в них нет инерционных процессов накопления и рассасы
вания носителей заряда.
25зак9

386
Раздел З. полевые транзисторы
МОП-транзисторы имеют и недостатки: вследствие относительно высокого сопротивления кана
ла в открытом состоянии падение напряжения на открытом МОП-транзисторе заметно больше, чем
падение напряжения на насыщенном биполярном транзисторе, температурная зависимость сопротив
ления канала сильнее, чем зависимость от температуры напряжения насыщения биполярного транзи
стора (сопротивление канала открытого МОП-транзистора в диапазоне температур 25 .. .150 ·с
увеличивается в 2 раза, а напряжение насыщения биполярного транзистора - примерно в 1,5 раза).
МОП-транзисторы имеют существенно меньшее значение предельной температуры структуры Тп max.
равное 150 ·с (для кремниевых биполярных транзисторов Тп max = 200 °С), что ограничивает их при
менение в режимах эксплуатации с повышенной температурой окружающей среды (около 100 °С).
Преимущества применения мощных полевых транзисторов в выходных каскадах усилителей зву
ковой частоты (усилителях мощности):
• простота управления, так как для управления мощным полевым транзистором требуется
ничтожный по МОЩНОСТИ сигнал;
• высокая
линейность передаточных характеристик полевых транзисторов, что позволяет
существенно снизить уровень нелинейных искажений;
• крутизна мощных полевых транзисторов S = Лlс/ ЛUзи при Uc = coпst - основной параметр
усилительного режима эксплуатации практически не зависит от мощности выходного сигнала.
Однако пороговое напряжение МОП-транзисторов зависит от температуры:
Uзипор (Токр) = Uзипор (20 °С) - ТКUзипор · ЛТ,
где ТКUзипор - температурный коэффициент порогового напряжения, равный (-5. .. - 10) мВ/ 0С
(при сильном увеличении температуры МОП-транзистор превращается в прибор с встроенным кана
лом), что нежелательно для двухтактных усилителей.
3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов
АПЗ20 (А-2, Б-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые
планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для примене
ния в малошумящих СВЧ усилителях (Кш ~ 4,5 ... 6 дБ на 8 ГГц, Ку,р ~ 3 дБ) в составе ГИС. Диапазон
рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с.
АПЗ25А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар
ные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения во
входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш·~ 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС.
АПЗ28А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар
ные с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом п-типа. Предназначены
для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш ~ 4,5 дБ на 8 ГГц,
Ку,р ~ 9 дБ) в составе ГИС.
АПЗ62А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с каналом п-типа в корпусе для поверх
ностного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразова
тельных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 70 ·с.
АПЗ79А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в
корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных теле
визионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах 100... 2000 МГц. Диапазон
' рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с.
АП602(А-2-Д-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые
эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне час
тот 3... 12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+85 ·с.
АП603 - арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шот
ки и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, пре
образователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц.
АП605 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные
полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в мало
шумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+85 ·с.

Раздел 3. Полевые транзисторы
387
АП606 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом
п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях
частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
АП608 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом
п-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в соста
ве ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц.
АП967 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа с внут
ренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях
мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В.
КП101(Г-Е) - малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором
на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси
лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45 ... +85 ·с.
КПIОЗ(Е-М) - малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на
основе р-п перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилите
лей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих тем
ператур окружающей среды -55 ... +85 ·с.
КП201(Е-1-Л-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планар
ные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом р-типа. Предназначены для
применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -40 .. . +85 ·с.
КП202(Д-1-Е-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-пла
нарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены
для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким вход
ным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур
окружающей среды -40.. . +85 ·с.
КПЗОl(Б-Г) - малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и
нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе
ратур окружающей среды -45 .. . +70 ·с.
КПЗО2(А-r, АМ-ГМ) - высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы
с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения в широкополос
ных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапа
зон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 100 ·с.
КПЗОЗ(А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзи
сторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во вход
ных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ - в зарядочувствительных
усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружаю
щей среды -40.. . +85 ·с.
КПЗО4А - диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду
цированным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных кас
кадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-45...+85 ·с.
КПЗО5(Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзи
сторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях
высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -60 ... + 125 ·с.
КПЗО6(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя
изолированными затворами и каналом п-типа. Предназначены для применения в преобразовательных
и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру
жающей среды -60.. . + 125 ·с.
КПЗО7(А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси
лителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувстви
тельных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур
окружающей среды -40.. . +85 ·с.
25*

388
Р-аздеп 3. П-олевые-транзисторы
КПЗО8(А-Д) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планар
ные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для
применения: КП308(А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока;
КПЗО8(Г-Д} - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с.
КПЗIО(А, Б) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устрой
ствах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 125 ·с.
КПЗ12(А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором
на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и
преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60... + 100 ·с.
КПЗ1З(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро
ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высо
ким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
КПЗ14А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе
р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предвари
тельных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей
среды -170... +85 ·с.
КПЗ22А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами
на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных
каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
- 60... +85 ·с.
КПЗ2З(А-2, Б-2) - бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми вы
водами и приклеиваемой керамической крышкой эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
затвором на основе· р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих уси
лительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-60...+10 ·с.
КПЗ27(А-Г) - кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затво
рами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах
телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательно
сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих
температур окружающей среды -45 ... +85 ·с.
КПЗ29(А, Б) - высокuчастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода
с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до
200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 100 ·с.
КПЗ41(А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе
р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +125 ·с.
КПЗ46(А9, 59) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с дву
мя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каска
дах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа.
Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с.
КПЗ47А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затвора
ми, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах ра
диоприемников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
КПЗSО(А-В) - диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными за
творами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобра
зовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей
среды -45 .. . +85 ·с.
КП401(АС, БС) - сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран
зисторов 0-й и 3-й транзисторы с n-каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р-каналом). Предназначены для
работы в переключающих и импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей
среды -45 .. . +85 ·с.
КП402А - полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с.

Ра~ .з. nопевые транзисторы
389
КП40ЗА - полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко
вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 70 ·с.
КП601(А, Б) - сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые
транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во
входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапа
зон рабочих темпiратур окружающей среды -60 ... +85 ·с.
КП704(А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и
каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выход
ных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабо
чих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с.
KmOS(A-B) - мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом
n-типа. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источ
никах электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +85 ·с.
КП707(А-В) - мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным за
твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс
ных и непрерывных вторичных источниках электропитания
и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 100 ·с.
КП709(А, Б) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за
твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой
ствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . + 100 ·с.
КП712(А-В) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за
твором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой
ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 100 ·с.
КП734 и КП-735 - полевые nМОП-транзисторы, предназначены для применения в устройст
вах автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое
переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам.
КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы, предназначены для применения в устройст
вах, где уровень мощности рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод меж
ду истоком и стоком для подавления воздействий переходного процесса.
КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы имеют нормированное значение энергии од
нократного и повторяющегося лавинного пробоя (соответственно 210 и 5 мДж, 280 и 7,4 мДж, 510 и
13 мДж), пиковое значение скорости восстановления защитного диода 3,5 В/ нс, ток лавинного про
боя (2,5, 4,5 и 8 А соответственно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а
также внутренние индуктивности стока и истока (4,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы из
готавливаются в корпусном и бескорпусном исполнениях.
КП814 - полевые транзисторы, предназначены для работы в переключающих устройствах,
ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения.
КП523, КП731. КП(739-753), КП(775-781), КП(783-787) - полевые транзисторы,
предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключательных схемах, источни
ках электропитания, схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дис
плеев.
КП71ЗО(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, предна
значены для применения в источниках электропитания, электросварочном оборудовании, в стираль
ных машинах и пылесосах, в схемах управления электродвигателями, имеют возможность
параллельного вкл.ючения и стойкость к статическому электричеству (1 кВ).
КП7132(А, Б и А9, Б9), КП7150(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроен
ным обратным диодом и КП7132(А1, Бl и А91, Б91) со встроенным обратным диодом и стабили
тронами защиты предназначены для применения в источниках электропитания аппаратуры связи,
управления, светотехнике, автомобильной электронике, системах внутреннего и автономного элек
троснабжения в промышлености и жилищно-коммунальном хозяйстве, в аппаратуре управления и
защиты.
КП71ЗЗ(А, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, применяют
ся, кроме указанных для КП7132 областей, в преобразователях напряжения DC-DC, в высокочас
тотных преобразователях.

390
Раздел 3. Полевые транзисторы
КП7138(А, А9, А91) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом приме
няются в источниках электропитания, бытовой технике, осветительных приборах, схемах управления
электродвигателями.
КП801(А-Г) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзисторы
(СИТ) с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа-. Имеют характеристики, подобные лампо
вому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей ап
паратуры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью,
крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды
-40...+85 ·с.
КП802(А, Б) - мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с ка
налом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и
линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с.
КП804А - эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и кана
лом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных
устройствах. Диап�