Текст
ЕНТНАЯ БАЗА <@> ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗАФ ЭЛЕМЕ1
ТРАНЗИСТОРЫ В SMD
ИСПОЛНЕНИИ
-..у—;
7)
NEC, PANASONIC, SANYO, TOSHIBA
Scan & Djvu /
Bookrngolz
www.dodeca.ru
WWW.MK-PRESS.COM
ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
А21
А21 Транзисторы в SMD-исполнениии. Том 2. Справочник./ Сост. Ю.Ф. Авраменко - К.:
“МК-Пресс”, М.: Издательский дом “Додэка-ХХГ, 2007. - 640с., ил.
ISBN 978-5-94120-163-1 (ИД “Додэка-XXl”)
ISBN 978-966-8806-12-4 (“МК-Пресс”)
Справочник продолжает новую серию «Элементная база», в которой представлены технические данные на
современные полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей.
Второй том содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении,
транзисторные сборки разных структур, транзисторные ключи для работы в цифровых схемах и их наборы.
При составлении этого тома использовалась техническая документация следующих производителей: NEC,
PANASONIC, SANYO и TOSHIBA.
ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
ISBN 978-5-94120-163-1 (ИД “Додэка-XXl”)
ISBN 978-966-8806-12-4 (“МК-Пресс”)
© МК-Пресс”, оформление, дизайн обложки, 2007
Содержание 3
Содержание
Список полупроводнико-
вых приборов в алфавит-
ном порядке. Том 2 .9
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-46 (EIAJ).
Маркировка по
алфавиту...........28
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-59 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту........28
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-61 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту.........31
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-62 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту.........31
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-63 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту.........31
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-70 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту..........34
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-74, SC-74A
(EIAJ). Маркировка по
алфавиту.............34
Биполярные транзисторы в
корпусах SC-75(EIAJ). Мар-
кировка по алфавиту_..... 34
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-8x (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту..........39
Биполярные транзисторы в
нестандартных корпусах. 43
Корпуса по стандарту
EIAJ..................53
Нестандартные
корпуса.............56
Транзисторы производст-
ва NEC..............56
Транзисторы производст-
ва PANASONIC........58
Транзисторы производст-
ва SANYO............59
Транзисторы производства
TOSHIBA.............61
Транзисторы производст-
ва NEC..............63
2SC5600..........63
2SC5736..........63
2SC5737..........64
2SC5750..........64
2SC5751..........65
2SC5752..........65
2SC5753..........66
2SC5754..........66
2SC5786..........67
2SC5787..........67
2SC5800..........68
2SC5801..........68
2SD596...........69
2SD780...........69
2SD780A..........70
2SD992-Z.........70
2SD999...........71
2SD1000..........71
2SD1001..........72
2SD1005 .........72
2SD1006..........73
2SD1007..........73
2SD1033..........74
2SD1164-Z........74
2SD1286-Z........75
2SD1583-Z........75
2SD1584-Z........76
2SD1614..........76
2SD1615..........77
2SD1615A.........77
2SD1699........78
2SD1702........78
2SD1950........79
2SD2402........79
2SD2403........80
UPA800TF.......81
UPA801TC.......81
UPA802T........82
UPA803T........82
UPA804TC.......83
UPA805T........83
UPA806T........84
UPA807T........84
UPA808T........85
UPA809T........85
UPA810TC.......86
UPA811T........86
UPA812T........87
UPA813T........87
UPA814TC.......88
UPA821TC.......88
UPA826TC.......89
UPA826TF.......89
UPA827TF.......90
UPA828TD.......90
UPA828TF.......91
UPA831TC.......92
UPA831TD.......93
UPA832TF.......94
UPA833TF.......95
UPA834TF.......96
UPA835TC.......97
UPA835TF.......98
UPA836TF.......99
UPA840TC......100
UPA843TC......101
UPA851TD......102
UPA854TD......103
UPA855TD......104
UPA859TD......105
UPA860TD......106
UPA861TD......107
UPA862TD......108
UPA862TS......109
UPA863TD.......НО
UPA863TS......111
UPA867TS......112
UPA868TS......113
UPA869TD......114
UPA869TS......115
UPA873TC......116
UPA873TD......116
UPA873TS......117
UPA880TS......118
UPA891TC......119
UPA891TD......119
4 Содержание
UPA891TD 119 UPA895TD 120 UPA895TS 120 UN2210 147 UNR32AF 176 UN2211 147 UNR32AL 176 UN221D 148 UNR32AM 177 UN221E 148 UNR32AN 177
Транзисторы производст- ва PANASONIC 121 2SD1030 121 2SD1119 121 2SD1149 122 2SD1304 122 2SD1328 123 2SD1478 123 2SD1478A 124 2SD1511 124 2SD1679 125 2SD1823 125 2SD1824 126 2SD1938 126 2SD1979 127 2SD2210 127 2SD2240J 128 2SD2345 128 2SD2413 129 2SD2416 129 2SD2441 130 2SD2459 130 2SD2620J 131 2SD2621 131 2SD2623 132 UN2110 133 UN2111 133 UN211D 134 UN211E 134 UN211F 135 UN211H 135 UN211L 136 UN211M 136 UN211N 137 UN211T 137 UN211V 138 UN211W 138 UN211Z 139 UN2112 139 UN2113 140 UN2114 140 UN2115 141 UN2116 141 UN2117 142 UN2118 142 UN2119 143 UN2121 143 UN2122 144 UN2123 144 UN2124 145 UN2154 145 UN212X 146 UN2UY 146 UN221F 149 UNR32AT 178 UN221K 149 UNR32AV 178 UN221L 150 UNR5110 179 UN221M 150 UNR5111 179 UN221N 151 UNR511D 180 UN221T 151 UNR511E 180 UN221V 152 UNR511F 181 UN221W 152 UNR511H 181 UN221Z 153 UNR511L 182 UN2212 153 UNR511M 182 UN2213 154 UNR511N 183 UN2214 154 UNR511T 183 UN2215 155 UNR511V 184 UN2216 155 UNR511Z 184 UN2217 156 UNR5112 185 UN2218 156 UNR5113 185 UN2219 157 UNR5114 186 UN2221 157 UNR5115 186 UN2222 158 UNR5116 187 UN2223 158 UNR5117 187 UN2224 159 UNR5118 188 UN2225 159 UNR5119 188 UN2226 160 UNR5154 189 UN2227 160 UNR5210 189 UNR31A0 161 UNR5211 190 UNR31A1 161 UNR521D 190 UNR31А2 162 UNR521Е 191 UNR31A3 162 UNR521F 191 UNR31А4 163 UNR521К 192 UNR31A5 163 UNR521L 192 UNR31A6 164 UNR521M 193 UNR31А7 164 UNR521N 193 UNR31A9 165 UNR521T 194 UNR31АА 165 UNR521V 194 UNR31AE 166 UNR5112 195 UNR31AF 166 UNR5213 195 UNR31AH 167 UNR5214 196 UNR31AL 167 UNR5215 196 UNR31AM 168 UNR5216 197 UNR31 AN 168 UNR5217 197 UNR31AT 169 UNR5218 198 UNR31 AV 169 UNR5219 198 UNR32 АО 170 UNR9110J 199 UNR32A1 170 UNR9111J 199 UNR32A2 171 UNR911AJ 200 UNR32A3 171 UNR911BJ 200 UNR32A4 172 UNR911CJ 201 UNR32A5 172 UNR911DJ 201 UNR32A6 173 UNR911EJ 202 UNR32 А7 173 UNR911FJ 202 UNR32A8 174 UNR911Ш 203 UNR32A9 174 UNR911LJ 203 UNR32AA 175 UNR911М J 204 UNR32AE 175 UNR911NJ 204
Содержание 5
UNR911TJ 205 UNR92A8J 234 XN01212 263
UNR911VJ 205 UNR92A9J 234 XN01213 263
UNR9112J 206 UNR92AAJ 235 XN01214 264
UNR9113J 206 UNR92AEJ 235 XN01215 264
UNR9114J 207 UNR92AFJ 236 XN01216 265
UNR9115J 207 UNR92ALJ 236 XN01217 265
UNR9116J 208 UNR92AMJ 237 XN0121E 266
UNR9117J 208 UNR92ANJ 237 XN0121F 266
UNR9118J 209 UNR92ATJ 238 XN0121M 267
UNR9119J 209 UNR92AVJ 238 XN1401 267
UNR91A0J 210 UNRF1A0 239 XN1501 268
UNR91A1J 210 UNRF1A1 239 XN01504.......... 268
UNR91A2J 211 UNRF1A2 240 XN01509 269
UNR91A3J 211 UNRF1A3 240 XN01531 269
UNR91A4J 212 UNRF1A4 241 XN01558 270
UNR91A5J 212 UNRF1A5 241 XN01601 271
UNR91A6J 213 UNRF1A6 242 XN01602 272
UNR91A7J 213 UNRF1A7 242 XN02211 273
UNR91A9J 214 UNRF1A9 243 XN02212 273
UNR91AAJ 214 UNRF1AA 243 XN02216 274
UNR91AEJ 215 UNRF1AF 244 XN02401 274
UNR91AFJ 215 UNRF1AH 244 XN02501 275
UNR91AHJ 216 UNRF1AL 245 XN02531 275
UNR91ALJ 216 UNRF1AM 245 XN04110 276
UNR91AMJ 217 UNRF1AN 246 XN04111 276
UNR91ANJ 217 UNRF1AT 246 XN04112 277
UNR91ATJ 218 UNRF2A0 247 XN04114 277
UNR91AVJ 218 UNRF2A1 247 XN04115 278
UNR9210J 219 UNRF2A2 248 XN04116 278
UNR9211J 219 UNRF2A3 248 XN04130 279
UNR921AJ 220 UNRF2A4 249 XN04210 279
UNR921BJ 220 UNRF2A5 249 XN04211 280
UNR921CJ 221 UNRF2A6 250 XN04212 280
UNR921DJ 221 UNRF2A7 250 XN04213 281
UNR921EJ 222 UNRF2A8 251 XN04214 281
UNR921FJ 222 UNRF2A9 251 XN04215 282
UNR921HJ 223 UNRF2AF 252 XN04216 282
UNR921LJ ....... 223 UNRF2AK 252 XN0421F 283
UNR921MJ 224 UNRF2AL 253 XN0421L 283
UNR921NJ 224 UNRF2AM 253 XN0421N 284
UNR921TJ 225 UNRF2AN 254 XN0431 285
UNR921VJ 225 UNRF2AT 254 XN04311 286
UNR9212J 226 UNRF2AV 255 XN04312 287
UNR9213J 226 XN01110 255 XN04314 288
UNR9214J 227 XN01111 256 XN04315 289
UNR9215J 227 XN01112 256 XN04316 290
UNR9216J ' 228 XN01113 257 XN04321 291
UNR92I7J 228 XN01114 257 XN04322 292
UNR9218J 229 XN01115 258 XN04381 293
UNR9219J 229 XN01116 258 XN04382 294
UNR92A0J 230 XN01117 259 XN04390 295
UNR92A1J 230 XN01118 259 XN04401 296
UNR92A2J 231 XN01119 260 XN04402 296
UNR92A3J 231 XN0111F 260 XN04404 297
UNR92A4J 232 XN0111H 261 XN04407 298
UNR92A5J 232 XN0111M 261 XN04482 299
UNR92A6J 233 XN01210 262 XN04501 300
UNR92A7J 233 XN01211 262 XN04502 300
6 Содержание
XN04503 301 2SB1216 335 СРЕЗ 109 364
XN04504 301 2SB1739 335 СРЕЗ 110 364
XN04505 302 2SC5647 ..336 СРЕЗ 112 365
XN04506 303 2SC5648 336 СРЕЗ 114 365
XN04509 303 2SC5665 337 СРЕЗ 115 366
XN04556 304 2SC5666 337 СРЕ3116 366
XN04601 305 2SC5781 338 СРЕЗ 120 367
XN04602 306 2SC5782 338 СРЕЗ 121 .....367
XN04604 307 2SC5783 339 СРЕЗ 122 368
XN04608 308 2SC5847 339 СРЕЗ 123 368
XN04609 309 2SC5964 340 СРЕЗ 140 369
XN04683 310 2SC5979 340 СРЕЗ 143 369
XN04A88 311 2SC5980 341 СРЕЗ 144 370
XN05501 312 2SC5990 341 СРЕЗ 145 370
XNO5531 312 2SC5991 342 СРЕЗ 146 371
XN05553 313 2SC5994 342 СРЕЗ 147 371
XN05601 314 2SC5999 343 СРЕЗ 148 372
XN06111 315 2SC6013 343 СРЕ3205 372
XN06112 315 2SC6014 344 СРЕ3206 373
XN06113 316 SSC6015 344 СРЕ3207 373
XN06114 316 2SC6016 345 СРЕ3209 374
XN06115 317 2SC6017 345 СРЕ3210 374
XN06116 317 2SC6023 346 СРЕ3212 375
XN06UFH 318 2SC6024 346 СРЕ3214 375
XN06211 319 2SC6025 347 СРЕ3215 376
XN06212 319 2SC6044 347 СРЕ3216 376
XN06213 320 2SC6071 348 СРЕЗ 221 377
XN06214 320 2SC6094 348 СРЕ3222 377
XN06215 321 2SC6095 349 СРЕ3223 378
XN06216 321 2SC6096 349 СРЕ3234 378
XN06401 322 2SC6097 350 СРЕ3235 379
XN06435 322 2SC6098 350 СРЕ3236 379
XN06501 323 2SC6099 351 СРЕ3237 380
XN06537 323 2SD1618 351 СРЕ3238 380
XN06542 324 2SD1619 352 СРЕ3239 381
XN06543 325 2SD1627 352 СРЕ3240 381
2SD1628 353 СРЕ3243 382
2SD1799 353 СРЕ3244 382
1 ранзисторы производст- ва SANYO 326 2SD1800 354 СРЕ3245 383
08C02SS 326 2SD1801 354 СРЕ3246 383
2SA2124 326 2SD1802 355 СРЕ3247 384
2SA212S 327 2SD1803 355 СРЕ3248 384
2SA2126 327 2SD1804 356 СРЕ5501 385
2SA21 S3 328 2SD1805 356 СРЕ5505 386
2SA216Q 328 2SD1806 357 СРЕ5506 387
2SA2192 329 2SD1815 357 СРЕ5514 388
2SA2204 329 2SD1816 358 СРЕ5516 389
2SA2205 330 2SD1817 358 СРЕ5517 390
2SA2207 330 2SD1851 359 СРЕ5518 391
2SA2209 331 2SD2028 359 СРЕ5519 391
2SR1118 331 2SD2176 360 СРЕ5520 393
2SR1119 332 2SD2261 360 СРЕ5522 394
2SR1201 332 2SD2324 361 СРЕ5541 395
2SR1202 ззз 2SD2720 361 СРЕ5701 396
2SR1203 ззз CPH3004 362 СРЕ6071 397
2SR1204 334 CPH3105 362 СРЕ6121 398
2SB1215 334 CPH3106 363 СРЕ6122 398
CPH3107 363 СРЕ6123 399
Содержание 7
СРН6223 399 СРН6516 400 СРН6520 400 СРН6521 401 СРН6526 402 СРН6528 403 СРН6530 404 EC4201KF 405 МСН3105 405 МСН3106 406 МСН3109 406 МСН3143 407 МСН3144 407 МСН3145 408 МСН3205 408 МСН3206 409 МСН3209 409 МСН3211 410 МСН3217 410 МСН3218 411 МСН3219 411 МСН3220 412 МСН3221 412 МСН3222 413 МСН3243 413 МСН3244 414 МСН3245 414 МСН6101 415 МСН6102 415 МСН6103 416 МСН6201 416 МСН6202 417 МСН6203 417 2SD1222 428 MT6L05FS 457 2SD1223 429 MT6L11FS 458 2SD1784 429 MT6L52 АЕ 459 2SD2584 430 MT6L53E 460 2SD2686 430 MT6L54E 461 MT3S03 А 431 MT6L55E 462 MT3S03AFS 431 MT6L55FS 463 MT3S03AS 432 MT6L56E 464 MT3S03AT 432 MT6L57AE 465 MT3S03 AU 433 MT6L57AFS 466 MT3S04A 433 MT6L57AT 467 MT3S04AFS 434 MT6L58AE 468 MT3S04AT 434 MT6L58AFS 469 MT3SO5FS 435 MT6L58AT 470 MT3S05T 435 MT6L61 АЕ 471 MT3S06FS 436 MT6L61 АТ 472 MT3S06S 436 MT6L62AT 473 MT3S06T 437 MT6L63FS 474 MT3S07FS 437 MT6L68FS 475 MT3S07S 438 MT6L71FS 476 MT3S07T 438 MT6L72FS 477 MT3S07U 439 MT6L78FS 478 MT3S08FS 439 RN1101 479 MT3S08T 440 RN1101F 479 MT3S11FS 440 RN1101FS 480 MT3S11T 441 RN1101FT 480 MT3S12FS 441 RN1101MFV 481 MT3S12T 442 RN1102 481 MT3S14FS 442 RN1102F 482 MT3S14T 443 RN1102FS 482 MT3S16FS 433 RN1102FT 483 MT3S16T 444 RN1102MFV 483 MT3S16U 444 RN1103 484 MT3S18FS 445 RN1103F 484
Транзисторы производст- ва TOSHIBA 418 2SA1213 418 2SA1971 418 2SA2034 419 2SA2058 419 2SA2142 420 2SA2154 420 2SB1667SM 421 2SC2873 421 2SC2982 422 2SC5548 422 2SC5713 423 2SC5886A 423 2SC5906 424 2SC5976 424 2SC6000 425 2SC6026 425 2SC6026MFV 426 2SC6033 426 2SC6061 427 2SD1220 427 2SD1221 428 МТЗ S18Т 445 RN 1103FS 485 MT3S35FS 446 RN1103FT 485 MT3S35T 446 RN1103MFV 486 MT3S36FS 447 RN1104 486 MT3S36T 447 RN 1104F 487 MT3S37FS 448 RN 1104FS 487 MT3S37T 448 RN1104FT 488 MT3S41FS 449 RN1104MFV 488 MT3S41T 449 RN1105 489 MT4S03 А 450 RN 1105F 489 MT4S03 AU 450 RN 1105FS 490 MT4S04A 451 RN1105FT 490 MT4S04AU 451 RN1105MFV 491 MT4S06 452 RN1106 491 MT4S06U 452 RN1106F 492 MT4S07 453 RN 1106FS 492 MT4S07U 453 RN1106FT 493 MT4S32U 454 RN 1106MFV 493 МТ6С03 АЕ 454 RN 1107 494 МТ6С04АЕ 455 RN1107F 494 MT6L03 АЕ 455 RN 1107FS 495 MT6L03AT 456 RN1107FT 495 MT6L04AE 456 RN1107MFV 496 MT6L04AT 457 RN1108 496
8 Содержание
RN1108F 497 RN1308 525 RN2103F 554
RN1108FS 497 RN1309 526 RN2103FS 555
RN1108FT 498 RN1310 526 RN2103FT 555
RN1108MFV 498 RN1311 527 RN2103MFV 556
RN1109 499 RN1312 527 RN2104 556
RN1109F 499 RN1313 528 RN2104F 557
RN1109FS 500 RN1314 528 RN2104FS 557
RN1109FT 500 RN1315 529 RN2104FT 558
RN1109MFV 501 RN1316 529 RN2104MFV 558
RN1110 501 RN1317 530 RN2105 559
RN1110F 502 RN1318 530 RN2105F 559
RN111OFS 502 RN1321A 531 RN2105FS 560
RN1110FT 503 RN1322A 531 RN2105FT 560
RN1U0MFV 503 RN1323A 532 RN2105MFV 561
RN1111 504 RN1324A 532 RN2106 561
RN1111F 504 RN1325A 533 RN2106F 562
RN1111FS 505 RN1326A 533 RN2106FS 562
RN1111FT 505 RN1327A 534 RN2106FT 563
RN1111MFV 506 RN1401 534 RN2106MFV 563
RN1112 506 RN1402 535 RN2107 564
RN1112F 507 RN1403 535 RN2107F 564
RN1112FS 507 RN1404 536 RN2107FS 565
RN1112FT 508 RN1405 536 RN2107FT 565
RN1112MFV 508 RN1406 537 RN2107MFV 566
RN1113 509 RN1407 537 RN2108 566
RN1113F 509 RN1408 538 RN2108F 567
RN1113FS 510 RN1409 358 RN2108FS 567
RN1113FT 510 RN1410 539 RN2108FT 568
RN1113MFV 511 RN1411 539 RN2108MFV 568
RN1114 511 RN1412 540 RN2109 569
RN1114F 512 RN1413 540 RN2109F 569
RN1114FT 512 RN1414 541 RN2109FS 570
RN1115 513 RN1415 541 RN2109FT 570
RN1115F 513 RN1416 542 RN2109MFV 571
RN1115FT 514 RN1417 542 RN2110 571
RN1116 514 RN1418 543 RN2110F 572
RN1116F 515 RN1421 543 RN2110FS 572
RN1116FT 515 RN1422 544 RN2110FT 573
RN1117 516 RN1423 544 RN2110MFV 573
RN1117F 516 RN1424 545 RN2111 574
RN1117FT 517 RN1425 545 RN2111F 574
RN1118 517 RN1426 546 RN2111FS 575
RN1118F 518 RN1427 546 RN2111FT 575
RN1118FT 518 RN1441 547 RN2111MFV 576
RN1130F 519 RN1442 547 RN2112 576
RN1130FT 519 RN1443 548 RN2112F 577
RN1131F 520 RN1444 548 RN2112FS 577
RN1131FT 520 RN2101 549 RN2112FT 578
RN1132F 521 RN2101F 549 RN2112MFV 578
RN1132FT 521 RN2101FS 550 RN2113 579
RN1301 522 RN2101FT 550 RN2113F 579
RN1302 522 RN2101MFV 551 RN2113FS 580
RN1303 523 RN2102 551 RN2113FT 580
RN1304 523 RN2102F 552 RN2113MFV 581
RN1305 524 RN2102FS 552 RN2114 581
RN1306 524 RN2102FT 553 RN2114F 582
RN13OT.. 525 RN2102MFV 553 RN2114FT 582
RN2103 554 RN2115 583
Содержание 9
RN2115F 583 RN2307 595 RN2405 606
RN2115FT 584 RN2308 595 RN2406 607
RN2116 584 RN2309 596 RN2407 607
RN2116F 585 RN2310 596 RN2408 608
RN2116FT 585 RN2311 597 RN2409 608
RN2117 586 RN2312 597 RN2410 609
RN2117F 586 RN2313 598 RN2411 609
RN2117FT 587 RN2314 598 RN2412 610
RN2118 587 RN2315 599 RN2413 610
RN2118F 588 RN2316 599 RN2414 611
RN2118FT 588 RN2317 600 RN2415 611
RN2130F 589 RN2318 600 RN2416 612
RN2130FT 589 RN2321A 601 RN2417 612
RN2131F 590 RN2322A 601 RN2418 613
RN2131FT 590 RN2323A 602 RN2421 613
RN2132F 591 RN2324A 602 RN2422 614
RN2132FT 591 RN2325A 603 RN2423 614
RN2301 592 RN2326A 603 RN2424 615
RN2302 592 RN2327A 604 RN2425 615
RN2303 593 RN2401 604 RN2426 616
RN2304 593 RN2402 605 RN2427 616
RN2305 594 RN2403 605
RN2306 594 RN2404 606
10 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
08C02SS SAN 326 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SA1213 TOSH 418 PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах и усили- тельных каскадах
2SA1971 TOSH 418 PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2034 TOSH 419 PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2058 TOSH 419 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых каскадах и схемах стробоскопических устройств
2SA2124 SAN 326 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2125 SAN 327 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2126 SAN 327 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2142 TOSH 420 PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2153 SAN 328 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2154 TOSH 420 PNP низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SA2169 SAN 328 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2192 SAN 329 ' PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2204 SAN 329 PNP высоковольтный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2205 SAN 330 PNP высоковольтный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2207 SAN 330 PNP транзистор с высокой скоростью переключения для работы в схемах импульсных источников питания
2SA2209 SAN 331 PNP транзистор с высокой скоростью переключения для работы в схемах импульсных источников питания
2SB1118 SAN 331 PNP низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1119 SAN 332 PNP низкочастотный транзистор
2SB1201 SAN 332 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SB1202 SAN 333 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SB1203 SAN 333 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SB1204 SAN 334 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1215 SAN 334 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1216 SAN 335 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1739 SAN 335 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1667SM TOSH 421 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах УМЗЧ
2SC2873 TOSH 421 NPN высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах и усили- тельных каскадах
2SC2982 TOSH 422 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и стробоскопи- ческих устройств
2SC5548 TOSH 422 NPN высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5600 NEC 63 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5647 SAN 336 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5648 SAN 336 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5665 SAN 337 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5666 SAN 337 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5713 TOSH 423 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5736 NEC 63 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5737 NEC 64 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5750 NEC 64 NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5751 NEC 65 NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5752 NEC 65 NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5753 NEC 66 NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5754 NEC 66 NPN высокочастотный транзистор средней мощности
2SC5781 SAN 338 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5782 SAN 338 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5783 SAN 339 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5786 NEC 67 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5787 NEC 67 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 11
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
2SC5800 NEC 68 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5801 NEC 68 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5847 SAN 339 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5886A TOSH 423 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5906 TOSH 424 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5964 SAN 340 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SC5976 TOSH 424 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5979 SAN 340 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5980 SAN 341 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5990 SAN 341 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5991 SAN 342 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5994 SAN 342 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5999 SAN 343 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6000 TOSH 425 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC6013 SAN 343 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6014 SAN 344 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
SSC6015 SAN 344 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6016 SAN 345 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6017 SAN 345 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SC6023 SAN 346 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6024 SAN 346 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6025 SAN 347 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6026 TOSH 425 NPN низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SC6026MFV TOSH 426 NPN низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SC6033 TOSH 426 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC6044 SAN 347 NPN низкочастотный транзистор для работы в БП и ключевых схемах
2SC6061 TOSH 427 NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC6071 SAN 348 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6094 SAN 348 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6095 SAN 349 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6096 SAN 349 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6097 SAN 350 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6098 SAN 350 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6099 SAN 351 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SD596 NEC 69 NPN низкочастотный транзистор для работы в составе гибридных ИС
2SD780 NEC 69 NPN низкочастотный транзистор для работы в составе гибридных ИС
2SD780A NEC 70 NPN низкочастотный транзистор для работы в составе гибридных ИС
2SD992-Z NEC 70 NPN низкочастотный транзистор
2SD999 NEC 71 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1000 NEC 71 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1001 NEC 72 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1005 NEC 72 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1006 NEC 73 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1007 NEC 73 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1030 PAN 121 NPN низкочастотный транзистор
2SD1033 NEC 74 NPN мощный транзистор
2SD1119 PAN 121 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD1149 PAN 122 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD1164-Z NEC 74 NPN мощный низкочастотный составной транзистор
2SD1220 TOSH 427 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SD1221 TOSH 428 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SD1222 TOSH 428 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и схем управ- ления
2SD1223 TOSH 429 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и схем управ- ления
12 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
2SD1286-Z NEC 75 NPN мощный составной транзистор
2SD1304 PAN 122 NPN низкочастотный транзистор
2SD1328 PAN 123 NPN низкочастотный транзистор
2SD1478 PAN 123 NPN низкочастотный составной транзистор
2SD1478A PAN 124 NPN низкочастотный составной транзистор
2SD1511 PAN 124 NPN низкочастотный составной транзистор
2SD1583-Z NEC 75 NPN мощный транзистор
2SD1584-Z NEC 76 NPN мощный транзистор
2SD1614 NEC 76 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1615 NEC 77 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1615A NEC 77 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1618 SAN 351 NPN низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1619 SAN 352 NPN низкочастотный транзистор
2SD1627 SAN 352 NPN низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1628 SAN 353 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах управления исполни- тельными устройствами и преобразователях напряжения
2SD1679 PAN 125 NPN низкочастотный транзистор
2SD1699 NEC 78 NPN мощный составной транзистор
2SD1702 NEC 78 NPN мощный составной транзистор
2SD1784 TOSH 429 NPN составной транзистор для работы в ключевых схемах, схемах управ- ления исполнительными устройствами и усилительных каскадах
2SD1799 SAN 353 NPN низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1800 SAN 354 NPN низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1801 SAN 354 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SD1802 SAN 355 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SD1803 SAN 355 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SD1804 SAN 356 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1805 SAN 356 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1806 SAN 357 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1815 SAN 357 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1816 SAN 358 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1817 SAN 358 NPN низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1823 PAN 125 NPN низкочастотный транзистор
2SD1824 PAN 126 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD1851 SAN 559 NPN низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния
2SD1938 PAN 126 NPN низкочастотный транзистор
2SD1950 NEC 79 NPN низкочастотный транзистор средней мощности общего применения
2SD1979 PAN 127 NPN низкочастотный транзистор
2SD2028 SAN 359 NPN низкочастотный низковольтный транзистор
2SD2176 SAN 360 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах управления моторами
2SD2210 PAN 127 NPN низкочастотный транзистор
2SD2240J PAN 128 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD2261 SAN 360 NPN низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD2324 SAN 361 NPN низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD2345 PAN 128 NPN низкочастотный транзистор
2SD2402 NEC 79 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD2403 NEC 80 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SD2413 PAN 129 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD2416 PAN 1.29 NPN низкочастотный составной транзистор
2SD2441 PAN 130 NPN низкочастотный транзистор
2SD2459 PAN 130 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SD2584 TOSH 430 NPN составной транзистор для работы в ключевых схемах, схемах управ- ления исполнительными устройствами и усилительных каскадах
2SD2620J PAN 131 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SD2621 PAN 131 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SD2623 PAN 132 NPN низкочастотный транзистор
2SD2686 TOSH 430 NPN составной транзистор для работы в ключевых схемах, схемах управ- ления исполнительными устройствами и усилительных каскадах
2SD2720 SAN 361 NPN низкочастотный транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 13
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
СРН3004 SAN 362 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
СРН3105 SAN 362 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3106 SAN 363 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3107 SAN 363 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3109 ' SAN 364 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3110 SAN 364 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3112 SAN 365 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3114 SAN 365 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3115 SAN 366 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3116 SAN 366 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3120 SAN 367 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах управления моторами
СРН3121 SAN 367 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3122 SAN 368 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3123 SAN 368 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3140 SAN 369 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3143 SAN 369 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3144 SAN 370 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3145 SAN 370 PNP Низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3146 SAN 371 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3147 SAN 371 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3148 SAN 372 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3205 SAN 372 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3206 SAN 373 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3207 SAN 373 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3209 SAN 374 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3210 SAN 374 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3212 SAN 375 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3214 SAN 375 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3215 SAN 376 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3216 SAN 376 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3221 SAN 377 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3222 SAN 377 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3223 SAN 378 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3234 SAN 378 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3235 SAN 379 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3236 SAN 379 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3237 SAN 380 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3238 SAN 380 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3239 SAN 381 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3240 SAN 381 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3243 SAN 382 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
14 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
СРН3244 SAN 382 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3245 SAN 383 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3246 SAN 383 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3247 SAN 384 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3248 SAN 384 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН5501 SAN 385 PNP транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5505 SAN 386 PNP транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5506 SAN 387 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5514 SAN 388 PNP транзисторная сборка для работы в ключевых схемах
СРН5516 SAN 389 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5517 SAN 390 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5518 SAN 391 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5519 SAN 392 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5520 SAN 393 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5522 SAN 394 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5541 SAN 395 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5701 SAN 396 PNP + D транзисторно-диодная сборка для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6071 SAN 397 PNP/NPN высокочастотная транзисторная сборка для работы в выходных каска- дах видеоусилителей
СРН6121 SAN 398 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6122 SAN 398 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6123 SAN 399 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6223 SAN 399 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6516 SAN 400 PNP низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6520 SAN 400 PNP низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6521 SAN 401 PNP/NPN низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6526 SAN 402 PNP/NPN низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6528 SAN 403 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН6528 SAN 404 PNP/NPN транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
EC4201KF SAN 405 NPN низкочастотный транзистор общего применения
МСН3105 SAN 405 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
МСН3106 SAN 406 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН3109 SAN 406 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН3143 SAN 407 PNP низкочастотный транзистор
МСН3144 SAN 407 PNP низкочастотный транзистор
МСН3145 SAN 408 PNP низкочастотный транзистор
МСН3205 SAN 408 NPN низкочастотный транзистор
МСН3206 SAN 409 NPN низкочастотный транзистор
МСН3209 SAN 409 NPN низкочастотный транзистор
МСН3211 SAN 410 NPN низкочастотный транзистор
МСН3217 SAN 410 NPN низкочастотный транзистор
МСН3218 SAN 411 NPN низкочастотный транзистор
МСН3219 SAN 411 NPN низкочастотный транзистор
МСН3220 SAN 412 NPN низкочастотный транзистор
МСН3221 SAN 412 NPN низкочастотный транзистор
МСН3222 SAN 413 NPN низкочастотный транзистор
МСН3243 SAN 413 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 15
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
МСН3244 SAN 4174 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН3245 SAN 414 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6101 SAN 415 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6102 SAN 415 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6103 SAN 416 PNP низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6201 SAN 416 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6202 SAN 417 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6203 SAN 417 NPN низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
MT3S03A TOSH 431 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AFS TOSH 431 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AS TOSH 432 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AT TOSH 432 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AU TOSH 433 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S04A TOSH 433 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S04AFS TOSH 434 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S04AT TOSH 434 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S05FS TOSH 435 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S05T TOSH 435 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S06FS TOSH 436 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S06S TOSH 436 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S06T TOSH 437 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07FS TOSH 437 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07S TOSH 438 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07T TOSH 438 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07U TOSH 439 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S08FS TOSH 439 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S08T TOSH 440 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S11FS TOSH 440 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S11T TOSH 441 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S12FS TOSH 441 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S12T TOSH 442 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S14FS TOSH 442 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S14T TOSH 443 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S16FS TOSH 443 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S16T TOSH 444 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
16 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
MT3S16U TOSH 444 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S18FS TOSH 445 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S18T TOSH 445 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S35FS TOSH 446 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S35T TOSH 446 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S36FS TOSH 447 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S36T TOSH 447 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S37FS TOSH 448 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S37T TOSH 448 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S41FS TOSH 449 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S41T TOSH 449 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S03A TOSH 450 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S03AU TOSH 450 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S04A TOSH 451 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S04AU TOSH 451 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S06 TOSH 452 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S06U TOSH 452 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S07 TOSH 453 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S07U TOSH 453 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S32U TOSH 454 NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
МТ6С03АЕ TOSH 454 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
МТ6С04АЕ TOSH 455 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L03AE TOSH 455 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L03AT TOSH 456 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L04AE TOSH 456 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L04AT TOSH 457 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L05FS TOSH 457 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L11FS TOSH 448 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L52AE TOSH 459 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей '
MT6L53E TOSH 460 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L54E TOSH 461 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L55E TOSH 462 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L55FS TOSH 463 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L56E TOSH 464 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L57A TOSH 465 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справо'
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенностшуЖГ^и^
MT6L57AFS TOSH 466 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L57AT TOSH 467 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошу^ццх ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L58AE TOSH 468 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумяиьЖ ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L58AFS TOSH 469 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L58AT TOSH 470 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L61AE TOSH 471 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L61AT TOSH 472 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L62AT TOSH 473 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L63FS TOSH 474 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L68FS TOSH 475 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L71FS TOSH 476 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L72FS TOSH 477 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L78FS TOSH 478 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
RN1101 TOSH 479 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101F TOSH 479 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101FS TOSH 480 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101FT TOSH 480 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101MFV TOSH 481 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102 TOSH 481 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102F TOSH 482 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102FS TOSH 482 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102FT TOSH 483 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102MFV TOSH 483 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103 TOSH 484 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103F TOSH 484 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103FS TOSH 485 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103FT TOSH 485 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103MFV TOSH 486 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104 TOSH 486 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104F TOSH 487 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104FS TOSH 487 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104FT TOSH 488 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104MFV TOSH 488 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105 TOSH 489 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105F TOSH 489 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105FS TOSH 490 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105FT TOSH 490 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105MFV TOSH 491 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106 TOSH 491 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106F TOSH 492 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106FS TOSH 492 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106FT TOSH 493 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106MFV TOSH 493 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107 TOSH 494 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107F TOSH 494 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107FS TOSH 495 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107FT TOSH 495 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107MFV TOSH 496 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108 TOSH 496 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108F TOSH 497 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108FS TOSH 497 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108FT TOSH 498 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах j
RN1108MFV TOSH 498 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1109 TOSH 499 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах |
RN1109F TOSH 499 J NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1109FS TOSH 500 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
18 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
RN1109FT TOSH 500 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1109MFV TOSH 501 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110 TOSH 501 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110F TOSH 502 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110FS TOSH 502 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110FT TOSH 503 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110MFV TOSH 503 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111 TOSH 504 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111F TOSH 504 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111FS TOSH 505 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111FT TOSH 505 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111MFV TOSH 506 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112 TOSH 506 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112F TOSH 507 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112FS TOSH 507 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112FT TOSH 508 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112MFV TOSH 508 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113 TOSH 509 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113F TOSH 509 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113FS TOSH 510 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113FT TOSH 510 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113MFV TOSH 511 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1114 TOSH 511 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1114F TOSH 512 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1114FT TOSH 512 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1115 TOSH 513 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1115F TOSH 513 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1115FT TOSH 514 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1116 TOSH 514 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1116F TOSH 515 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1116FT TOSH 515 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1117 TOSH 516 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1117F TOSH 516 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1117FT TOSH 517 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1118 TOSH 517 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1118F TOSH 518 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1118FT TOSH 518 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1130F TOSH 519 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1130FT TOSH 519 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1131F TOSH 520 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1131FT TOSH 520 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1132F TOSH 521 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1132FT TOSH 521 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1301 TOSH 522 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1302 TOSH 522 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1303 TOSH 523 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1304 TOSH 523 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1305 TOSH 524 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1306 TOSH 524 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1307 TOSH 525 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1308 TOSH 525 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1309 TOSH 526 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1310 TOSH 526 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1311 TOSH 527 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1312 TOSH 527 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1313 TOSH 528 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1314 TOSH 528 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1315 TOSH 529 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1316 TOSH 529 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1317 TOSH 530 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1318 TOSH 530 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1321A TOSH 531 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1322A TOSH 531 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1323A TOSH 532 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1324A TOSH 532 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1325A TOSH 533 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1326A TOSH 533 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1327A TOSH 534 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1401 TOSH 534 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 19
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
RN1402 TOSH 535 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1403 TOSH 535 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1404 TOSH 536 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1405 TOSH 536 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1406 TOSH 537 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1408 TOSH 538 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1409 TOSH 538 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1410 TOSH 539 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1411 TOSH 539 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1412 TOSH 540 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1413 TOSH 540 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1414 TOSH 541 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1415 TOSH 541 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1416 TOSH 542 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1417 TOSH 542 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1418 TOSH 543 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1421 TOSH 543 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1422 TOSH 544 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1423 TOSH 544 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1424 TOSH 545 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1425 TOSH 545 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1426 TOSH 546 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1427 TOSH 546 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1441 TOSH 547 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1442 TOSH 547 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1443 TOSH 548 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1444 TOSH 548 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101 TOSH 549 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101F TOSH 549 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101FS TOSH 550 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101FT TOSH 550 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101MFV TOSH 551 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102 TOSH 551 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102F TOSH 552 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102FS TOSH 552 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102FT TOSH 553 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102MFV TOSH 553 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103 TOSH 554 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103F TOSH 554 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103FS TOSH 555 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103FT TOSH 555 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103MFV TOSH 556 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104 TOSH 556 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104F TOSH 557 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104FS TOSH 557 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104FT TOSH 558 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104MFV TOSH 558 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105 TOSH 559 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105F TOSH 559 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105FS TOSH 560 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105FT TOSH 560 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105MFV TOSH 561 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106 TOSH 561 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106F TOSH 562 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106FS TOSH 562 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106FT TOSH 563 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106MFV TOSH 563 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107 TOSH 564 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107F TOSH 564 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107FS TOSH 565 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107FT TOSH 565 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107MFV TOSH 566 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108 TOSH 566 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108F TOSH 567 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108FS TOSH 567 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108FT TOSH 568 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108MFV TOSH 568 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109 TOSH 569 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109F TOSH 569 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схямах
20 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
RN2109FS TOSH 570 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109FT TOSH 570 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109MFV TOSH 571 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110 TOSH 571 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110F TOSH 572 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110FS TOSH 572 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110FT TOSH 573 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110MFV TOSH 573 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111 TOSH 574 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111F TOSH 574 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111FS TOSH 575 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111FT TOSH 575 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111MFV TOSH 576 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112 TOSH 576 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112F TOSH 577 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112FS TOSH 577 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112FT TOSH 578 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112MFV TOSH 578 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113 TOSH 579 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113F TOSH 579 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113FS TOSH 580 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113FT TOSH 580 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113MFV TOSH 581 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2114 TOSH 581 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2114F TOSH 582 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2114FT TOSH 582 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2115 TOSH 583 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2115F TOSH 583 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2115FT TOSH 584 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2116 TOSH 584 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2116F TOSH 585 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2116FT TOSH 585 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2117 TOSH 586 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2117F TOSH 586 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2117FT TOSH 587 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2118 TOSH 587 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2118F TOSH 588 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2118FT TOSH 588 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2130F TOSH 589 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2130FT TOSH 589 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2131F TOSH 590 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2131FT TOSH 590 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2132F TOSH 591 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2132FT TOSH 591 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2301 TOSH 592 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2302 TOSH 592 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2303 TOSH 593 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2304 TOSH 593 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2305 TOSH 594 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2306 TOSH 594 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2307 TOSH 595 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2308 TOSH 595 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2309 TOSH 596 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2310 TOSH 596 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2311 TOSH 597 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2312 TOSH 597 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2313 TOSH 598 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2314 TOSH 598 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2315 TOSH 599 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2316 TOSH 599 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2317 TOSH 600 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2318 TOSH 600 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2321A TOSH 601 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2322A TOSH 601 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2323A TOSH 602 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2324A TOSH 602 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2325A TOSH 603 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2326A TOSH 603 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2327A TOSH 604 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 21
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
RN2401 TOSH 604 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2402 TOSH 605 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2403 TOSH 605 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2404 TOSH 606 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2405 TOSH 606 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2406 TOSH 607 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2407 TOSH 607 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2408 TOSH 608 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2409 TOSH 608 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2410 TOSH 609 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2411 TOSH 609 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2412 TOSH 610 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2413 TOSH 610 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2414 TOSH 611 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2415 TOSH 611 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2416 TOSH 612 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2417 TOSH 612 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2418 TOSH 613 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2421 TOSH 613 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2422 TOSH 614 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2423 TOSH 614 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2424 TOSH 615 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2425 TOSH 615 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2426 TOSH 616 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2427 TOSH 616 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2110 PAN 133 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2111 PAN 133 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211D PAN 134 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211E PAN 134 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211F PAN 135 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211H PAN 135 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211L PAN 136 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211M PAN 136 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211N PAN 137 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211T PAN 137 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211V PAN 138 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211W PAN 138 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211Z PAN 139 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2112 PAN 139 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2113 PAN 140 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2114 PAN 140 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2115 PAN 141 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2116 PAN 141 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2117 PAN 142 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2118 PAN 142 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2119 PAN 143 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2121 PAN 143 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2122 PAN 144 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2123 PAN 144 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2124 PAN 145 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN212X PAN 146 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN212Y PAN 146 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2154 PAN 145 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2210 PAN 147 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2211 PAN 147 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221D PAN 148 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221E PAN 148 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221F PAN 149 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221K PAN 149 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221L PAN 150 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221M PAN 150 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221N PAN 151 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221T PAN 151 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221V PAN 152 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221W PAN 152 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221Z PAN 153 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2212 PAN 153 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2213 PAN 154 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2214 PAN 154 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
22 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
UN2215 PAN 155 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2216 PAN 155 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2217 PAN 156 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2218 PAN 156 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2219 PAN 157 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2221 PAN 157 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2222 PAN 158 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2223 PAN 158 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2224 PAN 159 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2225 PAN 159 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2226 PAN 160 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2227 PAN 160 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A0 PAN 161 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A1 PAN 161 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A2 PAN 162 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A3 PAN 162 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A4 PAN 163 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A5 PAN 163 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A6 PAN 164 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A7 PAN 164 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A9 PAN 165 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AA PAN 165 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AE PAN 166 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AF PAN 166 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AH PAN 167 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AL PAN 167 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AM PAN 168 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AN PAN 168 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AT PAN 169 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AV PAN 169 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A0 PAN 170 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A1 PAN 170 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A2 PAN 171 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A3 PAN 171 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A4 PAN 172 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A5 PAN 172 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A6 PAN 173 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A7 PAN 173 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A8 PAN 174 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A9 PAN 174 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AA PAN 175 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AE PAN 175 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AF PAN 176 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AL PAN 176 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AM PAN 177 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AN PAN 177 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AT PAN 178 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AV PAN 178 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5110 PAN 179 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5111 PAN 179 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511D PAN 180 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511E PAN 180 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511F PAN 181 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511H PAN 181 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511L PAN 182 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511M PAN 182 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511N PAN 183 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511T PAN 183 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511V PAN 184 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511Z PAN 184 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5112 PAN 185 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5113 PAN 185 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5114 PAN 186 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5115 PAN 186 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5116 PAN 187 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5117 PAN 187 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5118 PAN 188 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5119 PAN 188 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
IUNR5154 PAN 189 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 23
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
UNR5210 PAN 189 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5211 PAN 190 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521D PAN 190 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521E PAN 191 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521F PAN 191 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521K PAN 192 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521L PAN 192 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521M PAN 193 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521N PAN 193 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521T PAN 194 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521V PAN 194 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5112 PAN 195 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5213 PAN 195 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5214 PAN 196 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5215 PAN 196 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5216 PAN 197 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5217 PAN 197 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5218 PAN 198 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5219 PAN 198 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9110J PAN 199 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9111J PAN 199 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911AJ PAN 200 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911BJ PAN 200 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911CJ PAN 201 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911DJ PAN 201 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911EJ PAN 202 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911FJ PAN 202 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911HJ PAN 203 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911LJ PAN 203 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911MJ PAN 204 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911NJ PAN 204 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911TJ PAN 205 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911VJ PAN 205 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9112J PAN 206 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9113J PAN 206 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9114J PAN 207 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9115J PAN 207 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9116J PAN 208 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9117J PAN 208 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9118J PAN 209 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9119J PAN 209 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A0J PAN 210 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A1J PAN 210 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A2J PAN 211 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A3J PAN 211 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A4J PAN 212 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A5J PAN 212 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A6J PAN 213 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A7J PAN 213 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A9J PAN 214 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AAJ PAN 214 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AEJ PAN 215 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AFJ PAN 215 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AHJ PAN 216 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91ALJ PAN 216 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AMJ PAN 217 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91ANJ PAN 217 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91ATJ PAN 218 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AVJ PAN 218 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9210J PAN 219 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9211J PAN 219 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921AJ PAN 220 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921BJ PAN 220 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921CJ PAN 221 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921DJ PAN 221 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921EJ PAN 222 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921FJ PAN 222 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921HJ PAN 223 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921LJ PAN 223 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
24 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
UNR921MJ PAN 224 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921NJ PAN 224 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921TJ PAN 225 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921VJ PAN 225 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9212J PAN 226 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9213J PAN 226 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9214J PAN 227 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9215J PAN 227 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9216J PAN 228 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9217J PAN 228 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9218J PAN 229 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9219J PAN 229 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A0J PAN 230 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A1J PAN 230 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A2J PAN 231 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A3J PAN 231 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A4J PAN 232 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A5J PAN 232 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A6J PAN 233 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A7J PAN 233 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A8J PAN 234 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A9J PAN 234 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AAJ PAN 235 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AEJ PAN 235 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AFJ PAN 236 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92ALJ PAN 236 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AMJ PAN 237 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92ANJ PAN 237 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92ATJ PAN 238 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AVJ PAN 238 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A0 PAN 239 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A1 PAN 239 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A2 PAN 240 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A3 PAN 240 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A4 PAN 241 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A5 PAN 241 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A6 PAN 242 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A7 PAN 242 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A9 PAN 243 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AA PAN 243 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AF PAN 244 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AH PAN 244 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A3L PAN 245 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AM PAN 245 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AN PAN 246 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AT PAN 246 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A0 PAN 247 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A1 PAN 247 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A2 PAN 248 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A3 PAN 248 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A4 PAN 249 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A5 PAN 249 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A6 PAN 250 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A7 PAN 250 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A8 PAN 251 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A9 PAN 251 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AF PAN 252 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AK PAN 252 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AM PAN 253 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AN PAN 254 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AT PAN 254 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AV PAN 255 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UPA800TF NEC 81 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA801TC NEC 81 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA802T NEC 82 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA803T NEC 82 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA804TC NEC 83 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA805' NEC 83 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA806T NEC 84 NPN высокочастотная транзисторная сборка
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 25
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
UPA807T NEC 84 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA808T NEC 85 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA809T NEC 85 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA810TC NEC 86 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA811T NEC 86 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA812T NEC 87 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA813T NEC 87 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA814TC NEC 88 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA821TC NEC 88 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA826TC NEC 89 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA826TF NEC 89 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA827TF NEC 90 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA828TD NEC 90 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA828TF NEC 91 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA831TC NEC 92 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA831TD NEC 93 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA832TF NEC 94 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA833TF NEC 95 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA834TF NEC 96 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA835TC NEC 97 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA835TF NEC 98 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA836TF NEC 99 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA840TC NEC 100 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA843TC NEC 101 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA851TD NEC 102 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA854TD NEC 103 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA855TD NEC 104 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA859TD NEC 105 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA860TD NEC 106 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA861TD NEC 107 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA862TD NEC 108 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA862TS NEC 109 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA863TD NEC 110 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA863TS NEC 111 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA867TS NEC 112 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA868TS NEC 113 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA869TD NEC 114 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA869TS NEC 115 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA873TC NEC 116 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA873TD NEC 116 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA873TS NEC 117 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA880TS NEC 118 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA891TC NEC 119 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA891TD NEC 119 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA895TD NEC 120 NPN высокочастотная транзисторная сборка
UPA895TS NEC 120 NPN высокочастотная транзисторная сборка
XN01110 PAN 255 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01111 PAN’ 256 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01112 PAN 256 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01113 PAN 257 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01114 PAN 257 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01115 PAN 258 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01116 PAN 258 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01117 PAN 259 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01118 PAN 259 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01119 PAN 260 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0111F PAN 260 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0111H PAN 261 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0111M PAN 261 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01210 PAN 262 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01211 PAN 262 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01212 PAN 263 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01213 PAN 263 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01214 PAN 264 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01215 PAN 264 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01216 PAN 265 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01217 PAN 265 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0121E PAN 266 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0121F PAN 266 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
26 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
XN0121M PAN 267 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN1401 PAN 268 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN1501 PAN 268 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01504 PAN 268 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01509 PAN 269 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01531 PAN 269 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01558 PAN 270 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01601 PAN 271 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры
XN01602 PAN 272 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры
XN02211 PAN 273 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN02212 PAN 273 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN02216 PAN 274 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN02401 PAN 274 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN02501 PAN 275 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN02531 PAN 275 NPN биполярная высокочастотная транзисторная сборка для работы в ра- диочастотных схемах
XN04110 PAN 276 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04111 PAN 276 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04112 PAN 277 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04114 PAN 277 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04115 PAN 278 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04116 PAN 278 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04130 PAN 279 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в схемах усиления НЧ- сигналов
XN04210 PAN 279 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04211 PAN 280 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04212 PAN 280 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04213 PAN 281 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04214 PAN 281 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04215 PAN 282 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04216 PAN 282 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0421F PAN 283 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0421L PAN 283 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0421N PAN 284 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0431 PAN 285 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04311 PAN 286 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04312 PAN 287 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04314 PAN 288 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04315 PAN 289 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04316 PAN 290 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04321 PAN 291 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04322 PAN 292 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04381 PAN 293 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04382 PAN 294 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04390 PAN 295 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04401 PAN 296 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04402 PAN 296 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04404 PAN 297 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04407 PAN 298 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04482 PAN 299 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04501 PAN 300 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04502 PAN 300 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04503 PAN 301 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04504 PAN 301 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04505 PAN 302 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04506 PAN 303 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04509 PAN 303 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04556 PAN 304 NPN биполярная транзисторная низкочастотная малошумящая сборка
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 27
Прибор Произв. Стр. Структура Функциональное назначение или особенности
XN04601 PAN 305 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04602 PAN 306 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04604 PAN 307 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04608 PAN 308 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04609 PAN 309 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04683 PAN 310 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04A88 PAN 311 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN05501 PAN 312 NPN биполярная транзисторная низкочастотная сборка общего применения
XN05531 PAN 312 NPN биполярная транзисторная высокочастотная сборка для работы в ра- диочастотных схемах
XN05553 PAN 313 NPN биполярная транзисторная низкочастотная сборка общего применения
XN05601 PAN 314 NPN/PNP биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN06111 PAN 315 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06112 PAN 315 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06113 PAN 316 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06114 PAN 316 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06115 PAN 317 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06116 PAN 317 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0611FH PAN 318 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN06211 PAN 319 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06212 PAN 319 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06213 PAN 320 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06214 PAN 320 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06215 PAN 321 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06216 PAN 321 NPN биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06401 PAN 322 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
XN06435 PAN 322 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в радиочастотных схе- мах
XN06501 PAN 323 NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
XN06537 PAN 323 NPN биполярная транзисторная высокочастотная малошумящая сборка для работы в радиочастотных схемах
XN06542 PAN 324 NPN биполярная транзисторная высокочастотная сборка для работы в ра- диочастотных схемах
XN06543 PAN 325 NPN биполярная транзисторная высокочастотная малошумящая сборка для работы в радиочастотных схемах
28 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ
SC-46, SC-59
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 29
Транзисторы в корпусе SC-46
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
С5999 2SC5999 SAN NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в корпусе SC-59
Маркировка Прибор Произво- дитель Струк- тура Функциональное назначение или особенности
D5(1.. 5) 2SD780A NEC NPN низкочастотный транзистор для гибридных ИС
DW(1. 5) 2SD780 NEC NPN низкочастотный транзистор для гибридных ИС
DV0...5) 2SD596 NEC NPN низкочастотный транзистор для гибридных ИС
1Z(R, S.T) 2SD1030 PAN NPN низкочастотный транзистор
1V(R, S) 2SD1149 PAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2A(Q,R, S) 2SD1304 PAN NPN низкочастотный транзистор
1D(Q,R, S) 2SD1328 PAN NPN низкочастотный транзистор
2N(Q, R) 2SD1478 PAN NPN низкочастотный составной транзистор
2O(Q, R) 2SD1478A PAN NPN низкочастотный составной транзистор
N(R, S, T) 2SD1679 PAN NPN низкочастотный составной транзистор
3W(S, T) 2SD1938 PAN NPN низкочастотный составной транзистор
6A UN2111 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6M UN211D PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6N UN211E PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
60 UN211F PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6P UN211H PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Q UN211L PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
El UN211M PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EW UN211N PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EY UN211T PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
FC UN211V PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7F UN211W PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
FE UN211Z PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6B UN2112 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6C UN2113 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6D UN2114 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6E(Q, R, S) UN2115 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6F(Q, R, S) UN2116 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6H(Q, R, S) UN2117 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6I UN2118 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6K UN2119 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7A UN2121 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7B UN2122 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7C UN2123 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7D UN2124 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EV UN2154 PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7I UN212X PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
7Y UN212Y PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
8L(Q, R, S) UN2210 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8A UN2211 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8M UN221D PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8N UN221E PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
80 UN221F PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8P UN221K PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8Q UN221L PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
EL UN221M PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
EX UN221N PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
EZ UN221T PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FD UN221V PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
9F UN221W PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FF UN221Z PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8B UN2212 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8C UN2213 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8D UN2214 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8E(Q, R, S) UN2215 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8F(Q, R, S) UN2216 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8H(Q, R, S) UN2217 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8I UN2218 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8K UN2219 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
9A UN2221 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
30 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка Прибор Произво- дитель Струк- тура Функциональное назначение или особенности
9В UN2222 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
9С UN2223 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
9D UN2224 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FZ UN2225 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FY UN2226 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FW UN2227 PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XY 2SD1851 SAN NPN составной транзистор для работы в схемах управления
LT(6, 7, 8) 2SD2028 SAN NPN низкочастотный транзистор для работы в усилительных каска- дах
BN 2SD2324 SAN NPN низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
MR MT3S03A TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ MT3S04A TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ХА RN1401 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ RN1402 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХС RN1403 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XD RN1404 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ RN1405 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XF RN1406 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХН RN1407 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XF RN1406 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XI RN1408 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XJ RN1409 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХК RN1410 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ RN1411 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XN RN1412 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХР RN1413 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XQ RN1414 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XS RN1415 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XT RN1416 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
хи RN1417 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XW RN1418 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QA RN1421 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QB RN1422 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QC RN1423 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
OD RN1424 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QE RN1425 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QF RN1426 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QG RN1427 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
К(А, В) RN1441 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ЦА, В) RN1442 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
N(A, В) RN1443 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
С(А, В) RN1444 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
YA RN2401 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YB RN2402 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YC RN2403 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YD RN2404 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YE RN2405 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YF RN2406 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YH RN2407 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YF RN2406 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YI RN2408 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YJ RN2409 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YK RN2410 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YM RN2411 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YN RN2412 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YP RN2413 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YQ RN2414 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YS RN2415 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YT RN2416 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YU RN2417 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YW RN2418 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RA RN2421 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RB RN2422 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RC RN2423 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RD RN2424 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RE RN2425 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RF RN2426 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RG RN2427 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 31
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ
SC-61, SC-62, SC-63
32 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-61
Марки- ровка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
АС MT4S06 TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
AD MT4S07 TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ MT4S04A TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MR MT4S03A TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусе SC-62
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
2SD1702 NEC NPN мощный составной транзистор
1S 2SD2413 PAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
1Т 2SD2416 PAN NPN низкочастотный составной транзистор
1V 2SD2441 PAN NPN низкочастотный транзистор
2С 2SC5713 TOSH NPN низкочастотный транзистор
2E(R, S) 2SD2459 PAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
ЗН 2SD2686 TOSH NPN составной транзистор
AL 2SA1971 TOSH PNP высоковольтный транзистор
АХ 2SA2124 SAN PNP низкочастотный транзистор
AY 2SA2125 SAN PNP низкочастотный транзистор
AZ 2SA2153 SAN PNP низкочастотный транзистор
B(W, V, U) 2SD1005 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
BA(S, Т, II) 2SB1118 SAN PNP низковольтный транзистор
BB(R,S, Т, U) 2SB1119 SAN PNP низкочастотный транзистор
С(М, L, К) 2SD999 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
DA(S, Т, U) 2SD1618 SAN NPN низковольтный транзистор
DB(R, S, Т, U) 2SD1619 SAN NPN низкочастотный транзистор
DJ 2SD1627 SAN NPN низкочастотный составной транзистор
DK(E, F, G) 2SD1628 SAN NPN низкочастотный транзистор
DQ 2SD2176 SAN NPN низкочастотный транзистор
DR 2SD2261 SAN NPN низкочастотный составной транзистор
Е(М, L, К) 2SD1001 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
Е(Х, У, Z) 2SD2402 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
FH 2SC5990 SAN NPN низкочастотный транзистор
Я 2SC5991 SAN NPN низкочастотный транзистор
FJ 2SC5994 SAN NPN низкочастотный транзистор
G(M, L, К) 2SD1615 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
G(Q, Р) 2SD1615A NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
G(X, Y, Z) 2SD2403 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
Н(М, L, К) 2SD1006 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
H(R, Q, Р) 2SD1007 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
НА 2SC5964 SAN NPN низкочастотный транзистор
НВ 2SC6044 SAN NPN низкочастотный транзистор
IK(R, S, Т) 2SD2210 PAN NPN низкочастотный транзистор
L(M, L, К) 2SD1000 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
М(О, У) 2SC2873 TOSH NPN высоковольтный транзистор
N(O, У) 2SA1213 TOSH PNP высоковольтный транзистор
P(Q, R, S) 2SD1511 PAN NPN низкочастотный составной транзистор
QA 2SC6013 SAN NPN низкочастотный транзистор
QB 2SC6014 SAN NPN низкочастотный транзистор
QC 2SC6015 SAN NPN низкочастотный транзистор
QD 2SC6016 SAN NPN низкочастотный транзистор
QE 2SC6094 SAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
QF 2SC6095 SAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
QG 2SC6095 SAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
S(A, В, C) 2SC2982 TOSH NPN низкочастотный транзистор
T(Q, R) 2SD1119 PAN NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
T(R, Q) 2SD1699 NEC NPN мощный составной транзистор
V(M, L, K) 2SD1950 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
X(M, L, K) 2SD1614 NEC NPN низкочастотный транзистор средней мощности
XN 2SD1784 TOSH NPN составной транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 33
Транзисторы в корпусе SC-63
Маркировка Прибор Про- изво- дитель Струк- тура Функциональное назначение или особенности
D992(N, М, L, К) 2SD992-Z NEC NPN мощный низкочастотный транзистор
D1033(M, L, К) 2SD1033 NEC NPN мощный низкочастотный транзистор
D1164(M, L, К) 2SD1164-Z NEC NPN мощный низкочастотный составной транзистор
D1286(M, L, К) 2SD1286-Z NEC NPN мощный низкочастотный составной транзистор
D1583(M, L, К) 2SD1583-Z NEC NPN мощный низкочастотный транзистор
D1584(M, L, К) 2SD1584-Z NEC NPN мощный низкочастотный транзистор
A2126 2SA2126 SAN PNP низкочастотный транзистор
A2169 2SA2169 SAN PNP низкочастотный транзистор
A2192 2SA2192 SAN PNP низкочастотный транзистор
A2204 2SA2204 SAN PNP высоковольтный транзистор
A2205 2SA2205 SAN PNP высоковольтный транзистор
A2207 2SA2207 SAN PNP транзистор с высокой скоростью переключения
A2209 2SA2209 SAN PNP транзистор с высокой скоростью переключения
B1201(R, S, T, U) 2SB1201 SAN PNP низкочастотный транзистор
B1202(R, S, T, U) 2SB1202 SAN PNP низкочастотный транзистор
B1203(R, S, T) 2SB1203 SAN PNP низкочастотный транзистор
B1204(R, S, T) 2SB1204 SAN PNP низкочастотный транзистор
B1215(R, S, T) 2SB1215 SAN PNP низкочастотный транзистор
B1216(R, S, T) 2SB1216 SAN PNP низкочастотный транзистор
B1739 2SB1739 SAN PNP низкочастотный транзистор
C5979 2SC5979 SAN NPN низкочастотный транзистор
C5980 2SC5980 SAN NPN низкочастотный транзистор
C6017 2SC6017 SAN NPN низкочастотный транзистор
C6071 2SC6071 SAN NPN низкочастотный транзистор
C6097 2SC6097 SAN NPN низкочастотный транзистор
C6098 2SC6098 SAN NPN низкочастотный транзистор
C6099 2SC6099 SAN NPN низкочастотный транзистор
D1799 2SD1799 SAN NPN низкочастотный составной транзистор
D1800 2SD1800 SAN NPN низкочастотный составной транзистор
D1801(R, S,T, U) 2SD1801 SAN NPN низкочастотный транзистор
D1802(R, S,T, U) 2SD1802 SAN NPN низкочастотный транзистор
D1803(R, S,T, U) 2SD1803 SAN NPN низкочастотный транзистор
D1804(R, S, T,) 2SD1804 SAN NPN низкочастотный транзистор •
D1805(E, F, G,) 2SD1805 SAN NPN низкочастотный транзистор
D1806 2SD1806 SAN NPN низкочастотный транзистор
D1815(R, S,T,) 2SD1815 SAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
D1816(R, S, T,) 2SD1816 SAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
D1817 2SD18017 SAN NPN низкочастотный составной транзистор
D2720 2SD2720 SAN NPN низкочастотный транзистор
A2034 2SA2034 TOSH PNP высоковольтный транзистор
A2142 2SA2142 TOSH PNP высоковольтный транзистор
C5548 2SC5548 TOSH NPN высоковольтный транзистор
C5886A 2SC5886A TOSH NPN низкочастотный транзистор
C6000 2SC6000 TOSH NPN низкочастотный транзистор
D1220(R, 0, Y) 2SD1220 TOSH NPN низкочастотный транзистор
D1221(0, Y, GR) 2SD1221 TOSH NPN низкочастотный транзистор
D1222 2SD1222 TOSH NPN низкочастотный составной транзистор
D1223 2SD1222- TOSH NPN низкочастотный составной транзистор
D2584 2SD2584 TOSH NPN низкочастотный составной транзистор
34 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ
SC-70, SC -74, SC -74А, SC -75
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 35
Транзисторы в корпусах SC-70
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
1 V(R, S) 2SD1824 PAN NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
1Z(R, S, Т) 2SD1823 PAN NPN низкочастотный транзистор
2V(R, S, T) 2SD2623 PAN NPN низкочастотный транзистор
3W(S, T) 2SD1979 PAN NPN низкочастотный транзистор
6A UNR5111 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6B UNR5112 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6С UNR5113 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6D UNR5114 PAN i PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6E(Q, R, S) UNR5115 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6F(Q, R, S) UNR5116 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6H(Q, R, S) UNR5117 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6I UNR5118 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6K UNR5119 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6L(Q, R, S) UNR5110 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6M UNR511D PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6N UNR511E PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
60 UNR511F PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6P UNR511H PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6Q UNR511L PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8A UNR5211 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8B UNR5212 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8C UNR5213 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8D UNR5214 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8E(Q, R, S) UNR5215 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8F(Q, R, S) UNR5216 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8H(Q, R, S) UNR5217 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8I UNR5218 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8K UNR5219 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8L(Q, R, S) UNR5210 PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8M UNR521D PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8N UNR521E PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
80 UNR521F PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8P UNR521K PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8Q UNR521L PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
AD MT3S07U TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
El UNR511M PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EL UNR521M PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EV UNR5154 PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EW UNR511N PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EX UNR521N PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EY UNR511T PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EZ UNR521T PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
FC UNR511V PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
FD UNR521V PAN NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
FE UNR511Z PAN PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
QA RN1321A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QB RN1322A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QC RN1323A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QD RN1324A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QE RN1325A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QF RN1326A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
QG RN1327A TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
RA RN2321A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RB RN2322A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RC RN2323A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RD RN2324A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RE RN2325A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RF RN2326A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
RG RN2327A TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
T4 MT3S16U TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
XA RN1301 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XB RN1302 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XC RN1303 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XD RN1304 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XE RN1305 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XF RN1306 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
36 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
XF RN1306 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХН RN1307 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XI RN1308 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XJ RN1309 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХК RN1310 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ RN1311 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XN RN1312 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХР RN1313 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XQ RN1314 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XS RN1315 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XT RN1316 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
хи RN1317 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XW RN1318 TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
YA RN2301 TOSH ' PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YB RN2302 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YC RN2303 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YD RN2304 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YE RN2305 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YF RN2306 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YF RN2306 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YH RN2307 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YI RN2308 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YJ RN2309 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YK RN2310 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YM RN2311 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YN RN2312 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YP RN2313 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YQ RN2314 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YS RN2315 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YT RN2316 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YU RN2317 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YW RN2318 TOSH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
MR MT3S03AU TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах SC-74
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
4А XN04602 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
4N XN05601 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
4S XN0611FH PAN PNP транзисторная сборка общего применения
4U XN05553 PAN NPN низкочастотная транзисторная сборка
5С XN04601 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
5Е XN04608 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
5F XN04609 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
5Н XN04501 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
5I XN04604 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
5К XN04401 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
5L XN05501 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
5М XN05531 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
5N XN06501 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
50 XN06401 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
5Q XN04502 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
5Х XN04504 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
5Y XN04503 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
5Z XN06542 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
6R XN04112 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Т XN04115 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6U XN04116 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6V XN06112 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6W XN06113 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Х XN06115 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Y XN06116 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Z XN06111 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Н XN06537 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
7Т XN04312 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7U XN04316 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 37
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
7V XN04322 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7W XN06435 PAN PNP высокочастотная транзисторная сборка
7Х XN04311 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Z XN06211 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8R XN04212 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8S XN04213 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Т XN04215 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8U XN04216 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8V XN06212 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8W XN06213 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Х XN06215 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Y XN06216 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Z XN04210 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9U XN04111 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9V XN04211 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Y XN06543 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
АА XN06214 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
АО XN04509 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
BI XN04110 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ВК XN04114 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
BR XN04214 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
СА XN04314 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
СВ XN04315 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
СК XN06114 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
CV XN04404 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
CW XN04381 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
DI XN0421L PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
DY XN04390 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
DZ XN04505 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
ЕВ XN04321 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
EN XN04506 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
ЕР XN04556 PAN NPN транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих усили- телей
ER XN04683 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
ES XN04407 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
FI XN0431 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
FK XN0421N PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
HL XN04382 PAN NPN/PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
IZ XN04A88 PAN NPN/PNP
транзисторная оборка с приборами разной структуры
ОЕ XN0421F PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
OF XN04130 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ОН XN04402 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
ON XN04482 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
38 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусах SC-74A
Марки* ровка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
AD XN01110 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9S XN01111 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7К XN01112 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7L XN01113 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Q XN01114 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7М XN01115 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7N XN01116 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
OL XN01117 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ОМ XN01118 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Р XN01119 PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
70 XN0111F PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Х XN0111H PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ЕК XN0111M PAN PNP транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
АС XN01210 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Т XN01211 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9К XN01212 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9L XN01213 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Н XN01214 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9М XN01215 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9N XN01216 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Р XN01217 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
AQ XN0121E PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
AR XN0121F PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ЕМ XN0121M PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
5V XN1401 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
5R XN1501 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
5S XN01504 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
AN XN1509 PAN NPN транзисторная сборка для работы в усилительных каскадах
9F XN01531 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
4Z XN01558 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
7S XN01601 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
2М XN01602 PAN NPN/PNP транзисторная сборка с приборами разной структуры
90 XN02211 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
АХ XN02212 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ВА XN02216 PAN NPN транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7R XN02401 PAN PNP транзисторная сборка общего применения
5W XN02501 PAN NPN транзисторная сборка общего применения
91 XN02531 PAN NPN высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в корпусах SC-75
Маркировка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
AD MT3S07S TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
AS MT3S06S TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MR MT3S03AS TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NJ 2SC5666 SAN NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NL 2SC5847 SAN NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NM 2SC6025 SAN NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NK 2SC5665 SAN NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NX 2SC5647 SAN NPN высокочастотный малошумящий транзистор
1Z(R, S, T) 2SD2345 PAN NPN низкочастотный транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 39
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-8x
40 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-82
Маркировка Прибор Произ- води- тель Струк тура Функциональное назначение или особенности
АС MT4S06AU TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
AD MT4S07AU TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ MT4S04AU TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MR MT4S03AU TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
U4 MT4S32U TOSH NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисто! ры в корпусе SC-88
Марки- ровка Прибор Произво- дитель Структура Функциональное назначение или особенности
34R, 35R UPA812T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
37 UPA835TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
44R, 45R UPA811T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
73R, 74R UPA813T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
83 UPA826TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
AV MT6L04AT TOSH NPN высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
AW MT6L57AT TOSH NPN высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
АХ MT6L58AT TOSH NPN высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
R(34, 35) UPA802T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
R84 UPA827TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
R86 UPA828TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
RL UPA800TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Т(73, 74) UPA803T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Т82 UPA805T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Т83 UPA806T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Т84 UPA807T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Т86 UPA808T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Т88 UPA809T NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
ТА MT6L03AT TOSH NPN высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
ТЕ MT6L61AT TOSH NPN высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
TF MT6L62AT TOSH NPN высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
V27 UPA834TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
V34 UPA832TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
V44 UPA833TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
V47 UPA836TF NEC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в корпусе SC-89
Маркировка Прибор Произ- водитель Структура Функциональное назначение или особенности
ХА RN1101F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ RN1102F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХС RN1103F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XD RN1104F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ RN1105F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XF RN1106F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХН RN1107F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XI RN1108F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XJ RN1109F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХК RN1110F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ RN1111F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XN RN1112F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХР RN1113F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XQ RN1114F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XS RN1115F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XT RN1116F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
хи RN1117F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XW RN1118F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
Х2 RN1130F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХЗ RN1131F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
Х4 RN1132F TOSH NPN транзистор для работы в ключевых схемах
P(R, S) 2SD2240J PAN NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
ЗВ 2SD2620J PAN NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
6L UNR9110J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
ЗА UNR9111J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Х UNR911AJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 41
Маркировка Прибор Произ- водитель Структура Функциональное назначение или особенности
6Y UNR911BJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Z UNR911CJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6М UNR911DJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6N UNR911EJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
60 UNR911FJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Р UNR911HJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Q UNR911LJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EI UNR911MJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6W UNR911NJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Y UNR911TJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
FC UNR911VJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6В UNR9112J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6С UNR9113J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6D UNR9114J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Е UNR9115J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6F UNR9116J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6Н UNR9117J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
61 UNR9118J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
6К UNR9119J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CD UNR91A0J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СЕ UNR91A1J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CF UNR91A2J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СН UNR91A3J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СК UNR91A4J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CL UNR91A5J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CN UNR91A6J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СР UNR91A7J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DC UNR91A9J PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DE UNR91AAJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DL UNR91AEJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DN UNR91AFJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DU UNR91AHJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
KV UNR91ALJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EF UNR91AMJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EK UNR91ANJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EN UNR91ATJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EP UNR91AVJ PAN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
8L UNR9210J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8A UNR9211J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8X UNR921AJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8Y UNR921BJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8Z UNR921CJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8M UNR921DJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8N UNR921EJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
80 UNR921FJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8P UNR921HJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8Q UNR921LJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
EL UNR921MJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
EX UNR921NJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
EZ UNR921TJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FD UNR921VJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8B UNR9212J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8C UNR9213J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8D UNR9214J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8E UNR9215J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8F UNR9216J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8H UNR9217J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
81 UNR9218J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
8K UNR9219J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KT UNR92A0J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FK UNR92A1J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FL UNR92A2J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FM UNR92A3J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FP UNR92A4J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HC UNR92A5J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HD UNR92A6J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HE UNR92A7J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HF UNR92A8J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
42 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка Прибор Произ- водитель Структура Функциональное назначение или особенности
НК UNR92A9J PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HL UNR92AAJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
КС UNR92AEJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KD UNR92AFJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KF UNR92ALJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
КН UNR92AMJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KL UNR92ANJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KZ UNR92ATJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
КР UNR92AVJ PAN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах 43
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
В НЕСТАНДАРТНЫХ КОРПУСАХ
44 Транзисторы в нестандартных корпусах
Транзисторы в нестандартных корпусах производства NEC
Корпус Flat-lead 3-pin thin ultra super minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
TV 2SC5600 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
TX 2SC5736 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
UD 2SC5737 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
UE 2SC5786 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий Транзистор
80 2SC5800 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 4-pin super minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение'или особенности
R54 2SC5750 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R55 2SC5752 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус Flat-lead 4-pin thin type minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
R54 2SC5751 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R55 2SC5753 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R57 2SC5754 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 3-pin lead-less minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
В7 2SC5787 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Е7 2SC5801 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 6-pin Flat-lead thin ultra super minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
7(0, 1) UPA801TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
7(2, 3) UPA804TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
24 UPA831TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
37 UPA835TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
75 UPA810TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
81 UPA821TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
83 UPA826TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
87 UPA814TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
89 UPA840TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
2С UPA843TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
3F UPA873TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
4В UPA891TC NPN высокочастотная транзисторная сборка
Корпус 6-pin leadless minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
К! UPA828TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
пС UPA831TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vH UPA851TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vL UPA854TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vN UPA855TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vT UPA859TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vV UPA860TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vX UPA861TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
vY UPA862TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
xC UPA863TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
xJ UPA869TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
cP UPA873TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
kH UPA891TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
kP UPA895TD NPN высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в нестандартных корпусах 45
Корпус 6-pin super leadless minimold
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
vY UPA862TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
хС UPA863TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
xF UPA867TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
хН UPA868TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
xJ UPA869TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
cP UPA873TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
хК UPA800TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
кР UPA895TS NPN высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в нестандартных корпусах производства PANASONIC
Корпус SSSMini3__Fl
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
ЗВ 2SD2621 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
CD UNR31A0 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СЕ UNR31A1 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CF UNR31A2 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СН UNR31A3 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СК UNR31A4 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CL UNR31A5 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
CN UNR31A6 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
СР UNR31A7 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DC UNR31A9 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DE UNR31AA PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DL UNR31AE PNP транзистор для работы в ключевых схемах
DN UNR31AF PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EC UNR31AH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
ED UNR31AL PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EF UNR31AM PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EK UNR31AN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EN UNR31AT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
EP UNR31AV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
FK UNR32A1 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FL UNR32A2 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FN UNR32A3 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
FP UNR32A4 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HC UNR32A5 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HD UNR32A6 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HE UNR32A7 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HF UNR32A8 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HK UNR32A9 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
HL UNR32AA NPN транзистор для работы в ключевых схемах
КС UNR32AE NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KD UNR32AF NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KF UNR32AL NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KH UNR32AM NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KL UNR32AN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KT UNR32A0 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KP UNR32AV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
KZ UNR32AT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
46 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус ML3-N2
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
1R UNRF1A0 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
1Р UNRF1A1 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
3S UNRF1A2 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
1В UNRF1A3 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
ЗТ UNRF1A4 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2Х UNRF1A5 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
ЗХ UNRF1A6 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
ЗУ UNRF1A7 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
4С UNRF1A9 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
4D UNRF1AA PNP транзистор для работы в ключевых схемах
4К UNRF1AF PNP транзистор для работы в ключевых схемах
4L UNRF1AH PNP транзистор для работы в ключевых схемах
4Р UNRF1AL PNP транзистор для работы в ключевых схемах
1S UNRF1AM PNP транзистор для работы в ключевых схемах
зк UNRF1AN PNP транзистор для работы в ключевых схемах
1D UNRF1AT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
4Х UNRF2A0 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
1Т UNRF2A1 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
4Y UNRF2A2 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
1W UNRF2A3 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2Y UNRF2A4 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
1Х UNRF2A5 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
1Y UNRF2A6 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
1Z UNRF2A7 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
4Z UNRF2A8 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
5С UNRF2A9 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
5К UNRF2AF NPN транзистор для работы в ключевых схемах
5L UNRF2AK NPN транзистор для работы в ключевых схемах
1С UNRF2AL NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2Z UNRF2AM NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2С UNRF2AN NPN транзистор для работы в ключевых схемах
5N UNRF2AT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
5Р UNRF2AV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах производства SANYO
Корпус SSFP
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
NH 2SC5648 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NJ 2SC5782 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NK 2SC5781 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NL 2SC5783 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NM 2SC6024 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YT 08C02SS NPN низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в нестандартных корпусах 47
Корпус СРНЗ
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
GD CPH3004 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ CPH3105 PNP низкочастотный транзистор
AF CPH3106 PNP низкочастотный транзистор
AG CPH3107 PNP низкочастотный транзистор
AJ CPH3109 PNP низкочастотный транзистор
АК CPH3110 PNP низкочастотный транзистор
AM CPH3112 PNP низкочастотный транзистор
АР CPH3114 PNP низкочастотный транзистор
AQ CPH3115 PNP низкочастотный транзистор
AR CPH3116 PNP низкочастотный транзистор
AN CPH3120 PNP низкочастотный транзистор
AS CPH3121 PNP низкочастотный транзистор
AT CPH3122 PNP низкочастотный транзистор
AU CPH3123 PNP низкочастотный транзистор
BB CPH3140 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор
ВС CPH3143 PNP низкочастотный транзистор
BD CPH3144 PNP низкочастотный транзистор
BE CPH3145 PNP низкочастотный транзистор
BN CPH3147 PNP низкочастотный транзистор
BP CPH3148 PNP низкочастотный транзистор
CE CPH3205 NPN низкочастотный транзистор
CF CPH3206 NPN низкочастотный транзистор
CG CPH3207 NPN низкочастотный транзистор
CJ CPH3209 NPN низкочастотный транзистор
CK CPH3210 NPN низкочастотный транзистор
CM CPH3212 NPN низкочастотный транзистор
CP CPH3214 NPN низкочастотный транзистор
CQ CPH3215 NPN низкочастотный транзистор
CR CPH3216 NPN низкочастотный транзистор
CS CPH3221 NPN низкочастотный транзистор
CT CPH3222 NPN низкочастотный транзистор
CU CPH3223 NPN низкочастотный транзистор
DE CPH3234 NPN низкочастотный транзистор
DF CPH3235 NPN низкочастотный транзистор
DG CPH3236 NPN низкочастотный транзистор
DH CPH3237 NPN низкочастотный транзистор
DJ CPH3238 NPN низкочастотный транзистор
DK CPH3239 NPN низкочастотный транзистор
DL CPH3240 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
DN CPH3243 NPN низкочастотный транзистор
DP CPH3244 NPN низкочастотный транзистор
DQ CPH3245 NPN низкочастотный транзистор
DR CPH3246 NPN низкочастотный транзистор
DS CPH3247 NPN низкочастотный транзистор
DT CPH3248 NPN низкочастотный транзистор
48 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус СРН5
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
ЕА СРН5501 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ЕЕ СРН5505 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EF СРН5506 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
3U СРН5514 PNP биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ЕК СРН5516 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ЕМ СРН5517 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EN СРН5518 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ER СРН5519 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EW СРН5520 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EY СРН5522 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EJ СРН5541 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
РА СРН5701 - Транзисторно-диодная сборка, включающая PNP транзистор и диод Шоттки
Корпус СРН6
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
GH СРН6071 PNP/NPN биполярная транзисторная высокочастотная сборка
AV СРН6121 PNP низкочастотный транзистор
AW СРН6122 PNP низкочастотный транзистор
ВА СРН6123 PNP низкочастотный транзистор
DA СРН6223 NPN низкочастотный транзистор
ЗА СРН6516 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
3G СРН6520 PNP биполярная транзисторная сборка общего применения
ЗН СРН6521 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
3R СРН6526 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка общего применения
EL СРН6528 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EQ СРН6530 PNP/NPN биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
Корпус МСРНЗ
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
АЕ МСН3105 PNP низкочастотный транзистор
AF МСН3106 PNP низкочастотный транзистор
AJ МСН3109 PNP низкочастотный транзистор
AG МСН3143 PNP низкочастотный транзистор
АН МСН3144 PNP низкочастотный транзистор
AN МСН3145 PNP низкочастотный транзистор
СЕ МСН3205 NPN низкочастотный транзистор
CF МСН3206 NPN низкочастотный транзистор
CJ МСН3209 NPN низкочастотный транзистор
CG МСН3211 NPN низкочастотный транзистор
СН МСН3217 NPN низкочастотный транзистор
CN МСН3218 NPN низкочастотный транзистор
СР МСН3219 NPN низкочастотный транзистор
СТ МСН3220 NPN низкочастотный транзистор
си МСН3221 NPN низкочастотный транзистор
CV МСН3222 NPN низкочастотный транзистор
CQ МСН3243 NPN низкочастотный транзистор
CR МСН3244 NPN низкочастотный транзистор
CS МСН3245 NPN низкочастотный транзистор
Корпус МСРН6
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
АА МСН6101 PNP низкочастотный транзистор
АВ МСН6102 PNP низкочастотный транзистор
АС МСН6103 PNP низкочастотный транзистор
СА МСН6201 NPN низкочастотный транзистор
СВ МСН6202 NPN низкочастотный транзистор
СС МСН6203 NPN низкочастотный транзистор
Транзисторы в нестандартных корпусах 49
Корпус МСР-4
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
NF 2SC6023 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус ECSP1208-4-F
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
JA EC4201KF NPN низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в нестандартных корпусах производства TOSHIBA
Корпус 2-10S2A
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
В1167(0, У, GR) 2SB1167 PNP низкочастотный транзистор
Корпус 2-3S1A
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
WM 2SA2058 PNP низкочастотный транзистор
WP 2SC5906 NPN низкочастотный транзистор
WW 2SC5976 NPN низкочастотный транзистор
WX 2SC6033 NPN низкочастотный транзистор
WN 2SC6061 NPN низкочастотный транзистор
Корпус 2-2N1B
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
AM MT6C03AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
AL MT6C04AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
ТА MT6L03AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
AV MT6L04AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
АК MT6L52AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
WY MT6L53E NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка %
ZD MT6L54E NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
AR MT6L55E NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка .
AS MT6L56E NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
AW MT6L57AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
AX MT6L58AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
ТЕ MT6L61AE NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
Корпус 2-1F1A
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
32 MT6L05FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
33 MT6L11FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
12 MT6L55FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
14 MT6L57AFS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
15 MT6L58AFS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
18 MT6L63AFS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
1К MT6L68FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
1W MT6L71FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
1Х MT6L72FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
55 MT6L78FS NPN биполярная малошумящая транзисторная сборка
50 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус 2-1L1A
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
H(Y, G) 2SC6026MFV NPN низкочастотный транзистор
ХА RN1101MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ RN1102MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХС RN1103MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XD RN1104MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ RN1105MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XF RN1106MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХН RN1107MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XI RN1108MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XJ RN1109MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХК RN1110MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ RN1111MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XN RN1112MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХР RN1113MFV NPN транзистор для работы в ключевых схемах
YA RN2101MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YB RN2102MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YC RN2103MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YD RN2104MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YE RN2105MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YF RN2106MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YH RN2107MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YI RN2108MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YJ RN2109MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YK RN2110MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YM RN2111MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YN RN2112MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YP RN2113MFV PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах 51
Корпус 2-1Е1А
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
8(F, Н) 2SA2154 PNP низкочастотный транзистор
7(F.H) 2SC6026 NPN низкочастотный транзистор
00 MT3S03AFS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
01 MT3S04AFS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
02 MT3S05FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
03 MT3S06FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
04 MT3S07FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
05 MT3S08FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
08 MT3S11FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
09 MT3S12FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ОН MT3S14FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ОК MT3S16FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
0U MT3S18FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
20 MT3S35FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
21 MT3S36FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
22 MT3S37FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
26 MT3S41FS NPN высокочастотный малошумящий транзистор
L0 RN1101FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L1 RN1102FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L2 RN1103FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L3 RN1104FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L4 RN1105FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L5 RN1106FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L6 RN1107FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L7 RN1108FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L8 RN1109FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
L9 RN1110FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
LF RN1111FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
LH RN1112FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
LJ RN1113FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ио RN2101FS NPN транзистор для работы в ключевых схемах
U1 RN2102FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U2 RN2103FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
из RN2104FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U4 RN2105FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U5 RN2106FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U6 RN2107FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U7 RN2108FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U8 RN2109FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
U9 RN2110FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
UF RN2111FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
ин RN2112FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
UJ RN2113FS PNP транзистор для работы в ключевых схемах
52 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус 2-1В1А
Маркировка Прибор Структура Функциональное назначение или особенности
MR MT3S03AT NPN высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ MT3S04AT NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ТК MT3S05T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
АС MT3S06T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
AD MT3S07T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
TH MT3S08T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
TR MT3S11T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
TJ MT3S12T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ТХ MT3S14T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Т4 MT3S16T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZM MT3S18T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Q2 MT3S35T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Q3 MT3S36T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Q4 MT3S37T NPN* высокочастотный малошумящий транзистор
Q7 MT3S41T NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ХА RN1101FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ RN1102FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХС RN1103FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XD RN1104FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ RN1105FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XF RN1106FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХН RN1107FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XI RN1108FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XJ RN1109FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХК RN1110FT • NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ RN1111FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XN RN1112FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХР RN1113FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XQ RN1114FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XS RN1115FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XT RN1116FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
хи RN1117FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
XW RN1118FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
Х2 RN1130FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
ХЗ RN1131FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
Х4 RN1132FT NPN транзистор для работы в ключевых схемах
YA RN2101FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YB RN2102FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YC RN2103FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YD RN2104FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YE RN2105FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YF RN2106FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YH RN2107FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YI RN2108FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YJ RN2109FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YK RN2110FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YM RN2111FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YN RN2112FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YP RN2113FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YQ RN2114FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YS RN2115FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YT RN2116FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YU RN2117FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
YW RN2118FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Y2 RN2130FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Y3 RN2131FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Y4 RN2132FT PNP транзистор для работы в ключевых схемах
Корпуса по стандарту EIAJ 53
SC-61 SC—62
+0,1
1,5±0,1
+0.03
0,4-0.06
SC-63
SC-70
54 Корпуса по стандарту EIAJ
SC-74
SC-74A
SC-82
SC-75
SC-82A
SC—88
0,9±0,1
Корпуса по стандарту EIAJ 55
SC-88A
SC-89
10 max.
SC-89 Mod
40.08
0.22-0.07
56 Нестандартные корпуса
USMTF(NEC)
4PSM (NEC)
0,3м)’1 0,59±0,05
FWPTTM(NEC)
+0.1
0,11 -0,05.
0,59±0,05
3PLLM (NEC)
0,5±0,05
+0.1
0,125-0.05
FL3PTTUSM (NEC)
6PLLM (NEC)
Нестандартные корпуса 57
6PsuperLLM (МЕС)
1,О±О,О5
0,7±0,05
г| |о,125±О,О5
6PLLminimold (МЕС)
бРГ-LTTUSminimold (МЕС)
О,55±О,О5
58 Нестандартные корпуса
ML4-N1 (PANASONIC)
ML3-N2 (PANASONIC)
1,Q±0,05
O,6±O.O5
О.З±О,ОЗ
0,05±0,03
SSSMinl3-F1(PANASONIC)
+0,05
+0.05
0,1 —0,02
Нестандартные корпуса 59
CPA (SANYO)
МСР4 (SANYO)
SSFP (SANYO)
CPU (SANYO)
d,
CPI13 (SANYO)
CPH6 (SANYO)
60 Нестандартные корпуса
СРН5 (SANYO)
ECSP1208-4-F (SANYO)
0,75 г |
МСРН6 (SANYO)
МСРНЗ (SANYO)
Нестандартные корпуса 61
2-1В1А (TOSHIBA)
2-1D1A (TOSHIBA)
JD □_
J |0,22±0.05
2-3S1A (TOSHIBA)
2-1L1A (TOSHIBA)
^.5±O,O5
| | 0,22±0,05
2-7В6А (TOSHIBA)
2-2НА1А (TOSHIBA)
+0.1
62 Нестандартные корпуса
2-2N1B (TOSHIBA)
2-1F1A (TOSHIBA)
1.6±0.05
1,0±0,05
| |o,2±O,Q5
2-1 El A (TOSHIBA)
2-10S2A (TOSHIBA)
10 ТУР.
Транзисторы производства NEC 63
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
- Малая проходная
емкость
- Маркировка: TV.
Корпус Flat-lead 3-pin thin
ultra super mini-mold
(NEC) _________________
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| I I
I
I
1,4±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 80 - 160 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, 1е= 15 мА 5,5 6,5 - ГГц
|S21e|z S-параметр Vcb = 1 В, 1е=15мА, f=1 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0MAf= 1 МГц - 0,8 1,0 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Особенности Корпус FL3PTTUSM 3| , |
- Прибор разрабо- (NEC) I ю о
тан для работы в Вывод Функциональное I 6 +|
схемах генерато- назначение СМ
ров. 1 База 1Ц 1 гф_
- Малая проходная 2 Эмиттер 1,Ц±О,1
емкость. 3 Коллектор
- Маркировка' ТХ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 в
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebox Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 10 мА 100 - 145 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 15 мА 5,5 6,5 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vce = 1 В, lc= 15 мА, f = 2 ГГц 4,5 6,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 0,22 0,3 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,0 3,0 ДБ
64 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка: UD.
Корпус FL3PTTUSM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- , ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5,0 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2,0 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
bfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 10 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
|S21ef S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 0,4 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,0 ДБ
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
выходных каска-
дах ВЧ-
усилителей.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка:
R54.
Корпус 4PSM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор
2 Эмиттер
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9,0 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2,0 В
lc Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 20 мА 75 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 20 мА - 15,0 - ГГц
|S21e|z S-параметр Vce = ЗВ, lc = 20 мА, (=2ГГц 10,0 13,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0MAf= 1 МГц - 0,26 0,5 пФ
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 -ДБ..
Транзисторы производства NEC 65
Особенности
- Прибор разработан
для работы в выход-
ных каскадах
ВЧ-усилителей.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка: R54.
Корпус FL4PTTM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер
2 Коллектор
3 Эмиттер
4 База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9,0 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2,0 В
lc Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 205 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 20 мА 75 - 150 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 20 мА - 15,0 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vce = ЗВ, lc = 20 мА, f= 2 ГГц 10,0 13,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5B, le = 0MAf= 1 МГц - 0,22 0,5 пФ
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 ДБ
Особенности Корпус 4PSM (NEC) 2.O+O.2
- Прибор разработан для работы в выход- ных каскадах Вывод Функциональное назначение 1[Т| । г|~П~
1 Коллектор 1 см о
ВЧ-усилителей. - Малая проходная емкость. 2 Эмиттер 1 g
3 База 1 1 1 w*
4 Эмиттер *1! 1 ' и' 1
- Маркировка: R55. LJ 1 Ц-L —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9,0 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 6,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2,0 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 30 мА 75 - 150
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 30 мА - 12,0 - ГГц
JW_i S-параметр Vce = ЗВ, lc = 30 мА,(=2ГГц 8,0 10,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, 1е = 0мА1=1МГц - 0,46 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, 1с = 7 мА, f= 2 ГГц - 1,7 2,5 ,.-Дб ...
66 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
выходных каска-
дах ВЧ-
усилителей.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка:
R55.
Корпус FL4PTTM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер
2 Коллектор
3 Эмиттер
4 База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9,0 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2,0 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 30 мА 75 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 30 мА - 12,0 - ГГц
|S2ief S-параметр Vce = 3 В, lc = 30 мА, f = 2 ГГц 8,0 10,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 0,46 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 ДБ
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
выходных каска-
дах ВЧ-
усилителей.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка:
R57.
Корпус FL4PTTM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер
2 Коллектор
3 Эмиттер
4 База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13,0 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,2 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 735 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 100 мА 40 60 100 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = ЗВ, lc = 100 мА 16,0 20,0 - ГГц
is21ef S-параметр Vce = ЗВ, lc = 100 мА, f= 2 ГГц 5,0 6,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 1,0 1,5 пФ
Транзисторы производства NEC 67
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка: UE.
Корпус FL3PTTUSM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 105 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
ЬгЕ Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 50 - 100 -
fj Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 20 мА 17,0 20,0 - ГГц
|S21/ S-параметр Vcb = 1 В, le = 20 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 0,22 0,3 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,5 ДБ
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка: В7.
Корпус 3PLLM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3’ Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 105 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 50 - 100 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 20 мА 17,0 20,0 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vcb = 1 В, le = 20 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА , f = 1 МГц - 0,22 0,3 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,5 ДБ
68 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
СВЧ-диапазоне.
- Малая проходная
емкость.
- Маркировка: 80.
Корпус Flat-lead 3-pin thin
ultra super mini-mold
(NEC) ___________________
з| . I
I i । 1Л о 6 а.
1,4±0,1
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 120 145 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 5 мА 3,0 4,5 - ГГц
is21er S-параметр Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
*3 С С О fl 4
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров с низким
уровнем фазового
шума.
- Малая проходная
емкость.
Корпус 3-pin lead-less
mini-mold (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
- Маркировка: E7.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 140 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 120 145
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
S-параметр Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, 1е = 0мАГ = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb= 1 В, 1е = 10 мА, f= 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 69
Особенности
- Высокое значение коэффи-
циента усиления.
- Комплементарная пара с
2SB624.
- Маркировка: DV + цифра,
соответствующая значению
hFE-
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,7 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 100 мА Vce = 1 В, lc = 0,7 А 110 50 200 400
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, le = 10 мА - 170 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, f = 1 МГц - 12 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,7 A, lb = 70 мА - 0,22 0,6 В
DV 1 2 3 4 5
_h£L 110 180 135 220 170 270 200 320 250 400
Особенности
- Высокое значение
коэффициента уси-
ления
- Комплементарная
пара с 2SB736.
- Маркировка: DW +
цифра, соответст-
вующая значению
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
3Ы
«ч 2
’Ш 2I±L
2,9±0,2
hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 50 мА Vce = 1 В, lc = 0,3 А 110 30 200 400
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, le = 10 мА - 140 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, f= 1 МГц - 7 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,3 A, lb = 30 мА - 0,15 0,6 В
DW 1 2 3 4 5
hFE 110 180 135 220 170 .270 200 320 250 400
70 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Высокое значение
коэффициента усиле-
ния
- Комплементарная
пара с 2SB736A.
- Маркировка: D5 +
цифра, соответствую-
щая значению hFE.
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
см 6 •н со см*
’ш 2tL
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 50 мА Vce = 1 В. lc = 0,3 А 110 30 200 400
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, le = 10 мА - 140 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, f = 1 МГц - 7 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,3 A, lb = 30 мА - 0,15 0,6 В
D5 1 2 3 4 5
Ьре 110 180 135 220 170 270 200 320 250. 400
Особенности
- Комплементарная пара с
2SB962-Z.
- Прибор разработан для ис-
пользования в ключевых схемах
и усилительных каскадах, а так
же в составе гибридных ИС.
- Маркировка: D992 + буква N,
М, L или К, в зависимости от
значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 10 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 0,5 В, 1с = 0,1 А 35 - 200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2,0 A, lb = 40 мА - 0,3 0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2 A, lb = 40 мА - 0,95 1,8 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 5 В, le = 100 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 55 - пФ
R Сопротивление встроенного резистора - - 1 - кОм
D992 N М L К
J2e£_ 35 80 60 120 80 120 100 200
Транзисторы производства NEC 71
Особенности
- Прибор разработан для
использования в выход-
ных каскадах усиления
НЧ-сигналов.
- Комплементарная пара
с 2SB798.
- Маркировка: С + буква,
соответствующая значе-
нию параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное* назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4,5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo * Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный 1.5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - 0.1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
I'Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 100 мА 90 200 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,0 A, lb= 100 мА - 0,21 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,0 A, lb= 100 мА - 1.0 1.2 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, le = 10 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, le = 0, f = 1 МГц - 22 - пФ
С М L К
hFE 90...180 135 .270 200 .400
Особенности
- Прибор разработан для
использования в выход-
ных каскадах усиления
НЧ-сигналов.
- Комплементарная пара
с 2SB799.
- Маркировка: L + буква,
соответствующая значе-
нию параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный 1.0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 100 мА 90 200 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,12 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА 0,9 1,2 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, le = 10 мА - 110 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, le = 0, Т=1МГц - 13 - пФ
Г L | М I L | К I
K-lqn 180 1135 270 I 200 400]
72 Транзисторы производства NEC
- Прибор разработан для использо- вания в выходных каскадах усиле- ния НЧ-сигналов. - Комплементарная пара с 2SB800. - Маркировка: Е + буква, соответ- ствующая значению параметра hFE. Вывод Функциональное назначение 8 6 +i о
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор \ 1 / .
и. Ш. II,
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 300 мА
Icp Ток коллектора импульсный 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 80 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 50 мА 90 200 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,3 A, lb = 30 мА - 0,3 0,6 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,3 A, lb = 30 мА - 0,86 1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, 1е=10мА - 140 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, le = 0, f = 1 МГц - 7 - пФ
Е М L К
Иее 90 180 135 270 200 400
Особенности
- Прибор разработан для использо-
вания в выходных каскадах усиле-
ния НЧ-сигналов.
- Комплементарная пара с 2SB804.
- Маркировка: В + буква, соответ-
ствующая значению параметра hFE.
SC-62
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- че- ние Макс, зна- че- ние Еди ни- цы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1,0 А
Icp Ток коллектора импульсный 1.5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 100 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 90 200 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,15 0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5A, lb = 50 мА 0,9 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, le = 10 мА - 160 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, le = 0, f=1 МГц - 12 - пФ
В W V и
hFE 90. 180 135 270 200 .400
Транзисторы производства NEC 73
Особенности
- Прибор разработан для использо-
вания в выходных каскадах усиле-
ния НЧ-сигналов.
- Комплементарная пара с 2SB805.
- Маркировка: Н + буква, соответ-
ствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4.5±0.1
и 4,0±0,25 I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =100 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 100 мА 90 200 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,14 0,6 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,88 1,5 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, le = 10 мА - 90 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц - 10 - пФ
Н М L К
Ьре 90 180 135 270 200. .400
Особенности
- Прибор разработан
для использования в
выходных каскадах
усиления НЧ-сигналов.
- Комплементарная
пара с 2SB806.
- Маркировка: Н + бук-
ва, соответствующая
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4,5±О,1
значению параметра
hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 120 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =120 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 100 мА 90 200 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,14 0,6 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,88 1,5 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, le = 10 мА - 90 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10В, le = O,f= 1 МГц - 10 - пФ
Н I R Q Р
МЭР 180 135 .270 200 400
74 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Комплементарная пара с 2SB768.
- Прибор разработан для использо-
вания в выходных каскадах кадровой
развертки ТВ-приемников.
- Маркировка: Е) 1033 + буква М, L
или К, в зависимости от значения
параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 ' Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
6,5±О,2г CM ??
Г .*»
1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 3 CM . d •H in in
' О Е t cig
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 150 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =150 В, le = 0 - - 50 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 50 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 400 мА 40 100 200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,2 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 0,88 1,5 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, le = 400 мА - 10 - МГц
D1033 М L К
Ьре 40 80 60 ..120 100 .200
Особенности
- Прибор разработан для исполь-
зования в ключевых схемах и
усилительных каскадах, а так же
в составе гибридных ИС.
- Маркировка: D1164 + буква М,
L или К, в зависимости от значе-
ния параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 150 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 8 В
lc Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 1,0 А 2000 - 30000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,0 A, lb= 1,0 мА - - 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 1,0 A, lb = 1,0 мА - - 2 В
R1 Сопротивление встроенного резистора - - 10 кОм
R2 Сопротивление встроенного резистора - - 500 - кОм
Ton Время включения 1с = 1,0 А, 1Ь1 =-1Ь2= 1,0 мА Vcc = 50 В, RI = 50 Ом - 0,5 - мкс
Tot Время выключения - 1,0 - мкс
D1164 М L К
hFE 2000 5000 4000 .10000 8000...30000
Транзисторы производства NEC 75
Особенности
- Комплементарная пара с 2SB963-Z.
- Прибор разработан для использова-
ния в ключевых схемах и усилитель-
ных каскадах, а так же в составе гиб-
ридных ИС.
- Маркировка: D1286 + буква М, L
или К, в зависимости от значения
параметра hFE.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние I Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 8 В
lc Ток коллектора - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1.0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 0,5 А 2000 - 30000
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 0,5 мА - 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 0,5 мА - - 2 В
R1 Сопротивление встроенного резистора - - 30 кОм
R2 Сопротивление встроенного резистора - - 1 кОм
Ton Время включения lc = 0,5 А, Ib1 = -!Ь2 = 0,1 мА Vcc = 50 В, RI = 100 Ом - 0,5 мкс
Tot Время выключения - 1,0 - мкс
D1286 М L К
hFE 2000 5000 4000 10000 8000 30000
Особенности
- Прибор разработан для использо-
вания в ключевых схемах и усили-
тельных каскадах, атак же в соста-
ве гибридных ИС.
- Маркировка: D1583 + буква М, L
или К, в зависимости от значения
параметра hFE
Корпус SC-63 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 0,5A 800 - 3200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,0 A, lb = 10 мА - 0,18 0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 5 В, le = 100 мА - 270 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц - 20 - пФ
D1583 М L К
hFE 800. 1600 1000 . 2000 1600 3200
76 Транзисторы производства NEC
Особенности Корпус SC-63 (EIAJ) <М 2?
- Прибор разработан для исполь- зования в ключевых схемах и уси- лительных каскадах, атак же в составе гибридных ИС. - Маркировка: D1584 + буква М, L или К, в зависимости от значения Вывод Функциональное назначение ю
1 База
2 Коллектор I I 1 1 1 1 1 _ 1 1 2 3 см о* +1 ю ю
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
параметра hFE 0 L-J • QE И ! t "Z
Предельно допустимые и основные элект Т 1 эические параметры т
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 0,5A 800 - 3200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 2,0 A, 1b = 20 мА - 0,18 0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 5 В, 1е=100 мА - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 20 - пФ
D1584 М L К
Ьре 800. 1600 1000...2000 1600... 3200
Особенности
- Прибор разработан для ис-
пользования в ключевых схемах
и усилительных каскадах, а так
же в составе гибридных ИС.
- Комплементарная пара с
2SB1114.
- Маркировка: X + буква, соот-
ветствующая значению пара-
метра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 135 350 600 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2,0 A, lb = 50 мА - 0,3 0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2,0 A, lb = 50 мА - 0,95 1,2 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц ’ - 28 - пФ
X М L К
! hFE 135 270 200 . 400 300. 600
Транзисторы производства NEC 77
Особен - Прибс НИЯ В KJ ных кас ридных - Комп; - Маркр вующа> пости Корпус SC-62 (EIAJ) —
>p разработан для использова- вывод фУнкЦиональное [ ] imup.nkiY cypmhy u vcunuTPTTk- назначение 1 J
жадах, а так же в составе гиб- 1 База «п сч ' 6 +1 о d"
ИС ' 2 Коллектор
1ементарная пара с 2SB1115. 3 Эмиттер
тппк-я- G + fivk-Ra гпптпетст- Корпус Коллектор
значению параметра hFE. о га
предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, 1с = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, 1с = 100 мА 135 290 600 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,0 A, lb = 50 мА - 0,15 0,3 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1,0 A, lb = 50 мА - 0,9 1,2 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, le = -100 мА 80 160 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц 4 19 - пФ
G М L К
hFE 135. .270 200. 400 300 600
Особенности Корпус SC-62 (EIAJ) 4.5±0.1
- Прибор разработан для использа- вания в ключевых схемах и усили- тельных каскадах, а так же в составе гибридных ИС. - Комплементарная пара с 2SB11 15А. Вывод Функциональное назначение f 1 I 4,О±О,25 I
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор Ж
- Маркировка: G + буква, соответст- вующая значению параметра hFE. Предельно допустимые и основные элект рические параметры 1га
Символ Параметр. Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
VebQ Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Jcp Ток коллектора импульсный 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =120 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 135 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с= 1,0 A, lb = 50 мА - 0,15 0,3 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 1,0 A, lb = 50 мА - 0,9 1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, !е = -100 мА 80 160 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = O,f= 1 МГц - 19 - пФ
G Q Р
hFE 135 270 200. .400
78 Транзисторы производства NEC
ОгпБрнмлстм Knnnvr ПГ1Д.П 4,5±О.1
- Прибор разработан для использования в ключе- вых схемах и усилитель- ных каскадах, а так же в составе гибридных ИС. - Маркировка: Т + буква, соответствующая значе- нию параметра hFE. Предельно допустимые и о Вывод 1 Функциональное назначение База [ ю <4 о +1 о sf
2 Коллектор
3 Эмиттер tr Z
Корпус Коллектор
сновные элект 1ЛП рические параметры £
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 8 В
lc Ток коллектора - - - 0,8 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 0,3 А 4000 - 50000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 1,0 мА - 0,9 1,2 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb =1,0 мА - 1,5 2 В
R Сопротивление встроенного резистора - - 1 - кОм
Ton Время включения lc = 0,5 А, Ib1 = -Ib2 = 0,1 мА Vcc = 40 В, RI = 80 Ом - 0,5 - мкс
Tof Время выключения - 1,0 - мкс
Т R Q
hFE 4000 12000 8000 50000
Особенности
- Прибор разработан для
использования в ключевых
схемах и усилительных кас-
кадах, а так же в составе
гибридных ИС.
- Маркировка: Т + буква,
соответствующая значению
параметра hFE.
Корпус SC-62
(EIAJ)
Вывод Функционалы назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 ±10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 ±10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 8 В
lc Ток коллектора - - - 0,8 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 0,5A 4000 - 50000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb= 1,0 мА - 0,9 1,2 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 1,0 мА - 1,5 2 В
R Сопротивление встроенного резистора - - 1 - кОм
Ton Время включения 1с = 0,5А,1Ь1 = -Ib2 = 0,1 мА - 0,5 мкс
Tof Время выключения Vcc = 40 В, RI = 80 Ом - 1,0 - мкс
Т F Е
hFE 4000 12000 8000 50000
Транзисторы производства NEC 79
Особенности
- Высокое значение
коэффициента усиле-
ния.
- Маркировка: V +
буква, соответствую-
щая значению пара-
метра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 А 800 1500 3200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,0 A, lb= 10 мА - 0,18 0,3 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,0 А, 1Ь=10мА - 0,83 1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = 500 мА 150 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = O,f = 1 МГц - 26 35 пФ
V М L К
hFE 800 1600 1200 2400 2000 .3200
Особенности
- Прибор разработан для
использования в ключе-
вых схемах и усилитель-
ных каскадах.
- Комплементарная пара с
2SB1571.
- Маркировка: Е + буква,
соответствующая значе-
нию параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 2 А 100 200 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 3,0 A, lb= 150 мА - 0,14 0,3 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 3,0 A, lb= 150 мА - 0,88 1,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, le = 500 мА - 170 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 60 - пФ
Е X Y Z
Ьре 100 200 160 .320 200 .400
80 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор разработан
для использования в
ключевых схемах и
усилительных кас-
кадах.
- Комплементарная
пара с 2SB1572.
- Маркировка: G +
буква, соответст-
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
вующая значению
параметра hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 80 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 1 А 100 200 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2,0 A, lb = 100 мА - 0,15 0,3 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2,0 A, lb = 100 мА - 0,89 1.2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, le = 300 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 30 - пФ
G X Y Z
Ьре 100 200 160. 320 200 400
Транзисторы производства NEC 81
Особенности Корпус SC-88 (EIAJ) 2,0±0,2 . 6 I 5 .4
- Прибор разработан Вывод Функциональное эй гй 1|~Н 1
для использования в назначение I
схемах малошумя- щих усилителей. - Маркировка: RL. 1 Коллектор Т г1 1 1 1 — тм (/
2 Эмиттер Тг1 1 1 1 6 н
3 Коллектор Тг2 1 1 1 с4
4 Эмиттер Т г2 1 1 1 I 2
5 База Тг2 “Й 5Ш 6Ш I 1 I 3
6 База Тг1 LU LLJ LU—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 5 мА 80 - 200 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА 5,5 8,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 10 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 - пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,9 3,2 ДБ
Особенности
- Прибор разработан
для использования в
схемах малошумящих
усилителей.
- Маркировка: 7 + циф-
ра, соответствующая
значению параметра
hFE.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус
6PFLTTUSminimold
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
ву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 230 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =15 В, 1е = 0 - - 1 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, hFE = Ю мА - - 0,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 250 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 1,5 пФ
|S21e|z S-параметр Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, 1с = 7мА, f=1 ГГц - 1,2 2,5 ДБ
7 0 1
I'Ve 70 140 125 250
82 Транзисторы производства NEC
I
I
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC4227.
- Маркировка: R + двух-
значное число, соответ-
ствующее параметру
hFE.
Корпус SC-88 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
2.0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 В
lc Ток коллектора - - - 65 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, 1е = 0 - - 0,8 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,8 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 240 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 4,5 7,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - - 0,9 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,4 1,7 ДБ
R 34 35
Ьре 70 150 110 ..240
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC4570.
- Маркировка: Т + двух-
значное число,соответ-
ствующее параметру
hFE-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,16 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, hFE = 10 мА - - 0,5 В
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 5 мА 60 - 200 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 5 В, le = 5 мА 3,0 5,5 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 ГГц - 0,7 0,9 пФ
Т 73 74
hFE 69 120 100 200
Транзисторы производства NEC 83
Особенности
- В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзи-
стора 2SC5004.
- Маркировка: 7 +
цифра, соответст-
вующая параметру
hFE-
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
1,5±O,1
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 60 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =15 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, hFE = Ю мА - - 0,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 5 мА 60 - 120 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 5 В, le = 5 мА 3,0 5,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 0,9 пФ
iW S-параметр Vcb = 5 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц 5 - - ДБ
7 2 3
hFE 60 120 100 200
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC4958.
- Маркировка: Т82.
ао±о.2
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 0,12 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 5 мА 75 - 150 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА - 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,3 0,5 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 2,5 4,0 ДБ
84 Транзисторы производства NEC
Особенности Корпус SC-88 (EIAJ) 2.0+0.2 .6 .5 .4
- В состав сборки вхо- дят два малошумящих транзистора 2SC4959. - Маркировка. Т83. Вывод Функциональное назначение
й й ।11 зН гМ ihl 6 +1 (Ч -A Vs ГАЧ
1 Коллектор Тг1 । । । । । । । । ।
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Т г2
5 База Тг2
6 База Тг1 111 и з 111
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 5 мА 75 - 150 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА - 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Особенности Корпус SC-88 (E1AJ) 2,0±0,2 । 5 .4
- В состав сборки вхо- дят два малошумящих Вывод Функциональное назначение зЙ ?Й 1 6 Va
транзистора 2SC5179. 1 Коллектор Тг1 1 1 1 _ Тг1
- Маркировка: Т84. 2 Эмиттер Тг1 3 Коллектор Т г2 1/1 1 6 / +! । <м
4 Эмиттер Тг2 1 1 1 1 3
5 БазаТг2 “Ш 5Ш Ч I 1 1 2
6 БазаТг1 —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,06 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
h- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 2 В, le = 7 мА - 13 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,6 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 2 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,0 ДБ
Транзисторы производства NEC 85
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC5184.
- Маркировка: Т86.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 20 мА 70 - 140 -
is21er S-параметр 1 Vce = 2 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 2 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 2,0 ДБ
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 2 В, le = 20 мА 9 11 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,8 пФ
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC5193.
- Маркировка: Т88.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 3 мА 80 - 160 -
|S2ie|2 S-параметр 1 Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц 2,5 3,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 ДБ
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =1 В, le = 3 мА 4,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 1 В, 1е = 0мА, f = 1 МГц - 0,75 0,85 пФ
86 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки
входят два высо-
кочастотных тран-
зистора 2SC5006.
- Маркировка: 75.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimold
ЩЕС)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 База Тг2
3 Коллектор Т г2
4 Эмиттер Т г2
5 Эмиттер Тг1
6 База Тг1
1.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 230 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, hFE = 10 мА - - 0,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 0,9 пФ
is2ier S-параметр Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1.2 2,5 ДБ
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC4228.
- Маркировка:
44R(hFE =80 .160),
45R (hFE = 125 . 250).
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 База Тг2
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Т г2
5 Эмиттер Тг1
6 База Тг1
2,0±0,2 зА гА iM
1 1 1 i i i 6
+1
i i i ci
“Ш =ш =a_
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 5 мА 80 - 200 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА 5,5 8,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 10 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,7 - пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,9 3,2 ДБ
Транзисторы производства NEC 87
Особенности
- В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзисто-
ра 2SC4227.
- Маркировка:
34R(hFE =70...150),
35R(hFE =110...240).
SC-88
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 БазаТг2
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 Эмиттер Тг1
6 База Тг1
и основные
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,5 В
lc Ток коллектора 65 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, 1е = 0 - - 0,8 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,8 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 240 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 7 мА 4,5 7,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - - 0,9 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3B, le = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,7 ДБ
ПплА ЛИ V V ЛЛ'Т'И т/лплгил Qf”1 QQ /IPT А 2.0±0J2
- В состав сборки входят два высоко- частотных транзисто- pa 2SC4570. - Маркировка: 73T(hFE=60 120), 74Т (hFE =100...200). AXWpii y V Вывод 1 2 3 4 5 6 Фун кционал ьное назначение Коллектор Тг1 База Тг2 Коллектор Тг2 Эмиттер ТГ2 Эмиттер Тг1 База Тг1 ° 13 14 Trl4^/
30_2@L10E 1 1 1 i i i i i i i i i 2 й
“Й 5Й 6Й_ I 1 2 । 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,16 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =15 В, 1е = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb=1 В, 1с = 0 - 0,1 мкА
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, Kfe = Ю мА - 0,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 5 мА 60 - 200 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 5 В, le = 5 мА - 5,5 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 5 В, le = 0, f=1 ГГц - 0,7 0,9 пФ
88 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзи-
стора 2SC5195.
- Маркировка: 87.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)___________
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 База Тг2
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 Эмиттер Тг1
6 База Тг1
1,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 230 мВт
icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 3 мА 80 - 160 -
ISaief S-параметр 1 Vce=1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 ДБ
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 3 мА 4,5 5,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 0,8 пФ
Особенности Корпус - В состав сборки вхо- 6PFLTTUSminimold лят лва высокочастот- 1.5±0,1
зГП 2|Т| i|i О н о ю । 6 [5 4
1
ных транзистора 2SC5006. - Маркировка: 81. Внимание! Прибор чувствителен к стати- ческому электричест- ву. Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2 эш «ц 1
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 230 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, hFE = Ю мА - - , 0,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
fl Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = ЗВ, 1е = 0мА, f=1 МГц - 0,7 1.5 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, 1е = 7мА, f=1 ГГц - 1.2 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 89
Особенности
- В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзи-
стора 2SC5100.
- Маркировка: 83.
Внимание! Прибор
чувствителен к
статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Т г2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 230 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 75 - 150 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА - 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = ЗВ, le = 0 мА, f=1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21e|2 S-параметр Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 1.5 2,5 ДБ
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC5100.
- Маркировка: 83.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Т г2
6 База Тг1
2.0±0.2
ву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2 В
lc Ток коллектора - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 75 - 110 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 10 мА - 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
90 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC5179.
- Маркировка: R84.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
2,0±0,2
ву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 0,06 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
h₽E Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 2 В, le = 7 мА - 13 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,6 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 2 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 1.5 2,0 ДБ
Особенности Knnnvc 6PIЛ .minimnld 1,2±0,05
- В состав сборки (NEC) 2Г | 6 | 5 4
входят два высоко- Вывод Функциональное назначение I 1 1| 1 Тг1 х+х Л Тг2
частотных транзи-
стора 2SC5436. 1 Коллектор Т г1 ю , у v Л
- Маркировка: kL. 2 Эмиттер Т г1 о О
Внимание! При- бор чувствителен 3 Коллектор Тг2 +1 I 1 Г2 I 3
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2 “L J 5L J ®| 1
к статическому 6 База Тг1 L, □ L rJ L,
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 20 мА 70 - 140 -
|S21ef S-параметр 1 Vce = 2 В, lc = 20 мА, f= 2 ГГц 8,5 10 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 2 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1.4 2,0 ДБ
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 2 В, le = 20 мА 9 14 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,8 пФ
Транзисторы производства NEC 91
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC5184.
- Маркировка: R86.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Т г2
6 База Тг1
2,О±О,2
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 20 мА 70 - 140 -
is21er S-параметр 1 Vce = 2 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
|S2,e|2 S-параметр 2 Vce= 1 В, lc = 10мАЛ=2ГГц 6,0 7,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 2 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 2,0 ДБ
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 2 В, le = 20 мА 9 11 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,8 пФ
92 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
Tr 1 - 2SC5006 и
Тг2 - 2SC5007.
- Маркировка: 24.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 230 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 1,5 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 65 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 0,8 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,8 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 150 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 4,5 7,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,45 0,9 пФ
|S21e|z S-параметр Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц 10,0 12,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,7 ДБ
Транзисторы производства NEC 93
Особенности
- В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
Tr 1 - 2SC5006 и
Tr2 - 2SC5007.
- Маркировка: пС.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
Корпус 6PLLminimoId
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
1,2±0,05
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная Т = 25°С - - 210 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 1,5 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 65 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - 0,8 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,8 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 150
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 4,5 7,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - - 0,9 пФ
|S21e|2 S-параметр Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц 10,0 12,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,7 ДБ
94 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC4226 и
Tr2 - 2SC4959.
- Маркировка: V34.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = ТО В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 - 145 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 1,5 пФ
|S21el' S-параметр Vcb = ЗВ, le = 7 мА, f=1 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 75 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = ЗВ, le = 10 мА - 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - - 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vcb = ЗВ, le = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 95
Особенности
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5193 и
Tr2-2SC4959.
- Маркировка: V44
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Т г2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 3 мА 100 - 145 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 20 мА - 9,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce =1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,75 0,85 пФ
|S21ef S-параметр Vcb= 1 В, lc = 3 мА, f= 1 ГГц 2,5 3,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 7 мА; f = 2 ГГц - 1,5 - ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 75 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 10 мА - 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - - 0,7 пФ
iW S-параметр Vcb = ЗВ, lc = 10 мА, f= 2 ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
96 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC4227 и
Tr2 - 2SC4226.
- Маркировка: V27.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Т г2
6 База Тг1
2.О±О.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 65 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, 1е = 0 - - 0,8 мкА
Icbo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,8 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc -7 мА 70 - 150 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 7 мА 4,5 7,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,45 0,9 пФ
|S21ef S-параметр Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц 10,0 12,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,7 ДБ
Tr2 ‘
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 в
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 - 145 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = ЗВ, 1е=10мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,7 1,5 пФ
|S21e|2 S-параметр Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц - 1.2 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 97
Особенности
- В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
Tr 1 - 2SC5010 и
Tr2 - 2SC5006.
- Маркировка: 37.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус
6PFLTTUSminimoId
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 75 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = ЗВ, 1е = 10 мА - 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = ЗВ, 1е = 0мА, f= 1 МГц - - 0,7 пФ
|S21e|2 S-параметр Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, 1е = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 140
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, lc = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость • Vcb = ЗВ, le = 0 мА, f=1 МГц - 0,7 1,5 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 7 мА, f= 1 ГГц - 1,2 2,5 ДБ
98 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Tr 1 -
2SC5010 иТг2-
2SC5006.
- Маркировка: 37.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
2,0±0,2
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 75 - 150 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 10 мА - 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - - 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 140 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, lc = 7 мА 3,0 4,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = ЗВ, 1е = 0мА, f=1 МГц - 0,7 1,5 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 99
Особенности
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5193 и
Tr2 - 2SC4959.
- Маркировка: V47.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Т г2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ире Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 75 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 10 мА - 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 3 мА 100 - 145 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, lc = 3 мА Vcb = 3 В, lc = 20 мА 4,0 4,5 9,0 - ГГц ГГц
|S21e|z S-параметр Vce= 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц 2,5 3,5 6,5 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,75 0,85 пФ
NF Коэффициент шума Vcb= 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц Vcb = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,7 1,5 2,5 ДБ ДБ
100 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки
входят два малошу-
мящих 1ранзисюра
Tr 1 -- 2SC5010 и
Tr2 - 2SC5007
- Маркировка' 89.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В__
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc - 10 мА 75 - 150 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = ЗВ, 1е=10мА 10,0 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21e|' S-параметр Vce = ЗВ, lc = 10 мА, (=2ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1.5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 В
lc Ток коллектора - - - 65 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, 1е = 0 - - 0,8 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,8 мкА
Ирг Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 70 - 150 -
h Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, lc = 7 мА 4,5 7,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = ЗВ, le = 0 мА, f=1 МГц - 0,9 пФ
|S2l/ S-параметр Vce = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц 10,0 12,0 ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц - 1.4 2,7 ДБ
Транзисторы производства NEC 101
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
малошумящих
транзистора
Тг 1 - 2SC5603
и Тг2 - 2SC5600.
- Маркировка:
2С.
Внимание!
Прибор чувст-
вителен к ста-
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
1,5±O,1
тическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,2 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,2 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 60 90 150 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 5 мА 12,0 13,5 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,25 0,5 пФ
|S21e|2 S-параметр Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 8,5 10,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Jc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
Ьге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 - 160
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, lc = 5 мА Vcb =1 В, lc = 15 мА 3,5 5,5 5,0 6,5 - ГГц ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, 1е = 0мА,(=1 МГц - 0,8 1,0 пФ
|S21e|2 S-параметр Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce= 1 В, lc = 15 мА, f= 2 ГГц 3,5 4,5 4,0 5,5 - ДБ ДБ
NF Коэффициент шума Vcb= 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
102 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Tr 1
используется в буферном
каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Tr 1 - 2SC5737 и
Tr2 - 2SC5736.
- Маркировка: vH.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Т г2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - * 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 10 мА 70 110 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce =1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 112 145 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, lc = 5 мА Vcb =1 В, lc = 15 мА 4,5 5,5 5,0 6,5 - ГГц ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, 1е = 0мА, f = 1 МГц 0,45 0,59 0,75 пФ
|S21ef S-параметр Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = 1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц 3,5 4,5 4,0 6,0 ДБ ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 103
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Tr 1
используется в буферном
каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Tr 1 - 2SC5435 и
Tr2 - 2SC5745.
- Маркировка: vL.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 75 110 150 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 3 В, le = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21e|2 S-параметр Vce = 3 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1.5 В
Jc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 100 - 145
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, lc= 10 мА 4,0 5,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц 0,65 0,75 0,85 пФ
lW S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb= 1 В, !с= 10мА,Г=2ГГц - 2,0 3,0. ДБ
104 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Тг 1
используется в буферном
каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Тг 1 - 2SC5737 и
Tr2 - 2SC5745.
- Маркировка: vN.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce =1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb =1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 100 - 145 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =1 В, lc = 10 мА 4,0 5,5 - ГГц
|S21e|z S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц 0,65 0,75 0,85 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц - 2,0 3,0 ДБ
Транзисторы производства NEC 105
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Tr 1
используется в буферном
каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Tr 1 - 2SC5737 и
Tr2 - 2SC5676.
- Маркировка’ vT.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimokl
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 70 110 140 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1.5 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Jc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,2 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,2 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 100 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, 1с = 10 мА 4,0 5,5 - ГГц
lW S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 2,5 4,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц - 1.8 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,9 1,2 пФ
106 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах
генераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзи-
стор Тг 2, транзистор
Tr 1 используется в
буферном каскаде.
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Tr 1 -
2SC5435 иТг2-
2SC5786.
- Маркировка: vV.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
, Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 75 - 140 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f.= 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
is2,.|z S-параметр Vce = 3 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 105 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 50 75 100 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 20 мА 17,0 20,0 - ГГц
|S2,ef S-параметр Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,22 0,3 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1.4 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 107
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах ге-
нераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзистор
Тг 2, транзистор Тг 1 ис-
пользуется в буферном
каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Тг 1 - 2SC5185 и
Tr2 - 2SC5787.
- Маркировка: vX.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Т г2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
скому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 70 - 110 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,8 пФ
is21ef S-параметр Vce =1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7 9 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f= 2 ГГц - 1,5 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 105 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 50 75 100 -
h Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 20 мА 17,0 20,0 - ГГц
|S21ef S-параметр Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,22 0,3 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,5 ДБ
108 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах
генераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзи-
стор Тг 2, транзистор
Tr 1 используется в бу-
ферном каскаде.
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Tr 1 -
2SC5435 иТг2-
2SC5800.
- Маркировка: vY.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Т г2
5 Эмиттер Т г2
6 База Тг1
5ш ci
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
I'Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 10 мА 75 - 110 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
is21ef S-параметр Vce = 3 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 192 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
|S21ef S-параметр Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 109
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах гене-
раторов, в качестве гене-
ратора с низким уровнем
фазового шума использу-
ется транзистор Тг 2,
транзистор Tr 1 использу-
ется в буферном каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5435 и
Tr2 - 2SC5800.
- Маркировка: vY.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статическо-
му электричеству.
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
1,O±O.O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 180 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 10 мА 75 - 110 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
iW S-параметр Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 192 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, !е = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
ПО Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах
генераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзи-
стор Тг 2, транзистор
Тг 1 используется в бу-
ферном каскаде.
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Тг 1 -
2SC5436 иТг2-
2SC5800.
- Маркировка: хС.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
ву.
Корпус 6PLL mini mold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Т г1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 70 110 140 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 192 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le= 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
|S2iel2 S-параметр Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le - 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 111
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах ге-
нераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзистор
Тг 2, транзистор Tr 1 ис-
пользуется в буферном
каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5436 и
Tr2-2SC5800.
- Маркировка: хС.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Т г2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 70 110 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce= 1 В, lc = 10 мА, (=2ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
_lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 192 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
112 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназна-
чен для работы в
схемах генераторов с
низким уровнем фа-
зового шума.
- В состав сборки
входят кремниевый
транзистор с высо-
ким значением коэф-
фициента усиления
Tr 1 (2SC5435) и
кремний-
германиевый Тг 2
(NESG2107M33).
- Маркировка: xF.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
1,5±O,1
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 110 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 10 мА 75 150 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0»4 0,7 пФ
|S21ef S-параметр Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7 8,5 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 110 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 140 180 220 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =1 В, le = 20 мА - 17,0 - ГГц
|S21elZ S-параметр Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц - 10,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,5 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, Г=2ГГц - 0,9 1,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 113
Особенности
- Прибор предназна-
чен для работы в схе-
мах генераторов с
низким уровнем фазо-
вого шума.
- В состав сборки вхо-
дят кремниевый тран-
зистор с высоким
значением коэффици-
ента усиления Тг 1
(2SC5436) и кремний-
германиевый Тг 2
(NESG2107M33).
- Маркировка: хН.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
тическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 5 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 10 мА 70 110 140 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,4 0,7 пФ
|S21e|2 S-параметр Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц 7,0 9,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 2,0 ДБ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,0 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 в
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 110 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 140 180 220 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 20 мА - 17,0 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц - 10,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,5 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 0,9 1,5 ДБ
114 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров с низким уровнем фа-
зового шума.
- В состав сборки входят
кремниевый транзистор с
высоким значением коэф-
фициента усиления Tr 1
(NESG2046M33) и крем-
ний-германиевый Тг 2
(2SC5800).
- Маркировка: xJ.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, 1е = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 2 мА 140 180 220 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 15 мА 15 18 - ГГц
|S?1e|2 S-параметр Vce=1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce=1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 0.8 1,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 1,0 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,2 0,4 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb=1 В, !с = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb=1 В, 1е=15мА 5,0 6,5 - ГГц
|S2iel" S-параметр Vce=1 В. lc = 15 мА, f = 2 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb=1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 115
Особенности
- Прибор предназна-
чен для работы в
схемах генераторов с
низким уровнем фа-
зового шума.
- В состав сборки
входят кремниевый
транзистор с высо-
ким значением коэф-
фициента усиления
Тг 1 (NESG2046M33)
и кремний-
германиевый Тг 2
(2SC5800).
- Маркировка. xJ.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 2 мА 140 180 220 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 15 мА 15 18 - ГГц
is2ier S-параметр Vce = 1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 0,8 1,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vce =1,0 В, le = 0 мА, f=1 МГц - 0,2 0,4 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Jc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
|S21e|Z S-параметр Vce =1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
116 Транзисторы производства NEC
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора 2SC5800.
- Маркировка: 3F.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimoId
(NEC) __________
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 Эмиттер Тг2
5 База Тг2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 - 145 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 5 мА 3,0 4,5 - ГГц
is21er S-параметр Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC5800.
- Маркировка: cP.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
ву-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 Эмиттер Тг2
5 База Т г2
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 члА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 - 145 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =1 В, le = 5 мА 3,0 4,5 - ГГц
|S2ie|2 S-параметр Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 117
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора 2SC5800.
- Маркировка: cP.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PsuperLLM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Т г2
4 Эмиттер Тг2
5 База Т г2
6 База Тг1
1,0±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 100 - 145 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 5 мА 3,0 4,5 - ГГц
|S21ef S-параметр Vcb = 1 В, le = 5 мА, f= 1 ГГц 3,0 4,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц - 1,9 2,5 ДБ
118 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназна-
чен для работы в схе-
мах генераторов с
низким уровнем фазо-
вого шума.
- В состав сборки вхо-
дят два кремний-
германиевых транзи-
стора - Тг 1 '
(NESG2046M33) и
Тг 2 NESG2046M33).
- Маркировка: хК.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус
6PsuperLLM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
з Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Тг1
1,O±O,O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 110 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 2 мА 140 180 220 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 15 мА 15 18 - ГГц
|S21ef S-параметр Vce =1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц 11,0 13,0 - ДБ
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 0,8 1,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 1,0 В, le = 0 мА, f=1 МГц - 0,2 0,4 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 110 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 140 180 220 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 20 мА - 17,0 - ГГц
is21er S-параметр Vce =1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц - 10,0 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 1,0 В, le = 0 мА, f = 1 МГц - 0,5 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,9 1,5 ДБ
Транзисторы производства NEC 119
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора 2SC5600.
- Маркировка: 4В.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 База Т г1
1,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb= 1 В, le = 15 мА 5,5 6,5 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vcb = 1 В, le = 15 мА, f = 1 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц - 0,8 1,0 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, Т=2ГГц - 1.5 2,5 ДБ
Особенности Корпус 6PLLminimold +0.07 1,2 -0.05
- В состав сборки входят два малошумящих тран- зистора 2SC5600. - Маркировка: кН. Внимание! Прибор чув- ствителен к статиче- скому электричеству. (NEC) Вывод Функциональное назначение зГП гГП 11'1 о 6 +1 о Г Ц Т.1 Jk ~fer2
1 . Г— ! ! 1 ! • !
1 Коллектор Тг1
2 3 Эмиттер Тг1 Коллектор Т г2 I 1 I 2 I I 3
4 База Т г2
5 Эмиттер Тг2 “Ы 5Ы
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры -
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 - 160 -
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =1 В, le = 15 мА 5,5 6,5 - ГГц
|S21e|2 S-параметр Vcb = 1 В, 1е=15мА, f=1 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 0,8 1,0 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,5 2,5 ДБ
120 Транзисторы производства NEC
Особенности Корпус 6PLLminimold +0,07 1,2 -0.05
- В состав сборки входят два малошумящих тран- зистора. - Маркировка: кР. Внимание! Прибор чув- ствителен к статиче- скому электричеству. (NEC) Вывод Функциональное назначение зГП гГП i|'| — г ч
! ! i ! ! i ‘ ! i ! ! i in О О +1 О
1 Коллектор Тг1
2 3 Эмиттер Тг1 Коллектор Т г2 I 1 I2 I 3
4 База Т г2 рГ.у .т.т- -. 1
5 Эмиттер Тг2 -ш
6 База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 190 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, 1е=15мА 5,0 6,5 - ГГц
is21ef S-параметр Vcb = 1 В, 1е=15мА, f=1 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, 1е = 10 мА, f= 2 ГГц - 1,0 2,5 ДБ
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора.
- Маркировка: кР.
Внимание! Прибор
чувствителен к
статическому
электричеству.
Корпус
6PsuperLLM (NEC)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тг1
2 Эмиттер Тг1
3 Коллектор Тг2
4 База Тг2
5 Эмиттер Тг2
6 БазаТН
1,O±O.O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 110 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, le = 0 - - 0,6 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 0,6 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 7 мА 100 120 145 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 1 В, le = 15 мА 5,0 6,5 - ГГц
|S21ef S-параметр Vcb= 1 В, 1е= 15 мА, f=1 ГГц 4,5 5,5 - ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 3 В, le = 0 мА f=1 МГц - 0,6 0,8 пФ
NF Коэффициент шума Vcb = 1 В, 1е=10мА, (=2ГГц - 1,0 2,5 ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 121
Особенности
- Малое напряжение
шумов.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: 1Z + бук-
ва, соответствующая
значениям hEE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 40 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 50 мА
Icp Ток коллектора импульсный 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 1000 2000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1,0 мА - 0,05 0,2 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-1 мА - 120 - МГц
1Z R S т
Hfe 400 800 600 1200 1000 2000
Особенности
- Прибор разработан для
использования в выход-
ных каскадах усиления
НЧ-сигналов.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: Т + бук-
ва, соответствующая
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
значениям hFE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vce =10 В, lb = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА' 230 600 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 3A, lb= 100 мА - - 1,0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, le = -50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 20 В, le = O,f= 1 МГц - - 50 пФ
Т Q R
Ьре 230 380 340 600
122 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Высокое значение
напряжения Vebo
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: IV +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|4-|
<4 О й
’Й 2Й_
2,9±О,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 20 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Vce = 60 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 - 1200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1,0 мА - 0,05 0,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 100 - МГц
1V R S
hFE 400 800 600 1200
Особенности
- Встроенный стабили-
трон.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: 2А +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 ±ЗВ В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 ±3 В В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, 1е = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с=100 мА, 1Ь = 10мА - - 0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2 мА - 150 - МГц
2А Q R S
hFE 160...260 210.340 290 ..460
Транзисторы производства PANASONIC 123
Особенности
- Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка- 1D +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 12 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 200 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 100 мА, lb = 10 мА - - 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 100 мА, lb = 50 мА - - 1,2 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
1D R S т
Ьре 200 350 300 500 400 800
Особенности
- Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
- Встроенный резистор.
- Маркировка- 2N +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
pic2 Dari +RES 6
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 0,75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 100 нА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 500 мА 4000 - 20000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 500 мА, lb = 0,5 мА - - 2,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
2N Q R
hFE 4000 10000 8000..20000
124 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 20 +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 0,75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 500 мА 4000 - 20000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 500 мА, lb = 0,5 мА - - 2,5 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
20 Q R
±££. 4000 10000 8000 ..20000
Особенности
- Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: Р + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
pic2 Dari +RES
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, lc = 500 мА 4000 - 40000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1 A, lb = 1,0 мА - - 1,8 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1 A, lb = 1,0 мА - - 2,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, !е = -50 мА - 150 - МГц
R Сопротивление встроенного резистора - 200 - Ом
Р Q R S
hFE 4000. 10000 8000...20000 16000 . 40000
Транзисторы производства PANASONIC 125
Особенности
- Встроенный стабили-
трон.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: N 4- бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 18 ±5 В В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 18 ±5 В В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - , 5 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1000 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 0,5 мА 200 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 500 мА, lb = 20 мА - 0,13 0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - - 1,2 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 170 - МГц
N R S т
Ьре 200 350 300 500 400 . 800
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
-Маркировка: 1Z + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 40 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - 50 мА
Icp Ток коллектора импульсный 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 1000 2000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1,0 мА - 0,05 0,2 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 120 - МГц
1Z R S т
hF^ 400 800 600.. 1200 1000 2000
126 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Высокое значение напряжения
Vebo
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: IV + буква, соот-
ветствующая значениям hFE..
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
....зРГ~
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 20 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le =,0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Vce = 60 В, lb = 0 - - 1.0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 - 1200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1,0 мА - 0,05 0,2 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 100 - МГц
1V R S
hFE 400 800 600. .1200
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зШ
- Прибор разработан для работы в усилительных кас- кадах и ключевых схемах. - Малое напряжение насы- щения. - Маркировка: 3W или 3W + буква, соответствующая значениям hFE Вывод Функциональное назначение см 6 S см’
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор ’Й 2Й_ 2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 25 В
lc Ток коллектора - - - 300 мА
Icp Ток коллектора импульсный 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Vce = 25 В, lb = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 4 мА 500 - 2500 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 30 мА, lb = 3,0 мА - - 0,1 В
b Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц - 4,5 - пФ
3W S т
Иге 500. 1500 800...2500
Транзисторы производства PANASONIC 127
Особенности
- Прибор разработан для работы в
усилительных каскадах и ключевых
схемах.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: 3W + буква, соответ-
ствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1LJ
6 +1 М*
2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 25 В
lc Ток коллектора - - - 300 мА
Icp Ток коллектора импульсный 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Vce = 25 В, lb = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 4 мА 500 - 2500 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 30 мА, lb = 3,0 мА - - 0,1 В .
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - - 4,5 пФ
3W S т
hpE 500 1500 800. 2500
Особенности
- Прибор разработан для работы в
усилительных каскадах и ключе-
вых схемах.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: IK + буква, соответ-
ствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
4.5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 12 В
lc Ток коллектора - - 0,5 А
Icp Ток коллектора импульсный 1.0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 200 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 20 мА - - 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 50 мА - 1.2 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - - 10 пФ
IK R S т
Ире 200 350 300 ..500 400. .800
128 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Прибор разработан для исполь-
зования в схемах усиления НЧ-
сигналов.
- Низкий уровень шумов.
- Комплементарная пара с
2SB1463J.
- Маркировка: Р + буква, соответ-
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|,|
1 i i tf) О 6 +1
iHJ 1 2[Ч_
l-pj 1 - - +О.О5 1.6 -0.03
ствующая значениям hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 150 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 150 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 50 мА
Icp Ток коллектора импульсный 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,125 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vce = 100 В, lb = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 130 330 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 30 мА, lb = 3 мА - - 1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = 10 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц - 4 - пФ
NV Напряжение шума Vce = 10 В, lc= 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм - - 150 мВ
Р R S
hFE 130 220 185 .330
Особенности
- Малое напряжение
шумов.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: 1Z + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 40 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 50 мА
Icp Ток коллектора импульсный 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,125 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 1000 2000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1,0 мА - 0,05 0,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 120 - МГц
1Z R S т
»hFE 400 ..800 600... 1200 1000...2000
Транзисторы производства PANASONIC 129
Особен - Высок напряж - Малое насыще - Марк! hocth Корпус SC-62 (EIAJ) 45±<м
:oe значение Вывод фУнкЦиональное (" I р.ния Vrhn д назначение L J
напряжение 1 База ю см 6 •н о г
н и я / 2 Коллектор
тонка- 1S 3 Эмиттер I I
предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 400 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 30 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 5,0 мА - 0,05 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 50 мА, lb = 5,0 мА - - 1,5 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 30 В, le = -20 мА - 40 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 30 В, le = 0, f = 1 МГц - - 7 пФ
Особенности
- Встроенные компо-
ненты.
- Малое напряжение
насыщения.
-Маркировка: 1Т
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - =60 В В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - =60 в В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 1000 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lb = 0 - - 2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc= 1000 мА 6500 - 40000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 1,0 A, lb= 10 мА - - 1,8 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 1,0 A, lb = 10 мА - - 2,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В; le = -50 мА - 150 - МГц
130 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: IV
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
4,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 7,5 В
lc Ток коллектора - - 1,0 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 7 В, 1е = 0 - 1 мкА
bFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 400 мА 200 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,0 A, lb = 25 мА - 0,17 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, le = -50 мА - 190 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B, 1е = 0Л=1МГц - 50 - пФ
Особенности
- Прибор разработан для
использования в схемах
усиления НЧ-сигналов.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: 2Е + бук-
ва, соответствующая
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
значениям hFE
4,5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 150 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 150 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1.0 А
Icp Ток коллектора импульсный 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vce = 75 В, lb = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, 1с = 100 мА Vce = 2 В, lc = 500 мА 120 40 - 340 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 500 мА, lb = 25 мА - 0,11 0,3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 25 мА - 0,8 1,2 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = 50 мА - 90 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 12 20 пФ
2Е R S
hFE 120 240 170. .340
Транзисторы производства PANASONIC 131
Особенности
- Прибор разработан для
использования в схемах
усиления НЧ-сигналов.
- Малое напряжение насы-
щения.
- Малое напряжение шумов.
- Маркировка: ЗВ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - 20 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,125 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 0,1 мкА
Iceo Обратный ток эмиттера Vce = 60 В, lb = 0 - - 1.0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 - 1200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1 мА - - 0,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 4 - пФ
NV Напряжение шума Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм - 80 - мВ
Особенности
- 11рибор разработан для
использования в схемах
усиления НЧ-сигналов.
- Малое напряжение
насыщения.
- Малое напряжение
шумов.
- Маркировка: ЗВ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 20 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 0,1 мкА
Ibeo Обратный ток эмиттера Vce = 60 В, lb = 0 - - 1.0 мА
tv Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 400 - 1200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА. lb = 1 мА - - 0,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 4 - пФ
NV Напряжение шума Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм - 80 - мВ
132 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: 2V +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 12 В
lc Ток коллектора 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 200 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 100 мА, lb = 20 мА - 0,14 0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 100 мА, lb = 50 мА - - 1,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, 1е = 0, (=1МГц - - 10 пФ
2V R S т
hFE 200..350 300...500 400...800
Транзисторы производства PANASONIC 133
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) R1
- Встроенный резистор. - Маркировка: 6L + бук- ва, соответствующая значениям hFE. Вывод Функциональное назначение ’Й 2Й_ см СО см
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
6L Q R S
hFE 160 260 210 340 290 460
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
6А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 35 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 10 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
134 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 6М.
Корпус SC-59 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ ri R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6N Вывод Функциональное назначение см 6 8 см
1 База
2 Эмиттер
’й 2Й_ 2,9±0,2
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 135
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 60
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ R1 R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6Р Вывод Функциональное назначение 2±_ см (Ч
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - * - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
b- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
136 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6Q.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное ' назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EI
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
СМ о* §
’В 1 2Й_
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - г -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 137
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EW
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
СМ
8
со
СМ*
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EY
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -6,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
138 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ)
- Встроенные рези- Вывод Функциональное
сторы. назначение о 41 R1
- Маркировка: FC. 1 База СО СМ*
2 Эмиттер 3 Коллектор ’Й 2Й ] R2
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - -2,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 6 - 20 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,07 -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 7F.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
<T Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R2 Сопротивление резистора R2 - - 100 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 139
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,4 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 60 - 200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
Гт Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
6 •Н со С4
’Ш 2Й_
2.9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 — - •22 - кОм
140 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора V<Je = -5OB, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =-6 В, 1с = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6D.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зШ
сч S 3
2Ш_
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 в
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - “0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 10 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 — кОм
Транзисторы производства PANASONIC 141
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Е + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з£т
’Й 2 2.9±0,2 Й сч о* а <ч*
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
<T Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
6Е Q R S
Ьее 160 260 210 340 290 460
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ R1
- Встроенный резистор. - Маркировка: 6F + бук- ва, соответствующая значениям hFE Вывод Функциональное назначение
(Ч 6 +1 со сч*
1 База
2 Эмиттер
’Й 2Й_
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,01 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
Гт Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
6F Q R S
hFE 160 ..260 210 .340 290 460
142 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Н +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В. lc = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
6Н Q R S
hFE 160 260 210 340 290. .460
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ R1 /1/ R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 61 Вывод Функциональное назначение ’Ш 2й_ см 6 Н со <м‘
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 143
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ R1 /«X R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6К Вывод Функциональное назначение 2й_ СМ 6 +1 со сч
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 7А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
. зЩ .
(Ч 6 S <ч
’Й 2Й_
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -5,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -100 мА 40 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = 5,0 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
144 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 7В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -100 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = -5,0 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 7С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -100 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = -5,0 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 . - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 145
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 7D
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -100 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = -5,0 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка- EV
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зСГ
<ч
о
41
СО
СЧ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -3 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -30 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -3 В, lc = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -0,33 мА - - -1,2 В
f? Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1,0 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
146 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 71.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -2,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -5,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -100мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = 0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,27 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 7Y
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
2.8±О.2
«Й 2±_
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
lc Ток коллектора - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -2,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -5,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -100 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = 5,0 мА - - -0,2 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 3,1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,6 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 147
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8L + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
8L Q R S
Ьре 160 .260 210 340 290 460
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное' назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,5 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
148 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 8М.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин, значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 8N.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 22 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 149
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 80
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
§
’Й 2Й_
2.9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 . - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8Р
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - 1.0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
150 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 8Q
Корпус SC-59 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
Особенности
- Встроенные ре-
зисторы.
- Маркировка: EL.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 151
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕХ.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,8±0.2
’Й гЙ_
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
I"Ife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В '
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EZ
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
152 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FD.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 6 - 20 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 1,5 мА 0,04 0,25 В
tr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 2,2 кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 9F.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = —1 мА - 100 - МГц
R2 Сопротивление резистора R2 - 100 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 153
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ
- Встроенные рези- Вывод Функциональное <ч
сторы. назначение 6 +1
- Маркировка: FF 1 База со см
2 Эмиттер
3 Коллектор ’Й 2Й
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,4 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 60 - 200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 22 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы
- Маркировка- 8В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 22 кОм
154 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные элекпгрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - ' 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 47 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8D.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
_____зШ
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 47 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 155
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зШ
- Встроенный резистор. - Маркировка: 8Е + бук- ва, соответствующая Вывод Функциональное назначение 8 R1 /•/
1 База со см
2 Эмиттер
значениям hFE 3 Коллектор ’Ш 2Ш_
2.9±О,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
8Е Q R S
Ьре 160 260 210 340 290 460
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) R1
- Встроенный резистор. - Маркировка: 8F + бук- ва, соответствующая значениям hFE Вывод Функциональное назначение
см 6 +1 со см*
1 База
2 Эмиттер
’Ш 2й_
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le с -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
8F Q R S
hFE 160 260 210 340 290 460
156 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зШ R1
- Встроенный резистор. - Маркировка: 8Н + буква, соответствующая значениям hFE Вывод Функциональное назначение *й СМ +1 со сч
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
8Н Q R S
hFE 160...260 210.. 340 290. 460
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 81.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 2,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 5,1 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 157
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8К.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
° <0 сч
гй_
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 1,5 мА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 9А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 5,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, 1с=100мА 40 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 100 мА, lb = 5,0 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 2,2 кОм
158 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 9В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 100 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 100 мА, lb = 5,0 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 9С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 ' - - 1,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 100 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 100 мА, lb = 5,0 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 159
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 9D
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, 1с=100 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 100 мА, lb = 5,0 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ
- Встроенный ре- Вывод Функциональное сч
зистор. назначение 6 R1 /рХ
- Маркировка: FZ 1 База «0 <4
2 Эмиттер 3 Коллектор ’Й 2Й
• 2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 30 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, 1с=100мА 100 - 600 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 2,5 мА - - 0,08 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
160 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: FY
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 30 В, lb = 0 - - 1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1.0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 100 мА 100 - 600 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 2,5 мА - - 0,08 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FW.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 30 В, lb = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 1.0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc= 100 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 2,5 мА - - 0,08 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -50 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 6,8 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 6,78 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 161
Особенности
- Встроенный
резистор.
- Маркировка:
CD
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,1 мА
Иге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка- СЕ
SSSMini3-Fl
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| ! I
I I I О 6 +1 см
1[|] ' 2[П
1,2±О,О5
R1
R2
L
и основные
Предельно
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 35 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
162 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: CF
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: СН
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,1 мА
Ьге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 163
Особенности Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic) 3| i I
- Встроенные рези- Вывод Функциональное 1 1 "" Ч Ю 1 °.
сторы. назначение ; о R1
- Маркировка: СК 1 База +1
2 Эмиттер
3 Коллектор ii1i 1 al! i
“Г" 1 1 1,2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic) 3| I I
- Встроенный ре- Вывод Функциональное I °.
зистор. назначение : о ri
- Маркировка: CL 1 База +I см
2 Эмиттер I *1
3 Коллектор ’111 ' гНГ—
1 1 1 1,2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
164 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: CN
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic) 3| , I
- Встроенный ре- Вывод Функциональное 1 °.
зистор. назначение । 9 ri Л/
- Маркировка: СР 1 База 2 Эмиттер +1 i <4
3 Коллектор «Ш ' 2Щ__
1.2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 165
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: DC
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo , Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SSSMini3-Fl (Р anasonic) 3| 1 1 R1 /</ R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: DE Вывод Функциональное назначение 1 I i ю О о +1 <4
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор iHJ 1 2|Ч_
UfJ ‘-Г1— 1,2±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 100 - кОм
166 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези
сторы.
- Маркировка: DL.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| i I R1 R2
1 i i О 6 л
1 2[|l 1,2±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: DN
SSSMini3-Fl
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з| i | <л
1 1 1 о 6 н сч
illl ' 2Щ_
1 1,2±О,О5
L
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - . - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 167
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕС
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
i । О О й г-
—'
1.2±О.О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
Гт Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SSSMini3-Fl (Р anasonic) з| । 1
- Встроенные рези- сторы. Вывод Функциональное назначение О 6 R1
- Маркировка: ED 1 База । +1 см
2 Эмиттер ।
3 Коллектор 1Й 1 <]_ R2 I
1.2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
Гт Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
168 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EF
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,2±O,O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic) 3| , I
- Встроенные рези- Вывод Функциональное 1 ю о
сторы. назначение о R1 //
- Маркировка: ЕК 1 База 2 Эмиттер 1 +1 (М
3 Коллектор 1[Ч ' 2LL
1.2+0.05 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 - - -0.2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 169
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EN
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы
- Маркировка: ЕР
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з| i | ю
I I I о о +1 СЧ V—
1Ш 1
1.2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 6 - 20 - _
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
170 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: КТ
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
ю
I i i о 6 а
i|!| 1 г|!]_
1 1,2±0,05 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
FK
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| I ю
1 i i О 6 +1 см
1|Ч ' 2Щ_
1 1,2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 171
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FL
Корпус SSSMini3-F1 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
F Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FN
Корпус SSSMini3-F1 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce= 10 В, 1с = 5мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
172 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FP
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
i । 11» О 6 +1 СЧ V"
’Ш 1 гЩ_
1 1,2±0,05.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: НС.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 О
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 173
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: HD.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|
till 411
1,2±О,О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: НЕ
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
174 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: HF.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: НК
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc= 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, !е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 175
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: HL
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 100 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: КС
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
176 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: KD
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = 2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: KF
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,2±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 177
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: КН
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка- KL
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hre Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
178 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: KZ
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: КР.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 6 - 20
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 179
Особенности
- Встроенный рези-
стор.
- Маркировка: 6L +
буква, соответст-
вующая значениям
hFE
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|-|
6 +1 сч*
И 2,0±0,2 .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
6L Q R S
hFE 160 260 210 340 290 460
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6А
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|-|
6 +1 сч
й и 2,0±0,2 .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
180 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры
- Маркировка: 6М
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
30
6 +1 ci
а и 2,0±0,2 . —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 6N
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зИ
6 +1 сч
и < 2,О±О,2 —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 181
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 60
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
Иге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ R1 Zx'
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6Р Вывод Функциональное назначение
6 +1 (Ч
1 База
2 Эмиттер R2
3 Коллектор ’И <
2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
182 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6Q
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
.и
6 +1 сч*
й 2t£L 2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EI
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
tr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 183
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EW.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зИ
6 +1 ci
'й < 2,0±0.2 .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EY.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
.и
2 СМ
и 2.0+0.2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo \ Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
184 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FC
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
О +I сч
’И 2Й_ 2,0±0,2 —
L
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 6 - 20 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,07 -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 2,2 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы
- Маркировка: FE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,4 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - 200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 185
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6В
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зН
6 +1 см’
•ш <
2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 . - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6С
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
_____>1—1
п 2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,1 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -5мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
186 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6D
iS
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
43
г 2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА V 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
f? Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Е + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
6Е Q R S
Ьее 160 260 210 340 290 460
Транзисторы производства PANASONIC 187
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6F + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
6F Q R S
Ьре 160 260 210 340 290 460
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Н +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
6Н Q R S
hFE 160 260 210 340 290 .460
188 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 61
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
____3Н
*0 *0
, 2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 в
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6К
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|—|
2,1±0,1
й 2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
о Ток коллектора - - - -100 мА
Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В. !Ь = 0 - - -0,5 мкА
1 lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,5 мА
Ivc Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
7ce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0.3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 189
Особенности
- Встроенные резисто-
ры
- Маркировка: EV
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -3 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -30 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -3 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, lb = -0,33 мА - -0.5 -1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1,0 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8L + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
8L Q R S
Hfe 160 260 210 340 290 460
190 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8А
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
6 +1 <ч
'й <
п 2,О±О,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8М.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зН
6 +I сч
'В 2,О±О,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 191
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8N
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|—|
О +1 СМ
’й 2И_
2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 80
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
192 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8Р
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
I'Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8Q
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ .....
6 +1
сч'
а 2Й_
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 193
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EL
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
О* +1
Л
й <
2.0±0.2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕХ
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,О±О,2 ,
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
194 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EZ.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FD.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 6 - 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 1,5 мА - 0,04 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 195
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка* 8В
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
О +1 СЧ
'И 2t±L
2,0±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8С
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
196 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8D.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
О +1 ci
2.040.2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
, Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, 1Ь = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6B, lc = 0 - - 0,2 мА
thFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, 1с = 5мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
i R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Е + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зО
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, !Ь = 0 - - 0,5 мкА
1ebo Обратный ток эмиттера Veb = 6B,!c = 0 < - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, 1с = 5мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
8Е Q R S
hFE 160...260 210...340 290...460
Транзисторы производства PANASONIC 197
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8F + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
8F Q R S
hFE 160 260 210 340 290 ..460
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Н +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. ( значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
8Н Q R S
hFE 160 260 210 ..340 290 .460
198 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 81.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8К
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 199
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка. 6L.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - • 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) 3|||
- Встроенные рези- Вывод Функциональное . о
сторы. назначение i 6 R1 /1/
- Маркировка: 6А 1 База н I 1 1 ф
2 Эмиттер 11' 1 1 5»!' г ” R2
3 Коллектор ’Ч-| 2U * _ +0.05
1.6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
Ьге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
200 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6Х
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb ='-10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 100 кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Y.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
I
Транзисторы производства PANASONIC 201
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: 6Z.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 150 - МГц
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 6М
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
згГт
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивлениелэезистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
202 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) . з|~нГ
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6N. Вывод Функциональное назначение । i i 1П о 6 2 R1 Л/*
1 База
2 Эмиттер 1.б^8:оз _ R2
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic =-5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 22 кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 60
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3[iT
in I
о
?;
ф
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
tlFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 203
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 6Р.
Корпус SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3|il ю о 6 +1 <0 R1
1 1 i
4 _ +0,05 1.6 -0,03 — R2
и основные
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6Q
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -2,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
204 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: EI.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
* _ +О.О5
1.6 -0,03
R1
R2
L
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -О',3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка; EW.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 205
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: EY.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i 10 о 1
ТГ J ' 4Т
п Г 1 , _ +О.О5
1.6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
tc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0.5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: FC
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। 0.05
i S.
|Щ 1 гЩ_
« - +0,05 1.6-0.03 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 6 - 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -1,5 мА -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 2,2 кОм
206 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6В
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0.5 мкА
lebo Обратный ток эмиТтера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6С.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -О.5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - . - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 207
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6D
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Е.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
208 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6F
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГи
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Н.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 209
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 61.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6К.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
« _ +0.05
1.6 -0,03
и основные
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,5 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
210 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: CD.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. Значе- ние Тип. Значе- ние Макс. Значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: СЕ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = —10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 211
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
CF
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
СН.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -10 мА, lb =-0,3 мА -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
212 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: СК.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) 3| i I
- Встроенный резистор. - Маркировка: CL Вывод Функциональное назначение 1 I in о 6 R1
1 База i +i ID
2 Эмиттер i|!| 1 г|!|
3 Коллектор Ч-* *-r- * _ +О.О5 1.6-0,03 _ —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 213
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: CN.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваёмая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: СР
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3|il
I 1 i in о 6 •н ф
1Щ 1 2[Ч_
1 « _ +О.О5 1.6 -0,03
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 'Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
214 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ)
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: DC. Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГТ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: DE
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i 1П О 6 +1 ф
l[!j ' 2[Д_
- _ +О.О5
1.6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 100 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 215
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ)
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: DL. Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
bFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 / МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: DN.
Корпус SC-89 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3li I
1 Ю О
1 I о S.
>Щ ' г[1
, _ +О.О5 1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1.0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
216 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: DU
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: KV.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 217
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: EF.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0.5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ЕК
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер' - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
218 Транзисторы производства PANASONIC
ВЦ
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EN
Корпус SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
« - +0,05
1.6 -0,03
и основные
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕР
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
« +0,05
1.6 -0,03
R1
R2
L
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база -6 В
Ic Ток коллектора - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 6 20
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 2,2 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 219
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8L
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 8А
Корпус SC-89 (EIAJ)
PMCZRES
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,5 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
220 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8Х
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 100 кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Y
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 221
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Z.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8М
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb= 10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
222 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8N.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce= 10 В, lc = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 22 кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 80.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i in о 6 8
iLjj 1 2[!L
« - +O.O5
1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 1,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 223
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) 3| i I
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 8Р. Вывод Функциональное назначение 1 i in о d R1 /1/
1 База i S
2 Эмиттер
3 Коллектор
l-f-i 1 i.»±&8S .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1.0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 8Q
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
и основные
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
224 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EL
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ЕХ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Транзисторы производства PANASONIC 225
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ)
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: EZ Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| i I
1 i i in о 8 ф.
Ё
« _ +О.О5 1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 47 кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: FD
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i 1П о б +1 ф
’Ш 1 2[Ч_
1 . _ +О.О5 1.6 -О.ОЗ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
Ьге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 6 - 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 1,5 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - 2,2 кОм
226 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 8В
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|;|
1 1 • i in о 6 S.
J 1 2Ш_
1 . _ +О.О5 1.6-0,03 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8С
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| i I
1 i i ю о 6 -н ф
’Ш 1 2Ш_
- _ +0,05 1.6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 227
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ)
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 8D. Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i । Ю О i
1 4П_
1 « _ +0.05 1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ 4 Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Е.
Корпус SC-89 (EIAJ)
PHC2RES base
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
228 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8F.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В ,lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Н
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 w Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 229
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 81
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
slil
I i i 10 О 6 +1 ф
1Й ' 2Щ_
« _ +О.О5 1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 8К
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГТ
। i i 1П о ?; ф
«ш 1 2Щ_
1 , _ +0.05 1,6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - ' 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 1,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
230 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: КТ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: FK.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 231
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: FL
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: FN
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
232 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: FP.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: НС
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 233
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: HD.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
‘1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|П
1 1 i Ю О 6 +1 ф
’Щ ' 2Щ_
1 - +О.О5 1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: НЕ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Jceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
234 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: HF
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е-2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) з|; I
- Встроенные рези- Вывод Функциональное I о
сторы. назначение i 6
- Маркировка: НК. 1 База +I I i I Ф
2 Эмиттер 11 ’ I • *14 ” R2
3 Коллектор 4 _ +О.О5
1.6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 235
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: HL.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| 11
1 i i in о S ф
iT J ' 2Щ_
п « _ +0.05 1.6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 100 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: КС
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 • Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
236 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: KD
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = 2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) 3| i I R1 R2
- Встроенные резисто- ры. - Маркировка: KF Вывод Функциональное назначение 1 1 i 1Л О d +i ф
1 База
2 Эмиттер iPj 1 2pJL
3 Коллектор
1 « - +0,05 1,6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 2,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 237
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: КН
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i Ю О 6 Ь!
' 2Й_
1 « _ +0,05 1.6 -0.03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора'Р1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: KL.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
238 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: KZ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: КР.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 125 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 6 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 239
Особенности
- Встроенный резистор.
-Маркировка: 1R.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. Значе- ние Тип. Значе- ние Макс. Значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
-Маркировка: 1Р.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
240 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 3S.
ML3-N2
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
0,1+0,05
з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В. Ic = 0 - - -0,2 мА
Ире Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 1В
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 241
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЗТ.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 2Х
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 . - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
242 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ЗХ.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7- - кОм
з
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ЗУ.
ML3-N2
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2а
6
+1
L о
Г1
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 243
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 4С
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
6
1 -Н
: Ф
L о
2:
0,1±0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - —80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 4D
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. Значе- ние Тип. Значе- ние Макс. Значе- ние' Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - j -6 В
Ic Ток коллектора - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 100 - кОм
244 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 4К
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb--6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -J0 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,47 - -
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 4L
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,22 - -
Транзисторы производства PANASONIC 245
Особенности Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3 — 2q
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 4Р Вывод Функциональное назначение S.
1 База 1 w
2 Эмиттер О,1±О,О5
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток'коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 1,0 - -
Особенности
- Встроенные*рези-
сторы.
- Маркировка: 1S
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СИМВОЛ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база _ - - “6 В
Ic Ток коллектора - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce ° -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic а -5 мА 80 - -
Vce__sat Напряжение насыщения К-Э Ic --10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,047 - -
246 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЗК
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 2 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,1 -
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
-Маркировка: 1D
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 2мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,47 - -
Транзисторы производства PANASONIC 247
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 4Х
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. Значе- ние Тип. Значе- ние Макс. Значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - Т50 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
-Маркировка: 1Т
Корпус ML3-N2
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2^’
6
+1
ф
„ 6
1
О.1±О,О5
з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
248 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 4Y
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 1W.
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3 >0*079*0 ’ <4
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер О,1±О,О5
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 249
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 2Y.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,2 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
-Маркировка: IX
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В .
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
Ic Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
250 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3 2 О 6 +1 ф
- Встроенный резистор. - Маркировка: 1Y. Вывод Функциональное назначение
1 База 1_
2 Эмиттер 0,1±0,05
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
-Маркировка: 1Z
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 251
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 4Z.
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,1 - -
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5С
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2о 6 3 1 °
О,1±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
252 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5К.
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3 2а 6 S 1°'
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер О,1±О,О5
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,47 - -
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5L
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 2,13 - -
Транзисторы производства PANASONIC 253
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 1С
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic 'Ток коллектора - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 1,0 - -
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 2Z
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
O,1±O,O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,047 - -
254 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 2С
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,1 -
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5N
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 0,47 - -
Транзисторы производства PANASONIC 255
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5Р
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo » Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 6 - 20 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R1/R2 Отношение сопротивлений резисторов - - 1,0 - -
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1110.
- Маркировка: AD
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
2,910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ний Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 < кОм
256 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1111.
- Маркировка: 9S.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База Тр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр 1
Оз____ЕК
Ч<1 <4
Ш’
2,910.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) Д5______________|_|ц
- В состав сбор- ки входят два транзистора UN1112. - Маркировка: 7К. Вывод Функциональное назначение Ш’ +0.2 2.8-О.З *-1 1 ! ! । 1-1 R1 U П Tr 2 Tr 1
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр 2 2,910,2 I I
5 Коллектор Тр 1 4 '5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
f? Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 257
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) □з Ц, 31.R2, t 1 2 I 1 R1U U Tr2VV Tr1
- В состав сборки входят два транзи- стора UNI 113. - Маркировка: 7L. Вывод Функциональное назначение й’ Й2Й! 4-0.2 2.8-0.3
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2 2,9±0,2 I I
5 Коллектор Тр. 1 4 5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) □ з Uu — 3 | R2 | 2 11 R1 П /V\ П Tr2 Tr1 I I
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 1114. - Маркировка: 7Q. Вывод Функциональное назначение +0.2 2.8-О.З
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
й1 EW 2,910.2
3 4 База Тр. 2 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр. 1 4 5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротйвление резистора R2 - - 47 - кОм
258 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UNI 115.
- Маркировка: 7М.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UNI 116.
- Маркировка: 7N.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База Тр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база -6 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 259
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1117.
- Маркировка: OL
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) д5 Un "'ф> Tr ™
- В состав сборки входят два транзи- стора1ЛЧ1118. - Маркировка: ОМ Вывод 1 2 3 Функциональное назначение БазаТр 1 Эмиттер База Тр. 2 Ш’ Ш2Й! +0.2 2.8-о.э
4 Коллектор Тр 2 2,910,2 1д '5
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 Б, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,51 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5,1 - кОм
260 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1119.
- Маркировка: 7Р
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр 1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 1 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) 3 I R2 | 2_ 11
- В состав сборки входят два транзи- стора UNI 11F. - Маркировка: 70 Вывод Функциональное назначение +0.2 2,8—0,3 -ср1
1 База Тр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2 Ш’ Ш2№
4 Коллектор Тр 2 2,9±0,2 I4 l5
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 261
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) д5 и. — 3 I R2 I 2 11 'л ' к
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 111Н. - Маркировка: 9Х Вывод Функциональное назначение <Mq 6 О +<i ci
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
Н’ 2,9±0,2
3 4 База Тр. 2 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) 1Л 3 | R2 | 2 . |1
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 111М. - Маркировка: ЕК. Вывод Функциональное назначение 4-0.2 2.8-О.З
1 База Тр. 1
2 Эмиттер Tr2
3 БазаТр 2 Ш’
4 Коллектор Тр 2 2.9±0.2 l4 |5
5 Коллектор Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -5 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
262 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) -□в I—|« |3 | 2 11
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 1210. - Маркировка: АС Вывод Функциональное назначение +0.2 2.8-ОЛ
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2 И’ И2 й! Tr2 I г"1
4 Коллектор Тр 2 2,9±0,2 I . и
5 Коллектор Тр 1 4 5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1211.
- Маркировка: 9Т
Корпус SC-74A (EIAJ)
РИС2 Sbor2 PANAS
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
Р» Ц*»
+0.2 2,8—0,3
Ш' Н2 й?
2,9+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 263
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1212.
- Маркировка: 9К.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo НапряжениЬ коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc= 5 мА 60 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1213.
- Маркировка: 9L.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
264 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) д5 I4. 3 L R2, I 2 Д1 R1 U /СЛ\ /х\ П Тг2 ™
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 1214. - Маркировка: 9Н Вывод 1 2 3 Функциональное назначение БазаТр 1 Эмиттер БазаТр 2 Ш’ й2 ® с!
4 Коллектор Тр 2 2,9±0.2 1 1 1 ।
5 Коллектор Тр 1 4 '5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) П* 1Л —
- В состав сборки входят два транзи- стора UN1215. - Маркировка: 9М Вывод Функциональное назначение И’ Й2Й! ci
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр. 2 2,9±О,2 1 . L
5 Коллектор Тр. 1 4 5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 265
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1216.
- Маркировка: 9N
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр. 1
Да Цц
ч
<ч*
Ш1 Ш2 Ы!
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) Д5 Н“ I3 Г
- В состав сборки входят два транзи- CTopaUN1217. - Маркировка: 9Р. Вывод Функциональное назначение +0.2 2.8-О.З у [J
1 БазаТр 1 | 2^
2 Эмиттер
2 3 База Тр. 2 Ш’ Ш2 Тг2
4 Коллектор Тр 2 2.9±0.2 L l5
5 Коллектор Тр 1 4
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
266 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) д5 1Л 3 L R2, . | 2 1 1 ri П /V\ П Tr2 Tr1
- В состав сборки входят два транзит стора UN 121Е. - Маркировка: AQ Вывод 1 2 3 Функциональное назначение БазаТр 1 Эмиттер БазаТр 2 И’ И2Й! <м*
4 Коллектор Тр 2 2.9Ю.2 I I
5 Коллектор Тр. 1 ‘4 1 5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) □з |-|« : 3 1_| R2, | 2 I 1 ri Tr2 Tr 1
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 121F. - Маркировка: AR Вывод 1 2 3 Функциональное назначение БазаТр 1 Эмиттер БазаТр 2 И’ йгй! +О.2 2.8-ОЛ
4 Коллектор Тр 2 2.910.2 I I
5 Коллектор Тр 1 4 1 5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
f? Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 267
XN0121I
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) п5 1Л 3 1ч R2| 1 । 2 к J 1 R1 П П Tr2 VS/ Tr1
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 121М. - Маркировка: ЕМ Вывод Функциональное назначение Ш’ Ш2 й! +0.2 2.8-0.3
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр. 2 2,910,2 I I
5 Коллектор Тр 1 4 '5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
I1fe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора 2SB709A.
- Маркировка: 5V
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
2,910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,3 -0,5 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц - 2,7 - пФ
268 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора 2SB601A.
- Маркировка: 5R.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр 1
fl»______ЕЕ
И’ И2 Й!
2,9^0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 7 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с=100 мА, 1Ь = 10мА - 0,1 0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 3,5 - пФ
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
2SD1915F.
- Маркировка:
5S.
SC-74A
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр. 1
а LJ&
<мм <4
Ш' йай!
2.9±0.2
5
и основные
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 25 В
Ic Ток коллектора 300 мА
Icp Ток коллектора импульсный 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 4 мА 500 2500 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 30 мА, lb = 3 мА 0,1 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, le = 4 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - - 7 пФ
Транзисторы производства PANASONIC 269
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) пв Uu 3 | 2 1
- В состав сборки входят два транзи- стора 2SC4561. - Маркировка: AN Вывод Функциональное назначение <4
1 БазаТр 1
2 Эмиттер Tr2 Vy Tr1
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2 2,9 i 0,2 L
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 200 - 500 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 1 мА 0,06 0,3 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 5 В, le = 0, f=1 МГц - 1,5 - пФ
: иа а i y’d» s |
Особенности
- Прибор разработан
для работы в схемах
генераторов и смеси-
телей.
В состав сборки
входят два транзи-
стора 2SC3130.
- Маркировка: 9F
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр. 1
2 Эмиттер
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр. 1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 3 В
Ic Ток коллектора - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, 1е = 0 - 1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 4 В, Ic = 5 мА 75 200 400 -
Vcesat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 мА, lb = 4 мА - - 0,5 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 4 В, le = 5 мА - 1,9 2,5 ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 4 В, le = 1 мА, f=1 МГц - 0,45 - пФ
Cob Выходная емкость Vcb = 4 В, le = 0, f=1 МГц - 0,9 1,1 пФ
270 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора 2SD2623.
- Маркировка: 4Z
SC-74A
Вывод Функциональное назначение
1 База Тр. 1
2 Эмиттер
3 База Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
U
смм
й’ йг
2,9±О.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
5
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 12 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 0,1 мкА
bps Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 800 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 20 мА - 0,14 0,4 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 4 В, le = -50 мА - 200 МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 10 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 271
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) Пз 1Л
- Комплементарная пара с общим эмиттером. - В состав сборки входят транзисто- ры: Тг I -2SB709A и Тг 2 - 2SD601 А. - Маркировка: 7S Вывод Функциональное назначение +0.2 2.8-0.3 ° I
1 БазаТр 1
2 Эмиттер
й' вт
3 БазаТр 2
4 Коллектор Тр 2 2.9±0,2 Тг 2 Тг 1
5 Коллектор Тр 1
'4 !5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,3 -0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц - 2,7 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE. Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, lb = 10 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 3,5 - пФ
272 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Комплементарная
пара с общим
эмиттером.
- В состав сборки
входят транзисто-
ры:
Tr 1 - 2SA0719A и
Tr2-2SC1317.
- Маркировка: 2М.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 . Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -150 мА 85 - 340 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -300 мА, lb = -30 мА - -0,35 -0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 6 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc= 150 мА 85 - 340 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 300 мА, lb = 30 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = O,f= 1 МГц - 6 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 273
Особенности
- В состав сборки
входят два транзисто-
ра UN1211.
- Маркировка: 90
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер Тр. 1
2 База
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UN 1212.
- Маркировка: АХ
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер Тр 1
2 База
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 Коллектор Тр. 1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
274 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) П» I4. — |3 12 | 1 J Тг 2 Тг 1 L 4 Ь
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 1216. - Маркировка: ВА Вывод Функциональное назначение см
1 Эмиттер Тр, 1
2 База
й' Й=ЕЁ 2.9±0,2
3 4 Эмиттер Тр 2 Коллектор Тр. 2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,001 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) □s Н 13 2 I 1
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SB0709A. - Маркировка: 7R Вывод Функциональное назначение
+0.2 2,8-0.3
1 Эмиттер Тг1
1 Тг2 Тг 1 I . 4 5
2 База
й1 Й2Й!
3 Эмиттер Тг2
4 Коллектор Тр. 2 2.9±0,2
5 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -100 мА, 1Ь = -10мА - -о.з -0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 2,7 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 275
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) Пв 1Л I3 2 11 x^Lr
- В состав сборки входят два транзи- стора 2SD0601 А. - Маркировка: 5W Вывод Функциональное назначение И' И* Й! qco ОО с!) (Ч
1 Эмиттер Тг1
2 База
3 Эмиттер Тг2
4 Коллектор Тр 2 2,9±0,2 1 Тг2 Тг 1 । 1
5 Коллектор Тр 1 4 О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, lb = 10 мА 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 3,5 - пФ
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) д5 Ии I3 2 I 1
- Прибор разработан для работы в схемах генераторов и смеси- телей. - В состав сборки входят два транзисто- pa 2SC3130. Вывод Функциональное назначение +О.2 2.8-О.З
1 Эмиттер Тг1
2 База
й'
3 Эмиттер Тг2
4 Коллектор Тр. 2 2,9±0,2 1 Tr2 Тг 1 I 1
5 Коллектор Тр 1 4 □
- Маркировка: 91.
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
Ic Ток коллектора - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 259С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 4 В, Ic = 5 мА 75 200 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 мА, lb = 4 мА - - 0,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 4 В, le = 5 мА - 1,9 2,5 ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 4 В, le = 1 мА, f = 1 МГц - 0,45 - пФ
Cob Выходная емкость Vcb = 4 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,9 1,1 пФ
276 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
UN2110.
- Маркировка:
BI
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 База Тр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
Особенности - В состав сбор- ки входят два транзистора UN11I1. - Маркировка: 9U Корпус Вывод SC-74 (EIAJ) Функциональное назначение Пи Qs Це +0.2 2,8-Р.З 14 51 6 I П ХжкТг1 Тг 2UR1 3 R2 2 1
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2 tWtt 2.9±0.2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
l">FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 277
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
UN1112.
- Маркировка:
6R
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) □ц Ив Lie I4 5 1 6 1 П /<х\Гг 1
- В состав сборки входят два тран- зистора UNI 114. - Маркировка: ВК Вывод Функциональное назначение I +0.2 | 2,8—О.З
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2 Ш3 И2 2,9 ±0,2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1 О R2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
278 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) |_|и Шз Иб I4 5 1 6 1 П /х\Тг 1 тг2 [jR1 з 2 1
- В состав сбор- ки входят два транзистора UN1115. - Маркировка: 6Т Вывод Функциональное назначение И3 Н2И1 2,910.2 ?? 00 сч
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1 к/
6 Эмиттер Тр. 1 эические параметры
Предельно допустимые и основные элект|
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
h?E Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Пц Шз Lie 14 5 1 6 1 П /^\Тг 1 тггу^^ П*1 3 2 1
- В состав сборки входят два транзисто- pa UN2116. - Маркировка: 6U Вывод Функциональное назначение I +0.2 | 2.8-0.3
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2 И3 Ш2 01 2,9±0,2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1 rCZ
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 279
Особенности
- В состав сборки
вхбдят два тран-
зистора UN1130.
- Маркировка: OF.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 80 - 280 -
Vce__sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -300 мА, lb = -6 мА - - -0,3 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -300 мА, lb = -6 мА - -0,9 -1,3 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 50 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц - 22 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
UN1210.
- Маркировка:
8Z
Корпус SC-74 (EIAJ
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
2,9*0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
280 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
UN1211.
- Маркировка:
9V
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Пц Шз Lie I4 51 6 I П 1 Тг2 П- 3 7 *1
- В состав сборки входят два транзисто- pa UNI212. - Маркировка: 8R Вывод Функциональное назначение I +0.2 1. 2.8-О.З
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2 2,9±0,2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные элект] эичсские параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 281
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
UN1213.
- Маркировка:
8S
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 База Тр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
f? Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
у |У о.л О *1 /1 / Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Пц ГИз LJg I4 51 6 1 П /"ж\Тг 1 тггТ^-^ HR1 'з — 2 1
- В состав сборки входят два тран- зистора UN 1214. - Маркировка: BR Вывод Функциональное назначение 1 +0.2 1 2,8-Р.З
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2 Ш’йай! 2,9±0,2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1 к/
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
282 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) LL Щ5 I—|б 14 5 1 6 1 П 1 тг2 [JR1
- В состав сборки входят два транзисто- pa UN1215. - Маркировка: 8Т Вывод Функциональное назначение И3Н2Й. 2.9±0.2 +0.2 2.8-0.3
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1 ° R2 z 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vcbo Напряжение эмиттер-база - • - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
Icbo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Особенности - В состав сбор- ки входят два транзистора UN2216. - Маркировка: 8U Корпус Вывод 1 2 3 4 5 6 SC-74 (EIAJ) Функциональное назначение Коллектор Тр 1 БазаТр 2 Эмиттер Тр. 2 Коллектор Тр 2 БазаТр 1 Эмиттер Тр 1 Д* 05 Дб
йз +0.2 2.8-О.З
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 283
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
UN121L.
- Маркировка:
DI
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
284 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два транзи-
стора UN221N.
- Маркировка: FK
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 База Тр 1
6 Эмиттер Тр 1
Пи Ид Де
И3Й2Ш1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 285
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
цифровых схемах.
- В состав сборки
входят транзисто-
ры:
Тг 1 -UN221LH
Тг 2 - UN211L.
- Маркировка: FI
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин значе- ние Тип значе- ние Макс значение Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 20 - - -
Vce__sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
Tr2 -
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 mA, lb = -0,3 mA - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 B, le = 1 mA - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
286 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ци Пэ |—|б 14 5 . 6 । П zrATr 1 тг2 UR1
- Прибор разработан для работы в циф- ровых схемах. - В состав сборки входят транзисторы: Тг 1 -UN1211 и Тг 2 - UNI 111. - Маркировка: 7Х Вывод Функциональное назначение I +0.2 I 2.8—0.3
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2 2.9±0.2 3 1 2 1 1
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
6 Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 mA, lb = -0,3 mA - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 B, le = 1 mA - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 287
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Дэ |—|б .4 5 1 6 I
- Прибор разрабо- Вывод Функциональное NO
тан для работы в назначение 66 + I х—<Тг1
цифровых схемах. 1 Коллектор Тр. 1 СО <ч
- В состав сборки входят транзисто- 2 3 БазаТр 2 Эмиттер Тр 2 Ш3 Тг2 UR1
ры: 4 Коллектор Тр 2 _ 2,910,2 2 1
Тг 1 - UN 1212 и 5 БазаТр 1 R2
11 1 V М 1 4 1 -и П Тг 2 - UNI 112. 6 Эмиттер Тр 1
- Маркировка: 7Т
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
TH
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- рах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 -• - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 22 кОм
T.r2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 mA, lb = -0,3 mA - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 B, le = 1 mA - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
288 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Прибор раз-
работан для
работы в циф-
ровых схемах.
- В состав
сборки входят
транзисторы:
Тг 1 -UN1214
и Тг 2 -
UN1I14.
- Маркировка:
СА
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
По Дз Дё
шт
2.910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
TH
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- рах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,2 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 47 кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 289
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ)
- Прибор разра- Вывод Функциональное
ботан для рабо- назначение
ты в цифровых 1 Коллектор Тр. 1
схемах. 2 База Тр. 2
- В состав сбор- 3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
ки входят тран- 'ШСТППКГ 5 БазаТр. 1
OrlV I VLJD1* Tr 1-UN1215H 6 Эмиттер Тр. 1
Tr2-UN1115.
- Маркировка:
СВ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- рах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 10 - кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
290 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Д* Де Це 14 5 | 6 I /хГх П Z^jr\Tr 1 тггЧ^-' [JR1
- Прибор разработан для работы в цифровых схемах. - В состав сборки вхо- дят транзисторы: Тг 1 - ЦМ1216иТг2- UN1116. - Маркировка: 7U. Вывод Функциональное назначение +0.2 1 2.В-0.3
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 2
Ш3Й2Й!
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2 2.910.2 *3 2 1
5 БазаТр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
TH
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- рах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 - кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 mA, lb = -0,3 mA - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 B, le = 1 mA - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 291
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ди Дэ Де I4 5| 6 I Х-х. П /жкТг 1 Тг 2U R1
- Прибор разработан для работы в цифровых схемах. - В состав сборки вхо- дят транзисторы: Тг 1 - UN2221 иТг2- UN2121. - Маркировка: ЕВ. Вывод Функциональное назначение 25 «
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2 2.9±О,2 'г 1
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- че- ние Тип. значе- ние Макс, зна- че- ние Еди ни- цы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
- Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 5,0 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 100 мА 40 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -2мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 2,2 кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -5,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -100 мА 40 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 2,2 - кОм
292 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Прибор разра-
ботан для рабо-
ты в цифровых
схемах.
- В состав сбор-
ки входят тран-
зисторы: Tr 1 -
Ш2222иТг2-
UN2122.
- Маркировка:
7V.
SC-74
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр. 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
2.910,2
Ч<1
oi
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - 1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, 1с=100 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 4,7 кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -100мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е= 1 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 293
Особенности
- Прибор разработан для
работы в цифровых
схемах.
- В состав сборки вхо-
дят транзисторы: Tr 1 -
UN2213 иТг2-
UN2122.
- Маркировка: CW.
SC-74
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
2,9 ±0.2
S3
+eb
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - 0,1 мА
hre Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 47 кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - -1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, lc = -100 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 mA, lb = -0,3 mA - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 B, le = 1 mA - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 4,7 - кОм
294 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) СЪ Ив I4 5| 6 1 П Z^jr\Tr1 Тг2 [jR1
- Прибор разра- ботан для рабо- ты в цифровых схемах. - В состав сбор- к и входят тран- зисторы: Тг 1 - UN2213 иТг2- UN2121. Вывод 1 2 3 Функциональное назначение Коллектор Тр. 1 БазаТр 2 Эмиттер Тр. 2 И3Н2Й1 Nn сч
4 Коллектор Тр 2 2,910,2 3 R2 2 1
5 6 БазаТр 1 Эмиттер Тр 1
- Маркировка:
HL
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
ТН
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 5b В, lb=.O - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера- Veb = 6B, 1с=.Ь - - 0,1 МА_
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, 1с = 5 МА 80 - - - .
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 16 МА, lb = 0,3 МА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, 1е = -2мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 кОм.
R2 Сопротивление резистора R2 47 _ КОМ-
Tr2 _
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - . .-50... в..
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - ...-50— В—
Vebo. Напряжение эмиттер-база - - - -6 в
Ic Ток коллектора - - - ЛЙ0_. —МА..
Icbo Обрётйн1й.то1Скаллектора Vce = -50 В; ib = 0 - - .JWL.
Lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6Bjc = 0 - -5.0 МА
h₽e коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -tQjJc = -100 МА 40 - -
Vce. sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, ib = -0x3 мА - - —В-_
fT Произведение коэффициента усиления На ширину полосы пропускания Vcb = -10 BJe= 1 MA - 200 - МГц
Ri Сопротивление резистора R1 - = -КОм _
R2 . Сопротивление резистора R2 = » _2,2... - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 295
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для работы в
цифровых схемах.
- В состав сборки
входят транзисто-
ры: Tr 1 - UN212X
HTr2-UN2223.
- Маркировка: DY.
SC-74
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
Д* 05 Дб
ЧП ’3
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
ТН
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая - Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В. lb = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В. 1с=100 мА 60 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 10 кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -100 мА 20 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 200 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 0,27 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 5 - кОм
296 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) И» Це I4 51 6 1 /<2\Гг 1 Тг
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SB709A. - Маркировка: 5К Вывод 1 2 3 Функциональное назначение Коллектор Тр. 1 База Тр. 2 Эмиттер Тр. 2 Ш3 Н2 22
4 Коллектор Тр. 2 2,9±0.2 3 2 1
5 6 База Тр. 1 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,3 -0,5 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 2,7 - пФ
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) □ , Й5 Дб I4 51 6 1 1 Тг2
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SB710. - Маркировка: ОН Вывод 1 2 3 Функциональное назначение Коллектор Тр. 1 База Тр. 2 Эмиттер Тр. 2 Й3Й2Й1 ЧП <4
4 Коллектор Тр. 2 2.9±0,2 3 2 11
5 6 База Тр. 1 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -150мА 85 - 340 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -300 мА, lb = -30 мА - -0,35 -0,6 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -300 мА, lb = -30 мА - -1,1 -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 6 15 пФ
Транзисторы производства PANASONIC 297
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) До Де Цб — I4 5| 6 I 1 Тг 2 *3 2 1
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SB0970. - Маркировка: CV Вывод Функциональное назначение 22 <4
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
шзШ2Н1 2.9±0.2
3 4 Эмиттер Тр. 2 Коллектор Тр. 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1 рические параметры
Предельно допустимые и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 100 350 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -400 мА, lb = -8 мА -0,16 -0,3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -400 мА, lb = -8 мА - -0,8 -1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = -50 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B, le = 0,f=1 МГц - 22 - пФ
298 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Д* Дэ Дб I4 5| 6 I Хж\Тг 1 Тг 2
- В состав сборки входят транзисто- ры: Тг 1 - 2SB709A и Тг 2 - 2SB0970. - Маркировка: ES. В£|вод Функциональное назначение И3' й2 d 3S +cb
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2 2,9±0.2 3 2 1
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic =-2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, Ib = -10 мА - -0,3 -0,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц 2,7 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -7 В
Ic Ток коллектора -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 -100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 100 - 350 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -400 мА, Ib = -8 мА - -0,16 -о.з В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -400 мА, Ib = -8 мА - -0,8 -1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le =-50 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = O,f= 1 МГц - 22 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 299
Особенности
- В состав сборки
входят транзисто-
ры: Tr 1 -
2SB709A и Тг 2 -
2SB710.
- Маркировка: ON.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
0s
+0.2 2.8-03
Н1 й2 а 2.9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,3 -0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 2,7 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -150 мА 85 - .340 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -300 мА, lb = -30 мА - -0,35 -0,6 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -300 мА, lb = -30 мА - -1,1 -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 6 15 пФ
300 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ди Дэ Дб 14 51 6 1 z^<\Tr 1 Tr 2
- В состав сборки входят два тран- зистора 2SD0601A. - Маркировка: 5Н. Вывод Функциональное назначение +0.2 1 2,8-0,3
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
И’И’й:
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2 2.910.2 3 2 1
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, lb = 10 мА - 0,3 0,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = O,f = 1 МГц 1 - 2,7 - пФ
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ди Де Дб I4 51 6 1 7^\ГГ 1 Тг 2
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SD0602A. - Маркировка: 5Q Вывод Функциональное назначение Й3Й2Й! см*
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2 2.910,2 3 2 1
5 БазаТр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, 1с=150мА 85 - 340 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 300 мА, lb = 30 мА - 0,35 0,6 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 300 мА, lb = 30 мА - 1,1 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 6 15 пФ
Транзисторы производства PANASONIC 301
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора 2SD813.
- Маркировка: 5Y
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр. 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение'эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 65 350 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 20 мА - 0,2 0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 50 мА - - 1,2 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц - 6 - пФ
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) □и Из Ue I4 5I 6 I Тг 1 Тг2
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SD1328. - Маркировка: 5Х Вывод Функциональное назначение +0.2 | 2.8-О.З
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2 2.9±0,2 3 2 1 1
5 БазаТр. 1
6 Эмиттер Тр 1 рические параметры
Предельно допустимые и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 12 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 20 мА - 0,13 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 50 мА - - 1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 10 - пФ
302 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ди 0S Це —: I4 51 6 1 zxvkTr 1 Тг 2 3 2 1
- В состав сбор- ки входят тран- зисторы: Тг 1 -2SD0601AH Tr2-2SD1328. - Маркировка: . DZ Вывод Функциональное назначение 22
1 Коллектор Тр. 1
2 База Тр. 2
Ш3 Ш2 Д1 2.910,2
3 4 Эмиттер Тр. 2 Коллектор Тр. 2
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр 1 рические параметры
Предельно допустимые и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, Ib = 10 мА - 0,3 0,5 В
fi- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10В, le = O,f = 1 МГц - 2,7 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 12 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 100 нА
Ь₽Е Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, Ib = 20 мА - 0,13 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, Ib = 50 мА - - 1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 10 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 303
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора 2SD1915.
- Маркировка: EN
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр 2
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
2.9А0.2
oi
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 25 В
Ic Ток коллектора - - 300 мА
Icp Ток коллектора импульсный 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, le = 0 - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 4 мА 500 - 2500 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, le = -4 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - - 7 пФ
Особенности
- В состав сборки
входят два транзисто-
ра 2SC4561.
- Маркировка: АО
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, Ic = 2 мА 200 - 500 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 1 мА - 0,06 0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = 2 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц - 1,5 - пФ
304 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Малый уровень
напряжения шу-
мов.
- В состав сборки
входят два тран-
зистора 2SD1149.
- Маркировка: ЕР.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр 1
III
Д* 05 Де
22 ы
Й3Й2Й1 2.9±0.2 —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
Ic Ток коллектора - - - 20 мА
Icp Ток коллектора импульсный 0,05 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 100 нА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 400 - 2000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 1 мА - 0,05 0,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, le = -4 мА - 150 - МГц
Транзисторы производства PANASONIC 305
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Пэ Пб .4 5. 6 . ZGrXTr 1 Тг2
- Комплементар- ная пара транзи- сторов. - В состав сборки входят транзисто- ры: Тг 1 - 2SD601AnTr2- 2SB709A. Вывод Функциональное назначение +0.2 | 2.8-О.З
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 2
Ш3Ш2Й1
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2 2.9±0.2 Hi 2 ' 1
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
- Маркировка: 5С.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - 100 нА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, Ib = 10 мА - 0,3 0,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = O,f = 1 МГц 3,5 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, Ib = -10 мА - -0,1 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 2,7 - пФ
306 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Комплементарная
пара транзисторов.
- В состав сборки
входят транзисторы:
Tr 1 - 2SD602A и
Tr2-2SB710A.
- Маркировка: 4А.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 Коллектор Тр. 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
Д« Де Де
+0.2 2.8-0.3
2.910.2 —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
I1FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, 1с=150 мА 85 - 340 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 300 мА, lb = 30 мА - 0,35 0,6 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - 6 15 пФ
s Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, 1с = -150 мА 85 - 340 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -300 мА, lb = -30 мА -0,35 -0,6 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 300 мА, lb = 30 мА - 1,1 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = O,f= 1 МГц - 6 15 пФ
Транзисторы производства PANASONIC 307
Особенности
- В состав сборки
входят транзисто-
ры: Tr 1 -
2SD1328 nTr2-
2SB0970.
- Маркировка: 51
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 12 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 800 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 20 мА - 0,13 0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 50 мА - - 1,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 10 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 100 - 350 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -400 мА, lb = -8 мА - -0,16 -о.з В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -400 мА, lb = -8 мА - -0,8 -1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -50 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B, le = 0,f=1 МГц - 22 - пФ
308 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сбор-
ки входят тран-
зисторы:
Тг 1-2SD601A
иТг2-
2SB0970.
- Маркировка:
5Е
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с=100 мА, 1Ь = 10мА - 0,3 0,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 3,5 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный -1 А
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 100 350
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -400 мА, Ib = -8 мА - -0,16 -0,3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -400 мА, Ib = -8 мА -0,8 -1,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le =-50 мА - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 22 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 309
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) LZL Ш3 Lie I4 5| 6 I ! /кгх I /Сг’хг 1 ' \ 14—। ) Тг2 '''''И Т *2 ' 1
- В состав сборки входят транзисторы: Тг 1 -2SD1328, для выходных каскадов усилителей низкой частоты и Тг 2 - 2SB709A, общего применения. - Маркировка: 5F Предельно допустимые Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 База Тр. 2
2.9±0.2
3 4 Эмиттер Тр. 2 Коллектор Тр. 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 12 В
Ic Ток коллектора - - 500 мА
Icp Ток коллектора импульсный 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 25 В, le = 0 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 20 мА - 0,13 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 50 мА - - 1,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 10 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный т200 мА
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = -10 мА - -0,1 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le=1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0,f=1 МГц - 2,7 - пФ
310 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят транзисторы:
Tr 1 - 2SC2404,
малошумящий для
работы в радиочас-
тотных схемах и Тг
2 - 2SB709A, обще-
го применения.
- Маркировка: ER.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 6 В, Ic = 1 мА 40 - 200 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 6 В, le = -1 мА - 650 - МГц
NF Коэффициент шума Vcb = 6 В, le = 1 мА, f=0,1 ГГц - 3,3 - ДБ
PG Коэффициент усиления по мощности Vcb = 6 В, le = 1 мА, f = 0,1 ГГц - 24 - ДБ
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - - 1 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 2,7 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 311
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы:
Тг 1 -
2SD6O1AhTt
2-UNR511Q.
- Маркировка:
IZ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ , Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, lc = 2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, Ib = 10 мА - 0,3 0,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le =-2 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 3,5 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - 2,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 20 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, Ib = -0,3 мА - -0,25 В
R1 Сопротивление резистора R1 - 4,7 кОм
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = -2 мА - 100 - МГц
312 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) 0S Ив I4 51 8 1 Тг 2 ХхК Тг?! 3 2 1
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SD0601A. - Маркировка: 5L Вывод Функциональное назначение I +0.2 1 2.8-О.З
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 2
Ш1 Нг а 2.9±0,2
3 4 Коллектор Тр 2 БазаТр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1 рические параметры
Предельно допустимые и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди-, ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 в ।
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 в
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 в
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 100 мА, 1Ь=10мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - 3,5 - пФ
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Дц Ш5 Lie I4 51 6 I Тг 2 ZSr\ 3 2 1
- Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, гене- раторов и смесите- лей. - В состав сборки Вывод Функциональное назначение
+0.2 2,8-Р.З
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 2
2.9±0,2
3 4 Коллектор Тр 2 БазаТр 2
5 База Тр. 1
6 Эмиттер Тр. 1
стора 2SC3130. - Маркировка: 5М Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С / - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 4 В, Ic = 5 мА 75 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 мА, lb = 4 мА - 0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 4 В, le = 5 мА - 1,9 2,5 ГГц
Cre Проходная емкость Vcb = 4 В, le = 1 мА, f= 1 МГц - 0,45 - пФ
Cob Выходная емкость Vcb = 4 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,9 1,1 пФ
Транзисторы производства PANASONIC 313
Особенности
- Прибор разрабо-
тан для использо-
вания в схемах
усиления НЧ-
сигналов.
- В состав сборки
входят два тран-
зистора 2SD1149.
- Маркировка: 4U
Предельно допуск
SC-74
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 2
3 Коллектор Тр. 2
4 БазаТр 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр. 1
и основные
Символ Параметр Условия Мин. зна- че- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние ЕДИ ни- цы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
Ic Ток коллектора - - - 20 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 400 - 2000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, Ib = 1 мА - 0,05 0,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е = -1 мА - 150 - МГц
NV Напряжение шумов Vce =10 В, 1с=1 мА 80 мВ
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, 1е = 0, f = 1 МГц - 3,5 - пФ
314 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) I—I** Bs I—|в 14 51 8 Тг 2 S ТИ|—
- Комплементарная пара транзисторов. - В состав сборки входят транзисторы: Тг 1 - 2SB709A и Tr2-2SD601A. - Маркировка: 4N Вывод Функциональное назначение +0.2 2.8-0.3
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 Коллектор Тр 2 2.9±0.2 3 2
5 БазаТр 1
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Icbo Обратный ток коллектора 4 Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,1 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е=1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц - 2,7 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 в
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 ВТ
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 100 мА, lb = 10 мА - 0,3 0,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -2 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - 3,5 - пФ
Транзисторы производства PANASONIC 315
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ди Дз Дб I4 5 1 6 1 П 3—1R2 Т Тг2\\/ И у Н Ri —Т
- В состав сбор- ки входят два транзистора UN1111. - Маркировка: 6Z Вывод Функциональное назначение NW <ч
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 1
them
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2 2.910,2 ’з 2 1 '
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, Ib = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,5 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 35 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, Ib = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UN 1112.
- Маркировка: 6V
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр. 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
2,910.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vcbo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, Ib = 0 - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,2 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 60 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, Ib = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
316 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Ди Дб Дб I4 5 1 6 1 п Гз-1 * Т /р'х ™ /к\ Тг2ЧХ_/ П \К/
- В состав сборки входят два тран- зистора UN1113. - Маркировка: 6W Вывод Функциональное назначение ci
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
Й3Ш2 >
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2 2.9±0.2 *3 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,1 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UN 1114.
- Маркировка: СК
Корпус SC-74 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - -0,2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb'= -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 317
XN06115 ( Особенности V “4 *4 С % Корпус SC-74 (EIAJ) Ди 0S Дб И I4 51 6 I U Тг1 /£Х\ Тг2 \\/ П 4J R1 I I
- В состав сбор- ки входят два транзистора UN1115. - Маркировка: 6Х Вывод Функциональное назначение <чг> 0*6 +со
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
Q’ И2 2.910.2
3 4 Коллектор Тр. 2 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2 3 2 1
6 Эмиттер Тр 1 рические параметры
Предельно допустимые и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - -0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
XN06116 (XN6116)
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UNI 116.
- Маркировка: 6Y
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 База Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = -50 В, lb = 0 - - -0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 - - -0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА - - -0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le= 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
318 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы:
Тг 1 -UN211F
иТг2-
2UN211H.
- Маркировка:
4S.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - —Q В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
hrs Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, Ib = -0,3 мА - - -0,25 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 - - -100 нА
hpF Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -5 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -10 мА, Ib = -0,3 мА - - -0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = 1,0 мА - 80 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 2,2 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 319
(XN
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UN 2211.
- Маркировка: 7Z
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр. 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 10 - кОм
Особенности Корпус SC-74 (E1AJ) Пэ Цб I 4 5 I 6 I П Т—I R2 U тг 1 /ZXA 1г 2 Г] LI R1 ^~д
- В состав сборки входя т два i ран- знсюра UN 12 i 2 - Маркировка SV Вывод Функциональное назначение I +О.2 L 2.8-ОД
1 __Коллектор Тр 1 _
2 База Тр 1
& tt
3 Коллектор Гр 2
4 База Л р 2 2.9W.2 L ' о и
5 Эмиттер Тр 2 3 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах, общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 60 - - -
Vce__sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 22 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 22 - кОм
320 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UM2213.
- Маркировка: 8W
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 ' Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Д*> Дз Де
йзИгй:
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, Ib = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, Ib = 0,3 мА - - 0,25 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 47 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Оц LJs Lie И 51 61 П 1R2 Т ™ /рХ\ Tr2 И Y U Ri —Y
- В состав сборки входят два тран- зистора UN2214. - Маркировка: АА Вывод Функциональное назначение й3йг№ смм ч ci
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2 2.9±0,2 i. T i—i
5 Эмиттер Тр. 2 3 2
6 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустим ые и основные электро веские параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, Ib = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,2 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 80 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, Ib = 0,3 мА - - 0,25 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
R2 Сопротивление резистора R2 - - 47 - кОм
Транзисторы производства PANASONIC 321
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UN2215.
- Маркировка: 8Х
SC-74
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
£
<мг> оо +с!> см
2.9±0.2
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 10 - кОм
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора UN2216.
- Маркировка: 8Y
SC-74
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр. 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Ди Дв |—|е
ЙИ см
ttj’Wlit
2,9±0,2
и основные
Предельно
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 300 мВт
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 50 В, lb = 0 - - 0,5 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,01 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 5 мА 160 - 460 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА - - 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
R1 Сопротивление резистора R1 - - 4,7 - кОм
322 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Д*» Д» Це 4 5. 6 । /W1
- В состав сбор- ки входят два транзистора 2SB709A. - Маркировка: 50 Вывод Функциональное назначение I +0.2 | 2.8-О.З
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 1
Й3П2 2,9±0,2
3 4 Коллектор Тр. 2 БазаТр 2 Тг 2 1 3 2 11
5 Эмиттер Тр. 2
6 Эмиттер Тр. 1 рические параметры
Предельно допустимые и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Icp Ток коллектора импульсный -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -100 мА, 1Ь = -10мА - -0,3 -0,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, 1е = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц - 2,7 - пФ
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) Дц Иб Иб 4 51 6 1 /<*4Tr 1
- В состав сборки входят два гран- зистора 2SA1022. - Маркировка* 7W Вывод -Функциональное назначение
+0.2 L Z.8-O.3
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1 Тг 2
И3 й2
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр 2 2.9+O.2 1 1 3 *2 1
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры^
Символ Параметр Условия значе- ние _ 1 ИИ. зна- чение- IVIdKU. значе- ние -30 Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -10 В, le = 0 - - -100 мкА
lebo Обратный ток коллектора Veb = -5 В, le = 0 - - -10 мкА
I"Ife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -1 мА 50 - 220 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -100 мА, 1Ь = -10мА - -0,1 - В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА 150 - - МГц
Cre Проходная емкость Vce = -10 В, le = 1 мА f= 10,7 МГц - 1,2 - пФ
NF Коэффициент шума Vcb = -10 В, le = 1 мА, (=5МГц - 2,8 - ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 323
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора 2SD601 А.
- Маркировка: 5N.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр. 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 160 - 460 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, lb = 10 мА - 0,3 0,5 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -1 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц - 3,5 - пФ
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) CL U ,4 5 . 6
- В состав сборки входят два тран- зистора 2SC31 К). - Маркировка. 7Н Вывод Функциональное назначение - tfS
+О 2 2,8-0.3
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр 1
И3П201 т, 2
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр 2 2,91.0.2
1 г
5 Эмиттер Тр 2 3 ?
6 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2,5 В
Ic Ток коллектора - - - 30 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =10 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток коллектора Veb = 2 В, le = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =10 В, 1с=10мА 40 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - 0,1 - В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -10 В, le = 1 мА - 4,5 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц - - 1,2 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 10 В, Ic = 5 мА, f= 800 МГц - 1,3 - ДБ
PG Коэффициент усиления по мощности Vce = 10 В, Ic = 20 мА, f = 800 МГц - 14 - ДБ
324 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-74 (EIAJ) □, □» LU
- В состав сборки входят транзисторы: Тг 1 - 2SC2480 (вы- сокочастотный для использования в схеме генератора) и Тг 2 - 2SC4444 (среднечастотный, Вывод Функциональное назначение И3И2Й! +0.2 2.8-0.3
1 Коллектор Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2 2.910.2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр. 1
для работы в усили-
тельном каскаде).
- Маркировка: 5Z
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,3 Вт
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена) Ic = -1 мА - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен) le = -10 мкА - - 3 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 2 мА 25 - 250 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6 мА, lb = 1 мА - 0,1 - В
Vbe Напряжение Б-Э Vce = 10 В, 1с= 1 мА - 0,7 - в
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb =10 В, 1е=15мА - 1300 - МГц
Pg Коэффициент усиления по мощности Vcb = 10 В, le = 1 мА, f = 100 МГц - 20 - ДБ
Cre Проходная емкость Vce = 6 В, Ic = 0, f = 1 МГц - 0,8 - пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 45 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 35 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 4 В
Ic Ток коллектора . - - - 50 мА
Vcbo Напряжение коллектор-база (эмиттер не подключен) Ic = 10 мкА, le = 0 - - 45 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (база не подключена) 1с=1,0 мА,1Ь = 0 - - 35 В
Vebo Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен) Ic = 0, le = 10 мкА - - 4 В
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 10 мА 20 50 100 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 мА, lb = 2 мА - - 0,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = 10 В, le = -10 мА - 500 - МГц
Cre Проходная емкость Vcb = 10 В, 1е = -1 мА, f=10,7 МГц - - 1,5 пФ
Транзисторы производства PANASONIC 325
Особенности
- В состав сборки
входят два тран-
зистора 2SC3904.
- Маркировка: 9Y.
Корпус SC-74 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 База Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 Эмиттер Тр 1
Дд Из Це
Nn об +«|) см*
Й3Й2И1
2.910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2,0 В
Ic Ток коллектора - - 65 мА
Icp Ток коллектора импульсный 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторах общая Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 10 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток коллектора Veb = 1 В, le = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 8 В, Ic = 20 мА 50 120 300 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - 0,1 - В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vcb = -8 В, le = 20 мА - 8,5 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц - - 1.0 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 8 В, Ic = 7 мА, f= 1500 МГц - 1,3 - ДБ
PG Коэффициент усиления по мощности Vce = 8 В, Ic = 20 мА, f= 800 МГц - 10 - ДБ
326 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Большое значение тока
коллектора.
- Маркировка: YT
Корпус SSFP (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3,4 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 0,8 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 1,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 B,lc = 0 - - 0,1 мкА
Ь₽Е Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 50 мА 300 - 800 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 50 мА - 440 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,4 A, lb = 20 мА - 110 250 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э |С = 0,4 A, Ib = 20 мА - 0,9 1,2 В
Особен! - Малое - Высока НИЯ. - Марки] iocth Корпус SC-62 (EIAJ) 4,5±0,1
напряжение насыщения. вывод фУнкииональное 1я скорость переключе- назначение —[ -w—vZ-n-
1 База
. v 2 Коллектор
ровка. АХ. з Эмиттер
ШЗ 1 1 12 lill
предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна-' чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
Ib Ток базы - - - -0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1.3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА Vce = -2 В, Ic = -1,5 А 200 65 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 440 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B, f=1 МГц - 17 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5A, Ib = -75 мА - -0,2 -0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, Ib = -75 mA - -0,95 -1,2 В
Транзисторы производства SANYO 327
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Высокая скорость переключения.
- Комплементарная пара с
2SC5964.
- Маркировка: AY.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
•3 Эмиттер
4,5±О,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
lb Ток базы - - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, 1с = -100 мА 200 - 560 -
Jt Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 24 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1,0 А„ lb = -50 мА - -0,125 -0,23 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 18 нс
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
- Высокая скорость
переключения.
- Маркировка: А2126.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
lb Ток базы - - - -0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 24 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,0 А„ lb =-50 мА - -0,125 -0,23 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 18 НС
328 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Высокая скорость переклю-
чения.
- Маркировка: AZ.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия, Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - —4 А
lb Ток базы - - - -0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 16 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = —1,0 А„ lb = -50 мА - -0,2 -0,4 В
Ton Время нарастания - - - 3 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
Особенности Корпус SC-63 (EIAJ) 6,5±0.2 <ч $?
- Малое напряжение насыщения. Вывод Функциональное in
- Высокая скорость переключе- НИЯ. - Комплементарная пара с 2SC6017. назначение Г • 1
1 База CV
2 Коллектор 1 1 1 1 1 1 6 +1 <1 ю
3 Эмиттер
Корпус Коллектор 1 2 3
- Маркировка: А2169.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -10 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -13 А
lb Ток базы - - - -2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -10 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -1000 мА 200 - 560 -
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -1 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 90 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5,0 A, lb = -250 мА - -0,29 -0,58 В
Ton Время нарастания - - - 70 нс
Tf Время спада - - - 60 нс
Транзисторы производства SANYO 329
Особенности
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Высокая скорость переклю-
чения.
- Маркировка: А2192.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -8 В
Ic Ток коллектора - - - -10 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -13 А
lb Ток базы - - - -2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = —4 В, Ic = 0 - -10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-2 В, Ic = -1000 мА ' 200 - 560 -
fl Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -1 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 90 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5,0 A, lb = -250 мА - -0,29 -0,58 В
Ton Время нарастания - - - 70 нс
Tf Время спада - - - 60 НС
Особенности
- Малое напряжение насы-
щения.
- Высокая скорость пере-
ключения.
- Маркировка: А2204.
SC-63
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
6.5±0.2_ 5?
Г - 1
1 1 1 1 сч
1 1 1 1 s’ 1Л
1 1 1 2 3 tri
rig
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - —4 А
lb Ток базы - - -0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -70 В, le = 0 - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -100 мА 200 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -0,5А - 350 МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -1,0 А, 1Ь = -100 мА - -0,1 -0,2 В
Ton Время нарастания - - 40 нс
Tf Время спада - - - 28 НС
330 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Высокая скорость переклю-
чения.
- Маркировка: А2205.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
Ib Ток базы - - - -0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -80 В, Le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -100 мА 200 - 400 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -0,5A - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1,0 А, 1Ь = -100 мА - -0,12 -0,24 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
Особенности
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Большой ток коллектора.
- Маркировка: А2207.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -13 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -15 А
Ib Ток базы - - - -2,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллек- торе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -10 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -270 мА 200 - 500 -
fr Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic =-0,7 А - 110 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 100 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -6,0 A, Ib = -300 мА - -0,25 -0,5 В
Ton Время нарастания - - - 80 нс
Tf Время спада - - - 43 НС
Транзисторы производства SANYO 331
Особенности
- Малое напряжение насы-
щения.
- Большой ток коллектора.
- Маркировка: А2209.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -15 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -20 А
lb Ток базы - - -3,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -10 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -330 мА 200 - 500 -
fy Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic =-0,7 А - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 140 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -7,5 A, lb = -375 мА - -0,25 -0,5 В
Ton Время нарастания - - - 80 нс
Tf Время спада - - - 43 НС
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с
2SD1618.
- Маркировка: ВА + буква, соот-
ветствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вы- вод Функциональ- ное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
4.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -50 мА 140 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic =-50 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 13 пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,5 мА - -15 -35 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -100 мА, lb = -10 мА - -0,8 -1,2 В
ВА S Т и
Ьре 140 . 280 200 400 280... 560
332 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Комплементарная пара с
2SD1619.
- Маркировка: ВВ + буква, со-
ответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le =Ю - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -50 мА 100 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -50 мА - 180 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 B,f= 1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -500 мА, lb = -0,5 мА - -150 -700 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -500 мА, lb = -10 мА - -0,85 -1,2 В
ВА R S Т и
Ьре 100 200 140 280 200 400 280 . 560
д
Особенности Корпус SC-63 (EIAJ) 6.5±0.2 ??
- Малое напряжение насыще- Вывод Функциональное in
ния. - Комплементарная пара с 2SD1801. - Маркировка: В1201 + буква, назначение Г 4 1
1 База <м
2 Коллектор 1 1 1 1 1 1 3 а in
3 Эмиттер
Корпус Коллектор 1 2 3
соответствующая значениям hpE-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - —4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-2 В, 1с = -100 мА Vce =-2 В, 1с = -1,5А 100 40 560 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 22 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1 A, lb = -50 мА - -0,3 -0,7 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -1 A, lb = -50 мА - -0,9 -1,2 В
В1201 R S Т и
hFE 100 200 140 280 200 400 280 560
Транзисторы производства SANYO 333
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с
2SD1802.
- Маркировка: В1202 + буква,
соответствующая значениям hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 > Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, зна- чение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - -1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме Vce = -2 В, Ic = -100 мА 100 - 560 -
ОЭ Vce = -2 В, Ic = -3 А 35 - - -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 39 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э |С = -1 a, Ib = -50 мА -0,35 -0,7 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -1 A, Ib = -50 мА - -0,94 -1,2 В
В1202 R S Т и
Ьре 100 200 140 280 200 ..400 280. 560
Особенности Корпус SC-63 (EIAJ) № П К > ) 4-0,2 -0.1 7^)
- Малое напряжение насыщения. - Комплементарная пара с 2SD18O3. - Маркировка: В1203 + буква, соответствующая значениям hFE Вывод Функциональное назначение ю
г» 7
1 База
1 1 1 1 t 1 1 1 см in
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор 1 2 3
Предельно допустимые и основные элект[ шческие параметры —е -CEEZ 2.0 MIN
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс. ,значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА Vce = -2 В, Ic = -4 А 70 35 400
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -1 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 60 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -3 А, 1Ь = -150 мА - -0,28 -0,55 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = —3 А, 1Ь = -150 мА - -0,95 -1,3 В
B1203 R S Т
hpE 100 200 140 280 200 400
334 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Комплементарная пара с
2SD1804.
- Маркировка: В1204 + буква,
соответствующая значениям hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
6.5±0.2_ ?? ю
“1
Г « т
I I <ч
1 1 о
1 1 Ж
1 _ 1 in
гШ1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значе- ние Едини- цы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - —8 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -12 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА Vce = -2 В, Ic = -6 А 70 35 - 400
fT Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -1 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 B,f = 1 МГц - 95 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -4 A, lb = -200 mA - -0,25 -0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э |C = -4 A, lb = -200 mA - -0,95 -1,3 В
В1204 R S Т
hFE 100 200 140 280 200 .400
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с
2SD1815.
- Маркировка: В1215 + буква,
соответствующая значениям hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -100 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -500 мА Vce = -5 В, lc = -2A 70 40 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -0,5 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц 40 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -1,5 А, 1Ь = -150 мА - -0,2 -0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = -1,5 А, 1Ь = -150 мА - -0,9 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 100 нс
Tf Время спада - - - 50 НС
В1215 R S Т
hFE 100 .200 140 280 200 .400
Транзисторы производства SANYO 335
Особенности Корпус SC-63 (E1AJ) 6,5±0.2 ??
- Малое напряжение насыщения. Вывод Функциональное 1П
- Комплементарная пара с 2SD1816. - Маркировка: В1216 + буква, соответствующая значениям hFE назначение Г < 1
1 База см
2 Коллектор 1 1 1 1 1 _ 1 о +1 in <л
3 Эмиттер
Корпус Коллектор 1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - —4 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -100 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -500 мА Vce = -5 В, lc = -2A 70 40 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -0,5А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 65 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -2 A, Ib = -200 мА - -0,2 -0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -2 A, Ib = -200 мА - -0,9 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 100 нс
Tf Время спада - - - 50 НС
В1216 R S Т
hFE 100 200 140 280 200 .400
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с 2SD2720.
- Маркировка: В1739.
Корпус SC-63 (EIAJ) ??
Вывод Функциональное назначение Г > -] in
1 База
1 1 1 1 1 <4 о
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор 1 2 3
И 1 3f
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин зна- чение Тип значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллек- торе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме Vce = -2 В, Ic = -500 мА 70 - - -
ОЭ Vce = -2 В, 1с = -2А 50 - - -
It Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, 1с = -0,5 А - 100 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 55 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -2 А, 1Ь = -100 мА - -0,28 -0,6 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-2 А, 1Ь = -100 мА - - -1,5 В
VF Падение напряжения на прямосме- щенном диоде lF = 0,5A - - 1,5 В
Rbe Сопротивление - - 0,8 - кОм
336 Транзисторы производства SANYO
Особенности Корпус SC-75 (EIAJ)
- Разработан для использования в схемах малошумящих широко- полосных усилителей и генера- торов. - Типовое значение коэффициен- Вывод Функциональное назначение «э
i i —। j 1— о s.
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор Щ1 1 1.6±| 24.
та шума - 2,6 дВ. - Маркировка: NH. Э.1 ' .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 20 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 80 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 3 мА Vce = 3 В, Ic = 7 мА 7 9 11,5 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb= 1 В, f= 1 МГц - 0,4 0,55 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, f= 1 МГц - 0,3 0,45 пФ
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 3 мА, f=2000 МГц - 2,6 3,5 ДБ
ISFP fSANYOI и гн
- Разра( в схе& роког генер - Типов ..wvir. KJ
эотан для использования вывод лах малошумящих ши- Функциональное 31 ‘ 1 назначение 4-J
юлосных усилителей и 1 База ! 4
аторов. 2 Эмиттер
п? ямячеиие кп'хЬ<Ьшш- ? Коллектор l-r-r-i 2Щ_
А X 1Т 1Ш
ента шума - до. ~г~ - Маркировка: NH.
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2 В
Ic Ток коллектора - - 20 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 80 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 100 - 160
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 3 мА Vce = 3 В, Ic = 7 мА 7 9 11,5 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb=1 B,f=1 МГц - 0,4 0,55 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 B,f=1 МГц - 0,3 0,45 пФ
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 3 мА, f=2000 МГц - 2,6 3,5 ДБ
Транзисторы производства SANYO 337
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,5 дВ.
- Маркировка: NK.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 70 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В. le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 30 мА 5 9,5 6,5 11,2 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 1 B,f=1 МГц - 0,95 1,2 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, f= 1 МГц - 0,7 0,9 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f=2000 МГц - 1,5 2,3 ДБ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,3 дВ.
- Маркировка: NJ.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
।
зН~
i i 1
Щ' 1
л 1.6±0.1 г
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 20 мА 7 10,5 8,5 12,5 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb=1 B,f=1 МГц - 0,65 0,8 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, f= 1 МГц - 0,5 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f=2000 МГц - 1,3 2,0 ДБ
338 Транзисторы прЬизводства SANYO
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,5 дВ.
- Маркировка: NK.
Корпус SSFP (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1.4
со I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 70 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 30 мА 5 9,5 6,5 11,2 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 1 B,f= 1 МГц - 0,95 1,2 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 B,f=1 МГц - 0,7 0,9 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f=2000 МГц - 1,5 2,3 ДБ
Особенности
- Разработан для использования
в схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,3 дВ.
- Маркировка: NJ.
Корпус SSFP (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 20 мА 7 10,5 8,5 12,5 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 1 В, f=1 МГц - 0,65 0,8 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, f = 1 МГц - 0,5 0,7 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2000 МГц - 1,3 2,0 ДБ
Транзисторы производства SANYO 339
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах малошумя-
щих широкополосных уси-
лителей и генераторов.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,5 дВ.
- Маркировка: NL.
Корпус SSFP (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ни- цы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллек- торе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
It Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 40 мА 4,5 8,5 6 10,5 ГГц
-Cob Выходная емкость Vcb = 1 В, f = 1 МГц - 1,05 1,3 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 B,f=1 МГц - 0,8 1,0 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f=2000 МГц - 1,5 2,3 ДБ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,5 дВ.
- Маркировка: NL.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1.6±0Л
। Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 80 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 40 мА 4,5 8,5 6 10,5 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb=1 B,f=1 МГц - 1,05 1,3 пФ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, f= 1 МГц - 0,8 1,0 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2000 МГц - 1,5 2,3 ДБ
340 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Комплементарная пара с
2SA2125.
- Маркировка: НА.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Ц.5±О,1
( 1 STOTC
1Г и ТЕ L !Ь!
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
lb Ток базы - - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic 100 мА 200 - 560 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, Ic = 500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,0 A, lb = 50 мА - 0,1 0,15 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 25 нс
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: С5979
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 7,5 А
lb Ток базы - - - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8/15 Вт
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мкА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 15 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,0 A, lb = 50 мА - 0,07 0,105 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, 1Ь = 100 мА - 0,88 1,2 В
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =100 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 - - 100 нА
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 20 нс
Транзисторы производства SANYO 341
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: С5980
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 8 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 11 А
lb Ток базы 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 1/15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
h?E Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, lc = 500 мА - 330 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 28 - - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc=1,0 A, lb = 40 мА - 0,1 0,15 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2 A, lb = 40 мА - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 25 нс
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: FH
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 4 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - 7 А
lb Ток базы - - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 15 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,0 A, lb = 50 мА - 65 100 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, 1Ь = 100 мА - 0,88 1,3 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 20 нс
342 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: FI.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 7 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 10 А
Ib Ток базы - - - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, Ic = 500 мА - 330 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 28 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 3,5A, lb= 175 мА - 105 160 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2 A, Ib = 40 мА - 0,81 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Особенности Корпус SC-62 (EIAJ)
- Высокая скорость переключения. - Малое напряжение насыщения. - Маркировка: FJ. Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4.5±0.1
§
ТОК ТЕ S =г
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 4 А
Ib Ток базы - - - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, Ib = 50 мА - 135 300 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, Ib = 50 мА г 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Транзисторы производства SANYO 343
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: С5999.
Корпус SC-46 (EIAJ)
Вы- вод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 25 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 40 А
lb Ток базы - - - 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1,65 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 100 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, 1с = 1000 мА 200 - 560 -
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 170 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 10 A, lb = 500 мА - 150 300 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic — 10 A, lb = 500 мА - 0,93 1,4 В
Ton Время нарастания - - - 230 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: QA.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4.5±0.1
—[ к- § g
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 6 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 9 А
lb Ток базы - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1.3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5 A, lb = 30 мА - 90 135 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 A, lb = 30 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
344 Транзисторы производства SANYO
I
\
I
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: QB
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Ц,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 8 А
lb Ток базы - - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5A, lb = 30 мА - 95 140 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 A, lb = 30 mA - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: QC
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 9 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 12 А
lb Ток базы - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 280 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 50 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, lb = 90 мА - 135 205 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3,0 A, lb = 60 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Транзисторы производства SANYO 345
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: QD.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 8 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 11 А
Ib Ток базы - - - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - I 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 320 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2,5A, Ib = 50 мА - 110 165 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2,5A, Ib = 50 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - ч 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Высокая скорость переключения.
- Комплементарная пара с
2SA2169.
- Маркировка: С6017.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 в
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 в
Ic Ток коллектора - 10 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 13 А
Ib Ток базы - - - 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 10 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 1,0 А 200 700 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 1 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 90 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 250 мА - 0,18 0,36 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 80 НС
346 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов с низким значением на-
пряжения питания.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,2 дВ.
- Маркировка: NF.
Корпус МСР-4 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер
2 Коллектор
3 Эмиттер
4 База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 120 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 .мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 15 мА 80 - 160 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 15 мА 18 14,5 22 ГГц
Cre Проходная емкость Vcb= 1 B,f= 1 МГц - 0,18 - пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2000 МГц - 1,2 - ДБ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов с низким значением на-
пряжения питания.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,2 дВ.
- Маркировка: NM.
Корпус SSFP (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - ' 120 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 15 мА 80 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 15 мА 18 14 21 ГГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 0,5 0,7 пФ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 B,f= 1 МГц - 0,3 - пФ
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f=2000 МГц - 1,2 - ДБ
Транзисторы производства SANYO 347
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих широко-
полосных усилителей и генера-
торов с низким значением на-
пряжения питания.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,2 дВ.
- Маркировка: NM.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 3,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - 35 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 120 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 15 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 Bjc = 15 мА 18 14 21 ГГц
CaB. Выходная емкость Veb = 10 Ё; f = 1 МГЦ - 0,55 0,7 пФ
Cre Проходная емкость Vcb=lB,f=1MTu - 0,25 - пФ .
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 5 мА; f = 2000 МГц - 1,2 - ДБ
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения:
- Маркировка. НВ.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. знача» ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база > 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 30 в
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 в
Ic Ток коллектора 2 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - 5 А
lb Ток базы - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 560
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, lc = 300 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 12 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5A, lb = 75 мА - 170 260 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc=1,5 A, lb = 75 мА - 0,94 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 40 нс
348 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: С6071.
SC-63
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
6.5±0.2 ?? ю
W"1
Г 4 1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 3 ro+ss
<ч*х
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 8 В
Ic Ток коллектора - - - 10 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 13 А
lb Ток базы - - - 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, 1с=1000 мА 200 - 700 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 1000 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 60 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 A, lb = 250 мА - 180 360 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5 A, lb = 250 мА - 0,93 1,4 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 80 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: QE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6,5 В
Ic Ток коллектора . - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 5 А
lb Ток базы - - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 300 - 600
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 18 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, lb = 100 mA - 80 120 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, lb = 100 mA - 0,84 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
Транзисторы производства SANYO 349
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: QF.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 4 А
Ib Ток базы - - - 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 70 В, le = 0 - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 14 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1 A, lb = 100 мА - 90 135 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1 А, 1Ь = 100 мА - 0,9 1.2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 32 нс
Особенности
- Высокая скорость пере-
ключения.
- Малое напряжение насы-
щения.
- Маркировка: QG.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 3 А
Ib Ток базы - - - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 80 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc=1 A, lb = 100 mA - 100 150 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, Ib = 100 mA - 0,85 1.2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
350 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: С6097.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 5 А
lb Ток базы - - - 0,6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 18 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с=1 А, 1Ь = 100 мА - 90 135 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1 A, lb= 100 мА - 0,84 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
Особенности
- Высокая скорость пере-
ключения.
- Малое напряжение насы-
щения.
- Маркировка: С6098.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - 4 А ,
lb Ток базы - - 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 70 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 14 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, lb = 100 мА - 100 150 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 А, 1Ь = 100 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 32 нс
Транзисторы производства SANYO 351
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: С6099.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
•3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсное значение - - - 3 А
Ib Ток базы - - - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 80 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, Ic = 300 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 13 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с=1 А, 1Ь = 100 мА - 110 165 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 А, 1Ь = 100 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с
2SB1118.
- Маркировка: DA + буква, соот-
ветствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
4,5±О,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 50 мА 140 - 560 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания. Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость. Vcb = 10B,f= 1 МГц - 8 - пФ
Vcesat Напряжение.насыщения К-Э Jc.= 5 мА, Ib = 0,5 мА - 10 25 мВ
Ybej&at. Напряжение насыщения Б-Э lc = 100 МА. Ib = 10 МА - 0,8 1,2 В
ЙА 3 Т и._
ЬгЕ 140...280 200..400 280 ..560
352 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Комплементарная пара с
2SB1119.
- Маркировка: DB + буква,
соответствующая значе-
ниям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 25 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 50 мА 100 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 180 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 15 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 0,5 мА - 100 300 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 10 мА - 0,85 1,2 В
DB R S Т и
Ьре 100 .200 140 280 200...400 280... 560
Особенности
- Большое значение ко-
эффициента усиления.
- Маркировка: DJ.
Корпус Вывод SC-62 (EIAJ) Функциональное назначение —4 1 Ц,0±0,25 | <
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,5 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 8 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2 В, Ic = 10 мА 4000 3000 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, Ic = 50 мА - 120 - МГц
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 600 мА, 1Ь = 0,15мА - 0,9 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 600 мА, 1Ь = 0,15мА - - 2 В
Транзисторы производства SANYO 353
Особенности
- Большое значение коэффици-
ента усиления.
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: DK 4- буква, соот-
ветствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,5 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2 В, Ic = 3 мА 120 95 - 560
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 120 - МГц
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3 A, lb = 60 мА - - 0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3 A, lb = 60 мА - - 1,5 в
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 40 нс
DK Е F G
Ире 120 . 200 160. 320 280 .560
354 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Большое значение
коэффициента усиле-
ния.
- Маркировка: D1800
SC-63
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
G,5±0.2 CM ?? in
Г * т
1 1 1 1 1 1 1 1 1 J 1 2 3 d Й in
or 1 «Ё
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 1.5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 8 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2 В, Ic = 10 мА 4000 3000 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 120 - МГц
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 0,5 мА - 0,9 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 0,5 мА - 1,5 2 В
Особенности
- Малое напряжение насы-
щения.
- Комплементарная пара с
2SB1201.
- Маркировка: D1801 +
буква, соответствующая
значениям hFE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА Vce = 2 В, Ic = 1,5 А 100 40 - 560
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 12 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 0,15 0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 0,9 1,2 В
D1801 R S Т и
Ьре 100 200 140 280 200 . 400 280 . 560
Транзисторы производства SANYO 355
Особенности
- Малое напряжение насыщения.
-.Комплементарная пара с
2SB1202.
- Маркировка: D1802 + буква,
соответствующая значениям hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
б.5±0.2 ??
Г "1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 3 С\| 6 +1 1П 1П
1 2 3
ггш
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА Vce = 2 В, Ic = 3 А 100 35 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 25 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, Ib = 50 мА - 0,19 0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, Ib = 50 мА - 0,94 1,2 В
D1802 R S Т и
ЬЕЕ 100 200 140 280 200. 400 280 560
3
Особенности
- Малое напряжение насы-
щения.
- Комплементарная пара с
2SB1203.
- Маркировка: D1803 +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2 В, Ic = 4 А 70 35 400 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 1 А - 130 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 60 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3 A, lb= 150 мА - 0,28 0,55 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 3A, Ib = 150 мА - 0,95 1,3 В
D1803 R S Т
hFE 100 200 140 280 200.. 400
356 Транзисторы производства SANYO
Особенности Корпус SC-63 (EIAJ) 6.5±О,2 ??
- Малое напряжение насыщения. QblDAn Функциональное ю
- Комплементарная пара с 2SB1204. - Маркировка: D1804 + буква, со- ответствующая значениям hFE ВЫВОД назначение Г 4 1
1 База 1 1 1 1 1 1 1 1 см о +1 ю ю
2 Коллектор
3 Эмиттер 1 _ 1
Корпус Коллектор 1 2 3
г й О Е 11.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 8 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 12 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2 В, Ic = 6 А 70 35 - 400
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 1 А - 180 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 65 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4 A, lb = 200 мА - 0,2 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4 A, lb = 200 мА - 0,95 1,3 В
D1804 R S Т
hFE 100 20О 140 280 200 400
Особенности
- Малое напряжение на-
сыщения.
- Маркировка: D1805 +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2 В, Ic = 3 А 120 95 560 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, lc = 0,05A - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 45 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3 A, lb = 60 мА - 0,22 0,5 В
Ton Время нарастания - - - 300 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
D1805 Е F G
hFE 120 .200 160. 320 280 560
Транзисторы производства SANYO 357
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: D1806.
о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 0,5 В, Ic = 500 мА Vce = 0,5 В, lc = 2A 50 50 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 0,5 А - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2 A, Ib = 40 мА - 0,25 0,5 В
VF Падение напряжения на прямосмещенном диоде lF = 0,3 А - 0,9 1,2 В
Rbe Сопротивление резистора Rbe - - 1 - кОм
Особенности Корпус SC-63 (E1AJ) 6,5±О.2 _ w г 0*0
- Малое напряжение насыщения. Пыолп Функциональное ю
- Комплементарная пара с 2SB1215. - Маркировка: В1215 + буква, соответствующая значениям hFE оыыид назначение Г U т
1 База i| j*. 1 1 1 1 1 1 1 1 § ю
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор 12 3
8 ? L о.Е Z
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =100 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 500 мА Vce = 5 В, Ic = 2 А 70 40 - 400 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 0,5 А - 180 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5 A, lb= 150 мА - 0,15 0,4 В
Vbe_sat ^Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1,5 A, lb= 150 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 100 нс
Tf Время спада - - - 50 нс
D1815 R S Т
Ьре 100 200 140. 280 200. 400
358 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Малое напряжение насы-
щения.
- Комплементарная пара с
2SB1216.
- Маркировка: В1216 +
буква, соответствующая
значениям hFE
SC-63 (EIAJ) РИС2
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
6.5±0.2 <ч ??
Г 4 "1
। 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ? 3 см 6 +1 1Л tri
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 4 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb=100 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 500 мА Vce = 5 В, Ic = 2 А 70 40 - 400
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 0,5 А - 180 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2 A, lb = 200 мА - 0,15 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2 A, lb = 200 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 100 нс
Tf Время спада - - - 50 НС
D1816 R S Т
Ьее 100 200 140 .280 200 400
Особенности
- Большое значение коэф-
фициента усиления.
- Маркировка: D1817
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 2,5 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 1 А Vce = 2 В, Ic = 2 А 2000 1000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2 A, lb = 4 мА - - 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2 A, lb = 4 мА - - 2 В
R1 Сопротивление - - 5 - кОм
R2 Сопротивление - - 0,5 - кОм
Транзисторы производства SANYO 359
Особенности
- Малое напряжение насы-
щения.
- Комплементарная пара с
2SB1234.
- Маркировка: XY
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЫ
см 6 +I со см
’Й 2Й_
2.9+0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА Vce = 2 В, lc = 1,5A 100 40 560
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 12 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 0,15 0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 0,9 1,2 В
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ -4^
- Встроенный стабилитрон (П±3 В). - Маркировка: LT + цифра, соответствующая значениям Ьре Вывод Функциональное назначение (М О* <м*
1 База
2 Эмиттер ’Й at±L 2,9±0.2
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база Встроенный стабили- трон - - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 700 мА
Icp Ток коллектора импульсный - - - 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 50 мА Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 100 900 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 50 мА - 200 - МГц
Cre Проходная емкость Vcb = 5 В, f = 1 МГц - 12 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,1 A, lb= 10 мА - 50 120 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,1 A, lb= 10 мА - 0,8 1,2 В
LT 6 7 8
hFE 200 400 300 600 450 900
360 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Встроенный стабилитрон
(60±10В).
- Возможность работы на ин-
дуктивную нагрузку.
- Маркировка: DQ
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значе- ние Едини- цы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 1,2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 2,5 А
Ib Ток базы - - - 0,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 2 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 500 мА 1000 - 20000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,5 A, Ib = 1 мА - 1 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,5 A, Ib = 1 мА - 1,5 2 В
R1 Сопротивление - - 5 - кОм
R2 Сопротивление - - 0,5 - кОм
Особенности
- Большое значение
коэффициента уси-
ления.
- Маркировка: DR
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,5 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 2,5 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 1 А 2000 - 30000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, Ib = 2 мА - - 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, Ib = 2 мА - - 2 В
R1 Сопротивление - - 7 - кОм
R2 Сопротивление - - 0,5 - кОм
Транзисторы производства SANYO 361
Особенности
- Малое напряжение на-
сыщения.
- Встроенные резистор и
диод..
- Маркировка: BN.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
сч
6 +1 со
сч
’ti 1 2Й_
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 0,8 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,2 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, le = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 70 - - -
fT Произведение коэффициента усиления . на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f=1 МГц - 15 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 500 мА, lb = 10 мА - 160 300 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 500 мА, lb = 10 мА - 0,85 1,2 В
VF Падение напряжения на прямосмещен- ном диоде lF = 0,5 А - - 1,5 В
Rbe Сопротивление - - 1 - кОм
Особенности
- Малое напряжение на-
сыщения.
- Комплементарная пара
C2SB1739.
- Маркировка: D2720
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = -500 мА Vce = 2 В, Ic = 2 А 70 50 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 0,5 А - 100 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 40 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2 A, lb = 100 мА - 0,23 0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, lb = -100 мА - - 1,5 В
VF Падение напряжения на прямосмещенном диоде If = 0,5 А - - 1,5 В
Rbe Сопротивление - - 0,8 - кОм
362 Транзисторы производства SANYO
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ '
- Высокое значение про- изведения коэффициента усиления на ширину по- лосы пропускания. - Высокое значение тока Вывод Функциональное назначение ’Ш 2tl 2.9 со см
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
коллектора. - Маркировка: GD.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 9 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,6 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 10 мкА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 10 мА 100 - 180 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 10 мА Vce = 3 В, Ic = 30 мА 4000 6500 6000 8500 - МГц МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 1,2 1,6 пФ
NF Коэффициент шума Vce = 1,0 В, Ic = 10 мА, f=2000 МГц - 1,7 2,5 ДБ
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость пере- ключения. - Малое напряжение насы- щения. - Комплементарная пара с СРН3205. - Маркировка: АЕ Вывод Функциональное назначение ’Ш 2Й_ 2.9 со сч
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -0,5 А - 360 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 24 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic =-2 А, Ib = -100 мА - -0,185 -0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-2 А, 1Ь = -100 мА - - -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Транзисторы производства SANYO 363
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO] зШ 1
- Высокая скорость пере- ключения. - Малое напряжение на- сыщения. - Маркировка: AF. Вывод Функциональное назначение со ci
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор ’Й 2tL 2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - -5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
ЬрЕ Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -500 мА - 280 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 36 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1,5 A, lb = -30 мА - -110 -165 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -0,85 -1.2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 10 НС
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO] зШ
- Высокая скорость пере- ключения. - Малое напряжение на- сыщения. - Комплементарная пара с СРН3207. - Маркировка: AG Вывод Функциональное назначение ’Й 2йЦ 2,9 со
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - -6 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -9 А
lb Ток базы - - 1200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, le = 0 -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -500 мА - 140 - МГц
Cob Выходная емкость УсЬ = -10ВЛ=1МГц - 82 пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -з A, lb = -60 мА - -100 -150 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -3 A, lb = -60 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 14 НС
364 Транзисторы производства SANYO
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зЩ
- Высокая скорость пере- Вывод Функциональное
ключения. н назначение
- Малое напряжение насы- 1 База <0
тения. 2 Эмиттер oi
- Комплементарная пара с 3 Коллектор iH 2Hl
СРН3209. LlJ LjlJ— 2,9
- Маркировка: AJ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние. Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - —3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -155 -230 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -1,5 A, lb =-30 мА - -0,83 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 50 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость пере- ключения. - Малое напряжение насы- щения. - Комплементарная пара с СРН3210. - Маркировка: АК Вывод Функциональное назначение со
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор <Й 2Mj 2.9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -7 А
lb Ток базы - - - -1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 52 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -2,5 A, lb = -50 мА - -140 -210 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -2,5 A, lb = -50 мА - -0,81 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 17 НС
Транзисторы производства SANYO 365
Особенности
- Высокая скорость пере-
ключения.
- Малое напряжение на-
сыщения.
- Комплементарная пара
сСРН3212.
- Маркировка: AM
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -7 А
Ib Ток базы - - - -1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 50 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic =-2 A, Ib =-40 мА - -225 -450 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-2 A, Ib = —40 мА - -0,8 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 39 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость переключе- Вывод Функциональное
ния. назначение
- Малое напряжение насыщения. 1 База m
- Комплементарная пара с 2 Эмиттер 3 Коллектор ci
СРН3214. ’Ш 2ь±
- Маркировка: АР 2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
Ib Ток базы - - - -300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-2 В, 1с = -100 мА 200 - 560 -
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -300 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 17 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -0,75А, 1Ь = -15мА - -120 -180 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-0,75 А, 1Ь = -15мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 50 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
366 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Комплементарная пара с
СРН3215.
- Маркировка: AQ.
Корпус СРНЗ (SANYO:
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - - - -300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 9 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -0,75 A, lb = -15 мА - -250 -375 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -0,75A, lb = -15 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время-спада - - - 30 НС
Особенности
- Высокая скорость переклю-
чения.
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Комплементарная пара с
СРН3216.
- Маркировка: AR.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип значе- ние Макс значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 в
Ic Ток коллектора - - - -1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - - - -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fir Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 9 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -0,5 А, 1Ь = -10мА - -280 -430 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-0,5 А, 1Ь = -10мА - -0,81 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 30 нс
Транзисторы производства SANYO 367
Особенности
- Встроенный демп-
ферный диод.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: AN.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -0,8 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, 1е = 0 - - -1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 70 - - -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -500 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 30 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -0,5 A, lb = -10 мА - -110 -200 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-0,5 А, 1Ь = -10мА - -0,81 -1,3 В
Vf Падение напряжения на прямо смещен- ной диоде If = 500 мА - - 1,5 В
R6a Сопротивление резистора - - 1600 - Ом
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость переключе- Вывод Функциональное
ния. н назначение
- Малое напряжение насыщения. 1 База м
- Комплементарная пара с 2 Эмиттер 3 Коллектор W (М
СРН3221. ’Й 2Й_|
- Маркировка: AS 2.9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -110 -165 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 14 НС
368 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН3222.
- Маркировка: АТ
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор^база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
Ib Ток базы - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 26 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, Ib =-30 мА - -180 -270 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb = -30 мА - -0,83 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 50 нс
Tf Время спада - - - 27 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
парас СРН3223.
- Маркировка: AU
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
Ib Ток базы - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 24 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic =-2 А, 1Ь = -100 мА - -240 -650 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -2 А, 1Ь = -100 мА - -0,88 -1,2 В
Ton Время нарастания - - 30 нс
Tf Время спада - - - 18 НС
Транзисторы производства SANYO 369
м—
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН3240.
- Маркировка: ВВ.
Корпус СРНЗ (SANYO
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
lc Ток коллектора - - - -1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - -2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -100 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -100 мА 140 - 400 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -100 мА - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц 13 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -0,4 A, lb = -40 мА - -200 -600 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -0,4 A, lb = -40 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - 80 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН3243.
- Маркировка: ВС.
СРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора - - -2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - -5 А
lb Ток базы - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -12 В, le = 0 -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-2 В, 1с = -100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, lc = -300 мА - 370 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 22 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1 A, lb = -50 мА - -90 -135 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1 A, lb = -50 мА - -0,89 -1,2 В
Ton Время нарастания - - 35 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
370 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН3244.
- Маркировка: BD
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
Ib Ток базы - - - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 440 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 17 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, Ib =-75 мА - -170 -260 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, Ib = -75 мА - -0,94 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 45 нс
Tf Время спада - - - 23 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН3245.
- Маркировка: BE.
Корпус СРНЗ (SANYO;
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -4 А
Ib Ток базы - - -^00 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 16 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э |С = -1 a, Ib = -50 мА - -165 -330 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -1 A, Ib = -50 мА - -0,9 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
Транзисторы производства SANYO 371
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: ВМ
СРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
8*3 I
н см ф сч* Г"
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 400 -
tr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1 a, lb = -50 мА - -100 -200 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э |С = -1 a, lb = -50 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 28 НС
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: BN
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - —4 А
lb Ток базы - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -70 В, le = 0 - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -100 мА 200 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = —1 A, lb = -100 мА - -85 -170 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = —1 А, 1Ь = -100 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 28 нс
372 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Большое значение
тока коллектора.
- Маркировка: ВР
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
lc Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - - - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -80 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 > - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -100 мА 200 - 400 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -500 мА - 260 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = —1 A, lb = -100 мА - -125 -240 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1 A, lb = -100 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 105.
- Маркировка: СЕ.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce= 10 В, 1с = 0,5 А - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2A, 1Ь = 100 мА - 0,14 0,21 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, 1Ь = 100 мА - 0,88 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 22 НС
Транзисторы производства SANYO 373
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: CF.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 в
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =12 В, 1е = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 0,5 А - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5 A, Ib = 30 мА - 0,1 0,15 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc=1,5A, Ib = 30 мА - 0,88 1,2 В
Ton Время нарастания - - 30 нс
Tf Время спада - - - 11 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 107.
- Маркировка: CG.
Корпус СРНЗ (SANYQ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ .
2.8
’Й 2tt
2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - 6 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 9 А
Ib Ток базы - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 46 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3 A, Ib = 60 мА - 100 150 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3 A, Ib = 60 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 32 нс
Tf Время спада - - - 10 НС
374 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 109.
- Маркировка: CJ
и основные элект
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 A, lb = 30 мА - 120 180 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 A, lb = 30 мА - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO] зШ
- Высокая скорость переключения. - Малое напряжение насыщения. - Комплементарная пара с СРН3110. - Маркировка: СК Вывод Функциональное назначение «0 см
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор ’И 2И_ 2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 7 А
lb Ток базы - - - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 290 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,5 A, lb = 50 мА - 110 165 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,5 A, lb = 50 мА - 0,82 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 14 нс
Транзисторы производства SANYO 375
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость переключения. - Малое напряжение насыщения. - Комплементарная пара с СРН3112. - Маркировка: СМ Вывод Функциональное назначение ’Й 2Й_| 2.9 со ci
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 7 А
lb Ток базы - - - 1,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 330 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B, f=1 МГц - 26 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2 A, lb = 40 мА - 100 150 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2 A, lb = 40 мА - 0,8 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 32 нс
Tf Время спада - - - 28 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 114.
- Маркировка: СР.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 12 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, lc = 300 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,75 A, lb= 15 мА - 130 200 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,75 A, lb = 15 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 Нс
Tf Время спада - - - 20 Нс
376 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 115.
- Маркировка: CQ.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
Ib Ток базы - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
+»FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 8 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,75 А, 1Ь=15мА - 150 225 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,75 A, Ib = 15 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - 35 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость переключения. - Малое напряжение насыщения. - Комплементарная пара с СРНЗ 116. - Маркировка: CR. Вывод Функциональное назначение •Й 2tL 2.9 3
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
Ib Ток базы - - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 560
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,5 A, Ib = 10 мА - 130 190 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,5 A, Ib = 10 мА - 0,81 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Транзисторы производства SANYO 377
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 121.
- Маркировка: CS.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - 5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ире Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,5 A, lb = 30 мА - 115 175 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,5 A, lb = 30 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 11 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 122.
- Маркировка: СТ
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 560
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,5 A, lb = 30 mA - 130 195 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc= 1,5 A, lb = 30 mA - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - 30 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
378 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРНЗ 123.
- Маркировка: CU
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2 A, lb = 100 mA - 160 240 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, lb = 100 mA - 0,88 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Особенности
- Высокая скорость переклю-
чения.
- Малое напряжение насыще-
ния.
- Большое значение тока кол-
лектора.
- Маркировка: DE.
Корпус СРНЗ (SANYOK
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 12 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 250 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, lc = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10B,f= 1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5 A, lb = 30 мА - 75 115 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc=1,5 A, lb = 30 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 11 НС
Транзисторы производства SANYO 379
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Большое значение
тока коллектора.
- Маркировка: DF
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зН
2.8
’й 2Й_
2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 20 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,5 A, Ib = 30 мА 90 135 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,5 A, lb = 30 мА - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Особенности Кдрпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость переключе- ния. - Малое напряжение насыщения. - Большое значение тока коллек- тора. - Маркировка: DG. Вывод Функциональное назначение 0 (4
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор •Й 2й| 2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 250 400 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2A, lb = 100 мА - 105 160 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, lb= 100 мА - 0,88 ' 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 36 нс
Tf Время спада - - - 22 НС
380 Транзисторы производства SANYO
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO] •зШ
- Высокая скорость пере- ключения. - Малое напряжение на- сыщения. - Большое значение тока коллектора. - Маркировка: DH. Вывод Функциональное назначение W 2.9 со <ч
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. 'значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база ч - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 1 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 6 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 9 А
lb Ток базы - - - 1200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 46 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3 A, lb = 60 мА - 80 120 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3 A, lb = 60 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 32 нс
Tf Время спада - - - 10 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Большое значение
тока коллектора.
- Маркировка: DJ.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 7 А
lb Ток базы - - 1200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 290 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,5 A, lb = 50 мА - ' 85 130 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,5 A, lb = 50 мА - 0,82 1,2 В
Ton Время нарастания - - 1 30 нс
Tf Время спада - - 14 НС
Транзисторы производства SANYO 381
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO] зШ
- Высокая скорость пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Большое значение тока Вывод Функциональное назначение ’Й со сч
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
коллектора. - Маркировка: DK 2.9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 7 А
lb Ток базы - - 1200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 250 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 330 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 26 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2 A, lb = 40 мА - 86 130 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2 A, lb = 40 мА - 0,8 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 32 нс
Tf Время спада - - - 28 НС
Особенности - Высокая скорость пе- Корпус СРНЗ (SANYO) гЩ «0 ci
реключения. - Малое напряжение насыщения. - Комплементарная пара с СРНЗ 140. - Маркировка: DL. Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер ’й 2 2.9
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 100 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 100 мА 140 - 400 -
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с=100 мА - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 8,5 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,4 A, lb = 40 мА - 100 400 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,4 A, lb = 40 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 80 нс
Tf Время спада - - - 50 НС
382 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная пара
с СРНЗ 143.
- Маркировка: DN.
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Ib Ток базы - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =12 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 300 мА - 370 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц 16 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, Ib = 50 мА 100 150 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, Ib = 50 мА 0,89 1,2 В
Ton Время нарастания - 30 нс
Tf Время спада - - 13 нс
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Комплементарная пара с СРНЗ 144. - Маркировка: DP. Вывод Функциональное назначение •й 2MJ 2.9 00 <4
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 2 А
Icp .Ток коллектора импульсный - 5 А
Ib Ток базы - - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 12 пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 A, Ib = 75 мА - 160 240 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 A, Ib = 75 мА - 0,94 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
Транзисторы производства SANYO 383
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная пара
с СРНЗ 145.
- Маркировка: DQ
Корпус СРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зШ
2.8
’Ш 2z
2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 4 А
lb Ток базы - - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560
fj Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 8 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 130 260 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 0,9 1.2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Особенности Корпус СРНЗ (SANYO) зШ
- Высокая скорость пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Большое значение тока Вывод Функциональное назначение ’Й 2 2,9 во <4
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
коллектора. - Маркировка: DR.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 15 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1 A, lb = 100 mA - 70 110 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, lb = 100 mA - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
384 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Большое значение тока
коллектора.
- Маркировка: DS.
СРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3Ц-1 __
80 <4
’Ш 2Й_
2,9
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 4 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -70 В, le = 0 - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 14 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 А, 1Ь = 100 мА - 80 120 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1 A, lb = 100 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - 40 нс
Tf Время спада - - - 32 нс
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Большое значение тока
коллектора.
- Маркировка: DT.
СРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
со сч
’Й
_ 2,9
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6,5 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
Ib Ток базы - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -80 В, le = 0 - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 мА 300 - 600 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с=1 А, 1Ь = 100 мА - 90 150 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1 А, 1Ь=100 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Транзисторы производства SANYO 385
Особенности
- В состав сбор-
ки входят тран-
зисторы
2SA1338 (Тр. 1)
и СРНЗ 105 (Тр.
2).
- Маркировка:
ЕА
Корпус СРН5 (SANYOK
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Коллектор Тр 2
3 База Тр. 2
4 Эмиттер общий
5 БазаТр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
led
Vcbo Напряжение коллектор-база - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 100 - 560 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -50 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 5,6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = -10 мА - 0,15 -0,4 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = -100 мА, 1Ь = -10мА - 0,8 -1,2 В
Ton Время включения lc = -100 мА - 70 нс
Tf Время спада lc = -100 мА - 50 НС
Tp.2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 в
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -100 мА 200 - 560 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc =-0,5 А - 360 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 24 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -2A, 1Ь = -100 мА - -0,185 -0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc =-2 А, 1Ь = -100 мА - - -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 нс
386 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
два транзисто-
ра СРНЗ 109.
- Маркировка:
ЕЕ.
Корпус СРН5 (SANYOK
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Коллектор Тр. 2
3 База Тр. 2
4 Эмиттер общий
5 База Тр. 1
5Й зЩ
со сч*
’Ш 2td_i
2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение . Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база > -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный > -5 А
lb Ток базы > -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 560
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B, f=1 МГц - 25 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5A, lb = -30 мА - -155 -230 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb = -30 mA -0,83 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 50 нс
Tf Время спада - - - 25 нс
Транзисторы производства SANYO 387
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
СРН3115(Тр.
1)иСРН3215
(Тр.2).
- Маркировка:
EF
Корпус СРН5 (SANYO)
РИС Sbor2
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр 2
3 БазаТр 2
4 Эмиттер общий
5 БазаТр 1
5И цЩ зЩ
со см
’Ш 2^_
2.9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр. 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - -300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -100 мА 200 - 560 -
fl Произведение коэффициента усиления на шири- ну полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -300 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 9 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -0,75 А, 1Ь = -15мА - -250 -375 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -о,75 А, lb = -15 мА - -0,85 -1.2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
Tp.2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теп- лоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, 1с = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на шири- ну полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В,’ f=1 МГц - 8 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,75 А, lb = 15 мА - 150 225 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,75 А, lb = 15 мА 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
388 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
два транзистора
2SA1344.
- Маркировка:
3U
Корпус СРН5 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр. 2
3 БазаТр 2
4 Эмиттер общий
5 БазаТр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -0,1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -0,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,35 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 5,1 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -0,01 A, lb = -0,5 мА - -100 -300 мВ
R1 Сопротивление - - 10 - кОм
R2 Сопротивление - - 10 - кОм
Транзисторы производства SANYO 389
Особенности Корпус СРН5 (SANYO] бШ цШ зШ
- В состав сборки входят два транзисто- ра. - Маркировка: ЕК. Вывод Функциональное назначение
’Ш 2Ш_| со ci 1
1 Коллектор Тр. 1
2 Коллектор Тр. 2
3 БазаТр 2
4 Эмиттер общий I I 1 । 9
5 База Тр. 1 2.9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр.1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -6 А
Ib Ток базы - - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 440 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 B,f= 1 МГц - 17 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, Ib =-75 mA - -170 -260 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, Ib = -75 mA - -0,94 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 45 нс
Tf Время спада - - 23 нс
TP-2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Ib Ток базы - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) T = 25°C - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 B, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 B, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2B, lc = 100 mA 200 - 560
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 B, Ic = 300 mA - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 12 пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 A, Ib = 75 mA 160 240 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc= 1,5 A, Ib = 75 mA - 0,94 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
390 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав сбор-
ки входят тран-
зисторы
СРН3116(Тр. 1)
иСРН3216(Тр.
2).
- Маркировка:
ЕМ
Корпус СРН5 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 База общая
5 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр. 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - - - -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
I’Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic =-300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic =-0,5 А, 1Ь = -10мА - -280 -430 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-0,5 А, 1Ь = -10мА - -0,81 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 36 нс
Tf Время спада - - - 28 нс
Tp.2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 1,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, Ic = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 6 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,5 A, lb = 10 мА - 130 190 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,5 A, lb = 10 mA - 0,9 1,35 В
Ton Время нарастания - - - 38 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Транзисторы производства SANYO 391
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
СРН3116(Тр.
1)иСРН3216
(Тр. 2).
- Маркировка:
EN
Корпус СРН5 (SANYO
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 База общая
5 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Три
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -1,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - - - -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - -0,1 мкА-
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -100 мА 200 - 560
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc =-300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 B,f = 1 МГц - 9 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -0,5 A, lb = -10 мА - -280 -430 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = -0,5 А, 1Ь = -10мА - -0,81 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 36 нс
Tf Время спада - - - 28 НС
1^2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц 6 пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 10 мА 130 190 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5A, lb = 10 мА - 0,9 1,35 В
Ton Время нарастания - - - 38 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
392 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
2SA1370 (Тр. 1)
и 2SC3467 (Тр.
2).
- Маркировка:
ER.
Корпус СРН5 (SANYO)
РИС Sbor2__________
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 База общая
5 Эмиттер Тр 1
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр.1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -200 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -0,01 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -0,02 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -150 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -10 В, Ic = -10 мА 60 - 320 -
fir Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -30 В, 1с = -10мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -30 В, f= 1 МГц - 2,6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -20 мА, Ib = -2 мА - - -600 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -20 мА, Ib = -2 мА - - -1,0 В
Tp.2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 200 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 0,01 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 0,02 А
Ib Ток базы - - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 150 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 10 мА 60 - 320 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 30 В, Ic = 10 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 1,7 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,02 A, Ib = 2 мА - 130 190 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,02 А, 1Ь = 2мА - 0,9 1,35 В
Транзисторы производства SANYO 393
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
разной прово-
димости.
- Маркировка:
EN
Корпус СРН5 (SANYO)
РИС Sbor2
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр 2
3 Эмиттер Тр 2
4 База общая
5 Эмиттер Тр 1
5Й *R 3R
со см
’Ш 2tL
2,9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр. 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -2,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5,0 А
lb Ток базы - - - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =-4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
h?E Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 16 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,0 A, lb =-50 мА - -165 -330 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,0 A, lb =-50 мА - -0,9 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
Tp. 2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 2,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5,0 А
lb Ток базы - - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 8 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc=1,0 A, lb = 50 мА - 130 260 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,0 A, lb = 50 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
394 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
СРН3114(Тр.
1)иСРН3214
(Тр. 2).
- Маркировка:
EY
Корпус СРН5 (SANYO)
PKCSbprl________
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Коллектор Тр. 2
3 Эмиттер Тр. 2
4 База общая
5 Эмиттер Тр 1
5Й иЦЦ 3|_Ц
00 сч
’Ш
2.9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
. Тр.1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -2,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5,0 А
lb Ток базы - - - -300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -12 В, 1е = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -100 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, lc = -300 мА - 350 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 17 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc =-0,75 А, 1Ь = -15мА - -100 -160 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = -0,75 А, 1Ь = -15мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 50 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Tp.2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 2,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5,0 А
lb Ток базы - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 12 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, lc = 300 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10B,f= 1 МГц - 6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,75 A, lb= 15 мА - 120 190 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,75 A, lb= 15 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 20 НС
Транзисторы производства SANYO 395
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
транзистора
разной прово-
димости.
- Маркировка:
EJ
Корпус СРН5 (SANYO)
РИС Sbor2
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Коллектор Тр. 2
3 Эмиттер Тр 2
4 База общая
5 Эмиттер Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Tpd
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -10 мА 200 500
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -50 мА - 520 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 4,7 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -0,2 А, 1Ь = -10мА - -110 -220 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -0,2 А, 1Ь = -10мА - -0,9 -1,2 В
Ton Время нарастания - 35 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Tp. 2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 3,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 50 мА 300 - 800
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 50 мА - 540 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 3,3 пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,2 A, Ib = 10 mA - 85 190 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,2A, Ib = 10 mA - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - 35 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
396 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
PNP транзи-
стор СРНЗ 106
и диод Шоттки
SBS004
- Маркировка:
РА.
Корпус СРН5 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Катод
2 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
5 Анод
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Т ранзистор
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -3,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5,0 А
lb Ток базы - - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, 1е = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 200 - 560 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину: полосьСйропУсКаИйя Vce = -2 В, Ic = -500 мА - 280 - МГц
Cbb выходная емШств ¥&л-10ЛЛ.= 1.МГЦ. _ - 36 - пФ
Vbe bdL _НаПряжейИе_насЫЩёнйяК-Э мА.. - -1.10. —165 . МВ_
Vbe sat lc^UAJb~&LMA_ - _ -ом... _„-т.1.2_. Л__
tfitt ЙВеМя^аЬа&гаййя - - - 00 _ . ИР-
11 ЖмаьйШ. - = - . __10_„ _ _ж_.
Am
ж .ое^йньднащшёниё _1й_=±МА_ _в__
Падение напряжения на пряма смещением И0,ё А _k=.li0A = й _ ом.. ом __.0А. _ А __А .
1^ .aww-tau _Vn=fi£L = = ООО-.. _мкА_
£ .амаьтлжёша . - = ПФ
J .В.реМявЬЬётаН0вЛеНйя. = =
Транзисторы производства SANYO 397
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
2SA1724 (Тр.
2) и 2SC4504 *
(Тр. О-
- Маркировка:
GH
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 2
2 Эмиттер Тр 2
3 БазаТр 1
4 Коллектор Тр 1
5 Эмиттер Тр 1
6 Коллектор Тр 2
бЯ 50 4^
во см
’Ш 2Ш 3Й_
2Г9
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр-1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 3 В
Ic Ток коллектора - - - 300 мА
Icp Ток коллектора импульсный - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 2 В, Ic = 0 - - 5,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 50 мА 40 - 200 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 50 мА - 2,2 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц 2,9 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 100 мА, Ib = 10 мА - - 0,5 В
Vbe. sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 100 мА, Ib = 10 мА - - 1,2 В
Tp. 2
Vcbo Напряжение коллектор-база - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -3 в
Ic Ток коллектора - -300 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,9 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -2 В, Ic = 0 - - -1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -50 мА 5 - 15 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -100 мА - 1,5 - ГГц
Cob Выходная емкость Vcb = -30 В, f = 1 МГц - 4,9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э |С = -100 мА, 1Ь = -10мА - -0,4 -1,о В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -100 мА, Ib = -10 мА - -0,9 -1,2 В
398 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка:
AV
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - -5 А
lb Ток базы - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -12 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -500 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, lc = -500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 40 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -110 -165 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 14 НС
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка:
AW.
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -500 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, lb = -30 мА - -180 -270 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -0,83 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 50 нс
Tf Время спада - - - 27 НС
Транзисторы производства SANYO 399
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН6223.
- Маркировка: ВА
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - -6 А
Ib Ток базы - - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, 1с = -100мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -500 мА - 390 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 24 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -2A, 1Ь = -100 мА - -240 -650 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-2 A, 1Ь = -100 мА - -0,88 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 18 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с СРН6123.
- Маркировка: DA
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 в
Ic Ток коллектора - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - > 6 А
Ib Ток базы - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - 1,3 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, Ic = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2A, lb = 100 мА 160 240 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2 А, 1Ь = 100 мА - 0,88 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
400 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
2SA1745.
- Маркировка:
ЗА
Корпус СРН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 Эмиттер Тр 2
5 БазаТр 2
6 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Icp Ток коллектора импульсный - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -1.0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 350 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -10 мА 135 - 600 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -200 мА, lb = -10 мА - -0,2 -0,36 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -200 мА, lb = -10 мА - -0,95 -1.2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -50 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -6 В, f = 1 МГц - 6,5 - пФ
Особенности
- В состав
сборки входят
транзисторы
2SA1813.
- Большое
значение тока
коллектора.
- Маркировка:
3G
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 БазаТр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 Эмиттер Тр 2
5 БазаТр 2
6 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
Ic Ток коллектора - - - -150 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -300 мА
lb Ток базы - - - -30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 350 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -0.1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 - - -1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 500 800 1200 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -10 мА - 210 ‘ - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 2,6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, lb = -1 мА - -0,15 -0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -50 мА, lb = -10 мА - -0,78 -1,1 В
Транзисторы производства SANYO 401
Особенности
- В состав
сборки вхо-
дят транзи-
сторы
2SA1813 (Тр.
1)h2SC3689
(Тр- 2).
- Большое
значение тока
коллектора.
- Маркиров-
к^ЗН
Корпус СРН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр. 2
4 Эмиттер Тр. 2
5 БазаТр 2
6 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
led
Vcbo Напряжение коллектор-база - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -25 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
lc Ток коллектора - - - -150 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -300 мА
lb Ток базы - -30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 350 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -20 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 - - -1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 500 800 1200 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -10 мА - 210 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 2,6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -1 мА -0,15 -0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -50 мА, lb = -10 мА -0,78 -1,1 В
Tp. 2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В.
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 в
lc Ток коллектора - - - 0,1 А
Icp Ток коллектора импульсный - 0,2 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,35 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 800 1500 3200 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 1 мА - 0,1 0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 50 мА, lb = 1 мА - 0,8 1,1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 10 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 1,5 - пФ
402 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки вхо-
дят транзи-
сторы
2SA1622 (Тр.
1) и 2SC4211
(Тр. 2).
- Большое
Корпус СРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер Тр. 1
2 БазаТр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 Эмиттер Тр. 2
5 БазаТр 2
6 Коллектор Тр. 1
значение тока
коллектора.
- Маркиров-
ка: 3R
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
led
Vcbo Напряжение коллектор-база - -56 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - -150 мА
Icp Ток коллектора импульсный -300 мА
lb Ток базы - - - -30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 350 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -35 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -6 В, lc = -1,0 мА 160 - 600 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -6 В, lc = -10 мА - 180 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =-6 В, f= 1 МГц - 2,9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -5 мА - -0,11 -0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -50 мА, lb = -5 мА -0,8 -1,0 В
Tp. 2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 56 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 0,15 А
Icp Ток коллектора импульсный - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,35 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 35 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 160 - 600 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 5 мА - 0,08 0,4 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 50 мА, lb = 5 мА 0,8 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, lc = 10 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 6 В, f=1 МГц - 1,7 - пФ
Транзисторы производства SANYO 403
Особенности
- В состав
сборки входят
два транзи-
стора разной
проводимости.
- Большое
значение тока
коллектора.
- Маркировка:
EL
Корпус СРН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер Тр 1
2 База Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 Эмиттер Тр. 2
5 БазаТр 2
6 Коллектор Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
TBJ
Vcbo Напряжение коллектор-база - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -700 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -1,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 600 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, 1с = -10 мА 200 - 500 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -50 мА - 520 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -6 B,f= 1 МГц - 4,7 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -200 мА, Ib = -10 мА - -0,11 -0,22 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -200 мА, Ib = -10 мА - -0,9 -1,2 В
IPJ!
Vcbo Напряжение коллектор-база - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 0,7 А
Icp Ток коллектора импульсный - 1,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,6 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 50 мА 300 - 600 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 200 мА, Ib = 10 мА - 0,085 0,19 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 200 мА, Ib = 10 мА - 0,9 1,2 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 50 мА - 540 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 6 В, f= 1 МГц - 3,3 - пФ
404 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- В состав
сборки входят
два транзи-
стора разной
проводимости.
- Большое
значение тока
коллектора.
- Маркировка:
EQ
Корпус СРН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 Эмиттер Тр 1
2 БазаТр 1
3 Коллектор Тр 2
4 Эмиттер Тр. 2
5 БазаТр 2
6 Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тр. 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1000 мА
Icp Ток коллектора импульсный - -2,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 600 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, 1е = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -10 мА 300 - 700 -
^T Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -50 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 6,0 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -400 мА, lb = -20 мА - -0,12 -0,24 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -400 мА, lb = -20 мА - -0,9 -1,2 В
Tp. 2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 60 в
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 в
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 в
Ic Ток коллектора - - 0,5 А
Icp Ток коллектора импульсный 1.0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,6 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 10 мА 300 - 800 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 100 мА, 1Ь = 10мА - 0,05 0,1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 100 мА, lb = 10 мА - 0,9 1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 50 мА - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 2,8 - пФ
Транзисторы производства SANYO 405
Особенности
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Большое значе-
ние тока коллек-
тора. -
- Маркировка: JA.
Корпус ECSP1208-4-F
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3,4 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 0,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,4 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 10 мА 300 - 800 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 50 мА - 330 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц 3,2 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,2 A, Ib = 10 мА - 150 300 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,2 A, lb = 10 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
парас МРН3205.
- Маркировка: АЕ
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - -6 А
Ib Ток базы 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -0,5A - 360 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц 24 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic =-2 А, 1Ь = -100 мА - -0,185 -0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-2 А, 1Ь = -100 мА - -0,88 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - 15 нс
Tf Время спада - - - 22 НС
406 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: AF.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -12 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = —4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -500 мА 200 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, lc = -500 мА - 280 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 36 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -110 -165 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 10 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3209.
- Маркировка: AJ.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
lc Ток коллектора - - - -3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - -600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hPE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -500 мА 200 - 560
fl Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1,5 A, lb =-30 мА - -155 -230 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb = -30 мА - -0,83 -1,2 В
Ton Время нарастания - - 50 нс
Tf Время спада - - - 25 НС
Транзисторы производства SANYO 407
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3243.
- Маркировка: AG
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, 1е = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, 1с = -100 мА 200 - 560 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -300 мА - 370 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 22 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1 A, lb = -50 мА - -90 -135 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э |С = -1 A, lb = -50 мА - -0,89 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3244.
- Маркировка: АН.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3|
о
’Ш 2 аЩ_ .0
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -5 А
lb Ток базы - - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic =-300 мА - 440 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 17 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1,5 A, lb = -75 мА - -170 -260 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1,5 A, lb =-75 мА - -0,94 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 45 нс
Tf Время спада - - - 23 НС
408 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3245.
- Маркировка: AN.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - —4 А
lb Ток базы - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, lc = -100 мА 200 - 560 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc =-300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 16 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -1 д, |ь = -50 мА - -165 -330 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -1 a, lb = -50 мА - -0,9 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 24 НС
МСРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3105.
- Маркировка: СЕ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
lc Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - 1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - 1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, lc = 0,5A - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2A, lb = 100 мА - 0,14 0,21 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2A, lb = 100 мА 7 - 0,88 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Транзисторы производства SANYO 409
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3106.
- Маркировка: CF
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, 1е = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,5 A, Ib = 30 мА 100 150 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 A, Ib = 30 мА - 0,85 1.2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 11 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3109.
- Маркировка: CJ
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГД
о
2 2[L .0
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 500 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,5 A, Ib = 30 мА - 120 180 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 1,5A, Ib = 30 мА - 0,83 1.2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 нс
410 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: CG.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 5 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, 1с = 100 мА 600 - - -
tr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 300 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 23 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 A, lb = 30 мА - 100 150 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1,5 A, lb = 30 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 3 нс
Tf Время спада - - - 11 НС
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: СН.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зШ
О ;
’Ш ' 2Ш_
2,0
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,7 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 250 400
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 300 мА - 430 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц 9,5 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,75 A, lb = 15 мА - 80 120 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,75 A, lb = 15 мА - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Транзисторы производства SANYO 411
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: CN
МСРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з| |
О
1Ш 2 гЩ_ ,0
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - 3 А
lb Ток базы - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,7 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 30 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 250 - 400 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 7 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,75 A, lb = 15 мА - 115 175 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,75 A, lb = 15 мА - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 32 НС
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: СР.
МСРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
о
ill! г! т
2.0
ci
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
lc Ток коллектора - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный - 3 А
lb Ток базы - - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,7 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 250 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 6 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5 A, lb = 10 мА - 105 160 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5 A, lb = 10 мА 0,81 1,2 В
Ton Время нарастания - 38 нс
Tf Время спада - - - 40 нс
412 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: СТ.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база" - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
I'Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 25 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5 A, Ib = 30 мА - 70 105 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1,5 A, Ib = 30 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 11 НС
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: CU.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
Ib Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 250 - 400 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 20 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,5A, Ib = 30 мА - 65 100 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1,5 A, Ib = 30 мА - 0,83 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 15 НС
Тракзисторы производства SANYO 413
Особенности
- Высокая ско-
рость переключе-
ния.
- Малое напряже-
ние насыщения.
- Маркировка: CV.
Корпус МСРНЗ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3|
о d
llil 2|_lL
2.0 *
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 3 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 6 А
lb Ток базы - - - 600 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 40 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 250 - 400 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 500 мА - 380 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2A, lb = W0 мА - 60 90 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 2А, 1Ь = 100 мА - 0,88 1,2 В
Ton Время нарастания - - 35 нс
Tf Время спада - - - 22 нс
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3143.
- Маркировка: CQ
Корпус МСРНЗ
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - 5 А
lb Ток базы - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =12 В, 1е = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 300 мА - 370 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 16 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 100 150 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1 A, lb = 50 мА - 0,89 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 30 нс
Tf Время спада - - - 13 нс
414 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3144.
- Маркировка: CR.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - 5 А
lb Ток базы - - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 400 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 12 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc=1,5A, lb = 75 мА - 160 240 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc= 1,5A, lb = 75mA - 0,94 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 40 нс
Tf Время спада - - - 30 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН3145.
- Маркировка: CS.
Корпус МСРНЗ (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин значение Тип значе- ние Макс значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - 2 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 4 А
lb Ток базы - - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -40 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, 1с=100 мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10B,f= 1 МГц - 8 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1 A, lb = 50 мА - 130 260 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 1 A, lb = 50 мА - 0,9 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 35 нс
Tf Время спада - - - 40 нс
Транзисторы производства SANYO 415
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН6201.
- Маркировка: АА.
Корпус МСРН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - ^“3 А
Ib Ток базы - - - -300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -12 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-2 В, Ic = -100 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -300 мА - 430 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 15 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic =-0,75 А, 1Ь = -15мА - -110 -180 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-0,75 А, 1Ь = -15мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - 30 нс
Tf Время спада - - - 12 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН6202.
- Маркировка: АВ.
Корпус МСВН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
6П9Г ~|*| I
о
’Ш *L 2 J4j_. ,0
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
Ib Ток базы - - - -300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -30 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-2 В, 1с = -100мА 200 - 560 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 450 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В,f=1 МГц - 9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -0,75 А, 1Ь = -15мА - -250 -375 мВ
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = -0,75 А, 1Ь = -15мА - -0,85 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 37 нс
Tf Время спада - - - 26 нс
416 Транзисторы производства SANYO
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН6203.
- Маркировка: АС.
Корпус МСРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
6П5ПЦП
О : Л
1I4J2III зЩ_
2.0
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -3 А
lb Ток базы - - -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -40 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -4 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -100 мА 200 - 560
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 9 - пФ
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -0,5 A, lb = -10 мА - -280 -430 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -0,5 A, lb = -10 мА - -0,81 -1,2 В
Ton Время нарастания - - - 36 нс
Tf Время спада - - - 28 НС
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН6101.
- Маркировка: СА.
Корпус МСРН6
(SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5, 6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - 3 А
lb Ток базы - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 200 - 560
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 300 мА - 430 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 8 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,75 A, lb = 15 мА - 120 200 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,75 A, lb = 15 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - 30 нс
Tf Время спада - - - 16 НС
Транзисторы производства SANYO 417
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН6102.
- Маркировка: СВ
Корпус МСРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 40 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb =12 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 - 560 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, lc = 300 мА - 500 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 8 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,75 A, lb= 15 мА - 150 225 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,75 A, lb= 15 мА - 0,85 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 36 нс
Tf Время спада - - - 32 нс
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с МСН6103.
- Маркировка: СС
Корпус МСРН6 (SANYO)
Вывод Функциональное назначение
1,2, 5,6 Коллектор
3 База
4 Эмиттер
° :
1Ц]гШ зЦ]_
2,0
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 80 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 1 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 3 А
lb Ток базы - - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 40 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 100 мА 200 560
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 300 мА - 420 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 6 - пФ
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,5A, lb = 10 мА - 130 190 мВ
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 0,5A, lb= 10 мА - 0,81 1,2 В
Ton Время нарастания - - - 38 нс
Tf Время спада - - - 40 НС
418 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Малое напряжение на-
сыщения.
- Комплементарная пара с
2SC2873.
- Маркировка: N + буква,
соответствующая значе-
ниям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4,5±О,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -2 А
Ib Ток базы - - - -400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 500 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -500 мА 70 - 240 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -1000 мА, Ib =-50 мА -0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -1000 мА, Ib = -50 мА - - -1,2 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -2 В, Ic = -500 мА - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц - 40 - пФ
Ton Время нарастания - - 0,1 - мкс
Tf Время спада импульса - - 0,1 - мкс
N О Y
hFE 70 .140 120 240
Особенности
- Высокое значе-
ние напряжения
Vceo-
- Маркировка: AL.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
ч 3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Ц,5±О,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -400 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -500 мА
Icp Ток коллектора импульсный - - -1.0 А
Ib Ток базы - - - -25 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 500 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -400 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -20 мА 140 - 450 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -100 мА, 1Ь = -10мА - -0,4 -1 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -100 мА, Ib = -10 мА - -0,76 -0,9 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -50 мА - 35 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = O,f = 1 МГц - 18 - пФ
Ton Время нарастания - - 0,2 - мкс
Tf Время спада импульса - - 0,2 - мкс
Транзисторы производства TOSHIBA 419
Особенности
- Высокое значе-
ние напряжения
Vceo-
- Маркировка:
А2034.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -400 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -2,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - -4,0 А
lb Ток базы - - - -1000 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -400 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -20 мА 140 450 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -500 мА, lb = -100 мА - - -1,0 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic =-500 мА, 1Ь = -100 мА - - -1,5 В
Ton Время нарастания - - 0,3 - мкс
Tf Время спада импульса - - 0,3 - мкс
Особенности
- Высокое значение
коэффициента уси-
ления.
- Маркировка: WM
Корпус 2-3S1A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -10 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -1,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - -2,5 А
lb Ток базы - - - -150 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -2 В, Ic = -200 мА Vce = -2 В, Ic = -600 мА 200 125 500 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -0,6 A, lb = -20 мА - -0,19 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = -600 мА, lb = -20 мА -1,1 В
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц - 12 - пФ
Ton Время нарастания - - 50 нс
Tf Время спада импульса - - 25 - НС
420 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Высокое значе-
ние напряжения
Vceo-
- Маркировка:
А2142
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
I
I
I
I
6.5±0,2
1 ~ "г" "з"
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -600 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
lc Ток коллектора - - - -0,5 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - -1,0 А
lb Ток базы - - - -250 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -600 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА Vce = -5 В, lc = -50 мА 70 100 500 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -100 мА, 1Ь = -10мА - - -1,0 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = -100 мА, lb = -10 мА - - -0,9 В
Ton Время нарастания , - - 0,2 - мкс
Tf Время спада импульса - - 0,2 - мкс
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с 2SC6026.
- Маркировка: 8 +
буква, соответст-
вующая значениям
hFE.
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - -0,1 А
lb Ток базы - - - -30 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -6 В, lc = -2 мА 120 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -100 мА, lb = -10 мА - -0,18 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -1 мА - 80 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц - 1,6 - пФ
8 F Н
Ьре 120 240 200.400
Транзисторы производства TOSHIBA 421
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка:
В1667 + буква, со-
ответствующая зна-
чениям hFE
Корпус 2-10S2A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -3,0 А
Ib Ток базы - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1500 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -60 В, le = 0 - - 100 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 - 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -500 мА Vce =-5 В, lc = -3A 60 20 - 300
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -3 A. Ib = -300 мА - -0,5 -1,7 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, 1с = -500 мА - 9 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, 1е = 0Д=1МГц - 150 - пФ
Ton Время нарастания -. - 0,4 - мкс
Tf Время спада импульса - - 0,5 - мкс
В1667 О Y GR
hFE 60 .120 100. .200 150 ..300
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
- Комплементарная
пара с 2SA1213.
- Маркировка: М + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 2 А
Ib Ток базы - - - 400. мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 500 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 70 - 240 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1000 мА, Ib = 50 мА - - 0,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1000 мА, Ib = 50 мА - 1,2 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 2 В, Ic = 500 мА - 120 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 30 - пФ
Ton Время нарастания - 0,1 - _ мкс
Tf Время спада импульса - - 0,1 - мкс
м О Y
hFE 70. .140 120. .240
422 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Маркировка: S + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
- Комплементарная
пара с 2SA1314
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
4.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 2,0 А
lb Ток базы - - - 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,5/1,0 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 30 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 500 мА 140 - 600 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,0 A, lb = 50 мА - 0,2 0,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 500 мА - 150 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, (=1МГц - 27 - пФ
S А В С
hFE 140 280 200.. 400 300 ..600
Особенности
- Высокое значе-
ние напряжения
Vceo-
- Маркировка:
С5548.
Корпус SC-63 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 600 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 370 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 2,0 А
Icp Ток коллектора импульсный - - - 4,0 А
lb Ток базы - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 15 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 600 В, le = 0 - - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА Vce = 5 В, Ic = 200 мА 50 60 - 120 120
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 800 мА, lb = 100 мА - - 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 100 мА, lb = 10 мА - - 1,3 В
Ton Время нарастания - - 0,5 - мкс
Tf Время спада импульса - - 0,3 - мкс
Транзисторы производства TOSHIBA 423
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: 2С.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 15 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
lc Ток коллектора - - 4 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 7 А
lb Ток базы - - - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 1/2,5 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, lc = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 400 - 1000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,6 A, lb = 32 мА - - 0,15 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,6 A, lb = 32 мА - - 1,1 В
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, le = 0,f=1 МГц - 28 - пФ
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - - 110 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 50 нс
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: С5886А.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 9 В
lc Ток коллектора - - - 5 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 10 А
lb Ток базы - - - 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 1/20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 120 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, lc = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 500 мА 400 1000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,6 A, lb = 32 мА - - 0,22 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с = 1,6 А, 1Ь = 32мА - - 1,1 В
Ton Время нарастания Rl= 15Ом - - 60 нс
Tf Время спада Rl = 15Ом - - 95 нс
424 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: WP.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 4 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 7 А
Ib Ток базы - - - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 0,8/1,25 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 - - 100 нА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 500 мА 200 - 500 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,6 A, Ib = 53 мА - - 0,2 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,6 A, Ib = 53 мА - - 1,1 В
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0,f=1 МГц - 35 - пФ
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - - 55 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 25 нс
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: WW
Корпус 2-3S1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - 3 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 5 А
Ib Ток базы - - - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 300 мА 250 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,0 A, Ib = 33 мА - - 0,14 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 A, Ib = 33 мА - - 1,1 В
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 18 - пФ
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - - 40 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 25 НС
Транзисторы производства TOSHIBA 425
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: С6000.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 7 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 10 А
lb Ток базы - - - 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/с теплоотводом) Т = 25°С - - 1/20 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 120 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 2,5A 250 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,5 A, lb = 83 мА - 0,18 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,5 A, lb = 83 мА - - 1,1 В
Ton Время нарастания Rl = 15 0м - - 45 нс
Tf Время спада Rl = 15 0м - - 13 нс
Особенности
- Маркировка: 7 + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
- Комплементарная пара
C2SA2154
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
1.0±0.05
lili
_ 0.6±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 0,1 А
lb Ток базы - - - 0,03 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,05 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 100 нА
bFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 6 В, Ic = 2 мА 120 - 400
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,1 A, lb = 10 мА - 0,1 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 1,0 мА - 60 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, le = 0,f=1 МГц - 0,95 - пФ
8 Y(F) GR(H)
hFE 120...240 200...400
426 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Маркировка: Н + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
- Комплементарная пара
C2SA2154MFV
Корпус 2-1L1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
. 3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 0,1 А
lb Ток базы - - 0,03 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 0,05 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 60 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 6 В, lc = 2 мА 120 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,1 A, lb = 10 мА - 0,1 0,25 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с=1,0 мА - 60 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 0,95 - пФ
Н Y GR(G)
Ьре 120 .240 200 ..400
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: WX.
Корпус 2-3S1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 2,5 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 5 А
lb Ток базы - - - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb =100 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 - - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 300 мА 250 - 400
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с= 1,0 A, lb = 33 мА - - 0,18 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 1,0 A, lb = 33 мА - - 1,1 В
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, 1е = 0,Т=1МГц - 18 - пФ
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - - 25 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 38 нс
Транзисторы производства TOSHIBA 427
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: WN.
Корпус 2-3S1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 180 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 120 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - 1,0 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 2,0 А
Ib Ток базы - - 0,1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =180 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 100 мА 120 300
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 0,3A, lb = 10 мА - 0,14 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,3 A, Ib = 10 мА - - 1,1 В
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц - 18 - пФ
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - 100 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 200 НС
Особенности
- Комплементарная пара
с 2SB905.
- Маркировка: D1220 +
буква, соответствующая
значениям hFE располо-
женная в нижнем левом
углу корпуса
Корпуса SC-63 (JEITA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 150 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 150 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 1,5 А
Ib Ток базы - - - 1.0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвод/теплоотвод) Т = 25°С - - 1/10 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 150 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 200 мА 60 - 320 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,5 A, Ib = 50 мА - 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0,5 A, Ib = 50 мА - - 0,8 В
fy Произведение коэффициенту усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 200 мА 15 100 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц - 13 20 пФ
Tf Время спада R = 20 Ом - 0,1 мкс
D1220 R О Y
hFE 60...120 100 ..200 160...320
428 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-63 (EIAJ) ..... ??
- Комплементарная пара с 2SB906. - Маркировка: D1221 + буква, соответствующая значениям hFEt располо- женная в нижнем левом Вывод Функциональное назначение in V-
Г 4 *1
1 База
2 Коллектор 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 3 о $ 1П
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
углу корпуса 2.0 MIN
Предельно допустимые и основные элект Т 1 рические параметры т
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 60 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 7 В
Ic Ток коллектора 3,0 А
lb Ток базы - 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвод/теплоотвод) Т = 25°С - - 1/20 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 - 100 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, IC = 0 - - 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 0,5A 60 300
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,0 A, lb = 300 мА - 0,4 1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 500 мА - 3 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц 70 - пФ
Tf Время спада R=15Om - 0,8 мкс
D1221 О Y GR
Ьре 60.. 120 100 ..200 150...300
Особенности
- Комплементарная
пара с В907.
- Маркировка: D1222
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 60 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 40 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора 3,0 А
lb Ток базы - 0,3 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/теплоотвод) Т = 25°С - - 1/15 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 60 В, le = 0 20 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 2,5 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 1000 мА 2000
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,0 A, lb = 4,0 мА 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,0 A, lb = 4,0 мА 2 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 500 мА - 9 - МГц
Tf Время спада R= 10 Ом 0,2 мкс
R1 Сопротивление резистора 4,8 кОм
R2 Сопротивление резистора - - 0,3 - кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 429
Особенности
- Комплементарная пара
с 2SB907.
- Маркировка: D1223.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
6,5±0,2
Г 4 ~^|
1Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 80 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора 4,0 А
lb Ток базы - 0,4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/теплоотвод) Т = 25°С - - 1/15 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb =100 В, le = 0 - - 20 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - 2,5 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 1 А 2000 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 3,0 A, lb = 6,0 мА - - 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 3,0 A, lb = 6,0 мА 2 В
Ton Время включения R = 10 Ом - 200 нс
Tf Время спада R = 10 Ом - 0,6 мкс
R1 Сопротивление резистора - 4,5 - кОм
R2 Сопротивление резистора - - 0,3 - кОм
Особенности
- Высокая скорость пе-
реключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: XN.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
UA+M
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 30 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 В
lc Ток коллектора - - - 1,5 А
lb Ток базы 0,05 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 30 В, le = 0 - 100 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 - 100 мкА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, lc = 150 мА 4000
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 1,0 A, lb = 1,0 мА - 0,15 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э 1с=1,0 А, 1Ь=1,0 мА - - 2,2 В
Cob Выходная емкость Veb =10 В, le = 0, f=1 МГц - 28 - пФ
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - - 200 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 300 НС
430 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое напряжение
насыщения.
- Маркировка: D2584.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 100 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 7,0 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 10 А
Ib Ток базы - - - 0,7 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе (без теплоотвода/теплоотвод) Т = 25°С - - 1/15 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 120 В, le = 0 - - 100 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,75 - 3,0 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 3 А 2000 - 15000 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,0 A, Ib = 6,0 мА - 0,9 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3,0 A, Ib = 6,0 мА - 1,5 2 В
Ton Время включения - - 300 нс
Tf Время спада - - 0,6 мкс
R1 Сопротивление резистора - - 5 - кОм
R2 Сопротивление резистора - - 0,15 - кОм
Особенности
- Высокая скорость
переключения.
- Малое Напряжение
насыщения.
- Маркировка: ЗН.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Ц,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 50 - 70 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 8 В
Ic Ток коллектора - - - ’1 А
Icp Ток коллектора импульсное значение 3 А
Ib Ток базы - - 0,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 1 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 45 В, le = 0 - 10 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 8 В, Ic = 0 - - 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 1 А 2000 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,0 A, lb= 1,0 мА - - 1,5 В
Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э 1с= 1,0 A, lb= 1,0 мА - - 2,0 В
Ton Время нарастания RI = 30 Ом - - 400 нс
Tf Время спада RI = 30 Ом - - 600 нс
R1 Сопротивление резистора - - 5 - кОм
R2 Сопротивление резистора - - 0,3 - кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 431
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: MR.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 10 мА 5,0 7,0 7,0 10 ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = 3 В, Ic = 1 мА, f = 2 ГГц 1,0 1,1 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах ВЧ-генераторов и буфер-
ных каскадах.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,7 дБ (f= 2,0 ГГц).
- Произведение коэффициента
усиления на ширину полосы про-
пускания - 10,0 ГГц.
- Маркировка: 00.
- Прибор чувствительный к ста-
тическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 в
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекто- ре Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
432 Транзисторы производства TOSHIBA
Я
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,4 дБ (f = 2,0 ГТц).
- Маркировка: MR.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе* Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo . Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления Vce = 1 В, lc = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 - ДБ
Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,4 - ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах малошумя-
щих усилителей.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: MR.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 5 мА Vce = 3 В, lc = 10 мА 5,0 7,0 7,0 10,0 ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,7 1,4 - ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 433
Особенности
- Разработан для ис-
пользования в схемах
усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение ко-
эффициента шума -
1,4 дБ (f=2,0 ГГц).
- Маркировка: MR.
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,0±0,2
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fi Произведение коэффициента усиления Vce = 1 В, Ic = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 - ДБ
Vce = 3 В, Ic = 7 мА, f = 2 ГГц - 1.4 - ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Особенности
- Разработан для использования
в схемах усилительных каска-
дов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффици-
ента шума - 1,2 дБ (f = 1,0ГГц).
- Маркировка: АЕ.
- Прибор чувствительный к
Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ
Вывод Функциональное назначение <4 О +1
1 База со ci
2 Эмиттер ’Й 2й_
3 Коллектор
2,9±0.2
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - 40 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
It Произведение коэффициента усиления Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 5,0 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,3 - ДБ
Vce = 3 В, Ic = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 - ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,8 1,15 пФ
434 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA) 3I 1
- Разработан для использования в схемах усилительных каска- дов ПЧ и ВЧ и генераторов. - Типовое значение коэффици- ента шума - 1,2 дБ (f = 1,0 ГГц). Вывод Функциональное назначение
1 База о
2 Эмиттер 6 41
3 Коллектор О
- Маркировка: 01. lib 411
- Прибор чувствительный к О,6±О,О5
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
h_FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1.3 - ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,8 1,05 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих усилителей.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,2 дБ (f = 1,0 ГГц).
- Маркировка: АЕ.
- Прибор чувствительный к ста-
тическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1.0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 7,0 10,0 - ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 5 мА, f= 1 ГГц Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f=1 ГГц 1.3 1.2 2,2 2,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 435
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ и
генераторов.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f= 1,0 ГГц).
- Маркировка: 02.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
.Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f=1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,9 1,15 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f= 1,0 ГГц).
- Маркировка: ТК.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2 В
Ic Ток коллектора - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - ‘0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 5 мА, f= 1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,9 1,25 пФ
436 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для ис-
пользования в схемах
усилительных и буфер-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение ко-
эффициента шума - 1,7
дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: 03.
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 15 мА
lb Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
ЬрЕ Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,25 0,5 пФ
Особенности
- Разработан для использования
в схемах усилительных каска-
дов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффици-
ента шума - 1,6 дБ (f= 2,0 ГГц).
- Маркировка: АС.
- Прибор чувствительный к
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 15 мА
lb Ток базы - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 60 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 70 140
4 Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 7,0 10,0 ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц 1,7 1,6 3 3 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,25 0,7 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 437
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,7 дБ (f = 1,0 ГГц).
- Маркировка: АС.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - 15 мА
lb Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 60 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 140 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 1 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,25 0,7 пФ
Особенности Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA) з|
- Разработан для использо- вания в схемах усилитель- ных и буферных каскадов ПЧ и ВЧ. - Типовое значение коэф- фициента шума - 1,6 дБ Вывод Функциональное назначение 90*0+04
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
(f = 2,0 ГГц). - Маркировка: 04. - Прибор чувствительный к статическому электри- lill alii
0.6±0,05 _
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 25 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц 1,6 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,4 0,65 пФ
438 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,5 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: AD.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 60 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,6 1,5 3 3 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,4 0,85 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,5 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: AD.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 - 140
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10,0 12,0 ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГцУсе = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 1,6 1,5 3 3 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,4 0,85 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 439
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,5 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: AD.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 25 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 . мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц 1,6 1,5 3 3 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,4 0,85 пФ
Особенности
- Разработан для использова-
ния в схемах усилительных
каскадов ПЧ и ВЧ и генерато-
ров.
- Типовое значение коэффици-
ента шума - 1,4 дБ
(f=r 1,0 ГГц).
- Маркировка: 05.
- Прибор чувствительный к
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з| J
ю о о +1 о
lib elil
_ 0,6±0.05
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
VcJdo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,5 В
Ic Ток коллектора - 40 мА
Ib Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,55 0,8 пФ
440 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) 3| 1 1 —
- Разработан для использования в схемах усилительных каскадов ПЧ и ВЧ и генераторов. - Типовое значение коэффициен- та шума - 1,4 дБ (f = 1,0 ГГц). - Маркировка: TH. - Прибор чувствительный к статическому электричеству. Предельно допустимые и основны Вывод Функциональное назначение 1 i i ю О 6 S
1 База
2 Эмиттер il|] 1 1Д±О.О5
3 Коллектор
е электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 140 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1B, 1с = 5мА, f=1 ГГц - 1,4 2,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,55 0,95 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ и
генераторов.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 2,4 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: 08.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,0 В
lc Ток коллектора - - 40 мА
lb Ток базы - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 100 160
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,65 0,9 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 441
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ и
генераторов.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 2,4 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: TR.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - - 1,0 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,65 0,9 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов ПЧ
и ВЧ и генераторов.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,7 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: 09.
- Прибор чувствительный к ста-
тическому электричеству.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| J
ю о 6 +1 о
Lili гП1
. 0,6±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1B, 1е = 0Л=1МГц - 0,7 0,95 пФ
442 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ и
генераторов.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,7 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: TJ.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 2,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,7 0,95 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных и буферных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,7 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: ОН.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 6 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 2,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 30 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 4 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 90 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 9,0 11,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1.7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, (=1МГц - 0,5 0,75 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 443
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных и буферных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,7 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: ТХ.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 6 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 2,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 30 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 70 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 4 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb - 1 В. Ic = 0 - - 1,0 мкА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 90 150 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 9,0 11,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,5 0,75 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных и буферных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 2,4 дБ
(f= 1,0 ГГц).
- Маркировка: ОК.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 60 мА
Ib Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 4 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 ' мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 2,0 4,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 2 В, Ic = 5 мА, f=1 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 2,4 3.0 пФ
444 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных и буферных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 2,4 дБ
(f = 1,0 ГГц).
- Маркировка: Т4.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГП
1,Ц±0,05
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 60 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 4 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 80 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 2,0 4,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 2 В, lc = 5 мА, f= 1 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 2,4 3,0 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных и буферных
каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициента
шума - 2,4 дБ (f = 1,0 ГГц).
- Маркировка: Т4.
- Прибор чувствительный к ста-
Корпус SC-70 (EIAJ) зИ
Вывод Функциональное назначение 6 41
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор 2.0±0.2 .
тическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 60 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 4 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 2,0 4,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 2 В, lc = 5 мА, f= 1 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 2,4 3,0 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 445
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных и буферных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f= 1,0 ГГц).
- Маркировка: 0U.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
2-1Е1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Ш’ 0,6± гЩ.
0.05
ю
Q
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 20 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 85 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 4 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Иге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 90 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f=1 ГГц 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,4 0,65 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных и буферных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f = 1,0 ГГц).
- Маркировка: ZM.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,4±0,05
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 20 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 4 В, !е = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb=1 В. 1с = 0 - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce=1 В. 1с = 5мА 90 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2.2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1B, 1е = 0Л=1МГц - 0,4 0,65 пФ
446 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих усилителей
и ГУН.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,4 дБ (f= 2,0 ГГц).
- Маркировка: 2 0.
- Прибор чувствительный к ста-
тическому электричеству.
Корпус 2-1 El A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| J
ю о s' о г-
lill alii
0.6±0,05 ~
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Усео Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
!Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 В
ic Ток коллектора - - - 24 мА
lb Ток базы - - - 12 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 8 В, le = 0 - - 1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 16,0 20,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, Ic = 2 мА, f = 2 ГГц - 1,4 1.9 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,3 0,5 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,15 0,28 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах малошумящих усилите-
лей и ГУН.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,4 дБ (f = 2,0 ГТц).
- Маркировка: Q2.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 В
Ic Ток коллектора - - - 24 мА
Ib Ток базы - - - 12 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 8 В, le = 0 - - 1.0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 16,0 20,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, Ic = 2 мА, f = 2 ГГц - 1,4 1.9 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,46 0,75 пФ
Cre Проходная емкость Vcb=1B, 1е = 0Л=1МГц - 0,21 0,4 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 447
Особенности
- Разработан для использования
в схемах малошумящих усили-
телей и ГУН.
- Типовое значение коэффици-
ента шума - 1,3 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: 2 1.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Корпус 2-1 El A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - 36 мА
lb Ток базы - - - 18 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 1.0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 15 мА 15,0 19,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 1,8 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,37 0,6 пФ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,21 0,4 пФ
Особенности
- Разработан для использования
в схемах малошумящих усили-
телей и ГУН.
- Типовое значение коэффици-
ента шума - 1,3 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: Q3.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 36 мА
lb Ток базы - - - 18 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 8 В, le = 0 - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 15 мА 15,0 19,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 1,8 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,55 0,85 пФ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,26 0,5 пФ
448 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах малошумя-
щих усилителей и ГУН.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,2 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: 2 2.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
lb Ток базы - - 25 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 мА 70 - 140 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 20 мА 15,0 19,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,2 1,8 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb = 1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,49 0,75 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,3 0,55 пФ
Особенности Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) зГ» |" —
- Разработан для использования в схемах малошумящих усили- телей и ГУН. - Типовое значение коэффици- ента шума - 1,2 дБ (f= 2,0 ГГц). - Маркировка: Q4. - Прибор чувствительный к статическому электричеству. Предельно допустимые и основн Вывод Функциональное назначение I i i 8 8 01
1 База
2 Эмиттер i|!J 1 2|Д_ 1,4±0,05
3 Коллектор
ые электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
lb Ток базы - - - 25 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ире Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 20 мА 15,0 19,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,2 1,8 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb = 1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,66 1,0 пФ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,35 0,65 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 449
Особенности Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA) 3| J
- Разработан для использования в Вывод Функциональное
схемах малошумящих усилителей и назначение
ГУН. 1 База О
- Типовое значение коэффициента 2 Эмиттер 6 +1
шума - 1,2 дБ (f = 2,0 ГГц). 3 Коллектор о
- Маркировка: 2 6. 1 »
- Прибор чувствительный к ста- Lib гЩ
тическому электричеству. _ 0,6±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 80 мА
lb Ток базы - - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
I1fe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 20 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 20 мА 11,0 15,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,2 1,8 ДБ
Cob Выходная емкость Veb = 1 В, le = 0, (=1МГц - 0,72 1,1 пФ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,46 0,85 пФ
Особенности
- Разработан для использования
в схемах малошумящих усили-
телей и ГУН.
- Типовое значение коэффици-
ента шума - 1,2 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: Q7.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 80 мА
lb Ток базы - - - 40 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 20 мА 70 - 140 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 20 мА 11,0 15,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,2 1,8 ДБ
Cob Выходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,9 1,4 пФ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,55 0,9 пФ
450 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: MR.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1,3 Эмиттер
2 База
4 Коллектор
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
It Произведение коэффициента усиления Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,7 1,05 пФ
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,4 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: MR.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
Корпус SC-82 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1,3 Эмиттер
2 База
3 Коллектор
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
It Произведение коэффициента усиления Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,7 1,05 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 451
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов ПЧ и
ВЧ.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,2 дБ (f = 1,0 ГГц).
- Маркировка: АЕ.
- Прибор чувствительный к стати-
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1,3 Эмиттер
2 База
4 Коллектор
ческому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,3 2,2 ДБ
Vce = 3 В, Ic = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 2,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f = 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов ПЧ
иВЧ.
- Типовое значение коэффициента
шума - 1,2 дБ (f = 1,0 ГГц).
- Маркировка; АЕ.
- Прибор чувствительный к ста-
тическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
Произведение коэффициента усиления Vce =1 В, Ic = 5 мА - 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - • ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 5 мА, f= 1 ГГц - 1,3 2,2 ДБ
Vce = 3 В, Ic = 7 мА, f = 1 ГГц - 1,2 2,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,75 1,1 пФ
452 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,6 дБ (f = 2,0 ГТц).
- Маркировка: АС.
- Прибор чувствительный к
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1,3 Эмиттер
2 База
4 Коллектор
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
Ib Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 60 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц 1,7 1,6 3,0 3,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,23 0,7 пФ
Особенности
- Разработан для использования в
схемах усилительных каскадов
ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэффициен-
та шума - 1,6 дБ (f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: АС.
- Прибор чувствительный к
статическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
Ib Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 60 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 1,6 3,0 3,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,23 0,7 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 453
Особенности
- Разработан для использо-
вания в схемах усилитель-
ных каскадов ПЧ и ВЧ.
- Типовое значение коэф-
фициента шума - 1,5 дБ
(f = 2,0 ГГц).
- Маркировка: AD.
- Прибор чувствительный
к статическому электри-
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1,3 Эмиттер
2 База
4 Коллектор
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = 3 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 1,6 1,5 3,0 3,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,4 0,85 пФ
Особенности Корпус SC-82 (EIAJ) ц|-Н . зЩ
- Разработан для использования в Вывод Функциональное
схемах усилительных каскадов ПЧ и назначение о
ВЧ. 1,3 Эмиттер ।
- Типовое значение коэффициента 2 База ।
шума - 1,5 дБ (f= 2,0 ГГц). 4 Коллектор 'й • 2Й
- Маркировка: AD. L4-1 1 L4J 2,0±0,2
- Прибор чувствительный к ста-
тическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 в
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА ' 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,6 1,5 3,0 3,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,4 0,85 пФ
454 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности - Разработан для использования в схемах усилительных каскадов ПЧ иВЧ. - Типовое значение коэффициента шума - 1,4 дБ ((= 2,0 ГГц). Корпус Вывод 1,3 2 SC-82 (EIAJ) Функциональное назначение Эмиттер База »й.
1 i i i 6 +1 5
4 Коллектор ’И ! 2Ы_
- Маркировка: U4. - Прибор чувствительный к ста- 2,0±0.2
тическому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
lb Ток базы - - - 7,5 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 67,5 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 мА 50 - 150 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, Ic = 3mA, f= 1 ГГц Vce = 3 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,0 1,4 1,4 1,8 ДБ ДБ
Cob Выходная емкость Vcb = ЗВ, le = 0,f=1 МГц - 0,4 0,65 пФ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,2 0,45 пФ
Особенности
- В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
MT3S03AT.
- Маркировка: AM.
- Прибор чувстви-
тельный к стати-
ческому электри-
Корпус 2-2N1B (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 Эмиттер Тр. 2
5 БазаТр 2
6 БазаТр. 1
1,6±0,05
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления Vce =1 В, Ic = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,8 1,15 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 455
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора
MT3S04AT.
- Маркировка: AL
- Прибор чувстви-
тельный к статиче-
скому электричеству.
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 Эмиттер Тр 2
5 База Тр. 2
6 БазаТр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
It Произведение коэффициента усиления Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, 1с = 5мА, f = 1 ГГц - 1,3 2,2 ДБ
Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f=1 ГГц - 1,2 2,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора
MT3S03AT.
- Маркировка:
ТА
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 БазаТр 1
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
It Произведение коэффициента усиления Vce = 1 В, Ic = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f = 2 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,8 1,15 пФ
456 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора MT3S03AT.
- Маркировка: ТА.
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 2 В
lc Ток коллектора - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 5 мА Vce = 3 В, lc = 10 мА 5,0 7,0 7,0 10,0 - ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц 1,7 1,4 3,0 2,2 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,8 1,15 пФ
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора
MT3S04AT.
- Маркировка:
AV.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр. 1
1,6±О,О5
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 160
fy Произведение коэффициента усиления Vce =1 В, lc = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, 1с = 5мА, f=1 ГГц - 1.3 2,2 ДБ
Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f=1 ГГц - 1,2 2,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,9 1,25 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 457
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора MT3S04AT.
- Маркировка: AV
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -- 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f= 1 ГГц - 1,3 2,2 ДБ
Vce = ЗВ, Ic = 7 мА, f=1 ГГц - 1,2 2,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
малошумящих
транзистора
MT3S05T.
- Маркировка:
32
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-1F1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 БазаТр 1
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f= 1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
458 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора
MT3S11T.
- Маркировка:
33.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-1F1A
(TOSHIBA)
Вывод Фун кциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
1.0±0.05
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,0 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, (=1МГц - 0,65 0,9 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 459
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Tr 1 - MT3S03AS
и
Тг2-
MT3S04AS.
- Маркировка:
АК
- Прибор чувст-
вительный к
статическому
электричеству.
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2
6 БазаТр 1
1,6±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс. | зг^ , чеа 81 >1 Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 1 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 5 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,8 1,15 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,3 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
460 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Tr 1 - MT3S06S
и
Tr2-MT3S05T.
- Маркировка:
WY
- Прибор чувст-
вительный к
статическому
электричеству.
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 ' База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 15 мА
lb Ток базы - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,35 0,75 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,95 1,15 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 461
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S06S
и
Тг 2 - MT3S08T.
- Маркировка:
ZD
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
1.6±0,0S
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 15 мА
Ib Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,35 0,75 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,5 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,55 0,95 пФ
462 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S07S
и
Тг 2 - MT3S05T.
- Маркировка:
AR.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр. 1
1,6±0.05
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
tlFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,5 3 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,45 0,85 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,95 1,15 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 463
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
малошумящих
транзистора
MT3S05T.
- Маркировка:
12
- Прибор чувст-
вительный к
статическому
электричеству.
Корпус 2-1F1A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, 1с = 5мА, f= 1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,9 1,25 пФ
464 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Tr 1 - MT3S07S
и
Тг 2 - MT3S08T.
- Маркировка:
AS
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2
6 База Тр. 1
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le =? 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера* Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140, -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 3 В, Ic = 5 мА, Г=2ГГц - 1,5 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,45 0,85 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 8 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 2,0 4,5 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f=1 ГГц - 1,4 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,55 0,95 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 465
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих тран-
зистора:
Тг 1 - MT3S06T
и
Тг2-
MT3S04AT.
- Маркировка: 14
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-1F1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр 1
1.0+0.05
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 15 мА
lb Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc - 3 мА, f = 1 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,25 0,7 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 5 мА Vce = 3 В, lc = 7 мА 5,0 7,0 7,0 10,0 ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 1 ГГц Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f= 1 ГГц - 1,3 1,2 2,2 2,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
466 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S06S
иТг2-
MT3S04AS.
- Маркировка:
AW.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2
6 База Тр. 1
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
Ib Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,35 0,75 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 7,0 10,0 ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, 1с = 5мА, f = 1 ГГц Vce = ЗВ, 1с = 7мА, f=1 ГГц 1,3 1,2 2,2 2,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 467
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора: Tr 1 -
MT3S06SnTr2-
MT3S04AS.
- Маркировка: AW.
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер / 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
lb Ток базы - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц 0,35 0,75 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5.0 7,0 7,0 10,0 ГГц ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, 1с = 5мА, f= 1 ГГц Vce = ЗВ, 1с = 7мА, f=1 ГГц - 1,3 1,2 2,2 2,0 ДБ ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
468 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S06T
иТг2-
MT3S03AT.
- Маркировка:
15.
- Прибор чувст-
вительный к
статическому
электричеству.
Корпус 2-1F1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
1,0±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - 15 мА
lb Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 140 -
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 3mA, f=1 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Veb = 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,25 0,7 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1.7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f = 1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 469
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S06S
иТг2-
MT3S03AS.
- Маркировка:
АХ.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 1,5 В
Ic Ток коллектора - - 15 мА
Ib Ток базы - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,25 0,7 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - 40 мА
Ib Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 160
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc= 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1B, le = 0, f= 1 МГц - 0,75 1.1 пФ
470 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора:
Tr 1-MT3S06SH
Тг 2 - MT3S03AS.
- Маркировка:
АХ
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр 1
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
lb Ток базы - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,25 0,7 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,75 1,1 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 471
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 -MT3S07S
иТг2-
MT3S04AS.
- Маркировка:
ТЕ.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-2N1B
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
1,6±0,05
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10 12 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,6 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,45 0,85 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц 1,3 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,9 1,25 пФ
472 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора: Тг 1 -
MT3S07SnTr2-
MT3S04AS.
- Маркировка: ТЕ.
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2
6 База Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 25 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 10 12 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,6 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,45 0,85 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 7 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1.3 2,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,9 1,25 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 473
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора: Tr 1 -
MT3S07SnTr2-
MT3S03AS.
- Маркировка: TF
- Прибор чувствитель-
ный к статическому
электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр. 2
4 БазаТр 2
5 Эмиттер Тр 2
6 БазаТр 1
2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
Ic Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
Ьге Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 10 12 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,6 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,45 0,85 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
Ic Ток коллектора - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 80 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 5,0 7,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,7 3,0 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,8 1,15 пФ
474 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S07T
иТг2-
MT3S11T.
- Маркировка:
18.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-1F1A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр. 1
1.О±О.О5
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 70 - 140 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 1,5 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,4 0,65 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 2 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 100 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, lc = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0,f=1 МГц - 0,65 0,9 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 475
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1-MT3S06T
иТг2-
MT3S11T.
- Маркировка:
1К.
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-1F1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 БазаТр. 1
1,0±0,05
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1.5 - В
Ic Ток коллектора - - - 15 мА
Ib Ток базы - - - 7 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 5 мА 7,0 10,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,7. 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb = 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,25 0,5 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,65 0,9 пФ
476 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Tr 1 - MT3S07FS
иТг2-
MT3S11AFS.
- Маркировка:
1W
- Прибор чувст-
вительный к
Корпус 2-1F1A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
1,О±О,О5
статическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 10 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 1.5 В
Ic Ток коллектора - - - 25 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - 1.0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =1 В, Ic = 5 мА 70 - 140
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, Ic = 10 мА 10,0 12,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = 1 В, Ic = 3 мА, f = 2 ГГц - 1.7 3 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb=1 В, le = 0, f=1 МГц - 0,4 0,65 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1.0 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160
^T Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,6 0,85 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 477
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1 - MT3S36FS
иТг2-
MT3S11AFS.
- Маркировка:
IX
- Прибор чувст-
вительный к
статическому
электричеству.
Корпус 2-1F1A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр 1
2 Эмиттер Тр 1
3 Коллектор Тр 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр 2
6 БазаТр 1
1,О±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 8 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 4,5 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1,5 В
lc Ток коллектора - - - 36 мА
lb Ток базы - - - 18 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 8 В, le = 0 - - 1,0 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - - 1,0 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, lc = 10 мА 70 - 140
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 3 В, lc = 15 мА 16,0 20,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц - 1,3 1,8 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,21 0,4 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1 В
lc Ток коллектора - - - 40 мА
lb Ток базы - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, lc = 0 - 1,0 мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 5 мА 100 - 160 -
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =1 В, lc = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce= 1 В, lc = 5 мА, f= 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = O,f= 1 МГц - 0,6 0,85 пФ
478 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- В состав сборки
входят два ма-
лошумящих
транзистора:
Тг 1-MT3S11FS
иТг2-
MT3SUAFS.
- Маркировка:
55.
- Прибор чувст-
вительный к
статическому
электричеству.
Корпус 2-1F1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 Коллектор Тр. 1
2 Эмиттер Тр. 1
3 Коллектор Тр. 2
4 База Тр. 2
5 Эмиттер Тр. 2
6 База Тр. 1
1.О±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс значе- ние Еди- ницы
Тг 1
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 1 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 мА 100 - 160 -
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce=1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц - 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f = 1 МГц - 0,65 0,9 пФ
Tr2
Vcbo Напряжение коллектор-база - 13 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 6 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 1 В
Ic Ток коллектора - - - 40 мА
Ib Ток базы - - - 10 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25°С - - 90 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 5 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 1 В, Ic = 0 - - 1,0 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5 мА 100 - 160 -
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 1 В, Ic = 5 мА 4,0 6,0 - ГГц
NF Коэффициент шума Vce =1 В, Ic = 5 мА, f = 2 ГГц 2,4 3,2 ДБ
Cre Проходная емкость Vcb= 1 В, le = 0, f= 1 МГц - 0,6 0,85 пФ
Транзисторы производства TOSHIBA 479
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2101.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХА.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,82 - 1,52 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,1 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2101F.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХА.
Корпус SC-89 (EIAJ) зГП
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo z Напряжение эмиттер-база - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,82 - 1,52 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,1 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
480 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная
пара с RN2101FS.
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: L0.
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, lc = 0 0,89 - 1,33 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1.0 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,8 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,76 4,7 . 5,64 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,2 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2101FT.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХА.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,82 - 1,52 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,1 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1.0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 481
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2101MFV.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХА
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, lc = 0 0,82 1,52 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,1 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1.0 - 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2102.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХВ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 в
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 _ нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, Ic = 0 0,38 0,71
hFE Коэффициент передали тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - । __ _
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,2 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
482 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
Комплементарная пара
и RN2102F.
- Встроенные резисто-
ры,
• : зокировка: ХВ
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение когГлектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, lc = 0 0,38 0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,2 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности Корпус 2-1Е1А 3| 1 R1 R2
- Комплементарная (TOSHIBA) ю О О +1 о
пара с RN2102FS. - Встроенные рези- сторы. - Маркировка: L1. Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
0,6±| 2Щ_ 0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 10 В
Ic Ток коллектора - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, lc = 0 0,41 0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 60 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,15 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1.0 - 2,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 1,5 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce= 10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц 1,2 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 8 10 12 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
Транзисторы производства TOSHIBA 483
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2102FT.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХВ.
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,Ц±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние М? <с. значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 в
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb= 10 В, lc = 0 0,38 0,71 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,2 - 2,4 _ В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,0 - 1,5 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10B,f= 1 МГц 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1.1 -
Особенности
- Комплементарная
пара с RN2102MFV.
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ХВ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,38 - 0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1.2 - 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1.0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,2 -
484 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2103.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХС.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|±
i i . 1 ' i --I— 6 s.
1.6±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,17 - 0,33 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 > - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 " пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2103F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХС.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| i I
1 ю О
i i 8 «о
1|Ч ' 2|Ч
« +О.О5 1.6 -О.ОЗ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, Ic = 0 0,17 - 0,33 мА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,3 - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 485
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2103FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: L2.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,18 0,29 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 100 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,18 0,29 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,1 - 2,7 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,8 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 17,6 22 26,4 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2103FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХС.
Корпус 2-1В1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное , назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,17 - 0,33 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 70 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,3 - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1.0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 J.I )
486 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2103MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХС.
Корпус 2-1L1A
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, Ic = 0 0,11 - 0,33 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА V - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1 0 - 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,2 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2104.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XD.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,082 - 0,15 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 - 5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5B, 1с = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 1OB,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 487
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2104F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XD.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 10 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, lc = 0 0,082 0,15 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 - 5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 Т5 _ В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности Корпус 2-1 El A (TOSHIBA) 3 1
- Комплементарная пара с RN2104FS. Вывод Функциональное назначение 1 i О 6 R1 /£/
- Встроенные резисторы. - Маркировка: L3. 1 о База i
£ 3 Эмиттер Коллектор l> 1 <L R2
. 1.2±О.О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,088 - 0,133
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 120 - ~ ।
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - - 0,15 в
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,2 - 3,6 в
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 - 1,5 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 37,6 47 56,4 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
48fr Транзисторы производства TOSHIBA
OcWCKF'rni
Y члплементарная пара с
RN2104FT.
'строенные резисторы.
- Маркировка: XD
? недель но допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,082 - 0,15 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1.5 - 5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,0 - 1,5 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2104MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XD.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,082 - 0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,5 - 5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1.0 1,2 -
Транзисторы производства TOSHIBA 489
Особенности
- Комплементарная
пара с RN2105.
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ХЕ.
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з-Н
i i . i i 1— 1,6±ОЛ
У' 1 ’7
- 1в±0.1 -
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,078 0,145 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 1,1 __ В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 0,8 В
fT , Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2105F.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХЕ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|Н
1 i i in о о s.
lH| ' 2[1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 НА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,078 - 0,145
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 0,8 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
490 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2105FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: L4.
Корпус 2-1 El A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,^-7. - 0,127 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 120 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - - 0,15 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,4 - 0,8 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,76 2,2 2,64 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0376 0,0468 0,0562 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2105FT.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: ХЕ
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) з[ТГ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,078 - 0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 0,8 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Транзисторы производства TOSHIBA 491
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2105MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХЕ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,078 - 0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,6 - 1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 0,8 _ В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0376 0,0468 0,0562 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2106.
- Встроенные реТисторы.
- Маркировка: XF.
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з
' ...х.' i i , —। j 1— о $
у 1
1.6±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 в
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,074 - 0,1 Зо
I1FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,7 - 1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 - 0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
492 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная
пара с RN2106F.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: XF
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
згП—
।
«*+955
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр ’ Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo ’ Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,074 - 0,138 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce - 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА % _ __ - 1.3 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА ' г - 0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 2,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная
napacRN2106FS.
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: L5
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
З-ГП
lib гЩ_
_ 0.6±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,08 - 0,121 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 120 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,15 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 1,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,4 - 0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,76 4,7 5,64 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,08 • 0,1 0,12 -
Транзисторы производства TOSHIBA 493
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2106FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XF.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,074 - 0,138 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 1.3 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 0,8 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2106MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XF.
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1 i i
ю
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С , - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,074 - 0,138 '
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 1.3 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 0,8 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,08 0,1 0,12 -
494 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2107.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХН.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 0,081 0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0/ - 1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления z на ширину полосы пропускания Vce= 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,19 0,213 0,232 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2107F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХН.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
lc Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 0,081 - 0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,7 - 1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,191 0,213 0,232 -
Транзисторы производства TOSHIBA 495
Особенности Корпус 2-1Е1А 3| I R1 /г/* R2
- Комплементарная (TOSHIBA) ю О о ё
пара с RN2107FS. - Встроенные рези- сторы. - Маркировка: L6 Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Щ’ _ 0,6± 2LLL 0.05 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,088 - 0,131 мА
h₽E Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 120 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - - 0,15 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 1,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 8 10 12 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,17 0,213 0,255 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2107FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХН.
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,Ц±0,05
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - _ 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 в
Ic Ток коллектора - - - 100 I
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,081 - 0,15 мА
hfE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 в
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 1,8 в
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 1,0 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,191 0,213 0,232 -
496 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2107MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХН.
Корпус 2-1L1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,2±0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,081 - 0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 03 - 1,0 в
f? Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,17 0,213 0,255 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2108.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XI
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
н
1 °
1 <0
J ..I j 4-.1
' U-1
, .... l,g±Q.1 „
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,078 0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,0 - 2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,6 - 1,16 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Транзисторы производства TOSHIBA 497
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2108F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XI.
нише и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, lc = 0 0,078 - 0,145 мА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 . 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,0 - 2J6 _ I В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,6 - 1,16 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Особенности Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA) 3I I R1 R2
- Комплементарная пара CRN2108FS. - Встроенные резйсто- ры. - Маркировка: L7. Вывод Функциональное назначение 10 О S о
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
lib . о.6± 2LLL 0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 7 В
lc Ток коллектора - - - 50 адЛ
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 ад Г
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 20 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, lc = 0 0,085 - 0,126 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 120 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,15 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,8 2,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,6 - 1,1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 17,6 22 26,4 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,374 0,468 0,562 -
498 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2108FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XI.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 О,С?П - 0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА - 2.6 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА Г, 1,6 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - ' 0,421 0,468 0,515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2108MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XI.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,078 0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,0 - 2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,6 1,16 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц 0,7 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,374 0,468 0,562 -
Транзисторы производства TOSHIBA . 499
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2109.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XJ.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зН
i j —। j 1— I 1.6±0.1
У’ u
1.6±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,167 - 0,311 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 - Г _
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 ’ В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,2 - 5,8 в
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,5 - 2,6 _ в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2109F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XJ
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
eft
ю о
i i 1,6±С
1Й 1 гЩ_
, _ +О.О5 1,6 -о.оз
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
Ic Ток коллектора - - - й ! мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 109 мВ;
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - юо ; i
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,167 - 0,311 !
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,2 - 5,8 I- В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,5 - 2,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
500 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная
пара с RN2109FS.
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: L8.
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 20 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,182 __ 0,271 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 100 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - - 0,15 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,6 - 5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,3 - 2,6 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 37,6 47 56,4 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,71 2,14 2,56 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2109FT.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: XJ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =15 В, lc = 0 0,167 - 0,311 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 2,2 - 5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,5 - 2,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Транзисторы производства TOSHIBA 501
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2109MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XJ.
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з| 1
ф’
S.
R1
R2
L
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
Ic Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, Ic = 0 0,167 - О.ЗГ мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc= 10 мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 в
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,2 - 5,8 ! в
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,5 - 2,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,71 2,14 2,56 -
Особенности
- Комплементарная
napacRN2110.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХК.
SC-75
Вывод Функциональное Назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
i i
- -
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 > мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 5мА, 1Ь = 0,25мА 0,1 0,3 _
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
502 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
Комплементарная пара
с RN2110F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХК.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Особенности
- Комплементарная
пара с RN2110FS.
- Встроенный рези-
стор.
- Маркировка: L9.
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з [tf
Ш1 2lil
- 0.6±0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 300 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - - 0,15 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce= 10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,76 4,7 5,64 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 503
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2110FT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХК.
Корпус 2-1В1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние МалС. значение еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В. f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
504 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2111.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХМ.
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зН-
i i , —4 i 1— 1.6±0.1
у i
п 1.6±0.1
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 • мкА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА 250 - МГЦ
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2111F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХМ.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3lil
1 i i 1 1.6±О,05
1|Ч 2|Ч_
“ 1 , _ +О.О5 1.6 -О.ОЗ
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,1 мкА
Ире Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость УсЬ=10В,Т=1МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 505
Особенности
- Комплементарная
napacRN2111FS.
- Встроенный рези-
стор.
- Маркировка: LF.
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
0,6±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - 50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 300
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - - 0,15 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce= 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 8 10 12 кОм
506 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус 2-1L1A (TOSHIBA) 3| I
- Комплементарная пара CRN2111MFV. Вывод Функциональное назначение I i ю О 6 R1
- Встроенный резистор. - Маркировка: ХМ. 1 о База i я.
3 Эмиттер Коллектор Ф’ 1 гф.
_ 1.2±0.05 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления Vce = 10 В, lc= 5 мА - 250 - МГц
на ширину полосы пропускания
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Особенности Корпус SC-75 (EIAJ) ।
- Комплементарная пара О1 Функциональное — 3±1
CRN2112. Вывод назначение i 6 R1 Z
- Встроенный резистор. 1 База i н 10
- Маркировка: XN. 2 Эмиттер 3 Коллектор Н- 1’! й
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = ЛО В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 507
Особенности
- Комплементарная
napacRN2112F.
- Встроенный рези-
стор.
- Маркировка: XN.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i 1П О I
ir J ' 41L
Г 1 « -+0.05 1.6 -0,03 _
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = 5мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
Особенности
- Комплементарная
napacRN2112FS.
- Встроенный рези-
стор.
- Маркировка: LH.
Корпус 2-1Е1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Ш’ 0.6± 411 0.05
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 300
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,15 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc= 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 1.2 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 17.6 22 26,4 кОм
508 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2112FT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: XN.
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| > I 1 GO‘OTZ’1
. _ i i
1[ и 'аЩ
1.4±0.05
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 ' - 15,4 22 28,6 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2112MFV.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: XN
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i । in О. 1
1 <1
1.2±О.О5 .
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 509
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2113.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХР.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob z Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2113F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХР.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное * назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,1 мкА
.21EE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
511 фанзисторы производства TOSHIBA
-МА'ГИ
V .нтарная
парг с R ’ 2i 13FS.
Встроенный рези-
I 'Ор.
,виа: LJ.
Корпус 2-1Е1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
0.6±0,05
Предельно допустимые и основные электрически^ параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 300 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - - 0,15. В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 37,6 47 56,4 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
< RN2113FT.
~ Встроенный резистор.
- Маркировка: ХР
Предельно допустимые и основные электрические параметры /
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 511
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2113MFV.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХР.
Корпус 2-1L1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние значите । ! Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 5Ь < В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 । В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 0,7 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2114.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: XQ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние зна Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - й 1 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 в
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,35 - 0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 0,9 в
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
512 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) з|;|
- Комплементарная пара с RN2114F. Вывод Функциональное назначение 1 1 1Л о 6 +1 R1
- Встроенные резисторы. - Маркировка: XQ. 1 База i 10
2 Эмиттер l|jj ' 2Щ_ —
3 Коллектор 1.6 -О.ОЗ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,35 - 0,65 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,6 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,3 - 0,9 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2114FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XQ
Корпус 2-1 Bl A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1.4±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,35 - 0,65 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,6 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,3 - 0,9 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 513
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2115.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XS.
SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
. । ।. .. < 1
У’' и - 1.6±0Л , —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В. le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,37 - 0,71 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 1.0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2115F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XS.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1.6±0.05
ф ' 2ф_
1вЗ:й
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,37 * - 0,71 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 1.0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
514 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2115FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XS.
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,37 - 0,71 мА
ЬрЕ Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2116.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XT
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база •> - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,36 - 0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,8 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 1,1 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 515
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2116F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XT.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 7 В
lc Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, lc = 0 0,36 0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,8 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,3 - 1,1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2116FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XT.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, lc = 0 0,36 0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,8 ‘ - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,3 - 1,1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
516 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2117.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XU
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,78 - 1,46 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 - 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 2,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2117F.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: XU.
Корпус SC-89 (EIAJ) зПТ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,78 - 1,46 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 - 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 2,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 517
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2117FT.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: XU.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,78 - 1,46 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 - 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 2,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Особенности Корпус SC-75 (EIAJ) .ш
- Комплементарная пара с RN2118. Функциональное назначение
Вывод i i R1
- Встроенные резисторы. - Маркировка: XW. 1 База •
2 Эмиттер В’ ‘ <
3 Коллектор
^_ле±о.1 „
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 25 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 0,33 - 0,63 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,5 - 10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 5,7 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
518 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2118F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XW.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение , Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 25 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 0,33 - 0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,5 - 10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 5,7 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc= 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Особенности Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) з| 1 1
- Комплементарная пара с Вывод Функциональное 1 8
RN2118FT. назначение 1 § R1
- Встроенные резисторы. 1 База 1 4Д. СЧ
- Маркировка: XW 2 Эмиттер
3 Коллектор 1.4±0.05 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 25 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 0,33 - 0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,5 - 10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 5,7 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 519
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2130FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: Х2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 В
lc Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 38 - 72 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 100 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,7 8,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,0 - 1,6 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce= 10 В, 1с = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10B,f= 1 МГц - 3,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
520 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2131F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХЗ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
li I
•Ф Нщ
« - +O.OS
1,6 -0,03
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тил. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2131FT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХЗ
Корпус 2-1 Bl A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 100 нА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 120 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц 3,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 521
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2132F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: Х4.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 в
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 120 - 70С -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6, С пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 140 200 26^ кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2132FT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: Х4.
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 -
R1 Сопротивление резистора R1 - 140 200 260 j
522 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2301.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХА.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
..з|=Г~
iW—
2,0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора - Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,82 - 1,52 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА зс - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1. - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2302.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХВ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, Ic = 0 0,38 - 0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1.2 - 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1.0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 523
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2303.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХС.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3SZ:
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,17 - 0,33 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,3 - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ RI
- Комплементарная пара с RN2304. - Встроенные резисторы. - Маркировка: XD Вывод Фун кционал ьное назначение О* н 3
1 База
2 Эмиттер R2
и 2.0±О.2
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - WO мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 _ LнА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, Ic = 0 0,082 - 0,15 мл
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 ~ i [
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 - 5,0 в
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,0 - 1,5 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
524 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ R1 R2
- Комплементарная пара с RN2305. - Встроенные резисторы. - Маркировка: ХЕ Вывод Функциональное назначение •й < § см
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,078 - 0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vde = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА < - - 1.1 В
Voff ' Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА V о - 0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2306.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XF
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 100 . мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,074 - 0,138 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,7 - 1.3 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 0,8 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Транзисторы производства TOSHIBA 525
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2307.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХН.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Ма?с. значгню Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 6 В
Ic Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,081 0,15 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,19 0,213 0,232 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2308.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XI.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,078 - 0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,0 - 2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,6 1,16 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, 1=1МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 ’ 0,468 0,515 -
526 i ранзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2309.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XJ.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, Ic = 0 0,167 - 0,311 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,2 - 5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,5 - 2,6 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ R1
- Комплементарная пара CRN2310. - Встроенный резистор. - Маркировка: ХК Вывод Функциональное назначение «И tL 6 +1 Я
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
^T Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 527
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ R1
- Комплементарная пара CRN2311. - Встроенный резистор. - Маркировка: ХМ. Вывод Функциональное назначение ’И ы
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
ш 2,0±0,2 ,
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с = 5мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ R1
- Комплементарная пара CRN2312. - Встроенный резистор. - Маркировка: XN. Вывод Функциональное назначение ш «а. 2.1±0.1
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5B, lc = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc=1 мА 120 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 mA 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 B, Ic = 5mA - 250 - МГц
Cob Выходная емкость. Veb = 10 B, f = 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
528 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ R1
- Комплементарная пара с RN2313. - Встроенный резистор. Маркщювка: ХР. Вывод Функциональное назначение ’И *td_ о л ci
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.0±0.2 j
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ R1
- Комплементарная пара с RN2314. - Встроенные резисторы. - Маркировка: XQ. Вывод Функциональное назначение ’И < го+гг |
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,0±0,2 .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,35 - 0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 0,9 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 529
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2315.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XS.
Корпус SC-70 (EIAJ) з|—I
Вывод Функциональное назначение ы
1 База
2 Эмиттер
та та.
3 Коллектор
2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,37 0,71 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2316.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: XT.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зН
см'
’И < 2,0±0.2 —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,36 - 0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,8 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 1,1 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
530 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
• Комплементарная пара с
RN2317.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XU.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, lc = 0 0,78 1,46 мА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 30 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,5 - 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,3 - 2,3 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2318.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XW.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 25 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, lc = 0 0,33 - 0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0.1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 2,5 - 10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 - 5,7 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, 1с = 5мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 -
Транзисторы производства TOSHIBA 531
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2321A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QA.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =15 В, 1е = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, Ic = 0 3,85 7,14 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 35 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, lb = 2 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1.0 - 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 1.4 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 4,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1.3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1.0 1,15 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2322A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QB.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, 1с = 0 1,75 - 3,25 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 65 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, lb = 1 мА - 0,25 • В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1,1 2,7 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 - 1,4 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 4,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1.0 1J5 _ -
532 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2323A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QC.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, 1с = 0 0,82 - 1,52 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 100 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, Ib = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1,3 - 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 - 1,4 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 4,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2324A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QD.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, 1с = 0 0,38 - 0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 140 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, Ib = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1,5 5,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 - 1,4 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 4,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Транзисторы производства TOSHIBA 533
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2325A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 15 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,365 0,682 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 140 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, ф = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 50 мА 0,5 - 1,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,4 - 0,8 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, lc = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f= 1 МГц - 4,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,329 0,47 0,611 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,04 0,047 0,054 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2326A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QF.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зИ
8 3
та та. 2.0±0.2 . —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 15 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,35 - 0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 140 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 50 мА 0,6 1.4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,4 0,8 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, lc = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 4,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,085 0,1 0,115 -
534 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2327A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QG.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 • В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,378 - 0,703 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 140 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, Ib = 1 мА - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 0,7 - 1.9 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 1.0 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 4,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,187 0,22 0,253 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2401.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХА.
Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ
Вывод Функциональное назначение ’Й | 2.8±0.2 R1 /1/
1 База
2 Эмиттер R2
3 Коллектор
2.9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,82 - 1,52 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1.1 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1.0 - 1.5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1.0 1.1 -
Транзисторы производства TOSHIBA э35
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2402.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХВ
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 10 в
Ic Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В. Ic = 0 0,38 0,71 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1.2 - 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1.0 - 1.5 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1.0 1.1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2403.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХС
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение *
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 0,17 - 0,33 мА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,3 - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1.0 - 1.5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0.9 1,0 1,1 -
536 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) з[ХГ
- Комплементарная пара с RN2404. - Встроенные резисторы. - Маркировка: XD. Вывод 1 2 3 Функциональное назначение База Эмиттер Коллектор <4 О Л сч R1 //
Ч±| 2й_ R2
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 10 В
lc Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =10 В, lc = 0 0,082 0,15 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 1,5 - 5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 1,0 - 1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2405.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХЕ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,078 0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 0,6 - 1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с = 5мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Транзисторы производства TOSHIBA 537
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2406.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XF.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,074 0,138 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 0,8 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость УсЬ=10ВД=1МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2407.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: ХН.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|Д
<4 I
«Й 2Й_
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 6 В
Ic Ток коллектора 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 " - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,081 0,15 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce =10 В, 1с = 5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,19 0,213 0,232 -
538 s ранзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2408.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XI.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,078 0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,0 - 2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,6 - 1,16 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2409.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XJ.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зШ
1
’Й 2Й_
2.9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 15 В
Ic Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25’С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =15 В, Ic = 0 0,167 0,311 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 2,2 - 5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 1,5 - 2,6 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Транзисторы производства TOSHIBA 539
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ)
- Комплементарная пара Вывод Функциональное сч
CRN2410. д назначение 6 41 R1
- Встроенный резистор. 1 База СО
- Маркировка: ХК 2 Эмиттер 3 Коллектор ’Й 2Й__11
2,9±0,2 А
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 - - 0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЦ-] ?
- Комплементарная пара R Функциональное сч
CRN2411. д назначение о R1 /гА
- Встроенный резистор. > 1 База «. )
- Маркировка: ХМ 2 Эмиттер zntr- чХ/ 3 Коллектор 1 ГН 2 ГЛ
2,9±0,2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние М^кс. значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebb Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,1 мкА
I'Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
540 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2412.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: XN.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2413.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: ХР.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 - - 0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость УсЬ = 10В,Г=1МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 541
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2414.
- Встроенные резисторы
- Маркировка: XQ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Мах< ' значение ; ЕДИ- НИЦЫ
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 5 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллек- торе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,35 - 0,65 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,6 - 2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 0,9 в
Произведение коэффициента усиле- ния на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2415.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XS
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
СМ О Н СО см
2Ш_
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия ’ Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 0,37 - 0,71 мА
I1fe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, Ib = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,7 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2/6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22
542 8 ранзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2416.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XT
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
<4 О
-н со
сч
’th 2й_
2.9±О,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 7 В
Ic Ток коллектора - - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 0,36 - 0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 0,8 - 2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 - 1,1 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, Ic = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2417.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XU.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 15 В
Ic Ток коллектора - - 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 15 В, Ic = 0 0,78 - 1,46 мА
I1FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 30 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 5 мА 1,5 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,3 2,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce=10B, 1с=5мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 543
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2418.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: XW.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 25 В
lc Ток коллектора - - 100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, lc = 0 0,33 - 0,63 мА
bFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 50 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 5 мА, lb = 0,25 мА - 0,1 0,3 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 5 мА 2,5 - 10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,5 - 5,7 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 10 В, lc = 5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2421.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QA.
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
«Ч О §
’Й 2Й_ 2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 10 В
lc Ток коллектора - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 15 В, 1е = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, lc = 0 3,85 7,14 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 35 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 2 мА 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 50 мА 1,0 2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,8 1,4 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, lc = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 7,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
544 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
»Комплементарная пара с
RN2422.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QB.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb= 10 В, 1с=0 1,75 3,25 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 65 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, Ib = 1 мА - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1,1 2,7 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 - 1,4 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц 7,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2423.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QC.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 10 В
Ic Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, 1е = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, 1с = 0 0,82 - 1,52 мА
ЬрЕ Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 100 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, Ib = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1,3 - 3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 1,4 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f=1 МГц - 7,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1.0 1,15 -
Транзисторы производства TOSHIBA 545
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2424.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QD.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Михе I значен&Гч. I Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 10 В
Ic Ток коллектора - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 15 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 10 В, Ic = 0 0,38 0,71 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 140 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, lb = 1 мА - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 1,5 - 5,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,8 - 1,4 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10B,f= 1 МГц 7,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1.0 1,15 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2425A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - 5 В
Ic Ток коллектора - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =15 В, 1е = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 0,365 0,682 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 мА 140 - - -
Vce__sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 50 мА, lb = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 0,5 - 1,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,4 - 0,8 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, Ic = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц - 7,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,329 0,47 0,611 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,04 0,047 П 054
546 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2426A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QF.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 5 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = 15 В, le = 0 - - 1bO нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, lc = 0 0,35 - 0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 140 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 1 мА - - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 50 мА 0,6 - 1.4 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0,4 - 0,8 в
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, lc = 20 мА - 300 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =10 В, f=1 МГц - 7,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1 1.3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,085 0,1 0,115 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN2427.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: QG.
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
2 <ч
>Й 2Й_
2,9±О,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 6 В
lc Ток коллектора - - - 500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb =15 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, lc = 0 0,378 0,703 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, lc = 10 мА 140 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = 50 мА, lb = 1 мА - 0,25 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, lc = 50 мА 0,7 - 1.9 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, lc = 0,1 мА 0.5 - 1.0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 5 В, lc = 20 мА - 300 МГц
Cob Выходная емкость Veb = 10 В, f = 1 МГц - 7,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,187 0,22 0,253 -
Транзисторы производства TOSHIBA 547
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: К + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 25 В
Ic Ток коллектора - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 4 мА 200 - 1200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 30 мА, Ib = 3 мА - - 0,1 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 0,7 - 1,9 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, Ic = 4 мА - 30 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f=1 МГц - 4,8 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,9 5,6 7,3 кОм
К А В
hFE 200. .700 350...1200
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: L + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - 25 В
Ic Ток коллектора - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 - 100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 4 мА 200 1200
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 30 мА, Ib = 3 мА - - 0,1 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 0,7 1,9 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 1,0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, Ic = 4 мА - 30 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb=10B,f=1 МГц - 4,8 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
L А В
200...700 350...1200
548 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
В зтрсе/.ый резистор.
•• Маркировка: N + бук-
V *. соответствующая
качениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 25 В
Ic Ток коллектора - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 - - 100 нА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 4 мА 200 - 1200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 30 мА, lb = 3 мА - - 0,1 В
Vqn Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 0,7 1,9 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 1,0 в
fj Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, Ic = 4 мА - 30 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb= 10 В, f = 1 МГц - 4,8 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
N А В
hFE 200 700 350. .1200
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: С + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
... зЩ
<4 8 со сч
’Й 2Ш_
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - 50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - 25 В
Ic Ток коллектора - - - 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - 100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = 25 В, Ic = 0 - 100 нА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 2 В, Ic = 4 мА 200 - 1200 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 30 мА, lb = 3 мА - 0,1 В
Von Напряжение включения Vce = 0,2 В, Ic = 50 мА 0,7 1,9 В
Voff Напряжение выключения Vce = 5 В, Ic = 0,1 мА 0,5 - 1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = 6 В, Ic = 4 мА - 30 - МГц
Cob Выходная емкость УсЬ = 10ВЛ=1МГц - 4,8 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
I С_ А В
200...700 350... 1200
Транзисторы производства TOSHIBA 549
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1101.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YA
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з4-
i i . —1 i 1— о +1 ф
1.6±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 - -1,52 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,1 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,0 - -1,5 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1101F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YA
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 - -1,52 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 30 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,1 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,0 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
550 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1101FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: U0.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,89 -1,33 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 30 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА -0,8 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,76 4,7 5,64 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,2 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1101FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YA.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 в
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 - -1,52 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 30 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,1 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1,5 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 551
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1101MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YA.
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1.2±0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база > -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база -10 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 - -1,52 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = 0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,1 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,0 -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1102.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YB.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,38 - -0,71 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 50
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,2 -2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,0 -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
552 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1102F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YB.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,38 - -0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1.2 - -2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1.0 - -1,5 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1102FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: U1.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,41 - -0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 60 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 -2,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 - -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 1,2 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 8 10 12 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
Транзисторы производства TOSHIBA 553
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1102MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YB.
Корпус 2-1L1A (TOSHIBA) зГЛ
Вывод Функциональное назначение " । i (!ji ' гЩ. i
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тил. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,38 - -0,71 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, 1с = -5мА -1,2 - -2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = 0,1 мА -1,0 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,2 -
554 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1103.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YC.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия, Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,17 - -0,33 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -5мА, lb = -0,25 мА - “0,1 -0.3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,3 - -3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce =-5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1.5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10B, 1с = -5мА - 200 МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1.1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1103F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YC.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1.6^0.03
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, 1е = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10B, lc = 0 -0,17 - -0,33 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 70 - - -
Vcesat Напряжение насыщения К-Э 1с = -5мА, 1Ь = -0,25мА “0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0.2 В, 1с = -5мА -1.3 -3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0.9 1,0 1.1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 555
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1103FS.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: U2.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
lc Ток коллектора - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,18 -0,29 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 100 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,18 - -0,29 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,1 -2,7 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,8 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 17,6 22 26,4 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1103 FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YC
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
lc Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,17 -0,33 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 70 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,3 -3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,0 - -1,5 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1
556 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1103MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: УС.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,17 - -0,33 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1.3 - -3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1.5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц 0,9 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1.0 1.2 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1104.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YD.
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з-Н
1.6±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база * - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,082 - -0,15 мА
h₽E Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1.5 - -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1.0 - -1.5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1.1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 557
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1104F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YD
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 0,082 -0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - 0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА 1,5 -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА 1,0 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1104FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: U3.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
lc Ток коллектора - - - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -20 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,088 - -0,133 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 120 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,2 - -3,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,8 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 37,6 47 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 ' 1,0 1,2 • ..I
558 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1104FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YD.
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,082 -0,15 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,5 - -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 ‘ Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1104MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YD.
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। i i О О Я
01 1 4Я —'
1t2±O,p5_
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,082 - -0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,5 - -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 0,9 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,2 -
Транзисторы производства TOSHIBA 559
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1105.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YE.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 - -1.1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic =-5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1105F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YE.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 - -1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
Ь Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
560 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1105FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: U4.
Корпус 2-1Е1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - * -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,085 -0,127 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 120 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 -1.1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0.4 -0,8 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 1.2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,76 2.2 2,64 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0376 0,0468 0,0562 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1105FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 - -1.1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Транзисторы производства TOSHIBA 561
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1105MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YE.
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3|.| О 6
1 i i
_ 1.2±О.О5 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,078 - -0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,6 - -1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -0,8 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0376 0,0468 0,0562 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1106.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YF.
Корпус SC-75 (E1AJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,074 -0,138 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,7 - -1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц 3,0 6.6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
562 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1106F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YF.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - > -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, 1е = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,074 - -0,138 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 - -1,3 В
Voff Напряжение выключения' Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 2,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1106FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: U5.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3|
10
О
Ш’ _ о.6± гЩ.
0.09
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 0,08 - -0,121 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = 10 мА 120 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА 0,6 - -1,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА 0,4 - -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =-10 В, f = 1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,76 4,7 5,64 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,08 0,1 0,12 -
Транзисторы производства TOSHIBA 563
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1106FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YF.
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) з[ТТ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В •
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - -100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,074 - -0,138 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 - -1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1106MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YF.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,074 -0,138 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 - -1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 0,9 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,08 0,1 0,12 -
564 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1107F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YH.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 -0,081 - -0,15 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,7 - -1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -1,0 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,191 0,213 0,232 -
Транзисторы производства TOSHIBA 565
Особенности
- Комплементарная
пара с RN1107FS.
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: U6
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база -6 В
Ic Ток коллектора - - - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,088 -0,131 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = 10 Ma -120 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 mA - - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 B, Ic = -5 mA -0.7 - -1.5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 B, Ic = -0,1 mA -0,5 - -1.0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 B, Ic = -5mA - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 1,2 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 8 10 12 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,17 0,213 0,255 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1107FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YH
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) з|ТТ
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,081 - -0,15 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 -1.8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -1.0 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3 _6 __ пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 _ ю кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,191 0,213 0,232 -
566 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1107MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YH.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - —6 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,081 - -0,15 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 -1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -1,0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,17 0,213 0,255 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1108.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YI.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 - -2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА -0,6 - -1,16 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Транзисторы производства TOSHIBA 567
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1108F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YI.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, lc = 0 -0,078 -0,145 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,0 - -2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,6 - -1,16 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1108FS.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: U7.
Корпус 2-1Е1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В -
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
lc Ток коллектора - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -20 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, lc = 0 -0,085 - -0,126 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 120 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,8 - -2,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА . -0,6 - -1,1 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B, f=1 МГц - 1,2 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 17,6 22 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,374 0,468
568 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1108FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YI.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 - -2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,6 - -1,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1108MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YI.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 -2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,6 - -1,16 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =-10 В, f = 1 МГц - 0,9 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - .0,374 0,468 0,562 -
Транзисторы производства TOSHIBA 569
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1109.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YJ
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -15 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,167 -0,311 мА
I1fe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 70 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,2 - -5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,5 - -2,6 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1109F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YJ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,167 - -0,311 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,2 - -5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА г-1,5 - -2,6 в
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
570 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус 2-1Е1А 3| 1 R1 /iX*
- Комплементарная (TOSHIBA) | 1,0±0,05
napacRN1109FS. - Встроенные рези- сторы. - Маркировка: U8. Вывод Функциональное назначение
1 База R2
2 Эмиттер
3 Коллектор
. 0.6± 411 0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -15 В
lc Ток коллектора - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -20 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,182 - -0,271 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 100 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - - -0,15 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,6 -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = —0,1 мА -1,3 -2,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f= 1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 37,6 47 56,4 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,71 2,14 2,56 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1109FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YJ.
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,167 - -0,311 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -2,2 -5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,5 - -2,6 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3 6 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Транзисторы производства TOSHIBA 571
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1109MFV.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YJ
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3| 1 1 ю О 6 з
1 i i
Ш« ‘ гШ.
, 1.2±0,05^
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,167 - -0,311 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,2 - -5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1.5 - -2,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,71 2,14 2,56 -
Особенности
- Комплементарная пара
cRNlllO.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YK.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
572 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
cRNlllOF.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YK.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 250 * МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
cRNlllOFS.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: U9.
2-1Е1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
31: |
ю О 6 S
Ш’ ; «ш, . 0.6±0.05
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - -50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE t Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 300 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - - -0,15 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 1,2 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,76 4,7 5,64 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 573
Особенности
- Комплементарная пара
cRNlllOFT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YK.
Корпус 2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГЛ
1 I i О
—
1.4±0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - -100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В. le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
cRNlllOMFV.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YK.
Корпус 2-1L1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =-10 В, f = 1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
574 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
cRNllll.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YM.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 в
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - 0,1 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN2111F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YM.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
lc Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - -0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 575
Особенности
- Комплементарная
пара с RN1111FS.
- Встроенный рези-
стор.
- Маркировка: UF.
Корпус 2-1Е1А
(TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -20 В
Vceo i Напряжение коллектор-эмиттер - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -50 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 300 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,15 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 8 10 12 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
cRNllllFT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YM.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 в
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
576 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
cRNllllMFV.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YM.
2-1L1A
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з| . 1
1Л
1 О
i 6
i
Ц]1 ' 2Ц1
1.2±0.05 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,1 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f = 1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1112.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YN.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
IVe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 B,f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 577
578 Транзисторы производства TOSHIBA
Транзисторы производства TOSHIBA 579
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1113.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YP
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з
~| i i . । । i .
у 2
- 1|в±р,1 1 '
н
ID
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Lb = -0,25 мА “0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1113F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YP.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
। । 0.05
i +I 10
10 1 20
1 * _ +О.О5 1.6 -0.03
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 700
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
580 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1113FS.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: UJ.
Корпус 2-1Е1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -20 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 50 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -20 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0.1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 300 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - - -0,15 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 1,2 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 37,6 47 56,4 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1113FT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YP.
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зГЛ
1,Ц±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0.1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 581
Особенности Корпус 2-1L1A (TOSHIBA) 3| 1 1
- Комплементарная пара Вывод Функциональное ! 8
CRN1113MFV. д назначение । 6 R1 /"Jr
- Встроенный резистор. 1 База i Я ГЧ I Ze^^
- Маркировка: YP. 2 Эмиттер 3 Коллектор ф1'4L J
. 1.2±О.О5 ,
Предельно допустимые и основные элект рические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 150 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - -0,1 мкА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 0,9 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1114.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YQ.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,35 - -0,65 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 50 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,6 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,3 - -0,9 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
582 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1114F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YQ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,35 -0,65 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,5 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -0,9 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1114FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YQ.
Корпус 2-1В1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,4±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 0,35 -0,65 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА . -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,5 -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -0,9 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 583
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1115.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YS.
SC-75
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3
i i .1 . .. i I 1*079*1
Ш’ i
. 1.6±0.1 r
R1
R2
L
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора . Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6B, lc = 0 -0,37 - -0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -О.з В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0.7 - -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -1.0 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1115F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YS.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|; | 8. 8
1 i i
«Ш 1
1.6
R1
L
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =-6 В, lc = 0 -0,37 - -0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5B, 1с = -10мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -О.1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, 1с = -5мА -0,7 - -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -1.0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА 200 МГц
Cob Выходная емкость УсЬ = -10В,1=1МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
584 транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1115FT.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: YS.
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
I i i О d 3
iih 1 2[h
1.410.05 .
и основные элект|
Символ \\ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 0,37 - -0,71 мА
Ьее Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10 мА 50 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - 0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА 0,7 - -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА 0,3 - -1,0 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 585
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1116F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YT.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|;1
1 i i in о s ID
' гЩ_
4 ЛЛ +О.О5 1.6 -0.03 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -7 В
ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb =-50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =-7 В, 1с = 0 -0,36 -0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э 1с = -5 мА, 1Ь = -0,25 мА 0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, 1с = -5мА -0,7 -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА -0,3 - -1,1 в
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц 3,0 6.0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1116FT.
* Встроенные резисторы.
- Маркировка: YT.
Корпус 2-1В1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
—ч=^|8.
ftj
и ' <^-1
. 1Л±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50B, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,36 -0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, 1с = -5мА -0,7 -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -1,1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10B, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц 3,0 6.0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
586 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1117.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YU.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые н основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мии. Тил. НПО Макс. Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 в
Vebo Напряжение эмиттер-база • -15 в
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т«25*С - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb в-50 В, 1е = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb«-15B,lc«0 -0,78 -1,46 мА
bre Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce « -5 В, Ic « -10 мА 30 •
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic *-5 мА, Ib «-0,25 мА • -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce « -0,2 В, Ic = -5 мА -1,5 -3.5 В
Voff Напряжение выключения Vce в-5 В, 1с * 0,1 мА -0,3 -до в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce«-10 В, 1с«-5мА - 200 МГц
Cob Выходная емкость Vcb «-10 ВЛ»1МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резисторе R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1117F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YU.
Вывод
1 Базе
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СИМВОЛ fWMwi* Условия змачеиме Тил. мне Имв. Еди- ницы
Vcbo Напряменве воллокгорбеие • -60 в
Vceo Напрямоиве воллокторееиптер • -60 в
Vebo Нвярмкеимо эммттврбаза • • -15 в
Ic Тек коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т-25-С • 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb*-60B.le*0 • -100 мА
lebo Обратный так эмиттера Veb«-15B.lc«0 -0.78 -1.46 мА
IbE Коэффициент передачи тока в сивме ОЭ Vce»-5B, 1с«-10мА 30 •
Vce sat Напрямние насыщения К-Э Ic » -б мА. Ib « -0,25 мА 0.1 -0.3 В
Von ф^яяоявюяив включения Vce ж-0.2 В. Ic «-5 мА -1,5 -3.5 В
Voff Напряжение выключения Voo«-5B.Ic*-0.1mA -0,3 -ад в
h Произведение коэффициента усиления нв ширину поповы пропускания Vce *-10 В, Ic *-5 мА 200 МГц
Cob Выходная емкость Vcb «-10 ВЛ«ТМГц • 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 • 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 587
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1117FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YU.
Корпус 2-1В1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
1,Ц±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,78 -1,46 мА
ЬрЕ Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,5 - -3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,3 - -2,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1118.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YW.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з-т
i i I
Й’ ’ 2Й-
1.6±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -25 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -25 В, lc = 0 -0,33 - -0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -2,5 - -10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -5,7 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
588 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1118F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YW.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|;|
1 in о
i 8
i <0
1Й 1 4h_
1 « _ +O.O5 1,6-0.03 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база -25 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -25 В, Ic = 0 -0,33 - -0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0.1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,5 -10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -5,7 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1118FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YW.
Корпус 2-1В1А (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -25 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 2$°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -25 В, Ic = 0 -0,33 - -0,63 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,5 - -10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -5.7 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3.0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 589
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1130F.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: Y2.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В ,
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -38 - -72 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 100 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,7 -8,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,0 - -1,6 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1130FT.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: Y2.
Корпус 2-1В1A (TOSHIBA)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -38 - -72 мкА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА -100 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5iviA -1,7 -8,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА -1,0 - -1,6 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,8 1,0 1,2 -
590 Транзисторы производства TOSHIBA
I
I
j
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1131F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: Y3.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 х Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 в
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 в
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, 1е = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В. Ic = 0 - - -100 нА
I1fe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 120 700 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - “0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
Особенности Корпус 2-1В1А (TOSHIBA) 3| 1 I R1 X/
- Комплементарная пара CRN1131FT. - Встроенный резистор. - Маркировка: ¥3. Вывод Функциональное назначение 1 i i О i
1 База
2 Эмиттер il!| 1 2lil
3 Коллектор 1.4±0,0S _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =-5 В, lc = 0 - - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 120 - 700
Vce_ sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 70 100 130 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 591
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1132F.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: Y4.
SC-89
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе* ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - • -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - -100 нА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 120 - 700 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - 0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 140 200 260 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1132FT.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: Y4.
2-1В1А
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з
1,4±0,05
и основные
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - -100 нА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10 мА 120 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА 0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 140 200 260 кОм
592 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1301.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YA.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зРГ~
2,0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр * Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 -1,52 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА . -1,1 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 -1,5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1302.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YB.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
3gZ
2.0±0.2 т
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,38 - -0,71 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 50 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,2 - -2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1 0 - -1.5 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1- Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 593
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ
- Комплементарная пара с Вывод Функциональное
RN1303. а назначение 8 R1 /С/*
- Встроенные резисторы. 1 База ы
- Маркировка: УС. 2 Эмиттер 3 Коллектор R2
1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,17 - -0,33 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 Ма 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,3 - -3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1304.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YD.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,082 -0,15 мА
I"Ife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА 0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,5 -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1,5 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
594 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1305.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,078 - -0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,6 - -1,1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1306.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YF.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зИ
1±О.1
, 2,0±0,2 ,
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,074 -0,138 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,7 “1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА -0,5 -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Транзисторы производства TOSHIBA 595
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1307.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YH.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,081 - -0,15 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 - -1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 -1,0 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,19 0,213 0,232 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1308.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YI
Корпус SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
i
'В !В_ 2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -7 В
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 - -2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,6 - -1,16 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
596 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) з|—I R1 X/* R2
- Комплементарная пара с RN1309. - Встроенные резисторы. - Маркировка: YJ. Вывод Функциональное назначение «а < S' ы
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.О±О.2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,167 - -0,311 мА
Iife Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10 мА 70 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -2,2 - -5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -1,5 - -2,6 в
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 -
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ R1
- Комплементарная пара CRN1310. - Встроенный резистор. - Маркировка: YK. Вывод Функциональное назначение ’И | 2Л±О.1
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.0±0.2 .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,1 мкА
JlFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 597
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зЦ R1
- Комплементарная пара с RN1311. - Встроенный резистор. - Маркировка: YM. Вывод Функциональное назначение i
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.О±О.2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 400
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ R1
- Комплементарная пара CRN1312. - Встроенный резистор. - Маркировка: YN. Вывод Функциональное назначение i w
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.0±0J2 _
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эМиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 400
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =-10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
598 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности - Комплементарная пара Корпус SC-70 (EIAJ) PHC1RES base зЦ | 2Л±0Л 1 R1
CRN1313. - Встроенный резистор. - Маркировка: YP. Вывод Фун кционал ьное назначение
1 База AQ±Q.2-^
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 400
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1314.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YQ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,35 -0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -0,9 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 599
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1315.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YS.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,37 -0,71 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = “0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0.7 - -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 -1,0 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц ,
Cob Выходная емкость Vcb = “10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1316.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YT.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зО
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -7 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,36 - -0,68 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,8 -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -1,1 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 - -
600 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1317.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YU.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЦ
<5
2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -15 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,78 -1,46 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 30 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,5 - -3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,3 - -3,0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1318.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YW.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зИ
см*
й гИ_ 2.0±0.2 . —
R1
R2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -25 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -25 В, lc = 0 -0,33 -0,63 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 50 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -2,5 - -10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -5,7 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 601
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1321A.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: RA.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зД—
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
Ic Ток коллектора - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, 1е = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, 1с = 0 -3,85 - -7,14 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 35 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, Ib = -2 мА - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -1,0 - -2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 -1,4 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 5,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1322A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RB.
SC-70
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зД
2.1±0,1
'Ш 2ttL 2.0±0.2 _ —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -1,75 - -3,25 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 65 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, Ib = -1 мА - - -0,25 В
Von Напряжениё включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -1,1 - -2,7 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 - -1,4 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 5,0 - пФ
RI Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1J5 -
602 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1323A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RC.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 -1,52 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 100 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, lb = -1 мА - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -1,3 -3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 - -1,4 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 5,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ
- Комплементарная пара с RN1324A. - Встроенные резисторы. - Маркировка: RD. Вывод Функциональное назначение S
1 База
2 Эмиттер
•ш "ta.
3 Коллектор
2.0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, 1е = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,38 -0,71 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 140 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, lb = -1 мА -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -1,5 - -5,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 -1,4 в
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 5,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Транзисторы производства TOSHIBA 603
Особенности Корпус SC-70 (EIAJ) зИ
- Комплементарная пара с RN1325A. - Встроенные резисторы. - Маркировка: RE. Вывод Функциональное назначение ’Щ 2Л±0.1
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.0±0.2 .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -15 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,365 -0,682 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 140 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -1 мА - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, 1с = -50 мА -0,5 -1,2 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,4 - -0,8 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, lc = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 5,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,329 0,47 0,611 кОм
R1 /R2 Отношение R1/R2 - 0,04 0,047 0,054 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1326A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RF
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -15 В, 1е = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,35 -0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 140 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -1 мА - - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -50 мА -0,6 - -1,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,4 - -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, lc = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц 5,0 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,085 0,1 0,115 -
604 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1327A.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RG.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
з|=г~
2,О±О,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -15 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -12 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
Ic Ток коллектора - - -500 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -15 В, 1е = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,378 - -0,703 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 140 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, Ib = -1 мА - - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -0,7 -1,9 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0.5 -1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 5,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,187 0,22 0,253 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1401.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YA.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зИ
!
в * 2£±.0,2_^ —
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50B, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, Ic = 0 -0,82 - -1,52 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 30 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,1 -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1.0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 605
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ
- Комплементарная пара с RN1402. - Встроенные резисторы. - Маркировка: YB. Вывод Функциональное назначение ’Й 2Й сч о* S ы
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 в
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,38 - -0,71 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,2 -2,4 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1,5 в
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1403.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YC.
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
<4 <4
’Й 2Й_
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,17 - -0,33 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА 1,3 - 3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1.0 - -1,5 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
606 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1404.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YD.
SC-59
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,082 - -0,15 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,5 - -5,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -1,0 - -1,5 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зШ
- Комплементарная пара с RN1405. - Встроенные резисторы. - Маркировка: YE. Вывод Функциональное назначение | 2.8±0.2
1 База
2 Эмиттер
’й 2Й_ 2.9±0,2
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,078 - -0,145 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -о,з В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 - -1.1 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0421 0,0468 0,0515 -
Транзисторы производства TOSHIBA 607
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1406.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YF.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
lc Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,074 - -0,138 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,7 -1,3 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -0,8 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1407.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YH.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -6 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 -0,081 - -0,15 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 80 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,7 - -1,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 -1,0 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,19 0,213 0,232 -
608 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зШ
- Комплементарная пара с RN1408. - Встроенные резисторы. - Маркировка: YI. Вывод Функциональное назначение ’Й 2Й_
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.940.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -7 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, Ic = 0 -0,078 -0,145 мА
Kfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 80 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -1,0 - -2,6 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,6 - -1,16 В
It Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb =-10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 15,4 22 28,6 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,421 0,468 0,515 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1409.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YJ.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ г Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -15 В
Ic Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 -0,167 - -0,311 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,2 - -5,8 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = —0,1 мА -1.5 - -2,6 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 1,92 2,14 2,35 * -
Транзисторы производства TOSHIBA 609
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1410.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YK
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
с RN1411.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: УМ.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зД------
чэ «Й
2.910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -5 В
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -1 мА 120 - 700
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
610 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1412.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YN.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb =-5 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 400 -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э |С = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb =-10 В, f = 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 15,4 22 28,6 кОм
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1413.
- Встроенный резистор.
- Маркировка: YP.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, 1е = 0 - - -0,1 мкА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 - - -0,1 мкА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -1 мА 120 - 400 -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 250 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
Транзисторы производства TOSHIBA 611
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1414.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YQ
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
S
’Й 2Й_
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 в
Ic Ток коллектора - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,35 - -0,65 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0.1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,6 -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 - -0,9 в
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,1 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1415.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YS.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
Ic Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, Ic = 0 -0,37 -0,71 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5 мА, Ib = -0,25 мА - -0,1 -0,3 . В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -0,7 - -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,3 -1,0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,22 - -
612 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности Корпус SC-59 (EIAJ) зЩ
- Комплементарная пара с PHC1RES <4
RN1416. - Встроенные резисторы. Вывод Функциональное назначение § R1
- Маркировка: YT. 1 База _ 1 1 1 _ 1 1 1 R2
2 Эмиттер ’Ш 2Ы_
3 Коллектор 2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -7 В
lc Ток коллектора -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -7 В, lc = 0 -0,36 - -0,68 мА
Hfe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, lc = -10 мА 50
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -0,8 - -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,3 - -1,1 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, 1с = -5мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - ’ 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 0,47 > -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1417.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YU.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зСТ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -15 В
lc Ток коллектора - - - -200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 100 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -15 В, lc = 0 0,78 - -1,46 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 30 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -5 мА, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -5 мА -1,5 - -3,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,3 - -2,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, lc = -5 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f= 1 МГц - 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 2,13 - -
Транзисторы производства TOSHIBA 613
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1418.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: YW.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2.9±О»2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значение *Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база -25 В
Ic Ток коллектора - - -100 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50B, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -25 В, Ic = 0 -0,33 -0,63 мА
hpE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 50 - • -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -5mA, lb = -0,25 мА - -0,1 -0,3 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -5 мА -2,5 -10,0 В
Voff Напряжение выключения Vce =-5 В, 1с = -0,1 мА -0,5 - -5,7 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -10 В, Ic = -5 мА 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10B,f=1 МГц 3,0 6,0 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 32,9 47 61,1 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - - 4,7 - -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1421.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RA.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тил. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 в
Vebo Напряжение эмиттер-база - ’ -10 в
Ic Ток коллектора - • - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -3,85 -7,14 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce =-5 В, 1с = -10мА 60
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, lb = -2 мА -0,25 в
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -1,0 - -3,5 в
Voff Напряжение выключения Vce =-5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 - -1.3 в
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 МГц
Cob Выходная емкость УсЬ = -10В,(=1МГц 13 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1,0 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,11 -
614 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1422.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RB.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
зЩ
СМ S’ со
•Й 2Й_
2.9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
Ic Ток коллектора - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -1,75 - -3,25 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 65 - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, Ib = -1 мА - - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -1,4 - -4,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 - -1,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 13 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,85 1,0 1,15 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1423.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RC.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -10 В
Ic Ток коллектора - - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,82 - -1,52 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 70 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, Ib = -1 мА - - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -2,0 - -6,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 -1,3 В
fT Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f= 1 МГц - 13 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 3,29 4,7 6,11 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Транзисторы производства TOSHIBA 615
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1424.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RD.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - -10 В
Ic Ток коллектора - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -10 В, lc = 0 -0,38 -0,71 мА
Ьре Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, Ic = -10 мА 90 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э Ic = -50 мА, lb = -1 мА - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -3,0 - -12,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, Ic = -0,1 мА -0,8 - -1,3 В
fy Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 13 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 7 10 13 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,9 1,0 1,1 -
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1425.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - -5 В
Ic Ток коллектора - - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, Ic = 0 -0,365 -0,682 мА
I'Ve Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10 мА 90 - - -
Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -1 мА - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, Ic = -50 мА -0,6 - -2,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, 1с = -0,1 мА -0,4 -0,8 В
fi Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, Ic = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Vcb = -10 В, f=1 МГц - 13 пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,329 0,47 0,611 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,0423 0,047 0,0517 -
616 Транзисторы производства TOSHIBA
Особенности
- Комплементарная пара с
RN1426.
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: RF.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -5 В
lc Ток коллектора - - - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 - -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -5 В, lc = 0 -0,35 -0,65 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, 1с = -10мА 90 - - -
Vce. sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -1 мА - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -50 мА -0,7 -2,5 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,4 - -0,8 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, lc = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 0,7 1 1,3 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,09 0,1 0,11 -
Особенности
- Комплементарная пара
CRN1427.
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: RG.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод Функциональное назначение
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ Параметр Условия Мин. значе- ние Тип. значе- ние Макс, значение Еди- ницы
Vcbo Напряжение коллектор-база - -50 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер - - - -50 В
Vebo Напряжение эмиттер-база - - - -6 В
lc Ток коллектора - - - -800 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С - - 200 мВт
Icbo Обратный ток коллектора Veb = -50 В, le = 0 -100 нА
lebo Обратный ток эмиттера Veb = -6 В, lc = 0 -0,378 -0,703 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = -5 В, lc = -10 мА 90 - - -
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc = -50 мА, lb = -1 мА - - -0,25 В
Von Напряжение включения Vce = -0,2 В, lc = -50 мА -1,0 - -3,0 В
Voff Напряжение выключения Vce = -5 В, lc = -0,1 мА -0,5 - -1,0 В
fr Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Vce = -5 В, lc = -20 мА - 200 - МГц
Cob Выходная емкость Veb = -10 В, f=1 МГц - 13 - пФ
R1 Сопротивление резистора R1 - 1,54 2,2 2,86 кОм
R1/R2 Отношение R1/R2 - 0,2 0,22 0,24 -
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 617
Список полупроводниковых приборов в алфавитном порядке. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SA1022 PAN 164 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1034 PAN 164 PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1035 PAN 165 PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1036K ROHM 274 PNP транзистор средней мощности общего применения
2SA1037AK ROHM 274 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1052 HIT 70 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1121 HIT 70 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1122 REN 245 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1162 TOSH 472 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1163 TOSH 472 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1171 HIT 71 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1179N SAN 321 PNP низкочастотный транзистор общего применения.
2SA1182 TOSH 428 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1200 TOSH 428 PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1201 TOSH 429 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1202 TOSH 429 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1203 TOSH 430 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1204 TOSH 430 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1213 TOSH 431 PNP низкочастотный транзистор
2SA1225 TOSH 431 PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1226 NEC 93 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1241 TOSH 432 PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1242 TOSH 432 PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1244 TOSH 433 PNP мощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1245 TOSH 433 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1252 SAN 321 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1255 TOSH 434 PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1256 SAN 322 PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1257 SAN 322 PNP высоковольтный транзистор для работы в схемах УМЗЧ
2SA1298 TOSH 434 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1312 TOSH 435 PNP низкочастотный малошумящий высоковольтный транзистор
2SA1313 TOSH 435 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1314 TOSH 436 PNP низкочастотный транзистор
2SA1330 NEC 93 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1331 SAN 323 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения.
2SA1338 SAN 323 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения.
2SA1362 TOSH 436 PNP низкочастотный транзистор
2SA1384 TOSH 437 PNP высоковольтный транзистор
2SA1385-Z NEC 94 PNP низкочастотный транзистор
2SA1400-Z NEC 94 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1412-Z NEC 95 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
618 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SA1415 SAN 324 PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1416 SAN 324 PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1417 SAN 325 PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1418 SAN 325 PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1419 SAN 326 PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1434 SAN 326 PNP низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах.
2SA1461 NEC 96 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1462 NEC 96 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1463 NEC 97 PNP транзистор средней мощности с высокой скоростью переключения
2SA1464 NEC 97 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1468 REN 245 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SA1483 TOSH 437 PNP высокочастотный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
2SA1484 HIT 71 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1514K ROHM 275 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор.
2SA1518 SAN 327 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1519 SAN 327 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1520 SAN 328 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1521 SAN 328 PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1531 PAN 165 PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1531A PAN 166 PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1532 PAN 166 PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1566 HIT 72 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1575 SAN 329 PNP высоковольтный высокочастотный транзистор
2SA1576A ROHM 275 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1577 ROHM 276 PNP транзистор средней мощности общего применения
2SA1579 ROHM 276 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор.
2SA1580 SAN 329 PNP маломощный транзистор для работы в схемах ТВ- приемников.
2SA1586 TOSH 438 PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1587 TOSH 438 PNP низкочастотный малошумящий транзистор общего применения
2SA1588 TOSH 439 PNP низкочастотный маломощный транзистор
2SA1607 SAN 330 PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1617 HIT 72 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1618 TOSH 439 PNP дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
2SA1620 TOSH 440 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1621 TOSH 440 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1645-Z NEC 98 PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1646-Z NEC 98 PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1649-Z NEC 99 PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1669 SAN 330 PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1681 TOSH 441 PNP низкочастотный транзистор
2SA1682 SAN 331 PNP маломощный высоковольтный транзистор
2SA1685 SAN 331 PNP транзистор с высокой скоростью переключения
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 619
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SA1687 SAN 332 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1688 SAN 332 PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1721 TOSH 441 PNP высоковольтный транзистор
2SA1724 SAN 333 PNP высокочастотный транзистор
2SA1727 ROHM 277 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1728 SAN 333 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1729 SAN 334 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения.
2SA1730 SAN 334 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения.
2SA1734 TOSH 442 PNP низкочастотный транзистор
2SA1735 TOSH 442 PNP низкочастотный транзистор
2SA1736 TOSH 443 PNP низкочастотный транзистор
2SA1737 PAN 167 PNP высоковольтный транзистор
2SA1738 PAN 167 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1739 PAN 168 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1740 SAN 335 PNP высоковольтный транзистор
2SA1745 SAN 335 PNP низкочастотный транзистор общего применения.
2SA1748 PAN 168 PNP высокочастотный транзистор общего применения
2SA1753 SAN 336 PNP низкочастотный транзистор общего применения.
2SA1759 ROHM 277 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1763 SAN 336 PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1764 SAN 337 PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1766 SAN 337 PNP низкочастотный транзистор общего применения.
2SA1774 ROHM 278 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1778 SAN 338 PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах ч
2.SA1790J PAN 169 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1791J PAN 169 PNP высокочастотный транзистор
2SA1797 ROHM 278 PNP мощный низкочастотный транзистор
2SA1806J PAN 170 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1812 ROHM 279 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1813 SAN 338 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1814 SAN 339 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1815 SAN 339 PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1832 TOSH 443 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1832F TOSH 444 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1832FT TOSH 444 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1832FV TOSH 445 PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1834 ROHM 279 PNP мощный низкочастотный транзистор
620 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SA1838 SAN 340 PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1839 SAN 340 PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1857 SAN 341 PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1862 ROHM 280 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1864 SAN 341 PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1865 SAN 342 PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1866 SAN 342 PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1873 TOSH 445 PNP дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
2SA1881 SAN 343 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1882 SAN 343 PNP низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SA1883 SAN 344 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1890 PAN 170 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SA1896 SAN 344 PNP транзистор для работы в схемах управления
2SA1898 SAN 345 PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
2SA1900 ROHM 280 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SA1952 ROHM 281 PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1953 TOSH 446 PNP низкочастотный транзистор
2SA1954 TOSH 446 PNP низкочастотный транзистор
2SA1955 TOSH 447 PNP низкочастотный транзистор
2SA1963 SAN 345 PNP малошумящий высокочастотный транзистор
2SA1965 SAN 346 PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1969 SAN 346 PNP высокочастотный транзистор средней мощности
2SA1971 TOSH 447 PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1973 SAN 347 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1977 NEC 99 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1978 NEC 100 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA2009 PAN 171 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SA2010 PAN 171 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2011 SAN 347 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2012 SAN 348 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2013 SAN 348 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2014 SAN 349 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2015 SAN 349 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2016 SAN 350 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2018 ROHM 281 PNP низкочастотный транзистор
2SA2021 PAN 172 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2028 PAN 172 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2029 ROHM 282 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2030 ROHM 282 PNP низкочастотный транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 621
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SA2046 PAN 173 PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2048K . ROHM 283 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SA2056 TOSH 448 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2059 TOSH 448 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2060 TOSH 449 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2061 TOSH 449 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2065 TOSH 450 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2066 TOSH 450 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2069 TOSH 451 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2070 TOSH 451 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2071 ROHM 283 PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2073 ROHM 284 PNP мощный низкочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2077 PAN 173 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2078 PAN 174 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2079 PAN 174 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2080 REN 246 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2081 REN 246 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2082 PAN 175 PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2084 PAN 175 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор общего применения
2SA2088 ROHM 284 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SA2097 TOSH 452 PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2119K ROHM 285 PNP низкочастотный транзистор
2SA2122 PAN 176 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2161J PAN 176 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2162 PAN 177 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2163 PAN 177 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA2164 PAN 178 PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA2174J PAN 178 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1000A HIT 73 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1001 HIT 73 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1002 HIT 74 PNP низкочастотный транзистор общего примененйя
2SB1025 HIT 74 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1026 HIT 75 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1027 HIT 75 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SB1028 HIT 76 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SB1048 HIT 76 PNP низкочастотный составной транзистор общего применения
2SB1073 PAN 179 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1115 NEC 100 PNP мощный низкочастотный транзистор
2SB1115A NEC 101 PNP мощный низкочастотный транзистор
2SB1120 SAN 350 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1121 SAN 351 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1122 SAN 351 PNP транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SB1123 SAN 352 PNP транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SB1124 SAN 352 PNP транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SB1125 SAN 353 PNP составной транзистор для работы в схемах управления
622 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SB1126 SAN 353 PNP составной транзистор для работы в схемах управления
2SB1132 ROHM 285 PNP транзистор средней мощности
2SB1181 ROHM 286 PNP низкочастотный мощный транзистор
2SB1182 ROHM 286 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1184 ROHM 287 PNP мощный транзистор общего применения
2SB1188 ROHM 287 PNP транзистор средней мощности
2SA1197K ROHM 288 PNP транзистор средней мощности
2SB1198K ROHM 288 PNP частотный транзистор
2SB1218A PAN 179 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1219 PAN 180 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1219A PAN 180 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1220 PAN 181 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1234 SAN 354 PNP составной транзистор для работы в схемах управления
2SB1260 ROHM 289 PNP низкочастотный мощный транзистор
2SB1261-Z NEC 101 PNP низкочастотный транзистор
2SB1275 ROHM 289 PNP низкочастотный высоковольтный мощный транзистор
2SB1295 SAN 354 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1302 SAN 355 PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1308 ROHM 290 PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1316 ROHM 290 PNP мощный составной низкочастотный транзистор
2SB1323 SAN 355 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1324 SAN 356 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1325 SAN 356 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1386 ROHM 291 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1394 SAN 357 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1396 SAN 357 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1397 SAN 358 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1412 ROHM 291 PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1424 ROHM 292 PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1427 ROHM 292 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1440 PAN 181 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1462 PAN 182 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1462J PAN 182 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1462L PAN 183 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1463 PAN 183 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1463J PAN 184 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1475 NEC 102 PNP низкочастотный маломощный транзистор
2SB1527 SAN 358 PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1537 PAN 184 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1539 PAN 185 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1561 ROHM 293 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1571 NEC 102 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1580 ROHM 293 PNP мощный составной низкочастотный транзистор
2SB1589 PAN 185 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1590K ROHM 294 PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1599 PAN 186 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1612 PAN 186 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1679 PAN 187 PNP низкочастотный транзистор
2SB1689 ROHM 294 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1690K ROHM 295 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1693 PAN 187 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1694 ROHM 295 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1695K ROHM 296 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1697 ROHM 296 PNP низкочастотный транзистор общего применения
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 623
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SB1698 ROHM 297 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1699 PAN 188 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1705 ROHM 297 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1709 ROHM 298 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1710 ROHM 298 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1713 ROHM 299 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1714 ROHM 299 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1722J PAN 188 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1730 ROHM 300 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1732 ROHM 300 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1733 ROHM 301 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1734 PAN 189 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB624 NEC 103 PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SB709A PAN 189 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB710 PAN 190 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB710A PAN 190 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB736 NEC 103 PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SB736A NEC 104 PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SB766 PAN 191 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB766A PAN 191 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB767 PAN 192 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB768 NEC 104 PNP высоковольтный транзистор
2SB779 PAN 192 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB789 PAN 193 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB789A PAN 193 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB792 PAN 194 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB792A PAN 194 PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB798 NEC 105 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB800 NEC 105 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB815 SAN 359 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB825K ROHM 301 PNP низкочастотный составной транзистор
2SB831 HIT 77 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB905 TOSH 452 PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB906 TOSH 453 PNP низкочастотный транзистор
2SB907 TOSH 453 PNP низкочастотный составной транзистор
2SB908 TOSH 454 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB956 PAN 195 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SB962-Z NEC 106 PNP высоковольтный транзистор
2SB963-Z NEC 106 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB970 PAN 195 PNP низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC1009 NEC 107 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC1621 NEC 107 NPN высокочастотный малошумящий транзистор общего применения
2SC1622A NEC 108 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC1623 NEC 108 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC1653 NEC 109 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC1654 NEC 109 NPN транзистор средней мощности общего применения
2SC2295 PAN 196 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2351 NEC 110 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2404 PAN 196 NPN низкочастотный транзистор общего применения
624 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC2405 PAN 197 NPN высокочастотный транзистор
2SC2406 PAN 197 NPN низкочастотный составной транзистор для усилительных каскадов
2SC2411K ROHM 302 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2412K ROHM 302 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2413K ROHM 303 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2462 HIT 77 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2463 HIT 78 NPN низкочастотный транзистор' для усилительных каскадов
2SC2480 PAN 198 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2532 TOSH 454 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2618 HIT 78 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2619 HIT 79 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2620 REN 247 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2712 TOSH 455 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2713 TOSH 455 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2714 TOSH 456 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2715 TOSH 456 NPN высокочастотный транзистор
2SC2716 TOSH 457 NPN высоковольтный транзистор средней мощности
2SC2732 HIT 79 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2734 HIT 80 NPN низкочастотный транзистор общего применения.
2SC2735 HIT 80 NPN мощный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
2SC2736 HIT 81 NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC2776 HIT 81 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC2778 PAN 198 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2780 NEC 110 NPN мощный транзистор для усилительных каскадов
2SC2812N SAN 359 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2814 SAN 360 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2859 TOSH 457 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2873 TOSH 458 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC2880 TOSH 458 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC2881 TOSH 459 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2882 TOSH 459 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2883 TOSH 460 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2884 TOSH 460 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2946(1) NEC 111 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2982 TOSH 461 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 625
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC2983 TOSH 461 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2996 TOSH 462 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3011 TOSH 462 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3072 TOSH 463 NPN высокочастотный транзистор
2SC3074 TOSH 463 NPN высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3075 TOSH 464 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC3076 TOSH 464 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC3098 TOSH 465 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3099 TOSH 465 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3120 TOSH 466 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3121 TOSH 466 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC3122 TOSH 467 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3123 TOSH 467 NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3124 TOSH 468 NPN высокочастотный высоковольтный транзистор
2SC3125 TOSH 468 NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3127 REN 247 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC3130 PAN 199 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3134 SAN 360 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC3138 TOSH 469 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3142 SAN 361 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах ТВ- приемников
2SC3143 SAN 361 NPN низкочастотный транзистор
2SC3233 TOSH 469 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3265 TOSH 470 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3268 TOSH 470 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3295 TOSH 471 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3303 TOSH 471 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC3324 TOSH 472 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3325 TOSH 472 NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3326 TOSH 473 NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3338 HIT 82 NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3356 NEC 111 NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3357 NEC 112 * NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3360 NEC 112 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3361 SAN 362 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3380 REN 248 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3392 SAN 362 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3405 TOSH 473 NPN транзистор средней мощности с высокой скоростью переключения
2SC3429 TOSH 474 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
626 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC3437 TOSH 474 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3474 TOSH 475 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах.
2SC3515 TOSH 475 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3518-Z NEC 113 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3547A TOSH 476 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3547B TOSH 476 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3583 NEC 113 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3585 NEC 114 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3588-Z NEC 114 NPN высокочастотный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
2SC3606 TOSH 477 NPN высоковольтный транзистор для выходных каскадов СР
2SC3607 TOSH 477 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3631-Z NEC 115 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3632-Z NEC 115 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3645 SAN 363 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3646 SAN 363 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3646 SAN 364 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3647 SAN 364 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3647 SAN 365 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3650 SAN 365 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3651 SAN 366 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3661 SAN 366 NPN высокочастотный транзистор
2SC3663 NEC 116 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3689 SAN 367 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3704 PAN 199 NPN высокочастотный транзистор
2SC3707 PAN 200 NPN высокочастотный транзистор
2SC3734 NEC 116 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3735 NEC 117 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3736 NEC 117 NPN высоковольтный транзистор
2SC3739 NEC 118 NPN высоковольтный высокочастотный транзистор
2SC3757 PAN 200 NPN высокочастотный транзистор для работы в схемах ТВ-приемников
2SC3770 SAN 367 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3771 SAN 368 NPN низкочастотный транзистор
2SC3772 SAN 368 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3773 SAN 369 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3774 SAN 369 NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
2SC3775 SAN 370 NPN низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SC3793 HIT 82 NPN низкочастотный маломощный транзистор
2SC3803 TOSH 478 NPN низкочастотный маломощный транзистор
2SC3805 TOSH 478 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 627
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC3829 PAN 201 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3837K ROHM 303 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3838K ROHM 304 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3841 NEC 118 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3862 TOSH 479 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3904 PAN 201 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3906K ROHM 304 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3912 SAN 370 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3913 SAN 371 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3914 SAN 371 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3915 SAN 372 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3929 PAN 202 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3929A PAN 202 NPN низкочастотный транзистор
2SC3930 PAN 203 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3931 PAN 203 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3932 PAN 204 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3933 PAN 204 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3934 PAN 205 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3935 PAN 205 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3936 PAN 206 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3937 PAN 206 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3938 PAN 207 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4050 REN 248 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4061K ROHM 305 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4080 SAN 372 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4081 ROHM 305 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4082 ROHM 306 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4083 ROHM 306 NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC4092 NEC 119 NPN низкочастотный транзистор
2SC4093 NEC 119 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4094 NEC 120 NPN высоковольтный транзистор для применения в ТВ-приемниках
2SC4095 NEC 120 NPN высокочастотный транзистор
2SC4097 ROHM 307 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4098 ROHM 307 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4102 ROHM 308 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
628 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC4104 SAN 373 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4116 TOSH 479 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4117 TOSH 480 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4118 TOSH 480 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4132 ROHM 308 NPN мощный высокочастотный транзистор
2SC4168 SAN 373 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4181 NEC 121 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4182 NEC 121 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4182 NEC 122 NPN высоковольтный транзистор средней мощности
2SC4183 NEC 122 NPN высоковольтный транзистор
2SC4184 NEC 123 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4185 NEC 123 NPN высокочастотный транзистор
2SC4186 NEC 124 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4187 NEC 124 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4196 REN 249 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4197 REN 249 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4203 TOSH 481 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4207 TOSH 481 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4209 TOSH 482 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC4210 TOSH 482 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4213 TOSH 483 NPN высокочастотный транзистор
2SC4214 TOSH 483 NPN высокочастотный транзистор
2SC4215 TOSH 484 NPN высокочастотный транзистор
2SC4225 NEC 125 NPN высокочастотный транзистор •
2SC4226 NEC 125 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC4227 NEC 126 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4228 NEC 126 NPN мощный низкочастотный транзистор
2SC4244 TOSH 484 NPN транзистор средней мощности
2SC4245 TOSH 485 NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4246 TOSH 485 NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4247 TOSH 486 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4248 TOSH 486 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4249 TOSH 487 NPN высокочастотный высоковольтный транзистор
2SC4250 TOSH 487, NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4251 TOSH 488 NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4252 TOSH 488 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4253 TOSH 489 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4260 REN 250 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4261 REN 250 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4262 REN 251 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4264 REN 251 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4265 REN 252 NPN высокочастотный транзистор
2SC4269 SAN 374 NPN высокочастотный транзистор
2SC4270 SAN * 374 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4272 SAN 375 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4315 TOSH 489 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4317 TOSH 490 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 629
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC4320 TOSH 490 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4321 TOSH 491 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4322 TOSH 491 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4324 TOSH 492 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4325 TOSH 492 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4331-Z NEC 127 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4332-Z NEC 127 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4364 SAN 375 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4365 SAN 376 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4390 SAN 376 PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SC4394 TOSH 493 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4399 SAN 377 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4400 SAN 377 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4401 SAN 378 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4402 SAN 378 NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4403 SAN 379 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4404 SAN 379 NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4405 SAN 380 NPN дифкаскад на низкочастотных транзисторах
2SC4406 SAN 380 NPN высокочастотный транзистор
2SC4407 SAN 381 NPN высокочастотный транзистор
2SC4409 TOSH 493 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4410 PAN 207 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4412 SAN 381 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4413 SAN 382 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4417 PAN 208 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4422 HIT 83 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4432 SAN 382 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4443 SAN 383 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC4446 SAN 383 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4452 SAN 384 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4453 SAN 384 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4462 HIT 83 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC4463 hit 84 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4497 TOSH 494 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4504 SAN 385 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4505 ROHM 309 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4519 SAN 385 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4520 SAN 386 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4521 SAN 386 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4527 TOSH 494 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4536 NEC 128 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4537 REN 252 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4539 TOSH 495 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4540 TOSH 495 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4541 TOSH 496 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4543 - PAN 208 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4548 SAN 387 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4555 SAN 387 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4562 PAN 209 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4570 NEC 128 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4571 NEC 129 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4577 SAN 388 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
630 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC4591 REN 253 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4592 HIT 84 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4593 HIT 85 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4617 ROHM 309 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4618 ROHM 310 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4626J PAN 209 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4627 PAN 210 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4627J PAN 210 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4643 HIT 85 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4655 PAN 211 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4655J PAN 211 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4656 PAN 212 NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4656J PAN 212 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4666 TOSH 496 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4667 TOSH 497 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4672 ROHM 310 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4673 SAN 388 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4684 TOSH 497 NPN высокочастотный транзистор
2SC4691 PAN 213 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4691J PAN 213 NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC4694 SAN 389 NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC4695 SAN 389 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4702 REN 253 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4703 NEC 129 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4705 SAN 390 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4713K ROHM 311 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4725 ROHM 311 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4726 ROHM 312 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738 TOSH 498 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738F TOSH 498 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738FT TOSH 499 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738FV TOSH 499 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738TT TOSH 500 NPN высокочастотный малошумящий транзистор ’
2SC4774 ROHM 312 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4782 PAN 214 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4784 REN 254 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4791 HIT 86 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4805 PAN 214 NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
2SC4807 REN 254 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4808 PAN 215 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4808J PAN 215 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4809 PAN 216 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 631
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC4809J PAN 216 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4835 PAN 217 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4839 TOSH 500 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4840 TOSH 501 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4841 TOSH 501 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4842 TOSH 502 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4843 TOSH 502 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4844 TOSH 503 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4851 SAN 390 NPN высоковольтный транзистор для работы в импульсных БП
2SC4852 SAN 391 NPN высоковольтный транзистор для работы в импульсных БП
2SC4853 SAN 391 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4854 SAN 392 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4855 SAN 392 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4861 SAN 393 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4863 SAN 393 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4864 SAN 394 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4865 SAN 394 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4867 SAN 395 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4868 ’ SAN 395 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4869 SAN 396 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4871 SAN 396 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4885 NEC 130 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4899 REN 255 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4900 HIT 86 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4901 REN 255 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4909 SAN 397 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4915 TOSH 503 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4919 SAN 397 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4920 SAN 398 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4921 SAN 398 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4922 SAN 399 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4926 REN 256 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4931 SAN 399 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4944 TOSH 504 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4954 NEC 130 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4955 NEC 131 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4956 NEC 131 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4957 NEC 132 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4958 NEC 132 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4959 NEC 133 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4964 REN 256 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4965 REN 257 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4983 SAN 400 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4984 SAN 400 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4987 SAN 401 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4988 REN 257 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4993 HIT 87 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4994 HIT 87 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
632 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC4995 HIT 88 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4997 ROHM 313 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4998 ROHM 313 NPN высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5001 ROHM 314 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5004 NEC 133 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5005 NEC 134 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5006 NEC 134 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5007 NEC 135 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5008 NEC 135 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5009 NEC 136 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5010 NEC 136 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5011 NEC 137 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5012 NEC 137 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5013 NEC 138 NPN мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5014 NEC 138 NPN мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5015 NEC 139 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5019 PAN 217 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5026 PAN 218 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5049 REN * 258 NPN низкочастотный транзистор общего применения.
2SC5050 REN 258 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5051 REN 259 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5053 ROHM 314 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SC5064 TOSH 504 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5065 TOSH 505 NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5066 TOSH 505 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5066FT TOSH 506 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5069 SAN 401 NPN высокочастотный транзистор для радиочастотных схем
2SC5078 HIT 88 NPN высокочастотный транзистор для радиочастотных схем
2SC5079 HIT 89 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5080 REN 259 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5081 REN 260 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5084 TOSH 506 NPN высокочастотный транзистор средней мощности
2SC5085 TOSH 507 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5086 TOSH 507 NPN высокочастотный транзистор
2SC5086FT TOSH 508 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5087 TOSH 508 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5088 TOSH 509 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5091 TOSH 509 NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5091FT TOSH 510 NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5092 TOSH 510 NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5093 TOSH 511 NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5094 TOSH 511 NPN составной транзистор для работы в схемах управления
2SC5095 TOSH 512 NPN составной транзистор для работы в схемах управления
2SC5096 TOSH 512 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5096FT TOSH 513 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5097 TOSH 513 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5098 TOSH 514 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 633
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC5106 TOSH 514 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5107' TOSH 515 NPN составной транзистор для работы в схемах управления
2SC5108 TOSH 515 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5108FT TOSH 516 NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5109 TOSH 516 NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5110 TOSH 517 NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5111 TOSH 517 NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5111FT TOSH 518 NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5136 HIT 89 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5137 HIT 90 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5139 HIT 90 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5161 ROHM 315 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5177 NEC 139 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5178 NEC 140 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5179 NEC 140 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5180 NEC 141 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5181 NEC 141 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5182 NEC 142 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5183 NEC 142 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5184 NEC 143 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5185 NEC 143 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5186 NEC 144 NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5190 PAN 218 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5191 NEC 144 PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5192 NEC 145 PNP низкочастотный составной транзистор
2SC5193 NEC 145 PNP низкочастотный составной транзистор
2SC5194 NEC 146 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5195 NEC 146 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5216 PAN 219 NPN высокочастотный транзистор
2SC5218 REN 260 NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC5226 SAN 402 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5227 SAN 402 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5228 SAN 403 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5229 SAN 403 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5231 SAN 404 NPN мощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5232 TOSH 518 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5233 TOSH 519 NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC5245 SAN 404 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5246 HIT 91 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5247 HIT 91 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5254 TOSH 519 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5255 TOSH 520 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5256 TOSH 520 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5256FT TOSH 521 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5257 TOSH 521 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5258 TOSH 522 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5259 TOSH 522 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5260 TOSH 523 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SC5261 TOSH 523 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5261FT TOSH 524 NPN высокочастотный малошумящий низковольтный транзистор
634 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC5262 TOSH 524 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5263 TOSH 525 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5275 SAN 405 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5276 SAN 405 NPN высокочастотный низковольтный транзистор
2SC5277 SAN 406 NPN высоковольтный транзистор общего применения
2SC5288 NEC 147 NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC5289 NEC 147 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5295 PAN 219 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5295J PAN 220 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5310 SAN 406 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5315 TOSH 525 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5316 TOSH 526 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5317 TOSH 526 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5317FT TOSH 527 NPN транзистор средней мощности
2SC5318 TOSH 527 NPN малошумящий высокочастотный Транзистор
2SC5319 TOSH 528 NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5320 TOSH 528 NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5321 TOSH 529 NPN высоковольтный транзистор
2SC5322 TOSH 529 NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5322FT TOSH 530 NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC5323 TOSH 530 NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC5324 TOSH 531 NPN высокочастотный транзистор
2SC5336 NEC 148 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5337 NEC 148 NPN высокочастотный транзистор
2SC5338 NEC 149 NPN высокочастотный транзистор
2SC5347 SAN 407 NPN высокочастотный транзистор
2SC5355 TOSH 531 NPN высокочастотный малошумящий низковольтный транзистор
2SC5356 TOSH 532 NPN дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
2SC5363 PAN 220 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5369 NEC 149 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SJC5374 SAN 407 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5375 SAN 408 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5376 TOSH 532 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5376F TOSH 533 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5376FV TOSH 533 NPN мощный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5378 PAN 221 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5379 PAN 221 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5408 NEC 150 NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC5409 NEC 150 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5415 SAN 408 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5431 NEC 151 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5432 NEC 151 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 635
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC5433 NEC 152 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5434 NEC 152 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5435 NEC 153 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5436 NEC 153 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5437 NEC 154 NPN низкочастотный транзистор общего применения.
2SC5454 NEC 154 NPN высоковольтный транзистор
2SC5455 NEC 155 NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5463 TOSH 534 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5464 TOSH \ 534 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5464FT TOSH 535 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5472 PAN 222 NPN низкочастотный транзистор
2SC5473 PAN 222 NPN низкочастотный транзистор
2SC5474 PAN 223 NPN низкочастотный транзистор
2SC5488 SAN 409 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5489 SAN 409 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5490 SAN 410 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5501 SAN 410 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5502 SAN - 411 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5503 SAN 411 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5504 SAN 412 NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5507 NEC 155 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5508 NEC 156 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5509 NEC 156 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5534 SAN 412 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5536 SAN 413 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5537 SAN 413 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5538 SAN 414 NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5539 SAN 414 NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5540 SAN 415 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5541 SAN 415 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5543 REN 261 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5544 REN 261 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5545 HIT 92 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5545 REN 262 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5555 REN 262 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5556 PAN 223 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
636 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC5564 SAN 416 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5565 SAN 416 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5566 SAN 417 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5567 SAN 417 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5568 SAN 418 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5569 SAN 418 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5585 ROHM 315 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5592 PAN 224 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5593 REN 263 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5594 REN 263 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5606 NEC 157 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5609 PAN 224 NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5614 NEC 157 NPN мощный транзистор
2SC5615 NEC 158 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5617 NEC 158 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5618 NEC 159 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5623 REN 264 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5624 REN 264 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5628 REN 265 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5631 REN 265 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5632 PAN 225 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5645 SAN 419 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5645 SAN 419 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5654 PAN 225 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5658 ROHM 316 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5659 ROHM 316 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5661 ROHM 317 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5662 ROHM 317 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5663 ROHM 318 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5667 NEC 159 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5668 NEC 160 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5674 NEC 160 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5676 NEC 161 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 637
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC5692 TOSH 535 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5700 REN 266 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5702 REN 266 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5703 TOSH 536 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5704 NEC 161 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5712 TOSH 536 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5714 TOSH 537 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5725 PAN 226 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5730K ROHM 518 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5738 TOSH 537 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5745 NEC 162 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5746 NEC 162 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах.
2SC5755 TOSH 538 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5757 REN 267 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5758 REN 267 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5772 REN 268 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5773 REN 268 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5784 TOSH 538 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор .
2SC5785 TOSH 539 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5787 NEC 163 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5800 NEC 163 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5810 TOSH 539 NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5812 REN 269 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5813 PAN 226 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5819 TOSH 540 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5820 REN 269 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5824 ROHM 319 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5825 ROHM 319 NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5829 PAN 227 NPN низковольтный высокочастотный транзистор
638 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SC5838 PAN 227 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5845 PAN 228 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5846 PAN 228 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5848 PAN 229 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5849 REN 270 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5850 REN 270 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5851 REN 271 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5852 REN 271 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5863 PAN 229 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5876 ROHM 320 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5886 TOSH 540 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5890 REN 272 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5894 REN 272 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5939 PAN 230 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5946 PAN 230 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5950 PAN 231 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5975 REN 273 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5998 REN 273 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SC6036 PAN 231 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6037J PAN 232 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6045 PAN 232 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6050 PAN 233 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6054J PAN 233 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1048 SAN 420 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1280 PAN 234 NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1621 SAN 420 NPN низкочастотный маломощный транзистор
2SD1622 SAN 421 NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD1623 SAN 421 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD1624 SAN 422 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1625 SAN 422 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1626 SAN 423 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике. Том 1 639
Прибор Производитель Стр. Функциональное назначение или особенности
2SD1819A PAN 234 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1820 PAN 235 NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SD1820A PAN 235 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SD1821 PAN 236 NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SD1821A PAN 236 NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD1851 SAN 423 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD1935 SAN 424 NPN'малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1997 SAN 424 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1998 SAN 425 NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1999 SAN 425 NPN низкочастотный транзистор
2SD2099 SAN 426 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2100 SAN 426 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD21851 PAN 237 NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD2216 PAN 237 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2216J PAN 238 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2216L PAN 238 NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD2240 PAN 239 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2240A PAN 239 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2357 PAN 240 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2359 PAN 240 NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2457 PAN 241 NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD2474 PAN 241 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SD601A PAN 242 NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SD602A PAN 242 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD874 PAN 243 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD874A PAN 243 NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD875 PAN 244 NPN низкочастотный транзистор общего применения