Транзисторы в SMD исполнении. Том 1 - Авраменко Ю.Ф.

Автор: Авраменко Ю.Ф.
Теги: автоматика системы автоматического управления и регулирования интеллектуальная техника технология управления оборудование систем управления техническая кибернетика полупроводниковые устройства программирование транзисторы
ISBN: 966-8806-25-5
Год: 2006
Похожие
Транзисторы в SMD-исполнениии. Том 2. Справочник
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания TV-приемников и мониторов
Датчики измерительных систем. Книга 1
Программируемые логические контроллеры. Практическое руководство для начинающего инженера
Текст
                    кЯ БАЗА <£> ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА <g> ЭЛЕМЕ1
HITACHI, NEC, PANASONIC, RENESAS, ROHM, SANYO, TOSHIBA
WWW.MK-PRESS.COM
ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
А21
А21 Тразисторы в SMD-исполненйи. Том 1. Справочник./ Сост. Ю.Ф. Авраменко - К.: “МК-Пресс”, 2006. - 544с., ил.
ISBN 966-8806-25-5
Этот справочник продолжает новую серию “Элементная база”, в которой представлены технические данные на современные -полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей, и содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении. Справочник предполагается как издание из 3-5 томов, в которое будут включены биполярные и полевые транзисторы, предназначенные для поверхностного монтажа. При составлении этого тома использовалась техническая документация следующих производителей: HITACHI, NEC, PANASONIC, RENESAS, ROHM, SANYO и TOSHIBA.
ББК 32.852.3
Транзисторы в SMD-исполнении
ТОМ 1
Составитель: Ю. Ф. Авраменко Гпавный редактор: Ю. А. Шпак Ответственный исполнитель: Е. Н. Сатко
Подписано в печать 06.07.2006. Формат 70 х 100 1/16.
Бумага газетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 44,1.Уч.-изд. л. 37,5.
Тираж 1500 экз. Заказ №
ЧП Савченко Л.А., Украина, г. Киев, тел./факс: (044) 517-73-77; e-mail: info@mk-press.com. Свидетельство о внесении субъекта издательского дела в Государственный реестр издателей, производителей и распространителей издательской продукции: серия ДК №51582 от 28.11.2003г.
Отпечатано в ЧП "КОРВИН ПРЕСС". г.Киев, ул. Пшеничная, 2
ISBN 966-8806-25-5
© “МК-Пресс”, оформление, дизайн обложки, 2006
Содержание 3
Содержание
Алфавитный список по-* лупроводниковых приборов, приведенных в справочнике .............9
Биполярные транзисторы в корпусе SC-46 (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................28
Биполярные транзисторы в корпусе SC-74A (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................28
Биполярные транзисторы в корпусе SC-82 (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................28
Биполярные транзисторы в корпусе SC-82A (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................28
Биполярные транзисторы в корпусе SC-88 (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................28
Биполярные транзисторы в корпусе SC-88A (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................28
Биполярные транзисторы в корпусе SC-59 (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................29
Биполярные транзисторы в корпусе SC-61 (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................35
Биполярные транзисторы в корпусе SC-62(EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................37
Биполярные транзисторы в корпусе SC-63(EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................42 Биполярные транзисторы в корпусе SC-70 A (EIAJ). Маркировка по алфавиту ....................45
Биполярные транзисторы в корпусе SC-75(EIAJ). Маркировка по алфавиту ......................50
Биполярные транзисторы в корпусе SC-89(EIAJ). Маркировка по алфавиту ......................53
Биполярные транзисторы в корпусе SC-89Mod(EIAJ). Маркировка по алфавиту ......................55
Биполярные транзисторы в нестандартных корпусах ......................57
Корпуса по стандарту (EIAJ)...............61
Нестандартные корпуса производителей.......64
Транзисторы производства
HITACHI..............70
2SA1052 ..........70
2SA1121 ..........70
2SA1171 ..........71
2SA1484 ..........71
2SA1566 ..........72
2SA1617 ..........72
2SB1000A..........73
2SB1001 ..........73
2SB1002 ..........74
2SB1025 ..........74
2SB1026 ..........75
2SB1027 ..........75
2SB1028 ..........76
2SB1048 ..........76
2SB831............77
2SC2462 ..........77
2SC2463 ..........78
2SC2618...........78
2SC2619...........79
2SC2732...........79
2SC2734...........80
2SC2735...........80
2SC2736...........81
2SC2776...........81
2SC3338 ..........82
2SC3793 ..........82
2SC4422...........83
2SC4462...........83
2SC4463 ..........84
2SC4592...........84
2SC4593 ..........85
2SC4643 ..........85
2SC4791 ..........86
2SC4900 ..........86
2SC4993 ..........87
2SC4994 ..........87
2SC4995 ..........88
2SC5078..........88
2SC5079 ..........89
2SC5136..........89
2SC5137..........90
2SC5139..........90
2SC5246 ..........91
2SC5247 ..........91
2SC5545..........92
Транзисторы производсва
NEC.................93
2SA1226 .........93
2SA1330 .........93
2SA1385-Z........94
2SA1400-Z........94
2SA1412-Z .......95
2SA1413-Z .......95
2SA1461 .........96
2SA1462 .........96
2SA1463 .........97
2SA1464 .........97
2SA1645-Z .......98
2SA1646-Z........98
2SA1649-Z........99
2SA1977 .........99
2SA1978 .........100
2SB1115 .........100
2SB1115A ........101
2SB1261-Z .......101
2SB1475 .........102
2SB1571 .........102
2SB624 ..........103
2SB736 .........103
2SB736A .........104
2SB768 ..........104
2SB798 .........105
2SB800 .........105
2SB962-Z ........106
2SB963-Z .......106
2SC1009 .........107
2SC1621 ........107
2SC1622A ........108
2SC1623 .........108
2SC1653 .........109
2SC1654 .........109
2SC2351 ..........ПО
.2SC2780 ........110
2SC2946(1) ......Ill
2SC3356 .........Ill
2SC3357 .........112
2SC3360 .........112
4 Содержание
2SC3518-Z 	 2SC3583 			113 	113	2SC5182	 2SC5183 			142 	142
2SC3585 			114	2SC5184 			143
2SC3588-Z 			114	2SC5185 			143
2SC3631-Z 			115	2SC5186			144
2SC3632-Z 			115	2SC5191 			144
2SC3663 			116	2SC5192			145
2SC3734 			116	2SC5193 			145
2SC3735 			117	2SC5194 			146
2SC3736 			117	2SC5195 			146
2SC3739 			118	2SC5288 			147
2SC3841 			118	2SC5289 			147
2SC4092 			119	2SC5336 			148
2SC4093 			119	2SC5337 			148
2SC4094 			120	2SC5338			149
2SC4095 			120	2SC5369 			149
2SC4181 			121	2SC5408 			150
2SC4182 			121	2SC5409 			150
2SC4182 			122	2SC5431 			151
2SC4183 			122	2SC5432 			151
2SC4184 			123	2SC5433 			152
2SC4185 			123	2SC5434 			152
2SC4186 			124	2SC5435 			153
2SC4187 			124	2SC5436 			153
2SC4225 			125	2SC5437 			154
2SC4226 			125	2SC5454 			154
2SC4227 			126	2SC5455 			155
2SC4228 			126	2SC5507 			155
2SC4331-Z 			127	2SC5508 			156
2SC4332-Z 			127	2SC5509 			156
2SC4536 			128	2SC5606 			157
2SC4570 			128	2SC5614 			157
2SC4571 			129	2SC5615 			158
2SC4703 			129	2SC5617 			158
2SC4885 			130	2SC5618			159
2SC4954 			130	2SC5667 			159
2SC4955 			131	2SC5668 			160
2SC4956 			131	2SC5674 			160
2SC4957 			132	2SC5676 			161
2SC4958 			132	2SC5704			161
2SC4959 			133	2SC5745 			162
2SC5004 			133	2SC5746			162
2SC5005 			134	2SC5787			163
2SC5006 			134	2SC5800			163
2SC5007 			135	Транзисторы производства	
2SC5008 			135	PANASONIC			164
2SC5009 			136	is Al 022 			164
2SC5010 			136	2SA1034 			164
2SC5011 			137	2SA1035 			165
2SC5012 			137	2SA1531 			165
2SC5013			138	2SA1531A			166
2SC5014 			138	2SA1532 			166
2SC5015 			139	2SA1737 			167
2SC5177 			139	2SA1738 			167
2SC5178 ...			140	2SA1739 			168
2SC5179 			140	2SA1748 			168
2SC5180 	 2SC5181 			141 	141	2SA1790J			169
2SA1791J........169
2SA1806J .......170
2SA1890 ........170
2SA2009 ........171
2SA2010.........171
2SA2021 ........172
2SA2028 ........172
2SA2046 ........173
2SA2077 ........173
2SA2078 ........174
2SA2079 ........174
2SA2082 .......175
9SA2084 ........175
2SA2122.........176
2SA2161J .......176
2SA2162.........177
2SA2163.........177
2SA2164.........178
2SA2174J .......178
2SB1073 ........179
2SB1218A........179
2SB1219.........180
2SB1219A .......180
2SB1220 ........181
2SB1440 ........181
2SB1462 ........182
2SB1462J .......182
2SB1462L........183
2SB1463 ........183
2SB1463J .......184
2SB1537 ........184
2SB1539.......  185
2SB1589 ........185
2SB1599 ........186
2SB1612.........186
2SB1679 ........187
2SB1693 ........187
2SB1699 ........188
2SB1722J .......188
2SB1734.........189
2SB709A.........189
2SB710..........190
2SB710A ........190
2SB766 .........191
2SB766A ........191
2SB767 .........192
2SB779 .........192
2SB789 .........193
2SB789A ........193
2SB792 .........194
2SB792A ........194
2SB956 .........195
2SB970 .........195
2SC2295 ........196
2SC2404 ........196
2SC2405 ........197
2SC2406 ........197
2SC2480 ........198
Содержание 5
2SC2778 			198	2SC5838 			227	2SC4901 			255
2SC313O			199	2SC5845			228	2SC4926 			256
2SC3704 			199	2SC5846			228	2SC4964 			256
2SC3707 			200	2SC5848 			229	2SC4965 			257
2SC3757 			200	2SC5863 			229	2SC4988 			257
2SC3829 			201	2SC5939 			230	2SC5049			258
2SC3904			201	2SC5946 ....;			230	2SC5050 			258
2SC3929 			202	2SC5950 			231	2SC5051 			259
2SC3929A 			202	2SC6036 			231	2SC5080 			259
2SC3930			203	2SC6037J			232	2SC5081			260
2SC3931 			203	2SC6045 			232	2SC5218 			260
2SC3932 			204	2SC6050			233	2SC5543			261
2SC3933 			204	2SC6054J			233	2SC5544 			261
2SC3934 			205	2SD1280 			234	2SC5545 			262
2SC3935 			205	2SD1819A			234	2SC5555 			262
2SC3936 			206	2SD1820 			235	2SC5593 			263
2SC3937 			206	2SD1820A			235	2SC5594 			263
2SC3938 			207	2SD1821 			236	2SC5623 			264
2SC4410 			207	2SD1821A			236	2SC5624 			264
2SC4417 			208	2SD2185 			237	2SC5628 			265
2SC4543 			208	2SD2216 			237	2SC5631 			265
2SC4562 			209	2SD2216J			238	2SC5700 			266
2SC4626J			209	2SD2216L 			238	2SC5702 			266
2SC4627 			210	2SD2240 			239	2SC5757 			267
2SC4627J			210	2SD2240A			239	2SC5758			267
2SC4655 			211	2SD2357 			240	2SC5772 			268
2SC4655J			211	2SD2359			240	2SC5773 			268
2SC4656 			212	2SD2457			241	2SC5812 			269
2SC4656J			212	2SD2474 			241	2SC5820			269
2SC4691 			213	2SD601A			242	2SC5849 			270
2SC4691J			213	2SD602A			242	2SC5850			270
2SC4782 			214	2SD874			243	2SC5851 			271
2SC4805 				214	2SD874A	,			243	2SC5852 			271
2SC4808 			215	2SD875 			244	2SC5890 			272
2SC4808J	 2SC4809 			215 	216	Транзисторы производства RFNFSAS	245		2SC5894 	 2SC5975 			272 	273
2SC4809J			216	2SA1122 			245	2SC5998 			273
2SC4835			217	2SA1468 			245	Транзисторы производсва	
2SC5019 			217	2SA2080 			246	ROHM			274
2SC5026			218	2SA2081 			246	2SA1036K			274
2SC5190			218	2SC2620 			247	2SA1037AK			274
2SC5216			219	2SC3127 			247	2SA1514K 			275
2SC5295			219	2SC3380 			248	2SA1576A			275
2SC5295J			220	2SC4050			248	2SA1577 			276
2SC5363 			220	2SC4196			249	2SA1579 			276
2SC5378 			221	2SC4197			249	2SA1727 			277
2SC5379 			221	2SC4260			250	2SA1759 			277
2SC5472 			222	2SC4261 			250	2SA1774 			278
2SC5473 			222	2SC4262			251	2SA1797 			278
2SC5474 			223	2SC4264			251	2SA1812 			279
2SC5556 			223	2SC4265 			252	2SA1834 			279
2SC5592 			224	2SC4537 		252	2SA1862 			280
2SC5609 			224	2SC4591			253	2SA1900 			280
2SC5632 			225	2SC4702			253	2SA1952			281
2SC5654 			225	2SC4784			254	2SA2018 			281
2SC5725 			’. 226	2SC4807 			254	2SA2029 			282
2SC5813 			226	2SC4899 			255	2SA2030 			282
2SC5829 			227				
6 Содержание
2SA2048K........283
2SA2071 ........283
2SA2073 ........284
2SA2088 ........284
2SA2119K........285
2SB1132 ........285
2SB1181 ........286
2SB1182 ........286
2SB1184 ........287
2SB1188 ........287
2SB1197K .......288
2SB1198K........288
2SB1260 ........289
2SB1275 ........289
2SB1308 ........290
2SB1316 ........290
2SB1386 ........291
2SB1412 ........291
2SB1424 ........292
2SB1427 ........292
2SB1561 ........293
2SB1580 ........293
2SB1590K........294
2SB1689 ........294
2SB1690K........295
2SB1694.........295
2SB1695K........296
2SB1697 ........296
2SB1698 ........297
2SB1705 ........297
2SB1709.........298
2SB1710.........298
2SB1713 ........299
2SB1714 ........299
2SB1730 ........300
2SB1732 .......3'00
2SB1733 ....... 301
2SB825K ........301
2SC2411K........302
2SC2412K .......302
2SC2413K........303
2SC3837K........303
2SC3838K........304
2SC3906K........304
2SC4061K........305
2SC4081.........305
2SC4082.........306
2SC4083 ........306
2SC4097 ........307
2SC4098.........307
2SC4102.........308
2SC4132.........308
2SC4505 ........309
2SC4617 ........309
2SC4618.........310
2SC4672.........310
2SC4713K........311
2SC4725 ........311
2SC4726 ........312
2SC4774.........312
2SC4997.........313
2SC4997.........313
2SC5001 ........314
2SC5053.........314
2SC5161.........315
2SC5585 ........315
2SC5658.........316
2SC5659.........316
2SC5661.........317
2SC5662 ........317
2SC5663 ........318
2SC5730K........318
2SC5824.........319
2SC5825 ........319
2SC5876.........320
Транзисторы производства
SANYO..............321
2SA1179N........321
2SA1252 ........321
2SA1256 ........322
2SA1257.........322
2SA1331 ........323
2SA1338 ........323
2SA1415 ....-...324
2SA1416 ........324
2SA1417 ........325
2SA1418 ........325
2SA1419 ........326
2SA1434 ........326
2SA1518 ........327
2SA1519 ........327
2SA1520 ........328
2SA1521 ........328
2SA1575 ........329
2SA1580 ........329
2SA1607 ........330
2SA1669 ........330
2SA1682 ........331
2SA1685 ........331
2SA1687 ........332
2SA1688 ........332
2SA1724 ........333
2SA1728 ........333
2SA1729.........334
2SA1730 ........334
2SA1740 ........335
2SA1745 ........335
2SA1753 ........336
2SA1763 ........336
2SA1764.........337
2SA1766 ........337
2SA1778 ........338
2SA1813.........338
2SA1814.........339
2SA1815 ........339
2SA1838 ........340
2SA1839.........340
2SA1857 ........341
2SA1864 ........341
2SA1865.........342
2SA1866 ........342
2SA1881.........343
2SA1882.........343
2SA1883 ........344
2SA1896.........344
2SA1898.........345
2SA1963 ........345
2SA1965 ........346
2SA1969.........346
2SA1973.........347
2SA2011.........347
2SA2012 ........348
2SA2013 ........348
2SA2014 ........349
2SA2015 ........349
2SA2016.........350
2SB1120 ........350
2SB1121.........351
2SB1122.........351
2SB1123.........352
2SB1124.........352
2SB1125.........353
2SB1126 ........353
2SB1234 ........354
2SB1295.........354
2SB1302 ........355
2SB1323 ........355
2SB1324.........356
2SB1325 ........356
2SB1394 ........357
2SB1396 ........357
2SB1397 ........358
2SB1527.........358
2SB815 .........359
2SC2812N .......359
2SC2814 ........360
2SC3134.........360
2SC3142 ........361
2SC3143.........361
2SC3361.........362
2SC3392 ........362
2SC3645 ........363
2SC3646 ........363
2SC3647 ........364
2SC3646 ........364
2SC3647 ........365
2SC3650.........365
2SC3651 ........366
2SC3661.........366
2SC3689 ........367
2SC3770.........367
2SC3771.........368
2SC3772.........368
Содержание 7
2SC3773			369	2SC4920			398	Транзисторы производства	
2SC3774 			369	2SC4921			398	TOSHIBA			427
2SC3775 			370	2SC4922			399	2SA1162			427
2SC3912 			370	2SC4931			399	2SA1163			427
2SC3913 			371	2SC4983			400	2SA1182			428
2SC3914 			371	2SC4984 			400	2SA1200 			428
2SC3915 			372	2SC4987 			401	2SA1201 			429
2SC4080 			372	2SC5069 			401	2SA1202 			429
2SC4104 			373	2SC5226			402	2SA1203			430
2SC4168 			373	2SC5227 			402	2SA1204 			430
2SC4269 			374	2SC5228 			403	2SA1213			431
2SC4270 			374	2SC5229 			403	2SA1225 			431
2SC4272 			375	2SC5231			404	2SA1241 			432
2SC4364 			375	2SC5245 			404	2SA1242 			432
2SC4365 			376	2SC5275 			405	2SA1244 			433
2SC4390			376	2SC5276 			405	2SA1245			433
2SC4399 			377	2SC5277 			406	2SA1255			434
2SC4400 			377	2SC5310			406	2SA1298			434
2SC4401 			378	2SC5347 			407	2SA1312 			435
2SC4402 			378	2SC5374 			407	2SA1313 			435
2SC4403 			379	2SC5375 			408	2SA1314 			436
2SC4404 			379	2SC5415 			408	2SA1362 			436
2SC4405 			380	2SC5488 			409	2SA1384			437
2SC4406 			380	2SC5489 			409	2SA1483 			437
2SC4407			381	2SC5490 			410	2SA1586 			438
2SC4412			381	2SC5501 			410	2SA1587 			438
2SC4413			382	2SC5502 			411	2SA1588 			439
2SC4432 			382	2SC5503 			411	2SA1618 			439
2SC4443 			383	2SC5504 			412	2SA1620 			440
2SC4446			383	2SC5534 			412	2SA1621 			440
2SC4452			384	2SC5536			413	2SA1681 			441
2SC4453			384	2SC5537 			413	2SA1721			441
2SC4504			385	2SC5538 			414	2SA1734			442
2SC4519			385	2SC5539 			414	2SA1735 			442
2SC4520 			386	2SC5540 			.415	2SA1736			443
2SC4521 			386	2SC5541 			415	2SA1832 			443
2SC4548			387	2SC5564 			416	2SA1832F			444
2SC4555 			387	2SC5565			416	2SA1832FT ...		444
2SC4577			388	2SC5566 			417	2SA1832FV ...		445
2SC4673 			388	2SC5567 			417	2SA1873			445
2SC4694 			389	2SC5568 			418	2SA1953 			446
2SC4695 			389	2SC5569 			418	2SA1954 			446
2SC4705 			390	2SC5645 			419	2SA1955			447
2SC4851 			390	2SC5645 			419	2SA1971			447
2SC4852			391	2SD1048			420	2SA2056			448
2SC4853 			391	2SD1621			420	2SA2059			448
2SC4854 			392	2SD1622			421	2SA2060 			449
2SC4855			392	2SD1623 			421	2SA2061 			449
2SC4861 			393	2SD1624 			422	2SA2065 			450
2SC4863 			393	2SD1625 			422	2SA2066 			450
2SC4864 			394	2SD1626 			423	2SA2069 			451
2SC4865 			394	2SD1851 			423	2SA2070 			451
2SC4867 			395	2SD1935 			424	2SA2097 			452
2SC4868 			395	2SD1997 ....'			424	2SB905 			452
2SC4869 			396	2SD1998 			425	2SB906 			453
2SC4871 			396	2SD1999 			425	2SB907 			453
2SC4909 			397	2SD2099 			426	2SB908 			454
2SC4919 			397	2SD2100 			426	2SC2532 			454
8 Содержание
2SC2712 			455	2SC4215			484	2SC5096FT 			513
2SC2713			455	2SC4244			484	2SC5097 			513
2SC2714			456	2SC4245			485	2SC5098 			514
2SC2715			456	2SC4246			485	2SC5106 			514
2SC2716 			457	2SC4247			486	2SC5107 			515
2SC2859			457	2SC4248 			486	2SC5108 			515
2SC2873 			458	2SC4249 			487	2SC5108FT 			516
2SC2880 			458	2SC4250			487	2SC5109 			516
2SC2881 			459	2SC4251 			488	2SC5110 			517
2SC2882 			459	2SC4252 			488	2SC5111 			517
2SC2883 			460	2SC4253 			489	2SC5111FT 			518
2SC2884			460	2SC4315			489	2SC5233			518
2SC2982 			461	2SC4317			490	2SC5233 			519
2SC2983 			461	2SC4320 			490	2SC5254			519
2SC2996 			462	2SC4321 			491	2SC5255 			520
2SC3011 			462	2SC4322			491	2SC5256 			520
2SC3072 			463	2SC4324 			492	2SC5256FT			521
2SC3074 			463	2SC4325 			492	2SC5257 			521
2SC3075			464	2SC4394			493	2SC5258 			522
2SC3076 			464	2SC4409 			493	2SC5259 			522
2SC3098 			465	2SC4497			494	2SC5260			523
2SC3099 			465	2SC4527			494	2SC5261 			523
2SC3120 			466	2SC4539			495	2SC5261FT 			524
2SC3121 			466	2SC4540			495	2SC5262 			524
2SC3122 			467	2SC4541			496	2SC5263 			525
2SC3123 			467	2SC4666 			496	2SC5315 			525
2SC3124 			468	2SC4667 			497	2SC5316 			526
2SC3125 			468	2SC4684 			497	2SC5317 			526
2SC3138			469	2SC4738 			498	2SC5317FT			527
2SC3233 			469	2SC4738F 			498	2SC5318 			527
2SC3265 			470	2SC4738FT			499	2SC5319			528
2SC3268 			470	2SC4738FV			499	2SC5320			528
2SC3295 			471	2SC4738TT			500	2SC5321 			529
2SC3303 			471	2SC4839 			500	2SC5322 			529
2SC3324 			472	2SC4840			501	2SC5322FT			530
2SC3325 			472	2SC4841 			501	2SC5323			530
2SC3326 			473	2SC4842 			502	2SC5324 			531
2SC3405 			473	2SC4843 			502	2SC5355 			531
2SC3429 			474	2SC4844			503	2SC5356 			532
2SC3437			474	2SC4915			503	2SC5376 			532
2SC3474 			475	2SC4944			504	2SC5376F			533
2SC3515 			475	2SC5064 			504	2SC5376FV			533
2SC3547A 			476	2SC5065 			505	2SC5463			534
2SC3547B			476	2SC5066 			505	2SC5464 			534
2SC3606			477	2SC5066FTA .....		506	2SC5464FT			535
2SC3607 			477	2SC5084 			506	2SC5692			535
2SC3803 			478	2SC5085 			507	2SC5703 			536
2SC3805 			478	2SC5086 			507	2SC5712 			536
2SC3862 			479	2SC5086FT			508	2SC5714 			537
2SC4116 			479	2SC5087 			508	2SC5738			537
2SC4117 			480	2SC5088 			509	2SC5755 			538
2SC4118 			480	2SC5091 			509	2SC5784 			538
2SC4203 			481	2SC5091FT			510	2SC5785 			539
2SC4207 			481	2SC5092 			510	2SC5810 			539
2SC4209 			482	2SC5093 			511	2SC5819 			540
2SC4210 			482	2SC5094			511	2SC5886			540
2SC4213 			483	2SC5095			512		
2SC4214			483	2SC5096 			512		
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 9
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SA1022	PAN	164	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1034	PAN	164	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1035	PAN	165	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1036K	ROHM	274	PNP транзистор средней мощности общего применения
2SA1037AK	ROHM	274	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1052	HIT	70	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1121	HIT	70	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1122	REN	245	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1162	TOSH	472	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1163	TOSH	472	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1171	HIT	71	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1179N	SAN	321	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1182	TOSH	428	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1200	TOSH	428	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1201	TOSH	429	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1202	TOSH	429	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1203	TOSH	430	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1204	TOSH	430	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1213	TOSH	431	PNP низкочастотный транзистор
2SA1225	TOSH	431	PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1226	NEC	93	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1241	TOSH	432	PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1242	TOSH	432	PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1244	TOSH	433	PNP мощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1245	TOSH	433	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1252	SAN	321	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SA1255	TOSH	434	PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1256	SAN	322	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1257	SAN	322	PNP высоковольтный транзистор для работы в схемах УМЗЧ
2SA1298	TOSH	434	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1312	TOSH	435	PNP низкочастотный малошумящий высоковольтный транзистор
2SA1313	TOSH	435	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1314	TOSH	436	PNP низкочастотный транзистор
2SA1330	NEC	93	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1331	SAN	323	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1338	SAN	323	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1362	TOSH	436	PNP низкочастотный транзистор
2SA1384	TOSH	437	PNP высоковольтный транзистор
2SA1385-Z	NEC	94	PNP низкочастотный транзистор
2SA1400-Z	NEC	94	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1412-Z	NEC	95	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1413-Z	NEC	95	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1415	SAN	324	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1416	SAN	324	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1417	SAN	325	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1418	SAN	325	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1419	SAN	326	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SA1434	SAN	326	PNP низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SA1461	NEC	96	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1462	NEC	96	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1463	NEC	97	PNP транзистор средней мощности с высокой скоростью переключения
2SA1464	NEC	,97	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
10 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SA1468	REN	245	PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SA1483	TOSH	437	PNP высокочастотный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
2SA1484	HIT	71	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1514K	ROHM	275	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SA1518	SAN	327	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1519	SAN	327	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1520	SAN	328	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1521	SAN	328	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1531	PAN	165	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1531A	PAN	166	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1532	PAN	166	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1566	HIT	72	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1575	SAN	329	PNP высоковольтный высокочастотный транзистор
2SA1576A	ROHM	275	PNP низкочастотный транзистор общего применения '
2SA1577	ROHM	276	PNP транзистор средней мощности общего применения
2SA1579	ROHM	276	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SA1580	SAN	329	PNP маломощный транзистор для работы в схемах ТВ-приемников
2SA1586	TOSH	438	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
2SA1587	TOSH	438	PNP низкочастотный малошумящий транзистор общего применения
2SA1588	TOSH	439	PNP низкочастотный маломощный транзистор
2SA1607	SAN	330	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1617	HIT	72	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1618	TOSH	439	PNP дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
2SA1620	TOSH	440	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1621	TOSH	440	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1645-Z	NEC	98	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1646-Z	NEC	98	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1649-Z	NEC	99	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1669	SAN	330	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1681	TOSH	441	PNP низкочастотный транзистор
2SA1682	SAN	331	PNP маломощный высоковольтный транзистор
2SA1685	SAN	331	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1687	SAN	332	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1688	SAN	332	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1721	TOSH	441	PNP высоковольтный транзистор
2SA1724	SAN	333	PNP высокочастотный транзистор
2SA1727	ROHM	277	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1728	SAN	333	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1729	SAN	334	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1730	SAN	334	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1734	TOSH	442	PNP низкочастотный транзистор
2SA1735	TOSH	442	PNP низкочастотный транзистор
2SA1736	TOSH	443	PNP низкочастотный транзистор
2SA1737	PAN	167	PNP высоковольтный транзистор
2SA1738	PAN	167	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1739	PAN	168	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1740	SAN	335	PNP высоковольтный транзистор
2SA1745	SAN	335	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1748	PAN	168	PNP высокочастотный транзистор общего применения
2SA1753	SAN	336	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1759	ROHM	277	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1763	SAN	336	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1764	SAN	337	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1766	SAN	337	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 11
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SA1774	ROHM	278	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1778	SAN	338	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1790J	PAN	169	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1791J	PAN	169	PNP высокочастотный транзистор
2SA1797	ROHM	278	PNP мощный низкочастотный транзистор
2SA1806J	PAN	170	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1812	ROHM	279	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1813	SAN	338	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1814	SAN	339	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1815	SAN	339	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1832	TOSH	443	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1832F	TOSH	444	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1832FT	TOSH	444	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1832FV	TOSH	445	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SA1834	ROHM	279	PNP мощный низкочастотный транзистор
2SA1838	SAN	340	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1839	SAN	340	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1857	SAN	341	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SA1862	ROHM	280	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1864	SAN	341	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1865	SAN	342	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1866	SAN	342	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1873	TOSH	445	PNP дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
2SA1881	SAN	343	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA1882	SAN	343	PNP низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SA1883	SAN	344	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1890	PAN	170	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SA1896	SAN	344	f>NP транзистор для работы в схемах управления
2SA1898	SAN ,	345	F*NP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
2SA1900	ROHM	280	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SA1952	ROHM	281	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA1953	TOSH	446	PNP низкочастотный транзистор
2SA1954	TOSH	446	PNP низкочастотный транзистор
2SA1955	TOSH	447	PNP низкочастотный транзистор
2SA1963	SAN	345	PNP малошумящий высокочастотный транзистор
2SA1965	SAN	346	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1969	SAN	346	PNP высокочастотный транзистор средней мощности
2SA1971	TOSH	447	PNP высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1973	SAN	347	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA1977	NEC	99	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA1978	NEC	100	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA2009	PAN	171	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SA2010	PAN	171	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2011	SAN	347	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2012	SAN	348	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2013	SAN	348	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2014	SAN	349	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2015	SAN	349	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
12 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SA2016	SAN	350	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2018	ROHM	281	PNP низкочастотный транзистор
2SA2021	PAN	172	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2028	PAN	172	PNP маломощный транзистор с-высокой скоростью переключения
2SA2029	ROHM	282	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2030	ROHM	282	PNP низкочастотный транзистор
2SA2046	PAN	173	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2048K	ROHM	283	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SA2056	TOSH	448	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2059	TOSH	448	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2060	TOSH	449	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2061	TOSH	449	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2065	TOSH	450	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2066	TOSH	450	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2069	TOSH	451	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2070.	TOSH	451	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2071	ROHM	283	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2073	ROHM	284	PNP мощный низкочастотный транзистор с высокой скоростью пе
2SA2077	PAN	173	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2078	PAN	174	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2079	PAN	174	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2080	REN	246	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2081	REN	246	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2082	PAN	175	PNP-высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SA2084	PAN	175	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор общего применения
2SA2088	ROHM	284	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SA2097	TOSH	452	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2119K	ROHM	285	PNP низкочастотный транзистор
2SA2122	PAN	176	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2161J	PAN	176	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2162	PAN	177	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SA2163	PAN	177	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA2164	PAN	178	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
2SA2174J	PAN	178	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1000A	HIT	73	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1001	HIT	73	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1002	HIT	74	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1025	HIT	74	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1026	HIT	75	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1027	HIT	75	PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SB1028	HIT	76	PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SB1048	HIT	76	PNP низкочастотный составной транзистор общего применения
2SB1073	PAN	179	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1115	NEC	100	PNP мощный низкочастотный транзистор
2SB1115A	NEC	101	PNP мощный низкочастотный транзистор
2SB1120	SAN	350	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1121	SAN	351	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1122	SAN	351	PNP транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SB1123	SAN	352	PNP транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SB1124	SAN	352	PNP транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SB1125	SAN	353	PNP составной транзистор для работы в схемах управления
2SB1126	SAN	353	PNP составной транзистор для работы в схемах управления
2SB1132	ROHM	285	PNP транзистор средней мощности
2SB1181	ROHM	'286	PNP низкочастотный мощный транзистор
2SB1182	ROHM	286	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1184	ROHM	287	PNP мощный транзистор общего применения
2SB1188	ROHM	287	PNP транзистор средней мощности
2SA1197K	ROHM	288	PNP транзистор средней мощности
2SB1198K	ROHM	288	PNP частотный транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 13
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SB1218A	PAN	179	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1219	PAN	180	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1219A	PAN	180	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1220	PAN	181	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1234	SAN	354	PNP составной транзистор для работы в схемах управления
2SB1260	ROHM	289	PNP низкочастотный мощный транзистор
2SB1261-Z	NEC	101	PNP низкочастотный транзистор
2SB1275	ROHM	289	PNP низкочастотный высоковольтный мощный транзистор
2SB1295	SAN	354	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1302	SAN	355	PNP транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1308	ROHM	290	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1316	ROHM	290	PNP мощный составной низкочастотный транзистор
2SB1323	SAN	355	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1324	SAN	356	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1325	SAN	356	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1386	ROHM	291	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1394	SAN	357	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1396	SAN	357	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1397	SAN	358	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1412	ROHM	291	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1424	ROHM	292	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1427	ROHM	292	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1440	PAN	181	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1462	PAN	182	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1462J	PAN	182	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1462L	PAN	183	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1463	PAN	183	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1463J	PAN	184	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1475	NEC	102	PNP низкочастотный маломощный транзистор
2SB1527	SAN	358	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
2SB1537	PAN	184	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1539	PAN	185	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1561	ROHM	293	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1571	NEC	102	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1580	ROHM	293	PNP мощный составной низкочастотный транзистор
2SB1589	PAN	185	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1590K	ROHM	294	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
2SB1599	PAN	186	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1612	PAN	186	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1679	PAN	187	PNP низкочастотный транзистор
2SB1689	ROHM	294	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1690K	ROHM	295	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1693	PAN	187	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1694	ROHM	295	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1695K	ROHM	296	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1697	ROHM	296	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1698	ROHM	297	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1699	PAN	188	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB1705	ROHM	297	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1709	ROHM	298	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1710	ROHM	298	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1713	ROHM	299	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1714	ROHM	299	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1722J	PAN	188	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB1730	ROHM	300	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1732	ROHM	300	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1733	ROHM	301	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB1734	PAN	189	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB624	NEC	103	PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SB709A	PAN	189	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB710	PAN	190	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB710A	PAN	190	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB736	NEC	103	PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SB736A	NEC	104	PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SB766	PAN	191	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB766A	PAN	191	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
14 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SB767	PAN	192	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB768	NEC	104	PNP высоковольтный транзистор
2SB779	PAN	192	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB789	PAN	193	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB789A	PAN	193	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB792	PAN	194	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB792A	PAN	194	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2SB798	NEC	105	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB800	NEC	105	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB815	SAN	359	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB825K	ROHM	301	PNP низкочастотный составной транзистор
2SB831	HIT	77	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB905	TOSH	452	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
2SB906	TOSH	453	PNP низкочастотный транзистор
2SB907	TOSH	453	PNP низкочастотный составной транзистор
2SB908	TOSH	454	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB956	PAN	195	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SB962-Z	NEC	106	PNP высоковольтный транзистор
2SB963-Z	NEC	106	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SB970	PAN	195	PNP низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC1009	NEC	107	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC1621	NEC	107	NPN высокочастотный малошумящий транзистор общего применения
2SC1622A	NEC	108	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC1623	NEC	108	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC1653	NEC	109	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC1654	NEC	109	NPN транзистор средней мощности общего применения
2SC2295	PAN	196	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2351	NEC	110	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2404	PAN	196	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2405	PAN	197	NPN высокочастотный транзистор
2SC2406	PAN	197	NPN низкочастотный составной транзистор для усилительных каскадов
2SC2411K	ROHM	302	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2412K	ROHM	302	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2413K	ROHM	303	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2462	HIT	77	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2463	HIT	78	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2480	PAN	198	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2532	TOSH	454	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2618	HIT	78	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2619	HIT	79	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2620	REN	247	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2712	TOSH	455	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2713	TOSH	455	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2714	TOSH	456	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2715	TOSH	456	NPN высокочастотный транзистор
2SC2716	TOSH	457	NPN высоковольтный транзистор средней мощности
2SC2732	HIT	79	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2734	HIT	80	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC2735	HIT	80	NPN мощный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
2SC2736	HIT	81	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC2776	HIT	81 •	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC2778	PAN	198	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2780	NEC	110	NPN мощный транзистор для усилительных каскадов
2SC2812N	SAN	359	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 15
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC2814	SAN	360	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2859	TOSH	457	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC2873	TOSH	458	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC2880	TOSH	458	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC2881	TOSH	459	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2882	TOSH	459	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2883	TOSH	460	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2884	TOSH	460	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2946(1)	NEC	111	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC2982	TOSH	461	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2983	TOSH	461	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC2996	TOSH	462	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3011	TOSH	462	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3072	TOSH	463	NPN высокочастотный транзистор
2SC3074	TOSH	463	NPN высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3075	TOSH	464	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC3076	TOSH	464	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC3098	TOSH	465	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3099	TOSH	465	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3120	TOSH	466	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3121	TOSH	466	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC3122	TOSH	467	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3123	TOSH	467	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3124	TOSH	468	NPN высокочастотный высоковольтный транзистор
2SC3125	TOSH	468	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3127	REN	247	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
2SC3130	PAN	199	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3134	SAN	360 «.	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC3138	TOSH	469	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3142	SAN	361	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах ТВ-приемников
2SC3143	SAN	361	NPN низкочастотный транзистор
2SC3233	TOSH	469	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3265	TOSH	470	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3268	TOSH	470	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3295	TOSH	471	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3303	TOSH	471	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC3324	TOSH	472	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3325	TOSH	472	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3326	TOSH	473	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3338	HIT	82	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3356	NEC	11Г	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
2SC3357	NEC	112	NPN высоковольтный транзистор, для ключевых схем
2SC3360	NEC	112	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3361	SAN	362	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3380	REN	248	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3392	SAN	362	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3405	TOSH	473	NPN транзистор средней мощности с высокой скоростью переключения
2SC3429	TOSH	474	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
16 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC3437	TOSH	474	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3474	TOSH	475	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах.
2SC3515	TOSH	475	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3518-Z	NEC	113	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3547A	TOSH	476	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3547B	TOSH	476	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3583	NEC	113	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3585	NEC	114	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3588-Z	NEC	114	NPN высокочастотный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
2SC3606	TOSH	477	NPN высоковольтный транзистор для выходных каскадов СР
2SC3607	TOSH	477	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3631-Z	NEC	115	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3632-Z	NEC	115	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3645	SAN	363	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3646	SAN	363	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3646	SAN	364	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3647	SAN	364	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC3647	SAN	365	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3650	SAN	365	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3651	SAN	366	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3661	SAN	366	NPN высокочастотный транзистор
2SC3663	NEC	116	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3689	SAN	367	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3704	PAN	199	NPN высокочастотный транзистор
2SC3707	PAN	200	NPN высокочастотный транзистор
2SC3734	NEC	116	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3735	NEC	117	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC3736	NEC	117	NPN высоковольтный транзистор
2SC3739	NEC	118	NPN высоковольтный высокочастотный транзистор
2SC3757	PAN	200	NPN высокочастотный транзистор для работы в схемах ТВ-приемников
2SC3770	SAN	367	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC3771	SAN	368	NPN низкочастотный транзистор
2SC3772	SAN	368	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3773	SAN	369	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3774	SAN	. 369	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
2SC3775	SAN	370	NPN низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
2SC3793	HIT	82	NPN низкочастотный маломощный транзистор
2SC3803	TOSH	478	NPN низкочастотный маломощный транзистор
2SC3805	TOSH	478	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3829	PAN	201	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3837K	ROHM	303	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3838K	ROHM	304	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3841	NEC	118	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3862	TOSH	479	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3904	PAN	201	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3906K	ROHM	304	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3912	SAN	370	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 17
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC3913	SAN	371	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3914	SAN	371	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3915	SAN	372	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3929	PAN	202	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3929A	PAN	202	NPN низкочастотный транзистор
2SC3930	PAN	203	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3931	PAN	203	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
<	2SC3932	PAN	204	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3933	PAN	204	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC3934	PAN	205	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3935	PAN	205	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3936	PAN	206	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3937	PAN	206	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC3938	PAN	207	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4050	REN	248	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4061K	ROHM	305	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4080	SAN	372	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4081	ROHM	305	NPN высоковольтный транзистрр с высокой скоростью переключения
2SC4082	ROHM	306	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4083	ROHM	306	NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC4092	NEC	119	NPN низкочастотный транзистор
2SC4093	NEC	119	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4094	NEC	120	NPN высоковольтный транзистор для применения в ТВ-приемниках
2SC4095	NEC	120	NPN высокочастотный транзистор
2SC4097	ROHM	307	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4098	ROHM	307	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4102	ROHM	308	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4104	SAN	373	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4116	TOSH	479	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4117	TOSH	480	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4118	TOSH	480	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4132	ROHM	308	NPN мощный высокочастотный транзистор
2SC4168	SAN	373	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4181	NEC	121	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4182	NEC	121	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4182	NEC	122	NPN высоковольтный транзистор средней мощности
2SC4183	NEC	122	NPN высоковольтный транзистор
2SC4184	NEC	123	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4185	NEC	123	NPN высокочастотный транзистор
2SC4186	NEC	124	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4187	NEC	124	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4196	REN	249	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4197	REN	249	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4203	TOSH	481	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4207	TOSH	481	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4209	TOSH	482	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC4210	TOSH	482	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4213	TOSH	483	NPN высокочастотный транзистор
2SC4214	TOSH	483	NPN высокочастотный транзистор
2SC4215	TOSH	484	NPN высбкочастотный транзистор
2SC4225	NEC	125	NPN высокочастотный транзистор
2SC4226	NEC	125	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
18 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC4227	NEC	126	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4228	NEC	126	NPN мощный низкочастотный транзистор
2SC4244	TOSH .	484	NPN транзистор средней мощности
2SC4245	TOSH	485	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4246	TOSH	485	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4247	TOSH	486	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4248	TOSH	486	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4249	TOSH	487	NPN высокочастотный высоковольтный транзистор
2SC4250	TOSH	487	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4251	TOSH	488	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4252	TOSH	488	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4253	TOSH	489	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4260	REN	250	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4261	REN	250	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4262	REN	251	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4264	REN	251	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4265	REN	252	NPN высокочастотный транзистор
2SC4269	SAN	374	NPN высокочастотный транзистор
2SC4270	SAN	374	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4272	SAN	375	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4315	TOSH	489	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4317	TOSH	490	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4320	TOSH	490	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4321	TOSH	491	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4322	TOSH	491	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4324	TOSH	492	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4325	TOSH	492	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4331-Z	NEC	127	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4332-Z	NEC	127	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4364	SAN	375	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4365	SAN	376	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4390	SAN	376	PNP низкочастотный транзистор общего применения
2SC4394	TOSH	493	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4399	SAN	377	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4400	SAN	377	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4401	SAN	378	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4402	SAN	378	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4403	SAN	379	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4404	SAN	379	NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4405	SAN	380	NPN дифкаскад на низкочастотных транзисторах
2SC4406	SAN	380	NPN высокочастотный транзистор
2SC4407	SAN	381	NPN высокочастотный транзистор
2SC4409	TOSH	493	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4410	PAN	207	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4412	SAN	381	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4413	SAN	382	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4417	PAN	208	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4422	HIT	83	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4432	SAN	382	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4443	SAN	383	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC4446	SAN	383	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4452	SAN	384	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4453	SAN	384	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4462	HIT	83	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC4463	HIT	84	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4497	TOSH	494	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4504	SAN	385	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
/2SC4505	ROHM	309	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4519	SAN	385	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4520	SAN	386	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4521	SAN	386	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4527	TOSH	494	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4536	NEC	128	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4537	REN	252	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 19
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC4539	TOSH	495	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4540	TOSH	495	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4541	TOSH	496	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4543	PAN	208	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4548	SAN	387	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4555	SAN	387	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4562	PAN	209	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4570	NEC	128	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4571	NEC	129	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4577	SAN	388	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4591	REN	253	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4592	HIT	84	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4593	HIT	85	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4617	ROHM	309	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4618	ROHM	310	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
> 2SC4626J	PAN	209 ,	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4627	PAN	210	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4627J	PAN	210	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4643	HIT	85	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4655	PAN	211	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4655J	PAN	211	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4656	PAN	212	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
2SC4656J	PAN	212	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4666	TOSH	496	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4667	TOSH	497	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4672	ROHM	310	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC4673	SAN	388	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4684	TOSH	497	NPN высокочастотный транзистор
2SC4691	PAN	213	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4691J	PAN	213	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC4694	SAN	389	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC4695	SAN	389	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4702	REN	253	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4703	NEC	129	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4705	SAN	390	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4713K	ROHM	311	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4725	ROHM	311	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4726	ROHM	312	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738	TOSH	498	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738F	TOSH	498	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738FT	TOSH	499	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738FV	TOSH	499	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4738TT	TOSH	500	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4774	ROHM	312	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4782	PAN	214	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4784	REN	254	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4791	HIT	86	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4805	PAN	214	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
2SC4807	REN	254	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4808	PAN	215	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4808J	PAN	215	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4809	PAN	216	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4809J	PAN	216	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4835	PAN	217	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4839	TOSH	500	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4840	TOSH	501	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
20 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC4841	TOSH	501	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4842	TOSH	502	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4843	TOSH	502	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4844	TOSH	503	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4851	SAN	390	NPN высоковольтный транзистор для работы в импульсных БП
2SC4852	SAN	391	NPN высоковольтный транзистор для работы в импульсных БП
2SC4853	SAN	391	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4854	SAN	392	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4855	SAN	392	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4861	SAN	393	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4863	SAN	“393	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4864	SAN	394	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4865	SAN	394	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4867	SAN	395	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4868	SAN	395	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4869	SAN	396	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4871	SAN	396	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4885	NEC	130	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4899	REN	255	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4900	HIT	86	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4901	REN.	255	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4909	SAN	397	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4915	TOSH	503	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4919	SAN	397	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC4920	SAN	398	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4921	SAN	398	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4922	SAN	399	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4926	REN	256	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4931	SAN	399	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4944	TOSH ~	504	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4954	NEC	130	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4955	NEC	131	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4956	NEC	131	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC4957	NEC	132	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4958	NEC	132	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4959	NEC	133	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4964	REN	256	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4965	REN	257	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4983	SAN	400	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4984	SAN	400	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC4987	SAN	401	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4988	REN	257	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4993	HIT	87	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4994	HIT	87	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC4995	HIT	88	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4997	ROHM	313	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC4998	ROHM	313	NPN высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5001	ROHM	314	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5004	NEC	133	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5005	NEC	134	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5006	NEC	134	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5007	NEC	135	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5008	NEC	135	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5009	NEC	136	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5010	NEC	136	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5011	NEC	137	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5012	NEC	137	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5013	NEC	138	NPN мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5Q14	NEC	138	NPN мощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5015	NEC	139	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5019	PAN	217	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5026	PAN	218	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 21
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC5049	REN	258	NPN низкочастотный транзистор общего применения.
2SC5050	REN	258	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5051	REN	259	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5053	ROHM	314	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SC5064	TOSH	504	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5065	TOSH	505	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5066	TOSH	505	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5066FT	TOSH	506	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5069	SAN	401	NPN высокочастотный транзистор для радиочастотных схем
2SC5078	HIT	88	NPN высокочастотный транзистор для радиочастотных схем
2SC5079	HIT	89	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5080	REN	259	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5081	REN	260	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5084	TOSH	506	NPN высокочастотный транзистор средней мощности
2SC5085	TOSH	507	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5086	TOSH	507	NPN высокочастотный транзистор
2SC5086FT	TOSH	508	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5087	TOSH	508	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5088	TOSH	509	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5091	TOSH	509	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5091FT	TOSH	510	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5092	TOSH	510	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5093	TOSH	511	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
2SC5094	TOSH	511	NPN составной транзистор для работы в схемах управления
2SC5095	TOSH	512	NPN составной транзистор для работы в схемах управления
2SC5096	TOSH	512	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5096FT	TOSH	513	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5097	TOSH	513	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5098	TOSH	514	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5106	TOSH	514	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5107	TOSH	515	NPN составной транзистор для работы в схемах управления
2SC5108	TOSH	515	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5108FT	TOSH	516	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5109	TOSH	516	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5110	TOSH	517	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5111	TOSH	' 517	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5111FT	TOSH	518	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
2SC5136	HIT	89	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5137	HIT	90	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5139	HIT	90	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5161	ROHM	315	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5177	NEC	139	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5178	NEC	140	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5179	NEC	140	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5180	NEC	141	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5181	NEC	141	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5182	NEC	142	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5183	NEC	142	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5184	NEC	143	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5185	NEC	143	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5186	NEC	144	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
2SC5190	PAN	218	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5191	NEC	144	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5192	NEC	145	PNP низкочастотный составной транзистор
2SC5193	NEC	145	PNP низкочастотный составной транзистор
2SC5194	NEC	146	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5195	NEC	146	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5216	PAN	219	NPN высокочастотный транзистор
2SC5218	REN	260	NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC5226	SAN	402	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5227	SAN	402	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5228	SAN	403	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC522&	SAN	403	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
22 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC5231	SAN	404	NPN мощный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5232	TOSH	518	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5233	TOSH	519	NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC5245	SAN	404	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5246	HIT	91	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5247	HIT	91	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5254	TOSH	519	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5255	TOSH	520	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5256	TOSH	520	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5256FT	TOSH	521	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5257	TOSH	521	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5258	TOSH	522	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5259	TOSH	522	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5260	TOSH	523	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
2SC5261	TOSH	523	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5261FT	TOSH	524	NPN высокочастотный малошумящий низковольтный транзистор
2SC5262	TOSH	524	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5263	TOSH	525	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5275	SAN	405	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5276	SAN	405	NPN высокочастотный низковольтный транзистор
2SC5277	SAN	406	NPN высоковольтный транзистор общего применения
2SC5288	NEC	147	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
2SC5289	NEC	147	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5295	PAN	219	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5295J	PAN	220	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5310	SAN	406	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5315	TOSH	525	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5316	TOSH	526	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5317	TOSH	526	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5317FT	TOSH	527	NPN транзистор средней мощности
2SC5318	TOSH	527	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5319	TOSH	528	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2SC5320	TOSH	528	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
2SC5321	TOSH	529	NPN высоковольтный транзистор
2SC5322	TOSH	529	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5322FT	TOSH	530	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC5323	TOSH	530	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
2SC5324	TOSH	531	NPN высокочастотный транзистор
2SC5336	NEC	148	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5337	NEC	148	NPN высокочастотный транзистор
2SC5338	NEC	149	NPN высокочастотный транзистор
2SC5347	SAN	407	NPN высокочастотный транзистор
2SC5355	TOSH	531	NPN высокочастотный малошумящий низковольтный транзистор
2SC5356	TOSH	532	NPN дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
2SC5363	PAN	220	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5369	NEC	149	NPN высокочастотный малошумящий транзистор	
2SC5374	SAN	407	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5375	SAN	408	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5376	TOSH	532	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5376F	TOSH	533	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5376FV	TOSH	533	NPN мощный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5378	PAN	221	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5379	PAN	221	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5408	NEC	150	NPN высокочастотный транзистор общего применения
2SC5409	NEC	150	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 23
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC5415	SAN	408	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5431	NEC	151	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5432	NEC	151	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5433	NEC	152	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5434	NEC	152	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5435	NEC	153	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5436	NEC	153	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5437	NEC	154	NPN низкочастотный транзистор общего применения
- 2SC5454	NEC	154	NPN высоковольтный транзистор
2SC5455	NEC	155	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5463	TOSH	534	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5464	TOSH	534	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5464FT	TOSH	535	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5472	PAN	222	NPN низкочастотный транзистор
2SC5473	PAN	222	NPN низкочастотный транзистор
2SC5474	PAN	223	NPN низкочастотный транзистор
2SC5488	SAN	409	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5489	SAN	409	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5490	SAN	410	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SC5501	SAN	410	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5502	SAN	411	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5503	SAN	411	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5504	SAN	412	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5507	NEC	155	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5508	NEC	156	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5509	NEC	156	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5534	SAN	412	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5536	SAN	413	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5537	SAN	413	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5538	SAN	414	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SC5539	SAN	414	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5540	SAN	415	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5541	SAN	415	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5543	REN	261	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5544	REN	261	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5545	HIT	92	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5545	REN	262	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5555	REN	262	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5556	PAN	223	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5564	SAN	416	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5565	SAN	416	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5566	SAN	417	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5567	SAN	417	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5568	SAN	418	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
24 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC5569	SAN	418	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5585 '	ROHM	315	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5592	PAN	224	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5593	REN	263	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5594	REN	263	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5606	NEC	157	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SC5609	PAN	224	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5614	NEC	157	NPN мощный транзистор
2SC5615	NEC	158	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5617	NEC	158	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5618	NEC	159	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5623	REN	264	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5624	REN	264	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5628	REN	265	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5631	REN	265	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5632	PAN	225	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5645	SAN	419	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5645	SAN	419	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5654	PAN	225	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5658	ROHM	316	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5659	ROHM	316	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5661	ROHM	317	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5662	ROHM	317	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5663	ROHM	318	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5667	NEC	159	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5668	NEC	160	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5674	NEC	160	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5676	NEC	161	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5692	TOSH	535	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5700	REN	266	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5702	REN	266	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5703	TOSH	536	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5704	NEC	161	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5712	TOSH	536	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5714	TOSH	537	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5725	PAN	226	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5730K	ROHM	518	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5738	TOSH	537	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5745	NEC	162	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5746	NEC	162	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах.
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 25
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC5755	TOSH	538	NPN высокочастотный транзистор для работы, в радиочастотных схемах
2SC5757	REN	267	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5758	REN	267	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5772	REN	268	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5773	REN	268	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5784	TOSH	538	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5785	TOSH	539	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5787	NEC	163	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5800	NEC	163	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5810	TOSH	539	NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5812	REN	269	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5813	PAN	226	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5819	TOSH	540	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5820	REN	269	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5824	ROHM	319	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5825	ROHM	319	NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5829	PAN	227	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
2SC5838	PAN	227	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5845	PAN	228	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5846	PAN	228	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5848	PAN	229	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5849	REN	270	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5850	REN	270	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5851	REN	271	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5852	REN	271	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5863	PAN	229	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5876	ROHM	320	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5886	TOSH	540	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5890	REN	272	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5894	REN	272	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5939	PAN	230	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5946	PAN	230	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5950	PAN	231	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5975	REN	273	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SC5998	REN	273	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SC6036	PAN	231	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6037J	PAN	232	NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6045	PAN	232	NPN транзистор для работы в ключевых схемах
26 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
2SC6050	PAN	233	NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6054J	PAN	233	NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1048	SAN	420	NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1280	PAN	234	NPN транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1621	SAN	420	NPN низкочастотный маломощный транзистор
2SD1622	SAN	421	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD1623	SAN	421	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD1624	SAN	422	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1625	SAN	422	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1626	SAN	423	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1819A	PAN	234	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1820	PAN	235	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2SD1820A	PAN	235	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SD1821	PAN	236	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SD1821A	PAN	236	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD1851	SAN	423	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD1935	SAN	424	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1997	SAN	424	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1998	SAN	425	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
2SD1999	SAN	425	NPN низкочастотный транзистор
2SD2099	SAN	426	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2100	SAN	426	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD21851	PAN	237	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
2SD2216	PAN	237	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2216J	PAN	238	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2216L	PAN	238	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD2240	PAN	239	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2240A	PAN	239	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2357	PAN	240	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2359	PAN	240	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SD2457	PAN	241	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2SD2474	PAN	241	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SD601A	PAN	242	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2SD602A	PAN	242	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD874	PAN	243	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD874A	PAN	243	NPN низкочастотный транзистор общего применения
2SD875	PAN	244	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 27
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ SC-46, SC-74A, SC-82, SC-82A, SC-88, SC-88A
28 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-46
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
А1645(М, L, К)	2SA1645-Z	NEC	98	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
А1646(М, L, К)	2SA1646-Z	NEC	98	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
Транзисторы в корпусе SC-74A
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
L(Y, G, L)	2SC4207	TOSH	481	Дифкаскад на NPN низкочастотных маломощных тра-зисторах
S(Y, G)	2SA1618	TOSH	439	Дифкаскад на PNP низкочастотных маломощных транзисторах
Транзисторы в корпусе SC-82
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
ЗА	2SC5473	PAN	222	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МС(О, Y)	2SC5088	TOSH	509	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MD(R, О)	2SC5093	TOSH	511	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ME(R, О)	2SC5098	TOSH	514	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MH(R, О)	2SC5258	TOSH	522	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MI(R, О)	2SC5263	TOSH	525	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МК	2SC4842	TOSH	502	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MN	2SC4843	TOSH	502	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МО	2SC4844	TOSH	503	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МТ	2SC5319	TOSH	528	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ми	2SC5324	TOSH	531	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
VH-	2SC5624	REN	264	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WH-	2SC5623	REN	264	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WJ-	2SC5894	REN	272	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WU-	2SC5820	REN	269	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
хн-	2SC5593	REN	263	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ХР-	2SC5594	REN	263	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YD	2SC4995	HIT	88	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YS-	2SC4994	HIT	87	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZC	2SC5079	HIT	89	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZD-	2SC5081	REN	260	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусе SC-82A
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
VH-	2SC5624	REN	264	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WH-	2SC5623	REN	264	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WJ-	2SC5894	REN	272	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WU-	2SC5820	REN	269	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
хн-	2SC5593	REN	263	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ХР-	2SC5594	REN	263	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YD	2SC4995	HIT	88	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YS-	2SC4994	HIT	87	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZC	2SC5079	HIT	89	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZD-	2SC5081	REN	260	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусе SC-88
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
Т1Е	2SC5408	NEC	150	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Т95	2SC5369	NEC	149	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Т97	2SC5409	NEC	150	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусе SC-88A
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
L(Y, G)	2SC4944	TOSH	504	NPN дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
S(Y, G)	2SA1873	TOSH	445	PNP дифкаскад на низкочастотных маломощных транзисторах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 29
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-59
30 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-59
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
1A(Q, R)	2SB779	PAN	192	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
1R(R, S)	2SB970	PAN	195	PNP низкочастотный транзистор общего применения
1S(P, Q)	2SC3130	PAN	199	NPN высокочастотный транзистор
2F(R, S)	2SB792A	PAN	194	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2T	2SC5592	PAN	224	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2W	2SC3704	PAN	199	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2X	2SC3707	PAN	200	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2Y(Q, R)	2SC3757	PAN	200	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
3(R, 0)	2SC4497	TOSH	494	NPN высоковольтный транзистор
3C	2SC5725	PAN	226	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
3D	2SB1693	PAN	187	PNP низкочастотный транзистор общего применения
3K	2SC5556	PAN	223	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3M	2SC3829	PAN	201	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3S	2SC3904	PAN	201	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3Z	2SA2046	PAN	173	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
4(R, 0)	2SA1721	TOSH	441	PNP высоковольтный транзистор
5H	2SC5813	PAN	226	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
7(0,Y)	2SA1621	TOSH	440	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
7H(Q, R)	2SC5863	PAN	229	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
7L	2SA2077	PAN	173	PNP низкочастотный транзистор общего применения
7M	2SC5845	PAN	228	NPN низкочастотный транзистор общего применения
7N(P, Q)	2SA2084	PAN	175	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор общего применения
A(0, Y)	2SC4210	TOSH	482	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
AB(G, L)	2SA1312	TOSH	435	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
AC(N, P)	2SC3837K	ROHM	303	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
AC(O, Y)	2SA1313	TOSH	435	PNP низкочастотный транзистор
AD(N, P)	2SC3838K	ROHM	304	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
AE(Y, G)	2SA1362	TOSH	436	PNP низкочастотный транзистор
AF	2SB1734	PAN	189	PNP низкочастотный транзистор общего применения
AH(Q, R)	2SB1197K	ROHM	288	PNP транзистор средней мощности
AK(Q, R)	2SA1738	PAN	167	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
AK(Q, R)	2SB1198K	ROHM	288	PNP высокочастотный транзистор
AL(4 7)	2SA1338	SAN	323	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
AN	2SC2532	TOSH	454	NPN низкочастотный составной транзистор для усилительных каскадов
AN(N, P)	2SC4061K	ROHM	305	NPN высоковольтный транзистор
AP	2SC2413K	ROHM	303	NPN высокочастотный транзистор
AS	2SA2010	PAN	171	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
AY(4 7)	2SC3392	SAN	362	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
B(12. 14)	2SC3739	NEC	118	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
B(2, 3, 4)	2SC1621	NEC	107	NPN высокочастотный транзистор с высокой скрростью переключения
B(22 24)	2SC3734	NEC	116	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
B(33.35)	2SC3735	NEC	117	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
B(51 . 55)	2SB736A	NEC	103	PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
B(6, 7)	2SB815	SAN	359	PNP низкочастотный транзистор общего применения
B(B, C)	2SB831	HIT	77	PNP низкочастотный транзистор общего применения
B(Q, R, S)	2SC2412K	ROHM	302	NPN низкочастотный транзистор общего применения
B, B(Q, R, S)	2SB709A	PAN	189	PNP низкочастотный транзистор общего применения
BK (Q)	2SB1590K	ROHM	294	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
BMS	2SC4713K	ROHM	311	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
BV(1.. 5)	2SB624	NEC	103	PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 31
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
BW	2SA2119K	ROHM	285	PNP низкочастотный транзистор
BW(1 ..5)	2SB736	NEC	103	PNP низкочастотный маломощный транзистор общего применения
С(С, D, Е)	2SA1122	REN	245	NPN низкочастотный транзистор общего применения
C(G, L)	2SA1163	TOSH	427	PNP низкочастотный транзистор общего применения
С(О, Y)	2SC4209	TOSH	482	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
С(Р, Q, R)	2SC2411K	ROHM	302	NPN транзистор средней мощности общего применения
С, C(Q, R, S)	2SB710	PAN	190	PNP низкочастотный транзистор общего применения
CB(G, L)	2SC3324	TOSH	472	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
СС(А, В)	2SC3326	TOSH	473	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
CE(G, L)	2SC3325	TOSH	472	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
CH(R, 0, Y)	2SC3437	TOSH	474	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
CN(3. 5)	2SC4854	SAN	392	NPN высокочастотный транзистор
CS(3 5)	2SA1682	SAN	331	PNP маломощный высоковольтный транзистор
CT(5.8)	2SD1935	SAN	424	NPN низкочастотный транзистор общего применения
D(15 18)	2SC1622A	NEC	108	NPN высоковольтный транзистор
D(4 7)	2SA1252	SAN	321	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
D(D, E, F)	2SC2463	HIT	78	NPN низкочастотный транзистор общего применения
D(O, Y)	2SA1620	TOSH	440	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
D, D(Q, R, S)	2SB710A	PAN	190	PNP низкочастотный транзистор общего применения
DB	2SA1669	SAN	330	PNP высокочастотный транзистор
DS(3 . 5)	2SA1728	SAN	333	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
DV(P, Q, R)	2SC4782	PAN	214	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
E(2, 3, 4)	2SA1226	NEC	93	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
E(3 5)	2SA1256	SAN	322	PNP высокочастотный транзистор
E(B, C)	2SA1022 .	PAN	164	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
E(O, Y)	2SC3265	TOSH	470	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
EC	2SC2732	HIT	79	NPN высокочастотный транзистор
EN(3 5)	2SC4861	SAN	393	NPN высокочастотный транзистор
ES(5 7)	2SA1753	SAN	336	PNP низкочастотный транзистор общего применения
F(2 5)	2SC2814	SAN	360	NPN высокочастотный транзистор общего применения
F(A, B)	2SC5232	TOSH	518	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
F(A, В, C)	2SC2619	HIT	79	NPN низкочастотный транзистор общего применения
F(Q, R, S)	2SA1037AK	ROHM	274	PNP низкочастотный транзистор общего применения
F(R, 0, Y)	2SC2716	TOSH	457	NPN высокочастотный транзистор
F(R, S, T)	2SA1034	PAN	164	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
FA(3, 4)	2SC1009	NEC	107	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
FB	2SC5216	PAN	219	NPN высокочастотный транзистор
FL	2SB1695K	ROHM	296	PNP низкочастотный транзистор общего применения
FL	2SA1434	SAN	326	PNP низкочастотный транзистор для работы в-усилительных каскадах.
FN(3 5)	2SC4864	SAN	394	NPN высокочастотный транзистор
FR-	2SC5772	REN	268	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
FS	2SA1764	SAN	337	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
FS-	2SC5890	REN	272	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
FV	2SB1690K	ROHM	295	PNP низкочастотный транзистор общего применения
FY	2SC3661	SAN	366	NPN низкочастотный транзистор общего применения
G(3 5)	2SA1257	SAN	322	PNP высоковольтный транзистор для работы в схемах УМЗЧ
G(A, B)	2SA1953	TOSH	446	PNP низкочастотный транзистор
G(0, Y)	2SC2996	TOSH	462	NPN высокочастотный транзистор
GC	2SC2734	HIT	80	NPN высокочастотный транзистор
GN(3 5)	2SC4868	SAN	395	NPN высокочастотный транзистор
GT (3 5)	2SC4168	SAN	373	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
GY	2SC3689	SAN	367	NPN низкочастотный транзистор общего применения
H(4 7)	2SC3134	SAN	360	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
H(P, Q, R)	2SA1036K	ROHM	274	PNP транзистор средней мощности общего применения
H(R, S, T)	2SA1035	PAN	165	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
HB	2SC3120	TOSH	I 466	NPN высокочастотный транзистор
32 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
НС	2SC3121	TOSH	466	NPN высокочастотный транзистор
HD	2SC3122	TOSH	467	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
НЕ	2SC3123	TOSH	467	NPN высокочастотный транзистор
HF	2SC3124	TOSH	468	NPN высокочастотный транзистор
НН	2SC3125	TOSH	468	NPN высокочастотный транзистор
HI	2SC3547A	TOSH	476	NPN высокочастотный транзистор
HL	2SC3862	TOSH	479	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
НМ	2SC3547B	TOSH	476	высокочастотный транзистор
HS(2...4)	2SA1778	SAN	338	PNP высокочастотный транзистор
1(0, Y)	2SA1298	TOSH	434	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
l(R, S, T)	2SB792	PAN	194	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
ID-	2SC3127	REN	247	NPN высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах „
IN(B, C)	2SA1468	REN	245	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
IP	2SC3793	HIT	82	NPN высокочастотный транзистор
IR(D, E)	2SA1484	HIT	71	PNP низкочастотный транзистор общего применения
IS(5 7)	2SA1881	SAN	343	PNP низкочастотный транзистор общего применения
J(2.. 4)	2SC3142	SAN	361	NPN высокочастотный транзистор общего применения
JC	2SC2735	HIT	80	NPN высокочастотный транзистор
Л (D, E)	2SA1566	HIT	72	PNP низкочастотный транзистор общего применения
JR-	2SC5773	REN	268	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
JS(3. .5)	2SA1815	SAN	339	PNP высокочастотный транзистор
JT(2. .4)	2SC4269	SAN	374	NPN высокочастотный транзистор
JY(2 .4)	2SC3770	SAN	367	NPN высокочастотный транзистор
K(3...5)	2SC3143	SAN	361	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
K(B, C)	2SC2778	PAN	198	NPN высокочастотный транзистор
KI(D, E)	2SC4050	REN	248	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
KN(5. .7)	2SC4983	SAN	400	NPN низкочастотный транзистор общего применения
KS	2SA1814	SAN	339	PNP низкочастотный транзистор общего применения
KT(2...4)	2SC4270	SAN	374	NPN высокочастотный транзистор
KY(2.. 4)	2SC3771	SAN	368	NPN высокочастотный транзистор
L(4.7)	2SC1623	NEC	108	NPN низкочастотный транзистор общего применения
L(B, C, D)	2SC2462	HIT	77	NPN низкочастотный транзистор общего применения
L(G, L)	2SC2713	TOSH	455	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
L(0, Y, G, L)	2SC2712	TOSH	455	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
LL	2SA1518	SAN	327	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
LN(3.5)	2SC5227	SAN	402	NPN высокочастотный транзистор
LS	2SA1839	SAN	340	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
LY(2 .4)	2SC3772	SAN	368	NPN высокочастотный транзистор
M(B, C, D)	2SA1052	HIT	70	PNP низкочастотный транзистор общего применения
MA	2SC3011	TOSH	462	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MA(O, Y)	2SC5064	TOSH	504	NPN высокочастотный малошумящий транзистор для
MB	2SC3098	TOSH	465	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MC	2SC3099	TOSH	465	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MC(O, Y)	2SC5084	TOSH	506	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MD	2SA1245	TOSH	433	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
ME	2SC3429	TOSH	474	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ME(R, 0)	2SC5094	TOSH	511	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MF(O, Y)	2SC5106	TOSH	514	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
MG(O, Y)	2SC5109	TOSH	516	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
MH	2SC3606	TOSH	477	Увысокочастотный малошумящий транзистор
MH(R, 0)	2SC5254	TOSH	519	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MI(R, 0)	2SC5259	TOSH	522	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ML	2SA1519	SAN	327	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
MN	2SC4317	TOSH	490	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MN(3...5)	2SC5275	SAN	405	NPN высокочастотный транзистор
MO	2SC4322	TOSH	491	w NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MS(1.. 3)	2SA1963	SAN	345	PNP малошумящий высокочастотный транзистор
MT	2SC5315	TOSH	525	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MU	2SC5320	TOSH	528	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 33
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
MY(2 4)	2SC3773	SAN	369	NPN высокочастотный транзистор
N(15 . 17)	2SC3360	NEC	112	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
N(2. .4)	2SC1653	NEC	109	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
N(5...7)	2SC1654	NEC	109	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
N(O, Y)	2SC3138	TOSH	469	NPN высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
NL	2SA1520	SAN	328	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
NN(5, 6)	2SC5310	SAN	406	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
NS	2SB1527	SAN	358	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
NS(5, 6)	2SA1973	SAN	347	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
NY(2. .4)	2SC3774	SAN	369	NPN высокочастотный транзистор
0(4 6)	2SA1331	SAN	323	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
0(5, 6, 7)	2SA1330	NEC	93	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
OL	2SA1521	SAN	328	PNP маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
0T(2 4)	2SC4364	SAN	375	NPN высокочастотный транзистор
0Y(2 .4)	2SC3775	SAN	370	NPN высокочастотный транзистор
P(A, B)	2SC3295	TOSH	471	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
P(D, E)	2SA1171	HIT	71,	PNP низкочастотный транзистор общего применения
PL	2SB1234	SAN	354	PNP составной транзистор для работы в схемах управления
PT(2. 4) .	2SC4365	SAN	376	NPN высокочастотный транзистор
Q(B, C)	2SC2620	REN	247	NPN высокочастотный транзистор
Q(R, 0, Y)	2SC2714	TOSH	456	NPN высокочастотный транзистор
QI-	2SC4196	REN	249	NPN высокочастотный транзистор
QL(3 5)	2SA1580	SAN	329	PNP маломощный транзистор для работы в схемах ТВ-приемников
QT(4,5)	2SC4412	SAN	381	NPN высоковольтный транзистор
R (33, 34, 35)	2SC3583	NEC	113	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R (43, 44, 45)	2SC3585	NEC	114	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(2, 3)	2SC2351	NEC	110	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(23.25)	2SC3356	NEC	111	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(B, C, D)	2SC2618	HIT	78	NPN низкочастотный транзистор общего применения
R(R, 0, Y)	2SC2715	TOSH	456	NPN высокочастотный транзистор
R(R, S)	2SA1514K	ROHM	275	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
R, R(S, T)	2SC2480	PAN	198	NPN высокочастотный транзистор
R62	2SC3663	NEC	116	NPN высокочастотный малошумящий низковольтный транзистор
RT(3 ..5)	2SC4432	SAN	382	NPN высокочастотный транзистор
S(4 6)	2SC3361	SAN	362	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
S(B, C, D)	2SA1121	HIT	70	PNP низкочастотный транзистор общего применения
S(0, Y, G)	2SA1162	TOSH	427	PNP низкочастотный транзистор общего применения
S(R, S, T)	2SC2405	PAN	197	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
ST(2 4)	2SC4453	SAN	384	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
T(62 64)	2SC3841	NEC	118	NPN высокочастотный низковольтный транзистор
T(R, S)	2SC3906K	ROHM	304	NPN высоковольтный транзистор общего применения
T(R, S, T)	2SC2406	PAN	197	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
T82	2SC4954	NEC	130	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T83	2SC4955	NEC	131	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T84	2SC5177	NEC	139	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T86	2SC5182	NEC	142	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T88	2SC5191	NEC	144	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T92	2SA1977	NEC	99	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
T93	2SA1978	NEC	100	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
TC	2SC2736	HIT	81	NPN высокочастотный транзистор
Tl-	2SC4197	REN	249	NPN высокочастотный транзистор
34 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
ТТ(4 ..6)	2SC4519	SAN	385	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
TY	2SC3912	SAN	370	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
U(C, D)	2SC2404	PAN	196	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ив	2SB825K	ROHM	301	PNP низкочастотный составной транзистор
UL(5. 7)	2SB1295	SAN	354	PNP низкочастотный транзистор общего применения
UL(Q, R)	2SA2048K	ROHM	283	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
UM(Q, R)	2SC5730K	ROHM	318	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
UT(5».7)	2SC4577	SAN	388	NPN низкочастотный транзистор общего применения
UY	2SC3913	SAN	371	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
V(A, В, C)	2SC2776	HIT	81	NPN высокочастотный транзистор
V(B, C)	2SC2295	PAN	196	NPN высокочастотный малошумящий транзистор общего применения
VI(B, C)	2SA1617	HIT	72	PNP низкочастотный транзистор общего применения
VY	2SC3914	SAN	371	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
W(O, Y, G)	2SC2859	TOSH	457	NPN низкочастотный транзистор общего применения
WT	2SC4695	SAN	389	NPN низкочастотный транзистор общего применения
WY	2SC3915	SAN	372	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
X(6...8)	2SD1048	SAN	420	NPN низкочастотный транзистор общего применения
X, X(Q, R, S)	2SD602A	PAN	242	NPN низкочастотный транзистор общего применения
XM-	2SC4591	REN	253	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
XV	2SC4702	REN	253	NPN высокочастотный высоковольтный транзистор
XY	2SD1851	SAN	423	NPN составной транзистор для работы в схемах управления
Y(12, 13, 14)	2SA1464	NEC	97	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
Y(22, 23, 24)	2SA1461	NEC	96	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
Y(33, 34)	2SA1462	NEC	96	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
YA-	2SC5049	REN	258	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YC-	2SC5998	REN	273	NPN высокочастотный транзистор средней мощности
YK-	2SC5218	REN	260	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YL(3,4)	2SA1607	SAN	330	PNP транзистор с высокой скоростью переключения.
YT	2SC4852	SAN	391	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
YV-	2SC4964	REN	256	NPN высокочастотный транзистор
YY(3 ..5)	2SC4104	SAN	373	NPN высокочастотный транзистор для работы в схемах ТВ-приемников
YZ-	2SC5050	REN	258	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Z(O, Y)	2SA1182	TOSH	428	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Z(Q, R, S)	2SD601A	PAN	242	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 35
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-61
36 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-61
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
С(О, Y)	2SC5087	TOSH	508	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
D(R, О)	2SC5092	TOSH	510	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
E(R, О)	2SC5097	TOSH	513	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
H(R, О)	2SC5257	TOSH	521	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
HN	2SC4214	TOSH	483	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
KR. О)	2SC5262	TOSH	524	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
мк	2SC4315	TOSH	489	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MN	2SC4320	TOSH	’490	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МО	2SC4324	TOSH	492	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МТ	2SC5318	TOSH	527	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ми	2SC5323	TOSH	530	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(26. .28)	2SC4093	NEC	119	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(36 .38)	2SC4094	NEC	120	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(4, 5)	2SC4092	NEC	119	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(46 .48)	2SC4095	NEC	120	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R54	2SC5454	NEC	154	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
R55	2SC5455	NEC	155	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T822	2SC4956	NEC	131	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор	*
T83	2SC4957	NEC	132	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T84	2SC5178	NEC	140	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T86	2SC5183	NEC	142	NPN низковольтный _высокочастотный малошумящий транзистор
T88	2SC5192	NEC	145	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T89	2SC5288	NEC	147	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T90	2SC5289	NEC	147	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
XN-	2SC4592	HIT	84	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YA-	2SC4791	HIT	86	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YD-	2SC4926	REN	256	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YJ-	2SC4900	HIT	86	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YS-	2SC4993	HIT	87	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZC-	2SC5078	HIT	88	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZD-	2SC5080	REN	259	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZS-	2SC5545	HIT .	92	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZS-	2SC5545	REN	262	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 37
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-62
38 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-62
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
1Е	2SA1737	PAN	167	PNP высоковольтный транзистор
1F	2SC4543	PAN	208	NPN высоковольтный транзистор средней мощности
1H(R, S)	2SD2185	PAN	237	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
11	2SD2474	PAN	241	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
1I(R, S)	2SB1440	PAN	181	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
1L	2SB1537	PAN	184	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
1М	2SD2357	PAN	240	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
1N	2SB1539	PAN	185	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
10	2SD2359	PAN	240	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
1U	2SB1589	PAN	185	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
1Х(Р, Q, R)	2SB1599	PAN	186	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
1Y(Q, R)	2SD2457	PAN	241	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
1Z(R, S)	2SA1890	PAN	170	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
2A	2SC5712	TOSH	436	NPhT низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
2A(R, S)	2SC5026	PAN	218	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
2E	2SC5714	TOSH	437	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
2F	2SB1612	PAN	186	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
ЗА	2SB1699	PAN	188	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
зс	2SC5810	TOSH	539	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
3D	2SC5819	TOSH	540	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
3E	2SC5785	TOSH	539	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
4C	2SA2070	TOSH	451	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
4D	2SA2069	TOSH	451	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
4E	2SA2066	TOSH	450	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
4F	2SA2059	TOSH	448	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
4G	2SA2060	TOSH	449	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
A(K, L)	2SB1000A	HIT	73	PNP низкочастотный транзистор общего применения
A(0, Y)	2SC2880	TOSH	458	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
A(Q, R, S)	2SB766	PAN	191	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
AA(R, S, T)	2SA1415	SAN	324	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
AB(R, S, T)	2SA1416	SAN	324	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
AC(R, S, T)	2SA1417	SAN	325	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
AD(R, S, T)	2SA1418	SAN	325	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
AE(Q, R)	2SB1424	ROHM	292	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
AE(R, S, T)	2SA1419	SAN	326	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
AF(C,D, E, F)	2SA1575	SAN	329	PNP высоковольтный транзистор
AG(P, Q)	2SA1797	ROHM	278	PNP мощный низкочастотный транзистор
AG(Q, R, S)	2SA1729	SAN	334	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
AH(Q, R, S)	2SA1730	SAN	334	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
AHP	2SA1759	ROHM	277	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
AI(S, T, U)	2SA1882	SAN	343	PNP низкочастотный транзистор общего применения для работы
AJ	2SA1724	SAN	333	PNP высокочастотный транзистор
AJ(P, Q)	2SA1812	ROHM	279	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
AK(D, E)	2SA1740	SAN	335	PNP высоковольтный транзистор
AL	2SA1766	SAN	337	PNP низкочастотный транзистор общего применения
ALQ	2SA1900	ROHM	280	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
AM(S, T)	2SA1896	SAN	344	PNP транзистор для работы в схемах управления
AN(R, S)	2SA1898	SAN	345	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
AQ	2SA1969	SAN	346	PNP высокочастотный транзистор средней мощности
AR	2SC3338	HIT	82	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 39
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
AR	2SA2011	SAN	347	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
AS	2SC3380	REN	248	NPN высокочастотный высоковольтный транзистор
AS	2SA2012	SAN	348	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
AT	2SA2013	SAN	348	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
AU	2SA2014	SAN	349	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
AV	2SA2015	SAN	349	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
AW	2SA2016	SAN	350	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
B(H, J)	2SB1001	HIT	73	PNP низкочастотный транзистор общего применения
B(O, Y)	2SA1200	TOSH	428	PNP высоковольтный транзистор для ключевых схем
B(Q, R, S)	2SB766A	PAN	191	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
BA(P, Q, R)	2SB1132	ROHM	285	PNP транзистор средней мощности
BC(E, F, G)	2SB1120	SAN	350	PNP транзистор для работы в схемах управления
BC(P, Q, R)	2SB1188	ROHM	287	PNP транзистор средней мощности
BD(R, S, T, U)	2SB1121	SAN	351	PNP транзистор для работы в схемах управления
BE(P, Q, R)	2SB1260	ROHM	289	PNP низкочастотный мощный транзистор
BE(R, S,T, U)	2SB1122	SAN	351	PNP транзистор для работы в схемах управления
BF(P, Q, R)	2SB1308	ROHM	290	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
BF(R, S, T, U)	2SB1123	SAN	352	PNP транзистор для работы в схемах управления
BG(R, S, T, U)	2SB1124	SAN	352	PNP транзистор для работы в схемах управления
BH	2SB1125	SAN	353	PNP составной транзистор для работы в схемах управления
BH(P, Q, R)	2SB1386	ROHM	291	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Bl	2SB1126	SAN	353	PNP составной транзистор для работы в схемах управления
BJ(E)	2SB1427	ROHM	292	PNP низкочастотный транзистор общего применения
BJ(R, S, T)	2SB1302	SAN	355	PNP транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
BK	2SB1323	SAN	355	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
BL	2SB1324	SAN	356	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
BL, BLQ	2SB1561	ROHM	293	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
BM	2SB1325	SAN	356	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
BN	2SB1580	ROHM	293	PNP мощный составной низкочастотный транзистор
' BN	2SB1394	SAN	357	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
BO(S, T, U)	2SB1396	SAN	357	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
BP	2SB1397	SAN	358	PNP транзистор для работы в схемах управления моторами
ВТ	2SB1048	HIT	76	PNP низкочастотный составной транзистор общего применения
C(H, J) '	2SB1002	HIT	74	PNP низкочастотный транзистор общего применения
C(O, Y)	2SC2881	TOSH	459	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
C(Q,R)	2SB767	PAN	192	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
CA(R, S, T)	2SC3645	SAN	363	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
CB(P, Q, R)	2SC4132	ROHM	308	NPN высоковольтный транзистор
CB(R, S, T)	2SC3646	SAN	363	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
CC(R, S, T)	2SC3647	SAN	364	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
CD(C, D, E)	2SC4673	SAN	388	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
CD(R, S, T)	2SC3646	SAN	363	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
CE(P, Q)	2SC4505	ROHM	309	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
CE(R, S, T)	2SC3647	SAN	364	NPN высоковольтный транзистор для ключевых схем
CF	2SC3650	SAN	365	NPN низкочастотный транзистор общего применения
CG (Q, R)	2SC5053	ROHM	314	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
CG	2SC3651	SAN	366	NPN низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
CH(D, E, F)	2SC4272	SAN	375	NPN транзистор для работы в радиочастотных схемах
CI(C, D, E F)	2SC4080	SAN	372	NPN высоковольтный транзистор
40 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр .	Функциональное назначение или особенности
CK(R, S, Т)	2SC4520	SAN	386	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
CL(R, S, Т)	2SC4521	SAN	386	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
СМ(С, В, Е)	2SC4504	SAN	385	NPN транзистор для применения в телевизионной технике
CN(D, Е)	2SC4548	SAN	387	NPN высоковольтный транзистор
СР	2SC4705	SAN	390	NPN низкочастотный транзистор общего применения
CR	2SC4422	HIT	83	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
CT(S, Т, U)	2SC4984	SAN	400	NPN низкочастотный транзистор общего применения
си	2SC5069	SAN	401	NPN низкочастотный транзистор общего применения
CY(D, Е, F)	2SC5229	SAN	403	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
CZ(D, Е, F)	2SC5347	SAN	407	NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
D(H, J, К)	2SB1025	HIT	74	PNP низкочастотный транзистор общего применения
D(L, М)	2SB1026	HIT	75	PNP низкочастотный транзистор общего применения
D(M, L, К)	2SB798	NEC	.105	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
D(O, Y)	2SA1201	TOSH	428	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
D(Q, R)	2SB789	PAN	193	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
DD(R, S, T, U)	2SD1621	SAN	420	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
DE(R, S, T, U)	2SD1622	SAN	421	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
DF(R, S, T, U)	2SD1623	SAN	421	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
DG(R, S, T, U)	2SD1624	SAN	422	NPN транзистор для работы в схемах управления реле и моторами
DH	2SD1625	SAN	422	NPN составной транзистор для работы в схемах управления
DI	2SD1626	SAN	423	NPN составной транзистор для работы в схемах управления
DK(P,Q)	2SC4672	ROHM	310	NPN мощный низкочастотный транзистор
DL	2SD2099	SAN	426	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
DM	2SD1998	SAN	425	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
DN	2SD1999	SAN	425	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
DO	2SD1997	SAN	424	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
DP	2SD2100	SAN	426	NPN транзистор для работы в схемах управления моторами
DR	2SC4643	HIT	85	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
E(H, J, K)	2SB1027	HIT	75	PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
E(L, M)	2SB1028	HIT	76	PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
E(O, Y)	2SC2882	TOSH	459	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
E(Q, R)	2SB789A	PAN	193	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
EA(E, F)	2SC5415	SAN	408	NPN высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
ER	2SC4807	REN	254	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
F(M, L, K)	2SB800	NEC	105	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
F(O, Y)	2SA1202	TOSH	429	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
FA	2SC5564	SAN	416	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
FB	2SC5565	SAN	416	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
FC	2SC5566	SAN	417	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
FD	2SC5567	SAN	417	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
FE	2SC5568	SAN	418	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
FF	2SC5569	SAN	418	NPN транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 41
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
FL	2SB1698	ROHM	297	PNP низкочастотный транзистор общего применения
FR	2SC4988	REN	257	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
FV	2SB1697	ROHM	296	PNP низкочастотный транзистор общего применения
G(O, Y)	2SC2883	TOSH	460	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
Н(О, Y)	2SA1203	TOSH	430	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
H(R, S)	2SB956	PAN	195	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
Н(Х, Y, Z)	2SB1571	NEC	102	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
l(L, К)	2SA1463	NEC	97	PNP транзистор средней мощности с высокой скоростью переключения
l(Q, R)	2SB1073	PAN	179	PNP низкочастотный транзистор общего применения
HR, О)	2SC3515	TOSH	475	NPN высоковольтный транзистор
J(R, О)	2SA1384	TOSH	437	PNP высоковольтный транзистор
JR-	2SC5631	REN	265	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
КА	2SC4409	TOSH	493	NPN низкочастотный транзистор
КВ	2SC4539	TOSH	495	NPN низкочастотный транзистор
КС	2SC4540	TOSH	495	NPN низкочастотный транзистор
KD	2SC4541	TOSH	496	NPN низкочастотный транзистор
LA	2SA1681	TOSH	441	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
LB	SA1734	TOSH	442	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
LC	2SA1735	TOSH	442	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
LD	2SA1736	TOSH	443	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
М (О, Y}	2SC2873	TOSH	458	NPN мощный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
ME	2SC3268	TOSH	470	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МН	2SC3607	TOSH	477	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
N(M, L, К)	2SC2780	NEC	110	NPN высоковольтный транзистор средней мощности
N(O, Y)	2SA1213	TOSH	431	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и ключевых схем
O(L, К)	2SC3736	NEC	117	NPN транзистор средней мощности с высокой скоростью переключения
Р(О, Y)	2SC2884	TOSH	460	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
Q(Q, R, S)	2SC4536	NEC	128	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Q(Q, R, S)	2SC5337	NEC	148	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R (H, F, E)	2SC3357	NEC	112	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(H, F, E)	2SC5336	NEC	148	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(O, Y)	2SA1204	TOSH	430	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
R(Q, R, S, T)	2SD1280	PAN	234	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
S (А, В, C)	2SC2982	TOSH	461	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
S(H, F, E)	2SC4703	NEC	129	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
S(H, F, E)	2SC5338	NEC	149	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
T(A, В, C)	2SA1314	TOSH	436	PNP низкочастотный транзистор
UN, UNQ	2SA2071	ROHM	283	PNP низкочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
UP, UPQ	2SC5824	ROHM	319	NPN низкочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
V(R, 0, Y)	2SC3803	TOSH	478	NPN высокочастотный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
W	2SC5019	PAN	217	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
W(R, 0, Y)	2SA1483	TOSH	437	PNP высокочастотный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
X(R, S)	2SD875	PAN	244	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
XW	2SB1713	ROHM	299	PNP низкочастотный транзистор общего применения
XY	2SB1714	ROHM	299	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Y(M, L, K)	2SB1115	NEC	100	PNP мощный низкочастотный транзистор
Y(Q, P)	2SB1115A	NEC	101	PNP мощный низкочастотный транзистор
Z(Q, R, S)	2SD874	PAN	243	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
42 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-63
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 43
Транзисторы в корпусе SC-63
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
А1225(0, Y)	2SA1225	TOSH	431	PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
А1241(0, Y)	2SA1241	TOSH	432	PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
А1242(0, Y)	2SA1242	TOSH	432	PNP мощный транзистор для усилительных каскадов
А1244(0, Y)	2SA1244	TOSH	433	PNP мощный транзистор для работы в ключевых схемах
А1385(М, L, К)	2SA1385-Z	NEC	94	PNP низкочастотный транзистор
А1400(К, L, М, N)	2SA1400-Z	NEC	94	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
A1412(L, К)	2SA1412-Z	NEC	95	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
А1413(М, L, К)	2SA1413-Z	NEC	95	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
А1649(М, L, К)	2SA1649-Z	NEC	99	PNP мощный транзистор с высокой скоростью переключения
А1727(Р, Q)	2SA1727	ROHM	277	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
A1834(R, S)	2SA1834	ROHM	279	PNP мощный низкочастотный транзистор
А1862	2SA1862	ROHM	280	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
А1952	2SA1952	ROHM	281	PNP высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
А2073 (Q, R)	2SA2073	ROHM	284	PNP низкочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
А2097	2SA2097	TOSH	452	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
В1181 (Р, Q, R)	2SB1181	ROHM	286	PNP низкочастотный мощный транзистор
В1182 (Р, Q, R)	2SB1182	ROHM	286	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
В1184 (Р, О, R)	2SB1184	ROHM	287	PNP мощный транзистор общего применения
В1261(М, L, К)	2SB1261-Z	NEC	101	PNP низкочастотный транзистор
В1316	2SB1316	ROHM	290	PNP мощный составной низкочастотный транзистор
В1412(Р, Q, R)	2SB1412	ROHM	291	PNP мощный низкочастотный транзистор общего применения
В768(М, L, К)	2SB768	NEC	104	PNP высоковольтный транзистор
В905 (R, 0, Y)	2SB905	TOSH	452	PNP транзистор для усилительных каскадов
В906 (0, Y)	2SB906	TOSH	453	PNP низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
В907	2SB907	TOSH	453	PNP низкочастотный составной транзистор
В908	2SB908	TOSH	454	PNP низкочастотный составной транзистор
B962(R, 0, Р, Е)	2SB962-Z	NEC	106	PNP низкочастотный транзистор
В963(М, L, К)	2SB963-Z	NEC	106	PNP низкочастотный составной транзистор
С2946(М, L, К)	2SC2946(1)	NEC	111	NPN высоковольтный тран'зистор с высокой скоростью переключения
С2983(О, Y)	2SC2983	TOSH	461	NPN мощный транзистор для усилительных каскадов
С3072(А, В, С)	2SC3072	TOSH	463	NPN низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
03074(0, Y)	2SC3074	TOSH	463	NPN мощный транзистор для работы в ключевых схемах
С3075	2SC3075	TOSH	464	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
С3076 (0, Y)	2SC3076	TOSH	464	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
С3233	2SC3233	TOSH	469	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
03303(0, Y)	2SC3303	TOSH	471	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
С3405	2SC3405	TOSH	473	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах импульсных БП
С3474	2SC3474	TOSH	475	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
03518(М, L, К)	2SC3518-Z	NEC	113	NPN низкочастотный транзистор
С3588(М, L, К)	2SC3588-Z	NEC	114	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
03631 (L, К)	2SC3631-Z	NEC	115	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
С3632(М, L, К)	2SC3632-Z	NEC	115	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
С3805	2SC3805	TOSH	478	NPN высоковольтный транзистор для выходных каскадов СР
44 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
С4203	2SC4203	TOSH	481	NPN высоковольтный транзистор для работы в схемах видеоусилителей
С4331(М, L, К)	2SC4331-Z	NEC	127	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
С4332(М, L, К)	2SC4332-Z	NEC	127	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
С4684	2SC4684	TOSH	497	NPN транзистор средней мощности для работы в ключевых схемах
C5001(Q, R)	2SC5001	ROHM	314	NPN мощный транзистор
С5161В	2SC5161	ROHM	315	NPN высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения
С5886	2SC5886	TOSH	540	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
C5825(Q, R)	2SC5825	ROHM	319	NPN низкочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 45
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-70
46 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-70
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
1C(N, Р)	2SC4082	ROHM	306	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
1D(N, Р)	2SC4083	ROHM	306	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
1S(P, Q)	2SC3935	PAN	205	NPN высокочастотный транзистор
1Т	2SC3933	PAN	204	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
1U	2SC3934	PAN	205	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2R	2SC5632	PAN	225	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2S	2SC5654	PAN	225	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
2W	2SC3937	PAN	206	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2Х	2SC4410	PAN	207	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
2Y(Q, R)	2SC3938	PAN	207	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
2Z	2SC4417	PAN	208	NPN высокочастотный транзистор
ЗА	2SC5472	PAN	222	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3M(Q, R, S)	2SC4835	PAN	217	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3SC(Q, R, S)	2SC4805	PAN	214	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3V(R, S)	2SB1679	PAN	187	PNP низкочастотный транзистор
3Y	2SC5190	PAN	218	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
7L	2SA2122	PAN	176	PNP низкочастотный транзистор общего применения
7M	2SC5950	PAN	231	NPN низкочастотный транзистор общего применения
A(A, B)	2SC4213	TOSH	483	NPN низкочастотный маломощный транзистор
AL(Q, R)	2SA1748	PAN	168	PNP высокочастотный транзистор общего применения
AM(Q, R)	2SC4562	PAN	209	NPN высокочастотный транзистор
AP	2SC4098	ROHM	307	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
AR(R, S, T)	2SA2009	PAN	171	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
AT	2SA2028	PAN	172	PNP маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
AX, AX(Q, R)	2SA1739	PAN	168	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
B(42, 43, 44)	2SB1475	NEC	102	PNP низкочастотный маломощный транзистор
B(Q, R, S)	2SC4081	ROHM	305	NPN низкочастотный транзистор общего применения
B, B(Q, R, S)	2SB1218A	PAN	179	PNP низкочастотный транзистор общего применения
BMS	2SC4774	ROHM	312	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
C(C, D, E)	2SA2081	REN	246	PNP низкочастотный транзистор общего применения
C(G, L)	2SA1587	TOSH	438	PNP низкочастотный малошумящий транзистор общего применения
C(Q, R)	2SC4097	ROHM	307	NPN транзистор средней мощности
C, C(Q, R, S)	2SB1219	PAN	180	PNP низкочастотный транзистор общего применения
CH(R, 0, Y)	2SC4667	TOSH	497	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
CN(3 5)	2SC4853	SAN	391	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
D(5 7)	2SA1687	SAN	332	PNP низкочастотный транзистор общего применения
D(G, L)	2SC4117	TOSH	480	NPN низкочастотный малошумящий транзистор общего применения
D, D(Q, R, S)	2SB1219A	PAN	180	PNP низкочастотный транзистор общего применения
E(3 5)	2SA1688	SAN	332	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
E(A, В, C)	2SA1532	PAN	166	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
EC	2SC4462	HIT	83	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
ES	2SB1694	ROHM	295	PNP низкочастотный транзистор общего применения
ES(5 7)	2SA1745	SAN	335	PNP низкочастотный транзистор общего применения
EV	2SB1689	ROHM	294	PNP низкочастотный транзистор общего применения
F(3.5)	2SC4399	SAN	377	NPN высокочастотный транзистор общего применения
F(A, B)	2SC5233	TOSH	519	NPN низкочастотный маломощные транзистор общего применения
F(A, В, C)	2SC5851	REN	271	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
F(Q, R, S)	2SA1576A	ROHM	275	PNP низкочастотный транзистор общего применения	
F(R, S, T)	2SA1531	PAN	165	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
FN(3 5)	2SC4863	SAN	393	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
FS	2SA1763	SAN	345	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
G(A, B)	2SA1954	TOSH	446	PNP низкочастотный транзистор
GC	2SC4264	REN	251	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
GN(3 5)	2SC4867	SAN	395	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 47
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности .
GT(3 5)	2SC4443	SAN	383	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
GY	2SC4413	SAN	382	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Н(5.„7)	2SC4446	SAN	383	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Н(Р, Q, R)	2SA1577	ROHM	276	PNP транзистор средней мощности общего применения
H(R, S, Т)	2SA1531A	PAN	166	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
НВ	2SC4245	TOSH	485	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
НС	2SC4463	HIT	84	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
НС	2SC4246	TOSH	485	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HD	2SC4249	TOSH	487	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
НЕ	2SC4250	TOSH	487	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HF	2SC4251	TOSH	488	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
НН	2SC4253	TOSH	489	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HI	2SC4247	TOSH	486	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
НМ	2SC4248	TOSH	486	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HN	2SC4244	TOSH	484	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HN(3 5)	2SC4871	SAN	396	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
НО	2SC4252	TOSH	488	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HP	2SC4527	TOSH	494	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HT(Q, R, S)	2SC5378	PAN	221	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
l(R, S, T)	2SB1220	PAN	181	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
IC-	2SC4537	REN	252	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
IP-	2SC4262	REN	251	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
JC	2SC4265	REN	252	NPN высокочастотный транзистор Для работы в радиочастотных схемах
JN	2SC4909	SAN	397	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
JS(3 5)	2SA1857	SAN	341	PNP высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
JY(2 4)	2SC4406	SAN	380	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
K(B,C)	2SC3936	PAN	206	NPN высокочастотный транзистор
KS	2SA1813	SAN	338	PNP низкочастотный транзистор общего применения
KY(2 4)	2SC4407	SAN	381	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
L(15, 16)	2SC4182	NEC	122	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
L(17, 18)	2SC4181	NEC	121	NPN низкочастотный маломощный транзистор общего применения
L(B, C, D)	2SC5850	REN	270	NPN низкочастотный транзистор общего применения
L(O, Y, G, L)	2SC4116	TOSH	479	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
L(R, S)	2SD1821A	PAN	236	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
LN(3 5)	2SC5226	SAN	402	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
LS	2SA1838	SAN	340	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
LY(2 4)	2SC4403	SAN	379	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
M(B, C D)	2SA2080	REN	246	PNP низкочастотный транзистор общего применения
M(X, Y)	2SC5463	TOSH	534	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MA(O, Y)	2SC5065	TOSH	505	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MC(O, Y)	2SC5085	TOSH	507	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ME(R, 0)	2SC5095	TOSH	512	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MF(O, Y)	2SC5107	TOSH	515 k	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
MG(O, Y)	2SC5110	TOSH	517	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
MH	2SC4394	TOSH	493	NPN высокочастотный малошумящий транзистор	|
48 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
MH(R, О)	2SC5255	TOSH	520	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MI(R, О)	2SC5260	TOSH	523	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MN	2SC4321	TOSH	491	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MN(3.5)	2SC5245	SAN	404	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
МО	2SC4325	TOSH	492	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МТ	2SC5316	TOSH	526	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ми	2SC5321	TOSH	529	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NA	2SC5375	SAN	408	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
NY(2.. 4)	2SC4404	SAN	379	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
ОТ(2. .4)	2SC4401	SAN	378	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
OY(2.4)	2SC4405	SAN	380	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Р(А, В)	2SC4666	TOSH	496	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
P(R, S)	2SD1821	PAN	236	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
РТ(2 ..4)	2SC4402	SAN	378	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Q(B, С)	2SC5852	REN	271	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Q(R, Y)	2SC4215	TOSH	484	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
QI-	2SC4261	REN	250	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
R(2, 3)	2SC4225	NEC	125	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(23, 24, 25)	2SC4226	NEC	125	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(33, 34, 35)	2SC4227	NEC	126	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(43, 44, 45)	2SC4228	NEC	126	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(R, S)	2SA1579	ROHM	276	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
R(S,T)	2SC3932	PAN	204	NPN высокочастотный транзистор
R13	2SC4885	NEC	130	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R6(A, В, C)	2SC4187	NEC	124	' NPN высокочастотный малошумящий низковольтный транзистор
RT(3.5)	2SC4400	SAN	377	NPN высокочастотный транзистор общего применения
S(O, Y, G)	2SA1586	TOSH	438	PNP низкочастотный малошумящий транзистор
S(R, S, T)	2SC3929	PAN	202	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
ST(2 4)	2SC4452	SAN	384	NPN транзистор с высокой скоростью переключения
T(32 34)	2SC4182	NEC	122	NPN высокочастотный транзистор
T(42.44)	2SC4184	NEC	123	NPN высокочастотный транзистор
T(62.. 64)	2SC4186	NEC	124	NPN высокочастотный транзистор
T(72, 73, 74)	2SC4570	NEC	128	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
T(75, 76, 77)	2SC4571	NEC	129	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
T(R, S)	2SC4102	ROHM	308	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
T82	2SC4958	NEC	132	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T83	2SC4959	NEC	133	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T84	2SC5179	NEC	140	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T86	2SC5184	NEC	143	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T88	2SC5193	NEC	145	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Tl-	2SC4260	REN	250	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
U(16 18)	2SC4183	NEC	122	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
U(21 23)	2SC4185	NEC	123	NPN высокочастотный транзистор
U(C, D)	2SC3931	PAN	203	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
UT(5 7)	2SC4555	SAN	387	NPN низкочастотный транзистор общего применения
V(B, C)	2SC3930	PAN	203	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
VM	2SA2088	ROHM	284	PNP низкочастотный транзистор средней мощности
VS(Q, R)	2SC5876	ROHM	320	NPN низкочастотный транзистор средней мощности
' W(O, Y)	2SC4118	TOSH	480	NPN низкочастотный транзистор
W(Q, R, S)	2SD1820	PAN	235	NPN низкочастотный транзистор общего применения
WT	2SC4694	SAN	389	NPN низкочастотный транзистор общего применения
X(Q, R, S)	2SD1820A	PAN	235	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 49
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
ХМ-	2SC4593	HIT	85	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YA-	2SC4784	REN	254	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YD	2SC4995	HIT	88	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YH-	2SC4899	REN	255	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YK-	2SC4901	REN	255	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YL(3, 4)	2SA1685	SAN	331	PNP транзистор с высокой скоростью переключения
YT	2SC4851	SAN	390	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
YV-	2SC4965	REN	257	NPN высокочастотный транзистор
YZ-	2SC5051	REN	259	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Z(O, Y)	2SA1588	TOSH	439	PNP низкочастотный транзистор
Z(Q, R, S)	2SD1819A	PAN	234	NPN низкочастотный транзистор общего применения
ZD-	2SC5081	REN	260	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
50 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-75
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 51
Транзисторы в корпусе SC-75
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
24	2SC5006	NEC	134	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
34	2SC5007	NEC	135	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
44	2SC5008	NEC	135	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
73	2SC5005	NEC	134	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
77	2SC5004	NEC	133	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
82	2SC5009	NEC	136	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
83	2SC5010	NEC	136	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
1S(P, Q, R)	2SC4809	PAN	216	NPN высокочастотный транзистор
2Y(Q, R)	2SC4691	PAN	213	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
ЗА	2SC5474	PAN	223	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ЗМ	2SC4808	PAN	215	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3S(Q, R, S)	2SC5295	PAN	219	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ЗУ	2SC5363	PAN	220	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
A(Q, R, S)	2SB1462	PAN	182	PNP низкочастотный транзистор общего применения
AA	2SA1864	SAN	341	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
AC(N, P)	2SC4725	ROHM	311	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
AD(N, P)	2SC4726	ROHM	312	малошумящий высокочастотный транзистор
AM(Q, R)	2SC4656	PAN	212	NPN высокочастотный транзистор
AP	2SC4618	ROHM	310	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
B(1 3)	2SC4931	SAN	399	NPN малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
B(4 6)	2SC4987	SAN	401	NPN высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
B(Q, R, S)	2SC4617	ROHM	309	NPN низкочастотный транзистор общего применения
BA	2SA1865	SAN	342	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
BW	2SA2018	ROHM	281	PNP низкочастотный транзистор
BX	2SC5585	ROHM	315	NPN низкочастотный маломощный транзистор
C(7 . 9)	2SC5231	SAN	404	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
CA	2SA1866	SAN	342	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
CB	2SC4997	ROHM	313	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
D(1. 3)	2SC5277	SAN	406	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
DA	2SC4919	SAN	397	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EA	2SC4920	SAN	398	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
F(A, B)	2SC5376	TOSH	532	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
F(Q, R, S)	2SA1774	ROHM	278	PNP низкочастотный транзистор общего применения
FA	2SC4921	SAN	398	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
G(A, B)	2SA1955	TOSH	447	PNP низкочастотный маломощный транзистор
GA	2SC4922	SAN	399	NPN маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
HA	2SA1883	SAN	344	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
HT (Q, R, S)	2SC5379	PAN	221	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
l(R, S, T)	2SB1463	PAN	183	PNP высоковольтный низкочастотный транзистор
K(B, C)	2SC4655	PAN	211	NPN высокочастотный транзистор
KA	2SA1965	SAN	346	PNP высокочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
L(R, S)	2SD2240A	PAN	239	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
L(Y, G, L)	2SC4738	TOSH	498	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
M(1,2)	2SC5066	TOSH	505	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
M(5, 6)	2SC5086	TOSH	507	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
M(7, 8)	2SC5091	TOSH	509	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
M(B, C)	2SC5108	TOSH	515	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
M(D, E)	2SC5111	TOSH	517	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
52 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
M(l, J)	2SC5261	TOSH	523	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М(К, L)	2SC5256	TOSH	520	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М(Х, Y)	2SC5464	TOSH	534	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М9, МА	2SC5096 ,	TOSH	512	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МН	2SC4839	TOSH	500	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
MN	2SC4840	TOSH	501	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МО	2SC4841	TOSH	501	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
мт	' 2SC5317	TOSH	526	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ми	2SC5322	TOSH	529	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
NA	2SC5374	SAN	407	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
NF	2SC5645	SAN	419	NPN высокочастотный транзистор для работы в СВЧ-диапазоне
P(R, S)	2SD2240	PAN	239	NPN высоковольтный низкочастотный транзистор
Q(R, О, Y)	2SC4915	TOSH	503	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
S(O, Y, G)	2SA1832	TOSH	443	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
T84	2SC5181	NEC	141	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T86	2SC5186	NEC	144	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T88	2SC5195	NEC	146	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Tl-	2SC5136	HIT	89	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
U(B, C, D)	2SC4627	PAN	210	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
UA	2SC5606	NEC	157	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
UB	2SC5667	NEC	159	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Y(Q, R, S)	2SD2216	PAN	237	NPN низкочастотный транзистор общего применения
YA-	2SC5137	HIT	90	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YZ-	2SC5139	HIT	90	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZC-	2SC5246	HIT	91	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZD-	2SC5247	HIT	91	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 53
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-89
54 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-89
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
1S	2SC4809J	PAN	216	NPN высокочастотный транзистор
2U	2SA2161J	PAN	176	PAN низкочастотный транзистор общего применения
2Y(Q, R)	2SC4691J	PAN	213	NPN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
ЗМ	2SC4808J	PAN	215	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3S(Q, R,)	2SC5295J	PAN	220	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
4R	2SB1722J	PAN	188	PAN высоковольтный низкочастотный транзистор
4U	2SC6037J	PAN	232	NPN низкочастотный транзистор общего применения
7L	2SA2174J	PAN .	178	PAN низкочастотный транзистор общего применения
7М	2SC6054J	PAN	233	NPN низкочастотный транзистор общего применения
А	2SB1462J	PAN	182	PAN низкочастотный транзистор общего применения
АК, AK(Q, R)	2SA1806J	PAN	170	PAN маломощный транзистор с высокой скоростью переключения
AL(Q, R)	2SA1791J	PAN	169	PAN высокочастотный транзистор
AM(Q, R)	2SC4656J	PAN	212	NPN высокочастотный транзистор
E(B, C)	2SA1790J	PAN	169	PAN высокочастотный малошумящий транзистор
KR, S)	2SB1463J	PAN	184	PAN высоковольтный низкочастотный транзистор
K(B, C)	2SC4655J	PAN	211	NPN высокочастотный транзистор
uc	2SC4627J	PAN	210	NPN низкочастотный малошумящий транзистор
V, V(B, C)	2SC4626J	PAN	209	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 55
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-89Mod
56 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-89Mod
Маркировка	Прибор	Производитель	Стр.	Функциональное назначение или особенности
WB-	2SC5700	REN	266	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WE-	2SC5757	REN	267	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WF-	2SC5758	REN	267	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WG-	2SC5812	REN	269	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
WY-	2SC5849	REN	270	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
XZ-	2SC5628	REN	265	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Y	2SD2216J	PAN	238	NPN низкочастотный транзистор общего применения
YA-	2SC5543	REN	261	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
YZ-	2SC5544	REN	261	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZC-	2SC5702	REN	266	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ZD-	2SC5555	REN	262	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в нестандартных корпусах 57
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В НЕСТАНДАРТНЫХ КОРПУСАХ
58 Транзисторы в нестандартных корпусах
Транзисторы в нестандартных корпусах NEC
Корпус 4PSMM (4-Pins Super Mini Mold)
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
R(26 28)	2SC5011	137	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(36.38)	2SC5012	137	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
R(46 48)	2SC5013	138	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
T82	2SC5014	138	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T83	2SC5015	139	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T84	2SC5180	141	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T86	2SC5185	143	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T88	2SC5194	146	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус USMMTF (Ultra Super Mini Mold Thin Flat)
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
Т(А, В)	. 2SC5431	151	NPN низковольтный высокочастотный транзистор
Т(С, D)	2SC5432	151	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Т(Е, F)	2SC5433	152	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Т(Н, J)	2SC5434	152	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Т(К, L)	2SC5435	153	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
T(N, Р)	2SC5436	153	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
	KSJ}		2SC5437	154	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус FL4PTSMM (Flat-Lead 4-Pins Thin Super Mini Mold)
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
Т78	2SC5507	155	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
Т79	2SC5508	156	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
Т80	2SC5509	156	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
Корпус 3PLLMM (3-Pins Lead-Less Mini Mold)
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
В7	2SC5787	163	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
С(1, 2)	2SC5614	157	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
С5	2SC5674	160	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
D(1,2)	2SC5615	158	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
W(1,2)	2SC5618	159	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
Y(1,2)	2SC5617	158	NPN низковольтный малошумящий высокочастотный транзистор
Y5	2SC5746	162	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 6PLLMM (6-Pins Lead-Less Mini Mold)
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
Zc	2SC5704	161	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус FL3PTUSMM (Flat-Lead 3-Pins Thin Ultra Super Mini Mold)
Маркировка	Прибор	Стр .	Функциональное назначение или особенности
80	2SC5800	163	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
TY	2SC5745	162	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
ив	2SC5668	160	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
UC	2SC5676	161	NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в нестандартных корпусах Panasonic
Корпус SSSMini3-Fl
Маркировка	Прибор	Стр .	Функциональное назначение или особенности
1S	2SC5939	230	NPN высокочастотный транзистор для радиочастотных схем
2U	2SA2162	177	PNP низкочастотный транзистор общего применения
ЗЕ	2SA2021	172	PNP низкочастотный транзистор общего применения
3F	2SC5609	224	NPN низкочастотный транзистор общего применения
ЗМ	2SC6045	232	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
4U	2SC6036	231	NPN низкочастотный транзистор общего применения
7Н	2SA2078	174	PNP низкочастотный транзистор общего применения
7К	2SC5846	228	NPN низкочастотный транзистор общего применения
9N	2SC5946	230	NPN высокочастотный транзистор для радиочастотных схем
Е	2SA2164	178	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в нестандартных корпусах 59
Корпус ML3-N2
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
1F	2SC5838	227	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
3D	2SA2079	174	PNP низкочастотный транзистор общего применения
ЗЕ	2SC5848	229	NPN низкочастотный транзистор общего применения
4N	2SA2082	175	PNP высокочастотный транзистор с высокой скоростью переключения
6J	2SA2163	177	PNP высокочастотный малошумящий транзистор
6N	2SC6050	233	NPN высокочастотный транзистор
X	2SC5829	227	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус ML4-N1
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
J	2SB1462L	183	PNP низкочастотный транзистор общего применения
L	2SD2216L	238	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в нестандартных корпусах RENESAS
Корпус MFPAK-4
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
WU-	2SC5975	273	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в нестандартных корпусах ROHM
Корпус VMT3
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
AC(N, Р)	2SC5661	317	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
AD(N, Р)	2SC5662	317	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
АР	2SC5659	316	NPN малошумящий высокочастотный транзистор
B(Q, R, S)	2SC5658	316	NPN низкочастотный транзистор общего применения
BW	2SA2030	282	PNP низкочастотный транзистор
ВХ	2SC5663	318	NPN низкочастотный транзистор
F(Q, R, S)	2SA2029	282	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Корпус TSMT3
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
EV	2SB1709	298	PNP низкочастотный транзистор общего применения
EW	2SB1710	298	PNP низкочастотный транзистор общего применения
XW	2SB1705	297	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Корпус TUMT3
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
EV	2SB1732	300	PNP низкочастотный транзистор общего применения
EW	2SB1733	301	PNP низкочастотный транзистор общего применения
FV	2SB1730	300	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в нестандартных корпусах SANYO
Корпус СРА
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
L6	2SC2812N	359	NPN низкочастотный транзистор общего применения
Мб	2SA1179N	321	PNP низкочастотный транзистор общего применения
Корпус СР4
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
CN(3 5)	2SC4855	392	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
FN(3 5)	2SC4865	394	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
GN(3 6)	2SC4869	396	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
LN(3 5)	2SC5228	403	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
MN(3 5)	2SC5276	405	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Корпус МСР4
Маркировка	Прибор	Стр.	ч Функциональное назначение или особенности
GN(4, 5)	2SC5503	411	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
LN (4, 5)	2SC5501	410	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
MN(4, 5)	2SC5504	412	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
RY	2SC5534	412	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
TY(4, 5)	2SC5502	411	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
60 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус SSFP
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
CN	2SC5537	413	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
GN	2SC5489	409	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
HN	2SC5540	415	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
LN	2SC5488	409	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
МА	2SC5536	413	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
MN	2SC5490	410	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
NA	2SC5538	414	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
ND	2SC5539	414	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
NF	2SC5645	419	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
RY	2SC5541	415	NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах TOSHIBA
Корпус 2-1В1А
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
L(Y, G)	2SC4738FT	499	NPN низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
М(1,2)	2SC5066FT	506	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М(7, 8)	2SC5091FT	510	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М(В, С)	2SC5108FT	516	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
M(D, Е)	2SC5111FT	518	NPN высокочастотный маломощный транзистор для работы в схемах ГУН
M(l, J)	2SC5261FT	524	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М(К, L)	2SC5256FT	521	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М(Х, Y)	2SC5464FT	535	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
М9, МА	2SC5096FT	513	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
ми	2SC5322FT	530	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
S(Y, G)	2SA1832FT	444	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
М(5, 6)	2SC5086FT	508	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
МТ	2SC5317FT	526	NPN высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 2-1D1A
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
L(Y, G)	2SC4738TT	500	NPN низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
Корпус 2-2НА1А
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
F(A, В)	2SC5376F	533	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
L(Y, G)	2SC4738F	498	NPN низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
S(Y, G)	2SA1832F	444	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
Корпус 2-1L1A
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
F(A, В)	2SC5376FV	533	NPN низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
L(Y, G)	2SC4738FV	499	NPN низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
S(Y, G)	2SA1832FV	445	PNP низкочастотный маломощный транзистор для усилительных каскадов
Корпус 2-3S1A
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
WA	2SC5703	536	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
WB	2SC5692	535	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
WD	2SC5738	537	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
WE	2SA2061	449	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
WF	2SA2056	448	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
WJ	2SC5784	538	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
WK	2SA2065	450	PNP низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
WL	2SC5755	538	NPN низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения
Корпус 2-7В6А
Маркировка	Прибор	Стр.	Функциональное назначение или особенности
С53555	2SC5355	531	NPN высоковольтный транзистор для работы в импульсных источниках питания
С53556	2SC5356	532	NPN высоковольтный транзистор для работы в импульсных источниках питания
Корпуса по стандарту EIAJ 61
SC -46
SC-61	SC-62
1,5±0,1
W—Ф—c
SC-70
62 Корпуса по стандарту EIAJ
SC-74A
SC-75
SC-82
SC-82A
SC-88A
SC-88
Корпуса по стандарту EIAJ 63
SC-89 Mod
+0,08
64 Нестандартные корпуса производителей
MFPAK-4 (HITACHI)
Нестандартные корпуса производителей 65
4PSM (NEC)
О ~1
USMTF (NEC)
FL4PTTM (NEC)
0,11-0.05
0,59±0,05
3PLLM (NEC)
FL3PTTUSM (NEC)
6PLLM (NEC)
66 Нестандартные корпуса производителей
ML3-N2 (PANASONIC)
ML4-N1 (PANASONIC)
0,2±0,03
0,05±0,03
SSSMini3-F1 (PANASONIC)
Нестандартные корпуса производителей 67
VMT3 (ROHM)
TUMT3 (ROHM)
0,13
TSMT3 (ROHM)
,0,15 mm
68 Нестандартные корпуса производителей
CPA (SANYO)
0,2
SSFP (SANYO)
СР4 (SANYO)
Нестандартные корпуса производителей 69
2-1В1А (TOSHIBA)
2-1D1A (TOSHIBA)
	CL	
| | t 0.22*0.05
J |  0,22*0,05
2-1L1A (TOSHIBA)
J 0,22*0,05
2-3S1A (TOSHIBA)
2-7B6A (TOSHIBA)
0,6max
0,1*0,1
“J я
,0.6max
2-2HA1A (TOSHIBA)
70 Транзисторы производства HITACHI
Транзисторы производства HITACHI
W1052Himo^TOTfa	применения jл;
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: М + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-30	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера •	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	100	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,2	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	- *	-0,75	В
м	В	С	D
hFE	100 200	160 . 320	250 .500
2SA1121-	Кремниевый PNP низкочастотный'транз'ист^р о^щегЭ применения
Особенности:	I	Корпус 2	5С-59 (EIAJ)	
- Малое напряжение насыщения.	Вывод	Назначение	см
- Комплементарная пара с 2SC2618.	1	База	о"
- Маркировка: S + буква, соответ-	2 3	Эмиттер Коллектор	+I со см"
ствующая значениям hFE.			и1 щи
			2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры			
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-35	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-35	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-35	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	—4	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -3 В, lc = -10 мА	60	-	320	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -150 мА, lb = -15 мА	-	-	-0,5	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -3 В, lc = -10 мА	-	-	-0,64	В
S	В	С	D
hFE	60...120	100 ..200	160...320
Транзисторы производства HITACHI 71
Особенности:
-	Большой коэффициент усиления.
-	Маркировка: Р + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ) ч
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-90	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-90	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-90	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -75 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	250	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -150 мА, lb = -15 мА	-	-0,2	-0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	-	-0,75	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -25 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,6	-	пФ
Р	D	Е
Ьре	250 500	400 800
Особенности:
-	Большой коэффициент усиления.
-	Маркировка: IR + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД	
	2,8+0,2
а1 2и_ 2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-90	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-90	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-90	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = °°	-90	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -70 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	250	-	800	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,15	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-1	В
IR	D	Е
Ьре	250 500	400 800
72 Транзисторы производства HITACHI
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя Vcbo.
- Маркировка: Л + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,8±0,2
И1 2tL 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора		-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-120		-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 09	-120	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , !с = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -70 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	250	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,15	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-1	В
Л	D	Е
hFE	250...500	400...800
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: VI + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе-ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	К	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-55	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = °°	-50	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	100	-	320	-
> Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,2	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	-	-0,8	В
VI	В	С
hpE	100...200	160..320
Транзисторы производства HITACHI 73
Особенности:
-	Комплементарная пара
с 2SD1366A (произ. RENESAS).
-	Маркировка: А + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллёктор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-		-	-1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -500 мА	85	-	240	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,8 A, lb = -80 мА	-	-0,2	-0,3	В
Vbe sat	'	Напряжение насыщения Б-Э	lc = —0,8 A, lb — —80 мА	-	-0,94	-1,1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -2 В, lc = -500 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -25 В, le = 0, f = 1 МГц	-	38	-	пФ
А	К	L
Ьре	85. 170	120. 240
' Кремниевый PNP* \низ$нас^	применения
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SD1367 (произ. RENESAS).
-	Маркировка: В + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-16	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -16 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -100 мА	100	-	320	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = —1 А, 1Ь = -100 мА	-	-0,15	-0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э		-	-1	-1,2	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -2 В, lc = -10 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	50	-	пФ
В	Н	J
hFE	100.. 200	160 320
74 Транзисторы производства HITACHI
2§BjO621
1^емние^й РМКнйзкбчастбтйыйтранзи^
Особенности:
- Комплементарная пара с 2SD1368 (произ. RENESAS).
- Маркировка: С + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-70	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -50 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFF.	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, lc = -100 мА	100	-	320	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = —1 д, |Ь = -100 мА	-	-	-0,6	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = —1 А, 1Ь = -100 мА	-	-	-1,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -2 В, lc = -10 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	- •	35	-	пФ
С	Н	J
hFE	100 200	160. 320
2SB102B ;?г Кр^мнйевыйРМР низкочастотный транзйсторобщего применения
£.	/3	> К S ; .S *	'	> Л § й •>	<	ЛЧ У <S *	?
Особенности:
- Комплементарная пара
с 2SD1418 (произ. RENESAS). - Маркировка: D + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
• Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
I'VE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -150 мА	60	-	320	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -50 мА	-	-	-1	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	-	-0,9	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	140	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	20	-	пФ
D	н	J	К
hFE	60.. 120	100 .200	160.. 320
Транзисторы производства HITACHI 75
, х j 7 К^емниевйй" РЯЙнй^ас^тнЖй '1файистор< обш&го л'рйЙейеййя^^?, < >г "Жs-
А. :А 1	? W'^:г: :л .
Особенности:
- Комплементарная пара
с 2SD1419 (произ. RENESAS). - Маркировка: D + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -100 В, le = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -150 мА	60	-	320	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -50 мА	-	-	-1	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	-	-0,9	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	140	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	20	-	пФ
D	L	М
hFE	60 120	100 200
2SB1027
Кремниевый PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
V Особенности: - Высокое напряжение пробоя Vcbo. - Маркировка: Е + буква, соответ-ствующая значениям hFE.	Корпус SC-62 (EIAJ)	
	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Коллектор
	3	Эмиттер
	Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс . значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-180	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -160 В, 1е = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -150 мА	60	-	320	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -50 мА	-	-	-1	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	-	-0,9	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	140	-	МГц
Е	Н	J	К
hFE	60 120	100.200	160 320
76 Транзисторы производства HITACHI
Особенности:
-	Высокое напряжение пробоя Vcbo.
-	Маркировка: Е + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-180	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-160	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-180	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -160 В, le = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -150 мА	60	-	320	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -50 мА	-	-	-1	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	-	-0,9	В
<T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -5 В, lc = -150 мА	-	140	-	МГц
Е	L	М
hFE	60 120	100. 200
КремниевыйРЙР низкочастотный составной транзистор общего применения
Особенности:
- Большой коэффициент усиления.
- Маркировка: ВТ.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
30 к 1 к
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
\ V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-60	-	-	В
' V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-60	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-7	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -60 В, le = 0	-	-	-0,01	мА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -7 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -3 В, lc = -500 мА	2000	-	100000	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -1 мА	-	-	-2	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = -0,5 A, lb = -1 мА	-	-	-2	В
Транзисторы производства HITACHI 77
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: В + буква, соответствующая значениям 11^.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	2,8±0,2
И1 2Щ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-700	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-25	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-20	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-1	МкА
						
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-1 В, 1с = -150 мА	85	-	240	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-	-0,5	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce =-1 В, !с = -150 мА	-	-	-1	В
В	В	С
hFE	85 170	120. 240
2SC2462
> Кремниевый NPN низ^ойс^^^	Л
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: L + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	2,8±0,2
И1 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	1с = 10 мкА, le = 0	50	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	>	lc = 1 мА, Rbe = 00	40	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = 10 мкА , lc = 0	5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 12 В, lc = 2 мА	100	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	-	0,2	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 12 В, lc = 2 мА	-	-	0,75	В
L	В	С	D
hFE	100 200	160 .320	250 500
78 Транзисторы производства HITACHI
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: D + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
+1 со
см
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжениё пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	55		-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	50	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = 10 мкА , lc = 0	5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =12 В, 1с = 2мА	250	-	1200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	-	0,5	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce =12 В, lc = 2 мА	-	-	0,75	В
D	D	Е	F
hre	250. 500	400 .800	600...1200
2SC2618 Кремниевый низкоча
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SA1121.
-	Маркировка: R + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	35	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	35	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	35	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = 10 мкА , lc = 0	4	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	60	-	320	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = 150 мА, 1Ь=15мА	-	0,2	0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 3 В, lc = 10 мА	-	0,64	-	В
R	В	С	D
hFE	60.. 120	100. 200	160...320
Транзисторы производства HITACHI 79
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 5,0 дБ (f = 1,0 МГц).
-	Маркировка: F + буква, соответствующая значениям Нга.
Корпус SC-59(EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см 6* -н со СМ
И’ 2tL 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-			100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	1с= 10 мкА, 1е = 0	30			В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = *	30	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = 10 мкА, lc = 0	5	-	-	В
icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в с/еме ОЭ	Vce = 12 В, lc = 2 мА	35	-	200	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-		1,1	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 12 В, 1с = 2 мА	-	-	0,75	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 12 В, lc = 2 мА	-	230	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	3,5	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 6 В, lc = 2 мА, f=1 МГц	-	5,0	-	ДБ
F	А	В	С
_±Е£_	60...120	100...200	160...320
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 10,0 дБ (f = 900 МГц).
-	Маркировка: ЕС.
Корпус SC-59(EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение /	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	4	В
lc	Ток коллектора	-			20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	1с = 10 мкА, 1е = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение Пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = «	25	-		В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 3 мА	30	-	60	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с= 10 мА, lb= 1 мА	-		5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	700	1000	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,5	0,8	пФ
CG	Коэффициент передачи	Vce = 12 В, lc = 1 мА,	-	7,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	f= 900 МГц	-	10,0	"Т	
80 Транзисторы производства HITACHI
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 9,0 дБ (f = 900 МГц).
-	Маркировка: GC
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,8±0,2
Ц' гп_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	11	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	20	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	11	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	20	90	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 5 мА	-	-	0,7	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	1,4	3,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,9	1,5	пФ
CG	Коэффициент передачи	Vce = 6 В, lc = 2 мА,	-	15,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	f = 900 МГц	-	9,0	-	ДБ
радиочастотных схемах
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 6,5 дБ (f = 200 МГц).
-	Маркировка: JC.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,8±0,2
И1 2И_ 2,9+0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	20	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 10 мА	40	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	1	•в
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 10 мА	600	1200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц		0,5	0,8	пФ
CG	Коэффициент передачи	Vce = 12 В, lc = 2 мА, f=200 МГц	-	21,0	-	дБ-;
NF	Коэффициент шума		-	6,5	-	ДБ I
Транзисторы производства HITACHI 81
^bUZ'f4;
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 4,0 дБ (f = 200 МГц).
-	Маркировка: ТС
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	20	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	30	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	• lc = 10 мА, lb = 5 мА	-	-	0,7	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	1,4	2,2	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	-	1	пФ
CG	Коэффициент передачи	Vce = 12 В, lc = 2 мА,	-	22,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	f = 200 МГц	-	4,0	-	ДБ
2SC2776	Кремниевый МРН высркр^а^тртнь1йтр^^з^ст^р для работыв радиочастотных схемах
<	< i'j ;	Й <	4	<;,	> 'У ... **А Ч’Ч	х Zx> Хх \	< '' ?4SX :.:. x^z , “Я	\'i	’ %, '$ ii < < * ‘ t
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 5,5 дБ (f = 100 МГц).
-	Маркировка: V + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см о" +I со см’
и1 =aj 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	. -	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	20	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	35	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,8	1,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	-	0,32	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,1	-	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 6 В, lc = 1 мА,	-	17	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	f=100 МГц	-	5,5	-	ДБ
V	А	В	С
hFE	35 70	60. 120	100 .200
82 Транзисторы производства HITACHI

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: AR.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В.
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	400	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	20	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = «	12	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	30	90	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	3,5	4,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,0	1,5	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	-	8,2	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=100 МГц	-	2,0	-	ДБ
^Кремниевый NPN эпитаксйЬл^ь1Двысокочастотнь1й транзистор для работы в ра* гУ$\\4дидчастотныхсхемах.	/>>><;' ,	5->	<
Корпус SC-59 (EIAJ)	„------------
Особенности:
-	Прибор разработан для использованияв схемах ВЧ-усилителей и генераторов.
-	Маркировка: IP-
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	OJ о" +I 00 OJ
И’ 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	20	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	15	-	-	В
Icbo	Обратный- ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,5	-	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	50	-	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	1,4	2,9	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,0	-	пФ
Транзисторы производства HITACHI 83
2SC4422
* Кремниевый л HPN эпитаксиальный вф^о^М^сто^ый^^а^шумящий >транзистор^ , для работьтврадиойастртнык схемах^/;,	>>	><s? —'
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: CR.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	11	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	400	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	11	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =12 В, le = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	50	-	250	
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	4,5	6,0 ,	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0,f=1 МГц	-	1,2	1,6	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	-	7,0	9,0	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=100 МГц	-	1,6	3,0	ДБ
ftO Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный транзистор для работы в радио-AvUnrrUfe частотных схемах '',л >4 ? Ч:	у * 4 .•4	.4
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей частоты.
-	Маркировка: ЕС.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-		1 в
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	25	-	-	5
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,5	-	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 3 мА	30	-		
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	0,7	1,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц		-	0,8	пег
CG	Коэффициент передачи	Vce = 10 В, le = 0, f = 900 МГц	-	7	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	fosc = 930 МГц (0 дБм) fouT = 30 МГц	-	10,0		I	де 1	 1
84 Транзисторы производства HITACHI
КрЬмниевый ЫРЫ/элйта^	малошумящий транзистор для
^^а^ол^'ради^	Ч, \Л \	'3 *
2|C44O
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей частоты.
-	Маркировка: НС.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—I	
	2,1+0,1
’Ы ’d 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	20	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	1,0	-	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 10 мА	60	-	120	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 10 мА	0,6	1.0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, 1е = 0, f = 1 МГц	-	0,35	0,65	пФ
CG	Коэффициент передачи	Vce = 12 В, 1с = 2, f=200 МГц	-	21	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	fosc = 230 МГц (0 дБм) fouT = 30 МГц	-	4,0	-	ДБ
2SC4592
Кремниевый NPN1эпитаксйальнь!Йвь1(юкочастотнь1й /малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах Л/ 4 .Л
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: XN-
Корпус SC-61 (JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	9	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 12 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	40	120	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	7,0	9,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	0,8	1,5	-	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА. f = 900 МГц	11,0	14,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f= 900 МГц	-	1.2	2,5	ДБ
Транзисторы производства HITACHI 85
элита^сиалкный ^вШсркбчастотный; м&ошу мяедий транзистор для ,
* ч^раббты в радйочастотнь|х схемах/' /*;; Л<?/;;;>\	'л,	'< -; >,
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: ХМ-
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	S
	схГ
1и 2dj	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	9	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 12 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	40	120	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	6,5	9,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	0,8	1,5	-	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	9,5	12,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
"... Кремниевый^ЙРЫ ^эпитакоца^^	транзистор для ‘
^ ^аботЬ! врадиочастотн ыхЬхемйх	л' "	' Д"; ,
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: DR.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	9	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	400	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = °®	9	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =12 В, le = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	40	120	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	5,5	8,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,0	1,7	пФ
PG	Коэффициент усиления по .мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	7,5	10,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f= 100 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
86 Транзисторы производства HITACHI

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: YA-.
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-61 (JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20 ,	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, 1е = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 10 мА	7	10	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	0,4	0,75	-	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f = 900 МГц	12,5	15,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f = 900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
'^ЛКрШниёвь1Й Й^н'выроко^астотЖй^^	® радио-’'5
эд^тнь|?ссхемах	. . • ч
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 1,2 дБ (f = 900 МГц).
-	Маркировка: YJ.
Корпус SC-61 (JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	9	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	9	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 12 В, le = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	50	120	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	1,4	3,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц	-	0,8	1,3	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА, f=900 МГц	-	13,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f = 900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
Транзисторы производства HITACHI 87
f*Й*1	< Кремкиевый ЙРИвысокочастоткый малошумящий’ транзистор для; работы: в радио-
чС.Ча^отнЫхЪ^ема^^	'V -'х''4 r /5? 'У"
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 1,2 дБ (f = 900 МГц).
-	Маркировка: YS
Внимание! Прибор чувствителен к статическому электричеству.
Корпус SC-61(JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	8	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	250	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 10 мА	7,5	10,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,45	0,8	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f = 900 МГц	13,5	16,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f = 900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
2SC4994
Кремниевый NPN высокочастотный мЬтошумящий транзистор для, работы-в радио* частотных схемах \	/	* к' >	< V %., /'кД/ .
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 1,2 дБ (f= 900 МГц).
-	Маркировка: YS-.
Внимание! Прибор чувствителен к статическому электричеству.
Корпус SC-82(JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
ГЪ 2П
	2,1±0,1
U4 3LJi I. 2,0±0,1	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значе- . ние	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	8	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 10 мА	7,5	10,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,4	0,75	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f = 900 МГц	14	17	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
88 Транзисторы производства HITACHI
<Л Ct Л QQ Д <;, КрШииевыи ^РЬГвысокочастотныималошумящии транзистордля работы в радиочас-
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 1,2 дБ (f = 900 МГц).
-	Маркировка: YD.
Корпус SC-82A(JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
□Ь. гД-
	2,1 ±0,3
U4 ’LL 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	-150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	[с = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	8	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 10 мА	7,5	10,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,45	0,8	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f = 900 МГц	13,5	16,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f = 900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
Кремниевый НРЫэпйтаксиальный высокочастотный малошумящийтранзистор для работы в радиочастотных схемах »;/ 7Х'* v у / '	'"	'
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: ZC-.
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-61(JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	160	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 5 мА	9	12	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, !е = 0, f = 1 МГц	-	0,3	0,8	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f = 900 МГц	14	-	20	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,6	2,5	ДБ
Транзисторы производства HITACHI 89
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: ZC-.
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-82A (JEITA)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	160	
fj	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 5 мА	9	12	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц	-	0,3	0,8	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f=900 МГц	14	17	20	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,6	2.5	ДБ
эпитаксйайьй£$Л^
г A J-ay частртШх4ЙемахЛ J
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: TI-
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	13	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	80	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	25	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	0,3	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 20 мА	50	100	180	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 4 В, lc = 20 мА	3,0	3,8	-	ГГц
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 4 В, lc = 20 мА, f=900 МГц	7	11	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	0,85	1,3	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 4 В, lc = 5 мА, f = 900 МГц	-	2,5	4,0	ДБ
90 Транзисторы производства HITACHI
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: YA-
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1,6±0,1
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	80	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 10 мА	7	10	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0,f=1 МГц	0,45	0,8	-	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f = 900 МГц	12,0	16,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
5|ЙЫ»^ь>ср1фчастотныи малошумящий транзистордля
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: YZ-.
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з —	
	о +I <о
Н' U	
1,6±0,1	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	80	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 12 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 10 мА	50	120	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 4 В, lc = 20 мА	8	11	-	ГГц
Cob'	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	0,65	1,15	-	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 4 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	11,5	15,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 4 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,1	2,0	ДБ
Транзисторы производства HITACHI 91
ный xeMte
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: ZC-.
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-		20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	80	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, 1е = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	50	120	160	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 5 мА	9	12	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц	-	0,3	0,8	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 10 мА, f=900 МГц	14	16,5		ДБ
NF *	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,6	2,5	ДБ

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: ZD-.
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	80	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора .	Vcb = 12 В, le = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 20 мА	50	120	160	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 4 В, lc = 20 мА	10,5	13,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,3	0,8	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 4 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	14	17		ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 4 В, lc = 5 мА, f=900 МГц	-	1,2	2,5	ДБ
92 Транзисторы производства HITACHI
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: ZS-
-	Прибор чувствительный к статическому электричеству.
Корпус SC-61(JEITA)
Вывод	Назначение
1 '	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
JZh_	...dJ..	
		+0,2 2,8-0,6
II4	3LI	
2,9+0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	- *	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 12 В, 1е = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1,5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 20 мА	80	120	160	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 20 мА	10	12,6	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = ЗВ, le = O,f= 1 МГц	-	0,69	1,1	пФ
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 3 В, lc = 20 мА, f = 900 МГц	14	16	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 5 мА, f = 900 МГц	-	1,1	2,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 93
Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: Е + цифра, соответствующая значению hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
...зД—
В1 Щ
2,9+0,2
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-30	мА
Pc '	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -40 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -1,0 мА	40	90	180	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1,0 мА	-	-0,09	-0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -10 В, lc = -10 мА	-0,67	-0,72	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, lc = -1,0 мА	250	400	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,1	2,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = -10 В, lc = -1,0 мА, f = 1 МГц	-	3,5	-	ДБ
Маркировка	Е2	ЕЗ	Е4
hFE	40 80	60 120	90 .180
2SA1330
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах и усилительных каскадах.
-	Комплементарная пара с 2SC3360.
-	Маркировка: О + цифра, соответствующая значению hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-200	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-200	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -200 В, le = 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -10 мА	90	200	450	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, lc = -1,0 мА	-	120	-	МГц
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -50 мА, lb = -5 мА	-	-0,21	-0,3	В
Ton	Время включения	lc = -10 мА,	-	0,16	-	мкс
Tof	Время выключения	Vce = -10 В, RI = 1500 Ом	-	0,18	-	мкс
Маркировка	05	Об	07
hFE	90 18.0	135 270	200 .450
94 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах и усилительных каскадах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Комплементарная пара с 2SC3518-Z.
-	Маркировка: А1385 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	-5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-7	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	10	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -50 В, le = 0	-	-	-10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -7 В, lc = 0	-	-	-10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1,0 В, lc = -2A	100	200	400	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, 1с = -500мА	-	140	-	МГц
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -2,0 A, lb = -200 мА	-	-0,18	-0,3	В
Ton	Время включения	lc = -2,0 А, Vce = -10 В, RI = 50 Ом	-	0,08	-	мкс
Tof	> Время выключения		-	0,18	-	мкс
А1385	М	L	К
hFE	100 200	160.. 320	200 400
AAft 7 Кремниевцй PNP низкочастотный высокрвольтный транзистор с высокой ско-' Дмг^1^ии"Д.л ростьюпереключения / 1
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах.
-	Комплементарная пара с 2SC3588-Z.
-	Маркировка: А1400 + буква N, М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Еди ни-цы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-400	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-400	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллеторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -400 В, le = 0	-	-	-100	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -50 мА	30	-	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-1	-1	-1	В
Ton	Время включения	lc = -100 мА, Vce = -150 В, RI = 1500 Ом	-	1	-	мкс
Tof	Время выключения		-	1	-	мкс
А1400	N	М	L	К
hFE	30 60	40 80	60. .120	100 . 200
Транзисторы производства NEC 95
c *3^'?ДсрЬмййев>гЙ^£KP низко
Особенности:
- Прибор разработан для использования в ключевых схемах.
- Комплементарная пара с 2SC3631-Z.
- Маркировка: А1412 + буква L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Еди ни-цы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-400	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер .	-	-	-	-400	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				—4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -400 В, le = 0	-	-	-10	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -100 мА	40	60	120	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -100 мА	-	-0,25	-0,5	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, lc = -ЮОмА	-	40	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, 1е = 0, (=1МГц	-	30	-	пФ
Ton	Время включения	!с = -1,0 А,	-	0,03	-	мкс
Tof	Время выключения	Vce = -150 В, RI = 150 Ом	-	0,1	-	мкс
А1412	L	К
hFE	40 80	60 120
23 А1413-Z
Кремниевый	транзистор е рыеокой скорой
 стью пейеключййия j / < '	г '' '	''	. / ,* ' '
,	r	> 4 <f X	>> >v '	>	-S''>	-
Особенности:	Корпус 5	5С-63 (EIAJ)	Г	у ‘	
- Прибор разработан для	Вывод	Назначение	:	X
использования в ключевых схемах.	1	База	:	< о
- Комплементарная пара с 2SC3632-Z. - Маркировка: А1413 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE	2	Коллектор	I	
	3	Эмиттер	2	о"
	Корпус	Коллектор	II LJ 10 зЕ 6,5+0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-600	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-600	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -100 мА	30	58	120	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -300 мА, lb = -60 мА	-	-0,28	-1,0	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, lc = -50 мА	-	28	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10B, 1е = 0Д=1МГц	-	42	-	пФ
Ton	Время включения	lc = -0,5 А,	-	0,1	-	мкс
Tof	Время выключения	Vce = -250 В, RI = 500 Ом	-	0,08	-	мкс
А1413	М	L	К
hFE	30 60	40 80	60 120
96 Транзисторы производства NEC
Особенности:	Корпус SC-59 (EIAJ)		
- приоор разраоотан для использования	Вывод	Назначение
в каскадах усиления ВЧ- сигналов	1	База
и ключевых схемах.	2	Эмиттер
- Комплементарная пара с 2SC3734.	3	Коллектор
		
- Маркировка: Y + двузначное число,		
зЦ	
	2,8±0,2
И1 2И_ 2,9±0,2	—
соответствующее значению параметра hFE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-5	В
lc	Ток коллектора	-		-	-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -3 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -50 мА, lb = -5 мА	-	-0,1	-0,4	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -10 мА	75	180	300	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -20 В, le = -10 мА	200	510	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, Г=1МГц	-	2,5	4,5	пФ
Ton	Время включения	lc = -10 мА, Vce = -3 В	-	0,07	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,3	-	мкс
Y	22	23	24
hFE	75 .150	100 ..200	150...300
Особенности:	Корпус SC-59 (EIAJ)			з|_|	
-	Прибор разработан для исполь-зования в ключевых схемах. -	Комплементарная пара с 2SC3735. -	Маркировка: Y + двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.	Вывод	Назначение			2,8+0,2
	1	База			
	2	Эмиттер			
	3	Коллектор		И1 2И1 2,9±0,2	
					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-4,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -8 В, le = 0		-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, 1с = -10 мА	30	80	150	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,09	-0,2	В
tt	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=10мА	800	1800	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, f= 1МГц	-	2,0	3,0	пФ
Ton	Время включения	lc = -10 мА,	-	9	20	нс
Tof	Время выключения	1Ь1 = -!Ь2 = 1 мА	-	19	40	мкс
Y	33	34
hFE	50...100	75 ..150
Транзисторы производства NEC 97
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных усилительных каскадах и ключевых схемах.
-	Комплементарная пара с 2SC3736.
-	Маркировка: I + буква, соответствующая значению hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор -
3	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-45	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,28	-0,6	В
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -50 мА	60	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -100 мА	300	400	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = O,f= 1 МГц	-	11	25	пФ
Ton	Время включения	lc = -500 мА, 1Ь1 = —IЬ2 = 50 мА	-	0,025	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,062	-	мкс
I	L	К
hFE	60 120	100 200
.ЙС Кре|Лй1вый PNP эпитаксиальнь1йвь1Сркочастотныйтранзист<>рсвьгс(>кЬй скоростью £vrvl‘TVfcT , переключения	:	/V;	%
Особенности:
- Прибор разработан для использования в каскадах усиления ВЧ- сигналов и ключевых схемах.
-	Комплементарная пара с 2SC3739.
-	Маркировка: Y + двузначное число,
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
соответствующее значению параметра hFE
зЩ	
	см_ +i со см"
И1 2И1 2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,45	-0,75	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, 1с = -150мА	75	180	300	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -20мА	150	400	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5B, 1е = 0Д=1МГц	-	5	8	пФ
Ton	Время включения	lc = -150 мА, 1Ь1 =-1Ь2= 15 мА Vce = -30 В	-	0,035	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,255	-	мкс
Y	12	13	14
hFE	75 150	100 200	150 300
98 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напяжения и импульсных источников питания.
-	Маркировка: А1645 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-46 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-7	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-14	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	35	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2,0 В, 1с = -1,5А	100	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -4,0 A, lb = -200 мА	-	-	-0,3	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, 1с = -1500 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0,(=1МГц	-	150	-	пФ
Ton	Время включения	|С = -4,0 А,	-	0,3	-	мкс
Tof	Время выключения	Vcc = -50B, Rl = 12,5 Ом	-	0,4	-	мкс
А1645	М	L	К
tlFE	100...200	150 . 300	200...400
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напяжения и импульсных источников питания.
-	Маркировка: А1646 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE.
Корпус SC-46 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-10	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-20	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	40	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2,0 В, 1с = -2,0А	100	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -6,0 A, lb = -300 мА	-	-	-0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, lc = -500 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0Д=1МГц	-	250	-	пФ
Ton	Время включения	lc = -6,0A, Vcc = -50B, 1Ь1 =-1Ь2 = 300мА RI = 8,3 Ом	-	0,3	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,4	-	мкс
А1646	М	L	К
hFE	100...200	150...300	200.. 400
Транзисторы производства NEC 99
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напяжения и импульсных источников питания.
-	Маркировка: А1649 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-10	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-20	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2,0 В, 1с = -2,0 А	100	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -3,0 A, 1b = -300 мА	-	-	-0,3	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, lc = -500 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = O,f= 1 МГц	-	250	-	пФ
Ton	Время включения	lc = -4,0 А, Vcc = -20 В, 1Ь1 =-1Ь2= 150 мА RI = 5,0 Ом	-	0,3	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,3	-	мкс
А1649	М	L	К
Ьре	100 . 200	150 . 300	200 400
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усилителей сигнала СВЧ - диапазона.
-	Комплементарная пара с 2SC3583.
-	Маркировка: Т92.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
____10______
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-3	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -1 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -8 В, lc = -20 мА	20	-	100	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -8 В, le = -20 мА	6,0	8,5	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = -8 В, le = -20 мА, f=800 МГц	-	14	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,5	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = -8 В, le = -3 мА, f = 1 ГГц	-	1,5	3,0	ДБ
100 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан
для использованияв схемах
усилителей сигнала СВЧ- диапазона.
-	Комплементарная пара с 2SC2351.
-	Маркировка: Т93.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|_|	
	см о" +I со схГ
И1 2Ы_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -15 мА	20	40	100	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -15мА	4,0	5,5	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = -8 В, le = -20 мА, f=800 МГц	-	14	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,5	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = -10 В, le = -3 мА, f=1 ГГц	-	2,0	3,0	ДБ
:,К|)^нйевь|йсредней мощности _
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов и ключевых устройств.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: У + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -60 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -100 мА	135	340	600	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1,0 A, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -2 В, lc = -50 мА	-0,6		-0,7	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-2 В, 1е = -100 мА	80	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	25	-	пФ
Y	М	L	К
hFE	135 . 270	200.. 400	300 .600
Транзисторы производства NEC 101
1иевыи РЫРэпитаксиальныйнизкочастотныи транзистор среднеймощности
Г-'V	Л *r
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов и ключевых устройств.
-	Маркировка: Y + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	. -	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -100 мА	135	340	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1,0 A, lb =-50 мА	-	-0,2	-0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -2 В, lc = -50 мА	-0,6		-0,7	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-2 В, le = -100 мА	80	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	25	-	пФ
Y	Q	Р
hFE	135 .270	200 400
2S	1райзйстор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах и усилительных каскадах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: В1261 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	-3	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2,0 В, lc = -0,6 А	100	200	400	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =-5 В, 1с = -1,5А	-	50	-	МГц
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -1,5А, 1Ь = -150 мА	-	-0,2	-0,3	В
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0, f= 1 МГц	-	40	-	пФ
Ton	Время включения	1с = -1,0 А,	-	0,15	-	мкс
Tof	Время выключения	Vcc = -10 В, RI = 10 Ом	-	0,1	-	мкс
В1261	М	L	К
hpE	100- 200	160 320	200 400
102 Транзисторы производства NEC

'ЖлУ ;> Ул; -'
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в бытовой аудио видео технике.
-	Маркировка: В + двухзначное число, соответствующее значения параметра hFE.
Корпус SO70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП~
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-16	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -16 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -5 мА, hFE = -10 мА	-	-	-0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -100 мА	110	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -0,1 А, 1Ь = -10мА	-	-0,06	-0,12	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = -2 А, 1Ь = -100 мА	-	-0,95	-1,2	В
fT	, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-ЗВ, 1е = -100 мА	-	50	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10B, le = 0,f=1 МГц	-	15	-	пФ
В	42	43	44
hFE	110...240	190..320	270 ..400
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SD2402.
-	Маркировка: Н + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	‘ В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-8	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -50 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -2A	100	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -3,0 A, lb = -150 мА	-	-0,17	0,35	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc =-3 А, 1Ь = -150 мА	-	-0,89	-1,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -500 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0,f=1 МГц	-	100	-	пФ
Н	X	Y	Z
hFE	100...200	160.. 320	200..400
Транзисторы производства NEC • 103
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SD596.
-	Маркировка: BV + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-700	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -100 мА	110	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,7 A, lb = -70 мА	-	-0,25	-0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = -0,01 A, Vce = -6 В	-	-0,64	-0,7	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -6 В, le = -10 мА	-	160	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -6 В, le = 0, f= 1 МГц	-	17	-	пФ
BV	1	2	3	4	5
hFE	110 180	135. 220	170 . 270	200.. 320	250..400
»Кремниевый PNP • эп^Ксийьный низкбчастйтный маломощный транзистор общего^
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SD780.
-	Маркировка: BW + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	• Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -50 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
I'Ve	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -50 мА	110	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	|С = -о,3 A, lb = -30 мА	-	-0,35	-0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = -0,01 A, Vce = -6 В	-	-0,66	-0,7	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-6 В, 1е = -10мА	-	160	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -6 В, le = 0, f= 1 МГц	-	13	-	пФ
BW	1	2	3	4	, 5
hFE	110 180	135 ..220	170 270	200 .320	250. 400
104 Транзисторы производства NEC
Особенности:
- Комплементарная пара с 2SD780A.
- Маркировка: В + двузначное число, соответствующее значению параметра hre.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -50 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -50 мА	110	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,3 A, lb = -30 мА	-	-0,35	-0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = -0,01 A, Vce = -6 В	-	-0,66	-0,7	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -6 В, le = -10 мА	-	160	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -6 В, le = 0, f= 1 МГц	-	13	-	пФ
В	51	52	53	54	55
Ьре	110 ..180	135..220	170. 270	200 .320	250..400
zv >-	.-.v z	>5	Л ух •; < ж угу '	' х	ч<ч 5	\	ч	? .-х-	<	<•	<<? • Лс -*A\W
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах кадровой развертки.
-	Высокое напряжение К-Э.
-	Комплементарная пара с 2SD1033.
-	Маркировка: В768 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-200	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	, Обратный ток коллектора	Vcb = -150 В, le = 0	-	-	-50	мА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -4 В, lc = 0	-	-	-50	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -400 мА	40	80	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	0,15	-1,0	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, le = -0,4 мА	-	10	-	МГц
В768	м	L	К
hFE	40 ..80	60.. 120	100..200
Транзисторы производства NEC 105
мощности
f Y? XX.. /' J X с' XXX \	vXXc -<Х'Х	- <л '\	,

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD999.
-	Маркировка: D + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1000	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, 1с = -100 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -1,0 А, 1Ь = -100 мА	-	-0,25	-0,4	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = -0,01 A, Vce = -6 В	-	-0,64	-0,7	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-6 В, 1е = -10мА	-	110	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -6 В, le = 0, f=1 МГц	-	36	-	пФ
D	М	L	К
hFE	90 180	135 270	200 400
2SB800 5 Кремниевый РЙР эпитаксиальный низкочастотной транзистор средней мощности 4 h
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD1001.
-	Маркировка: F + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-300	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-0,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -80 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -50 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,3 A, lb = -30 мА	-	-0,3	-0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = -0,01 A, Vce = -6 В	-	-0,66	-0,7	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-6 В, 1е = -10мА	-	100	-	МГц
Cob	Выгодная емкость	Vcb = -6 В, le = 0, . ' f= 1 МГц	-	13	-	пФ
F	М	L	К
hFE	90 180	135 270	200 400
106 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах и усилительных каскадах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: В962 + буква R, Q, Р или Е, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора		-	-	-3	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-6	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, 1с = -1,0А	60	160	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -2,0 A, lb = -200 мА	-	-0,3	-0,5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = -2 A, lb = -200 мА	-	-1,0	-2,0	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -100 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0, f= 1 МГц	-	55	-	пФ
В962	R	Q	Р	Е
hFE	60 ..120	100.. 200	160. 320	200 .400
КрйинЖвый
/ '<£ >*«$ ч-аа	/ "f y$-svZ s	''	</ ' г г SSS s г ' Л -кЛЗг'ч л * г s	**	У ' ✓ < * *	V	' 4	> «	> > Л /- А *
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: В963 + буква М, L или К, в зависимости от значения
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
параметра hFE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—8	В
Icp	Ток коллектора импульсный				±2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -60 В, le = 0	-	-	-10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2,0 В, lc = -0,6 А	2000	-	30000	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -2 В,' lc = -0,5 А	-	50	-	МГц
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -50 мА	-	-	-1,5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = -0,5 A, lb = -50 мА	-	-	-2,0	В
Ton	Время включения	lc = -0,5 А, 1Ь1 = -|Ь2 = 0,1 мА Vcc = -50 В, RI = 100 Ом	-	0,15	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,1	-	мкс
В963	М ’	L	К
hFE	2000...5000	4000. 10000	8000 . 30000
Транзисторы производства NEC 107
<2SBWgr' Кремневый	т|^н^6^ср||
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей , генераторов, смесителей.
-	Маркировка:РА + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	60	100	180	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	-	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 1 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,9	2,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 6 В, le = 1 мА, f=1 МГц	-	2,0	4,0	ДБ
FA	3	4
hFE	60.. 120	90 . 180
Кремниевый NPN эпитаксиальнь. лвыс^кбчастотныйтранзистор с высокой скоростью!
Особенности:
- Прибор разработан для использования в каскадах усиления ВЧ- сигналов и ключевых схемах.
- Маркировка: В + цифра, соответствующая значению hFE .
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД	
	2,8+0,2
И1 2tU 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА		0,12	0,3	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 0,5 В, lc = -1,0 мА	40	80	180	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	200	500	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц	-	3,0	6,0	пФ
Ton	Время включения	R = 50 Ом,	-	12	20	нс
Tof	Время выключения	Vcc = 3	-	18	40	НС
Tstg	Время установления	R = 50 Ом, Vcc = 10	-	7	20	НС
в	2	3	4
hFE	40.80	60. .120	90 .180
108 Транзисторы производства NEC
Особенности:	]	Корпус S	С-59 (EIAJ)
- Прибор разработан для использования	Вывод	Назначение
в усилительных каскадах с большим	1	База
коэффициентом усиления.	2	Эмиттер
	3	Коллектор
- Маркировка: D + двузначное число,		
соответствующее значению параметра Ьга.
з|-|	
	см о" -н со см
И1 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 120 В, le = 0	-	-	0,05	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,05	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	\ е = 6 В, lc = 1 мА	135	500	900	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,01 A, lb = 1 мА	-	0,07	0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lb = 0,001 A, Vce = 6 В	0,55	0,58	0,65	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, 1е=1,0 мА	50	110	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 30 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,6	2,5	пФ
D	15	16	17	18
hFE	135 270	200..400	300.. 600	450 ..900
2SC1 623	Кремниевый NPN низкочастотный транзистор общего применения Особенности:	Корпус SC-59 (EIAJ)	з|_|						
-	Большой коэффициент усиления. -	Маркировка: L + цифра, соответствующая значению параметра hFE.	•	Вывод	Назначение			2,8+0,2
	1	База			
	2	Эмиттер			
	3	Коллектор		b1 2bJ 2,9±0,2	
					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	>	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	90	200	600	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,15	0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lb = 1 мА, Vce = 6 В	0,55	0,62	0,65	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, 1е=1,0 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, le = 0, f= 1 МГц	-	3,0	-	пФ
L	4	5	6	7
hFE	90. 180	135...270	200...400	300.. 600
Транзисторы производства NEC 109
2SC1653
Кремниевый NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в телевизионной технике.
-	Маркировка: N + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЫ	
	2,8+0,2
И1 2Ы_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	130	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =130 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный^ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 15 мА	90	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	0,1	0,3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 50 мА, lb = 50 мА	-	0,73	1,0	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 10 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 30 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,3	-	пФ
N	2 .	3	4
Ире	90 180	135 270	200 400
2SC1654
Кремниевый NPN низкочастотный высоковольтный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в телевизионной технике.
-	Маркировка: N + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЩ	
	2,8+0,2
И1 2И_ 2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	180	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	160	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =150 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 15 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	0,1	0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 50 мА, lb = 50 мА	-	0,73	1,0	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е= 10 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 30 В, le = 0, f= 1 МГц	-	2,3	-	пФ
N	5	6	7
hFE	90 180	135. 270	200 400
110 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см о +I со см
□ 1	2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
’Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	70	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, 1е = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 20 мА	40	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 20 мА	-	4,5	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f=1 ГГц	-	14	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,75	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 10 В, le = 5 мА, f=1 ГГц	-	1,5	3,0	ДБ
R	2	3
hFE	40...120	100...200
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в усилительных каскадах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: N + буква, соответствующая значению параметра h^.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	140	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	140	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-			50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 140 В, le = 0		-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc= 10 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 2 мА	-	0,07	0,6	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 20 мА, lb = 2 мА	-	0,75	1,0	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е=10мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 30 В, le = 0, f=1 МГц	-	2.3	-	пФ
N	м	L	К
hFE_J	90...180	135...270	, 200...400
Транзисторы производства NEC 111
к^мнийыйгйЙЙнтоя^^
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: С2946 + буква N, М, L или К, в зависимости от значения от параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	330	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	200	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	' -	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 250 В, le = 0	-	-	10	мА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 100 мА	20	60	160	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=1,0 А, 1Ь=100 мА	-	-	1,0	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	1с= 1,0 A, lb = 100 мА	-	-	1,5	В
Ton	'Время включения	-	-	-	1,0	мкс
Tstg	Время установления		-	-	2,0	мкс
С3631	N	М	L	К
hFE	20 50	30 70	50 .100	80 ..160
•2SC33'Et6\--
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: R двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 20 мА	50	120	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 20 мА	-	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,55	1,0	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 10 В, lc = 20 мА, f = 1 ГГц	-	11,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 10 В, le = 40 мА, f=1 ГГц	-	1,1	2,0	ДБ
R	23	24	25
hFE	50. 100	80.. 160	125.. 300
112 Транзисторы производства NEC
>Ж1Фе^и$вь1и ЫрМ;эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор ..> ?
4£vV’vVV>r^	~	>'	' .
iVw ;	4 г	4 s's- ,<> vv/ , ,. -.с-. ч	£ ^й' „ ,г?.. $ „ Л’’ '.«лй.:У4•' < '•> .Г' ~ w . > л » ' w ♦ , л ' •.•* ' . , . '	> > :> '	> * г
Особенности: - Прибор разработан для использования в телевизионной технике. - Маркировка: R + буква, соответствующая значению параметра hFE.		Корпус S Вывод		С-62 (EIAJ) Назначение				1		LT сх с +I с		
		1		База							
		2		Коллектор							
		3		Эмиттер		ТИПЕ 4,5±0,1					
		Корпус		Коллектор							
											
Предельно допустимые и основные электрические параметры											
Символ	Параметр		Условия			Мин. значение		Тип. значение		Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-			-		-		20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-			-		-		12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-			-		-		3,0	В
lc	Ток коллектора		-			-		-		100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе		Т = 25°С			-		-		1,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора		Vcb =10 В, le = 0			-		-		1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ		Vce = 10 В, lc = 20 мА			50		120		300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания		Vcb = 10 В, le = 20 мА			-		6,5		-	ГГц
Cre	Проходная емкость		Vce = 10 В, le = 0 мА, f= 1 МГц			-		0,65		1,0	пФ
|S21ef	S-параметр		Vce = 10 В, lc = 20 мА, f = 1 ГГц			-		9		-	ДБ
NF	Коэффициент шума		Vcb = 10 В, le = 40 мА, f= 1 ГГц			-		1,8		3,0	ДБ
R	н	F	Е’
hFE	50. .100	80 . 160	125...300
Кремни^вйй НРЙ эпитаксиальный высоковольтный транзистор с высокой скоростью . пересечения _,Л	У., .	•	> z..
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах
и усилительных каскадах.
-	Комплементарная пара с 2SA1330.
-	Маркировка: N + двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус ЗС-59 (EIAJ)
зЦ	
	2,8±0,2
И1 2И_	
2,9±0,2	
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	200	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	200	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 200 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc= 10 мА	90	200	450	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =10 В, 1с=1,0 мА	-	160	-	МГц
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	0,1	0,3	В
Ton	Время включения	lc = 10 мА,	-	0,15	-	мкс
Tof	Время выключения	Vce = 10 В	-	0,3	-	мкс
N	15	16	17
hFE	90 .180	135 .270	200 . 450
Транзисторы производства NEC 113
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах и усилительных каскадах, а так же в составе гибридных ИС.
-'Комплементарная пара с 2SA1385-Z.
-	Маркировка: С3518 + буква М, L или К, в зависимости от значения от параметра hFE.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				7	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	10	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1,0 В, lc = 2A	100	200	400	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, 1с = 500 мА	-	120	-	МГц
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 2,0 A, lb = 200 мА	-	-	0,3	В •
Ton	Время включения	lc = 2,0 А, Vce = 10 В, RI = 50 Ом	-	0,07	1,0	мкс
Tof	,	Время выключения		-	0,12	1,0	мкс
С3518	М	L	К
hFE	100 200	160 .320	200 .400
2SC3583	Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный майЬшуйящий транзисто#;
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления СВЧ диапазона.
-	Комплементарная пара с 2SA1977.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее параметру hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	100	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА	-	9,0	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f= 1 ГГц	-	15	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,35	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f= 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
R	33	34	35
hFE	50 100	80 160	125 250
114 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления СВЧ диапазона.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее параметру hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
з|-|	
	2,8+0,2
И1 2И_ 2,9±0,2	
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-		-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 10 мА	50	100	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, 1е=10мА	-	10,0	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 6 В, 1е=10мА, f = 2 ГГц	-	10	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,3	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = 5 мА, Т=2ГГц	-	1,8	3.0	ДБ
R	43	44	45
hFE	50 100	80 160	125 . 250

:Жрейниевый'Wit нйзйЗчастстнйй высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения ' f
Особенности: -	Прибор разработан для использования в ключевых схемах. -	Комплементарная пара с 2SA1400-Z. -	Маркировка: С3588 + буква М, L или К,			Корпус SC-63 (EIAJ)										—	
			Вывод		Назначение				9			< о о		
			1		База									
			2		Коллектор									
			3		Эмиттер									
			Корпус		Коллектор			U3^						
в зависимости от значения														
vi napcuvivipo. i ife								. 6,5+0,2						
•	Предельно допустимые и основные электрические параметры													
	Символ	Параметр		Условия			Мин. значение			Тип. значение			Макс, значение	Единицы
	Vcbo	Напряжение коллектор-база		-			-			-			500	В
	Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-			-			-			400	В
	Vebo	Напряжение эмиттер-база		-			-			-			7	В
	lc	Ток коллектора		-			-			-			500	мА
	Icp	Ток коллектора импульсный											1	А
	Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)		Т = 25°С			-			-			2	Вт
	Icbo	Обратный ток коллектора		Vcb = 400 В, le = 0			-			-			10	мА
	lebo	Обратный ток эмиттера		Veb = 5 В, lc “ 0									10	мкА
	hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ		Vce = 5 В, lc = 50 мА			20			42			80	-
	Vce sat	Напряжение насыщения К-Э		к - 300 мА, lb = 60 мА			-			С	),2			0,5	В
	Ton	Время включения		lc = 300 мА, Vce = 150 Б, RI = 150 Ом							20		-	нс
	Tof	Время выключения					-			:	2				-	мкс
I С3588	м	L	К
I	Ьее		20...40	30 .60	40. .80
Транзисторы производства NEC 115
X Г**Ь&*Ь Й| - 7 ЙрЖйиевОй ЙРЙ низкочастотн^йвысоковольтнь1й транзистор сйысокой скоро-стьюпереключения г Xs iMkbki VX Д/ 3 74 fWk'X
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах.
-	Комплементарная пара с 2SA1412-Z.
-	Маркировка: С3631 4- буква L или К, в зависимости от значения от параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	500	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	400	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 100 мА	40	60	120	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1,0 A, lb = 200 мА	-	0,35	1,0	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =10 В, 1с=100 мА	-	50	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	20	-	пФ
Ton	Время включения	lc = 1,0 А, Vce =150 В, RI = 150 Ом	-	0,03	0,5	мкс
Tof	Время выключения		-	0,1	0,7	мкс
С3631	L	К
hFE	40 80	60 120
\ 2SC3632-Z
Кремниевый NPN низкочастотный высоковольтный транайетб^с^высокой скоро- ;
<4 стьюпереключения	Л, ' Лй - * . .
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах.
-	Комплементарная пара с 2SA1413-Z.
-	Маркировка: С3632 + буква М, L или К, в зависимости от значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	600	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	600	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = -100 мА	30	55	120	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 400 мА, lb = 80 мА	-	0,35	1,0	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =10 В, lc = 50 мА	-	28	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	30	-	пФ
Ton	Время включения	lc = 0,5 А, Vce = 250 В, RI = 500 Ом	-	0,1	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,2	-	мкс
С3632	м	L	К
hFE	30.60	40 80	60 . 120
116 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления с автономным питанием.
-	Маркировка: R62.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см +I со см
И' 2И_ 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	5	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25°С	-	-	0,05	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 0,25 мА	50	100	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 1 мА	-	4,0	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 1 мА, f= 1 ГГц	4	6,5	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 1 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,4	0,6	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 250 мкА, f=1 ГГц	-	3,0	4,5	ДБ
транзисторе выебкой скоростью
Особенности: - Прибор разработан для использования	Корпус SC-59 (EIAJ)	
	Вывод	Назначение
в каскадах усиления ВЧ- сигналов	1	База
и ключевых схемах.	2	Эмиттер
- Комплементарная пара с 2SA1461.	3	Коллектор
		
- Маркировка: В + двузначное число,		
соответствующее значению параметра hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	- •	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	0,12	0,3	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = -10 мА	75	200	300	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 20 В, le= 10 мА	300	510	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	3,0	4,0	пФ
Ton	Время включения	lc = 10 мА, Vce = 3 В	-	0,07	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,25	-	мкс
в	22	23	24
hFE	75...150	100...200	150...300
Транзисторы производства NEC 117
О	К $ Мвейййевый ЙРН дпи^акси^ьныО^й^	Ывыс^крЙ^коростьЬ"
>перейл!очения/''\<г/'''	V У*:: ?'^,': £’\и ?/' С .>,
Особенности: - Прибор разработан для использования	Корпус SC-59 (EIAJ)			зЦ			см
	Вывод	Назначение			
в ключевых схемах.	1	База			о +I
- Комплементарная пара с 2SA1462.	2	Эмиттер			со см
- Маркировка: В + двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.	3	Коллектор		й1 2Ь_		:
				2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -8 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	40	90	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,15	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е=10мА	500	750	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,8	4,0	пФ
Ton	Время включения	-	-	8	12	нс
Tof	Время выключения		-	12	18	мкс
В	33	34	35
Ьре	40.80	60 .120	100. 200
' кРемниевь|й NPN эпитаксиальный транзистор средней мощности с, высокой скоростью ;	Л;	«'пеР9хл1оч;ения'’'х;	( .	- S'7« u йлХ'А>,								
мсооенности:	лхирпус OV-Uil				f				
- Прибор разработан для использования	Вывод	Назначение					1Л	
в выходных усилительных каскадах	1	База					C\J_	
и ключевых схемах.	2	Коллектор						
- Комплементарная пара с 2SA1463. - Маркировка: О + буква,	, соответствующая значению hFE	3	Эмиттер			\ /			
	Корпус	Коллектор		-П-	1 г	-тг				
				из LJ2 LJ1 4,5±0,1				
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	45	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = 500 мА, 1b = 50 мА	-	0,17	0,4	В
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 50 мА	60	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е=100мА	300	380	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	6,7	10	пФ
Ton	Время включения	lc = 500 мА, Ib1 = -IЬ2 = 50 мА	-	0,02	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,072	-	мкс
О	L	К
Ьре	60 120	100 200
118 Транзисторы производства NEC
Особенности: - Прибор разработан для использования	Корпус SC-59 (EIAJ)	
в каскадах усиления ВЧ-сигналов и ключевых схемах. - Комплементарная пара с 2SA1464.	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
- Маркировка: В + двузначное число,		
соответствующее значению параметра hFE.
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 40 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 50 мА	-	0,25	0,75	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 150 мА	75	160	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 20 мА	200	400	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц	-	3,5	8	пФ
Ton	Время включения	lc = 150 мА, 1Ы =-Ib2 = 15 мА Vce = 30 В	-	0,035	-	мкс
Tof	Время выключения		-	0,275	-	мкс
в	12	13	14
hFE	75 . 150	100...200	150 300

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах тюнеров телевизионных приемников, также может использоваться в малогабаритной аппаратуре и в составе гибридных ИС.
-	Малая выходная емкость.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
	см о" +I со сч
И1 2И1 2,9±0,2	
-	Маркировка: Т + двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, 1е = 0	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	« Vce = 10 В, lc = 5 мА	40	100	200	-
Vcesat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,09	0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 5 мА	2,5	4,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,85	1,5	пФ
Т	62	63	64
hFE	40 ..80	60 ..120	100...200
Транзисторы производства NEC 119
5s!p409F
fs Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
, /' ''	' ??О -I- , 's'V'*Х'-Л' л '-'А "S ч д >Ч\	,v„<
Особенности: - Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей. - Маркировка: R + цифра, соответствующая значению параметра h^.	Корпус SC-61 (EIAJ)			ГЬ г| I	
	Вывод	Назначение			+0,2 2,8-0,3
	1	Коллектор			
	2	Эмиттер			
	3	База		U4 3Uj 2,9±0,2	
	4	Эмиттер			
Предельно допустимые и основные электрические параметры					
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	70	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, 1с = 20 мА	40	-	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 20 мА	-	6	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 10 В. le = 20 мА, f= 1 ГГц	-	14,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,55	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 10 В, le = 5 мА, f= 1 ГГц	-	1,5	3,0	ДБ
R	4	5
hFE	40 120	100 200
.	- •:: X'	^xt-i	х <„' .. <	> х "-ЛЛ ,	: -д	£Й«Й V	fx/V £v	д»	> * j	'	' -	> х>.Г* ' ' ,*(> i,W> , > . .,	” ¥'-	-	'	,	, ' S' « .,'" J >
2SC4093 Кремниевый эпитаксиальный высокочастотныймалошумящий транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
- Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 20 мА	50	120	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = 20 мА	-	7	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 10 В, le = 20 мА, f= 1 ГГц	-	14,5	-	ДБ
Cre ,	Проходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,6	0,95	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 10 В, le = 7 мА, f= 1 ГГц	-	1,1	2,0	ДБ
R	26	27	28
hpE	50 100	80 160	125 250
120 Транзисторы производства NEC
Особенности:	Корпус SC-61 (EIAJ)				ГТ г| |	
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей. - Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.	Вывод	Назначение			cxj со o' о + 1 со см
	1	Коллектор			
	2	Эмиттер			
	3	База		U4 3Uj 2,9±0,2	
	4	Эмиттер			
Предельно допустимые и основные электрические параметры					
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	-	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА	-	9	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1 ГГц	-	17	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,25	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,2	2,0	ДБ
R	36	37	38
hFE	50.. 100	80 160	125. 250
'* ,	<4 Ц	О	- --	г -. л	, ^чЛ'-< '' '	г * ** ^	- ' ' * JW А ' < *	* > "	>' Z * *
2Sg4095 ?Г:,Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo .	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 10 мА	50	-	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 10 мА	-	10	-	ГГц
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 6 В, 1е=10мА, { = 2ГГц	-	12	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,25	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = 5 мА, f=2TR4	-	1,8	3,0	ДБ
R	46	47	48
hFE	50...100	80. .160	125...250
Транзисторы производства NEC 121
1 Кремниевый МРЙ нйз|фчастотный мало!ЙО1Цный транзистбр общего применения I
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Маркировка: L + двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	12	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	150	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 10 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 1 мА	1000	1800	3200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	0,07	0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = 1 мА, Vce = 5 В	-	0,56	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, 1е= 10 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	3,0	-	пФ
L	17	18
hFE	1000 2000	1600 3200
NPN низкочастотныймалбмощный транзистор общего применения
,,2§g41
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Маркировка: L + двузначное число, соответствующее значению параметра hFE.
SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зН	
	2,1 ±0,1
’Ы 2И_	
2,0±0,2	
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	150	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 10 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 1 мА	1000	1800	3200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	0,07	0,3	В
Vbe	Напряжение Б-Э	lc = 1 мА, Vce = 5 В	-	0,56	-	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 10 мА	-	250	' -	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	3,0	-	пФ
L	15	16
hFE	1000 . 2000	1600 3200
122 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей.
-	Маркировка: Т + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
И 
Н"....щ
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4,5	В
' lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce.sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	60	-	220	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 5 мА	-	1,1	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f= 1 ГГц	-	0,9	1,2	пФ
Т	32	33	34
hFE	60 105	85 150	120 220
А %	Ху»	J ' i <	Л	^>4 - х »	<	~	- z
2SC4183	Кремниевый NPN эпитаксиальныйвысокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:	Корпус SC-70 (EIAJ)	
- Прибор разработан для работы в схемах усиления ВЧ-сигнала.	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
- Малая проходная емкость.	3	Коллектор
- Маркировка: U + двухзначное число,		
соответствующее значению параметра hFE.
—зВП
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo *	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	160	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 2 мА	80	100	240	-
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 ГГц	-	0,55	1,0	пФ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 2 мА	-	1,0	-	ГГц
Gp	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 2 мА, f=0,9 ГГц	6,0	10,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 2 мА, f=0,9 ГГц	-	3,0	4,8	ДБ
и	16	17	18
hFE 60 .120	90, .180
120. 240
Транзисторы производства NEC 123
2SC4184 Кремйиевый HPN эпитаксиальный вь1с6кочастотнь1й транзистор
'у ,> -Лу-'-	' 's 'л ' >>	\	' А ~	,V'<' ‘	' ', г/ •.,
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей.
-	Маркировка: Т + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	-	0,5	В
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	40	100	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 5 мА	1,2	1,8	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,55	1,2	пФ
Т	42	43	44
hfE	40 80	60 120	100 200
2SC4185 Кремниевый HPN эпитаксиапьныйвысокочастотный транзистор
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей.
-	Маркировка: U + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,1 ±0,1
ia 2t± 2,0±0,2	I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	14	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора		-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	-	0,5	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	40	100	180	-
^T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 5 мА	1,5	2,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,6	1,3	пФ
и	21	22	23
hpE	40 80	60 120	90 .180
124 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей.
-	Маркировка: Т + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,09	0,5	В
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	40	100	200	-
ft	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1с = 5мА	2,5	4,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f=1 МГц	-	1.0	1,8	пФ
Т	62	63	64
Ьее	40 ..80	60 .120	100...200
мадоШумящий' низковольтный
I Stiffs
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах електронно-оптических приборов в качестве малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R6 + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зО
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-		-	5	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°Q	-	-	0,05	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 250 мкА	50	100	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb= 1 В, le = 1 мА	-	4,0	\	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce =1 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,5	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce =1 В, lc = 1 мА, f = 1 ГГц	4,0	6,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 250мкА, f= 1 ГГц	-	3,0	4,5	ДБ
R6	А	В	С
hFE	50 . 100	80 ..160	125.. 250
Транзисторы производства NEC 125
О Q if* JlO ОД	Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор ,
Дм' чд	А> s . I' ,V>	А> у*	*s
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах высокочастотных малошумящих усйлителей.
-	Маркировка: R + цифра,
соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зИ	
	о" +1 оГ
И 2tL 2,0±0,2	
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	70	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 20 мА	40	80	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 20 мА	-	4,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,2	1,8	пФ
lS21ef	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 20 мА, f= 1 ГГц	7,5	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 5 мА, f= 1 ГГц	-	1,5	3,0	ДБ
R	2	3
Ире	40 120	100 200
2SC4226 ; Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее параметру hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
	2,1 ±0,1
’И 2t±	
2,0±0,2	
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	40	110	250	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,7	0,15	пФ
MAG	Максимальный коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1 ГГц	-	15	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f=1 ГГц	-	1,2	2.5	ДБ
R	23	24	25
hFE	40 80	70 140	125 250
126 Транзисторы производства NEC
трайзистрр^
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее параметру hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	40	-	240	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,45	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f=1 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
R	33	34	35
Ире	40 90	70. .150	110.. 240

малощумящийтранзистор - ' /
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее параметру hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	о" +I см
’Ы 2tL 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера4	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	50	100	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 5 мА	5,5	8,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f=1 МГц	-	0,3	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 5мА, f=1 ГГц	-	1,9	3,2	ДБ
R	43	44	45
hfE	50...100	80...160	125...250
Транзисторы производства NEC 127
2SC4331-Z
кр'емй'^евый. ййзкочйсто^	£ высокЖД|У#&-|
стью переключения :	, >;‘	< % ХУД Л Д Л; Д' 5 г
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: С4331 + буква М, L или К, в зависимости от значения от параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
i !	
2	
,й USt	
6,5±0,2	
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				10	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, 1с = 1000 мА	100	200	400	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 3,0 A, lb= 150 мА	-	-	0,3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 3,0 A, lb= 150 мА	-	-	1,2	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 500 мА	-	150	-	МГц
Ton	Время включения	lc = 3,0 А, 1Ь1 = -1Ь2 = 150 мА, Vcc = 50 В, RI = 17Om	-	-	0,3	мкс
Tstg	Время установления		-	-	1,5	мкс
С4331	М	L	К
hFE	100 200	150 300	200 400
_ Кремниевый NPN низ1«$ча£т<>йы^
чстьк> переключения	,/ Л
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в ключевых схемах, а так же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: С4332 + буква М, L или К, в зависимости от значения от параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				10	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 1000 мА	100	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 3,0 A, lb= 150 мА	-	-	0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 3,0 A, lb= 150 мА	-	-	1,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =10 В, 1е = 500 мА	-	150	-	МГц
Ton	Время включения	lc = 3,0 А, IM =-!Ь2= 150 мА, Vcc = 50 В, Rl = 16,7 Ом	-	-	0,3	мкс
Tstg	Время установления		-	-	1,5	мкс
С4331	М	L	К
hFE	100 .200	150 ..300	200..400
128 Транзисторы производства NEC
2ЭС4§36Й	транзистор ''>:;'
v,~"< f - s	'Л	''	*>( <''<?'	, ^.7 "* '	-Л/^' ч ' <4 Ч 'v " ' ' '	S	s" ' ,	* , s х Д '
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей СВЧ- диапазона.
-	Высокая граничная частота.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: Q + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	250	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = 20 В, le = 0	-	-	5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 50 мА	40	-	200	-
NF	Коэффициент шума	Vce = 10 В, lc = 50 мА, f = 0,5 ГГц Vce = 10 В, lc = 50 мА, f= 1,0 ГГц		1,5 2,0		ДБ ДБ
IM2	Интермодуляционные искажения, 2-я гармоника	Vce = 10 В, lc = 50 мА. Rs = RI = 75 Ом		59		ДБ
Q	Q	R	S
Ьре	40 80	60 120	100. 200
2SC4570
кремниевый NPN эпитаксиальный низковольтный высокочастотный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей .
-	Маркировка: Т + двухзначное число, соответствующее значения параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зИ	
	о" +I оГ
’И 2tL 2,0±0,2	—
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,12	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = Ю мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	40	100	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	-	5,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = ЗВ, le = 0, f=1 ГГц	-	0,7	0,9	пФ
Т	72	73	74
hFE	40 80	60 120	100 .200
Транзисторы производства NEC 129
^SC4?57'1'' ^ кремниевый NPN эпйтаксйЙ1ьй211й высокрчартотныйтранзистор i
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей .
-	Маркировка: Т + двухзначное число, соответствующее значения параметра hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	60	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,12	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	40	100	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	-	5,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = ЗВ, le = O,f=1 ГГц	-	0,9	1,2	пФ
Т	75	76	77
hFE	40 80	60 120	100 200
> > у -« Л	’	.. ад *	ад/' х У " yi ~ад- Л ..	у >' V '•'Г>
. О О Г4 Л 7 Л Q 5 Кремниевый NPN эпитаксиальныйвысокочастотныймалошумящий транзистор

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в телевизионной технике и в аппаратуре телекоммуникации.
-	Маркировка: S + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	150	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1,8	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	1,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	0,03	1,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 50 мА	50	-	250	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 50 мА	-	6,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vce = 5 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	1,5	2,5	пФ
|S21e|Z	S-параметр	Vce = 5 В, lc = 50 мА, f=1 ГГц	6,5	8,3	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 5 В, le = 50 мА, f=1 ГГц	-	2,3	3,5	ДБ
S	Н	F	Е
hFE	50 .100	80...160	1025..250
130 Транзисторы производства NEC
^ЯШ^Х^^ЖтранзисТор:;
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах высокочастотных малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R13.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зИ	
	2,1 ±0,1
’b 2d 2,0±0,2	
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	13	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,12	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce^sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = Ю мА	-	0,3	-	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	60	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	2,5	3,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = O,f= 1 МГц	-	0,8	1,2	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f= 1 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 5 В, lc = 5 мА, f=1 ГГц	-	3,0	3,0	ДБ
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т82.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЩ	
	см о со см“
И1 2tL 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,06	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	75		150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 5 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
|S2ie|Z	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 5 мА, Т=2ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Г=2ГГц	-	2,5	4,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 131

Особенности:
-	Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т83.	-
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,18	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S2-|ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 10 мА, Г=2ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
2SC4956 Йремниовый NPN эЙ^таксиадьный низковольтный 4 высркбчасл'Отный малошумящий >
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т82.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
гь	2| I	
		+0,2 2,8 -0,3
II4	3Ui	
. « 2,9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,06	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 5 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f=1 МГц	-	0,2	0,4	пФ
is2ier	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 5 мА, f=2FR4	9	11	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, f=2n“4	-	2,5	4,0	ДБ
132 Транзисторы производства NEC
нЭДый * вь|сбкочййтртный' мйлощуйящий'
Особенности:
- Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
- Малая проходная емкость.
- Маркировка: Т83.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора		-	-	*30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,18	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	150	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = ЗВ, 1е=10мА, {=2ГГц	9	11	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Кр^1иейыЯзЙрЙf/эпи^адштдеый низковольтный высоко^аслЬтный малошумящий ,транзистор ?	г—;? 1 - J -J'	.
Особенности:
- Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
- Малая проходная емкость.
- Маркировка: Т82.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,06	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	75	-	150	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 5 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f=1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
|S2ie|'	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 5 мА, (=2ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Г=2ГГц	-	2,5	4,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 133
Q Ct Г* Л Q CQ	Кремниевый NPN эпитаксиальный низковольтный высокочастотный малошумящий
.транзистор, v ''V*
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т83.
Корпус SC-70(EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
30
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, le = 10 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 Маб f= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S2le|Z	S-параметр	Vcb = ЗВ, 1е= 10 мА, Г=2ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Ж5Ж
Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: 77
Корпус SC-75(EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	60	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = Ю мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	60	-	120	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	3,0	5,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,9	1,2	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 5 В, le = 5 мА, f=1 ГГц	5	i*	-	ДБ
134 Транзисторы производства NEC
Особенности:									
- Прибор разработан	Корпус SC-75(EIAJ)			3					
для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей. - Малая проходная емкость.	Вывод	Назначение							о +i ю
	1	База							
	2	Эмиттер							
	3	Коллектор		у, 2					
- таркиривка. / э.				1,6±0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	80	-	120	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	3,0	5,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 5 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,7	0,9	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 5 В, le = 5 мА, f= 1 ГГц	5	-	-	ДБ

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: 24.
Корпус SC-75(EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3					
					о +I со
Н1		2			
1,6±0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	80	-	160	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,7	0,9	пФ
|S21e|z	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f=1 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 135

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: 34.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	80	-	160	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,45	0,9	пФ
|S2ief	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f= 1 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: 44.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1,6±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	-Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	80	-	160	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 5 мА	5,5	8,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 5 мА, Г=2ГГц	5,5	7,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 5 мА, 1=2ГГц	-	1,9	3,2	ДБ
136 Транзисторы производства NEC
Кремниевый ЫШ^и^кс»ю^нв1Й|^и31ф8ольтнь1и высокочастотным малошумящий;
Особенности: - Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах. - Малая проходная емкость. - Маркировка: 82.		Корпус SC-75 (EIAJ)				—				*		
		Вывод	Назначение			о				
		1	База					о +I со		
		2	Эмиттер							
		3	Коллектор							
						Н’ =	>			
						1,6±0,1				
Предельно допустимые и основные электрические параметры										
Символ	Параметр			Условия		Мин. значение	Тип. значение		Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-		-	-		9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-		-	-		6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-		-	-		2	В
lc	Ток коллектора			-		-	-		10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе			Т = 25°С		-	-		0,06	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора			Vcb = 5 В, le = 0		-	-		0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера			Veb = 1 В, lc = 0		-	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ			Vce = З В, lc = 5 мА		75	-		150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания			Vcb = 3 В, le = 5 мА			12		-	ГГц
Cre	Проходная емкость			Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц		-	0,3		0,5	пФ
|s21ef	S-параметр			Vcb = 3 В, le = 5 мА, (=2ГГц		7	8,5		-	ДБ
NF	Коэффициент шума			Vcb = 3 В, le = 3 мА, Т=2ГГц		-	2,5		4,0 .	ДБ
?; Кремниевый NPN эпитаксиальныйнизковольтный высокочастотный малошумящий
„транзистор?;, г,\<4	/ ,	' Л -
IsWW а ' <	"	' > > ^ >> UV' г г <
Особенности: - Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах. - Малая проходная емкость. - Маркировка: 83.		Корпус SC-75 (EIAJ)				•			—	
		Вывод	Назначение			о				
								о +I со		
		1	База							
		2	Эмиттер							
		3	Коллектор							
						Н1 !	>			
						1,6±0,1				
Предельно допустимые и основные электрические параметры										
Символ	Параметр			Условия		Мин. значение	Тип. значение		Макс, значение	Еди ни-цы
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-		-	-		9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-		-	-		6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-		-	-		2	В
lc	Ток коллектора			-		-	-		30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе			Т = 25°С		-	-		125	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора			Vcb = 5 В, le = 0		-	-		0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера			Veb = 1 В, lc = 0		-	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ			Vce = 3 В, lc = 10 мА		75	-		150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания			Vcb = ЗВ, le = 10 мА		-	12		-	ГГц
Cre	Проходная емкость			Vce = 3 В, le = 0 мА, ' f= 1 МГц		-	0,4		0,7	пФ
|S2ie|z	S-параметр			Vcb = 3 В, le = 10 мА, f=2rR|		7	8,5		-	ДБ
NF	Коэффициент шума			Vcb = 3 В, le = 3 мА, { = 2ГГц		-	1,5		2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 137
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
- Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
Hfe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 20 мА	50	120	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 20 мА	-	6,5	-	ГГц
|s21er	S-параметр	Vcb =10 В, le = 20 мА, f= 1 ГГц	11	13	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,5	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb=10B, 1е = 7мА, f = 1 ГГц	*	1,1	2,0	ДБ
R	26	27	28
Ьре	50 100	80 160	125 250
2SC5012/?“”"“"^
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
- Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
ГЬ гП
U4 31_1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = О	-	-	1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	-	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА	-	9	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f= 1 ГГц	13	15	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,25	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f= 1 ГГц	-	1,2	2,0	ДБ
R	36	37	38
hpE	50 .100	80 160	125. 250
138 Транзисторы производства NEC
ВЬ Wjf	шумящий транзистор.
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Маркировка: R + двухзначное число, соответствующее значению параметра hFE.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
.□.1.?д
mi
2,0+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 10 мА	50	-	250	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 10 мА	-	10	-	ГГц
|s21ef	S-параметр	Vcb = 6 В, le = 10 мА, Т=2ГГц	7,5	9,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,25	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = 5 мА, (=2ГГц	-	1,8	3,0	ДБ
R	46	47	48
Ьре	50 100	80 ..160	125 ..250
''пС*/*£А4)1< кремниевый NPN эпитаксиальныижйзковольтнЫй высокочастотный малошумящий
^РЧ^Ц'ЛЙШ'зрензиЙор V;>'V л	4 5
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т82.
Корпус SOT-343 (Outline version)
El__гД
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
2,0+0,2
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	w	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	60	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 5 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,2	0,4	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 5 мА, Г=2ГГц	9	11	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	2,5	4,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 139
Особенности:
- Прибор разработан для работы в радиочастотных схемах.
- Малая проходная емкость.
- Маркировка: Т83.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
ГЬ 2П
mi
2,0±0,2
сч
CD +1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, le = 10 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 10 мА, Т=2ГГц	9	11	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
(Г.данзйстер';,? X'XJv.X. J:/а.
Особенности:
- Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т84.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	30	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
|s2ier	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 7 мА, f=2m4	7,5	9	-	ДБ
|S21e|z	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 5 мА, f=2nT4	7,0	8,5	-	ДБ
f?	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	-	13	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 B, le = 0 mA, f= 1 МГц	-	0,5	0,6	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 B, le = 3 mA, {=2ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
140 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т84.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	30	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
|S21ef	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 7 мА, Т=2ГГц	9,5	11,5	-	ДБ
|S2le|Z	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 5 мА, Т=2ГГц	7,5	10,5	-	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	10	13,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, Г = 2ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
ЙЙСмалошумящий" |
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т84.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	30	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
IS21.I2	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 7 мА, Т = 2ГГц	7,5	9	-	ДБ
|S21e|Z	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 5 мА, Г = 2ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	10	13	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,4	0,6	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 141
Кремниевый транзийрр.А
НВЙ	РкояастЙ'ньй малошумящий
' МлЛЛЛЛ. 'ЛЛ: ••• ^
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т84.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
ГЬ гП
LI4 3L1
2,0+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	30	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
|s2i.r	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 7 мА, (=2ГГц	10	12	-	ДБ
|S21ef	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 5 мА, Г=2ГГц	8,5	11	-	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	12	15,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, (=2ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Кремниевый NPN эпитаксиальныйнизковольтный высокочастотныймалошумящий
%Цфанзи€ТС>р'>< ; ' ;	: ЛЛ:. Л Л'^ЛЛЛ Л,: ЛЛ’'Л> ЛЛ J
Особенности: -	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне. -	Малая проходная емкость. -	Маркировка: 84.	Корпус SC-75 (EIAJ)			з —	
	Вывод	Назначение			о +i со
	1	База			
	2	Эмиттер			
	3	Коллектор			
				Н’ 2Н_	
					
				1,6±0,1	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	30	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
|S21ef	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 7 мА, Т=2ГГц	8,0	10,5	-	ДБ
|S2ie|Z	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	7,0	9	-	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	10	13	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
142 Транзисторы производства NEC

Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т86.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см о" +i со см
d1 2d_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
|S21e|2	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
|S21e|2	S-параметр 2	Vce = 1 В, lc = 10 мА, (=2ГГц	6,0	7,5	-	ДБ
C	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
ч ОС5 Ж®Й	х НрфдиевыЙ.	й'йзковолВтй^Й; высокочастотный малошумящий
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т86.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
|s21er	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	7,5	10	-	ДБ
|S2ief	S-параметр 2	Vce = 1 В, lc = 10 мА, Г=2ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9,5	12,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,6	пФ
Транзисторы производства NEC 143
ЛА Кремниевый ЫРЫэпитаксиальныйнизковольтный высокочастотный малошумящий
>wvPs 1<?*г /транзистор ; л/',л	'/С ^'7/ ; ; ‘/Л^ '/'\
Особенности:
- Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
- Малая проходная емкость.
- Маркировка: Т86.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—I	
	о" +I Л-
’И 2И. 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	.0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
|S21e|Z	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
|S2ie|Z	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 10 мА, Г=2ГГц	6,0	7,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	11	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
М'С Jf* К Ч ft К ? ^Кр^мниевь!й' NPN. зрйтакЫшл^ййй низкряой|тный ? в^Окр^ОтОШый/ малошумящий %	У*? Шйнзистор .	’1;;,' :5-’ :	'У-/
Особенности:
- Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
- Маркировка: Т86.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	• Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70		140	-
|S2ie|Z	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	8	11	-	ДБ
|S2ie|2	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 10 мА, (=2ГГц	7,5	9	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	10	13	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,3	0,6	пФ
144 Транзисторы производства NEC
Особенности: - Прибор разработан для работы	Корпус SC-75 (EIAJ)			з_—			
	Вывод	Назначение				
в СВЧ-диапазоне.	1	База				
- Малая проходная емкость.	2	Эмиттер				S
- КЛяпт^иплшгя" Я6	3	Коллектор				ч.
IVlCLIJIxrl Е/	Uv,				Н'	2_	
				1,6±0,1		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
|S21elZ	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, (=2ГГц	8,5	10	-	ДБ
|S2ie|Z	S-параметр 2	Vce = 1 В, lc = 10 мА, Г=2ГГц	6,0	7,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, (=2ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	11	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ

Особенности:
-	Прибор разработан для работы-в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: 88.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЩ	
	о" +I со схГ
И1 2И_ 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
|S21e|z	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, (=2ГГц	2,5	3,5	-	ДБ
|S21ef	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, ( = 2ГГц	-	6,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
' fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 3 мА		4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,75	0,85	пФ
Транзисторы производства NEC 145
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т88.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
ГЬ 2ГГ
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-		100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
IS21.I2	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, (=2ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
|S21e|Z	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	-	8	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания \	Vcb = 1 В, le = 3 мА	4,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,65	0,8	пФ
" Кремниевый |MPN эпитаксиальный низковольтный высокочастотный малошумящий ;
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т88.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЩ	
	+f с\Г
’И 2t± 2,0+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
|S21ef	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, 1	{=2ГГц	2,5	3,5	-	ДБ
W	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, (=2ГГц	-	6,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, {=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 3 мА	4,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce =1 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,75	0,85	пФ
146 Транзисторы производства NEC
Особенности:
- Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т88.
Корпус SOT-343 (Outline version)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
|S2ie|z	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, ( = 2ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
|S2ie|2	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, Т=2ГГц	-	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 3 мА	4,0	5,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	' Vce =1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,65	0,8	пФ
.. х	х> *8x5? $>• л
2SC5195
£ У *	>	4 У	-
; Кремниевый NPN йитйси^ьиы^^^	малошумящий
транзистор > Л? \	f 4 М4	М
Особенности:
- Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
- Малая проходная емкость.
- Маркировка: 88.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на колле1доре	T = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
|s21ef	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
|S2ie|Z	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	-	8,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 3 мА	4,5	5,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 1 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,7	0,8	пФ
Транзисторы производства NEC 147
Кремниевый НРД	вйс^кочастотнй|ймалошумящйй
Д транзистор	4	Д	С \
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т89.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
гь	2	
		см «2. о“о +  со OJ
LI4	3Lll	
2,9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	150	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	2,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	2,5	мкА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3,6 В, lc = 100 мА	60	-	-	-
|S21ef	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, (=2ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
|S2ie|Z	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	-	8	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 3 мА	4,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,65	0,8	пФ
1 jf*	\ Кремниевый NPN эпитаксиарь^Цй низковольтный высокоча<ргртный малошумящий
ХмуЭ&ОЗ транзисторДД; kfiW * Ж?1 f'' ::* * \
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т90.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	 Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	2,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	.2,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3,6 В, lc = 200 мА	60	-	-	-
|S21ef	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
|s21ef	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА/ f=2rR|	-	8	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 3 мА	4,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,65	0,8	пФ
148 Транзисторы производства NEC

Особенности:	Корпус SC-62 (EIAJ)		
- Прибор разработан для исполь-зования в телевизионной технике. - Версия прибора 2SC3357 с улучшенными параметрами - Маркировка: R + буква,	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Коллектор
	3	Эмиттер
	Корпус	Коллектор
		
соответствующая значению параметра Ьге.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора		-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1,2	Вт
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 20 мА	50	120	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 20 мА	-	6,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,5	0,8	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 10 В, lc = 20 мА, f = 1 ГГц	-	12	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb =10 В, le = 40 мА, f= 1 ГГц	-	1,8	3,0	ДБ
R	Н	F	Е
hFE	50 100	80 . 160	125 250
2SC5337 ‘j / Йр^ниевы||^	транзистор
'-Z.-	1	z? >‘а' "5^??a4'\V .1	'	'-	\	i s
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в телевизионной технике и в аппаратуре телекоммуникации.
-	Маркировка: Q + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	250	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 50 мА	40	120	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 20 мА	-	6,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,5	0,8	пФ
is21.r	S-параметр	Vce =10 В, 1с = 50мА, f= 1 ГГц	7,0	8,3	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb =10 В, le = 50 мА, f=1 ГГц	-	2,0	3,5	ДБ
Q	Q	R	S
	40...80	60...120	100...200
Транзисторы производства NEC 149
? 2S(>533JJ ' ' Кремниевый^Рн'эпйт^^
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в телевизионной технике и в аппаратуре телекоммуникации.
-	Маркировка: S + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,5	В
lc	Ток коллектора	-		-	150	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1,8	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	1,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 50 мА	50	-	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 50 мА	-	6,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,5	0,8	пФ
|S21e|Z	S-параметр	Vce = 5 В, lc = 50 мА, f = 1 ГГц	8,5	10,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 5 В, le = 50 мА, f= 1 ГГц	-	-	3,5	ДБ
S	Н	F	Е
ЬрЕ	50 100	80 160	1025 250
2SC5369
Кремниевый NPN эпитаксиальный низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор	г '	ЛТиЧС-Д >' jj?; г;	\ Э
Особенности:
- Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
- Малая проходная емкость.
- Маркировка: Т95.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1, 2, 4, 5	Эмиттер
3	База
6	Коллектор
зН fl Л
	о" +I с<
4Ы =Ы 6Ш	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc =10 мА	80	-	160	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	14,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce =1 В, le = 0 мА f=1 МГц	-	0,15	0,25	пФ
|S2ie|z	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 10 мА, (=2ГГц	12,0	14,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,3	2,3	ДБ
150 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: TIE.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1,2, 4,5	Эмиттер
3	База
6	Коллектор
зН 2Н iH	
	о" +I схГ
4Ы =Ы “И- 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	30	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
|S2ie|z	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 7 мА, Т=2ГГц	13	15,5	-	ДБ
. NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,1	1,8	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	13	16	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,2	0,3	пФ
^емни|вый^высокочастотный малошумящий
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т97.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1,2, 4,5	Эмиттер
3	База
6	Коллектор
зН 2Н iR
4Ы 5Ы 6Ы
2,0+0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Hfe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
|S21ef	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 7 мА, Г=2ГГц	13	15,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,1	1,8	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	-	17	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 2 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,1	0,15	пФ
Транзисторы производства NEC 151
Хремийев^й	^ЙР&чаУртр^?Жйзйстор.' 5 :ДJ
л - 
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-генераторов и смесителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т + буква, соответствующая значению параметра h^.
Корпус Ultra super mini-mold thin flat (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	60	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	60	-	120	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	3,0	4,3	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,6	1,2	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 5 В, le = 5 мА, f=1 ГГц	5	-	-	ДБ
Т	А	В
hFE	60 .90	80 120
?	QIfMRM о О	Кремниевый NPN эпитаксиальный	малошумящий высокочастотный
v	 ,.транзис^р,.г.;г<	/-
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т + буква,соответствующая значению параметра hFE.
Корпус Ultra super mini-mold thin flat (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	80	-	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f= 1 ГГц	-	10,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f=1 ГГц	-	1,4	2,5	ДБ
Т	С	D
hFE	80 . 110	100...145
152 Транзисторы производства NEC
Особенности:	Корпус Ultra super - Прибор разработан для исполь-	mini-mold thin flat (NEC)				3			L LD		
								о_ о" +I ।
зования в схемах вн-усилителеи. -	Малая проходная емкость. -	Маркировка: Т + буква, соответствующая значению параметра hFE. Предельно допустимые и основные электр>	Вывод	Назначение						
	1	База						
	2	Эмиттер		U’ 2				
	3	Коллектор						
	«ческие параметры			1,4+0,1				
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	V -	-	125	мВт
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	80	-	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,45	0,9	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f= 1 ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
Т	Е	F
hFE	80 110	100 ..145
'' *’ Кремниевый	низковольтный малошумящий: высокочастотный
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус Ultra super mini-mold thin flat (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	' Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	80	-	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 5 мА	5,5	8,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,3	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 5 мА, (=2ГГц	5,5	7,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 5 мА, f=2TRj	-	1,9	3,2	ДБ
Т	. н	J
hFE	80...110	100...145 .
Транзисторы производства NEC 153
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т + буква, соответствующая значению параметра hpE.
Корпус Ultra super mini-mold thin flat (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1,4±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	140	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|s21er	S-параметр	Vcb = ЗВ, 1е=10мА, (=2ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Т	К	L
Ьге	75 110	100 140

Особеннсти:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т + буква, соответствующая значению параметра
Корпус Ultra super mini-mold thin flat (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1,4±0,1
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	130	-
|S21.|Z	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	8,5	10	-	ДБ
|s2ier	S-параметр 2	Vce =1 В, lc = 10 мА, Г=2ГГц	6,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,4	2,0	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	14	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
Т	N.	Р
hre	75.. 100	90 ..130
154 Транзисторы производства NEC

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т + буква, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус Ultra super mini-mold thin flat (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6 *	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 3 мА	80	-	145	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 1 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,7	0,8	пФ
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 3 мА	4,5	5,0	-	ГГц
|S2,.|Z	S-параметр 1	Vce =1 В, lc = 3 мА, Т=2ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
|s2ier	S-параметр 2	Vce = 3 В, lc = 20 мА, Г = 2ГГц	-	8,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, Т=2ГГц	-	1,7	-	ДБ
Т	S	Т
hFE	80...110	100...145
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: R54.
Корпус SC-61 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 20 мА	75	-	150	-
|S21.r	S-параметр 1	Vce = 3 В, lc = 20 мА, 7=2ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 5 мА, f=2Tr4	-	1,5	2,5	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 20 мА	-	14,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
Транзисторы производства NEC 155
t^lPWW4	г~
Особенности:
-	Прибор разработан
для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: R55.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 30 мА	75	-	150	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 20 мА	-	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,5	0,7	пФ
|s21ef	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 30 мА, Г=2ГГц	8,0	10,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 7 мА, Г=2ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
и» Л’у > '< :>Йфемнйевь^^	ГйЙзкойсйьтныи' м^йющумйщий Уысокочаст^тйьгй^;
т^М8¥и#^<Р9нзистор Л\д.: Ж-ЛЛЛЛ	Лг£? 'УЛ- <
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах . ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т78.
Корпус Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	Эмиттер
4	База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	12	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	39	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0		-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	70	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,08	0,12	пФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	20,0	25,0	-	ГГц
|S21e|z	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 5 мА, Т=2ГГц	14,0	17,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 2 мА, Т = 2ГГц	-	1,2	1,5	ДБ
156 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т79.
Корпус Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	Эмиттер
4	База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	115	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,2	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	70	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,18	0,24	пФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 30 мА	20,0	25,0	-	ГГц
|s2ier	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	14,0	17,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 5 мА, Г=2ГГц	-	1,1	1.5	ДБ
" 1фейние<ыйгШ эпитаксиальныйнизковольтный малошумящий высокочастотный
:	транзистор/:	"</7/ '	. /^ . >
Особенности:
-	Прибор разработан для использования
в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Т80.
Корпус Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	Эмиттер
4	База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 10 мА	50	70	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,5	0,75	пФ
^T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 90 мА	13,0	15,0	-	ГГц
|S2ieP	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 50 мА, (=2ГГц	8,0	11,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 10 мА, Г=2ГГц	-	1,2	1,7	ДБ
Транзисторы производства NEC 157
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: UA.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3					
					о +I со
н1		2			
1,6±0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	115	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	70	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,21 .	0,3	пФ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	-	21,0	-	ГГц
|S21e|Z	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Т=2ГГц	10,0	12,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 5 мА, Г=2ГГц	-	1,2	1,5	ДБ
S2SC5614::
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: С + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	140	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce - 3 В, lc = 7 мА	80	-	145	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
is2i.|2	S-параметр	Vcb = 3 В, te = 7 мА, f=1 ГГц	7,0	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
						
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, Г=2ГГц	-	1,4	2,5	ДБ
С	1	2
I1FE	80 .110	100...145
158 Транзисторы производства NEC
.Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: D + цифра, соответствующая значению параметра h^.
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	,Т = 25°С	-	-	140	мВт
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	80	-	145	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
|S2ie|Z	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f=1 ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	-	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, Т=2ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
D	1	2
Ьре	80.. 110	100. .145
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Y + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
о о_:
+0,1 о'
1,0 -0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	140	мВт
Ьге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	140	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, 1е= 10 мА	-	' 12,0	-	ГГц
|s2ier	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 10 мА, f = 1 ГГц	7,0	11,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, Г=2ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Y	1	2
Ьге	75...110	95 . 140
Транзисторы производства NEC 159
. Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: W + цифра, соответствующая значению параметра hFE.
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	130	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9,0	14,0	-	ГГц
|S21e|Z	S-параметр	Vcb = 2 В, le = 20 мА, Т=2ГГц	8,5	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, (=2ГГц	-	1,4	2,0	ДБ
W	1	2
hFE	75...110	95...140
.Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: UB.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-			15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3 .	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	115	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	70	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,21	0,3	пФ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	-	21,0	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 20 мА, (=2ГГц	10,0	12,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 5 мА, Г=2ГГц	-	1,2	1,5	ДБ
160 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: UB.
Корпус Flat-lead 3-pin thin ultra super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	115	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	70	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,24	0,3	лФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	18,0	21,0	-	ГГц
|s21er	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 20 мА, Г=2ГГц	9,5	11,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 5 мА, (=2ГГц	-	1,1	1,5	ДБ
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: С5
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-		35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	115	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0		-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	-	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,24	0,3	пФ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	18,0	21,0	-	ГГц
|s21ef	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 20 мА, ( = 2ГГц	9,5	11,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 5 мА, Г=2ГГц	-	1,1	1,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 161
Особенности:
-	Прибор разработан
для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: UC.
Корпус Flat-lead 3-pin thin ultra super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| I	
	ю о_ о" +I С\!
1U 2U-	
1,4±0,1	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,2	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	75	-	160	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 10 мА	4,0	5,5	-	ГГц
|S2ie|"	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f=1 ГГц	2,5	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 Ma, f= 1 МГц	-	0,9	1,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb =1 В, le = 10 мА, ( = 2ГГц	-	1,8	3,0	ДБ
Особенности:
-	Прибор разработан
для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: zC.
Корпус 6-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	Коллектор
2, 3, 5, 6	Эмиттер
4	ч База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	115	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,2	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 5 мА	50	-	100	-
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,14	0,24	пФ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 30 мА	20,0	25,0	-	ГГц
|S2ie|Z	S-параметр	Vce = 2 В, lc = 20 мА, f=2rr4	14,0	17,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 5 мА, f=2T^	-	1,1	1,5	ДБ
162 Транзисторы производства NEC
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в схемах генераторов.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: TY.
Корпус Flat-lead 3-pin thin ultra super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3|~I
то 2П
1,4±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-		0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	100	-	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 10 мА	4,0	5,5	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f= 1 ГГц	3,0	4,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, 1=1МГц	-	0,7	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, (=2ГГц	-	1,8	3,0’	ДБ
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в схемах генераторов.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: Y5.
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	140	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-		0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	100	-	145	-
^T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 10 мА	4,0	5,5	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb = 1 В, 1е=10мА, f=1 ГГц	3,0	4,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,65	0,85	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, Т=2ГГц	-	2,0	3,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 163
Особенности:
-	Прибор разработан для работы в схемах генераторов.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: В7.
Корпус 3-pin lead-less mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	105	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1 В, lc - 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	50	-	100	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	17,0	20,0	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 20 мА, Т=2ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,22	0,3	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, Т=2ГГц	-	1,4	2,5	ДБ
nQAgn ПП -	высб^^жйый-малошуйящий
<Л	Х'ХХ^Х / ХхХйХ К.
Особенности:
-	Прибор разработан
для работы в СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная емкость.
-	Маркировка: 80.
Корпус Flat-lead 3-pin thin ultra super mini-mold (NEC)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	100	120	145	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 5 мА	3,0	4,5	-	ГГц
|s21er	S-параметр	Vcb =1 В, le = 5 мА, f= 1 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА f= 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, Т=2ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
164 Транзисторы производства PANASONIC
Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Прибор разработан
для использования в схемах усилителения ВЧ-сигнала.
-	Комплементарная пара с 2SC2295.
-	Маркировка: Е + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-		-30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -1 мА	70	-	220	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -10 В, lc = —1 мА	-	-0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = -10 В. le = -1 мА, (= 5 МГц	-	2,8	-	ДБ
Е	В	С
hre	70 .140	110...220
Особенности:
-	Прибор разработан
для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SC2405.
-	Маркировка: F + буква, соответствующая значениям hrE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-35	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le - 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -2 мА	180	-	700	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
F	R	S	Т
hFE	180..360	260.. 520	360 ..700
Транзисторы производства PANASONIC 165
О Л 4 Л Е Кремниевый PNP эпитаксиальный низкочастотныймалошумящийтранзистор / " ,	*'	Ч» Л. <	' <...	<' Л ' ч„, у . • *' . '', /	к-.'	С,'.' '4. к >	if - к?
Особенности:
-	Прибор разработан
для использованияв схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SC2406.
-	Маркировка: Н + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-55	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
Н	R	S	Т
Ьре	180. 360	260 520	360 700
1 ' ‘ г ' KPeMH^eBM# эпитаксиальный низкочастотный малошумящий транзистор
~	*	ч	к х i * v V <4	; k s "- —	'' ; > ч,',к"ЛЧ, 'г Л .«>' *'	>- к к' «х' v с ъ к «z' v ' > ч %-Л '	* а < ' Л
Особенности:
-	Прибор разработан
для использованияв схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SC3929.
-	Маркировка: F + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	+i с\Г
’й ?Ь-	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-35	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-	0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -1 В, lc = -100 мА	-	-0,7	1	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -2 мА	-	80	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
F	R	S	Т
Ьре	180...360	260. 520	360 .700
166 Транзисторы производства PANASONIC
у<рейнй^вЬ1й PNP эпи!транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан
для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SC3929A.
-	Маркировка: Н + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)			,и	
Вывод	Назначение			
						2,1 ±0,1
1	База			
2	Эмиттер			
3	Коллектор			
			1Н 2ti 2,0±0,2	'	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-55	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,6	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -1 B,lc = -100 мА	-	-0,7	1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
Н	R	S	Т
Ьре	180.. 360	260 .520	360 .700
>Л	эпийксйШ^ййй низкочастотный малошумящийтранзистор
Особенности:
-	Прибор разработан
для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SC3930.
-	Маркировка: Е + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	2,1 ±0,1
1й 2t± 2,0±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = —1 мА	50	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -10 В, lc = -10 мА	-	-0,7	1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = -10 В, le = 1 мА, Г=5МГц	-	2,8	4,0	ДБ
Е	А	В	С
hFE	50 100	70.. 140	110..220
Транзисторы производства PANASONIC 167
=:2SAiWiI кремниевый РЙР ^питаксиапьныйвысоковольтнь|й транзистор
Особейности:
-	Прибор разработан для использования в схемах видео, усилителей.
-	Высокая граничная частота.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 1Е
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-85	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-85	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -60 В, lb = 0	-	-	-10	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -10 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -10 мА	-	500	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,7	-	пФ
ХЙ ••'jHlftVКремниевый РНР зпитаксийльный высокочастотный транзистор с высокбйскоррстью | 7Ч>О перекпючеНИЯ	,4	'?	...>..\ ‘ С \
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SC3757.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: АК + буква, соответствующая значениям hFE
з|—|	
	2,8+0,2
ЕГ 2Ы_ 2,9±0,2	
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. > значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -8 В, le = 0		-	-0,1	мА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -3 В, lc = 0	-	-	-0,1	мкА
* hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -10 мА Vce = -1 В, lc = -10 мА	50 30		150	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -10мА	800	1500	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,0	-	пФ
Ton	Время включения	-	-	12	-	нс
АК	Q	R
hFE	50 . 120	90...150 .
168 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SC3938. - Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: АХ + буква, соответствующая значениям hFE. Приборы с не нормированным параметром hpE маркируются буквами АХ.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЫ	
	2,1 ±0,1
и	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -8 В, le = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, 1с = -10мА Vce = -1 В, lc = -10 мА	50 30	-	150	-
Vcesat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	800	1500	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,0	-	пФ
Ton	Время включения	-	-	12	-	нс
АХ	Q	R
Ьее	50 120	90 ..150
общего применения
Особенности:
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SC4562.
-	Маркировка: AL + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	200	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1	-0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -2 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =-5 В, le = O,f= 1 МГц	-	1,5	-	пФ
AL	Q	R
ЬрЕ	200...400	250...500
Транзисторы производства PANASONIC 169
2SA1790J
л Кремниевый РЙР эпитаксиальный выЙрк$частртный малошумящийтранзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SC4626J.
-	Маркировка: Е + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з| I	
	in о Я
'Ll	2|_L 1,4+0,05	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -1 мА	70	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -10 В, lc = -1 мА	-	-0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = -10 В, le = -1 мА, Т=5МГц	-	2,8	4,0	ДБ
Е	В	С
Hfe	70 140	110 220
2SA179lj	Кремниевый PNP эпитаксиальИй выЦкоч^тотный тран^истйр\5$1
£.<>.*.	Ъ	:• х >	-X* 6.:	> - < * А *	х:- '	й ... % .<х л > -	i '$ i	Ai
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SC4656J.
-	Маркировка: AL + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	200	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1	-0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -2 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,5	-	пФ
AL	Q	R
Ьре	200 . 400	250...500
170 Транзисторы производства PANASONIC
>л'	--Л
Особенности:	Корпус SC-89 (EIAJ)			з! I	
-	Малое напряжение насыщения. -	Маркировка: АК + буква, соответствующая значениям hFE В случае, если параметр hFE не нормирован допускается маркировка буквами АК.	Вывод	Назначение			
					1П о о +i CXJ
	1	База			
	2	Эмиттер			
	3	Коллектор			
				’U 2U_ 1,4±0,05	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -10 мА Vce = -1 В, lc = -10 мА	50 30		150	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	800	1500	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, f=1 МГц	-	1,0	-	пФ
Ton	Время включения	-	-	12	-	нс
АК	Q	R
hFE	50 ..120	90.. 150
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SC5026.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 1Z + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -100 мА	120	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0, f = 1 МГц	-	15	30	пФ
1Z	R	S
hFE	120...240	170 .340
Транзисторы производства PANASONIC 171
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малошумящих каскадах схем усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: AR + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-20	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -20 мА, lb = -2 мА	-	-	-0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -2 мА	-	200	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = -40 В, lc = -1 мА, '	Qn-Ь^ дБ, Rg = 100 кОм	-	-	130	мВ
AR	R	S	Т
hFE	180.. 360	260 .520	360 700
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напряжения и устройств управления.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: AS.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-10	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,6	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, !е = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, 1с = -100мА Vce =-2 В, 1с = -2,5А	200 100		560	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -2,5 A, lb = -50 мА	-	-0,27	-0,32	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	180	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =-5 В, le = O,f = J МГЦ	-	40	-	пФ
Ton	Время включения	-	-	35	-	нс
Tof	Время выключения	-	-	10	-	НС
172 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
- Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с высокой плотностью монтажа.
-	Комплементарная пара с 2SC5609.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Маркировка: ЗЕ
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	180	-	390	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,3	-0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, !е = 0, f= 1 МГц	-	2,7	-	пФ
JW'O	йитакси^ьйый/^1юмо^ныД транзистор с высокой скоростью пе«^
Особенности:
- Прибор разработан
для использования в схемах преобразователей напряжения.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: АТ.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	2,1 ±0,1
й гйи 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Еди ни-цы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	-0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -100 мА	160	-	560	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc =-0,2 А, 1Ь = -10мА	-	-0,04	-0,1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -10 мА	-	170	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	20	30	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 173
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напряжения.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Маркировка: 3Z.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
	см о" +i со см
И’ 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,4	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, lc = -100 мА	160	-	560	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -0,5 A, lb = -25 мА	-	-0,05	-0,15	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -20мА	-	170	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	25	35	пФ

Особенности:
- Большой коэффициент усиления.
-	Комплементарная пара с 2SC5845.
-	Маркировка: 7L
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|-|	
	2,8+0,2
ti1 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	-45	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-45	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce.sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,2	-0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 B„le = 0, f= 1 МГц	-	2,2	-	пФ
174 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с высокой плотностью монтажа.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Комплементарная пара с 2SC5846.
-	Маркировка: 7Н.
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	180	-	390	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,2	-0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	2,2	-	пФ
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SC5848.
-	Маркировка: 3D.
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-45	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-45	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0		-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	180	-	390	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	0,2	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,2	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 175

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 4N.
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—4	В
lc	Ток коллектора		-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	-100	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -8 В, le = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -10 мА	50	-	150	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1	-0,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -10 В, le = -10 мА	800	1500	-	МГц
Ton	Время включения	-	-	-	12	нс
Tof	Время выключения		-	-	20	нс
Tstg	Время установления		-	-	19	нс
Кремниевый PNP эпитаксиальный высоковольтный низкочастотный транзистор ; ; Общего применения	г „
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 7N + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—I	
	2,8±0,2
И' 2И_ 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-300	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-300	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-70	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -100 мкА	-	-	-300	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -1,0 мкА	-	-	-5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	30	-	150	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	-	50	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	7,0	-	пФ
7N	Р	Q
hFE	30 ..100	60 150
176 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Большой коэффициент усиления.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SC5950.
-	Маркировка: 7L.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	о" +i с\Г
'И 2tL 2,0±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	/	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,2	-0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	2,2	-	пФ
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Большой коэффициент усиления.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SC6037J.
-	Маркировка: 2U.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1000	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -3 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -10 мА	270	-	680	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -200 мА, lb = -10 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -2 В, le = -10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	4,5	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 177
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SC6036.
-	Маркировка: 2U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе ние	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -3 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -10 мА	270	-	680	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -200 мА, 1Ь = -10мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =-2 В, 1е = -10мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0, f = 1 МГц	-	4,5	-	пФ
2SA2163 Дфемииевйй'РЭД^э^	:'
Особенности:
-	Прибор разработан для использования
в схемах усиления ВЧ-сигналов в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа.
-	Малая выходная емкость.
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
. 2	Эмиттер
3	Коллектор
1,0±0,05
- Маркировка: 6J.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-10	мкА
Hfe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -1 мА	70	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-0,1		В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = -10 В, le = -1 мА, f= 10,7 МГц	-	1,2	2,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = -10 В, le = -1 мА, ( = 5МГц	-	2,8	4,0	ДБ
178 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигйалов в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: Е.
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -1 мА	70	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -10 мА, 1Ь = -1 мА	-	-0,1	-	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	150	300	-	МГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = -10 В, le = -1 мА, f=10,7 МГц	-	1,2	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = -10 В, le = -1 мА, (=5МГц	-	2,8	4,0	ДБ
Особенности:
-	Большой коэффициент усиления..
-	Комплементарная пара с 2SC6054.
-	Маркировка: 7L.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -2 мА	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-7	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,2	-0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = O,f= 1 МГц	-	2,2	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 179
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Большой ток коллектора.
-	Маркировка: I + буква, соответствующая значениям ЬрЕ
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	—4	А
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-7	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -2A	120	-	315	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -3A, 1Ь = -100 мА	-	-0,6	-	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -6 В, le = -50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -20 В, le = 0, f=1 МГц	-	40	-	пФ
I	Q	R
hFE	120.205	180...315
Особенности:
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SD1819А.
-	Маркировка: В + буква, соответствующая значениям hFE. Приборы с не нормированным параметром hFE маркируются буквой В.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП_____
’В
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-45	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-45	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-		-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,3	-0,5	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	2,7	-	пФ
В	 Q	R	S
hFE	160...260	210...340	290.. 460
180 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SD1820.
-	Маркировка: С + буква, соответствующая значениям hFE. Приборы с не нормированным параметром hFE маркируются буквой С.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =-10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -150 мА	85	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -300 мА, lb = -30 мА	-	-0,35	-0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц *
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	6	15	пФ
С	Q	R	S
ЬрЕ	85 ..170	120. 240	170 . 340
транзистор общего применения
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SD1820A.
-	Маркировка: D + буква, соответствующая значениям hFE. Приборы с не нормированным-параметром hFE маркируются буквой D.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. Значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -150 мА	85	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -300 мА, lb = -30 мА	-	-0,35	-0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = O,f= 1 МГц	-	6	15	пФ
D	Q	R	S
Ьге	185...170	120.240	170.. 340
Транзисторы производства PANASONIC 181
РЙРСйй)га|сЙ^
4	v^4?,zzw ?'	&'4l &4>5~vY	\'	-У’'к Лz<;V ',''
Особенности:
- Прибор разработан для использования в малошумящих схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Комплементарная пара с 2SD1821.
-	Маркировка: I + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ’	
	о" +i
	см
’И 2tL	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -10 мА	130	-	450	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -30 мА, lb = -3 мА	-	-	-1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
I	R	S	Т
hFE	130...220	185 .330	260 . 450
„ V>' \	- -.s-Xj , А >ч . ,	, . ,	V>,,	.	'?<
2SB1440S	PNP эпитаксиальный низкочастотный транзистор средней мощности >
-S * X. ~	;к><> Ss/z	J	J4A''	* <>>*- ’Т ‘ Г Л«	-Я.'* Л
Особенности:
- Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD2185.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 11 + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -200 мА	120	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1 A, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,3	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -50 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0,f=1 Гц	-	45	60	пФ
11	R	S
hFE	120 240	170 340
182 Транзисторы производства PANASONIC
^риМеценйя:
Особенности:	Корпус SC-75 (EIAJ)		
-	Большой коэффициент усиления. -	Комплементарная пара с 2SD2216. -	Маркировка: А + буква, соответствующая значениям hFE	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
Приборы с не нормированным параметром hFE маркируются буквой А.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,3	-0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,7	-	пФ
А	Q	R	S
hFE	160..2600	210...340	1290...460
ф^егопримейения
Особенности:
-	Большой коэффициент усиления.
-	Комплементарная пара с 2SD2216J.
-	Маркировка: А.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	|С = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,3	-0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	2,7	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 183
I^CyR 4 Др$р^эиир®^и^	применения <
'	:>:<•	> i i * "	< > >S i' C'-:>.Sj " ' J? —	4^"?lu< >W < '"^ Ж * < '4 & fi' j 1 У k% z > V '	* .. { >
Особенности:
- Большой коэффициент усиления.
- Комплементарная пара C2SD2216L.
- Маркировка: J
Корпус ML4-N1 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,3	-0,5	В
f?	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,7	-	пФ
<	л < v	А s'vx*;	* V- м- -	*’v >.• 	< <? -	$ й х .	*•. ' х «й
2SB1463 |К|>емниевый PNP эпитаксиальныйвьюдкбвольТный ниЭк6чаСтотнЬ1йтранзистдр
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Комплементарная пара с 2SD2240.
-	Маркировка: I + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з —	
	S со
Ы' 2Н_	
1,6+0,1	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -100 В, lb = 0	-	-	-1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -10 мА	130	-	450	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -30 мА, lb = -3 мА	-	-	-1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -10мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
I	R	S	Т
Ьре	130 220	185 .330	260 .450
184 Транзисторы производства PANASONIC
д|йоч^стотя^й транзистор 'Л
Особенности: - Прибор разработан для использования	Корпус SC-89 (EIAJ)				
	Вывод	Назначение	3| I	 '		
в схемах,усиления НЧ-сигналов.	1	База			ю о
-	Низкий уровень шумов. -	Комплементарная пара с 2SD2240. -	Маркировка: I + буква, соответствующая значениям hFE	2	Эмиттер			о +1
	3	Коллектор			С\1
				1U	2 |_|_	
				1,4±0,05	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -100 В, lb = 0	-	-	-1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -10 мА	130	-	330	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -30 мА, lb = -3 мА	-	-	-1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
I	R	S
hFE	130..220	185..330
>*) Ct О 4 СО/7 <' Кремниевым PNP эпитаксиальный низкочастотный транзистор средней мощности
^waW. -Л . Л, \м itt; А« -Д;> <
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SD2357.
-	Маркировка: 1L.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, 1с = -100 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-	-0,15	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -5 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	45	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 185
2SB1539 Кремниевый PNP эпитаксиальный низкочастотный транзистор средней мощности
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SD2359.
-Маркировка: 1N.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -2 мА	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-5	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, lc = —100 мА	200	-	800	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-	-0,2	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -5 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	30	-	пФ
<	"	..	w \	<• v < i; > ч л; . Л &
2SB1589 Кремниевый PNP эпитаксиальный низкочастотный транзистор средней мощности
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 1U.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотврдом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -1000 мкА	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-7	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -7 В, le = 0	-	-	-1000	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -1 В, lc = -400 мА	200	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1 A, lb = -25 мА	-	-0,24	-0,35	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -6 В, le = -50 мА	-	190	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = O,f= 1 МГц	-	65	-	пФ
186 Транзисторы производства PANASONIC
т Кремниевь!и PNP эпйтаксиальныинизкочастотныи транзистор средней мощности
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD2457.
-	Маркировка: IX + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lb	Ток базы	-	-	-	-0,6	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -5 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -1 А	50	-	220	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1,5 A, lb = -150 мА	-	-0,4	-1,0	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -500 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	70	-	пФ
1Х	р	, Q	R
hre	50 100	80.. 160	100 220
транзистор средней мощности.
Особенности: - Прибор разработан для исполь-зования в схемах усиления НЧ-сигналов. - Малое напряжение насыщения.	Корпус SC-62 (EIAJ)	
	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Коллектор
	3	Эмиттер
	Корпус	Коллектор
- Большой коэффициент усиления. - Комплементарная пара с 2SD2474.		
- Маркировка: 2F.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2,4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -7 В, le = 0	-	-	-1000	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -200 мА	200	-	800	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = —1 А, 1Ь = -10мА	-	-0,19	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -6 В, le = -50 мА	-	60	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -6 В, le = 0, f= 1 МГц	-	100	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 187
2SB1679	Кремниевый PNP эпитаксиальный низкочастотныйлранзйст^
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 3V+ буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,1 ±0,1
1И 2t±	
2,0+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		-10	В
Vobo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -1 мА	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-7	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -10 В, le = 0	-	-	-100	нА
	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -500 мА	130	-	350	-
Vcesat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -400 мА, lb = -8 мА	-	-0,16	-0,3	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le =-50 мА	-	130	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	22	-	пФ
3V	R	S
Ьре	130 220	180 350
2SB1693
Кремниевый PNP эпитаксиальный низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Большой ток коллектора.
-	Маркировка: 3D.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1	20
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-40	
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-15	
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -1 мА	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-15	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-2 В, 1с = -100 мА	160		560	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -10 мА	-	-0,06	-0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -50 мА	-	170	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =-Ю В, le = 0, f=1 МГц	-	|6	-	пФ
188 Транзисторы производства PANASONIC

1и^ьн||й^йзко^астот^ыйтран^ирторср5еднеимощности
s -' ~<Г'/ -\
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SD2457.
-	Маркировка: ЗА.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				—4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -60 В, le = 0	-	-	-100	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -60 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -4 В, lc = -1 А Vce =-4 В, lc = -0,2A Vce = -4B, lc = -2A	80 60 30	-	250	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -2 A, lb = -250 мА	-	-	-0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	180	-	МГц
Ton	Время включения	-	-	0,2	-	мкс
”'?'К^!ЙиевьШ fW Э^йтйеи^Ь&1И ^б0^ойойЬ^Ь1Йизкдча^Ъ^Ь1й транзистор t'
‘sRiP'J•1 <x ‘ 1
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 4R.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-20	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -1 мА	-	-	-100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-5	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -50 В, lc = 0	-	-	-1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	200	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -5 В, le = -2 мА	-	200	-	МГц
Транзисторы производства PANASONIC 189
2SB1734
кремниевый Р^Й^пи1аксиальнь1й |йизкРчастотнь1й транзистор общего применения
Особенности: -	Малое напряжение насыщения. -	Большой коэффициент усиления.. -	Комплементарная пара с 2SD2706. -	Маркировка: AF.	Корпус SC-59 (EIAJ)			зЦ	
	Вывод	Назначение		И1 2ti_ 2,9±0,2	2,8±0,2
	1	База			
	2	Эмиттер			
	3	Коллектор			
					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-200	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-400	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	85	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-		-0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	3,0	-	пФ
2S В0709А (2 S В709А}	^Р^ниеш^ РНР эпитаксиальный низкочастотный транзй>
Особенности: -	Малая выходная емкость. -	Комплементарная пара с 2SD0601A (2SD601 А). -	Маркировка: В + буква,	Корпус SC-59 (EIAJ)	
	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
соответствующая значениям hFE Приборы с не нормированным параметром hFE маркируются буквой В.
зЦ	
	2,8±0,2
Ц1 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-45	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-45	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -100 мА, 1Ь = -10мА	-	-0,3	-0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,7	-	пФ
В	Q	R	S
Ьре	160 . 260	210 . 340	290 460
190 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности: -	Комплементарная пара с 2SD0602 (2SD602). -	Маркировка: С + буква, соответствующая значениям hFE	Корпус SC-59 (EIAJ)	
	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
Приборы с не нормированным параметром hre маркируются буквой С.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -150 мА	85	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -300 мА, lb = -30 мА	-	-0,35	-0,6	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0, f=1 МГц	-	6	15	пФ
С	Q	R	S
ЬрЕ	85 . 170	120..240	170 ..340
Особенности:	Корпус SC-59 (EIAJ)	
- Комплементарная пара	Вывод	Назначение
с 2SD0602A (2SD602A).	1	База
- Маркировка: D + буква,	2	Эмиттер
соответствующая значениям hFE	3	Коллектор
Приборы с не нормированным параметром hFE аркируются буквой D.
зЦ	
	2,8±0,2
tr 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -150 мА	85	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -300 мА, lb = -30 мА	-	-0,35	-0,6	В
fr	Произведение коэффициента усиления ' на ширину полосы пропускания	> Vcb = -10 В, 1е = -50мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, 1е = 0, f = 1 МГц	-	6	15	пФ
D	Q	R	S
hFE	85...170	120 ..240	170 .340
Транзисторы производства PANASONIC 191
2SB0766 (2SB766)
* КремниевыйР№;зйитйсищ1ьДлйй	,
Особенности:
-	Прибор разработан для применения в выходных каскадах схем усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD0874 (2SD874).
-	Маркировка: А + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	, -25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
Hfe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -500 мА	85	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,4	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	20	30	пФ
А	Q	R	S
hFE	85 ..170	120 240	170 340
if	Кр&нйёйЙй 'Р№'§питай^ай^ньй низкочастотныйтранзи
Особенности:
-	Прибор разработан для применения в выходных каскадах схем усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD0874A (2SD874A).
-	Маркировка: В + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -500 мА	85	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,4	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц	-	20	30	пФ
1_в_!	! Q	R	S
; Ьге i	i 85 170	120 240	170. 340
192 Транзисторы производства PANASONIC
9 Ct	/x' К^МнййШйГ'^Й^^ли^сйап4^вЙ ^йШкочартстныйфранзйстор^
^OlSU/у	В/^р^н^ощнйуй
Особенности:
-	Прибор разработан для применения в выходных каскадах схем усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD0875 (2SD875).
-	Маркировка: С + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-0,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-1,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -10 В, lc = 0	-	-	-100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -150 мА	90	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -300 мА, lb = -30 мА	-	-0,2	-0,4	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	20	30	пФ
С	Q	R
hFE	90 . 155	130 ..220
-Ч V г	Ж ~/ У , s s г ,
2SB0779(2SB779)
Особенности:
-	Прибор разработан для применения в выходных каскадах схем усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 1А+ буква, соответствующая значениям hFE
Кремниевый РНР эпитаксиальный низкочастотный транзистор Г
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	2,8±0,2
И1 2И_ 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	- ,	-	-	-25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -25 В, le = 0	-	-	-100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -500 мА	90	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,4	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -50 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	15	-	пФ
1А	Q	R
hFE	90...155	130 . 220
Транзисторы производства PANASONIC 193
OCDA7QQ /OGD7QA\ Кремниевой PNP эпитаксиальный высоковольтный низкочастот-
|Х^риЛр»Д4ОЕ>бр»; J ныйтрЫЫсто»^	-Л •, ;'"
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в предвыходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: D + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1000	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -40 В. lb = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -150 мА	90	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,6	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0. f = 1 МГц	-	30	-	пФ
D	Q	R
hFE	90 .155	130..220

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в предвыходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: D + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1000	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-1500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = -40 В, lb = 0	-	-	-0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -150 мА	90	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -500 мА, lb = -50 мА	-	-0,2	-0,6	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le =-50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	30	-	пФ
D	Q	R
hFE	90 .155	130...220
194 Транзисторы производства PANASONIC
1Г*т<йлОЛ’70*>'' /*><£ И!У<Н!>¥£ ъ Кремниевый РМРэпитаксиальный высоковольтный ййзкоЧйстот-
.Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумод.
-	Маркировка: I + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	О~ +I СО ci
И1 2И_ 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -10 мА	130	-	450	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -30 мА, lb = -3 мА	-	-	-1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
I	R	S	Т
Ире	130 220	185 330	260 450
^ремйй»ь^эпитаксиальный высоковольтный низко-част<эдыйтра>нзистор >	?
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Маркировка: 2F + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—I	
	2,8±0,2
И1 2И_	
2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-185	В
Vceo	Напряжение жоллектор-эмиттер	-	-	-	-185	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				-100	мА 
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт !
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = -10 мА	130	-	330	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -30 мА, lb = -3 мА	-	-	-1	в
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	4	-	пФ i
NV	Напряжение шума	Vce = -10 В, lc = -1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
2F	R	S
Ьре	130 ..220	185 .330
Транзисторы производства PANASONIC 195
КремниевыйPNP эпитаксиальный низкочастотныйтранзистор Т средней мовдрйи'ЙК;Z : >/<
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SD1280.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: Н + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = -1 мА	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-5	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -500 мА	130	-	280	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1 A, lb = -50 мА	-	-	-0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	40	-	пФ
Н	R	S
Ьре	130 210	180. 280
?2§В0970Х2§В970ХХ^^
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 1R+ буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зД
ер
2,9±0,2
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	-1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -500 мА	130	-	350	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -400 мА, lb = -8 мА	-	-0,16	-0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = -50 мА	-	130	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	22	-	пФ
1R	R	S
Ьре	130..220	180.. 350
196 Транзисторы производства PANASONIC
^/<8 Л* ОО Q К ? Кремниевый НРНэпитаксиальныйвысокочастотныималошумящийтранзистор общего применения? ;? :	ч;л~4' '/Л \ ?v .
Особенности:
- Комплементарная пара C2SA1022.
- Маркировка V + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ .	
	сч_ о" +I со сч"
И1 2tL 2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-		0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-		10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	о,-	i	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В. le = 1 мА	150	250		МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = 10 В, 1е= 1 мА. Т=5МГц	-	2,8	-	ДБ
V	В	С
hFE	70 140	110 220
ife-s-	у	,	V /	♦'	>	>	*	X < *
2SC2404 Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящйй транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в -темах усиления ВЧ-сигна ов
- Малая выходная емкость.
- Маркировка: U + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	ЕдИ’ ! ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	15	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, 1е = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, 1с = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	65	-	260	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	!с = 6 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc = 1 мА	-	0,7	-	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В. le = 1 мА	450	650	-	МГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb - 6 В, le = 1 мА, f= 100 МГц	-	24	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = 1 мА, Т=5МГц	-	3,3	-	ДБ J
и	С	D
hFE	65 160	100. 260
Транзисторы производства PANASONIC 197
О <JГ^О Л И C p ? ~Кре«9мевыи: NPN эпитаксиальный низкочастотный малошумящий ггрднзистор ' лиуШ?Я4Л-	ЙЛ'Л^Л,
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
- Комплементарная пара с 2SA1034.
- Маркировка: S + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	35	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = 100 мА, 1Ь = 10мА	-	0,7	-	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le= 1 мА	150	300	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-		150	мВ
S	R	S	Т
Hfe	180 360	260 520	360 700
i’ Кремниевой NPN эпитаксиальный планарный	гран- ;
\ ^зистор 4 г ,*?	.	'/	' V.	<
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
- Комплементарная пара с 2SA1035.
- Маркировка: Т + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
I	2,8±0,2
Q’ 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	55	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 2 мА	180	-	700	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=100 мА, 1Ь = 10мА	-	0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	150	300	-	МПц
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
т	R	S	Т
hFE	180...360	260 . 520	360 ..700
198 Транзисторы производства PANASONIC
" 'V X Sy f y- s' -J*»' " 'TC;' <,	<* '&> 'Л5Т ' .. '' ><. '•»' >	- ', '-'c
J ^*£*24-Й(У ' Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный транзистор ;
, ' >&’/ '" >	>4^ ' ' -	.. ' X „Я X”. х Z Х'<> 'Ъ 'Л -<• J,	w - '4^''-	х” ' *'"
Особенности:	Корпус SC-59 (EIAJ)		
-Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, генераторов и смесителей. - Малая выходная емкость.	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
- Маркировка: R+ буква, соответствующая значениям hFE Приборы с не нормированным параметром hFE маркируются буквой R
зЦ	
	сч о' +1 со см
ГР 2Ы_ ч	2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с = -1 мА	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	le = -10 мкА	-	-	-3	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА ,	800	-	1600	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 6 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc = 1 мА	-	0,7	-	в
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 1 мА	-	600	-	МГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb =10 В, 1е=1 мА, f= 100 МГц	-	20	-	ДБ
R	Т	S
Ьре	800 1400	1000 1600
2SC2778 < кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный транзистор >
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, ПЧ, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: К+ буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЩ	
	2,8±0,2
ГР 2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70'	-	250	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 6 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc= 1 мА	-	0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	230	-	МГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = 1 мА, f= 10,7 МГц	-	1,3	-	пФ
К	В	С
hFE	70 .160	110 ..250
Транзисторы производства PANASONIC 199
Кремниевый ЙРЙ эпитаксиальный высокочастотный транзистор?
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 1S+ буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	2,8+0,2
d’ 2tL 2,9±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	* мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 5 мА	75	-	220	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 4 В, le = 5 мА	-	1900	2500	МГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 4 В, le = 1 мА, f = 1 МГц	-	0,45	-	пФ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 4 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1.4	6,0	пФ
1S	р	Q
hFE	75 130	110 220
2SC3704	Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный Малбшумящий транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
- Малая выходная емкость.
- Маркировка: 2W
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|-|	
	сч о" +I со сч“
Ц1 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА Vce = 1 В, lc = 3 мА	50 80	150	- 300 280	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА		6	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 6 В, le = 1 мА, f = 800 МГц	-	14	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,7	1?2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f=800 МГц	-	1,0	1,7	ДБ
200 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Прибор разработан
для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 2Х.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	ГЧ о” +i СО см
Ы1 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	7	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,05	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 1 мА	50	-	150	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 1 мА		4	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 6 В, le = 1 мА, f=800 МГц	-	15	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 1 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,4	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 1 мА, f=800 МГц	-	3,5	-	ДБ
*}Qf**VTKSfr'i KbewHHOfcbtif*NPN Ьлитаксиальныи высокочастотный транзистор &высокой скоро*
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SA1738.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 2Y + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 4 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	60	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,17	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е=10мА	-	450	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f=1 МГц	-	2,0	6,0	пФ
Ton	Время включения	-	-	17	-	нс
2Y	Q	R
hFE	60...120	90...200
Транзисторы производства PANASONIC 201
;	Кремниевый NPN эпитаксиа^^ныйвысокочастотныймалбшумящиитранзистор <
' <	'••' '' гх '<<• > - -?-	'&U'V vx-sk'	- - '?'* ^ЛД ''''<	-/	' t>
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
- Малая выходная емкость.
- Маркировка: ЗМ
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора •	Vcb = 10 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	150	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА	5	6	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА. f=800 МГц	-	15	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,7	1,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f= 800 МГц	-	-	2	ДБ
ОСГ^^ОЛЛ х Кремниев&и NPN эпитаксиальныйвысокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 3S
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	150	300	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА	7	8,5	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,6	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f=1,5 ГГц	-	2,2	3.0	ДБ
202 Транзисторы производства PANASONIC
v J-	* ' < *	",	°	'K^v y	' "<> *< >:.<
2SC3929 Кремниевый НРЫэпйтаксиальныйнизкочастотныйтранзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SA1531.
-	Маркировка: S + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зИ	
	2,1 ±0,1
1tl 2Ы 2,0+0,2	—
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	35	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЗ	Vce = 5 В, lc = 2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=100 мА, 1Ь = 10мА	-	-	0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce =1 В, lc = 100 мА	-	0,7	1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 2 мА	-	100	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
S	R	3	Т
Ьге	180 360	260 520	360 700

Кремниевый NPN эпитаксиальйыйниз^ч^р1г^ный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара с 2SA1531A.
-	Маркировка: Т + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	о“ +I £
И ’LL 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	55	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 2 мА	180	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=100 мА, 1Ь = 10мА	-		0,6	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce=1 В, 1с=100 мА	-	0,7	1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 1 мА	-	100	-	МГц
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
т	R	S	Т
hpE	180 360	260 520	360 .700
Транзисторы производства PANASONIC 203
2SC3930	й3	эпитаксиальный низкочастотный малошумящий транзистор
К	Л	й	V> И *	* м * '	< /л *	i
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих ВЧ-усилителей радиоприемников.
-	Комплементарная пара с 2SA1532.
-	Маркировка: V + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—I	
	2,1 ±0,1
’b 2t± 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc = 10 мА	-	0,7	1	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	150	250	-	МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb =10 В, le =-1 мА, f = 5 МГц	-	2,8	4,0	ДБ
V	В	С
hFE	70 140	110 .220
2SC3931
Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих ВЧ-усилителей для FM- приемников.
-	Маркировка: U + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
зП
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30 .	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	15	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	65	-	260	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 6 В, le = -1 мА	-	0,72	1	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 1 мА	450	650	-	МГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 6 В, le = -1 мА, ' f= 0,1 ГГц	-	24	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = -1 мА, f= 100 МГц	-	3,3	-	ДБ
и	I С I D
I hFE	| 65 160 | 100 260
204 Транзисторы производства PANASONIC
2SC3932 /J f;'	^и^акс1^ь1Йгйпланарнь1Й8Ь1сокочастотнь1йтранзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей, генераторов и смесителей.
-	Маркировка: R + буква, соответствующая значениям hFE Приборы с ненормированным параметром hFE маркируются буквой R.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	10'	мкА
I'Ve	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, le = -2 мА	25	-	250	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, le = -2 мА	-	0,72	1		в __
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -15 мА	800	1600	-	МГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 10 В, le = -1 мА, f = 0,1 ГГц	-	20	-	ДБ
R	Т	S
I'Ve	800. 1400	1000... 1600
2SQ3933
Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный высокочастотный малошумящий тран-\ зйстор/t'J''	„ 'Л' '' <
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей и смесителей.
-	Высокая граничная частота.
-	Маркировка: 1Т.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0	-	-	1000	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	10	мкА
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, le = -3 мА Vce = 10 В, le = -0,1 мА	40 60		200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -3 мА	750	11( о	1400	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,7	। пФ	
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcc=11 В, Vagc=3B. f = 0,8 ГГц	14			Г ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcc=11 B,VAgc=3B, 	f = 0,8 ГГц		I		-	5	| ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 205
NPN эп1пак6|^£н^
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей
-	Высокая граничная частота.
-Маркировка: Ш.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зп:
	Т-
	о +I
	счГ
'й 2bJ	
I 2,0+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = ТО В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 10 мА	40	-	-	-
^T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, lc = 10 мА	-	4,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	1,2	-	пФ
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb =10 В, 1с=20 мА, f = 0,8 ГГц	12	14	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 10 В, lc= 5 мА, f = 800 МГц	-	-	2,5	ДБ
2SC3935	Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный транзистор»
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 1S + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	 зИ.	
	2,1 ±0,1
щ 2Ы 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	р
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Vce = 10 В, lb = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2,4 В, lc = 7,2 мА	75	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 4 В, le = 7,2 мА	-	1900	2500	МГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 4 В, le = 1 мА, f = 1 МГц	-	0,25	0,35	пФ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 4 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,9	1,1	пФ
| 1S | Р~ | Q
| hFE | 75 130 | 110.220
206 Транзисторы производства PANASONIC
эпитаксйальнь1^вйсокЬчастйтный транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для исполь-
' зования в схемах усиления ВЧ-сигналов, ПЧ, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: К + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	2,1 ±0,1
'И 2t±	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70	-	250	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	!с = 6 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, 1с= 1 мА	-	0,7	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	150	230	-	МГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = -1 мА, f = 10,7 МГц	-	1,3	-	пФ
К	В	С
hFE	70 .160	110. 250
Кремниевый ЙРЙ эпитаксиальныйвысокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 2W
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0 15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	' 1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, Iс = 0	-	-	1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА^ Vce = 1 В, lc = 3 мА	50 80	150	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА		6	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 800 МГц	-	14	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,7	1,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, lc = 7 мА, f= 800 МГц	-	1,0	1,7	ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 207
2SC3938
\ Кремниевый NPji эпийуЬйал^^^	транзисторсвысокойскоро’
Л :цтьюпеое!ОТ10чйияД^	'Х.:, 'Л</;	7‘1
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SA1739.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 2Y + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
....*н
2,0±0,2
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp '	Ток коллектора импульсный				300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	60		200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,17	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	-	450	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,0	6,0	пФ
Ton	Время включения	-	-	17	-	нс
2Y	Q	R
hFE	60 .120	90 200
2S'C'44'di 6 креАни0ыи'ЙРЙ#п^^	;
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 2Х
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	7	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,05	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =1,5 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 1 мА	50	-	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 1 мА		4	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 1 В, lc = 1 мА, f = 800 МГц	-	15	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 1 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,4	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 1 мА, f = 800 МГц	-	3,5	-	ДБ
208 Транзисторы производства PANASONIC
2SC4417
Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный высокочастотный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в каскадах ПЧ телевизионных приемников.
-	Маркировка- 2Z.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	45	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	35	В
Vebo _	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер не подключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	45	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база не подключена)	lc = 1,0 мА, lb = 0	-	-	35	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база (коллектор не подключен)	lc = 0, le = 10 мкА	-	-	4	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	10	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 10 мА	20	-	100	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 2 мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = -10мА	-	500	-	МГц
Cre .	Про) одная емкость	Vcb = 10 В, le = -1 мА, f = 10,7 МГц	-	-	1,5	пФ
2SC4543
Кремниевый NPN эпитаксиальный высоковольтный транзистор средней мощности
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах видео усилителей.
-	Высокая граничная частота.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 1F
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4,5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	110	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	150	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = 35 В, lb = 0	-	-	10	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 100 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=150 мА, 1Ь = 15мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -10 Ма Vcb = 10 В, le = -110 мА	-	300 350		МГц
Cob	Выходная емкость I	Vcb = 30 В, le = 0, |	t = 1 Ml ц	I	3,0 I			пФ I	
Транзисторы производства PANASONIC 209
2SC4562
Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотныйтранзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигнала.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SA1748.
-	Маркировка1 AM 4- буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе-> ние	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	. -	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, !е = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	200	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,06	0,3	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 2 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1.5	-	пФ
AM	Q	R
hFE	200 400	250 500
2SC4626J
Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный высокочастотный малошумящий транзистор	f	' <4 Л\**	А
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SA1790J.
-	Маркировка: V + буква, соответствующая значениям hFE В случае, если параметр hFE не нормирован, допускается маркировка буквой V.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	'	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70	-	220	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc = 1 мА	-	0,7	-	В
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = -1 мА, f = 800 МГц	-	-	4,0	ДБ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	150	250	-	МГц
V	В	С
hFE	70 . 140	110 220
210 Транзисторы производства PANASONIC
v2SO|8W1|L? 5' ^р^ние1^ь^ N™ эпйта1ГСйад^нЦи вырокочастотмь^
мг-гюигумящ^й транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей ВЧ-сигнала радиоприемников.
- Комплементарная пара с 2SA1532.
- Маркировка: U + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3Н			
1			S
-г	2		
	1,6+0,1			
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	g
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	15	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-		0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-		100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-		10	мкА _
I1FE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	40	I	260	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	I 0,1	-		_В	
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 6 В, lc = 10 мА		I 0,72	1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	! 450 i	|	650	-	МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = -1 мА, (=100 МГц	j	I I		I	-	дБ
и	В	С	D
Иге	40 . 110	65 160	100 260
.*>< х	£ i х z *	::	л < 1>. *✓**:>• ->	ч	< ; • z *	< х %	Ах
2SC4627J /V Кремниевый NPN эпитаксиальный низкочастотный	транзистор
«А > ^3 Ц$ 5 i >	<	» s X <	i х х( ; <	>{ 4 V
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей ВЧ-сигнала радиоприемников.
- Маркировка: L + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1О 21_1_ 1,4±0,05	о о" +I CXJ 	i
I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия I	Мин. значе» L			Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	2G		В	
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	15	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	!		-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА |	! 65	-	160	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	1		0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 6 В, lc = 10 мА !	I	0,72	1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА I	I 450 I	650	-	МГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = 6 В, le = -1 мА, f= 100 МГц	I - I I		3,3	-	ДБ
и	С
hpE	65 .160
Транзисторы производства PANASONIC 211
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов генераторов, смесителей, в каскадах обработки ПЧ-сигналов радиоприемников.
-	Маркировка: К + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70	-	220	-
Vce sat	-Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc = 1 мА	-	0,7	-	В
Cre	Проходная емкость	Vcb =10 В, 1е = -1 мА, f = 10,7 МГц	-	1,3	-	пФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е=1 мА	150	230	-	МГц
К	В	С
Ьре	70. 140	110 ..220
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов генераторов, смесителей, в каскадах обработки ПЧ-сигналов радиоприемников.
-	Маркировка: К + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	< База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 1 мА	70	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,1	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 10 В, lc = 1 мА	-	0,7	-	В
Cre	Проходная емкость	Vcb = 10 В, le = -1 мА, f= 10,7 МГц	-	1,3	-	пФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	150	230	-	МГц
К	В	С
Ьбе	70 ..140	110 .220
212 Транзисторы производства PANASONIC
1SC4656
Кремниевый NPN эпитаксиальный пленарный высокочастотный транзистор
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SA1791.
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: AM + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3					
					о +I со
Н1		2			
1,6+0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	200	-	500	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,06	0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 2 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,5	-	пФ
AM	Q	R
hFE	200 400	250 500
высокбчастотиыйгтранзистор
Особенности:
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SA1791J.
-	Маркировка: AM + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		5	В
lc	Ток коллектора	-	-		50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-		0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	200	-	500	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,06	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 2 мА	-	250	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,5	-	пФ
AM	Q	R
hFE	200 400	250 . 500
Транзисторы производства PANASONIC 213
у > а л Кремниевый NPN эпитаксиальный маломощный ’^ранзм^тхэй^^в&с^о$ скоро^тью^ ; '" г переключения	\<< ЧччхС V' ч	:О сЧШ
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: 2Y 4- буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з —	
	о +i со
Н1 U	
1,6±0,1	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-		-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 40 В, le = 0	-	-	0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	60	-	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,17	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 10 мА	-	450	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	2,0	6,0	пФ
Ton	Время включения	-	-	17	-	нс
2Y	Q	R
Ьее	60 . 120	90.. 200
2SC4691J
? , Кремниевый* ЙРН элйак&йшй&^	данзиетор< с высокой скоро*
К^ч\^тьгёлеро1сп1рченияг v'— *	: /ч	i ч: \	; /Л
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: 2Y + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-89 (EIAJ)
зП'
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1,4-0.05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллектре (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	60	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,17	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	-	450	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5B, le = O,f= 1 МГц	-	2,0	6,0	пФ
Ton	Время включения	-	-	17	-	нс
2Y	Q	R
Ьре	60 .120	90 200
214 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: DV + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
___30______
П1------
2,9±0,£
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	200	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	40	-	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	0,17	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -10 мА	-	500	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0,f=1 МГц	-	2,0	4,0	пФ
Ton	Время включения	-	-	17	-	нс
DV	Р	Q	R
hFE	40. .80	60 . 120	90..200
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 3S + буква, соответствующая значениям hFE. В случае, если параметр hFE не нормирован, допускается маркировка 3S.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	150	300	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, 1е=15мА	7	8,5	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, 1е = 0, f=1 МГц	-	0,6	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f= 1,5 ГГц .	-	2,2	3,0	ДБ
3S	Q	R	S
hFE	50 120	100. .170	150 ..300
Транзисторы производства PANASONIC 215
2SC4808
Кремниевый HPNfэпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор <
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: ЗМ.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1,6+0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Hfe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	150	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 15 мА	5,0	6,0	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,7	1,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f = 0,8 ГГц	-	-	2,0	ДБ
Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость, т Маркировка: ЗМ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	150	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 15 мА	5,0	6,0	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = O,f= 1 МГц	-	0,7	1,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f=0,8 ГГц	- •	1,3	2,0	ДБ
216 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:	Корпус SC-75 (EIAJ)	
- Прибор разработан для исполь-	Вывод	Назначение
зования в схемах усиления	1	База
ВЧ-сигналов.	2	Эмиттер
- Малая выходная емкость.	3	Коллектор
- Маркировка: 1S + буква, соответствующая значениям hFE.
3					
					о +I со
Н1		2			
1,6±0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 5 мА	75	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 4 В, le = 5 мА	-	1,9	2,7	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 4 В, le = 20 мА, f= 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	1,4	-	пФ
1S	Р	Q	R
Ьре	75 130	110 .220	200 400
высокочастотный транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-Маркировка: 1S
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з| I	
	1,2±0,05
1Ы 21_|_ 1,4±0,05	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	1	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 5 мА	75	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 4 В, le = 5 мА	1,4	1,9	2,7	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 4 В, le = 20 мА, f=1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,4	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 217
Кремниевь1ЙМРМзпита^сиал ьнь1ЙвысокочастотнШйШлоФумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка. 3 М + буква, соответствующая значениям hFF
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
	2	Эмиттер
	Коллектор
зН	
	2,1 ±0,1
1й 2t± 2,0±0,2	
Предельно допустимые i. основные электрические параметры
Символ |	Г ара ме -p	УСЛОВИЯ"	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbr	Напряжеи’/к кс, нектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50		200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 15 мА	5,0	6,0	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f=1,5 ГГц	-	10	, -	ДБ
Cob	выходная емкость	Vcb =10 В, 1е = 0, f= 1 МГц	-	0,7	1.2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f = 0,8 ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
ЗМ	Q	R	S
hFE	50 100	80 130	100 200
2SC5019 Кремниевый	т|эажйстор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: W
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод J	! Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	80		250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 15 мА	5,0	6,0	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f= 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,9	1,2	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f=0,8 ГГц	-	1,7	-	ДБ
218 Транзисторы производства PANASONIC

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SA1890.
-	Малое напряжение насыщения. .
-	Маркировка: 2А + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = 40 В, lb = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 100 мА Vce = 2 В, lc = 500 мА	120 60	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 50 мА	-	0,15	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = 50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	10	20	пФ
2А	R	S
h₽E	120 . 240	170 340
^5 Q Г* ЙЯ С1Л -	Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 3Y
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	40		160	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 10 мА	-	10,0	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 3 В, lc = 10 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, lc = 1 мА, f=0,9 ГГц	-	1,7	-	ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 219
у	|^Ы^питаксиаЖ	выобкб^асхрта
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: FB.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	2	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 2 мА	100	-	350	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,4	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е=15мА	0,8	-	1,9'	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, 1е = 0, f = 1 МГц	0,6	1,0	1,4	пФ
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb =10 В, 1е=10мА, f = 0,2 ГГц	14	-	22	ДБ
Л Ч- ' Ч	' * * av^a^ fc.4-* * %	*•< Л	< 'х	z	'<>: v ’>	> < z 3 .... V $5 < < > <	X
;2SC5295	' Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для «использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
-	Маркировка: 3S + буква, соответствующая значениям hFE
3					
					ГО+9‘1
Н1		2			
1,6±0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	-	300	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, 1е=15мА	7	8,5	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f=1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,6	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f= 1,5 ГГц	-	2,2	3,0	ДБ
• 3S	Q	R	S
hFE	50 120	100 170	150 300
220 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 3S + буква, соответствующая значениям Ьге.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер '
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	-	170	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 15 мА	7	8,5	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,6	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 7 мА, f= 1,5 ГГц	-	2,2 1	3,0	ДБ
3S	Q	R
hpE	50. 120	100 170
- > >	:.х:>	'Г',,-
2SC5363NEW
Кремниевый NPN элита!хиальный “высокочастотный малощумящийтран-у зистор	ЯЯЛ:	% '	*
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 3Y
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	40	100	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 10 мА	-	10,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f= 1 МГц	-	04	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 0,3 В, ic - 1 мА, f = 0,9 ГГц	-	1.7	-	ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 221
^SC5378	wf Кремниевый ЫРМ эпитаксйапьнь»1й высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в низковольтных схемах генераторов ВЧ.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: НТ + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—I	
	o' +i с\Г
'Ц 2tL 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1000	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	80	-	200	-
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,6	1,0	пФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, lc= 10 мА	-	7,0	-	ГГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = 5 В, le = 3 мА, f=1,0 ГГц	-	1,6	2,0	ДБ
НТ	Q	R	S
Ьее	80 115	95 155	135 200
<• Vs* <	у	3 ..	";:j	* Л >	:>>*&< <•«. ,	X	“	4 Z ,	<	? -	< > -4	й 4
2SC5379 - х f4 Кремниевый NPN эпитаксиальныйвысокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в низковольтных схемах генераторов ВЧ.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: НТ + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1000	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	80	-	200	-
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,6	1,0	пФ
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1с=10мА	-	7,0	-	ГГц
NF	Коэффициент шума	Vcb = 5 В, le = 3 мА, f= 1,0 ГГц	-	1,6	2,0	ДБ
НТ	Q	R	S
hFE	80 115	95 155	135 200
222 Транзисторы производства PANASONIC
'	ЙШЙИ КремниевыйЙРЙэпйтаксиальньшвЬюокочастотный малошумящий
^***£е.йи“Р: ' ..TpaH3WP-SS;x:f;i:-.-.	.•	. <	*.. '
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в низковольтных схемах генераторов ВЧ.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: ЗА.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	о" +i OJ
!’И 2t± 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр /	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 9 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	80	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 10 мА	-	12,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,4	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, f=1,5 ГГц	-	1,8	-	ДБ
NPN эпйтаксйальйый высокочастотный малошумящий
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в низковольтных схемах генераторов ВЧ.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: ЗА.
Корпус SC-82 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
ГН	гПГП	
		о" +I с\Г
U4	3U_	
2,0+0,1		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 9 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
h₽E	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	80	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, 1с = 10мА	-	12,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,4	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, f=1,5 ГГц	-	1,8	-	ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 223
2SC5474 NEW
Кремниевый 5NPN эпитаксиальный/ высокрчаРтотнЬ^й / йалошумящий транзистор Д/?	'	л •>	" z
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в низковольтных схемах генераторов ВЧ.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: ЗА.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3					
					о +I со
Н1		2			
1,6+0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 9 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	80	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, 1с=10мА	-	12,0	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,4	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА. f = 1,5 ГГц	-	1.8	-	ДБ
2SC5556" КремниевыйМЭД йитаксиапЬный высокочастотный малошумящий транзистор
;	Ъ	'<	}	i г i	’ х vSi «М	...	' If '>	К 4- ЧЛ < £ ' ":-х
Особенности::
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: ЗК
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,3	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-1	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	110	-	250	-
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,9	1.2	пФ
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, lc = 20 мА	5,0	6,0	-	ГГц
NF ।	।	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 0,8 ГГц	-	1,7	-	ДБ
224 Транзисторы производства PANASONIC
,	NPN эпитаксиальныйпланарныйтранзисторсвысокой скоростью
:J ^|п^эеклй>чения ' ; л	/чАч'Л ('	; -S А/ > „ '?/
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напряжения и устройств управления.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 2Т.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|-|	
	2,8±0,2
И1 2И_ 2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				10	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,6	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, 1с = 100 мА Vce = 2 В, lc = 2,5 А	400 280	-	1000	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 2,5A, lb = 50 мА	-	0,22	0,32	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	180	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	30	-	пФ
Ton	Время включения	-	-	30	-	нс
Tof	Время выключения	-	-	10	-	НС
Кремниевый NPN эпитаксиальныйнизкочастотный транзистор общего применения
£	.	?. V	4	4	'	. 5' У s'	4
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью
монтажа.
-	Малая выходная емкость.
-	Комплементарная пара с 2SA2021.
-	Маркировка: 3F
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb'= 20 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 10 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =10 В, lc = 2 мА, Vce = 10 В, 1с=100 мА	180 90	-	390	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления ч?	п0Г|ос|-| про,туог?чм«	i Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В,'Те = 0, f^1 МГц	-	3,5	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 225
OQP	Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный транзистор с высокой скоро- <
wV;j.г стью переключения .ЛЬ*Vйй	К'v ',v' . >'ЙеЛJ'Л*'\У' " ?
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов и ключевых устройств.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 2R.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
•
В В
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	8	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	- ч	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,05	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 0,1 мА, le = 0	-	-	15	В
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	2	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 2 мА	100	-	350	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,1	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, 1е=15мА	600	1100	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	1,0	1,6	пФ
Кремниевый NPN эпитаксиальныйпланарный транзистор с высокой скоростью
ZO иЭр>4 4? Й лереклюйния . f Й Ш Ж / 4 С	> Й 
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напряжения.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 2S.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,1 ±0,1
И 2Й_ 2,0±0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1,0	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1,0 мА, lb = 0	-	-	20	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 100 ма	160	-	560	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,2A, lb= 10 мА	-	0,06	0,1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 10 мА	-	180	-	МГц
Ccb	Выходная емкости,	\/гЪ = 1П R Ь = П f = 1 МГц	-	12	30	пФ
226 Транзисторы производства PANASONIC
2SC5725
NPN эпитаксиальныйпланарный транзистор с высокой скоростью .
' .Л 7, 77” 7 г-ч
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напряжения.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: ЗС.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	СМ о” +I со см
И1 2И_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2,0	А
Icp	Ток коллектора импульсный				6,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,6	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1.0 мА. lb = 0	-	-	15	В
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 100 ма Vce = 2 В, lc = 1500 ма	200 120	-	800	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5A, lb = 25 Ма lc=1,5 A, lb = 30 Ма		0,04 0,13	0,1 0,28	В в
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	280	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	15	25	пФ
Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор с высокой скоростью переключений:	'Л ? 7'Л 7k < '7л	4 z'' z:>	;
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах преобразователей напряжения.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 5Н.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,6	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1,0 мА, lb = 0	-	-	80	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, 1с = 100 мА	200	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc=1,0 A, lb = 20 Ма	-	0,35	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 50 мА	-	180	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1МГц	-	15	25	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 227
< Кремневый NP*| эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор с
* Лмг ВЫСОКОЙ скоро<^ьк^реро|йю^нйя\4>>\	- Ах V'	'
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах слаботочных ключевых устройств.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: X.
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	7	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,05	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1,5 В, 1с = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 1 мА	100	-	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 1 мА	-	4,0	-	ГГц
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 1 мА, f=0,8 ГГц	-	3,5	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb = 1 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,4	-	пФ
2SC5838
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 1F.
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 100 мкА, lb = 0	-	-	10	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	110	-	250	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, le = 20 мА	5,0	6,0	-	ГГц
NF	Коэффициент шума	Vce = 8 В, lc = 20 мА, f = 0,8 ГГц	-	1,7	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,9	1,2	пФ
228 Транзисторы производства PANASONIC
' < j S” *	4#	'' vX	~	*	Л'	;	' V* - <	• S V TW ~	* >;>x :®S?Sj ' i '
2SC5845 Кремниевый NPN эпитаксиальный низкочастотный транзисторобщегрприменения
<	М*» ” » ’й ' х:- > i i. *%: ; 'X •’vcS '  i	' ' i '< S?S ' <'	Л » / к x Ъ - \$%."X &< >й<&х-х> v« 4 WSA	»S 4 «bi "> X 't*'	* £& << > ' * ?У* Л 4	V
Особенности:
- Комплементарная пара c 2SA2077.
- Маркировка: 7М.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 2,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, 1Ь = 10мА	-	0,2	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le= 1 мА	-	100	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,2	-	пФ
К л<	> * ?Ч V <	х "	>A,i.	v	г > Л*%х*,к	v	<•	s -S£V >- г
2SC5846 Кремниевый NPN эпитаксиальный низкочастотный транзистор общегЦп^менЙ^
:	* < х	х.	х .> 4 *зй X Ч { A s ЧА & * АЧ * А ^V^X'-" X- X Т < VX	j * " X
Особенности:
- Комплементарная пара с 2SA2078.
- Маркировка: 7К.
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 2,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	180	-	390	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,2	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е=1 мА	-	100	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, !е = 0, f= 1 МГц	-	?,?	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 229
2SC5848	' Кремниевый |#N зпитаксЙ^^ны^нйкрчаЬтотный транзистор общего пршйнЙйя
'* s -	« 7т	‘ 4* Ch ' i < /ч ’ s -ш* '	г» v‘ i S'' >" 'V >??’	* -<%, th; ч
Особенности:
- Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью
монтажа.
- Большой коэффициент усиления.
- Комплементарная пара с 2SA2079.
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
- Маркировка: ЗЕ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 2,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	180	-	390	-
Vce _sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	100	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	2,2	-	пФ
13С5ВЗ
5 , Кремниевь1й ЫрИ /элита!^йальный^нйз&	транзистор
f общего применения	V Г.
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Маркировка: 7Н + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см о" +i со см’
И1 2Ы_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе ние	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	300	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	300	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	70	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 100 мкА, le = 0	-	-	300	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с= 1,0 мА, lb = 0	-	-	300	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	60		220	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5 мА	-	-	1,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е=10мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	10	-	пФ
7Н	Q	R
hFE	60 150	100 220
230 Транзисторы производства PANASONIC
Кремниевый NPN эпитаксиайьныипленарный высокочастотный транзистор
Л Л' ' Л* ,	v	,,	''''
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 1S
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebc	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 2,0 мА, lb = 0	-	-	10	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 5 мА	75	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 4 В, le = 5 мА	1,4	1,9	2,7	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 4 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,4	-	пФ
2SC5946
Крёмниевый ЙРИ зпитаксиаЛьныйштанарный высокочастотный транзистор *
';>> ьч	>р'	\л'*Г	VZ ; г\<„ ?'
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 9N
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1,0 мА, lb = 0	-	-	20	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	25	-	250	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА			0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е=15мА	0,8	-	1,6	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb =10 В, le = 1 мА, t= 1,5 ГГц	-	20	-	ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 231
2S1059 50	; Кремниевый NPN эпитаксиальный низкочастотный транэи^торо^щего применения ;
Особенности:
-	Большой коэффициент усиления.
-	Комплементарная пара с 2SA2122.
-	Маркировка: 7М.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе ние	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	100	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	2,2	-	пФ
2SC6036
Кремниевый HPN эпитаксиальный низкочастотный транзистор общего применения ;
S	;	-	:: .	,	..	4	'	"	к ;	"
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью
монтажа.
-	Малая выходная емкость.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SA2162.
-	Маркировка: 4U
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| I		
LI1 2 1,2±0,05		ю о о +1
		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе ние	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1000	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	1с = 10 мкА, le = 0	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с = 1,0 мА, lb = 0	-	-	12	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 10 мА	270	-	680	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 200 мА, 1Ь = 10мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	4,5	-	пФ
232 Транзисторы производства PANASONIC
< СКрёмйиёвый ЙРН эпитаксиальный низкбчаст<лгйь1Й транзистрробщёго применения а* ’ Л •£. >	'	SS ?	v X « -Х:Х vi- ,-х	’	*•
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа
-	Малая выходная емкость.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SA2161J.
-	Маркировка: 4U.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1000	мА I
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1		Bt_J
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1.0 мА, lb = 0	-	-	12	в
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 10 мА	270	-	680	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 200 мА, lb = 10 мА	-	-	0,25	В |
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, 1е = 10 мА	-	200	-	МГц ; .	I
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	4,5	-	пФ I
Кремнйфйяй NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления ВЧ-сигналов.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: ЗМ.
Корпус SSSMini3-Fl (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с=1,0 мА, lb = 0	-	-	10	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 8 В, lc = 20 мА	50	150	300	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 8 В, 1е= 15 мА	5,0	6,0	-	ГГц
Pg	Коэффициент усиления по мощности	Vcb = 8 В, le = 20 мА, f = 1,5 ГГц	-	10	-	ДБ
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	0,7		1_,2		пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 8 В, 1е = 7мА, f = 0,8 ГГц	-	1,3		2.0 __	_ ДБ .1
Транзисторы производства PANASONIC 233
2SC6050 'хг<',, ч Кремниевый NPN зпйтаксй^ь^ыйвысокочастотнь1й тренз^тЬр/^у
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в малогабаритной аппаратуре с максимально высокой плотностью монтажа в схемах усиления ВЧ-сиг-нала, генераторов и смесителей.
-	Малая выходная емкость.
-	Маркировка: 6N
Корпус ML3-N2 (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25°С	-	-	100	мВт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 1,0 мА, lb = 0	-	-	10	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 4 В, lc = 5 мА	50	-	150	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	0,5	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 10 мА	1,4	1,9	2,7	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 4 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,4	-	пФ
Кремниевый NPN эпитаксиЕальныйнизкочастотныйтр^нзисторббщего применения

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах малошумящих усилителей.
-	Комплементарная пара C2SA2174J.
-	Маркировка: 7М.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе ние	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	-	-	-	200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с= 1,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	160		460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 1 мА	-	100	-	МГц
Cob	*	Выходная емкость	Vcb = 10 В, 1е = 0, [=1МГц	-	2,2	-	пФ
234 Транзисторы производства PANASONIC

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SB0956.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: R + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В,
lc	Ток коллектора	-	-	-	-1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				-2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -2 В, lc = -500 мА	90	-	310	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -1 A, lb = -50 мА	-	-	-0,5	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = -50 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = O,f = 1 МГц	-	40	-	пФ
R	Q	R	S	Т
hFE	90 ..155	130 210	180 280	250 .310
2S 0184 9 А Ц^Р^йиевый NPN эпитаксиальный низкочастотный транзисторобщего применения
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SB1218A.
-	Маркировка: Z + буква, соответствующая значениям hFE. Приборы с не нормированным параметром hFE маркируются буквой Z.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	lc = 2,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=100 мА, 1Ь = 10мА	-	-0,1	0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	3,5	-	пФ
Z	Q	R	S
hFE	160...260	210...340	290...460
Транзисторы производства PANASONIC 235
2SD1820 Г J; Крем^йевйМ NPN элита^иальнь|йнйзк6частотный транзистор общего применения
?/>, ,'Х -.л--,-'1'	' > ,г,/л '	v"*', ^V'*Vk'‘ •>» -'> ''' A^s'v	'' " «'-"	- 'У?,'', ,-	< 5^? -*	'"	/' z
Особенности:
- Комплементарная пара с 2SB1219.
- Маркировка: W + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	. -	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1000	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с = 1,0 мА, lb = 0	-	-	25	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 150 мА	85	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 300 мА, lb = 30 мА	-	-35	0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	6	15	пФ
W	Q	R	S
Ьре	85 . 170	120.. 240	170 . 340
Особенности:
- Комплементарная пара C2SB1219A.
- Маркировка: W + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1000	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Vcbo	Напряжение коллектор-база (эмиттер отключен)	lc = 10 мкА, le = 0	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (база отключена)	1с= 1,0 мА, lb = 0	-	-	50	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 150 мА	85	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 300 мА, lb = 30 мА		-35	0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	6	15	пФ
W	Q	R	S
Ьре	85. .170	120 .240	170 .340
236 Транзисторы производства PANASONIC
ЛЪь^рйов^л^тный. низкочастотный транзистор		
Особенности:	Корпус SC-70 (EIAJ)	1 1	
- Прибор разработан для использования	г—т;	—г;	 r r г	тттт	Вывод Назначение		зЫ		
в схемах усиления НЧ-сигналов.		База		о
- Низкий уровень шумов.	2	Эмиттер		+I
- Комплементарная пара с 2SB1220.	3	Коллектор		см		
- Маркировка: Р + буква, соответ-	1й 2И_	
ствующая значениям Нге.	2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	130		330	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3 мА	-	-	1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	-	150	-	МГц
Cob	. Выходная емкость	Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	2,3	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
Р	R	S
Ьее	130. 220	185 .330

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Комплементарная пара с 2SB1220.
-	Маркировка: L + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
низйоШ2<6тньЖ транзистор
зМ	
	2,1 ±0,1
и 2tL 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	185	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	185	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	, В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, 1с = 10 мА	130	-	330	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3 мА	-		1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	2,3	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм		-	150	мВ
L	R	S
hFE	130 ..220	185 . 330
Транзисторы производства PANASONIC 237
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SB1440.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 1Н + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
4,5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = 20 В, lb = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 200 мА	120	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1 A, lb = 50 мА	-	0,15	0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	110	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	23	35	пФ
1Н	R	S
Ьре	120 240	170 340
О Q ГЧО*} 4	> Кремниевый NPN эпитаксиальный низкочастотный транзистор общегоприменения
>	ЯмГ 4МКММ. I wr 4	' , ч» , > \ 7>	'	*	' ч' '	~
, Л "	' ч ч	Л	,	>ч	' ч '< < ч	' ч -- ч	'	..... ,	>	<	- С-	Ч Ч '	4 X ч^ч ,	'	'	'	> ’	<,
Особенности:
-	Комплементарная пара C2SB1462.
-	Маркировка: Y + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	<	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =10 В, lc = 2 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 2 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	3,5	-	пФ
Y	Q	R	S
hFE	160 . 2600	210 340	1290. 460
238 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
- Комплементарная пара C2SB1462J.
- Маркировка: Y
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
, Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 10 В, lc = 0	-	-	100	мкА
Ь₽Е	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	180	-	390	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 2 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	3,5	-	пФ
/ 2я$^22^м1^^	низкочастотный транзистор общего применения 5
Особенности:
- Комплементарная пара C2SB1462L.
- Маркировка: L.
Корпус ML4-1N (Matsushita)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
4	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 10 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	180	-	390	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=100 мА, 1Ь = 10мА	-	0,1	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 2 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	3,5	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 239
кремниевый Ы&Й ,эпйтаксйалЙ£ьй>в&^^^
Особенности:	Корпус SC-75 (EIAJ)	
- Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов. - Низкий уровень шумов.	Вывод	Назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
-	Комплементарная пара с 2SB1463.
-	Маркировка: Р + буква, соответствующая значениям hFE.
ЕГ1
1,6±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	150	в
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	150	в
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -5 В, lc = 10 мА	130	-	330	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3 мА	-	-	1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, 1е = 0, f= 1 МГц	-	2,3	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
Р	R	S
Ьре	130 220	185 . 330
$ 2	Q A ' ’кремниевый NPN эпита^иал^^^^	низкочастотныйтранзистрр 7^
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Комплементарная пара с 2SB1463.
-	Маркировка: L + буква, соответствующая
SC-
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
значениям hFE
3					
					о +i CD
Н1		2			
1,6+0,1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	185	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	185	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
’ hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =-5 В, lc = 10 мА	130	-	330	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3 мА	-	-	1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е=10мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	2,3	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, 1с= 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
L	R	S
hFE	130.220	185 . 330
240 Транзисторы производства PANASONIC
’Транзистор средней^Йцност^^,
xv х - xvz>^:->z x’-.->>: * <:?: ^»вфг -z x-<s$g^xvxwxv«^?z"'^.''4^^$,<z\x	>я->-	л ';:Н> &г*«^«х>^^я^^Х4$3£5х	х-<> ?л ^zv,/zx-X4xx^$v?x-x^'xx>^xS .>:<•;:.-s <	"»> %% vxsVvXXvV :: ЛХ. у,/..;. < >> <-;:-
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с 2SB1537.
-Маркировка: 1М
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, 1с = 100 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 50 мА	-	-	0,15	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 50мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	30	-	пФ
D25 59 Кремниевый NPN эпитаксиальный нюкочастотный транзистор ересей мощности >
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с 2SB1539.
- Маркировка: 10.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 100 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 50 мА	-	-	0,15	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 50мА	-	100	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, 1е = 0, f= 1 МГц	-	23	-	пФ
Транзисторы производства PANASONIC 241

Особенности:
-	Прибор разработан для использования в выходных каскадах усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SB1599.
-	Маркировка: 1Y + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 1 А	80	-	220	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1,5 A, lb= 150 мА	-	-	1,0	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 500 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	45	-	пФ
1Y	Q	R
ЬрЕ	80 . 160	120..220
2SD2474
Особенности;
-	Прибор разработан для использования в схемах усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Комплементарная пара с 2SB1612.
-	Маркировка: 21.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				2,4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 7 В, le = 0	-	-	1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 200 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1 A, lb = 10 мА	-	0,17	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = 50 мА	-	180	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, le = 0, f= 1 МГц	-	53	-	пФ
242 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:
-	Комплементарная пара с 2SD0601A (2SD601A).
-	Маркировка: Z + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	см о" -н со см
И1 2И_	
2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	'Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	, 100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =10 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	0,1	0,3	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е= 1 мА	-	110	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	3,5	-	пФ
Z	Q	R	S
hFE	160 260	210.. 340	290.. 460
>5"'	? :' 4 ' :';Л .
Особенности:
-	Комплементарная пара C2SB0710A (2SB710A).
-	Маркировка: X + буква, соответствующая значениям hFE. Приборы с ненормированным параметром hFE маркируются буквой X.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЩ	
	2,8±0,2
d1 2dJ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =10 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 150 мА	85	-	340	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 300 мА, lb = 30 мА	-	0,35	0,6	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, 1е = 0, f=1 МГц	-	6	15	пФ
X	Q	R	S
Ьре	85...170	120...240	170..340
Транзисторы производства PANASONIC 243
дал
Особенности:	Корпус SC-62 (EIAJ)	
- Прибор разработан для	Вывод	Назначение
применения в выходных	1	База
каскадах схем усиления	2	Коллектор
ИЦ-сигня плп	3	Эмиттер
1П VF11 HCU1UD. - Комплементарная пара	Корпус	Коллектор
с 2SB0766 (2SB766).
- Маркировка: Z + буква, соответствующая значениям hFE.

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 500 мА	85	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 50 мА	-	0,2	-0,4	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-		20	пФ
Z	Q	R	S
hFE	85.. 170	120...240	170..340
2SD0874A (2SD874A)

Особенности:
-	Прибор разработан для применения в выходных каскадах схем усиления НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SB0766A (2SB766A).
-	Маркировка: Y + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
4,5±0,1
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 500 мА	85	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 50 мА	-	-0,2	0,4	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	-	20	пФ
Y	Q	R	S
hFE	85...170	120. 240	170 ..340
244 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности:	Корпус SC-62 (EIAJ)	
- Прибор разработан для	Вывод	Назначение
применения в выходных	1	База
каскадах схем усиления	2	Коллектор
	3	Эмиттер
rlCUlVD. - Комплементарная пара	Корпус	Коллектор
с 2SB0767 (2SB767).		
- Маркировка: X + буква, соответствующая значениям hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 10 В, lc = 0	-	-	100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 150 мА	130 '	-	330	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 300 мА, lb = 30 мА	-	-0,2	0,4	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	120	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	11	20	пФ
X	R	S
hre	130 . 1220	185...330
Транзисторы производства RENESAS 245
Транзисторы производства RENESAS
7 ' 1^^ниевыйМн*эпитаксиальЙЛ^и^	,
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: С + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-55	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-55	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-55	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = о°	-55	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	160	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,5	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	-	-0,75	В
С	С	D	Е
hFE	160 320	250. 500	400 800
2SA1468
Кремниевый PNP низкочастотный высоковольтный транзистор oSrneio п|ййменения \
Особенности:
-	Высокое напряжение пробоя Vcbo.
-	Маркировка: IN + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-180	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-180	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-0,1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-180	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -160 В, le = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	100	-	320	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc =-0,03 А, lb =-3 мА	-	-	-0,5	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	-	-1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = -12 В, lc = -10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	3,5	-	пФ
IN	в	С
hFE	100...200	160 320
246 Транзисторы производства RENESAS
применения ^;у С *
Особенности:
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: М + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	2,1 ±0,1
1И 2ti 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	1с = -10 мкА, le = 0	-30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-30	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	. -5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -20 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,5	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc =-2 мА	100	-	500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,2	,В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc = -2 мА	-	-	-0,75	В
м	В	С	D
hFE	100 200	160.. 320	250 500
, 2Sj/^2081 Кр^мнир^ыиРЫРзпитак^иальн^1ириз1<рчастотньгй транзистор общего применения
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: С + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-55 	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-55	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = -10 мкА, le = 0	-55	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = -1 мА, Rbe = 00	-55	-	-	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя Э-Б	le = -10 мкА , lc = 0	-5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = -30 В, le = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -2 В, lc = 0	-	-	-0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -12 В, lc = -2 мА	160	-	800	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -1 мА	-	-	-0,5	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = -12 В, lc =-2 мА	-	-	-0,75	В
С	С	D	Е
Ьре	160...320	250...500	400 . 800
Транзисторы производства RENESAS 247
2SC2620
Кремниевый лЫРЙ?эпит^к^йаййнЫй высокочастотный транзистордл^рабрть!» радиочастотных схемах*^/7;'' ,;>7 ty: : .77	<г7.;	:
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей и генераторов.
-	Маркировка: Q + буква, соответствующая значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	4	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	20	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,5	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 6 В, lc = 1 мА	60	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,17	-	В
Vbe	Напряжение Б-Э	Vce = 6 В, lc = 1 мА	-	0,72	-	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 6 В, lc = 5 мА	-	940	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	0,9	-	пФ
Q	В	С
Ьре	60 120	100 200
2SC3127
Кремниевый NPN эпитаксиальный высокочастотный малошумящий транзистор для * работы в радиочастотных схемах^ > < 7, *	л *4
Особенности:
-	Типовое значение коэффициента шума - 2,2 дБ (f = 900 МГц).
-	Маркировка: ID-
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	20	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = “	12	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 12 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	10	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 20 мА	30	90	200	-
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f= 1 МГц	-	0,9	1,5	пФ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	3,5	4,5	-	ГГц
PG	Коэффициент усиления по мощности	Vce = 5 В, lc = 20 мА,	-	10,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	f=900 МГц	-	2,2	-	ДБ
248 Транзисторы производства RENESAS
Особенности:
- Напряжение пробоя Vceo = 300 В.
- Маркировка: AS.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	300	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	300	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт >
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	300	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	300	-	-	В
V(br)beo	Напряжение пробоя Б-Э	le = 10 мкА, lc = 0	5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 250 В, le = 0	-	-	1,0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 20 В, lc = 20 мА	30	-	200	-
Cob	Выходная емкость	Vcb = 20 В, le = 0, f= 1 МГц	-	4	-	пФ
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 20 В, lc = 20 мА	-	80	-	МГц
транзистор, для работы в ключей,
Особенности:
-	Высокое напряжение пробоя Vcbo.
-	Маркировка: KI + буква, соответствующая значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
30
	СМ о” +I СО см
Q’ 2И_ 2,9+0,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора		-	-	0,1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 1 мА, le = 0	120	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	120	-	-	В
V(br)beo	Напряжение пробоя Б-Э	le = 10 мкА, lc = 0	5	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 70 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 2 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =12 В, lc = 2 мА	250	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,01 A, lb = 1 мА	-	-	0,1	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,01 A, lb = 1 мА	-	-	1,1	В
KI	D	Е
hFE	250..500	400...800
Транзисторы производства RENESAS 249
транзистор	в ?радйо*г
ЙЖМЬт*'*частотных схемах , ifl;*;й^Ж '<д/Ъ	' т < /'::/ \, ':’	у< ,А Л.>'<< /v i/
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей и генераторов.
-	Маркировка: QI-
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	2,8±0,2
Q1 2Q_ 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	25	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,3	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,3	-	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	50	-	180	-
f?	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	1,8	2,4	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	0,7	1,0	-	пФ
<^0/^^420^^Гт ^^Д^^Р6м«й6ЙЫИ'Н^Жита1«^ап^Н1йй4^сокрчастотныи транзистор для работы в
Особенности:
- Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
- Маркировка: TI-
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зД
	2,8+0,2
О’ 2tL 2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	13	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	25	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	0,3	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,3	-	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	50	-	180	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	3,0	3,8	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	0,85	1.3	-	пФ
NF	Коэффициент шума	f(osc) = 930 МГц f(out) = 30 МГц	-	8,0	-	ДБ
250 Транзисторы производства RENESAS
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: TI-
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зП
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	13	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	25	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	0,3	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,3	-	В
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	50	-	180	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 5 мА	3,0	3,8	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, i = 1 МГц	0,85	1,3	-	пФ
NF	Коэффициент шума	f(osc) = 930 МГц f(out) = 30 МГц	-	8,0	-	ДБ
-mJ?транзистор для работыв радиол
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей и генераторов.
-	Маркировка: QI-.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		3	В
lc	Ток коллектора	-	-		50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	25	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,3	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,3		В
Hfe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	50	-	180	
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, lc = 20 мА	1,8	2,4	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	0,7	1,0		пФ
Транзисторы производства RENESAS 251

р?^й^йт^ых^хемаЯ< Ш
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах ВЧ-усилителей и генераторов.
-	Маркировка: IP-
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	15	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	20	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	15	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	0,5	-	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	50	-	200	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	1,4	2,9	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	1,0	-	пФ
«2SC42640 й Кремниевый МРИ 'Высокочастотной; ^^зистор для работы в радиочастотных
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: GC
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зН	
	2,1 ±0,1
И 2t± 2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	11	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	20	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	11	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	20	- 90	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 5 мА	-	-	0,7	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 5 мА	1,4	-	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	-	1,5	пФ
252 Транзисторы производства RENESAS
2SC4265* КремниевыйЙРМ высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
/ «V	' < х >	- Л »	’	* ' < Д? f	Д’ ' Л	х *	* 4
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: JC
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зН	
	2,1 ±0,1
а га_	
2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
V(br)cbo	Напряжение пробоя К-Б	lc = 10 мкА, le = 0	30	-	-	В
V(br)ceo	Напряжение пробоя К-Э	lc = 1 мА, Rbe = 00	20	-	-	В
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 3 В, lc = 0	-	-	10	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 10 мА	40	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 20 мА, lb = 4 мА	-	-	1	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, lc = 10 мА	600	1200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	-	1,5	пФ
МК^^Кремниевыйг^рй^п^аксийьнйЙ^в^сЬкочастотный малошумящий транзистор для \ работыврадиочастотныхсхемаКг	-	V?
Особенности:
-	Прибор разработан для использования в схемах широкополосных усилителей.
-	Маркировка: IS-
Ко�