ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
А21
А21 Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-
приемников и мониторов. Справочник./ Сост. Ю.Ф. Авраменко - М.: Издатель-
ский дом "Додэка-ХХГ, К.: "МК-Пресс", 2006. — 544с, ил. (Серия "Элементная
база»")
ISBN 5-94120-126-5
ISBN 966-8806-17-4
В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов,
имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках
питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной ви-
део- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупровод-
никовых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS,
SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица
аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement
Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлек-
тронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.
ББК 32.852.3
ISBN 5-94120-126-5 (ИД "Додэка-ХХГ1)
ISBN 966-8806-17-4 ("МК-Пресс") © "МК-Пресс", оформление,
дизайн обложки, 2006

Содержание 3
Содержание
Алфавитный список
полупроводниковых при-
боров, приведенных в
справочнике 10
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
FAIRCHILD 23
FJA13009 23
FJAF6806D 23
FJAF6808D 24
FJAF6810 24
FJAF6810D 25
FJAF6812 25
FJAF6815 26
FJAF6820 26
FJAF6910 27
FJAF6916 27
FJAF6920 28
FJD5304D 28
FJE3303 29
FJE5304D 29
FJL6820 30
FJL6825 30
FJL6920 31
FJN13003 31
FJP3305 32
FJP5021 32
FJP5304D 33
FJP5321 33
FJP5355 34
FJP5554 34
FJP5555 35
FJPF13007 35
FJPF13009 36
FJPF3305 36
FJPF5021 37
FJPF5027 37
FJPF5321 38
FJPF5555 38
FJPF6806D 39
KSA1156 39
KSC2233 40
KSC2333 40
ICSC2335 41
KSC2518 41
KSC2751 42
KSC2752 42
KSC3552 43
KSC5026M 43
KSC5027 44
KSC5039F 44
KSC5042F 45
KSC5042M 45
KSC5338D 46
KSC5338DW 46
KSC5367F 47
KSC5386 47
KSC5504D 48
KSC5504DT 48
KSC5801 49
KSC5802 49
KSC5803 50
KSD362 50
KSD363 51
KSD5701 51
KSD5703 52
KSD5707 52
KSE5020 53
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
HITACHI 54
2SC1942 54
2SC2928 54
2SC3025 55
2SC3026 55
2SC3322 56
2SC3336 56
2SC3365 57
2SC3658 57
2SC3659 58
2SC4589 58
2SC4692 59
2SC4742 59
2SC4743 60
2SC4744 60
2SC4745 61
2SC4746 61
2SC4747 62
2SC4789 62
2SC4796 63
2SC4797 63
2SC4877 64
2SC4878 64
2SC4879 65
2SC4880 65
2SC4897 66
2SC4927 66
2SC4928 67
2SC4962 67
2SC5058 68
2SC5068A 68
2SC5105 69
2SC5132A 69
2SC5207A 70
2SC5219 70
2SC5250 71
2SC5251 71
2SC5252 72
2SC5447 72
2SC5448 73
2SC5470 73
2SD2294 74
2SD2295 74
2SD2296 75
2SD2297 75
2SD2298 76
2SD2299 76
2SD2300 77
2SD2301 77
2SD2311 78
2SD2337 78
2SD2342 79
2SD2381 79
2SD2491 80
2SD2492 80
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
ON SEMICONDUCTOR
(MOTOROLA) 81
BU406 81
BU407 81
BUL44 82
BUL45 82
BUV21 83
BUV22 83
BUV26 84
BUX85 84
MJE13003 85
MJE13005 85
MJE13007 86
MJE13009 86
MJE16002 87
MJE16004 87
MJE16106 88
MJE18002 88
MJE18004 89
MJE18206 89
MJF18002 90
MJF18004 90
MJF18206 91

4 Содержание
MJW16212 91
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
PANASONIC 92
2SC3506 92
2SC3507 92
2SC3974 93
2SC4420 93
2SC5243 94
2SC5244 94
2SC5244A 95
2SC5270 95
2SC5270A 96
2SC5406 96
2SC5406A 97
2SC5407 97
2SC5412 98
2SC5423 98
2SC5440 99
2SC5478 99
2SC5513 100
2SC5514 100
2SC5515 101
2SC5516 101
2SC5517 102
2SC5518 102
2SC5519 103
2SC5546 103
2SC5552 104
2SC5553 104
2SC5583 105
2SC5584 105
2SC5591 106
2SC5597 106
2SC5622 107
2SC5686 107
2SC5739 108
2SC5779 108
2SC5788 109
2SC5884 109
• 2SC5885 НО
2SC5902 110
2SC5904 111
2SC5905 111
2SC5909 112
2SC5912 112
2SC5913 113
2SC5914 ИЗ
2SC5931 114
2SC5993 114
2SC6012 115
2SD1439 115
2SD1440 116
2SD1441 116
2SD1541 117
2SD1632 117
2SD1729 118
2SD1730 118
2SD1731 119
2SD1732 119
2SD1739 120
2SD1846 120
2SD1849 121
2SD1850 121
2SD2057 122
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
PHILIPS 123
BU505 123
BU505D 123
BU505DF 124
BU505F 124
BU506 125
BU506D 125
BU506DF 126
BU506F 126
BU508AF 127
BU508AW 127
BU508DF 128
BU508DW 128
BU1506DX 129
BU1507AX 129
BU1507DX 130
BU1508AX 130
BU1508DX 131
BU2506DF 131
BU2506DX 132
BU2507AF 132
BU2507AX 133
BU2507DF 133
BU2507DX 134
BU2508A 134
BU2508AF 135
BU2508AW 135
BU2508AX 136
BU2508D 136
BU2508DF 137
BU2508DW 137
BU2508DX 138
BU2515AF 138
BU2515AX 139
BU2515DF 139
BU2515DX 140
BU2520A 140
BU2520AF 141
BU2520AW 141
BU2520AX 142
BU2520D 142
BU2520DF 143
BU2520DW 143
BU2520DX 144
BU2522A 144
BU2522AF 145
BU2522AW 145
BU2522AX 146
BU2522DF 146
BU2522DX 147
BU2523AF 147
BU2523AX 148
BU2523DF 148
BU2523DX 149
BU2525A 149
BU2525AF 150
BU2525AW 150
BU2525AX 151
BU2525DF 151
BU2525DW 152
BU2525DX 152
BU2527A 153
BU2527AF 153
BU2527AW 154
BU2527AX 154
BU2527DF 155
BU2527DX 155
BU2530AL 156
BU2530AW 156
BU2532AL 157
BU2532AW 157
BU2708AF 158
BU2708AX 158
BU2708DF 159
BU2708DX 159
BU2720AF 160
BU2720AX 160
BU2720DF 161
BU2720DX 161
BU2722AF 162
BU2722AX 162
BU2722DF 163
BU2722DX 163
BU2725AF 164
BU2725AX 164
BU2725DF 165
BU2725DX 165
BU2727A 166
BU2727AF 166
BU2727AW 167
BU2727AX 167
BU2730AL 168
BU4506AF 168

Содержание 5
BUX87-1100 223
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
SAMSUNG 224
KSD5001 224
KSD5002 224
KSD5003 225
KSD5004 225
KSD5005 226
KSD5007 226
KSD5011 227
KSD5013 227
KSD5015 228
KSD5017 228
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
SANKEN 229
2SC3678 229
2SC3679 229
2SC3680 230
2SC3830 230
2SC3831 231
2SC3832 231
2SC3833 232
2SC3890 232
2SC3927 233
2SC4020 233
2SC4130 234
2SC4138 234
2SC4139 235
2SC4140 235
2SC4296 236
2SC4297 236
2SC4298 237
2SC4299 237
2SC4300 238
2SC4304 238
2SC4418 239
2SC4434 239
2SC4445 240
2SC4517 240
2SC4517A 241
2SC4518 241
2SC4518A 242
2SC4546 242
2SC4557 243
2SC4662 243
2SC4706 244
2SC4907 244
2SC4908 245
2SC5002 245
BU4506AX 169
BU4506AZ 169
BU4506DF 170
BU4506DX 170
BU4506DZ 171
BU4507AF 171
BU4507AX 172
BU4507AZ 172
BU4507DF 173
BU4507DX 173
BU4507DZ 174
BU4508AF 174
BU4508AX 175
BU4508AZ 175
BU4508DF 176
BU4508DX 176
BU4508DZ 177
BU4515AF 177
BU4515AX 178
BU4515DF 178
BU4515DX 179
BU4522AF 179
BU4522AX 180
BU4522DF.: 180
BU4522DX 181
BU4523AF 181
BU4523AW 182
BU4523AX 182
BU4523DF 183
BU4523DW 183
BU4523DX 184
BU4525AF 184
BU4525AL 185
BU4525AW 185
BU4525AX 186
BU4525DF 186
BU4525DL 187
BU4525DW 187
BU4525DX 188
BU4530AL 188
BU4530AW 189
BU4530AX 189
BU4540AL 190
BU4540AW 190
BU4550AL 191
BUJ101A 191
BUJ101AU 192
ВШ101АХ 192
BUJ103A 193
BUJ103AU 193
ВШ103АХ 194
BUJ105A 194
BUJ105AB 195
BUJ105AX 195
BUJ106A 196
BUJ106AX 196
BUJ202A 197
BUJ202AX 197
ВШ204А 198
ВШ204АХ 198
ВШ205А 199
ВШ205АХ 199
BUJ301A 200
ВШ301АХ 200
BUJ302A 201
BUJ302AX 201
ВШЗОЗА 202
ВШ303АХ 202
BUJ304A 203
BUJ304AX 203
BUJ403A 204
BUJ403AX 204
ВШ403ВХ 205
BUT11 205
BUT11A 206
BUT11AF 206
BUT11AI 207
BUT11AX 207
BUT11APX 208
BUT11APX-1200 208
BUT11F 209
BUT11XI 209
BUT12 210
BUT12A 210
BUT12AF 211
BUT12AI 211
BUT12F 212
BUT12XI 212
BUT18 213
BUT18A 213
BUT18AF 214
BUT18F 214
BUW11AF 215
BUW11F 215
BUW11AW 216
BUW11W 216
BUW13AF 217
BUW13F 217
BUW13AW 218
BUW13W 218
BUW14 219
BUX84 219
BUX84F 220
BUX84S 220
BUX85 221
BUX85F 221
BUX86P 222
BUX87P 222

6 Содержание
2SC5003 246
2SC5071 246
2SC5124 247
2SC5130 247
2SC5239 248
2SC5249 248
2SC5271 249
2SC5287 249
Мощные транзисторы
с высокой скоростью пере-
ключения производства
SANYO 250
2SA1402 250
2SA1403 250
2SA1404 251
2SA1405 251
2SA1406 252
2SA1407 252
2SA1474 253
2SA1475 253
2SA1476 254
2SA1536 254
2SA1537 255
2SA1538 255
2SA1539 256
2SA1540 256
2SA1541 257
2SA1967 257
2SA1968LS 258
2SC3176 258
2SC3591 259
2SC3595 259
2SC3596 260
2SC3597 260
2АС3598 261
2SC3599 261
2SC3600 262
2SC3601 262
2SC3636 263
2SC3637 263
2SC3638 264
2SC3642 264
2SC3643 265
2SC3675 265
2SC3676 266
2SC3685 266
2SC3686 267
2SC3687 267
2SC3688 268
2SC3780 268
2SC3781 269
2SC3782 269
2SC3894 270
2SC3895 270
2SC3896 271
2SC3897 271
2SC3950 272
2SC3951 272
2SC3952 273
2SC3953 273
2SC3954 274
2SC3955 274
2SC3956 275
2SC3995 275
2SC3996 276
2SC3997 276
2SC3998 277
2SC4030 277
2SC4031 278
2SC4123 278
2SC4124 279
2SC4125 279
2SC4256 280
2SC4257 280
2SC4271 281
2SC4291 281
2SC4293 282
2SC4411 282
2SC4423 283
2SC4425 283
2SC4426 284
2SC4427 284
2SC4428 285
2SC4429 285
2SC4430 286
2SC4435 286
2SC4437 287
2SC4440 287
2SC4441 288
2SC4450 288
2SC4451 289
2SC4475 289
2SC4476 290
2SC4478 290
2SC4493 291
2SC4563 291
2SC4572 292
2SC4578 292
2SC4579 293
2SC4630 293
2SC4631 294
2SC4632 294
2SC4633 295
2SC4634 295
2SC4635 296
2SC4636 296
2SC4637 297
2SC4660 297
2SC4710 298
2SC4710LS 298
2SC4769 299
2SC4770 299
2SC4924 300
2SC5041 300
2SC5042 301
2SC5043 301
2SC5044 302
2SC5045 302
2SC5046 303
2SC5047 303
2SC5238 304
2SC5296 304
2SC5297 305
2SC5298 305
2SC5299 306
2SC5300 306
2SC5301 307
2SC5302 307
2SC5303 308
2SC5443 308
2SC5444 309
2SC5450 309
2SC5451 310
2SC5452 310
2SC5453 311
2SC5506 311
2SC5577 312
2SC5578 312
2SC5637 313
2SC5638 313
2SC5639 314
2SC5680 314
2SC5681 315
2SC5682 315
2SC5683 316
2SC5689 316
2SC5690 317
2SC5696 317
2SC5698 318
2SC5699 318
2SC5722 319
2SC5723 319
2SC5776 320
2SC5777 320
2SC5778 321
2SC5791 321
2SC5792 322
2SC5793 322
2SC5794 323
2SC5811 323
2SC5899 324
2SC5900 324

Содержание 7
2SC5932 325
2SC5933 325
2SC5966 326
2SC5967 326
2SC5968 327
2SD1159 327
2SD1876 328
2SD1877 328
2SD1878 329
2SD1879 329
2SD1880 330
2SD1881 330
2SD1882 331
2SD1883 331
2SD1884 332
2SD1885 332
2SD1886 333
2SD1887 333
2SD1908 334
2SD1958 334
2SD2251 335
2SD2252 335
2SD2578 336
2SD2579 336
2SD2580 337
2SD2581 337
2SD2624 338
2SD2627LS 338
2SD2629 339
2SD2634 339
2SD2645 340
2SD2646 340
2SD2648 341
2SD2649 341
2SD2650 342
2SD2658LS 342
2SD2688LS 343
2SD2689LS 343
TS7988 344
TS7990 344
TS7992 345
TS7994 345
TT2138LS 346
TT2140LS 346
ТТ2142 347
TT2170LS 347
TT2190LS 348
ТТ2202 348
Мощные транзисторы с
высокой скоростью пере-
ключения производства
SHINDENGEN 349
2SA1598 349
2SA1599 349
2SA1600 350
2SA1601 350
2SA1795 351
2SA1796 351
2SA1876 352
2SA1877 352
2SA1878 353
2SA1879 353
2SB1282 354
2SB1283 354
2SB1284 355
2SB1285 355
2SB1448 356
2SC4051 356
2SC4052 357
2SC4053 357
2SC4054 358
2SC4055 358
2SC4056 359
2SC4057 359
2SC4058 360
2SC4059 360
2SC4060 361
2SC4148 361
2SC4149 362
2SC4150 362
2SC4151 363
2SC4230 363
2SC4231 364
2SC4232 364
2SC4233 365
2SC4234 365
2SC4235 366
2SC4236 366
2SC4237 367
2SC4580 367
2SC4582 368
2SC4583 368
2SC4584 369
2SC4585 369
2SC4663 370
2SC4664 370
2SC4668 371
2SC4669 371
2SC4833 372
2SC4834 372
2SC4876 373
2SC4914 373
2SC4940 374
2SC4941 374
2SC4978 375
2SC4979 375
2SC4980 376
2SC4981 376
2SC4982 377
2SC5241 377
2SD1022 378
2SD1023 378
2SD1024 379
2SD1025 379
2SD1026 380
2SD1027 380
2SD1788 381
2SD1789 381
2SD1790 382
2SD1791 382
2SD1792 383
2SD1793 383
2SD1794 384
2SD1795 384
2SD2196 385
Мощные транзисторы с вы-
сокой скоростью переклю-
чения производства ST-
MICROELECTRONICS. 386
BU208A 386
BU505 386
BU508A 387
BU508AFI 387
BU508DFI 388
BU808DFI 388
BUF405A 389
BUF405AFP 389
BUF410 390
BUF410A 390
BUF420 391
BUF420A 391
BUF420M 392
BUH1015 392
BUH1015HI 393
BUH1215 393
BUH2M20AP 394
BUH315 394
BUH315D 395
BUH315DFH 395
BUH515 396
BUH515D 396
BUH615D 397
BUH715 397
BUL1101E 398
BUL1102E 398
BUL118 399
BUL1203E 399
BUL1403ED 400
BUL213 400
BUL216 401
BUL310 401
BUL310FP 402

8 Содержание
BUL312FH 402
BUL312FP 403
BUL381 403
BUL381D 404
BUL382 404
BUL382D 405
BUL38D 405
BUL39D 406
BUL416 406
BUL49D 407
BUL510 407
BUL57 408
BUL57FP 408
BUL58D 409
BUL59 409
BUL654 410
BUL67 410
BUL742 411
BUL810 411
BUL89 412
BULB128D-1 412
BULB39D 413
BULB49D 413
BULD118D-1 414
BULK128D 414
BULT118 415
BULT118D 415
BUV48C 416
BUV48CFI 416
BUW1015 417
BUW1215 417
BUX48C 418
HD1520FX 418
HD1530FX 419
HD1530JL 419
HD1750FX 420
HD1750JL 420
HD1760JL 421
MD1803DFX 421
MD2310FX 422
MJD47T4 422
MJD49T4 423
MJD50T4 423
S2000AFI 424
SGSF313 424
SGSF313PI 425
SGSF344 425
SGSF464 426
SGSFI464 426
ST13003 427
ST13005 427
ST13007 428
ST13007FP 428
ST13007N 429
ST13007NFP 429
ST1802FH 430
ST1803DFH 430
ST1803DHI 431
ST2001FX 431
ST2009DXI 432
ST2310DXI 432
ST2310FX 433
ST2317DFX 433
ST2408H1 434
ST83003 434
STB13005-1 435
STD13003-1 435
STD13003-T4 436
STD83003-1 436
STD83003-T4 437
STK13003 437
STX13005 438
THD200F1 438
THD215HI 439
THD218DHI 439
THD277HI 440
Мощные транзисторы с
высокой скоростью пере-
ключения производства
TOSHIBA 441
2SC3307 441
2SC3425 441
2SC3657 442
2SC3715 442
2SC3716 443
2SC3884A 443
2SC3885A 444
2SC3886A 444
2SC3887 445
2SC3887A 445
2SC3888 446
2SC3888A 446
2SC3889 447
2SC3889A 447
2SC3892 448
2SC3892A 448
2SC3893 449
2SC3893A 449
2SC4157 450
2SC4288 450
2SC4288A 451
2SC4289 451
2SC4289A 452
2SC4290 452
2SC4290A 453
2SC4531 453
2SC4532 454
2SC4542 454
2SC4560 455
2SC4608 455
2SC4757 456
2SC4758 456
2SC4759 457
2SC4760 457
2SC4761 458
2SC4762 458
2SC4763 459
2SC4764 459
2SC4765 460
2SC4766 460
2SC4806 461
2SC4830 461
2SC4916 462
2SC5048 462
2SC5129 463
2SC5142 463
2SC5143 464
2SC5144 464
2SC5148 465
2SC5149 465
2SC5150 466
2SC5172 466
2SC5266 467
2SC5279 467
2SC5280 468
2SC5331 468
2SC5332 469
2SC5339 469
2SC5353 470
2SC5354 470
2SC5386 471
2SC5387 471
2SC5404 472
2SC5411 472
2SC5421 473
2SC5422 473
2SC5439 474
2SC5445 474
2SC5446 475
2SC5570 475
2SC5587 476
2SC5588 476
2SC5589 477
2SC5590 477
2SC5612 478
2SC5695 478
2SC5716 479
2SC5717 479
2SC5748 480
2SC5855 480
2SC5856 481
2SC5857 481

Содержание 9
2SC5858 482
2SC5859 482
2SD1279 483
2SD1425 483
2SD1426 484
2SD1427 484
2SD1428 485
2SD1429 485
2SD1430 486
2SD1431 486
2SD1432 487
2SD1433 487
2SD1543 488
2SD1544 488
2SD1545 489
2SD1546 489
2SD1547 490
2SD1548 490
2SD1553 491
2SD1554 491
2SD1555 492
2SD1556 492
2SD2089 493
2SD2095 493
2SD2125 494
2SD2253 494
2SD2348 495
2SD2349 495
2SD2428 496
2SD2454 496
2SD2498 497
2SD2499 497
2SD2500 498
2SD2539 498
2SD2550 499
2SD2551 499
2SD2553 500
2SD2559 500
2SD2586 501
2SD2599 501
2SD2638 502
2SD811 502
2SD818 503
2SD819 503
2SD820 504
2SD821 504
2SD822 505
2SD868 505
2SD869 506
2SD870 506
2SD871 507
S2000 507
S2000A 508
S2000AF 508
S2000F 509
S2000N 509
S2055 510
S2055A 510
S2055AF 511
S2055F 511
S2055N 512
Транзисторы с высокой
скоростью переключения
производства ZETEX ....513
BST39 513
FMMT458 513
FMMT459 514
FMMT497 514
FZT458 515
FZT658 515
FZT857 516
FZTA42 516
Аналоги полупроводнико-
вых приборов, приведен-
ных в справочнике 517
Типовое использование
транзистора с высокой
скоростью переключения
в схемах строчной
развертки 538

10 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SA1402
2SA1403
2SA1404
2SA1405
2SA1406
2SA1407
2SA1474
2SA1475
2SA1476
2SA1536
2SA1537
2SA1538
2SA1539
2SA1540
2SA1541
2SA1598
2SA1599
2SA1600
2SA1601
2SA1795
2SA1796
2SA1876
2SA1877
2SA1878
2SA1879
2SA1967
2SA1968LS
2SB1282
2SB1283
2SB1284
2SB1285
2SB1448
2SC1942
2SC2928
2SC3025
2SC3026
2SC3176
2SC3307
2SC3322
2SC3336
2SC3365
2SC3425
2SC3506
2SC3507
2SC3591
2SC3595
2SC3596
2SC3597
2АС3598
2SC3599
2SC3600
2SC3601
2SC3636
2SC3637
2SC3638
2SC3642
2SC3643
2SC3657
2SC3658
2SC3659
2SC3675
2SC3676
2SC3678
2SC3679
2SC3680
2SC3685
2SC3686
2SC3687
2SC3688
2SC3715
2SC3716
2SC3780
2SC3781
2SC3782
2SC3830
2SC3831
Производитель
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
Стр.
250
250
251
251
252
252
253
253
254
254
255
255
256
256
257
349
349
350
350
351
351
352
352
353
353
257
258
354
354
355
355
356
54
54
55
55
258
441
56
56
57
441
92
92
259
259
260
260
261
261
262
262
263
263
264
264
265
442
57
58
265
266
229
229
230
266
267
267
268
442
443
268
269
269
230
231
Применение
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскад^ы видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Схемы динамической с
Схемы динамической с
юкусировки
оокусировки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 11
Прибор
2SC3832
2SC3833
2SC3884A
2SC3885A
2SC3886A
2SC3887
2SC3887A
2SC3888
2SC3888A
2SC3889
2SC3889A
2SC3890
2SC3892
2SC3892A
2SC3893
2SC3893A
2SC3894
2SC3895
2SC3896
2SC3897
2SC3927
2SC3950
2SC3951
2SC3952
2SC3953
2SC3954
2SC3955
2SC3956
2SC3974
2SC3995
2SC3996
2SC3997
2SC3998
2SC4020
2SC4030
2SC4031
2SC4051
2SC4052
2SC4053
2SC4054
2SC4055
2SC4056
2SC4057
2SC4058
2SC4059
2SC4060
2SC4123
2SC4124
2SC4125
2SC4130
2SC4138
2SC4139
2SC4140
2SC4148
2SC4149
2SC4150
2SC4151
2SC4157
2SC4230
2SC4231
2SC4232
2SC4233
2SC4234
2SC4235
2SC4236
2SC4237
2SC4256
2SC4257
2SC4271
2SC4288
2SC4288A
2SC4289
2SC4289A
2SC4290
2SC4290A
2SC4291
2SC4293
2SC4296
2SC4297
Производитель
SANKEN
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
TOSHIBA
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
Стр.
231
232
443
444
444
445
445
446
446
447
447
232
448
448
449
449
270
^270
271
271
233
272
272
273
273
274
274
275
93
275
276
276
277
233
277
278
356
357
357
358
358
359
359
360
360
361
278
279
279
234
234
235
235
361
362
362
363
450
363
364
364
365
365 j
366
366
367
280
280
281
450
451
451
452
452
453
281
282
236
236
Применение
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады видеоусилителей
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Выходные каскады видеоусилителей
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания

12 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC4298
2SC4299
2SC4300
2SC4304
2SC4411
2SC4418
2SC4420
2SC4423
2SC4425
2SC4426
2SC4427
2SC4428
2SC4429
2SC4430
2SC4434
2SC4435
2SC4437
2SC4440
2SC4441
2SC4445
2SC4450
2SC4451
2SC4475
2SC4476
2SC4478
2SC4493
2SC4517
2SC4517A
2SC4518
2SC4518A
2SC4531
2SC4532
2SC4542
2SC4546
2SC4557
2SC4560
2SC4563
2SC4572
2SC4578
2SC4579
2SC4580
2SC4582
2SC4583
2SC4584
2SC4585
2SC4589
2SC4608
2SC4630
2SC4631
2SC4632
2SC4633
2SC4634
2SC4635
2SC4636
2SC4637
2SC4660
2SC4662
2SC4663
2SC4664
2SC4668
2SC4669
2SC4692
2SC4706
2SC4710
2SC4710LS
2SC4742
2SC4743
2SC4744
2SC4745
2SC4746
2SC4747
2SC4757
2SC4758
2SC4759
2SC4760
2SC4761
2SC4762
2SC4763
2SC4764
Производитель
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANYO
SANKEN
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANKEN
SANKEN
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
SANKEN
SANYO
SANYO
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
Стр.
237
237
238
238
282
239
93
283
283
284
284
285
285
286
239
286
287
287
288
240
288
289
289
290
290
291
240
241
241
242
453
454
454
242
243
455
291
292
292
293
367
368
368
369
369
58
455
293
294
294
295
295
296
296
297
297
243
370
370
371
371
59
244
298
298
59
60
60
61
61
62
456
456
457
457
458
458
459
459
Применение
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады видеоусилителей
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Схемы динамической с
Схемы динамической с
Схемы динамической с
Схемы динамической с
Схемы динамической с
Схемылинамической с
юкусировки
юкусировки
юкусировки
юкусировки
Ьокусировки
юкусировки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады видеоусилителей
Схемы^инамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Выходные каскады видеоусилителей
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Схемы динамической фокусировки
Схемы динамической фокусировки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 13
Прибор
2SC4765
2SC4766
2SC4769
2SC4770
2SC4789
2SC4796
2SC4797
2SC4806
2SC4830
2SC4833
2SC4834
2SC4876
2SC4877
2SC4878
2SC4879
2SC4880
2SC4897
2SC4907
2SC4908
2SC4914
2SC4916
2SC4924
2SC4927
2SC4928
2SC4940
2SC4941
2SC4962
2SC4978
2SC4979
2SC4980
2SC4981
2SC4982
2SC5002
2SC5003
2SC5041
2SC5042
2SC5043
2SC5044
2SC5045
2SC5046
2SC5047
2SC5048
2SC5058
2SC5068A
2SC5071
2SC5105
2SC5124
2SC5129
2SC5130
2SC5132A
2SC5142
2SC5143
2SC5144
2SC5148
2SC5149
2SC5150
2SC5172
2SC5207A
2SC5219
2SC5238
2SC5239
2SC5241
2SC5243
2SC5244
2SC5244A
2SC5249
2SC5250
2SC5251
2SC5252
2SC5266
2SC5270
2SC5270A
2SC5271
?t;C5279
2SC5280
2SC5287
2SC5296
2SC5297
2SC5298
Производитель
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
SANKEN
SANKEN
SHINDENGEN
TOSHIBA
SANYO
HITACHI
HITACHI
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANKEN
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANKEN
HITACHI
SANKEN
TOSHIBA
SANKEN
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANYO
SANKEN
SHINDENGEN
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SANKEN
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
Стр.
460
460
299
299
62
63
63
461
461
372
372
373
64
64
65
65
66
244
245
373
462
300
66
67
374
374
67
375
375
376
376
377
245
246
300
301
301
302
302
303
303
462
68
68
246
69
247
463
247
69
463
464
464
465
465
466
466
70
70
304
248
377
94
94
95
248
71
71
72
467
95
96
249
467
468
249
304
305
305
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

14 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC5299
2SC5300
2SC5301
2SC5302
2SC5303
2SC5331
2SC5332
2SC5339
2SC5353
2SC5354
2SC5386
2SC5387
2SC5404
2SC5406
2SC5406A
2SC5407
2SC5411
2SC5412
2SC5421
2SC5422
2SC5423
2SC5439
2SC5440
2SC5443
2SC5444
2SC5445
2SC5446
2SC5447
2SC5448
2SC5450
2SC5451
2SC5452
2SC5453
2SC5470
2SC5478
2SC5506
2SC5513
2SC5514
2SC5515
2SC5516
2SC5517
2SC5518
2SC5519
2SC5546
2SC5552
2SC5553
2SC5570
2SC5577
2SC5578
2SC5583
2SC5584
2SC5587
2SC5588
2SC5589
2SC5590
2SC5591
2SC5597
2SC5612
2SC5622
2SC5637
2SC5638
2SC5639
2SC5680
2SC5681
2SC5682
2SC5683
2SC5686
2SC5689
2SC5690
2SC5695
2SC5696
2SC5698
2SC5699
2SC5716
2SC5717
2SC5722
2SC5723
2SC5739
2SC5748
Производитель
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
TOSHIBA
PANASONIC
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
HITACHI
PANASONIC
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
SANYO
SANYO
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
PANASONIC
TOSHIBA
Стр.
306
306
307
307
308
468
469
469
470
470
471
471
472
96
97
97
472
98
473
473
98
474
99
308
309
474
475
72
73
309
310
310
311
73
99
311
100
100
101
101
102
102
103
103
104
104
475
312
312
105
105
476
476
477
All
106
106
478
107
313
313
314
314
315
315
316
107
316
317
478
317
318
318
479
479
319
319
108
480
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 15
Прибор
2SC5776
2SC5777
2SC5778
2SC5779
2SC5788
2SC5791
2SC5792
2SC5793
2SC5794
2SC5811
2SC5855
2SC5856
2SC5857
2SC5858
2SC5859
2SC5884
2SC5885
2SC5899
2SC5900
2SC5902
2SC5904
2SC5905
2SC5909
2SC5912
2SC5913
2SC5914
2SC5931
2SC5932
2SC5933
2SC5966
2SC5967
2SC5968
2SC5993
2SC6012
2SD1022
2SD1023
2SD1024
2SD1025
2SD1026
2SD1027
2SD1159
2SD1279
2SD1425
2SD1426
2SD1427
2SD1428
2SD1429
2SD1430
2SD1431
2SD1432
2SD1433
2SD1439
2SD1440
2SD1441
2SD1541
2SD1543
2SD1544
2SD1545
2SD1546
2SD1547
2SD1548
2SD1553
2SD1554
2SD1555
2SD1556
2SD1632
2SD1729
2SD1730
2SD1731
2SD1732
2SD1739
2SD1788
2SD1789
2SD1790
2SD1791
2SD1792
2SD1793
2SD1794
2SD1795
Производитель
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
Стр.
320
320
321
108
109
321
322
322
323
323
480
481
481
482
482
109
110
324
324
110
111
111
112
112
113
113
114
325
325
326
326
327
114
115
378
378
379
379
380
380
327
483
483
484
484
485
485
486
486
487
487
115
116
116
117
488
488
489
489
490
490
491
491
492
492
117
118
118
119
119
120
381
381
382
382
383
383
384
384
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчно^развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Общего применения
Выходные каскады строчной развертки
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Выходные каскады строчно^развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчно^развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения

16 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SD1846
2SD1849
2SD1850
2SD1876
2SD1877
2SD1878
2SD1879
2SD1880
2SD1881
2SD1882
2SD1883
2SD1884
2SD1885
2SD1886
2SD1887
2SD1908
2SD1958
2SD2057
2SD2089
2SD2095
2SD2125
2SD2196
2SD2251
2SD2252
2SD2253
2SD2294
2SD2295
2SD2296
2SD2297
2SD2298
2SD2299
2SD2300
2SD2301
2SD2311
2SD2337
2SD2342
2SD2348
2SD2349
2SD2381
2SD2428
2SD2454
2SD2491
2SD2492
2SD2498
2SD2499
2SD2500
2SD2539
2SD2550
2SD2551
2SD2553
2SD2559
2SD2578
2SD2579
2SD2580
2SD2581
2SD2586
2SD2599
2SD2624
2SD2627LS
2SD2629
2SD2634
2SD2638
2SD2645
2SD2646
2SD2648
2SD2649
2SD2650
2SD2658LS
2SD2688LS
2SD2689LS
2SD811
2SD818
2SD819
2SD820
2SD821
2SD822
2SD868
2SD869
2SD870
Производитель
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
Стр.
120
121
121
328
328
329
329
330
330
331
331
332
332
333
333
334
334
122
493
493
494
385
335
335
494
74
74
75
75
76
76
11
11
78
78
79
495
495
79
496
496
80
80
497
497
498
498
499
499
500
500
336
336
337
337
501
501
338
338
339
339
502
340
340
341
341
342
342
343
343
502
503
503
504
504
505
505
506
506
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Общего применения
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

Алфавитный списхж полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 17
Прибор
2SD871
BST39
BU208A
BU406
BU407
BU505
BU505
BU505D
BU505DF
BU505F
BU506
BU506D
BU506DF
BU506F
BU508A
BU508AF
BU508AFI
BU508DFI
BU508AW
BU508DF
BU508DW
BU808DFI
BU1506DX
BU1507AX
BU1507DX
BU1508AX
BU1508DX
BU2506DF
BU2506DX
BU2507AF
BU2507AX
BU2507DF
BU2507DX
BU2508A
BU2508AF
BU2508AW
BU2508AX
BU2508D
BU2508DF
BU2508DW
BU2508DX
BU2515AF
BU2515AX
BU2515DF
BU2515DX
BU2520A
BU2520AF
BU2520AW
BU2520AX
BU2520D
BU2520DF
BU2520DW
BU2520DX
BU2522A
BU2522AF
BU2522AW
BU2522AX
BU2522DF
BU2522DX
BU2523AF
BU2523AX
BU2523DF
BU2523DX
BU2525A
BU2525AF
BU2525AW
BU2525AX
BU2525DF
BU2525DW
BU2525DX
BU2527A
BU2527AF
BU2527AW
BU2527AX
BU2527DF
BU2527DX
BU2530AL
BU2530AW
BU2532AL
Производитель
TOSHIBA
ZETEX
ST- MICROELECTRONICS
MOTOROLA
MOTOROLA
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Стр.
507
513
386
81
81
123
386
123
124
124
125
125
126
126
387
127
387
388
127
128
128
388
129
129
130
130
131
131
132
132
133
133
134
134
135
135
136
136
137
137
138
138
139
139
140
140
141
141
142
142
143
143
144
144
145
145
146
146
147
147
148
148
149
149
150
150
151
151
152
152
153
153
154
154
155
155
156
156
157
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Общего применения
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады стррчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

18 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
BU2532AW
BU2708AF
BU2708AX
BU2708DF
BU2708DX
BU2720AF
BU2720AX
BU2720DF
BU2720DX
BU2722AF
BU2722AX
BU2722DF
BU2722DX
BU2725AF
BU2725AX
BU2725DF
BU2725DX
BU2727A
BU2727AF
BU2727AW
BU2727AX
BU2730AL
BU4506AF
BU4506AX
BU4506AZ
BU4506DF
BU4506DX
BU4506DZ
BU4507AF
BU4507AX
BU4507AZ
BU4507DF
BU4507DX
BU4507DZ
BU4508AF
BU4508AX
BU4508AZ
BU4508DF
BU4508DX
BU4508DZ
BU4515AF
BU4515AX
BU4515DF
BU4515DX
BU4522AF
BU4522AX
BU4522DF
BU4522DX
BU4523AF
BU4523AW
BU4523AX
BU4523DF
BU4523DW
BU4523DX
BU4525AF
BU4525AL
BU4525AW
BU4525AX
BU4525DF
BU4525DL
BU4525DW
BU4525DX
BU4530AL
BU4530AW
BU4530AX
BU4540AL
BU4540AW
BU4550AL
BUF405A
BUF405AFP
BUF410
BUF410A
BUF420
BUF420A
BUF420M
BUH1015
BUH1015HI
BUH1215
BUH2M20AP
Производитель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
Стр.
157
158
158
159
159
160
160
161
161
162
162
163
163
164
164
165
165
166
166
167
167
168
168
169
169
170
170
171
171
172
172
173
173
174
174
175
175
176
176
177
177
178
178
179
179
180
180
181
181
182
182
183
183
184
184
185
185
186
186
187
187
188
188
189
189
190
190
191
389
389
390
390
391
391
392
392
393
393
394
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 19
Прибор
BUH315
BUH315D
BUH315DFH
BUH515
BUH515D
BUH615D
BUH715
BUJ101A
BUJ101AU
BUJ101AX
BUJ103A
BUJ103AU
BUJ103AX
BUJ105A
BUJ105AB
BUJ105AX
BUJ106A
BUJ106AX
BUJ202A
BUJ202AX
BUJ204A
BUJ204AX
BUJ205A
BUJ205AX
BUJ301A
BUJ301AX
BUJ302A
BUJ302AX
BUJ303A
BUJ303AX
BUJ304A
BUJ304AX
BUJ403A
BUJ403AX
BUJ403BX
BUL1101E
BUL1102E
BUL118
BUL1203E
BUL1403ED
BUL213
BUL216
BUL310
BUL310FP
BUL312FH
BUL312FP
BUL381
BUL381D
BUL382
BUL382D
BUL38D
BUL39D
BUL416
BUL44
BUL45
BUL49D
BUL510
BUL57
BUL57FP
BUL58D
BUL59
BUL654
BUL67
BUL742
BUL810
BUL89
BULB128D-1
BULB39D
BULB49D
BULD118D-1
BULK128D
BULT118
BULT118D
BUT11
BUT11A
BUT11AF
BUT11AI
BUT11AX
BUT11APX
Производитель
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
MOTOROLA
MOTOROLA
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Стр.
394
395
395
396
396
397
397
191
192
192
193
193
194
194
195
195
196
196
197
197
198
198
199
199
200
200
201
201
202
202
203
203
204
204
205
398
398
399
399
400
400
401
401
402
402
403
403
404
404
405
405
406
406
82
82
407
407
408
408
409
409
410
410
411
411
412
412
413
413
414
414
415
415
205
206
206
207
207
208
Применение
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Схемы запуска
^Схемы запуска
Схемы запуска
Схемы запуска
Схемы запуска
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания

20 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
BUT11APX-1200
BUT11F
BUT11X1
BUT12
BUT12A
BUT12AF
BUT12AI
BUT12F
BUT12XI
BUT18
BUT18A
BUT18AF
BUT18F
BUV21
BUV22
BUV26
BUV48C
BUV48CFI
BUW1015
BUW11AF
BUW11F
BUW11AW
BUW11W
BUW1215
BUW13AF
BUW13F
BUW13AW
BUW13W
BUW14
BUX48C
BUX84
BUX84F
BUX84S
BUX85
BUX85
BUX85F
BUX86P
BUX87P
BUX87-1100
FJA13009
FJAF6806D
FJAF6808D
FJAF6810
FJAF6810D
FJAF6812
FJAF6815
FJAF6820
FJAF6910
FJAF6916
FJAF6920
FJD5304D
FJE3303
FJE5304D
FJL6820
FJL6825
FJL6920
FJN13003
FJP3305
FJP5021
FJP5304D
FJP5321
FJP5355
FJP5554
FJP5555
FJPF13007
FJPF13009
FJPF3305
FJPF5021
FJPF5027
FGPF5321
FJPF5555
FJPF6806D
FMMT458
FMMT459
FMMT497
FZT458
FZT658
Производитель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST- MICROELECTRONICS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
MOTOROLA
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
ZETEX
ZETEX
ZETEX
ZETEX
ZETEX
Стр.
208
209
209
210
210
211
211
212
212
213
213
214
214
83
83
84
416
416
417
215
215
216
216
417
217
217
218
218
219
418
219
220
220
84
221
221
222
222
223
23
23
24
24
25
25
26
26
27
27
28
28
29
29
30
30
31
31
32
32
33
33
34
34
35
35
36
36
37
37
38
38
39
513
514
514
515
515
Применение
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки, промышленное
оборудование
Выходные каскады строчной развертки, промышленное
оборудование
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 21
Прибор
FZT857
FZTA42
HD1520FX
HD1530FX
HD1530JL
HD1750FX
HD1750JL
HD1760JL
KSA1156
KSC2233
KSC2333
KSC2335
KSC2518
KSC2751
KSC2752
KSC3552
KSC5026M
KSC5027
KSC5039F
KSC5042F
KSC5042M
KSC5338D
KSC5338DW
KSC5367F
KSC5386
KSC5504D
KSC5504DT
KSC5801
KSC5802
KSC5803
KSD362
KSD363
KSD5001
KSD5002
KSD5003
KSD5004
KSD5005
KSD5007
KSD5011
KSD5013
KSD5015
KSD5017
KSD5701
KSD5703
KSD5707
KSE5020
MD1803DFX
MD2310FX
MJD47T4
MJD49T4
MJD50T4
MJE13003
MJE13005
MJE13007
MJE13009
MJE16002
MJE16004
MJE16106
MJE18002
MJE18004
MJE18206
MJF18002
MJF18004
MJF18206
MJW16212
S2000
S2000A
S2000AF
S2000AFI
S2000F
S2000N
S2055
S2055A
S2055AF
S2055F
S2055N
SGSF313
SGSF313PI
SGSF344
Производитель
ZETEX
ZETEX
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
ST- MICROELECTRONICS
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
Стр.
516
516
418
419
419
420
420
421
39
40
40
41
41
42
42
43
43
44
44
45
45
46
46
47
47
48
48
49
49
50
50
51
224
224
225
225
226
226
227
227
228
228
51
52
52
53
421
422
422
423
423
85
85
86
86
87
87
88
88
89
89
90
90
91
91
507
508
508
424
509
509
510
510
511
511
512
424
425
425
Применение
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Промышленное оборудование
Импульсные источники питания
Промышленное оборудование
Промышленное оборудование
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной^>азвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады^строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Промышленное оборудование
Выходные каскадькггрочной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчнощэазвертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания

22 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
SGSF464
SGSFI464
ST13003
ST13005
ST13007
ST13007FP
ST13007N
ST13007NFP
ST1802FH
ST1803DFH
ST1803DHI
ST2001FX
ST2009DXI
ST2310DXI
ST2310FX
ST2317DFX
ST2408HI
ST83003
STB13005-1
STD13003-1
STD13003-T4
STD83003-1
STD83003-T4
STK13003
STX13005
THD200FI
THD215HI
THD218DHI
THD277HI
TS7988
TS7990
TS7992
TS7994
TT2138LS
II214UL5
112142
1 121^01.5
1I219UL5
ТТ2202
Производитель
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
ST- MICROELECTRONICS
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
1 SANYO
Стр.
426
426
427
427
428
428
429
429
430
430
431
431
432
432
433
433
434
434
435
435
436
436
437
437
438
438
439
439
440
344
344
345
345
346
346
347
347
348
348
Применение
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Импульсные источники питания
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки
Выходные каскады строчной развертки

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 23
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
гор дгш импульс-
Корпус ТО-ЗР
KrubAiWPBiri^ ЫРЫ тоаюистсо /для ямнръьснык тсуочцитп рмтшш к схем угта
«1*я моторами '
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 7 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
1с = 5,0 A, lb= 1,0 А
1с = 12,0А, lb = 3,0A
1с = 5,0А, Ib = 1.0 А
lc = 8,0A, Ib = 1,6А
Veb = 10 В, f= 0,1 МГц
Vce =10 В, lc = 0,5A
RI = 15,6Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
О> 00
-
—
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
—
180
-
0,7
Макс,
значе
ние
700
400
9
12,0
24,0
6,0
130
1,0
40
30
1
3
1.2
1.6
-
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
в
в
пФ
МГц
МКС
Д.ГШ ВЫХОДНЫХ КАСКАДОВ СТр
нот развертки тело-
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 4,0A
lc = 4,0A, Ib = 1,0 А
1с = 4,0А, Ib = 1,0 А
IF = 4,5 А
RI = 50 Ом
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
40
8
4
-
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
6,0
12,0
50
10
200
7
5
1,5
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

24 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
° о с
с
Т\
1 2
)
3
>
[
Г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном
диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, 1с = 0 В
Vce = 5B, lc= 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
1с = 6,0А, 1Ь=1,5А
|С = 6,ОА, Ib = 1,5А
If =6,0 А
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
7
5
-
-
—
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
—
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
10,0
20,0
60
10
250
8
3
1,5
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС
FJAF8810
ЗЭРТКУ ;Ч*ОН?
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Voe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер^
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0A, Ib = 1,5 А
1с = 6,0А, Ib = 1,5 А
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
10
5
_
_
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
_
-
-
-
-
-
_
_
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
10,0
20,0
60
10
1,0
8
3
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 25
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Колпектор
Эмиттер^
Изолированный
О
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном
диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc=1,0A
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0 A, lb= 1,5 А
1с = 6,0А, 1Ь=1,5А
IF =6,0 А
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
7
5
-
-
—
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
—
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
10,0
20,0
60
10
250
8
3
1,5
2
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС
% f
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo-1500 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
° о '
о
1 2 3
' I
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hpE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 8,0 A, lb = 2,0A
lc = 8,0 A, lb = 2,0A
RI = 30 Ом
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
_
-
-
_
10
5
_
-
-
Тип.
значе-
ние
_
_
-
-
_
-
_
_
-
_
_
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
12,0
24,0
60
10
1,0
40
8
3
1,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

26 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
С
ЫРЫ транзистор imvi вы кед.
Корпус TO-3PF
/каскадов строчной раз
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
Hfe
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, lc= 10,0 А
lc = 10,0 A, lb = 2,5A
|С= 10,0 A, lb = 2,5 A
RI = 25 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
5
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
15,0
25,0
60 '
10
1,0
8
3
1,5
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
0 о с
с
nV
1 2
>
з
>
[
г
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,5 А
Vce = 5 В, Ic = 11,0 А
Ic = 11,0 A, lb = 2,75A
Ic = 11,0A, lb = 2J5A
RI = 20 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
8
6
5,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
20,0
30,0
60
10
1,0
10
8,5
3
1,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 27
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0
В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc=1,0A
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
1с = 6,0А, tb = 1,5А
lc = 6,0A, Ib = 1,5А
RI = 33 Ом
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
10
7
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
0,3
Макс,
значе-
ние
1700
800
6
10,0
20,0
60
10
1,0
10
3
1,5
-
Еди
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
в о с
(
1 2
э
Т>
3
>
[
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмитте^-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,5 А
lc= 10,0 A, lb = 2,5A
1с = 10,0А, lb = 2,5A
RI = 25 Ом
Мин.
значе-
ние
-
—
-
-
-
-
_
_
10
6
_
_
-
Тип.
значе-
ние
-
_
-
-
_
-
_
-
-
_
0,3
Макс,
значе-
ние
1700
800
6
16,0
30,0
60
10
1,0
9
3
1,5
-
Еди
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

28 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1700B.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
° о с
о
1 2 3
>
(
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc = 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 8,5 А
Vce = 5B, Ic = 11,0А
»с = 11,0 A, lb = 2,75A
Ic = 11,0A, lb = 2,75A
RI = 20 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
6
5,5
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
800
6
20,0
30,0
60
10
1,0
10
8,5
3
1,5
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус D-PACK
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Встроенный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Л
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном
диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 400 В, Ib = 0 В
Veb =12 В, lc = 0B
Vce = 5 В, 1с=10мА
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 2,5A,lb = 0,5A
lc = 2,5A, lb = 0,5A
IF =2,0 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
_
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
значе-
ние
700
400
12
4,0
8,0
2,0
4,0
30
250
1,0
40
1,5
1,3
2,5
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 29
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
Корпус ТО-126
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
h
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 2 В, Ic = 0,5 А
Vce = 2B,lc=1,0A
lc = 5,0A, Ib = 0,1 А
Ic = 1,5 A, lb = 0,5 А
1с = 0,5А, Ib = 0,1 А
1с = 1,0А, lb = 0,25A
Vcb = 10 В. f =0,1 МГц
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 125Om
Мин.
значе
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
8
5
—
—
-
4
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
—
—
—
21
-
0,7
Макс,
зна-
чение
700
400
9
1,5
3,0
0,75
20
10
21
0,5
3
1,0
1,2
-
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
пФ
МГц
МКС
FJE53CJ4D
тор дя
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Встроенный диод.
Корпус ТО-126
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
•о*
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 400 В, Ib = 0 В
Veb =12 В, lc = 0B
Vce = 5 В, 1с=10мА
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 2,5A, lb = 0,5 А
lc = 2,5A, lb = 0,5A
IF =2,0 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
10
8
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
_
:
_
_
_
0,2
Макс,
зна-
чение
700
400
12
4,0
8,0
2,0
4,0
30
250
100
40
1,5
1,3
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
МКС

30 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус ТО-264
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc= 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 8,5 А
Vce = 5 В, Ic = 11,0 А
Ic = 11,0A, lb = 2,75A
lc = 11,0 A, lb = 2,75 А
RI = 20 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
6
5,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
20,0
30,0
200
10
1,0
10
8,5
3
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус ТО-264
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с = 12А
1с=12,0А, lb = 3,0A
1с = 12,0А, Ib = 3,0 А
RI = 17Om
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
10
6
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
750
6
25,0
35,0
200
10
1,0
9
3
1,5
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 31
Корпус ТО-264
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,5 А
Vce = 5 В, Ic = 11,0 А
Ic = 11,0 A, lb = 2,75A
Ic = 11,0A, lb = 2,75A
RI = 20 Ом
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
8
6
5,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1700
800
6
20,0
30,0
60
10
1,0
10
8,5
3
1,5
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой ско-
ростью переключения.
Корпус ТО-92
Вывод
1
2
3
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
^аничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
_
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, 1с = 0 В
Vce = 2 В, Ic = 500 мА
Vce = 2B,lc = 1,0A
lc = 0,5A, Ib = 0,1 А
lc = 1,0 A, lb = 0,25A
lc= 1,5 A, lb = 0,55A
lc = 0,5 A. lb = 0,1 А
Ic = 1,0A, lb = 0,25A
Vce = 10 В, lc = 0,1 А
RI = 125Om
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
_
-
_
-
-
9
5
-
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
-
_
-
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
700
400
9
1,5
3,0
0,75
1,5
1,1
10
21
0,5
1,0
3,0
1,0
1,2
_
0,7
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
в
в
МГц
МКС

32 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, le = 0 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Ic = 1,0 A, lb = 0,2A
1с = 2,0А, lb = 0,5 А
1с = 4,0А, lb= 1,0А
|С=1,ОА, Ib = 0,2А
lc = 2,0A, lb = 0,5 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 125Om
Мин.
значение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
19
8
-
_
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
Макс,
зна-
чение
700
400
9
4,0
8,0
2,0
75
1,0
1,0
35
40
0,5
0,6
1,0
1,2
1,6
-
0,9
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,6 А
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
1с = 3,0А, lb = 0,6A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 125Om
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
8
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
80
18
-
Макс,
значе-
ние
800
500
7
5,0
10,0
2,0
50
10
10
50
0,5
1,2
_
_
0,9
Еди
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
пФ
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 33
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Л
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb=12B,lc = 0B
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Ic = 0.5 A, Ib = 0,1 А
lc = 2,5A, Ib = 0,5 А
1с = 0,5А, Ib = 0,1 А
lc = 2,5 A, Ib = 0,5 А
If =2,0 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
_
—
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
—
-
0,2
Макс,
зна-
чение
700
400
12
4,0
8,0
2,0
4,0
70
100
40
0,7
1,5
1,1
1,3
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
В
В
В
МКС
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cib
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Входная емкость
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 7 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,6 А
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
1с = 3,0 А, 1Ь = 0,6А
1с = 3,0А, 1Ь = 0,6 А
Veb = 10 В, f= 1,0 МГц
Veb = 10 В, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В, Ic = 0,6 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
-
_
15
8
_
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
_
-
-
_
_
1400
65
14
-
Макс,
зна-
чение
800
500
7
5,0
10,0
2,0
4,0
100
10
40
1,0
1,5
2000
100
_
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
пФ
МГц
МКС

34 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
1 2
J
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
toN
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb=12B, lc = 0 В
Vce = 2 В, Ic = 0,8 А
Vce = 2 В, Ic = 2,5 А
1с = 2,5А, lb = 0,8A
lc = 2,5A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0,2A
-
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
15
7
-
-
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
900
440
14,5
5,0
7,5
2,5
50
1,0
_
0,4
1,2
-
1,1
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
пре
Vce sat
Vbe sat
Cob
t0N
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1050B, le = 0B
Veb=15B, lc = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,1 A
Vce = 3 В, Ic = 0,8 А
lc = 3,5A, Ib = 1,0 А
lc = 3,5A, Ib = 1,0 А
Vcb = 10B, f= 1,0 МГц
-
R = 100Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
45
20
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
45
-
-
Макс,
зна-
чение
1050
400
15
4,0
8,0
70
1,0
1,0
100
50
1,5
1,5
2,0
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
пФ
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 35
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1 2
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
toN
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb=12B. lc = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0.01 А
Vce = 3 В, Ic = 0.8 А
lc = 3,5 A ,lb= 1.0 А
1с = 3,5А, Ib = 1,2 А
Vcb = 10B. f= 1.0 МГц
-
R = 100 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
10
20
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
-
-
Макс,
зна-
чение
1050
400
14
5.0
10,0
75
1.0
40
1,5
1,2
-
2.0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
МКС
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор^база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
_
-
-
-
_
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В. Ic = 2.0 А
Vce = 5 В, lc = 5.0A
Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А
1С = 5,0 A, Ib = 1,0 А
|С = 8,ОА, lb = 2,0 А
1с = 2,0А. Ib = 0,4 А
|С = 5,0A lb= 1.0A
Vcb = 10B. f = 0.1 МГц
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 25 Ом
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
_
-
-
8
5
-
-
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
_
-
-
-
-
-
110
_
-
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
40
1,0
60
30
1,0
2,0
3,0
1,2
1.6
-
_
0,7
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
В
пФ
МГц
МКС

36 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 8,0A, Ib = 1,6 А
lc = 12,0 A, lb = 3,0A
lc = 5,0 A, lb = 1,0 А
1с = 8,0А, lb= 1,6А
Vcb = 10B,f=0,1 МГц
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 15,6Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
5
-
—
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
—
180
-
-
Макс,
зна-
чение
700
400
9
12,0
24,0
6,0
50
1,0
40
30
1,0
1,5
3,0
1,2
1,6
-
-
0,7
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
В
В
В
пФ
МГц
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 2,0A
1с = 2,0А, lb = 0,5 А
lc = 4,0A, Ib = 1,0А
lc= 1.0 A, lb = 0,2 А
1с = 2,0А, lb = 0,5 А
Vce =10 В, lc = 0,5A
RI = 125Om
Мин.
значе-
ние
-
-
-
_
-
-
-
19
8
-
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
:
-
-
_
-
Макс,
значе-
ние
700
400
9
4,0
8,0
2,0
30
1,0
35
40
0,6
1,0
1,2
1,6
_
0,9
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства FAIRCHILD 37
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,6 А
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0 A, lb = 0,6A
IC = 3,0A, lb = 0,6A
Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц
Vce =10 В, lc = 0,6A
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
80
15
-
Макс,
зна-
чение
800
500
7
5,0
10,0
2,0
40
10
10
50
0,5
1,2
-
-
0,3
Еди
ни-
цы
В
В
в
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
пФ
МГц
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
t
1
'О°
) ^ О
о
) J
3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
Ире
Vce sat
Vbe sat
Cob
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,2 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 1,5A, lb = 0,3A
Ic = 1,5 A, lb = 0,3 А
Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В, lc = 0,2A
RI = 200 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
_
10
8
_
_
-
-
-
Тип.
значе
ние
-
-
-
_
-
-
-
_
-
_
_
60
15
-
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
3,0
10,0
1,5
40
10
40
2
1,5
-
-
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
МГц
МКС

38 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cib
Cob
fr
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Входная емкость
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,6 А
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
1с = 3,0А, lb = 0,6A
Veb =10 В, f= 1,0 МГц
Vcb = 10B, f= 1,0 МГц
Vce =10 В, lc = 0,6A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
8
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
-
1400
65
14
-
Макс,
зна-
чение
800
500
7
5,0
10,0
2,0
4,0
100
10
40
1,0
1,5
2000
100
-
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
пФ
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус TO-220F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
toN
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb =12 В, lc = 0B
Vce = 5 В, Ic = 0,01 А
Vce = 3 В, Ic = 0,8 А
lc = 3,5A, lb=1,0A
1с = 3,5А, lb= 1,2А
Veb = 10 В, f= 1,0 МГц
-
R = 100Om
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
10
20
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
-
-
Макс,
зна-
чение
1050
400
14
5,0
10,0
75
1,0
40
1,5
1,2
_
2,0
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 39
.: IP
I «У
if-Шйаый NFN трамзистор для эылодных каскадов строчкой разео
Корпус TO-220F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
1с = 4,0А, Ib = 1,0 А
lc = 4,0A, lb= 1.0A
IF = 4,5A
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
8
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
750
6
6,0
12,0
40
10
200
7
5
1,5
2
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС
Корпус ТО-126
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,1 A
Ic = 0,1 A, lb = 0,01 А
Ic = 0,1 A, Ib = 0,01 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 1,5kOm
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
_
_
-
-
30
_
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
-
_
-
0,7
Макс,
зна-
чение
400
400
7
0,25
0,5
1,0
1
10
200
1
1,2
-
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
МКС
KSA1156
ПРЕ
N
30 60
R
40 . 80
О
60 120
Y
100 .200

40 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор.
- Напряжение пробоя Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
ЯРЫ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fr
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=170B, le = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
1с = 4,0А, lb = 0,4A
lc = 4,0A, lb = 0,4 А
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
30
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
40
-
-
10
Макс,
зна-
чение
200
60
5
4,0
40
10
150
1
1,5
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
В
В
МГц
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
Пре
Vce sat
Vbe sat
t0N
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 400 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,1 А
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 0,5 Alb = 0,1 А
lc = 0,5 Alb = 0,1 А
-
R = 300 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
80
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
500
400
7
2,0
4,0
1,0
15
10
10
-
1
1,2
1,0
1,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
МКС
KSC2333
ПРЕ
R
20 . 40
О
30. 60
Y
40 80

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 41
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hPE
Vce sat
Vbe sat
t0N
Tf
KSC2335
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
R
20 40
О
30 60
Y
40. 80
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 400 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,1 А
Vce = 5 В, Ic = 3, А
lc = 3,0 A, lb = 0,6 А
1с = 3,0А, lb = 0,6A
-
R = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
500
400
7
7,0
15,0
3,5
40
10
10
—
1
1,2
1,0
1,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Параметр
Условия
Мин.
зна-
чение
Тип.
зна-
чение
Макс,
зна-
чение
Еди-
ницы
Vcbo
Напряжение коллектор-база
500
Vceo
Напряжение коллектор-эмиттер
400
Vebo
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
4,0
Ток коллектора импульсный
8,0
Ток базы
1,0
Рс
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Т = 25°С
40
Вт
Icbo
Обратный ток коллектора
Vcb = 400 В, le = 0 В
10
мкА
lebo
Обратный ток эмиттера
Veb = 5 В, Ic = 0 В
10
мкА
hFE
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Vce = 5 В, Ic = 0,3 А
Усе = 5 В, 1с = 1,5,А
20
10
80
Vce_sat
Напряжение насыщения К-Э
lc= 1,5 A, lb = 0,3A
Vbe sat
Напряжение насыщения Б-Э
lc=1,5A,lb = 0,3A
1,5
Время включения
1,0
Tf
KSC2518
Время спада импульса
R = 75 Ом
0,7
20 40
30 60
40 80

42 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
U
1U 2U 3L
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
KSC2751
hFE
N
15 . 30
R
20 40
О
30 60
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 10,0 А
lc= 10,0 A, lb = 2,0A
lc= 10,0 A, lb = 2,0 A
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 15Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
Макс,
зна-
чение
500
400
7
15,0
30,0
7,5
120
10
-
1
1,5
-
7
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
МКС
оборудовании
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
! TpatOWcTuD Д«1Н ИСПО
Корпус ТО-126
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
toN
Tf
KSC2752
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
R
20 40
О
30 60
Y
40 80
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 400 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,3 А
Vce = 5 В, Ic = 0,05 А
1с = 0,ЗА, lb = 0,06 А
Ic = 0,3 A, lb = 0,06A
lc = 0,3A, lb = 0,06A
RI = 500 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
10
20
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
Макс,
зна-
чение
500
400
7
0,5
1,0
0,25
1
10
10
80
1
2
2,5
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 43
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
fr
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
KSC3552
hFE
N
10 20
R
15 30
О
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
1с = 6,0А, Ib = 1,2 А
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
Vcb = 10B, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
215
15
-
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
12,0
30,0
6,0
150
10
-
2
1,5
-
-
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
МГц
МКС
Корпус ТО-126
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
toN
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
KSC5026M
hFE
N
10 20
R
15 30
О
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,1 А
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 0,75A, Ib = 0,15 А
lc = 0,75A, lb = 0,15 А
lc = 0,3 A, lb = 0,06 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
RI = 400 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
_
-
-
_
_
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
_
-
_
-
_
15
_
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
1,5
5,0
0,8
20
10
10
40
2
1,5
0,5
_
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
в
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
МГц
МКС

44 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Кь-^униевый НРЫ згщтзхсмэльный транзистор дл» лспе
оборудовании
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
t0N
fT
Tf
KSC5027
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
N
10 . 20
R
15 30
О
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,2 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc= 1,5 A, lb = 0,3 А
lc= 1,5 А, 1Ь = 0,ЗА
1с = 0,ЗА, lb = 0,06A
Vce = 10 В, lc = 0,2A
RI = 200 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
15
-
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
3,0
10,0
1,5
50
10
10
40
2
1,5
0,5
-
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
МГц
МКС
Корпус TO-220F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
fr
ION
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
L Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,3 А
1с = 2,5А, lb = 0,5 А
1с = 2,5А, lb = 0,5 А
Veb =10 В, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В, lc=0,1 A
lc = 2,5 Alb = 0,5 А
RI = 60 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
10
_
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
-
40
10
-
-
Макс,
зна-
чение
800
400
7
5,0
10,0
3,0
30
10
_
1,5
2
-
_
1
0,8
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
пФ
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 45
Корпус TO-220F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Малая выходная емкость.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
fT
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 900 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,01 А
Ic = 0,02 A Ib = 4,0 тА
Ic = 0,02 A Ib = 4,0 тА
Vcb = 100 В, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
2,8
Макс,
зна-
чение
1500
900
5
0,1
0,3
6
10
10
-
5
2
-
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
ПФ
МГц
ьреаднйовый ШУН гшзнзрный транзистор для импульсных источников п^тэни;
Корпус ТО-126
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Малая выходная емкость.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
fT
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 900 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,01 А
Ic = 0,02 A Ib = 4,0 mA
Ic = 0,02 A lb = 4,0 mA
Vcb = 100 В, f= 1,0 МГц
Vce = 10 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
30
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
-
-
-
_
40
2,8
Макс,
зна-
чение
1500
900
5
0,3
5
10
10
-
5
2
-
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
пФ
МГц

46 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Встроенный диод.
Корпус D-PACK
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические i
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
toN
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время включения
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 450 В, Ib = 0 В
Veb=10B, lc = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 2,0 А
Vce = 2,5 В, 1с=1,0А
1с = 2,0А, lb = 0,4A
1с = 2,0А, lb = 0,4 А
IF =2,0 А
1с = 2,0А, lb = 0,4A
RI = 150Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
18
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
25
0,47
0,9
0,95
100
90
Макс,
зна-
чение
1000
450
12
5,0
10,0
2,0
4,0
75
100
10
_
0,75
1
1,5
150
150
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
НС
НС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Встроенный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vp
bN
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Пэдение напряжения на прямосмещенном диоде
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 450 В, Ib = 0 В
Veb=10B, lc = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 2,0 А
Vce = 2,5 В, 1с=1,0А
1с = 2,0А, lb = 0,4A
1с = 2,0А, lb = 0,4A
IF =2,0 А
1с = 2,0А, lb = 0,4 А
RI = 150Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
18
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
25
0,47
0,9
0,95
100
90
Макс,
зна-
чение
1000
450
12
5,0
10,0
2,0
4,0
75
100
10
—
0,75
1
1,5
150
150
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
НС
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 47
Корпус TO-220F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Малая выходная емкость.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
t0N
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1600B, le = 0 В
Veb=12B, lc = OB
Vce = 3 В, Ic = 0,4 А
Ic = 1,0 A, lb = 200 mA
lc = 0,5A, lb = 50,0 mA
Vcb = 10B, f= 1,0 МГц
lc = 1.0 A, lb = 0,2A
RI = 250 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
90
Макс,
зна-
чение
1600
800
12
3,0
6,0
2,0
4,0
40
20
20
35
2,5
1,5
-
0,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
пФ
МКС
МКС
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
° о с
с
nV
1 2
з.
(
г
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1с = 5,0А, lb= 1,2 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
IF =6,0 А
lc = 4,0A, RI = 50Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
8
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7,0
16,0
50
10
250
22
8
4,2
1,5
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

48 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус D-PACK
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Встроенный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
<P
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
VF
toN
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы постоянный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 600 В, Ib = 0 В
Veb=12B, lc = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 2,0 А
Vce = 2,5B, lc= 1,0 А
1с = 2,0А, lb = 0,4A
lc = 2,0A, lb = 0,4A
Vce = 10 В
IF= 1,0 А
1с = 2,0А, lb = 0,4A
RI = 150Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
12
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
18
0,5
0,85
11,0
0,83
100
90
Макс,
зна-
чение
1200
600
12
4,0
8,0
2,0
4,0
75
100
10
-
1,5
1,2
-
1,3
150
150
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
В
НС
НС
Кремнистый Ы9Ы дмффулиснтый плзнзриьгк транзис?
ючиикоэ питания
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Встроенный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Параметр
Условия
Мин.
зна-
чение
Тип.
зна-
чение
Макс.
значе
ние
Еди-
ницы
Vcbo
Напряжение коллектор-база
120
0
Vceo
Напряжение коллектор-эмиттер
600
Vebo
Напряжение эмиттер-база
12
Ток коллектора постоянный
4,0
IP
Ток коллектора импульсный
8,0
Ток базы постоянный
2,0
Ibp
Ток базы импульсный
4,0
Рс
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Т = 25°С
75
Вт
Iceo
Обратный ток коллектора
Усе = 600 В, Ib = 0 В
100
мкА
lebo
Обратный ток эмиттера
Veb=12B, lc = 0 В
10
мА
hFE
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Vce = 1 В, lc = 2,0A
Усе = 2,5 В, lc= 1,0 А
4
12
6
18
Vce sat
Напряжение насыщения К-Э
lc = 2,0A, lb = 0,4A
0,5
1,5
Vbe sat
Напряжение насыщения Б-Э
lc = 2,0A, lb = 0,4A
0,85
1,2
fT
Граничная частота эффективного усиления
Усе = 10 В
11,0
МГц
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
lF=1,0A
0,83
1.3
Время включения
1с = 2,0А, lb = 0,4A
100
150
Tf
Время спада импульса
RI = 150Om
90
150
не

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 49
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
—
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, 1е = 0 В
Veb = 4 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,2 А
lc = 5,0A, lb=1,2A
If =6,0 А
Ic = 4,0 A, RI = 50Om
Мин.
зна-
чение
—
-
-
-
-
-
-
40
10
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
150
0
800
6
8,0
16,0
50
10
250
30
7
5
2
2
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce_sat = 3 В.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
1с = 6,0А, Ib = 1,5 А
1с = 6,0А, lb= 1,5 А
RI = 33 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
15
7
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
_
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10,0
30,0
60
10
1.0
48
10
3
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

50 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Малое напряжение насыщения
Vce sat = 3 В.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
«P
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc = 1,0A
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 8,0A, lb = 2,0 А
lc = 8,0A,lb = 2,0A
Ic = 1,0 A, RI = 28,6Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
12,0
24,0
70
10
1,0
40
8,5
3
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный транзистор с высокой скоростью
переключения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
KSD362
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
N
20 50
R
40...80
О
70 140
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 100BJe = 0B
l_ Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, lb = 0,5A
IC = 5,0A, lb = 0,5 А
Vce =10 В, lc = 0,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
150
70
8
5,0
40
20
10,0
140
1
1,5
-
0,9
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 51
Особенности:
- Мощный транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
Коллектор
О
1 2
J
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
h
Tf
KSD363
Ире
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 250 В, le = 0 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc= 1,0 A, Ib = 0,1 А
lc= 1,0 A, Ib = 0,1 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
-
N
20 50
R
40 .80
О
70 .140
Y
120 240
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
300
120
8
6,0
40
20
10,0
240
1
1,5
-
0,9
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
0 о с
о
п
1 2
3
. И
[
г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер^
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
lc = 2.5A, lb = 0,8 А
1с = 2,5А, lb = 0,8 А
IF=3,5A
1с = 3,0А, RI = 66,7Om
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
40
10
2,5
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3,5
10,0
50
10
250
30
5
1,5
2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

52 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Малое напряжение насыщения
Vce_sat = 5 В.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, 1с = 1,0А
Vce = 5B,lc = 8,0A
lc = 8,0A, Ib = 1,8 А
1с = 8,0А, Ib = 1,8А
RI = 33,3 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5,3
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
:
-
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10,0
30,0
70
10
1,0
40
7,3
5
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Малое напряжение насыщения
Vce_sat = 5 В.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
0 о с
с
¥\
1 . 2
3
I
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 3,0A
1С = 4,0 A, lb = 0,8A
1С = 4,0 A, Ib = 0,8 А
Vce =10 В, lc = 0,1 A
RI = 50 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
10
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16,0
60
10
1,0
30
15
5
1,5
-
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства FAIRCHILD 53
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
Корпус ТО-126
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
t0N
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время включения
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,3A
Vce = 5 В, 1с = 1,5А
lc= 1,5A, lb = 0,3A
lc= 1,5 A, lb = 0,3 А
Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц
1с = 0,ЗА,1Ь = 0,06А
Vce =10 В, lc = 0,3A
RI = 400 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
15
8
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
50
-
18
-
Макс,
зна-
чение
800
500
7
3,0
6,0
1,0
30
10
10
50
1
1,5
-
0,5
-
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
в
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
пФ
МКС
МГц
МКС
KSE5020
ПРЕ
R
15 30
О
20 .40
Y
30.. 50

54 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью пере-
ключения.
- Низкое напряжение насыще-
ния.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства.
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
>P
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
FT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 600 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc = 1,0 А
1с = 2,5А, lb = 0,8A
1с = 2,5А, lb = 0,8A
1с = 2,0А
lc = 2,75A,lb = 0I6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3,0
6,0
50
10
0,5
-
5
1,5
-
1,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение насы-
щения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производст-
ва.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
b-E
Vce sat
Vbe sat
FT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
L Vcb = 1200 В, le = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc = 3,0A
lc = 2,5 A, lb = 0,8 А
1с = 2,5А, lb = 0,8A
lc = 2,0A
lc = 3,0A,lb = 0,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
—
-
-
-
7
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
5,0
7,0
2,5
80
100
0,5
-
5
1,5
_
1,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 55
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью пере-
ключения.
- Низкое напряжение насыще-
ния.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства.
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
FT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1200B, le = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
1С = 5,0 А, 1Ь = 1,25А
1с = 5,0А, Ib = 1,25 А
lc = 2,0A
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5,0
6,0
2,5
50
100
0,5
-
2
1,5
-
4,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью пере-
ключения.
- Низкое напряжение насы-
щения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
FT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
1с = 5,0А, lb= 1,25 А
1с = 5,0А, 1Ь=1,25А
lc = 2,0A
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
800
6
5,0
6,0
2,5
50
100
0,5
-
2
1,5
_
4,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

56 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Коллектор
1U 2U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 650 В, Rbe = «
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc=1,5A,lb = 0,3A
Ic = 1,5A, lb = 0,3A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
—
7
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
5,0
10,0
2,5
80
100
-
1
1,5
1
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Краыктэы^ MPN диффузионный т%}ш:*тугоу для иадлупьсных ясюч:
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Коллектор
iU 2U з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 400 В, le = 0 В
Vce = 350 В, Rbe = ~
Vce = 5 В, lc= 15 А
|С = 7,5А, Ib = 1,5 А
1с = 7,5А, lb= 1,5А
lc=15A, lb = 3,0A
lc= 15A, lb = 3,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
15
25
7,5
100
50
-
1
1,5
0,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 57
^ницоый Ы&Ы диффу.~<ж>ьяый транзистор дгш импульсных игл очников пч1йн;ш
Корпус ТО-ЗР
чение
Э
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Коллектор
2 U 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 400 В, le = 0 В
Vce = 350 В, Rbe = «
Vce = 5 В, Ic = 10 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 10А, lb = 2,0A
lc= 10 A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
10
20
5,0
80
50
-
1
1,5
1
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС
МКС
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Встроенный демпферный
диод
- Прибор снят с производ-
ства.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200 В, le = 0 В
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc= 1,0 А
1с = 5,0А,1Ь=1,25А
lc = 5,0A,lb=1,25A
lc = 2,0A
lc = 5,0 Alb = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
_
-
_
-
-
-
_
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
-
_
_
8
_
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5,0
6,0
50
500
0,5
50
2
1,5
_
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

58 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Встроенный демпферный
диод
- Прибор снят с производ-
ства.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
FT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,le = 0B
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, Ic = 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
lc = 5,0A, lb = 1,25 А
lc = 2,0A
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
800
6
5,0
6,0
50
500
0,5
50
2
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
Корпус TO-3PFM
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=«
1е=10,0мА, lc = 0
Vcb = 1500B,Rbe = 0B
Vce = 5B, lc= 1,0 А
lc = 8,0A, lb= 1,6 А
1с = 8,0А, lb= 1,6А
1с = 7,0А, 1Ь=1,4А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
5
_
8
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
10,0
20,0
50
-
_
500
38
5
1,5
0,5
fif
В
в
в
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 59
Корпус TO-3PFM
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le=10,0MA, lc = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 10,0A,lb = 2,0A
lc = 10,0A, lb = 2,0A
lc = 8,0A, lb= 1.4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
5
-
8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
12,0
20,0
50
-
-
500
35
5
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
мй ЫРЩ диффузионный вяанарный трэшйсор дни вьаодных каскадов
разз£р~»ки тепе£«зиош«ых приемников ш мпки1Ороа
Корпус ТО-ЗР
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
Ире
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
_
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le = 400 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
lc = 5,0A, Ib = 1,25 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
_
-
500
25
2
1,5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

60 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
1ц*% jp«% д •**£ д .#j Кремнмееьш ЫРЫ диффузионный гшанзрный транзистор для выхосш
16ййзйоииых преемников и мониторов
Корпус ТО-ЗР
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
U 2LJ з[
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le = 400 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
lc = 5,0 A, lb= 1,25 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
-
-
500
25
2
1,5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0 мА, Rbe=»
le = 400 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B,Rbe = 0B
Vce = 5 В, lc = 1,0A
lc = 5,0A, lb= 1,25 A
lc = 5,0A,lb=1,25A
IF = 6A
lc = 5,0A, lb = 1,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
-
-
500
25
2
1,5
2
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 61
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo-- 1500B.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le= 10 мА, lc = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А
IC = 5,0A, lb= 1,0А,
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
7
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
-
-
500
30
5
1,5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
=п
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
1е=10мА, lc = 0
Vcb = 1500B,Rbe = 0B
Vce = 5B, lc= 1,0А
lc = 7,0A, Ib = 1,4А
1с = 7,0А, lb= 1,4 А
lc = 7,0A, lb= 1,4 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
20
50
-
-
500
38
5
1.5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

62 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
**> О1 f4 J§ *f 4 ^У Кромниеэый NhN диффузионный траи^^ггор д^н выход
#й%Э W^#" « ** I нестки телевй'гионньгх приемнкков и уонитороз
входных каскадов ctpd^hop раз-
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 10,0 мА, Rbe =«
1е = 10мА, lc = 0
Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc = 8,0A, lb= 1,6А
lc = 8,0A, lb= 1.6A
lc = 7,0A, Ib = 1,4 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
20
50
-
-
500
30
5
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PL
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер^
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 10,0 мА, Rbe =«
1е = 10мА, lc = 0
Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В
Vce = 5B, lc= 1,0 А
lc= 16,0 A, lb = 4,0A
lc=16,0A, lb = 4,0A
lc = 10,0 A, lb = 2,0A,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
800
6
-
10
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
25
30
150
_
-
500
33
5
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 63
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=«
le= 10 мА, lc = 0
Vcb = 1700B,Rbe = 0B
Vce = 5B, Ic= 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
900
6
-
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
Макс,
зна-
чение
1700
900
6
6,0
16
50
-
-
500
35
5
1,5
0,6
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
1е=10мА, lc = 0
Vcb = 1700B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 7,0A, Ib = 1,4 А
lc = 7,0A,lb=1,4A
lc = 7,0A, lb=1,4A,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
-
900
6
-
_
_
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
_
-
_
-
—
Макс,
зна-
чение
1700
900
6
8,0
20
50
_
-
500
35
5
1,5
0,6
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

64 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
т ЫРЫ диффузионный транзистор для
евизионных приемников и адониторое
ix касклдов строчной з
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo=1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффиуиент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0 мА, Rbe=°°
le = 400 мА, Ic = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5B,lc = 1,0A
lc = 7,0A, Ib = 1,4 А
lc = 7,0A, lb= 1,4 А
IF = 8 А
lc = 7,0A, lb = 1,4А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8,0
20
50
-
-
500
25
5
1,5
3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le = 500 мА, Ic = 0
Vcb=1500B,Rbe = 0B
Vce = 5B,lc = 1,0A
lc = 8,0A, lb=1,6A
lc = 8,0A, lb=1,6A
IF = 10 A
lc = 7,0A, lb = 1,4 A,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
_
_
—
_
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
_
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
20
50
-
-
500
25
5
1,5
3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 65
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
ж
2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
ip
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
Ире
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le= 10 мА, lc = 0
Vcb = 1700B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 8,0A, lb = 2,0A
Ic = 8,0 A, lb = 2,0A
1с = 7,0А, Ib = 1.4 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
900
6
-
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
Макс,
зна-
чение
1700
900
6
10
20
50
-
-
500
35
5
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
евыи ЫРЫ диффузионный гранзисгор дг*г* вьшодналх каскадов строчь
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
Корпус TO-3PL
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
1е=10,0мА, lc = 0
Vcb = 1700B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
1с = ЮА, lb = 2,5A
lc = 10 A, lb = 2,5A
lc = 8,0A, lb= 1,4 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
900
6
-
_
_
-
—
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
_
-
-
_
_
_
—
Макс,
зна-
чение
1700
900
6
12
20
100
-
-
500
35
5
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

66 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Кремниевый NPN диффузионный гра
върш* телевизионных приемникоа и
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PL
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hF£
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=«
le= 10,0 mA, Ic = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc=14A, lb = 3,5A
lc = 14A, lb = 3,5A
Ic = 10 A, lb = 2,0A,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
20
25
150
-
-
500
38
5
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Корпус TO-3PFM
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
|=П
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=«
le = 500 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5B, lc=1,0A
lc = 6,0A, lb= 1,2 А
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
IF = 8A
1с = 6,0А, Ib = 1,2 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8,0
18
50
_
_
500
25
5
1,5
2
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 67
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
■ Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PL
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
IC = 12 A, lb = 3,0A
Ic = 12 A, lb = 3,0 А
lc = 8,0A, Ib = 1,4А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
15
20
150
-
-
500
38
5
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
тФ
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
_
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le = 500 мА, Ic = 0
Vcb= 1700B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
IF = 6A
lc = 5,0A, lb = 1,0 А,
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
_
_
-
—
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
—
Макс,
зна-
чение
1700
800
6
6,0
16
50
-
-
500
25
5
1,5
2
0,6
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

68 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
Корпус TO-3PL
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
PC
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
1е=10,0мА, lc = 0
Vcb = 1700B, Rbe = 0B
Vce = 5B, lc= 1,0 А
Ic = 10 A, lb = 2,5A
lc= 10 A, lb = 2,5A
lc = 8,0A, Ib = 2,0 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
900
6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1700
900
6
12
20
150
-
-
500
35
5
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
1е = 10,0мА, lc = 0
Vcb=1500B,Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 7 A, Ib = 1,7 А
lc = 7A, Ib = 1,7 А
lc = 7,0 A, lb= 1,7 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
_
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
12
20
50
_
-
500
38
5
1,5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 69
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА,Р.Ье=«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5B,lc = 1,0A
lc = 10A, lb = 2,5A
lc = 10 A, lb = 2,5 А
lc = 7,0A, lb= 1.4 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
12
20
50
-
-
500
35
5
1,5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Корпус TO-3PFM
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
■ Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
=п
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
_V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
_
_
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0 мА, Rbe=°°
le = 400 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,25А
lc = 5,0 A, lb= 1,25 А
IF = 6A
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
_
_
_
_
-
800
6
_
_
_
-
—
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
_
-
_
_
_
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8,0
16
50
_
_
500
25
5
1,5
2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

70 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Кремниевый NI'N диффузионный транзистор для выходных \
шзэертш телевизионных f*p»ajvmWK03 и мониторов
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, lc = 5,0A
lc = 6,0A, Ib = 1,6 А
lc = 6,0 A, Ib = 1,6 А
1с = 6,0А, 1Ь=1,5А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
8
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
20
50
-
-
500
30
5
i_ 1.5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Корпус TO-3PFM
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1700 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
ш
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc=10,0MA,Rbe=«
le = 500 мА, Ic = 0
Vcb = 1700B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 6,0A, Ib= 1,5А
lc = 6,0A, lb= 1.5A
IF = 8A
1с = 6,0А, lb= 1,5А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
900
6
-
6
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1700
900
6
8,0
16
50
-
-
500
25
5
1,5
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 71
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
■ Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=«
le = 600 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
IF = 8A
lc = 5,0 A, Ib = 1,0 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
4
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8,0
16
50
-
-
500
7
5
1,5
2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br]ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 7,0 A, Ib = 1,8 А
lc = 7,0A,lb=1,8A
lc = 6,0A, Ib = 1,5 А,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
800
6
-
5
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
12
24
50
_
-
500
9
5
1,5
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

72 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
&*%£ ъ*$-ъ?&«ъг &* ушу?*ш телевизионных i
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hpE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0MA,Rbe=«
le= 10,0 мА, !с = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc= 10,0 A, lb = 3,0 А
lc= 10,0 A, lb = 3,0 А
|С = 7,ОА, lb = 2,0A,
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
3
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
15
30
50
-
-
500
6
5
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Корпус TO-3PFM
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
та
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V{br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le = 400 мА, Ic = 0
Vcb=1500B,Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,25 А
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
IF = 8A
lc = 4,0 A, Ib = 1,0 А,
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
4
_
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
150
0
800
6
8,0
16
50
_
-
500
6
5
1,5
2
—
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 73
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0 мА, Rbe =°°
le = 10,0 мА. Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, lc = 6,0A
lc = 6,0A, Ib = 1,6 А
lc = 6,0 A, Ib = 1,6 А
1с = 5,0А, Ib = 1,3А,
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
700
6
-
3,5
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1500
700
6
10
20
50
-
-
500
6,5
5
1,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 10,0 мА, Rbe =«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 10 А
lc=12,0A, lb = 4,0A
lc= 12,0 A, Ib = 4,0 А
lc = 8,0A, lb = 2,0 А,
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
700
6
-
3,5
_
_
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1500
700
6
20
40
50
_
-
500
6,5
5
1,5
—
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

74 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
/§ Коемииевый ЫрН хшФфу
ILJi&jUSf «4 вертки 1т&ш:тонпы%щ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Н'зОННЫИ ТрЗНЗ^СТОр fijm ОЫХОШгЫХ К.^СКо/ДОВ С~&'.;М?*
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1U 2 U 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb = 1500B,Rbe = 0B
Vce = 5 В, lc = 0,3A
lc = 2,5A, lb = 0,8 А
1с = 2,5А, lb = 0,8A
lc = 2,75A, lb = 0,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3,0
10
50
-
-
500
30
5
1,5
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
пре
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
le = 350 мА, Ic = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 4,5A, lb= 1,2 А
lc = 4,5A, lb= 1,2А
IF = 6A
1с = 4,0А, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
_
-
800
6
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5,0
16
50
_
-
500
20
5
1,5
3
1
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 75
К»е?>^ниеоыи ЫРЫ диффузионный транзистор для выходных кзскздое строчном р«?.~ |
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
Ире
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
|С = 4,5А, Ib = 1,2 А
lc = 4,5A, Ib = 1,2 А
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5,0
16
50
-
-
500
30
5
1,5
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1U 2[J 3L
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
'P
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
Пре
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=ee
le= 10,0 мА, lc = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0 A, Ib = 0,9 А
Ic = 5,0 A, lb = 0,9A
1с = 4,0А, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
-
-
500
30
5
1,5
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

76 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
;«скадо-в строч
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1U 2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0мА, Rbe=«
1е = 10,0мА, lc = 0
Vcb = 1500B,Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
-
-
500
30
5
1.5
0,8
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo-1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
л
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=10,0мА, Rbe=«
le = 300 мА, Ic = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 0,3 А
lc = 2,5A, lb = 0,8A
lc = 2,5A, lb = 0,8A
IF = 3A
1с = 2,75А, lb = 0,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
_
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3,0
10
40
-
_
500
30
5
1,5
2,2
0,8
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 77
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0 мА, Rbe=«
le = 350 мА, Ic = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 4,5 A, Ib = 1,2 А
lc = 4,5A, lb= 1,2 А
IF = 6A
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5,0
16
50
-
-
500
20
5
1,5
3
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
■ Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 мА, Rbe=°°
1е=10,0мА, lc = 0
Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
1с = 5,0А, lb= 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6,0
16
50
-
-
500
30
5
1,5
1,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

78 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
PC
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 10,0 мА, Rbe=«
1е=10,0мА, lc = 0
Vcb=1500B, Rbe = 0B
Vce = 5,0B, lc= 1,0 А
lc = 4,5A, lb= 1,2А
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5,0
16
50
-
-
500
30
5
1,5
0,8
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный низкочастотный транзистор.
Комплементарная пара с 2SB1530.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 200 В.
Корпус TO-220FM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
1 U2" 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SD2337
hFE
В
60 120
С
100 200
D
160 . 320
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 50,0 мА, Rbe =«
le = 5,0 мА, Ic = 0
Vcb = 120B, le = 0
Vce = 4,0 В, Ic = 50 мА
Vce = 10,0 В, 1с = 500мА
Ic = 500 мА, Ib = 50 мА
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
150
6
-
60
60
-
_
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
Макс,
зна-
чение
200
150
6
2,0
5,0
1,5
-
_
1,0
320
3
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 79
Особенности:
- Мощный низкочастотный транзистор.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 150 В.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Icbo
Ире
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SD2342
hFE
В
60 120
С
100 200
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 50,0 мА, Rbe =«
le = 5,0 мА, Ic = 0
Vcb = 120B, le = 0
Vce = 5,0 В, lc= 1,0 А
Vce = 5,0 В, Ic = 5 А
Ic = 5,0 A, lb= 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
80
6
-
60
22
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
150
80
6
6,0
10
50
-
-
10
200
1,5
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
Корпус TO-3PFM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Ices
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 10,0 мА, Rbe =«
!е = 10,0мА, lc = 0
Vcb = 1500B, Rbe = 0B
Vce = 5,0 В, lc = 0,3A
lc = 2,5A, lb = 0,8A
lc = 2,5A, Ib = 0,8 А
1с = 2,75А, Ib = 0,6 А,
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
800
6
_
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
-
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3,0
10
50
-
_
500
30
5
1,5
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
В
мкА
В
В
МКС

80 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
Особенности:
- Мощный высоковольтный низкочастот-
ный транзистор.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 160B.
Корпус TO-220FM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Icbo
hFE
Vce sat
Ft
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
2SD2491
hFE
В
60 120
С
100 ..200
D
160 320
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
1с=1,0мА, Rbe=«
le = 10,0 мкА, Ic = 0
Vcb = 140B, le = 0
Vce = 5,0 В, lc= 10 мА
Vce = 5,0 В, Ic = 1 мА
Vce = 5,0 В, 1с=10мА
Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
160
5
-
60
30
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
140
Макс,
зна-
чение
160
160
5
100
8
-
-
10
320
2
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
мА
Вт
В
В
мкА
В
МГц
ый ЫРЫ
Особенности:
- Мощный высоковольтный низкочастот-
ный транзистор.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 200.
Корпус TO-220FM
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
V(br)ceo
V(br)ebo
Icbo
Пре
Vce sat
Ft
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя эмиттер-база
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
2SD2492
пре
В
60 .120
С
100 200
D
160 320
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 1,0 мА, Rbe =»
1е=10,0мкА, lc = 0
Vcb = 140B, le = 0
Vce = 5,0 В, 1с=10мА
Vce = 5,0 В, Ic = 1 мА
Vce = 5,0 В, 1с=10мА
lc = 5,0A. Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
200
5
-
60
30
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
. -
_
140
Макс,
зна-
чение
200
200
5
100
8
_
_
10
320
2
_
Еди-
ни-
цы
В
В
В
мА
Вт
В
В
мкА
В
МГц

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 81
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства
ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
U 2U 3L
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
lebo
Vce sat
Vbe sat
fT
Co
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
t = Юме
-
Т = 25°С
Veb = 6 В, Ic = 0 В
lc = 5 A, lb = 0,5 A
lc = 5A, Ib = 0,5 А
-
Vcb=10B, le = 0B
Индуктивная нагрузка
lc = 5A, lb = 0,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
—
Макс,
зна-
чение
200
400
6
7,0
15
4,0
60
1,0
1
1,2
-
-
0,75
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
МГц
пФ
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1U 2U 3[_
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
■с
Ib
P.
Ieh9
Vce_sat
Vbe sat
fi
Co
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
t= Юме
-
Т = 25°С
Veb = 6 В, Ic = 0 В
lc = 5A, lb = 0,5A
Ic = 5 A, Ib = 0,5 А
-
Veb = 10 В, le = 0B
Индуктивная нагрузка
lc = 5A,lb = 0,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
10
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
_
_
-
80
—
Макс,
зна-
чение
150
330
6
7,0
15
4,0
60
1,0
1
1,2
_
_
0,75
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
МГц
пФ
МКС

82 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
Кс^шшевый МРЫ траг-систор-дня импульсных источников питание и йусшоых схо?/: осв%ти-~
тельных гтчборос*
Корпус ТО-220АВ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Способность работы при температуре
+ 125° без ухудшения параметров.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
1M2U 3
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
lebo
Vbe_sat
Vce_sat
hFE
Co
Ci
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения Б-Э
Напряжение насыщения К-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Выходная емкость
Входная емкость
Условия
-
-
-
-
t=10MC
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
1с = 1,0А, 1Ь = 200мА
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
|С = 1,0 А, 1Ь = 200мА
Vce = 5 В, Ic = 0,2 А
Vce = 1 В, lc = 1,0 А
Vcb = 10B, le = 0B
Veb = 8 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
—
14
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,85
0,92
0,2
1,25
_
38
380
Макс,
зна-
чение
400
700
9
2,0
5,0
1,0
50
100
1,1
1,25
0,5
0,6
34
14
60
600
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
пФ
пФ
Корпус ТО-220АВ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Способность работы при температуре
+125° без ухудшения параметров.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
1 2 3
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
lebo
Vce_sat
Vbe_sat
hFE
Co
Ci
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Выходная емкость
Входная емкость
Условия
-
-
-
-
t=10MC
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
lc = 1,0 А, 1Ь = 200мА
1с = 2,0А, 1Ь = 400мА
Ic = 1,0 А, 1Ь = 200мА
Ic = 2,0 A, Ib = 400 мА
Vce = 5 В, Ic = 0,3 А
Vce = 1 В, Ic = 2,0 А
Veb = 10 В, le = 0B
Veb = 8 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
:
-
14
7
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
_
-
-
0,175
0,275
0,84
0,89
-
50
920
Макс,
зна-
чение
400
700
9
5,0
10
2,0
75
100
0,25
1,2
1,25
34
14
75
1200
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
LA
А
Вт
мкА
со со
В
В
пФ
пФ

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 83
Корпус ТО-204АЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой ско-
ростью переключения.
■ Низкое напряжение насы-
щения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Iceo
lebo
Vce_sat
Vbe sat
hFE
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
t = 10 мс
-
Т = 25°С
Vec=160B
Veb = 5 В
Ic = 12 A, Ib = 1,2 А
lc = 25 A, lb = 3,0A
Ic = 25 A, lb = 3,0A
Vce = 2B,lc=12A
Vce = 4 В, Ic = 25 А
Резистивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
20
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
200
250
7
40
50
8,0
250
3,0
1,0
0,6
1,5
1,5
60
1
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
МКС
НРЫ
?ПИ'1ТОр iXUb
ИСТОЧНИКОВ ПИ'ГЗИИП И ПУСКОВЫМ CXUM i
Корпус ТО-204АЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насы-
щения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Iceo
lebo
Vce_sat
Vbe sat
hFE
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
t=10MC
_
Т = 25°С
Vec = 200 В
Veb = 5 В
|С = 10 A, lb= 1,0 А
lc = 20A, lb = 2,5A
lc = 40A, lb = 4,0 А
Vce = 4 В, lc= 10 А
Vce = 4 В, Ic = 20 А
Резистивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
:
.
20
10
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
_
:
.
:
_
-
Макс,
зна-
чение
250
300
7
40
50
8,0
250
3,0
1,0
1
1,5
1,5
60
0,8
0,35
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
CD CD
в
МКС
МКС

84 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1U2U Уз
J
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Iceo
lebo
Vce_sat
Vbe sat
Ton
Tf
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
t=10MC
-
Т = 25°С
Vec=180B
Veb = 5 В
lc = 6,0A, lb = 0,4A
lc = 12 A, Ib = 1,2 А
lc = 12 A, Ib = 1,2 А
Резистивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Индуктивная нагрузка
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
90
l_ 180
7
20
30
4,0
85
3,0
1,0
0,6
1,5
2
0,6
0,15
2
0,15
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
МКС
МКС
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
о
1U2U U3
J
Сим-
вол
Vceo
Vcbo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
t=10MC
-
Т = 25°С
Veb = 5 В
Vce = 5B, Ic = 0,1 А
lc = 0,3A, lb = 0,03A
lc = 1,0 A, lb = 0,2A
lc= 1,0A, lb = 0,2A
Резистивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
_
_
:
-
0,3
0,3
Макс,
зна-
чение
450
1000
5
2,0
3,0
0,75
50
1,0
50
0,8
1
1,1
0,5
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 85
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-225АА
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
Vce_sat
Vbe_sat
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, 1с = 0 В
Vce = 2 В, Ic = 0,5 А
Vce = 2 В, lc= 1,0 А
lc = 0,5A, Ib = 0.1 А
Ic = 1,0 A, lb = 0,25A
Ic = 1,5 A, Ib = 0,5 А
|С = 0,5 A, Ib = 0,1 А
lc= 1,0 A, lb = 0,25 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
8
5
-
_
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
_
Макс,
зна-
чение
400
9
1,5
0,75
40
1,0
40
25
0,5
1
3
1
1,2
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
Вт
мА
CD CO CD
CD CD
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1U 2U 3
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc= 1,0 A, lb = 0,2 А
lc = 2,0A, Ib = 0,5 А
lc = 4,0A, Ib = 1,0 А
lc= 1,0 A, lb = 0,2A
lc = 2,0A, lb = 0,5 А
Veb = 10 В, f= 0,1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
10
8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
65
Макс,
зна-
чение
400
9
4,0
8,0
2,0
4,0
75
1,0
60
40
0,5
0,6
1
1,2
1,6
-
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
В
В
В
пФ

86 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1с = 2,0А, 1Ь = 0,4А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 8,0А, lb = 2,0A
lc = 2,0A, lb = 0,4A
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Veb = 10 В, f= 0,1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
ел оо
-
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
—
80
Макс,
зна-
чение
400
9
8,0
16
4,0
8,0
80
100
40
30
1
2
3
1,2
1,6
-
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
со со со
со со
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1 2 3
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 8,0А, lb= 1.6A
lc= 12 A, Ib = 3,0 А
lc = 5,0A, lb=1,0A
lc = 8,0A, Ib = 1,6А
Veb = 10 В, f = 0,1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
=
:
180
Макс,
зна-
чение
400
9
12
24
6,0
12
100
1,0
40
30
1
1,5
3
1,2
1,6
-
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
В
со со
пФ

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 87
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
1 U 2 U 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
_
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 6 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1с= 1,5 A, lb = 0,2 A
1с = 3,0А, Ib = 0,4 А
lc = 3,0A, lb = 0,4A
Резистивная нагрузка
Veb = 10 В, f= 0,1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
—
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
0,13
200
Макс,
зна-
чение
450
6
5,0
10
4,0
8,0
80
1,0
-
1,0
2,5
1,5
-
-
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
CD CD
В
МКС
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
11 2 I 3
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Ic = 1,5 A, lb = 0,2A
lc = 3,0 A, lb = 0,4A
|С = 3,ОА, Ib = 0,4 А
Резистивная нагрузка
Veb =10 В, f = 0.1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
7
:
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
:
_
60
200
Макс,
зна-
чение
450
6
5,0
10
4,0
8,0
80
1,0
-
1,0
2,5
1,5
_
-
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
В
НС
пФ

88 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 2,5A, lb = 0,25A
1с = 5,0А, lb = 0,5A
1с = 5,0А, lb= 1,0 А
Резистивная нагрузка
Vcb = 10 В, f = 0,1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
13
—
-
30
300
Макс,
зна-
чение
400
6
8,0
16
6,0
12
100
10
22
0,9
2
1,5
125
-
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
НС
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1 U 2 U 3
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 1,0 А
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
lc = 1,0 A, lb = 0,2 А
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А
Индуктивная нагрузка,
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
:
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
8
0,2
0,25
0,825
0,92
125
35
Макс,
зна-
чение
450
9
2,0
5,0
1,0
2,0
50
100
_
0,5
0,5
1,1
1,25
20
60
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
НС
пФ

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 89
SfI%#IU i %
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
приборов
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 2,0 А
lc= 1,0 A, lb= 100 мА
lc = 2,0A, lb = 0,4 А
Ic = 1,0 А, 1Ь=100мА
|С = 2,ОА, Ib = 0,4 А
Резистивная нагрузка,
lc = 2,5,4A, 1Ь = 500мА
Vcb = 10B, f= 1,0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
:
—
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
11
0,25
0,3
0,82
0,92
275
50
Макс,
зна-
чение
450
9
5,0
10
2,0
4,0
75
100
-
0,5
0,45
1,1
1,25
400
65
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
НС
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
11 2 _ 3
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, 1с = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc= 1.3 А, 1Ь=130мА
1с = 310А, 1Ь = 0,6А
1С = 1.3 A, lb = 130 мА
10 = 3,0 А, 1Ь = 0,6 А
Индуктивная нагрузка,
Veb = 10 В, f= 1.0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
-
-
-
18
-
:
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
-
-
-
-
45
0.3
0.4
0.77
0,91
150
-
Макс,
зна-
чение
600
10
8,0
16
5.0
9,0
100
100
_
0,75
0,75
1
1,1
200
200
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
НС
пФ

90 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
2 U з
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 1,0 А
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
Ic = 1,0 A, lb = 0,2A
Индуктивная нагрузка,
Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА
Vcb = 10B, f= 1,0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
—
—
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
0,2
0,25
0,825
0,92
125
35
Макс,
зна-
чение
450
9
2,0
5,0
1,0
2,0
25
100
-
0,5
0,5
1,1
1,25
20
60
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
НС
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1 2 3
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 1 В, Ic = 2,0 А
lc = 1,0 А, 1Ь=100мА
1с = 2,0А, lb = 0,4A
lc= 1,0 А, 1Ь=100мА
|С = 2,ОА, lb = 0,4A
Резистивная нагрузка,
Ic = 2,5,4 A, Ib = 500 мА
Veb = 10 В, f= 1,0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
_
6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
11
0,25
0,3
0,82
0,92
275
50
Макс,
зна-
чение
450
9
5,0
10
2,0
4,0
35
100
_
0,5
0,45
1,1
1,25
400
65
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
НС
пФ

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 91
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
U 2 U з L
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe_sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc= 1,3 А, 1Ь=130мА
lc = 3,0A, lb = 0,6A
Ic = 1,3 А, 1Ь=130мА
1с = 3,0А, lb = 0,6A
Индуктивная нагрузка,
Vcb= 10 В, f= 1,0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
18
—
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
45
0,3
0,4
0,77
0,91
150
-
Макс,
зна-
чение
600
10
8,0
16
5,0
9,0
40
100
-
0,75
0,75
1
1,1
200
200
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
В
НС
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
Корпус ТО-247АЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vces
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Pc
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Tf
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Vbe = 0B
Vce = 5 В, Ic = 10 А
1с = 5,5А, lb = 2,2A
1с = 3,0А, lb = 0,4A
lc = 5,5A, lb = 2,2 А
Индуктивная нагрузка,
Vcb=10B, f= 1,0 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
_
4
:
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
_
6
0,15
0,14
0,9
200
180
Макс,
зна-
чение
1500
8
10
15
5,0
10
150
250
10
1
1
1,5
350
350
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
НС
пФ

92 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
ЫРЫ ДИффу-'Н
Корпус TOP-3F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
Эмиттер отключен
Эмиттерный переход
закорочен
База отключена
Коллектор отключен
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 2,0A
lc = 2,0A, lb = 0,4 А
Ic = 2,0 A, lb = 0,4A
Vce = 5 В, Ic = 0,2 А
lc = 2A
lc = 2A
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
800
7
3,0/6,0
2
70
-
1.5
1,5
-
1
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
В
А
А
Вт
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус TOP-3F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
Эмиттер отключен
Эмиттерный переход
закорочен
База отключена
Коллектор отключен
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 3,0A
Ic = 3,0 A, lb = 0,6 А
|С = 3,0 A, lb = 0,6A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 3A
lc = 3A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
6
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
6
_
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
800
7
5,0/10
3
80
-
1,5
1,5
_
1
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
В
А
А
Вт
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 93
Корпус TOP-3F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo.
-Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
Эмиттер отключен
Эмиттерный переход
закорочен
База отключена
Коллектор отключен
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 4,0A
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
1с = 4,0А, lb = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
lc = 4A
lc = 4A
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
зна-
чение
800
800
500
8
7,0/15
4
80
-
1,0
1,5
-
1
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
в
А
А
Вт
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус TOP-3F
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения
- Высокое напряжение пробоя Vcbo.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
Эмиттер отключен
Эмиттерный переход
закорочен
База отключена
Коллектор отключен
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,8 А
1с = 0,8А, lb = 0,16 А
!с = 0,8 A, lb = 0,16 А
Vce = 5 В, lc = 0,15 А
lc = 0,8A
lc = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
8
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
_
-
-
10
_
-
Макс,
зна-
чение
900
900
800
7
3,0/5,0
1
70
_
1,5
1,5
_
0,7
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
в
А
А
Вт
В
В
МГц
МКС
МКС

94 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
3
шт^т UtH тщщ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Корпус TOP-3L
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
ib
Pc
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 10,0 А
Ic = 10 A, lb=2,8A
Ic = 10 A, Ib =2,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1700
1700
6
15/30
10
200
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
5т
В
В
МГц
МКС
Корпус TOP-3L
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 10,0 А
lc= 10 A, Ib =2,8 А
lc= 10 A, Ib =2,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1500
1500
6
20/30
10
200
1,0
50
12
3
1,5
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 95
Корпус TOP-3L
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
-Низкое напряжение насыщения
-Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
-Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 10,0 А
lc= 10 A, lb=2,8A
Ic = 10 A, lb=2,8A
Vce = 10 В, lc = 0,1 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1600
1600
6
20/30
10
200
1,0
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
-Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
-Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
■ Высокая надежность.
-Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hpE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
_
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 6,0A
1с = 6,0А. Ib =1,5 А
1с = 6,0А, Ib =1,5 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
_
-
-
-
5
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
_
-
_
-
_
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
12/20
8
120
50
50
12
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС

96 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
)Ш2Ш}p'ff<Л г>;
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
V 2\) 3^
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb= 1000 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
1с = 6,0А, Ib =1,5А
lc = 6,0A, Ib =1,5А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1600
1600
5
12/20
8
120
50
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
2\) 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 7,0A
Ic = 7,0 A, Ib =1,75 А
1с = 7,0А, Ib =1,75 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
5
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
_
_
_
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1600
600
5
14/20
8
100
50
50
12
3
1.5
_
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 97
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
-Высокое напряжение пробоя.
-Низкое напряжение насыщения
■ Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
-Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
V 2У з\)
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 7,0 А
|С = 7,ОА, Ib =1,75 А
lc = 7,0A, Ib =1,75 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1600
600
5
14/20
8
100
1,0
50
12
3
1,5
-
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
■ Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
\) з\}
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективногсгусиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 7,0 А
lc = 7,5A, Ib =1,88 А
1с = 7,5А, Ib =1,88 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
5
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
_
-
-
-
_
_
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
15/20
8
100
1,0
50
12
3
1,5
_
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
в
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

98 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о°о
TV
- 2
з
4-~-
Г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
rt
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1700B,le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
lc = 2,5A,lb = 0,625A
lc = 0,5A, lb = 0,625A
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
4,0/8,0
3
50
1,0
50
12
3
1,5
0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о°о
Т~1Г
гУ з
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
|С = 10 A, lb = 2,8A
Ic = 10 A, Ib = 2,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
_
-
-
_
_
-
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
15/30
10
50
1,0
50
12
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 99
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
-Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
-Высокое напряжение пробоя.
-Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
-Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
У 2\) гц
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 7,5A
lc = 7,5A, lb= 1,88 А
1с = 7,5А, Ib = 1,88 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
15/25
7,5
60
1,0
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
-Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
-Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
У 2\)
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc = 7,0A
Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А
lc = 7,0A, lb= 1,75 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
_
-
-
-
_
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
14/25
7,5
60
1,0
50
12
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

100 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
\) 2\) 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc = 5,5A
lc = 5,5 A, Ib = 1,38 А
1с = 5,5А, Ib = 1,38 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
13/23
5,0
60
1,0
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективно(тгусиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,5 А
lc = 6,5A, Ib = 1,63 А
1с = 6,5А, Ib = 1,63А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
11/20
3,5
40
1,0
50
10
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 101
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
-Высокое напряжение пробоя.
■ Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
-Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
) 2\) 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 8,5A
lc = 8,5 A, Ib = 2,13 А
lc = 8,5A, lb = 2,13 А
Vce =10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
17/27
8,0
65
1,0
50
10
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
I 2V 3
Р
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
-
Т = 25°С
Vcb=1500B, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 10,0 А
lc= 10,0 A, lb = 2,5 А
lc = 10,0 A, lb = 2,5 А
Vce =10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
_
5
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
_
_
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
5
20/30
8,0
70
1,0
50
10
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

102 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
*^ CJ if* I? ij; 4 7 Кремниевый MPfJ диффузионный транзистор для выходным каскадов ci
А?^ %^ %^^ %J %J i f ве%¥~ш телевизионных приемников \а мониторов
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
У 2
£
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1700B,le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 4,5 А
lc = 4,5 A, lb = 0,9A
lc = 4,5A, lb = 0,9A
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
1700
5
6/12
3,0
40
1,0
50
10
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
пре
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
-
-
_
_
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
7/14
3,5
40
1,0
50
10
3
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 103
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1700B, le = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0 A, Ib = 1,2 А
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
1700
5
8/16
3,0
40
1,0
50
10
3
1.5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
■Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о°о
тп
2
3
F
г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb=1700B, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 10,0 А
lc = 10,0 A, lb = 2.5A
lc = 10,0 A, lb = 2,5A
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
_
6
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
_
_
_
-
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
18/30
8,0
70
1,0
50
12
3
1,5
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

104 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
У 2 U 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1700B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 8,0A, lb = 2,0A
lc = 8,0A, lb = 2,0 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
16/30
8,0
65
1,0
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о°о
T~L
J 2
3
Г
Г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1700B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =11,0 А
Ic =11,0 A, lb = 2,75A
1С =11,0 A, lb = 2,75A
Vce = 10 В, lc = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
_
-
_
_
-
-
_
-
6
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
_
_
_
_
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
22/30
11,0
70
1,0
50
12
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC I OS
Корпус TOP-3L
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic - 0 В
Vce = 5 В, lc = 8,5 А
lc = 8,5A, Ib =2,13 А
|С = 8,5 A, Ib =2,13 А
Vce =10 В, lc = 0,1 A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
17/30
8,0
150
1,0
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус TOP-3L
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 10,0 А
Ic = 10,0 A, lb=2,5A
Ic = 10,0 A, lb=2,5A
Vce= 10 В Ic = 0,1 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
7
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
_
_
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
20/30
8,0
150
1,0
50
14
3
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

106 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
о о
TV
2
■Е
г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
L_ Т = 25°С
Vcb=1700B, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =10,0 А
Ic =10,0 A, Ib = 2,5 А
Ic =10,0 A, lb = 2,5A
Vce =10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
20/30
11.0
70
1,0
50
12
3
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус TOP-3L
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
Iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1700B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 11,0 А
Ic = 11,0 A, Ib =2,75 А
Ic = 11,0 A, lb=2,75A
Vce= 10B, Ic = 0,1 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
6
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
_
_
-
_
3
0,12
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
22/30
11,0
200
1,0
50
12
3
1,5
.
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 107
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
У 2\)
tAJ
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-3
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =4,0 А
|С = 4,0 A, lb = 0,8A
|С = 4,ОА, lb = 0,8 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
6,0/12
3,0
40
1,0
50
9
3
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
у зу
р
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
_
Т = 25°С
Vcb = 2000 В, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 10,0 А
1С =10,0 A, lb = 2,5A
lc = 10,0 A, lb = 2,5 A
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
_
_
_
-
3
-
Макс,
зна-
чение
2000
600
7
20/30
11,0
70
1,0
50
9
3
1,5
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

108 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Низкое напряжение насыщения
- Изолированный корпус.
питания тслесизионныл приемников и ВШ
Корпус TO-220D
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база (эмиттер откл )
Напряжение коллектор-эмиттер (база откл )
Напряжение эмиттер-база (коллектор откл )
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 60 В, le = 0 В
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 4 В, 1с=1,0А
lc = 3,0A, lb = 0,375A
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
120
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
-
Макс,
зна-
чение
60
60
6
3,0
6,0
20
100
1,0
320
0,5
-
0,15
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
мА
В
МГц
МКС
2SC5739Q:hFE=120...250
2SC5739P:hFE=160...320
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Низкое напряжение насыщения
- Изолированный корпус.
Корпус TO-220D
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база (эмиттер откл )
L Напряжение коллектор-эмиттер (база otwiJ
Напряжение эмиттер-база (коллектор откл)
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 50 В, le = 0 В
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 2 В, Ic =1,0 А
|С = 5^0 A, Ib = 0,25 А
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
200
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
_
150
-
Макс,
зна-
чение
50
50
6
10,0
20,0
25
100
1,0
_
0,5
_
0,15
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
мА
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 109
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Корпус МТ-4-1А
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3|
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база (эмиттер откл)
Напряжение коллектор-эмиттер (база откл )
Напряжение эмиттер-база (коллектор откл )
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 60 В, le = 0 В
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 4 В, Ic =1,0 А
Ic = 3,0 A, lb = 0,375A
Vce= 10 В, lc= 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
120
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
-
Макс,
зна-
чение
60
60
6
3,0
6,0
15
100
1,0
320
0,8
-
0,15
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
мА
В
МГц
МКС
2SC5788Q:hFE= 120...250
2SC5788P: hFE = 160.. 320
Корпус ТО-220Н
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500 В, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =2,0 А
Ic = 2,0 A, Ib = 0,5 А
Ic = 2,0 A, lb = 0,5 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
-
_
5
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
-
_
_
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
5
4,0/6,0
2,0
30
1,0
50
10
2,5
1,5
_
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

110 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC5885
НРН ш
Корпус ТО-220Н
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер^база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B. le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =3,0 А
1с = 3,0А, lb = 0,75A
1с = 3,0А, lb = 0,75A
Vce = 10 В, lc=0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
5
6,0/9,0
3,0
30
1,0
50
10
2,5
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Л
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1700 В, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =4,5 А
lc = 4,5A, Ib = 1,13А
1с = 4,5А, Ib = 1,13А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
5
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
_
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
9,0/14
3,0
40
1,0
50
10
3,0
1,5
_
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 111
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
[_ Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
V 2\) 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1700B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 8,5A
lc = 8,5 A, Ib = 2,13 А
lc = 8,5A, Ib = 2,13 А
Vce =10 В, Ic = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
L -
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
17/27
8,0
65
1,0
50
12
3,0
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Ньзкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
У 2V 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
_
Т = 25°С
Vcb = 1700B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 10,0 А
lc = 10,0A, lb = 2,5A
lc= 10,0 A, lb = 2,5A
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
-
5
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
—
-
-
-
_
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
20/30
8,0
70
1,0
50
12
з.о
1,5
_
0,2
I If
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

112 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
приемников и
Корпус ТОР-ЗЕ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
\) 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc = 7,5A
lc = 7,5A,lb=1,88A
lc = 7,5 A, Ib = 1,88 А
Vce =10 В, ic = 0.1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
15/25
5,0
50
1,0
50
10
2,5
1,5
-
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
U 2У 3\)
Л
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1с = 5,0А, lb= 1,25 А
Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А
Vce =10 В, Ic = 0.1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
10/15
3,0
40
1,0
50
10
2,5
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 113
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
У 2\)
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
Пре
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 1500 В, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,75A
lc = 3,0A, Ib = 1,75А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
5
6,0/9,0
3,0
40
1.0
50
10
2,5
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
£
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0A, lb= 1,5 А
1С = 6,0 A, Ib = 1.5 А
Vce= 10 В, lc = 0,1 A
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
5
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
_
_
_
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
12/22
5,0
40
50
1.0
10
2,5
1,5
_
0,2
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

114 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
3U
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1700B, le = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 7,5 А
lc = 7,5A, Ib = 1,88 А
lc = 7,5A, Ib = 1,88 А
Vce =10 В, lc = 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
15/25
3,0
60
1,0
50
10
3,0
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Низкое напряжение насыщения
- Изолированный корпус.
Корпус TO-220D
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база (эмиттер откл)
Напряжение коллектор-эмиттер (база откл )
Напряжение эмиттер-база (коллектор откл )
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=180B, le = 0B
Veb = 6 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic =0,1 А
lc = 1,0 A, Ib = 0,1 А
Vce = 10 В, lc= 0,1 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
60
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
_
-
_
-
-
-
130
-
Макс,
зна-
чение
180
180
6
1,5
3,0
20
100
100
240
0,5
0,1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
Вт
мкА
мкА
В
МГц
МКС
2SC5993Q:hFE = 60...140
2SC5993P:hFE= 120...240

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 115
Корпус ТОР-ЗЕ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
tip
А
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1700B, le = 0 В
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 7,0A
Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А
lc = 7,0 A, Ib = 1,75 А
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
15/24
3,0
60
1,0
50
12
3,0
1,5
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
■ Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный пере-
ход закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 2,0A
lc = 2,0A, lb = 0.75 А
lc = 2,0A, Ib = 0,75 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
Vce = 10B,lc = 0,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
4
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
_
-
-
2
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
1500
5
3,0/10
3,5
50
50
12
5
1.5
2,2
0,7
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

116 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Корпус ТОР-ЗВ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный пере-
ход закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 2,5A
lc = 2,5A, Ib = 0,8 А
lc = 2,5A, Ib = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
Vce = 10 В, lc = 0,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
Тип.
значе
ние
-
—
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
3,5/13
3,5
65
50
15
5
1,5
2,2
0,8
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС
Корпус ТОР-ЗВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный пере-
ход закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 3,0A
lc = 3,0A, lb= 1.0A
1с = 3,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
Vce = 10 В, lc = 0,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
2
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
4,0/15
3,5
70
50
15
1
1,5
_
2,2
0,75
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 117
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус ТОР-ЗС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
Эмиттерный переход
закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 3,0A
lc = 2,0A, lb = 0,75 А
1с = 2,0А, lb = 0,75A
Vce = 10 В, lc = 0,5 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
3,0/10
3,5
50
50
12
1
1,5
-
2,2
0,75
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС
Корпус ТОР-ЗС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
t^Q *
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный переход
закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc=3,0A
lc = 3,0A, Ib = 1,0 А
Ic = 3,0 A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
Vce =10 В, lc = 0,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
5
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
2
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
4,0/15
3,5
70
50
15
1
1,5
_
2,2
0,75
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

118 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
117
Кремниевый ЫРЫ диффузионный транзистор для а
вертки телевизионных прг^р^никое vt мониторов
скддон строчк
Корпус ТОР-ЗВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Л
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 0,5A
lc = 3,0 A, lb = 0,8A
1с = 3,0А, Ib = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
Vce = 10 В, lc = 3,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
7
3,5/10
1,5
60
10
25
8
1,5
-
2,0
0,8
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС
Корпус ТОР-ЗВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Л
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 5B, lc= 1,0А
lc = 4,0A, Ib = 1,0 А
lc = 4,0A, Ib = 1,0 А
Vce =10 В, lc = 0,5A
lc = 5,0A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
5
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
_
-
2
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
7
5,0/10
2,0
100
10
25
8
1,5
_
2,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 119
Корпус ТОР-ЗВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1.0 А
Ic = 5,0 A, lb= 1,2 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2А
Vce = 10 В, 1с=1,0А
lc = 5,0A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
7
6,0/18
2,5
100
10
25
8
1,5
2,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС
Корпус ТОР-ЗВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
-Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 6,0A, Ib = 1,4А
Ic = 6,0 A, Ib = 1,4 А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
1с = 5,0А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
5
_
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
2
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
7
7,0/20
3,0
100
10
25
8
1,5
-
2,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

120 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
WPH ДМФф\/ЖО»иЫ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТОР-ЗС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный пере-
ход закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
lc = 5,0 A, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
1500
7
6,0/18
2,5
100
10
30
8
1,5
-
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
МКС
Корпус ТОР-ЗС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный переход
закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 3,0A
lc = 3,0 A, lb = 0,8A
lc = 3,0A, Ib = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,5 А
lc = 3,5A
-
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
_
4
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
2
_
1,5
Макс,
зна-
чение
1500
1500
7
3,5/10
1,5
60
10
_
8
1,5
_
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 121
Корпус ТОР-ЗС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
-Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный переход
закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 10 В, lc = 6,0A
lc = 6,0A, Ib = 1,4 А
1с = 6,0А, Ib = 1,4 А
Vce = 10 В, 1с=1,0А
lc = 7,0A
-
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
4,5
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
7
7,0/20
3,0
120
10
-
8
1,5
-
2,3
0,8
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТОР-ЗС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hpE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
Эмиттерный пере-
ход закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 750 В, le = 0 В
Vce = 5 В, lc = 6,0A
1с = 6,0А, Ib = 1,5 А
lc = 6,0A, Ib = 1,5 А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
—
-
-
-
-
_
4,5
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
—
-
_
_
-
_
_
_
_
2
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
7
7,0/20
3,0
120
10
-
8
1,5
_
0,8
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
МКС

122 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TOP-3F
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vces
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
Эмиттерный переход
закорочен
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, le = 0 В
Vce = 10 В, lc=5,0A
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
Vce =10 В, lc= 1,0 А
lc = 6,0A
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
4,5
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
7
5,0/20
4,0
100
300
15
8
1,5
-
2,3
0,8
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
В
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 123
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
- Неизолированный корпус.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
□
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
hFE
fT
Ptot
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы импульсный
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
-
Ic = 2А Ib =0,9 А
-
-
-
-
-
|С = 0,1 A, Vce = 5 В
Ic = 0,1 A, Vce = 5B
Т = 25°С
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
13
7
-
0,9
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
2
2,5
4,0
2
4
30
-
75
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
А
МГц
Вт
МКС
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключе-
ния
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1 2 3
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Vf
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
hFE
fT
Ftot
Tf
Параметр
Напряжение коллектор^эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Напряжение насыщения К-Э
Падение напряжения на прямо смещенномлиоде
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективногоусиления
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
_
lc = 2A, Ib =0,9 А
I = 2 А
-
_
-
-
-
Ic = 0,1 A,Vce = 5B
lc = 0,1 A, Vce = 5B
Т = 25°С
-
Мин.
зна-
чение
_
_
-
_
_
_
_
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
_
-
2
4
13
7
-
0,9
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
1,8
2
2,5
4,0
А
А
30
-
75
-
Еди-
ницы
В
В
В
В
А
А
А
МГц
Вт
МКС

124 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
Vf
hFE
fT
Ptot
Tj
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Температура перехода
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
-
lc = 0,1 A,Vce = 5B
Ic = 0,1 A, Vce = 5B
Т = 25°
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
13
7
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
2
2,5
4,0
2,0
4,0
1,8
30
-
20
150
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
В
МГц
Вт
°С
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
!ife
fT
Ptot
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер^ отключ. базой)
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
-
lc = 2Alb=0,9A
-
-
-
-
-
Ic = 0,1 A, Vce = 5B
Ic = 0,1 A,Vce = 5B
T = 25°C
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
2
4,0
13
7
-
0,7
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
2
2,5
4,0
А
А
30
20
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
МГц
Вт
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 125
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя: Vceo =
700 В.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
L_J
1 J2|J3
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
-
lc = 3A, Ib =1,33 А
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 0,1 A, Vce = 5B
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
3
5
-
13
0,7
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
3
5,0
8,0
А
А
100
30
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
LJ
2LJ3
А
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Vf
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
Пре
Ptot
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Напряжение насыщения К-Э
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
-
lc = 3A, Ib =1,33 А
I = ЗА
-
-
-
-
-
Ic = 0,1 A,Vce = 5B
Т = 25°С
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
1.5
-
_
_
-
-
13
-
0,9
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
-
3,0
5,0
8,0
3,0
5,0
30
100
-
Еди-
ницы
В
В
В
В
А
А
А
А
А
Вт
МКС

126 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Vf
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
hFE
Ptot
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^
Напряжение насыщения К-Э
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
-
lc = ЗА Ib =1,33 А
I = ЗА
-
-
-
-
-
Ic = 0,1 A, Vce = 5B
Т = 25°С
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
0,7
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
2,2
3
5,0
8,0
3,0
5,0
30
20
-
Еди-
ницы
В
В
В
В
А
А
А
А
А
Вт
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Vce sat
Ic sat
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 V
-
Ic = ЗА Ib =1,33 А
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 0,1 A, Vce = 5B
-
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
_
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
_
_
_
-
6,0
0,7
Макс,
зна-
чение
1500
700
1,0
3,0
5,0
8,0
3
5
20
13
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
А
Вт
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 127
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,5А, 1Ь=1,6А
F =16 кГц
Ic sat = 4,5 A, F =16 кГц
Ic = 100 mA, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
0,7
13,0
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
34
1,0
-
-
30,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 700 В.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,5А, Ib =1,6 А
F =16 кГц
lc_sat = 4,5A, F =16 кГц
lc= 100 mA, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
4,5
0,7
13,0
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
125
1,0
_
30,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

128 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ib
Ibm
Vf
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (сотключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
Т = 25°С
|С = 4,5А, Ib =1,6 А
F =16 кГц
-
-
1 = 4,5 А
Ic sat = 4,5 A, F =16 кГц
lc = 100 mA, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
4,5
4
6
1,6
0,7
13,0
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
34
1,0
-
А
А
2,0
-
30,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
А
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ib
Ibm
Vf
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,5A, Ib =1,6 А
F =16 кГц
-
-
1 = 4,5 А
Ic sat = 4,5 A, F =16 кГц
lc=100mA,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
4,5
-
_
1,6
0,7
13,0
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
125
1,0
-
4
6
2,0
-
30,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
Вт
В
А
А
А
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 129
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Icm
Ib
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 3,0А, lb = 0,79A
-
1 = 3,0 а
Icm = 3,0 А, 1Ь = 0,67А
-
1с = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
1L6
0,4
55
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
8
8
3
32
5,0
-
2,0
0,6
-
7,5
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ptot
Vce sat
Vce sat
Ic sat
Ib
Ibm
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 4 A, Ib =0,95 А
lc = 4A, Ib =0,8 А
Р = 16кГц
-
-
Ic sat =4 A, F = 16Kr"LL
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
4
-
_
0,25
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
45
1,0
5,0
4
6
0,5
9,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
Вт
В
В
А
А
А
МКС

130 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
мниевый ЫРЫ диффузионный транзистор дян выгодных
телевизионных при^ушикслз и допито роб
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
lem
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, lb = 0,8A
-
-
lcm = 4,0A, F = =16 кГц
-
lc = 4,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
1,7
0,4
45
5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
5,0
-
2,0
0,6
-
7
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
lem
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базойХ
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,5A, lb=1,1 A
-
lem = 4,5 A, Ib =1,1
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
4,5
0,4
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
35
1,0
_
0,6
7,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 131
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,5А, Ib =1,1 А
-
1 = 4,5 А
Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1
-
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
1,6
0,4
33
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
35
1,0
-
-
0,6
-
7,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Кремккеаый ЫРН диффузионный транзис/ор для выходны* каскаде
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
_
-
Т = 25°С
1с = 3,0А, lb=0,79A
-
-
Icm = 3,0 A, Ib =0,67
_
Ic = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
-
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
_
_
-
-
3,0
1,6
0,25
55
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
8
3
5
45
5,0
_
_
0,5
_
7,5
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

132 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Ib
Ibm
Icm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 3,0A, lb=0,79A
-
-
Icm = 3,0 A, Ib =0,67
-
Ic = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
1,6
0,25
55
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
3
5
8
45
5,0
-
2.0
0,5
-
7,5
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Кремниевый л;Ргч д^'р-фузистчый транзйсюр длч вы-
каскадов строчной
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, lb=0,95A
F = 16kCi4
Icm = 4,0 A, F = 16kI"m
lc = 4,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
_
-
_
4,0
0,25
7
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
1.0
_
0,5
9
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 133
%f Кремниевый ЫРЫ диффузионный трзнзистс-р для выходных каскадов строчной |
*" развеглки телевизионных приемников и мониторов I
Особенности: Корпус SOT399
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, Ib =0,95 А
Р = 16кГц
Icm = 4,0 A, F = 16 кГц
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
4,0
0,25
7
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
1,0
-
0,5
9
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
чин—I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
Пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер^ отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление^езистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, lb=0,8A
Р = 16кГц
1 = 4,0 А
Icm = 4,0 А, Р = 16кГц
_
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
_
4,0
1,7
0,25
45
7
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
_
_
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
5,0
2,0
0,5
_
9
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

134 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление^езистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, Ib =0,8 А
Р=16кГц
-
Icm = 4,0 A, F = 16kI~m
-
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
1,7
0,25
45
7
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
5,0
-
2,0
0,5
9
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
IU2508A
вьн:п»ш телевизионных пршатитов « мщ
для выходных
й раз-
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,5A, lb=1,1 A
-
Icm = 4,5 A, Ib =1.1
lc = 4,5A, Vce=1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
-
4,5
0,4
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
125
5,0
_
0,6
7,5
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 135
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, lb=0,95A
-
Icm = 4,0 A, F = 16 кГц
lc = 4,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
0,25
7
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
1,0
-
0,5
9
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения
- Малое напряжение насыщения.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Ib
Ibm
Icm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
_
Т = 25°С
lc = 4,5A, Ib =1,12А
Р = 16кГц
Icm = 4,5 A, F = 16 кГц
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
4,5
0,4
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
4
6
15
125
1,0
_
0,6
7,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

136 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,5A, Ib =1,1 А
-
Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1
lc = 4,5A, Vce=1 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
0,4
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
1,0
-
0,6
7,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
_
_
-
-
Т = 25°С
1с = 4,5А, Ib =1,12 А
-
1 = 4,5 А,
Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1
-
lc = 4,5A, Vce=1 В
Мин.
значе-
ние
-
-
_
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
4,5
1,6
0,4
33
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
125
1,0
-
2,0
0,6
7,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 137
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Л
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 4,5 A, Ib =1,12 А
-
1 = 4,5 А
Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1
-
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
1,6
0,4
33
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
1,0
-
2,0
0,6
-
7,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
А
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
_
_
-
Т = 25°С
|С = 4,5А, Ib =1,12 А
1 = 4,5 А
-
Icm = 4,5 A, F = 16кГц
-
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
значе-
ние
_
_
-
_
_
-
-
_
_
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
_
_
-
_
4,5
1,6
0,4
33
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
125
1.0
_
2,0
0,6
-
7,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

138 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 3,0 A, lb=0,79A
-
-
Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1
-
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
1,6
0,4
33
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
700
8
15
4
6
45
5,0
-
2,0
0,6
-
7,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
_
-
Т = 25°С
1с = 4,5А, lb=0,9A
F = 56 кГц
Icm = 4,5 A, F = 56 кГц
Ic = 4,5 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
_
_
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
4,5
0,2
8,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
9
20
5
7,5
45
5,0
_
0,4
10,8
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 139
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
|С = 4,5А, lb=0,9A
F = 56 кГц
Icm = 4,5 A, F = 56kI~4
Ic = 4,5 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
0,2
8,2
Макс,
зна-
чение
1500
800
9
20
5
7,5
45
5,0
-
0,4
10,8
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
Пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
_
Т = 25°С
1с = 4,5А, lb=0,9A
F = 56 кГц
1 = 4,5 А
Icm = 4,5 A, F = 56 кГц
-
lc = 4,5A,Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
_
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
_
_
-
4,5
0,2
46
8
Макс,
зна-
чение
1500
800
9
20
5
7,5
45
5,0
_
2,2
0,4
_
10,2
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

140 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
Ире
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
IC = 4,5A, lb=0,9A
F = 56 кГц
-
Icm = 4,5 A, F = 56kI~4
-
|С = 4,5 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
0,2
46
8
Макс,
зна-
чение
1500
800
9
20
5
7,5
45
5,0
-
2,2
0,4
-
10,2
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A, Ib =1,2 А
-
Icm = 6,0 A, Ib =0,85
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
6,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
125
5,0
_
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 141
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A, Ib =1,2 А
Icm = 6,0 A, Ib =0,85
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, Ib =1,2 А
-
Icm = 6,0 A, Ib =0,85
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
_
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
6,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
125
5,0
_
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

142 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A, lb=1,2A
-
Icm = 6,0 A, Ib =0,85
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базь^ пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A, lb=1,2A
-
-
Icm = 6,0 A, Ib =1,0
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
_
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
_
7,0
Тип.
зна-
чение
_
-
_
_
-
_
-
-
6,0
0,35
50
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
125
5,0
_
2,2
0,5
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 143
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A, Ib =1,2 А
-
-
Icm = 6,0 A, Ib =1,0
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
-
0,35
50
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
2,2
0,5
-
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0 A, Ib =1,2 А
-
-
Icm = 6,0 А, 1Ь=1,0
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
6,0
-
0,35
50
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
125
5,0
_
2,2
0,5
_.
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

144 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, Ib =1,2 А
-
-
Icm = 6,0 A, Ib =1,0
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
0,35
50
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
2j2
0,5
-
9,5
Ьди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, 1Ь=1,76А
Icm = 6,0 A, Ib =0,7
lc = 6,0A, Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
6
9
-
-
6,0
1,7
7
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
А
А
125
5,0
_
2,0
8
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 145
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A,lb=1,2A
-
Icm = 6,0 A, F =64 кГц
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
0,16
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
0,22
8,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, Ib =1,2 А
F = 64 кГц
Icm = 6,0 А, Р = 64кГц
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
1,7
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
125
5,0
_
2,0
10
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

146 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A( Ib =1,2 А
-
Icm = 6,0 A, F =64 кГц
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
0,16
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
0,22
8,0
Еди-
ни-
цы
L В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°
1с = 6,0А, ГЬ =1,2 А
-
Icm = 6,0 A, F =64 кГц
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
6
-
-
6,0
0,16
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
150
_
45
5,0
-
0,22
8,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 147
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, Ib =1,2 А
-
1 = 6,0 А
Icm = 6,0 A, F =64 кГц
-
lc = 6,0A,Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
-
0,12
50
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
45
5,0
-
2,2
0,25
-
8,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,5А, Ib =1,1 А
F = 64 кГц
Icm = 5,5 А, Р = 64кГц
lc = 5,5A,Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
5,5
0,15
8,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
45
5,0
_
0,3
10,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

148 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,5A, lb=1,1 A
F = 64 кГц
Icm = 5,5 А, Р = 64кГц
Ic = 5,5 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5,5
0,15
8,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
45
5,0
-
0,3
10,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивлениерезистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,5A, Ib =1,1 А
F =64 кГц
1 = 5,5 А,
Icm = 5,5 A, F=64 кГц
-
1с = 5,5 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
5,5
-
0,15
46
7,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
45
5,0
-
2,2
0,3
_
10,8
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 149
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,5А, Ib =1,1 А
F =64 кГц
1 = 5,5 А,
Icm = 5,5 A, F =64 кГц
-
1с = 5,5 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
5,5
-
0,12
46
7,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
45
5,0
-
2,2
0,25
-
10,8
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
_
-
Т = 25°С
|С = 8,0А, Ib =1,6А
-
Icm = 8,0 А, 1Ь=1,1
Ic = 8,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
_
_
-
-
8,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
125
5,0
_
0,35
10
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

150 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0А, Ib =1,6 А
-
Icm = 8,0 А, 1Ь=1,1
1с = 8,0А, Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
-
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Кремниевый UPt4 диффузионным транзистор для выходных кас
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
^_ Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
_
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 8,0A, Ib =1,6 А
-
Icm = 8, А, 1Ь=1,1
Ic = 8,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
_
-
_
-
-
-
-
—
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
_
-
-
8,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
125
5,0
_
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 151
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0А, 1Ь=1,6А
Icm = 8,0 А, 1Ь=1,1
Ic = 8,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
0,2
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
-
0,35
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hpE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Время восстановления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 8,0A, lb=1,6A
-
1 = 8,0 А
Icm = 8,0 A, Ib = 1,1 А
-
lc = 8,0A,Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
8,0
1,6
3,0
55
7
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
_
2,0
4,0
_
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

152 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
НрйАЛниевь;й ЫРЫ диффузионный *рз«2И*.-тор дш» ^ыхсднь!*" ка?;нздий
развертки телевизионных пркзмнмков с большими дийгсналими ЭЛТ
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время восстановления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0А, Ib =1,6 А
-
1 = 5,5 А
lcm = 8,0A, lb=1,1 A
-
Ic = 8,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
-
3,0
55
7
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
125
5,0
-
2,2
4,0
-
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время восстановления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0А, Ib =1,6 А
1 = 5,5 А
Icm = 8,0 A, Ib = 1.1 А
-
1с = 8,0А, Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
-
3,0
55
7
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
-
2,2
4,0
_
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 153
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6,0A, Ib =1,2 А
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
125
5,0
9,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
4tJH диффузионный грзялистор дня выходных каскадов стро-
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой}^
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
_
Т = 25°С
lc = 6,0A, Ib =1,2 А
-
lc = 6,0A,Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
_
-
_
6,0
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
_
9,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А

154 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с откл базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, Ib =1,2 А
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
125
5,0
-
9,0
Еди
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
_
_
-
Т = 25°С
lc = 6,0A,lb=1,2A
-
!с = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
_
_
_
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
_
-
-
6,0
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
-
9,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А

Мощные транзисторы с высхжой сжоростью переключения производства PHILIPS 155
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0А, Ib =1,6 А
F = 64 кГц
I = 8A
-
lc = 8,0A,Vce = 5B
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
1,6
55
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
-
2,0
-
10,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 8,0A, Ib =1,6 А
F = 64 кГц
I = 8 А
-
Ic = 8,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
6,0
1,6
55
7,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
45
5,0
_
2,0
_
10,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
Ом

156 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Л Л S йрешшееый NPN диффузионный транзистор дня выходных каекздоо
%##*% Е изз«0ртки т<шещс*шнны* Ррнемниксв с большими диагоналями ЭЛТ
Корпус SOT430
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
> о <
2| 3
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 9,0А, Ib =1,64 А
-
Ic sat = 9,0 A, Ib =1,3
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
9,0
3,5
8
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15
125
5,0
-
4,5
10
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
11)2531
телевизионных псшеадн^адв с большими д
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
Пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 9,0 А, 1Ь=1,64А
-
lc_sat = 9,0A, lb=1,1
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
_
_
-
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
_
9,0
3,5
8,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15
125
5,0
_
4,5
10,0
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 157
Корпус SOT430
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
> о с
1U 2U 3
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 7,0А, Ib =1,17 А
-
Ic sat = 7,0 A, F = 82 кГц
Ic = 7,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
7,0
1,4
9,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15
125
5,0
-
1,8
12,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
tVE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
_
_
-
Т = 25°С
1С = 7,0 A, Ib =1,1 А
F = 82 кГц
Ic sat = 7,0 A, F = 82 кГц
Ic = 7,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
_
-
_
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
_
-
-
7,0
1,4
9,0
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15
125
5,0
1,8
12,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

158 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT199
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, 1Ь=1,ЗЗА
Р = 16кГц
l = 8 А
Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц
lc = 4,0A,Vce=1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
1,6
4,8
6
Макс,
зна-
чение
1700
825
8
15
4
6
45
1,0
-
2,0
5,5
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, lb=1,33A
Я = 16кГц
I = 8 А
Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
—
_
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
4,0
1,6
4,8
Макс,
зна-
чение
1700
825
8
15
4
6
45
1,0
-
2,0
5,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 159
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, 1Ь=1,ЗЗА
Р = 16кГц
1 = 4,0 А
Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц
-
lc = 5,5A,Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
1,6
4,8
45
6
Макс,
зна-
чение
1700
825
8
15
4
6
45
1,0
-
-
5,5
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время^становления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, 1Ь=1,ЗЗА
Р = 16кГц
1 = 4,0 А
Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц
-
lc = 5,5A,Vce = 1 В
Мин.
значе-
ние
—
_
_
-
_
_
-
-
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
_
_
-
-
4,0
1,6
4,8
45
6
Макс,
зна-
чение
1700
825
8
15
4
6
45
1,0
_
5,5
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

160 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
*%f% Ц jp Креыныцъът ПРЫ диффузионной траюшггор для выходных каскадов
kjff^T* iitpiKVf телевизионных г«р?-1е«'1й<ой
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
lem
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,5A, Ib =1,38 А
Р = 16кГц
Ic sat = 5,5 A, F = 16 кГц
Ic = 5,5 A, Vce = 1 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5,5
7,4
5,5
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
14
20
45
1,0
-
8,5
7,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
lem
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
_
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,5А, Ib =1,38 А
F = 16 кГц
Ic sat =5,5 A, F = 16KTy
lc = 5,5A, Vce=1 B-
Мин.
значе-
ние
-
-
_
-
-
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
_
5,5
7,4
5,5
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
14
20
45
1,0
_
8,5
7,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 161
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
l\
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,5А, Ib =1,38 А
F = 16K|-y
1 = 5,5 А
Ic sat = 5,5 A, F = 16KfM
-
Ic = 5,5 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5,5
-
7,4
65
6
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
10
14
45
1,0
-
1,6
8,5
-
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,5А, 1Ь=1,38А
Р=16кГц
1 = 5,5 А
Ic sat = 5,5 А, Р = 16кГц
-
lc = 5,5A, Vce=1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5,5
_
7,4
65
5,5
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
10
14
45
1,0
-
1,6
8,5
_
7,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

162 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер^
Изолированный
Кремниевый НРЫ диффузионный транзистор дли выгодных нзскздой строчн
рззварт$щ мониторов
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
Т = 25°С
lc = 4,5A, Ib =1,0А
F = 64 кГц
Ic sat = 5,5 A, F = 16 кГц
lc = 4,5A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
4,5
2,9
7
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
10
14
150
6
45
1.0
-
3,6
10
ЬДИ-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллекторамиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
-
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
lc = 4,5A, Ib =1,0 А
F = 64 кГц
lc_sat = 5,5A, Р = 16кГц
Ic = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
-
-
4,5
2,9
7
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
10
14
150
6
45
1,0
_
3,6
10
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 163
y^l^1*! *J в*5! jC Щкирлншёвып НРЫ диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной
Лж I A*e=i«#s ^ развертки мониторов
Особенности: Корпус SOT199
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
I корпус | изолированный | [j |j [J x^
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Среднее знач Т = 20 мс
-
Т = 25°С
IC = 4,5A, Ib =1,0 А
-
1 = 4,5 А
Icm = 4,5 A, Ib = 0,7 А
-
1с = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
че-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна
че-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4,5
1,6
5,8
65
7
Макс
зна-
че-
ние
1700
825
10
25
10
20
150
20
45
1,0
-
-
6,5
-
10
Ед
ин
иц
ы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-lb(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Среднее знач Т = 20 мс
-
Т = 25°С
1с = 4,5А, Ib =1,0 А
-
1 = 4,5 А
Icm = 4,5 А, 1Ь = 0,7А
-
1с = 4,5 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
_
4,5
1,6
5,8
65
7
Макс,
зна-
чение
1700
825
10
25
10
20
150
20
45
1,0
_
6,5
10
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

164 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Щ Ф #•% «V £% #*"* M
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Кремниевый Ы^Ы диффузионный транзистор для пыхсдных каскадов стрс
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
1с = 7,0А, Ib =1,75 А
F= 16 кГц
Ic sat = 7,0 А, Р = 16кГц
Ic = 7,0 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
7,0
2,9
6
Макс,
зна-
чение
1700
825
12
30
12
20
200
9
45
1,0
3,6
8,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
Ic = 7,0 A, Ib =1,75 А
F=16kH4
Ic sat = 7,0 A, F = 16 кГц
lc = 7,0A, Vce= 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
7,0
2,9
6
Макс,
зна-
чение
1700
825
12
30
12
20
200
9
45
1,0
_
3,6
8,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 165
Корпус SOT199
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcesm
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
^Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
1с = 7,0А, Ib =1,75А
F = 16 кГц
I = 7 А
Ic sat = 7,0 А, Р = 16кГц
-
lc = 7,0A, Vce=1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
7,0
1.4
5,8
70
5,8
Макс,
зна-
чение
1700
12
30
12
20
200
9
45
1,0
-
2,2
6,5
-
7,8
Еди-
ни-
цы
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
л
Сим-
вол
Vcesm
Ic
Icm
Ib
Ibm
-lb(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Ts
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время установления
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
Ic = 7,0 A, Ib =1,75 А
F = 16 кГц
I = 7 А
lc_sat = 7,0A, Р = 16кГц
-
Ic = 7,0 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
—
-
-
-
7,0
1.4
5,8
70
5,8
Макс,
зна-
чение
1700
12
30
12
20
200
9
45
1,0
-
2,2
6,5
_
7,8
Еди-
ни-
цы
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
В
МКС
Ом

166 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT93
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
I">fe
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
Ic = 5,0 A, Ib =0,91 А
-
IC.sat = 5,0 A, lb=0,9A
Ic = 5,0 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
5,0
2,2
8
Макс,
зна-
чение
1700
825
12
30
12
25
200
25
125
1.0
-
11
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
|С = 5,ОА, Ib =0,91 А
F = 64 кГц
Ic sat = 5,0 A, F = 64 кГц
lc = 5,0A, Vce=1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
-
8
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
5,0
2,5
-
Макс,
зна-
чение
1700
825
12
30
12
25
200
25
45
1,0
_
_
11
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 167
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Времугустановления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
Ic = 5,0 A, Ib =0,91 А
-
Ic sat = 5,0 A, Ib =0,9 А
Ic = 5,0 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
5,0
2,2
8
Макс,
зна-
чение
1700
825
12
30
12
25
200
25
125
1,0
-
-
11
Еди-
ни-
цы
В
В
А
г А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
1с = 5,0А, Ib =0,91 А
F = 64 кГц
Ic sat = 5,0 A, F = 64 кГц
Ic = 5,0 A, Vce = 1 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
_
5,0
2,5
8
Макс,
зна-
чение
1700
825
12
30
12
25
200
25
45
1.0
_
11
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС

168 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
нь^я 1;р»еч!?икогм: большими диагоналями Э11Т
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT430
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
- Ib(av)
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Ts
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время установления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Среднее значение
Т = 20 мс
-
Т = 25°С
1с = 9,0А, Ib =1,8 А
F = 32 кГц
Ic sat = 9,0 A, F = 32 кГц
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,0
3,5
7,5
Макс,
зна-
чение
1700
825
16
40
10
15
200
10
125
1,0
-
4,5
9,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
В
А
МКС
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
|С = 3,0 A, lb=0,75A
F= 16 кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 3,0 А
Ic = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
300
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
3
5
4
45
3,0
-
450
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 169
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 3,0А, lb=0,75A
F = 16 кГц
Р = 16кГц, Ic sat = 3,0 А
Ic = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
300
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
3
5
4
45
3,0
-
450
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
_
-
-
Т = 25°С
1с = 3,0А, lb=0,75A
F= 16 кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 3,0 А
lc = 3,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
_
_
-
-
3,0
300
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
3
5
4
32
3,0
450
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

170 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcesm
Vceo
Ic
Icrfi
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 3,0A,lb=0,75A
Р = 16кГц
1 = 3,0 А
Р=16кГц, Ic sat = 3,0 А
-
Ic = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
1,55
300
30
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
3
5
4
45
3,0
-
1,9
400
-
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 3,0А, lb=0,75A
Р = 16кГц
1 = 3,0 А
F= 16 кГц, Ic sat= 3,0 А
-
lc = 3,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
-
3,0
1,55
300
30
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
3
5
4
45
3,0
1,9
400
_
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 171
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 3,0A,lb=0,75A
Р = 16кГц
1 = 3,0 А
F= 16 кГц, lc_sat= 3,0 А
-
Ic = 3,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3,0
1,55
300
30
5,5
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
3
5
4
32
3,0
-
1,9
400
-
7,3
Еди
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, Ib =1,0 А
Р=16кГц^ = 56кГц
F = 16kH4, lc_sat = 4,0A
F = 56 кГц, Ic sat = 4,0 A
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
_
_
-
-
_
-
:
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
_
_
-
-
_
4,0
300
210
6,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
450
7,3
Еди
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

172 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS
V Кремняевый KPN диффузионный транзистор для аыхздных каскадов строчной рзз-
Корпус SOT399
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, Ib =1,0 А
F = 16 кГц, Р = 56кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 4,0 А
F = 56 кГц, Ic sat = 4,0 А
lc = 4,0A,Vce = 5B
Мин.
значе
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
300
210
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
-
450
7,3
Еди
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер 1с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, Ib =1,0 А
Р = 16кГц, Р = 56кГц
F=16kI~I4, lc_sat = 4,0A
F = 56 кГц, Ic sat = 4,0 A
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
-
4,0
300
210
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
8
15
4
6
5
32
3,0
-
450
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 173
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Л
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, Ib =1,0 А
Р = 16кГц
I = 4 А
Р = 16кГц, lc_sat = 4,0A
-
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
1,7
300
30
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
-
2,1
400
-
7,3
Еди
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4,0A, Ib =1,0 А
F=16kI"m
I = 4 А
Р = 16кГц, Ic sat = 4,0 А
-
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
4,0
1,7
300
30
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
-
2,1
400
-
7,3
Еди
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

174 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS
скадов строчном
гшиемнмше и м
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icrn
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, Ib =1,0А
Р = 16кГц
I = 4A
F = 16 кГц, lc_sat = 4,0A
-
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4,0
1,7
300
30
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
8
15
4
6
5
32
3,0
-
2,1
400
-
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0 А, 1Ь=1,25А
F=16kI"m
F = 64 кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 5,0 А
F = 64 кГц, Ic sat = 4,0 А
Ic = 5,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,0
4,0
350
170
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
-
480
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 175
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0 A, Ib =1,25 А
Р = 16кГц
F = 64 кГц
F= 16 кГц, Ic sat = 5,0 А
F = 64 кГц, Ic sat = 4,0 А
Ic = 5,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,0
4,0
350
170
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
8
15 •
4
6
5
45
3,0
—
480
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Корпус SOT186A
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4,0А, Ib =1,0 А
F = 16kI~m
F = 64 кГц
Р = 16кГц, lc_sat=5,0A
F = 64 кГц, lc_sat = 4,0 А
Ic = 5,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
5,0
4,0
350
170
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
8
15
4
6
5
32
3,0
:
480
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

176 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0A, Ib =1,25 А
Р = 16кГц
I = 5 А
F = 16 кГц, Ic sat =5,0 А
-
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,0
1,85
300
25
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
-
2,2
400
-
7,3
ьди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер ^с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0 A, Ib =1,25 А
F= 16 кГц
I = 5A
F = 16 кГц, Ic sat = 5,0 А
-
lc = 4,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
_
-
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
_
-
-
_
5,0
1,85
300
25
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
8
15
4
6
5
45
3,0
-
2,2
400
_
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 177
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
|С = 5,ОА, Ib =1,25 А
Р = 16кГц
I = 5 А
F = 16 кГц, Ic sat= 5,0 А
-
Ic = 4,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,0
1,85
300
25
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
8
15
4
6
5
32
3,0
-
l_ 2,2
400
-
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 6,0А, 1Ь=1,5А
F = 16kI~L4
F = 64 кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 6,0 А
F = 64 кГц, lc_sat = 5,0 А
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
-
6,0
5,0
360
230
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
9
20
5
7,5
6
45
3,0
:
500
7,3
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

178 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT399
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
|С = 6,ОА, Ib =1,5 А
Р = 16кГц
F = 64 кГц
Р=16кГц, Ic sat = 6,0 А
F = 64 кГц. lc_sat = 5.0 А
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
5,0
360
230
5,7
Макс,
зна-
чение
1500
800
9
20
5
7,5
6
45
3,0
—
500
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce_sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1С = 5,0 А,
1Ь=1,25А
Р = 16кГц
I = 6 А
Р = 16кГц,
Ic sat = 6,0 А
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
L
—
6,0
1,7
Не нор-
миров
45
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
9
20
5
7,5
6
45
3,0
_
2,0
Не нор-
миров
_
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 179
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Vf
Tf
Rbe
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0A,lb=1,25A
Р = 16кГц
I = 6 А
Р = 16кГц,
Ic sat = 6,0 А
-
Ic = 6,0 A, Vce = 5 В
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6,0
1,7
Не нор-
миров
45
5,7
Макс,
значе-
ние
1500
800
9
20
5
7,5
6
45
3,0
-
2,0
Не нор-
миров
-
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 7,0A, lb=1,75A
F = 16 кГц
F = 64 кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 7,0 А
F = 64 кГц, Ic sat = 6,0 А
Ic = 7,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
:
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
7,0
6,0
285
170
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9,0
6
45
3,0
-
400
230
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

180 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 7,0A, lb=1,75A
F=16kI""m
F = 64 кГц
Р=16кГц, Ic sat = 7,0 А
F = 64 кГц, Ic sat = 6,0 А
Ic = 7,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7,0
6,0
285
170
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9,0
6
45
3,0
—
400
230
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 7,0 A, lb=1,75 A
Я=16кГц
F = 64 кГц
I = 7A
F = 16 кГц, lc_sat = 7,0 A
-
Ic = 7,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
:
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
7,0
6,0
-
285
50
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
6
45
3,0
-
2,2
400
_
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 181
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
_
-
_
Т = 25°С
1с = 7,0А, Ib =1,75 А
F = 16kI"m
F = 64 кГц
I = 7 А
Р = 16кГц, lc_sat = 7,0A
-
Ic = 7,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7,0
6,0
-
285
50
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
10
25
6
9
6
45
3,0
2,2
400
-
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0А, lb=2,0A
F= 16 кГц
F = 70 кГц
F= 16 кГц, Ic sat = 8,0 А
F = 70 кГц, Ic sat = 6,5 А
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
:
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
6,5
300
140
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10,0
7
45
3,0
-
400
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

182 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
развертки телевизионных при<*лшикет и момнт-
:аскапов ст
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 8,0 A, lb=2,0A
F= 16 кГц
F = 70 кГц
F = 16kH4, Ic sat = 8,0 А
F = 70 кГц, lc_sat = 6,5 А
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
6,5
300
140
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10,0
7
125
3,0
_
400
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1С = 8,0 A, lb=2,0A
Р = 16кГц
F = 70 кГц
Р = 16кГц, Ic sat =8,0 А
F = 70 кГц, Ic sat = 6,5 А
lc = 9,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
:
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
_
-
-
-
8,0
6,5
300
140
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10,0
7
45
3,0
:
400
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 183
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
|С = 8,ОА, lb=2,0 A
Р=16кГц
F = 70 кГц
I = 8A
F= 16 кГц, Ic sat = 8,0 А
-
lc = 7,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
6,5
-
300
46
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
7
45
3,0
—
2,2
400
-
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер 1с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
—
-
-
Т = 25°С
1с = 8,0 A, Ib =2,0 А
F = 16 кГц
F = 70 кГц
I = 7A
Р=16кГц, Ic sat = 8,0 А
-
lc = 7,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
:
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
8,0
6,5
-
300
46
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
7
125
3,0
2,2
400
_
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

184 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
О I
Кремиа&вьт ЫРН диффузионный транзистор цгт выходных каскадов строчной
раззсрткй телевизионных приемников
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 8,0 A, lb=2,0A
F = 16 кГц
F = 70 кГц
I = 7 А
F = 16 кГц, Ic sat = 8,0 А
-
lc = 7,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8,0
6,5
-
300
46
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
11
29
7
10
7
45
3,0
—
2,2
400
-
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
III
Кремниевый ЫРЫ диффугшоиный транзмстэр /шя выходные каокздов строчной
развертки тзпаем^монньш приемников и мониторов
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 9,0А, lb=2,25A
F = 16 кГц
F = 70 кГц
Р = 16кГц, Ic sat = 9,0 А
F = 70 кГц, lc_sat = 7,0 А
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9,0
7,0
400
0,15
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12,0
7
45
3,0
:
550
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 185
Корпус SOT430
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значе-
ние
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 9,0 A, lb=2,25A
F = 16kI"i4
F = 70 кГц
Р = 16кГц, lc_sat = 9,0A
F = 70 кГц, Ic sat = 7,0 А
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
—
-
Тип
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9,0
7,5
Не нор-
миров
5,8
Макс
значе-
ние
1500
800
12
30
8
12,0
7
125
3,0
-
Не нор-
миров
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Корпус SOT429
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значе-
ние
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 9,0А, lb=2,25A
F = 16kR4
F = 70 кГц
F = 16 кГц, Ic sat = 9,0 А
F = 70 кГц, Ic sat = 7,0 А
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин
зна-
чение
—
-
_
-
-
-
_
-
-
:
-
-
Тип
значе-
ние
-
-
_
-
-
-
_
-
-
9,0
7,5
Не нор-
миров
5,8
Макс
значе-
ние
1500
800
12
30
8
12,0
7
125
3,0
-
Не нор-
миров
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

186 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
лрш/гшс*еый ЫРМ шффчтонпъ,т трантсгоа дня выходных кзскэдоь
развертки телевизионные преемников ы мониторов
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью пе-
реключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 9,0 A, lb=2,25A
F = 16 кГц
F = 70 кГц
F = 16kR4, Ic sat = 9,0 А
F = 70 кГц, Ic sat = 7,0 A
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9,0
7,0
400
0,15
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12,0
7
45
3,0
—
550
7,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Rbe
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер {с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 9,0A, lb=2,25A
F = 16kR4
F = 70 кГц
I = 9 А
-
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип. зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
8,0
Не нор-
миров
_
50
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
7
45
3,0
:
2,2
_
7,6
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 187
Корпус SOT430
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 9,0A, lb=2,25A
Р=16кГц
F = 70 кГц
I = 9 А
F = 16 кГц, Ic sat= 9,0 А
F = 70 кГц
-
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
—
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9,0
Не нор
-
400
Не нор
50
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
7
125
3,0
—
2,2
550
-
7,6
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Встроенный демпферный диод.
i HPH диффушонный тран/i
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1С = 9,0 A, Ib =2,25 А
Р=16кГц
F = 70 кГц
I = 9 А
F = 16kH4, Ic sat =9,0 А
F = 70 кГц
-
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
Тип
значе-
ние
-
_
-
-
-
_
_
-
_
9,0
Не нор
-
400
Не нор.
50
5,8
Макс
зна-
чение
1500
800
14
30
8
12
7
125
3,0
-
2,2
550
_
7,6
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
В
А
В
НС
Ом

188 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
% разо^рпш гояеоизиоииык приемников и pcmsi
Особенности: Корпус SOT399
- Новое поколение высоковольт-
ных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
-Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Vf
Tf
Rbe
Ире
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Обратный ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Сопротивление резистора Rbe
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 V
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
|С = 9,ОА, Ib =2,25 А
F = 16 кГц
F = 70 кГц
I = 9 А
Р = 16кГц, Ic sat = 9,0 А
F = 70 кГц
-
Ic = 9,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9,0
Не нор
-
400
Не нор
50
5,8
Макс,
зна-
чение
1500
800
12
30
8
12
7
45
3,0
~
2,2
550
-
7,6
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
А
Вт
L
А
В
НС
Ом
Корпус SOT430
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
> о <
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
Ире
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 10,0 A, lb=2,22 A
F = 32 кГц
F = 90 кГц
F = 32 кГц, lc_sat = 9,0 А
F = 90 кГц, Ic sat = 8,0 А
Ic = 10,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
-
-
-
Тип.
значе-
ние
_
_
_
_
_
-
_
9,0
8,0
200
120
6,6
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15
125
3,0
-
260
8,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 189
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1С = 10,0 A, Ib =2,22 А
F = 32 кГц
F = 90 кГц
F = 32 кГц, Ic sat = 9,0 А
F = 90 кГц, lc_sat = 8,0 А
lc= 10,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
о о
сгГ оо"
200
120
6,6
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15,0
125
3,0
—
260
8,5
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT399
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 10,0А, lb=2,22A
F = 32 кГц
F = 90 кГц
F = 32 кГц, lc_sat = 9,0 А
F = 90 кГц, Ic sat = 8,0 А
lc=10,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
_
9,0
8,0
200
120
6,6
Макс,
зна-
чение
1500
800
16
40
10
15,0
125
3,0
-
260
8,5
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

190 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Корпус SOT430
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic=16,0A, lb=4,0A
F = 32 кГц
F= 110 кГц
F = 32 кГц,
Ic sat= 16,0 А
F= 110 кГц,
lc_sat = 8,0 А
lc= 16,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
16,0
8,0
Не
норми-
ров
5,35
Макс,
зна-
чение
1500
800
25
40
10
15
125
3,0
—
-
6,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Корпус SOT429
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 16,0А, lb = 4,0A
F = 32 кГц
F= 110 кГц
F = 32 кГц,
Ic sat =16,0 А
F = 110 кГц,
Ic sat = 8,0 А
lc = 16,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
_
_
-
-
-
16,0
8,0
Не
норми
ров
5,35
Макс,
зна-
чение
1500
800
25
40
10
15
125
3,0
-
-
6,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 191
Корпус SOT430
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных тран-
зисторов с высокой скоростью переклю-
чения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
> о
1 И 2 3
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lc_sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 20,0А, lb = 5,0 А
F = 32 кГц
F= 130 кГц
F = 32 кГц,
Ic sat= 16,0 А
F = 130 кГц,
Ic sat = 8,0 А
Ic = 20,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
20,0
8,0
Не нор-
миров
5,35
Макс,
зна-
чение
1500
800
30
40
10
15
125
3,0
:
-
6,5
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 0,2А, lb = 0,02A
1с = 0,2А, lb = 0,02A
Ic = 0,2 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,25
40
16
Макс,
зна-
чение
700
700
400
0,5
1
0,2
0,3
42
1,0
100
20
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

192 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
\g в в~"ч.%^ кия, преобразователей, схем управлений
Особенности: Корпус SOT533
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
Ире
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 1,0 A, lb = 0,02A
|С= 1,0A, lb = 0,02A
Ic = 1 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,32
50
11
Макс,
зна-
чение
700
700
400
1,5
3
0,75
1,5
50
1,0
70
14
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 0,2 A, lb = 0,02 А
lc = 0,2A, lb = 0,02A
1С = 1 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
40
32
Макс,
зна-
чение
700
700
400
0,5
1,0
0,2
0,3
26
1,0
100
-
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 193
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2МЗ
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1С = 3 A, Ib = 0,6 А
1с = 2,0А, lb=0,4A
Ic = 2 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,25
33
16
Макс,
зна-
чение
700
700
400
4
8
2
4
80
1,0
80
20
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT533
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
If
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
_
-
Т = 25°С
lc = 3A, lb = 0,6A
lc = 2,5A, lb=0,4A
Ic = 2 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
0,25
46
16
Макс,
зна-
чение
700
700
400
4
8
2
4
50
1,0
60
20
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

194 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Кр?миу»ееьш НРН диффузионный транзистор «лм
Гф*юбйазо8зтлз11вй; схйм управления моторзм^
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
1с = 2,0А, lb=0,4A
Ic = 2 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,25
33
16
Макс,
зна-
чение
700
700
400
4
8
2
4
26
1.0
80
20
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Ib
Ibm
Icm
Ptot
Vce sat
Tf
hpE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база^с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
_
-
_
-
Т = 25°С
1С = 4 А, 1Ь = 0,8А
1с = 5,0 A, Ib =1,0 А
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
_
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
_
_
_
-
0,3
20
11
Макс,
зна-
чение
700
700
400
8
4
8
16
80
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 195
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT404
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
YTF
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Ib
Ibm
Icm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 4А, Ib = 0,8 А
1с = 5,0А, lb=1,0A
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,3
20
11
Макс,
зна-
чение
700
700
400
8
4
8
16
125
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база ^с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4A, lb = 0,8A
lc = 5,0A, Ib =1,0 А
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
-
0,3
20
11
Макс,
зна-
чение
700
700
400
8
16
4
8
32
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

196 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером^
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6A, Ib = 1,2 А
1с = 5,0А, Ib =1,0 А
Ic = 6 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,4
20
10
Макс,
зна-
чение
700
700
400
10
20
5
10
80
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические i
Символ
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 6A,lb = 1,2A
lc = 5,0A, Ib =1,0 А
Ic = 6 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
_
_
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
_
_
_
-
0,4
20
10
Макс,
зна-
чение
700
700
400
10
20
5
10
26
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 197
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база^с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc= 1,0 A, lb=0,2A
|С = 1,0 A, lb=0,2A
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
88
-
Макс,
зна-
чение
850
850
450
2
3
0,75
1
40
1,0
150
35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
_
-
-
-
_
Т = 25°С
lc= 1,0 A, Ib =0,2 А
lc=1,0A,lb=0,2A
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
_
-
_
-
-
-
_
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
_
-
_
-
-
88
-
Макс,
зна-
чение
850
850
450
2
3
0,75
1
18
1,0
150
35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

198 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
ZJ
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
lc = 2,5A, lb=0,5A
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,29
88
12
Макс,
зна-
чение
850
850
450
6
10
2
4
100
1,5
150
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
lc = 2,5A, lb=0,5A
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
_
-
-
0,29
88
12
Макс,
зна-
чение
850
850
450
6
10
2
4
32
1,5
150
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 199
Коемуиеаый Ы1-гЫ Диффузионный г ран:* исто р дпя
11рлобпз:юБЗгел$ей, схем управлении моторам;*
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
□
1 J2LI3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0A, Ib =1,0 А
lc = 6,0A, Ib =1,2 А
Ic = 1 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
850
850
450
8
12
4
6
125
1,5
300
35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,0А, Ib =1,0 А
lc = 6,0A, lb=1,2A
Ic = 1 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
850
850
450
8
12
4
6
32
1,5
300
35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
МКС

200 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BUJ301A
бразоватилей,
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
L J
1J2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 0,2A, lb=0,02A
lc = 0,2A, lb=0,02A
1с = 0,01 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
0,5
1.0
0,2
0,3
42
1.0
160
35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
Пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 0,2A, lb=0,02A
1с = 0,2А, Ib =0,02 А
Ic = 0,01 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
0,5
1,0
0,2
0,3
42
1,0
160
35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 201
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
J
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 1,0 A, Ib =0,2 А
lc= 1,0 A, lb=0,2A
Ic = 0,1 A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
2,0
3,0
0,75
1,0
50
1,0
160
35
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при^езистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Ic = 1,0 A, lb=0,2A
lc = 1,0 A, lb=0,2A
Ic = 0,1 A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
-
-
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
-
-
-
_
-
-
145
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
2,0
3,0
0,75
1,0
18
1,0
160
35
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
МКС

202 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
1-^1
НРк диффузионный транзистор длк
гепсй. схем упр^шь?н^-я ?-«огарзмк
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
_|
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 3 A, Vce = 5 V
lc = 2,5A, Ib =0,5 А
Ic = 3 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,25
145
12
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
5
10
2
4
100
1,5
160
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
Пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 3 A, Vce = 5 V
lc = 2,5A, lb=0,5A
Ic = 3 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
_
_
_
-
0,25
145
12
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
5
10
2
4
32
1,5
160
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 203
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 4A, lb = 0,8A
lc = 5,0A, Ib =1,0 А
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_о,з
25
11
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
6
10
2
4
100
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
_
-
-
-
-
_
Т = 25°С
lc = 4A, lb = 0,8A
1с = 5,0А, Ib =1,0 А
Ic = 4 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
_
_
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
_
_
_
-
0,3
25
11
Макс,
зна-
чение
1000
1000
500
6
10
2
4
32
1,0
50
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

204 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BUJ403А -n-*.^™-^J^X^lZX^Z^^Zl^ймпуя
Особенности: Корпус SOT78 (ТО220-АВ) q-
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1С = 2 A, Ib = 0,4 А
1с = 2,5А, lb=0,5A
Ic = 3 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
170
15,5
Макс,
зна-
чение
1200
1200
550
6
10
3
5
100
1,0
300
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ. эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
_
-
-
Т = 25°С
Ic = 2 A, Ib = 0,4 А
1с = 2,5А, Ib =0,5 А
Ic = 3 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
_
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
_
-
0,15
170
15,5
Макс,
зна-
чение
1200
1200
550
6
10
3
5
32
1,0
300
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 205
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Напряжение эмиттер-база (с отключ коллектором)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 2 A, lb = 0,4A
lc = 2,5A, lb=0,5A
Ic = 2 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
18
-
-
-
-
-
0,14
140
21
Макс,
зна-
чение
1200
1200
525
-
6
10
3
5
32
1,0
203
25
Еди-
ницы
В
В
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
_
-
-
Т = 25°С
-
Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
_
20,0
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
_
-
-
1,5
-
Макс,
зна-
чение
850
400
5
10
2
4
100
_
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мс

206 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
lc_sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Ic = 5 мА, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
18
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,5
-
Макс,
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
100
-
0,8
35
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
lc_sat = 2,5A,lb=0,5A
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Ic = 5 мА, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
20
18
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
-
2,5
_
—
Макс,
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
20
1,5
_
0,8
35
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 207
анзистор д
моторами
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Усовершенствованная версия высо-
ковольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения BUT11.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
2U3
Символ
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 2,5A, lb=0,33A
-
Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
1с = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
2,Ь
0,08
22
Макс
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
100
1.Ь
-
0,15
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
_
_
Т = 25°С
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
_
_
_
_
_
_
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
_
_
_
2,5
150
20
Макс,
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
32
1,5
_
_
35
Еди-
ни-
цы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

208 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Ic = 3,0 A, lb=0,6A
-
Ic sat = 2,5 A, lb=0,5A
Ic = 2,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3,5
145
13,5
Макс,
зна-
чение
1000
1000
450
5
10
2
4
32
1,5
-
160
17
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
Б
А
НС
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных
транзисторов с высокой скоростью
переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vcbo
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером)
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
_
Т = 25°С
1с = 2,0А, lb=0,4A
Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
170
30,0
Макс,
зна-
чение
1200
1200
550
6
10
3
5
32
1,0
300
47,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высюкой скоростью переключения производства PHILIPS 209
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
Ире
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20,0
Макс,
зна-
чение
850
400
5
10
2
4
20
1,5
3,0
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
1с = 0,5А, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
2,5
80
22
Макс,
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
32
1,5
-
150
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
НС

210 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
□
j
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
lc=1,A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
Макс,
зна-
чение
850
400
8
20
4
6
125
1,5
6
0,8
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
□
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А
1с = 1,А, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
_
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
-
_
-
-
_
-
20,0
Макс,
зна-
чение
1000
450
8
20
4
6
120
1,5
5
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 211
I I jC,#*%l
преоб
счшл управления?
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hpE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
lc=1,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20,0
Макс,
зна-
чение
1000
450
8
20
4
6
23
5,0
5
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Усовершенствованная версия высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения BUT12.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
□
1 2 3
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
. hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
lc = 5,0A,lb=0,86A
-
Ic sat = 5,0 A, Ib =1,0 А
lc=1,0A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
_
_
-
_
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
5,0
_
20
Макс,
зна-
чение
1000
450
8
20
4
6
110
1,5
_
0,3
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

212 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
Пре
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
1с = 1,0 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20,0
Макс,
зна-
чение
850
400
8
20
4
6
23
6,0
6
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
ЫРЫ диффузионн
ранзистор для
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Усовершенствованная версия высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения BUT 12.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при индуктивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
1с = 5,0А, 1Ь=0,86А
-
lc_sat = 5,0A, Ib =1,0 А
lc=1,0A, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5,0
-
20
Макс,
зна-
чение
1000
450
8
20
4
6
33
1,5
_
0,3
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 213
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
LJ
2J3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
lc=1,A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20,0
Макс,
зна-
чение
850
400
6
12
3
6
110
1,5
4
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2LJ3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
_
_
_
-
Т = 25°С
-
-
-
lc = 1,A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
_
_
_
_
_
_
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
-
_
-
_
20,0
Макс,
зна-
чение
1000
450
6
12
3
6
110
1,5
4
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

214 Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hF£
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20,0
Макс,
зна-
чение
1000
450
6
12
3
6
33
1,5
4
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
20,0
Макс,
зна-
чение
850
400
6
12
3
6
33
1,5
4
0,8
35,0
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 215
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
Макс,
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
32
1,5
2,5
0,8
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0
-
_
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
_
-
—
-
-
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
-
-
-
_
20
Макс,
зна-
чение
850
400
5
10
2
4
32
1,5
3
0,8
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

216 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
ис-up дар
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
Макс,
зна-
чение
1000
450
5
10
2
4
100
1,5
2,5
0,8
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
-
Ic = 0,5 A, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
Макс,
зна-
чение
850
400
5
10
2
4
100
1,5
3,0
0,8
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 217
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Ic sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Ic = 20 мА, Vce = 5 В
1с = 1,5мА, Vce = 5B
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
20
-
Макс,
зна-
чение
1000
450
15
30
6
9
37
1.Ь
8
35
35
0,8
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
Корпус SOT199
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Ib
Ibm
Icm
Ptot
Vce sat
Ic sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ базой)
Ток коллектора
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса при резистивной нагрузке
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Ic = 20 мА, Vce = 5 В
1с = 1,5мА, Vce = 5B
-
Мин.
зна-
чение
_
_
-
_
_
_
-
_
-
10
10
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
_
-
18
20
-
Макс,
зна-
чение
850
400
15
6
9
30
37
1,5
10
35
35
0,8
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
А
мс

218 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
йь«й N^M диффузионный транзистор шл импульсные; ^еточ'никоо гштй-
Особенности: Корпус SOT429
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
lc = 10 A, Ib = 5 В
lc=1,5A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
80
20
Макс,
зна-
чение
1000
450
15
30
6
9
175
1,5
150
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT429
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
|С = 1ОА, Ib = 5 В
lc = 1,5A,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
Тип.
значе
ние
-
-
-
-
-
-
_
80
20
Макс,
зна-
чение
850
400
15
30
6
9
175
1,5
150
35
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
НС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 219
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT82
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
) С
УТЛ
1 J2U3
]|
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
Ic = 300 mA, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
50
Макс,
зна-
чение
1000
450
0,5
1
0,2
0,3
20
0,4
100
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
J
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFe
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
lc= 100 mA, Vce = 10 В
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
-
0,4
50
Макс,
зна-
чение
800
400
2
3
0,75
1
40
1
_
100
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мс

220 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
зый MPN ятфту:таниый транзистор для импульсных и сточек ко в пгп
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Ic = 100 mA, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
Макс,
зна-
чение
800
400
2
3
0,75
1
18
1
0,4
100
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT428
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
г—п
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
lc= 100 mA, Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
50
Макс,
зна-
чение
800
400
2
3
0,75
1
50
0,4
100
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мс

Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства PHILIPS 221
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2МЗ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
lc = 100 mA, Vce =10 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
Макс,
зна-
чение
1000
450
2
3
0,75
1
40
1
0,4
100
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высо-
кой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT186A
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
_
-
-
Т = 25°С
-
-
lc = 100mA,Vce = 5B
Мин.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
-
_
_
50
Макс,
зна-
чение
1000
450
2
3
0,75
1
18
1
0,4
100
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мс

222 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
SC' W0& 1Соеыи-!1№вьш ЫРН диффузионный транзистор дпй импульсных «^сточникоп 'нпаиил, пре-
- VI обрззователс?й, схем управления роторами
Корпус SOT82
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
) С
1U2U3L
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Icm
Ib
Ptot
Vce sat
lebo
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Обратный ток эмиттера
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
Ic = 0 mA, Veb = 5 В
Ic = 200 mA, Ib = 20 mA
Ic = 50 mA, Vce = 5 В
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
Макс,
зна-
чение
800
400
0,5
1
1
0,2
42
1
1
0,28
125
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мА
мс
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой
скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT82
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
) (
ш
1 2
3
]
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Vce sat
lebo
Tf
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Напряжение насыщения К-Э
Обратный ток эмиттера
Время спада импульса при резистивной нагрузке
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Условия
Vbe = 0 В
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
Ic = 0 mA, Veb = 5 В
Ic = 200 mA, Ib = 20 mA
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
_
_
_
50
Макс,
зна-
чение
1000
450
0,5
1
0,2
0,3
42
1
1
0,28
125
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
В
мА
мс

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 223
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с вы-
сокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус SOT78 (ТО220-АВ)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
J
1 2 3
j
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcesm
Vceo
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
lebo
hFE
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)
Ток коллектора
Ток коллектора, пиковое значение
Ток базы
Ток базы, пиковое значение
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Выходная емкость
Условия
Vbe = 0 В
-
-
_
-
-
Т = 25°С
Ic = 0 mA, Veb = 5 В
Ic = 50 , Vce = 5 В
Ic = 20 mA, Vce = 5 В
Vcb= 100 В, f= 1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
26
26
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
50
50
4,7
Макс,
зна-
чение
1100
700
0,5
1
0,2
0,3
46
1
125
150
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
пФ

224 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
%М ^7\Щчл€%Щ Кремниевый НРЫ транз^сгор дня пытдныж каскадоп скромное рз'.шоргки тг-лопшумои-
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 2,5A, lb = 0,8A
lc = 2,5A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0,5A
If =3,5 А
RI = 66,7 Ом,
|С = 3,ОА, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
8
-
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
3,5
10,0
80
10
130
-
8
1,5
-
2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo-1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические i
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
1с = 4,0А, lb = 0,8A
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
If =5,0 А
RI = 50 Ом,
1с = 4,0А, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
8
-
-
-
_
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
5,0
16
120
10
130
-
5
1,5
_
2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG 225
Корпус ТО-ЗР
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Л
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc= 1.0 А
IF =6,0 А
RI = 40 Ом,
1с = 5,0А, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
6,0
16
120
10
130
-
5
1,5
-
2
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
_
_
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 2,0A, lb = 0,6 A
1с = 2,0А, lb = 0,6 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 100Om,
lc = 2,0A, lb = 0,5A
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
_
8
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
-
_
_
_
-
-
3
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
7
2,5
10
80
10
1,0
_
8
1,5
_
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

226 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
W^Cj ^% СЛЛД Кремниевый Ы?Ы транзистор дгш выгодных каскадоо строчной рв:шсртки
Особенности: Корпус ТО-ЗР
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 2,5A, Ib = 0,8 А
Ic = 2,5 A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 66,7 Ом.
lc = 3,0A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
3,5
10,0
80
10
1,0
-
8
1,5
-
0.4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
Корпус ТО-ЗР
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5B, lc = 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,0А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
RI = 40 Ом,
1с = 5,0А, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
_
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
3
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
6,0
16
120
10
1,0
-
5
1,5
-
0,4
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG 227
"ра»аистор дг»р выходных «.аскадом строчное развертки ткле^ли
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
° о с
с
М7
1 2
)
3
t
Г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
VF
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 2,5 A, lb = 0,8A
Ic = 2,5 A, lb = 0,8A
IF= 3,5 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
RI = 66,7 Ом,
Ic = 3,0 A, lb = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
3,5
10,0
50
10
130
-
8
1,5
2
-
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МГц
МКС
Корпус TO-3PF
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
vF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Ic = 5,0 A, lb= 1.0 А
Ic = 5,0 A. Ib = 1,0 А
Vce =10 В, lc= 1,0 А
lF=6,0A
RI = 40Om,
Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
—
_
-
_
-
_
40
8
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
_
-
-
3
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
6,0
16
60
10
130
_
5
1,5
-
2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
В
МКС

228 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo=1500B.
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
J
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2,5A, Ib = 0,8 А
Ic = 2,5 A, lb = 0,8A
Vce =10 В, lc = 0,5A
RI = 66,7 Ом,
lc = 3,0 A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
3,5
10,0
50
10
1,0
_
8
1,5
_
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
Корпус TO-3PF
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, Ic = 1,0 А
RI = 40Om,
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
•~
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
6,0
16
60
10
1,0
-
5
1.5
-
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 229
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 1,0 А
lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А
lc = 1,0A, lb = 0,2A
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce =10 В, F = 1 МГц
RI = 250 Ом, Ic = 1 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
50
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
3,0/6,0
1,5
80
100
100
30
0,5
1.2
-
-
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2Ц 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 2,0 А
lc = 2,0 Alb = 0,4 А
lc = 2,0 Alb = 0,4 А
Vce = 12Ble = 0,5A
Vce =10 В, F = 1 МГц
RI = 250 Ом, Ic = 2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
75
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
5,0/10
2,5
100
100
100
30
0,5
1,2
_
_
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

230 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 3,0 А
1с = 3,0А, !Ь = 0,6 А
1с = 3,0А, lb = 0,6A
Vce = 12 В, le = 2,0A
Vce = 10 В, F = 1 МГц_
RI = 83 Ом, Ic = 3 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
105
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
7,0/14
3,5
120
100
100
30
0,5
1,2
-
1,0
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус МТ-25(ТО-220)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 600 В
Veb =10 В
Vce = 4 В, lc = 2,0A
lc = 2,0A, lb = 0,4A
lc = 2,0A, Ib = 0,4 А
Vce = 12 В, le = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 100Om,Ic = 2A
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
-
10
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
_
-
-
8
45
-
Макс,
зна-
чение
600
500
10
6,0/12
2,0
50
1000
100
30
0,5
1,3
_
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 231
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 600 В
Veb = 10B
Vce = 4 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0 A, lb= 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 12 В, le= 1,0 А
Vce = 10 В, F^1 МГц
RI = 40 Ом, Ic = 2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
105
-
Макс,
зна-
чение
600
500
10
10/20
4,0
100
1000
100
30
0,5
1,3
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус МТ-25(ТО-220)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
_
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
Vce = 12 В, le = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 66,2Om, lc=3A
Мин.
зна-
чение
_
_
_
-
_
-
_
10
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
_
_
_
-
10
50
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
7,0/14
2,0
50
100
100
30
0,5
1,3
_
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

232 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность
Предельно допустимые и основные электрические параметры
2U 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb= 10B
Vce = 4 В, Ic = 7,0 А
Ic = 7,0 At lb= 1.4A
Ic = 7,0 А, 1Ь=1,4А
Vce = 12 В, le= 1,0 А
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 28,5lc = 7A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
105
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
12/24
4,0
100
100
100
30
0,5
1,3
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
1U2LJ U3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb= 10B
Vce = 4 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
Vce = 12Ble = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 66,2Om, lc = 3A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
10
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
_
_
_
-
10
50
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
7,0/14
2,0
30
100
100
30
0,5
1,3
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 233
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 5,0 А
|С = 5,ОА, Ib = 1,0А
1с = 5,0А, Ib = 1,0А
Vce = 12B, le= 1.0A
Vce = 10 В, F = 1 МГ^
RI = 50 Ом, Ic = 5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
105
-
Макс,
зна-
чение
900
550
7
10/15
5,0
120
100
100
28
0,5
1,2
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус МТ-25(ТО-220)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
■ Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hpE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
_
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, lc = 0,7A
lc = 0,7A, Ib = 0,14 А
lc = 0,7A, Ib = 0,14 А
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 357Om, Ic = 0,7A
Мин.
зна-
чение
_
_
_
_
_
-
_
_
10
_
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
-
_
-
_
_
_
_
_
6
40
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
3,0/6,0
1,5
50
100
100
30
0,5
1,2
_
_
1
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

234 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические i
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
тараметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb= 10 В
Vce = 4 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6 А
lc = 3,0A, lb = 0,6 А
Vce = 12 В, le = 0,5A
Vce =10 В, F = 1 МГц
RI = 67 Ом, Ic = 3 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
15
50
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
7,0/14
2,0
30
100
100
30
0,5
1.3
-
-
ЕДИ-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц^
пФ
МКС
2SC41-
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 J 2U 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ •
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективно1тгусиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 6 А
lc = 6,0A, lb=1,2A
lc = 6,0A, lb=1,4A
Vce = 12 В, le = 0,7A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 33,3Om, Ic = 6A
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
-
_
10
_
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
_
_
_
_
_
_
10
85
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
10/20
4,0
80
100
100
30
0,5
1,3
_
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 235
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1J 2U 3[
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 8 А
lc = 8,0 A, lb= 1,6 А
1с = 8,0А, Ib = 1,6 А
Vce = 12B, le= 1,5А
Vce = 10 В, F=1Mfi4
RI = 25 Ом, Ic = 8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
85
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
15/30
5,0
120
100
100
30
0,5
1,3
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
2SC414!
РЫ диффузионный гтттрньт транзистор дня т
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 J 2U 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного^силения
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
_
_
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 10 А
lc = 10,0 Alb = 2,0 А
lc = 10,0 Alb = 2,0 А
Vce=12Ble = 2,0A
Vce = 10 В, F = 1Mru
RI = 20Om, Ic = 10 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
-
10
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
_
-
-
-
_
10
165
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
18/36
6,0
130
100
100
30
0,5
1,3
_
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

236 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус FM-100(TO-3PF)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
I
ГГ-Г
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 6 А
lc = 6,0A, lb= 1,2 А
lc = 6,0A, Ib = 1,4 А
Vce =12 В, le = 0,7A
Vce =10 В, F = 1 МГц
RI = 33 Ом, Ic = 6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
85
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
10/20
4,0
75
100
100
30
0,5
1,3
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-100(TO-3PF)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 7,0 А
lc = 7,0Alb= 1.4A
lc = 7l0Alb=1,4A
Vce=12Ble=1,0A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 28,5lc = 7A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
_
10
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
-
-
_
_
_
_
-
10
105
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
12/24
4,0
75
100
100
30
0,5
1,3
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 237
Корпус FM-100(TO-3PF)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb= 10B
Vce = 4 В, Ic = 8 А
lc = 8,0A, Ib = 1,6 А
lc = 8,0A, lb= 1,6А
Vce =12 В, le= 1,5 А
Vce = 10 В, F= 1МГц
RI = 25 Ом, Ic = 8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
85
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
15/30
5,0
80
100
100
30
0,5
1,3
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-100(TO-3PF)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 1,0 А
lc= 1,0 Alb = 0,2 А
lc= 1,0 Alb = 0,2 А
Vce=12Ble = 0,3A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 357Om, Ic = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
50
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
3,0/6,0
1.5
70
100
100
30
0,5
1,2
_
_
1
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

238 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус FM-100(TO-3PF)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 2,0 А
1с = 2,0А, lb = 0,4A
lc = 2,0 A, Ib = 0,4 А
Vce =12 В, le = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 125Om, Ic = 2A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
75
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
5,0/10
2,5
75
100
100
30
0,5
1,2
-
-
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, lc = 0,7A
lc = 0,7A, Ib = 0,14 А
lc = 0,7A, lb = 0,14 А
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce =10 В, F = 1 МГц
RI = 357 Ом, Ic = 0,7 А
Мин.
зна-
чение
_
_
_
-
-
-
-
-
10
_
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
-
_
-
_
_
_
15
50
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
3,0/6,0
1.5
70
100
100
30
0,5
1,2
_
_
0,7
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 239
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
ТШ1Г
1LJ2U U3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb = 10B
Vce = 4B,lc=1,5A
Ic = 1,5A, lb = 0,3A
Ic = 1,5 A, lb = 0,3A
Vce = 12B, le = 0,3A
Vce=10B, F = 1 МГц
RI = 133Om, Ic = 1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
-
-
-
20
30
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
5,0/10
2,0
30
100
100
30
0,5
1,3
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
тт
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
tVE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb=10B
Vce = 4 В, Ic = 8 А
lc = 8,0A, Ib = 1,6 А
lc = 8,0A, Ib = 1,6А
Vce =12 В, le = 1,5 А
Vce = 10 В, Р = 1МГц
RI = 25 Ом, Ic = 8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
135
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
15/30
5,0
120
100
100
25
0,7
1,3
-
-
0,15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

240 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус FM-100(TO-3PF)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 0,7 А
Ic = 0,7 A, Ib = 0,14 А
1с = 0,7А, lb = 0,14 А
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 357Om, Ic = 0,7A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
50
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
3,0/6,0
1,5
60
100
100
30
0,5
1,2
-
-
0,7
Еди-
ни-
цы
В
В
В
L_ A
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
шг
1U2U U3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
lebo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, lc= 1,0 А
Ic = 1,0 A. lb = 0,2A
lc=1,0A,lb = 0,2A
Vce = 12 В, le = 0,25A
Vce = 10 В, F= 1 МГц
RI = 250Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
_
10
-
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
_
_
-
-
-
6
35
-
Макс,
зна-
чение
900
550
7
3,0/6,0
1,5
30
100
100
30
0,5
1.2
_
_
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 241
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
Ире
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, lc= 1,0 А
Ic = 1,0 A, lb = 0,2 А
|С= 1,0 A, lb = 0,2A
Vce =12 В, le = 0,25A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 250Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
35
-
Макс,
зна-
чение
1000
550
7
3,0/6,0
1.5
30
100
100
30
0,5
1,2
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, lc= 1,8 А
Ic = 1,8 A, lb = 0,36A
lc = 1,8 A, lb = 0,36A
Vce = 12 В, le = 0,25A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 250Om, Ic = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
-
-
-
-
10
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
6
50
-
Макс,
зна-
чение
900
550
7
5,0/10
2,5
35
100
100
25
0,5
1,2
_
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

242 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4B, 1с=1,8А
Ic = 1,8 A, lb = 0,36 А
1с = 1,8А, lb = 0,36A
Vce =12 В, le = 0,25A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 250Om, Ic = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
50
-
Макс,
зна-
чение
1000
550
7
5,0/10
2,5
35
100
100
25
0,5
1,2
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
lc = 3,0 A, lb = 0,6A
Vce = 12 В, le = 0,55A
Vce = 10 В, F = 1 MFll
RI = 67Om, Ic=3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
-
10
_
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
10
55
-
Макс,
зна-
чение
600
400
7
7,0/14
2,0
30
100
100
25
0,7
1,3
-
_
0,15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 243
Корпус FM-100(TO-3PF)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
1U 2U 3L
I
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 5 А
lc = 5,0 A, lb= 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 12 В, le= 1,0 А
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 50 Ом Ic = 5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
105
-
Макс,
зна-
чение
900
550
10
10/20
5,0
80
100
100
28
0,5
1,2
-
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
_
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb =10 В
Vce = 4 В, Ic = 1,5 А
lc= 1,5 A, lb = 0,3 А
lc= 1,5 A, lb = 0,3A
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 133Om, Ic= 1,5 А
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
_
_
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
_
-
_
_
_
_
_
20
30
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
5,0/10
2,0
30
100
100
30
0,5
1,3
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

244 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус МТ-МО(ТО-ЗР)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, lc = 7,0A
lc = 7,0A, Ib = 1,4 А
lc = 7,0A, lb= 1,4 А
Vce = 12 В, 1е=1,5А
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 35,7Om, Ic = 7,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
160
-
Макс,
зна-
чение
900
600
7
14/28
/.0
130
100
100
25
0,5
1,2
-
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективногсгусиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 600 В
Veb =10 В
Vce = 4 В, lc = 2,0 А
lc = 2,0A, lb = 0,4A
lc = 2,0 A, lb = 0,4A
Vce = 12 В, le = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 100Om, Ic = 2A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
10
_
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
_
-
8
45
-
Макс,
зна-
чение
600
500
10
6,0/12
2,0
30
1,0
100
30
0,5
1,3
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 245
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор^
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 0,7 А
1с = 0,7А, Ib = 0,14 А
lc = 0,7A, Ib = 0,14 А
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 357 Ом, Ic = 0,7 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
40
-
Макс,
зна-
чение
900
800
7
3,0/6,0
1,5
35
100
100
30
0,5
1,2
-
-
1
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-100(TO-3PF)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
I
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb = 1200 В
Veb = 6 В
Vce = 5 В, Ic = 1 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
Vce = 12 В, le = 0,5A
Vce =10 В, F=1 МГц
RI = 50Om, Ic = 4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
8
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
_
_
_
_
4
100
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7,0/14
3,5
80
100
100
_
5
1,5
_
_
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

246 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
Кремниевый НРН диффузионный плайарньш п>
питания 34 вьшот*ых каехадое строчной разверт
ДНЯ игУПуПЬС1'?Ь!Х ИСТОЧ:
иэионньрд приемников
Корпус FM-100(TO-3PF)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1500B.
- Встроенный демпферный диод.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B
Veb = 6 В
Vce = 5 В, Ic = 1 А
lc = 5,0A, Ib = 1,2 А
1с = 5,0А. Ib = 1,2 А
Vce =12 В, le = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 33,3Om, Ic = 6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
100
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7,0/14
3,5
80
100
100
-
5
1,5
-
-
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb =10 В
Vce = 4 В, Ic = 7 А
Ic = 7,0 А. 1Ь=1,4А
lc = 7,0A, lb= 1,4 А
Vce = 12 В, le = 1,0 А
Vce =10 В, Я=1МГц
RI = 28,5Om, Ic = 7A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
-
-
_
10
105
-
Макс,
зна-
чение
500
400
10
12/24
4,0
100
100
100
30
0,5
1,3
_
_
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 247
Корпус FM-100(TO-3PF)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
1U 2LJ 3L
J
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B
Veb = 6 В
Vce = 5 В, Ic = 1 А
lc = 8,0A, lb = 2,0A
lc = 8,0A, lb = 2,0A
Vce = 12 В, le = 0,5A
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 33,3Om,Ic = 6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
100
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10/20
5,0
100
100
100
-
5
1,5
-
-
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1 J2U U3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
_
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В
Veb =10 В
Vce = 4 В, lc= 1,5 А
lc= 1,5 A, lb = 0,3 А
lc=1,5A,lb = 0,3A
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce = 10 В, F=1 МГц
RI = 133Om, ic= 1,5 А
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
_
10
_
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
-
-
_
_
_
-
20
30
-
Макс,
зна-
чение
600
400
10
5,0/10
2,0
30
L 100
10
30
0,5
1,3
_
_
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

248 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства SANKEN
Корпус МТ-25(ТО-220)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, Ic = 1,0 А
Ic = 1,0 A, lb = 0,2 А
Ic = 1,0A, lb = 0,2A
Vce = 12 В, le = 0,25A
Vce =10 В, F = 1 МГц
RI = 250Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
35
-
Макс,
зна-
чение
900
550
7
3,0/6,0
1,5
50
100
100
30
0,5
1,2
-
-
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Кр^ытл&вый НРН диффузионный пленарный транзи
ор mm Ийллу.»
i'CTo imtvuM).
Корпус FM-20(TO-220F)
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
1J2U U3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 600 В
Veb = 7 В
Vce = 4 В, !с = 1,0 А
lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А
Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А
Vce = 12 В, le = 0,3A
Vce=10B,F = 1 МГц
RI = 200Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
20
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
_
6
50
-
Макс,
зна-
чение
600
600
7
3,0/6,0
1,5
35
100
100
40
0,5
1,2
_
0,5
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 249
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 300 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус FM-20(TO-220F)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
Ире
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 300 В
Veb = 7 В
Vce = 2 В, Ic = 2,5 А
lc = 2,5A, lb = 0,5A
1с = 2,5А, lb = 0,5 А
Vce = 12 В, !е = 0,5А
Vce = 10 В, F = 1 МГц
RI = 60Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
45
-
Макс,
значе-
ние
300
200
7
5,0/10,0
2,0
30
100
100
30
1
1,5
-
-
0,1
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1J 2U 3[
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Cob
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В
Veb = 7 В
Vce = 4B,lc=1,8A
lc= 1,8 A, lb = 0,36 А
lc= 1,8 A, lb = 0,36A
Vce = 12 В, le = 0,35A
Vce =10 В, F=1 МГц
RI = 250Om, Ic= 1,8 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
10
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
_
-
-
_
6
50
-
Макс,
значе-
ние
900
550
7
5,0/10
2,5
80
100
100
30
0,5
1.2
_
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
пФ
МКС

250 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3596.
гшо-^етср дня выходных каснлдов r«-
Корпус ТО126 JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
с> о
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора пост /имп
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
\
Vce = 10B, 1с = 50мА
tee = 10 В, 1с = 250мА
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
2SA1402/2SC3596
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 80
D
60 .120
Е
100 .200
с = 100мА, 1Ь=10мА
с = 100мА, 1Ь=10мА
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
:
700
-
-
Макс,
значе-
ние
80
60
4
300/600
8
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3597.
Корпус ТО126 JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
с> о
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметрь
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce= 10B, 1с = 400мА
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
1с=100мА, 1Ь=10мА
lc= 100 мА, 1Ь=10мА
2SA1403/2SC3597
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60. 120
Е
100 200
F
160..320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
:
800
_
-
Макс,
значе-
ние
80
60
4
500
1000
10
0,1
0,1
320
_
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 251
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3598.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, Ic = 10 мА
Vce =10 В, 1с=150мА
Vce = 10 В, lc = 0,05A
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
2SA1404/2SC3598
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160.. 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
500
-
-
Макс,
значе-
ние
120
120
4
200
400
8
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
ппьтлнчевык эгштакскзиьный гшакарныи- РЫР транзистор ai
деоусилителей телевизионных пшемншков
выходных «зехадое ви-
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3599.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
с> о
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, Ic = 50mA
Vce = 10 В, 1с = 250мА
Vce = 10 В, Ic = 50 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
2SA1405/2SC3599
hFE (Ic = 50 мА)
С
40. 80
D
60 ..120
Е
100 200
F
160.. 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
_
_
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
_
_
-
500
_
_
Макс,
значе-
ние
120
120
4
300
600
8
0,1
0,1
320
_
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

252 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
деоусилителей те
ксизль-ным гшанзрный PNP
левизионных приемников
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Высокая граничная частота эффективного
усиления (fT= 400МГц).
- Высокое напряжения пробоя.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3600.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150B, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce =10 В, 1с=10мА
Vce =10 В, 1с = 60мА
Vce = 10 В, 1с = 30мА
Ic = 30 мА Ib = 3 мА
Ic = 30 мА Ib = 3 мА
2SA1406/2SC3600
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160. 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
400
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
4
100
200
7
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Корпус TO126JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3601.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
оао
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb=150B, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, lc= 10 мА
Vce = 10 В, 1с=100мА
Vce = 30 В, Ic = 50 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
2SA1407/2SC3601
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 .320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
400
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
4
150
300
7
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 253
Корпус ТО-220АВ JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3780.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с = 400мА
Vce = 10 В, 1с=100мА
1с = 100мА, 1Ь = 10мА
1с = 100мА, 1Ь = 10мА
2SA1474/2SC3780
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 .80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
800
-
-
Макс,
значе-
ние
80
60
4
800
1000
15
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Корпус ТО-220АВ JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3781.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
О
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, Ic=50mA
Vce = 10 В, 1с = 250мА
Vce =10 В, 1с = 50мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
2SA1475/2SC3781
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
_
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
500
_
_
Макс,
значе-
ние
120
120
4
400
600
15
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

254 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2S
Кремниевый зпитгксйзяьнмй ппзпйрный РНР транзистор
деоусилителей телееиз^онных прп&ыныиов
вмходмых
снздой уи-
Корпус ТО-220АВ JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3782.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2SA1476/2SC3782
пРЕ(1с=10мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Кп&мчы^вът
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3951.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
TJ О
о°0
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150B, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10B, Ic = 10 мА
Vce = 10 В, 1с=100мА
Vce = 30 В, Ic = 50 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
400
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
4
200
300
15
0,1
0,1
320
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
b»fb«w гшанарный PNP транзистор дпь вых-лдн-=гх ил ска до о ой-
Корпус TO-126ML SANYO
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Пре
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SA1536/2SC3951
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с = 200мА
Vce = 10 В, 1с=100мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
-
-
_
_
40
20
г _
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
_
_
-
600
_
-
Макс,
значе-
ние
80
70
3
300
600
8
0,1
1,0
320
_
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 255
Корпус TO-126ML SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3952.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с=300мА
Vce = 10 В, lc= 100 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
700
-
-
Макс,
значе-
ние
80
70
3
600
1000
10
0,1
1,0
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SA1537/2SC3952
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3953.
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Icbo
lebo
пре
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SA1538/2SC3953
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 .120
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с=10мА
Vce =10 В, 1с=100мА
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Ic = 30 мА, Ib = 3 мА
Ic = 30 мА, Ib = 3 мА
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
-
_
40
20
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
_
_
-
400
-
-
Макс,
значе-
ние
120
120
3
200
400
0,1
1,0
320
_
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
мкА
мкА
МГц
В
В

256 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3954.
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
ии
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce =10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с = 200мА
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
2SA1539/2SC3954
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
500
-
-
Макс,
значе-
ние
120
120
3
300
600
8
0,1
0,1
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3955.
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
TJ U
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, lc= 10 мА
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 30 В, Ic = 30 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
2SA1540/2SC3955
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100. 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
_
_
40
20
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
-
_
_
-
300
_
-
Макс,
значе-
ние
200
200
3
100
200
7
0,1
0,1
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 257
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SC3956.
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
ии
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb=150B, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce =10 В, 1с=10мА
Vce =10 В, 1с=100мА
Vce = 30 В, Ic = 50 мА
Ic = 20 мА Ib = 2 мА
Ic = 20 мА Ib = 2 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
300
-
-
Макс,
зна-
чение
200
200
3
200
300
7
0,1
0,1
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SA1541/2SC3956
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 . 200
F
160 320
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2, 2 пФ).
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
1 2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
^■раничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
_
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 1 мА
Vce = 10 В, lc = 0,5A
Vcb = 100B,fT=1 МГц
1с = 500мкА, 1Ь=100мкА
1с = 500мкА, 1Ь=100мкА
Мин.
зна-
чение
_
_
_
_
-
-
_
_
20
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
-
_
-
_
_
_
6
2,2
_
-
Макс,
значе-
ние
900
900
7
10
30
1,75
1,0
1,0
50
_
_
1,0
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

258 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
* * ^ Кр&?-*кяевый диффузионный PNP транзистор для сх«м динамической фо:усиро
;Ш геповизионных приемников
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2, 2 пФ).
Корпус TO220-FI(LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 1 мА
Vce = 10B, Ic = 0,5 А
Vcb = 100 В, fT=1 МГц
1с = 500мкА, 1Ь=100мкА
1с = 500мкА, 1Ь=100мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
2,2
-
Макс,
значе-
ние
900
900
7
10
30
2,0
1,0
1,0
50
-
-
1,0
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Vf
Rbe
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 250 В, le = 0
Veb = 6 В, Ic = 0
Vce = 1 В, Ic = 1 А
Vce = 1 В, Ic = 5 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
Ic = 5А, Ib =0,65 А
Ic = 5А, Ib =0,65 A
Ice = 5 A
—
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
10
10
_
-
-
Нет
данных
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
_
-
-
—
Макс,
значе-
ние
400
200
6
7
12
4
50
100
400
50
_
1,0
1,3
1,5
—
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
В
Ом

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 259
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 250 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 1 В, Ic = 1 А
Vce = 1 В, Ic = 5 А
Vce = 10 В, lc = 0,5 А
lc = 5A, lb=0,5A
lc = 5A, Ib =0,5 А
1с = 5А, lb=0,5A
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
10
10
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
-
Макс,
значе-
ние
400
200
6
7
12
4
50
100
100
50
-
0,8
1,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
МКС
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Высокая граничная частота эффективного
усиления (fT= 2,0 ГГц).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SC3595
hFE (Ic = 50 mA)
С
40. .80
D
60 . 120
Е
100 200
Условия
_
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 20 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 50 мА
Vce = 10 В, 1с=500мА
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
Ic = 300 мА, Ib =30 мА
Ic = 300 мА, Ib =30 мА
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
-
40
20
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
_
-
2000
0,25
0,92
Макс,
значе-
ние
30
20
3
500
1000
5
0,1
5,0
200
_
0,6
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

260 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Корпус TO126JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1402.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о о
1 М2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с = 250мА
Vce =10 В, Ic = 0,1 А
1с = 100мА, 1Ь=10мА
1с=100мА, 1Ь=10мА
2SA1402/2SC3596
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
700
-
-
Макс,
зна-
чение
80
60
4
300
600
8
0,1
0,1
320
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1403.
Корпус TO126JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
с> о
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fi
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, Ic=50mA
Vce = 10 В, 1с = 250мА
Vce = 10 В, lc = 0,1 A
1с=100мА, 1Ь=10мА
1с = 100мА, 1Ь=10мА
2SA1403/2SC3597
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 80
D
60 . 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
_
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
-
-
:
700
-
-
Макс,
зна-
чение
80
60
4
500
1000
8
0,1
0,1
320
_
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства SANYO 261
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1404.
Корпус ТО126 JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о о
а
о
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, lc= 10 мА
Vce = 10 В, lc= 150 мА
Vce = 10 В, lc = 0,05 А
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
2SA1404/2SC3598
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
500
-
-
Макс,
зна-
чение
120
120
4
200
400
8
0,1
0,1
320
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1405.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
1 2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
_
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с=250мА
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
_
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
_
-
:
500
-
-
Макс,
зна-
чение
120
120
4
300
600
8
0,1
0,1
320
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SA1405/2SC3599
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 .120
Е
100 200
F
160 ..320

262 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Кремнизвый зпшахсжальньш гшанэрный НРН транзистор arm обходных «асжза
деоусилитепсй телевизионных при?к*ников
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1406.
Корпус ТО126 JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce =10 В, 1с=10мА
Vce = 10B, Ic = 60 мА
Vce = 10 В, 1с = 30мА
Ic = 30 мА, Ib = 3 мА
Ic = 30 мА, Ib = 3 мА
2SA1406/2SC3600
hFE(lc= 10 mA)
С
40 . 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
400
-
-
Макс,
зна-
чение
200
200
4
100
200
7
0,1
0,1
320
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1407.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
't
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SA1407/2SC3601
hFE(lc = 10MA)
С
40 80
D
60 . 120
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce =10 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, 1с=100мА
Vce = 30 В, Ic = 50 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Е
100 .200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
40
20
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
400
_
-
Макс,
зна-
чение
200
200
4
150
300
7
0,1
0,1
320
_
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 263
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
и и i
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 500 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Ic = 4 A, Ib =0,8 А
|С = 4А, Ib =0,8 А
Vce = 5 В, Ic = 0,8 А
Ic = 4 A, Ib =0,8 А
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
500
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
900
500
7
7
14
80
10
-
1
2
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Г И I
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 500 В, le = 0
1с=100мА, Ib = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
lc = 5 A, Ib =1,0 А
lc = 5A, Ib =1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5A, Ib = 1,0 А
lc = 5A, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
500
_
_
_
8
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
900
500
7
10
20
90
10
-
1
2
1,5
_
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС

264 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 500 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
lc = 7A, lb=1,4A
Ic = 7 А, 1Ь=1,4А
Vce = 5 В, 1с=1,4А
|С = 7А, Ib = 1,4 А
1С = 7 A. Ib = 1,4 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
500
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
900
500
7
15
25
100
10
-
1
2
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
И U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллекторамиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
lc = 100 мА, lb = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
lc = 4Alb=0,8A
lc = 4 A Ib =0,8 А
Vce = 5 В, Ic = 0,8 А
lc = 4A, lb = 0,8A
lc = 4A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
_
8
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
_
_
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1200
800
7
6
12
100
10
-
1
5
1,5
_
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 265
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
U и I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
|С = 6А, Ib =1,2 А
lc = 6A, Ib =1,2 А
Vce = 5 В, Ic = 1,2 А
lc = 6A, Ib =1,2 А
lc = 6A, Ib =1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1200
800
7
8
16
140
10
-
1
5
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2,8 пФ).
- Высокая надежность.
Корпус ТО220-АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce_sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
^аничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
_
-
_
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 1 мА
Vce =10 В, 1с=10,0мА
Vcb = 100 В, fT= 1 МГц
Ic = 20 мА, Ib = 4 мА
Ic = 20 мА, Ib = 4 мА
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
-
_
_
30
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
_
_
6
2,8
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
900
5
100
300
10
10
10
_
_
_
1,0
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

266 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 5,0 пФ).
- Высокая надежность.
Корпус ТО220-АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 30 мА
Vce =10 В, 1с = 30мА
Vcb=100B,fT=1 МГц
1с = 60мА, 1Ь=12мА
1с = 60мА, 1Ь=12мА
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
5,0
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
900
5
300
1,0
20
10
10
-
-
-
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
А
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
U U \
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
L Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с = 100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4 A Ib = 1,0 А
|С = 4 Alb = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc = 4A,lb=0,8A
1с = 4А, Ib =0,8 А
Мин.
значе-
ние
-
_
-
_
-
-
_
800
-
-
_
8
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
_
_
_
_
_
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
16
125
1
_
1
5
1,5
_
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
В
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 267
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с = 100мА, Ib = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A, Ib = 1,2А
Ic = 5 A, Ib = 1,2 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 4A, lb=0,8A
lc = 4A, Ib =0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
16
120
1
-
1
5
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
пре
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
—
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6A,lb = 1,5A
lc = 6A, Ib = 1,5А
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 6A, Ib = 1,2А
lc = 6A, Ib = 1,2 А
Мин.
значе-
ние
-
-
-
_
-
-
_
800
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
25
150
1
_
1
5
"ел
_
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
В
мА
В
В
МКС
МКС

268 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
^1 Qt f^ *% СЦ р Крс-мниееый ЫРЫ диффузионный тр?«к2истор доя выходных «декадой строчной §
£~ %J %# «jfypиij вертки телевизионных приемников с 3I1T высокой четкости
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
171
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 8 A, Ib = 2,0 А
Ic = 8 A, Ib = 2,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 6A, Ib =1,2 А
IC = 6A, Ib =1,2 А
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
150
1
-
1
5
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1474.
Корпус ТО220-АВ JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10B,lc = 50MA
Vce =10 В, Ic = 400mA
Vce =10 В, 1с=100мА
1с=100мА,1Ь = 10мА
1с=100мА, 1Ь = 10мА
2SA1474/2SC3780
hFE (Ic =
ЮмА)
С
40. .80
D
60. 120
Е
100..200
F
160. 320
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
_
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
Макс,
зна-
чение
80
60
4
800
1000
15
0,1
0,1
320
_
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 269
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1475.
Корпус ТО220-АВ JEDEC
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce= 10 В, Ic = 50 мА
Vce= 10 В, 1с = 250мА
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
2SA1475/2SC3781
hFE(lc=10MA)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
500
-
-
Макс,
зна-
чение
120
120
4
400
600
15
0,1
0,1
320
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Корпус ТО220-АВ JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1476.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
_
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, 1с=100мА
Vce = 30 В, Ic = 50 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
_
-
_
_
40
20
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
_
-
_
_
-
400
_
-
Макс,
зна-
чение
200
200
4
200
300
15
0,1
0,1
320
_
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SA1476/2SC3782
пРЕ(1с = 10мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320

270 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с = 100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4A, Ib = 1,0А
lc = 4A, Ib = 1,0 А
Vce = 5B, 1с=1,0А
lc = 4A, Ib = 0,8 А
lc = 4A, Ib = 0,8 А
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
16
60
10
-
1
5
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1 2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Пре
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Ic = 100 мА, Ib = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A, Ib = 1,2 А
Ic = 5 A, Ib = 1,2 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 4A, Ib = 0,8 А
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
-
_
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
16
60
10
_
1
5
1.5
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 271
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Ире
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6A, Ib = 1,5 А
lc = 6A, Ib = 1,5 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 6 A, Ib = 1,2 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
25
70
10
-
1
5
1,5
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
L А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo = 1500 В).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
_
_
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8A, Ib = 2,0 А
lc = 8 A, lb = 2,0 A
Vce = 5B, lc= 1,0 А
lc = 6 A, Ib = 1,2 А
lc = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
800
-
_
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
_
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
70
10
_
1
5
1,5
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС

272 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Корпус TO-126ML SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Высокая граничная частота эффектив-
ного усиления (fT= 2,0ГТц).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
и и
о°о
ззи
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
^аничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
2SC3950
hFE (Ic = 50 MA)
С
40 80
D
60 .120
Е
100 200
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 20 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 50 мА
Vce= 10B, 1с = 500мА
Vce = 10BJc = 0,1 A
Ic = 300 мА, Ib =30 мА
Ic = 300 мА, Ib =30 мА
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
0,3
0,9
Макс,
зна-
чение
30
20
3
0,5
1
5
0,1
5,0
_
-
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
ГГц
В
В
Корпус TO-126ML SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзисто-
ром 2SA1536.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10B,lc = 50MA
Vce = 10 В, Ic = 200mA
Vce = 10 В, lc= 100 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Мин.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
_
_
40
20
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
_
-
_
_
-
600
_
-
Макс,
зна-
чение
80
70
3
300
600
8
0,1
1,0
320
_
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SA1536/2SC3951
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 ..200
F
160 .320

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 273
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзисто-
ром 2SA1537.
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
гю
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
PC
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 60 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce =10 В, 1с = 300мА
Vce = 10 В, lc= 100 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
Ic = 70 мА, Ib = 7 мА
2SA1537/2SC3952
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60 .120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
700
-
-
Макс,
зна-
чение
80
70
3
600
1000
10
0,1
1,0
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Корпус TO-126ML SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзисто-
ром 2SA1538.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
JI М I
1 2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Пре
fr
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, lc= 100 мА
Vce =10 В, 1с = 50мА
Ic = 30 мА, Ib = 3 мА
Ic = 30 мА, Ib = 3 мА
2SA1538/2SC3953
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
400
-
-
Макс,
значе-
ние
120
120
3
200
400
8
0,1
1,0
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

274 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
«J W%!*♦ деоусилителсй телевизионных приемников
Особенности: Корпус TO-126ML SANYO
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзисто-
ром 2SA1539.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
U U
о°о
J L
1 2
I I
2
4==
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 10 В, 1с = 200мА
Vce =10 В, 1с=50мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
2SA1539/2SC3954
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60 120
Е
100 .200
F
160 .320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
500
-
-
Макс,
зна-
чение
120
120
3
300
600
8
0,1
0.1 j
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Высокая граничная частота эффектив-
ного усиления (fT= 300МГц).
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1540.
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Vce = 30 В, Ic = 30 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
2SA1540/2SC3955
hFE (Ic =
50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100. 200
F
160 ..320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
300
-
_
Макс,
значе-
ние
200
200
3
100
200
7
0,1
0,1
320
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 275
Корпус TO-126ML SANYO
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором
2SA1541.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
ии
сРо
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 150 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, lc= 10 мА
Vce= 10 В, lc= 100 мА
Vce = 30 В, Ic = 50 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
2SA1541/2SC3956
hFE (Ic = 50 mA)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
F
160 320
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
:
300
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
3
200
300
7
0,1
0,1
320
-
1J)
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
Особенности:
- Высокая скорость переключения
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
1 2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, Ib = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=10A, Ib = 2,5 А
lc= 10 Alb = 2,5 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Ic = 8 A, Ib = 1,6 А
lc = 8A, Ib = 1,6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
-
_
_
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
12
30
180
10
-
1
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС

276 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
\fxf\r
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
lc= 100 мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 12 A, lb = 3,0A
lc = 12A, lb = 3,0A
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Ic = 8 A, Ib = 1,6 А
lc = 8A, Ib = 1,6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
15
35
180
10
-
1
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
В о О о i
1 2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce_sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с = 100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=16A, lb = 4,0A
lc=16A, lb = 4,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc= 12 A, lb = 2,4A
lc= 12 A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
800
-
_
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
_
_
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
20
40
250
1
-
1
5
1.5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
В
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 277
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo =
1500 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
3) о о
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с=100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 20A, lb = 5,0 А
lc = 20A, lb = 5,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc= 12 A, lb = 2,4A
lc = 12 A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
6
25
50
250
1
-
1
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
В
мА
В
В
МКС
МКС
Корпус TO220-MF
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость
(Cob = 2,0 пФ).
- Широкая область безопасной ра-
боты
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о о
1LJ 2l 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
_ Vce = 5 В, Ic = 2 мА
Vce = 10 В, Ic = 2mA
Vcb=100B, fT=1 МГц
Ic = 5 мА, Ib = 1 мА
Ic = 5 мА, Ib = 1 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
-
20
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
-
50
6
2,0
_
-
Макс,
значе-
ние
1700
900
5
50
150
1,2
1,0
1,0
120
_
_
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

278 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
КуОййНШгВЫЙ Л^ФФУЗИОННЫй Nr
^ ДМШШЙЧ^СКОЙ
Корпус TO220-MF
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость
(СоЬ=1,6пФ).
- Широкая область безопасной ра-
боты
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
1 J 2
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 2 мА
Vce = 10 В, 1с = 2мА
Vcb = 100 В, fT= 1 МГ14
Ic = 5 мА, Ib = 1 мА
Ic = 5 мА, Ib = 1 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
50
6
1,6
-
-
Макс,
зна-
чение
2000
900
5
20
60
1,2
1,0
1,0
120
-
-
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Встроенный демпферный ди-
од.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
l\
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Rbe
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A, Ib = 1,2А
Ic = 5 A, 1b = 1,2 А
Vce = 5B, lc=1,0A
Ice = 7 А
-
lc = 5A, Ib = 1,0А
lc = 5 A, lb= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
8
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
-
_
50
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
16
60
10
130
5
1,5
_
2
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
Ом
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 279
Особенности:
- Встроенный демпферный ди-
од.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
L\
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Rbe
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
• Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6A, Ib = 1,5 А
lc = 6 A, Ib = 1,5 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Ice = 8 А
-
lc = 6 A, lb= 1,2 А
lc = 6A, Ib = 1,2А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
0,1
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
6
8
25
70
10
130
5
1,5
-
2
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
в
Ом
МКС
МКС
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный ди-
од.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Rbe
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Сопротивление резистора Rbe
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8A, lb = 2,0A
lc = 8A, lb = 2.0 А
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Ice = 10 А
_
lc = 6A, Ib = 1.2А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
_
-
40
_
_
8
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
_
_
_
_
_
_
_
50
0,1
Макс,
значе-
ние
1500
800
6
10
25
L 70
10
130
5
1,5
_
2
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
Ом
МКС
МКС

280 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,6 пФ).
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО220-АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb=1200B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 0,5 мА
Vce = 10 В, 1с = 0,5мА
Vcb = 100 B,fT= 1 МГц
Ic = 1 мА, Ib = 0,2 мА
Ic = 1 мА, Ib = 0,2 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
1,6
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
1200
5
10
30
1,75
1,0
1j0
60
-
-
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2,0 пФ).
- Широкая область безопасной работы
Корпус ТО220-АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного^силения
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1200B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, 1с=1,5мА
Vce = 10 В, 1с=1,5мА
Veb = 100 В, fT=1 МГц
Ic = 3 мА, Ib = 0,6 мА
Ic = 3 мА, Ib = 0,6 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
6
2,0
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
1200
5
30
100
1,75
1,0
1,0
60
-
_
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 281
Корпус ТО126 JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных
усилителей.
- Высокая граничная частота эффективного
усиления (fT= 2,2ГГц).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о„о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 20 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 50 мА
Vce = 5 В, Ic = 300 мА
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
lc= 100 мА, 1Ь=10мА
1с = 100мА, 1Ь=10мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
2200
0,2
0,9
Макс,
значе-
ние
30
20
3
300
600
5
0,1
5,0
200
-
0,6
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SC4271
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Rbe
Vf
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Сопротивление резистора Rbe
Падение напряжения HajrpflMo смещенномдиоде
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с = 100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4 A, Ib = 1,0 А
1с = 4А, Ib = 1,0А
Vce = 5B, lc= 1,0 А
-
Ice = 5 А
|С = 4А, lb = 0,8A
Ic = 4 A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
800
40
_
_
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
_
_
_
_
50
_
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
7
5
16
100
10
_
130
5
1,5
_
_
2
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
Ом
В
МКС
МКС

282 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный ди-
од.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Rbe
Vf
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Сопротивление резистора Rbe
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
1с = 100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4A, Ib = 1,0 А
lc = 4A, Ib = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с=1,0А
-
Ice = 5 А
lc = 4A, Ib = 0,8 А
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
800
40
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
7
5
16
50
10
-
130
5
1,5
-
-
2
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
В
мА
В
В
Ом
В
МКС
МКС
Корпус ТО220-АВ JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Высокая граничная частота эффектив-
ного усиления (fT= 1,2ГГц).
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =100 В, Vceo = 80 В)
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, Ic = 50mA
Vce =10 В, 1с = 500мА
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
Ic = 300 мА, Ib = 30 мА
Ic = 300 мА, Ib = 30 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
30
20
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1200
_
-
Макс,
значе-
ние
100
80
3
500
1000
15
0,1
5,0
200
-
0,6
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 283
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo = 500 В).
- Высокая скорость переключения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 400 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, lc= 1,6 А
Vce = 5 В, Ic = 8 А
Vce = 5 В, 1с = 10мА
lc = 8 A, lb = 1,6 А
lc = 8 A, lb= 1,6 А
Vce = 10 В, lc= 1,6 А
lc= 10 A, lb = 2A, Rl = 20Om
lc= 10 A, Ib = 2 A, Rl = 20Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
10
10
-
-
-
-
-
Тип.
значе-
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
500
400
7
12
25
4
55
10
10
50
0,8
1,5
-
0,3
2,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Е
2SC4423
М
15 30
20 40
N
30 50
ЫРЫ д
I CfivU 'лМПу.ПЬС*1Ь;л ИСТОЧНИКОВ
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo = 500 В).
- Высокая скорость переключения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Символ
Параметр
Условия
Мин.
зна-
чение
Тип.
зна-
чение
Макс,
зна-
чение
Еди-
ницы
Vcbo
Напряжение коллектор-база
500
Vceo
Напряжение коллектор-эмиттер
400
Vebo
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
25
Icp
Ток коллектора импульсный
40
Ток базы
Рс
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Тс = 25° С
65
Вт
Icbo
Обратный ток коллектора
Vcb = 400 В, le = 0
10
мкА
lebo
Обратный ток эмиттера
Veb = 5 В, Ic = 0
10
мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Vce = 5 В, Ic = 3,2 А
Vce = 5 В, lc= 16 А
Усе = 5 В, 1с = 10мА
15
10
10
50
Vce sat
Напряжение насыщения К-Э
|С= 16 A, lb = 3,2A
0,8
Vbe sat
Напряжение насыщения Б-Э
lc= 16 A, lb = 3,2A
1,5
Граничная частота эффективного усиления
Vce = 10B, lc = 3,2A
20
МГц
Время спада импульса
20A, lb = 4A, RL= 10 Ом
0,3
Tstg
2SC4425
Время установления
lc = 20A, lb = 4A, RL= 10 0м
2,5
15 30
М
20 40
N
30 50

284 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1100 В).
- Высокая скорость переключения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Tstg
2SC4426
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
К
10 20
L
15 30
М
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 0,2 А
Vce = 5 В, Ic = 1 А
lc= 1,5 A, lb = 0,3A
lc= 1,5 A, Ib = 0,3 А
Vce = 10 В, lc = 0,2A
Ic = 2 A, Ib = 0,4 A, RL = 200 Ом
Ic = 2 A, Ib = 0,4 A, RL = 200 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
3
10
1.5
45
10
10
40
2,0
1.5
-
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1100B).
- Высокая скорость переключения .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe_sat
fT
Tf
Tstg
2SC4427
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
К
10 20
L
15 30
М
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 0,3 А
Vce = 5B, Ic = 1.5А
lc = 2,0A, lb = 0,4A
lc = 2,0A, lb = 0,4A
Vce = 10 B, lc = 0,3A
Ic = 3 A, Ib = 0,6 A, Rj, = 133 Ом
Ic = 3 A, Ib = 0,6 A, RL = 133 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
10
8
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
:
-
_
15
_
-
Макс,
значе-
ние
1100
800
7
4,5
15
2
50
10
10
40
2,0
1,5
_
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 285
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1100 В).
- Высокая скорость переключения .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В,Ic = 0,4 А
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
1с = 3,0А, lb = 0,6A
Vce = 10 В, lc = 0,4A
Ic = 4 A, Ib = 0,8 A, RL = 133 Ом
Ic = 4 A, Ib = 0,8 A, RL = 133 Ом
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
15
-
-
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
6
20
3
55
10
10
40
2,0
1.5
-
0,3
3,0
Еди-
ницы
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
2SC4428
hFE
К
10 20
L
15.. 30
М
20 40
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1100 В).
- Высокая скорость переключения .
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Tstg
2SC4429
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
К
10 20
L
15 30
М
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 0,6 А
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 4,0A, lb = 0,8A
|с = 4,0А, lb = 0,8A
Vce= 10B, lc = 0,6A
lc = 6A,lb = 1,2A,RL = 66,7OM
Ic = 6 A, Ib = 1,2 A, RL = 66,7 Ом
Мин
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
15
-
_
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
8
25
4
60
10
10
40
2,0
1,5
_
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

286 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
I Кремниевый Ы^Н диффузионный 'рэюистор дня сде-м импульснь
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1100 В).
- Высокая скорость переключения .
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Tstg
2SC4430
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
К
10 20
L
15 30
М
20 40
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 0,8 А
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
lc = 6,0A. Ib = 1,2 А
1с = 6,0А, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, lc = 0,8A
lc = 8A, Ib = 1,6A. Rl = 50Om
lc = 8A, Ib = 1.6 A, Rl = 50Om
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
-
15
-
-
Макс,
зна-
чение
1100
800
7
12
30
6
65
10
10
40
2,0
1,5
-
0,3
3,0
Еди.
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус ТО-ЗРВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
ГМ
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4 A, lb = 1,0 А
|С = 4А, Ib = 1,0А
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc = 4A, lb = 0,8A
lc = 4A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
_
-
_
_
_
_
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
5
16
100
10
1,0
5
1.5
_
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 287
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
|С = 4 A, lb = 1,0 А
|С = 4А, lb = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
|С = 4А, Ib = 0,8 А
Ic = 4 A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
7
5
16
50
10
1,0
5
1,5
-
0,3
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
-Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус TO-220ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
't
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
_
Тс = 25° С
Vcb = 400 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
|C = 4A,lb = 0,8A
Ic = 4 A, Ib = 0,8 А
Vce = 5 В, Ic = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,8A
lc = 5A, Ib = 1,0А
lc = 5A, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
-
-
-
-
15
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
_
-
-
_
_
20
_
-
Макс,
зна-
чение
600
400
7
7
14
30
10
1,0
0,8
1,5
_
_
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

288 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
Корпус ТО-220МL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Пре
fT
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 400 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
lc = 6 A,lb = 1,2 А
Vce = 5 В, Ic = 1,2 А
Vce = 10 В, lc = 0,8A
Ic = 7 A, Ib = 1,4 А
lc = 7A, Ib = 1,4 А
Мин.
зна-
ение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
Тип.
зна-
ение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
зна-
ение
600
400
7
10
20
35
10
1,0
0,8
1,5
-
-
0,2
3,0
Еди-
ицы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,5 пФ).
- Широкая область безопасной работы
- Высокая надежность.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1500 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 200 мкА
Vce = 10 В, 1с = 200мкА
Vcb = 100B,fT=1 МГц
1с = 500мкА, lb= 100 мкА
1с = 500мкА, 1Ь=100мкА
Мин.
зна-
чение
_
-
_
-
_
-
-
-
10
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
_
-
_
-
-
6
1,5
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
5
15
1,75
1,0
1,0
60
_
_
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 289
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,9 пФ).
- Широкая область безопасной работы
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1500B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 600 мкА
Vce = 10 В, 1с = 600мкА
Vcb= 100 В, fT= 1 МГц
lc = 1,5 мА, 1Ь = 0,ЗмА
1с = 1,5мА, 1Ь = 0,ЗмА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
г~ -
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
1,9
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
15
50
1,75
1,0
1,0
60
-
-
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
/""*' Д А *Т gi Нрешшсшый диффузионный WPЫ транзистор дня сче*л
1!1!! % яояизионных тттттт
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,4 пФ).
- Широкая область безопасной работы
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1800B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, 1с=100мкА
Vce =10 В, 1с = 200мкА
Vcb = 100B, fT=1 МГц
Ic = 200 мкА, Ib = 40 мкА
Ic = 200 мкА, Ib = 40 мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
-
10
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
_
6
1,4
_
-
Макс,
зна-
чение
2000
1800
5
3
10
1,75
1,0
1,0
60
_
_
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

290 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
SC447
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,8 пФ).
- Широкая область безопасной работы
Й ДШЬфуЗ^ОННьШ МРН ТрЗНЗИСТОр ШШ С'лО-ь
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Veb = 1800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 300 мкА
Vce = 10 В, 1с = 300мкА
Vcb = 100B, fT=1 МГц
1с = 600мкА, 1Ь=120мкА
1с = 600мкА, 1Ь=120мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
1,8
-
-
Макс,
зна-
чение
2000
1800
5
10
30
1,75
1,0
1,0
60
-
-
5,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
Корпус TO-220ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
fr
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
^аничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 250 В, le = 0
1с=100мА, Ib = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
lc = 5A,lb = 0,5A
Ic = 5 A, Ib = 0,5 A
Vce = 5 В, lc=1,2A
Vce=10B, lc = 0,8A
Ic = 5 A, Ib = 0,5 A
Ic = 5 A, Ib = 0,5 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
200
-
_
_
15
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
40
-
-
Макс,
зна-
чение
400
200
6
7
12
4
30
100
-
100
0,8
1,5
_
_
0.2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
В
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 291
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость
(СоЬ=1,6пФ).
Корпус TO-220MF
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
О О
1 J 2U 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Ьре
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 2 мА
Vce = 5 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, 1с = 2мА
Vcb = 100B,fT=1 МГц
1с = 10мА, 1Ь = 2мА
1с=10мА, 1Ь = 2мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
20
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
40
1,6
-
-
Макс,
зна-
чение
800
800
7
20
60
1,65
1,0
1.0
50
-
-
1,0
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Корпус ТО-220АВ JEDEC
Особенности:
- Для применения в схемах широкопо-
лосных усилителей.
- Высокая граничная частота эффектив-
ного усиления (fT = 1,2ГГц).
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =100 В, Vceo = 80 В).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 80 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 10 В, Ic = 50mA
Vce = 10 В, 1с = 500мА
Vce = 10B,lc = 0,1 A
Ic = 300 мА, Ib = 30 мА
Ic = 300 мА, Ib = 30 мА
Мин.
зна-
чение
_
-
_
-
_
-
_
-
30
20
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
_
-
_
_
-
1200
_
-
Макс,
зна-
чение
100
80
3
500
1000
10
0,1
5,0
200
_
0,6
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

292 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,6 пФ).
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
^ Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 2 мА
Vce = 5 В, 1с = 10мА
Vce = 10 В, 1с = 2мА
Vcb = 100B,fT=1 МГц
lc = 10 мА, 1Ь = 2мА
1с=10мА, 1Ь = 2мА
Мин
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
20
10
-
-
-
-
Тип
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
—
40
1.6
-
-
Макс
зна-
чение
800
800
7
20
60
1,65
1,0
1.0
50
-
-
1.0
1.5
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2,0 пФ).
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 2 мА
Vce = 10 В, Ic = 2mA
Vcb=100B,fT=1 МГц
Ic = 5 мА Ib = 1 мА
Ic = 5 мА Ib = 1 мА
Мин.
зна-
ение
-
-
-
-
_
-
-
-
20
_
_
-
-
Тип.
зна-
ение
-
-
_
-
_
-
-
-
50
6
2.0
_
-
Макс,
зна-
ение
1700
900
5
50
150
1,75
1.0
1.0
120
_
_
5
2
Еди-
ицы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 293
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,6 пФ).
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-220АВ
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Ире
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 1 мА
Vce = 10 В, lc= 1 мА
Vcb = 100 В, fT=1 МГц
Ic = 2 мА, Ib = 0,4 мА
Ic = 2 мА, Ib = 0,4 мА
Мин.
зна-
ение
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
Тип.
зна-
ение
-
-
-
-
-
-
-
-
50
6
1,6
-
-
Макс,
зна-
2000
900
5
20
60
1,75
1,0
1,0
120
-
-
5
2
Еди-
ицы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2,8 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
_
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, 1с=10мА
Vcb = 100B,fT=1 МГц
Ic = 20 мА, Ib = 4 мА
Ic = 20 мА, Ib = 4 мА
Мин.
зна-
чение
_
-
_
_
-
-
-
_
30
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
_
_
-
-
_
_
6
2,8
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
900
5
100
300
2
10,0
10,0
_
_
_
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

294 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
яевизионных
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 5,0 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 900 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 30 мА
Vce = 10B, 1с = 30мА
Vcb=100B, fT=1 МГЧ
1с = 60мА, 1Ь=12мА
Ic = 60mA, lb= 12 мА
Мин.
зна-
ение
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
Тип.
зна-
ение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
5,0
-
-
Макс,
зна-
ение
1500
900
^_ 5
300
1000
2
10,0
10,0
-
-
-
5
2
Еди-
ицы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,6 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fi
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного^силения
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1200 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 500 мкА
Vce = 10 В, 1с = 500мкА
Vcb=100B,fT=1 МГц
1с=1,0мА, 1Ь = 200мкА
1с = 1,0мА, 1Ь = 200мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
10
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
6
1,6
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
1200
5
10
30
2
1,0
1,0
60
_
-
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 295
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 2,0 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1200 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, 1с = 1,5мА
Усе = 10В,1с=1,5мА
Vcb = 100B, fT=1 МГц
Ic = 3,0 мА, Ib = 600 мкА
Ic = 3,0 мА, Ib = 600 мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
2,0
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1200
5
30
100
2
1,0
1.0
60
-
-
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,5 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
_
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1500B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 200 мкА
Vce =10 В, 1с = 200мкА
Vcb = 100B,fT=1 МГц
1с = 500мкА, lb= 100 мкА
1с = 500мкА, 1Ь=100мкА
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
_
_
10
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
_
_
_
6
1,5
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
10
30
2
1,0
1,0
60
_
_
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

296 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob
Корпус TO-220FI (LS)
1,9 пФ).
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1500B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 600 мкА
Vce = 10 В, 1с = 600мкА
Vcb = 100B, fT=1 МГц
1с=1,5мА, 1Ь = 0,ЗмА
1с=1,5мА, 1Ь = 0,ЗмА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
1,9
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
1500
5
20
60
2
1.0
1,0
60
-
-
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,4 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fr
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 1800B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 100 мкА
Vce = 10 В, 1с=100мкА
Vcb = 100B,fT=1 МГц
Ic = 200 мкА, Ib = 40 мкА
Ic = 200 мкА, Ib = 40 мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
_
6
1,4
_
-
Макс,
зна-
чение
2000
1800
5
10
30
2
1,0
1,0
60
_
_
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 297
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,8 пФ).
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
_
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb=1800B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 300 мкА
Vce = 10 В, 1с=300мкА
Vcb = 100 В, fT= 1 МГц
1с = 600мкА, 1Ь=120мкА
Ic = 600mkA, lb= 120 мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
1,8
-
-
Макс,
зна-
чение
2000
1800
5
15
50
2
1,0
1,0
60
-
-
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Для применения в схемах широкополос-
ных усилителей.
- Высокая граничная частота эффективно-
го усиления (fT= 2,2 ГГц).
Корпус TO-126ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 20 В, le = 0
Veb = 2 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 50 мА
Vce = 5 В, Ic = 300 мА
Vce = 10 В, Ic = 0,1 А
1с = 100мА, 1Ь=10мА
1с=100мА, 1Ь=10мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
2200
0,2
0,9
Макс,
зна-
чение
30
20
3
300
600
5
0,1
5,0
200
-
0,6
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В
2SC4660
hFE (Ic = 50 мА)
С
40 80
D
60 120
Е
100 200

298 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
зонный ЫРН тсзнлистой для ехам нйна
фокупи&о«зк«
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,3 пФ).
- Широкая область безопасной работы.
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 2100B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 500 мкА
Vce =10 В, 1с=500мкА
Vcb = 100B, fT=1 МГц
Ic = 1000 мкА, Ib = 200 мкА
Ic = 1000 мкА, Ib = 200 мкА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
1,3
-
-
Макс,
зна-
чение
2100
2100
5
10
30
2
1,0
1,0
60
-
-
5
2
Еди-
ницы
В
В
В
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,3 пФ).
- Широкая область безопасной работы.
Корпус TO-220FI (LS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Cob
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
^аничная частота эффективного усиления
Выходная емкость
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 2100B, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Vce = 5 В, Ic = 500 мкА
Vce = 10 В, 1с=500мкА
Veb = 100 В, fT=1 МГц
1с = 1,0мА, 1Ь = 0,2мА
1с=1,0мА, 1Ь = 0,2мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
_
10
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
6
1,3
_
-
Макс,
зна-
чение
2100
2100
5
10
30
2
1,0
1,0
60
_
_
5
2
Еди-
ницы
В
В
в
мА
мА
Вт
мкА
мкА
МГц
пФ
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 299
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Rbe
Vf
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Сопротивление резистора Rbe
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 5 A, Ib = 1,7 А
lc = 5 A, Ib = 1,7 А
Vce = 5B,lc = 1,0A
-
Ice = 5 А
|С = 4 A, Ib = 0,8 А
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
16
60
10
130
5
1,5
-
-
2
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
Ом
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A,lb = 1,7A
lc = 5A,lb = 1,7A
Vce = 5B,lc=1,0A
Ic = 4 A, Ib = 0,8 A
Ic = 4 A, Ib = 0,8 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
16
60
10
1,0
5
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

300 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Феадикеоый ftiPM Д1<фф удойный грзн:5исгор для яьш,>дны>с каскадов строчной
?еотни телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo=1500B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8A, Ib = 2,0 А
|С = 8А, lb = 2,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 6A, Ib = 1,2 А
1с = 6А, Ib = 1,2А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
70
10
1,0
5
1,5
-
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
т^ а
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstq
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
—
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A, Ib = 1,25 А
lc = 5A, Ib = 1,25 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 4 A, Ib = 0,7 А
Ic = 4 A, Ib = 0,7 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
40
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
7
16
60
10
130
5
1,5
20
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 301
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 BL le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A, Ib = 1,25 A
lc = 5A, lb = 1.25A
Vce = 5 B, Ic = 1,0 A
lc = 4A, lb = 0,7A
Ic = 4 A, Ib = 0,7 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
7
16
60
10
130
5
1,5
25
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В)
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 8 A, Ib = 2,0 А
lc = 8A, lb = 2,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 6 A, Ib = 1.0 А
lc = 6A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
40
_
_
10
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
_
_
_
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
10
25
70
10
130
5
1,5
20
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

302 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8A, lb = 2,0A
lc = 8A, lb = 2,0A
Vce = 5B, 1с = 1,0А
lc = 6A,lb = 1,0A
lc = 6A,lb = 1,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
10
25
70
10
1,0
5
1,5
25
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=12A, lb = 3,0A
lc=12A,lb = 3,0A
Vce = 5 В, lc = 1,0A
lc = 8A,lb = 1,3A
lc = 8A, lb = 1,3A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
15
35
75
10
1,0
5
1.Ь
25
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 303
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
В о О о I
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 12 A, lb = 3,0A
lc = 12 A, lb = 3,0A
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 8A, Ib = 1,3 А
lc = 8A, Ib = 1,3 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
15
35
180
10
1,0
5
1,5
25
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 20 A, Ib = 5,0 А
lc = 20A,lb = 5,0A
Vce = 5 В, lc=1,0A
lc=12A, lb = 2,0A
lc=12A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
0.1
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
25
50
250
10
1.0
5
1,5
25
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

304 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3JML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В, !е = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 20A, lb = 5,0A
|С = 4ОА, lb= 10,0 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 30A, lb = 5,0A
lc = 30A, Ib = 5,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
50
100
160
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5 A, lb = 1.25A
Ic = 5 A, Ib = 1,25 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 4 A, lb = 0,8A
lc = 4A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
_
-
15
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
16
60
10
130
5
1,5
25
0,2
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 305
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5A, Ib = 1,25А
lc = 5A, Ib = 1,25 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
|С = 4А, Ib = 0,8 А
lc = 4A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
16
60
10
130
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8A, Ib = 2,0 А
lc = 8A, lb = 2,0A
Vce = 5 В, Ic =1,0 А
|С = 6 A, Ib = 1,2 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
40
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
_
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
70
10
130
5
1.5
25
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

306 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности: Корпус TO-3PML SANYO
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 8 A, Ib = 2,0 А
Ic = 8 A, Ib = 2,0 А
Vce = 5 В, 1с=1,0А
lc = 6A, lb = 1,2 А
lc = 6A,lb = 1,2A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
70
10
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 16A, lb = 4,0A
lc=16A, lb = 4,0A
Vce = 5B, lc=1,0A
lc=12A, lb = 2,4A
lc=12A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
20
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
_
_
-
_
_
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
20
40
75
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 307
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3JML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 16A, lb = 4,0A
lc=16A,lb = 4,0A
Vce = 5B, lc = 1,0A
lc=12A, lb = 2,4A
lc=12A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
20
40
120
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce=1500B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=12A, lb = 3,0A
lc= 12 Alb = 3,0 А
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 8A, lb = 1,6A
lc = 8A, lb = 1,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
15
35
75
1.0
1.0
5
1,5
30
0.2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

308 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
:'% С* f^4 C^fl^ KptfMrtMeob-к UPH диффузионный- транзит
1я.%д5 %<* *J?*J V ч# вертки теп**етмр£:ных гшйеш-шЛо» с ЗЛТ вы^о^оя ч-еткопли
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo=1500B).
Корпус TO-3JML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 20 A, Ib = 5,0 А
lc = 20A, lb = 5,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc= 12 A, lb = 2,4A
lc= 12 A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
25
50
140
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo-1500B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор^база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 16 A, lb = 4,0A
Ic = 16 A, lb = 4,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 12 A, lb = 2,4A
lc= 12 A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
_
_
_
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
20
40
180
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 309
1 4 Л Л Крйм:-»^-;Вый NPM диффузионный транзистор дни выходных «аснздов строчной раз
'' ~"~ г1СВ!-о^уинь!а opi4v^HJ,!i<o8 с ЭЛТ высокой четкости
Корпус TO-3PBL SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo = 1500 В).
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 20 A, lb = 5,0A
lc = 20A, lb = 5.0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 A
lc=12A, lb = 2,4A
Ic = 12A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
25
50
210
1.0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hrE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
_
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7A, Ib = 1,75 А
lc = 7A, Ib = 1,75 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 6A, Ib = 1,0 А
Ic = 6 A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
10
25
70
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

310 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
ро-мни-лвыи ЫРы диффузионный трйнгшстир для «ь№одиых каскадом строчно
йоукя гояс-визиогшых ирп^мншоп с ЭЛТ высуши четкости
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce=1600B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 11 A, Ib = 2,75 А
Ic = 11 A. Ib = 2,75 А
Vce = 5B, lc = 1,0A
lc = 9 A, Ib = 1,5 А
lc = 9A,lb = 1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
15
35
75
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор^эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=14A, lb = 3,5A
lc=14A, lb = 3,5A
Vce = 5 В, lc=1,0A
lc=12A, lb = 2,0A
IC=12A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
_
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
_
_
-
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
20
40
75
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 311
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
з>ооо<е
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=18A, lb = 4,5A
Ic = 18 A, lb = 4,5A
Vce = 5B, lc = 1,0A
lc=15A,lb = 2,5A
|C=15A, lb = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
25
50
210
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
1с=14А, lb = 3,5A
lc=14A, lb = 3,5A
Vce = 5B,lc = 1,0A
lc=12A, lb = 2,0A
lc=12A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
_
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
20
40
180
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

312 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
I О О
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 12 A, lb = 3,0A
lc= 12 A, lb = 3,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 8 A, Ib = 1,6 А
Ic = 8 A, Ib = 1,6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
15
35
140
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
4-
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 11 A, lb = 2,75A
Ic = 11 A, lb = 2,75A
Vce = 5 В, 1с=1,0А
lc = 9A, lb = 1,5 A
lc = 9A, lb = 1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
_
-
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
15
35
140
1,0
1,0
5
1,5
30
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 313
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8A, lb = 2,0A
lc = 8A,lb = 2,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 A
Vce = 5 В, lc = 8,0A
|C = 6A, lb = 1,2A
lc = 6A, Ib = 1,2 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
20
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
85
10
1,0
1,0
5
1,5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер^
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 12 A, lb = 3,0A
lc= 12 A, lb = 3,0A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, lc= 12,0 А
lc = 6A, Ib = 1,2А
lc = 6A, Ib = 1,2А
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
_
_
20
4
_.
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
15
35
95
10
1,0
1,0
5
1,5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

314 Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo=1500B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В. le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 16A, lb = 4,0A
lc = 16 A, lb = 4,0A
Vce = 5B, Ic = 1,0А
Vce = 5 В, 1с=16,0А
lc = 6A, lb = 1,2 А
lc = 6A, Ib = 1,2А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
20
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
0,1
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
20
40
100
10
1,0
1,0
5
1.5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce= 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, Ib = 1,8 А
lc = 7,2A, Ib = 1,8 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 5A, Ib = 1,0А
lc = 5A,lb = 1,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
15
4
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
10
25
80
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 315
Kpimtmmibm NPM диффузионный транзистор дня выходных каскадов строчной раз- |
нертки телевизионных приемников-с ЭЛТ высота четкое?** |
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 10,8 A, lb = 2,7A
1с = 10,8А, lb = 2,7A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с = 12,0А
lc = 7A, Ib = 1,4А
lc = 7A,lb = 1,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
15
35
85
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
J
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
_
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce =1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 14,4A, lb = 3,6A
lc=14,4A, lb = 3,6A
Vce = 5B, Ic = 1,0А
Vce = 5 В, 1с = 16,0А
lc = 10A, lb = 2,0A
lc=10A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
_
_
15
4
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
_
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
20
40
95
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

316 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства SANYO
Кпем^швьт wFN д«фшушоиныи ^ианзпстор для выхояь
вэртки rQfimmmoHHi-Ал тишнтт с ЭЯТ в-ш-кой --относ
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
J
i f% К&сшииеаый UPH диффузионный транзистор д.п?
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 18 A, Ib = 4,5 А
|С = 18А, lb = 4,5A
Vce = 5B, lc = 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 20,0 А
Ic = 12 A, lb = 2,4A
lc= 12 A, lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
25
50
100
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, Ib = 1,8 А
lc = 7,2A, lb= 1,8 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
Ic = 5 A, Ib = 1,0 А
lc = 5A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
40
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
_
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
10
25
80
10
1,0
130
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 317
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 10,8 A, Ib = 2,7 А
lc= 10,8 A, lb = 2,7A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с = 12,0А
|С = 7 A, lb = 1,4 А
Ic = 7 A, Ib = 1,4 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
40
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
15
35
85
10
1,0
130
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
л
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Vf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, Ib = 1,8 А
lc = 7,2A, Ib = 1,8 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 8,0A
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
lce= 10 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
80
-
_
3
4
_.
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
12
36
85
10
1,0
800
3
1,5
11
7
0,2
3,0
2,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
В

318 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SC5698
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Vf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,5A. lb= 1.13A
lc = 4,5A,lb = 1,13A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 A
Ic = 3 A, Ib = 0,6 A
Ic = 3 A, Ib = 0,6 A
Ice = 6,5 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
40
-
-
5
4
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
16
65
10
1,0
130
3
1.5
7
0,2
3,0
2,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
В
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,5A, Ib = 1,13 А
lc = 4,5A,lb=1,13A
Vce = 5B,lc=1,0A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 A
lc = 3A,lb = 0,6A
Ic = 3 A, Ib = 0,6 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
:
_
_
5
4
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
_
-
-
_
_
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
16
65
10
1,0
1,0
3
1.5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 319
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
B>oOo<g
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
PC
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
|C = 14,4A, lb = 3,6A
lc=14,4A, lb = 3,6A
Vce = 5B, lc=1,0A
Vce = 5B, lc=16A
lc=10A, lb = 2,0A
lc = 10A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
20
40
140
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce =1500 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=18A, lb = 4,5A
lc = 18A,lb = 4,5A
Vce = 5B, lc = 1,0A
Vce = 5 В, Ic = 20 A
lc=12A, lb = 2,4A
lc = 12A,lb = 2,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
-
-
15
4
—
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
_
-
-
_
-
-
-
—
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
25
50
180
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3.0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

320 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SC
Корпус TO-3PMLH SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Vf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce= 1500B, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,0A, Ib = 1,0 А
lc = 4,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 4,5 А
Ic = 3 A, Ib = 0,5 А
lc = 3A, Ib = 0,5 А
Ice = 6,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
8
4
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
8
16
65
10
1,0
200
3
1,5
7
0,2
3,0
2,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
В
Корпус TO-3PMLH SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Vf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Времягустановления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6,3A, lb= 1.6A
lc = 6,3A, Ib = 1,6 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 7 А
Ic = 5 A, lb = 0,8A
lc = 5A, Ib = 0,8 А
Ice = 8,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
8
4
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
:
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
10
25
80
10
1,0
200
3
1,5
7
0,2
3,0
2,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 321
*! Кромиме&ый Hrii диффузионный транзистор для выхедщлд каскадов строчкой уа>
f»* sofii^v» т:-;псш*ии;ониых преемников с ЭЛ1 высокой четкости I
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Vf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 10 A, Ib = 2,5 А
Ic = 10 A, lb = 2,5 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 11 А
lc = 7A, lb = 0,9A
lc = 7A, lb = 0,9A
Ice =12,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
8
4
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
15
35
85
10
1,0
200
3
1,5
7
0,2
3,0
2,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
в
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6,3A, Ib = 1,6 А
lc = 6,3A, Ib = 1,6А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 7 А
lc = 5A, lb = 0,8A
Ic = 5 A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
10
4
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
:
_
:
_
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
10
25
80
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

322 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo=1600B).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
УеЬо
Ic
Icp
"тРс
Icbo
"ЧеЬо
Vce sat
Vbe sat
hFE
. Tf
r~ Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В. le = 0 В
Усе = 1600 В. Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 10 A, lb = 2.5A
lc= 10A, lb = 2,5A
Vce = 5 В. Ic = 1,0 А
Vce = 5 В. Ic = 11 А
lc = 7A. lb = 0,9A
lc = 7A, lb = 0.9A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
10
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
15
35
85
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
- Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
' hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc=13,5A. lb = 3,4A
Ic = 13,5 A, lb = 3,4A
Vce = 5 В, lc = 1,0A
Vce = 5 В, Ic = 15 A
lc=10A, lb = 1,6A
lc = 10 A, lb= 1,6 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
-
10
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
20
40
95
10
1.0
1,0
3
1,5
7
0,2
3.0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 323
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
|С=16А, lb = 4,0A
lc=16A, lb = 4,0A
Vce = 5B, lc= 1,0А
Vce = 5 В, 1с=18А
lc= 12A, lb = 2,0 A
Ic = 12 A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
10
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
25
50
100
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В'
В
А
А_
Вт_
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
-Высокая скорость переключения.
■ Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4A,lb = 1,0A
lc = 4A, Ib = 1,0А
Vce = 5B,lc = 1,0A
Vce = 5 В, Ic = 4,5 A
Ic = 3 A, Ib = 0,5 A
lc = 3A, lb = 0,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
-
-
-
-
10
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
5
8
16
65
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

324 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Кремниевый MPN диффузионный транзистоо дял выходных «декздое г.-
iCJ»/-%? верткм телевизионнь5)£ присм-н^ш-лв с ЭЛТ высокой ^кткести
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1700 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
k Vcbo
-Vceo
Vebo
Ic
л icp
~ PC
Icbo
- lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 10 A, Ib = 2,5 А
lc= 10 A, lb = 2,5A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 11 А
lc = 7A, lb = 0,9A
Ic = 7 A, lb = 0,9A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1700
800
5
15
35
95
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0.2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокая скорость переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1700 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
л
А
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямо смещенном диоде
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce=1600B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4A, Ib = 1,0А
lc = 4A, Ib = 1,0 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 4,5 А
Ice = 6,5 А
Ic = 3 A, lb = 0,5A
lc = 3A, lb = 0,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
40
-
-
10
4
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1700
800
5
8
16
80
10
1,0
130
3
1,5
7
2,0
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 325
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 13,5 A, lb = 3,4A
Ic = 13,5 A, lb = 3,4A
Vce = 5B, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 15 А
Ic = 10 A, Ib = 1,6 А
Ic = 10 A, Ib = 1,6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
10
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
—
-
-
Макс,
значе-
ние
1600
800
5
20
40
140
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А-
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС ;
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1600 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 16 A, lb = 4 А
lc= 16A, lb = 4A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 18 А
lc= 12 A, lb = 2 А
lc= 12 A, lb = 2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
10
4
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
:
_
:
_
-
Макс,
значе-
ние
1600
800
5
25
50
180
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

326 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Ктмнтаьт НРН дмфф/з^сжкый транзистор sm^ исходных каскадов «
верши телевизионных приемников с ЗЛ'Г въь.:оти *;етз'с?сти
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1700 В).
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
PC
Icbo
"lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
t "Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1700 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 13,5 A, Ib = 3,4 А
lc= 13,5 A, lb = 3,4 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 15 А
Ic = 10 A, Ib = 1,6 А
lc= 10A, lb= 1.6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
:
-
-
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
20
40
100
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1700B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce =1700 В, Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 13,5 A, lb = 3,4 А
Ic = 13,5 A, lb = 3,4A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 A
Vce = 5 В, lc = 15A
lc=10A, lb=1,6A
|C = 10A, lb=1,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
_
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
:
_
-
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
20
40
180
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 327
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1700B).
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 800 В, le = 0 В
Vce = 1700B,Rbe = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 16A, lb = 4А
Ic = 16 A, Ib = 4 А
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с = 18А
lc= 12 A, lb = 2 А
lc= 12 A, Ib = 2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
25
50
210
10
1,0
1,0
3
1,5
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
Ё'
В
А
А_
Вт
мкА
мА_
мА
В
В
МКС _
МКС
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
Корпус ТО-220АВ SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
параметры
Условия
-
-
-
_
-
Тс = 25° С
Vcb = 40 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5B, lc= 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 4 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 4 A, Ib = 0,4 А
lc = 4A, lb = 0,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
30
25
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
-
10
0,5
-
Макс,
значе-
ние
200
60
6
4,5
10
40
100
0,1
160
-
1
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
МГц
В
В

328 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Встроенный дэмпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя.
- Высокая скорость переключе-
ния.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
и.
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
, Icp
rtPc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 2A, lb = 0,6A
lc = 2A, lb = 0,6A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 2 А
Ice = 3 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
40
-
-
8
3
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3
12
50
1,0
10
130
5
1,5
6
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Встроенный дэмпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя.
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 2,5A, lb = 0,8A
1с = 2,5А, Ib = 0,8 А
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, lc = 2,5A
Ice = 4 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
8
3,5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
4
12
50
1,0
10
130
5
1,5
7
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 329
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния (tt= 100 не).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,0A, lb = 0,8A
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Vce = 5B,lc = 1,0A
Vce = 5 В, lc = 4,0A
Ice = 5 A
Ic = 4 A, Ib = 0,8 A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
8
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5
20
60
1,0
10
130
5
1,5
10
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния (tt= 100 не).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,0 А
Vce = 5B, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 4,0A
Ice = 6 А
|С = 4А, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
8
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
:
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
20
60
1,0
10
130
5
1,5
10
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

330 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния (tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
aVceo
rVebo
Ic
Icp
^.Pc
Icbo
^' lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
-' Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6,0A,lb=1,2A
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
Ice = 8 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
8
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
30
70
1,0
10
130
5
1,5
10
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния (tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
>E
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллектоое
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8,0A, Ib = 1,6А
lc = 8,0A, lb= 1,6 А
Vce = 5 В, 1с=1,0А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
Ice =10 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
8
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
:
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
30
70
1,0
10
130
5
1,5
10
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 331
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Ьре
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 2,0A, lb = 0,6 А
1с = 2,0А, lb = 0,6A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 3A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
8
3
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
3
12
50
1,0
10
1,0
5
1,5
6
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
"А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
MKCj
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B)
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 2,5A, lb = 0,8A
lc = 2,5A, lb = 0,8A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
Ic = 3 A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
:
_
-
-
8
3
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
:
_
-
_
:
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
4
12
50
1,0
10
1,0
5
1,5
7
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

332 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
#1С** T%*f, |3©/f Кремниевый МРМя^Ффузисииыи трзнзистор дай выездные кзс^ад'>«
Особенности: Корпус TO-3PML SANYO
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
/Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
8
5
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
5
20
60
1,0
10
1,0
5
1,5
10
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 5B, lc = 1,0A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1с = 4А, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
-
-
-
-
8
5
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
-
_
-
-
:
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
20
60
1,0
10
1,0
5
1,5
10
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 333
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 6,0A, Ib = 1,2А
1с = 6,0А, Ib = 1,2А
Vce = 5B, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
8
5
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
_
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
30
70
1,0
10
1,0
5
1,5
10
0,3
Еяи-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8,0A, Ib = 1,6 А
lc = 8,0 A, Ib = 1,6 А
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 8,0A
lc = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
-
_
8
5
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
-
-
-
_
-
_
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
30
70
1,0
10
1,0
5
1,5
10
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

334 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-220MF SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
a/cbo
Vceo '
Vebo
Ic
Alcp
Pc
■. Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Полоса частот эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 200 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 1 В, Ic = 1,0 А
Vce = 1 В, Ic = 5,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5,0 A, lb = 0,5A
1с = 5,0А) lb = 0,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
10
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
Макс,
зна-
чение
330
150
6
7
12
4
50
100
100
50
-
1
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
МГц
В
В
Особенности:
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-220ML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
hFE
fT
Vce sat
Vbe sat
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Полоса частот эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Условия
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vcb = 40 В, le = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0
Vce = 5B, lc= 1,0А
Vce = 5 ВJc = 4J) А
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 4,0A, lb = 0,4A
1с = 4,0А, lb = 0,4 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
30
25
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
_
:
10
0,5
-
Макс,
зна-
чение
200
60
6
4,5
10
30
100
100
160
_
1
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
МГц
В
В

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 335
И Wf'H. ДйффуЗЖУнНЫЙ
ДЛЯ ВЫХОДНЫХ
Корпус TO-3PML SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния (tt= 100 нс).
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5,0 A, Ib = 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с = 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Ice = 7 А
|с = 4А, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
40
-
-
8
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
:
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
20
60
1,0
10
130
5
1,5
8
2
0,3
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo = 1500 В).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 не).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с=1,0А
Vce = 5 В, lc = 5,0A
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
:
-
-
СЛ С»
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
0,1
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
7
20
60
1,0
10
1,0
5
1,5
8
0,3
Еди-
ницы
В
а
в
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

336 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo=1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния (tt= 100 нс).
иреш-шйвый НРЧ диффузионный транзистор Ш;>1 в^-*Х'~-д
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
lc = 5,0A, lb= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Ice = 7 А
lc = 4A, Ib = 0,8 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
15
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
20
60
1,0
10
130
5
1,5
30
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 5,0 A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 4A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
_
15
5
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
:
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
20
60
1,0
10
1,0
5
1,5
30
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 337
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния (t,= 100 не).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Ьре
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8,0A, Ib = 1,6А
lc = 8,0A, Ib = 1,6А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
Ice = 8 А
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
40
-
-
15
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
30
70
1,0
10
130
5
1,5
30
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключения
(tt= 100 нс).
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
lep
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 8,0 A, Ib = 1,6 А
Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 8,0A
Ic = 6 A, Ib = 1,2 А
Мин.
зна-
чение
_
_
-
-
_
-
-
_
_
_
20
5
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
_
-
-
_
_
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
30
70
1,0
10
1,0
5
1,5
35
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

338 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
J
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 3,15A, lb = 0,63 А
lc = 3,15A,lb = 0,63A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5B,lc = 3,5A
Ice = 6 А
lc = 2A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
10
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
15
60
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
й HPN диффузионный
^Qp для выходн
: каскадов ст
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 3,15A, lb = 0,63A
lc = 3,15 A, lb = 0,63A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, lc = 3,5A
Ice = 6 А
lc = 2A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
40
-
_
10
5
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
_
_
:
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
15
30
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 339
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 3,15 A, lb = 0,7A
lc = 3,15 A, lb = 0,7A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 3,5 А
Ice = 6 А
lc = 2A, lb = 0,8A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
40
-
-
15
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
15
35
1,0
10
130
5
1,Ь
30
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
«*> £ Коемнмевый ЫР?4 дй<ЬФ¥.*йо*ный транзистор дгш выходных каскадов строчном рг>
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,5A,lb = 0,9A
lc = 4,5A, lb = 0,9A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5 А
Ice = 8 А
Ic = 3 A, Ib = 0,6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
40
-
_
10
5
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
-
_
:
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
20
65
1,0
10
130
5
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

340 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
ый ЫРЫ
irsn выходные касхзлоч ет
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
J
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
PC
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, Ib = 1,44 А
lc = 7,2A, Ib = 1,44 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8 А
Ice = 8 А
lc = 5A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
40
-
-
15
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
10
25
80
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
J
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Пре
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 700 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, lb = 1,44 А
lc = 7,2A, lb= 1,44 А
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8 А
Ic = 5 A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
_
-
-
15
5
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
_
-
-
_
_
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
10
25
80
1.0
10
1,0
3
1,5
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 341
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
Vceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 700 В
1с = 100мА, lb = 0
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 10,8 A, Ib = 2,16 А
lc = 10,8 A, lb = 2,16 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с=12А
lc = 7 A, Ib = 1,4 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
700
-
-
-
15
5
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
—
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
15
35
85
1,0
10
-
1,0
3
1,5
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
В
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
J
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
_
_
-
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 700 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 3,15A, lb = 0,63A
lc = 3,15A, Ib = 0,63 А
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 3,5 А
Ic = 2 A, Ib = 0,4 А
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
-
_
-
15
5
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
_
-
:
_
_
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
6
15
60
1,0
10
1,0
3
1,5
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

342 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
£t Sff' КртАпт&ьм HPU диффузионный транзистор сцт выходных ;;§с
Корпус TO-3PMLH SANYO
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключения.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 700 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,5A, lb = 0,9A
lc = 4,5A, lb = 0,9A
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 5 А
lc = 3A, lb = 0,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
10
5
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
8
20
65
1,0
10
1,0
3
1,5
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
ЫРН диффузионный транзистор .Щ'5я выжохшык йасл<ад-_ш аооч
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 1,8A, lb = 0,36A
1с = 1,8А, lb = 0,36A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 2 А
Ice = 3 А
lc= 1.2A, lb = 0.24A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
5
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
:
-
-
:
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
3,5
9
25
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 343
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Л
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Ире
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2 A, lb= 1,44 А
Ic = 7,2 A, lb= 1,44 А
Vce = 5 В, 1с=1,0А
Vce = 5 В, Ic = 8 А
Ice = 8 А
lc = 5A, Ib = 1,0А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
15
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
10
25
35
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
_
-
Тс = 25° С
Vce =1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, lb=1,44A
lc = 7,2AJb=1,44A
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 8 А
lc = 5 A, lb = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
15
5
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
-
-
-
_
-
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
10
25
35
1,0
10
1,0
3
1,5
8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС

344 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
*f5'f ft ft €1 Крешгиевь.-й ЫРН дифс&у знойный тр.
Особенности: Корпус TO-3PML SANYO
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo=1600B).
- Высокая скорость переключения.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1600 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,0A, Ib = 1,75 А
1с = 7,0А, Ib = 1,75А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, Ic = 7 А
lc = 6A, Ib = 1,0 А
lc = 6 A, Ib = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
10
25
75
1,0
10
1,0
5
1,5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
то
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Пре
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1600 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
Ic = 11,0A, lb = 2,75A
Ic = 11,0 A, lb = 2,75A
Vce = 5B, lc=1,0A
Vce = 5 В, Ic = 11 A
lc = 9A, lb = 1,5A
lc = 9A, lb = 1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
15
35
75
1,0
10
1,0
5
1,5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 345
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1600 В).
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-3PML SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
PC
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce =1600 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 14,0A, lb = 3,5A
lc = 14,0 A, Ib = 3,5 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, 1с=14А
lc= 12 A, lb = 2,0A
lc = 12A, lb = 2,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
15
4
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
20
40
75
1,0
10
1,0
5
1,5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1600B).
- Высокая скорость переключения.
Корпус TO-3PBL SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tstg
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время установления
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1600 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
1с=18,0А, lb = 4,5A
lc = 18,0A, lb = 4,5A
Vce = 5B,lc = 1,0A
Vce = 5 В, lc= 18 А
lc = 15 A, lb = 2,5 А
lc=15A, lb = 2,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
_
_
15
4
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
6
25
50
210
1,0
10
1,0
5
1,5
30
7
0,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

346 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
■, =^*|»:#s|3tij #%; ц» щ ^% Кйеыш&вьт tiPU диффулиои^чый трй^зистор для выходных каскэдий строчной т
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc= 1,8 A, lb = 0,36A
lc= 1,8 А, 1Ь = 0,36А
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 2 А
Ice = 3 А
lc= 1,2 A, lb = 0,24A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
40
-
-
5
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
3,5
9
25
1.0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 3,15 A, Ib = 0,63 А
1с = 3,15А, lb = 0,63A
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 3,5 А
Ice = 6 А
Ic = 2,0 A, lb = 0,4A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
10
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
:
_
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
6
15
30
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 347
Корпус TO-3PMLH SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo =1500 В).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
l\
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0 '
lc = 4,5A, lb = 0,9A
lc = 4,5A, Ib = 0,9 А
Vce = 5B, Ic = 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Ice = 7 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
:
40
-
-
10
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
20
65
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Ире
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 2,7A, lb = 0,54A
Ic = 2,7 A, Ib = 0,54 А
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
Ice = 4 А
lc=1,8A, lb = 0,36A
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
:
40
-
-
10
5
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
:
_
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
5
12
25
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

348 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-220FI(LS) SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce=1500B,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 4,5A, Ib = 0,9 А
lc = 4,5A, lb = 0,9A
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 5,0A
Ice = 7 А
lc = 3,0A, Ib = 0,6 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
10
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
6
8
20
35
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Встроенный демпферный диод.
- Высокое напряжение пробоя
(Vcbo= 1500B).
- Высокая скорость переключе-
ния.
Корпус TO-3PMLH SANYO
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
I
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Пре
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Тс = 25° С
Vce = 1500 В,
Vcb = 800 В
Veb = 4 В, Ic = 0
lc = 7,2A, lb= 1,44 А
1с = 7,2А, lb= 1,44 А
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Vce = 5 В, lc = 8,0A
Ice = 8 А
Ic = 5,0 А, 1Ь= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
40
-
-
15
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
—
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
800
5
10
25
80
1,0
10
130
3
1,5
8
2
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 349
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, Ic = -3,5A
1с = -3,5А,1Ь = -0,2А
1С = -3,5 A, Ib = -0,2 А
Vce = -10 В, 1с = -0,7А
Ic = -3,5 А
RI = 8 Ом, Ic = -3,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-60
-40
-7
-7.0/-14
-1,5
25
-100
-100
-
-0,3
-1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, lc = -5,0A
Ic = -5,0 A, Ib = -0,25 А
1С = -5,0 A, Ib = -0,25 А
Vce = -10B,lc = -1,0A
Ic = -5,0 А
RI = 5 Ом, Ic = -5,0 А
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
-
70
_
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-60
-40
-7
-10/-20
-1,5
25
-100
-100
-
-0,3
-1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

350 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
РЫ? ДИффУЗМОгШЫй ГШйНЗрКЫЙ ТранЗ
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, lc = -6,0A
lc = -6,0A, lb = -0,3A
lc = -6,0A, lb = -0,3A
Vce = -10 В, 1с = -1,2А
Ic = -6,0 А
RI = 5 Ом, Ic = -6,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-60
-40
-7
-12/-24
-2,0
25
-100
-100
-
-0,3
-1.2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
h.E
Vce^sat
Vbe sat
Ft
Ton
! Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
—
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, Ic = -7,5 А
1С = -7,5 A, Ib = -0.4 А
Ic = -7,5 A, Ib = -0,4 А
Vce = -10B, Ic = -1,5A
Ic = -7,5 А
RI = 4Om, Ic = -7,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
70
—
—
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
_
-
_
_
50
_
-
Макс,
значе-
ние
-60
-40
-7
-15/-30
-2,0
30
-100
-100
_
-0,3
-1.2
_
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 351
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD ис-
полнении с низким напряжением
насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, Ic = -2,5A
Ic = -2,5A, lb = -0,25A
Ic = -2,5 A, Ib = -0,25 А
Vce = -10B,lc = -0,5A
Ic = -2,5 А
RI = 12Om, Ic = -2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-60
-АО
-7
-5.0/-10
-1L5
10
-100
-100
-
-0,3
-1.2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, lc = -5,0A
Ic = -5,0 A, lb = -0,5A
1С = -5,0 A, Ib = -0,5 А
Vce = -10B,lc = -1,0A
Ic = -5,0 А
RI = 5 Ом, Ic = -5,0 А
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
_
-
_
-
70
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
—
-
_
-
-
_
—
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-60
-40
-7
-10/-20
-1,5
10
-100
-100
-
-0,3
-1,2
_
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

352 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
креглнисвый PHP цщ
итз.-гмя
фузионный
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -80 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
Ьре
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2B, lc = -1,5 А
Ic = -1,5A, lb = -0,08A
1С = -1,5 A, Ib = -0,08 А
Vce = -10 В, lc = -0,3A
Ic = -1t5 A
RI = 20Om, Ic = -1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-80
-80
-7
-3,07-6,0
-1,0
10
-100
-100
-
-о,з
-1,2
-
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -80 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, Ic = -2,5A
Ic = -2,5A, Ib = -0,13 А
Ic = -2,5A, Ib = -0,13 А
Vce = -10 В, Ic = -0,5 А
Ic = -1,5 A
RI = 12Om, Ic = -1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-80
-80
-7
-5.0/-10
-1,5
10
-100
-100
_
-0,3
-1,2
_
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 353
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -80 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, Ic = -2,5A
Ic = -2,5A, lb = -0,25A
Ic = -2,5 A, Ib = -0,25 А
Vce = -10 В, lc = -0,5A
Ic = -2,5 А
RI = 12Om, Ic = -2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-80
-80
-7
-5.0/-10
-1,5
25
-100
-100
-
-о,з
-1,2
-
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = -80 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = -2 В, Ic = -3,5A
Ic = -3,5 A, Ib = -0,35 А
1с = -3,5А, lb = -0,35A
Vce = -10 В, lc = -0,7A
Ic = -3,5 А
RI = 8Om, Ic = -3,5A
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
-
70
_
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
_
_
_
50
-
-
Макс,
значе-
ние
-80
-80
-7
-7.0/-14
-2,0
25
-100
-100
_
-0,3
-1,2
_
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

354 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Кремниевый РНР рмффуз-лонпьт пленарный транзистор общего
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной тран-
зистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = -100 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
Ире
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = -100B,
Veb = -7 В
Vce = -3B, lc = -1,0A
1с = -1,0А, 1Ь = -2,0мА
lC = _1t0A, 1Ь = -2,0мА
Vce = -10 В, lc = -0,4A
Ic = -1,0 А
RI = 25Om, Ic = -1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
-100
-100
-7
-4.0/-6.0
-0,3
25
-100
-5,0
ЗОК
-1,5
-2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = -100 В.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Широкая область
безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hpE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = -100B,
Veb = -7 В
Vce = -3 В, Ic = -3,0 А
Ic = -3,0 A, Ib = -5,0 мА
Ic = -3,0 A, Ib = -5,0 мА
Vce = -10 В, Ic = -0,7 А
Ic = -3,0 А
RI = 10Om, Ic = -3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
_
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
_
_
20
_
-
Макс,
значе-
ние
-100
-100
-7.0/-10
-0,5
30
-100
-5,0
ЗОК
-1,5
-2
_
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 355
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = -100 В.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Широкая область
безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
Hfe
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер^
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = -100B,
Veb = -7 В
Vce = -3B, lc = -5,0A
lc = -5,0A, 1Ь = -10,0мА
lc = -5,0A, 1Ь = -10,0мА
Vce = -10B, 1с = -1,0А
Ic = -5,0 А
RI = 6Om, Ic = -5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
-100
-100
-7
-10/-15
-0,8
35
-100
-5,0
ЗОК
-1,5
-2
-
1
5
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = -100 В.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = -100B,
Veb = -7 В
Vce = -3B, lc = -10A
|С = _ю,0 А, 1Ь = -20,0мА
1с = -10,0А, 1Ь = -20,0мА
Vce = -10 В, 1с = -1,5А
1с = -15,0А
RI = 2Om, Ic = -15,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5 К
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
-
_
20
-
-
Макс,
значе-
ние
-100
-100
-7
-15/-22
-1,0
100
-100
-5,0
ЗОК
-1,5
-2
_
2
3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

356 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = -100B.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = -100B,
Veb = -7 В
Vce = -3B, lc = -10A
lc= 10 А, 1Ь = -20,0мА
Ic = -10 А, 1Ь = -20,0мА
Vce = -10 В, 1с = -1,5А
1с = -15А
RI = 2Om, Ic = -15A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
-100
-100
-7
-15/-22
-1,0
65
-100
-5,0
15К
-1,5
-2
-
1
2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5B,lc = 1,5A
lc= 1,5 A, lb = 0,3 А
lc= 1,5 A, Ib = 0,3 А
Vce =10 В, lc = 0,3 А
lc= 1,5 А
RI = 100Om, Ic= 1,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
_
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
3,0/6,0
1,0
40
100
100
_
1,0
1,5
_
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 357
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 1,5 А
lc= 1,5 A, lb = 0,3A
Ic = 1,5 A, Ib = 0,3 А
Vce = 10 В, !с = 0,ЗА
Ic = 1,5 А
RI = 100Om, Ic = 1,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
3,0/6,0
1,0
40
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
lc = 2,5A,lb = 0,5A
lc = 2,5 A, lb = 0,5 А
Vce = 10 В, lc=0,5A
lc = 2,5A
RI = 60Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
20
_
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
5,0/10
2,0
50
100
100
_
1,0
1,5
_
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

358 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
амтш&ып ЫРН диффузионный гшанзрный
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
1с = 2,5А, lb = 0,5A
lc = 2,5A, lb = 0,5 А
Vce =10 В, !с = 0,5А
lc = 2,5A
RI = 60Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
5,0/10
2,0
30
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
1с = 4,0А, lb = 0,8A
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0,8 А
lc = 4,0A
RI = 37,5Om, Ic = 4,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
8,0/16
4,0
60
100
100
_
1,0
1,5
_
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 359
>С|цГ Крладимееыг! НРЫ диффулионный гшанзоный транзистор х.ш
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
иоточинков
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
1с = 4,0А, lb = 0,8A
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0,8A
lc = 4,0A
RI = 37,5Om, Ic = 4,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
8,0/16
4,0
45
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
1с = 4,0А, lb = 0,8A
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Vce = 10B,lc = 0,8A
lc = 4,0A
RI = 37,5 Ом, Ic = 4,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
20
_
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
8,0/16
4,0
80
100
100
-
1,0
1,5
_
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

360 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
lc = 5,0A
RI = 30Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
10/20
4,0
100
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, lc = 7,5A
lc = 7,5 A, !b= 1,5 А
lc = 7,5 A, lb= 1,5 А
Vce = 10 В, lc= 1,5 А
lc = 7,5A
RI = 20Om, Ic = 7,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
15/30
6,0
130
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 361
Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 10 А
!с = 10 A, lb = 2,0A
Ic = 10 A, Ib = 2,0 А
Vce = 10 В, lc = 2,0A
lc= 10 А
RI = 15Om, Ic = 10 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
20/40
7,0
150
100
100
-
1,0
1,5
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
^мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с низким напряжением насыще-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 3,5 А
lc = 3,5A, Ib = 0,2 А
1с = 3,5А, lb = 0,2A
Vce =10 В, lc = 0,7A
lc = 3,5A
RI = 8Om, Ic = 3,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
-
_
-
50
_
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
7,0/14
1,5
25
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

362 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с низким напряжением насыще-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 5,0 А
|С = 5,ОА, lb = 0,25A
lc = 5,0A, lb = 0,25A
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
lc = 5,0A
RI = 5Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
10/20
1,5
25
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с низким напряжением насыще-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 6,0 А
1с = 6,0А, lb = 0,3A
1с = 6,0А, lb = 0,3A
Vce =10 В, 1с=1,2А
lc = 6,0A
RI = 5Om, Ic = 6,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
50
-
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
12/24
2,0
25
100
100
_
0,3
1,2
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 363
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с низким напряжением насыще-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
l_ Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, lc = 7,5A
lc = 7,5A, lb = 0,4A
Ic = 7,5 A, Ib = 0,4 А
Vce = 10 В, lc= 1,5 А
lc = 7,5A
RI = 4Om, Ic = 7,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
15/30
2,0
30
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных транзи-
сторов с высокой скоростью переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 1,0A, lb = 0,2A
lc= 1.0 A, Ib = 0,2 А
Vce = 10 В, lc = 0,2A
Ic = 1,0 А
RI = 250Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
_
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
2,0/4,0
1,0
50
100
100
_
1,0
1,5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

364 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 1,0A, lb = 0,2A
lc= 1,0A, lb = 0t2A
Vce = 10 В, Ic = 0,2 А
lc = 1,0 А
RI = 250Om, Ic = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
2,0/4,0
1.0
30
100
100
-
1,0
1.5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
L lc= 1,0 A, Ib = 0,2 А
lc= 1,0 A, lb = 0,2A
Vce = 10 В, lc = 0,2A
lc= 1,0 А
RI = 250Om, Ic = 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
8
_
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
_
-
_
8
_
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
2,0/4,0
1,0
70
100
100
_
1,0
1,5
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высюкой скоростью переключения производства SHINDENGEN 365
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных транзи-
сторов с высокой скоростью переключе-
ния.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, 1с = 1,5 А
|С= 1.5 A, Ib = 0,3 А
1с=1,5А, Ib = 0,3 А
Vce =10 В, lc = 0,3A
lc= 1,5 А
RI = 170Om, Ic= 1,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
3,0/6,0
1,0
60
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 1,5 А
lc = 1,5 A, lb = 0,3A
Ic = 1,5 A, lb = 0,3A
Vce = 10 В, lc = 0,3A
Ic = 1,5 А
RI = 170Om,Ic=1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
8
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
3,0/6,0
1,0
L_ 45
100
100
_
1,0
1,5
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

366 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5B,lc=1,5A
Ic = 1,5A, lb = 0,3A
Ic = 1,5 A, Ib = 0,3 А
Vce = 10 В, lc = 0,3A
lc= 1,5 А
RI = 170Om, Ic = 1,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
3,0/6,0
1,0
80
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A,lb = 0,6A
1с = 3,0 А, 1Ь = 0,6А
Vce =10 В, lc = 0,6A
lc = 3,0A
RI = 85Om, Ic = 3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
_
-
-
8
_
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
6,0/12,0
3,0
100
100
100
_
1,0
1,5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 367
Особенности: Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер^база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1с = 5,0А, 1Ь=1,0А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, 1с=1,0А
lc = 5,0A
RI = 50Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
10/20
4,0
150
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
1с = 4,0А, lb = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,8A
lc = 4,0A
RI = 37,5Om, lc = 4,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
10
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
8,0/16
4,0
80
50
100
-
1,0
1,5
_
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

368 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 7,5 А
lc = 7,5 ALlb= 1,5 А
lc = 7,5A, Ib = 1,5 А
Vce =10 В, lc= 1,5 А
lc = 7,5A
RI = 20Om, Ic = 7,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
15/30
6,0
75
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hpE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5B,lc=1,5A
Ic = 1,5 A, Ib = 0,3 А
Ic = 1.5 A, «b = 0,3 А
Vce = 10 В, Ic = 0,3 А
lc= 1,5 А
RI = 170Om, Ic = 1,5 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
8
_
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
_
-
_
_
8
_
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
3,0/6,0
1,0
50
100
100
_
1,0
1,5
_
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 369
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0 A, lb = 0,6A
lc = 3,0A, lb = 0,6 А
Vce = 10 В, lc = 0,6A
lc = 3,0A
RI = 85Om,Ic = 3,0A
Мин.
значе
ние
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
6,0/12,0
3,0
65
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo= 1200B.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
tVc
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0 А
Vce = 10B,lc=1,0A
lc = 5,0A
RI = 50Om, Ic=5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
8
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
800
7
10/20
4,0
85
100
100
-
1,0
1,5
_
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

370 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
!<реаднис??«ый НРН диффузионный ппшариьт транзистор ium имчуиыа^^ж исгочникоз
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 250 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, lc = 2.5A
lc = 2,5A, lb = 0,5A
lc = 2,5A, lb = 0,5A
Vce = 10 В, lc = 0,5A
lc = 2,5A
RI = 60Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
Макс,
значе-
ние
250
200
7
5,0/10
2,0
25
100
100
25
1,0
1,5
-
о.з
0,1
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 250 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективногоусиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 4,0 А
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,8A
1с = 4,0А
RI = 37,5Om, Ic = 4,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
10
_
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
_
_
_
13
_
-
Макс,
значе-
ние
250
200
7
8,0/16
3,0
30
100
100
25
1,0
1,5
-
0,3
0,1
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 371
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 3,5 А
lc = 3,5A, lb = 0,2A
1с = 3,5А, lb = 0,2A
Vce =10 В, lc = 0,7A
lc = 3,5A
RI = 8Om, Ic = 3,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
L_ -
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
7,0/14
1,5
10
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
■ Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, lb = 0,5 А
lc = 5,0 A, lb = 0,5 А
Vce=10B,lc=1,0A
lc = 5,0A
RI = 5Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
_
-
_
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
10/20
1,5
10
100
100
_
0,3
1,2
-
0,3
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

372 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
' HP:
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
PC
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, lc = 2,5A
|С = 2,5А, lb = 0,5A
lc = 2,5A, Ib = 0,5 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
lc = 2,5A
RI = 60Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
Макс,
значе-
ние
500
400
7
5,0/10
2,0
35
100
100
25
1,0
1,5
-
0,3
0,1
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, lc = 4,0A
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0,8A
lc = 4,0A
RI = 37,5Om, Ic = 4,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
Макс,
значе-
ние
500
400
7
8,0/16
3,0
30
100
100
45
1,0
1,5
-
0,3
0,1
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 373
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с низким напряжением насыще-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
_
-
-
-
Т = 25°С
_
_
Vce = 2 В, Ic = 15 А
Ic = 15 A, lb = 0,75A
Ic = 15 A, lb = 0,75 А
Vce = 10 В, lc=3,0A
Ic = 15 А
RI = 2Om, Ic= 15 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
60
40
7
30/60
4,0
45
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0.5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
_
_
-
Т = 25°С
_
-
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 3,0A, Ib = 0,6 А
1с = 3,0А, lb = 0,6 А
Vce = 10 В, lc = 0,6A
lc = 3,0A
RI = 85Om, Ic = 3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
_
_
15
-
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
_
_
_
_
8
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
7
6,0/12
3,0
65
100
100
_
1,0
1,5
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

374 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 2,0 Alb = 0,4 А
lc = 2,0 Alb = 0,4 А
Vce=10Blc = 0,4A
lc = 2,0A
RI = 75 Ом, Ic = 2,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Макс,
значе-
ние
1200
550
7
4,0/8,0
2,0
30
100
100
-
1,0
1,5
-
0,8
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных
транзисторов с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo =1500 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективногсгусиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 5B,lc = 1,0A
lc = 3,0A, Ib = 0,6 А
1с = 3,0А, lb = 0,6A
Vce = 10 В, lc = 0,6A
lc = 3,0A
RI = 85Om,Ic = 3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
15
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
_
_
-
8
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
800
7
6,0/12
3,0
65
100
100
_
1,0
1,5
0,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 375
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, lc = 1,5 А
lc= 1,5A, lb = 0,08A
Ic = 1,5A, lb = 0,08A
Vce = 10 В, lc = 0,3A
1с=1,5А
RI = 20Om, Ic=1,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
100
80
7
3,0/6,0
1,0
10
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус E-pack (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия транзисторов в SMD испол-
нении с низким напряжением на-
сыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2B,lc = 2,5A
lc = 2,5A, Ib = 0,13 А
1с = 2,5А, Ib = 0,13 А
Vce =10 В, lc = 0,5 А
lc = 2,5A
RI = 12Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
-
-
-
70
_
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
_
_
50
-
-
Макс,
значе-
ние
100
80
L 7
5,0/10
1,5
10
100
100
_
0,3
1,2
_
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

376 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов
с низким напряжением насыще-
ния.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Высокая скорость переключения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 2,5 А
lc = 2,5A, Ib = 0,13 А
lc = 2,5A, Ib = 0,13 А
Vce = 10 В, lc = 0,5A
lc = 2,5A
RI = 12Om, Ic=2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
100
80
7
5,0/10
1,5
25
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Высокая скорость переключения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 3,5 А
lc = 3,5A, lb = 0,2A
lc = 3,5A, lb = 0,2 А
Vce = 10 В, lc = 0,7A
lc = 3,5A
RI = 8Om, Ic = 3,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
50
_
-
Макс,
значе-
ние
100
80
7
7,0/14
1,5
25
100
100
-
0,3
1,2
-
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 377
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Особенности:
- Серия мощных транзисторов с
низким напряжением насыщения.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Высокая скорость переключения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
-
Vce = 2 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, lb = 0,25A
lc = 5,0A, lb = 0,25A
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
!с = 5,0 А
RI = 5Om, lc = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
Макс,
значе-
ние
100
80
7
10/20
1,5
25
100
100
-
0,3
1,2
0,3
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус FTO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя
Vcbo = 600 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной
работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
О
12 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
-
_
Vce = 5 В, Ic = 2,5 А
lc = 2,5A, lb = 0,5 А
1с = 2,5А, 1Ь = 0,5А
Vce = 10 В. lc = 0,5A
lc = 2,5A
RI = 60Om, Ic = 2,5A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
10
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
-
20
-
Макс,
значе-
ние
600
450
7
5,0/10
2,0
30
100
100
-
1,0
1,5
-
0,5
0,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МГц
МКС
МКС

378 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
Кремниевый NPM диффузионный пшнар
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный составной транзистор.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=100B,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, 1Ь = 3,0мА
lc = 3,0A, 1Ь = 3,0мА
Vce =10 В, lc = 0,5A
lc = 5,0 А
RI = 5Om, Ic = 5,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5 К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
100
100
7
5,0/8,0
0,5
30
100
5,0
30 К
1,5
2
-
2
3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный составной транзистор.
- Напряжение пробоя Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3B, lc = 3,0 А
lc = 3,0A, 1Ь = 5,0мА
lc = 3,0A, 1Ь = 5,0мА
Vce = 10 В, lc = 0,5A
lc = 3,0A
RI = 10Om, Ic = 3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
1,5 К
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
_
-
_
-
_
20
_
-
Макс,
значе-
ние
200
200
7
5,0/8,0
0,5
30
100
5,0
30 К
1,5
2
_
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 379
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный составной транзистор.
- Напряжение пробоя Vcbo = 100 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=100B,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, 1Ь = 6,0мА
lc = 5,0 А, 1Ь = б,0мА
Vce = 10 В, lc = 0,8A
lc = 8,0A
RI = 3Om, Ic = 8,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5 К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
100
100
7
8,0/12
0,5
50
100
5,0
30 К
1,5
2
-
2
3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный составной транзистор.
- Напряжение пробоя Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 5,0 А
Ic = 5,0 A, lb = 10,0 mA
lc = 5,0A, 1Ь=10,0мА
Vce = 10B,lc = 0,8A
lc = 5,0A
RI = 5Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
-
1,5 К
-
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
_
_
_
20
-
Макс,
значе-
ние
200
200
7
8,0/12
0,5
50
100
5,0
30 К
1,5
2
_
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

380 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
1 %JiL%J
MFU д^щфуля
Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер^
Коллектор
Особенности:
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo =100 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Корпус МТО-ЗР (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=100B,
Veb = 7 В
Vce = 3B, Ic = 10 А
lc = 10,0 А, 1Ь = 20,0мА
lc = 10,0 А, 1Ь = 20,0мА
Vce = 10 В, lc= 1,5 А
1с=15,0А
RI = 2Om, Ic= 15,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5 К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
100
100
7
15/22
1,0
100
100
5,0
30 К
1,5
2
-
2
3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3B, lc = 10A
lc= 10,0 А, 1Ь = 30,0мА
lc = 10,0 А 1Ь = 30,0мА
Vce =10 В, lc= 1,5 А
lc = 10,0 А
RI = 3Om, Ic= 10,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
20
_
-
Макс,
значе-
ние
200
200
7
15/22
1,0
100
100
5,0
ЗОК
1,5
2
_
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 381
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo= 100 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=100B,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 1,0 А
lc = 1,0 А, 1Ь = 2,0мА
lc = 1.0 А, 1Ь = 2,0мА
Vce = 10 В, lc = 0,4A
lc= 1,0 А
RI = 25Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
100
100
7
4,0/6,0
0,3
25
100
5,0
ЗОК
1,5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3B,lc=1,0A
Ic = 1,0 А, 1Ь = 2,0мА
lc= 1,0 А 1Ь = 2,0мА
Vce = 10 В, lc = 0,4A
lc = 1,0 А
RI = 25Om, Ic=1,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
7
4,0/6,0
0,3
25
100
5,0
ЗОК
1,5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

382 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
гран
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 60 В.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Широкая область
безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =40 В,
Veb = 7 В
Vce = 3B, Ic = 1,0 А
|С= 1,0А, !Ь = 2,0мА
Ic = 1,0 А, 1Ь = 2,0мА
Vce =10 В, !с = 0,4А
Ic = 1,0 А
RI = 25Om, Ic= 1,0 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
60
60
7
4,0/6,0
0,3
25
100
5,0
ЗОК
1,5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo =100 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =100 В,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0 А, 1Ь = 5,0мА
1с = 3,0А, 1Ь = 5,0мА
Vce =10 В, lc = 0,7A
lc = 3,0A
RI = 10Om, Ic = 3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
100
100
7
7,0/10
0,5
30
100
5,0
ЗОК
1.5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 383
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 3,0 А
1с = 3,0А, 1Ь = 5,0мА
lc = 3,0A, 1Ь = 5,0мА
Vce = 10 В, lc = 0,7A
lc = 3,0A
RI = 10Om, Ic = 3,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
7
7,0/10
0,5
30
100
5,0
ЗОК
1,5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo= 100 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения
- Широкая область безо-
пасной работы.
■ Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =100 В,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, lb= 10,0 мА
1с = 5,0А, 1Ь = 10,0мА
Vce = 10 В, lc= 1,0 А
lc = 5,0A
RI = 6Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
_
-
-
_
_
20
-
-
Макс,
значе-
ние
100
100
7
10/15
0,5
50
100
5,0
ЗОК
1,5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

384 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
7Q&
Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3 В, Ic = 5,0 А
1с = 5,0 А, 1Ь= 10,0 мА
lc = 5,0A, 1Ь=10,0мА
Vce =10 В, lc= 1,0 А
lc = 5,0A
RI = 6Om, Ic = 5,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
7
10/15
0,5
50
100
5,0
ЗОК
"ел
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности: Корпус ITO-220 (SHINDENGEN)
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 500 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =500 В,
Veb =12 В
Vce = 2 В, lc = 7,0A
|С = 7,ОА, 1Ь = 70,0мА
lc = 7,0A, 1Ь = 70,0мА
Vce = 10 В, 1с=1,0А
lc = 7,0A
RI = 10Om, Ic = 7,0A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
10
_
-
Макс,
значе-
ние
500
400
12
10/15
0,5
50
100
100
ЗОК
"ел
2
_
2
15
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN 385
Корпус ITO-3P (SHINDENGEN)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный составной
транзистор.
- Напряжение пробоя
Vcbo = 200 В.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Широкая область безо-
пасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Icbo
iebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Ft
Ton
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время включения
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb =200 В,
Veb = 7 В
Vce = 3B, Ic = 10 А
Ic = 10 A, lb = 30,0 mA
lc= 10 А, 1Ь = 30,0мА
Vce = 10 В, lc= 1,5 А
Ic = 10 А
RI = 3Om, Ic= 10 А
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5К
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Макс,
значе-
ние
200
200
12
15/22
1,0
65
100
5,0
ЗОК
1,5
2
-
2
5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС
МКС

386 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства
ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Высокое напряжение про-
боя.
- Неизолированный корпус.
ЫРЫ элитаксмапьный чшзотраи
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 1500 В, Veb = 0 В,
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 4,5A, lb = 2,0A
lc = 4,5A, Ib = 2,0 А
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
7
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
15,0
150
1,0
100
1
1,3
-
0,55
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Высокая надежность
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1W2I
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный^ £ 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B, Veb = 0 В,
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 2,0A, lb = 0,9A
lc = 2,0A, lb = 0,9A
1 = 1,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
0,35
Макс,
зна-
чение
1500
700
7
2,5
4,0
1
75
150
1,0
5
1,3
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МГц
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 387
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0B
lc = 0B
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B,
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 4,5 А
lc = 4,5A, lb = 2,0 А
1с = 4,5А, lb = 2,0A
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
—
-
-
-
-
7
0,55
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
15,0
125
1,0
0,1
10
5
1,3
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
мА
мА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
1 2 3
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0 В
Ib = 0 В
lc = 0B
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B,
Т = 25°С
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 4,5A
lc = 4,5A, lb = 2r0A
lc = 4,5A, lb = 2,0A
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
—
-
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
_
_
_
7
0,55
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
15,0
50
1,0
100
10
1
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС

388 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный со-
ставной транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Ices
lebo
fT
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
1 = 5,0 А
1с = 5,0 А, 1Ь = 2,0А
1с = 5,0 А, 1Ь = 2,0А
1=4,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
0,55
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
15,0
3
8
50
1,0
300
-
1
1,3
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
МГц
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольт-
ный составной транзи-
стор с высокой скоро-
стью переключения.
- Высокое напряжение
пробоя.
- Встроенный демпфер-
ный диод
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1400B, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 0,5 А
lc = 5,0A, lb = 0,5A
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
60
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
_
_
-
-
-
-
_
-
0,8
Макс,
зна-
чение
1400
700
5
8,0
10,0
3
6
52
400
100
230
1,6
2,1
3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 389
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 2,5A, lb = 0,25A
lc = 2,5A, lb = 0,25A
I = 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
0,04
Макс,
зна-
чение
1000
450
7
7,5
15,0
3
4,5
80
0,1
1,0
10
2,8
1,5
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-220FP
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Icp
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
lc = 2,5A, lb = 0,25A
lc = 2,5A, lb = 0,25A
I = 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
7
0,04
Макс,
зна-
чение
1000
450
7
7,5
15,0
3
4,5
39
0,1
1,0
10
2,8
1,5
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МГц
МКС

390 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ТО-218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 10,0 A, lb = 2,0A
1с=10,0А, Ib = 0,2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,04
Макс,
зна-
чение
850
450
7
15,0
30,0
3
4,5
125
200
1,0
2
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t < 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
^ Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 10,0A, Ib = 2,0 А
lc= 10,0 A, Ib = 0,2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
0,5
1,1
0,04
Макс,
зна-
чение
1000
450
7
15,0
30,0
3
4,5
125
200
1,0
2
1,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 391
изльный птчщтът транзистор дли импупьсн'.-'х жточнико^ |
Ctl
гч-гсаиия it tx€'M урозопе
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 20A,lb = 2,0A
Ic = 20 A, Ib = 2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
1.1
0,04
Макс,
зна-
чение
850
450
7
30
60
6
9
200
200
1,0
2
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
м«с
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb = 1000,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 20,0A,lb = 2,0A
Ic = 20,0 A, Ib = 2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
_
-
_
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
-
_
_
-
0,04
Макс,
зна-
чение
1000
450
7
30
60
6
9
200
200
1,0
2
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

392 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Высокое напряжение про-
боя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-3
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t < 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t < 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 20,0lb = 2,0A
Ic = 20 A Ib = 2 0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,04
Макс,
зна-
чение
850
450
7
30
60
6
9
200
200
1,0
2
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t ^ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, 1с=10,0А
lc= 10,0 A, Ib = 2,0 А
1с = 10,0А, lb = 2,0A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
14,0
18,0
8
11
160
200
100
14
1,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 393
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t <, 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 10,0 А
lc= 10,0 A, Ib = 2,0 А
Ic = 10.0 A, lb = 2,0A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
14,0
18,0
8
11
70
200
100
14
1,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Корпус ТО-218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 12,0 А
lc=12,0A, lb = 2,4A
lc = 12,0 A, Ib = 2,4 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
0,18
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
16,0
22,0
9
12
200
200
100
14
1,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

394 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cob
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 2000 В, Veb = 0 В
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 10 В, 1с = 2,0мА
Ic = 2,0 мА, Ib = 400 мкА
Ic = 2,0 мА, Ib = 400 мкА
F = 1 МГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
Макс,
зна-
чение
2000
1200
5
30
40
20
5,0
10
-
5
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
мкА
мкА
В
В
пФ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500 В, Veb = 0 В
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
1с = 3,0А, lb = 0,75A
1с = 3,0А, lb = 0,75A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,27
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
6,0
12,0
3
5
44
200
100
12
1,5
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 395
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
1 2 3
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 3,0A
lc = 3,0A, Ib = 1,0 А
lc = 3,0A, Ib = 1,0А
1 = 3,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,35
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
6,0
12,0
3
5
44
200
300
9
1,5
1,5
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС
Корпус TO-220FH
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 3,0A
lc = 3,0 A Ib = 1,0 А
lc = 3,0 A lb= 1,0 А
1 = 3,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,35
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
6,0
12,0
3
5
40
200
300
9
1,5
1,5
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

396 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t s 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,25 А
lc = 5,0 A, lb= 1,25 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
12,0
5
8
50
200
100
12
1,5
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
1 2 3
j
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
Пре
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0 A, lb= 1,25 А
1с = 5,0А, lb= 1,25 А
1 = 3,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
5
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
_
-
_
-
0,45
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
8,0
12,0
5
8
50
200
200
10
1,5
1,3
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 397
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
. о.
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0A, lb = 2,5A
lc = 6,0A, lb = 2,5A
I = 3,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
5
8,0
12,0
5
8
55
200
300
9
1,5
1,3
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
_
-
_
_
_
Т = 25°С
Vcb=1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5B,lc = 7,0A
Ic = 7,0 A, lb= 1,5 А
Ic = 7,0 A, Ib = 1,5 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
_
-
-
-
_
-
8
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
_
_
_
-
_
_
-
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
10,0
20,0
5
10
57
1,0
100
16
1,5
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МКС

398 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo(br)
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Vce sat
Vbe sat
hF£
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
Ic = 0 В, le = 1 мА
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1100B, Veb = 0 В
Ic = 1,0 A, lb = 02A
lc= 1,0 A, lb = 0 2 А
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
12
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
0,4
Макс,
зна-
чение
1100
450
24
3,0
6,0
1,5
3,0
70
100
1
1,5
15
0,7
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1100B,Veb = 0B
Veb = 12B, lc = 0 В
lc = 1,0 A, lb = 0 4 А
lc = 1,0 A, lb = 0.4A
Vce = 5B,lc = 2,0A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
-
_
-
12
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
-
_
_
_
-
0,4
Макс,
зна-
чение
1100
450
12
4,0
L8.0
2,0
4,0
70
100
1,0
1
1,5
20
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 399
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Icbo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t :£ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
lc= 1,0 A, lb = 0 2 А
lc= 1,0 A, Ib = 0 2 А
Vce = 5 В, lc = 0,5A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,16
Макс,
зна-
чение
700
400
18
3,0
6,0
1,5
3,0
60
100
1
1,2
22
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
-
lc = 0B
-
-
-
_
Т = 25°С
Vcb=1200B,Veb = 0B
lc = 2,0A, lb = 04A
lc = 2,0A, lb = 0.4A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
9
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1200
550
9
5,0
8,0
2,0
4,0
100
100
0,7
1,5
28
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС

400 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Icbo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t < 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
-
-
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1400B, Veb = 0B
lc = 0,5A,lb = 005A
lc = 0,5A, Ib = 0.1 А
Vce = 5 В, Ic = 0,8 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,35
Макс,
зна-
чение
1400
650
11
3,0
6,0
2,0
4,0
80
1,0
2,5
1,0
-
-
Еди.
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1300B,Veb = 0B
lc = 0,5A, Ib = 0 1 А
lc = 0,5A, lb = 0 1 А
Vce = 5 В, 1с = 10,0мА
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
_
12
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
_
-
_
_
0,38
Макс,
зна-
чение
1300
600
9
3,0
6,0
2,0
4,0
60
0,1
0,5
1,2
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 401
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1U2U Уз
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1600B, Veb = 0B
lc = 1,0 A, lb = 0 2 А
lc= 1,0A, lb = 02A
Vce = 5 В, 1с=10,0мА
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,6
Макс,
зна-
чение
1600
800
9
4,0
6,0
2,0
4,0
90
0,1
1,0
1,2
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС
Особенности:
■ Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1W2W VJ3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
Vce sat
Vbe_sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B,Veb = 0B
lc= 1,0 A, lb = 0 2 А
Ic = 1,0 A, lb = 0.2A
Vce = 5 В, 1с = 10,0мА
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1000
500
9
5,0
10,0
3,0
4,0
75
0,1
0,5
1,0
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС

402 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус TO-220FP
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B,Veb = 0B
lc= 1,0A, lb = 02A
Ic = 1,0A, lb = 0.2A
Vce = 5 В, 1с=10,0мА
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1000
500
9
5,0
10,0
3,0
4,0
36
0,1
0,5
1,0
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-220FH
Вывод
1
2
"3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t < 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1150B, Veb = 0B
Vce = 2,5 В, lc = 3,0A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
1с = 3,0А, lb = 0,6A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
8
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
_
-
-
_
-
_
_
0,15
Макс,
зна-
чение
1150
500
9
5,0
10,0
3
4
36
1,0
16
1,1
1,2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 403
11
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
дп« сыходн^х каскадов с?р
Корпус TO-220FP
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1150B, Veb = 0B
Vce = 2,5 В, Ic = 3,0 А
lc = 3,0A, lb = 0,6A
lc = 3,0A, lb = 0,6A
-
Мин.
зна-
чение
-
, -
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
1150
500
9
5,0
10,0
3
4
36
1,0
13,5
1,1
1,2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Высокая надежность.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
T
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t < 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время включения
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 800 В, Vbe = 0 В
lb = 0
lc= 1,0A, lb = 02A
lc = 1,0 A, lb = 0 2 А
Vce = 5 В, 1с = 10,0мА
Резистивная нагрузка
-
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
_
-
-
-
-
-
_
-
10
1,4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
_
0,15
Макс,
зна-
чение
800
400
9
5,0
8,0
2,0
4,0
70
0,1
0,25
0,5
1,1
_
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

404 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Ш 1
О
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
T
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время включения
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0B
_
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 800 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc = 1,0 A, lb = 0 2 А
lc = 1,0A,lb = 0.2A
Vce = 5 В, 1с=10,0мА
1 = 3,0 А
Резистивная нагрузка
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
1,4
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
_
-
-
-
0
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
800
400
9
5,0
8,0
2,0
4,0
70
0,1
0,25
0,5
1,1
-
2,5
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Высокая надежность.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hF£
T
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время включения
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc= 1,0 A, lb = 0 2A
lc = 1,0 A, lb = 0 2 А
Vce = 5 В, 1с=10,0мА
Резистивная нагрузка
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
10
1,7
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
_
0,15
Макс,
зна-
чение
800
400
9
5,0
8,0
2,0
4,0
70
0,1
0,25
0,5
1,1
-
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 405
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
T
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время включения
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
Ic = 1,0 A, Ib = 0 2 А
Ic = 1,0A, lb = 02A
Vce = 5 В, lc = 10,0 mA
I = 3,0 А
Резистивная нагрузка
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
2,0
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
800
400
9
5,0
8,0
2,0
4,0
70
0,1
0,25
0,5
1,1
-
2,5
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
в
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, Veb = 0 В
Vce = 450 В, Ib = 0
lc = 1,0A, lb = 02A
lc = 1,0 A, lb = 0 2 А
Vce = 5 В, lc= 10,0 мА
1 = 2,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
10
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
_
0,15
Макс,
зна-
чение
800
450
9
5,0
10,0
2,0
4,0
80
0,1
0,25
0,5
1,1
-
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС

406 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
L
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc = 1,0 A, lb = 0 2 А
|С= 1,0A, lb = 02A
Vce = 5 В, 1с=10,0мА
1 = 3,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
L 850
450
9
4,0
8,0
2,0
4,0
70
0,1
0,1
0,5
1,1
-
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
lbp_
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1600B,Veb = 0B
Vce = 800 В, Ib = 0
Ic = 2,0A, lb = 04A
Ic = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5B, lc = 10,0 mA
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
-
-
-
_
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1600
800
9
6,0
9,0
5,0
8,0
110
100
0,25
1,5
1,2
-
0,68
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 407
UL49D
ДОЯ: И МПУ.Г»ЪСН-.?-?>?
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Vce = 450 В, Ib = 0
1с = 1.0A, lb = 02A
lc= 1,0A, lb = 02A
Vce = 5 В, 1с=10,0мА
lc = 3,0A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
зна-
чение
850
450
10
5,0
10,0
2,0
4,0
80
0,1
0,1
0,3
со_
-
1.5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B,Veb = 0B
Vce = 450 В, Ib = 0
lc = 3,0A, lb = 0.6A
lc = 3,0A, lb = 0.6A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
_
_
-
-
-
_
_
_
_
0,12
Макс,
зна-
чение
1000
450
9
10,0
18,0
3.5
7,0
100
100
0,25
0,8
1,2
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

408 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
\J2\J U3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc = 2,0A, Ib = 0 4 А
lc = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,9
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
7,0
85
100
0,25
0,65
1,2
40
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-220FP
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
1 параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc = 2,0A, lb = 04A
lc = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
0,9
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
7,0
35
100
0,25
0,65
1,2
40
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 409
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 800 В, Veb = 0 В
Vce = 450 В, Ib = 0
lc = 4,0A, lb = 08A
lc = 4,0A, lb = 0.8A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
1 = 3,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,18
Макс,
зна-
чение
800
450
9
8,0
16,0
4,0
8,0
85
0,2
0,2
1,5
1,3
-
3,0
-
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t ^ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
Ic = 2,0 A, Ib = 0 4 А
lc = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
_
8
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
_
0,15
Макс,
зна-
чение
850
400
9
8,0
16,0
4,0
8,0
90
200
0,25
0,5
1,2
40
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

410 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc = 2,0A, lb = 04A
lc = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 В, 1с = 12А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
0,85
-
0,15
Макс,
зна-
чение
700
400
9
12,0
18,0
6,0
9,0
80
100
0,1
0,3
1,0
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
пре
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
Ic = 3,0 A, lb = 0.6A
lc = 3,0A, lb = 06A
Vce = 5 В, lc= 12 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
4
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
_
_
-
_
-
-
_
0,18
Макс,
зна-
чение
700
400
9
10,0
18
3,5
7,0
100
100
0,25
0,8
1,2
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 411
11 *!* 4 *Э Крез^ниэеы^ НРН эпи-тзксййпьный ?:г»анзрный транзистор для и.мпуяьснь*£ исгс/^ничов j
f ?„.- г ^Spjw пк-яун-тя « пусковых схем осветш€«ьных приборов I
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 900 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
Ic = 1,0A, lb = 02A
lc = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 В, Ic = 2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,25
Макс,
зна-
чение
900
400
-
4,0
8,0
2,0
4,0
70
100
0,25
0,5
1,5
35
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус ТО-218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
2 3
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B,Veb = 0B
Vce = 450 В, Ib = 0
lc = 5,0 A, Ib = 1 0А
lc = 5,0A, Ib = 1 0 А
Vce = 5 В, Ic = 5 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
_
_
_
_
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
_
_
-
_
_
_
-
0,08
Макс,
зна-
чение
1000
450
9
15,0
22,0
5,0
10,0
125
100
0,25
1,0
1,3
40
-
Еди-
ницы
В
В
L В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

412 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
Ic = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
1с = 5,0А, Ib = 1,0А
Vce = 5 В, Ic = 5 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,08
Макс,
зна-
чение
850
400
9
12,0
25,0
6,0
12,0
110
100
100
1,0
1,3
40
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
ОI 11 R 4 О Я ГЪ тЛ Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных ис-
DULD I т»ОUш I точников питания и пусковых схем осветительных приборов
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной рабо-
ты.
- Встроенный диод.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-262
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
3
1U2U W3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc= 1,0 A, lb = 0,2 А
lc= 1,0 A, Ib = 0,2 А
Vce = 5 В, Ic = 2 А
1 = 3,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
12
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
_
-
_
0,2
Макс,
зна-
чение
700
400
9
4,0
8,0
2,0
4,0
70
100
250
1.0
1,2
32
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 413
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной ра-
боты
- Встроенный диод.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-263
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
Vce sat
Vbe sat
Iife
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t ^ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Veb = 9 В, Ic = 0
lc= 1,0A, lb = 0,2A
lc= 1,0A, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 0,01 А
1 = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
Макс,
зна-
чение
850
450
9
4,0
8,0
2,0
4,0
70
100
100
0,5
1,1
-
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
■ Встроенный диод.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-263
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Прел ол mi о допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 850 В, Veb = 0 В
Veb = 9 В, Ic = 0
Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А
Ic = 1,0A, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 0,01 А
I = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
_
_
-
0,1
Макс,
зна-
чение
850
450
18
5,0
10,0
2,0
4,0
80
100
100
0,3
1
-
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
МКС

414 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный диод.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-251
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1U2U3U
j
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А
lc= 1,0 A, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 0,01 А
1 = 1,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
Макс,
зна-
чение
700
400
9
2,0
4,0
1,0
2,0
20
100
1,0
1.3
-
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный диод.
- Неизолированный корпус.
Корпус SOT-82
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
ГшТ
1U2U3U
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
Ic = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
Ic = 1,0 A, lb = 0,2A
lc = 1,0A, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 2 А
1 = 2,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
0,1
Макс,
зна-
чение
700
400
9
4,0
8,0
2,0
4,0
55
100
250
1,0
1,2
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 415
Ji If *1С *■% И! С? Креаднмейьш НРН зпитаксизльный пллнариьгй транзистор для импульсньгх ivcTG-mi-iKoa .
а:,** %s# fc-tj all %a^ fWiufii-ip И ПУСКОВЫХ СдбЛА ОСВ€Т^Т6ЛЬНЬЩ s1|>l4OOpOB
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус SOT-32
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc= 1,0 A, lb = 0,2 А
lc = 1,0 A, lb = 0,2 А
Vce = 5 В, Ic = 2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,16
Макс,
зна-
чение
700
400
9
2,0
4,0
1,0
2,0
45
100
250
1,0
1,2
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Корпус SOT-32
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2ПЗН
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vce = 400 В, Ib = 0
lc= 1,0A, lb = 0,2A
lc = 1,0 A, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
0,16
Макс,
зна-
чение
700
400
9
2,0
4,0
1,0
2,0
45
100
250
1,0
1,2
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

416 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
1У'
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B, Veb = 0B
Vce = 700 В, Ib = 0
lc = 6,0A, Ib = 1,5 А
lc = 6,0A, Ib = 1,5 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,33
Макс,
зна-
чение
1200
700
7
15,0
30,0
4,0
20,0
125
500
1000
1,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1200B, Veb = 0B
Vce = 700 В, Ib = 0
lc = 6,0A, Ib = 1,5 А
lc = 6,0A, lb= 1,5А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
0,33
Макс,
зна-
чение
1200
700
7
15,0
30,0
4,0
20,0
55
500
1000
1,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 417
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-247
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t ^ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Veb = 0B
Vbe = 5 В, Ic = 0
lc=10,0A, lb = 2,0A
lc= 10,0 A, lb = 2,0A
Vce = 5 В, Ic = 10 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
700
10,0
14,0
18,0
8,0
11,0
160
200
100
1,5
1,5
14
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
-Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
-Неизолированный корпус.
Корпус ТО-247
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Veb = 0B
Vbe = 5 В, Ic = 0
lc= 12,0 A, Ib = 2,4 А
lc= 12,0 A, lb = 2,4A
Vce = 5 В, lc= 12 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
-
7
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
_
-
-
_
-
-
10
0,18
Макс,
зна-
чение
1500
700
10,0
16,0
22,0
9,0
12,0
200
200
100
1,5
1,5
14
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

418 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный
транзистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Высокое напряжение про-
боя.
- Широкая область безопас-
ной работы.
- Неизолированный корпус.
НРЧ зпитакеиаяьныя ;
Корпус ТО-3
ГЛОр ДЛЯ ^глОуГ'ьС
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t ^ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B, Veb = 0B
Vce = 700 В, Ib = 0
lc = 6,0A, Ib = 1.5 А
Ic = 6.0 A, lb= 1,5 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,33
Макс,
зна-
чение
1200
700
7
15,0
30,0
4,0
20,0
125
500
1000
1,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Креш-шевый НрН тран
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о,
YY
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
Ib = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 9,0 А
lc = 9,0A, Ib = 1,8 А
lc = 9,0A, lb= 1.8A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
_
0,22
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
15
22
8,0
12
64
200
10
9,5
3
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

HD*
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 419
Корпус ISOWATT218FX
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Х7
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t ^ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = o
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce =1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, 1с = 13,0А
lc= 13,0 A, lb = 3,25 А
Ic = 13,0 A, lb = 3,25A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,11
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
26
40
10
20
70
200
10
8
2,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-264
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
)°о°С
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t ^ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, 1с=13,0А
lc= 13,0 A, lb = 3,25A
lc = 13,0 A, lb = 3,25A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
0,11
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
26
40
10
20
200
200
10
8
2,5
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

420 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
•о,
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1700 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, 1с=12,0А
1с = 12,0А, lb = 3,0A
Ic = 12,0 A, lb = 3,0A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,11
Макс,
зна-
чение
1700
800
10
24
36
12
18
75
200
10
9,5
3
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-264
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t < 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1700 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc= 12,0 А
lc= 12,0 A. Ib = 3,0 А
lc= 12,0 A, lb = 3,0A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6,5
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
0,11
Макс,
зна-
чение
1700
800
10
24
36
12
18
200
200
10
9,5
3
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 421
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ТО-264
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
\fxTV
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t ^ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
Ib = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1700B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 18,0 А
Ic = 18,0 A, lb = 4,5A
lc = 18,0 A, lb = 4,5A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,11
Макс,
зна-
чение
1700
800
10
36
54
18
27
200
200
10
8,5
2
1,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Новое поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной ра-
боты.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о о
о
2 3
А
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (\<5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
Т = 25°С
Vce =1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,25А
1с = 5,0А, lb= 1,25 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,35
Макс,
зна-
чение
1500
700
7
10
15
5
57
200
10
8
5
1,2
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС

422 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
D2
ib?M MPM транзистор для выходных каскадов с.т^омной ралпеотки
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный ({< 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
Ib = 0
lc = 0
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 7 В, Ic = 5,0 А
lc = 7,0A, lb = 1,75 А
lc = 7,0A, Ib = 1,75 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,12
Макс,
зна-
чение
1500
700
9
14
21
7
62
200
10
8,5
2,5
1,1
0,25
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мкА
мкА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
- Исполнение SMD.
Корпус ТО-252
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
Vce sat
fr
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектору
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
le = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 350 В, Veb = 0 В
Vce = 150 В, lb = 0
Veb = 5 В
Ic = 1,0 A, lb = 0,2A
lc = 0,2A
Vce = 10 В, lc = 0,3A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
10
30
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
-
-
_
-
Макс,
зна-
чение
350
250
5
1,0
2,0
0,6
1,2
15
100
100
1
1,0
_
150
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
мА
В
МГц

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 423
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
- Исполнение SMD.
Корпус ТО-252
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
Vce sat
fT
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 450 В, Veb = 0 В
Vce = 250 В, Ib = 0
Veb = 5 В
Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А
lc = 0,2A
Vce = 10 В, lc=0,3A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
30
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
450
350
5
1,0
2,0
0,6
1,2
15
100
100
1
1,0
-
150
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
мА
В
МГц
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
-Исполнение SMD.
Корпус ТО-252
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
Vce sat
fr
hFE
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
параметры
Условия
le = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 500 В, Veb = 0 В
Vce = 300 В, Ib = 0
Veb = 5 В
lc= 1,0 A, lb = 0,2 А
lc = 0,2A
Vce = 10 В, lc = 0,3A
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
_
_
-
10
30
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
_
-
_
-
_
_
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
500
400
5
1,0
2,0
0,6
1,2
15
100
100
1
1,0
150
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мкА
мА
В
МГц

424 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный составной
транзистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
Vce sat
Vbe sat
fT
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t <> 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Граничная частота эффективного усиления
Время спада импульса
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
lc = 4,5 Alb = 2,0 А
lc = 4,5 Alb = 2,0 А
lc = 0f1 A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
15,0
4
6
50
1,0
100
1,0
1,3
7
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МГц
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcex
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = -2,5 В
Vbe = 0 В
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1000B, Veb = 0B
Vce = 450 В, Ib = 0
Ic = 2,0 A, lb = 04 A
IC = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 B, Ic = 5,0 мА
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
_
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
450
10
7,0
10,0
3,0
6,0
70
10
0,1
0,45
1,25
_
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 425
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcex
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (\<5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = -2,5 В
Vbe = 0 В
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1000B, Veb = 0B
Vce = 450 В, Ib = 0
lc = 2,0A, lb = 04A
lc = 2,0A, lb = 04A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 мА
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1000
1000
450
10
7,0
10,0
3,0
6,0
35
10
0,1
0,45
1,25
-
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-220
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t < 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B,Veb = 0B
Vce = 600 В, Ib = 0
Veb = 7 В, Ic = 0 В
lc = 3,5A, lb = 0 7 А
lc = 3,5A, lb = 07A
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1200
600
7
7,0
12,0
5,0
8,0
85
200
2
1,0
1,5
1,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС

426 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B, Veb = 0B
Vce = 600 В, Ib = 0
Veb = 7 В, Ic = 0 В
lc = 6,0A, lb=1,2A
lc = 6,0A, lb=1 2 A
Vce = 5 B, Ic = 5,0 mA
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1200
600
7
10,0
15,0
7,0
12,0
125
200
2
1,0
1,5
1,5
-
0,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t> 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
параметры
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1200B, Veb = 0B
Vce = 600 В, Ib = 0
Veb = 7 В, Ic = 0 В
lc = 6,0A, lb=1,2A
Ic = 6,0 A, Ib = 1 2 A
Vce = 5 B, Ic = 5,0 мА
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
-
_
-
-
10
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1200
600
7
10,0
15,0
7,0
12,0
^57
200
2
1,0
1,5
1,5
-
0,3
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 427
Корпус SOT-32
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
©
1
2
3
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B,Veb =-1,5 В
lc= 1,0 A, lb = 0,25 А
|С= 1,0A, lb = 0,25A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 мА
Индуктивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
700
400
7
1,5
3,0
0,75
1,5
40
1000
1,0
1,2
-
0,8
0,7
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
МКС
МКС
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1U2U Уз
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B,Veb =-1,5 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
Ic = 1,0 A, lb = 0,2A
1с=1,0А, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
02
Макс,
зна-
чение
700
400
9
4,0
8,0
2,0
4,0
75
1000
1,0
0,5
1,2
40
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

428 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vcev
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = -1,5 В
Ib = 0
IC = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B, Veb =-1,5 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
lc = 2,0A, lb = 0,4A
1с = 2,0А, lb = 0,4 А
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Резистивная нагрузка
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,35
0,11
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
8,0
80
10
1,0
1,0
1,2
30
-
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС
Корпус TO-220FP
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcev
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
lebo
Vce sat
Vbe sat
Пре
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t < 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = -1,5 В
lb = 0
lc = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Veb = 700 В, Veb =-1,5 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
1с = 2,0А, lb = 0,4A
lc = 2,0A, lb = 0,4A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Резистивная нагрузка
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,35
0,11
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
8,0
36
10
1,0
1,0
1,2
30
-
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 429
Корпус ТО-220
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1U2U U3
Символ
Vcev
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = -1,5 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B, Veb =-1,5 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
lc = 2,0A, lb = 0,4A
1с = 2,0А, lb = 0,4A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Резистивная нагрузка
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,35
0,11
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
8,0
80
1,0
1,0
1,0
1,2
28
_
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС
Корпус TO-220FP
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcev
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = -1,5 В
Ib = 0
lc = 0 В
-
-
_
-
Т = 25°С
Veb = 700 В, Veb =-1,5 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
lc = 2,0A, lb = 0,4 А
lc = 2,0A, lb = 0,4A
Vce = 5 В, lc = 2,0A
Резистивная нагрузка
Индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
_
-
_
26
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
_
_
0,35
0,11
Макс,
зна-
чение
700
400
9
8,0
16,0
4,0
8,0
33
1,0
1,0
1,0
1,2
40
_
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
МКС

430 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-220FH
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
11 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icbo
lebo
Пре
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
1е = 0
1Ь = 0
1с = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B,Veb = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 4,0 A Ib = 1,2 А
lc = 4,5 A lb= 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
10,0
15,0
4
6
40
1,0
1,0
-
1,5
1,2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
Корпус TO-220FH
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Новое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов
с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Широкая область безопасной
работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B, Veb = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 4,5A
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
1с = 4,0А, lb = 0,8A
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
_
-
-
_
130
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
-
3
_
1,5
0,3
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
10,0
15,0
4
40
1,0
400
9
5
1,2
2
0,6
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 431
Особенности:
- Новое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов
с высокой скоростью переклю-
чения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Встроенный демпферный диод.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
. о.
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, Veb = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 4,5A
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
1с = 4,0А, lb = 0,8A
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
130
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
1,5
0,3
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
10,0
15,0
4
50
1,0
400
9
5
1,2
2
0,6
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Ices
lebo
Пре
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, Veb = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 5,0A, lb= 1,25 А
lc = 5,0A, Ib = 1,25 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
_
-
_
_
_
3
_
0,2
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
10,0
20,0
7,0
63
1,0
1
9
1,5
1,2
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС

432 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Особенности:
- Новое поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной
работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
. о.
J
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500B, Veb = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 5,5A
lc = 5,0A, lb = 1,25 А
Ic = 5,0 A, lb= 1,25 А
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,28
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
10,0
20,0
7,0
55
1,0
210
9
1,5
1.2
2
0,55
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Новое поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной
работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном^иоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B,Veb = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 5,5 А
lc = 7,0A, Ib = 1,75 А
lc = 7,0A, Ib = 1,75 А
1 = 7,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
70
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,25
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
12,0
25,0
7,0
55
1,0
210
9
3
1,1
2
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 433
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о,
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер^
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный ii$5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B,Veb = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 7,0 А
10 = 7,0 А, 1Ь= 1,75 А
1с = 7,0А, Ib = 1,75А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
12,0
25,0
7,0
65
1,0
1,0
9,5
3
1,1
0,35
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
Особенности:
- Новое поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной
работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218FX
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о,
2 3
Предельно допустимые и основные электрические
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Vf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Падение напряжения на прямосмещенномлиоде
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1700B,Veb = 0B
Veb = 4 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0 A, Ib = 1,2 А
1с = 6,0А, lb= 1,2А
индуктивная нагрузка
1 = 5,0 А
Ic =0,1 А
Мин.
зна-
чение
_
-
_
_
-
_
-
_
85
6
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
_
-
1,5
2
Макс,
зна-
чение
1700
600
7
10,0
20,0
7,0
70
1,0
205
10
5
1,2
0,7
2
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
В
МГц

434 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ISOWATT218FX
ST2408HI
Особенности:
- Новое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой
скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о,
2 3
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
PC
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb=1500B,Veb = 0B
Veb = 7 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 8,0A
lc = 8,0A, lb = 2,0A
lc = 8,0 A, lb = 2,0A
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
1500
600
7
12,0
25,0
7,0
55
1,0
1,0
9
3
1,5
0,26
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мА
мА
В
В
МКС
Корпус SOT-32
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
о
1 2
3
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
пре
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B, Veb =-1,5 В
_ lc = 0,5A, lb = 0,1 A
lc = 0,5A, Ib = 0,1 А
Vce = 5 В, Ic = 0,35 А
Индуктивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
12
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
-
25
90
0,2
Макс,
зна-
чение
700
400
18
1,5
3,0
0,75
1,5
^40
1000
0,5
1,0
32
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
НС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 435
Корпус ТО-262
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
lebo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B,Veb =-1,5 В
Veb = 9 В, Ic = 0 В
lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А
1с=1,0А, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
02
Макс,
зна-
чение
700
400
9
4,0
8,0
2,0
4,0
75
1000
1,0
0,5
1,2
40
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус ТО-251
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
■ Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)^
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
Ib = 0
Ic = 0 В
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700BJVeb =-1,5 В
lc = 1.0A, lb = 0.25A
Ic = 1,0 A, lb = 0,25A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 мА
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
9
-
-
-
_
-
_
_
_
8
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
_
_
-
-
_
_
_
-
Макс,
зна-
чение
700
400
18
1,5
3,0
0,75
1,5
20
1,0
1,0
1,2
20
0,7
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС

436 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
1очникоз пи
Корпус ТО-252
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
lb = O
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B,Veb =-1,5 В
lc=1,0A, lb = 0,25A
lc= 1,0A, lb = 0,25A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 мА
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
9
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
700
400
18
1,5
3,0
0,75
1,5
20
1,0
1,0
1,2
35
0,7
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС
Корпус ТО-251
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t s 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
Ib = 0
lc = 0B
_
-
-
—
Т = 25°С
Vcb = 700B,Veb =-1,5 В
lc = 0,5A, Ib = 0,1 А
lc = 0,5AJb = 0,1 A
Vce = 5 В, Ic = 0,35 А
Индуктивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
12
-
-
-
_
-
-
-
-
16
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
-
-
25
90
0,2
Макс,
зна-
чение
700
400
18
1,5
3,0
0,75
1,5
20
L 1000
0,5
1,0
32
_
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
НС
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 437
Корпус ТО-252
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B,Veb =-1,5 В
Ic = 0,5 A, Ib = 0,1 А
lc = 0,5A, Ib = 0,1 А
Vce = 5 В, Ic = 0,35 А
Индуктивная нагрузка
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
12
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
90
0,2
Макс,
зна-
чение
700
400
18
1,5
3,0
0,75
1,5
20
1000
0,5
1,0
32
-
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
А
А
Вт
мкА
В
В
НС
МКС
Корпус SOT-82
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
)
t ||
1 .2
С 1
( :
.3.
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Icev
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
lb = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700B, Veb =-1,5 В
lc = 1,0 A, lb = 0,25A
1с=1,0А, lb = 0,25A
Vce = 5 В, Ic = 5,0 мА
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
9
-
-
-
-
-
-
_
-
15
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
_
_
_
-
Макс,
зна-
чение
700
400
18
1,5
3,0
0,75
1,5
40
1,0
1,0
1,2
35
0,7
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
В
В
МКС

438 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
Корпус ТО-92
КОр питания
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
J
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vces
Vceo
Vebo
Ic
IP
ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
Vce sat
Vbe sat
hFE
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный {t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Время спада импульса
Условия
Vbe = 0 В
Ib = 0
lc = 0B
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 700 В, Veb = 0 В
Vcb = 400 В, Ib = 0
Ic = 1,0 A, lb = 0,2A
lc= 1,0 A, lb = 0,2A
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
Резистивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,26
Макс,
зна-
чение
700
400
18
3,0
6,0
1,5
3,0
2,8
1,0
1,0
0,5
1,2
24
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
А
А
Вт
мА
мкА
В
В
МКС
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Сим-
вол
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t й 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 7,0 А
lc = 7,0A, Ib = 1,5А
lc = 7,0A, Ib = 1,5 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
6,5
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,215
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
10,0
20,0
5,0
10,0
57
200
100
13
1,5
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS 439
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Корпус ISOWATT218
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
J
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Ices
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t £ 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 700 В, Ib = 0 В
Vce = 1500B,Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, lc = 6,0A
lc = 6,0A, Ib = 1,2А
lc = 7,0A, lb= 1,2 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,16
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
10,0
20,0
5,0
10,0
57
10
10
100
13
1,3
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мкА
мА
В
В
МКС
Корпус ISOWATT218
!§иП1 нойрйов
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной
работы.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
IP
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Vf
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t <, 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t й 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
lc = 4,0A, Ib = 1,0А
1с = 4,0А, Ib = 1,0 А
1 = 5,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
-
5
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
_
-
-
_
_
_
0,48
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
7,0
12,0
4,0
7,0
50
200
300
10
1,5
1,3
2,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
В
МКС

440 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST- MICROELECTRONICS
г SessSf .ft-, £
терс-в.
Корпус ISOWATT218
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ip
Ib
Ibp
Pc
Iceo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток коллектора импульсный (t s 5 мс)
Ток базы
Ток базы импульсный (t £ 5 мс)
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Время спада импульса
Условия
le = 0
lb = 0
lc = 0
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 1500 В, Veb = 0B
Veb = 5 В, Ic = 0 В
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
lc = 4,0 A, Ib = 1,0 А
1с = 4,0А, Ib = 1,0 А
индуктивная нагрузка
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,33
Макс,
зна-
чение
1500
700
10
8,0
15,0
5,0
8,0
50
200
0,05
13
0,9
1,3
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
мкА
мА
В
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 441
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 800 В.
- Неизолированный корпус.
Корпус TO-3P(LH)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
)ОС
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5 A, Ib =1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
зна-
чение
900
800
7
10/15
3,0
150
-
1,0
1,0/1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 400 В.
- Неизолированный корпус.
Корпус 2-8Н1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,1 А
lc = 0,1 A, Ib =0,01 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
500
400
7
0,8/1,5
0,5
10
100
0,5
1,0/1,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС

442 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Кр*?шн1£-пый МРМ диффузионный транзистор для импульсных источников жпгн&
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 800 В.
- Неизолированный корпус.
Корпус 2-16С1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 2,0A, lb=0,4A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
10
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
900
800
7
4,0/8,0
2,0/5,0
80
-
1,0
1,0/1,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
А
Вт
В
МКС
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
о о
U
Л
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Ic = 2 A, Ib =0,9 А
If =3,5 А
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
8
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,0/4,0
50
25
5,0
2
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 443
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер^
Изолированный
о°о
2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер^база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Ic = 3 A, Ib =0,8 А
-
IF =3,5 А
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5/5,0
50
25
5,0
2
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС
Коаыпшаьж ЫРЫ диффузионный трзнл^стор для выходных нзсхадсв строчной раз
зеснш тепееиз^онных приемников
Особенности: Корпус TO-3P(H)IS
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5386, 2SC5855.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
. Пре
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
_
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 3A, Ib =0,8 А
_
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
28
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
-
_
_
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
3,0/6,0
50
60
5,0
4
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

444 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Косшнншьш Н>'Н диффузионный транзистор &гл\ «ыхсдных :
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена —2SC5386, 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2
ft
3
J
Ц
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 3A, lb=0,8A
-
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
3,5/7,0
50
60
5,0
5
1,2
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена —2SC5386, 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
WTf
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hpE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 3 A, Ib =0,8 А
-
_
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
4,0/8,0
50
60
5,0
5
1,2
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 445
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5386, 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
1 2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Ic = 3 A, Ib =0,8 А
-
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
3,0/6,0
80
60
5,0
5
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5386, 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Hfe
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B, lc = 1,0А
Ic = 3 A, Ib =0,8 А
-
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
—
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,0/6,0
80
60
5,0
5
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

446 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Кремниевый МРМ диффу^о«-шый тр-знзкс
веерки телевизионных яриемиихок
Особенности: Корпус TO-3P(BS)
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 3A, lb=0,8A
-
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
3,5/7,0
80
60
5,0
5
1,2
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
ниевый НРН диффузионный транзистор для
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
> <
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc = 3A, Ib =0,8 А
_
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5/7,0
80
60
5,0
5
1,2
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 447
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 3 A, Ib =0,8 А
-
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
4,0/8,0
80
60
5,0
6
1,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
_
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 3A, lb=0,8A
-
_
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
_
-
28
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
_
_
_
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
4,0/8,0
80
60
5,0
6
1,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

448 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
38§2
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
Ic = 5 A, Ib =1,25 А
-
-
IF =5,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,35
0,2
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
3,5/7,0
50
40
5,0
5
1,2
1,9
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
l\
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 5A, lb=1,25A
-
-
IF =5,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
20
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
-
1,35
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5/7,0
50
40
5,0
5
1,2
1,9
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
LA
Вт
В
А
А
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства TOSHIBA 449
; fj* /** ^ *Э Й *£
fc %,»# W* %}? 4J ».*л? ''*?
1<рег?.-ни€-вь;й Ы$*Ы диффузионный транзистор дпн оыхеднык «йскадоо строчной pi*:»- f
Особенности: Корпус TO-3P(H)IS
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
fT
3
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5 A, Ib =1,25 А
-
-
IF =5,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,35
0,2
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
4,0/8,0
50
30
5,0
5
1.5
_ 1,9
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5280, 2SC5339.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
т%
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с = 1,0А
lc = 5A, Ib =1,25 А
-
-
IF =5,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
10
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
-
1,35
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
4,0/8,0
50
30
5,0
5
1,5
1,9
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС

450 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2
5
й НРЫ диффузионный транзистор для имщаьсиыж
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 450 В.
- Неизолированный корпус.
Корпус 2-16С1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
lc = 5,0A, Ib =1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
600
450
8
10/20
5,0
100
-
1,0
0,5/0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5421, 2SC5589.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc= 10 A, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
2,0
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
12/24
200
_
5
10
2,5
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 451
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена —2SC5421, 2SC5589.
Корпус TO-3P(LH)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Ире
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
Ic = 10 A, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
12/24
200
-
5
10
2,5
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5589.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 3,0 А
lc= 10 A, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
_
_
-
8
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
_
-
-
_
_
_
2,0
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
16/32
200
-
5
12
3,0
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

452 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5589.
Корпус TO-3P(LH)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
1b
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с = 3,0А
lc= 10 A, Ib =2,5 А
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
16/32
200
_
5
12
3,0
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Кршшмевый ЫРН диффу
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5589.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 3,0A
lc = 10 A, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
20/40
200
_
5
14
3,5
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой сжоростъю переключения производства TOSHIBA 453
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5589.
Корпус TO-3P(LH)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
)ОС
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc=10A, Ib =2,5 А
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
20/40
200
-
5
14
3,5
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5280.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
WTT
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2A, lb=0,9A
IF =3,5 А
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
8
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
_
-
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10/20
50
25
5,0
7
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС

454 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
..*! s% Кремн«евь?й Ш-'Ы диффузионный гран?.йетпр для выходных кас
%Ж'£т аеотш телевизионных приемников
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 10 A, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
10/20
200
-
5
8
2,0
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
оОо
TV
2
fT
3
У
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc = 10 A, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10/20
50
-
5
7
1.7
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 455
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
1 2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер^база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 3A, Ib =0,8 А
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
28
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10/20
80
60
5,0
7
1,7
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
VVV
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
lc= 10 A, lb=2,5 A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
8/16
200
-
5
6
1,5
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

456 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
Т¥¥
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с = 1,0А
Ic = 3 A, Ib =0,8 А
-
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
7,0/14
50
10
5,0
5,0
1,2
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
FT
3
J
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 3A, lb=0,8A
_
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
8,0/16
50
10
5,0
6,0
1,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 457
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
т%
2
JPT
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc = 3A, lb=0,8A
-
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
10/20
50
10
5,0
7,0
1,7
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5748.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,0 А
1с=10А, lb=2,5A
-
-
-
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2,0
Макс,
значе-
ние
2000
600
5
8,0/16
200
-
5
6
1,2
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

458 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
?1ечьщ ЫгЫ диффузионный трачз^стоо сузд выдо
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена— 2SC5588.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
7%
2
3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 3A, lb=0,8A
-
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
6,0/12
50
10
5,0
4,5
1,3
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Ic = 2 A, Ib =0,9 А
-
-
IF =3,5 А
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
7,0/14
50
15
5,0
5
1,0
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 459
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5280.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2A, lb=0,9A
-
-
IF =3,5 А
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
15
5,0
6
1,2
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
_ В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
2
3
Г
4ZZH '
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
Ic = 2 A, Ib =0,9 А
-
-
IF =3,5 А
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
-
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0/12
50
15
5,0
4
0,8
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС

460 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5716.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
W
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Ic = 2 A, Ib =0,9 А
-
-
IF =3,5 А
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
5,0/10
50
15
5,0
3,5
1,0
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5716.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
т%
2
3
U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
пре
Vce sat
Ic sat
Ib
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Ic = 2 A, lb=0,9A
-
-
IF =3,5 А
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
-
-
_
1,5
0,5
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
6,0/12
50
15
5,0
4,5
1,3
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 461
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5588.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
т%
2
fT
3
U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
|С = 3 A, Ib =0,8 А
-
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
6,0/12
50
10
5,0
3,5
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 1,0 А
lc = 3A,lb=0,8A
-
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0/12
50
10
5,0
4,0
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

462 Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 5A, Ib =1,0 А
-
IF=3,5A
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,5
0,5
Макс,
зна-
чение
1500
600
5
7,0/14
50
20
5,0
2
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
Ic = 8 A, Ib =2,0 А
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
_
_
_
_
-
4
_
—
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
_
_
_
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
12,0/24
50
8
3,0
8,0
6,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 463
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
т%
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 6,0A
lc = 6 A, Ib =1,5 А
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10,0/20
50
8
3,0
6,0
5,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5589.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
_
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А
1с=14А, Ib =3,5 А
-
-
-
Мин.
зна-
чение
_
-
-
_
-
10
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
_
_
_
2,0
Макс,
значе-
ние
2000
600
5
20/40
200
30
3
6
10
3,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

464 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5716.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2
3
J
£
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 6A, Ib =1,5 А
-
If =6,0 А
F = 31,55 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,45
0,2
Макс,
зна-
чение
1700
700
5
10,0/20
50
25
3,0
2
1,8
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор готовится к снятию с производ-
ства, рекомендованная замена —
2SC5858.
Корпус TO-3P(LH)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
р» о с
с
VVV
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с = 2,0А
lc=11 A, Ib =2,75 А
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
10
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
-
-
_
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
20/40
200
30
3
11
10
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 465
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
TTW
и
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc = 5.0A
lc = 5A, lb=1,3A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
3,8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
8
5,0
6,0
4,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SC5339.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 5 A, Ib = 1,3 А
-
If =5,0 А
F = 31,55 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
8
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
_
1,35
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
25
5,0
2
1,8
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС

466 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5588.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
TIL
2
3
f
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6A, lb=1,5A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
700
5
10,0/20
50
8,5
3,0
6,0
5,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 400 В.
- Изолированный корпус.
Корпус
SC-67 (EIAJ),
2-10R1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
1с = 2,0А, lb=0,25A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
-
0,5
Макс,
значе-
ние
600
400
7
5,0/7,0
2,0
25
65
1,0
0,5/0,3
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 467
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 400 В.
- Изолированный корпус.
Корпус 2-10Т1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
Ьре
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2,0A, lb=0,25A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
20
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
600
400
7
5,0/7,0
2,0
1,8
65
1,0
0,5/0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС
Корпус 2-10Т1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 400 В.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE-
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc=1,0A
lc= 1.0 A, lb=0,2A
Мин.
зна-
чение
-
_
_
-
_
-
8
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
600
400
7
2,0
0,5
1,8
-
1,0
1,0/1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС

468 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
2 3
У
А
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Ьре
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6A, Ib =1,5 А
-
IF =6,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,4
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16,0
50
8,5
5,0
6
1,8
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор готовится к снятию с производ-
ства, рекомендованная замена —
2SC5421.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпур
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
Ic = 9 A, Ib =2,25 А
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,12
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
15/30
180
38
3
9
7,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 469
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5590.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
PC
Ире
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 8A, lb=3,0A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
14/28
200
30
3
9
7,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2
3
J
f
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 5,0 А
Ic = 5 A, Ib =1,25 А
-
IF =5,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
_
_
-
1,35
0,2
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
7,0/14,0
50
8
5,0
6
1,8
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС

470 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 800 В.
- Изолированный корпус.
Корпус
SC-67 (EIAJ),
2-10R1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,15 А
lc = 1,2 A, lb=0,24A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
Макс,
значе-
ние
900
800
7
3,0/5,0
1,0
25
-
1,0
0,7/0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС
Корпус 2-16С1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 800 В.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор^база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
L Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
Условия
-
-
-
-
L Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
1с = 2,0А, lb=0,4A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
15
-
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
_
-
-
-
_
0,5
Макс,
значе-
ние
900
800
7
5,0/10
2
100
_
1,0
0,7/0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 471
Кремниевый ЫРН диффузионный транзистор для йыжодных каскадов строчной р
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
т%
2
3
W
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6A, lb=1,5A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,3
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
7,5
3,0
6,0
4,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
Ic = 8 A, Ib =2,0A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,3
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10,0/20
50
7,8
3,0
8,0
5,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

472 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Пре
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 7,0 А
|С = 7А, 1Ь=1,75А
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
9,0/18
50
8
3,0
7,0
4,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 11 А
lc = 11A, lb=2,75A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
_
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
14/28
60
8
3,0
11
7,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 473
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 11 А
lc=11 A, lb=2,75A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
15/30
180
8
3
11
7,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 11 А
lc = 11 A, Ib =2,75 А
_
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
4,5
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
-
_
_
_
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
15/30
200
8,5
3
11
7,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

474 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Кремниевый НгЧ диффузионный трзнг^сюр цш тмпупьсъът йо
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя:
Vceo = 450 В.
- Изолированный корпус.
Корпус
SC-67 (EIAJ),
2-10R1A (TOSHIBA)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ib
Pc
hFE
Vce sat
Tr/Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Время нарастания/спада
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 3,2A, lb=0,64A
—
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
14
-
—
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
0,2/
0,15
Макс,
значе-
ние
1000
450
9
8,0/16
1,0
30
34
1,0
—
Еди-
ни-
цы
В
В
В
А
А
Вт
В
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B, Ic = 15А
Ic = 15 A, lb=3,75A
-
_
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,5
-
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
_
-
_
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
20/40
200
8,5
3
15
10
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 475
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Пре
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 14 А
Ic = 14 A, lb=3,75A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
18/36
200
8
3
14
9
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 22 А
lc = 22A, Ib =5,5 А
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,5
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
-
0,1
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
28/56
220
7,5
3
22
14
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

476 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
*И €2: I** Ш£ fjСР "Т Кремниевый MPN диффузионный транзистор для ч
Корпус TO-3P(H)IS
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
WTT
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 14 А
lc= 14 A, lb = 3,5A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,15
Макс,
значе-
ние
1500
750
5
17/34
75
8
3,0
14
8,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 12 А
lc = 14 A, lb = 3,5A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
_
-
_
-
-
4,8
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
-
_
_
_
0,15
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
15/30
75
8
3,0
12
7,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 477
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
) О <
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с=14А
lc= 14 A, lb = 3,5A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
Макс,
значе-
ние
1500
750
5
18/36
200
8
3
14
9,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус TO-3P(LH)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
)ОС
VWV
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc=12A
lc=12A, lb = 3,0A
_
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,8
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
_
_
0,1
Макс,
значе-
ние
1700
800
5
16/32
200
8
3
12
8,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

478 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Кремнкнвый МРН д^ффузиок-ьый транзистор для выходных каскадов строчной
вертки т&левшионныл гшиешшиов м шигшторов
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 17 А
lc= 17 A, lb = 4,25A
-
-
F = 64 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4.8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
Макс,
значе-
ние
2000
900
5
22/44
220
9
3
17
11
о.з
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В. lc = 17 А
lc=17A,lb = 4,25A
-
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
22/44
200
8,3
3
17
11
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 479
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2 3
Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
VF
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер^-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Падение напряжения на прямосмещенном диоде
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А
lc = 6A, Ib =1,5 А
-
IF =6,0 А
F = 31,5 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
3,8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
1,3
0,2
Макс,
значе-
ние
1700
700
5
8,0/16,0
55
9
5,0
6
1,8
0,35
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
В
МКС
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 17 А
lc = 17A,lb = 4,25A
-
-
F = 100 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
-
_
_
0,1
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
21/42
75
8,3
3,0
12
10,5
0,15
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

480 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
g*» tg'^f Л%% Куемн^йьлз tiPU диффузионный гргкзисгор дл:
\*&%J I **%! 8с-ргкк телевизионных ршаыи^ксв п мониторов
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 12 А
lc=12A, lb = 3,0A
-
-
F = 32 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
Макс,
значе-
ние
2000
900
5
16/32
210
7,5
3
12
8
0,35
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
пре
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
_
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 8 А
Ic = 8 A, lb = 2,0A
_
_
F = 80 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
_
_
-
4,3
_
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
_
_
-
0,1
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
10/20
50
6,7
3,0
12
5,0
0,15
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 481
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
TV
2
3
U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 11 А
lc = 11 A, lb = 2,75A
-
-
F = 100 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,3
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
Макс,
значе-
ние
1500
700
5
14/28
55
7,8
3,0
12
7,0
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
2
3
W
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 17 А
lc = 17 A, lb = 4,25A
_
-
F = 100 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
4,3
-
_
-
-
Тип.
значе
ние
-
_
-
-
-
_
_
_
-
0,1
Макс,
значе-
ние
1700
750
5
21/42
75
7,8
3,0
17
10,5
-
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

482 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2CJ/^ I*
%,J -w %j/i
§<рВ}уШМ£ШЫЙ ЫРН ДИффуЗИОННЫЙ Тра
щилки телевизионных приемников и
i дпй выходных кйсж^дса? строен
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
)ОС
1 2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с=17А
lc = 17 A, lb = 4,25A
-
-
F = 32 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,1
Макс,
значе-
ние
1700
750
5
22/44
200
7,5
3
17
11
0,35
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС
Особенности:
- Пятое поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Неизолированный корпус.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ic sat
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Коллекторный ток насыщения
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 18 А
Ic = 18 A, lb = 4,5A
-
-
F = 32 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
_
0,1
Макс,
значе-
ние
1700
750
5
23/46
210
8
3
18
11,5
0,35
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
А
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 483
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена —2SC5855.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21 BlA (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А
lc = 2,0A
lc = 8,0A, lb = 2,0A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
10,0
50
40
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Кремниевый ЙРЫ диффузионный транзистор для выходных к в с
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2,0A
lc = 2,0A, lb = 0,6 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5
80
-
_
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

484 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного^силения
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2,5A
|С = 3,ОА, Ib = 0,8 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
80
-
-
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2499.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 3,0A
lc = 4,0A, lb = 0,8 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
80
_
_
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 485
Особенности:
- Высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключе-
ния.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2539
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B, lc = 0,5A
Ic = 3,0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0
80
-
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
Вт
МГц
В
МКС
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
_
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 2,0A
lc = 2,0A, lb = 0,6 А
-
Мин.
зна-
чение
_
_
_
-
-
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5
80
_
_
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

486 Мощные транзисторы с высхжой сжоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 3,0A
1с = 3,0А, lb = 0,8A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
3
-
о.ь
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
80
-
-
8
1.0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
. hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
_
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 3,5A
lc = 4,0A, lb = 0,8A
-
Мин.
зна-
чение
-
_
_
_
-
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
6
3
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
80
_
_
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 487
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
1 2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 4,5A
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
6
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0
80
-
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой
скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
1 2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 4,5A
lc = 6,0A, Ib = 1,2А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
6
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
7,0
80
-
_
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

488 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2
3
W
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0 5 А
Ic = 2,0 A, lb = 0,6A
-
-
F = 15 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5
40
-
8,0
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0 5 А
1с = 3,0А, lb = 0,8 А
-
-
Р = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
40
-
8,0
_
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 489
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
7%
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
Я = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
50
-
5,0
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 A
-
F = 15kR4
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
_
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
_
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0
50
_
5,0
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

490 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
Vce=10B,lc = 0 1 A
-
F = 15kI"L4
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
7,0
50
-
5,0
-
1,2
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
2SD154I
ВРЫ
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — 2SC5855.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
f
«г
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 2.0 А
1с = 8,0А, lb = 2,0A
Vce = 10 В, lc = 0 1 A
-
F=15kI"i4
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
3
_
-
Макс,
значе-
ние
1400
600
5
10,0
50
_
5,0
_
2,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 491
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
т%
2
Л
3
Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0 5 А
lc = 2,0A, lb = 0,6 А
-
-
F=15KfM
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5
40
-
8,0
-
0,6
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
TV
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0 5 А
lc = 3,0A, Ib = 0,8 А
-
_
Р = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
8
_
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
3
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
40
_
8,0
_
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

492 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2499.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2 3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
-
F=15kI~I4
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
50
-
5,0
-
0,8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
евый НгЫ диффузионный тран^слор для выход
? телевизионных приемников
* строчная pa:
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2539.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
7%
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
Р = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
3
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0
50
_
5,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства TOSHIBA 493
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2599.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 2,2A, lb = 0,7A
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
F = 15 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
40
-
1,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2586.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
3
Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 3,5A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0 1 A
-
Р = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
50
-
5,0
_
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
Вт
L_ В
МГц
А
МКС

494 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
:>Ш НР-Н ДйффуШОННЫЙ riiffijUZTOp
Корпус TO-3P(H)IS
:хс-цнь;х каскадов ст
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2539.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Ире
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
-
Р = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
60
50
-
5,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2638.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
2
FT
3
u
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
пре
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, lc = 0.1 А
-
Р=15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
_
_
3
_
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
6,0
50
_
5,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 495
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2559.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
А
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc = 1.0A
Ic = 6,0A, lb= 1,2А
Vce= 10 В, Ic = 0.1 А
-
F = 15kI"l4
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0
50
-
5,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD2559.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
р
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 7,0A. Ib = 1,4 А
Vce = 10 В, lc = 0.1 А
-
Р=15кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10,0
50
-
5,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

496 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Неизолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, реко-
мендованная замена — 2SD2553.
Корпус ТО-ЗР(ЬН)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
F = 15kI~m
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
8,0
200
-
5,0
-
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
в
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
2SD5716.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
1с = 6,0А, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
Р = 15кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
8
-
_
_
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
-
-
_
-
3
_
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
7,0
50
_
5,0
_
1,0
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 497
Особенности:
- Третье поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 4.0 А
lc = 4,0A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0.1 A
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0/12
50
9
5,0
-
3,0
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Третье поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о°о
2
3
$
(Г
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 4 0 А
lc = 4,0A, Ib = 0,8 А
Vce =10 В, lc=0 1 A
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
_
-
-
_
2
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0/12
50
9
5,0
-
3,0
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

498 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Третье поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
т\
2
/Г
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 6 0 А
lc = 6,0A, lb= 1.5А
Vce = 10 В, lc = 0 1 A
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
1.7
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
10,0/20
50
8
3,0
_
5,0
0,35
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Кремниевый НРЫ диффузионный транзистор дл-и выжшных «лендов стр^чно*
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттеру
Изолированный
Особенности:
- Третье поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
о о
2 3
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, 1с = 5 0 А
1с = 5,0 A, Ib = 0,1 А
Vce =10 В, lc = 0.1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
_
2
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
7,0/14
50
9
5,0
-
3,5
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства TOSHIBA 499
гСгт^ниезьрй fyprj диффузионный транзистор дли выходных ¥.шшпов строчной pai-
ВВ13ТКЩ ТвЛбВМЗйОННЫХ TIpnS^AfUAKOB
Особенности: Корпус TO-3P(H)IS
- Третье поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с высо-
кой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 1 0 А
lc = 3,0A, lb = 0,8A
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
4,0/8,0
50
22
8,0
-
2,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Третье поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер^база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 4,0 А
|С = 4,ОА, lb = 0,8A
Vce = 10 В, lc = 0 1 A
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
_
-
5
_
-
_
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
_
3
_
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
5,0/10
50
10
5,0
-
2,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

500 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Третье поколение мощных высо-
ковольтных транзисторов с высо-
кой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
п
2
3
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
lc = 6,0A, Ib = 1,2 А
Vce =10 В, lc = 0 1 A
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
8,0/16
50
9
5,0
-
4,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
т=угт
гЦ з
Г
Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А
1с = 6,0А, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
-
3
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
9
5,0
_
3,0
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой сжоростью переклнэчения производства TOSHIBA 501
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
I-
«Г
Л
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 3,5 А
1с = 3,5А, lb = 0,8A
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,4
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
2,5
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
50
8,5
5,0
-
2,5
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 3,0A, lb = 0,8A
Vce = 10B,lc = 0 1 A
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5/7,0
40
25
8,0
-
1,0
0,5
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

502 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
O Кр^ытч^вьт НРН Диффузионный транзистор дл^ выходных каскадов строчной
«#\& %# %# венным телевизионных приемников
Особенности:
- Четвертое поколение мощных вы-
соковольтных транзисторов с вы-
сокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
Т\
2
3
J
Г
А
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 5,5A, Ib = 1,2 А
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
_
-
-
-
-
4,5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
_
-
-
-
3,0
_
-
Макс,
значе-
ние
1700
600
5
7,0/14
40
7,5
5,0
-
3,5
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена — 2SC3657.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 6,0A
lc = 2,5A, lb = 0,25A
F = 32 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
20
3
4
0,5
Макс,
значе-
ние
900
600
5
6,0
50
-
-
10
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 503
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена — 2SC2599.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
Ic = 2,0 А
1с = 2,0А, lb = 0,6A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
20
3
4
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5
50
-
-
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена —2SC2599.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 2,0A
lc = 3,0A, lb = 0,8A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
-
_
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
20
3
4
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
50
_
-
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

504 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена —2SC5855.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
Ьре
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc= 1,0 А
lc = 2,0A
1с = 4,0А, lb = 0,8A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
50
40
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена — 2SC5855.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 2,0A
lc = 5,0A, Ib = 1,0 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
-
8
3
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0
50
40
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 505
ДЛИ ВЫХОДНЫХ КЗСКЗДОВ i
Особенности:
- Высоковольтный транзи-
стор с высокой скоростью
переключения.
- Низкое напряжение на-
сыщения.
- Неизолированный корпус.
- Прибор снят с производ-
ства, рекомендованная
замена —2SC5855.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5B,lc=1,0A
lc = 2,0A
lc = 6,0A, Ib = 1,0А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
7,0
50
40
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Высоковольтный тран-
зистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Неизолированный
корпус.
- Встроенный демпфер-
ный диод.
- Прибор снят с произ-
водства, рекомендо-
ванная замена —
2SD2599.
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21 BlA (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 2,0A
lc = 2,0A, Ib = 0,6 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
—
-
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
_
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
2,5
50
-
_
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

506 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
ШРЫ ДИ
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный тран-
зистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Неизолированный кор-
пус.
- Встроенный демпфер-
ный диод.
- Прибор снят с произ-
водства, рекомендо-
ванная замена —
2SD2599.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 3,0A
lc = 3,0A, Ib = 0,8 А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
3
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
3,5
50
-
-
8
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный тран-
зистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Неизолированный кор-
пус.
- Встроенный демпфер-
ный диод.
- Прибор снят с произ-
водства, рекомендо-
ванная замена —
2SD2499.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Ft
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 3,0A
lc = 4,0A, lb = 0,8A
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
1
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0
50
-
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 507
Корпус
ТО-3 (JEDEC, EIAJ),
2-21В1А (TOSHIBA)
Вывод
1
2
Корпус
Назначение
База
Эмиттер
Коллектор
Особенности:
- Высоковольтный тран-
зистор с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение
насыщения.
- Неизолированный кор-
пус.
- Встроенный демпфер-
ный диод.
- Прибор снят с произ-
водства, рекомендо-
ванная замена —
2SD2539.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
t^Q"
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
FT
Vce sat
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Граничная частота эффективного усиления
Напряжение насыщения К-Э
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 3,0A
lc = 5,0A, Ib = 1,0А
-
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
8
1
-
0,5
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
6,0
50
-
-
5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
МГц
В
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — S2000N.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 4,5A, lb = 2,0A
Vce =10 В, lc = 0 1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
2,5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
_
-
-
-
-
-
_
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
80
-
5,0
_
3,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

508 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с
высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — S2000N.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
1 2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 4,5A, Ib = 2,0 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
80
-
1,0
-
3,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — S2000N.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
WTT
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
_
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
1с = 4,5А, lb = 2,0 А
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
_
-
-
-
2,5
_
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
_
-
_
_
_
3,0
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
50
_
1,0
_
35
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 509
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор
с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомен-
дованная замена — S2000N.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
я
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
lc = 4,5A, lb = 2,0A
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
2,5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
50
-
5,0
-
3,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Третье поколение мощных высоко-
вольтных транзисторов с высокой ско-
ростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
U
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 4,5 А
1с = 4,5А, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, Ic = 0 1 А
_
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,5
-
_
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
9
5,0
_
1,0
0,4
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

510 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
г9Ы% С fi Кр&мнкезый НРН дкФфул-=онный транзистор дя.ч яыходны* ;са4'жазд>о строчной
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
S2055N.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
о
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 0,5A
lc = 4,5A, lb = 2,0A
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
2,6
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
80
-
5,0
-
3,5
1.0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена —
S2055N.
Корпус TO-3P(BS)
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
О
А
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер^
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
1с = 4,5А, lb = 2,0A
Vce =10 В, lc = 0 1 A
_
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
_
_
-
2,5
_
-
Тип.
зна-
чение
_
_
_
_
-
_
_
3,0
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
80
__
1.0
_
3,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA 511
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пе-
реключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена — S2055N.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
2
3
У
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
1с = 4,5А, lb = 2,0 А
Vce = 10 В, lc = 0 1 A
-
F= 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
2,5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
50
-
1,0
-
3,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС
Кремниевый N?N диффузионный транзистор для выходных ?саскадов строчн
теггев^зионн!--гх приемников
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, ре-
комендованная замена — S2055N.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о
о о
А
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
FT
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
параметры
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, Ic = 0,5 А
1с = 4,5А, lb = 2,0A
Vce = 10 В, lc = 0 1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
2,5
-
-
—
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
_
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
5,0/10
50
_
5,0
-
3,5
1,0
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

512 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
Особенности:
- Мощный высоковольтный тран-
зистор с высокой скоростью пере-
ключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
Корпус TO-3P(H)IS
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Изолированный
о°о
2
3
Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Pc
hFE
Vce sat
Ft
Ib
Tf
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора постоянный/ импульсный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Граничная частота эффективного усиления
Ток базы
Время спада импульса
Условия
-
-
-
-
Т = 25°С
Vce = 5 В, lc = 4,5A
1с = 4,5А, Ib = 1,0 А
Vce = 10 В, Ic = 0.1 А
-
F = 15,75 кГц
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
4,5
-
-
-
-
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
3,0
-
-
Макс,
значе-
ние
1500
600
5
8,0/16
50
9
5,0
-
1,0
0,3
Еди-
ницы
В
В
В
А
Вт
В
МГц
А
МКС

Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX 513
Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с BST16.
- Маркировка на корпусе — ATI.
Корпус SOT89
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
mm
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Pc
lebo
Ире
Vce sat
Vbe sat
Cibo
Cobo
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Входная емкость
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 300 В
Vce =10 В, 1с = 20мА
Ic = 50 мА, Ib = 4 мА
Ic = 50 мА, Ib = 4 мА
Veb=10B, f=10MCi4
Vcb = 10 В, f= 10 МГц
1с=10мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
-
-
70
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Макс,
зна-
чение
400
350
5
1,0
0,5
1
20,0
-
0,5
1,3
20
2
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
Вт
нА
В
В
пФ
пФ
МГц
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с FMMT558.
- Маркировка на корпусе — 458.
Корпус SOT23
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
lebo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cobo
toN
bFF
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время переключения
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 320 В
Vtb = 4 В
Vce = 10 В, 1с = 50мА
Ic = 50 мА, Ib = 6 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Vcb = 20 В, f = 1 МГц
Ic = 50 мА
1с = 10мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
-
-
50
Тип.
зна-
чение
-
_
_
_
-
_
-
-
-
300
_
-
-
135
2260
-
Макс,
зна-
чение
400
400
5
1,0
0,225
200
0,5
100
100
-
0,5
0,9
5
-
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
В
В
пФ
НС
НС
МГц

514 Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Маркировка на корпусе — 459.
Корпус SOT23
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
R
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Cobo
t0N
toFF
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время переключения
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 450 В
Vtb = 5 В
Vce = 10B, Ic = 30mA
Vce = 10B, 1с=50мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
Ic = 50 мА, Ib = 6 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Vcb = 20 В, f=1 МГц
Ic = 50 мА
lc = 10 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
—
-
-
_
50
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
70
60
70
76
-
113
3450
-
Макс,
зна-
чение
500
450
5
0,5
0,15
200
0,625
100
100
_
75
90
90
5
—
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
мВ
мВ
мВ
пФ
НС
НС
МГц
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с FMMT597.
- Маркировка на корпусе — 497.
Корпус SOT23
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce_sat
Vbe sat
Cobo
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 250 В
Vtb = 4 В
Vce = 10B,lc=100MA
Vce = 10B, Ic = 250mA
1с = 100мА, 1Ь = 10мА
Ic = 250 мА, Ib = 25 мА
1С = 250 мА, Ib = 25 мА
Vcb = 10B,f=1 МГц
Ic = 50 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
20
-
_
-
75
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
-
_
300
200
300
1
-
-
Макс,
зна-
чение
300
300
5
1,0
0,4
200
0,5
100
100
-
-
_
5
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
мВ
мВ
В
пФ
МГц

Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX 515
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с FZT558.
- Маркировка на корпусе — FZT458.
Корпус SOT89
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
UULJ
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cobo
t0N
toFF
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время переключения
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 320 В
Vtb = 4 В
Vce = 10B,lc=50MA,
Vce = 10 В, 1с=100мА
Ic = 50 мА, Ib = 6 мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
Vcb = 20 В, f = 1 МГц
Ic = 50 мА
1с=10мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
15
-
-
-
-
50
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
-
135
2260
-
Макс,
зна-
чение
400
400
5
1,0
0,3
200
2
100
100
:
0,5
0,9
5
-
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
В
В
пФ
НС
НС
МГц
Корпус SOT89
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с FZT758.
- Маркировка на корпусе — FZT658.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
итга
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cobo
toN
toFF
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время переключения
Граничная частота эффективного усиления
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 320 В
Vtb = 4 В
Vce = 10 В, 1с = 50мА,
Vce = 10 В, 1с=100мА
Ic = 50 мА, Ib = 5 мА
1с=100мА, 1Ь = 10мА
Vcb = 20B,f=1 МГц
lc = 100 мА
1с=10мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
_
-
_
-
100
15
-
_
_
-
50
Тип.
зна-
чение
_
-
_
-
-
_
-
_
-
300
-
_
_
130
3300
-
Макс,
зна-
чение
400
400
5
1,0
0,5
200
2
100
100
-
0,25
0,9
10
-
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
В
В
пФ
НС
НС
МГц

516 Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с FZT957.
- Маркировка на корпусе — FZT857.
Корпус SOT89
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
mm
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cobo
toN
toFF
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Время переключения
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 300 В
Vtb = 6 В
Vce = 10B,lc = 500MA,
Vce =10 В, lc = 2A
Ic = 3.5А, Ib = 600 мА
Ic = 3.5A, Ib = 600 мА
Vcb = 20 В, f = 1 МГц
1с=100мА
Ic = 10 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
15
-
-
-
—
80
Тип.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
25
-
-
-
100
5300
-
Макс,
зна-
чение
300
300
6
5,0
3,5
300
3
50
10
300
0,345
1,25
11
-
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
В
В
пФ
НС
НС
МГц
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высо-
кой скоростью переключения.
- Комплементарная пара с FZTA92.
- Маркировка на корпусе — FZTA42.
Корпус SOT89
Вывод
1
2
3
Корпус
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические
Символ
Vcbo
Vceo
Vebo
Ic
Ic
Ib
Pc
Icbo
lebo
hFE
Vce sat
Vbe sat
Cobo
f
Параметр
Напряжение коллектор-база
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора импульсный
Ток коллектора постоянный
Ток базы
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение насыщения Б-Э
Выходная емкость
Граничная частота эффективного усиления
параметры
Условия
-
-
-
-
-
-
Т = 25°С
Vcb = 200 В
Vtb = 5 В
Vce = 10 В, 1с=10мА
Vce = 10 В, 1с=30мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
Ic = 20 мА, Ib = 2 мА
Vcb = 20 В, f = 1 МГц
Ic = 50 мА
Мин.
зна-
чение
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
40
-
-
_
50
Тип.
зна-
чение
-
-
_
-
-
-
-
_
_
:
_
-
_
-
Макс,
зна-
чение
300
300
5
1,0
0,5
100
2
100
100
-
500
0,9
6
-
Еди-
ницы
В
В
А
А
мА
Вт
нА
нА
мВ
В
пФ
МГц

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 517
Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Re-
placement Guide, в котором сказано, что приведенные аналоги могут отличаться типом корпуса, спосо-
бом крепления к радиатору и иметь незначительные отличия в параметрах (прим. составителя).
Прибор
2SA1402
2SA1403
2SA1404
2SA1405
2SA1406
2SA1407
2SA1474
2SA1475
2SA1476
2SA1536
2SA1537
2SA1538
2SA1539
2SA1540
2SA1541
2SA1598
2SA1599
2SA1600
2SA1601
2SA1795
2SA1796
2SA1876
2SA1877
2SA1878
2SA1879
2SA1967
2SA1968LS
2SB1282
2SB1283
2SB1284
2SB1448
2SC1942
2SC2928
2SC3025
2SC3026
2SC3176
Стр.
250
250
251
251
252
252
253
253
254
254
255
255
256
256
257
349
349
350
350
351
351
352
352
353
353
257
258
354
354
355
356
54
54
55
55
258
Про-
води-
мость
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
р-п-р
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Область
применения
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
SANYO
Возможные
аналоги
2SA1403, 2SA1536, 2SA1537
2SA1402, 2SA1536, 2SA1537
2SA1538, 2SA1539, 2SA1405, 2SA1406
2SA1538, 2SA1539, 2SA1541
2SA1352, 2SA1353.2SA1380, 2SA1381,
2SA1407, 2SA1478, 2SA1479^2SA1480
2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381,
2SA1406, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480
2SA1403.2SA1537
2SA1474, 2SA1402, 2SA1405
2SA1539, 2SA1541
2SA1402.2SA1403.2SA1537
2SA1402, 2SA1403, 2SA1536
2SA1405, 2SA1476, 2SA1539
2SA1405, 2SA1476, 2SA1538
2SA1476.2SA1541
2SA1476.2SA1540
2SA1307, 2SA1469, 2SA1599, 2SB1052,
2SB1052Q.2SB1052R
2SA1307, 2SA1469, 2SA1880, 2SB1052,
2SB1052Q, 2SB1052R, 2SB1071
2SA1601
2SA1292, 2SB829
2SA1598.2SA1679
2SA1598, 2SA1599
2SA1877
2SA1878, 2SA1879, 2SA1880
2SA1879, 2SA1880
2SA1880
2SA1968LS
2SA1967
2SB1021, 2SB1022, 2SB1101, 2SB1102,
2SB1103, 2SB1104
2SB1021, 2SB1022, 2SB1101, 2SB1102,
2SB1103.2SB1104
2SB1020
2SB1285
2SC1892.2SC1893
2SC2928-01
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3591.2SC3834

518 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC3307
2SC3322
2SC3336
2SC3365
2SC3425
2SC3506
2SC3507
2SC3591
2SC3595
2SC3596
2SC3597
2SC3598
2SC3599
2SC3600
2SC3601
2SC3636
2SC3637
2SC3638
2SC3642
2SC3643
2SC3657
2SC3658
2SC3659
2SC3675
2SC3676
2SC3678
2SC3679
2SC3680
2SC3685
2SC3686
Стр.
441
56
56
57
441
92
92
259
259
260
260
261
261
262
262
263
263
264
264
265
442
57
58
265
266
229
229
230
266
267
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANYO
SANYO
Возможные
аналоги
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974, 2SC4557, 2SC4580,
2SC4583, 2SC4584
2SC3657, 2SC3678, 2SC3679, 2SC3831,
2SC4299, 2SC4300
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC3813.2SC3871, 2SC3872, 2SC4296,
2SC3365, 2SC4297, 2SC4298
2SC3426
2SC3483, 2SC3484
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M
2SC3927, 2SC3974
2SC3834
2SC3613, 2SC3652, 2SC3950, 2SC4271
2SC2988, 2SC3597, 2SC3951, 2SC3952
2SC2988, 2SC3596, 2SC3951, 2SC3952
2SC3599, 2SC3600, 2SC3601
2SC3271, 2SC3600, 2SC3416, 2SC3417,
2SC3502, 2SC3503, 2SC3788, 2SC3789,
2SC3790
2SC3271, 2SC3601, 2SC3416, 2SC3417,
2SC3502, 2SC3503, 2SC3601, 2SC3619,
2SC3620, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790
2SC3271, 2SC3600, 2SC3416, 2SC3417,
2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3619,
2SC3620, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SC4542, 2SC4589, 2SC4747, 2SC4759,
2SD2252, 2SD1887, BU2508A/AF/AX,
BU2520A/AF/AX
2SC3644, 2SC3996, 2SC3997, 2SC3998,
2SC4289A, 2SC4290A
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3322, 2SC3678, 2SC3679, 2SC3831,
2SC4299, 2SC4300, 2SC4445
2SD868, 2SD869, 2SD869-14, 2SD869B,
2SD869FA, 2SD869-L, 2SD869L, 2SD869S,
2SD870, 2SD870A, 2SC3659, 2SD872
2SD868, 2SD869, 2SD869-14, 2SD869B,
2SD869FA, 2SD869-L, 2SD869L, 2SD869S,
2SD870, 2SD870A, 2SC3658, 2SD872
2SC4630
2SC4631
2SC3322, 2SC3657, 2SC3679, 2SC3831,
2SC4299, 2SC4300
2SC3322, 2SC3657, 2SC3678, 2SC3831,
2SC4299, 2SC4300
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3686, 2SC3687, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU1008AF
2SC3685, 2SC3687, 2SC4435, 2SC4436,

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 519
Прибор
2SC3687
2SC3688
2SC3715
2SC3716
2SC3780
2SC3781
2SC3782
2SC3830
2SC3831
2SC3832
2SC3833
2SC3884A
2SC3885A
2SC3886A
2SC3887
2SC3887A
2SC3888
2SC3888A
2SC3889
2SC3889A
2SC3890
2SC3892
2SC3892A
2SC3893
2SC3893A
2SC3894
Стр.
267
268
442
443
268
269
269
230
231
231
232
443
444
444
445
445
446
446
447
447
232
448
448
449
449
270
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
SANYO
SANYO
TOSH
TOSH
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
Возможные
аналоги
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU1008AF
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU1008AF
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD2252,
2SD1887, 2SC4199A, BU2508A/AF/AX,
BU2520A/AF/AX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1877, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367,
BU2506DF/DX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1877, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367, BU2506DF/DX
2SC4411
2SC3782, 2SC3610, 2SC3612, 2SC4566
2SC3610, 2SC3612, 2SC4566
2SC3831.2SC3832
2SC3322, 2SC3657, 2SC3678, 2SC3679,
2SC4299, 2SC4300, 2SC4445
2SC3831
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3685, 2SC4435, 2SC4436, 2SC4745,
2SC4757, 2SC4758, 2SC4770, 2SC4830,
2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3888, 2SC3889, 2SC5386
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
2SC5386
2SC3889, 2SC5386
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
2SC5386
2SC3896, 2SC3897, 2SC5386
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC5386, 2SC4830, 2SD1884, 2SD1885,
2SD1886
2SC3170, 2SC3170P, 2SC3159, 2SC3173,
2SC3175, 2SC3189, 2SC4105, 2SC4106,
2SC4162, 2SC4163, 2SC4164
2SC5339
2SC3893A, 2SC4123, 2SC4124, 2SC4125,
2SC4531, 2SC4762, 2SC4763, 2SC4769,
2SC4916, 2SC5339
2SC5280
2SC3892A, 2SC4123, 2SC4124, 2SC4125,
2SC4531, 2SC4762, 2SC4763, 2SC4769,
2SC4916, 2SC5280
2SC3685, 2SC3687, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU1008AF

520 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC3895
2SC3896
2SC3897
2SC3927
2SC3950
2SC3951
2SC3952
2SC3953
2SC3954
2SC3955
2SC3956
2SC3974
2SC3995
2SC3996
2SC3997
2SC3998
2SC4020
2SC4030
2SC4031
2SC4051
2SC4052
2SC4053
2SC4054
2SC4055
2SC4056
2SC4057
2SC4058
2SC4059
2SC4060
2SC4123
2SC4124
2SC4125
2SC4138
2SC4139
Стр.
270
271
271
233
272
272
273
273
274
274
275
93
275
276
276
277
233
277
278
356
357
357
358
358
359
359
360
360
361
278
279
279
234
235
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Производи-
тель
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
Возможные
аналоги
2SC3685, 2SC3687, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
BU1008AF
2SC3685, 2SC3687, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU1008AF
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD2252,
2SD1887, 2SC4199A, BU2508A/AF/AX,
BU2520A/AF/AX
2SC3507, 2SC3552K, 2SC3552L,
2SC3552M, 2SC3927, 2SC3974
2SC3595, 2SC4271
2SC3596, 2SC3597, 2SC3952
2SC3596, 2SC3597, 2SC3951
2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601,
2SC3619, 2SC3620, 2SC3788, 2SC3789,
2SC3790
2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601,
2SC3619, 2SC3620, 2SC3788, 2SC3789,
2SC3790
2SC3956, 2SC3963
2SC3955, 2SC3963
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974, 2SC4235, 2SC4236
2SC4288A, 2SC4890, 2SC4924, BUH313,
BUH315, BUH515, BUH715, BU2525A, BU2525AF
2SC3644, 2SC3997, 2SC3998, 2SC4289A,
2SC4290A
2SC3644, 2SC3996, 2SC3998, 2SC4289A,
2SC4290A
2SC3644, 2SC3996, 2SC3997, 2SC4289A,
2SC4290A
2SC3183.2SC3184
2SC3675, 2SC3676, 2SC4031
2SC3675, 2SC3676
2SC4052, 2SC4054, 2SC4418, 2SC4420,
2SC4518, 2SC4546
2SC4051, 2SC4054, 2SC4418, 2SC4420,
2SC4518.2SC4546
2SC4055, 2SC4580
2SC4051, 2SC4052, 2SC4418, 2SC4420,
2SC4518, 2SC4546
2SC4580
2SC4057, 2SC4580
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC4706
2SC3892A, 2SC4124, 2SC4125, 2SD1880,
2SD1881, BU2508DF/DX, BU2520DF/DX
2SC3892A, 2SC4123, 2SC4125, 2SD1880,
2SD1881, BU2508DF/DX, BU2520DF/DX
2SC3892A, 2SC4123, 2SC4124, 2SD1880,
2SD1881, BU2508DF/DX, BU2520DF/DX
2SC3434, 2SC3434L, 2SC3434M, 2SC3435,
2SC3435L, 2SC3435M, 2SC3527, 2SC4138,
2SC4157, 2SC4582
2SC3434, 2SC3434L, 2SC3434M, 2SC3435,
2SC3435L, 2SC3435M, 2SC3527, 2SC4138,
2SC4157.2SC4582

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 521
Прибор
2SC4140
2SC4148
2SC4149
2SC4150
2SC4151
2SC4157
2SC4230
2SC4231
2SC4232
2SC4233
2SC4234
2SC4235
2SC4236
2SC4237
2SC4256
2SC4257
2SC4271
2SC4288
2SC4288A
2SC4289
2SC4289A
2SC4290
2SC4290A
2SC4291
2SC4293
2SC4296
2SC4297
2SC4298
2SC4299
2SC4300
2SC4304
2SC4418
2SC4420
2SC4423
2SC4425
2SC4426
2SC4427
2SC4428
2SC4429
Стр.
235
361
362
362
363
450
363
364
364
365
365
366
366
367
280
280
281
450
451
451
452
452
453
281
282
236
236
237
237
238
238
239
93
283
283
284
284
285
285
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Производи-
тель
SANKEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
TOSHIBA
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
Возможные
аналоги
2SC4109, 2SC4109L, 2SC4109M,
2SC4110L, 2SC4110L, 2SC4110M,
2SC4007, 2SC4008, 2SC4149
2SC4007, 2SC4008, 2SC4148
2SC4151
2SC4876
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC4232, 2SC4583
2SC4517, 2SC4304
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974
2SC4235, 2SC4584
2SC4233, 2SC4235, 2SC4584
2SC3552K, 2SC3552L. 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974, 2SC4235, 2SC4236
2SC4224, 2SC4257, 2SC4450
2SC4256, 2SC4450, 2SC4632, 2SC4633
2SC3595, 2SC3950, 2SC4660
2SC5421
2SC5421, BUH313, BUH315, BUH515,
BUH715, BU2525A, BU2525AF
2SC5589, 2SC5589
2SC3644, 2SC3996, 2SC3997, 2SC3998,
2SC4290A
2SC5589
2SC3644, 2SC3996, 2SC3997, 2SC3998,
2SC4289A, 2SC5589
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1877, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367, BU2506DF/DX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294,
2SD1877, 2SD1878, 2SD1879, 2SD2368,
2SD2369, 2SD2329, 2SD2331, 2SD2333,
2SD2367, BU2506DF/DX
2SC3813.2SC3871, 2SC3872, 2SC4296,
2SC3365, 2SC4297, 2SC4298
2SC3813.2SC3871, 2SC3872, 2SC4296,
2SC4296, 2SC4298
2SC4297, 2SC4296
2SC3322, 2SC3657, 2SC3678, 2SC3679,
2SC3831, 2SC4299, 2SC4445
2SC3322, 2SC3657, 2SC3678, 2SC3679,
2SC3831, 2SC4299, 2SC4445
2SC4231.2SC4517
2SC4051, 2SC4052, 2SC4054. 2SC4420,
2SC4518.2SC4546
2SC4051, 2SC4052, 2SC4054, 2SC4418,
2SC4518, 2SC4546
2SC3813.2SC3871, 2SC3872, 2SC4296,
2SC4297, 2SC4298, 2SC4421, 2SC4468
2SC3813.2SC3871, 2SC3872, 2SC4296,
2SC4297, 2SC4298, 2SC4421, 2SC4468
2SC4302, 2SC4359, 2SC4427, 2SC4428,
2SC4429, 2SC4430
2SC4302, 2SC4359, 2SC4426, 2SC4428,
2SC4429, 2SC4430
2SC4302, 2SC4359, 2SC4427, 2SC4426,
2SC4429, 2SC4430
2SC4302, 2SC4359, 2SC4427, 2SC4428,
2SC4426, 2SC4430

522 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC4430
2SC4434
2SC4435
2SC4437
2SC4440
2SC4441
2SC4445
2SC4450
2SC4451
2SC4475
2SC4476
2SC4478
2SC4493
2SC4517
2SC4517A
2SC4518
2SC4518A
2SC4531
2SC4532
2SC4542
2SC4546
2SC4557
2SC4560
2SC4563
2SC4572
2SC4579
2SC4580
2SC4582
2SC4583
2SC4584
2SC4589
Стр.
286
239
286
287
287
288
240
288
289
289
290
290
291
240
241
241
242
453
454
454
242
243
455
291
292
293
367
368
368
369
58
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Выходные каскады СР
Схемы динамической
фокусировки
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Производи-
тель
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SANKEN
SANKEN
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANKEN
SANKEN
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SHINOENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
Возможные
аналоги
2SC4302, 2SC4359, 2SC4427, 2SC4428,
2SC4429, 2SC4426
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC44.38, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SC4830, 2SD1884, 2SD1885,
2SD1886, BU1008AF
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757. 2SC4758,
2SC4770, 2SC4830, 2SD1884, 2SD1885,
2SD1886, BU1008AF, BUS131,
2SC3750, 2SC3795, 2SC3972, 2SC3973,
2SC4052, 2SC4054, 2SC4160, 2SC4161,
2SC4518, BUT11AF, BUT18AF, BUT18F,
BUV46AFI, BUV46FI
2SC4382, 2SC4478
2SC3322, 2SC3657, 2SC3678, 2SC3679,
2SC3831, 2SC4299, 2SC4300
2SC4224, 2SC4256, 2SC4257
2SC4579, 2SC4475, 2SC4476, 2SC4634,
2SC4S35, 2SC4636, 2SC4637
2SC4451, 2SC4476, 2SC4579, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC4451, 2SC4475, 2SC4579, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC4833, 2SC4834
2SC4492
2SC4304, 2SC4231, 2SC4517A, 2SC4518,
2SC4518A
2SC4518.2SC4518A
2SC4051, 2SC4052, 2SC4054, 2SC4420,
2SC4434, 2SC4518, 2SC4546
2SC4434
2SC3892A, 2SC3893, 2SC4123, 2SC4124,
2SC4125, 2SC4531, 2SC4762, 2SC4763,
2SC4769, 2SC4916, 2SC5280
2SC5422
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SC4589, 2SC4747, 2SC4759, 2SD2252,
2SD1887, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF/AX
2SC4051, 2SC4052, 2SC4054, 2SC4418,
2SC4420.2SC4518
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974, 2SC4580, 2SC4583,
2SC4584
2SC5404, BU4525AW
2SC4411
2SC4492, 2SC4493, 2SC4578
2SC4451, 2SC4475, 2SC4476, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974, 2SC4557, 2SC4583,
2SC4584
2SC4138, 2SC4157, 2SC4582
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M,
2SC3927, 2SC3974, 2SC4557, 2SC4580,
2SC4584
2SC3552K, 2SC3552L, 2SC3552M, 2SC3927,
2SC3974, 2SC4557, 2SC4580, 2SC4583
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SC4542, 2SC4747, 2SC4759, 2SD2252,
2SD1887, BU2508A/AF/AX,
BU2520A/AF/AX, BU4525AF

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 523
Прибор
2SC4608
2SC4630
2SC4631
2SC4632
2SC4633
2SC4634
2SC4635
2SC4636
2SC4637
2SC4660
2SC4662
2SC4663
2SC4664
2SC4668
2SC4669
2SC4692
2SC4706
2SC4710
2SC4710LS
2SC4742
2SC4743
2SC4744
2SC4745
2SC4746
2SC4747
2SC4757
2SC4758
2SC4759
2SC4760
2SC4761
2SC4762
Стр.
455
293
294
294
295
295
296
296
297
297
243
370
370
371
371
59
244
298
298
59
60
60
61
61
62
456
456
457
457
458
458
Про-
води-
мость
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Область
применения
Выходные каскады СР
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Выходные каскады ви-
деоусилителей
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Схемы динамической
фокусировки
Схемы динамической
фокусировки
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANKEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
SANKEN
SANYO
SANYO
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
Возможные
аналоги
2SC5422
2SC3992, 2SC3993
2SC3992, 2SC3993
2SC4224, 2SC4256, 2SC4257
2SC4224, 2SC4256, 2SC4257
2SC4451, 2SC4475, 2SC4476, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC4451, 2SC4475, 2SC4476, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC4451, 2SC4475, 2SC4476, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC4451, 2SC4475, 2SC4476, 2SC4634,
2SC4635, 2SC4636, 2SC4637
2SC3950, 2SC4200, 2SC4271
2SC4051, 2SC4052, 2SC4054, 2SC4418,
2SC4420, 2SC4518, 2SC4546
2SC4833, 2SC4834, 2SC4664
2SC4834
2SC4669
2SC4149
BU4530AL, 2SC3897, 2SC3995, 2SC3996,
2SC5105, 2SC5302, 2SC5331, 2SC5421,
2SC5456.2SC5515,
2SC4060
2SC4709
2SC4709
BU2508DW, 2SC3682, 2SC4292, 2SD871,
2SD1399, 2SD1428, 2SD1709, 2SD2295,
2SD2297
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU4508AX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1877, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367, BU2506DF/DX
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4757, 2SC4758, 2SC4770, 2SC4830,
2SD1884, 2SD1885, 2SD1886, BU4515AF
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886,
BU4523AF
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SC4542, 2SC4589, 2SC4759, 2SD2252,
2SD1887, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF/AX
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4758, 2SC4770, 2SC4830,
2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4770, 2SC4830,
2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SC4542, 2SC4589, 2SC4747, 2SD2252,
2SD1887, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF/AX
2SC5612
BU2722AX, 2SC4796, 2SC4797, 2SC4879,
2SC5286,
2SC3892A, 2SC3893, 2SC4123, 2SC4124,
2SC4125, 2SC4531, 2SC4763, 2SC4769,
2SC4916, BU4508DX

524 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC4763
2SC4764
2SC4765
2SC4766
2SC4769
2SC4770
2SC4789
2SC4796
2SC4797
2SC4806
2SC4830
2SC4833
2SC4834
2SC4877
2SC4878
2SC4879
2SC4880
2SC4897
2SC4907
2SC4908
2SC4914
2SC4916
2SC4924
2SC4927
2SC4928
2SC4940
2SC4941
2SC4962
2SC4978
2SC4979
2SC4980
2SC4981
2SC4982
2SC5002
2SC5003
2SC5041
2SC5042
2SC5043
2SC5044
2SC5045
2SC5046
2SC5047
2SC5048
2SC5058
Стр.
459
459
460
460
299
299
62
63
63
461
461
372
372
64
64
65
65
66
244
245
373
462
300
66
67
374
374
67
375
375
376
376
377
245
246
300
301
301
302
302
303
303
462
68
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР,
импульсные ИП
Выходные каскады СР,
импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
SANKEN
SANKEN
SHINDENGEN
TOSHIBA
SANYO
HITACHI
HITACHI
SHINDENGEN
SHINDENGEN
HITACHI
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANKEN
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
Возможные
аналоги
2SC3892A, 2SC3893, 2SC4123, 2SC4124,
2SC4125, 2SC4531, 2SC4762, 2SC4769,
2SC4916, BUH515D, BU2508DF, BU2508DX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1877, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367,
BU2506DF/DX
BU2708DX, 2SC5041, 2SD2521
BU2720DX
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1880. 2SD1881, BUH515D,
BU2508DF, BU2508DX
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SC4830, 2SD1884, 2SD1885,
2SD1886 BU1008AF, BUS131
BU4550AL, 2SC4290A, 2SC4789, 2SC4897,
2SC4928, BUH1015HI (ST-Micro)
BU2727AF, 2SC4879, 2SC5286, 2SC4797
BU2727AF, 2SC4879, 2SC5286, 2SC4796
BU2708AX, 2SC5042
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745. 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC4663, 2SC4834
2SC4663, 2SC4833
BU2523DF, BU2525DF
2SC4879, BU2727AF
BU2727AF
2SC5422, 2SC5590
BU4550AL, 2SC4290A, 2SC4789, 2SC4928,
BUH1015HI (ST-Micro)
2SC4706
2SC5002
2SC4560, 2SC5404
2SC3892A, 2SC3893, 2SC4123, 2SC4124,
2SC4125, 2SC4531, 2SC4762, 2SC4769,
2SC4916, BUH515D, BU2508DF, BU2508DX
BUH313, BUH315, BUH515, BUH715,
BU2525A, BU2525AF
BU4522DF
BU4550AL, 2SC4290A, 2SC4789, 2SC4897,
BUH1015HI (ST-Micro)
2SC4941
2SC5002
BU2727DF, 2SC4963
2SC4979, 2SC4980, 2SC4981
2SC4981.2SC4982
2SC4981.2SC4982
2SC4982
2SC4981
2SC3685, 2SC3686, 2SC4435, 2SC4436,
2SC4745, 2SC4757, 2SC4758, 2SC4770,
2SC4830, 2SD1884, 2SD1885, 2SD1886
2SC3892A, 2SC3893, 2SC4123, 2SC4124,
2SC4125, 2SC4531, 2SC4762, 2SC4769,
2SC4916, BUH515D, BU2508DF, BU2508DX
2SC5043, 2SC5900, BU2708DF
2SC5044, 2SC5811, BU2708AF
2SC5041, 2SC5776, BU2708DF
2SC5045, BU2725AF
2SC5046, 2SC5899, BU2727A
2SC5577, BU2727A, BU4525AL
BU4550AL, 2SC4290A, 2SC4789, 2SC4897,
BUH1015HI (ST-Micro)
2SC5387, 2SC5855
2SC5966, 2SC5967

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 525
Прибор
2SC5068A
2SC5071
2SC5105
2SC5124
2SC5129
2SC5130
2SC5132A
2SC5142
2SC5143
2SC5144
2SC5148
2SC5149
2SC5150
2SC5172
2SC5207A
2SC5219
2SC5239
2SC5241
2SC5243
2SC5244
2SC5244A
2SC5249
2SC5250
2SC5251
2SC5252
2SC5266
2SC5270
2SC5270A
2SC5271
2SC5279
2SC5280
2SC5287
2SC5296
2SC5297
2SC5298
2SC5299
2SC5300
2SC5301
2SC5302
2SC5303
2SC5331
2SC5332
2SC5339
2SC5353
2SC5354
2SC5386
2SC5387
2SC5404
2SC5406
2SC5406A
2SC5407
2SC5411
Стр.
68
246
69
247
463
247
69
463
464
464
465
465
466
466
70
70
248
377
94
94
95
248
71
71
72
467
95
96
249
467
468
249
304
305
305
306
306
307
307
308
468
469
469
470
470
471
471
472
96
97
97
472
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР,
импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
HITACHI
SANKEN
HITACHI
SANKEN
TOSHIBA
SANKEN
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANKEN
SHINDENGEN
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SANKEN
HITACHI
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
SANKEN
TOSHIBA
TOSHIBA
SANKEN
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
Возможные
аналоги
BU4523AF, 2SC5514, 2SD2515, BUH715
(ST-Micrp)
2SC4060
BU4530AL, 2SC3897, 2SC3995, 2SC3996,
2SC4682, 2SC5105, 2SC5302, 2SC5331,
2SC5421, 2SC5456, 2SC5515
2SC5142, 2SC5589
2SC5855
2SC4058
BU4508DF, 2SC4744, 2SC5250, 2SD2300,
2SD1847
2SC5589
2SC5716
2SC5858
2SC5855
2SC5339
2SC5588
2SC4706, 2SC4907
BU4522AF, 2SC5067, 2SC5067A, 2SC5251,
2SC5427, 2SD1739
BU2727DF, 2SC4879
2SC4428, 2SC4429
2SC4055, 2SC4056, 2SC4580
2SC5144, 2SC5590
2SC5243, 2SC5590
2SC5243, 2SC5590
2SC4908
BU4508DF, 2SC4744, 2SC5132A, 2SD2300,
2SD1847
BU4522AF, 2SC5067, 2SC5067A, 2SC5427,
2SD1739
BU4525AF, 2SC4589, MJF16212
2SC4057
2SC5270A, 2SC5142, 2SC5589, 2SC5144,
2SC5590
2SC5144, 2SC5590
2SC4834
2SC4051.2SC4052
2SC5386
2SC4237, 2SC4585
2SC5041, 2SC5043, BU2708DF
2SC5042, BU2708AF
2SC5043
2SC5044, 2SC5045, BU2725AF
2SC5301, BU4525AL, BU4530AL
2SC5045, 2SC5046, BU2727A
2SC5301, 2SC5045, 2SC5046, BU2727A
BU4540AL
2SC5421
BU2727AX, 2SC5422
BU4508DX
2SC4234, 2SC4583
2SC4236, 2SC4237
BU4515AX, 2SC3885A, 3SC3888A,
2SC4436, 2SC4438, ST2001HI
BU4522AX, 2SC3886A, 2SC4923, 2SC4924,
2SC5297, 2SC5298, 2SC5299, SC5513,
2SD1886, KSD5078, KSD5080, BUH615
(ST-Micro), THD215HI (ST-Micro)
BU4522AX, 2SC3886A, 2SC4923, 2SC4924,
2SC5297, 2SC5298, 2SC5299, SC5513,
2SD1886, KSD5078, KSD5080, BUH615
(ST-Micro), THD215HI (ST-Micro)
2SC5421.2SC5422
2SC5421.2SC5422
2SC5446, 2SC5570
2SC5587, 2SC5588

526 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SC5412
2SC5421
2SC5422
2SC5423
2SC5439
2SC5440
2SC5443
2SC5444
2SC5445
2SC5446
2SC5447
2SC5448
2SC5450
2SC5451
2SC5452
2SC5453
2SC5470
2SC5478
2SC5506
2SC5513
2SC5514
2SC5515
2SC5516
2SC5517
2SC5518
2SC5519
2SC5546
2SC5552
2SC5553
2SC5577
2SC5578
2SC5583
2SC5584
2SC5587
2SC5588
2SC5589
2SC5590
2SC5591
2SC5597
2SC5612
2SC5622
2SC5637
2SC5638
2SC5639
2SC5680
2SC5681
2SC5682
2SC5683
2SC5686
2SC5689
2SC5690
2SC5695
2SC5696
2SC5698
2SC5699
2SC5716
Стр.
98
473
473
98
474
99
308
309
474
475
72
73
309
310
310
311
73
99
311
100
100
101
101
102
102
103
103
104
104
312
312
105
105
476
476
477
477
106
106
478
107
313
313
314
314
315
315
316
107
316
317
478
317
318
318
479
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
TOSHIBA
PANASONIC
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
HITACHI
PANASONIC
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
SANYO
SANYO
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
Возможные
аналоги
2SC5588, 2SC5716
BU4530AL
BU4530AL
2SC5570
2SC4585
2SC5421, 2SC5445, 2SC5587
2SC5444, BU4540AL, BU4540AW,
BU4550AL
2SC5453
BU4540AL
2SC5570
BU4507AF, 2SD1737, 2SD2329,
BU4515AF, 2SC4745, 2SC5448,
2SC5301, 2SC5045, 2SC5046, 2SC5451,
BU2727A
2SC5301.2SC5045, 2SC5046, BU2727A
2SC5301, 2SC5045, 2SC5046, BU2727A
2SC5444
2SC5445
BU2727AX, 2SC5044
2SC5444, BU4540AL, BU4540AW,
BU4550AL
BU4522AX, 2SC3886A, 2SC4923, 2SC4924,
2SC5297, 2SC5298, 2SC5299, SC5513,
2SD1886, KSD5078, KSD5080, BUH615
(ST-Micro), THD215HI (ST-Micro)
BU4523AX, 2SD2515, BUH715 (ST-Micro)
BU4530AL, 2SC3897, 2SC3995, 2SC3996,
2SC4682, 2SC5105, 2SC5302, 2SC5331,
2SC5421.2SC5456
BU4540AL
2SC5588
2SD2500
2SC5716
2SC5446, 2SC5570
2SC5446, 2SC5570, 2SC5590
2SC5858, 2SC5859
2SC5046, 2SC5578, BU2727A, BU4530AL,
BU4550AL
2SC5453, 2SC5506
2SC5858, 2SC5859
2SC5445, 2SC5695
2SC5857, 2SC5589
2SC5857, S3G18
2SC5612, 2SC5695
2SC5746, 2SC5858
2SC5857, 2SC5858
2SC5858
2SC5686
2SD2499
2SC5577, 2SC5638, 2SC5791, 2SC5792,
BU2727A, BU4525AL
2SC5577, 2SC5792, BU2727A, BU4525AL
2SC5047, 2SC5793, BU4550AL
2SC5577, 2SC5638, 2SC5681, BU2727A,
BU4525AL
2SC5045, 2SC5046, 2SC5301, 2SC5682,
BU2727A
2SC5045, 2SC5046, 2SC5301, BU2727A
2SC5444, 2SC5453, 2SC5794
2SC5612
2SC5043, 2SC5690, BU2708DF
2SC5696, 2SC5778, BU4525DL, BU4525DW
2SC5858
2SC5690, 2SC5778, BU4525DL. BU4525DW
2SC5696, BU4525DL, BU4525DW
2805577^05638, BU2727A, BU4525AL
2SC5857, 2SC6041, S3H60

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 527
Прибор
2SC5717
2SC5722
2SC5723
2SC5739
2SC5776
2SC5777
2SC5778
2SC5779
2SC5788
2SC5791
2SC5792
2SC5793
2SC5794
2SC5811
2SC5855
2SC5856
2SC5857
2SC5858
2SC5884
2SC5885
2SC5899
2SC5900
2SC5902
2SC5904
2SC5905
2SC5909
2SC5912
2SC5913
2SC5914
2SC5931
2SC5932
2SC5933
2SC5966
2SC5967
2SC5993
2SC6012
2SD1022
2SD1023
2SD1024
2SD1025
2SD1026
2SD1027
2SD1159
2SD1279
2SD1426
2SD1427
2SD1428
2SD1429
2SD1430
2SD1431
2SD1432
Стр.
479
319
319
108
320
320
321
108
109
321
322
322
323
323
480
481
481
482
109
110
324
324
110
111
111
112
112
113
113
114
325
325
326
326
114
115
378
378
379
379
380
380
327
483
484
484
485
485
486
486
487
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
rvp-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Общего применения
Выходные каскады СР
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
TOSHIBA
SANYO
SANYO
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
PANASONIC
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
Возможные
аналоги
2SC5857
2SC5045, 2SC5046, 2SC5723, BU2727A
2SC5303, BU4540AL
2SC4148
2SC5041, 2SC5777, BU2708DF
2SC5043
2SC5690, 2SC5696, BU4525DL, BU4525DW
2SC4149, 2SC4150, 2SC4151, 2SC4876
2SC4978, 2SC4979
2SC5577, 2SC5638, 2SC5637, 2SC5792,
BU2727A, BU4525AL
2SC5577, 2SC5638, BU2727A, BU4525AL
2SC5047, 2SC563JLBU4550AL
2SC5444, 2SC5453, 2SC5683
2SC5044, 2SC5042, BU2708AF
2SD2500
2SC5997, 2SD6041
2SC5858, 2SC5859
2SC5859
2SC5280, 2SC5339, 2SD2499, 2SD2539,
2SD2550
2SC5280, 2SC5339, 2SD2499, 2SD2539,
2SD2550
2SC5046, BU2727A
2SC5043, 2SC5041, BU2708DF
S3G18
2SC5905, 2SC5857
2SC5857
2SC5587, 2SC5588
BU2520DF
2SC5280, 2SC5339, 2SD2499
2SC5411, 2SC5587, 2SC5588
2SC5857, 2SC5997
2SC5722, 2SC5723, 2SC5967
2SC5933, 2SC5967
2SC5967
2SC5968
2SC4663, 2SC4664
S3G18
2SD1024.2SD1791
2SD1025.2SD1792
2SD1026, 2SD1793
2SD1027.2SD1794
2SD1027, 2SD2196
2SD2196
2SD1958
2SC5855
BU4506DX, 2SD1439, 2SD2369, 2SD2510,
BUH315D(ST-Micro)
BU4507DX, 2SC4122, 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1441, 2SD1651, 2SD1729,
2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI (ST-Micro),
KSD5062, KSD5072, THD218DHI (ST-Micro)
BU2508DW, 2SC3682, 2SC4292, 2SD871,
2SD1399, 2SD1428, 2SD1709, 2SD2295,
2SD2297
BU505, 2SC5042, 2SC5338, 2SD1734,
2SD1735
BU4506AX, 2SD2368, 2SD2511, BUH315
(ST-Micro)
BU4507AX, 2SC3685, 2SC3894, 2SD1402,
2SD1655, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372,
ST1803HI (ST-Micro),KSD5066, KSD5076,
THD277HI (ST-Micro)
BU4508AX, 2SC3884A, 2SC3887A,
2SC3686, 2SC3895, 2SC4435, 2SC4437,
2SC4743, 2SC4770, 2SD1391, 2SD1403,
2SD1577FI, 2SD1656, 2SD1710, 2SD1885,

528 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SD1433
2SD1439
2SD1440
2SD1441
2SD1541
2SD1543
2SD1544
2SD1545
2SD1546
2SD1547
2SD1548
2SD1553
2SD1554
2SD1555
2SD1556
2SD1632
2SD1729
2SD1730
2SD1731
2SD1732
2SD1739
2SD1788
2SD1790
2SD1791
2SD1792
2SD1793
2SD1794
2SD1846
2SD1849
2SD1876
2SD1877
Стр.
487
115
116
116
117
488
488
489
489
490
490
491
491
492
492
117
118
118
119
119
120
381
382
382
383
383
384
120
121
328
328
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Общего применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
PANASONIC
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
SHINDENGEN
PANASONIC
PANASONIC
SANYO
SANYO
Возможные
аналоги
2SD2251, 2SD2252, 2SD2296, 2SD2298,
2SD2373, 2SD2513, BU208A (ST-Micro),
BUH515 (ST-Micro), S2000AFI (ST-Micro)
BU2520AW, 2SD822, 2SD1433, 2SC3687,
2SC3889A, 2SC5855, KSD5089, 2SC4023
BU4506DX, 2SD1426, 2SD2369, 2SD2510,
BUH315D
BU4505DX
BU4507DX, 2SC4122, 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1427, 2SD1441, 2SD1651,
2SD1729, 2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI
(ST-Micro),KSD5062, KSD5072, THD218DHI
(ST-Micro)
BU4506DF
2SD5855
BU4506AX, 2SD2368, 2SD2511, BUH315
(ST-Microl
BU4507AX, 2SC3685, 2SC3894, 2SD1402,
2SD1655, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372,
ST1803HI (ST-Micro),KSD5066, KSD5076,
THD277HI (ST-Micro)
BU4508AX, 2SC3884A, 2SC3887A,
2SC3686, 2SC3895, 2SC4435, 2SC4437,
2SC4743, 2SC4770, 2SD1391, 2SD1403,
2SD1577FI, 2SD1656, 2SD1710, 2SD1885,
2SD2251, 2SD2252, 2SD2296, 2SD2298,
2SD2373, 2SD2513, BU208A (ST-Micro),
BUH515 (ST-Micro), S2000AFI (ST-Micro)
BU4522AX, 2SC3886A, 2SC4923, 2SC4924,
2SC5297, 2SC5298, 2SC5299, SC5513,
2SC5855, 2SD1886, KSD5078, KSD5080,
BUH615 (ST-Micro), THD215HI (ST-Micro)
2SC5855
2SD2599
BU4506DX, BU4506DX, 2SD1426, 2SD1439,
2SD2369, 2SD2510, BUH315D
BU4507DX, 2SC4122, 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1427, 2SD1441, 2SD1651,
2SD1729, 2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI
(ST-Micro),KSD5062, KSD5072, THD218DHI
(ST-Micro)
BU4508DX, 2SC3892A, 2SC4123, 2SC4294,
2SC4769, 2SC5296, 2SD1652, 2SD1711,
2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D
(ST-Micro), KSD5086
BU4507DF
BU4507DX
BU4507DX
BU2520DW
BU4523DW
BU4522AF
2SD1789
2SD1788.2SD1789
2SD1024
2SD1025
2SD1026
2SD1027
BU4507DF, 2SC4122, 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1427, 2SD1441, 2SD1651,
2SD1729, 2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI
(ST-Micro),KSD5062, KSD5072, THD218DHI
(ST-Micro)
BU4523DF, 2SC4877, 2SD2057
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1877, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367,
BU2506DF/DX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 529
Прибор
2SD1878
2SD1879
2SD1880
2SD1881
2SD1882
2SD1883
2SD1884
2SD1885
2SD1886
2SD1887
2SD1958
2SD2057
2SD2089
2SD2095
2SD2125
2SD2196
2SD2251
2SD2252
2SD2253
2SD2294
2SD2295
2SD2296
2SD2297
2SD2298
2SD2299
2SD2300
Стр.
329
329
330
330
331
331
332
332
333
333
334
122
493
493
494
385
335
335
494
74
74
75
75
76
76
77
Про-
води-
мость
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
п-р-п
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Общего применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
PANASONIC
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SHINDENGEN
SANYO
SANYO
TOSHIBA
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
Возможные
аналоги
2SC4293, 2SC4294, 2SD1876, 2SD1878,
2SD1879, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367,
BU2506DF/DX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1876, 2SD1877,
2SD1879, 2SD2368. 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367,
BU2506DF/DX
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1876, 2SD1877,
2SD1878, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367,
BU2506DF/DX
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1881, 2SD2251, BUH515D,
BU2508DF, BU2508DX
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1880, 2SD2251, BUH515D,
BU2508DF, BU2508DX
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SD1883, 2SD1884, 2SD1885,
2SD1886, 2SC4830, BU1008AF, BUS131
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SD1882, 2SD1884, 2SD1885,
2SD1886, 2SC4830, BU1008AF, BUS131
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SD1882, 2SD1883, 2SD1885,
2SD1886, 2SC4830, BU1008AF, BUS131
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SC4830, 2SD1882, 2SD1883,
2SD1884, 2SD1886, BU1008AF, BUS131
2SC3685, 2SC3687, 2SC4436, 2SC4437,
2SC4438, 2SC4745, 2SC4757, 2SC4758,
2SC4770, 2SC4830, 2SD1882, 2SD1883,
2SD1884, 2SD1885, BU1008AF, BUS131
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SD2646, 2SD2252, BU2508A/AF/AX,
BU2520A/AF/AX
2SD1159
BU4523DF, 2SC4877, 2SD1849
2SD2599
2SD2586
2SD2539
2SD1027
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1880, 2SD1881, BUH515D,
BU2508DF, BU2508DX
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF/AX
2SD2638, BU2720DX
BU4505AX
BU2508DW
BU4508AX
2SC3682, 2SC4292, 2SD871, 2SD1399,
2SD1428, 2SD1709, 2SD2295, BU2508DW
BU4508AX, 2SC3884A, 2SC3887A,
2SC3686, 2SC3895, 2SC4435, 2SC4437,
2SC4743, 2SC4770, 2SD1391, 2SD1403,
2SD1577FI, 2SD1656, 2SD1710, 2SD1885,
2SD2251, 2SD2252, 2SD2296, 2SD2373,
2SD2513, BU208A (ST-Micro), BUH515 (ST-
Micro), S2000AFI (ST-Micro)
BU4505DF
BU4508DF

530 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
2SD2301
2SD2311
2SD2348
2SD2349
2SD2381
2SD2428
2SD2454
2SD2498
2SD2499
2SD2500
2SD2539
2SD2550
2SD2551
2SD2553
2SD2559
2SD2578
2SD2579
2SD2580
2SD2581
2SD2586
2SD2599
2SD2624
2SD2627LS
2SD2629
2SD2634
2SD2638
2SD2645
2SD2646
2SD2648
2SD2649
2SD2650
2SD2658LS
2SD2688LS
2SD2689LS
2SD811
2SD818
2SD819
2SD820
2SD821
2SD822
2SD868
2SD869
2SD870
2SD871
BU208A
BU505DF
BU505F
BU506
Стр.
77
78
495
495
79
496
496
497
497
l498
498
499
499
500
500
336
336
337
337
501
501
338
338
339
339
502
340
340
341
341
342
342
343
343
502
503
503
504
504
505
505
506
506
507
386
124
124
125
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
HITACHI
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
HITACHI
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
ST-MICRO
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Возможные
аналоги
2SD2311, BU4508AF
2SD2301, BU4508AF
BU4522DX
BU4523DX
BU4505AF
BU2725DW
BU2720DX
BU4508AX, 2SC3884A, 2SC3887A,
2SC3686, 2SC3895, 2SC4435, 2SC4437,
2SC4743, 2SC4770, 2SD1391, 2SD1403,
2SD1577FI, 2SD1656, 2SD1710, 2SD1885,
2SD2251, 2SD2252, 2SD2296, 2SD2373,
2SD2513, BU208A (ST-Micro), BUH515 (ST-
Micro), S2000AFI (ST-Micro)
BU4508DX
BU4523AX
BU4522DX
BU2708DX, 2SC4123, 2SC4124, 2SC4125,
2SC4531, 2SC4762, 2SD1880, 2SD1881,
BUH515D, BU2508DF
BU2720DX
BU2725DX
2SC5280, 2SD2553
L 2SD2645
2SC5046, 2SD2646, 2SD2648, BU2727A
TT2202
2SD2646, 2SD2648
2SC5280, 2SC5339
2SD2599, 2SC5280, 2SC5339
2SD2580, TT2202
2SD2624, 2SD2580, TT2202
2SD2624, 2SD2580, TT2202
2SD2645, 2SD2580
S3G18.S3H60
2SD2580
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SC4199A,
2SD2252, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF/AX
2SC5046, BU2727A
TT2142, TT2202, 2SD2648, 2SD2650
TT2142,TT2202
2SD2688, TT2138LS, TT2140LS, TT2170LS
2SD2645, TT2202
2SC5680, 2SD1887, 2SD2646, 2SD4648
2SC3657, BU426, BU433
2SD627, 2SD849, 2SD850
2SD627, 2SD849, 2SD850
2SD807, 2SD807M, 2SD821, 2SD822,
2SD1168
2SD807, 2SD807M, 2SD820, 2SD822,
2SD1168
2SD807, 2SD807M, 2SD821, 2SD820,
2SD1168
2SD869, 2SD869-14, 2SD869B, 2SD869FA,
2SD869-L, 2SD869L, 2SD869S, 2SD870,
2SD870A, 2SC3659, 2SD872
2SD868, 2SD869-14, 2SD869B, 2SD869FA,
2SD869-L, 2SD869L, 2SD869S, 2SD870,
2SD870A, 2SC3659, 2SD872
2SD868, 2SD869, 2SD869-14, 2SD869B,
2SD869FA, 2SD869-L, 2SD869L, 2SD869S,
2SD870A, 2SC3659, 2SD872
2SD868, 2SD869, 2SD869-14, 2SD869B,
2SD869FA, 2SD869-L, 2SD869L, 2SD869S,
2SD870, 2SD870A, 2SC3659, 2SD872, 2SD898
BU4508AX
BU506DF, 2SD1727, 2SD1844
2SC5042, 2SC5338, 2SD1734, 2SD1735
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 531
Прибор
BU506D
BU506DF
BU506F
BU508A
BU508AF
BU508AFI
BU508DFI
BU508AW
BU508DF
BU508DW
BU808DFI
BU1506DX
BU1507AX
BU1507DX
BU1508AX
BU1508DX
BU2506DF
BU2506DX
BU2507AF
BU2507AX
BU2507DF
BU2507DX
BU2508A
BU2508AF
BU2508AW
BU2508AX
BU2508D
BU2508DF
BU2508DW
BU2508DX
BU2515AF
BU2515AX
BU2515DF
BU2515DX
BU2520A
BU2520AF
BU2520AW
BU2520AX
BU2520D
BU2520DF
BU2520DW
BU2520DX
Стр.
125
126
126
387
127
387
388
127
128
128
388
129
129
130
130
131
131
132
132
133
133
134
134
135
135
136
136
137
137
138
138
139
139
140
140
141
141
142
142
143
143
144
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST-MICRO
PHILIPS
ST-MICRO
ST-MICRO
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST-MICRO
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Возможные
аналоги
-
BU506D
2SC5042, 2SC5338
BU508AW, 2SC3995, 2SC3996, 2SC3997
2SC5044, 2SC5045, 2SC5302
BU508AX
BU4508DZ, BUH515DXI, BUH515FP
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997
BU508DW
-
-
2SD2553
2SC4891, 2SC5300, 2SC5302
2SD2553
BU1507A, 2SC4891, 2SC5300, 2SC5302
2SD2553
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1876, 2SD1877,
2SD1878, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367
2SC3715, 2SC3716, 2SC4122, 2SC4292,
2SC4293, 2SC4294, 2SD1876, 2SD1877,
2SD1878, 2SD2368, 2SD2369, 2SD2329,
2SD2331, 2SD2333, 2SD2367
BU2507AX, 2SC5044, 2SC5045, 2SC5300
BU2507AF, 2SC5044, 2SC5045, 2SC5300
BU2507DX, 2SD2553
BU2507DF, 2SD2553
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2520A/AF/AX, BU2508AW
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2520A/AF/AX
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2520A/AF/AX, BU2508AW
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX
2SC3682, 2SC4292, 2SD871, 2SD1399,
2SD1428, 2SD1709, 2SD2295, 2SD2297
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1880, 2SD1881, BUH515D,
BU2508DX
2SC3682, 2SC4292, 2SD871, 2SD1399,
2SD1428, 2SD1709, 2SD2295, 2SD2297
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SC5041.2SD1880, 2SD1881,
BUH515D, BU2508DF
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX, BU2520A/AF
2SD2553, BU2515DX
2SD2553, BU2515DF
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX
2SD822, 2SD1433, 2SC3687, 2SC3889A,
KSD5089, 2SC4023
2SC4096, 2SC4111, 2SC4199, 2SD1887,
2SC4199A, BU2508A/AF/AX
2SC3683, 2SD1731, KSD5090
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1880, 2SD1881, BUH515D,
BU2508DF
2SC3683, 2SD1731, KSD5090
2SC4123, 2SC4124, 2SC4125, 2SC4531,
2SC4762, 2SD1880, 2SD1881, BUH515D,
BU2508DF

532 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
BU2522A
BU2522AF
BU2522AW
BU2522AX
BU2522DF
BU2522DX
BU2523AF
BU2523AX
BU2523DF
BU2523DX
BU2525A
BU2525AF
BU2525AW
BU2525AX
BU2525DF
BU2525DW
BU2525DX
BU2527A
BU2527AF
BU2527AW
BU2527AX
BU2527DF
BU2527DX
BU2530AL
BU2530AW
BU2532AL
BU2532AW
BU2708AF
BU2708AX
BU2708DF
BU2708DX
BU2720AF
BU2720AX
BU2720DF
BU2720DX
BU2722AF
BU2722AX
BU2722DF
BU2722DX
BU2725AF
BU2725AX
BU2725DF
BU2725DX
BU2727A
BU2727AF
BU2727AW
BU2727AX
BU4506AF
BU4506AX
BU4506AZ
BU4506DF
Стр.
144
145
145
146
146
147
147
148
148
149
149
150
150
151
151
152
152
153
153
154
154
155
155
156
156
157
157
158
158
159
159
160
160
161
161
162
162
163
163
164
164
165
165
166
166
167
167
168
169
169
170
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Возможные
аналоги
2SC4288A, 2SC4890, 2SC4924, BUH313,
BUH315, BUH515, BUH715, BU2525AF
2SC4288A, 2SC4890, 2SC4924, BUH313,
BUH315, BUH515, BUH715, BU2525AF
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997, 2SC5046,
2SC5577, 2SC5578
2SC4288A, 2SC4890, 2SC4924, BUH313,
BUH315, BUH515, BUH715, BU2525AF
BU2525DF, BU2525DX
BU2525DF, BU2525DX
2SC4890t 2SC5045, 2SC5300, 2SC5451
2SC4890, 2SC5045, 2SC5300, 2SC5451
BU2525DF, 2SC4877
BU2525DX
2SC4288A, 2SC4890, 2SC4924, BUH313,
BUH315, BUH515, BUH715, BU2525AF
BUH313, BUH315, BUH515, BUH715,
BU2525A, BU2527
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997, 2SC5046,
2SC5577, 2SC5578
BUH313, BUH315, BUH515, BUH715,
BU2525A, BU2527A
2SD1881
BU4525DL, BU4525DW
2SD1881
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997, 2SC5046,
2SC5577, 2SC5578
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997, 2SC5046,
2SC5577, 2SC5578
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997, 2SC5046,
2SC5577, 2SC5578
2SC3995, 2SC3996, 2SC3997, 2SC5046,
2SC5577, 2SC5578
BU2527DX, 2SC4879
BU2527DF
BU2530AW, BU2532AL, BU2532AW
BU2530AL, BU2532AL, BU2532AW
BU2530AW, BU2530AL, BU2532AW
BU2530AL, BU2532AL, BU2530AW
BU2708AX, 2SC5042
2SC5042
2SC5041.2SD2521
2SC5041.2SD2521
BU2720AX, BUH517 (ST-Micro)
BUH517(ST-Micro)
BUH517D
SD2253, 2SD2454, 2SD2551, 2SD2552
2SC4796, 2SC4797, 2SC4879, 2SC5286
2SC4796, 2SC4797, 2SC4879, 2SC5286
2SC3893A, 2SC4124, 2SD1880, KSD5080,
BUH615D (ST-Micro)
2SC3893A, 2SC4124, 2SD1880, KSD5080,
BUH615D (ST-Micro)
2SC4589, 1SC5252
2SC4542, 2SC5440, 2SD1887, THD200FI
(ST-Micro)
2SD1881
2SD1881
2SC5332
2SC4796, 2SC4797, 2SC4879, 2SC5286
2SC5332
2SC5478, 2SC5044
BU4506AX, 2SD2368, 2SD2511, BUH315
(ST-Micro)
2SD2368, 2SD2511, BUH315 (ST-Micro),
BUH315XI (ST-Micro)
2SD1541

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 533
Прибор
BU4506DX
BU4506DZ
BU4507AF
BU4507AX
BU4507AZ
BU4507DF
BU4507DX
BU4507DZ
BU4508AF
BU4508AX
BU4508AZ
BU4508DF
BU4508DX
BU4508DZ
BU4515AF
BU4515AX
BU4515DF
BU4515DX
BU4522AF
BU4522AX
BU4522DF
BU4522DX
BU4523AF
BU4523AW
BU4523AX
BU4523DF
BU4523DW
BU4523DX
BU4525AF
BU4525AL
BU4525AW
BU4525AX
BU4525DF
BU4525DL
BU4525DW
BU4525DX
BU4530AL
BU4530AW
Стр.
170
171
171
172
172
173
173
174
174
175
175
176
176
177
177
178
178
179
179
180
180
181
181
182
182
183
183
184
184
185
185
186
186
187
187
188
188
189
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Возможные
аналоги
2SD1426, 2SD1439, 2SD2369, 2SD2510,
BUH315D (ST-Micro)
BUH315DXI (ST-Micro),
2SC5447, 2SD1737, 2SD2329,
2SC3685, 2SC3894, 2SD1402, 2SD1655,
2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, ST1803HI
(ST-Micro),KSD5066, KSD5076, THD277HI
(ST-Micro)
BU4507AF
2SD1632, 2SD1846
2SC4122, 2SC4291, 2SC4293, 2SD1398,
2SD1427, 2SD1441, 2SD1651, 2SD1729,
2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI (ST-
Micro),KSD5062, KSD5072, THD218DHI
(ST-Micro)
BUH415DHI (ST-Micro)
2SC5326, 2SD2301, 2SD2311, 2SD1577,
2SD1663, 2SD1738
2SC3884A, 2SC3887A, 2SC3686, 2SC3895,
2SC4435. 2SC4437, 2SC4743, 2SC4770,
2SD1391. 2SD1403, 2SD1577FI, 2SD1656,
2SD1710, 2SD1885, 2SD2251, 2SD2252,
2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2513,
BU208A (ST-Micro), BUH515 (ST-Micro),
S2000AFI (ST-Micro)
BU508AXI (ST-Micro), BUH515XI (ST-Micro),
S2000AXI1ST-Micro)
2SC4744, 2SC5132A, 2SC5250, 2SD2300,
2SD1847
2SC3892A, 2SC4123, 2SC4294, 2SC4769,
2SC5296, 2SD1652, 2SD1711, 2SD1879,
2SD2371, 2SD2512, BUH515D (ST-Micro),
KSD5086
BU508DXI (ST-Micro), BUH515DXI (ST-
Micro), BUH515FP (ST-Micro)
2SC4745, 2SC5448
2SC3885A, 2SC3888A, 2SC4436, 2SC4438,
ST2001 HI (ST-Micro)
2SC5133
2SC5133
2SC5067, 2SC5067A, 2SC5251, 2SC5427,
2SD1739
2SC3886A, 2SC4923, 2SC4924, 2SC5297,
2SC5298, 2SC5299, SC5513, 2SD1886,
KSD5078, KSD5080, BUH615 (ST-Micro),
THD215HI (ST-Micro)
2SC4927, 2SD1848
2SC3893A, 2SC4124, 2SD1880, KSD5080,
BUH615D (ST-Micro)
2SC4746, 2SC4746A, 2SC5068, 2SD1850,
2SD2330
2SD2354
2SC5514, 2SD2515, BUH715 (ST-Micro)
2SC4877, 2SD1849, 2SD2057
2SD1732
2SC4531.2SD2514
2SC4589, 2SC5252, MJF16212
2SC4560
2SC4560, MJF16212
2SC4542, 2SC5440, 2SD1887, THD200FI
(ST-Micro)
2SD1881
BU4525DW
BU4525DL
2SD1881
2SC3897, 2SC3995, 2SC3996, 2SC4682,
2SC5105, 2SC5302, 2SC5331, 2SC5421,
2SC5456.2SC5515
2SC3688

534 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
BU4530AX
BU4540AL
BU4540AW
BU4550AL
BUH1015
BUH1015HI
BUH315
BUH315D
BUH315DFH
BUH515
BUH515D
BUH615D
BUH715
BUJ101A
BUJ101AU
BUJ101AX
BUJ103A
BUJ103AU
BUJ103AX
BUJ105A
BUJ105AX
BUJ106A
BUJ106AX
BUJ202A
BUJ202AX
BUJ204A
BUJ204AX
BUJ205A
BUJ205AX
BUJ301A
BUJ301AX
BUJ302A
BUJ302AX
BUJ303A
BUJ303AX
BUJ304A
BUJ304AX
BUJ403A
BUJ403AX
Стр.
189
190
190
191
392
393
394
395
395
396
396
397
397
191
192
192
193
193
194
194
195
196
196
197
197
198
198
199
199
200
200
201
201
202
202
203
203
204
204
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Производи-
тель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Возможные
аналоги
2SC3688
2SC3997, 2SC3998, 2SC4288A, 2SC4289A,
2SC4747, 2SC4890. 2SC4891, 2SC5306,
2SC5445, 2SC5516
BUH1015 (ST-Micro), BUH1215 (ST-Micro),
THD300 (ST-Micro)
2SC4290A, 2SC4789, 2SC4897, 2SC4928,
BUH1015HI (ST-Micro)
2SC5421, 2SC5422, BU4540AW
2SC5421, 2SC5422, BU4540AL
BU4506AX
BU4506DX
BU4506DZ
BU4508AX
BU4508DX
BU4522DX
BU4523AX
BUL44 (Motorola), KSC2333
BUJ101A
BUL44F (Motorola)
BUF620, BUF630, BUL45 (Motorola),
BUL381, KSC518, KSC5039, 2SC3162,
BUL26, BUL128, BUL138, T3V40F3
BUJ103A
BUL45F (Motorola), KSC5039F, KSE13005F,
BUL128FP (ST-Micro)
BUF630, BUF644, BUF650, BUH100 (Mo-
torola), BUJ105AB, BUL57, BUL146 (Mo-
torola), BUL147 (Motorola), MJE13007 (Mo-
torola), MJE16106 (Motorola), KSC2335,
KSE13006, KSE13007, 2SC3163, T6V40F3
BUL57PI, BUL146F (Motorola), BUL147F
(Motorola), MJF13007 (Motorola),
KSC2335F, KSE13007F
BUF650, BUF654, BUL67, BUL87, BUH100
(Motorola), BUH150 (Motorola), MJE13009
(Motorola), KSE13008, KSE13009, TE13008,
TE13009
MJF13009 (Motorola), KSE13009F
BUF636A, BUL138, BUL381, BUL382,
MJE16004 (Motorola), MJE18002 (Motorola),
MJE18004 (Motorola), KSC5338, 2SC4051,
T3V45FX, SGSF323
BUK138FP, MJF18002 (Motorola),
MJF18004 (Motorola), MJF18006 (Motorola),
KSC5338F, 2SC4052, TP3V45FX
BUF640A, BUF642A, BUL59, BUL410,
MJE16004 (Motorola), MJE18006 (Motorola),
KSC5338, 2SC4053, T5V45FX, SGSF343
KSC5338F, 2SC4054, TP5V45FX
MJE18008 (Motorola), MJE18009 (Motorola),
2SC4055, T8V45FX
MJF18008 (Motorola), MJF18009 (Motorola),
2SC4056, TP8V45FX
MJE18002lMotorola)J KSC5020
MJF18002 (Motorola)
BUJ303A
BUJ302A
BUF636A, BUF640A, BUF672, BUH50 (Mo-
torola), BUL310, MJE18004 (Motorola),
MJE18006 (Motorola), KSC5021, KSC5321,
SGSF323
BUL310PI, MJF18004 (Motorola), MJF18006
(Motorola), KSC5021F, KSC5321F
BUL410, BUL510, MJE18008 (Motorola),
MJE18009 (Motorola), SGSF343
MJF18008 (Motorola), MJF18009 (Motorola)
MJE18204 (Motorola), MJE18206 (Motorola)
MJF18204 (Motorola), MJF18206 (Motorola)

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 535
Прибор
BUJ403BX
BUL1101E
BUL1102E
BUL118
BUL1203E
BUL213
BUL216
BUL310
BUL310FP
BUL381
BUL416
BUL510
BUL57
BUL59
BUL67
BUL810
BUT11
BUT11A
BUT11AF
BUT11AI
BUT11AX
BUT11APX
BUT11F
BUT11XI
BUT12
BUT12A
BUT12AF
BUT12AI
BUT12F
BUT12XI
BUT18
BUT18A
BUT18AF
BUT18F
BUW11AF
BUW11F
BUW11AW
BUW11W
BUW13AF
BUW13F
Стр.
205
398
398
399
399
400
401
401
402
403
406
407
408
409
410
411
205
206
206
207
207
208
209
209
210
210
211
211
212
212
213
213
214
214
215
215
216
216
217
217
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Импульсные ИП
Схемы запуска ОП
Схемы запуска ОП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Производи-
тель
PHILIPS
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
Возможные
аналоги
BU403A, MJF18204 (Motorola), MJF18206
(Motorola)
BUL1102E, 2SC4235
2SC4235
2SC5239
2SC4236
2SC4235, 2SC4583, BUL216
BU1706
BUJ303A, BUF636A, BUF640A, BUF672,
BUH50 (Motorola), MJE18004 (Motorola),
MJE18006 (Motorola), KSC5021, KSC5321,
SGSF323
BUJ303A, BUF636A, BUF640A, BUF672,
BUH50 (Motorola), BUL310, MJE18004 (Mo-
torola), MJE18006 (Motorola), KSC5021,
KSC5321.SGSF323
BUJ103A, BUJ202A, BUL382, BUF620,
BUF630, BUL45 (Motorola), KSC518,
KSC5039, 2SC3162, BUL26, BUL128,
BUL138.T3V40F3
BU1706A
BUJ304A, BUL410, MJE18008 (Motorola),
MJE18009 (Motorola), SGSF343
BUJ105A, BUF630, BUF644, BUF650,
BUH100 (Motorola), BUJ105AB, BUL146
(Motorola), BUL147 (Motorola), MJE13007
(Motorola), MJE16106 (Motorola), KSC2335,
KSE13006, KSE13007, 2SC3163, T6V40F3
BUJ204A, BUF640A, BUF642A, BUL410,
MJE16004 (Motorola), MJE18006 (Motorola),
KSC5338, 2SC4053, T5V45FX, SGSF343
BUJ106A, BUF650, BUF654, BUL87,
BUH100 (Motorola), BUH150 (Motorola),
MJE13009 (Motorola), KSE13008,
KSE13009, TE13008, TE13009
BUJ305A
BUT11A
BUT11AI, BUJ202A, BUJ303A
BUT11XI, BUJ202AX, BUJ303AX
BUT11A
BUT11XI, BUJ202AX, BUJ303AX
BUT11APX-1200
BUT11XI
BUT11AX, BUJ202AX, BUJ303AX
BUT12A
BUJ204A, BUJ304A
BUJ204AX, BUJ304AX
BUT12A
BUT12XI
BUT12A
BUT18A
BUJ204A, BUJ303A, BUJ304A
BUJ204AX, BUJ303AX, BUJ304AX
BUT18A, BUJ204AX, BUJ303AX, BUJ304AX
BU426, BU426A, BU433, BUS11, BUS11A,
BUW12, BUW12A
BU426, BU426A, BU433, BUS11, BUS11A,
BUW12, BUW12A
BUW13AW, BUW13W, BUX32, BUX32A,
BUX33, BUX36, BUX44
BUW13AW, BUW13W, BUX32, BUX32A,
BUX33, BUX36, BUX44
BUP22B, BUP22C, BUP23, BUS12, BUS12A,
BUW91, BUW92, BUW133, BUW133A,
BUV47, BUV47A BUV48, BUV48A
BUW13AF, BUP22B, BUP22C, BUP23,
BUS12, BUS12A, BUW91, BUW92,
BUW133, BUW133A, BUV47, BUV47A
BUV48, BUV48A

536 Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор
BUW14
BUX84
BUX84F
BUX84S
BUX85
BUX85F
BUX86P
BUX87P
FJAF6806D
FJAF6808D
FJAF6810
FJAF6810D
FJAF6812
FJAF6815
FJAF6820
FJAF6910
FJAF6916
FJAF6920
FJL6820
FJL6825
FJL6920
FJPF6806D
HD1520FX
HD1530FX
HD1530JL
HD1750FX
HD1750JL
KSC2233
KSC2333
KSC2335
KSC2518
KSC2751
KSC2752
KSC3552
KSC5026M
KSC5801
KSC5802
KSC5803
KSD5001
KSD5002
KSD5003
KSD5004
KSD5005
KSD5007
KSD5011
KSD5013
KSD5015
KSD5017
KSD5701
KSD5703
KSD5707
MJE13003
MJE13005
MJE13007
MJE13009
MJE16004
Стр.
219
219
220
220
221
221
222
222
23
24
24
25
25
26
26
27
27
28
30
30
31
39
418
L419
419
420
420
40
40
41
41
42
42
43
43
49
49
50
224
224
225
225
226
226
227
227
228
228
51
52
52
85
85
86
86
87
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады^СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Промышленное обору-
дование
Промышленное обору-
дование
Импульсные ИП
Промышленное обору-
дование
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады^СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Производи-
тель
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
PHILIPS
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
SAMSUNG
FAIRCHILD
FAIRCHILD
FAIRCHILD
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
Возможные
аналоги
BUJ202, BUJ301
BUJ101A, BUJ202A, BUX84A
BUJ101AX, BUJ202AX, BUX85F
BUX84, BUX85
BUJ202A, BUJ301A
BUJ202AX, BUJ301AX
BUX87P, 2SC3335
2SC3335
2SC5716, TT2142, FJAF6808
TT2142
2SC5857, 2SC5858, TS7988
TT2202
TS7992, FJAF6815
TS7992
TS7992
2SC5588
2SC5588, 2SC5590
2SC5857
FJL6825, 2SC5933
2SC5933
2SC5933
2SC5776, 2SC5777
2SC5717, 2SC5857
BU4540AL
TS7994
2SC5857
2SC5858
2SC2826, 2SC2929, 2SC3038, 2SC3038K,
2SC3569, 2SC3569K, 2SC3569L
2SC2826, 2SC2929, 2SC3038, 2SC3038K,
2SC3569, 2SC3569K, 2SC3569L
2SC3170, 2SC3170P, 2SC3159, 2SC3173,
2SC3175, 2SC3189, 2SC3257, 2SC4105.
2SC4106, 2SC4162, 2SC4163, 2SC4164
2SC3170, 2SC3170P, 2SC3159, 2SC3173,
2SC3175, 2SC3189. 2SC3257, 2SC4105,
2SC4106, 2SC4162, 2SC4163, 2SC4164,
2SC4138, 2SC4157, 2SC4379, 2SC4582
2SC2752, 2SC2752K, 2SC2752L,
2SC2752M, 2SC2899
2SC3449, 2SC3552K, 2SC3552L,
2SC3552M, 2SC3927. 2SC3974, 2SC4557,
2SC4580, 2SC4583, 2SC4584
2SC4232, 2SC4583
TT2202.TT2142
TS7990
TS7990
KSD5002, KSD5003, BU2520D, BU2520DW
KSD5003, BU2520DW
BU2520DW
KSC5803, KSD5005
KSC5803, BU2520AW
2SC5748, 2SC5612, BU2520AW
KSC5801
KSC5801
KSD5707
KSD5707
TT2142 KSC5800
TS7992
KSD5703
BUJ101
BUJ103A
BUJ105A
BUJ106A
BUJ202A, BUJ204A

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 537
Прибор
MJE16106
MJE18002
MJE18004
MJE18206
MJF18002
MJF18004
MJF18206
MJW16212
S2000
S2000A
S2000AF
S2000AFI
S2000F
S2000N
S2055
S2055A
S2055AF
S2055F
S2055N
ST13003
ST13005
ST13007
ST1802FH
ST1803DFH
ST1803DHI
ST2001FX
ST2009DXI
ST2310DXI
ST2310FX
ST2408HI
THD200FI
THD215HI
THD218DHI
THD277FH
TS7988
TS7990
TS7992
TS7994
TT2138LS
TT2140LS
ТТ2142
TT2170LS
TT2190LS
ТТ2202
Стр.
88
88
89
89
90
90
91
91
507
508
508
424
509
509
510
510
511
511
512
427
427
428
430
430
431
431
432
432
433
434
438
439
439
440
344
344
345
345
346
346
347
347
348
348
Про-
води-
мость
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n
Область
применения
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Импульсные ИП
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Выходные каскады СР
Производи-
тель
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
ST-MICRO
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
TOSHIBA
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
ST-MICRO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
SANYO
Возможные
аналоги
BUJ105A
BUJ202A, BUJ301A
BUJ202A, BUJ303A
BUJ403A
BUJ202AX, BUJ301AX
BUJ202AX, BUJ303AX
BUJ403AX
BU4525AW
S2000N, 2SC5386
S2000N, 2SC5386
S2000N, 2SC5386
BU4508AX
S2000N, 2SC5386
2SC5386, 2SC5387, 2SC5404
S2055N
S2055N
S2055N
S2055N
2SC5280, 2SD2553
BUJ101A, BUL44 (Motorola), KSC2333
BUJ103A
BUJ105A
BU4507AX, 2SC3685, 2SC3894, 2SD1402,
2SD1655, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372,
ST1803HI (ST-Micro),KSD5066, KSD5076,
THD277HI
BU4507DX, 2SC4122. 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1427, 2SD1441, 2SD1651,
2SD1729, 2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI
(ST-Micro),KSD5062, KSD5072, THD218DHI
BU4507DX, 2SC4122, 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1427, 2SD1441, 2SD1651,
2SD1729, 2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI
(ST-Micro),KSD5062, KSD5072, THD218DHI
BU4515AX, 2SC3885A, 2SC3888A,
2SC4436, 2SC4438, ST2001HI
2SD2645
2SD2580
2SC5792, 2SC5899, ST2408HI
2SC5792, 2SC5899, ST2310FX
BU4525AX, 2SC4542, 2SC5440, 2SD1887
BU4522AX
BU4507DX, 2SC4122, 2SC4291, 2SC4293,
2SD1398, 2SD1427, 2SD1441. 2SD1651,
2SD1729, 2SD1730, 2SD1878, ST1803DHI
(ST-Micro),KSD5062, KSD5072
BU4507AX, 2SC3685, 2SC3894, 2SD1402,
2SD1655, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372,
ST1803HI (ST-Micro),KSD5066, KSD5076
BU4530AL, TS7990, TS7992, TS7994
BU4530AL, BU4530AW, TS7992, TS7994
TS7994, BU4540AL, BU4540AW, BU4550AL
TS7994, BU4540AL, BU4540AW, BU4550AL
TT2140LS.TT2170LS
TT2142LS.TT2190LS
TT2190LS
TT2140LS.TT2190LS
TT2142LS, 2SD2688
2SD2645

538 Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки
Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах
строчной развертки
10В
OB
JUL
I __ __Т
2SK2146
VCC2
Vcd