Текст
                    ТРАНЗИСТОРЫ для аппаратуры широкого применения
СПРАВОЧНИК под редакцией Б. Л. Перельмана
Моснва «.Радио и связъъ 1981
ББК 32.852 3
П27
УДК 621.382 3
АВТОРЫ К М. БРЕЖНЕВА, Е. И ГАНТМАН, Г. Й. ДАВЫДОВА, Г. Г. КОРОВИН, Б, Л. ПЕРЕЛЬМАН
и
Транзисторы для аппаратуры широкого примене-П27 ния: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И, Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. —* М.: Радио и связь, 1981. — 656 с., ил.
В пер.: 2 р 50 к.
Приведены справочные данные на 200 биполярных и 21 полевых т>(пов транзисторов
Предназначается для широкого круга читателей, занимающихся разработкой и эксплуатацией электронной аппаратуры Может быть полезен студентам вузов и радиолюбителям
30407-124
Т 046(01)-81 ~27'81(С~ Р,)
ББК 32.852.3
6 Ф 0.32
Рецензенты: В. Ф. Пышинский, В. В. Павлов, Л. М, Гришина и канд. физ.-мат. наук Н. Н. Горюнов.
Редакция литературы по электронной технике
Калерия Михайлович Брежнева, Евгения Иосифовна Гантман, Тамара Ильинична Давыдова, Геннадий Григорьевич Коровин, . Бениамин Лазаревич Перельман
ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ АППАРАТУРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ СПРАВОЧНИК	*•
под редакцией Б Л ПЕРЕЛЬМАНА И Б Л» 297
Редактор В М. Ларионова Художественный редактор Н. А. Игнатьев Технический редактор Г. 3, Кузнецова Корректор 3. Г. Галушкина Сдано в набор 30 06 80 _ Подписано в печать 14 10 81	Т-2547Б	Формат €0x90l/i»
Бумага книжно-журнальная Гарнитура литературная Печать высокая Усл, ц. л, 41,0
Уч.-изд. л. 45,57 Усл. кр.-отт. 41,0 Тираж 200 000 зкз. (Допечатка! Изд, № 19Б9Б Зак. 503 Цена 2 р 50 к.
Издательство «Радио и связь», Москва, Главпочтамт, в/я 693
Московская типография № 4 Союзполиграфпрома при Государственном комитете СССР во делам иэдвтелйств, полиграфии и книжной торговли, 129041, Москва, Б. Переяславская, 46
© Издательство «Радио и связь», 1981 г,
ВВЕДЕНИЕ
Полупроводниковые приборы (диоды и транзисторы) благодаря малым га-баритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надежности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приемники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надежности. Для конструирования надежных схем на транзисторах, т. е. для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчета схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо располагать подробными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзистора.
Настоящий справочник содержит общие указания и рекомендации по применению, сведения об условиях эксплуатации, а также данные по электрическим параметрам биполярных и полевых транзисторов более 200 типов. Проведена унификация габаритных чертежей (см. приложение !) и'вольт-амперных характеристик (представлено по рдному семейству на каждый тип с указанием разных ступеней тока базы Л/# для каждой группы); обобщены и сведены в таблицы (см. приложение 2) данные по предельным условиям эксплуатации при воздействии различных внешних факторов (влажность, давление, механические нагрузки),
В первой части справочника кратко изложены принципы, классификации транзисторов. Даюгся общие указания по эксплуатации и меры защиты от статического электр нчества.
Во второй части приведены справочные данные по транзисторам. Здесь использовались материалы тохнических условий и результаты экспериментальных 'исследований Параметры, не нормированные изготовителем, даются полужирным шрифтом. Справочные данЕТые включают в себя характерные для данного типа транзистора электрические параметры, предельно допустимые режимы, вольт-амперные характеристики и завЕТСймости основных параметров от режима, температуры, частоты. Все параметры, их зависимости и ВАХ приведены для температуры окружающей среды 25 ± 10° С, если не оговорено другое значение температуры.
Типовые значения соответствуют медианным, а минимальные и максимальные — 95%-ному разбросу данного параметра для всей совокупности приборов. На графиках медианные значения показаны сплошными линиями, а границы 95%-ного разброса — штриховыми.
Для удобства пользования материал сгруппирован по классам, соответствующим принятому в ГОСТе делению транзисторов, но мощности и частоте, а внутри классов — по возрастанию номеров. В отличие от ГОСТа, выделен класс приборов для СВЧ диапазона, что представляется целесообразным в силу специфики приборов этого класса (склонность к самовозбуждению, нецелесообразность использования в статическом режиме и на низкой частоте, пониженная устойчивость к воздействию статического электричества, определенные требования по условиям согласования и т, п ).
Отзывы и замечания по справочЕЕИку следует направляй в издательство «Радио и связь» (101000, Москва, Главпочтамт, а/я 693).
ЧАСТЬ !
ПАРАМЕТРЫ И УКАЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
1.1. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
Таблица 1
Первый элемент обозначения транзистора
Материал Полупроводника	Для устройств	
	широкого применения	специального назначения
Германий	г	1
Кремний	к	2
Арсенид галлия	А	3
В настоящее время отечественной промышленностью выпускается большое количество биполярных и полевых транзисторов различных типов и назначения. Разработчику радиоэлектронной аппаратуры приходится выбирать нужные ему по электрическим параметрам и эксплуатационным режимам транзисторы из большой номенклатуры.
Транзисторы выпускаются на мощности 20 мВт 250 Вт с граничными частотами 0,1 МГц i;. 8 ГГц, с максимально допустимыми напряжениями на переходах 0,3 in 1500 В и токами 5 мА ... ... 50 А, с уровнем собственных шумов 3 ;;; 20 дБ. Они могут быть в корпусах, обладающих тепловым сопротивлением 1,0 ц. 200 ЛС/Вт, а также без корпусов в виде отдельных кристаллов с тонкими выводами или в виде кристаллов, смонтированных на платеи герметизированные пластмассой.
Классификация транзисторов отражена в их условном обозначении (маркировке) и содержит определенную информацию об их свойствах [1—3]. В зависимости от назначения
и используемого при изготовлении транзистора полупроводникового материала в его обозначении указывается соответствующая буква или цифра — первый элемент (табл. 1).
Третий элемент обозначения транзистора
. Таблица 2
Транзистор
Обозначен ние
Малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока:
не более 3 МГц (низкой" частоты)
। 3.,. 30 МГц (средней частоты)
более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты)
Средней мощности (0,3... 1,5 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока:
не более 3 МГц (низкой частоты)
3...30 МГц (средней частоты)
более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты)
Большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной часютой коэффициента передачи тока:
не более 3 МГц (низкой частоты)
3...30 МГц (средней .частоты)
более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты)
1 о
3
4
5
6
7
8 о
4
Второй элемент обозначения (буква Т или П) определяет принадлежность транзистора соответственно к биполярным или полевым приборам. Третий элемент обозначения определяет назначение транзистора с точки зрения частотных и мощностных свойств (табл. 2).
Четвертый и пятый элемент обозначения указывают на порядковый номер разработки данного типа транзистора и обозначаются цифрами or 01 до 99.
Шестой элемент обозначения
Таблица 3
Третий элемент обозначения транзистора
Мощность, рассеиваемая транзистором, Вт	Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц		
	до 30	30.. .300	мьгше 300
До 1	1	2	4
Свыше 1	7	8	9
(буквы от А до Я) показывает разделение транзис1оров данного типа па группы (подтипы) по классификационным параметрам. Например, транзистор КТ903А — кремниевый, биполярный, мощный, высокочастотный, номер разработки 03, группа А с классификационным параметром /121Э от 15 до 70.
Следует иметь в виду, что в обозначения транзисторов иногда вкрадываются ошибки из-за неправильного определения их Частотных или мощностных свойств, Так случилось, например, с приборами типа КТ104А—КТ104Г или ГТ906А, ГТ903М и др. В данном справочнике такие приборы, размещены по принятому принципу, т. е. по фактическому значению рабочей частоты и мощности рассеивания или отдаваемой мощности.
В настоящее время вводится повое, семиэлементное обозначение транзисторов, отличающееся от существующего трехзначным номером разработки. Несколько иная будет зависимость третьего элемента обозначения транзисторов от мощности и граничной частоты (табл. 3). Например, КП7235Г означает: кремниевый полевой транзистор с граничной частотой до 30 МГц и рассеиваемой мощностью больше 1 Вт, предназначенный для устройств широкого применения, номер разработки 235, группа Г.
1.2. КОНСТРУКЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
Корпус полупроводникового прибора предназначен для изоляции кристалла с переходами от воздействий внешней среды, обеспечения механической прочности прибора и отвода тепла, выделяющегося на переходах при работе прибора. Кроме того, корпус создает удобства при монтаже прибора в электронную аппаратуру.
 Кристалл полупроводникового прибора с переходами особенно чувствителен к воздействию влаги, поэтому для подавляющего большинства полупроводниковых приборов требуется Их полная герметизация. Существующие способы защиты поверхности полупроводника лаковым покрытием или окисными пленками оказываются недостаточными, чтобы оградить его от механического повреждения и проникновения вредных примесей из окружающей среды. Проникновение внутрь корпуса даже ничтожного количества влаги вызывает изменение характеристик полупроводниковых приборов. Наружная часть всех применяемых для полупроводниковых приборов корпусов состоит из двух частей: ножки и колпачка (баллона); соединяемых между собой различными способами, обеспечивающими полную герметизацию внутренней области прибора.
Полупроводниковые приборы выпускаются главным образом в металлостск-лянных и металлокерамических корпусах. Но существуют и пластмассовые корпуса, которые получаются за прессованием кристалла прибора в пластмассовую оболочку. Основное их преимущество — малая стоимость и простота технологического процесса запрессовки.
Применяемые в промышленности корпуса получают, как правило, спаиванием металлических деталей со стеклянными или керамическими изоляторами. Качество этого спая должно быть очень высоким, так как его разрушение приводи! к разгерметизация приборов. Если применяемые в корпусе металлы и изо-
5
Рис. 1. Конструкция маюмошного трантн- Рйс 2. цо₽!1>с траН1НС1 ора cptAHtfi ииЩ, стора.	нести
I — кристалл; 2— колдачок; 3 — внутренние
выводы; 4 — кристаллодержатель; 5 — стекло-
изолятор; 6 — фланец; 7 — внешние выводы
3	4
Рис. 3. Крепление кристалла к ножке Бри Рис. 4. Крепление кристалла непосредственно помощи кристаилодержателя:	к флаяцу ножки:
I — ножка 2 — электрод эмиттера; 3 — кри- ) — ножка, 3 — электрод коллектора; 3 — криста лл одержат ель; 4 — кристалл; S — элек- сталлодержатель; 4 — электрод эмиттера; трод коллектора; 6 — вывод	5 — вывод эмиттера; 6 — кристалл
ляторы значительно различаются по тепловым козффициен е зм расширения, ею-являются большие напряжения в конструкции корпуса и ияолжоры растрескиваются Чтобы исключить появление больших напряжений в корпусах, создают такие конструкции, коюрые допускали бы небольшие деформации элементов, б
а также подбирают магериалы с коэффициентами геплового расширения, близкими к стеклу (керамике). В качестве металла наибольшее применение нашли ковар, молибден и стали марок Н 47 X 6 и Н 47Д5.
Все тины транзисторов отличаются большим многообразием конструкций. Это связано с их различным назначением и соответственно с большим разнообразием используемой аппаратуры. На конструкцию корпуса и его совершенствование большое влияние оказывало постоянное повышение требований к их надежности и удобству эксплуатации, а также требования по их унификации.
На рис. 1 приведена наиболее распространенная конструкция маломощного транзистора, корпус которого состоит из медного колпачка (баллона) и коваро-вой металлостеклянной ножки. Толщина коварового фланца и стеклянного изо-
лятора составляет 1,5 мм, что обеспечивает достаточно прочный спай металла со стеклом и хорошую герметичность. Соединение медного колпачка с коваровым фланцем осуществляется методом холодной сварки. Форма ножки корпуса прибора удобна для монтажа кристаллодержателя и последующих технологических операций.
Фланцы в корпусах некоторых транзисторов (рис. 2) сделаны из меди. Это увеличивает их теплопроводность и позволяет рассеивать большую мощность. Для герметизации применена конденсаторная сварка, не требующая больших площадей в местах сварки, что позволило уменьшить габариты колпачка и ножки. ЭлектроДЕше выводы в этом корпусе проходят сравнисельно на большом расстоянии от металлической части ножки. Такое

00,95
0 оЛ
’f
Нзолятр керамический
Твердый припой
А
Корпус „ баллона
Хольца с рельефом
Фланец
Держатель керамический

Рис. & Металлокерамический корпус типа ТО -И для мощи и \ ВЧ и СВЧ траи-зис горой
креплении крисЕалла с помощью кри-
Удаление выводов от металла корпуса снижает межэлекгродные емкости и повышает рабочие частоты вплоть до 700 МГц. В приборах, предназначенных для работы в диапазоне частот выше 700 МГц и встроенных в волно-водную линию, иногда используют коаксиальные 'конструкции Корпуса, В гаком приборе для уменьшеЕЕИЯ взаимного влияния Коллекторных и эмит терн ых цепей выводы электродов направлены в противоположные стороны.
Кристалл транзистора можно крепить к ножке либо с помощью кристаллодержагеля (рис. 3), либо нетосредствшЕно путем припайки его к фланцу ножки (рис. 4) При сталлодержателя появляется возможность присоединить -к корпусу прибора любой из электродов, в гом числе и базу, что бывает необходимо для обеспечения Максимального удобства монтажа приборов в схему. Однако такой способ крепления кристалла повышает тепловое сопротивление и соответственно снижает Допустимую могцееость рассеяния, увеличивает габариты сборочного узла и уменьшает механическую прочность конструкции прибора.
7
В случае непосредственного крепления кристалла на ножку на корпусе при* бора оказывается коллектор, что вносит определенные неудобства при монтаже прибора в схему, но в то же время' снижает тепловое сопротйвление и повышает механическую прочность прибора, Такая конструкция, как правило, используется в мощных транзисторах.
Развитие схем электронных устройств с применением мощных генераторных СВЧ транзисторов потребовало создания специальных металлокерамических корпусов. На рис, 5 показан наиболее распространенный унифицированный корпус, предназначенный не только для биполярных, но и йля полевых транзисторов.
С целью уменьшения габаритов, упрощения конструкции и удешевления транзисторов были разработаны и нашли широкое применение транзисторы сбес-корпусноЙ герметизацией и в пластмассовых корпусах. В бескорпусных транзисторах кристалл полупроводника с контактными площадками в местах присоединения проволочки внешних выводов покрывается несколькими защитными слоями] В качестве защитных слоев от влияния внешней среды и механических повреждений применяются различные лаки и эпоксидные смолы. В транзисторах с пластмассовым корпусом кристалл полупроводника и другие элементы конструкции (подложка, концы внешних выводов и др,) заливаются в формах или опрессовываются специальной пластмассой, которая обеспечивает защиту от внешних воздействий и не оказывает влияния на физические свойства полупроводника.
1.3.	ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Работа транзистора характеризуется параметрами, определяющими усилительные и частотные свойства в режимах усиления, переключения и отсечки, а также максимально допустимыми режимами эксплуатации.
Обратные (начальные) токи переходов. Обратные токи коллектора /кбо й - эмиттера /ЭБ0 проходят через обратносмещенные переходы при отключенном третьем выводе транзистора. Оба указанных тока обладают сильной температур* ной зависимостью, причем для германиевых приборов токи увеличиваются на 6	9% на каждый градус Цельсия, а для кремниевых — на 8 ... 12%. У мощ-
ных транзисторов эта зависимость выражается не так сильно и даже может отсутствовать, если токи утечки превышают токи неосновных носителей.
Обратный ток коллектор ^эмиттер /Кэо зависит от условий на входе транзистора, и в общем случае его можно определить по формуле, ^кэ/? в “ ^КБО^* где $ — коэффициент нестабильности схемы, зависящий от внешних сопротивлений в цепях базы, эмиттера и коллектора, а также коэффициента передачи тока транзистора.
Параметры малого сигнала. В общем случае транзистор может рассматриваться как четырехполюсник, поэтому Параметры его можно описать шестью раз-- личными системами. На практике наибольшее распространение получила систе-~ ма полных сопротивлений Iz-параметры (рис. 6)1, система полных проводимостей ((/-параметры (рис. 7)] и гибридная система (6-параметры (рис. 8)j. г, у, 6-пара-
Рис, 6. Эквивалентная схема четырехиолюсинкя с использованием z-napa метров
Ь
Рис. 7. Эквивалентная схема четырехполюсника с использованием р-параметроз
Рис. 8. Эквивалентная схема четырехполюсника с исполь. аованием ^-параметров
(
I
метры описываются уравнениями, где в качестве независимых переменных выбираются токи it и /2> напряжения и и2 и и и2:
Uj = ii 2цЦ- i-2 z12 'I *1 “ U1 У114“ V12 1 . $0 =! L Лц 4“ ^12
U2 = ll ^2L 4~ ^2 Z'22 J i> Uj 4т ^2 У2? J ^2 == G ^21 4~^3 ^22
где ftn = 11,/it — входное сопротивление транзистора при коротком замыкании (к. з.) на выходе; hl2 = u^‘uz— коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе (х. х.) на входе; /т21 =	— коэффициент передачи тока
при к. з. на выходе; ft23 = ф/щ — выходная проводимость при х. х. на входе.
Наиболее удобна для осуществления измерения система Zi-пар а метров, где требуется осуществить х. х. на входе и к. з. на выходе.
Высокочастотные параметры биполярных транзисторов. К основным параметрам, характеризующим работу транзистора на -высокой частоте, относятся: модуль коэффициента передачи тока J h । ; емкости коллекторного и эмиттер-ного переходов Ск и Сэ; постоянная времени цепи обратной связи тк; сопротивление базы максимальная частота генерации Ллах5 предельная частота коэффициента передачи тока ^.21; коэффициент шума Кш; выходная мощность РвыХ; коэффициент полезного действия коллектора г)н; коэффициент усиления по мощности Ку .
Максимальная частота генерации транзистора может быть использована для оценки коэффициента усиления по мощности для нужной частоты. Коэффициент усиления по мощности приближенно может быть определен из выражения КУр ~ (/max'/)- Конкретное значение fmax транзистора можно определить непосредственно при работе в‘схеме автогенератора путем настройки его на -максимальную частоту.
Параметр транзистора представляет собой распределенное омическое сопротивление базы. Его необходимо знать при определении входного сопротивления каскадов. Наиболее часто сопротивление базы транзистора определяют с помощью измерения постоянной времени цепи обратной связи, поскольку тн “ гбСк.
Значение тк характеризует частотные и усилительные свойства транзистора, определяет ’устойчивость усилительного каскада к самовозбуждению. Данный параметр является важнейшим для высокочастотных транзисторов, по нему производится классификация приборов по группам. Значение постоянной времени цепи обратной связи может колебаться от десятков до тысяч пикосекунд в за-’ висимости от типа транзистора — его конструкции, технологии изготовления, структуры и других факторов.
Емкость р—n-перехода (Ск или Са) обусловлена в первую очередь геометрическими размерами областей структуры и технологическими особенностями изготовления транзистора и зависит от количества зарядов, накопленных в различных областях структуры.
Шумы в транзисторах вызываются хаотическими флуктуациями подвижных носителей заряда и подразделяются па тепловые, дробовые и избыточные. На высоких частотах, где избыточного шума нет, шумовые параметры можно рассчитать через параметры эквивалентной схемы замещения транзистора.
Для теплового шума значения шумовых ЭДС и тока на известном сопротивлении /? (проводимости G) рассчитывают по формулам
ёш = 4А7Д?Д-Д
где k постоянная Больцмана, равная 1,38 • 10-23 Дж/град; Т — абсолютная температура, К; Af — полоса частот, Гц.
Мощность тепловых шумов Еш = kT&f.
Дробовой шум. вызванный флуктуациями потока заряженных частиц, количественно оценивается по формуле= 2q [S /0] Д/, где q — заряд электро; на~ (1,6 • 10’18 Кл); Е/о — суммарный ток носителей заряда.
9
В настоящее время широкое применение в различной электронной аппаратуре находят полевые транзисторы( которые по своим параметрам и характеристикам более схожи с электровакуумными приборами В частности, это сходство проявляется в том, что полевые транзисторы обладают большим входным сопротивлением, малыми токами утечки, сравнительно слабой зависимостью параметров от температуры
1.4.	ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ОТ РЕЖИМА И ТЕМПЕРАТУРЫ
Типовая зависимость электрических параметров от температуры маломощного германиевого транзистора представлена на рис 9, из которого следует, что с повышением температуры окружающей среды происходит изменение электрических параметров Температурная зависимость электрических параметров оказывает значительное влияние па работу схемы электронного устройства Особенно эта зависимость проявляется при включении транзисторов по схеме с общим эмиттером. Так, статический коэффициент передачи тока ^213 м°жет изменяться в 2—3 раза в интервале рабочих температур Насколько сильна температурная зависимость обратных токов эмиттерного и коллекторного р—п-пере-хода, видно из рис 10.
Рис 9 Типовая зависимость fi-napa-метров германиевого транзистора от температуры окружающей среды
Рис 10 Типовая зависимость обратных токов коллектора и эмиттера кремниевого маломощного транзистора
Следует иметь в виду, что у большинства транзисторов наблюдается умень” шевие допустимого напряжения на коллекторе и эмиттере соответственно на I 2 и 0,1	0,2 В при увеличении температуры на каждые 5е С Для ^ремпие
вых транзисторов уменьшение напряжений может наблюдаться и в области отрицательных температур Характер относительных зависимостей электрических параметров германиевого маломощного транзистора от тока эмиттера и напряжения на коллекторе представлен на рис 11 Зависимость статического коэффи циента передачи тока от тока эмиттера имеет ярко выраженный участок с мак симумом в средней части рабочего режима (рис 12)
1.5.	ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Вольт амперные характеристики полупроводниковых приборов содержат большую информацию о свойствах и качестве прибора По этим характеристикам можно определить ряд параметров и зависимость их от режима, часть из которых не приводится в технических условиях или справочных материалах Вольт амперные характеристики снимаются по точкам либо с помощью характериогра фа осцилграфическим методом
По выходным характеристикам транзисторов (рис 13) определяют максимально допустимые и рабочие режимы прибора, а также качество структуры трап-зкстора, наличие дефектов, загрязнений и влаги на поверхности структуры [G] Оценка качества структур на стадии их проверки еще на пластине оказывается весьма эффективной и дает существенную экономическую выгоду, поскольку исключает из производственного цикла дефектные структуры.
Ю
Рис И Типовая зависимость h-параметров маломощного германиевого транзистора от тока эмиттера н напряжения на коллекторе
Рис 12 Типовая зависимость статического коэффициента передачи тока маломощного кремниевого транзистора от тока эмиттера
Рис 13 Типовые выходные вольт-амперные характеристики транзистора
Рис. 14. Вад выходной характеристики транзистора в предельном режиме
И
Из вольт-амперной характеристики транзистора можно определить пробивное напряжение, обратный ток р—«-перехода и другие параметры. Так, на рис 14 показана зависимость /к = f (Uк) при разных условиях на входе Если базовый вывод транзистора отключить и приложить [тапряжение между коллектором и эмиттером (при /?Б = оо), то пробой перехода наступает при напряжении между электродами значительно меньшем, чем при /?Б = 0:
т	tn
^КЭО проб =^КБО проб/V 1 +^21Э ~ ^К-БО проб/V ^213 ’
где (УКБ0 проб напряжение пробоя между коллектором и базой при от* ключенном эмиттере; т — коэффициент, равный для кремниевых приборов 2 ... 4 и германиевых 3 ... 6.
Как видно из рис. 14,. и^ЭОг]роб < икэк проб < УКБОпроб. Напряжения ^кэОпроб и ^КЭК проб соответствуют крайним значениям внешнего сопротивления между базой и эмиттером от /?Б = 0 до Т?Б = оо. Для всех промежуточных значений /?Б пробивные напряжения УКддпроб также будут иметь промежуточные значения.
1.6.	РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ТРАНЗИСТОРОВ ft
Зависимость параметров транзисторов от температуры, электрического режима и частоты, наличие технологического разброса параметров накладывают специфические требования на расчет и принципы построения схем на транзисторах. Эти требования направлены на повышение надежности работы схемы и сводятся к следующему
J. Расчет схем должен производиться на основании минимального и максимального значении того или иного параметра, указанных в справочнике. Должно быть учтено наихудшее значение параметра (например, наименьшее значение коэффициента передачи тока при минимальной рабочей темпера туре) в пределах имеющегося разброса в используемом диапазоне электрических режимов.
2.	Не рекомендуется искусственное сужение разброса параметров против указанного в ТУ, поскольку работа схемы будет более критичной при замене транзисторов.
3.	Необходимо применять схемы, обладающие повышенной стабильностью при работе во всем диапазоне температур, используя различные способы включения транзисторов по переменному и постоянному току в одном и том же каскаде. Повышенной стабильностью обладают схемы с элементами температурной стабилизации и отрицательными обратными связями по току и напряжению, а также схемы, имеющие в коллекторной цепи ограничивающие ток сопротивления.
Выбор типа транзистора. При выборе транзистора исходят из характера радиоэлектронной схемы, а также требований к ее выходным электрическим параметрам и эксплуатационным режимам Особое значение имеет диапазон рабо-лих температур конструируемого устройства в целом. Необходимо иметь в виду, что кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при повышенной температуре (вплоть до 125° С), но их коэффициент- передачи потоку сильно уменьшается при низких температурах. Это обстоятельство заставляет использовать при низких температурах большее количество транзисторов для получения заданного усиления. Кроме того, кремниевые транзисторы в области малых токов имеют более резкую зависимость параметров (/г.21э п др.) от тока эмиттера.
Не рекомендуется применять-мощные транзисторы в тех случаях, когда можно использовать маломощные, поскольку при работе мощных транзисторов в маломощных схемах (при малых токах, которые могут быть соизмеримы с обратным током коллектора) коэффициен г передачи по току сильно зависит как от тока, таки-от температуры окружающей среды, и кроме того, мал по абсолютной величине Использование мощных транзисторов без теплоотводов приводит к температурной неустойчивости рабсчы транзистора.
Частотный предел усиления и генерирования транзисторов должен строго соответствовать схемным [рсбоваипям. Не следует применять высокочастотные 12
транзисторы в низкочастотных каскадах, поскольку о'ни склонны к самовозбуждению и к раэвитю вторичного пробоя.
Выбор схемы включения. При выборе схемы включения транзистора по переменному току следует учитывать особенности различных схем. Схема включения с общей базой (ОБ) обладает сравнительно малым входным и большим выходным сопротивлением, однако сравнительно небольшая зависимость параметров от температуры и более равномерная частотная характеристика выгодно отличает ее от других схем включения. В схеме с ОБ достигаются максимальные значения коллекторного напряжения, что важно для использования в ней мощных транзисторов.
Схема включения с общим эмиттером (09) обладает наибольшим усилением по мощности, что уменьшает ^количество каскадов в схеме, но неравномерная частотная характеристика, большая зависимость параметров от температуры и меньшее максимально допустимое коллекторное напряжение снижают преимущества этой схемы включения. Входные и выходные сопротивления усилителя на транзисторах, включенных в схему с ОЭ, отличаются меньше, чем в схеме с ОБ, что облегчает построение .многокаскадных усилителей.
Схема включения с общим коллектором (эмиттерный повторитель) обладает большим входным и малым выходным сопротивлением., Это свойство находит широкое применение в согласующих каскадах Частотная характеристика схе-mLi сходна со схемой включения транзистора с ОЭ.
Порядок выбора схемы включения для транзисторов, работающих в режиме переключения, практически не отличается от случая работы их в усилительном режиме, но при этом следует особенно обращать внимание на снижение допустимого коллекторного напряжения доп в схеме с ОЭ по сравнению со схемой включения с ОБ, При наличии индуктивности в нагрузке необходимо принять меры по уменьшению или устранению всплесков коллекторного напряжения, превышающих допустимое значение. Всплески перенапряжения можно подавить включением шунтирующих диодов и стабилитронов.
Выбор режима работы транзистора. При выборе режима работы транзистора не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния, указанных в предельно допустимых режимах. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полном использовании по току, чем наоборот. Не допускается работа транзистора при совмещенных максима чьею допустимых режимах, например, по напряжению и току и т. п,
Область рабочего тока коллектора ограничена, с одной стороны, значением обратного тока коллектора ^кбо ПРИ максимальной рабочей температуре, и для уЕтс-ймивой работы принимается > 10/кБОтах-	другой стороны,
ограничен максимально допустимым значением тах. При выборе значения тока коллектора следует учитывать сильную зависимость коэффициента передачи по току при малых значениях тока коллектора, ухудшающиеся при этом частотные свойства и снижающийся уровень шумов. При больших значениях тока происходит уменьшение коэффициента передачи по току.
При выборе напряжения коллектора следует иметь в виду:
—	минимальное значение напряжения коллекюра должно превышать падение напряжения полностью открытого транзистора. В этой области снижается коэффициент передачи тока, что приводит к увеличению нелинейных искажений, увеличивается-емкость коллекторного перехода, ухудшающая частотные свойства транзистора, но одновременно уменьшается и уровень щумов, что бывает важно в каскадах предварительного усиления;
—	максимальное напряжение коллектора ограничено его максимально допустимым значением, указанным в ТУ. Опыт показывает, что для повышения надежности и стабильности работы транзистора следует выбирать рабочее напряжение на коллекторе примерно 0,7 от максимально допустимого значения для соответствующей схемы включения, с учетом зависимости от температуры и тока коллектора.
При выборе источника питания необходимо руководствоваться тем, чтобы максимальное напряжение на коллекторе не превышало допустимого значения Для данной схемы включения^
.13
Выбор эмиттерного напряжения при прямом смещении перехода определяется значением необходимого рабочего тока эмиттера. Значение эмиттерного на* пряжения при обратном смещении перехода не должно превышать максимально допустимого.
При определении мощности, рассеиваемой транзистором, следует иметь в виду, что суммарная мощность по входу и выходу во всем рабочем диапазоне температур не должна быть выше максимально допустимого значения, указанного в ТУ. При этом следует различать установившиеся (стационарные) и неуста-понившиеся (динамические) во времени тепловые режимы работы. Режим,можно считать стационарным, если время, в течение которого на транзисторе выделяется наибольшая мощность, значительно превышает время, необходимое для распространения тепла от места выделения (перехода) до корпуса транзистора. В нс-установившемся тепловом режиме, когда длительность воздействующего импульса мощности меньше времени распространения тепла от перехода до корпуса транзистора, а частота повторения низка, могут наблюдаться местные перегревы структуры, В установившемся тепловом режиме для транзистора без теплоотвода и известном тепловом сопротивлении между переходом и окружающей средой (/?т, п-с) мощность рассчитывается по формуле
Рк =(Гп —Тс)//?т< п__с.
. В ^установившемся тепловом режиме мощность рассчитывается по гем же формулам, но вместо п-с и /?т, п~к подставляются соответствующие значения для неустановившегося теплового режима, заданной длительности импульса и частоты повторения. Чтобы быть уверенным, что выбранная мощность при данной температуре не превышает допустимую, необходимо (для мощных транзисторов) контролировать температуру корпуса.
Отвод тепла Повышение температуры окружающей среды или корпуса транзистора вызывает существенное изменение основных параметров и эксплуатационных характеристик приборов. Снижаются значения допустимой рассеиваемой мощности и напряжений на электродах, возрастают обратные гоки и коэффициент передачи тока и т. п. Поэтому на условия охлаждения транзисторов (особенно большой мощности) должно быть обращено особое внимание. Важную роль играет способ крепления транзисторов к теплоотводу, материал теплоотвода и его конструкция.
Крепление транзистора к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Недопустим^ перекосы, плохо притертая поверхность, заусенцы, царапины и грязь в месте контактирования транзистора с теплоотводом. Недостаточно плотное соединение транзистора с теплоотводом увеличивает тепловое сопротивление участка корпус транзистора — теплоотвод и влияет на перепад температуры, который может меняться в широких пределах (1...50J С), Хорошее соединение корпуса транзистора с теплоотводом достигается шлифовкой поверхностей, смазкой места соединения специальной мастикой или трансформаторным (невысыхающим) маслом. Полезным оказывается и использование тонких прокладок из фольги и мягких металлов Сверление больших отверстий в радиаторе для внешних выводов приборов уменьшает эффективность отвода теп л а.
При необходимости изолировать транзистор от теплоотвода или корпуса аппаратуры применяются прокладки из слюды, полихлорвиниловой пленки, бакелитового лака, оксидированного алюминия и др. Прокладки ухудшают теплоотвод и увеличивают тепловое сопротивление, необходимо учитывать это при расчете рассеиваемой мощности транзистора. В качестве материала Тбплоог-вода на практике чаще используется медь и алюминий, обладающие наибольшей теплопроводностью. Конструктивно теплоотводы выполняются, как правило, либо в виде пластин из меди толщиной 3...5 мм или алюминия толщиной 4...8 мм, либо в виде ребристых радиаторов различной конфигурации из тех же материалов
Площадь теплоотвода приближенно можно вычислить по формуле 5[см2] = 1000/(7?т, п_сат), где /?т, п-с— требуемое тепловое сопротивление переход— окружающая среда, °С/мВт; <4—коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду, мВт/(см2-°С). Коэффициент ог равен~ 1,5мВг//(смЗ-Х!) и зависит от количества тепла, отводимого от ’ теплоотвода за счет тепло-14
проводности, конвекции и излучения. Теплопроводность растет с увеличением площади S теплоотвода. Отвод тепла за счет конвекции растет с ростом разности температур теплоотвода и окружающей среды. Конвекция улучшается при вертикальном положении плоскости теплоотвода.
Максимальный отвод тепла за счет излучения составляет 0,6 мВт/(см2**С), Рекомендуется покрывать теплоотвод (радиатор) черной матовой краской или зачернять его каким-либо другим способом для увеличения эффективности отвода тепла за счет излучения. В ряде случаев в качестве теплоотвода выгодно использовать металлические шасси и стенки блоков аппаратуры, Принудительный об-• дув теплоотвода, помещение его в проточную жидкость (вода, масло) значительно . улучшает охлаждение транзисторов и позволяет снимать с них ббльщие мощности. Для улучшения циркуляции воздуха ннутрм аппаратуры в шасси следует делать отверстия, а в стенках блоков жалюзи.
1.7.	УКАЗАНИЯ ПО МОНТАЖУ И ЭКСПЛУАТАЦИИ
Надежная работа полупроводниковых приборов в условиях эксплуатации зависит не только от качества самих изделий, но и от правильного применения их в аппаратуре, а также от соблюдения всех мер предосторожности при наладке и - эксплуатации аппаратуры на полупроводниковых приборах. Рекомендации по правильному применению полупроводниковых приборов, как правило, содержат некоторые общие указания для всех классов приборов. Однако наиболее важно их соблюдать для Вч и СВЧ транзисторов, которые имеют специфические особенности.
Высокочастотные транзисторы, в отличие от низкочастотных (НЧ), обладают меньшим запасом по предельным режимам н более критичны к электрическим перегрузкам, они обладают большей склонностью к самовозбуждению и подвержены в большей степени влиянию электромагнитных полей и разряда статического электричества Кроме того, ВЧ транзисторы по сравнению с НЧ менее устойчивы к воздействию механических и климатических факторов.
При использовании транзисторов необходимо применять меры для устранения самовозбуждения приборов К этим мерам, в первую очередь, следует отнести правильное выполнение монтажа схемы, использование схемных решений . по обеспечению работы каскадов с отрицательной обратной связью, а также использование в схеме развязывающих элементов. При всех работах с транзисто-j ром, находящимся под электрической нагрузкой, включая и измерения параметров, его корпус должен быть заземлен. При включении транзисторов в электрическую цепь базовый контакт должен присоединяться первым и отключаться последним
При работе аппаратуры в условиях изменения температуры окружающей среды должны быть предусмотрены меры по стабилизации температурного режима. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур.
При измерении и испытании транзисторов необходимо применять следующие меры предосторожности для защиты от воздействия статического электричества:
—	вся измерительная и испытательная аппаратура, а также металлические части столов и стульев должны быть заземлены;
—	оператор перед началом работы с транзистором должен надевать браслет, электрически соединенный с заземленным контуром через сопротивление 1 МОм;
—	при распайке [ранзисторов необходимо пользоваться паяльником, включенным через понижающий трансформатор с электростатическим экраном между обмотками и с заземленной вторичной обмоткой. Напряжение питания паяльника не должно превышать 36 В,.
При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий их необходимо крепить за корпус.
При пайке выводов необходимо защищать корпус транзистора от попадания флюса и передачи тепла от места пайки к корпусу.
Для повышения надежности транзистора в условиях эксплуатации рекомендуется электрические режимы выбирать ниже максимально допустимых на 20,», ...30%,
15
При эьсплуаикии должны быть приняты меры, предотвращающие неконтролируемое превышение предельно допустимых электрических режимов при переходных процессах с емкостными и индуктивными элементами. При заливке транзисторов в аппаратуре различными защитными компаундами должна быть обеспечена температура, не превышающая допустимую.
При настройке схем на транзисторах рекомендуется придерживаться следующих правил, ограничивающих выход их из строя из-за случайных перегрузок;
—	исключить возможность подачи на электроды транзисторов напряжений с обратной полярностью, что .может приводить к пробою р — п-перехода;
—	монтаж схемы, замена транзисторов и других элементов должны производиться при отключенных источниках питания;
—	настройку схем и проверку режимов работы следует производить ламповым вольтметром или другими приборами с достаточно высоким входным сопро-ти влен нем,
—	при наладке схем на транзисторах с использованием измерительных приборов и источников питания, включаемых в сеть переменного тока, общий провод схемы и корпуса измерительных приборов должны иметь надежный контакт;
—	не допускается производить измерение сопротивления резисторов, не отключив их от схемы.
В аппаратуре, подвергаемой воздействию внешних механических и климатических факторов, следхет принять меры по исключению возможности появления резких перепадов температуры, поскольку это может привести к механическим перенапряжениям,элементов конструкции. При повышенной влажности и температуре (условия близки к тропическому климату) необходимо принять меры по защите поверхности приборов от коррозии (покрытие лаком и различными компаундами). При значительном понижении давления окружающей ереды ухудшаются условия теплоотдачи. Поэтому необходимо в этих случаях принять меры по снижению рассеиваемой мощности транзистора и улучшению теплоотвода .
При размещении электронной аппаратуры на различных транспортных средствах следуе использовать амортизаторы, исключающие возникновение резонансных колбаний элементов конструкции транзисторов и отдельных блоков при воздейсттии ударных и вибрационных нагрузок.
ЧАСТЬ U
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
2.1. ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ
Диапазон низких частот
МП20А, МП20Б, МП20В, МП20Г,
МП20Д, МП21В. МП21Г, МП21Д
МП21Е
Обшие сведения. Германиевые сплавные р—п—р-транзисторы предназначены д [а работы в усилительных и переключающих схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1, а), Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл, П2.1, Электрические параметры. Классификационные параметры)
УКЭО гр,	нас -	______
Н-ннменовгниа	16O3Hd’	Jii чсиня			Режима измерения					
		МИНИМАЛЬНОЕ	Я о	( о * к “ 65		иэ, в	2		мА	1 h Гц
Обрашый ток коллектора, мкА: МП20А-МП20Д- МП21В МП21Г МП21Д МП21Е	/1 ) 'КБ О	0,5-0,5 0 5 3,5 0.5	10 10 10 10 10	50 50 50 50 50	30 ад 60 50 70					
Обратный гок эмиттера, мкА- МП20А-МП20Д МП21В—МП21Е	Чбо	0,5 0 5		50 30		30 40				
Граничное напряжение, МЛ20А-МП20Д МП21В, МП21Д МП21Г, МП21Е	^КЭО FP	29 30 15		*	-				1 100 100 100	
17
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения	i					
		минимальное	типовое	максимальное	Я 'Яд	0Q СП	<	Jr>> «А	< S jt,	1 Ь rt
Напряжение	насыще- ния коллектор — эмиттер, В	' нас		0, 15	0,3			300	60		-
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас	0,7	0,9	М2			300	30		—
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Омг МП20А МП20Б, МП21В — МЛ21Е	Лц а	400 300	1200 800	3000 1500	5 5		5 5			f 270 270
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСм; МП20А МП20Б, МП21В — МП21Е	^32 8	30 15	100 30	200 60	5 5		5 5			270 270
Предельная частота ко-эффиииента	передачи тока, МГц: МП20А МП20Б, МП21В МП20В, МП20Д, МП21Г, МП21Д МП21Е	^216	2,0 1,5 1,0 0,7	3,0 2,5 2,0 2,0	4,0 4,0 4,0 4,0	5 5 5 5	с*			5 5 5 5	j
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: МП20А •МП20Б МП20В МП20Г МП20Д МП21В МП21Г МП21Д МП21Е	э	50 80 20 50 130 20 20 60 30	105 125 60 105 125 60 60 125 105	150 200 80 150 200 100 80 200 150	5 g 5 5 5 5 5 5 5				25 25 25 25 25 25 25 25 25	270 270 270 270 270 270 270 270 270
Время рассасывания, мкс	^рас	0,5		0,8	15		10	1		
Время	переключения, мкс	^пег	0,6		2 5 	15		10			r* j
Е мдость коллекторного перехода, пФ 11 Для транзисторов, кото.	эыы присное	15 а гос у;	(арстве	30 ццый 3	10 аак к	ачест	ва, /j	<БО	4 40	soo. J i ю3 tl ST ; илА ,	|
18
1
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре ок-ружающой среды Гс ==—60 ., + 70° С.
/к, и max — импульсный ток коллектора в режиме переключения (/пер = 50 Гн, t пер — 10 мкс, Q—2), мА ... . 300 ^ЭБ max —постоянное напряжение эмиттер — база В: МП20Л-МП20Д .... 30
МП21В—М.П21Е.............40
^КБшах ~~ постоянное напря-
О'кэ тах — постояное напряжение коллектор — эмиттер, В
жение коллектор — база, В:
МП20А — МП20Г, МП20Д . 30
МП21В .................40
МП21Г .................60
МП21Д .................50
МП21Е .................70
МП20А-МП20Д . ... 20
МП21В, МП21Д..............30
МП21Г, МП21Е..............35
max — постоянная рассеивае-"мая мощность коллектора,
мВт .....................150
Тв max — температура перехода,
°C...........................85
п-с — тепловое сопротивление переход — среда 0 С/Вт 0,33
Допустимая температура окружающей среды, °C . , —60 . , . +"0
При Гс> 35JC PKmas ImBtJ = (85и С - Т^/Ят, п _ с(
ЖкА ШОБ,М!1?0Д,МПг1Д~
шг,тд~д1ь=1оом.А
--------- для грулп с * mux”
' ...... для	групп с
19’
•|ТП I ргтр I r~| IГ •] I!1' IГ I |1TT' ГТТГ" 1ТП |9	20	21	11	23
МП25 МП25А, МП25Б, МП26, МП26А, МП26Г
Общие сведения. Германиевые ставные высоковольтные р—й—р^ранзисто-ры предназначены для работы в усилителях, генераторах н переключающих СХкЛКорпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1> а). Масса транзистора не более 2 г"
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^гэ,
Наименование	Обозиа -пение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	CQ	А Ь	1	"я	3 А	
Обратный ток коллектора, мкА. МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б	!кбо	5 б	75 75	40 70					
Обратный юк эмиттера, мкА: МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б	^ЭБО	2 2	75 75		40 70				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	нас		0,25			100	50		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В: МП 25, МП 26 МП25А, МП25Б, МП26А* МП26Б	^Б^ нас		1,2 1,0			100 100	S я |		
Входное	сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	*116	25	35	20				2,5	I
Входное	сопротивление транзистора- в режиме малого сигнала, Ом: МП25, МП25А, МП26 МП25Б, МП26Б МП26А	*110	500 600 500	1000 1600 1200	20 20 20				2,5 2,5 2,5	1 1 1
Коэффициент обратной свя-зи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала	*120	О,8Х Х10-3	4.10-8	20				2,5	!
Коэффициент	обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала 00	L	*1Я0	1,5Х Х10"3,	10х Х10“3	20				2,5	1
Наименование	Обозна чение	Значение		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	CQ £	в	1у£, мА	с S и	< я m	f, kFil J
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ;	^Й1Э								
М.П25		10	25	20				2 5	1
МП25А		20	50	20				2,5	1
МП25Б		30	80	20				2,5	1
МП26		10	25	35				1 .5	1
МП26А		20	50	35				1 5	1
МП26Б		30	80	35				t 5	1
Выходная	проводимость в режиме малого сигнала при х х , мкСм; МП25 МП25А, МП25Б	Йааб								
		0.7	1,5	20				2 5	1
МП26, МП26А, МП26Б			1	35				1,5	1
Предельная частота коэф фициента передачи тока, кГц МП25, МП25А	f	200	600	20				2,5	
М25Б		500	1000	20				2,5	
МП26, МП26А		200	600	35				1.5	
МП26Б		500	2000	35				1 5	
Гранитная частота коэф фи цнента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц:	frp					1			
МП25 МП25А, МП26, МП26А		0,166	0 5	20				2,5	
МП25Б, МП26Б		0,42	0 44	20				2 5	
Время переключения, мкс	саер		1 5		30		1	2 3	2
Емкость коллекторного ле-	Си								
ре хода, пФ									500
МП25, МП25А, МП25Б			20		20				
МП26, МП26А, МП26Б			15		35				500
Сопротивление базы, Ом:	Га								500
МП25, МП25А, МП25Б	б		160		20			2 5	
МП26, МП26А, Л1П26Б	-		160		35			I 5	500
21
Максимально допустимые параметры, рожающей среды Тс = —60 4-70° С.
Гарантируются при температуре ок-
/к В1ах — ПОСТОЯННЫЙ ТОХ КОЛЛеК-тора в режиме насыщения, мА
МП25, МП26 .	300
МП25А, АШ25Б, МП26А, МП26Б ....	400
A: max — постоянный ток эмитте ра в режиме насыщения, мА МП25, МП26	. . 300
МП25А, МП25Б, МП26А.
МП26Б ...................400
Ь'ЭБ тах— постоянное напряжение эмиттер — база, В МП25, МП25А, МП25Б . . 40 МП26, МП26А, МП26Б . . 70
^КБ niax~~ постоянное напряже-- ние коллектор — база, В
МП25, МП25А, МП25Б . . 40 при Тс ^50° С я Рк^
С ЮО мВт..................60
МП26, МП26А, МП26Б . . 70 при Гс<50оС и
100 мВт................ 100
R П1ах — постоянное напряжение коллектор — эмигтер (Т?Б ^200 Ом), В
МП25, МП25А,	МП25Б	40
при	Г с 5О0 С,	Рк*£
<100 мВт...............60
МП26, МП26А,	МП26Б	.	70
при	Тс -С50° С,	Рц
SS100 мВт ....... 100
г К max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ....................200
Тя р.;!3 — температура перехода, °C ......................75
п-с — тепловое сопротивле
ние переход — среда “С/мВт 0,2 Допустимая температура окру жающей среды, °C , .—60 . .+70
1> При 7с>35°С РКп1ах 1мВт] =
Гп max — ^cV-Rt, и - е-
22
(inZ5,Mn26-^I5=DjM^,tini5A,tlKhA-iI^[},05nA,HflZ56,Mn2S6-^6^5HA
h
,nnz6A,fms, ^ъ-гов-мпг5}ппг5А,мп25б
23
П27, П27А, П28
Общие сведения. Германиевые сплавные р—л—р-транзисторы предназначены дчя работы в схемах усиления с низким уровнем шумов.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, П1.1,а), Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры йм». /Х21б>
		Значения		1	Режимы измерения				
Наименование	Обозначение							
		(Ц о ' X и $ * Э 1	максимальное	М Ь	< я	1б> мА	1$. мА	п
Обратный ток коллектора, мкА при Тс~ +60° С	;КБО	1	3 150	5 5				
Обратный ток эмиттера (<7Э=5 В), мкА	,	^ЭБО	-	3					
Напряжение насыщения коллекор — эмиттер (и=2), В .	^КЭ нас	0,001	0,1			1		
Напряжение насыщения база — эмиттер (л=2) В	^БЭ нас	1	1			1		
То же для инверсного включения (п=оо), мВ	- ^БЭ нас(инв)	0,7			0	0,5		-
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	Апб		50	5			0,5	1
Входное сопротивление транзистора в режиме । малого сигнала, Ом	*113	2700	8000	5			0,5	1
Коэффициент передачи тока .в режиме малого ситлала: П27 П27А П28 при Гс = + 60оС: П27 П27А П28 при?с = -60=С: П27 П27А	1 П28 24	' ^21Э	20 20 20 20 20 20 8 8 8	100 170 200 180 300 360 100 170 200	5 5 5 5 5 5  5 5 5			0,5 0,5 0,5 0 5 0,5 0,5 0,5 0,5’ 0,5	1 1 1 1 i 1 i i 1
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы иямегеиия				
		минимальное	М JKCH-мальцое	Я	й	/g мА	S га	d
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ для инверсного включения	^13 ПНИ	5	35	5	1			0,2?
Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для инверсного включения, мА/В	пив		33	5	1			0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х, х., мкСм	^22(5	0.1	2.0	5			0.5	1
Предельная частота коэффициента	передачи тока, МГц; П27, П27А П28	21(5	1 5		5 5			0,5 0,5	-
Коэффициент шума, дБ: П27 П27А, П28	Fttn	10 5		5 5			0,5 0,5	1 ' 1
В мкость	коллекгор н ого перехода, пФ	ск		А 20	5	1			165
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Ге——60...+60°С
^К-гпах — постоянный ток коллектора, мА.....................  6
^КБ max— постоянное напряжение коллектор — база, В 5 max —постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В 5
Рк max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора,
м Вт .......................30
Та та х — температура перехода, °C..............................75
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—60 . ,+60
11 При 7о>30°С сопротивление
дол жно быть не более 500 Ом*
26
I I 3	4 Цкэ,5
ii|'iii[ ii|ii|im
19	20	21	22	23
МП35. МП36А, МП37, МП37А, МП37Б, МП 38, МП38А -
Общие сведения. Германиевые сплавные п р транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний, а также для работы в других схемах.
Корпус металлический, 1ерметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1,а), Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатация — в соответствии с табл. П2.2,
Электрические яараметры. Классификационные параметры; ft2ia, 2в	“1аХ
		Зк-‘чени?		Режимы измерения			
	"Тбозв.!						
Наимепо ванне		О 3j s л	, о i я 3 Л	и	л	к	
				iJZ	ф	*	
							
Обратный ток коллектора, мкА	' КБО		.30	5			
при 7'с«4-70°С		*	400	5			
Обратный ток эмиттера, мкА			S5		5		
Коэффициент передачи тока в режиме малого chi нала в схеме с ОЭ;	71213	13	125				
МПЗБ				5		1	1
МП36А		15	45	5		1	1
МПЗ?, МП37А .		15	30	5		1	1
МП37Б		25	50	5		1	1
МП38		25	55	5		1	
МГ138А		45	100	5		1	1
При 7о=-Г70еС: МП35		13	280	5		1	1
МП36А		15	130	5		1	1
МП37, МП37Л		15	85	5		1	1
МП37Б		25	140	5		I	1
МП38		25	150	5		1	1
МП38А		45	250	5		1	1
при 7'г.-—4Б°С1  МП35		5	125	5		1	1
МП36А		6	45	5		1	1
МП37, МП37А		5	30	5		1	1
’ МП37Б		8	59	5		1	1
МП38		8	55	5		1	1
МП38А '		t?	ИО	5		1	1
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц: МП35	% 16	0,5		5		1	
МП36Л, МПЗ?. МПЗ7А, МП37Б		1,0		5		1	
МП38. МП38А		2.0		5		1	
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х, мкСм	^22б	-	2,5	5		1	1
Коэффициент птума, дБ МП36А			12	1 ,Б		0 5	I 1
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сь		50	| 5			| 465
Сопротивление базы. Ом	гб	| 201		1 5		1 | 465	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды 7С =»— 60...4-70°С.
/к шах — постоянный ток коллек-	—постоянное напря*
тора, мА ........ 20	женке коллектор — эмиттер
/к вас max. 1_Vh4c mjx ~ достоян-	^200 Ом). В
ный гок коллектора (эмитте-	при То“—бО...+ iO’C:
ра) в режиме насыщения,	МП35, МП36А, МП37,
v мА , ......................150	МП38, МП38А.................15
27
МП37А, МП37Б...........30
при Тс > 4-40° С
МП35 МП36А,	МП 37,
МП38 МП38А ...	.10
МП37Д^МП37Б . .	20;
так- постоянное вапряже ние коллектор — база, В при Тс =—60 4-40эС
МП35 ' МП36Х, МП37, МП38 МП38А.............15
МП37А МП37Б............30
при Тс> 4-40° С
МП35 МП36А, МП37
МП38, МП38А . .	.10
МП37А, МП37Б . .	20
i ^к\пах —постоянная рассеивав
мая мощность коллектора, мВт
при Тг=—60 4-55° С .	150
Допустимая температура окру •кающей среды, °C. . —60 . . 4-70
° Среднее значение тока эмиттера за чение &21Э не нормируется
21 При Тс>+ 55Х РКтак^ -0 2° С/мВт, Тп = 85сС При (6650 Па) RT п _ с 0 3° С/мВт
1 с не должно превышать 30 мА Зна-
(7’д — Tc^Rt, п — с где п - с = давлении окружающей среды 50 мм рт съ
0	5	Ю 15 икз,в
ГП35.МП36А RO376, МП38-61ъ~г00м«А , Н^,МП37А-Д1ь=300мкА,МП38А-Д1ь=50мкА
28
НР|"jqIj ipi i
19	20	21	22	23
МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41,
МП41А
Общие сведения. Германиевые сплавные низкочастотные р—п—р транзисторы предназначены для работы в усилительных и импульсных (кроме МП39Б) схемах
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1 1,«), Масса транзистора не более 2,0 г
Условия эксплуатации — в соответствии с габл П2 2
Электрические параметры Классификационные параметры Ла1Э1 б.
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		<р о , я я л Я и S л 2 S	. 8 S ® = ч Я я Л S	Я	и CD	S	/g, мА	/9, мА	Ь кГц
Обратный ток коллектора,		0,5							
мкА	^КБО		15	5					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО	5	30		5				
Входное	сопротивление									
транзистора в режиме на лого сигнала Ом	^116	25	35	5				1	1
Коэффициент образной свя зи по напряжению	^12б	1 10“3	5 Ю-3	5				1	1
Коэффициент передачи то									
ка в режиме малого сигца ла в схеме с*ОЭ.	^313								
МП39		12		5				1	1
МП39Б		20	60	5				1	1
МП40		20	40	5				1	1
МГ140А		20	40	5				1	1
МП41		30	60	5				1	1
МП41А		50	100	5				1	1
Выходная	проводимость в режиме малого сигнала при х х , мкСм	Л 220	0,5	3 3	5				1	1
П реде пьная частота коэф фцциента передачи тока,									
МГц МП39 МП39Г	^216	0,5	1 5	5				1	
МП40, МП40Д МП41 и МП41А		1 0	3 0	5				1	-
Емкость коллекторного пе Гехода, пФ	Св	20	50	5					165
Коэффициент шума, дБ	КЕЛ	5	12	1 5				0,5	1
Сопротивление базы, Ом	гб	100 1	200	5		1			465
29
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=—60 ..4-70’С.
max — постоянный ток коллектора, мА................20
^К, и тал-—импульсный ток коллектора, мА...............150
£/эб шах” постоянное напряжение эмиттер — база, В , ,	5
£/КБ mdX — постоянное напряжение коллектор — база, Б при Тс——60 ..4-40°С:
МПЗЭ, МП39Б, МП40,
МП41, МП41А.............15
при Тс>40°С:.............10
МП40А....................30
при Гс>40°С..............20
икэ та... — постоянное напряжение, В
при Гсв—60 4-40°С:
МП39, МП39Б, МП40,
МП41, МП41А..............15
при Тс >40° С:...........10
МП40А ..................30
при 7с>40°С..............20
иКБпр —пробивное напряжение коллектор—база-
МП39 МП39Б, МП40 ... 15
МП41, МП4(А..............15
МП40А.................  .	30
и тах~~ импульсное	напря-
жение коллектор — эмиттер, В при Гс 60..+40'С:
МП39, МП39Б, МП40,
МП41, МП41А.............20
при Гс>40°С..............15
МП40А...................30
при Та >40° С............20
И max ~ импульсное напряжение коллектор — база, В. при 7’с=—60 .+ 40°С:
МП39 МП39Б, МП40,
МП4С МП41А..............20
при Гс>40'3С	10
МП40А ..................30
~ при Гс>-40<>С.............20
^Е^тах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при Гс=—60...+55°С . . . 150
при Гс=70сС	... 75
Допустимая температура окружающей среды, °C. . —60 . , . +70
11 Значение коэффициента передач» тока не нормируется. Среднее значение тока эмиттера за 1 с не должно превышать 40 мА.
а) При отсутствии запирающего смещения сопротивление цепи база—эмиттер не должно превышать 10 Ом
31 При повышении температуры от 55 до 70° С допустимая мощность снижается до 75 МВт по линейному закону.
30
НП39-А1^ШмНА*
Mri395fMWO,MMDAt
ШМ1-Д1ь=2МШ(А;
Ш№А-А1ь*1ЮмНА
МП42, МП42А, МП42Б
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п—р транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний в диапазоне частот до 1 МГц, в схемах переключения и других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры; /Х21д.
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы измерения				
		МИШ] мальяос	О , О Д Я Q Л -ч Я s S	Щ Й	и	с S	/б, мА	я Л "ч
Обратный ток коллектор — эмиттер при запирающем смещении, мА	^КЭХ		25'	15	0,5			
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		0,2			10	1	
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		0,4			10	1	
Статический коэффициент передачи юка в схеме с ОЭ МП42 МП42А МП24Б	Л2[Э	20 30 45	35 50 100	1 1 1		10 10 10		
Наименее яие	Обозначение	Зннчеиия		Режимы измерения				
		; МИНИ* ) малъное 1		макси- ] | мольное	03 и о	41 Л С)	< я *	*Б- мА	3 л
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе ме о ОЭ MI ц		1,0		5				1
Время переключения, мкс’ МП42 МП42А МП42Б	^пер		2,0 1,5 1,0	15 15 15		10 10 10		
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=— 60 4-70’С. 1к шах — импульсный ТОК КОЛЛбК тора, мА . . .	150
г max ~ ток эмиттера (среднее значение), мА .	30
^КБ гпах постоянное	яалря
жение коллектор —	база	В	15
^КЭДтах — постоянное напря
жение коллектор — эмиттер, В 15
^Ктах — постоянная рассеиваемая мощность коллекюра, мВт
при Те = 45° С.............200
при То = 7р=С.............. 75
Допустимая температура окру
ж а юшей среды, °C . . —60	. +70
lt При отсутствии запирающего смещения /?g	3 кОм
®' При повышении температуры от 45 до 70°G мощность уменьшается линейно
гтБ-Д1ь=100мкА
32
11 H 11111111 н 11 j I ГТ1ОЗ\ ГТ108Б ГТ108В ГТ10ЯГ 17	18	19
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п—р-транзисторы предназначены для работы в схемах уси 1ения и генерирования
Корпус металлический герметичный (рис П1 2 а и Ш 3) Масса транзисюра не ботее 0 5 г
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 1
Электрические параметры Классификационный параметр ftgia___________
Наименование	Обозна- чение	Зн Ч Е|		’см пм и нзмерени			
		и о □3 s Л S S ?	б Я X о Л с? та ?	<1 *^л	й	5	Л
Обратный ток коллектора мкА	ZKfiO		10				
Обратный гок эмиттера, мкА	ГЭБО		15		5		
Коэффициент передачи тока в режиме малого сиг на ia ГТ108Х ГТ108Б ГТ 108В ГТ1081	Ьги	20 35 60 110	50 80 130 250	5 5 5 5		1 1 1 1	1 1 1 1
Выходная проводимость а режиме малого сигпа и при х х мкСм			3 3	5		1	1
Предельная частота коэф фициента передачи тока, МГн ГТ108А ГТ108Б - ГТ108Г	^310	0,5 1 0		5 5		1 1	
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		50	5			465
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс 					5000	5		1	465
Максимально допустимые параметры там~ постоянный ток коллек
тора, мА
при Го = 55* С . .	.	50
^КБ п ах — постоянное напряже
ние коллектор — база, В 10
Пкь и шах— импульсное напря жение коллектор — база, В 18
2 ч-и ,)
^*К max —постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора, мВт
при Л, =20° С ...	75
Т» mri — температура
перехода
 > . .4-80
33
 АД n-c — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт , * * . « 0,8
Допустимая температура окружающей среды, • С , , —45 . . . +55
° При 7’с>>5°СРКтах[мВт] = (Тп~Тс)/
/^?Т, П-С’
При давлении окружающей среды менее 50 мм рт. ст. значениеРК1Пах рассчитывают по этой же формуле при л - с = 1,0° С/мВт. Для выходного каскада приемника временно допускается ?ктах = 70 мВт ПРИ 40 С*
ГТ109А,	ГТ109Б,	ГТ109В,	ГТ109Г,
ГТ109Д, ГГ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И
Общие сведения. Германиевые сплавные маломощные низкочастотные миниатюрные /?—м—р-транзисторы предназначены для работы в малогабаритных радиовещательных приемниках (ГТ109Д и ГТ109Е — в медицине; ГТ109Ж — только для применения в часовых механизмах).
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. ПК4), Масса транзистора не более 0,1 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2,1.
Электрические параметры. Классификационные параметры:	Диэ,
34
		Значения				Режима		измерения		
НйИмеииВспше	Обозна чек не	-инн Л	типовое	, 8 3 * х ч <3 05 й Е	а	аз	< 2	< S	/д, мА	пая ч
Обратный ток коллектора, мкА: ГТ109А, ГТ109Б ГТ109В, ГТ109Г ГТГО9Д,	ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТЮ9И	ДчБО	од 0,2 ОД	1,5	5 2 1	5 1,2 1 5					
Обратный юк коллектор — эмиттер (^ь= ==0), мкА: ГТ109А — ГТ109Е ГТ109Ж		0,6 0,3		7 5	5 1,5					
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: ГТ109А - ГТ109Е, ГТ109Й	^'кэ нас	0,02		0,08			10	1		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В: ГТ109А - ГТ109Е, ГТ109И	^ВЭ нас	0.-24		0,5			10	1		
Выходная проводимость в режиме малого сш нала при х.х., мкСм: ГТ109А— ГТ109Г, ГТ109И ГТ109Д	Лагб	0,5 0,3		3,3 2,5	5 1 2				1 ОД	1 1
Предельная частота ко эффипиента передачи тока, МГц: ГТ 109 А — ГТ 109 Г, ГТ109Й ГТ109Д ГТ109Е	^216	1 3 5			5 5 5				1 1 1 •	
Коэффициент шума, дБ: ГТ109А—ГТ109Е ГТ109Й	Кш	4 4		25 12	1.5 1,5				0,5 0,5	1 1
Емкость эмиттерного пе рехода, пФ: ГТ109А — ГТ 109 Г, ГТ109И ГТ109Д, ГТ109Е	Сэ ♦	6 16		* 20 40		4 1,2				465 465
Емкость коллекторного перехода, пФ; ГТ109А — ГТ109Г, ГТ109И ГТ109Д, ГТЮ9Е	Ск	10 16	25	30 40	5 1,2					4Р5 465
2*	'	35
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения					
		минимальное	типовое	максимальное	3	а”	"s &	мА	< JTj	f, кГц
Постоянная времени цепи обратной связи, пс: ГТ-109А — ГТ109Е, КТ109И		2	35	5000	5				1	465
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: ГТ109А — ГТ109Е, ГТ109И	Лцб	27		30	5				1	1
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала: ГТ109А— ГТ109Е, ГТ109И -	^12б	<*: 1 ' о м ©		КГ 1 © ©*	5				1	1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала: ГТ109А ГТ109Б ГТ 109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109И	ll21 э	• 20 35 60 110 20 50 20		50 80 130 250 70 100 80	5 5 5 5 1,2 1,2 5				1 1 1 1 0,1 0,1 1	1 1 1 1 1 1 1
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ 109 Ж	^21Г-	100		250	1,5				0,01	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=~2О..,-р55а С.
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛеК-тора, мА.................  .	ЙО
^КБ шах — постоянное напряжение коллектор — база, В . , Ю max ~ постоянное напряжение коллектор — эмиттер, при /?Б <200 кОм . .. . 6 ^КБнтах —импульсное напря-
жение коллектор—база, В 18
^Ктах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при Гс=—25 ... +20°С . . 30
Tn max — температура перехода, °C........................80
/?т, к-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт...........1,8
Допустимая температура окружающей среды, °C ... —45	-р55
При 7'с> 25 С [мВт] — (80 — Т'аУРт, и
ЗВ
ГТ109А-Д1е=МмкА;
ГЛ09б-М^15мкА,
ГШВ, ГТ№9Е~Д1Б=10мкА’>
ГГЮ9Г-Д1б=4мкА{
ГТ1П9Д, ГТ109И -AlБ=20мкА
о з е- 9 [/кэ,в
19	20	21	22	23
МП111, МПША, МП111Б, МП112, МП 113, МИНЗА
Общие сведения. Кремниевые сплавные низкочастотные п—р—п-трднзисторы предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1,а). Масса транзистора не более 2,5 г,
Условии эксплуатации — в соответствии с "Табл. П2.2. t
Электрические параметры. Классификационные параметры:
ЛШ1 ^КЬО, /*216*
1		Значения		Режимы		измерения	
Наименование	иХюзна ченнс	мини мвльное	* максимальное	я '^п	{Г	X 1	Я
Обратный ток коллектора, мкА: МПШ, МП111Б МП111А МП112, МП113, МП113А .	ZKHO		3 1 3	10 5 5			
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО	0 01	3		5		
Входное сопротивление тран зистора в режиме малого сиг нала, Ом	Лио	40	100	5		1	1
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малою сигнала		2 -10“4	мо-;!	5		1	1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схе ме с ОЭ, МП 111 МП 111А МП111Б, МП! 12, МП113 МП113А	^Яв	10 *0 15 35			5 5 5 5		1 1 1 1	1 1 1 1
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х, мкСм	^22б	0,	' о 0	5		1	1
Предельная частота коэффициента передачи тока МГц: МПШ, МП111А, МП1ПБ, МП112 МИНЗ МП 11 ЗА	^216	0,5 1,0 1	1 ,ь 3,0 3 0	о 5 5		1 1 I	
Коэффициент шума, дБ’ МПШ МП111Б, МГН 12 МП113, МП113А МПЩ А	Кщ	10 10	21 25	м 1 Д		ОД 0,1	1 1
Емкость коллекторного перехода, пФ 		Св	30	150	5			465
Максимально допустимые параметры. 1 арантнруюгся при температуре окружающей среды То = —60 ..+100s С.
шах — постоянный гок коллектора, мА .	.... 20
/E,aniail) — ИМПУЛЬСНЫЙ ГОК КОЛ-лектора, мА.....................100
п постоянное напря-
жение эмиттер — база, В . . 5
msx — постоянное напряжение коллектор — база В:
МПШ, МП111Б..............20
МП111А, МП 112, МП113, МПЦЗА . ,  ..............10
38
^кэ так— постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В:
МП111, МПП1Б...............20
МПН1А, МГ1112, МП113, МП113А......................10
^*К max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора,
4 мВт -	............150
при 7'с = + )00°С	. ... 60
Допустимая 1емнература окру-
жающей среды, °C ... —60 ... 4-100
1 Значение коэффициента передачи тока не нормируется Среднее значение тока эмиттера за 1 с не должно превышать 20 мА
3 При отсутствии запирающего смешения сопротивление в цепи база — эмиттер не должно превышать 2 кОм.
а} При повышении 1емпературы от 70 до 100С мощность снижается линейно.
Ш1Б,нпнг,мп113- aitrWwK МПЦЗА-Д^ЦОгЭмА

39
'ft
|ihpui|i!ii[niipi!tiiinirmpnipin	МП114 МП115, МП116
19	20 2t 22	23
Общие сведения. Кремниевые р—п—р сплавные малошумяшие транзисторы предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. 111.1,а).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:*2^,	'h2i6*
Наименование	'бозначенне'	Значении		Режимы намерение					
		минимальное	максимальное		Л о	1 ji	ih	3 X	й
Обратный ток коллектора, мкА: МП114 при 7св100°С; МПИ5 МП116 при Гс в 100° С	^КБО	20 15	10 400 10 10 400	30 30 15 10 10			-		
Обратный ток эмиттера, мкА при 7'о=100°С		0,005	10 200		10 10				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер в инверсном	включении (Аиасв0°), В	^КЭ нас нив	2.1O-8					3		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: МП114 МП115 МП116 в схеме с ОЭ, Ом: МП114, МП115 МП! 16,	*116 *118	35 35 1000 1000	Ж -300 300 300 2000 2500	5 5 5 5 5				1 1 1 1 1	1 1 1 1 1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала: МП 114 МП115 МП116	*218	9 9 15	45 100	5 5 5				1 1 1	1 1 1
Коэффициент передачи тока в инверсном включении: МП114, МП115 МП 116		*21 8 ИНВ	0,1 2	2,5 4	5 5		1 i			1 1_
40

Наименование	Обозначение	значение		Режимы измерении					
		аончггрл -ли лк	1 X й q	СП	 со		th.	s m	f. кГ.ц
Выходная проводимость н режиме малого сигнала при х.х. в схеме с 03, мкСм: МП114, МП115 МП 116 в схеме с ОБ, мкСм: . МП114, MII115 МП116	^223 ^220	10 15 0,7 0.7	49 50 3,3 2	5 5 5 5				1 ' 1 1- 1	- 1 1 1 I
Предельная	. частота коэффициента передачи тока. кГц: МП 114, МГН 15 МП 116	^216	* 100 500	1100 2000	5 5				1 !	
Предельная частота коэффициента передачи тока в инверсном включении, кГи: Л1ПИ4, МПН5	ИНТ		300	5		I			
Граничная частота коэффициента	передачи тока в схеме с ОЭ, МГц: МП114, МП115 Mill 16	/т	0,083 0,5	0,92 2.0	5 5	•			1 1	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тг =—60...+ 100° С.
/к mat — постоянный ток коллектора, мА........................10
/китах — ток коллектора в режиме переключения, мА . . 50
С'ЗБ max — постоянное напряжение эмиттер — база, В ... 10 ^КБ max — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В
МП114: при ТсС70°С . . . 60
при Гс>70°С . . . 50
МП115: при	7'с<70''С	...	30
при	7'с>7О°С	.	.	.	15
M1I116: при	ГсС70° С	.	.	.	15
при	7'с>70° С	.	.	.	Ю
^КЭтах— постоянное напряже-. вне коллектор—эмиттер, В ЦП114: при ГсС70сС ... 60 при Гс>70°С ... 50
МП115: при Гвс70°С . . . 30
при 7'с>70°С ... 15
МП116: при 7~сС70эС ... 15 при То>70вС ... 10
^Ктах —постоянная рассей вае-мая мощность коллектора, мВт
при Те ^70° С...........150
при То = 100° С..........60
Допустимая температура окружающей среды, °C ... —60 ... 4-100
При повышении температуры окружающей среды от 70 до 100° Сдопусти* мая мощность уменьшается линейно.
41
17	18	19
ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В,	ГТ115Г,
ГТ115Д
4
Общие сведения. Германиевые сплавные р—-п—р транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний, а также для работы в других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. II1.2,я). Масса транзистора не более 0,6 г.
w Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
’	^21Э) ^КБ щах» ^216'	>
42
		Значения		Режимы измерения				
Наименование	Обозначение	О О  №	• о X X	а	а		< 3₽	X
		Я ч я а	* е?	bd	fj	bd		м
	1	г е	£ £	Ь			—ч	
Обратный ток коллектора, мкА:	ZKEO							
ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д			40	20-				
ГТ115Б, ГТ115Г			40	30				
Обратный ток эмиттера, мкА	УЭБО		40		л			
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:	^21Э							
ГТ115А, ГИ15Б		20	80	1			25	270
ГТ115В, ГТ115Г		60	150	1			25	270
ГТ115Д		125	250	1			25	270
Предельная частота коэффициента пере та чи тока, МГц	^/гЧ1б	1		5			5	
Максимально допустимые параметры, жаюшсй среды 7’с = —20. + 45° С.
/к шах—постоянный гок коллектора, мА ...................30
^эб тих — посюяпиое напряже-
ние эмиттер—г база, В ... 20
С-’кб max ~ постоянное напряжение коллектор — базат В,
1 apannipy ются при температуре окру-
ГТ115А, ГТП5В, ГТ115Д . , 20
ГТ115Б, ГТ115Г..............30
Рк max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВ г ........................50
Допустимая температура окружающей среды, °C ,,, —20	+45
КТ117А, КТП7Б, КТ117В, КТ117Г
Общие сведения. Кремниевые планарные одноперезодцые транзисторы предназначены для работы в схемах преобразователей и реле времени.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.5). Масса транзистора не бблсе 0,9 с.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 4.
Электрические параметры. Классификационные параметры? П» ЯБ1 Ба.-
Наименование	Обозначение	31гз чение	Режимы <Чб2, в	измерения ТЭБ. мА
Ток утечки эмиттера, мкА	^ЭБО	1	30	
Остаточное направление, В	^БЭ нас	5	10	50
Коэффициент передачи; KTI17A, КТП7В КТ117Б, КТ117Г	и	0.5...0,7 0,65...0,9		
43
Наимечов ние	Обозначение	Значение	Режимы измерения	
			uBt Бе В	мЛ
Межбазовое сопротивление, кОм КТ117Л, КТ117Б КТ117В, КТ117Г	Б^	QO —1 * 3 СО to	20 25	
Ток выключения, мА	/выкл	1	20	
Ток включения, мкА	^нкл	|	20		!0	
Максимально допустимые парамеIры
L'gJ bV — постоянное меж ба-
зовое напряжение. В	30
Цэбл max — обратное напряжение эмиттер — база, В 30
/дтах —ПОСТОЯННЫЙ ТОК ЭМИТТ&-ра, мА.....................50
^э\4тах—импульсный ТОК ЭМИТ-
тера, А
при /к 30 мкс .	I
Трастах —постоянная рассеива
емая мощность, мВт	300
Допустимая температура окру жаюшей среды, °C ... —60 ,,, +125
1 При 7С = — 60 + 125° С.
г' При Тс = - 60	+ 35°С
3 ПриТс=35 125°С Ррастах 1мВт1==(130-Тг)//?т п_г где Кт п_с= — 1/3 °C/ мВт
1 При Т'с^35°С уменьшение данной величины рассчитывается исходя из значтия PpBCIIiax, определяемой по формуле Ррас max =	)Х
X (1 + fe) + ^э^БЭнас^ где & “ коэффициент заполнения, Ръ ь — межбазовое сопротивление при заданном (7Б Б .
44
at a a (
KT118A, КТ118Б, KT11-6B
Обшне сведения. Кремниевые двухэмиттерные планарно-эпитаксиальные р—р—р-транзисторы предназначены для работы в ключевых схемах и модуляторах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.6). Масса транзистора ие более 0,7 г.
Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры: Ua>	r^.
Наименование	Обозначение	Значение максимальное	Режимы измерения					
			я Ь	a ,SeIp/?	'ь/Мв,, мА	< П	RjP. кОм	2 § or
Обратный ток коллектор— база, мкА	^KEtO	0,1	15					
Обратный ток коллектор— база, мкА		0,1	15					
Ток закрытого ключа, мкА- KT1I8A КТ118Б, КТ118В при То = +125° С: КТ] 18А КТ118Б, КТ118В при Гс=— 60° С: KT1I8A КТ118Б, КТ118В	hl э, X	1 1 1 о О СП ел о о		30 15 30 15 30 30	1			is 10 10 ю 10
45
Нацмен й* । ‘it	[	t	'мчение	Значение максима лъвсе	Режимь, himp^ckhh					
			£ а	а '^п	ч+ч, м \	*2	кОм,	S О Ctr
Сопротивление открытою -ключа, Ом: КТИ8А, КТ118Б КТ118В КТ118А, КТ118Б КТ118В при Гс —+ ]25= С: КТИ8А, КТ118Б КТ 118В при 77 = —60°С; К.Т118А, КТИ8Б КТП8В		100. 120 20 40 40 80 50 80	•	-	2 2 40 40 40 40 40 40	2 2 20 20 20 20 20 20		
Падение напряжения на открытом ключе, мВ: КТ118А, КТ118Б КТ118В при 7'с = + 125°С:	• t'o’	0,2 0,15 0,6			0,5 0,5 0,5			
Напряжение на управляющих переходах, В	^vnp	1,3			20			
Относительная асимметрия сопротивления открытого ключа, %		20			40	20		
Время выключения, нс	^ВЫКЛ	500	5			20	1	-
11 го — со против лен Eie, измеренное между эмиттерами при рабочих токах 7Э и го = (^изм ±^0)//э, где £7ИЗМ—падение напряжении между эмиттерами hi 2.
21 Rn—сопротивление нагрузки,
3’ То .же при + /Б* = 1,5 мА.
46
КТ120А. КТ120Б, KT 120В
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзисторы предназначены для использования в герметичных гибридных интегральных микросхемах для калькуляюров типа «Электроника 24 70».
Оформление бескорпусное (рис. П1,7) Масса транзистора не более 20 мг,
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметрыа
Наименование	Збозна чение	Значения		Режимы измерения					
		8. 1 3 3 Л S3 PJ з « S X	максимальное	а X О	ffi св а	с Е £	Е (Ь	л	ид *(
Обратный ток коллекто Ра, мкА: КТ120А, КТ120В _ КТ120Б	ZKBO		0,6 0,5	60 30					
47
Наименование	Осозна- ченке	Зн 1ЧЙНИЯ		режимы <М''				РИП	
		п	4 о 3S a ч ф т 51 S’		О ъ	< S	VW ‘Я f	3	d
Обратный ток эмиттера, мкА КТ120А. КТ120В	Чбо		1		10				
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ' КТ120А, КТ120В	^31Э	20	200	5				1	50... 1000
Напряжение	насыще ния коллектор — эмиттер. В: КТ120А КТ120В	^КЭ нас	1,5		*		10 17	0,6 1) 5		
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц- КТ120А КТ120В		1		5			♦	1	
Емкость коллекторного перехода, пФ КТ120А КТ120В	Ск		50	5					3- 10»
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды Гс=—10.+65°С,
Гарантируются при температуре окру-
^кэ/гтак —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?h ^10 кОм), В:
КТ120А, КТ120В............60
^КБ та* “ постоянное напряжение коллектор — база, В.
КТ120А, KTL20B............60
КТ120Б....................30
U 41 max “ постоянное напряжение энипсп — база, В
КТ120Х, КТ120В .	... 10
/к в*» — л КГОЯННЫЙ год коллек тора, мА...................10
/к и шах — импульсный ток коллектора (/в^40 мкс, Q^9), мА	...	20
niax ~ постоянная рассеивав мая мощность коллектора, мВт	.	.10
Ри max “ импульсная рассеиваемая мощность траизисюра (/я^40 мкс, Q>9), мВт.
КТ 120 А, КТ120Б .	... 15
КТ120В	.	. . 35
Th шах — температура перехода, °C . .	.	35
Допустимая температура окру жающей среды, °C ... —10 ... + о5
43
Общие сведения Германиевые сплавные низкочастотные п—р—«-транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний
Корпус металлический, герметичным (рис. П11, а). Масса транзистора не более 2 г
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2.3. .
Элек1рячсские параметры. Классификационные параметры!
м к.-» Indx
Наименование	Обозначение	Зн 1ченин		Режимы измерения		
		минимальное	макси-маль-ное	и. в	/ мА	1. кГц
Обратный ток коллектора, мкА	^КБО		20	5		
* Обратный ток эмиттера, мкА	/эьо		15	5		
49
		Значения		Режимы измерения		
Наименование	Обозначение	минимальное	максимальное	UK. В	1Э мА	1, кГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:	ft21 Э					
ГТ122А, ГТ122Б		15	45	5	1	[
ГТ122В		30	60	5	1	1
ГТ122Г	-	40	100	5	1	1
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц; ИчггА, П122Б	^*210	1		5	1	
ГТ122В, ГТ122Г		2		5	1	
Сопротивление базы, Ом	г'а		200	5	1	500
Максимально допустимые параметры
^Кэ max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?Б =0 и Гс = —60 ... 4-40° С), В:
ГТ 122 А .................35
ГТ122Б—ГТ122Г ...... 20 при Тс > 4-40° С.........10
/к, и max — импульсный ток коллектора в режиме переключения, мА
при Гс=—60...4-70° С 150
^кн max — постоянное напряже-
ние коллектор — база
^Jmax — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при 60 ... 4-55° С . . 150
ГТ122А ..................35
ГТ122Б — ГТ122Г , , . . , 20
при Т’с>4-40°С ..... 10
7к шах — постоянный ток коллек-тора, мА
Гн шах — температура перехода, ° С.............................85
Ri, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда. ° С/мВт....................0,2
при Тс=—60...+70° С ... 20
Допустимая температура окружающей среды, °C.,, —60 ,,, +70
При Тс> 55° С РКтах[мВт] =
(7+max	ц - о
£0
Ж'
ГТ124А, ГТ124В, ГТ124В, FT124R
Общие сведения. Германиевые ставные р-—п—р-транзисторы предназначены Для усиления и переключения электрических сигналов в диапазоне частот до 5 МГц.
' Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 1.
Электрические параметры. Классификационные параметры]
Л21Э’ шах, mav
(рис, П1.2, a)t
51
		Значения		Режимы измерения		
Наименование	Обозначение	 S х к х Я ж S	. о К X Q -Z X ₽ « си s	09 а	1 я *еп	
Обратный гок коллектора, мкА	ZKBO ,		15	15		
Обратный ток эмиттера, мкА	 ^ЭБО		15		5	
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В	^КЭ нас		0,5	0		100
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ, МГц	^Пб	* 1		5		1
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; ГТ124А ГТ124Б ГТ124В ГТ124Г при Тс = +60° С: ГТ 124А ГТ124Б ГТ124В ГТ124Г приТо=-60аС: ГТ124А ГТ124Б ГТ124В ГТ124Г	ll21Э	28 45 71 120 28 45 71 120 20 35 55 80	56 90 162 200 ПО 180 320 400 56 90 162 200	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5* 0,5 0,5 0,5 0,5	*	100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
Максимально допустимые параметру
fjcamax — импульсный ток коллектора, мА...................100
UЭБ max — постоянное напряжение эмиттер — база, В . . 10
^КБ max — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . . 25
^К^шах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора. мВт
при Тс <25° С  ............75
Ят, в-е — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт................  .	0,8
Допустимая температура окружающей среды, °C ,,, —25 ,,, 4-60
11 При /с>25-с 1мВт] =(85-То)/0,8.
52
ГТ125А,	ГТ 125Б,	ГТ125В,	ГТ125Г,
ГТ125Д, ГТ125Е, СТ125Ж,	ГТ125И,
ГТ125К. ГТ125Л
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п—р-трапзисторы предназначены для работы в импульсных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный (рис. П1.1,п), Масса транэисюра не более 2 г.	4
'Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.1.
Электрические параметры. Классификационные параметры!
Г!?[Э1 ^aiJJ ^Кь шах» ^ЭБ тах>
{^именование	Обозначение	Знамени		’н/кимь намерения				
		МИНИ* мальяое	максимальное	за S'	х. (Т		Г и	с S й
Обрашый ток коллектора, мкА: ГТ125А—ГТ125Л ГТ125А—ГТ125Ж ГТ125И—ГТ125Л	?КБО		15 50 50	15 35 70				
Обратный ток эмиттера, мкА	S)BO		50		20			
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ (f=l кГц) ГТ 125 А ГТ125Б ГТ 125В ГТ125Г	ft 31»	28 45 71 120	56 90 140 ЛЮ	л 5 5 5	-	25 25 25 25		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ125Д, ГТ125И ГТ125Е. ГТ125К ГТ125Ж, ГТ125Л	Л218	28 45 71	56 90 140	0.5 0.5 0 5			100 100 100	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	нас		0,3				300	60
Граничное напряжение транзистора, В: ГТ125А— ГТ125В, ГТ 125Д, ГТ125Е, ГТ125И, ГТ125К ГТ125Г, ГТ125Ж, ГТ125Л	& К&О рр	20 15				<00 100		
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме t ОБ, МГц	^216	1		5		5		
53
Максимально допустимые параметры, тающей среды Тс — 25° С
/к. н max — ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-
лектора, А
при /и<10 мкс и Q>2 . . 0,3
С/э6 гпах — постоянное напряже
ние эмиттер — база, В - . 20
L'Kb п м — постоянное напряже
ние коллектор—база, В:
ГТ125А - ГТ125Ж .... 35
ГТ125И — ГТ125Л .... 70
Гарантируются при температуре окру-
n i)
Рк. та* — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт при Гс<35°С.....................150
7?т л—с—тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт....................0,33
Допустимая температура окружающей среды, °C... —60 ,,. 4-70
" При Та > 35е С Рк тах (мВт] = (85 - ГС.)/7?Т1 п _ с,
Диапазон средних частот
П29, П29А. ИЗО
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п—р-транзисторы лредназнячепы для работы в схемах усиления и переключения
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, Ш.1,6).
Масса транзистора не более 2 г
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. Г12 2
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^19- ^216*
Наименование	Обозна чеяие	Значения		Режимы измерения					
		мини- j мальное | 	1	Я Я £ F	со Й		мА		's Л	Л Гц
Обратный ток коллектора, мкА	УКБО		4	12					
Обратный ток эмиттера, мкА			4		12				
Напряжение	насыщения ко щектор — эмиттер, В: П29 П29А ИЗО	^КЭ нас		0,2 0,2 0,2			20 20 20	2 1 0,5		
Напряжение насыщения база •- эмиттеп, В; П29 П29А ИЗО	БЭ нас		0,5 0,4 0,35			20 20 20	2 1 0,5		
		Значения			Режимы		измерения		
Наименование	Обозна* ченис	С S3 л з; Ч 21 5 ?	максимальное	л й =>	ей Л	в й	2	< к Ф	f, Гн
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер в инверсном вк пючени и при Кн а С = О® , мВ	^КЭ нас,	0.5				0	0 5		
Статический коэффициент передачи тока в*схеме с ОЭ. П29 П29А IJ30 при ?с = 4-60°С; П29	I П29А пзо при Гс = — 60°С: П29 П29А ПЗО	Л21Э	20 40 80 20 40 80 7 13 26	50 100 180 100 200 360 50 100 180	0,5 0,5 0.5 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0,5		20 20 20 20 20 20 20 20 20			
Ст а тически и ко эфф ициент передачи тока в инверсном включении	/г21Э, инв	14	28		5			1	270
Статическая крутизна прямой передачи в инверсном включении, мА/В	^21Э, инв		35		5			1	270
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц: П29, П29А ПЗО	^216	5 10		6 6				1 1	
Предельная частота коэффициента передачи тока в инверсном включении, МГц	^210, ИИВ	3			5			1	
Емкость коллекторного не рехода, пФ			20	6					»О1Ч
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс	Тв		6	6				1	о in
55
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды 7\ = —60...-I-60'’С.
/К л щах п ) — ТОК КОЛЛеК-тора (эмиттера) в режиме переключения, мА .	. .*-100
Напряжение в режиме переключения:
/7КБп шах — коллектор - бажт, В..........................12
^эбпшГх — эмиттер —база, В 12
6'к. Л шах — коллектор — эмиттер (/Б = 0), В
при 7\. = 20° С...............Ю
При Те = 60° С.................6	.
Рк max — постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе, мВт..........................30
Гпшах — температура перехода, С	75
Допустимая температура окружающей среды, СС ... —60 . / +60
Г	18	19
КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КД104Г
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-транзисю-ры предназначены для работы в схемах радиовещательных приемников и в другой аппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.8). Масса .транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электри 1еские параметры. Классификационные параметры;
^КЭ max*
56
		Значения			Режима измерения			
Наименование	Обозна- чение	о*. 4 Я В Ч X «3 ? ~	' S 5 ® Ji ч 3 5	"к- в	ей  Л 3	с 3 Ьй	С S 25	«с 3 Л
Обратный ток коллектора, mkAj КТ104А, КТ104Г КТ104Б, КТ104В при Гс= + 100е С: КТЮ4А, КТ104Г КТ1О4Б, КТ104В при Тс ——60° Сз KTI04A. КТ104Г КТ104Б, КТ104Б	;кво		1 1 15 15 1 1	30 15 20 10 30 15				
Обратный ток эмиттера, мкА при Гг. = + )00°С при Го ——60° С	^ЭБО		1 10 1		10 5 10			
Граничное напряжение транэисю-ра (7с = -6О...-ИОО°С), В: КТ104А, КТЮ4Г КТ104Б, КТ104В	^Кэогр	30 15						б 10
Напри жение н а сы щен ия коллек-юр — эмиттер, В: КТ 104 А КТ104Б, КТ104В, КТ104Г	"КЭ нж		0,5 0.5			10 10	2 1	
Напряжение насыщения база — эмиттер, В: КГ104А КТ104Б, КТ104В, КТ104Г	нас		1 1			10 10	2 1	
Входное сопротивление транзистора ’И режиме малого сигнала, Ом; КТ104А, КТ104Г КТ104Б. КТ104Б	^116	120 120		30 15				1 1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ 104 А КТ104Б КТ 104В КТ104Г при Гов + 100°С1 КТ104Д КТЮ4Б' КТ 104В КТ104Г —тг „						4 20 40 15 9 20 30 15	36 80 160 60 80 240 380 180	5 5 5 5 5 5 5 5				I 1 I ! 1 1 1 1
57
		Значения		Режимы измерения				
Наименование	Обозяа чение	О ЕС S J2 й е; ? ?	ф 1 о S № Й £ та £ S 2		и Д' 23		< 2	2 Л
при Гс=—60°С: КТ 104 А КТ 104 Б КТ 104В КТ104Г		6 12 25 10	36 80 160 60	5 5 5 5				1 1 1 1
Предельная частота коэффициен та передачи тока, MI ц	/Тгг1б	5		5				1
Емкость коллекторного перехода (при ( = 465 кГц), пФ	Се		50	5				
Емкость эмиттерного перехода (при (=465 кГц), пФ	Сэ		10		0,5			
Постоянная времени цепи обоат-ной связи на высокой частоте (при (=3 МГц), нс	ТИ		3 \	5				1
Максимально допустимые параметры. I арантируются при температуре окружающей среды Гс^—60 4-75° С.
^Ктах—постоянным ток коллектора, мА ...	50
КБ max —постоянное напря жение коллектор—база, В КТ104А., КТ1О4Г ....	30
КТ104Б, КТ104В ...	15
£/тач — постоянное	напря-
жение коллектор — эмиттер (при запирающем напряжении ОЭБ = 0,5 В или при /?б =С10 кОм), В:
КТ104А, КТ104Г.............30-
КТ104Б, КТ104В .... 15
^ЭБ max “ постоянное напряжение эмиттер — база, В	10
та\ — постоянная рассеивае мая мощность коллектора, мВт .	.	150
/?т, d-c — тепловое	сопротивление
переход — окружающая среда, ° С/мВт-	.	0,4
Допустимая температура окру жающей среды, °C ...	—60	..	4-100
11 При повышении температуры от 75° до 100° С ток коллектора уменьшается по линейному закону до 30 мА, Ц;Бтахи ^К.Этах~Д0 20 В для KTI04A, КТ104Г и до 10 В для КТ104Б, К.Т104В, ^эБтах уменьшается до 5 В для всех групп
В диапазоне температур — 60 , + 60° С. При повышении температуры до + 100° С мощность уменьшается до 50 мВт в соответствии с формулой [мВт] = (120—Т^/ОЛ 58
К№А-Д1ь-1,5мА
StZMA
59
КТ201 А, КТ201 Б, КТ201 В, КТ20 1 Г,
КТ201Д
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—п транзисторы предназначены для целочьзования в усилительных схемах
Корпус металлический, [ерметичный. с гибкими выводами (рис. Ш.9) Масса транзистора не более 0,6 г
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 2
Электрические параметры. Классификационные параметры-
Hain лкпание	Обилна чецне			Решишь				
		чини чальнос	чакси-мзлъное		aQ	s ji	r	. a*
Обратный ток коллектора. мкА КТ201Д, KT2OJB КТ201В — КТ201Д при Г,—+ 125° С КТ201А. КТ201Б K.T20JB — КТ201Д	,1) J КЪО	>	J 1 10 10	20 10 20 10				
Обратный ток эмиттера, мкА КТ201А, КТ201Б KT20IB — КТ201Д	/		3 3		20 10			—
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала	^21б		3 *10-•*	5			1	
Модуль коэффициента передачи тока па высоком час юте	[ 21Э [	1		5			10	
Ст этический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ201А КТ201Б,	КТ201Б. КТ201Д КТ201Г при Tc-4-125°C: КТ201Д КТ201Б.	КТ201В КТ201Д КТ201Г при ТА =—-605С' КТ201Л КТ201Б.	КТ201В. КТ2о)Г КТ201Д	^20	 20 30 /0 20 30 70 8 16 20 10	60 90 210 100 150 315 60 90 210 90	1 1 I 1 1 1 I 1 I ' 1	-	5 5 5 5 5 5 5 5 5 5		
60
		Значения			Режимы измерения			
Наименование	Збозня-чение	мини* мальнос	максимальное	и £	31 5	fK- мА	/э, мА	f. кГК 1
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х х., мкСм			2	5			1	1
Коэффициент шума, дБ КТ201Д	А"ш		15	1			0,2	1
Е м кость коллекторного перехода, пФ			20	। &				ю4
Для приборов, которым присвоен государственный Знак качества,	мкА.
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=~60 „+125° С,
< о
;Ктах —постоянный гок коллектора, мА......................20
^К, И пых — импульсный ток кол-t лектора, мА
при /hS^IOO мкс и Q^IO . 100
^КБ ма': — постоянное напряжение коллектор—база, В. КТ201А, КТ201Б................20
КТ201В, КТ201Г, КТ201Д . . 10
^ЭБшэх —постоянное напряжение эмиттер — база, В;
КТ201А, КТ201Б . .... 20
КТ201В, КГ201Г, КТ201Д . . 10
max —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
, при Гс=—60 ... +90° С, 150
при 7 с = 4-125° С......60
й П!ах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?е =^2 кОм), В:
КТ201А, КТ201Б.............
КТ201В, КТ201Г, КТ201Д . .
7\. ®az — температура перехода, °C............................150
20
10
го-
!) ДЛя приборов, которым присвоен сударственный Знак качества, максимально допустимый постоянный ток коллектора /Ктах=30,мА. При этом значение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ не нормируется.
2) При повышении температуры от 90 до 125°С допустимая мощность уменьшается линейно,
ШМА, КТ201S, НТ201В, КТ201Д-Д1г 0,1 мА
КТ201ГД1ь = 0,05нА
КТ202Л, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г,
КТ202Д
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзисто* ры предназначены для работы в импульсных и других гибридных схемах с общей герметизацией,
Оформление бескорпусное (рис. ШЛО). Масса транзистора не более 0,012 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3-.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
> ^КЭ щах'
Наименование		Обозна- чение	Значения			Режимы измерения					
			1 минимальное 1 1		8 Л о с 3	максимальное	XI %	я: m о	3 £	£ и	1 с"	П J* ’ '
Обратный ра, мкА	ток коллекто-	^КБО	0,002		1	max					
Обратный мкА	ток эмиттера,	7ЭВО	0.001		1		1(1				
Г раничное	напряжение транзистора, В: КТ202А,	КТ202Б, КТ202Д КТ202В, КТ2О2Г		7/1 ) С КЭО гр		15 30						5 2,5	
62
Наименование	Обозначение	Значения			Режимы измерения					
		мини- мальное 1	S ей О С X	MSКСИ" мальнос	И £	ч Ф 5>	мА	*2 ch	ф	1 а 1 *
Л Напряжение насыщения Л коллектор — эмиттер, В	' ^КЭ нас			0,5				11	10	1
Л Напряжение насыщения ! база — эмиттер, В	^БЭ нас	0,77	0,82	1				1 1	10	
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	 Апб	32	38	100		5			1	1
Коэффициент передачи тока в режиме малого X	сигнала в	схеме	с ОЭ: fl	КТ202А,	КТ202В, 	КТ202Б,	КТ202Г Л	КТ202Д	1э	15 40 100	40 80 160	70 160 300	5 5 5		1 1 1			I 1 1
Граннчная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	/гр'	5			5		1			
Время	рассасывания, _ мкс	^рас |			1	2		5	1		
Емкость	эмиттерного перехода, пФ	Оз			10		0,б|				104
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск			25	5					f со
Максимально допустимые параметры.
жающей среды Тс =—60...85° С.
Гарантируются прн температуре окру-
hr mas — постоянный ток коллектора, мА......................10
/к, и шах — импульсный ток кол-
лектора, мА
при	мкс и Qj?10 . . 25
^эвщах- —постоянное напряже-
ние эмиттер — база? В . . . 10 ^Кэтпах —постоянное напряже-
ние коллектор — эмиттер. В:
КТ202А, КТ202Б, КТ202Д . , 15
КТ202В, КТ202Г ..... 30 кк И max — импульсное напря-
жение коллектор — база, В:
КТ202А, КТ202Б, КТ202Д . , 15
КТ202В, ДТ202Г , . e , t , 30
P^max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт......................,15
Ри max — импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/в^10 мкс, /ф^0,1 мкс, Q^IO к Ге«4-25±10°С, мВт . . . . ...............25
Та шах — температура перехода, t
С С 4 '<>«»* I ,4-125
Допустимая температура окружающей среды, “С,,, —60 ,,, 4-85
63
L__
') В диапазоне температур—60...
55*С. При повышении температуры ДО 85 С ^кэО гр’ ^КЭтах> ^ЭБ так ^КБ max УМ^НЬШаЮТСЯ п0 ЛИНеЙНОМу закону на 1,5 В при повышении температуры на Ю°С.
*) В диапазоне температур = — —60. . .4~55° С. При повышении температуры до 4~ 85*С мощность уменьшается линейно до 10 мВт,
HT2&2AfB-&Is = 15QtwA , KTZQ25,'~ ^ВОмкА; ХГ202Д -&Is=25mA
Н|ШЦН I ||(ПТШ11 JI l11|'щ> ин 20	21	22	23
КГ203А. КТ203Б, KT203B
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзясто-ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, в стабилизаторах напряжения, в схемах переключения и в других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.П}, Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Эяек1рические параметры, Классификационные параметры:
Лш max'
t
64
Панче нзванчг.	Обозначение	3i тения		Режимы измерения				
		. I Л X	о > О а я и д 5 2	| а *^6	Л а	! й	< а ей *-ч	кГц 1
Обратны» tor коллекгори, м,.Л:	ZK6O	0,005						
КТ2ОЗА			1	60				
КТ2О36		0,015	1	30				
КТЖВ			1	15				
при / с = -г 125° С: КТ203А		0,02	15	30				
КТ2СЗБ		0,05	15	15				
КТ203В			15	10				
при Тс =—60" С: ' КТ2ОЗА	1		0,001	1	60				
КТ203Б		0,008	1	30				
КТ203В			1	15				
Обратный гол зяинера, мкА;	;ЭБО							
КТ203А ч			1		30			
КТ203Б			1		15			
КТ203В			1 1		10			
Напряжение насыщения коллектор— эмиттер, (^б= 4 мА), В:	^КЭ нас							
KT203G			1			20		
КТ203В			0,5			20		
		>						
Входное сопротивление траязис-, тора в режиме малого сигнала, Ом:	^116	-						
КТ203Л			300	50			1	1
КТ2ОЗБ			300	30			1	1
КТ203В			300	15			1	1
Коэффпнпсп 1 передачи тока в режиме м кюго сигнала в с.хеме с ОЭ:								
КТ203Л		9		5			L	1
КТ203В		30	150	5			1	1
КТ2ОЗВ		30	200	5			1	1
при ?*<. = 4-125° С; КТ2ОЗ X		9		5			1	1
KT203S		30	230	5			1	1
КТ203В		30	•400	5			I	1
при Те = —йО°Сз КТ203А		7		5			1	1
КТ203Б		10	150	5			1	1
КТ2ОЗВ		15	201)	5			1	1
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц	^21fi	5		5			1	
Емкость коллекторного перехода1								
пФ *	Си		10	5				К)4
3 3dK. 503
65
Максимально допустимые параметры, жающей среды Тс = — 6()...-Н25с С.
Гарантируются при температуре окру-
/ж пш — постоянный ток коллектора, мА . ...................10
/к, и тех — ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ' лектора (/и=10 мкс, Q'^
10), мА................ 50
^Э,и ер—среднее значение то-' ка эмиттера в импульсном режиме (/я =10 мкс, 5s 10), мА....................10
,^ЭБ max — постоянное напряжение эмиттер — база, В;
КТ203А....................30
КТ203Б ...................15
КТ203В....................10
^КБ max —постоянное напряжение коллектор — база, В при Тс = — 6О...4-75°С:
КТ203А....................60
1.	КТ203Б...................30
КТ203В....................15
при Гс = + 125°С:
<	КТ203А....................30
*	КТ203Б ..................15
КТ203В................	. 10
— постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В
при Тс = —6О..,4-75°С1
КТ203А..................60
КТ203Б..................30
КТ203В...................15
при Тс = 4-125° С:
КТ203А..................30
КТ203Б ....... 16
КТ203В....................Ю
P# max — постоянная рассей* ваемая мощность коллектора, мВт
при тс=—60...4-75° С ... 150
при Тс = 4- 12э° С . . . . 60
Ги тех —температура перехода, “С . . . . , .^. .150
Допустимая температура окружающей среды, ’С. . ,—60...4-125
*) Значение АгГЭ не нормируется.
г) При отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи базы не должно превышать 2 кОм.
3) При повышении температуры выше 75*С значения PKmax,	и
^Кэ max уменьшаются линейно.
КТ206А, КТ206Б
Общие свзедеикя. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—«-транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования сигналов в диапазоне до 10 МГц, в импульсных перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту.
Оформление бескорпусное (Рис. П1.12). Масса транзистора не более 0,002 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2,3.	}
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^21Э- ^ЭВ них- ^КЭ имх*
3*
67
Наименование	Обозначение	Значения		Режими значения				
		МНВД- малый»	макеи-мяльное	УК1 В	CF’^» В	1	*2	fa £ - _
Обратный ток коллектора, мкА Ю же при Го “+85° С	'КБО		1 10	^КБ max ^КБ max				
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		1	-	^ЭБ шрх			
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	I	1		2			5	10
Статический коэффициент передачи тока а схеме с ОЭ: КТ206А КТ206Б npg ?с“+85йС1 КТ206А КТ206Б при Го = —6О°Сз КТ206А КТ206Б	1Э	30 70 30 70 10 25	90 210 ^0 450 00 210	1 1 1 1 1 1		№ "Jr CJ*-Qn СЛ СП		
Емкость коллекторного перехода, пФ	Св		20	5				10
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды Тс=—бО...+85'’С.
/к max — постоянный ток коллектора, мА.....................20
/к. я тех — импульсный ТОК КОЛ-лектора. мА
при /иСЮ мкс, Q>=10 , , 50
^эб max—постоянное напряже-
ние эмиттер — база, Вз
КТ206А...................20
КТ206Б...................12
KF max — постоянное напря-
жение коллектор — база, В:
КТ206А	.  ........... 20
К1206Б...................12
Гарантируются при температуре окру»
я max— постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Ль ^3 кОм), Вг
КТ206А............., , .
КТ206Б................  .
^Kmax —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ....................
7\, — температура перехода. 6 С
Допустимая температура окру
жающей среды, ’С , .—60..,+85
58
’) При Та до 4-55эС. При повышении температуры окружающей среды от 55 3С до 85*С допустимая мощность уменьшается по «инейному закону де 5 мВт.
КТ207А, КТ207Б, КТ207В
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—^-транзисторы предназначены для работы я схемах усиления и генерирования электрических колебаний, в импульсных перемонтируемых схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту
Оформление бескорпусное с гибкими (рис. П 1.13) и столбиковыми выводами (рис. П1.14). Масса транзистора не более 10 мг.	t
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
max*
69
Наименование	Обоана* на некие	Значения			Режимы измерения				
		эои^гвн -иниь	8 !	. 8 S3 ЗЕ 5	CD Ы &	< ж	1	2 [С	ВТ *
Обратный ток коллектора мкА КТ2О7А К12О7Б КТ207В	1 КБО	10-е ю-« ю-я	43* ООО	0,05 0,05 0,05	50 30 15				
Обратный гок эмиттера, мкА КТ207А КТ207Б КТ207В	^ЭБО			1 1 1	30 15 10				
Вводное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	Л иб			300	5	1			1
Коэффициент передачи тока в режичм; малого сигнала в схеме с ОЭ; КТ207А КТ207Б КТ207В	^213	9 30 30	50	IO0 150 200	5 5 5 '	1 1 1			1 1 1
Предельная частота ко- ; эффициента передачи, тока, МГц		Г,			5	1			
Емкость коллекторно- : го перехода, пФ	Он			№	5				1000
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В КТ207А КТ207Б КТ207В	Uv л нс			1 0,5			ю I 10	1 1	
Гарантируется при температуре окру*
Максимально допустимые параметры, жающей среды Гс ——45 +85° С.
I* шах — постоянный ток коллек-
тора, мА .	10
7К иймк —импульсный ТОХ
коллектора, мА
при /«<100 мкс, Q^5 . . 56
^эб тях —постоянное напря
жение эмиттер — ваза, EL
КТ207А...................30
КТ207В....................В
KT2Q7B...................10
max ~ постоянные напряжения коллектор — база и
коллектор — эмиттер В:
КТ207А.....................60
КТ207Б	30
КТ207В...................  15
п2)
“к max — постоянная рассей веемая мощность коллектора, мВт *  « « * г » » » 15
70
Ph max “ импульсная рассеиваемая мощность транзистора, мВт ...	.50
Гп mar—температура перехода, ’С .........................100
/?т в-к — тепловое сопротивление от кристалла транзистора до корпуса микросхемы, ’С/мВт .........................3
Допустимая температура окружающей среды, *С .	45...+85
*’ При непревышении средней максимально допустимой мощности:
2 При монтаже в микросхему Рк тах определяется по формуле
max “ ^nmar ~	к-к). где Та — температура корпуса мик-
росхемы, а /?Т; к-к — тепловое сопротивление от кристалла транзистора до корпуса микросхемы
3) Усредненное значение импульсной мощности с учетом мощности, рассеиваемой на фронтах %
71

KT208A, КТ208Б, KT208B. КТ208Г.
_™Z__________________ КТ208Д, KT208E, КТ208Ж, КТ208И,
II И И l| il il | II II | !l !lp 	KT208K, КТ208Л, KT208M
17	IS	19
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р п р-траизясто-ры предназначены для использования в импульсных, усилительных и других схемах,	п ,«.» м
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. ШД<Ц. /нас-са транзистора.не более 0,7 г.
Условия эксплуатации — в соответствия с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры!
		Значения			Режимы измерени			
Наименование	ОбОЗНе,-чение	минимальнее 		8 (0 g g	макс#~ мальяое	17К, В	<*	4g. мА	3 Са
Обратный ток коллектора, мкА	^КБО			1	^КБ max			
Обратный ток эмиттера, мкА и рн U3=	max)	'ЯРО			1				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	УКЭ нас			0,4		1400	60	
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^нс			1 г		ЧОО	60	
Коэффициент передачи тона а режиме малого сигнала в схеме с ОЭ КТ208А, КГ208Г, КТ208Ж. КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ2Г8К при Гс = + 125°С: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л ' КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К при Тс — —60° С? КТ208А. КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В. КТ208Е, КТ208К	^213	20 40 «0 20 40 80 10 20 40	40 рв S40	60 12П 240 120 240 480 .60 120 240	1 1 1 I 1 1 1 1 I	30 30 30 30 30 30 30 30 30		0,27 0,27 0,27 0,27 0,27 0,27 0,27 0,27 0,27
72
Наименование	Обозна- чение *	Зя,-, чей ня			Режвиь и чп рения			
		V о 1 я 1 to £ ГС 5 S S	йо Я О ШИ	1 । максимальное	ик. В	i	< ш	И
Отношение	статического коэффициента передачи тока в прямом н инверсном включении	^21Э МНВ	2,0	4,5	12,0	1	30		0,27
Входное Сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при =5 мА)		130	809	2500	5			0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., 10“4 См (при /э= = 1 мА)	^22э	0,15	 0,3	0,55	5 4			0,270
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сн			,50	10			500
Емкость эми*гтерного перехода, пФ. (при ыэ =0,5 В)	Сэ			100				500
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме сДЭЭ, МГц	/гр	5			5	10		
Коэффициент шума (Яг= =3 кОм), дБ; КТ208В, КТ208Е, КТ208К	Кш		2	4	3 0	0.2		1
Гарантируются при температуре окру-
Максимально допустимые параметры, жающей среды Гс = 25... 125° С.
/к шах — постоянный ток коллек-
тора, А...............0,3
,1;
'К. ятах—импульсный ток коллектора, А...............0,5
/ьmax -постоянный ток ба-
зы, А .......... 0,1
^К8 max — постоянное напряжение коллектор — база, В:
КТ208А—-К.Т2О8В .... 15
КТ208Г—КТ208Е .... 30
КТ208Ж—КТ208К .... 45
КТ208Л, КГ208М.........60
^КЭ R max — постояннее напряжение коллектор — эмиттер (Rh <10 кОм), В:
КТ208А—КТ208В .... 15
КТ208Г—КТ208Е .... 30
КТ208Ж—КТ208К .... 45
КТ208Л, КТ208Л1	....	60
Ugg тач —постоянное напряжение эмиттер — база, В: КТ208А—КТ208Е .... 10
КТ208Ж-КТ208М .... 20
73
— поетоянггая рассеиваемая мощность коллектора, мВт	200
Та mat — температура перехода, ЭС . . , . >...... 150 Допустимая температура окружающей среды, °C —60...4-125
1)	Гарантируется ft2Je> б, ^кэнас 0)7 В> °»1 А*
** При понижении Тс от 4-15 до—60°С значения ^кб max’	умень-
шаются по линейному закону до 10 В для групп А—В; до 25,В для групп Г— Е; до 40 В для групп Ж—К; до 55 В для групп Л, М, (7эВ тах уменьшается линейно до 15 В для групп Ж — М.
” В диапазон — 60. , 4- 60° С. При Тс=^ 60= С.. 125° С мощность линейно уменьшается до 50 мВт.
Я
75
КТ209А, КТ2О9Б, КТ209В, КТ209Г,
КТ209Д, КТ209Е. КТ209Ж, КТ209И,
КТ209К, КТ209Л, КТ209М
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—p-транзисторы предназначены для применения в импульсных, усилительных и других схемах. Корпус пластмассовый (рис. ГН.16). Масса транзистора не более 0,2 г. Оформление бескорпусное (рис. П1.14). Масса 10 мг.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. J12.3.
. Электрические параметры. Классификационные параметры:
Л21^  max •
		3hjченяя			Тежи^ь ,г;ме- енгя		
Наименование	Обозна- чение	минимальное	типовое	максимальное	1 g ! 1	/ц;. мА	3 tb
Обратный гок эмиттера, мкА (пр i иэ=иЭБ тах)	/ЭБО			1			
Напряжение насыщения коллектор— эмиттер. В	^КЭ нас			0,4		300	3(1
Напряжение насыщения база—эмиттер, В	^ЭБ нас			L5		300	3Q
Входное сопротивление в режиме большого сигнала в схеме с ОЭ, Ом	1 1Э	130	800	2500	5	5	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М КТ209В, К.Т209Е, - КТ2(Ж при Гс = + 100° С: КТ209А, Г, Ж, Л К.Т209Б, Д, И, М КТ209В, Е КТ209К.	/l2 1Э	20 40 so SO 20 -40 80 80	45 80 150	60 120 240 160 120 240 480 320	1 1 I 1 1 1 I 1	30 30 30 30 30 30- 30 30	
Выходная проводимость ь режиме-малого сигнала при х.х., Юэ См		15	30	55	1	3	
Отношение	maxMai -'min	Ki	2 0	4,5	12	1	30	
Емкость коллекторного перехода, пФ (при f«500 кГц)	Си			50	(0		
76
Найманов mae	Обо-J я с| • 1ение	^начеиня			jJe дшмы		
		2	С	максимальное	XI	>К. мА	1&. мА
Емкость эмиттерчого перехода, пФ (при U'y = 0.5 В и f=500 кГц)				[00			
Граничная частота коэффициента передачи тока s схеме с ОЭ, МГц	фр	5			5	10	
Коэффициент шума №=3 кОм), дБ: КТ209В КТ209Е, КГ209К при f~ 1 кГц	* Кш		2,5	5	3 '	0,2	
П рииечаяие. Вольт-амперные характеривтао и зависимости основных параметров си. для cpasiiH-'TopoB типа KT20S
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды Гг=—45...+100° С.
?к mat — постоянный тот коллек-
тора, мА ,	...	300
^Бта» —постоянный ток базы, мА .................100
/к и max — импульсный tqk коллектора, мА........... 500
там —постоянное напряжение эмиттер — база. Bi
КТ209А—КТ209Е	,	,	,	,	10
КТ209Ж—КТ209М	.	,	,	,	20
^КБтсх постоянное напря-
жение коллектор — база, В: КТ209А—КТ209Б	,	.	.	,	15
КТ209Г—КТ209Е	.	,	.	,	30
КТ209Ж-КТ209К	,	45
КТ209Л, КТ209М	*	.	,	,	60
Гарантируются при температуре окру« Л
^Кейтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Л?Б +? 10 кОм), В:
КТ209А—КТ209В . , , . 15
КТ209Г—КТ209Е . . , , 30
КТ209Ж- КТ209К » ... 45
КТ209Л, КГ209ЛА .... 60
Р^т,х —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Го«—45...+35°С), мВт .	200
Тп mas— темпера гура перехода, 5 С	, .......125
Яг. п-о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт г . , • .	0,45
Допустимая температура окружающей среды, °C, • , —45...
+ 109
L Гарантируются значения +^^6, (?KSkRac-<0,7 В при 100 мА.
1 В диапазоне температур +25..., + 100° С. При понижении температуры Тс от + 25°G до — 45°G maK и вдх уменьшаются линейно: до 10 В -для групп А—В; до 25 В — для групп Г—Д, Е; до 10 В —для групп Ж, И К; до 55 Б — для групп Л. М.; £79Б m уменьшается линейно до 15 В в диапазоне температур + 24lix'— 45° С
“ При TC>354G	ImBti « indS — a-Gt
77
КТ210Д, £121 ОБ, KT21QB
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р~п—р-транзисто* ры предназначены для применения в импульсных и других гибридных схемах с обшей герметизацией.
Оформление бескоряусное со столбикоаыми выводами (рис. П1,И). Масса транзистора не более 10 мг.
Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры?
^21Э’ ^КЭйгаах
1 < •,	Наименование	Обо на-чем не	Значения			Режимы измерения				
		1 минимальное	типовое	1 максимальное	УК, В	ад й	*3 £	мА	*3* “А
Обратный ток эмиттера (7'с~-6()...+ 85°С), мкА	'эБО	-		5		10			
Обратный ток коллектор — эмиттер (Zc«“ «*—60...4-850 С, /?g == = 10 кОм), мкА	fK3R			10	С КЭР max				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	KJ нас		0,15	0,5			10	1	
Напряжение насыщения база — эмиттер, Б	^ЭБ нас		0,75	1,0			10	1	
Статический коэффициент передачи тока в схе ме с ОЭ. КТ210А, КТ210Б КТ210В при Ге=+850 С? KTjjlOA, КТ21ОБ КТ210В при Гс--60° С) КТ210А, КТ210Б КТ2/0В	Л21Э	г ьо 40 80 40 40 25	160 100	240 120 480 240 240 /20	5 5 5 5 5 5				1 1 1 1 1 1
Время	рассасывания, мкс	^рас			1.0 |			10	1	
Емкость эмиттер него перехода при /-5 МГц, пФ	с<>			10		0 5			
Емкость коллекторного перехода при /=3 МГц, пФ	Си			25	5				
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	/гр 1	10			5				1
78
Максимально допустимые параметры
aft — постоянный ток коллектора, мА....................20
/к, я шах — импульсный ток коллектора (Q^2, кГц), мА 40
^КЬ max — постоянное напряжение коллектор — база, В!
КТ21ОА ..........16
КТ210Б ........ 30
КТ210В ........ 60
шах ~~ постоянное напряжение коллектор — эмиттер (ЛБ з£10 кОм), В;
" К1210Л.....................15
КТ210Б...................30
КТ210В	60
^3® шах — постоянное напряжение эмиттер база, Б . 10
^к’шах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт	25
и max —импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/-1 кГц, <?^2f, мВт . 40
Ти max — температура перехода, °C ........................125
/?т, п-е — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт................*	3
Допустимая температура окружающей среды, ° С , — 60,..+85
В диапазоне температур 4-15,и — 60° С значения ^кЭЯтаТ ^КБ гаах уменьшаются линейно до 55 В для группы В.
2)	В диапазоне температур —60... 4“ 35° С; в диапазоне томлерагур 35....85° С ^кша£ (мВт] (125 — ГС)//?Т| п-с-
2	4	6	8 ^кэ1®
ХПЖКТЖ--41в-“№/1 НТМ-Д^орЗнА
7»
KT2I4 A-I, KT2I4 Б-l, KT2I4 ВЛ КТ2М ГЛ, КТ214 Д-1. КТ214 Е-1
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзисто-ры предназначены для использования в ключевых, линейных и других перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры,
80
Оформление бескорпусное в спутнике таре (рис. П1 17). Масса транзистор» без тары не более 0,01 г,
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. ГГ2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
Zl213‘ ^КЭО ер’ max ЦэБО max
Наименование	Обозна- чение	Значени			Режи v			 иэмеренш		
		i мини мальное	(U О 03 О я	й/ . о з: х д £ ч s 1	а: £ 3	се. Л 3	"5 £	3 й	(3. мА	а Ъ
Обратный ток коллектор—эмиттер (/?в ==										
= 10 кОм, Тс=* = +85°С), нА				100	30					
Напряжение насыще-										
ния коллектор—эмиттер, В КТ214В 1-	УКЭ нас	0,7	1,0	2,5				1	0	
KT2I4E 1 То'же при других ре-										
жимах				0 5			30	0,6		
Напряжение насыще-										
ния база—эмиттео, В: КТ2ИВ-1—.	^БЭ нас									
KT214E-I				1 0			30	0,6		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, кОм	Лиз	1 .2	2,5	10	5				2	0?
Граничное напряжение транзистора, В:	УКЭО гр									
КТ214A-I, КТ214Б-1		80							5 *	
KT214B-I		60							5	
КТ214Г-]		40							5	
КТ214Д 1		30							5	
KT214E-I		20						-	5	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с оЭ:	^213									
КТ214А-1		20		—	1				0,04	
КТ214Б-1		30		90	I				0,04	
81
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения				
		МИНИ-мольное	ф о п О с S	ф . о S й X ч 11	Й tj	а	< я	"я	/д, мА
КТ214В-1, КТ214Г-1		40		(20	1				0,04
КТ214Д-1		80		240	1				0,04
KT214E-I при Тс = 4-85’С:		40		—'	1				0,04
KT214A-I		20		—	1				0,04
КТ214Б-1		30		(50	I				0,01
КТ214В-1, КТ214Г-1		40		200	1				0,04
КТ214Д-1		80		360	1				0,04
KT214E-I при Тс=—40°С:		40		—	I				0,04
KT214A-I		7							
КТ214Б-1		10		90	1				0,04
KT2I4B-I, КТ214Г-1		15		120	1				0,04
КТ214Д-1 KT2I4E-I		25 15		240	1				0,04
кГц
Отношение ^213	rain’ КТ214Б-1—	» КТ214Д-1	Ki			4					0,05,..50	
Граничная	частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	Zrp	5			5				I	
Коэффициент шума (7?| ==Ю кОм), дБ КТ2Г1Б-1- КТ2ИД-1	кш		0,7	5	5				0,04	1
Дифференциальное сопротивление электронного ключа, Ом; КТ214В-1- КТ214Е-1	rHJJ	2,5	4,0	12				1,0	/Э1=в (Э1=0,2	
Емкость эм нт тер исто перехода, пФ	с8	0,6	9,8	15		0,5				465
Емкость коллекторного перехода, нФ	Ск	9,5	12	20	5					465
$2
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс™—-40...+85’С.
Кеглях—постоянный ток кол-
лектора, мА...............40
/к, и max —ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-- лектора (/И^Ю мс, 10),
мА......................100
max—ПОСТОЯННЫЙ ТОК базы,
МА ......................20
^кэо max ~ постоянное напряжение коллектор — эмнттер, В:
KT2I4A-I,	КТ214Б-1	.	.	.	80
№14В 1	.......	60
КТ214Г-1	...........40
КТ214Д-1	.  .........30
КТ214Е-1	..........20
max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 10 кОм, Bi
КТ214А-1	..............120
КТ214Б-1	.............100
KT2I4B I ..................80
КТ214Г-1	.......	60
КТ214Д-1	 .30
КТ214Е-1	 30
^ЭБ max — постоянное напряжение эмиттер—база, В1 KT2I4A-1 ..................30
КТ214Б-1, КТ214В-1,
КТ214Г-1, КТ214Д-1 ... 7
KT214E-I ..................20
—постоянная рассей-
, Л ваемая мощность коллектора, мВт ........ 25
Гв шах — температура перехода,
/?т. а-кр — тепловое сопротийле-ние переход — кристалл, “С/мВт .....................,0,1
Допустимая температура окружающей среды, “С , .—40...+85
11 Допускается превышение /к тах до 300 мА при условии непревьппеняя мощности,
” В диапазоне температур — 40,ti + 35° & В диапазоне температур 35г.. 85°G Рк тах уменьшается линейно до 10 мВт. При наличии теплоотвода в диапазоне температур 25.1,.85°С Рк тах [мВт] ** (125 — Тт)/(О,1 4- RT к_т), где Я», к-т ~ тепловое сопротивление кристалл — теплоотвод. ,


83-
ктд-i

84
КТ215 A-l, KT2I5 Б-I, КТ215 ВЛ, КТ215 Г-1, КТ215 Д-1, КТ215 Е-1
Общие спадения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—п-транзнсто-ры предназначены для использования в ключевых и линейных перемонтируемых схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры, имеющих герметичные корпуса или иную защиту от действия влаги и света,
Оформление бескорпусное (рис. П1Л7). Масса транзистора без тары 0,01 г»
Ус ювия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2, Электрические параметры. Классификационные параметры!
Л21Э! ^КЭО rpf ^КЭД max'
		Зняченш					Режимы измерения			
[[аимеяэвапиэ	Обозначение	г Я 3! ш Ч 31 л 3 s	тилевое	макси* MdJlLHOt	й £ Ь	2С •л 5	X	3 й	fg, мА	/. кГц
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?? ^10 кОм, Тй*=я = 85°С), вА	Леэн			100	30					
Граничное напряжение транзистора, В: KT215A-I, КТ216Б-1 KT215B-I КТ215Г-1 КТ215Д-1 KT2I5E-I	^КЭО гр	80 60 40 30 20			-				5 5 5 ’5 5	
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В То же при других режимах	^КЭ нас	0,3	1.0	0,5 2,5			30	0,6 I	0	
Напряжение насыщения база —эмиттер, В	нас			1,0			30	0.6		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, кОм	^иэ	1,2	2,5	10	5				2	0,8
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: KT215A-I	^21Э	20					I				10	
85'
	—			Значения					Режимы измерения			
Наименование	Обозначение '	. минимальное	типовое	, 8 X «1 Ct Ct S 2	со X ъ	Я "еЛ		С г ‘	<Э« «А	f нГц
КГ215Б-1 КТ215В-1, КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Г-1 при Тс— -1-85° С: КТ215А-1 КТ215Б-1 КТ215В-1, КТ215Г-1 КТ215Д-1 KT2I5E-1 при Тс=—40° С: KT215A-I КТ215Б-1 KT2I5B-1, КТ215Г-1 КТ215Д-1 K12I5E-1		30 40 80 40 20 30 40 80 40 7 10 15 25 15		90 120 240 150 200 350 90 120 240	1 1 1 I 1 I 1 1 1 I 1 1 4 1				10 10 0,04 0,04 10 10 10 0,04 0,04 10 10 10 0,04 0,04	
Отношение ^21Э тач/^21Э Win' КТ215Б-1, KT2I5B-1, КТ215Г-1, КТ215ДЛ				5	1				0,05...50	
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	frp	5			5				1,0	
Коэффициент шума (/?г = 10 кОм), дБ КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1 !	Кш		!,5	5	5				0,04	1
Дифференциальное сопротивление электронного ключа, Ом		1,8	5,0	12				10	Ф Ci? Гц ‘1 5"’	
Емкость эмиттерпого перехода, пФ	Cs	9 в	- 40	50		0,5				465
Емкость коллекторного перевода, пФ	С в	9,3	12	20	5					465
£6
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс= —4О...+85°С.	и
тех — постоянный ток коллектора, мА.............40
max — постоянный ток ба-и, мА ......... 20  mai — импульсный ток коллектора (fe^10 мс, Q> 10), мА ....................100
^КЭтах —постоянное напряжение коллектор — эх'нттер, В"
КТ215А-1, KT215B-I ... 80
КТ215В-1	. ............60
КТ215Г-1	. ............40
КТ215Д 1	.......	30
КТ215Е-1	.............20
^картах —постоянное напряжение коллектор — эмипер (/?i <10 кОм), Bi
KT2I5A-I ....... 120
КТ215Б 1	 100
КТ215В-1	 80
КТ215Г-1	 60
КТ215Д-1, КТ215Е-1 ... 30
так — постоянное напряжение эмиттер — база, В • .	5
max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт....................25
Та шах — темтература перехода, ’С ........................125
К?, о-кр — тепловое сопротивление переход — кристалл, ° С/мВт ...................0,1
Допустимая температура окружающей среды. *С . .—40...+85
11 Допускается /Ктах до 300 мА при условии непревышения мощности.
21 В диапазоне темпера1ур —40...4-35° G; В диапазоне температур 35j.,85J Q значение Рк тах-уменьшается по линейному закону до 10 мВт, При наличии теплоотвода в диапазона температур 25...85° С Рц юах (мВг]=*(125 — Тт)/(0,1 4-+ й», я - т). rAe jR^t я - ® — тепловое сопротивление кристалл — генлоогвод.
КЦ15А~1,Ш15Б
wwM-aifC мм
8?
'ЗГИ £9
88
П307В П308 П309
Общие сведения. Кремниевые планарные л—р—п-транзисторы предназначены для работы в схемах радиовещательных приемников, телевизоров, стабилизаторов напряжения и в др схемах.'
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Ш.1,«)< Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры! h‘U	^кэтач
		Значения				Режимы			ения	
Нацменов а глаз	Обозначение	мини мзльное	типовое	манен-мяльное	я	УЭ. в	3 jz	мА	"S •ч	1
Обратный ток коллектора, мкАг П307В ПЗО8, П309 при Т««+85°С» П307В П308. П309	'кво •	0,005 0 02 2 2	0,25 0 5	20 20 100 100	80 120 80 120				J *	
Обратный ток эмиттера, мкА		0 005		10	-	3				
Обратный ток коллектор — эмиттер (/<ь < 10 кОм), mkAi П307В П308, П309 при Гс= + 12О°Сз П307В П308, П309 при Тс<= — 40° Cl П307В П308, 309		0,01 0.02		50 50 200 200 50 50	80 120 80 120 80 120					
С опротнвление насыщения в режиме малого сигнала, Ом1 П307В П308 П309	г КЭ нас			250 200 550			15 15 15	3 3 3		ООО lilt
К годное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала. Ом . - ... - -	^16	6		70	20				10	10 “3
89
Наиченозание	Обозна чевие	Значения			Режимы намерении					
		мини-	। । мальное	0 ф о г= 5	макси* мальное	1 Я ‘^П	о ‘еЛ	*с Я	1	X А	я bt £
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ:										
П307В		50		150	20				10	Ю-з
П308		30		90	20				10	10“’
П309		16		60	20				10	Ю-з
при Гц“ 4-8о° С> П307В		50		450	10				10	Ю~з
П308		30		270	10				10	10-1 * 3
П309		16		150	10				10	io-3
При Гк“— 40'С: П307В		20		150	20				10	!0~3
ПЗО 8		12		90	20				10	io-3
П309 .			10		50	20				10	io~3
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^21Э 1	2		5	20				4	10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=— 40, .4-85’С.
me.z — постоянный ток коллектора, мА.................30
^Эр1ах -постоянный ток эмит-
тера, мА...........; .	30
^К, и так — импульсный ТОК КОЛ* лектора, мА................120
^КЬггах —постоянное напря
женне коллектор — база: П307В	...................80
П308, П309 ...............120
— постоянное напряже ние коллектор — эмиттер <ю кОм), Bi
' П307В	80
П308, П309 ............*	. 120
тал — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В ,	3
m — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при Ге = 4-20° С........250
при Ге“4-85°С .... 168,75
Допустимая температура окружающей среды, °C .—40 . + 85°
1 Допускается включение еапрата&№«я е игпи <5?.яы Rp<1G0kGm до
и 4-60° С, если Дэ «= Т?Б
21 Значение max в интервале температур 20,,.85*'С уменьшаема линейно со скоростью 1,25 мВт? С.
90
U J 10 15 20 25 JO 35 40 4? 42 1^,8 0307, 0307ft0303-Ale 35Gh«A
П307А,03О8-А1е200МкА
03070,03070- A le^OHKA
01
Диапазон высоких чавтат
17	13	19
КТ301,	КТ301А,	КТ301В, КТ301В
КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж
Общие сведения Кремниевые планарные п—р—n-транзисторы предназначены для усиле-гия и генерирования колебаний на частотах до 60 МГн
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, П12, б), Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2,
Электрические параметры. Классификационные параметры: Лд ) I* 1в1 в
Ы именоваЕше	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	макай-мальвде	Я	ей □	/£<•	*5 да	/3. мА	i M.Vu
Обратный ток коллектора, мкА	^КБО		10	20					
Обратный ток эмиттера. мкА	*ЭБО		10		3				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	нас		3			10	1		10—S
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^БЭ н„		2,5			10	1		10-а
Модуть коэффициента пе редачи тока на высокой частоте: КТ301, КТ301А—КТ301В - КТ301Г— КТ301Ж	I ^Дэ |		I 1,5	10 10				3 1,5	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с оэ- КТ301, КТ301В, КТ301Д КТ301А, КТ301Е КТ301Б КТ301Г ктзогж	/г21о	20 40 10 40	60 120 32 ЗОН	10 10 10 10				3 3 3 3	
Выходная	проводимость в режиме малого сигнала в схеме с ОБ мкСм ктзок	Л вб		3	10				3	10-3
92
		Значения			Режимы		измерения		
На именование	ОбоЗНа чевие	МИНН-	, мильное ।	1 макси* м^льНое	1	л *еп	S М	/ мА	3 т»	i
Емкость эмиттерного пере хода пФ КТ301В	сэ		80		0,5				t 2
Емкость	коллекторного перехода, пФ КТ301В	Сц		10	20					2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс КТЗО1, КТ301А, КТ301Г—КТ301Ж КТ301Б, КТ301В	Тв		2,0 4.5	10 10				2 2	2 2
Максимальная частота генераций, МГц: КТ301. КТЗО!А-КТЗОГВ КТ301Г-КТ301Ж	^тах	1' 		 ।		10 10			-	3 3	
1 арантируются при температуре окру-
Максимально допустимые параметры, жающей среды Гв«—55„+85°С.
max — постоянный гок коллек-
тора, мА ... •	10
тд^ -постоянный ток эмиттера, мА . .	10
max — постоянное напряжение эмиттер — база, В . 3 t/KR — постоянное напряжение коллектор — база, В: КТ301, КТ301А, КГ301Г— КТ301Ж	20
КТ301Б, КТ301В , . . . , 30
max —постоянное напряжение коллектор — эмиттер при к. з, между Э и Б В1
КТ301, КТ301А, К1301Г—
КТ30ГЖ ...	х	.	х .	20
КТ301Б,	КТ301В .	,	,	, *	80
п ~ постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при ’Л. = —55;..+60° С, мВт , 150
TD шах — температура перехода, 9 С........................120
Ri, я-к — тепловое	сопротивле-
ние переход — корпус, ₽ С/мВт ..................,0,6
Допустимая^ температура окру-
жающей среды, eC . t—55..,-f-85
‘ При /н=Ь0,,ЖС	1МВт1=(12О-7кяО,6.
93
i	при Ij= JnA
Ц to
* о t I 3	4	5 6	7 8 l3HA
94
17 ie /а	KT302 A
* /
Общие сведения. Кремниевый планарный п—р~~п транзистор предназначен для усилителя кассетного магнитофона типа «Воронеж».
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.2, б). Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. Г12.4,	„
Электрические параметры
		Значения		Режимы измерения			
Наиненовелле	Обозна- чение	минимальное 1	. 8 щ ЕС Q Д Ы! q 3 2	Я £ 5)	£/э. В J	< S й	< 3 й
Обратный ток коллектора, мкА при Гс = +85° С -при Гс=—45еС	ZKEO		1 3 1	15 15 15			
Обратный ток эмиттера, мкА			1		4		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ в режиме малого сигнала при Гс=+85°С при Ге =—45° С	Л21Э	но 110 80	250 400 200	1 1 1			0.11 о.н 0,11
Коэффициент шума, дБ при /=1000 Гц	Хц)		7	I		0,1	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды	—45...+85е С.
/к max—постоянный ток коллектора, мА.......................3	0
шах — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В .	4
^КБщах —постоянное напря-
жение коллектор — база, В . 15
^КЭ/г шах ~ постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(Ян < 100 Ом), В . . . . 15
^К^тзх — постоянная рассеиваемая мощность коллекто-
ра, при 7с=<50°С, мВт . . 100 Та max — температура перехода, °C...................+85
Допустимая температура окружающей среды, ‘'С . .—45...+85
1J В интервале Тс 50е С ()) 85е С 0,5 мВтЛ Cj
мощность линейно уменьшается на
95
ГТЗО5А. ГТ305Б, ГТ305В
17	IS	19
Общие сведения. Германиевые диффузионные р—п—р-транзисторы предназначены для усиления н генерирования колебаний, а также для работы в импульс’ ных схемах малогабаритной радиоаппаратуры.	*
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1,2, б) Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^21Э> ^2 1 э '	‘
		Значения			Режимы		измерения		
Наименование п	Обозна- чение	1	<и 1	о > 3 .	з: Л 1 £ 1	S й	максимальное	S	И Ц?	/к. мА ।		3	1 Б МГц
Обратным ток коллектора, мЛ	^КБО		4	15					
Обратный ток эмиттера, мА: ГТ305А, ГТ305Б ГТ305В	ОбО		30 30 .		1.5 0,5				
Обратный ток колтектор — эмиттер, мА при Тс = 4- 60° С при ^==—60’ С	^кэх		6 . 70 6	15 15 15	0,5 0,5 0,5				
Граничное	напряжение транзистора, В	^'кэо ГР	12						10	
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В: ТТ305А, ГТ305Б	^КЭ нас	*	0,5			10	1		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В: ГТ305А. ГТ305Б	^БЭ нас	%-	0,7			10	1		
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ ГТ305В при Тс=*+60о С при Zc=—6О°С	Osia	40 40 20	120 360 120	5 5 5				cjn о»	
Коэффициент шума, дБ ГТ305В	№		6	5		5			
96
Наименование	Обозиа-ченне	ЗнлчеЕ1ия			Режимы измерения					
		11 о з: л 5 ев Е Е	3> 1	. G ± * и J3 £ Ц I	а из 1	S Е		я £	я	< 3	г	< г	1 !. МГи
Выходная полная проводимость s режиме малого сигнала, См	^220		5.10“е		5	1	5			0,001
Модуль коэффициента передали тока на высокой частоте: ГТ305А ГТ305Б, ГТ305В	1 A 21g 1	7 8			5 5				10 10	20 20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТЗО5А ГТЗОоБ при Гс=+6О°С; 1 Т305А ГТ305Б при Тс =—60° С? ГТЗОб'Х ГТЗО5Б	^21	25 60 25 60 15 30	80 180 240 500 80 180		1 ' 1 1 1 1 1			-	10 10 10 10 10 10	
Емкость коллекторного перехода, пФ: ГТ305А. ГТ305Б ГТ305В	Ск	5	7 5,5		5 5					5 5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	тк		300	5					5-	5
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Од	12	50			0.5				5
Время рассасывания, мкс	^рас		3		10'		10			
1 Расчетное значение.
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=—60...+60<’С.
г 1)
уКтах —постоянный ток коллектора, мА.................40
r2i
'к'ктах - импульсный ток кол-
лектора (6г<10 мкс), мА , 100
t/3B mas постоянное напряжение эмиттер — база, В: ГТ305А, ГТ305Б.............1,5
ГТ305В ................*	. 0,5
4
Зак. 103
97
6’КБ max " постоянное напряжение коллектор—база, В 15 ^кэхтак —постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(6/БЗ =0,5 В), В .... 15
Р^тах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт........................75
ь При Тс>35°С /Ктах 1ыА] — й) Критерием соответствия
измеряемый при мтах = 100 мА
а’ При Гс >20° С РКтак [мВт]=
Тс ст а а —температура перехода, СС .	.......+85
/?т, и-с — тепловое	сопротивле-
ние переход — окружающая среда, ° С/м Вт . .	.0,8
~ Допустимая температура окружа-
ющей среды, °C, .	60. ..+60
5,21/85”— тс.
as требованию ТУ является /г21Э	5,
в диапазоне температур —60...+60с Ci = (85 — 7'c)//?Tj п — с-
МИНА
98
КТ307А, КТ307Б, КТ307В, КТ307Г
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпнтаксиальные д—р—п транзисторы предназначены для использования в быстродействующих переключающих микросхемах, в микромодулъньп узлах и блоках, имеющих герметичную защиту.
Оформление бескорпусное (рис. П1.18). Масса транзистора не более 0,002г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 3.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^21Э» ^рас-
Наименование	Обоэна* ченне	Зва чения		Режимы измерения					
		минимальное	ма кси-мальное 1	в ।	я й	S	/5, мА	< ф	Ь МГц Z
Обратный ток коллектора, мкА при 7*0 =+ 85° С	^КБО		0,5 10	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		1		4				
Граничное напряжение транзистора, В	^КЭОгр	5						1	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^кэ нас		0,4			20	2		
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	БЭ нас		1,1			20		2	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^2t3 f	2,5		2				5	1)0
Статическим коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; КТ307А КТ307Б, КТ307В КТ307Г при Гс = 4-85°С; КТ307А КТ307Б, КТ307В КТ307Г при Гс=— 60° Сз КТ307А КТ307Б, КТ307В КТЗО7Г	^213	20 40 80 20 40 80 10 20 40		0 0 0 0 0 0 0 0 0		10 10 10 10 10 10 10 10 10			
Время рассасывания, нс. КТ307А, КТ307Б КТ307В	Грас		30 50			10 10	1 1		
Емкость эмиттерного перехода, пФ			3,0		1				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	ск		6,0	1					10
4*
99
Максимально допустимые параметры.
н<аюшей среды То «» —60...+85 °C.
/к шах — постоянный ток коллектора, мА.................. ,20
/ЭтяУ —ПОСТОЯННЫЙ ток ЭМИТ-тера, мА...................20
1к. и max — импульсный ТОК КОЛ-лектора (/из<10 мкс и
> 10), мА...................50	'
тал	— постоянное	напря-
жение эмиттер — база, В 4
Ukf- m lx — постоянное	напря-
жение коллектор — база, В . 10
Гарантируются при температуре окру*
Ркэн тал —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/6, =^3 кОм), В .... 10
^к^та —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ...	. .	15
7"п mat — температура перехода, °C	............+ 100
Допустимая температура окру жаюшей среды, °C , .—60... + 85
ч При 7 с=э—6O...4-55eC. При повышении температуры кружающей среды от 55° до 85*С допустимая мощность линейно уменьшается до Б мВт.

100
ГТ308А, ГТЗО8Б, ГТ308В
Общие сведения. Германиевые импульсные сплавно-диффузионные р-~п—р* транзисторы предназначены для генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты и для работы в импульсных схемах.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами (рис. П1.19). Масса транзистора не более 2,/ г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^КЭ наа' Л2»Э>
Наименонаниз	Обозна ченнр	Значение		Режимы измепенн					
		J и О st £ Е 93	via КСИ' мяльное	X Sd о		*s		3 Л	1, МГн
Обратный гок коллектора, мкА яри 7 ов ф70° G при То=— 60я С	УКБО		2 90 т	5 10 15					
Обратный ток эмиттера, мкА			50		2				
Граничное	напряжение транзистора, В	^кэорр	12.5						10	
Н а пр я жен ие	н асы щен ня коллектор — эмиттер, Вг Г Т308А ГТ308Б, ГТ308В	^КЭ'нас		1,5 1 2 ——			50 50	3 3		-
101
Наиме нова и не	Обозна* ^ение	Значения		Режимы измеренное					
		4 р	ма кеннель» ое	а г>	ь о	ж мг	ж ш	X н	1. MFn i
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	йэ нас		0,5			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте' ГТ308А ' ГТ308Б, ГТ308В	1 ^21Э 1	4,5 6,6		3				5 5	20 20
Коэффициент шума, дБ ГТ308В	Км		*8	5				5	1,6
Статический коэффициент передачи тока в схеме С ОЭ ГТ308А Г Г308Б ГТ308В при 7 с «+70° С) ГТ308А ГТ308Б ГТ308В при Тс=—60°Сэ ГТ308А ГТ308Б ГТ308В	Й21Э	ао 50 80 Д) 80 15 30 4-5	75 120 200 200 360 600	1 1 1 1 1 1 1 1 1				10 10 10 10 S 10 10 10	-
Время рассасывания, мкс: ГТ308А Г ТЗО8Б 1 ТзОЧВ	;рае		1 1 1	5 5 5		□0 50 fl	4 2 1 г5		ООО 1	1	i с,	W J
Е м кость эми гтерного перехода пФ			25		1				
Ьм кость коллекто рно! о не-рехода, пФ	( н		8	э					а
11ос тоннпая времен и цени обратной связи на высокой частоте, пс. ГГ308А, ГТ308Б ГТ308В	*		400 '00	о				5	5
Максимально допустимые параме!ры, 1 арашир^югся при 1емпературе окру* жающеи среды 7'йв,™^5о. -t-fO£ С>.
/ь max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛёК- .
। юра мА...................50
fi\ ИП)ЯХ —импульсный ток кол-
лектора при /и^5 мкс, мА , 120
max “Постоянное налря» жение эмиттер -г- бйза
(/ у-г «<9	*/\) В , t , ,
102
^кЬотях —постоянное напряжение коллектор — база при отключенном эмиттере, В 20 r max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
=5J кОм), В .... 12
^Кэх max —напряжение между" коллектором и эмиттером при запертом эмиттере, В 20
УКБ. и max ~ импульсное напряжение коллектор — база при
мкс и обратном смешении на эмиттере, В .	.30
max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гв=5+45°С), мВт ... . 150
Рк  max — импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/и^5 мкс), мВт . .	360
Г»аи — температура перехода, • С ........................85
Допустимая температура окружающей среды, ° G —60...+70
При Тс
60...+ 45u С.
В температурном интервале 45.;.70е G максимально допустимые значения уменьшаются:	£/^б на 1,0В/оС;
икэ я ши - "2 0,4 В/5" Е; икэх на 1,0 В/5" С™“эв maI -"S 0,2 В/5" С, >К .Ш„Д? ♦ «МГ С>’ Ч шах ~ ™ '» “Вт/5° С' а) При пониженном давлении 6,7  103 Н/м*2 При Тс - — " ветствии
КЭ X max
К, и max
.	-. мощность уменьшается на 30%.
= 45 70° Q максимально допустимая мощность уменьшается в еоот-с формулой: Рк тах [мВт]=(85 — Тс)/0,25.
= ГШ5~
tfta
17	IB	19
ГТ309А, *ГТ309Б,	ГТ309В,	ГТ309Г.
ГТ309Д, ГТ309Е
Общие сведения. Германиевые сплавно диффузионные р—п—/?-транзисторы предназначены для работы в схемах малогабаритных радиовещательных приемников, телевизоров, магнитофонов.
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. П1.2, б). Масса транзистора не более 0,6 г,
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. I12.fi.
Электрические параметры. Классификационные параметры! ^219*

Наименовьняе	Обрзна чеяие	Значения			Режимы измер ння		
		8 к 5 № Е* SS S S	типовое	. 8 н S 2	Я	S Л "ч	1 МГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс« +55° С при	—40* С	ZKEO	0,о 5	2 10	5 120 5	5 5 5		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	^116 '				би	1	10—
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте! ГТ309А, ГТ309Б Г Т309В—ГТ309Е	1 &21В 1	6 4	14	22	5 5	5 5	20 20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е при Тс» +55° С: ГТ309А, ГТ309В, П309Д ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е при Тс «=—40° С: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е	Л21Э	20 60 20 60 16 30	55 160 90 200	70 180 140 360 70 iSo	5 5 5 5 5 5	1 1 1 1 1 1	*
Выходная проводимость . в режиме малого сигнала при х.х., мкСм	^226			5	5	5	кн
Коэффициент шума, дБ! ГТ309Б, ГТ309Г	*i’			6	5	1	1.6
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск	4,0	5,5	7,5	5	1	
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е	Тв	-		500 1000	елся	йп-сл	$
1 Расчетное значение
104
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру* жающеи среды Гс=—40. . + 55° С.
/к шах — постоянный ток коллектора, мА...............10
^ЭБшах —постоянное напряжение эмиттер — база, В . 1,5 max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Rn <10 кОм), В . . . , 10
1> При Тс=> —40 ..25° С.
3) При Тс= — 40. ..4-25° С. При Т 15 мВт на каждые 10° С.
При Тс > 4-25° С /
п.2)
max — постоянная рассей* ваемая мощность коллектора, мВт ..................75
max — температура перехода, ’С ........................70
Допустимая температура окру-
жающей среды, ’ С'. —40...+55
К max 1мЛ]=1,7У70=Т7
25...55°С мощность уменьшается на
а “
ГТ309А, ГТ303вгГТ309Д'ЛЦ=50мкА
ЛТ3095,П309Г,П309Е-Д1ь=25?1КА
105
ГТ310А,	ГТ310Б,	ГТ310В,	ГГ310Г,
ГТ310Д, ГТ310&
Общие сведения. Германиевые сплавно-диффузионные р—п—р-транзисторы предназначены для работы в малогабаритных всеволновых радиовещательных приемниках, телевизорах, магнитофонах, а также и в другой аппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибким и выводами (рис. П1.20). Масса транзистора не более 0,2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры)
1^21 э], ^21Э'
		Значения				Режимы		измерения		
Наименований	Обозначение	МИНИ-малыгое	1игюаое	н	Я '*/7	Я А	с ж м	X	< в	njw '1 1
Обратный ток коллектора, мкА при Тс™ +55° С при Тс=— 40° с	ZKBO		0,5 10 9,005	, 5 ' 120 S	5 & 5				-	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас			2			50	3		
Напряжение	насыще- ния база — эмиттер, В	БЭ нас			0,7		-	10	1		
Входное	сопротивле- ние транзистора в режиме малого сигнала, Ом	Анб	<		38	5				1	ю-3
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: ГТЗЮА, ГТ310Б ГТ310В, ГТ310Г гтаюд, гтз юе	i |	8 & 4			5 5 5				5 5 5	5 й S
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСм	йааб			3	5				1	ю-3
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТЭЮА,	ГТ310В, ГТЭ10Д Г13405,	гтзюг, ГТ310Е	Л21Э	20 60	50 123	£ 1	5				1 1	-
10$
			Зийчел	н>1		Режимы		измерения		
Наименование	Обозна- чение	миий-мальное	41 о Щ с	максимальное	л X	в	/ jq мА	S _й	Е 2?	Е МГц
при /С"+55СС: ГТ310А, ГТ310В, гтзюд ГТЗЮБ, ГТЗЮГ, IT310E при Тс =—40°С: ГТ310А, ГТ310В, ГТЗЮД ГТЗЮБ, ГТ310Г, ГТ310Е		20 00 16 30	по 65	140 360 70 180	5 о 5 5				1 1 1 1	
Коэффициент шума, дБ: ГТ310А, ГТЗЮБ ГТ310В—ГТ310Е	Аш	3 4			5 5				I 1	1,6 1,6
Емкость	эмиттерного перехода, пФ	с,			40		1				5
Емкость коллекторного перехода, пФ: ГТ310А, ГТЗЮБ ГТ310В-ГТЗЮБ				4 5	* 5 5					5 5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс; ГТЗЮА—ГТ310Г ГТЗЮД. ГТЗЮЕ				300 50)	5 5				5 5	5 5
Максимально допустимые параметры.
жагощей среды Гс = —40. + 5осС.
Гарантируются при температуре окру-
1 к raai — постоянный ток коллектора, мА.....................10
^Кь max —постоянное напряжение коллектор — бата, В . 12
^кэк max — посюяпное напряжение коллектор—змаг;ер, В при /?г = 10 кОм . . , , . 10 при Z?^ =200 кОм .... 6
“ постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Ге =-—40...+35° С), мВт . . 20
Тв ma t — т ем в ера ту рэ перевода, °C .............................75
Ят, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт...................2
Допустимая температура окружающей сред 1, °C . s—40,..+55
п При Гс >35° С v [мВт1=(75 - ГаЖ( н-щ * ' JLU 4 л	г
107
1	4 Б 8 VK3,B
БТЗЮ6.ГТ310Г,БГ310Е-^16=1Вт<А
ГТ310А, БШв'БШД'А^гОмА
П<|НИ |1НфН1 |ИИ|Ш1|Ш [
20	21	22
КТ312А, КТ312Б, КТ312В
Общие снедения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—л-транзисто-ры предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой чайоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах, 109
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами а гибкими выводами (рис. П1.21,п). -Масса транзистора не более 1 г.
Условия эксплуатации—в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры, Классификационные параметры;
^КЭ зав* нав‘ ^21 - пэ|
		Злачения				Режимы		измерения		
Наше иованне	ОбоЗНа <енв	МИНК ыаль&ое	гинвйее	максимальное	э	Т) а	3 £	I	s	) (
Обратный ток коллектора мкА; КТ312А, КТ312В КТ312Б При Ге—+85“ Cl KT3I2A, КТ312В КТ312Б при Тс=—40° Cl KT3L2A, КТ312В КТ312Б	'kbq		о* w	а о О © 1 ft ьв о о	10 10 30 30 10 10	20 35 20 35 20 35					
Обратный ток эмиттера, мкА	?эьо		0,1	10		4				
Г раничное	напряжение транзистора, Bi КТ312А, КТ312В КТ312Б	^КЭО рр	1							5 »б 7 ,5	
Н а п ряж ение	я асы те- ни я коллектор — эмиттер, В	УКЭ наа		0,18	0,8			20	2		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	нас		0 83	..... ...п 1.1			20	2		___
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте; КТ312А КТ312Б, КТ312В	( 1	4  6	8 9		И 10				5 5	
С этический коэффициент передачи тока а схеме с ОЭ; КТ312А КТ312Б КТ312В	Л21Э	10 25 50	30 30	100 100 280	2 ——				20 20 20	
109
Значения
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды	—40..,4-85° С.
max — постоянный ток коллек-тора, мА................30
/к. «шах — импульсный ток коллектора, мА................60
^эб шах — постоянное напряжение эмиттер — база, В .	4
кь max —постоянное - напряжение коллектор — база, В;
КТ312А, КТ312В , г * . , 20
КТ312Б . , ...............35
^Кэд шах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер ^100 Ом), Bi
КТ312А, КТ312В , . , , , 20
КТ312Б.............\	. 35
* К max —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс ^25° С), мВт.........225
Pt max — импульсная рассей-ваемая мощность транзисто-
ра (/в<1 мкс), мВт , . . 450
Рт п~с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 11 С/мВт..........0,4
Допустимая температура окружающей среды, °C , —60...+ I20
i> При 7’с«-40,,,+25*С, При Тс«25,..85э С РКп1ах [мВт]«75f (85-Р[ п—с*
ПО
KT31ZA, К Т312Б -Al^Ot 1кА,К T3126~AI
Ш
КТ315А, КТ315В, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж. КТ315И
17	18	19
Общие введения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—л-транзнсто-ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты, а также в различных импульсных схемах. Могут работать а паре с транзисторами КТ361А.,, КТ361И.
Корпус пластмассовый, герметичный, с жесткими выводами (рис, П1.22). Масса транзистора не более 0,18 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры) ^КЭО I р’ нас’ ^ЬЭнас’ ^21Э' гн-
Значения
Режимы намерения
Наименование	Обозна- чение	Л Щ Ч 31 Со У ?	максимальное	и г>	a <e« j	/ц, мА	ю	V* *®7	f МГи
Обратный док коллектора, мкА: КТ315А- КТ315Г КТЗ15Д-КТ315И при Тс = + 100° Cj КТ315А-КТ315Г КТ315Д, КТ315Е при 7с ——60~С: КТ315А—КТ315Г КТ315Д, КТ315Е	У1<Би		0,5 0,6 10 15 0,5 0.6	Ю 10 10 10 10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА: КТ315А—КТ315Ж КТ315И			30 .50		5 5				
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА при /?ь	10 кОм! КТ315А КТ315Б КТЗ 15В КТ315Г КТ315Д КТ315Ж КТ315И при R Б =0: КТ315Е при Гс= +100° С» КТ315Ж КТЗ(5Й при Гс = — 60° С: КТ315Ж КТ315И			0,& 0,6 0,6 0,6 1.0 0,01 0,1 1,0 100 200 10 юо	25 20 40 35 40 20 60 3d 20 60 20 60					
112
Зц,чгни?
Режимы измерена'
Наименование
МГц
Граничное	напряже- ние транзистора, Bi КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315И	^КЭО FP	15 30 25	>					. 5 5 5	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: КТ315А-КТ315Г КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	На.	0,3 0,3 О.з 0,3	0,4 0,6 0,5 0,9			20 20 20 20	2 2 2 2		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В: КТ315А-КТ315Г КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	нас	0,63 0,63 0,63 0 63	1,0 1.1 0,9 1,35			20 20 20 20	2 2 2 2		
Модуль коэффициента передачи i ока на высо кой частоте; КТ315А КТ315Г КТ315Д-КТ315И	1 ^г1э 1	2,7 2,5		10 10				5 5	100 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ315А, КТ315В КТ315Б, КТ315Г» КТ315Е КТ315Д КТ315Ж КТ315И при 7'с —+ 100°Cs КТ315А, КТ315В КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е КТ315Д КТ315Ж КТ315И при	= —60° С; КТ315А, КТ315В КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е КТ315Д КТ315Ж КТ315И	^213	30 50 20 30 30 Я) 50 Ю 30 30 5 15 5 5 5	120 350 90 250 250 700 250 400 120 350 90 - '250	10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10				1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1	
ИЗ
На пие жта мне	Обозна- чен не	Значения		Режимы измерений					
		ыинн мальное	максимальное	а <:нЛ	щ сь ь	/к. мА		s	f. МГц
Входное сопро гивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: КТ315А—КТ315Е			40	10		1			1 IO"3
Выходная проводимость в режиме малого сигна ла при хх., См	fi-as6		0,3-10—°	10-			i	1	l-10-з
Емкость ко тлекторного перехода, пФ КТ315А-КТ315Е КТ315Ж, КТ315И			7,0 10	10 10					5 5
Постоянная времени це пи обратной связи на высокой частоте, ис: КТ315А ' КТ315Б. КТ315В, КТ315Г К.Т315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	'Гн	70 105	300 500 1000 800 950	10 10 10 10 10				3 5 с 5 5 *	5 5 5 5 5
Время	рассасывания, нс КТ315Ж	^рас		250			3	1		
1ируются при температуре окру-
Максимально допустимые параметры. Гаран жающей среды	—*60 +100°С.
Jк mai — постоянный ток коллектора, мА
KT3I5A KT315E . . .100
КТ315Ж, КТ315И...........50
^'1<Б max —постоянное напряжение коллектор — база В;
КТ315А..................,	25
КТ315Б.................. 20
КТ315В...................40
f КТ3151	 35
^’бэ п.ах — постоянное напряжение база — эмиттер, В: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е . 6
^КЭггйх —постоянное напряжение коллектор — эмиттер,
’14
при Т?Б » 10 кОм:
КТ315А...................25
КТ315Б...................20
КТ315В, ГТ315Д...........40
КГ315Г	.35
КТ315Е...................35
при =0;
КТ315Ж...................20
КТ315И ..................60
— постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гс=—60. .+25°С, мВт; КТ315А—КТ315Е	.... 150
КТ315Ж, КТ315И	.... 100
Тп max — температура перехода, С t ......... 120
ftti n_n — тепловое сопротивление	Допустимая температура окру<
' переход ~ окружающая ере-	жаюшей среды, 'С ,—60...+ 100
да, 0 С/мВт..............0,67
Допускается эксплуатация приборов в предельно допустимом,режиме /\=> 250 мВт (Ук — 12,5 В, 20 мА), При 7С “ 254.1100° О PKmax (мВт} ™ (120 —- ТсУи — с*
111
20	21	22	23	24 \
KT317, KT317A, КТ317Б KT317B
Общие, сведения. Кремниевые эпитаксиально планарные п—р—л-транзцсто* ры предназначены для работы в устройствах дискретного счета с обшей герме-шзацией, транзистор КТ317 —для работы в микросхемах для ЭКВМ
Оформление бескорпусное (рис П1.23). Марса транзистора не более 0,01
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры Классификационный параметр Ау».
ъ				Й		^сжимн. изменения			
Н вменена нне	Обоаиа* тенир	О i 41 § 1	£	:*	в	Л Я	’К- •»*	!	'У ; i	
Обратный ток коллектора мкА: КТ317А- КТ317В при 7'0 а=+80° С1 КТ317А - КТ317В при Гс=ж— 60“ С1 КТ317А— КТ317В	'кво	0 1 1	5	1 0 ю : о	5 5 5	-			
Обратный ток эмиттера, мкА: КТ317А— КТ317В	'эБО			Ю		3,о			
Обратный ток коллектор—эмиттер при <3 кОм	7 КЗ /?			3	&				
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В: КТ317, КТ317А КТ317Б КТ317В	УКЭ нас	0,03	0 07	0,3 9,3 0 3			10 (0 10	1.7 1,0 *0,7	
Напряжение насыщения база—эмиттер, В; КТ317, КТ317А КТ317Б КТ317В	Вае			9,85 Ms 0,86	и	- 1 			ю 10 10	1,0 0,6 0,4	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ЛИа |				1				
1’6
Налм“яов1нпе	Обозни чение	'качения			Режима изменения				
		минимальное	£ О с s	'йзксв-мальное	УК- В	в I	ж £ г>	IQ	/. МГц |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТЗ 17 КТ317А КТ317Б КТЗ17В	^213	25 25 35 80	45 70 140	350 75 120 250	1 ‘ 1 1 1		1 1 1 1		
Плавающее напряжение эмиттер—база, В	Эь н/1		0,5		Л5		0,05		
Прямой ток базы, мкА: КТЗ 17 КТ317А-КТ317В	^В» пр	117 130		160		0,8 0,8			
Время рассасывания, нс: КТЗ 17 KT3I7A-KT317B	грас			200 130	сот от от 11 и X к £ц£ц		3	1 °*/В2	
Емкость эмиттерного перехода, пФ	с,			22 |		1			5
Емкость коллекторного перехода, пФ	С’в			11 |	1				5
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс“ —10.... 4-85° С —для КТЗ 17 и Тв=—60...+85** С — дня КТЗ 17Л- КТЗ 17В,
Jx mar — постоянный ток коллектора, мА................16
^К. И 11 ах ~ импульсный ТОК КОЛ-лектора (/и^10 мкс, gslO, /фи100 нс), мА .	46
^эь max —постоянное напряжение эмнттер — база, В . 3,5
Укь пык ~ постоянное напряжение коллектор — база, В .	5
£/кэ R — постоянное напряжение коллектор — эмипер (/? ь®СЗ кОм), В............5
7 К max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ..................... . . 15
п2)
“к, я max — импульсная рассеиваемая мощность транзистора, мВт	100
7*п max — температура перехода, *с . . . .	.... 100
Допустимая температура окружающей среды, ЭС 60...+100
1 При Гс-« + 403С, При То свыше + 40“ С fflas (мВт! — (Тп — а' При Го=« -т-25 Cj
117
ШПБ'Д1ь=1ыА
УТЗПВ'Д Ib=0,5мкА
~80 SO" -70 О 20 W? TCf°F ктзпаЧь^ока, KTzm-itrDjMA;
ХТЗПЗ-Ц^п/!; J10мА
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
Общие сведения. Германиевые быстродействующие импульсные сплавно-диффузионные р—п—р-транзисюры предназначены для генерирования, усиления, преобразования колебаний высокое} частоты и для работы в импульсных быстродействующих схемах,
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами а гибкими выводами (рис. П1.19). Масса транзистора не более 2,2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии е табл. П2.1,
Электрические параметры. Классификационные параметры:
Pinal. ^КЭО гр-
			Значения				Режима измерения			
• Наименование	Обозная	мини малья ее	8 0 2 2	-чальное	с/к. В	я Л а		*5- мА	я j>	4
Обратный ток коллектора, мкА прк Т\ = = +70’С при Гс = =-55° С	^КБО		4,0 35 1	7,0‘ 70 5	20 12 20					
Обратный ток эмиттера, мкА	Уэно		2	50		2		£		
Граничное напряжение транзистора (Q = = 10. 100), В: ГТ320А ГТ320Б ГТ320В	^КЭО рр	13 11 9							10 10 10	50 50 50
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер (Q = 10 „ 100), В	^КЭ вас		0,45	1,7			200	20		50
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	УБЭ			0,45			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте- ГТ320А ГТ320Б ГТ320В	1 ^810 1	4 6 8			5 5 5			1	10 10 10	2.J01 2'КН 2-107
119
Наименование	Обозна- чение -	Значения			Режима измерения					
		QJ О г § £ Ч Е ?	типовое	максимальное	а	м т>	< S	/5, мА	S Л1	гГ U
Статический коэф передачи тока в схеме с ОЭ (Q—10 100): ГТ320А ГТ320Б " ГТ320В при 7С — — +70D С: ГТ320А ГТ320Б ГТ320В ‘ при Тс=« «=-55° С: ГТ320А ГТ320Б ГТ320В	^213	20 50 80 20 50 80 15 35 50	ЬО 100 170	80 180 250 1 при 25° С 1 ,15/l21Э при 25е'С но не более 250 2/12 t Э при 25* С	1 1 1 1 1 1 1 1 1				10 10 10 10 10 10 10 10 10	50 50 50 50 50 50 50 50 50
Время рассасывания (/„ = «= 5 10 мкс), нс ГТ320А ГТ320Б ГТ320В	^рас	75 75 75	150 150 150	320 350 400		10 10 10		<<<<<< Е s s S 3 S еч — еч — сч — 11 11 11 11 11 11 *” СМ ** СЧ w-M ^да ^да ^да ^да да да		
Емкость эмит-терного перехода пФ	С»			25		1				5 10»
Емкость коллекторного перехода, пФ	С к			8	5					5-10°
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ПС’ ГТ320А, ГТ320Б ГТ320В	Тн			500 800	5 5				5 5	5*10» 5-10е
120
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Те»»—-60..+70°С,
max — постоянный ток коллектора, мА...............150
,1) «
'К, и®ах —импульсный ток коллектора	мкс,
5^2), мА................. 300
^БЭои* —постоянное	напря
жение база — эмиттер, В .	3
max —постоянное	напря-
жение коллектор — база (£э -0), В ....	20
^Кэк max — постоянное напря жение коллектор — эмиттер ч(/?Б “0)> В	15
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер (₽в sg) кОм), Bi
ГТ320А.....................12
ГТ320Б ......................II
ГТ320В ...................... Ь
—напряжение между коллектором и эмиттером запертого транзистора, В , 20 —импульсное напряжение коллектор — эмиттер (/ИС1 мкс, Q> 10), В . . 25
р2)
rK mix ~ постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ..........................200
^в\пах ~ импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/и<5 мкс, Q>5, t/Kj^
О гр). Вт.............1
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—60..,+70
г) При повышении темпера гуры ./г 45 до 70эС предельные значения параметров снижаются на каждые 5®С, а именно)
Я тах~на 0,4 В, на0,6В,Укэ и тах —на 1/) В, ^КБтах”на Ь® ^ЭБ там на 0,2 В, тах—на 10 мА, А& и max —на 20 мА, Ра тах — на 0,06 Вт.
2) При ГО=45.. .70°С мощность определяется по формуле Рк гаах1мВт]=а(9О-Тс)/6,225 При пониженном давлении 2,7х X Ю4 Па значение Р& mjU£ уменьшается на 30%.
121
ГП208-Ы6=!1,15мА
122
19	20	21	22
ГТ321А,	ГТ321Б,	ГТ321В, ГТЭ21Г,
ГТ321Д, ГТ321Е
Общие сведения. Германиевые конверсионные р—п—^-транзисторы предназначены для работы в высокочастотных и импульсных радиотехнических схемах.
Корпус металлический,1 герметичный, с гибкими выводами (рис. 111,19). Масса транзистора не более 2,2 г.
Условия эксплуатации — в соответствия с табл. П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметрит /12|э, ^6 max»
		1	Значения				измерения		
На ,’мен онанне	□йозаа* чем не	минимальное	типовое	. & к ? н	ук. Ь	мЛ	3 Л	< г 6
Обратный ток коллектора, мА: ГТ321А—ГТ321В Г1321Г-ГТ321Е при Гв«4-60°С	укво	0,01 0,02 0J	0,03 0,5	0,1 0,6 0,5 1,2	30 60 45 30			
Обратный гок коллектор — эмиттер	а < С 10 Ом), мА: 1 Т321А-ГТ321В ГТ321Г—ГТ321Е				0,8 0,8	50 40			
Граничное -напряжение транзистора, В: i 1321А—ГТ321В Г У 32 if— ГГ321Е при 7 с ’=60'3. ГТ321 А—ГТ321В ГТ32П—ГТ321Е	U КЭО гр	40 30 35 25						700 Z90 700 700
Напряжение насыщения коллектор — эмииер, В. ГТ321А, ГТ321Г ГТ321Б, ГТ321Д ГТ321В, ГТ321Е	U КЗ нас	1.4 1,4 1,4		2,5 2,5 2,5		700 700 700	140 70 35	
Напряжение насыщения база — эмииер, В: ГТ321А, ГТ321Г ГТ321Б, 1Т321Д 1Т321В, ГТ321Е	нас	1,05 1 05 1 05		1,3 1.3 1.3		700 700 700	140 70 35	
Прямое	напряжение между эмиттером и базой, В: ГТ321А— ГТ321В ГТГ,Г>1 г__	। р	^БЭ пр	4 ° 5 т					0,5 0,5	

Наименование	Обоана* яеннс	Значения			Режимы из мере в ня			
		минимальное	£ № С S Е-	максимальнее	S	а	*3 Jo	3 т>
_ при Те “60е С: ГТ321А—ГТ321В ГТ321Г—ГТ321Е		3 2					2 •2	
Модуль коэффициента передали тока на высокой частоте при f=* = 20 МГц	л 1 Aglg |	3			10			15
Статический коэффици ент передачи тока в схе ме с ОЭ: ГТ321А ГТ321Г ГТ321Б, ГТ321Д ГТ321В ГТ321Е при Те=—6О10 С при Го —4-60° G	Л21Э	20 40 80 0,4Л2]Э(2боф 2А 2 13(	100 100 100	66 120 200	3 3 3 3 3	500 500 500 500 500		
Время	рассасывания (£«=20 В), мкс ГТ321А. ГТ321Г ГТ321Б, ГТ321Д ГТ321В, ГТ321Е	f₽ac			1 1 1		700 700 700	/1 37 17 j	
Емкость	эмиттерного перехода (^ = 5 МГц), пФ				600	</э- —0,5В			
Постоянная времени обратной связи на высокой частоте при f=5 МГц, пс				600	10			15
Е м кос!ь коллект орно го перехода при f с= = 5 МГц, пФ	с К			80	10			
Максимально допустимые параметры, мающей среды ГЕ = —60...4-45{'С. — постоянный ток коллектора в режиме переключения. мА .	,	... 200
—импульсный ток коллектора при Гиг£30 мкс, А 2 max —постоянный ток базы в режиме переключения, мА	30
I арантируются при температуре окру*
^Б, итак —импульсный ток базы КаСЗО мкс), А .	.0,5
кн max ~ постоянное напря-
жение коллектор — база, Bi ГТ321А - ГТ321В .... 60 ГТ321Г—ГТ321Е , ... 45 mr>x — постоянное напря-
жение коллектор — эмиттер (А\ -=0.,Ю0 Ом), В1
124
ГТ321А—ГТ321В ,	50
ГТ321Г — ГТ321Е , . , . 40
УЭБ max —постоянное напря жение эмиттер — база ори
Те <45° С, В:
ГТ321А —ГТ321В	»	.	,	,	4
ГТ321Г—ГТ321Е	,	2,5
при Т'а“45..,601> Ci
ГТ321А - ГТ321В	,	.	.	,	3
ГТ321Г —ГТ321Е	,	.	,	,	2
^ср mix-средняя рассеиваемая мощность транзистора, мВт , 130
а тях “ импульсная рассеиваемая мощность на коллекторе (/и^ЗО мкс), Вт ... 20 I'll max —температура перехода,
• G.........................85
Нт, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт . .	... .0,25
Допустимая температура окру-
жающей среды, *С . .—60.,,+60
’’ При Го==45.. .60*С атаж уменьшается на 0,02 А/1еС.
а)	При Тс=45...Ь0°С t/KBmax уменьшается для ГТ321А—FT32IB на 1,2 В/IDCi для FT321F— ГТ321Е— на 0,6 В/ГС.
3)	В диапазоне Гс = 45 . . .60св крепах 1мВт|«(86—Т0)//?т>
4)	В диапазоне 45 ... 60’G	« т»
уменьшается на 0,32 Вт/1*в.	*
6)	Чертах =^+^Э-
7,5 W,Q 12,5 15,0
ГТ3215,ГГ321Д-1^70мА
ГТШМТЗШ'-Ц'МмА
I! | II II | If li | IlTl | II i 111	ГТ322А, ГТ322Б, ГТЗЗЗВ^
П	18	19 v '
Общие сведения. Кремниевые высокочастотные сплавно-диффузионные р—п~р-транзисторы предназначены для генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Ш.24, а). Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: /?21Э, ^КБО*
Наиме иованне	Обозна- чение	„ Значения			Режимы измерения		
		минимальное	О о 6 е я	макси-мяльное	оа £ ГЭ	мА	| 1, МГц |
Обратный ток коллектора, мкА при 7'с —4-55°С при Тл=— 40° С.	Лево			4 100 4	25 10 25		
Входное сопротивление транзисто* ра в режиме малого сигнала, Ом	^116			34	5	1	ю-3
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	.	| ^21э |	4			5	1	20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; ГТ322А ГТ322Б ГТ322В	1Э	30 50 20	48 65 48	100 120 120	5 5 5	1 1 1	
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСм	^22б			1	5	1	ю-’
Коэффициент шума, дБ	Кт			4	5	1	1,6
Емкость коллекторного перехода, иФ: ГТ322А, ГТ322Б ГТ322В 	 V	Сд			1,8 2,5	5 5		10 10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, nej ГТ322А ГТ322Б ГТ322В	Тд —Т"~~				50 100 200	5 5 5	1 1 1	5 5 5

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс№—4О...4-55*С.
/а «г— постоянный ток коллектора, мА. . ..................10
^КБ max — постоянное напря-
жение коллектор — база, В . 25
^КЭК max —постоянное напряжение коллектор — эмиттер
= 10 кОм), В
йрн Тс——40...4-40” С . , , 25
' при То = 55° С .........20
max —постоянная рассеи-
ваемая мощность коллектора., мВт
при Те=—40... 4-25° С , . 50 ври Тс — 4-55° С , . , * 10
Р^тах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7'с =55° С, 5<^2, мВт . 25
к—п— тепловое сопротивление переход — окружающая среда, с С/мВт.................0,7
Допустимая температура окружающей среды, °C г t—40...4-55
1; В интервале Тс = 40,. .55°С уменьшается линейно.
а) При коэффициенте нестабильности S=j2..,10 и в интервале Тс;-25.. ,55®С Рк тах [мВт! = 231g (1250^5)—0,7 Тс, где <5“ 1 -ф Pg/Pg.
j
127
КТ326А, КТ326Б
Общие сведения. Кремниевые планарно эпитаксиальные р—и—р-транзис' ры предназначены для работы в ВЧ и СВЧ усилителях н в переключаюш схемах
Корпус металлический (рис. П1 15). Масса транзистора не более 0,5 г. Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 3.
Электрические параметры. Классификационный параметр &21Э
Наименований	0(mna - чение	Значения		Режимы намерена					
		минимальное j	максимальное	I S ‘^п	Уэ> в	< я "Ч	ум •&[	„ ,е. V* ’1	а &
Обратный ток коллектора, мкА	^кво		0,5	20					>
Обратный ток эмиттера, мкА	Z95O		<М		4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		0,3			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^2fa 1	4		5				10	юс
128
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы измерения					
		1> 9 ЕЕ	максимальное	д £	я	3 i	Jg. мА	3 я>	[, МГЦ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; КТ326А КТ326Б	^21Э	29 45	70 160	2 2		10 10			
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ПС	тк		450	5				10	5
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	^БЭ нас		1,2			10	1		
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		5	5					10
Емкость эмиттерного перехода, пФ	с»		4		0				10
Максимально допустимые параметры, ж a io щей среды Тсш—60... 4-125° С.
Гарантируются при температуре окру-
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора, мА...................50
^эвтах —поетоянноё напряжение эмиттер — база, В . ,	4
max —постоянное напря-
жение коллектор — база, В, 20
max — постоянное напряжение коллектор — эмигтер (J?b СЮО кОм), В , . . . 15
^к\пах постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(То<30°С). мВт . . . . 200
Ти max — температура перехода, °C............................150
/?Т, П-с—тепловое сопротивление переход — окружающая сре да, ° С/мВт , ...... 0,6
Допустимая температура окружающей среды, “С . —60-4-125
м Сумма постоянного и переменного напряжения не должна превышать 20 В,
» При ro>+30~GPKniax
5 Вак. 503	129
КТ331А, КТ331Б, КТ331В, КТ331Г
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—п-транзисторы предназначены для работы в усилительных интегрально-гибридных микросхемах в блоках аппаратуры, обеспечивающих герметизацию
Оформление бескорпусное (рис. П1 25). Масса транзистора не более 0,003 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 3.
Электрические параметры. Классификационные параметры!
^21Э' 1^21э1 
Наименование	Обозна- чение	Значения .			Режимы измерения			
		минимальное	типовое	максимальное	РЗ £ Cj	я	мА	и S?
Обратный ток коллектора, мкА при Тс = -Ц25°С при Гс=—60° С	^КБО	0,001 0,1	0,005 1	0,2 10 0,2	15 15 15			
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО			I 0,5		1 3		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТЗЗГА, КТ331Б, КГ331В ктзз1г	^51Э1	2,5 4,0	3,5 5,5		5 5		3 3	100 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (1я=2 мс): КТ331А КТ331Б, ГТ331Г КТ331В при Тс = 4-125е Cj КТ331А КТ331Б, КТ331Г КТ331В пои 7'с=— 60° С; КТ331А КТ331Б, КТ331Г ктз31В	, Л21Э	20 40 80 20 40 80 10 16 32	0 60 100 55 80 130 20 40 75	60 120 220 120 240 440 60 120 220	5 5 5 5 5 5 5 5 5		1 1 1 1 1 1 f 1 1	|	Л 41 *Э|	4) «а> ю?	о lQi ю III	III	111 ООО	000	000 W—г .	inmin ininin 1П 1П 1П
Коэффициент шума, дБ				4,5	5		1	100
Емкость эмиттерного перехода, пФ	^9	।			8		1		!0
Ёмкость коллекторного перехода, пФ	Св			5	5			10
Постоянная времени цепи обратной связи в а высокой частоте, ПС	тв			120	5		1	5
Прямое напряжение эмиттер — база, В	,7эбо	0,55		0,75	3		1	
130
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го=—60...+ 125° С.
/кап — постоянный ток кол-
лектора. мА...............20
/к —ПОСТОЯННЫЙ ТОК бй-
•ы, мА . . *...............5
/к, 1 max—ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-
лектора, (/и^10 мкс, 10), мА..................50
^эб max — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В .	3
УКБ max —постоянное напря-
жение коллектор — база, В. 15
^КЭДтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (2?ь s^lO кОм), В ,	15
Р^тах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гс=—60...4-75вС), мВт . 15 Тп max — температура перехода,
°C ..................+ 135
/?т. d-с — тепловое сопротивление
переход — среда, ° С/мВт . .	4
Допустимая температура окружающей среды', ’С , —60...+ 125
11 При Тс= —60. .+75° С. В ^Ктах 1м^т]=(135 — ГС)//\’Т( п _ с.
диапазоне температур 75° С... 125° С
КТ332А, КТ332Б, КТ332В, КТ332Г,
КТ332Д
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—п-транзисто* ры предназначены для работы в усилительных интегрально-гибридных микросхемах в блоках аппаратуры, обеспечивающей герметизацию.
Оформление бескерпусное с гибкими выводами (рис. П1.25). Масса транзистора не более 0,003 г
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2.3.
Электрические параметры Классификационные параметры:
Наименование	Обозна- чение	Заачени.1			Режимы измерения			
		минимальное	типовое	Md КСН-мальное	ац	Л ь	< я Л	а £
Обратный ток коллектора, мкА при Гв- + 125’С при	60°С	УКБО	0,001 0,1	0,005 1	0,2 10 0,2	15 15 15			
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО			0,5		3		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой часто'Ге: КТ332А, КТ332Б, КТ332В КТ332Г, КТ332Д	1 ^зга j	2,5 5,0	3,2 5,3		5 5		3 3	100 ID0
5*	131
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения			
		§ J. nJ S jj К q Я « S 5	типовое	макси-маьлное	CQ £	в	S	кГ Ья £
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (/и = 20 мкс): КТ332А КТ322Б, КТ332Г КТ332В, КТ332Д	Л21Э	20 40 80	40 90 130	60 120 220	5 5 5		1 1 1	5J0-S 5.10- S 5-io-a
Коэффициент шума, дБ	Кш			8	5		1	100
Емкость эмиттерного перехода, пФ	сэ			8		1		10
Емкость коллекторного перехода, пФ	ск			5	5			10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ПС	тк			300	5		1	5
Прямое напряжение эмиттер-база, В	^ЭБО	0,55		0,75	i 3		1	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс = — 60...+ 125° С.
/к max — постоянный ток коллек-
тора, мА...................20
^Бтях ”* ПОСТОЯННЫЙ ТОК бЯЗЫ, мА- , . . . ,................5
/к, и max — импульсный ток коллектора (IhSCIO МКС, ^10), мА....................60
^эб max — постоянное напряжение эмиттер — база, В . . 3
Кб max —постоянное напряжение коллектор — база, В . 15
^кэятах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (R(, ^10 кОм), В . . . . 15
₽К max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт.....................15
Го max — температура перехода, °C.........................135
Ят, и-о— тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт..................4
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C .—60.,.+ 125
11 При Тс = — 6О.,,+750 С. ^„„ЫВт]- (135 - Tc)«Ik п
Рисунки см, на с. 133
В диапазоне температур 75° GUit25° <3 о*
132
K733?r-&i^i,5wA; дашдазэд-

КТЗЗЗА, КТЗЗЗБ, ктзззв, КТЗЗЗГ, КТЗЗЗД, КТЗЗЗЕ
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—«-транзисторы предназначены для использования в импульсных неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках герметичной аппаратуры.
Оформление бескорпусное (рис. П1.14). Масса транзистора не более 0,01 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4
Электрические паралич ры. Классификационные параметры! Л21э. ^КЭ пае» на<г
133
 "		Значения				Режимы измерен яя				
Наименование	Обознл- чснир	минимальное	типовое	максимальное	g	g *ел	< 3 £	1 щ	1 я -	£ £
Обратный ток коллектора, мкА при Га =® +85° С	zkbo			0,4 5,0	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА		5.10-8	10-’	1,0		4				
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТЗЗЗА, КТЗЗЗБ, КТЗЗЗВ ктзззг, КТЗЗЗД, КТЗЗЗЕ	1 \1В *	4,5 5,5			2 2				5 5	юо 100
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: КТЗЗЗА, КТЗЗЗБ, КТЗЗЗВ КТЗЗЗГ, КТЗЗЗД, КТЗЗЗЕ	^КЭ яас	0,14 0,12	0,185 0,15	0,27 0,33			10 10	1		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТЗЗЗА, ктзззг КТЗЗЗБ, КТЗЗЗД КТЗЗЗВ, КТЗЗЗЕ при Тс=4-85°С: КТЗЗЗА, КТЗЗЗГ, КТЗЗЗБ, КТЗЗЗД КТЗЗЗВ, КТЗЗЗЕ при Тс = —бО’С: КТЗЗЗА, ктзззг КТЗЗЗБ, ктзззд КТЗЗЗВ, КТЗЗЗЕ	rtais	30 60 /0 IS 70 15 26 33	Г &8S	90 150 280 180 300 560 90 156 280	1 1 1 1 1 1 1 1 1	-	L _		Ю ю ю I0 ю I0 ю ю ю	
Время рассасывания, вс, (Уовр = 5 В, &=» = 2 кОм): КТЗЗЗА—КТЗЗЗВ КТЗЗЗГ—КТЗЗЗЕ	*рас	2 6	4 9	15 25			10 10	и В < 11 <1 < И w Е u сч Е В В-в в		
Емкость эмиттерного перехода, цФ: КТЗЗЗА—КТЗЗЗВ КТЗЗЗГ—КТЗЗЗЕ	Сд			4,0 5,0		0 0				Б 5
Емкость коллекторного перехода, пФ: КТЗЗЗА—КТЗоЗВ КТЗЗЗГ—КТЗЗЗЕ	Он			3,5 4,5	5 5					crj 1О
134
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режим, । я-мореиия					
		минимальное	типовое	МЗКЙП-мальное	а 'Я/7	Б	уи 1	3 щ	3	f, МГн
Напряжение насыщения база—эмиттер, В: КТЗЗЗА-КТЗЗЗВ КТЗЗЗГ-КТЗЗЗЕ	^БЭ нас	0,75 0,8-	0,8 0,85	0,9 1,0			10 10	1 1		
Прямое напряжение эмиттер — база, В. КТЗЗЗА-КТЗЗЗВ КТЗЗЗГ-КТЗЗЗЕ	^ЭБО			0,5? 0,55					0,05 0,05	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру* нсаюшей среды Те*®—60° С...+85* С.
/к eic mix — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора а режиме насыщения, мА . ,	.20
/к.  Bic max — ИМОуЛЬСНЫЙ ТОК коллекюров в режиме насыщения (/н ^20 мкс, QО 10, *нр<100 нс), нА................45
^эн max — постоянное напря-
жение эмиттер—база, В . .3,5 ^КБвнх —постоянное напря-
жение коллектор — база, В . 10 Uкод пи ч — постоянное напря-
жение коллектор *- эмиттер
(/?я-3 кОм ), В...............Ю
— постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при T<>sb—60...+55°С , « 15
при Та = 4-85’ С	.... 5
Тв m а х — тем пер ату ра перехода, °C..............................100
/?», и-а — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт.......................3
Допустимая температура окру-
жающей среды, *С . —60...+85
L) При темпера гуре среды выше 55* G Р^ тах (мВт] «=>(7~п гаах— Tc)/RTt п-с
КУ333 5, ХГЗЗЗД-ДУ5*1,5икА КШВ,К1333Е-Д1Ъ=Ц}МА
135
«7 -40 -20 0 +гЬ +40 +t»o гС1°с
136
10	31	22	23
КТ34ОА, КТ340Б, КТ34ОВ КТ34ОД
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—^-транзисторы предназначены для работы в ЭКВМ-70, ЭКВМ-70/70М и других модификациях ЭКВМ. КТ340А и КТ340Д предназначены для работы в схемах усиления, КТ340В — в схемах переключения.
Корпус металлический, с гибкими выводами (рис. П1.11). Масса транзистора ие более 0,6 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.1.
Электрические параметры. Классификационные параметры)	foao<
		Зна'	енш				измерени		
Наименование	Обозвз-	минимально	максн-мальвой	£	X Л	/К. мА	3	ч 3	1
Обратный ток коллектора, мкАг КТ340А, КТ340В, КТ340Д КТ340Б При 7с-=+85° С: КТ340А, КТ340В КТ340Д КТ340Б	'ЖБО		1 1 10 ю	15 20 15 20					
137
Наименование	Обоз на-чение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	а Сэ	8 ,рЛ	"S X		*1 А	Г. МГЦ
Обратный ток эмиттера,. мкА	1эво		100		5				
Напряженке насыщенна коллектор — эмиттер, В: КТ340Б КТ340В	УКЭ нас		Si'			50 200	5 20		
Модуль коэффициента передачи тока ня высокой частоте	1 И£1Э )	.3		5				10	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ> КТ340А КТ340Б КТ340В КТ340Д		100 100 35 40	3D0	1 I 2 1		10 10 200 10			
Время рассасывания, нс КТ340Б, КТ340В	^рвс		15			5	1		
Емкость эмиттерного перехода, пФ	сэ		7		5				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	^к		37	5					10
Постоянная времени адш обратной связи на высокой частоте, пс: КТ340А КТ340Д			60 150	5 5		5 5			10 10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются прл температуре окружающей среды Тс«-10..,+Ж С.
/к ии — постоянный ток коллектора, мА.............'.50
/к. ж шах — ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора (fa<50 мкс, /к ер< К щах) > мА1
КТ340Б....................75
КТ34ОВ..................,200
max ~ постоянное напряжение эмиттер — базе, В . , б ^КБта> постоянное напряжение коллектор — база, В: КТ340А, КТ340В, КТ340Д . 15
КТ340Б	,	20
^КЭпих —постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В:
kT34OA, КТ340В, КТ340Д . 15
КТ340Б....................20
Рк шах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .....................150
Гитах—температура перехода, еС .........................+	130
Допустимая температура окружающей среды, °C . »— 1О.,.+&5
138
КТ342А.ЖТ342Б, КТ342В
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р—п-транзисторы предназначены для использования в ЭВМ «Электроника 70», в радиовещательных приемниках и в другой аппаратуре.
Корпус металлический с гибкими выводами (рис. П1.11). Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл, П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^КЭО рр) \эК ^БЭ нас- ^КЬО’
Наименование	Обозначение	Значения		Режима нвмерения					
		МИНИ-	1 мальиое	макси дальнее |	Я	Ь	J^, мА	< 2	мА	я й» X
Обратны й гок коллек гора, мкА: КТ342А КТ342Б КТ34ЙВ	^КБО	।	« w «о 1 1 1 ООО 1—1 1*4 	ю to	0,05 0,05 0,05	25 20 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	'эБО		30		5				
Обратный гок коллектор — Эмиттер (/?б sgJO кОм), мкА: КТ342А КТ342Б КТ342В	'кэя		30 30 30	30 25 10					
13Я
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы измерения 						
		минимальное	максимальное	га	ад	£ —*	/б- “А 1	<с л -?	31 £
Граничное	напряжение транзистора, В; КТ342А КТ342Б . КТ342В	^КЭО гр	26 20 10						5 5 5	
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	нас	0,05	0,1			10	1		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас	0,6	0,9			10	1		
Входное сопротивление в режиме малого сигнала, Ом	116		2D0	5				1	ю-5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ342А КТ342Б КТ342В	1 Л31Э |	2,5 3 3		10 10 10				5 5 5	100 100 100
Статическим коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ342А КТ342Б КТ342В	Л21Э	100 200 400	250 500 1000	5 5 5				I 1 1	
Емкость коллекторного переход*, пФ	Ск	4	8	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: К1342А КТ342В КТ342В	Тк		200 300 700	5 5 5		1 1 1			5
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-жаюше^ среды Ге =—60...+125° С.
таж — постоянный ток коллектора, мА...............50
^к,вша!—импульсный ток кол-
лектора (Ya 5^'40 МКС, >500), мА................300
^аб max —постоянное напря-
жение эмиттер — база, В . 5
7)1 )	'
укэ/? max ~~ постоянное напря-
" жеиие коллектор — эмиттер (Яв^Ю кОм. Af=30 мкА), в-
при Го=—60° С...+100° С.
КТЗШ	........ 30
КТ342Б..............  ,	25
140
КТ342В...................10
при Тс = + 125°С:
КТ342А...................25
КТ342Б , ................20
КТ342В...................10
max —постоянное напряжение коллектор — база, В:
КТ342А...................35
КТ342Б....................30
КТ342В...................25
—постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7>, = —6О...+25°С, мВт .250 Тн шах — температура перехода, °C ...........................150
Допустимая температура окружающей среды, °C .—60,..4-125
11 При температуре выше 100° С напряжение уменьшается линейно,
2 При температуре более 25°С Рк [мВт] = (150 — ГС)//?Т1 п-с. где /?т> п-с e 0>5Q С/мВт.
кгзш-дц= МкА, к1ж-дье o.pfw/i;

Н1
Wpill|IUIj!|H|IHipi|ljHllililT '
!0	31	22	23
KT343A КТ343Б, KT343B
Общие сведения. Кремниевые планарио-злнгакснальные р—«—^-транзисторы предназначены для использования а импульсных схемах в вычислительных устройствах и приборах автоматики.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.11), Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры, Классификационные параметры! hii3, <рао
14?
		Значения			Режимы пзмеренйя				
Наименование	Обозначение	минимальное	1 типовое	О t о а зз и Л 33 ч	ук, В	я	мА	ум «Я/	л
Обратный гок коллектора, мкА: . КТ343А, КТ343Б КТ343В при Гс=“4-85°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В при Тс = -40°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В	УКБО			I 1 10 10 I I	10 7 10 7 10 7				
Обратный ток коллектор — эмиттер, мкА: КТ343А, КТ343Б КТ343В	^КЭ R			100 100	17 9				
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер. В	^кэ нас	0,1	0,2	0,3			10	1	
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	^БЭ нав	0,78	0,8	0,95			10	1	
Модуль коэффициента лереда-! чи тока на высокой частоте при /=100 МГц	I ^г1в 1	3			Б				10
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ343А, КТ343В КТ343Б при Гс = -Е85°С: КТ343А, КТ343В K.T343D при Тс~—40° С: КТ343А, КТ343В	? КТ343Б	Л21Э	30 50 30 50 15 25	55 05	70 90	0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3				10 10 10 10 10 10
Время рассасывания, нс> КТ343А, КТ343В КТ343Б	^рас			10 20			10 10	1 1 J	
Емкость коллекторного перехода при f~l0 МГц, пФ	Ск			6	5				
Емкость эмнттерного перехода при f ~ 10 МГц, пФ	Сэ			8		0			
143
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-;кающей среды Го=—40 .,4-85° С.
— постоянный ток коллектора, мА ..................50	*
/к, и mai — ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора (/и^10 мкс; Q> >500), мА ..................-	150
^эб max —постоянное напря-
жение эмиттер — база, В . .	4
^кэдтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Rs < Ю кОм, /кэ 100 мкА), В:
КТ343А, КТ343Б . . . * 1?
КТ343В......................9
Р^тах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт...................150
Тп max — температура перехода,
°C........................150
Rr, л-с—тепловое сопротивление переход — окружающая среда, °С/мВт................0,5
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—40 ..+85
1 В диапазоне температур —4O.j,4-75°C. Прн TG > 75° С Рк _ (мВт] =* « (150 - Тс)/Ят. д_0.
К7М38-Д1ъ*0,2нА тЗб-^^ЗнА
144
КТ348А, КТ348Б, КТ348В
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные ft—р—п транзисторы предназначены для использования в устройствах дискретного счета с общей герметизацией и микроклиматом
Оформление бескорпуспое (рис. П1.14). Масса транзистора не более 0,01 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр:
Наименование	Обозна чек не	Значении		Режимы измерения					
		| минимальное	макси-'мальное	а ’^Л	я <Т) =1	"я		Е Л ---	г МГн |
Обратный ток котлекто-ра, мкА - при Тс =+73’С	7КБО	0,01 0,02	1 10	5 5					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		10		3.5				
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?Б +С ^3 кОм), мкА	ZK3R		3	5					
Напряжение	насыще- ния коллектор — эмиттер, В КТ348А КТ348Б КТ348В	^КЭ нас		0,3 0,3 0,3			10 10 10	1,7 1.0 0,7		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В: КТ348А КТ348Б КТ348В	^БЭ нас		0,85 0,85 0.85			10 10 10	1 0,6 0,4		
Прямое	напряжение эмиттер — база, В	^ЭБ	0,5		2,5				0,05	
Прямой ток базы (/?Б ^600 Ом), мкА	' Б	130	460		0,8				
Модуль коэффициента передачи тока на высокой час юте	1 ^31э 1	5		I		3			20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ348А	Ч1Э	25	75	1				1	
Н5
Наименование •	Обозначение	Значения		. _ - — — Режимы измерения					
		минимальное	МНКСИ-мальйое	£ Сз	ей	мА	2	/э, мА	f. МГц
КТ348Б	-- ' КТ348В при Гс =+70° С: КТ348А КТ348В КТ348В при Гс=—60° С: КТ348А КТ348Б КТ348В		35 80 25 35 80 9 15 25	120 250 о О ш еч 2 О) СО 75 120 250	1 I 1 I 1 ¥ I 1 I				1 1 ) 1 I 1 1 1	
Время	рассасывания, нс	^рас		130	II гч w1l 00 "	|		3	zfil = г=1		
Емкость	эмиттерного перехода, пФ	сэ		22		1				5...10
Емкость коллекторного перехода, пФ 				/		Ск		II	1					5... Ю
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру* жающей среды Тс=—ВО...+70° С.
/к шах — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛек-тора, мА . ....................13
/к, и max — импульсный ТОК нОЛ-лектора (/и^10 мкс, ^10,	100 нс), мА . , 45
^ЭБ max ~ постоянное напря-
жение эмиттер — бага, В . .3,5 УКБ max —постоянное напря-
жение коллектор — база, В ,	5
^КЭдтах —постоянное напря-
жение коллектор — эмиттер
(ЯБ ^з кОм), в...........5
^Ктах — постоянная рассеиваемая мощность коллекто-
ра (Гс =—6О...+4О°С), мВт , 15
Рл max — импульсная рассеп-ваемая мощность транзистора (/И^Ю мкс, Q^IO, /□а р iglOO нс), мВт .... 100
Гл шах — температура перехода.
/?т,п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт	4
Допустимая температура окружающей среды, °C , .—60...+70
г При увеличении температуры
РК max ЕмВт] = (Гдтах — Гс)/Й», д-о
окружающей среды выше 40° С
148
ZU

11 |'l Hlillli'ITiTTyi; ИЛИ I ITHi] TTT	KT349A, КТ349Б, KT349B
за 21	22	23
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р.-транзисто-ры предназначены для усиления и генерирования электрических колебаний
Корпус металлически (рис. П1.11) (масса транзистора 0,5 г) и пластмассо* вый (рис. П1.26) (масса транзистора не более 0,3 г).
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр: Л21Э.
Наименование	Обозначение	Значение		Режимы измерения					
		£	О с О Sfl SI О J3 сз а л s S	£ О	Я ‘6Л	г *	3	1 (Т>	|. MFa |
Обратный ток коллектора, мкА при Тс™ + 85йС	1ква	0,001 0,001	1 6	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	эъа		1		4				
Обратный ток коллектор — эмиттер (/? |.	10 кОм)	'на R	/	1,’’	15					
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер	V К 9 иаи		0,3			10	1		
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	Бо нас		1 ,2			Ю	1		
Модуль 1(₽эффициевта передачи тока на высокой частоте	JA !ff|	3		5				10	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ? КТ349А КТ349Б КТ349В		20 40 120	80 160 300	1 1 1				10 10 10	
Емкость эмиттерното перехода, нФ	св		8		1)				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cfi		6	5					!0
Гарантируются при температуре окру4
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды Гс=— 40... 4-85° С.
<К, иглах —импульсный ТОК коллектора (t*< 10 мкс, Qja i^fO), мА..................40
^йВшах —постоянное напряжение эмиттер — база, В ,	4
^КБщах —постоянное напря-жение коллектор — база, В , 20 шах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(/? |	10 кОм), В ( . * » 15
148
тат ~ постоянная рассей-	£»♦ «-а — тепловое сопротивление
ваемая мощность коллекто-	пеРв£$А “ 0КРУя'ающая с₽е’
ра (Тс-—40...4 30е С), мВт . 200	да' С/мВт.................0,6
Гит»?—температура перехода,	Допустимая температура окру»
С...................  .	* 150	жающей среды, 8 С 40..,+85
Х) При условии непревышеиий
' При То > 30,JC РКшах EmBtJ - (ito - Т^' д_0.
кгз+зя-д г6-(з,?мд т95~Д1^0,05мА
ШчЭ8-Д16'1},ВгмА
КТ350А
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-транзисто-ры предназначены дли работы в схемах переключения, импульсных быстродействующих схемах, а также в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты.
Три варианта корпусов: металлический, герметичный, с гибкими' выводами (I), см, рис. ni.lt; пластмассовые (2,3} с гибкими выводами, см, рис. П1.26 и П1.27. Масса транзистора не более 0,5 г 0,2 г (2); 0,3 г (3),
Условия экспиуатапви — в соответствии с табл. П2.2,
149
Электрические параметры
Наименование	Обозначение	Злачекия		Режимы измерения					
		МИНИ* л*альн<х	макси- Л^ЛЬВОР	3 *М/7	я ’ел	мА	/Б. МА	— । Jg» “А	. (АГи
Обратный ток коллектора, мкА при То = + 85₽ С	'КБО	0,00! 0,05	1 15	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	*ЭБО		10	4					
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В ((в^14 мкс; 0^5 100)	//!/ и КЭ вас		1,0			500	50		
Напряжение насыщения база — эмиттер (/и ^14 мкс, Q 5:100). В	^БЭ нас		1,25			500	50		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^210 1	1		5				10	20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Гее=-Ь85еС при Те=— 40° С		20 о^х *21Э(2Бе' О,5Х ^21Э(25“С)	200 2,ОХ ^213(25"C)	I 1 1				500 500 □00	
Емкость эмиттерного перехода, пФ	св		100		I				10
Емкость коллекторного перехода, пФ			Л)	г					to
' Для ЗВМ хЭлектроиика-70» транзистора КТЗБОА пост а ал я тая с парапетом ^КЭнас <0-5 Ч с дополнительной марки по в на ft л виде цветной точки на корпусе тоавзне-тора
150
Максимально допустимые параметры, жающей среды Гс =—40,..+85°С.
Гарантируются при температуре окру*
j о	_
/к. И max —импульсный ТОК КОЛ-
лектора (iB^l мс), мА , . 600
max	~ постоянное	напря-
жение эмиттер — база, В . , 4
^КВтач	—постоянное	напря-
жение коллектор — база, В . 2Q
тач	~ постоянное	напряжение коллектор —	эмиттер
(#i ^10 кОм), В , . . , 15
^Ктах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гс=—4О...+ЗО°С), мВт . . 200 Ти шах —-‘температура перехода,
’С........................150
/?т.п-о—тепловое сопротивление переход — окружающая среда, • С/мВт:
для корпусов I и 2 , . * . 0,6 для корпуса 3.............0,4
Допустимая температура окру-
жающей среды, *С .—40...+85
"Р“
При 7С > 30 G значение мощности рассчитывается по формуле. ^Кдоах — (150 — Та)/0,6 для корпусов 1 и 2;	max 1мВЛ “
“ (150 — Та)/0,4 для корпуса 5»
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-транзисторы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в схемах переключения, а также для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Три варианта корпусов; металлический, герметичный, с гибкими выводами (/), см. рис. ГИД 1; пластмассовые (2,3) см. рис. Ш.26, П1.27. Масса транзистора не более 0,5 г (1); 0,2 г (2); 0,3 г (3).
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр;
151
Наименование	СбОЗАЭ* чеяие	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	оа •< 3	ДЭ Т)	'К* мА	V" ’9;	я Л	я ь»
Обратный	ток коллектора, мкА при Тс = +85° С	^КБО	0,001 0,05	1 ‘ 15	10 10					
Обратный	ток эмиттера, мкА	^ЭБО		10		4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер (/и^н мкс, Q> >100), В: КТ351А КТ351Б	^КЭ нас		0,6 0,9			400 400	50 10		
Напряжение на сыщения база — эмиттер ^14 мкс, Q> >100), В: КТ351А КТ351Б	^БЭ на.		1,2 1,1			400 400	40 10		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1^213 1	2		5				10	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ351А КТ351Б При Т г = = +85° С: КТ351А, КТ351Б При Го = =—40° С: КТ351А. КТ351Б		20 60 ^(Э(26°С) 0*4ЛЭ1Э(25°С)	80 200 ^21S(26eC)	1 1 1 1				300 300 300 300	
Емкость эмиттер-ного перехода, пФ			3U		1				10
Емкость коллекторного перехода, пФ		-	20	Б					10
’> Для ЭВМ. «Электроняка-701 гранаястеры КТ351Б поставляются параметром
<.15 пФ с дополнительной млр<вп о иной г виде цветвей точки па «onnyij траваиотора
152
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды	—40...4-85° С.
/к, • шах — ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ*
лектора (/*<4 мс), мА . . 400
^эб max ~ постоянное напряжение эмиттер — база, В . . 4
^КБ шах ~ постоянное	напря-
жение коллектор — база, В . 20
^КЭ/?ша> —постоянное	напря-
жение коллектор — эмиттер (/?ь ^10 кОм), В ... - 15
Р постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(ТС“— 4О.,.+ЗО°С), мВт
для корпусов I и 2 , ,« 200
Для корпуса 3...............300
Тл mas — температура перехода °C.............................150
Кт,в-о —тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт
для корпусов / и 2 , , , .0,6
для корпуса 3...............0,4
Допустимая температура окружающей среды, °C 40...+85
1 Пр£ те > 30° С значение мощности рассчитывается по формуле:
рКтэх^мВт1'=(15О“‘1 * 3^УО*° для корпусов / и 2; [мВт]= (150~Tcj/0,4
для корпуса 3,
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п —р-транзието-₽ы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в схе-153
мах переключения, а также в схемах усиления и генерирования колебаний вы* СОКОЙ ЧЗСТО1Ы.
Три варианта корпусов: металлический, герметичный, с гибкими выводами (/), см. рис, П1.Н; пластмассовые (2,3), см. рис. ГН.26, П1.27. Масса транзистора не более 0,5 г (1); 0,2 г (2); 0,3 г (3).
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр: Л21Э.
На именование	Обозна- чение	Значений		Режима намерения					
		минимальное	максима льное			1 X	/б- мА	1 Л	>. МРи
Обратный	ток коллектора, мкА при Гс«= = +85’С	^КБО	0,001 0,01	1 10	10 10					
Обратный	ток эмиттера, мкА	^ЭБО		10		4				
Напряжение насыщения	коллек- тор — эмиттер, В: КТ352А КТ352Б	нас		0,6 . 0,6			200 200	20		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В; КТ352А КТ352Б	^БЭ нас		1,1 1,1			200 200	20 3		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1&31Э /	2		5				10	106
Статический коэффициент передачи тока а схеме с ОЭ (1в^2 ме, f" *==50 Гц); КТ352А КТ352Б При Тсяа = 4- 85° С при То**=> —40° С		 26 70 ^'^1Э(25*С) °>^21Э(26*С)	120 300 ^21Э(25°С}	1 1 1 1				200 200 200 200	
Время рассасывания, нс КТ352Б	^ас		150			100	10		
154
Наименование	Обозначен не	Значении		Режимы намерения					
		минимальное	макси* маль^ёе	со й 55	я *ел '	< я	1 сЬ	। 1$, мА	। 1.
Емкость	эмнт- терного перехо- да, пФ	С9		30		1				10
Емкость коллекторного перехода, пФ 		Сн		15	5					10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру* жающей среды Тс«= — 40.-,+85°С.
/1) л ,К, и тих — импульсный ТОК
коллектора (fe<l мс), мА , 200 пьо — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В . ,	4
так ~~ постоянное напря-
жение коллектор — база, 0 . 20 ^картах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Яь <10 кОм), В . . . . 15 в2) Ч пи1 — постоянная рассеиваемая мощность коллекто*'
ра (Ге—40...+30’С), мВт
для корупсов I в 2 , . , . 200
для корпуса 3..............300
Tn max — температура перехода, °C.............................150
/?,. я-« — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт
для корпусов Z а 2 , s . » 0,6
для корпуса 3	0,4
Допустимая температура окружающей среды, °C , .-—40...4-85
155
КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзнсто* ры предназначены для работы в схемах усиления н генерирования колебаний высокой частоты и в быстродействующих импульсных схемах
Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.28). Масса транзистора не более 0,2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: СКВтЯ7..
Наименованме	Обозначение	3h34lHH5=		Р'-жкмо изме ения				
		мини- мальное	О & 5 9] ОЗ ? 5	£	в	< ж	мА	пда ' 1
Обратный ток коллектора, мкА: КТ357А, КТ357В КТ357Б, КТ357Г	ZKbD	1 1	5	6 20				
при Tc=+85°Cl КТ357А. КТ357В КТ357Б, КТ357Г		3 3	40 40	6 20		-		
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		5		3,5			
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ на?		0,3			10	1	
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		1			10	1	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча стоте	1 ^218 1	3		5		10		100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ357А, КТ357В КТ357Б, КТ357Г	А лэ	20 60	100 .300	0,5 0,5		10 10		
при То = +85° Cj								
КТ357А, КТ357В КТ357Б, КТ357Г	I	20 60	250 750	0,5 0,5		10 10		
156
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения				
		МИНН-	। мальное	макси* мальное	cq Si	я *€/7	<: £ —	1g. мА	f. МГц. j
при Го=—40° Cj КТ357А, КТ357В КТ357Б, КТ357Г		8 20	100 300	0,5 0,5		10 10	—	
Время рассасывания, нс; КТ357А, КТ357В КТ357Б, КТ357Г	^рас		150 250			10 10	— 1 мА ^Б1 =7g2 ”в •т) мА	
Емкость эмиттерного перехода, пФ			10		0			5
Емкость коллекторного перехода, пФ			7	5				5
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го=—4О...+85°Сг
^К?тах —ПОСТОЯННЫЙ ТОК коллектора, мА..............40
/1 ) »
'К. птах —ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора, мА.................80
Uэъ wdK —постоянное напряжение эмиттер — база, В . 3,5
КБ max — постоянное напряжение коллектор — база, В: КТ357Л. КТ357В ..... 6
КТ357Б, КТ357Г...........20
^КЭтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В:
КТ357А, КТ357В . . . / . 6
КТ357Б, КТ357Г / .... 20
max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .................100
Рв max — импульсная рассеиваемая мощность транзистора
1 мкс), мВт...........200
Тя шаг — температура перевода, °C..........................120
ц_в — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт '............0,7
Допустимая температура окружающей среды, °C,, —40 „+85
ПР* < %яг
а) При Тс = — J0. . +50° Ci При Рк шах (мВт) ~ 50 + (85 - Тс)/0,7.
повышении
хемпературы до 85° С
157
”— КТ357А~2П6~0,?*А. ------HT3578-
----Х73575-А1й^05мА*>
-----НТ357Г Л1^0,05пА
								-
								"
								
								
				КГ3575,ЯГ		357		
		—" -						
								
							п	
			^ба8,58					
						Г НТ357А,Н7357&		
						'"*** ^		
				—1					
О 5 W и 10	&	30	35 W 1ц,мА
158
КТ358А КТ358Б, КТ358В
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—я транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты и в быстродействующих импульсных схемах
Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис, П1.28). Масса транзистора не более 0,2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 4.
Электрические параметры. Классификационные параметры; Центах’ ^219, Л 31 э|.
Наименовавне	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		л Я Л 3 3	максимальное	£	Л А	/к* мА	1 А	3 А	/» Мрц
Обратный ток коллектора, мкА: КТ358А, КТ358В КТ358Б при 7,с“+85°С; КТ358А, КТ358В КТ358Б			10 10 30 30	15 30 15 30					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		10		4				
Г раничное	напряжение транзистора, В: КТ358А, КТ358В КТ358Б		15 30						7,5 7,5	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	яа<-		0,8			20	2		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		1J			20	2		__
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (Q^IOO); КТ358А КТ358Б КТ358В при Гс = 4-85°С1 КТ358А КТ358Б _ КТ358В	^21Э	10 25 50 10 25 50	100 100 280 200 200 560	5,5 5,5 5,5 5,5 5,5 5.5				20 20 20 20 20 20	0 001 0 001 0 001 0 001 0 001 0,001
159
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	ик> В	а <6п	< а £	< 3	< я	>. МГц
при Гс=—40°С: КТ358А КТ358Б КТ358В		8 15 25	100 100 280	5.5 5,5 5,5				20 20 20	0.001 0,001 0,001
Модуль коэффициента передачи тека на высокой частоте: КТ358А КТ358Б, КТ358В	1 ^Й1Э 1	4 6		10 10				5 5	20 20
Постоянная времени цепи обратной связи н<1 высокой частоте, пс	гй		500	10				5	2
Емкость коллекторного перехода, пФ	СБ		5 * *	10					2
Е и кость	эм итте р ио го перехода, пФ	сэ		20		1				2
Максимально допустимые параметры. Гарантируются ври температуре окружающей среды 7'0=-— '10...+85°С.
/I)
‘Kniax —ПОСТОЯННЫЙ ЮК КОЛ-лектора, мА...............30
байтах —импульсный ТОК коллектора, мА.............60
^ЭБтзх —постоянное напряжение эмиттер-—база, В . 4
^Картах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер («Б <100 Ом), В;
КТ358А, КТ358В ,	, 15
КТ358Б...................80
^КБ max — постоянное напряжение коллектор — база, В: КТ358А, КТ358В . , . . 15
11 ПР»
* "Р“	< ₽Ктах- '
81 При Тс~ - 40. +50°С; При
РКтах ГмВт] -50-1- (85 - Гс>/Дт п.
160
КТ358Б....................30
РК max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт....................100
Р* таг —импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/и=С1 мкс), мВт..........200
Tn max — температура перехода, °C........................120
/?т, п-о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт...............0,7
Допустимая температура окружающей среды, вС . .—40 ..+ 85
повышении телшерагуры от 50 до 85' G -о*
КТ359А, КТ359Б, КТ359В
Общие сведений. Кремниевые планарные п~р—« транзисторы предназначены для применения в линейных гибридных интегральных микросхемах с обшей гермет изацией.
Оформление бескорпусное с балочными выводами (рис. П1.14). Масса гран* аистора не более 10 мг.
Условия эксплуатации’ в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр? ftjig
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режима измерения					
		минимальное	максимальное	си ж	и СП	с X	я й		S
Обратный ток коллектора, мкА	ZKBO	0,05	0,5	15					
Обратный ток эмиттера, мкА	...		1.0		'3,5				
Напряжение насыщения коллектор — эмигтер, В	^кэ нас	0,23	0,7			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 [	3		2				5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭз КТ359А КТ359Б КТ359В	Л21Э	30 50 70	90 150 280	1 1 I				10 10 10	
Коэффициент шума, дБ	Ащ	2,5	6	2,0	*			1,0.	20
Емкость эмиттерного перехода, пФ	^8		6		0,1				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		5	5					10
Постоянная времени цепи об-paiной связи на высокой частоте, пс		70	100 .	2		2			30
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс — —-50,..-j-S5° С.
У к тех—постоянный гок коллектора, мА....................20
Г ^эвшах —постоянное напря-
6 Зак. 503-
женне эмиттер — база, 8 , 3,5
^кь max — постоянное напряжение коллектор — база, В , 15
161
£/К1?яп,ЭУ -постожюе напряжение коллектор — эмиттер
(R* <3 кОм), В...............15
P^tnax — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ........................15
Тп «пах —температура перехода, ’ С........................'ЮО
Rt, tr-c — тепловое сопротивление переход — окружающая среда 0 С/мВт ,	. . 3
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C . .—50..4-85
1 При Тс =* — 50,.. Ч- 55° С.
= (100 — Тс) /Кт, п-С‘
При Уо > 4-о5и С max (mBtJ —
162
17	18	19
КТЭ61А KT36IB, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д КТ361Е, КТ361 Ж, КТ361 и, KT36JK
Общие сведения. Кремниевые планарноопитаксиальные р— п— /2-транзисторы предназначены для работы в вычислительных и других быстродействующих импульсных схемах, а также для усиления и генерирования колебаний высокой частоты Мшут,работать в паре с транзисторами КТ315А—КТ315И.
Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис. ГП.22), Масса транзистора не более 0,3 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры} Л21Э1 ^КБпгазх, ^К.3 max
Haaveaoe щие	Обсвна* ченне	Зн 1чеяи/			Режимы измерении					
		мини' мальвое	$ g t3 я	максимальное	я ‘*п	ffl ff)	ж	a Ф	3	и £
Обратный ток коллектора, мкА при То = + 100°С при Гс=— 60° С	^КБО	0г002 0,1 0 0001	0,5 3 0,005 	I-г,,	1 25 1	10 10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО	0,001	0,1	30		5				
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?ь =10 кОм), мкА				I	^КЭ К max					/
Граничное напряжение транзистора, В; КТ361А, KT36IB КТ361В КТ361Д КТ361Г, КТ361Е	^’КЭОгр			15 30 25					5 5 5	
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В' КТ361А-КТ361Г ктзб1д-ктзб1ж. КТ361И, КТ361К	нас	0,14 0,15	0,2 0,45	0,4 I	t		20 20	2 2		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ вас	0,8	0.85	1			20	2		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	^110			40	10		1			IO—3
0»
163
			Значения			Pc ;<hn а		иамьр> нил		
Н ты' новации	Обоана-чении	миаи-* мальаое	1 Ё		я £f о	Я 'еп		НО “*ч	Zq» «А	г, МГц ।
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала при к, х., См				4.10-’	10	-	1			I0-S
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1^г1а 1	2,6	6	8	- 10				5	100
Ст а ти че ск и к коэффи -пирит передачи тока в схеме с ОЭ: КТ361А, КТ361Д КТ361Б,	КТ361Г, КТ361Е KT36I/K. КТ361К KT36IB КТ361И при Tt ~ +100° С-КТ361А, КТ361Д КТ361Б,	КТ361Г, КТ361Е KT36IB КТ361Ж, КТ361К КТ361И при Тс — —60° С: КТ361А, КТ361Д КТЗШБ, ктзеи, КТ361Е КТ363В ктзб1ж, ктзык КТ361И		20 50 40 250 20 50 20 50 250 10 15 10 25 100	S0 110 50	90 збо 160 250 500 300 700 90 360 160 350	10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 0 10 10 10				1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1	
Емкость коллекторного перехода, пФ; КТ361А,	КТ361Б, КТЗЫЖ, КТ361И КТ361В-КТ361Е, К1361К	Св			9 7	10 10					10 10
Постоянная времейи цепи обратной связи на высокой частоте, пс< КТ361А,	КТ361Б, КТ361Г, KT36IK КТ361В,	KI361E, ктзб1Ж, ктзбш КТ361Д	«к	80 100 80	120 150 120'	500 1000 250	10 К) 10				5 5 5	5 5 5
164
i
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды То = —60...+ 100° С.
Гарантируются при температуре окру*
/к <» ат — постоянный ток ко л лек тора, мА................50
^ЭБт.л —постоянное	напря
жение эмиттер — база, В .	4
^KGtna —постоянное	напря-
жение коллектор — база, В
при Тс =—60...+35’ С;
КТ361А.....................25
КТ361Б ..............  .	20
КТ361В,	КТ361Д	.	,	.	.	,	40
КТ361Г,	KT36IE	.....	35
КТ361Ж................10
КТ361И	........	15
KT36IK................so
при 70 = + 100э С1
КТ361А	.	.......20
КТ361Б	 ............15
KT36IB,	КТ361Д.......35
КТ361Г,	КТ361Е.......30
КТ361Ж	.............8
КТ361И	 ............12
КТ361К................50
U кэ max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В
при Го=—60...+35’ Ci
КТ361А.....................25
КТ361Б 		. . 20
КТ361В, ктзб1Д . . .	. . 40
КТ361Г, КТ361Е . , .	. . 35
ктзб1ж ......	. . to
КТ361И .		, . 15
ктзб1к		. , 60
при То « + 100° С}
KT36IA		, 20
КТ361Б		. 15
KT36IB, КТ361Д ....	. 35
КТ361Г, КТ361Е ....	. 30
кгзб!Ж			. 8
КТ361И .......	. 12
КТ361К .......	. 50
. —постоянная рассеи-
ваемая мощность коллектора, мВт:
при Го=—6О.„+35°С , . 150
при Та = 4-100* С .... 30
Гитах — температура перехода, °C..........................120
Ят.и-в—тепловое сопротивление переход — окружающая среда. * С/мВт................0,67
Допустимая температура окружающей среды. °C .—60.,.+100
----KIWC, т!Е-М5=М5мА;КТ361в, I
КТ381Д-Мъ=0'1нА;---WSM-AlfWSMA*,
------
165
КТ364А, КТ364Б, КТ364В
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—p-транзисторы предназначены для работы в неремонтируемых гибридных импульсных схемах, узлах н блоках.
Оформление бескорпусное (рис. П129). Масса транзистора не более о1ОО6 г»
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры) Л21Э, граа.
166
		|Ч< ЙЬ				Режимы		нам ₽нни		
Наименование	Обозна- чение	WifJi* мальное	8 8 1	.8 £ ч п	1 <] Уг<	Л	/jq мА	/в. мА	СП	МГц |
Обратный	ток коллектора, мкА при Гс“ «=+85° С	'кьо	0,001 0,01	0,007 0 1	I 10	25 25					
Обратный	ток эмиттера, мкА при 7\==» - +85° С	^эво	0,001 0,iKb	0,002 0 01	I 10		5 5				
Напряжение насыщения	коллек- тор — эмиттер, В	нав	0,12	0.155	0,3			100	10		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^ВЭ иас	0,92	0,95	1,1			100	10		
Модуль коэффициента передачи уока на высокой частоте	1 ^218|	2 5			2				10	100
Статический коэф фицнент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ364А КТ364Б КТЗЬ4В при ?,. = = +85° С КТ364Д КТ364Б КТ364В при 7 G = 		40° Ci КТ364А КТ364Б КТ364В	Й21Э	20 40 80 20 40 80 0,3^219 при 25°С 0,3^215 при 25°С 0,3ft2 при 25°С	80	70 120 240 о О 2 $ 70 120 240	1 1 I 1 1 1 1 1 I		100 100 100 100 100 100 100 100 100			
iW
		Значения				Режимы		измерения		
На именован гн	Обонни чегнр	мини мальнее	£ 1	8 £ К 51			1 Jr	/Б, мА	*	*8W ' 1
Время рассасыва-иия, нс: КТ364А КТ364Б КТ364В				150 180 2Ю			100 100 100	- s s 2 7* и 1 а 1 в 1 % Ей (О SO SQ с£ Z *** *** ***’ - в	L_J>			
Емкость	эмит- терного	перехо- да, пФ				30		0				5
Емкость коллек торного перехо- да пФ	Сц			15	5					5
Постоянная вре мени цепи обратной связи на высокой частоте пс	Тн			500	2		5			5
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды Та = —40 ..+85° С
Гарантируются при температуре окру-
7к max — постоянный ток коллек тора, мА ,	.	200
/к,«max— импульсный ТОК КОЛ лектора, Кж^Ю мкс, >10), мА	.	400
^эб max ~~ постоянное напряжение эмиттер — база, В 5
^кь max —постоянное напряжение коллектор — база, В . 25
max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Яг ^10 кОм), В , . , , 20
mix —постоянная рассей* ваемая мощность коллектора мВ г ,,,,,,,, эо
То шах —температура перехода, °C......................... 125
Ят, п-е — тепловое сопротивление переход — окружающая среда ’С/мВт....................зз
Допустимая температура окружающей среды, СС . ,—40,,.+85
168
) При применении транзистора без теплоотвода и при температуре окружающей среды более 25°C
шах [мВт]=(Тп max—в-о-
169
КТ369А,	КТ359Б,	КТ369В.	КТ369Г,
КТ369А-1. КТ369Б-1, КТ369В4, КТ369Г-1
Общие сведения. Импульсные кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—п* транзисторы предназначены для работы в гибридно-пленочных схемах, микро-модулях, узлах и блоках специальной аппаратуры, имеющей герметичные корпуса или иную защиту от действия внешней среды’
Оформление бескориусное (рис. П1.30 и П1.31). Масса транзистора не более 0,02 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры^ ^219 ^КЭ нав, ЛчБО	п.ах ^КЭДтих-
		Значения		Режимы нзмеревия				
Наименование	Обоана- чекие-	и	макси-	! Мйльвое	3	С7Э, Н	*ж £		1, MFu ]
Обратный ток коллектора, мкА при 7С = •—6O..+250 С: КТ369А, КТ369А-1,	КТ369Б, КТ369Б-] КТ369В,	KT369B-I,	КТ369/, КТ369Г-1 при 'Л: = +85ЭС: КТ369А, КТ369А-1,	КТ369Б, КТ369Б-] КТ369В,	КТ369В 1,	КТ369Г, КТ369Г-1	ZK6O	9,015 0,0015 0,1 0,1	7 10 100 100	45 65 45 65				
Обратный ток эмиттера, мкА	fSBO		10		4			
Напряжение насыщения коллек тор — эмиттер, р: КТ369А,	КТ369Б,	КТ369А-1, КТ369Б-1 КТ369В, КТ369В-),	КТ369Г, КТ369Г-1	^КЭ нас		0,8 О', 5			200 200	20 20	
Напряженке насыщения база —-эмиттер, В ,	^33 нас		1,6			250	50	
Статический коэффициент передачи тока: КТ369А, KT369A-I КТ369Б, КТ369Б-1 КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, КТ369Г-1 при Гс«+85ОС: KT3G9A, КТ369А-1 КТ369Б, КТ369Б-1 КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, КТ369Г-1	Л21Э	20 40 20 40 10 20 10 20	100 200 100 200 200 400 200 400	2 2 3 3 2 2 3 3		150 150 Ю 10 150 150 Ю 10	-	

Наимеронанве	Обв<«&-	Значения		Режимы <имеэення				
		, миьи- : чтльное	||	i О	д л о	I&. мА	| *Ь* “А	| г. МГц
При ?с~—60° С: КТ369А, КТ369Л-1		8	150	2		150		
КТ369Б, КТ369Б-1		15	250	2		150		
К.Т369В, КТ369В 1		8	по			101 2		
КТ369Г, КТ369Г 1		15	220			10		
Время рассасывания, нс	*раС		100			150	15	
Емкость коллектора, пФ: КТ369Л,	КТ369А-1,	КТ369Б,	с»							
КТ369Б-1 КТ369В, KT369B-I,	КТ369Г,		5	16	ю				10
КТ369Ы		5	10	10				ю
Емкость эмиттера, пФ:	61							
КТ369А,	KT369A-I, КТ369Б, КТ369Б-1 КТ369В, КТ36ЭВЛ	К1369Г,		10	50		0			10
КТ369Г-1		10	40		0			10
Граничная частота коэффициента передачи тока з схеме с ОЭ, МГц	frp	200	275	10		30		100
Гарантируются при температуре окру-
Максимально допустимые параметры, жагошей среды Го=«— 6О.„3-85*С.
/к шах—постоянный ток коллектора, мА..................250
/к, » шах — импульсный ток коллектора (/в^Ю мкс,
>5), мА...................400
^KL тая —постоянное напряжение коллектор — база, В;
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, KT369B-J ..................45
КТ369В, КТ369В 1, КТ369Г, КТ369Г-1	...............65
Цсэкт»’ —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/? CI кОм), В:
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1	...........45
КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, •
КТ369Г-1	..............65
mas “ постоянное напряжение эмиттер — база, В , 4
^Ктзи —постоянная рассеиваемая мощность транзистора, Вт
при Гс=—6О.„4-25°С . , ,0,05 при Тс -- + 85° С .... 0,026 Р21
К п т?* —импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/я10 мкс, Q^5), Вт при Го =—60...+-25° С ... 1,6 при Го = + 85° С............0,8
Ти max — температура перехода,
°C ,  .....................150
Лт, п-е — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 3 С/мВт	2,5
п-к — тепловое сопротивление переход — корпус ’ С/Вт 80
Допустимая температура окружающей среды, ’С . .—60... +-85
11 В диапазоне Тси 25Ut85QG max ^м^т1 ™ (150 — а_с.
2' В дйапазоне температур 7\=25.t.8Er С	[Вт]=(150—Тк)//?т □
*' * И ТгЗЯ л
171
КТЗБЗА,	d 1Б=0,5мА; КТЗБ9Б,КГЗБ96-1-Л!р
°0,г5мА^Т36М,КГЗБ9в-1-а1ь’МмА' КТ363Г, КТ363Н'Л1^0,15иА
172
> И 11111 Н 1111111 [ h | T KT373A, КТ373Б, KT373B КТ373Г 17	- IB	19
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—п-траизисто-ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты в быстродействующих импульсных, а также в других схемах.
Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис. П128). Масса транзистора не более 0,2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 4
Электрические параметры. Классификационные параметры: *21э. ^кэ нас, ^aal	^Ь^лас' ^КЭО гр1 ^Ki max	ппа*
Наименование	ОбФвна	Зч^ ченИ5		Режима! измерения				
		МИНИ-малъное	максимальное	сГ	мА	Ж		я
Обратный гок коллекгора мк \ КТ373А, КТ373Г КТ373Б КТ373В при 7с=4'85°Сз КТ373А, КТ373Г КТ373Б КТ373В	'КБО	0,5»10~ G. 0,5-10-5 0,5-10-§ 5 5 5	),05 0 65 0,05 10 10 10	25 20 10 25 20 10				
Обратный ток эмиттера, мкА при Удь =5 В	'эБО		30					
173
..— 		 '		Значения		Режимы		измерения		
Наименование	ОбФйна- 4виие	мини яальнсх	максимальнее ,	С-		3 А	1 1^. мА 1	/, MFu ।
Обратный ток коллектор — эмиттер, мкА: КТ373А КТ373Б	'кэ к		30 30	30 25				
КТ373В КТ373Г			30 100	10 60				
Граничное напряжение транзистора, В: КТ373А, КТ373Г КТ373Б КТ373В	гр		25 20 10				5 5 R	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: КТ373А—КТ373В КТ373Г	наг	0,05 0,05	0,1 0,2		10 10	1 1		
Запряженне	насыще- ния база — эмиттер, В: 1 КТ373А—КТ373В КТ373Г	^БЭ вас	0,7 0,7	0,9 1,1		10 10	1 1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ373А, КТ373Г КТ373Б, КТ373В		2,5 3,0		10 10			5 5	103 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г при 7с = +85гС: КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г при 7~с == 40° Ct КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г	^213	10Q 200 500 50 100 200	. 500 50 25 50 125 12	250 600 1000 125 750 1800 3000 375 250 600 1000 125	5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5	1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1			
Емкость коллекторного перехода, пФ	ск		। 8	5				10
174
Наименованв"	1 ^бозначе* чие	<учения		Режимы измерения				
		минимальное	максимальное	Н ‘^/7	1 мА	< S ЬС	1 да	йГ S?
Постоянная времени непн обратной связи на высокой частоте, пс: КТ373А, КТ373Г	Тк		200	5	1			5
КТ373Б			300	5	1			5
КТ373В			700	5	1			5
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Те = —40... + 85г С.
hi max — постоянный ток* коллектора, мА..............,	. . 50
/к, Я max — импульсный ТОК КОЛ-лектора (^<50 мкс, £==500), мА ..............200
7К нао шах — постоянный ток коллектора в режиме насыщения, мА...................100
^ЭЬтах —постоянное напряжение эмиттер — база, В , ,	5
(7КЬ max — постоянное напряжение коллектор — база, В: КТ373А.....................30
КТ373Б.................25
КТ373В .	(	10
КТ373Г ........ 60
' .При Гс > +55° G Рк тах [мВт! =
,^КЭйтах —постоянное напряженке коллектор — эмиттер (7? в <10 кОм), В:
КТ373А...................30
КТ373Б...................25
- КТ373В ........ 10
КТ373Г ..................60
max постоянная рассеиваемая мощность коллектора
40...4-55° С), мВт . 150
У'п max — температура перехода, °C....................  150
/?т, п-с —тепловое сопротивление переход — окружающая среда, * С/мВт............0,6Г
Допустимая температура окружающей среды, “С	,—40...-}-85
(150 — Тс)/п-с-
КП7371-211б=0,0/мЛ;ХТ3735-21/6=ПР4я4;
КТМЗГ~Д1г0,ОМмА
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-транзнсто-ры предназначены для работы в импульсных и других схемах радиокхнических устройств, 176
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами (рис. ГП.32). Масса транаистора не более 0,25 г.
Условия эксплуатации— в соответствии с табл П2,4,
Электрические параметры. Классификационные параметры; ^-й1Э" та»-^КЭО гр ^Kw R так
Наим^чочание	Оболна- 4еяие	Значение			Режимы измерения				
		МИНИ-MdJjbUOt 	тдлсаде	макси- , MJ/tbuet	а £ !3	УК> мА	< я л		СТ с®
Обратный ток коллектора, мкА; КТ375А КТ375Б при То =-г85° С: КТ375А КТ375Б при Го = —45е Ci КТ375А КТ375Б	ZKBO	0,1 он 9,3 9,3 9,05 0,05	0,3 0,3 1,0 1,0 0,3 0,3	1 1 10 10 1 1	60 30 60 ‘30 60 30				
Граничное	напряжение транзистора, В; КТ375А КТ375Б	^кэа рр	60 30						5 5	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (при Q=10...100)i КТ375А КТ375Б при r0 = 4-850 Cs КТ375А КТ375Б при Тс=—45° Ct КТ375А КТ375Б	Й21Э	10 50 10 50 8 25	40 140	100 280 200 560 100 280	2 2 2 2 2 2			20 20 20 20 20 20	50 50 50 50 50 50
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^кэ нав	0,12	0,2	0,4		10	1		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас	0,72	0,8	1		ю	1		
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс				300	Ю			5	2‘10«
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^218 1	2,5			10			5	10»
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс 45,..+85° С.
/к шах — постоянный ток коллек-	^К, и max импульсный ток
тора, мА	. 100	коллектора мкс, мА , 200
177
~~ постоянное напряжение эмиттер - база, В . б max — постоянное напря жснис коллектор — база, В: КТ375А....................60
КТ375Б ..................30
^КЭй(тах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Яь <2 100 Ом), В:
КТ375А	.  ..............СО
КТ375Б	.................30
Р^гоах —постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора, мВт	............200
—импульсная рассеиваемая мощность коллектора мкс), мВт .... 400
Тп max —температура перехода, °C ......................+125
fit.E-c — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт ..............0,5
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C . .—45...+85
« При То=* - 45.+ 25° С. При Гс = 25° С,,.85° С ₽к гаах [кВт] « = (125 —	п-с
2) При этом средняя мощность за период не должна превышать Р& гоах.

178
К.Т379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные га—р— п-траязисто-ры предназначены для использования в перемонтируемых гибридных импульсных я других ехемах, инкромодулях.
Оформление бескорпуспое, со столбиковыми выводами (рис, 111.14). Масса транзистора не более 10 mi.
Условия эксплуатации— в соотв^егзиа с табл. П2.3.	4
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^21Э I I ^КЭОгр ^КЭД нас ^?Бнас< К та^-
		тначеиия			Режимы измерения				
Нанменозени	Обозна*	минимальное	типовое	» о А S3 и Л е; пз S ?	ц»	m	5	а й 1 "	*а TJ
Обратный ток коллектора, мкА: КТ379А, КТ379Г КТ379Б КТ379В при Тс = +85° С: КТ379А, КТ379Г КТ379Б КТ379В при 7’с = —45° С: КТ379А, КТ379Г КТ379Б КТ379В	'кьо	о о о Jl U1 Oi 7®® 1	1		CO CO <j	** JJ, w co ы	о о о “tototo	777	5е?? ш	**	w* пас	ООО	000 —1 ° •=	III	III II*	ЬЭ*ОС0	1^ рь co w w	0,5 0,5 0,5 1 1 1 0,05 0,05 0,05	25 20 10 25 20 10 25 20 10				
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО	i		30		5			
Обратный ток коллектор—эмиттер (/? Б 10 кОм), мкА КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г	'кэд			30 30 30 100	30 25 10 60				
Граничное напряжение транзистора, В; КТ379А, КТ379Г КТ379Б КТ379В	^КЭО гр			25 20 10					f
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В: КТ379А—КТ379В КТ379Г	^КЭ нас			0.1 0,2			10 10	1 1	
Напряжение насыщения база—эмиттер, В. КТ379А—КТ379В КТ379Г	^БЭ нас			0,9 1,1			10: 10	1 1	
17»
						Значения			Режимы измерения				
HaMMt hoi aunt	Оооана-	МИНЯ* маЛьвое	гиподое	максимальней		J ‘еп	'к 1	ж	ж
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при f=100 МГц КТ379А, КТ379Г КТ379Б, КТ379В	1 1	3,5 3			2 2				5 5
Статический коэффициент передач» тока в схеме с ОЭ; КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г при Тс = + 85° С: КТ379А КТ379Б КТ379В KT379R при Гст=*— 45° С: КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г	a2lb	100 200 40Р 50 1Q0 200 400 50 25 50 100 13	Щ	250 500 1000 12з 750 1500 3000 375 250 500 *1000 125	1Л ifilO Lp	tj 1Г> 1П 1Л 'Д LCinin				1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 - 1
Емкост^ коллекторного перехода при /= = 10 МГц, пФ	Си			8	5				
Максимально допустимые параметры. Гарантирхюкя при jeMnepaiyne окру-жаюшей среды 7’с=—45., ч 85° С,
^Кпш—постоянный ток коллектора, мА .................30
/к, и mai — импульсный ток коллектора (fa^100 мкс, >5), мА . .	100
^ЭБ шах — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В .	5 -
шах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (К б кОм), В’.
КТ379А...................30
КТ379Б....................25
КТ37^В....................10
КТ379Г...................,60
^Кгнах — постоянная рассеивав" мая мощность коллектора, мВт
при Ге = 25° С..............25
при Гс = 85°С	Ю
„2) итак — импульсная рассеи-
ваемая MOUIHOCJb 1рсШЗИСТО» '
ра (/я^Ю0 мкс, Q>5), мВт ....................  ,	75
Готах — температура перехода.
°C.................,	100
180
Rг, д-е *— тепловое сопротивление	Допустимая температура окру-
переход — окружающая сре-	жающей среды, ’С 43...+85
да, * С/мВт................3
11 В интервале температур 2Бш85°С мощность уменьшается линейно, При монтаже в микросхем? РКтах определяется по формуле РКтах [мВт]==(Гп тах — — ^нУ(0»?+ Ят, kd-k)' ГД® Т'к — температура корпуса микросхемы, RTr йр_и— тепловое сопротивление участка поверхность кристалла — корпус микросхемы
21 Усредненное значение импульсной мощности о учетом мощности, рассеиваемой ня фронтах.
KTS1SA-Л1&^0,006мА КТ379Б-Д1а=О,003мА
Ш79В ~Д1В«0, №2 к А КТЗ 79Г-Д16 *8,808 М А
181
КТ380А, КТ380Б, КТ380В
Общие сведений Кремниевые эмитаксиально-планарЕше р—п—р-трэнзисто-ры предназначены для использования в различного рода импульсных не ремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках
Оформление бескорпусное со столбиковыми выводами (рис. П1.14). Масса транзистора не более 10 мг.
Условия эксплуатации —в соответствии с табл, П2 3.
Электрические параметры. Классификационные параметры? ^219, ^ес,
R гв .х
			Значения			Режимь.		и5мсревис		
Н'-‘пченГ1Взчг£	Обоза с ченп	s s SI £ X Ч	8 6 в X	максимальное	& а			"э	— /д, мА	3
Обратный ток коллек* тора, мкА: КТ380А, КТ380Б КТ380В при	+85° С: КТ380А, КТ380Б КТ380В при Го=—45е С: КТ380А, КТ380Б КТ380В	'КБО	0,004 0 004 0,2 0,2 0,001 0 001	0,01 0 01 8,0 8,0 0 002 0 002	1 1 10 10 ! I	10 7 10 7 10 7					
Обратный ток коллектор — эмиттер (/? |, < ^10 кОм), мкА КТ38ОА, КТ380Б КТ380В				100 100	17 9					
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ вас	0.00	0,2	о.з			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^иэ 1	-5			2				5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КГ380А, КТ380В КТ380Б при Гс~+85£С1 КТ380А, КТ380В КТ380Б при Гс=—45° С? КТ380А, КТ380В КТ38ОБ	^213 /	30 50 30 50 15 25	55 85	90 150 180 300 &	0,3 0,3 0,3 0.3 0,3 0,3				10 10 10 10 10 10	
182
Наименование	Обозна Ч©НИ£	Значеаи."			Режимы измерения					
		Q я 3	1 1	. 8 К X о л ч п		Л*	3	S м	мА	ь МГц
Бремя рассасывания, нс: КТ380А, КТ380В КТ38ОБ				10 20			10 10	1 1		
Емкость	эмиттерного перехода, пФ	^8			8		0			*	10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Си			6	5					10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Та =—45...+85° С.	*
/ртя„ — постоянный ток кол-1\ щах
лектора, мА
при Гс=+25°С > . . < . 10
при 7'с=-+85°С , , . , ,	5
/к.*mat—импульсный ток коллектора (in < 100 мкс; Q > ^5), мА................. 25
^эь max —постоянное напряжение эмигтер — база, В .	4
^Кзкгпах ~ постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Ri_ <10 кОм, . /К-з1 R^ = 100 мкА), В:
КТ380А, КТ380Б...........17
ЮТОВ......................9
max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора( мВт
при Гс-—45„.+25°С	. , 15
при Тс= +85° С	5
РК, Я max —импульсная рассеиваемая мощность - транзистора (/ж<100 мкс, мВт 50
Тв max — температура перехода, °C.......................100
Кт,п-с—тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт..............  3
Допустимая температура окружающей среды, °C 45...+ 85
1 В интервале ^температур Тс = 25°,..85° С мощность и постоянный ток уменьшаются линейно. При монтаже в микросхему	определяется по
формуле тах [мВт] « (Та mas — Тк)/(0,7 + /?Т1 Кр-к), где Гк — температура корпуса микросхемы, Ят> Ир-к — тепловое сопротивление поверхность кристалла — корпус микросхемы
а) Усредненное значение импульсной мощности с учетом мощности! рассеиваемой на фронтах!
183
КТЗШ,
184
КТ384А, КТ384АМ
Общие сведения. Кремниеные эпитаксиально-планарные п—р~я-Транзисто« ры предназначены для использования в перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах в блоках.
Оформление бескорпусное в двух вариантах (рис. П1.30, П1 31). Масса транзистора КТ384А на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г. Масса транзистора КТ384АМ на металлическом кристаллодерж а геле не болеа 0,004 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3,
Электрические параметры. Классификационные параметры) Ъо £/КЭ чае, ^рас
.	Наименование	Обоана* ченив	Заоченир		Ре к-'.” намерение				
		||	. & 33 К й 8?	35 £	3J э'	*й £ -	/Б- “А	
Обратный ток коллектора, мкА при Г.-4-85е С при Г®»»—45’ С	УКБО		1 10 100 1 10	3U 30 30				
Обратный ток эмиттера, мкА	'эьо		10		4			
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	УКЭ нас		0,6			150	15	
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	нас		1.2			150	15	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	I^jib |	4,6		ю		100		100
Статический коэффициент передачи тока а схеме с ОЭ (<и<^ С30 мкс, <2^50)	*21Э	30	180	1		150		
Время рассасывания, нс	'рас		15			150	15	
Емкость эмигтерного перехода, пФ	Оз		25		0 ,5			10
Емкость коллекторного перехода, пФ			5	10				10
185
Максимально допустимые параметры U, Гарантируются при температуре окру« жаюшей среды То=*—45...+85iC,
Лх11;|:1 —постоянный ток коллектора, А . ............0,3
/к., ж ши — импульсный ток коллектора (?ж^5 мкс, 10), А .......................'	.0,5
^авпыч — постоянное напри
жение эмиттер — база, В . ,	4
т^- —постоянное напрк
жение коллектор — база, В . 30 ^K3R m ' “* постоянное напря
жение коллектор — эмиттер (К «£5 кОм), В.............30
^1<п, — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт при 7,—45...4-70" . , , t 0,3 прй Г«"+85*С.................0,2
7П та» —температура перехода, •С ..........................120
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—45».+85
1 В составе микросхемы
3 Е диапазоне температур 70.^85" С мощность уменьшается линейно. Рисунки см. на с J87, 183
КТ385А КТ385АМ
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—«-транзисторы предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках.
Оформление бескорпусное (рис. П1.30, П1.31). Масса транзистора КТ385А на керамическом крнсталлодержателе не более 0,015 г. Масса транзистора КТ385АМ на металлическом кристаллодержателе не более 0,004 г, t Условия эксплуатации — в соо 1ветствии с табл П2 3.-
Электрические параметры, Классификационные параметры: Л21э rjact рас
Наимсновзиие	обозна- чение				Режимы изыеревия				
		8 i к W с*, з в	8 ffl g s	il	гГ	я	< я	/ мА	J, МГц 1
Обратный ток коллектора (То——45,.. + 85° С), мкА	'кьо			10	60				
Обратный ток эмиттера, мкА	'эво			10		4			
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ на			0,8			150	13	
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	нас		1,2				150	15	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^Я1В 1	2,0			10		50		100
186
Наименование	Обозна- чение	1еним			Нежим. и змереиин				
		8 3 S	TltJIQBOt	длаксн* мальное	Л £	и Ф	1 Дм мА	ул ’S|	а §
Статический коэффициент передачи тока а схеме с ОЭ (/«^30 мкс, Q^>50)	^?1Э	20		200	1		150		
Время рассасывания, нс	^рас		।	| 60			| 150	15	
Емкость эмиттервого перехода, пФ	Сэ		2,5						10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Си		4		10				10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го = —45„.+85* 3С.
/^тах “ постоянный ток коллектора, А ....... 0,3 7к,ашах— импульсный ТОК КОЛ-
лектора (7Я^5 мкс, ^100), А..................0,5
иэъ П) —постоянное напряжение эмитгер — база, В . .	4
^КБ max —постоянное напря-
жение коллектор — база, В . 60 ^кэдтах —постоянное напря-
жение коллектор — эмиттер (Д <5 кОм), В................40
FK max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт при Гв—45... 4-70° С , < . 0,3 при Ге = 4-85* С < , . , . 0,2
Тп и»: — температура перехода, “С.............................120
Допустимая температура окружающей среды, *С	,—45.-4-85
ь В составе микросхемы.
3' В диапазоне температур окружающей среды 70..,й5°0 мощность уменьшается линейно.

КТЗШ'ШЯШ
187
КТ395А-2, КТ39И>-2. КТ391В-2
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р—п-транзисторы предназначены для применения в СВЧ малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, блоков.
Оформление бескорпусное на керамическом кристаллодержателе с полоска-ъымн выводами (рис. П1.33). Масса транзистора не более 0,2 г.
Конструктивные параметры транзистора с крист алло держателем.:
входная емкость ...................•.................0,18	пФ
выходная емкость .........................  .	.	0,26 пФ
проходная емкость	0,04	пФ
индуктивность вывода базы.........................,	0,87 нГ
индуктивность вывода эмиттера ....... 0,43 нГ индуктивность вывода коллектора	0,87	нГ
нГ
погонная индуктивность вывода <	«.................0,69	—~
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3,
Электрические параметры. Классификационные параметры}
188
^ЭБ0‘ Кш, КуР(
(^именование	Обозначен не			F IV	Режимы измерения				
		О » я 35 4J Щ q s «и	 типовое t	. О * ~ S ?	Т '^Л	U& Б	< S X	< S	«ДИ Ч . 	
Обратный ток коллектора, мкА		0,001	0,003	| 0,5	। 10				
Обратный ток эмиттера, m&Ai КТ391А-2, КТ391Б-2 KT39JB-2	^ЭБО	одж	Io до.; j	1 20 2о		2 1	< ।		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частот ei КТ391А-2, КТ391Б-2 . КТ391В-2	1 ^й!Э 1	5 4	о	7,1	7 7			5 5	100 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; KT39JA-2, КТ391Б-2 KI391B-2	Л21Э	20 40 15	90	150	7 7			5 5	
Коэффициент шума, дБа КТ391А 2 KT3S1Б-2 КТ391В-2		2,5 4,3	3,5 5,2	4,5 5,5 6	7 7 7			5 5 5	3600 3600 3600
Коэффициент усиления по мощности, дБ: KT39IA-2, КТ391Б-2 КТ391В-2		6 4,0	7	8,2	7 7			5 5	3600 3600
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Сэ	0,65	0,8	1,0		0			30
Емкость коллекторного перехода, нФ	Ск	03	0,5	0,7	7				30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	Тк	2,5	3	3,7	7	j		5	100
Входное сопротивление в режиме малого сигнала, Ом	Лиа	5	0,7	8,5	7			5	10-6
Выходная мощность при уменьшении усиления на 1 дБ, мВт	^вых	2 3	2,5 4	3,5 5	7 7		7	3	-*
Коэффициент усиления по мощности при настройке на минимум коэффициента шума, дБ	Кур	3,5	5,0	6,0	7			5	3600
189
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды />=—60 ..+ 125° С.
Гарантрруются при температуре окру-
^к\пах — постоянный ток коллектора, мА...............10
^ЭБ гпах ~ постоянное напряжение эмиттер — база, В) KT39IA 2, КТ391Б-2 . ...	2
КТ391В-2	.............. I
^КЬтг —постоянное напря жеиие коллектор ~ база, В>
КТ391А-2, КТ391Б-2 ... 15
KT39SB-2 ....... 10
та?, “постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Л. <10 кОм). В .... 10
р 11 21
К max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора мВт..........................70
Допустимая температура окружающей среды, °C >—60...+ 125
1) В составе микросхемы.
s) В диапазоне температур 7С = •=—60.. 4-85’С. При повышении температуры ог 85 до 125’С мощность уменьшается линепно до 50 мВт.
W0
191
КТС394А КТС394Б
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные парные р—п—р-транзисгары предназначены для использования в перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках
Оформление бескорпусное на металлической подложке с гибкими выводами (рис ГТ1 34). Приборы поставляют в наборах из 2-х отдельных транзисторов, у которых коллектор электрически соединен с подложкой. Масса не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 4	»
‘ Электрические параметры. Классификационные параметры)	?
4(3’ У6Э»~^БЭ,- ^КЭОгр	*
Наименование	Обозначение	З'яа нения					$ Режимьг измерения	;					
		минимальное	ф S	са X ь	я '€л	1в	3 со	/Э, мА	. МГц j
Параметры одиночного транзистора
Обратный ток коллектора, 1 мкА при	1	/КБО 0,005 0,03 1		0,5 1	45 45 |			|		
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭЬО		0,5		4				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		0,3			10	। 1		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		I			W			
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	f Л818 I	3		5			1	10	100
192
Hi«меноваяне	. 1 Обозна* чечие	Значение		Режимы нзмереаи1 2					
		минимальное i	% ® я О иО	^4	-й т> о	jk> «А		т ф	| «JTV Ч I
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТС394А КТС3946 при Тс = +85°Ci КТС+мА КТС394Б при Fc==—45sCi К.ТС394А КТС394Б	/г21Э	40 100 40 100 20 50	120 300 120 б00	5 5 5 б б 5				1 1 1 1 1 1	
Емкость коллекторного перехода пФ			S	10					ю
1 раничное	напряжение транзистора, 61 КТО94А КТС394Б Парэч Разность входных на.тря жений, мВ _КТС394А	^КЭО»р| I 45 | 30 тетры сдвоеннщ u^t “ } ~^ВЗЕ |		о траг 10	13ИСТ	эра	1		5 5	1
Ch ношение статических коэффициентов передачи гока'	кг	,0,5		о				1	
Максимально допустимые параметры 0, Гарантируются при lemiepaiype ок* ружаюшей среды Л,=—45...+85° С.
р),
1 К пи  постоянный ток коллектора, мА...................100
max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК ба зы, мА ................ 30
Л/J ) иЭБ rm —постоянное напряжение эмиттер — база (Лб Ю мкА), В .	4
^КВшах —постоянное напряжение коллектор—St
“10 мкА), В............... 45
х —постоянное напря* жение коллектор — эмиттер (Л ^10 кОм, 1 kj j;= -10 мкА), В................45
1J Для одиночного (ранэисюрп.
2J 9 состав^ микросхемы
Рисунки см, на с 195. 195
7 Зак, tO 5
^^тах — Сум парная состоя и*
ная рассеиваемая мощность двух Трансстрой (Гтеп.,^
; <+604С), мВт	300
тлх — суммарная импульс ная рассеиваемая мощное зь двух транзисторов sSs 10 мкс, Q 2, 1 -т
<+Ы)“С), мВт , . , .	50Q
Та max — температура перелила
°C	150
Яг, п-а —тепловое сопротивленце переход — подложка вС/Вт ...	1<М
Допустимая температура окру жающей среды, ЭС . ,—45...т 85
193
КТС395А, КТС395Б
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные сдвоенные п—р п-тратнисторы предназначены для использования в перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках.
Оформление бескорпусное. Приборы поставляют в наборах из двух отдельных электрически не связанных транзисторов Каждый транзистор на металлической подложке (рис. П1.35). Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл 112 4.
Электрические параметры. Классификационные параметры» ''21 ^БГ, —
Наименование	Обозна- чение	Зн тения		Режимы измерения				
		иная	 1 5 л * ч О	X О	й	-i	Z X	3 й
Обратный ток коллектора, мкА при 7"с~ +85° С	УКЬо		0.5 1	45 45				
Обратный ток эмиттера, мкА	'-ЖО		0,5		4			
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	НДС		о J			10	1	
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		1			ю	1	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (при f»(00 МГц)	1 &21Э 1	3		5				10
Статический коэффициент вередами тока в схеме с ОЭ; КТС395А КТС395Б ври Гс = +85°С: КТС395А КГС395Б при 7С₽=— 45° Ci КТС395А КТС395Б		40 100 40 100 i0 50	120 300 120 300	5 5 5 5 5 5				1 1 1 1 1 1
Емкость коллекторного перехода (при 1Q МГц), пФ			«	10				
Граничное напряжение транзистора, В КТС395А КТС395Б	^КЭО гр	45 30						5 5
19 1
Наименованве	Обозна-чение	Значение		Pi ким’.т измериния				
		о । л л 2 ч S гЗ 5= S	, й я » о г « и U	а £ □	20	i мА \	мА	3 Я
Параметры сдвоенного транзистора
Разность входных напряжений, мВ
Отношение статических коэффициентов передачи тока двух транзисторов
^БЭ,
0,5
I
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=—45...+85° С.
/I *
'К max —постоянный ток коллектора, мА	100
^н\пах — постоянный ток ба-
зы. мА ....................30
(^б max — постоянное напряжение коллектор — база, В . 45
^Кэдтах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер {/гв <10 кОм), В .... 45
max ~ постоянное напряжение эмиттер — база, В . .	4
^н' max — постоянная рассеиваемая мощность каждого транзистора с дополнительным теплоотводом, мВт . . 250 х — суммарная постоянная мощность, рассеиваемая прибором, мВт.................300
S Рк,  max —суммарная импульсная мощность, рассеиваемая прибором (£И<1ОМКС, Q>2), мВт ..................,500
Рк,  max — импульсная рассеиваемая мощность каждого транзистора с дополнительным теплоотводом
и шах = 500 мВт, G<
<10 мкс, Q^2), мВт , . . 400
Tn max — температура перехода, °C ...........................150
Rt, п-в — тепловое сопротивление переход— подложка, а с/мВт.....................  100
Допустимая температура окружающей среды, ’С	.—45.-4-85
') Для один' чного транзистораг>. ?>При монтаже в микросхему мощность определяется но формуле Рк тах=> 1=3 (7" а— T’cJ/Pt, а—Ct	Рт, □—с^3
= /?т и—□ 4* Рт, п—т Н- Рт, т—с (/?т а_п— тепловое сопротивление переход—подложка; PTi п—т— тепловое сопротивление подложка — теп-л'хнвод; Рт> г_а— тепловое сопротивление тепло’- гвод — ~реда),
19''
KTmA,KTCW5A-AIb=1U0tiKA
Общие сведения. Германиевые диффузионные р—п—р-трэнзисторы предназначены для генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты и для работы в импульсных схемах.
Корпус .металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1,19), Масса транзистора не более 2,2 г.
Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
И 2Еэ[ '
		Значения			Режимы		изме	>сния	
Няимм) ояание	Обозна- чение	минимальное	максимальное	£	Л &	X		1 j, мА	Я £
Обратный ток коллектора, мкА: П416, П416А, П416Б П416, П416А, П416Б при Тс = —	4 70е С при Тс = —	-60° С	^КБО		3 5 90 3	11' 15 10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА 			^ЭБС		100		о				
193
		Значения			Режимы		измерения		
Наименование	Обозна- чение	минимальное	максимальное	Я 'аП	Я "?п	ж ЬгГ	Z А	5 А	t, мрц
Граничное напряжение транзистора (Q = = 10—100), в	ТО гр	14						10	
Напряжение насыщения коллектор—ЭМИТ-тер, В: П416 П416А, П416Б	КЭ а ..с		2 1,7			50 50	3 3		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^бЭ нас	0,32	0.5			10			
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: П416 П416А П416Б при Гс = -+70° С: П416 П416А П416Б при rR=s =—60° С	^aia	25 60 90 25 50 90 0 4Л31з{25в С1	80 125 250 2'5Л21э(25’С) 2’ 5/i2 1 э( 3&°С) ЗЛ21 э( 25*С) 1 ^'21 Э(25°С)	5 5 5 5 5 5				5 5 5 5 5 5 5	и «• «•	Л Л Л «	1 1	111	fill ООО	о о о о	1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: П416 П416Л П416Б	1 ^-213 1	2 3 4		5 5 5				5 5 5	20 20 20
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при к. х.( мкСм	^22^		5					5	10-’
197
Наименование	Обозна- чение	Зн ачения		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	я ‘Яд	(7Э, В	иА	/Б, мА	1 л	МГц
Время рассасывания, мкс; П416 П416А П416Б	*рас		1 1 1			50 50 51)	4 2 ) 25		ю-г го-3 10-* 2
Емкость эмит-терпого перехода, пФ	сэ		40		1				5
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		8	5					5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ПС	тн		500	5				5	5
Гарантируются при температуре окру-
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды 7С = —6О...+7О°С.
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛбК-
тора, мА.....................25
у 1)
'к> И та' — импульсный ТОК коллектора при ?и=^5 мкс, Рк шах 5^100 мВт, мА . . , 120
I /1 )
^ЭБ шах — постоянное напряжение эмиттер — база, В
яри 7эбо<2 мА	, 3
при /эво s£0,l мА ... .	2
при запирающем смешении , 20
л 2)
"к max — постоянная рассеи-
ваемая мощность коллекто-
ра, мВт..................  100
max — импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/я^5 мкс), мВт . . . 360
температура
перехода,
85
С
max —постоянное напря-жеш1е коллектор — эмиттер, В
при R ь =о...........15
при Rr <1 кОм .... 12
Rt. п-с — тепловое сопротивление
переход — окружающая ере.
да, ° С/мВт.............0,4
Допусти мая те м пера ту р а окру-жаюшей среды, ’С , .—60...+70
1 В интервале 1емператур 45...70 “С предельно допустимые значения режимов при изменении темп ер а ту ры на каждые 5''С уменьшают	х -
на I В при /?ъ = о и нз 0,4 В при /?ь « | кОм; 6^ -на 0,2 В, 7lv -на 4 мА; Ри пшх -на 10 мВт	а	' ‘ m
2) При Тс > 45е С 7\mas ! mBtJ “= (85— Го) /Q_c. При пониженном давлении (6.7 . 10’2 11/м-) мощность уменьшается на 30 %, 19S
IWfbA
199
,lB Jt 22	23 П422, П423
Общие сведения Германиевые ставно диффузионные р~~п—р транзисторы предназначены для генерирования, усиления, преобразовиния котебаний высо кой частоты в радиотехнической аппаратуре широкого применения, а том числе в радиовещательных приемниках промышленного изготовления
Корпус металличес! нй, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.19), Масса транзистора не более 2,2 г.
Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметрыз
		Значений		РйЖИМ ,		ИЬФреНЦ
Наименова ei ве	Обозка< чей не	МИНН' чальнфе	, fc	О	/мА	1, кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс* 55е С при Тс = —40° С	ZKHO		Б 70 5	5 5 Б		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	Olfi		*	5	1	1
Коэффициент передач» юка в режиме малого си1 нала в схеме с ОЭ при Тс = 55°С при Тс*—40°С	^а1в	24 24 1 =	100 25'i too	5 г. 5	t 1 1	t t t
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте. П422 П423	( ^иэ f	2 F г		Б 5	5 5	2-IO4 2*10*
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х , мкСм			5	5	5	1
Коэффициент шума, дБ	Кщ		К)	5	.5	1,6-10
Емкость коллекторного перехода. пФ	Си		10	5		5-Ю1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частою, пс: П422 11423	’в		1000 500	5	5 Б	5.10J 5. Юв
200
Максимально допустимые параметры. 1 арантируются при температуре окру дающей среды 40...550 С.
гй81 — постоянный ток коллектора, мА ..................20
— постоянное напря
я-ение коллектор — эмиттер (/? <1 кОм), В............10
п 1)
Kmix —постоянная рассен-ваем^я мощность коллектора, mBi .	...	100
Tatum—температура перехода, °C	.70
Допустимая 1 ем перату ра окружающей среды, °C , ,—40.,. + 55
‘) В диапазоне температур 20... 55’С Рк пмх уменьшается на 15 мВт на каждые 10°С,
201
III |и цг 111 I" 'ТП TT
,'o	21	22	23
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п~р~«-транзисторы предназначены для усиления электрических колебаний.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.11]. Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 3.
Электрические параметры. Классификационные параметры;
’ \бо> VmJ
Наименогэнив	Обозна пение	Значени i		Режим» 1'			Ференц*	
		О « а: я J щ	максимальное	Я		1s £	с 3	Ц кГц
Обратный ток коллектора, мкА; КТ3102А, КТ3102Б КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е		0,003 0,003 0,003	0,05 0,015 0,015	50 30 20				
Обратный ток эмиттера, мкА	^БО		10		о			
Граничное напряжение транзистора, В. КТ3102А, КТ3102Б КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, KT3I02E	^КЭО гр	30 20 15					10 10	
Модуль коэффициент передачи тока на высокой частоте’ КТ3102А—КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е	1 ^aia I	1,5 3		5 5			10 1П	to* Г 10s >.
Стд-тический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ. КТЗ 102 А КТЗ 102А-КТЗ102В, КТ3102Д КТ3102Г, КТ3102Е	/г21^	100 200 400	250 500 1000	5 5			Z 2 2	
Коэффицнен! шума, дБ; КТ3102А—КТ3102Г КТ3102Г, КТ3102Е	кш		10 4	5 5			0,2 0,2	1 1
Емкость коллекторного перехода, пФ	( н	1	6	5 1	1	1		1 4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс	Ск		100	5			11	3-104
202
Максимально допустимые параметры.
жаюшей среды Гс=—4О...Н-85= С.
/к иш — постоянный ток коллектора, мА.......................100
/к,  maI — импульсный ток кол-
лектора (Q^500,
^40 мкс), мА ..... 200
t/дн mix — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В .	5
^кб mix — постоянное напряжение коллектор — база, В; КТ3102А, КТ3102Б .... 50 КТ3102В, КТ3102Д .... 30 КТ3102Г, КТ3102Е .... 20
^ЕОтах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В.’
Гарантируются при температуре окру-
КТ3102А, КТ3102Б .... 50
КТ3102В, КТ3102Д .... 30
КТ3102Г, КТ3102Е . . . ._20 max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт....................250
Та т»х — температура перехода, С.............................125
Ят, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая cpt-да, ° С/мВт ....... ОЛ
Допустимая температура охру-жаюшей среды, °C , .—40— +Д5
При повышении температура более 4-25Q С	[мВт] (125 —
—	д—с-
KT3WZA~А ;КТЗЮ25,КТЗЮ2В, КТ3102Д-
203
КТ31О7А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д. КТ3107Е, КТ3107Ж. КТ3107И, КТ3107К. КТ3107Л
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпи гаксиальные р—п—р-транзисто-ры предназначены для использования в усилительных, генераторных и переключающих схемах.
Корпус в двух вариантах (рис. ГН.26, П1.36). Масса транзистора не более 0,3 г.
Условия эксплуатации— в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры]
		Значенн;'			Ре жимы		изме	^еЕ5 ия	
Наименование	O£0jtt< <гениг	б , да .S »о я § 5	я ж п	i;	5	X &	я сс —W	» мЛ	1, №
Обра гный ток коллектора, нА			10{	20	;				
Обратный ток эмиттера, нА	^ьо		юо		5				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В		0,07	0,^			10	0,5		
Напряжение	насыщения база — эмигтер, В	6-3 с	0,78	0,8			10	: 0.5		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ।	’г	4,5	й		10			100
20ч
		3[н чейия			Режимы		измерения		
Наименование	Обозна- чение	в> о 1 в 2 ч 1 §	максимальное	я	£4 ь о	< £	2	2 А	я £
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ5 КТ3107А, КТ3107В КТ3107Б, КТ3107Г, КТЗ 107 Е КТ3107Д, КТ3107Ж, КТ3107И КТ3107К, КТ3107Л	^21Э	70 120 180 380	140 220 460 800	5 5 5 5				2 2 2 2	
Коэффициент шума, дБ (Rr = 0,2 кОм); КТЗ 107 А-КТЗ 10 7Ц, КТ3107И, КТ3107К КТ3107Е, КТ3107Ж, КТЗ 107 Л	Кш		10 4	5 5		0,2 0.2			Ю-з Ю-3
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сн		7	10					10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-жающей среды То — —6О.„+125°С,
/к ян — постоянный ток коллектора, мА............... 100
/к ж max — импульсный ТОК КОЛ-лектора	^и^10 мкс),
мА...................  .	200
^эь max —постоянное напря* жение эмиттер — база, В .	5
^кь тЯх — постоянное напряжение коллектор — база, В: КТ3107А, КТ3107Б,
КТЗЮ7И ..................50
КТ3107В— КТ3107Д, КТЗ 107 К ...............30
KT3I07E, ктзюгж, КТЗ 107 Л ...............25
max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В:
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107И	45
КТ3107В-КТ3107Д,
KT3I07K	. , , . 25
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТЗ 107 Л ................20
— постоянная рассеиваемая MouiHocib коллектора, мВт...............300
Тв tnai — температура перехода, °C ,  ..................150
/?т, а-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт...............0,42
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C . —6O...+ 125
х При темпераiyре выше ”1*25° С
= Ц50 — TqI'Rt' д—&
205
«Т3107А,КТ31078-А1ь-0,гнА, КТ31075, КТ3107Г, КТ3197Д, КТ3187Е,КТ3107Ж,КТЗ?07Й -Л1^нА;КТ31У7К,КТЗЮ7Л-Д1^^Ш
Диапазон СВЧ
КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, ктзобд
Общие сведения Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—п-транзисторы предназначены для работы в усилительных устройствах.
207
Корпус герметичный, металлокерамический, с гибкими выводами (рис, П1.21.6) Масса транзистора не более 0,65 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^218> 1^2|э1
Наиж поение	Обознз чение	Значения		Режимы и„ъ епенн					
		мнаи-мальв ое	макси* мальное	9	В	Vй	1	ч. мА	f
Обратный ток коллектора, мкА	'КБО		0,5	15					
Обратный ток эмиттера, мкА			I		4				
Граничное	напряжение транзистора, В: КТ306А, КТ306В, КТ306Д КТ306Б. КТ306Г	^КсЮ гр		10 7					1 1	
Напряжение	насыщения коннектор — эмиттер, В; КГ306А КТ306Б	вас		0,3			10	1		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	HdL		1 0			10	1		
Входное	сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: КТ306В-КТ306Д	Йпр		4(1	{		5			10-’
Коэффициент передачи гока в режиме малого сшнала в схеме с ОЭ; КТ306А КТ306Б ктзобв КТ306Г КТ306Д	/f213	20 40 20 40 40	60 120 100 200 150	н 0 0 0 0		10 10 10 10 10			
208
Наименование	J боа на ^ение	Значения		Режим и5 измерении					
		мини-дальнее	1 макси* мальме	я		3	1	1 А	I |. МГц
Модуль коэффипиеш а передачи тока на высокой частоте: КТ306А. КТ306В КТ306Б, КТ306Г КТ306Д	1 ^Э1Э I	5,0 т		О 5 5		10 10 10			100 100 100
Время рассасывания, нс) КТ306А. КТ306Б	(паг		30			10	I		
Емкость эмв ггерного перехода, пФ	С.		4,5		0				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Си		5	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте пс: КТ306В КГ306Р КТ306Д			500 300	5 5		5 5			10 10
Максимально допустимые параметры. Гаран тируются при температуре окружающей среды Тс™—60... + 125° С,
71 j	/1}
/Kmav’ 4 max —ПОСТОЯННЫЙ ТОК
коллектора а эмиттера, мА ЗС
/к а а о mu- ПОСТОЯННЫЙ ГОК КОЛ-лектора в режиме насыщения. мА .... .	50
^КБшах — постоянное напряжение коллектор — база, В . 15
Кпыа —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (й ^3 кОм), В . , , , , 10
^эь max —постоянное напряжение эмиттер — база, В ,	4
— постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт;
при Го =--60...+90°С ... 150
при Ге“ + 125°С............60
Гйшвх — температура перехода, °C	.	150
Допустимая температура окружающей среды. *С ,—60...+ 125
Для приборов, которым присвоен Знак качества та “ ^0 мА /а ° 50 мА » max
а> В диапазоне гемьерагур 90.,.120* G ыощяо(иь уменьща^гся линейно
209
Общие сведения. Германиевые планарные п—р—-^-транзисторы предназначены для использования в схемах радиовещательных приемников, телевизоров и другой аппаратуре.
Корпус герметичный, металлический, с гибкими выводами (рис. П1-37)( Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:	1^«э1
Наименованье	Обозначение	Значения		Режимы намерения					
		О «5 % ч X « х г	максимальное	в X О	Я	i ц. мА		г	а $
Обратный гок коллектора, мкА: ГТЗПЕ, ГТ311Ж ГТ311И при Гс = 55’С при Тс ——40°Cj ГТ311Е, ГТЗИЖ ГТ311И	'КБО		3 5 60 5	12 10 7 12 10					
1 раничное напряжение гранзи-стора, В	гр	8						10	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^К,на>		о,4			15	»,5		
210
		Значения			режимы		измерения		
Наименование	Обозаа* ч^ииг	мальное	1 макси* мольное	ц 'ял	1 *-Л	yw ’Я,	1s tn		f
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	^А1Э нас		0,6			15	1 5		
Обратный ток эмиттера, мкА: ГТ311Е, гтзпж ГТЗПИ	^ЭБС		15 15		2 1.5				
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: ГТ311Е ГТЗПЖ ГТЗПИ	1 ^Й1Э 1	2,5 3,0 4,5		5 5 5				5 5 5	100 100 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ311Е ГТЗПЖ гтзни при 7'е==55°Сз ГТ31IE ГТЗПЖ ГТЗПИ при Ге = — 40° С: ГТ311Е ГТЗПЖ ГТЗПИ	/х21Э	20 50 100 20 50 ЮО 10 25 50	80 200 300 150 350 500 80 200 300	3 3 3 3 3 3 3 3		15 15 15 15 15 15 15 15 15			
Воемя рассасывания, нс			50			20	2		
Емкость эмиттерного перехода. пФ			j,0		0,25				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	£ к	2,2х	2,5	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час юте, пс; ГТЗИЕ ГТЗПЖ, ГТЗПИ			75 100	5 5				5 5	5 5
11 Типовое значение.
Максимально допустимые параметры, жающей среды То = -~40.„4-55° С.
2к mar — постоянный ток коллектора, мА . , .	.	,	50
LK3Rffm Укб max—постоянное напряжение коллектор — эмиттер -<Ю), и коллектор — базз В)
Гарантируются при температуре окру-
ГТЗПЕ, ГТЗПЖ - .... 12
ГТ311И.................13
^эв max ~ постоянное напряжение эмиттер — база, В:
ГТ311Е, ГТЗПЖ ...	.2
ПЗНИ ........ 1,5
211
^Кбитах ~ импульсное напряжение коллектор — база (/в^1 мкс), В................20
P^iTiax —постоянная рассеиваемая мощность коллекто-
ра (Тс=—40 + 25°С), мВт . 150 Тп шах — температура перехода,
°C ........................ 70
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C , ,—40.,.+55
1> При Га = 45...55“С происходит уменьшение ^квта1 УИКПш на 1В/5°С; С/Эг- -на 0,2 В/5°С.
2> При То« 25.. 55° С [мВт] « 150 - 100 (Та - 255/35,
212
ГТ313А ГТ313Б ГТ313В
Обшие сведения. Германиевые сплавно диффузионные р—п—р-транэисторы предназначены для использования в телевизионной, приемной, уснлителыюЯ и другой аппаратуре.
Корпус металлический (рис П1.37). Масса транзистора не более 2 г»
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры» ftjia ‘к
Наименование	Обевна-чение	Значения		Режимь измерение					
		я ® Я q я S 3 S		а; О	1/э. ь	а а	1 JQ	1 Л	1. **14
Обратный ток коллектора, мкА при Г»—+55° С при п=—40°С	^КБС		5 50 5	12 12 12					
Обратный ток эмиттера, мкА			50		0,4				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	на<.		0,7			15	1,5		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В			0 0			15	1,5		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте. ГТ313А, 1Т313В ГТ313Б	1 ^218 1	3,5 4,5	10 10	5 5				б 5	100 100
Коэффициент передачи тока в режиме малого сшиалаз ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В при 7'с=+55°Сз ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В при Гс=—40’С) ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В	^2 1в	20 30 20 30 20 30	200 170 400 350 2J0 170	5 о 5 5 5 5				5 5 5 5 5 5	LQ—1 10-8 10-“ 10-3 ю-^ 10-"
Ш
Наименование	Обозначен не	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	макси- 1 дальнее	д X О	я	'К* мА	2	1 ig. «А	1. МГц
Емкость эмиттерного пере- хода, пФ: ГТ313А, ГТ313Б ГТ313В	С3		14 18		0,25 0,25				10 10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сц		2Т5	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: ГТ313А, ГТ313В ГТ313Б			75 40	5 5				5 5	5 5
Максимально допустимые параметры. I арантируются при температуре окру* лающей среды 7'e = +25±10QC шах — постоянный ток коллек-
тора, мА ...... .	30
Чэб m 1х “ постоянное напря жение эмигтер — база (/эбу=1,5 мА), В ... 0,7
^КБшах —постоянное напря жение коллектор — база, В . 15
^КЭйтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Ц При Гс > 45" С уменьшается на «) При Тс= - 40...4-20° С. При — 1,45 (Тс — 20).
(ЛА ^500 Ом, /Л, <
£^2 кОм), В...............15
^КЭйгпах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (7?ь<500 Ом), В .... 12 — постоянная рассей наем а я мощность коллектора, мВт.......................100
TD max — температура перехода, вС ...	.........+70
Допустимая температура окружающей среды, °C , ,—40...+55
1 В ГГ С.
Тс~ 2О...55°С Рк !мВт!“ 100-с	max
214
KT3I3A, КТ313Б
Общие сведения Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзисто-ры предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.
Корпус металлический, герметичный (рис. П1 II). Масса транзистора не более 0,5 г,
Условия эксилузгялита — а соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационный параметра
Наимрнвваяве	Обозна*	значения			Режимы измерения					
		мини* мальНос	।ипевос	максй-мальноь i		J3 г	а	с я й	*3. МА	f
Обратный ток коллектора, мкА	'кьо	0,004	0,02	0,5	50					
Обратный ток эмиттера, мкА	^-БО			0,5		5				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ на.			0,5			150	15		
215
		Значения				Режимы измерения				
Наименование	Обозна- чение	МИНН' мяльное	типовое	максимальное	И 'Я/?	Я	'К- мА	'Б* «А 1	уи	| . Mfu
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	нас			1,3			150	15		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 1			2	20		50			100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ313А КТ313Б		30 80	65 160	120 300	10 10				1 1	
Емкость коллекторного перехода, пФ	Г'к			12	10					100
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	ти	80	100	1?0	5				1	30
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру, жаюшей среды Те=— 40...+85° С.
/к ши—постоянный ток коллектора, мА .	... 350
^6 max —постоянный ток базы мА.......................  ,	150
^K.wmax — ИМПуЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора 10 мкс, &J0) мА ....	700
^Эбпи> —постоянное иапря
жение эмиттер — база В 5
tr,a> — постоянное напря
жение коллектор —- бача. В 50
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Ri 1 кОм) В	.50
1 При темпериту ре окружающей = (125- М
п1ам — постоянная рассеиваемая мощность коллекю ра, мВт	300
Р, твх — импульсная рассеияае* мая мощность транзистора ((?> 10 мкс). Bi .	1
Т» —температура перехода, ЬС ......................... .	125
/?т, в-с —тепловое сопротивление переход — окружающая среда. ° С/мВт ,	.... 0,33
Допустимая температура окружающей среды. °C . .—40 ..+85
среды более 25е С Р^ * iMbij *=
21G
О 2	4 S 8	10 0x3,8
- К1313А -Л1ь=О,1мА; 81313 Б-Л 1Ь-0,05 мА
217
TWTiunuHHiHipiiHiiiriHi KT316A,	КТ316Б,	KT316B,	КТ316Г,
Л Л й 23 КТ316Д
Общие сведения Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р~п транзисторы предназначены для работы е быстродействующих переключающих и усилительных устройствах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1Л). Масса транзистора че бодее 0,6 г.
Условия эксплуатации —в соответствии с табл. П2-2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:	|Лг1в|, fpao«
		Значения			Режимы		измерен ня		
На гг медов а ние	Обозначение	G  ЕЕ S 4 я ч S S	t о ж ® О Л £ =7	'Л £ 5)	1 а Л 5)	/к» мА	/в. мА	'hl 1	| MFu
Обратный гок коллектора, мкА при + 125° С	^КБО		и,5 5	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА			1		4				
Граничное напряжение транзистора (/и<50 мкс, Q^50), В	^КЭО гр	6				1			
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^ка н«		0 ,4			10	1		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	[lat		М			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте; КТ316А, КТ316Г КТ316Б, КТ316В, КТ316Д	1 1	6 8		5 5				10 10	100 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ316А КТ316Б, КТ316В КТ310Г КТ316Д при Гс« + 125° С: КТ316А КТ316Б, К13ЮВ К1316Г КТ316Д при Та=~60е С) КТ316А КТ316Б, КГ316В КТ316Г КТ316Д	'^21Э	20 40 20 60 20 40 20 60 10 20 19 30	69 120 100 .300 120 240 200 600 60 120 100 300	0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0		10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 19			1
213
Haiivteuonauae	Обояна	Зязления		Режимы нзмсиения					
		МИВН‘ Mijitnoe 	.			.		, Ш а: ч п	д'		мА	к	*Е	CF
Время рассасывания, ыс; КТ316А, КГ316Б КТЗ16В			10 15			10 10	1 1		
Емкость коллекторного перехода, пФ			3	5					10
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Сд		2,5		0				10
Постоянная времени цепи ОС на высокой частоте, нс КТЗ 161, КТ316Д			150	6		10			10
Максимально допустмые параметры, жаюшей среды То = ~6О...+ 125°С. m 14 — постоянный так кол-
1 лектора, мА..............30
^ЭП'Н — ПОСТОЯННЫЙ ток эмит-тера, мА ....... г 30
/к паи max — постоянный гок коллектора в режиме насыше ния, мА....................50
н-к max — постоянный гок эмиттера в режиме насыщения, мА....................50
Uy max—постоянное напря желне коллектор — база, В , 10
Гарантируются при температуре окру-
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/? <3 кОм), В .... 10 ^эбгоах — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В . 4 mix — постоянная рассеиваемая мощность коллектора. мВт
при ?‘с=—60...4-90° С . . . 150
при /'с= + 125°С ..... во Ти шаг — температура перехода,
’С..........................150
Допустимая температура окружающей среды, °C .—60...+ 125
0,4 С 5 0,? ^’1^,5
1) Для приборов, которым присво-
ен <о ударственный Знак качества fH тач 11 С лт Равны 50 мА
3 При ГС='Ю . 125ЯС -\,м1 yuetiLUJ 11 * 3 iся n.j линейно ’у закону.
219
КТ31БД-Д1(.=50мкА
КТ324А, КТ324Б,	КТ324В, КТ324Г,
КТ324Д, КТ324Е
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—п-транзисторы предназначены для использования в быстродействующих переключающих микросхемах, микромодулях, узлах в блоках.
Бескорпусное оформление (рис. П1.18). Масса транзистора не более 0,002 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. Г12.3
Электрические параметры. Классификационные параметры;
/;21 э l^2ia! >
	O6OJHJ чйние	Значения		Режим.			измерения		
		минимально-	. 3 я я i ч и о s S	а	5	*3	*3 i	*3	t. Mill
Обратный гок коллектора, мкА при Те = +85° С	1 ;бо		0,5 10	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	' ->ю		1		1				
Граничное напряжение транзи стора (/#^50 мкс, Qi>50), В	U КгЮ »р							1	
220
		Значеии:-			Режимы		измерения		
Наименование	Обовва* чевие	б? ф » ® а д « t?	максимальнее		L	С S	3 i	| Vй /	) , МГц |
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	УКЭ нас		0,3			10	1		
Напряжение насыщения база— эмиттер, В			I 1			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте! КТ324А—КТ324В КТ324Г—КТ324Е	1 )	8 6		2 2				5 5	100 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ) КТ324А КТ324Б, КТ324Г КТ324В КТ324Д КТ324Е при Л-= +85° С: КТ324А КТ324Б, КТ324Г КТ324В КТ324Д КТ324Е при Тг^= — 60° С: КТ324А, КТ324Д КТ324Б, КТ324Г КТ324В КТ324Е		20 40 80 20 60 20 40 80 20 60 а 16 32 24	60 120 250 80 250 120 240 500 160 500	0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0		10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10			
Вргмя рассасывания, нс) КТ324А—КТ324В КТ324Г	^ас		10 15			10 10	1 1		
Емкость эмнгтерного перехода, пФ			2,5		0				10
Емкость коллекторного перехода пФ			2,5	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частое, ПС КТ324Д, КТ324Е	тк		180	2				5	10
221
Максимально допустимые параметры, жающей среды Гсв—6О...+85°С
Гарантируются при температуре окру-
‘К .Г,ЯТ> Um»— ПОСТОЯННЫЙ ТОК Л 1 * I а А	111С1Л
коллектора и эмиттера, мА . 20
'К. и max- ?Э, и тах“ импУльсны® ток коллектора и эмиттера мкс, Q^IO), мА . 50
^ЭБ max —постоянное напряжение эмиттер — база, В ,	4
^Кв max — постоянное напряжение коллектор — база, В . 10
^КЭйтах — постоянное напря* жение коллектор — эмиттер
<3 кОм), В . . . . 10 ?Ктах. — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт: при	Тс=—60,..+50вС ... 15
при	Гс=85°С................5
Та max — температура перехода, С	....................+100
Допустимая температура окружающей среды,	0 С	.	.—60...+85
1) При повышении температуры окружающей среды от 55 до 85’С допустимая мощность уменьшается линейно.
222
)	20	21	22	23 j
КТ325А, КТ325В, КТ325В
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—п-транзисто-ры предназначены для работы в усилительных устройствах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.38), Масса транзистора не более 1,2 г
Условия 9Е<сллуата[Еии — н соотвектвнн с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры!
^21Э'
Наименование		Хйзва-тение	Значение		Режима измерения				
			О < л? я д ДЗ R х си 5 *	< © д аз и зз -ч «		Т)	J мА	V*	г	
Обратный ток коллектора, мкА при ’/’с— 4-125° С		^КБО		0,5 5	15 15				
Обратный ток эмиттера.	мкА	/1) ‘ЭБО		1		4			
Граничное напряжение транзистора (/и^50 мс, Q>50), В		Гр	15				10		
Модуль коэффициента тока на высокой частоте: КТ325А, КТ325Б КТ325В	передачи	^318	а 10		5 5		10 10		100 100
Статический коэффициент чи тока в схеме с ОЭ: КТ325А КТ325Б КТ325В при Тс= 125°С КТ325А КТ325Б КТ325В при Тс =—60° С КТ325А КТ325Б КТ325В	переда-	ft2l3	30 70 160 J0 70 160 12 28 64	90 210 400 180 420 800 J0 210 400	5 5 5 5 5 5 5 5 5			10 10 10 10 10 10 10 10 ю	
Емкость эмиттерного перехода, пФ				2,5		4			10
223
Наименование	Обозва* чение	Значения		Режимы измерение				
		МИНИ» мяльное	. 8 Sj 33 л * •’’3 «3 Е Е	03 £	са	3 СП	С и	
Емкость коллекторного перехода, пФ	Си		2,5	5				10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс			125	5		10		10
> Дл;; приборов, которым присвоен государственный Знак качества, < 0,5 мкА.
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру жающей среды 7С——60...4-125° С.
jK. max. шах ~ ПОСТОЯННЫЙ ТОК
коллектора и эмиттера, мА . 30
К, вшах' /э,итйХ-импульсный ток коллектора и эмиттера
СЮ мс, Q>2), мА , . .	60
^эе max —постоянное напря-
жение эмиттер — база, В 4
^КЬ пт;', —постоянное напря
жение коллектор — база, В . 15
^КЭятах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(/? <3 кОм). В . . . . Ю ^К^гпах —постоянная рассеиваемая мощность транзистора, мВт:
при Л>«—6О...4-85°С ... 225
при Т., «125’ С........... 85
Тв щах — температура перехода, ’С............................150
Допустимая температура окру-
жающей среды, “С .—60,..4-125
11 При повышении температуры окружающей среды oi 85 до 125’ G допу* стимая мощность уменьшается линейно
224
17	W	19
______I
I^’.OkA
ГТ32Я4 ГТ328Б ГТ328В
Общие свечения. Германиевые высокочастотные планарно-эпитаксиальные р—п— р-транзисторы предназначены для генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. ni.24.aj. Масса транзистора не более 2 г.
Условии эксплуатации—в соответствия с табл. П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметры} 'н< ^21Э*
Наименование	Обозначение	Знамени».		Режима измерения			
		8 1 я « л а Ч Я «3 Й ?	макси* сальное	ик. в	ЕН	Лэ- мА	
Обратный гок коллектора, мкА при 7\, = 55° С	^кбо		ю 100	15 15			
Обратный гок эмиттера, мкА	^ЭБО		100		0,25		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; ГТ328А ГТ328Б ГТ328В	Й21Э	20 40 10	200 200 70	5 5 5		3 3 3	
8 Заа г.оз	22э
Наименование	Обозна- чение	Sh84?1IHK		Ре,лимь. измерения			
		ЧИНИ-	] кнЛьное 1	1 с 5 х ii	о	Л1	Л	й.
при / с = + 55с С: 1Т328А ГТ328Б ГТ328В при	45' С: ГТ328А ГТ328Б IТ328В		ij 40 10 5 10 3	600 600 2Ю 200 200 70	5 5 5 5 5 5		3 3 3 3	
Граничная 4acioia коэффициента не редачи тока в схеме с ОЭ. Ml ц: ГТ328А ГТ328Б, ГТ328В	fro	400 300		10 10		2	
Емкость эмиттерного перехода, нФ: ГТ328А ГТ328Б, ГТ328В	С ь		2,6 2		0,15 0,15		10 10
Емкость коллекторного перехода, пФ	1 '	1	1 ,5	Г			10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: ГТ328А ГТ328Б, ГТ328В		1	5 10	10 10		। 2 2	100 100
Коэффициент шума, дБ	K1J 'Ш		7				180
щ — расчетная величина
Максимально допустимые параметры. I аратириснся при темиерагуре окру* жаюшей среды 7^ =—45...+55аС.
/ь. шах—постоянный ток коллектора, мА....................Ю
^эьпич —постоянное напряжение эмиттер — база, В .0,25
^кг max —постоянное напря-
жение коллектор — база, В , 13
226
^кэдп^х —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Я i ^5 кОм), В .... 15
Рк max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт.......................50
Допустимая температура окружающей среды, °C 45„, + 55
|ИН| IН И1Н; 11И i 11 нт
ГТ329А. ГТ329Б, ГТ329В
Общие снедения. Германиевые планарные п—р—п-транзисторЫ предназначены для работы в усилителях ВЧ и СВЧ диапазона.
1. Корпус металлическим, с полосковыми выводами (рис. 111.40), масса транзистора не более 1 г. 2. Керамический корпус (рис. П1.39), масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации— в соответствии с табл. П2.2.
Элек1рические параметры. Классификационные параметры: тв.
Hjiwi имиче	UuQ lid fetrr е	Зивчеши		Режц.чы		^мерения	
		минимальное	МчКСг,ма чьное	Ъ		«с я	f л
Обратный юк коллекю-ра мкА: при Гс = 4-60оС при Гс = -60°С:	'ко	0,04 0,3 0,1	5 50 5	10 5 10			
Обратный ток эми гтера, мкА: ГТ329А ГТ329Б ГТ329В	^ЭБО	0,025 ч	100 100		0,5 1,0		
Модуль коэффициента передачи юка на высокой часюте: ГТ329А ГТ329Б ГТ329В	1 21Э ।	4 5,6 3,3	8,2 11 6,5	5 5 5		5 5 5	300 300 зоо
Статический	коэффи- циент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс« 4-60° С при Тс = — 60° С		15 ^’^21Э{25ОС) ! /3^21 -)( 2 ,’С}	300 2	1 Э(25вС) 1 ’2^2]Э(2ЧсС)	5,С 5 5		5 5 5	
Коэффициент шума, дБ 1 Т329А			4	5		3	400
Емкое jb	эшптерного перехода, пФ	<к	1	3,5		0,5		30
Емкость кол чекюриого перехода, пФ: [ Т329А, ГТ329Б, 1 Г329В	ск	0,75 0,75	2 3	5 5			30 30
227
Наиме DOHainie	Обо а на* ченир	Знамени'		Режимы измерения			
		минимальное	ма коимнлъиее		Т1 а		1. МГь
Постоянная времени цепь обратной связи на высокой частоте, пс; I Т329А I Т329Б ГТ329В	гь	3 5 5	15 30 20	5 5 5	--	5 5 5	30 30 30
Граничное напряжение транзистора, В	Iр	0				5	
при температуре окру
Максимально допустимые параметры. Гарантируются жаюшеи среды Тс =—60. .+60сС.
/к ши—постоянный ток коллектора, мА.................... 20
^ЭБта\ —постоянное напряжение эмиттер — база (/^ь -> = 100 мкА}, В:
ГТ329А, ГТ329Б .... 0,5
ГТ329В .................. I
^кь шах —постоянное напряжение коллектор — база, В . 10 ^кэяшах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(Я * кОм), В . . . .	5
U К^Лтах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при запирающем напряжении, В	....	.10
у ' к шах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс<40°С), мВт	50
Та шах — температура перехода, °C.	....	80
/?т, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт . .	.	. 0,8
Допустимая температура окружающей среды, °C .—60...+60

° Допускается мгновенное значение напряжения и не более о.Ь В при
*= 20 кГц.	.
2) При 40...6СГ С PKmai (мВт} » (Тп - Га1//?Т( д-о
				"’<^Г^3296		
						
	*			^^/73238		
				г-	,= 5В 300МГ	д
						-
I 4	5	8 1Г /Э,М
Q
228
р1фШф!фНфШ;
гтззод. гтззож. гтззои
Общие сведения. Германиевые планарные п—р—п-транзисторы поепнчтпа-чены для работы в приемной, усилительной и другой аппаратуре
Корпус металлический, герметичный, с полосковыми выводами jiliAO).
Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации— а соответствии с табл, П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^21 . Kiel ‘в
tid именование	Обоэна еняе	Значения		Режямы измерении					
		йШНИ-изл>йг>е	дальнее	UK, h 1	Г|	11	2 д	я А	1. ЛЦц
Обратный сок коллектора, мкА при Тг. ~ + 55° С при Твв—45fl С		O.i м 0,01	5 5D 5	10 5 10					
Обратный гок эмнтте- 1 ра, мкА	JbU		jOG		1'5|				
Граничное напряжение транзистора, В	^К'К) гр	ь						5	
229
Наименование	Осо значение	Значение		Режим измгреьнч					
		минимальное	макси мальв®*	X		2	Я £		d
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, в- гтззод, гтззои	^КЭ на<		о,з			20	/		
Напряжение насыщения база—эмиттер, В. ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ	Hut		0 7			2'-	)		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте1 ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ гтззож	1 1	5 10		5 5				ь 5	100 too
Статический коэффициент передачи гока в схеме с ОЭ. ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ ГТЗЗОИ при =ч-55° С при Ге = —45° С		30 10 ^21э при 25° С 0,4Л21г при 25° С	400 400 2,5Л21. при 25° С 1 Лдэ при 25° С	5 5				о 5 5 5	
Коэффициент шума, дБ: ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ	A in		8	5					400
Время рассасывания, нс ...	^pac *		50			20	2		
Емкость змиггерпого перехода, пФ	C		5		’,5				10
Емкость коллекторного перехода, пФ			3	ЗД					й
230
Нанменова ние	чпаие	г< ]-ц sm		Р mi -ль н-ыерения					
		*1 НВ* чальвое	чалаи дальнем		o'	2	с 3 ш	•л я 3)	1, ЛЦ’и
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте пс: ггззод. гтззои ГТЗЗОЖ			30 50	5 5				5 5	30 30
I араигирукяся
Максимально допустимые пл рам с i ры. жаюшей среда 70 = —45... + 55°С.
при температуре окру-
/к шп — постоянный ток коллектора. мА......................20
Uэь iiu- — постоянное напряжение эмиттер — база, В . 1,5 —постоянное напряжение коллектор — ба)а, В . 10 ^К’з .imas —импульсное напряжение коллектор — база (/«sSl мкс. Q>10), В ... 20
max “ постоянная рассеиваемая мощность коллектора —45...+45°С), мВт . 50
Та тчх — температура перехода, а С ...........................50
Rr, и-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт ..................1,0
Допустимая температура окружающей среды, °C .—45...+55
Ври повышении /с л 4о до 55JG к ,мВг| [50 —
Рс-45)]//?^
231
" [H 11 [ I 11 j III1 J1TTT'|1 41 ПТГ'ТП'
20	21	22	23
KT337A КТ?37Б
Общие сведений. Кремниевые планарно эпитаксиальные р—п—р транзисторы предназначены для переключения усиления и генерирования колебаний ВЧ и СВЧ диапазона, а также для исно чьаования я других схемах
Три варианта корпусов металлический (/), см рис ГЛ ,11, пластмассовые (2, 3), см рис. П1.26, П1.27 Масса [ранзистора не более 0,5 г (1), 0,2 г (2), 0,3 г (3)
Условия эксплуатации — в соотвеичъил с табл П22
Электрические параметры. Классификациям! ые параметры:
21- Г- ltjl Ч л
Няиме.иЖйНве	□бОЗБИ гение	Зг 1ЧЙН 1		Дежнмь	ян1’					
		мкни М8ЛЬН©1	МЯЛЬНОе	а:	о	5	уи *я f		| OJVJ ' 1
Обратный юк коллск тора, мкА	'кы		1	ь					
Обратный ток эмитте ра, мкА	fdbc		о		4				
Обратный ток коллек-тор — эмиттер (/?-. sCiO кОм), мкА	'кэ R		5	ь					
Напряжение насыще иия коллектор—эмиттер, В	V КЬ 4<ас		U, 2			10	1		
Напряжение насыщения база—эмиттер, В	Б=> HdL		1			Ю	1		
Статический коэффи пиент передачи тока в схеме с ОЭ. КТ337А КТ337Б КТ337В при Тс™ + 85е С при Тс™— 40° С	'41а	30 50 70 О,8Л21„ при 25г С О,3й2^ при 25е С	125 12S 140 при ?5" С	,,3 0,3 0,3 0 3 0,3		10 10 10 10 в			
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ337А КТ337Б, КТ337В	1 ^81В ।	6 6		5 5				10 10	100 100
232
Наименование	эеим?	Ja	Mi	1“°><имы чзмеренш					
		МНШЬ Айлыге	мальв оь	ji &	q	S £	ун -Я,	1 2 Ф	: 1 мщ
Емкость эмиттер нога перехода, пФ			3		0				10
Е м кость. кодле кт о р и о-го перевода, пФ				5					10
Время рассасываний, нс КТ337А К1337Б, КТ337В			25			10 1	1 1		
Максимально допустимые нарлмнрь, жаюшей среды 7е = —40 , + 851С. /к ш** —постоянный юх кол )ек тора, мА	.	30 —постоянное напря жен не эмиттер — база В	4 — постоянное нап| н-женне коллектор — база (3	6 t'K )fi W) —постоянное напря- жение коллектор — эминер (/? С10 кОм), В . .	,6 Ру них — постоянная	рассеи- ваемая мощность коллек to- ps (70——4О..4-6ОвС), мВт L’ При /с -t-bO С f\ жах {мВт] «• j	fy?3 25 — 1U0 75		 80 рхДО	1—_rxij м 0/357 '7H31ff *7357/4 -J ГБ = В,05мА ; К П375~ -ДК-ОМЗмА^ШВ-ММгЗмА	t а;?анiирjк»|ся при температуре окру- для корпусов 1, 4 , . , , (50 для корпуса 2		100 Ти що—температура перевода, 3С . ,	150 Л*» о-о — тепловое сопротивление переход — млр^ждющая среда для корпусов 1,3	, , , , 0,6 для корпуса 2 .	.... 0,9 Допустимая тем пература окру жаюшей	среды,	° С .—40,„ + 85 (150 —- / с)/ ft ( g—Qt 	:тп= 	~-.|	-1				-— _д!——	/(73378 — --	.—Vp-.... Х'  ——к. 	КТ3375 	 		М—!"'1 		 —»—L=~ ЯШ74 — ^т^~1~0-ГХтгп О w ZV 30 kO 50I2iKA
233
ГТ338А ГТ338Б, ГТ338В
Общие снедения. Германиевые лавинные эпитаксиальные сплавио-диффузи-снные р— п—р-транзисторы предназначены для формирования импульсов с фронтом наносекундной длительности.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. ili.37/* A'lacca транзистора не более 1,2 г.
Условия эксплуатации — в соответочвии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр £/к.эл
Наименование	Обозна- чение	Значении		Рсжгмь измерений			
		О * з: к х =; X сз	Ж Ж *	£			
Обратный ток коллектора, мкА при Гс = 55° С При гс = — 40° С	?КБ(	0,64 0.2 3,001	Зо 500	12 12 12			
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА (Я 6 =2000 Ом)			!	20			
Напряжение в лавинном режиме, В (/?н=75 Ом,	В, Си = 40...60 пФ); ГТ338А ГТ338Б ГТ338В		13			s'		(5 !5 15 15
Время нарастания (/?в«75 Ом, t/д лая“ -1 В), нс	fHL		1	^Кг* пих			
Емкость коллекторного нерелода, нФ	Оц		2	5			
Ч Напряжение запуска.
234
Максимально допустимые параметры Гарантируются при температуре окружающей среды /« ——4О... + 25°С.
^Клгпял ” ООСЮЯННЫЙ ГОК КОД' лектора а лавинном режиме, А .......................
£/ ^ П[, t {ПЕ, — пробивное напряжение коллектор — эмиттер (/? =2 кОм, =
«.I мА). В ,	20
1 а та* — тем пера 1 ура перехода, •с ............................65
011
гк л max — постоянная рассен-ааемая мощность коллектора а лавинном режиме, мВт . 100
/?», п-с— тепловое сопротивление переход — окружающая среда, эС/мВ| .....................0,6
Допустимая температура окружающей среды, °C	.—4O... + 55
FOR
и Минимальное зарядное сопротивление /?зар = 2 кОм, максимальная формирующая емкость С ф =6800 пФ.
2) При повышении температуры выше 25®С ток необходимо уменьшать на 5% от начального через каждые 10*С.
3) В диапазоне Гс = 25...55*С Л них [мВг) = (7и — Tc)/kli а-а, _
135
КТ339А
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—«-транзисторы предназначены для применения в выходных каскадах УПЧ телевизоров н в других устройствах.
Корпус металлический, гер.мегнчный, с гибкими выводами (рис, П1.24,б). Масса транзисюра не более 0,4 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с ,абл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационный параметр; ftzi
Наименован tv	Обозик чение	Значенчн			Режим измерения		
		С X X л я =?	£ О -	. 1 3 | ч	Л	i 9. м/1	1, Ml 1
Обра 1 ный гок коллектора, мА	'кьо	0,001	0,002	0,004	40		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (о же в другом режиме	Л21Э	25 15	'•0	100	10 2	7 20	
Г раннчная частота коэффициента передачи гока в схеме с ОЭ, МГц	Гр		550		!0		
Коэффициент усиления по мощности, дБ •		24			16,6	7,2	35
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	I 1	5	5,8	8 0	10	5	100
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сь	0,55	0,65	2	5		10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ас		3,5	4,8	25	10	7	Э
Прямое напряжение на базе, В	^ВЭ			0,а	10	i	
23&
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс =—50° _ 4- 150° С.	-
/к mat — ПОСТОЯННЫЙ ЮК КОЛЛеК-тора, мА . , . .	.	25
4/уь 1Г[оЧ —постоянное	напря-
жение Эмиттер — база, В 4 m —посюянное	напря-
жение коллектор — база, В 40 ^К~ max ~ ПОСТОЯННОе	ЯЗПрЯ-
жеиие коллектор — эмнггер, В ........................25
?в. юл — постоянная рассеи-ваемая мощность коллектора, мВт
при Го = —60...+50° С . . . 260
при Гс =4-150° С .... 60
Тд mas—температура перехода, °C .........................175
Допустимая температура окружающей среды, °C —60,..+150
•И
ТТПТП'П i I I11 г
ГТ341А. ГТ341Б ГТ3418
Общие сведения, /ермзниевые планарные гс—р—п-транзистори предназначены для усиления СВЧ сигналов
Корпус металлический. герметичный, с полосковыми выводами (рис. Г11.40), Масса транзистора не более i г.
Конструктивные данные:
емкость	между	выводом	эмиттера и корпусом .	,	»	0,5	пФ
емкость	между	выводом	коллектора и корпусом	.	(	0,6	пФ
емкость	между	выводом	базы и корпусом .	.	*	0,5	пФ
Условия эксплуатации — в соответствия с табл. П2 2, Электрические параметры. Классификационные параметры] к(. н| А’ш П1аХ
H<i !мевовз( и"	яенир	Зь ьенич		Режимы измерения			
		МИНИМаГьНСН'	*k льчен	]_ У	г		с ЛТТц
Обратный ток коллектора, мкА’ при Ги=-60.+25’С при Гс и Ч-ЬО' с	УКБО	о.оз 0,3	5 50	10- 10			
Обратный ток эмиттера, мкА; ГТ341А, ГТ311Б ГТ341В	^ье		59 39		0,3 0,5		
Модуль коэффициен га передачи тока на высо* кой частоте: ГТ341А, ГТ341В ГТ341Б	1 ^2ТЭ ]	5 6,6		5 5		5 5	300 300
Статический коэффици ент передачи гока в схе-:*е с ОЭ при Гс = ч 60е С при Ге = — 60° С	^210	10 ^»^!213(2оиС)	300 1 2^21 -(  °C;	5 5 5		5 5 5	
Коэффициент шума, дБ. ГТ341А 1Т341Б, П341В	Аш	3,3 3,3	4,5 5,5	0 5		2 2	10а Ю3
23 а
Наимелонанпе	Дбозни- чгкве	Значения		Режимы измерена.।			
		%1иним j льяое	мяихнмальаое	л		S	Ь МГн
Емкость эмигтерного не рехтда, пФ			2		о.з		30
Емкость кол 'екторною перехода лФ	С К		1,0	5			30
Постоянная времени це пи обрЗЕНОй СВЧ1И на высокой частоте, ос			10	т		5	30
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	* 1 !б		Д	5		5	10-’
Граничное напряжение транзистора. В	^КЭО гр	5				5	
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Те •= — 60...-г60г' С.
/к шах — постоялый ток коллектора, мА......................10
fojx — постоянное напряжение эмиттер — база, В:
ГТ341А, t Г34 16 ‘.......0,3
ГТ341В................ . 0,5
Kt max —постоянное напряжение коллектор — база, В . 10
^K-hmix — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/? =-0), в ...... 10
^КЭХ max —постоянное напряжение коллектор — эчи гтер (при запирающем напряжении), В........................10
^К-зйтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/? <1 кОм), В..............5
Рк шах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .......................35
рт п-г—тепловое сопротивление переход — окружающая среда, °C/mBi............... 0,8
Допустимая температура окружающей среды, °C	,—60...+60
11 Допускается мгновенное н». более 5,5 В при / > 20 кГц.
значение
напряжения коллектор — эмиттер
239
КТ345А КТ345Б КТ345В
Обшие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—^-транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний, а также для работы в других схемах.
Корпус пластмассовый (рис. ГП.27), Масса транзистора не более 0,3 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры Классификационный параметр:
Наименование	чениь	Заоченин		неи.имы				
		«янивальное	максимальное	sir	о	S		< 3
Обратный ток коллектора, мкА при Тс~ +85°С	'кьо	0,001 0,03	0,5 15	20 20				
Обратный ток эмиттера, мкА			} ,5		5			
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В	УКЭ нас	0,14	0,3			100	10	
Напряжение насыщения эмиттер—база, В	Ио		1J			100	10	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при /= = 100 МГц	1 ^Ч1Э 1	3,5		3				10
240
Наи-ленопанш	1енщ	НЯЧРНИР		Режимы измерены				
		минимальное	максимальное		я	с 2	*3	а Э
Статический коэфф в циеит передачи тока в схеме е ОЭ: КТ345А КТ345Б КТ345В при Л = +85°С при	——40JC		20 50 70 °'^21Э(25°С) °’3^21Э(25’С)	110 но по  ^2 (Э( 25’С)	1 1 1 1 1				100 100 100 100 100
Время рассасывания, нс	'рае		70			100	10	
Вмкость эмнттерного перехода ([ » — 10 МГц), пФ			30		0			
1 Fмкость коллекторного перехода и = = 10 МГц), пФ 1	св		15	5				
Максимально допустимые параметры, f арантвруются При температуре окружающей среды Тс = —40',,. +85° С.
fK max~ постоянный юк коллектора. мА................. , , 200
и max импульсный ЮК коллектора (1п<10 мкс, ^10), мА...................300
i>31, так — постоянное напряжение эмиттер — база, В . ,	5
^КЬ max постоянное напряжение коллектор — база, В . 20
/? max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(R, <10 кОм), В .... 20
^К*тах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(7’е«в—40...+30° С). мВт . .300
 шаг — импульсная рассеиваемая мощность коллектора ((я<10 мкс. Q> 10), мВт . 600
Та шах — темпера1ура перехода, ЭС..............................150
/?т, п-г — тепловое сопротивление переход — окружающая среда ’С/мВт.......................0.4
Допустимая температура окружающей среды, 8 С ,—40..,+ 85
г) При условии непревышения	.
я> При Тй выше 4-ЗО°С Р^ т^у [мВт] (150 — 7сУ7?Ть п—о
241
4	8	/2 1S Un3f8
КТЗЬЗА -А1Ъ= 0,07 5м А',873656-41^0,05^ 873558-Д7Ь= 0,02 мА
142
IM н1 Гр I' 1|1111 j II'I |'ПТр1П’Т
за 31 аз зз
ГТ346А ГТ346Б, ГТ346В
Общие снедения. Германиевые планарно-эпитаксиальные р—п—p-транзисторы предназначены для использовани. в приемно-усилительной аппаратуре и в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона.
Корпус металло-стеклянный, герметичный, с гибкими выводами, электрически изолированными от корпуса (рис. Ш.11). Масса транзистора не более 1,0 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные napaweiphij . pc Km п21
Наимено 'Зные	Обозиа- (ааие	Внэчег.иь			Режимы		
		8 С 51 X	S о	мальное				—	tijtv '1
Обратный ток коллектора, мкА	KSO		0,5	С 10	20		
ори Тс«-г55°С				100	20		
Обратный гок эмиттера, млА (при Uj «0,3 В)	?Э6О	5	j	100			
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:					1		
ГТ346А. ГТ346Б		10		150	J0	2	
ГТ346В		15		150	10	2	
при Тс «4 53° С: ГГ346А, ГТ346Б		10			10	2	
1 Т346В		15			10	2	
пои	45° С; ГТ346А, 1 ГЗЗбБ		3,5		150	10	2	
ГТ346В		5		150	10	2	
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц}	/гр						
ГТ346А		/00			10	2	300
ГТ346Б, ГТ346В	1	550			10	2	300
Коэффициент усиления по мощностиJ дБ	|	1 'Ч I	10 5			10	2	800
Коэффициент обратного усиления uol мощности, дБ:	> обр						
(Т346А		—20			10	2	800
гтзюв	1		-12			10	2	800
Коэффициент шума, дБ}							
Г Г346А				7	10	2	800
ГТ346Б				8	10	2	800
1Т346В				7	10	2	200
243
На мснование	-'оозиа-ленне	аи>			Ие;< м । J4’ еВ я		
		МИНИ льное	8 а X	К 4К<И мальное	2	V"	| Ml v 1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ис, ГТ346А ГТ3466 ГТ346В	ГИ			3,0 5,5 6,0	10 10 10	2 2 2	109 luO 103
; мкость коллекторного перехода, пФ	С к			1 3	5		10
Оптимальный ток эмиттера мА: ГТ346А, ГТ346В	к Э опг	1,6		3,2			09 __
1 <.ран1ируклся при температуре окру-
Максимально допустимые парамеция жаюшей среды Те»—45. .+55° С
Jk max — постоянный ток коллек тора мА	10
in — постоянное напря-
жение эмиттер — база, В 0 3
I1V —постоянное напряжение коллектор-база, В 20 ^'к р ^—постоянное напря-
жение коллектор — эмиттер, В;
при Яь «“О . . , , , । , 20
при /?( -5 кОм ....	15
/’к шах — постоянная рассеивае мая мощность коллектора мВт	50
Та шах — температура перехода °C
Допустимая температура окру жающен среды, °C . ,—40. .+ ^5
85
244
КТ347Д КТ347Б КТ347В
Общие сведении Кремниевые нланарно-эпн1акснальные п—р—п транзисторы предназначены для работы в приемно-усилительном и другой аппаратуре.
/41
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. 111,11). Мае* са транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в сигииепл нии с табл, П 2 2.
Электрические параметры. Класси фи каино иные параметры:
Й21Э' W	шах-
Нанченонанис	ОбО^На	Зь-ачеиия		fJf'WPV! < Н -Slf'p. МИГ					
		манн аальво-	макси- мально	У к- ”	<п		1г i	ф	[ AU li
Обратный юк коллектора, мкА при 7* с ==J = 4-85’С	ZKBG		I 20		п					
Обратный гок эмиттера мкА	'эБО		10		4				
Обратный гок коллектор — эмиттер (/?	10 кОм) мкА	^КЭ R								
Напряжение насыщения коллектор —эмиттер В	на		0,3			10	t		
Модуль коэф фпциента пере дачи тока на высокой часто те	1 1	5			J			10	100
Статический коэффициент передачи тока в слеме с ОЭ; К Г347А, КТ347Б К1347В		30 60	400 400	0,3 0,3		10 10			
243
f Шим HOLdUHf	Лк>зяа чение	-SmuriHMC		Режимы измениия					
		МИНК мальнси	мал к сальное	^к* ь		ч 2	3 з		i 1, МГц 1
при Л" «+85’С при ==— 40° С		*»б*!1* при 25“ С 0 ЗЛ21а поч 25* С	*5^213 при 25* С при 25’ С	0.3 0,3		10 10			
Е мкость эмит-терного перехода, пФ			п		7				10
Lmkoctk кол-лекюрнего перехода, пФ	Св		6	5					10
Время рассасывания, нс: КТ347Д, КГ347Б КГ347В	-рас		25 40			10 г	1 1		
Время включения, IJC		/2	( НО			10	1		
Время выключения, нс	^ван..	35 тип				10	1		
Максимально допустимые парамсфы. жаюшей среды Гв« — 40.„4-85° С.
1 арашируются при температуре окру-
/к mai — ПОСТОЯННЫЙ ЮК КОЛлек-юра. мА .	. .	.50
1ц « (П«х — ИМГ1у.1ЬС!1;иЙ ТОК КОЛ-лектора. мА ....... ИО t/»B ши — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В .	4
^к*	— постоянное напряже-
ние коллектор — ба(а В. КТ347А.......................15
KT347S .......................4
KI347B........................о
^К.-- «ша — посюянное напри же-ние коллектор - чминер (R «£10 кОм), В)
КТ347А , . , '...............15
КТ347Б..................  9
КТ347В ........	6
Рк'пм ~ постоянная рассеиваемая мощность коллектора (То=—4О...+75°С). мВ[ .	150
Рк « шах — импульсная мош яость коллектора (?<. — = —40... + 75" С), мВт .	150
Тв шах — температура перехода аС .	.	. . 150
/?», и-с — тепловое сопротнчхе ние переход — окружающая среда, ° С/мВт	.	0,5
Допустимая температура окру жаюшей среда, ’С . .—40.,+ 85
* При Гс > +75' С Рк (nas (мВт-1 = (150 — Гд)//?т и_01
247
I 4 S S
248
20
21
22
23
КТ354А КТ364Б
Общие сведения Кремниевые плавзраа-эингаксиальные п~р—л-транзисторы предшзначены для работ в составе гибридных неремонтируемых схем мик-ромодулей, узлов и блоков, аппаратуры.
Оформление бескорпусвоь (рис, П1.41) Масса транзистора ае более О,ЭЭЗ г.
Условия экеплуа।ации — в соответствии с табл. П.2 2
Электрические параметры. Классификационные параметры;
''2! s Uh al h,
	Лесина-	г l«t		Региям ячм'ррр as				
		юачцвг и ник	HlH'-ilTEVt	еГ	й 1 5	"з	t мА	M.I ц
OfipdlHtufi IOH KO.t it iUWd. мкА лрн 7fl = —>0 +2VC при ? e« + b5° C	'КБС		0,5 5.0	10 10				
Обратный ток эмиттера, мкА	{ЭЪ		1 л		1 1 1			j
Граничное напряжение транзистора, В	^КЭО fi	10			|	1	5	
Входное сопротивление транзистора в режиме малого chi нала Ом	*1,0		10	1			5	|0-з
Модула коэффициента передачи тока на высокой частот! КТ 354А КТ354Б	। 1	11 (5		2 2		й 5		100 100
Стагнчьский коэффициент передачи к ка в схеме с Ол КТ354А К T35lБ при Г0—+85вС: КТ354А КТ354Ь при 7е-.— 60s С; КТ354А КТ354Б	г1ЛЗ	40 )0 40 90 20 45	200 360 360 650 200 360	) 2 2 2 2 ?		СЛ СЛ СЛ	Си сл	1		
Емкость эминерного перехода* пФ	Са		1,2		0			to
Наймемсв. ние	Лбозна-тааие	Зн imни*		Ре>>>им1 измерения				
		О st X J 31 5 X к я ?	4 о я я и л * Ц Я Сй S S	1 ’ ’‘°	4 J) а	3	ж Ti	,, МГн
Емкость коллекторного перехода пФ			1 3					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не: КТ354А КТ354Б			25 30	2 2			5 5	30 30
Максимально допустимые лараме1рыЧ Гарантируются при температуре окружающей среды Та=—60... + 850 С,
/к ат — постоянный гок коллектора, «А .... .	.10
ит > — импульсный гок коллектора (f»С10 мс, Q
>2). мА .	20
£/3р гаад.— постоянное напрнже ние эмитгер — база. В . ,	4
^КБ max — постоянное наиряже
ние коллектор — база, В 10 Rmax — постоянное напряжение	коллектор — эмиттер
(/? кОм), В , t #	. 10
— постоянная рассеинэе-мая мощное 1 ь ко,1лек!ора, м Нт
при fe=—60 + 50’С , t . 30
при Го =85° С	. . >ь
Та шах — температура перехода,
°C	...	+125
#». я-о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, s С/мВт	. 2,5
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C . ,—60...+85
г) При яепревышении средней мощности 30 мВт и Тс ™ — 60. .j 4-50° Ct при увеличении температуры до 85° С и пепревышепии средней мощности, уменьшающейся по линейному закону до 16 мВ]
4 При Тс === 50.. 85 G допустимая мощнос1ь уменьшается линейно.
В составе микросхемы.
250
КТ355А
Обшие снедения Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—я-транзисто* рн предназначены для рабснь и усилительных уо рок щах
Корпус металлический, (ериегнчный, с гибкими выводами (рии 111,42).
Масси гранзисюрэ нс более 1,2 I.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П.2.2
Электрические параметры. Классификационное иара.ие/ры:
^именование	Обозна- чен иг	}н^чен>*>		lJ < *.-> им прения				
		5 i ж Я Л я Ч S *3 ? 3	, 5 X ® ifi Ч П т; х 2			ыа	2	/. МРд
Обратный Юк коллектора, мкА при 7'сг= + 125° С	КП		0,5 5	15 15				
Обратный юк эмипера мкА			1 ,0		4			
I раничпое напряжение транзистора В		15					10	
входное сопротивление гран-arnrupa в режиме малого сиг На । Ом	^116		10	5			10	I0-’
251
Нл именование	бОзЦа-ле ние	Шапен и»		Реле 1 м> измерения				
		О , за 4 Л И Ч U -тт ? г	малыше	ЭГ		3 i	3 т*	ЧГь
Модуль коэффициента переда чи тока на высокой частоте	1 213 1	5		5			10	300
Статический коэффициент не редачи тока в схеме с ОЭ при Го»+ 125е С при Тов—-60° С	'721^	йО 80 32	300 600 30	5 5 5		10 10 10		
Емкость эмит терного перехода пФ			2,0		-I			10
Емкость коллекторного перехода, пФ	в		2,0	5				10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час тоге, нс	Гв		60	5			10	30
1 Для приборов ко1'рьги присвоен ггсудар 1венный Знак качсс1ва /\рО< <0,5 мкА
Максимально допустимые параметры, жающей среды Гв«—6О...Ч-125°С
/к шах. — ПОСТОЯННЫЙ юк коллек тора, мА	.	30
1 э ПИ х —ПОСТОЯННЫЙ ЮК ЭМ И Г-тера, мА ,	,	30
/к.  щах — импульсный гок коллек Юра {(и^0,5 мс, ^2), мА .	60
^Э, и Щах — импульсный ТОК “ЭМИТ-тера (/и<^0,5 мс, мА 60
Umax — постоянное напряжение эмиттер — база, В .	4
^КБ max ~ постоянное напряже-
ние коллектор — база, В 15
R max—постоянное напряжение коллектор — эматтор (/?ь СЗ кОм), В............15
1араитирукиси при rtMfiepdiypt окру-
—постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:
при го = —60 85° С , , . . 225
при Го= + 125° С............85
TD max — ieMiitpar^pa перехода ЭС........................ loo
/?т, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт	....	0,3
Допустимая температура окру жающей среды, ’С 60...+ I25
11рь 7u = 85.,.125 к уменьшается линейно, *•' III а А *
252
253
КТ360А, КТЗбОВ. КТЗбОВ
Обшие сведения. Кремниевые плана рно-элитаксиальные р—п—0-транзисторы предназначены для работы в перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках.
Оформление бсскорпусное (рис. П1.18). Масса транзнсюра нс более 0,005 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П.2 2.
Электрические параметры, Классификационные параметры!
£2i э>	^»С'
Нанменсьгьиг	ченнг	Значения		1 е.кнмы иьме_ени>					
		г,1ИНИ* мальное	максимально*	>		*3 -		*1	|	Mf ц j
Обратный юк коллектора, мкА: КТ360А КТ360Б, КТЗбОВ при Тс = +85° С: КТ360А КТЗбОВ К1360В	^КБО	0,02 0,02 0,05 0,05	1 I ю 10	25 20 25 20					
Обратный ток эмиттера, мкА1 КТЗбОА КТЗбОВ, КТЗбОВ при Гс — +85° С; КТ360А КТЗбОВ, КТЗбОВ	1ЭЬЪ		0,5 0,5 10 10		5 4 5 4				
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В	нас	0,1	0,35			10	J			
Напряжение насыщения база—эмиттер, В	^н.ас	0,7	1 ,2			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТЗбОА КТ360Б, КТЗбОВ	1 ^21Э 1	3 4		2 2				5 5	100 <00
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ^2 мс): КТ360А КТЗбОВ КТЗбОВ	Й21Ь	20 40 80	70 120 240	2 2 2				10 io 10	
254
На	иовл пт-	Эби эн а* чешг	З^аче 1йя		Режимь измерения					
		мши-яальног	иальцог	2.		у	Jb- мА	п	1
при Гс*= +85” С; К ГЗбОА КГЗбОБ К Г360В при 1 с ——40° С: КТЗбОА КТЗЬОБ ктзбов		20 W 80 ’>3^21 > при 25е С о>зл21г) при 25° С 0-3^ | о при 25r С	J+A21^ при 25° С 2,5/i21^ при 25° С 2,5ft2( при ’25е С 70 !20 24J	 > 2 2 2 2			1	10 10 1(1 10 10 10	
Время рассасывания, нс: КТЗбОА КТ360Б, КТЗбОВ	Дас		100 200			J БГ 10 10	= /Б2 1 1		
Емкость э минерного перехода, пФ	(Д		7		о				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		5	5					10
1 Еостоянная времени кепи обратном связи я 1 высокой частоте, пс	Тк		150	2				5	5
Максимально допустимые параметры Гарантируются при температуре ок* ружаюшей среды Ге=~-4O...+850 С*
f к qui — постоянный гок .коллектора, мА...................20
U.imu— ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лекгора (7И1 мкс, <?>Ю), мА.........................75
С эб max —постоянное напряжение эмиттер — база В: КТЗбОА ,	. . 5
КТ360Б, KUG0B...............4
КБ max — постоянное напряжение коллектор — б^за В: КТЗК04..............,	25
КТЗЬОБ, КТ360В . . , . 20
^К a max ~~ постоянное напряже-
ние коллектор — эмиттер
(К ^10 кОм), В:
КТЗбОА...................*	20
К1360В. КТ360В	... * 15
f’xm,' —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ................... . . 10
/?т, и -с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт................  .	7
Ти И01 — температура перехода, °C	120
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—40.,.+85
В диапазоне температур — 4O...H-5oJ С, При 1емперагуре -f-85
К max = 5 мВт. В диапазоне юмперагур 50,..85J С мощность уменьшается ди-к ей НО.
2> В составе микросхемы»
25S
I
0 5 Iff 15 IB Z5 30 IK>>,A
t5S
ГТ362А, ГГ362Б
Общие сведения. Германиевые плэнаиные л-р-п-транзисторы предназначены для работы в приемной, усилительной и другой аппаратуре
Корпус металлическим, герметичный, с полосковыми выводами (рис. П1.40).
Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с габл. П2 3.
Электрические параметры. Классификационные параметры;
^21 Э>
Наименование	Обозиа* чение	Значения		Режимы измерен и л			
		чипималыюе	а аксималыюз	Щ	g >€n |	s Ф	}. МГц
Обратный ток коллекто ра, мкА при Г<. = +55°С	^кьо	0,01 0.1	5 30	5 5			
Обратный гок эмиттера, мкА	^ЭьО		100		0,2		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^2П 1	8		3		5	300
® Зак. set
237
Наимеиова не	Обозна ченис	Значсчня		Г ежимы язмсрееий			
		МЯМПкЯЬЬО!	максимальное-	ик, В	а	г	hjw -1
Статический	коэффи- циенг передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ362А ГТ362Б при Т с = 4- 55° С при Л —--45е С	Л21Э	10 10 ^•^21Э{25ОС) О’^1Э(2&°С,|	200 	250 2’5^21Э(25°С )	3 3 3 3		5 5 т 5	
Коэффициент шума, дБ Г1362А ГТ362Б	Кщ		4,6 3,5	3 3		2 2	2250 2250
Постоянная времени цепи обратной связи на высотой частоте, пс: ГТ362Л ГТ362Б	Тв	2 2	10 20	3 3		5 5	100 100
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сц	0,4	1	5			30
Емкость эмпттернсго перехода, пФ	Од		I		0.2		30
Максимально допустимые параметры. 1 арантирупотся при Texmepaiype окружающей среды Тс=—45„. + 55°С, .	*
/к max — постоянный ток коллектора, мА.....................10
U ЭБ max — постоянное на пряже ние эмиттер — база, В . . .0,2 ^КБ max — постоянное напряже-
нке коллектор — база, В . ,	5
max — постоянное напряже-
ние коллектор — эмиттер (/?!, =$1 кОм), В . . . , 5
^К^поя —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .......................40
/?т, и-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт.................2
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—45.„+55
11 При Тс------45...25°С. При повышении Температуры от 25е С до 55е С
РК„,а. |ulill = « - (Гс - 25)/«т,
2С8
9»
Z59
КТЗбЗА. КТЗбЗБ
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-трапзгс’О-ры предназначены для работы в импульсных схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.П). Масса транзистора не более 0,5 г.
Условия эксплуатации — в соотве1ствии с табл [12 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^21 Э’	Тк-
Наименованда	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	максн- * апьнос	да	а ,ел	—	1]	< S	
Обратный ток коллектора, мкА при ТУ = +85° С	'КБО	0,01 0,1	0,5 10	15 15					
Обратный ток эмиттера, мкА при Те ==+85° С	^ЭБО	0,01 0,1	0,5 10		4 4				
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В	^КЭ нас		0,35			10	1		
260
Наименован ле	Обозна- чение	3iia j34hh		PeAi мы лз iepeiii "					
		минимальное	макси- мальное	| я 'Ял	в	i к 	I 	1	э i	3	а %
Напряжение насыщения база—эмиттер, В	^БЭ нас		1,1			10	!		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ363А КТ363Б	1 ^21Э 1	12 15		5 5				5 6	1W юо
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (М — =2 мкс) КТ363А КТ363Б при Гс = +S5D С: KT3G3A КТ363Б при 7\. =— 40° С: ^ТЗбЗА КТ363Б	Л2»Э	20 40 15 30 О,ЗЛа1Э при 25а С 0,ЗЛ2(Э при 25° С	70 120 2,5A9iq при 25° С 215А 2]э при 25э С 85 150	5 5 5 5 5 5				5 5 5 5 5 5	
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ПС КТ363А КТ363Б	тн		50 75	5 5		5 5			30 30
Время р ассасыванпя, нс КТ363А КТ363Б	; рас		10 5			10 10	1 0,5		
Емкость коллекторного перехода, пФ		0,9	2	5					10
Емкость эмиттер кого перехода, пФ	Са	0,5	2		0				10
2iij
Максимально допустимые параметры, жатощей среды Тс = —40 ..+85° С.
/к laai—ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОТтек-тора. мА.................3&
/к, и max —ИМПУЛЬСНЫЙ ТОЙ КОЛ-лектора (/я^1 мкс, Q^2), мА.......................50
Цда та*—достоянное напряжение эмиттер — база, В , .	4
—постоянное напряжение коллектор — база, В . . 15 Цкэд> шз* — постоянное напряжение ко тлектор — эмиттер (7\- = —40 .,+ 45° С), В: , . . !0
Гарантируются при температуре окру-
КТ363А (ЯБ<1 кОм) . . !□
КТ363Б (/?ВС*О кОм) . . 12
-^К ггах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (7 G =—40...+ 45° С) , mBi . . 150
Гл in ах — температура дерехода, °C............................150
А’г.п-г — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт...................0,7
Допустимая температура окружающей среды, ° С , .—40„.+85
(150 —	п-с-
При Тс ;> 45' С ^Ктах ГмВт| —
'тптгтттттттттпт
КТ367А
Общие сведения. Кремниевый л—р—гс-нланарно-эпитаксиальный транзистор предназначен для работы в схемах высокочастотных и сверхвысокочастотныз усилителей.
Корпус керамический» с поисковыми выводами (рас. Масса траим* стора не более 03 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл ГГ2.2.
Электрические параметры.
Наименование	Обозна- чен не	Значения		Режимы ичм			
		мини-маль^о^	максимальное	а ,у(п	ц *ел	/э> иА	1< МГЖ
Обратный ток коллектора, мкА	^КБО	0,001	0,5	10			
Граничное напря пение границе тора, В	'Азо гр	10				10	
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЗБО		1		4		
Входное сопроч каление транзистора а режиме малого сигнала, Ом	^116		10	5		10	10-’
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте		5		5		10	3)1
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	*31Э	40	, 330	5		10	
Коэффициент шума, дБ			4,5			1	4);
Емкость эмиггерного перехода, пФ	Сэ		2,7		4		1 0 1	
Емкость коллекторного перехода, пФ			1,5	10			I )
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	Тк		15	5		10	33
Максимально допустимые параметры.
жающей среды Тс =—4О.,.Ч-&5“С,
Гарантируются при температуре окру-
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КО 1ЛСК-тора, мА...................20
—ПОСТОЯННЫЙ ток эмит-
тера, мА.................20
Гк, и max — импульсный ТОК КОЛ-
лектора (/ц^Ю мкс, Q = 2), мА.........................40
fSj и п,ах —импульсный ток эмит-
тера (/п^10 мкс, Q=2), мА . 40 (7ЭБ таХ — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . .	4
^КБ max — постоянное напряжение коллектор — база, В . . 10
^K3R max—постоянное напряжение коллектор — эмиттер (ЛБ кОм), В..................Ю
Рк ni.li — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при Тс=—60... 4-65° С , . . I00
при Тс = 125° С............30
Допустимая температура окружающей среды , .—40. ..+85СС
261
265
KT368.V КТ368Б
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—я-траизисто-ры предназначены для работы в усилительных устройствах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П 1,24, о). Масса транзистора не более 1,2 г.
Конструктивные данные:
емкость между выводом’ эмиттера я корпусом , емкое[Ь между выводом коллектора и корпусом емкость между выводом базы и корпусом .
емкость между выводами коллектора и эмиттера емкость между выводом коллектора и базы ,
G = 0,45 пФ;
G=0,6 пФ;
63=0,4 пФ: €„3=0,08 пФ;
СЕб = 0,15 пФ
Условия эксплуатации —в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^21Э 1^21=4'
Наименование	Обозна- чеп и*	Значения		Ролмчы измер’'В|Нг				
		МИЕН!' «а/гьнае	максимальном	УК. В	□а S’		J'*	1. МГц |
Обратный ток коллектора, мкА при Тс = 4-125° С	1 к во		0,5 5	15 15				
Обратный ток эт’пттс ра, мкА	''эно		1		4			
Граничное напряжение транзистора, В	гр	15					10	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^213 ।	(	Н	9	X		10	юо
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом			6	5		10		10-^
Статический коэффи  циент передачи тока в схеме с ОЭ при Гс = + 125° С	f,2 1Э	50 50	300 ^21Э при 25° С	5 5		10 10		
266
(],1Н-,1РНЭВГ|1Кв	Абазия- -iCKHC	Зн |Чсння		Р’жнмк измерения				
		iHHFh только	лально<	а	а А	с а	нА	tf м
при Гс = —60е С		при 25° С	300	5		10		
Коэффициент шума, дБ при *?г = 75 Ом КТ368А		1,8	3,3	5			10	60
Емкость эмиттерного перехода. пФ	Сэ		3		4			10
Емкость коллекторного перехода, пФ	св		1.7	5				10
Постоянная временя цепи обратной связи на высокой частоте, ПС	Тк	4,5	15	5			10	30
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го=—6О...+ !25'>С.
/к тя х “ постоянный ток коллек-
тора, мА	30
Gnw —ПОСТОЯННЫЙ ТОК 9МИТ-тепа, мА..................30
^к, И шах — импульсный ТОК КОЛ-лектора (/ц^0,5 мс, Q>2), мА.........................60
*Э, И max — импульсный ТОК ЭМИТ-тера (/и^0,5 мс, Q>2), мА 60 max — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В , , 4
^кб max — постоянное напряжение коллектор — база, В , 15
^кэдтах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(/< 5^3 кОм). В , . , , 15
U&dR. ит.|х — импульсное напряжение коллектор — эмиттер (/и<£0,5 мс, Q>2, ^3 кОм), В	20
^КЬ.нпии —импульсное напряжение коллектор — база
(/«^0,5 мс,	В ... 20
так — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт;
при	—60...+65еС , . , 225
при ГО= + 125°С............60
Та тхх — темпера!ура перехода °C............................+	150
Допустимая температура окру жаюшей среды. °C .—60... +125
11 При 7С = 65.,J25J С мощность уменьшается ио линейному закону*
207
283
КТ370А, КТ370Б
Общие сгедгяия. Кремниевые Щ[ягаксналъно-пла1тэрные р~п—р транзисторы предназначены для работы в импульсных и других неремонтируемыч гибридных схемах, микромодулях, узлах я блоках.
Оформление бескорпусное (рис. П1.44). Масса транзистора не более 0,005 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^21Э >'1,21й1 тк-
		>	1чения			р~	ЖИМ э	изм *	< НИЯ	
Наймов ванне	Обозна- чение	ЧИНИ* матьное	о © о с № f-	1*ЖСИ-мальное	сз	а *е/?	&	VW ,ЧГ	1 д, мА	
Обратный ТОК коллектора, мкА При Те,—', = +85° С	^КБО	0,001 0,02	0,002 о.1	0,5 10	15 15					
Обратный ток эмиттера, мкА при Тс = = +85° С	^ЭБО	0,0. 0,2	0,15 0,7	0,5 10		4 4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЧнас	0,2	0,23	0.35			10	1		
Напряжение насыщения база— эмптер, В	нас	0,90	0,93	ы			10	1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой гасто-те: КТ370А КТ370Б	1 1	10 12			5 5				3 3	10-
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Gh=2 мс); КТ37ОА КТ370Б при Тв~ = +85° С	Л21Э	20 40		70 120 2 ^|Э при 2,5° С	5 5 5				3 3	
2ч
		Значения				Режимы 1'.зь<			ргин'	
Наименование	Обозна- чение	мини-млиное	типовое	максимальное	и	а	мА	/ц, мА		—	 j. МГц 1	.
при Тс~-= —40аС: КТ370 А КТ370Б		о.за2]Э при 25° С 0,3Ag[д при 25° С		75 130	5 5				3 3	
Время рассасывания, нс	^рас			10			10	1		
Емкость эмит-терпого перехода, пФ	сэ			2		0				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	ск			2	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой частоте, ПС' К.Т370А КТ370Б	тк			50 75	5 5				3 3	30 30
Максимально допустимые параметры9). Гарантируются при температуре окружающее среды Гс=«—4О...4-85с С.
^К?тах постоянней ток кол- ' лектора, мА...................15
/к, я mas — импульсный ТОК КОЛ'
лектора ((n=Cl мкс, Q^20), мА.............. . . , , 30
^ЭБ max—постоянное напряже-
ние эмигтер — база, А . ,	4
Б it ах “ постоянное напряжение коллектор — база, В . . 15
&КЭ rmax — постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В при /?Б^Ю кОм .... 10 при sT=l кОм
КС370А....................15
КТ370Б......................
^Ктах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт........................15
£>к, к шах — импульсная рассеиваемая мощность транзистора (?и<1 мкс, Q^20), . мВт . *  . । 2Рк шах
Т'п ши — температура перехода, ’С............................125
/?т, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт......................5
Допустимая температура окружающей среды. ’С , —40...4-85
В диапазоне температур —40.;.~|-50оС При температуре 85°С
“ Ю мА, <DKmax= 8 мВт. В диапазоне температур 50...85° С эти величины уменьшаются линейно.
2i В составе микросхемы.
270
271
ттгтгггштптпл
КТ371А
Общие сведения. Кремниевый планарно эпитаксиальный п р — п-транзистор предназначен для работы в усилительных и генераторных СВЧ устройствах
Корпус керамический, с полосковыми выводами (рис. Ш.43). Масса транзистора не более 0.32 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры, Классификационные параметры:
^21Э'	ТК‘
Наил. 11 знание	Обозна- чение	Значения			Реж.ичл изморе ян г				
		11 о Я л я с; Я я г s	о я о с я	1 о я я и »п Я Л!	! а '^л	а 'ел	< S!	S	г, МГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс= +125°С	^КБО	SOOO'O	0,00] 0,1	и 5	10 10				
Граничное	напряжение транзистора, В	КЭО гр	10						10	
Обратный ток эмиттера, ”кЛ	^ЭБО			1		3			
Модуль коэффициента пе редачи тока на высокой частоте	1 ^213 1	10		16	3			1 г	300
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс =т 125s С при Тс^=— 60° С	^2 [Э	30 30 15		240 400 210	1 1 1		10 10 10		
Коэффициент шума = 75 Ом), дБ		3,4	4.2	4,7	7			О	400
Емкость эмиттерно! о перс хода, пФ	Г	0,8	1,1	1,5		1			10
Емкость кол лек горист о не рехода, пФ	Мс	o,s	0,76	1.2	5				10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	ТК	6	7,6	15	5			10	30
Входное сопротивление в эеи'име малою сигнала Ом				10	5		10		з, 10-3
г72
Типовые значения S-пзраметров в схеме с ОЭ, измеренные с помощью векторного вольтметра ФК2 12 в 50 омном тракте при 5'к = 5 В, /э = 10 мА (справочные данные):
при /=400 МГц
при 7^1000 МГц
|SH|=0.32 <plt = — 56°
|S12J=0,09 Ф12= 71й
|S21)=4,2
|Si3| =0.54 <р2.= — 27°
iSu| = 0,14 |S12|=(M3 |S21| = 1,9 |5га1 = 0,5
<pu~.-nr
фи —60s
фат — 57*
фза —52*
Максимально допустимые параметры. Гарантируются жающей среды Ге = — 60... 4-125“ С.
при температур* Окру-
/к oiax — ПОСЮЯННЫЙ ТОК КОЛ-
лектора, мА..................20
11 пык —постоянный ток эмит-
тера, мА...................20
7r, и max — импульсный ТОК КОЛ-лектора	мкс, Q^2),
мА.........................40
^ЗБаах — постоянное напряже-
ние эмигтер — база, В , .	3
tax — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . , 10
^КЭртах — постоянное напряжение коллектор — вмиттер
^3 кОм), В , . . я 10
^Ктах —постоянная рассеиваемая мошн ость коллектора, мВт:
при Тс=—60...+65^ С , * , 100
при Гс = 125°С . . . . , 30
Гц п.ах — температура перехода, °C .........................,150
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C, 1 —60... 1-125
1' В диапазоне температур 65.,,Г25°С max Умсньшается линейно; при снижении давлении от 6,7 • 103 до 6,7 . 103 Н/м- мощность уменьшается также ли йен по и при давлении 6,7 • 10 3 Н/мэ не должна превышать 65 мВт,
РЛ W 0,8

274
КТ372А, КТ372Б, КТ372В
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п р ^'трДязя<7° ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебании диапазоне частот 1...3 ГГц,	....
Корпус металлокерамический, герметичный, с полосковы 1
(рис. П1.46). Масса транзистора не более 0,2 г,
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры] Кгп»
275
Наименование	Сбозна* чение	Знпчитя			1'сжиг ы нчы|’1. яия				
		минимальное	01 О 8 е S	манги малъно?	а 'Мп	я *ел	/э* мА	V1'1 1	f, МГц I
Обратный ток коллектора, мкА	'дБО	0,006	0,01	0,5	15				
при Гс1= + 125ОС		0,1	1,0	10	15				
при Те=—60° С		3,002	0,01	0,5	15				
Обратный ток эмиттера, мзСй.	^ЭБО	0,01	0,06	20		3			
при Гс= + 125°С 'при Тс=—60° С		0,1	0,6	200		3			
		0,001	0,01	20		3			
Модула коэффициента передачи тока на высокой									
частоте:	J ^513 1								
КТ372А		8	13	18	5		5		300
КТ372Б		10	15	20	5		5		300
КТ372В		8	16	18	5		5		300
Ста гический коэффициент									
передачи тока в схеме с ОЭ	Л21Э	10	35	90	5		5		
Коэффициент усиления по мощности, дБ	ЛГур	10	12	14,5	5			3	1000
Коэффициент шума, дБ:	1	Кду								
КТ372А		2,3	2,9	3,5	5		2		1000
КТ372Б		2,5	3,5	5,5	5		2		1000
КТ372В		3	3,8	5,5	5		2		1000
Емкость эмитщрного пере хода, пФ	Св	1,0	1,2	I,5		0		1	30
Емкость коллекторного перехода, пФ	Си |	0,4 |	0,65	1,0	5			j	30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой									
чылоте, пс	Тк	4,5	7,5	12	5		1		30
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-ткающей среду Т^~— 60...-И25° С.
/к шах — постоянный ток коллектора, мА....................10
max — постоянное напряжение эмиттер — база, В . * 3
max ~ постоянное напряжение коллектор — база, В 15 ^кэр шах — постоянное напряже-
ние коллектор — эмитдер
(Яь СЮ кОм), В . * , . 15
276
ff n max -^импульсное напрал-с-ние коллектор — амит rep (/и=10 мкс, f = 50 Гц,
10 кОм), В	15
*рк^тах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (7С=—60 ..+ 100° С), мВ г . 50
*' В диапазоне температур —60... Рк щах ^м®т] ~ (150 — Шт п-с
Ти mu — температура периода, °C.............................150
R-c, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/мВт....................1,0
Допустимая температура окружающей среды, °C . —60...+ 125 {-100° С4 При повышении температур
277
ГТ376А
Общие сведения. Германиевые планарно-эпитаксиальные р—п— p-транзисторы предназначены для использования в высокочастотных радиотехнических устройствах.
Корпус металлический, герметичный, е гибкими выводами (рис. П 1,24, а]. Масса транзистора -we более 0,5 г.
Условия эксллуагашяа —в соответствии с табл, П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметры!
/гр
Ляшеиоаание	Обозик чевнс	Значения		Ремимы нз^реним			
		м Hi 1®м альное	максимальное	2)	л	ж Ф	МГп J
Обратный ток коллектора, мкА при Г<- + 85°С	ZKBO		5 300	7 7			
Обратный ток эмиттера, мкА			100		0.2S		
Г раничное напряжение транзистора, В	:	и КМ гр	1				2	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при T<S-+85°C при Ге=—60°С	*213	10 0,8Л2]Э?25«С) О’ЗЛ21Э(25ьс)	150 3*21Э(2Б*С) Й21Э(25°С) ’	5 I 5		2 2 ?	
>7,	'	‘							
Наивен of- пне	’Э^озна-черне	Зюч?.и-я		Ргжичы Лме^ения			
		^иншгалънор	\| экс им а ль1 юс	1 XI ь	fl ‘кл	уи	1	Г. МГц
Граничная частота коэффициента передачи така в схеме с ОЭ, МГп	^гр	1000		: 5		2	
Коэффициент шума, дБ			3.5	5		1	. 180
Емкость коллекторного перехода, пФ	f к		1,2	5			10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	Гц		15	5		2	100
Максимально допустимые параметры. Гарантируются яри темнерлтуре окружающей среды Ге~— бО„.Н-85° С.
/к шк— ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОД-
дектора, мА....................LQ
гтмх — постоянное напряясо-
«не эмиттер — база, В , . 0,25
VKIi тк — постоянное напряже-
ние коллектор —- база, В , , Z
^кэя-тпп — постоящше напряжение коллектор — эштер
у ^3 кОм), В , . - .	7
Рк max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт ..........................35
Допустимая температура окру
жающей среды, q С . —60. .4-83
270
Hl Ни I И 41 HI H f КТ382А КТ382Б
Общие сведения. Кремниевые плзнарно-эпитяксиалъные п—р—я трзнэисто» ры ппедлазначены для работы в усилительных устройствах
Корпус металлокерамический, с полосковыми выводами (рис П1,43). Масса транзистора не более 0,3 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметры!
тн> Кш-
Нвимепование	Обозначение	Значения		Режима измерение				
		>ГИНИ’ мяльное	максимальное	са X	СР СП а	/к. мА	< й Й	МГц
Обратный ток коллектора, мкА прр 7\ = + 125° С	\бС)		0,5 5	15 15				
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		1		3			
Граничное напряжение транзистора (Q^40, (и^100 мкс), В	^КЭО гр	10					5	
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	^Пб		10	5				10-3
280
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения				
		ф о £ 2 ЕС ч К со г ?	мЭКСИ' мольное	Я £	\и3, в	«с й	я _ф	f. МГд
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^21 э |	6		5			5	300
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Гс= + 125°С при Тй~—бО’С	^21Э	40 40 30	330 450 330	1 1 1		5 5 5		
ициенч шума, дБ: КТ382А К1382Б	Аш		3 4,5	5 5			5 5	4.0 430
Емкость эм пч черно! о перехода, пФ	ь»		2,5		1			10
Емкость кол юкгорного перехода, тФ	ь		2,0	5				10
Постоянная времени цепи обрат ной связи на высокой частоте, пс. КТ382А К1382Б	гк		15 10	5 5			5 5	30 30
Типовое значение индуктивности каждого вывода транзистора 4 нГ
Типовые значения 5-параметров транзисторов в схеме с ОЭ, измеренные с помощью векторного вольтметра ФК2 12 в 50 омном тракте при Ук=5 В, =5 мА, /=?400 мГц:
ISj J-0.26
ISJ =0.102
<pI5 = — 133а |5^[=4 Ь ср12=4-66°	JS22[ =0 54
<р51 = -|- 86;
фйз=—35°.
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окру-жщощеи срс Щ1	, M25JC.
I К щах — ПОСТОЯННЫЙ ТОК <ОЛ-( лектора, мА...............20
1 -1 * з р -1Х —постоянный гок эмитте-
ра, мА .	. . , . 20
Я max—импульсный ТОК КОЧ-чектора (/и^10 мкс, Q^2), мА	.	............40
з и max — импульсный ток змит-тера	{ta	0	мкс, Q^2),
мА	...	.	 40
^Эб max —постоянное напряже-ние эмиттер — база, Б . .	3
1-/Кб max — постоянное напряжение коллектор — база, В , . ^5
^картах ~~постоянное напряжение коллектор — эмиттер (ЯБ^ЗкОм),В...................10
тал — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:
при Те——60 +65 , . . . ЮО
при Тг = + 125°С	. ... 30
Тп max — температура перехода, °C...........................150
Допустимая температура окружающей среды, °C , —60 .,+ 125
28)
') При Tc_65..J2S°C PKm„ уменьшается по линейному закону. При давлении менее 6,7-103 Н/мя этот параметр также уменьшается по линейному закону и при давлении б 7-Ю2 Н/ма не должен превышать 70 мВт.
ГТ383А, ГТ383Б, ГТ383В
Общие сведения. Германиевые планарные малошумящее я—р—и-транзисторы предназначены дня работы в усилительных и других перемонтируемых гибридных схемах, мвкромодулях, узлах и блоках
Корпус керамический, негермстизированнын (рис. ПЬ45). Масса транзистора не более 0J г.
Условия эксплуа гании — в соотве1ствии с табл, П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметрит
Р121 й! >	^Э> ^21Э*
Нв именование	Обозначение	Значение	1			Режимы измерения			
		минимальное	типовое	ЙЗКСИ- ! сальное	-га Ь?	9 'еп	£	j. МГц
Обратный ток коллектора, мкА при 7’с=4-55°С	?кьо			5 30	5 5			
Обратный ток эмиттера, мкА при Ге = 4-55* С	^эьо			50 100		0,5 0,5		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: ГТ383А ГТ383Б ГТ383В	1 ^218 1	8 5 12			3,2 3,2 3,2		5 5 5	300 300 300
Статический коэффи циеит передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ383А, ГТ383В ГТ383Б при Тс = 4-55° С при Тс = — 40° С	Л21Э	15 10 Q,5й21э при 25° С о,за21Э при 25е С		250 250 ЗА 21 у при 25е С 1 >^21л , при 25е С	3,2 3,2 3,2 3,2		5 5 5 '	
Коэффициент шума, дБ: ГТ383А ГТ383Б	1 ГТ383В	Кш		1	4,5 4,0 5,5	3,2 3,2 3,2		2 2 2	2250 1000 28.30
283
Hsименование	Обозна- чение	Значения			режимы		' («’"'ре HV я	
		минимальное	типовое	максимальное	|	9 ‘^П	17Э. в	1g, мА	t М[ U
Постоянная времени пеня обратной связи на высокой частоте, по: ГТ383А, ГТ383Б ГТ383В	тн			10 15	3,2 3,2		5 5	30 30
Емкость эмиттер ного перехода, пФ: ГТ383Л ГТ383Б, ГТ383В	Сэ			1,0 1.2		3,3 0,3		30 30
Емкость коллекторного перехода, пФ	Р'В			1,0	3,2			30
Коэффициент отраже-I ня входной цепи	Зи		Э,017е~'104°					225С
Коэффициент обратной передачи напряжения	312		0,!95е/б8°					2250
Коэффициент прямой передачи напряжения		-	l,29e/6Z‘5°					2230*
Коэффициент отражения выходной цепи 		 ,	S3C		0,655е~/35°					2250
Максимально допустимее параметры, жающей среды Гс = —40... 4-55° С.
Гарантируются при температуре окр?-
/к max — постоянный ток коллектора, мА ..............10
^ЭБ max — постоянное напряжение эмитгер — база, В . . .0,3
^КБ max—посюянное напряже-
ние коллектор — база. В , .	5
^КЭ/? max — постоянное напряже-
Рк ы&х — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .........................2J
Тп max — температура перехода, °C...........................90
Кт, п-с—тепловое сопротивление переход — окружающая среда. ° С/мВт............... 1,25
ние коллектор — эмиттер
U?BsgI кОм), В * , , .	5
Допустимая температура окружающей среды, °C , ,—40...-1-53
284
КТ392Л
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-траизксто-ры предназначены для работы в усилительных и друшх неремонгир}емых гибридных схемах.
Оформление бескориусное, поставляется в корпусе-таре (рис. 111.47). Масса транзистора не более 0,02 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классиф икание иные параметры:
Л21Э' 1/г,ы1. тк.
Напмыгоэан не	OCosria- чел II е	 ttlr*			Ре^г\ । '.и и imp-х			ция
		X £	о е о е S	MdKt lb мильное	а		£	}. МГц
Обратный ток коллектора, мкА	ZKf>0	0,001	0,006	0.6	40			
Обратный ток эмиттера, мкА	Лчьо		0,003	0,5		4		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	! пэ !	5	3	6,6	о		2.5	100
Статический к< эффиниент передачи тока в схеме с ОЭ	! э	10	78	180	5		2,5	
2о<5
Наименование	Эбозна- чение	Зцачеиня			Режимы измерения			
		минимальное	типовое	максимальное	а	s ‘ел	/(<; мА	Ь Мгц j
Емкость эмиттерт-юго перехода, пФ	сэ	1,20	1,45	3,5		0		10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск	0,82	1,00	2,5	5			10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не		20	35	80	5		2,5	30
Максимально допустимые параметры* 2’, Г ар актируются при температуре окружающей среды —- 40...-г85° С,
/к mar — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-
лсктора, мА..................10
/к, и mar — импульсный ток кол-
лектора, мА..................20
^ЭБтах ~ постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . .	4
^КБ max — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . . 40
^КЭ/? шах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(R ц ^10 кОм), В .... 40
Ppr ^тах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при Тс,— - 4О...+6^С । . . 120
при 7'с = +85°С . . . ♦ . 88
Та max — температура перехода, °C......................  .	+125
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—40...+85
Г) В диапазоне температур 65.,.85° С
2) В составе микросхемы.
мощность уменьшается линейно, '
286
287
КТС393А-1, КТС393Б-1
Общие сведения. Кремниевые планарные р—п—р-транзисторпые пары предназначены для применения в составе усилительных и Других гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея, росы, пониженного и повышенного давления.
Оформление бескорпусное без кристаллодержателя, с гибкими выводами (рис П1.48, а). Масса транзистора не более 0,003 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^КЭ' ^31Э’ f} 21 э,/^ I ' ^КБО' ^ЭЗО,	Цензе’
		Зга шепня			Г ехи\ -> ичмер i			Л
Наименование	О5озн=чеь и.	минимальное	макси -мяльное	эд	а Ф а	S эд	/д. мА	zf 3?
Обратный ток коллектора, мкА. КТС393А-1 КТС3935-1 при Тс = -Ь85<>Сд КТС393А-1 КТС393Б-1	^КБО		0,1 0,2 5,0 5,0	10 15 Ю 15				
Обратный ток эмиттера, mkV КТС393 VI КТС393Б-1 при Тс = 4-85° С: КТС393А4 КТС393Б-1	^ЭБО		0,1 0,2 5 5		4 4 4 4			•
Ток утечки между транзисторами, мкА: КТС393А-1 КТС393Б-1 при Те = +85’С! KTC393A-I КТС393Б-1	1<з	j	0,1 0,2 5 5	Ю 15 10 15				
Модуль разности прямых напряжений эмитгер—база, мВ: КТС393А-1 КТС39 ?Б-{	i ^ЭБ,“ ”уЭБ2 [	1 3	3 5	1 1			1 1	
2о8
Наименование	Обозначение	Значении		Режимы измер.пия				
		минимальное	максимальное	3 ’^П	g ‘&п	< S to	Л	!	1 f. МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В	^КЭ нас	0,35	0,6			1	10	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	| ^21Э 1	5		1		1		100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ <С2 мс): КТС393А-1 КТС393Б-1 при Тс = +85° С при То = — бо°с	Л21Э1(2	40 30 °’4^z131i2 при 25s С	180 140 2A213t(2 при 25° С	1 1 1 1			1 1 1 1	СП	СП сл	сл а	о о	а L	! „	i,
Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме с ОЭ в режиме большого сигнала =С2 мс): КТС393А-1 КТС393Б-1 при Тс =45 и 85° С: КТС393А-1 КТС393Б-1	Й21Э1/Л21Э»	0,9 0,8 0,8 0,7		1 1 1 1			1 1 1	5-10-s 5.10-’ 5-Ю"* 5- 1Q~*
Емкость эмиттерного перехода, пФ	С»	1	2		0			10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск	1	2	5				10
Максимально допустимые параметры а), Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=—.45...+85° С,
/к ш»1 — постоянный ток коллектора, мА..................10
^,ииш — импульсный ток коллектора (t'uSClO МКС, Q^s £s2), мА.....................20
^ЭБ max— постоянное напряжение эмиттер — база, В . ,	4
^КБ тах~ постоянное напряжение коллектор — база;
Зйк. доз
КТС393А-1..................10
КТС393Б-1  ................15
max— постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?Б <:5 кОм), В1
КТС393А-1..................10
КТС393Б-1	15
289
пос™нная рассеиваемая мощность коллекюра в составе микросхемы (Rt, п-с =4° С/мВт), мВт при Гс=—45 .+45° С . . . 20
при Тс *=85° С	W
7~в mai — температура перехода,
Допустимая температура охру*
жаюшей среды, °C , —45 ..4*85
1) В диапазоне температур 45, ,85° П1ах уменьшается линейно. (Мощность дана в сумме на 2 транзистора.)
2) В составе микросхемы.
ТОШ-/-
590
6,0
5,0
W
0 I 4 5 S UHbtS
20	21	22	23	24 \	KT396A
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—п-транзисто-ры предназначены для работы в составе перемонтируемых гибридных схем микромодулей, узлов и блоков, используемых в усилительных устройствах
Оформление бескорпусное (рис, Ш.41). Масса транзистора не более 0,003 с.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. Г12.2
Электрические параметры. Классификационные параметры!
(Л2]э(’ »
Наиыснсаа! не	1 ’б,)3яа' челне	Значения			Режи/ы измерзння				
		МННИ-мггльв ог	I 1		£	<Ь	;к, мА	с Л	;, MF £1 j
Обратный гок коллектора, мкА при 7с =+35° С	^КВО			0,5 5,0,	15 15				
Обратный ток , эмиттера, мкД	^ЭЬО			1,0		3			
Граничное	напряжение транзистора (fe^100 мкс, О>40), б	^КЭО гр	Го						5	
Входное	сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом	^110			1)	2			5	io-8
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1^319 (	7			2			б	' 300
10*	291
Наимеь сва.-иг	С'бозна-теяяе	Значения			Р. жимы измерения				
		МИШ- мзльцое	Гтиповое	макси-и алЬное		А	я	Л *«ч	и 1-<
Статический коэффициент передачи тока в схеме С ОЭ при Тс «4-85° С при 7\ = —60°С	^21Э	40 1?		250 500 250	2 2 2		сл сл сл	|		
Емкость эмиттер кого перехода, пФ	Сэ			2.0		1			10
Емкость коллекторного перехода1, пФ	Ен			1.5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс	Гн			15	2			5	30
Время нарастания, нс	б;р		0 8		h				
Время включения, ,нс	' i H.-i		OJi						
Время выключенная нс	^выкл		0,9						
Время спада, йс	-	?сп		1 0,65		-				
Максимально допустимые параметры’). Гарантируются ори и;мпературе окружающей среды: Г1“-'60.,.+85оС.
/к mas — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОД-лектора,' мА . . .  . . . . 40 ‘'эта/ —постоянный ток эмит-
тера. мА . . '.............40
/к . и max — ИМПуЛЬСНЫЙ ТОХ КОЛ-лектора, мА .	. .	, , 40
^Э, и max “ импульсный ТОК ЭМЙТ-тера, мА. , ................40
U У! , Г1)1 — постоянное напряжение эмиттер — база, В . ,	3
^’К5 ;»а,х “Постоянное напряже-
нке коллектор — база, В , . 15
^кэктах — Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(/? ^3 кОм), В.............JJ
рИ, 2 )
2 К max “ постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:
При 6О... + 50°С	30
. при	Те ==+8.5° С	56
Гптаж—температура перехода, °C	,	+125
— тепловое  сопротивление переход — окружающая
, среда, ° С/м^т = . .... 2.5 Допустимая температура окру-
жающей среды,’°C . — 60...+85
7 ^Ри ^'с.'у3 50...851 С макси мальво-допустимая мощность уменьшается лэ линейному закону.
31 При ЯТ| п-с, отличающемся от 2,5= С/мВт, Pj, не должна превышать 80 мВт и ^Кшах 1мВт]“= <^п — Г^/ОДб 4" RVt ир_с,- где Дт< Ку-с тепловое сопротивление кристаллодержатедь — окружающая среда*
Ц В составе микросхемы!
863
КТ397А
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные м-р-л-транзисторы предназначены для работы в составе перемонтируемых гибридных схем, узлов, микромодулей и блоков в усилительных устройствах аппаратуры широ кого применения
Оформление бескорпусиое (рис. П1.47). Масса транзистора не более 0,02 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с габл П2 2
Электрические параметры. Классификационные параметры; ' 21 Pai, |> гк
Нпи н Еквйиие	Обозна- еяне	Чыч ння		Роки । измерь ння				
		О и 5 ч	, О а? Т я			i		Я
Обратный ток коллектора, мкА при Тс =+85° С	'КБО		1 10	40 40				
Обратный ток эмиттера, мкА	1 ьо		1		4			
Граничное напряжение трапзисто pa (fa<100 мкс, Q>-!0), В	ip	25					2	
Входное сопротивление 1раизисто ра в режиме малого сигнала, Ом	"нб		25	5			2	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^218 1	0		о			2	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при То =+85° С: при 7С —— 60° С	1Э	40 40 20	300 600 100	о 5 5		2 2 2		
Емкость эмиттерного перевода, пФ	Сэ		1,5		1			10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Св		1.3	5				10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	тк		40	5			2	30
294
Максимально допустимые параметры Ч Гарантируются при температуре окружающей среды Тс = —60.. +85° С.
Ю n>tl ~ постоянный Юв кол-‘ даюра «А ... Ю
Л ж ~ ПОСТОЯННЫЙ ток эмит-тера мА .	. 	< Ю
/к я max — ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК К0Л-лектора, мА	20
j, —импульсный Юк эмат- ,
тера, мА . . .	-	20
у F m-х — постоянное напряже-
ние эмиттер — база В » - ,	4
^кь max — постоянное напряжение коллектор — база, В . 40 п - постоянное напряже-
ние коллектор — эмиттер (/? ^10 кОм) В .	, . 40
Г’к щ к — постоянная рассеи-
ваемая мощность коллекто-
ра (То = —60...+650 С). мВт 120
То шах — температура перехода.
’С.......................+125
Допустимая температура окружающей среды, °C . —60.,.+85
1 При ц-с-СО.б0 С/мВт При 7’с=65.1;85° С />к тах уменьшается линейно до 80 мВт. При тепловом сопротивлении потребителя (J?T п_ь нижняя по" верхность держателя — окружающая среда), превышающем 0,4^ С/ыВт, Рк’ ЁмВт] «= (125 — Тс)/й, 1 +	я_0.
») В составе микросхемы.

КТС398А-1, KTC3Q85 1
Общие сведения Кремниевые планарно эпитаксиальные интегральные папы п—р—n-транзисторов, электрически изолированны? друг о г друга, предназначены для работы в составе перемонтируемых гибридных схем микромодулей, узлов н блоков, используемых в усилительных устройствах,
Оформление бескорЕЕусное (рис, П1.48, б) Масса транзисюра не более 0,005 1
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные парамеции [t/ bi— i/jb, |;	е
-		ч		Режи	\ ь измер п я	
Наименование	Обозначение	d	н	9	а	с я Т)
Обратный ток коллектора, мкА при Го в+85с С	^КБО		0,* 5	10 10		
Обратны^ ток эмиттера, мкА	^БО		1		4	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Та =*+85° С при Та^~-60°С		40 40 20	250 500 25 1	1 1 1		1 1 1
290
Нг1им звание	^Зозн 14-Hni	14c НГ H		Р^жи ы пме| рния		
		0 я 5	1 Я1ГЕ ryRl,	UK- ь	* а о	ч; £ Л
Постоянная времени цепи обратной 1Иязи ни высокой частоте (/*>				-		
= 30 МГц), пс			)U	1		1
О । ношение статических коэффициентов передачи тока а схеме с ОЭ1						
КТС398 \ 1		J,b	1 2	1		1
КТС398Б-1		) 9	1 1	1		1
при Тс = +85° С| КТС398А 1		J 7	1 4	1		1
KTC398B-I		3 8	1 23	1		(
при 7 с = — 60е С: КТС398А 1		0,7	I 4	1		1
КТС398Б-1		0 d	1 25	1		1
Разность прямых падений напряжений эмциер — база, мВ}	1 U —					
КТС398Л 1	—	1		I >ь	5		1
КТС398В 1 при Гс= о0 +85°С1			3	б		1
КТС398А 1			2 5	5		1
КТС398Б 1			4	5		1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при f =» 100 МГц	[ ^атэ 1	10		I		2
Емкость котлектьрного перехода при /=Ю МГц, пФ	Cr		1,5	5		
Емкость эмиперного перехода при f=10 Ml ц пФ	C9		2		1	
						
Максимально допустимые параметры г1. Гарантируются при температуре окружающей среды Го = ~60 ..4-85° С,
И81 — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора, мА..............10
— ПОСТОЯННЫЙ ТОК 9МИТ-
£s2), мА	20
тера, мА...................  Ю
atom — импульсный ТОК КОЛ-лек j о р а (/иЮ м кс, Q
^2), мА....................20
иггл — импульсный ток эмит-
тера (/ж< 10 мкс,
L/js mt4 —постоянное напряжение эмиттер — база, В . .	4
^KBtwjc —постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . . 10
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?о СЮ кОм), В . , , . Ю
297
—постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
при Гс=—60...+70*С . . . 30
при 7,с«=+85°С ...... 15 Та па1 — температура перехода.
°C	100
Допустимая температура окру
жаюшея среды, °C . .—60...4-85
1’ На два транзистора интегральной пары /?т =* Г С/мВт (в корпусе условной микросхемы). В диапазоне температур 70.,.85° G максимально допустимая мощность уменьшается линейно.
81 В составе микросхемы.
£03
2.2. ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
Диапазон низких частот
ГТ402 \	ГТ402Б,	ГТ402В,	ГТ402Г,
ГГ402Д, ГТ402Е, ГТ402И
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п—р-трапзисторы предназначены для рабыы в выходных каскадах усилителей звуковой частоты радиовещательных приемников и в другой аппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 5 г для корпуса / (рис, П1.49, а) и не более 2 г для корпуса 2 (рис П 1.49, о).
Условия эксплуатации--в соответствии с табл. Г12 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры]
*^К=)Д max.
к		1начейИ5>		Режимы		
Н.-1 имел ивйнне	Обозна-			измерения		
	д -вне	Л ?f	? в	ш	<	
		Я § Е г	а и I a cj | ?	м: а	[Д	и
Обратный юк кол чек гора, мкА			| 25	10		
Постоянное напряжение эмиттер — база, В	ЭЬО	j	0,35		2	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	Л21Э					
Г1402А 1 Т402В, ГТ402Д. ГТ402Ж		30	80	1		3
ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, [ Т402И		60	150	1		3
пои = +5V С' ГТ402Л 1 Т402В, 1 Т402Д, ГТ402Ж		30	160	1		3
ГТ4О2Б, ГТ402Г, ГТ4О2Е, ГТ402И		60	300	1		3
)Ipti Г„=-4а=С: ГГ402А. ГТ402В, ГТ402Д, ГТ4О2Ж		ю	80			
ГТ402Б, ГТ4О2Г, ГГ402Е, ГТ402И		20	150			
Предельная частота коэффициента переда-пи тока, МГц	^Й1б	I		1		3
Линейность /га! для ГГ4О2А—ГТ102Г (при 1 = ЗмА)	Ki		-			
\ (при 1 =30мЛ) ^2iij (при 1 3 ==30мА)		0,7	1 >4	1		
(при I.] = 300мА)			1,7	1		
299
Максимально допустимые параметры, ж а ю шей среды 7 0 ——4 б...+ 55° С,
Гарантируются при температуре окру*
/к п«х — ПОСТОЯННЫЙ	ток кол-
лектора А	... 0,5
ftni |Ч — постоянное	на пряже-
вне коллектор —	эмиттер
(/?. ^200 Ом), В:	
ГТ402А, ГТ402Б,	ГТ402Д,
ГТ402Е . .	.... 25
ГТ4О2В, ГТ402Г,	ГТ402Ж,
ГТ402И . , . .	.40
г ах — постоянная	рассештае-
мая мощность коллектора.	
Вт	
для корпуса 1 , . . . * > 0,8
для корпуса 2..............0,3
Тв max — температура перехода, °C . . . /...................85
fit, в-« — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, * С/мВт
для корпуса f  ............0,1
для корпуса 2..............0,15
Допустимая температура окру жаюшей среды, °C , .—40.,.+55

W0

ГТ403А,	ГТ403В,	ГТ403В,	ГГ403Г,
ГТ4ОЗД ГТ403Е, ГТ403Ж. ПЧОЗИ, ГТ403Ю
Общие сведения. Германиевые сплавные р—~п—р-транэисторы предназнл”я* ны для работы в выходных каскадах низкочастотных усилителей в схемах вере* ключения, в преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения а э других схемах.
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гио.инна выводами (рис. П1.50). Масса транзистора не более 4 г, ’Условия эксплуатации — в соответствии с та£л. П2.2.
. . 85 Элекдпичсскне параметры. Классификационные параметры!
г	.	^противле*
^КЬглах» ^21э * ^21Э*	.орпус, ° С/ВТ}
1403 Б, ГТ403Г,
303
		Значения		Режи и.			
Наименование	'Обозначение	ф о i S И	w ЕС Й л £ R С5 Е ।	ук, в	и	А	V '^1
Обратный ток коллектора, мкА. ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю ГТ403В—ГТ403Д, ГТ4ОЗЕ ГТ4ОЗЖ, ГТ403И при' Гс=70с С			50 50 70 800	с: я q О ОС*			
Обратный ток эмиттера, мкА: ГТ403А—ГТ403В,	Г Т403Е, ГТ403Ю ГТ403Д ГТ403Ж, ГТ403И при Гс=70°С: ГТ4ОЗА — ГТ4ОЗГ, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю ГТ403Д			50 50 7С 800		20 30 20 2и 3(.		
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА: ГТ403А—ГТ403Е, ГТ403Ю ГТ403Ж, ГТ403И	^КЭО		5 6	max ^КЭ max			
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	а ас		। 0,5			0,5	0,05
Напряжение насыщении база— эмиттер, В	^БЭ цае		( .8	-		0.45	0 05
Плавающее напряжение эмиттер—база (Тс=70°С), В	^ЭБ пл		0,3	таХ			
Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ в режиме малого сигнала (/=300 Гц): ГТ403А, ГТ403В, ГТ403Ж ГТ403Б, ГТ4ОЗГ, ГТ403Д ГТ403Ю	Й21в	20 45 30	60 150 60	5 5 . 5	1	0,1 0,1 0,1	
Изменение коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ в режиме* ма.того сигнала относительно температуры 206 С (/=300 Гц), % при Гс = + 70° С; ГТ403 Л—ГТ403Д,	ГТ4ОЗЖ, —55q Ci ">ЗД, ГТ403Ж,	АЙ21э^21е	—50 —50	-Нос 4-5С	5 'б		0,1 0,1	
SOO
		Значения		Режимы вдрр hi i			
Ыаимеревание	Обозначение	б Я Л X S С"	иальнос	, "К. в	1 X	‘к- А	<
Статический коэффициент «е-седачн тока в схеме е ОЭ: ГТ403Е, ГТ4ОЗИ		1 30	50	5		0.45	
Изменение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ относительно темпера туры 20° С, %: при Л, = 4-70° С; ГТ403Е, 1 Т4ОЗИ при Го=—55° Ci ГТ403Е, ГТ403И	ДЛ2]						i
		—40 -40	4-50 4-50	б 5		9 45 0,45	
Предельная частота коэффини ента передачи тока. кГц- ГТ403А-ГТ403В,	ГТ403Ж, ГТ403Е, ГТ403И, ГТ403Ю ГТ403Г, ГТ403Д			8 6	5 5		0.1 0.1	4
Крутизна вольт'амперной характеристики обратного тока коллектора, мкСм: ГТ403А. 1 Т403Б, ГТ403Ю ГТ403В, 1 Т403Г, ГТ403Д, ГТ403Е ГТ403Ж. ГТ403И	¥ КБО		59 50 50	50 80 100			
Крутизна вольт-амперной характеристики обратного тока коллектор — эмиттер, мкСм	^КЭО		250	,^КЭ== = ^КЭтах			
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окру-, жаюшей среды !« = —55...+70° С.
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК коллектора, А..............1,25
Л: max —ПОСТОЯННЫЙ ток базы, А ......................0,4
пъх ~~ постоянное напряжение эмиттер — база, В.
ГТ403А — ГТ403Г, ГТ403Е, ГТ403Ж, П403И, ГТ403Ю , 20
ГТ403Д ........ 30
^КБ max — постоянное напряжение коллектор — база. В; ГТ403А ГТ403Б, ГТ403Ю , 45 ГТ403В—ГТ403Е.............60
ГТ403Ж, ГТ403И , , г . , SO
^КЭтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер В: ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю . 30
ГТ403В—ГТ403Е .... 45
ГТ403Ж. 1 Т403И...........&0
^Ктах —постоянная рассеиваемая мощность коллектора (без теплоотвода), Вт . , , 0,6
Tn max “температура перехода при давлении не ниже 1-105 Н/м\ °C ...... 85
Rr, а-а — тепловое сопротивление переход — корпус. 0 С/Вт: ГТ403А,	ГТ403Б. ГТ403Г,
303
ГТ403Д, ГТ403Ж, ГТ403И
ГТ403Ю................... 15
ГТ403В. ГТ403Е	12
Рт ,,_с—тепловое сопротивление переход ‘— окружающая
среда (без теплоотвода), ’С/Вт .	100
Допустимая температура окружающей среды °C ( —55...+70
При Гс > 25° G мощност рассчитывается по формулам1 с теплоотводом — max D ~ Кт- и~К’ беэ теплоотвода — Р [Вт] =Д85 — — Т’сУР®, п— с*
г^озвЛт^зг.гтчодд-Л!^^; rVtQ3£friW3H-Mb^riA - '
304
ГТ404А.	ГТ401Б, ГТ404В,	П104Г\
ГТ4О4Д,	П404Е, ГТ404Ж	Г1404И
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п-р-тратисюры предназначены для раблы в выходных каскадах усилителей звуковой частоты радитпеша тельных приемников и в другой аппаратуре широкрго применения
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.4^о,б|. Масса транзистора не более 5 г для корпуса 1 и 2 г для корпуса 2.
Условия зкевлуатапки — в соответствии с табл. П2.2
Электрические параметры. Классификационные оарамегрыт
'2! • max
Нан 1енованне	чени	'НОЧ ня		жи ы и riep iH.4p				
		И (Jit?"	. G я «	d *п		у	а 5	
Обратный ток коллектора. мкА	к -У		2.	10				
Обратный ток эмиттера, мкА	1 -зьи		25		1ч			
Статический коэффициент переда чи токе в схеме с ОЭ: IT404A,	ГТ404В,	ГТ404Д ГТ404Ж IТ404Б,	Г1404Г,	П4О4Е. ГТ4О4И	Z12 Id	40 60	50 150	1 1			1 4	
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ, Ml ц -	^216	1		1			4	
Коэффициент линейности ^219^=3 mAj h2 j э (/ig=300 мА)1 ГТ404А—ГТ404Г	K|	0,6	1 .5	1				
Прямое напряжение эмиттер — база, В	^ЭЬ пр		О.з			п'	2	
305
Максимально допустимые параметры. Гарантируются жающей среды Г«с-- 40 .. + 55° С.
при температуре окру-
га твх — постоянный гон коллектора, А . . .	. .	0,5
та* ~ постоянное напряже ние эмиттер — база, В ... 20 ^K-irif —постоянное напряжение -> коллектор — эмиттер (/? <200 Ом) В-
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404Д.
ГТ4О4Е .	. .	25
ГТ404В ГТ404Г, ГТ4О4Ж ГТ4О4И ...	40
—постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
для корпуса /.»,»•* 60Q
для корпуса 2 . , . , . , 300
7d max — температура перехода °C ........................... 85
А?» 0_0—тепловое сопротивление переход — окружающая среда ° С/мВт
для корпуса 1 .«.>*. 0,1
для корпуса 2..............0	15
Ri п-н — тепловое сопротивление переход — корпус 0.015
Допустимая температура окру жак.шеЙ среды. °C . .—40. +о5
При Тс < 25 С. В случае Тс > 25°С мощность рассчитывается по формуле PKmflX [мВт] « (Гитах - ?<:)%, а-с или R rr ImBtj — “ max —	п—и
г TWM,rw вд1шд,г тчо^ж^1ь=гнл
306
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г
Общие сведения. ГррмзЕшевые сплавные р—п~~р-транзнсторы предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковой частоты радиовещательных приемников и другой аппаратуры.
Корпус пластмассовый, герметичный, с жесткими выводами (рис.
Масса транзистора не более 1 г'
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры»
Й2П> ^КЭ max-
Наименование	Обозна- чение	Зн ) . нмя			Реж ты иэм --рения	
		О « ч з: «j 2 У	1	манен-мальяог		
					q	1 А
Обратный ток коллектора, мкА	^КБО			25	10	
307
Наименование	Об03Н<Ь чениг				Режима изменения	
		минимальное	О и е;	52 * «г qj CU		
					<х> О	's
Статический коэффициент передачи тока; ГТ405А ГТ405В ГТ405Б, ГТ405Г при Тс = +55° С при Гс = —40° С	Л21 а	У}	-0 75	30 150 60 150	1 1 I 1	3 3 3 3
Линейность коэффициента передачи тока*						
мА)		>? 7		1 ,4	1	
-303 мА) М^)						
				' 1.7		
hg) (7Э=ЗОО мА) 62)	30 мА)						-
				1 7		
'<21 <1 “ мЛ)					I	
Прямое напряжение эмиттер — база, В	U > яг.			0,35		2
Предельная Частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ, МГц	3|f,	1	Г		1	3
Максимально допустимые параметры. 1 аратипукмся при температуре окруч жаюшей среды Л^—- 40...+55° С,
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора А.....................0,5
к max ~ напряжение между коллектором и эмиттером • (Я\ ^200 ОмК Bt
ГТ405А, ТТ405В...............
ГТ405В, ГТ405Г , (	, 40
^эб max— постоянное напряжение эмиттер — база, В . , 10
^Кши. —постоянная рассеиваемая мощность г коллектора, мВт	. ' .	.	500
У» тех — Tewjjepajypa перехода °C ..........................86
, fir. п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/м Вт.................. ОД
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C . *-40,..+55
х) При 7С« — 4О.„.+25° G, (Тя max — ?с)//?т, п__с.
308
В случае Гс > 25" С РКтах 1“Вт1 —
V I 4 6 8 10 12 /4 16 UK3)8
ГШ5А,ГШ5в~Д1ъ*№мА
то5Б,Г^05Г~А1гО,гнА
ГГ406А
Общие сведения. Германиевые сплавные р—п—р-транзисторы предимкм** вы для усиления и генерирования низкочастотных колебаний
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, П1.б0}« Масса транзистора не более 4 г.
•М
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры: ^КБ max • max 1 ^213
Наименование	Обозна- чение	Значения			Р яои'ы и ик рения				
		0 • X та л § £ ? у	1> о 5 а X	максимальней	to S	а ‘ел	2	/ь- А	
Обратный гбк коллектора, мкА	1КБО			50	2s				
Обратный ток эмиттера, мкА	Gro			50		20			
Обратный ток коллектор — эмиттер при разомкнутой базе, мА	?кэо			Б	25				
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^К, IM			0 ,5			0 5	0,05	
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В				О <			0 45	1,05	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с СЭ	*21г«	50		150	-				0.1
Граничная частота коэффициента передачи точа в схеме с СЭ, кГц	^21Э	6			5				о,1
Плавающее	напряжение эмиттер — база, В	^ЭБ пл			о.з	25				
I арантируготся при температуре икру
Максимально допустимые параметры, жаюшей среды 7С =—60...4-70’С.
/к max — постоянный ток кол-
лектора, А ....... 1,25 /б max —постоянный ток ба-
зы, А ....................0,4
^эб max “ постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В ,	.20
УкБтах —постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . . 25
—постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт с теплоотводом при
=^25°......................4,0
без теплоотвода при Гс^
С 25° С .................0,6
Йт, п-к — тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт ........................15
/?т, в-е—тепловое сопротивление переход — окружающая , среда, °С/Вт ....	,100
Допустимая температура окружающей среды, ’С . —60...+70
° тах == (85 — 7 п-в с теплоотводом при Тк>25° С.
2>	“ (85 —	без теплоотвода при 71с> 25° С,
310
Диапазон средних частот
КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г,
КТ501Д, KT50JE, КТ501 Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—р-транзисторы предн.пначены для использования в различного рода схемах аппаратуры.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Ш.15). Масса транзистора не более 0,6 г,
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры;
^КЭЯшах. ^КБ max
Наименование	Обозначение	ча<|ЧС >ия			Режимы .вме-ения					
		о s 2 B И «3 ** ?		 типовое	' макси* мольное	й	я СП а	S! й	Е ‘ ЕД	а	3
Напряжение насыщения коллектор — Эмиттер, В	^КЭ нас		0,15	0.4			300	60		
Напряжение насыщения база — эмнттер, В	на.		। 0,4	I .5			300	60		
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом		130	800	2500	5				5	0,27
Статический коэффици-										
ент передачи тока в схеме с ОЭ:	ft213									
КТ501А,	КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л КТ501Б,	КТ50.1Д,		20	40	60	1		30			
										
										
КТ501И, КТ501М КТ501В,	КТ501Е,		40	85	120	1		30			
КТ501К		30	160	240	1		30			
при 7'и = 125° С: КТ501А,	КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л КТ501Б,	КТ501Д,	*	20		120	1		30			
КТ501И, КТ501М КТ501В,	КТ501Е,		40		240	1		30			
КТ501К		60		480	1		30			
при 7',(=—60°С: КТ501А,	КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л		10		60	1		30			
311
Наименование
КТ50Ш,	КТ501Д,
КТ501И, КТ501М
КТ501В,	КТ501Е,
КТ 501 к
Отношение коэффики ента передачи тока в прямом я инверсном включении Лп* /Ад , внв
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х. 10-'4 <м
Граничная частота ко эффггциента передачи тока в схеме с ОЭ, Ml ц
Коэффициент шума,
(/?г = 3 кОм), дБ,
КТ501В,	КТ501Е,
КТ501К
Емкость ^миттерного
перехода, пФ
Емкость коллекторного I перехода, пФ	Си
Значении
<  инны измерен ия
Обоана-ченйе
Од
il S -	1 О §	максн* мамдеое		Л 3		с г	i-а, мА । J	1	‘З
20 40		120 240	1 1		30 АО			
2,0	4,5	12	1	I	30			
0,15	0,3	0.55			1			— 0 27
5			к		10		'		
	2		3		0,2			1
		100						‘00
								500

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при i емнеоагупе окру-жаюшей среды То = 25,.. 125° С.	и
/к max — постоянный ток коллектора, мА............300
и max — импульсный ток коллектора^ мА.........500
Бетах —постоянный ток базы, мА ...................Ю0
UКБ max —постоянное напряжение коллектор — база, В; КТ501А—КТ501В .... 15
КТ501Г—КТ501Е .... 30
КТ501Ж-КГ501К .... 45
КТ501Д KlbOlM , . Л . 60
^КЭЛ max ~ постоянное напряжение коллектор —— эмиттер
Ю кОм). Bj
КТ501А— КТ501В . » . . 15
К1501Г-КТ501Е .... 30
КТ501Ж-КТ501К . , , , 45
КТ501Д К1501Л1 ..... 60
^эб max “ постоянное напряжение эмиттер — база, В| КТ501А—КТ501Е .... 10 КТ501Ж- КГ501М . . 8 s 20
312
— постоянная рассеинае-
МЧЯ МОЩНОСТЬ ЯОЛ.и’Н 1Ор.Т мВт ..................... 350
Гс чат ~ температура перехода, >С	.150
Допустимая температура окру* жаюшей среды. ’С . —60... + 125
" Н диапазоне температур 25»^ (2Т	Прй ионнженин температура от
до —60° С ^кэ/<(пах’ ^квщах линеЙво уменьшаются до 10 В для групп КТ501А — КТ501В, до 25 В для групп КТ501Г — КТ501Е, до 40 В для групп КГ501Ж — KT50JK и до 55 В для групп К Г501Л. КТ5ШМ Учение Удв mas умен ьшается для групп КТ501Ж — КТ501М до 15 В
7> В диапазоне температур — 60..+35°С. При повышенна температуры от 4-35 до 4-125° С мощность линейно уменьшается до 60 мВт,
^50^KT5ffir.^[J^.Kr5d^-d[b--50»^
КШ8,КНМД. ЧТ5Э1ИгКТ5в;&-£ ?5-
KT5D1B, КТ501ЕтКТ501К-Д1ъ .J.fKA
313
КТ502А, КТ502Б, КТ502В,	КТ502Г,
КТ502Д, КТ502Е
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—^-транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах узлах и блоках аппаратуры
Корпус пластмассовый (рис, П1.36), Масса транзистора не более 03 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
*213, ^КЭО:р*	^К. тал
-- „ ... г * Наименованно	Обозна- чение	Зьлчек. я			iJ	и-.- <, еаия					
		о X 4 £	типовое	< с К Й и л sJ Ч <_ GJ	g ‘Ял	иэ. в	s £	J?	Ф	[ j. кГп
Граничное напряжение транзистор,- ^300 мкс, <2>100)t В КТ502А, КТ502Б КТ502В, KT502F КТ502Д КТ502Е	^кэо гр	25 40 60 80							IC 10 10 10	
			Значр,|Чя			p		ы Ю J	ОрРНИЯ	
Наименованut	Обозли* чепиг	-И НИ 14	О д о S	. о X И S л * ч л 2 3		я ‘Gn	•i	s i	ц	1
Напряжение ‘насыщения коллектор — эм ни ер, В	ii jo		0,15	0,b			100	5		
Напря жен не пасы теп и я база — эмиттер, В		*	•18	1 ,2			100	J		
Входное сопротивление транзистора и режиме малою сигнала, кОм	^ыэ	0 ,32	0,9	1,0	‘J				2	0,8
Стат ический	коэффи- циент передачи тока в схеме с ОЭ КТ502А,	КТ502В, КТ502Д, КТ502Е КТ502Б, КТ5021 при Гс = +100°С: КТ502А,	КТ502В. КТ502Д, КГ502Е КТ502Б, КТ502Г при Гс = —40°С; КТ502А,	КТ502В КТ502Д, КГ502Е КТ302Б, КТ502Г		40 8! IP 80 15 30	75 135	120 240 240 480 120 240	5 a 5 5 0 5				10 to 10 10 10 10 1	
Граничная частота ко эффипиента	передачи тока н схеме с ОЭ, МГц	/гр	5	10	50	5				3	5--103
Емкость	эмпттерного перехода, пФ	сл		10	15		0.5				465
Емкое]ь коллек горного перехода, пФ	^я	-	10	20	5					465
Максимально допустимые парамезры. 1 арантируются при температуре окружающей среды Го =—40...+ 100° С,	,
/к mas — постоянный ток коллектора, мА...............  ,	300
тал —постоянный гок базы, мА........................100
^к.ишах — импульсный ток кол-
лектора (/«sglO мс, 10), мА .......................600
max —постоянное напряжение эмиттер — база, В ,	5
Г’кь п ах — постоянное напряже-
ние коллектор — база, Вз
КТ502А,	КТ502Б...........40
КТ502В,	КТ502Г...........60
КТ502Д....................80
КТ502Е....................90
С7КЭ max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В:
КТ502А,	КТ502Б . .... 25
КТ502В.	КТ502Г.40
КТ502Д	, .  .60
КТ502Е....................80
315
К так — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .......................... 500
Гитах — температура перехода, °C............................150
Допустимая температура окру жаюшей среды, °C , —40...+ 100
1) В диапазоне температур — 4О...+35°С. При повышении TQ от 35 до 100®С мощность линейно уменьшается до 220 мВт,
КТ503А, КТ-ПЗБ, ктавв, КТ503Р-
КТ503Д К Г5(МЕ
Обшт k кед»*няя. Кремниевые эпитаксиально и ли парные п—р—п-транзистору ,.ецн }печены для применения в ключевых и леленяы.х ехггях, узлах я бло-hdй <з 'iiid р<4 । \ ры
Корпи плас [массовый (рис. П1.36). Масса i paiHiiciopa не более 0,3 Р*
Условия эксплуатации — в соответствии с мбл П22
Электрические параметры. Классификационные параметры!' ;
^21Э’ ^КЭОгр- ^K'inia\> ^К-5 гнал..	'
На	. Ч	Обозначение	Зыач ‘i.n'i			Реж 1 ’и			г : -_ ।; —	 it 5 мере 11ЙЙ		
		g ss 3	типовое	0J . О я « и £ si 05 С5		п	/к, мА 1	S ~~	< ж т>	J г. кГц
» Напряжение насыщения коллектор — эмиттёр, В	 : ^КЭнас		0,05	0 б	!		10k	5		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		0,78	1,2			100	5		
Входное сопротивление т ранзнстора в режиме малого сшвала, кОм	Ацэ	0,58	13	4 П	3				2	0,8
317
		Значение				Режимы		нЗ н р	-НИЙ	
Наименование	Ооазна- ^еви<	МИНН-lajTbHQf	б с F-	ф , О !?	Ок t		/к мА I	Jb- мА	VW 6г 1			3 bj
Граничное напряжение транзистора С300 мкс Q^IOO), В. КТ503А, КТ503Б КТ503В, КТ503Г КТ503Д КТ503Е	^КЭО гр	23 40 60 80							10 10 10 10	
Статический коэффициент передачи тока в схе ме с ОЭ: КТ50ЭА,	КТ503В, КТ503Д, КТ503Е КТ503Б, КТ503Г при Ге—+ 100°С: КТ503А,	КТ503В, КТ503Д. КТ503Е КТ503Б, КТ503Г при Тв«—40° С» КТ503А,	КТ503В, КТ503Д. КТ503Е КТ503Б КТ503Г	Й21Э	40 80 *40 80 15 30	75 135	120 240 240 480 120 240	> 5 5 5				10 10 1и 10 10 10	
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГн	/₽р	5	15	50	1				3	
Емкость коллекторного перехода, пФ	Crt		10,5	_()	1					465
Емкость	эмигтерного перехода, пФ	св		13	30			0,5			4Ь5
пусЛ?1-40ЬН+100“СТИКЫе Па₽аМет₽Ы’ Гарантируются ври температуре КОр-
m л — постоянное наприже-
1%. mai — ItOCiQKHtWH так КОЛ' лектора, мА ,	... 300
max — {1осюнниь!Й ток базы, мА . .	... 100
1д, в шах — ИМНуЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лекюра {/м10 мс, 10),
иА . .	...	600
Uкь max —постоянное напряжение коллекюр — база, В;
КТ503А,	КТ503Б..........40
КТ503В,	КТ503Г , . . ,	, 60
КТ503Д................... .	80
КТ603Е	t ...............,100
ние коллеюор — эмиттер В: КТ503А КТ503Б .
КГ503В	КТ503Г	'	'	'
КТ503Д	*	’
КТ503Е	. . ‘	‘	‘	‘
ГЭБ пих ~~ посюянное напряже-
U.
25
40
60
80
J ЯИ£ ЭМИ1 гер — база, В . .	5
Чпнл постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .........................50Q
Тв т»х — температура перехода, °C ..........................150
Допустимая температура окружающей среды, 'С 4О.„+100
318
1) При *"c < 35'C, При повышении Tc от 35 до 100*С мощность линейно уменьшается де 220 мВт.
Диапазон высоних чао тот
RT601A
'Общие сведения. Кремниевые планарные п—р—n-транзисторы предназначены для работы в радиовещательных и телевизионных приемниках, в приемно-усилительной аппаратуре и других устройствах.
Корпус герметичный, металлический, с гибкими выводами (рис. ill.02). и пластмассовый (рис. ГН.53). Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметрыз ' I	max-
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы измерения				
		минимальное	максимальное		ра й	< £ СП	ijQ мА	' nJW Ч 1
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?в 100 кОм), мкА. при Тс~—40,..+25° С при Т+85° С	бо R	•	500 50 200	100 50 50				
Обратный ток эмиттера, мкА	Л-)6О		50		2			
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	) 1	2	ИЛ1)	20		10		2С
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ при Тс= + 85° С при 7'с~—10° С	^218	16 16 10 ,	300	20 20 20		10 10 10		
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сй		15	20				2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс	Тк		600	50			6	2
*) Типовое значение,
320
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру* жакмцей среды Гс=—40...+85 С,
7к тадг —постоянный ток кол-лйстора, мА	, 30
7э max “ постоянный ток эмит-
тера, мА	30
max — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . . 2
тах —- постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . . 100
^кэятах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер.
(7? в <100 кОм), В , « . . 100
РК max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт!
с теплоотводом при Тп = •=—40... 4- 55° С .........500
без теплоотвода при Го = *=—40...+55° С и Гк<75вС . 250
Допустимая .температура окружающей среды, °C ,	40.,.+85
'1 Зан. 501
321
КТ602А, КТ602Б
Общие сведения. Кремниевые планарные п—р—га-транзисторы предназначены для генерирования и усиления электрических колебаний в радиовещательных и телевизионных приемниках, приемно-усилительной и другой радиоаппаратуре.
Корпус металлический, 1ерметичный, с гибкими выводами (рис. П1.54,а), Масса транзистора не более 4,5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационный параметр, h^.
Наименование	Обоана* ченне	Значения		Рея.ими измерения					
		МИНИ-	1 мильное	, 8 я я a cd 2 S	Я £	CQ m	s £	3 JO	l$t мА	h МГц
Обратный ток коллектора, мкА: при	40 ..+25° С при 7'с —+853С	^БО		70 1000	120 100					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		50		5				
322
Наименование	Обозна- чение	Значення		Режимы измерения					
		МИНН’ мяльное	максимальное	Я 'MZ>	я	< 3 £	/g, мА	< в Л	f МГц
Обратный ток коллектор — эмиттер	"*10 Он)/ мкА; при Гс==—4О...+25°С при 7'с = + 85°С	{КЖ		100 1000	100 80					>
Граничное	напряжение транзистора (£«=5 мкс) В	УкЭОгр	70						50	0.1
Напряжение	насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		3			50	5		
Напряжение	насыщения база — эмиттер, В	БЭ нас		3			50	5		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ602А КТ602Б при Гс = +85°С! КТ602А КТ602Б при Та=— 40°С) КТ602А КТ602Б		20 50 16 40 5 12	80 220 240 80	10 10 10 10 10 10				10 10 10 10 10 10	
Модуль козффициен га передачи тока на высокой частоте	I 1	1,5		10		25			100
Емкость эмнттерного перехода, пФ	Св	15”	25		0				2
Емкость коллекторного перехода, пФ	СК	3,5”	4	50					2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой Частоте, пс	ТН		300	10		10			2
1 Гипоно? чнячрние									
ц*
323
Максимально допустимые параметры, хающей среды Го=—40 ..4-120° С,
Гарактируются при температура охру-ч
/к max — постоянный ток коллектора, .мА................  .	75
/к и max—импульсный ток коллектора (Q^7), мА , . , 500
э max — постоянный ток эмиттера, мА...................80
^КЭ/?пах ~ постоянное напряжение коллектор — эмиттер (ЯБ fiS 1 кОм), В
при Гл = —40 ,+70°С . . , 100
при Гл = + 120°С..........50
max —постоянное напряжение коллектор — база, В
при Гл = -40 +70°€ . . . 120
при Гд=-М20вС.............60
^эб max “ постоянное напряжение эмиттер — база, В , * |
^КБ.итах — импульсное напряжение коллектор — база (ГП"
=-4О..,+7О°С), В .... 160
max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом Вт
при Г«^25±10°С .... 2,8
при ГК = +85°С........0,65
без теплоотвода а>
при Г«<25±10°С . . . .0,85
при Гс=+85°С ..... 0,2
Готах—температура перехода, °C ........................120
Допустимая температура окружающей среды, °C .	40ч!+ 85
При повышении Тп от 70 до 120 СС напряжение линейно уменьшается
3) В	диапазоне	температур	25...85°С.	При	Th > 85°С	РКШ1Х[Вт1=«
«=(115—Тк)/Ят,п_н, где Дт п_к = 45°С/Вт.
8) В	диапазоне	температур	25. 85сС.	При	Тс > 85°С	Рк
*=(115 — Tc)/RTi п_с, где ЯТ| п„с=150°С^Вт.
324
I 'III^IUfp^'Hiii iir 11 i|11!! 11Г111 IT1
19 го 2[	22	23
KT603A, КТ603Б, KT603B, КТ6ОЗГ, КТ603Д, KT603E, КТ603И
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—п-транзисто-ры предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний радиовещательные и телевизионных приемников, в приемно-усилительной и другой аппаратуре
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис.
Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл, П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры!
/г21Э’
Наименование	Об©зна* чение	Знаке жя		Режимы измерен 1Я					
		и о 1 и 1 ч i §	si л- г? S 2	| а	1	га	1 к* мА	* й	Я З1	и £
Обратный ток коллектора, мкА при Го«-40 +25® с- КТ603А, КТ603Б, КТ603И КТ603В, КТ603Г КТ603Д, КТ603Е	^КБО	10 5 1	30 15 10						
325
.... „ — 	—		Значения			Режимы		измерения		
Наименование	Обозначение	OJ о 1 к к « - -	макси* мальное	ей £ &	а	S £	/g, мА	/д, мА	'МГц
при s7’c= +85°Сз КТббЗЛ, КТ603Б, КТ603И КТ603В, КТ603Г КТ603Д, КТ603Е			100 50 10	24 12 8					
Обратный ток эмиттера, мкА: КТ603А—КТ603Е КТ603И	^ЭБО		3 3		3 4				
НапряжеЕше насыщения коллектор — эмиттер, В; КТ603А—КТ603Е ктеози	^КЭ нас	0,25 0,15	1 1,2			150 350	15 50		
Напряжение насыщения база— эмиттер, В. КТ603А- КТ603Е КТ603И	&БЭ нас	0,3 0,5	1,5 1,3			150 350	15 50		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	[ ^31Э 1	2		10		30			100
Статическ[<й коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ603А, КТ603В КТ603Б, КТ603Г КТ603Д КТ603Е ктеози при 7с = +85° С: КТ603А, КТ603В КТ603Б, КТ603Г КТ603Д КТ603Е ктеози при ?с=—45° С: КТ603А, КТ603В КТ603Б, КТ603Г КТ603Д КТ603Е ктеози	^21Э	1(Г 60 20 60 20 10 80 20 60 30 4 20 8 20 8	80 200 80 200 80 80 200	2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2		—		150 150 150 150 350 150 150 150 150 350 150 150 150 150 350	
326
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное /		| макси- 1 I мальное	ЕЙ ЫГ Й	я 'еЛ	1%, мА	«с S 3?	<	f. МГц
Емкость коллектор ею!о перехода, пФ		8 101’	15	10					5
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Сд	2535п	40		0				5
Время рассасывания, нс	^рас		100			150	15		
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час тоте, нс	ТК		400			30			5
Типовое значение.									
Максимально допустимые параметры. 1 арангируются при температуре окружающей среды Ге——45 . + 85° С
/к mas — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора (Тп ——45...+ 120° С), мА ..........................500
^К.итах— ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора (Q^iO, /н=10 нс, Гд=—45...+120° С). мА . . 600
R max t— постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Ль <1 кОм), В
при Гп=—45 ..+70° С:
КТ603А, ДТ603Б, КТ603И . 30
КТ603В, КТ603Г ..... 15
КТ603Д, КТ603Е.............10
при 7л= + 120пС:
КТ603А, КТ603Б, КТ603И . 15
КТ603В, КТ603Г............7,5
КТ603Д, КТ603Е..............5
I! И
vKe max — постоянное напряжение коллектор — база, В s
при Та=— 45 „+70° С:
КТ603А, КТ603Б, КТ603И . 30
КТ603В, КТ603Г.............15
ктеозд, ктбозЕ . . . ; , ю при Гц= +120° С:
КТ603А, КТ603Б, КТ603И . 15
КТ603В, КТ603Г.........7,5
КТ603Д, КТ603Е ..... 5
^ЭБ max —постоянное напряжение эмиттер — база, В при Тп =—45.„+120’Сз
КТ603А—КТ603Е . . . .	3
при Тп=—45... + 70’С °:
КТ603И.................  4
при Та= + 120° С:
КТ603И ........ 3
^к\пах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(Л, *=+25...+50’С), Вт . . 0,5
Тп шах — температура перехода, °C ........................120
/?т. п-в — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 5С/Вт...............200
Допустимая температура окружающей среды, °C . —45...+_85
При повышении температуры перехода от 70 до 120° С напряжение линейно уменьшается
В диапазоне leMuepaiyp oU.„85° С	уменьшается до 0(12 Вт.
327
КI БОЗА, К Г£(Ш Я Т603Д -d I Б= 3,5мА,КТт К ТБОЗГ, К Ш 5, КЩЗИ-61Ъ=OtZnA
КТ604А, КТ604Б
Общие сведения Кремниевые планарные п~р~п-транзистопы предназна^е- • ны для работы в схемах переключения, релаксационных генераторах, усилителях напряжения, стаби чизаторах напряжения и других схемах промышленной аппаратуры широкого применения.
Корпус металлический, герметичный! с гибкими выводами (рис. П1,54(4)). Масса транзистора не более б г.	'
323
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 2
Электрические параметры. Классификационные параметры; ft219> ^Югмх-
Напмч! ванне	Обозна чан не	Значения		* Режимы измерении					
		минимальное	максимальное	В	й?	< S	Jg, мА		Г, МГн
Обратный ток коллектор — эмиттер (7?ь «С 1 кОм), мкА при 7'о=~40. +25° С при Гс = + 100° С			20 100	250 250					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		50		6				
Напряжение насыщения коллектор “ эмиттер, В	яаа		8			20	2		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 21» 1	2		40				20	20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ604А КТ604Б при 7‘с = + 100°С: КТ604А КТ604Б при Zc =—40° С: КТ604А КТ604Б	Й21Э	10 30 10 30 5 15	40 120 80 240 40 120	40 40 40 40 40 40				20 20 20 20 20 20	
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сн		7	40					2
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Сд		50		0				2
Максимально допустимые параметры /к max — постоянный ток коллектора (7'с——-40..,+100°С), мА ..........................200
М) К^Ятах “Постоянное напряжение коллектор — эмиттер (7?	1 кОм), В л
при Гс«—40„.+ 100°С , .250 , при То*= + 150°С..........125
М > КБт л —постоянное напряже-
ние коллектор —- база, В при Гс = —40. ,+ 100° С . , .300
при Т'е= + 150°С.......150
^эб max “постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В
при Тс=— 40" +100° С , . 5
при Гс=+150’С..........2,5
^К^тах —постоянная рассеивае мая мощность коллектора, Вт без теплоотвода
пр и Та “ —4 0 + 25° С , . , 0 8 при Тс= + 100°С .... .033
329
с теплоотводом
при То=—4О..+25аС »  « 3
при 77 «= + 100" С........1,25
Тп шаг — температура перехода, °C...........................150
Rt. и-к — тепловое сопротивле-
ние переход — корпус, * С7Вт 40 п-о — тепловое сопротивле-ние переход — окружающая среда, "С/Вт................150
Допустимая температура окружающей среды, °C .—25«+Ю0
При повышении температуры- перехода от 100 до 1504J напряжение уменьшается на 10% на каждые ИГ С.
’ 2) В интервале температур окружающей среды 25..»100°G ^Кшах =
•= (150 — Тс\ //?т п_с', в интервале температур корпуса 25,>.100“ G
так (ВтН(150’-Гк)/ЛТ)П_К1
КТ605А, КТ605Б
Общие сведения. Кремниевые планарные д-р—«-транзисторы предназначены для использования в схемах переключения, релаксационных генераторов, усилителей напряжения, стабилизаторов напряжения и в других схемах аппаратуры.
Корпус металлический, герметичный, е гибкими выводами (рис, П1.1, о). Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4,
Электрические параметры. Классификационные параметры: Й21Э* ^К^пшх-
Наименование	Обозна- чен не	Значения		Режимы измерения					
		маиа-мальв	максимальное	а 'Я/1	а Л Сз	JK. мА	Л В» мА	< я m	f. МГц j
Обратный ток коллектор — эмиттер, мкА при 77®—25...+25® С при Ге®-f-100® С	^кэк		50 200	250 250					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		100		5				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭнав		8			20	2		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1^218 1	2		40				*20	20
331)
Наименоэгнл?	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		'ЛИПЙ-тальное	максимальное	ик, В	а '&п	1 мА	3	мА	гГ Й
Статический коэффици епт передачи тока в схеме с ОЭ: КТ605А КТ605Б при 7'с = +100° Сз КТ605А КТ605Б при 7'с=—25° Сэ КТ605А КТ605Б		10 30 10 30 5 15	40 120 80 240 40 120	40 40 40 40 40 40				20 20 20 20 20 20	
Емкость эмитгерного перехода, пФ	Сэ	18; 351*	50		 0				2
Емкость коллекторного перехода, пФ	Св	2,7; 4,2»	7	40					2
Постоянная	времени цепи обратной связи ня высокой частоте, нс			250	20				20	2
1) Типовое знзчение.
Максимально допустимые параметры, 1 агитируются при температуре окру* жающей среды Гс =—25...+100° С,
и шах — ИМПуЛЬСРЫЙ ТОК КОЛ* лектора (Га=—25... + 150°С), мА........................200
/О) с КБ max —постоянное напряже-
ние коллектор — база В
при Гп=—25...+100° С . . 300
при 7"и = + 150°С	.... 150
ip)
КЭдтах ’—постоянное напряжение коллектор — эмиттер <1 кОм), В
при Ти»—25... + 100* С . ,250 при 7'п= + 150°С..........125
ri1'
эб max —постоянное напряжение эмиттер — база, В
при Го=—25...+ 100°С, . . 5 при Гп= + 150°С	.... 2,5
Р(РП1ах — постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора, Вт
при Гс=—25...+25° С , , » 0,4
при Гс = +100’С...........0,17
Тп шах —температура перехода, °C........................150
/?г, й-о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, * С/Вт.............300
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C .—25...+100
. 11 При повышении температуры перехода от 100 до 150° С напряжение ли» пенно уменьшается.	/
р S| В интервале температур окружающей среды 25..» 100е G
К шах [Вт]^ (150 7”сУ ^т, п — (и
331
'4Г605, П605А, П606, ПбОбА
Ч 2fl 21	22	23	24
Общие сведения. Германиевые конверсионные р—я—р-транзисторы предназначены для работы в высокочастотных и импульсных радиотехнических схемах.
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами, с жесткими и гибкими выводами (бис, И 1,55). Масса транзистора не более 12'г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл, 112,3,
Электрические параметры. Классификационные параметры] ^21Э> ^КБ max* *нр > ^ра®’ шах» ^ЭБ max*
332
		Значения				Режимы измерения				
Наименование	Обозна- чение	минимальное	типовое	максимальное	Я	са Ф а			V ‘^1	I /. МГц ।
Обратный ток коллектора, мА: П605, П605А П606, П606А При Тс — =60° С: П605, П605А П606, П606А	^кво	ЗЛО”2 1.5-10”» 6ЛО’2 6*10-а	0,2 0,1 0,3 1	2 —2 8 8	45 35 40 30					
Обратный ток эмиттера, мА: П605, П6О5А П606, П606А при 7с = . -60° С: П605, П605А П606, П606А	'ЭБО	ЬЭ СП	ьэ м*	*“* м* О О	О О 11	II U U	W W	2.10-а 2 10-2 2Л0~2 0,4	1 1 2 2		1 1 1 0,5				'I 1
Обратный ток коллектор— эмиттер (ЯБ ^100 Ом), мА: П605, П605А ’ П606А, П606	*кэя			3 3	40 25					<
Граничное напряжение, В: П605, П605А П606, П606А	УКЭО рр	35 20							0,3 0,3	
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер. В: П605, П605А П606. П606А	УКЭ вас	-		2 2			0,5 0,5	ало-2 зло-2		
Напряжение насыщения база-эмиттер, В: П605, П605А П606А, П606А	^БЭ нас			1,2 1,2			0,5 0,5	6-10-2 ЗЛО-2		
Модуль коэффициента пере-лачй тока на высокой часто-те_^	| ^310 1	3			10		-		10-2	10
333
Наименование	Обозначение	Значения	1			Режимы измерения					
		минимальное 				типовое	 О 51 Й Й ц н	Я	А ь	V ‘Я/	/Б- А	сг>	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ* П605, П606 П605А, П606А	Л21 £	20 40	40 85	60 120	35 20	/	0,5 0,5			
Время нарастания, мкс* П605, П606 П605А, П606А	^нр			0,3 0,35	ЕЧ я 0 гч 1! wg [1 о СО u 	СИ			0,5 0,5			
Время рассасывания, МКС' П605, П606 П605А, П606А	^рас	-		3 4	£к = = 20 В Ек=20В		0,5 0.5			
Емкость эмит-терного перехода, пФ				2000		0,5				5
Емкость коллекторного перехода, пФ	Св			130	20					Т 5
Постоянная времени цепи обратной связи, ПС				500	20				0,05	5
Время включения, мкс: П605, П606 П605А, П606А	^вкд			0,3 0,35	20 20			0,06 0,03		
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Та = —50... 4-60° С,
^к, и ши — импульсный ток коллектора, А..................1,5
!Ъ. и max ~ ЦМПУЛЬСНЬ1Й ток ба-
зы, А	0,5
^КБ max — постоянное напряжение коллектор — база, В: П605, П605А........45
П606, П606А ...... 35
334
УЭБ max — постоянное напряжение эмиттер — база В1 П605, П605А.................1,0
П606, П606А  ............0,5
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В при R ь^100 Ом, 7'с=25° Ci П605,	П605А.............40
П606,	П606А.............25
при Rg^lO Ом, Тс=60°С;
П605,	П605А.............20
П606,	П606А.............15
^КЭХ max —напряжение коллектор — эмнттер при запирающем напряжении, В)
П605. П605А...............45
П606, H60GA...............35
Pr max — постоянная рассеивае-мая мощность коллектора, Вт
без теплоотводаГ
П605, П605А................0,5
П606, П606А................0,3
с теплоотводом
=—50...4-25° С):
П605,	П605А..............,3,0
П606,	П606А..............0,75
7 р га в. х — темпера тура переход а, °C........................4-85
Рт,п-о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, °С/Вт................50
Рт,п-к — тепловое сопротивле-
ние переход — корпус, “С/Вт 15
Допустимая температура окружающей среды, “С,. —50..,+60
П605А, ЛШ -J I6“ 1мА, flS05, П60Б - J I6=ZrfA
*
П607, П607А, П608, П608А, П609. П609А
Общие сведения. Конверсионные германиевые р—я—/r-тракзисторы предна^ качены для работы в радиотехнических устройствах на частотах КВ и УКВ диапазонов и в импульсных схемах аппаратуры.
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (рис. П1 55). Масса транзистора не более 12 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры?
^21Э' |^21э|-
		Значения			Режимы измерения			
Наименование	Обозначений	минимальное	максимальное	га	1 а ‘ел	/К. мА	S	=f £
Обратный ток коллектора, мА при Тс= тбО° С	^КБО		0,3 3	30 30				
Обратный ток эмиттера, мА при Гс=— 60° С	^ЭБО		0,5 2		1,5 1,5			
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?Б = 100 Ом), мА при Тс = 4- 60° С	^КЭ R		0,5 3	25 20				-
Граничное напряжение ((и^ г.^5 мкс). В	^КЭО гр	25	-				100	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер (п=2..,8), В	УКЭ нас	Р>	2			200		
Напряжение насыщения база — эмиттер (п=2 ..8), В	^А>Э нас		- 0,6			200		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: П607, П607А П608, П608А П609, П609А	1 ^21Э 1	3,0 4,5 6,0		10 10 10		50 50 5b		20 20 20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (ta — \ “ 5 мкс): Пб07 П60?А П608, П609 П608А, П609А	Л21Э	20 60 40 80	80 200 120 240	3 3 3 3 		250 250 250 250		© о о о 1111 w w ы ш
336
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режим1,, измерения				
		минимальное | 	1	максимальное	XI	д Т)	S £	Pl, МА	1. МГЦ
при Го = 60°С: И607 П607А П608, П609 П608А, П609А при Тс=—60° С: И607 П607А П608, П609 П608А, П609А		8 24 1G 32	240 G00 360 720	3 3 3 3 3 3 3		250 250 250 250 250 250 250 250		Ы0“3 L10-8 ыо-3 1-ю-3 I ю-3 ыо-3 М0~3 ЫО-з
Время рассасывания, мкс	’’рас		3			200		ыо-3
Емкость эмигтерного перехода, пФ	сэ		500		0,5			5
Емкость коллекторного перехода. пФ		-	50	10		-		5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс			500	10		100		5
*) Типовое значение.
Максимально допустимые параметры, окружающей среды Тс ——GO...4-60° С
шах— ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора, мА................300
^Б, Я max — импульсный ток базы, мА..................... . , . 150
^к, и шах — импульсный ток'коллектор а. в режиме переключения, мА . .	. Б00
^ЭБтах — постоянное напряжение эмиттер —• база, В . . 1,5
^КБ max — постоянное напряжение коллектор — база, В , . 30
max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер, В
Гарантируются при температуре
при Тс =—60.. 4-40* С,
<100 Ом...................25
при Тс =—60° С, /?Б< 10 Ом 20
К max —средняя рассеиваемая мощность коллектора
(7,,=—60...4-40°С), Вт
при <20 В................1,5
при	<25 В .... НО
при	<30 В .... 0,5
Та шах — температура перехода, °C...........................85
Допустимая температура окружающей среды, “С ,—60...4-60
337
J) При увеличении температуры до 60*G Р^ тах линейно уменьшается до 0,85 Вт при УК9 20 В, до 0,55 Вт при 6/кэ<25В н до 0,25 Вт при Укэ<30 В.
338
-p-fTT^t1И1111Ц1H J'l I H|il I'| J11 IjH П p H F 19 го 2i 22 гз
КТ608А, КТ608Б
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально планарные п—р—«-транзисторы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, а также в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, радиовещательных н телевизионных приемников, в прнемно-усилнтельной и другой радиотехнической аппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, 111.1,6). Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.2,
Электрические параметры. Классификационный параметр: 6219.
		Значения			Режимы		измерения		
Наименование	Обозна- чение	минимальное	манси-мяльное	g 'я/?	а е/?	£	*3 (С	£ Л	V' £
Обратный ток коллектора, мкА при 7’с=—4Б...+25°С при Т'с = +85°С	/КБО		10 160	60 60					
Обратный ток эмиттера, мкА	АэБО		10		4				1
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас	0,45п	I			400	60		
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	О>Э изо	1.21’	2			400	80		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^aial	2		10		30			100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; КТ608А КТ608Б при 7'0 —+85СС: КТ608А КТ608Б при Го=—45°С: КТ608А КТ608Б — - . - .	Й21Э	20 40 20 40 7 15	80 160 200 350 80 160	5 5 5 5 5 б				200 200 200 200 200 200	
339
Наиме нов'll! не	 Обозна* ченне	Значения		Р жимы измерения					
		ф о ’ и й л й с; й со 2 2	ф 1 о й й и л Й ч а а	Щ £ 55		мА	*Б* мА	1 Л	ft МГц
Время рассасывания, нс	^рас		120			150	15		
Емкость коллекторного перехода, пФ	Св	6.51*	15	10					5
Емкость эмиттерного перехода, нФ ч) Т»повое значение	сз с.	351’	50		0			j	5
Максимально допустимые параметры.
7К max— ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-лектора (Тв--43 4-85° С), мА	..........400
7К и шах— ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора (7с = —45 + 85° С), мА..........................800
^КЭК max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (7?r=0) В
при Го=—45 4-70° С . . , 00
при 7п=4-120°С .... 30
^КБ max — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В
при Та=—45 4-70° С ... 60
при Ги=4-120°С	... 30
^ЭБлпах — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . , 4 /г! )
иглах — импульсное напряже-
ние коллектор — эмиттер, В
при Гс=—45 4-70°С ... 80
при Та = 4* 120° С . . . , 40
^КБ и max “* импульсное напряже-
ние коллектор—база (Q>2, 10 мкс), В
при 7а=—45. 4-75°С ... 80
при 7и=4-120°С . . , , 40
^эб,итах — импульсное напряжение эмиттер — база (Q^2, in Йа 1 0 МКС,	^ЭБ, И обр ^2
<2 мА) В ...... . 8
та х —постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
при ?'с=—45 ..4- 25°-С « . .0,5
при Гс=4-85°С........0,12
ТЕ max — температура перехода, °C.........................120
7?т, п—о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/Вт..............200
Допустимая температура окружающей среды, °C . -45,„+85
В диапазоне температур 70. Л20° G напряжение уменьшается линейно, 4 В диапазоне температур 25.;.85°С Рк ша5 [Вт] « 0,12+(85-7^/?^ д-в.
340
К1608 А - А 1Ь= SO и А; KTS0B6 -41 Б= 30 нА
ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В
Общие сведения. Германиевые сплавно диффузионные р—п—р транзистор-Ные матрицы предназначим для использования в импульсных, переключающих и Других устройствах аппаратуры широкого применения
м Корпус металлический, [ерметичный, с жесткими выводами (рис ГЛ 56, а). л'йсса транзисторном матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных транзисторных структуры
Условия эксплуатации — в соответствии с табл П2 2.
341
Электрические параметры. Классификационный параметр: Ллэ-
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измере н е					
		минимальное	максимальное	м	я ‘&п	«с £	«с й	Л	1 г, МГц
Обратный	ток коллектора, мкА при Тс — 60° С	^КБО		40 600	30 30					
Обратный	ток эмиттера, мкА при Тс =60° С	* А-)Б()		200 1 ХЮ		2,5 2,5				
Граничное напряжение транзистора, В	^КЭО рр	30						V 5	
Напряжение насыщения	коллек- тор — змиттер, В: , Г7С609А ГТС609Б, ГТС609В	Uk.3 нас	0,35 0,65	1,6 1 6			0,5 0,5	0,07 0,04		
Напряжение пасы* тения база — эмиттер, В: ГТС609А ГТС609Б, ГТС609В	^БЭ нас		1,1 1,1			0,5 0,5	3,07 0,04		
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ГТС609А ГТС609Б ГТС609В при Те = = +60° С при Тс = -—40е С		О	о Ъ]	сл ja	‘J*"	w ел w ScS ©	ф и	м	100 160 240 2Й21Эисх 2й21Э йсх	3 3 3 3 3				0,5 0,5 0 5 0,5 0,5	1 10-3 1-10“' ыо-3 ыо-3 ыо-3
Время	включе- ния, МКС’ ГТС609А ГТС609Б, ГТС609В	*BIUi		0,1 0,1			0,5 0,5	0,07 0,04		
342
Haiti еноэаннв	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		МИНН-малыше	чаксн-мальное	Я ’Я/?	34 т>	й	£	1$. К	я
Время рассасыва * НИЯ МКС5 ГТС609А ГТС609Б, ГТС609В	^рас	0,25 0,3	0,7 0,7			0,5 0,5	0,07 Э.04		
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц		30		3		0,5			
Емкость коллекторного перехода, пФ	Св		50	10					5
Емкость	эми1- терного	перехо- да, пФ	Св		250		0,5			1	5
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окружающей среды 7'С“—4O...+6O0 С.
a max —импульсный ток коллектора (/‘и^Ю мкс), А . . 0»7
в max — НМПуЛЬСКЫЙ ТОК базы (^<10 мкс), А . ,	. ,0,1
^эв max ~ постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . . 2,5 ^эе, ятах— импульсное напряже-
ние эмиттер — база
<10 мкс), В ...... 3,0
^КБ max — постоянное напряжение коллектор — база, В . * 50 ^кэх max — постоянное напряже-
ние коллектор — эмиттер ( С/эб^0,5 „0,7 В), В ... 50
2^^ max — постоянная рассеиваемая мощность всех структур матрицы, мВт	500
max — импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/н< Ю мкс), Вт , , , , « 5
/?», п-в — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт . , , . . 0,084
Допустимая температура окру„ жающей среды, “С , ,—40... 4-60
L> Определяется из расчета непревышення максимально допустимой мощности.
81 В диапазоне температур — 40.tl 4- 43° С. В диапазоне температур 4'43--*
4-60“ С значение мощности, рассеиваемой транзисторной матрицей, рассчитывая по формуле SPKmas [мВт] - (85 - Та)/0,084
®' На каждый транзистор транзисторной матрицы при любой комбинации включения транзисторов(
343
Общие' сведения. Кремниевые планарные п—р—п-транзисторы предназначены для работы в усилителях напряжения, релаксационных генераторах, кл че-вых схемах и другой аппаратуре.	П1 ₽< п\
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, ш.оч, Масса транзистора не более 5 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационный параметр: Пгыч»
Наимрцоваш е	Обозща* чение	Зн^че 1ия		И“Ж!П’Ь			вмерения		
		и 0 * я Я *3 ? г	си • о sj		X»	1 мА	i ь, мА	Iq, мА	1 й м
Обратный гок эмиттера, мкА			10		J				
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?^=0), мкА при 7'с =*—25 . + 25° С при Го = +100° С	'к=>к		200 800	180 180					*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В „	^кэ нас		8			20	2	**	
Модуль коэффициента передачи тока из высокой частоте	1^210 1	3		40				20	20
344
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы измерения					
		минимальное	1ЙКСИ-мальвой	Л £	и=» В	Л	LO	/э, мА	/. МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; КТ611А КТ611Б при Гс = +100° С: КТ611А КТ611Б при Тс =—25° С: КТ611Л КТ611Б	Л2!Э	10 30 10 30 5 15	40 120 80 240 40 120	40 40 40 40 40 40				20 20 20 20 20 20	
Емкость коллекторною нерехо-да, пФ	Ск		5	40					2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс			200	20				20	2
"’Т
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру жаюшей среды Те = —25... + 100° С,
/к шах — ПОСТОЯННЫЙ ТОк коллектора, мА...............100
^ЭБ max —постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В , .	3
при Тс = + 150°С..........1,5
^КБ max —постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . , 200 при 7с = -М50оС , . , . , 100
^КЭ/?тах “Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(/?Б <1 кОм), В...........180
при Т’с= + 150°С...........90
^к Иах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
без теплоотвода г>
при 7'с = +25°±10°С . . , 0,3
Тс = +100° С.........0,33
с теплоотводом 3) при Гк = +25°± 10° С . , 3
7\= + Ю0°С .	,1,25
Нт, п-о — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, 0 С/Вт ...........,150
Rt, d-k — тепловое сопротивление переход—корпус, °С/Вт 40 7\> max — температура перехода, °C , .	...............15С
---Допустимая температура окру-жающей среды, ° С —25,,,-Ь 100 345
*) При повышении температуры перехода от J00 до 150аС напряжение уменьшается линейно.
2) В интервале температур окружающей среды 25...1005С Рк гаах 1Вт1=(150~Гс)//?т>11_с.
3) В интервале температур на корпусе 25.., юсгс Рк mdS=U50-rK)/7?Tt п_к.
К Т m-А	г»А\ -А!^0,1мА
КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—rt-транзистор’ ные матрицы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, блоках вычислительных машин и другой аппаратуре,
346
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами, (рис.
Масса матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных транзисторных структур,
Условия эксплуатация—в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры! Л21э> ^кв max.
		Значения		Р ежимы измерение				
Наименование	Обозна* чение	минимальное	максимальное	Й	а 'еп	я £	г	4W *i |
Обратный ток коллектора, мкА: КТС613А, КТС613Б КТС613В, КТС613Г при 7’с —+85°С: КТС613А, КТС613Б КТС613В, КТС613Г	\вО V		10 10 100 100	60 40 50 34				
Обратный ток эмиттера, “мкА	^ЭБО		10		4			
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас	0.51»	1,2			400	80	-
								
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас		2			400	80	•) z
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ]	2	гл1»	10		30		100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ1 КТС613А КТС613Б КТС613В КТС613Г	-	। при 7’с = 4-85° С: КТС613А ~	' КТС613Б КТС613В КТС613Г	Л21Э	25 40 20 50 20 30 15 40	100 200 120 300 200 300 250 450	5 5 5 5 5 5 5 5	-	200 200 200 200 200 200 200 200		
347
Наименование	ОЙозяа» чение	Значение		Режимы измерения				
		минимальное	максимальное	Я	ш <т> =>	S %	8 *	' ”JW ’/ /
Время рассасывания, нс	^рас		100			150	15	
Емкость	эмиттер кого перехода, пФ		201’	50		0			Ю
Ем кость коллекторного перехода, пФ		81}	15	10				ю
*> Типовое значение.
Максимально допустимые параметры»
/к о»—постоянный ток кол* 1ектора (Гс=—45...4-85° С), мА...........................400
/к и max — импульсный ток коллектора (^цСЮ мкс, Q2?2, 45,.+85°С), мА . . 800
^;1<ЭК max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(R =0), В
При Тс=—45...+70° Ci
КТС613А, КТС613Б , . t , 60
КТС613В, КТС613Г . ... 40 при 7’с = + 120’С! КТС613А, КТС613Б .... 30
КТС613В, КТС613Г .... 20
^КЭ Rmax — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?в кОм), В
при Тс=— 45...4-70°С1
КТС613А, КТС613Б , ... 50
КТС613В, КТС613Г .... 30 при 7’e- + J20eCj
КТС613А, КТС613Б ... 25
КТС613В, КТС613Г . ... 15
^КВ max —постоянное напряже-ние коллектор — база, В
При Гс=—45„4-70’С:
КТС613А. КТС613Б .... 60
КТС613В, КТС613Г «... 40 при 7’с=+120°С:
• КТС613А, КТС613Б .... 30
КТС613В, К1С613Г .... 20
^кэлтах — импульсное напряжение коллектор — эмиттер (Q&2, кСЮ мкс, /?Б£$ кОм), В:
KTC6I3A, КТС613Б . . . . 70 КТС613В, КТС613Г .... 50
^Кв.нт.х—импульсное напряжение коллектор — база (Q^2, .
мкс), В
при Тс=—45..+7О°С!
КТС613А, КТС613Б ..lift) КТС613В, КТС613Г .... 60
при Тс « + 120° С:
КТС613А, КТС613Б . ... 40 КТС613В, КТС613Г .... 30
^ЭЕт.х — постоянное напряжение эмиттер — база, В , ,	4
т, г>2 J, 3 )
"К max — постоянная рассеиваемая мощность всех структур транзисторной матрицы, Вт яри Тс «=—45...+50° С । . » 0,8 ПрИ Ус ess-f-85° С , . , , , 0,2
VD4)-5).r max — импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы f^sglO мкс, Q^2), Вт
при Тс=— 45...4-50°G ... 3,2 при 7\>=»+85оС ..... 0,8
Fa пах—температура перехода,
3 48
Rt п-и —'Тепловое ние переход ° С/Вт . .
Rt, п-с — тепловое
сопротивле-— корпус, . . .	. 60
сопротнвле-
ние переход — окружающая
, среда, ° С/Вт................125
1 Допустимая температура окру-
жающей среды, °C . —45...+85
1 При повышении температуры перехода от 70 до (20tt С напряжение уменьшается линейно.
2! В диапазоне температур 50...85Q С
2РКтах *Вг]~0,2+(85-Тс)//?т,п..с!
^Ктах °Дн°й транзисторной структуры не должна превышать 0,5 Вп
4> При условии, что средняя мощность не превышает значения Рк тах для данной температуры окружающей среды,
и max 0Д11°й транзисторной структуры не должна превышать 2 Вт*
В диапазоне температур 50*;*85QG ^к.итях Уменьшается линейно*
ХТ£8ГЗА~А1ъ=?,5мА, ШЖЬ,>т;8138-£1р
^15мАгНТС613Г-^1ъ-=КП мА
349
350
/ЛуП7[ТПТр7ПртТТТТП^ТТте
W 21	&	&
КТ616А, КТ616Б
Общие сведения. Кремниевые, эпитаксиально-планарные п—р—д-транзисто-ры предназначены для использования в ЭКВМ «Электроники-70»* «Электрони-ка-70М» и в других модификациях этих машин.
• Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.11). Д1асса транзистора не более 0,6 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
1	^213» КБ max* ^рас*
Наименование	Обозна- чено	Значения		Режимы измерения					
		О  Ш а д if	О » о в ffi и Д) Ч а S Г	а Й	я *е/?	< 2 ^Й	< 2	< S А “"ч	j Г, МГц
Обратный ток коллектора, мкА при 7с = +85°.С	\бО		15 25	10 10					
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		15		4				
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?Б	10 кОм), мкА	7КЭД		15	20	*				
Напряженке насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		0,6			500	50		
Напряжение насыщения база— эмиттер, В	^БЭ нас		2			500	50		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^210 1	2			10	30			100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; КТ616А КТ616Б при 7С = +85° С: ' К.Т616А	\ КТ616Б при Тс=_40°С: >-	> - КТ616А КТ616Б _	'	Й21Э	40 25  40 25 20 8	85 70	1 1 1 1 1 I				500 500 500 500 500 500	
Ьремя рассасывания, исз КТ616А КТ616Б	^рас		50 15			150 150	15 15		
35»
Наименование
Емкость э<1ИТ£ерного перехода,! пФ	Сэ
Емкость коллекторного перехода, пФ
Обозна-
чение
Значения		Режимы измерения					
минимальное	макси- ! мальное	и £	S		1 /б- мА	Vй '^1	I 1. МГц 1
	50		0				2
	15	10					2
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру* жаюшсй среды Гс =—4O...+850С,
/к max — ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ-
КГБ16А - JI6=0,1 нА; К ГШ-А 1Е= £? инА
лектора, мА, л..........400
/к, и max — импульсный ток коллектора (fa ^СЙО чс, Q = 10), мА .	,.............600
^эб max—постоянной напряже-
ние эмиттер — база, В . .	4
^КБ max ~ постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . . 20
<? —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Кв кОм), В .... 20
Рк max — постоянная ' рдссеивае-мая мощность коллектора, Bt при Гс, — 25'JC.............0,3
при 7с = 85°С ...... 0,25
Тк max — температура перехода, °C..........................150
/?т, п-о —тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт.............0,26
Допустимая температура окружающей среды, °C , —40...+85
352
КТ617А
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные «—р—п-траизпсто-рЫ предназначены для использования в ЭКВМ «Электроника-70», «Электрони-ка-70М» и в других модификациях этих машин.
Корпус металлический* герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.38). Масса транзистора не более 0,84 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры] f> 21.Э’	max-
(^именован ь з W	Обозня- чрнне	Зн 1 ч-*| н		Р жи.’ъ 4 iveji* iii'H					
		н	максимальное	CQ £	СП	с Е К	С X со	S Л	|h МГн
Обратный ток коллектора, мкА при Гв =—4О... + 25еС при Го - 4-85е С	УКБО	1	5 15	30 30				-	
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭВО		15		4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	нво	-	0.7			/50	15		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^aie 1	1,5		10				30	100
Статический f коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала при Гв = 25...85° G при Гс——40° С		30 8	140	2 2				400 400	
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		15	10					2
Емкость эмиттерного перехода, нФ	Св		50		0				2
Постоянная времени целя обратной связи на высокой частоте, ИС	Тк		120	5		5			5
12 заи> &Q3	353
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тъ = —40...4-85° С.
/к шах — постоянный ток коллектора, мА...................400
?К. итак— НМПуЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ-лектора (Q=10, (я^80 нс), мА............................600
^кэу?гпах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (RrjfiSlO кОм),. В .... 20
КБ max— постоянное напряжение коллектор — база, В . . 30 ^ЭБ max — постоянное напряжение эмиттер — база, В , ,
Рк max — постоянная рассепвае-мая мощность коллектора, Вт
при Тс~—4О..+25°С , * . 0,5
при 7’с==+85°С...........0,3
Тя max — температура перехода, °C...........................150
Pt, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, ° С/мВт .... 0,215
Допустимая температура окружающей среды, °C , —40...+85
354
I;piii|iiiiji[ii|TUi~ KT618A 20	21 22 23 j
Общие сведения. Кремниевые планарные п—р—га-транзисторы предназначены для использования в схемах ЭКВМ «Электроника-70», <Электроника-70М> и в Других модификациях этих машин.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, П1.38), Масса транзистору не более 0,84 г,
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4,
Электрические параметры. Классификационные параметры]	t
^КЭА-П1ях> Й21Э‘
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения			
		минимальное	О 1 о Я 31 Q Л SS S	й X О	с/а. в	иА	1
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБ<		100		5		
Обратный ток коллектор — амигтер (/? b— 1 кОм), мкА при Та=* +85°С при Т <><=•—-4-0* С		1	50 200 50				
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^310 1	2		40		20	20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс=—40’С	^21Э	30 14	310	40 40		1 1	
Емкость эмиттерного перехода, пФ			50		0		2
Емкость коллекторного перехода, пФ X	С к j		7	40			2
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-» жающей среды Тй = —4О..«+85°С.
шах — постоянный ток коллек-
тора, мА.....................100
^эб max — постоянное напряжение эмиттер — база, В .	5
^КБ шах — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . t 300 12* -
^Кэнгпах—постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(£ь =1 кОм), 8...........250
Рд шах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт при Л——40...+ 25* С ... 0,5 при Л> = +85°С » « , , .0,325
355
Tn max,—температура перехода, °C...........................150
/?т, п-с — тепловое сопротивление переход — окружающая
среда, * С/м Вт . , s « » . 0,2 Допустимая температура окру-
жающей среды, °C , —40...+ 85
19	20	21	22	23 КТ620Б
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р—п—р-транэисто-ры предназначены для работы в ЭВМ «Электроника 100» и ЭКВМ «Электроника».
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П+1,6), Масса транзистора 2 г,
356
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4, Электрические параметры. Классификационные параметра ^213* КЬ шах
Наименование	Обозначение	Значения		Режимы измерения		
		минимальное	максимальное 			
				СП Ьй	А Й	/в> MAj
Обратный ток коллектора, мкА .	^КБО		5	50		
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		1		400	80
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	М нас		1.8		400	80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f»100 МГц)	1 ^218 1	2 -		10	Зп	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	^21-	30	100 |	5	200	
Время рассасывания, нс	(рао	•	100		200	20
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Ге»—45...+70° С,
^ЭБ шах — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . . .	4 '
max — постоянное напряже-
ние коллектор — база, В . , 50
при 1^=85° С.............*	40
при	. « . . * 25
^КЭдтах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
-	^100 Ом), В .... 40
при Та=120°С	. i < , . 20
^КЭ.итах — импульсное напря-
жение коллектор—эмиттер, В 40
при 7'п“85°С...............30
при Ги-120°С	. . t . . 20
-^Kmax —постоянная рассеивае-м ая мощность коллек гора, мВт
nptr Гс = 25±10°С . « । . 500
при ТО=85±2°С ..... 100
Тя Bui — температура перехода, °C..........................120
ZfT, п-в — тепловое сопротивление переход — окружающая среда, *С/мВт..............0,15
Допустимая температура окру-
жающей среды, °C ( —55,..+85
Х) При повышении температуры перехода от 85 до 120° С напряжение уменьшается линейно,	d
а) В интервале температур окружающей среды 25U.85JG	ImBtJ 
1004- (85 - Тс) /0,15.
357
20
2*
22
23
КТС622А, КТС622Б
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р—п—^-транзистор-ные матрицы предназначены для работы з быстродействующих импульсных и других схемах.
Корпус металлокерамический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1,57)< Масса транзистора нс более 0,6 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^КБтах-
Наименование	Обозна- чение	Значения		Режимы измерения					
		" о i л и ч з:	максимальное	Ц ‘^/7	уэ, в	< S	1	jp	1 f, мгц
Обратный ток коллектора, мкА при	—45...+25° С; КТС622А КТС622Б при Тс = +85° С: КТС622А КТС622Б	^КБО	0,01 0,01	10 20 100 200	45 35 30 20		/			
Обратный ток эмиттера, мкА		0,08	20		4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: КТС622А КТС622Б	нас	0,5 0,5	1,3 2,0			400 400	80 80		
Напряжение насыщения база— эмиттер, В: КТС622А . КТС622Б	^БЭ нас	0,9*5 0,95	'1 2,2 2,5			400 400	80 80		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТС622А КТС622Б	1 ^318 1	2 1,5		10 10		30 30			100 100
Статический коэффициент, передачи тока в ехеме с ОЭ: КТС622А КТС622Б	Л21Э	25 10	150	5 5				200 200	
358
Г” " Наименование	Збозна* чек но	Значение		Режимы измерения					
		минимальное	максимальное	£ э	УЭ, в	1 й	< 3 уд	«С 3 yb	| Ь МГц
Время рассасывания, нс: КТС622А КТС622Б	^рас		120 200			200 200	20 20		
Емкость эмиттерного перехода, пФ		20	80		0				5
Емкость коллекторного перехода, пФ	С-'в	8	16	10					5
Максимально допустимые параметры, f арантируются при температуре окру-, жающей среды Тс =—45...+85° С.
/к max — постоянный ток коллектора, А.....................0,4
/к, я max — импульсный ток коллектора (^и^Ю мкс, ^10), А	. 0,6 ’
^КБ max —постоянное напряжение коллектор — база, Б
пр» Тс=—45...+70°С:
КТС622А ..................45
КТС622Б ....... 35
при Тс = + 120° С:
КТС622А .................30
КТС622Б .................20
^КЭйтах — постоянное напряжение коллектор — эмиттер (ЯБ ^1 кОм), В
при 7 с=—45...+ 70° Ci
КТС622А .................45'
КТС622Б .................35
при Тс=4120°С;
КТС622А .................30
КТС622Б .................20
max — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В .	» 4
^КБ, иглах —импульсное напряжение коллектор — база (/и 5^10 мкс, 10), В:
КТС622А ....... . 60
КТС622Б ....... . 50
^КЭЯ, атах — импульсное напря-
жение коллектор — эмиттер (/?f кОм, ^1^10 мкс,
В:
КТС622А ....... 60
КТС622Б ...............50
^ЭБ,ит1ах —импульсное напряжение эмиттер — база
СЮ мкс, 010). В ... 6
SPjpmax — постоянная рассеиваемая суммарная мощность рабочих элементов матрицы (Тс=—45,..+25° С), Вт . . 0,4
SP итах — импульсная рассев-1 ваемая суммарная мощность рабочих элементов матрицы (А£^10 мкс. 10, Тс™ = 25+10° С), Вт................10
Допустимая температура окружающей среды, °C, —15... + 85
11 В интервале температур 70 г' Б интервале температур
Ч* (85 — ^с)/^т,п-с- гДе #Т, л - с ваемая матрицей при Тс « 85° С
.85? С напряжение уменьшается линейно. Гс= 25...85°С 2РКтак ГВт] = 0,24 4* =• 218° С/Вт; 0,24 Вт — мощность, рассей* , и нормальном атмосферном давлении.
35»
КТ624А
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные к—п—гг-транэисто« ры предназначены для использования в неремовтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту от действия солнечного света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, агрессивных сред, повышенного и. пониженного атмосферного давления, используемых в быстродействующих импульсных устройствах.
Оформление бескорпуспое (рис. П1.30). Масса транзистора не более 0,015 г.
Условия эксплуатации—в соответствии с табл. Г12 3.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
УКЭяас> ZPac*
360
Наим"' юви'ие	Обозначение	Знача) г я		Режимы из *epj ля					
		мини-мальнс1	а б S ГЦ о л * ts я а S 3	Я Г^Л	1 Уэ. ь		<	А	1. Гц
Обратный ток коллектора (Тс=—45., + 85°С), мкА	^КБО		100	30					
Обратный ток эмиттера, мкА	^эво		100		4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		0,9			I	0,1		
Напряжёнке насыщения база— эмиттер, В	^БЭ нас		1.7			1	0,1		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	1 ^2ia |	4,5		5		0 1			10s
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (/,^30 мкс, Q^50)	^21Э	30	180	1		0.3			
Время рассасывания, нс	^оао		18			1 0	0,1		
I мкосгь коллекторного перехода, пФ	Сц		15	5					ю7
Емкость эмнттерпого перехода, нФ	Сэ		50		0,5				10т
^ксимально допустимые параметры1!. Гарантируются при температуре корпуса /н = —45 .. + 85° С.
свая — ПОСТОЯННЫЙ ТОК коллектора, А	1,0
и гам — импульсный ток коллектора (i»^5 мкс, Qb> ^Ю), А.....................1,3
^бща» — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В , , 4
^кЬцаХ —постоянное напряже-
ние коллектор ~~ база, В ( 30
1Г~Н
° составе микросхемы!
^кэ/гппх —постоянное напряжение ко влектор — эмиттер (А* -5 кОм), В.................30
Рк max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт при 7К==,—45.. +70°С , , , 1,0 при Гн =+85° С . . * . ,0,7
Та max — температура перехода, °C.............................120
Допустимая температура окружающей среды, °C , —45...+ 85
361
КТ625А, КТ625АМ
Общие сведения. Кремниевые эпитаксйально-п запарные п — п — и трзнзястс^ ры предназначены для использования в иеремонтнруемых гибридных ы ядром о дулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту приборов от ваз-ЗЬ2
действия влаги, соляного тумана, инея, росы, пониженного и повышенного давления, используемых в быстродействующих импульсных и других устройствах аппаратуры.
Оформление бескорпусное (рис. П1.30, П1.31), КТ625А на керамическом 1,9X1,9 мм> а КТ625АМ на металлическом 3X1 мм кристаллодержателях. Масса транзистора не более 6,015 г—КТ625А. Масса транзистора КТ625АМ не более 0,004 г.
Условия эксплуатаций — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры; t	HaGt гвас-
Наименование	Обозна- чение	3 ычения		Режима измерения				
		МИНИ* мяльное	чаксьь М ИЛЬН®£ |	Я £	а А s	/^9 мА	А	я
Обра Iныв'"ток коллектора, (Гв™ =—45,..+85°С), мкА	ZKBO		30	60				
Обратный ток эмиттера, мкА	УЭБО		100		4			
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	UКЭ нас		1,2			500	50	
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ на;		1.5			500	50	
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|	1	2		10		50		10
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ =С30 мкс, Q^50)	**21Э	20	200	1		500		
Время рассасывания, нс	fpac		50			500	50	
Емкость эмиттерного перехода, пФ	сэ		90		0			10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		9	го				10
Максимально допустимые параметры Гарантируются при температуре окружающей среды Тй=—45.„4-85” С,
шах — постоянный ток коллектора, А ........ 1,0
— импульсный ток кол-
лектора (/в^5 мкс, > 10J, А..................1,3
^ЭБтах — постоянное напряжение эмиттер — база, В , ,	4
^КБшах —постоянное напряжение коллектор — база, В . . 60
звз
^кэртак—постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Я Б =5 кОм), В..........40
Рк max — постоянная рассеинае-мая мощность коллектора, Вт при Тс = -45 .+-70яС ... 1,0
при То=+85°С............0,7
Ти max — температура перехода, °C..................... 120
Допустимая температура окружающей среды, °C . .—45...+85
В составе микросхемы»
364
КТ629А
Общие сведения. Кремниевый эпитаксиально-планарный р~п—^-транзистор предназначен для использования в быстродействующих импульсных н других не рем оптируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту от действия солнечного света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, агрессивных сред, повышенного и пониженного атмосферного давления, для аппаратуры широкого применения.
Оформление бескорпусное, на диэлектрическоГг подложке (рис. ПКЗО). Масса транзистора пе более 0,02 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
^КЭиас , ^Баиас> 'КБО,''ЧтЭ- Сз, Ь
Наименование	Обозна* челне	Значени1			Режимы намерения					
		минимальное	типовое	макси* мальвое	УК- В	Уэ. Б	VW	1	5 та	<4 31 А -м	Il МГц
Обратный ток коллектора, мкА	^КБО			5	50					
Г раничное напряжение транзистора, В	^КЭО гр		40						10	
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нае			1			500	50		
Напряжение насыщения база — эмииер, В	^БЭ нас			1,2			500	50		
Модуль коэффициента Передачи тока на высокой частоте	I I	2,5			5				50	100
Статический коэффи ияент передачи тока в схеме с ОЭ	^Э1Э	25		150	5				200	
Емкость эмиттерного перехода, пФ —-—	с8			120		0,5				5
Емкость коллекторно- 10 перехода, пФ ‘	Ск			25	10					5
пи°СТ°г?пная времени це-кратной связи на частоте, пс	Tr	90	120	200	10				50	30
365
Максимально допустимые параметры2). Гарантируются при температуре кор-пуса Тк=—60...4-125° С.
/к mai—ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛСК-тора, А ........	1
^эн т0х — постоянное напряже-
ние эмиттер — база, В . .4,5 ^КБтах —постоянное напряженке коллектор — бЪза, В . . 50 max —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (Ян кОм), В ..... 50
^Ктах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тк<80°С), Вт .................... 1
Тп max —температура перехода, °C............................  135
Допустимая температура окружающей среды, °C < —60..'.-г-125
11 При Ги « 125° С Рк тах уменьшается до 0,18 Вт,
3) В составе микросхемы.
19	20	21	22	23
КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е
Общие сведения. Кремниевые планарные п—р~«-транзисторы используются , в быстродействующих импульсных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (в днух вариантах: 1 — см. рис. П1.1,б и 2 — см. рис. П1.38). Масса транзистора не более 2 г (для обоих вариантов). Транзисторы в корпусе (рис. П1.1, б) маркируются * с буквой «М», КТ630АМ, КТ630БМ и т. д.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры! ^КЭО ГР - Л21Э,	тах, ^ЭБО max, U КБО max-										
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения					
		1 1 минимальное	типовое	макси-! мальное	Я ’*/3 ।	Я *6/? |	а	' /б* мА	1 /д. мА	$ I
, , , } Обратный ток коллектора, мкА: КТ630А—КТ630В КТ630Г— КТ630Е	^КБО			1 1	90 40					*
Граничное напряжение Транзистора	=0), В; КТ630А КТ630Б, КТ630В КТ630Г КГ63ОД, КТ630Е	^КЭО гр	90 80 60 40							100 100 100 100	
369										
Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения					
		и о • л я л !i	типовое	макси* мальнре	са Ь	Б	iK. мА	^Б. мА	Jq. мА	Sf Ды W
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В	^КЭ нас		1 0,11	. 0,3			150	15		
Напряжение насыщения база — эмиттер, В	^БЭ нас	V	0,85	1.1			150	15		
Входное сопротивление транзистора в схеме с обшей базой в режиме малого сигнала, Ом	б	5	6	8	10				5	0,27
Входное сопроз явление транзистора в схеме с ОЭ в режиме малого' сигнала, Ом	&11Э	200	500	1200	10		5			0J7
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ630А, КТ630В, КТ630Г	v КТ630Б, КТ630Д КТ630Е при Гс = + 125°С! КТ630А, ктезов, ктбзог КТ630Б. КТ630Д КТ630Е	й21Э	40 йо 160 40 80 120	80 150 290	120 240 480 240 4801 10001	10 10 10 10 10 10		150 150 150 150 150 150		*	
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	Лф	50			10				50	20
Время включения (/ = “10 мкс), мкс	^вкл	0.04	0,1	0,25			200	40		
Время выключения (?а= в 10 мкс), мкс	^ВЫНЛ	0,08	0,2	0,5			200	40		
Емкость	эмиттерного перехода, пФ	Сэ			65		0,5				300
Емкость коллекторного перехода, пф	Ск			15	10					104
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=—40...4-125° С.
/к, К max —импульсный ток коллектора, А..............  .	2
^эбо max —постоянное напряжение эмиттер — база, В1
1к
к щах — постоянный ток коллек*
. тора, А , ...............	.	1
’Бгпах — постоянный ток базы,
А	s , *	0,2
367
‘ ктбзоА- ктбзов	; . . . 7
, КТ630Г—КТ630Е	....	5
^КБОшах —постоянное напряжение коллектор — база, В:
КТ630А,	КТ630Б	»	.	, . 120
КТ630В..................150
КТ630Г..................100
КТ630Д,	КТ630Е	...	60
Ц<эртах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер (/?Б ^3 кОм), В:
При повышении температуры 25...150° С мощность но на 6,4 мВт на 1° С.
КТ630А,	КТ630Б	> , . .120
КТ630В	........	150
КТ630Г	. .	 1QQ
КТ630Д,	КТ630Е	....	60
Дзетах — постоянная рассеиваемая мощность коллектора (ГК=+25°С), Вт.........08
Tn max — температура перехода, °C .................>.150
Допустимая температура окружающей среды, °C . —40 „4-125 s уменьшается линец.
НТМ0Г-ДЦ=Б5нЯА; ЯТБЗВ£-Мь*МинА
зав
36S
J9 20	2?	22	23	24
KTC63IA, КТС631Б, КТС631В, КТС631Р
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п—р—п-транзистор-ные матрицы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин и другой аппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, с жесткими выводами (рис. Ш.56,6). Масса матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных -транзис' торных структуры.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. Г12.4.	\
Электрические параметры. Классификационные параметры)
^21Э, ^КЕО, ^ЭБО-
		Значения		Р	гжикы измерен»				
Наименование	Обозна- чение	f"				максимальное	g	g 'e/i	ул ‘Mj	[Ь	Jg. мА	I HJW ‘11
Обратный ток коллектора, мкА: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В при Те =4- 85“ С) КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г при Го“—45еС; КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В		0,3 0,3	200 50 1000 500 500 1000 200 50	^КВ max 20 20 10 10 ^КБ max					*
Обратный ток эмиттера, мкА: при Тс=+85*С при То=—дБ11 С)	^ЭВО		100 500 100		4 4 4				
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В) КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В	U КЭ нас	О.з 0,21	1,2 1,2			450 100	45 10		♦
Напряжение насыщения база — эмиттер, В: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, KTC63IB	^БЭ нас *!	0,9 0,8	2 2			45С 100	45 10		
370
Наименование	Обозначение	Зчачения		Рсжимь' измерения					
		'НЕТИ?	макан- 1 мальаое । г	1	1 Я 		а £	£ £	с г да S4	< в	ЯГ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ’ КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В	^21Э	20 20	115 125	t 1				300 150	
Граничная частота коэффициента передачи тока s схеме с ОЭ, МГц: КТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС631Г	frp	350 200		10 10		50 50			100 100
Время рассасывания, нс:
КТС631А, КТС631Б
КТС631В, КТС631Г
^рае
7,5
20
30
60
150 15
Емкость эмиттерного перехода, пФ
100
0,5
Емкость коллекторного перехода^ пФ
15
Плавающее напряжение эмиттер — база, В:
КТС631А, КТС631Б
КТС631В, КТС631Г
0,05
0,05
15
33
ЭБ пд
0 о
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс
40
30	5
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окружающей среды Та=—45...+85° С.
/к шах — постоянный ток коллектора, А:
КТС631А, КТС631Г .... I
КТС631Б, KTC63IB ,	0,3
/к, и шах — импульсный ток коллектора (/«^10 мкс, ^50), А:
КТС631А, КТС631Г .... 1,3
КТС631Б, КТС631В , . , . 0,5
.^KBmas —постоянное напряжение коллектор — база, В при Тс=—45...+70°С»
КТС631А, КТС631Б .... 30
KTC63IB, КТС631Г .... 60
при 7'с== +85° С: м КТС631А, КТС631Б .... §4 КТС631В, КТС631Г .... 50
^кэк max — постоянное напряжение коллектор — эмигтер, В при Тс =—45...+70°С1 КТС631А, КТС631Б .... 30 КТС631В, КТС631Г .... 60 при Тс = -г85° С:
КТС631А, КТС631Б .... 24
КТС631В, КТС631Г .... 50
шах — постоянное напряжение эмиттер — база, В * . ,	4
371
I/'1 к шп — постоянная рассей* ваемая мощность на транзисторной матрице Вт при Тс =—45 +55° С Ч . »	1
при Тс = +85° с21- 3) . . . .0,5 S7 и max — импульсная рассеиваемая мощность на транзисторной матрице, Вт
при Тс—45 . + 55’СО < 4	8
при Го = +85ас*>
 КТС631А, КТС631Г . » . , 15
КТС631Б, КТС631В .... 0,9
Tn шах — температура перехода, •С .	. . 120
Допустимая температура окружающей среды, °C . —45,м+85
*) Рк тах одной транзистор пой структуры не должна превышать 0,7 Вт (для групп А,Г) и 0.3 Вт (для групп Б,В)	4
2)	Рк тах одной транзисторной структуры не должна превышать 0;2 Вт (для групп А,Г) и 0,15 Вт (для гр;пп Ь В)
3)	В диапазоне Гс == 55.. .85°С мощность уменьшается линейно
4)	Ри тах одной транзисторной структуры не должна превышать 2 1 "Вт (для групп А,Г) и 0,9 Вт (для групп Б,В).
6) PRma]t одной транзисторной структуры не должна превышать 0,6 Вт (для гр^пп А,Р) и 0,45 Вт (для гр^лп Б,В).
0	100 200 300 WO 500 /В)мл 0 WO 200 300 WO 500 I^mA
КТС631А,т31Г~1^5нА
НТСМ1Б,КТС631В-1ь*ЮкА
. Диапазон СВЧ
X» 21 'LL 1Л.
KT606A, КТСЛ6Б
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-~р—п-транзисто-ры предназначены для применения в мощных автогенераторах с внешним возбуждением, умножителях частоты (выше 100 МГц).
373
Корпус металлокерамический, с монтажным винтом и жесткими выводами ’(рис. П1.58). Масса транзистора не более 6 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры?
^ВЫХ» 1^213	тк» Ск.
Наименование	Обозначение	Значение		Режимь riJ'v ер <и				
		МИНН-мяльное	чаксн-чальйос	1/к, В	УЭ, В	уи "Я/	"з СП	
Критический ток транзистора, мА	^Н-р	КП		10				100
Обратный ток эмиттера, мкА	^ЭБО		300		4			
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?Б^100 Ом), мА при Гс=+85°С при Тс =—40° С			1,5 3,о 1,5	60 60 60				
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте; КТ606А КТ606Б	1 ^219 1	3,5 3.0	7 7	10 10		1С0 100		100 100
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		10	£К-=28 В				5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: КТ606А КТ606Б	Тн		10 12	10 10			30 30	5 5
Выходная мощность, Вт; КТ606А КТ606Б	Р вых	0,8 0,6	1.3 1,	£П щ 00 ос СЧ сч 11 11				400 400
Емкость эмиттерного перехода пФ	I Сэ	j 10	27		। 0	j		5
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=—40...+850С.
/к max — постоянный ток коллектора, мА..................400
max — постоянный ток базы, мА .......................100
/к, и max — импульсный ток коллектора, мА . . . , . . . 800 j 374
^эб max — постоянное напряжение эмиттер — база, В . ,	4
^КБ max —постоянное напряжение коллектор — база, В , , 60
^КЭдщйх — постоянное напряженке коллектор — эмиттер (R 6<100 Ом), В .	. . 60
^ка, шлак —импульсное напряжение коллектор — эмиттер, В.............................70
иглах -—импульсное напря-
жение коллектор — база, В . 70
^Кср та —средняя рассеивав' мая мощность коллектора в динамическом режиме (Гк=
«40° С), Вт...............2,5
Ч При 7В= 40...85° G Рк „ с г и	К ср шах
fmfn — минимальная рабочая частота транзистора, МГц . .100
То max —температура перехода, °C...........................120
Ти max —температура корпуса, ° С...........................85
/?т. п-к — тепловое сопротивление переход—корпус, "С/мВт 44
Допустимая температура окружающей среды. °C « — 40,.,4 35
“ 1120 — Тд)/ц_В1
6
4
2
4
375
pTITJI 1Г1|ГГП|1 !ГГ] IT
КТ607А-4, КТ607Б 4
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р—п-транэисто-ры предназначен у для использования в неремоятируемых и б рядных схемах генерирования ц уеалечия'. ч оишости СВЧ диапазона, микром ях, узлах и блоках, имею’цих герметичную защиту от действия света, алл и, агрессивных сред, соляного тумана, плесневых грибков.
376
Оформление бескорпусное, на негерметичном керамическом основании
(рис 171.59), Масса транзистора не более 0,17 г
Условия эксплуатации—в соответствии с табл. П2 2.
Электрические параметры. Классификационные параметры»
ТК, I ^21& Ь ^Bbix
		Значения			Р	жимы измеое, ня		
Наим ловапие	Обозна- чение	минимально?	^ИПОВОе	1 о *2 И е; ГС (X X 3	д	ta А О	Я jb	/, МГц
Обратный ток коллектора, мА» КТ607А-4 КП07Б'4 при Гс = +85°С: КТ607А-4 КТ607Б 4 яри Тс——45°С; КТ607А 4 КТ607Б-4	УКБО	•ч		1 I 5 5 1 1	40 30 40 30 40 30			
Обратный ток эмиттера, мкА при Тс =+85° С при Гс==—45° С	^ЭБО	0,001	0 02	0,5 3 0,5		4 4 4		
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	| ^210 1	7			10		80	10С
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: КТ607А-4 КТ607Б-4	Тн			18 25	10 10		30 30	5 5
Выходная мощность (медианное значение), Вт КТ607А-4 (/°И1=0.4 8т) КТ607Б-4 (/’□1 = 0,5 Вт)	р гвых	0,6 0,6	1.0 1 0	1,2 1,2	20 20		по по	103 103
Коэффициент усиления по мощности (медианное значение): КТ607Л-4 (Pes = 0,4 Вт) КТ607Б-4 (Рп^ = 0,5 Бг)	Кур		2,5 2,0		20 20		110 но	10’ 10<
Коэффициент полезного действия коллектора (медианное значение), КТ607А-4 (Рв3=0,4 Вт) КТ607Б-4 (?В5=0,5 Вт)	Пн		45 45 |		20 2°		по по	10’ 103
Емкость-коллекторного перехода, пФ- КТ607Л 4 КТ607Б 4	Ск		-	4 4,5	10 10			ю 10
377
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=—45...-1-85° С.
/к max — постоянный ток коллектора, мА..................150
^КБ шах — постоянное напряжение коллектор — база, Bj КТ607А-4	............40
КТ607Б-4	..............30
^KSR’max — постоянное напряжение коллектор — эмиттер
(Яь «10 Ом), В:
КТ607А-4	..............35
КТ607Б-4	..............30
^ЭБшах—постоянное напряжение эмиттер — база, В . , .4,0
^1? max — постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
При Гдддл = —45..+40° С « , 1,5
При Тподл = +85ОС . . . ,0,89
Гп шах — температура перехода, °C............................150
Ят, п-подл — тепловое сопротивление переход — подложка, °С/Вт..........................73
Допустимая температура окружающей среды, °C ,	45„.+85
1 В , интервале
Люди
« 40...85° G
?К ср max 1мВт] = (150 -
додлУ Я
т, п-подл*
20	21	22	23
KT6J0A, КТ610&
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п—р~п-транзисто-ры СВЧ предназначены для работы в аппаратуре связи и э радиотехнической аппаратуре.
Корпус керамический, с полосковыми выводами и монтажным винтом (рис П1.60). Масса транзистора не более 2 г.
Условия жспиуатациц — в соответствии с табл, П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметры)
Л21Э,	.
21Э mm
Наименование,	Обозна- чение	ill		Режимы Hji;cpemi>i				
		аончичж -HHtilAi	максимальное	ffl £	иэ, в	. £	мА	1. МГц
Обратный ток. коллектора, мА при Tv, = 85° С при Гс = —45°С	ЛфО	,1000‘0	0,5 5 0,5	26 26 26		•		
Обратный ток эмиттера, мкА	^эво	0,1	100		4			
Г раничное напряжение транзистора, В	^КЭО гр	20	40				50	
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ610А КТ610Б	^21Э	•50 20	300 300	10 10			150	
Емкость эмиттерного перехода, пФ	сэ		21		0			10
Емкость коллекторного перехода, пФ	си	2	4,1	Ю				10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: КТ610А * КТ6ЮБ	тн	21 8	55 22	10 10			30 30	30 30
Неравномерность коэффициегЕта-передачи тока в режиме малого сигнала в диапазоне юков коллектора: КТ610А	^51Э max ^21? mtn		2,3	10		30...270		
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА при 70=+85°С при Тс=—45° С	^ЭК		1 10 1	20 20 20				
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц: КТ610А КТ610Б	/гр 1	1000 700		10 10			150 150	
379
Максимально допустимые параметры. Гарантируются прн температуре окружающей среды Гс = —45...+85°С,
^КЭтах —постоянное напряжение коллектор — эмиттер U?bC100 Ом), В .	26
^ЭБ шах — постоянное напряжение эмиттер — база, В 4
/к mai — ПОСТОЯННЫЙ ток кол лектора, мА . .	300
—постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
при Тк = —45.. + ЖС , . 1,5
при Тк= +85° С..........1,0
^кь пих —постоянное напряже-( ние коллектор — база. В 26
Гитах — температура перехода, °C	.	.	150
Допустимая температура окру-жающей среды, °C . —45,..+85
1 В диапазоне температур
50. .,85° С мощность уменьшается линейно^
860
Общие сведения. Германиевые планарные р—п~~р транзисторы предназначены 1ля усиления и генерирования колебаний в перемонтируемых схемах, узлах * блоках устройств широкого применения, имеющих герметичные корпуса.
Оформление бескорпусное (рис. П1.59), на керамическом основании. Масса ц анзистора не более 0,2 г.
Условия эксплуатации в составе гибридных схем — в соответствии с 1 1бл П2 3
Электрические параметры. Классификационные параметрит f^213 /’ ^вых* тн
Наименование	Обозначение	3 t‘tL г! S >				\ Ж11	j з прения			
		МИНН-мальнае	дз о к	О Э S Ьй “	Я ’Мр	а		г	д ё
i Обратный юк коллектора, ь кА при Гс = +7ОСС при Тс = ~55° С	\бО	0,05	0 25	10 100 10	12 12 12				
Обратный ток эмиттера, мкА при Гс = ^70°С при Тс=— 55° С	^ЗБО	0,05	0,025	10 160 10		0,2 0,2 0 2			
Модуль коэффициента ле-ГЗДачи тока на высокой частоте	[ ^Й1Э |	5			5			50	300
381
Наименование	Обозна- чение	3 |ачеиин			Режимы измерение				
		н 3 S	i	il	£ О	я ‘6л	< ж	< _й	1 !. МГи
Выходная мощность (среднее значение), Вт	^ВЫХ		0,2		8		90		м О см
Емкость коллекторного перехода, пФ	Сн			3,5	5				10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	т1( .			7,0	5			50	30
Максимально допустимые параметра, Гарантируются при температуре окру, жающей среды 70«= —55...+70*С.
/к max — постоянный ток коллектора, мА.....................120
^ЭБтах —постоянное напряжение эмиттер — база, В . 0,2
^КБ max — постоянное напряже-
ние коллектор —