Похожие
Текст
СПРАВОЧНИК
А. В. НЕФЕДОВ
В. И. ГОРДЕЕВА
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ
Издание второе,
переработанное и дополненное
МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ.
1985
ББК 32.852
Н58
УДК 621.382^.3(031)
Нефедов А. В., Гордеева В. И.
Н 58 Отечественные полупроводниковые прибор ы и
их зарубежные аналоги: Справочник. — 2-е изд,, пе-
рераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985. — 288 с., ил.
В пер.: 1 р. 40 к. ЮООООэкз.
Приведены сведения об условных обозначениях, электрических пара-
метрах, конструкциях корпусов отечественных и аналогичных зарубежных
полупроводниковых приборов (диодов я транзисторов). По сравнению
с первым изданием (1978 г.) значительно расширена номенклатура прн-
Для инженерно-технических работников, занимающихся проектирова-
нием, наладкой и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
2403000000-085 ББК 32.852
Н 046(01 )-85- 12*‘8S 6Ф0.32
Рецензент канд. техн, наук Б. Л. ПЕРЕЛЬМАН
Редакция литературы по конструированию и технологии производства
радиоэлектронной аппаратуры
Анатолии Владимирович Нефедов
Валентина Ивановна Гордеева
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ
Редактор Н. К. Калинина
Художественный редактор Н. Г. Бусарова
Переплет художника Н. А. Пашуро
Технический редактор А. Н. Золотарева
Корректор Т, Г. Захарова
НБ № 470
Сдано в набср 01.10.84 Подписано в печать 3D.01-85 Т-03061
Формат 80 X 90/м Бумага кн,—жури. импорт. Гарнитура литературная
Печать высокая Усл. печ. л. 18,0 Усл. вр.-отт, 18,0 Уч.-изд. л, 22,30
Тираж 100 000 (1-й завод 1—2Б000) si-з. Изд. Й8 20325 Заъ. № (36 Цена 1 р, 40 к
Издательство «Радио н связь», 101000 Москва, Почтамт, а/я 693
Октябрьской Революции и ордеиа Трудового Красного Знамени МПО «Пер-
вая Образцовая типография имени А. А. Жданова^ Союзполиграфпрома при Госу-
дарственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли:
И30Б4, Москва, Валовая, 28
(£) Издательство «Радио н связь», 1985
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие .......................................................... 4
Раздел первый
Систем» обозначений н классификация отечественных и зарубежных
полупроводниковых приборов .......... 5
1.1. Обозначения и классификация отечественных полупроводнико-
вых приборов ................................................. 5
1.2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупро-
водниковых приборов .......................................... Б
1.3. Графические обозначения полупроводниковых приборов . . 10
Раздел второй
Параметры, характеристики, режимы работы н применение полупровод-
никовых приборов..............................................13
2.1. Особенности полупроводниковых приборов.............13
2.2. Максимальные и максимально допустимые параметры . . 14
2.3. Тепловые параметры.......................................16
2.4. Коэффициент усиления тока................................17
2.5. Емкости переходов и постоянная времени коллектора . . 17
2.6. Шумы транзисторов........................................17
2.7. Параметры четырехполюсника . . 18
2.8. Частотные свойства транзисторов..........................19
2.9. Обратные токи переходов..................................20
2.10. Области работы и вольт-амперные характеристики транзи-
сторов .......................................................20
2.11. Импульсный н ключевой режимы работы ...... 20
2.12. Технология изготовления полупроводниковых приборов . . 22
2.13. Конструкции корпусов ..... 24
2.14. Надежность . . 26
2.15. Области применения транзисторов.............................27
Раздел третий
Отечественные и зарубежные транзисторы................................31
3.1. О взаимозаменяемости транзисторов н диодов .... 31
3.2. Условные буквенные обозначения параметров биполярных
транзисторов.................................................32
3.3. Отечественные транзисторы и их зарубежные аналоги , , 37
Раздел четвертый
Отечественные и зарубежные диоды.....................................188
4.1. Отечественные диоды н их зарубежные аналоги .... 188
4.2. Условные буквенные обозначения параметров диодов . . 231
Приложение 1. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги 232
Приложение 2. Зарубежные диоды н их отечественные аналоги . , 250
Приложение 3. Перечень отечественных диодов и транзисторов, вклю-
ченных в справочник..............................................260
Приложение 4, Габаритные чертежи корпусов отечественных и зару-
бежных транзисторов ............................................ 262
Приложение 5. Габаритные чертежи корпусов отечественных н зару-
бежных диодов ...................................................279
3
Предисловие
За время, прошедшее после первого издания книги, значительно обнови-
лась номенклатура серийно выпускаемых как отечественных, так и зарубеж-
ных дискретных полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов).
В результате развития международных связей возрос и поток зарубежной
информации о применении полупроводниковых приборов. Расширился также
ассортимент импортной радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых
приборах, находящейся в эксплуатации в нашей стране (телевизоры, радио-
приемники, магнитофоны, электронные измерительные приборы, приборы
управления электроавтоматикой, приборы для станков с числовым программ-
ным управлением, автоматических линий, технологического оборудования,
испытательных систем, электронных автоматических телефонных станций и
много другой бытовой и промышленной радиоаппаратуры). В связи с этим,
несомненно, большой интерес у читателей (радиолюбителей и специалистов),
занимающихся ремонтом зарубежной радиоаппаратуры и конструированием
различных электронных устройств, схем и узлов с использованием зарубеж-
ного опыта, вызывают сведения об отечественных и зарубежных полупровод-
никовых приборах, сопоставимых нли тождественных по назначению, харак-
теристикам я электрическим параметрам.
В настоящий справочник входят; системы условных обозначений, графи-
ческие обозначения, буквенные обозначения параметров, информация о ха-
рактеристиках, электрических параметрах, режимах работы, конструктивном
оформлении, областях применения, о взаимозаменяемости отечественных и за-
рубежных полупроводниковых приборов. В отличие от предыдущего, в этом
издании уточнены аналоги некоторых ранее выпущенных типов транзисторов
и дополнительно приведены электрические параметры новых эквивалентных
типов отечественных н зарубежных транзисторов (в основном кремниевых) г
внесены изменения на нормы параметров, даны новые конструкции корпусов.
Для удобства отыскания аналогов в приложениях в алфавитно-цифровой по-
следовательности даются перечни зарубежных транзисторов и диодов и их
приближенных отечественных аналогов. Отдельно составлен перечень отече-
ственных диодов и транзисторов, предназначенных для применения в радио-
электронной аппаратуре широкого применения.
Материал книги разделен на четыре раздела. Предисловие, разд, I—3,
приложения 1, 3, 4 написаны А. В. Нефедовым, а разд. 4 и приложение 2»
5—В. И. Гордеевой.
Раздел первый
СИСТЕМЫ ОБОЗНАЧЕНИЙ Й КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ
И ЗАРУБЕЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
1.1. Обозначения и классификация отечественных
полупроводниковых приборов
По принятым обозначениям полупроводниковые приборы для устройств,
широкого применения состоят из семи элементов (см. табл,).
Четвертый» пятый и шестой элементы определяют порядковый номер
разработки технологического типа с обозначением его от 01 до 999. Для ста-
билитронов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напря-
жение стабилизации, а шестой элемент— последовательность разработки*
с обозначением от А до Я.
Седьмой элемент обозначения — буква (от А до Я, кроме 3; О; Ч),
определяющая классификацию по параметрам приборов, изготовленных по
единой технологии.
Для наборов приборов, не соединенных электрически или соединенных,
по одноименному выводу, добавляется буква С после второго элемента обо-
значения.
Для бсскорпусных приборов в состав обозначения через дефис вводится-
цифра, обозначающая модификацию конструктивного исполнения.
Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисто-
ром с парным подбором в состав обозначения вводится буква Р после послед-
него элемента обозначения.
Для импульсных тиристоров в состав обозначения вводится буква И
после второго элемента обозначения.
Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное-
или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка,
(точки или цветные полоски); цветной код указывается в ТУ,
1.2. Условные обозначения и классификация зарубежных
полупроводниковых приборов
За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводни-
ковых приборов. Наиболее распространенной является система обозначений,
принятая объединенным техническим советом по электронным приборам
США, — система JEDEC, По этой системе приборы обозначаются индексом,
в котором первая цифра показывает количество р-п переходов, а именно:
— транзистор; 3 — тетрод, За цифрой следует буква N и се--
рийный номер, под которым приборы регистрируются ассоциацией предприя-
тий электронной промышленности (EIA), За номером могут следовать одна
или несколько букв, указывающие на разбивку приборов одного типа по
различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номе-
ра не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность
рассеяния, область применения.
Следует отметить, что в зарубежных справочниках DATA Book по тран-
зисторам н диодам зарегистрированы и ряд приборов СССР со своими се-
рийными номерами.
Первый элемент
Таблица
Исходный материал Услозное обозначение Исходный материал Условное обозначение
ч Германий или его соеди- нения Г Соединения галлия А
Кремний или его соеди- нения к Соединения иядия И
Второй элемемт
Подкласс (или группа) арнбороз Услов- ное обозна- чение ' Подкласс (aiw группа) приборов Услов- ное обозна- чаю е
Выпрямительные, импульсные д Стабилитроны, стабисторы и С
и прочие диоды (магнито* ДИОДЫ и др.) Транзисторы (за исключением полевых) ограничители
т Выпрямительные столбы и блоки Ц
Транзисторы полевые п Излучающие диоды Л
Варикапы Тиристоры диодные в н Генераторы шума г
Тиристоры триодные У Приборы с объемным эффек- Б
Туннельные и обращенные дио- и том (приборы Ганна)
ДЫ Стабилизаторы тока К
Третий элемент
Назначение прибора Обоз- наче- на е Назначение прибора Обоз- наче- ние
Диоды выпрямительные: д) переключательные и ог- 5
а) малой мощности 1 раничнтельные
<0,3 А) е) умножительные и на- 6
б) средней мощности (/= 2 строенные
= 0.3-10 А) ж) генераторные 7
Диоды прочие (магнитодиоды, 3 з) прочие 8
термодиоды и др.) Триодные тиристоры незапирае-
Диоды импульсные: мые с максимально допусти-
a) fSoc>500 нс 4 мым значением среднего то-
б) = 150—500 нс 5 ка в открытом состоянии:
в) /ВОс =30—150 нс 6 а) <0,3 А (или импульс- ным <15 А); 1
г) /Вос =5—30 нс 7 б) 0,3—12 А (или импульс- 2
д) /вое = 1—5 НС 8 ным 15—100 А)
е) с эффективным временем 9 Триодные тиристоры запнрае-
жизни неосновных носи- мые с максимально допусти-
гелей заряда <1 нс мым значением среднего то-
СВЧ диоды: ка в открытом состоянии:
а) смесительные 1 а) <0,3 А (или импульс- 3
б) детекторные в) усилительные 2 3 ным <15 А); б) 0,3—10 А (или импульс- 4
г) параметрические 4 ным 15—100 А)
6
Окончание таблицы
Назначение прибора Обоз- наче- ние Назначение прибора Обоз- наче- ние
Триодные тиристоры снимет- б) 10—100 в 8
рнчные с максимально дону- в) >100 В 9
стнмым значением среднего Выпрямительные столбы созна- 1
тока в открытом состоянии: чением прямого тока <0,3 А
а) <0,3 А (или импульс- 5 Выпрямительные столбы СО зна- 2
ным <15 А) чением прямого тока (0,3—
б) 0,3—10 А (или импульс- 6 10 А)
ным 15—100 А) Выпрямительные блоки со зна- 3
в) >10 А (нли импульс- 9 чением прямого тока <0,3 А
ным >100 А) Выпрямительные блоки созна- 4
Туннельные диоды: чением прямого тока 0,3—
а) усилительные 1 10 А
б) генераторные 2 Транзисторы биполярные:
в) переключательные 3 транзисторы с мощностью
г) обращенные 4 рассеянии <1 Вт:
Генераторы шума: а) с частотой Др <30 МГц 1
а) низкочастотные 1 б) с частотой fry=30— 2
б) высокочастотные 2 300 МГц
Варикапы: в) с частотой fry >300 МГц 4
а) подстроечные 1 транзисторы с мощностью
б) умножительные (варак- 2 рассеяния > 1 Вт:
торы) а) с частотой /Гр<30 МГц 5,7
Стабилитроны, стабисторы и б) с частотой fPp=30— 6, в
ограничители мощностью 300 МГц
Р<0,3 Вт С напряжением стабилизации: а) <10 В 1 2 в) с частотой Д-р >300 МГц Транзисторы ноленые; 9
б) 10—100 В транзисторы с мощностью
в) >100 В з рассеяния <1 Вт:
Стабилитроны, стабисторы и а) с частотой fM<30 МГц 1
ограничители мощностью б) с частотой fM = 30— 2
Р=0,3—5 Вт с напряжением 300 МГц
стабилизации: в) с частотой fM>300Mrn 3
а) <10 В б) 10-100 в в) >100 В Стабилитроны и стабисторы 4 б 6 транзисторы с мощностью рассеяния > 1 Вт:
а) с частотой /и <30 МГц 7
мощностью Р=5—10 Вт с б) с частотой /м=30— 8
напряжением стабилизации: 300 МГц
а) <10 В 7 в) с частотой ^х>300МГц 9
Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобии
пргзборам, зарегистрированным EIA, может поставлять своп приборы с обо-
значением, принятым по системе JEDEC.
В Европе, кроме JEDEC, широко используется система, по которой обо*
значения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Asso-
ciation International Pro Electron, По этой системе приборы, предназначенные
для широкого применения (бытовой аппаратуры), обозначаются двумя бук-
вами н тремя цифрами, а приборы для промышленной и специальной аппара-
туры обозначаются тремя буквами и двумя цифрами. Для приборов широ-
кого применения после двух букв следует трехзначнын порядковый номер
от 100 До 999. Для приборов, предназначенных для применения в промышлен-
ной и специальной аппаратуре, третьим знаком является буква, начиная от
Z в обратном алфавитном порядке, Y или X и т. д., за которой следует по-
рядковый номер от 10 до 99.
7
Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов, то обо-
значение производится в соответствии с кодом (маркировкой) для дискрет-
ных приборов. При наличии в одном корпусе нескольких разных приборов
в качестве второй буквы обозначения используется буква G. К основному
обозначению может добавляться буква, указывающая на отличие прибора от
основного тира по каким-либо параметрам или корпусу.
По системе Pro Electron первая буква обозначает тип исходного мате-
риала:
А — приборы, использующие материал с шириной запрещенной зоны от
0,6 до 1 эВ (например, германий);
В — приборы, использующие материал с шириной запрещенной зоны от
1 до 1,3 эВ (например, кремний);
С — приборы, использующие материал с шириной запрещенной зоны,
равной или более 1,3 эВ (например, арсенид галлия);
D — приборы, использующие материал с шириной запрещенной зоны ме-
нее 0,6 эВ (например, антимонид индия);
R— приборы, использующие другие полупроводниковые материалы.
Второй буквой обозначают класс приборов (функциональное назна-
чение) :
А — диод детекторный, быстродействующий, смесительный;
В — диод с переменной емкостью;
С — транзистор низкочастотный, маломощный 15°С/Вт);
D — транзистор низкочастотный, мощный (Rth< 15°С/Вт);
Е — диод туннельный;
F—транзистор высокочастотный, маломощный (Rth3a> 15°С/Вт),
G—сложные приборы (в одном корпусе несколько различных при-
боров) ;
Н — измеритель напряженности поля;
К — генератор Холла;
L— транзистор высокочастотный, мощный (/?м?о<15°С/Вт);
М—модулятор н умножитель Холла;
р — светочувствительные приборы (фотодиод, фототраизистор);
Q — излучающий прибор;
R — прибор, работающий в области пробоя;
S — переключающий транзистор, маломощный;
Т — регулирующие и переключающие приборы, мощные управляемые вы-
прямители и т. п. (/?1Л^а<15°С/Вт);
U — транзистор переключающий мощный;
X — диод умножнтелышй;
Y — диод выпрямительный мощный;
Z — стабилитрон.
Для некоторых типов приборов, таких как стабилитроны, мощные дио-
ды и тиристоры, возможна дополнительная классификация, согласно которой
к основному пятизначному обозначению через дефис или дробь добавляется
дополнительный код. Например, для стабилитронов дополнительный код со-
держит сведения о номинальном напряжении и его допусках в процентах.
Первая буква указывает допуск: А — 1 %; В — 2%; С — 5%; D — 10 %;
Е — 15%.
После буквы в дополнительном коде следует номинальное напряжение
в вольтах. Если это не целое число, то вместо запятой ставится буква V.
’Например, BZY 85-C6V8— это кремниевый стабилитрон специального назна-
чения с регистрационным номером 85, с напряжением стабилизации 6,8 и до-
пуском на напряжение ±5%.
Для выпрямительных диодов дополнительный код указывает максималь- .
•ную амплитуду обратного напряжения.
Для тиристоров дополнительный код указывает меньшее из значений
максимального напряжения включения или максимальной амплитуды обрат-
ного напряжения. Например, ВТХ10-200--эго кремниевый управляемый вы-
прямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером
10 и напряжением 200 В. В конце дополнительного обозначения может стоять
буква R, указывающая на соединение анода с корпусом. Соединение катода
с корпусом и симметричное исполнение выводов в коде не указывается.
;а
Система Pro Electron широко применяется в ФРГ, Франции, Италии,.
ВНР, ПНР и Других странах. Она заменила старую европейскую систему, по>
которой после начальной буквы О следовали буквы, указывающие основной
класс приборов: А—диод; АР —фотодиод; AZ — стабилитрон; С —транзи-
стор; СР — фототраизистор; RP — фотопроводящий элемент.
По существующей в настоящее время и Японии системе стандартных
обозначений можно определить вид прибора (диод или транзистор), его на-
значение, тип проводимости. Вид полупроводникового материала в этой си-
стеме не учитывается.
Условное обозначение состоит из пяти элементов:
первый элемент (арабские цифры) обозначают вид полупроводникового
прибора:
О — фотодиод, фототраизистор;
1 — диод;
2 — транзистор;
3 — четырехслойиый прибор;
второй элемент (обозначается буквой S) указывает на то, что данный
прибор является полупроводниковым;
третий элемент определяет подкласс приборов:
А — транзистор p-ti-р, высокочастотный;
В — транзистор р-я-р, низкочастотный;
С — транзистор п-р-п, высокочастотный;
D — транзистор п-р-п, низкочастотный;
Е — прибор с четырехслойной р-п-р-п структурой;
G — прибор с четырехслойиой п-р-п-р структурой;
Н — однопереходный транзистор;
I — полевой транзистор с р-каналом;
К — полевой транзистор с п-каналом;
М — симметричный тиристор;
в случае фототранзисторов и фотодиодов третий член маркировки отсут-
ствует;
четвертый элемент обозначает регистрационный номер и начинается с
цифры 11;
пятый элемент отражает усовершенствование (А — первое усовершенст-
вование, В— второе).
После маркировки могут быть указаны дополнительные индексы (N, М,
S), показывающие отношение к требованиям специальных стандартов,
В основе нового обозначения приборов ПНР лежит система Pro Electron,
но ставятся дополнительно буква Р перед тремя цифрами для приборов ши-
рокого применения и буквы YP перед двумя цифрами для приборов промыш-
ленного назначения (например, BUYP53). Вместо буквы Y может стоять
Z или X или W (BZXP21-B4V7 — стабилитрон промышленного назначения с
номинальным значением напряжения стабилизации 4,7В±2%). Для новых
приборов широкого применения принято после букв ставить цифры от 600
до 699, для приборов промышленного назначения — от 1 до 99,
У полупроводниковых приборов ЧССР первые буквы мариировкн С и К,
а у приборов ГДР — G и S показывают тип исходного материала (германий
и кремний соответственно), остальная часть кода соответствует системе Pro
Electron.
9
Кроме вышеуказанных систем стандартных обозначений, изготовители
нриборов широко используют свои внутренние (фирменные) обозначения.
В этом случае за основу буквенного обозначения чаще всего берется прин-
цип сокращенного названия фирмы, коды материала и применения.
Японская фирма NEC маркирует свои приборы следующим образом:
AD — лавиннр-пролетный диод; GD—диод Ганна; RD — полупроводниковый
стабилитрон; SD — полупроводниковый диод; SL — светодиод; SV — варак-
тор; VD — варистор; V — новый полупроводниковый прибвр.
Следует отметить, что фирменные обозначения достаточно многочис-
ленны.
Цветной код. Для маркировки малогабаритных полупроводниковых дио-
дов вместо цифровых н буквенных обозначений часто используется система
цветного кодирования. По этой системе установлено цветков обозначение
цифр и букв.
Цифры Цвет Бутла Цифры Цвет Буква
0 Черный 5 Зеленый Е
1 Коричневый А 6 Снннй (голубой) F
2 Красный В 7 Фиолетовый G
3 Оранжевый С 8 Серый Н
4 Желтый D 9 Белый J
При использовании цветного кода в обозначении диодов первая цифра
к буква N опускаются. Следующий за буквой N типовой номер, состоящий
ка двух, трех нли четырех цифр, обозначается цветными полосками по пра-
вилам:
а) номера, состоящие из двух цифр, обозначаются первой черной полос-
кой н последующими второй и третьей цветными полосками, указывающими
соответствующие цифры. Если в обозначении используется буква, она ука-
зывается четвертой полоской;
б) номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосками, ука-
зывающими соответствующие цифры. Четвертая полоска обозначает букву;
в) типовой номер, состоящий из четырех цифр, обозначается четырьмя
цветными полосками и пятой черной полоской. Если в этом случае требуется
записать букву после цифр, то ее обозначают пятой цветной полоской (вме-
сто черной);
г) для обозначении полярности цветные полоски либо смещаются ближе
к катоду, либо первая полоска от катода делается двойной ширины;
д) тип полупроводникового диода читается по цветным полоскам от
катода.
1.3. Графические обозначения полупроводниковых приборов
Ниже приводятся графические обозначения полупроводниковых прибо-
ров, принятые за рубежом, а также в соответствия с ГОСТ 2.730—73
10
ОбозиачеНве Наименовали Обозначение Нан ме нонан ие
KI Выпрямительный диод Диодный тиристор (динистор)
Туннельный диод — Диодный симметрич- ный тиристор
— Обращенный диод Триодный незапи- раемый тиристор е управлением по аноду
Односторонний ста- билитрон Триодный запирае- мый тиристор С уп- равлением по аноду
— — Двусторонний ста би- литрон Триодный незапирае- мый тиристор с уп- равлением по ка- тоду
Варикап Триодный запирае-
Двунаправленный ди- од мый тиристор с уп- равлением по като- ду
11
Продолжение
Обозначение
Нчнменованг е
Обозначение
Наименование
Транзистор типа
р-п-р
Полевой транзистор с
р-п переходом и
каналом р-типа
Транзистор типа
п-р-п
Ла вин и ый транзистор
типа п-р-п
Полевой транзистор с
изолированным за-
твором обогащенно-
ю типа с «-каналом
Полевой транзистор с
изолированным за-
твором обедненно-
го типа с p-кана-
лом
Однолереходныи
транзистор с м-ба
ЗОЙ
И П\$
Полевой транзистор с
изолированным за-
твором обедненно-
го типа с л-кана-
лом
Транзистор двух-,
эмиттерный типа
р-п-р
Полевой транзистор с
изолированным за-
твором обогащен-
ного типа с п ка
налом и с внутрен-
ним соединением
подложки и истока
Полевой транзистор
с р-п переходом и
каналом л-типа
Полевой транзистор с
двумя изолирован-
ными затворами
обедненного типа с
п кана юм
•12
Раздел второй
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРИСТИКИ, РЕЖИМЫ РАБОТЫ
И ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
2Л. Особенности полупроводниковых приборов
В справочники, стандарты или технические условия иа полупроводнико-
вые приборы включается необходимый комплекс параметров, которые требу-
ются для детального расчета схем, нормы на параметры, режимы их измере-
ний, вольт амперные характеристики, зависимости параметров от режима и
температуры, предельные и предельно допустимые значения параметров,
конструктивно-технологические особенности приборов, их основное назначе-
ние, методы измерения параметров, типовые схемы применения.
Значения параметров даже в пределах одного типа прибора являются
случайными величинами, т. е имеется разброс относительно среднего (типо-
вого, поминального) уровня Для некоторых из параметров устанавливается
граничное значение (норма) и возможное отклонение (разброс). Нормы на
разброс устанавливаются на основе экспериментально статистических данных
при обеспечении надежной и устойчивой работы приборов в различных усло-
виях и режимах применения, а также исходя из экономических сообра-
жений
В зависимости от технологии и качества изготовления приборы имеют
различные диапазоны разброса параметров. Наименьшими разбросами пара-
метров обладают планарные приборы, наибольшими — сплавные Для многих
параметров (Кш,А Тк> ^кэшсиАр) устанавливается одностороннее
ограничение (но минимуму или максимуму). Для некоторых параметров
предусматривается двустороннее ограничение (/г21э, й21Э , С/Ст).
Параметры полупроводниковых приборов зависят от режима их работы
(тока, напряжения, частоты сигнала, температуры), а также изменяются во
времени Изменение параметров во времени обусловлено температурно за-
висимыми процессами на поверхности и в объеме полупроводника. Параме-
тры диодов и транзисторов, которые определяются геометрией конструкции,
т е зависят от длины, ширины, площади или объема отдельных областей
(емкости переходов, распределенное сопротивление базы, частотные характе-
ристики), подвержены меньшим изменениям, чем параметры, зависящие от
состояния поверхности Последняя определяет значение и стабильность об-
ратных токов, коэффициент усиления, пробивные напряжения.
В процессе старения приборов ухудшаются их электрические свойства
(увеличиваются обратные токи, уменьшаются коэффициент усиления и пре-
дельные напряжения переходов) Поэтому если предъявляются требования
к стабильности свойств приборов, то последние не должны подвергаться воз-
действию больших и длительных электрических нагрузок
Параметры полупроводниковых приборов гарантируются для различных
значений температуры (отрицательных н положительных) Зависимости пара-
метров от температуры являются, как правило, нелинейными.
Необходимо отметить, что вследствие постоянного совершенствования
конструкций и технологии изготовления приборов происходят изменения
средних значений параметров Некоторое количество образцов приборов име-
ет параметры лучшие, чем записанные в технических условиях и справоч-
никах.
13
В разных странах существуют региональные унифицированные стандарты
на параметры и характеристики приборов, методику измерений и контроля
их качества, которые могут существенно отличаться от международных стаи*
дартов.
2.2. Максимальные и максимально допустимые параметры
Максимальные (предельные) параметры определяют такие режимы, при
которых работа прибора недопустима, так как прибор может выйти из строя
или возникнут необратимые изменения его свойств.
Максимально допустимые (предельно допустимые) параметры — это та*
кие параметры (мощность, напряжение, ток, температура), при которых га*
рантируется стабильная и надежная работа данного прибора. Эти параметры
устанавливаются с запасом по отношению к максимальным параметрам. Не-
обходимые запасы выявляются в результате длительных испытаний на на-
дежность с учетом погрешности измерения, нестабильности в процессе испы-
таний, возможности случайных колебаний технологического процесса. Не
рекомендуется использовать полупроводниковые приборы в совмещенных
предельно допустимых режимах и при длшельной работе даже в одном из
предельно допустимых режимов, так как снижается надежность их работы.
Мощность рассеяния. Определяется физическими свойствами полупровод-
никового материала, геометрическими, конструктивно-технологическими и теп-
ловыми характеристиками прибора.
При тепловом равновесии рассеиваемая мощность расходуется на нагре-
вание и влияет на температуру перехода при заданной температуре окружаю-
щей среды Та или температуре корпуса Тс- Максимальная мощность огра-
ничивается максимальной температурой перехода, зависит от теплового со-
противления, ст Та (или Тс) и линейно уменьшается с ростом окружающей
температуры (или температуры корпуса).
Различают максимально допустимую мощность рассеяния в статическом
(установившемся) и импульсном режимах. В последнем случае она зависит'
от формы, длительности, частоты и скважности импульсов.
Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжения.
Максимальное напряжение, которое может выдерживать диод или транзи-
стор, ограничивается явлением пробоя (тепловым или электрическим). Ме-
ханизм пробоя определяется физическими параметрами исходного материала,
типом проводимости, мощностью прибора, внешними условиями и другими
причинами.
Вероятность возникновения теплового пробоя существенно зависит от
теплового сопротивления прибора, внешних условий, схемы включения эле-
ментов входной цепи, рабочего тока и напряжения на приборе. Тепловой
пробой можно избежать обеспечением тепловой стабильности режима работы
прибора, т. е. обеспечением хорошего теплообмена.
Электрический пробой определяется характеристиками электронно-дыроч-
ного перехода (шириной перехода, объемными и поверхностными свойства-
ми). Значение пробивного напряжения определяется удельным сопротивле-
нием исходного материала; оно обычно ниже теоретического из-за наличия
дефектов в исходном материале и поверхностного пробоя.
Смыкание (прокол) возникает у транзисторов, полученных методом
вплавления. У транзисторов с неоднородной базой это явление практически
не наблюдается.
Транзвсторы характеризуются напряжениями пробоя переходов
(^КБОпроб, ^ЭБОщюб) и напряжением пробоя между коллектором и эмит-
тером. Последнее зависит от условий включения элементов во входной цепи
(между эмиттером и базой), т. е. от сопротивлений и /?э и напряже-
ния смещения. Значение напряжения между коллектором и эмиттером для
произвольной схемы проб, ^кэКпрА ^кэупроб) лежит между
значениями напряжений ^кэОприС) и ^КБОпроб Напряжение пробоя
^КЭОпроб является наименьшим из всех возможных напряжений пробоя
14
между коллектором и эмиттером и соответствует наихудшим условиям на
входе, т. е. прн обрыве цепи базы (/?БЭ =оо). Транзисторы с большими ко-
эффициентами усиления при одном и том же ^квоПроб именэт меньшее
напряжение пробоя между коллектором и эмиттером. Для обеспечения ста-
бильной работы транзисторов рабочее напряжеЕЕие между коллектором и
эмиттером выбирают меньше величины Изменение напряжения
между коллектором и эмиттером от сопротивлений резисторов и /?э
характеризуется зависимостью t7jQR црой от этих сопротивлений. Имеется
критическое сопротивление в цепи базы пк при котором начинается
снижение допустимого рабочего напряжения. Чем больше значение ^БЭ’
тем сильнее зависимость проб от температуры.
Напряжение ^кэкироб используется для расчета схем с трансформато-
ром или резонансным контуром иа входе, напряжение ^эБЭпроб —для Рас'
чета напряжения запирания переключающих или усилительных схем при ра-
боте с отсечкой коллекторного тока; напряжение ^квОпроб—для Расчета
режима работы запертого транзистора и схем с общей базой.
Напряжения пробоя переходов устанавливаются при определенном уров-
не тока (например, для маломощных транзисторов £\рппрпл - фиксируется
при токах от 1 до 200 мкА). Значения пробивных напряжений снижаются
при повышении температуры,
Максимально допустимые напряжения устанавливаются по наименьшим
из измеренных значений пробивных напряжений с некоторым запасом для
обеспечения надежной работы приборов. Максимальные и максимально допу-
стимые напряжения определяют верхнюю допустимую границу рабочего диа-
пазона обратных напряжений диодов и транзисторов.
При определенном сочетании параметров (при больших напряжениях и
токах, даже если они не превышают предельных значений) может возникнуть
второй пробой, Поэтому изготовители приборов определяют для них области
безопасной работы, исключающие этот вид пробоя. Кроме того, созданы
транзисторы, обладающие повышенной устойчивостью ко второму пробою
(например, транзисторы с эпитаксиальной базой, с балластными стабилизи-
рующими резисторами в цепях эмиттеров). Кроме технологических мероприя-
тий существуют схемные решения, уменьшающие вероятность возникновения
второго пробоя (например, используются демпфирующие RC-цепочки, стаби-
литроны или ограничительные диоды). Наибольшей склонностью ко второму
пробою обладают транзисторы, работающие с индуктивной нагрузкой в клю-
чевом режиме (при запирании).
Максимальные токи. Максимальный ток, протекающий через полупровод-
никовый прибор, определяется допустимой мощностью рассеяния в приборе,
уменьшением коэффициента усиления прн увеличении тока коллектора 1К
(например, дой21Э<10), критическим током, при котором происходит вто-
рой пробой, значением г [ф нас транзистора и 1/Ор днода. Поэтому для уве-
личения максимального тока стараются уменьшить гкэн;|С и С/пр, увели-
чить мощность рассеяния (т. е. уменьшить тепловое сопротивление, увели-
чить допустимую температуру перехода), повысить устойчивость ко второму
пробою, уменьшить спад коэффициента усиления при увеличении 1К. Макси-
мально допустимый ток определяется через максимальный ток с учетом ко-
эффициентов запаса, определяемых соответствующими методиками.
Максимальный ток базы ограничивается сопротивлением вывода и кон-
тактов базы. Ограничение по максимальному току коллектора, как прави-
ло, наступает раньше, чем достигается максимальный ток базы.
15
Максимально допустимый ток через выпрямительный диод приходится
выбирать с очень большим запасом по сравнению с максимальным током.
Дело в том, что при включении выпрямителя через диоды за первые несколь-
ко периодов колебаний проходят большие импульсы тока, заряжающего кон-
денсаторы фильтра. Например, при среднем выпрямленном токе 300—
500 мА импульсы тока могут достигать значений 3—5 А.
Прн подборе аналогов следует иметь в виду, что некоторые зарубежные
фирмы выбирают запасы по максимальному току эначшельпо меньшие, чем
это принято в СССР (соответственно даются и меньшие диапазоны темпера-
туры внешней среды нлн корпуса). Поэтому могут быть случаи, когда ана-
логичный по току отечественный выпрямительный диод имеет габариты мно-
го большие, чем зарубежный.
2,3. Тепловые параметры
К тепловым параметрам приборов относятся: минимальная и максималь-
ная температура перехода (Г; тепловые сопротивления, тепловые по-
стоянные времени н теплоемкости. Они определяют стабильность работы
полупроводниковых приборов при изменении температуры, ограничивают мак-
симальные мощности, токи и напряжения, допустимые диапазоны температу-
ры окружающей среды, при которых обеспечивается надежная работа. В ча-
стности, параметры Ru,, т^, позволяют определить нагрев транзистора
или диода в рабочем режиме.
При достижении Т,тах у полупроводниковых приборов резко ухудша-
ются параметры, либо они выходят из строя из-за теплового пробоя переходов.
Величина Т^тах зависит от типа исходного материала, степени легирования,
состояния поверхности и других технологических факторов. Для германиевых
приборов Tj таз; = 70—120 43, для кремниевых— 150—200 °C.
Приводимые в справочниках значения Т}таг определены эксперимен-
тально или рассчитаны и имеют определенный запас по сравнению со значе-
нием температуры, при которой наступает разрушение прибора, Диапазон
температуры окружающей среды составляет для кремниевых приборов при-
мерно минус 60ч- +125 °C, для германиевых — минус 60ч—{-70 °C.
Измерение температуры перехода прямыми методами сложно н поэтому
используются косвенные методы, при которых она оценивается по какому-
либо термочувствительному параметру. Например, термочувствительным па-
раметром диодов являются обратный ток /йб₽ и прямое падение напряжения
(Лзр, а у транзисторов—7 [QgQ, прямое падение напряжения £'’ЭБ или
^КБ’ ^21э* вхоДное сопротивление. Температуру рабочих областей полупро-
водниковых приборов измеряют и другими методами, например регистрацией
инфракрасного излучения, физическим методом (термопарой).
Теплообмен между окружающей средой и переходом принято характе-
ризовать тепловым сопротивлением прибора. Тепловое сопротивление — со-
противление элементов конструкции распространению тепла от перехода к
корпусу и теплоотводу—определяется конструкцией прибора и теплопровод-
ностью ее элементов, системой охлаждения корпуса. Значение теплового со-
противления переход — среда (/?iaja) необходимо при расчете допустимой
мощности рассеяния маломощных диодов и транзисторов, обычно работаю-
щих без теплоотвода, а значения теплового сопротивления переход — корпус
(/?tjijc) — при расчете режима работы мощных приборов прн наличии внеш-
него радиатора. Обычно Тепло от кристалла с переходами к
корпусу нлн радиатору отводится за счет теплопроводности, а от корпуса
в Окружающее пространство — конвекцией и излучением.
Для охлаждения корпуса мощного прибора вместо радиатора может
использоваться поток жидкости или газа, При использовании радиатора на-
грев полупроводникового прибора зависит от качества теплового контакта
корпуса с радиатором. Для уменьшения контактного сопротивления приме-
няются специальные смазки (например, кремннйорганические) и пасты, за-
полняющие пустоты между контактирующими поверхностями, а также про-
кладки из мягких, легко деформируемых металлов: свинца, индия, меди, алю-
миния.
16
Значения тепловых постоянных времени переход — корпус (Tihje) и кор-
пус — среда tthca используются для расчета теплового режима приборов,
в динамическом режиме и характеризуют скорость нарастания температуры
отдельных участков объема полупроводникового прибора, когда температу-
ра перехода значительно изменяется за период действия импульсной мощно-
сти. Значение mjc определяется по переходным тепловым характеристикам
нагревания или остывания приборов и зависит от типа материала и конструк-
ции приборов. Величина т(лса зависит от способа отвода тепла от прибора,
a tthja характеризует время установления теплового режима диодов и тран-
зисторов без теплоотвода.
Значения теплоемкостей С*л^с н Cthca необходимы прн определении теп-
ловых режимов в случае работы приборов прн малых длительностях импуль-
сов. Они определяются экспериментально.
Для приборов средней и большой мощности, используемых с радиато-
ром, обычно оговаривается предельная температура корпуса прибора.
Для зарубежных приборов часто указывается максимальная температура-
хранения Tstg, которая является предельной температурой перехода данного»,
прибора.
2.4. Коэффициент усиления тока
Коэффициент усиления й2!э транзисторов зависит от тока коллектора
(эмиттера): с увеличением токов /к(/9) он сначала возрастает, а затем,
уменьшается. В зависимости от технологии изготовления максимум кривой
Л21 = ф(/В) может быть резким или размытым. Например, у меза-транзисто-
ров максимум этой кривой достигается при токах на 1—2 порядка больших,
чем у сплавных транзисторов. После прохождения максимума значение-
Л21Э уменьшается приблизительно обратно пропорционально значению 7а-
В мощных транзисторах этот спад происходит более резко, чем в мало-
мощных. Особенно резкий спад происходит у сплавных кремниевых р-п-р-
транзисторов (из-за физико-технологических причин). Поэтому такие транзи-
сторы не удалось создать на большие рабочие токи.
У сплавных приборов /z2J3 растет с увеличением напряжения на коллек-
торе; у диффузионных приборов обычно /t2ia слабо зависит от UK (эта зави-
симость наблюдается лишь при малых значениях напряжений на коллекто-
ре). С ростом температуры величина Лд» обычно возрастает.
2,5, Емкости переходов и постоянная времени коллектора
Емкости переходов влияют на частотные и импульсные характеристики
полупроводниковых приборов. Обычно в технических условиях на прибор да-
ются зависимости значений емкостей от напряжений, приложенных к перехо-
дам; с увеличением напряжения емкость нелинейно уменьшается. Емкость
Ск определяется измерением выходной емкости Сггэ с последующим вычита-
нием паразитной емкости ножки корпуса.
Параметр тк=г/бСк характеризует внутреннюю обратную связь в тран-
зисторе и определяет максимальную частоту генерации и коэффициент усиле-
ния по мощности на высокой частоте, Кроме того, чем меньше его значение,
тем выше стабильность работы транзистора в усилителе. По значениям тк и
Ск можно определить сопротивление базы, необходимое для расчета схем.
2.6. Шумы транзисторов
Собственные шумы транзисторов ограничивают чувствительность усилите-
лей. Их источниками являются тепловые шумы, дробовые шумы эмиттерного
и коллекторного переходов, избыточные шумы, шумы случайного перераспре-
деления тока эмиттера между коллектором и базой.
Тепловые шумы транзистора практически определяются омическим сопро-
тивлением базовой области. Дробовые шумы обусловлены флуктуациями»
носителей заряда через прибор (прн прохождении тока через эмиттерный и
коллекторный переходы).
2-136 17
Избыточные шумы (фликкер-ш}’мы) — специфические шумы, возникают
вследствие изменения состояния поверхности кристалла полупроводника во
времени. Они пропорциональны протекающему току и проявляются на низ-
ких частотах: в диапазоне звуковых и инфранизких частот. Значения избы-
точных шумов могут сильно колебаться даже для транзисторов одного типа,
так как зависят от факторов, связанных с технологией. Избыточные шумы
больше у ti'P-n транзисторов, чем у р п-р транзисторов. Транзисторы с боль-
шими нлн нестабильными значениями /КБО имеют повышенные избыточные
шумы. С ростом рабочей частоты доля избыточных шумов уменьшается и шу-
мы транзисторов определяются в основном дробовыми н тепловыми состав-
ляющими.
Шумовые свойства транзистора характеризуются чаще всего коэффициен-
том ш}ма, который определяется экспериментально или рассчитывается на
основе анализа отдельных источников шумов. Рассчитать точно коэффициент
шума для области избыточных шумов невозможно, поэтому его определяют
экспериментально.
Коэффициент шума является сложной функцией многих переменных:
полного сопротивления источника сигнала, параметров режима, параметров
транзисторов (ftata, ^кбоИ^э, /л21б, re, гэ) и рабочей частоты. Зависимость
/С™ от частоты имеет три характерных участка-
низких частот (Яш уменьшается пропорционально 1/f);
средних частот (/(ш не зависит от частоты);
высоких частот (при f>fTp усиление резко уменьшается и шумы возра-
стают)
Эти участки обусловлены тем, что на различных частотах шумы генери-
руются различными источниками шумов. Прн заданном токе 7 а и сопротив-
лении генератора /?г имеется область частот, как уже отмечалось, где Яш не
зависит от частоты (область белого шума).
Следует отметить, то уровень низкочастотных шумов, пропорциональных
1//, используется для распознавания разных дефектов в транзисторах, в ча-
стности трещин н нарушений целостности кристалла, наличия загрязнений
поверхности, которые могут привести к отказам приборов.
Минимальное значение Кт достигается прн определенном значении то-
ка Увеличение Яш при росте 7Н происходит медленно прн малых значе-
ниях 1К. При больших токах Яш растет почти пропорционально С ро-
стом Uк (в пределах 1—10 В) значение Кш почти не меняется, пока избы-
точные шумы малы по сравнению с дробовыми и тепловыми. В дальнейшем
из-за увеличения избыточных шумов лш возрастает. Таким образом, для то-
го, чтобы свести шумы к минимуму, выбирают оптимальный режим работы
транзистора.
На средних и высоких частотах минимальный Кш будут иметь транзи-
сторы с малыми значениями rg и 7 КБ0 и высокими значениями и
Измерения параметра Яш производятся обычно при некотором стандарт-
ном значении /?г. Отметим, что коэффициент шума растет с ростом темпе-
ратуры. *
2,7. Параметры четырехполюсника
Для анализа работы транзистора в усилительном режиме используются
метод эквивалентных схем замещения и метод четырехполюсника. Для пер-
вого метода основные расчетные соотношения схемы усилителя выражаются
через параметры, отражающие физические процессы в транзисторе (диффу-
зия, модуляция ширины запирающего слоя, зарядные емкости, последова-
тельные сопротивления и др.), с учетом особенностей конструкции, паразит-
ных емкостей и нидуктивностей выводов для рабочего интервала частот. Для
различных областей применения и диапазонов рабочих частот эти схемы ви-
доизменяются, В зависимости от расположения пассивных элементов полу-
чаются Т- и П-образные схемы замещения.
18
Метод четырехполюсника позволяет производить расчет усилителя с по-
мощью матриц без составления эквивалентной схемы транзистора. Параметр»
четырехполюсника, характеризующие усилительные свойства транзистора^
определяются при этом экспериментально. В отличие от параметров схем за-
мещения они зависят от схемы включения Существуют три системы параме-
тров, однозначно определяющие свойства транзисторов: z-, Л- и У-параметры.
Каждая из них имеет свои преимущества и недостатки. Выбор той или иной
системы параметров определяется удобством анализа н расчета каждой кон-
кретной схемы.
Для расчета низкочастотных схем наибольшее распространение получили
х- и й-параметры, для расчета высокочастотных схем—У- и s-параметры.
Для устранения нестабильности работы транзисторов в усилительном ре-
жиме, связанной с внутренней обратной связью, используются схемные ме-
тоды нейтрализации и демпфирования входных и выходных проводимостей.
С помощью внешних схемных элементов стараются уменьшить коэффициен-
ты, описывающие обратную связь (ha, Fjs). У ряда современных транзисто-
ров уменьшение действия обратной связи достигается технологическим
путем.
Измерение параметра Уна позволяет оценить сопротивление базы, ко-
торое, в свою очередь, определяет усилительные н частотные свойства тран-
зисторов, а также высокочастотные шумы токораспределення (у транзисторов
с малым сопротивлением га уровень шумов также малый). Вообще порядок
величины сопротивления гс зависит от конструкции и типа транзистора и со-
ставляет от нескольких единиц (у мощных приборов) до нескольких сотен
омов.
В качестве параметров, описывающих транзистор как четырехполюсник
для СВЧ диапазона, получили распространение s-параметры; Sii и S22 — ко-
эффициенты отражения соответственно от входа и выхода четырехполюсника
при нагрузке на волновое сопротивление (входные и выходные сопротивле-
ния), a sj2 и s2i— коэффициенты обратной н прямой передач. Они использу-
ются для расчета схем от 100 МГц до нескольких гигагерц (на этих частотах
трудно осуществить условие короткого замыкания прн измерении У-параме-
тров). Кроме того, s-параметры имеют ряд преимуществ с точки зрения обес-
печения устойчивости в процессе измерения, но определяются только для
дайной рабочей точки и на фиксированной частоте.
Типовые (нормализованные) зависимости параметров четырехполюсника
от режима и температуры иногда приводятся в справочниках или техниче-
ских условиях.
2.8. Частотные свойства транзисторов
Для схем замещения н параметров четырехполюсника имеется ряд ха-
рактеристических частот. Практическое значение имеют частоты, связанные
с параметрами Й216, йаь и У21э, а также частота генерации fmax, показываю-
щая область частот, н которой транзистор может быть, в принципе, применен
как генератор колебаний (па этой частоте Хур=1). Кроме того, fmax
используется для оценки КУР на других частотах.
Модули величин /г21б, Asia и У21в падают с ростом частоты, поэтому вво-
дятся характеристические частоты, на которых коэффициенты передачи по
току падают в К 2 раз (до 0,707) относительно их значения на низкой ча-
стоте; соответствующие частоты /лив, /л21в> fraia.
Применяется также частота frp. На этой частоте модуль Й21э достигает
значения, равного единице.
Для характеристики транзисторов используется обычно частота Л216 в
диапазоне до 20 МГц, а /гр — свыше 20 МГц.
Имеются формулы, связывающие частоты /лг1б, /лма и fr₽. В частности,
/rp=fefSie, где А—0,65—0,82 для различных типов транзисторов; для без дрей-
фовых (сплавных) транзисторов обычно принимают А=0,82. Для бездрейфо-
вого транзистора частота /2)э=(1—Й2ю)/лг]б- Значение fhm зависит от по-
ложения рабочей точки и температуры. Максимальное значение fh2io в зави-
симости от тока эмиттера (коллектора) почти совпадает с максимумом па-
2* 19
раметра ft2iJ в зависимости от тока. При больших токах предельная частота
ладает; на малых токах частотные свойства транзисторов также ухуд-
шаются.
2.9. Обратные токи переходов
Обратные токи и их зависимость от приложенных напряжений и от тем-
пературы учитываются при расчете режима работы диодов и транзисторов,
Абсолютное значение обратного тока через переход зависит от свойств мате-
риала, технологии изготовления (геометрии перехода, состояния поверхно-
сти), мощности прибора и рабочей температуры.
Обратный ток экспоненциально возрастает с ростом температуры. Счи-
тается, что или /обр примерно удваивается с ростом температуры в
германиевых приборах на 8—10 °C, у кремниевых — на 10 °C. Приблизитель-
но значение изменяется па 6—8% прн изменении температуры на 1 °C
у германиевых приборов, на 8—10% —у кремниевых приборов.
Обратные токи обычно определяются для отечественных приборов при
максимальных значениях обратного напряжения. Большие значения обрат-
ных токов переходов свидетельствуют о недостаточно высоком качестве при-
боров.
2.10. Области работы и вольт-амперные
характеристики транзисторов
Для транзисторов принято различать четыре области работы; отсечки,
усиления, насыщения н умножения (лавинного пробоя), а также три схемы
включения: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ) и общим коллек-
тором (ОК).
Транзисторы работают в прямом н в инверсном включениях. В режиме
инверсного включения, в отличие от прямого, эмиттер смещен в обратном
направлении, а коллектор — в прямом. Транзистор работает при этом в ак-
тивной области, но его усилительные свойства хуже (например, ftsi6=
=0.1—0,8). Дрейфовые (диффузионные) транзисторы редко используются
в таком включении, так как из-за асимметрии конструкции (большой разницы
площадей эмиттера и коллектора) инверсное усиление мало. Инверсный ре-
жим может иметь место во время переходных процессов в импульсных
схемах.
Вольт-амперные характеристики, приводимые в справочниках, дают ин-
формацию о работе транзисторов во всех областях и режимах работы на
большом и малом сигналах при различных допустимых сочетаниях токов и
напряжений. По ним можно определять ряд основных параметров транзисто-
ра, чыбирать рациональное положение рабочей точки, рассчитывать нелиней-
ные искажения, цепи смещения и стабилизации режима. Для анализа режи-
мов и расчета схем обычно широко используются два семейства статических
характерисгчк: семейства входных и выходных характеристик для схем ОБ
и ОЭ. При необходимости по этим характеристикам можно построить про-
ходные характеристики (прямые и обратные). По входным характеристикам
определяются параметры /шб и /гиэ: по выходным — йзз в, /ujb, Г21Э, У210
в зависимости от режима.
Наклон начального участка выходных характеристик определяет значение
гКЭкас- Кроме того, на выходных характеристиках указывают обычно об-
ласть безопасной работы транзисторов.
2.11. Импульсный и ключевой режимы работы
Рабочие токи, напряжения или мощности при работе в таких режимах
могут значительно превышать номинальное значение, установленное для ре-
жима постоянного тока.
Для переключательных транзисторов в справочниках приводятся импульс-
ные значения максимально допустимых параметров или графики позволяю*
20
пцие определить Ри в зависимости от соотношения длительности импульса tn,
Скважности Q и частоты. Величина Ри на фронте или спаде импульса может
.достигать значений, превосходящих значения Рк тая. Величина_ /к, и max
обычно определяется экспериментально для заданной длительности импульса
.и ограничивается-значением Рк max.
Время переключения транзистора состоит из суммы времени включения
и времени выключения. В свою очередь, время включения состоит из суммы
.времени задержки включения и времени нарастания, а время выключения—
.из времени задержки выключения (времени рассасывания) и времени спада.
Зремя переключения определяется как свойствами самого транзистора, так
.и выбранной схемой включения транзистора и параметрами управляющего
сигнала. Оно является функцией граничной частоты (/гр), эмиттерного и кол-
лекторного токов. Получить высокое быстродействие при большом токе за-
труднительно. .
Для современных транзисторов (с Др>100 МГц) основной вклад в за-
держку включения вносит значение емкости Сэ. Кремниевые транзисторы
имеют большие значения Дд, чем германиевые приборы. Время задержки
уменьшается с увеличением мощности включающего сигнала.
Для времени нарастания влияние емкости С3 незначительно, но играют
.роль значения Др и входного тока. На длительность фронта и спада значи-
тельное влияние оказывает значение емкости Ск.
Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима
измерения. При больших степенях насыщения (или больших запирающих то-
ках) и существенных отклонениях режима использования от указанных в
.справочнике, значение времени рассасывания может сильно отличаться от его
номинального значения.
Транзисторные ключи работают либо в насыщенном, либо в ненасыщен-
ном режиме. При увеличении степени (глубины) насыщения /Вкл уменьшает-
ся, а Дилл возрастает.
Параметры ДР, Ct;, Сэ, й21э, Дас дают возможность сравнивать пере-
ключательные свойства транзисторов при одинаковых условиях режимов из-
мерения.
Для зарубежных приборов часто приводятся времена Длл и Дыкл, для
отечественных приборов эти параметры даются лишь для некоторых типов
транзисторов, используемых близко к достижимому ими пределу быстродей-
ствия. Эти времена определяются для конкретной (типовой) электрической
схемы, зависят от элементов внешних цепей (сопротивления нагрузки, сопро-
тивления входной цепи, реактивных сопротивлений) и исйользуются как
справочные или рекламные сведения.
В качестве типового режима измерений, определяющего отношение со-
ставляющих входных токов (Д31 и /Ь2) и тока коллектора на границе насы-
щения /к нас, для отечественных транзисторов принято/Б1 — 7Б2=0,1 • 1к нас,
что является более близким к реальным условиям работы импульсных тран-
зисторов в схемах, чем у зарубежных, у которых принято при измерении
*^Б! = ^Б2=^к нас'
Работа транзистора в режиме насыщения характеризуется также оста-
точным напряжением между коллектором и эмиттером или сопротивлением
.насыщения Параметр гКЭнас удобнее использовать при сравнении
транзисторов, чем ^'кэрас* так как пеРвый слабо зависит от тока. Значение
к.9 нас зависит от геометрических и физических параметров транзистора,
поэтому его уменьшают выбором определенной геометрии структуры, а так-
же за счет создания конструкции с эпитаксиальными слоями.
С увеличением степени насыщения (3—5 раз и выше) значение ^ кэ нас
почти не меняется. С ростом температуры оно несколько увеличивается.
Вообще большие значения /"кэгас транзистора и гпр диода увеличивают по-
терь мощности в приборах и снижают КПД устройств, особенно при работе
на больших токах.
21
Ключевые транзисторы (в отличие от усилительных) обычно имеют ма-
лые остаточные напряжения (^кэ нас1 ^бэ нас)’ высокие значения
^КЬОпроб’ ^ЭБОпроб’ и малые времена переключения. Для транзисто-
ров, предназначенных для работы в ключевом режиме, не обязательно иметь
большие значения В общем случае мощность, выделяемая транзистором
в ключевом режиме, состоит из суммы мощностей, выделяющихся па коллек-
торном переходе в режиме насыщения (РВИл), в режиме отсечки (РВЫкл),
в процессе перехода транзистора из одного режима в другой (РПер) и управ-
ляющей мощности в цепи базы (Руар). Прн небольших рабочих частотах
(/<1 кГц) основной составляющей, определяющей тепловые потери в тран-
зисторе, является РВкд. Мощностью Рлер ограничивается предельная часто-
та работы транзистора.
2.12. Технология изготовления полупроводниковых приборов
Современный уровень электрических параметров полупроводниковых при-
боров обусловливается прогрессом технологии их изготовления, связанным с
разработкой эффективных методов эпитаксиального выращивания, техникой
изготовления фотошаблонов, проведением процессов фотолитографии и диф-
фузии примесей, совершенствованием стабилизирующих и защитных покры-
тий кристаллов.
Для изготовления переходов полупроводниковых приборов существуют
следующие технологические методы: вытягивание из расплава, электрохими-
ческие, электроформовка, сплавление, диффузия я ионное внедрение приме-
сей. Первые три метода в настоящее время практически не применяются. Ме-
тод сплавления применяется лишь при изготовлении вязкочастотных мало-
мощных и мощных германиевых транзисторов и кремниевых дяодов.
Сплавные транзисторы имеют невысокий частотный предел (примерно до
10—15 МГц), достаточно высокие напряжения ^квОпроб 11 ^ЭЕОпроб’ ПРН'
чем близкие по значению, малые напряжения насыщения, но большие емко-
сти (из-за большой площади перехода коллектор—база), большой раз-
брос параметров вследствие плохой воспроизводимости процесса сплавлении.
Метод сплавления имеет простую технологию.
С помощью диффузионных методов на германии и кремния получают
транзисторы со структурами р-п-р и п-р-п. Например, на германии с по-
мощью двойной односторонней диффузии технологически легче получать
р-п-р транзисторы, а на кремнии—п-р-п транзисторы. При двойной односто-
ронней диффузии (базовая область создается диффузионным легированием)
транзисторы имеют высокую частоту, но повышенное сопротивление насыще-
ния гнас и большое Уцэ нас. Транзисторы, изготовленные с помощью дву-
сторонней диффузии (диффузионные эмиттер и коллектор), имеют малое
гкэнас и Ма-7УЮ предельную частоту.
Для изготовления транзисторных структур широко используются комби-
нированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных ва-
риантов диффузии. В комбинации с методом сплавления были созданы диф-
фузионно-сплавные и сплавно-диффузионные приборы. Например, базовая
область — диффузионная, а коллектор и эмиттер — сплавные. Диффузяонио-
сплавные транзисторы имеют большое ^кэнас и малые пробивные напря-
жения переходов ^квопроб и ^эБОпроб (несколько вольт), у них более вы-
сокая рабочая частота, чем у сплавных приборов. Транзисторы с большими
рабочими токами (до десятков ампер) и частотой несколько десятков мега-
герц получают методом сплавления — диффузии, так как этот метод позво-
ляет создавать приборы, превосходящие сплавные по частоте.
В настоящее время наибольшие рабочие токи имеют кремниевые транзи-
сторы (кроме сплавных германиевых транзисторов), изготовленные с по-
мощью двусторонней диффузии.
22
Близкими по технологии изготовления к сплавно-диффузионным транзи-
сторам являются конверсионные транзисторы.
Разновидностью сплавно-диффузионных и диффузионных транзисторов
являются транзисторы, изготовленные в виде мезаструктуры. Они изготавли-
ваются для работы на частотах порядка 800—1000 МГц н характеризуются
малыми значениями емкости Ск и сопротивления базы. Большинство мощных
кремниевых транзисторов, изготовленных с помощью двойной односторонней
диффузии, представляет собой мезапланариые приборы. Необходимо отме-
тить, что в отличие от метода сплавления принципы получения диффузион-
ных структур применимы для групповой технологии.
Наряду с методами одинарной и двойной диффузии применяются мето-
ды тройной диффузии (преимущественно для изготовления меза- и планарных
транзисторов), например для создания высоковольтных транзисторов.
Мощные приборы с двойной диффузией и охранным кольцом, располо-
женным по периметру коллекторного перехода для снижения токов утечки,
обладают высокой линейностью h2ia, малым ^кЭнас- У приборов с тройной
диффузией — большая область безопасной работы, выше прибивные напря-
жения, но ниже усиление и
Современнее полупроводниковые приборы обычно изготавливаются по
планарной технологии, являющейся модификацией диффузионной технологии.
Основным преимуществом планарной технологии является обеспечение точных
размеров переходов и их защита от воздействия внешней среды и загрязне-
нии. В планарной структуре переходы находятся под защитным слоем дву-
окиси кремния, поэтому многие проблемы, связанные с поверхностными
явлениями, устраняются. В германиевых планарных транзисторах также при-
меняются покрытия из двуокиси кремния. В качестве дополнительного пас-
сивирующего слоя в планарных приборах может использоваться нитрид
кремния, что увеличивает стабильность транзисторов н возможность их ра-
боты при более высоких температурах. Кроме указанных преимуществ, пла-
нарные приборы имеют большую долговременную стабильность свойств, ма-
лые обратные токи, большое усиление при малых токах, однородность пара-
метров н возможность изготовления в едином технологическом процессе
большого числа структур.
В настоящее время имеются планарные транзисторы (например, отече-
ственные КТ 104, КТ201, КТ203, КТ208, КТ209, КТ501), которые позволяют
по совокупности параметров заменять в схемах сплавные транзисторы как
германиевые, так и кремниевые.
Для улучшения параметров мезапланарных н планарных транзисторов
используют методы встречной диффузии и эпитаксиального выращивания.
€ помощью эпитаксиальной технологии реализуется двухслойная структура,
коллектора: низкоомная исходная пластина и выращенный тонкий высокоом-
ный слой. Для маломощных транзисторов эпитаксиальное выращивание
практически полностью заменило встречную диффузию. В настоящее время
метод эпитаксиального выращивания считается более перспективным, чем
метод обратной эпитаксии (обращенного эпитаксиального наращивания) и
метод встречной диффузии. Применение эпитаксиальных пленок улучшает
три параметра диффузионных транзисторов: повышает пробивное напряжение
коллекторного перехода, уменьшает сопротивление коллектора и
емкость Ск. Кроме того, эпитаксиальные приборы имеют более слабую зави-
симость коэффициента усиления от тока эмиттера.
Для создания современных СВЧ транзисторов используется технология
ионного легирования, илн ноиной имплантации (внедрения) примесей. Этот
Метод позволил получить сопротивление базы, много меньшее, чем при диф-
фузионном методе, и сверхтонкий базовый слой (глубина залегания всех пе-
реходов менее 1 мкм). Кроме того, имплантация ионов может осуществляться
при низких температурах, что позволяет сохранить электрофизические свой-
ства исходного материала. Процесс легирования возможно автоматизировать,
вследствие чего повышается также воспроизводимость электрических параме-
тров приборов.
Для СВЧ приборов на арсениде галлия для получения очень тонких
структур используется метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
23
Для получения больших мощностей на высоких частотах используются
такие структуры, как гребенчатая, многоэмиттерная, матричная и т. л. Дл©
малосигиальных СВЧ транзисторов оптимальной является гребенчатая (по-
лосковая) геометрия.
В современных мощных транзисторах имеются интегральные эмиттерные
резисторы (диффузионные или тонкопленочные) для выравнивания распре-
деления тока между отдельными участками эмиттерного перехода и умень-
шения вероятности развития пробоя.
2,13. Конструкции корпусов
Корпус прибора должен защищать кристалл от воздействия внешних
факторов, хорошо отводить тепло, обеспечивать надежное и удобное крепле-
ние в аппаратуре.
При производстве полупроводниковых приборов используются типовые
(базовые) конструкции корпусов. Конструктивное оформление приборов обу-
словлено различными максимальными мощностью рассеяния и током, частот-
ными свойствами, особенностями технологии изготовления и условиями экс-
плуатации. Применяются цельно- н металлостекляикые, металлические с про-
ходным изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной
(пластмассовой) герметизацией и пластмассовые корпуса различной формат
и размеров. Выпускаются также и бескорпуспые приборы.
Корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпачка), гер-
метично соединяемых друг с другом злектроконтактпой сваркой, холодной
сваркой или пайкой. Наружные металлические детали корпуса в зависимости?
от типа прибора могут иметь металлическое (золочение, никелирование и др.)
или лакокрасочное покрытие. Наличие цилиндрической формы поверхности?
баллона (колпачка) допускает применение радиаторов, увеличивающих мощ-
ность рассеяния приборов.
Выводы корпусов могут иметь одно- или двустороннее расположение;
находиться с той стороны, которой прибор прижимается к теплоотводу илю
шасся (направлены вниз), например в корпусах ТО-3; располагаться со сто-
роны, противоположной контактирующей (обычно в мощных приборах), на-
пример в корпусах ТО-60, ТО-63, КТ-4, а также иметь радиальное располо-
жение (обычно у ВЧ и СВЧ транзисторов).
Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может
быть электрически связан с корпусом или все выводы полностью электриче-
ски изолированы от пего. Для улучшения теплоотвода с одновременной элек-
трической изоляцией кристалла от корпуса часто используется держатель йа-
бериллиевой керамики, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллию
является хорошим изолятором и в то же время обладает высокой теплопро-
водностью.
Отвод тепла от кристалла зависит от теплофизических свойств материа-
ла корпуса. Так как у транзисторов отвод тепла обычно осуществляется че-
рез область коллектора, связанного электрически с корпусом, а работа при-
бора чаще всего предпочтительна в схеме с общим эмиттером, то корпус-
прибора изолируется от шасси с помощью прокладки (из слюды, окиси бе-
риллия и др.). Имеются конструкции, где отвод тепла осуществляется через*
коллектор, электрически изолированный от корпуса (например, корпус
ТО-60). Иногда для улучшения отвода тепла в транзисторах малой н средней
мощности внутренний объем корпуса заполняется теплоотводящим наполни-
телем. Фланцевые корпуса обеспечивают лучший отвод тепла, чем корпуса-
с монтажным винтом.
В различных странах проведены стандартизация и унификация конст-
рукций корпусов полупроводниковых приборов. Это дает возможность, в ча-
стности, стандартизировать теплоотводы (радиаторы) для приборов. Габарит-
ные и присоединительные размеры корпусов отечественных диодов и транзи-
сторов стандартизированы и устанавливаются ГОСТ 18472—82. По габарит-
но-присоединительным размерам конструкции корпусов с учетом междуна-
родной стандартизации должны отвечать Рекомендации МЭК № 191-2 и>
стандарту СТ СЭВ 1818—79. В нашей стране имеется ряд корпусов транзи-
24
сторов и диодов, соответствующих этим документам- металлостеклянный
корпус — КТ-1 (аналогичные зарубежные корпуса имеют обозначение ТО-18,
ТО-72) с двумя, тремя (ТО-18), четырьмя или пятью выводами для транзи-
сторов с рабочей частотой до 1,5 ГГц;
металлостеклянный корпус КТ-2 (зарубежное обозначение ТО-5 или
ТО-39) для транзисторов малой и средней мощности (до 15 Вт);
металлокерамический корпус КТ-4 (зарубежное обозначение ТО-60) име-
,гт три изолированных вывода, крепящий болт и предназначен для мощных
ВЧ и СВЧ транзисторов;
металлокерамический корпус КТ-7, КТ-6 (зарубежное обозначение
ТО-63, ТО-61) предназначены для транзисторов большой мощности (до
200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или тремя изолирован-
ными от корпуса выводами (для высокочастотных транзисторов).
Металлостекляиные корпуса КТ-8, КТ-9 (зарубежное обозначение ТО-66,
ТО-3) предназначены для транзисторов большой мощности.
Корпуса диодов КД-2, КД-4, КД-6 (зарубежное обозначение соответст-
венно 00-35, DO-6 и SO-45).
Зарубежный корпус типа ТО-3 обычно используется для работы па часто-
тах до 100—150 МГц, корпус типа ТО-60—-до 500 Мгц; для работы на бо-
лее высоких частотах используются другие, специальные конструкции (коак-
сиальные корпуса, ТО-117 и др.).
На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают
влиять межэлектродныс емкости, емкости электродов относительно корпуса и
•индуктивности выводов. Для работы на СВЧ (более 1 ГГц) индуктивность
выводов должна быть менее 1 нГн.
В отличие от низкочастотных приборов у высокочастотных выводы де-
лаются короткими, толстыми, широкими и далеко расположенными друг от
друга Были разработаны коаксиальный корпус и различные модификации
корпуса с полосковыми выводами (для сопряжения с полосковыми линиями).
Например, у коаксиального корпуса индуктивность общего вывода составля-
ет 0,1 нГн, у керамического полоскового корпуса типа L-5 индуктивность
эм1 и горного вывода —0,275 нГн.
Для ВЧ и СВЧ транзисторов существуют два способа монтажа кристал-
ла в корпус: для схем с общим эмиттером (эмиттер электрически связан с
корпусом) и общей базой, Наилучшие результаты работы усилительных
транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме ОБ (класс С), так
как при этом получаются высокие ДУР н достигается лучшая стабильность
усилителя. Транзисторы, включаемые по схеме ОЭ, являются оптимальными
для генераторов, так как при этом паразитные параметры корпуса оказыва-
ются включенными в цепь обратной связи.
В составе гибридных интегральных микросхем применяются бескорпус-
яые приборы в виде кристаллов (пластин), с шариковыми, балочными, про-
волочными нлп ленточными выводами, на керамических держателях, приборы
в малогабаритных пластмассовых корпусах (типа SOT-23, SOT-89). При
этом осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы для
зашиты от влияния окружающей среды.
Герметизация пластмассой. Разработка полупроводниковых приборов в
пластмассовом корпусе позволила снизить их стоимость и упростить техноло-
гию герметизации по сравнению с аналогичными по электрическим параме-
трам приборами в обычном металлостеклянном корпусе. Это произошло за
•счет автоматизации и механизации некоторых операций монтажа и сборки
TipnOopoB. а также снижения некоторых требований к приборам (например,
У приборов в пластмассовом корпусе более узкий рабочий диапазон темпера-
тур) Использование пластмассовых корпусов — это и экономия металлов, в
том числе дорогостоящих.
Технологически проЕгессы изготовления этих приборов не отличаются от
аналогичных процессов изготовления приборов в обычном корпусе, только
вместо ножки здесь используется центральный (часто коллекторный) вывод
к вместо металлического корпуса используется заливка всей структуры по-
лимерами.
25
Герметизация полимерами, используемая как для маломощных, так и
для мощных приборов, осуществляется либо с образованием монолитной кон-
струкции (герметизирующий материал контактирует с кристаллом), создан-
ной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрес-
совкой или формовкой, либо капсульной конструкции, при которой коеетэкт
кристалла с герметизирующим материалом отсутствует. Герметизация может
быть односторонней (для мощных приборов) или двусторонней (для мало-
мощных приборов). В качестве заливочных компаундов (полимеров) исполь-
зуются эпоксидная, полиэфирная или фенольная смолы, кремнийоргаинческие
материалы с различными наполнителями.
Стабильность параметров и надежность приборов, герметизированных
полимерами, связаны с различными серьезными проблемами и определяются
теми изменениями, которые происходят на поверхности кристаллов и обуслов-
лены наличием примесей в полимерном материале, проникновением влаги
через выводы и полимер на поверхность кристалла, внутренними напряжения-
ми, возникающими в герметизирующем слое, адгезией пластмассы с материа-
лом выводов, наличием электролиза контактов при проникновении влаги.
Состав материалов корпуса и метод герметизации оказываются наиболее
важными факторами, связанными с их надежностью Дефекты пластмассо-
вого корпуса могут вызвать большие токн утечки, электрохимические процес-
сы разрушения металлизации и выводов, термомеханические разрушения
(из-за различия коэффициентов расширения пластмассы и металлических вы-
водов) .
В принципе, пластмассовые приборы имеют более высокую механическую
прочность, вибро- н ударопрочность, чем приборы в металлостеклянном
корпусе. Однако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет пло-
хой отвод тепла, кроме того, в ряде случаев при использовании пластмассо-
вых приборов в РЭА требуется дополнительная магнитная и электрическая
экранировка их корпуса.
За рубежом наиболее часто используются пластмассовые маломощные
корпуса типов RO-67, SOT-54 илн ТО-92 (аналогичный отечественный КТ-26),
ТО-98, Х-55, а также мощные корпуса — типов ТО-220 нли SOT-78 (отече-
ственный КТ-28), ТО-202 или SOT-128, ТО-126 или SOT-32 (отечественный
КТ-27). В пластмассовом корпусе для мощных приборов в качестве основа-
ния корпуса служит металлическая пластина, на внутренней стороне которой
непосредственно монтируется кристалл прибора.
2.14. Надежность
Полупроводниковые приборы работают надежно, если их рабочие токи,
напряжения, мощности и температура перехода и окружающей среды не пре-
вышают максимально допустимых значений.
Надежность полупроводниковых приборов закладывается еще на этапе
разработки и в дальнейшем обеспечивается на всех стадиях их изготовления,
В производственных условиях надежность приборов зависит от конструкции,
технологии изготовления (например, надежность планарных приборов выше
надежности сплавных и сплавно-диффузионных) н методов контроля качест-
ва н надежности.
В технических условиях (ТУ) на приборы предусмотрен комплекс меро-
приятий для обеспечения высокой надежности. При заводских испытаниях
проводятся испытания приборов на безотказность и долговечность, позволяю-
щие определить производственную надежность (для оговоренных в ТУ режи-
мов, условий испытаний и критериев отказов), как правило, в условиях и
режимах более тяжелых, чем условия эксплуатации, и с оценкой результатов
испытаний по более жестким критериям. Поэтому эксплуатационная надеж-
ность (в конкретных режимах, условиях и схемах применения) обычно выше
производственной.
Разница между производственной и эксплуатационной надежностями бу-
дет более значительной, если приборы будут работать в облегченных элек-
трических и эксплуатационных режимах по сравнению с максимально допу-
стимыми (предусмотрены запасы по напряжению, току и мощности рассея-
26
ния), а также если работа схемы допускает большой диапазон изменения
параметров используемых приборов.
Данные об эксплуатационной надежности накапливаются прн эксплуа-
тации аппаратуры и учитываются при ее доработке или усовершенствовании.
2.15. Области применения транзисторов
Полупроводниковые приборы разрабатываются и совершенствуются, ис-
ходя из перспективности и общих тенденций развития радиоэлектронной
аппаратуры, с учетом особенностей конкретных классов схем, в которых пред-
полагается их использование. В настоящее время выпускаемые полупровод-
никовые приборы исчисляются сотнями и тысячами наименований. Предназна-
ченные для различных областей применения, они открывают возможность со-
здания принципиально новых радиотехнических устройств, существенно рас-
ширяют и улучшают функции и возможности РЭА,
По виду выполняемой функции (целевому назначению) транзисторы
можно разделить на усилительные, переключательные и генераторные типы.
Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока,
низкой, промежуточной и высокой частот и др.) являются входное и выходное
сопротивления каскада, соотношения, определяющие усиление, частотные
свойства, режимы работы, температурная стабильность и прочие показатели.
В соответствии с назначением различают каскады предварительного уси-
ления (напряжения, тока или мощности), предназначенные для получения
максимального усиления (обычно по резисторной или трансформаторной
схеме), и каскады усиления мощности, обеспечивающие на заданной нагрузке
необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях н мини-
мальной мощности потребления от источника питания. В многокаскадных
усилителях с отрицательной обратной связью имеют место фазовые сдвиги
между входными и выходными токами, поэтому для устойчивой работы тран-
зисторы выбирают исходя из условия /в<0,3/л21э (/в — верхняя рабочая ча-
стота усилителя) прн малой обратной связи Усилители с мощным
выходным каскадом имеют два варианта: бестраисформаторный (с выходной
мощностью не более 5—10 Вт) и трансформаторный (на десятки и сотни
ватт). При выходной мощности порядка 0,1 — 1 Вт каскады выполняются
однотактными с режимом работы в классе А; при больших значениях мощно-
сти — двухтактными с режимом работы в классе А, АВ или В.
В схемах с дополнительной симметрией, т. е. с использованием транзи-
сторов со структурами р-п-р и л-p-n, приборы должны быть с одинаковыми
параметрами и характеристиками. Требуется подбор пар последовательно
включенных транзисторов по /i2[a и /ллз с разбросом не более 10—15%. Для
этой цели разработаны специальные пары (комплементарные) транзисторов,
например отечественные транзисторы со структурами п-р-п и р~п-р типов
КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815; КТ816 и КТ817; КТ818 и КТ819.
В каскадах предварительного усиления значение U в рабочей точке
мало (несколько вольт) и выбирается из соображений получения малого на-
пряжения шумов или неискаженной формы сигнала на выходе
В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилиза-
цию, замена транзистора на однотипный с более высоким значением Л21э не
приводит к значительному увеличению тока коллектора в рабочей точке.
В транзисторных генераторах наиболее предпочтительными являются ре-
жимы классов В и С (реже АВ), При расчете транзисторного генератора
с внешним возбуждением по заданным выходной мощности и верхней рабо-
чей частоте усилителя выбирают тип транзистора и проверяют пригодность
его по Ри, /гР и предельно допустимым параметрам (^квотах- ^эвотах-
для заданного угла отсечки коллекторного тока. Для расчета гене-
раторов необходимо знать также значения Ск, т«, fmax. Следует учитывать,
чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше ^yp. Для получения
—7 дБ необходимо, чтобы fB было в несколько раз ниже частоты
/лг[б (в 4—10 раз).
27
В каскадах усиления и генерации мощности значение выбирается;
достаточно большим для получения максимального КПД и малых нелиней-
ных искажений,
Транзисторы некоторых типов используются в специфических классах:
схем и характеризуются некоторыми особенностями режима и условий ра-
боты. Такне транзисторы образуют своеобразный класс приборов, например*
транзисторы для схем АРУ, для УПЧ, для работы в микроампервом диапа-
зоне токов, для работы в ВЧ и СВЧ диапазонах, лавинные транзисторы.,
сдвоенные, составные, двухэмиттерные и т. п. Есть узлы, где требуются»
высоковольтные транзисторы. Кроме того, разработаны транзисторы универ-
сального назначения. Оптимальное сочетание параметров и характеристик:
дает возможность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре вместо не-
которых специализированных транзисторов.
Для схем с автоматической регулировкой усиления (АРУ) разработаны
специальные транзисторы, обладающие регулируемым усилением при увели-
чении рабочего тока (прямая АРУ). Уменьшение усиления таких транзисто-
ров на высокой частоте происходит за счет спада frp при увеличении тока
эмиттера и уменьшении напряжения на коллекторе. В связи с этим они име-
ют резкую зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют меньшую»
зависимость усиления от электрического режима. Для зарубежных транзи-
сторов, предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки:
усиления (отношение максимального усиления к минимальному),
Жесткие требования к экономичности РЭА в целом ряде специальных
применений способствовали созданию кремниевых транзисторов, нормально
функционирующих при малых токах (единицы — десятки микроампер), по-
скольку германиевые транзисторы вследствие большого обратного тока кол-
лектора для этих целей непригодны, Такие приборы (например, КТ3102„
КТ3107) имеют малый и большое усиление. Однако при работе в мик-
рорежиме у них ухудшаются частотные свойства, но несколько лучше шу-
мовые свойства. Кроме того, при малых токах обычно увеличивается зави-
симость параметров от температуры, снижается крутизна и затрудняется
стабилизация режима.
Реализация высокого усиления по мощности в высокочастотных усилите-
лях связана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной про-
ходной проводимостью транзистора У(2. В настоящее время разработаны
транзисторы (например, RT339AM), у которых для снижения емкости обрат-
ной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (экран Фа-
радея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополни-
тельного экранирующего диода. Применение интегрального экрана позво-
ляет снизить емкость между коллекторным и базовым выводами в 2,5—
4 раза (емкость Ci23 снижается до значения не более 0,3 пФ) и обеспечивает
получение высокого усиления Кур без применения схем нейтрализации.
Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электриче-’
ского пробоя коллекторного перехода. В зависимости от схемы включения
они могут иметь управляемые S-образные (со стороны кол лек юра или эмит-
тера) и N-образные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики.
Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возмож-
но, но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда
импульсов, стабильность и надежность. Например, одной из причин, снижаю-
щих эффективность использования обычных высокочастотных транзисторов
в лавинном режиме, является значительное снижение частоты frp при увели-
чении коллекторного тока.
Лавинные транзисторы имеют следующие основные параметры: напряже-
ние лавинного пробоя коллекторного перехода ^’кБО проб’ напряжение про-
боя прн отключенной базе ^эопроб» напряжение ^кэопроб в максимуме
вольт-амперной характеристики, зависящее от сопротивления Pgg и управ-
ляющего тока; максимальный ток разряда и время нарастания лавинного
импульса. Область лавинного режима лежит между напряжениями ^кьОороб
28
й ^кзопроб- Лавинные транзисторы применяются в релаксационных генерав-
торах в ждущем или автоколебательном режимах.
С помощью лавинных транзисторов можно формировать на низкоомной
нагрузке (50—70 Ом) амплитуды импульсов 10—15 В и выше при малом-
tBP (менее 1 нс).
Нашей промышленностью выпускается лавинный транзистор типа
ГТ338А — В, а за рубежом - ASZ 23. NS 1110 — NS1116; 2SA411, 2SA252,
ECL1239, 2N3033 -- 2N3035, PADT51, SYL3013, 2N5236, 2N5271,
RTIHO — RT1116.
Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использова-
ния в инверсном включении, которые применяются в модуляторах для ста-
бильных усилителей постоянного тока, построенных по схеме модуляция —
демодуляция, в схемах управления реверсивными двигателями, в логических
схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах, на-
пример автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, тран-
зистор прн запирании может переходить в режим инверсного включения при
работе на комплексную нагрузку.
Разработаны специальные модуляторные транзисторы, в основу которых
положены две транзисторные структуры, так называемые двухэмиттерные
транзисторы, имеющие лучшие параметры инверсного включения (тнпКТ118).
Для работы в выходных каскадах УНЧ радиовещательных приемников,
высококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны герма-
ниевые и кремниевые транзисторы разного типа проводимости (например,
типы ГТ401, ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они обладают слабой зависимостью уси-
ления от тока, высокой частотой /лги, малым напряжением ^энас* что п0-
зволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне-
звуковых частот. В свою очередь, это дало возможность упростить схемы
усилителей, уменьшить число применяемых транзисторов, повысить надеж-
ность и снизить себестоимость устройств. Зависимости коэффициента усиле-
ния от тока характеризуются коэффициентом линейности — отношением
коэффициентов усиления прн двух значениях тока эмиттера.
Высокочастотные транзисторы. К транзисторам, предназначенным для ра-
боты на высоких и сверхвысоких частотах, предъявляется ряд дополнитель-
ных требований. Они должны иметь малые емкости между электродами, со-
здающие паразитную обратную связь и малую индуктивность общего вывода.
Кроме того, для получения максимального Хур необходимы высокая частота
frp, малые значения ти, Ск и ^‘хэнас- При создании высокочастотных прибо-
ров вызывает затруднения воспроизводимость одинаковых значений параме-
тров у приборов одного типа.
В принципе высокочастотные транзисторы могут работать и как усили-
тели, и как генераторы; однако транзистор, хороший к-ак усилитель мощно-
сти, не обязательно будет хорош для генератора н наоборот. Высокочастот-
ные мощные транзисторы характеризуются параметрами РНых, ^yp1 КПД,
/кр (критический ток определяет условную границу, при которой получаются-
удовлетворительные частотные свойства транзистора). Факторы, определяю-
щие усиление и ширину полосы транзисторных усилителей, могут быть най-
дены только из совокупности свойств транзистора и схемы, в которой он ис-
пользуется. Кроме того, параметр Л'ур зависит от условий определения вход-
ной и выходной мощностей, поэтому имеется несколько коэффициентов, ха-
рактеризующих усиление транзистора. В качестве обобщенной характеристи-
ки усилительных свойств транзисторов используется (7-функцяя (максималь-
ный Кур при обратной связи, нейтрализованной внешней схемой).
Для получения высокого КПД рабочая точка транзисторов периодически
оказывается вблизи области насыщения. Высокочастотное напряжение насы-
щения (оно больше статического) определяет также значение выходной мощ-
ности па высокой частоте. Следует отметить, что использование транзисторов
с большими пробивными (рабочими) напряжениями для низковольтных
устройств нецелесообразно, так как они имеют большие напряжения насы-
щения и пониженный КПД.
29
Надежная работа мощных приборов при больших значениях РвМХ обес-
печивается лишь при понижении электрического и теплового режимов. Обыч-
но значение РВых указывается в справочниках для уровня, соответствующего
надежной работе, н не превышает в режиме непрерывных колебаний 50%
Рктах. На высоких частотах выходная мощность изменяется пропорцио-
нально 1/f2, Она монотонно возрастает до определенных пределов с ростом
входной мощности и напряжения источника питания /
Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителей мощ-
ности, должны иметь пробивное напряжение коллекторного перехода в 2—
3 раза больше £к. В схемах генераторов прн расстройке коллекторной цепи
пиковое значение напряжения на коллекторе может достигать значений
(3—4) Ек и более, особенно на нижнем участке рабочего диапазона частот.
Высокочастотные мощные транзисторы работают неЕ1адежно в режимах
короткого замыкании и холостого хода и могут отказывать при рассогласова-
нии нагрузки на выходе, Например, транзистор 2N5178 обеспечивает мощ-
ность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно настраиваемом
узкополосном усилителе, и даже при слабом нарушении согласования возмо-
жен отказ.
Имеются высокочастотные транзисторы, которые могут работать прн всех
условиях рассогласования нагрузочного сопротивления. Разработаны также
приборы для специальных областей применения, в которых требуются раз-
личные значении рабочего напряжения (6; 12, 13,5; 24; 28 В и др), с раз-
личным уровнем широкополосноеги, хорошей линейностью и т. п.
Для передачи информации с помощью кабелей (например, в кабельных
телевизионных системах) разработаны специальные широкополосные линей-
ные транзисторы, работающие в классе А или АВ, прн этом обеспечивается
малый уровень искажений, вызываемых перекрестной модуляцией. Они име-
ют слабую зависимость коэффициента усиления от тока, малую емкость Ск
и применяются на частотах, много меньших, чем максимальная рабочая ча-
стота. Для'стабилизации температурного режима в корпусе транзистора мон-
тируют схему температурной стабилизации с диодом-датчиком температуры.
Нелинейность таких транзисторов характеризуется коэффициентом интермо-
дуляционных искажений. При сравнительной оценке линейности транзисторов
могут использоваться зависимости Szi(/k) и 52](^к).
Транзисторы для линейных широкополосных усилителей, работающих в
режиме одной боковой полосы, характеризуются отдаваемой мощностью в
пике огибающей (Ррер).
Мощные высокочастотные транзисторы могут использоваться в импульс-
ном режиме, при этом выходную мощность можно повысить увеличением
значений рабочих напряжений. Например, транзистор MSC1330 в непрерыв-
ном режиме имеет выходную мощность 30 ВТ на частоте 1,3 ГГц при Ек=
=28 В, а в импульсном режиме (fB=10 мкс) при £и=40 В иа той же ча-
стоте уже 70 Вт.
Современные мощные высокочастотные транзисторы имеют сложные гео-
метрические и технологические структуры (полосковые, многозмиттерные,
многоэлемеитиые). В этих структурах весьма вероятно развитие второго про-
боя. Последний чаще всего проявляется прн работе или испытаниях транзи-
сторов в статическом режиме или режиме класса А. Среди возможных при-
чин отказа высоко- и сверхвысокочастотных усилительных транзисторов мож-
но назвать возникновение генерации за счет паразитных реактивностей схе-
мы, перегрузку при переходных процессах и действие статического электри-
чества.
Раздел третий
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ И ЗАРУБЕЖНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3,1, О взаимозаменяемости транзисторов и диодов
Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью полупроводниковых прибо-
ров, возникают при замене вышедшего из строя прибора, а также при опре-
делении возможности воспроизведения зарубежного образца РЭА
Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных
полупроводниковых приборов предполагает совпадение их по функционально-
му назначению, электрическим параметрам и характеристикам, конструктивно-
му оформлению, габаритным и присоединительным размерам, массе, форме и
расположению выводов, методам герметизации, электрической связи выводов
с корпусом, надежности и стабильности. Однако такое полное совпадение
практически невозможно из за разных причин. Процесс создания полупровод-
никовых приборов—это технологический комплекс, характерный для какой-
либо страны, и в точности воспроизвести его абсолютно невозможно. Прин-
ципы и методы определения наиболее вероятного значения величин и уста-
новления норм и допусков электрических параметров, принятые в разных
странах, также неодинаковы. В ряде случаев нормы, устанавливаемые на
значения параметров, могут в большой степени отличаться от реальных их
значений.
Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических,
механических и климатических испытаний, нормы на параметры — критерии
годности при испытаниях, методики измерений, от которых зависят значения
устанавливаемых параметров, многообразны и не универсальны. Кроме того,
значения параметров приборов зависят не только от режима работы и тем-
пературы, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы
и при хранении)
В настоящее время существуют международные стандарты и рекомен-
дации различных международных комиссий, способствующие регламентиро-
ванию терминологии, технических требований, классификации, методов изме-
рения и других свойств приборов. Однако в отдельных странах имеются
свои особенности в стандартизации параметров и свойств приборов.
Эксплуатационные свойства транзисторов описываются большим числом
параметров, поэтому можно считать, что практически полная тождествен-
ность отечественных и зарубежных транзисторов недостижима и не во всех
случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной, огра-
ниченной) или приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен
проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем
формального сравнения всех параметров приборов. При воспроизведении тех-
нических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться преж-
де всего требования к выходвым параметрам. Поэтому не все параметры
транзисторов будут одинаково важными, а только те, по которым должна
быть обеспечена взаимозаменяемость.
Таким образом, наличие конкретной схемы приводит к сокращению чис-
ла рассматриваемых параметров и упрощению решения задачи по подбору
эквивалентных приборов за счет выявленных требований к выходным пара-
метрам и определения реального режима работы приборов. При анализе
комплекса выходных параметров их условно можно разделить на целевые
31
{требуется наилучшее сочетание их значений) и второстепенные параметры
(значения могут меняться в достаточно широких пределах).
Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов будет зави-
сеть не только от их свойств, условий эксплуатации и режимов применения,
но и от рационально разработанной схемы, учитывающей номинальный раз-
брос параметров и не требующей специального подбора приборов При заме-
не зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может
потребоваться подстройка схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не
возникла паразитная генерация.
Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических па-
раметров отечественных и зарубежных приборов из справочников, стандар-
тов или технических условий на эти приборы, где указывается основное (це-
левое) назначение приборов, технология изготовления, структура (р-п~р или
п р-п), предельные (предельно допустимые) параметры, данные об электри-
ческих параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и
другие сведения
Следует отметить, что к зарубежной рекламной информации о новых
приборах следует относиться критически, с достаточной осторожностью, так
как обычно рекламируемые параметры соответствуют единичным образцам
приборов с максимально достигнутыми (рекордными) значениями. В процес-
се серийного производства значения этих параметров в среднем оказываются
хуже рекламных.
Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологиче-
ском процессе, иногда разделяются по каким-либо параметрам на группы и
собираются в различных корпусах. Например, транзисторы ВС 107—109 вы-
лолнены в металлостеклянном корпусе ТО 18, приборы с таким же сочетани-
ем параметров ВС 147—149, ВС207—209, РВС107—109 имеют соответственно
корпуса ММ 12, RO-ПО, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном кор-
пусе имеют эквиваленты в пластмассовом корпусе.
Некоторые фирмы выпускают свои приборы по лицензиям других фирм
или стран, присваивают им новые номера, иногда меняя нормы па их па-
раметры.
Унификация и стандартизация отечественных полупроводниковых прибо-
ров н их корпусов позволила устранить излишнее многообразие типов при-
боров, выпускаемых пашей промышленностью.
Следует отметить, что взаимозаменяемость по присоединительным и га-
баритным размерам отечественных н зарубежных приборов, которая опреде-
ляет возможность замены приборов при соблюдении условий сопряжения с
панельками, теплоотводами, изоляционными прокладками, экранами, с отвер-
стиями в шасси (плате), может не выполняться (в основном для приборов,
ле отвечающих требованиям МЭК).
3.2. Условные буквенные обозначения параметров
биполярных транзисторов
Буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие пуб-
ликации МЭК 148, 148А, 148В и рекомендации по стандартизации СЭВ
PC 3233—71, принятые за рубежом н стандартизированные ГОСТ 20003—74,
лри водятся ниже
Буу-прмиое обомиченве параметров
отечественное | зарубежное
'КБО ?СВО
^ЭБО ^ЕВО
1кэо ^СЕО
fCER
^кэк ?CES
^КЭУ ^CEV
беэх ?СЕХ
Лер
^КБО нроб CBO
^950 проб ^(BR) EBO
^КЭОпроб U (BR) CEO
^КЭО гр CEO
^КЭДпроб U(BR) CER
^КЭК дроб ^(BR)CES
^(ЛД) CEV
^КЭХщюб V(BR) CEX
^емк UPt
— -
Термин и определение
Обратный ток коллекторного пере-
хода при разомкнутом выводе
эмиттера
Обратный ток эмиттерного переходе
при разомкнутом выводе коллек-
тора
Обратный ток между коллектором ж
эмиттером при разомкнутом выво-
де базы
Обратный ток между коллектором и
эмиттером при заданном сопротив-
лении в цепи база — эмиттер
Обратный ток между коллектором я
эмиттером при короткозамкнутых
выводах базы и эмиттера
Обратный ток между коллектором и
эмиттером при запирающем напря-
жении (смещении) в цепи база-*
эмиттер
Обратный ток между коллектором я
эмиттером при заданных условиях
цепи база — эмиттер
Критический ток биполярного тран-
зистора
Пробивное напряжение между кол-
лектором и базой прн разомкнутой
цепи эмиттера
Пробивное напряжение между
эмЕ1ттером и базой при разомкну-
той цепи коллектора
Пробивное напряжение между кол-
лектором я эмиттером прн разо-
мкнутой цепи базы =°°)
Граничное напряжение между кол
лектором и эмиттером при разо-
мкнутой цепи базы (/б—0) и за-
данном токе эмиттера
Пробивное напряжение между кол-
лектором н эмиттером при задан-
ном (конечном) сопротивлении в
цепи база — эмиттер
Пробивное напряжение между кол-
лектором и эмиттером при корот-
козамкнутых выводах базы и эмит-
тера (ЯбЭ*=0)
Пробивное напряжение между кол-
лектором и эмиттером при запи-
рающем напряжении в цепи база —
эмиттер
Пробивное напряжение между кол-
лектором н эмиттером при задан-
ных условиях в лепи база — эмит-
тер
Напряжение смыкания биполярного
транзистора
>-136
33
П родолжение
Буквенное обозначен! е параметров
отечественное зарубежное
^КЭнас ^СЕзас
^БЭнас ^BEsat
^ЭБпл Р EBfl
UСВ max
^¥&тах UСЕ max
^ЭБ max UЕВ max
^КЭ, и max ^СЕМ max
^КБ, и max РCBM max
^ЭБ, и max Р ЕВМ max
max p Стах
р г К ср max —
р г птах p rRM max
Р Ptot
ср —
Рн PRM
Pc
Р вых Pout
Рнх. Pin
max ?C max
?Этах ?E max
max IВ max
ZK. и max ?CM
и max I EM max
*П»»‘ hub
h^e, hfo
Термин и определение
Напряжение насыщения между кол-
лектором и эмиттером
Напряжение насыщения между ба-
зой и эмиттером
Плавающее напряжение между ба-
зой и эмиттером
Максимально допустимое постоянное
напряжение между коллектором и
базой
Максимально допустимое постоянное
напряжение между коллектором и
эмиттером
Максимально допустимое постоянное
напряжение между эмиттером и
базой
Максимально допустимое импульсное
напряжение между коллектором и
эмиттером
Максимально допустимое импульсное
напряжение между коллектором н
базой
Максимально допустимое импульсное
напряжение между эмиттером и
базой
Максимально допустимая постоянная
мощность рассеяния коллектора
Максимально допустимая средняя
мощность рассеяния коллектора
Максимально допустимая импульсная
мощность рассеяния
Суммарное значение постоянной мощ-
ности рассеяния
Средняя мощность рассеяния
Импульсная мощность рассеяния
Постоянная мощность рассеяния кол-
лектора
Выходная мощность
Входная мощность
Максимально допустимый ПОСТОЯН-
ный ток коллектора Максимально допустимый П0СТОЯИ-
ный ток эмиттера Ма кснм ал ьно допусти м ый постоян-
ный ток базы
Максимально допустимый импульс-
ный ток коллектора
Максимально допустимый импульс-
ный ток эмиттера
Входное сопротивление в режиме ма-
лого сигнала соответственно для
схем с общим эмиттером н с об-
щей базой
34
П родолжение
Термин и определение
Буквенное обозначение параметрон
отечественное зарубежное
^21e! ^«ii>
^21Э> hf>,
fo; и
А12Э> ^12б hrb
Ама! Лмб ^22e! ^2Ht>
hoet ^ob
1 Лахэ 1 1 I
W hlE
Л21Э h21E
1 113» Уцб
Yie> Yib
^12&
Лгэ! ^1аб Kfel Yfb
^21e>
1 213’ ‘ 316 Y& ffb
^223» 22б ^22ei ^2nZ>
Усе; Ул
*21Э Y
12'.E
Спз; cixg Cii$; cn$
с22б; Cga?. Cgjb
C^e, Cob
С1-Э Cia₽; Cn
Ск Cc
Сэ Ce
г б Г ЬЬг Г b
тс
режиме
с общим
передачи
Коэффициент передачи тока (коэф-
фициент усиления) в режиме ма-
лого сигнала соответственно для
едем с общям эмиттером и общей
базой
Коэффициент обратной связи по на-
пряжению в режиме малого сигна-
ла соответственно для схем с об-
щим эмиттером и общей базой
Выходная полная проводимость в ре-
жиме малого сигнала соответствен-
но для схем с общим эмиттером и
общей базой
Модуль коэффициента передачи тока
на высокой частоте
Входное сопротивление в
большого сигнала в схеме
эмиттером
Статический коэффициент
тока (коэффициент усиления) в
схеме с общим эмиттером
Входная полная проводимость в ре-
жиме малого сигнала соответстаен-
но для схем с общим эмиттером и
общей базой
Полная проводимость обратной пере-
дачи в режиме малого сигнала со-
ответственно для схем с общим
эмиттером и общей базой
Полная проводимость прямой пере-
дачи в режиме малого сигнала со-
ответственно для схем с общим
эмиттером и общей базой
Выходная полная проводимость в
режиме малого сигнала соответст-
венно для схем с общим эмиттером
и общей базой
Статическая крутизна прямой пере-
дачи в схеме с
Входная емкость
схемах с общим
щей базой
Выходная емкость
схемах с общим
щей базой
Емкость обратной связи в схеме с
общим эмиттером
Емкость коллекторного перехода
Емкость эмиттерного перехода
Внутреннее сопротивление базы
Постоянная времени цепи обратной
связи коллекторной цепи
общим эмиттером
соответственно в
эмиттером и об-
соответственно в
эмиттером и об-
3*
35
Продолжение
Рукзенное обозначение параметров — — 1 »
отечественное | зарубежно» Термин и определение
SU»J S116J 5цк ®И9» 511й» 5tlK 5МЭ» SU6* 511К si«el *мб1 $мк М11Э Гйиб frp fwx Ч fpac ^сп ^вкл ^выкл ГКЭнае КуР ^11*; 511с или Si#; J 5|к я хи Sfej Sfbt Sff Sju Или $п'> 8гь‘, Sjg ' ‘S'tw; ^nbi 5яе или Soe; Sw fsei fsb> fsff ftitle! ftife ftinbt [tifb iT ftnax F *d tr is ^on toff rcesat ree»at Gp Ga _ Gpa Gj-i Gf Коэффициент отражения на входе & схеме с общим эмиттером, обще* базой и общим коллектором Коэффициент прямой передачи в схе- ме с общим эмиттером, общей ба* зой и общим коллектором Коэффициент обратной передачи а схеме с общим эмиттером, обще* базой и общим коллектором Коэффициент отражения на выходе а схеме с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором Частота, прн которой коэффициент прямой передачи равен единице- (при |S2ie] = l, ]S2lb] = l И fsSJe) = 1) Предельная частота коэффициента* передачи тока в схеме с общим эмиттером Предельная частота коэффициента- передачи тока в схеме с общей ба- зой Граничная частота коэффициента пе- редачи тока в схеме с общим эмит- тером Максимальная частота генерации Коэффициент шума на фиксированно* частоте Время задержки Время нарастания Время накопления (расеасываяня)* носителей Время спада Время включения Время выключения Сопротивление насыщения коллек» тор—эмиттер в режиме малого-, сигнала Сопротивление насыщения коллек- тор — эмиттер (статическая вели- чина) Коэффициент усиления по мощное?» Номинальный коэффициент передач» по мощности Номинальный коэффициент усиления по мощности прн согласованной на- грузке Коэффициент передачи по мощиост»
36
Окончание
Буквенное обозначение нараметров | зарубежное Термин определение
Укор Ускр Упер ^пер—окр ^пер—т-ср Gpa max Ус* У<со« 9с; &с Уд! УатЬ V- Tj Tsts Rfhja Rthjc ithft ithja ifhca Максимальный номинальный коэффи- циент усиления по мощности при одновременном согласовании входа и выхода Температура корпуса Температура окружающей среды Температура перехода Температура хранения Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде Тепловое сопротивление от перехода к корпусу Тепловая постоянная времени пере- ход — корпус Тепловая постоянная времени пере- ход — окружающая среда Тепловая постоянная времени кор- пус — окружающая среда
3.3. Отечественные транзисторы и их зарубежные аналоги
При подборе аналогов к отечественным транзисторам учитывались основ-
ное назначение приборов, электрические параметры и характеристики, а также
их конструктивно-технологические особенности.
Для отечественных транзисторов приводятся несколько приближенных
зарубежных аналогов, отличающихся по электрическим параметрам не бо-
лее чем в два раза. По параметрам н технологии изготовления транзисторов
в дальнейшем тексте и таблицах приняты следующие сокращения: С —сплав-
ные; Д — диффузионные; МД — микросплавные диффузионные; ТД — тройной
диффузии; сд — сплавно-диффузионные; К — конверсионные; М — меза; П —
планарные; ПЭ — планарно-эпнтакснальиые; 1пк—время переключения;
Рк, ттах — максимальная мощность рассеяния с теплоотводом. В таблицах
для мощности рассеяния в скобках указана температура окружающей среды,
в также мощность рассеяния с теплоотводом. Для Цкэяпроб в скобках
указывается значение ЯБЭ в килоомах. Значения параметров приводятся для
температуры окружающей среды, равной 25 СС.
Цифрами в скобках указан режим измерения параметров для Л21» и
^21Э (^К> ?к)> Л(БО (^к); £н(£/к); ^ш(/изм).
Для параметров frP, fa1э, ршб. Л<во’ ^2i&* ^21Э’гКэ»ас’
*»ыкл, Тн приводится знак (больше) или (меньше); если он отсутству-
ет, то указывается типовое значение параметра.
37
Транзисторы
Тип пробора Материал, структуре, технолог ия р р* Ктах' К, т max К,и max* мВт f f** 'гр’ ' Аа1б’ 'Л21э' Г** , МГц max & Of i ta ТО с 8. Я с я О О ^>БО проб’ В XDW Л ‘ М Xvtil 41 ун • ' у и S Л 1
ГТ1С9А Ge, р-П-р, С 30 I* 10 — 20 <5 (5 В)
ГТ109Б ГТ109В Ge, p-n-p, С Ge, р-п-р, С 30 30 ю 10 — 20 20 ДА Спел Сп^> ttlS
ГТ109Г Ge, р-л-р, С 30 >1* 10 — 20 <5 (5 В)
ГТ109Д Ge, р-п-р, С 30 >3* 10 —- 20 <2 (1,2 В)
ГТ109Е Ge, р-п-р, С 30 >5* 10 — 20 <2(1,2 В)
ГТ109Ж Ge, р-п-р, С 30 — 10 — 20 <1 (1,5В)
ГТ109И Ge, р-п-р, С 3J * 10 — 20 <5 (5 В)
2N77 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, p~ft-p, С 35 0,7* 25 — 15 10
2NI05 35 0,75* 25 15 5
ОС 1044 83 >7,5* 15 12 5(10*) 5(10* <10 (15 В)
ОС 1045 Ge, p-n-p, С 83 >3" 15 12 <10 (15 В)
2SA49 Ge, р'П~р, С 60 9* 18 12 5 <12 (18В)
2SA52 Ge, р-п-р, С 60 7* 18 12 5 <12 (18 В)
2SA53 Ge, р'П-р, С 60 5я 18 12 5 <12 (18 В)
2SB9O Ge, Р'П-р, С 40 1 18 12 50 <14(18 В)
2SB97 Ge, р-п-р, С 40 — 18 12 50 14
ОС57 Ge, p-n-p, С 20 >0,01 7 7 50
ОС58 Ge, р-п-р, С 20 >0,01 7 7 50 я—.
ОС 59 Ge, р-п-р, С 20 2,2* 7 7 5 3
ОС60 Ge, р-п-р, С 2) — 7 7 5 1,5
2SB302 Ge, р-п-р, С 40 12* 10 5 2 6
2SA255 Ge, р-п-р, С 55 5* 12 0,5 К) 10
2SA254 Ge, р-п-р, С 55 10* 12 0,5 10 10
2N139 Ge, р-п-р, С 35 13* 16 0,5 15 10
2N218 Ge, р-п-р, С 35 13* 16 0,5 15 10
GCI00 Ge, р-п-р, С 50 I 15 10 15 <15(6 В)
GC101 Ge, р-п-р, С 50 >1 15 10 15 <15(6 В)
П27 Ge, р-п-р, С 30 ~--г. 1 * 5* (0,5к) — 6 <3 (5 В)
П27А Ge, р-п-р, С 30 >1* 5* (0,5к) — 6 <3 (5 В)
П28 Ge, р-п-р, С 30 >5' 5* (0,5к) — 6 <3 (5 В)
2N175 Ge, р-п-р, С 20 0,85* Ю 10 2 12
2N220 АС 160 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 23 30 0,85* 2* 10 10* 10 10 2 10 12 0,8 (12 В)
ГТ115А Ge, р-п-р, С 50 >1* 20 20 39 <40 (20;В)
ГТП5Б Ge, р-п-р, С 50 ^>'1 30 20 30 <40 (30 В)
ГТП5В Ge, р-п-р, С 59 5^1 * 20 20 30 <40 (20 В)
ГТ115Г Ge, р-п-р, С 50 > 1 * 30 20 30 <40 (30 В)
ГТ115Д Ge, р-п-р, С 50 >1* 20 20 30 <40 (20 В)
2N59I Ge, р-п-р, С 50 0,7* 32 — 20 7
2SB39 Ge, р-п-р, С 50 0,85 I* 10 10 2 10
2N107 Ge, р-п-р, С 50 12 — 10 10
АС 107 Ge, р-п-р, С 8J 2* 15 5 10 3
TG5 Ge, р-п-р, С 75 >0,6* 39 10 ю —*
38
лш. *’2!Э у X К , дБ иг г*б Ом тк' пс’ * рас’ *выкл’ Г***, НС пК Корпус
90--5) (5 В; 1 мА) <30 (5 В) - <10000 1
35—80 (5 В; I мА) <30 (5 В) —‘ » <10 000 I
60—130 (5 В; 1 мА) <30 (5 В) —— <10000 1
1 [0—259 (б В; 1мА) <30 (5 В) — <10 000 1
2.1—70 (5 В; 1 мА) <40 (1,2 В) — — <10000 1
50—100 (5 В; I мА) <43 (1,2 В) <10000 I
^100* (1,5 В) — — <10 090 1
20—8 J (5 В; 1 мА) <30 (5 В) — <12 (1 кГц) <10 000 1
55 (4 В; 0,7 мА) 40 — — ТО-2
55 (4 В; 0,7 мА) 17 — — — ТО-2
45—225 (6 В; 1 мА) 14 — <250* ТО-1
25—125 (5 В; I мА) 14 <200* ТО-1
30—2 0 (6 В; I мА) <12,5 (6 В) — <160* ТО-)
25—770 (6 В; 1 мА) <12,5 (6 В) '—- — ТО-1
2J—130 (6 В, 1 мА) <12,5 (6 В) — —. — ТО-1
150 (6 В; I мА) 12 (6 В) — 10 (1 кГц) — ТО-1
70 (6 В; 1 мА) 12 — 7 — ТО-1
35 (0,5 В; 0,25 мА) 60 — 4 R-I9
55 (0,5 В; 0,25 мА) 69 — -—- R-19
30 (0,5 В; 0.25 мА) 60 — •—- R-I9
75 (2 В; 3,8 мА) —, — — —- R-19
80 (6 В; 1 мА) 10 — — — ТО-1
50 (6 В; ] мА) 10 — * — R-18
80 (6 В; ) мА) 9,5 — — R-18
48 (9 В; 1 мА) 9,5 — —— ТО-40
48 (9 В; 1 мА) — — ТО-1
>18 (6 В; 2 мА) * III — <25 (1 кГц) А-1
>18 (6 В; 2 мА) — <10 (1 кГц) — AU
20-100(5 В; 0,5 мА) — <10(1 кГц) — 2
20—170 (5 В; 0,5 мА) — <5 (1 кГц) — 2
20-2^0 (5 В; 0,5 мА) — <5 (1 кГц) — 2
65 (4 В; 0,5 мА) 36 — — ТО-40
65 (4 В; 0,5 мА) 36 — 6 ТО-1
35—250 (4 В; 0,3 мА) — — <5 — R-60
20-80 (1 В; 25 мА) — — — — За
20-80 (1 В; 25 мА) — — — За
60-150 (1 В; 25 мА) — *—‘ г — За
63-15} (1 В; 25 мА) — — — — За
125—250 (IB; 25 мА) — — — За
70 (12 В; 2 мА) — — — — ТО-1
65 (4 В; 0,5 мА) 40 — 8 ТО-1
19 (5 В; [ мА) 40 — — R-31
6) (5 В; 0,3 мА) 14 *— —- — R-9
25—80 (2 В; 3 мА) — <и л 1O-I8
39
Тнп прибора Материал, с трут тура, технолога я Р р* К max’ К, т так* Р** , мВт К, и max ^Гр’ ^*/(216’ Л21э' Г** . МГц max проб’ U КЭК проб’ УКЭО проб’ В ^ЭБОпроб, В Г, . , мА К max К, и так S си л £ >
TG5E Ge, р-п-р, С 75 >0,6* 15 10 10
2SB303 Ge, р-п-р, С 50 1 30 25 50 14 (20 В)
2N506 Ge, р-п-р, С 53 >0,6* 40 » 100 <125
2N535A Ge, р-п-р, С 5) 2* 20 20 20 10
2N535B Ge, р-п-р, С 50 2* 20 20 20 10
2N536 Ge, р-п-р, С 50 2* 20 20 30 10
АС 122 Ge, р-п-р, С 60 1,2 30 12 50 15
2SB261 Ge, р-п-р, С 65 2,5 20 2,5 30 12
2SB262 Ge, р-п-р, С 65 3 20 2,5 30 12
МГТ108А Ge, р-п-р, С 75 >0,5* 10 5 50 <10 (5 В)
МП 108Б Ge, р-п-р, С 75 >1* 10 5 50 <10(5 В)
МГТ108В Ge, р-п-р, С 75 * 10 5 50 <10 (5 В)
МГТ108Г Ge, р-п-р, С 75 * 10 5 50 <10 (5 В)
МГТ108Д Ge, р-п-р, С 75 >1* 10 5 5) <10 (5 В)
NKTII Ge, р-п-р, С 75 >1* 18 12 100 5
АС 150 Ge, р-п-р, С 60 >1* 30 12 50 5,5 (ЗОВ)
NKT73 Ge, р-п-р, С 75 >2,5 15 10 10 5
2SB443A Ge, р-п-р, С 100 2,5 18 12 10 10
2SB497 Ge, р-п-р, С 65 3 20 2,5 30 6
2SB335 Ge, р-п-р, С 83 1 20 10 60 10
2SB336 Ge, р-п-р, С 83 I 20 10 60 10
2SB4C0 Ge, р-п-р, С 100 I* 20 40 15
2N206 Ge, р-п-р, С 75 0,78 30 12 50 10
2N207 Ge, р-п-р, С 85 2 12 12 20 15
2N130 Ge, р-п-р, С 85 0,7 25 12 10 12
2SB57 Ge, р-п-р, С 100 1* 30 10 109 15
2N131 Ge, р-п-р, С 85 о,8 25 12 50 12
2NI31A Ge, р-п-р, С 100 0.8 30* 12 100 15
2N132 Ge, р-п-р, С 85 I 30* 12 100 15
2N133 Ge, р-п-р, С 85 0,8 30* 12 100 15
2N132A Ge, р-п-р, С 100 1 24* 12 100 15
2N265 Ge, р-п-р, С 75 1,5* 25 —- 50 16
2N2 J7A Ge, р-п-р, С 85 2 12 12 20 15
2N207B Ge, р-п-р, С 85 2 12 12 20 10
2SB443B Ge, р-п-р, С 100 3,5* 18 12 10 10
2SB444A Ge, р-п-р, С 100 2,5* 18 12 10 7
2SB444B Ge, р-п-р, С 100 3,5* 18 12 10 7
АС 170 Ge, р-п-р, С 90 1,2* 32 10 100 10
АС17) Ge, р-п-р, С 90 1,2* 32 10 100 10
GC116 Ge, р-п-р, С 115 0,5 20 10 150 <18 (15В)
GC117 Ge, р-п-р, С 115 >1,2* 20* 10 150 <18 (15 В)
GC118 Ge, р-п-р, С 115 >1,2* 25 10 150 <18 (15 В)
TG2 Ge, р-п-р, С 75 >0,6 15 10 10 <15 (6 В)
TG3A Ge, р-п-р, С 75 >1 15 10 10 <15 (6 Б)
TG3F Ge, р-п-р, С 75 >2 15 10 10 <10 (6 В)
TG4 Ge, р-п-р, С 75 >0,6 15 10 10 <10 (6 В)
40
oS^a'yi'/'y АО ОСО S'1,1 О“3£лСЛ О СЛО CTOoV О СТ | III) £й£<=>ст_ооо£ст о _О£| g | Oj | | oSor=o( СП to — Qo r'--—• OliJiffiOi OiOlCft— CT— — СП CT><-~1 _ ►- I «coCri OClC---^'7' oo ' °ss^assSSSSS^.^F».4’j?S.'?S-4,.c?H,S?s? АЛ—>-r> fcojp w 5® ’ „ —„* • „’• —.„„*• Cn—-CT — ст ст „„to*’ QJ1"’ ьэ w®!StotoЛюмM~ ' —~ y. - u. , , 2Усл2!соа1 E a й g-’-W'-w “ * CO CO'* * to to >« — „„^«,.2828^88^8 E S » tjd" ’ CT5 l^ CO* - r, 4 * — ~гг5.>>з>“ [ 1 s
И 1 1 1 1 1 S£| 1 1 S££l H H 1 33isi 1111=11 1 1 1 1 1 H 1 1 1 1 1 1 1 Фи -6*\э •Ъ
i i i i i i i i i i i i i i I i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i i £ (— сл о , Ом КЗ нас
АЛЛ /Л Illi 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 M 1 1 1 1 1 1 ст 1 - 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 2.x x ™ ЛО '9U ди ,гпх
ЛЛЛЛЛ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 II 1 1 1 Н 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 SgSgg 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 о 8 о о ТК- Пс‘ i рас’ выъл* i , нс ПК ’
009?£^-^стОррорл <ОО<О^ОО9РЛД осоо ^^рроррр ? ? £, Д. оо'ДЛ слсдй 1 стст'Слстстст — >— а>«>оо^^ — — ooc»ototototo«« QOQOOOQO J) <Л °® ОС Корпус
Продолжение
Тип прибора Материал, структура, технология F । Р* К max К, т max’ и max' мВг f’" . МГц 'глох и [/♦ КЕО крой’ K3R нрой’ иКЭО Проб’ В я *8 о я m й / . /* мА К max К. и max’ < л 3
2SB47 Ge, р-п-р, С 80 I 25 12 50 <14(25 В)
2SB54 Ge, р-п-р, С 80 I 25 12 50 <14 (25 В)
МП39 Ge, р-п-р, С 150 ^0,5* 15* (Юк) 5 20(150*) <15(5 В)
МП39Б Ge, р-п-р, С 150 ^0,5* 15* (Юк) 5 20(150*) <15 (5 В)
МП40 Ge, р-п-р, С 150 15* (Юк) 5 20(150*) <15 (5 В)
МП40А Ge, р-п-р, С 150 ^1* 30* (Юк) 5 20(150*) <15(5 В)
МП 41 Ge, р-п-р, С 150 15* (Юк) 5 20(150*) <15(5 В) Л
МП41А Ge, р-п-р, С 150 >1* 15* (10к) 5 20(150*) < 15 (5 В)
2N331 Ge, р-п-р, С 200 5^0,4* 30 12 200 <10(30 В)
ОС70 Ge, р-п-р, С 125 0,45* 30 10 10 <5
ОС 1070 Ge, р-п-р, С 125 0,015=-* 32 10 10(50*) <12 (4,5 В)
ОСЮ71 Ge, р-п-р, С 125 0,010** 32 10 10(50*) <12 (4,5 В)
ОС 1072 Ge, р-п-р, С 125 0,35* 32 10 50(125*) <10(10 В)
ОС 1075 Ge, р-п-р, С 125 0,1* 32 10 10(50*) <12 (4,5 В)
ОС76 Ge, р-п-р, С 125 0,35 32 10 125 10
OC7I Ge, р-п-р, С 125 0,5* 30 10 10 <5
2SB170 Ge, р-п-р, С 125 0,3* 30 6 10 12
SFT351 Ge, р-п-р, С 200 ^0,6 32 20 150 <15 (10 В)
SFT352 Ge, р-п-р, С 200 ^0,8 32 20 153 <15 (10 В)
SFT353 Ge, р-п-р, С 200 32 20 150 <15 (10 В)
SFT306 Ge, р-п-р, С 150 ^•1,5 18 12 ЮО <10(18 В)
АС540 Ge, р-п-р, С 150 0,5 24 — 10(50*) <20 (24 В)
АС54] Ge, р-п-р, С J 50 0,5 24 — 10(50*) <20 (24 В)
АС542 Ge, р-п-р, С 150 0,5 24 — 10(50*) <20 (24 В)
EFT306 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 150 2,5 15 9 100 <15(15 В)
EFT307 150 5,7 15 9 103 <15(15 В)
2N283 125 0,5“ 32 30 10 4,5
ОС75 125 0,75* 30 10 50 5
2SBI71 Ge, р-п-р, С 125 0,5* 30 6 10 12
2SB173 Ge, р-п-р, С 125 0,5* 20 6 10 12
2SB175 Ge, р-п-р, С 125 0,6* 30 6 10 12
2N368 Ge, р-п-р, С 150 7;-0,4* 30 10 75 15
2N237 Ge, р-п-р, С 153 0,5* 45 20 20 10
2N405 Ge, р-п-р, С 150 0,65- 20 2,5 35 14
2N406 Ge, р-п-р, С 150 0,65* 20 2,5 35 14
2N104 Ge, р-п-р, С 150 0,7* 30 12 59 10
2N215 Ge, 'р-п-р, С 150 0,7* 30 12 5J 10
2SB120 Ge, р-п-р, С 150 0,7* 32 2,5 20 6,5
2SB32 Ge, р-п-р, С 150 0,8* 20 2,5 50 14
2N45 Ge, р-п-р, С 150 1* 45 15 50 10
2N45A Ge, р-п-р, С 150 I* 45 5 10 15
2N273 Ge, р-п-р, С 150 I* 20 10 100 10
2SB33 Ge, р-п-р, С 150 I’ 20 2,5 50 14
2SB37 Ge, р-п-р, С 150 1* 30 12 50 !4
2SB60 Ge, р-п-р, С 150 1* 20 2,5 50 14
42
Продолжение
а21з' ^*21Э сх.с\„."ф О *и № £ кш, дБ г*& °* ПС, f* *** , к рас выкл t в не ПК Корпус
60—250 (1.5 В; 0,5 мА) 35 (6 В) - <5(1 кГц) ТО-1
80—300 (6 В; I мА) 35 (6 В) — 10(1 кГц) —* ТО-1
>12 (5 В; 1 мА) <59 (5 В) —, -— 2
20—6U (5 В; 1 мА) <50 (5 В) — <12(1 кГц) 2
20—40 (5 В; 1 мА) <50 (5 В) —- —* — 2
20—40 (5 В, I мА) 30—60 (5 В; 1 мА) <50(5в{ 1 *- 2 2
50-100 (5 В; 1 мА) <50 (5В) — — — 2
30—70 (6 В; 1 мА) <50 (5 В) — <2 I (1 кГц) —г ТО-5
30 (2 В; 0.5 мА) 30 — -—* R-9
20—40 (2 В; 0,5 мА) — — <15 (1 кГц) — ТО-1
30—75 (2 В; 4 мА) 45—120 (5,4 В; 10 мА) — —_ <15(1 кГц) <15 (1 кГц) *— ТО-1 ТО-1
65—130 (2 В; 3 мА) * ' ' 1 - <15(1 кГц) —— ТО-1
45 (5,4 В; 10 мА) 30 — — — R-8
47 (2 В; 3 мА) 30 *— — — R-9
30 (2 В; 0,5 мА) — — — ТО-1
23—44 (6 В; 1 мА) 40 (6 В) — <8(1 кГц) ТО-1
40—66 (6 В; I мА) 40 (6 В) ’— <8(1 кГц) * ТО-1
60—259 (6 В; 2 мА) 40 (6 В) <150 (6 В) — <« (1 кГц) * ТО-1
15—70 (6 В; 1 мА) 6 (I кГц) — ТО-1
30—70 (ЗВ; 2 мА) — <10(1 кГц) — ТО-58
50—100 (ЗВ; 2 мА) — — <10(1 кГц) ТО-58
80—2з0 (ЗВ; 2 мА) — — <10 (1 кГц) ТО-58
15—70 (6 В; 1 мА) 30 — -— ТО-1
25—120 (6 В; 1 мА) 30 —. — ТО-1
40 (10 В; 0,5 мА) —- —- — R-8
90 (2 В; 3 мА) 50 —. — —- R-9
50 (2 В; 3 мА) — — ТО-1
5'9 (6 В; I мА) — — — —• ТО-1
90 (2 В; 3 мА) — . .— - ТО-1
49 (5 В; 1 мА) ' » — —• ТО-5
50 (6 В; 1 мА) —™ " ТО-22
35 (6 В; 1 мА) 40 — .— — ТО-40
35 (6 В; I мА) 40 — — — ТО-1
44 (6 В; 1 мА) 40 — <— —* ТО-40
44 (6 В; I мА) 40 —- -— — ТО-1
70 (12 В; 2 мА) - — — ТО-1
40 (6 В; 1 мА) _ — —— ТО-1
12 (5 В; 1 мА) — — <— — ТО-29
15 (5 В; 1 мА) 40 1 1 -— — ТО-29
20 (0,25 В; 50 мА) 40 — — —* ТО-5
80 (6 В; 1 мА) — — — — ТО-1
80 (6 В; [ мА) 45 — ТО-1
65 (6 В; ] мА) — — ““ ТО-1
43
Тип npnfopa Материал, структура, технология рК,тах< ^К, т msv Р** „ „ , мВт К, и ntex ^гр' ? haifi’ f* . МГц max
2SB61 Ge, р-п-р, С 150 I*
2N369 Ge, р-п-р, С ISO 1,3*
2N44A Ge, р-п-р, С 155 1*
2N2428 Ge, p-n-pt С 165 >1,2*
2SB439 Ge, р-п-р, С 150 2*
2SB440 Ge, р-п-р, С 150 2*
2N1413 Ge, р-п-р, С 200 >0,8*
2N1414 Ge, р-п-р, С 200 >[*
2NI415 Ge, р-п-р, С 200 >1,3*
МП20А Ge, р-п-р, С 150 >2*
МП20Б Ge, р-п-р, С 150 >1,5*
МП21В Ge, р-п-р, С 150 >1,5*
МП21Г Ge, р-п-р, С 150 >1*
МП21Д Ge, р-п-р, С 150 >1*
МП21Е Ge, р-п-р, С 150 >0,7*
2N59 Ge, р-п-р, С [80 1,8*
2N59A Ge, р-п-р, С 180 1,8*
2N59B Ge, р-п-р, С 180 1,8*
2N59C Ge, р-п-р, С 180 1,8*
2N60 Ge, р-п-р, С 180 1,5*
2N60A Ge, р-п-р, С 180 1,5*
2N69B Ge, р-п-р, С 180 1,5*
2N60C Ge, р-п-р, С 180 1,5*
2N61 Ge, р-п-р, С 180 I*
2N6IA Ge, р-п-р, С 180 I*
2N61B Ge, р-п-р, С 180 I*
2N61C Ge, р-п-р, С 180 1*
2N65 Ge, р-п-р, С 125 1
2N1U9 Ge, р-п-р, С 155 1
ACI25 Ge, р-п-р, С 210 >1,3
(500*)
EFT33I Ge, р-п-р, С 130 1,3
(45 °C)
EFT-332 Ge, р-п-р, С изо 1,6
(45 °C)
EFT333 _ Ge, р-п-р, С 130 2
(45°С)
EFT341 Ge, р-п-р, С 130 1,3
(45-С)
EFT342 Ge, р-п-р, С 130 1.6
(45 °C)
EPT343 Ge, р-п-р, С 130 2
(45°С)
GC507 Ge, р-п-р, С 125, >0,3
GC508 Ge, р-п-р, С 125 >0,3
4 с ЙГ £ Ъ со i % с я ъ* и 8. с X i в I 'к.БО' Z*KSR' мкА J
30 12 50 10
30 10 50 —
25** 50 8
32 10 30 Ю
30 12 150 <14(12 В)
30 12 150 <14(12 В)
35 10 200 <12 (30 В)
35 10 200 <12(30 В)
35 10 200 <12(30 В)
зо 30 300* <50 (30 В)
30 30 . 300* <50 (30 В)
40 40 300* <53 (40 В)
60 40 300* <50 (60 В)
50 40 300* <50 (50 В)
ТО 40 300* <50 (70 В)
25 20 200 15(20 В)
40 20 200 15 (20 В)
50 20 200 15 (20 В)
60 20 200 15(20 В)
25 20 200 15 (20 В)
40 20 200 15(20 В)
50 20 200 15 (20 В)
60 20 200 15(20 В)
25 20 200 15 (20 В)
40 20 200 15 (20 В)
50 20 200 15 (20 В)
60 20 200 15 (20 В)
20 16 100 10
35 12 150 14 (25 В)
32 10 100 <Ю([0 В)
32 12 250 <15 (32 В)
32 12 250 <15 (32 В)
32 12 250 <15 (32 В)
48 20 250 <15 (48 В)
48 20 250 <15^(48 В)
48 20 259 <15(48 В)
32 10 125(250*) <10 (6 В)
32 10 125(250*) <10(6 В)
44
Продолжение
1 Лцэ’Л*21Э Ск- 5 i ел Л* 1 т , ПС, <*„•(., **" , К рпс выкл /•“.КС ПК Корпус
85(6 В; 1 мА) 40 — ТО-1
95(5 В; 1 мА) — 1 OV-9
31 (5 В; I мА) 120(5 В; 2 мА) 40 -** R-32 ТО-1
70—270(6 В; 1 мА) —* — 7(1 кГц) — ТО-1
70—270(6 В; I мА) -— — 5(1 кГц) — ТО-1
20—41(5 В; 1 мА) <40(5 В) <35 6(1 кГц) — ТО-5
30—64(5 В; 1 мА) ^40(5 8^ <37 6(1 кГц) — ТО-5
44—88(5 В; 1 мА) s^40(5 Rj <40 6(1 кГц) — ТО-5
50—150(5 В; 25 мА) <1 — 2
80—200 (5 В; 25 мА) —* <1 — — 2
20—100(5 В; 25 мА) —• <1 — — 2
20-80(5 В; 25 мА) —' <1 — — 2
60—200(5 В; 25 мА) — <1 —« — 2
30—150(5 В; 25 мА) — <1 — — 2
90*(100 мА) 40 ТО-5
90* (100 мА) 40 . — ТО-5
90*(100 мА) 40 — — ТО-5
90* (100 мА) 40 — — ТО-Б
65* (100 мА) 40 — ТО-5
55*(100 мА) 40 ,— — ТО-5
65* (100 мА) 40 -— -ч- ТО-5
65*(Ю0 мА) 40 — ТО-5
45* (100 мА) - 40 — ТО-5
45* (100 мА) 40 1 I1 — ТО-5
45* (100 мА) 40 —1 — ТО-5
45*(100 мА) 40 — ТО-5
75^5 В; 1 мА) 35 OV-4
65(1 В; 50 мА) 60 — — — ТО-40
80—170 (5 В: 2 мА) <50(5 В) — <10 — ТО-1
17—45*(1В; 100 мА) 32(6 В) <3,5 — — ТО-1
35—65* (1 В; 100 мА) 32(6 В) <3,5 — — ТО-1
55—200* (1 В; 200 мА) 32(6 В) <3,5 — — ТО-1
17—45*(1В; 100 кА) 32(6 В) <3,5 — —• ТО-1
35—65* (1 В; 100 МА) 32(6 В) <3,5 — — ТО-1
55—200*(1 В; 100 мА) 32(6 В) <3,5 — — ТО-1
45— 12О’(6В; 10 мА) <1,8 <15(1 кГц) А-6
65—22О*(6В; 10 мА) — <1,8 — А-6
45
£ 3
$ О?
Е Ж • сч 2 * 1 1
Тип Материал, . CQ * « Ь СО «1 Of 1
прибора структура, технология . р* х 1 , max ’Ла1б ’ МГц проб’ 1 проб' проб* <-» .е 1
I « 2 в 2
к ; bi 0, О,
GC509 Ge, р-п-р, С 125 >о,з 60 10 125(250*) <Ю(6В)
GC5I5 Ge, р-п-р, С 125 0,3* 32 10 125(250*) <10(6 В)
GC516 Ge, р-п-р, С 125 0,3* 32 10 125(250*) <10(6 В)
GC5I7 Ge, р-п-р, С 125 0,4* 32 10 125(250*) <10(6 В)
GC5I8 Ge, р-п-р, С 125 0,7* 32 10 125(250’) <10(6 В)
GC5I9 Ge, р-п-р, С 125 0,7* 32 10 125(250*) <10(6 В)
GCN55 Ge, р-п-р, С 125 0,3 32 10 125(250*) <10(6 В)
GCN56 Ge, р-п-р, С 125 0,3 60 10 125(259*) <10(6 В)
SFT223 Ge, р-п-р, С 225 3,2 30 15 250 15(30 В)
АС 182 Ge, р-п-р, С 200 4 32 10 150 15
SFI251 Ge, 'р-п-р, С 225 1,3* 30 15 150 15
SFT252 Ge, р-п-р, С 225 2* 30 15 150 15
SFT253 Ge, р-п-р, С 225 3 30 15 150 15
GCI2I Ge, р-п-р, С 120 >0,012** 20* 10 250 <18(15 В)
GCI22 Ge, р-п-р, С 120 >0,012** 33* 15 250 <18(15 В)
GCI23 TG50 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 120 175 >0,012** 0,5 70 30 15 10 259 150 <18(15 В) <20( 12 В)
TG5I 175 0,5 60 10 159 <20(12 В)
TG52 Ge, р-п-р, С 175 0,5 30 10 150 <20( 12 В)
TG53 Ge, р-п-р, С 175 0,5 15 10 150 <20 ( 12 В) <20(12 В)
TG55 Ge, р-п-р, С 175 0,5 30 10 150
2N653 Ge, р-п-р, С 200 1,5* 30 25 250 <15(25 В)
2N654 2N655 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 200 200 2* 2,5* 30 30 25 25 250 250 <15(25 В) <15(25 В)
2N1176 Ge, р-п-р, С 200 >1,5* 30 25 250 <15(25 В)
2NI924 Ge, р-п-р, С 225 ^>1 * 60 25 500* <10(45 В)
2N1925 Ge, р-п-р, С 225 >1,3* 63 25 500* <10(45 В)
2NI926 Ge, р-п-р, С 225 >1,5* 60 25 500* <10(45 В)
ACI2I Ge, р-п-р, С 300 1,5 20 10 300 <25(20 В)
ОС 1074 Сге, р-п-р, С 125 1,5 20 6 300 <29(9 В)
ОС 1077 Ge, р-п-р, С 125 >0,35* 60 10 125(250*) <10(10 В)
OCI079 Ge, р-п-р, С 125 >0,008** 26* 6 300(600*) <20(12 В)
SFT321 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 200 >0,6 32 20 250 <15(10 В)
SFT322 200 >0,8 32 20 250 <15(10 В)
SFT323 200 >1 32 20 250 <15(10 В)
T24I Ge, р-п-р, С 150 >0,7 32 15 250 <15(32 В)
Т242 Ge^ р-п-р, С 150 >0,7 45 20 250 <15(45 В)
Т243 Ge, р-п-р, С 150 >0,7 60 25 250 <15(60 В)
2NI303 Ge, р-п-р, С 150 30 25 300* —
AQ126 Ge, р-п-р, С 500* >1,7 32 10 100(200*) 100(200*) <200(32 В)
АС 132 Ge, р-п-р, С 500* 2 32 10 <200(32 В)
EFT3II Ge, р-п-р, С 130 (45°С) 1,3 18 9 250 <15(18 В) <15(18 В)
EFT3I2 Ge, р-п-р, С 130 1,6 18 9 250
(45°С)
46
I 1111111111111 I I I I I 1 I I I I I
1 1 Со оо ов стоГст S. 1 1 1 7‘ 1 1 1 1 &— 3 to СОСССО^СТСТСТЮСТ сТЗ"о—* о^ооооо os ** »-ч- . « _.___ * * *то; ч os ст ст ст .—'"<1'*^'^: 0101 св го-. ? SP©ooo ''"“oo~sa^as ->>> i ( 1 i €I3<(/ *eW# j.
№ bO Ю >O СТ CT Q< CT III! 1 £“£!”1 1 1 1 1 1 1 1 pf О м" 4 a
। L11111 11 №!№№ ГКЭиас‘ °“
Ст СТ 00 00 00 СП ст00
/ЛА/А/Л /ЛЛЛЛЛ — >-- >— >— 4- । । । । ,S? J? 1 1 1 1 j 5Ч7:?:;* W««f4?s «О *9,J -ra*
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i ’« i,c’ i рас’ *выкл* f***. 11C «С
"> to to P P P jr P OCT CT> CT 05 cn CD 05 л CT Ст CT CT CT CT Корпус
Продолжение
Тип Прибора Материал, структура, технология I р , р« _ К max К,ттах Р?,* , мВт К. и max %’ ^*либ* Г” . МГЦ । max и . и* _ КБО проб K3R проб ^К,ЭОпроб' ® и 1 S ~ . мА Кто* К. Hffie* % 1 от 1 л 1 ъ t 1
EFT3I3 Ge, р-п-р, С 130 (45’С) 2 18 9 250 <15( 18'В)
EFT321 Ge, р-п-р, С 130 (45*С) — 24 12 250 <15(24 В)
EFT322 Ge, р-п-р, С 130 (45’С) — 24 12 250 <15(24 В)
EFT323 Ge, р-п-р, С 130 (45°С) — 24 12 250 <15(24 В)
МП25 Ge, р-п-р, С 200 >0,2* 40 40 300* <75(40 В)
МП25А Ge, р-п-р, С 200 >0,2* 40 40 400* <75(40 В)
МП25Б Ge, р-п-р, С 200 >0,5* 40 40 400* <75(40 В)
МГ126 Ge, р-п-р, С 200 >0,2* 70 70 300* <75(70 В)
МП26А Ge, р-п-р, С 200 >0,2* 70 70 400* <75(70 В)
МП26Б Ge, р-п-р, С 200 >0,5* 70 70 400* <75(70 В)
2N43 Gt, р-п-р, С 240 >0,5* 45 5 300* <16(45 В)
2N44 Ge^ р-п-р, С 240 >0,5* 45 5 300* <16(45 В)
АС116 Ge, р-п-р, С 225 (45°С) 0.015** 30 12 200 <8(6 В)
ACY24 Ge, р-п-р, С 530* >0,8 70 30 300 <12(25 В)
ОС77 Ge, р-п-р, С 125 >0,35* 60 10 250 10
2SB172 Ge, р-п-р, С 125 1* 32 10 125 12
2SBI76 Ge, р-п-р, С 125 1 4* 32 10 125 12
МА909 Ge, р-п-р, С 150 0,6* 75 35 200 50
МА910 Ge, р-п-р, С 150 0,6* 90 45 200 50
2SBI36 Ge, р-п-р, С 150 0,8* 25 12 150 10
2SBI36A Ge, р-п-р, С 150 0,8* 60 12 300 10
2N186A Ge, р-п-р, С 200 0,8* 25 5 200 16
2N189 Ge, р-п-р, С 200 0,8* 25 5 200 16
2NI90 Ge, р-п-р, С 200 1* 25* 5 200 16
2N191 Ge, р-п-р, С 200 1,2* 25* 5 200 16
GC112 Ge, р-п-р, С 120 >0,3 80 Ю 150 <18(15 В)
GSI12 Ge, 'р-п-р, С 120 — 20 10 200 <15(15 В)
2SB263 Ge, р-п-р, С 200 1.5* 20 2,5 150 14(12 В)
2SB2DI Ge, р-п-р, С 160 >0,2* 35 12 140(400*) <30(12 В)
2SB200 Ge, р-п-р, С 210 0,5* 32 12 400* <40(12 В)
МП42 Ge, р-п-р, С 200 >2* 15*(Зк) — 150* —
МП42А Ge, р-п-р, С 200 >1,5* 15*(3к) 150*
МП42Б Ge, р-п-р, С 200 >1* 15*(Зк) — 150* —
ASY26 Ge, р-п-р, С 150 >4 30 20 200(300*) <7(30 В)
2N404 Ge, р-п-р, С 150 >4* 25 12 150 <5(12 В)
ММ404 Ge, р-п-р, С 150 ^4* 25 12 150 <5(12 В)
ASY70 Ge, р-п-р, С 250 (900*) 1,5 32 16 300 <10(10 В)
ОСЮ76- Ge, р-п-р, С 125 >0,35* 32 Ю 125(250*) <10(10 В)
ASXtl Ge, р-п-р, С 150 >4,5* 30 18 250 <10(30 В)
48
Продолжение-
X * 3
I л5
1 Ла1э. **21Э Ск- С»УпФ г г*л, Ом Корпус
о С.
со g- S
£ - 5 ьс и • s
45—200* (I В; 100 мА) 32(6В) <3,5 — — ТО-1
1^—45* (IB; 100 мА) 32(6 В) — — ТО-1
35—65* (1 В; 100 иА) 32(6 В» — — — ТО-1
55—200*(IB; 100 мА) 32(6 В) — — — ТО-1
13—25(20 В; 2,5 мА) <20(20 В) <2,2 — <1500*** 2
20—50(20 В; 2,5 мА) <20(20 В) <2 <1500*** 2
30—80(20 В; 2,5 мА) <20(20 В) <1,8 Ч—’ <1500*** 2
13—25^35 В; 1,5 мА) <15(35 В) <2,2 <1590*** 2
20—50 (35 В; 1,5 мА) <15(35 В) <2 <1500*** 2
30—80(35 6; 1,5 мА) <15(35 В) <1.8 — <1590*** 2
30(5 В; 1 мА) <60(5 В) fcl — <24( 1 кГц) — R-32
25(5 В; I мА) <60(5 В) — <24(1 кГц) — R-32
55—140(6 8; 4 мА) — — — *— Х-9
5о*(5 В; 30 мА) — — — — TO-I&
>45(5,4 В; 10 мА) — —— — R-8
50*(1В; 100 мА) 100*(1В; 100 мА) — — ТО-1 ТО-1
>20(0,25 В; 5 мА) — — ТО-5
>20(0,25В; 5 мА) — — ТО-5
120*(1,5В, 50 мА) — « — ТО-1
120* (1,5 В; 50 мА) — — ТО-1
24* (1 В; 100 мА) 40 — — — R-32
32(5 В; 1 мА) 60 — — — R-32
42(5 В; 1 мА) 40 -1 ~ —’ —— R-32'
67(5 В; I мА) 40 —— — —- R-32
>10(6В; 2 мА) — — — A-I
28—140*(0,5В; 0,2 А) — <1 <25(1 кГц) 900*** А-1
60(6 В; 1 мА) — — 20 —- ТО-1
40—300* (I В; 0,15 А) —- <1,3 — 1400* ТО-£
30— 15Э*(1 В; 0,15 А) — —— — —, R-10
20—35* (1 В; 10 мА) — <20 — <2000*** 2
30-50* (JB; 10 мА) 45—100* (1 В; 10 мА) — <20 — <1500*** 2
— <20 — <1000*** 2
>30*(1 В; 10 мА) <16(5 В) <10 — <1359* ТО-5
>40*(0,25 В; 20 мА) <13 <500*** ТО-5
135(6 В; 1 мА) <20(6 В J <13 <490*** TO-lfr
47(0,5В; 2 мА) <40 (5 В) <3 — <2590*** ТО-1
>45*(5,4В; 10 мА) — <3 — — ТО-1
35—8о* (0,5В; 10 мА) *— <32 —- <269**" ТО-5
4—136
46»
Тип прибора Материал, структура, технология р р* К max 1 К । Т max' Р** , мВт К, птах "с * °* 3 £ Л « J :J и л , и* КЕО проб КЭрпроб УКЭОпроб' В и в ЭБО проб’ ,I* , мА К тех К, и max V»K •а®\/ О®», 1
ASX12 Ge, р-п-р, С 150 >5,5* 21 12 250 г <10(24 В)
AF266 Ge, р-п-р, С 125 4,5 18 —- 100 <3(18 В)
АТ270 Ge, р-п-р, С 430* 4 40 — 250 <20(40 В)
АТ275 Ge, р-п-р, С 439* 4 25 — 259 <2u(25 В)
2N1353 Ge, р-п-р, С 200 3,5* 15 10 200 6
2NI354 Ge, р-п-р, С 200 4,5* 33 20 200 6
ASY3I Ge, р-п-р, С 125 ~>*4* 25 20 200 3
2N123 Ge, р-п-р, С 159 8* 20 10 125 6
2N581 Ge, р-п-р, С 15) 8* 18 10 100 21)
2N1681 Ge, р-п-р, С 189 7-5* 30 20 200 25
GS109 Ge, р-п-р, С 100 — 20 10 50 <15(15 В)
GS1И Ge, р-п-р, С 100 — 20 10 50 <15(15 В)
ASY33 Ge, р-п-р, С 150 ^2 30 20 200
ASY34 Ge, р-п-р, С 153 >2 15 10 200
ASY35 Ge, р-п-р, С 150 >2 30 20 200
2SB40 Ge, р-п-р, С 80 >0,7* 40 12 100 <10(12 В)
МП35 Ge, п-р-п, С Ge, п-р-п, С 159 >0,5* 15 — 20(159*) <30(5 В)
МП 36 А 150 >1* 15 -— 20(150*) <30(5 В)
МП37 Ge, п-р-п, С 159 >1* 15 II 20(150*) <30(5 В)
МП37А МП37Б Ge, п-р-п, С Ge, п-р-п, С 159 159 >1* >1* 30 30 , 20(150*) 20(150*) <39(5 В) <39(5 В)
МП38 Ge, п-р-п, С 159' >2* 15 20(150*) <30(5 В)
МП38А Ge, п-р-п, С 150 >2* 15 — 20(150*) <30(5 В)
2N193 Ge, п-р-п, С 159 3* 18 5 59 50
2N444 Ge, п-р-п, С 100 >0,5* 15 10 50 2
2N444A Ge, п-р-п, С 159 >0,5* 15 10 59 4
2N445 Ge, п-р-п, С 159 7-2* 15 10 50 2
2N445A Ge, п-р-п, С 150 >2* 30 10 59 4
2SD75 Ge, п-р-п, С 150 25 12 100 14(25 В)
2SD75A Ge, п-р-п, С 150 4* 45 12 100 10
T321N Ge, п-р-п, С 150 0,8* 32 12 150 <15(10 В)
T322N Ge, п-р-п, С 150 >1* 32 12 150 <15(10 В)
T323N Ge, п-р-п, С 150 >1,2* 32 12 150 <15(10 В)
АС 183 Ge, п-р-п, С 250 ^>2 32 20 159 <20(10 В)
GC525 GC526 -GC527 Ge, п-р-п, С Ge, п-р-п, С Ge, п-р-п, С 130 (45°С) 130 (45°С) 130 (45°С) 30 1,2 1,2 1,4 15 32 32 10 10 10 125(250*) 125(250*) 125(250*) <12(6 В) <12(6 В) <12(6 В)
101NU70 Ge, п-р-п, С >0,2* 10 — 100* <20(5 В)
50
Продолжение
ЛЯ1э- Л*21Э i 1 - — С , С*. , пФ К 123’ «О ДБ г*б. Ом т„, ПС, . 7** , к рас выкл /***, нс ПК Корпус
&0—120*(0,5В; 10 мА) 50-150(1,5 В; 10 мА) — <30 — <220*** ТО-5
<18(6 В) — — ТО-18
25—130*(0,5 В; 10 мА) <20 — — —’ ТО-1
25—130*(0,5 В; 10 мА) <20 — — — ТО-1
70* С1 В; Ю мА) 12 4 — <1583*** ТО-5
70*(1 В; Ю мА) 12 4 <1663*** ТО-5
>30* (20 мА) 16 — —- R-9
75*( 1 В; 10 мА) 14 <20 — 930* R-32
30*(0,3 В; 20 мА) 12 — — ТО-5
75*(0,25 В; 10 мА) <20 10 950* ТО-5
28—140*(0,5 В; 50 мА) 10 — <25(1 кГц) <1530*** А-1
28—140*(0,5 В; 50 мА' 10 — — <1200*** IV1
20—200в(1 В; 10 мА) <18(5 В) <4 -' — ТО-5
20—200* (1 В; 10 мА) <35(5 В) <5 <2700* * ТО-5
30—ЗС0*( 1 В; Ю мА) <20(5 В) <4 — <2500** ТО-5
43—200*(1 В; 0,1 А) ’— <2,5 — 600* ТО-1
13—125(5 В; 1 мА) — — <220* — 2
15—45(5 В; 1 мА) — —- <10(1 кГц) — 2
15—30(5 В; 1 мА) — —• <220* 2
15—33(5 В; 1 мА) — <220* —- 2
25—50(5 В; 1 мА) —— 1— <22'1* — 2
25—55(5 В; 1 мА) -— — <220* 2
45—100(5 В; 1 мА) — — <220* — 2
7,5(6 В; 1 мА) и — — — ТО-22
>15(4,5 В; 1 мА) 13 —- — —- ТО-5
15(4,5 В; 1 мА) — —• ТО-5
35(4,5 В; I мА) 13 -—► — ТО-5
35(5 В; 1 мА) — — — ТО-5
40(6 В; 1 мА) 42 <15 — ТО-1
4и(6 В; 1 мА) 42 <20 —' ТО-1
20—44(6 В; 1 мА) 45(6 В) — —- ТО-1
32—85(6 В; 1 мА) 45(6 В) — —- — ТО-1
55—203(6 В; 1 мА) 45(6 В) — —* ТО-1
50—250(6 В; 2 мА) 80(6 В) — <10(1 кГц) — ТО-1А
20—150(6 В; 1 мА) — <2 <10(1 кГц) — А-6
20—150(6 В; 1 мА) — <2 <10( 1 кГц) — А-6
50-150(6 В; 1 мА) — <2 <6( 1 кГц) — А-6
>6(5 В; 1 мА) — — — — А-6
4*
51
Тил пребора Материал, структура, технотогия р , р* । К так К. т max' Р** , мВт К. И ЛИДС ^Гр* , МГц max и . и* КБО проб КЭК проб ^КЭОпроб' В EJ В ЭБО проб’ ^Kmax’ I К, птах* < 1 и 1 S 1 <1 8 <1
102NU70 Ge, n-p-n, С 50 >0,5* 20 100* <15(5 В/
103NU70 Ge, п-р-п, С 50 >0,5* 20 2 100* <10(5 В)
104NU70 Ge, п-р-п, С 50 >0,5* 20 100* <10(5 В)
405NU70 Ge, п-р-п, С 125 >0,6* 32 10 10(50*) <12(4,5 В)
J06NU70 Ge, п-р-п, С 125 >0,8* 32 10 10(50*) <12(4,5 В)
107UN70 Ge, п-р-п, С 125 32 10 10(50*) <12(4,5 В)
152NU70 Ge, n-p-n, С 50 >2,5* 10 5 5(10*) <10(5 В)
153NU70 Ge, п-р-п, С 50 10 5 5(10*) <10(5 В)
154NU70 Ge, п-р-п, С 50 >2,5* 10 5 5(Ю*) <10(5 В)
I55NU70 Ge, п-р-п, С 83 >3* 15 8 10(20*) <2(2 В)
2SD31 Ge, п-'р-п, С 125 0,5 25 10 125 15
2SD32 Ge, п-р-п, С 125 0,5 25 10 125 15
.2SD33 Ge, п-р-п, С 150 2* 20 2,5 50 14
2SD37 Ge, п-р-п, С 150 2* 30 12 50 14
2SD195 Ge, п-р-п, С 150 2,5* 20 15 50 14
2N94 Ge, п-р-п, С 150 2 20 5 100 50
П29 Ge, р-п-р, С 30 (6О°С) >5* 10* 12 100* <4(12 В)
П29А Ge, р-п-р, С 30 (6О°С) >5* 10» 12 100* <4(12 В)
ПЗО Ge, р-п-р, С 30 (60*С) >10* 10* 12 100* <4(12 В)
ОС41 Ge, р-п-р, С 83 4 16 10 50
ОС42 Ge, р-п-р, С 83 7 16 10 50
AFY15 Ge, р-п-р, С 65 16 22 8 50 1(6 В)
AF260 Ge, р-п-р, С 75 5 15 —1 10 <3(15 В)
AF261 Ge, р-п-р, С 75 12 15 ... 10 <3(15 В)
2SA50 Ge, р-п-р, С 55 >9* 18 12 24 <3( 12 в)
КТ201А Si, п-р-п, ПЭ 150 (90*С) 150 >10 20 20 20(100*) <1(20 В)
КТ201АМ Si, п-р-п, ПЭ >10 20 20 20(100*1 <1(20 В)
КТ2О1Б Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ 150 >10 20 20 20(100*) <1 (2 J В)
КТ201БМ 150 >10 20 20 20(100*) <1(20 В)
КТ201В Si, п-р-п, ПЭ 150 >10 10 10 20(100*) <1(10 В)
КТ201ВМ S1, п-р-п, ПЭ 150 >10 10 10 20(100*) <1(10 В)
КТ201Г S1, п-р-п, ПЭ 150 >10 10 10 20(100*) <1(10 В)
КТ201ГМ S1, п-р-п, ПЭ 150 >10 10 10 20(100*) <1(10 В)
КТ201Д Si, п-р-п, ПЭ 150 >10 10 10 20(100*) <1(10 В)
КТ201ДМ S1, п-р-п, ПЭ 150 >10 10 10 20(100*) <1(10 В)
2N2617 Я. п-р-п, с 250 >,) 25 20 100 0,1
2N2432 Si, п-'р-п, ПЭ 300 >20 30 15 100 <0,01(20 В)
2N2432A Si, п-р-п, ПЭ 300 >20 45 18 100 <0,01(43 В)
-2N4138 Si, п-р-п, ПЭ 300 >20 30 15 100 <0,01(20 В)
52
Продолжение
Sis' Л*21Э I СК • ^*123' ПФ о 1 ш а < о а> k t '«' пс' ' *** ' к рас выкл (***, нс ик Корпус
12—20(5 В; 1 мА) — — А-6
>20(5 В; 1 мА) — А-6
>20(5 В; 1 мА) " <15(1 кГц) — А-6
20—40(2 В; 0,5 мА) — — <10(1 кГц) А-6
30—75(2 В; 3 мА) * -— <10(1 кГц) —— А-6
65-130(2 В; 3 мА) <10(1 кГц) —р А-6
20—100(5 В; 0,5 мА) <26(6 В) <10(1 кГц) А-6
10—40(5 В; 0,5 мА) <26(6 В) <20(1 кГц) А-6
20—100(5 В; 0,5 мА) <26(6 В) —— <20 (1 кГц) А-6
25—125(6 В, 1 МА) <14(6 В) 200* А-6
50* (1 В; 2 мА 1 1 м ТО-1
90*( 1 В; 2 мА) ТО-1
60(6 В; 1 мА) — — ТО-1
60(6 В; 1 мА) 30 —Г —. ТО-1
70* (1 В; 50 мА) р^» ТО-1
50*(6 В; 1 мА) 103 — — —- ТО-22
20—50(0,5,В; 20 мА) <20(6 В) 10 — <6000 2
40—100(0,5 В; 20мА) <20(6 В) 10 — <6006 2
80—180(0,5 В; 20 мА) <20(6 В) 10 — <6000 2
35(50 мА), R-8
70* (50 мА)1? — R-8
30—250(6 В; 0,5мА) — — ТО-18
25—150(6 В; 1 мА) <14(( В) ТО-18
50—150(6 В; 1 мА) <14(6 В) — — ТО-18
30—150* (1 В; 24 мА) — <8 — 100* ТО-1
20—60( 1 В; 5 мА) <20(5 В) — — 5
20—60(1 В; 5 мА) <20(5 В) —— 17
30—90(1 В; 5 мА} <20(5 В) 5
30—90(1 В; 5 мА) <20(5 В) — 17
30—90(1 В; 5 мА) <20(5 В) 5
30—90(1 В; 5 мА) <20(5 В) «1 —_ 17
70—210( 1 В; 5 мА) <20(5 В) 5
70—210(1 В, 5 мА) <20(5 Bj -а- 17
30—90(1 В; 5 мА) <20(5 В) <15(1 кГц) 5
30—93(1 В; 5 мА) <20(5 В) — <15(1 кГц) — 17
>25(6 В; 1 мА) 80 R-8
>50* (5 В; 1 мА) <12 <15 — ТО-18
>50(5 В; 1 мА) <12 <15 ТО-18
>50(5 В; 1 мА) <12 <15 —“ ТО-46
53
Тип прибора Материал, структура, технологий р р* К max К, т max » Р** , мВт К, и max ^гр' ^*Й21б’ ^Л21э' Г" , МГц 'max* и If* КБО проб* K3R п| еб> и** ъ КЗ О проб' ^ЭБО проб * В Г мА К max’ К, и max* /КБО* /вКЭ1?' “КА
КТ104А S1, р-п-р, ПЭ 150 (60еС) >5* 30** 10 50 <1(30 В)
КТ104Б Si, р-п-р, ПЭ 150 (60°С) ^5* 15я* 10 50 <1(15 В)
КТ 104В Si, р-п-р, ПЭ 160 (60аС) ^5* 15ЛЯ 10 50 <1(15 В)
КТ1С4Г Si, р-п-р, ПЭ 150 (60qC) >5* 30““ 10 59 <1(30 В)
BSZ10 si, р-п-р, с 259 »,3* 25 20 50 <0,1(10 В)
BSZ11 Si, р-п-р, С 25Э 1 * 25 20 5J <0,1(10 В)
2N1643 Si, р-п-р, С 259 0,7* 25 20 50 0,001
2N1024 Si, р-п-р, с 259 18 18 100 0,025
ОС209 Si, р-п-р, С 250 >0,45* 30 20 50(100*) 0,5
ОС201 Si, р-п-р, С 250 >2 25 20 50(100*) 0,5
ОС202 Si, р-п-р, С 259 >1,4 15 10 5Э(Ю0*) 0,5
2N1220 Si, р-п-р, С 25J >2* 30 20 100 0,1
2N1222 Si, р-п-р, с 250 >2* 30 10 109 0,1
2N1223 Si, р-п-р, с 259 40 10 100 0,1
2N1027 Si, р-п-р, С 250 >4* 18 18 100 0,025
2N1219 Si, р-п-р, С 259 >5* 39 20 100 0,1
2N1221 Si, р-п-р, С 250 30 10 100 0,1
2N1028 Si, р-п-р, С 250 6 18 12 100 0,025
КТ203А Si, р-п-р, ПЭ 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (753С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75’С) >5* 60 30 10(50*) <1(60 В)
КТ203АМ Si, р-п-р, ПЭ >5* 60 30 10(50*) <1(60 В)
КТ203Б Si, р-п-р, ПЭ >5* 30 15 10(59*) <1(30 В)
КТ203БМ Si, р-п-р, ПЭ >5* 30 15 10(50*) <1 (30 В)
КТ203В si, р-п-р, пэ >5* 15 10 10(50*) <1(15 В)
КТ203ВМ S1, р-п-р, ПЭ >5* 15 10 10(50*) <1(15 В)
BSZ12 Si, р-п-р, С 250 1* 60 39 59 <0,1(10 В)
2N943 Si, р-п-р, С 259 ^*1 ♦ 40 40 50 <100(40 В)
2N944 Si, р-п-р, С 250 >1* 40 49 50 <100(40 В)
2N2274 Si, р-п-р, С 150 5^6 25 25 50 0,093(10 В)
2N2275 Si, р-п-р, С 150 >6 25 25 50 0,003(10 В)
2N2276 Si, р-п-р, С 150 >6 15 15 50 0,003(10 В)
2N2277 Si, р-п-р, С 150 >6 15 15 50 0,093(10 Bl
2N923 Si, р-п-р, С 150 >0,8 40 40 50 50
2N924 Si, р-п-р, С 150 >0"8 40 40 59 59
54
Продолжение
А41э- А*21Э 1 С . С* .пФ К 12Э’ «О *ОгН га * Ч О 'а be t ПС, Г* , к рас выкл (♦**, нс ПК Кор I ус
9—36(5 В; 1 мА) <5)(5 В) <50 <120* — 6
2о—80(5 В; 1 мА) <50^5 В) <50 <120* — 6
40—163(5 В; 1 мА) <50(5 В) <5Э <120* — 6
15-60(5 В; 1 мА) <53(5 В) <50 <120* — 6
15—60(6 В; 1 мА) <83/6 В) <47 8(1 кГц) 10-18
25—60(6 В; 1 мА) <80(6 В) <47 6(1 кГц) ТО-18
18(6 В; 1 мА) 50 I» ТО-5
15(6 В; 1 мА) 7 —— I» ТО-5
15—60(6 В; 1 мА) — <27,5 !> R-8
20—80(6 В; 1 мА) — <27,5 — R-8
40—120(6 В; 1 мА) <27,5 R-8
>9* (6,25 В; 5 мА) <18 — ТО-5
>9(6 В; 1 мА) <18 — ТО-5
>6(6 В; 1 мА) <18 — — ТО-5
30(6 В; 1 мА) >18*(0,25В; 5 мА) 7 <15 — — ТО-5 ТО-5
>18(6 В; 1 мА) <15 — — — ТО-5
>9(6 В; 1 мА) 7 — — — ТО-5
>9(5 В; 1 мА) <10(5 В) — <300* — 5
>9(5 В; 1 мА) <10(5 В) — <300* — 17
30—150(5 В; 1 мА) <10(5 В) <50 <300* — 5
30—150(5 В; 1 мА) <10(5 В) <50 <300* — 17
30—200(5 В; 1 мА) <10(5 В) <25 <300* — 5
33—200(5 В; 1 мА) <10(5 В) <25 <300* — 17
>10(6 В; 1 мА) садбВ) <47 8(1 кГц) ТО-18
>10(6 В; 1 мА) <14(6 В) — — — ТО-18
>10(6 В; 1 мА) <14(6 В) — — — ТО-18
>10(0,5 В; 5 мА) <9 — -— — ТО-18
>10(0,5 В; 5 мА) <9 — —- — ТО-18
>10(0,5 В; 5 мА) <9 — — — ТО-18
>10(0,5 В; 5 мА) <9 — ТО-18
21(6 В; 1 мА) <20 —-. — ТО-18
47(6 В: 1 мА) <20 — ТО-18
55
Тип прибора Материал, структура, техПоло! ия р , р* Kmcw К, т max Р** л , мВт К, и max гр’ / f*** , МГц max и . и» КБО проб КЭЙ проб ГГ** п UK30ripo6’ В ^ЭБО проб' & , мА К max К. и max v« .asg, .она,
2N2372 S1, р-П-р, С 150 15 15 50 50
2N2373 S1, р-п-р, С 150 1 15 15 50 50
ОС203 Si, р-п-р, С 250 >0,3* 60 30 50(100*) 1,5
КТ208А Si, р-п-р, ПЭ 200 (60°С) 200 (60°С) 200 (60= С) >5 20* (Юк) 10 300(500*) <1(20 В)
КТ208Б Si, р-п-р, ПЭ >5 15 10 300(500*) <1(20 В)
КТ208В Si, р-п-р, ПЭ >5 15 10 300(500*) <1(20 В)
КТ208Г Si, р-п-р, ПЭ 200 (60°С) 200 (60=С) 200 (60°С) 200 (60°С) 200 (бО’С) 200 (60°С) >5 30* (Юк) 10 300(500*) <1(20 В)
КТ208Д Si, р-п-р, пэ >5 30 10 300(500*) <1(20 В)
КТ208Е Si, р-п-р, ПЭ >5 30 10 300(500*) <1(20 В)
КГ208Ж Si, р-п-р, пэ >5 45 20 300(500*) <1(20 В)
КТ208И si, р-п-р, пэ >5 45 20 300(500*) <1(20 В)
КТ208К Si, р-п-р, пэ >5 45 20 300(500*) <1(20 В)
КТ208Л Si, р-п-р, ПЭ 200 (60°С) >5 60 20 300(500*) <1(20 В)
К1208М S1, р-п-р, ПЭ 200 (60°С) >5 60 20 300(500*) <1(20 В)
BCYI0 S1, р-п-р, С 300 (415*) 1,5 32 12 250(500*) <0,02(6 В)
BCY11 Si, р^п-р, с 300 (415*) 300 (415*) 150 1,5 60 12 250(500*) <0,02(6 В)
BCY12 Si, р-п-р, С 2 32 12 250(500*) <0,02(6 В)
SFT307 si, р-п-р, с >4 18 12 100 <10(18 В)
SFT308 si, р-п-р, с 150 >7 18 12 100 <10(18 В)
EFT308 si, р-п-р, с 150 10,3 15 9 100 <15(15 В)
BCY90 Si, р-п-р, ПЭ 350 15 40 20 50(100*) <0,002(15 В)
BCY91 Si, р-п-р, пэ 350 15 40 20 50(100*) <0,002(15 В)
BCY92 si, р-п-р, пэ 350 15 40 20 50(100*) <0,002(15 В)
BCY93 si, р-п-р, пэ 350 15 70 30 50(100*) <0,002(15 В)
BCY94 Si, р-п-р, ПЭ 350 15 70 30 50(100*) <0,002(15 В)
BCY95 S1, р-п-р, ПЭ 350 15 70 30 50(100*) <0,002(15 В)
ТСН98 si, р-п-р, пэ 350 15 40 20 50(100*) <0,002(15 В)
ТСН99 Si, р-п-р,'пэ 350 15 70 30 50(100*) <0,002(15 В)
ОС206 Si, р-п-р, с 30м >0,85 32 12 250 0,5
ОС204 si, р-п-р, с 300 >0,45 32 12 250 0,5
ОС207 St р-п-р, С 300 >0,45 50 12 250 0,5
56
П рвдолжение
Ла13> 1Ч21Э 1СК- С*12Э' ПФ Г,— , Ом КЭнас *ш, дБ Г*^, Ом IK*. i* t** к рас вык ]' 1 , пс (1К Корпус
^15(4 В; 25 мА) 15 —- — ТО-18
>20(4 В; 25 мА) 15 — —. — ТО-18
10—60(6 В, 1 мА) 1—~ <2,75 — — R-8
20—6 J*(l В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
40—121*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
80—210^1 Б; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <4 (1 кГц) — 20
2J—60*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
40—120*(1 Б; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
80—240*^1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <4(1 кГц) — 20
20—60“(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 —" — 20
40—120*(1 В; 30 мА) <50(10 В)£ <1,3 — — 20
80—240*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <4(1 кГц) — 20
20—60*(1 0, 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
40—120*(1 В, 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
>12*(2 В, 30 мА) 90(6 В) <4 <20(1 кГц) — R-8
>12* (2 В; 30 мА) 90(6 В) <4 <20(1 кГц) — R-8
40*(2 В; 30 мА) 90(6 В) <4 <20(1 кГц) — R-8
25—120(6 В; 1 мА) <11(6 В) 6(1 кГц) ТО-1
40—180(6 В; 1 мА) <11(6 В) — 6(1 кГц) —- ТО-1
40—160(6 В; 1 мА) <12(6 В) — ’— —— ТО-1
10—35(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) — ТО-18
25—60(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) —' ТО-18
40—100(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-18
10-35(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) —— ТО-18
25—60(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) — ТО-18
40—100(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-18
>80(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-18
>80(6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-18
>1641 В; 150 мА) — <2,75 — — R-8
10—30“(1 В; 150 мА) <2,75 — —- R-8
12—70*(1 В; 150 мА) —“ <2,75 — R-8
57
Тип пр ибора Материал, структура, технология в />» К max’ К. ттах, р** , мВт К. и тих ^гр’ ^Л21б' ^Л21э* f*** , МГц max 1 и . и* КБО проб КЭЦпроб ^КЭОпроб' В U R ЭБОпроб’ Z., , l*v , мА К max К, и max ’к У к •м. о и
ОС 205 Si, р-я-р, С 300 >0,45 60 30 250 0,5
BCY30 Si, р-п-р, С 250 >0,25 64 45 506150*) <0,05(6 В)
BCY31 Si, р-п-р, С 250 >0.25 64 45 50(150*) <0,05(6 В)
BCY32 Si, р-п-р, С 250 >0,25 64 32 50(150*) <0,05(6 В)
BCY33 Si, р-п-р, С 250 >0,4 32 16 50(150*) <0,05(6 В)
BCY34 Si, р-п-р, С 250 >0,6 32 16 50(150") <0,05(6 В)
КТ209А Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) >5 15 10 300(500*) <1*(15 В)
КТ209Б Si, р-п-р, ПЭ 200 (35=С) >5 15 10 300(500*) 1*(15 В)
КТ209Б Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С> >5 15 10 300(500*) <1*(15 В)
КТ209Г Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) 5 30 10 300(500-) <1*(30 В)
КТ209Д Si, р-п-р, ПЭ 200 (35ЭС) >5 30 10 300(500*) <1*(30 В)
КТ209Е Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) >5 30 10 300(530*) <1*(30 Б)
КТ209Ж Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) >5 45 20 300(500*) <1х(45 В)
КП09И Si, р-п-р, ПЭ 200 (35° С) >5 45 20 300(500*) <1*(45 В)
КТ209К Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) >5 45 20 300(500*) <1*(45 В)
КТ209Л Si, р-п-р, ПЭ 200 >5 60 20 300(500-) <1*(60 В)
КТ209М Si, р-п-р, ПЭ (35°С) 200 (35°С) >5 60 20 300(500*) <1*(60 Б)
MPS404 Si, р-п-р, ПЭ 310 >4* 25 12 150 <0,1(10 Б)
MPS404A Si, р-п-р, ПЭ 310 >4* 40 25 150 0,1
КТ501А Si, р-п-р, ПЭ 350 (35°С) >5 15* (Юк) 10 300(500*) <1*(15 В)
КТ501Б Si, р-п-р, ПЭ 350 (35 °C) >5 15*(Юк) 10 300(500*) <1*(15 В)
КТ501В Si, р-п-р, ПЭ 350 (35°С) 350 (35°С) >5 15* (Юк) 10 300(500*) <1*(15 Б)
КТ501Г Si, р-п-р, ПЭ >5 ЗСГ(Юк) 10 300(500*) <1 ’(30 Б)
КТ501Д Si, р-п-р, ПЭ 350 (35° С) 350 (35s С) >5 30-(Юл) 10 300(500*) <1*(30 В)
КТ501Е Si, р-п-р, ПЭ >5 30* (Юк) 10 300(500*) <1*(30 В)
КТ501Ж Si, р-п-р, ПЭ 350 (35°С) >5 45* (Юк) 20 309(500-) <Г(45 В)
58
Продолжение
л313> Й*21Э СК- С'12Э- пф ГКЭ нас’ Ом Кщ, дБ г*е. Ом V, пс, f* t , к рас выкл Z***, нс ПК Корпус
10—50й (1 В; 150 мА) <2,75 R-8
10—35* (4,5 Б; 20 мА) <60(6 В) <27,5 <20( 1 кГц) — ТО 5
15—60* (4,5 В; 20 мА) <60(6 В) <27,5 <20 ( 1 кГц) — ТО 5
20—70* (4,5 В; 20 мА) <60 (6 В) <27,5 <20( 1 кГц) — ТО-5
Ю—35*(4,5; 20мА) <60(6 Б) <27,5 <20(1 кГц) — ТО-5
15—бО'" (4,5 В; 20 мА) <60(6 В) <27,5 <20(1 кГц) — ТО-5
20—6О’: (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 17
40—120*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 17
80—240* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <5( 1 кГц) — 17
20—60* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 17
40—120*(1 В; ЗОмА) <50(10 В) <1,3 — — 17
80—240* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <5(1 кГц) — 17
20—60*(1 В; 30мА) <50(10 В) <1,3 — — 17
40—120*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 17
80— 160* (1 В; 30мА) <50(10 В) <1,3 <5(1 кГц) — 17
20—60*(1 В; 30мА) <50( 10 В) <1,3 — — 17
40—120* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 17
30—400* (0,15 В; 12 мА) <20(6 В) <12 — 155* ТО-92
30—400* (0,15В; 12 мА) <20(6 В) <12 — 155* ТО-92
20—60* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — 20
40—120* (1 В; 30 мА) <50( 10 В) <1,3 — — 20
80—240* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <4(1 кГц) — 20
20—60*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 2
40—120*(1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
80—240* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 <4(1 кГц) — 20
20—60* (1 В; 30 мА) <50(10 В) <1,3 — — 20
59
Тип прибора Материал, с труктура, технология р р* Ктах' К, т max' РК, и max мВт * СЧ Л s и и* КБОпроб’ K9R проб' ГТ** КЭОпроб’ Б и „ , в I ЭБО проб хаш и ‘У raw'll Vй / tx съ ф Им, о EQ S
КТ501И Si, р-п-р, ПЭ 350 (35 °C) >5 45* (Юк) 20 300(500*) <1 *(45 В)
КТ501К Si, р-п-р, ПЭ 350 (35 еС) 350 (35 °C) >5 45* (Юк) 20 300(500*) <1*(45 В)
КТ501Л Si, р-п-р, ПЭ >5 60*(10к) 20 300(500*) <1*( 60 В)
КТ501М si, р-п-р, пэ 350 (35 °C) >5 60* (Юк) 20 300(500*) <1*(60 В)
BCY38 Si, р-п-р, ПЭ 410 >0,45 32 12 250(500*) <0,001 (6 В)
BCY39 si, р-п-р, пэ 410 >0,45 . 64 12 250(50j*) <0,ООН6В)
BCY40 Si, р-п-р, ПЭ 410 >0,85 32 12 250(5 X)*) <0,001(6 в)
BCY54 Si, р-п-р, ПЭ 410 >0,45 50 12 250(5 0*) <0,001(6 В)
SFT124 Si, р-п-р, С 350 >0,6 24 12 500 <20(24 В)
SFT125 Si, р-п-р, С 350 >0,8 24 12 500 <20(24 В)
SFT130 Si, р-п-р, С 550 >0,6 24 12 500 <20(24 В)
SFT131 Si, р-п-р, С 550 >0,8 24 12 500 <20(24 В)
SFT143 Ge, р-п-р, С 350 >0,6 45 25 500 <20(45 В)
SFT144 Ge, р-п-р, С 350 >0,8 45 25 500 <20(45 В)
SFT145 Ge, р-п-р, С 550 >0,6 45 25 500 <20(45 В)
SFT146 Ge, р-п-р, С 550 >0,8 45 25 500 <20(45 В)
BCY90B Si, р-п-р, пэ 400 15 40 20 50(150*) <0,002(15 В)
BCY91B Si, р-п-р, пэ 400 15 40 20 50(150*) <0,002(15 В)
BCY92B Si, р-п-р, ПЭ 400 15 40 20 50(150*) <0,002(15 В)
BCY93B si, р-п-р, пэ 400 15 70 30 50(150*) <0,002 (15 В)
BCY94B Si, р-п-р, ПЭ 400 15 70 30 50(150*) <0,002(15 В)
BCY95B Si, р-п-р, ПЭ 400 15 70 30 50П50*) <0,002(15 В)
ТСН98В Si, р-п-р, пэ 400 15 40 20 50(150*) <0,002(15 В) f
ТСН99В Si, р-п-р, ПЭ 490 15 70 30 50(150*) <0,002(15 В) h
ГТ310А Ge, р-п-р, СД 20 (35°С) >160 12 — 19 <5(5 В) -
ГТ310Б Ge, р-п-р, СД 20 (35 °C) >160 12 — 10 <5(5 В)
ГТ310В Ge^p-п^СД 20 (35 °C) >120 12 — 10 <5(5 В)
ГТ310Г Ge, р-п-р, СД 20 (35 °C) >120 12 — 10 <5(5 В)
гтзюд Ge, р-п-р, СД 20 (35 °C) >80 12 — 10 <5(5 В)
ГТ310Е Ge, р-п-р, СД 20 (35°С) >80 12 —' 10 <5(5 В)
2N128 Ge, р-п-р, Д 25 28 10 10 5 <3(3 В)
2SA107 Ge, р-п-р, Д 35 20 6 1 10 10
2SA106 Ge, р-п-р, Д 35 30 6 1 10 10
2SA105 Ge, р-п-р, Д 35 75 6 1 10 10
2SA116 Ge, р-п-р, Д 50 120* 30 1 20 10
60
Продолжение'
Ск- пФ ,Ом КЭ нас КЛ, ДБ Г'б, Ом V* пс' рас’ ^выкл' »+• 'п* ’ Н° Кортус
ft21 Л*21Э
40—120* (1 В; 30 мА) <50 (10 В) <1,3 — — 20
80—240* (1 В; 30 мА) <50 (10В) <1,3 <4(1 кГц) — 20
20-60* (I В; 30 мА) <50 (10 В) <1,3 — — 20
40—120* (1 В; 30 мА) <50 (10 В) <1,3 — •— 20
>12* (1 В; 150 мА) <150 (6 В) <7 <20(1 кГц) ТО-5
>12* (1 В; 150 мА) <150 (6 В) <7 <20(1 кГц) —- ТО-В
>22* (1 В; 150 мА) <150 (6 В) <7 <20(1 кГц) 1 ТО-В
22—100* (IB; 150 мА) <150 (6 В) <7 <20(1 кГц) —* 10-В
20—40* (1 В; 250 мА) — — -— — R-I3
40—150* (I В; 250мА) —- — -— низ
20—44* (I В; 250 мА) — <1 — — низ
40—150* (1 В; 250 мА) — <1 — — R-13
20—44* (I В; 250 мА) — <1 5(1 кГц) — R-13
40—80* (I В; 250 мА) <1 5( I кГц) — R-13
20—44* (1 В; 250 мА) — <1 5(1 кГц) — R-13
40—80* (I В; 250 мА) — <1 5(1 кГц) низ
10—35 (6 В; I мА) 4 <10 4(1 кГц) —— то-в
25—60 (6 В; I мА) 4 <10 4(1 кГц) — ТО-В
40—100 (6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-В
10—35 (6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) — ТО-В
25—60 (6 В; I мА) 4 <10 4(1 кГц) — ТО-В
40—100 (63; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-5-
>80 (6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-В
>80 (6 В; 1 мА) 4 <10 4(1 кГц) 200* ТО-В
20—70* (5 В; I мА) <4 (5 В) — <3(1,6 МГц) <300 7
60—180* (5 В; 1 мА) <4 (5 В) — <3(1,6 МГц) <300 7
20—70* (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — <4(1,6 МГц) <300 7
60—180* (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — <4(1,6 МГц) <300 7
20—70* (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — <4(1,6 МГц; <500 7
60—180* (5 В; 1 мА) <5 (5 В) — <4(1,6 МГц) <500 7
>19(ЗВ; 0,5мА) <5 3,5 — —— ТО-24
40 (ЗВ; 1 мА) — ТО-44
50 (3 В; I мА) —ч — — — ТО-44
50 (3 В; I мА) — — — ТО-44
1,5 (12 В; 12 мА) 2 — — — ТО-44
6i<
Тип прибора Материал, структура, технология ^Kj?tax> Р*К,,ттаХ' Р** , мВт К,в max ^гр’ ^Л21э’ (*** . МГц max 1 Ь й i & 2 ьс а ъ Й § S 3 Е я X *-w Q £ у мн •ОЯ'Яf
2SA117 Ge, р-п-р, Д 50 ПО* 30 1 20 10
2SAU8 Ge, р-п-р, Д 50 100* 30 1 20 10
2SA260 Ge, р-п-р, Д 40 200 20 0,4 5 15
2N503 Ge, р-п-р, СД 25 (45 ®С) >168 20 0,5 50 1G0
ГТ322А Ge, р-п-р, СД 50 >80 25 0,25 10 <4 (25 В)
ГТ322Б Ge, р-п-р, СД 50 >80 25 0,25 10 <4 (25 В) <4 (25 В)
ГТ322В Ge, р-п-р, СД 50 >80 25 0,25 10
2SA338 Ge, р-п-р, Д 50 20 20 0,5 5 16
2SA321 Ge, р-п-р, Д 50 25 20 0.5 10 12
2SA322 Ge, р-п-р, Д 50 30 20 0,5 10 12
2SA339 Ge, р-п-р, Д 50 30 20 0,5 5 16
2SAJ19 Ge, р-п-р, Д 50 40 20 0,5 10 12
2SA221 Ge, р-п-р, Д 50 50 20 0,5 JO 12
2SA223 Ge, р-п-р, Д 50 64 20 0,5 10 12
2SA259 Ge, p-n-р, Д 55 30 20 0,5 10 10
2SA258 2SA257 Ge, р-п-р, Д Ge, р-п-р, Д Ge, p-n-р, Д Ge, р-п-р, Д 55 55 40 50 20 20 0,5 0,5 10 10 10 10
2SA256 55 60 20 0,5 10 10
2SA101 60 15 40 0,5 10 16
2SA102 Ge, р-п-р, Д 60 25 40 0,5 10 16
2SA103 Ge, р-п-р, Д 60 35 40 0,5 10 16
2SA104 Ge, p-n-р, Д Ge, р-п-р, СД 60 50 40 0,5 10 16
2SA340 63 70 20 0,5 10 13
2SA341 Ge, р-п-р, СД 63 70 20 0,5 10 13
2SA342 Ge, 'р-п-р, СД 63 100 20 0,5 10 13
2N990 2N991 2N993 AF271 Ge, р-п-р, СД Ge, р-п-р, СД Ge, р-п-р, СД Ge, р-п-р, СД 67 67 67 55 >44 >44 >44 30 20 20 20 20 1 1 1 0,5 10 10 10 10 8 8 8 <10 (20 В) $
AF272 Ge' р-п-р, СД 55 35 20 0.5 10 <10 (20 В)
AF275 Ge, р-п-р, СД 55 35 20 0,5 10 <10(20 В)
ОС 169 GF514 Ge, р-п-р, СД 50 (45 °C) 30 20 0,4 10 <13(6 В)
Ge, р-п-р, СД 60 75 32 0,5 10 <8 (6 В)
GF515 Ge, р-п-р, СД 60 45 32 0,5 10 <8 (6 В)
GF516 Ge, р-п-р, СД 60 45 32 0,5 10 <8 (6 В)
GF517 Ge, р-п-р, СД 60 50 20 0,5 10 <13(6 В)
GFY50 Ge, р-п-р, СД 50 >30 20 1 10 <16 (6 В)
2N987 AF426 Ge, р-п-р, СД Ge, р-п-р, СД 86 50 100 >40 40 20 1 1 10 10 8
AF427 AF428 Ge, р-п-р, СД Ge, р-п-р, СД 50 50 >40 >40 20 20 1 1 IO 10 —
AF429 Ge, р-п-р, СД 50 >30 20 1 10 —
А? 430 Ge, р-п-р, СД 50 >30 15 1 10
2SA72 Ge, р-п-р, СД 55 40* 18 0,5 5 <12(18 В)
62
\V р Т toto^to-d-j^^n-. >— — — СП Л. А- 4^ >й- Ст ч) ОЛ СС 4х 4^ С4> to СП С^г 4^ — >— “ &<Р'г,<Р'г,95эгР£:^£ о © О О О О О О О О ООСЛ слспслослооооо О О Р иг о- " .-.с^о^ЖЗ ^о^оос^^„а,ооооооооооо^о < ’ И.^^^от^гоетшго 88jpwa»ww„^^^wwwwwwwwwwwwww ggg и5?мЮ ' • оГо> о о 0^2 °>^2'2.'*hi'*(2 “ “ *“ “ “L1 11' 11 ~~ “ ’-“* “ ~ “ ’-' “ ’"* ’"* ьэ??^1? ’-* СО От ОТ СП СО 3* tn Z* _ S _ S i 3 2 ~772 - г s s Г 2 2 2 2 S 2 < а тйИ =- -- >— ОТ >111_L1111 >Ц>>>> >>,>:,>>>>“-»'•• >>м “а к г а а к as = « к >!? >>>>> > >£ >>> ю ш О* S* S
AAA -АААЛЛ АААААЛ Л АЛЛ _р-* ~ СО »й->Й-СЛ СЛ СП СП СП Ы СО СО to 4Ь 4^ >—1 * 4^ 4^ 4*- W ГО Ю Ю № № Ю № Ы СО № to — “ </Д >—‘ И СО ’а>'а>‘о>а>'о ] слслсл ьо’со го'слслслсл ел слсооо м*сл 05 ГВ m™ °-S .SPSS'S? ° 'слетел — jotwoj ^2?®.°? фЦ ‘бг\з
1111 J 1111111 11111111 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 III Illi ГКЭ нас- ®м
co S>fSa1§ I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 ь?§ Illi g3??s x ass гег&. 7~ g g ggg К , ДБ ш Г*^, 0м
I 1 I I I 1 1 1 5 8g5= 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 II 1 I 1 1 l 1 1 1 1 1 1 -III o <— <_. о - по. С , *** , к рас ныкд ,*#* t > нс п*
ННННН^ЯНЧНЧН ННННННН ННнчнННЯХЯЯНЧНЯННЛ 00 со 00 Н Н —3 н OOOOOOiiOOOOO ооооооооооооооод.о„ооод.о<о' “ ° оооо >КОД-^ — “00'ч-м-м'''1'ч — цэЛ-k.^ 4х оо оо оо op оо го is? to to оо оо Op to to to Ki to ю to >^»й-4^ > ф- Корпус
Продолжение'
а Е * S 1 or g < я 2 1
Тип Материал, . m 3 IQ «а
прибора структура, технология 5. • S МГц проб проб' Ю а н л *ч
ьп I к й. й. ^гр' - *#• f max УКБО ^кэо g ьГ1 В
2SA73 Ge, р-п-р, СД 55 35* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA92 Ge, р-п-р, СД 55 50* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA93 Ge, р-п-р, СД 55 45* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA58 Ge, р-п-р, СД 55 75* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA60 55 55* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA236 Ge, р-п-р, СД 55 35* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA237 Ge. п-п-о, СД 55 35* 18 0,5 5 <12(18 В)
2SA285 Ge, р-п-р, Д 50 >25* 18 0,5 5 <15(18 В)
2SA286 Ge, р-п-р, 50 >30* 18 0,5 5 <15(18 В)
2SA287 Ge, р-п-р, Д 50 60 18 0,5 5 <15(18 В)
П417 Ge, р-п-р, ДС 50 >200*** 8** 0,7 10 <3(10 В)
П417А Ge, р-п-р, ДС 50 >200*** 8** 0,7 10 <3 10 В)
П417Б Ge, р-п-р, ДС 50 >200*** 8** 0,7 ю <3(10 В)
2N1726 Ge, р-п-р, М 60 >100*** 20 1 50 10
2N1727 Ge, р-п-р, М 60 >100*** 20 0,5 50 10
2N1728 Ge, р-п-р, М 60 >100*** 20 0,5 50 10
2N1864 Ge, р-п-р, М. 60 >50*** 20 0,5 50 10
2N1746 Ge, р-п-р, М 60 >100*** 20 0,5 50 10
2N1747 Ge, р-п-р, М 60 >180*** 20 0,5 50 10
2N1752 Ge р-п-р МЛ 60 >50*** 12 0,5 50 10
2N1785 Ge р-п-р, М 45 >50*** 10 1 50 10
2N1786 Ge. п-п-п М 45 >50*** 10 0,5 50 10
2N1787 Ge. о-я*л М 45 >50*** 15 0,5 50 10
2N1865 Ge, р-п-р, М 60 >180*** 20 0,5 50 10
ГТ309А Ge р-п-р, СД 75 >120 10* (Юк) 1,5 10 <5(5 В)
ГТ309Б Ge, р-п-р, СД 75 >120 10* (Юк) 1,5 10 <5 (5 В)
ГТ309В Ge' р-п-р, СД 75 >80 10* (Юк) 1,5 10 <5(5 В)
ГТ309Г Ge, р-п-р, СД 75 >80 10* (Юк) 1,5 10 <5(5 В)
ГТ309Д Ge о-п-п, СД 75 >80 10* (Юк) 1,5 10 <5(5 В)
ГТ309Е Ge, р-п-р, СД 75 >80 10* (Юк) 1,5 10 <5(5 В)
AF178 Ge р-п-р, СД 75 180 25 0,5 10 50
2SA234 Ge р-п-р, М 80 120* 20 0,5 10 <15(20 В)
2SA235 Ge, р-п-р, М. 80 135* 20 0,5 10 <15 (20 В)
ОС170 Ge, р-п-р, СД 80 75 20 0,5 10 8
ОС] 71 Ge, р-п-р, СД 80 75 20 0,5 10 8
2SA272 Ge, р-п-р, Д 80 20 9 0,5 10 10
2SA269 Ge, р-п-р, Д 80 30 20 0,5 10 10
2SA271 Ge, р-п-р, Д 80 30 9 0,5 10 10
2SA268 Ge, р-п-р, Д 80 40 20 0,5 10 10
2SA267 Ge, р-п-р, Д 80 50 20 0,5 10 10
2SA27O Ge, р-п-р, Д 80 50 9 0,5 10 10
2SA266 Ge, р-п-р, Д 80 60 20 0,5 10 10
2SA4uO Ge, р-п-р, Д 80 70 20 0,5 10 10
AFZ11 Ge, р-п-р, СД 83 140 20 0,5 10 50
2SA343 Ge, р-п-р, СД 83 160* 20 0,4 б 12
s€4
5— J 36
3
-s] -Ч-ЧЧО QMffiWOlK) VV r-f, гчУ J**-— V о о о сл ело ело ел ел слепо о нэ о О1 о о О'a s w —wmaib-^Mcn enoiJ^ »й- 4». оо ел ел "» оо •ч Кэ о О I I О 1 [ Г 1 | 1 о ел СЛО О^ООООО I I | Т | I оооошоо ,—. m а» о> о> а> о а> о о.-^—. 1 1 1 *. 1 2, 1 1. А, Л, 1 1 1 ' ел съсле-*ГО“ — j-; >? "И Й а> о о о> а> о о о о> о о> мю — “ “ “ о о ело 4^4». ел —• гп по со tu tn tn по го срсркз ооооооооо слфо 4^4-о - - ^«га^УР^^^^^оз^елсл™ ГО ГО СО ГО ГО ГО ГО ГОГОГО ГО -оо аэКо гогогого<*<* го — >— — — >— ‘ — —1 а>о)-< ел ел ел . __ елелел слепо .уРй5 “ 3 £Я з “ 77№ Г -Г г S *x* *j> !]> *i> S н- >-* * * г г ? “ ? г “ ? К В£ 3 К К >5c£^£2£-C>>.-.«£ — “ — ел ел ел — —>— >>>>к « > м 5 to*3* и
/ЛАЛ /Л Л /ЛЛ Л Л Л ЛА Л Л/Л/Л/Л Л/Л Л АЛЛ “““AAo~“““ — ьэ to ю СР to СР Пэ СО W ел со С*> *4 ~-4 —I СР СР СР W W СР Ср ПЭ to ПЭ ЪО О ел Сл о, Л CTJ СР ПЭ СО СО ел СОПЭ ПЭ to о ПЭ ел "о о ел слслсяелслсл СЛСЛСЛСЛ от'сто; го ГОГО'^^ООСЛСЛСЛ й го ’елелёл ел Слёл И го ГО оёл го ГО ГО СОТО ГОГОГО,ГОГОГО —— под'*’' С , С* пФ к’ 123»
111111111111111 11 11 1 1 1 1 11 11 1 1 1 1 1 III 1 11 1 1 1 1 1II Г,.„ , Ом КЭ нас
/ЛА а> о 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 II 1 к« 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 III 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 *1 о Е S4
AVAAAA , /ЛАЛ , АЛ , Л ЛАЛ | | | 1 | 1 1 1 II 1 1 1 1 1 OOOOOQ 1 000 1 1 QO 1 1 О ООО | 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ’ ОООООО ООО ОО О ООО О О О О 1 ч_, яс, f* , л ПаО t** . выкл f , мс пк
Н НННЧННННЧ — dHHHHHHHHHH О О со 000000 0 000 0 0000°^““ wср ср ооорррорроо оооооооооо — 2-2-- — <Ьоооо оююооо НО »й- * ПЭ ,Й- 4^ Ир», .й- *Ьь Ир», .й- *й- S *й- Koprrj с
Продолжение
Тип прибора Материал, структура, технология Ктах К, т max р" > мВт К» и max ^гр’ ^*ftsi6’ ^Й21э, , МГц max ^КБОпроб' ^КЭЙпроб’ ^КЭО проб’ в ! U R ЭБО проб' , мА К max К, и max X О' 2 §
GF 126 Ge, р-п-р, СД 83 >40 25 0,5 10 <7,5 (6 В)
GF 128 Ge, р-п-р, СД 83 >100 25 0,5 10 <7,5(6 В)
GF 130 Ge, р-п-р, СД 83 >27,5 25 0,5 10 <7,5(6 В)
2SA69 Ge, р-п-р, СД 100 70 20 0,5 10 13
2SA70 Ge, р-п-р, СД 100 70 20 0,5 10 13
2SA71 Ge, р-п-р, СД 100 100 20 0,5 10 13
ГТ305А Ge, р-п-р, Д 75 >140 15 1.5 40(100*) —
ГТ305Б Ge, р-п-р, Д 75 >160 15 1,5 40 (100*) —
ГТ305В Ge, р-п-р, Д 75 >160 15 0,5 40(100*) <4 (15 В)
AFY13 Ge, р-п-р, Д 60 50 25 0.7 50 2,5(6 В)
AFY29 Ge, р-п-р, Д (45 °C) 60 35 25 0,7 50 3(6 В)
2N2199 Ge, р-п-р, Д (45 °C) 75 >120 15 0,5 100 5
2N2200 Ge, р-п-р, Д 75 >120 15 0,5 100 5
2SA246 Ge, р-п-р, М 100 155 30 0,5 30 30 (30 В)
2N2273 Ge, р-п-р, М 100 >200 25 1 100 <100
2N1499В Ge, р-п-р, СД 75 >150 30 2 100 3
2N501 Ge, р-п-р, МД 60 120 15 2 50 <100
2N1499A Ge, р-п-р, МД 60 ПО 20 0,5 100 25
2N499A Ge,р-п-р,МД 60 >120 30 0,5 59 5
2N1748 Ge, р-п-р, М 60 132 25 1 50 10
2N1745 Ge^ р-п-р, МД 60 200 20 0,5 50 10
2N979 Ge, р-п-р, МД 60 >100 20 2 100 <3
2N980 Ge, р-п-р, МД 60 100 20 2 100 <5
2N1500 Ge, р-п-р, МД 60 175 15 2 50 ^5
2N1754 Ge. р-п-р, МД 50 150 13 2 50 <5
П422 Ge, р-п-р, СД 100 >50 10* (1 к) ч- 20 <5 (5 В)
П423 Ge, р-п-р, СД 100 >100 10* (1к) 20 <5 (5 В)
2SA109 Ge, р-п-р, Д 80 30* 20 —- 10 20
2SA110 Ge, р-п-р, Д 80 30* 20 — 10 20
2SA111 Ge, р-п-р, Д 80 20* 20 — 10 20
2SA112 Ge, р-п-р, Д 80 20* 20 — 10 20
2SA354 Ge, р-п-р, Д 80 30 25 0,5 10 10
2SA355 Ge, р-п-р, Д 80 30 25 0,5 10 10
2N1524 Ge, р-п-р, Д 80 33 24 0,5 10 16
2N1526 Ge, р-п-р, Д 80 33 24 0,5 10 16
2SA353 Ge, р-п-р, Д 80 45* 20 0,5 10 <5(12 В)
2SA351 Ge, р-п-р, Д 80 45* 20 0,5 10 10
2SA352 Ge, р-я-р, Д 80 45* 20 0,5 10 10
2SAI08 Ge, р-п-р, Д 80 45 20 0,5 10 20
SFT316 Ge, р-п-р, Д 120 70 20 0,5 10 15
SFT354 Ge, р-я-р, Д 120 87 20 0,5 10 15
SFT357 Ge, р-п-р, Д 120 85 20 0,5 10 15
66
Продолжение
Ла19- А*21Э Ск’ с*пэ-пф «о ’ЭВРОЬ ^<5 В,в * t V **рЭс' /•’ , выкл е***, нс лк Корпус
— — А-3
— А-3
— — — г А-3 '
150(6 В; 1 мА) 4 —— ТО-7
15J (6 В; 1 мА) 3,5 —* ТО-7
159(6 В; 1 мА) 2,5 — —• ТО-7
25—80* (1 В; 10 мА) <7 (5 В) <50 — >300 <3000* 13
60—180* (1 В; 10 мА) <7(5 В) <50 <300 13
40—120(5 В; 5 мА) <5,5 (5 В) — <6 (1,6 МГц) <300 13
125\(6 В; 1 мА) — — 7 — ТО-18
83* (6 В; 1 мА) — — — — ТО-18
>20 (10 В; 3 мА) <2,8 ТО-9
>701(10 В; 3 мА) <2,8 — — ТО-9
70 (б" В; 5 мА) 2,5 — — ТО-44
>20* (10 В; 1 мА) 3,5 — « — ТО-18
>40* (0.3 В; 10 мА) <3 <15 — 12 * ТО-9
30* (1 В; 10 мА) 5 <20 -— — ТО-1
50* (0,5 В; 40 мА) 1,5 <25 — - ТО-9
20—80(9 В; 1 мА) <2,5 — — <250 ТО-1
70 (6 В: 1 мА) 1,3 — — ТО-9
60* (6 В; 1 мА) 1.5 — — — ТО-9
>30* (0,3 В; 10 мА) <20 м — ТО-18
>30* (0,3 В; 10 мА) <3 <20 — — ТО-18
>20* (0,5 В; 10 мА) <3 <20 ——, — ТО-9
>20* (0,5 В; 10 мА) <3 <20 — — ТО-9
24—100 (5 В; 1 мА) <10 (5 В) — <10(1.6 МГц) <1000 10
24—100(5 В; 1 мА) <10 (5 В) — <10(1,6 МГц) <500 10
,60(9 В; 1 мА) 1,7 — — 1— ТО-44
631(9 В; 1 мА) 1,7 — — — ТО-44
40 (9 В; 1 мА) 1,7 — — ТО-44
45 (9 В; I мА) 1,7 — — ГО-44
70 (9 В; 1 мА) 2,5 — — ТО-1
90(9 В; 1 мА) 2,5 — — — ТО-1
>17 (6 В; 1 мА) 3,6 — . - —. ТО-1
>27 (5,7 В; 1 мА) ' — ь—. — ТО-1
50-200 (9 В; 1 мА) 3,2 -—. —- — ТО-1
70 (9 В; 1 мА) 3,2 —>» ТО-1
75 (9 В; 1 мА) 3,2 —1 .— — ТО-1
70 (9 В; 1 мА) 1,7 — ГО-44
120 (6 В; 1 мА) 1,8 — — ТО-44
120 (6 В; 1 мА) 1,8 — — ТО-44
120 (6 В; I мА) 1,8 — — ТО-44
5*
67
I 1
1 п » О) к I §
Тцп прибора Мате риал, структура, технология р* К,* , мБт * -е чО Ь CQ CQ 4 st OS .6
* Q н £ I 1 Q. G
Е = g.£ g i в
ч J? Vе If* (b to *44, к *44.
SFT163 Ge, р-п-р, Д 120 >120 15 0,5 10 15
SFT358 Ge, р-п-р, Д 120 ПО 20 0,5 10 15
П416 Ge, р-п-р, Д 100 >40 12* (1к) 3 25(120*) <3(10 В)
П416А Ge, р-п-р, Д (360’*) 100 >60 12* (1к) 3 25(120*) <3(10 В)
П416Б Ge, р-п-р, Д (360**) 100 >80 12* (1к) 3 25 (120*) <3(10 В)
(360**) 8
2N602 Ge, р-п-р, Д 120 20 20 1 10
2N633 Ge, р-п-р, Д 120 40 30 1 10 8
2N604! Ge, р-п-р, Д 120 60 30 2 10 8
2SA279] Ge, р-п-р, СД 120 80 30 0,5 30 6
SFT319 Ge, р-п-р, СД 150 20 20 0,5 10 15
SFT320 Ge, р-п-р, СД 150 35 20 0,5 10 15
П401 Ge, р*п-р, СД 100 >30 10* (Ik) 1 20 <10^5 В)
П432 Ge, р-п-р, СД 100 >50 10* (Ik) 10* (Ik) 1 20 <;5 (и В)
П4')3 Ge, р-п-р, СД 100 >100 1 20 <5 (5 В)
П403А Ge, р-п-р, СД 100 >80 10* (Ik) 1 20
Т358Н Ge, р-п-р, Д 120 >85 32 1 10 <15(15 В)
EFT317 Ge, р-п-р, СД 150 40 20 0,5 10 <20(15 В)
EFT319 Ge, р-п-р, СД 150 35 20 0,5 10 <20 (15-В)
EFT320 Ge, р-п-р, СД 150 35 20 0,5 10 <20 (15 В)
Т316Н Ge, р-п-р, Д 120 >50 32 1 10 <15(5 В)
Т354Н Ge, р-п-р, Д 120 >60 32 1 10 <15(5 В)
Т317 Ge, р-п-р, Д 150 >25 20 0,5 10 << 15 (5 В)
Т319 Ge, р-п-р, ']£ 150 >15 20 0,5 10 <15(5 В)
Т320 Gt, р-п-р, Д 150 >20 20 0,5 10 <15(5 В)
Т357Н Ge, р-п-р, Д 120 >70 20 0,5 10 <15 (5 В)
2N2089 Ge, р-п-р, СД 100 >44 20 1 11 <8 (15 В)
ГТ308А Ge, р-п-р, СД 150 (360**) >90 20 3 50 (120*) 50(120*) <2 (5 В) <2(5 В)
ГТ308Б Ge, р-п-р, СД 150 >120 20 3
ГТ308В Ge, р-п-р, СД (360**) 150 >120 20 3 50 (120*) <2 (5 В)
(360**) 4,2
2N1854 Ge, р-п-р, Д 150 >40 18 2 100
214794 Ge, р-п-р, М 150 >25 13 1 100 <3(6 В)
2N79S Ge, р-п-р, 14 150 >35 13 4 100 <3 (6 В)
2N796 Ge, р-п-р, М 150 >50 13 4 ICO <3(6 В)
2N13G0 Ge, р-п-р, М 150 >25 13 1 100 <3 (6 В)
2NI391 Ge, р-п-р, М 150 >35 13 4 ICO <3(6 В)
2N1683 Ge, р-п-р, М. 150 >50 13 4 100 <3 (6 В)
2N2048 Ge, р-п-р, СД 150 >150 20 2 1Q0 5
2N2048A Ge, р-п-р, СД 150 >150 30 2,5 100 3
2N2400 Ge, р-п-р, С Д 150 150 12 I 100 3
2SA412 Ge, р-п-р, М 150 >25 13 1 100 <3(6 В)
68
Продолжение
АИэ' Л*21Э ск’ с\аэ‘ пф *ш’дБ V- '’рас. ^ВЫКЛ * t **, НС ПК Kopiye
>70(12 В; 5 мА) <3 — ТО-44
120 (6 В; 1 мА) 1,8 — — ТО-44
20—80 (Б В; 5 мА) <8 (5 В) <40 — <500 <1000* 10
60—120 (5 В; 5 мА) <8 (5 В) <40 — <500 <1000* 10
90—250 (5 В; 5 мА) <8 (5 В) <40 — <500 <1000* 10
>20(1 В; 0,5 мА) 4 ' 1 — — ТО-5
>30(1 В; 0,5 мА) 3 — — ТО-5
>40(1 В; 0,5 мА) 3 —- ТО-Б
100(2 В; 10 мА) 3,5 — — ТО-7
50 (У В; 1 мА) 2,5 — ТО-1
80 (9 В; 1 мА) 2,5 — ТО-1
16—300(5 В; 5 мА) <15 (5 В) — <3500 10
16—250 (5 В; 5 мА) <10 (5 В) —1 — <1000 10
30—100 (5 В; 5 мА) <10 (5, В) — -—1 <500 10
16—200(5 В; 5 мА) <10 (5 В) — — <500 10
60—350 (6 В; 1 мА) <30 (6 В) — ТО-1
35—220 (9 В; 1 мА) 2,5(9 В) — — — ТО-1
20—500 (9 В; 1 мА) 2,5(9 В) ч м — — ТО-1
35—220 (9 В; 1 мА) 2,5 (9 В) — ТО-1
40—350 (6 В; 1 мА) <5(6 В) — —- —. ТО-1
40—350 (6 В; 1 мА) <5(6 В) • —— ТО-1
35—203 (6 В; 1 мА) <5 (6 В) -—- ТО-1
20—350 (6 В; I мА) <5 (6 В) ТО-1
35—200(6 В; 1 мА) <5 (6 В) —ь ТО-1
60—350 (6 В; I мА) <5 (6 В) — —- — ТО-1
Т?40 (6 В; 1 мА) <4 (6 В) — — — ТО-Т
20—75* (1 В; 10 мА) <8 (5 В) <30 — <400 <1000* 10
50—120* (1 В; 10 мА) <8 (5 В) <24 — <400 <1000* 10
80—200* (1 В; 10 мА) <8(5 В) <24 <8(1,6МГц) <500 <1000* 10
>40* (0,5 В; 2 мА) <12 —. — ТО-5
>30* (0.3 В; 10 мА) <12(6 В) I 1 140* ТО-18
>30* (0,3 В; 10 мА) <12(6 В) — * 1 120* ТО-18
>50* (0,3 В; 10 мА) <12(6 В) —* > 80* ТО-18
>30* (0,3 В; 10 мА) <12(6 В) — 140* ТО-5
>30* (0,3 В; 10 мА) <12(6 В) — —— 120* ТО-5
>50* (0,3 В; 10 мА) <12(6 В) — — <440* ТО-5
>50* (0,5 В; 10 мА) <3 <4 -— ТО-9
>40* (0,5 В; 50 мА) <3 <4 1 120 ТО-9
>30* (0,5 В; 10 мА) ^4 <22 — ТО-18
>30* (з В; ю мА) <12 — — 60* ТО-1
69
Тип ЙрИбора Материал, структура, технология р , Р* К.max К, т max' РК,итах‘ мВт ^гр' ^*Лв1б' Й21э, Г*** . МГц max ^КБОпроб’ проб’ ^КЭОпроб’ В к* В ЭБО проб , мА. К max К, и max и S (X о
ГТ321А Ge, р-п-р, К 160 >60 40** 4 200(2А*) <500 (60 В)
ГТ321Б (20** Вт)
Ge, р-п-р, К 169 >60 40** 4 200(2А*) <500(63 В)
ГТ321В (20** Вт)
Ge, р-п-р, К 160 (20** Вт) 160 >6'9 40* * 4 200(2А*) <590 (69 В)
ГТ321Г
Ge, р-п-р, К >63 30** 2,5 200 (2А*) <530 (45 В)
ГТ321Д (20** Вт)
Ge, р-п-р, К 160 >63 30* * 2,5 j2J0(2A*) <500 (45 В)
ГТ321Е Ge, р-п-р, К (20** Вт) 160 >60 30** 2,5 200(2А*) <500 (45 В)
SN1204 (20** Вт)
Ge, р-п-р, М 200 >110 23 4 500 7
SN12U4A Ge, р-п-р, М 200 >110 20 4 500 7
2N1494 Ge, р-п-р, СД 400 >110 23 4 500 7
2N1494A Ge, р-п-р, СД 400 >110 20 4 503 7
2SA78 Ge, р-п-р, СД 125 >25* 40 2 400 <8 (2 В)
2N1384 Ge, р-п-р, СД 240 35* 30 1 500 50
ГТ323А Ge, р-п-р, Д 200 >80 20 3 150(300*) <10 (20 В)
ГТ32иБ Ge, р-п-р, Д 200 >120 20 3 153(303*) <10 (20 В)
ГТ32ЭВ Ge, р-п-р, Д 200 >160 20 3 159(300*) <10(20 В)
2N7II Ge, р-п-р, М 153 >150 12 1 50 <100 (12 В)
2N7IIA Ge, р-п-р, М 150 >110 15 Д5 100 <103 (14 В)
2N71IB Ge, р-п-р, М 153 >120 18 2 100 <20 (15 В)
2N705 Ge, р-п-р, М 150 300 15 3,5 59 <3 (5 В)
2N71U Ge, р-п-р, М 150 300 15 2 50 <3(5 В)
2N3883 Ge, р-п-р, Д 300 >100 25 3 250 <100 (25 В)
2N2635 Ge, р-п-р, М 159 >150 30 2,5 100 <5 (20 В)
ГТ313А Ge, р-п-р, СД 100 >300 15 0,7 30 <5 (12В)
ГТ313Б Ge, р-п-р, СД 100 >450 15 0,7 30 <5 (12 В)
ГТ313В Ge, р-п-р, СД 100 >350 15 0,7 39 <5 (12 В)
2N502A Ge, р-п-р, СД 75 >159 30 0,5 59 <5 (10 В)
2N502B Ge, р-п-р, СД 75 >150 30 0,5 50 <5 (10 В)
2N1742 Ge, р-п-р, СД 60 >159 20 0,5 59 <10 (10В)
2N1743 Ge, р-п-р, СД 63 >150 20 0,5 50 <10 (10 В)
AFYII Ge, р-п-р, М 185(569*) >200 30 1 70 <18 (18В)
GF5J1 Ge, р-п-р, М 300 >300 24 0,5 100 <18(15 В)
GF502 Ge, р-п-р, М 310 >300 24 0,5 юз <18 (15 В)
GF593 Ge, р-п-р, М 300 >300 24 0,5 100 <18(15 В)
GF504 Ge, р-п-р, М 30) >300 28 0,5 100 <18 (15 В)
2N700 Ge, р-п-'р, М 75 >530 25 °,2 1 50 <2 (6 В)
2N74I Ge, р-п-р, М 153 >363 15 100 3
70
Продолжения
Л31Э’ Л*21Э СК-С’12Э'ПФ Г™ . Ом ЦЭнас кш. ДБ г*б> Ом Vnc’f>pae <** , ВЫ К Л riC ПК Корпус
20-60* (ЗВ; 0,5 А) <80(10 В) <3,5 — <600 <1000* 1(>
40—120* (ЗВ; 0,5А) <80(10 В) <3,5 — <600 <1000* 10
80—200* (ЗВ; 0,5 А) <80(10 В) <3,5 — <600 <1000* ю
20-60“ (ЗВ;0,5 А) <80(10 В) <3,5 — <600 <1000* 10.
40-120* (ЗВ; 0,5А) <80(Ю В) <3,5 — <600 <1000* 10
80—200* (ЗВ; 0,5 А) <80(10 В) <3,5 — <600 <1000* 10
>15* (1,5В; 0,4 А) 8 <2,5 — ТО-39
>25* (0,5 В; 0,2 А) 8 <2 — 1 ТО-39
>15* (1,5 В; 0,4 А) 8 <2 то-з1
>25* (0,5В; 0,2 А) 8 <2 — ТО-31
30—150” 11 В; 0,4 А) — 6 — 85* ТО-44
50* (0,5 В; 0,2 А) — — — <250* ТО-11
20—80“ (1 В; 10 мА) <8(5 В) <8,5 — <500 <400* 10
50—160* (1 В; ЮмА) <8(5 В) <8,5 — <500 <500* 10»
80—250* (1 В; ЮмА) <8(5 В) <8,5 — <600 <600* 10
>20* (0,5В; ЮмА) 25—150* (0,5В; ЮмА) <6(5 В) <50 <120* ТО-18
<6(5 В) <11 — <Ю0* ТО-18
30—150*(0,5 В; ЮмА) <5(10 В) <9 — <200* ТО-18
>25” (0,3 В; ЮмА) <5(10 В) <30 <100* ТО-18
>25* (0,5 В; ЮмА) <5(10 В) <60 — <100* ТО-18
>30* (1 В; 0,2 А) <8(10 В) <2,5 ’ <70* ТО-5
>30* (0,5В; ЮмА) <5(5 В) <8 — <185* ТО-18
20—250 (5 В; 5 мА) <2,5(5 В) <4,6 — <75 11
20—250 (5 В; 5 мА) <2,5(5 В) <4,6 м <40 11
30—170 (5 В; 5 мА) <2,5(5 В) <4,6 <75 11
>15* (10 В; 2 мА) <1,6( 10ГВ) — <7(2С0 МГц) <50 ТО-9
20—80* (10 В; 2 мА) <1,6(10 В) <7(2С0 МГц) <50 ТО-9
>10* (10 В; 2 мА) 1,5 — <5,5(200 МГц) — ТО-9-
>10* (Ю В; 2 мА) 1,5 — <12(200 МГц) —“ ТО-9
>25 (6 В; 2 мА) <2,8(10В) — 6(200 МГц) <40 ТО-5
>10’ (9 В; ЮмА) 2,1(9 В) — • <56 ТО-18
>10* (9 В;’10 мА) <3,5(9 В) — — <70 ТО-18
>10* (9 В; ЮмА) <3,5(9 В) — —1 <50 ТО-18
>10* (9 В; 10 мА) <3,5(У В; — <70 ТО-18
>4 (6 В; 2 мА) <1,5^6 В) <10(70 МГц) ТО-72
>10 (6 В; 5 мА) — 7(30 МГц) ТО-18
76
Тип прибора Материал, структура, технология р , р* К. max К. тпшх Р” . мВт К, и так ^гр' /*** , МГц тах н и* КЬО проб' K9R проб' //*"* В КЭОироб' а а с О И К max К, и тах < § си <п 2
2N741A Ge, р-п-р, М 150 >300 20 1 100 3
2SA440 Ge, р-п-р, М 60 350 20 0,4 5 <20(20 В)
2SA229 Ge, р-п-р, М 75 400 20 0,2 5 <10(12 В)
2SA230 Ge, р-п-р, М 75 400 20 0,2 5 <10(12 В)
Г1328А Ge, р-п-р, ПЭ 50(55 °C) >400 15“(5k) 0,25 10 <10(15 В)
ГТ328Б Ge, р-п-р, ПЭ 50(55 °C) >300 15*(5к) 0,25 10 <10(15 В)
ГТ328В Ge, р-п-р, ПЭ 50(55 °C) >300 15*(5к) 0,25 10 <10(15 В;
2N3I27 Ge, р-п-р, М 100 >400 25 0,75 50 <3(10 В)
2N3279 Ge, р-п-р, М. 100 >400 30 1 50 <5(10 В)
2N3280 Ge, р п-р, М 100 >400 30 1 50 <5(10 В)
2N3281 Ge, р-п-р, М 100 >300 30 0,5 53 <5(10 В)
2N3282 Ge, р-п-р, М. 100 >300 30 0,5 50 <5(10 В)
AF106 Ge, р-п-р, М. 60 220 25 0,3 10 <10(12 В)
AF106A Ge, р-п-р, М 60 220 25 0,3 10 <10(12 В)
AF109R Ge, р-п-р, М 60 >140 20 0,3 10 <8(20 В) X
AFY12 Ge, р-п-р, М 60(45 °C) 230 25 0,5 10 <3(12 В)
AF20' Gt, р-п-р, М 80(55 °C) >100 25 0,3 10 <10(12 В)
AF201 Ge, р-п-р, М 80(55 ’С) >100 25 0.3 10 <10(12 В)
AF202 Ge, р-п-р, М 80(55 °C) >100 25 0,3 30 <10(12 В)
AF253 Ge,р-п-р, П 90(45 °C) 550 20 0,3 10 <5(12 В)
AF256 Ge,р-п-р, П 90(45 °C) >170 25 0,3 10 0,5(12 В)
GF505 Ge, р-п-р, М 60(45 °C) >170 24 0,3 10 <10(12 В)
GF506 Ge, р-п-р, М 60(45 °C) >170 24 0,3 10 <10(12 В)
2N3283 Ge, р-п-р, М 100 >250 25 0,5 50 <10tl0 В)
2N3284 Ge, р-п-р, М 100 >250 25 0,5 50 <10(10 В;
2N3286 Ge, р-п-р, М 100 >250 25 0.5 50 <10(10 В)
ГТ346А Ge, р-п-р, ПЭ 50(55 °C) >700 20 0,3 10 <10(20 В)
ГТ346Б Ge, р-п-р, ПЭ 50(55 °C) >550 20 о,з 10 <10(20 В)
ГТ346В Ge, р-п-р, ПЭ 53(55° С) >550 20 0,3 10 <10(20 В)
AF139 Ge, р-п-р, М 60(45° С) 550 20 0,3 10 <8(20 В)
AF239 Ge, р-п-р, М 60(45° С) >600 20 0,3 15 <8(20 В;
AF239S Ge, р-п-р, М. 60(45° С) 780 20 0,3 15 <8* (20 В)
72
j V V V V W V \v V V V V 'Ч
М-4 — ' ь^4 Р , ——4 >— to ho >— to to co cc ел М-4 —I^B* $2 — Л. to и— м Оо И—
1 о сл о * # СП о О 1 1 1 О О о О ся оо О 1 1 1 5 о о о Si # £ » %. # 5 2? Г Г Г О 1 F I о о о о
к — 4 ———£ — 4 Ю Ю ьэ м м — — — —> — Ю CD to CD ОТ Н-* •ч to to
о to to от от от и« СП Си 8 В S W СП £ » * * -• -- от от С- О О г- -X М м м W 03 05 03 *- •’ CD W o “* 4 о о о о « ООО * о о —, * * ОТ ОТ ОТ от ъ» I ф
4^4 ым S ч -X ^^4 - - * _ to to 4_ j X ч
’ г [e‘i cg'I ООО от от от t— М^ — Ь? о о о S СО СО от ,> £, > сю со со £ г а ? 2 > > > > > <ОТ С- 5 а о > > от ОТ О о от ОТ от C7I сл S? от ОТ s a s 5 > > > > ** кэ W
л а to to to “ 03 GO
ч—X- s к Й > > > ОЭ оз оо > > > w 2 Q0 К S £ > > со > s а а > >
Г ч . ' -у
А Л /Л /Л /л /л /л л /л /Л /Л Л /Л /Л /Л /Л /Л /Л /Л 3?
М-4 4-4 4— 1-4 о о М* М-4 M4i М^ te——ь ——1 VM М-4 ——1 М—1 4-4
—*. 4 W W к* V* м 4 и n
оз со со СП СЛ СЛ 00 00 f ( 1 1 1 1 1 1 1 ю to to •— to сл Сл сл сл СП ч
1 1 w _Х Ч X Ч 1 1 I 1 1 4>“ “Ч —о X " Ч X ч, 4 *—- -—4 OJ
Ь. £ СД СЛ СП tart М-4 М-4 М-4 сл сл сл 03 О> 03 №
О О о ОТ f~ОТ
СО СО ОТ ОТ ОТ От от от от а
СП ОТ ОТ ОТ ОТ ОТ ОТ ОТ ОТ от Ч^аХ ''—а*' Чи«х е
% X ''«•х '44' Ч.
i 1 1 1)111 1 1 /Л АЛЛ 1 1 1 f f ( t
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 8 о 8 8 О 1 1 1 Illi КЭнас*
/Л /Л /Л /Л /Л /Л л /л /л /л /Л/Л сл /Л /Л /Л /Л А /Л /Л /Л /Л
СЛ О ОС О 00 о СИ СД ч S WU* -ч сл Сл со со Сл “ОТ| “к''^
оо оо м to Со 00 to to to сл Сл 5о 00 СП сл "to to Сл сл to X—V —ОТ 4*—ч Co
о о О О °0 ООО ООО g g g Ю * 1 1 I S'£ to to й о о о 0о 00 00 О о о Illg cj Е
£ > £ Кк Р Q Q сп >•>.>. О о п “ ~ £ 2 К .П К —; ж8 5 ж О ? МГц) 30 мг )0МГ 1 от XS 8 8 & Эе г? £ £ £ 5 о 5 МГц) дБ Ом
Ч-_~* Ч—_-** '— '—' '—' J3 ~ 3- J3 я
Ч*'
1 /л /л /Л /Л /Л /Л /Л / /Л /Л /Л //\ /Л /Л /А /А /Л /Л п и И * 01 Я t К • ОТ
1 СЛ 00 05 СП W to to to — — 1 1 О 03 03 сл 1 j CD — М-4 )—- М-4 М-4 M4t Щ I^M М^ 1 - Р* Т2 д
СП сл сл сл сл сл 1 1 ь 1 1 СП Сп О о to о О g g ° 1 „а *3 О О О ’
ОО ОО оо Н -! Н Н Н > > н - 3 "-Э сЗ Ч Н XJ -Эд м»4 м^4 Оо Оо 00 -1 H Я -i £
р о о to to to р fa W to to to to “ р р р р р to to to to to о о i ч -ч 03 Ю Кэ <ь СП Р 9 to to о к ы V ро p p Л p M M 01 и i п
Продолжение
Тип «ри^лра Материал, структура, технология ^*К, т тах< Р** . мВт К, и max ^гр' ^*йа1б' ^21 s' f-• , МГц max и if КБО проб, K.3R проб и** в ^КЭО проб' УЭЬО пр б’ В , мА К max К, н mew Й к <п * “V. О §
AF240 Ge, р-п-р, М 61 (45°С) 500 20* 0,3 10 <8* (20 В)
AF251 Ge, р-п-р, П 93 (45°С) 750 20 0,3 10 <5(12 В)
AF252 Ge, р-п-р, П 93 (45°С) 650 20 0,3 10 <5(12 В)
2SA422 Ge, р-п-р, М 59 >500 20 0,4 5 <30(20 В)
GF507 Ge, p-n-pt М 60 (45°С) >250 20 0,3 10 <8(20 В/
GF145 Ge, р-п-р, М 60 650 20 0,3 10 <8(20 В)
'GF147 Ge, р-п-р, М 60 650 20 0,3 10 <8(20 В)
2N3399 Ge, р-п-р, М 80 >400 2J 0,5 10 8
'ГТ376А Ge, р-п-р, ПЭ 35 (85°С) >1020 у** 0,25 10 <5(7 В)
2N2415 Ge, р-п-р, ПЭ 75 >500 10** 0,3 20 <5(10 В)
2N2416 Ge, р-п-р, ПЭ 75 >400 10* * о,3 29 <5(19 В)
2N3267 Ge, р-п-р, ПЭ 75 >900 15 0,2 29 5
2N7004 Ge, р-п-р, М 75 >1000 25 0,2 50 <2(6 В)
2N236J Ge, р-п-р, МД 63 1600 20 0,5 — <10
2N2361 Ge, р-п-р, МД 60 1600 20 0,5 <10
ГТ311Е Ge, п-р-п, П 150 >250 12 2 50 <5(12 В}
ГТ311Ж Ge, п-р-п, П 150 >300 12 2 50 <5(12 В)
ГТ311И Ge, п-р-п, П 150 >459 10 1,5 5J <5(10 В)
2N797 Ge, п-р-п, М 150 >600 20 4 150 <1(10 В)
2N2482 Ge, п-р-п, М 150 >690 20 3 100 <5
2N955 Ge, п-р-п, М 150 >500 12 2 10- <5
2N955A Ge, п-р-п, М 159 >590 12 2 150 <5
2N1585 Ge, п-р-п, М 300 400 25 2 109 <100(25 В)
ГГЗЗиД' Ge, п-р-п, П 59 (45°С) >590 10 1,5 2) <5(10 В)
ГТ339Ж1 Ge, п-р-п, П 50 (45°С) >1000 10 1,5 20 <5(10 В)
Г1330И1 Ge, п-р-п, П 50 (45^С) >5 0 10 1,5 23 <5(10 В)
AF279 Ge, р-п-р, М 60 780 2 Л 0,3 10 <15(20 В)
.AH26J Ge. р-п-р, М 60 530 2d* 0,3 10 <15(20 В)
ГТ329А1 Ge, п-р-п, П 50 (40°С) >1200 10 0,5 20 <5(10 В)
ТТ329Б1 Ge, п-р-п, П 50 (40’С) 50 (40°С) >1680 10 0,5 20 <5(10 В)
ГТ329В1 Ge, п-р-п, П >990 10 1 20 <5(10 В}
Для создания аппаратуры рекомендуются анапопяные зарубежные транзисторы другого
74
Продолжение
А!1У Л*21Э с, с*-,» Ь J2J, пФ ‘и со X £ г-б, Ом т , t* , ь.* рас* выел' / - НС ПК Корпус
>10*(ю В: 2 мА) — — 6,5(800 МГц) — ТО-72
30(12 В; 2 мА) 0,38* — 4,8 ММ-12
^10(12 В; 2 мА) 0,38* — 5,2 — ММ-12
25( 12 В, 2 мА) <1,2 — — 2,2 ТО-17
>11*( 12 В; 1,5 мА) 0,4(12 В) — <9(800 МГц) <5 10-72
V—— — <9(800 МГц) 15 А-4
>10*( 10 Б, 2 мА) 1,2(10 В) — <6(800 МГц) 15 А-4’
>10*(12 В, 1,5 мА) <2 — — — ТО-72
10—150*(5 В; 2 мА) <1,2(5 В) — <3,5(180 МГц) <15 8а
10—200*(6 В; 2 мА) <2(6 В) — <3(200 МГц) <8 ТО-72
8—200*(6 В, 2 мА) <2(6 В) — <4(200 МГц) <10 ТО-72
15(6 В, 3 мА) <1,7 — — — ТО-72
4—50(6 В, 2 мА) 33*( 10 в, 2 мА) <1,4(6 В) <10(70 МГц/ <5,5(200 МГц) ТО-17
33*(10 В, 2 мА) — < 12(200 МГц) — ТО-12
20—80* (3 В; 15 мА) 50—200*(3 В, 15 мА) <2,5(5 В) <20 <75; <50* 11
<2,5(5 В) <20 — <100; <50* 11
100—ЗОО*(ЗВ, 15 мА) <2,5(5 В) <20 — <100; <50* 11
40—75*(0,25 В; 10 мА) <4(5 В) <14 — <80** ТО-18
^15*(6 В; 2 мА) <4,5 — — — ТО-18
Ss30*(0,5 В; 30 мА) <8 — —- ТО-18
^30*(0,5 В; 30 мА) <6 —— ТО-18
20(10 В, 10 мА) 1,8 — —" — ТО-51
30—400*(5 В, 5 мА) <3(5 В) <15 <8(400 МГц) <30; <50* 12
30—400* (5 В, 5 мА) <3(5 В) <15 — <59; <50* 12
10—400*(5 В, 5 мА) <3(5 В) <15 <8(400 МГц) <30; <50* 12
45*(5 В, 5 мА) 0,42(10 В) <5(800 МГц) ТО-5О
>-!(>*( 10 В; 2 мА) 0,42(10 В) — 7(800 МГц) '— ТО-50
15—300*(5 В; 5 мА) <2(5 В) — <4(400 МГц) <15 12
15—300* (5 В; 5 мА) <3(5 В) — <6(400 МГц) <30 12
15—300* (5 В; 5 мА) <3(5 В) — <6(400 МГц) <20 12
типа проводимости.
6*
75
Тиа прибора Материал, структура, технология p Д* К max* К, т max" p** , мВт К, и max % * s * < сч b 1 иКБО проб’ aK3R проб, гД’ , В °КЭО проб _ ,9aiuoge ' а 11 . мА К max К. и max < и S к Й1 bi о и bi "4
2N5043 Ge, р-п-р, ПЭ 30 (100’С) >-1500 15 0,7 30 <6(10 В)
2N5044 Ge, р-п-р, ПЭ 30 (lOO’C) >1000 15 0.7 30 <6(10 В)
ГТ341А1 Ge, п-р-п, П 35 (60° C) >1500 10 0,3 10 <5(10 В)
ГТ341Б1 Ge, п-р-п, П 35 (6(>°C) >1980 10 0,3 10 <5(10 В)
ГТ341В1 Ge, п-р-п, 11 35 (60° C) >1500 10 0,5 10 <5(10 В)
Т1Х3024 Ge, р-п-р, М 75 >1500 15 0,3 50 <6(10 в)
TIXM101 Ge, р-п-р, Пэ 75 >15G0 15 0,3 50 <6(10 В)
Т1ХМ104 Ge, р-п-р, ПЭ 40 >1400 15 0,3 20 —
2N2999 Ge, р-п-р, М 75 >1400 15 0,2 20 <100(15 В)
1Т362А1 Ge, п-р-п, П 40 >2400 5 0,2 10 <5(5 В)
ГТ362Б1 Ge, п-р-п, П 4'J >2400 5 0,2 10 <5(5 В;
Т1ХМ103 Ge, р-п-р, ПЭ 40 >1800 15 0,3 20 —
П397 Si, rt-p-п, П 259 >20 80* 3 39(120*) <23(80 В)
П307А Si, п-р-п, П 250 >20 80* 3 30(120") <20(80 В)
П307Б Si, п-р-п, П 25J >20 80* 3 15С120*) <20(80 В1
П307В Si, п-р-п, П 250 >20 60* 3 30(120*) <20(60 В)
П307Г Si, п-р-п, П 250 >20 80* 3 15(120*} <20(80 В)
П308 Si, п-р-п, П 250 >20 120* 3 300120*) <20420 В)
П309 Si, п-р-п, п 250 >20 120* 3 30(120*) <201120 В)
2N754 Si, п-р-п, П 300 >30 60 3 50 <1(60 В)
2N755 Si, п-р-п, П 300 >30 100 3 50 <1(100 В)
2SC727 Si, п-р-п. Д 350 20 100 3 100 <1(30 В)
BFY80 Sj, п-р-п, Д 260 M5°C) >50 100 7 50(200*) <0,1(75 В) »
С285 Si, п-р-п Д 360 80 120 5 100 0,1
SX21 Si, п-р-п, ПЭ 300 >60 120 5 100(250*) <0,2(90 В)
2N1566 Sj, п-р-п, Д 600 >6 и 80 5 50 <1
2N560 Si, п-р-п, Д 500 50 60 8 100 0,1
2N734 Si, п-р-п, П 500 >30 80 5 50 1
2N735 Si, п-р-п, П 500 >30 80 5 50 «—
2N738 Si, п-р-п, П 500 >30 125 5 50 —
2N739 Si, п-р-п П 500 >60 125 5 50 —
2Т3531 Si, п-р-п, П 250 >ioo 115** 5 30 <0,1
2Т3532 Si, п-р-п, П 250 >100 90** 5 30 <0,1
2N1572 Si, п-р-п, Д 600 >12 125 5 50 <1
2N1573 Si, п-р-п, Д 6ь0 >30 125 5 50
2N1574 Si, ti-'p-n, Д 600 >30 125 5 50 <1
КТ301Г Sj, п-р-п, П 150 [603C) >30 30 3 10 <10(20 В;
* Для создания аппаратуры рекомендуются аналогичные зарубежные транзисторы другого
76
Продолжение
л21э- Л*21Э Ск’ С'12Э> пф <5 у я Кщ, дБ Г*(У Г. , ПС, * рас, *ВЫК п> ^1Ж • IX Корпус
15— 15O*(5JB; 3 мА) <1 (5 В) — <2,5(400 МГц) — ТО-72
15—15О*(5 В; 3 мА) <1(5 В) — <3,5(400 МГц) — ТО-72
15—300* (5 В; 5 мА) <1(5 В) — <4,5(1 ГГц) <10 12
15—300*(5 В; 5 мА) <1(5 В) — <5,5(1 ГГц) <10 12
15—300* (5 В; 5 мА) <1(5 В) — <5,5(1 ГГц) <10 12
25—250* (5 В; 3 мА) <3(5 В) <5(1 ГГц) <3 U-26
70(5 В; 2 мА) <3 — <2,6(200 МГц) ТО-72
<1 5,5(1,5 ГГц) Х-60
100* (6 В; 3 мА) 1.7 — <7(1 ГГц) — ТО-72
10—200~(3 В; 5 мА) <1(5 В) —и <4,5(2,25 ГГц) <10 12
10—250* (3 В; 5 мА) <1(5 В) <5,5(2,25 ГГц) <20 12
— <1 — <7(3 ГГц) — Х-60
16—50*(20 В; 10 мА) — <150 — — 2
30—99s(20 В; 10 мА) —— <200 —• 2
50—150* (20 В; 10 мА) <330 —• — 2
50—150*(20 В; 10 мА) <250 — 2
16—50*(20 В; 10 мА) <—- <250 — -•" 2
30—90х (20 В; 10 мА) — <330 — — 2
16—50* (20 В; 10 мА) <200 — 2
20—80*(10 В; 5 мА) <10(10 В) <80 — ТО-18
20—80* ПО В; 5 мА) <10£10 В) <80 — — ТО-18
90* (4 В; 10 мА) 10(6 В) 10 — ТО-18
>30(10 В; 2 мА) — — — — ТО-18
>30(30 В; 5 мА) 4 ТО-18
82й (] В; 10 мА) <4,5(10 В) <175 — ТО-18
>80(5 В; 5 мА) <10 IM <— ТО-5
>2Ох(5 В; 0,1 А) <8 —— <— — ТО-29
20—50(5 В; 10 мА) <10(5 В) <100 — ТО-18
40—100(5 В; 10 мА) <10(5 В) <100 — ТО-18
20—50(5 В; 10 мА) <10(5 В) <100 ТО-18
40—100(5 В; 10 мА) <10(5 В) <100 — ТО-18
30—80 <4 ** ТО-5
30—-80 <4 ТО-5
>20(5 В; 5 мА) <10 — — ТО-5
>40(5 В; 5 МА) <10 шм* ТО-5
>80(5 В; 5 мА) <10 — — ТО-5
10-32(10 В; 3 мА) <10(10 В) <300 — <2000 36
типа проводимости.
77
Ткп прибора Материал, структура, технология т max1 Р** , м&г К,я max ^Гр' f*** . МГц max УКБО проб1 y*K9Rnpo6- ^КЭОпроб' & ^ЭВО проб • В М м в £ К ! < X S X Я 2 К
КТ301Д S1, П-р-П, П 150 (60я С) >30 30 3 10 <10(20 В)
КТ301Е Si, п-р-п, П 150 (603С) >30 30 3 10 <10(30 В)
ктзо1ж Si, п-р-п, П 150 (60°С) >30 20 3 10 <10(20 В)
2N1390 Si, п-р-п, П 300 30 20 2 50 0,8
2N1387 Si, п-р-п, П 300 50 30 3 50 0,1
2N842 i, п-р-п, М 300 >30* 45 2 50 <1 (45 В)
2N843 Si, п-р-п, М 300 >30* 45 2 50 <1(45 В)
ВС 101 St п-'р-п, П 300 >30 40 7 40 <0,62(40 В)
КТ358А Si, п-р-п, ПЭ 100 (50аС) >80 15 4 30(60*) <10(15 В)
КТ358Б S1, п-р-п, ПЭ 100 (50°С) >120 30 30(60*) <10(30 В)
КТ358В Si, п-р-п, ПЭ 100 (50°С) >120 15 4 30(60*) <10(15 В)
2SC401 Si, п-р-п, ПЭ 1С0 170 50 5 юо 0,2>
2SC4b2 Si, п-р-п, ПЭ 100 170 50 3 100 0.2
2SC403 Si, п-р-п, ПЭ 100 170 50 3 100 0,2’
2SC404 Si, п-р-п, ПЭ 100 170 50 3 50 0,2w
2SC829 Si, п-р-п, ПЭ 150 >150 30 5 30 10
2N3709 Si, п-р-п, П 250 >100 30 6 30 <0,1(20 В)
2N3710 Si, п-р-п, П 250 >100 30 6 30 <0,1(20 В)
КТ312А Si, п-р-п, ПЭ 225 >80 20 4 30(60*1 <10(20 В)
КТ312Б Si, п-р-п, ПЭ 225 >120 35 4 30(60*) <10(35 В)
КТ312В Si, п-р-п, ПЭ 225 >120 20 4 30(60*) <10(20;В)
BCY56 Si, п-р-п, п 300 85 45 5 100 0,1
2N702 Si, п-р-п, М 300 >70 25 5 50 <0,5(10 В)
2N703 Si, п-р-п, М 300 >70 25 5 50 <0,5(10 В)
2SC33 Si, п-р-п, ПЭ 150 >125 45 3 50 <0,1(20 В)
2SC281 Si, п-р-п, М 200 >100 30 5 100 <0,1(20 В)
2SC105 Si, п-'р-п,пэ 250 >100 30 5 80 <0,005(15 В)
2N780 Si, п-р-п, ПЭ 300 >60 45 5 50 0,01
BCY42 Si, п-р-п, ПЭ 300 >100 40 5 100 0,025**
BCY43 S1, п-р-п, ПЭ 300 >100 40 а 100 0,025
BSV73 Si, п-р-п, ПЭ 300 146 25 5 100 <0,1(20 В)
2SC282 Si, п-р-п, М 350 >100 30 5 160 <0,1(20 В)
2N728 Si, п-р-п, ПЭ 300 >100 15 3 20 <5(15 В)
2N729 Si, п-р-п, ПЭ 300 >100 30 3 20 <5(30 В)
BF240 Si, п-р-п, ПЭ 300 >90 15 4 100 <0,5(15 В)
KT3I5A Si, п-р-п, ПЭ 150 (250*) >250 25 6 100 <0,5(10 В)
КТ315Б Si, п-р-п, ПЭ 150 (250*) >250 20 6 100 <0,5(10 В)
78
Тип ярабора Материал, структура, техиология ^Ктдх1 т max1 'мг' мВт ^гр’ ^*йз1б' ййг1э’ Г"’ , МГц max уКБОпроб> у,КЭК проб, ^КЭОпроб’ В иЭБО проб ’ в ^Ктах’ птах. $ £ § 6 £
КТ315В S1, п-р-п, ПЭ 150 (250*) >250 40 6 100 <0,5(10 В)
КТ315Г Si, п-р-п, ПЭ 150 (250*) >250 35 6 100 <0,5(10 В)
КТ315Д Si, п-р-п, ПЭ 150 (250*) >250 40*(10к) 6 100 <0,6(10 В;
КТ315Е Si, п-р-п, ПЭ 150 (250*) 100 >250 35*(10к) 6 100 <0,6(10 В)
КТ315Ж Si, п-р-п, ПЭ >250 20*(Ок) 6 50 <0,6(10 В)
КТ315И Si, п-р-п, ПЭ 100 >250 60*(Ок) 6 50 <0,6(10 В)
КТ315Н Si, п-р-п, ПЭ 150 >250 20 6 100 <0,5(10 В)
2SC641 Si, п-р-п, ПЭ 100 >200 40 5 100 0.25
2SC633 S1, п-р-п, ПЭ 180 140 25 6 100 0.2
2SC634 Si, п-р-п, ПЭ 180 140 40 6 100 0,2
2N2711 Si, п-р-п, П 200 120 18 5 100 <0,5(18 В)
2N2712 Si, п-р-п, П 200 120 18 5 100 <0,5(18 В)
2N3397 Si, п-р-п, ПЭ 200 120 25 5 100 0,1
BFP719 Si, п-р-п, ПЭ 150 >250 15** 5 1С0 —
BFP72O Si, п-р-п±ПЭ 150 >250 15х* 5 100 —
BFP721 Si, п-р-п, ПЭ 150 >250 30** 5 100 —
BFP722 Si, п-р-п, ПЭ 150 >250 25** 5 100 —
КТ339А Si, п-р-п^ ПЭ 260 (55°С) >300 40 4 25 <1(40 В)
КТ339АМ Si, п-р-п, ПЭ 260 (55°С) >300 40 4 25 В<1(40В)
КТ339Б Si, п-р-п, ПЭ 260 (55°С) >250 25 4 25 <1(25 В)
КТ339В Si, п-р-п, ПЭ 260 (55°С) >450 40 4 25 <1(40 В)
КТ339Г Si, п-р-п, ПЭ 260 (55°С) >250 40 4 25 <Ц40 В)
ктззэд Si, п-р-п, ПЭ 260 (55°С) >250 40 4 25 <1(40 В)
BF173 Si, п-р-п, ПЭ 260 (45°С) >350 40 4 25
BF199 Si, п-р-п, ПЭ 500 500 40 4 25 <0,1(40 В)
KF173 BF316 Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ 260 250 >400 500 40 40 4 4 25 25 <0, 1(30 В)
BF208 Si, п-р-п, ПЭ 200 >350 40 4 25 <0,1(20 В)
BF197 Si, п-р-п, ПЭ 320 550 40 4 25 <0,1(20 В)
BF223 Si, п-р-п, ПЭ 330 >375 35 4 40 <0,05(20 В)
BF3H Si, п-р-п, ПЭ 320 >375 35 4 40 <0,05(20 В)
BFJ70 Si, п-р-п, ПЭ 175 >550 40 3,5 25 0,045(20 В)
BF273 Si, п-р-п, ПЭ 260 (45°С) 550 40 4 25 —
80
Продолжение
*21 э’ **21Э ск- с*1яЭ'пф гКЭнас- Ом *ш’ДБ Г*б, Ом “• <#рас’ /** , ВЫКЛ / t НС ПК Корпус
30—120*(10 Б; 1 мА) <7(10 В) <20 <40* <500 16
50—350*(10 В; 1 мА) <7(10 В) <20 <40* <500 16
20—90* (10 В; 1 мА) <7(10 В) <30 <40* <1000 16
50-350* (10 В; 1 мА) <7(10 В) <30 <40* <1000 16
30—250(10 В; 1 мА) 10(10 В) <25 — <800 <250* 16 16
>30* (10 В; 1 мА) <10(10 В) <45 <950 16
50—350* (Ю В; 1 мА) <7(10 В) <20 — <500 16
35—20041 В; Ю мА) 6 — 30* ММ-12
90* (3 Б; 1 мА) 4,5 — U-37
90# <3 В; 1 мА) 4,5 — — U-37
30—90*0,5 В; 2 мА) <12(10 В) <20 2,8(10 кГц) —- R-67
75—225*(4,5 В; 2 мД) <12(10 В) <20 2,8(10кГц) R-67
55—500*(4,5 В; 2 мА) <10 <20 — — ТО-98
20—90*(10 В; 1 мА) <7(10 В) 1 <300 ММ-10
50—350* (10 В; 1 мА) <7(10 В) — <500 ММ-10
20—904 Ю В; 1 мА) <7(10 В) —. <500 ММ-10
50—350*(10 В; 1 мА) <7(10 В) — — <500 ММ-10
>25* (10 В; 7 мА) <2(5 В) — — <25 86
>25* (10 Б; 7 мА) <2(5 В) — — <25 176
>15*00 В; 7 мА) <2(5 В) — — <25 86
>25410 В; 7 мА; <2(5 В) — — <50 86
>40* (10 В; 7 мА) <2(5 В) — — <100 86
>15*(Ю В; 7 мА) <2> Б В) — — <150 86
>38*( Ю В; 7 мА) 0,23* — — — ТО-72
>4и*( 10 В, 7 мА) 0,33” — 10-92
<0,35* — —W — ТО-72
>37*00 В; 7 мА) <и,35* — — — ТО-72
>40* (Ю В; 7 м4) <0,3* — — <10 ТО-72
87*00 В; 7 мА) 0,32* г — — ММ-10
79*(Ю В; 15 мА) 0,3* — — —> ММ-10
79*00 В; 15 мА) 0,3* — — — ТО-92
0,27* — — ТО-72
>35 0,23* — — — ТО-72
6—136
81
Тиа прибора Материал, структура, технология 1 р />* , [ К max К, т max > мВт К, н max Хтли, njw ,6i2V, .9XSV / А, *» ’ и ,17* KEO проб K9R проб и** в КЭОгрсб’ LT _ В ЭВО проб Л, , /• , мА К wav К. л max —
< i Л s **
MPS-H37 Si, п-р-п, ПЭ 310 >300 40** Б 100 <0,5(35 В)
Г25СБ63 Si, п-р-п, ПЭ 145 >360 40 4 25 —
КТ375Д Si, п-р-п, ПЭ 200 (400**) 200 (400**) >259 63 5 100(230*) <1(69 В)
'КТ375 Б Si, п-р-п, ПЭ >259 39 5 100(200*) <1(39 В)
ВС 170 А Si, п-р-п, ПЭ 200 100 20** 5 100 <0.1(15 В)
ВС 170В Si, п-р-п, ПЭ 200 100 20** 5 100 <0,1(15 В)
2N3993 Si, п-р-п, ПЭ 310 >250 63 6 200 <10(60 В)
.2N3904 Si, п-р-п, ПЭ 310 >300 60 6 200 <10(69 В)
-2N5219 Si, п-р-п, ПЭ 310 >159 29 3 100 <10
-2N5223 Si, п-р-п, ПЭ 310 >150 25 3 100 <0,1(10 В)
MPS706 Si, п-р-п, ПЭ 310 >200 25 3 100 <0,5(15 В)
MPS706A Si, п-р-п, ПЭ 310 >200 25 Б 100 <0,6(15 В)
2SC370 Si, п-р-п, ПЭ 200 >80 33 4 100 <0,5(18 В)
2SC371 Si, п-р-п, ПЭ 200 >80 30 4 100 <0,6(18 В)
2SC372 Si, п-р-п, ПЭ 200 >80 30 4 100 <0.Б( 18 В)
BSW88A Si, п-р-п, ПЭ 300 (45°С) >200 35 5 100 <О,ОБ(25 В)
BSX80 SI, п-р-п, ПЭ 230 >200 ЗБ 5 200 <О,0Б(2 J Bi
BSX81A Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 35 5 100 <0,05(25 В)
SF215C Si, п-р-п, П 200 >100 20 5 100 <0,1(29 В)
SF215D Sj, п-р-п, П 200 >100 2) 5 100 <0,1(2) В)
SF215E Si, п р-п, П 200 >100 2) 5 100 <0,1(2) В)
'SF216C Si, п-'р-п, П 200 >100 40 5 100 <0,1(23 В)
SF216D Si, п-р-п, П Si, п-р-п, П S1, п-р-п, ПЭ 200 >100 40 5 100 <0,1(20 В)
SF216E 200 >100 40 5 100 <10(49 В)
SS216 200 359 20 5 100(200и) <0,1(29 В)
SS218 Si, п-'р-п, ПЭ 200 350 29 5 100(290*) <0,1(23 В)
SS219 Sij п-'р-п. ПЭ 200 >100 20 5 100(290*) <0,1(20 В)
2SC712 Si, п-р-п, ПЭ 200 150 з\ 4 100 <1
2N36J5 Si, п-р-п, ПЭ 200 330 18 5 200 0,5
2N36J6 Si, п-р-п, ПЭ 230 300 18 5 290 0,5
J2\36j7 Si, п-р-п, ПЭ 230 3)0 18 5 200 0,5
2SC629 Si, п-р-п, ПЭ 250 200 50 5 2)0 <1
КТ359А S1, р-п-р, ПЭ 300 (30°С) >100 23 5 600* <1(10 В)
2N978 Si, р-п-р, ПЭ 330 >40 30 5 690 <5(10 В)
MPS6562 Si, р-п-р ПЭ 590 >69 25 4 690 0,1(20 В)
MPS6563 Si, р-п-р, ПЭ 500 >60 20 4 690 0,1(20 В)
2N5226 Si, р-п-р, ПЭ 625 >50 2Б 4 590 <0,3(15 В;
КТ351А SI, р-п-р, ПЭ 300 (30° С) >290 15*(10к) 5 400* <1(10 В)
КТ351Б Si, р-п-р, ПЭ 300 (30°С) >200 15*(Юл) Б 400* <1(10 В)
«2
Продолжения
Корпус <61 сМ см 6) см 61 см см 6м ОМ tb см oi CM сь >• ^,^cr>O)®aaia)|4(4h,M ,, cn со —mchai оо rS S d о о о о о '° ° 43 *7" ’? ’? **? *?'? о *° 43 *° d ►? dddd /? Ь-Н — — XXf-^Ht-’Hl-HCicicsX ^^<<<<<<<<<Е-£Ё;СК'СК'{- hE-HH — —
пс- Ррае- t** > выкл /"*1 ИС ПК * «X * _ * * * I ф # * -эс , .2 © , . ip 2 . , © ^дтю1ДЮЮюф*« « « * о т Т Г Т т 1 г 118 8 1 1^8 11111118 £^^xwgo |©$£О 1 IIIII 1 V/ V V/V/ V V V/V/ VV/V/
«о ,9-J gff ,п\ i с? £ 'г'э* л? ., , . 1 ' 1 1 ~-х 1 1 I 1 I Illi 1 ।«со Ю я я * * * « га, —< w—• W V V S^BkouoZq ос хГ оо ос aooo
. Osh fAr , к0 1 -i _ _ СО Ю 1О о , о О ^Т^ООФООФ 1О1О1Д шюю о * CN V/ 1 V/ V/ WV/V/V/V/W 1 ! 1 1 11111111 ’Jy/yy 1 \}у/^ 1 у/у/у/у/ у/ *|
Ск' л м'мсрм'м'мт'д' £?£?•''' CQ и СО И „ и га CQ»Озо о :г о О о о о О д ™ m ffl Д д' д' * о о о о '——а о о о ——• — । 1 , 1Q Тс га га ю >п ю ” ZLZ2,n ,n "* ,n 10 cqcqcqcqcqcqcdcoI °„W ln,. ,n T*,. * * '* * 0 <0 СП CO СП CO -C<" -f' ЧГ •’ф •’ф CM см* Ю CO CD CD 8 r? CO CO 8 CM 5j Vo V V VVVVVVVVVVV VVVVVVV «VVVt, V VVVVV V
2 <М S * 1 C' — < < <<'<•-' — O <<-S^s<s - si® s ?888o<<<o co m- 3< CM CM 2 2- -.<(?; >;ccj<M(N O'..л, Ci СМ л. Ci CM .►•---— S S S— о о a о ° - о Л E rX- JX- полгт Э -— 'CQ 5CQ<N - .---CQCQCQ ..^o _ .. £T ° v. m m Sgra_^га - .-mmm_ B„zrcamл<кm>n 1Пюm£~ Sra cq rarara® - cq Mz-T £1 01 _• CM CM CM'— S'—• COCD cocoa О OCD CO — o —— — и — гаи —•» д —>д-r — — — * я co — '-cd шrato co * # * a —' s——'—'— о -- a'—'O a s—a « « '—* * * - « ® о a ——aooc«»#aao гаооаэсоаоосоаосэ*о — — — о о * о а а « о а оо —ю со-ч о—о о * м> м ..со см юсм in оо оо ос ф а о оаао а о * iT “Г С1 Ч ’ “°9 * Ф 10 Т4 f icmcmcmu5#*«cqcm cd cm cm ® ос <м i с* *7 d Д х а I см -р 1 см -р 1 1 1 18881 1 Illi 1 1 1 ЛЛ2 S Л\Л\82/\\2л\&£^£ 8S8~g|8-SiSS^8AAA8 8 £888 8 8
й
1
S
3 £ "л Ct i ье
Матерна?, * сч г
Тип .прибора структура, технология са It Ct 2
л 1 1 £
Е к ьс 1 Й а к во кэо о tc tn о (Я х
а. а. Z2> ъ
2N2696 S1, р-п-р, ПЭ S], р-П-р, ПЭ Si, р-п-р, ПЭ Si, р-п-р, ПЭ S1, р-п-р, ПЭ 360 >100 25 4 500 <0,025(10 В) <0,1(20 В)
ВС 192 400 >100 25 5 500
BSV49 X 400 200 3D 5 590 0,25
2N3121 360 >130 45 4 500 0,01
2N5221 310 >100 15 3 Б00 <0,1(10 В)
BFW89 Si,'р-п-р, П Si, р-п-р, П 300 >100 40 5 500 0,5
BFW90 300 >100 40 5 500 0,5
BFW91 Si, р-п-р, П Si, р-п-р, ПЭ 300 >100 20 5 500 0,5
BSJ36 360 >100 40 5 500 <0,015(25 В)
ВС226 Si,'р-п-р, ПЭ Si, р-п-р, ПЗ 300 >200 30 4 600 <0,1120 В)
ВС226А 300 200 40 5 600 <0,05(20 В)
ВС216 Si, р-п-‘р, ПЭ 300 200 30 4 600 <0,1(20 В)
ВС216А Si, р-п-р, ПЭ 300 200 40 5 600 <0,05(20 В) <0,1(25 В)
MPS3638 Si,'р-п-р, ПЭ 310 >100 25 4 500
MPS3638A Si, р-п-р, ПЭ 310 >150 25 4 500 <0,1(25 В)
2 N 5354 Si, р-п-'р, ПЭ 260 (55°С) 250 25 4 300(700*; <0,1(25 В)
2К5365 Si, р-п-р, ПЭ 360 250 40 4 300(500*) <0,1(40 В)
2N5366 Si, р-п-р, ПЭ 360 25) 40 4 300(500*) <0,1(40 В)
2SA467 Si, р-п-р, ПЭ З'Ю >100 40 5 400 <0,1(20 В)
КТ352А Si, р-п-р, ПЭ 300 >200 20 5 200* <1(10 В)
(30°С) <1(10 В)
К1352В Si, р-п-р, ПЭ 390 >200 20 И 5 200*
(30°С)
BSY72 Si, р-п-р, ПЭ S1, р-п-р, ПЭ SI, р-п-р, ПЭ Si, р-п-р, пэ Si, р-п-р, ПЭ Si, р-п-р, ПЭ 350 >200 25 5 200 <0,5(25 В)
2N869 360 >100 25 5 100 <0,1(15 В)
2N995 360 >100 20 4 200 <0,05(15 В)
2N996 2N2411 360 300 >100 200 15 15 4 5 200 100 <10(15 В) 0,01*(25 В)
2N2412 300 200 15 5 100 0,01*(25 В)
2SA590 Si, jtbfl-p, ПЭ 250 >100 30 5 100 <0,5(15 В)
2N3248 Si, р-п-р, ПЭ 360 >250 15 5 200 <0,05(10 В)
2SA559 Sij р-п-р, ПЭ 350 >100 20 5 200 <0,5(10 В)
ВС35Б Si, р-п-р, П 310 >200 30 4 200 —
ВСЗБ5А Si,р-п-р, П 310 >200 30 4 200 —
КТ345А Si, р-п-р, ПЭ 300 (600**) 390 (500**) 300 (600**) 300 >350 20* (Юк) 5 200(300*) <0,5(20 В)
КТ345Б si, р-п-р, пэ >350 20* (Юк) 5 200(300*) <0,5(20 В)
КТ345В Si, р-п-р, ПЭ >350 20* (Юк) 5 200(300*) <0,5(23 В)
2N3702 Si, р-п-р, ПЭ >100 40 5 200(600*) <0,1(20 В/
2N5447 Si, р-п-р, ПЭ 300 >100 40 5 200 <0,1(20 В)
2SA568 Si, р-п-р, ПЭ 200 120 35 4 300 1
BC5I3 Si, р-п-р, пэ 300 >200 30 5 200 0,15
2N3249 Si, р-п-р, ПЭ 360 >300 15 5 200 <0.05(10 В)
<84
Продолжение
АВ1Э’ С . С* . пФ к’ ь »э’ , Ом КЭ нас V *Б 4’ ис' (’рас, *•* . еыкл .7*4* £ , КС ПК Кортус
>2042 В; 0,3 А) <20(10 В) <5 <170** ТО4 8
60— 180*(Б В; 50 мА) <12(10 В) <5 -— ТО-92
80*(25 В; 0,1БА) 8 — —— *— ТО-18
>1642 В; 0,3 А) <10 <5 — <100** ТО-18
30—60’(!OB; 50 мА) <15(5 В) <3,3 — -— ТО-92
80—32040.15 А) 18 <2,6 —— <250* ММ-10
40— 120*(0,!5 А) 18 <2,6 <250* ММ-10
>40*(0,15 А) 18 <2,6 -W <250* ММ-10
85*(Ю в; 0.1БА) <8(10 В) <3,3 <25(1 кГц) 100** ТО-18
9041 В; 0,15 А) <5(10 В) <3,3 — 10-18
90*Г1 В; о, 15 А) <5(10 В) <3,3 — ТО-18
>2041 В; 0,15 А) <Б( 10 В) <3,3 *— ТО-18
5*20*(1 В; 0,15 А) <5(10 В) <3,3 *— ТО-18
>20* (2 В; 9,3 А) <20(10 Bj <3,3 <140* ТО-92
>2042 В; 0,3 А) <10(10 В) <3,3 —Ч <140* 10-92
20*(5 В; 0,3 А) <8(5 В) <3,3 — — ТО-98
>2045 В; 0,3 А) <8(10 В) <3,3 — — ТО-98
>40* (Б В; 0,3 А) <8(10 В) <3,3 — >— ТО-98
4J—24041 В; 0,1 А) <15(10 В) <2,5 —** — R-67
25—12041 В; 0,2 А) <15(Б В) <3 — — 17а
70-30Э*(1 В; 0,2 А) <15(5 В) <3 — <159* 17а
>50*( 1 В; 50 мА) <6(10 В) <25 <6(1 кГц) <350* ТО-18
20—12045 В; 10 мА) <9(10 В) <100 — ТО-18
>5041 В; 50 мА) <10(10 В) <10 —. ТО-18
>35* (1 В; 20 мА) <10(10 В) <5 — — ТО-18
20—6040,5 В; 10 мА) <5(5 Bj <5 — — ТО-18
40—120*(0,5В; 10 мА) <5(5 Bj <Б —- —- ТО-18
30—20041 В; 10 мА) <7( 10 В) <40 250* ТО-18
>2541 В; 0,1 А) <8 <4 <60* ТО-18
5041 В; 10 мА) <3 90* ТО-18
63—370* (15 В; 10 мА) <4,5(5 В) <60 —- — ТО-92
63-1504 15В; 10 мА) <4,5(5 В) <60 — — ТО-92
>2041 В; 100 мА) <15(5 В) <3 — <70* 17а
>Б9*(1 В; 100 мЧ) <15(5 В) <3 — <70* 17а
>7041 В; 100 мА) <1 Б(5 В) <3 — <70* 17а
60-300* (5 В; 50 мА) <12(10 В) <5 <290** ТО-92
60—300*(5 В; 50 мА) <12(10 В) <Б — — Х-55
35—300*(2 В; 0,15 А) 10 1 —- — ТО-92
>80(5 В- 2 мА) 5 —- —- — Х-55
>3541 В; 0,1 А) <8 <4,5 — <60* ТО-18
85
Тип прибора Матерна п, структура, технология р Р1 К max' К, т max Р** . мВт и шах F р’ ^*Й216’ hh21s' Г**. МГц max о 06 Ь и t 1 g Д • tri b s ЭЕО проб xdui и ‘у xviu м VW <7 * 1
учн 'И®*,/
КТ361А Si, р-п-р, ПЭ 150 (35°С) >250 25 4 50 >1 (10 В)
КТ361Б Si, р-п-р, ПЭ 150 (35°С) ?:250 20 4 50 <1(10 В)
КТ361В . Si, р-п-р, ПЭ 150 (35°С) >250 40 4 Б0 <1(10 В)
КТ361Г Si, р-п-р. ПЭ 150 (35°С) >250 35 4 50 <1(10 В)
КТ361Д Si, р-п-р, ПЭ 1Б0 (35°С) >250 40 4 50 <1(10 В)
КТ361Е Si, р-п-р, ПЭ 150 (35°С) -250 35 4 50 <1(10 В)
КТ361Ж Si, р-п-р, ПЭ 150 >250 10 4 50 <1(10 В)
КТ361И ' Si, р-п-р, ПЭ 150 >250 15 4 50 <1(10 В)
КТ361К Si, р-п-р, ПЭ 150 >250 60 4 50 <1(10 В)
ВС250А Si, р-п-р, ПЭ 300 180 20 5 100 <0,1 (15 В)
ВС250В Si, р-п-р, ПЭ 300 180 20 5 100 <0,1(15 В)
2N3905 Si, р-п-р, ПЭ 310 >200 40 5 200 <10(40 В)
2N3906 Si, р-п-р, ПЭ 310 >250 40 5 200 <10(40 В)
BSW20 Si, р-п-р, ПЭ 300 >150 35 5 100 <0,02(25 В)
2SA555 Si, р-п-р, ПЭ 200 200 50 5 200 <1(10 В)
2SA556 Si, р-п-р, ПЭ 200 200 35 5 200 <1(10 В)
BCW62A Si, р-п-р, ПЭ 225 >200 50 5 200 <0,015 (30 В)
BCW63A Si, р-п-р, ПЭ 225 >200 4Б 5 200 <0,015(30 В)
BCW57 Si, р-п-р, ПЭ 200 (5>С) 1Б0 50 6 200 10
BCW58 Si, р-п-р, П 200 (5о°С) 150 30 5 200 10
ВС1Б7 Si, р-п-р, П' 25 л 159 30 5 2и0 0,05
ВС 557 Si, р-п-р, П 300 150 50 5 200 —
2N4125 Si, р-п-р, ПЭ 310 >200 30 4 200 <0,05(20 В)
КТ340А Si, п-р-п, ПЭ 150 (85е С) >300 15 5 БО <1(15 В)
КТ340Б Si, п-р-п, ПЭ 150 (85°С) 150 (85С°), >300 20 5 50 <1(20 В)
КТ340В Si, п-р-п, ПЭ >300 15 5 50(200*) <1(1ВВ)
КТ340Г Si, п-р-п, ПЭ 150 (85°С) >300 15 5 75(500*) <1(15 В)Л
КТ340Д Si, п-р-п, ПЭ 150 (85°С) >300 15 5 50 <1(15 Bi
BSX38A Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 35 5 100 <0,020(25 В)
BSY38 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 5 100(200*) <0,1(20 В)
BSV39 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 5 100(260*) 200* <0,1(20 В)
2N743 Si, п-р-п, ПЭ 300 >300 20 5 <1*(20 В)
86
Vo ело у \у V со у о у 75- 75— 5Э— У |3 Г Г - * Т ? 1 1 1 1 сл 1 g ) to у ОТ ° о ¥
1 о г — И to сл 03 03 сл сл 1 1 — — СО 1 •— to— со со со -— Сл> СО . . О Сл> сл Сл о сл—.сл сл ^ - Й Й О и О - О — со К со со (L 8 1 1
to То тз S сл о *
ОТ СП от -—- Сл СП ОТ - сл О? СТ—> •—* — •—••—• •—• о ОТ —• м го и А к ° ° ° 3 ОТ”* ° а - ” to И «ОТ -‘“ОТ >toto^7<7—' " —S'*' g. г о — *, —• — — —- >>>>> - > >—ч —". V >—ч [р 1
о“от~ ~SoSP То сл То о со га-?“ " to to S о ОТ от от от от от ;* ю * 0)
10 мА) J А) мА) А) > > > £ г г > з: г > г > S > к >
/лл/л/л сл Сл сл сл Л оз Л сс /Л GO /Л со А GO /Л /ЛА^/Л/ЛАЛЛ /Л/Л/Л сл сл —1 СЛ ‘'J 4^ •₽* 03 03 -41 СО <р /Л /Л Л Л Л <о /Л <р />
сл сл сл “ СП "М "М *vj Сл j | 1 | Н- — оют — елся — — — — “ J—Ь to *
кпп° s^. _ —. сл JOT сл Cd сл ОТ Сл ОТ СП сл СО -Н — _ сл сл _ _ м . СО Со ЬО — ы-CdtO Cd CD Со CD Cd от 'W1 от 'W1 от 'ОТ 'ОТ от W □ е
1К/ММ/\ to to to о сл сл Л СО Л То А to й сл /Л КЗ /Л 00 -мч сл сл /Л ОТ /Л/Л А /Л/Л/Л/Л/Л /Л Л/Л —1СТ> <3> 1 1 — to to >— — слслСл сл ) 1 О: О! сл д О О о А ел 03 /Л ел /Л to о /Л to /Л to /Л to г кэ 1ЫС' Ом
1111 1 А Сл “ 1 I /Л/Л /ЛА о о 1^-111II III Л Л Л /Л Г Ч >! * Е
I 1 1 1 1 Нг4 * * Я 1 • 1 1 » — 1 t ill * « * п j? р С* о * О Й ь ОТ
^/Л& сл 1— с> « *0)0 < Jr * * Л сл Л сл /Л сл /Л 00 сл Л сл * /Л 00 сл /Л сл /Л ё /Л о tt Л Сл SI 1 I 1 , , , /Л/Л/Л Л/ЛЛ 1 1 1 1 1 1 gas ОСЛО ООО < < * о /Л о 8 Л to ел CJ Л сл 8 Л 8 Л о Л сл Г: * Q t , ПС, t* к рас? 'выкл»
сооо сл сл сл сл сл P9S 1 ЙССХХ1ЧЧЧНЧ ОТ~“ £АсЬАюурСрО ос>о а а а О) 03 03 §
ио Ое Оо 00 СО со ' tore- GO 1 С* щ (£, (£| (£) у! кэ to to to Ка S •< Г?
Продолжение
Тип прибора Материал, структура, технология | р р* К max К* т тих < Р** , мВт К. и max 1 , .*« 'гр' г Лз1б’ ’ f*** , МГц max и . и* КБОпроб’ КЭЙяроб, г/** R КЭО приб ’ . с: 42 & е С X Л , /« . мА К max К, и tttax ж .е "ч с ю "ч
2N744 Si, п-р-п, ПЭ 300 >300 20 5 200* <1*(20 В)
BSY26 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 6 100(200*) 0,025
BSY27 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 6 100(200*) 0,025
BSY95 Si, п-р-п, ПЭ 150 >200 20 5 100(200*) О,СБ
BSY95A Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 5 100(200*) 0,СБ(16 В)
2N834 Si, п-р-п, ПЭ 300 >350 40 5 200* <0,5(20 В)
2N835 Si, п-р-п, ПЭ 300 >300 25 3 200* <0,5(20 В)
2N2242 Si, п-р-п, ПЭ 360 >250 20* 5 225 <0,1(20 В)
2N706A Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 25 5 200 <0,5(15 В)
2N753 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 25 5 50 <0,5(15 В)
BSX53A Si, п-р-п, ПЭ 130 М5°С) >200 35 5 100 <0,013(25 В)
SS106 SI, п-р-п, ПЭ 300 >200 25 5 200 <0.С5( 15 В)
SSI08 Si, п-р-п, ПЭ 300 >300 40 5 200 <0,05(20 В)
SS109 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 5 200 <0,05(15 В)
2SC67 Si, п-р-п, ПЭ 360 >200 40 5 200 <0,1(15 В) <0,1(15 В)
2SC68 Si, п-р-п, ПЭ 360 >300 40 5 200
2N784A Si, п-р-п, ПЭ 350 >300 40 5 200 <0,025(25 В)
2N919 Si, п-р-п, ПЭ 360 >200 25 5 200 —
2N920 Si, n-p-nf ПЭ 360 >200 25 5 200 —
BSYP62 Si, п-р-п, ПЭ 360 >200 25 5 200 —
BSYP63 Si, п-р-п, пэ 360 >300 40 5 200 —
BSXP87 Si, п-р-п, ПЭ 360 >300 40 5 200 ——1
2N708 Si, п-р-п, ПЭ 360 >300 40 5 200 <0,025(251В)
BSJ63 Si, п-р-п, ПЭ 360 >300 40 5 —— <0,025 (20 В)
ВС218 Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 30 4 — <0,1(20 В)
ВС218А Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 45 5 <0,05(30 В)
BSX51 Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 25 5 200 <0,5(25 В)
BSX52 S1, п-р-п, ПЭ 300 >150 25 5 200 <0 ,Б(25 В)
BFX44 Si, п-'р-п, ПЭ 360 >300 40 4 125(250*) <0,1(20 В)
КТ306А Si, п-р-п, ПЭ 15о (90°С) >300 15 4 30(50*) <0,5( 15.В)
КТ306АМ Si, п-р-п, ПЭ 150 (90° С) >300 15 4 30(50*) <0,5( 15.В)
КТ306Б S1, п-р-п, ПЭ 150 (90°С) >500 15 4 30(50*) <0,5(15 В)
КТ306БМ S1, п-р-п, ПЭ 150 |'Ш) 150 (90°С) >500 15 4 30(50*) <0,Б( 15 В)
ктзобв S1, п-р-п, ПЭ >300 15 4 30(59*) <0,5( 15 В)
КТ306ВМ Si, п-р-п, ПЭ 150 (90сС) >300 15 4 30(50*) <0,5(15 В)
ктзобг Si, п-р-п, ПЭ 150 (90°С) >500 15 4 30(50*> <0,5(15 В)
КТ306ГМ Si, п р-п, ПЭ 150 (90°С) >500 15 4 30(59*) <0,5(15 В)
88
Продолжение
—— ск- с\аэ- пф а г \ ’ Пс- ''рас. f** I вы к л (***, НС ПК Корпус
^20*(1 В; 0,1 А) <5(5 В) <10 <18* ТО-18
2v—60* (1 В; 10 мА) <6 <35 — <130** ТО-18
40—120“(1 В; 10 мА) <^6 <35 — <130** ТО-18
50—200*10.35В; ЮмА) <6(9 В) <35 Ml. > <53* ТО-18
50—200*(0,ЗБ В; ЮмА) <6(9 В) <35 — <50* ТО-18
^25* (i В; 10 мА) <4( 10 В) <25 <25* ТО-18
40—120* (1 В; 10 мА) <4(. 10 В) <30 <35* ТО-18
2и—60*(1 В; 10 мА) <6 ——-* — 10-18
20— 63* (1 В; 10 мА) <5(5 В) <60 <25* ТО-18
40—120*(1 В; 10 мА) <5(5 В) <60 — <35* ТО 18
100—303(1 В; 10 мА) <5(10 В) <20 — <800** ТО-18
18 -56Г(1 В; 10 мА) <5(10 В) <50 <75** ТО-18
18—Б63*(1 В; 10 мА) <5(10 В) <5J <75** ТО-18
18—56’“(1 В; 10 мА) <5,10 В) <5 —.и- <75** ТО-18
> >33*( I В; Ю мА) 4,5(10 В) <25 — <20* ТО-18
ЗС—200-М 1 В; ю мА) 3,5(10 В) <25 — <20* ТО-18
25—15 * < 1 В; 10 мА) <3,6(10 В) <19 — <15* ТО-18
2)—63* (1 В; 10 мА) <7(5 В) <20 — <25* ТО-18
40—120*(1 В; 10 мА) <7(5 В) <20 — <25* ТО-18
>23* (1 В; 10 мА) <6( 10 В) <63 — <75** ТО-18
30—12 Г(1 В; 10 мА) <6(10 В) <40 -- <75** ТО-18
г 30-123*0 В; 10 мА) <6(10 В) <3,5 — <40** ТО-18
30—120*Н В; 10 мА) <6(10 В) <40 <25* TOJ8
>33*(1 В; ю мА) <6(10 В) <40 —— <70** ТО-18
>50*(5 В; ЮмА) <4/10 В) <100 —- — ТО-18
>5з*(5 В; 10 мА) <4(10 В) <100 — ТО-18
75—225*(4,5 В; 2 мА) <8(Б В) <6 — <230* ТО-18
180—54О’(4,БВ;2 мА) <8(5 В) <6 <200* ТО-18
>20*(1 В; 0,1 А) <4(5 В) <6 — <40; <30* ТО-18
20—6'3*( 1 В; 10 мА) <5(5 В) <30 — <30* 156
20—60* (1 В; 10 мА) <5(5 В) <30 — <30* 17а
1 40—120* (1 В; 10 мА) <5(5 В) <30 — <30* 156
40—120*11 В; 10 мА) <5(5 В) <30 — <30* 17а
20— loo*(1 В; 10 мА) <5(5 В) — <30* <500 156
20-Ю0*(1 В; 10 мА) <5(5 В) — <30* <500 17а
40—200* (] В; 10 мА) <5(5 В) — <30* <500 156
40—200“ (1 В; 10 мА) <5(5 В) — <30* <500 17а
89
Тип прибора Материал, структура, технология р р* К/пах К, т max' Р** , мВт К> и max, ^гр’ ^*Л21б' ^/1215' 1’" , МГц max и и* KDO проб' K3R проб ^КЭО пр<»б‘ В И &. 8 ft /„ , . мА К max К. и max < X Е К СП * О ш
ктзобд Si, п-р-п, ПЭ 150 (9л°С) >200 15 4 30(59*) <0,5(15 В)
КТ306ДМ Si, п-р-п, ПЭ 150 (90е С) >200 15 4 30(50*) <0,5(15 В)
BSX66 S1, п-р-п, ПЭ 300 >200 30 5 100 0,01
BSX67 Si, п-'р-п, ПЭ 300 >200 30 5 100 0,01
2SC170 Si, п-'р-п, ПЭ 110 250 25 3 50 <0,5
2SC171 Si, п-'р-п, ПЭ 200 250 25 3 50 <0,5(20 В)
2SC172 Si, п-р-п, ПЭ 300 350 25 3 50 <0,1(20 В)
2SC400 Si, п-'р-п, ПЭ 250 300 30 5 100 <0,5(15 В)
2SC601 Si, п-р-п, ПЭ 390 >500 40 5 100 0,1
КТ316А Si, п-р-п, ПЭ 150 (9J°C) 150 (9Э*С) >600 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
КТ316АМ SI, п-р-п, ПЭ >600 10*(Зк) 4 59 <0,5(10 В)
КТ316Б Si, п-р-п, ПЭ 150 (90°С) 159 (90°С) >800 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
КТ316БМ Si, п-р-п, ПЭ >800 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
КТ316В S1, п-р-п, ПЭ 150 (90°С) >800 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
КТ316ВМ Si, п-р-п, ПЭ 150 (9о°С) >800 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
КТ316Г SI, п-р-п, ПЭ 150 (99°С) >800 10*(3kj 4 50 <0,5(10 В)
ктз1бгм Si, п-р-п, ПЭ 150 (99° С) >630 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
ктз1бд Si, п-р-п, ПЭ 150 (90°С) >800 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
КТ316ДМ S1, п-р-п, Пэ 159 (90°С) >800 10*(Зк) 4 50 <0,5(10 В)
2N30I0 Si, п-р-п, ПЭ 300 >600 11 4 50 <Ю(!5 В')
2N7G9 Si, п-р-п, ПЭ 300 >600 15 4 200 <0,05(5 В)
2N2475 Si, п-р-п, П 3'90 >600 15 5 90 <0,05(5;В)
ZT2475 Si, п-р-п, П 390 >600 15 5 90 <0,С5(5 В)
2N2784 Si, п-р-п, ПЭ 300 1000 15 4 — 0,005(5 В)
2SC40 Si, п-р-п, М 250 750 25 3 50 0,1
2N709A S1, п-р-п, ПЭ 300 >800 15 4 200 <0,05(5 В)
ММ 1748 Si, п-р-п, ПЭ 300 >600 15 4 100 <0,05(5 В)
КТ342А SI, п-р-п, ПЭ 250 >250 35 5 50(300*) <0,05(25 В)
КТ342АМ Si, п-р-п, ПЭ 250 >250 35 5 50(300*/ <09 5(25 В)
КТ342Б Si, п-р-п, ПЭ 250 >300 30 5 50(300*) <0,05(20 В)
КТ342БМ Si, п-р-п, ПЭ 259 >300 30 5 50(300*) <0,05(20 В)
КТ342В Si, п-р-п, ПЭ 250 >300 25 5 50(300*) <0,05(10 В)
КТ342ВМ Si, п-'р-п, ПЭ 250 >300 25 5 50(300*) <0,05(10 В)
90
Продолжение
h2I3K А*23Э СК’ S О i *ш- дБ Г*й. Ом V пе' f** , выкл ,*#* f » ИС ПК Корпус
30—!5)*и В; 10 мА) <5(5 В) — <33* <300 156
30—!5J*(1 В; 10 мА) <5(5 В) — <30* <300 17а
>40* (Ю мА) <5 <100* ТО-18
>60*(1ОмА) <5 —* <100* ТО-18
60*(6 В; 10 мА) 5 — — — ТО-18
69* (6 В; 10 мА) 5(6 В) <20 —► 10-18
60* (6 В; 10 мА) 5(6 В) <20 — ТО-18
>3J*'!UB; 10 мА) <6(10 В) <50 —. 200* ТО-18
>43* (1 В; 10 мА) <4 <25 — <13* ТО-18
20—60* (1 В; 10 мА) <3(5 В) t <40 — <10* 5а
20—60* (1 В; 10 мА) <3(5 В) <40 — <10* 17а
40—12J*(1 В; 10 мА) <3(5 В) <40 — <10* 5а
40—120* (1 В; 10 мА) <3(5 В) <40 — <10* 17а
40-!20*( 1 В; 10 мА) <3(5 В) <40 — <15* 5
40—120* (I В; 10 мА) <3(5 В) 7 <40 <15* 17а
20—100*(1 В; 10 мА)л <3(5 В) <40 — <150 5
20—100* (1 В; 10 мА) <3(5 В) 1 <40 — <153 17а
60—300* (1 В; 10 мА) <3(5 В) 1 <43 — <153 5
60—300*i I В; 10 мА) <3(5 В) <40 — <15о 17а
25—125*(0,4 В; 10 мА) <3(5 В) <25 —— <6* ТО-18
20—!20*(0,5В; 10 мА) <3(5 В) <100 — <6* ТО-18
30—150*(0,35В; 10 мА) <3(5 В) <25 <6* R-64
40—150*(0,4 В; 20 мА) <2(5 В) <3 <23 — <6* R-64
40—12О*(0,5В; 10 мА) 87 — <5* ТО-18
5о(6 В; 1 мА) 2,3 ТО-18
30—9О*(0,5В; ЮмА) <3(5 Bj <3(5 В) <100 <6* ТО-18
20— 120*(0,5В; ЮмА’ <100 — <6* ТО-52
100—250* (5 В; 1 ^А) <8(5 В) <10 — <200 5
100—250*(5 В; 1 мА) <8(5 В) <10 — <200 17а
200—500*(5 В; 1 мА) <8(5 В) <10 — <390 5
200—500\5 В; 1 мА) 400—!000*(5 В; 1 мА) <8(5 В) <10 — <300 17а
<8(5 В) <10 — <700 5
400—1000*(5 В; 1 мА) <8(5 В) <10 — <700 17а
91
1 с "я
н с £ “л к 2 1 "и 2
Тип Материал, структура. 1 К, т мВт « С* а
прибора РЗ
технология * « МГц 1 1 к я проб1
о о ш_ m i §
О- о, к
2N929 S1, п-р-п, П Si, п-р-п, П Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ 300 >50 45 5 30(60*) <0,01(45 В)
2N930 300 >50 45 5 зо(бо*) <0,01(45 В)
SF136D 303 >300 20 5 200 <0,1(20 В)
SF136E 300 >300 20 5 200 <0,1(20 В)
SF136F 300 >зоо 20 5 200 <0,1(20 В)
SF137D Si, п-р-п, ПЭ 300 >300 40 5 200 <0,1(40 В)
SF137E Slj п-р-п, ПЭ ЗОЭ :30i) 40 5 200 <0,1(40 В)
SFI37F Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ 300 >300 40 5 200 <0,1(40 В)
ВС 107А 300 >150 59 6 100(200*) <0,015*(50В)
ВС 107В ВС108А S1, п-р-п, ПЭ St, п-р-п, пэ 300 300 >150 >150 50 30 6 5 100(2и0*) 100(200*) <0,015*(5оВ) <0,015(30 В)
ВС 108В Si, п-р-п, пэ 300 >150 30 5 100(200*) <0,015(30 В)
ВС108С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 30 5 100(200*) <0,015(30 В)
BC1U9B Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 30 5 50 <0,015(30 В)
BCI09C Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 30 5 50 <0,015(30 В)
2N915 SI, п-р-п, ПЭ 360 >250 70 5 200 <0,01(60 В)
2N916 Si, п-р-п, ПЭ 360 >300 45 5 100 <0,01(30 В)
BCY58A Si, п-р-п, ПЭ 300 300 32* 7 200 <0,01 (32 В)
BCY58B Si, п-р-п, пэ 300 300 32* 7 200 <0,01 (32 В)
BCY58C S1, п-р-п, ПЭ 300 300 32* 7 200 <0,01 (32 В)
BCY58D Si, п-р-п, ПЭ 300 300 32* 7 200 <0,01 (32 В)
КС507 SI, п-р-п, пэ 300 >150 45 5 100(200*) 100 (200*) <0,015(45 В)
КС508 Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20 5 <0,015(20 В)
КС509 Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20 5 100(200*) <0,015(20 В)
BFJ93 Si, п-р-п, ПЭ 300 >30 50 5 100 <0,01 (45 В)
ВС234 Si, п-р-п, П 300 >200 30 4 — <0,1 (20 В)
ВС234А S1, п-р-п, П 300 >200 45 5 — <0,05 (30 В)
ВС235 Si, п-р-п, П 300 >200 30 4 — <0,1 (20 В)
ВС235А Si, п-р-п, П 300 >200 45 5 <0,05 (30 В)
BCY69 S1, п-р-п, п 300 >150 20 5 100 <0,015(20 В)
КТ3102А Si, п-р-п, ПЭ 250 >150 50 5 100 (200й) <0,05 (50 В)
КТЗЮ2Б Si, п-р-п, ПЭ 250 >150 50 5 100 (200*) <0,05(50 В)
КТ3102В Si, п-р-п, ПЭ 250 >150 30 5 100 (200*) <0,015(30 В)
КТ3102Г Si, п-р-п, ПЭ 250 >303 20 5 100 (200*) <0,015(20 В)
КТ3102Д Si, п-р-п, ПЭ 250 >150 30 5 100(200*) <0,015(3'0 В)
КТ3102Е Si, п-р-п, ПЭ 250 >300 20 5 100 (200*) <0,015(20 В)
ВС182А Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 60 6 200 <0.015(50 В)
ВС 182В Si, п-р-п, ПЭ ЗОЭ >150 60 6 200 <0,015(50 В)
ВС182С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 60 6 200 <0,015(50 В)
ВС183А Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 45 6 200 <0,015(30 В)
ВС183В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 45 6 200 <0,015(30 В)
ВС183С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 45 6 200 <0,015(30 В)
ВС237А S1, п-р-п, ПЭ 300 >150 50* 6 100 (200*) <0,015(50 В)
ВС237В ВС238А S1, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ ЗОЭ 300 >150 >150 50* 30* 6 5 100(200*) 100(200*) <0,015(50 В) <0,015(30 В)
92
Продолжение
Л* . h*,_ 21э 213 /ген ея ' WO J 'V Ом V ''рас' 'аьцсл’ 'пк *яс Корпус
^60* (5 В; 0,5 мА) <8(5 В) <100 :<4(i 1<гц) — ТО-18
Si50*(5 В; 0,5 мА) <8(5 В) <10и <3(1 кГц) — ТО-18
Ц2—280* (1 В; 10 мА) <5(10 В) <30 7,8(1 кГц) <300 ТО-18
224—560*(1 В; 10 мА) <5(10 В) <30 7,811 кГц) <300 ТО-18
450—1120* (1 В; 10 мА) <5(10 В) <30 7,8(1 кГц) <360 ТО-18
112—280* (1 В; 10 мА) <5(10 В) <30 6,8(1 кГц) <130 ТО-18
224—560*(1 В; 10 мА) <5(10 В) <31 6,8(1 кГи) <130 ТО-18
450—U20*(! В; 10мА) <5(10 В) <30 6,8(1 кГП) <130 ТО-18
120—220* (5 В; 2.,мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-18
180-460*(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГц) — 10-18
120—220*(5 В; 2 мА) <6( 10 В) <20 <10(1 кГц) —• ТО-18
180—460*(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-18
380—800*(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 нГц) —• 10-18
180—46ОХ(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <4(1 кГц) —" ТО-18
380—800“(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <4(1 кГц) >• ТО-18
50—200*(5 В; 10 мА) <3,5(10 В) <100 ТО-18
50- 200*(1 В; 10 мА) <6(5 В) <50 —- <300 ТО-18
125—250* (5 В; 2 мА) <6 (10 В) <6 <6 (1 кГц) <8С0** ТО-18
175—350* (5 В; 2 мА) <6 (10 В) <6 — — ТО-18
250—500* (5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 ТО-18
350— 760“ (5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 »— — ТО-18
125—500 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) 25 <10(1 кГц) —» ТО-18
125—500 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) 25 <10 (1 кГц) —- ТО-18
240—900 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) 25 <4(1 кГц) — ТО-18
150—600 (5 В; 1 мА) 6(5 В) <14 <4 (1 кГц) — ТО-18
90—180* (5 В; 10 мА) <4 (10 В) <100 — ТО-18
90—180* (5 В; 10 мА) <4 (10 В) <100 ТО-18
150—400* (5 В; 10 мА) <4(10 В) <100 — ТО-18
150- 400“ (5 В; 10 мА) <4(10 В) <100 — — ТО-18
^450* (5 В; 2 мА) <8 (5 В) <25 <5(1 кГц) — ТО-18
100—2С0 (5 В; 2 мА) <6 (5 В) -— <10 (1 кГц) <100 17а
200—560 (5 В; 2 мА) <6 (5 В) — <10(1 кГц) <100 17а
200—500 (5 В; 2 мА) <6 (5 В) — <10 (1 кГц) <100 17а
400—1000 (5 В; 2 мА) <6 (5 В) -— <10 (1 кГц) <100 17а
200-500 (5 В; 2 мА) <6 (5 В) -— <4 (1 кГц) <100 17а
4С0—1000 (5 В; 2 мА) <6(5 В) — <4 (1 кГц) <100 17а
12С—220 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <10 (I кГц) — ТО-92
180-460 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
380—81 0 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <10 (1 кГц) —- ТО-92
120-220 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
180-460 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <10 (1 кГц) ТО-92
380—800 (5 В; 2 мА) <5(10‘В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
120—220 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <6 <10 (1 кГц) ТО-92
180—460 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <6 <10(1 кГц) ТО-92
120—220 (5 Р; 2 м4) <4.5 (10 В) <6 <10 (1 кГц) ТО-92
93
i <л § р (X £ в
Тип прибора Материал, структура, технология р* К, т ,, мВт * «С Ь =г й ш So Ъ и S Ье? is СГ
Л « 8. & - к
ё « „bi S,S4 TTi КТО кэо s В
1. О. й й Й
-ВС238В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 30* 5 100 (200*) <0,015(39 В)
ВС238С Si, п-'р-п, ПЭ 300 >150 30* 5 103 (200*) <0,015(30 В)
ВС239В S1, п-р-п, ПЭ 300 >150 20* 5 53 <0,015(30 В)
БС239С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20* 5 53 <0,015(30 В)
ВС107АР Si, п-р-п, ПЭ 300 300 50 6 200 <0,1 (20 В)
ВС107ВР S1, п-р-п, ПЭ 300 300 50 6 200 <0, i (20 В)
ВС108АР Si, п-р-п, ПЭ ЗОЭ ЗЭО 30 5 20Э <0,1(20 В)
ВС108ВР S1, п-р-п, ПЭ 300 300 30 5 200 <0,1 (20 В)
ВС108СР Si, п-р-п, ПЭ 300 ЗОЭ 30 5 200 <0,1 (20 В)
ВС109ВР S1, п-р-п, ПЭ ЗОЭ ЗЮ 30 5 200 <0,1 (20 В)
ВС109СР Sij п-'р-п, ПЭ 300 300 30 5 200 <0,1 (20 В)
ВС184А Si, n-p-п, ПЭ ЗОЭ 280 45 6 200 <0,015(30 В)
ВС184В Si, п-р-п, ПЭ ЗОЭ 280 45 6 200 <0,015(30 В)
ВС382В Si, п-'р-п, ПЭ ЗоО >150 50 6 ЮЭ <0,015(30 Б)
ВС382С Si, n-p-п, ПЭ ЗОЭ >150 50 6 100 <0,015(30 В)
БС383В S1, п-р-п, ПЭ 300 >150 45 6 10J <0,015(39 В)
ВС383С Si, п-р-п, ПЭ 330 >150 45 6 100 <0,015(39 В)
ВС384В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 45 6 100 <0,015(30 В)
ВС384С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 45 6 100 <0,015(30 В)
2SC1000GTM Si, п-р-п, э 490 8Э 6Э 5 153 <0,1 (6Э В)
2SC1815 Si, п-р-п, Э 400 >80 69 5 15Э <0,1 (63 В)
2N3711 Si, п-р-п, П 25Э 80 зэ 6 30 <0,1 (23 В)
2SC828 Si, n-p-п, ПЭ 250 220 30 5 50 (100*) <1 (10 В)
2SC828A Si, п-р-п, ПЭ 250 220 45 5 59(100*) <1(10 В)
ВС451 Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 50 5 100 <0,1 (39 В)
ВС452 Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 30 5 100 <0,1 (33 В)
ВС453 Si, п-р-п, пэ 300 >150 30 5 100 <0,1 (33 Б)
2SC538 Si, п-р-п, ПЭ 300 180 25 5 100* <0,1 (10 В
2SC538A Si, п-р-п, ПЭ 300 180 45 5 100* <0,1(10 В)
2SC900 Si, п-р-п, Э 250 100 40 5- 100 <0,05 (49 В)
2SC923 Si, п-р-п, Э 250 100 30 5 30 <0,05 (25 В)
2SC945 S3, п-р-п, э 250 259 50 5 100 <0,1 (40 В)
2N5209 si, п-р-п, пэ 310 80 50 4,5 50 <0,05 (35 В)
2N5210 Si, п-р-п, пэ 310 80 50 4,5 59 <0,05 (35 В)
SF131E Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 20 5 50 <0,1 (20 Б)
SF131F Si, п-р-п, П ЗЭО >200 20 5 50 <0,1(20 В)
SFI32E Si, п-р-п, П 300 >200 40 5 50 <0,1 (40 В)
SF132F Si, п-р-п, П 300 >200 40 5 50 <0,1 (40 В)
ВС547А Si, п-р-п, П ЗЭО 300 53 6 100 (200*) <0,015(33 В)
ВС547В Si, п-р-п, П 300 300 50 6 100 (200*) <0,015(30 В)
•ВС547С Si' п-р-п, П 300 ЗЭО 53 6 100(200*) <0,015(33 В)
’ВС548А Si, п-р-п, П 300 300 30 5 100 (200*) <0,015(39 В)
Вс548И Si, п-р-п, П 300 300 30 5 100(200*) <0,015(39 В)
ВС548С Si, п-р-п, П ЗЭО ЗЭО 30 5 100(200*) <0,015(30 В)
ВС549А Si, n-p-п, П 390 ЗЭО ЗЭ 5 100 (200*) <0,015(30 В)
ВС549В Si, п-р-п, П 300 ЗЭО 30 5 100(200* <0,015(30 В)
BC549J Si, п-р-п, П ЗЭО ЗЭО 30 5 100 (200*) <0,015(33 В)
94
Продолжение
Л*21Э С „ С* , пФ К’ 123’ г,„ . Ом кэ нас К . дБ и Габ, Ом V "<= ррас- ВЫКЛ i***t нс ПК Корпус
180—460 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <6 <10(1 кГц) — ТО-92
380--800 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <6 <10 (I кГц) — ТО-92
180—460 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <6 <4(1 кГц) — ТО-92
380—800 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <6 <4(1 кГц) — ТО-92
125—260 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <25 <10(1 кГц) — Х-55
240—500 (5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <25 <10(1 кГц) Х-55
125—260 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <25 <100 кГц) —- Х-55
240—5G0 (5 В; 2 мА) <4,5 (ЮВ) <25 <10(1 кГц) — Х-55
450—900 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <25 <10(1 кГц) — Х-55
240—500 (5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <25 <4(1 кГц) — 1 Х-55
450—900 (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <25 <4(j кГц) — Х-55
240—500 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <4 (1 кГц) — Х-55
450—900 /5 В; 2 мА) <5(10 В) <25 <4 (1 кГц) — Х-55-
240—500 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <6 <6 (10 кГц) — Х-55
450—900 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <6 <6 (10 кГц) — Х-55
240—500 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <6 <6 (10 кГц) — Х-55
450—900 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <6 <6 (10 кГц) — Х-55
240—500 (5 В; 2 мА) <5 (10 В) <6 <4 (10 кГц) Х-55
450—900 (5 В; 2 мА) <5(10 В) <6 <4 (10 кГц) Х-55
200—700 (6 В; 2 мА) <10(6 В) <6 <10(10 Гц) —— ТО-92'
70—700 (6 В; 2 мА) <3(10 В) <2,5 <10(1 кГц) ТО-92
180—660 (5 В; 1 мА) - <Ю0 — ТО-92
65—700 (5 В; 2 мА) 5 <3.2 6(1 кГц) ——, ТО-92
65—70075 В; 2 мА) 5 <3,2 6(1 кГц) —— ТО-92
200—800 (6 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
200—800 (6 В; 2 мА) <4,5 (10В) <25 <10(1 кГц) ТО-92-
200—800 (6 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <25 <4(15,7 кГц) — ТО-92
90—700 (5 В; 2 мА) , ’3,2 — ТО-92’
90—700 (5 В; 2 мА) <3,2 — ТО-92
225—10С0 (3 В;0,5мА) 3,5(6 В) ^3 — —- ТО-92
150—1000(ЗВ; 0,5мА) ——• <15 — — ТО-92
40—603 (6 В; I мА) 4,5(6 В) <17 4(1 кГц) — ТО-92
150—600(5 В; 1 мА) <4,5(5 В) <70 <4(1 кГц) — ТО-92
250—900 (5 В; 1 мА) <4 (5 В) <70 <3 (I кГц) —- ТО-92'
224—560* (I В; 10 мА) <5(10 В) <5) <7(1 кГц) <300 А-4
450—1120* (1 В; 10 мА) <5(10 В) <50 <7 (1 кГц) <300 А-4
224—560* (1 В; 10 мА) <5(10 В) <50 <7 (1 кГц) <300 А-4
450—1120* (I В; 10 мА) <5(10 В) <50 <7 (1 кГц) <330 А-4
110—220“ (5 В; 2 мА) -— <6 <10(1 кГц) ТО-921
200—459* (5 В; 2 мА) <6 <10 (1 кГц) — ТО-92'
420—800* (5 В; 2 мА) -в <7,7 <10 (1 кГц) ТО-92
НО—220* (5 В; 2 мА) » <6 <10(1 кГц) —-, ТО-92
200—459* (5 В; 2 мА) <6 <10(1 кГц) — ТО-92
420—800* (5 В; 2 мА) — <6 <10(1 кГц) —— ТО-92
ИО—220* (5 В; 2 мА) <6 <4(1 кГц) — ТО-92
200—459* (5 В; 2 мА) <6 <4 (1 кГц) — ТО-92
420-800* (5 В; 2 мА) <6 <4 (1 кГц) - ТО-92
9&
/ I.
дд'вйшишcaшpqейca eo- oaogg^^^g5^fflcafflfflCQmfflcncQfflcQp3fflcQcQca_ щ_ со aoooQCooao оостостостост cjoqoooo^^ioloolcio СЧСЧСМСЧСЧСЧСЧ^СЧСЧ ЮЮЮ 1Й ЮЮЮЮ ю ю ЮШ Ю £ЧСЧ сч G4 cs G4 СЧ оо со <О r\rc?OfOSO?O < — —« LQ ю S"^£? vvv/vWvWv/ vv/v/^vvVWv/vv/v/v/v/^v/^v/v/v/v/WWwWvv/v/v/w
¥1,,«~«-м.1-’я“»| »»**«**##* * * * * * 8888888888 88888 CTCT<M<NCTC4C4C4<NC4 <N<N<N<NC4 OOOQQOOQQO oc’OoOQCooaoOr-'QooooooooaaoaoooaooaoCTc? aooooooOOo oaooooooo-aomiO'ioooDOoooooooooo^oinmotoir) ,—, ,—, ,—, H ,-4 « Ст Ст СЧ C4 C4 СЧ —' 1-1 — — >-4 04 CT CT CT CT CT CT — >-< ~ — -4 — '“, — —1 “
я •9оа“окп люшюиэлизллю 1Д10101Д1Д1Л<Л1П1ДЩипЛ1Д<001Л1Л1Д1Д1Д1Д1Л>01П1Л101Л1ПЙ1ДЮ1ЛЮ1Л1Д1Д
я ,9«1иоеЯп ,9<х1и^ЮГ .SOdUQgM *Л Л oooo оююоою ® О оююю о о о сою<л ст oaaoCTaoQoaooCTOCiotnoaaoo ююозоэеостстюсост щсосоче'^^чдрбстстстстстиэцзеососососфюиэцзсоллозс'зсост-^'ююнэнзю
. ахош. KJW ' oj ,6tSV J ,yie\./ >djJ 88SSooS3Sa §oo8§oS§SSSSSSS88SS8SS8S888SS§wSaS8о тамта ^Ж^^"""888с’"Й""8"!8ллл\лллллл\
jpwh ‘Я igw * "</ xd«j i я хош 5( •rf rf ооооостоооо QOQOOooQOo©ooaooa сто о <э о о ooaoooaaoooco ^o|8o?o5co88cS8 л8со^88Йи8сол88о8ЙЙ88«8Й88сто5сост8стстоЗстстс4'1*
Материал, структура, технология ЛЛОТЛЛЛОТОТОТОТ ОТ <Т> (7) СП ОТ <Т> СП СП СП ОТ СП ОТ СП <Т> СП (7) ОТ th СП СП ОТ от ОТ ЕСЕККЕЕКЕЕ ЕКЕЕЕСГЕЕЕСЕГЕЕ КСЕГЕСЕЕЕОТОТОТОТОТОТОТОТЕЕСПСПСПОТОТ <£<^г£ск<£с£сСе£<£с£ Е^чСсйсСсСсхс^Е^^схс^сСс^ <\<^<^^<^^с^^с^с£с£с£с£с£сСс£<\схсСсисС«гс£ eeii^eet;s:E eeeeeieeeeiii еееейеффееёфефееёфе^ефе схсха.а.».».».с».сха. »«а.а.а.ё.а,а,а,ё,а,а,а,1>.а.а.О-Ё1,а,а.а.ё.е.е. йотслслслйслотий йслслЙисислслйслсослсл йЙсииотёлслслслслЙотсясЬсл'ЛслслЛсЬ'сЙ'сЙсл
Тип прибора CiriPQb-tJuJ^ Sbtft: CL, й Cl, IX 5г CL (X < tn <COo-<oay<CQ<CQQCQOO-<CQ><:S*iicacj<CCl'1J<cncj^^tCT^»'? — оОостоооооо стстс4сосос!5г^ь.аооэаофтг^г^.ооооаоо>ст>м<т*'^'1Л1яи5«><аф<оОч}«ч}«соцз ст ,_|Z'^Z!’_|'’'’^’_,~ —"“I — —, О Л ^J -, => ь 3 NSSt4- NNh-LOlO ьОЮЮ1ЛЮ1Л UJLOWCDID сосо$5оэс*зсо$осо<осо СТ ст сч ст ст co co оо co co — м ,ф tj- <r
Продолжение
%Г»* А*2»Э Ск’С<13э-пф г , Ом КЭ нас V ДБ Г‘б. Ом V’ пс’ **рас’ *** , выкл /***, НС ПК КЦрцус
7d— 140 (5 В; 2 мА) <7 (10 В) <20 <10(1 кГц) НН 17а
120—220 (5 В; 2 мА) <7 (10 В) <20 <10 (1 кГц) к» 17а
70—140 (6 В; 2 мА) <7 (10 В) <20 <10(1 кГц) — 17а
120—220 (5 В; 2 мА) <7(10 В) <20 <10(1 кГц) 17а
180—460(5 В; 2 мА) <7(10 В) <20 <10(1 кПц) — 17а
120—220 (5 В; 2 мА) <7(10 В) <20 <4(1 кГц) 17а
180—460 (5 В; 2 мА) <7(10 В) <20 <4(1 кГц) •не 17а
180—460(5 В; 2 мА) <7(10 В) <20 <10 (1 кГц) — !7а
380—800 (5 В, 2 мА) <7(10 В) <20 <10(1 кГц) •— 17а
389—800 (5 В; 2 мА) <7(10 В) <20 <4 (1 кГп) — 17а
120—220 (5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 <10 (1 кГц) — ТО-92
189—460 (5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 <10(1 кГц) — ТО-92
380—800 (5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 <10(1 кГц) ТО 92
[20—229(5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 <10 (1 кГц) *™н ТО-92
180—460(5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 <10(1 кГц) на ТО-92
380—800(5 В; 2 мА) <6(10 В) <6 <10(1 кГц) ТО-92
120—220 (5 В; 2 мА) <6 (101В) <20 <10(1 кГц) не ТО-92
183—460 (5 В; 2 мА) <6 (10? В) <20 <10 (1 кГц) ТО-92
120—220 (5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-92
180—460 (5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-92
380—800 (5 В; 2 мА) <6(19 В) <20 <10 (1 кГц) •и- ТО-92
180—460(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <4(1 кГц) нм ТО 92
380—800(5 В; 2 мА) <6 (10 В) <20 <4(1 кГц) 1 ТО-92
75-159 (5 В; 2 мА) <4(10 В) <30 <10(1 кГц) Х-55
125—260 (5 В; 2 мА) <4 (10 В) <30 <10 (1 кГц) И—, Х-55
125—260 (5 В; 2 мА) 4 (10 В) <30 <10(1 кГц) WW Х-55
240—5J0 (5 В; 2 мА) 4(10 В) <30 <10(1 кГц) Х-55
75—159 (5 В; 2 мА) 4 (10 В) <30 <10 (1 кГц) и—• Х-55
125—260 (5 В; 2 мА) 4(10 В) <39 <4 (1 кГц) Х-55
240—500 (5 В; 2 мА) 4(10 В) <30 <4(1 кГц) ни Х-55
125—250 (6 В; 2 мА) <6 (101В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
220—470 (6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
429—800 (6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <10 (1 кГц) — 10-92
125—250(6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <10(1 кГп) — Ъ1-92
220—470 (6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <10 (1 кГц) — ТО-92
420—800(6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <10(1 кГц) — ТО-92
125-259 (6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <4(15,7 кГц) — ТО-92
220—470 (6 В; 2 мА) <6 (10 В) <25 <4 (15,7 кГц) а» ТО-92
1 420—800(6 В; 2 мА) <6(10 В) <25 <4(15,7 кГц) и. ТО-92
65- 7и0 (5 В; 2 мА) <3,2 6 (1кГц) — ТО-92
- 65—700 (5 В; 2 мА) — <3,2 6(1 кГп) — ТО 92
225—1000(ЗВ; 0,5мА) 6,5(10 В) <17 <— — ТО-92
225—1009 (ЗВ; 0,5мА) 6,5(10 В) <17 — — ТО-92
4о—600(6 В; 0,1 мА) 8(10 В) <17 а— — ТО-92
225—1900 (ЗВ; 0,5мА) 6,5(10_В) <17 — ан ТО-92
70—240(6 В; 2 мА) <7(10 В) <3 <10 (1 кГц) — ТО-92
1~~ 136
97
Тип прибора Материал, структуре, технология р р* К/пах" К, т max* P*J , мВт К. и max f f f** 'гр‘ 1 Лзхб’ 'й21э' fm , МГц max и . и» КБО проб K9R проб ^КЭО проб' ® U R ЭБОпроб» ° _ , Г*» . мА К max К. и max v„ . asx,, .os».
2SA999 S1, р-П-р, ПЭ 300 200 50 6 200 <1 (50 В)
2SA999L Si, р-п-р, пэ зсо 200 50 6 200 <1 (50 В)
ВС320А Si, р-п-р, ПЭ ЗЮ >100 50 6 150 <0,03
BQ320B Si, р-п-р, ПЭ 310 >100 50 6 150 <0,03
ВС321А S1, р-п-р, ПЭ 310 >100 40 5 150 <0,03
ВС321В Si, р-п-р, ПЭ ЗЮ >100 40 5 150 <0,03
ВС321С Si, р-п-р, ПЭ 310 >100 40 5 150 <0,03
ВС322В SI, р-п-р, ПЭ 310 >100 30 5 150 <0,03
ВС322С Si, р-п-р, ПЭ ЗЮ >ioo 30 5 150 <0,03
КТ373А S1, п-р-п, ПЭ 150 >350 30* (Юк) 5 50 (200*) <0,05(25 В)
КТ373Б S1, п-р-п, ПЭ (55 *С) 150 >300 25* (Юк) 5 50(200*) <0,05(20 В)
КТ373В Si, п-р-п, ПЭ (55 ЕС) 15Э >300 10* (Юк) 5 50 (200*) <0,05(10 В)
КТ373Г Si, п-р-п, ПЭ (55'С) 150 >250 60* (Юк) 5 50 (200*) <0,05(25 В)
РВС107А-В Si, п-р-п, ПЭ (55 °C) 200 >150 45 5 100 <0,1 (45 В) <0,1 (20 В)
РВС108А-С S1, п-р-п, ПЭ 200 >150 20 5 ЮО
PBC1G9B-C Si, п-р-п, ПЭ 200 >150 20 5 100 <0,1 (20 В)
ВС 167 А Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 50 6 100 (200*) 0,002 (20 В)
ВС167В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 50 6 1С0 (200*5 0,002 (20 В)
ВС168А Si, n-p-п, ПЭ ЗЮ >150 20** 5 100(200*) 0,002 (20 В)
ВС i 68В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20** 5 100 (200*) 0,С02 (20 В)
ВС168С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20** 5 100 (200*) Г,002 (20 В)
ВС 169В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20** 5 50 0,002 (20 В)
ВС169С Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 20** 5 50 0,002 (20 В)
ВС171А S1, п-р-п, ПЭ 300 >150 45** 6 100 (200*) <0,015(45 В)
ВС171В Si, п-р-п, ПЭ 330 >150 45** 6 100 (2С0*) <0,015(45 В]
ВС172А Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 25** 5 100(200’) <0,015(20 В)
ВС172В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 25** 5 100 (200*) <0,015(20 В)
BCI72C Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 25** 5 100 (2(j0*) <0,015(20 В)
ВС173В Si, п-р-п, ПЭ 300 >150 25** 5 100 (200*) <0,015(20 В)
ВС173С Si, п-'р-п, ПЭ 300 >150 25** 5 100 (2С0*) <0,015(20 В)
ВСР627А-С S1, п-р-п, ПЭ 220 >150 45 5 50 —
ВСР628А-С Si, п-'р-п, ПЭ 220 >150 20 5 50 —
2N3393 Si, п-р-п, П 360 120 25 5 IC0 <0,1 (25 В)
2N3391 Si, п-р-п, П 360 120 25 5 100 <0,1 (25 В)
2N3392 Si, п-р-п, П 360 120 25 5 100 <0,1 (25 В)
2N3393 SI, п-р-п, П 360 120 25 5 100 <0,1 (25 В)
2N3394 S1, п-р-п, П 360 120 25 5 100 <0,1
SC2v6D Si, п-р-п, П 200 >300 20 5 1G0 <0,1 (20 В)
SC206E SI, п-р-п, П 200 >300 20 5 100 <о,1 (20 В)
SC206F Si, п-р-п, П 200 >300 20 5 ICO <0.1 (20 В)
SC2u7D Si, п-р-п, П 200 >300 20 5 ICO <0,1 (20 В)
SC2u7E Si, п-р-п, П 200 >300 20 5 100 <0,1 (20 В)
98
Продолжение
Л113* ft 21Э Ск. С*„э,пФ КЭ нас кш. дБ г‘б'Ои V’ цс’ **раск t** , «ыкл . •« t , НС лк Корпус
90—500 (6 В; 1 мА) 7 ——. ТО-92
!&()—503(6 В; 1 мА) 7 — ТО-92
110—220* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <6(1 кГц) ТО-92
200^450* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <6 (1 кГц) ТО-92
1Ю—220* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <6(1 кГц) ТО-92
200—450* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <6(1 кГц) ТО-92
403—830* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <6 (1 кГц) ТО-92
200—450* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <4(1 кГц) — ТО-92
400—800* (5 В; 2 мА) <4(10 В) <5 <4 (1 кГц) — ТО-92
100—250* (5 В; i мА) <8 (5 В) <10 — <200 14
200—600* (5 В; 1 мА) <8(5 В) <10 — <300 14
503—1000* (5 В; 1 мА) <8(5 В) <10 — <700 14
50—125* (5_В; 1 мА) <8 (5 В) <20 — <203 14
125-503 (5 В; 2 мА) <6(10 В) ЧМ <6 (1 кГц) — ТО-98
125-500 (5 В; 2 мА) <6(10 В) <6(1 кГЦ) — ТО-98
240—9J0 (5 В; 2 мА) <6(10 В) — <4(1 кГц) ТО-98
110—220* (5 В; 2 мА) <4,5 (ЮВ) <20 <10 (1 кГц) —" ТО-92
200—459* (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <20 <10 (1 кГц) — ТО-92
110-220* (5 В; 2 м\) <4,5 (10 В) <20 <Ю(1 кГц) —" ТО-92
200-453* (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-92
420—803* (6 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-92
230-450* (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <20 <4 (1 кГц) ТО-92
420-800» (5 В; 2 мА) <4,5 (10 В) <20 <4 (1 кГц) — ТО-92
170*(5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10 (1 кГц) — ТО-92
290* (5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <19 (1 кГц) — 10-92
170* (Б В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГц) — ТО-92
290* (5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <10(1 кГи) —" ТО-92
503* (5 В; 2 мА) <6 (10 В) <20 <10(1 кГи) ТО-92
29)* (5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <4(1 кГц) — ТО-92
500* (5 В; 2 мА) <6(10 В) <20 <4(1 кГц) ТО-92
100—930 (5 В; 2 мА) <6 (10 В) <10 (1 кГц) — ТО-92
100—900(5 В; 2 мА) <6(10 В) <10(1 кГц) — ТО-92
400—800* (4.5 В; 2 мА) <10(10 В) — ТО-98
250—500* (4,5 В; 2 мА) <10(10 В) 11 —— ТО-98
150—300* (4,5 В; 2 мА) <10(10 В) —— — ТО-98
90—189* (4,5В; 2 мА) <10(10 В) — — — ТО-98
55—110* (4,5 В; 2 мА) <10(10 В) — —— — ТО-98
112—289 (6 В; 2 мА) — — <25(1 кГЦ) — А-5
224—560(6 В; 2 мА) — —- <25(1 к и) А-5
450—1120(6 В; 2 мА) 1 — <25(1 кГц) — А-5
112-289 (6 В; 2 мА) — <8(1 кГц) — А-5
224-563 (6 В; 2 мА) <8 (1 кГц) А-5
7*
99
Тик прибора Материал, структура, технология р , р* К max К. т max' fK,™' “Вт ^Ляб' f*** , МГц max 4 ^КБОпроб’ проб’ П** R KSOnnnfi’ П R 1 ЭБО проб’ , Р„ , мА К max К । и гтгах fKEO‘ /*K3R, мкА
SC207F S1, П-р-п, П 200 >300 20 5 100 <0,1(20 В)
BCW47 Si, п-р-п, ПЭ 150 (50° С) 300 50 6 100(200*) <0,1 (20 В)
BCW48 Sj, п-р-п, ПЭ 150 (50° С) 300 30 5 100(200*) <0,1(20 В)
BCW49 S1, n-p-п, ПЭ 150 (50° С j 300 30 5 100(200*) <0,1(20 Б)
ВС 147 А S1, п-р-п, ПЭ 220 (55s С) >150 50* 6 100(200*) <0,015*(50 В)
BCI48A Si, п-р-п, ПЭ 220 (55° С) >150 30* 5 100(200*) <0,015*(30 В)
ВС147В Si, п р-п, ПЭ 220 (55° С) >150 50* 6 100(200*) <0,015*(50 В)
ВС 148В Si, п-р-п, ПЭ 220 >150 30* 5 100(200*) <0,015*(30 В)
ВС 149В Si, п-р-п, ПЭ (55 С) 220 >150 30* 5 50 <0,015*(30 В)
ВС148С Si, п-р-п, ПЭ (55° С) 220 >150 30* б 100(200*) <0,015*(30 В)
ВС149С Si, п-р-п, ПЭ (55 С) 220 >150 30 5 50 <0,015*(30 В)
КС147 Si, п-р-п, ПЭ (55° С) 200 >150 45 5 100(200*) <0,015(45 В)
КС 148 Si, п-р-п, ПЭ 200 >150 20 5 100(200*) <0,015(20 В)
КС 149 Si, n-p-п, ПЭ 200 >150 20 5 100(200*) <0,015(20 Б)
КТ313А si, р-п-р, пэ 300 >209 60 5 350(700*) <0,5(50 В)
К1313Б Si, р-п-р, ПЭ (1000*) 300 (1000*) >200 60 5 350(700*) <0,5(50 Б)
2N2906 Si, р-п-р, ПЭ 400 >200 60 5 600 <0,02(50 В)
2N2906A Si, р-п-р, ПЭ 400 >200 60 5 600 <0,01(50 В)
2N29 /7 Si, р-п-р, ПЭ 400 >200 60 5 600 <0,02(50 В|
2N29./7A Si, р-п-р, ПЭ 400 >2С0 60 5 600 <0,01(50 В)
2N3259 Si, р-п-р, ПЭ 360 >250 50 5 200 <0,02* (40 В)
2N3259A Si, р-п-р, ПЭ 360 >250 60 5 200 <0,02*(4и В)
2SA603 Si, р-п-р, пэ 300 >150 60 8 200 <0,5(40 В) к
2SAK90 Si, р-п-р, Э 300 >159 60 8 200 <0,1(80 В)
2SA718 Si, р-п-р, Э 300 >150 60 8 200 <0,1(40 В)
КТ3117А Si, п-р-п, ПЭ 300 >200 60 4 100(800*) <10(60 В)
2N2020 Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ (800**) 360 >250 60 5 800 <0,01(50 В)
2N2221 500 >250 60 5 800 <0,01(50 Б)
2N2221A Si, п-р-п, ПЭ 500 >250 75 6 600 <0,01(60 В)
ВРХ94 Si, п-р-п, ПЭ 500 >250 60 5 800 0,01
BSX97 Si, п-р-п, ПЭ 400 >200 J 40 5 500 J
100
Продолжение
Л>13' Л*2)Э Г— , Ом КЭнас кш. дБ Г«б. Ом V **» **рас* t** . выкл Г”. НС ПК Корпус
450—1120(6 В; 2 мА) — — <8( 1 кГц) — А-5
1 Ю—450* (5 В; 2 мА) 2,5(10 В) <25 '— — ММ-13
НО—800* (5 В; 2 мА) 2,5(10 В) <25 — — ММ-13
200—800"(5 В, 2 мА) 2,5(10 В) <25 <4(1 кГц) — ММ-13
120—220*(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <10 <10(1 кГц) — ММ-10
120—220*(5 В; 2 мА) <4,5( 10 В) <10 <10(1 кГц) — ММ-10
180—460*(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <10 <10(1 кГц) — ММ-10
180—460* (5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <10 <10(1 кГц) — ММ-10
180—460* (5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <10 <4(1 кГц) — ММ-10
380—800(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <10 <10(1 кГц) — мм- ю
380—800(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <10 <4(1 кГц) — ММ-10
125—500(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <25 <10( 1>Гц) — ММ-10
125—500(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <25 <10(1 кГц) ММ-10
240—900(5 В; 2 мА) <4,5(10 В) <25 <4(1 кГц) ММ-10
30—120(10 В; 1 мА) <12(10 В) <3,3 — <120* 5
80—300 (Ю В; 1 мА) <12(10 В) <3,3 — <120* 5
>25(10 В; 1мА) <8(10 В) <2,6 <80* ТО-18
>4О( 10 В; 1 мА <8(10 В) <2,6 — <80* ТО-18
>50(10 В; 1 мА) <8(10 В) <2,6 — <80* ТО-18
>110(10 В; I мА) <8(10 В) <2,6 — <80* ТО-18
>45(1 В; 1 мА) <6(10 В) <10 <250* <175* ТО-18
>45( 1 В; I мА) <6(10 В) <10 <250* <175* ТО-18
80-240(1 В; ЮмА) <7(10 В) <z.7 — —— ТО-18
0—400(1 В; ЮмА) <7(10 В) <3 30* 400* ТО-18
80—240(1 В; ЮмА) <7(10 В) <7 — — ТО-18
40—200х(5 В; 0,2 А) <10(10 В) <1,2 — <80* 5
20—60*(ЮВ;0 15 А) <8(10 В) <2,6 — 190* ТО-18
40—120*( 10 В; 0,15 А) <8(10 В; <3 190* ТО-18
40—120*(ЮВ; 0,15 А) <8(10 В; ^2 — <150 <225* ТО-18
40-120*(10В;0,15А) <8(10 В) <3,2 — — ТО-18
>40*(ЮВ;0,15А; <8(10 В; <3 -— — ТО-18
101
Тип прибора Материал, структура, технология 1 Р р* 1 К max ' К. тmax’ Р** , мВт К, и max ^гр’ ^Л2!э* , МГц max tf и* КБОпроб* КЭ1? проб' | ^КЭОлроб’ В ^ЭСС проб* П ; , / *_ , мА К max К, и max л
2N3301 Si, п-р-п, ПЭ 360 >250 6Э 5 500 <10(60 В)
2N2539 Si, п-р-п, ПЭ 500 >253 6J 5 800 <0,25(40 В)
2N2222 Si, п-р-п, ПЭ 503 >250 63 5 800 <0,01(50 В) <5(6 ё;
КТ357А Si, р-п-р, ПЭ 100 (50°С) >300 6* 3,5 40(80*)
КТ357Б Si, р-п-р, ПЭ 100 (50°С) >300 6* 3,5 40(80*) <5(6 В)
КТ357В Si, р-п-р, ПЭ 100 (5;’С) >300 20* 3,5 40(80*) <5(20 В)
К1357Г Si, р-п-р, ПЭ 100 (50JC) >300 20* 3,5 40(80*) <5(20 В)
2N5228 Si, р-п-р, ПЭ 310, >300 5 3 50 <0,1/4 В)
MPS3639 Si, р-п-р, ПЭ 200 >300 6 4 80 <100(6 В)
2SA495G Si, р-п-р, ПЭ 200 >100 35 5 100 <0,5(15 В)
2SA495 Si, р-п-р, ПЭ 200 >100 35 5 100 <0,5115 В)
2SA628 Si, р-п-р, ПЭ 150 100 30 4 100 1
КТ343А Si, р-п-р, ПЭ 150 (75°С) 150 (75°С) >300 17* (Юк) 4 50(150*) <1(10 В)
КТ343Б Si, р-п-р, ПЭ >300 17* (Юк) 4 50(150*) <1(10 В)
КТ343В Si, р-п-р, ПЭ 150 (75°С) >300 9*(10к) 4 50(150*) <1(7 В)
BSW19 Si, р-п-р, ПЭ 300 >150 35 5 100 0,02(25 В)
2Т3841 Si, р-п-р, ПЭ 300 >300 15 4 200 0,005
BSY4J Si, р-п-'р, ПЭ 300 210 25 5 100(140*) <0,01(25 В)
BSY41 Si, р-п-р, ПЭ 300 230 25 5 100(140*) <0,01 (25JBy
2N3545 Si, р-п-р, ПЭ 360 ^25) 20 5 203 <0,01(10 В)
BSW21 Si, р-п-р, ПЭ 300 >150 25 5 200 0,5
КТ349А Si, р-п-р, ПЭ 200 (35“С) >300 15* (Юк) 4 50(И0*) <1(10 В)
КТ349Б Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) >30) /5* (КМ 4 50(100*j <1(/0 В)
КТ349В Si, р-п-р, ПЭ 200 (35°С) зсо >300 15* (Юк) 4 50(100*) <1(10 В)
ВС178А Si, р-п-р, ПЭ 150 25** 5 100 <0,1(20 В;
2N726 Si, р-п-р, ПЭ 300 >140 25 5 50 <1(25 В)
2N727 Si, р-п-р, ПЭ ЗОЭ >140 25 5 50 <1(25 В)
2SA494G Si, р-п-р, ПЭ 203 >100 35 5 80 <0,1(15 В,
ВС158А Si, р-п-р, ПЭ 230 (45°С) 150 30 5 100 0,002120 В)
КТ347А Si, р-п-р, ПЭ 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (753С) >500 15*(10к) 4 50(110*) <1(15 В)
КТ347Б Si, р-п-р, ПЭ >500 9*(10к) 4 50(110*) <1(9 В)
КТ347В Si, р-п-р, ПЭ >500 6* (Юк) 4 50(110*) <1(6 В)
102
Продолжение
л21э‘ А*21Э с«' ГКЭнас‘ (fl S х о *д ад ьс t ‘‘к" от* **рас> ВЫкЛ* f***, нс П’< Корпус
ал 120*( 10 В; 0,15 А) <8(10 В) <1,2 <150** 10-18
50_150*( 10В; 0,15 А) <8(10 В) <3 — <20 ТО-18
100—ЗиО*(Ю В; 0,15 А) 20—100*(0>5 В; ЮмА) <8(10 В) <7(5 В) <2,6 <30 — <150* ТО-18 14
60—300*(0,5В; ЮмА) <7(5 В) <30 — <250* 14
20—10J*(0,5B; ЮмА) <7(5 В) <30 — <150* 14
60—30з*(0,5 В; ЮмА) <7(5 В) <30 — <250* 14
^30*(0,3В; ЮмА) <5(5 В) <40 — <90* ТО-92 ТО-92 R-67 R-67
30—120*(0,ЗВ; ЮмА) <3,5(5 В) <16 — 20
40—400*(1 В; ЮмА) <7(10 В) <40 — 300*
40—240*( 1 В;‘10мА) <7(10 В) <50 — —
55—500* (6 В; 1 мА) 3,5 30 — 60 100* ТО-92
>30*(0,3 В; 10 мА) <6(5 В) <30 — <1С0* 5
5=?50*(0,3В; ЮмА) <6(5 В) <30 — <20* 5
^30*(0,3В; ЮмА) <6(5 В) <30 — <10* 5
40-300*(1 В; ЮмА) 30-250 <7(10 В) <6 <18 <800** ТО-18 ТО-18
25-60*(0,5 В; ЮмА) <20 — <90* ТО-18
50—200*(0,5В; ЮмА) > <20 — <90* ТО-18
40—120*(1 В; ЮмА) <8 <20 — <40* ТО-18 ТО-18
75—225* (4,5 В; 2 мА) <8(5В) <10 — —
20—80*(1 В; ЮмА) <6(5 В) <30 — 5, 17а
40—160*(1 В; ЮмА) <6(5 В) <30 — — 5; 17а
120- 300*(1 В; ЮмА) <6(5 В) <30 — — 5; 17а
125-260(5 В; 2 мА) 4(10 В> <30 <10(1 кГи) — ТО-18
15—45*(1 В; ЮмА) <5(5 В) <60 — ТО-18
30—120*(1 В; ЮмА) 70—400(6 В; 0,1 мА) <5(5 В) <60 — — 10-18
<7( 10 В) <40 — — R-67
125—260(5 В; 2 мА) 4,5 — — ММ-1 о
30-400* (0,3 В; ЮмА) <6(5 В) <30 — <25* 5
30—406*(0,ЗВ; ЮмА) <6(5 В) <30 — <25* 5
50-400*(0,3 В; ЮмА) <6(5 В) <30 — <40* 5
103
Ten «ртбора Материал, стру1 тура, технология Р р* К max ’ К, ттах Р** , мВт К, и max ^ГР' ^*/1216' ^Д21э' f”* , МГц max ^КБО проб' ^K9R проб* иКЭОпроб' В ^ЭБО проб’ В 1 Л- • • мА К max К ( и х < u се * s X ч
2N2894 Si, р-п-р, ПЭ 360 >4..О 12 4 2.0 <0,08(6 В)
2N869A Si, р-п-р, ПЭ 360 >400 25 5 200 <10(25 В)
2N3012 Si, р-п-р, ПЭ 360 >400 12 4 200 <10(12 В)
2N3209 Si, р-п-р, ПЭ 360 .>400 20 4 200 <0,08” (Ю В)
KSY81 Si, р-п-р, ПЭ 360 >403 12 4 200 <10(12 В)
2N5056 Si, р-п-р, ПЭ 360 >600 15 4,5 100 <0,05* (10 В)
2N3576 Si, р-п-р, ПЭ 360 >400 20 5 200 <0,01*( 15 В)
MPS3640 Si, р-п-р, ПЭ 310 >500 12 4 80 <0,1(12 В)
КТ337А Si, р-п-р, ПЭ 15) (60°С) 151 (60°С) >500 6* (Юк) 4 30 <1(6В)
КТ337В Si, р-п-р, ПЭ >600 6*(10к) 4 30 <1(6В)
КТ337В Si, р-п-р, ПЭ 150 (60°С) >600 6* (Юк) 4 30 <1(6 В)
2N3304J Si, р-п-р, ПЭ 300 >500 6 4 200 <0,01(3 В;
2N4207j Si, р-п-р, ПЭ 300 >65) 6 4,5 50 <0,01*(3 В)
2N4208} Si, р-п-р, ПЭ 300 >700 12 4,5 50 0,01к(6 В)
2N3451 Si, р-п-р, ПЭ 300 >500 6 4 200 <0,01*(3 В)
КТ326АМ Si, р-п-р, ПЭ 20) (30°С) 200 (30°С) 300 >250 15*(100к) 5 50 <0,5(20 В)
КТ326БМ Si, р-п-р, ПЭ >400 15* ( 100к) 5 5) <0,5(23 В)
BFY19 Si, р-п-р, П >400 30 3 10j 10
2SA522 Si, р-п-р, ПЭ 250 >100 25 5 100 <0,1 (15 В)
BFX12 Si, р-п-р, ПЭ 300 >150 20 5 100(140*} 0,01
BFX13 Si, р-п-р, ПЭ 300 >150 23 5 103(140*) 0,01
2N4034 Si, р-п-р, ПЭ 363 >400 40 5 103 0,015*
КТ368А Si, п-р-п, ПЭ 225 (65°С) >900 15 4 30(60*) <0,5(15 В)
КТ368Б Si, п-р-п, ПЭ 225 (65°С) >900 15 4 30(60*) <0,5( 15 В)
2N918 Si, п-р-п, ПЭ 300 >600 30 3 53 <0,01(15 В)
2 N3600 Si, п-р-п, ПЭ 300 >850 30 3 53 <0,01(15 В)
BFX73 Si, п-р-п, ПЭ 200 >630 30 3 50 <0,01
2N917 Si, п-р-п, ПЭ 200 >500 30 3 50 <0,001(15 в;
2SC390 Si, п-р-п, ПЭ 150 >600 30 3 2 i <0,1 (Ю В)
BFY78 Si, п-р-п, ПЭ 300 >500 25 3 50 <0,02
2SC583 Si, п-р-п, ПЭ 200 >iooo 30 2,5 25(5j*)
КТ325А Si, п-р-п, ПЭ 225 (85u С) >800 15*(3к) 4 30(60*) <0,5(15 В)
КТ325АМ Si, п-р-п, ПЭ 225 (85°С) >800 15*(3к) 4 30(60*) <0,5(15 В)
КТ325Б Si, п-р-п, ПЭ 225 (85°С) >800 15*(3к) 4 30(6)*) <0,5(15 В)
КТ325БМ Si, п-р-п, ПЭ 225 (85^С) >800 15*(3к) 4 30(60*) <0,5(15 В)
104
Продолжена»
СК С,Ц,’"Ф „ Ом КЭ нас К . дБ ш Г‘б, Ом V4 °*' ^*рас' е‘‘ , выкд’ 1"*, НС ПК Корпус
3₽30*(0.3В; ЮмА) <6(5 В) <15 <90** ТО-18
>3J*(0,3В; ЮмА) <5(5 В) <15 — <80** ТО-18
>25*(0.3 В; Ю мА) <6(5 В) <15 — <75** ТО-18
>25*(0,3 В; 10 мА) <5(5 В) <15 <90** ТО-18
>30*(0,3В; ЮмА) <6(5 В; <7 <90** ТО-18
>20* (0,3 В; ЮмА) 4,5 <13 -— <30* То-18
40—120*(0,5 В; Ю мА) <4,5 <15 — <30* ТО-18
30— 120м (0,3 В; ЮмА) <3,5(5 В) <20 — <20* ТО-92
>30*(0,3 В; ЮмА; <6(5 В) <20 — <25* 5; 17а
>50*(0,3В; ЮмА) <6(5 В) <20 — <28* 5; 17а
>70*(0,ЗВ; ЮмА) <6(5 В) <20 — <28* 5: 17а
30—120*(0,ЗВ; ЮмА) <3,5(5 В) <16 — <30* ТО-18
>50* (0,3 В; ЮмА) <3 <15 — <15* ТО-18
>30*(0,ЗВ; ЮмА) 3 <15 * —- <20* ТО-18
30—120*(0.3В; ЮмА) <5,5 <16 — <60* ТО-18
20-70*(2В; 10 мА) <5(5 В) <30 — <450 17а
45—160* (2 В; 10 мА) <5(5 В) <30 — <450 17а
1Ю(9 В; ЮмА) 4 — — ТО-18
35—200*(ЮВ; ЮмА) 7(10 В) — — —- ТО-18
2с—60*(0,35В; ЮмА) 8 <25 — ТО-18
50—250*(0,35В; ЮмА) 6 <25 — ТО-18
>С0*(10В; 1 мА) <4 <180 — <140* ТО-18
50—300*(5В; ЮмА) <1,7(5 В) — <3,3(60МГц) <15 8а
50—300*(5В; ЮмА) <1,7(5 В) — ’— <15 8а
>20(1В;ЗмА) <1,7(10 В) <40 <6(60 МГц) <15 ТО-72
20-150(1 В; 3 мА) <1(10 В) <40 <3(60 МГц)! <15 ТО-72
>20*(1В;ЗмА) <1,7(10 В) <40 <6(60 МГц) —- ТО-72
2С—200(1 В;ЗмА) <1,7(10 В) <3,3 <6(60 МГц) <75 ТО-72
40-200(10 В; 2 мА) <1,5(10 В; <60 <3(100 МГц) <6 ТО-72
>20“(]^;ЗмА) <2,8 <40 <6(60 МГц) — ТО-72
25-150*(1 В; 2 мА) <1,5(10 В) —- — -— ТО-72
30-90*(5 В; ЮмА) <2,5(5 В) — — <125 19
30-90* (5 В; ЮмА) <2,5(5 В) — — <125 17а
70—210*(5В; ЮмА) <2,5(5 В) — — <125 19
70-2Ю*(5В; ЮмА) <2,5(5 В) — — <125 17а
IOS
Тип прибора Материал, структура, технология р , Р* К max К, т max Р** мВт К. и max ^гр‘ f*AS16’ СЛ<МГц max и .и* КБО проб КЭ1? проб U** R КЭО проб’ л I С а Й> 5 i К •нн. ч о £ < к S к Л о со
КТ325В Si, п-р-п, ПЭ 225 (85е С) >1000 15*(3к) 4 30(60*) <0,5(15 В)
КТ325В М S1, п-р-п, ПЭ 225 /СКО >1000 15*(3к) 4 30(60*) <0,5(15 В)
2N2615 S1, п-р-п, П 300 >800 30 3 —. —
2N2616 Si, п-р-п, П 300 >900 30 3 50
2SC809 Si, п-р-п, ПЭ 200 1200 25 3 20 <0,1(12 В)
2SC618 Si, п-р-п, ПЭ 150 800 25 4 25 <0,1(12 В)
2SC618A Si, п-р-п, ПЭ 150 800 25 4 25 <0,1(12 В)
2N2708 SI, п-р-п, ПЭ 200 >700 20** 3 50 <0,01(15 В)
2SC612 Si, п-р-п, ПЭ 180 >1000 35 2 20 <1(10 В) <1(15 В)
2SC253 Si, п-р-п, ПЭ 200 >600 30 3 30
КТ363А Si, р-п-р, пэ 150 (45° С) 150 (45° С) >1000 15*(1к) 4,5 30(50») <0,5(15 В)
КТ363АМ Si, р-п-р, ПЭ >1000 15*(1к) 4,5 30(50*) <0,5(15 В)
КТ363Б Si, р-п-р, ПЭ 150 (45 °C) 150 мк» г у >1500 12*(1к) 4,5 30(50*) <0,5(15 В)
КТ363БМ Si, р-п-р, ПЭ >1500 12*(1к) 4,5 30(50*) <0,5(15 В)
2N4260 Si, р-п-р, ПЭ 200 >1200 15 4,5 30 <10(15 В)
2N4261 Si, р-п-р, ПЭ 200 >1500 15 4,5 30 <10(15 В)
MPSL07 Si, р-п-р, пэ 310 >1000 6 4,5 80 0,01
MPSL08 Si, р-п-р, ПЭ 810 >1200 12 4,5 80 0,01
2N3546 Si, р-п-р, ПЭ 360 >700 15 4,5 100 <0,01 (10 В)
КТ355А S1, п-р-п, ПЭ 225 (85 *С) >1500 15*(3к) 4 30(60*) <0,5(15 В)
2N5851 Si, п-р-п, ПЭ 500 >800 30 4,5 100 <1(15 В)
2N5852 Si, п-р-п, ПЭ 500 >1100 30 4,5 100 <1(15 В)
2SC1044 Si, п-р-п, ПЭ 250 1000 45 3 30 <0,1(30 В)
2N5842 Si, п-р-п, 11Э 350* >1700 20 3 100 0,02
BFX89 Si, п-р-п, ПЭ 200 1200 15* 2,5 25(50*) <0,01(15 В)
BFY66 Si, п-р-п, ПЭ 175 (45 °C) 150 >600 30 3 100 <0,01(15 В)
2Т3674 Si, п-р-п, ПЭ >1000 25 5 25 <0,01
КТ372А S1, п-р-п, ПЭ 50 (100° С) 50 (103° С) 50 (100 °C) 200 >2400 15*(10к) 3 10 <0,5(15 В)
КТ372Б Si, n-p-п, ПЭ >3000 15* (Юк) 3 10 <0,5(15 В)
КТ372В S1, п-р-п, ПЭ >2400 16*(10к) 3 10 <0,5(15 В)
BFR34 Si, п-р-п, ПЭ 4500 20 3,5 30 <0,05(10 В)
BFR34A Si, п-р-п, ПЭ 200 3300 20 3,5 30 <0,05( 10 В)
2SC1090 S1, п-р-п, ПЭ 300 3000 20 3 50 <0,5(10 В)
2N5652 Si, п-р-п, ПЭ 250 | 3000 20 3 30 <0,1(Ю В)
106
Продолжение
лмэ' Л*21Э Ск' С‘12Уиф § £ tQ S ч о * t \, ПС, **рас* *** , вы к л ,**• t , КС ПК Корпус
160—400*(5 В; ЮмА) <2,5(5 В) — — <125 19
160—400*(5В; ЮмА) <2,5(5 В) — — <125 17а
20*(1 В; ЗмА) <2,8 ТО-18
50*( 1 В; ЗмА) 2,4 — —* ТО-18
9016 В; 2 мА) 1,4(6 В) — —» ТО-72
60(6 В; 2 мА) 1,3(3 В) —. <6(70 МГц) — ТО-72
50(6 В; 2 мА) 30—200Ч2В; 2 мА) 1,3(6 В) <1(15 В) — <3,5(70 МГц) <6(60МГц) <33 ТО-72 ТО-72
40—160(10 В; 2 мА) <1,5(10 В) — <5(70 МГц) — ТО-72
20—120(6В; 5мА) 1,5(6 В) <6(70 МГц) — ТО-72
20—120*(5 В; 5 мА) <2(5 В) <35 — J <50 |<Ю* 5
20—120* (бжВ; 5 мА) <2(5 В) <35 — J <50 (<10* 17а
40—120*(5В; 5 мА) <2(5 В) <з., — /<75 (<5* 5
40—120*(5В; 5мА) <2(5 В) <35 — 1<75 1<5* 17а
30—150*( 1 В; ЮмА) <2,5(4 В) <35 — <35 ТО-72
30-150*( 1 В; ЮмА) <2,5(4 В) <35 . — <60 ТО-72
>30*(ЗВ; ЮмА) 1,9 15 <40** ТО-92
>30*13 В; ю мА) 1,9 15 <40** ТО-92
30 — 120^(1 В; ЮмА) <6(10 В) <15 —, <20* ТО-1»
80-300*(5 В; ЮмА; <2(5 В) — <5,5(60 МГц) -^10* <60 21
>40*(1 В; ЮмА) >40*(1 В; ЮмА) 40—200^(6 В; 6 мА; <1,5(4 В) <1,5(4 В) 0,6(6В) <20 2,5(200 МГц) <20 ТО-72
<20 2,5(200;мГн) <4(200;МГц) <20 ТО-72 ТО-72
>25*14 В; 25 мА) 1,5 — <40 ТО-72
20— 12б*(1 В; 25 мА) <1,7(10 В) — <4(200 МГц) — ТО-72
>20(1 В; ЗмА) — — <б(бо;мгц) — ТО-18
>20 <1,5 — <5 — ТО-72
>Ю*(5В; 1 мА) <1(5 В) — <3,5(1 ГГц) — 22
>Ю*(5 В; ЮмА) <1(5 В) — <5,5(1 ГГц) — 22
>Ю*(5В; ЮмА) <1(5 В) — <5,5(1 ГГц) — 22
>25*(6В; ЮмА) 0,75(10 В) — 2,5(800 МГц) — ТО-50
?=25*(6В; ЮмА) S~3oo*(5B;10мА) ,30—300*(J0В; ЮмА) 0,75(10 В) — 3(800 МГц) — ТО-50
0,9(5 В) <4,5(1100 МГц) — С-78
0,6(10 В) — <2,5(500 МГц; — ТО-72
107
Транзисторы сргдней модности низкой,
Тип реборе Материал, структура, технология max' ?К*, ттах’ Р** , Вт К, и max •91Г УКБО проб- y*K4R проб- £?** та КЭОпроб* „ ,SK>1“O9€„ Я * Л К max’ I* К,п max’ мА
ГТ402Д Ge, р-п-р, С 0,3, 0,6 >1* 25*(0,2к) — 500
ГТ402Е Ge, р-п-р, С 0,3, 0,6 ^1* 25*(0,2к) — 5 0
ГТ402Ж Ge, р-п-р, С 0,3, 0,6 >1* 40*(0,2к) — 500
ГТ402И Ge, р-п-р, С 0,3, 0,6 >1* 4У(0,2к) — 500
АС 128 Ge, р-п-р, С 1* >1 32 10 1000
АС 188 Ge, р-п-р, С 1* >1 25 10 10 0
АС 152 Ge, р-п-р, С 0,3(0,9х) 1,5 32 10 500
ACY33 Ge, р-п-р, С 0,3(1,1*) >1 32 10 1000
АС 117 Ge, р-п-р, С 1,1 0,010** 32 10 1000
АС 138 Ge, р-п-р, С 2,2 1,5 х 32 10 1200
АС 124 Ge, р п-р, С 1* 0,011х" 45 10 1009
АС184 Ge, р-п-р, С 0,27 2,5 45 10 500(1000*)
АС 139 Ge, р-п-р, С 0,22 1,5* 32 10 1000
АС 142 Ge, р-п-р, С 0,22 1,5* 32 10 1200
SFT325 Ge, р-п-р, С 0,2 2 32 12 500
GC500 Ge, р-п-р, С 0,55 >0,5 24 10 300(600*)
GC501 Ge, р-п-р, С 0,55 24 10 30) (600*)
GC502 Ge, р-п-р, С 0,55 -S4 32 20 300(600*)
ГТ405А1 Ge р-п-р, С 0,6 >1* 25*(0,2к) — 500
ГТ405Б1 Ge, р-п-р, С 0,6 >Г 25*(0,2к) — 530
ГТ405В1 Ge, р-п-р, С 0,6 >1* 40*(0,2к) — 500
ГТ4О5Г1 Ge, р-п-р, С 0,6 >1* 40*(0,2к) 590
ГТ403А Ge, р-п-р, С 4* -0,008** 45 20 1250
ГТ403Б Ge, р-п-р, С 4* >0,008** 45 20 1250
ГТ4ОЗВ Ge, р-п-р, С 5* >0,008** 60 20 1250
ГТ403Г Ge, р-п-р, С 4* >0,006** 60 20 1250
1 Германиевые транзисторы в пластмассовом корпусе с таким
Зарубежные приборы, рекомендуемые для замены, такие же,
сочетаемы параметров зя
как Для транзисторов типа
108
гпедней и высокой частот
3 дВ *рас*
/кво’ ''jOR* мьА \1.9’ V2I» Ск. пФ а -2 Л-пс Л|1б’ Ом ^*выкл» нс ПК Корпус
^25( Ю В) 30—80 — <5 — — 23, 27
(1 В, 3 мА)
<25(10 В) 60—150 (1 В; 3 мА) — <5 — — 23, 27 23; 27
<25( Ю В) 30—60 (1 В; 3 мА) — <5 — —
<25 ( Ю В) 60—150 (1 В; 3 мА) — <5 — — 23; 27
<10(10 В) 55- 175(50 мА) 100 — — — ТО-1
(5 В) ТО-1
<200(25 В) >70 <110 — — —
(10 В, 5 мА) (5 В) ТО-1
<25(32 В) 114* <40(5 В) <8 —
(0,5 В; 2мА) <10 ТО 1
<10(10 В) 97(50 мА) <100 — —
(5 В) Х-9
" 6(6 В) 60—400 — — —- —
(2 В; 150 мА) ТО-1
<15( 10 В) 30—250 (6 В, 5 мА) — — — —
ТО-1
<8(45 В) 60—170 (2 В; 150 мА) — — —’ —
R-134
<10(10 В) 50—250 (1 В; 300 мА) 40(6 В) -— —' —
ТО-1
<14(12 В) 40- -160(0,4 А) — — —- —
<14(12 В) 40—160(0,4 А) — — —- — ТО-1
<25 160* (6 В, 5 мА) — — — — Х-47
<16(6 В) 50(300 мА) -— <0,8 <15( 1 кГц) —► А-6
<16(6 В) 95(300 мА) — <0,8 15( 1 кГц) —— А-6
<16\6 В) 95(300 мА) — <0,8 15(1 кГц) — А-6
<25(10 В) 30—80 (1 В; 3 мА) — — — — 24 24
<25(10 В) 60—150 (1 В; 3 мА) — —- —
24
<25(10 В) 30—60 (1 В; 3 мА) — — —- —-
24
<25(10 В) 60-150 (1 В; 3 мА) — — —- —
25
<50(45 В) 20—60 (5 В; 0,1 А) — <1 —
25
<50(45 В) 50—150 (5 В; 0,1 А) — <1 — —
25
<50(60 В) 20—60 (5 В; 0,1 А) — <1 —
25
<50(60 В) 50-150 (5 В; 0,1 А) — <1
Ве выпускаются
109
Тип прибора Материал, структура, технология ?K max’ ^K*, т max* Bt К, я max £ £ c * »- 'm a, • сч Г* -e и КБО проб ^КЭЯ проб* иКЭОпроб* В — ^ЭБОцроб * В 1 Кто*’ /• К, и maj;* мА
ГТ4ОЗД Ge, р-п-р, C 4* >0,006** 60 30 1250
ГТ4ОЗЕ Ge, р-П'р, C 5* >0,008** 60 20 1250
ГТ403Ж Ge, р-п-р, C 4* >0,008** 80 20 1260
ГТ403И Ge, р-п-р, C 4* >0,008** 80 20 1250
ГТ403Ю Ge, р-п-р, C 4* >0,008** 45 20 1250
ASY76 Ge, р-п-р, C 0,5 >0,5 40 10 500(1000*)
ASY77 Ge, р-п-р, C 0,5 >0,5 60 10 500(1000*)
ASY80 Ge, p-n-p, C 0,5 >0,7 40 20 500{1000*)
AD 164 Ge, p-n-'p, C 6*(45eC) 0,011** 25 20 500(1000*)
AD 152 Ge, р-п-р, C 6* 0,011** 45 12 1000
AD 155 Ge, p-ti-p, C 6» 0,011** 25 12 1000
AD 169 Ge, р-п-р, C 6* 0,011** 45 12 юоо
GC510K Ge, p-n-p, C 1* >0,010** 32 10 1000(2000*)
GC512K Ge, р-п-р, C 1* >0,010** 25 10 1000(2000*)
2NU72 Ge, р-п-р, C 4* >0,10 24 8 1500
3NU72 Ge, p-rt-p, C 4* >0,10 32 10 1500
4NU72 Ge, p-ft-p, C 4* >0,10 48 15 1500
5NU72 Ge, p-n-p> C 4* >0,1 60 20 15о0
ADP665 Ge, p-n-p, C 3,2* >0,1 30 10 1500
ADP666 Ge, p-n-p, C 3,2* >0,1 60 10 1500
ГТ414А Ge, п-р-п, C 0,6; 0,3 >1* 25*(0,2к) — 500
ГТ4С4Б Ge, п-р-п, C 0,6; 0,3 >1* 25*(0,2к) — 500
ГТ4и4В Ge, п-р-п, C 0,6; 0,3 >1* 40*(0,2к) — 500
ГТ404Г Ge, п-р-п, C 0,6; 0,3 >1* 40*(0,2к) — 500
ГТ4С4Д Ge, n-p-n, C 0,6; 0,3 >1* 25*(0,2к) — 500
ГТ4С4Е Ge, rt-p-n, C 0,6, 0,3 >1* 25*(0»2к) — 500
П4С4Ж Ge, ti-p-n, C 0,6, 0,3 >1* 40*(0,2к) — 500
ГГ4С4И Ge, п-р-п, C 0,6; 0,3 >1* 40*(0,2а) — 500
AC 127 Ge, rt-p-л, C 0,24 >1,5 32 10 500
(0,34*)
AC 187 Ge, п-р-п, C 1 >1* 25 10 1000
no
Продолжение
'КБО' [• ft* 1 кэк h213‘ ^’21Э CR1 пФ „ эвж «0 J Хщ’ ДБ 1*н’ пс Ом *рас* **выкд» f**, нс ПК Корпус
.<50(69 В) 50—150 (5 В; 0 1 А) — <1 — — 25
<50(69 В) >30(0,45 А) — <1 — 25
<59(80 В) 20—60 (5 В; 0.1 А) — <1 — —‘ 25
<50(80 В) >30(0,45 А) <1 •— 25
<50(45 В) 30—60 (5 В; 0,1 А) — <1 — — 25
<40(40 В) >45 (6 В; 1о мА) >45 (6 В; 10 мА) <60(5 В) <1 <15( 1 кГц) — ТО-5
<40(60 В) <60(5 В) <1 <15( 1 кГц) — ТО-5
<49(40 В) >50(0, ЗА) <60(5 В) <1 <15( I кГц) ТО-5
<39(25 В) 89—320 —* —- ——> —— MD-11
<30(45 В; (1 0; 0,5 А) 40—160 — — MD-11
<30(25 В) (1 в; о,5 А) 65—320 — <— MD-11
<30(45 В) (1 В; 0,5 А) 40—160 (1 В; 0,5 А) — — — — MD-H
<10(10 В) 60-^175(0,3 А) 85(6 В) <0,6 — А-7
<15(10 В; >25(0,3 А) 85(6 В) <0,6 А-7
(6 >10(1,5 А) — <0,2 — SOT-9
<35(6 В) >10(1,5 А) — <0,2 — SOT-9
<35(6 В) >10(1,5 А) — <0,2 — — SOT-9
<35(6 В) >10(1,5 А) — <0,2 — — SOT-9
20—120 (6 В; 0,1 А) — — ТО-66
20—120 (6 В; 0,1 А) — —“ ТО-66
<25(1(к.В) 30—80 (1 В; 3 мА) — <6 — — 23; 27
<25(10 В) 60—150 (1 В; 3 мА) — <6> — — 23; 27
<25(10 В) 30—80 (1 В; 3 мА) — <6 — — 23; 27
<25(10 В) 69—150 (1 В; 3 мА) 30—80 /1 В; ЗмА) — <6 — — 23; 27
<25(10 В) — <6 —, — 23; 27
<25(10 В) 60—150 (1 В; 3 мА) — <6 — — 23; 27
<25(10 В) 30-80 (I В; з мА) — <6 —‘ — 23; 27
<25(10 В) 60—150 (1 В; 3 мА) — <6 —• — 23; 27
<15(10 В) 100(20 мА) 70(5 В) —' <10(1 кГц) — ТО-1
<100(25 В) >70 (10 В; 5 мА) <180 (5 В) — — — ТО-1
Ш
Tbn прибора Материал» структура, технология К max Р* К, т тйх, р” . Вт К, н max А ^КБО проб’ UПроб' иКЭОпроб’В ^ЭБО проб в ^Ктах ’ К, и max ‘ мА
AC176 Ge, п-р-п, С 1 >1* 32 10 1000
AC 181 Ge, п-р-п, С 0,3 >2* 32 20 1000
AC 141 Ge, п-р-п, С 0,22 (0,72*) 3* 32 10 1200
AC141B Ge, п-р-п, С 0,22 (0,72*) 3* 25 10 1200
SFT377 Ge, п-р-п, С 0,25 >1 16** 10 600
2SD127 Ge, п-р-п, С 0,25 23 12 500
2SD127A Ge, п-р-п, С 0,25 >1 23 12 500
2SD128 Ge, п-р-п, С 0,25 32 12 500
2SD128A Ge, п-р-п, С 0,25 >1 32 12 500
2SD72 Ge, п-р-п, С 0,72 0,75 25 6 600
GD607 Ge, п-р-п, С 4* 32 10 1А(2А*)
GD608 Ge, п-р-п, С 4* ^>1 25 10 1А(2А’)
GD609 Ge, п-р-п, С 4* >1 20 10 1А(2А*)
AC 185 Ge, п-р-п, С 0,27 (L25*) >2 32 20 500(1000*)
П605 Ge, р-п-р, К 3* — 45 1 1500
П605А Ge, р-п-р, К 3* — 45 0,5 1500
П606 Ge, р-п-р, К 1,25* >30 35 1 1500
П605А Ge, р-п-р, К 1,25* >30 35 0,5 1500
2SA416 Ge, р-п-р, СД 6* >60 70 1,5 700
П607 Ge, р-п-р, К 1,5* (40°С) <60 30 1,5 300(600*)
П607А Ge, р-п-р, К 1,5* (40°С) >60 30 1,5 300(600*)
П608 Ge, р-п-р, К 1,5* >90 30 1,5 300(600*)
П608А Ge, р-п-р, К (40°С) 1,5* (40°С) 1,5* (40°С) >90 30 1,5 300(600*)
П609 Ge, р-п-р, К >120 30 1,5 300(600*)
П609А Ge, р-п-р, К 1,5* >120 30 1,5 300(600*)
AUY10 Ge, р-п-р, СД 120 70 2 700
2SA374 Ge, р-п-р, СД 1,5* >150 34 0,5 300
KT601A Si, п-р-п, П 0,25 (0,5*) >40 100*(10к) 3 30
KT601AM Si, п-р-п, П 0,5 >40 100*(10к) 3 30
112
Продолжение
'КБО' 1 кэя Ск, пФ ГКЭ нас’ » й л 5s*.* В о 8 м з « *рас‘ **выкл' 1**, нс ПК Корпус
<500(32 В) 35(50 мА) <100 (5 В) <5,5 — "— ТО-1
<20(10 В) 50-250 (1 В; 0,6 А) 80(6 В) о.з <10(1 кГц) — R-134
<14(Ю В) 40-160(0,4 А) — — — — ТО-1
<14(10 В) 30-250 (6 В; 1 мА) — — — — ТО-1
Ю 50(1 В, 0,3 А) — . — ——. Т0.1
20 82(1 В; 20 мА) — -W . — —~ — ТО-1
20 >46(1 В; 0,5 А) — мч- ТО-1
20 82(1 В, 20 мА) -— —- Т0-1
20 >46 (1 В; 0.5 А) — — —- — то-1
50 80(1 В; 0,2 А) — — —- Т0-1
<35(10 В) 30—180(50 мА) <— — —- — <1- SOT-9
<35(10 В) 100-500 (50 мА) — — —- SOT-9
<35(10 В) 30—500(50 мА) — — ——> » — SOT-9
<20 ( Ю В) 50—250 (1 В, 0,3 А) 80(6 В) — — — ТО-11
<2010(45 В) 20—60 (3 В, 0,5 А) <130 (20 В) <40 <500* <3000 26
<2000(45 В) 40—120 (3 В; 0,5 А) <130 (20 В» <40 <500* <4000 26
<2000(35 В) 20—60 (3 В; 0,5 А) <130 (20 В) <40 <500* <3000 26
<2000(35 В) 40—120 (3 В; 0,5 А) <130 (20 В) <40 <500* <4000 26
600 40—100 (10 В; 0,6А) — — — 6'0 ТО-3
<ЗС 0(30 В) 20-80 (ЗВ; 0 25 А) <50 (10 В) <10 <500* <3000 26
<300(30 В) 60—200 (3 В; 0,25 А) <50 (10 В) <10 <500* <3000 26
<300(30 В) 40—120 (3 В; 0,25 А) <50 (Ю В) <10 <500* <3(00 26
<300(30 В) 80—240 (3 В; 0,25 А) <50 (ЮВ) <10 <500* <3000 26
<300(30 В) 40—120 (ЗВ; 0,25 А) <50 (Ю В) <10 <500* <3000 26
<300(30 В) 80—240 (3 В; 0,25 А) <50 (10 В) <10 <500* <3000 26
2000 >40 (10 В; 0,6 А; — — — ТО-3
12 100 (2 В; 0,15 А) 13 — — — ТО-5
<50(50 В) >16 (20 В; 10 мА)» <15 (20 В) — <600* — 27
<300*(100В) >16 (20 В; 10 мА) <15 (20 В) ~— <600* 18
8—136
ИЗ
Тип Прибора Материал, структура, технология р,. К max т max' Р\'* , Вт К, и max * • Л и * ^КБОпроб’ V КЭЯпрто' икэо проб’ В ^ЭБО проб ‘ В К max * К, и max ' МА
2SC64 Si, п-р-П, М 0,6 >20 133 3 50
2N1051 Si, п-р-п, Д 0,5* >60 60 8 100
2N1564 S1, п-р-п, Д 0,6* >60 80 5 50
2N735A Si, п-р-п, ПЭ 0,5* >60 80 6 50
2N844 Si, п-р-п, М 0,3 >50 60 3 59
2N845 Si, п-р-п, М о.з >50 100 3 50
2N1565 Si, п-р-п, Д 0,6 >60 80 5 50
КТ630А Si, п-р-п, П 0,8 >50 120 7 1000(2000*)
КТ630Б Si, п-р-п, П 0,8 >50 120 7 1030(2000*)
ктбзов Si, п-р-п, П 0.8 >50 150 7 1000(2000*)
ктезог Si, n-p-п, П 0,8 >50 100 5 1090(2и00*)
К1бзод Si, п-р-п, П 0,8 >50 60 5 1000(2000*)
КТ63ОЕ Si, п-р-п, П 0,8 >50 60 5 1000(2000*)
2N1613 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 75 7 1000
2N1711 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >70 75 7 1000
2N1893 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 120 7 1000
2N2243 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 120 7 1000
2N2243A Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 120 7 1000
2N3053 Si, п-р-п, ПЭ 1 >103 60 5 700
2N3107 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >70 100 7 1000
2N3108 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >70 100 7 1030
2N3109 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 80 7 10.-0
2N3110 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 80 7 1030
2N697 Si, п-р-п, П 0,6 >50 60 5 500
2N699 Si, п-р-п, П 0,6 >50 120 5 1000
2N2270 Si, п-р-п, П 1 >60 60 7 1000
2N2102 Si, п-р-п, П 1 >60 120 7 1000
2N2102A Si, п-р-п, П 1 ^^50 120 7 1000
114
Продолжение
rKBO’ г» мкА * K3R Л21Э’ Л*21Э Ск, пФ 2 о е к. дБ г’к, нс *рас’ вьгкл’ /**, не лк Кортпо
1,5 20(20 В; 5 мА) 10 — ТО-5
>30(5 В; 5 мА) <7 — ТО-5
>20(5 В; 5 мА) <10 — — ТО-5
<0,005(30 В) 30—100 (5 В; 5 мА) <10(5В) <100 — — 1O-I8
1 80* (10 В; 1 мА) <6 —г — — ТО-18-
1 80*(10 В; 1мА) <6 — — ТО-18
<1 >40(5 В; 5мА) <10 — — — ТО-5
<1(90 В) 40—120 (ЮВ; 150 мА) <15 (Ю В) <2 >5** - < 500* 19
<1(90 В) 80—240 (10 В; 150 мА) <15 (Ю В) <2 >5** <500* 19
<1(90 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <15 (ЮВ) <2 >5** <500* 19
<1(40 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <15 (Ю В) <2 >5** <500* 19
<1(40 В; 80—240 (10 В; 150 мА) <15 (Ю В) <2 >5Й* <50и* 19
<1(40 В) 160—480 (10 В; 150 л А) <15 (Ю В) <2 >5** <500* 19
<0,01(60 В) 40—120 (Ю В; 150 мА) <25 (Ю В) <10 24** — ТО-5
<0,01(60 В) 100—300 (10 В; 150 мА) <25 (Ю В) <10 24** — ТО-5
<0,01(90 В) izO (10 В; 150 мА) <15 (10 В; <24 >20** —• ТО-5
<0,01(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <15 (Ю В) <2,3 — — ТО 5
<0.01(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <15 (Ю В) <1,6 — — ТО-5
<100(60 В) 50—250 (10 В; 150 мА) <15 (ЮВ) <9 — —• ТО-5
<0,01(60 В) 100—300 (1 В; 150 мА) <20 (10 В) <1,6 — <1000* ТО-5
<0,01(60 В) 40-120 (1 В; 150 мА) <20 (Ю В) <1,6 — <600* ТО-5
<0,01(60 В) 100—300 (1 В; 150 мА) <25 (Ю В) <1,6 — <1000* ТО-5
<0,01(60 В) 40—120 (1 В; 150 мА) <25 (10В) <1,6 — <600* ТО-5
<1(30 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <35 (Ю В) <10 >20** ТО-39
<0,05(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <20 /ЮВ) <33 >20** —- ТО-39
<0,{ 5(60 В) 50-203 (10В, 150 мА) <15 (10 В) <6 — —- ТО-39
<0,С02(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <15 (10 В) <3,3 >24** — ТО-39
<0,002(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <15 (10 В) <2 10-39
8*
115-
Тип iрибора Материал, структура, технология м е i 1 . - s. а. а, а. ^гр‘ Л216' й.э' МГЦ ЮВОпроб и* V&H проб’ *КЭО проб' в и в । ЭВО проб 1а К max !• К, и max' мА
2N2405 Si, п р-п, П 1 >59 123 7 юэо
ВС 140 Si, п-р-п, ПЭ 1 :50 80 7 1С00
ВС141 Si, п-р-п, ПЭ 1 >60 100 7 10jO
ВС300 Si, п-р-п, П 0,85 120 120 7 1000
2N696 Si, п-р-п, Д 0,6 >40 60 5 500
2N698 Si, п-р-п, П 0,8 >40 120 7 500
2N1420 Si, п-р-п, Д 0,6 >50 60 5 1000
2N1507 Si, п-р-п, П о,6 >53 60 5 IGOO
2 \ 1889 Si, п-р-п, П 0,8 >50 100 7 500
2N1890 Si, п-р-п, П 0,8 >60 100 7 50J
2N2192 Sj, п р-п, П 0,8 >50 60 5 1000
2N2192A Si, п-р-п, П 0,8 >50 60 5 1000
2N2193 Si п-р-п, П 0,8 >50 80 8 IlOO
2N2193A Si, п р-п, П 0,8 50 80 8 10 ю
2N2194 Si, п-р-п, П 0,8 >53 60 5 1000
2N2194A Si, п-р-п, П 0,8 >50 60 5 1000
BFY56 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(5*) >40 80 5 1000
2SC497 Si, п-р-п, Э 0,6 50 100 5 800
2SC498 Si, п-р-п, Э 0,6 50 80 5 800
2SC593 Si, п-р-п, Э 0,8(6*) >50 100 5 600
2SC504 Si, п-р-п, Э 0,8 >50 80 5 6g0
2SC510 Si, п-р-п, ТД 0,8(8*) >20 140 5 1590
2SC512 Si, п-р-п, ТД 0,8 >20 100 5 1500
BFY50 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 80 6 1000
BFY51 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 60 6 1000
BFY52 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 40 6 1003
116
Продолжения
^кьо' s*v®R, «ьА / , А* 21Э 21* Ск. пф Г,„ , Ом КЭ нас * Д 0 * ё . 5< Р -С *рас' ВЫКЛ* /** , НС пк Корпус
<0,01(90 В) 60—200 (10 В, 150 мА) <15 (10 В) <7 >24** — ТО- 39
<0,1*(80 В) 40—250 (1 В, 100 мА) <25 (ЮВ) <14 — — ТО-39
<О,1*(6Э В) 4О—25Э (1 В, 160 мА) <25 (10 В) <14 <850* ТО-39
— 40—240 (10 В; 150 мА; <10 (10 В) <3,3 — — ТО-5
^Ц-iO В) 20—60 (10 В, 150 мВ) <35 (ЮВ) <10 — — ГО-5
0 0j5(75B) 20—60 (10 В; 150 мА) <15 (Ю В) ^9 >20** — ТО-39
<Ц30 В) 100—300 (10 В; 150 мА) <35 (10 В) <10 >24** — ТО-39
<1(30 В) 10J— зоэ (10 В; 150 мА) <35 (ЮВ) <10 — ТО-5
<0,01(75 В) 40—120 (10 В, 15"» мА) <15 (Ю В) <3,3 — — 10-39
<0,01(75 В) 100—300 (10 В; 150 мА) <15 (10 В) <3,3 — — ТО-39
<0,01(30 В) 100—300 (10 В; 150 мА) <20 (Ю В) <2,3 — <150 ТО-39
<0,01(30 В) 1G0—300 (10 В; 150 мА) <20 (10 В) <1,6 — <150 ТО-39
<0,01(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) ^2» (10 В) <2,3 — <150 ТО-39
<0,01(60 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <20 (Ю В) <1,6 — <150 ТО-39
<0,01(30 В) 20—60 (10 В; 150 мА) <20 (Ю В) <2,3 — <150 ТО-39
<0,01(3? В) 20-60 (10 В; 150 мА) <20 (Ю В) <1,6 — <153 ТО-39
<0,05(50 В) 30—150 (1 В, 150 мА) <25 (Ю В) <1,2 — <625* ТО-5
<1(30 В) 40—240 (2 В, 200 мА) 15(10 В) <4 — — ТО-39
<1(30 В) 40—240 (2 В, 0,2 А) 15(10 В) <4 — — ТО-39
<0,5(80 В; 30-300 (2 В; 150 мА) <30 (10 в) <3,3 <25** 450 ТО-39
<0,5(60 В) "30—310 (2 В; 150 мА) <30 (10дВ) <3,3 <25** 450 ТО-39
<1(30 В) 30—150 (2 В; 200 мА) <40 (ЮВ) <3 — 3000 ТО-39
(30 30—150 (2 В; 200 мА) <40 (10 В) <3 — 3000 ТО-39
—'‘ >-30 (10 В; 0,15 А) <1,3 — <400* ГО-39
>>40 (10 В; 0,15 А) — <2,3 — ТО-39
>60 (10 В, 0,15 А) 4—• <2,3 '— — ТО-39
117
Тип прибора Материал, структура, технология К max К*, т max РК, и max* Ет XIW КВОпроб и* КЭД проб г f** о КЭО проб' Z7 R ЭБО проб ‘ max ‘ /* К, нmax* мА
BFY53 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 4ъ 6 1000
BFY55 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 80 7 1000
BFY56A Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 80 7 1000
2N2297 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 60 80 7 1000
2N2868 Si, п-р-п, П 0,8 >50 60 7 1000
BFY34 Si, п-р-п, П 0,8(2,6*) >60 75 7 500
BFY46 Si, п-р-п, П (2,6*) >70 75 7 500
2N5681 Si, п-р-п, пэ I >30 100 4 1000
2N5682 Si, п-р-п, ПЭ 1 >30 120 4 1000
2N2I95 Si, п-р-п, ПЭ 0,6 >50 45 5 1000
2N3019 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(5*) >100 140 7 1000
2N3020 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(5*) >80 140 7 1000
2SC959S Si, п-р-п, Э 0,7 50 120 5 700
2SC1008 Si, п-р-п, Э 0,8 75 80 8 700
2SC1008A Si, п-р-п, Э 0,8 70 100 8 700
2SC306 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >75 50 5 500
2 SC 307 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >100 80 5 500
2SC308 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >45 100 5 500
2SC309 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 120 5 500
2SC310 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >60 140 5 500
2SC481 Si, п-р-п, ПЭ 0,6 >100 60 5 1000
KT605A Si, п-р-п, П ,4 (100’С) >40 300 5 100(200*)
КТ605АМ Si, п-р-п, и 0,4 (10СРС) >40 300 5 100(200*)
КТ605Б Si, п-р-п, П 0,4 (100эС) >40 300 5 100(200*)
КТ605БМ Si, п-р-п, П 0,4 (100°С) >40 300 5 100(200*)
118
Продолжение
/Kfi0‘ г. , мкА 1 кэя А21Э’ Л*В1э Ск. дФ । Ом КЭ нас дБ ’V пс *1*6’ °” *рас' выкл ’ ***, нс пк Корпус
— >30 (10 В; 0,15 А) <2,3 — — ТО-39
>40 —— <1,3 — ТО-39
— (6 В; 0,15 А) 4Ь—200 (1 В; 0,15 А) <25 (ЮВ) <1,2 — — ТО-39
<0,01 (60 В) 40-120 (10 0; 0,15 А) <12 <1.3 — ТО-5
<0,01 40—120 (ЮВ; 0,15 А) <20 <1,6 — — ТО-39
<0,01(60 В) 40—120 (10 В; 0,16 А) <25 (ЮВ) <10 — — ТО-39
<0,01 (60 В) 100-300 (10 В; 0,15 А) <25 (Ю В) <10 — — ТО-39
<1(100 В) 40—150 (2 В; 0,25 А) <50 (20 В) <2 — — ТО-39
(120 В) 40—150 (2 В; 0,25 А) <50 (20В) <2 — ТО-39
<0,1 >20 (10 В; 0,15 А) <20 — — ТО-5
<0,01 (90 В) 100—300 (10 В; 0,15 А) <12 (ЮВ) <1,3 — — ТО-39
<0,01 (90В) 40—120 (10 В; 0,15 А) <12 (10 В) <1 — — ТО-39
<3(80 В) 40—200 (5 В; 0,2 А) <4 — —— ТО-39
<0,1 (60 В) 80—240 (2 В; 0,05 А) 17(10 В) <1,4 —""’ — ТО-39
<0,1 (60 В) 80—240 (2 В; 0,05 А) 15(Ю В) <1,4 — -— ТО-39
<0,1 85 (10 В; 0,15 А) 10 <4,7 — 300 ТО-5
<0,01 85 (10 В; 0,15 А) 10 <4,7 300 ТО-5
65 (10 В; 0,15 А) *— — -— ТО-5
0,1 65 (ЮВ; 0,15 А) ю <10 — 200 ТО-5
0,0! 65 (10В; 0,15 А) 10 <10 — 200 ТО-5
— 35(2В; 0,15 А) — — — ТО-39
<50* (250 В) 10—40 (40 В; 20 мА) <7(40 В) <400 <250* — 28
<20*(250В) 10-40 (40 В; 20 мА) <7(40 В) <400 <250* — 18
<50* (250 В) 30—120 (40 В; 20 мА) <7(40 В) <400 <250* — 28
<20* (250 В) 30—120 (40 В; 20 мА) <7(40 В) <400 <250* 18
119
Ткп приборе Матера ал, структура, технология РКтах' К*, т max Р** •Вт К, н max tuw 1 a. S' ь с £. != а а CS i S =>Л К «ах К, и max ’ мА
2SC1056 Si, п-р-п, П 0,475 >75 260 5 100
вс; loo Si, п-р-п, П 0,590 10 350 7 150
BF471 SI, п-р-п, ПЭ 1,8* (114°С) >60 300 5 50(100*)
KT6I8A Si, п-р-п, П 0,5 >40 300 5 100
2SC505 Si, п-р-п, П 0,6 >20 300 3 100
2SC788 SI, п-р-п, П 0,8 >60 250 5 50
MJ420 S1, п-р-п, П 0,8(2,5*) >15 275 6 100(500*)
BF179C Si, п-р-п, П 0,7 >60 250 5 50
BFP179G S1, п-р-п, П 0,6 >75 250 5 50
КТ603А S1, n-p-п, ПЭ 0,5 (50°С) >200 30^(1 к) 3 300(600*)
КТ603Б Si, а-р-п, ПЭ 0,5 /50сС) >200 ЗО*(1 К) 3 300(600*)
КТ603В Si, п-р-п, ПЭ 0,5 (5О°С) 0,5 (50°С) >200 15я(1 к) 3 300(600*)
ктбозг Si, п-р-н, ПЭ >200 15*(1 к) о 300(600*)
КТ6ОЗД S1, п-р-п, ПЭ 0,5 (50° С) >200 10*(1 к) 3 300(600*)
КТ803Е S1, п-р-п, ПЭ 0,5 >200 10*(1 к) 3 300(600*)
КТ603И S1, п-р-п, ПЭ (5О0С) 0,5 (50эС) >200 30*(1 К) 3 300(600*)
BSW36 S1, п-р-п, П 0,8 >150 32 4 500
2N2237 S1, n-p-п, ПЭ о,6 >100 40 6 500
2SC796 S1, n-p-п, ПЭ 0,5 230 40 2 500
КТ616А SI, n-p-п, ПЭ 0,3 >200 20*(10к) 4 400(600*)
КТ616Б S1, л-р-п, ПЭ 0,3 >200 20* (Юк) 4 400(600»)
BSW41 S1, п-р-п, ПЭ 0,325(1*) >250 30* 5 300(500*)
BSX89 S1, п-р-п, ПЭ 0,3 >200 25 5 500
2SC395A Si, л-p-n, ПЭ 0,25 >200 20 5 400
120
Продолжение
/КБО' мкА 7 КЭЯ Л*21» Ск* ГКЭиас’ °“ ЛГщ. дБ, пс, АКб- Ом 7рас* нькл' /** , нс НК Кераус
<1 <20 (10 В; 10 мА) <10 — — — ТО-5
0,06 40 (20 В; 10 мА) — <160 —" <500 ТО-5
<0,01 (200 В) <50 (20 В; 25 мА) — <800 — — ТО-126
<50* (250 В) <30 (40 В; 1 мА) <7(40 В) — — — 19
<2(100 В) 30-150 (5 В; 50 мА) <15 (50 В) <20 — — ТО-39
<0,1 100 (5 В; 10 мА) 4 — —• — ТО-5
<100(275 В) <15 (20 В; 1 мА) <12 (20 В) <170 — — ТО-б
<1 мА (260 В) <20 (15 В; 20 мА) <3,5* (20 В) <75 — <100 ТО-39
*“ <20 (15 В; 20 мА1 <3,5* (20 В) — — — ТО. 39
<10(30 В) 10—80 (2 В; 0,15 А) <15 (Ю В) <7 <400* <100* 28
<Ю(30В) <60 (2 В; 0,15 А) <15 (Ю В) <7 <400* <100* 28
<5(15 В) 10—80 (2 В; 0,15 А) <15 (ЮВ) <7 <400* <100* 28
<5( 15 В) <60 (2 В; 0,15 А) <15 (ЮВ) <7 <400* <100* 28
<1( ЮВ) 20—80 (2 В; 0,15 А) <15 (10 В) <7 <400* <100* 28
<1(10 В) 60—200 (2 В;;0,15 А) <15 (10 В) <7 <400* <100* 28
<10(30 В) <20 (2 В; 0,35 А) <15 (ЮВ) <3,4 <400* <100* 28
<50 (1 В; 0,05 А) <15 (ЮВ) <4 — 150* ТО-5
0,05 40—125 U В; 0,1 А) 50* (20 В; 15 мА) <35 <2,5 —- 600* ТО-5
5 5 — — — ТО-б
<15( 10 В) <40 (1 В; 0,5А) <15 (ЮВ) <1,2 — <50 5
<15(ЮВ) <25 (1 В; 0,5 А) <15 (ЮВ) <1,2 — <15 5
<0,5(30В) <15 (1 В; 0,5 А) <8(10 В) <1,4 — <110* ТО-18
<0,5(15 В) <20 (10 В; 10 мА) 2,5(10 В) <60 — <75** ТО-18
<0,1(20В) 20—300 (1 В; 10 мА) <6(10 В) <25 — <50 ТО-18
121
и
1 - и PQ
Тип Материал, £ \ •ц Е § iai6’ МГц 111 К гпалс
призора структура, § - S * И Az в О rt? О К, и max ’
технология w bit « CL* СЧ Ba s s A мА
& a a a
2N3210 Si, п-р-п, ПЭ 0,36 >300 40 5 500
BSY17 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >280 20 5 200
BSY18 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >280 20 5 200
BSY62 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >28u 25 5 200 .
2SC131 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >175 40 5 300
2SC132 St, п-р-п, ПЭ 0,35 >175 20 5 300
2 SC 133 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >175 20 5 300
2SC134 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >175 40 5 300
2SC135 si, п-р-п, пэ 0,35 >175 20 5 300
2SC137 S1, п-р-п, ПЭ 0,35 >175 25 5 300
KSY21 Si, п-р-п, ПЭ 0.36 >300 40 5 500
2N914 S1, п-р-п, ПЭ 0,36 >300 40 5 150(500*)
KSY62 S1, п-р-п, ПЭ 0,35 >200 25 5 200
KSY63 Si, п-р-п, ПЭ 0,35 >300 40 5 200(500*)
КТ617А Si, п-р-п, ПЭ 0,5 >150 30 4 400(600*)
KF507 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >50 40 5 500
SF21 S1, п-р-п, ПЭ 0,6 >60 20 5 500
SF22 Si, п-р-п, ПЭ 0,6 >60 33 5 500
SFI26A Si, п-р-п, ПЭ 0,61 >60 33 5 500(1000*)
SFI26B Si, п-р-п, ПЭ 0,6 >60 33 5 500(1000*)
SF126C Si, п-р-п, ПЭ 0,6 >50 33 5 500(1000*)
2SC482 S1, п-р-п, ПЭ 0,6 >50 40 5 600
2N2236 SI, п-р-п, П 0,6 >50 40 5 500
SF121A Si, п-р-п, П 0,6 >60 20 5 100/300*)
SFI21B SI, п-р-п, П 0,6 >60 20 5 100(300*)
SF122A Si, п-р-п, п 0,6 >60 33 5 100(300*)
SF122B Si, п-р-п, П 0,6 >60 33 5 100(300*)
2N1838 Si, п-р-п, М 0,6 >90 45 5 500
2N1839 Si, п-р-п, М 0,6 >90 45 4,5 500
122
Продолжение
ZK60’ г. мкА 1 кэя’ А21Э’ А*21э ск, пФ 3 о cd В £ Кщ, дБ т*к, ПС Л”б, Ом *рас’ ^*ВЫКЛ * Г", Ом пл Kopnjc
<0,01(20 В) 30—120 (1 В; Ю мА) <6(10 В) <?,75 — <20 ТО-J 8
<1(20 В) >10 (1 В; 0,1 А) <5(5 В) <28 — <14 ТО-18
<1(20 В) >20 (1 В; 0,1 А) <5(5 В) <28 — <18 ТО-18
<0,5(15 В) 30—300 (1 В; 10 мА) <5(5 В) <60 — <25 ТО-18
0,05(10 В) 60(1 В; ЮмА) <4 <7 —— 20 10-18
0,05(10 В) 60(1 В; 10 мА) <4 <7 20 ТО-18
0,05(10 В) 60/1 В; 10 мА) <4 <8 — 20 ТО-18
<0,02(10 В) 60(1 В; 10 мА) <4 <3 100 ТО-18
<0,02(10 В) 60(1 В; 10 мА) <4 <5 100 ТО-18
<0,05£10В) 50(1 В; 10 мА) 4 <7 20 ТО-18
<1/40 В) >10 (1 В; 0,5 А) <6(10 В) <3,5 —— 20 ТО-18
<0,026 (МВ) >10 (5 В; 0,5 А) <6(10 В) <3,5 — <40* ТО-18
<0,5(15 В) 20—300 (1 В; 10 мА; <5(5 В) <60 — <25 ТО-18
0,025 (20 В) 30—120 (I В; 10 мА) <6(5 В) <25 — <25 ТО-18
<5(30 В) >30 (2 В; 0,4 А) <15 (Ю В) <7 <120* 19
<0,5(30 В) >20 (10 В; 0,5 А) <25 (Ю В) <10 6(2 МГц) — ТО-5
<1(20 В) — <20 — ТО-5
<0,1(ЗЗВ; — — <20 —, ТО-5
<0,1(33 В) 18—35 (2 В; 50 мА) — <3,3 <550* 1300 ТО-5
<0,1(33 В) 28—71 (2 В; 50 мА; <20 (Ю В) <3,3 <550* 1300 ТО-5
<0,1(33 В) 56—140 (2 В; 50 мА) <3,3 <550* 1300 ТО-5
I >30 (2 В; 0,15 А) 15 — — — ТО-39
0,05 >15 (1 В; 0,1 В) <35 — — — ТО-5
<1(20 В) 18-35 (2 В; 50 мА) <26 (Ю В) <20 5,5(1 кГц) 2200 Ю-5
<1(20 В) 28—71 (2 В; 50 мА) <26 (10 В) <20 5,5(1 кГц) 2200 10-5
<1(33 В) 18—35 (2 В; 50 мА) <26 (Ю В) <20 5,5(1 кГц) 2200 ГО-Б
<1(33 В) 28—71 (2 В; 50 мА) <26 (Ю В) <20 5,5(1 кГц) 2200 ТО-5
<1,5(30 В) 40—150 (10 В; 0,1 А) <27 (Ю В) <14 — 170 ТО-5
<1,5(30 В) >12 (10 В; 0,1 А) <27 (Ю В) <14 78 ТО-5
123
Тип прибора Материал, структуре, технология max’ ^К*> т max' Р** , Вт Ki а max Л й л <3.* « Ч-. ч— “кВОпрсе 1 КЭТ? проб’ ^КЭОпроб* ^ЭБОпроб ‘ в ^Кдаах* /• К. илаох мА
2N1840, Si, р-п-р, М 0,6 >90 25 5 500
2 SC 188 Si, п-р-п, П 0,6 150 40 3 500
SSI25 Si, п-р-п, ПЭ 0,6 >30 30 5 600
КТ608А S1, д-p-n, ПЭ 0,5 >200 60 4 400(800*)
КТ608Б Si, д-p-n, ПЭ 0,5 >200 60 4 400(800*)
BSY58 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(2,6*) >250 50 5 600
2N2224 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >160 65 5 500
2N2958 SI, п-р-п, ПЭ 0.6 >250 60 5 600
2N3299 S1, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 60 5 500
BSY34 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(2,6*) >250 60 5 600
2N1958 Si, п-р-п, ПЭ 0,6(2*) >100 60 5 500
2N1959 Si, п-р-п, ПЭ 0,6(2*) >100 60 5 500
2N3724 S1, п-р-п, ПЭ 0,8 >300 50 6 500
2N3722 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >300 80 6 500
KSY34 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(2,6*) >250 60 5 600
КТ604А Si, п-р-п, П 0,8(3*; >40 300 5 200
КТ604АМ Si, п-р-п, П 0,8(3*) >40 250*(I к) 5 200
КТ604Б Si, п-р-п, П 0,8(3*) >40 3 0 5 200
КТ604БМ] Si, п-р-п, П 0,8(3*) >40 300 5 200
BF258 'I Si, п-р-п, ПЭ 0,8 90 250 5 100
BF259 S1, п-р-п, ПЭ 0,8 90 300 5 100
BF337 Si, п-р-п, П 3* >80 250 5 100(200*)
BF338 Si, п-р-п, П 3* >80 300 5 100(200*)
2N3742 Si, п-р-п, ПЭ 1(5*) >30 300 7 50
1 24
Продолжение
/КБО’ г» ,мкА 1 кэт? А21Э' А*21Э ск. пФ но '™6*/ кш. дБ ’V ПС АПб' Ом ^рас’ р выкд’ i**, нс ПК Кор 1}С
>5(30 В) >10 <27 <9 —. ТО-5
(10 В; 0,15 А) (10 В) ТО-5
1 50(6 В; 50 мА) 9 — — —
<0,025 — — <15 — <юо ТО-5
(20 В)
<10(60 В) 20—80 <15 <2,5 —’ <120 28
(5 В; 0,2 А) (ЮВ)
<10(60 В) 40—160 <15 <2,5 <120 28
(5 В; 0,2 А) (10 В)
0,12 >17 (1 В; 0,1 А) <6(10 В) <3 <2,6 — <110* ТО-3?
<0,01 (50 В) 40—120 (1 В; 0,1 А) <8(10 В) — — ТО-5
<3,3
<10(60 В) 40—120 (Ю В; 0,15 А) <8(10 В) <300 10-5
<10(60 В) 40—120 <6(10 В) <3 <150* ТО-5
<0,07(50 В) (10 В; 0,15 А)
>25 <6(10 В) <1*7 — <95* ТО-3?
<0,5(30 В) (1 В; 0,1 А)
>20 <18 <3 <25 ТО-5
<0,5(30 В) (10 В; 0.15 А) (ЮВ)
40—120 <18 <3 <25 ТО-5
<1,7(40 В) (ЮВ; 0,15 А) (ЮВ)
60-160 (1 В; 0,10 А) <8(10 В) <2 — <60* ТО-39-
<0,5* (40 В)
40—150 <10 <2,5 —4 <85 ТО-5
<0,07(50 В) (IB; 0,1 А) (10 в,
>25 <6(10 В) <2 — — <95* ТО-5
(1 В; 0,1 А)
<50(250 В) 10—40 <7(40 В) <400 —1 М , 30)
<20*/250 В) (40 В; 20 мА)
10—40 <7(40 В) <400 —1 18
<50(250 В) (40 В; 20 мА) 30—120 <7(40 В) <400 - 30а
<20* (250 В) (40 В; 20 мА) 30—120 <7(40 В) -^.400 - 18
(40 В; 20 мА)
<0,05 >25 5,5(30 В) <33 ТО-3?
(200 В) ] (ЮВ; 30 мА)
<0,05 1 (250 В) <100** >25 (Ю В; 30 мА) >20 5,5(30 В) 3,5* <33 — — ТО-39 ТО-39
(200 В) «100** (250 В) ^0,2(200В) (Ю В; 30 мА) >20 3,5* ТО-39
(Ю В; 30 мА) 20—200 <6(10 В) <100 —«. - ТО-5
(ЮВ; 30 мА)
— _ 1 1
125>
Тип прибора Материал, структура, технология > К max К , т max р** , Вт К. и max CN ** сП UKBO проб* и* КЭ8 проб ^КЭОпроб’ В ^ЭБО проб * в Л max 7* К. и max мА
2N4926 Si, п-р-п, П 1(5*) >30 200 7 50
2N4927 Si, п-р-п, П 1(5*) >30 250 7 50
2SC26! 1 Si, п-р-п, П 1 80 300 — 100
КТ6ИА Si, п-р-п, П 0,8(3*) >60 200 3 100
KI611AM Si, п-р-п, П 0,8(3*) 200 4 100
КТ611Б Si, п-р-п, П 0,8(3*) >60 200 3 100
КТ611БМ Si, п-р-п, П 0,8(3*) >60 200 4 100
KI61IB Si, п-р-п, П 0,8(3*) >60 180 3 100
КТ6ПГ Si, п-р-п, П 0,8(3*) >60 180 3 100
BF257 Si, п-р-п, П 0,67(5*) 90 160 5 100(200*)
BF179B Si, п-р-п, П 0,6(65°С) 120 220 5 50
BF336 Si, п-р-п, П 3* >80 185 5 100(200*)
2N3H4 Si, п-р-п, ПЭ 0,8(5*) >40 150 5 200
2N37I2 Si, п-р-п, ПЭ 1(5*) >40 150 5 200
2N4924 Si, п-р-п, П 1(5*; >100 100 5 200
2N4925 Si, п-р-п, П 1(5*) >100 150 5 200
BF11I Si, п-р-п, П 3* 100 200* 5 80
В* 178 Si, п-р-п, П 3* 100 160 5 50
BFY45 Si, п-р-п, П 0,8(2,5*) 130 140* 5 30
BFY65 Si, п-р-п, П 0,565(1,3*) >50 100 7 100(200*)
BF1I1 Si, п-р-п, П 0,59(45°С) >100 160 5 50
KF504 Si, п-р-п, П 0,7(2,5*) >90 170 5 50
BF305 Si, п-р-п, П 0,8 100 160 5 50
BFPI77 Si, п-р-п, П 0,6 >75 100 5 50
BFPI78 Si, п-р-п, П 0,6 >75 160 5 50
126
Продолжение
7кбо* /• . мкА ‘ K9R \1Э' Л*21э Ск, пФ Г™ i Ом КЗ мае Кщ, дБ vK. ПС й“б. Ом *рас' t* 11ЫКП’ •(*** НС ПК Корпус
<0,1(100 В) 20—200 (ю: В; 30 мА) <6(20 В) <100 — — ТО-39
<0,1(150 В) 20—200 (ЮВ; 30 мА) <6(20 В) <100 — — ТО-39
— 30—200 (20 В; 20 мА) — <75 — — ТО-126
<200(180 В) 10—40 (40 В, 20 мА) <5(40 В) <400 <200* — 30а
<100(180 В) 10—40 (40 В; 20 мА) <5(40 В) <400 <200* — 18
<200(180 В) 30—120 (40 В; 20 мА) <5(40 В) <400 <200* — 30а
<100(180 В) 30—120 (40 В; 20 мА) <5(40J3) <400 <200* — 18
<1С0/150 В) 10-40 140 В; 20 мА) <5(40 В) <400 <200* — 30а
<100(150 В) 30—120 (40 В; 20 мА) <5(40 В) <400 <200* — 30а
<0,05 (100 В) >25 (10 В; 30 мА) 5,5(30 В) <33 — — ТО-39
— >20 (15 В, 20 мА) — — <100* — ТО-5
>20 (10 В; 30 мА) — — <100* — ТО-5
<0,01 (100 В) 30—120 (10 В; 30 мА) <9(20 В) <20 — — тою
<0,1(75 В) 30—150 ( Ю В; 30 мА) <9(20 В) <40 100* — 10-5
<0,1(50 В) >35 (ЮВ ; 10 мА) <10 (20 В) <25 — — ТО-39
<0,1(75 В) >35 (ЮвГю мА) <10 (20 В) <25 — — ТО-39
<0,2* (160 В) >20 (20 В; 60 мА) — 330 <100* ТО-39
<0,2* (160 В) >20 (20 В; 30 мА) — 50 <100* — ТО-39
<0, I* (140 В) >40 (Ю В; Ю мА) <3,5 (10 В) — — — ТО-39
<0,1(75 В) >30 (2 В; 15 мА) <8(10 В) <450 — -— ТО-39
<50(100 В) >25 (Ю В; 30 мА) — — — — ТО-5
<0,1(140 В) 70(10 В; ЮмА) <3,5 (ЮВ) 70 <150* —- ТО-5
>30 (10 В; 15 мА) 3,5* — ТО-39
>20 (Ю В; 15 мА) 3 5* ТО-39
—" 5 20 (20 В; 30 мА) 3,5* — — ТО-39
127
Тип прибора Материал, структура, технология К max р* Кт max Я** , Вт К, и max ^Гр’ ^*ймб» , МГц Л21э ^КВОпроб’ и* КЭЯ проб - В КЭО проп Г Г Т1 ЭБО проб ’ fK max' К, и max' мА
BFP179A Si, п-р-п, П 0,6 >75 160 5 50
BFP179B Si, д-р-л, П 0,6 >75 220 5 50
BFI86 Si, п-р-п, П 2,75* 120 165 5 60
BFJ98 Si, п-р-п, П 0,8(3*) >40 150 6 100
BF29I Si, п-р-п, П 0,8(3*) >40 150 6 100
BFW45 Si, п-р-п, П 0,8 >80 165 5 50(100*)
SFI50B Si, п-р-п, П 0,68 (3,75*; >60 160 5 50
SF150C Si, п-р-п, П 0,68 (3,75*) >80 160 5 50
BF137 Si, п-р-п, ПЭ 6,68 95 160 5 100
2SC65 Si, п-р-п, М 0,6 ПО 150 2 50
2SC66 Si, п-р-п, М о,6 ПО 150 2 50
BFI40A Si, п-р-п, П 0,8(2.5*) >40 150 3 40
2SC506 Si, п-р-п, П 0,6 >20 200 3 100
2SD668A Si, п-р-п, Э 1 140 180 5 50
2SD668 Si, п-р-п, Э I 140 120** 5 50
КТ644А Si, р-п-р, ПЭ 1(12,5*) >200 60 5 600(1000*)
КТ644Б Si, р-п-р, ПЭ 1(12.5*) >200 60 5 600(1000*)
K'l 644В Si, р-п-р, пэ 1(12,5*) >200 40** 5 600(1000*)
КТ644Г Si, р-п-р, ПЭ 1(12,5*) >200 40** 5 600(1000*)
BD386 Si, р-п-р, П 10* >250 60 5 1000
KT639A Si, р-п-р, ПЭ 1(12,5*) >80 45 5 1500(2000*)
КТ639Б Sif р-п-р, ПЭ Ц12,5*) >80 45 5 1500(2000*)
KT639B Si, р-п-р, ПЭ 1(12,5*) >80 45 5 1500(2000*)
КТ639Г Si, р-п-р, ПЭ 1(12,5*) >80 60 5 1500(2000*)
КТ639Д Si, р-п-р, ПЭ 1(12,5*) >80 60 5 1500(2000*)
J 28
Продолжение
;KJ50’ п , мкА 1 кэр Л21Э'Л*Мэ Ск, пФ , Ом КЭ нас *Ш’ дБ VK. ПС А’1б' °* ^₽8С’ г* ПЬГКЛ’ i*\ нс ПК Kopirvc
— >20 (15 В; 20 мА) 3,5* — — — ТО-39
— >20 (15 В; 20 мА) 3,5* — —- — ТО-39
— >20 (20 В; 40 мА) — <500 <30* — ТО-1
<0,01 (100В) 90 (10 В; 10 мА) — <40 — — ТО-5
<0,01 (100 В) 90 (10 В; 10 мА) <3,5 (20 В) 12 — — ТО-5
— 20-120 (20 В; 50 мА) 4 — 30* — ТО-39
<0,1(140 В) 28—71 (10 В; 5 мА) <8,5 (Ы'В) <166 <30* —— ТО-5
<0,1 (140 В) 56—140 (10 В; 5 мА) <8,5 (10 В) <166 <30* — 10-5
0,01 >25 (10 ВГЗО мА) 2 — — ТО-39
<10(150 В) 30 (20 В; 5 мА) <10 — — ТО-5
<10(150 В) 55 (20 В; 5 мА) <10 — — — ТО-5
<1(100 В) >15 (10 В; 10 мА) <3(50 В) 25 <150* — ТО-5
<2(100 В) 30—150 (5 В; 50 мА) <15 (50 В) <20 — — ТО-39
<10 60—320 (5 В; 10 мА) 3,5 <66 — — ТО-126
<10 60—320 (5 В; 10 мА) 3,5 <66 — — ТО-126
<0,1(50 В) 40—120 (10 В; 150 мА) <8(10&В, <2,7 — <180 18
<0,1 (50 В) 100—300 (10 В; 0,15 А) <8(10 В) <2,7 — <180 18
<0,1(50 В) 40—120 (ЮВ; 0,15 А) <8(10 В) <2,7 — <180 18
<0,1(50 В) 100—300 (10 В; 0,15 А) <8( 10 В) <2,7 <180 18
— 80—300 (1 В; 50 мА) — <2 — — ТО-202
<0,1(30 В) 40—100 (2 В; 0,15 А) <50 (Ю В) <1 — <200 18
^0,1(30 В) 63—160 (2 В; 0,15 А) <50 (10. В) <1 — <200 18
<0,1 (ЗОВ) 100—250 (2 В; 0,15 А) (10 В) <1 <200 18
<0,1(30 В) 40—100 (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 — <200 18
<0,1 (30 В) 63—160 (2 В; 0,15 А) <50 (10 В) <1 — <200 18
136 129
Тип прибора Материал, структура, технология Р К. max р* К, т max’ ₽К, и max’ Вт ^гр' t Лв]б’ )**, , МГц ' Л2! э иКЬО роб' и* КЭ₽ проб, акЭОпроб,В и I К max I /* 1 К, Я max 1 мА /
BD227 Si, р-п-р, ПЭ 12,5* 50 45 5 1500(3000*)
BD229 Si, р-п-р, ПЭ 12.5* 50 60 5 1500(3000*)
BD826 Si, р-п-р, ПЭ 2(8*) 75 45 5 1003(1500*)
BD828 Si, р-п-р, ПЭ 2(8*) 75 60 5 1000(1500*)
BD840 Si, р-п-р, ПЭ 2(10*) 50 45 5 1500(3000*)
BD842 Si, р-п-р, ПЭ 2(10*) 50 60 5 1500(3000*)
2SA496 Si, р-п-р, Э 1 >50 40 5 1000
2SA505 Si, р-п-р, Э I >50 60 5 1000
КТ645А Si, п-р-п, ПЭ 0,5(1**) >200 60 4 300(600*)
MPS3705 Si, п-р-п, ПЭ 0,31 >100 50 5 600*
MPS6530 Si, п-р-п, ПЭ 0,21 (6ОЭС) >200 60 5 600*
MPS6532 Si, n-p-п, ПЭ 0,21 (60°С) >200 50 5 600*
2SC366G Si, п-р-п, Э 0,4 >100 60 5 400
2SC367G Si, п-р-п, Э 0,4 >100 40 5 400
2SC752OW! Si, п-р-п, Э 0,4 >200 40 5 200
2SC816 S1, п-р-п, Э 0,25 200 60 5 200
2SC1317NC Si, п-р-п, ПЭ 0,625 200 30 5 500
КТ646А Si, п-р-п, ПЭ 1(2,5*) >200 60 4 1000(1200*)
BD825 Si, п-р-п, ПЭ 2(8*) 250 45 5 1000(1500*)
BD827 Si, п-р-п, ПЭ 2(8*) 250 60 5 1000(1500*)
2SCI846 Si, п-р-п, ПЭ 1,2(5*) 200 >250 45 5 1500*
КТ928А Si, п-р-п, ПЭ 0,5 (3,6**) 60 5 8.0(1200*)
КТ928Б Si, п-р-п, ПЭ 0,5 (3,6**) >250 60 5 800(1200*)
130
Продолжение
ZKSO’ ,, , мкА 1 K3R А21Э' Л*2Гэ СК' пф • Ом КЭ нас *Ш’дБ пс, Л1*б’ °М *рае' ^*выхл' f**, Ис ПК Корпус
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <0,8 — — ТО-126
<0,1(30 В) 40—160 (2 В; 0,15 А) “— <0,8 — — ТО-126
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <1 — — SOT-128
<0,1 (30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <1 — — SOT-128
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <0,8 — — SOT-128
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <0,8 — — SOT-128
<1(30 В) 40—240 (2 В; 0,05 А) 20(10 В) <1,6 — — TO-126
<1(30 В) 40—240 (2 В; 0,05 А) 20(10 В) <1,6 — — TO-126
<10(60 В) 20—200 (2 В; 0,15 А) <5(10 В) <3,3 <120* <50 17
<0,1(20 В) 50—150 (2 В; 0,15 А) <12 (Ю В) <8 — — TO-92
<0,05(40 В) 40—120 (1 В; 0,1 А) <5(10 В; <5 — — TO-92
<0,1(30 В) ^30 (1 В; 0,1 А) <5(10 В) <5 — — TO-92
<0,1(40 В) 70—240 (1 В; 0,1 А) <15 (10 В) <2,5 50* * 250 TO-92
<0,1(40 В) 70—240 (1 В; 0,1 А) <15 (Ю В) <2,5 — 250 TO-92
<0,1(40 В) 40—240 (1 В; 0,01 А) <6(10 В) <15 — <30 TO-92
<0,1(45 В) 50—232 (1 В; 0,05 А) 5,5(10 В) <3,3 — — TO-92
<0,1(20 В) 60—160 (10 В; 0,15 А) <15 (10 В) <2 — — TO-92
<10(60 В) 40—200 (5 В; 0,2 А) <10(10 В) <1,7 <120* <60 18
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <1 — — SOT-28
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — <1 — — SOT-28
<0,1(20 В) 60—340 (10 В; 0,5 А) — <1 — — TO-126
<5(60 В) 20—100 (5 В; 0,15 А) <12 (Ю В) <3 3 <100* <250 19
<5(60 В) 50—200 (5 В; 0,15 А) <12 (10 В) <3,3 <100* <250 19
9*
131
Тип прибора Материал, структура, технология pv К max К’, Т max pv • Вт К, и max 'UW (7KBO проб’ U K9R проб' иКЭО проб' ® г/ в ЭБО проб ‘ f- К max I* К, и max мА
2N2218 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 60 5 800
2N2218A Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 75 7 803
2N2219 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 .-250 60 5 800
2N2219A Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 75 7 800
2N4960 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 63 6,5 1000
2N22I7 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 60 5 800
2N2537 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 60 5 801
2N2538 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 60 5 8.0
2N3OJ5 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 60 5 500
BSW27 Si, п-р-п, ПЭ 1(3*) >200 60 4 1060
2SCI09A Si, п-р-п, Э 0,8 >100 70 5 8.0
BSX59 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 70 5 1000*
BSX60 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 70 5 1.00*
BSX61 Si, п-р-п, пэ 0,8 >250 70 5 1000*
2N2410 Si, п-р-п, ПЭ 0.8 >203 60 5 800
BSXP59 Si, п-р-п. ПЭ 0,8 >250 70 ’ 5 10^0*
BSXP60 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 70 5 1003*
BSXP61 Si, п-р-п, ПЭ 0,8 >250 70 5 1000*
КТ940А Si, п-р-п, П 1,2(10*) >90 300* 5 100(30(1*)
КТ940Б Si, п-р-п, П 1,2(10*) >90 250* 5 100(300*)
К1940В Si, п-р-п, П 1,2(10*) >90 160* 5 100(303*)
BF457 Si, п-р-п, П 1.2(10*) 9) 160 5 100(300*)
BF458 Si, п-р-п, П 1,2(10*) 90 273 5 100(300*)
BF459 Si, п-р-п, П 1,2(10*) 90 300 5 100(300*)
BF469 Si, п-р-п, пэ 2*(110°С) >60 250 5 20(100*)
132
/КБО' /» , мкА 1 кэя ft2J9' h*21 э СК,.Ф *0 *ПГ дБ не. ЛНб' Ол t рас’ t* выкл’ i**t нс ПК
<0,01(53 В) 40-120 (ЮВ; 0,15 А) 40—120 (10 В; 0,15 А) <8(10 В) <2,6 — —"
<0,1 (60 В) <8(10 В) <2 <150* <225
<0,01(50 В) юо—зоо (10 В; 0,15 А) <8( 10 В) <2,6 — 190
<0,01(60 В) 1;Ю—300 (10 В; 0,15 А) <8(10 В) <2 <15< <225
<0,01 (50 В1 100—300 (10 В; 0.15 А) <15 (ЮВ) <3,4 -— >1000*
<0,01(50 В) 20 -60 (10 В; 0,15 А) <8(10 В) <2,6 — 190
<0,25(40 В) 53—150 (10 В; 0,15 А) <8(10 В) <3 <20
<0,25(40 В) юо—зоо (ЮВ; 0,15 А) <8(10 В) <3 — <20
<0,2(30 В) 30—120 (10 В; 0,15 А) <8(10 В) 2,6 — <60*
<0,5(20 В) 20-60 (2 В; 0,10 А) <10 (ЮВ) <3,5 — <85*
<0,5(60 В) 40-240 (2 В; 0,2 А) <15 (ЮВ) <2 — <80
0,5 >25 (1 ВГ0,5 А) <10 (10 В) <2,6 — <60* !
0,5 > 25 (1 В1 0,5 А) <10 (10BJ <2,6 — <70*
0,5 >25 (1 В; 0,5 А) <10 (Ю В) <2,6 — <100*
<0,3(30 В) 30—120 (10 В; 0,15 А) <11 (ЮВ) <3 — <40
— 5=25 (1 В; 0,5 А) <10 (ЮВ) -.2 — <60*
— >25 (1 В; 0,5 А) <ю (10 В) <2 — <70*
— >25 (1 В; 0,5 А) <10 (10 В) <4 <100*
<0,(5 (250 В) 2^25 (10 В; 33 мА) <4,2 (30 В) <33 — —
<0,05 (200 В) > 25 (10 вГзО мА) <4,2 (30 В) <33 —
<0,(5 (100В) > 25 (10 В; 30 мА) <4,2 (30 В) <33 —
-0,05 (103 Bj >25 (10 В; 30 мА) 5,5 (ЗОВ) <33 — —
<0,(5 (200 В) >25 (10 В; 30 мА) 5,5'30 В) <33 — —,
<\05 (250 В, >25 (10 В; 30 vA) 5,5(30 В) <33 —
<0,01 (200 В) >50 (20 В; 25 мА) <1,8 (30 В) <33 <90* —
Тип прибора Материал, структура, -г хнология 1> К max К*, г max* Р** , Вт К, и max * ИЗ’/,/ КБО проб’ V K3f? проб’ и** В К.ЭО проб' ^ЫБО проб, В л. К max р К, и max' мА
BF419 Si, п-р-п, П 0,8(6*) >60 зоо 5 100(300*)
BF297 Si, п-р-п, ПЭ 0,625 95 160 5 100
BF298 Si, п-р-п, ПЭ 0,625 95 250 5 100
BF299 Si, п-р-п, ПЭ 0,625 95 300 5 100
BF615 Si, п-р-п, ПЭ 2(10*) 70 250 5 20(300*)
BF617 Si, п-р-п, ПЭ 2(10*) 70 300 5 20(300*)
2SC1566 Si, п-р-п, Д 1 >80 250 5 150*
2SC1550 Si, п-р-п, Д 10" :70 250 6,5 100
2 SC 1569 Si, п-р-п, ТД U5 (12,5*) >40 зоо 5 150
2SC2068 Si, п-р-п, ТД 1,5 >75 3.0 5 50
2SC2258 Si, п-р-п, Д 1 10) 253 7 100
КТ602А Si, п-р-п, П 0 85 (2,8*) >150 120 (1б0имп.) 5 75(500*)
КТ6Э2АМ Si, п-р-п, П 0,85 (2,8*) >150 120 5 75(500»)
КТ602Б Si, п-р-п, П 0,85 (2,8*) >150 120 5 75(50/;
К1602БМ Si, п-р-п, П 0,85 (2,8я) >!50 120 5 75(500*)
КТ602В Si, п-р-п, П 0,85 (2,8») >150 80 5 75(500*)
КТ602Г Si, п-р-п, П 0,85 (2.8*) >15) 80 5 75(500*)
BF177 Si, п-р-п, П 0,6(65=С) 120 too 5 50
KF5O3 Si, п-р-п, ПЭ 0,7(2,5й) >90 100 5 50
SF123A Si, п-р-п, П 0,6 >60 66 5 100(300»)
SFI23B Si, п-р-п, П 0,6 >60 66 5 100(300*)
SF123C Si, п-р-п, П 0,6 >60 66 5 100(300»)
BFJ57 Si, п-р-п, П 0,8(3*) >40 125 5 —
SFT187 Si, п-р-п, П 0,8(2,5* >70 135 3
134
Продолжение
'КБО' /K3R’ мкА Л21Э' л21э Ск, нф Г..., , Ом КЭ нас ’ 11С й11б' Ow *рас» ^*ВЫК1» /**, нс ПК Кортус
<0,05 (250 Bj 45( Ю В; 20 мА) <4,5 (ЗОВ) <55 500 ТО-126
ко. 05 (ЮО В) 30—150 (10 В; 3t) мА) <5,5 (30 В) <33 — —- Х-55
<0,05 (20J В) 30—150 (10 В; 30 мА) <5,5 (30 В) <33 — — Х-55
^0.05 (250 В) 30-150 (10 В; 30 мА) <5,5 (30 В) <33 — — Х-55
<0,05 (200 В) >25 (15 В; 5 мА) <3(33 В) <3(30 В) <110 — ТО-202
0,05(250 В) >30 (15 В; 25 мА) — <40 — — ТО-2 2
— >30 (20 В; 40 мА) — <40 — — ТО-202
<100(250 В) >30 (ГО В; 30 мА) — <40 — ТО-126
<!( ЮО В) >49 (10 В; 50 мА) <6,5 (50 В) <10 — ТО-229
<1(240 В) 3"-200 (10 В; 20 мА) <4(20 В) <100 — — ТО-202
— >40 (29 В, 40 мА) — <24 — — ТО-126
<70(120 В) 20—80 (10 В; 10 мА) <4(50 В) <60 <30< — 30а
<70(120 В) 21—80 (10 В; 10 мА) <4(50 В) <6) <300* — 18
<70(120 В; Г 50 (13 В; 10 мА) <4(50 В) <60 <300* — 30а
<7.,(120 В) >50 (10 В, 10 мА) <4(50 В) <60 <300* —. 18
<70(80 В) 15—80 (10 В; 10 мА) <4(5) В) <60 <3,0* — 30а
<70(80 В) >50 (10 В; 10 мА) <4(50 В) <60 <300* — 30а
<0,2* (100 В) >20 (10 В; 15 мА) — 66 <100* — ТО-39
СО,5(50 В) 8J (ЮВ; 30 мА1 <3,5 (10 В) 15 150* — ТО-5
<1(66 В) 18-35 (2 В; 50 мА) <26 (10 В) <20 520* 2260 ТО-5
<1(66 В) 28—71 (2 В; 50 мА) 26(10 В) <20 52,* 2200 ТО-5
=<1(66 В) 56—140 (2 В; 50 мА) <26 (ЮВ) <20 520* 2200 ТО-5
<100(125 В) 90 НОВ; 10 мА) <12 (2 В) ,40 — — ТО-5
>25 (10 В; 30 мА) <8(50 В) <10 ТО-5
135
Тип ярибо pa Материал, структура, технология Pv К тих К*,т тыл’ Р** • Вт К, и max •SJ 2* t 2 ^KJ50 проб* КЭ1? проб’ П** В иКЭОпроб’ проб * В Л" nmi’ /• К,к max’ мА
2Ю565 SK п-р-п, П 0,6(1,2*) >60 80 5 50
2N1566A .Si, п-р-п, П 0,6(1,2*) >100 80 5 10 J
ММ3009 Si, п-р-п, пэ 1(5") >150 1 0 5 200
ММ300! Si, п-р-п, ПЭ 1(5*) >150 150 5 200
2SC249 St, п-р-п, П 0,5 170 70 5 70
2SC247 Si, п-р-п, П 0,6 150 100 3 100
КТ626А Si, р-п-р, ПЭ 6,5* (60 С) >75 45 4 500(1500*)
КТ626Б Si, р-п-р, ПЭ 6,5* (GO С) >75 60 4 501(1500*)
КТ626В Si, р-п р, ПЭ 6,5* (60*С) >45 80 4 500(1500*)
31)136 Si, р-п-р, ПЭ 8* 75 45 5 1000(1500*)
BD138 S1, р-п-р, ПЭ 8* 75 63 5 1000(1500*)
3D 140 Si, р-п-р, ПЭ 8* 75 100 5 1000(1500*)
MPS-U51 Si, р-п-р, ПЭ 8* >50 49 5 2000*
MPS-U51A Si, р-п-р, ПЭ 8* >5’ 59 5 20.0*
MPS4J55 Si, р-п-р, ПЭ 1(10*) >50 60 4 2000*
MPS-U56 Si, р-п-р, ПЭ 1(10*) >50 80 4 2 КО*
E41D1 Si, р-п-р, ПЭ 6,25* 150 45* 5 100 |( 1500*)
D41D4 Si, р-п-р, ПЭ 6,25* 15j 60* 5 1000(1500*)
041D7 S1, р-п-р, ПЭ 6,25* >75 75* Б 1000(1500*)
236
Продолжение
i* мкА 1 K3R Л2!Э' ^2! => Ск, пФ м0 *ur дЬ' ПС Л*’ „ Ом 11и *рас’ ^*вык.т #**, КС ПК Корпус
<1 (40 В) 40-10) (5 В; 5 мА) <10(5 В) < iOj — — ТО-5
^0,5i 4 > В) 63—2)3 (5 В; 5 мА) ^6(5 В) <60 — — ТО-5
<1(50 В) :>20 (10 В; 10 мА) <7(20 В) — — — 1О-ЗЬ
<1(75 В) >23 (10 В; 10 мА) <7(20 В) — — — ТО-39
<1 (30 В) 60 (6 В; 2,5 мА) 2,7(6 В) — — — 10-39
<1(30 В) 60 (6 В; 2 мА) 3(6 В) — — — ТО-39
<0,01(30 В1 40—260 (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <2 <530* 18
<0,15(30 В) 30— ICO (2 В; 0,15 А) -а 5о (10 В) <2 <506* — 18
<1(80 В) 15—45 (2 В; 0,15 А) <150 (10 В) <10 <500* — 18
<0,1(30 В) 40—250 (2 В; 0,15 А) — >1 — — ТО-126
<0,1(30 В; 40—160 (2 В; 0,15 А) — <1 — — ТО-126
<0,1(30 В) 40—160 (2 В; 0,15 А) — <1 — ' — ТО-126
<0,1 (30 В) >60 (1 В; 0,10 А) <30 (10 В) <0,7 — — Х-81
<0,1(40 В) >60 (6 В; 0,10 А) <30 (10 В) <0,7 — — Х-81
<0,1(40 В) >50 (1 В; 0,25 А) <15 (Ю В) <2 — — Х-81
<0,1(63 В) >50 (1 В; 0,25 А) <15 (ЮВ) <2 — — Х-81
<0,1(45 В) 50—150 (2 В, 0,1 А) 10(10 В) <1 —• 75 Х-5Я
<0,1(60_В) 50—150 (2 В; 0,1 А) 10(10 В) <1 — 75 X-5I
<0,1(75 В) 50—150 (2 В; 0,1 А) 10(10 В) <2 75 Х-51
137
Транзисторы большой мощности низкой
Тип прибора Материал, структура, техноло! ия К, т max, Р* К,и max, Вт Ql,’ МГ" ^KDO проб' КЗ/? проб’ гг** п КЭОпроб* к S с § Й 1 К max 1* > А К, птах
П201Э Ge, р-п-р, С 10 >0,1* 45 — 1,5
П201АЭ Ge, р-п-р, С 10 >0,2* 45 — 1,5(2*)
П202Э Ge, р-п-р, С 10 >0,1* 70 — 2(2,5*)
П2ОЗЭ Ge, р-п-р, С 10 >0,2* 70 — 2(2,5*)
2SB48I Ge, р-п-р, С 6 0,015** 32 10 1
2SB130 Ge, р-п-р, С 6 07 32 10 1,5
2SB180A Ge, р-п-р, С 12 0,013** 40 12 0,5
2SB181A Ge, р-п-р, С 12 0,013** 1 60 12 0,5 1
GD6I7 Ge, р-п-р, С 4(6О=С) 32 10
GD618 Ge, р-п-р, С 4(60=С> 1 40 10 1
GD619 Ge, р-п-р, С 4(60эС/ 1 50 10 1
OC3J Ge, р-п-р, С 4 >0,15 32 10 1,4
2SB367 Ge, р-п-р, С 6,6 0,5* 30 12 1,6
2SB368 Ge, р-п-р, С 6,6 0,5* 45 12 1,5
2SB473 Ge, р-п-р, С 4,3 0,01** 32 6 1
2SB456 Ge, р-п-р, С 13 — 80 30 1
2SB466 Ge, р-п-р, С 12 0,013*" 40 12 0,5
2SB467 Ge, р-п-р, С !2 0,013** 60 12 0,5
2SB448 Ge, р-п-р, С 13 >0 01** 32 10 I
ADP670 Ge, р-п-р, С 10 >0,1 30 10 1,5
ADP671 Ge, р-п-р, С 10 >0,1 20 10 1,5
ADP672 Ge, р-п-р, С 10 >0,1 60 10 1,5
П213 Ge, р-п-р, С 11,5 >0,2 45 15 5
П213А (45°С)
Ge, р-п-р^С 10 >0,2 45 10 5
П213Б Ge, р-п-р, С 10 >0,2 45 10 5
П214 Ge, р-п-р, С 10 >0,2 6J 15 5
П214А Ge, р-п-р, С 10 >0,2 60 15 5
П214Б Ge, р-п-р, С 11,5 >0,2 60 15 5
П214В Ge, р-п-р, С 10 >0 2 60 10 5
П214Г П215 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 10 10 счсч 60 80 10 15 5 5
2N2835 Ge, р-п-р, С 16 0,6 32 10 1
AUY18 Ge. р-п-р, С И(45°С) 0,3 64 20 8
AD1202 Ge, р-п-р, С 8,1 0,2 45 10 1,5(3*)
AD1203 Ge, р-п-р, С 8,1 0,2 60 10 1,5(3*)
2N2659 Ge, р-п-р, С 15 >0,28 50 20 3
138
средней и высокой частот
;КБО ’ }\эя' !** мА КЭО Л21Э Ск, ПФ ГКЭ яас , БЭнас Ом V пс *рас i* ВЫКД’ i**, мкс СП Корпус
<0,4(20 В) >20 (10В; 0,2 А) •— <1,25 — — 32
<0,4(20 В) >40 (10 В; 0,2 А) — <1,25 — 32
<0,4(30 В) >20 (10 В; 0,2 А) — <1,25 — 32
<0,4(30 В) — — <1,25 — —“• 32
— 30—110(1 А) — — ч MD-9
0,1 20(1 В; 1,5 А) -— — м — tea— MD-1I
<0,5(30 В) 70(1,5 В; 0,5 А) —• -— ТО-8
<0,2(30 В) 70(1,5 Б: 0,5 А) — — *** ТО-8
<0,025 (10 В) 40—230(0,5 А) — <0,6 W » SOT-9
<0,025(10 В) 100—300(0,5 А) ^•0.6 SOT-9
<0,025(10 В) 40—36 (0,5 А; ^0,6 — SOT-9
0,035(6 В) 18—110 (6 В; 0,1 А) 50—80 (1,5 В; 0,5А) '— I — — MD-11
<0,07(12 В) — — — — ТО-66
<0,07(12 В) 50-80 (1,5 В; 0,5 А) — — — ТО-66
0,015 40—180(0,5 А) — — — MD-9
<0,1(80 В) 80(1 В; 0,3 А) — 0,2 ТО-8
<0,5(30 В) 70(1,5 В; 0,5 А) — — * MD-I0
<0,2(30 В) 70(1,5 В; 0,5 А) —— »!» Ш 1 * MD-10
<1 30—110 (1 А) 30—200 (6 В; 0,3 А) — ‘—1 MD-11 ТО-3
—- 30—200 (6 В; 0,3 А) — — -— — ТО-3
30—200 (6 В; 0,3 А) —• -—> ТО-3
<0,15(45 В) 20—50 (5 В; 1 А) — <0,16 — — 33
<1(45В) >20(5 В; 0,2 А) —— 33
<1(45 В) >40(5 В; 0,2 А) — <1,25 . 33
<0,3(60 В/ 20—60 (5 В; 0,2 А) •— <0,3 —• —- 33
<0,3(60 В) 50—153 (5 В; 0,2 А) <0,3 — — 33
<0,15(45 В) 20—150 (5 В; 0,2 А) — <0,3 — — 33
<1.5(60 В) >20(5 В; 0,2 А) — <1,25 * -м 33
<1,5(60 В) -—< <1,25 -— * -м 33
<0,3(80 BJ 20—150 (5 В; 0,2 А) — <0,3 — 33
— >30(1 А) — <10 —. MD-1/
<1*<64 В) 75(0,5 В; 0,5 А) 35(7 В; 0,3 А) * <0,04 • ТО-8
<0,1(14 В) — <0,25 — ТО-3
<0,1(14 В) 35(7 В; 0,3 А) — <0,25 ТО-3
0,125 30-90 (0,5 В; 0,5А) — <0,4 — *— R-122
139
Тип прибора Материал, структура, технология р,, К, т «ах, Л* , К, и max Вт £ Е ^КБО проб Е7* КЭЛ проб’ ^КЭО проб’ В ВО проб* В /„ К max К, иmax’ & 1
2N2660 Ge, р-п-р, С 15 >0,28 70 20 3
2N2661 Ge, р-п-р, С 15 >0,28 90 20 3
2N2665 Ge, р-п-р, С 15 >0,3 50 20 3
2N26G6 Ge, р-п-р, С 15 >0,3 70 20 3
2N2667 Ge, р-п-р, С 15 >0,3 90 20 3
AD 139 Ge, р-п-р, С 11 0,010*“ 32 10 3,5
AD263 Ge, р-п-р, С 10 0,45 60 10 4
AD262 Ge, р-п-р, С 10(60-0) 0,45 35 10 4
AD431 Ge, р-п-р, С 6 — 32 — 2(3*)
AD436 Ge, р-п-р, С 6 __ 40 — 3(3,5*)
AD438 Ge, р-п-р, С 6 60 ——1 3(3,5*7
AD439 Ge, р-п-р, С 6 80 — 3(3,5*)
AD457 Ge, р-п-р, С 7 — 60 — 5
AD465 Ge, п-р-п, С 7 — 40 — 6
AD467 Ge, п-р-п, С 7 — 60 — 6
AD469 Ge, п-р-п, С 7 — 80 — 6
5NU73 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 60 20 3,5
6NU73 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 70 25 3,5
7NU73 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 80 30 3,5
GD160 Ge, р-п-р, С 5,3 >0,25 20 10 3
GD170 Ge, р-п-р, С 5,3 >0,25 33 10 3
GDI 75 Ge, р-п-р, С 5,3 >0,25 50 10 3
GD180 Ge, р-п-р, С 5,3 >0,25 66 10 3
GD24O Ge, р-п-р, С 10(45*0 >0,35 30 10 3
GD241 Ge, р-п-р, С 10(45*С) >0,35 40 10 3
GD242 Ge, р-п-р, С 10(45*С) >0,35 50 10 3
GD243 Ge, р-п-р, С 10(45*С) >0,3 65 10 3
GD244 Ge, р-п-р, С 1O(45*Q >0,3 75 10 3
ГТ703А Ge, р-п-р, С 15(405С) >0,010** 20*(0,05к) 10 3,5
ГТ703Б Ge, р-п-р, С 15(40=0 >0,010** 20*(0,05к) 10 3,5
ГТ703В Ge, р-п-р, С 15(40’0 >0,010** 30*(0,05к) 10 3.5
ГТ703Г Ge, р-п-р, С 15(40*С) >0,010** 30*(0,05к) 10 3,5
ГТ703Д Ge, р-п-р, С 15(40*С) >0,010** 40*(0,05к) 10 3,5
AD 148 Ge, р-п-р, С 13,5 0,012** 32 10 3 5
AD149 Ge, р-п-р, С 27,5 >0,007** 50 20 3.5
940
Продолжение
fKf5O’ z* КЭД’ i ** _, мА ZK90 А21Э С?, пФ ГКЭ нас’ г* , БЭ нас Ом V пс Zpacr Кл' /**, мкс сп Корпус
0,125 30—90 —_ <0,4 R122
(0,5 В; 0,5 А)
0,125 30—90 — <0,4 — — R122
(0,5 В; 0,5 А)
0,125 50—150 <0,4 1 * R122
(0,5 В; 0,5 А)
0,125 50—150 (0,5 В; 0, А) <0,4 — —— R122
0,125 <0,025(0,5 В) 50—150 (0,5 В; 0,5 А) — <0,4 — —— R122
30—110 — 1 1 " — MD-11
<0,1(0,5 В) (0,5 В; 1 А) 20(5 В; 1,5 А) — SOT-9
<0,1 (0,5 В) 30(2 В; 1,5 А) 0,2 — — SOT-9
<0,3(32 В) 30—150 (1 В; 2 А) 15—60(1 В; 2 А) — <0,27 — — ТО-3
<0,3(40 В) — <0,2 — —- 10-3
<0,3(60 В) 15—40(1 В; 2 А) —— <0,2 — — ТО-3
<0,3(80 В) 15-50(1 В; 2 А) <0,2 — — го-з
<0,3(60 В) 20—60 — .-.0,2 — ТО-3
<0,3(40 В) (1,5 В; 2 А) <0,16
20—90 — — — ТО-3
<0,3(40 В) <1,5В; 2 А) 20—50 (1,5 В; 2 А) -— <0,16 <0,16 — — 10-3
<0,3(80 В)
20—60 —* — -— ТО-3
<0,1(6 В) (1,5 В; 2 А) >10(1 А) — <0,13 — то-з
<0,1(6 В) 10(1 А) ' <0,13 —- — то-з
<0,1 (6 В) ^-10(1 А) — <0,13 — — 10-3
<0,05(6 В) <15(1,5 А) <0,2 — S0T-9
<0,05(6 В) >15(1,5 А) <0,2 — S0T-9
<0,05(6 В) <0,05(6 В) <2,5(30 В) <2,5(40 В) <15(1,5 А) >15(1,5 А) 20 - 80(2 В; 2 А) 20—80(2 В; 2 А) — <0,2 <0,2 0,08 0,08 ll 1 1 S0T-9 SO Г-9 SOT-9 SO Г-9
^2(5(50 Н) 20—80(2 В; 2 А) — 0,08 —. <10 SOT-9
<2,5(65 В) <2,5(75 В) 20—80(2 В; 2 А) 20—80(2 В; 2 А) — 0,08 0,08 — <10 <14 SOI-9 SOT-9
<0,5120 В) 30—70 <0,2 — 34
-0.5(20 В) (1 В; 50’мА) 50—100 — <0,2 — — 34
<0,5(30 В) 11 В; 50 мА) 30—70 — .-..0,2 — — 34
<0,5(30 В) (| В; 50 мА) 50—100 — <0,2 — — 34
<0,5(30 В) (1 В; 50 мА) 20—45 — <0,2 — — 34
0,12(10 В) (1 В; 50 мА) 51 (1 В; 50 мА) <0.2 ЛЮ-23
<1*(32 В) 50( 1 В; 50 МА) — 0,2 — 10-3
141
Тип прибора Материал, структура, технология Р„ К, ттах Р* К, и max Вт й £ « S fit* С1* ^КБО проб' ^’кэтгпроб’ ГГ** о кэо проб’ ^ЭБОщюб* В 1 / К max 1 /* , А К, ртах 1
AD 150 Ge, р-п-р, С 27,5 0,012” 32 10 3,5
AD 162 Ge, р-п-р, С 6 1,5 32 10 3
ADY27 Ge, р-п-р, С 27,5 (45°С) 0,012” 32 10 3,5
ОС26 Ge, р-п-р, С 22,5 (45’С) >0,003** 40 10 3,5
ОСЮ16 Ge, р-п-р, С 13,75 >0,003** 32 10 1,5 (3*)
SFT212 Ge, р-п-р, С 30 >0,2 30 10 3
SFT213 Ge, р-п-р, С 30 >0,2 40 20 3
AD 301 Ge, р-п-р, С 30 >0,2 30 10 3
OC27 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 32 10 3,5
2NL73 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 24 8 3,5
3NU73 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 32 10 3,5
4NU73 Ge, р-п-р, С 12,5 >0,15 48 15 3,5
2N2836 Ge, п-р-п, С 30 0,5 55 20 3,5
П216 Ge, р-п-р, С 30 >0,2* 40 15 7,5
П216А Ge, р-п-р, С 30 >0,2* 40 15 7,5
П216Б Ge, р-п-р, С 24 >0,2* 35 15 7,5
П216В Ge, р-п-р, С 24 >0,2* 35 15 7,5
П216Г Ge, р-п-р, С 24 >0,2* 50 15 7,5
П216Д Ge, р-п-р, С 24 >0,2* 50 15 7,5
П217 Ge, р-п-р, С 30 >0,2* 60 15 7,5
П217А Ge, р-п-р, С 30 >0,2* 60 15 7,5
П217Б Ge, р-п-р, С 30 >0,2* 60 15 7,5
П217В Ge, р-п-р, С 24 >0,2* 60 15 7,5
П217Г Ge, р-п-р, С 24 >0,2* 60 15 7,5
ASZ15 Ge, р-п-р, С 30(45°C) 0,2 100 40 8
ASZ16 Ge, р-п-’р, С 30(4о°С) 0,25 60 20 8
ASZ17 Ge, р-п-р, С ЗО(45°С) 0,22 60 20 8
ASZ18 Ge, р-п-р, С 30(45фС) 0,22 100 40 8
2N178 Ge, р-п-р, С 40 0,005** 30 20 3
2N554 Ge, р-п-р, С 40 0,005** 15 15 3
2N555 Ge, р-п-р, С 40 0,005** 30 15 3
AD 130 Ge, р-п-р, С 30 0,35 32 10 3
AD 131 Ge, р-п-р, С 30 0,35 64 20 3
AD132 Ge, р-п-р, С 30 0,35 80 20 3
AD163 Ge, р-п-р, С 30 0,35 100 20 3
142
Продолжение
'крО’ /*КЭЯ’ /'*•«, МА 'кэо Й21Э Ск, пФ ГКЭнас’ Г ВЭ нас* Ом V п= (рас" t* выкл i , мкс сп Корпус
с!*(32В) 82(1 В; 50 мА) __ <0,2 ТО-3
<0,2(32 В) 74—300 (1 В; 50 мА) 150 — — — MD-17
>0,5*(32 В) 50(1 В; 50 мА) — <0,2 — — ТО-3
<0,1(0,5 В) 20—75 (14 В; 30 мА) — <0,25 — — ТО-3
<0,1( 14 В) 40(14 В; 30 мА) — <0,25 — — ТО-3
<1(30 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,13 — — ТО-3
<1(40 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,13 — — ТО-3
<1(30 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,4 — — ТО-3
<0,1(6 В) 60—180 (6 В; 0,1 А) -— <0,13 — — ТО-3
<0,1(6 В) >10(3 А) — <0,13 — ТО-3
<0,1(6 В) <10(3 А) -— <0,13 — —- ТО-3
<0,1(6 В) <2,5(55 В) >10(3 А) — <0,13 — — ТО-3
30—100(1 А) -— <0,13 — — ТО-3
<0,5(40 В) >18(1 В; 4 А) — <0,2 — 33
<0,5^40 В) 20—80(5 В; 1 А) — <0,2 —- 33
<1,5(35 В) >10(3 В; 2 А) -— <0,25 — 33
<2(35 В) >30(3 В; 2 А) -— <0,25 —- 33
<2,5(50 В) >5(3 В; 2 А) — 33
<2(50 В) 15—30(3 В; 2 А) — <0,25 — 33
<0,5(60 В) >16(1 В; 4 А) <0,5 —- 33
<0,5(60 В) 20—60(5 В; 1 А) <0,6 — 33
<0,5 60 В) >20(5 В; 1 А) -— <0,5 33
<3(60 В) 15—40(3 В; 2 А) —. <0,25 — 33
<3(60 В) — — <0,5 — — 33
<3(100 В) 20—55(1 В; 1 А) 190(5 В) <0,04 10 ТО-3
<3(60 В) 45—130 (1 В; 1 А) 190(5 В) <0,04 — 10 ТО-3
<3(60 В) 25—75(1 В; 1 А) 190(5 В) <0,04 10 ТО-3
<3(100 В) 30—110 (1 В; 1 А) 190(5 В) <0,04 — 10 ТО-3
<3(30 В) 15—45 (0,2 В; 0,5 А) — О,2 — — ТО-3
<10(15 В) 50(2 В; 0,5 А) ~ 0,2 —— — ТО-3
<20(30 В) 50(2 В; 0,5 А) — 0,2 — ТО-3
<15(32 В) 20—100 (1 В; 1 А) <2(0 (6 В) <0,33 — <15 ТО-3
<15(64 В) 20—100 (1 В; 1 А) <2'0 (6 В) <0,33 — <15 ТО-3
<15(80 В) 20—100 (1 В; 1 А) <200 (б В) <0,33 — <15 ТО-3
<15(100 В) >10(1 В; 3 А) <200 (6 В) <0,33 <15 ТО-3
143
Тип прибора Материал, структура, технология К, т max f- К, я max Вг ^гр’ Й(1б’ с* мгц ' Й21Э иКЕО проб’ ГТ» , КЭЛ проб и** , в КЭОпроб й о а с S Л тйх ’ 1 /• А К, и max 1
Al Y19 Ge, р-п-р, С 30(45°С) 0,35 64 20 3
AUY20 Ge, р-п-р, С 30(45°С) 0,35 80 20 3
ASZ1015 ASZ1016 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 22,5 22,5 0,25* 0,25* 80 60 40 20 6 6
ASZU 17 ASZ1018 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 22,5 22,5 0,25* 0,25* 60 80 20 40 6 6
AD 138 AUY28 AD302 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 30 30 45 0,005** 0,25 >0,2 40 90 40 10 25 20 8 6 3
AD3L3 Ge, р п-р, С 45 >0,2 60 30 3
SF1214 Ge, р-п-р, С 45 >0,2 60 30 3
SFT238 SFT239 SFT240 SFT250 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п р, С Ge, р-п-р, С 45 45 45 45 >0,25 >0,25 >0,25 >0,2 40 60 80 80 20 30 40 40 6 6 6 3
AD304 Ge, р-п-р, С 45 >0,2 80 40 3
AD312 AD313 AD314 AD542 EFT212 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 45 45 45 20 30 :-0,25 >0,25 >0,25 >0,2 40 60 80 80 30 20 30 40 7,5 6 6 6 8(10*) 3
EFT213 Ge, р-п-р, С 33 >0,2 40 20 3
EF'1214 Ge, р-п-р, С 30 >0,2 60 30 3
EFT250 Ge, р-п-р, С 30 — 80 40 3
OC25 Ge, р-п-р, С 22,5 0,25 40 10 4
(45°С)
П210Б П2ЮВ AUY21 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, U Ge, р-п-р, С 45 45 36(45°С) >0,1* >0,1* 0,3 65 45 65 25 25 20 12 12 10
AUY22 Ge, р-п-р, С 36(45°С) 0,3 80 20 8
2N456 Ge, р-п-р, С 50 — 40 20 5
2N457 Ge, р-п-р, С 50 — 60 20 5
2N458 Ge, р-п-р, С 53 о,1 80 20 5
144
Продолжение'
ZKBO' ;*кэя’ I** мА 'кэо Л21Э ск> пФ ГКЭ нэс ’ ^*69 нас' Ом t . i* рас вькл» /**, мкс <п KpprijC
<0,5* (64 В) 17(1 В; 3 А) <200 (6 В) <0,33 — <15 то-з
<0,5*(80 В) 17(1 В; 3 А) <200 (6 В) 160(12 В) <0,33 -— <15 4O-J
<0,1(0,5 В) 20—55(1 В; 1 А) <0,17 — <15 ТО-3
Jo, 1(0,5 В) 45—130 (1 В; 1 А) 160(12 В) <0,17 -— $15 ТО-3
<0.1(0,5 В) 25—75(1 В; 1 А> 160(12 В) <0,17 — <15 ТО-3
<0,1 (0,5 В; 30-110 (1 В; 1 А) 160(12 В) <0,17 — <15 TO-J
<0,1(45 Bj 42(1,5В; 5 А) — — — — то-з
<0,050(6 В) 33(1,5 В; 5 А) — ^0,04 — <15* 10-3
<1(40 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,07 — — ТО-З
<1(60 В) 20-150 (2 В; 2 А) <0,07 ТО-З
<1(60 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,13 — — то 3
<1(40 В) 20—80(2 В; 5 А) — <0,07 — -— ТО-З
<1(60 В) 20—80(2 В; 5 А) <0,07 — ТО-З
<1(80 В) 20—80 (2 В; 5 А) — <0,07 — -— ГО-3
<1(80 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,13 — ТО-З
<1(80 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,07 -— — ТО-З
<1(40 В) 20—80(2 В; 5 А) — <0,07 — — ТО-З
<1(60 В) 20—80(2 В; 5 А) — $-0,07 — — ТО-З
<1(80 В) 20—80(2 В, 5AJ -*• <0,07 — — 1O-3
<4(80 В) >10(3 В; 10 А) — <0,1 — — ТО-З
<1(30 В) 20—150 (2 В, 2 А) — — — ТО-З
<1(40 В) 20—150 (2 В; 2 А) <220 15 В| <0,13 — — ТО-З
<1(60 В) 20—150 (2 В; 2 А) <220 (5 В) <0,13 — — ТО-З
<1(80 В) 20—150 (2 В; 2 А) <220 (5 В) <0,13 ТО-З
— 15—80(1 А) — — — ТО-З
<15(45 В) >10(2 В; 5 А) — — — 35
<15(35 В) >10(2 В; 5 А) — — — — 35
<1(65 В) >12,5 (0,5 В; 5 А) — <0,04 — <15 ТО-41
<1(80 В) >12,5 — <0,045 — <15 ТО-41 '
2 (0,5 В; 5 А) 10-30 (1,5 В; 5 А) — <0,2 — — ТО-З
2 10—30 — <0,2 — ТО-З
2 (1,5 В, 5 А) 10—30 (1,5 В; 5 А)1 — <0,2 — — ТО-З
Ю—136
14&
Тип прибора Материал, структура, технология р„ • К. т max Р* К. и max Вт ^р' ^’h216' , МГц 17KEO проб' У*КЭ/?проб’ I/** R КЭОпроб ’ ° и в ЭБО проб' К так 7К, итак ►
AD 142 Ge, р-п-р, С 430(55°С) 0,45 80 10 10
AD143 Ge, р-п-р, С ЗО(55°С) 0,45 40 10 10
AD 145 Ge, р-п-р, С 30(55°С) 0,2 20 10 10
AUY21A Ge, р-п-р, С 36 0,3 65 20 10
AUY22A Ge, р-п-р, С 36 0,3 80 20 10
AD325 Ge, р-п-р, С 45 o,t 100 40 10
AD545 Ge, р-п-р, С 20 — 60 15
6NU74 Ge, р-п-р, С 50 >0,15 90 15 15
7М/74 Ge, р-п-р, С 50 >0,15 90 15 15
ЮС28 Ge, р-п-р, С 30(45°С) 0,25 80 40 8(10*)
ЮС 35 Ge, р-п-р, С 30(45°С) 0,25 60 20 8(10*)
ГТ701А Ge, р-п-р, С 50 >0,05* 55* 15 12
(140имп.)
2N2137A Ge, р-п-р, С 70 >0,012** 30 15 -
2N2142A Ge, р-п-р, С 70 >0,012** 30 15
2N2138A Ge, р-п-р, С 70 >0,012** 45 25 .
2N2143A Ge, р-п-р, С 70 >0,012** 45 25 „
2N3611 JN3613 Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С 77 77 >0,3 >0,3 40 40 20 20 7(15*) 7(15*)
2N5887 Ge, р-п-р, С 57 >0,25 20 20 7
2N5888 Ge, р-п-р, С 57 >0,25 30 20 7
2N5889 Ge, р-п-р, С 57 >0,25 30 20 7
2К5890 Ge, р-п-р, С 57 >0,25 45 20 7
2N5891 Ge, р-п-р, С 57 >0,25 60 20 7
2NU74 Ge, р-п-р, С 50 >0,15 50 10 15
3NU74 Ge, р-п-р, С 50 >0,15 50 10 15
4NU74 Ge, р-п-р, С 50 >0,15 60 15 15
5NC74 Ge, р-п-р, С 50 >0,15 60 15 15
ГТ705А Ge, n-p-п, С 15(40°С) >0,01** 20* 10 3,5
ГТ705Б Ge, п-р-п, С 15(40°С) >0,01** 20* 10 3,5
ГТ705В Ge, п-р-п, С 15(403С) >0,01** 30* 10 3,5
ГТ705Г Ge, п-р-п, С 15(40°С) >0,01** 30* 10 3,5
ГТ705Д Ge, п-р-п, С 15(40°С) >0,01** 20* 10 3,5
AD 161 Ge, п-р-п, С 4(75’Cj >0,02** 32 10 1
>0.007** (3,5*)
2N1218 Ge, п-р-п, С 20 J 45 15 3
2NI292 Ge, п-р-п, С 25 35 15 3
2N132I Ge, п-р-п, С 25 35 15 3
2N1329 Ge, п-р-п, С 25 — 35 15 3
146
Продолжение
ZKBO’ 7*КЭ5’ Л21Э Ск, пФ нас ’ Г* БЭ нас Ом ПС / , t* рас* выкл1 /**, мкс 1 СП’ Корпус
— 30—170 (2 В; 1 А) — — — — то-з
— 30—170 (2 В; 1 А) — — — — ТО-З
<0,16(0,5В) 30(2 В; 1 А) — — —-Ч то-з
<1(65 В) 12,5—60 (0,5 В; 5 А) — — — то-з
<1(80 В) 12,5—60 (0,5 В; 5 А) — — — ТО-З
<3(100 В) 20—150 (2 В; 2 А) — <0,07 — — ТО-З
<4(60 В) >10(3 В; 15 А) <0,07 — ТО-З
<1(6 В) 20—60(10 А) <0,1 — __ ТО-З
<1(6 50—(50(10 А) — <0,1 ТО-З
20—55(1 А) — — ТО-З
— 25—75( 1 А) — — — ТО-З
<6(60 В) >10(2 В; 5 А) — — — — 35
<2(30 В) 15—22(2В; 2 А) — <0,25 ТО-З
<2(30 В) 25—33(2 В; 2 А) — <0,25 — _-Ч ТО-З
<2(45 В) 15—22(2 В; 2 А) <0,25 > ТО-З
<2(45 В) 25—33(2 В; 2 А) — <0,25 ТО-З
<5(40 В) >20(2 В; 7 А) — <0,05 -—ь ТО-З
— >30(2 В; 7 А) — <0,05 — ТО-З
<1(15 В) >10(2 В; 3 А) — <0,06 — —-ч ТО-66
<1(25 В) >10(2 В; 3 А) <0,06 -—, ТО-66
<1(25 В) >15(2 В; 3 А) — <0,06 -—. ТО-66
<1(35 В) >15(2 В; 3 А) — <0,06 .— ТО-66
<1(45 В) >15(2 В; 3 А) *— <0,06 — ТО-66
<1(6 В) 20—60(10 А) — <0,1 -—» ТО-З
<1(6 В) 50—130(10 А) — <0,1 -—. ТО-З
<1(6 В) 20—60(10 А) — <0,1 -— ТО-З
<1(6 В) 50—130(10 А) — <0,1 — — ТО-З
<0,5(20 В; 30—70 (1 В; 50 мА) — <0,6 —. — 34
<0,5(20 В) 50-100 (1 В; 50 мА) <0,6 — — 34
<0,5(30 В) 30—70 (1 В; 50 мА) — <0,6 — — 34
<0,5(30 В) 50—100 (1 В; 50 мА) — <0,6J — — 34
<0,5(20 В) 90—250 (1 В; 50 мА) <0,6 — 34
<0,5(32 В) 74—300 (1 В; 50 мА) 150(5 В) <0,6 — — AID-17
0,1 30—120 (1,5 В; 1 А) — <1 — — ТО-З
— 30(2 В; 0,5 А) — <1 — — ТО-З
— 30(2 В; 0,5 А) — <1 -— — то-ю
— 30(2 В; 0,5 А) <1 — — ТО-13
10*
147
Тил прибора Материал, стру туза, технология ♦ в ; r- * * a, co W , .913*/, *9124,/ ,!jj3 ^КБО проб’ У*КЭ/гпроб* ^КЭО проб'в и , в ЭБО проб К max , А К, и max
J2M077 Ge, п-р-п, C 7,5 >1 32 10 1
2N326 Ge, п-р-п, C 7 >9,15 35 — 2
ГТ9 5А Ge, р-п-р, СД 6(2 j’G) 75 U ,4 3(7’/
П'9.5'1 Ge, р-п-р, СД 6(30*C) >60 60 0,4 3(7*)
2N2147 Ge,p-n-p, СД 12,5 75 60 1.5 1.5 0,5 5 5
2N2148 Ge, р-п-р, СД 1 15 100 3
2V3732 Ge, р-п-р, Д
TTSljA Ge, р-п-р, ДС 15 >15 201 1,4 10
r27,5=C)
AUL07 Ge, р-п-р, ДС 3j 2 2j0 2 10
•2N3731 Ge, р-п-р, Д (30?C) 10 >1 203 0,5 10
2SB468 Ge, р-п-р, Д (55°C) 10 — 200 1.5 10
AU103 Ge, р-п-р, ДС 10 15 155 4 10
AL’104 Ge, p-n-p, ДС 15 15 185 4 12
ди из Ge, p-n-p, Д 5(55°C) >1 25 J 3 10
ГГ8 6А Ge, p-n-p, ДС 30 >10* 75 100 120 50 140 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 15 15
ГТ8 6Б ГТ8 6В ГТ8 6Г [Т8.6Д Ge. р-п-р, ДС Ge, р-п-р, ДС Ge. р-п-р, ДС Ge. р-п-р, ДС 3 J 3) 30 3 J >10’ >10* 15 15 15
AUR8 ALIO, J Ge, р-п-р, ДС Ge, р-п-р, ДС 30 4(30°C) 33 2 4 100 130 2 2 10 10
(55'C> й
ALLS Ge, р-п-р, ДС 31 4 1 Зи 2 и
(55cC) юз 1,5
AL ЮЗ Ge, р-п-р, ДС 30 3 О
(55~C) 80 7
2SB36J Ge, р-п-р, Д 40 >5* 1
2SB362 Ge, р-п-р, Д 40 >5* 100 ( 7
AU ID Ge, р-п-р, ДС 30 2 160 2 10
ALA 38 Ge, р-п-р, Д 31 /55 C) 2,5 130 2 10
AUY35 Ge, р-п-р, Д 15 2,5 70 2 1и
448
Продолжение'
Z1<EO' ГКЭ нас’ КЫКЛ* КС
Z*K9P' Л219 Ск, пФ Г БЭ нас’ V’ пс я Корте
/** ' мо Ом о * и
С,25 75—3,0 <0,6 MD-6
(0,5 А) 15—6 J — ТО-З
0,3 <1,2
(1 В; 1А)
<2(75 В) 35—bjO <2.Ю <1,17 <300 <4 35
(10 В; 3 А) (30 В)
<2(60 В) 35—100 <20 J <0,17 <30J <4 36
(10 В, 3 А) (30 В)
<1(40 В) 75(2 В; 4 А) — <0,12 — ТО-З
<1(40 В) 4of2 В; 4 А) — <0,15 Ww — ТО-З
0,2 35—50) -— <0,35 ТО-З
(4 В; 0,7 А)
<20(200 В) 15 — <0,07 — <5 33
(10 В; 5 А)
<5(2.0 В) -10 <25 J <2,5 > ТО-З
(1,3 В; б А) (5 В) ТО-З
0,2 10—200 -— <0,88
(4 В; 5 > мА) ТО-З
14—133 — — ^нр<2,5
(1.5 В; 4 А) ТО-З
<10(155 В) >15 — <0,07 — <3
(1 В; 13 А) ТО-З
<10(185 В) >14 — <0,07 <3
<1,8(2-jO В) (1В, 12 А) 14—80 —. <0,06 — ТО-З
(1,3 В; 6 А)
— 10—10j(ln А| — <0,04 — — 37
— 10—100(10 А) -—. <0,04 -— — 37
—- 10—100(10 А) — <0,04 — — 37
—- 1U— К0(!0 А) — <0,04 — — 37
—” 1с—100(10 А) — <0,04 — — 37
<5( 160 В) >10 250(5 В) <2,5 — — ТО-З
<1 (40 В) (1.3 В; 6 А) 40—250 <0,1 — ТО-З
<1(40 В) (2 В, 1 А) 40—250 — <0,1 — — то-з
<1(43 Bj (2 В; 1 А) 42—250 — — ТО-З
<0,3(40 Й) (2 В; 1 А) 50—135 — — "— ТО-З
<0,3(40 В) (2 В; 1 А) 50—110 — — ТО 3
<1(40 В) (2 В; 5 А) 2 —90 <0,1 — — ТО-З
<3(130 В) (2 В, 1 А) 30—190 <0,04 — ТО-З
<0,10(0,5 В) (1 В; 5 А) 35—26) (1 В; 5 А) — <0,045 — 10-8
-
149
Тип прибора Материал, структура, телнологня Г i £ S »* н 0, а, Й о ?5 *s? 5* * S ^КБОпроб1 и* КЭ^проб УКЭОпроб’ В ^ЭБОпроб' В У -хеш и 'yf
КТ801А Si, л-р-я, СД 5(55°С) >10 80*'0,1к) 2,5 2
КТ801Б Si,n-p-n, СД 5(55°С/ >10 60*(0,1к) 2,5 2
2N4237 Si, п-р-п, Д 6 >1 53 6 1(3*)
2N4238 Si, п-р-п, Д б >1 83 6 1(3*/
2N4239 Si, п-р-п, Д 6 1С0 6 1(3*)
BSX62 Si, п-р-п, ПЭ 5 >30 6Z 5 3
BSX63 Si, п-р-п, ПЭ 5 >30 8j* 5 о
KU601 Si, п-р-п, М 10 >9 63 3 2
KU602 Si, п-р-п, М 10 >9 120 3 2
KU611 Si, п-р-п, М 10 >9 63 3 2
KU612 Si, п-р-п, М 10 >9 120 3 2
2N1700 Si, п-р-п, Д 5 1,2 60 6 0,75
2N2890 Si, п-р-п, ПЭ 5 >30 ICO 5 2
2К2891 Si, п-р-п, ПЭ 5 >30 103 5 2
П701 Si, п-р-п, ДС 10(509С) >20* 40*(0,1к) 2 0,5
П701А Si, п-р-п, ДС 10(50°С) >20* 60*(0,1к) 2 0,5
П701Б 5),л-р-п,ДС 10(53° С) >20* 35*(0,1к) 2 0,5
2N1714 Si, п-р-п, Д 10 (!СО3С) >16 93 6 0,75
2N1716 Si, п-р-п, Д 10 (100°С) >16 90 6 0,75
2SC525 Si, п-р-п, П 10 >20 70 5 1,5
2SC893 Si, п-р-п, М 12 20 100 6 0,5
КТ807А Si, п-р-п, МП 10(70°С) >5 10j*(0,0iK) 4 0,5(1,5*)
КТ807Б Si, п-р-п, МП 10(70°С) >5 100*(0,01к) 4 0,5(1.5*)
MPS-U01 Si, п-р-п, ПЭ 8 >50 40 5 2
150
Продолжение
'КБО' /*КЭК’ 'хэо-“А Л2ГЭ Ск1 пф КЭ нас’ Т БЭ нас’ Он тк, ПС /рас' /’выкд' t , мкс СП Корпус
<10* (80 В) 15—50 (5 В; 1 А) — <2 — — 306
<!0*(60 В) 30—150 (5 В; 1 А) — <2 — —- 306
<0,1(53 В) >15 (1 В; 1 А) <101 (10В1 <0,6 — 0,36 ТО-5
<0,1(80 В) >15 (1 В, 1А) <100 (10 В) <0,6 — 0,35 ТО-5
<0,1 (100 В) >15 (1 В; 1 А) <10) (10 В) <0,6 — 0,35 ТО-5
<0,1(6) В) >25 (5 В; 2 А) <70 (Ю В) <0,4 — 1,5 ТО-39
<0,1(63 В) >25 (5 В; 2 А) <70 (Ю В) <0,4 — —— ТО-39
<0,3(63 В) >23 (6 В; 0,2 А) 250(12 В) <1.4 — — ТО-З
<0,3(120 В) >23 (6 В; 0,2 А) 250(12 В) <1,4 — — ТО-З
<0,3(60 В) >20 (6 В; 0,2 А) 250(12 В) <1,4 — — SOT-9
<0,3(120 В) >20 (6 В; 0,2 А) 250(12 В) <1,4 — SOT-9
<0,075(30 В) 23—80 (4 В; 0,1 А) 150(40 В) <10 — — ТО-5
<0,1(63 В) >30 (2 В; 1 А) — <0,37 — — ТО-5
<0,1(60 В) >53 (2 В; I А) — <0,37 — —— ТО-5
<0,1 (40 В) 10—40 (10 В; 0,5 А) — <14 — •— 38
<0,1(60 В) 15—60 (10 В, 0,2 А) — — — — 38
<0,1(35 В) 30—100 (10 В; 0,2 А) — — — — 38
<0,05(93 В) 23—6) (5 В; 0,2 А) <50 (Ю В) <10 —- — ТО-5
<0,05(90 В) 40-120 (5 В; 0,2 А) <50 /10 В) <!0 — —— ТО-5
<0,001 (30 В) <30—150 (2 В; 0,2 А) <50 (ЮВ) <3 — 3 MD-29
<0,03! (30 В) 50—370 (4 В; 50 мА) <2 — MD-29
<5*( 100 В) <5*(100 В) 15—45 (5 В; 0,5 А) 30—100 (5 В, 0,5 А) 1 1 <2 <2 1 1 39 39
<0,! мкА (40 В) >50 (1 В; 1 А) <20 (10 В) <0,5 *—- Х-81
151
ТИП прибора Материал, етругтура, технология К, т max Р* > К, и max Вт 1 frp' f** , МГц 'Л21э ^КБО проб’ и* , w КЭЯпроо /*• Л „В КЭО проб и в ЭБО «роб К max /* , А К, и там 1
MPS-UG1A Si, n-p-п, ПЭ | 8 >50 50 5 2
MPS-U05 Si, n-p-ft, ПЭ Ю >56 69 4 2
MPS-U06 Si, n-p-ft, ПЭ 10 >50 80 4 2
MPS-U07 Si, п-р-п, ПЭ 10 >50 10) 4 2
КТ7О4А Si, п-р-п, МП 15(50'0 >3 5Х" (1000 имп ) 4 2,5(4*)
КТ704Б Si, п-р-п, МП 15(50’0 ? 3 40b* (700 имп ) 4 2,5(4*)
КТ 7.4В Si, п-р-п, МП 15(50’0 >3 4Х* 4 2,5(4*)
(;/0 ими.)
BOY93 St, п-р-п, Д 39(50’0 8 350** (750 имп } 6 3(6*)
BDY94 Si, п-р-п, Д 30(5Э°С) 8 30j** 6 3(6*)
BDY96 Si, п-р-п, Д 31(59°С) 8 25 6 3(6*)
(6г0 имп ) 3(6*)
BU126 Si, п-р-п, Д 30(50°С; 8 зх** 6
(750 имп ) 1(2*)
BU132 Si, п-р-п, Д 15(97°С) 8 6v0** 5
(ЗЭО имп.) 3(6*)
BUJ33 Si, п-р-п, Д ЗЭ(50°С) 8 25.;** (759 имп.) 6
215*)
2N3585 Si, п-р-п, Д 35 >10 500 6
2N4240 Si, п-р-п, Д 35 >10 5j0 6 2(5*)
КТ8 5А Si, п-р-п, МП 30(50'0 >20 60*(160 имп.) 5 5(8*)
KT8G5AM Si, п-р-п, МП 30(5З’С) >20 60»(16) имп.) 5 5(8*)
КТ8 5Б Si, п-р-п, МП 30(50эС) >20 60*(135имп.) 5 5(8*)
КТ805БМ Si, п-р-п, МП 30(50’0 >20 60*(135 имп.; 5 5(8*)
КТ805ВМ Si, п-р-п, МП 30(50° С) >20 би *(135 ямл.; 5 15(8*)
2N3441 Si, п-р-п, Д 25 1 169 7 3(4*)
2N3054 Si, п-р-п, Д 25 >о,« 90 7 4
2N3766 Si, п-р-п, Д 20 >10 80 6 4
2N3767 Si, п-р-п, Д 20 >10 100 6 4
BDI09 Si, п-р-п, ПЭ 18.5 (45°С) >зо 60 5 3
152
Продолжение
;КБО' ;*кэл’ Г мА 7 КЭО' Л21Э ск, пФ ГКЭ нас’ Г БЭ вас’ Ом \ , ПС (рас* ^*аыкл’ l**t Ml С СП Код, } с
<0,1 мкА (4j В) <50 (1 В; 1 А) <23 (10 В) <0,5 — — Х-81
<<3,1 м \А "{40 В; 55(! В; 0,5 А) <12 (1JB) <1,6 — — Х-81
<0,1 мкА (60 В) 55(1 В; 0,5 А) <12 (10 В) <1,6 — — Х-81
<0,1 мкА (80 В) <5* (100 3 В) 33(1 В, 0,5 А) <12 (ЮВ) <1,6 — — Х-81
10—101 (15 В; 1 А) <53 (23 В) <2,5 — — 40
<5* (70.) В) Ю 100 (15 В; ! А) <50 (20 В) <50 (20 В) <2,5 —- — 40
<5*(5Ю В) -[0 (15 В; I А) <2,5 — — 43
<0 5* (750 В) 15-60 (5 В; 1 А) 85(10 В) <1 — ТО-3
<0,5* (750 В) 25-80 (5 В; 1 А) 85(10 В) <1 — <3,5 ГО-3
0,5* (6з0 В) 25—80 (5 В; I А) 85(10 В) <1 — <3,5 ТО-3
<0,5* (750 В) 15-6) (5 В; 1 А) 85(10 В) —- 1,2 ТО-3
<0,25* (8 Ю В) 25—8з (13 В. 0, 25А) — <20 — ТО-3
<0,5* (750 В) 15—8) (5 В; 1 А) 85(10 В) <4 — 2 ТО-3
<1 *( 450 В) 8-83 (2 В; 1 А) — <0,75 — ТО-66
<2*(450 В) 10—100 (2 В; 0,75) — <1,3 ‘— <6 ТО-66
<15* (6J В) 7-15 (Ю В; 2 А? — <0,5 — — 37
<15*(6) В) 15 (!) В; 2 А) — <0,5 — — 18
<!5*(60 В) >15 (10 В, 2 Al — 1 — — 37
<15* (60 В) >15 (10 В; 2 А) <1 — — 18
<15*(6] В) >15 (10 В; 2 А) —* <1,25 — — 18
<0,1* (14) В) 2^—80 (4 В; 0,5 А) — <2 — — ТО-66
<0,] *(6J В) 25—1ь0 (4 В; 0,5 А) — <2 — — ТО-66
<0,1(80 В) 7*2) (10 В; 1 А) (ЮВ) <2,5 — — ТО-66
<0,! (130 В) >23 (10 В; 1 А) <2,5 -— ТО-66
<0,1(6] В) 40(5 В, 2 А) (Ю7В) <0,375 < I .s* MD-6
153
Тип прибора Материал, структура, технология | * и * Н п, ft. Ш /гр* //1216* ^’МГЦ УКБО проб’ y*K3Pfpo5’ ^КЭОпроб’ В со 1 б е К max ! К, и max*
BDI48 Si, п-р-п, Д 31(45°С) ! 6/ 7 4
BDJ49 Si, п-р-п, д 31(45°С) 1 80* 7 4
BDX25 Si, п-р-п, П 34(45° С) 30 130 5 5(10*)
BDY12 Si, п-р-п, ПЭ 26(45сС) >30 6J 5 3
BDY13 Si, п-р-п, ПЭ 26(45-С) >30 80 5 3
BDY72 Si, п-р-п, МП 25 >0,8 I5J 7 3
BDY78 SI, п-р-п, М 25 >8 90 7 4
BDY79 S1, р-п-р, М 25 >8 150 7 4
П7С-2 Si, п-р-п, МП 4Э(53°С) >4 би* 3 2
П702А Si, п-р-п, МП 40(50°С) ^4 30* 3 2
2N423I Si, п-р-п, Д 35 > 4 50 5 3(5*)
2N4232 Si, п-р-п, Д 35 >4 70 5 3(5*)
2N4233 Si, п-р-п, Д 35 >4 90 5 3(5*)
2N4910 Si, п-р-п, Д 25 :>з 4) 5 1(4*)
2N49U Si, п-р-п, Д 25 >3 6) 5 1(4*)
2N49J2 Si, п-р-п, Д 25 >3 8) 5 1(4«)
BUY43 Si, п-р-п, Д 31 (45°С) 1 40** 7 4
BUY46 Si, п-р-п, Д 31(45=С) 0,8 55** 7 4
2N1701 Si, п-р-п, Д 25 1* 6) 6 1
2SDJ46 Si, п-р-п, Д 20 1,4* 43 5 1
2SD147 Si, п-р-п, Д 20 1,4* 6) 5 i
2SDI48 Si, п-р-п, Д 20 1,2* 70 5 2
КТ814А Si, р-п-р, ПЭ 10 >3 4 **(0,<к) 5 1.5(3*)
КГ814Б Si, р-п-р, ПЭ К) >3 50*(0,!к) к 1,5(3*) J
154
Продолжение
/КБО* /* . !V3O’ м А Л21Э Ск, пФ ГКЭ нас' Г БЭ нас ’ Ом ’к* пс ^рас> **выкл* i**. мкс СП Корпус
<2Л(69 В) >15 (1,5 В; 2 А) — <0,65 — — MD47
<2* (60 В) >15 (1,5 В; 2 А) <0,65 — — MD-17
<0,1(130 В) >20 (2 В; 3 А) 70(10 В) <0,5 — — МО, 17
<0,1(60 В) >25 (5 В; 2 А) <70 (10 В) <0,4 — <1,5* MD.J?
<0,1(89 В) >25 (5 В; 2 А) <70 (10 В) <0,4 — — MD-17
<1*( 130 В) 60—180 (4 В; 0,5 А) — <2 — ТО-66
<1(90 В) 25—103 (4 В; 0,5 А) — <1 -— — то-66
<1(150 В) 25—103 (4 В; 0,5 А) — <1 — — ТО-66
<5(70 В) >25 (10 В; I,! А) — <2,5 — — 37
<5(70 В) >10 (10 В; 1.1 А) <4 — 37
<0,05 25—ЮО (2 В; 1,5 А) <200 (JOB) <0,46 — 0,45 ТО-66
<0,05 25—100 (2 В; 1,5 А) <200 (Ю В) <0,46 — — ТО-66
<0,05 25—100 (2 В; 1,5 А) <200 (1.1 В) <0,46 '— ТО-66
<0,! >10 (I В; 1 А) <100 (ЮВ) <0,6 — — ТО-66
<0,1 >10 (1 В; 1 А1 <100 (10 в) <0,6 — — ТО-66
<0,1 >10 (1 В; 1 А) <100 (10 В) <0,6 — — ТО-66
<1*(53 В) >25 (! ,5 В; 0,5 А) — <0,55 — *— MD-17
<1(90 В) >40 (1,5 В; 0,5 А) — <2 — — MD-17
<0,1(30 В) 20—89 (4 В; 0,3 А) 175(40 В) <5 — —— ТО-8
<0,02(30 В) 33—15? (4 В; 0.5 А) — <6 — — MD-10
<0,02(30 В) 20—159 (4 В; 0,5 А) — <6 — — MD.10
<0,02(30 В) 35(4 В, 2А) — <0,5 — 2,5 MD-10
<0,50(40 В) >40 (2 В; 0,15 А) <60(5 В) <1,2 <3590* — 18
<0,59(40 В) >40 (2 В; 0,15 А) <69(5 В) <1,2 <3500* 18
155
Тип прибора Материал, структура, технология К, т max Р* К, и max Bi 5 й- Л р. * сч ^КБСИроб' U* - КЭЙпроб’ г г** п КЭО проб’ D a.£«l"oaen zv К тпих Z* , А К. и max
КТ814В Si, р-П-р, ПЭ 10 70((0,1к) 5
КТ814Г Si, р-п-р, ПЭ 10 ^3 100*(С,1 ) 5 1,5*(3)
ВО 166 Si, р-п-р, ПЭ 20 ~=-3 45 5 1,5(3*)
BD168 Si, р-п-р, ПЭ 20 >3 6) 5 1,5(3*)
BD170 Si, р-п-р, ПЭ 20 >3 8J 5 1,5(3*)
BD814 Si, р-п-р, Э 12,5 >3 45 5 2 (б*)
BD8J6 Si, р-п-р, Э 12,5 ‘-3 60 5 2(6*)
BD818 Si, р-п-р, Э 12,5 100 5 2(6’)
TIP30 Si, р-п-р, ДМ 30 -з 40 5 1(3*)
Т1Р30А Si, р-п-р, ДМ 30 :?3 60 5 1(3*)
TIP3tB Si, р-п-р, Д.М. 30 >3 80 5 1(3«)
TiP3,C Si, р-п-р, ДМ 30 юо 5 1(3”)
Т1Р62 Si, р-п-р, ДМ 15 ^3 40 5 0,5(1,5*)
Т1Р62А Si, р-п-р, ДМ 15 -з 60 5 0,5(1,5*)
Т1Г62В Si, р-п-р, ДМ 15 -3 80 5 0,5(1,5*)
Т1Р62С Si, р-п-р, ДМ 15 >3 100 5 0,5(1,5*)
КГ815А Si, п-р-п, МПЭ 10 5>3 40*(0,1к) 5 1,5(3”)
КТ815Б Si, п-р-п, МПЭ 10 >3 5‘Д(0,1к) 5 1,5(3*)
KI 815В Si, п-р-п, МПЭ 10 г=з 7Л(0,1,<) 5 1,5(3*)
КТ815Г Si, п-р-п, МПЭ 10 >3 IuG*(0,Ik) 5 1,5(3*)
BD165 Si, п-р-п, ПЭ 20 5^3 45 5 1,5(3”)
ВГ167 Si, п-р-п, ПЭ 20 >3 60 5 1.5(3*7
156
Продолжение-
;КБО’ Z*K3R' /** мА КЭО’ Л21Э Ск, пФ КЭ нас’ Г БЭ нас* Ом Т^, ПС *рас ^*вы*л* f”, мкс СП Корпус
<0,50(40 В) >40 (2 В; 0,15 А) <60(5 В) <1,2 <3506* 18
<0,50(40 В) >30 (2 В; 0,15 А) <60(5 В; <1,2 <3500* — 18
<0,1(45 В> >40 (2 В;'0,15 А) — <1 — — ТО-126
<0,1(60 В) >40 (2 В; 0,15 А) — <1 — ТО-126
<0,1(80 В; >40 (2 В;"0,15 А) — <7^ f — ТО-126
<0,1(45 В) >25 (2 В; 1 А) — <0,6 — 0,7* SOT-128
<0,1(60 В) >25 (2 В; 1 А) <0,6 — С!,7* SO7-128
<0,1(100 В) >25 (2 В; 1 А) — <0,6 — 0,7* SOT-128
<0,2* (40 В) >40 (4 В; 0,2 А) — <0,7 — — ТО-229
<О,2*(60 В) >40 (4 В; 0,2 А) — <0,7 — "— TO-22J
<0,2*(80 Bj >40 (4 В; 0,2 А) — <0,7 -— — ТО-22.:
<0,2*(100 В) >40 (4 В; 0,2 А) — <0,7 — — TO-22J *
<0,2*(40 В) 15—109 (4 В; 0,5 А) —, <1,4 — 1* ТО-220.
<О,2*(6О В) 15—100 {4 В; 0,5 А) —' <1.4 — 1* ТО-229 ’
<0,2* (80 В) 15—100 (4 В; 0,5 А/ —• <1,4 — 1* ТО-22 U
<0,2* (100 В) 15—1С0 (4 В; 0,5 А) — <1,4 — 1* 10-22
<0,50(40 В) >40 (2 В; 0,15 А) <60(5 В) <1,2 <500ь* — 18
<0,59/40 В) >40 (2 В; 0,15 А) <60(5 В) <1,2 <5J00* — 18
<0,59(40 В) >40 (2 В; 0,15 А; <60(5 В) <1.2 <50CG* 18
i. <0,50(40 В) >40 (2 В; 0,15 А) <60(5 В) <1,2 <5900* 18
<0,1(45 В) >40 (2 В; 0,15 А) — <1 — — 10-126
u.. <0,1(60 В) >40 (2 В; 0,15 А) <1 1 ТО-126
157"
Тли Материал, - \ з g -ъ ^КБО проб’ и*, сс 'с О §
прибора структура, £ ’ КЭД проб о 4 § э ~
- н а, а, и КЭО проб' В ш m & S я
BD169 Si, п-р-п, ПЭ 20 >3 80 5 1,5 (3*)
BD813 S1, п-р-п, э 12,5 ДЗ 45 5 2 (6*)
BD815 Si, п-р-п, Э 12,5 ДЗ 60 5 2(6*)
BD817 Si, п-р-п, э 12,5 ДЗ 80 5 2(6*)
TIP29 Si, п-р-п, ДМ 30 >3 40 5 1 (3*)
TIP29A Si, п-р-п, ДМ 30 ДЗ 69 5 1 (3*)
Т1Р29В Si, п-'р-п, ДМ 30 ДЗ 80 5 1 (3*)
Т1Р29С Si, п-р-п, ДМ 3) д-з 10J 5 1 (3*)
Т1Р61 Si, п-р-п, ДМ 15 ^^3 40 5 0,5 (1,5*)
TIP61A Si, п-р-п, ДМ 15 дз 60 5 0,5(1,5*)
Т1Р61В Si, п-р-п, ДМ 15 Д-З 80 5 0.5(1,5*)
TIP61C Si, п-р-п, ДМ 15 100 5 0,5(1,5*)
КТ816А Si, р-п-р, МПЭ 25 дЗ 40* (1к) 5 3(6*)
КТ816Б Si, р-п-р, МПЭ 25 j>3 45* (!к) 5 3 (6*)
КТ816В Si, р-п-р, МПЭ 25 60* (!к) 5 3(6*)
КТ816Г Si, п-р-п, МПЭ 25 Д-З 100* (1к) 5 3 (6*)
BD434 Si, р-п-р, Э 36 дз 22 5 4 (7*)
BD436 Si, р-п-р, Э 36 ^3 32 5 4(7*)
BD438 Si, р-п-р, Э 36 Д-З 45 5 4(7*)
BD440 Si, п-р-п, Э 36 дз 60 5 4 (7*) -
BD442 Si, р-п-р, Э 36 Д-З 80 5 4(7*)
BD612 Si, р-п-р, Э 15 дз 22 5 4(7*)
BD614 Si, р-п-р, э 15 ДЗ 32 5 4(7*)
BD616 Si, р-п-р, Э 15 45 5 4(7*)
BD618 Si, р-п-р, Э 15 ^3 60 5 4 (7*)
В Г 625 Si, п-р-п, Э 15 >3 80 5 4(7*)
BD934 Si, п-р-п, Э 33 ДЗ 45 5 3(7*)
ВС 936 Si, п-р-п, Э 30 ДЗ 69 5 3 (7*)
BD938 Si, п-'р-п, Э 30 >3 100 5 3 (7*)
BD234 Si, п-р-п, Э 25 дз 45 5 2(6*)
BD236 Si, п-р-п, Э 25 >3 60 5 2(6*)
BD238 Si, р-п-р, Э 25 Д-З 100 5 2 (6*)
BD176 Si, р-п-р, э 30 д-з 45 5 3(6*)
BD178 Si, р-п-р, э 39 60 5 3 (6*)
BD180 Si, р-п-р, э 30 ДЗ 80 5 3 6*)
BD240 Si, р-п-р, Э 30 >3 55 5 4
BD240A Si, р-п-р, Э 30 ДЗ 70 5 4
BD24uB Si, р-п-р, э 30 дз 99 5 4
Т1Р32 Si, р-п-р, ДМ 40 дз 40 5 3 (5*)
TIP32A Si, р-п-р, ДМ 49 ДЗ 69 5 3 (5*)
Т1Р32В Si, р-п-р, ДМ 40 дз 80 5 3 (5*)
TIP32C Si. р-п-р, ДМ 40 100 5 3 (5*)
KT8I7A Si, п-р-п, МПЭ 25 40* (1к) 5 3(6*)
КТ817В Si, п-р-п, МПЭ 25 ДЗ 45* (!к) 5 3 (6*)
КТ817В Si, п-р-п, МПЭ 25 ДЗ 60* (1к) 5 3 (6*)
КТ817Г Si, п-р-п, МПЭ 25 ДЗ 80* (1к) 5 3 (b*)
BD433 Si, п-р-п, Э 36 дз 22 5 4 (7*)
BD435 Si, п-р-п, Э 36 д-з 32 5 4(7*)
BD437 Si, п-р-п, Э 36 дз 45 5 4(7*)
158
П родолжение
Корпус ОО оооо СОСМСМСМоООООООО COCOCOCO<DCMCMCMCMC4O<OO<D О <D<0^0C0Co00~O0 сп О СО CM "71 CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM ~> ~i О CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM — ^^CM^CMCMCMCMCMCM -h^_ —' -у CM CM CM CM CM CM CM CM --• " ~ ""-^CMCMCMCMCMCMCM — — -y 600066060666 <30000000 66666666666666666666666666 00 00 00 00 666 h«7jy)bf-Hhhb-bb — ЬНЬ
ЭЖ1 * Д дгячн ,эвй »# t ! i i 1 I I i i ^ЛЛЛ iiii 1 i 1 1 1 1 ii 1 1 ^ЛЛЛЛЛ i i i i i iiiii iiii iii 0000 000000
и е; и н 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 IIII 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 IIII III
ГКЭ нес’ Г» . БЭ нас Ом Ш in IQIQ in to CO <£> CD Г-- Г- Г- Tf 4(4 -Tt- CO CD CD CD CM CM CO Tf CM См CO M< CD CD CD CO CO CO OO 00 OO Г-. Г- Г- Tf ’f ’’t Tf CO CO CO CO CM CM CO v/wwv/v/v/v/v/w V/V/V/V V/V/V/V/W/V/WV/W/V/V/V/V/V/WWV/V/V/V/V/ WV/V/ V/W
Ск, пФ т'ро'й'ш' дсоярГ 1 1 1 1 H 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 CD CP CD CP CD CO CP <D vv/v/v/ v/v/v/v/
m < ? *£< CM CM CM CM 0 0'0 0' <<<< <<<<< <<<<<<<<<< <<<<<<<<<< < <<<< <<< d-’-’’-ОООСщщщщ CM CM CM CM CM CM CM CM CM CM —' — — —' — ~ —' — »- —' ~ —i — —i —i — M ~ CM CM CM йсдсдсдпасдсдсд nd сд co bj cd cd nd dd па" dd do cd cd ch' cor m dd da nd dd dd da dd cd sh dd ch сд co co cd cd do ch ad co cd CMCM CM^CM 4f Tf 80® cm CM CMCM —< ~ " *— —< "-1 CM CM CM CM CM CM CM,CM cm CM CM CM — 0 >n m in 0 000 । । । । Loin irt irt ooo о in о о oinin in to л о in in iniQiQ in mminin in in in in tn in о no 'Ф CM CM CM’t' 4Г 44 -ф I | CMCMCMCM 1П1П'±‘СМ^1ПЛ4Сем"СМСМСМСМСМСМ’-'—""CMCMCMCM CM CM CM CM in in M- ЛЛЛЛАЛЛЛ!2"“Е А-ЛЛЛ ЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛЛАЛЛЛЛЛЛЛЛа аала алл
/КБО’ Г* да мА кэо 03035*03лш“ S'g'S'co g^aS'S'co'ra'ca® Й'со'со' _ О О О О> о О X О _ О О 1ПОООО — о О1поо^ч<дао^4фсоао^ tn in о О CMCMtnOoCMCMinooino^inooin'-' О O'JO -М4 о ао _ tn in -> см см in СО -о О СО см 'Ф О —' СМО-М<ОСОСМСО-П’ОСО-4«СП—< п (С " М1 <СОД ?< П <Й — СМ СП 4ф # # # # # # # —_ —СМ.СМ-СМ_СМ~СМ СМ_СМ см >— ~ —4 <— ~ м —< ~ —4 ~ см СМ см СМ СМ СМ см — — •— —4 wvwvv/v7vw wvvz wv/^vWwvv?vvvvvwv^vvv/w tfTw VW
1
о
1Л
00
Материал, S а 5 S ^КВО проб’ U*n 'o a
прибора структура, S 7: * Y-3R проб
технология н _ и** В s
f- ’о, * о> КЭО проб’
А. <4. <Й
'BD439 Si, п-р-п, Э 36 >3 60 5 4 (7*)
BD441 Si, п-р-п, Э 36 >3 80 5 4(7*)
BD611 Si, п-р-п, Э 15 ^3 22 5 4(7*)
ВГ613 Si, п-р-п, Э 15 >3 32 5 4(7*)
BD615 Si, п-р-п, Э 15 >>3 45 5 4(7*)
BD617 Si, п-р-п, Э !5 >3 60 5 4(7*)
BD619 Si, п-р-п, Э 15 ^>3 80 5 4(7*)
BD933 Si, п-р-п, э 30 5=3 4а 5 3(7*)
BD935 Si, п-р-п, э 30 >3 60 5 3(7*)
BD937 Si, п-р-п, Э 30 >•3 100 5 3(7*)
ВП233 Si, п-р-п, Э 25 Ь=з 45 5 2(6*1
BD235 Si, п-р-п, э 25 з 60 5 2(6*)
BD237 Si, п-р-п, э 25 >3 IGO 5 2(6*)
BDJ75 Si, п-р-п, Э 30 >3 45 5 3(6*)
BDJ77 Si, п-р-п, э 3J ^3 60 5 3(6*)
BDJ79 Si, п-р-п, Э 30 ^3 80 5 3(6*)
BD239 Si, п-р-п, Э 30 >3 55 5 4
BD239A Si, п-р-п, Э зэ ^з 70 5 4
BD239B Si, п-р-п, Э 33 ^3 93 5 4
Т1Р31 Si. п-р-п, ДМ 40 ^3 40 5 3 (5Д
TIP3IA Si, п-р-п, ДМ 40 ^3 60 5 3(5*)
Т1Р31В' Si, п-р-п, ДМ 40 89 5 3(5*)
Т1Р31С Si, п-р-п, ДМ 40 S3 100 5 3(5*)
2SC79J Si, п-р-п, ТД 25 ^3 50 5 3
2SD234 Si, п-р-п, ТД 2л ^53 60 10 3
2SD235 Si, п-'р-п, ТД 25 >3 50 10 3
2SD526 Si, п-р-п, ТД 33 ^3 80 5 4
2SD880 Si, п-р-п, ТД 39 ^3 60 7 3
КТ818Д Si, р-п-р, МПЭ 60 >3 40* (0,1к) 5 10(15*)
КТ818Б Si,p-n-p, МПЭ 60 >3 50* (0, iK-5 5 10(15*)
KT8I8B Si, р-п-р, МПЭ 60 1---3 70* (0,1к) 5 10(15*)
КТ818Г Si, р-п-р, МПЭ 6J >3 99* (0, Ik) 5 10(15*)
КТ818АМ Si, р-п-р, МПЭ 160 ^3 40* 5 15 (20*)
КТ818БМ Si, р-п-р, МПЭ 100 ??3 50* 5 15 (20*)
KT8I8BM Si, р-п-р, МПЭ 100 >3 7o* 5 15 (2Д)
КТ818ГМ Si, р-п-р, МПЭ 100 9j* 5 15(20*)
BD2G2 Si, р-п-р, Э 63 5=3 60 5 8(!2*)
BD204 Si, р-п-р, Э 60 >3 60 5 8(12*)
BDX78 Si, р-п-р, Э 69 >>3 80 5 8(12*)
BD292 Si, р-п-р, Э 60 S3 45 5 6(10*)
BD294 Si, р-п-р, Э 60 >"3 60 5 6 (10*)
BD296 Si, р-п-р, Э 63 5=3 80 5 6(16*)
BDT92 Si, р-п-р, Э 90 -..-4 60 7 10 (2u*)
BDT94 si, р-п-р, э 9J 80 7 10 (2u*)
BDT96 Si, р-п-р, э 93 >4 100 7 10 (20*)
BDV92 Si, р-п-р, Э 90 5=4 6) 5 10 (20*)
ВГУ94 Si, р-п-р, Э 93 >4 80 5 10 (2j*)
BDV96 Si, р-п-р, Э 93 5=4 100 5 10(21*)
BDX92 Si, р-п-р, Э 90 >4 60 5 8(12*)
BDX94 Si, р-п-р, Э 90 80 5 8(12*)
160
ГТ родолжение
/КБО' !* КЭЯ’ Г** л, мА КЭО' %1Э Ск, пФ ГКЭ иас’ Г БЭ нас’ Ом V пс t , /* рас* выкл’ ,** г , мкс СП Корпус
<0,1 (60 В) >25 (1 В; 2 А) <0,4 ТО-126
<0,1 (80 В) >15(1 В; 2 А) — <0,4 —* — ТО-126
<0,1 (22 В) >59(1 В; 2 А) — <0,25 — — ТО-202
<0,1 (32 В) £>50(1 В; 2 А) —. <0,25 — — ТО-202
<0,1 (45 В) >40(1 В; 2 А) — <0,3 —— — ТО-202
<0,1 (60 В) >25 (1 В; 2 А) — <0,4 1—1 — ТО-202
<0,1 (80 В) >15(1 В; 2 А) — <0,4 —— -— ТО-202
<0,1 (45 В) >25(2 В; 1 А) .—- <0,6 — 1* ТО-220
<0,1 (6J В) >25 (2 В; 1 А) — ^0,6 — 1* ТО-220
<0,1 (100 В) >25 (2 В; 1 А) -—. <0,6 — 1* ТО-220
<0,1 (45 В) >25(2 В; 1 А) — <0,6 — 1,1* ТО-126
<0,1 (6J В) >25 (2 В; 1 А) — <0,6 — 1,1* ТО-126
<0,1 (100 В) >25 (2 В; 1 А) — <0,6 —, 1,1* ТО-126
<0,1 (45 В) >15 (2 В; 1 А) — <0,8 — — ТО-126
<0,1 (60 В) >15(2 В; 1 А) — <0,8 — И ТО-126
<0,1 (80 В) >15 (2 В; 1 А) —. <0,8 — — ТО-126
<0,2* (45 В) >15(4 В; 1 А) — <0,7 —. — ТО-220
<0,2* (60 В) >15 (4 В; ] А) , 1 <0 7 — : — ТО-220
<0,2* (8 J В) >15(4 В; 1 А) —I <0,7 — ТО-220
<0,2* (40 В) >25 (4 В; 1 А) — <0,4 — — Т 0-220
<0,2* (69 В) >25 (4 В; ] А) — <0,4 — — ТО-220
<0,2*(80 В) >25(4 В; 1 А) — ’ <0,4 — *— ТО-220
<0,2*( 100 В) >25 (4 В; 1 А) -— <0,4 — — ТО-220
<0,01 (30 В) 40—240 (2 В; 0,5 А)1 85(10 В) <0,7 — -— ТО-220
<0,1 (23 В) 40—240 (5 В; 0,5 А) 90(10 В) <0,4 — ~— ТО-220
<0,1 (20 В) 40—240 (5 В; 0,5 А) 90 (10 В) <0,4 —. ТО-220
<0,03 (83 В) 40—240 (5 В; 0,5 А) 90(10 В) <0,5 —- —. ТО-220
<0,1 (69 В) 60—300 (5 В; 0,5 А) 70(10 В) <0,3 — — ТО-220
<1 (40 В) >15(5 В; 5 А) »—— <0,27 — — ТО-220
। <1 (4J В) >23 (5 В; 5 А) — <0,27 — —-. ТО-220
<1 (40 В) >15 (5 В; 5 А) —— <0,27 — '—- ТО-220
<1 (40 В) >12(5 В; 5 А) — * <0,27 —- —, ТО-220
<1 (40 В) >15 (5 В; 5 А) — <0,27 •— — ТО-З
<1 (40 В) >23 (5 В; 5 А) — <0,27 —1 —- ТО-З
<1 (43 В) >15 (5 В; 5 А) —— <0,27 — — ТО-З
<1 (40 В) >12(5 В; 5 А) — <0,27 — — ТО-З
! <1 (40 В) >30(2 В; 3 А) — <0,33 — — ТО-220
;< 1 (40 В) >30 (2 В; 2 А) —» <0,33 — — ТО-220
; <1 (4о В) >30 (2 В; 2 А) — <0,33 — — ТО-220
! <1 (40 В) >30 (2 В; 3 А) — <0,33 — SOT-82
: < 1 (40 В) >30 (2 В; 3 А) —1 <0,33 — SOT-82
8 <1 (40 В) >30 (2 В; 3 А) — <0,33 — — SO Г-82
<0,1 (60 В) 20—200 (4 В; 4 А) — <0,3 — -—' ТО-220
’ <0,1 (80 В) 20—200 (4 В; 4 А) “—- <0,3 — — ТО-220
1 <0,1 (1С0 В) 20—2и0 (4 В; 4 В) — <0,3 — — ТО-220
<0,1 (60 В) >20 (4 В; 4 А) — <0,3 — 1,5* SOT-93
* <0,1 (80 В) >29 (4 В; 4 А) — <0,3 1,5* SOT-93
<0,1 (103 В) >20 (4 В; 4 А) — <0,3 1,5* SOT-93
<0,1 (63 В) >10 (2 В; 5 А) — <0,2 — 2* ТО-З
<0,1 (80 В) >10 (2 В; 5 А) — <0,2 — 2* ТО-З
&
—136
161
Тип прибора Материал, структура, технология р i К, ттах 1 P*v К, и max Вт а £ S * а . *- а, УКВО проб’ Г/* . w КЭР проб В КЭО проб ^ЭБОпроб’ ® ZK mx’ птах' & !
BDX96 Si, р-п-р, Э 90 100 5 8(12‘)
2N6246 Si, р-п-р, Э 125 >5 70 5 15
2N6247 Si, р-п-р, э 125 >5 93 5 15
2N6248 si, р-п-р, э 125 ^5 НО 5 10
2N6469 Si, р-п-р, э 125 >5 59 5 ГБ
BD950 si, р-п-р, э 40 >3 60 5 5(8*)
BD952 Si, р-п-р, э 40 >з 80 5 Б (8*J
BD954 Si, р-п-'р, Э 40 >3 100 5 5(8*)
2N6132 Si, р-п-р, Э 50 >2,5 49 5 7
2N6133 Si, р-п-р, Э 50 >2,5 60 5 7
2N6134 Si, п-р-п, э 50 >2,5 80 5 7
2SB558 S1, р-п-р, ТД 69 7 100 6 7
КТ819А Si, п-р-п, МПЭ 60 >3 40* (0,1к) 5 10(15*)
КТ819Б Si, п-р-п, МПЭ 60 >3 59* (0,1 к) 5 10 (15*)
KT8I9B Si, п-р-п, МПЭ 69 >3 70* (0,1 к) 5 10 (15*)
КТ819Г Si, п-р-п, МПЭ 60 >3 100* (0,1к) 5 10(15*)
КТ819АМ 31, п-'р-п, МПЭ 100 >3 40* (0,1 к) 5 15 (20*)
КТ819БМ S1, п-'р-п, МПЭ 100 >3 50* (С),1к) 5 15(20*)
КТ818ВМ Si, п-р-п, МПЭ 100 >3 70* (0, 1к) 5 15(20*)
КТ819ГМ Si, п-р-п, МПЭ 100 >3 100*(0,1к) 5 15(20*)
BD201 Si, п-р-п, Э 60 >з 60 5 8(12*)
BD203 S1, п-р-п, Э 69 >3 60 5 8(12*)
BDX77 Si, п-'р-п, Э 60 ^3 100 5 8(12*)
BD181 Si, п-р-п, Д 117 >0,015** 45* 7 15*
BD182 Si, п-р-п, Д 117 >0,015** 60* 7 15*
BD183 Si, п-р-п, Д 117 >0,015** 80* 7 15*
2N3055 Si, п-р-п, М 115 >0,8 100 7 15
MJE3O55 Si, п-р-п, М 70 >2 70 5 10
BD291 Si, п-р-п, Э 60 >3 45 5 6(10*)
BD293 S1, п-р-п, Э Si, п-р-п, э 60 >3 60 5 6(10*)
BD953 40 >3 100 5 5(8*)
2N5490 Si, п-р-п, Д 50 >0,8 60 5 7
2N6253 S1, п-р-п, Д 115 >0,8 55 5 15
2N5492 S1, п-р-п, Д 59 >0,8 75 5 7
2N6371 S1, п-р-п, Д 117 >0,8 50 5 15
2N5494 Si, п-’р-п, Д 50 >0,8 69 5 7
2N5496 Si, п-р-п, Д 5э >0,8 99 5 7
2X6.99 2N6J0JJ Si, п-р-п, Д S1, п-р-р/Д 75 75 >0,8 >0,8 70 80 1ОООО 10 10
2N6288 Si, п->п, Э 40 >4 40 а 7
2N6289 SLX-p-n, Э 40 >4 40 5 7
2N6290 Sf, п-р-п, Э 40 >4 60 5 7
2N6291 У S1, п-р-п, Э 40 >4 69 5 7
2N6292Z Si, п-р-п, э 40 >4 | 80 5 7
16;
П родолженае
fKBO‘ /** , мА 'КЭО’ А21Э ск, пФ ГКЭ нас' Г*БЭ нас* Ом vnc рас* выкд* MXC СП Корпус
<0,1 (ЮО В) <0,2(55 В) <0,2 (75 В) <0,2 (95 В) <0,2(35 В) <0,1 60 В) <0, 1 (83 В) <0,1 (1и0 В) <0,5(40 В) <0,5 (60 В) <0,5 (80 В) <0,1 (50 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <1 (40 В) <5* (1С0 В) <1 (70 В) <1 (40 В) <1 (40 В} <0,1 (100 В} <2* (40 В) <2** (55 В) <0,5* (55 В) <2** (45 BJ <0,5* (40 В) <0,5* (70 В) ^0,1* (35 В) ^0,1* (35 В) <0.1” (55 В) «U*(55 В) «5=0,1* (75 В) >10 (2 В; 5 А) 20—100(4 В; 7 А) 20—100(4 В; 6 А) 20—100(4 В; 5 А) 20—150 (4 В; 5 А) >20 (4 В; 2 А) >20(4 В; 2 А) >20 (4 В; 2 А) 20—100 (4 В; 2,5 А) 20—100 (4 В; 2,5 А) 20—100 (4 В; 2,5 А) >15 (5 В; 5 А) >15(5 В; 5 А) >20 (5 В; 5 А) >15(5 В; 5 А) >12(5 В; 6 А) >15(5 В; 5 А) >20 (5 В; 5 А) >15(5 В; 5 А) >12(5 В; 6 А) >30 (2 В; 3 А) >30 (2 В; 2 А) >30(2 В; 2 А) 20—70 (4 В; 3 А) 20—70 (4 В; 4 А) 20—70 (4 В; 4 А) 20—70(4 В; 4 А) 20—70 (4 В; 4 А) >30(2 В; 3 А) >30 (2 В; 3 А) >20 (4 В; 2 А) 20—100(4 В;'2 А) 20—70 (4 В; 3 А) 20—100 (4 В; 2,5 А) 15—60 (4 В; 8 А) 20—100(4В; ЗА) 20—100 (4 В; 3,5 А) 20—80 (4 В; 4 А) 20—80 (4 В; 5 А) 30—150(4 В; ЗА) 30—150 (4 В; ЗА) 30—150 (4 В; 2,5 А) 30-150 (4 В; 2,5 А) 30—150(4 В; 2 А) — J 220 (10 В) <250 (10 В) <250(10 В) <250 (10 В) <250 (10 В) <250(10 В) А /Л АЛЛ /ЛАЛ АЛЛЛЛЛЛЛ ЛАЛ ЛАЛЛЛЛЛЛ Л Л Л ЛЛЛЛЛДЛЛЛ Й О ООО. | ОО— OOOOOOOOl 1 I 000 ОООООООО ООО _о_оо Ojs о “гя ГП СП Со W • 1 >>> СпЬоТо ЬэТо ' ' 1 СОСА>СА> rfx Jk Jb. Jk СП Vo к> < СП<Я to СП cn gjgn gl&Jgl “Wcncn *“ Сл>с> oo 1 1 llllf III 11111111111111 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i i niii ill l I t-ъ I I l “ I 1 1 I 1 1 l l I I l i I 1 i I I i i i I i “ U1 # * * * TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-3 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-3 '10-3 TO-3 TO-3 TO-220 TO-220 TO-220 TO-3 TO-3 TO-3 IO-3 TO-220 SOT-82 SOT-82 TO-220 TO-220 TO-3 TO-220 TO-3 TO-220 TO-220 10-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 j TO-220
И*
163
Тип прибора Материал, структура, технология з i и « - a.W а. Й fгр’ ^*Л21б> ^э’МГц ^КБО проб* и* КЭТ? проб* в КЭО проб i 17 , В I ЭВО проб 1„ К max я max' А
2N6293 Si, n-p-nf Э 40 >4 80 5 7
2N6470 Si, п-р-п, Э 125 >5 50 5 15
2N6471 Si, п-р-п, Э 125 >5 70 5 15
2N6472 Si, п-р-п, Э 125 >5 90 5 15
2N6129 Si, п-р-п, Д 50 >2,5 40 5 7
2N6133 Si, л-р-п, Д 53 >2,5 60 5 7
2N6131 St, п-р-п, Д 53 >2,5 80 5 7
Т1Р41 St, п-р-п, ДМ 65 >3 40 5 6(10*)
TIP41A Si, п-р-п, ДМ 65 >3 60 5 6(10*)
Т1Р41В Si, п-р-п, ДМ 65 >3 83 5 6(10»)
TIP41C Si, п-р-п, ДМ 65 >3 100 5 6(10»)
BD295 Si, п-р-п, Э 60 >3 80 5 6(10*)
BDT91 Si, п-р-п, Э 93 >4 60 7 10(20*)
BDT93 Si, п-р-п, Э 93 >4 80 7 10(20*)
BDT95 St, п-р-п, Э 93 >4 100 7 10(20*)
BDV91 Si, п-р-п, Э 93 >4 60 5 10(20»)
BDV93 Si, п-р-п, Э 93 >4 83 5 10(20»)
BDyT95 Si, п-р-п, Э 93 >4 100 5 10(20*)
BDX91 Si, п-р-п, э 93 >4 60 - 5 8(12*)
BDX93 Si, п-р-п, Э 93 >4 83 5 8(12*)
BDX95 Si, п-р-п, Э 93 >4 100 5 8(12*)
BD949 Si, п-р-п, Э, 40 >3 60 5 5(8»)
BD951 Si, n-pvi, Э 40 >3 80 5 5(8’)
КТ933А Sf р-п-р, ПЭ 5(50аС) >75 80 4,5 0,5
КТ933Б У si, р-п~р, пэ 5(53 °C) >75 60 4,5 0,5
Продолжения
7кьо' 7’ КЭЛ 7*>, мА КЭО’ л21э ск,пф ГКЭ нас' г» БЭ Мас’ Ом ’к’ пс i 1* ‘рас' 1 дыкл’ #**, мкс СП Корпус
<0,1 *(75 В) 30-150 (4 В; 2 А) <250 (10 В) <0,5 — — Т0-220
<0,5*(35В) 20—150 (4 В; 5 А) <0,26 — — ТО-3.
<0,5*(55 В) 20—150 (4 В; 5 А) — <0,26 — — ТО-3.
<0,5* (75 В) 20—150 (4 В; 5 А) — <0,26 — — ТО-3'
<0,5(40 В) 20—100 (4 В; 2,5 А) — <0,2 — — ТО-220
<0,5(60 В) 20—100 (4 В; 2,5 А) — <0,2 — — ТО-22»,
<0,5(80 В) 20—100 (4 В; 2,5 А) — <0,24 — — ТО-22».
<0,4*(40 В) 15-75 (4 В; 3 А) — <0,25 — — ТО-22О
<0,4*(60 В) 15—75 (4 В; 3 А) — <0,25 — — ТО-220‘
<0,4*(80 В) 15—75 (4 В; 3 А) — <0,25 — — ТО-220,
<0,4* (100 В) 15—75 (4 В; 3 А) — <0,25 — — ТО-22».
<1(40 В) >30 (2 В; 3 А) — <0,33 — — SOT-82:
<0,1(60 В) 20—200 (4 В; 4 А) — <0,3 — — ТО-22»
<0,1(80 В) 20—200 (4 В; 4 А) — <0,3 — — ТО-220.
<0,1(100 В) 20—200 (4 В; 4 А) — <0,3 — ' ТО-220,
<0,1(60 В) >20 (4 В; 4 А) — <0,3 — 1,5* S0T-9&
<0,1 (80 В) >20 (4 В; 4 А) — <0,3 — 1Л* SOT-93,
<0,1(100 В) (4 В; 4 А) — <0,3 — 1,5* SOT-937
<0,1(60 В) >10 (2 В; 5 А) — <0,2 — 2* ТО-3-
<0,1(80 В) >10 (2 В; 5 А) —- <0,2 — 2* ТО-3
<0,1(100 В) >10 (2 В; 5 А) — <0,2 — 2* ТО-3
<0,1(60 В) >20 (4 В; 2 А) — <0,5 — 1,5* Т0-22О
<0,1(80 В) >20 (4 В; 2 А) — <0,5 — 1,5* ТО-220
<0,5(80 В) >15 (3 В; 0,4 А) <70 (20 В) <3,75 — “X. 19
<0,5(60 В) >30 (3 В; 0,4 А) <70 (20 В) <3,75 19
Тип прибора Материал, структура, технолотия - "и а р с S й, й, й в ® о ffl tr * д ^КБО проб' КЭ/?про5‘ »»*• В КЭОироб* ^ЭБО Проб* В ntaxt t А К, и max
2N4030 Si, р-П-р, ПЭ 4 >100 63 5 1
2N403I . Si, р-П-р, ПЭ 4 >100 83 5 I
2N4036 , Si, р-п-р, ПЭ 7 >60 93 7 1
2N4037 Si, р-п-р, ПЭ 7 >60 63 7 1
2N4314 S1, р-п-р, ПЭ 7 >60 93 7 1
BCI60-6 Si, р-п-р, пэ 5 >50 40 5 1
ВС 161 -6 S1, р-п-р, ПЭ 5 >50 60 5 1
2SA504 Si, р-п-р, э 6 >50 83 5 0,6
КТ838А Si, п-р-п, МП 12,5 (90°С) >3 1530(имп.) 5-7 5(7,5*;
BU205 Si, п-р-п, Д 10(9j°C) 7,5 15Э0(имп.) 5-7 2,5(3*)
BU204 Si, п-р-п, Д 10(9Э°С) 7,5 13Э0(имп-) 5 2,5(3*)
BU2U7 Si, п-р-п, Д 12,5 (95°С) 7 13ЭС(имп.) 5 5(7,5*)
BU208 Si, п-р-п, Д 12,5 (95°С) >1 1500(имп.) 5-7 5(7,5*)
BU207A Si, п-р-п, Д 12,5 (95°С) 7 15(Ю(имп.) 5(7,5*)
КТ837А Si, р-п-р, эд 30 >1 83 15 7,5
КТ837Б Si, р-п-р, ЭД 30 >1 83 15 7,5
КТ837В Si, р-п-р, эд 30 >1 8j 15 7,5
КТ837Г Si, р-п-р, ЭД 33 >1 63 15 7,5
КТ837Д Si, р-п-р, ЭД 30 >1 60 15 7,5
КТ837Е SI, р-п-р, ЭД 30 >1 60 15 7,5
К1837Ж S1, р-п-р, Э/р 30 >1 45 15 7,5
КТ837И Si, p-n^fЭД зэ >1 45 15 7,5
КТ837К Sy^n-р, ЭД 30 >1 45 15 7,5
1 Т837Л , rsi, р-п-р, эд 33 >1 80 5 7,5
КТ837М/ si, р-п-р, эд 33 >| 83 5 7,5
Продолжение
УКБО' Л21Э ск, пФ ГКЭ нас’ г* БЭ нас Ом хк* пс ^рас* дыкл' t**, мкс СП Корпус
'Йо’ “А
<0,05(50 В) >25 <20 — — <0,35 ТО-5
<0,05(60 В) (5 В; 0,5 А) >25 (Ю В) <20 — — <0,35 ТО-5
<0,1(93 В) (5 В; 0,5 А} “ >20 (10 В) <30 <4 <0,6 ТО-39
<0,25(60 В) (10 В; 0,5 А) >15 (10 В) <30 <9 — <0,6 ТО-39
<0,25(93 В/ (10 В; 1 А) >15 (10 В) <39 <9 <0,6 ТО-39
<0,1*(40 В) (10 В; 1 А) 40—1'30 (10 В) <30 <14 — ТО-39
<0,1*(40 Bi (1 В; 0,1 А) 40—100 (10 В) <33 <14 1 ТО-39
<0,005 (1 В; 0,1 А) 30—300 (10 В) <30 <3,3 __ 0,45 ТО-39
(60 В) <1*(15Э0 В) (2 В; 0,15 А) 4(5 В; 3,5 А) (10 В) <170 <1,1 . <10; ТО-3
<1*( 1500 В) >2(5 В; 2 А; (Ю В) <80 <3,75 — <1,5** 0,75** ТО-3
<1*( 1300 В) >2(5 В; 2 А) (Ю В) <83 (Ю В) <125 <3,75 — 0,75** ТО-3
<1*(1300 В) >2(5 В; 2 А) <1,1 — 10 ТО-3
<1*(159О В) >2,25 (10 В) <125 <1,1 10 ТО-3
< 1*(15Э0 В) (5 В; 4,5 А) >2,25 (10 В) <125 <1,1 10 ТО-3
<0,15(80 В) (5 В; 4,5 А) 10—4) Г10 В) <0,8 — ТО-220
<0,15(80 В) (5 В; 2 А) 20—80 <0,8 - ГО-22@
<0,15(80 В) (5 В; 2 А) 59—150 <0,8 — ТО-228
<0,15(69 В) (5 В; 2 А) 10—40 <0,3 — ТО-220
<0,15(60 В) (5 В; 2 А) 23-80 __ <0,3 ГО-220
<0,15(63 В) (5 В; 2 А) 50—150 — <0,3 — ТО-228
<0,15(45 В; <0,15(45 В) (5 В; 2 А) 10—40 (5 В; 2 А) 20—83 — <0,25 <0,25 — ТО-220 ТО-220
<0,15(45 В) (5 В; 2 А; 59—150 <0,25 4^ ТО-223
<0,15(8J В) (5 В; 2 А) 10—40 <0,8 — Ч ТО-223
<0,15(80 В) (5 В; 2 А) 20—80 <0,8 — — TQ-220
(5 В; 2 А)
167
Тип прибора Материал, струн/ура, технология р К,т max' Р* К, птах Вт ^гр' ?*Л21б' ft* . МГц Л21 ^КВО проб’ и* КЭЛ проб’ и** в КЭОпроб’ с о с S ё к
КТ837Н Si, р-п-р, эд 30 >1 80 5 7,5
КТ837П Si, р-п-р, ЭД 30 r^sl 69 5 7,5
КТ837Р Si, р-п-р, ЭД 30 >1 69 5 7,5
КТ837С Si, р-п-р, ЭД 30 >1 60 5 7,5
КТ837Т Si, р-п-р, ЭД 30 >1 45 5 7,5
’КТ837У Si, р-п-р, ЭД 30 45 5 7,5
КТ837Ф si, р-п-р, эд 30 >1 45 5 7,5
BD944 Si, р-п-р, Э 40 >3 22 5 5(8*)
JBD946 Si, р-п-р, Э 40 >3 32 5 5(8*)
BD948 Si, р-п-р, Э 40 45 5 5(8*)
W6124 Si, р-п-р, Д 40 >2,5 45 5 4
2N6125 Si, р-п-р, Д 40 >2,5 60 5 4
2N6126 Si, р-п-р, Д 40 >2,5 80 5 4
BD223 Si, р-п-р, Д 36 >0,8 70 7 4
BD224 Si, р-п-р, Д 36 >0,8 40 7 4
BD225 Si, р-п-р, Д 36 >0,8 63 7 4
-2SB434 Si, р-п-р, ТД 25 3 59 5 3
2SB434G Si, р-п-р, ТД 25 3 60 5 3
2SB435 Si, р-п-р, ТД 25 3 40 5 3
^SB435!j Si, р-п-р, ТД 25 3 50 5 3
КТ943А Sf, п-р-п, мп 25 >30 45 5 2(6*)
1КТ943Б Si, п-^п, МП 25 >30 60 5 2(6*)
КТ943В ж, п-р-п, МП 25 >30 J00 5 2(6*)
КТ943Г > Si, п-р-п, МП 25 >30 100 5 2(6*)
iKT943JL/ Si, п-р-п, МП 25 >30 100 5 2(6*)
i8
Продолжение
7кбо’ мкэ.г /** _. мА кэо h2 )Э ГКЭ н ас’ Г* БЭ лас Ом V пс по ЭЯЛ 1 J X * Кортус
<0,15(80 В) 50—150 (5 В; 2 А) — <0,8 — - - ТО-220
<0,15(6J В; 10—40 (5 В; 2 А) 20—80 (5 В; 2 А) — <0,3 — — ТО-220.
<0,15(60 В) — <0,3 — — ТО-220,
<0,15(60 В) 50—150 (5 В; 2 А) — <0,3 — ТО-220,
<0,15(45 В) 10—40 (5 В; 2 А) — <0,25 — — ТО-22&-
<0,15(45 В) 20—80 (5 В; 2 А) — <0,25 — — ТО-220
<0,15(45 В; 50—150 (5 В; 2 А) — <0,25 — ТО-220)
<0,1(22 В) >50 (1 В; 2 А) — <0,25 — — ТО-220 >
<0,1(32 В) >50 (1 В; 2 А) — <0,25 — — ТО-220.
<0,1(45 В) >40 (1 В; 2 А) — <0,35 — — ТО-220*
<0,1(45 В) 25—100 (2 В; 1,5 А) — <0,4 — ТО-221)
<0,1(60 В) 25—100 (2 В; 1,5 А) — <0,4 — — ТО-220
<0,1(80 В) 20—80 (2 В; 1,5 А) <0,4 — — ТО-220.
<0,5*(50 В) 30—120 (4 В; 0,5 А) — <2 — <15* ТО-220]
<10* (50 В) 30—120 (4 В; 1 А) — — <15* ТО-220
<0,5(50 В) 20—80 (4 В; 1,5 А) — <0,66 — <15* ТО-220-
<0,01(30 В) 15—60 (5 В; 2,5 А) 150(10 В) <0,4 — — ТО-220
<0,01(40 Bj 20—90 (5 В; 1 А) 150(10 В) <0Л4 — — ТО-220
<0,01(30 В) >15 (1 В; 2,5 А) 150(10 В) 1 — — ТО-220-
<0,01(40 В) <0,1 (45 В] >20 (1 В; 1 А) 40—200 (2 В; 0,15 А) 150(10 В) <£> V/ V/ ТО-22& 18
<0,1(60 В) 40—160 (2 В; 0,15 А) — <0,6 — 18
<0,1(100 В) 40—120 (2 В; 0,15 А) <0,6 — — 18
<1(100 В) 20—60 (2 В; 0,15 А) 1 — <1,2 — S- 18
<1(100 В) 30—100 (2 В; 0,15 А) 1 -4 <1,2 18 х .. .
Тип прибора Материал, структура, технология pv К, т max Р* К, и max Вт fгр> f*Л21б- ^КБО проб’ и*КЭД г роб’ и** , В КЭО про э ^ЭБО Проб' И К max I* . А К, a max
BD131 Si, Л-р-П, пэ 15 >60 70 6 3(6*)
BD226 Si, п-р-п, ПЭ 12 >45 69 5 1,5
BD228 Si, п-р-п, ПЭ 12 >69 60 5 1.5
BD230 Si, п-р-п, ПЭ 12 >69 100 5 1,5
BD375 Si, п-р-п, пэ 25 >59 50 5 2
BD377 Si, п-р-п, ПЭ 25 >50 75 5 2
BD379 Si, п-р-п, ПЭ 25 >59 100 5 2
BD135-6 Si, п-р-п, ПЭ 12,5 >59 45 5 1,5(2*)
BD137-6 Si, п-р-п, ПЭ 12,5 >50 60 5 1.5(2*)
BD139-6 Si, п-р-п, ПЭ 12,5 >50 100* 5 1,5(2*)
2SG1173 Si, п-р-п, ПЭ Ю 100 30 5 3
2SG1624 Si, п-р-п, П 15 >10 120 5 1
2SC1625 Si, п-р-п, П 15 >10 100 5 1
КТ809А Si, п-р-п, МП 40(50*С> >5,1 400*(0,1к) 4 3(5*)
2N3584J Si, п-р-п, Д 35 >15 309* 6 2(6*)
2N3738 Si, п-р-п, Д 2J >10 259 6 3
2N3739 Si, п-р-п, Д 20 >10 325 6 3
BLY49 Si, п-р-п, Д 40 >15 259 8 3(5*)
BLY49A Si, п-р-п, Д >15 259 8 3(5*/
BLY59 Si, п-р-п, Д / 40 >15 250 8 3(5*)
BLY50A Si, п-р-п, Й, 40 >15 250 8 3(5*)
BU120 ,50(75°С) 10 400 6 4(6*)
BD2I6 Si/n-p-n, Д 21,& (75’С) >10 ’ 300 6 1
BU129 < Si, п-р-п, д 25 10 ( 400 10 5
BD253 / Si, п-р-п, Д 50 >15! J 350 8 3(6*)
Продолжение
Й21Э Ск, пФ ГКЭ нас' Г БЭ нас’ Ом \’ПС ^рас» ^*выкл* <**, мкс СИ Корпус
ZK5O’ ;*кэя' мА кэо
<0,005 (59 В) >40 (12 В; 0,5 А) <63(5 В) <0,8 — — ТО-126
0J 40—250 (2 В; 0,15 А) — <0,8 — — ТО-126
— 40—160 (2 В; 0,15 А) — <0,8 — — ТО-126
— 40—160 (2 В; 0,15 А) — <0,8 — — ТО-126
0,1 >20 (4 В; 1 А) — <1 — <0,05** ТО-126
— >20 (4 В; 1 А) — <1 — <0,05** ТО-126
>30 (4 В; 0,5 А) — <1 — <0,05** ТО-126
<0,1(30 В) 40—100 (2 В; 0,15 А) — <1 —" ТО-126
<0,1(30 В) 40—100 <2 В; 0,15 А) — <1 —* — ТО-126
<0,1(39 В) 40—100 (2 В; 0,15 А) — <1 — — ТО-126
<0,001 (20 В) 70—240 (2 В; 0,5 А) 35(10 В) <0,4 — ТО-226
<0,001 (50 В) 70—240 (5 В; 0,15 А) 20(10 В) <1 — — ТО-220
<0,01(50 В) 70—240 (5 В; 0,15 А) 20(10 В; ТО-220
<3(41)0 В) 15—100 (5 В; 2 А) <150 (20 В) <0,75 — <4 37
<1*(300 В) 25—100 (10 В; 1 А) <120 (10 В) <0,75 — 4 ТО-66
<0,1(250 В) >25 (10 В; 0,25 А) <20 U00 В) <10 — — ТО-66
<0,1(325 В) 9>25 (10 вГо,25 А) <20 (109 В) <fo — —* ТО-66
<0,06(40 В) 30—100 (10 В; 1 А) <200 (20 В) <0,75 <1,55 ТО-З
<0,05(40 В) <0,05(40 В) 30—100 (10 В; 1 А) 60—200 (10 В; 1 А) <200 (20 В) <200 (20 Bj <0,75 <0,75 А А ! g 8S ТО-66 ТО-З
<0,05(40 В) 60—200 ПО В; I А) <200 (20 В) <0,75 <1,55 ТО-66
>10 ** 1 <0,7 — —- ТО-З
. (10 В; 2 А) 40—150 *-v- <0,7 — -— МО-17
(10 В; 0,1 А) >20 —I <0,6 — <2 ТО-З
<2(359 В) (1,5 В; 1,5 А) >15 (4 В; 1 А) — 1 <1,2 — — TQ-3
171
Тип np.ifopa Материал, структура, технолог! я i i * Stf * г а, а, р: ?а- *** <п Л:J* ^КБОпроб’ ^*КЭЛнроб' ^КЭОпроб ,В ^ЭБОпроб' И 1 xtnji а1 у V ' »/ XVW у ‘ J
-2SC825 Si, п-р-п, Д 30
-SSC779 Si, n-p-n, M. 25
asci 504 Si, п-р-п, Д 40
КТ808А Si, п-р-п, МП 50(50°C)
ХТ808АМ Si, п-р-п, МП 50(50°C)
КТ808БМ Si, п-р-п, МП 50(50° C)
ЗКТ808ВМ St, п-р-п, МП 59(53°C)
(КТ808ГМ St,n-p-n, МП 50(50uC)
aN4913 Si, п-р-п, Д 87,5
•2N4914 Si, п-р-п, Д 87,5
aN4915 Si, л-р-п, Д 87,5
-BLY47 Si, Р-п-р. M 40
4BLY47A Si, п-р-п, M 40
BLY 48 Si, П-р-П, M 40
BLY 48A Si, п-р-п, M 40
aN5427 Si, п-р-п, Д 40 /
2N5429 St, п-р-п, Д 4?
J8UY55 Si, п-р-п, Д 60/to°C)
-2SD2j1 Si, п-р-п, Д / 50
aSD202 Si, п-р-п, Д / 50
aSD2>j3 Si, л-р-п/Д 50
KC606 Si, м 50(80°C)
KD602 SC п-р-п, Д 35
BDY24 У Si, п-р-п, Д 87,5
asciei^r Si, п-р-п, ДМ 50
/72
15 300 6 2
>10 300 6 2
10 400 6 2
>7,2 12u* (25 J ймп.) 4 10
>7 125 (250 имп.) 4 10
57 10G* (16 J ими ) 4 10
>7 80* (135 имп ) 4 10
>7 7u* (80 имп ) 4 10
>4 40 5 5(15*)
>4 60 5 5(15*)
>4 80 5 5(15*)
>15 100 8 3(5*) 4
>15 100 8 3(5*)
>15 100 8 3(5*)
>15 100 8 3(5*)
>30 80 6 7
>30 100 6 7
>10 150 6 10(15*)
>4 90 6 6
>4 ПО 6 6
>4 , i 130 6 6
12 120 5 8
>0,5 ПО 5 10
>10 100 10 6
/10 80 6 6
Продолжение
Л21Э ск, пФ КЭ пае* Г*БЭ нас’ Ом V пс ^*выкл‘ 1**, мкс СП Корпус
/КБО’ ркэр’ 'йю’мА
<0,02(10 В) 75 <0,8 ТО-66
<0,1(200 В) (10 В; 0,5 А)
30—200 <80 <2 <4 ТО-66
<1(400 В) (10 В; 0,1 А) (Ю В)
<1 9 то-з
(4 В; 1 А)
<3*( 120 В) 10-50 <500 ---- <2 37
<3*(120 В) (3 В; 6 А) (100 В)
10-50 <500 <2 то-з
<3*( 100 В) (3 В, 6 А) (100 В)
10—50 <500 <2 то-з
<60(150 В) 13 В, 6 А) (100 В)
10-50 <50/ <2 ТО-З
<3*(70 В) (3 В; 6 А) (100 В)
10—50 <500 <2 то-з
(3 В; 6 А) (100 В)
<1**(4о В) >7 (2 В; 5 А) 50(40 В) <0,3 — 1,2* то-з
<1”(6J В) >7 (2 В; 5 А) 50(40 В) <0,3 — 1,2* то-з
<1**(8Э В) ^7 50(40 В) <0.3 1,2* ТО-З
<0,05(40 В) (2 ЕЦ 5 А) <200
30—100 (10 В; I А) (23 В) <20 J <0,75 — <1,55 то-з
<0,С5(40 В) 30—100 (10 В; 1 А) (20 В1 <200 <0,75 — <1,55 ТО-66
<0,С5(4Э В) 60—200 (10 В; 1 А) (20 В) <200 <0,75 — <1,55 ТО-З
<0,05(40 В) 63—200 (10 В; 1 А) (20 В) <253 <0,75 — <1,55 ТО-66
<0,01(80 В) 5=23 (2 В, 5 А) (10 В) <253 <0,35 — <2 ТО-66
<0,01 (100 В) 5*23 (2 В; 5 А) (10 В) <200 <Q,35 — <2 ТО-66
<1(153 В) ^8 (1,5 В; 7 А) (10 В) <0,2 — 1,2 ТО-З
<0,05(40 В) >20 (4 В; 3 А) — <0,5 — 2,4 то-з
<0,03(40 В) >23 (4 В; 3 А) — <0,5 2,4 то-з
<0,03(40 В) 5=23 (4 В; 3 А) \ — <750 <0,5 — 2,4 ТО-З
<1(50 В) >5 (10 В; 0,5 А) (№В) <0,35 — ^«р<1,5 ТО-З
—* 15—53 ТО-З
(10 В; 0,5 А)
—- 15—180 (4 В; 2 А) <0,3 — — ТО-З
<1(80 В) (4 вТ3 А) । <0,5 — 3,4 то-з
т
Тип прибора Материал, структура, технология pv К, г max Р* К, и max Вт ь i5 лг. Мм. ^КРОпроб’ иКЭЛпроб’ и** , в КЭОпроб ГС i s 8 зя хош и V ‘ •/
2SC1619 Si, п-р-п, ДМ 50 10 100 6 6
2SG1619A Si, п-р-п, ДМ 50 10 120 6 6
КТ802А Si, п-р-п, МП 50 >10; >20 150; 180 3; 5 5
2N5050 Si, п-р-п, Д 40 >10 125 6 2
2N5051 Si, п-р-п, Д 40 >10 150 6 2
2N5052 S1, п-р-п, Д 40 >10 200 6 2
BUYP52 Si, п-р-п, П 50 >10 120 5 5
BUYP53 Si, п-р-п, П 50 >10 80 5 5
2SG41 S1, п-р-п, М 59 >10* 150 6 5
2SC42 S1, п-р-п, М 50 >8* 150 6 5
2SC43 Si, п-р-п, М 50 >8* 100 6 5
BU123 Si, п-р-п, Д 50 10 183 8 5
2SG508 Si, п-р-п, Д 20 25 180 5 4
2SC519A Si, п-р-п, Д 50 ^5 ,130 5 7
2SC520A Si, п-р-п, Д 50 >5 100 5 7
КТ803А S1, п-р-п, П 60 (50°С) >20 60*(0,1к> 4 10
2N3054A SI, п-р-п, Д 75 >3 60 7 4(10*)
2N5067 Si, п-р-п, Д 87,5 >4 40 5 5
2N5068 Si, п-р-п, Д 87,5 ^>4 60 5 5
2N5069 Si, п-р-п, Д 87,5 >4 80 5 5
KD601 Si, п-р-п, ПЭ 35 (45fC) >10 40 5 10
2N1702 Si, п-р-п, Д Л 1 60 6 5
BDY23 Si, п-р-п, П / 87,5 >10 60 10 ' 6
MJ480 Si, п-р-п, ДУ 87,5 >4 40 5 4(7*)
MJ481 si, n-p-tf/д, 87,5j >4 60 5 4(7*)
2SG44 Si,n^n,M 50 >8* 50 6 5
2SC793 Sf, п-р-п, Д 60 80 5 7
2SC521A / Si, п-р-п, Д 50 Р5 70 5 7
2SC493Z S1, п-р-п, М 50 : 10 80 5 5
виугач Si, п-р-п, П 50 !>ю 40 5 5
74
Продолжение
№ к ' 1. * Л21Э Ск. пф ЛКЭнас* Г БЭ нас’ Ом V пс 1 1 i , t* 1 рас' выкл’ । j*» 1 t , мкс СП Корпус
<1( 1G0 В) >20(4 В; 3 А) — <0,5 __ 3,4 ТО-З
<1(120 В) >20(4 В; 3 А) — <0,5 — 3,4 ТО-З
<60(150 В) >15(10 В; 2 А) — <1 — — 37
<0.5* (125 В), >5(5 В; 2 А) <250 (10 В) <250 (10 В) <250 (1OJB) <2,5 — <3,5 ТО-66
<0,5*(15ОВ) >5(5 В; 2 А) <2,5 — <3,5 ТО-66
<0,5* (200 В) >5(5 В; 2 А) <2,5 — <3,5 ТО-66
— >10(5 В; 0,5 А) <0,7 — то-з
— >20(5 В; 0,5 А) W— - <0,7 — то-з
<60(150 В) 12-92 (10 В; 1 А) <350 (20 Bj 2 — — ТО-З
<60(150 В) 4—185 (10 В; 1 А) <350 (20 В) 2 — то-з
<6О( 100 В) 4—185 (10 В; I А) <350 (20 В) 2 — — ТО-З
— 25—250 (5 В; 1 А) — <0,7 — — ТО-З
<0,12(50 В) >20(5 В; 4 А) — <0,5 •W»- ТО-66
<1(50 В) >30<5 В; 1 А) <250 (50 В) <250 (50 В) <0,4 — 3 ТО-З
<1(50 В) >30(5 В; 1 А) <0,4 — 3 ТО-З
<5* (70 В) 10—70 (10 В; 5 А) <253 (20 В) <0,5 — <0,19* 37
<0,5*(30 В) >5(4 В; 3 А) 60(10 Bi <2 - о,3 ТО-66
<1(40 В) >7(2 В; 5 А) 80(20 В) <0,3 -— 0,25 ТО-З
<1(60 В) >7(2 В; 5 А) 60(20 В) <0,3 0,25 ТО-З
<1(80 В) >7(2 В; 5 А) 60(20 В) — -— 0,25 то-з
<10* *(24 В) — — <0,24 — — ТО-З
<0,2(30 В) 15—60 (4 В; 0,8 А) <200 (40 В) <4 —*• —- MD-6
— 15—180 (4 В; 2 А) — <0,5 — — то-з
1 <1(40 В) >10^2 В; ЗА} <200 (10 В) <200 (Ю Б) <350 (20 В) <0,4 — ТО-З
<1(60 В) >10(2 В; 3 А) <0,4 — то-з
<60(50 В) 4—185 (10 В; 1 А) — — ТО-З
<1(30 В) 30—200 (5 В; 1 А) — <0,46 — — то-з
<1(50 В) >30(5 В; 1 А) <250 (50 В) <0,4 — 3 то-з
10 20—200 (5 В; 1 А) <0,5 —• — ТО-З
>20(5 В; 0,5 А) — <0,7 — — то-з
175
Тип прибора Материал, структура, технология Р К, ттах Р* К, и max' Вт 1 ъ £ *- 'о> ^КБО проб' и* КЭР проб ^КЭО проб’ В ^ЭБО прсб’ В К max I* , А К, птах
KT908A Si, п-р-п, мп 50 (50°С) >30 10G*(0,01K) 5 10
КТ908Б Si, П-р-П, МП 50 (5Э°С) >30 60*(0,25к) 5 10
BDY92 Si, n-p-л, п 40 70 89 6 10(15*)
2N43O1 Si, п-р-п, ПЭ (75°С) 59 (100°С) >40 100 8 10(20*)
2N5313 S1, п-р-п, П 50 (100°С) >39 89 6 10
2N5315 Si, п-р-п, П 50 (100°С) >30 100 6 10
2N5317 Si, п-р-п, П 50 (100е С) >30 80 6 10
2N5319 Si, п-р-п, П 59 (100° С) >30 100 6 10
2SD47 Si, п-р-п, М 50 29 100 6 5
SDT3207 Si, п-р-п, ПЭ 50 >30 80 6 10
SDT3208 Si, п-р-п, ПЭ 50 ^>30 100 6 10
SDT7012 Si, п-р-п, П 50 >15 80 5 10
SDT7013 S1, п-р-п, П 50 >15 100 5 10
2N2811 S1, п-р-п, П 70 >15 80 8 10
2N2813 Si, п-р-п, П 70 >15 100 8 10
КТ812А Si, п-р-п, МП 50 (50°С) >3 400*(0,01к) 7 8(12*)
КТ812Б S1, п-р-п, МП 50 (50°С) >3 300*(0,01к) 7 8(12»)
KT8I2B Si, п-р-п, МП 50 (50°С) >3 200*(0,01к) 7 8(12*)^
2N5239 Si, п-р-п, Э 100 >5 3j0 6 5
2N5240 SI, п-р-п, Э 100 >5 375 6 5
2N6077 Si, п-р-п, Э/ 45 >10 300 6 7
2N6078 Si, п-р-п, Э / 45 >10 275 6 7 7w
2N6079 Si, пф-п, э 45 >10 375 9
BU106 SLft-p-n, Э 75 >3 325 8 7(10*)
BDY93 д Si, п-р-п, Д 30 (75° С) 8 450* 8 4(7*)
BDY94 Si, п-р-п, Д 30 (75°С) 8 400* 8 4(7*)
2SC1576 Si, п-р-п, ТД 100 10 450 6 8
^SC1617 Si, п-р-п, ТД 50 10 300 5 7
2SC2137 Si, л-р-п, тдм 80 6 500 6 7
2SC2138 Si, п-р-л, тдм 80 6 400 6 7
KU605 Si, п-р-п, М 50 (80"С) 12 200 5 10
176
Продолжение
'КБО’ лкэ/?’ ^О’чА А21Э Ск, пФ ГКЭнас’ г* БЭ нас Ом тк, ПС ^рас’ * выкл* <**, мкс СП Корпус
<25* (100 В) 8—60(2 В; 10 А) <400 (25 В) <0,15 — — 37
<50* (60 В) >20(4 В; 4 А) <400 (30 В) <0,25 — —. 37
<3**(80 В) 30—120(5 А) — <0,1 — 1,3 ТО-З
<0,01*03 В) >15(4 В; 10 Aj — <0,1 — 1,5* T0-6t
— 30—90 (5 В; 10 А) <503 <0,15 — — TO-6t
— 30—93 (5 В; 10 А) <530 <0,15 — — TO-6k
30—90 (5 В; 5 А) <500 <0,15 — — ТО-61
— 30—93 (5 В; 5 А) <590 <0,15 — — TO-6fe
15 12—184 (Ю В; 1 А) — 0,6 — — то-з
30—90 (5 В; 5 А) — — *— — TO-6b
—- 30—93(5 В; 5 А) — — -—- ТО-61
20—63(5В;5А) - .—- — — ТО-61
— 20—60(5 В; 5 А) — '— — — ТО-61
0,1 20—6О(5’В; 5 А) <350 <0,15 — — МТ-2&
0,1 20—60(5 В; 5 А) <350 <0,15 — — МТ-29'
<5*(700 В) >4(2,5 В; 8 А) — <0,3* -—, — ТО-З
<5*(500 В) >4(2,5 В; 8 А) — <0,3* — — ТО-З
<5* (300 В) >10(5 В; 5 А) — <0,3* — — ТО-З
<4**(300 В) >5(10 В; 4,5А) <150 (10 В) <1,5 — — то-з
<2**(375 В) >5(10 В; 4,5 А) <1,5 — — ТО-З
^5* *(250 В) >12(1 В; 1,2А) <150 (ЮВ) <0,33 — ТО-66
<0,05* (250 В) >12(1 В; 1,2 А) — <0,6 — 4— ТО-66
<0,5(450 В) >12(1 В; 1,2 А) — <0,75 — — ТО-66,
<1,5** (325 В) >8(5 В; 4 А) <150 (Ю В) <1,25 — ТО-З
0,5 15—60 (5 В; 1 А) — <0,6 — 0,4** то-з
0,5 25—80(5 В; 1 А) — <0,6 — 0,5** ТО-З
<0,1(450 В) 30—150 (5 В; 1 А) — <з — 3 ТО-З
<1(250 В) >15(5 В; 7 А) <0,24 — —— ТО-З
<0,1(400 В) 10—40(5 В; ЗА) — <0,5 — <2 IO-3
<0,1 10—40(5 В; ЗА) — — * ТО-З
<1 (50 В) >5(10 В; 5 А) <750 (Ю В) | <0,2 — <1 ТО-З
12—136
177
Тип прибора Материал, структура, технология pv К, г max Р* К, и max Пт .9Г«¥^ .<*Jy и КБОироб’ ЕЛ* КЭ(? проб УКЭО проб’3 1 П to ЭБО Проб’ /_ К max , А К, и max X \
3(1'607 Si, п-р-п, м 70 ^9 210 5 10
KLY12 Si, п-р-п, Д 70 >9 210 5 10
BDY25 Si, п-р-п, Д 87,5 >10 200 10 6
КТ828А Si, п-р-п, МП ’ 50 (50°С) 50 (50°С) >4 800*(0,01к) 5 5(7,5*)
КТ828Б Si, п-р-п, МП ^4 600*(0,01к) 5 5(7,5*)
BU126 Si, п-р-п, Э 40 8—10 750* 6 3(6*)
BU326 S1, п-р-п, П 50 6 800* (имп.) ~ 6(8*)
BU326A (5Э°С)
Si, п-р-п, П 60 6 930*(имп.) 6(8*)
BUX82 Si, п-р-п, П (50=С)
60 (50аС) 6 800* (имп.) 10 W)
BUX83 Si, п-р-п, П 60 6 1000*(имп,) 10 6(8*)
BUI33 (50эС)
Si, п-р-п, э 80 3.5 7Я)* (имп.) 6 3(6*)
‘2SC2121 Si, п-р-п, ТДМ 50 8 750 6 3(6*)
2SD640 Si, п-р-п, ТДМ 100 3 600 5 7 р
КТ839А Si, п-р-п, МП 50 >5 1500 5 10 •
BUI08 Si, п-р-п, ТД 56 7,5 1500*(0,1к) 5 5(10*)
MJ3480 2SC1172 Si, п-р-п, ТД Si, п-р-п, ТД 56 50 7,5 3 1300*(0,1к) 1500 7 5 5(10*) 6
2SCH72A SI, п-р-п, ТД 50 2 150) 5 6
2SC1172В Si, п-р-п, ТД 50 3 1500 5 7
2 SC 1894 Si, п-р-п, МТД 50 3 1500 5 6
2SC1895 Si, п-р-п, МТД 50 2 1503 5 6
.2SC1896 Si, п-р-п, МТД 50 2 1503 5 7
2SD822 Si, п-р-п, ТД 50 3 1500 5 7
2SD821 Si, п-р-п, ТД 50 3 1500 5 6
2SD820 Si, п-р-п, ТД 50 3 1500 5 5
КТ945А Si, п-р-п, Э 50 (50°С) >51 150* 5 15(25*)
BDY9J BDY9I 2SC1443 Si, п-р-п, Д Si, п-р-п, Д Si, п-р-п, Д 40 (75°С) 40 (75°С) 100 70 70 10 120 100 150 6 6 6 10(15*) 10(15*) 15
2SD675A Si, п-р-п, Д 1и0 25 140 5 12
2SC2431 Si, п-р-п, ПЭ 100 80 120* 5 15
7 78
Окончание-
;КБО’ /* в КЭ₽' '>“А Л21 э Ск,пФ КЗ Нас' г* БЭмас Ом V ПС fpac* **выкл’ f**, мкс СП Корпус
<1(150 В) <10(1,7 В; 5 А) 500(10 В) <0,3 — <1 ТО-З
<1(150 В) >10( 1,7 В; 8 А) — <0,2 <1 ТО-З
— 15—180 <0,3 -— — то-з
<5(1400 В) (4 В; 2 А) >2,25(5 В; <0,66 <10; ТО-З
4,5 А) <1,2**
<5(1200 В) >2,25(5 В; <0,66 <10; ТО-З-
4,5 А) <1,2**
<0,5** <15(5 В; 1 А)’ <75 <1,2 — 0,2**; ТО-З
(750 В) (Ю В) 1.2
<1**(800 В) 30(5 В; 0,6 А) <0,75 <3,5 ТО-З
<1**(9О0 В) 30(5 В; 0,6 А) — <0,75 — <3,5 ТО-З
<1**(8С0 В) 30(5 В; 0,6 А) — <0,75 — <3,5 ТО-З
<1** 30(5 В; 0,6 А) <0,75 <3,5 то-з
(1000 В)
<0,5** (750 В) <0,5** (750 В) <0,1(500 В) 15—80(5 В; 1 А) — <1,25 — <2,4; 0,9** ТО-З
15—60(5 В; I А) 85(10 В) <1,25 — 1,2 ТО-З
25—140 (5 В; 3 А) 70(50 В) <0,3 — 0,6** ТО-З
<1(1500 В) < 5(10 В; 4 А) <240 <0,375 — <10; то-з
(ЮВ) <1,5**
<l*fl500 В) 4(5 В; 4 А) 125( 10 В) <М — <1** то-з
<1*( 1300 В) 4(5 В; 4 А) 125(10 В) <1.1 — <1** то-з
<0,01 (500 В) >10(10 В; 2 А) 155(10 В) <1.25 — <1** то-з
<0,01(500 В) >10(10 В; 2 А) 165(10 В) <1 — <1** то-з
<0,01(500 В) >10(10 В; 2 А) 160(10 0) <0,8 -— <1** ТО-3
<0,01 (500 В) >8(10 В; 2 А) 155(10 В) <1.25 — <1** ТО-З
<0,01 (500 В) 8—30(10 В; 2 А) 165(10 В) <1 — <1** ТО-З
<0,01 (500 В) 8—40(10 В; 2 А) 165(10 В» <0,8 — <1** ТО-З
<0,01 (500 В) >8(5 В; 1 А) 165(10 В) <0,8 — <1** ТО-З
<0,01(500 В) >8(5 В; 1 А) 165(10 В) <1 <1** ТО-З
<0,01 (500 В) >8(5 В; 1 А) 165(10 В) <1,25 — <1** то-з
<25(150 В) >10(7 В; 15 А) — <0,17 — — то-з
<3**i 120 В) >20(5 В; 10 А) — <0,15 — <1,3 то-з
<3**(100 В) >20(5 В; 10 А) — <0,15 — <1,3 то-з
<1(150 В) >12(4 В; 5 А) 35—200 — <0,15 <0,4 <2 ТО-З ТО-З
(5 В; 1 А) 0,7
—. 0,05 >7(5 В; 15 А) — <0,21 — 10-3
12*
17»
08 U
‘Транзисторы средней и большой мощности высокой и сверхиысокоЙ чаетЙФ
Тип прибора Материал, структура, техно лги ня /> Вт К max flp. МГц ^КБО проб’ В ^ЭВО проб' С . 7* К шах К, и max А 'кБО' ;КЭК’ *K3R, МА
КТ610А Si, п-р-п, ПЭ 1,5(50 °C) >1000 26. 4 0,3 <0,5(26 В)
КТ610Б Si, п-р-п, пэ 1,5 (50 °C) >700 26 4 0,3 <0,5(26 В)
2N61353 Si, п-р-п, ПЭ 2,5 >1100 35 3,5 0,25 <10(18 В)
BFW16 Si, n-p-п, пэ 1,5 >1000 40 2 0,15(0,3*) <1 (20 В)
КТ606А Si, п-р-п, ПЭ 2,5 (40 °C) >350 60 4 0,4 (0,8*) <1,5** (60 В)
КТ606Б Si, п-р-п, ПЭ 2,5 (40 °C) >300 60 4 0,4 (0,8*) <1,5** (60 В)
2N5090 Si, п-р-п, ПЭ 5 (75 °C) >500 55 3,5 0,4 <0,1(55 В)
RFD401 Si, п-р-п, ПЭ — — — — —' —•
КТ904А Si, п-р-п, ПЭ 5 (40 °C) >350 60 4 0,8 (1,5*) <15* (60 В)
КТ904Б Si, п-р-п, ПЭ 5 (40 °C) >300 60 4 0,8(1,5*) <15* (60 В)
2N3375 Si, п-р-п, ПЭ 11,6 500 65 4 0,5(1,Б*) <0,1 (30 В)
RFD421 Si, п-р-п, ПЭ * — — — — — —
ММ3375 Si, п-р-п, ПЭ 11,6 — 65 4 1,5 <0,1 (65 В)
2SC598 Si, п-р-п, ПЭ 10 >300 65 4 1,5 <0,1 (30 В)
2SC549 Si, п-р-п, ПЭ 10 500 65 4 1.5 ^0,1** (30 В)
2SC542 Si, п-р-п, ПЭ 11,6 450 65 4 1,5 <0,005 (30 В)
2SC635 Si, п-р-п, ПЭ 10 >300 65 4 1,5 <0,003(18 В)
КТ907Л Si, п-р-п, ПЭ 13,5 >350 60 4 1(3*} <3* (60 В)
КТ907Б Si, п-'р-п, ПЭ 13,5 >300 60 4 1 (3*) <3* (60 В)
2N3733 Si, п-р-п, ПЭ 23 >250 65 4 3* <0,5 (65 В)
2N4440 Si, п-р-п, ПЭ 11,6 >400 65 4 1,5 <0,1 (65 В)
Тип приборе А21Э ек,пФ ГКЭ нас’ Ом
KTG10A 50—300 (10 В; 0,15 А) <4,1 (10 В) —
КТ610Б 20—300 (10 В; 0,15 А) ^4,1 (10 Bj —
2N6135 25—300(18 В; 80 мА) <3 (30 В) —
BPW16 25 (5 В; 0,15 А) — <5
KTG06A >15 (Ю В; 0,10 А) <10(28 В) <5
KTG06B >15(10 В; 0,10 А) <10(28 В)
2N5090 Ю—200 (5 В; 0,05 А) <3,5 (30 В) <10
RFD401 — —
КТ904А —- <12(28 В)
КТ904Б — <12(28 В) <5
2N3375 >10(5 В; 0,25 А) <10(30 В) <2
RFD421 — —
ММ3375 — <10(30 В) <2
2SC598 >20 (10 В; 0,5 А) <10(10 В) —
2SC549 —- <10(30 В) ^2
2SC642 25(4 В; 0,5 А) 7 (30 В) —
2SC635 >15 (10 В; 0,5 А) 10(18 В) —
КТ907А —и <20 (30 В) <4
КТ907Б <20 (30 В) <4
2N3733 >5 (5 В; 1 А) <20 (30 В) <2
- 2N4440 {• со •— >3(5 В; 1,35 А) <10(30 В) <2
/7 роскыженНЙ
тк.пс г*6, Ом Р ВЫХ’ Р* РЕР Вг VAB КПД, % ^раб’ МГц Ек,в Корпус
<55 — — 41
<22 —— — — — — 41
<20 *- — — Х-110
— -—- — — — ТО-39
<10 >0,8 >4 >35 400 28 42
<12 >0,6 >3 400 28 42
>1,2 7,8 >45 400 28 ТО-63
— 1,2 8 — 400 28 ТО-60
<15 >3 >4,8 <— 410 28 42
<20 >2,5 >4 — 400 28 42
10* >3 >4,8 >40 400 28 ТО-60
>7,5 5,6 >65 100 28
- 5 5 1— . 400 28 Т0-6Э
— 3 4,8 — 400 28 ТО-60
8 — КО 28
— 3,5 5,4 400 28 ТО-60
8 — —, 175 28
3 -—. —- 400 28 T0-6J
6 7,8 —- 175 28 ТО-60
3,5 — —1 400
10* 4 6 — 175 18 T0-6J
<15 >9 3,5 >45 400 28 42
<25 >7 2,5 >45 400 28 42
6,5* >10 >4 >45 400 28 ТО-60
14,5 5,8 >60 260 28
10* >5 >4,8 >45 400 28 ТО-60
6,5 5,7 >55 225 28
Тип прибора Материал, структура, технол01ня , Вт К мах (гр. МГц
MSA7505 Si, п-р-п, ПЭ - -
2SC553 Si, п-р-п, ПЭ 20 >200
2SC543 Si, п-р-п, ПЭ 23 400
КТ920А Si, п-р-п, ПЭ 5 (50 °C) >400
КТ920Б Si, п-р-п, ПЭ 10 (50 °C) >400
КТ920В Si, п-р-п, ПЭ 25(50 °C) >400
КТ920Г Si, п-р-п, ПЭ 25 (50 ’С) >350
2N5995 Si, п-р-п, ПЭ 10,7(75 °C)
2N5996 Si, п-р-п, ПЭ 35,7(75 *С) —.
2N6080 Si, п-р-п, ПЭ 12 —
2N6081 Si, п-р-п, ПЭ 31 —
BLY63 Si, п-р-п, ПЭ 17 —
BLW18 Si, п-р-п, ПЭ 20 >420
BLY88A Si, п-р-п, ПЭ 32 700
КТ922А Si, n-p-п, ПЭ 8 (40 вС) >300
КТ922Б Si, п-р-п, ПЭ 20(40 °C) >300
КТ922В Si, п-р-п, ПЭ 40 (40 *С) >300
КТ922Г Si, п-р-п, ПЭ 20 (40 °C) >300
КТ922Д Si, п-р-п, ПЭ 40 (40 вС) >250
2NS641 Si, п-р-п, ПЭ 15 >300
2N5642 Si, п-р-п, ПЭ 30 >250
2N5643 Si, п-р-п, ПЭ 60 >200
BLW24 Si, п-р-п, ПЭ 25 >300
2N4128 Si, п-р-п, ПЭ 40 >200
2N4127 Si, п-р-п, ПЭ 25 >300
П родолжение
УКБО проб* В ^ЭБО проб* В К/пах К, и max А ;кбо- 7КЭК’ лкэ/г‘мА
65 4 3 <0,25** (30 В)
65 4 3 <0,012(30 В)
36 4 0,Б(1*) <2* (36 В)
36 4 1(2*) <4* (36 В)
36 4 3(7*) <7,5* (36 В)
36 4 3(7*) <7,5* (36 В)
36 3,5 1.5 <5 (36 В)
26 3,5 5 <15(36 В)
36 4 1 <0,25(15 В)
36 4 2,5 <0,5(15 В)
36 4 5 0,1
36 4 2* —
36 4 2,5 (7,5*) —
65*(0,1к) 4 0,8(1,5*) <5* (65 В)
65*(0,1к) 4 1.5 (4,5*) 20* (65 В)
65* (0,1 к) 4 3(9*) <40* (65 В)
65*(0,1к) 4 1,5 (4,5*) <20* (65 В)
65* (0,1к) 4 3(9*) <40* (65 В)
65 4 1 <1(30 В)
65 4 3 <1 (30 В)
65 4 5 <1 (30 В)
60 4 2*
60 4 4 1
60 4 2 0,5
Тип прибора А21Э ск, пФ ГКЭ нас’ Ом
MSA7505
2SC553 — <20(30 В) <2
2SC543 25(4 В; 1 А) 14 (30 В) —
КТ920А <15(10 В)
КТ920Б — <25(10 В) —
КТ920В — <75(10 В)
КТ920Г — <75(10 В) —
2N5995 — <80(12 В)
2N5996 — <100(12 В) —
2N6080 >5(5 В; 0,25 А) <20 (15 В) -
2N6081 >5(5 В; 0,5 А) <85(15 В)
BLY63 10—120(5 В; 0,25 А)
BLW18 40 (5 В; 0,5 А) <18(13 В) 0,35
BLY88A >5(5 В; 0,5 Л) <30(15 В) 0,6
КТ922А — <15(28 В) —,
KT922D — <35 (28 В)
КТ922В — <65 (28 В) —
КТ922Г <35 (28 В) —
КТ922Д — <65(28 В) —
2N5641 >5 (5 В; 0,1 А) <15 (30 В) __
2N5642 >5 (5 В; 0,2 А) <35 (30 В)
2N5643 >5 (5 В; 0,5 А) <55(30 В)
BLW24 >5(5 В; 2 А) <25 (25 В) <1
2N4128 Ю—80 (5 В; 0,2 А)
2N4127 10—80 (5 В; 0,2 А) — <1
П родолжение
v,, ПС Г*б. Ом р ВЫХ р* РЕР Вт К ДВ У? КПД, % fpa6’ МГц ЕК.В Корпус
<-10 4,2 400 28 ТО-60
10 — 400 28 ТО-60
-—. 14,5 6 — 175 28 ТО-60
6 — — 400
<20 >2 >8,5 55 175 12,6 43
<20 >5 >6,5 55 175 12,6 43
<20 >20 >4,8 55 175 12,6 43
<20 <15 >4,8 55 175 12,6 43
- >7 >9,7 65 175 12,5 МТ-78
<15 >4,5 75 175 12,5 МТ-78
4 >12 50 175 12,5 МТ-72
— 15 >6,3 50 175 12,5 МТ-72
- 15 4,7 70 175 13 ТО-117
<5 >10 60 175 11,5 ТО-117
— >15 >7,5 65 175 13,5 МТ-72
<20 >5 >10 >50 175 28 43
<20 >20 >7,4 >50 175 28 43
<25 >40 >50 175 28 43
<20 >17 >7 >5(1 175 28 43
<25 >35 >5,5 ^^50 175 28 43
7 >8,4 >60 175 28 МТ-71
- 20 >8,2 >60 175 28 МТ-72
- 40 >7,6 >60 175 28 МТ-72
__ >17 8 >60 175 28 ТО-117
24 6 — 175 25 МТ-59
— 13,5 7,5 — 175 25 Ml -59
00
Тип прибора Материал, структура, технология , Вт К max ГГр,МГц
КТ909А Si, П-р-П, ПЭ 27 >350
КТ909Б S1, П-р-П, ПЭ 54 >590
КТ909В Si, п-р-п, ПЭ 27 >300
КТ909Г Si, п-р-п, ПЭ 54 >459
2N5I77 Si, п-р-п, ПЭ 40 590
2N5178 Si, п-р-п, ПЭ 70 500
РТ6670 Si, п-р-п, ПЭ 30
РТ6680 Si, п-р-п, ПЭ 20 —
КТ913А Si, п-р-п, ПЭ 4,7(55 °C) >900
КТ913Б Si, п-р-п, ПЭ 8 (70 еС) >900
КТ913В Si, п-р-п, ПЭ 12 >900
2N4430 Si, п-р-п, ПЭ 10 600
2N4431 Si, п-р-п, ПЭ 18 600
RFD410 Si, п-р-п, ПЭ
RFD420 Si, п-р-п, ПЭ __
2 SC 978 Si, п-р-п, ПЭ 18 1300
BLX92 Si, п-р-п, ПЭ 6 1200
BLX93 Si, п-р-п, ПЭ 12,5 1200
NE1010E-28 Sf, п-р-п, ПЭ 25 —
2SC977 Si, п-р-п, ПЭ 10 1300
2N5764 Si, п-р-п, ПЭ 10
2N5765 Si, п-р-п, ПЭ 19 —
КТ911А Si, п-р-п, ПЭ 3 >900
КТ911Б Si, п-р-п, ПЭ 3 >750
П родолжение
В и В ЭБО проб* 1„ . К max К, н max А I . I* КБО1 км /кэй’мЛ
60* (0,01к) 3,5 2(4*) <30* (60 В)
60* (0,01к) 3,5 4(8*) <60* (60 В)
60* (0,01к) 3,5 2(4’) <:30* (60 В)
60*(0,01к) 3,5 4(8*) <60* (69 В)
60 3,5 4 10
60 3,5 8 20
55 — 4 •—-
69 — 3 —
55 3,5 0,5(1*) <25* (55 В)
55 3,5 1(2*) <50* (55 В)
55 3,5 1 (2*) <50* (55 В)
55 3,5 1 2
55 3,5 2 4
— —— —
w — — W
55 3,5 1,2 0,5
55 4 0,7(2*)
65 4 43*) —•
50 3,5 2,5 1 (28 В)
55 3,5 0,6 0,3
55 3,5 0,75 5
55 3,5 1.5 7,5
55 3 0,4 <5 (55 В)
55 3 0,4 Jj' ’1 ЛД 'V <5(55 В)
П родолжёнНё
Тип ггрибора Й31Э 1 a i ГКЭнас’ Ом ’к- пс Г*& Ом р вых’ р* РСР 1 л VAB КПД, % МГц ГК,В Корпус
КТ959А - <30 (28 В) <20 >20 >55 500 28 44
КТ9С9Б — <60 (28 В) > <20 >40 —- >55 500 28 44
КТ909В —— <35 (28 В) — <30 >15 —- >40 51/0 28 44
КТ%9Г — <60 (28 В) 1 —— <30 >30 — >40 51,0 28 44
2N5177 10—150(5 В; 0,1 А) - - 25 5 60 500 28 A1D-38
2N5178 10—150(5 В; 0,2 А) ч — 50 4 60 500 28 MD-36
РТ6670 —- J __ 20 5 60 500 28 ТО* 129
РТ6680 —— — — ' — 10 7 50 500 28 ТО-129
КТ913А >10(10 Bi 0,5 А) <7 (28 В) 1 — 1 <18 >3 >2 >10 1000 28 41
КТ913Б 1.-10 (J0 В; 0,5 А) < 12 (28 В) 1 — <15 >5 >2 >40 1000 28 41
КТ913В >10 (10 В; 0,5 А) <14(28 В) 1 — <15 >10 >2 >50 1000 28 41
2N4430 20—200(5 В; 0,1 А) — 2,5 5 >35 1000 28 ТО-J29
2N4431 20—203 (5 В; 0,1 А) 1 - 5 5,2 >35 1003 28 ТО-129
RFD410 — — 1 —’ 2,5 5,2 1000 28 ТО-129
RFD42U —- — 5 5 — 1003 28 ТО-129
2SC978 10—180(28 В; 50 мА) —-. >5 4 >60 юоо 28 МТ-83
BLX92 > 10(5 В; 0,1 А) 1 1’7 — 2,5 5,5 — 1600 28 МТ-84
BLX93 10—35(5 В; 0,1 А) ‘ 1,7 — Б 5,2 — 1000 28 МТ-84
NE1010E-28 20—180(10 В; 0,5 А) 8(28 В) 1 — 10 6 — 1000 28 ТО-128
2SC977 10—180 (28 В; 50м А) 1 — >2.5 >5 >30 1000 28 МТ-83
2N5764 >20 (5 В; 0,1 А) 1 — 3 6 40 1000 28 МТ-77
2N5765 >20(5 В; 0,1 А) — 1 — — 5 6 40 1000 28 МТ-77
К T9 ПА <10(28 В) 1 <5 <25 >0,8 >2,5 1800 28 45
КТ911Б <10(28 В) ! <5 к <25 >0,8 >2,5 — 1000 28 45
ст>
Тип прибора Материал, структура, 1 е хиология , Вт К тале МГц
КТ911В Si, л-p-n, ПЭ 3 >900
КТ911Г Si, п-р-п, ПЭ 3 ;-.:750
2N4429 Si, п-р-п, ПЭ 5 >700
2N4976 Si, п-р-п, ПЭ 5 1000
2N5481 Si, п-р-п, ПЭ 5
2SC976 Si, п-р-п, ПЭ 5 1300
КТ902А S1, п-р-п, Д 30 (50 °C) >35
КТ902АМ Si, п-р-п, Д 30(50 °C) >35
2SCI01A Si, п-р-п, М 35 20
BD121 Si, п-р-п, Д 45 60
BD123 Si, п-р-п, д 45 60
2SD68 Si, п-р-п, М 50 40
КТ912А Si, п-р-п, П 30(85 °C) >90
КТ912Б Si, п-р-п, 11 30 (85 *С) >90
2N5070 Si, п-р-п, ПЭ 70 100
2N6093 Si, п-р-п, ПЭ 83,3 >90
40675 Si, п-р-п, ПЭ 100(50 °C) —
КТ903 Si, п-р-п, МП 30(60*) >120
КТ903Б Si, п-р-п, МП 30 (60*) >120
2N2947 Si, п-р п, ПЭ 25 >100
2N2948 Si, п-р-п, ПЭ 25 >100
2SC517 Si, п-р-п, ПЭ 10 >150
П родолженне
УкБОпроб’ В УЭБО проб' В /„ . С, iKmM К, птах А КВО’ кэк’ 'кэ/г4*
40 3 0,4 <5 (40 В)
40 3 0,4 <5(40 В)
55 3,5 0,425 1
55 3,5 0,4 5
50 3 0,4 2
55 3,5 0,4 <0,1 (28 В)
65(110 имп.) 5 5 <10(70 В)
65 (110 имп.) 5 5 <10(70 В)
70 5 5 1
60 6 5 о,1
90 6 5 0,1
60 5 5 10(60 В)
70* (0,01 к) 5 20 <50* (70 В)
70* (0,01к) 5 20 <50* (70 В)
65 70 4 3,5 3,3(10*) 10 <10(60 В) <30* (60 В)
65 3,5 10(30*) <30* (60 В)
60(80 имп.) 4 3(5*) <10* (70 В)
60 (80 имп.) 4 3(5*) <10* (70 В)
60 3 1.5 <1 (50 В)
40 2 1.5 <1(30 В)
60* 4 2 <0,01 (30 В)
Тип прибора Л21Э Ск, пФ ГКЭ нас’ Ом
КТ911В <10(28 В) <5
КТ911Г — <10 (28 В) <5
2N4429 20—200(5 В; 50 мА) —
2N4976 20—250 (5 В, 50 мА) — —
2N5481 20—250(5 В; 50 мА) — —
2SC976 10(28 В; 20 мА) — —1
КТ902А >15 (10 В; 2 А) <300(10 В) <1
КТ902АМ ^15(10 В; 2 А) <300(10 В) <1
2SC101A 30(10 В; 0,5 А) —
BD121 15 (10 В; 0,1 А) — <0,65
BD123 15(10 В; 0,1 А) — <0,65
2SD68 60 (5 В; 1 А) — 0,3
КТ912А 10—50(10 В; 5 А) — <0,12
КТ912Б 20—100(10 В; 5 А) — <0,12
2N5070 10—100 (5В; 3 А) <85(30 В)
2N6093 >20(6 В; 5 А) <250 (30 В) —-
40675 — <250 (30 В) —
КТ903 15—70 (10 В; 2 А) <180(30 В) <1,25
КТ903Б 40—180(10 В; 2 А) <180 (30 В) <1,25
2N2947 6—60 (2 В; 0,4 А) <60(25 В) <0,5
2N2948 2,5—100(2 В; 0,4 А) <60 (25 В) <0,5
2SC517 10—140(5 В; 0,5 А) <50(10 В) ——
00
Окончания
,,с г*б. Ом р , нъ!\' Р* РЕР Вт К D. дв уР кпд, % ^рабг МГц ЕК,В Корпус
<59 >0,8 >2 1800 28 45
<1GO >0,8 >=2 — 1000 28 45
1 5 >35 1<КЮ 28 МТ-59
—• 1 5 >25 2000 28 ТО-129
—• 1 6 >25 230Э 28 МТ-74
— 1 5,2 30 1000 28 МТ-83
— 20 >7 — 10 27 37
—• 20 >7 — 10 27 18
— * — — * — 10-66
— — — — ТО-З
—- — —- - — ТО-З
—' — — — — — ТО-З
— >70* >10 >50 30 27 46
—• >70* >10 >50 30 27 46
—. >25* >13 >40 30 28 10-60
—, 75* >13 >40 30 28 МТ-67
— ^75* >13 >40 30 28 МТ-67
и» >10 5^4,8 — 50 30 37
— 5^10 >4,8 — 50 30 37
——. 15 7 >60 50 25 ТО-З
15 7 >60 30 25 ТО-З
— 6 7,8 — 50 24 ТО-37
Раздел четвертый
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ И ЗАРУБЕЖНЫЕ ДИОДЫ
4.1. Отечественные диоды и их зарубежные аналоги
Выпрямительные диоды малой мощности
Тип прибора Материал ^обрта*’ S ^np i p max' и 53 ^обр О'обртад- мкА ’умл ‘^9°; — уобр* Б Ja r 1 4 g g £
D10 Ge 10 16 1.5 3 100 200 10 60 J 60 22
1S426 Ge 10 20 1 2 100 6 25 75J Al
DR464 Ge 12 30 1 50 100 5 25 85A DOZ
SED107 Ge 15 20 1 4,5 — 220 10 25 85 DO?
АА112 Ge 15 24 1.3 20 40 10 25 100 J Al
АА112Р Ge 15 24 1,3 20 40 10 25 100J Al
АА138 Ge 15 12 1,3 20 .—- 50 10 25 100 J Al
ДЭВ Ge 30 20 1 10 250 800 20 60 6u 1
GD72E3 Ge 25 20 I 2 100 10 25 60A r'65
GD72E4 Ge 25 20 1 2 ,—. 20 10 25 6ЭА F6S
GD72E5 Ge 25 20 I 2 11 10 25 60A F65-
ОА90 Ge 20 iO 1,5 10 — 650 20 60 75A Al
1N87T Ge 25 30 1,0 5 -— 200 25 25 90 Dor
AAZ10 Ge 25 30 1,5 10 .— — — -—, —*• D07
GPM2NA Ge 30 15 0,46 1,2 .— 1000 30 25
1S75 Ge 30 25 1 2,5 —— 50 10 25 70 Al
1N295X Ge 30 20 1 4.5 385 24 25 85 DOZ
АА137 Ge 30 12 1,3 20 50 10 25 100 J Al
Д102 Si 50 39 2 2 10 100 50 100 100 4
IN210 Si 47 27 1 3,5 0,1 10 47 100 150A Cl
1N388 Si 47 27 1 3,5 0,1 10 47 103 150 A ПОГ
1N1644 Si 47 30 1 4.5 Ш — — .— 150A C12
BAJ79 Si 50 25 0,9 1 1 Ю 50 70 1C0A L8
СЛ50 Si 50 35 1 15 0,5 10 55 150 A C18
СВ50 Si 50 35 1 15 — 2 10 55 150A CIS
616С Si 52 30 1 3 40 40 125 150 A C3
1N211 Si 56 23 1 2,7 50 56 100 150A Cl
1N389 Si 56 23 1 2,7 50 56 100 150A DOT'
Д101 Si 75 39 2 2 10 150 75 100' 100 4
618С SI 75 25 1 1,5 — 40 68 125 150A C3
1N213 Si 82 16 1 1,5 1 50 82 100 150 A Cl
1N39I Si 82 16 1 1,5 1 50 82 100 150A Dor
PDI33 Si 85 30 1 10 40 60 IGO 150 A2
1N212 Si 68 19 1 2 1 50 68 103 159 A Cl
дар Ge 75 16 1 4,5 250 1000 50 60 60 17
SD11F Ge 75 15 1 5 500 50 25 85 M235
1N74 Ge 75 22 1,5 15 50 10 25 70A M4
АА113Р Ge 60 10 1,4 20 500 120 30 25 100J Al
КД ЮЗА SJ 75 100 1 50 1 50 75 125 125 3
1N483 st 70 100 1,1 100 30 60 150 200A Al
ВА128 Si 75 75 1.0 50 100 50 100 125A DOT
МТ462А Si 70 150 1,0 100 30 60 150 175 A A60
GSM53 Si 80 100 1,1 100 -— 30 60 150 150 A2
Д223А Si 100 50 1 50 1 50 ICO 120 120 4
1 ^окр— 25°С.
J88
Продолжение
Тип прибора i О S co i CL J < s I ex -F Щ Jr s < X g. § ® ft «Л уии ,d9°/ M j и a. J >xvu,*f Корпус
GA100 S1 100 35 1 15 0,5 10 55 150A C18
СВ 1С0 Si 100 35 1,0 15 — 2 10 55 15ЭА C18
Д223Б si 150 50 1 50 1 50 159 100 100 4
14Р2 Si 150 40 1 1 * JOO — 125 125A D07
AD 150 si 160 40 1 1 100 150 150 170 A D07
1N458 Si 150 55 1 7 5 125 150 200 Al
1N5209 Si 150 55 1 7 5 125 150 200S D035-
МТ 458 Si 150 50 1 7 5 125 150 175A A60
АЕ150 Si 150 60 1 10 100 159 150 170A D07
BAW32B Si 150 60 1 10 20 159 125 125J D07
24 J2 Si 150 60 1,3 60 20 150 125 125J D07
Д207 Si 200 100 1 100 100 200 200 100 100 6
1ТТ3003 SI 2u0 100 1 100 —— 175 150A 175A 1)035»
1N485 Si 180 loo 1.1 100 —— 30 175 150 200A D07
HSP1001 Si 175 120 1,0 100 -—. 5 150 150 175A Al
TMD45 Si 200 75 1,0 100 —_. 30 200 100 150 A A21
ZS21 Si 200 100 1,5 100 —— 5 200 100 150A Cl
ВА 147.220 SI 220 100 1 59 —_ 75 159 100 150 J D07
1N486| Si 225 100 1,1 100 -—. 50 225 150 200A 1)07
КД 102 А Si 250 100 1 50 0,1 50 250 100 100 3
0102 SI 270 125 1.0 100 0,1 — __ 150 J C18
0112 Si 270 125 l.o 100 0,1 -— — -—, 150 J C18
КД КИА Si 300 10 1 10 3 100 300 70 70 3
1N219 Si 270 7,5 4 3 5 100 270 100 150 A Cl
1N16321 Si 270 3,8 6 1,5 33 156 100 25A M204
HGR30 ' Si 300 1 1,1 1 10 50 300 100 175 A A196
1N354 Si 325 15 1 20 20 300 125 —, C12
1N220 Si 330 7 4 2 100 330 100 150A Cl
1N1849.1 [ Si 330 7,5 4 3 Я f — 15ЭА C12
Д208 Si 300 100 1 100 100 200 300 100 100 6
ВА147 300 Si 300 100 1 50 3 100 200 100 150 J D07
DR699 Si 300 100 1 50 1(200) 1 > — 150J D07
1N487 Si 300 100 1,1 100 -— 50 300 150 200A D07
ZS22 Si 300 100 1,5 100 5 300 100 150 A Cl
D226B Si 300 300 1 300 100 300 200 80 80 5
ДТ230Н1 SI 250 250 Ы 250 1 100 250 100 200 IMJ3S
МС51 Si 300 200 0,9 30 0,1 5 300 100 150A D07
1N487A Si 300 200 1,0 100 0,1 25 300 150 200A DO 7"
ZC53 Si 300 200 1,1 200 0,5 5 300 100 150A Cl
BAW14 Si 300 200 1,2 200 0,1 10 390 100 175 1)035»
BAWJ4TF24 si 300 200 1,2 200 0,1 10 300 100 150 D035*
TF24 Si 300 200 1,2 200 0,1 10 300 100 175 D035»
ZS123 Si 300 250 1,1 250 5 50 300 100 100A D07
0502 SI 300 250 1,2 250 5 125 Al
МСО 30 Si 300 200 1 400 0,2 15 300 150 175 A A2
МС030А Si 300 200 1 400 J 5 300 150 175A A2
PS632 Si 320 200 1 200 — 50 300 150 200 D014!
* 'окр = 25 °C.
18»
Продолжение
Тип прибора Материал w И a t /up cp max' “A ta I yw ’4й/ ^обр ПРИ oop max' s ti X о S' Эо Корпус *
PS633 SI 320 200 1 200 - 25 390 159 2u0 DO 14
BAY21 Si 350 200 1 100 — 25 300 100 150 J DU7
Д2и9 SI 400 100 1 100 100 200 400 100 100 6
(N488 st 380 100 1,1 100 0,25 5j 383 159 200A D07
DR698 Si 400 100 1 59 I(309) — —- — DOT
DR695 Si 400 100 1 100 —— 59 300 100 — D07
PD9W SI 400 100 1 100 —1 10 400 25 200 A188
ZS24 Si 400 100 1,5 100 100 5 400 100 15ЭА CI
Д7Ж SI 400 300 0,5 300 100 1000 130 70 70 6
JN533 Si 400 390 2 300 15 — 15ЭА D03
Р4Н5 Si 400 390 1 300 10 500 400 100 175 M343
IN443 Si 400 300 1,5 300 1,5 — 165 A DOS
JN6O4 Si 400 300 1,5 400 1,5 — 170S D01
S106 Si 400 390 1,2 300 100 — 100S A54
COD 1554 Si 400 250 1,1 400 10 __ 100 A52
•S19 Si 400 250 1,2 400 1,5 MA — 150A A54
S219 SI 400 250 1,3 400 100 — — A54
М70В SI 400 250 1,2 250 10 •— 175 A3
«CER70B Si 400 250 1,2 259 10 200 400 100 150 A D(«27
Л210 si 590 100 1 100 100 209 500 100 100 6
PD911 si 590 100 1 100 — 10 590 25 200S A188
IS2C6 Si 459 100 1,2 100 — 10 400 25 150 A1C
1N873 Si 590 100 0.6 100 — 20 590 200S Al
’S2>'5 si 500 100 1,2 159 — 100 590 100 —. A 54
РР2К5 Si 500 100 1 100 — 500 500 100 175 M343
Д211 Si 609 100 1 100 100 200 600 100 100 6
PD912 Si 600 100 1 100 — 10 690 25 200S A188
1N874 Si 600 100 0,6 100 — 20 690 200S Al
I0R6B si 600 100 2 100 — 590 600 150 175
VS2415 Si 600 100 2 5 — 5 690 —. — C15
52^6 Si 600 100 1,2 159 — 100, 600 — A54
4S1224 SI 600 100 1.5 100 — 5 690 25 1OGJ A54
1S2352 Si 690 100 1,5 100 — 5 690 100
Р2М5 si 690 100 1 100 10 590 690 100 175 М3 43
1N2373 Si 609 100 3 100 10 r- — 159 Al
КД 105В si 600 300 1 309 109 390 450 85 85 7
BAY89 Si 690 259 1 100 —-W 30 530 100 159 D07
"COD 1556 SI 690 259 1,1 490 10 __ 100 A52
М71В Si 690 250 1,2 — 10 175 A3
CER71B SI 600 25j 1,2 259 — 200 690 100 150 Dt27
1N535 si 600 390 2 390 20 150 D03
INI 257 Si 609 300 1 390 590 690 125 165A A53
1S2310 Si 600 390 1,2 500 10 — — 125J A53
Р4М5 SI 600 300 1 390 10 500 690 100 175 M343
1N445 si 600 300 1.5 300 2 500 600 100 150 A D02
1N6J6 si 6Л 390 1.5 200 25 — — — 170S D01
' 'окр “25 Ч\
-190
Окончание
Тит прибора Материал max* В я i a a £ yM *duy yaw Hdu /обр, мкА co Q c J U j Корпус
1N696A Si 600 300 1,5 400 2,5 170S D01
МД217 Si 800 100 1 100 76 150 800 100 100 5
MR89 Si 800 100 1 100 — 10 80J 100 150 D04
PD914 Si 800 100 1 100 — 10 800 25 200S A18&
1N876 Si 800 100 0,6 100 20 800 — 29GS AP
PS2416 Si 800 100 2 5 10 — — — CI5
S208 Si 800 100 1,2 150 luo — — — — A54
INI4'}7 Si 800 0,125 5 0,12 10 100 800 159 15 A 53
КДЮ5Г Si 800 300 1 390 100 30J 600 85 85 7
0597 Si 800 250 1,2 250 5 —R —- 125 Al
IN 1259 Si 800 270 1 270 500 800 125 165A A53
1N2505 Si 800 300 1,5 200 20 200 800 150 I50A A6
S28 Si 800 300 1,2 500 500 — 800 — — A54
BY 157 Si 800 300 1,2 300 1 50 800 25 125A D(29”
S234 Si 800 260 1,3 400 200 — — —" 65A A54
М72В SI 800 260 1,2 — 10 •— — — 175 A3
CER72C Si 80G 250 1,2 250 10 200 800 100 15ЭА D027
IN569 Si 800 260 1,8 250 15 38j 800 125 149A* DO 5
MD218 Si 1000 100 1 100 75 150 1000 100 100 5
PD915 Si 900 100 1 100 0,C5 10 909 25 200S A188
MR90 Si 900 100 1 100 10 990 1O0 150 Z3
MR 100 Si 1000 100 1 100 10 I0C0 100 150 Z3
PD116 Si 1000 100, 1 50 10 1000 25 20OS A188
PD916 Si 1000 100 1 100 10 1000 26 200S A18&
1N365 Si 1000 100 2 200 259 1000 100 I5CC D02
1N878 Si 1000 100 0,6 100 __ 20 1000 — 200S Al
1N3282 Si 1000 100 3,5 100 __ 10 1000 100 I50A D07
10R1CB Si 1000 100 2 100 —Л 500 900 150 175
100DIO Si 1000 100 3 100 . 10 1000 100 150A Г 07
looKio Si 1000 100 3 100 10 1000 100 15ЭА D07
PS2417 Si 1000 100 2 s; 10 — — — C15>
S210 Si 1000 100 1,2 150 100 — «Mm — — A54-
1S1225A Si 1000 100 1,5 100 5 — — — 100J —
1 S2364 Si 1000 100 1,5 100 5 — — — 100 —
VBIO Si 1000 100 5 100 5 1000 100 I50A Al
VG1 Si 1000 100 5 loo 40 1000 100 150A Ai
EZ100 Si 1000 ioo2 9 ICO 2 100 1000 100 I25A A3*
1N2374 SI 1000 100 3 100 — — «Mm 100A Ak
• А—окружающей среды; С—корпуса; J—перехода; S—хранения.
1 ^окр ~ 25 ’С
191
Выпрямительные диоды средней мощности
Тип прибора Мате- риал ^обр max» В Лф ср max» & Aip' A 'обр nP« ^обр и max* мА Ooyp=21 °C) ^обр’ ^обр, В А>кр, °C *max’ &c Корпус
КД204В S1 53 0,6 1,4 0,6 0,5 0,5 60 85 85 8
ZS30A S1 50 0,5 1,1 0,5 15 50 100 160A A44
ZS30B Si 50 0,5 i.l 0,5 5 59 59 100 169 A A44
А2А4 S1 50 0,475 1.2 0,5 1 0,5 50 159 175 A84
1N125I Si 50 0,5 1 0.5 0,5 5) 125 165 A53
1N2089 Si 50 0,5 0,75 1.1 0,5 0,35 —* —- 159 A 53
BR205 Si 60 0,5 (J,5 5 —- ’—' — 159 M533
КД202Б SI 35 3,5 0,9 3,5 0,8 0,8 5 1 120 13 J 9 S4
1S442 Si 20 3 3 1,5 - — 159
Д305 Ge 60 10 0,35 1 10 2,5 0,2 59 70 70 10
UT5I05 SI 50 7,5 5 0.3 50 100 175 A S277
MS5 SI 50 7,6 I 7,5 —» — — 150 D04
ZR20 Si 50 8 1,2 5 0,2 50 100 150 S235
ZR200J РА05 Si Si 50 50 8 8 1,2 I 5 2 5 0,2 0, 1 50 50 100 100 150A 150 S61 M542
Е5АЗ Si 50 8 1,3’ 8 I 50 15') 176 D04
1N2793 SI 50 8 1,25 1 15 5 50 150 I50C D05
UT6105 Si 50 9 6 0,3 I 50 100 175 A S277
1N2246 Si 50 10 0,6 10 50 100 150 D04
1N2246A Si 50 10 0,6 10 — 0,5 5,0 150 150 D04
1N2247 Si 50 10 0,6 10 I 0,5 5) 150 200 Dl'4
1N2247A Si 50 10 0,6 10 50 150 159 S35
Д229В Si 100 0,4 1 0,4 0,2 0,5 100 85 “4" 85 11
1N667 Si 100 0,4 1 0,4 — 0,2 150 100 175 D07
АМ410 Si 100 0,4 1,2 0,4 — 0,3 100 150 150 D07
BYX60-100 Si 100 0,4 1,15 1 0,4 0,05 100 100 125 D07
М14 Si 1G0 0,4 0,4 — 100 150 200 D07
PS410 Si 10(1 0,4 1,5 0,5 — 0,5 100 159 2-X) A60
1Р644 Si 100 0,4 1,0 0,4 —-- — 15o Al
К2В5 Si 100 0,4 2,0 0,4 — 0,5 100 100 150
В* I P5D5 Si 100 0.4 1,0 0,4 0,5 100 100 175 ' ММ3
to 1N324 Si 100 o.4 2.0 0,65 0,3 100 100 200 D02
о 1N324A S) 100 0,4 0,6 0,05 0,01 100 100 200 D02
AM 12 Si 100 0,4 1,25 0.4 0,3 100 150 125 D04
MT14 Si 100 0,4 1,2 0,4 —* 0,1 100 150 200 D07
1N339 Si 100 0.4 2,0 0,8 — 0,1 100 150 175 D04
1N348 SI 100 0,4 2,0 0,8 — 0,5 100 150 175 D04
SG105 Si 100 0,45 1,1 0,5 0,3 100 150 150 C42
Д229Ж Si 100 0,7 1 0,7 0,2 0,5 100 85 85 11
5EI Si 100 0,7 1 0,5 •«— 0,2 100 125 125 A35
1N1487 Si 100 0,75 0,55 0,25 0,4 100 125 140 D03
1N2073 Si 100 0,75 1 — 0,25 100 100 — A53
1N2104 Si 100 0,75 1,2 0,75 0,3 — — 200 A53
1N3238 Si 100 0,75 2,2 0,75 **— 0,5 100 150 — Al
A3B1 si 100 0,75 — — 0,5 100 150 175 A84
A3B5 Si 100 0,75 — — 0,5 100 150 175 A84
ЛЗВ9 si 100 0.75 — — — 0,5 100 150 175 A84
B3B1 Si 100 0,75 0,5 — — 0,5 100 150 175 Al
B3B5 Si 100 0,75 0,5 0,5 100 150 175 Al
B3B9 Si 100 0,75 0,5 — 0,5 100 150 175 Al
BR41 Si 100 0,75 1,1 0,75 — — — 150 M533
COD 1531 Si too 0,75 1,1 0,8 — — — — 150 A52
MB258 Si 100 0,75 1 0,4 — 0,06 100 100 175 A60
MB270 Si 100 0,75 1,2 0,5 -— 0,075 100 100 175 A 60
S91A Si 100 0,75 0,9 1,2 — 1,4 — 100 — A54
TS1 Si 100 0,75 1,2 0,75 — — — — 125 Al
UT112 Si 100 0,75 1,2 0,5 0,75 100 100 — A146
XS 10 Si 100 0,75 ’—. — — м * — — A54
ZS171 SI 100 0,75 1,2 0,75 -— 0,15 100 100 150 A52
ZR6! Si 100 0,75 I,I 0,75 — 0,15 100 100 150 A42
,7E1 SI 100 0,75 1,1 0,75 — 0,05 110 100 175 D027
*7J1 Si 100 0,75 1,1 0,76 — 0,05 110 100 175 D015
1N440B Si 100 0,75 1,5 0,75 — 100 100 150 165 D03
1N537 Si 100 0,75 1 0,5 -— 0,2 100 150 150 D03
1N1081A Si 100 0,75 1 1 '— — —— D03
s
Продолжение
Тип прибора Мате- риал ^обр max’ В Л10 cp max* A в Лф» A ^обр лри ^обр max* mA ^обр* иобр, В *окр, °C *тпах* "c Корпус
IN1645 Si 100 0,75 0,5 0,25 —— 0,4 100 150 !65 A53
IN209I Si 100 0,75 0.5 0,5 — 0,25 100 85 100 , М21
1N26I0 SI 100 0,75 1.1 0,5 —— 0,5 100 150 175 A31
IN43G4 Si 100 0,75 1,1 0,75 —- 0,3 100 175 175 D03
1S031 SI 100 0,75 1,25 — -—, - 150 A89
1S40 Si 100 0,75 1.2 1 0,25 150 DOI
1S100 SI 100 0,75 1 —* — A 150 A89
АЗВЗ Si 100 0,75 1,1 0,5 — 0,3 100 150 175 A84
А100 Si 100 0,75 1 0,75 — ——. 100 A3
DI00 Si 100 0,75 1 0,75 — . 175 A50
DK751 Si 100 0,75 1.2 0,75 0,1 100 100 175 D027
Н100 S) 100 0,75 1 0,75 — -—. 175 D03
М68 SI too 0,75 1,2 — 175 A3
РЮОА Si 100 0,75 I 1 — - , - 150 D029
SD9IA Si 100 0,75 1,3 1,2 0,5 100 100 125 D03
SM10 Si 100 0,75 1,1 0,5 175 A84
SWISS Si 100 0,75 1,1 0,75 120
ТК10 Si 100 0,75 hl 0,5 0,3 100 150 175 A 84
1N2859 Si 100 0,75 1,2 0,5 — 0,4 100 100 125
CER68 SI 100 0,75 1,2 0,75 1 0,2 100 100 150 D027
MR 1337-2 si 100 0,75 1,1 — 25 100 25 A31
S8I Si 100 0,75 1,2 1,2 0,02 100 A54
INI556 Si 100 0,75 1,4 0,6 .—1 1 100 100 150 D02
АМОЮ Si 100 0,75 1 25 — 0.3 100 150 150 D07
КД208А IN2289 Si si 100 100 0,5 1,5 1 0,6 1 1,5 0,05 0,2 0,5 100 100 85 150 85 150 7 35
IN2289A si 100 1,5 0,6 1,5 — 0,1 100 150 150 D04
1N2291A si 100 1,5 0,6 1,5 Rl 0,1 100 150 150 D04
IN2638 Si 100 1,5 1.3 1,5 0,3 100 165 M124
1S020 Si ICO 1,5 1,25 5 — 0,05 100 100 150 / A89
А7В1 SI 100 1,5 0,5 - 0,5 I 100 150 175 A84
А7В5 Si iOO 1.5 0,5 — * 0,5 100 159 175 A84
А7В9 Si I0J 1,5 0,5 — 0,5 100 150 175 A84
А121-11 Si 100 1,5 1,1 1 h — — — 150 M531
AI32-U Si iOO 1,5 1,1 1 — iso M532
AI68-1 Si 100 1,5 l,i 1 4 1 — 125 M575
B7B1 Si 100 1,5 0,5 0,5 100 150 175 Al
B7B5 Si 100 1,5 0,5 —— 0,5 100 150 175 Al
B7B9 S) 100 1,5 0,5 — 0,5 100 150 175 Al
BR8ID Si 100 1,5 1,1 1 * » — 150 M536
COD 15314 Si 100 1,5 1,1 0,8 — —— — 150 M45
MlBi SI 100 1,5 0,5 —♦ — 5 50 150 175 Al
M1B5 Si 100 1,5 0,5 — 5 100 150 175 Al
M1B9 Si 100 1,5 0,5 — — 5 100 150 175 Ai
MB236 Si 100 1,5 1 0,8 — 0,015 100 100 175 A 60
SAI Ml Si 100 1,5 2 10 — 0,3 100 150 150 D027
sii Si 100 1,5 1 1,5 — ——‘ — 150 Al
SRI 1 SI 100 1,5 1 1,5 — 0,2 100 100 150 A6
ZR11T Si 100 1,5 1 1,5 0,2 100 100 150 S164
ZS271 Si 100 1,5 1,2 1,5 0, i5 100 100 150 A52
ZL103M Si 100 1,5 1,34 7,5 0,11 100 100 125 S33
1N4817 Si IOO 1,5 1,3 1,5 — 0,25 100 40 170 D027
S2AiO Si 100 1,5 1,05 1,5 1— 1,6 100 25 159 A56
S2H1 Si 100 1,5 — —. 0,3 50 150 170 D027
B40C2000— 150OSit Si 100 1,5 I 1,1 — — —-• 125 M673
1S107I Si 100 1,5 1 1,5 —— o.l 100 150 150 A52
j.5El Si 100 1,5 1,1 1,5 - 0,05 no 100 175 D027
I 5 JI Si 100 1,5 1,1 1,5 0,05 110 100 175 DOI 5
P100B Si 100 1,5 1 1 i — — 170 D027
PI50B Si 100 1,5 I I — -— — 150 D027
SI. 5-01 100 i>5 i 1,5 0,01 -— 100 25 125 —
SE1.5SS Si 100 1,5 1,1 1,5 —1 — ' 120
1N1563 Si 100 1,5 1,2 0,5 0,5 100 100 175 C12
IN239I ' Si 100 1,5 1.2 1.5 « 0,3 100 150 150 A 32
IN2400 Si 100 1,5 1,2 1,5 0,3 100 150 150 C8
1N2409 Si 100 1,5 1,2 1,5 —• 0,3 100 150 150 C9
Продолжение
Тип прибора Мате- риал Цэбр max’ В fnp eg max* Onp. B ^Пр» A *4® ^обр я max* mA aOKp=26 *c) Аэбр* mA "обр, В *скр, •с *тах* *с Корпус
1N2418 SI 100 1 5 1,2 1,5 0,3 100 150 150 F8
ISI849 SI 100 1,5 0,9 0,75 — 120 М594
1N5392 Si 100 1.6 1,4 1,5 0,3 100 150 170 D015
IN2847 SI 100 1’5 0,65 0,5 — 0,4 100 150 165 S35
CTN100 Si iOO 1 — — —— 175 М594
СТР100 Si 100 h5 1 ** 175 М594
VB100 Si 100 1’6 1 — — — 175 М594
INI 115 Si 100 1.5 0,65 1,5 •wpw 0,4 100 150 170 D04
IN1053 SI 100 1,5 1,5 1,5 1 100 150 А167
INI 085 Si 100 1'5 1,5 1,5 2 —_ 100 150 F22
1N1450 SI 100 1,5 1 2,4 5 100 25 190 S41
1N16I7 Si 100 1,5 1,2 1,5 — 5 100 25 100 А52
1WSI Si 100 1,5 1,5 5 — 1,5 100 125 125 А19
IN 1446 Si 100 1,5 1,3 1,8 — 2 100 25 175 S4!
КД202Г Si 70 3,5 0,9 3,5 0,8 0,8 100 120 130 9
1S444 si 60 3 1,5 3 — * — — 110 S4
ДЗО4 Si 100 5 0,3 5 2 10 50 70 70
1N1613 Si 100 5 1,5 10 — 1» 175 D04
1N2290 Si 100 5 0,5 5 0,5 100 150 150 S35
500R1B Si 100 5 2 5 i 100 150 175
5BR1 Si 100 5 -— 125 М530
БРМ1 Si 100 5 2 5 0,05 100 150 150 МБ85
РЕЮ Si 100 5 1 2,5 М40
S5A1 SI 100 5 1,1 5 1 мкА — 100 150 Al
1N1059 Si 100 5 1,5 5 1 — 100 170 S67
INI 065 Si 100 5 1,5 5 1 100 170 S66
1N107I Si 100 5 1,5 5 1 100 — 170 S68
1N1089 Si 100 5 1,5 5 2 — 100 •А» 170 F22
INI089A SI 100 & 1,5 5 — 5 100 100 F73
10F5 SI 100 5 1Л 13 10 100 25 175J 1 S41
SJ103E, К VRE100X VRF ЮОХ VPG1DOX Si Si 100 100 5 5 1 1,5 0,75 10 2 0,3 5 100 100 150 150 150A 1 150 D04 M249
Di Cl 100 5 1,5 10 2 5 100 150 i50 M249
ESP51OO 366B oj 100 5 1,5 10 2 5 100 150 150 M249
Di 100 5 L2 3 0,011 100 150 1Б0С A3
1N1613A E3B3 oi SI Si 100 100 5 5 1,1 1.1 5 6 10 0,5 100 100 180 150 180J 190J S27 D04
Д242 100 5 1.3 5 — 1 100 150 175 D04
1N2248 Di 100 10 1,2 10 3, 3 100 100 125 10
1N2248A Si 100 10 0,6 10 — 1 100 150 150 D04
1N2249 Si SI Ct 100 10 0,6 10 — 0,5 ICO 150 150 D04
1N2249A 100 10 0,6 10 — 1 100 150 150 S35
BR101A SI Si SI 100 10 0.6 10 — 0,5 100 150 iso S35
DD4521 G1O1O 100 10 1,2 5 0,0i 110 150 M538
100 10 1 10 0,01 — 100 25 150 S19
MA231 P1O1O SJ104E, К 10PM1 1N1621 1S240 Si 100 10 1,1 10 — 3 100 125 150 A D04
Si 100 10 — — 4,5 125 125 150 S74
SI 100 10 1,1 10 — 3 100 125 150 S95
Si 100 10 1 0,75 — 1,5 100 200 2G0C D04
Si 100 10 2 10 32 100 150 i50J M586
Si 100 10 1.2 10 — 5 100 25 ICOA S43
Si 100 10 1.5 30 0,05 100 100 175S S6I
S420 Si 100 10 1,3 10 0,2 100 160 160C M24O
1S161 HRiS SA IAN 12 D1O1O SIAN 12 367B Si 100 10 1,5 30 0,05 100 100 175A S24
Si 100 10 1,6 50 6 100 175 176 S103
Si Si 100 100 10 10 1,6 0,47 50 10 6 mA 2 100 100 175 175 J 150 J S103 D04
Si Si 100 100 10 10 0,5 9,5 — 0,3 2 100 125 125 125B 160J S4 D04
1H249 40109 F2B3 Д303 UR216 Si 100 10 1,2 10 *—- 10 100 180 180C S27
Si 100 10 1,5 25 —- 5 100 150 175S D05
Si 100 10 0,6 10 — 2 100 150 175C D04
Si Si Ge 100 150 150 10 3 2 1,3 0,35 1 30 3 2 1 1 4 0,05 100 50 150 150 70 100 175J 70 D05 10 A146
Продолжение
Тип прибора Мате> риал ^обр max• В Лтр ср max’ A ^пр1 В Л,р, a zo6p при ^обр и max’ мА i^OKp—26 °C) zo6p> mA Ц?бр, в zoKp, °C fmax’ ’c Корпус
IN2350 Si 159 3 1,1 1 . —. 150Л S19
1SI660 Si 150 3 1.2 3 1 151 150 I50J S336
3CI5 Si 150 3 1,1 6 0,5 160 150 190 D04
КД204Б Si 200 0,35 1.4 0,6 0,1 1 200 85 85 8
IN53I si 200 0,3 2 0,3 0,07 — 200 ~ 150 D03
В8СС300 SI 200 0,3 1,1 1 0,1 — — 125 M671
1N1703 SI 200 0,3 1,7 1 0,3 200 100 125 A53
P4F5 Si 290 0,3 1,0 0,3 • 0,6 290 100 175 M343
IN44I Si 200 o,3 1,5 0,3 — 0,75 200 165 D02
IN602A Si 200 0,3 1,5 0,4 0.01 — 1— 200 I70S DOI
КД2и5Г Si 200 0,5 1 0,5 0,1 0,2 200 85 85A 12
А2С4 Si 200 0,476 1.2 0,5 0,01 0,5 200 150 175 A84
1N1253 Si 200 0,5 1 0,5 .— 0,5 200 125 165 A53
1N2c82 Si 200 0,5 0,76 0,5 0,350 —— 200 —► 150A A53
1N3228 Si 200 0,5 3,3 0,5 — 0,5 290 150 — Al
BR22 Si 2d0 0,5 I,I 0,5 0,05 200 — 150 M533
COD 15524 Si 200 0,6 1,1 0,4 10 MM 200 — 100 M45
D25C Si 200 0,5 1,2 0,5 — 0,15 200 125 15') A100
J200 Si 200 0,5 1,1 0,5 —, 200 175 D07
МВ259 Si 290 0,5 1 0,2 I 0,06 200 100 175 AGO
МТ 020А Si 200 0,5 1 0,5 25 5 200 150 175 A60
S17 Si 200 0,5 1.2 0,8 100 — -—. 159 A54
S17A Si 200 0,5 1,2 0,8 0,05 — 200 — -— A54
PSI20 Si 200 0,5 1,5 0,5 — 0,5 200 150 200Л A47
1N52I5 Si 200 0,5 1,2 1 . 0,2 200 75 I75A Л31
IS1221 SI 200 0,5 0,95 0,5 0,03 — 200 25 I20J A31
S2E29 Si 200 0,5 0,95 0,5 0,03 1 —- 200 120 A185
. 5Е2 Si 200 0,5 1.1 0,5 — 0,05 200 100 175 D027
.592 Si 200 0,5 1,1 0,5 1 0,05 200 ion 175 DO 15
20AS Si 2,)0 0,5 1,15 0,5 0,01 — 200 — 100A D03
М69С Si 2f)0 0,5 1,2 1 0,01 175 A3
P6F5 Si 203 0,5 0,5 0,01 0,5 200 100 175 M343
SEC5S Si 200 0,1 1,1 0,5 0,01 200 120 M98
SW05S Si 2)0 0,5 1,1 0,5 0,01 2)0 120J A221
1N1709 si 200 0,5 1,3 1 — 0,4 200 159 I25A A53
SD1Z Si 200 0,5 I 1,5 — ioos A221
1S1942 Si 2 W 0,5 1,2 0,5 -— 0,4 200 125 1251 Al
1S312 Si 200 0,5 1,1 1 10 200 25 150 TOi
DD(<03 Si 200 0,5 0,82 0,5 -— 0,01 2)0 100 100A A3
IN3748 Si 200 0,5 1.5 0,5 5 200 I50A Al
CER69C Si 200 0,5 1,2 0,5 0,2 200 100 I50A D027
1T502 Si 2» 0,5 1,2 0,3 -— 0,25 200 100 iOOA A3
2T502 Si 2)0 0,5 1,2 0,3 >— 0,25 200 100 I00A DOI
3T592 Si 230 0,5 1,2 0,3 — 0,25 200 100 IOOA D0I3
4Т5Э2 Si 200 0,5 1,2 0.3 -— 0,25 200 100 IOOA D07
ERD200 Si 200 0,5 1,2 0,3 -— 0,25 230 100 IOOA MI66
1N551 Si 200 0,5 1,5 0,5 I 200 — 15 jA D04
1NI03I Si 290 0,5 1.5 0,5 200 200 — 15JA A73
20S5 Si 2)0 0,5 1,3 1,8 — 2 230 25 175 S41
Slot S< 200 0,5 1,0 0,8 0,1 200 —_ 175 A54
S222 Si 200 0,5 1.0 0,8 -— 0,3 200 I5o 150 A A54
S252 Si 200 0,5 1,2 0,8 — 0,5 200 100 IOOA A84
TKF20 Si 20J 0.5 1.1 1 1 0,5 200 100 IOOA A84
1N3082 Si 200 0,5 I 0,75 1 0,2 290 159 200A A84
1N3545 Si 200 0,6 I 0,5 — 0,75 200 175 20OA Al
КД2Г-5Л Si 290 0,7 1 0,7 0,1 0,2 200 85 85 12
5E2 si 200 0,7 I 0,5 0,2 2)0 125 I25J A35
5MA2 Qf 290 0,625 0,92 0,63 — 0,2 200 109 140 J F29
IN 1488 о* s* Cl 200 0,75 0,55 0,25 — 0,3 200 125 140 D03
1N2069A 200 0,75 1,2 0,5 .— 0,2 200 100 IOOA Al
1N2105 s* 200 0,75 1,2 0,75 0,3 — 200 —- 200 A53
1N3239 200 0,75 2,2 0,75 0,5 230 15) Al
1N3656 s* 200 0,75 1,2 0,5 — 0,3 200 100 200 A60
75R2B s< 200 0,75 2 0,75 0,5 200 100 175
A3CI 200 0,75 0,5 — I 0,5 230 150 I75A A84
АЭС5 SI 200 0,75 0,5 — 5 0,5 200 150 175A A84
§
Продолжение
Тип Прибора Мате- риал ^обр max* В ^np cp max* A в Лф> a Лэбр при ^обр и max* мкА 0(жр~^5 *С) Л>бр, ^обр, В ^окр, °C 4 ftp Корпус
АЭС9 SI 200 0,75 0,5 —— 0,5 200 150 I75A Л84
B3CI Si 200 0,75 0,5 — 5 0,5 200 150 175 А А1
ВЭС9 S) 200 0,75 0,5 — 10 0,5 200 150 175А AI
BR42 Si 200 0,75 1,1 0,75 5 —. 150 М533
COD 1532 Si 200 0,75 1,1 0,8 I —— 200 —. 150 А52
МВ260 Si 200 0,75 1 0,4 1 0,(6 200 юо 175 А60
МВ271 Si 200 0,75 1,2 0,5 2 75 200 юо 175 А A6J
РТ520 Si 200 0,75 1,5 0,5 0,5 200 100 I25A D02
S92A Si 200 0,75 0,9 1,2 950 — 200 — — А54
1S2 Si 200 0,75 1,2 0,75 5 » • 125А А1
UP 12069 Si 200 0,75 1,2 0,5 10 0,2 i00 100 100 AI
UP12069A Si 200 0,75 1 0,5 5 0,5 200 100 100 А1
UTII3 Si 200 0,75 1,2 0,5 2 75 200 100 А146
XS17 Si 200 0,75 — — —> -— 0,1 200 -— А54
XS17A Si 200 0,75 — — 200 — — —. —
ZS172 Si 200 0,75 1,2 0,75 5 150 200 100 150А А52
ZR62 Si 200 0,75 1,1 0,75 10 0,15 200 юо 150А А42
-7Е2 Si 200 0,75 1,1 0,75 2 0,0b 220 100 175 D027
.7J2 SI 200 0,75 1,1 0,75 2 0,05 220 юо 175 D015
1N44IB Si 200 0,75 1,5 0,75 200 150 I65A D03
IN538 Si 200 0,75 I 0,5 10 0,2 200 150 I50A D03
1N1082A Si 200 0,75 1 1 10 200 F22
1N1647 Si 200 0,75 0,5 0,25 0,3 200 150 165 А53
IN2092 si 200 0,75 0,5 0,5 0,25 200 85А I00A М21
1N2611 Si 200 0,65 1,1 0,5 10 0,5 200 150 I75A A3I
1N4365 Si 200 0,75 1.1 0,75 1 0,3 200 175 175 ПОЗ
1S032 Si 200 0,75 1,25 ——, 2 200 I50A А89
IS41 si 200 0,75 1,2 I 5 0,25 200 150 I50J D0I
IS101 Si 200 0,75 1,0 10 — 200 — 150 А А89
2G8 SI 200 0,75 1,1 0,75 — — 200 — 150А DG3
АЗСЗ Si 200 0,75 1.1 0,5 10 0,3 300 150 175А А84
D200 Si 200 0,75 1 0,75 5 — 200 — 175 А50
DK752 Si 200 0,75 1,2 0,75 10 0,1 200 100 175А DO27
Н200 Si 200 0,75 1 0,75 5 200 175 D03
М69 SI 200 0,75 1,2 - 10 — 175 АЗ
Р200А Si 200 0,75 1 1 10 200 150 D029
SD92A Si 200 0,75 1,3 1,2 2,5 200 100 125 D03
SM20 Si 200 0,75 1.1 0,5 10 200 — 175 А84
SW1S Si 200 0,75 1,1 0,75 — и 120
ТК20 Si 200 0,75 1,1 0,5 — 0,3 200 150 175С А84
IN 1440 Si 200 0,75 1 0,75 — I 200 55 150 А А1
1N2482 Si 200 0,75 1.2 0,75 — 1 200 55 150А АЗ
1N3277 Si 200 0,75 1.2 0.75 5 — 200 — 150 А А1
1N2860 Si 200 0,75 1,2 0,5 — 0,4 200 100 125А
IN3I93 Si 200 0,75 1.2 0,5 5 0,2 200 75 100А А50
IN3253 Si 200 0,75 1,2 0,750 5 0,2 200 75 100 А
1N3639 Si 200 0,75 1,2 0,75 — 0,2 200 75 100 А D0I3
CER69 Si 200 0,75 1,2 0,75 10 0,2 200 100 I50A D027
IN 1557 Si 200 0,75 1.4 oie — 1 200 100 А 150 D02
Д243Б Si 200 5 1.5 5 3 3 200 100 125 10
1N2230 Si 200 5 0,6 1.5 — 0,5 200 150 150 D04
1N2230A Si 200 5 0.5 5 — 0,35 200 150 150 D04
IN2231 Si 200 5 0,5 1,5 — 0,5 200 150 150 S35
1N2231A Si 200 5 0,6 5A — 0,35 200 150 150 S35
1S751 Ge 200 5 0,75 5A 5 мА 200 25 85J С63
5PM2 Si 200 5 2 5A — 50 200 150 I50J М585
PE2O Si 200 5 1 2,5 5 — 200 — М40
S5A2 Si 200 5 1,1 5' 1 200 — 150С AI
IN 1061 Si 200 5 1,5 5 1 мА — 200 — I70C 67
IN! 067 Si 200 5 1.5 5 1 мА 200 170 170С 68
IN 1073 Si 200 5 1,5 5 I мА 200 — 170С 68
INI 090 Si 200 5 1.5 5 2 200 -— I70C F22
SJ203E, К Si 200 5 1 0,75 10 0,3 200 150 150А D04
ESP5200 Si 200 5 1.2 з' 10 0,9 мА 200 150 1Б0С АЗ
366D Si 200 5 1.1 5 —- 10 мА 200 180 180J S27
1N1614A Si 200 5 1.1 6 — 0,5 200 150 190J D04
ю
to
Продолжение
Тип прибора Мате- риал Чэбр max' В Лф ср max- Л ^прЛ в Л1р> а /обр ПРИ ^обр и тах< мА ^окр—'^ Ф гобр> мА ^бр, В *окр, “С *тах> °с Корпус
F3C3 Si 200 5 1,3 5 10 1 200 150 175 D04
F1C3 Si 200 5 1,3 -30 . 1 200 150 175J D05
Д243 Si 200 10 1,2 10 3 3 100 200 125 10
1N278G Si 200 10 1,2 10 10 200 150 150А D05
1N2250 Si 200 10 0,6 10 — 1 200 150 150 D04
JN2250A Si 200 10 0,6 /0 0,5 200 150 150 D04
1N2251 Si 200 10 0,6 10 1 200 150 150 S35
1N225IA Si 200 10 0,G 10 0,5 200 150 150 S35
BR102A Si 200 10 1,2 5 10 мкА __ 220 150 М538
DD4523 Si 200 10 1 10 10 мкА 200 25 150 S19
G2010 Si 200 10 1,1 10 — 3 200 125 150А D04
Л1А232 Si 200 10 4,5 125 125 150 S74
МА240 Si 200 10 — — 4,5 300 125 150 М38
Р2010 Si 200 10 1,1 10 3 200 125 150 S95
SJ204E, К Si 200 10 1 0,75 10 мкА 1,5 200 200 200 D04
10РМ2 Si 200 10 2 10 — 25 200 150 I50J |М586
62R2 SI 200 10 1,1 10 — 6 200 150 150 D04
1N1622 Si 200 w 1,2 10 5 200 25 100 А S43
IN4436 Si 200 10 I 10 — 0.2 200 160 160С М249
1S421 Si 200 10 1,5 30 0,05 200 100 175 S61
R602 Si 200 10 1,3 10 .— 0,2 200 160С I60C М249
R6I2 SI 200 10 1.3 10 0,2 200 160С 160С М249
R421 Si 200 10 1,5 30 — 0,05 200 100 175А S24
1SI62 Si 200 10 1.6 30 5 200 175 175 S103
11R2S Si 200 10 1,6 50 5 200 175 175J S103
S2ANI2 Si 200 10 0,5 9 5 — 2 125 150J D04
367D Si 200 10 1,2 10 — 10 200 180 1801 S27
IN250 St 200 10 1,5 25 — 5 200 150 I75S D05
40110 Si 200 10 0,6 10 — 1,5 200 150 I75C D04
Е6СЗ Si 200 10 1,3 10 — 1 200 150 175 I D04
F2C3 Si 200 10 1,3 30 1 200 150 175J D05
КД205В Si 300 0,5 1 0,5 0,1 0,2 300 85 85 12
IN 1254 Si 300 0.5 1 0,5 0,5 300 125 165A A53
1N2083 Si 300 0,5 0,75 0,5 350 мкА <— 300 150A A 53
COD 15534 SI 300 0,5 1,1 0,4 10 мкА 300 — 100 M45
MB261 Si 300 0.5 1 0,2 —— 0,06 300 100 175A A60
MT030 Si 300 0,5 1 0,5 2 15 300 150 175 A A60
MT030A Si 300 0,5 I 0,5 .— 5 300 150 175 A A 60
S3! Si 300 0,5 1.2 0,8 100 мкА 300 — A54
PS 130 Si 300 0,5 /,5 0,5 -— 0,5 300 150 300A A47
,5E3 Si 30) 0,5 1,1 0,5 50 300 100 175 D027
.5J3 Si 300 0,5 1,1 0,5 -— 50 330 100 175 DO 15
30AS SI 300 0,5 1,15 0,5 10 мкА —. 330 -— 100A D03
P6G5 Si 300 0,5 I 0,5 -—. 0,5 300 100 175 M343
1NI7I0 Si 300 0,5 1,3 1 I 0,4 300 150 I25A A53
1S3I3 Si 300 0,5 1,1 1 10 мкА — 300 25 150 TOI
1T503 Si 300 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 300 100 100 A A3
2T503 Si 300 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 3G0 100 100A DOI
3T503 Si 300 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 З'ю 100 I00A D0I3
4T503 SI 300 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 300 100 100A D07
EPD300 Si 300 0,5 1,2 0,3 lO мкА 0,25 300 10J 100 A M166
1N552 Si 300 0,5 1,5 0,5 1.5 мкА 300 ~— 150A D04
1N1032 SI 300 0,5 1,5 0,5 200 мкА 300 150 A A73
INI 083 Si 300 0,5 1,5 0.5 2 мкА —- 300 -— 150A F22
1S569 si 300 0,5 1,1 0,5 50 мкА 300 300 150A C42
30S5 SI 300 0,5 1,3 1,8 ——— 2 300 25 175J S41
S223 Si 300 0,5 I 0,8 2 мкА 300 300 150 — A54
S253 Si 300 0,5 1,2 0,8 — 0,5 303 ICO — A54
Д229К Si 300 0,7 1 0,7 0,2 0,5 300 85 85 II
A2D1 Si 300 0,6 0,5 1 мкА 0,5 300 159 175A A84
A2D5 SI 300 0,6 0,5 5 мкА 0,5 300 150 I75A A84
A2D9 Si 300 0,6 0,5 — 10 мкА 0,5 300 150 175A A84
B2D1 SI 300 0,6 0,5 —. 1 мкА 0,5 300 150 175A Al
B2D5 SI 300 0,6 0,5 —. 5 мкА 0,5 300 150 175A Al
B2D9 Si 300 0,6 0,5 10 мкА 0,5 зоо 150 175 A Al
EK31 SI 300 0,6 1,25 0,5 — 75 300 100 150 A A3
кэ
2 Продолжение
Тип прибора Мате- риал Ц)бр max’ В Л1р ср max* A Цф* в *пр> zts6p ПР» ^обритах’ Оокр=25 “Q МА ^йр, в *окр, •с ‘max’ Корпус
1N1694 1S148 P7G5 SD93 SM230 1N1489 IN2106 A3DI A3D5 A3D9 B3D1 B3D5 B3D9 COD 1533 МВ253 МВ262 МВ272 РТ530 S93A UT114 UT2I2 ZR63 .7ЕЗ 713 1N442B 1В539 1N1083A 1N1649 IN2093 1N2612 S1 Si Si Si Si SI si Si Si Si 'Si SI Si Si Si Si Si Si SI Si Si si Si Si Si Si Si Si Si Si 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,6 1,2 1 1,5 1,2 0,55 1,2 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1,1 1 1 1,2 1,5 0,9 1,2 1 M 1,1 М 1,5 1 1 0,5 0,5 1,1 0,25 0,6 0,6 0,9 0,95 0,25 0,75 0,8 0,4 0,4 0,5 0,5 1,2 0,5 0,4 0,75 0,75 0,75 0,75 0,5 1 0,25 0,5 0,5 30 мкА Ю мкА 300 1 мкА 5 мкА 10 мкА I мкА 5 мкА Ю мкА I мкА 0,2 1 мкА 2 мкА 600 2 мкА 0,2 10 мкА 2 мкА 2 мкА 1 мкА 10 мкА 10 мкА 10 мкА 0,5 0,25 0,5 1 0,3 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 15 0,06 75 0,5 75 15 0,15 50 50 200 0,2 0,3 0,25 0,5 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 Зоо 300 300 300 330 330 300 300 300 300 300 300 100 100 100 100 125 150 150 150 150 150 150 ЮО 100 100 100 100 ЮО 100 100 100 150А 150А 85 150 115А 120S 175 125А 150 140А 200 175А 175А I75A I75A 175 А I75A 150 175А 175А 175А 125А 175А 150А 175 175 165А 150А 165А 100А 175А D03 А50 М343 D03 А84 D03 А53 А84 А84 А84 Al AI AI А52 А60 А60 А60 D02 А54 А146 А146 А42 D027 D015 D03 D03 F22 А53 М21 A3I
1N4366 SI 300
1S42 Si 300
3(18 Si 300
A3D3 Si 300
A300 SI 300
DK753 SI 300
НЗОО SI 300
SD93A SI 300
SM30 SI 300
ткзо Si 300
IN144I s1 300
D1646 Si 300
МР1337-4 Si 300
S26 Si 300
S83 SI 300
1N1558 Si 300
АМ030 Si 300
Д245Б SI 300
IN2232 SI 300
1N2232A SI 3oo
1N2233 Si 300
1N2233A SI 300
BY 118 si 300
S5A3 SI 300
1N1062I Si 300
IN 1068 Si 300
INI074] SI 300
INlOSli 3OF5 Si Si 300 300
ESP5300 Si 300
366F SI 300
ЕЗЕЗ SI 300
F1E3 Si 300
SL3 Si 300
Д245 SI 300
1N2252 Si 300
0,75 1,1 0,75 1 мкА 0,3 300 175 175 D03
0,75 1.2 1,2 5 мкА 0,25 300 150 150J | DOI
0,75 1 9 £> f T 0,75 I мкА -— 300 — 150A D03
0,75 J J 1 f ] 0,5 10 mkA 0,3 300 150 175A A84
0,75 1 J 1 t 0,75 5 mk A __ 300 — 100 A50
0*75 i 1 0 0,75 10 MftA 0,i 300 100 175A DQ27
0,75 I 1 0,75 5 мкА 300 — 175 DOS
0*75 1 1,2 0,5 300 100 I25A D03
0,75 1 ,□ 0,5 10 мкА 300 — 175 A84
0*75 h I 0,5 0,3 300 150 175C A84
0*75 1 , 1 0,75 1 300 55 150A Al
0,75 I 1 Q 1,2 0,200 мкА 15 мкА 300 100 150A A!
0,75 1,2 1 25 300 25 I75A A31
0,75 1J 1 9 1,2 0,200 — 300 — — A54
0,75 I«« 1 0 1,2 20 мкА 300 — — A54
0 75 0,6 1 300 100 150 D02
0,75 1,4 25 mA 0,3 300 140 150 A D07
5 I 5 3 3 300 100 125 143
5 1 , 5 1,5 0,5 300 150 150 D04
R 0,6 5 0,35 300 150 150 D04
b* 5 O,o 1,5 0,5 300 150 150 S35
R 0,6 5 0,35 300 150 150 S35
tJ 5 0,6 , ft 14 1 мкА 300 — 160J C50
R 1,2 5 1 300 150C Al
□ К 1,1 5 1 . 300 1700 S67
D R 1,5 5 j 300 170C S66
u R 1,5 5 i 300 170C S68
и R 1,5 5 2 300 —-. I70C F22
u 5 1,5 13 10 300 25 175 J S41
5 1,1 3 10 мкА 0,9 300 150 150C A3
R 1,2 5 10 300 180 180J S27
и R 1,1 5 10 1 300 150 175 D04
и R 1,3 30 1 300 150 175 DOS
□ 5 1,3 5 5 мкА 300 —— 175C D04
10 1 > I 10 3 3 300 200 125 10
10 1,2 0,6 10 1 300 150 150 D04
1
Продолжение
Тип прибора Мате- риал Ц?бр max1 В Л1р cp max* A УПр* B Aip- A Лэбр при ^обр и max* мА «<жр=*25 ^обр’ мА ^обр, В ^окр, °C tmax* °C Корпус
1N2252A S1 300 10 0,6 10 0,5 300 150 150 D04
Ш2253 S1 300 10 0,6 10 I 300 150 150 S35
IN2253A SI 300 10 0,6 10 — 0,5 300 150 150 S35
G3010 Si 300 10 1,1 10 — 3 300 125 150А D04
Р3010 Si 300 10 1,1 10 — 3 300 125 150А S95
SJ304E, К Si 300 10 1 0,75 — 1,5 300 200 200С D04
IN 1623 Si 300 10 1,2 10 — 5 300 25 I00A S43
1S163 SI 300 10 1.6 50 —-. 3 300 175 175 S103
1IR3S Si 300 10 1.6 50 3 300 175 I75J SI03
BYX42/300 Si 300 10 1,4 15 — 0,2 300 125 175J D04
D30IO si 300 10 1 >5 10 0,3 200 125 125 S4
S3AN12 Si 300 10 0,5 9,5 — 2 300 125 150J D04
367F Si 300 10 1,2 10 10 180 180J S27
IN2023 SI 300 10 1,5 25 —- 5 300 150 I75C D05
40111 Si 300 10 0,6 10 75 мкА 1,5 300 150 175С D04
BYY67 Si 300 10 0,8 10 2 300 125 125С S72
BYY68 Si 300 10 0.8 10 2 300 125 125С S72
Е6ЕЗ Si 300 10 1,3 10 10 мкА 1 300 150 175 D04 '
F2E3 si 300 10 1,3 30 —» 1 300 150 175J D05
Д229Е Si 400 0,4 1 0,4 2 мкА 0,5 400 85 85 Н
1N647 Si 400 0,4 1 0,4 —— 0,02 400 100 150 А AI
IN673 Si 400 0,4 1 0,25 1 мкА 300 200 А87
1N113 SI 400 0,4 1 0,4 0,02 0,01 400 100 150А А1
АМ440 Si 400 0,4 1,2 0,4 — О.з 400 150 I50A D07
BYX60-400 Si 400 0,4 1,2 0,4 500 мкА 50 мкА 400 I00A 125А D07
M4HZ SI 400 0,4 I 0,4 10 мкА —* 400 125 I50C D07
PS440 Si 400 0,4 1.5 0,5 — 0,5 400 150 200А А 60
1Р647 Si 400 0,4 I 0,4 5 мкА —- 400 — . 150 А!
4D4 Si 400 0,4 1,3 1 — 0,3 мкА 400 100 150А А52
Р5Н5 Si 400 0,4 1 0,4 10 мкА 0,5 400 100 175 / Л4343
АМ12 SI 400 0,4 1,25 0,4 0,3 400 150 125 A \ D04
МТ44 SI 400 u,4 1.2 0,4 — 0,1 410 150 200A 1 D07
S102 Si 400 0,4 1,2 0,65 — 100 мкА 400 100 A54
1N255 si 400 0,4 1,5 0,5 10 мкА — 350 135A Sil
1N332 Si 400 0,4 2 0,8 <— 0,2 400 150 175B D04
IN34I Si 40) 0,4 2 0,8 — 0,5 400 150 175B D04
КД205Б SI 400 0,5 1 0,5 0,1 0,2 400 85 85 10
А2Е4 si 400 0,5 1,2 0,5 1 мкА 0,5 400 150 175 A84
MA2I5 Si 400 0,5 1 0,5 12 мкА — 400 70A C18
INI 255 Si 400 0,5 1 0,5 — 0,5 400 125 165 A A53
1N2084 Si 400 0,5 0,75 0,5 0,35 мкА 400 150 A Л53
BR24 Si 400 0,5 1,1 0,5 5 мкА 440 150 M533
COD 15544 si 400 0,5 1,1 0,4 Ю мкА 40Э 100 M45^-
D45C Si 400 0,5 1,2 0,5 — 0,15 400 125 150A AKJO
J400 SI 400 0,5 1,1 0,5 5 мкА 400 25 175A D07
MB263 Si 400 0,5 1 0,2 I мкА 0,06 400 100 175 A A60
MT04O Si 400 0,5 I 0,5 200 15 M<A 400 150 175 A60
MI040A Si 400 0,5 1 0,5 25 5 мкА 400 150 175 A A60
S16 Si 400 0,5 1,2 0,8 100 мкА — 4C0 150 A A54
S16A Si 400 0,5 1,2 0,8 50 мкА 400 A64
S235 Si 400 0,5 1,2 0,8 150 m A 400 A54
PS 140 Si 400 0,5 1,5 0,5 4 0,5 400 150 20ЭА A47
1N5216 Si 400 0,5 1,2 1 0.5 0,2 400 75 175 A A3i
. 5E4 Si 400 0,5 1J 2 мкА 50 мкА 440 100 175 D02
-5J4 Si 400 0,5 1,1 1,15 0,5 2 мкА 50 мкА 440 100 175 D015
40AS ! Si 400 0,5 0,5 Ю мкА — 400 — 100 A D03
M70C Si 400 0,5 1,2 —' 10 мкА 175 A3
P6H5 Si 400 0.5 1 1,1 0,5 10 мкА 0,5 400 100 175 M343
SE05A Si 400 0,5 0,5 lO мкА 1 400 120 M98
SW05A s> 400 0,5 1J 0,5 10 мкА UHl 1 400 120 A221
1N17I1 Si 400 0,5 1,1 0,5 0,4 400 150 125A A53
DD.056 Si 400 0,5 I 1 1,5 I мкА 400 A3
SD1 Si 400 0,5 1 10 мкА 400 100S A221
IS1943 Si 400 0,5 1,2 1,1 0,5 -— 0.4 400 125 I25J Al
1S314 Si 400 0,5 1 10 мкА 400 150 T01
IS 1230 SI 400 0,5 1,1 I 10 мкА — 400 — 150 DO!
s
Продолжение
Тип прибора Мате- риал Цэбр max’ В Aip cp max* A %, в Л,р> A /обр при ^обр и max1 мА ;обр> мА Цэбр, В *окр, “С ?тах’ Корпус
DD 006 Si 400 0,5 0,82 0,5 0,01 400 100 100А АЗ
INI 763 Si 400 0,5 3 0,5 100 мкА 1 400 100 100А А53
1N3749 Si 400 0,5 1,5 0,5 5 мкА 400 150А А1
CER7OC Si 400 0,5 i»2 0,5 10 мкА 0,2 400 100 150А D027
JT504 SI 400 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 400 100 100А АЗ
2Т504 Si 400 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 400 100 100 А D01
ЗТ504 Si 4C0 0,5 1,2 0.3 10 мкА 0,25 400 Юо 100 А D0I3
4Т504 Si 400 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 400 100 100А D07
ERD400 Si 400 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 400 100 100А М166
1N553 SI 400 0,5 1,5 0,5 2 мкА •—- 400 150 А D04
INI 033 Si 400 0,5 1,5 0,5 200 мкА 4G0 150А А73
1N1084 Si 400 0,5 1,5 0,5 2 мА —- 400 150 А F22
INI 169 A SI 400 0,5 1,2 0,8 100 мкА -— 400 25 150 D02
40S5 Si 400 0,5 1,3 1,8 2 400 25 175J S41
EG100 Si 400 0,5 1 0,5 10 400 125 А D029
S100 Si 400 0,5 I 0,8 100 мкА 400 — А54
S105 Si 400 0,5 1,2 0,55 25 мкА 400 — А54
SI 08 Si 400 0,5 2 0,65 250 мкА 400 А54
S224 Si 400 0,5 1 0,8 2 мкА 300 мкА 400 150 А54
8251 Si 400 0,5 1,2 0,8 500 мкА 400 100 А 54
TKF4O si 400 0,5 1,1 I 10 мкА 0,5 400 100 175А А84
IN3O83 Si 400 0,5 I 0,75 0,2 400 150 200А А84
Д229Л SI 400 0,7 1 0,7 0,2 0,5 400 120 120 11
1N3547 Si 400 0,6 I 0,5 0,2 0,75 400 175 200А А1
A2E1 Si 400 0,6 0,5 — 1 мкА 0,5 400 150 175А А84
A2E5 Si 400 0,6 0,5 5 мкА 0,5 400 150 175 А А84
A2E9 Si 400 0,6 0,5 10 мкА 0,5 400 150 175А А84
B2E1 Si 400 0,6 0,5 1 мкА 0,5 400 150 150А А1
B2E5 SI 400 0,6 0,5 — 5 мкА 0,5 400 150 150 А А1
B2E9 Si 400 0,6 0,5 — 10 мкА 0,5 400 150 175 А1
ER41 SI 400 0,6 1,25 0,5 75 мкА 400 100 1 150A \ A3
S5M2 SI 400 0,6 — 1 мкА 0,05 400 125 125 DO 14
Si6B Si 400 0,6 1,2 0,95 10 мкА — 400 — — A54
S243 Si 400 0,6 1,2 0,95 100 мкА — 400 — — A54
IN 1695 Si 400 0,6 0,6 0,25 — 0,5 400 100 I15A D03
INI 49 Si 400 0,6 1 .2 0,6 30 мкА 0,25 400 100 120 A50
5D4 Si 400 0,6 1,2 3 — 50 400 100 150 Al
P7H5 SI 400 0,6 I 0,6 10 мкА 0,5 400 100 175 M343
SD94 Si 400 0,6 1.5 0,9 0,8 400 100 125 A D03
SM210 Si 400 0,6 1,2 0,95 10 мкА — 400 150 A84
CY40 si 400 0.6 1,15 0,6 — 400 150 A31
5MA4 Si 400 0,625 0,92 0,63 0,2 400 100 140J F29
ВУ158 si 400 0,650 i, 3 0,65 10 мкА 10° мкА 400 60 130A D029
IN 1490 SI 400 0,75 0,55 0,25 — 0,3 400 125 I40A D03
1N2070 Si 400 0,75 1,2 0,5 10 мкА 0,2 400 100 Ю0А AI.
I №070A Si 400 0,75 1 0,5 5 мкА 0,5 4(/0 100 100A Al
1N2I07 Si 400 0,75 1,2 0,5 10 мкА 0,3 400 100 200A A60
1N3240 Si 400 0,75 2,2 0,75 0,5 400 150 — AI
1N3657 Si 400 0,75 1,2 0,5 10 мкА 0,3 400 10) 200A A6O
A3E1 Si 400 0,75 0,5 — 1 мкА 0,5 400 150 175A A84
A3E5 si 400 0,75 0,5 — 5 мкА 0,5 400 150 175A A84
A3E9 Si 400 0,75 0,5 — 10 мкА 0,5 400 150 175 A A84
B3EI si 400 0,75 0,5 — 1 мкА 0,5 400 150 175A Al
B3E5 si 400 0,75 0,5 — 5 мкА 0,5 400 150 I7SA Al
B3E9 Si 400 0,75 0,5 — 10 мкА 0,5 400 150 175 A A!
BR44 si 400 0,75 1,1 0,75 5 мкА — 400 150 M533
COD1534 si 400 0,75 1,1 0,8 1 мкА —— 400 — 150 A52
DD.236 Si 400 0,75 1 0,75 «— 1 400 25 100A D03
DD266 si 400 0,75 1 0,3 50 мкА 400 100 -— DOS
ED3004A Si 400 0,75 —. 10 мкА 30 мкА 400 100 I00A AI
MB254 si 400 0,75 1 0,4 0,2 мкА 15 мкА 400 JOO 175 A A60
MB2fa SI 400 0,75 1 0,4 1 мкА 0,06 400 100 175 A A60
MB273 SI 400 0,75 1,2 0,5 2 мкА 75 мкА 400 100 I75A A60
PT54O SI 400 0,75 1,5 0,5 —— 0,5 400 100 I25A D02
TS4 SI 400 0,75 1.2 0,75 5 — — 125 Al
UP 12070 SI 400 0,75 1,2 0,5 10 мкА 200 мкА 400 100 100 Al
ю о продолжений
Mai е- риал ^обр nPH
Тип прибора Цэбр maxi Л|р ep max' Цтр, в Aip- A ^обр и max' ^обр' мА ^обр *тах< 'С Корпус
В Л mA в "С
(W2'’ °C)
LP12070A Si 40 0,75 1 0,5 5 мкА 0,5 400 100 100А А1
UT115 Si 400 0,75 1,2 0,5 2 мкА 75 мкА 400 100 А146 А146
LT213 Si 400 0,75 1 0,4 200 мкА 15 мкА 460 юо 175 А
ZS174 Si Si 400 0,75 1,2 0,75 5 мкА 150 мкА 400 100 150 А А52
ZR64 400 0,75 1,1 1,1 0,75 10 мкА 0,15 400 100 I50A А42
.7Е4 Si 400 0,75 0,75 2 мкА 50 мкА 440 100 175 D027
.7J1 Si 400 0,75 1,1 0,75 2 мкА 50 мкА 440 100 175 D015 D03 D03 А53 М21 дч1
1N443B Si 400 0,75 1,5 0,75 1,5 мкА 200 400 150 165 А
1N540 IN1651 1N2094 1N2613 Si Si Si Si 400 400 400 400 0,75 0,75 0,75 0,75 1 0,5 0,5 1,1 0,5 0,25 0,5 0,5 ЮмА 10 мкА 0,2 0,3 0,25 0,5 400 400 400 400 150 150 85 150 150 А 165А 100А 175А
1N4367 IS034 1S43 Si Si Si 400 400 400 0,75 0,75 0,75 1.1 1 1,2 0,75 1 1 мкА 10 мкА 5 мкА 0,3 0,25 400 400 400 175 150 175 150А 150 D03 А89 D01
1SJ03 SI 400 0,75 1 10 мкА 400 150 А дяо
4G8 Si 400 0,75 1.1 0,75 1,5 мкА 400 150 А поч
АЗЬЗ Si 400 0,75 1,1 0,5 10 мкА 400 150 175 А А 84
А400 Si 400 0,75 1 0,75 5 м<А 400 100 АЗ
D4G0 Si 4f 0 0,75 1 1,2 I 0,75 5 мкА __ 400 175 А 50
DK754 H4G0 Si Si 400 400 0,75 0,75 0,75 0,75 10 мкА 5 мкА ЮЭ мкА 400 400 100 175А 175 D027 D03 ГК12О
Р400А Si 400 0,75 1 I Ю мкА 400 150
S1A Si 400 0,75 1,1 0,75 iO мкА 400 120 А6 D03 Л6
SD94A SD500 Si Si 400 400 0,75 0,75 1,3 1,2 1,2 0,5 — 0,4 0,7 400 500 100 100 125 А 125А
SM40 Si 400 0,75 1,1 0,5 10 мкА 400 175 А84
'I К40 1N2483 Si Si 400 400 0,75 0,75 1,1 1 ,2 0,5 0,75 — 0,3 1 400 400 150 55 175С 150 А А84 АЗ
1N2487 Si 400 0,75 1 — 1 мА — 400 1 150 Аб
1N3278 Si 400
1N2862 Si 400
1N3194 Si 400
1N3254 Si 400
1N3640 Si 400
CER70 Si 400
D1647 Si 400
MP 13.37-5 Si 400
S84 Si 400
IN 1559 Si 400
Д246Б Si 400
1N2234 Si 400
1N2234A Si 40r)
1N2235 Si 400
1N2235A Si 400
SKN5 04 Si 400
5PM4 Si 400
PE4O Si 400
S5A4 Si 400
1N1063 Si 400
INI 069 Si 400
1N1075 Si 400
IN 1092 Si 400
1NJ092A Si 400
40F5 Si 400
VRE400X Si 400
VRF400X Si 400
VRG400X Si 400
ESP5400 Si 400
36611 Si 400
1N1615A Si 400
E3G3 Si 400
F1G3 Si 400
Д246 Si 400
1N2254 Si 400
1N2254A Si 400
0,75 0,75 1,2 1,2 0,75 0,5 5 мкА 0,3 400 400 iOO ' 150 A 1 125 A Ai D01
0,75 1,2 0,5 5 мкА 0,2 400 75 iOOA A50
0,75 i»2 0,5 5 мкА 0,2 400 75 100 A А5Э
0,75 1,2 0,75 0,2 400 75 100A D013
0,75 1,2 0,75 10 мкА 0,2 4C0 100 150 A D027
o’,75 1,2 1,2 0,2 15 мкА 400 iOO 150A Al
o’75 1,1 1 25 4(0 25 175A A31
o'75 1,2 1,2 20 мкА || 1 M 400 — A54
0*75 1,4 0,6 1 T i 400 100 150 D02
’5 1,5 5 3 3 400 100 125 10
5 0,6 1,5 0,5 4C0 150 150 D04
5 0,6 5 0,35 400 150 150 D04
5 0,6 i,5 0,5 400 150 150 S35
5 0,6 5 0,35 400 150 150 S35
5 1 10 * 1 190 A S352
5 2 5 50 мкА 400 150 150J M585
5 1 2,5 5 мкА 40J — — M40
5 1,1 5 1 мкА — 400 — 150C Ai
5 1,5 5 i 400 170C S67
5 1,5 5 1 400 —— 170C S66
5 1,5 5 1 —. 400 170C S68
5 1,5 5 2 400 170C F22
5 1,5 5 5 400 100 — F73
5 1,1 13 — 10 400 25 F75J S41
5 ’,5 10 5 4C0 150 150 M249
5 1,5 10 2 5 400 150 150 M249
5 1,5 10 2 5 400 150 150 M249
5 i ,2 3 10 мкА 900 мкА 400 150 150C A3
5 1,1 5 Ю 400 180 180 J S27
5 1,1 6 0,5 400 150 190J D04
5 1,3 5 10 мкА 1 400 150 175 D04
5 1,3 30 1 400 150 175 DC 5
10 1,2 10 3 3 400 100 125 10
10 0,6 10 1 400 150 150 D04
Ю 0,6 10 — 0,5 400 150 150 D04
Продолжение
SIS'
Тип прибора Мате- риал Цэбр max' В Лтр cp max* A Цф.в Grp» A ;обр Цэбр/пах • мА (fOKp=25 °C) ^обр’ *A Цэбр *окр ^rtajt’ C Корпус
В °C
1N2255 Si 400 10 0,6 10 1 400 150 150 S35
1N2255A Si 400 10 0,6 10 —. 0,5 400 150 150 S35
BRlu4A Si 400 10 1,2 5 10 мкА — 440 — 150 M538
DD4526 Si 400 10 1 10 10 мкА 1 — 400 25 150 Sl9
G4HZ Si 400 10 1,1 10 3 400 125 150C DQ4
G4010 Si 400 10 1,1 10 — 3 400 125 150 A D04
P4HZ Si 400 10 1,1 10 3 мкА 400 125 125C S95
Р4010 Si 400 10 1,1 10 3 400 125 150A S95
SJ404E, К 10РМ4 Si 400 10 1 0,75 10 MhA 1,5 400 200 200C D04
Si 400 10 2 10 13 400 150 150J M586
64R2 SI 400 10 1,1 10 3 400 150 150C D04
INI 624 Si 400 10 1,2 10 5 400 25 100 A S43
1N4437 Si 400 10 1 10 0,2 400 160 16GC M249
1S423 Si 400 10 1,5 30 — 50 мкА 400 100 175S S61
R604 Si 400 10 1,3 10 0,2 400 160 160C M249
Кб 14 Si 400 10 i,3 10 0,2 400 160 160C M249
S423 SI 400 10 1,5 30 50 мкА 400 100 175A 24
IS 164 Si 400 10 1,6 50 12 400 175 175 S103
UR4S Si 400 10 1,6 50 2 400 175 175J S103
SA4AN12 Si 400 10 0,470 10 — 2 400 — 150J D04
D4010 SI 400 10 1,5 10 — 0,3 400 125 I25B S4
S4AN12 Si 400 10 0,5 9,5 2 125 150J D04
367Н Si 400 10 1,2 10 Ю 400 i80 180 J S27
I №025 Si 400 10 1,5 25 5 400 150 175C D05
40112 Si 400 10 0,6 10 75 мкА 1 400 150 175C D07
E6G3 SI 400 10 i ,3 10 10 мкА I 400 150 175 DQ4
F2G3 Si 400 10 1,3 30 — 1 400 150 175J D05
КД205Е Si 500 0,3 1 0,3 0,1 0,2 500 85 85 10
COD 1555 S19A Si Si 500 500 0,25 0,25 1,1 1,2 0,4 0,4 10 мкА 1,5 — 600 500 — 100 A.52 A54
Л1500В CFR500B 1N320 SI Si Si 500 500 500 0,25 0,25 0,25 1,2 1,2 2 0,4 0,25 0,4 10 мкА 10 мкА 0,2 500 100 175 \ 150A 200 A3 D027 D02
1N534 Si 500 0,3 2 0,3 17 мкА 500 __ 150 A D03
1N1706 Р4К5 Si Si 500 500 0,3 0,3 1,7 1 1 o,3 10 мкА 0,3 0,5 500 500 100 100 125A 175 A53 M343
1N444 Si 500 0,3 1,5 0,3 1,7 — 500 150A D02
1N605 Si 500 0,3 1,5 0,2 25 мкА 500 170S DOJ
IN605A Si 500 0,3 1,5 0,4 2 мкА 500 170S D01
1N1256 Si 500 0,32 1 0,32 0,5 600 125 165 A A53
КД205А Si 500 0,5 1 0,5 0,1 0J> 500 85 85 io
A2F4 Si 500 0,475 1,2 0,5 1 мкА 0,5 500 150 175 A84
1N2085 Si 5C0 0,5 0,75 0,5 0,35 500 150 A A53
1N3184 Si 500 0,5 1 0,25 0,3 мкА 0,02 500 100 150A M82
1N3229 Si 500 0,5 3,3 0,5 0,5 500 150 A10
COIJ15554 SI 500 0,5 1,1 0,4 10 мкА 500 100 M45
МВ265 Si 500 0,5 1 0,2 1 мкА 0,06 500 IGO 175A A60
Ml 050 Si 500 0,5 1 0,5 i5 мкА 500 150 175A A60
MT050A Si 500 0,5 1 0,5 — 5 мкА 500 150 175A A60
S15 Si 500 0,5 1,2 0,8 15 мкА 500 A54
S18A Si 500 0,5 1,2 0,8 50 мкА 500 . A54
PS 150 Si 500 0,5 1,5 0,5 0,5 500 150 200A A47
. 5E5 Si 500 0,5 1,1 0,5 2 мкА 50 мкА 550 100 175 D027
,5J5 Si 500 0,5 1,1 0,5 2 мкА 50 мкА 550 100 175 D015
50AS Si 500 0,5 1,15 0,5 10 мкА 500 100A D03
M50GC Si 500 0,5 1,2 10 мкА 175 A3
P6K5 Si 500 0,5 1 0,5 10 мкА 0,5 500 iOO 175 M343
1N1712 Si 500 0,5 1,3 1 0,4 500 150 125 A A53
1S315 si 500 0,5 1,1 I 10 мкА 500 25 150 T01
1S1231 Si 50b 0,5 1,1 i 10 мкА 5(10 25 150 D01
1 Nl 764 Si 500 0,5 3 0,5 100 мкА I 500 100 100A A53
CER50CC Si 500 0,5 1,2 0,5 10 мкА 0,2 500 100 150A D027
S18 Si 500 0,5 ' 1,2 0,8 100 мкА 500 A54
1T505 Si 500 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 500 100 100 A A3
2T505 Si 500 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 600 100 100 A DOi
_ 3 Г505 tv Q0 SI 5()0 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 500 100 100A D013
Продолжение
Тип прибора Мате- риал ^обр max* В Лтр cpmav A tfnp.B Gip> A Лэбр ПРИ ^обри max’ м4 UOKp=25 °C) Л1бр> МА "обр, Б *окр, “С / °C '/7ШХ’ Корпус
4TS05 Si 500 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 500 100 100 А D07
ERD500 Si 500 0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 500 100 100 А М166
1N554 Si 500 0,5 1,S 0,5 3,5 мкА 500 — 150А D04
1S558 Si 500 0,5 1,1 0,5 50 мкА — 500 — 150 А С42
50М Si 500 0,5 1,5 — 2 500 — 150 F22
50S5 EG 1 ООН Si Si 500 500 0,5 0,5 i ,3 1 1,8 0,5 10 2 500 500 25 175 125 А S41 D029
S255 Si 500 0,5 1,2 0,8 — 500 мсЛ 500 100 — Аи4
Д247Б 1N2236 Si Si 500 500 5 5 1,5 0,6 5 1,5 3 3 0,5 500 500 100 150 125 150 10 D04
1N2237 SI 500 5 0,6 1,5 0,5 500 150 150 S35
1N2237A SI 500 5 0,6 5 350 мкА *— 500 150 150 S35 А1
S5A5 SI 500 5 1,1 1,1 5 1 мкА 500 — 500
50F5 Si 500 5 13 10 500 25 175J S41
SOLF Si 500 5 5 5 500 100 F73
366К SI 500 5 1,1 5 10 500 180 180J S27
407К SI 500 5 1,1 5 — 2 500 175 175J D04
ЕЗНЗ Si 500 5 1,3 5 10 мкА 1 500 150 175 D04
F1H3 Si 500 5 1,3 3d — 1 500 150 175J D05
КД2О5Б Si 500 JO 1,2 i 0,7 1,5 500 125 125 12
1N2256 SI 5G0 10 0,6 10 — 1 0,5 500 150 150 D04
1N2256A SI 500 10 0,6 10 500 150 150 D04
1N2257 Si 500 10 0,6 10 — 1 500 150 150 S85
1N2257A Si 500 10 0,6 10 0,5 5Ю 150 150 S35
G5010 Si 500 10 1,1 10 3 500 125 150 А D04
Р5010 Si 500 10 1,1 10 — 3 500 125 150А S95 S43 S103 DP4 S4
5OJ2P 1S165 SA5AN12 D5010 Si Si SI Si 500 500 500 500 10 10 10 10 1,3 1,6 0,47 1,5 10 50 10 10 2,5 2 2 0,3 500 500 500 500 175 125 175 150J 125В
S5AN12 Si 500
367К Si 500
408К Si 503
40113 Si 500
Е6НЗ Si 500
F2H3 Si 500
TR501 Si 500
КД205Ж Si 630
1N2086 Si 600
BR26 Si 600
COD 15564 Si 600
D65C Si 600
.1600 Si 600
MB267 Si 600
MT060 Si 600
MT060A Si 600
S23A Si 600
S30 Si 600
PS 160 Si 600
1N5217 Si 60J
S2E60 Si 600
. 5E6 Si 600
.5J6 Si 600
6QAS si 600
P6M5 Si 600
SEO5B Si 600
SW05B Si 600
SDIA Si 600
IS 1944 Si 600
1 SI 232 Si 600
IN3750 Si 600
40808 Si 600
CER710 Si 60J
IT 506 Si 600
2T506 Si 600
3T506 VO Ol Si 600
10 0,5 9,5 — 2 MM 125 150J \ D04
10 1,2 10 — 10 500 180 180 J 27
io 1.2 10 — 2 500 175 175J D04
10 0,6 10 75 мкА 0,85 500 150 175C D04
10 1,3 10 10 мкА 1 500 150 175 D04
io 1.3 30 * 1 500 150 I75J DC5
10 1,5 25 1 500 150 175S DQ5
0,5 1 0,5 0,1 0,2 600 85 85 10
0,5 0,75 0,5 0,35 600 150 A53
0,5 1,1 0,5 5 мкА 660 150 M533
0,5 1,1 0,4 10 мкА *—• 630 iOO M45
0,5 1,2 0,5 0,15 6,0 125 150A Al CO
0,5 1,1 0,5 5 мкА 600 25 175A D07
0,5 1 0,2 1 мкА 0,06 6Л) 100 175A A6J
0,5 I 0,5 0,2 мкА 25 600 150 175A А6Э
0,5 1 0,5 —— 5 мкА 6J0 150 175A A60
0,5 1,2 1,2 50 мкА 600 A54
0,5 1,2 0,8 1 мкА -— 600 159A A54
0,5 1.5 0,5 0,5 600 150 200A A47
0,5 1,2 1 * 0,2 630 75 175 A A31
0,5 0,95 0,5 30 мкА 600 120 Al 85
0,5 1.1 0,5 2 мкА 50 мкА 660 loo 175 D027
0,5 1.1 o,5 2 мкА 50 мкА 660 100 175 D015
0,5 1,15 0,5 10 мкА 600 100Л D03
0,5 1 0,5 i0 мкА 0,5 600 100 175 M343
0,5 1,1 0,5 10 мкА 600 __ 130 A M98
0,5 1,1 0,5 10 мкА — 600 120 A22i
0,5 1 1,5 10 мкА 600 100S A221
0,5 1,2 0,5 1 0,4 600 125 125 J Al
0,5 1>1 1 10 мкА 600 25 150 D01
0,5 1,5 0,5 5 мкА —- 600 150 A Al
0,5 1,2 1 5 мкА 0,2 600 150 175 A D026
0,5 1,2 0,5 10 мкА 0,2 600 Ю0 150A D027
0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 500 100 100A D3
0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 600 100 100 A D01
0,5 1,2 0,3 10 мкА 0,25 600 100 ЮЗА DO13
Продолжении
to
o>
Тип ьрцбора Мате- риал ^обр max > В Alp cp max* A ^пр- 6тр< a Aj6p "J*1 ^обр и max* мА (fOKp=25 ’C, Азбр» Дэбр *окр Ьпах* °с Корпус
В °C
4Т506 Si 600 0,5 1.2 0,3 10 мкА 0,25 600 100 100А D07
ERD600 Si 600 0,5 1.2 0,3 10 мкА (1,25 600 100 100А М166
1N555 Si 600 0,5 1,5 0,5 5 мкА —— 600 — 15UA D04
60М Si 600 0,5 1.5 — 2 600 — 150 F22
60S5 Si 600 0,5 1.3 1,8 — 2 600 25 175J S41
S256 Si 600 0,5 1,2 0,8 0.5 600 100 А54
Д248Б Si 600 5 1.5 5 3 3 603 100 125 10
1N1616 Si 600 5 1.5 10 «_ - 17БА DG8
1N2238 Si 600 5 0,6 1,5 0,5 600 150 150 D04
1N2238A Si 600 5 0,6 5 0,35 600 150 150 DG4
1N2239 Si 600 5 0,6 1,5 0,5 600 150 150 S35
1N2239A Si 600 5 0,6 5 0,35 600 150 150 S35
G65HZ Si 600 5 1,2 5 — 2 600 125 S19
5РМ6 Si 600 5 2 5 — 50 мкА 600 150 15JJ М585
РЕ60 Si 600 5 1 2,5 5 мкА — 600 __ М40
S5A6 Si 600 5 1,1 5 1 мкА — 600 150С А1
S20— 06 Si 600 5 1.1 60 50 мкА — 600 25 150 S19
60F5 Si 600 5 1,1 13 10 600 25 175J S41
60LF Si 600 5 1.5 5 5 600 100 F73
SJ6O3E, К Si 600 5 1 0,75 10 мкА 0,3 600 150 150А D04
366М Si 600 5 1,1 5 10 6С0 180 180J S27
1N1616A Si 600 5 1,1 6 0,5 600 150 190J DG4
40 7М SI 600 5 1,1 5 — 2 6G0 175 175J D04
ЕЗКЗ Si 600 5 1,3 5 10 мкА i 600 150 175 D04
F1K3 Si 600 5 1.3 50 — i 600 150 175J D04
MR60 Si 600 5 1 4.5 20 мкА 185В D04
КД206В Si 600 10 1.2 i 0,7 1,5 600 125 125 12
1N225B Si 600 iO 0,6 10 — 1 600 150 150 D04
1N2258A Si 600 10 0,6 10 0,5 био 150 150 D04
1N2259 Si 600 10 0,6 10 I 600 150 150 S35
IN2259A Sf 600 10 0,6 10 0,5 600 150 1 150 1 S35
BR106A Si 600 10 1,2 5 10 мкА 650 150J M538
Р6Н2 Si 600 10 1,1 10 — 3 600 125 150C D04
Р6010 Si 600 10 1,1 10 1 3 600 125 150 A S95
Sj6u4E, К Si 600 10 1 0,75 10 мкА 1,5 600 200 2dOC D04
10PM6 Si 600 10 2 10 8 600 150 150 M586
0604 Si 600 10 1,4 30 100 мкА I— 300 1. 150 J S87
66Й2 Si 600 10 1,1 10 -— 2 600 150 150C DG4
66R2S Si 600 10 1,1 10 2 600 150 i50C D04
Ш4438 Si 600 10 1 10 -— 0,2 600 160 160C M249
1S425 Si 600 Ю 1,5 30 -— 50 мкА 600 100 175S S61
R606 Si 600 10 1,3 10 — 200 мкА 600 160 160C M249
R616 Si 600 Ю 1,3 10 200 мкА 600 160 160C M249
S425 Si 600 10 1,5 30 -— 50 мкА 600 100 175A S24
1S166 Si 600 10 1,6 50 — 1,5 600 175 175 SI03
SA6AN12 SI 600 10 0,47 10 -— 2 600 — 150 D04
BYX42/6C0 Si 600 10 1,4 15 -— 0,2 400 125 175J D04
П6010 Si 600 10 1,5 1,5 — 0,3 600 125 125B S4
S6AN12 Si 600 10 0,5 9,5 -— 2 — 125 150 J D04
367M Si 600 10 1,2 10 -— 10 600 180 180 J S27
408M Si 600 10 1,2 Ю 2 600 175 J 75 J D04
40114 Si 600 JO 0,6 10 75 мкА 0,75 600 150 175C D04
E6K3 Si 6'0 10 1,3 10 10 мкА 1 600 150 175 D04
F2K3 Si 600 iO 1,3 30 — J 600 150 175J D05
КД20БИ Si 700 0,3 1 0,3 0,] 0.2 700 85 85 10
B250C300 Si 700 0,3 I 0,1 -— — — 125J M671
1N2878 Si 700 0,250 2 0,25 0,5 мкА 700 — 150S M122
1N1258 Si 700 0,28 1 0,28 — 0,5 700 125 165A A53
КД203Г Si 700 10 1 10 1,5 1.5 1000 100 100 143
S7AN12 Si 700 10 0,5 9,5 -— 2 125 150J D04
408P SI 700 10 1,2 10 2 700 175 I75J D04
E6M3 Si 700 JO 1,3 iO 10 мкА 1 700 150 175 Du4
F2M3 Si 700 10 1,3 30 1 700 150 175 J D05
КД210Б Si 800 10 1 10 1.5 1,5 80? 100 125 6
1N2260 Si 800 10 0,6 10 5 8G0 150 150 D04
IN2260A SI 800 10 0,6 10 — 0,5 800 150 150 D04
Продолжение
Тип прибора Мате- риал ^обр max* Б Alp ср max* A Упр. c Лф' Аэбрири ^обр и max’ мА ^окр=2*’ Уобр, В *окр > вС ?тах' "С Корпус
1N2261 Si 800 10 0,6 10 0,5 800 150 150 35
BRI08A Si 800 10 1,2 5 10 мкА — 850 — 150 М538
G8HZ Si 800 10 1,1 10 — 3 800 125 15ОС D04
G80IO Si 800 10 1,1 10 — 3 800 125 150 А D04
P8HZ Si 800 10 1,1 10 — 3 мкА 800 125 125С S95 .
P80J 0 Si 800 10 1,1 Ю — 3 800 125 150А S95
10РМ8 Si 800 10 2 10 — 7 800 150 I50J М586
68R2 Si 800 10 1,1 10 — 1 800 150 150J D04
68R2S Si 800 10 1,1 10 — 1 800 150 15ОС D04
1N4439 Si 800 10 1,2 iO — 1 800 100 160А М249
1S427 Si 800 10 1,5 30 — 0,05 800 100 175S S6I
S427 Si 800 10 1,5 30 — 50 мкА 800 100 175А S24
1S544 Si 800 10 1,6 50 — 1,4 800 175 175 S103
SA8AN12 Si 800 10 0,47 10 — 2 800 — 150J D04
D8010 Si 800 10 1,5 10 — 0,3 800 125 125 S4
S8AN12 Si 800 io 0,5 9,5 — — — — 150 D04
408S Si 800 10 1,2 10 — — *—- — 175J D04
40115 Si 800 10 0,6 io 75 мкА — i75C D04
E6N3 Si 800 , 10 1.3 10 10 м'сА Ь —. 1 175 D04
F2N3 Si 800 10 1,3 10 — — — — 175J D05
Стабилитроны
Тип прибора ДУ . СТ’ % В Ст’ мА р max’ мВт Дст- Ом ^ст? / мА а -10— 2 ст /°C, мБт/°С t max Корпус
КС 133 А 10 3,3 1U 300 180 3 — 11 125 17
IN5518B 5 3,3 20 400 26 — 1 175 А D07
1N5518B 5 3,3 20 400 26 — 7 100А D014
1N5518C 2 3,3 20 400 26 — 175 А D07
1N5518D 1 3,3 20 400 26 — 175A D07
1S2333 10 3,3 5 400 150 ’— 7 150A AI
1S2O33A 5 3,3 5 400 120 — 7 150A AI
1S7O33 10 3,3 5 400 150 ’— 7 150 A Al
1S7033A 5 3,3 5 400 100 7 175A Al
]S7033B 15 3,3 5 400 200 — 7 150A Al
2А44 10 3,3 10 400 80 — 7 200J AI59
5508 5 3,3 5 400 80 — 6,5 125A Al
BZX46C3V3 5 3,3 20 400 28 -— 6 175 J D035
BZX55C3V3 5 3,3 5 400 75 — 6,3 150A D035
BZX83C3V3 5 3,3 5 400 90 6 175J D035
BZY85B3V3 2 3,3 5 400 80 6,5 150J D07
BZY88C33 5 3,3 5 400 85 —- — I50J D07
С6102 10 3,3 5 4и0 60 — 175 M185
HS7033 5 3,3 5 400 — — — 175A D07
KS033A 5 3,3 5 400 100 — 10 150A D07
KS033B 10 3,3 5 400 150 — 2 150 A D07
LP33H 5 3,3 5 400 100 6,6 150S D07
MZC3.3A10 — 3,3 15 400 47 — 7 175J M468
Z5A3.3 1 3,3 5 400 80 7 200J AI
Z5B3.3 5 3,3 5 400 80 — 7 200J Al
Z5C3.3 10 3,3 5 400 80 — 7 200J Al
Z5D3.3 15 3,3 5 400 80 7 200j Al
ZF3.3 5 3,3 5 400 80 — 6 150J D07
G3.3 10 3,3 5 400 100 — 6,5 150 J D07
ZP3.3 5 3,3 5 400 80 — 5,5 150 J DO?
КС 139 А 10 3,9 10 300 180 3 — 10 125 23
1N1927A, В 1 3,9 5 200 И — 6 150A A82
1N4622 5 3,9 0,25 250 1600 — » 200A DOM
1N4686 5 3,9 0,05 250 — 200A DOM
1103 1 3,9 10 250 60 —- 5 150 J C18
BZY85C39 5 3,9 5 2502 85 — — 150J D07
HS2039 5 3,9 5 250 — -и- -— 175A D07
KS2039A 5 3,9 5 250 100 — 7 150A D07
KS2039B 10 3,9 5 250 110 — 8 150A D07
MGLA39A, В 3,9 20 250 15 — 4,9 150 A2
MR39C-H 5 3,9 5 250 90 — —- 250 D07
MZ4622 3,9 0,25 250 1,6к — — 200J DO?
PD6004, А 3,9 10 250 50 — — 150 A109
PD6045 5 3,9 10 250 42 — — 150 A2
КС 147 А 10 4,7 10 ЗОЭ 160 3 9^4-1 100 23
1N4624 5 4.7 0,25 250 1500 — — 200 DOM
1N4G88 5 4,7 0,05 250 — — —' 200A DOM
1104 10 4.7 10 250 45 — 2 150J C18
BZY83C4V7 5 4,7 5 250 90 — 1 150 J Ci
BZY83D4V7 10 4,7 5 250 90 — ~~ 150J Cl
BZY85C4V7 5 4,7 5 250 70 — 1 150J A171
GLA47A, В 4,7 10 250 10 — 1,8 175 D07
HS2047 5 4,7 5 250 — -— — 175 A D07
KS2047A 5 4,7 5 25Э 85 — 5 150A D07
219
Продолжение
Тип прибора СТ' % СЛ. ст' В Лгг’ мА яет< Ом JC1’ мА а .1вГ*8 СТ %/°с, ыВт/еС ^тах Кери >с
KS2047B 10 4,7 5 250 so 6 150А D07
LAC2002 10 4,7 10 250 15 — М520
MR47C-H 5 4,7 5 250 80 — —— 250 D07
MZ4A 10 4,7 25 250 25 -— 1 150J D07
MZ4624 — 4,7 0,25 250 1500 ,— 200J 007
PD6006, А 4,7 10 250 45 — 150 AI09
PD6047 5 4,7 10 250 32 — 150 А2
PD6202 10 4,7 10 250 15 — !! — А109
OAZ240 5 4,7 1 278 370 — 20 1501 А24
BZY56 5 4,7 1 280 370 — — I50J АЗ
OAZ200 4 5 4,7 1 300 420 — 4,2 150J С1
Z1D4.7 4,7 — 300 75 —. 150J С29
КС156А 10 5,6 10 300 160 3 5-Г-+5 100 17
21550 5 5,6 5 300 45 — 150S С2!>
Z1555 5 5,6 5,5 300 40 — — 150S С29-
ZI560 □ 5,6 6 300 37 — 150S С29
ZI560 5 5,6 6 300 37 —— — 150S С29 "
Z1565 5 5,6 6,5 300 33 —— 150S С29
Z1570 5 5,6 7 300 30 — 150S С2&
Z1A5.6 1 5,6 5 320 — 6 150 А С29
Z1B5,6 5 5,6 5 320 40 — 6 150А С29 '
21С5,6 10 5,6 5 320 40 — 6 150А С29- -
Z1D5.6 15 5,6 5 320 40 — 6 150А С29
КС 168В 0,5 6,8 10 150 120 3 4-5 100 17
1N1984 10 6,8 5 150 7 — 3 150 С1
1N1984A 5 6,8 5 150 7 — 3 150 С1
1N1984B 1 6,8 5 150 7 —— 3 150 С1
653C3 5 6,8 5 150 4 — 4,1 150 А сз
AZ6.8 5 6,8 5 150 20 — 170 А 007
BZ6,8 5 6,8 5 150 — - 170А D07
Z6,8 5 6,8 5 150 — а^» J50A CI8
ZZ6,8 5 6,8 5 150 60 — — 150 А С18
КС 168 А Ю 6,8 10 300 120 3 —б-г-4-6 100 17
1N7I0.A а^ш 6,8 25 250 4,7 3,8 17БА D07
1N4099 5 6,8 0,25 250 200 НИ 200J D07
1106 10 6,8 io 250 8 — 3 150J С18
BLVA168 7 6,8 0,25 250 350 —.₽ 150 А Л9
BLVAI68A 3 6,8 0,25 250 350 — 150 А АО
BLVA168B 2 6,8 0,25 250 350 — — 150 А АО
BLVAI68C 1 6,8 0,25 250 350 — — 150А А9
BLVA468 7 6,8 0,25 250 150А А9
BLVA468A 3 6,8 0,250 250 — — 150А А9
BLVA468B 2 6,8 0,25 250 — J50A А9
BLVA468C 1 6,8 0,25 250 -— — 1Б0А А9
BZX58C6V8 5 6,8 10 250 7 '— 3 150А D07
BZY83C6V8 5 6,8 5 250 8 — 7 150J CI
BZY83D6V8 10 6,8 5 250 15 — 7 150J С1
BZY83C6V8 5 6,8 5 250 8 —1 7 150J А171
KS2068A 5 6,8 . 5 250 15 —- 6 150А D07
KS2068B 10 6,8 5 250 40 6 150А D07
MZ6A 10 6,8 15 250 8 1— 3 150А D07
PD6Q10, А 6,8 5 250 25 — 150 А Ю9
PD6051 5 6,8 10 250 7 *— 150 А2
PD62Q6 10 6,8 1 250 50 — — А109
220
Продолжение1
Тип прибора iyCT. % cr . в CT* ^cr* mA P max* мВт ^ст’ Om ^CT* mA %/ec, mBt/’C *тах Корпус
OAZ244 S 6,8 1 278 5 — 27 150J A24
BZY60 5 6,8 1 280 5 — 150 J A3
МС6010, А 6,8 10 300 14 — — 175 A2
OAZ204 s 6,8 1 300 180 — 3,7 150 J Cl
Z1A6,8 1 6,8 5 320 8 7 150 A C29
Z1B6.8 s 6,8 5 320 8 — 7 150 A C29
Z1C6.8 10 6,8 5 320 8 — 7 150A C29
ZID6,8 15 6,8 5 320 8 — 7 150A C29
LDZ70/6A8 5 6,8 20 360 5 м 1 — 150 J M401
KCI70A 0,35 7 10 150 90 3 +1 100 18
653С4 5 7 5 150 5 M 4,2 150A C3
КС176А 0,5 7,5 5 150 70 3 +4 100 18
BZX84C7V5 5 7,5 5 110 20 5,3 125J M50O
9607 5 7,5 1 120 100 — 4 150 C29
AZ7.5 5 7,5 5 150 15 170A D07
BZ7.5 5 7,5 5 150 35 — 17CA DOT
Z7,5 5 7,5 5 150 40 — 150 A C18
ZZ7.5 5 7,5 5 150 40 — -—- 150A C18>
КС182А 0,6 8,2 5 150 30 3 4-5 100 18
IN 1985 10 8,2 5 150 15 — 6 150 Cl
IN 1985А 5 8,2 5 150 15 — 6 150 Cl
IN 1985В 1 8,2 5 160 15 — 6 150 Cl
AZ8.2 5 8,2 5 150 20 — ™ 170A DOT
BZ8.2 5 8,2 5 160 50 — — 170 A DOT
LZ8.2 10 8,2 5 150 40 1 —. 170 A DOT
Z8,2 5 8,2 5 150 40 150 A C18
ZZ8,2 5 8,2 5 150 40 -4— 150 A C18
KCM190A 9 5 125 22 1 ±8 125 19
KS77 5 9 5 57 35 — 125A DOT
KS77B 5 9 5 57 35 — 100A DOT
KS78 5 9 5 57 35 — — 125A D07
KS78B 5 9 5 57 35 — 100A DOT
654C9 5 9 5 150 12 — 5,2 150A C3
Д818А 20 9 10 300 100 3 ±2,3 100 20
IN764-3 5 9 10 250 12 5 150 DOT
1S334 7 9 10 250 20 7 150j Al
1S472 10 9 15 250 15 ll 5,5 I50J DOT
HR90 5 9 5 250 20 — 175A D07
MZ1009 7 9 10 250 — 6 176J DOT
SV131 5 9 10 250 15 — 5,7 150 DOT
SVM91 5 9 7,5 250 75 1 100 D07
SVM905 5 9 7,5 250 75 0,5 100 DOT
SVM9010 5 9 7,5 250 50 — 0,1 100 DOT
SVM9011 5 9 7,5 250 20 —- 0,1 100 DOT
SVM9020 5 9 7,5 250 50 — 0,2 100 DOT
SVM9021 5 9 7,5 250 20 0,2 100 D07
SZ9 7 9 5 250 20 0,75 150J Cl
КС 191A 0,6 9,1 5 150 30 9 +6 100 18
i BZX84C9V1 5 9,1 5 110 20 — 6,5 125J M50O-
AZ9.1 5 9,1 5 150 20 — 170A DOT
BZ9,1 5 9,1 5 150 60 170A DOT
Z9,l 5 9,1 5 150 40 — 150 A C18
ZZ9.1 5 9,1 5 150 40 — — 150A C18
KC196A 5 9,6 10 200 70 3 ±0,5 100 20
22>
Продолжение
Тип i-рчбера ДР , ст’ % Уст> В ^ст’ мА р гтах’ мВт йст, Ом Иг' мА а .[О-я ст ‘ %/°с, мВт/'С *тах Корпус
BLVA195 5 9,5 0.25 250 500 3,8 150А А9
BLVA195A 2 9,5 0,25 250 500 - - 3,8 150А А9
BLVA195B I 9,5 0,25 250 500 3,8 150 А А9
BLVA195C 1 9,5 0,25 250 500 - 3,8 150А А9
BLVA495 5 9,5 0,25 250 350 3,8 150 А А9
BLVA495A 2 9,5 0,25 250 350 3,8 150А А9
BLVA495B I 9,5 0,25 250 350 - 3,8 150А А9
BLVA495C 1 9,5 0,25 250 350 — — 3,8 150А А9
SVI32 5 9,5 10 250 15 —- 5,7 150 D07
КС210Б 0,7 10 5 150 35 3 +7 100 18
BZX84C10 5 10 5 ПО 25 —— 125J М500
1N1986 16 10 5 150 22 6,5 150 С1
1N1986A 5 10 5 150 22 6,5 150 С1
1N1986B 1 1G 5 150 22 6Л 150 С1
655С9 5 10 5 150 15 — 5,2 150А со
AZ1U 5 10 5 150 25 —1 170 А D07
ZIO 5 10 5 150 50 150А С18
ZZ10 5 10 5 150 60 — 150А С18
Д811 "* 10—12 5 280 — — +9,5 100 17
1S473 10 И 15 250 20 — 6,5 150J D07
НИ 10 11 5 250 30 — 7 150J С18
BZX59O11 5 11 5 250 18 . 7 150 А D07
BZX69CU 5 и 5 250 40 6 175 А D07
BZY83C11 5 и 5 250 20 — 8 150J С1
BZY85C11 5 11 5 250 20 8 150J А171
НР11 5 11 5 250 30 175А D07
HS2110 5 11 5 250 — 175 А D07
KS2110A 5 11 5 250 40 8 150А D07
KS21I0B 10 11 5 250 60 8 150А D07
PD6256 5 11 5 250 11 — 150 А2
SV134 5 и 5 250 50 — 6,3 150 D07
SZ11 6 II 5 250 35 — 8,2 150J С1
MC6J15, А — и 10 300 23 175 А2
Z1A11 1 и 5 320 20 8 150А С29
Z1B11 5 и 5 320 20 —- 8 150А С29
Z1C11 10 11 5 320 20 1 8 150 А С29
КС211Ж 0,6 11 4 125 200 0,5 +9,2 125 4
PZZ11 о 11 5 80 100 __ 125А С18
BZX84C11 5 II 5 ПО 30 — 125J М500
AZX84CH 5 11 5 110 30 -— 1253 М500
AZ1I 5 11 5 150 30 .— 170А D07
Z1I 5 11 5 150 55 . 150А С18
ZZ11 5 II 5 150 70 . 150А С18
КС213Б 0,9 13 5 150 45 3 +8 100 18
AZ13 5 13 5 150 45 .— 170 А D07
Z13 5 13 5 150 70 . —— 150А С18
ZZ13 5 13 5 150 90 — 150А С18
КС215Ж 0,8 15 2 126 300 0,5 10 125 4
1N1988 10 15 1 150 50 8,8 150 С1
1N1988A 5 15 1 150 50 8,8 150 С1
1N988B 1 15 1 150 50 , 8,8 150 С1
AZ15 10 15 5 150 55 .— 170 А D07
Z/5 5 15 5 150 ИО — — 150 А С18
ZZ15 10 15 5 150 130 — 150А С18
222
Продолжение
Тип прибора ДУ , ст’ % и , ст В ‘ст' мА р гпах мВт ^ст* Ом ^ст* мА ст %/’С, мВт/’С ?тах Корпус
КС218Ж 1 18 2 125 350 0,5 10 125 4
RZ18 5 18 2 80 160 — — 159 А (J18
RZZ18 10 18 5 80 210 — —- 150 А С18
1N1989 10 18 1 150 70 — 9,2 150 С1
IN 1989А 5 18 1 150 70 —— 9,2 159 CI
1N1989B 1 18 1 150 70 — 9,2 159 CI
КС222Ж 1,1 22 2 125 зсо 0,5 10 125 4
RZ22 5 22 2 80 320 — 15JA С18
RZZ22 10 22 Б 80 340 — — 150А С18
1NI990 10 22 1 150 100 — 9,4 150 С1
] N1990A 5 22 1 150 1С0 '— 9,4 159 С1
]N 1990В 1 22 1 159 100 — 9,4 159 С1
AZ22 10 22 5 150 100 — 170 А D07
Z22 5 22 2 150 320 — 15ЭА С18
ZZ22 10 11 5 150 340 — — 15ЭА С18
Стабилитроны средней мощности
КС433А 10 3,3 39 1 Вт 180 3 — 10 100 17
VZ33CH Z4A3.3 Z4B3 3 5 1 5 3,3 З.з 3,3 50 100 100 1 1 1 14 4 4 . 7,3 9 9 150 150J 150J D013; AI А1
Z4C3.3 10 3,3 100 1 4 — 9 150J AI
Z3D3,3 15 3,3 100 1 4 — 9 159J А1
77v8 S 3,3 1С0 1,1 7 — 6,5 125А А1
КС439А 10 3,9 30 1 180 3 — 10 100 17
VZ39CH 5 3,9 59 1 12 -— 4,5 150J D013-
Z4A3.9 5 3,9 100 1 4 — 6 15JJ А1
Z4C3.9 10 3,9 100 1 4 — 6 I50J AI
КС447А 10 4,7 30 1 180 3 —8ч-+3 +100 17
BZX29C4V7 5 4,7 50 1 8 -— 2 175J А4
BZX85C4V7 5 4,7 45 1 13 — 1 150А D015*
VZ47CH 5 4,7 50 1 10 — 1,5 150 D013-
Z4A4.7 Z4B4.7 1 4,7 4 1 4 — 6 150J Al
5 4,7 100 1 4 —- 6 1504 Al
Z4C4.7 10 4.7 100 1 4 —- 6 150J Al
Z4D1.7 " 15 4,7 100 1 4 — 6 150J Al
Z4.7 ZEC4.7 ZM4.7 4,7 53 1 8 — 2 175 D027
20 4J 4.7 40 53 1 1 11 8 — 0 2 165 175 D03 D04!
КС456А 10 5,6 30 1 145 3 0, +5 100 17
IN1520, А 5,6 35 1 10 3 3 200S D03
IN 1765' 10 5,6 100 1 1,2 — 175А D013-
JNI765A 5 5,6 100 1 1,2 —1 — 175А DO 13
IN 3827 10 5,6 45 1 5 — 2 175 А АЗ I
1N3827A 5 5,6 45 1 5 — 2 175А A31
JAN1N3827A 1N4655 1N4734 1N4734A 5 5 10 5 5,6 5,6 5,6 5,6 45 45 45 45 1 1 1 1 5 603 5 5 1111 4 4 175А 200А 2G0A 2G0A A31 DO 15- Al Al
BZX29C5V6 BZX85C5V6 CZ5.6 5 5 5,6 5,6 5,6 50 45 60 1 1 1 5 7 10 — 2 3 2 175J 150А 175 A1 DO 15 D015
FPZ5V6 VZ56CH 5 5,6 5,6 43 50 1 1 Вт 100 8 — 3 1,5 150 АЗ I D0I3
223
fcS
го
Импульсные диоды
Обозначение прибора Мате- риал "обр. В НС /лр’ мА В Азбр’ мА С , пФ д 'обр^11 обр max’ мкА и , в пр‘ ipmax’ мА tnaxf Корпус
КД503В CG84H Si 10 50 10 10 2 6(0-0,05 ) 1 38 1,3(10) 10 70 15
Ge 12 40 10 10 23(0) 0,6(40) — А1
МД ЗБ Ge 10 150 20 10 1 2,5(5) 150 1,2(3) 7 55 D1
1N4008 Ge 12 70 10 1 3(0) 100 0,5(10) 90 07
КД521Д Si 12 4 10 10 2 10(0) 1 1(50) 50 125 —
Q12200 Q12200А Si 12 3 10 1 —- -— 0,65(10) —’ 75А D07
Si 12 3 10 — 1 — 0,6(10) — 75А D07
Q12200В Si 12 3 10 1 — — 0,8(20) — 75А D07
Q12200C Si 12 3 10 1 — — 0,9(30) -— 75А D07
Q12200D SI 12 3 10 — 1 — 1 (50) — 75А D07
Q12200T Si 12 3 10 — 1 — — 1(150) — 75А D07
Q12-300 SI 12 3 10 — 1 — —* 1(Ю) — 75А D07
Q12-800A SI 12 3 10 1 — — 1(20) — 75А D07
Q12-300В Si 12 3 10 — 1 — ™ 1(30) — 75А D07
КД512А ZS140 Si 15 1 10 10 2 1(5) 5 1(10) 20 100 15
si 15 2 10 5 — 2(0) 1 0,9(10) 250 175 А D07
МД ЗА Ge 15 100 20 10 1 1(5) 100 1(6) 12 70 1
3FD121 Ge 15 75 10 — — 10 0,8(10) 30 85 D07
ОА92 Ge 15 100 5 5 — 0,5(0) 2,5 о,6(3) 10 75А АЗ
Д18 Ge 20 100 50 10 1 0.5(3) 50 1(20) 16 60 8
1S307 Ge 20 100 2 — 0,2 '— 25 0,75(75) 100 90А А1
CGD309 Ge 20 100 50 — — — 1(0,3) — 90А А1
Т16 Si 20 100 10 — 10 10 1 1(5) 25 100 D016
дзю IN695 Ge 20 300 500 20 — 15(20) 20 0,6(600) 500 70 22
Ge 20 300 5 20 * 0,02 мА 1(100) 100 75А D07
1М996 Ge 20 300 5 10 0,5 1— 15 0,8(40) 50 100 D07
1N770 Ge 20 350 5 10 -— 15 0,5(15) 40 90 D07
КД503Л Si 30 10 10 10 2 5(0) 4 1(10) 20 125 15
1N4147 1N5720 SI S! 30 30 10 10 10 10 — 1 10 б(о°{ . 5 0,5 1(30) 1(50) । = 1 150 200 D07 D035
HD4101 Ge 30 10 10 1 0,6(0) 20 1(10) 30 90A D07
HMG4I47 Si 30 10 10 10 1 6(0) 10 1(30) — — M208
HS1395 Si 30 10 10 10 6(0) 50 1,1(10) 75 175 A D07
SG9150 Si 30 10 10 1 10 10(0) 1 1(10) —1 150J D03S
Д311 Ge 30 so 50 10 1 1,5(5) 100 0,4(10) 40 70 8
AAY32 Ge 30 50 10 J 1,5(0) 70 1(110) 110 85J D07
КД 521Г Si 30 4 10 10 2 10(0) 1 1(50; 50 125 16
1N904 SI 30 4 10 5 1(0) 0,1 1(10) 150S Al
1N905A Si 30 4 10 5 l< 1(0) 0,1 1(20) 300 175 A Al
1N905AM Si 30 4 10 5 — 1(0) 0,1 1(20) A2
1N905M Si 30 4 10 5 1(0) 0,1 1(10) — A2
1N906A Si 30 4 10 5 —.. 2,5(0) 0,1 1(20) 300 175 Al
1N906AM Si 30 4 •10 5 2,5(0) 0,1 1(20) — A2
1N906M Si 30 4 10 5 2,5(0) 0,1 1(10) —- A2
1N907 SI 30 4 10 5 — 2,5(0) 0,1 1(10) — 150S Al
1N3067 Si 30 4 10 1 w— 4(0) 0,1 1(5) — 200S DOT
1S1219 Si 30 4 10 10 0,1 0,8(10) 100 175 D07
1S1220 Si 30 4 10 — 10 0,1 1(100) 300 175 DOT
1S1473 Si 30 4 10 10 — M 0,1 0,8(16) 100 125 D07
BAV54-30 Si 30 4 10 6 6 4(0) 1(10) 200 200J D035
BAW63A Si 30 4 10 5 4(0) 0,1 0,9(10) 175J M470
GP330 Si 30 4 10 6 1 3 0,05 1(300) 250 175 D035
HDS9010 Si 30 4 10 10 3(0) 0,1 1(10) 75 175A Al
HMG904 Si 30 4 10 5 1 10) 0,1 1(10) — •"4 M208-
HMG904A Si 30 4 10 5 1 1(0) 0,1 1 20) —- M20&
HMG907 Si 30 4 10 5 1 2,5(0) 0,1 1 10) r -—, M208
HMG907A Si 30 4 10 5 1 2.5(0) 0, 1 1(20) 1 M208
HMG3596 Si 30 4 10 10 1 HO) 0,1 1(30) — —-. M20&
HS9010 Si 30 4 10 — 10 3(0) 0,1 1(10) 75 D07
МС53 Si 30 4 10 6 1 4(0) 0,1 1(20) MW
МС905 Si 30 4 10 5 1 1(0) GJ 1(10) 175 A2
МС905А Si 30 4 10 5 1 1(0) 0,1 1(20) 175A A2
МС906 Si 30 4 10 5 1 2,5(0) 0,1 1(10) ' 175 A A2
МС906А Si 30 4 10 5 1 2,5(0) o.l 1(20) 175 A A2
МС5321 Si 30 4 10 6 —,• 4(0) 1 1(30) 100 125 A 243
MGD72 Si 30 4 10 — 10 4(0) 0,2 1(30) 220 200J D035
Продолжение
Обозначение прибора Мате- риал Уобр’ В ^вос’ He %• mA Uo6p- e ^обр' mA С , 11Ф Д 'обр и о<р max’ мкА ,В ^пр та** мА ( °г *тах* Корпус
SFD43 Si 30 4 10 6 4(0) 0,2 1,1(10) 150 200S —
SFD83 Si 30 4 10 6 4(0) 0,2 1,1(10) 75 175S D07
КД509А Si 50 4 10 10 2 4(0—0,05) 5 1,1(100) 100 120 13
1N903A Si 50 4 10 5 1 1(0) 0,1 1(20) 1(20) зоо 175 А А1
1N903AM Si 50 4 10 5 — 1(0) 0,1 — А2
1N903M Si 50 4 10 5 — 1(0) 0,1 1(Ю) —» А2
1N908A SI 50 4 10 5 1 2,5(0) 0.1 1(20) зоо 175А А1
1N908AM Si 50 4 10 5 — 2,5(0; 0,1 1(20) — — А2
1N3064 Si 50 4 10 — 10 2(0) 0,1 1(Ю) 75 200S А1
1N3600 SI 50 4 200 200 2,5(0) 0,1 1(200) - 150 А D07
1N3873 Si 50 4 10 10 4(0) 0,1 0,96(150) 150 175А D07
1N3873HR 1N3954 Si Si 50 50 4 4 10 10 — 10 200 4(0) 3,2(0) 5 0,1 1,1(150) 1(200) 150 175 А D07 D07
1N4306 Si SO 4 10 — 10 2(0) 0,С5 1(50) 75 150 А Ml 17
1N4307 SI 50 4 10 — 10 2(0) 0,05 1(50) 75 150А Ml 18
1N4454 Si 50 4 10 10 2(0) 0,1 1(10) 75 20CS Al
1N4532 Si 50 4 10 — 10 2(0) 0,1 1(Ю) 75 150А Al
ВАХ13 Si 50 4 10 6 10 3(0) 25 нА 0,7(2) 75 200J A257
ВАХ 1 ЗА Si 59 4 10 6 1 3(0) 0,025 0,7(2) 75 200J D035
ВАХ80 Si 50 4 10 6 1 4(0) 0,03 1(10) 150 200J D035
BAY38 Si 50 4 10 1 1 2(0) 0,05 1(50) 115 175 D07
BAY63 Si 50 4 10 10 4(0) ОД 1(100) 115 200J D07
BAY71 SI 50 4 10 10 2(0) 0,1 1(20) 75 175А D07
BAY74 SI 59 4 2oo - - 200 3(0) 0.1 1(200) 200 175А D07
BSA71 SI 50 4 10 5 1 2(0) 0,1 1(50) 100 150А Al
FD100 SI 50 4 10 iO 2(0) 0.1 1(Ю) 75 175А D07
GP350 Si 50 4 10 6 1 3(0) 0,05 1(300) 250 175 D035
HDS9009 Si 50 4 10 — 10 2(0) 0,1 1(20) 75 175А Al
HMG3600 Si 50 4 200 —~ 200 2,5(0) 0,1 1(200) — — M2U&
HMG3873 SI 50 4 10 10 1 4(0) 0,1 0,85(20) / M2Q8
HMG3954 Si 50 4 200 200 3.2(0) O.i 1(260) 1(200) M208
HMG4150 Si 50 4 200 —. 200 2,5(0) 0,1 — M2V8
HMG4322 Si 50 4 200 200 1,5(0) 0,1 1(200) — —— M208
HS90G9 SI 50 4 10 — 10 2(0) 0,1 1(20) 75 175A D07
1ТТ44 — 50 4 10 6 1 4(0) o.l 1(10) 75 200J A15
МА4303 Si 59 4 10 5 — 1.5(0) 0,03 1(10) 50 2O0A A2
МА.4304 Si 50 4 10 5 1 1,5(0) 0,03 1(10) 50 200A A2
MA43G5 Si 50 4 10 5 1 1,5(0) 0,03 1(10) 50 200A A2
МА4306 Si 50 4 16 5 1 1,5(0) 0,025 1(10) 1(150) 50 200A A2
МС58 Si 50 4 10 6 1 4(0) 0.05 -— — M4C9
MC1U3 Si 50 4 10 6 1 1(10) — —— Al
MC9J3 —( 50 4 10 5 1 1(0) 0,1 1(10) — 175A A2
МС903А Si 50 4 10 5 1 1(0) 0,1 1(20) — 175A A2
МС908 Si 50 4 10 5 1 2,5(0) o.l 1(10) — 175A A2
МС908А — 50 4 10 5 1 2,5(0) 0,1 1(20) — 175A A2
MHD616 SI 50 4 10 — 10 2(0) 0,1 0,85(10) 150 200 Al
SG5100 Si 50 4 10 6 1 4(0) 0,25 1(400) 250 175A D07
SG5250 Si 50 4 10 6 3 6(0) 0,025 0,9(100) 200 175 A D07
TMD50 si 50 4 10 6 3 4(0) 0,5 1(10) 20 150S A2
USA55I9I/1 Si 50 4 10 6 — 5(0) — 1(10) 50 150 M273
Д220 SI 50 500 30 30 0.4 15(5) —— 1,5(50) 50 mA 100 4
1N3121 Ge 50 500 30 35 " — 4(0) 150 1,1(150) 110 6OA Al
26Р1 Ge 50 500 30 35 0,75 — 50 2(20) — ‘— D07
HMG626A Si 50 509 30 35 — — 0,1 1,5(10) — — M208
РРХ50 — 50 500 1 30 — — 1,5(1) 1A 150 A31
КД521Б SI 60 4 10 10 2 10(0) 1 !(50) 50 125 16
BAW63 SI 60 4 10 5 — 4(0) 1 0,9(10) — 175J M470
GP360 LDD5 Si SI 60 60 4 4 10 10 6 6 1 1 3(0) 3(0) 0,05 0,05 1(300) 1(50) 250 75 175 159J E035 M401
LDD10 SI 60 4 10 6 1 3(0 0,05 1(50) 75 150 J ЛИО 1
LDD15 Si 60 4 10 6 1 3(0) 0,05 1(50) 75 1501 M401
LDD5O Si 60 4 10 6 1 3(0) 0.1 i(50) 75 150 J M401
МС59 Si 60 4 10 6 1 2,5(0) o,l 1(200) — — M4C9
MT7l5 si 60 4 10 6 1 3,5(0) 0,1 1(100) 200 175A A60
Обозначение присора Мате- риал %>- в ^BOC’ HC W mA 4?6p’ в ^обр’ mA
МСБ5 S1 60 3 10 6 1
MCPD521A Si 60 3 10 —— 0,2
MCPD521B Si 60 3 10 0,2
MCPD521G Si 60 3 10 — 0,2
D219A Si 70 500 30 30 0,4
DR482 Ge 70 400 25 35
IN 192 Ge 70 500 30 35 0,7
DR500 Ge 70 500 5 40 —
SG221 Si 70 500 20 40
Д312А Ge 75 500 50 iO 1
AAZ15 Ge 75 350 10 0 100
1N627A Si 75 500 30 3fi
1N777 Ge 75 500 30 40
PD127 ' Si 75 500 5 40 —
КД521А Si 75 4 10 Ю 2
1N914A Si 75 4 10 6 1
1N914B Si 75 4 10 6 1
1N914M SI 75 4 10 6 —
1N916A SI 75 4 10 6 1
1N916B Si 75 4 10 6 1
1N3063 Si 75 4 10 1 10
1N3064 Si 75 4 10 1 10
1N3064M Si 75 4 10 1 10
1N3065 Si 75 4 10 1 10
IN3604! Si 75 4 10 10
1N36061 Si 75 4 10 — 10
1N3607 SI 75 4 10 10
1N4148 Si 75 4 10 6 1
IN4149 Si 75 4 10 6 1
1N5151 Si 75 4 10 —“ 10
Продолжение
пФ Д ЛбрР« Чобр'тлх’ н .мкА (/ , в Пр’ max* мА "с max' Ксрпус
6(0) 0,1 1(200) .— М409
6(0) 0,1 1(200) — 150 А М411
6(0) 0,1 1(200) — 150А М411
6(0) 15(5) 0,1 1(200) — 150А М277
1 1(50) 500 100 7
15 1(100) — D07
1(0) 250 1(5) 30 90 А1
12 1(20) и- — D07
2(0) 0,25 1,5(30) 55 150 А А1
3(5) 2(0) 100 25 0,5(10) 0,45(10) 500 60 85J 22 D07
0,1 1,5(10) D07
10 125 1(100) 90А D07
2 5 1(100) 60 200А А2
№ 1 1(60) 500 125 15
0,025 1(20) 75 150 А А60
4(0) 0,025 1(100) 75 150 А А1
0,025 1(10) * - —
2(0) 0,025 1(20) 75 150А D07
2(0) 2(0) 0,025 0,1 1(30) 0,85(10) 150 200 200S D07 D07
2(0) 0,1 1(10) 200S D07
2(0) 0,1 1(10) 200S А2
1,5(0) 0,1 1(20) — 200S D07
2(0) 0,05 1(60) —— 200S D07
2(0) 0,05 0,55(0.1) и- 200S D07
2(0) 0,05 1(50) 200S М50
4(0) 0,025 1(10) 200S DuJb
0,025 0,05 1(Ю) 1(50) 200S 200S Do ЗЬ D035
1N4I53 Si 75 4 10 10 2(0) 0,05 0,88(20) 200S D035
1N43 )5 Si 75 4 10 —— 19 2(0) 0,1 0,85(10) — 2 90S D035
1N4446 Si 75 4 10 6 — 4(0) 0,025 1(2J) — 200S D035
1N4447 Si 75 4 10 6 — 2(0) 0,025 I (201 — 200S DO 35
1N4448 Si 75 J. 10 6 — 4(0) 0,025 1(100) — 200S D035
1N4449 Si 75 J. 10 6 — 2(0) 0,025 1(39) — 200S D035
1N4454 Si 75 10 10 2(0) 0,1 1(10) — 2 90S DO 35
1N4531 Si 75 J. 10 6 1 4(0) 0,025 1(10) — 200S Al
1N5318 Si 75 J. iO —. 10 2,5(0) 0,1 1(290) 125 159A D034
BAW62 Si 75 л 10 1 1 2(0) 0,025 1(109) 100 200J DO 36
BAX91OTF102 Si 75 A 10 10 3(0) 0,1 1(10) 50 175Л D035
BAX95TF630 Si 75 4 д 10 — 10 3(0) 0,1 1(200) 200 175 DO35
FD610 Si 75 7Г 200 200 2,5(0) 0,1 0,62(1) 200 150 A D07
FDN690 Si 75 Д 10 10 2,5(0) 0,1 1(200) 125 150A D034
HMQ3964 Si 75 и 10 Ю 1 2(0) 0, 1 1(10) M208
HMG3598 Si 75 4 Л 10 10 1 2(0) o.l 0,85(10) 1 M208
HMG4319 Si 75 4 j 10 6 1 1(0) 0,1 1(100) — _.та M208
HS9591 Si 75 4 10 10 4(0) 0,i 350 200A Al
HS9594 Si 75 4 10 —at 10 4(0) 0,1 250 200A Al
HS9597 Si 75 4 л 10 —at 10 4(0) 0,1 — 150 200A Al
1ТТЗЗ Si 75 4 j 10 6 1 4(0) 0,05 1(10) 75 20QJ Al
МА4307 Si 75 4 л 10 5 i 2(0) 0,05 1(39) 100 200J A2
MA43J8 Si 75 4 10 5 1 2(0) 0,05 K30) A2
МС52 Si 75 4 л 10 6 1 2(0) 0,1 0(10) — M409
МС433 Si 75 4 j 10 10 2(0) 0,05 1(60) — 175A A2
MGD73 Si 75 4 10 6 2(0) 0,4 1(10) 200 200J D035
MHD611 Si 75 4 10 6 1 4(0) 0,025 1(29) 150 200 Al
MHD612 Si 75 4 10 6 1 4(0) 0,025 1(100) 150 200 Al
MHD614 Si 75 4 10 6 i 2(0) 0,025 1(20) 150 200 Al
MHD515 Si 75 4 10 6 1 2(0) 0,025 1(30) 150 200 Al
ММС1001 Si 75 4 10 6 1 2(0) 0,05 0,92(70) 200S A188
ММС1002 Si 75 4 10 6 1 2(0) 0,05 0,95(70) 200S A188
ММС1003 Si 75 4 10 6 100 2(0) 0,05 1(70) 200S A188
ММС1004 SI 75 4 10 6 1 3(0) 0,05 1(150) — 200S A188
75 4 w 6 I Ж 0,05 1(70) — 200S A188
ММС1006 SI 75 1 4 10 6 1 4(0) 0,05 1(70) — 200S | A188
j 4
Обозначение прибора Мате- риал 4rip- в t ftrjC HC p- mA г
ММС10 7 Si 75 4 10 fi
SG520) S1 75 4 10 G
SG526) Si 75 4 100 €
ТН4148 Si 75 4 10
TMD914 Si 75 4 10 e
TMD916 Si 75 4 10 6
Д22иВ Si 100 500 30 з
1N662 SI 100 500 5 4
1N662A SI 100 500 5 4
1N663 SI 100 500 5 4
JAN1N663 Si 100 500 5 -
1N844 SI 100 500 30
HMG662 SI 100 500 5 4
HMG662A Si 100 500 5 4
HMG663 Si 100 500 5 4
JANIN663 Si 100 500 5 4
1N844 Si 100 500 30
DR402 Si 100 500 30 3
HMG662 Si 100 500 5 4
HMG662A Si 100 500 5 4
HMG663 SI 100 500 5 4
HMG664 Si 100 500 30
PD126 Si 100 500 5 4
RPX100 Si 100 500 1 3
РРХ100Л Si 100 500 1 3
Окончание
мА С„. пФ д 'сбр Г|1’и у - w>p max’ мкА U. в пр ^aptnax' мА «ал* ъ Корпус
1 4(0) 0,05 1,5(150) 200S Л188
1 4(0) 0,25 1(400) 250 175А D07
3 0(0) 0.025 0,0(100; 200 175А П07
10 4(0) 0,250 1(10) 200 175S М639
3 4(0) 5 1(Ю) 20 150S Л2
3 4(0) 5 1(10) 20 150S
0 0,4 15(5) 1 1 ,5(50; 500 100 4
0 — 3(0) 1 1(10) 40 150 А А!
0 — — — 1(100/ — •— А167
0 — 3(0) 5 1(100) — 150А А1
— — 3(0) 0,025 1(100) 100 150А А1
5 - — 0,1 1(200) -- — А1
0 - 3(0) 0,02 1(Ю) — — М2 8
0 — I 1(100) — — M2v8
0 — 3(0) 5 1(100) 150А Al
0 — 3(0) 0,025 1(100) 100 150А Al
5 — — 0.1 1(200) — — Al
5 — — — 5(20) — — Du7
0 — 3(0) 0,02 1(10) — — M2O8
0 — — 1 1(100) — — M208
0 — — 5 1(100) — — M208
5 — — 0.1 1(200) — 175 А A2
0 — 2(0) 0,02 1(10; 30 150 А A2
0 — — 3 1(1,5) 1Л 150 А A31
0 — 3 1,5< 1Л) 1Л 150А A31
4,2, Условные буквенные обозначения параметров днодов
Буквенное обозначена параметров Термин
отечественные зарубежные
Постоянное прямое напряжение
<4бр Постоянное обратное напряжение
Aip Постоянный прямой ток
А>бр A? Постоянный обратный ток
Cto( Общая емкость диода
Аос tyr Время восстановления обратного сопротив- ления
max Ur max Максимально допустимое постоянное об- ратное напряжение
Aip max f Fmax Максимально допустимый постоянный пря- мой ток
ст шг Допускаемый разброс значения напряжения стабилизации от номинального значения
i/ст Uz Напряжение стабилизации
Аут !z Ток стабилизации
Рта =c P 1 max Максимально допустимая рассеиваемая мощность стабилитрона
rCT rt Дифференциальное сопротивление стабили- трона
TKH °Wz(Sz) Температурный коэффициент напряжения стабилизации
231
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
АС 107 ГТ115А 38
АСН6 МП25А 48
АС117 ГТ402И 108
АС 121 МП20А 46
АС 122 ГТП5Г 40
АС 124 ГТ402И 108
АС 125 МП20Б! 44
АС 126 МП20Б 46
АС 127 ГТ4О4Б НО
АС 128 ГТ402И 108
АС132 МП20Б, 46
ГТ402Е 46
АС 138 ГТ402И 108
АС 139 ГТ402И 108
АС 141 ГТ404Б 112
АС141В ГТ404Б 112
АС 142 ГТ402И 108
АС 150 МГТ108Д 40
АС 152 ГТ402И 108
АС 160 П28 38
АС 170 МГТ108Г 40
АС 171 МГТ108Г 40
АС 176 ГТ404А 112
АС 181 Г1404Б 112
АС 182 МП20Б 46
АС 183 МП36А, 50
МП38А 50
АС 184 ГТ402И 108
АС 185 ГТ404Г 112
АС 187 ГТ404Б ПО
АС 188 ГГ4О2Е 108
АС54О МП39Б 42
АС541 МП39Б 42
АС542 МП39Б, 42
МП41А 42
ACY24 МП26Б 48
ACY33 ГТ402И 108
ad 1зо П217 142
ADI31 17217 142
AD 132 П217 142
AD 138 П216 142
AD 139 П213 140
AD 142 П210Б 146
AD 143 Г7210В 146
AD 145 П210В, 146
П216В 146
AD 148 ГТ703В 140
AD 149 ГТ7ОЗВ 140
AD 150 ГТ703Г 142
ADI 52 ГТ403Б ПО
AD155 ГТ403Е ПО
AD16I ГТ705Е 146
Зарубежный тип транзистор* Приближенный отечественный аналог Стр
ADI62 ГТ703Г 142
ADI63 П217 142
AD164 ГТ403Б ПО
AD169 ГТ403Е 110
AD262 П213 140
AD263 П214А 140
AD301 ГТ703П 142
AD302 П216 ’ 144
AD303 Г7217 144
AD304 П217 144
AD312 П216 144
AD313 П217) 144
AD3I4 П217, 144
ГТ701А 144
AD325 П217,. 146
ГТ701А 146
AD431 П213 140
AD436 П213 140
AD438 П214А 140
AD439 П215 140
AD457 П214А 140
AD465 П213Б 140
AD467 П214А [40
AD469 Г1215 140
AD542 П217, 144
ГТ701А 144
AD545 П21ПБ 146
AD1202 1721 ЗБ 138
AD1203 П214Б 138
ADP665 ГТ403Б ПС
ADP666 ГТ403Г по
ADP670 П201АЭ 138
ADP67I П201АЭ 138
* ADP672 П202Э 138
ADY27 ГТ703В] 142
AF106 П 3285 72
AFIG6A ГТ328В 72
AFI09R ГТ328А 72
AF1391 ГТ346Б 72
AF1781 ГТ309Б 64
AF200- П328А 72
AF201’ ГТ328А 72
AF202] ГТ328А 72
AF239 ГТ346А 72
AF239S ГТ346А 72
AF240 ГТ346Б 74
AF251 ГТ346А 74
AF252 ГТ346А 74
AF253 ГТ328А 72
AF256 ГТ328Б 72
AF260 П29А 52
AF261 ПЗО 52
232
Продолженив прилож. ?
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр
AF266 МП42Б, 50 AU11G ГТ8С6Д 148
МП20А 50 AUH3 ГТ810А 148
AF271 ГТ322В 62 AUY10 Г7698А, 112
AF272 ГТ322В 62 ГТ905А 112
AF275 ГТ3223 62 AUYI8 П214А 138
AF279 74 AUY19 П217 144
АР28^ 74 AUY20 17217 144
AF426 Г1322 Б 62 AUY21 П21-1Б 144
AF427 ГТ322Б 62 AUY21A П2ЮБ 146
AF428 ГТ322Б 62 AUY22 1721 ОБ (44
AF429 ГГ322Б 62 AUY22A П210Б 146
AF430 ГТ322В 62 AUY28 П217 144
AFYH ГГ313Л 70 AUY35 1 ГТ8С16Л 148
AFY12 Г 1'328Б 72 AUY38 ’ ГТ806В 148
AFYI3 ГТ305В 66 ВС 100 К1605А 120
AFY15 пзо 52 ВС 101 KT301F 78
AFY29 ГТ 30 5 Б 66 ВС Ю7 А КТ342А 92
AFZ11 ГТ309Б 64 BCI07AP KT3I02A 94
ALIOO ГТ8Э6В >48 ВС 107В КТ342Б 92
AL192 Г Г8(16В 148 ВС1О7ВР КТЗР12Б 94
AL1O3 ГТ806В >48 ВС108А КТ342А 92
ASXII МП42Б 48 BCI08AP КТЗЮ2В 94
ASX12 МП42Б 50 ВС108В КТ342В 92
ASY26 МП42А, 48 ВС108ВР КТ3102В 94
МП20А 48 ВС108С КТ342В 92
ASY3I МП42Л 50 ВС108СР КТ31О2Г 94
ASY33 ч? МП42Л, 50 ВСЮ9В КТ342Б 92
МП20А 50 ВС109ВР КТ3102Д 94
ASY34 МП42А 50 ВС109С КТ342В 92
МП20А 50 вс 1 оэср KT3102F 94
ASY35 МП42Б, 50 ВС140 КТ630Г 116
МП20.Л 50 ВС141 КТ630Г 116
ASY7O М7742 48 вс 147 А КТ373Д 100
ASY76 ГТ403Г НО ВС 147В КТ373Б 100
ASY77 ГТ403Г 110 ВС 148 А КТ373А 100
ASY80 ГТ403Б но BCI48B ктзтзб 100
ASZ15' П217А, 142 ВС148С КТ373В 100
ГТ701А - 142 ВС 149В КТ373Б 100
ASZI6 П217А 142 BCI49C КТ373В 100
ASZ17 П217А 142 ВС 157 К1361Г 86
ASZ18 Г1217В. 142 Вс 158 А К7 349В 102
ГТ701А 142 ВС169-6 КТ933Б 166
ASZ1015 П217В 144 BCI61-6 КТ933А 166
ASZ1016 П217В 144 Вс 167А к 1373А 98
ASZ1017 П217В 144 вс167В КТ373Б 98
ASZI018 П217В 144 ВС168А КТ 37 ЗА 98
АТ270 МП41Б, 50 ВС 168В КТ373Б 98
МП20А 50 ВС168С КТ373В 98
АТ275 МП42Б, 50 BCI69B К Г373Б 98
МП20А 50 ВС169С К1373В 98
AU103 ГТ810А 148 ВС 170 А КТ375Б 82
AU104 ГГ810А 148 ВС 170В КТ375Б 82
А1Л07 ГТ810А 148 BCI7IA к 1373А 98
AU 108 ГТ8О6Б 148 ВС 171В КТ373Б 98
233
Продолжение прилож. 1
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр Зарубежный тип _ Транзистора Приближенный отечественный аналог | Стр.
ВС 172 А КТ373 А 98 ВСЗ^С КТ3107К 96
ВС 172В КТ373Б 98 ВС339В КТ3107Ж 96
ВС172С КТ373В 98 ВС309С КТ 3107 Л 96
ВС173В КТ373Б 98 BC32JA КТ3107Б 98
ВС 1730 КТ373В 98 ВС 32 и В КТ3107Д 98
ВС 177 АР KT3W7A 96 ВС321А КТ3107Б 98
BCI77VIP КТ3107Б 96 ВС321В КТ3107И 98
ВС 178 А КГ349В 102 ВС321С КТ3107К 98
ВС 178 АР KT3107B 96 ВС322В КТ3107Ж 98
ВС178ВР КТ31О7Д 96 ВС322С КТ3107Л 98
BC178VIP КП 107В 96 ВС355 КТ352Б 84
ВС179ЛР КГ31О7Е 96 ВС355А КТ352А 84
ВС179ВР К13107Ж 96 ВС382В КТ3102Б 94
ВС 182 А КТ3102А 92 ВС382С КТ31О2Г 94
ВС 182В КТ3102В 92 ВС 383В КТ3102Д 94
ВС182С КГЗ/02Б 92 ВС383С КТ3102Е 94
ВС183А КТ3102А 92 ВС 384В КТ3102Д - 94
ВС 183В КТ31С2Б 92 ВС384С КТ3102Е 94
BCI83C КТ3102Б, 92 ВС 45/ KT3I02B 94
КТ3102Д ВС452 КТ3102Б 94
ВС 184 А КТ3102Г 94 ВС453 КТ3102Д 94
ВС 184В КТЗЮ2Д 91 ВС454А КТ3107Б 96
ВС192 КТ351Б 84 ВС454В КТ3107И 96
ВС212А KT3I07A 96 ВС454С КТ3107К 96
ВС212В К13107И 96 ВС455А КТ3107Г 96
ВС212С KT3I07K 96 ВС455В КТ3107Д 96
BC2I3A КГ3107Б 96 ВС455С KT3I07K 96
ВС213В КТ3107И 96 ВС456А КТЗЮ7Е 96
ВС213С КТЗЮ7К 96 ВС456В КТ3107Ж 96
ВС216 КТ351А 84 ВС456С КТ3107Л 96
ВС216Л КТ351А 84 ВС513 КТ345А 84
ВС218] К Г340Б 88 ЕС 527 КТ644Б 84
ВС218А КТ34СБ 88 КТ644А 84
ВС226 КТ351Б 84 ВС528 КТ644А 84
ВС226А КТ351Б 84 ВС547А КТ3102А 94
ВС234 КТ342Б 92 ВС547В КТ3102Б 94
ВС234А КТ342А 92 ВС547С КТ3102Г 94
ВС235 КТ342Б 92 ВС548А КТ31О2А 94
ВС235А КТ342Б 92 ВС 548В KT3I02B 94
ВС237Л KT3I02A 92 ВС548С КТ31О2Г 94
ВС237В КТ3102Б 92 ВС549А КТЗЮ2Д 94
ВС238А КТ3102А, 92 ВС549В КТ3102Д 94
КТ3102В 92 ВС549С КТ3102Е 94
ВС238В КТ3102В 94 ВС557 КТ361Д 86
ВС238С КТ3102Г 94 ВСР627А КТ373А 98
ВС239В КТ3102Д 94 ВСР627В КТ373Б 98
ВС239С КТ3102Е 94 ВСР627С КГ373В 98
ВС250А КТ 361А 86 ВСР628А КТ373А 98
ВС259В К736Ш 86 ВСР628В КТ373Б 98
ВС285 П308 176 ВСР628С КТ373В] 98
ВС300 КТ630Б 16 BCW47 КТ373А ЮО
ВС307А KT3I07A 96 BCW48 КТ373Б, 100
BC3Q7B КТЗЮ7Б 96 КТ373В 100
ВС308А КТЗЮ7И 96 BCW49 К1373Б, 100
ВСЗС8В КТ3107Г 96 кт373В 100
234
П род о л ж с. hup при.юж. 1
Зарубежный тин транзистора Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
BCW57 КТ361Г 86 BD175 КТ817Б 160
BCW58 KT36IE 86 BDI76 КТ816Б 158
BCW62A ктзб1г 86 BD177 КТ817В 160
BCW63A КТ361Г 86 BD178 КТ816В 158
BCY10 КТ208Е 56 BDI79 КТ817Г 160
BCY11 —12 КТ208Д 56 BD180 Ю816Г 158
BCY30 КТ2С8Л 58 BD181 КГ819БМ 162
BCY31 КТ208М 58 BD182 КТ819ВМ 162
BCY32 КТ208М 58 BD183 КТ819ГМ 162
BCY33 . КТ208Г 58 BD201 КТ819В 162
BCY34 КТ2С8Г 58 BD202 КТ818Б 160
BCY38 КТ501Д 60 BD203 КТ819Г 162
BCY39 КТ501М 60 BD204 КТ818В 160
BCY4J КТ501Д 60 BD216 КТ8ЛА 170
BCY42 КТ312Б 78 BD223 КТ837Н 168
BCY43 КТ312В 78 BD224 КТ837Ф 168
BCY54 КТ501К 60 BD225 КТ837С 168
BCY56 КТ312В 78 BD226 КТ943А 170
BCY58A КТ342А 92 BD227 КТ639Б 130
BCY58B КТ342Б 92 BD228 К 1'943 Б 170
BCY58C КТ342Б 92 BD229 КТ639Д 130
BCY58D КТ342В 92 BD230 КТ943В 170
BCY69 КТ342В 92 BD233 КТ817Б 160
BCY9O КТ208Е 56 BD234 КТ816Б 158
BCY9OB КТ501Г 60 BD235 КТ817В 160
BCY9I КТ208Е 56 BD236 КТ816В 158
BCY91B КТ501Г 60 BD237 КТ817Г 160
BCY92 КТ208Е 56 BD238 КТ816Г 158
BCY92B КТ501Д 60 BD239 КТ817В 160
BCY93 КТ208К 56 BD239A КТ817В 160
BCY93B КТ501Л 60 BD239B КТ817Г 160
BCY94 КТ208К 56 BD240 КТ816В 158
BCY94B КТ501Л 60 BD240A КТ816В 158
BCY95 КТ208К 56 BD240B КТ816Г 158
BCY95B КГ501М 60 BD253 КТ8ЛА 170
BDIG9 КТ805Б 152 BD291 КТ819А 162
BD121 КТ902А 186 BD292 КТ818А 160
BD123 КТ9С2А, 186 BD293 КТ819Б 162
КТ805Б 186 BD294 КТ818Б 160
BD131 КТ943В 170 BD295 КТ819В 164
ВП135-6 КТ943А 170 BD296 KT8I8B 160
BD136 КТ626А 136 BD375 КТ943А 170
BD137-6 КТ943Б 170 BD377 КТ943Б 170
BD138 КТ626Б 136 BD379 КТ943В 170
BD139-6 КТ943В 170 BD386 КТ644Б 128
BD140 КТ626В 136 BD433 KT8I7A 158
ВВ148 КТ805Б 154 BD434 КТ816А 158
BD149 КТ8С5Б 154 BD435 КТ817А 158
BD165 КТ815А 156 BD436 КТ816А 158
BD166 КТ814Б 156 BD437 КТ817Б 158
BD167 КТ815Б 156 BD438 КТ816Б 158
BD168 KT8I4B 156 BD439 КТ817В 160
BD169 КТ815В 158 BD440 KT8I6B 158
BD170 КТ814Г 156 BD44I КТ817Г 160
235
Продолжение прилож. 1
Зарубежный тип транзистора Приближенны^'* отечественный аналог Стр, Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр,
BD442 КТ816Г 158 BDX91 КТ819БЛ1 164
ВЕЛИ КТ817А 160 BDX92 КТ818БМ 160
BD612 KT8I6A 158 BDX93 KT8I9BM 164
BD613 KT8I7A 160 BDX94 КТ818ВМ 160
BD6I4 КТ816А 158 BDX95 КТ819ГМ 164
BD615 КТ817Б 160 BDX96 КГ818ГМ 162
BD616 КТ816Б 158 BDY12 КТ8С5Б 154
BDG17 КТ817В 160 BOY 13 КТ895Б 154
BD6I8 КТ816В 158 BDY23 КТ803Л 174
BD6I9 КГ817Г 160 BDY24 КТ8Г’8А 172
BD620 КГ816Г 158 BDY25 КТ812В 178
BD813 КТ815А 158 BDY72 КТ8Г5А 154
BD8I4 K18L4A 156 BDY78 KT805I3 154
BD815 КТ815В 158 BDY79 К18 5 А 154
BD816 KI8I4B 156 BPY90 КТ945А. 178
BD817 КТ815В 158 BDY9L КТ945Л, 178
BD818 КТ814Г 156 BDY92 KT9J8A, ' 176
BD825 КТ646А 130 BDY93 КТ812А, 176
BD826 КТ639Б 130 BDY94 КТ812А, 176
BD827 КТ646А 130 КТ704Б 152
BD828 КТ639Д 130 BDY95 К1704Б 152
BD840 КТ639В 130 BF111 КТ611А 126
BD842 КТ639Д 130 BFJ14 КТ611Г \ 126
BD933 КТ817Б 160 BF137 КТ6ЦГ 126
BD934 КТ816Б 158 BF140A ктоив 128
BD935 КТ817В 160 BFI73 КТ339В 80
BD936 КТ816В 158 BF177 КТ6Г>2А 134
BD937 КТ817Г 150 BF178 КТ6ПГ 126
BD938 КТ816Г 158 BF179B КТ611Б 126
BD944 КТ837Ф 168 BF179C КТ618А 120
BD946 КТ837Ф 168 BF186 КТ611Г 128
BD948 КТ837Ф 168 BF197 КТ339Г 80
BD949 КТ819Б 164 BF199 КТ339АМ 80
BD959 КТ818Б 162 BF208 КТ339А 80
BD951 КТ819В 164 BF223 КТ339В 80
BD952 КТ818В 162 BF24O KT3I2B 78
BD953 КТ819Г 162 BF257 КТ611Г 126
BD9E4 КТ818Г 162 BF258 КТ604Б 124
BPT9I KI8J9B 164 BF259 КТ604Б 124
BDT92 КТ818Б 160 BF273 КТ339Л 80
BDT93 КТ819В 164 BF291 КТ611Г 128
BD194 КТ818В 160 BF297 КТ 940В 134
BDT95 КТ819Г 164 BF298 КТ94ОБ 134
BDT96 К1818Г 160 BF299 КТ94оА 134
BDV9I КТ819Б 164 BF305 КТ611Г 126
BDV92 КТ818Б 160 BF306 КТ339В 80
BDV93 KT8I9B 164 BF311 КТ339В 80
BDV94 KT8I8B 160 BF336 КТ611Г 126
BDV95 КТ819Г 164 BF337 КТ604Б 124
BDV96 КТ818Г 160 BF338 КТ604Б 124
BDX25 KT8'j5. 154 BF419 КТ940А 134
КТ8:8А 154 BF457 КТ940В 132
BDX77 КТ819Г 162 BF458 КТ940Б 132
BDX78 КТ818Г 160 BF459 КТ940А 132
236
/ родол же ние прилож. 1
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный ана чог С гр.
BF469 КТ940Б 132 BLY48A КТ808А 172
BF471 КТ6О5БМ, 120 BLY49 КТ809А 170
КТ940А 120 BLY49A КТ809А 170
BF615 КТ940Б 134 BLY50 КГ609А 170
BF6I7 КТ940А 134 BLY50A КТ809А 170
BFJ57 КТ602Б 134 BLY63 КТ920Г 182
BFJ7O КТ339В 80 BLY88A КТ920Г 182
BFJ93 КТ342Б 92 BSJ36 КТ351Б 84
BFJ98 КТ611Г 128 BSJ63 КТ340Б 88
BFPI77 КТ611В 126 BSV49A КТ351Б 84
BFP178 ктбиг 126 BSW19 КТ343Б 102
BFP179A ктбпг 128 BSW20 КТ361Г 86
BFPI79B КТ611Б 128 BSW21’ КТ343Б 102
BFP179C КТ618А 120 BSW27 КТ928А 132
BFP719 КТ315А 80 BSW36 К'1603Б 120
BFP720 КТ315Б 80 BSW41 КТ616Л 120
BFP721 КТ315В 80 BSW88A КТ375Б 82
BFP722 КТ315Г 80 BSX21 П308 7G
BFR34 КТ372Б 106 BSX38A КТ340А 8G
BFR34A КТ372Б 106 BSX5I КТ340В 88
BFW16 КТ610А 180 BSX52 КТ340В 88
BFW46 КТ611Г 126 BSX53A КТ340А 88
BFW89 КГ351Б 84 BSX59 КТ928А 132
BFW90 КТ351Б 84 BSX60 КТ928А 132
BFW91 КТ351Б 84 BSX61 КТ928А 132
BFXI2 КТ326А 104 BSX62 КТ801Б 150
BFX13 КТ326Б 104 BSX63 КТ801А 150
BFX44 КТ340В 88 BSX66 Ктзоед, 90
BFX73 КТ368А 104 КТ306А 90
BFX89 КТ355А 106 BSX67 КТ306Д, 90
BFX94 КТЗП7А 100 КТ306А 90
BFY19 КТ326Б 104 BSX80 К1375Б 82
BPY34 КТ630Г 118 BSX81A КТ375Б 82
BFY45 КТ6ПГ 126 BSX89 КТ616А 120
BFY46 ктезод 118 BSX97 КТ3117А 100
BFY50 КТ630Г 116 BSXP59 КТ928А 132
BFY5I КТ630Д 116 BSXP60 КТ928А 132
BFY52 ктезод 116 BSXP61 КТ928А 132
BFY53 ктезод 118 BSXP87 КТ340В 88
BFY55 КТ630Г 118 BSY17 КТ616Б 122
BFY56 КТ630Г 116 BSY18 КТ616Б 122
BFY56A ктбзог 118 BSY26 КТ340В 88
BFY65 КТ611Г 126 BSY27 КТ340В 88
BFY66 КТ355А 106 BSY34 КТ608А 124
BFY78 КТ368А 104 BSY38 КТ340В 8G
BFY80 П308, 7G BSY39 КТ340Б 86
КТ601А 76 BSY40 КТ343А 102
BLWI81 КТ920Б 182 BSY41 КТ343Б 102
BLW24 КТ922Г 182 BSY58 КТ608Л 124
BLX92 КТО 1 ЗА 184 BSY62 КТ616Б 122
BLX93 КТ913Б 184 BSY72 КТ352А 84
BLY47 КТ808А 172 BSY73 КТ312Б 78
BLY47A КТ808А 172 BSY95 КТ340В 86
BLY48 КТ808А 172 BSY95A КТ340В 88
237
fl родолжение прилйж. /
Зарубежный тип транзистор*! Приближенный отечественный аналог С гр. Зарубежный тип граизмстора Приближенный отечественный аналог С гр
BSYP62 К1340В 88 EFT343 МП21Д 44
BSYP83 КГ340В 88 GC100 ГТ169А 38
BS2I0 КТ104Б 54 GC101 ГТ109А 38
BSZ! I KI 104Б 54 GC1I2 МГ126А 48
BSZI2 КТ203А 54 GCH6 МГТЮ8Д 40
BG106 КТ812Б 176 GC1I7 МГТ108Д 40
BU108 КТ839А 178 GC118 МГТ108Д 40
BU120 КТ809А 170 GC121 ЛШ20А, 46
BU123 КТ802А 174 МП39Б
ВЫ 26 КТ828А, 178 GC122 МП20А 46
КТ7О4Б 152 GC123 МП21Г 46
BU129 КТ809А 170 GC500 ГТ4 «2Д 108
BU132 КТ704А 152 GC501 ГТ402Е 108
BU133 КТ828А, 178 GC502 ГТ412И 108
КТ704Б 152 GC507 МП20А 44
BU204 КТ838А 166 GC508 МП20Б 44
BL205 КТ838А 166 GC509 МП21Г 46
BL207 К Г838А 166 GC5I0K ГТ403Е 110
BU2o7A КТ838А 166 GC512K ГТ403Е 110
BU208 КТ838А 166 GC515 МП20А 46
BL’326 КТ828А 178 GC516 МП20А 46
BL326A КТ828А 178 GC517 МП20Б 46
BUX82 К1828А 178 GC518 МП20Б 46
BUX83 КТ828А 178 GC519 МП20Б 46
BLY43 П702 154 GG525 МП36А, 50
BLY46 П702А 154 МП35А 50
BUY55 КТ808А 172 GC526 МП36А, 50
BUYP52 КГ8о2А 174 МП37А 50
BLYP53 КТ802А 174 GC527 МП36А, 50
BUYP54 КТ802А 174 МП38А 50
D41D1 К1626А 136 GCN55 МП20А 46
D41D4 К7626Б 136 GCN56 МГ721Г 46
D41D7 КТ626В 136 GD160 П213Б 140
EFT212 П216 144 GD170 П213Б 140
EFT213 П216 144 GD175 П213Б 140
EFT214 П217 144 GDI 80 П214А 140
ЕЕТ250 П217 144 GD240 П213 140
EFT306 Ml 140 42 GD241 П213 140
EFT307 МП40 42 GD242 П214А 140
EFT308 КТ208Б 56 GD243 П214А 140
EFT311 МП20А 46 GD244 П215 140
EFT3I2 МП20А 46 GD607 ГТ404Г 112
EFT3I3 МП20Б 48 GD608 ГТ404Б 112
EFT317 П401 68 GD609 ГТ404Б 112
EFT3I9 П401 68 GD617 П201АЭ 138
EFT320 П401 68 GD618 П201АЭ 138
EFT321 МП20А 48 GD619 П203Э 138
EFT322 МП20А 48 GF 126 ГТ309Г 66
EFT323 МП20Б 48 GF 128 ГТ309Б 66
EFT331 МП20А 44 GF130 ГТ309Д 66
EFT332 МП2оА 44 GF 145 ГТ346А 74
EFT333 МП20Б 44 GF 147 ГТ346А 74
EFT341 М1121Д 44 GF501 ГТ313Б 70
EFT342 МП21Д 44 GF5O2 . ГТ313А 70
238
11 родолжение прилйж. 1
Зарубежный тчп транзистора Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный внапог Стр,
GF503 ГТ313Б 70 ММ3375 КТ904Б 180
GF5Q4 ГТ313А 70 MPS404 КТ209Е 58
GF505 ГТ328Б 72 MPS404A КТ209К 58
GF506 ГТ328Б 72 MPS706 КТ375Б 82
GF5J7 ГТ346Б 74 MPS706A КТ375Б 82
GF514 ГТ322А, 62 MPS3638 КТ351А 84
ГТ313Б 62 MPS3638A КТ351Л 84
GF515 ГТ322А 62 MPS3639 КТ357Л 102
GF516 ГТ322А 62 MPS3640 КТ347Б 104
GF517 ГТ322Б 62 MPS37O5 КТ646А 130
GFY50 ГТ322Б 62 MPS653O КТ645А 130
GS109 МП42А 50 MPS6532 КТ645А 130
GS11I МП42Б* 50 MPS6562 КТ350А 82
GS112 МП25А" 48 MPS6563 КТ350А 82
КС 147 КТ373А, 100 MPSH37 КТ339АМ 82
КТ373Б 100 MPSL07 КТ363А 106
КС 148 КТ373А, 100 MPSL08 КТ363А 106
КТ373Б 100 MPSU0I КТ807Б 150
КС 149 КТ373Б, 100 MPSU01A КТ807Б 152
- КТ373В ЮО MPSUO5 КТ807Б 152
КС5О7 КТ342Б 92 MPSU06 КТ807Б 152
КС508 КТ342Б 92 MPSG07 КТ807А 152
КС509 КТ342Б 92 MPSL5I КТ626А 136
KD601 КТ803А 174 MPSU5IA КТ626А 136
KD602 КТ808А 172 MPSL55 КТ626Б 136
KF173 КТ339В 80 MPSL56 КТ626Б 136
KF503 КТ602Б 134 MSA7505 К1907А 182
KF504 КТ611Г 126 NE1010E-28 КТ913Б 184
№77 KT6I7A 122 NKT11 МГТ108Г 40
KSY21 КТ616Б 122 NKT73 МГТ108Б 40
KSY34 КТ608А 124 ОС25 П216 144
KSY62 КТ616Б 122 ОС26 ГТ703Д 142
KSY63 КТ616Б 122 ОС27 ГТ703Г 142
KSY81 КТ347Б 104 ОС28 П217 146
кс 601 КТ801Б 150 осзо П201Э 138
KU602 КТ801А 150 ОС35 П217 146
КС605 КТ812В 176’ ОС41 П29 52
KU6G6 КТ808А 172 ОС42 П29А 52
KU607 КТ812В 178 ОС57 ГТ109А 38
KU611 КТ801Б 150 ОС58 ГТ109Б 38
KU612 КТ801А 150 ОС59 ГТ109В 38
KUY12 KT8I2B 178 ОС60 ГТ109В 38
Л1А909 МП26А 48 ОС70 МП40А 42
МА910 МП26А 48 ОС71 . МГ740А 42
MJ420 КТ618А 120 ОС75 МГ740А, 42
MJ480 КТ803А 174 МП41А 42
MJ48L КТ8ОЗА 174 ОС76 МП40А 42
MJ3480 КТ839А 178 ОС77 МП26Б 48
MJE3055 КТ819Б 162 ОС 169 ГТ322В 62
ММ404 МП42Б 48 ОС 170 ГТЭ09Г, 64
ММ 1748 КТ316А 90 ГТ322Б 64
MM3G00 КТ602А 136 OCI7! ГТ309Г 64
ММ3001 КТ6О2Б, 136 ОС200 КТЮ4Г 54
ктбив 136 ОС201 КТЮ4Б 54
239
Продолжение ирилож, 1
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечестве нный аналог Стр.
ОС202 К 1’104В 54
ОС203 КТ203А 56
ОС 204 КТ208Г 56
ОС205 КТ208Л 58
ОС206 КТ208Г 56
ОС207 КТ208А 56
ОСЮ16 ГТ703В, 142
ОС 1044 ГТ109Е 83
ОС1045 ГТ109Д 83
ОС 1070 МП40А 42
ОС 1071 МП40А, 42
МГ739Б 42
ОС 1072 МП41А, 42
МП39Б 42
ОС 1074 МП20А’ 46
ОС 1075 Л1П41А, 42
МП39Б 42
ОС 1076 МП42Б, 48
МП20А 48
ОС 1077 МП21Г 46
ОС 1079 МП20А 46
РВС107А КТ373А 98
РВС107В КТ373Б 98
РВСЮ8А КТ373А 98
РВС108В КТ373Б 98
РВС108С КТ373В 98
РВСЮ9В КТ373Б 98
PBCI09C КТ373В 98
РТ6670 КТ909Г 184
РТ668О КТ909В 184
RFD401 КТ606Б 180
RFD410 КТ913А 184
PFD42O КТ913Б 184
RFD421 КТ904А 180
SC206D К1373А 98
SC206E К1373Б 98
SC206F КТ373В 98
SC207D КТ373Л 98
SC207E КТ373Б 98
SC207F КТ373В 98
SDT3207 КТ908Б 176
SDT3208 КТ908А 176
SDT7012 КТ908Б 176
SDT7O13 КТ908А 176
SF211 КТ617А 122
SF22 KT6J7A 122
SF23 КТ608А —-
SF121A КТ617А 122
SF121B КТ617В 122
SFI22A KT6I7A 122
SF122B КТ617А 122
SF123A КТ602В 134
SFI23B КТ602Г 134
SF123C КТ602Г 134
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр,
SF126A КТ617А 122
SFI26B КТ617А 122
SF126C КТ617А 122
SFI31E КТЗЮ2В 94
SFI3IF КТЗЮ2Г 94
SFJ32E КТ3102Б 94
SF132F КТ3162Г 94
SF136D КТ342А 92
SF136E КТ342Б 92
SF136F КТ342В 92
SF137D КТ342А 92
SFI37E КТ342Б 92
SFI37F КТ342В 92
SF150B КТ611Г 128
SFI5CC КТ6ПГ 128
SF215C КТ375Б, 82
КТ373А 82
SF215D КТ375Л 82
SF215E КТ375Б 82
SF2I6C КТ375А, 82
КТ373Г 82
SF216D КТ373А, 82
КТ375Б 82
SF216E КТ373Б, 82
КТ375Б 82
SFT124 KT50IE 60
SFT 125 КТ501Е 60
SFT13O КТ501Е 60
SFTI3I KT50IE 60
SFT143-146 КТ501К 60
SFT163] П423 68
SFT187 КТ602А 134
SFT212 ГТ703Г 142
SFT213 ГТ703Г 142
SFT2I4 П217 144
SFT223 МП20Б 46
SFT238 П216] 144
SFT239 П217 144
SPT240. П217 144
SFT25O П217, 144
Г1701А 144
SFT25I МП20А, 44
МП39Б 46
SFT252 МП20А, 44
МП39Б 46
SFT253 МГ720А, 44
МП39Б 46
SFT306j МП39Б 42
SFT307 КТ208В 56
SFT308 КТ208В 56
SFT3I6 П422 66
SFT319 П4161 68
SFT320 П416 68
SFT321 МП2ЭА 46
240
Продолжение прилож. 1
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
SFT322 SFT323 SFT325 SFT351 SFT352 SFT353 SFT354 SFT357 SFT358 SFT377 SSI06 SSIO8 SSIG9 SS120 SSI25 SS126 SS216 SS218 SS219 Т241 Т242 Т243 Т316Н Т317 Т319 Т320 T32IN T322N T323N Т354Н Т357Н Т358Н ТСН98 ТСН98В ГСН99 ТСН99В TG2 TG3A’ TG3F TG4 TG5 TG5E ТС50: TG5I TG52 TG53 TG55 МП20Б1 Л1П23Б* ГТ402И МП39Б МП39Б МГТ39Б П422 П422 П423 ГТ404Ж КТ340В КТ340В КТ340В КТ608А KTG17A КТ608А КТ375Б, КТ340 КТ375Б, КТ340 КТ375Б, КТ340 МП20А МП21В МП21Г П402. П416А П401 П401 П401 МП38 МП37А МП37Б МП38А П403 П416А П4ОЗА П403 КТ2и8Е KT60IK КТ2О8К КТ5Э1М МГТ108А МГТ108В МГТ108Г МГТЮ8А гтибб; ГТП5А, П27 МП20А МП21Г МП20А МП20А МП20А 46 46 108 42 42 42 66 66 68 112 88 88 88 124 82 82 82 82 82 82 46 46 46 68 68 68 68 68 50 50 50 50 68 68 68 68 56 60 56 60 40 40 40 40 38 40 40 46 46 46 46 46 TIP29 TIP29A Т1Р29В TIP29C TIP30 Т1Р30А TIP30B Т1рзос Т1Р31 TIP31A TIP3IB TIP3IC Т1Р32 TIP32A Т1Р32В TIP32C TIP4I Т1Р41А TIP4IB TIP4IC T1P6I TIP61A TIP61B Т1Р61С TIP62 TIP62A Т1Р62В TIP62C TIXMI0I TIXM103 Т1ХМ104 Т1X3024 ZT2475 ' 2SA49 2SA50 2SA52 2SA53] 2SA58 2SA60 2SA69 2SA70 2SA71 2SA72 2SA73 2SA78 2SA92 2SA93 2SA101 2SA102 2SA1O3 2SA104 2SA105 2SAIC6 2SA1O7 KT8I5A КТ815Б КТ815В КТ815Г KT8I4A КТ814Б КТ814В КТ814Г KT8I7A КТ817Б КТ817В КТ817Г KT8I6A КТ816Б KT8I6B КТ816Г КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г KT8I5A КТ815Б КТ815В КТ815Г KT8I4A КТ814Б КТ814В КТ814Г ГТ341А ГТ362А ГТ341В ГТ341Б KT3I6E ГТ109Е ПЗО ГТ1С9Е ГТ1О9Д ГТ322Б ГТ322Б ГТ309Е ГТ309Е ГТЗО9Е ГТ322В ГТ322В ГТ321Д ГТ322Б ГТ322В ГТ322В ГТ322В ГТ322В ГТ322Б ГТ310Е ГТ31ОЕ ГТ310Д 158 158 158 158 156 156 156 156 160 160 160 160 158 158 158 158 164 164 164 164 158 158 158 158 156 156 156 156 76 76 76 76 90 38 52 38 38 64 64 66 66 66 62 64 70 64 64 62 62 62 62 60 60 60
16—136
241
ttp одолжение прилОЖ, 1
Зарубежный тип транзистора Прибл нженный отечественный аналог Стр.
2SA108 П422 66
2SA109 П422 66
2SA110 П422‘ 66
2SAI11 П422 66
2SA112 П422 66
2SA116 ГТ310В 60
2SAU7 ГТ310Д 62
2SAI18 ГТЗЮД 62
2SA219 ГТ322В 62
2SA221 ГТ322Б 62
2SA223 ГГ322В 62
2SA229 ГТ313А 72
2SA230 ГТЗ 1 ЗА 72
2SA234 ГТ309Б 64
2SA235 ГТ309Б 64
2SA236 ГТ322В 64
2SA237 ГТ 322В 64
2SA246 ГТ305В 66
2SA254 ГТЮ9Е 38
2SA255 ГТ109Д 38
2SA256 ГТ322Б 62
2SA257 ГТ322В 62
2SA258 ГТ322В 62
2SA259 ГТ322В 62
2SA260 ГТ310А 62
2SA266 ГТ309Г 64
2SA 67 ГТ309Г 64
2SA268 гтзоад 64
2SA269 ГТ309Д 64
2SA270 ГТ309Г 64
2SA271 ГТ309Г1 64
2SA272 ГТ309А 64
2SB279 П416Б, 68
ГТ305Б 68
2SA285 ГТЗ 2Б 64
2SA286 ГТ322Б 64
2SA287 ГТ322Б 64
2SA321 ГТ322В 62
2SA322 ГТ322В 62
2SA338 ГТ322В 62
2SA339 ГТ322Б 62
2SA340 ГТ322Б 62
2SA341 ГТ322Б 62
2SA342 ГГ322Б 62
2SA343 ГТ309Б 64
2SA350 П422 66
2SA351 П422 66
2SA352 П422 66
2SA354 П422 66
2SA355 П422] 66
2SA374 П609А 112
2SA400 ГТЗО9Г 64
2SA412 ГТ308Б 68
2SA416 П605А 112
Зарубежный тип транзистора Прнблю-ениый отечественный аналог Сгр.
2SA422 ГТ346Б 74
2SA440 ГТЗ 1 ЗА 72
2SA467 КТ351Б 84
2SA494G КТ349В 102
2SA495 КТ357Г 102
2SA495G КТ357Г 102
2SA496 КТ639Б - 130
2SA500 КТ352А 84
2SA504 КТ933А 166
2SA505 КТ639Д 103
2SA522 КТ326Б 104
2SA555 КТ361Г 86
2SA556 КТ361Е 86
2SA559 КТ352А 84
2SA561 КТ3107Д, 96
KT3I07K 96
2SA564A КТ3107И 96
2SA568 КТ345В 84
2SA6U3 К.Т313Б 100
2SA628 КТ357Г 102
2SA640 КТ3107К, и 96
2SA641 КТ3107Л 96
2SA718 КТ313Б 100
2SA733 КТ3107И 96
2SA750 КТ3107К 96
2SA999 КТ3107И 98
2SA999L КТ3107И 98
2SA10I5 КТ3107Б 96
2SA1O9O КТ313Б 100
2SB32 МП39А 42
2SB33 МП41А 42
2SB37 МП41А 42
2SB39 ГТ115А 38
2SB40 МП42Б 50
2SB47 МГТ108Д, Г 42
2SB54 МГТ108Д, Г 42
2SB57 МГТ108Б 40
2SB60 МП41А 42
2SB61 МП41А 44
2SB93 ГТ109Г 38
2SB97 ГТ 109В 38
2SB120 МП41А 42
2SB130 П201АЭ 138
2SB136 МП25А, 48
МП20Б 48
2SB136A МП25А, 48
МП20Б 48
2SBI70 МП39А, 42
МП40А 42
2SB171 МП40А 42
2SB172 МП20А 48
МП25Б 48
2SB173 МП39А 42
2SB175 МП41А 42
242
Прйдйлженш? прилйж. 1
Зарубежный тип транзистора Пр нб лишенный отечественный аналог Стр,
2SBI76 МП25Б, 48
МП20Б 48
2SB180A П201АЭ 138
2SB181A П202Э 138
2SB200 МП25Б, 48
МП20А 48
2SB201 МП25Б, 48
МП20А 48
2SB261 ГТ115А 40
2SB262 ГТ116В 40
2SB263 МП25Б 48
2SB302 ГТ109Е 38
2SB3O3 ГТП5Г 40
2SB335 МГТ108В 40
2SB336 МГТ108В 40
2SB361 ГТ806А 148
2SB362 ГТ806Б 148
2SB367 П201АЭ 138
2SB368 П201АЭ 138
2SB400 МГТ108Г 40
2SB434 КТ837Р 168
2SB434Q КТ837Р 168
2SB435 КТ837У 168
2SB435G КТ837Р 168
2SB439 МП41А, 44
МП39Б 44
2SB440 МП41А, 44
МП39Б 44
2SB443A МГТ108Г 40
2SB443B МГТ108Г 40
2SB444A МГТ108Г 40
2SB444B МГТ108Г 40
2SB448 11201АЭ 138
2SB456 П202Э 138
2SB466 П201АЭ 138
2SB467 П202Э 138
2SB468 ГТ810А 148
2SB473 П201АЭ 138
2SB481 П201АЭ 138
2SB497 МГТЮ8Б 40
2SB558 КТ8181М 162
2SC33 КТ312Б 78
2SC40 КТ316Г 90
2SC41 КТ802А 174
1SC42 КТ802А 174
2SC43 КТ802А 174
2SC44 КТ803А 174
2SC64 КТ601А 114
2SC65 KT61IB 128
2SC66 КТ611Г 128
2SC67 КТ340В 88
2SC68 КТ340В 88
2SC101A КТ902А 186
2SC1O5 КТ312Б 78
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
2SC109A КТ928Б 132
2SCI31 КТ616Б 122
2SC132 КТ616Б 122
2SCI33 КТ616Б 122
2SC134 КТ616А 122
2SC135 КТ616А 122
2SC137 КТ616Б 122
2SCI70 КТ306Д 90
2SC171 КТ306Д 90
2SC172 КТ306Д 90
2SCI88 КТ617А 124
2SC247 КТ602Г 136
2SC249 КТ602Б 136
2SC253 КТ325А 106
2SC281 КТ312В 78
2SC282 КТ312В 78
2SC306 КТ630Д 118
2SC307 КТ630Г 118
2SC308 КТ630Г 118
2SC309 КТ630А 118
2SC310 КТ630В 118
кЗсзбб КТ645А 130
2SC367G КТ645А 130
2SC370 КТ375Б 82
2SC371 КТ375Б 82
2SC372 КТ375Б 82
2SC390 КТ368А 104
2SC395A КТ616А 120
2SC400 КТЗО6В 90
2SC401 КТ358В 78
2SC402 КТ358В 78
2SC403 КТ358В 78
2SC404 КТ358В 78
2SC481 КТ630Д 118
' 2SC482 КТ617А 122
2SC493 КТ803А 174
2SC497 КТ630Б 116
2SC498 КТ630Б 116
2SC503 КТ63ОГ 116
2SC504 КТ630Г 116
2SC505 КТ618А 120
2SC506 КТ6ИБ 128
2SC508 КТ802А 174
2SC510 ктбзов 116
2SC512 КТ630Г 116
2SC517 КТ9ОЗА 186
2SC519A КТ802А 174
2SC520A КТ802А 174
2SC521A КТ803А 174
2SC525 П701А 150
2SC538 КТ3102Г 94
2SC538A КТ3102Б 94
2SC542 КТ904А 180
2SC543 КТ9О7Б 182
16*
243
Продолжение прилож. 1
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тнп транзистора Приближенный от ече с таенный аналог Стр.
2SC549 КТ904Б 180 2SC1617 КТ812Б 176
2SC553 КТ907Б 182 2SC1618 КТ808А 172
2SC563 КТ339Г 82 2SC1619 КТ808А 174
2SC583 КТ368Б 104 2SC1619A КТ808А 174
2SC598 КТ904А 180 2SC1624 КТ943В 170
2SC601 КТ306Б 90 2SC1625 КТ943В 170
2SC612 КТ325В 106 2SC1815 КТ3102Б 94
2SC618 КТ325А 106 2SC1846 КТ645А 130
2SC618A КТ325А 106 2SC1894 КТ839А 178
2SC620 КТ375А 82 2SC1895 КТ839А 178
2SC633 КТ315Б 80 2SCI896 КТ839А 178
2SC634 КТ315Г 80 2SC2068 КТ940А 134
2SC635 КТ904Б 180 2SC2121^ КТ828А 178
2SC64! КТ315Г 80 2SC2I37 КТ812А, 176
2SC712 КТ375Б 82 КТ828Б 17G
2SC727 П307Б 76 2SC2138 КТ812А 176
2SC762GTM КТ645А 130 2SC2258 КТ940Б" 134
2SC779 КТ809А 172 2SC2314 КТ646А '—
2SC788 КТ618А 120 2SC2431 КТ945А 178
2SC790 КТ817Б 160 2SC2611 КТ604БМ 126
2SC793 КТ803А 174 2SD31 МП35 52
2SC796 КТ603А 120 2SD32 МП38А 52
2SC809 КТ325В 106 2SD33 МП38А 52
2SC815 КТ645А 130 2SD37 МП37А 52
2SC825 КТ809А 172 2SD47, КТ908А 176
2SC828 КТ3102В 94 2SD63 КТ902А 186
2SC828A КТ3102Б 94 2SD72, ГТ404И 112
2SC829 КТ358Б 78 2SD75 МП38, 50
2SC893, П701А 150 МП36А 50
2SC900, КТЗЮ2Г 94 2SD75A МП37А, 50
2SC923, КТ3102Г Г 94 МП36А 50
2SC945 КТ3102Д 94 2SD127 ГТ404Е 112
2SC959S КТ630Б 118 2SD127A ГТ404Е 112
2SC976 КТ9ПГ 186 2SD128 ГТ404И 112
2SC977 КТ913А 184 2SD128A ГТ404И 112
2SC978 КТ913Б 184 2SD146 П702А 154
2SC1000GTM КТ3102Б 94 2SDI47 П702 154
2SC1008] КТ630Д 118 2SD148 П702 154
2SC1008A КТ630Б 118 2SD195 МП38А 52
2SC1044, КТ355А 106 2SD201 КТ808А 172
2SC1056 КТ605Б 120 2SD202 КТ808А 172
2SC1090 КТ372А 106 2SD203 КТ808А 172
2SC1172 КТ839А 178 2SD234 КТ817В 160
2SC1172A КТ839А 178 2SD235 КТ817Б 160
2SCH72B КТ839А 178 2SD526 КТ817Г 160
2SC1I73 КТ943А 170 2SD640 КТ828Б 178
2SC1317NC КТ645А 130 2SD668 КТ611БМ 128
2SC1440 КТ945К 178 2SD668A КТ6ПБМ 128
2SC1504 КТ809А 172 2SD675A К.Т945А 178
2SC1550 КТ940Б 134 2SD820 КТ839А 178
2SC1566 КТ940Б 134 2SD821 КТ839А 178
2SC1569 КТ940А 134 2SD822 КТ839А 178
2SC1576 КТ812А, 176 2SD880 КТ817В 160
КТ828Б 176 2Т3531 П308, 76
КТ602А 76
244
Продолжение пралож.
Зарубежный тип транзистора Пр. блаженный отечественный аналог стр.
2Т3532 П308, 76
КТ602А 76
2Г3674 КТ355А 106
2Т3841 КТ343А 102
2NU72 ГТ403Б 110
3NC72 ГТ403Б 110
4NU72 ГТ403Б но
5NU72 ГТ403Е по
2NU73 ГТ703Б 142
3NU73 ГТ7ОЗГ 142
4NU73 ГТ703Д 142
5NU73 П213£ 140
6NU73 П215 140
7NU73 П215 140
101NU70 МП35 50
102NC70 МП35 52
103NU70 МП37 52
104NL70 МП36А 52
105NU70 МП36А 52
106NU70 МП36А, 52
МП37А 52
107NU70 Л1П36А, 52
МП38А 52
152NU70 МП36А, 52
МП38 52
153NU70 МП36А 52
154NL70 МП38 52
155NU70 МП38А 52
2NU74 ГТ701А, 146
П2ЮА 146
3NL74 ГТ701А, 146
П210А 146
4NU74 ГТ701А, 146
П210А 146
5NU74 ГТ701А, 146
П210А 146
6NU74 П210Б, 146
ГТ701А 146
7NU74 П210Б, 146
ГТ701А 146
2N43 МП25Б 48
2N44 МП25Б 48
2N44A МП40А 44
2N45 МП40А 42
2N45A МП40А 42
2N59 МП20А, 44
МП20Б 44
2N59A МП20А, 44
Л1П20Б 44
2N59B МП21Д 44
2N59C МП21Д 44
2N60 МП20Б 44
2N60A Л1П21В 44
2N60B МП21Д 44
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
2N60C МП21Г 44
2N61 МП20А 44
2N61A М U20B 44
2N61B МП21Д 44
2N61C МП21Г 44
2N65 МП20А 44
2N77 ГТ109Б 38
2N94 МП38 52
2N104 МГТ4иД 42
2N105 ГТ109Б 38
2NI07 ГТ115А 38
2N1(9 МП20Б 44
2N123 МП42Б 50
2N128 ГТЗЮД 60
2N130 МГТ108А 40
2М131 МГТ108Б 40
2N131A МГТЮ8Б 40
2N132 МГТ108В 40
2N132A МГЦ 08В 40
2N133 МГТ108Б 40
2N139 ГТ109Е 38
2N175 П27 38
2NI78 П216Б 142
2N186A МП25Б, 48
МП20А 48
2N189 МП25А 48
2N190 МП25А 48
2N191 МП25Б 48
2N193 МП38 50
2N206 МГТ108А 40
2N207 МГТ108Г 40
2N207A МГТ108Г 40
2N207B МГТ108Г 40
2N215 МП40А 42
2N218 ГТ109Е 38
2N220 П27А 38
2N237 МП40А 42
2N265 МГТ108Г 40
2N273 МП39А 42
2N283 МП40А 42
2N326 ГТ705В 148
2N33I МП39Б 42
2N368 МП40А 42
2N369 МП41А 44
2N404 МП42Б 48
2N405 МП39А 42
2N406 МП39А 42
2N444 МП35 50
2N444A МП35 50
2N445 МП38 50
2N445A МП37 50
2N456 П2ЮВ 144
2N457 П210Б 144
2N458 П210Б 144
245
П [’одолжение прилове. 1
Зарубежный тип транзистора Пркближ е н н ый отечественный аналог Стр
2N499A ГТ305А 66
2N501 ГТ305А 66
2N502A ГТ313А 70
2N502B ГТ313А 70
2N503 ГТ310Б 62
2N506 ГТН5Е 40
2N535A ГТ 115В 40
2N535B ГТП5В 40
2N536 ГТН5Г 40
2N554 П216В 142
2N555 П216В 142
2N660 ПЗО7В 76
2N581 МП42А 50
2N591 ГТ115Г 38
2N602 П416 68
2N603 П416 68
2N604 П416А 68
2N653 МП ОА 46
2N654 МП20А 46
2N655 МП20Б 46
2N696 КТ630Д 116
2N697 КТ630Д 114
2N698 КТ630А 116
2N699 КТ630А 114
2N700 ГТ313Б, 70
ГТ376А 70
2N700A ГТ376А 70
2N702 КТ312А 78
2N703 КТ312В 78
2N705 ГТ320В 70
2N706A КТ340В 88
2N708 КТ340В 88
2N709 КТ316Б 90
2N709A КТ316Б 90
2N710 ГТ320В 70
2N711 ГТ320В 70
2N711A ГТ320Б 70
2N711B ГТ320Б 70
2N726 КТ349А 102
2N727 КТ349Б 102
2N728 КТ312В 78
2N729 КТ312Б 78
2N734 П307, 76
КТ601А 76
2N735 П307А 76
КТ601А 76
2N735A КТ601А, 114
П307А 114
2N738 П309 76
2N739 ПЗО8 76
2N741 ГТ313В 70
2N74IA ГТ313А 72
2N743 КТ340В 86
2N744 КТ340В 88
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
2N753 КТ340Б 88
2N754 П307В 76
2N755 ПЗО8 76
2N780 КТ312Б 78
2N784A КТ340В 88
2N794 ГТ308А 68
2N795 ГТ308А 68
2N796 ГТ308Б 68
2N797 гтзпи 74
2N834 КТ340В 88
2N835 КТ340В 88
2N842 КТ301Д 78
2N843 КТ301В, 78
КТ301Ж 78
2N844 ПЗО7В, 114
2N845 П308, 114
КТ601А 114
2N869 КТ352А 84
2N869A КТ347А 104
2N914 КТ616Б 122
2N915 КТ342Г 122
2N9I6 КТ342А 122
2N917 КТ368Б 104
2N918 КТ368А 104
2N919 КТ340В 88
2N920 КТ340В 88
2N923 КТ203Б 54
1N924 КТ203Б 54
2N929 КТ342А 92
2N930 КТ342А 92
2N943 КТ203Б 54
2N944 КТ203Б 54
2N955 ГТ31Ш 74
2N955A гтзпи 74
2N978 КТ350А 82
2N979 ГТ305А 66
2N98O ГТ305А 66
2N987 ГТ322Б 62
2N990 ГТ322В 62
2N991 ГТ322В 62
2N993 ГТ322В 62
2N995 КТ352А 84
2N996 КТ352А 84
2N1024 КТ 104В 54
2N1027 КТ104Б 54
2N1028 КТ 104 А 54
2N1C51 КТ601А 114
2N1175 МП20Б 46
2N1204 ГТ321Г 70
2N1204A ГТ321Г 70
2N1218 ГТ705Г 146
2NI219 КТ104Г 54
2N1220 KTI04A 54
2NI221 КТЮ4Г 54
246
Продолжение прияож. 1
Зарубежный Тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр Зарубежный тин транзистора Приблнже нный отечественный аналог Стр.
2N1222 КТЮ4А ,54 2N1747 П417 64
2N1223 КТ 104 А 54 2N1748 ГТ305В 66
2NI292 ГТ705В| 146 N1752 П417 64
2N1300 ГТ308А 68 2N1754 ГТЗО5А 68
2N1301 ГТ308А 68 2N1785 П417А 64
2N1303 МП20А 46 2N1786 П417 64
2N1321 ГТ705В 146 2NI787 П417 64
2N1329 ГТ705В 146 2N1838 КТ617А 112
2N1353 А1П42А 50 2N1839 KT6I7A 112
2N1354 МП42Б 50 2N1840 КТ617А 124
2N1384 ГТ321Л 70 2N1854 ГТЗО8Б 68
2N1387 КТ301В 78 2N1864 П417 64
2N1390 КТ 301 78 2N1865 П417Б 64
2N1413 МП39Б, 44 2N1889 КТ630Г 116
2N1414 МП39БГ 44 2N1890 КТ630Б 116
МП20А 44 2N1893 КТ630А 114
2N1415 МГ139Б, 44 2N1924 МП ИГ 46
МП20А 44 2N1925 МП21Г 46
2N1420 КТ630Е 116 2N1926 МП21Д 46
2N1494- ГТ321Г 70 2N1958 КТ608А 124
2N1494A ГТ321Г 70 2N1959 КТ608Б 124
2N1499A ГТ305А 66 2N2020 KT31I7A 124
2N1499B ГТ305Б 66 2N2048 ГТ308Б 68
2N1500 ГТ305Г 66 2N2048A ГТЗО8Б 68
2N1507 КТ630Е 116 2N2089 П403, 68
2NI524 П422 66 П416А 68
2NI526 П422 66 2N2I02 КТ630А 114
2N1564 КТ601А 114 2N2102A КТ630А 114
2N1565 КТ602Г 136 2N2137A ГТ701А 146
2К1566 П307Б, 76 2N2138A ГТ701А 146
КТ602Г 76 2N2142A ГТ701А 146
2N1566A КТ602Б 136 2N2143A ГТ701А 146
2N1572 П309 76 2N2I47 ГТ905А 148
2N1573 П308 76 2N2148 ГТ905Б 148
2N1574 П308 76 2N2192 КТ630Е 116
2N1585 ГТ311Ж 74 2N2192A КТ630Е 116
2N1613 КТ630Г 114 2N2193 КТ630Г 116
2N1643 КТ 104 А 54 2N2193A КТ630Г 116
2N1681 МП42Б 50 2N2194 КТ63ОД 116
2N1683 ГТЗО8Б 68 2N2194A КТ630Д 116
2N1700 КТ801Б 150 2N2195 КТ630Д 118
2N1701 П702 154 2N2199 ГТ305А 66
2 N1702 КТ8ОЗА 174 2N2200 ГТ305Б 66
2N1711 КТ630Е, 114 2N2217 КТ928А 132
КТ630Г 114 2N2218 КТ928Б 132
2N1714 П701А 150 2N2218А КТ928Б 132
2N1716 П701А 150 2N2219 КТ928Б 132
2N1726 П417А 64 2N2219A КТ928Б 132
2NI727 П417 64 2N2221 КТ3117А 100
2N1728 П417А 64 2N2221A КТ3117А 100
2N1742 ГТ313Б 70 2N2222 КТ3117А 102
' 2N1743 ГТ313А 70 2N2224 КТ608Б 124
2N1745 ГТ305Б 66 N2236 КТ617А 122
2N1746 П417 64 2N2237 КТ603Б, 120
КТ6О8Б 120
247
Прод»лж ение прилож. i
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
2N2242 КТ340В 88 2N2907 КТ313Б 100
2N2243 КТ630А 114 2N2907A КТ313Б 100
' 2N2243A КТ630А 114 2N2947 КТ903А 186
2N2270 КТ630Д 114 2N2948 КТ933А 186
2N2273 ГТ306Б 66 2N2958 КТ608Б 124
2N2274 КТ203Б 54 2N2999 ГТ341В 76
2N2275 КТ203Б 54 2N3010 КТ316Б 90
2N2276 КТ203В 54 2N3012 КТ347Б 104
2N2277 КТ2ОЗВ 54 2N3015 КТ928А 132
2N2297 КТ630Г 118 2N3019 ктбзов 118
2N2360 ГТ376А 74 2N3020 ктбзов 118
2N2361 ГТ376А 74 2N3053 ктезод, 114
2N2372 КТ201В 56 КТ608Б 114
2N2373 KT20IB 56 2N3054 КТ805Б 152
2N2400 ГТ308Б 68 2N3054A КТ803А 174
2N2405 КТ630Б 116 2N3055 КТ819ГМ 162
2N2410 КТ928А 132 2N3107 КТ630Б 114
2N241I КТ352А 84 2N3108 КТ630Г 114
2N2412 КТ352А 84 2N3109 КТ630Б 114
2N2415 ГТ376А 74 2N3110 КТ630Г 114
2N2416 ГТ376А 74 2N3114 КТ611Г 126
2N2428 МП41А 44 2N3121 КТ351А 84
2N2432 КТ201Б 52 2N3127 ГТ328А, 72
2N2432A КТ201Б 52 ГТ376А 72
2N2475 КТ316Б 90 2К3209 КТ347А 104
2N2482 гтзпи 74 2N3210 КТ616Б 122
2N2537 КТ928Б 132 2N3248 КТ351Л 84
2N2538 КТ928Б 132 2N3249 КТ345Б 84
2N2639 КТ3117А 102 2N3250 КТ313Б 100
2N2615 КТ325А 106 2N3250A КТ313Б 100
2N26J6 КТ325Б 106 2W3267 ГТ376А 74
2N2617 КТ201А 52 2N3279 ГТ328Л Р72
2N2635 ГТ320В 70 2N3280 ГТ328Л 72
2N2659 П214А 138 2N328I ГТ328Б 72
2N2660 П215 140 2N3282 ГТЗ 28В 72
2N2661 П215 140 2Ю283 ГТ328А 73
2N2665 П214А 140 2N3284 ГТ328Б 73
2X2666 П214А 140 2N3286 ГТ328Б 73
2N2667 11215 140 2N3299 КТ608Б 124
2N2696 КТ351А 84 2N3301 КТЗН7А 102
2N2708 КТ325Б 106 2N3304 КТ337А 104
2N271 ( КТ315Ж г80 2N3375 KT9G4A 180
2N2712 КТ315Б '80 2N3390 КТ373В 98
2X2784 КТ316Б 90 2N3391 КТ373Б 98
2X2811 КТ908Б 176 2N3392 КТ373А 98
2N2813 КТО08А 176 2N3393 КТ373А 98
2N2835 П213 138 2N3394 КТ373Г 98
2N2836 ГТ703Д 142 2N3397 КТ315Е 80
2N2868 КТ630Д 118 2N3399 ГТ346Б 74
2N2890 КТ801А 150 2N3441 КТ8О5А 152
2N289I КТ801А 150 2N345I КТ337А 104
2N2894 КТ347Б 104 2N3545 КТ343Б 102
2N2906 КТ313А 100 2N3546 КТ363А 106
2N2906A КТ313А 100 2N3576 КТ347А 104
— - ,
248
П родолжение прилож. 1
Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр- Зарубежный тип транзистора Приближенный отечественный аналог Стр.
2N3584 КТ809А 170 2N4261 КТ363Б 106
2N3585 КТ704Д, 152 2N4301 КТ908А 176
КТ704Б 152 2N4314 КТ933А 166
2N3600 КТ368А 104 2N4429 КТ911Б 186
2N3605 КТ375В 82 2N4430 KT9I3A 184
2N3606 КТ375Б 82 2N4431 КТ913Б 184
2N3607 КТ375Б 82 2N4440 КТ907Б 180
2N36H ГТ701А 146 2К4910 П702А 154
2N3613 ГТ701А 145 2N4911 П702 154
2N3702 КТ345Б 84 2N4912 П702 154
2N3709 КТ358А, 78 2N4913 КТ808А 172
КТ373А 78 2N4914 КТ 808А 172
2N3710 КТ358В, 78 2N4915 КТ808А 172
КТ373А 78 2N4924 КТ611Г 126
2N371I КТ3102В 94 2N4925 К1611Г 126
2N3712 КТ611Г 126 2N4925 КТ604Б 126
2N3722 КТ608Б 124 2N4927 КТ604Б 126
2N3724 КТ6О8Б 124 2N4960 КТ928Б 132
2N373O ГТ810А 148 2N4976 КТ911Л 186
2N3732 ГТ905А 148 2N5043 — 76
2N3733 КТ907А 180 2N5044 —- 76
2N3738 КТ809А 17Q 2N5050 КТ802А 174
2N3739 КТ809А 170 2N5051 КТ 802 А 174
2N3742 КТ604Б 124 2N5052 КТ802А > 174
2N3766 КТ805Б 152 2N5056 КТ347Б 104
2N3767 КТ805Б 152 2N5067 КТ803А 174
2N3883 ГТ320Б 70 2N5068 КТ803Л 174
2N3903 КТ375А 82 2N5069 КТ803А 174
2N3904 КТ375А, 82 2N5070 КТ912А 186
КТ375Б 82 2N5090 КТ606А 180
2N3905 КТ361Г 86 2N5177 КТ939А 184
2N3906 КТ361Г 86 2N5178 ' КТ999Б 184
2N4030 КТ933Б 166 2N5188 КТ608Б
2N403I КТ933Л 166 2N5209 КТ3102Д 94
2N4034 КТ326В, 104 2N52IO КТ3102Е 94
КТ347А 104 2N5219 КТ375Б 82
2N4036 КТ933А 166 2N5221 КТ351А 84
2N4037 КТ933Б 166 2N5223 КТ375Б 82
2N4077 ГТ715Д 148 2N5226 КТ350А 82
2N4125 КТ361Б 86 2N5228 КТ357А 102
2N4127 КТ922Г 182 2N5239 КТ812Б 176
2N4I28 КТ922Д 182 2N5240 KT8I2A 176
2N4I38 КТ201Б 52 2N53I3 КТ908А 176
2N4207 КТ337Б 104 2N5315 КТ908А 176
2N4208 КТ337Б 104 2N53I7 КТ9Э8А 176
2N4231 П702 154 2N5.319 КТ908А 176
2N4232 П702 154 2N5354 KT35IA 84
2N4233 П702 154 2N5365 КТ351А (84
2N4237 КТ801А 150 2N5366 ' КТ351Б 84
2N4238 КТ801Б 150 2N5427 КТ808А 172
2N4239 КТ801А 150 2N5429 КТ808А 172
2N4240 КТ704А, 152 2N5447 КТ345Б 84
КТ704Б 152 2N5481 КТ911А 180
2N4260j КТ363А 106 2N5490 КТ819Б 162
249
Окончание прилож. j
Зарубежный тип транзистора Приближе нный отечественный аналог Стр, Зарубежный тнп транзистора Приближенный отечественный аналог Стр
2N5492 КТ819В 162 2 N6081 КТ920Г 182
2N5494 КТ819В 162 2N6093 КТ912Б 186
2N5496 КТ819Г 162 2N6099 КТ819В 162
2N5641 КТ922А 182 2N6101 КТ819Г 162
2N5642 КТ922Б 182 2N6124 К.Т839Ф 168
2N5643 КТ922В 182 2N6125 КТ839С 168
2N5652 КТ372В 106 2N6126 КТ839Н 168
2N5681 КТ630Г 118 2N6129 КТ819Б 164
2N5682 КТ630А 118 2N6I30 КТ819В 164
2N5764 KT9I3A 184 2N6131 КТ819Г 164
2N5765 КТ913Б 184 2N6132 КТ818Б 162
2N5842 КТ355А 106 2N6133 КТ818В 162
2N5851 КТ355А 1 об 2N6134 КТ818Г 162
2N5852 КТ355А 106 2N6135 KI610A 180
2N5887 ГТ701А, 146 2N6246 КТ818ВМ 162
П 16 146 2N6247 КТ818ГМ 162
2N5888 ГТ701А, 146 2N6248 КТ818ГМ 162
П216 146 2N6253 КТ819БМ 162
2N5889 ГТ701А, 146 2N6288 КТ819А 162
П216 146 2N6289 КТ819А 162
2N5890 ГТ701А, 146 2N629J КТ819В 162
П216Г 146 2N6291 КТ819В 162
2N5891 ГТ701А, 146 2N6292 КТ819Г 162
П217 146 2N6293 КТ819Г 164
2N5995 КТ920Г 182 2N6371 КТ819БМ 162
2N5996 КТ920Г 182 2N6469 КТ818БМ 162
2N6077 КТ812Б 176 2N6470 КТ819БМ 164
2N6078 КТ812Б 176 2N6471 KT8I9BM 164
2N6079 КТ812А 176 2N6472 КТ819ГМ 164
2N6080 КТ920Б 182 40675 J КТ912Б 186
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Зарубежные диоды и их отечественные аналоги
Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тнп диода Приближенный отчестве нный аналог Стр.
0102 КД 102 А 189 1N212 Д101 188
0112 КД 102 А 189 1N213 Д101 188
0502 Д226В 189 1N219 КД1С4А 189
0537 КД105Г 191 1N220 КД 104 А 189
0604 КД203В 217 1N250 Д243 202
I0PM2 Д243 202 1N295X ДЭВ 188
10РМ4 Д246Б 212 1N320 КД205Е 213
10РМ6 КД206В 217 1N324 Д229В 193
11R2S Д243 202 1N332 Д229Е 207
11R3S Д245 206 1N339 Д229В 193
11R4S Д246Б 212 IN341 Д229Е 207
1N74 ДЮ1 188 1N348 Д229В 193
1N87T дэв 188 1N354 КД 104 А 189
1N210 Д102 188 IN365 МД218 191
1N211 Д102 188 1N388 Д102 188
250
Продолжение прилож, 2
Зарубежный тип диода Прибл иже ННЫЙ отечественный аналог Стр. Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
IN39I Д101 188 1N905M КД521Г 225
IN440B Д229Ж 193 1N906AM КД521Г 225
JN441 КД204Б 198 IN906A КД521Г 225
IN441B КД205Л 200 1N906A1 КД521Г 225
IN442B Д229К 204 1N907 КД521Г 225
1N443 Д7Ж 190 1N908A КД509А 226
1N444 КД205Е 213 1N908AM КД509А 226
IN445 КД 105В 190 IN9I4A КД521А 228
IN458 Д223Б 189 1N914B КД621А 228
IN483 КД ЮЗА 188 1N914M КД521А 228
1N485 Д207 189 IN916A КД521А 228
1N486 Д207 189 1N916B КД 521A 228
IN487A Д226В 189 LN999 ДЗЮ 224
1N488 Д209 190 1N1031 КД205Г 199
1N531 КД204Б 194 1N1032 КД205В 203
1N533 КД205Б 190 IN 1033 КД205Б 208
1N534 КД205Е 213 1N1053 КД208А 196
1N535 КД 105В 19'1 IN 1059 Д304 196
1N537 Д229Ж 193 INI061 Д243Б 201
1N538 КД205Л 200 1N1062 Д245Б 205
IN539 Д229К 204 1NI063 Д246Б 211
IN551 КД205Г 199 INI 067 Д243Б* 201
IN552 КД205В 203 1N1068 Д245Б 205
1N553 КД205Б 208 IN1039 Д246Б 2)1
IN554 КД205А 213 INI 073 Д243Б 201
IN555 КД205Ж 216 IN 1075 КД246Б 211
IN560 КДЮ5Г 191 1NI081A Д229Ж 193
1N602 КД204Б 198 IN 1082A КД205Л 200
1N602A КД204Б 198 1N1083 КД205В 203
1N604 Д7Ж 190 1NI083A Д229К 204
1N605 КД205Е 213 IN 1084 КД205Б 208
IN605A КД205Е 213 IN1085 КД208А 196
IN606A КДЮ5В 191 IN 1090 Д243Б 201
IN627 Д312А 228 IN 1091 Д245Б 205
1К647 Д229Е 206 1N1092 Д246Б 211
IN662 Д220Б 230 IN 1092A Д246Б 211
IK622A Д220Б 230 INI 115 КД208А 196
1N663 Д220Б 230 1N1169A КД205Б 208
IN667 Д229В 192 1N1251 КД204В 192
1N573 Д229Е 206 Ш1253 КД205Г 198
IN695 Д310 224 IN1254 КД205В 203
1N873 Д210 193 IN1255 КД205Б 207
IN874 Д2П 190 IN 1256 КД205Е 213
1N876 МД217 191 IN 1257 КДЮ5В 190
IN878 МД218 191 IN 1258 КД205И 217
IN770 дзю 224 IN 1259 КДЮ5Г 191
IN777 Д312А 228 IN 1407 МД217 191
IN844 Д220Б 230 IN 1440 КД205Л 201
1N903A КД509А 226 1N1441 Д229К 205
1N903AM КД509А 226 1N1446 КД208А 196
IN904 КД521Г 225 INI 450 КД208А 196
1N905A КД521Г 225 IN 1487 Д229Ж 193
1N903M КД509А 226 IN 1488 КД205Л 199
1N905AM КД521Г 225 1N1489 КД205Л\ 199
251
Продолжение прплож. 2
[ Зарубежный тип диода 1 Приближенный отечественный аналог Стр. | Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
1N1490 Д229Л 219 1N2025 Д246 212
IN1520A KC456A 223 1N2069A КД205Л 199
1NI557* КД2 5Л 2b! 1N2070 Д229Л 209
1NI558 Д229К 2ч 5 1N2070A Д229Л 209
1N1559 Д229Л 210 IN2073 Д229Ж 193
1N1563 КД208А 195 1N2080 КД204В 192
1N1613 Д304 106 IN2082 КД205Г 198
1N1613A Д304 196 1N2083 КД205В 203
1NI614A Д243Б 2 Ч 1N2084 КД205Б 207
1N16I5A Д246Б 211 1N2085 КД2051 213
1N1616 Д248Б 216 1N2086 КД205 К 215
1NX617 КД208А 196 1N2091 Д229Ж 194
1N1616A Д248Б 211 1N2092 КД205Л 200
1N1621 Д242 197 IN2093 Д229К 204
1N1623 Д245 2 & 1N2094 Д229Л 210
1N1624 Д246Б 212 1N2104 Д229Ж 193
1N1632 КД 104 А 139 IN21O5 КД205Л 199
1N1645 Д229Ж 194 1N2106 Д229К 204
1N1647 КД205Л 2U0 1N2107 Д229К 209
IN1649 Д229К 204 IN2230 Д243Б 201
1N1651 Д229Л 210 1N2230A Д243Б 201
1N1694 Д229К 2< 4 1N2231 Д243Б 201
1N1695 Д229Л 2ч 9 1N2232 Д245Б 205
1N1703 КЛ2 4Ь 198 1N2232A Д245Б 205
1N1706 КД205Е 212 1N2233A Д245Б 205
1N1709 КД2и5Г 199 1N2234 Д246Б 211
INITIO КД205В 203 1N2234A Д246Б 211
1N1711 КД205В 217 1N2235 Д246Б 211
INI712 КД205А 213 1N2235A Д246Б 211
IN 1764 КД205А 2Р IN2236 Д247Б 214
INI 765 КС456А 223 IN2237 Д247Б 214
1N1765A КС456А 223 1N2237A Д247Б 214
1N1844 ДЮ2 188 1N2238 Д248Б 216
1N1849 КД104А 189 1N2238A Д248Б 216
IN 1927 КС 139 А 219 1N2239 Д248Б 216
IN 1984 КС 168В 220 1N2239A Д248Б 216
IN 1964A КС 168В 220 1N2246 Д305 192
1N1984B КС 168В 220 1N2246A Д305 192
1N1985 КС 182 А 221 1N2247A Д305 192
IN1985A КС 182 А 221 1N2248 Д242 197
1N1985B КС 182 А 221 1N2248A Д242 197
IN 1986 КС210Б 222 1N2249 Д242 197
1N1986A КС210Б 222 1N2249A Д242 197
1N1986B КС21СБ 222 1N2250 Д243 202
INI 988 КС215Ж 222 1N2250A Д243 202
1M988A КС215Ж 222 1N2251 Д243 202
IN 1988В КС215Ж 222 1N2251A Д243 20?
1N1989 КС218Ж 223 1N2252 Д245 205
IN 1989A КС218Ж 223 1N2252A Д245 205
1NI989B КС218Ж 223 1N2253 Д245 205
IN 1990 КС222Ж 223 1N2253A Д245 205
IN199OA КС222Ж 223 1N2254 Д246Б 211
1N1990B КС222Ж 223 1N2254A Д246Б 211
liN 023 Д245 206 1N2255 Д246Б 212
252
Продолжение при лож. 2
Зарубежный тип Диода ь Приближенный отечественный л аналог Стр.’ ^Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
1N2255A Д246Б 212 1N3254 Д229Л 211
1N2256 КД206Б 214 1N3270 Д246Б 201
1N2256A КД206Б 214 1N8277 КД205Л 201
1N2257 КД206Б 214 1N3278 Д229Л 211
IN2257A КД206Б 214 IN3282 МД218 191
IN2258 КД206В 216 1N354? Д229Л 2и8
1N2258A КД206В 21G 1N3545 КД205Г 199
IN2259 КД206В 216 1N3600 КД509А 226
1N2259A КД206В 217 1N3604 КД521А 228
1N2260 КД210Б 217 1N3606 КД521А 228
1N2260A КД210Б 217 1N3607 КД521А 228
1N2261 КД210Б 218 1N3639 КД205Л 201
1N2289 КД208А 194 IN3640 Д229Л 211
1N2289A КД208А 194 1N3656 КД205Л 199
1N2290 Д304 196 1N3748 КД205Г 199
1N235O дзоз 198 1N3749 КД205 Б 208
1N2373 Д2П 190 1N3750 КД205Ж 215
1N2374 МД218 191 IN 3827 КС456А 223
1N2391 КД208А 195 IN3827A КС456А 223
1N2400 КД206А 195 IN3873 КД509А 226
IN2409 КД208А 195 1N3873H КД509А 226
1N2418 КД206А 196 IN3954 КД509А 226
1№482 КД205Л 201 1N4008 МДЗБ 224
1N2483 Д229Л 210 1N4099 КС168А 220
1N2487 Д229Л 210 1N4147 КД БОЗА 224
1N2505 КД10БГ 191 IN4149 КД521А 228
IN26I0 Д229Ж 194 1N4148 КД521А 228
1N2611 КД206Л 200 1N4305 КД521А 229
1N2613 Д229Л 210 1N4364 Д229Ж 194
1N2638 КД208А 194 1N4365 КД2ОДЛ 200
1N2786 Д243 202 1N4366 Д229К 205
1N2793 Д305 192 1N4367 Д229Л 210
1N2847 КД208А 196 1N4437 Д246Б 212
1N2859 Д229Ж 194 1N4438 КД206В 217
IN2860 КД2О5Л 201 1N4439 КД2ЮБ. 218
1N2862 Д229Л 211 1N4446 КД521А 229
IN2878 КД205И 217 1N4447 КД521А 229
IN2879 КД205И 217 IN4448 КД521А 229
IN2033 КД521А 228 1N4449 КД521А 229
1N3064M КД521А 228 1N4454 КД521А 229
1N3064 КД521А 228 1N4531 КД521А 229
1N3065 КД509А 226 1К4622 КС 139 А 219
1N3067 КД621Г 225 1N4624 КС147А 219
1N3082 КД205Г 224 1N4655 КС456А 223
IN3083 КД205Б 2и8 1N4686 КС 139 А 216
1N3I21 Д220 227 1N4688 КС147А 216
1N3I84 КД 205 А 213 1N4734 КС456А 223
1N3193 КД205Л 201 1N4817 КД208А 195
1N3194 Д229Л 211 IN5209 Д223Б 189
1N3228 1<Д205Г 198 1N5216 КД205Б 207
IN3229 КД205А 213 1N52I7 КД205Ж 215
1N3238 Д229Ж 193 IN5316 КД521А 229
1N3239 КД205Л 199 1N5392 КД208А 196
1N3253 КД205Л 201
253
7рЬ&олженйё прилдж. $
Зарубежный тип диода npi блаженный отечественный аналог Стр Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр
IN4153 КД521А 229 14Р2 Д223Б 189
1N5151 КД521А 229 20S5 КД205Г 199
1N5720 КД503А 224 2412 Д223Б 189
1Р644 Д229В 192 75R2B КД205Л 199
1Р647 Д229Е 206 1 000 10 МД218 191
1Т502 КД205Г 206 100КЮ МД218 191
1Т506 КД205Ж 215 2G8 КД205Л 200
1SO32 КД205Л 200 366D Д243Б 201
1S034 Д229Л 200 367В Д242 197
1S41 КД205Л 200 616С Д102 188
1S43 Д229Л 210 618С ДЮ1 188
1S101 КД2з5Л 200 30AS КДО5В 203
IS103 Д229Л 210 3OF5 Д245Б 205
1SH3 Д229Е 206 30S5 КД205В 203
1S148 Д229К 204 3)6М Д248Б 216
1SI62 Д243 202 366F Д245Б 205
1S163 Д245 21.6 366Н Д246Б 211
1S164 Д246Б 212 366К Д247Б 214
1S165 КД206Б 214 3670 Д243 202
IS307 Д18 224 367Н Д246 212
IS313 КД205В 203 IIR4S Д246 212
1S314 КД205Б 207 367К КД203Б 215
1S315 КД205А 213 367М КД206В 217
IS421 Д243 202 ЗТ504 КД205Б 208
1S423 Д246Б 212 ЗТ505 КД205А 213
1S427 КД210Б 218 40109 Д242 197
1S473 Д8И 222 40110 Д243 202
IS544 КД210Б 218 40111 Д245 206
1S558 КД205А 214 40112 Д246 212
1S559 КД205В 203 40113 КД206Б 215
1SI219 КД521Г 225 40114 КД206В 217
ISI220 КД521Г 225 40115 КД210Б 218
1S123O КД205Б 297 407К Д247Б 214
1S1231 КД205А 213 407М Д248Б 216
1S1232 КД205Ж 215 408К КД206Б 215
IS1473 КД521Г 225 408М КД206В 217
IS 1763 КД205Б 208 408Р КД2ОЗГ 217
1S1943 КД205Б 207 408S КД2ЮБ 218
IS 1944 КД205Ж 215 40AS ДД205Б 207
1Т504 КД205Б 208 40S5 КД205Б 208
1Т505 КД205А 213 4D4 Д229Е 2С6
2Т502 КД205Г 199 4G8 Д229Л 210
2Т504 КД205Б 208 4Т503 КД205В 203
2Т505 КД205А 213 4Т504 КД205Б 208
2Т5О6 КД205Ж 2)5 4Т505 КД205А 213
ЗС15 дзоз 198 4Т506 КД205Ж 215
ЗТ502 КД205Г 199 50AS КД205А 213
4Т502 КД205Г 199 50J2P КД206Б 215
,7J2 КД205Л 200 50F5 Д247Б 214
.7EI Д229Ж 193 50J2P КД206Б 215
. 7J1 Д229Ж 193 .5J3 КД205В 203
I0F5 Д304 196 .5J4 КД205Б 207
1OR6B Д2И 190 50LF Д247Б 214
1 ORI OB МД218 191
264
продолжение прилбж. 5
Зарубежный тип диода Прибпижениый отечественный аналог Стр Зарубежный тгп дяода Приближенный отечественный аналог Стр
50М КД205А 214 АЗЕ5 Д246Б 211
50S5 КД205А 214 АЗЕ9 Д246Б 211
5D4 К246Б 211 A30J Д229К 204
.5ЕЗ КД205В 203 ААИЗР ДЮ1 188
. 5Е4 КД205Б 2(>8 АА137 дэв 188
.5Е5 КД205А 214 AAY32 311 225
5Е6 КД205Ж 215 AD150 Д223Б 189
5J6 КД205Ж 215 АЕ150 Д223Б 189
5МА4 Д246Б 211 AAZ15 Д312А 228
5РМ4 Д246Б 2Ц АМ12 Д229В 193
5Е1 Д229Ж 193 АМ42 Д229Е 206
5Е2 КД205Г 199 АМОЗО Д229В 205
5МА2 КД205Л 200 АМ410 Д229К 192
5РМ6 Д248Б 216 AZ6, 8 КС 168В 220
bOAS КД205Ж 215 B2D1 Д229К 203
6OF5 Д248Б 216 B2D5 Д229К 203
6OLE Д248Б 216 B2D9 Д229К 293
6ОМ КД205Ж 216 В2Е1 Д229Л 208
60S 5 КД205Ж 216 В2Е5 Д229Л 208
62R2 Д243 202 ВЗЕ9 Д229Л 208
64R2 Д246 212 В2В5 Д229Ж 193
654С9 КСМ190А 221 ВЗВ9 Д229Ж 193
66R2 КД205В 217 ВЗС1 КД205Л 201
66R2S КД206В 217 ВЗЕ1 Д246Б 211
68R2 КД210Б 218 ВЗЕ5 Д246Б 211
68R2S КД2ЮБ 218 ВЗЕ9 Д246Б 211
, 7ЕЗ Д229К 204 В80С300 КД204Б 198
7Е4 Д229Л 2ь9 В250С300 КД205И 217
7J3 Д229К 2о4 ВА128 КД ЮЗА 188
7J4 Д229Л 210 ВА147/220 Д207 189
А100 Д229Ж 194 ВА147, 300 Д208 189
А121-It КД208А 195 ВА179 ДЮ2 188
А132-И КД208А 195 BAW14 Д226В 189
А168- It КД208А 195 BAW14TF24 Д226В 189
А2А4 КД204В 198 BAW62 КД521А 229
А2С4 КД205Г 198 BAW63A КД521Г 225
A2D1 Д229К 203 ВАХ63А КД521Г 225
A2D5 КД205В 203 ВАХ63А КД521Г 225
A2D9 КД2С5В 203 ВАХ80 КД509А 226
А2Е1 Д229Л 208 ВАХ91С/ТЕ102 КД521А 229
А2ЕЗ Д229.Л 209 ВАХ95, TF600 КД521А 229
А2Е4 КД205Б 207 BAY2I Д226В 190
А2Е5 Д229Л 207 BAY38 КД509А 226
А2Е9 Д229Л 209 BAY63 КД509А 226
A2F4 КД205А 214 BAY74 КД509А 226
АЗС1 КД205Л 199 BAY89 КДЮ5А 190
АЗСЗ КД205Л 199 BLVA168 КС168А 220
АЗС5 КД205Л 199 BLVA168B КС168А 220
A3G9 КД205Л 201 BLVA168C КС168А 220
A3D1 Д229К 204 BLVA468 КС168А 220
A3D3 Д229К 204 BLVA468A КС168А 220
A3D5 Д229К 204 BLVA468B КС168А 220
A3D9 Д229К 204 BLVA468C КС168А 220
АЗЕ I Д246Б 211 BSA71 КД509А 226
255
/7рйдолжение прилож, 2
Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
BR22 КД205Г 198
BR24 КД205Б 2С6
BR4I О229Ж 193
BR42 КД205Л 200
BR44 Д246Б 211
BR8ID КД208А 195
BRI0IA Д242 197
BR1O2A Д243 202
BR104A Д246Б 212
BRIO1A Д242 197
BRI06A КД206В 217
BR2O5 КД204В 192
BYY67 Д245 206
BYY68 Д245 2С6
BY118 Д245Б 205
BY 157 КДЮ5Г 191
BYX42/300 Д245 206
BYX42;600 КД206В 217
BYX60-400 Д229Е 206
BZ346C3V3 КС 133 А 219
BZX55C3V3 КС133А 219
BZX83C3V3 КС133А 219
BZY85B3V3 KCI33A 219
BZY83C4V7 КС 147 А 219
BZY83D4V7 КС 147 А 219
BZY85C4V7 КС447А 219
BZX29C4V? КС447А 219
BZX85C4Y7 КС456А 223
BZX29C35V6 Д246 211
С4010 ДЮ2 188
САБО Д102 188
СА100 Д223А 189
СВ50 Д102 188
СВ1ОО Д223А 189
CER69 КД205Г 201
CER69C КД 105В 199
CER70 КДЮ5В 211
CER71B КД105В 190
CER72C КД205Е 191
CER5OOB КД205Е 212
GD72E3 ДЭВ 188
GD72E4 дэв 188
GPM2NA дэв 188
G1O1O Д242 197
CG84H КД503В 224
CODI531 Д222Ж 193
COD 1555 КД205Е 212
COD 1556 КД 105В 190
CTN100 КД208А 196
СТР 100 КД208А 196
CY40 Д246Б 211
D2D ДЮ1 188
D25C КД205Г 198
Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
DI00 Д229Ж 194
DD003 КД205Г 199
DD006 КД205Б 208
DD056 КД2О5Б 207
DD236 Д246Б 211
DD266 Д246Б 211
DD4521 Д242 197
DD4526 Д246Б 212
DK751 Д229Ж 194
DK752 КД205Л 201
DT230HI Д226В 189
DR698 Д209 190
DR695 Д209 190
DR699 Д208 189
ЕЗВЗ Д304 197
ЕЗЕЗ Д245Б 205
ЕЗНЗ Д247Б 214
ЕЗКЗ Д248Б 216
Е5АЗ Д305 192
Е6ВЗ Д242 197
Е6ЕЗ Д245 206
Е6МЗ КД203Г 217
E6N3 КД210Б 218
EG 100 КД205Б 208
ERD600 КД205Ж 216
END400 КД205Б 207
ESP5100 Д304 197
ESP5300 Д245Б 2С8
FD100 - КД509Л 226
FIE3 Д245Б 205
F2B3 Д242 197
F2H3 КД206Б 215
F1K3 Д248Б 216
F2M3 КД203Г 217
F2N3 КД210Б 218
FD600 КД521А 229
FDN600 КД521А 229
FPZ5V6 КС456А 223
G65HZ Д246Б 216
GI010 Д242 197
G30I0 Д245 206
G4OI0 Д246Б 208
HDS9009 КД509А 226
HDS901 КД521Г 225
HMG844 Д220Б 230
HMG662 Д220Б 23)
I1MG662A Д220Б 230
HMG663 Д220Б 230
HMG904 КД521Г 225
HMG904A КД521Г 225
HMG907 КД521Г 225
HMG907A КД521Г 225
HMG3596 КД521Г 225
HMG4322 КД509А 227
256
Продолжение прилож. 2
Зарубежный тип диода. Приближенный отечественный аналог Стр, Зарубежный тип Диода Приближенный отечественный аналог Стр.
HMG626A Д220 227 МВ263 КД205Б 207
HMG4150 КД509А 227 МВ264 Д229Л 209
HMG4319 КД521А 229 МВ265 КД205А 213
HMG3064 КД521А 229 МВ267 КД205Ж 215
HMG3598 КД521А 229 МВ270 Д229Ж 193
HMG360Q КД509А 227 МВ271 КД205Л 200
HMG3373 КД509А 227 МВ272 Д229К 204
HR9 Д818А 221 МВ273 Д229Л 209
HS2039 КС 139 А 219 МСОЗО Д226В 189
HS7O33 КС 133 А 219 МСОЗОА Д226В 189
HS9010 КД521Г 225 МС51 Д226В 189
HS9501 КД521А 229 МС52 КД621А 229
HS95O4 КД521А 229 МС53 КД521Г 225
HS9507 КД521А 229 МС55 КД521Б 228
JE2 КД205Л 201 МС58 КД5О9А 227
I1S033A КС133А 219 МС59 КД521Б 227
HS033B КС ЮЗА 219 МС108 КД509А 227
LAC20Q2 LDD5 LDD10 LDDI5 LDD50 LR33H КС147А КД521Б КД521Б КД521Б КД521Б КС 133 А 220 227 227 227 227 219 МС433 МС903 МС905 МС905А МС906 МС906А МС908 КД521А КД509А КД521Г КД521Г КД521Г КД521Г КД509А 229 227 225 225 225 225 227
М14 Д229В 192 МС908А КД509А 227
М1В1 КД208А 195 МС5321 КД521Г 225
М1В5 КД208А 195 МС60ЮА КД168А 221
М1В9 КД208А 195 МС6015А Д8П 222
M4HZ Д229Е 206 MCPD521A КД521Б 228
М500В КД205Е 212 MCPD521B КД521Б 228
М500С КД205А 214 MCPD521C КД521Б 228
М68 Д229Ж 194 MGD73 КД521А 228
М69С КД205Г 199 MGLA39A, В КС139А 219
М70В Д7Ж 190 MHD611 КД 521А 229
М70С КД205Б 207 MHD612 КД521А 229
М72В КД 105В 191 MHD614 КД521А 229
МА215 КД205В 207 MHD615 КД521А 229
МА231 Д242 197 MHD616 КД509А 227
МА232 Д243 202 МК39С-Н КС 139 А 227
МА240 Д243 202 ММС1001 КД521А 229
МА4303 КД509А 227 ММС1002 КД 521А 229
МА4304 КД509А 227 ММС1003 КД521А 229
МА4305 КД509А 227 ММС1004 КД521А 229
МА4306 КД509А 227 ММС1005 КД521А 229
МА4307 КД521А 229 ММС1007 КД521А 229
МА4308 КД 521А 229 MR47C-H КС 147 А 220
МВ236 КД208А MR80 МД217 191
МВ253 Д229К 204 MR90 МД218 191
МВ254 Д229Л 209 MR 100 МД218 191
МВ258 Д229Ж 193 MR 1337-2 Д229Ж 194
МВ259 КД205Г 196 MR 1337-4 Д229К 204
МВ260 КД205Л 200 MR 1337-5 Д229Л 209
MB26I КД205В 203 MS5 Д305 192
МВ262 Д229К 204
17—136
257
Продолжение прилож. 2
Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
МТ020А КД205Г 198
МТ030 КД205В 203
МТ030А КД205Б 203
МТ040 КД205В 207
МТ040А КД20ББ 207
МТ050 КД205А 213
МТО5ОА КД205А 213
МТ060 КД205Ж 215
МТ060А КД205Ж 215
МТ14 Д229В 193
МТ44 Д229Е 2С6
МТ458 Д223Б 189
МТ462А КД ЮЗА 188
МТ705 КД521Б 227
A1Z4A КС 147 А 220
MZ6A КС 168 А 227
MZ1009 Д818А 221
MZ4622 КС 139 А 219
MZ4624 КС 147 А 220
MZC3 КС 133 А 219
Р2К5 Д210 190
Р2М5 Д211 190
P4F5 КД204Б 198
Р4Н5 Д7Ж 190
P4HZ Д246Б 213
P6HZ КД206В 217
P8HZ КД2ЮБ 218
Р4К5 КД205Е 212
Р4М5 КД Ю5В 190
Р5Р5 Д229В 193
P6F5 КД205Г 199
Р6К5 КД2С5А 213
Р6М5 КД205Ж 215
P7G5 Д229К 204
Р7Н5 Д246Б 211
Р1ООА Д229Ж 193
Р1ООВ КД208А 195
Р15ОВ КД208А 195
P4G0A Д229Л 210
Р200А КД205Л 200
Р665 КД205В 207
Р1010 Д242 197
Р2010 Д243 202
Р3010 Д245 206
Р5010 КД206Б 215
Р8010 КД210Б 218
РАО5 Д305 192
PD116 МД218 191
PD126 Д220Б 230
PD127 Д312А 228
PD133 ДЮ1 188
PD910 Д209 190
РГ911 Д210 190
PD9I2 Д2Н 190
Зарубежный тип диода Пр сближенный отечественный аналог Стр.
PD014 МД217 191
PD916 МД218 191
PD915 МД218 191
PD6004A КС139А 219
PD5006A КС147А 220
PD6010 КД206В 217
PD6010A КС 168 А 220
PD6045 КС139А 219
PD6047 КС147А 220
PD6051 КС168А 220
PD6056 Д8П 222
PD6202 КС 147 А 220
PD6206 КС168А 220
РЕЮ Д304 196
РЕ20 Д243Б 202
РЕ40 Д246Б 202
РЕ60 Д248Б 216
РТ520 КД205Л 199
PS120 КД205Г 198
PS130 КД205В 207
PS140 КД205Б 207
PS150 КД205А 213
PS160 КД205Ж 215
PS440 Д229Е 206
PS632 Д226В 189
PS633 Д226В 190
PS2415 Д2П 190
PS24I6 МД217 191
PS2417 МД218 191
РТ530 Д229К 204
РТ540 Д229Л 2 09
G6HZ КД206В 215
G8HZ КД 21 ОБ 218
Н60Ю КД 206В 215
G8010 КД210Б 218
Q12-200 А—С КД521Д 224
Q12-200 КД521Д 224
Q12-200T КД521Д 224
Q12-300 КД521Д 224
Q12-300A КД521Д 224
Q12-300B КД521Д 224
GP330 КД521Г 225
GP350 КД509А 226
GP360 КД521Б 227
QS5100 КД509А 227
РХ50 Д220 227
PX1GO Д220Б 227
R421 Д243 202
R602 Д243Б 202
R604 Д246 212
R606 КД206В 217
R612 Д243 202
R614 Д246Б 212
R616 КД206В 217
258
Продолжение прилож, 2
Зарубежный тип диада Приближенный отечественный аналог Стр. ^Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
RZ18 КС218Ж 223 SFD43 КД521Г 226
HZ22 КС222Ж 223 SFD83 КД 521Г 226
RZZ11 КС211Ж 223 SE05S КД205Г 199
S1,5-0,1 КД208А 195 SE1.5 КД208А 195
S2A-12 Д243 202 SV134 Д811 222
S2E60 КД205Ж 215 SVM9321 Д818А 221
S5A1 Д304 196 SG5200 КД521А 230
S5A2 Д243Б 201 SG5260 КД521А 230
S5 АЗ Д245Б 2С5 SG203E, К Д243Б 202
S5A6 Д248Б 216 SM20 КД205Л 200
S5AN12 КД206Б 214 SM230 Д229К 204
S&AN 12 КД206В 215 SL3 Д245Б 205
S7AN12 КД203Г 2[7 SWC5B КД205Ж 215
S8AN12 КД210Б 218 SWG5S КД2ь5Г 199
S15 КД205А 213 SWISS КД2и5Л 200
S18 КД205А 213 SW1S Д229Ж 192
SI8A КД205А 213 SV131 Д818А 221
S19 Д7Ж 190 SVM905 Д818А 221
S20-06 Д248Б 216 SVM91 Д818А 221
S23A КД2 5Ж 215 SVM9310 Д818А 221
S26 Д229К 205 SVM9011 Д818А 221
S28 КД105Г 190 SVM9020 Д818А 221
S3G КД205Ж 215 SZ9 Д818А 221
у S31 КД205В 203 SZ11 Д811 222
S83 Д229К 205 TF24 Д226В 189
S92A КД205Л 200 ТК20 КД205Л 200
S101 КД205Г 199 ТК40 Д229Л 210
S106 Д7Ж 190 TMD45 Д2 7 189
S205 Д210 190 'TS1 3: Д229Ж 21b
S206 Д211 190 TS2 КД2..5Л 200
S208 МД217 191 1S4 Г Д229Л 209
S210 МД218 191 UP 12069 КД265Л 200
S219 Д7Ж 190 UP 12070 Д229Л 209
S222 КД205Г 199 Р12070А Д229Л 210
S223 КД205В 203 UR215 ДЗОЗ 197
S234 КД105Г 191 UT112 Д229Ж 193
S252 КД205Г 199 UT113 КД 20 5 Л 200
S253 КД205В 203 UT1I4 5 Д229К 204
S256 КД 105 Ж 216 UT1I5 Д229Л 210
S125 КД206В 215 UT212 Д229К 204
S427 КД210Б 218 UT213 Д229Л 210
S65250 КД509А 227 URE100X ДЗС4 196
S2E20 КД205Г 199 URF100X Д304 196
S17 КД205Г 199 URG100X ДЗО4 196
Sjj04e, К Д242 197 XSlu Д229Ж 193
SD11F ДЮ1 188 XSI7 КД21.5Л 200
SD1A КД205Ж 215 Z1550 КС 156 А 220
SD17Z КД205Г 199 ZI555 КС 156 А 220
SD91А Д229Ж 194 Z1560 КС156А 220
SD92 А КД205Л 200 Z1565 КС 156 А 220
S Е 05В КД205Ж 215 Z1570 КС 156А 220
SD93 Д229К 2и4 Z1A5.6 КС 156 А 220
Sj 1U3E, J\ Д304 197 Z1A6.8 КС168А 221
Sj2u4E, К. Д243 202 Z1A11 Д8И 222
17*
259
Окончание пригож, 2
Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр. Зарубежный тип диода Приближенный отечественный аналог Стр.
ZIB5.6 КС156А 220 ZR24 Д209 190
Z1B6.8 КС168А 220 ZC53 Д226В 189
Z1B11 Д8И 222 ZS123 Д226В 189
Z1C5.6 КС 156 А 220 ZF3.3 КС133А 219
Z1C11 Д811 222 ZG3.3 КС133А 219
Z1D6.8 КС168А 221 ZR11 КД208А 195
ZIC6,8 КС168А 221 ZR1IT КД208А 195
Z4A3.3 КС433А 223 ZR20 дзоб 192
Z4A3.9 КС439А 223 ZR61 Д229Ж 19а
Z4A4,7 КС447А 223 ZR62 КД205Л 200
Z4B3.9 КС439А 223 ZR63 Д229К 202
Z4B4.7 КС447А 223 ZR200 ДЗС5 192
Z4C3,3 КС433А 223 ZS30A КД204В 192
Z4C3.9 КС439А 223 ZR3OB КД204В 192
Z4C4.7 КС447А 223 ZS2I Д207 189
Z4D3,3 КС433А 223 ZS22 Д2и8 189
Z5D3.3 КС ЮЗА 219 ZS24 Д209 190
Z5A3,3 КС ИЗА 219 ZS140 КД512А 224
Z5B3.3 КС133А 219 ZS171 Д229Ж 193
Z5C3.3 KCI33A 219 ZS172 КД205Л 200
Z7,5 КС 170А 221 ZS271 КД208А 195
Z9,l КС191А 221 ZZ7.6 КС175А 221
ZIO КС210Б 222 ZZ10 КС2ЮВ 222
ZI1 КС211Ж 222 ZZ13] КС213Б 222
Z15 КС215Ж 222 ZZ22 КК222Ж 223
Z22 КС22Ж 223 ZZ15 КС215Ж 222
ПРИЛОЖЕНИЕ 3
Перечень отечественных диодов и транзисторов,
включенных в справочник
Тисы Диодов Стр. Тиг:ы диодов Стр. Типы диодов Стръ
Д7 190 Д304 196 КС 139 219
Д9Б 188 Д305 192 КС147 219
Д18 224 ДЗЮ 224 КС156 220
ДЮ1 188 дзи 225 КС168 220
Д102 188 Д312 228 КС 170 221
Д207 189 Д811 222 КС 175 221
Д209 190 Д818 221 КС 182 221
ДЗЮ 190 КД 102 189 КС210 222
Д211 190 кдюз 188 КС211 222
Д220 227 КД 104 189 КС213 222
Д223 189 КДЮ5 190 КС215 222
Д226 189 КД203 217 КС218 223
Д229 192 КД204 192 КС222 223
Д242 197 КД205 198 КС433 223
Д243 I 201 КД206 214 КС439 223
Д245 205 КД208 194 КС447 223
Д246 211 КД210 190 КС456 223
Д247 214 КД503 224 КСМ190А 221
Д248 216 КД509 226 мдз 224
ДЗОЗ 197 КД521 224 МД217 I9t
КС133 219 МД218 191
260
Продолжение ирилвле. 3
Талы транзисторов Стр. Типы транзисторов Стр. Типы транзисторов Стр.
ГТ 109 38 КТ 345 84 КТ818 160
ГТ 115 38 КТ347 102 КТ819 162
ГТЭ05 66 КТ349 102 КТ828 178
ГТ308 68 КТ350 82 КТ837 166
ГТ 309 64 КТ351 82 КТ838 166
ГТ31О 60 КТ 352 84 КТ839 178
ГТ311 74 КТ355 106 КТ902 186
ГТ313 70 КТ357 102 КТ903 186
ГТ320 70 КТ358 78 КТ904 180
ГТ321 70 КТ361 86 КТ907 180
ГТ322 62 КТ363 106 КТ908 176
ГТ328 72 КТ368 104 КТ909 184
ГТ329 74 КТ372 106 КТ911 184
ГТЗЗО 74 КТ373 98 КТ912 186
ГТ338 — КТ375 82 КТ913 184
ГТ341 76 К.Т501 58 КТ920 182
ГТ346 72 КТ601 112 КТ922 182
ГТ362 76 КТ602 134 КТ928 130
ГТ376 74 КТ603 120 КТ933 164
ГТ402 108 КТ604 124 КТ940 132
ГТ403 1(18 КТ605 118 КТ943 168
ГТ404 110 КТ606 180 КТ945 178
ГТ405 108 КТ608 124 КТЗ 102 92
ГТ7О1 146 КТ610 180 КТЗ 107 96
ГТ703 140 КТ611 126 КТЗ 117 100
ГТ705 146 КТ616 120 МГТ108 40
ГТ806 148 КТ617 122 МП20-МП21 44
ГТ810 148 КТ618 120 МП25-МП26 48
ГТ9Э5 148 КТ626 136 МП35-МПЭ8 50
КТ 104 54 КТ630 114 МП39-МП41 42
КТ201 52 КТ639 128 МП42 48
КТ203 54 КТ644 128 П27-П28 38
КТ208 58 КТ645 130 П29-П30 52
КТ209 58 КТ646 130 П201-П203 138
КТ301 76 КТ704 152 П210 144
КТ306 88 КТ801 150 П213-П215 138
КТЗ 12 78 КТ802 174 П216-П217 142
КТЗ13 100 КТ803 174 П307-П309 76
КТ315 78 КТ805 152 П401-П403 68
КТЗ 16 90 КТ807 150 П416 68
КТ 325 104 КТ808 172 П417 64
КТ326 104 КТ809 170 П422 66
КТ337 104 КТ812 176 П605-П606 112
КТ339 80 КТ814 154 П607-П6о9 112
КТ340 86 KT8I5 156 П701 (50
КТ342 90 КТ816 158 П7О2 154
КТ343 (02 КТ817 158
261
Габаритные чертежи корпусов отечественных, и зарубежных транзисторов
262
263
264
265
266
267
268
269
270
271
272
18-136
273
274
18’
275
276
27?
278
Габаритные чертежи корпуса8 отечественных и зарубежных ВиоВиВ
279
280
281
282
283
мч
t2g_
Полярность
№38 - анод
№38 а - анод
МЗв в в - анод
М38аа~ натад
№38
МЬ5
[ №82
MS3
ММ7
МИ8
284
286
286
287
288